(57)【要約】      （修正有）【課題】光半導体素子を実装した基板と封止材との接着性を向上させるとともに、基板上に形成された金属電極の腐食を防止した信頼性の高い光半導体装置を提供する。【解決手段】光半導体素子３を実装した基板４と、光半導体素子３を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材５とが接着されてなる光半導体装置１において、基板４と封止材５を接着するプライマー組成物２は以下の成分、（Ａ）１分子中に少なくとも一つ以上のメルカプト基を有したアルコキシシラン化合物、（Ｂ）チタン化合物、（Ｃ）溶剤、を含有する。【選択図】図１
2014022669.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とを接着するプライマー組成物であって、以下の成分
（Ａ）１分子中に少なくとも一つ以上のメルカプト基を有したアルコキシシラン化合物、
（Ｂ）チタン化合物、
（Ｃ）溶剤、
を含有することを特徴とするプライマー組成物。
【請求項２】
前記（Ａ）成分の配合量が、組成物全体の３質量％以下であることを特徴とする請求項１に記載のプライマー組成物。
【請求項３】
更に、（Ｄ）成分のシランカップリング剤（（Ａ）成分と同じとなるものを除く）を含有することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のプライマー組成物。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプライマー組成物により、前記光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とが接着されてなることを特徴とする光半導体装置。
【請求項５】
前記光半導体素子が、ＬＥＤ（発光ダイオード）であることを特徴とする請求項４に記載の光半導体装置。
【請求項６】
前記基板の構成材料が、セラミックスであることを特徴とする請求項４又は５に記載の光半導体装置。
【請求項７】
前記付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物が、ゴム状であることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の光半導体装置。
【請求項８】
前記付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物が、透明な硬化物であることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１項に記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プライマー組成物及びそれを用いた光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置として知られるＬＥＤ装置は、光半導体素子として発光ダイオード（ＬＥＤ）を有し、基板に実装されたＬＥＤを透明な樹脂からなる封止材で封止した構成である。このＬＥＤを封止する封止材としては、従来からエポキシ樹脂ベースの組成物が汎用されていた（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
しかし、エポキシ樹脂ベースの封止材では、近年の半導体パッケージの小型化やＬＥＤの高輝度化にともなう発熱量の増大や光の短波長化によってクラッキングや黄変が発生しやすく、信頼性の低下を招いていた。そこで、優れた耐熱性を有する点から、封止材としてシリコーン組成物が使用されている。特に、付加反応硬化型のシリコーン組成物は、加熱により短時間で硬化するため生産性がよく、ＬＥＤの封止材として適している（例えば特許文献２参照）。
【０００４】
しかしながら、ＬＥＤを実装する基板と、付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物からなる封止材との接着性は十分と言えるものではない。ＬＥＤを実装する基板として、機械的強度に優れる点からポリフタルアミド樹脂が多用されており、そこでその樹脂に対して有用なプライマーが開発されている（例えば特許文献３、４参照）。
【０００５】
しかしながらハイパワーな光量を必要とするＬＥＤに関してはポリフタルアミド樹脂では耐熱性がもたず変色してしまい、最近はポリフタルアミド樹脂よりも耐熱性に優れるアルミナに代表されるセラミックスが基板となる場合が多くなってきている。アルミナセラミックスから構成される基板と、該シリコーン組成物の硬化物との間では剥離を生じやすい。
【０００６】
また、シリコーン組成物は、一般に気体透過性を有する為、外部環境からの影響を受けやすい。ＬＥＤ装置が大気中の硫黄化合物や排気ガスなどに曝されると、硫黄化合物などがシリコーン組成物の硬化物を透過して、該硬化物で封止された基板上の金属電極、特にＡｇ電極を経時的に腐食して黒変させる欠点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−１９８９３０号公報
【特許文献２】特開２００４−２９２７１４号公報
【特許文献３】特開２００８−１７９６９４号公報
【特許文献４】特開２０１０−１６８４９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、このような課題に鑑みなされたもので、光半導体素子を実装した基板と、この光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材との接着性を向上させるとともに、基板上に形成された金属電極の腐食を防止することができるプライマー組成物及びそれを用いた信頼性の高い光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、本発明は、光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とを接着するプライマー組成物であって、以下の成分
（Ａ）１分子中に少なくとも一つ以上のメルカプト基を有したアルコキシシラン化合物、
（Ｂ）チタン化合物、
（Ｃ）溶剤、
を含有することを特徴とするプライマー組成物を提供する。
【００１０】
このようなプライマー組成物は、光半導体素子を実装した基板と、この光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とを強固に接着させるとともに、基板上に形成された金属電極、特にＡｇ電極の腐食を防止することができる。
【００１１】
前記（Ａ）成分の配合量が、組成物全体の３質量％以下であることが好ましい。
【００１２】
このような（Ａ）成分の配合量であれば、前記基板上に形成された金属電極、特にＡｇ電極が、より硫化しにくくなる。
【００１３】
また、（Ｄ）成分のシランカップリング剤（（Ａ）成分と同じとなるものを除く）を、更に含有することが好ましい。
【００１４】
このようなシランカップリング剤を含有させることでプライマー組成物の接着性をより高めることができる。
【００１５】
また、本発明は、上記プライマー組成物により、前記光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とが接着されてなることを特徴とする光半導体装置を提供する。
【００１６】
上記プライマー組成物は、上述のとおり上記光半導体素子を実装した基板と上記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とを強固に接着するとともに、基板上に形成された金属電極、特にＡｇ電極の腐食を防止させることができる。これらのことから、上記光半導体装置を高い信頼性を有するものとすることができる。
【００１７】
この場合、前記光半導体素子が、ＬＥＤ（発光ダイオード）であることが好ましい。
【００１８】
ＬＥＤは、高効率の光源であるので、好適に用いることができる。
【００１９】
更に、前記基板の構成材料が、セラミックスであることが好ましい。
【００２０】
セラミックスが基板であれば、耐熱性が高いので、変色や劣化のおそれがなく好ましい。
【００２１】
前記付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物が、ゴム状であることが好ましい。
【００２２】
前記付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物がゴム状であれば、より強固な接着性を有し、基板上に形成された金属電極、特にＡｇ電極の腐食を防止することができる。
【００２３】
前記付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物が、透明な硬化物であることが好ましい。
【００２４】
前記付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物が、透明な硬化物であれば、ＬＥＤ等の光半導体素子の封止材として好適である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のプライマー組成物であれば、光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とを強固に接着させることができるとともに、基板上に形成された金属電極、特にＡｇ電極の腐食を防止することができる。
また、本発明のプライマー組成物がこのような機能を有するので、該プライマー組成物を用いた光半導体装置は、高い信頼性を有することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の光半導体装置（ＬＥＤ）の一例を示す断面図である。
【図２】実施例及び比較例におけるプライマー組成物の接着性（接着強度）を試験する接着試験用テストピースの一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
上述のように、従来、光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材との接着性は十分ではなく、また、光半導体装置が大気中の硫黄化合物や排気ガスなどに曝されると、硫黄化合物などがシリコーン組成物の硬化物を透過して、該硬化物で封止された基板上の金属電極、特にＡｇ電極を経時的に腐食して黒変させる欠点があった。
【００２８】
本発明者らは、上記問題を解決するために鋭意検討した結果、１分子中に少なくとも一つ以上のメルカプト基を含有したアルコキシシラン化合物を組成物に配合することで、光半導体素子を実装した基板と、この光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とを強固に接着させるとともに、基板上に形成された金属電極、特にＡｇ電極の腐食を防止することができるプライマー組成物およびそれを用いた高信頼性の光半導体装置が得られることを見出し、本発明をなすに至った。
【００２９】
すなわち、本発明のプライマー組成物は、光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とを接着するプライマー組成物であって、以下の成分
（Ａ）１分子中に少なくとも一つ以上のメルカプト基を有したアルコキシシラン化合物、
（Ｂ）チタン化合物、
（Ｃ）溶剤、
を含有することを特徴とするプライマー組成物である。
【００３０】
＜プライマー組成物＞
以下、本発明のプライマー組成物について詳細に説明する。
本発明のプライマー組成物は、下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有するものである。
【００３１】
［（Ａ）成分］
（Ａ）成分は、１分子中に少なくとも一つ以上のメルカプト基を含有したアルコキシシラン化合物であり、例えば半導体素子を実装する基板、特にセラミックス基板やポリフタルアミド樹脂基板に対して十分な接着性を与えるとともに、該基板上に形成された金属電極（特にＡｇ電極）の経時的な腐食を抑制する成分である。
【００３２】
１分子中に少なくとも一つ以上メルカプト基を含有したアルコキシシラン化合物としては、以下の式で表わされる構造をもつ化合物が挙げられる。
【００３３】
具体的な構造として例えば以下のものが挙げられる。
【化１】
2014022669.tif 000003
ここで、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基を示す。
【００３４】
（Ａ）成分の配合量は、組成物全体の０．０１〜３質量％が好ましい。０．０１質量％以上であれば、周りの環境から侵入して来る変色成分を抑えることができ、３質量％以下であれば、前記基板上に形成された金属電極、特にＡｇ電極が、より硫化しにくい。更に好ましくは、組成物全体の０．０５〜１質量％である。
【００３５】
［（Ｂ）成分］
（Ｂ）成分は、チタン化合物であり、硬化触媒として作用するものである。具体的には、チタンのアルコキシド又はチタンキレートが好ましく、具体的にはチタニウムテトライソプロポキシド、チタニウムテトラブトキシド、ビス−２．４−ペンタンジオナートチタニウムジイソプロポキシド、ビスアセチルアセトナートチタニウムジイソプロポシキド等が挙げられる。これは１種又は２種以上を組み合わせて用いても良い。
【００３６】
（Ｂ）成分の配合量は、（Ａ）成分の加水分解反応を進める量が好ましい。具体的には、（Ａ）成分の配合量に対して０．０１〜５質量％が好ましく、さらに好ましくは０．０５〜２質量％である。
【００３７】
［（Ｃ）成分］
（Ｃ）成分は、溶剤であり、上述の（Ａ）、（Ｂ）成分や後述する（Ｄ）成分及びその他の任意成分が溶けるものであれば限定されるものではなく、公知の有機溶剤を使用できる。具体的には、キシレン、トルエン、ベンゼン、ヘプタン、ヘキサン、トリクロロエチレン、パークロロエチレン、塩化メチレン、酢酸エチル、メチルイソブチルケトン、メチルエチルケトン、エタノール、イソプロパノール、ブタノール、リグロイン、シクロヘキサノン、ジエチルエーテル、ゴム揮発油、シリコーン系溶剤等が挙げられる。プライマー塗布作業時の蒸発速度に応じて、１種単独または２種以上を組合せて混合溶剤として用いてもよい。
【００３８】
（Ｃ）成分の配合量としては、いかなる量でもよいが、組成物全体の７０質量％以上が好ましく、さらに好ましくは８０〜９９．９質量％である。
【００３９】
［（Ｄ）成分］
上記プライマー組成物は、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分に、更に（Ｄ）成分のシランカップリング剤（（Ａ）成分と同じとなるものを除く）を含有することが好ましい。（Ｄ）成分としては、一般的なシランカップリング剤を使用することができる。
具体的には、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、アクリロキシプロピルトリメトキシシラン、メルカプトプロピルトリメトキシシラン等が挙げられる。
【００４０】
（Ｄ）成分の配合量としては、組成物全体の０．０１〜５質量％が好ましく、更に好ましくは０．０１〜２質量％である。
【００４１】
［その他の成分］
上記（Ａ）〜（Ｃ）成分以外に必要に応じて、金属腐食防止剤として、ベンゾトリアゾール、ブチルヒドロキシトルエン、ハイドロキノンまたはその誘導体を配合してもよい。
これらは、光半導体装置が過酷な外部環境に曝されて、例えば大気中の硫黄化合物が光半導体装置の封止材（付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物）を透過した場合に、この封止材で封止された基板上の金属電極、特にＡｇ電極の腐食をより効果的に抑制する成分である。
【００４２】
また、（Ａ）成分中のＳｉＨ基と付加反応硬化型シリコーン組成物との接着力を向上させるために、付加反応の触媒である白金触媒を任意の成分として添加することができる。
【００４３】
さらに、その他の任意成分として、補強性充填剤、染料、顔料、耐熱性向上剤、酸化防止剤、接着促進剤等を添加することができる。
【００４４】
［プライマー組成物の製造方法］
上記（Ａ）〜（Ｃ）成分と上記任意成分を常温下で混合撹拌機により均一に混合する方法等が挙げられる。
【００４５】
本発明のプライマー組成物を使用することで、ＬＥＤ等の光半導体素子を実装した基板と付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とを強固に接着することができ、光半導体装置が過酷な外部環境に曝されて、大気中の硫黄化合物などが該シリコーン組成物の硬化物内に透過するような場合にも、本発明のプライマー組成物を使用することで基板上の金属電極、特にＡｇ電極の腐食を抑制することができる。
【００４６】
＜光半導体装置＞
本発明の光半導体装置は、前記プライマー組成物により、前記光半導体素子を実装した基板と、前記光半導体素子を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とが接着されてなることを特徴とする光半導体装置である。
【００４７】
次に、本発明の光半導体装置を、図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明に係る光半導体装置の一例を示す断面図であり、ＬＥＤ装置を示している。
図１に示すように、本発明の光半導体装置１は、上述したプライマー組成物２により、ＬＥＤ３を実装した基板４と、ＬＥＤ３を封止する付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物からなる封止材５とが接着されている。基板４には、Ａｇ電極などの金属電極６が形成されており、ボンディングワイヤ７でＬＥＤ３の電極端子（図示せず）と金属電極６とが電気的に接続されている。
【００４８】
光半導体素子は、ＬＥＤであることが好ましく、光半導体素子の一例としてＬＥＤを用いて説明したが、その他の具体例として、例えばフォトトランジスタ、フォトダイオード、ＣＣＤ、太陽電池モジュール、ＥＰＲＯＭ、フォトカプラなどが挙げられる。
【００４９】
基板４の構成材料は、ポリフタルアミド樹脂、各種繊維強化プラスチック、セラミックス等が挙げられるが、耐熱性が良好な点からセラミックスが好ましく、特に耐熱性が良好な点からアルミナセラミックスがさらに好ましい。
【００５０】
付加反応硬化型シリコーンからなる封止材５は、少なくとも、ビニル基含有ポリオルガノシロキサン、ポリオルガノハイドロジェンシロキサン及び白金系触媒を含有する付加反応硬化型シリコーン組成物を硬化させることによって得られる。
【００５１】
前記付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物は、ゴム状であることが好ましい。
【００５２】
また、前記付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物は、透明な硬化物であることが好ましい。
【００５３】
付加反応硬化型シリコーン組成物には、その他の任意成分として反応抑制剤、着色剤、難燃性付与剤、耐熱性向上剤、可塑剤、補強性シリカ、接着性付与剤等を添加することができる。これらは目的に応じ、従来用いられているいずれのものをも特に制限されることなく用いることができる。
【００５４】
［光半導体装置の製造方法］
本発明の光半導体装置の製造方法は、特に限定されないが、以下のように製造することができる。
予め、ＡｇメッキでＡｇ電極などの金属電極６が形成された基板４にＬＥＤ３を接着剤で接合して、ワイヤボンディングによりＬＥＤ３の電極端子（図示せず）と金属電極６とを電気的に接続する。その後、このＬＥＤ３が実装された基板４を必要に応じて清浄してから、スピンナー等の塗布装置や噴霧器で本発明のプライマー組成物２を基板４に塗布する。その後、加熱、風乾などによりプライマー組成物２中の溶剤を揮発させ、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは０．０１〜１μｍの被膜を形成させる。プライマー処理した後、付加反応硬化型シリコーン組成物をディスペンサー等で塗布し、室温で放置又は加熱して硬化させた硬化物（封止材）５でＬＥＤ３を封止する。
【００５５】
上記プライマー組成物を使用する本発明の光半導体装置は、ＬＥＤ等の光半導体素子を実装した基板と付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とが強固に接着するので、高い信頼性を有し、過酷な外部環境に曝されて、大気中の硫黄化合物などが該シリコーン組成物の硬化物内に透過するような場合にも、基板上の金属電極、特にＡｇ電極の腐食を抑制することができる。
【実施例】
【００５６】
以下、本発明を実施例により詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。実施例および比較例で得られたプライマー組成物は、表１に一覧表として示す。その組成物を以下のようにして評価し、結果を表２に示す。なお表２に示した特性は、２３℃において測定した値である。
【００５７】
［実施例１］
酢酸エチル１００質量部にγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン０．５質量部、テトラブトキシチタン０．２質量部を添加し、常温下で混合撹拌機により均一に混合し、プライマー組成物を得た。
【００５８】
［外観］
得られたプライマー組成物をアルミナセラミックスに刷毛塗りし、２３℃で３０分放置して乾燥させた後、１８０℃×２０分で表面を焼付けしてプライマー組成物被膜を形成した。このプライマー組成物上に付加反応硬化型シリコーンゴム組成物（信越化学工業株式会社製、ＫＥＲ−２５００）を塗布して１５０℃で１時間硬化させて、その外観を観察した。
【００５９】
［透過率］
以下のようにして、プライマー組成物の耐熱性試験をした。
得られたプライマー組成物をスライドガラス上に刷毛塗りし、１８０℃×２０分で表面を焼付けしてプライマー組成物被膜を形成した。焼付け後４００ｎｍにおける透過率を塗布したスライドガラスを用いて空気をブランク（対照）として測定した。その後プライマーを塗布したスライドガラスを１５０℃×５００ｈｒ耐熱劣化させ、プライマー膜自身の透明性変化を確認した。
【００６０】
［接着性（接着強度）］
図２のようにして、プライマー組成物の接着性試験をした。
２枚のアルミナセラミックス基板１１、１２に得られたプライマー組成物を厚さ０．０１ｍｍで塗布し、２３℃で６０分放置して乾燥させた後、１８０℃×２０分で表面を焼付けてプライマー組成物被膜を形成した。この２枚のアルミナセラミックス基板のそれぞれの端部を、図２に示すように、プライマー組成物被膜を形成した側の面を対向させて、その間に付加反応硬化型シリコーンゴム組成物（信越化学工業株式会社製、試作品）を１ｍｍ厚で挟み込むように塗布し（接着面積２５ｍｍ×１０ｍｍ＝２５０ｍｍ２）、１５０℃で２時間硬化させて付加反応硬化型シリコーンゴム組成物の硬化物１３を作製し、接着試験用のテストピースを作製した。なお、アルミナセラミックス（ケーディーエス社製）を使用した。
【００６１】
このテストピースのプライマー組成物を塗布したアルミナセラミックス基板１１、１２を矢印方向（図２参照）に引っ張り試験機（島津製作所製、オートグラフ）を用いて引張速度５０ｍｍ／分で引っ張り、観察された単位面積あたりの接着強度をＭＰａとして表し確認した。
【００６２】
［腐食性試験］
得られたプライマー組成物を銀メッキ板に刷毛塗りし、２３℃で３０分放置して乾燥させた後、１８０℃×２０分で表面を焼付けしてプライマー組成物被膜を形成した。付加反応硬化型シリコーンゴム組成物（信越化学工業株式会社製、ＫＥＲ−２５００）を１ｍｍ厚で塗布し、１５０℃で１時間硬化させてテストピースを作製した。このテストピースを硫黄結晶０．１ｇとともに１００ｃｃガラス瓶に入れ密閉して７０℃で放置し、所定時間ごとに（１日後、７日後、１２日後）シリコーンゴムを剥がして、銀メッキ板の腐食の程度を目視で観察した。
【００６３】
［実施例２］
イソプロピルアルコール１００質量部にγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン０．５質量部、テトラブトキシチタン０．２質量部を添加し、常温下で混合撹拌機により均一に混合し、プライマー組成物を得た。このプライマー組成物を実施例１と同様にして特性を評価した。
【００６４】
［実施例３］
酢酸エチル１００質量部にγ−メルカプトプロピルトリエトキシシラン０．５質量部、テトラブトキシチタン０．２質量部を添加し、常温下で混合撹拌機により均一に混合し、プライマー組成物を得た。このプライマー組成物を実施例１と同様にして特性を評価した。
【００６５】
［実施例４］
酢酸エチル１００質量部にγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン０．３質量部、テトラブトキシチタン０．１質量部を添加し、常温下で混合撹拌機により均一に混合し、プライマー組成物を得た。このプライマー組成物を実施例１と同様にして特性を評価した。
【００６６】
［実施例５］
酢酸エチル１００質量部にγ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン０．３質量部、メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン０．２質量部、テトラブトキシチタン０．１質量部を添加し、常温下で混合撹拌機により均一に混合し、プライマー組成物を得た。このプライマー組成物を実施例１と同様にして特性を評価した。
【００６７】
［比較例１］
プライマー組成物を塗布しない以外は実施例１に記載の方法と同様にして接着性試験および腐食性試験を行った。
【００６８】
［比較例２］
酢酸エチル１００質量部にビス［３−（トリエトキシシリル）プロピル］テトラスフィド０．５質量部、テトラブトキシチタン０．２質量部を添加し、常温下で混合撹拌機により均一に混合し、プライマー組成物を得た。このプライマー組成物を実施例１と同様にして特性を評価した。
【００６９】
［比較例３］
酢酸エチル１００質量部にベンゾチアゾール０．５質量部、テトラブトキシチタン０．２質量部を添加し、常温下で混合撹拌機により均一に混合し、プライマー組成物を得た。このプライマー組成物を実施例１と同様にして特性を評価した。
【００７０】
【表１】
2014022669.tif 000004
【００７１】
【表２】
2014022669.tif 000005
○…腐食（変色）なし、△…多少の腐食（変色）あり、×…黒変あり
【００７２】
表２から明らかなように、メルカプトシラン化合物を配合した各実施例のプライマー組成物は、アルミナセラミックスと、付加反応硬化型シリコーン組成物からなる封止材とを強固に接着する。
【００７３】
スライドガラス上に形成されたプライマー組成物被膜の耐熱性試験では、変色がなく膜自身の変化も無く耐熱性も優れている。
【００７４】
また、アルミナセラミックスの代わりに、Ａｇメッキ板を使用した腐食性試験では、各実施例は１日経過後で変色がなく、１２日経時しても変色（腐食）抑制の効果がある。
【符号の説明】
【００７５】
１…光半導体装置、  ２…プライマー組成物、  ３…光半導体素子（ＬＥＤ）、  ４…基板、  ５…付加反応硬化型シリコーン組成物の硬化物（封止材）、  ６…金属電極、  ７…ボンディングワイヤ、  １１、１２…アルミナセラミックス基板、  １３…付加反応硬化型シリコーンゴム組成物の硬化物。
【図１】
2014022669.tif 000006
【図２】
2014022669.tif 000007
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月12日(2013.6.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
［（Ｂ）成分］
（Ｂ）成分は、チタン化合物であり、硬化触媒として作用するものである。具体的には、チタンのアルコキシド又はチタンキレートが好ましく、具体的にはチタニウムテトライソプロポキシド、チタニウムテトラブトキシド、ビス−２，４−ペンタンジオナートチタニウムジイソプロポキシド、ビスアセチルアセトナートチタニウムジイソプロポシキド等が挙げられる。これは１種又は２種以上を組み合わせて用いても良い。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
［比較例２］
酢酸エチル１００質量部にビス［３−（トリエトキシシリル）プロピル］テトラスルフィド０．５質量部、テトラブトキシチタン０．２質量部を添加し、常温下で混合撹拌機により均一に混合し、プライマー組成物を得た。このプライマー組成物を実施例１と同様にして特性を評価した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
【表１】
2014022669.tif 000008