(57)【要約】  【課題】  本発明は、様々な熱履歴を有するワークに対し、スループットの向上が図れる半田ダイボンダ及びボンディング方法並びにダイボンダ運転方法決定装置を提供することである。  【解決手段】  本発明は、ワークを搬送する搬送路上に前記ワークを直列状に所定の間隔で複数供給し、前記直列状に供給された複数の該ワークを所定のピッチで間欠送りし、前記ワークに半導体素子を装着する半田ダイボンダ及びボンディング方法並びに運転方法を決定するダイボンダ運転方法決定装置であって、前記搬送路上に前記ワークを供給する供給パターンと、前記ワークの許容熱履歴と、前記ワークに対する複数の加熱温度とに基づいて運転方法を決定する。【選択図】  図１８
2014179557.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークを搬送する搬送路上に前記ワークを直列状に所定の間隔で複数供給する供給装置と、
前記直列状に供給された複数の前記ワークを所定のピッチで間欠搬送する搬送装置と、
前記供給装置を制御し、前記搬送路にワークが存在する供給パターンを形成する制御装置と、
前記搬送路上の前記ワークに半田を塗布する塗布装置と、
前記半田が塗布された前記ワークに半導体素子を装着する装着装置と、を備え
前記制御装置は、前記搬送路上に前記ワークを供給する供給パターンと、前記ワークの許容熱履歴と、前記ワークに対する複数の加熱温度とに基づいて運転方法を決定する決定手段を、
有することを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項２】
請求項１に記載の半田ダイボンダであって、
前記加熱温度は、前記ワークに適用可能な前記半田の融点に基づいて決定された加熱温度であることを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の半田ダイボンダであって、
前記供給パターンは、Ｍ（≧０の整数）個おきに前記ワークが供給される供給パターンであることを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項４】
請求項３に記載の半田ダイボンダであって、
前記供給パターンは、複数の前記Ｍ個おきに前記ワークが供給される供給パターンであることを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の半田ダイボンダであって、
前記供給パターンは、Ｌ（≧０の整数）個おきに前記ワークが間引かれて供給される供給パターンであることを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項６】
請求項５に記載の半田ダイボンダであって、
前記供給パターンは、複数の前記Ｌ個おきに前記ワークが間引かれて供給される供給パターンであることを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項７】
ワークを搬送する搬送路上に前記ワークを供給する供給パターンと、前記ワークの許容熱履歴と、前記ワークに対する複数の加熱温度とに基づいて運転方法を決定する決定ステップと、
該運転方法に基づいて前記搬送路上に前記ワークを直列状に所定の間隔で複数供給する供給ステップと、
前記直列状に供給された複数の前記ワークを所定のピッチで間欠搬送する搬送ステップと、
前記搬送路上の前記ワークに半田を塗布する塗布ステップと、
前記半田が塗布された前記ワークに半導体素子を装着する装着ステップと、
を有することを特徴とするボンディング方法。
【請求項８】
請求項７に記載のボンディング方法であって、
前記加熱温度は、前記ワークに適用可能な前記半田の融点に基づいて決定された加熱温度であることを特徴とするボンディング方法。
【請求項９】
請求項７又は８に記載のボンディング方法であって、
前記供給パターンは、Ｍ（≧０の整数）個おきに前記ワークが供給される供給パターンであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のボンディング方法であって、
前記供給パターンは、複数の前記Ｍ個おきに前記ワークが供給される供給パターンであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１１】
請求項７又は８に記載のボンディング方法であって、
前記供給パターンは、Ｌ（≧０の整数）個おきに前記ワークが間引かれて供給される供給パターンであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のボンディング方法であって、
前記供給パターンは、複数の前記Ｌ個おきに前記ワークが間引かれて供給される供給パターンであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１３】
ワークを搬送する搬送路上に前記ワークを直列状に所定の間隔で複数供給し、前記直列状に供給された複数の前記ワークを所定のピッチで間欠搬送し、前記ワークに半導体素子を装着する半田ダイボンダの運転方法を決定するダイボンダ運転方法決定装置であって、
前記搬送路上に前記ワークを供給する供給パターンと、前記ワークの許容熱履歴と、前記ワークに対する複数の加熱温度とに基づいて運転方法を決定する決定手段を有することを特徴とするダイボンダ運転方法決定装置。
【請求項１４】
請求項１３に記載のダイボンダ運転方法決定装置であって、
前記加熱温度は、前記ワークに適用可能な前記半田の融点に基づいて決定された加熱温度であることを特徴とするダイボンダ運転方法決定装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田ダイボンダの搬送路上を間欠搬送されるヒートシンクや基板等のワークに半導体素子を装着する半田ダイボンダ及びボンディング方法並びに半田ダイボンダ運転方法決定装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半田ダイボンダは、搬送路上の複数の送り爪を一定のピッチで間欠搬送し、搬送路上に載置したヒートシンクやフレームなどのワークを搬送し、搬送されてきたワークに接合部材である半田を添加し、その半田の上に半導体素子を装着（ボンディング）する装置である。ワーク（機種）には、熱履歴（加熱温度×時間）による制限があり、この熱履歴を満足するように、運転方法を定める必要がある。このような従来技術としては、特許文献１がある。
特許文献１に記載された技術は、熱履歴を規定する多くの要因の中から、適切なものを選び、熱履歴を満足することを確認して、半田ダイボンダを運転し製品を生産していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２６６０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、昨今は、鉛フリー半田を代表する様々な成分の半田が使用されるようになり、熱履歴（加熱温度×加熱時間）の許容値も様々に変化しており、耐え得る熱履歴が低くなる場合がある。また、このような半田の種類も多くなってきている。さらに、搬送路上に供給されるワーク（半導体素子を搭載する基板や基板に搭載される半導体素子、ヒートシンクや基板の表面処理材等を含む）においても、その材質等が様々であり、許容される熱履歴は制限されることになる。よって、このように、従来の方法で選んだ運転方法が、必ずしもスループットが高いとは限らない。そこで、多くのワークに対して、スループットの高い運転方法を実現することが課題となる。
ワークの変更に伴い、装置を変えたり大型化したりすることも考えられるが、ワークの種類毎に熱履歴は異なり、このような対応はコスト的に好ましくない。
【０００５】
従って、本発明の目的は、様々な熱履歴を有するワークに対し、スループットの向上が図れる半田ダイボンダ及びボンディング方法並びにダイボンダ運転方法決定装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記目的を達成するため、少なくとも以下の特徴を有する。
本発明は、半田ダイボンダ又はボンディング方法において、ワークを搬送する搬送路上に前記ワークを供給する供給パターンと、前記ワークの許容熱履歴と、前記ワークに対する複数の加熱温度とに基づいて運転方法を決定し、該運転方法に基づいて前記搬送路上に前記ワークを直列状に所定の間隔で複数供給し、前記直列状に供給された複数の前記ワークを所定のピッチで間欠送りし、前記搬送路上の前記ワークに半田を塗布し、前記半田が塗布された前記ワークに半導体素子を装着することを特徴とする。
【０００７】
また、前記加熱温度は、前記ワークに適用可能な前記半田の融点に基づいて決定された加熱温度であってもよい。
さらに、前記供給パターンをＭ個（≧０の整数）おきに前記ワークを供給するパターンとしてもよい。
【０００８】
また、前記供給パターンを複数の前記Ｍ個おきに形成されるパターンとしてもよい。
さらに、前記供給パターンをＬ個（≧０の整数）おきに前記ワークが間引かれる供給パターンとしてもよい。
また、前記供給パターンを複数の前記Ｌ個おきに形成されるパターンとしてもよい。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、様々な許容熱履歴を有するワークに対応できる半田ダイボンダ及びボンディング方法並びにダイボンダ運転方法決定装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１の実施形態である半田ダイボンダを示す図である。
【図２】本発明の第２の実施形態である半田ダイボンダを示す図である。
【図３】本発明の第２の実施形態である半田ダイボンダの供給装置の構成を模式的に示し、その動作を説明する図である。
【図４】第２の実施形態である半田ダイボンダにおいて、搬送路と各ステーションの構成を模式的に、さらに加熱範囲及び冷却範囲を示した図である。
【図５】供給パターン形成方法の第１の実施形態である供給間隔Ｍを変える第１の供給パターンにおいて、１個おき（供給間隔Ｍ＝１）に供給された供給路上のワークの状態を示す図である。
【図６】供給間隔Ｍを変える第１の供給パターンにおいて、２個おき（供給間隔Ｍ＝２）に供給された供給路上のワークの状態を示す図である。
【図７】供給間隔Ｍを変える第１の供給パターンにおいて、３個おき（供給間隔Ｍ＝３）に供給された供給路上のワークの状態を示す図である。
【図８】供給間隔Ｍを変える第１の供給パターンにおいて、供給間隔Ｍを設定する画面を示す図である。
【図９】供給間隔Ｍを変える第２の供給パターンを示し、第１の供給パターンの図６に対応し、供給間隔Ｍ＝２、供給単位Ｋ＝２のケースの供給路上のワークの状態を示す図である。
【図１０】第１の供給パターンの図８に対応し、第２の供給パターンの供給間隔Ｍを設定する画面である。
【図１１】供給パターン形成方法の第２の実施形態である間引間隔Ｌを変える第３の供給パターンにおいて、２個おきにワークを間引きして供給する場合（間引間隔Ｌ＝２）の供給路上のワークの状態を示す図である。
【図１２】間引間隔Ｌを変える第３の供給パターンにおいて、３個おきにワークを間引きして供給する場合（間引間隔Ｌ＝３）の供給路上のワークの状態を示す図である。
【図１３】間引間隔Ｌを変える第３の供給パターンにおいて、間引間隔Ｌを設定する画面を示す図である。
【図１４】供給パターン形成方法の第３の実施形態である供給間隔Ｍが混在した供給パターンの例における供給路上のワークの状態を示す図である。
【図１５】処理すべき機種の一覧表を示す図である。
【図１６】選ばれたワークの許容熱履歴、ワークサイズ及びワークで決まる供給処理時間と取出処理時間を表示する画面を示す図である。
【図１７】ワークに適用可能な半田の種類、及び半田の融点に基づくワークの加熱温度、その半田の種類及びワークサイズから規定されるワークの装着処理時間と、許容加熱時間ＡＨsecを表示する画面を示す図である。
【図１８】図８に示したＭモードの探索結果を、各半田Ａ、Ｂ、Ｃに対して実施した結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下図面に基づき、本発明の実施形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態である半田ダイボンダ１を示す図である。半田ダイボンダ１は、ヒートシンクや基板等のワーク５を基台２０に凹上に設けられた搬送路２１に供給する供給装置３と、供給されたワーク５を各処理位置に間欠に搬送する搬送装置２と、搬送路２１上のワーク５に半導体素子を装着するために半導体素子であるチップ９との接合材となる半田を塗布する塗布装置４と、半田が塗布されたワーク５に半導体素子を装着する装着装置６と、装着装置６で処理されたワーク５を取出す取出装置７と、これらを制御する制御装置５０を有する。
【００１２】
上記の半田ダイボンダ１において、塗布装置４で半田を塗布されたワーク５は装着装置６で処理される。なお、装着装置６と、装着装置６の前処理装置である塗布装置４とを装着ユニット８という。前処理装置には、塗布装置の他、ワーク上に塗布された半田をコテ状のツールにより形成する半田形成装置を設ける場合がある。
【００１３】
また、本実施形態ではワーク５が間欠に搬送されるので停止中に各処理を行う必要がある。このような各処理を行うためにワーク５が停止する処理位置の各々をステーションと呼ぶ。例えば、供給装置３により搬送路２１に供給する処理位置を供給ステーション３ｓ、塗布する処理位置を塗布ステーション４ｓと、ワーク５に半導体素子を装着する処理位置を装着ステーション６ｓと、半導体素子が装着されたワークを取り出す処理位置を取出ステーション７ｓと呼ぶ。
【００１４】
搬送装置２は、ワーク５が移動する搬送路２１と、搬送方向（矢印Ｇ）に沿って設けられるトランスファ２３と、搬送路２１上の各ワーク５を係止して移動させるためにトランスファ２３に所定間隔毎に設けられる複数の送り爪２４と、トランスファ２３を所定間隔で規定される所定のピッチで往復動作させる往復駆動源（図示せず）と、駆動源によりトランスファ２３を１ピッチ往動作により移動させた後、下端の軸（図示せず）を支点として上方へ遥動させてワーク５と送り爪２４との係止を解除する遥動駆動源（図示せず）とを備えている。このトランスファ２３の所定長さの１ピッチずつ往復動作と上下動作によって、ワーク５は矢印Ｈ方向に間欠に搬送される。
【００１５】
塗布装置４は、ノズル４ｎを有し、ワークの所定の位置に半田を塗布する。図１では塗布したことをシンボル的に示すためにワーク上に丸（○）を付している。また、装着装置６は、装着ヘッド６ｈを有し、ウェハ保持部６ｗで保持されたウェハ１０からチップ９をピックアップし、位置決め用カメラ６ｃで撮像されたチップの姿勢で位置決め補正されて、ワーク５上にチップ９を装着する。図１では装着したことをシンボル的に示すためにワーク上に４角形（□）を付している。
【００１６】
このような構成によって、ワーク５は搬送路２１の上流から供給され、ワーク５はトランスファ２３の送り爪２４によって間欠に送られ、ワーク５が停止している間に塗布ステーション４ｓで半田が塗布され、装着ステーション６ｓでチップが装着されて、取出ステーション７ｓで外部に取り出される。
【００１７】
一方、図２に示す本発明の第２の実施形態である半田ダイボンダ１Ａは、ワーク５を２個ずつ搬送路２１上に供給され、２個ずつ間欠送りされ、２台の塗布装置４Ａ、４Ｂと、２台の装着装置６Ａ、６Ｂでワーク５を順に処理する。図２において添え字Ａ、Ｂのある装置は、図１において同じ符号番号のＡ、Ｂのない装置と同じ機能を果たすことができる。
【００１８】
搬送路２１上のワーク５の下側に付した添え字Ａ、Ｂは、同時に供給された、添え字Ａ、Ｂが付された２枚のワークが供給される度にシフトしていく状態を示す。つまり、半田ダイボンダ１Ａでは、添え字Ａが付されたワーク５は、添え字Ａの付されたステーションで添え字Ａの付された装置で処理される。同様に、添え字Ｂが付されたワーク５は、添え字Ｂが付されたステーションで添え字Ｂが付された装置で処理される。従って、図２に示す各構成の動作は、ワーク５が２個ずつ間欠送りされ、２台の塗布装置４Ａ、４Ｂと２台の装着装置６Ａ、６Ｂで処理するということ以外は、図１と同じである。
【００１９】
図３は、本発明の第２の実施形態である半田ダイボンダの供給装置の構成を模式的に示し、その動作を説明する図である。
供給装置３は、基台３１、基台に凹状に構成されたワーク５を供給する供給路３２と、供給路に存在するワーク５を搬送路２１にワークを２個同時に押出すＵの字状の供給プッシャ３３と、供給路３２にワーク５を載置する供給部３７とを有する。
【００２０】
供給部３７は、ワーク５を有し、そのワークを搬送路３２に供給するワーク供給ボックス３７ａと、供給路３２上に供給されたワーク５を矢印Ｊ方向に移動させる分配プッシャ３７ｂを有する。
【００２１】
供給プッシャ３３は、Ｕ字状の形状を有し、左右のプッシャ部３３Ａ、３３Ｂが押出供給路３８Ａ、３８Ｂ上を移動して、それぞれが供給路３２上のワーク５を搬送路２１上に供給する。この時、押出供給路３８Ａと、３８Ｂとの分岐点にはワーク５を吸着する吸着孔３６Ａ、３６Ｂがあり、吸着孔３６Ａと３６Ｂがワーク５を吸着し、それぞれの分岐点にワーク５が存在することを検出する。
【００２２】
ガイド機構３４、３５は、ワークより小さい大きさを有し、昇降可能な機構（図示せず）を有する。ガイド機構３４は、ワーク５を供給路３２に供給する時に、上昇してワーク５が押出供給路３８Ｂに供給されないようにガイドする。ガイド機構３５は、ワーク５を押出供給路３８Ａ、３８Ｂ上を移動させる時に、やや上昇して分岐点上のワークが押出供給路３８Ｂに確実に供給されるようにガイドする。
【００２３】
図１、図２に示す半田ダイボンダ１、１Ａにおいて、高温半田がワーク５に馴染んで塗布され、チップ９を半田上に確実装着するために、搬送路２１上のワーク５は、多くの場合、半田の融点以上の加熱温度に加熱され、その後冷却される。ワーク５は体積が小さいため熱容量が小さく、供給路に供給されて加熱装置により加熱されると、直ぐに加熱温度と同じ温度に達する。なお、図１、図２において、加熱装置や冷却装置は、図示していない。
【００２４】
次に、ワーク５は、式（1）で定義される固有の熱履歴ＴＨを有している。
ＴＨ  ＝（加熱温度Ｔ）×（加熱時間Ｈ）                           （１）
従って、ワーク５は、ワーク５に塗布される半田やワーク５それ自体への加熱によるダメージを出来る限り低減する必要があるため、熱履歴ＴＨの許容範囲内で、搬送路２１上の加熱範囲ＨＲ（後述図Ｘ参照）を通過しなくてはならない。加熱温度Ｔは、使用する半田の融点で決まる。一方、加熱時間Ｈは、ワーク５の処理が間欠的に停止して行われるから、加熱時間Ｈは式（２）で定義される。
Ｈ＝加熱範囲ＨＲの搬送時間（ＣＴ）＋ワークの処理時間（ＡＴ）        （２）
加熱範囲ＨＲの搬送時間ＣＴは、間欠送りの間隔である搬送ピッチＰの搬送時間ＰＴが一定であれば変化しない。即ち、加熱範囲ＨＲ内の搬送ピッチ数をＮとすれば、式（３）となる。
ＣＴ＝Ｎ×ＰＴ                                                      （３）
一方、ワーク５の処理としては、ワークの処理時間ＡＴは、あるワーク５が加熱範囲ＨＲを搬送される当該ワークと他のワークの全ての処理時間を合計したものである。例えば、加熱範囲ＨＲの中に当該ワークを含めてワークが１０個存在する場合、１個のワークの処理時間をＤＴとすると、ワークの処理時間ＡＴは１０×ＤＴとなる。
【００２５】
従って、加熱範囲ＨＲの搬送ピッチに存在するワーク数を調節すれば、ワークの処理時間ＡＴを調節することができる。ワーク数をランダムに調整すれば、加熱範囲ＨＲに存在する最大ワーク数で熱履歴ＴＨは規定されるから、安定して行うためには、一定供給パターンで行うことが必要である。
【００２６】
一定供給パターンの形成方法としては、次の供給パターンがある。以下の一定供給パターンの形成方法の説明は、複雑さを避けるために、図１に示ようにワーク５を１個ずつ搬送路２１に供給する半田ダイボンダ１の実施形態１の場合を例に説明する。
【００２７】
第１の供給パターンは、図４から図７に示すように、供給間隔（一定間隔の送り爪）Ｍ個おきにワーク５を搬送路２１上に供給する供給間隔調整パターン又はその複合パターンである。図４乃至図７は、第１の実施形態である半田ダイボンダ１において、搬送路２１と各ステーションの構成を模式的に、さらに加熱範囲ＨＲ及び冷却範囲ＣＲを示した図である。加熱範囲ＨＲは、ワーク５が搬送路２１上に供給される供給ステーション３ｓから、チップ９が装着されワーク５が搬送される加熱範囲ＨＲと冷却範囲ＣＲとの境界位置１１までの間である。冷却範囲ＣＲは、境界位置１１からワークが取出される取出ステーション７ｓまでの間である。図４乃至図７に、ワーク５が存在する送り爪２４のワークを実線で示し、ワークが存在しない送り爪２４のワークを破線で示している。
【００２８】
図４は、Ｍ＝０、即ち全ての送り爪２３にワーク５を供給する場合を示し、図５は、Ｍ＝１，即ち１個おきに１個のワーク５を送り爪２３に供給する場合を示し、同様に、図６、図７は、それぞれ、Ｍ＝２，３、即ち２個おき、３個おきに１個のワーク５を送り爪２３に供給する場合を示す。図４乃至図７から分かるように、第１の供給パターンの場合、加熱範囲ＨＲ内の搬送ピッチ数Ｎに対し、加熱範囲ＨＲ内に処理すべきワーク数は、Ｎ／（Ｍ＋１）となるから、加熱範囲ＨＲ内の全ワークに対する処理時間ＡＴは式（４）となる。
ＡＴ＝ＭＤＴ×（Ｎ／（Ｍ＋１））                                    （４）
ここで、ＭＤＴは、１個のワーク５を処理するのに要する最大の処理時間をいう。
【００２９】
ワーク５に施される処理の数は多く、ワーク５を搬送路２１上に供給する供給処理、半田の塗布処理、チップ９の装着処理、処理されたワーク５を搬送路２１上から取出す処理等がある。それらの処理は間欠的に並行して行われるから、それらの処理のうち最大の処理時間ＭＤＴを有する処理の処理時間がワーク１個の処理時間ＤＴとなる。
【００３０】
図８は、図４乃至図7に示す加熱範囲ＨＲの搬送ピッチ数Ｎが５０における第１の供給パターンにおいて、供給間隔Ｍを設定した画面を示す図である。図８では、図４乃至図７に示すワーク５の許容加熱時間ＡＨと規定条件とが、画面左側に表示されている。右側の表は供給間隔Ｍの各候補に対して得られた必要な加熱時間ＮＨを示す。また図８は、仮に、使用する半田が決まっていて加熱時間Ｈが一定である場合の例を示す。図８の左側の許容加熱時間ＡＨと入力条件として、ＡＨを１２０sec、送り爪２４間の搬送時間を１sec、ワーク５の最大処理時間ＭＤＴは２secとする。許容加熱時間ＡＨや許容熱履歴ＡＴＨ等の規定条件は、制御装置５０内の記憶部に当該ワークのライブラリデータとして記憶していてもよいし、作業員が入力してもよい。
【００３１】
その結果、各供給間隔ＭのうちＭ＝１の場合の必要な加熱時間ＮＨが、許容熱履歴ＮＴＨを満足する最も大きな値を示す。従って、本条件では、供給間隔Ｍ＝１の供給パターンで運転される。この場合の、加熱範囲ＨＲ内にＮ／（Ｍ＋１）＝５０／２＝２５個のワークが存在するから、１個当りの処理時間は、１００sec／２５個＝４．０secとなる。
【００３２】
図９は、第１の実施形態の図７に対応する供給間隔Ｍ＝２、供給単位Ｋ＝２のケースを示す図である。図１０は、半田ダイボンダの第２の実施形態である図４に示す半田ダイボンダ１Ａに適用した供給間隔を変える第１の供給パターンを示す。図９においても、図７と同様に、ワーク５が存在する送り爪２４のワークを実線で示し、ワークが存在しない送り爪２４のワークを破線で示している。図１０は、第１の実施形態の図８に対応し、第２の実施形態の供給間隔Ｍを設定する画面である。なお、図１０の供給間隔Ｍと同様、供給単位Ｋや間引間隔Ｌ（図示しない）を入力するＧＵＩを設け、これらの組み合わせに基づいて装置の運転方法を設定する。
【００３３】
第２の実施形態の例では、供給単位Ｋが２個の場合であり、処理すべきワーク５の数が実施例１に比べて増加するため加熱時間が長くなり、熱履歴ＴＨも高くなる。従って、ワーク５の許容加熱時間ＡＨである１００secを満足する条件はより厳しくなる。規定条件は、第１の実施形態と搬送ピッチの搬送時間ＡＴとワークの最大処理時間ＭＤＴとが同じであり、加熱範囲ＨＲの搬送ピッチ数が７２と多くなっている。
【００３４】
第２の実施形態が第１の実施形態と異なる点は、一定の供給間隔（一定数の送り爪数）毎にワーク５を２個ずつ同時に搬送路上に供給する点である。即ち、供給単位Ｋ＝２、供給間隔Ｍ＝２の場合は、２×（２＋１）＝６個毎に２個、搬送路２１上に供給される。一般的には、ワーク５は、(Ｍ＋１)×Ｋ個毎にＫ個、搬送路２１上に供給される。言い換えれば、加熱範囲ＨＲ内に存在する繰り返しサイクル数は、Ｎ／（（Ｍ＋１）×Ｋ）となり、１サイクルあたりの処理数はＫ個であるから、ワーク５を処理するために必要な加熱時間ＮＨは、式（５）となる。
ＮＨ＝Ｎ×ＰＴ＋ＭＤＴ×Ｋ×（Ｎ／（（Ｍ＋１）×Ｋ））              （５）
供給間隔Ｍの各候補に対する必要な加熱時間ＮＨは、図１０の右側の表となり、許容熱履歴ＡＴＨを満足するケースは、図９に示す供給間隔Ｍ＝２、供給単位Ｋ＝２のケースとなる。この場合の、加熱範囲ＨＲ内にＮ／Ｍ＝７２／３＝２４個のワークが存在するから、１個当りの処理時間は、９６sec／２４個＝３．０secとなる。
【００３５】
第２の供給パターンは、一定の供給間隔毎にワーク５を搬送路上に供給する第１の供給パターンと異なり、一定の供給間隔毎に搬送路上に供給するワーク５を間引きする間引間隔Ｌを変える供給パターンである。第２の供給パターンの例として、図１に示す半田ダイボンダ１に適用した場合を代表して説明する。第２の供給パターンの半田の融点温度、許容加熱時間ＡＨ及び規定条件は、第２の供給パターンと同じとする。
【００３６】
第２の供給パターンでは、ワーク５を間引き供給せずに運転するケースは実施例１の図４と同じであり、ワーク５を１個おきに間引き供給して運転するケースは第1のパターンの図５と同じであるので図を省略する。図１１、図１２は、それぞれ、２個おき、３個おきにワーク５を１個間引きして供給する例を示す。
【００３７】
第２の供給パターンにおいて、Ｌ個おきのケースでは、Ｌ個処理して１個処理しないから、加熱範囲ＨＲ内に存在する処理すべきワーク数は、Ｎ×（Ｌ／（Ｌ＋１））となり、そのワークの処理時間ＡＴは式（６）、式(６´)となる。  
ＡＴ＝ＭＤＴ×Ｎ×（Ｌ／（Ｌ＋１））  （Ｌ≧１以上の整数）          （６）
ＡＴ＝ＭＤＴ×Ｎ                      （Ｌ＝０）                  （６´）
従って、ワーク５を処理するために必要な加熱時間ＮＨは、式（７）となる。
ＮＨ＝Ｎ×ＰＴ＋ＭＤＴ×Ｌ×Ｎ／（Ｌ＋１）  （Ｌ≧０の０又は整数）  （７）
図１３は、間引間隔Ｌを設定する画面である。間引間隔Ｌの各候補に対する必要な加熱時間ＮＨを、図１３の右側の表に示す。その結果、許容加熱時間ＡＨを満足し、最も大きな値を示す場合は、Ｌ＝２のケースである。本ケースは、加熱範囲ＨＲにおいて処理できるワーク数は３３個であり、１個当たりの処理時間は、約３．５secとなる。一方、第１の供給パターンでの加熱範囲ＨＲにおいて処理できるワーク数は２５個であり、１個当たりの処理時間は、約４．０secとなる。
【００３８】
従って、第１の供給パターンと同じ半田の融点温度、許容熱履歴ＡＴＨや規定条件では、第１の供給パターンの方がスループットの高い生産性の高い半田ダイボンダ１を提供できる。
【００３９】
以上説明した第１、第２の供給パターンは、一定の供給間隔Ｍ又は一定の間引間隔Ｌでワークを処理する供給パターンであるのに対し、第３の供給パターンは、供給間隔Ｍ又は間引間隔Ｌ或いは両者を混在した供給パターンである。
【００４０】
例えば、第３の供給パターンの規定条件は第１の供給パターンと同じで、許容加熱時間ＡＨは半田の融点が高くなったことにより、８０secと短時間であるとする。この条件での第１の供給パターンでは、供給間隔Ｍ＝４が設定可能で、加熱範囲ＨＲにおけるワーク５の処理個数は、１２．５個、許容加熱時間ＡＨは７５secとなり５secの余裕がある。
【００４１】
そこで、第３の供給パターンでは、供給間隔Ｍ又は間引間隔Ｌ或いは両者を混在した供給パターンを設けて、可能な限り許容加熱時間ＡＨ＝８０secに近づけることによって、スループットを向上させ、生産性を向上させることができる場合を想定する。
【００４２】
上述した第３の供給パターンでは、単一の供給間隔Ｍ＝４のみで供給パターンを形成するのではなく第一の供給間隔Ｍ１＝１に加えて第二の供給間隔Ｍ２＝２の複数の供給間隔Ｍを交互に適用して混在させた供給パターンを形成することにより、熱履歴条件を緩和し、可能な限り許容加熱時間ＡＨ＝８０secに近づける。
【００４３】
図１４に示すように、第３供給パターンでは７個のピッチのうち２個のワーク５が処理される。よって、加熱範囲ＨＲにおける処理個数は、２個×５０／７＝１４.２個となり、必要な加熱時間ＮＨは、５０＋２×１４.２≒７８.４secとなる。
【００４４】
この結果、ワーク５の１個当りの処理時間は、第１の供給パターンの７５sec／１２．５＝６secに比べ、第１の供給パターンと同じ許容加熱時間ＡＨや規定条件での第３の供給パターンの本例では、７８．４／１４．２≒５．５secとなり、約０．５sec短縮でき、スループットの高い生産性の高い半田ダイボンダを提供できる。
【００４５】
上記例では、供給間隔Ｍの供給パターンへの適用例を説明したが、この考え方は、間引間隔Ｌ又は間引間隔Ｌと供給間隔Ｍとを混在させた供給パターンにも適用できる。
【００４６】
以上説明した第１の供給パターン乃至第３の供給パターンによれば、搬送路上にワーク５が存在しない供給パターンを設定することで、ワークが有する許容熱履歴ＡＴＨや許容加熱時間ＡＨを満足する半田ダイボンダ及びボンディング方法を提供できる。
【００４７】
以上の説明では、半田や規定条件が規定されている場合を示したが、図８等に示す許容加熱時間ＡＨやワーク最大処理時間ＭＤＴの規定条件は、ワーク５や半田の種類に規定される。また、ワーク５（機種）の種類も多く、そのワーク５機種に適用できる半田の種類も多い。従って、半田ダイボンダの運転条件は、上述した供給パターンの他、機種、半田の種類によって決まる。
【００４８】
以下、ワーク５（機種）が与えられた時の運転方法を定める方法について説明する。ワーク５の熱履歴は、式（１）に示すように、加熱温度Ｔと加熱時間Ｈによって決まり、加熱時間Ｈは、式（２）に示すように、加熱範囲ＨＲの搬送時間（ＣＴ）とワークの処理時間（ＡＴ）で決まる。この運転方法の決定は、制御装置で行う。
【００４９】
加熱温度は、半田の融点に決まり、通常その融点より所定の温度分だけ高く設定される。
加熱範囲ＨＲの搬送時間は、搬送数Ｎと搬送ピッチＰの搬送時間ＰＴで決まるが、それらは装置固有であり、運転条件とならない。ワークの処理時間は、ワーク５を搬送路２１上に供給する供給処理時間、半田の塗布処理時間、チップ９の装着処理時間及び処理されたワーク５を搬送路２１上から取出す取出処理時間のうち最大の処理時間で決まる。前記の４つの処理のうち供給処理時間と取出処理時間は、ワーク５のサイズに依存するからワーク５の種類に基づいて定まる。従って、ワーク５の処理時間を規定する条件のうち、半田の塗布処理、チップ９の装着処理の時間が運転条件になる。
【００５０】
以下、機種が与えられた時の運転条件を定める方法を、図１に示す半田ダイボンダ１に適用した例を具体的に説明する。
図１５は、今後処理すべき機種の一覧表を示す図である。運転員が、図１５の下部にある機種データボタン４０を選択すると図１５が表示される。そして、運転員は、この中から機種名を選択し、機種確定ボタン４１で確定して機種を選定する。本例では、太枠で示すワーク２が選定された例である。その後、画面左側の熱履歴ボタン４２を選択する。
【００５１】
熱履歴ボタン４２を選択すると、画面は図１６に遷移する。図１６には、選択されたワーク５の許容熱履歴ＡＴＨ、ワークサイズ及びワークで決まる供給処理時間と取出処理時間が表示される。本例における許容熱履歴は４２,０００℃・secであり、供給処理時間と取出処理時間は、それぞれ１．８sec、１．７secである。
【００５２】
次に、再度熱履歴ボタン４２が押されると図１７が表示される。図１７では、ワーク２に適用可能な複数の半田、及び半田の融点に基づくワークの加熱温度Ｔ℃、その半田の種類及びワークサイズから規定されるワークの装着処理時間Ｈｂsecと、式（１）によって求められる許容加熱時間ＡＨsecが表示される。装着処理時間は、各半田に対する塗布処理時間より長いとして代表して表示されている。また、備考欄には鉛フリー半田であるかどうかが表示される。図１７では、適用可能な半田は３つであるが、実際はもっと多くなり、以下に示す検索はより複雑である。ワーク５の種類に対応した各々のワーク５についての供給処理や装着処理、半田の塗布処理等に要する時間や、提供可能な半田の許容熱履歴ＡＴＨ、許容加熱時間ＡＨ等の条件は、制御装置５０内の記憶部にライブラリデータとして記憶されている。
【００５３】
次に、表の下側にある検索モードを選定する。“供給Ｍ”は第１の供給パターンであるＭモードを、“間引Ｌ”は第２の供給パターンであるＬモードを、“混”は第３の供給パターンである混在モードを示す。さらに、“混在Ｍ”は、第１の供給パターン内の混在モードを、“混在Ｌ”は、第２の供給パターン内の混在モードを“混在ＬＭ”は、第１、第２の供給パターン内での混在モードで検索することを示す。
【００５４】
本例、第１の供給パターンで検索する“供給Ｍ”を選択すると、図１８に示す検索結果が表示される。検索にするにあたって、図１に示す半田ダイボンダ１の固有データである搬送ピッチ数Ｎ（５０）と搬送時間ＰＴ（１sec）が使用される。図１８は、図８に示したＭモードの探索結果を、各半田Ａ、Ｂ、Ｃに対し、Ｍ＝１乃至３の場合に実施した結果を示す。最下行に示す１個当りの処理時間Ｈｐは、各半田において、許容加熱時間ＡＨを満足する太枠で囲んだ最小のＭに対する値を示す、半田Ａ、Ｂでは、吸着処理時間が図１６に示す供給処理時間１．８secより長いので、最大処理時間ＭＤＴは吸着処理時間となる。しかし、半田Ｃは、逆に吸着処理時間が供給処理時間より短いので、最大処理時間ＭＤＴは供給処理時間１．８secとなる。そこで、図１８に示す半田Ｃに対する処理時間として供給処理時間の場合と共に、参考として吸着処理時間の場合を示している。
【００５５】
図１８に示す結果としては、半田Ａで、Ｍ＝1で運転するのがワーク１個当りの処理時間Ｔｐが最もよいと判定される。例えば、処理個数が多い場合、環境のことを考えて、半田ＣのＭ＝２での運転を選んでもよい。
【００５６】
また、装着処理時間をワークの最大処理時間ＭＤＴとして規定したが、様々情報から各ワークの処理時間を得て、それそれらの中からワークの最大処理時間ＭＤＴを選んでもよい。
さらに、スループットを上げるために、図１８に示す処理結果を基に、“混Ｍ”又は“混ＬＭ”を選び、第３の供給パターンで説明したように、検索してもよい。
また、第２の供給パターンであるＬモードで運転方法を検索してもよい。
【００５７】
さらに、図１７では、適用可能な半田を想定し運転方法を決定したが、単に複数の加熱温度又は加熱範囲のみを想定し、運転方法を決定し、その後運転方法に合う半田を選んでもよい。この場合、ワークの最大処理時間ＭＤＴも複数の値又は範囲を設定してもよい。
【００５８】
以上説明では、運転方法を決定を半田ダイボンダの制御装置で行ったが、内部に運転方法の決定に必要なデータを有し、又は当該データを外部から転送されて、運転方法を決定する専用のダイボンダ運転方法決定装置で行ってもよい。
【００５９】
以上説明したように、本実形態によればワーク（機種）を選ぶだけで、スループットの高い運転方法を実現できる。
【００６０】
また、上記した実施態用ではウェハからのチップを供給したが、トレイ等のからのチップの供給形態にも適用可能である。
【００６１】
以上本発明の実施態様について説明したが、上述の説明に基づいて当業者にとって種々
の代替例、修正又は変形が可能であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々
の代替例、修正又は変形を包含するものである。
【符号の説明】
【００６２】
１、１Ａ：半田ダイボンダ              ２：搬送装置
２１；搬送路                          ２３：トランスファ
２４：送り爪                          ３：供給装置
３１：基台                            ３２：供給路
３７：供給部                          ３ｓ、３Ａｓ、３Ｂｓ；供給ステーション
４、４Ａ、４Ｂ：塗布装置              ４ｓ、４Ａｓ、４Ｂｓ；塗布ステーション
５：ワーク                            ６Ａ、６Ｂ：装着装置
６ｓ、６Ａｓ、６Ｂｓ:装着ステーション ７：取出装置
８、Ａ、８Ｂ：装着ユニット            ９：チップ
１０：ウェハ                          １１：境界位置
５０：制御装置                        ＡＴ：ワークの処理時間
ＡＨ：許容加熱時間                ＣＨ：冷却範囲
ＣＴ：加熱範囲ＨＲの搬送時間          ＤＴ：ワークの処理時間
Ｈ：熱履歴                            ＨＲ：加熱範囲
Ｌ：間引間隔                          Ｍ：供給間隔
ＭＤＴ：ワークの最大処理時間          Ｎ：加熱範囲内の搬送ピッチ数
ＮＨ：必要な加熱時間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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