(57)【要約】【課題】基板処理途中に処理液の温度を迅速に調節することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供する。【解決手段】実施形態に係る基板処理装置１は、基板Ｗを支持する支持部４と、その支持部４により支持されている基板Ｗに交わる軸を回転軸として支持部４を回転させる回転機構５と、その回転機構５により回転している支持部４上の基板Ｗの表面に処理液を供給するノズル６と、支持部４により支持されている基板Ｗをその基板Ｗから離れて加熱するヒータ８と、支持部４により支持されている基板Ｗに対してヒータ８を接離方向に移動させる移動機構９とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を支持する支持部と、
前記支持部により支持されている前記基板に交わる軸を回転軸として前記支持部を回転させる回転機構と、
前記回転機構により回転している前記支持部上の基板の表面に処理液を供給するノズルと、
前記支持部により支持されている前記基板をその基板から離れて加熱するヒータと、
前記支持部により支持されている前記基板に対して前記ヒータを接離方向に移動させる移動機構と、
を備えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】
前記ノズルは、前記基板の中心から周縁に並ぶように複数本設けられていることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ノズルごとの前記処理液の流量は、前記基板の表面上の処理液が均一な液膜となるように設定されていることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ノズルごとの前記処理液の流量は、前記基板の中心から周縁に向かう順序で増やされていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
ヒータに対向して離れた基板を平面内で回転させる工程と、
回転している前記基板の表面にノズルから処理液を供給する工程と、
前記ヒータにより前記基板及びその基板の表面上の処理液を加熱する工程と、
前記ヒータを前記基板から遠ざける工程と、
遠ざけた前記ヒータにより前記基板及びその基板の表面上の処理液のうち少なくとも処理液を加熱する工程と、
を有することを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
前記ヒータを前記基板から遠ざける工程と、遠ざけた前記ヒータにより前記基板及びその基板の表面上の処理液のうち少なくとも処理液を加熱する工程との間に、回転している前記基板の表面にノズルから処理液を供給する工程を有することを特徴とする請求項５に記載の基板処理方法。
【請求項７】
回転している前記基板の表面に、前記基板の中心から周縁に並ぶ複数本のノズルからそれぞれ処理液を供給することを特徴とする請求項５又は請求項６に記載の基板処理方法。
【請求項８】
前記ノズルごとの前記処理液の流量を、前記基板の表面上の処理液が均一な液膜となるように設定することを特徴とする請求項７に記載の基板処理方法。
【請求項９】
前記ノズルごとの前記処理液の流量を、前記基板の中心から周縁に向かう順序で増やすことを特徴とする請求項８に記載の基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、基板処理装置及び基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置は、半導体や液晶パネルなどの製造工程において、ウェーハや液晶基板などの基板の表面に処理液（例えば、レジスト剥離液や洗浄液など）を供給して基板表面を処理する装置である。
【０００３】
この基板処理装置としては、基板を水平状態で回転させ、その基板表面の中心付近に対向するノズルから基板表面に処理液を供給し、その処理液を回転による遠心力によって基板表面に広げて処理を行うものがある。このようなスピン処理の基板処理装置の中には、ヒータにより予め処理液を加熱し、さらに、基板を保持するチャックをヒータにより加熱して基板を温め、その後、加熱した処理液を基板表面に供給する基板処理装置が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１３４８７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、前述のようにヒータによるチャックの加熱によって基板を温める基板処理装置では、基板温度を一定にして処理液の温度を維持することは可能であるが、ヒータ温度（加熱温度）を変えてもすぐに処理液の温度が変わらないため、処理途中に処理液の温度を調節（コントロール）し、基板処理を行うことは難しい。
【０００６】
例えば、基板処理が高温処理から低温処理に切り替わる二つのステップを有する場合には、高温処理後に低温処理を行う際、基板温度が高温から所定温度に下がるまで処理が中断されるため、処理が一連の工程（同一レシピ）で実行されず、処理時間がその分長くなってしまう。このため、基板処理途中に処理液の温度を迅速に調節することが求められている。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、基板処理途中に処理液の温度を迅速に調節することができる基板処理装置及び基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態に係る基板処理装置は、基板を支持する支持部と、支持部により支持されている基板に交わる軸を回転軸として支持部を回転させる回転機構と、回転機構により回転している支持部上の基板の表面に処理液を供給するノズルと、支持部により支持されている基板をその基板から離れて加熱するヒータと、支持部により支持されている基板に対してヒータを接離方向に移動させる移動機構とを備える。
【０００９】
実施形態に係る基板処理方法は、ヒータに対向して離れた基板を平面内で回転させる工程と、回転している基板の表面にノズルから処理液を供給する工程と、ヒータにより基板及びその基板の表面上の処理液を加熱する工程と、ヒータを基板から遠ざける工程と、遠ざけたヒータにより基板及びその基板の表面上の処理液のうち少なくとも処理液を加熱する工程とを有する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、基板処理途中に処理液の温度を迅速に調節することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る基板処理の流れを説明するための第１の工程図である。
【図３】第１の実施形態に係る基板処理の流れを説明するための第２の工程図である。
【図４】第１の実施形態に係る基板処理の流れを説明するための第３の工程図である。
【図５】第１の実施形態に係る基板処理の流れを説明するための第４の工程図である。
【図６】第２の実施形態に係る基板処理装置の概略構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１の実施形態）
第１の実施形態について図１ないし図５を参照して説明する。
【００１３】
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理装置１Ａは、処理室となる処理ボックス２と、その処理ボックス２内に設けられたカップ３と、そのカップ３内で基板Ｗを水平状態で支持する支持部４と、その支持部４を水平面内で回転させる回転機構５とを備えている。さらに、基板処理装置１は、支持部４上の基板Ｗの表面に処理液を供給するノズル６と、そのノズル６に処理液を供給する液供給部７Ａと、支持部４上の基板Ｗを加熱するヒータ８と、そのヒータ８を上下方向に移動させる移動機構９と、各部を制御する制御部１０とを備えている。
【００１４】
カップ３は、円筒形状に形成されており、支持部４を周囲から囲んで内部に収容する。カップ３の周壁の上部は径方向の内側に向かって傾斜しており、支持部４上の基板Ｗが露出するように開口している。このカップ３は、回転する基板Ｗ上から流れ落ちたあるいは飛散した処理液を受け取る。なお、カップ３の底部には、受け取った処理液を排出するための排出管（図示せず）が設けられている。
【００１５】
支持部４は、カップ３内の中央付近に位置付けられ、水平面内で回転可能に設けられている。この支持部４は、ピンなどの支持部材４ａを複数有しており、これらの支持部材４ａにより、ウェーハや液晶基板などの基板Ｗを着脱可能に保持する。
【００１６】
回転機構５は、支持部４に連結された回転軸やその回転軸を回転させる駆動源となるモータ（いずれも図示せず）などを有しており、モータの駆動により回転軸を介して支持部４を回転させる。この回転機構５は制御部１０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１０により制御される。
【００１７】
ノズル６は、支持部４の上方であってその支持部４上の基板Ｗの表面の中心付近に対向する位置に設けられており、支持部４上の基板Ｗの表面に上方から処理液の供給が可能になっている。さらに、ノズル６は、ヒータ８の中央部に支持されており、ヒータ８の上下動とともに上下動することになる。このノズル６は、液供給部７Ａから供給された処理液を支持部４上の基板Ｗの上方から回転中の基板Ｗの表面に向けて吐出してその基板表面に供給する。
【００１８】
液供給部７Ａは、処理液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）などを備えており、ポンプの駆動によりノズル６に処理液を供給する。この液供給部７Ａは制御部１０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１０により制御される。
【００１９】
ここで、処理液としては、例えば、オゾン水やフッ化水素酸（ＨＦ）、超純水（ＤＩＷ）などを用いることが可能であり、その他にも処理内容に応じて各種の処理液を用いることができる。
【００２０】
ヒータ８は、基板Ｗの平面サイズより大きいプレート状に形成され、支持部４の上方に設けられており、支持部４上の基板Ｗから離れて（基板Ｗと間を空けて）その基板Ｗを加熱する。このヒータ８は移動機構９により上下方向（昇降方向）に移動可能に構成されており、支持部４上の基板Ｗの表面からの離間距離が異なる複数の位置、例えば、高温処理位置、温度維持処理位置（低温処理位置）及び待機位置に移動する。ヒータ８は制御部１０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１０により制御される。
【００２１】
ここで、高温処理位置は基板Ｗの表面から所定距離（例えば、１〜１０ｍｍ程度）だけ離間した位置であり、ヒータ８が基板Ｗを高温で加熱するときの位置である。また、温度維持処理位置（低温処理位置）は基板Ｗの表面から高温処理位置より遠い所定距離だけ離間した位置であり、ヒータ８が基板Ｗの温度を所定温度に維持するときの位置である。待機位置は基板Ｗの表面から温度維持処理位置より遠い所定距離だけ離間した位置であり、ヒータ８が基板設置や搬出時に待機するときの位置である（図１中の一点鎖線参照）。
【００２２】
移動機構９は、ヒータ８を保持する保持部やその保持部をヒータ８と共に上下方向に移動させる上下機構、駆動源となるモータ（いずれも図示せず）などを有しており、モータの駆動によりヒータ８を保持部と共に支持部４上の基板Ｗに対して接離方向（近づく方向と遠ざかる方向）に移動させる。この移動機構９は制御部１０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１０により制御される。
【００２３】
制御部１０は、各部を集中的に制御するマイクロコンピュータと、基板処理に関する基板処理情報や各種プログラムなどを記憶する記憶部とを備えている。この制御部１０は、基板処理情報や各種プログラムに基づいて回転機構５や液供給部７Ａ、移動機構９などを制御し、支持部４上の基板Ｗの表面とヒータ８との離間距離を調整し、回転中の支持部４上の基板Ｗの表面に対して、液供給部７Ａから供給された処理液をノズル６から供給する基板処理の制御を行う。
【００２４】
次に、前述の基板処理装置１Ａが行う基板処理（基板処理方法）の第１の処理例及び第２の処理例について図２ないし図５を参照して説明する。なお、基板Ｗは支持部４上にセットされており、前準備は完了している。また、ヒータ８は待機位置（図１中の一点鎖線参照）で待機している。
【００２５】
第１の処理例では、図２に示すように、ヒータ８は移動機構９により待機位置から高温処理位置まで移動する。これにより、ヒータ８の裏面と支持部４上の基板Ｗの表面との間は所定距離Ｌ１となる。なお、ヒータ８が待機位置より高温処理位置に移動するとき、ヒータ８は駆動されていない。次いで、支持部４上の基板Ｗが支持部４と共に回転機構５により所定の回転数（液供給回転数）で回転する。なお、待機位置や高温処理位置、回転数などの条件は予め設定されているが、操作者により変更可能である。
【００２６】
基板Ｗの安定回転後、処理液が液供給部７Ａから供給されてノズル６から支持部４上の基板Ｗに吐出され、回転する基板Ｗの表面に供給される。ノズル６から基板中心付近に供給された処理液は遠心力によって基板周縁部へと流れていく。これにより、基板Ｗの表面は基板処理の間、処理液（液膜）によって覆われることになる。
【００２７】
その後、図３に示すように、ヒータ８の裏面と支持部４上の基板Ｗの表面との空間が処理液により満たされ、さらに、空間に満たされた処理液にヒータ８の裏面が接した状態であるとき、処理液の供給が止められる。このとき、支持部４上の基板Ｗの回転数は前述の空間を満たしている処理液がその空間から流れ落ちないように最初の回転数（供給回転数）より小さくされている。なおこのとき、支持部４の回転を停止させても良い。
【００２８】
処理液の供給停止後、ヒータ８が制御部１０により駆動され、支持部４上の基板Ｗがヒータ８により加熱されるとともに、ヒータ８の裏面と支持部４上の基板Ｗの表面との間の処理液もヒータ８によって直接加熱される。これにより、基板Ｗの表面上の処理液は迅速に温められる。この加熱は所定の処理時間実行される。
【００２９】
なお、所定の処理時間は、ヒータ８による加熱経過時間と、処理液あるいは基板Ｗの温度上昇との関係からあらかじめ設定されているが、操作者により変更可能である。また、上述のように、高温処理位置で供給する処理液は、常温で供給するものであっても良いし、あるいは高温処理に要する温度に達しないまでも、ある温度まで事前に加熱して供給するものであっても良い。予め加熱した処理液を供給すれば、高温処理に要する温度に、より迅速に温めることができる。
【００３０】
高温処理後、図４に示すように、ヒータ８が移動機構９により高温処理位置から温度維持処理位置まで移動する。これにより、ヒータ８の裏面と支持部４上の基板Ｗの表面との間は所定距離Ｌ２（＞Ｌ１）となる。なお、ヒータ８が温度維持処理位置に位置付けられると、ヒータ８の裏面は基板Ｗの表面に形成されている液膜から離れる（接していない）ことになる。このとき、ヒータ８の駆動は継続されており、そのヒータ８の輻射熱によって支持部４上の基板Ｗ及びその基板Ｗの表面上の処理液が保温される。これにより、基板Ｗが所定の基板温度より高くならないように加熱され、基板Ｗの表面上の処理液の温度が所望の温度に、すなわち所望の温度より高くならず、また低くもならないように維持される。なおこのとき、処理液に加え基板Ｗも加熱しているが、処理液のみの加熱により処理液の温度を所望温度に維持することが可能であれば、基板Ｗを加熱しないようにしても良い。
【００３１】
ここで、所定の基板温度は、基板Ｗの表面に供給された処理液がその基板表面で所望の温度となるように設定されているが、操作者により変更可能である。また、所望の温度は、処理液の基板処理効率（例えば、処理液の処理性能）が向上する温度であるが、処理液の種類に応じて異なるものである。なお、処理液としては、所望温度以上であれば基板処理効率が向上する処理液も存在するため、この場合には、所定の基板温度は、基板Ｗの表面に供給された処理液がその基板表面で所望の温度以上となるように設定される。
【００３２】
このような第１の処理例によれば、基板処理が高温処理から温度維持処理に切り替わる際、ヒータ８と基板Ｗとの離間距離がＬ１からＬ２（＞Ｌ１）に変えられる。これにより、ヒータ８が基板Ｗ及びその表面上の処理液から遠ざかり、それらの基板Ｗ及びその表面上の処理液に対するヒータ８からの熱量が減るため、基板Ｗの表面上の処理液の温度を所望の温度に維持することが可能となる。このように、処理途中にヒータ温度を変えるのではなく、ヒータ８の移動によりヒータ８と基板Ｗとの離間距離を変えることによって、処理液の温度を迅速に調整することが可能となるので、処理途中に処理液の温度を調節（コントロール）して基板処理を行うことができる。
【００３３】
なお、第１の処理例では、高温処理を要する基板Ｗを洗浄処理する例であったが、処理温度の異なる複数種類の基板、たとえば、高温処理での洗浄を要する基板Ｗと、高温処理に要する温度よりも低い所定の温度での洗浄処理を要する基板Ｗを処理することも可能である。この場合、後者の基板Ｗを洗浄処理するときには、高温処理位置よりも高く、かつ、待機位置よりも低い所定の高さにヒータ８を位置付けた状態で、基板Ｗの表面に処理液を供給し、ヒータ８の輻射熱で、基板Ｗの表面に供給された処理液を、高温処理に要する温度よりも低い所定の温度まで加熱するようにしても良い。あるいは、高温処理位置において、高温処理を行うときの処理液の加熱時間よりも短い処理時間で処理液の加熱を行った後、第１の処理例での温度維持処理位置よりも高い高さまで、ヒータ８を移動させて処理液の温度維持を行うようにしても良い。
【００３４】
また、ヒータ８は、高温処理位置に移動した後に駆動されるようにしたが、ヒータ８の温度上昇に時間がかかる場合には、高温処理位置に移動する前の待機位置の段階からヒータ８を駆動するようにしても良いし（極論すると常時でも良い）、待機位置から高温処理位置への移動中に駆動するようにしても良い。
【００３５】
第２の処理例では、供給処理工程及び高温処理工程（図２及び図３参照）までの処理工程は前述と同様であり、その高温処理後、図４に示すように、ヒータ８が移動機構９により高温処理位置から低温処理位置まで移動する。これにより、ヒータ８の裏面と支持部４上の基板Ｗの表面との間は所定距離Ｌ２（＞Ｌ１）となる。このとき、第１の処理例と異なり、ヒータ８は駆動されず、温度維持は行われない。
【００３６】
ヒータ８の移動後、図５に示すように、処理液が液供給部７Ａから供給されてノズル６から支持部４上の基板Ｗに吐出され、回転する基板Ｗの表面に供給される。さらに、支持部４上の基板Ｗの回転数は所定の回転数（液供給回転数）に上げられる。ノズル６から基板中心付近に供給された処理液は遠心力によって基板周縁部へと流れていく。このとき、基板Ｗの表面上の処理液は高温の処理液から低温の処理液（液膜）に置換され、基板Ｗは処理液温度まで冷却されることになる。
【００３７】
なお、処理の内容によっては、ヒータ８が低温処理位置に移動した後に基板Ｗに供給される処理液が、高温処理工程で基板Ｗに供給された処理液と同じ場合もあるし、異なる場合もある。例示として、高温処理工程と低温処理工程の何れもが純水の場合があり、また、オゾン水を用いて高温処理を行った後、純水を用いて低温処理を行う場合などがある。
【００３８】
また、前述の処理液の供給量は、高温処理位置での処理液の供給量よりも多くしたものでも良い。また、処理液の温度も、高温処理位置で供給される処理液の温度よりも低い温度としたものでも良い。このようにした場合には、処理液が低温の処理液に置換されるまでに要する時間を短縮することが可能となる。また、処理液の供給量を多くする場合には、供給量の増加に合わせて、基板Ｗの回転数を高温処理位置での回転数（液供給回転数）よりも増加させても良い。
【００３９】
基板Ｗの冷却後、ヒータ８が制御部１０により駆動され、第１の処理例と同じように、ヒータ８の輻射熱によって支持部４上の基板Ｗ及びその基板Ｗの表面上の処理液（それらのうち少なくとも処理液）が保温される（図４参照）。これにより、基板Ｗの表面上の処理液の温度が所望の温度に維持される。
【００４０】
このような第２の処理例によれば、基板処理が高温処理から低温処理に切り替わる際、ヒータ８と基板Ｗとの離間距離がＬ１からＬ２（＞Ｌ１）に変えられ、さらに、処理液が基板Ｗの表面に供給される。これにより、ヒータ８が基板Ｗの表面上の処理液から遠ざかり、さらに処理液の供給によって基板Ｗの温度が低くなるため、基板Ｗの表面上の処理液の温度は速やかに低下することになる。このように、ヒータ８自体の温度調整に頼るのではなく、ヒータ８の移動によりヒータ８と基板Ｗとの離間距離を変え、さらに、基板Ｗの表面に対する処理液の供給によって、処理液の温度を迅速に調整することが可能となるので、処理途中に処理液の温度を調節して基板処理を行うことができる。
【００４１】
特に、基板処理が高温処理から低温処理に切り替わるステップを有していても、高温処理後に低温処理を行う際、基板Ｗからヒータ８を遠ざけて処理液を供給するだけで基板Ｗの温度、すなわちその基板Ｗ上の処理液の温度を所定温度まで迅速に下げることが可能となる。このため、基板温度が高温から所定温度に下がるまで処理を中断する必要はなく、あるいは中断したとしても、その時間を従来に比べて短くすることが可能となるので、処理時間を短縮することができる。また、前述のように処理液の供給を停止して基板Ｗの表面上の処理液を加熱するパドル処理などのように、処理液の温度（液温）が安定するまで上昇し続ける場合には、その安定後の処理液温度（高温）と加熱当初の処理液温度（低温）との温度差がかなり大きくなるが、その高温から低温となるまでの待機時間が不要あるいは短くなるため、より高い処理時間短縮効果を得ることができる。
【００４２】
なお、上述のように、低温処理位置へのヒータ８の移動と処理液の供給とを併用する場合、ヒータ８を高温処理位置から低温処理位置まで移動させたとき、ヒータ８を駆動していなかったが、駆動した状態のままとしても良い。
【００４３】
ここで、基板周縁部では、その周辺雰囲気の温度の影響を受けやすく、基板温度が低下しやすい傾向がある。このため、基板中心部と基板周縁部とでは温度差が生じ、基板表面において基板処理効率（基板処理能力）の不均一が発生してしまう。この傾向が強く問題となる場合には、例えば、ヒータ８の電熱線を基板中心部と基板周縁部とで分割してそれぞれの発熱量を制御し、基板周縁部の温度を基板中心部より高くすることで、基板周縁部の温度が基板中心部に比べて低くなることを抑止することが可能となる。このように基板Ｗの温度を場所によって個別に調整し、基板Ｗの表面温度を均一にすることが可能となるため、基板表面での温度差による基板処理効率の不均一を抑止することができる。
【００４４】
なお、基板Ｗの温度差を無くすためには、前述のような電熱線の発熱量制御だけではなく、ヒータ８の電熱線の設置密度を場所に応じて変えるようにしても良い。例えば、基板Ｗの温度が低下しやすい基板周縁部に対向する場所では電熱線の設置密度を高くし、逆に、基板Ｗの温度が低下し難い基板中央部に対向する場所では電熱線の設置密度を低くするようにする。また、基板Ｗの中心から周縁に向けて徐々に電熱線の設置密度を高くするようにしても良い。
【００４５】
以上説明したように、第１の実施形態によれば、ヒータ８自体の温度調整に頼るのではなく、支持部４上の基板Ｗに対してヒータ８を接離方向に移動させることによって、つまり支持部４上の基板Ｗとヒータ８との離間距離を変えることにより、基板Ｗの温度、すなわちその基板Ｗ上の処理液の温度を迅速に調整することが可能となるので、処理途中に処理液の温度を調節して基板処理を行うことができる。
【００４６】
また、基板処理が高温処理から低温処理に切り替わるステップを有している場合でも、高温処理後に低温処理を行うとき、基板Ｗからヒータ８を遠ざけて処理液を供給するだけで基板Ｗ上の処理液の温度を所定温度まで迅速に下げることが可能となる。このため、基板温度が高温から所定温度に下がるまで処理を中断する必要はなく、あるいは中断したとしても、その時間を従来に比べて短くすることが可能となるので、処理時間を短縮することができる。
【００４７】
（第２の実施形態）
第２の実施形態について図６を参照して説明する。
【００４８】
第２の実施形態は基本的に第１の実施形態と同様である。このため、第２の実施形態では、第１の実施形態との相違点について説明し、第１の実施形態で説明した部分と同一部分は同一符号で示し、その説明も省略する。
【００４９】
図６に示すように、第２の実施形態に係る基板処理装置１Ｂにおいては、複数本のノズル６ａ、６ｂ及び６ｃが設けられている。各ノズル６ａ、６ｂ及び６ｃは、支持部４上の基板Ｗの表面に沿ってその基板Ｗの中心から周縁（外周）に向かって並び、支持部４上の基板Ｗの表面上方に位置するように設けられている。さらに、各ノズル６ａ、６ｂ及び６ｃは、ヒータ８に支持されており、ヒータ８の上下動とともに上下動することになる。これらのノズル６ａ、６ｂ及び６ｃは、液供給部７Ｂから供給された処理液を支持部４上の基板Ｗの上方から回転中の基板Ｗの表面に向けてそれぞれ吐出し、その基板表面に供給する。
【００５０】
ここで、各ノズル６ａ、６ｂ及び６ｃの材料としては、熱により変形しない材料を用いており、例えば、ヒータ８の加熱によって変形しない石英などの材料を用いることが可能である。なお、図１では、ノズル本数は三本となっているが、この本数は例示であり、特に限定されるものではない。
【００５１】
第１のノズルであるノズル６ａは支持部４上の基板Ｗの表面の中心付近（中心領域）に対向する位置に設けられており、第２のノズルであるノズル６ｂは支持部４上の基板Ｗの表面の半径中央付近（半径中央領域）に対向する位置に設けられている。また、第３のノズルであるノズル６ｃは支持部４上の基板Ｗの表面の周縁付近（周縁領域）に対向する位置に設けられている。
【００５２】
なお、各ノズル６ａ、６ｂ及び６ｃは、支持部４上の基板Ｗの表面に沿って半径方向に延びる一直線上に配置されている。ただし、これらのノズル６ａ、６ｂ及び６ｃの配置は一直線上に限るものではなく、例えば、その一直線を跨ぐように交互に配置されていても良く、基板Ｗの表面において直径が異なる三つの円の円周上にそれぞれ配置されていれば良い。
【００５３】
液供給部７Ｂは、処理液を貯留するタンクや駆動源となるポンプ、供給量を調整する調整弁となるバルブ（いずれも図示せず）などを備えており、ポンプの駆動により各ノズル６ａ、６ｂ及び６ｃに処理液を供給する。この液供給部７Ｂは制御部１０に電気的に接続されており、その駆動が制御部１０により制御される。なお、３つのノズル６ａ、６ｂ及び６ｃから、同じ処理液が供給される。
【００５４】
ここで、ヒータ８を基板Ｗに近接させてその基板Ｗを処理する場合には、基板Ｗの回転数が高いと基板表面内で処理液の膜厚の分布が異なり、基板Ｗの表面を均一に処理することが困難となる。特に、基板Ｗの中央付近に対向するノズル６ａからだけ処理液を供給する場合には、基板Ｗの中心付近から周縁に向けて徐々に液膜が薄くなり、周縁では、処理液の供給量も減少し、また、液膜が薄いためヒータ８による加熱効果も減少するので、中心付近と比べ基板処理効率（基板処理能力）が低下することがある。
【００５５】
これに対して、基板Ｗの表面に対する液供給位置を基板Ｗの中心から周縁（外周）に向けて複数個所に設け、基板Ｗの表面上の液膜の厚さを均一にするよう、各個所からの処理液の流量をそれぞれ制御することによって、基板Ｗの表面を均一に処理（例えば、洗浄処理やエッチング処理など）することができる。すなわち、基板Ｗの周縁でも中心付近と同等の液膜を維持することが可能となり、基板Ｗの表面のどの箇所でも液量及びヒータ加熱効果が同じ状態になるため、基板Ｗの表面を均一に処理することができる。
【００５６】
ここで、基板Ｗの中央付近に対向するノズル６ａからだけ処理液を供給する場合、基板Ｗの表面を均一に処理するためには、基板周縁部の処理が完了するまで処理液を供給し続けることも可能であるが、この場合には、処理時間がその分長くなり、さらに、処理液の消費量も大きくなってしまう。一方、前述のように液供給位置を複数個所にすることで、基板Ｗの表面を均一に処理することが可能となるため、処理時間の短縮及び処理液消費量の削減を実現することができる。
【００５７】
また、複数本のノズル６ａ、６ｂ及び６ｃが支持部４上の基板Ｗの直上に位置するため、処理液を供給するときの流速が遅くても、基板Ｗの表面に処理液を容易に供給することができる。また、供給する処理液の流量を少なくしても処理液により基板Ｗの表面を被覆することが可能となるので、処理液の使用量を削減することができる。
【００５８】
また、処理内容によっては、高温処理工程と低温処理工程とを何回か繰り返すこと、あるいは、低温処理工程の後に高温処理工程を行うことも可能であり、高温処理工程や低温処理工程の繰り返し回数やそれらの高温処理工程及び低温処理工程の実施順序などを適宜設定することができる。
【００５９】
以上説明したように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、支持部４上の基板Ｗの表面に沿ってその基板Ｗの中心から周縁に向かって並ぶ複数本のノズル６ａ、６ｂ及び６ｃを設けることによって、基板Ｗの表面に対する液供給位置が基板Ｗの中心から周縁に向けて複数個所となる。これにより、基板Ｗの表面に均一に処理液を供給し、基板Ｗの表面を均一に処理することが可能となるので、基板処理効率の不均一を確実に抑止することができる。
【００６０】
なお、前述の第２の実施形態においては、ノズル６ａ、６ｂ及び６ｃごとの処理液の流量を基板Ｗの表面上の処理液が均一な液膜となるように設定している。この場合には、例えば、ノズル６ａ、６ｂ及び６ｃごとの処理液の流量を基板Ｗの中心から周縁に向かう順序で増やすようにしても良い。これにより、確実に基板Ｗの表面を均一に処理することが可能となる。
【００６１】
ここで、処理液の流量調整の手段としては、ノズル６ａにつながる配管途中の調整弁、ノズル６ｂにつながる配管途中の調整弁及びノズル６ｃにつながる配管途中の調整弁（いずれも図示せず）のそれぞれの開度を制御し、各ノズル６ａ、６ｂ及び６ｃから吐出する処理液の流量を調節する。
【００６２】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６３】
１    基板処理装置
４    支持部
５    回転機構
６    ノズル
６ａ  ノズル
６ｂ  ノズル
６ｃ  ノズル
８    ヒータ
９    移動機構
１０  制御部
Ｗ    基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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