(57)【要約】【課題】絶縁破壊を防止し、ラインノイズや故障を防止する放射線検出器を提供することを目的とする。【解決手段】ＦＰＤ１において、遮光部材６１は、光照射機構３の出光面３ａの前面に設けられ、半導体層４のうち複数個の画素電極６からなる画素領域ＲＡの外側領域ＲＢを覆って光照射機構３から照射された光を遮っている。これにより、遮光部材６１は、光照射機構３の出光面３ａから拡がって照射された光を出光面３ａの前面で遮ることができる。そのため、光照射機構３から照射された光が半導体層４の画素領域外ＲＢに入射して電荷が生成されることを抑えることができる。これにより、半導体層４の画素領域外ＲＢで生成された電荷が溜まることに起因する読み出し回路７のＴＦＴ等の保護膜の絶縁破壊を防止することができ、ラインノイズの発生やＦＰＤ１の故障を防止することができる。【選択図】図１
2014145649.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線に感応して電荷を生成する半導体層と、
前記半導体層で生成された電荷を収集するためのマトリクス状に配置された複数個の画素電極および、前記画素電極で収集された電荷を読み出すための読み出し回路が形成された光透過性の絶縁基板と、
前記絶縁基板側から前記半導体層に光を照射させる光照射機構と、
前記光照射機構の出光面の前面に設けられ、前記半導体層のうち前記複数個の画素電極からなる画素領域の外側領域を覆って前記光照射機構から照射された光を遮る遮光部材と、
を備えていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
請求項１に記載の放射線検出器において、
前記遮光部材は、前記光照射機構の出光面の前面である、前記半導体層および前記絶縁基板を有する放射線検出器本体に設けられていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項３】
請求項２に記載の放射線検出器において、
前記遮光部材は、前記絶縁基板の前記光照射機構側の面に接着されて設けられていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項４】
請求項２に記載の放射線検出器において、
前記遮光部材は、前記半導体層と前記絶縁基板との間に設けられていることを特徴とする放射線検出器。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の放射線検出器において、
前記遮光部材は、光を反射する材料で構成されることを特徴とする放射線検出器。
【請求項６】
請求項１から４のいずれかに記載の放射線検出器において、
前記遮光部材は、光を吸収する材料で構成されることを特徴とする放射線検出器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、医療や工業分野に用いられ、放射線を検出する放射線検出器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の装置として、フラットパネル型Ｘ線検出器（以下適宜、「ＦＰＤ」とする）がある。ＦＰＤ１０１は、図７に示すように、Ｘ線に対して有感な半導体層１０４と、半導体層１０４の一方（Ｘ線ｘｒ入射側）の面に設けられたバイアス電圧Ｖｈを印加する共通電極１０９と、半導体層１０４の他方の面に設けられた複数個の画素電極１０６とを備えている。ＦＰＤ１０１の半導体層１０４にＸ線が入射すると、半導体層１０４で電荷（キャリア）が生成される。生成された電荷は、画素電極１０６の各々により収集されて、アクティブマトリクス基板１０５により被検体像の検出信号として出力される。
【０００３】
また、ＦＰＤ１０１は、半導体層１０４等に可視光を照射させるための光照射機構（バックライトともいう）１０３を備えている（例えば、特許文献１，２参照）。光照射機構１０３からの光により、ＦＰＤ１０１の感度変動や残留出力による残像を改善することができる。すなわち、半導体層１０４で生成された電荷が画素電極１０６間等に溜まることで生じる感度変動や、画素電極１０６間等に溜まる電荷が、光照射機構１０３からの光が照射されないときに、徐々に掃き出されて残像がＸ線画像に写り込む原因となる残留出力を抑制している。
【０００４】
光照射機構１０３は、光源１５１と、光源１５１からの光を出光面１０３ａ側に導く導光板１５３と、導光板１５３で導かれた光を拡散させて、光を均一に照射させるための拡散フィルム１５５と、リフレクタ１５７および反射フィルム１５９とを備えている。半導体層１０４とアクティブマトリクス基板１０５とが一体で構成されるＦＰＤ本体１０２と光照射機構１０３との間には、スポンジなどの緩衝部材１４９が設けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１４６７６９号公報
【特許文献２】特開２００７−１６３２１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
このような光照射機構１０３を備えたＦＰＤ１０１は、ＦＰＤ１０１の感度変動や残留出力による残像を改善することができるが、読み出し回路１０７のＴＦＴ等の保護膜に絶縁破壊が生じ、ラインノイズや故障が発生するという別異の問題がある。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、絶縁破壊を防止し、ラインノイズや故障を防止する放射線検出器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
発明者は、上記の問題を解決するために鋭意研究した結果、次のような知見を得た。すなわち、光照射機構１０３の光が、半導体層１０４の画素領域外ＲＢに照射されて電荷が生成され、生成された電荷が溜まることによって、ＴＦＴ等の保護膜に耐電圧以上の電圧負荷がかかり、絶縁破壊することが分かった。
【０００９】
つまり、ＦＰＤ１０１の感度変動や残留出力による残像を改善するために、光照射機構１０３により半導体層１０４に光が照射されるのであるが、半導体層１０４の画素領域外ＲＢで生成される電荷は、画素電極１０６により掃き出す能力を超えて溜まってしまう。この溜まった電荷により絶縁破壊が生じているのである。その結果、更に溜まった電荷が、絶縁破壊された場所を通ってＴＦＴや電荷蓄積容量に流れ込み、ラインノイズの発生原因となり、また、最悪の場合、ＦＰＤ１０１の故障につながっている。すなわち、光照射機構１０３の光が半導体層１０４の画素領域外ＲＢに照射されて、半導体層１０４の画素領域外ＲＢで生成された電荷が溜まることにより生じる絶縁破壊を防止することが求められる。
【００１０】
また、図７に示す従来のＦＰＤ１０１において、光照射機構１０３の出光面１０３ａから照射された光は、その出光面１０３ａよりも広い範囲に拡がって照射されてしまう（図７中の符号Ｌ参照）。すなわち、光照射機構１０３の光源１５１からの光が、導光板１５３や拡散フィルム１５５で拡散されるので、拡散された光が出光面１０３ａよりも拡がって照射されている。そのため、光照射機構１０３からの光が半導体層１０４の画素領域外ＲＢに照射されることとなる。
【００１１】
このような知見に基づく本発明は、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る放射線検出器は、放射線に感応して電荷を生成する半導体層と、前記半導体層で生成された電荷を収集するためのマトリクス状に配置された複数個の画素電極および、前記画素電極で収集された電荷を読み出すための読み出し回路が形成された光透過性の絶縁基板と、前記絶縁基板側から前記半導体層に光を照射させる光照射機構と、前記光照射機構の出光面の前面に設けられ、前記半導体層のうち前記複数個の画素電極からなる画素領域の外側領域を覆って前記光照射機構から照射された光を遮る遮光部材と、を備えていることを特徴とするものである。
【００１２】
本発明に係る放射線検出器によれば、遮光部材は、光照射機構の出光面の前面に設けられ、半導体層のうち複数個の画素電極からなる画素領域の外側領域を覆って光照射機構から照射された光を遮っている。これにより、遮光部材は、光照射機構の出光面から拡がって照射された光を出光面の前面で遮ることができる。そのため、光照射機構から照射された光が半導体層の画素領域外に入射して電荷が生成されることを抑えることができる。これにより、半導体層の画素領域外で生成された電荷が溜まることに起因するＴＦＴ等の保護膜の絶縁破壊を防止することができ、ラインノイズの発生や放射線検出器の故障を防止することができる。
【００１３】
また、本発明に係る放射線検出器において、前記遮光部材は、前記光照射機構の出光面の前面である、前記半導体層および前記絶縁基板を有する放射線検出器本体に設けられていることが好ましい。遮光部材は、放射線検出器本体に設けられて一体となっているので、光照射機構が放射線検出器本体に対して位置ずれしても、光照射機構から照射された光を遮光部材により予め設定された領域で遮ることができる。
【００１４】
また、本発明に係る放射線検出器の一例は、前記遮光部材は、前記絶縁基板の前記光照射機構側の面に接着されて設けられていることである。これにより、遮光部材を簡易に設けることができる。
【００１５】
また、本発明に係る放射線検出器の一例は、前記遮光部材は、前記半導体層と前記絶縁基板との間に設けられていることである。これにより、光照射機構からの光を半導体層のより近くで遮ることができ、半導体層の画素領域外に入射する光を抑えることができる。
【００１６】
また、本発明に係る放射線検出器の一例は、前記遮光部材は、光を反射する材料で構成されることである。これにより、遮光部材は、光照射機構から照射される光を反射させて光を遮ることができる。また、遮光部材により反射された光を、半導体層の画素領域内への光照射に利用することができる。そのため、半導体層の画素領域内に入射する光量を増やすことができるので、光照射機構の光源に求められる光量を削減することができ、光源の消費電力を削減することができる。
【００１７】
また、本発明に係る放射線検出器の一例は、前記遮光部材は、光を吸収する材料で構成されることである。これにより、遮光部材は、光照射機構から照射される光を吸収させて光を遮ることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明に係る放射線検出器によれば、遮光部材は、光照射機構の出光面の前面に設けられ、半導体層のうち複数個の画素電極からなる画素領域の外側領域を覆って光照射機構から照射された光を遮っている。これにより、遮光部材は、光照射機構の出光面から拡がって照射された光を出光面の前面で遮ることができる。そのため、光照射機構から照射された光が半導体層の画素領域外に入射して電荷が生成されることを抑えることができる。これにより、半導体層の画素領域外で生成された電荷が溜まることに起因するＴＦＴ等の保護膜の絶縁破壊を防止することができ、ラインノイズの発生や放射線検出器の故障を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の概略構成を示す縦断面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＰ−Ｐ方向から見た遮光部材と画素電極の関係を示す図である。
【図２】フラットパネル型Ｘ線検出器本体（ＦＰＤ本体）の左側を拡大した縦断面図である。
【図３】画素電極および読み出し回路の詳細構成を示す縦断面図である。
【図４】実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器本体（ＦＰＤ本体）の概略構成を示す平面図である。
【図５】（ａ）、（ｂ）は、変形例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器本体（ＦＰＤ本体）の左側を拡大した縦断面図である。
【図６】変形例に係る画素電極および読み出し回路の詳細構成を示す縦断面図である。
【図７】従来のフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の概略構成を示す縦断面図である。
【実施例】
【００２０】
以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。図１（ａ）は、実施例に係るフラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）の概略構成を示す縦断面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＰ−Ｐ方向から見た遮光部材と画素電極の関係を示す図である。図２は、ＦＰＤ本体の左側を拡大した縦断面図であり、図３は、画素電極および読み出し回路の詳細構成を示す縦断面図である。本実施例では、放射線検出器の一例として、フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）について説明する。
【００２１】
図１（ａ）を参照する。ＦＰＤ１は、ＦＰＤ本体２と光照射機構３とを備えている。まず、ＦＰＤ本体２の構成について説明する。
【００２２】
〔ＦＰＤ本体〕
ＦＰＤ本体２は、Ｘ線に感応して直接電荷を生成する半導体層４と、半導体層４で生成された電荷を読み出すためのアクティブマトリクス基板５とを備えている。アクティブマトリクス基板５は、半導体層４で生成された電荷を収集する画素電極６および、画素電極６で収集された電荷を読み出すために後述する蓄積容量１１およびＴＦＴ１３を有する読み出し回路７が形成された光透過性の絶縁基板８で構成されている。画素電極６は複数個で構成され、複数個の画素電極６は、マトリクス状に配置されている（図１（ｂ）参照）。
【００２３】
半導体層４の一方の面には画素電極６が設けられており、半導体層４の他方の面には、図１（ａ）および図２に示すように、共通電極９が設けられている。共通電極９には、バイアス電圧Ｖｈが印加されるようになっている。読み出し回路７は、図３に示すように、蓄積容量（コンデンサ）１１とＴＦＴ１３とを備えている。
【００２４】
蓄積容量１１は、２層の蓄積容量電極１５，１７とゲート絶縁膜１９とで構成されている。一方、ＴＦＴ１３は、ゲート電極（ゲート線）２１、ソース電極（データ線）２３、ドレイン電極２５、ゲートチャネル２７およびゲート絶縁層１９で構成されている。蓄積容量電極１５とドレイン電極２５は、電気的に接続されており、また、蓄積容量電極１５およびドレイン電極２５は、画素電極６と電気的に接続されている。これにより、画素電極６で収集した電荷を蓄積容量１１に蓄積することができ、蓄積された電荷をＴＦＴ１３の動作により読み出せるようになっている。
【００２５】
蓄積容量１１およびＴＦＴ１３等は、絶縁性の保護膜２９で覆われており、更に、画素電極６が形成される領域には、更に絶縁膜（保護膜）３１で覆われている。画素電極６は、その絶縁膜３１上に形成されている。なお、図３において、下側の蓄積容量電極１７は、接地され、また、予め設定された電圧が印加されている。
【００２６】
次に、ＦＰＤ本体２の材料例について説明する。半導体層４は、ａ−Ｓｅ（アモルファスセレン）、ＣｄＴｅ（テルル化カドミウム）またはＣｄＺｎＴｅ（テルル化亜鉛カドミウム）等で構成される。絶縁基板８は、ガラス等で構成される。なお、絶縁基板８の厚さは、例えば０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度で構成される。また、半導体層４が例えばａ−Ｓｅの場合、半導体層４の厚さは、０．５ｍｍ〜１．５ｍｍ程度で構成される。
【００２７】
画素電極６、蓄積容量電極１５，１７、ゲート電極（ゲート線）２１、ソース電極（データ線）２３およびドレイン電極２５は、Ｔａ（タンタル）やＡｌ（アルミニウム）等の金属膜、またはＩＴＯ（酸化インジウムスズ）等の透明または半透明の導電膜で構成される。光照射機構３からの光を画素電極６等自体を透過させて半導体層４に照射させたい場合は、透明または半透明導電膜で構成されることが好ましい。
【００２８】
ゲートチャネル２７は、ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン）やｐ−Ｓｉ（ポリシリコン）を蒸着法で形成し、不純物を拡散させて例えばｎ＋層としたもので構成される。ゲート絶縁膜１９、保護膜２９および絶縁膜３１は、光透過性を有する材料で構成され、例えばＳｉＮｘやＳｉＯｘで構成される。また、ゲート絶縁膜１９、保護膜２９および絶縁膜３１は、無機膜の他にアクリルやポリイミド等で構成してもよい。
【００２９】
図３中の符号ＤＵは、図１（ａ）および図２に示す共通電極９を含めてＸ線検出素子を示しており、Ｘ線検出素子ＤＵでの検出が１画素に相当する。Ｘ線検出素子ＤＵは、２次元マトリクス状に配置され、例えば１５００×１５００個程度（２３０×２３０ｍｍ程度）で構成される。Ｘ線検出素子ＤＵは、図４において、図示の便宜上３×３個で構成されている。蓄積容量１１およびＴＦＴ１３は、２次元マトリクス状に構成された３×３個のＸ線検出素子ＤＵに個別に設けられている。
【００３０】
図４において、ゲート線２１は、行（Ｘ）方向のＴＦＴ１３のゲートと接続されており、データ線２３は、列（Ｙ）方向のＴＦＴ１３のソースに接続されている。また、ゲート線２１は、ゲート駆動部３３と接続しており、データ線２３は、順番に電荷電圧変換アンプ３５、マルチプレクサ３７に接続している。ゲート駆動部３３、電荷電圧変換アンプ３５およびマルチプレクサ３７は、コントローラ３９で制御されるようになっており、例えば図示しない外部装置からの信号で駆動される。
【００３１】
次に、ＦＰＤ本体２の動作について説明する。Ｘ線管から照射されて被検体を通過したＸ線は、ＦＰＤ１のＦＰＤ本体２に入射する（Ｘ線管および被検体は共に図示しない）。図３に示す半導体層４にＸ線が入射すると、光導電効果により電荷が生成される。生成された電荷は、バイアス電圧Ｖｈにより順番に、半導体層４、画素電極６と送られ、画素毎に蓄積容量１１に蓄積される。
【００３２】
蓄積容量１１に蓄積された電荷は、ＴＦＴ１３の動作により蓄積容量１１から読み出される。ゲート駆動部３３は、例えば図４中の上側のゲート線２１から１行ずつ順番に信号を送信することで、ＴＦＴ１３を接続（ＯＮ）の状態にさせる。これにより、蓄積容量１１に蓄積された電荷を、ＴＦＴ１３を通じてデータ線２３に移動させ、データ線２３を通じて電荷電圧変換アンプ３５に移動させる。電荷電圧変換アンプ３５は、電荷を電圧に変換して電気信号として出力し、マルチプレクサ３７に送る。マルチプレクサ３７は、複数の電圧信号から１つの電圧信号を選択して出力する。出力された電圧信号に基づいて２次元のＸ線画像が取得される。
【００３３】
〔光照射機構〕
次に、光照射機構３の構成について説明する。図１（ａ）に戻る。光照射機構３は、アクティブマトリクス基板５の絶縁基板８側から半導体層４に光を照射させるものである。光照射機構３は、スポンジなどの緩衝部材４９を介在させて、ＦＰＤ本体２と接している。
【００３４】
光照射機構３は、光源５１と、光源５１から照射した光を出光面３ａへ導くための導光板５３と、導光板５３で導かれた光を拡散する拡散フィルム５５とを備えている。また、拡散フィルム５５が配置される面を除く、光源５１と導光板５３との周囲には、リフレクタ５７と反射フィルム５９とが設けられている。光源５１は、例えば青色ＬＥＤが用いられるが、場合により赤色ＬＥＤまたは緑色ＬＥＤを用いてもよい。なお、光源５１は、図４に示すコントローラ３９により制御される。
【００３５】
〔遮光部材〕
次に、本発明の特徴部分である遮光部材６１について説明する。遮光部材６１は、光照射機構３からの光を遮って、図１（ａ）、図１（ｂ）および図２に示す半導体層４の画素領域外ＲＢに光が入射しないようにするためのものである。画素領域外ＲＢとは、半導体層４のうち２次元マトリクス状に配置された複数個の画素電極６からなる画素領域ＲＡの外側の領域である。画素領域ＲＡと画素領域外ＲＢとの境界Ｃは、図２に示すように、複数個の画素電極６のうち外側の画素電極６の端部に位置する。
【００３６】
遮光部材６１は、光照射機構３の出光面３ａの前面である、半導体層４および絶縁基板８を有するＦＰＤ本体２に設けられている。具体的には、遮光部材６１は、絶縁基板８の光照射機構３側の面（裏面）８ａに接着されている。すなわち、遮光部材６１は、緩衝部材４９を介在させて光照射機構３に接している。
【００３７】
遮光部材６１は、光を反射する材料、または光を吸収する材料で構成される。光を反射する材料としては、例えば、テフロン（登録商標）その他の白色の樹脂、またはＣｕ（銅）やＡｌ（アルミニウム）等の金属が挙げられる。一方、光を吸収する材料としては、黒色の樹脂が挙げられる。白色および黒色の樹脂は、例えば透明な樹脂に顔料を添加させて形成されたものが用いられる。
【００３８】
本実施例においては、遮光部材６１は、テフロン（登録商標）その他白色樹脂やＣｕ、Ａｌ、黒色樹脂などのフィルムに接着層が設けられたテープ状のもので構成される。すなわち、遮光部材６１は、Ｃｕテープなどの光反射テープや、黒色樹脂などの光吸収テープで構成される。
【００３９】
遮光部材６１としての例えばＣｕテープは、絶縁基板８の裏面８ａに貼り付けられる。遮光部材（Ｃｕテープ）６１は、図１（ｂ）に示すように、画素領域ＲＡを囲って画素領域外ＲＢをほぼ全て覆うように絶縁基板８の裏面８ａに貼り付けられる。なお、図１（ａ）および図１（ｂ）に示すように、遮光部材６１は、絶縁基板８の外縁部８ｂまで設けられているが、絶縁基板８の外縁部８ｂよりも内側に形成されていてもよい。
【００４０】
次に、遮光部材６１の作用について説明する。光照射機構３の光源５１から照射された光は、導光板５３により、導光板５３内やリフレクタ５７、反射フィルム５９で反射しながら、拡散フィルム５５が設けられている出光面３ａ側に導かれる。導光板５３等により導かれた光は、拡散フィルム５５により拡散され、出光面３ａから均一な光を照射させている。出光面３ａから照射された光は、その光量にむらが抑えられて均一な光となっているが、導光板５３や拡散フィルム５５で拡散して出光面３ａから拡がるように照射される。
【００４１】
しかしながら、出光面３ａの前面に遮光部材６１が設けられているので、出光面３ａから拡がって照射された光を遮ることができる。そのため、遮光部材６１により、半導体層４のうち半導体層４の画素領域外ＲＢに入射する光を抑えられ、半導体層４の画素領域外ＲＢに光が入射することによる電荷の生成が抑えられる。電荷の生成が抑えられるので、半導体層４の画素領域外ＲＢで電荷が溜まって、保護膜２９や絶縁膜３１に耐電圧以上の電圧が加わることが抑えられる。これにより、保護膜２９や絶縁膜３１の絶縁破壊を防止することができる。
【００４２】
本実施例によれば、遮光部材６１は、光照射機構３の出光面３ａの前面に設けられ、半導体層４のうち複数個の画素電極６からなる画素領域ＲＡの外側領域ＲＢを覆って光照射機構３から照射された光を遮っている。これにより、遮光部材６１は、光照射機構３の出光面３ａから拡がって照射された光を出光面３ａの前面で遮ることができる。そのため、光照射機構３から照射された光が半導体層４の画素領域外ＲＢに入射して電荷が生成されることを抑えることができる。これにより、半導体層４の画素領域外ＲＢで生成された電荷が画素電極６により掃き出す能力を超えて溜まることに起因するＴＦＴ等の保護膜２９および絶縁膜３１の絶縁破壊を防止することができ、ラインノイズの発生やＦＰＤ１の故障を防止することができる。
【００４３】
また、遮光部材６１は、半導体層４および絶縁基板８を有するＰＦＤ本体２に設けられている。すなわち、遮光部材６１は、ＦＰＤ本体２に設けられて一体となっているので、光照射機構３がＦＰＤ本体２に対して位置ずれしても、光照射機構３から照射された光を遮光部材６１により予め設定された領域で遮ることができる。
【００４４】
また、遮光部材６１は、絶縁基板８の光照射機構３側の面８ａに接着されている。これにより、遮光部材６１を簡易に設けることができる。
【００４５】
また、遮光部材６１は、光を反射する材料で構成されている場合、遮光部材６１は、光照射機構３から照射される光を反射させて光を遮ることができる。また、遮光部材６１により反射された光を、半導体層４の画素領域ＲＡ内への照射光に利用することができる。そのため、半導体層４の画素領域ＲＡ内に入射する光量を増やすことができるので、光照射機構３の光源５１に求められる光量を削減することができ、光源５１の消費電力を削減することができる。
【００４６】
また、遮光部材６１は、光を吸収する材料で構成されている場合、遮光部材６１は、光照射機構３から照射される光を吸収させて光を遮ることができる。
【００４７】
本発明は、上記実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。
【００４８】
（１）上述した実施例では、遮光部材６１は、半導体層４のうち画素領域ＲＡの外側領域ＲＢに光が入射しないように、半導体層の画素領域外ＲＢのほぼ全てを覆って光照射機構３からの光を遮っていた。すなわち、遮光部材６１は、画素領域ＲＡと画素領域外ＲＢとの境界Ｃを基準に配置されていた。しかしながら、遮光部材６１の遮光の効果によっては、この限りではない。すなわち、遮光部材６１の端部は、図２の符号ｕ，ｖに示すように、境界Ｃの外側ｕに配置されてもよく、また、境界Ｃの内側ｖに配置されていてもよい。
【００４９】
（２）上述した実施例および変形例（１）では、遮光部材６１は、テフロン（登録商標）その他白色樹脂やＣｕ、Ａｌ、黒色樹脂などのフィルムに接着層が設けられたテープ状のもので構成されていた。そして、遮光部材６１は、絶縁基板８の裏面８ａに貼り付けられていた。この点、例えば、遮光部材６１は、絶縁基板８の裏面８ａに例えばＣｕを、蒸着法やスパッタ法、凸版もしくは凹版、インクジェットなどの印刷法等の既存の成膜方法で形成してもよい。
【００５０】
（３）上述した実施例および各変形例では、遮光部材６１は、絶縁基板８の裏面８ａに貼り付けられていたが、遮光部材６１の位置はそれに限定されない。例えば、図５（ａ）に示すように、遮光部材６１は、読み出し回路７上に配置してもよいし、図５（ｂ）に示すように、遮光部材６１は、読み出し回路７と絶縁基板８との間に配置してもよい。また、遮光部材６１は、読み出し回路７中に配置してもよい。すなわち、遮光部材６１は、半導体層４と絶縁基板８との間に形成されてもよい。これにより、光照射機構３からの光を半導体層４のより近くで遮ることができ、半導体層４の画素領域外ＲＢに入射する光を抑えることができる。
【００５１】
この場合の遮光部材６１の形成方法は、遮光部材６１の材料をコーティングできれば、例えば、蒸着法やスパッタ法、凸版もしくは凹版、インクジェットなどの印刷法等の既存の成膜方法であればよい。
【００５２】
（４）上述した各実施例および各変形例では、画素電極６は、半導体層４で生成された電荷を直接収集していたが、これに限定されない。例えば、半導体層４と画素電極６の間には、図６に示すように、キャリア選択性を有するキャリア選択層７１を設けてもよい。これにより、暗電流を抑制する効果が得られる。キャリア選択層７１は、例えばＳｂ２Ｓ３（三硫化二アンチモン）やＣｄＳ（硫化カドミウム）等のｎ型半導体、またはＳｂ２Ｓ３やＺｎＴｅ（テルル化亜鉛）等のｐ型半導体で構成される。ｎ型半導体またはｐ型半導体は、共通電極９に印加される正負のバイアス電圧Ｖｈによって選ばれる。
【００５３】
（５）上述した各実施例および各変形例では、放射線としてＸ線を一例に放射線検出器説明したが、例えば、γ線や赤外線などであってもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１    …  ＦＰＤ
２    …  ＦＰＤ本体
３    …  光照射機構
４    …  半導体層
６    …  画素電極
７    …  読み出し回路
８    …  絶縁基板
１３  …  ＴＦＴ
２９  …  保護膜
３１  …  絶縁膜
３９  …  コントローラ
５１  …  光源
５３  …  導光板
５５  …  拡散フィルム
ＲＡ  …  画素領域
ＲＢ  …  画素領域外
６１  …  遮光部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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