(57)【要約】【課題】製造コスト、耐衝撃性、分解能に優れ、感度の低下を防止することを可能とする放射線画像検出装置を提供する。【解決手段】Ｘ線画像検出装置１０は、光電変換パネル２１、蛍光体層２０、樹脂層２７を備える。光電変換パネル２１は、光電変換を行うフォトダイオード（ＰＤ）４３を含む画素４１が２次元マトリクス状に配列された撮像面を有する。蛍光体層２０は、各ＰＤ４３に対応した位置に開口部２３ａが形成された隔壁２３と、各開口部２３ａに充填され、Ｘ線を可視光に変換する蛍光体２４とを有する。開口部２３ａの撮像面に平行な方向の断面積は、光電変換パネル２１側のほうが、光電変換パネル２１とは反対側より大きい。蛍光体２４は、前記各開口部２３ａ内に、光電変換パネル２１側に空隙を残して充填されている。この空隙に樹脂層２７が形成されている。【選択図】図４
2014182002.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換を行うフォトダイオードを含む画素が２次元配列された撮像面を有する光電変換パネルと、
隔壁と蛍光体とを備え、前記隔壁は、前記各フォトダイオードに対応して配置されるとともに、前記撮像面に平行な方向の断面積が、前記光電変換パネル側のほうが、前記光電変換パネルとは反対側より大きい開口部を有し、前記蛍光体は、前記各開口部内に、前記光電変換パネル側に空隙を残して充填され、放射線を可視光に変換する蛍光体層と、
前記空隙に形成された樹脂層と、
を備えることを特徴とする放射線画像検出装置。
【請求項２】
前記光電変換パネル及び前記蛍光体層は、前記放射線が入射する側から、前記光電変換パネル、前記蛍光体層の順番に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の放射線画像検出装置。
【請求項３】
前記蛍光体層は、前記樹脂層が形成された表面が、粘着層を介して前記光電変換パネルに貼り合わされているか、または、前記樹脂層が形成された表面が、前記光電変換パネルに直接当接していることを特徴とする請求項２に記載の放射線画像検出装置。
【請求項４】
前記各開口部は、前記光電変換パネルから離れる方向に次第に前記断面積が減少していることを特徴とする請求項３に記載の放射線画像検出装置。
【請求項５】
前記蛍光体層の前記光電変換パネルと反対側の表面に、前記可視光を反射する光反射層が形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の放射線画像検出装置。
【請求項６】
前記蛍光体層は、蛍光体支持基板上に、前記光反射層を介して形成されていることを特徴とする請求項５に記載の放射線画像検出装置。
【請求項７】
前記蛍光体は、バインダと、このバインダに分散された蛍光体粒子とを含むことを特徴とする請求項３から６いずれか１項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項８】
前記隔壁は、前記蛍光体より屈折率が低いことを特徴とする請求項７に記載の放射線画像検出装置。
【請求項９】
前記隔壁の前記光電変換パネル側の開口率が８５％以上であることを特徴とする請求項３から８いずれか１項に記載の放射線画像検出装置。
【請求項１０】
前記蛍光体層の厚みが４００μｍ以上であることを特徴とする請求項９に記載の放射線画像検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、間接変換方式の放射線画像検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
医療分野などにおいて、体内を観察するための放射線画像撮影システムが普及している。この放射線画像撮影システムは、放射線源から被写体に向けてＸ線などの放射線を放射する放射線源と、被写体を透過した放射線を検出して電荷に変換し、この電荷を電圧に変換して、被写体の放射線画像を表す画像データを生成する放射線画像検出装置とを備えている。
【０００３】
放射線画像検出装置には、放射線を直接電荷に変換する直接変換方式と、放射線を一旦可視光に変換し、この可視光を電荷に変換する間接変換方式がある。間接変換方式の放射線画像検出装置は、放射線を可視光に変換する蛍光体層（シンチレータ）と、この蛍光体層により生成された可視光を電荷に変換する光電変換パネルとを有する。光電変換パネルには、フォトダイオードを含む画素が２次元マトリクス状に複数配列されており、この上に蛍光体層が積層されている。
【０００４】
蛍光体層には、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等の粒子状の蛍光体材料（粒状結晶）を有する粒状タイプと、ＣｓＩ：Ｔｌなどの柱状の蛍光体材料（柱状結晶）を有する柱状タイプとが知られている。
【０００５】
粒状タイプの蛍光体層は、ＧＯＳ等の蛍光体粒子を樹脂などのバインダ（結合剤）に分散させて形成されるため、可撓性を有し、耐衝撃性に優れるといった利点がある。特に、ＧＯＳを有する蛍光体層は、ＧＯＳに含まれる重金属原子のＧｄが、ＣｓＩに含まれる重金属原子のＣｓより原子番号が大きいため、耐衝撃性に加えて、放射線の吸収率が高い。しかし、粒状タイプの蛍光体層では、蛍光体粒子から可視光が等方的に放射され、光ガイド効果を有さないため、画像の分解能が低い。放射線の変換効率を高めるには、蛍光体層の膜厚を大きくすればよいが、膜厚が大きいほど、可視光が光電変換パネルに到達するまでの間での拡散が大きく、分解能が低下する。
【０００６】
これに対して、柱状タイプの蛍光体層は、基板上に蛍光体材料を結晶成長させて柱状結晶としたものであり、各柱状結晶が光ガイド効果を有するため、画像の分解能が高い。しかし、柱状タイプの蛍光体層では、厚膜化を図ろうとすると、一部の柱状結晶が異常成長して突起が生じたり、隣接する柱状結晶同士が融着するといった欠陥が生じやすいため、厚膜化には限界がある。また、柱状タイプの蛍光体層は、柱状結晶を有することにより耐衝撃性が低い。さらに、柱状タイプの蛍光体層は、材料が高価であり、製造コストが嵩む。
【０００７】
そこで、粒状タイプの蛍光体層を有する放射線画像検出装置において、蛍光体層を各フォトダイオードに対応して分離する隔壁を設けることが提案されている（例えば、特許文献１〜３参照）。この隔壁には、各フォトダイオードに対応して開口部が設けられている。各開口部内の蛍光体で発生した可視光は、隔壁により拡散が防止され、対応するフォトダイオードに効率よく導かれるため、分解能が向上する。このような隔壁を有する粒状タイプの蛍光体層は、製造コスト、耐衝撃性、かつ分解能に優れる。
【０００８】
特許文献１に記載の放射線画像検出装置では、隔壁の開口部の断面積（開口率）は、蛍光体層の厚さ方向に一定である。蛍光体層中に隔壁を設けると、その分だけ蛍光体層での発光量が低下するため、特許文献２、３に記載の放射線画像検出装置では、隔壁の光電変換パネル側の開口率を、光電変換パネルとは反対側の開口率より大きくすることにより、光電変換パネル側での蛍光体層の発光量を高めている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−０５５１６５号公報
【特許文献２】特開２０１１−２３２１９７号公報
【特許文献３】特開平９−６１５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献２、３に記載のように、隔壁の光電変換パネル側の開口率を大きくすると、その分だけ光電変換パネル側の隔壁の幅が薄くなり、破損しやすくなる。また、隔壁の高さにばらつきが生じやすくなるので、特許文献２に記載のように、隔壁の開口部に、蛍光体を充填することにより蛍光体層を形成した場合には、蛍光体層の光電変換パネル側の表面の平坦性が低く、凹凸が生じ、光電変換パネルと蛍光体層との間に空気層が生じる恐れがある。
【００１１】
光電変換パネルと蛍光体層との間に空気層が介在すると、蛍光体と空気層との間の屈折率差が生じ、蛍光体の屈折率が空気層の屈折率より大きいことにより、蛍光体から光電変換パネルに向かう可視光が、蛍光体と空気層との界面で反射されやすくなり、フォトダイオードへの可視光の入射効率が低下する（放射線画像検出装置の感度が低下する）という問題が生じる。
【００１２】
本発明は、製造コスト、耐衝撃性、分解能に優れ、感度の低下を防止することを可能とする放射線画像検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明の放射線画像検出装置は、光電変換を行うフォトダイオードを含む画素が２次元配列された撮像面を有する光電変換パネルと、隔壁と蛍光体とを備え、隔壁は、各フォトダイオードに対応して配置されるとともに、撮像面に平行な方向の断面積が、光電変換パネル側のほうが、光電変換パネルとは反対側より大きい開口部を有し、蛍光体は、各開口部内に、光電変換パネル側に空隙を残して充填され、放射線を可視光に変換する蛍光体層と、空隙に形成された樹脂層と、を備える。
【００１４】
光電変換パネル及び蛍光体層は、放射線が入射する側から、光電変換パネル、蛍光体層の順番に配置されていることが好ましい。
【００１５】
蛍光体層は、樹脂層が形成された表面が、粘着層を介して光電変換パネルに貼り合わされているか、または、樹脂層が形成された表面が、光電変換パネルに直接当接していることが好ましい。
【００１６】
各開口部は、光電変換パネルから離れる方向に次第に断面積が減少していることが好ましい。
【００１７】
蛍光体層の光電変換パネルと反対側の表面に、可視光を反射する光反射層が形成されていることが好ましい。この場合、蛍光体層は、蛍光体支持基板上に、光反射層を介して形成されていることが好ましい。
【００１８】
蛍光体は、バインダと、このバインダに分散された蛍光体粒子とを含むことが好ましい。隔壁は、蛍光体より屈折率が低いことが好ましい。
【００１９】
隔壁の光電変換パネル側の開口率が８５％以上であることが好ましい。この場合、蛍光体層の厚みが４００μｍ以上であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２０】
本発明の放射線画像検出装置によれば、隔壁は、光電変換パネル側のほうが、光電変換パネルとは反対側より断面積が大きい開口部を有し、蛍光体は、各開口部内に、光電変換パネル側に空隙を残して充填され、この空隙に樹脂層が形成されているので、光電変換パネルと蛍光体との間に空気層が介在せず、感度の低下を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】Ｘ線画像検出装置の一部破断斜視図である。
【図２】Ｘ線画像検出装置の断面図である。
【図３】隔壁及びフォトダイオードの平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿うＦＰＤの断面図である。
【図５】光電変換パネルの構成を示す回路図である。
【図６】Ｘ線画像検出装置の製造工程を示す図（その１）である。
【図７】Ｘ線画像検出装置の製造工程を示す図（その２）である。
【図８】撮影時のＸ線画像検出装置の配置例を説明する説明図である。
【図９】ＦＰＤの第１変形例を説明する図である。
【図１０】ＦＰＤの第２変形例を説明する図である。
【図１１】ＦＰＤの第３変形例を説明する図である。
【図１２】ＦＰＤの第４変形例を説明する図である。
【図１３】隔壁の第１変形例を説明する図である。
【図１４】隔壁の第２変形例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
図１において、Ｘ線画像検出装置１０は、フラットパネル検出器（ＦＰＤ：Flat Panel Detector）１１と、回路支持基板１２と、制御ユニット１３と、これらを収容する筐体１４により構成されている。筐体１４は、Ｘ線ＸＲの透過性が高く、軽量で耐久性の高い炭素繊維強化樹脂（カーボンファイバー）により一体形成されたモノコック構造である。Ｘ線画像検出装置１０は、可搬型の電子カセッテである。
【００２３】
筐体１４の１つの側面には、開口部（図示せず）と、この開口部を塞ぐ蓋部材（図示せず）とが設けられている。Ｘ線画像検出装置１０の製造時には、開口部からＦＰＤ１１や制御ユニット１３が筐体１４内に挿入される。
【００２４】
筐体１４には、撮影時にＸ線源８０（図８参照）から放射され、被写体（患者）８１（図８参照）を透過したＸ線ＸＲが照射される照射面１４ａが設けられている。この照射面１４ａには、被写体８１の撮像可能領域とその中心位置とを示すガイド線１５が形成されている。ガイド線１５の外枠が、撮影可能領域に対応し、ガイド線１５が十字状に交差する交点が撮影可能領域の中心位置に対応する。
【００２５】
筐体１４内には、照射面１４ａ側から順に、ＦＰＤ１１、回路支持基板１２が配置されている。回路支持基板１２は、回路基板３０（図２参照）を支持しており、筐体１４に固定されている。制御ユニット１３は、筐体１４内の短手方向に沿った一端側に配置されている。
【００２６】
制御ユニット１３は、マイクロコンピュータやバッテリ（いずれも図示せず）を収容している。このマイクロコンピュータは、有線または無線により、Ｘ線源８０に接続されたコンソール（図示せず）と通信して、ＦＰＤ１１の動作を制御する。
【００２７】
図２において、ＦＰＤ１１は、Ｘ線ＸＲを可視光に変換する蛍光体層（シンチレータ）２０と、この可視光を電荷に変換する光電変換パネル２１を有している。Ｘ線画像検出装置１０は、ＩＳＳ（Irradiation Side Sampling）型であり、光電変換パネル２１は、蛍光体層２０よりＸ線ＸＲの入射側に配置されている。蛍光体層２０は、光電変換パネル２１を透過したＸ線ＸＲを可視光に変換して放出する。光電変換パネル２１は、蛍光体層２０から放出された可視光を光電変換して電荷に変換する。
【００２８】
光電変換パネル２１は、筐体１４の照射面１４ａ側の内面に、エポキシ樹脂等からなる接着層２２を介して貼り付けられている。光電変換パネル２１の表面２１ａには、図３に示すように、光電変換を行うフォトダイオード（ＰＤ）４３が、ＸＹ方向に沿って２次元マトリクス状に形成されている。表面２１ａのうち、ＰＤ４３が配列された領域が撮像面である。
【００２９】
蛍光体層２０は、図３に示すように平面形状が正方格子状で、かつ光電変換パネル２１の各ＰＤ４３に対応して開口部２３ａが設けられた隔壁２３と、各開口部２３ａ内に充填された蛍光体２４とで構成されている。隔壁２３は、ガラス微粒子とバインダとを主成分とするガラスペーストにより形成されている。隔壁２３は、蛍光体２４より屈折率が低く、蛍光体２４から隔壁２３に入射する可視光は、入射角が所定以上の場合に全反射する。また、隔壁２３に、ガラス微粒子以外に、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどのフィラー粒子を添加することにより、反射率を高めてもよい。
【００３０】
蛍光体層２０は、蛍光体支持基板２５により支持されており、蛍光体層２０と蛍光体支持基板２５との間には、光反射膜２６が形成されている。蛍光体支持基板２５は、ガラス等の透明な絶縁性材料で形成されている。光反射膜２６は、アルミニウム等の金属薄膜により形成されている。
【００３１】
隔壁２３の各開口部２３ａは、平面形状がほぼＰＤ４３の形状に対応した四角形である。各開口部２３ａのＸＹ面に平行な方向の断面積は、光電変換パネル２１から離れる方向に次第に小さくなっている。蛍光体２４は、各開口部２３ａ内に、蛍光体支持基板２５側から充填されており、光電変換パネル２１側までは完全には満たされていない。この各開口部２３ａの光電変換パネル２１側には、樹脂層２７が充填されている。各蛍光体２４は、テーパ状の４つの側面を有する四角錐台（オベリスク）形状である。
【００３２】
各開口部２３ａは、蛍光体２４と樹脂層２７とで完全に満たされており、各開口部２３ａ内には空気層は存在しない。また、樹脂層２７は、隔壁２３の光電変換パネル２１側を保護している。
【００３３】
樹脂層２７の屈折率は、蛍光体２４から光電変換パネル２１側への可視光の射出効率を高める（樹脂層２７の表面での反射を抑える）ために、蛍光体２４の屈折率に近く、かつ蛍光体２４の屈折率より低いことが好ましい。具体的には、蛍光体２４の屈折率は、バインダ２４ａの屈折率が支配的であるため、樹脂層２７の屈折率は、バインダ２４ａの屈折率に近く、かつバインダ２４ａの屈折率より低いことが好ましい。これにより、蛍光体２４から樹脂層２７への可視光の入射効率が向上する。
【００３４】
蛍光体支持基板２５の蛍光体層２０を支持する側の表面２５ａには、蛍光体層２０及び光反射膜２６の形成領域外に、２つの第１のアライメントマーク２８ａが形成されている。各第１のアライメントマーク２８ａは、アルミニウムやニッケル等の金属薄膜で形成されている。各第１のアライメントマーク２８ａの平面形状は、例えば十字状である。
【００３５】
蛍光体層２０は、光反射膜２６が形成された面とは反対側が、アクリル系接合剤等からなる粘着層２９を介して光電変換パネル２１の表面２１ａに貼り合わされている。光電変換パネル２１の表面２１ａには、第１のアライメントマーク２８ａに対向する位置に、第２のアライメントマーク２８ｂが形成されている。各第２のアライメントマーク２８ｂは、アルミニウム等の金属薄膜により形成され、第１のアライメントマーク２８ａと同一形状でかつ同一サイズである。第１及び第２のアライメントマーク２８ａ，２８ｂは、蛍光体層２０を光電変換パネル２１に貼り合わせる際に、ＰＤ４３と隔壁２３とを位置合わせするために用いられる。
【００３６】
回路支持基板１２は、蛍光体支持基板２５のＸ線ＸＲの入射側とは反対側に配置されている。回路支持基板１２は、筐体１４の側部１４ｂにビス等で固着されている。回路支持基板１２の蛍光体支持基板２５とは反対側の下面１２ａには、回路基板３０が接着剤等を介して固定されている。
【００３７】
回路基板３０と光電変換パネル２１とは、フレキシブルプリント基板３１を介して電気的に接続されている。フレキシブルプリント基板３１は、いわゆるＴＡＢ（Tape Automated Bonding）ボンディング法により、光電変換パネル２１の端部に設けられた外部端子２１ｂに接続されている。
【００３８】
フレキシブルプリント基板３１には、光電変換パネル２１を駆動するためのゲートドライバ３１ａや、光電変換パネル２１から出力された電荷を電圧信号に変換するチャージアンプ３１ｂが搭載されている。回路基板３０には、チャージアンプ３１ｂにより変換された電圧信号に基づいて画像データを生成する信号処理部３０ａや、画像データを記憶する画像メモリ３０ｂが搭載されている。信号処理部３０ａには、相関二重サンプリング回路、電圧アンプ、マルチプレクサ、Ａ／Ｄ変換器等が含まれている。ゲートドライバ３１ａ、チャージアンプ３１ｂ、信号処理部３０ａ、画像メモリ３０ｂは、それぞれ集積回路として構成されている。
【００３９】
回路支持基板１２は、Ｘ線ＸＲから回路基板３０、信号処理部３０ａ、及び画像メモリ３０ｂを保護するために、鉛等のＸ線遮蔽材料を含むことが好ましい。
【００４０】
図３において、各ＰＤ４３の平面形状はほぼ正方形状（例えば、１００μｍ×１００μｍの正方形状）であり、Ｘ方向に間隔Ｄｘだけ離して配置されており、Ｙ方向に間隔Ｄｙだけ離して配置されている。間隔Ｄｘ，Ｄｙは、５〜１０μｍ程度である。隔壁２３の各開口部２３ａは、その中心が各ＰＤ４３の中心とほぼ一致している。ＸＹ面に平行な方向における各開口部２３ａの光電変換パネル２１側の断面積は、ＰＤ４３の面積より小さい。このため、光電変換パネル２１側におけるＸ方向及びＹ方向への隔壁２３の幅（開口部２３ａの間隔）Ｗｘ，Ｗｙは、それぞれＰＤ４３の間隔Ｄｘ，Ｄｙより大きい。
【００４１】
隔壁２３の光電変換パネル２１側の開口率は、８５％以上であることが好ましい。この開口率とは、ＸＹ平面における蛍光体層２０の面積に対する開口部２３ａの面積の割合である。また、この場合、蛍光体層２０の厚みは、４００μｍ以上であることが好ましい。
【００４２】
図４において、蛍光体２４は、樹脂等からなるバインダ（結合剤）２４ａと、このバインダ２４ａに分散された複数の蛍光体粒子２４ｂとで構成されている。蛍光体粒子２４ｂは、ＧＯＳ（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ：Ｔｂ）等の粒状結晶であり、Ｘ線ＸＲを吸収して可視光を発生する。
【００４３】
光電変換パネル２１は、無アルカリガラス等からなる絶縁性基板４０と、この上に配列された複数の画素４１とを有する。絶縁性基板４０は、Ｘ線ＸＲの透過性を向上させるために、厚みが０．５ｍｍ以下であることが好ましい。
【００４４】
各画素４１は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）４２と、このＴＦＴ４２に接続されたＰＤ４３とを有する。ＰＤ４３は、蛍光体層２０により生成された可視光を光電変換して電荷を発生し、これを蓄積する。ＴＦＴ４２は、ＰＤ４３に蓄積された電荷を読み出すためのスイッチング素子である。
【００４５】
ＴＦＴ４２は、逆スタガ型であり、ゲート電極４２ｇ、ソース電極４２ｓ、ドレイン電極４２ｄ、及び活性層４２ａを有する。ゲート電極４２ｇは、絶縁性基板４０上に形成されている。また、絶縁性基板４０上には、各画素４１の電荷蓄積容量を増加させるために、電荷蓄積用電極４４が形成されている。さらに、絶縁性基板４０上には、第２のアライメントマーク２８ｂが形成されている。第２のアライメントマーク２８ｂは、ゲート電極４２ｇ及び電荷蓄積用電極４４とともに、同一の製造工程で形成されることが好ましい。
【００４６】
絶縁性基板４０上には、ゲート電極４２ｇ及び電荷蓄積用電極４４を覆うように、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等からなる絶縁膜４５が形成されている。この絶縁膜４５上には、ゲート電極４２ｇに対向するように、活性層４２ａが配置されている。ソース電極４２ｓ及びドレイン電極４２ｄは、活性層４２ａ上に所定間隔だけ離して配置されている。ドレイン電極４２ｄは、その一部が絶縁膜４５上に延在し、絶縁膜４５を介して電荷蓄積用電極４４と対向して、キャパシタ４４ａを構成している。
【００４７】
ゲート電極４２ｇ、ソース電極４２ｓ、ドレイン電極４２ｄ、電荷蓄積用電極４４は、アルミニウムや銅で形成されている。活性層４２ａは、アモルファスシリコンで形成されている。そして、ソース電極４２ｓ、ドレイン電極４２ｄ、及び活性層４２ａを覆うように、絶縁膜４５上には、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等からなるＴＦＴ保護膜４６が形成されている。
【００４８】
このＴＦＴ保護膜４６上には、ＴＦＴ４２による凹凸構造をなくすように、表面が平坦な第１の平坦化膜４７が形成されている。この第１の平坦化膜４７は、低誘電率（比誘電率εｒ＝２〜４）の感光性の有機材料（例えば、ポジ型感光性アクリル系樹脂：メタクリル酸とグリシジルメタクリレートとの共重合体からなるベースポリマーに、ナフトキノンジアジド系ポジ型感光剤を混合した材料など）を塗布し、１〜４μｍの膜厚に形成したものである。
【００４９】
この第１の平坦化膜４７及びＴＦＴ保護膜４６には、ドレイン電極４２ｄを露出させるコンタクトホール４８が形成されている。ＰＤ４３は、コンタクトホール４８を介してＴＦＴ４２のドレイン電極４２ｄに接続している。ＰＤ４３は、下部電極４３ａ、半導体層４３ｂ、上部電極４３ｃにより形成されている。
【００５０】
下部電極４３ａは、コンタクトホール４８内を覆い、かつＴＦＴ４２上を覆うように、第１の平坦化膜４７上に形成されており、ドレイン電極４２ｄに接続されている。この下部電極４３ａは、アルミニウムや酸化スズインジウムで形成されている。半導体層４３ｂは、下部電極４３ａ上に積層されている。半導体層４３ｂは、ＰＩＮ型のアモルファスシリコンであり、下から順にｎ＋層、ｉ層、ｐ＋層が積層されたものである。上部電極４３ｃは、半導体層４３ｂ上に形成されている。この上部電極４３ｃは、酸化スズインジウムや酸化亜鉛インジウムなどの透光性の高い材料で形成されている。
【００５１】
このＰＤ４３及び第１の平坦化膜４７上には、ＰＤ４３による凹凸構造をなくすように、表面が平坦な第２の平坦化膜４９が形成されている。この第２の平坦化膜４９は、第１の平坦化膜４７と同様の感光性の有機材料を塗布し、１〜４μｍの膜厚に形成したものである。
【００５２】
第２の平坦化膜４９には、上部電極４３ｃを露呈させるコンタクトホール５０が形成されている。そして、このコンタクトホール５０を介して上部電極４３ｃに共通電極配線５１が接続されている。共通電極配線５１は、各ＰＤ４３の上部電極４３ｃに共通に接続されており、バイアス電圧を各上部電極４３ｃに印加するために用いられる。共通電極配線５１は、アルミニウムや銅で形成されている。
【００５３】
第２の平坦化膜４９及び共通電極配線５１上には、保護絶縁膜５２が形成されている。保護絶縁膜５２は、ＴＦＴ保護膜４６と同様に、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）等で形成されている。この保護絶縁膜５２上に、粘着層２９を介して蛍光体層２０が貼り合わされている。各開口部２３ａ内に形成された樹脂層２７は、粘着層２９に密着している。
【００５４】
図５において、画素４１は、絶縁性基板４０上に２次元マトリクス状に配列されている。各画素４１には、前述のように、ＴＦＴ４２、ＰＤ４３、及びキャパシタ４４ａが含まれている。各画素４１は、ＴＦＴ４２を介してゲート配線６０とデータ配線６１とに接続されている。ゲート配線６０は、Ｘ方向に延在し、Ｙ方向に複数配列されている。データ配線６１は、Ｙ方向に延在し、ゲート配線６０と交わるように、Ｘ方向に複数配列されている。ゲート配線６０は、ＴＦＴ４２のゲート電極４２ｇに接続されている。データ配線６１は、ＴＦＴ４２のドレイン電極４２ｄに接続されている。
【００５５】
ゲート配線６０の一端は、ゲートドライバ３１ａに接続されている。データ配線６１の一端は、チャージアンプ３１ｂに接続されている。ゲートドライバ３１ａは、各ゲート配線６０に順にゲート駆動電圧を与え、各ゲート配線６０に接続されたＴＦＴ４２をオンさせる。ＴＦＴ４２がオンすると、ＰＤ４３及びキャパシタ４４ａに蓄積された電荷がデータ配線６１に出力される。
【００５６】
チャージアンプ３１ｂは、データ配線６１に出力された電荷を積算して電圧信号に変換する。信号処理部３０ａは、チャージアンプ３１ｂから出力された電圧信号にＡ／Ｄ変換やゲイン補正処理等を施して画像データを生成する。画像メモリ３０ｂは、フラッシュメモリなどからなり、信号処理部３０ａにより生成された画像データを記憶する。画像メモリ３０ｂに記憶された画像データは、有線や無線の通信部（図示せず）を介して外部に読み出し可能である。
【００５７】
次に、Ｘ線画像検出装置１０の製造方法を説明する。まず、図６（Ａ）に示すように、ガラス等で形成された蛍光体支持基板２５の表面２５ａ上に、周知のフォトリソグラフィやスクリーン印刷等の技術を用いて、アルミニウム等の金属薄膜からなる光反射膜２６及び第１のアライメントマーク２８ａを形成する。光反射膜２６と第１のアライメントマーク２８ａとは、それぞれ別の製造工程で形成してもよいが、工程数の削減のために、同一の製造工程で形成することも好ましい。
【００５８】
図６（Ｂ）に示すように、蛍光体支持基板２５の表面２５ａ上に、光反射膜２６及び第１のアライメントマーク２８ａを覆うように感光性ペースト７０を塗布し、これを乾燥した後、フォトマスク７１を介して感光性ペースト７０を露光する。
【００５９】
感光性ペースト７０としては、例えば、特開２００９−２３１２８０号公報に記載された無機微粒子と感光性有機成分を主成分とする材料を用いることができる。この無機微粒子としては、ガラス、セラミック（アルミナやコーディライト）などが好ましく、特に、ガラスが好ましい。前述のように、感光性ペースト７０には、酸化チタン、酸化アルミニウム、酸化ジルコニウムなどの粒子を添加することが好ましい。
【００６０】
フォトマスク７１には、前述の隔壁２３の開口部２３ａの平面形状に対応した透過部７１ａが形成されており、この透過部７１ａを通過した露光光ＥＬ（例えば、紫外線）が感光性ペースト７０に照射される。フォトマスク７１は、いわゆるグレースケールマスクであり、透過部７１ａは、露光光ＥＬに対する透過率がＸＹ方向に変化している。この透過率は、開口部２３ａのテーパ形状に応じて設定されている。
【００６１】
本実施形態では、感光性ペースト７０は、ポジ型である。感光性ペースト７０を、フォトマスク７１による露光後、現像することにより感光した部分が残存する。これを焼成することにより、図６（Ｃ）に示すように、隔壁２３が形成される。隔壁２３には、フォトマスク７１の透過部７１ａに対応する位置に、テーパ状の側面を有する開口部２３ａが形成される。露光時のフォトマスク７１の位置は、第１のアライメントマーク２８ａを用いて設定される。このため、隔壁２３は、第１のアライメントマーク２８ａに対して、高精度に形成される。
【００６２】
そして、バインダ２４ａの溶液（結合剤溶液）に、ＧＯＳ等で形成された蛍光体粒子２４ｂを分散させた蛍光体塗布液を隔壁２３上に塗布して、図６（Ｄ）に示すように、蛍光体塗布液を各開口部２３ａに充填させる。このとき、各開口部２３ａ内を蛍光体２４で完全には埋めずに、上部に空隙２３ｂを残しておく。空隙２３ｂの深さは、例えば、１０〜２０μｍ程度とする。この後、開口部２３ａに充填された蛍光体塗布液を乾燥させることにより、蛍光体２４が形成される。
【００６３】
結合剤溶液は、例えば、ポリビニルブチラール樹脂、ウレタン樹脂脂および可塑剤の混合物を、トルエン、２−ブタノールおよびキシレンの混合溶剤に溶解して撹拌することにより作成される。蛍光体粒子２４ｂは、例えば、平均粒子径が約５μｍのＧＯＳ粒子であり、蛍光体塗布液に混合し、ボールミルで分散処理される。この結合剤溶液は、例えば、ドクターブレードを用いて塗布される。
【００６４】
そして、図６（Ｅ）に示すように、空隙２３ｂに樹脂材を充填することにより、蛍光体２４の表面上に樹脂層２７を形成する。これにより、各開口部２３ａ内が、蛍光体２４と樹脂層２７とで完全に充填される。この樹脂材としては、蛍光体塗布液より粘度が低い熱硬化性樹脂や紫外線硬化性樹脂を用いることが好ましい。
【００６５】
この後、図７に示すように、蛍光体層２０上に、樹脂層２７を介してアクリル系接合剤等からなる粘着層２９を形成し、蛍光体層２０を、樹脂層２７及び粘着層２９を介して光電変換パネル２１の表面２１ａに貼り合わせる。この貼り合わせは、例えば、光電変換パネル２１の裏面２１ｃからローラ（図示）で光電変換パネル２１を蛍光体層２０に対して押圧することにより行う。光電変換パネル２１は、周知の半導体プロセスにより製造されたものである。
【００６６】
蛍光体層２０と光電変換パネル２１との貼り合わせ時には、例えば、蛍光体支持基板２５の蛍光体層２０とは反対側から、カメラ７２を用いて、蛍光体支持基板２５を介して第１及び第２のアライメントマーク２８ａ，２８ｂを撮像し、第１及び第２のアライメントマーク２８ａ，２８ｂとの重なり度合いが最も高い位置に蛍光体層２０と光電変換パネル２１とを位置決めした上で、両者を貼り合わせる。
【００６７】
本実施形態では、各開口部２３ａ内の表層に樹脂層２７を形成していることにより、粘着層２９と蛍光体層２０との密着性が向上し、蛍光体層２０を光電変換パネル２１に貼り合わせる際のズレ等が防止される。
【００６８】
以上の工程によりＦＰＤ１１が完成する。この後、ＦＰＤ１１を筐体１４内に接着層２２を介して取り付けるとともに、信号処理部３０ａや画像メモリ３０ｂを実装した回路支持基板１２、ゲートドライバ３１ａやチャージアンプ３１ｂを実装したフレキシブルプリント基板３１、制御ユニット１３を取り付けることにより、Ｘ線画像検出装置１０が完成する。
【００６９】
次に、Ｘ線画像検出装置１０の作用を説明する。Ｘ線画像検出装置１０を用いて撮影を行うには、図８に示すように、撮影者（医師や放射線技師）は、Ｘ線画像検出装置１０上に被写体８１を載置し、被写体８１に対向するようにＸ線源８０を配置する。
【００７０】
撮影者がコンソールを操作してＸ線源８０及びＸ線画像検出装置１０に撮影開始を指示すると、Ｘ線源８０からＸ線ＸＲが射出され、被写体８１を透過したＸ線ＸＲがＸ線画像検出装置１０の照射面１４ａに照射される。照射面１４ａに照射されたＸ線ＸＲは、筐体１４、接着層２２、光電変換パネル２１、粘着層２９、樹脂層２７を順に通過して、蛍光体層２０に入射する。
【００７１】
蛍光体層２０では、蛍光体２４に含まれる複数の蛍光体粒子２４ｂが、入射したＸ線ＸＲを吸収して可視光を発生する。蛍光体粒子２４ｂにより発生された可視光は、隔壁２３の開口部２３ａ内を伝播する。具体的には、蛍光体粒子２４ｂでの発光は、等方的であり、ＰＤ４３の方向に伝播する可視光は、樹脂層２７及び粘着層２９を透過して光電変換パネル２１に入射する。逆に、光反射膜２６の方向に伝播する可視光は、光反射膜２６で反射された後、ＰＤ４３の方向に伝播し、同様に光電変換パネル２１に入射する。また、横方向に伝播する可視光は、隔壁２３の表面で反射され、その反射方向に応じて光電変換パネル２１または光反射膜２６の方向へ伝播を行い、最終的に光電変換パネル２１に入射する。このように、各蛍光体２４で発生した可視光は、隔壁２３により拡散が抑えられ、各蛍光体２４に対応するＰＤ４３に効率よく入射する。
【００７２】
光電変換パネル２１に入射した可視光は、保護絶縁膜５２及び第２の平坦化膜４９を透過して、ＰＤ４３に入射する。可視光は、ＰＤ４３により電荷に変換され、変換された電荷は、ＰＤ４３及びキャパシタ４４ａに蓄積される。Ｘ線源８０からのＸ線照射が終了すると、ゲートドライバ３１ａにより、ゲート配線６０を介してＴＦＴ４２のゲート電極４２ｇに順にゲート駆動電圧が印加される。これにより、行方向に並んだＴＦＴ４２が列方向に順にオンとなり、オンとなったＴＦＴ４２を介して、ＰＤ４３及びキャパシタ４４ａに蓄積された電荷がデータ配線６１に出力される。
【００７３】
データ配線６１に出力された電荷は、チャージアンプ３１ｂにより電圧信号に変換されて信号処理部３０ａに入力される。信号処理部３０ａにより、全画素４１分の電圧信号に基づいて画像データが生成され、画像メモリ３０ｂに記憶される。
【００７４】
本実施形態では、隔壁２３には、開口率が大きい光電変換パネル２１側からＸ線ＸＲが入射するので、蛍光体２４での発光量が大きい。また、各開口部２３ａ内の表層に樹脂層２７が形成されていることにより、蛍光体２４と光電変換パネル２１の間に空気層が介在せず、蛍光体２４から光電変換パネル２１に向かう可視光が、効率よく光電変換パネル２１に入射される。この両者により、Ｘ線画像検出装置１０の感度が相乗的に向上する。
【００７５】
また、本実施形態では、蛍光体支持基板２５側の隔壁２３の幅が大きいので、蛍光体層２０の自重が加わりやすい蛍光体支持基板２５側の破損を防止することができる。
【００７６】
なお、上記実施形態では、蛍光体層２０を、粘着層２９を介して光電変換パネル２１に貼り合わせているが、粘着層２９を設けず、蛍光体層２０を光電変換パネル２１に直接当接させてもよい。粘着層２９を設けない場合には、蛍光体層２０と光電変換パネル２１との間の接合力が弱いため、蛍光体支持基板２５と光電変換パネル２１との間に端部封止部（図示せず）を設け、この端部封止部を介して両者を接合することが好ましい。この端部封止部は、蛍光体層２０の外周を囲うように、アクリル樹脂等からなる紫外線硬化性樹脂で形成する。
【００７７】
このように、蛍光体層２０を光電変換パネル２１に直接当接させ場合には、隔壁２３の光電変換パネル２１側の幅が小さいため、隔壁２３の損傷が懸念されるが、本発明では、隔壁２３の光電変換パネル２１側は、樹脂層２７で保護されているため、損傷が防止される。
【００７８】
また、上記実施形態では、隔壁２３の各開口部２３ａの空隙２３ｂに樹脂層２７を形成しているが、図９に示すように、樹脂層２７を形成せずに、空隙２３ｂを、樹脂材で形成された粘着層２９の一部で埋めてもよい。
【００７９】
また、上記実施形態では、各開口部２３ａの空隙２３ｂのみを埋めるように樹脂層２７を形成しているが、図１０に示すように、蛍光体支持基板２５の表面２５ａからの高さが蛍光体層２０より高い壁部９０を、蛍光体層２０の外周を囲うように形成し、壁部９０で囲われた蛍光体層２０上の空間（空隙２３ｂを含む）を埋めるように、樹脂層９１を形成してもよい。これにより、樹脂層９１の表面の平坦性が向上する。
【００８０】
この場合、樹脂層９１の表面上に粘着層２９を形成し、蛍光体層２０を、樹脂層９１及び粘着層２９を介して光電変換パネル２１に貼り合わせてもよいが、粘着層２９を設けず、樹脂層９１の表面を光電変換パネル２１に直接接触させてもよい。このように粘着層２９を設けない場合には、蛍光体支持基板２５と光電変換パネル２１との間に、前述の端部封止部を設けることが好ましい。
【００８１】
また、図１１に示すように、隔壁２３の開口部２３ａのうち、最も外側に位置する開口部２３ａに樹脂を充填することにより、蛍光体層２０の外周を囲う壁部９２を形成し、壁部９２で囲われた蛍光体層２０上の空間（空隙２３ｂを含む）を埋めるように、前述の樹脂層９１を形成してもよい。この場合も同様に、樹脂層９１の表面上に粘着層２９を形成してもよいし、粘着層２９を形成せずに、樹脂層９１を光電変換パネル２１に直接当接させてもよい。
【００８２】
また、図１４に示すように、熱により塑性変形するシート状の樹脂層９３を蛍光体層２０の表面に押し当て、熱を加えて樹脂層９３を変形させることにより、樹脂層９３の一部で空隙２３ｂを埋めてもよい。この場合も同様に、樹脂層９３の表面上に粘着層２９を形成してもよいし、粘着層２９を形成せずに、樹脂層９３を光電変換パネル２１に直接当接させてもよい。樹脂層９３の屈折率は、蛍光体２４の屈折率に近いことが好ましい。
【００８３】
また、上記実施形態では、ＸＹ面に平行な方向における開口部２３ａの断面積が光電変換パネル２１から離れる方向に単調に減少する隔壁２３を用いているが、開口部の断面積が、光電変換パネル２１側のほうが、光電変換パネル２１とは反対側より大きければ（Ｘ線入射側の開口率が、Ｘ線入射側とは反対側の開口率大きければ）、どのような隔壁を用いてもよい。例えば、図１３に示すように、開口部９４ａの断面積が階段状に変化する隔壁９４を用いてもよい。また、図１４に示すように、開口部９５ａの断面積が光電変換パネル２１側から離れる方向に所定の位置まで単調に減少し、所定の位置から階段状に変化して一定となる隔壁９５を用いてもよい。
【００８４】
また、上記実施形態では、隔壁２３の蛍光体支持基板２５からの高さが一定であるが、これに代えて、Ｘ方向に平行な部分とＹ方向に平行な部分とで、蛍光体支持基板２５からの高さが異なる隔壁を用いてもよい。このような隔壁は、プラズマディスプレイパネル用部材として特開２００９−２３１２８０号公報により知られている。
【００８５】
また、上記実施形態では、隔壁２３を、感光性ペーストを用いてフォトリソグラフィ（感光性ペースト法）により形成しているが、特開２００９−２３１２８０号公報に記載されているように、サンドブラスト法やスクリーン印刷法を用いて形成することも可能である。また、隔壁２３は、ガラスペーストに限られず、レジスト材等の他の材料で形成してもよい。さらに、隔壁２３の側面に、金属等で反射膜を形成してもよい。
【００８６】
また、上記実施形態では、図３に示すように正方格子状の隔壁２３を用いているが、Ｘ方向またはＹ方向に平行な溝を有するストライプ状の隔壁を用いてもよい。正方格子状の隔壁２３の場合には、複数の孤立した開口部２３ａを有するため、蛍光体塗布液を充填する際に、塗布ムラが生じると、蛍光体塗布液が十分に充填されない開口部２３ａが生じるが、ストライプ状の隔壁の場合には、蛍光体塗布液を塗布する際に各溝に蛍光体塗布液が流動して一様に満たされるため、充填不良が生じにくいという利点がある。
【００８７】
また、上記実施形態では、蛍光体粒子２４ｂとしてＧＯＳ粒子を用いているが、蛍光体粒子２４ｂとして、Ａ２Ｏ２Ｓ：Ｘ（ただし、Ａは、Ｙ，Ｌａ，Ｇｄ，Ｌｕのうちいずれか１つ、Ｘは、Ｅｕ，Ｔｂ，Ｐｒのうちのいずれか１つ）で表される粒子を用いることが可能である。また、蛍光体粒子２４ｂとして、Ａ２Ｏ２Ｓ：Ｘに共付活剤としてセリウム（Ｃｅ）またはサマリウム（Ｓｍ）を含めたものを用いてもよい。
【００８８】
また、上記実施形態では、ＴＦＴ４２の活性層４２ａをアモルファスシリコンにより形成しているが、これに代えて、非晶質酸化物（例えば、Ｉｎ−Ｏ系）、有機半導体材料、カーボンナノチューブなどにより形成してもよい。
【００８９】
また、上記実施形態では、ＰＤ４３の半導体層４３ｂをアモルファスシリコンにより形成しているが、これに代えて、有機光電変換材料（例えば、キナクリドン系有機化合物やフタロシアニン系有機化合物）により形成してもよい。アモルファスシリコンは、幅広い吸収スペクトルを持つが、有機光電変換材料は、可視域にシャープな吸収スペクトルを持つため、蛍光体層２０で生成された可視光以外の電磁波を吸収することが殆どなく、ノイズを抑制することができる。
【００９０】
また、上記実施形態では、放射線としてＸ線を用いているが、γ線やα線等、Ｘ線以外の放射線を用いてもよい。さらに、上記実施形態では、可搬型の放射線画像検出装置である電子カセッテを例に挙げて本発明を説明しているが、本発明は、立位型や臥位型の放射線画像検出装置や、マンモグラフィ装置等にも適用可能である。
【符号の説明】
【００９１】
１０  Ｘ線画像検出装置
１２  回路支持基板
２０  蛍光体層
２１  光電変換パネル
２３  隔壁
２３ａ  開口部
２３ｂ  空隙
２４  蛍光体
２４ａ  バインダ
２４ｂ  蛍光体粒子
２５  蛍光体支持基板
２６  光反射膜
２７  樹脂層
２９  粘着層
４１  画素
４３  フォトダイオード
【図１】
2014182002.tif 000003
【図２】
2014182002.tif 000004
【図３】
2014182002.tif 000005
【図４】
2014182002.tif 000006
【図５】
2014182002.tif 000007
【図６】
2014182002.tif 000008
【図７】
2014182002.tif 000009
【図８】
2014182002.tif 000010
【図９】
2014182002.tif 000011
【図１０】
2014182002.tif 000012
【図１１】
2014182002.tif 000013
【図１２】
2014182002.tif 000014
【図１３】
2014182002.tif 000015
【図１４】
2014182002.tif 000016