(57)【要約】【課題】正負両極の直流高電圧を出力可能であって小型化に適した電源装置を得ること。【解決手段】正負両極の電圧を出力可能な電源装置であって、２次側コイルが出力端子６に接続されたトランス５と、トランス５の１次側コイルの一方の端子とシステムグランドとの導通状態を切り替えるスイッチングＦＥＴ１と、スイッチングＦＥＴ１と並列に接続された共振用コンデンサ２と、トランス５の１次側コイルのもう一方の端子とシステムグランドとの導通状態を切り替えるスイッチングＦＥＴ３と、スイッチングＦＥＴ３と並列に接続された共振用コンデンサ４と、１次側コイルの一方の端子と制御電圧源７との導通状態を切り替えるスイッチ８と、他方の端子と制御電圧源７との導通状態を切り替えるスイッチ９とを含む。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
正負両極の電圧を出力可能な電源装置であって、
２次側コイルが出力端子に接続されたトランスと、
前記トランスの１次側コイルの一方の端子である第１の端子とシステムグランドとの導通状態を制御信号に応じて切り替える第１のスイッチング回路と、
前記第１のスイッチング素子と並列に接続された第１のコンデンサと、
前記トランスの１次側コイルのもう一方の端子である第２の端子とシステムグランドとの導通状態を制御信号に応じて切り替える第２のスイッチング回路と、
前記第２のスイッチング素子と並列に接続された第２のコンデンサと、
前記第１の端子と制御電圧源との導通状態を制御信号に応じて切り替える第１の電源供給切替部と、
前記第２の端子と制御電圧源との導通状態を制御信号に応じて切り替える第２の電源供給切替部とを含み、
正極の電圧を出力する場合、前記第１の電源供給切替部が前記第１の端子と前記制御電圧源とを導通状態とする共に、前記第２の電源供給切替部が前記第２の端子と前記制御電圧源とを非導通状態とし、前記第２のスイッチング回路をスイッチング動作させて前記第２の端子とシステムグランドとの導通状態を所定間隔で切り換えることにより前記１次側コイルに電流を流し、
負極の電圧を出力する場合、前記第２の電源供給切替部が前記第２の端子と前記制御電圧源とを導通状態とする共に、前記第１の電源供給切替部が前記第１の端子と前記制御電圧源とを非導通状態とし、前記第１のスイッチング回路をスイッチング動作させて前記第１の端子とシステムグランドとの導通状態を所定間隔で切り換えることにより前記１次側コイルに電流を流すことを特徴とする電源装置。
【請求項２】
前記第１の電源供給切替部及び前記第２の電源供給切替部は、夫々ソースが共通に接続された２つのＦＥＴ素子を有し、一方のＦＥＴ素子のドレインが前記制御電圧源側に接続され他方のＦＥＴ素子のドレインが前記１次側コイル側に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の電源装置。
【請求項３】
イオン化した試料を電圧をかけた減圧空間中で飛行させ、その飛行態様を検出することにより前記試料の質量分析を行う質量分析装置であって、
請求項１または２に記載の電源装置により前記減圧空間中に電圧をかけることを特徴とする質量分析装置。
【請求項４】
前記電源装置が前記正極の電圧及び負極の電圧を交互に出力することにより、前記資料の質量分析を行うことを特徴とする請求項３に記載の質量分析装置。
【請求項５】
正負両極の電圧を出力可能な電源制御方法であって、
正極の電圧を出力する場合、
２次側コイルが出力端子に接続されたトランスの１次側コイルの一方の端子である第１の端子と制御電圧源とを導通状態とすると共に、前記１次側コイルのもう一方の端子である第２の端子と前記制御電圧源とを非導通状態とし、
前記第２の端子とシステムグランドとの導通状態を制御信号に応じて切り替えるスイッチング回路をスイッチング動作させて前記第２の端子とシステムグランドとの導通状態を所定間隔で切り換えることにより、前記スイッチング回路と並列に接続されたコンデンサから前記１次側コイルに電流を流し、
負極の電圧を出力する場合、
前記第２の端子と前記制御電圧源とを導通状態とする共に、前記第１の端子と前記制御電圧源とを非導通状態とし、
前記第１の端子とシステムグランドとの導通状態を制御信号に応じて切り替えるスイッチング回路をスイッチング動作させて前記第１の端子とシステムグランドとの導通状態を所定間隔で切り換えることにより、前記スイッチング回路と並列に接続されたコンデンサから前記１次側コイルに電流を流すことを特徴とする電源制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源装置、質量分析装置及び電源制御方法に関し、特に、正負の電力を出力可能な構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、同一の出力端子から正極、負極の高電圧を切り替えて出力可能な電源装置が提案されている。このような電源装置においては、発振回路で1次側電圧を発生させ、トランスにより昇圧して２次側に接続した整流回路により高電圧を得る。このような電源装置は、例えば分析対象である試料中の分子をイオン化し、電場、磁場を利用して質量分離して分離されたイオンを検出器で検出する質量分析装置の電源として用いられる。
【０００３】
試料中の分子をイオン化する方法として、大気圧誘電体バリア放電方式が知られている。このバリア放電は、試料を導入した放電部にパルス状あるいは正弦波状の高電圧を印加して放電電流を流し、試料中の分子をイオン化するものである。
【０００４】
このような質量分析装置に用いられる高圧電源の回路構成として、フォワード型ハーフブリッジ方式パルス電源およびプッシュプル方式パルス電源が知られている（例えば、特許文献１参照）。この方式は、１次側入力部に２つのコイルを設け、その接続点から電源を供給し、いずれかのコイルに流す電流をスイッチングパルスで切り替え、２次側チョークコイルに貯めたエネルギーを負荷側に供給する方式である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−５１９６５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
フォワード型パルス電源は、電流方向を切り替えるため１次側に２つのコイルが必要であり、回路が大型なものとなってしまう。装置の小型化のためには、コイルを１つだけとする構成が望まれる。また、分析する試料中に含まれる物質の成分により、イオン化に最適な高圧電源波形、例えば正負の極性が異なってくるため、物質に応じた最適波形を出力できる電源構成であることが望ましい。尚、このような課題は、質量分析装置に適用される電源装置に限らず、正負の極性を出力可能な電源装置全般において課題となり得る。
【０００７】
そこで、本発明では、正負両極の直流高電圧を出力可能であって小型化に適した電源装置を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の一態様は、正負両極の電圧を出力可能な電源装置であって、２次側コイルが出力端子６に接続されたトランス５と、トランス５の１次側コイルの一方の端子とシステムグランドとの導通状態を切り替えるスイッチングＦＥＴ１と、スイッチングＦＥＴ１と並列に接続された共振用コンデンサ２と、トランス５の１次側コイルのもう一方の端子とシステムグランドとの導通状態を切り替えるスイッチングＦＥＴ３と、スイッチングＦＥＴ３と並列に接続された共振用コンデンサ４と、１次側コイルの一方の端子と制御電圧源７との導通状態を切り替えるスイッチ８と、他方の端子と制御電圧源７との導通状態を切り替えるスイッチ９とを含むことを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の他の態様は、イオン化した試料を電圧をかけた減圧空間中で飛行させ、その飛行態様を検出することにより試料の質量分析を行う質量分析装置であって、上述した電源装置により減圧空間中に電圧をかけることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、正負両極の直流高電圧を出力可能であって小型化に適した電源装置を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電源装置の回路構成を示す図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電源装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電源装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図４】本発明の実施の形態２に係る電源装置の回路構成を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態２に係る電源装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図６】本発明の実施の形態２に係る電源装置の動作を示すタイミングチャートである。
【図７】本発明の実施の形態３に係る質量分析装置の構成を示すブロック図である。
【図８】本発明の実施の形態３に係る質量分析装置の動作を示すフローチャートである。
【図９】フライバック方式の電源の回路構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
実施の形態１．
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明する。図1は、本実施形態に係る高電圧発生回路の構成を示す図である。図１に示すように、本実施形態に係る電源装置はフライバック方式の高電圧発生回路を基本としている。はじめに図９を用いてフライバック方式について説明する。図９は、フライバック方式の一般的な回路構成を示す図である。図９に示すように、フライバック方式の一般的な回路は、スイッチングＦＥＴ（Ｆｉｅｌｄ  ｅｆｆｅｃｔ  ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１、共振用コンデンサ２及びトランス５を含む。トランス５は１次側コイル及び２次側コイルより構成される。
【００１３】
フライバック方式は、このように構成部品が少ないことが一つの特徴である。次に図９に示す回路の動作について説明する。スイッチングＦＥＴ１のゲートに入力されるスイッチングクロック信号がｈｉｇｈレベルのときはスイッチングＦＥＴ１がＯＮし、制御電圧源７からトランス５の１次側コイルを介して電流が流れ、１次側コイルにエネルギーが蓄積される。
【００１４】
次にスイッチングＦＥＴ１のゲートに入力されるスイッチングクロック信号がｌｏｗレベルに下がったときはＦＥＴ１がＯＦＦし、制御電圧源７からスイッチングＦＥＴ１へ流れる電流はゼロとなり、トランス５の１次側コイルに蓄えられたエネルギーが共振用コンデンサ２に充電される。その結果、トランス５の１次側のＡ点電位が上昇する。その後、共振用コンデンサ２の電荷はトランス５の１次側コイルに流れ、Ａ点電位が下降してゼロとなる。
【００１５】
このように、スイッチングＦＥＴ１のｏｎ／ｏｆｆ制御によって上昇したＡ点電位によってトランス５の１次側コイルに電流が流れることにより、１次側コイルと２次側コイルの巻き数に応じた高圧出力が２次側に得られる。主要各部の電圧波形を図９に示す。図９に示すように、スイッチングＦＥＴ１のゲートに入力される信号がｈｉｇｈレベルからｌｏｗレベルに切り換わる際に、Ａ点電位の波形が高くなり、それに従って２次側電圧出力が得られる。図９に示す構成の回路では、スイッチングＦＥＴ１のｏｎ／ｏｆｆ制御によって、２次側にプラスの高電圧波形が得られる。
【００１６】
図１は、図９において説明したようなフライバック方式を最小した本実施形態に係る電源装置の回路構成を示す図である。図１に示すように、本実施形態に係る電源装置においては、トランス２の１次側コイルの一端側にスイッチングＦＥＴ１を接続すると共に、他端側にスイッチングＦＥＴ３が接続されている。即ち、スイッチングＦＥＴ１が第１のスイッチング回路として用いられ、スイッチングＦＥＴ３が第２のスイッチング回路として用いられる。
【００１７】
スイッチングＦＥＴ３には、スイッチングＦＥＴ１と同様に、共振用コンデンサ４が接続されている。即ち、共振用コンデンサ２が第１のコンデンサとして用いられ、共振用コンデンサ４が第２のコンデンサとして用いられる。更に、トランス２の１次側コイルの両端は、夫々スイッチ８、スイッチ９を介して制御電圧源７に接続されている。
【００１８】
スイッチ８、９は、夫々制御端子８ａ、９ａを有し、制御端子８ａ、９ａに入力される制御信号に基づいて制御電圧源７とトランス２の１次側コイルとの接続／切断状態を切り替える。即ち、スイッチ８が第１の電源供給切替部として用いられると共に、スイッチ９が第２の電源供給切替部として用いられる。制御端子８ａ、９ａに入力される制御信号がｈｉｇｈ状態の場合、スイッチ８、９は、夫々制御電圧源７とトランス５の１次側コイルとを導通させ、制御信号がｌｏｗ状態の場合、スイッチ８、９は、夫々制御電圧源７とトランス５の１次側コイルとを非導通状態とする。
【００１９】
次に、図１に示す回路の動作について説明する。図２（ａ）は、２次側にプラスの高電圧波形を出力する場合の各部の信号状態を示すタイミングチャートである。図２（ａ）の場合、前提として、スイッチ８をｏｎ状態、スイッチ９をｏｆｆ状態とし、トランス５の１次側コイルの両端のうち、スイッチングＦＥＴ３と接続された側が制御電圧源７と接続された状態である。これにより、制御電圧源７の出力電圧は図１のＢ点に印加される。
【００２０】
この場合、図２（ａ）に示すように、スイッチングＦＥＴ１のゲートにスイッチングクロック信号が入力されて、スイッチングＦＥＴ１がスイッチング動作を行う。他方、スイッチングＦＥＴ３のゲートには常時ｌｏｗ信号が入力されており、スイッチングＦＥＴ３は常にｏｆｆ状態である。これにより、スイッチングＦＥＴ１のゲートに入力される信号がｈｉｇｈレベルのときはスイッチングＦＥＴ１がo
ｎし、制御電圧源７からＢ点を介してトランス５の１次側コイルに電流が流れ、１次側コイルにエネルギーが蓄積される。
【００２１】
次にスイッチングＦＥＴ１のゲートに入力される信号がｌｏｗレベルに下がったとき、スイッチングＦＥＴ１がｏｆｆし、制御電圧源７からスイッチングＦＥＴ１へ流れる電流はゼロとなる。その結果、トランス５の１次側コイルに蓄えられたエネルギーによって共振用コンデンサ２が充電され、図１中のＡ点電位が上昇する。その後、共振用コンデンサ２の電荷がトランス５の１次側コイルに流れることにより、Ａ点電位が下降してゼロとなる。このように、スイッチングＦＥＴ１のスイッチング動作によって上昇したＡ点電位によりトランス５の１次側コイルに電流が流れて、トランス５の２次側コイルに接続された出力端子６にプラスの高圧出力が得られる。
【００２２】
図２（ｂ）は、２次側にマイナスの高電圧波形を出力する場合の各部の信号状態を示すタイミングチャートである。図２（ｂ）の場合、前提として、スイッチ８をｏｆｆ状態、スイッチ９をｏｎ状態とし、トランス５の１次側コイルの両端のうち、スイッチングＦＥＴ１と接続された側が制御電圧源７と接続された状態である。これにより、制御電圧源７の出力電圧は図１のＡ点に印加される。
【００２３】
この場合、図２（ｂ）に示すように、スイッチングＦＥＴ３のゲートにスイッチングクロック信号が入力されて、スイッチングＦＥＴ３がスイッチング動作を行う。他方、スイッチングＦＥＴ１のゲートには常時ｌｏｗ信号が入力されており、スイッチングＦＥＴ１は常にｏｆｆ状態である。これにより、スイッチングＦＥＴ３のゲートに入力される信号がｈｉｇｈレベルのときはスイッチングＦＥＴ３がo
ｎし、制御電圧源７からＡ点を介してトランス５の１次側コイルに電流が流れ、１次側コイルにエネルギーが蓄積される。
【００２４】
次にスイッチングＦＥＴ３のゲートに入力される信号がｌｏｗレベルに下がったとき、スイッチングＦＥＴ３がｏｆｆし、制御電圧源７からスイッチングＦＥＴ３へ流れる電流はゼロとなる。その結果、トランス５の１次側コイルに蓄えられたエネルギーによって共振用コンデンサ４が充電され、図１中のＢ点電位が上昇する。その後、共振用コンデンサ４の電荷がトランス５の１次側コイルに流れることにより、Ｂ点電位が下降してゼロとなる。このように、スイッチングＦＥＴ３のスイッチング動作によって上昇したＢ点電位によりトランス５の１次側コイルに電流が流れて、トランス５の２次側コイルに接続された出力端子６にマイナスの高圧出力が得られる。
【００２５】
このように、図１に示す回路においては、スイッチ９及びスイッチングＦＥＴ３をｏｆｆすると共にスイッチ８をｏｎし、スイッチングＦＥＴ１にクロック入力することで、プラスの高電圧が得られる。一方、スイッチ８及びスイッチングＦＥＴ１をｏｆｆすると共にスイッチ９をｏｎし、スイッチングＦＥＴ９にクロック入力することで、マイナスの高電圧が得られる。このため、プラスとマイナスの高電圧を容易に切替えることができる。尚、本実施形態においては、トランス５の１次側と２次側のコイルの巻き方向を反対にしているが、同じ方向としても良く、この場合はスイッチ９とスイッチングＦＥＴ９をｏｆｆすると共に、スイッチ８をｏｎし、スイッチングＦＥＴ１にクロック入力することで、マイナスの高電圧が得られ、一方、スイッチ８とスイッチングＦＥＴ１をｏｆｆすると共に、スイッチ９をｏｎし、スイッチングＦＥＴ９にクロック入力することで、プラスの高電圧が得られる。
【００２６】
図３は、図１に示す回路においてプラス高圧出力とマイナス高圧出力を交互に出力する場合の信号状態を示すタイミングチャートである。図３におけるＴ１の期間はスイッチ８をｏｎ、スイッチ９をｏｆｆする期間であり、Ｔ２の期間はスイッチ８をｏｆｆ、スイッチ９をｏｎする期間である。そして、Ｔ１の期間においては、スイッチングＦＥＴ１のゲートにクロック信号を入力し、スイッチングＦＥＴ９のゲートにｌｏｗ信号を入力する。これにより、スイッチングＦＥＴ１のゲート入力がｈｉｇｈからｌｏｗとなったタイミングで２次側電圧出力にプラスの高電圧が得られる。
【００２７】
他方、Ｔ２の期間においては、スイッチングＦＥＴ９のゲートにクロックを入力し、スイッチングＦＥＴ１の端子３にｌｏｗ信号を入力する。これにより、スイッチングＦＥＴ９のゲート入力がｈｉｇｈからｌｏｗとなったタイミングで２次側電圧出力にプラスの高電圧が得られる。このようにすることで、トランス５の1次側コイルに流れる電流方向が周期ごとに反対となり、期間Ｔ１の周期ではＡ点電位の上昇によりトランス５の２次側コイルに接続された出力端子６にはプラスの高電圧が出力されると共に、期間Ｔ２の周期ではＢ点電位の上昇によりトランス５の２次側コイルに接続された出力端子６にはマイナスの高電圧が出力され、結果的にプラス出力とマイナス出力が交互に出力される交流波形が得られる。
【００２８】
以上説明したように、本実施形態においては、部品点数の少ないフライバック方式の電源を用い、トランス５の１次側コイルの両端に夫々フライバック方式の電源を接続するため、正負両極の直流高電圧を出力可能であって小型化に適した電源装置を得ることができる。
【００２９】
実施の形態２．
本実施形態においては、実施の形態１におけるスイッチ８、９を具体化した例に付いて説明する。尚、実施の形態１と同一の符号を付す構成については、実施の形態１と同一または相当部を示すものとし、詳細な説明を省略する。
【００３０】
図４は、実施の形態１におけるスイッチ８、９をＦＥＴを用いて実現する場合の構成を示す回路図である。図４に示すように、スイッチ８はゲート同士が互いに共通に接続されると共に、ソース同士が互いに共通に接続されたＦＥＴ８１、８２によって構成され、共通に接続されたゲートが制御端子１０として、夫々のドレインが入力、出力端子として用いられる。同様に、スイッチ９はゲート同士が互いに共通に接続されると共に、ソース同士が互いに共通に接続されたＦＥＴ９１、９２によって構成され、共通に接続されたゲートが制御端子１１として、夫々のドレインが入力、出力端子として用いられる。
【００３１】
上述したように、制御電圧源７とトランス５の１次側コイルの両端との間には、スイッチングＦＥＴ１またはスイッチングＦＥＴ３のスイッチング動作により、瞬間的なパルス電圧が印加される。このため、例えば単体のＦＥＴをスイッチとして用いると、ゲートに入力する制御信号によってＦＥＴをｏｆｆ状態としている場合であっても、ソースまたはドレインに印加されるパルス電圧によってＦＥＴが予期しない動作をする可能性がある。これに対して、図４に示すように、ソースを共通に接続した２つのＦＥＴのドレインを入力及び出力端子として用いることにより、スイッチングＦＥＴ１またはスイッチングＦＥＴ３のスイッチング動作によってパルス電圧が印加されるのは一方のＦＥＴのドレインのみであり、一方のＦＥＴが予期せずｏｎ状態となったとしても、他方のＦＥＴはｏｆｆ状態を維持するため、スイッチ８、９の予期しない動作を防ぎ、安定なスイッチ動作を実現することができる。
【００３２】
図５（ａ）、（ｂ）は、夫々プラスの高電圧、マイナスの高電圧を出力する場合の各部の信号状態を示すタイミングチャートであり、実施の形態１における図２（ａ）、（ｂ）に対応する。図５（ａ）、（ｂ）においては、図２（ａ）、（ｂ）において示されている信号に加えて、スイッチ８、９をｏｎ／ｏｆｆ制御するための制御端子１０、１１に入力する信号が示されている。
【００３３】
図５（ａ）に示すように、スイッチ８をｏｎとし、スイッチ９をｏｆｆとする場合、端子１０に印加する制御信号はｈｉｇｈレベルとし、端子１１に印加する制御信号はｌｏｗレベルとする。一方、図５（ｂ）に示すように、スイッチ８をｏｆｆとし、スイッチ９をｏｎとする場合、端子１０に印加する制御信号はｌｏｗレベルとし、端子１１に印加する制御信号はｈｉｇｈレベルとする。このような制御信号を与えることで、実施の形態１において説明したような所望の動作をさせることが可能となる。
【００３４】
図６は、図４に示す回路においてプラス高圧出力とマイナス高圧出力を交互に出力する場合の信号状態を示すタイミングチャートであり、実施の形態１における図３に対応する。図６においては、図３において示されている信号に加えて、スイッチ８、９をｏｎ／ｏｆｆ制御するための制御端子１０、１１に入力する信号が示されている。
【００３５】
図６に示すように、Ｔ１の期間においては、ＦＥＴ８１、８２をｏｎすると共にＦＥＴ９１、９２をｏｆｆするため、制御端子１０の制御信号にｈｉｇｈ信号を印加し、制御端子１１の制御信号にｌｏｗ信号を印加する。他方、Ｔ２の期間においては、ＦＥＴ８１、８２をｏｆｆしてＦＥＴ９１、９２をｏｎするため、制御端子１０の制御信号にｌｏｗ信号を印加すると共に制御端子１１の制御信号にｈｉｇｈ信号を印加する。図６に示すような制御により、実施の形態１の図３において説明した動作と同様に、トランス５の２次側コイルに接続された出力端子６にはプラス出力とマイナス出力が交互に出力される交流波形が得られる。
【００３６】
実施の形態３．
本実施形態においては、上述した電源装置１００が用いられる質量分析装置について説明する。図７は、本実施形態に係る質量分析装置の構成を示すブロック図である。図７に示すように、電源装置１００の出力端子６から出力される高電圧は、イオン化部１０１に供給され、バリア放電によって分析対象である試料中の分子がイオン化され、イオン１０１ａとして減圧空間中を検出部１０２に導かれる。即ち、電源装置１００によって減圧空間中に電圧が印加される。検出部１０２は、イオン化部１０１から導入されたイオン１０１ａを検出し、検出結果１０２ａを制御部１０３に入力する。
【００３７】
また、制御部１０３は、図１において説明したスイッチングＦＥＴ1、３のゲートに入力するスイッチングクロック信号や、図４において説明した制御端子１０、１１に入力する制御信号を出力する。制御部１０３は、検出部１０２から入力される検出結果１０２ａに応じてこれらの信号を切り替え、印加部１０１に供給する電源の状態を切り替える。具体的にはプラスの高電圧の状態、マイナスの高電圧の状態、プラスの高電圧とマイナスの高電圧とが交互に切り換わる状態の３種類について、検出部１０２による検出結果１０２ａによって切り替える。
【００３８】
このように、本実施形態に係る制御部１０３は、分析する試料中に含まれる物質の成分に応じて、電源のパルス極性を切替えることで、効率の良いイオン化とイオン検出が可能である。また、本実施形態においては、図上述したフライバック型高圧電源を用いることで、装置の小型化が可能である。
【００３９】
次に、図８を参照して、図７に示す質量分析装置の動作について説明する。図８に示すように、まず、制御部１０３は、実施の形態１の図２（ａ）において説明したプラス側パルスを発生させるための制御信号を出力し、電源装置１００にプラス側パルスを発生させ（Ｓ８０１）、検出部１０２によるイオン検出を行う（Ｓ８０２）。その結果、検出部１０２から受信した検出結果１０２ａによりイオンが検出できたら（Ｓ８０３／ＹＥＳ）、制御部１０３は、検出イオンの種類などを保存・表示して終了する（Ｓ８０４）。
【００４０】
イオンが検出できなかった場合（Ｓ８０３／ＮＯ）、制御部１０３は、実施の形態１の図２（ｂ）において説明したマイナス側パルスを発生させるための制御信号を出力し、電源装置１００にマイナス側パルスを発生させ（Ｓ８０５）、検出部１０２によるイオン検出を行う（Ｓ８０６）。その結果、検出部１０２から受信結果１０２ａによりイオンが検出できたら（Ｓ８０７／ＹＥＳ）、制御部１０３は、検出イオンの種類などを保存・表示して終了する（Ｓ８０８）。
【００４１】
イオンが検出できなかった場合（Ｓ８０７／ＮＯ）、制御部１０３は、実施の形態１の図３において説明したプラス側とマイナス側のパルスを交互に発生させるための制御信号を出力し、電源装置１００にプラス側とマイナス側のパルスを交互に発生させ（Ｓ８０９）、検出部１０２によるイオン検出を行う（Ｓ８１０）。その結果、検出部１０２から受信結果１０２ａによりイオンが検出できたら（Ｓ８１１／ＹＥＳ）、制御部１０３は、検出イオンの種類などを保存・表示して終了する（Ｓ８１２）。他方、イオンが検出できなかった場合には（Ｓ８１１／ＮＯ）、制御部１０３は、試料中に想定物質が存在しないことを表示して（Ｓ８１３）終了する。
【００４２】
このような制御により、検出対象のイオンに応じた電源制御により、イオンを好適に検出することが可能となる。尚、パルス発生の順番は図８で説明した順番に限るものではなく、どの極性のパルスから開始しても同様の効果が得られる。
【符号の説明】
【００４３】
１  スイッチングＦＥＴ
２  共振用コンデンサ
３  スイッチングＦＥＴ
４  共振用コンデンサ
５  トランス
６  出力端子
７  制御電圧源
８、９  スイッチ
１０、１１  制御端子
８１、８２、９１、９２  ＦＥＴ
１０１  電源装置
１０１  イオン化部
１０２  検出部
１０３  制御部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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