(57)【要約】【課題】太陽電池基板上でのｎ型電極およびｐ型電極の配置を変更することなく、太陽電池基板の周辺部での集電を効率よく行うことができる太陽電池及びその製造方法、並びにこのような太陽電池を太陽電池セルとして用いた太陽電池パネルを実現する。【解決手段】略正方形形状のｎ型シリコン基板１０１ａの裏面に、正孔を集める幅の広い複数の帯状ｐ＋型半導体領域１１１と、電子を集める幅の狭い複数の帯状ｎ＋型半導体領域１２１とを、交互にかつｎ型シリコン基板１０１ａの両端にｎ＋型半導体領域１２１ａが位置するよう配列し、各半導体領域上に集電電極を配置してなる集電領域Ｒｍｃを有する太陽電池１００において、集電領域Ｒｍｃの外側に集電電極を配置していないＰＮ接合を含む端部発電領域Ｒｓｃを形成し、該端部発電領域で電子正孔対として生じたキャリアをバイパス経路を介して集電領域の集電電極により集電するようにした。【選択図】図１
2014027056.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型半導体基板を備え、該第１導電型半導体基板の第１主面を受光面とした太陽電池であって、
該第１導電型半導体基板の第１主面とは反対側の第２主面に、平面帯状形状の第１導電型半導体領域と平面帯状形状の第２導電型半導体領域とをその幅方向に交互にかつ両端に該第１導電型半導体領域が位置するように配列し、該半導体領域にそれぞれの導電型に対応した集電電極を配置してなる主発電領域と、
該第１導電型半導体領域の第２主面に、該主発電領域の外側に位置し、かつ該複数の第１導電型半導体領域のうちの該主発電領域内の最も外側に位置する第１導電型外側半導体領域に隣接するように形成された、ＰＮ接合面を含む端部発電領域と
を有し、
該第１導電型外側半導体領域は複数の外側分割領域に分割されており、隣接する外側分割領域の間には、該端部発電領域を構成する第２導電型端部半導体領域を、該第１導電型外側半導体領域の内側に該第１導電型外側半導体領域に隣接して位置する第２導電型半導体領域につなぐ第２導電型電流通路が形成されており、
該第２導電型端部半導体領域は複数の端部分割領域に分割されており、隣接する端部分割領域の間には、該端部発電領域を構成する、該第２導電型端部半導体領域より外側に位置する第１導電型端部半導体領域を該第１導電型外側半導体領域につなぐ第１導電型電流通路が形成されている、太陽電池。
【請求項２】
請求項１に記載の太陽電池において、
前記複数の外側分割領域に分割した構造の第１導電型外側半導体領域上には、前記対応する集電電極が、該隣接する外側分割領域の間に位置する第２導電型電流経路に対して絶縁層を介して立体的に交差するよう配置されている、太陽電池。
【請求項３】
請求項２に記載の太陽電池において、
前記第１導電型端部半導体領域は、前記第２導電型端部半導体領域、前記複数の第１導電型半導体領域および前記複数の第２導電型半導体領域を囲むように前記第１導電型半導体基板の周縁に沿って形成されており、
前記第１導電型半導体基板の第２主面には、該第１導電型端部半導体領域を囲み、かつ該第１導電型端部半導体領域の外側の領域を占有するように第２導電型外周半導体領域が形成されている、太陽電池。
【請求項４】
請求項３に記載の太陽電池において、
前記第１導電型半導体基板は、略正方形形状を有し、
前記第１導電型半導体領域および前記第２導電型半導体領域は、該第１導電型半導体基板の対向する一対の側辺と平行な方向に延びる領域であり、
前記第１導電型端部半導体領域は、該第１導電型半導体基板の対向する一対の側辺と平行な方向に延びる第１導電型端部縦半導体領域と、該第１導電型半導体基板の対向する一対の側辺と直交する方向に延びる第１導電型端部横半導体領域とから構成されており、
前記第２導電型外周半導体領域は、該第１導電型半導体基板の対向する一対の側辺と平行な方向に延びる第２導電型外周縦半導体領域と、該第１導電型半導体基板の対向する一対の側辺と直交する方向に延びる第２導電型外周横半導体領域とから構成されている、太陽電池。
【請求項５】
請求項１または２に記載の太陽電池において、
前記複数の端部分割領域の各々は、１つの第２導電型電流通路により前記第１導電型外側半導体領域に隣接して位置する前記第２導電型半導体領域につながっている、太陽電池。
【請求項６】
請求項１または２に記載の太陽電池において、
前記複数の端部分割領域の各々は、複数の第２導電型電流通路により前記第１導電型外側半導体領域に隣接して位置する前記第２導電型半導体領域につながっている、太陽電池。
【請求項７】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の太陽電池において、
前記第１導電型半導体基板は、受光面とする第１主面側に形成された、第１導電型受光面拡散層を有する、太陽電池。
【請求項８】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の太陽電池において、
前記第１導電型半導体基板の受光面となる第１主面は、凸凹形状となっている、太陽電池。
【請求項９】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の太陽電池において、
前記第１導電型半導体基板の受光面となる第１主面上に形成されたパッシベーション膜と、
該パッシベーション膜上に形成された反射防止膜と
を有する、太陽電池。
【請求項１０】
請求項１に記載の太陽電池において、
前記第１導電型半導体基板はｎ型シリコン基板であり、
前記第１導電型半導体領域、前記第１導電型外側半導体領域、前記第１導電型電流通路および前記第１導電型端部半導体領域はそれぞれｎ型半導体領域であり、
前記第２導電型半導体領域、前記第２導電型電流通路、前記第２導電型端部半導体領域および前記第２導電型外周半導体領域はそれぞれｐ型半導体領域である、太陽電池。
【請求項１１】
請求項１に記載の太陽電池を太陽電池セルとして直列あるいは並列に接続してなり、太陽光による発電を行う、太陽電池パネル。
【請求項１２】
請求項１に記載の太陽電池を製造する方法であって、
該太陽電池では、
前記第１導電型端部半導体領域は、前記第２導電型端部半導体領域、前記複数の第１導電型半導体領域および前記複数の第２導電型半導体領域を囲むように前記第１導電型半導体基板の周縁に沿って形成されており、
前記第１導電型半導体基板の第２主面には、該第１導電型端部半導体領域を囲み、かつ該第１導電型端部半導体領域の外側の領域を占有するように第２導電型外周半導体領域が形成されており、
該方法は、
前記第１導電型半導体基板の第２主面に前記第１導電型半導体領域、前記第１導電型外側半導体領域、および前記第１導電型端部半導体領域を形成する工程と、
前記第１導電型半導体基板の第２主面に、前記第２導電型半導体領域、前記第２導電型端部半導体領域、および第２導電型外周半導体領域を、該第１導電型半導体領域、該第１導電型外側半導体領域、および該第１導電型端部半導体領域に対して自己整合的に形成する工程と、
該第１導電型端部半導体領域、該第２導電型端部半導体領域、および該第２導電型外周半導体領域を除いて、該第１導電型半導体領域、該第１導電型外側半導体領域および該第２導電型半導体領域上に、それぞれの領域の導電型に対応した集電電極を形成する工程と
を含む、太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池、太陽電池パネル、及び太陽電池の製造方法に関し、特に、半導体基板の受光面と反対側の面である裏面に集電電極を形成した構造の太陽電池及びその製造方法、並びにこのような構造の太陽電池を太陽電池セルとして用いた太陽電池パネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽光エネルギを直接電気エネルギに変換する太陽電池は、近年、特に地球環境問題の観点から、次世代のエネルギ源としての期待が急激に高まっている。太陽電池としては、化合物半導体または有機材料を用いたものなど様々な種類のものがあるが、現在、主流となっているのは、シリコン結晶を用いたものである。
【０００３】
現在、最も多く製造および販売されている太陽電池は、太陽電池を構成する半導体基板（以下、太陽電池基板あるいは単に基板ともいう。）の、太陽光が入射する側の面である受光面と、受光面とは反対側の面である裏面とにそれぞれ電極が形成された構造のものである。
【０００４】
しかしながら、太陽電池基板の受光面に電極を形成した場合、電極で光が反射したり吸収されたりすることから、この受光面に形成した電極の面積分だけ、太陽電池基板に入射する太陽光が減少することとなる。
【０００５】
そこで、太陽電池基板の裏面にのみ集電電極を形成した裏面電極型太陽電池が開発されている。
【０００６】
この裏面電極型太陽電池では、電極を裏面に配置することにより、受光面には電極の影になる領域をなくし、また、電極が基板の裏面にあるので、ｐｎ接合も基板の裏面側に位置することとなり、通常の太陽電池のように基板の表面に入射光を効率よく取り込むための凹凸構造（テクスチャ構造）を設けた場合でも、良好なｐｎ接合を形成することができる。
【０００７】
図９は従来の裏面電極型太陽電池を説明する平面図であり、その裏面側の構造を示している。
【０００８】
この太陽電池１を構成する基板１ａは略正方形形状のｎ型シリコン基板（ｎ型シリコンウェーハ）であり、このｎ型シリコン基板１ａの裏面（受光面とは反対側の基板主面）には、帯状ｎ＋型半導体領域９が、ｎ型シリコン基板１ａの対向する１組の側辺に平行となるよう所定の間隔で複数配置されており、さらに、これらの複数の帯状ｎ＋型半導体領域９の一端側及び他端側にはそれぞれ、これらにつながる、帯状ｎ＋型半導体領域９と直交する方向に延びる側縁ｎ＋型半導体領域９ａが形成されており、帯状ｎ＋型半導体領域９と側縁ｎ＋型半導体領域９ａとが一体となってｎ＋型半導体領域を構成している。
【０００９】
また、このシリコン基板１ａの裏面の、帯状ｎ＋型半導体領域９及び側縁ｎ＋型半導体領域９ａ以外の領域は、ｐ＋型半導体領域となっている。特に、基板の裏面の、隣接する帯状ｎ＋型半導体領域９の間には、これらの領域と平行な帯状ｐ＋型半導体領域１０が形成されており、さらに、基板の裏面の、最も外側の帯状ｎ＋型半導体領域９及び側縁ｎ＋型半導体領域９ａの外側の領域は、基板の外周縁に沿って位置する環状の外縁ｐ＋型半導体領域１０ａとなっている。この外縁ｐ＋型半導体領域１０ａは、最も外側の帯状ｎ＋型半導体領域９に沿って延びる縦外縁ｐ＋型半導体領域１０ａ１と、側縁ｎ＋型半導体領域９ａに沿って延びる横外縁ｐ＋型半導体領域１０ａ２とから構成されている。
【００１０】
また、このような構造のｎ型シリコン基板１ａでは、帯状ｎ＋型半導体領域９上にはこの領域９の平面形状に合わせた平面形状を有する帯状ｎ型電極２が形成されており、帯状ｐ＋型半導体領域１０上にはこの領域１０の平面形状に合わせた平面形状を有する帯状ｐ型電極３が形成されている。
【００１１】
また、図１０は、図９に示す従来の太陽電池を説明する断面図であり、図１０（ａ）は、図９のＡ−Ａ’線部分の断面構造を示し、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＢ部分を拡大して示し、図１０（ｃ）は、図１０（ａ）のＣ部分を拡大して示している。
【００１２】
太陽電池１のｎ型シリコン基板１ａの受光面には、凹凸部（テクスチャ部）５が形成されており、つまり、この受光面は、入射光をその光路長を増大させて効率よく取り込むために凹凸形状に加工した構造となっている。
【００１３】
また、ｎ型シリコン基板１ａの凹凸形状の表面部分にはｎ−型前面拡散領域６が形成されており、このｎ−型前面拡散領域６上には、下地の凹凸形状が反映されるよう、パッシベーション膜１３及び反射防止膜１２が順次形成されている。ここで、このパッシベーション膜１３は酸化シリコン膜であり、反射防止膜１２は酸化チタン膜である。
【００１４】
また、ｎ型シリコン基板１ａの裏面には、上記帯状ｎ＋型半導体領域９と上記帯状ｐ＋型半導体領域１０とが、これらの領域の長手方向と直交する方向（紙面左右方向）に交互に並ぶよう形成されている。また、ｎ型シリコン基板１ａの裏面の、最も外側の帯状ｎ＋型半導体領域９の外側には、縦外縁ｐ＋型半導体領域１０ａ１が形成されている。ここで、帯状ｐ＋型半導体領域１０は、図１０（ｃ）に示すように、帯状ｎ＋型半導体領域９より厚さｄだけ厚く形成されている。また、帯状ｐ＋型半導体領域１０の幅は、帯状ｎ＋型半導体領域９の幅より広くなっている。これは、ｎ型シリコン基板１ａで生ずるキャリアのうち、発電電流を左右する少数キャリアである正孔を集める領域を広くするためである。
【００１５】
また、ｎ型シリコン基板１ａの裏面には、帯状ｎ＋型半導体領域９、側縁ｎ＋型半導体領域９ａ（図９参照）、帯状ｐ＋型半導体領域１０、及び外縁ｐ＋型半導体領域１０ａ（図９参照）を覆うようパッシベーション膜１１が形成されている。このパッシベーション膜１１の、帯状ｎ＋型半導体領域９及び帯状ｐ＋型半導体領域１０に対応する部分にはコンタクトホールが形成され、帯状ｎ＋型半導体領域９及び帯状ｐ＋型半導体領域１０には、ｎ型電極２及びｐ型電極３がこのコンタクトホールを介してそれぞれの領域と電気的に接続されるよう形成されている。
【００１６】
なお、ここで、パッシベーション膜１１は、ｎ型シリコン基板側の熱酸化膜１１ａと、この熱酸化膜１１ａの外側に形成されたＣＶＤ酸化膜１１ｂの２層構造となっている。
【００１７】
このような構成の太陽電池は、太陽電池セルとして直列または並列に複数接続することにより太陽電池パネルを実現するものである。
【００１８】
図１１は、このような太陽電池パネルを説明する平面図であり、太陽電池パネルの全体構成を示している。図１２は、この太陽電池パネルを構成する配線基板を説明する図であり、この配線基板における配線のパターンを示している。
【００１９】
図１２に示す配線基板３５０は、図９および図１０に示す太陽電池１を実装する実装領域Ｒを複数有している。ここでは、配線基板３５０は１６個の実装領域Ｒを有する構造となっており、この配線基板３５０を構成する絶縁性シート材３５０ａには、実装領域Ｒ毎にｎ型配線３５１およびｐ型配線３５２が設けられており、これらのｎ型配線３５１およびｐ型配線３５２は、実装領域Ｒに太陽電池１を配置したとき、太陽電池１の各ｎ型電極２および各ｐ型電極３が配線基板３５０の対応するｎ型配線３５１およびｐ型配線３５２に対向するよう配置されている。
【００２０】
ここで、各配線の延びる方向（紙面縦方向）に並んで隣接する２つの実装領域の一方のｐ型配線３５２とその他方のｎ型配線３５１とは、第１の接続用配線３５４ａにより接続されており、また、この配線基板３５０の、各配線の延びる方向と直交する側辺に沿って隣接する２つの実装領域の一方のｎ型配線３５１とその他方のｐ型配線３５２とは、第２の接続用配線３５４ｂにより接続されている。さらに、ここでは、各実装領域Ｒに配置される太陽電池は直列接続となるよう配線基板３５０の配線のパターンが形成されており、直列接続の先頭に位置する実装領域のｎ型電極３５１は共通配線３５４ｃに接続され、直列接続の最後尾に位置する実装領域のｐ型電極３５２は共通配線３５４ｄに接続されている。
【００２１】
このような配線基板３５０の実装領域Ｒに、上述した太陽電池１を実装することにより、図１１に示す太陽電池パネル３００が得られる。
【００２２】
このような太陽電池パネル３００では、発電動作中に一部の太陽電池セルに太陽光があたらなくなるような影が生じた場合、太陽光があたらない太陽電池セルでは、他の太陽電池セルに比べて起電圧が低くなり、例えば、帯状ｎ＋型半導体領域９と帯状ｐ＋型半導体領域１０との間に逆バイアス電圧がかかった場合、太陽電池セルの特性のばらつきによっては、太陽電池セルの外周側端面（セル端面）にｎ−型前面拡散領域６からの不純物が回り込むこと、結晶欠陥やウエハの欠けが発生しているなどの原因で、このセル端面を含む経路にリーク電流が発生することがあるが、図９及び図１０で説明した従来の太陽電池は、外縁ｐ＋型半導体領域１０ａにはｐ型電極が形成されていないので、上記のようなリーク電流を抑制する構造となっている。
【００２３】
なお、特許文献１には、図９および１０に示す太陽電池と同様、太陽電池基板の裏面側に電極を配置した裏面電極型太陽電池が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２４】
【特許文献１】特開２００７−２８１０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２５】
しかしながら、上述した従来の太陽電池１では、ｎ型シリコン基板１ａの裏面における、最も外側の帯状ｎ＋型半導体領域９及び側縁ｎ＋型半導体領域９ａのさらに外側に位置する領域は、基板の外周縁に沿って位置する環状の外縁ｐ＋型半導体領域１０ａとなっており、この環状の外縁ｐ＋型半導体領域１０ａには電極が設けられていないため、この環状の外縁ｐ＋型半導体領域１０ａで発生した電荷は集電されず、発電電流として有効利用されていないという問題がある。
【００２６】
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたものであり、太陽電池基板上でのｎ型電極およびｐ型電極の配置を変更することなく、太陽電池基板の周辺部での集電を効率よく行うことができる太陽電池及びその製造方法、並びにこのような太陽電池を太陽電池セルとして用いた太陽電池パネルを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明に係る太陽電池は、第１導電型半導体基板を備え、該第１導電型半導体基板の第１主面を受光面とした太陽電池であって、該第１導電型半導体基板の第１主面とは反対側の第２主面に、平面帯状形状の第１導電型半導体領域と平面帯状形状の第２導電型半導体領域とをその幅方向に交互にかつ両端に該第１導電型半導体領域が位置するように配列し、該半導体領域にそれぞれの導電型に対応した集電電極を配置してなる主発電領域と、該第１導電型半導体領域の第２主面に、該主発電領域の外側に位置し、かつ該複数の第１導電型半導体領域のうちの該主発電領域内の最も外側に位置する第１導電型外側半導体領域に隣接するように形成された、ＰＮ接合面を含む端部発電領域とを有し、該第１導電型外側半導体領域は複数の外側分割領域に分割されており、隣接する外側分割領域の間には、該端部発電領域を構成する第２導電型端部半導体領域を、該第１導電型外側半導体領域の内側に該第１導電型外側半導体領域に隣接して位置する第２導電型半導体領域につなぐ第２導電型電流通路が形成されており、該第２導電型端部半導体領域は複数の端部分割領域に分割されており、隣接する端部分割領域の間には、該端部発電領域を構成する、該第２導電型端部半導体領域より外側に位置する第１導電型端部半導体領域を該第１導電型外側半導体領域につなぐ第１導電型電流通路が形成されており、そのことにより上記目的が達成される。
【００２８】
本発明は、上記太陽電池において、前記複数の外側分割領域に分割した構造の第１導電型外側半導体領域上には、前記対応する集電電極が、該隣接する外側分割領域の間に位置する第２導電型電流経路に対して絶縁層を介して立体的に交差するよう配置されていることが好ましい。
【００２９】
本発明は、上記太陽電池において、前記第１導電型端部半導体領域は、前記第２導電型端部半導体領域、前記複数の第１導電型半導体領域および前記複数の第２導電型半導体領域を囲むように前記第１導電型半導体基板の周縁に沿って形成されており、前記第１導電型半導体基板の第２主面には、該第１導電型端部半導体領域を囲み、かつ該第１導電型端部半導体領域の外側の領域を占有するように第２導電型外周半導体領域が形成されていることが好ましい。
【００３０】
本発明は、上記太陽電池において、前記第１導電型半導体基板は、略正方形形状を有し、前記第１導電型半導体領域および前記第２導電型半導体領域は、該第１導電型半導体基板の対向する一対の側辺と平行な方向に延びる領域であり、前記第１導電型端部半導体領域は、該第１導電型半導体基板の対向する一対の側辺と平行な方向に延びる第１導電型端部縦半導体領域と、該第１導電型半導体基板の対向する一対の側辺と直交する方向に延びる第１導電型端部横半導体領域とから構成されており、前記第２導電型外周半導体領域は、該第１導電型半導体基板の対向する一対の側辺と平行な方向に延びる第２導電型外周縦半導体領域と、該第１導電型半導体基板の対向する一対の側辺と直交する方向に延びる第２導電型外周横半導体領域とから構成されていることが好ましい。
【００３１】
本発明は、上記太陽電池において、前記複数の端部分割領域の各々は、１つの第２導電型電流通路により前記第１導電型外側半導体領域に隣接して位置する前記第２導電型半導体領域につながっていることが好ましい。
【００３２】
本発明は、上記太陽電池において、前記複数の端部分割領域の各々は、複数の第２導電型電流通路により前記第１導電型外側半導体領域に隣接して位置する前記第２導電型半導体領域につながっていることが好ましい。
【００３３】
本発明は、上記太陽電池において、前記第１導電型半導体基板は、受光面とする第１主面側に形成された、第１導電型受光面拡散層を有することが好ましい。
【００３４】
本発明は、上記太陽電池において、前記第１導電型半導体基板の受光面となる第１主面は、凸凹形状となっていることが好ましい。
【００３５】
本発明は、上記太陽電池において、前記第１導電型半導体基板の受光面となる第１主面上に形成されたパッシベーション膜と、該パッシベーション膜上に形成された反射防止膜とを有することが好ましい。
【００３６】
本発明は、上記太陽電池において、前記第１導電型半導体基板はｎ型シリコン基板であり、前記第１導電型半導体領域、前記第１導電型外側半導体領域、前記第１導電型電流通路および前記第１導電型端部半導体領域はそれぞれｎ型半導体領域であり、前記第２導電型半導体領域、前記第２導電型電流通路、前記第２導電型端部半導体領域および前記第２導電型外周半導体領域はそれぞれｐ型半導体領域であることが好ましい。
【００３７】
本発明に係る太陽電池パネルは、上述した本発明に係る太陽電池を太陽電池セルとして直列あるいは並列に接続してなり、太陽光による発電を行うものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３８】
本発明に係る太陽電池の製造方法は、上述した本発明に係る太陽電池を製造する方法であって、該太陽電池では、前記第１導電型端部半導体領域は、前記第２導電型端部半導体領域、前記複数の第１導電型半導体領域および前記複数の第２導電型半導体領域を囲むように前記第１導電型半導体基板の周縁に沿って形成されており、前記第１導電型半導体基板の第２主面には、該第１導電型端部半導体領域を囲み、かつ該第１導電型端部半導体領域の外側の領域を占有するように第２導電型外周半導体領域が形成されており、該方法は、前記第１導電型半導体基板の第２主面に前記第１導電型半導体領域、前記第１導電型外側半導体領域、および前記第１導電型端部半導体領域を形成する工程と、前記第１導電型半導体基板の第２主面に、前記第２導電型半導体領域、前記第２導電型端部半導体領域、および第２導電型外周半導体領域を、該第１導電型半導体領域、該第１導電型外側半導体領域、および該第１導電型端部半導体領域に対して自己整合的に形成する工程と、該第１導電型端部半導体領域、該第２導電型端部半導体領域、および該第２導電型外周半導体領域を除いて、該第１導電型半導体領域、該第１導電型外側半導体領域および該第２導電型半導体領域上に、それぞれの領域の導電型に対応した集電電極を形成する工程とを含むものであり、そのことにより上記目的が達成される。
【００３９】
次に、本発明の作用について説明する。
【００４０】
本発明においては、太陽電池を構成する第１導電型半導体基板の第１主面（受光面）とは反対側の第２主面（裏面）に、帯状の平面形状を有する第１導電型半導体領域と帯状の平面形状を有する第２導電型半導体領域とを、第１導電型半導体領域が第１導電型半導体基板の両端に位置するよう交互に配列し、各半導体領域上に集電電極を配置して主発電領域を形成し、この主発電領域の外側に集電電極を配置していないＰＮ接合を含む端部発電領域を形成し、この端部発電領域における第１導電型半導体領域および第２導電型半導体領域を、対応する導電型の電流通路を介して主発電領域の対応する導電型の半導体領域に接続したので、集電電極を配置していない端部発電領域で電子正孔対として生じたキャリア（電子あるいは正孔）を電流通路を介して主発電領域の対応する導電型の集電電極により集電することができる。これにより、帯状の第１導電型半導体領域と帯状の第２導電型半導体領域とを両端に第１導電型半導体領域が位置するよう配列した既存の太陽電池における集電電極の配置パターンを変更することなく、半導体基板上の集電電極が配置されていない側部領域を発電領域として有効利用することができ、これにより短絡電流を増大させることができる。
【００４１】
また、本発明においては、複数の外側分割領域に分割した構造の第１導電型外側半導体領域上には、対応する集電電極が、該隣接する外側分割領域の間に位置する第２導電型電流経路に対して絶縁層を介して立体的に交差するよう配置されているので、主発電領域の最も外側に配置した分割した構造の第１導電型外側半導体領域上に配置する集電電極はアイランド型にする必要がなく、この集電電極のマスクパターンとして、上記最も外側に配置した第１導電型外側半導体領域を分割した場合でも、これを分割していない場合と同じマスクパターンを用いることができる。
【００４２】
また、第１導電型端部半導体領域は、第２導電型端部半導体領域、複数の帯状の第１導電型半導体領域および複数の帯状の第２導電型半導体領域を囲むように第１導電型半導体基板の周縁に沿って形成しているので、第２導電型端部半導体領域および帯状の第２導電型半導体領域の周囲全体に渡ってｐｎ接合面が形成され、これにより起電力を生む内部電界の発生領域が半導体基板内で増大することとなって、最大出力の向上を図ることができる。
【００４３】
さらに、第１導電型半導体基板の第２主面には、上記第１導電型端部半導体領域を囲み、かつ該第１導電型端部半導体領域の外側の領域を占有するように第２導電型外周半導体領域を形成しているので、太陽電池に逆バイアスが印加されても、第１導電型半導体基板の外周縁を通して発生するリーク電流を抑えることが可能である。
【００４４】
また、複数の第２導電型端部分割領域の各々は、２つの第２導電型電流通路により第１導電型外側半導体領域に隣接してその内側に位置する前記帯状の第２導電型半導体領域につながっているので、１つの第２導電型端部分割領域から、第２導電型集電電極を配置した帯状の第２導電型半導体領域に至る電流が複数の第２導電型電流通路から流れ込むこととなり、これにより第２導電型端部分割領域から帯状の第２導電型半導体領域に至る電流経路におけるシート抵抗が低減される。その結果、電流ロスを抑えてより一層の高出力化を図ることができる。
【発明の効果】
【００４５】
以上のように、本発明によれば、太陽電池基板上でのｎ型電極およびｐ型電極の配置を変更することなく、太陽電池基板の周辺部での集電を効率よく行うことができる太陽電池及びその製造方法、並びにこのような太陽電池を太陽電池セルとして用いた太陽電池パネルを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は、本発明の実施形態１による太陽電池を説明する図であり、図１（ａ）は、この太陽電池の裏面側の構造を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分を拡大して示している。
【図２】図２は、本発明の実施形態１による太陽電池を説明する断面図であり、図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ１’線部分の断面構造を示し、図２（ｂ）は、図１（ａ）のＡ２−Ａ２’線部分の断面構造を示し、図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ１部分を拡大して示し、図２（ｄ）は、図２（ａ）のＢ２部分を拡大して示している。
【図３】図３は、本発明の実施形態１による太陽電池の製造方法を主要工程（図３（ａ）〜（ｉ））順に説明する図であり、図３（ｊ）は、図３（ｇ）のＣ１部分を拡大して示している。
【図４】図４は、本発明の実施形態１による太陽電池を説明する図であり、図４（ａ）は、一般的な太陽電池の電圧−電流特性を示し、図４（ｂ）は、本実施形態１の太陽電池の特性と従来の太陽電池の特性とを表により対比して示している。
【図５】図５は、本発明の実施形態１による太陽電池におけるｐ＋型バイパス通路のピッチ幅を変化させたときの出力期待向上率の変動をグラフで示す図であり、ｎ＋型端部縦半導体領域幅をパラメータとした場合（図５（ａ））のものと、ｎ＋型バイパス通路幅をパラメータとした場合（図５（ｂ））のものとを示している。
【図６】図６は、本発明の実施形態１による太陽電池を説明する図であり、図６（ａ）は、図５で示す出力期待向上率を決める要素（ｐ＋型バイパス通路幅、ｎ＋型バイパス通路幅、ｐ＋型バイパス通路のピッチ幅、ｎ＋型半導体領域幅）を示し、図６（ｂ）は、半導体基板の端から最外のｎ型集電電極までの距離、ｎ型集電電極下のＮ＋型半導体領域の幅、ｐ＋型外周半導体領域の幅を示している。
【図７】図７は、本発明の実施形態１の変形例による太陽電池の構造を説明する図であり、太陽電池基板の隅部での半導体領域のパターンを、実施形態１のもの（図７（ａ））とその変形例のもの（図７（ｂ））とで対比して示している。
【図８】図８は、本発明の実施形態２による太陽電池を説明する図であり、図８（ａ）は、この実施形態２の太陽電池における実施形態１の太陽電池と異なる部分を示し、図８（ｂ）は、この実施形態２の太陽電池の特性を本実施形態１および従来の太陽電池の特性と対比して示している。
【図９】図９は、従来の太陽電池を説明する図であり、太陽電池の裏面側の構造を示している。
【図１０】図１０は、図９に示す従来の太陽電池を説明する断面図であり、図１０（ａ）は、図９のＡ−Ａ’線部分の断面構造を示し、図１０（ｂ）は、図１０（ａ）のＢ部分を拡大して示し、図１０（ｃ）は、図１０（ａ）のＣ部分を拡大して示している。
【図１１】図１１は、図９に示す太陽電池を太陽電池セルとして搭載した太陽電池パネルを説明する平面図であり、太陽電池パネルの全体構成を示している。
【図１２】図１２は、図１１に示す太陽電池パネルを構成する配線基板を説明する図であり、この配線基板における配線のパターンを示している。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００４８】
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１による太陽電池を説明する図であり、図１（ａ）は、この太陽電池の裏面側の構造を示し、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＲ１部分を拡大して示している。
【００４９】
この実施形態１による太陽電池１００は、ｎ型シリコン基板（第１導電型半導体基板）１０１ａを備え、このｎ型シリコン基板１０１ａの表面（第１主面）を受光面とした太陽電池である。
【００５０】
ここで、この太陽電池１００を構成する基板１０１ａはｎ型シリコンウェーハであり、このｎ型シリコン基板１０１ａは、円柱状のシリコンインゴットの側面部を４箇所で中心軸と平行な平面で切り落とし、さらに中心軸と垂直な面に沿って薄くスライスしてなる構造となっており、その実際の平面形状は、円板を、対角線がこの円板の直径より長く、一辺の長さがこの円板の直径より短い正方形に中心を一致させて重ねたときの、この円板の正方形からはみ出した部分を切り落として得られる略正方形形状となっているが、ここでは、このｎ型シリコン基板１０１ａは正方形形状として模式的に図示している。
【００５１】
この太陽電池１００は、ｎ型シリコン基板１０１ａの受光面とは反対側の裏面（第２主面）に、帯状の平面形状を有する複数の帯状ｎ＋型半導体領域（平面帯状形状の第１導電型半導体領域）１２１と、帯状の平面形状を有する複数の帯状ｐ＋型半導体領域（平面帯状形状の第２導電型半導体領域）１１１とをその幅方向（紙面左右方向）に交互に配列し、半導体領域１１１および１２１にそれぞれの導電型に対応した集電電極として、ｐ型集電電極（以下、ｐ型電極という。）１０１およびｎ型集電電極（以下、ｎ型電極という。）１０２を配置してなる集電領域（主発電領域）Ｒｍｃを有している。また、この太陽電池１００は、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面に、主発電領域Ｒｍｃの外側に位置し、かつこの主発電領域Ｒｍｃ内の最も外側に位置するｎ＋型外側半導体領域（第１導電型外側半導体領域）１２１ａに隣接するように形成され、ＰＮ接合面を含む端部発電領域Ｒｓｃを有している。
【００５２】
ここで、ｎ＋型外側半導体領域１２１ａは、複数のｎ＋型外側分割領域１２１ａ１に分割され、隣接するｎ＋型外側分割領域１２１ａ１の間にはｐ＋型バイパス通路（第２導電型電流経路）１１１ｂが形成されている。このｐ＋型バイパス通路１１１ｂは、端部発電領域Ｒｓｃを構成するｐ＋型端部半導体領域（第２導電型端部半導体領域）１１１ａを、このｎ＋型外側半導体領域１２１ａの内側にこの半導体領域１２１ａに隣接して位置する帯状ｐ＋型半導体領域（第２導電型半導体領域）１１１につなぐものである。ここで、複数のｎ＋型外側分割領域１２１ａ１は、ｎ＋型シリコン基板１０１ａの側辺に沿って一定ピッチで配列されている。
【００５３】
また、ｐ＋型端部半導体領域１１１ａは、複数のｐ＋型端部分割領域１１１ａ１に分割されており、隣接するｐ＋型端部分割領域１１１ａ１の間には、ｎ＋型バイパス通路（第１導電型電流経路）１２２ｃが形成されている。このｎ＋型バイパス通路１２２ｃは、端部発電領域Ｒｅｃを構成する、ｐ＋型半導体領域１１１ａより外側に位置するｎ＋型端部縦半導体領域（第１導電型端部半導体領域）１２２ａをｎ＋型外側半導体領域１２１ａにつなぐものである。また、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面には、ｎ＋型端部縦半導体領域１２２ａの外側の領域を占めるようｐ＋型外周縦半導体領域１１２ａが形成されている。
【００５４】
そして、ｎ＋型端部縦半導体領域１２２ａおよび帯状ｎ＋型半導体領域１２１の一端側は、ｎ型シリコン基板１０１ａの一方の横側辺に沿って延びるｎ＋型端部横半導体領域１２２ｂにつながっており、ｎ＋型端部縦半導体領域１２２ａおよび帯状ｎ＋型半導体領域１２１の他端側は、ｎ型シリコン基板１０１ａの他方の横側辺に沿って延びるもう１つのｎ＋型端部横半導体領域１２２ｂにつながっている。これらの帯状ｎ＋型半導体領域１２１、ｎ＋型外側半導体領域１２１ａ（具体的には、複数のｎ＋型外側分割領域）、ｎ＋型バイパス通路１２２ｃ、左右一対のｎ＋型端部縦半導体領域１２２ａ、および上下一対のｎ＋型端部横半導体領域１２２ｂは、一体となって１つのｎ＋型半導体領域１２０を形成している。なお、ここで、左右一対のｎ＋型端部縦半導体領域１２２ａおよび上下一対のｎ＋型端部横半導体領域１２２ｂは、帯状ｎ＋型半導体領域１２１、ｎ＋型外側半導体領域１２１ａ、ｐ＋型端部半導体領域１１１ａおよび帯状ｐ＋型半導体領域１１１を囲む環状のｎ＋型端部半導体領域１２２を形成している。
【００５５】
また、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面には、ｎ＋型端部横半導体領域１２２ｂの外側の領域を占めるようｐ＋型外周横半導体領域１１２ｂが、ｎ型シリコン基板１０１の横側辺に沿って形成されている。さらに、対向する一対のｐ＋型外周横半導体領域１１２ｂと、対向する一対のｐ＋型外周縦半導体領域１１２ａとにより、環状のｐ＋型外周半導体領域（第２導電型外周半導体領域）１１２が形成されており、この環状のｐ＋型外周半導体領域１１２は環状のｎ＋型端部半導体領域１２２を囲むようｎ型シリコン基板１０１ａの周縁に沿って配置されている。
【００５６】
つまり、この太陽電池１００を構成する略正方形形状のｎ型シリコン基板１０１ａの裏面には、主発電領域Ｒｍｃと端部発電領域Ｒｅｃとが形成されている。この太陽電池１００では、ｎ型シリコン基板１０１ａの外周縁に沿って環状のｐ＋型外周半導体領域１１２が形成され、環状のｐ＋型外周半導体領域１１２の内側の領域には、一方の側辺側（紙面左側側辺）からもう一方の側辺側（紙面右側側辺）に渡って、帯状ｎ＋型半導体領域１２１および１２１ａが所定間隔で繰り返し配置されている。また、主発電領域Ｒｍｃでは、隣接する帯状ｎ＋型半導体領域１２１および１２１ａの間には帯状ｐ＋型半導体領域１１１が配置されている。ここで、最も外側の帯状ｎ＋型半導体領域１２１ａは、ｎ型シリコン基板１０１ａの側辺に沿って配列された複数のｎ＋型外側分割領域１２１ａ１から構成されている。そして、帯状ｎ＋型半導体領域１２１および１２１ａ上には集電電極としてｎ型電極１０２が配置され、隣接する帯状ｎ＋型半導体領域１２１および１２１ａの間の帯状ｐ＋型半導体領域１１１上には集電電極としてｐ型電極１０１が配置されている。
【００５７】
一方、端部発電領域Ｒｅｃでは、複数のｐ＋型端部分割領域１１１ａ１からなるｐ＋型端部半導体領域１１１ａが、環状のｐ＋型外周半導体領域１１２の内側に位置し、かつ帯状ｎ＋型半導体領域１２１ａに隣接するように形成され、さらにこのｐ＋型端部半導体領域１１１ａの外側に、環状のｐ＋型外周半導体領域１１２の内側に位置するようにｎ＋型端部縦半導体領域１２２ａが形成されている。
【００５８】
このｎ＋型端部縦半導体領域１２２ａは、隣接するｐ＋型端部分割領域１１１ａ１の間に形成されたｎ＋型バイパス通路１２２ｃにより、帯状ｎ＋型半導体領域１２１ａを構成するｎ＋型外側分割領域１２１ａ１につながっており、また、ｐ＋型端部半導体領域１１１ａを構成するｐ＋型端部分割領域１１１ａ１は、隣接するｎ＋型外側分割領域１２１ａ１の間に形成されたｐ＋型バイパス通路１１１ｂにより、帯状ｐ＋型半導体領域１１１につながっている。
【００５９】
これにより、端部発電領域Ｒｅｃで電子正孔対として生成された電子は、ｎ＋型端部縦半導体領域１２２ａからｎ＋型バイパス通路１２２ｃを介してｎ＋型外側半導体領域１２１ａに流れ、ｎ＋型外側半導体領域１２１ａに配置されたｎ型電極１０２で集電され、一方、端部発電領域Ｒｅｃで電子正孔対として生成された正孔は、ｐ＋型端部分割領域１１１ａ１からｐ＋型バイパス通路１１１ｂを介して帯状ｐ＋型半導体領域１１１に流れ、この帯状ｐ＋型半導体領域１１１に配置されたｐ型電極１０１により集電されるようになっている。
【００６０】
ここでは、帯状ｐ＋型半導体領域１１１の幅は、帯状ｎ＋型半導体領域１２１、１２１ａの幅より広くなっている。これは、太陽電池基板がｎ型シリコン基板１０１ａである場合、太陽電池の発電電流に寄与する少数キャリアが正孔であることから、正孔を集める集電領域であるｐ＋型半導体領域の面積を広くするためである。
【００６１】
次に、太陽電池の断面構造について説明する。
【００６２】
図２は、本発明の実施形態１による太陽電池を説明する断面図であり、図２（ａ）は、図１（ａ）のＡ１−Ａ１’線部分の断面構造を示し、図２（ｂ）は、図１（ａ）のＡ２−Ａ２’線部分の断面構造を示し、図２（ｃ）は、図２（ａ）のＢ１部分を拡大して示し、図２（ｄ）は、図２（ａ）のＢ２部分を拡大して示している。
【００６３】
単結晶シリコン基板であるｎ型シリコン基板１０１ａの受光面側にはテクスチャ構造である凹凸部５が形成されている。この凹凸の大きさは数μｍ〜数十μｍオーダーである。
【００６４】
ｎ型シリコン基板１０１ａの受光面側全面には受光面拡散層６であるｎ−型半導体領域がＦＳＦ（ＦｒｏｎｔＳｕｒｆａｃｅ Ｆｉｅｌｄ）層として形成され、受光面拡散層６の受光面側には受光面パッシベーション膜１３が形成されている。さらに、受光面側には反射防止膜１２が形成されている。ここで、受光面パッシベーション膜１３は酸化シリコン膜で、その膜厚は１５ｎｍ〜２００ｎｍであり、好ましくは１５ｎｍ〜６０ｎｍである。また、反射防止膜１２は酸化チタン膜である。膜厚は１０〜４００ｎｍである。さらに、反射防止膜にはリンが含まれており、その濃度はリン酸化物として１５〜３５ｗｔ％含有する。
【００６５】
また、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面には、ｎ型シリコン基板１０１ａ側から順に配置された第２裏面パッシベーション膜１１ｂおよび第１裏面パッシベーション膜１１ａの２層構造の裏面パッシベーション膜１１が形成されている。ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面側には、帯状ｎ＋型半導体領域１２１と帯状ｐ＋型半導体領域１１１とを両端に帯状ｎ＋型半導体領域１２１が位置するように交互に配置した主集電領域Ｒｍｃが形成されており、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面における最も外側の帯状ｎ＋型半導体領域１２１ａの外側の領域には、端部発電領域Ｒｅｃが形成されている。
【００６６】
この端部発電領域Ｒｅｃでは、複数のｐ＋型端部分割領域１１１ａ１からなるｐ＋型端部半導体領域１１１ａが、環状のｐ＋型外周半導体領域１１２を構成するｐ＋型外周縦半導体領域１１２ａの内側に位置し、かつｎ＋型外側半導体領域（帯状ｎ＋型半導体領域）１２１ａに隣接するように形成され、さらにこのｐ＋型端部半導体領域１１１ａの外側に、ｐ＋型外周縦半導体領域１１２ａの内側に位置するようにｎ＋型端部縦半導体領域１２２ａが形成されている。
【００６７】
このｎ＋型端部縦半導体領域１２２ａは、隣接するｐ＋型端部分割領域１１１ａ１の間に形成されたｎ＋型バイパス通路１２２ｃにより、ｎ＋型外側半導体領域１２１ａを構成するｎ＋型外側分割領域１２１ａ１につながっており、また、ｐ＋型端部半導体領域１１１ａを構成するｐ＋型端部分割領域１１１ａ１は、隣接するｎ＋型外側分割領域１２１ａ１の間に形成されたｐ＋型バイパス通路１１１ｂにより、ｎ＋型外側半導体領域１２１ａの内側にこれに隣接して位置する帯状ｐ＋型半導体領域１１１につながっている。
【００６８】
また、ｎ＋型半導体領域１２１、１２１ａ、および１２２ａ上の裏面パッシベーション膜１１の膜厚は、ｐ＋型半導体領域１１１、１１１ａ、および１１２ａ上の裏面パッシベーション膜１１の膜厚より厚くなっている。
【００６９】
このようにこの太陽電池１００では、主発電領域Ｒｍｃから端部発電領域Ｒｅｃに跨って、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面にはｎ＋型半導体領域１２１、１２１ａ、１２２ａとｐ＋型半導体領域１１１、１１１ａ、１１２ａとが交互に隣接して形成されていることから、太陽電池１００に逆方向のバイアスがかかったとき、局所的に大きな電圧がかかることがなく、局所的なリーク電流による発熱をさけることができる。
【００７０】
次に、本発明の実施形態１による太陽電池の製造方法を説明する。
【００７１】
図３は、本発明の実施形態１による太陽電池の製造方法を主要工程（図３（ａ）〜図３（ｉ））順に説明する図であり、図３（ｊ）は、図３（ｇ）のＣ１部分を拡大して示している。また、図３は、図１および図２に示す太陽電池における、帯状ｐ＋型半導体領域１１１と帯状ｎ＋型半導体領域１２１とが隣接する部分の断面構造を示している。なお、図３では、図１および図２に示すこれら以外のｐ＋型半導体領域およびｎ＋型半導体領域は示していないが、帯状ｐ＋型半導体領域１１１および帯状ｎ＋型半導体領域１１２以外のｐ＋型半導体領域およびｎ＋型半導体領域はそれぞれ、帯状ｐ＋型半導体領域１１１および帯状ｎ＋型半導体領域１１２と同一のマスクにより同時に不純物の拡散により形成される拡散領域である。
【００７２】
まず、図３（ａ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１ａの受光面となる第１主面（表面）と反対側の第２主面（裏面）に、窒化シリコン膜等のテクスチャマスク２１をＣＶＤ法、またはスパッタ法等で形成する。
【００７３】
その後、図３（ｂ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１ａの表面に凹凸部５からなるテクスチャ構造をエッチングにより形成する。このエッチングは、たとえば、水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムなどのアルカリ水溶液にイソプロピルアルコールを添加し、７０℃以上８０℃以下に加熱した溶液を用いて行う。
【００７４】
次に、図３（ｃ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面に形成したテクスチャマスク２１を除去した後、ｎ型シリコン基板１０１ａの表面に酸化シリコン膜等の拡散マスク２２を形成する。その後、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面の、ｎ＋型半導体領域１０２を形成しようとする部分以外に、例えば、溶剤、増粘剤および酸化シリコン前駆体を含むマスキングペーストをインクジェット、またはスクリーン印刷等で塗布し、熱処理により拡散マスク２３を形成し、ＰＯＣｌ３を用いた気相拡散によって、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面の露出した箇所に、ｎ型不純物であるリンを拡散してｎ＋型半導体領域１２１を形成する。
【００７５】
なお、図３（ｃ）〜図３（ｅ）では、図３（ｂ）とはｎ型シリコン基板１０１ａの上下を逆転してｎ型シリコン基板１０１ａの断面構造を示している。
【００７６】
次に、図３（ｄ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１ａに形成した拡散マスク２２及び２３、並びに拡散マスク２２及び２３にリンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去した後、酸素または水蒸気による熱酸化を行い、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面に酸化シリコン膜２４ａを形成し、ｎ型シリコン基板１０１ａの表面に酸化シリコン膜２４ｂを形成する。
【００７７】
このとき、図３（ｄ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面のｎ＋型半導体領域１２１上では酸化シリコン膜２４ａが厚くなる。
【００７８】
例えば、９００℃で水蒸気による熱酸化により、ｎ型シリコン基板１０１ａの、ｎ＋型半導体領域１２１以外の部分で酸化シリコン膜２４ａの膜厚が７０ｎｍ〜９０ｎｍ、ｎ＋型半導体領域１２１上で、酸化シリコン膜２４ａの膜厚は２５０ｎｍ〜３５０ｎｍになった。ここで、熱酸化前のｎ＋型半導体領域１２１におけるリンの表面濃度は、５×１０１９／ｃｍ３以上であり、熱酸化の処理温度の範囲としては、酸素による熱酸化で８００℃〜１０００℃、水蒸気による熱酸化で８００℃〜９５０℃である。
【００７９】
ここで、ｐ＋型半導体領域１１１の形成に用いる、ｎ＋型半導体領域１２１を覆う拡散マスク２４ｃとしては、６０ｎｍ以上の膜厚が必要であることから、ｎ＋型半導体領域１２１上とこれらの領域以外の部分とで、酸化シリコン膜２４ａの膜厚差は６０ｎｍ以上必要となる。
【００８０】
また、熱酸化時に、シリコン基板１０１ａに拡散される不純物の種類と濃度により、熱酸化による酸化シリコン膜の成長速度が異なる。特にｎ型不純物濃度が高い場合は、成長速度が速くなる。このため、ｎ型シリコン基板１０１ａよりもｎ型不純物濃度が高いｎ＋型半導体領域１２１上では、酸化シリコン膜２４ａの膜厚がｎ型シリコン基板１０１ａ上よりも厚くなる。酸化シリコン膜２４ａおよび２４ｂは、熱酸化時にシリコンと酸素とが結びつくことで形成されるので、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面のｎ＋型半導体領域１２１の表面は、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面のｎ＋型半導体領域１２１以外であるｐ＋型半導体領域１１１の表面よりも凹んだ形状となる。この形状は、図２に示すとおりであり、図３では省略している。
【００８１】
次に、図３（ｅ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１ａの表面の酸化シリコン膜２４ｂおよび裏面のｎ＋型半導体領域１２１上以外の酸化シリコン膜２４ａをエッチングにより除去する。
【００８２】
ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面では、上述したように、酸化シリコン膜２４ａが、ｎ＋型半導体領域１２１上で厚く形成されているので、ｎ＋型半導体領域１２１上にだけ酸化シリコン膜２４ｃとして残る。ｎ＋型半導体領域１２１上の酸化シリコン膜２４ａと、ｎ＋型半導体領域１２１上以外の領域の酸化シリコン膜２４ａとのエッチングレートの差により、ｎ＋型半導体領域１２１上の酸化シリコン膜２４ｃは１２０ｎｍ程度の膜厚となる。例えば、９００℃３０分の水蒸気による熱酸化で酸化シリコン膜２４ａを形成し、ｎ＋型半導体領域１２１上以外の酸化シリコン膜２４ａを除去するためにフッ化水素酸処理をした場合、ｎ＋型半導体領域１２１上の酸化シリコン膜２４ｃの膜厚は１２０ｎｍ程度となる。上述したようにｎ＋型半導体領域１２１上の酸化シリコン膜２４ｃは、６０ｎｍ以上あればｐ＋型半導体領域１１１の形成時の拡散マスクとして機能する。
【００８３】
さらに、ｎ型シリコン基板１０１ａの表面に酸化シリコン膜等の拡散マスク２５を形成し、その後、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面に、有機性高分子にホウ素化合物を反応させたポリマーをアルコール系溶媒に溶解させた溶液を塗布し、乾燥後、熱処理によりｎ型シリコン基板１０１ａの裏面の露出した箇所にｐ型不純物であるボロンを拡散してｐ＋型半導体領域１１１を形成する。
【００８４】
図３（ｆ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１ａに形成した酸化シリコン膜２４ｃ及び拡散マスク２５、並びに酸化シリコン膜２４ｃ及び拡散マスク２５にボロンが拡散して形成されたガラス層をフッ化水素酸処理により除去する。その後、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面に酸化シリコン膜等の拡散マスクを兼ねた第１裏面パッシベーション膜１１ａをＣＶＤ法、またはＳＯＧ（スピンオングラス）による塗布および焼成により形成する。その後、ｎ型シリコン基板１０１ａの受光面に受光面拡散層６であるｎ−型半導体層および反射防止膜１２を形成するため、ｎ型シリコン基板１０１ａの受光面にリン化合物、チタンアルコキシドおよびアルコールを少なくとも含む混合液２７の塗布を行い、この混合液２７を乾燥する。ここで、混合液２７のリン化合物としては五酸化リン、チタンアルコキシドとしてはテトライソプロピルチタネート、およびアルコールとしてはイソプロピルアルコールを用いる。
【００８５】
次に、図３（ｇ）に示すように、熱処理によりｎ型不純物であるリンが拡散して受光面側全面に受光面拡散層６であるｎ−型半導体層および反射防止膜１２となるリンを含有した酸化チタン膜が形成される。ここで、熱処理後のｎ−型半導体層（受光面拡散層）６のシート抵抗値は、３０〜１５０オーム／□、望ましくは、８０±２０オーム／□である。
【００８６】
ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面に酸化シリコン膜による第２裏面パッシベーション膜１１ｂを形成するため、酸素または水蒸気による熱酸化を行う。この際、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面に第２裏面パッシベーション膜１１ｂである酸化シリコン膜が形成されながら、図３（ｊ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１ａの受光面全面にも、酸化シリコン膜が形成される。この受光面全面に形成された酸化シリコン膜は、受光面拡散層６と反射防止膜１２との間に形成され、受光面パッシベーション膜１３となる。また、第２裏面パッシベーション膜１１ｂと受光面パッシベーション膜１３との形成は、受光面拡散層６および反射防止膜１２を形成する熱処理に引き続き、ガスを切り替えて酸素または水蒸気による熱酸化を行うことによっても可能である。
【００８７】
次に、図３（ｈ）に示すように、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面側に形成されたｎ＋型半導体領域１２１およびｐ＋型半導体領域１１１に電極を形成するため、ｎ型シリコン基板の裏面に形成された裏面パッシベーション膜１１にパターニングを行う。パターニングは、エッチングペーストをスクリーン印刷法などで塗布し加熱処理により行われる。その後、パターニング処理を行ったエッチングペーストは超音波洗浄し酸処理により除去する。ここで、エッチングペーストとしては、例えば、エッチング成分としてリン酸、フッ化水素、フッ化アンモニウムおよびフッ化水素アンモニウムからなる群から選択された少なくとも１種を含み、水、有機溶媒および増粘剤を含むものである。
【００８８】
次に、図３（ｉ）に示すように、ｎ型シリコン基板１００ａの裏面の所定の位置に銀ペーストをスクリーン印刷法により塗布し、乾燥する。その後、焼成により、ｎ＋型半導体領域１２１にはｎ型電極１０２が形成され、ｐ＋型半導体領域１１１にはｐ型電極１０１が形成され、裏面電極型の太陽電池１００が得られる。
【００８９】
このようにして製造した太陽電池１００を図１２に示す配線基板３５０に実装して、該太陽電池１００の裏面に形成したｐ型電極１０１およびｎ型電極１０２を、配線基板３５０の対応する配線３５１および３５２に接続することで太陽電池パネル（ソーラーパネル）３００を作成することができる。
【００９０】
次に作用効果について説明する。
【００９１】
このような構成の本実施形態１による裏面電極型太陽電池１００では、略正方形形状のｎ型シリコン基板１０１ａの裏面に、正孔を集める幅の広い複数の帯状ｐ＋型半導体領域１１１と、電子を集める幅の狭い帯状ｎ＋型半導体領域１２１とを、交互にかつｎ型シリコン基板１０１ａの両端にｎ＋型半導体領域１２１ａが位置するよう配列し、各半導体領域上にｎ型電極１０２およびｐ型電極１０１を配置して主発電領域Ｒｍｃを形成し、さらに、主発電領域Ｒｍｃの外側に集電電極を配置していないＰＮ接合を含む端部発電領域Ｒｓｃを形成し、この端部発電領域Ｒｅｃで電子正孔対として生じたキャリア（電子あるいは正孔）をバイパス経路１２２ｃおよび１１１ｂを介して主発電領域Ｒｍｃの対応する導電型のｎ型電極１０２およびｐ型電極１０１により集電するようにしたので、帯状ｐ＋型半導体領域と帯状ｎ＋型半導体領域とを両端に帯状ｎ＋型半導体領域が位置するよう配列した既存の太陽電池におけるｎ型電極およびｐ型電極の配置パターンを変更することなく、半導体基板上の集電電極が配置されていない側部領域を発電領域として有効利用することができ、これにより短絡電流を増大させることができる。
【００９２】
また、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面には、主発電領域Ｒｍｃを構成する帯状ｐ＋型半導体領域１１１、帯状ｎ＋型半導体領域１２１、およびｎ＋型外側半導体領域１２１ａ、並びに、端部発電領域Ｒｓｃを構成するｎ＋型端部半導体領域１２２ａおよびｐ＋型端部半導体領域１１１ａを囲むように、ｎ型シリコン基板１０１ａの周縁に沿って環状のｎ＋型端部半導体領域１２２を形成しているので、ｐ＋型端部半導体領域１１１ａおよび帯状ｐ＋型半導体領域１１１の周囲全体に渡ってｐｎ接合面が形成され、これにより起電力を生む内部電界の発生領域がｎ型シリコン基板内で増大することとなって、最大出力の向上を図ることができる。
【００９３】
また、複数のｎ＋型外側分割領域１２１ａ１に分割した構造のｎ＋型導電型外側半導体領域１２１ａ上には、対応するｎ＋型電極１０２が、該隣接するｐ＋型外側分割領域１２１ａ１の間に位置するｎ＋型バイパス通路１１１ｂに対して絶縁層１１を介して立体的に交差するよう配置されているので、最も外側に配置した分割した構造のｎ＋型導電型外側半導体領域１２１ａ上に配置するｎ型電極１０２はアイランド型にする必要がなく、このｎ型電極１０２のマスクパターンとして、最も外側に配置したｎ＋型導電型外側半導体領域を分割した場合でも、これを分割していない場合と同じマスクパターンを用いることができる。
【００９４】
さらに、ｎ型シリコン基板１０１ａの裏面には、環状のｎ＋型端部半導体領域１２２を囲むようにｎ型シリコン基板１０１ａの周縁に沿って環状のｐ＋型外周半導体領域１１２を形成し、環状のｐ＋型外周半導体領域１１２上には電極を配置していないので、太陽電池に逆バイアスが印加されても、ｎ型シリコン基板の外周縁を通して発生するリーク電流を抑えることができる。
【００９５】
さらには、環状のｎ＋型端部半導体領域１２２にも電極を配置していないので、電極を形成するためのマスク合わせマージンを考慮することなく、帯状ｐ＋型半導体領域１１１および帯状ｎ＋型半導体領域１２１とともに発電領域を形成するｎ＋型端部半導体領域１２２を、最外周のｐ＋型外周半導体領域１１２に対するマスク合わせマージンのみを考慮してｎ型シリコン基板１０１ａの周縁ぎりぎりまで広げることができる。これによっても、短絡電流の増大を図ることができる。
【００９６】
その結果、太陽電池の開放電圧を高く維持しつつ、短絡電流、引いては最大出力を向上させることができる。
【００９７】
また、本実施形態１による太陽電池の製造方法では、ｎ＋型半導体領域１２０（１２１、１２１ａ、１２２、および１２２ｃ）を形成した後の熱酸化シリコン膜２４ａにより、ｐ＋型半導体領域１１０（１１１、１１１ａ、および１１２）を形成するためのパターニングを自己整合的に行うことができ、ｐ＋型半導体領域１１０を形成するためのパターニング工程（フォトリソグラフィ処理）を必要としないことから、工程削減が可能であり、さらに、フォトリソグラフィ処理のための多くの設備を必要としないので、生産性も向上する。また、この製造方法を用いることにより、ｎ＋型半導体領域１２０とｐ＋型半導体領域１１０の位置ずれを抑えて、それぞれの領域を形成することができる。
【００９８】
以下、本実施形態１による太陽電池１００の性能を従来の太陽電池１の性能と対比して説明する。
【００９９】
図４は、本発明の実施形態１による太陽電池の特性を説明する図であり、図４（ａ）は、太陽電池の電圧−電流特性を示し、図４（ｂ）は、本実施形態１の太陽電池の特性と従来の太陽電池の特性とを表により対比して示している。
【０１００】
ここで、開放電圧Ｖｏｃは、太陽電池に光を照射している状態で、太陽電池の出力端子を開放したときの出力電圧であり、短絡電流Ｉｓｃは、太陽電池の出力端子を短絡したときの出力電流である。また、最大出力点Ｐｍａｘは、太陽電池の最大の出力電力が得られる動作点であり、この動作点で動作している状態では、太陽電池の出力電流はＩｍａｘであり、太陽電池の出力電圧はＶｍａｘであり、最大出力Ｐｍは、Ｉｍａｘ・Ｖｍａｘである。さらに、曲線因子Ｆ．Ｆ．は、Ｆ．Ｆ．＝（Ｖｍａｘ・Ｉｍａｘ）／（Ｖｏｃ・Ｉｓｃ）で得られる。
【０１０１】
このような太陽電池の性能を示す特性を、従来の太陽電池１と本実施形態１の太陽電池１００とで比較したところ、本実施形態１の太陽電池１００では、図４（ｂ）に示すように、短絡電流Ｉｓｃおよび最大出力Ｐｍの向上が見られた。なお、図４（ｂ）では、従来の太陽電池１における短絡電流、開放電圧、最大出力、曲線因子の値を１として、本実施形態１の太陽電池１００における短絡電流、開放電圧、最大出力、曲線因子の大きさ（比率）を示している。なお、この比較結果は、特性の測定条件、つまり照射する光のスペクトル、太陽電池の温度、光強度を一定として行ったものである。
【０１０２】
詳しく説明すると、この実施形態１の太陽電池１００では、ｐ＋型バイパス通路１１１ｂの幅は広いほど、またこのｐ＋型バイパス通路１１１ｂの数は多いほど、ｐ＋型端部分割領域１１１ａ１からｐ＋型半導体領域１１１に至る電流経路全体での抵抗が小さくなり、電荷が電極の設けられていないｐ＋型端部分割領域１１１ａ１から、電極の設けられているｐ＋型半導体領域１１１に移動しやすくなり、電流ロスが低減されるが、ｐ＋型バイパス通路１１１ｂ全体の占有面積を増大させた分、ｎ＋型外側半導体領域１２１ａを構成するｎ＋型外側分割領域１２１ａ１の面積が縮小することとなり、ｎ型領域で集電される電流量が低下することとなる。
【０１０３】
そこで以下、図５を用いて、端部発電領域Ｒｓｃでのｐ＋型端部半導体領域１１１ａとｎ＋型外側半導体領域１２１ａのパターンを設計する指標（出力期待向上率）について説明する。
【０１０４】
図５（ａ）は、図１に示す太陽電池のｐ＋型バイパス通路１１１ｂのピッチ幅Ｄｐ（図６参照）を変化させたときの出力期待向上率をｎ＋型端部縦半導体領域幅Ｗｒｎ（図６参照）をパラメータとして求めた結果を示し、図５（ｂ）は、図１に示す太陽電池のｐ＋型バイパス通路１１１ｂのピッチ幅Ｄｐ（図６参照）を変化させたときの出力期待向上率をｎ＋型バイパス通路幅Ｂｐｎ（図６参照）をパラメータとして求めた結果を示している。
【０１０５】
なお、図５に示す出力期待向上率（縦軸）は、従来の太陽電池の出力を基準条件で測定したときの出力値を１として表すものである。
【０１０６】
図６（ａ）は、図５で示す出力期待向上率を決める要素（ｐ＋型バイパス通路幅Ｂｐｐ、ｎ＋型バイパス通路幅Ｂｎｐ、ｐ＋型バイパス通路のピッチ幅Ｄｐ、ｎ＋型端部縦半導体領域幅Ｗｒｎ）を示している。また、図６（ｂ）は、半導体基板の端から最外のｎ型電極までの距離Ｄ１、ｎ型電極下の帯状ｎ＋型半導体領域の幅Ｄ２、ｐ＋型外周半導体領域の幅Ｄ３を示しており、これらの寸法Ｄ１〜Ｄ３については、本実施形態１の太陽電池１００と従来の太陽電池１とで同一としている。
【０１０７】
図５（ａ）からは、ｐ＋型バイパス通路１１１ｂの幅Ｂｐｐをαミクロン（μｍ）に固定し、ｎ＋型端部縦半導体領域幅Ｗｒｎをパラメータとした場合、出力期待向上率は、ｎ＋型端部縦半導体領域幅Ｗｒｎがα×１．２５ミクロンのとき、ｐ＋型バイパス通路１１１ｂのピッチ幅Ｄｐがα×３０〜α×４０ミクロンの範囲で最大値となることが分かる。従って、図５（ａ）に示す測定結果からは、ｎ＋型端部縦半導体領域幅Ｗｒｎはα×１．２５ミクロン程度とし、ｐ＋型バイパス通路１１１ｂのピッチ幅Ｄｐは、α×３０〜α×４０ミクロンの範囲とすることが望ましいことが分かる。ここでは、αは実質的に５０ミクロン〜５００ミクロンの範囲であることが望ましい。
【０１０８】
また、図５（ｂ）からは、ｎ＋型端部縦半導体領域幅Ｗｒｎをα×１．２５ミクロンに固定し、ｎ＋型バイパス通路幅Ｂｐｎをパラメータとした場合、出力期待向上率は、ｎ＋型バイパス通路幅Ｂｐｎがαミクロンのとき、ｐ＋型バイパス通路１１１ｂのピッチ幅Ｄｐがα×３０〜α×４０ミクロンの範囲で最大値となることが分かる。従って、図５（ｂ）に示す測定結果からは、ｎ＋型バイパス通路幅Ｂｐｎはαミクロン程度とし、ｐ＋型バイパス通路１１１ｂのピッチ幅Ｄｐは、α×３０〜α×４０ミクロンの範囲とすることが望ましいことが分かる。
【０１０９】
また、ｐ＋型バイパス通路幅Ｂｐｐについては、ｎ＋型バイパス通路幅Ｂｐｎと同様に隣接する反対導電型の領域との間で占有面積がトレードオフの関係となり、また端部発電領域Ｒｓｃでのｎ＋型半導体領域（ｎ＋型バイパス通路１２２ｃとｎ＋型外側分割領域１２１ａ１を合わせた領域）とｐ＋型半導体領域（ｐ＋型バイパス通路１１１ｂとｐ＋型端部分割領域１１１ａ１を合わせた領域）とが対称な形状となっていることから、その最適値は、ｎ＋型バイパス通路幅Ｂｐｎの最適値（αミクロン）と同程度となる。
【０１１０】
なお、上記実施形態１では、太陽電池は、第１導電型半導体基板としてｎ型シリコン基板を用いたものであるが、第１導電型半導体基板はｎ型シリコン基板に限定されるものではなく、ｐ型シリコン基板でもよい。その場合は、太陽電池基板に形成される半導体領域の導電型は、実施形態１で示したものとは逆の導電型のものとなる。
【０１１１】
また、ｎ型シリコン基板１０１ａの上下に延びる端部発電領域Ｒｓｃにおける上端部および下端部でのｐ型バイパス通路１１１ｂの配置は、実施形態１の配置に限定されるものではない。
【０１１２】
図７は、本発明の実施形態１の変形例による太陽電池の構造を説明する図であり、太陽電池基板の隅部（図６のＲ２部分）でのｐ型バイパス通路１１１ｂの配置パターンを、実施形態１のもの（図７（ａ））とその変形例のもの（図７（ｂ））とで対比して示している。
【０１１３】
つまり、実施形態１の太陽電池１００では、図７（ａ）に示すように、ｐ型バイパス通路１１１ｂは、帯状ｐ＋型半導体領域１１１の下端縁に沿って、ｐ＋型端部分割領域１１１ａ１と帯状ｐ＋型半導体領域１１１とがｐ型バイパス通路１１１ｂによってつながるように設けられているが、実施形態１の変形例の太陽電池では、図７（ｂ）に示すように、ｐ型バイパス通路１１１ｂは、帯状ｐ＋型半導体領域１１１の下端縁から離れた位置に、ｐ＋型端部分割領域１１１ａ１と帯状ｐ＋型半導体領域１１１とがｐ型バイパス通路１１１ｂよってつながるように設けられている。
【０１１４】
また、上記実施形態１では、複数のｐ＋型端部分割領域１１１ａ１の各々が、隣接するｎ＋型外側分割領域１２１ａ１の間に形成された１つのｐ＋型バイパス通路１１１ｂにより、ｐ＋型半導体領域１１１につながっているものを示したが、ｐ＋型端部分割領域１１１ａ１は、２つ以上のｐ＋型バイパス通路により帯状ｐ＋型半導体領域１１１につながっていてもよい。
【０１１５】
（実施形態２）
図８は本発明の実施形態２による太陽電池を説明する図であり、図８（ａ）は、この実施形態２の太陽電池における実施形態１の太陽電池と異なる部分を示し、図８（ｂ）は、この実施形態２の太陽電池の特性を本実施形態１および従来の太陽電池の特性と対比して示している。
【０１１６】
この実施形態２の太陽電池は、実施形態１の太陽電池１００において、複数のｐ＋型端部分割領域１１１ａ１の各々を、隣接するｎ＋型外側半導体領域１２１ａに形成された隣接して対向する２つのｐ＋型バイパス通路１１１ｂ１および１１１ｂ２によりｐ＋型半導体領域１１１につながるように構成したものであり、その他の構成は、実施形態１の太陽電池におけるものと同一である。
【０１１７】
この実施形態２の太陽電池２００では、図８（ｂ）に示すように、従来の太陽電池２００に対して短絡電流Ｉｓｃおよび最大出力Ｐｍの向上が見られた。なお、図８（ｂ）では、従来の太陽電池１における短絡電流、開放電圧、最大出力、曲線因子の値を１として、本実施形態２の太陽電池２００における短絡電流、開放電圧、最大出力、曲線因子の大きさ（比率）を、実施形態１の太陽電池１００におけるものとともに示している。
【０１１８】
このような構成の本実施形態２による太陽電池では、実施形態１の太陽電池１００において、複数のｐ＋型端部分割領域１１１ａ１の各々が、隣接するｎ＋型外側半導体領域１２１ａに形成された隣接する２つのｐ＋型バイパス通路１１１ｂ１および１１１ｂ２によりｐ＋型半導体領域１１１につながるように構成したので、実施形態１の効果に加えて、１つのｐ＋型端部分割領域１１１ａ１からｐ型電極１０１を配置した帯状ｐ＋型半導体領域１１１に至る電流Ｉｐ１およびＩｐ２が、２つのｐ＋型バイパス通路１１１ｂ１および１１１ｂ２から帯状ｐ＋型半導体領域１１１に流れ込むこととなり、これによりｐ＋型端部分割領域１１１ａ１から帯状ｐ＋型半導体領域１１１に至る電流経路におけるシート抵抗が低減される。その結果、電流ロスを抑えてより一層の高出力化を図ることができる効果がある。
【０１１９】
なお、上記実施形態２では、図８に示すように、各ｐ＋型端部分割領域１１１ａ１が２本のｐ＋型バイパス通路（第２導電型電流通路）１１１ｂ１及び１１１ｂ２により帯状ｐ型半導体領域１１１につながっているものを一例として示したが、各ｐ＋型端部分割領域に対するｐ＋型バイパス通路の本数は、２本に限定されるものではなく、ｐ＋型バイパス通路のピッチ幅に応じた最適な本数（３本以上）に設定されるものであることは言うまでもない。
【０１２０】
以上のように、本発明の好ましい実施形態を用いて本発明を例示してきたが、本発明は、この実施形態に限定して解釈されるべきものではない。本発明は、特許請求の範囲によってのみその範囲が解釈されるべきであることが理解される。当業者は、本発明の具体的な好ましい実施形態の記載から、本発明の記載および技術常識に基づいて等価な範囲を実施することができることが理解される。本明細書において引用した特許、特許出願および文献は、その内容自体が具体的に本明細書に記載されているのと同様にその内容が本明細書に対する参考として援用されるべきであることが理解される。
【産業上の利用可能性】
【０１２１】
本発明は、太陽電池、太陽電池パネル、及び太陽電池の製造方法の分野において、太陽電池基板上でのｎ型電極およびｐ型電極の配置を変更することなく、太陽電池基板の周辺部での集電を効率よく行うことができる太陽電池及びその製造方法、並びにこのような太陽電池を太陽電池セルとして用いた太陽電池パネルを実現することができる。
【符号の説明】
【０１２２】
５  凸凹部（テクスチャ構造）
６  受光面拡散層
１１  裏面パッシベーション膜
１１ａ  第１裏面パッシベーション膜
１１ｂ  第２裏面パッシベーション膜
１２  反射防止膜
１３  受光面パッシベーション膜
２１  テクスチャマスク
２２、２３  拡散マスク
２４ａ、２４ｂ  酸化シリコン膜
１００  太陽電池
１０１  ｐ型電極（第２導電型集電電極）
１０１ａ  ｎ型シリコン基板（第１導電型半導体基板）
１０２  ｎ型電極（第１導電型集電電極）
１１０  ｐ＋型半導体領域
１１１  帯状ｐ＋型半導体領域（第２導電型半導体領域）
１１１ａ  ｐ＋型端部半導体領域（第２導電型端部半導体領域）
１１１ａ１  ｐ＋型端部分割領域
１１１ｂ、１１１ｂ１、１１１ｂ２  ｐ＋型バイパス通路（第２導電型電流通路）
１１２  ｐ＋型外周半導体領域
１１２ａ  ｐ＋型外周縦半導体領域
１１２ｂ  ｐ＋型外周横半導体領域
１２０  ｎ＋型半導体領域
１２１  帯状ｎ＋型半導体領域（第１導電型半導体領域）
１２１ａ  ｎ＋型外側半導体領域（第１導電型外側半導体領域）
１２１ａ１  ｎ＋型外側分割領域
１２２  ｎ＋型端部半導体領域
１２２ａ  ｎ＋型端部縦半導体領域
１２２ｂ  ｎ＋型端部横半導体領域
１２２ｃ  ｎ＋型バイパス通路（第１導電型電流通路）
３００  太陽電池パネル
３５０  配線基板
３５０ａ  絶縁性シート材
３５１  ｎ型配線
３５２  ｐ型配線
３５４ａ  第１の接続用配線
５３４ｂ  第２の接続用配線
３５４ｃ、３５４ｄ  共通配線
Ｒ  実装領域
Ｒｍｃ  集電領域（主発電領域）
Ｒｓｃ  端部発電領域
【図２】
2014027056.tif 000003
【図３】
2014027056.tif 000004
【図５】
2014027056.tif 000005
【図７】
2014027056.tif 000006
【図８】
2014027056.tif 000007
【図９】
2014027056.tif 000008
【図１０】
2014027056.tif 000009
【図１１】
2014027056.tif 000010
【図１２】
2014027056.tif 000011
【図１】
2014027056.tif 000012
【図４】
2014027056.tif 000013
【図６】
2014027056.tif 000014