(57)【要約】  【課題】  光半導体素子とフェルールとの光接続性を向上させることができる光半導体素子収納用パッケージを提供する。  【解決手段】  本発明の光半導体素子収納用パッケージ３は、基板４と、基板４上に設けられた、側面に貫通孔Ｖ１を有する枠体５と、枠体５の貫通孔Ｖ１を通って枠体５の内外に延在したフェルール６と、枠体５の外側面のうち貫通孔Ｖ１の周囲に接合された、フェルール６を保持した保持孔Ｖ２を有する金属環状部材７とを備え、保持孔Ｖ２は、外側に開口した凹部Ｏ１と、凹部Ｏ１の内面に開口しているとともに凹部Ｏ１よりも開口の大きさが小さい貫通部Ｏ２とを有しており、フェルール６は、貫通部Ｏ２に挿入された状態で、凹部Ｏ１の内面に配されたガラス接合部材１０を介して金属環状部材７に固定されていることを特徴とする。その結果、光半導体素子２とフェルール６との光接続性を向上させることが可能となる。【選択図】  図３
2014191214.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
該基板上に設けられた、側面に貫通孔を有する枠体と、
該枠体の前記貫通孔を通って前記枠体の内外に延在したフェルールと、
前記枠体の外側面のうち前記貫通孔の周囲に接合された、前記フェルールを保持した保持孔を有する金属環状部材とを備え、
前記保持孔は、外側に開口した凹部と、該凹部の内面に開口しているとともに該凹部よりも開口の大きさが小さい貫通部とを有しており、
前記フェルールは、前記貫通部に挿入された状態で、前記凹部の内面に配されたガラス接合部材を介して前記金属環状部材に固定されていることを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項２】
請求項１に記載の光半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記凹部の開口は、前記ガラス接合部材の表面よりも外側に位置していることを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項３】
請求項１または２に記載の光半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記貫通部は、該貫通部の途中から前記凹部側の開口に向かって前記フェルールとの間隔が広がるように傾斜した傾斜面を有しており、
該傾斜面と前記フェルールの表面との間に前記ガラス接合部材が介在していることを特徴とする光半導体素子収納用パッケージ。
【請求項４】
請求項１または２に記載の光半導体素子収納用パッケージにおいて、
前記金属環状部材は、前記凹部の内面から前記フェルールの表面に沿って突出した突出部を有していることを特徴とする光半導体収納用パッケージ。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の光半導体素子収納用パッケージと、
該光半導体素子収納用パッケージの前記基板上に実装された光半導体素子とを備える実装構造体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光半導体素子を収納するための光半導体素子収納用パッケージおよびそれを用いた実装構造体に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光半導体素子を収納するための光半導体素子収納用パッケージが知られている。このような光半導体素子収納用パッケージでは、例えば特許文献１に示されているように、フェルールが、メタルパッケージの壁に形成された貫通孔に挿入され、低融点ガラスを介して貫通孔の内面に固定されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１６９０６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上述の光半導体素子収納用パッケージにおいては、金属材料とガラスとの熱膨張率が異なることから、例えば光半導体素子の稼働時の発熱によって、メタルパッケージと低融点ガラスとの接合面に、両者の熱膨張量の差に起因した熱応力が加わる。その結果、メタルパッケージから低融点ガラスが剥がれやすくなる。よって、光半導体素子収納用パッケージのフェルールが位置ずれしやすくなり、ひいては実装構造体の光半導体素子とフェルールとの光接続性が低下する虞がある。
【０００５】
そこで、光半導体素子とフェルールとの光接続性の向上させるために、フェルールの位置ずれを抑制することが求められている。
【０００６】
本発明は、上記課題を解決すべくなされたものであり、その目的は、フェルールの位置ずれを抑制することができ、光半導体素子とフェルールとの光接続性を向上させることが可能な光半導体素子収納用パッケージを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態にかかる光半導体素子収納用パッケージは、基板と、該基板上に設けられた、側面に貫通孔を有する枠体と、該枠体の前記貫通孔を通って前記枠体の内外に延在したフェルールと、前記枠体の外側面のうち前記貫通孔の周囲に接合された、前記フェルールを保持した保持孔を有する金属環状部材とを備え、前記保持孔は、外側に開口した凹部と、該凹部の内面に開口しているとともに該凹部よりも開口の大きさが小さい貫通部とを有しており、前記フェルールは、前記貫通部に挿入された状態で、前記凹部の内面に配されたガラス接合部材を介して前記金属環状部材に固定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、金属環状部材が凹部を有し、凹部内にガラス接合部材が配されていることから、金属環状部材とガラス接合部材との接合面積を大きくすることができ、金属環状部材からガラス接合部材が剥がれることを抑制することができる。その結果、光半導体素子収納用パッケージにおけるフェルールの位置ずれを抑制し、ひいては実装構造体における光半導体素子とフェルールとの光接続性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る光半導体素子収納用パッケージおよびそれを用いた実装構造体の斜視図である。
【図２】図１に示した光半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図３】図２に示した光半導体素子収納用パッケージにおけるフェルールと金属環状部材との接合部の拡大図である。
【図４】図１と異なる実施形態に係る光半導体素子収納用パッケージの断面図である。
【図５】図４に示した光半導体素子収納用パッケージにおけるフェルールと金属環状部材との接合部の拡大図である。
【図６】図１および図４と異なる実施形態に係る光半導体素子収納用パッケージにおけるフェルールと金属環状部材との接合部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
（光半導体素子収納用パッケージおよび実装構造体の構成）
以下、本発明の一実施形態に係る光半導体素子収納用パッケージおよびそれを用いた実装構造体について、図１−図６を参照しながら説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００１１】
図１は、光半導体素子収納用パッケージおよび実装構造体の斜視図であり、蓋体を外したときの外観を示している。図２は、図１に示した光半導体素子収納用パッケージの断面図であり、光半導体素子収納用パッケージのフェルールの長手方向に沿って切断した断面を示している。図３は、図２に示した光半導体素子収納用パッケージにおけるフェルールと金属環状部材との接合部の拡大図であり、フェルール、金属環状部材およびガラス接合部材の関係を詳細に示している。図４は、図１とは異なる光半導体素子収納用パッケージの断面図であり、光半導体素子収納用パッケージのフェルールの長手方向に沿って切断した断面を示している。図５は、図４に示した光半導体素子収納用パッケージにおけるフェルールと金属環状部材との接続部の拡大図であり、フェルール、金属環状部材およびガラス接合部材の関係を詳細に示している。図６は、図１および図４とは異なる光半導体収納用パッケージにおけるフェルールと金属環状部材との接続部の拡大図であり、フェルール、金属環状部材およびガラス接合部材の関係を詳細に示している。
【００１２】
実装構造体１は、光通信機器などに用いられる。実装構造体１は、図１に示したように、光半導体素子２と、内部に光半導体素子２を収納した光半導体素子収納用パッケージ３とを含んでいる。
【００１３】
光半導体素子２は、光信号を電気信号に変換したり電気信号を光信号に変換したりするなど、光信号の処理を行なう。光半導体素子２は、例えばレーザダイオードまたはフォトダイオードなどが挙げられる。このような光半導体素子２は、例えばヒ化ガリウム、ガリウム砒素リンまたは窒化ガリウムなどの半導体材料を含んで形成される。
【００１４】
光半導体素子収納用パッケージ３は、光半導体素子２を収納して保護するものである。光半導体素子収納用パッケージ３は、図１および図２に示したように、光半導体素子２が実装される基板４と、基板４の上面に設けられて側面に貫通孔Ｖ１を有する枠体５と、枠体５の貫通孔Ｖ１を通って枠体５の内外に延在したフェルール６と、枠体５の外側面のうち貫通孔Ｖ１の周囲に接合された、フェルール６を保持した保持孔Ｖ２を有する金属環状部材７と、枠体５の貫通孔Ｖ１が形成された側面と異なる側面を貫通して設けられた入出力端子８と、枠体５上に枠体５内を封止するように設けられた蓋体１１とを含んでいる。光半導体素子収納用パッケージ３は、上記構成を有することによって、例えば、外部の回路基板から光ファイバおよびフェルール６を介して受信した光信号を光半導体素子２にて
電気信号に変換し、入出力端子８を介して、この電気信号を外部の回路基板に送信する。
【００１５】
基板４は、基板４の上面に実装された光半導体素子２を支持するものである。基板４は、平板状に形成されており、上面視にて矩形状である。基板４は、例えば１つの金属板または複数の金属板の積層体からなる。このような金属板は、例えば銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルトなどの金属材料、あるいはこれらの金属材料を含んだ合金を含んで形成される。なお、基板４が金属板で構成される場合には、基板４は、例えば光半導体素子２の稼働時に光半導体素子２が発した熱を放出する放熱板として機能する。
【００１６】
枠体５は、基板４に実装された光半導体素子２を保護するために設けられている。枠体５は、一対の第１側部５１と、一対の第１側部５１を繋ぐ一対の第２側部５２とからなる枠状の構造体である。また、一対の第１側部５１のうちの一方には、フェルール６が挿入される貫通孔Ｖ１が形成されており、一対の第２側部５２には、それぞれ入出力端子８が固定される固定孔Ｖ３が形成されている。枠体５は、例えば銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルトなどの金属材料、あるいはこれらの金属材料を含んだ合金を含んで形成される。また、枠体５は、上記合金からなる場合には、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ５０、ＳＵＳ３０４またはＳＵＳ４３０などからなる。
【００１７】
枠体５の熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上２８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。枠体５のヤング率は、例えば１２０ＧＰａ以上３５０ＧＰａ以下に設定されている。なお、熱膨張率は、例えば、市販のＴＭＡ（熱機械分析）装置を用いて、ＪＩＳ  Ｋ７１９７−１９９１に準じた測定方法によって測定される。また、ヤング率は、例えば、ナノインデンターを用いて、ＩＳＯ５２７−１：１９９３に準じた測定方法によって測定される。
【００１８】
フェルール６は、筒状に形成されており、筒状の内部に配された、光信号の伝送路となる光ファイバ９を保護するものである。フェルール６は、例えばジルコニアなどのセラミックスからなる。フェルール６の熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上２８ｐｐｍ／℃以下に設定されている。フェルール６のヤング率は、例えば２００ＧＰａ以上２３０ＧＰａ以下に設定されている。
【００１９】
金属環状部材７は、保持孔Ｖ２を有する環状に形成されており、保持孔Ｖ２内に配されたフェルール６を枠体５に固定するものである。具体的には、図２に示したように、フェルール６は、ガラス接合部材１０を介して金属環状部材７に固定され、この金属環状部材７は、フェルール６が枠体５の貫通孔Ｖ１に挿入された状態で、枠体５の第１側部５１の外側面に、例えば銀ろうなどによって固定されている。その結果、フェルール６は枠体５に固定される。
【００２０】
金属環状部材７は、例えば銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルトなどの金属材料、あるいはこれらの金属材料を含んで形成される。また、金属環状部材７は、上記合金からなる場合には、例えばＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ５０、ＳＵＳ３０４またはＳＵＳ４３０などからなる。なお、金属環状部材７の熱膨張率は、例えば３ｐｐｍ／℃以上２５ｐｐｍ／℃以下に設定されている。金属環状部材７のヤング率は、例えば１５０ＧＰａ以上２１０ＧＰａ以下に設定されている。
【００２１】
ガラス接合部材１０は、例えばホウケイ酸塩ガラス、アルミノケイ酸塩ガラスなどのガラス材料からなる。ガラス接合部材１０の熱膨張率は、例えば５ｐｐｍ／℃以上１０ｐｐｍ／℃以下に設定されている。ガラス接合部材１０のヤング率は、例えば１５ＧＰａ以上４０ＧＰａに設定されている。
【００２２】
ここで、保持孔Ｖ２は、図２および図３に示したように、外側に開口した凹部Ｏ１と、凹部Ｏ１の内面に開口しているとともに凹部Ｏ１よりも開口の大きさが小さい貫通部Ｏ２と有している。そして、フェルール６は、貫通部Ｏ２に挿入された状態で、凹部Ｏ１の内面に配されたガラス接合部材１０を介して金属環状部材７に固定されている。このような構成を有することによって、単なる貫通部Ｏ２に相当する貫通孔の内面にのみ低融点ガラスが配されている場合と比較して、金属環状部材７およびガラス接合部材１０の接合面積を大きくすることができる。その結果、例えば光半導体素子２の稼働時に光半導体素子２が発熱した場合でも、金属環状部材７からガラス接合部材１０が剥がれることを抑制することができる。したがって、光半導体素子収納用パッケージ３におけるフェルール６の位置ずれを抑制し、ひいては実装構造体１における光半導体素子２とフェルール６との光接続性を向上させることができる。
【００２３】
凹部Ｏ１の開口は、図３に示したように、ガラス接合部材１０の表面よりも外側に位置していることが望ましい。このような構成を有することによって、凹部Ｏ１内のガラス接合部材１０の量を少なくすることができる。その結果、ガラス接合部材１０の熱膨張による金属環状部材７への影響を小さくすることができ、ガラス接合部材１０の熱膨張による金属環状部材７の変形を抑制することができる。したがって、光半導体素子収納用パッケージ３におけるフェルール６の位置ずれを抑制し、ひいては実装構造体１における光半導体素子２とフェルール６との光接続性を向上させることができる。
【００２４】
ガラス接合部材１０は、図３に示したように、ガラス接合部材１０の露出面からフェルール６の長手方向に沿って内側に向かって凹んだ窪み部Ｏ３が形成されていることが望ましい。このような構成を有することによって、金属環状部材７とガラス接合部材１０との接合面積を大きくすることができるとともに、ガラス接合部材１０の熱膨張による金属環状部材７への影響を低減することができる。その結果、金属環状部材７からガラス接合部材１０が剥がれるのを抑制することができるとともに、金属環状部材７の変形を抑制することができる。
【００２５】
ガラス接合部材１０は、図３に示したように、貫通部Ｏ２の一部に入り込んでいることが望ましい。このような構成を有することによって、金属環状部材７とガラス接合部材１０との接合面積をより大きくすることができ、金属環状部材７からガラス接合部材１０が剥がれることを効果的に防止することができる。また、ガラス接合部材１０が貫通部Ｏ２に入り込むことによって、フェルール６と金属環状部材７との隙間の一部はガラス接合部材１０に塞がれることから、フェルール６の動きが制限され、フェルール６が傾くことを抑制することができる。したがって、実装構造体１における光半導体素子２とフェルール６との光接続性を向上させることができる。
【００２６】
貫通部Ｏ２は、図３に示したように、貫通部Ｏ２の途中から凹部Ｏ１側の開口に向かってフェルール６との間隔が広がるように傾斜した傾斜面Ａを有していることが望ましい。そして、この傾斜面Ａとフェルール６の表面との間にはガラス接合部材１０が介在していることが望ましい。このような構成を有することによって、金属環状部材７およびガラス接合部材１０の接合面積をさらに大きくすることができ、金属環状部材７からガラス接合部材１０が剥がれることを効果的に防止することができる。また、ガラス接合部材１０が貫通部Ｏ２内に入り込んでいる場合には、傾斜面Ａがあることによって、凹部Ｏ１と貫通部Ｏ２とで形成される角の周囲に位置したガラス接合部材１０に応力が集中することを低減し、ガラス接合部材１０におけるクラックの発生を低減することができる。
【００２７】
金属環状部材７のヤング率は、ガラス接合部材１０のヤング率よりも大きいことが望ましい。このような構成を有することによって、ガラス接合部材１０の熱膨張による金属環状部材７への影響をより小さくすることができる。その結果、ガラス接合部材１０の熱膨
張による金属環状部材７の変形を効果的に抑制することができる。
【００２８】
金属環状部材７の熱膨張率は、ガラス接合部材１０の熱膨張率よりも大きいことが望ましい。このような構成を有することによって、例えば光半導体素子２の発熱時に、フェルール６およびガラス接合部材１０に対して、相対的に、フェルール６および金属環状部材７が互いに近づくように挙動することから、フェルール６からガラス接合部材１０が剥がれることを抑制することができる。
【００２９】
金属環状部材７の貫通部Ｏ２とフェルール６の表面との間には、図３に示したように、空間があることが望ましい。すなわち、貫通部Ｏ２とフェルール６の表面との間にガラス接合部材１０が完全には充填されていないことが望ましい。その結果、ガラス接合部材１０の量を少なくすることができ、ガラス接合部材１０の熱膨張による金属環状部材７の変形を抑制することができる。
【００３０】
貫通部Ｏ２のフェルール６の長手方向に沿った長さは、図３に示したように、凹部Ｏ１のフェルール６の長手方向に沿った長さよりも大きいことが望ましい。その結果、金属環状部材７の保持孔Ｖ２における貫通部Ｏ２の割合を大きくすることができるため、フェルール６と金属環状部材７との隙間が小さくなることから、フェルール６の動きを制限することができ、フェルール６が傾くことを防止することができる。
【００３１】
傾斜面Ａのフェルール６の長手方向に沿った長さは、図３に示したように、貫通部Ｏ２のフェルール６の長手方向に沿った長さよりも小さいことが望ましい。その結果、ガラス接合部材１０の量に対して、金属環状部材７を十分な大きさとすることができるため、ガラス接合部材１０の熱膨張による金属環状部材７の変形を抑制することができる。また、フェルール６と金属環状部材７との隙間を小さくすることができるため、フェルール６が傾くことを防止することができる。
【００３２】
枠体５のヤング率は、金属環状部材７のヤング率よりも大きいことが望ましい。このような構成を有することによって、金属環状部材７の熱膨張による影響を小さくすることができ、枠体５が歪むことを防止することができる。その結果、実装構造体１における光半導体素子２とフェルール６との光接続性を向上させることができる。
【００３３】
フェルール６の枠体５内側の端から金属環状部材７までの長さは、図２に示したように、フェルール６の他端から金属環状部材７までの長さよりも短いことが望ましい。このような構成を有することによって、例えば、仮にフェルール６が傾いた場合でも、フェルール６の傾きに起因した光ファイバ９の枠体５内側の先端の傾き量を小さくすることができる。したがって、実装構造体１における光半導体素子２とフェルール６との光接続性を向上させることができる。
【００３４】
貫通孔Ｖ１の開口は、図２および図３に示したように、保持孔Ｖ２の開口よりも大きいことが望ましい。このような構成を有することによって、例えば、仮にフェルール６が傾いた場合に、貫通孔Ｖ１の縁にフェルール６の外周部が当たることを防止することができる。その結果、フェルール６におけるクラックの発生を抑制することができる。
【００３５】
入出力端子８は、光半導体素子２と外部の回路基板との間で、電気信号の伝送を行なう。具体的には、入出力端子８は、枠体５の固定孔Ｖ３内に接合されたセラミック構造体８１と、セラミック構造体８１の上面に形成された配線層８２と、配線層８２上に配されたリード端子８３とを含んでいる。
【００３６】
セラミック構造体８１は、配線層８２およびリード端子８３を支持するものである。セ
ラミック構造体８１は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体、ムライト質焼結体、炭化珪素質焼結体、窒化アルミニウム質焼結体または窒化珪素質焼結体などのセラミックスからなる。
【００３７】
配線層８２は、ボンディングワイヤ等で光半導体素子２と電気的に接続されて、光半導体素子２が光信号から変換処理した電気信号を、リード端子８３まで伝送する。配線層８２は、例えば銅、銀、金、アルミニウム、ニッケル、モリブデン、タングステン、マンガンまたはクロムなどの金属材料、あるいはこれらの金属材料を含んだ合金からなる。
【００３８】
リード端子８３は、光半導体素子２から配線層８２を介して伝送される電気信号を外部の回路に伝送する機能を有する。リード端子８３は、例えば銅、鉄、タングステン、モリブデン、ニッケルまたはコバルトなどの金属材料、あるいはこれらの金属材料を含んだ合金からなる。
【００３９】
蓋体１１は、光半導体素子収納用パッケージ３の開口を封止し、光半導体素子収納用パッケージ３内に収納されたものを保護する。蓋体１１は、例えば鉄、銅、銀、ニッケル、クロム、コバルト、モリブデンまたはタングステンなどの金属材料、あるいはこれらの金属材料を複数組み合わせた合金または積層体からなり、例えば蓋体１１と同様の金属材料からなるシールリング１２を介して、光半導体素子収納用パッケージ３の枠体５の上面に接合されている。
【００４０】
本発明は上述の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
【００４１】
上述した本発明の実施形態は、金属環状部材７の貫通部Ｏ２が傾斜面Ａを有している構成を例に説明したが、例えば、図４および図５に示したように、金属環状部材７は、凹部Ｏ１の内面からフェルール６の表面に沿って突出した突出部Ｐを有していてもよい。この場合には、突出部Ｐによって、金属環状部材７とガラス接合部材１０との接合面積を大きくすることができるとともに、フェルール６と金属環状部材７との隙間を小さくしてフェルール６が傾くことを防止することができる。
【００４２】
突出部Ｐは、図４および図５に示したように、凹部Ｏ１の開口よりも内側に位置することが望ましい。このような構成を有することによって、フェルール６とガラス接合部材１０との接合面積を確保することができ、フェルール６を金属環状部材７に効果的に固定することができる。
【００４３】
突出部Ｐは、図４および図５に示したように、先端に向かって厚みが小さくなっていることが望ましい。このような構成を有することによって、凹部Ｏ１と突出部Ｐとが交わって形成された角が鈍角となることから、この角に配されたガラス接合部材１０に加わる熱応力を低減することができ、ガラス接合部材１０におけるクラックの発生を抑制することができる。
【００４４】
上述した本発明の実施形態は、ガラス接合部材１０が金属環状部材７の貫通部Ｏ２の一部にのみ入り込んでいる構成を例に説明したが、例えば、図６に示したように、ガラス接合部材１０は、凹部Ｏ１の内面から貫通部Ｏ２を通って金属環状部材７の枠体５に接合された側面にまで配されていることが望ましい。このような構成を有することによって、金属環状部材７とガラス接合部材１０との接合面積を大きくすることができることから、金属環状部材７からガラス接合部材１０が剥がれることを防止することができ、また、光半導体素子収納用パッケージ３内の気密性を向上させることができる。
【００４５】
ガラス接合部材１０は、図６に示したように、金属環状部材７およびフェルール６にのみ接触していることが望ましい。すなわち、枠体５には接触していないことが望ましい。このような構成を有することによって、ガラス接合部材１０の熱膨張による影響が直接に枠体５に及ぶことを防止し、ガラス接合部材１０の熱膨張による枠体５の変形を低減することができる。その結果、実装構造体１における光半導体素子２とフェルール６との光接続性を向上させることができる。
【００４６】
（光半導体素子収納用パッケージおよび実装構造体の製造方法）
以下、図１に示す光半導体素子収納用パッケージ３および実装構造体１の製造方法を説明する。なお、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。
【００４７】
（１）基板４、枠体５および金属環状部材７を作製する。基板４、枠体５および金属環状部材７のそれぞれは、溶融した金属材料を型枠に鋳込んで固化させたインゴットを金属加工法を用いることによって所定形状に成形することで作製される。そして、枠体５には、貫通孔Ｖ１および固定孔Ｖ３を形成する。
【００４８】
（２）セラミック構造体８１および配線層８２を作製する。まず、例えば、酸化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、炭化ケイ素または酸化ベリリウムなどのセラミック粉末に、有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合した混合物を所定形状に加工する。
【００４９】
（３）次いで、タングステンまたはモリブデンなどの高融点金属粉末を準備し、この粉末に有機バインダー、可塑剤または溶剤等を添加混合して金属ペーストを準備する。その後、所定形状に加工した混合物の表面に金属ペーストを所定のパターンに印刷する。そして、これを焼成することによって、金属ペーストを配線層８２とし、所定形状に加工した混合物をセラミック構造体８１とする。以上の（２）および（３）の工程によって、セラミック構造体８１および配線層８２を作製する。
【００５０】
（４）金属環状部材７の保持孔Ｖ２の凹部Ｏ１内にガラス接合部材１０を配した後、金属環状部材７の保持孔Ｖ２の貫通部Ｏ２にフェルール６を挿し込み、ガラス接合部材１０を溶融および固化することによって、フェルール６を金属環状部材７に接合する。
【００５１】
（５）フェルール６が接合された金属環状部材７を、フェルール６が貫通孔Ｖ１に挿入されるように、枠体５に接合する。また、枠体５の固定孔Ｖ３には、配線層８２が配されたセラミック構造体８１を接合する。
【００５２】
（６）光半導体素子２を基板４上に実装し、ボンディングワイヤなどを介して配線層８２と電気的に接続する。次いで、光半導体素子収納用パッケージ３を蓋体１１にて封止し、配線層８２上にリード端子８３を設けることによって、実装構造体１を作製することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１      実装構造体
２      光半導体素子
３      光半導体素子収納用パッケージ
４      基板
５      枠体
５１    第１側部
５２    第２側部
６      フェルール
７      金属環状部材
８      入出力端子
８１    セラミック構造体
８２    配線層
８３    リード端子
９      光ファイバ
１０    ガラス接合部材
１１    蓋体
１２    シールリング
Ａ      傾斜面
Ｏ１    凹部
Ｏ２    貫通部
Ｏ３    窪み部
Ｐ      突出部
Ｖ１    貫通孔
Ｖ２    保持孔
Ｖ３    固定孔
【図１】
2014191214.tif 000003
【図２】
2014191214.tif 000004
【図３】
2014191214.tif 000005
【図４】
2014191214.tif 000006
【図５】
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【図６】
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