(57)【要約】【課題】ＣＴＰとＲＴＰとの切り替え操作が容易なタッチパネルを提供する。【解決手段】本願発明のタッチパネルは、静電容量式の第１の操作部と、第１の操作部と重ねて、第１の操作部を通して押圧操作される、第１の抵抗膜と第２の抵抗膜を有する第２の操作部と、第１の操作部の操作を検出する第１操作検出部と、第２の操作部の操作を検出する第２操作検出部と、第１の抵抗膜と第２の抵抗膜との組み合わせで第２の操作部への押圧操作の位置を検出する第１の検出状態と、第１の抵抗膜と前記第２の抵抗膜のいずれか一方に所定の電圧を印加するとともに、他方を接地して第２の操作部への押圧操作を検出する第２の検出状態と、を切り替えるパネル制御部と、を備える。【選択図】図１７
2014044680.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
静電容量式の第１の操作部と、
前記第１の操作部と重ねて、前記第１の操作部を通して押圧操作される、第１の抵抗膜と第２の抵抗膜を有する第２の操作部と、
前記第１の操作部の操作を検出する第１操作検出部と、
前記第２の操作部の操作を検出する第２操作検出部と、
前記第１の抵抗膜と前記第２の抵抗膜との組み合わせで前記第２の操作部への押圧操作の位置を検出する第１の検出状態と、前記第１の抵抗膜と前記第２の抵抗膜のいずれか一方に所定の電圧を印加するとともに、他方を接地して前記第２の操作部への押圧操作を検出する第２の検出状態と、を切り替えるパネル制御部と、を備えたタッチパネル。
【請求項２】
前記パネル制御部は、前記第２操作検出部が前記第２の操作部の操作を検出せず、かつ、前記第１操作検出部が前記第１の操作部の操作を検出した場合には、前記第１の検出状態から前記第２の検出状態に切り替える、請求項１に記載のタッチパネル。
【請求項３】
前記パネル制御部は、前記第２の検出状態に切り替えた後に、前記第２操作検出部が前記第２の操作部の操作を検出するか、又は前記第１操作検出部が前記第１の操作部の操作を所定時間検出しなかった場合には、前記第２の検出状態から前記第１の検出状態に戻して切り替える、請求項２に記載のタッチパネル。
【請求項４】
前記パネル制御部は、前記第２の検出状態に切り替えた後に、前記第２操作検出部が前記第２の操作部の操作を検出した場合であっても、前記第１操作検出部が前記第１の操作部での多点入力を検出した場合は、前記第１の検出状態を維持する、請求項３に記載のタッチパネル。
【請求項５】
前記パネル制御部は、前記第２操作検出部が前記第２の操作部の操作を検出した場合には、前記第１操作検出部の検出動作を停止する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のタッチパネル。
【請求項６】
前記パネル制御部は、前記第２操作検出部が前記第２の操作部の操作を所定時間検出しなかった場合には、前記第１操作検出部の検出動作を開始する、請求項５に記載のタッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハイブリッドタッチパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、ディスプレイにペンや指先で直接タッチすることにより情報を入力する入力デバイスであり、近年携帯電話やスマートフォンをはじめとする電子機器で作用されている。
【０００３】
タッチパネルの方式としては、抵抗膜方式や静電容量方式等が広く知られている。抵抗膜方式タッチパネル（以下、「ＲＴＰ」（Resistive Touch Panel）と略す。）は、ディスプレイの上面に上下２枚のＩＴＯ膜（インジウムスズ酸化物膜）等を利用した透明電極膜の抵抗値を利用してタッチした位置を検出する。ＲＴＰは、タッチ位置を精度良く検出することができるため、文字入力等の用途に向いている。
【０００４】
一方、静電容量方式タッチパネル（以下、「ＣＴＰ」（Capacitive Touch Panel）と略す。）は、ＩＴＯ膜電極間で形成される静電容量の変化によりタッチした位置検出する。ＣＴＰは、電極をＸ、Ｙのマトリックス状に形成して静電容量の変化を順次スキャンすることにより多点検出（マルチタッチ）での用途で使用可能である。
【０００５】
タッチパネルは、この様にそれぞれの方式に特徴があるため、従来、異なった複数の方式のタッチパネルを上下に重ねて形成されたタッチパネルが提案されており、本願では、この様な複数の方式からなるタッチパネルを「ハイブリッドタッチパネル」と呼ぶこととする。
【０００６】
ハイブリッドタッチパネルとして、例えば、特許文献１（特表２０１０−５２９５４６号公報）、特許文献２（特開２００８−２２５９８０号公報）、または、特許文献３（特開２００９−１５６８５号公報）には、ＣＴＰにＲＴＰを組み合わせたハイブリッドタッチパネルが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特表２０１０−５２９５４６号公報
【特許文献２】特開２００８−２２５９８０号公報
【特許文献３】特開２００９−１５６８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上記特許文献１−３に記載されたＣＴＰを使用した従来のハイブリッドタッチパネルは、ＣＴＰを使用する際には、ノイズ混入防止等を理由にＲＴＰを停止する必要があり、ＣＴＰとＲＴＰの切り替えをその都度行う必要があった。このため、方式の切り替え操作が煩雑となっていた。
【０００９】
本発明は、ハイブリッドタッチパネルにおける従来の問題点に鑑みてなされたものであり、ＣＴＰとＲＴＰとの切り替え操作が容易なタッチパネルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題に鑑み、本発明におけるタッチパネルは、静電容量式の第１の操作部と、前記第１の操作部と重ねて、前記第１の操作部を通して押圧操作される、第１の抵抗膜と第２の抵抗膜を有する第２の操作部と、前記第１の操作部の操作を検出する第１操作検出部と、
前記第２の操作部の操作を検出する第２操作検出部と、前記第１の抵抗膜と前記第２の抵抗膜との組み合わせで前記第２の操作部への押圧操作の位置を検出する第１の検出状態と、前記第１の抵抗膜と前記第２の抵抗膜のいずれか一方に所定の電圧を印加するとともに、他方を接地して前記第２の操作部への押圧操作を検出する第２の検出状態と、を切り替えるパネル制御部と、を備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の実施形態によれば、ＣＴＰとＲＴＰとの切り替え操作が容易なタッチパネルを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ハイブリッドタッチパネルの断面図
【図２】ＣＴＰの構造を説明した図
【図３】図２のＣＴＰのＹ方向の電極パターンを説明した図
【図４】図２のＣＴＰのＸ方向の電極パターンを説明した図
【図５】ＣＴＰのタッチ検出動作を説明した図
【図６】ＲＴＰの第1の検出状態を説明した図
【図７】ＲＴＰの第２の検出状態を説明した図
【図８】ＲＴＰへの指入力を説明した図
【図９】ＲＴＰへのペン入力を説明した図
【図１０】図９のＲＴＰへの指入力不可を説明した図
【図１１】ＲＴＰへの指入力パターンを説明した図
【図１２】タッチパネルの座標データ構成を説明した図
【図１３】第1の実施の形態におけるチップ構成を説明した図
【図１４】第２の実施の形態におけるチップ構成を説明した図
【図１５】第３の実施の形態におけるチップ構成を説明した図
【図１６】第1の実施の形態における動作を説明したフローチャート
【図１７】第２の実施の形態における動作を説明したフローチャート
【図１８】第３の実施の形態における動作を説明したフローチャート
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。
【００１４】
図１は、ハイブリッドタッチパネルの断面図を説明した一例である。図１において、ハイブリッドタッチパネル１は、ＣＴＰ１０とＲＴＰ１１とが組み合わされている。ＣＴＰ１０は、ＣＴＰ上部フィルム１０１、ＣＴＰ上部ＩＴＯ膜１０２、ＣＴＰ下部ＩＴＯ膜１０３、及びＣＴＰ下部フィルム１０４を備えている。また、ＲＴＰ１１は、ＲＴＰ上部フィルム１１１、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２、両面テープ１１３、ドットスペーサ１１４、ＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５、及びガラス板１１６を備えている。
【００１５】
ＣＴＰ１０は、ＣＴＰ上部フィルム１０１とＣＴＰ下部フィルム１０４との間に形成された、ＣＴＰ上部ＩＴＯ膜１０２による電極パターンとＣＴＰ下部ＩＴＯ膜１０３による電極パターンとの間に生じる静電容量の変化を検出することにより、ＣＴＰ１０への操作を検出する。
【００１６】
ＲＴＰ１１は、ＲＴＰ上部フィルム１１１に形成されたＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２と、ガラス板１１６に形成されたＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５とが、ドットスペーサ１１４を間に挟んで対向している。ＲＴＰ上部フィルム１１１は、両面テープ１１３によってＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５と所定の距離を維持するように固定されている。ＲＴＰ１１への操作は、ＣＴＰ１０を押圧することによりＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２を変形させてＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５と接触させることにより検出される。
【００１７】
ＣＴＰ上部フィルム１０１、ＣＴＰ下部フィルム１０４、及びＲＴＰ上部フィルム１１１には、例えば絶縁性の透明フィルムとしてＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルムやＴＡＣ（トリアセチルセルロース）フィルムが使用される。この実施の形態では、ＣＴＰ下部フィルム１０４とＲＴＰ上部フィルム１１１は別の構成として説明したが、フィルムの両面にＣＴＰ下部ＩＴＯ膜１０３とＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２とをそれぞれ形成しても良い。
【００１８】
図２は、ＣＴＰの構造を説明した図の一例である。ＣＴＰ１０は、ＣＴＰ上部ＩＴＯ膜１０２とＣＴＰ下部ＩＴＯ膜１０３の電極パターンのマトリックスを形成している。ＣＴＰ上部ＩＴＯ膜１０２の電極パターンは、Ｘ方向に接続されて、Ｙ方向に順次走査される。一方、ＣＴＰ下部ＩＴＯ膜１０３の電極パターンは、Ｙ方向に接続されて、Ｘ方向に順次走査される。図２における、ＣＴＰ上部ＩＴＯ膜１０２の詳細を図３に、ＣＴＰ下部ＩＴＯ膜１０３の詳細を図４で説明する。
【００１９】
図３は、図２のＣＴＰのＹ方向の電極パターンを説明した図である。図３において、ＣＴＰ上部ＩＴＯ膜１０２は電極１０２−１〜１０２―７で示す電極パターンで構成されている。図４は、図２のＣＴＰのＸ方向の電極パターンを説明した図である。図４において、ＣＴＰ下部ＩＴＯ膜１０３は、電極１０３−１〜１０３―７で示す電極パターンで構成されている。電極１０２−１〜１０２―７にてＹ方向の順次走査を行うとともに、電極１０３−１〜１０３―７にてＸ方向の順次スキャンを行うことにより、Ｘ方向とＹ方向とでマトリックスを形成しているそれぞれの電極間の静電容量の変化を測定することができ、タッチ位置の検出が可能となる。
【００２０】
図５は、ＣＴＰのタッチ検出動作を説明した図の一例である。図５において、図４で説明したＸ方向とＹ方向にマトリックスが形成されたうちの一つの静電容量をＣｐとする。今人の指でタッチすると、指を通じた人体の静電容量Ｃｆが直列に接続されたことと等価になり、合計の静電容量Ｃｔは、１／Ｃｔ＝１／Ｃｐ＋１／Ｃｆとなる。静電容量の変化はＩ＝Ｖ＊Ｃ／Δｔとして、Ｖボルトにて電極パターンをスキャンした場合の電流値として検出される。ＣＴＰはＸＹのマトリックスを順次走査することにより、ＣＴＰ上のＸＹ座標でタッチの速さを検出することができる。また、マルチタッチの検出も可能となる。但し、ＣＴＰは上記の通り、電極間の静電容量を検出するものであるため、電極の大きさによっては位置検出精度を高くできない。このため、ＣＴＰは、ペンによる文字入力等の位置精度が要求される用途にはあまり向いていないものの、２本の指で表面を叩くマルチタップ操作、画面に触れた指をスライドさせて素早く払うフリック操作、又は２本の指の間隔を狭めたり広げたりするピンチ操作等で有効である。
【００２１】
図６は、ＲＴＰの第1の検出状態を説明した図の一例である。図６において、ＲＴＰ１０は、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２とＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５の２枚のＩＴＯ膜を備えている。ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２はＸ方向の両端に電極を有しており、ＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５はＹ方向の両端に電極を有している。
【００２２】
第１の検出状態において、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２は、（Ａ）図に示す通り、電極の１端を電源Ｅに接続するとともに、他端を接地する。また、ＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５は、（Ｂ）図に示す通り、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２の電極組と直交する電極の１端を電源Ｅに接続するとともに、他端を接地する。今、ＲＴＰ１１の１点にタッチした場合に、（Ａ）図に示すとおり、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２の電極間の抵抗値をｒｘ１とｒｘ２の抵抗比で分圧した電圧値ＶｘがＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５の電極で検出される。また、（Ｂ）に示すとおり、ＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５の電極間の抵抗値をｒｙ１とｒｙ２の抵抗比で分圧した電圧値ＶｙがＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２の電極で検出される。第１の検出状態においては、（Ａ）図の状態と（Ｂ）図の状態との上記分圧測定によって、ＲＴＰ１１の（ｘ、ｙ）座標面でのタッチ位置が計測される。上記ｘ、ｙのそれぞれの電圧印加の切り替えにより、重ねられたＣＴＰ１０と同時に位置検出を行った場合にはＣＴＰ１０がノイズの影響を受ける場合がある。
【００２３】
また、第１の検出状態においては、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２とＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５には、それぞれの内部抵抗値（ｒｘ１＋ｒｘ２、ｒｙ１＋ｒｙ２）に応じた電流が常に流れることとなる。このため、タッチ操作を行わない場合でも電力を消費している。
【００２４】
図７は、ＲＴＰの第２の検出状態を説明した図の一例である。図７において、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２の電極の１端を電源Ｅに抵抗Ｒを介してプルアップし、ＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５の電極の１端を接地する。さらに、抵抗Ｒと電極との間に検出ポイントＰを接続して電圧を検出する。
【００２５】
第２の検出状態において、タッチされずにＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２とＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５とが離れている間は抵抗Ｒに電流が流れないために検出ポイントＰでの検出は“Ｈ”となる。一方、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２とＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５とタッチにより接触すると、抵抗Ｒには電流が流れて電圧降下を起こすために、検出ポイントＰでの検出は“Ｌ”に変化する。したがってこの第２の検出状態においては、タッチされた位置の測定はできないが、タッチされたことは検出できることになる。第２の検出状態では、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２とＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５とが接触しない限りＩＴＯ膜には常時電流が流れない。このためにＲＴＰ１０からはノイズが発生せずに、重ねられたＣＴＰ１１に影響を与えない。また、常時電流が流れないことにより消費電力の節約が可能となる。第１の検出状態は、ノイズの発生を抑え、電力の消費電力を押さえつつ、ＲＴＰへのタッチの有無の検出を可能としている。
【００２６】
次に、図８〜図１１において、ＲＴＰ１１へのタッチ操作の詳細を説明する。なお、図８〜図１１においては、ＲＴＰ１１に重ねられたＣＴＰ１０の記載は省略している。したがって、ＲＴＰ１１へのタッチ操作は、ＣＴＰ１０を通じての操作となる。
【００２７】
図８〜図１０において、ＲＴＰ１１は、ＲＴＰ上部フィルム１１１、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２、ドットスペーサ１１４、ＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５、及びガラス板１１６を備えており、図８と図９では、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２とＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５の間に存在しているドットスペーサ１１４の間隔が異なっている。
【００２８】
図８は、ドットスペーサ１１４の間隔が、指の太さで押圧しても、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２とＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５とが接触可能な程度に粗になっているＲＴＰ１１を示している。このドットスペーサ１１４の間隔においては、指より細いペン入力も当然可能である。
【００２９】
一方、図９は、ドットスペーサ１１４の間隔が、図８に比べて狭く、ペンでの押圧で、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２とＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５とが接触する様子を示している。このドットスペーサ１１４の間隔や形状は、ＲＴＰ上部フィルム１１１及びＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２、また、図示しないＣＴＰ１０の厚みや硬さで適宜選択される。図９において、ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２は、ペンにより、図８の場合に比べて鋭角に変形してＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５と接触することとなる。したがって、より狭い面積でＲＴＰ上部ＩＴＯ膜１１２とＲＴＰ下部ＩＴＯ膜１１５とが接触するため、タッチ位置を図８の場合に比べてより正確に測定することが可能となる。例えば、文字入力等の線を入力する場合には、図９の様にドットスペーサ１１４の間隔が狭い方が有利となる。
【００３０】
図１０は、図９のＲＴＰへの指入力不可を説明した図である。ドットスペーサ１１４の間隔は、図９で説明した様に、ペンでの操作は可能であるが、指による操作は不可である。この様にドットスペーサ１１４の間隔を選択することにより、例えば、指による押圧での誤入力を防ぐことにより、指による入力とペンによる入力とを使い分けることが可能となる。また、ＣＴＰ１０の操作を指で行い、ＲＴＰ１１への操作をペンのみで行いたい場合にも、ペンでは操作可能であるが指では操作不可な間隔が有効となる。
【００３１】
図８〜図１０にて説明したドットスペーサ１１４の間隔は、一つのＲＴＰ１１の座標位置によって変えることができる。例えばＲＴＰ１１のある領域はドットスペーサ１１４の間隔を狭くして、ペンによる入力領域とし、その他の領域のドットスペーサ１１４の間隔は広くして、指入力可能としても良い。
【００３２】
図１１は、ＲＴＰへの指入力パターンを説明した図の一例である。図１１においては、ハイブリッドタッチパネル１は、図１で説明した通り、ＣＴＰ１０とＲＴＰ１１とが重ねられて形成されているものとする。
【００３３】
（Ａ）図、（Ｂ）図、及び（Ｃ）図は、ハイブリッドタッチパネル１のＣＴＰ１０とＲＴＰ１１との動作状態（ＯＮ／ＯＦＦ状態）それぞれにおける指での操作入力方法を説明している。（Ａ）図は、ＣＴＰ１０がＯＮ、ＲＴＰ１１がＯＦＦの場合であり、操作はＣＴＰ１０に対してのみであるため、操作は指の腹で行う。（Ｂ）図は、ＣＴＰ１０とＲＴＰ１１の両方がＯＮの場合であり、操作は指の腹及び爪先で行う。また（Ｃ）図は、ＣＴＰがＯＦＦ、ＲＴＰがＯＮの場合であり、操作は爪先で行う。ＣＴＰ１０とＲＴＰ１１の動作状態の切り替えは、後述する制御フローにより切り替えられるが、それぞれ動作状態において操作が可能なように、図８〜図１０で説明したドットスペーサ１１４の間隔を適宜選択している。
【００３４】
次に、ＣＴＰ１０とＲＴＰ１１によって検出される座標データの構成を図１２によって説明する。
【００３５】
図１２は、タッチパネルの座標データ構成を説明した図の一例である。図１２において、座標データの構成は、“タッチステータス”、“タッチＩＤ”、“Ｘ”の座標、及び“Ｙ”の座標を備えている。
【００３６】
タッチステータスは、タッチＯＮの場合の“０ｘ０１”と、タッチＯＦＦの場合の“０ｘ００”のいずれかとなる。例えば、タッチした指をパネル上で動かす場合に、始点及び移動中はタッチＯＮとなり、終点ではタッチＯＦＦとなる。タッチＩＤは、ＣＴＰ１０におけるマルチタッチの場合のタッチＩＤを示す。例えば、図示するように、“０”〜“９”のＩＤを有する場合には、データ構造上は１０点のマルチタッチに対応していることを示す。このＩＤによって、マルチタップやピンチ操作を可能にしている。Ｘ、Ｙはタッチパネル上のｘｙ座標である。図では、１２ｂｉｔ座標において、０ｘ０００〜０ｘＦＦＦの値を取る場合の例である。例えば、「０ｘ０１、０ｘ００、０ｘ１２３（１２ｂｉｔ）、０ｘ４５６（１２ｂｉｔ）」という座標データの場合、ＩＤ０のタッチのタッチＯＮの座標位置が（Ｘ：２９１、Ｙ：１１１０）という意味である。
【００３７】
次に、ハイブリッドタッチパネル１を制御する制御チップの構成を図１３〜図１５によって、さらにそれぞれの制御チップ構成における動作フローを図１６〜図１８によって説明する。
【００３８】
図１３は、第1の実施の形態におけるチップ構成を説明した図の一例である。図１４は、第２の実施の形態におけるチップ構成を説明した図の一例である。さらに、図１５は、第３の実施の形態におけるチップ構成を説明した図の一例である。図１３、図１４、及び図１５にける、第１の実施の形態、第２の実施の形態、及び第３の実施の形態の差異は、ＣＴＰ１０、又はＲＴＰ１１に対する専用の制御チップの有無である。
【００３９】
図１３の第１の実施の形態においては、ＣＴＰ１０、ＲＴＰ１１、ハイブリッドＩＣ２１、ＣＴＰ−ＩＣ２２、及びＰＣ５０を備えている。ＣＴＰ−ＩＣ２２は、ＣＴＯ１０専用の制御チップである、ハイブリッドＩＣ２１は、ＣＴＰ−ＩＣ２２とＲＴＰ１１を制御する。また、ＰＣ５０はハイブリッドタッチパネル１からの入力情報を処理する。第１の実施の形態における動作を図１６によって説明する。
【００４０】
図１６は、第1の実施の形態における動作を説明したフローチャートの一例である。図１６において、ハイブリッドパネル１の動作が開始されると（Ｓ１００）、ＲＴＰ１１の操作を検出したか否かを判断する（Ｓ１０１）。ＲＴＰ１１の操作の検出は、図６で説明した、第１の検出状態におけるＲＴＰ１１への操作の検出である。この操作によって、図１３のハイブリッドＩＣ２１は、ＲＴＰ１１の座標データが入力される。ＲＴＰ１１への操作を検出した場合（Ｓ１０１でＹＥＳ）、ハイブリッドＩＣ２１は、ＣＴＰ−ＩＣ２２をスリープ状態にする（Ｓ１０２）。これにより、ハイブリッドタッチパネル１は、ＲＴＰ１１による操作のみを検出する状態へ切り替わる。ＣＴＰ−ＩＣ２２をスリープ状態にすることで、ＣＴＰ１０による電力消費を抑えることができる。ＲＴＰ１１のみによる操作検出は、例えば、図９で説明したペンなどによる文字入力を行う場合である。
【００４１】
次に、Ｒカウンタを所定値にセットする（Ｓ１０３）。ＲカウンタはＣＴＰ−ＩＣ２２をスリープ状態から復帰させるためのカウンタであり、その値は適宜設定される。Ｒカウンタは、ハイブリッドＩＣ２１に実装することができる。
【００４２】
次に、ＲＴＰ座標データを取得する（Ｓ１０４）。取得する座標データは、図１２において説明したデータ構造を有しており、ハイブリッドＩＣ２１が取得する。データが所得された場合（Ｓ１０４でＹＥＳ）、取得されたＲＴＰ座標データをＰＣ５０に出力し（Ｓ１０６）、Ｒカウンタをリセットする（Ｓ１０７）。Ｒカウンタがリセットにより０となり（Ｓ１０８でＹＥＳ）、ハイブリッドＩＣ２１は、ＣＴＰ−ＩＣ２２をスリープ状態からウェイクさせて（Ｓ１１０）、終了する（Ｓ１５０）。この様に、ＲＴＰ１１で座標データを取得後は、ＣＴＰ起動操作等を特にすることなく、ＣＴＰ−ＩＣ２２のスリープ状態を解除してＣＴＰ１０を使用可能な状態に復帰させることが可能となる。
【００４３】
ＲＴＰ１１の座標データが取得できないときには（Ｓ１０５でＮＯ）、Ｒカウンタから１を減算して（Ｓ１０９）、Ｒカウンタが０になるまでをループする（Ｓ１０８でＮＯ）。つまり、一度ＲＴＰへの操作が検出された場合であっても（Ｓ１０１でＹＥＳ）、所定時間（所定ループ回数）ＲＴＰ１１からの座標データが取得できないとき、つまり操作がされないときには、ＣＴＰ起動操作等を特にすることなく、自動的にＣＴＰ−ＩＣ２２のスリープ状態を解除してＣＴＰを使用可能な状態に復帰させることが可能となる。
【００４４】
この動作フローでは説明していないが、ＣＴＰ１０のスリープ状態からの復帰は、例えばＲＴＰ１１の一部にＣＴＰ１０を復帰させるタッチ入力部を設けて、上記復帰動作との併用をしても良い。また、手動で起動／停止するハードスイッチなどを併用しても良い。
【００４５】
次に、ＲＴＰ１１への操作が検出されなかった場合（Ｓ１０１でＮＯ）、ＣＴＰへの操作が検出されたかを判断する（Ｓ１２０）。ここで、ＣＴＰへの操作も検出されない場合には（Ｓ１２０でＮＯ）、この処理フローを終了する（Ｓ１５１）。操作待ちの場合は、開始（Ｓ１００）から終了（Ｓ１５１）をループすることとなる。一方、ＣＴＰへの操作が検出された場合（Ｓ１２０でＹＥＳ）、Ｃカウンタをセットする（Ｓ１２１）。
【００４６】
次に、ＲＴＰ１１への操作を検出する（Ｓ１２２）。ＲＴＰ１１は、図１で説明したとおり、ＣＴＰ１０の下層に位置するため、ＲＴＰ１１への操作を行う場合であっても、ＣＴＰ１０で操作を検出する場合が想定されるためである。ここで、ＲＴＰ１１への操作を検出した場合（Ｓ１２２でＹＥＳ）、ＲＴＰ１１の座標データを取得して（Ｓ１２３）、Ｓ１２０で取得したＣＴＰ１０による座標と、Ｓ１２３で取得したＲＴＰ１１による座標とを比較して（Ｓ１２４）、所定の近似値であれば（Ｓ１２４でＹＥＳ）、検出したＲＴＰ１１の座標データをＰＣ５０に出力し（Ｓ１２５）、ＣＴＰ１０をスリープモードにし（Ｓ１０２）、ＲＴＰ入力状態とする。これは、上記の通り、ＲＴＰ１１を操作する際に、ＣＴＰ１０にて操作が検出される場合があるからである。一方、Ｓ１２０で取得したＣＴＰ１０による座標と、Ｓ１２３で取得したＲＴＰ１１による座標とを比較して、所定の近似値でない場合には（Ｓ１２４でＮＯ）、ＣＴＰ座標データのＯＦＦを出力する（Ｓ１２６）。これは、例えばペン入力する際に、誤って指でパネル上の他の場所を押下してしまった場合等の誤検知を防ぐためである。
【００４７】
なお、ＲＴＰ１１への操作を検出する際に、ＣＴＰ１０への多点入力を検出した場合は（Ｓ１２２）、ＣＴＰ１０を優先して、ＲＴＰ１１の操作検出としない（Ｓ１２２でＮＯ）。これは、マルチタッチが可能なＣＴＰにおいてピンチ操作を優先させるためである。
【００４８】
ＲＴＰ１１の操作を検出しなかった場合は（Ｓ１２２でＮＯ）、ＣＴＰ１０の座標データを取得し（Ｓ１２７）、座標データが所得できた場合は（Ｓ１２８でＹＥＳ）、ＣＴＰの座標データをＰＣ５０に出力し（Ｓ１２９）、Ｃカウンタをリセットし（Ｓ１３０）、Ｃカウンタ０により（Ｓ１３１でＹＥＳ）、動作を終了する（Ｓ１５２）。座標データが所得できなかった場合は（Ｓ１２８でＮＯ）、カウンタを１減算し（Ｓ１３２）、所定時間（所定ループ回数）ＣＴＰ１０からの座標データが取得できないとき、つまり所定時間操作がされないときには、動作を終了する（Ｓ１５２）。
【００４９】
次に、第２の実施の形態について、図１４及び図１７によって説明する。
【００５０】
図１４は、第２の実施の形態におけるチップ構成を説明した図の一例である。図１７は、第２の実施の形態における動作を説明したフローチャートの一例である。図１４における第２の実施の形態においては、図１３で説明した第１の実施の形態と比べて、ＲＴＰ１１を制御する専用チップであるＲＴＰ−ＩＣ３２を有する点で異なっている。これに伴い、ハイブリッドＩＣ３１は、ＣＴＰ１０とＲＴＰ−ＩＣ３２とを制御する。
【００５１】
図１７において、図１６で説明した第１の実施の形態での動作フローとの差異は、図６におけるＣＴＰ−ＩＣ２２のスリープ（Ｓ１０２）とＣＴＰ−ＩＣ２２のウェイク（Ｓ１１０）が無いことに加えて、ＲＴＰ１１のスリープ（Ｓ２２１）とＲＴＰ１１のウェイク（Ｓ２３５）が追加されている点である。第1の実施の形態と同じ動作を行う処理部分については以下で説明を省略する。
【００５２】
ここで、ＲＴＰ１１のスリープとは、ＲＴＰ１１の検出状態を、図６で説明した第１の検出状態から、図７で説明した第２の検出状態に遷移させることをいう。また、ＲＴＰ１１のウェイクとは、上記第２の検出状態から第１の検出状態に遷移させることをいう。つまり、図１７において、ＲＴＰ１１への操作が検出されず（Ｓ２０１でＮＯ）、ＣＴＰ１０への操作が検出された場合には（Ｓ２２０でＹＥＳ）、ＲＴＰ１１を第２の検出状態としてＣＴＰ１０へのノイズ混入を防止させることができるとともに、第２の検出状態においてＲＴＰ１１へのタッチの有無を検出し（Ｓ２２３）、ＲＴＰ１１へのタッチが検出されることによってＲＴＰ１１の使用が可能となり（Ｓ２２４）、ＲＴＰ１１の座標データが取得可能となる（Ｓ２２５）。一方、ＣＴＰ１０での座標データが取得できた場合か（Ｓ２３０でＹＥＳ）、又は、所定時間の経過により（Ｓ２３３でＹＥＳ）、ＲＴＰ１１を再度第１の検出状態に遷移させてＲＴＰ１１による操作を可能としている（Ｓ２３５）。これにより、ＲＴＰ起動操作等を特にすることなく、ＲＴＰ１１を使用可能な状態に復帰させることが可能となる。
【００５３】
次に、第３の実施の形態について、図１５及び、図１８によって説明する。
【００５４】
図１５は、第３の実施の形態におけるチップ構成を説明した図の一例である。図１８は、第３の実施の形態における動作を説明したフローチャートの一例である。図１５における第３の実施の形態においては、図１３で説明した第１の実施の形態、又は図１４で説明した第２の実施の形態と比べて、ＣＴＰ−ＩＣ２２、及びＲＴＰ−ＩＣ３２を備えておらず、ハイブリッドＩＣ４１がＣＴＰ１０及びＲＴＰ１１を制御する点で異なっている。
【００５５】
図１８において、図１６で説明した第１の実施の形態での動作フロー、又は図１７で説明した第２の実施の形態での動作フローとの差異は、ＣＴＰ−ＩＣ２２又はＲＴＰ−ＩＣ３２の機能をハイブリッドＩＣ４１に備えているため、それぞれの専用ＩＣをスリープさせることによりＣＴＰ１０及びＲＴＰ１１の使用可否を制御するのではなく、ハイブリッドＩＣ４１が直接ＣＴＰ１０及びＲＴＰ１１を制御している点である。ハイブリッドＩＣ４１は、ＣＴＰ１０又はＲＴＰ１１の検出の機能を備えていており、図１８のＲＴＰ１１が検出されず（Ｓ３０１でＮＯ）、ＣＴＰ１０が検出された場合（Ｓ３２０でＹＥＳ）、ＲＴＰ１１を第２の検出モードとして制御する。ハイブリッドＩＣ４１でそれぞれのタッチパネルを制御することにより、ＣＴＰ１０とＲＴＰ１１の両方を協同して制御することが容易になる。例えば、ＣＴＰ１０とＲＴＰ１１の両方を協同して制御させるアプリケーションプログラムに対しては、両方のタッチパネルを制御するアプリケーションプリグラムインターフェイスを提供することもできる。
【００５６】
以上、本発明を実施するための形態について詳述したが、本発明は斯かる特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１  ハイブリッドタッチパネル
１０  ＣＴＰ
１１  ＲＴＰ
２１、３１、４１  ハイブリッドＩＣ
２２  ＣＴＰ−ＩＣ
３２  ＲＴＰ−ＩＣ
５０  ＰＣ
１０１  ＣＴＰ上部フィルム
１０２  ＣＴＰ上部ＩＴＯ膜
１０３  ＣＴＰ下部ＩＴＯ膜
１０４  ＣＴＰ下部フィルム
１１１  ＲＴＰ上部フィルム
１１２  ＲＴＰ上部ＩＴＯ膜
１１３  両面テープ
１１４  ドットスペーサ
１１５  ＲＴＰ下部ＩＴＯ膜
１１６  ガラス板
【図１】
2014044680.tif 000003
【図２】
2014044680.tif 000004
【図３】
2014044680.tif 000005
【図４】
2014044680.tif 000006
【図５】
2014044680.tif 000007
【図６】
2014044680.tif 000008
【図７】
2014044680.tif 000009
【図８】
2014044680.tif 000010
【図９】
2014044680.tif 000011
【図１０】
2014044680.tif 000012
【図１１】
2014044680.tif 000013
【図１２】
2014044680.tif 000014
【図１３】
2014044680.tif 000015
【図１４】
2014044680.tif 000016
【図１５】
2014044680.tif 000017
【図１６】
2014044680.tif 000018
【図１７】
2014044680.tif 000019
【図１８】
2014044680.tif 000020