(57)【要約】      （修正有）【課題】絶縁基板の一法主面方向へのろう材のはみ出しを抑制し、配線間の距離や鉛面距離を長くし、絶縁耐圧が低下せず、配線密度を高める手段を提供する。【解決手段】絶縁基板１と、絶縁基板１の一方主面にろう材層２を介して接合された金属回路板３と、絶縁基板１の他方主面に接合された放熱板４とを備えており、絶縁基板１の一方主面に金属回路板３の外縁に沿って凹部１ａが形成され、ろう材層２は、金属回路板３の外縁から凹部１ａ内にかけて延在している。ろう材層２を絶縁基板１の一方主面において金属回路板３の外側端部から絶縁基板１の一方主面方向にはみ出して形成するよりも、配線間の距離が長くなり絶縁耐圧が低下しにくくなるので、配線密度を高めることができる。【選択図】図１
2014027221.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
該絶縁基板の一方主面にろう材層を介して接合された金属回路板と、
前記絶縁基板の他方主面に接合された放熱板とを備えており、
前記絶縁基板の一方主面に前記金属回路板の外縁に沿って凹部が形成され、前記ろう材層は、前記金属回路板の前記外縁から前記凹部内にかけて延在していることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記凹部は平面視において前記絶縁基板の前記一方主面に連続して溝状に形成されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項３】
前記凹部は平面視において前記絶縁基板の前記一方主面に断続して部分的に形成されていることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載の回路基板と、該回路基板の前記金属回路板に搭載された電子部品とを備えていることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁基板に金属板からなる回路が形成された回路基板およびそれを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
パワーモジュールまたはスイッチングモジュール等の例えばＩＧＢＴ（Insulated Gate
Bipolar Transistor）などの電子部品が搭載された電子装置に用いられる回路基板とし
て、絶縁基板の上面に例えば銅またはアルミニウム等から成る金属板および金属回路板が接合された回路基板が用いられる。回路基板において、電子部品は、金属板に搭載され、例えばボンディングワイヤによって金属回路板に電気的に接続される。
【０００３】
パワーモジュールまたはスイッチングモジュール等の電子装置においては、例えばＳｉＣ（シリコンカーバイド）半導体素子、ＧａＮ（窒化ガリウム）半導体素子を用いた半導体装置が使われること等によって装置の大出力化が進もうとしている。そしてＳｉＣ半導体素子、ＧａＮ半導体素子を用いた半導体装置では、より多くの電流が流れ、より高温となっても安定に動作するため、このような用途で使用される回路基板は、より大電流を流すことを要求されるとともに、より高い温度で動作した場合の温度サイクル信頼性が高いことを要求されることになる。
【０００４】
回路基板において、大電流を流すために、また放熱しやすくするためには、例えば回路基板に設けられる金属回路板および放熱板を厚くする必要がある。金属回路板および放熱板を厚くすると、絶縁基板と金属回路板の熱膨張係数の違いから、金属回路板および放熱板の外周部が接合されている絶縁基板の表面部により大きな引っ張り応力が加わりやすくなり、この応力を緩和するために図６に断面図で示すように、絶縁基板11と金属回路板13とを接合するろう材層12を金属回路板13の外側端部から絶縁基板11の一方主面方向にはみ出して形成していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平3-261669号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、ろう材層12を金属回路板13の外側端部から絶縁基板11の一方主面方向にはみ出して形成すると、配線間の距離が短くなり配線同士が近接してしまい、絶縁耐圧が低下しやすく、配線密度を高めることが困難であった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの態様による回路基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の一方主面にろう材層を介して接合された金属回路板と、前記絶縁基板の他方主面に接合された放熱板とを備えており、前記絶縁基板の一方主面に前記金属回路板の外縁に沿って凹部が形成され、前記ろう材層は、前記金属回路板の前記外縁から前記凹部内にかけて延在していることを特徴とする。
【０００８】
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の回路基板と、該回路基板の前記金属回路板に搭載された電子部品とを備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一つの態様による回路基板は、絶縁基板と、該絶縁基板の一方主面にろう材層を介して接合された金属回路板と、絶縁基板の他方主面に接合された放熱板とを備えており、絶縁基板の一方主面に金属回路板の外縁に沿って凹部が形成され、ろう材層は、金属回路板の外縁から凹部内にかけて延在している。本発明の一つの態様による回路基板は、このような構成を含んでいることによって、ろう材層を絶縁基板の一方主面において金属回路板の外縁からはみ出して形成する際に、ろう材層が絶縁基板の厚み方向に形成されるので、絶縁基板の一方主面方向へのろう材層のはみ出しを抑制することができ、その結果、配線間の距離や沿面距離が長くなり絶縁耐圧が低下しにくくなり、配線密度を高めることができる。
【００１０】
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の回路基板と、回路基板の金属回路板に搭載された電子部品とを備えていることによって、絶縁耐圧が低下しにくく、配線密度の高い電子装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は本発明の電子装置の実施形態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）のＢ部の拡大平面図であり、（ｂ）は、（ａ）の変形例である。
【図３】（ａ）は、図１（ｂ）のＣ部の拡大図であり、（ｂ）は、（ａ）の平面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の回路基板の実施形態の要部拡大断面図である。
【図５】本発明の電子装置の実施形態の他の例の要部拡大図である。
【図６】（ａ）は従来の電子装置の実施形態を示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
図１（ａ）,（ｂ）、図２（ａ）,（ｂ）、図３（ａ）,（ｂ）に示されているように、
本発明の実施形態における電子装置は、本発明の回路基板と、回路基板に搭載された電子部品５とを備えている。図３（ｂ）は、図３（ａ）の平面図であり、斜線を入れて各部位（凹部１ａ、ろう材層２、金属回路板３、電子部品５）を分かりやすくした。
【００１４】
本発明の回路基板は、絶縁基板１と、絶縁基板１の一方主面にろう材層２を介して接合された金属回路板３と、絶縁基板１の他方主面に接合された放熱板４とを備えており、絶縁基板１の一方主面に金属回路板３の外縁に沿って凹部１ａが形成され、ろう材層２は、金属回路板３の外縁から凹部１ａ内にかけて延在している。本発明の一つの態様による回路基板は、このような構成を含んでいることによって、同じ金属回路板３を使用して応力緩和のためにろう材層２をはみ出させた回路を形成したとしても、ろう材層２を金属回路板３の外側端部から絶縁基板１の一方主面方向にはみ出して形成する従来の回路基板よりも、ろう材層２間の距離が長くなり絶縁耐圧が低下しにくくなるので、結果として配線密度を高めることができる。
【００１５】
なお、金属回路板３の外側端部から凹部１ａにかけて延在したろう材層２は垂直方向にも伸びているが、完全に垂直方向ではなく絶縁基板１の一方主面方向にも伸びているため、金属回路板３の外側端部に加わる応力をろう材層２で緩和することができるので、金属回路板３からろう材層２がはみ出していない構造に比べて信頼性において向上される。
【００１６】
絶縁基板１は絶縁性のセラミック材料からなり、例えば、酸化アルミニウム質セラミックス，ムライト質セラミックス，炭化ケイ素質セラミックス，窒化アルミニウム質セラミックス，窒化ケイ素質セラミックス等のセラミックスからなる。これらの中では熱伝導性（放熱性）の点からは炭化ケイ素質セラミックス，窒化アルミニウム質セラミックス，窒化ケイ素質セラミックスが好ましく、強度の点からは窒化ケイ素質セラミックス、炭化ケイ素質セラミックスが好ましい。また、絶縁基板１が窒化ケイ素質セラミックスのように強度の高いセラミックスであると、より厚みの厚い金属回路板３および放熱板４を使用しても絶縁基板１にクラックが入り難くなるので、より大電流を流すことができる回路基板となるので好ましい。
【００１７】
絶縁基板１は、例えば窒化ケイ素質セラミックスから成る場合であれば、窒化ケイ素，酸化アルミニウム，酸化マグネシウム，酸化イットリウム等の原料粉末に適当な有機バインダー，可塑剤，溶剤を添加混合して泥漿物に従来周知のドクターブレード法、カレンダーロール法を採用することによってセラミックグリーンシート（セラミック生シート）を形成し、次にこのセラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施して所定形状となすとともに、必要に応じて複数枚を積層して成形体となし、しかる後、これを窒化雰囲気等の非酸化性雰囲気にて1600〜2000℃の温度で焼成することによって製作される。
【００１８】
絶縁基板１の凹部１ａはセラミックグリーンシートを打ち抜いて形成する前に予めプレス加工によって金属回路板３の外縁部となる部分に凹部１ａを形成しても良いし、凹部１ａを形成する部分以外の焼成後の絶縁基板１にレジスト膜を形成し、サンドブラストすることで、金属回路板３の外縁部となる部分に凹部１ａが形成される様にしても良い。なお、セラミックグリーンシートに予め凹部１ａを形成してから焼成する場合には問題とはならないが、焼成後にサンドブラストで凹部１ａを形成した場合には、凹部１ａ内にマイクロクラックが発生し易く、絶縁基板１が割れ易くなる。そのために、凹部１ａを形成後に絶縁基板１を再焼成し、マイクロクラックを絶縁基板１内に含まれる液相成分で覆ったり結晶相の再焼結によって修復してから使用することが好ましい。そのためには、サンドブラストによって凹部１ａを形成後、焼結温度より200℃〜300℃程度低い温度で再度焼成すればよい。
【００１９】
凹部１ａの深さは0.03〜0.3ｍｍが好ましい。深さが0.03ｍｍ未満となると、ろう材層
２の垂直方向による応力緩和効果が小さくなるので凹部１ａが絶縁耐圧を向上させることが困難となる。深さが0.3ｍｍを超えると、絶縁基板１の厚みが局部的に薄くなるために
強度が低下し易くなる。
【００２０】
凹部１ａは金属回路板３の外縁に沿って形成されている。凹部１ａの位置は、凹部１ａのろう材層２の延在する内壁面（凹部１ａの内側の内壁面）が、平面視で金属回路板３の外縁と重なる位置、もしくは金属回路板３の外縁より外側に位置する。凹部１ａの内側の内壁面が、平面視で金属回路板３の外縁と重なる位置の場合は、ろう材層２は金属回路板３の外縁から絶縁基板１の厚み方向に延在するので、絶縁基板１の一方主面方向のみに延在する部分がなく、絶縁基板１の一方主面方向への延在を小さくできるので好ましい。
【００２１】
凹部１ａの幅は、図２（ａ）に示す例において、幅Ｗが0.1〜１ｍｍであることが好ま
しい。凹部１ａの幅Ｗにおいて、金属回路板３の外縁から外側に形成されている部位をＷ１とし、金属回路板３の外縁から内側に形成されている部位をＷ２とすると、Ｗ１は0.08〜0.8ｍｍであり、Ｗ２は0.02〜0.2ｍｍであることが好ましい。凹部１ａの幅Ｗ１が0.08ｍｍ未満となると、沿面距離を効果的に伸ばす凹部１ａの中央付近にろう材層２の端部を形成することが困難となるので絶縁耐圧を向上させることが困難となる。凹部１ａの幅Ｗ２が0.2ｍｍを超えると、金属回路板３の下面に凹部１ａが形成されることで金属回路板
３が凹部１ａに沿って変形し易くなるので、部品実装性やワイヤボンディング性が低下し
易くなる問題がある。
【００２２】
図４（ａ）〜（ｆ）に示す例は、凹部１ａの形状を示した要部拡大断面図である。凹部１ａの形状は、図４（ａ）、（ｂ）に示す例のように、凹部１ａの内壁面がなだらかに傾斜している場合や、図４（ｃ）に示す例のように三角形状の場合や、図４（ｄ）に示す例のように台形状の場合は、ろう材層２が流れやすくなって凹部１ａ内に延在しやすくなるので好ましい。また、図４（ｅ）、（ｆ）のように、凹部１ａのろう材層２の延在しない側の内壁面は垂直であるほうが、ろう材層２が延在しすぎることを抑制できるので好ましい。
【００２３】
絶縁基板１の厚みは、薄い方が熱伝導性の点ではよいが、回路基板１の大きさ、用いる材料の熱伝導率、強度に応じて選択すればよく、0.1ｍｍ〜１ｍｍ程度である。
【００２４】
金属回路板３および放熱板４は、銅、アルミニウム等の金属から成り、例えば銅のインゴット（塊）に圧延加工法、打ち抜き加工法等の機械的加工、エッチング等の化学的加工のような従来周知の金属加工法を施すことによって、例えば厚さが0.05〜１ｍｍの平板状で、所定パターンに形成される。このとき、金属回路板３および放熱板４は、予め所定パターン形状に形成したものを用いてもよいし、後述するように、絶縁基板１と同程度の大きさおよび形状の金属板を絶縁基板１に接合した後にエッチングで所定パターン形状に加工してもよい。
【００２５】
金属回路板３および放熱板４が銅から成る場合は、無酸素銅で形成するのが好ましい。無酸素銅で形成すると、絶縁基板１と金属回路板３または放熱板４との接合を行なう際に、銅の表面が銅中に存在する酸素により酸化されることなく、ろう材層２との濡れ性が良好となるので、接合が強固となる。
【００２６】
上記各部材をチタン，ハフニウム，ジルコニウムまたはその水素化物等の活性金属を含んだろう材層２で接続する場合は。接続のための下地金属となるメタライズ層を絶縁基板１の表面に形成することなく、金属回路板３および放熱板４を絶縁基板１に接合することができる。
【００２７】
上記各部材を活性金属を含んだろう材層２で接続する場合は、各部材の接合面の少なくとも一方にスクリーン印刷等でろう材ペーストを例えば30〜50μｍの厚さで所定パターンに印刷塗布するとともに、所定の構造となるように挟んで載置した後、金属板に５〜10ｋＰａの荷重をかけながら真空中または水素ガス雰囲気、水素または窒素ガス雰囲気等の非酸化性雰囲気中で780℃〜900℃、10〜120分間加熱し、ろう材ペーストの有機溶剤、溶媒
、分散剤を気体に変えて発散させるとともにろう材を溶融させることによって行なわれる。
【００２８】
金属回路板３および放熱板４が銅から成る場合、ろう材ペーストは、銀および銅粉末，銀−銅合金粉末，またはこれらの混合粉末から成る銀ろう材（例えば、銀：72質量％−銅：28質量％）粉末に対してチタン，ハフニウム，ジルコニウムまたはその水素化物等の活性金属を銀ろう材に対して２〜５質量％添加混合し、適当なバインダーと有機溶剤、溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。
【００２９】
金属回路板３および放熱板４がアルミニウムから成る場合は、銀ろう材に換えてアルミニウムろう材（例えば、アルミニウム：88質量％−シリコン：12質量％）を用いればよい。この場合も同様にしてろう材ペーストを作製して、同様にして接合すればよい。アルミニウムろう材を使用した場合には、銅より低温の約600℃で接合することができる。
【００３０】
活性金属を含まない、通常のろう材ペーストで金属回路板３または放熱板４を絶縁基板１に接合するには、絶縁基板１上にメタライズ層を形成しておき、メタライズ層と金属回路板３または放熱板４との間にろう材ペーストを配置すればよい。絶縁基板１上のメタライズ層は、絶縁基板１を作製する際に、セラミックグリーンシート上にメタライズペーストを所定パターン形状に印刷塗布しておき、焼成することによって形成しておくか、絶縁基板１を作製した後に、絶縁基板１上にメタライズペーストを所定パターン形状に印刷塗布して焼き付けることによって形成すればよい。メタライズペーストは、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ）またはこれらの混合粉末から成る金属粉末と、適当なバインダーと有機溶剤、溶媒とを添加混合し、混練することによって製作される。
【００３１】
また、金属回路板３は、絶縁基板１に接合した後に、その表面にニッケルから成る、良導電性で、かつ耐蝕性およびろう材との濡れ性が良好な金属をめっき法により被着させておくと、金属回路板３に半導体素子等の電子部品５を半田を介して強固に接着させることができるとともに、金属回路板３と外部電気回路との電気的接続を良好なものとすることができる。この場合は、内部に燐を８〜15質量％含有させてニッケル−燐のアモルファス合金としておくと、ニッケルから成るめっき層の表面酸化を良好に防止してろう材との濡れ性等を長く維持することができるので好ましい。ニッケルに対する燐の含有量が８質量％未満となると、あるいは15質量％を超えると、ニッケル−燐のアモルファス合金を形成するのが困難となってめっき層に半田を強固に接着させることが困難となりやすい。このニッケルから成るめっき層は、その厚みが1.5μｍ未満の場合には、表層金属回路板３の
表面を完全に被覆することができず、表層金属回路板３の酸化腐蝕を有効に防止することができなくなる傾向がある。また、10μｍを超えると、特に絶縁基板の厚さが300μｍ未
満の薄いものになった場合には、めっき層の内部に内在する内在応力が大きくなって絶縁基板に反り、割れ等が発生しやすくなってしまう。また、放熱板４にも同様のニッケル金属層を形成しておくと、外部回路基板、冷却体への接合が良好になるのでよい。
【００３２】
絶縁基板１の上面および下面に金属回路板３および放熱板４をあらかじめ所定パターンに形成して接合する場合は、以下のようにすればよい。まず、絶縁基板１を準備する。所定の位置にレジストを形成し、サンドブラストすることで、絶縁基板１の所定の位置に凹部１ａを形成する。絶縁基板１の焼成温度より200℃〜300℃程低い温度で再加熱し、マイクロクラックを修復する。また、金属板をプレス加工、エッチング加工等を用い、金属回路板３および放熱板４を所定パターン形状に加工する。次に絶縁基板１と金属回路板３および放熱板４が相対する接合部の少なくとも一方に、接合後にろう材層２となる活性金属入りのろう材ペーストを凹部１ａ内にろう材ペーストのエッジが形成されるように、所定形状にスクリーン印刷等で塗布する。各部材を所定の位置に配置し、位置がずれないように治具等を用いて荷重をかけながら真空中でろう材層２が溶融する温度まで昇温し各部材を接合することで、金属回路板３の外縁から凹部１ａ内にかけてろう材層２が延在している本発明の回路基板となる。
【００３３】
なお、絶縁基板１とほぼ同じ大きさの金属板を絶縁基板１の上面および下面に接合した後に、金属板をエッチングで金属回路板３および放熱板４の所定パターン形状に加工する場合は、例えば以下のようにする。絶縁基板１の所定の位置にレジストを形成し、サンドブラストすることで、絶縁基板１の所定の位置に凹部１ａを形成する。絶縁基板１の焼成温度より200℃〜300℃程低い温度で再加熱し、マイクロクラックを修復する。次に絶縁基板１に、接合後にろう材層２となる活性金属入りのろう材ペーストを凹部１ａ内にろう材ペーストのエッジが形成されるように、所定形状にスクリーン印刷等で塗布する。絶縁基板１とほぼ同じ大きさの金属板を所定の位置に配置し、荷重をかけながら真空中でろう材層２が溶融する温度まで昇温し各部材を接合する。絶縁基板１の上に位置合わせして接合された金属板の表面にエッチングレジストインクをスクリーン印刷法等の技術を採用して
所定パターン形状に印刷塗布してレジスト膜を形成した後、例えば金属板が銅板である場合であれば、塩化第２鉄，塩化第２銅溶液等のエッチング液に浸漬したり、エッチング液を吹き付けたりして金属回路板３および放熱板４の所定パターン以外の部分を除去し、その後レジスト膜を除去すればよい。なお、活性金属入りのろう材ペーストは、印刷時にエッジが凹部１ａ付近となるように形成し、接合条件を調節することで、接合後にろう材層２のエッジが凹部１ａ内に形成されるようにしても良い。
【００３４】
また、図２（ａ）に拡大模式図で示すように、本発明の回路基板は、凹部１ａが平面視において絶縁基板１の一方主面に連続して溝状に形成されていることが好ましい。このような構成を備えていることで、配線間に凹部１ａが２本形成されることになり、凹部１ａ同士の間には絶縁基板１の主面の高さを持つ堤防状の凸部が形成されるため、配線密度を高めた場合に絶縁耐圧を低下させやすいろう材層間の距離が小さくなったとしても、ろう材層２のエッジ部同士はこの凸部によって沿面距離が効果的に隔てられることで絶縁耐圧が低下し難いので好ましい。
【００３５】
また、図２（ｂ）に拡大平面図で示すように、本発明の回路基板は、凹部１ａが平面視において絶縁基板１の一方主面に断続して部分的に形成されていることが好ましい。この場合も、凹部１ａは金属回路板３の外縁に沿って配置されている。このような構成を備えていることで、凹部１ａが連続して形成される場合に比べ、断続して形成される場合には絶縁基板１の強度が低下しにくいので、回路基板の機械的強度が保持されるので好ましい。
【００３６】
また、凹部１ａを断続して部分的に形成するようにした場合には、隣接する金属回路板３を側面視したときに各々の凹部１ａの凹部１ａ同士が常に一部重なり凹部１ａがつながったように形成するのが好ましい。それによって凹部１ａを断続して部分的に形成するようにしても常に金属回路３間の沿面距離を金属回路３間距離より長くすることができるようになり、回路基板の機械的強度の低下を押さえながら、絶縁耐圧も高めることができる。
【００３７】
また、図５に要部拡大断面図で示すように、ろう材層２が金属回路板３の外側端部から絶縁基板１の一方主面方向にもはみ出して形成されていることで、絶縁基板１の一方主面方向にろう材層２がはみ出している部分でも応力が分散し、より応力分散性を向上させることができるとともに、絶縁耐圧が低下しにくく、配線密度の高い回路基板となる。
【００３８】
また、金属回路板３間の隙間に、シリコーン樹脂、ポリアミド樹脂等の絶縁体を充填すると、隙間が狭くなった場合でも金属回路板３間で空気を介して絶縁が破れることが抑えられる様になり、絶縁性が低下し難いので好ましい。また、シリコーン樹脂やポリアミド樹脂は耐熱性があり、柔軟性があるため、温度サイクルが加わっても樹脂にクラック等が発生しにくいため絶縁信頼性も高いものとなる。また、絶縁体を金属回路板３より高く形成すると、より絶縁耐圧を高めることが出来るようになる。
【００３９】
なお、絶縁体の熱膨張係数は絶縁基板１より大で且つ金属回路板３より大であることが好ましい。この様な構成とすることで、絶縁体７を充填後に室温より高い例えば150℃程
度の温度で硬化させたとすれば、絶縁体７によっても隙間10の部分の絶縁基板１に圧縮応力が加わるので、絶縁基板１に加わる引っ張り応力を緩和させることができるようになるからである。
【００４０】
上記のような本実施形態の回路基板に電子部品５を搭載し、電気的に接続することで本実施形態の電子装置となる。本実施形態の電子装置によれば、上記各構成の本実施形態の回路基板と、回路基板の複数の金属回路板３に実装された電子部品５とを備えていること
から、より温度サイクル信頼性の高い電子装置となる。
【００４１】
電子部品５としては、トランジスタ，ＣＰＵ（Central Processing Unit）用のＬＳＩ
（Large Scale Integrated circuit），ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor
）やＭＯＳ−ＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor - Field Effect Transistor）等の半
導体素子が挙げられる。
【００４２】
電子部品５は、半田やＡｕ−Ｓｉ合金等の金属接合材あるいは導電性接着剤のように導電性の接合材７で固定されて回路基板に搭載され、ボンディングワイヤ６により電気的に接続される。
【符号の説明】
【００４３】
１・・・・・絶縁基板
１ａ・・・・凹部
２・・・・・ろう材層
３・・・・・金属回路板
４・・・・・放熱板
５・・・・・電子部品
６・・・・・ボンディングワイヤ
７・・・・・接合材
【図１】
2014027221.tif 000003
【図２】
2014027221.tif 000004
【図３】
2014027221.tif 000005
【図４】
2014027221.tif 000006
【図５】
2014027221.tif 000007
【図６】
2014027221.tif 000008