(57)【要約】【課題】単純な構成でコストの増加を抑制しつつ基板処理におけるスループットを低下させることなく基板の処理精度を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】ハンドＨ１による基板Ｗの受け取り位置および基板Ｗの載置位置を示す座標情報に基づいて基板Ｗが搬送される。基板Ｗが第１の位置ｐ１からずれていると、基板Ｗの中心ｗｃがハンドＨ１の正規位置からずれた状態で基板ＷがハンドＨ１により受け取られる。基板Ｗを保持するハンドＨ１が第２の位置ｐ２に向かって移動する。基板Ｗが載置される前に、基板Ｗの外周部の複数の部分が検出される。検出結果に基づいて、ハンドＨ１の正規位置に対する基板Ｗのずれｄが検出され、第２の位置ｐ２においてハンドＨ１により載置されることになる基板Ｗの中心ｗｃの位置と第２の位置の中心ｐｐ２とのずれが相殺されるように座標情報が補正される。【選択図】図８
2014022589.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板を支持する支持部を有し、前記支持部により支持された基板に処理を行うように構成された処理ユニットと、
基板を保持するように構成された第１の保持部を有し、前記第１の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された搬送装置と、
前記搬送装置の前記第１の保持部が基板を前記処理ユニットの前記支持部の所定位置に載置するように前記搬送装置を制御するための制御情報を記憶する記憶部と、
前記記憶部により記憶された制御情報に基づいて前記搬送装置を制御する制御部と、
前記第１の保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記第１の保持部により移動される基板の外周部の複数の部分をそれぞれ検出するように設けられた複数の検出器とを備え、
前記制御部は、前記第１の保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記複数の検出器の出力信号に基づいて、前記支持部上において前記第１の保持部により載置されることになる基板の位置と前記所定位置とのずれが相殺されるように前記制御情報を補正し、補正された制御情報に基づいて前記搬送装置を制御するように構成される、基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の保持部は、基板の一面を吸着する吸着保持機構を有する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の検出器の各々は、前記第１の保持部による基板の移動経路に光を出射するとともに移動経路からの反射光または透過光を帰還光として受光し、前記検出結果として前記帰還光の受光の有無を示す信号を出力するように構成される、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数の検出器の出力信号に基づいて前記複数の検出器により基板の外周部の複数の部分がそれぞれ検出されたタイミングを検出し、検出されたそれぞれのタイミングに基づいて、前記支持部上において前記第１の保持部により載置されることになる基板の位置と前記所定位置とのずれが相殺されるように前記制御情報を補正する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記複数の検出器は、前記第１の保持部により移動される基板の外周部の３以上の部分をそれぞれ検出するように設けられた３以上の検出器を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記支持部は、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる回転保持装置を含み、
前記処理ユニットは、前記回転保持装置に保持された基板上の膜に処理を行う膜処理装置をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記膜処理装置は、前記回転保持装置により保持された基板上の膜の周縁部を除去するように構成された膜除去機構を含む、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記膜処理装置は、前記回転保持装置により保持された基板上の膜の周縁部に露光光を照射するように構成された光照射機構を含む、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理ユニットは、基板に温度処理を行う温度処理装置をさらに含み、
前記支持部は、前記温度処理装置の上面上に基板を支持する支持部材を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記搬送装置は、基板を保持するように構成された第２の保持部をさらに有し、前記第２の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成され、
前記記憶部は、前記搬送装置の前記第２の保持部が基板を前記処理ユニットの前記支持部の所定位置に載置するように前記搬送装置を制御するための制御情報を記憶し、
前記複数の検出器は、前記第２の保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記第２の保持部により移動される基板の外周部の複数の部分をそれぞれ検出するように設けられ、
前記制御部は、前記第２の保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記複数の検出器の出力信号に基づいて、前記支持部上において前記第２の保持部により載置されることになる基板の位置と前記所定位置とのずれが相殺されるように前記制御情報を補正し、補正された制御情報に基づいて前記搬送装置を制御するように構成される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
基板を支持する支持部を有し、前記支持部により支持された基板に処理を行うように構成された処理ユニットと、
基板を保持するように構成された保持部を有し、前記保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された搬送装置とを備え、
前記搬送装置の前記保持部が基板を前記処理ユニットの前記支持部の所定位置に載置するように前記搬送装置を制御するための制御情報を記憶するステップと、
前記保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記保持部により移動される基板の外周部の複数の部分を複数の検出器によりそれぞれ検出するステップと、
前記保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記複数の検出器の出力信号に基づいて、前記支持部上において前記保持部により載置されることになる基板の位置と前記所定位置とのずれが相殺されるように前記制御情報を補正するステップと、
補正された制御情報に基づいて前記搬送装置の前記保持部が基板を前記処理ユニットの前記支持部の所定位置に載置するように前記搬送装置を制御するステップと、
基板が前記処理ユニットの前記支持部の所定位置に載置された後、前記処理ユニットにより基板に処理を行うステップとを備える、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロック、レジストカバー膜用処理ブロック、レジストカバー膜除去ブロック、洗浄／乾燥処理ブロックおよびインターフェースブロックを含む。インターフェースブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロックおよびレジストカバー膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成、レジスト膜の形成、およびレジストカバー膜の形成が行われた後、インターフェースブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜が所定のパターンに露光された後、基板はインターフェースブロックを介してレジストカバー膜除去ブロックへ搬送される。レジストカバー膜除去ブロックにおいてレジストカバー膜が除去された基板が現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることにより所定のパターンを有するレジスト膜が形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
露光処理前の基板周縁部に形成される膜は、基板の搬送時における機械的な接触により剥離され、パーティクルとなる場合がある。そこで、引用文献１では、反射防止膜、レジスト膜、およびレジストカバー膜の各々の形成後の基板周縁部に除去液が吐出される。それにより、基板周縁部の膜が除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−６０３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年では、露光パターンの微細化が求められるとともに、１枚のウェハから得られるチップの数を増加させることも求められている。したがって、基板周縁部に形成された膜の除去範囲はできる限り小さくすることが求められる。この場合、基板周縁部に形成された膜を精度よく除去する必要がある。
【０００８】
引用文献１においては、基板周縁部に形成された膜を精度よく除去するために、例えば基板上に膜を形成するための複数の塗布ユニットの各々に２つのガイドアームが設けられる。各塗布ユニットにおいては、外部から搬入された基板がスピンチャック上に載置された状態で、スピンチャック上の軸心に向かって２つのガイドアームが移動する。スピンチャック上で基板が２つのガイドアームにより狭持されることにより、スピンチャック上で基板の位置が修正される。
【０００９】
この状態で、基板がスピンチャックにより吸着保持される。その後、スピンチャックにより保持される基板に対して塗布液が供給され、基板上に膜が形成される。続いて、基板の周縁部に向かって針状ノズルから除去液が供給される。それにより、基板の周縁部に形成された膜が除去される。
【００１０】
上記のように、各塗布ユニットに基板の位置を修正するための構成（上記の例では、ガイドアーム）を設けると、各塗布ユニットの構成が複雑化する。また、部品点数の増加とともに各塗布ユニットの製造コストが増加する。さらに、上記のように、スピンチャック上に基板が載置されるごとに、２つのガイドアームを移動させて基板の位置を修正すると、基板処理におけるスループットが低下する。
【００１１】
本発明の目的は、単純な構成でコストの増加を抑制しつつ基板処理におけるスループットを低下させることなく基板の処理精度を向上させることが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、基板に処理を行う基板処理装置であって、基板を支持する支持部を有し、支持部により支持された基板に処理を行うように構成された処理ユニットと、基板を保持するように構成された第１の保持部を有し、第１の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された搬送装置と、搬送装置の第１の保持部が基板を処理ユニットの支持部の所定位置に載置するように搬送装置を制御するための制御情報を記憶する記憶部と、記憶部により記憶された制御情報に基づいて搬送装置を制御する制御部と、第１の保持部が基板を支持部上に載置する前に、第１の保持部により移動される基板の外周部の複数の部分をそれぞれ検出するように設けられた複数の検出器とを備え、制御部は、第１の保持部が基板を支持部上に載置する前に、複数の検出器の出力信号に基づいて、支持部上において第１の保持部により載置されることになる基板の位置と所定位置とのずれが相殺されるように制御情報を補正し、補正された制御情報に基づいて搬送装置を制御するように構成されるものである。
【００１３】
その基板処理装置においては、搬送装置の第１の保持部が基板を処理ユニットの支持部の所定位置に載置するように搬送装置を制御するための制御情報が記憶部に記憶される。制御部は、記憶部により記憶された制御情報に基づいて搬送装置を制御する。それにより、搬送装置の第１の保持部により保持された基板が搬送される。
【００１４】
第１の保持部により基板が支持部上に載置される前に、第１の保持部により移動される基板の外周部の複数の部分がそれぞれ検出される。また、第１の保持部により基板が支持部上に載置される前に、複数の検出器の出力信号に基づいて、支持部上において第１の保持部により載置されることになる基板の位置と所定位置とのずれが相殺されるように制御情報が補正される。補正された制御情報に基づいて搬送装置が制御され、第１の保持部により保持される基板が処理ユニットの支持部の所定位置に載置される。その後、支持部材により支持された基板に処理が行われる。それにより、第１の保持部により保持される基板の位置が正規の位置からずれる場合でも、第１の保持部に対する基板の位置ずれを修正するための機構または支持部に対する基板の位置ずれを修正するための機構を別途設けることなく、基板を支持部上の所定位置に正確に載置することができる。したがって、コストの増加を抑制しつつ基板の処理精度を向上させることができる。また、第１の保持部により移動される基板の外周部の複数の部分が検出されるので、基板の位置ずれを検出するために基板の移動を停止させる必要がない。したがって、基板処理におけるスループットが低下しない。
【００１５】
これらの結果、単純な構成でコストの増加を抑制しつつ基板処理におけるスループットを低下させることなく基板の処理精度を向上させることが可能となる。
【００１６】
（２）第１の保持部は、基板の一面を吸着する吸着保持機構を有してもよい。
【００１７】
基板の一面が吸着された状態で基板が第１の保持部により保持される場合、第１の保持部に対する基板の位置ずれを修正するためには、吸着保持機構による基板の吸着を解除する必要がある。
【００１８】
本発明の構成によれば、第１の保持部に対する基板の位置ずれを修正することなく、支持部に対する基板の位置ずれを修正することができるので、基板の吸着を解除する必要がない。したがって、基板処理におけるスループットが低下しない。
【００１９】
また、基板が吸着保持機構により吸着された状態で移動するので、複数の検出器による基板の外周部の複数の部分の検出後に第１の保持部に対する基板の位置が変化することがない。したがって、基板が支持部上の所定位置に正確に載置されるので、基板の処理精度を向上させることが可能となる。
【００２０】
（３）複数の検出器の各々は、第１の保持部による基板の移動経路に光を出射するとともに移動経路からの反射光または透過光を帰還光として受光し、検出結果として帰還光の受光の有無を示す信号を出力するように構成されてもよい。
【００２１】
この場合、第１の保持部により移動される基板の外周部の複数の部分が非接触で容易かつ正確に検出される。
【００２２】
（４）制御部は、複数の検出器の出力信号に基づいて複数の検出器により基板の外周部の複数の部分がそれぞれ検出されたタイミングを検出し、検出されたそれぞれのタイミングに基づいて、支持部上において第１の保持部により載置されることになる基板の位置と所定位置とのずれが相殺されるように制御情報を補正してもよい。
【００２３】
この場合、複数の検出器により基板の外周部の複数の部分が検出されたそれぞれのタイミングに基づいて、支持部上において第１の保持部により載置されることになる基板の位置と所定位置とのずれが相殺されるように制御情報が補正される。これにより、画像処理等の複雑な処理を行うことなく、制御情報を短時間で補正することができる。
【００２４】
（５）複数の検出器は、第１の保持部により移動される基板の外周部の３以上の部分をそれぞれ検出するように設けられた３以上の検出器を含んでもよい。
【００２５】
この場合、基板の直径が既知でない場合でも、基板の位置ずれを検出することが可能となる。また、基板の直径が既知である場合には、基板の外周部の切り欠きの位置にかかわらず基板の位置ずれを検出することが可能となる。
【００２６】
（６）支持部は、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる回転保持装置を含み、処理ユニットは、回転保持装置に保持された基板上の膜に処理を行う膜処理装置をさらに含んでもよい。
【００２７】
この場合、回転保持装置の所定位置に正確に基板が載置されるので、膜処理装置により回転保持装置に保持された基板上の膜に精度よく処理を行うことが可能となる。
【００２８】
（７）膜処理装置は、回転保持装置により保持された基板上の膜の周縁部を除去するように構成された膜除去機構を含んでもよい。
【００２９】
この場合、回転保持装置の所定位置に正確に基板が載置されるので、膜除去機構により基板上の膜の周縁部の一定幅の領域を精度よく除去することが可能となる。
【００３０】
（８）膜処理装置は、回転保持装置により保持された基板上の膜の周縁部に露光光を照射するように構成された光照射機構を含んでもよい。
【００３１】
この場合、回転保持装置の所定位置に正確に基板が載置されるので、光照射機構により基板上の膜の周縁部の一定幅の領域に精度よく露光光を照射することが可能となる。
【００３２】
（９）処理ユニットは、基板に温度処理を行う温度処理装置をさらに含み、支持部は、温度処理装置の上面上に基板を支持する支持部材を含んでもよい。
【００３３】
この場合、支持部材の所定位置に正確に基板が載置されるので、温度処理装置により基板に対して精度よく温度処理を行うことが可能となる。
【００３４】
（１０）搬送装置は、基板を保持するように構成された第２の保持部をさらに有し、第２の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成され、記憶部は、搬送装置の第２の保持部が基板を処理ユニットの支持部の所定位置に載置するように搬送装置を制御するための制御情報を記憶し、複数の検出器は、第２の保持部が基板を支持部上に載置する前に、第２の保持部により移動される基板の外周部の複数の部分をそれぞれ検出するように設けられ、制御部は、第２の保持部が基板を支持部上に載置する前に、複数の検出器の出力信号に基づいて、支持部上において第２の保持部により載置されることになる基板の位置と所定位置とのずれが相殺されるように制御情報を補正し、補正された制御情報に基づいて搬送装置を制御するように構成されてもよい。
【００３５】
この場合、搬送装置の第２の保持部が基板を処理ユニットの支持部の所定位置に載置するように搬送装置を制御するための制御情報が記憶部に記憶される。制御部は、記憶部により記憶された制御情報に基づいて搬送装置を制御する。それにより、搬送装置の第２の保持部により保持された基板が搬送される。
【００３６】
第２の保持部により基板が支持部上に載置される前に、第２の保持部により移動される基板の外周部の複数の部分がそれぞれ検出される。また、第２の保持部により基板が支持部上に載置される前に、複数の検出器の出力信号に基づいて、支持部上において第２の保持部により載置されることになる基板の位置と所定位置とのずれが相殺されるように制御情報が補正される。補正された制御情報に基づいて搬送装置が制御され、第２の保持部により保持される基板が処理ユニットの支持部の所定位置に載置される。その後、支持部材により支持された基板に処理が行われる。それにより、第２の保持部により保持される基板の位置が正規の位置からずれる場合でも、第２の保持部に対する基板の位置ずれを修正するための機構または支持部に対する基板の位置ずれを修正するための機構を別途設けることなく、基板を支持部上の所定位置に正確に載置することができる。
【００３７】
上記のように、第１の保持部および第２の保持部により基板を搬送することにより、基板処理のスループットを向上させつつ基板の処理精度を向上させることが可能となる。
【００３８】
（１１）第２の発明に係る基板処理方法は、基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、基板処理装置は、基板を支持する支持部を有し、支持部により支持された基板に処理を行うように構成された処理ユニットと、基板を保持するように構成された保持部を有し、保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された搬送装置とを備え、基板処理方法は、搬送装置の保持部が基板を処理ユニットの支持部の所定位置に載置するように搬送装置を制御するための制御情報を記憶するステップと、保持部が基板を支持部上に載置する前に、保持部により移動される基板の外周部の複数の部分を複数の検出器によりそれぞれ検出するステップと、保持部が基板を支持部上に載置する前に、複数の検出器の出力信号に基づいて、支持部上において保持部により載置されることになる基板の位置と所定位置とのずれが相殺されるように制御情報を補正するステップと、補正された制御情報に基づいて搬送装置の保持部が基板を処理ユニットの支持部の所定位置に載置するように搬送装置を制御するステップと、基板が処理ユニットの支持部の所定位置に載置された後、処理ユニットにより基板に処理を行うステップとを備えるものである。
【００３９】
その基板処理方法においては、搬送装置の保持部が基板を処理ユニットの支持部の所定位置に載置するように搬送装置を制御するための制御情報が記憶される。記憶された制御情報に基づいて搬送装置が制御されることにより、搬送装置の保持部により保持された基板が搬送される。
【００４０】
保持部により基板が支持部上に載置される前に、保持部により移動される基板の外周部の複数の部分がそれぞれ検出される。また、保持部により基板が支持部上に載置される前に、複数の検出器の出力信号に基づいて、支持部上において保持部により載置されることになる基板の位置と所定位置とのずれが相殺されるように制御情報が補正される。補正された制御情報に基づいて搬送装置が制御され、保持部により保持される基板が処理ユニットの支持部の所定位置に載置される。その後、支持部材により支持された基板に処理が行われる。それにより、保持部により保持される基板の位置が正規の位置からずれる場合でも、保持部に対する基板の位置ずれを修正するための機構または支持部に対する基板の位置ずれを修正するための機構を別途設けることなく、基板を支持部上の所定位置に正確に載置することができる。したがって、コストの増加を抑制しつつ基板の処理精度を向上させることができる。また、保持部により移動される基板の外周部の複数の部分が検出されるので、基板の位置ずれを検出するために基板の移動を停止させる必要がない。したがって、基板処理におけるスループットが低下しない。
【００４１】
これらの結果、単純な構成でコストの増加を抑制しつつ基板処理におけるスループットを低下させることなく基板の処理精度を向上させることが可能となる。
【発明の効果】
【００４２】
本発明によれば、単純な構成でコストの増加を抑制しつつ基板処理におけるスループットを低下させることなく基板の処理精度を向上させることが可能になる
【図面の簡単な説明】
【００４３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。
【図２】主として図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理システムの一方側面図である。
【図３】主として図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理システムの他方側面図である。
【図４】主として図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を示す側面図である。
【図５】主として図１の搬送部を示す側面図である。
【図６】搬送機構を示す斜視図である。
【図７】（ａ）は図６のハンドおよび回転部材を示す搬送機構の平面図であり、（ｂ）は図６のハンド、移動部材、回転部材およびセンサ装置をｘ方向に平行な軸上の所定の位置から見た場合の側面図であり、（ｃ）は図６のハンド、移動部材、回転部材およびセンサ装置をｙ方向に平行な軸上の所定の位置から見た場合の側面図である。
【図８】図６の搬送機構の動作の概要を説明するための図である。
【図９】洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。
【図１０】図６および図７のセンサ装置による基板の外周部の複数の部分の検出方法を説明するための図である。
【図１１】主として搬送機構の各構成要素と図５の搬送用制御部との関係を示すブロック図である。
【図１２】１つのセンサ装置により２つのハンドに保持される２枚の基板の外周部を検出するための搬送機構の一制御例を示す図である。
【図１３】１つのセンサ装置により２つのハンドに保持される２枚の基板の外周部を検出するための搬送機構の一制御例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００４４】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００４５】
（１）基板処理システムの構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。
【００４６】
図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。
【００４７】
図１に示すように、基板処理システム１０００は、基板処理装置１００およびホストコンピュータ８００を備える。
【００４８】
基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェースブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。
【００４９】
図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。
【００５０】
搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００の種々の構成要素を制御する。また、制御部１１４は、有線通信または無線通信によりホストコンピュータ８００に接続されている。制御部１１４とホストコンピュータ８００との間で種々のデータの送受信が行われる。
【００５１】
搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図５に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。
【００５２】
搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、制御部１１４に接続されている。使用者は、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。
【００５３】
メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる操作部９０（後述の図１１参照）が設けられている。使用者は、操作部９０を操作することにより基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。
【００５４】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図５参照）が設けられる。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図５参照）が設けられる。
【００５５】
第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図５参照）が設けられる。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図５参照）が設けられる。第２の処理ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェースブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。
【００５６】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。
【００５７】
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図５参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。
【００５８】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５参照）が設けられる。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する支持プレート（例えば、クーリングプレート）および支持プレート上に設けられ、後述する基板Ｗの裏面を支持するための複数の支持部材を備える。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
【００５９】
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。
【００６０】
（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理システム１０００の一方側面図である。
【００６１】
図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像処理ユニット１３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。
【００６２】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗを保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。
【００６３】
また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８ａ，２８ｂおよびそれらのノズル２８ａ，２８ｂを搬送するノズル搬送機構２９を備える。
【００６４】
塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８ａ，２８ｂのうちのいずれかのノズルがノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズルから処理液が吐出されることにより、基板Ｗ上に処理液が供給される。なお、複数のノズル２８ａ，２８ｂのいずれかのノズルから基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。
【００６５】
本実施の形態においては、塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９において、反射防止膜用の処理液がノズル２８ａから基板Ｗに供給される。その後、反射防止膜を溶解することができる除去液がノズル２８ｂから基板Ｗの周縁部における一定幅の領域に供給される。それにより、基板Ｗの周縁部に塗布された反射防止膜用の処理液が除去される。
【００６６】
塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９において、レジスト膜用の処理液がノズル２８ａから基板Ｗに供給される。その後、レジスト膜を溶解することができる除去液がノズル２８ｂから基板Ｗの周縁部に供給される。それにより、基板Ｗの周縁部に塗布されたレジスト膜用の処理液が除去される。
【００６７】
塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９において、レジストカバー膜用の処理液がノズル２８ａから基板Ｗに供給される。その後、レジストカバー膜を溶解することができる除去液がノズル２８ｂから基板Ｗの周縁部における一定幅の領域に供給される。それにより、基板Ｗの周縁部に塗布されたレジストカバー膜用の処理液が除去される。
【００６８】
ここで、本実施の形態において、基板の主面とは上記の反射防止膜用の処理液、レジスト膜用の処理液およびレジストカバー膜用の処理液が塗布される基板Ｗの一面をいい、基板Ｗの裏面とは主面の反対側の基板Ｗの他面をいう。
【００６９】
上記のように、本例では、基板Ｗの主面上に反射防止膜またはレジスト膜の処理液が塗布された後、基板Ｗの周縁部に塗布された反射防止膜またはレジスト膜の処理液が除去される。これに限らず、基板Ｗの主面上に反射防止膜またはレジスト膜の処理液が塗布された後、熱処理部１２３（図１）で基板Ｗに熱処理が行われてもよい。その後、基板Ｗの周縁部に塗布された反射防止膜またはレジスト膜の処理液が除去されてもよい。
【００７０】
図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００７１】
現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗに現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。
【００７２】
本実施の形態では、現像処理ユニット１３９において基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。
【００７３】
図２の例では、塗布処理ユニット１２９が２つのスピンチャック２５および２つのカップ２７を有し、現像処理ユニット１３９が３つのスピンチャック３５および３つのカップ３７を有するが、スピンチャック２５，３５およびカップ２７，３７の数はこれに限らず、任意に変更してもよい。
【００７４】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では４つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１は、図示しないスピンチャックおよび洗浄液供給機構を含む。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、露光処理前の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００７５】
洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１においては、ブラシ等を用いて基板Ｗの裏面、および基板Ｗの端部（ベベル部）のポリッシング処理を行ってもよい。ここで、基板Ｗの裏面とは、回路パターン等の各種パターンが形成される基板Ｗの面の反対側の面をいう。
【００７６】
図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。
【００７７】
（３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理システム１０００の他方側面図である。
【００７８】
図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。各熱処理ユニットＰＨＰ、各密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび各冷却ユニットＣＰには、それぞれ基板Ｗに温度処理を行うための支持プレートｓｐ（図１）が設けられる。支持プレートｓｐ（図１）の上面上には基板Ｗの裏面を支持するための複数の支持部材ｍ（図１）が設けられる。
【００７９】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、支持プレートｓｐ上で基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、支持プレートｓｐ上で基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、支持プレートｓｐ上で基板Ｗの冷却処理が行われる。
【００８０】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。
【００８１】
エッジ露光部ＥＥＷは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して回転するスピンチャック９８およびスピンチャック９８上に保持された基板Ｗの外周縁部を露光する光出射器９９を備える。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜の周縁部の一定幅の領域に露光処理（エッジ露光処理）が行われる。
【００８２】
基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
【００８３】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２は、図示しないスピンチャックおよび洗浄液供給機構を含む。洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの洗浄および乾燥処理が行われる。
【００８４】
（４）搬送部の構成
（４−１）概略構成
図４は、主として図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を示す側面図である。図５は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。
【００８５】
図４および図５に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。
【００８６】
上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００８７】
図４に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１および塗布処理室３２（図２）と上段熱処理部３０３（図３）とは上段搬送室１３５（図５）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３および塗布処理室３４（図２）と下段熱処理部３０４（図３）とは下段搬送室１３６（図５）を挟んで対向するように設けられる。
【００８８】
図５に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００８９】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００９０】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
【００９１】
図５の例では、基板載置部ＰＡＳＳ９が１つのみ設けられるが、複数の基板載置部ＰＡＳＳ９が上下に設けられてもよい。この場合、基板Ｗを一時的に載置するためのバッファ部として複数の基板載置部ＰＡＳＳ９を用いてもよい。
【００９２】
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００９３】
基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００９４】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
【００９５】
上段搬送室１２５内において搬送機構１２７の上方に搬送用制御部ｔｃ１が設けられる。搬送用制御部ｔｃ１は、搬送部１２２に設けられた搬送機構１２７および搬送機構１２８の動作を制御する。
【００９６】
上段搬送室１３５内において搬送機構１３７の上方に搬送用制御部ｔｃ２が設けられる。搬送用制御部ｔｃ２は、搬送部１３２に設けられた搬送機構１３７および搬送機構１３８の動作を制御する。
【００９７】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの搬送部１６３内の上部に搬送用制御部ｔｃ３が設けられる。搬送用制御部ｔｃ３は、搬送部１６３に設けられた搬送機構１４１および搬送機構１４２の動作を制御する。
【００９８】
搬入搬出ブロック１４Ｂ内の上部に搬送用制御部ｔｃ４が設けられる。搬送用制御部ｔｃ４は、搬入搬出ブロック１４Ｂに設けられた搬送機構１４６の動作を制御する。
【００９９】
搬送用制御部ｔｃ１〜ｔｃ４の各々はメモリｔｍを内蔵する。メモリｔｍには、制御情報として後述する座標情報が記憶される。搬送用制御部ｔｃ１〜ｔｃ４の各々は、メモリｔｍに記憶された座標情報に基づいて１または複数の搬送機構の動作を制御する。
【０１００】
（４−２）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図６は搬送機構１２７を示す斜視図である。図５および図６に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図５に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。搬送機構１２７においては、ガイドレール３１１，３１２が延びる方向（上下方向）に平行にｚ方向が定義される。
【０１０１】
図５および図６に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、ｚ方向に平行な軸に沿って移動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１１にはガイドレール３１３を移動させるためのｚ方向駆動モータ３１１ｍ（後述の図１１参照）およびｚ方向エンコーダ３１１ｅ（後述の図１１参照）が内蔵される。ｚ方向駆動モータ３１１ｍが動作する場合、ｚ方向エンコーダ３１１ｅはｚ方向駆動モータ３１１ｍの動作状態（例えば、回転角度）を示す信号を出力する。出力された信号は、搬送用制御部ｔｃ１に与えられる。
【０１０２】
搬送機構１２７においては、ガイドレール３１３が延びる方向（水平方向）に平行にｘ方向が定義される。また、ｘ方向に直交しかつｚ方向に直交する方向にｙ方向が定義される。
【０１０３】
移動部材３１４が、ｘ方向に平行な軸に沿って移動可能にガイドレール３１３に取り付けられる。ガイドレール３１３には移動部材３１４を移動させるためのｘ方向駆動モータ３１３ｍ（後述の図１１参照）およびｘ方向エンコーダ３１３ｅ（後述の図１１参照）が内蔵される。ｘ方向駆動モータ３１３ｍが動作する場合、ｘ方向エンコーダ３１３ｅはｘ方向駆動モータ３１３ｍの動作状態（例えば、回転角度）を示す信号を出力する。出力された信号は、搬送用制御部ｔｃ１に与えられる。
【０１０４】
移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５がｚ方向に平行な軸の周りで回転可能に設けられる。移動部材３１４に対する回転部材３１５の回転方向をθ方向と呼ぶ。移動部材３１４には、回転部材３１５を回転させるためのθ方向駆動モータ３１４ｍ（後述の図１１参照）およびθ方向エンコーダ３１４ｅ（後述の図１１参照）が内蔵される。θ方向駆動モータ３１４ｍが動作する場合、θ方向エンコーダ３１４ｅはθ方向駆動モータ３１４ｍの動作状態（例えば、回転角度）を示す信号を出力する。出力された信号は、搬送用制御部ｔｃ１に与えられる。
【０１０５】
回転部材３１５には、センサ装置３１６が取り付けられる。センサ装置３１６は、出射部保持ケーシング３１６ａおよび受光部保持ケーシング３１６ｂを含む。
【０１０６】
出射部保持ケーシング３１６ａは回転部材３１５の上面に配置され、受光部保持ケーシング３１６ｂは逆Ｌ字型の支持部材３１７により回転部材３１５の上面から一定距離離れた上方の位置で支持される。回転部材３１５に、ハンドＨ１，Ｈ２が取り付けられる。
【０１０７】
図７（ａ）は、図６のハンドＨ１および回転部材３１５を示す搬送機構１２７の平面図である。図７（ａ）では、図６の受光部保持ケーシング３１６ｂおよび支持部材３１７の図示を省略する。図７（ｂ）は、図６のハンドＨ１，Ｈ２、移動部材３１４、回転部材３１５およびセンサ装置３１６をｘ方向に平行な軸上の所定の位置から見た場合の側面図である。図７（ｃ）は、図６のハンドＨ１，Ｈ２、移動部材３１４、回転部材３１５およびセンサ装置３１６をｙ方向に平行な軸上の所定の位置から見た場合の側面図である。
【０１０８】
図７（ａ）に示すように、ハンドＨ１は、ガイド部Ｈａおよびアーム部Ｈｂからなる。ガイド部Ｈａは略Ｃ字形状を有し、アーム部Ｈｂは長方形状を有する。ガイド部Ｈａの内周部には、ガイド部Ｈａの内周部に沿って形成される円の中心に対して等角度間隔で、ガイド部Ｈａの内側に向かうように複数（本例では３つ）の突出部ｐｒが形成されている。各突出部ｐｒの先端部に、吸着部ｓｍが設けられている。吸着部ｓｍは、図示しない吸気系に接続される。
【０１０９】
ハンドＨ１においては、３つの突出部ｐｒの３つの吸着部ｓｍ上に基板Ｗが載置される。この状態で、３つの吸着部ｓｍに接続された吸気系が制御され、３つの吸着部ｓｍ上に位置する基板Ｗの３箇所の部分がそれぞれ３つの吸着部ｓｍにより吸着される。なお、ハンドＨ１は４つの吸着部ｓｍを有してもよい。この場合、４つの吸着部ｓｍ上に位置する基板Ｗの４箇所の部分がそれぞれ４つの吸着部ｓｍにより吸着される。
【０１１０】
上記のように、本実施の形態では、保持部として基板Ｗの裏面を吸着保持するハンドＨ１が用いられる。ハンドＨ２は、ハンドＨ１と同じ構成を有する。図７（ａ）〜（ｃ）においては、ハンドＨ１，Ｈ２により保持される基板Ｗが二点鎖線で示される。
【０１１１】
各ハンドＨ１，Ｈ２においては、保持される基板Ｗの中心が位置すべき正規の位置（以下、正規位置と呼ぶ。）が予め定められている。ハンドＨ１における正規位置は、例えばガイド部Ｈａの内周部に沿って形成される円の中心位置である。ハンドＨ１における正規位置は、複数の吸着部ｓｍの中心位置であってもよい。
【０１１２】
回転部材３１５の内部には、回転部材３１５の長手方向に沿うように図示しない２つのガイドレールが設けられる。ハンドＨ１のアーム部Ｈｂの後端部が支持部材３１８により回転部材３１５の一方のガイドレールに取り付けられる。ハンドＨ２のアーム部Ｈｂの後端部が支持部材３１９により回転部材３１５の他方のガイドレールに取り付けられる。このようにして、ハンドＨ１，Ｈ２が、それぞれ回転部材３１５の長手方向に沿って進退可能に設けられる。
【０１１３】
本例では、出射部保持ケーシング３１６ａの上方にハンドＨ２が位置する。ハンドＨ２の上方にハンドＨ１が位置する。ハンドＨ１の上方に受光部保持ケーシング３１６ｂが位置する。
【０１１４】
また、回転部材３１５には、ハンドＨ１を進退させるための上ハンド進退用駆動モータｘｍ１（後述の図１１参照）および上ハンドエンコーダｘｅ１（後述の図１１参照）が内蔵される。上ハンド進退用駆動モータｘｍ１が動作する場合、上ハンドエンコーダｘｅ１は上ハンド進退用駆動モータｘｍ１の動作状態（例えば、回転角度）を示す信号を出力する。出力された信号は、搬送用制御部ｔｃ１に与えられる。
【０１１５】
さらに、回転部材３１５には、ハンドＨ２を進退させるための下ハンド進退用駆動モータｘｍ２（後述の図１１参照）および下ハンドエンコーダｘｅ２（後述の図１１参照）が内蔵される。下ハンド進退用駆動モータｘｍ２が動作する場合、下ハンドエンコーダｘｅ２は下ハンド進退用駆動モータｘｍ２の動作状態（例えば、回転角度）を示す信号を出力する。出力された信号は、搬送用制御部ｔｃ１に与えられる。
【０１１６】
回転部材３１５においては、回転部材３１５の長手方向、すなわちハンドＨ１，Ｈ２の進退方向に沿ってｘ’方向が定義され、ハンドＨ１，Ｈ２の進退方向に直交する方向にｙ’方向が定義される。
【０１１７】
以下、ｘ’ｙ’座標上でハンドＨ１，Ｈ２の進退方向においてハンドＨ１，Ｈ２が後退可能な限界位置を進退基準位置と呼ぶ。図７（ａ）〜（ｃ）の例では、ハンドＨ１，Ｈ２はそれぞれ進退基準位置にある。
【０１１８】
回転部材３１５の上面における略中央部に出射部保持ケーシング３１６ａが設けられる。出射部保持ケーシング３１６ａ内では、複数（本例では４つ）の出射部３１６ｔが保持されている。出射部保持ケーシング３１６ａに対向するように、回転部材３１５の上方の位置に受光部保持ケーシング３１６ｂが設けられる。受光部保持ケーシング３１６ｂ内では、出射部保持ケーシング３１６ａにより保持される複数の出射部３１６ｔにそれぞれ対向するように複数（本例では４つ）の受光部３１６ｒが保持されている。互いに対向する出射部３１６ｔおよび受光部３１６ｒにより検出器３１６Ｄが構成される。図７（ｃ）に示されるように、本例では、センサ装置３１６は４つの検出器３１６Ｄを備える。
【０１１９】
４つの検出器３１６Ｄは、水平面内において、進退基準位置にあるハンドＨ１のガイド部Ｈａの内側の領域に配置される。本例では、４つの検出器３１６Ｄがガイド部Ｈａの内周部に平行な円弧ａｒ上で一定の間隔をおいて配置される。
【０１２０】
４つの出射部３１６ｔから上方に向かってそれぞれ光が出射される。４つの受光部３１６ｒは、それぞれ対向する４つの出射部３１６ｔから出射される光を帰還光として受光することにより受光信号を出力する。各受光部３１６ｒから出力された受光信号は、搬送用制御部ｔｃ１に与えられる。
【０１２１】
４つの出射部３１６ｔは、ハンドＨ１の進退方向において、進退基準位置にあるハンドＨ１の複数の吸着部ｓｍのうち少なくとも１つの吸着部ｓｍよりも前方に配置されることが好ましい。この場合、搬送機構１２７による基板Ｗの搬送時に、ハンドＨ１により保持される基板Ｗの外周部の４つの部分が４つの出射部３１６ｔによりそれぞれ確実に検出される。
【０１２２】
（４−３）搬送機構の動作の概要
図５の搬送用制御部ｔｃ１のメモリｔｍには、ハンドＨ１，Ｈ２による基板Ｗの受け取り時に基板Ｗの中心が配置されると仮定される位置のｘｙｚ座標（以下、受け取り座標と呼ぶ。）、およびハンドＨ１，Ｈ２による基板Ｗの載置時に基板Ｗの中心が配置されるべき位置のｘｙｚ座標（以下、載置座標と呼ぶ。）が、座標情報として予め記憶されている。座標情報は、例えば使用者によるティーチング作業によりメモリｔｍに記憶される。
【０１２３】
搬送用制御部ｔｃ１は、メモリｔｍに記憶された座標情報に基づいて搬送機構１２７の動作を制御する。それにより、互いに離間する複数の位置の間で基板Ｗが搬送される。
【０１２４】
搬送機構１２７の動作の概要について説明する。図８は、図６の搬送機構１２７の動作の概要を説明するための図である。図８（ａ）に、搬送機構１２７により第１の位置ｐ１から第２の位置ｐ２に基板Ｗを搬送する場合の一例が示される。図８（ａ）および後述する図８（ｂ），（ｃ）においては、基板Ｗが第１の位置ｐ１にある場合の基板Ｗの中心位置が、第１の中心位置ｐｐ１として表され、基板Ｗが第２の位置ｐ２にある場合の基板Ｗの中心位置が、第２の中心位置ｐｐ２として表される。
【０１２５】
初期状態では、第１の中心位置ｐｐ１の座標が受け取り座標として予め搬送用制御部ｔｃ１のメモリｔｍに記憶され、第２の中心位置ｐｐ２の座標が載置座標として予め搬送用制御部ｔｃ１のメモリｔｍに記憶されている。
【０１２６】
図８（ａ）の上段に示すように、第１の位置ｐ１に基板Ｗが正確に配置されている場合を想定する。まず、搬送用制御部ｔｃ１は、メモリｔｍに記憶された受け取り座標に基づいて搬送機構１２７を制御する。それにより、ハンドＨ１が第１の位置ｐ１に向かって移動する。
【０１２７】
その後、図８（ａ）の中段に示すように、基板ＷがハンドＨ１により受け取られる。本例のように、第１の位置ｐ１に基板Ｗが正確に配置されている場合には、ハンドＨ１により保持される基板Ｗの中心ｗｃは正規位置ｃｐにある。
【０１２８】
その後、搬送用制御部ｔｃ１は、メモリｔｍに記憶された載置座標に基づいて搬送機構１２７を制御する。それにより、基板Ｗを保持するハンドＨ１が第２の位置ｐ２に向かって移動し、図８（ａ）の下段に示すように、基板Ｗが第２の位置ｐ２に正確に載置される。この場合、基板Ｗの中心ｗｃの位置が第２の中心位置ｐｐ２に一致する。
【０１２９】
図８（ｂ）に、搬送機構１２７により第１の位置ｐ１から第２の位置ｐ２に基板Ｗを搬送する場合の他の例が示される。図８（ｂ）の上段に示すように、本例では、第１の位置ｐ１からずれた位置に基板Ｗが配置されている場合を想定する。まず、搬送用制御部ｔｃ１は、メモリｔｍに記憶された受け取り座標に基づいて搬送機構１２７を制御する。それにより、ハンドＨ１が第１の位置ｐ１に向かって移動する。
【０１３０】
基板Ｗが第１の位置ｐ１からずれている場合には、図８（ｂ）の中段に示すように、基板Ｗの中心ｗｃの位置がハンドＨ１の正規位置ｃｐからずれた状態で、基板ＷがハンドＨ１により受け取られる。
【０１３１】
その後、搬送用制御部ｔｃ１は、メモリｔｍに記憶された載置座標に基づいて搬送機構１２７を制御する。それにより、基板Ｗを保持するハンドＨ１が第２の位置ｐ２に向かって移動する。ハンドＨ１においては、基板Ｗの中心ｗｃの位置が正規位置ｃｐからずれている。この場合、図８（ｂ）の下段に示すように、基板Ｗが第２の位置ｐ２からずれた位置に載置され、基板Ｗの中心ｗｃの位置が第２の中心位置ｐｐ２からずれる。この状態で、第２の位置ｐ２において基板Ｗに処理が行われると、基板Ｗの処理精度が低下する。そこで、搬送用制御部ｔｃ１は、以下のように搬送機構１２７を制御する。
【０１３２】
本実施の形態では、ハンドＨ１により基板Ｗが受け取られた後基板Ｗが載置されるまでの間に、図６および図７の回転部材３１５上でハンドＨ１がセンサ装置３１６よりも前方の位置から進退基準位置まで後退することによりハンドＨ１に保持された基板Ｗの外周部の複数の部分がそれぞれ検出される。ハンドＨ１に保持された基板Ｗの外周部の検出方法についての詳細は後述する。
【０１３３】
搬送用制御部ｔｃ１は、図８（ｃ）の上段に示すように、基板Ｗの外周部の複数の部分の検出結果に基づいて、ハンドＨ１の正規位置ｃｐに対する基板Ｗの中心位置のずれを検出する。続いて、搬送用制御部ｔｃ１は、検出されたずれに基づいて、第２の位置ｐ２においてハンドＨ１により載置されることになる基板Ｗの中心ｗｃの位置と第２の中心位置ｐｐ２とのずれが相殺されるように載置座標を補正し、補正された載置座標に基づいて搬送機構１２７を制御する。それにより、ハンドＨ１が第２の位置ｐ２に向かって移動し、図８（ｃ）に示すように、基板Ｗが第２の位置ｐ２に正確に載置される。この場合、基板Ｗの中心ｗｃの位置が第２の中心位置ｐｐ２に一致する。
【０１３４】
このように、本実施の形態では、基板Ｗの中心がハンドＨ１における正規位置ｃｐからずれた状態でハンドＨ１により基板Ｗが受け取られる場合でも、搬送先の載置されるべき位置に正確に基板Ｗが載置される。
【０１３５】
上記の例では、ハンドＨ１による基板Ｗの搬送動作について説明したが、ハンドＨ２による基板Ｗの搬送動作も、ハンドＨ１による基板Ｗの搬送動作と同様に行われる。
【０１３６】
図１、図５および後述の図９に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成および動作を有する。それにより、図５の搬送用制御部ｔｃ１は、搬送機構１２７と同様に搬送機構１２８を制御する。また、図５の搬送用制御部ｔｃ２は、搬送機構１２７と同様に搬送機構１３７，１３８を制御する。
【０１３７】
また、図１、図５および後述の図９に示すように、搬送機構１４１，１４２，１４６は、移動部材３１４がガイドレール３１３に代えて上下動可能かつ水平方向に移動可能に構成された昇降装置に取り付けられる点を除いて搬送機構１２７と同様の構成および動作を有する。搬送機構１４１，１４２，１４６においては、昇降装置にｚ方向駆動モータ３１１ｍ（後述の図１１参照）、ｚ方向エンコーダ３１１ｅ（後述の図１１参照）、ｘ方向駆動モータ３１３ｍ（後述の図１１参照）およびｘ方向エンコーダ３１３ｅ（後述の図１１参照）が内蔵される。図５の搬送用制御部ｔｃ３は、搬送機構１２７と同様に搬送機構１４１，１４２を制御する。図５の搬送用制御部ｔｃ４は、搬送機構１２７と同様に搬送機構１４６を制御する。
【０１３８】
（５）洗浄乾燥処理ブロックの構成
図９は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図９は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを図１の露光装置１５側から見た図である。
【０１３９】
図９に示すように、搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ３，Ｈ４を有し、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ５，Ｈ６を有する。
【０１４０】
搬送機構１４１の＋Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１が階層的に設けられ、搬送機構１４２の−Ｙ側には洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が階層的に設けられる。搬送機構１４１，１４２の間において、−Ｘ側には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２が上下に設けられる。
【０１４１】
また、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【０１４２】
（６）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。
【０１４３】
（６−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図５を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図５）に搬送する。
【０１４４】
なお、基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。
【０１４５】
（６−２）第１の処理ブロック１２の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第１の処理ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７，１２８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。
【０１４６】
搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。
【０１４７】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）から密着強化処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその密着強化処理ユニットＰＡＨＰに搬入する。
【０１４８】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている密着強化処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１４９】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図２）のスピンチャック２５（図２）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。
【０１５０】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。
【０１５１】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１５２】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。
【０１５３】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。
【０１５４】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置する。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に搬送する。
【０１５５】
搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、第１の処理ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。
【０１５６】
搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図５）、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【０１５７】
本実施の形態においては、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１の処理ブロック１２のスループットを向上させることができる。
【０１５８】
なお、上記の例では、塗布処理室２２における反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に反射防止膜を形成することが可能であれば、反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。
【０１５９】
（６−３）第２の処理ブロック１３の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第２の処理ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７，１３８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。
【０１６０】
搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。
【０１６１】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により塗布処理室３２（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジストカバー膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室３２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。
【０１６２】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているレジストカバー膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。
【０１６３】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２によりエッジ露光部ＥＥＷ（図３）からエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗのエッジ露光処理が行われる。
【０１６４】
搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により搬入搬出ブロック１４Ａに隣接する上段熱処理部３０１（図４）の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。なお、搬入搬出ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰから取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。
【０１６５】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１６６】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図２）のスピンチャック３５（図２）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック３５上に載置する。現像処理室３１においては、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜の除去処理および現像処理が行われる。
【０１６７】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、熱処理ユニットＰＨＰから取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）に載置する。
【０１６８】
搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、第２の処理ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。
【０１６９】
搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８，Ｐ−ＢＦ２（図５）、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【０１７０】
本実施の形態においては、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７,１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第２の処理ブロック１３のスループットを向上させることができる。
【０１７１】
（６−４）洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作
以下、図５および図９を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作について説明する。
【０１７２】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図９）は、搬送機構１３７（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。
【０１７３】
次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図９）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。
【０１７４】
次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１７５】
次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図９）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１に搬入する。次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。
【０１７６】
このように、搬送機構１４１は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２から交互にエッジ露光後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送する。
【０１７７】
搬送機構１４２（図９）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図９）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。
【０１７８】
次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図９）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【０１７９】
次に、搬送機構１４２（図９）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図９）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。
【０１８０】
次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄および乾燥処理後の基板Ｗを下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図９）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、ＰＥＢ処理が行われる。
【０１８１】
このように、搬送機構１４２は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に交互に搬送する。
【０１８２】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図５）は、ハンドＨ７により、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された基板Ｗを取り出し、露光装置１５の基板搬入部１５ａに搬送する。また、搬送機構１４６は、ハンドＨ８により、露光装置１５の基板搬出部１５ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。
【０１８３】
なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１４１（図７）により、洗浄および乾燥処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【０１８４】
また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１３７，１３８（図５）により、ＰＥＢ処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【０１８５】
また、第１および第２の処理ブロック１２，１３の不具合等によって基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２まで正常に搬送されない場合、基板Ｗの搬送が正常となるまで搬送機構１４１による載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２からの基板Ｗの搬送を一時的に停止してもよい。
【０１８６】
（７）基板の外周部の検出方法および載置座標の補正方法
以下の説明においては、図１の複数の支持部材ｍ、図２の複数のスピンチャック２５，３５、図３のスピンチャック９８、図２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１のスピンチャック、図３の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２のスピンチャックおよび図５の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの支持部材を支持部と総称する。
【０１８７】
上記のように、基板Ｗの搬送時においては、例えばハンドＨ１により基板Ｗが受け取られた後ハンドＨ１に保持された基板Ｗが支持部上に載置されるまでの間に、ハンドＨ１がセンサ装置３１６よりも前方の位置から進退基準位置まで回転部材３１５上で後退する。ハンドＨ１が進退基準位置まで移動する間に、図６および図７のセンサ装置３１６によりハンドＨ１により移動される基板Ｗの外周部の複数の部分が検出される。
【０１８８】
図１０は、図６および図７のセンサ装置３１６による基板Ｗの外周部の複数の部分の検出方法を説明するための図である。図１０（ａ），（ｃ），（ｅ），（ｇ）に、ハンドＨ１が進退基準位置に向かって後退する場合のハンドＨ１、回転部材３１５および複数の検出器３１６Ｄの状態の変化が平面図で示される。図１０（ｂ），（ｄ），（ｆ），（ｈ）に、図１０（ａ），（ｃ），（ｅ），（ｇ）のＱ−Ｑ線における模式的断面図がそれぞれ示される。なお、ハンドＨ２についての説明は省略する。
【０１８９】
初めに、ハンドＨ１により基板Ｗが受け取られるタイミングでは、ハンドＨ１が４つの検出器３１６Ｄよりも前方に位置する。この場合、ハンドＨ１は４つの出射部３１６ｔと４つの受光部３１６ｒとの間に位置しない。したがって、４つの受光部３１６ｒはそれぞれ対向する４つの出射部３１６ｔからの光を受光する。それにより、搬送用制御部ｔｃ１に受光信号が与えられる。
【０１９０】
次に、ハンドＨ１が後退する。この場合、図１０（ａ），（ｂ）に示すように、ハンドＨ１が４つの出射部３１６ｔと４つの受光部３１６ｒとの間の空間に進入する。このとき、４つの出射部３１６ｔから出射される光がハンドＨ１により遮られるので、４つの受光部３１６ｒはそれぞれ対向する４つの出射部３１６ｔからの光を受光しない。したがって、搬送用制御部ｔｃ１に受光信号は与えられない。
【０１９１】
次に、図１０（ｃ），（ｄ）に示すように、ハンドＨ１が４つの出射部３１６ｔと４つの受光部３１６ｒとの間の空間を通過する。ハンドＨ１が各出射部３１６ｔとその出射部３１６ｔに対向する受光部３１６ｒとの間の空間を通過するタイミングで、各受光部３１６ｒは対向する出射部３１６ｔからの光を受光する。それにより、搬送用制御部ｔｃ１に受光信号が与えられる。
【０１９２】
次に、図１０（ｅ），（ｆ）に示すように、ハンドＨ１により保持される基板Ｗが４つの出射部３１６ｔと４つの受光部３１６ｒとの間の空間に進入する。ハンドＨ１により保持される基板Ｗの外周部が各出射部３１６ｔとその出射部３１６ｔに対向する受光部３１６ｒとの間の空間に進入するタイミングで、各出射部３１６ｔから出射される光が基板Ｗの外周部により遮られる。この場合、各受光部３１６ｒは対向する出射部３１６ｔからの光を受光しない。したがって、搬送用制御部ｔｃ１に受光信号は与えられない。
【０１９３】
次に、図１０（ｇ），（ｈ）に示すように、ハンドＨ１が進退基準位置で停止する。このとき、ハンドＨ１により保持される基板Ｗが４つの出射部３１６ｔと４つの受光部３１６ｒとの間の空間に位置する。この場合、４つの受光部３１６ｒはそれぞれ対向する４つの出射部３１６ｔからの光を受光しない。したがって、搬送用制御部ｔｃ１に受光信号は与えられない。
【０１９４】
上記のように、ハンドＨ１により基板Ｗが受け取られた後、ハンドＨ１が進退基準位置に移動するまでの間に、搬送用制御部ｔｃ１には４つの検出器３１６Ｄの４つの受光部３１６ｒからそれぞれ断続的に受光信号が与えられる。
【０１９５】
搬送用制御部ｔｃ１は、基板Ｗの外周部により４つの受光部３１６ｒの各々から受光信号が与えられなくなるタイミング（図１０（ｅ），（ｆ）のタイミング）で上ハンドエンコーダｘｅ１（後述の図１１参照）から出力される信号を取得する。それにより、搬送用制御部ｔｃ１は、上ハンド進退用駆動モータｘｍ１の動作状態（例えば、回転角度）を基板Ｗの外周部の４つの部分の検出結果としてメモリｔｍに記憶する。
【０１９６】
ここで、搬送用制御部ｔｃ１のメモリｔｍには、基板Ｗの中心ｗｃ（図８）がハンドＨ１の正規位置ｃｐ（図８）にある状態で、基板Ｗを保持するハンドＨ１がセンサ装置３１６の前方の位置から進退基準位置に移動することにより得られる基板Ｗの外周部の４つの部分の検出結果が正規データとして予め記憶されている。
【０１９７】
センサ装置３１６は回転部材３１５に対して固定されている。したがって、センサ装置３１６の複数の検出器３１６Ｄのｘ’ｙ’座標上の位置は変化しない。そこで、搬送用制御部ｔｃ１は、基板Ｗの外周部の４つの部分の検出結果と正規データの４つの部分の検出結果との差分に基づいて、例えばハンドＨ１が進退基準位置にあるときの基板Ｗの外周部の４つの部分の位置を示すｘ’ｙ’座標を算出する。算出された４つの部分の位置のｘ’ｙ’座標に基づいて、ハンドＨ１が進退基準位置にあるときの基板Ｗの中心ｗｃの位置のｘ’ｙ’座標が算出される。
【０１９８】
ハンドＨ１における基板Ｗの中心ｗｃの位置のｘ’ｙ’座標は、基板Ｗの外周部の３つの部分のｘ’ｙ’座標に基づいて算出することができる。本例では、基板Ｗの外周部の４つの部分のｘ’ｙ’座標が得られる。それにより、例えば４つの部分のうちの１つの部分が基板Ｗの位置決め用の切り欠き（オリエンテーションフラットまたはノッチ）部分であった場合でも、切り欠き部分のｘ’ｙ’座標を除く３つの部分のｘ’ｙ’座標に基づいて基板Ｗの中心ｗｃの位置のｘ’ｙ’座標を算出することができる。基板Ｗの外径が既知である場合には、基板Ｗの外周部の２つの部分のｘ’ｙ’座標に基づいて基板Ｗの中心ｗｃの位置のｘ’ｙ’座標を算出することが可能である。この場合、センサ装置３１６は、２つまたは３つの検出器３１６Ｄにより構成されてもよい。
【０１９９】
搬送用制御部ｔｃ１は、ハンドＨ１が進退基準位置にあるときの基板Ｗの中心ｗｃの位置のｘ’ｙ’座標を算出した後、算出されたｘ’ｙ’座標の値に基づいてハンドＨ１が進退基準位置にあるときの正規位置ｃｐに対する基板Ｗの中心ｗｃの位置のずれを検出する。続いて、搬送用制御部ｔｃ１は、検出されたずれに基づいて搬送先の支持部においてハンドＨ１により載置されることになる基板Ｗの中心ｗｃの位置と支持部上の所定位置とのずれが相殺されるように載置座標を補正する。
【０２００】
（８）搬送機構と搬送用制御部との関係
図１１は、搬送機構１２７の各構成要素と図５の搬送用制御部ｔｃ１との関係を示すブロック図である。
【０２０１】
図１１に示すように、操作部９０、メインパネルＰＮ、ｚ方向駆動モータ３１１ｍ、ｚ方向エンコーダ３１１ｅ、ｘ方向駆動モータ３１３ｍ、ｘ方向エンコーダ３１３ｅ、θ方向駆動モータ３１４ｍ、θ方向エンコーダ３１４ｅ、上ハンド進退用駆動モータｘｍ１、上ハンドエンコーダｘｅ１、下ハンド進退用駆動モータｘｍ２および下ハンドエンコーダｘｅ２、および複数の検出器３１６Ｄが搬送用制御部ｔｃ１に接続されている。
【０２０２】
搬送用制御部ｔｃ１にはメモリｔｍが内蔵されている。メモリｔｍには、上記の正規データおよび座標情報（受け取り座標および載置座標）が記憶されている。
【０２０３】
搬送用制御部ｔｃ１により、メインパネルＰＮ、ｚ方向駆動モータ３１１ｍ、ｘ方向駆動モータ３１３ｍ、θ方向駆動モータ３１４ｍ、上ハンド進退用駆動モータｘｍ１、下ハンド進退用駆動モータｘｍ２および各検出器３１６Ｄの出射部３１６ｔの動作が制御される。
【０２０４】
また、ｚ方向エンコーダ３１１ｅ、ｘ方向エンコーダ３１３ｅ、θ方向エンコーダ３１４ｅ、上ハンドエンコーダｘｅ１、下ハンドエンコーダｘｅ２および各検出器３１６Ｄの受光部３１６ｒから搬送用制御部ｔｃ１に各種信号が与えられる。さらに、使用者による操作部９０の操作情報が搬送用制御部ｔｃ１に与えられる。例えば、使用者は、操作部９０を操作することにより、正規データおよび座標情報を搬送用制御部ｔｃ１のメモリｔｍに記憶させることも可能である。
【０２０５】
図５の搬送機構１２８の各構成要素と図５の搬送用制御部ｔｃ１との関係、図５の搬送機構１３７，１３８の各構成要素と図５の搬送用制御部ｔｃ２との関係、図１の搬送機構１４１，１４２の各構成要素と図５の搬送用制御部ｔｃ３との関係、および図５の搬送機構１４６の各構成要素と図５の搬送用制御部ｔｃ４との関係は、それぞれ図１１に示される搬送機構１２７の各構成要素と搬送用制御部ｔｃ１との関係と同じである。
【０２０６】
（９）搬送機構の一制御例
搬送機構１２７においては、センサ装置３１６により、ハンドＨ１により保持される基板Ｗの外周部が検出される。また、センサ装置３１６により、ハンドＨ２により保持される基板Ｗの外周部が検出される。
【０２０７】
図１２および図１３は、１つのセンサ装置３１６により２つのハンドＨ１，Ｈ２に保持される２枚の基板Ｗの外周部を検出するための搬送機構１２７の一制御例を示す図である。図１２（ａ）〜（ｅ）および図１３（ａ）〜（ｃ）においては、ハンドＨ１，Ｈ２および１の検出器３１６Ｄの位置関係が縦断面図で示される。
【０２０８】
初期状態では、ハンドＨ１，Ｈ２にはそれぞれ基板Ｗが保持されていない。また、ハンドＨ１，Ｈ２は進退基準位置ＦＢＰにある。この場合、受光部３１６ｒは出射部３１６ｔから出射されかつハンドＨ１，Ｈ２のガイド部Ｈａ（図７（ａ），（ｂ）参照）の内側を通過する光を受光する。
【０２０９】
図１２（ａ）に示すように、まず下側のハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰから検出器３１６Ｄの前方へ前進し、所定の位置に配置された基板Ｗを受け取る。このとき、受光部３１６ｒは出射部３１６ｔから出射される光を受光する。
【０２１０】
次に、基板Ｗを保持するハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰに向かって後退する。この場合、図１２（ｂ）に示すように、ハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰに移動するまでの間に、受光部３１６ｒは出射部３１６ｔから出射されかつ基板Ｗの外周部とハンドＨ２との間を通過する光を受光する。その後、ハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰに到達すると、ハンドＨ２により保持される基板Ｗが出射部３１６ｔと受光部３１６ｒとの間に位置する。それにより、図１２（ｃ）に示すように、受光部３１６ｒは対応する出射部３１６ｔからの光を受光しない。
【０２１１】
上記のようにハンドＨ２が移動する。それにより、受光部３１６ｒから出力される受光信号に基づいてハンドＨ２により保持される基板Ｗの外周部の複数の部分が検出される。
【０２１２】
続いて、図１２（ｄ）に示すように、上側のハンドＨ１が進退基準位置ＦＢＰから検出器３１６Ｄの前方へ前進し、所定の位置に配置された基板Ｗを受け取る。このとき、出射部３１６ｔから出射される光は、ハンドＨ２により保持される基板Ｗにより遮られる。したがって、受光部３１６ｒは出射部３１６ｔから出射される光を受光しない。
【０２１３】
次に、図１２（ｅ）に示すように、基板Ｗを保持するハンドＨ１が進退基準位置ＦＢＰに向かって後退するとともに、基板Ｗを保持するハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰから前進する。その後、図１３（ａ）に示すように、ハンドＨ２が出射部３１６ｔおよび受光部３１６ｒよりも前方に移動する。このようにして、ハンドＨ１が進退基準位置ＦＢＰに移動するまでの間に、受光部３１６ｒは出射部３１６ｔから出射されかつ基板Ｗの外周部とハンドＨ２との間を通過する光を受光する。
【０２１４】
ハンドＨ１が進退基準位置ＦＢＰまで移動すると、ハンドＨ１により保持される基板Ｗが出射部３１６ｔと受光部３１６ｒとの間に位置する。それにより、図１３（ｂ）に示すように、受光部３１６ｒは対応する出射部３１６ｔからの光を受光しない。
【０２１５】
上記のようにハンドＨ１，Ｈ２が移動する。それにより、受光部３１６ｒから出力される受光信号に基づいてハンドＨ１により保持される基板Ｗの外周部の複数の部分が検出される。
【０２１６】
その後、図１３（ｃ）に示すように、前進するハンドＨ２により保持された基板Ｗが支持部上に載置された後、ハンドＨ２が進退基準位置ＦＢＰまで後退する。
【０２１７】
上記のように、本実施の形態では、ハンドＨ１，Ｈ２が互いに逆方向に進退動作することにより、１つのセンサ装置３１６により２つのハンドＨ１，Ｈ２により保持される２枚の基板Ｗの外周部の複数の部分を検出することが可能である。
【０２１８】
（１０）実施の形態の効果
（１０−１）本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、複数の搬送用制御部ｔｃ１〜ｔｃ４のそれぞれのメモリｔｍに、複数の位置の間で基板Ｗを搬送するための座標情報が予め記憶されている。また、各メモリｔｍには、基板Ｗの中心ｗｃがハンドの正規位置ｃｐにある場合の基板Ｗの外周部の４つの部分の検出結果が正規データとして予め記憶されている。
【０２１９】
各搬送用制御部により制御される搬送機構においては、ハンドにより基板Ｗが支持部上に載置される前に、ハンドにより移動される基板Ｗの外周部の複数の部分がそれぞれ検出される。
【０２２０】
各搬送用制御部は、基板Ｗの外周部の複数の部分の検出結果、載置座標および正規データに基づいて、搬送先の支持部においてハンドにより載置されることになる基板Ｗの位置と支持部上の所定位置とのずれが相殺されるように載置座標を補正する。各搬送用制御部は、補正された載置座標に基づいて搬送機構を制御する。
【０２２１】
それにより、ハンドにより保持される基板Ｗの位置が正規の位置からずれる場合でも、ハンドに対する基板の位置ずれを修正するための機構または支持部に対する基板の位置ずれを修正するための機構を別途設けることなく、ハンドにより保持される基板Ｗを支持部上の所定位置に正確に載置することができる。
【０２２２】
その後、基板Ｗが支持部上の所定位置に正確に載置された状態で、基板Ｗに種々の処理が行われる。それにより、基板Ｗの処理精度が向上する。また、本実施の形態では、ハンドにより移動される基板Ｗの外周部の複数の部分が検出されるので、基板Ｗの位置ずれを検出するために基板Ｗの移動を停止させる必要がない。したがって、基板処理におけるスループットが低下しない。
【０２２３】
これらの結果、単純な構成でコストの増加を抑制しつつ基板処理におけるスループットを低下させることなく基板Ｗの処理精度を向上させることが可能となる。
【０２２４】
（１０−２）本実施の形態において、各搬送機構のハンドは、複数の吸着部ｓｍで基板Ｗの裏面を吸着することにより、基板Ｗを保持する。
【０２２５】
基板Ｗの裏面が吸着された状態で基板Ｗがハンドにより保持される場合、ハンドに対する基板Ｗの位置ずれを修正するためには、吸着部ｓｍによる基板Ｗの吸着を解除する必要がある。
【０２２６】
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、ハンドに対する基板Ｗの位置ずれを修正することなく、支持部に対する基板Ｗの位置ずれを修正することができるので、基板Ｗの吸着を解除する必要がない。したがって、基板処理におけるスループットが低下しない。
【０２２７】
また、基板Ｗがハンドの複数の吸着部ｓｍにより吸着された状態で移動するので、複数の検出器３１６Ｄによる基板Ｗの外周部の複数の部分の検出後にハンドに対する基板Ｗの位置が変化することがない。したがって、基板Ｗが支持部上の所定位置に正確に載置されるので、基板Ｗの処理精度をより向上させることが可能となる。
【０２２８】
（１０−３）複数の検出器３１６Ｄの各々は、ハンドによる基板Ｗの移動経路に光を出射するとともに移動経路からの反射光または透過光を帰還光として受光することにより、受光信号を出力する。これにより、ハンドにより移動される基板Ｗの外周部の複数の部分が非接触で容易かつ正確に検出される。
【０２２９】
（１０−４）本実施の形態では、各搬送用制御部は、複数の検出器３１６Ｄからの受光信号に基づいて複数の検出器３１６Ｄにより基板Ｗの外周部の複数の部分がそれぞれ検出されたタイミングで回転部材３１５内の上ハンドエンコーダｘｅ１または下ハンドエンコーダｘｅ２から出力される信号に基づいて支持部上においてハンドにより載置されることになる基板Ｗの位置と支持部上の所定位置とのずれが相殺されるように、載置座標が補正される。このように、画像処理等の複雑な処理を行うことなく、載置座標を迅速に補正することができる。
【０２３０】
（１０−５）本実施の形態において、複数の搬送用制御部ｔｃ１〜ｔｃ４により制御される複数の搬送機構の各々は、２つのハンドを有する。各搬送機構においては、一方のハンドにより基板Ｗが保持されることにより一方のハンドに保持された基板Ｗの外周部の複数の部分が検出され、一方のハンドにより保持される基板Ｗに関する載置情報が補正される。また、他方のハンドにより基板Ｗが保持されることにより他方のハンドに保持された基板Ｗの外周部の複数の部分が検出され、他方のハンドにより保持される基板Ｗに関する載置情報が補正される。
【０２３１】
このようにして、搬送機構ごとに２つのハンドで基板Ｗが搬送されることにより、基板処理のスループットをさらに向上させつつ基板Ｗの処理精度を向上させることが可能となる。
【０２３２】
（１０−６）各検出器３１６Ｄにおいては基板Ｗの外周部の４つの部分が出射部３１６ｔと受光部３１６ｒとの間を通過することにより基板Ｗの外周部の４つの部分が検出される。本実施の形態において、各搬送用制御部は、４つの検出器３１６Ｄにより基板Ｗの外周部の４つの部分が検出された場合に、ハンドを進退基準位置ＦＢＰまで戻すことなく、基板Ｗを支持部へ搬送するように搬送機構を制御してもよい。
【０２３３】
この場合、上記のように、４つの検出器３１６Ｄは、ガイド部Ｈａ（図７（ａ））の内周部に平行な円弧ａｒ（図７（ａ））上で一定の間隔をおいて配置されることが好ましい。基板Ｗの中心ｗｃの位置がハンドの正規位置ｃｐから大きくずれていない場合には、ほぼ同じタイミングで４つの検出器３１６Ｄにより基板Ｗの外周部の４つの部分を検出することができる。それにより、基板Ｗの外周部の複数の部分を検出するための時間を短縮することができる。また、ハンドを必ずしも進退基準位置ＦＢＰに戻す必要がないので、基板Ｗの移動経路が短くなり、基板Ｗの搬送時間が短縮される。
【０２３４】
（１１）他の実施の形態
（１１−１）上記の実施の形態において、各搬送機構のハンドは、複数の吸着部ｓｍで基板Ｗの裏面を吸着することにより、基板Ｗを保持する。これに限らず、各搬送機構のハンドは、基板Ｗの裏面を吸着する機構に代えて、基板Ｗの外周端部に当接することにより基板Ｗの外周端部を保持する機構を有してもよい。
【０２３５】
基板Ｗの外周端部を保持するハンドにおいては、基板Ｗの外周端部との当接部分が磨耗することにより、基板Ｗが正規位置ｃｐからずれた状態でハンドにより保持される可能性がある。この場合、載置されるべき位置からずれた位置に基板Ｗが載置される可能性がある。このような場合でも、ハンドに保持された基板Ｗの外周端部の複数の位置が検出されることにより、支持部上の所定位置に正確に基板Ｗを載置することが可能となる。
【０２３６】
（１１−２）上記の実施の形態において、各搬送機構は３つ以上のハンドを有してもよい。この場合、基板処理のスループットをさらに向上させつつ基板Ｗの処理精度を向上させることが可能となる。
【０２３７】
（１１−３）上記の実施の形態では、複数の検出器３１６Ｄの複数の出射部３１６ｔは、基板Ｗの下方の位置から基板Ｗの上方に向かうように光を出射する。これに限らず、複数の検出器３１６Ｄの複数の出射部３１６ｔは、基板Ｗの上方の位置から基板Ｗの下方に向かうように光を出射してもよい。
【０２３８】
（１１−４）上記の実施の形態では、複数の検出器３１６Ｄの複数の受光部３１６ｒは、複数の出射部３１６ｔから出射され、基板Ｗの移動経路を通る透過光を帰還光として受光するように配置される。これに限らず、複数の受光部３１６ｒは、複数の出射部３１６ｔから出射され、基板Ｗの移動経路からの反射光を帰還光として受光するように配置されてもよい。
【０２３９】
（１１−５）上記の実施の形態では、ハンドにより保持される基板Ｗの外周部の複数の部分が光学式のセンサ装置３１６により検出される。これに限らず、ハンドにより保持される基板Ｗの外周部の複数の部分は、超音波センサ等の他のセンサ装置により検出されてもよい。
【０２４０】
また、センサ装置３１６に代えて基板Ｗの外周部の少なくとも一部に沿うように形成された投受光型のラインセンサを用いてもよい。この場合、ラインセンサにより基板Ｗの外周部の少なくとも一部が検出され、検出結果に基づいて基板Ｗの位置ずれが検出される。
【０２４１】
（１１−６）上記実施の形態では、塗布処理室３２，３４において、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されるが、塗布処理室２１，２３において、耐水性を有するレジスト膜が形成される場合には、塗布処理室３２，３４において、レジストカバー膜が形成されなくてもよい。
【０２４２】
なお、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されない場合には、塗布処理室３２，３４が設けられなくてもよく、または、塗布処理室３２，３４において、レジスト膜の形成または現像処理等の他の処理が行われてもよい。
【０２４３】
（１１−７）上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５が基板処理装置１００の外部装置として用いられるが、これに限らず、液体を用いずに基板Ｗの露光処置を行う露光装置が基板処理装置１００の外部装置として用いられてもよい。
【０２４４】
（１２）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２４５】
上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、支持部材ｍ、スピンチャック２５，３５，９８、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のスピンチャックおよび載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの支持部材が支持部の例である。
【０２４６】
また、熱処理ユニットＰＨＰ、密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、冷却ユニットＣＰ、塗布処理ユニット１２９、現像処理ユニット１３９、エッジ露光部ＥＥＷ、洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが処理ユニットの例であり、ハンドＨ１，Ｈ３，Ｈ５，Ｈ７がそれぞれ第１の保持部の例であり、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６が搬送装置の例であり、座標情報が制御情報の例である。
【０２４７】
さらに、搬送用制御部ｔｃ１〜ｔｃ４のメモリｔｍが記憶部の例であり、搬送用制御部ｔｃ１〜ｔｃ４が制御部の例であり、複数の検出器３１６Ｄが複数の検出器の例であり、吸着部ｓｍが吸着保持機構の例である。
【０２４８】
また、スピンチャック２５，３５，９８および洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２のスピンチャックが回転保持装置の例であり、ノズル２８ａ，２８ｂ、スリットノズル３８、光出射器９９および洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２の洗浄液供給機構が膜処理装置の例であり、ノズル２８ｂが膜除去機構の例であり、光出射器９９が光照射機構の例であり、熱処理ユニットＰＨＰ、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの支持プレートｓｐならびに載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの支持プレートが温度処理装置の例であり、支持部材ｍおよび載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの支持部材が支持部材の例であり、ハンドＨ２，Ｈ４，Ｈ６，Ｈ８がそれぞれ第２の保持部の例である。
【０２４９】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２５０】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０２５１】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４Ａ  洗浄乾燥処理ブロック
１４Ｂ  搬入搬出ブロック
１５  露光装置
１５ａ  基板搬入部
１５ｂ  基板搬出部
２５，３５，９８  スピンチャック
２８ａ，２８ｂ  ノズル
３８  スリットノズル
９０  操作部
９９  光出射器
１００  基板処理装置
１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６  搬送機構
１２９  塗布処理ユニット
１３９  現像処理ユニット
３１１ｍ  ｚ方向駆動モータ
３１１ｅ  ｚ方向エンコーダ
３１３ｍ  ｘ方向駆動モータ
３１３ｅ  ｘ方向エンコーダ
３１４ｍ  θ方向駆動モータ
３１４ｅ  θ方向エンコーダ
３１６  センサ装置
３１６Ｄ  検出器
３１６ｒ  受光部
３１６ｔ  出射部
ＣＰ  冷却ユニット
ｃｐ  正規位置
ＥＥＷ  エッジ露光部
ＦＢＰ  進退基準位置
Ｈ１〜Ｈ８  ハンド
Ｈａ  ガイド部
Ｈｂ  アーム部
ｍ  支持部材
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＨＰ  熱処理ユニット
ＰＮ  メインパネル
Ｐ−ＣＰ  載置兼冷却部
ＳＤ１，ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
ｓｍ  吸着部
ｓｐ  支持プレート
ｔｃ１〜ｔｃ４  搬送用制御部
ｔｍ  メモリ
ｘｅ１  上ハンドエンコーダ
ｘｅ２  下ハンドエンコーダ
ｘｍ１  上ハンド進退用駆動モータ
ｘｍ２  下ハンド進退用駆動モータ
Ｗ  基板
ｗｃ  中心
【図１】
2014022589.tif 000003
【図２】
2014022589.tif 000004
【図３】
2014022589.tif 000005
【図４】
2014022589.tif 000006
【図５】
2014022589.tif 000007
【図６】
2014022589.tif 000008
【図７】
2014022589.tif 000009
【図８】
2014022589.tif 000010
【図９】
2014022589.tif 000011
【図１０】
2014022589.tif 000012
【図１１】
2014022589.tif 000013
【図１２】
2014022589.tif 000014
【図１３】
2014022589.tif 000015
【手続補正書】
【提出日】平成25年10月10日(2013.10.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１６４】
搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する上段熱処理部３０３（図３）の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。なお、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰから取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。 
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２４３】
（１１−７）上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５が基板処理装置１００の外部装置として用いられるが、これに限らず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置が基板処理装置１００の外部装置として用いられてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に処理を行う基板処理装置であって、
基板を支持する支持部を有し、前記支持部により支持された基板に処理を行うように構成された処理ユニットと、
基板を保持するように構成された第１の保持部を有し、前記第１の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された搬送装置と、
前記搬送装置の前記第１の保持部が基板を前記処理ユニットの前記支持部の所定位置に載置するように前記搬送装置を制御するための制御情報を記憶する記憶部と、
前記記憶部により記憶された制御情報に基づいて前記搬送装置を制御する制御部と、
前記第１の保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記第１の保持部により移動される基板の外周部の複数の部分をそれぞれ検出するように設けられた複数の検出器とを備え、
前記制御部は、前記第１の保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記複数の検出器の出力信号に基づいて、前記支持部上において前記第１の保持部により載置されることになる基板の位置と前記所定位置とのずれが相殺されるように前記制御情報を補正し、補正された制御情報に基づいて前記搬送装置を制御するように構成される、基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の保持部は、基板の一面を吸着する吸着保持機構を有する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記複数の検出器の各々は、前記第１の保持部による基板の移動経路に光を出射するとともに移動経路からの反射光または透過光を帰還光として受光し、検出結果として前記帰還光の受光の有無を示す信号を出力するように構成される、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数の検出器の出力信号に基づいて前記複数の検出器により基板の外周部の複数の部分がそれぞれ検出されたタイミングを検出し、検出されたそれぞれのタイミングに基づいて、前記支持部上において前記第１の保持部により載置されることになる基板の位置と前記所定位置とのずれが相殺されるように前記制御情報を補正する、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記複数の検出器は、前記第１の保持部により移動される基板の外周部の３以上の部分をそれぞれ検出するように設けられた３以上の検出器を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記支持部は、基板を水平姿勢で保持しつつ回転させる回転保持装置を含み、
前記処理ユニットは、前記回転保持装置に保持された基板上の膜に処理を行う膜処理装置をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記膜処理装置は、前記回転保持装置により保持された基板上の膜の周縁部を除去するように構成された膜除去機構を含む、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記膜処理装置は、前記回転保持装置により保持された基板上の膜の周縁部に露光光を照射するように構成された光照射機構を含む、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記処理ユニットは、基板に温度処理を行う温度処理装置をさらに含み、
前記支持部は、前記温度処理装置の上面上に基板を支持する支持部材を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。 
【請求項１０】
前記搬送装置は、基板を保持するように構成された第２の保持部をさらに有し、前記第２の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成され、
前記記憶部は、前記搬送装置の前記第２の保持部が基板を前記処理ユニットの前記支持部の所定位置に載置するように前記搬送装置を制御するための制御情報を記憶し、
前記複数の検出器は、前記第２の保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記第２の保持部により移動される基板の外周部の複数の部分をそれぞれ検出するように設けられ、
前記制御部は、前記第２の保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記複数の検出器の出力信号に基づいて、前記支持部上において前記第２の保持部により載置されることになる基板の位置と前記所定位置とのずれが相殺されるように前記制御情報を補正し、補正された制御情報に基づいて前記搬送装置を制御するように構成される、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
基板処理装置を用いて基板に処理を行う基板処理方法であって、
前記基板処理装置は、
基板を支持する支持部を有し、前記支持部により支持された基板に処理を行うように構成された処理ユニットと、
基板を保持するように構成された保持部を有し、前記保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された搬送装置とを備え、
前記搬送装置の前記保持部が基板を前記処理ユニットの前記支持部の所定位置に載置するように前記搬送装置を制御するための制御情報を記憶するステップと、
前記保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記保持部により移動される基板の外周部の複数の部分を複数の検出器によりそれぞれ検出するステップと、
前記保持部が基板を前記支持部上に載置する前に、前記複数の検出器の出力信号に基づいて、前記支持部上において前記保持部により載置されることになる基板の位置と前記所定位置とのずれが相殺されるように前記制御情報を補正するステップと、
補正された制御情報に基づいて前記搬送装置の前記保持部が基板を前記処理ユニットの前記支持部の所定位置に載置するように前記搬送装置を制御するステップと、
基板が前記処理ユニットの前記支持部の所定位置に載置された後、前記処理ユニットにより基板に処理を行うステップとを備える、基板処理方法。 
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2014022589.tif 000016