(57)【要約】  【課題】錆やパーティクル等の異物の装置チャンバー内への侵入による半導体ウェハ等の加工品質の低下を防止する。  【解決手段】吸気口４側の軸端部に心棒２２を有するロータ軸７と、該ロータ軸７の心棒２２にボルト２４で締結されたロータ８とを備え、ロータ８にボルト２４の締結部を覆うようにカバー２６を取り付ける。又、排気するガスに対しての締結部の腐食を防止するとともに該締結部からの錆発生を防止し、カバー２６内の異物が吸気口４側に流出しないように構成する。カバー２６は耐腐食性および防錆性のある材料で作り、カバー２６、ロータ締結用ボルト２４及び心棒２２は、表面に耐腐食性および防錆性のあるニッケルコーティング処理を施す。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸気口及び排気口を有するケーシング内に、前記吸気口側の軸端部に心棒を有するロータ軸と、該ロータ軸の前記心棒にボルトで締結されたロータとを備えた真空ポンプのロータにおいて、
前記ボルトの締結部を覆うようにカバーを配置したことを特徴とする真空ポンプのロータ。
【請求項２】
前記カバーは、耐腐食性および防錆性があることを特徴とする請求項１に記載の真空ポンプのロータ。
【請求項３】
前記カバーは、表面に耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理が施されていることを特徴とする請求項２に記載の真空ポンプのロータ。
【請求項４】
前記ボルト及び前記心棒は、表面に耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理が施されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の真空ポンプのロータ。
【請求項５】
前記コーティング処理は、ニッケルコーティング処理であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の真空ポンプのロータ。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれかに記載の真空ポンプのロータを備えたことを特徴とする真空ポンプ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、真空ポンプのロータ及び真空ポンプに関し、特に、半導体製造ラインなどで使用される気体を排気する場合に使用して最適な真空ポンプのロータ及び真空ポンプに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造装置では、エッチング等のプロセス装置から排出されたプロセスガスを外部へ排気する手段として、図６に例示するターボ分子ポンプ等の真空ポンプ５１が使用される。
【０００３】
この真空ポンプ５１は、吸気口４４及び排気口４６を有するケーシング４２と、このケーシング４２内に設けたモータ部４５により回転するロータ軸４７と、該ロータ軸４７に取り付けられたロータ４８と、該ロータ４８における吸気口４４側の端面に形成された凹部４９と、前記ロータ軸４７を回転可能に支持するベース部４３とを備える。前記吸気口４４には、例えば半導体製造装置のチャンバー（図示せず）が接続されている。
【０００４】
ケーシング４２内における吸気口４４側には、心棒５２を有するロータ軸４７が設けられている。
【０００５】
また、該心棒５２の端部には、ロータ４８がボルト５５，５５で締結され、ボルト５５，５５の締結部はロータ４８の凹部４９底面に設けられている。
【０００６】
上記構成において、半導体製造工程から吸気口４４に流入したプロセスガスＧは、回転するロータ４８によって下向きの運動量が与えられることにより、ネジ溝ポンプ部ＳＰの上流に移送される。ついで、プロセスガスＧは、ネジ溝ポンプ部ＳＰで圧縮された後、排気口４６から外部に排気される（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３９７４７７２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ターボ分子ポンプ等の真空ポンプを半導体製造装置用として使用した場合は、各種の腐食性のプロセスガスを半導体の基板（ウェハ）に作用させる工程が数多くあるため、真空ポンプを介して当該半導体製造装置の外部にプロセスガスを排出する際に、プロセスガスにより、心棒とロータとを締結するボルトの表面に腐食や錆を発生させたり、或いは、プロセスガス中の成分の物理化学的変化によりパーティクル（微粒子、ダスト）を発生させる。
【０００９】
そして、前記錆やパーティクル等の異物を含むプロセスガスが減圧と昇圧を繰り返すうちに、プロセスガスと一緒に前記異物が、吸気口に接続されたチャンバー内に逆流することがあった。
【００１０】
尚、通常のステンレス製のボルトであれば、真空中でも錆びる恐れは少ないが、プロセスガス中の成分によっては前記ボルトに錆を発生させることがある。
【００１１】
そして、前記錆やパーティクル等の異物が、プロセスガスと一緒にチャンバー側に逆流して、半導体製造装置内に侵入することがある。この場合は、半導体製造工程において、錆やパーティクル等の異物が悪影響を及ぼすという問題があった。
【００１２】
例えば、前記錆やパーティクル等の異物が半導体ウェハに付着して、半導体ウェハの加工品質を低下させるという問題があった。
【００１３】
そこで、上記背景技術に鑑み、前記ボルトの締結部分の腐食や発錆、或いは上記異物の製造工程への侵入に起因する半導体ウェハ等の加工品質の低下を防止するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記の課題解決手段として、本発明は、心棒にロータを固定するボルトの締結部分に錆や腐食の発生を防止し、異物の吸気口側への流出を抑制する手段を採択したことを要旨とする。
【００１５】
請求項１に記載の発明は、吸気口及び排気口を有するケーシング内に、前記吸気口側の軸端部に心棒を有するロータ軸と、該ロータ軸の前記心棒にボルトで締結されたロータとを備えた真空ポンプのロータにおいて、前記ボルトの締結部を覆うようにカバーを配置したことを特徴とする真空ポンプのロータを提供する。
【００１６】
この構成によれば、前記カバーにより、ボルトの締結部（心棒の端部を含む）を覆うことで、プロセスガスとの接触に起因する該ボルトの締結部における腐食や発錆を抑制する。また、カバーとロータとにより形成された空間内の錆、パーティクル等の異物が吸気口側に流出しないようせき止めることで、吸気口に接続した装置チャンバー内への異物の侵入を防止する。
【００１７】
請求項２に記載の発明では、前記カバーは耐腐食性および防錆性があることを特徴とする請求項１に記載の真空ポンプのロータを提供する。
【００１８】
この構成によれば、カバー自体は、耐腐食性および防錆性を有する材料から成るので、排気するガスによるカバーの腐食及び発錆が抑制される。
【００１９】
請求項３に記載の発明では、前記カバーは表面に耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理が施されていることを特徴とする請求項２に記載の真空ポンプのロータを提供する。
【００２０】
この構成によれば、カバーの表面には、耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理が施されているので、装置チャンバーから排気されるプロセスガスによるカバー表面の腐食及び発錆を効果的に防止することができる。
【００２１】
請求項４に記載の発明では、前記ボルト及び前記心棒は表面に耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理が施されていることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載の真空ポンプのロータを提供する。
【００２２】
この構成によれば、ボルト及び心棒の表面には、耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理が施されているので、装置チャンバーから排気されるプロセスガスによるボルト及び心棒の各表面の腐食及び発錆を効果的に防止することができる。
【００２３】
請求項５に記載の発明では、前記コーティング処理は、ニッケルコーティング処理であることを特徴とする請求項３または請求項４に記載の真空ポンプのロータを提供する。
【００２４】
この構成によれば、請求項３または請求項４に記載のコーティング処理、即ち、カバー、ボルト及び心棒の各表面に施されたコーティング処理がニッケルコーティング処理であるので、ニッケルコーティング処理により、腐食性ガスによるカバー、ボルト及び心棒の各表面の腐食及び発錆を一層効果的に防止することができる。
【００２５】
請求項６に記載の発明は、請求項1から請求項５のいずれかに記載の真空ポンプのロータを備えたことを特徴とする真空ポンプを提供する。
【００２６】
この構成によれば、請求項1から請求項５のいずれかに記載の真空ポンプのロータによる作用、たとえばボルトの締結部における腐食や発錆を抑制し、また、吸気口に接続した装置チャンバー内への異物の侵入を防止する、等の作用を奏することができる。
【発明の効果】
【００２７】
請求項１に記載の発明は、ボルトの締結部をカバーで覆うことで、該締結部における腐食と発錆を防止し、また、ボルトの締結部領域（締結部周辺部を含む）に生じた錆やパーティクル等の異物が吸気口側に流出しないように構成したので、上記装置チャンバー内への異物の侵入を阻止することができる。その結果、従来技術の如き、装置チャンバー内における錆、パーティクル等の異物による製造工程への悪影響、例えば半導体ウェハの加工品質の低下を未然に防止することができる。
【００２８】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明の効果に加えて、腐食性ガスによるカバーの腐食及び発錆を抑制できるので、カバーの耐久性が向上する。
【００２９】
請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明の効果に加えて、腐食性ガスによるカバーの表面の腐食及び発錆を一層確実に防止できるので、カバーの耐久性を更に向上させることができる。
【００３０】
請求項４に記載の発明は、請求項１から請求項３のいずれかに記載の発明の効果に加えて、腐食性ガスによるボルト及び心棒の各表面の腐食及び発錆を効果的に防止することができるので、ボルト及び心棒の耐久性を更に向上させることができる。
【００３１】
請求項５に記載の発明は、請求項３または請求項４の発明の効果に加えて、腐食性ガスによるカバー、ボルト及び心棒の各表面の腐食及び発錆をより一層確実に防止できるので、カバーの耐久性を更に一層向上させることができる。
【００３２】
請求項６に記載の発明は、請求項1から請求項５のいずれかに記載の真空ポンプのロータによる効果、たとえば上記装置チャンバー内への異物の侵入を阻止できるので、装置チャンバー内における錆、パーティクル等の異物による製造工程への悪影響を防止でき、半導体ウェハの加工品質の改善、或いはボルト及び心棒の耐久性の向上などの優れた効果を発揮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】本発明の実施形態に係る真空ポンプ（ターボ分子ポンプ）を示す断面図。
【図２】図１の真空ポンプの上部を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）はボルト締結部分を示す平面図。
【図３】本発明の他の実施形態に係る真空ポンプ（ターボ分子ポンプ）を示し、（ａ）は断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部詳細図。
【図４】本発明の実施形態に係る真空ポンプ（ドラッグポンプ）を示す断面図。
【図５】本発明の他の実施形態に係る真空ポンプ（ドラッグポンプ）を示す断面図。
【図６】従来例に係る真空ポンプを示す断面図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００３４】
本発明は、ボルト締結部分から発生した錆やパーティクル等の異物の侵入に起因する半導体ウェハ等の加工品質の低下を防止するという目的を達成するため、吸気口及び排気口を有するケーシング内に、前記吸気口側の軸端部に心棒を有するロータ軸と、該ロータ軸の前記心棒にボルトで締結されたロータとを備えた真空ポンプのロータにおいて、前記ボルトの締結部を覆うようにカバーを配置したことを特徴とする。
【実施例】
【００３５】
以下、本発明の好適な実施の形態について説明する。本実施形態は、真空ポンプの一例としてターボ分子ポンプに適用したものである。
【００３６】
本実施例では、ロータ軸の心棒とロータとをボルトで締結し、該ボルトの締結部は、前記ロータに形成した凹部内に設け、また、該ロータの凹部内にはカバーを取り付ける。
【００３７】
前記カバーによりボルト締結部を覆うように形成し、これによって、凹部内の気体が真空ポンプの吸気口側に逆流しないように構成する。そのため、凹部内の気体中に錆やパーティクル等の異物が含まれていても、該異物が気体とともに、前記吸気口に接続された装置チャンバー側に流出する虞がない。
【００３８】
カバー自体は、耐腐食性および防錆性を有する材料で作製でき、この構成によると、排気するガスによるカバーの腐食及び発錆をより効果的に抑制することが可能になる。
【００３９】
図１は、本発明の実施形態に係るターボ分子ポンプ１の内部を示す断面図である。このターボ分子ポンプ１は、真空室の排気処理を行うために適した真空ポンプであり、例えば半導体製造工程における真空装置側チャンバー（本実施例では、「装置チャンバー」という）２１の排気口側に連通接続されている。
【００４０】
ターボ分子ポンプ１は、ターボ分子ポンプ部とねじ溝ポンプ部とを備え、腐食性若しくは凝縮し易いガス等を含んだプロセスガスを排気する場合に好適に使用される。
【００４１】
ターボ分子ポンプ１の外装体を形成するケーシング２は、該ケーシング２の下部側に設けられた略円筒状のアルミニウム製のベース部３と共に、ターボ分子ポンプ１の筐体を構成している。この筐体の内部には、ターボ分子ポンプ１に排気機能を発揮させるガス移送機構が収納され、ガス移送機構は、筐体に固定された固定部と、固定部に対し回転自在に設けられた回転部とから構成されている。
【００４２】
ケーシング２における軸方向一端側には、ターボ分子ポンプ１へプロセスガスを導入するための吸気口４が形成されている。また、ケーシング２の吸気口４側の端面には、外周側へ張り出したフランジ部５が形成されている。
【００４３】
更に、ベース部３における軸方向他端側には、ターボ分子ポンプ１からプロセスガスを排気するための排気口６が形成されている。
【００４４】
回転部は、ロータ軸７と、該ロータ軸７に取り付けられたロータ８と、該ロータ８に設けられた複数枚の回転翼１５と、排気口６側（ねじ溝ポンプ部ＳＰ側）に設けられた筒型回転部材１０などから構成されている。ロータ軸７における吸気口４側の軸端部には、ロータ軸７よりも小径の心棒２２が形成されている。このロータ軸７の軸線方向中間部には、ロータ軸７を高速回転させるためのモータ部１１が設けられている。
【００４５】
前記固定部は、吸気口４側に設けられた複数枚の固定翼９と、ケーシング２の内周面に設けられたねじ溝スペーサ（筒状外側ステータ）１６などから構成されている。各段の固定翼９は、円筒型スペーサ１７により互いに隔てられ、回転翼９に対して互い違いになるよう複数段形成されている。
【００４６】
ねじ溝スペーサ１６には、筒型回転部材１０との対向面においてらせん溝が形成され、ねじ溝スペーサ１６は、所定のクリアランスを隔てて、筒型回転部材１０の外周面に対面している。また、前記らせん溝の深さは、排気口６に近づくに伴い次第に浅くなるように形成され、らせん溝を輸送されるプロセスガスは、排気口６側に接近するに伴い次第に圧縮されるように構成されている。
【００４７】
図２（ａ）に示すように、ロータ８の上側端面には凹部２３が形成されているとともに、該凹部２３の底面にはステンレス製のロータ締結用ボルト２４，２４が締着されている。このロータ締結用ボルト２４，２４は、ロータ軸７の心棒２２に座金２５を介してロータ８を締結するものである。
【００４８】
このように、ロータ８に形成した凹部２３の底面には、ロータ軸７の心棒２２を締結するためのロータ締結用ボルト２４，２４が締着されている。
【００４９】
ここで、従来技術では、前述したように凹部内に錆やパーティクル等の異物が存在する場合、この異物がプロセスガスとともに装置チャンバー２１側に逆流して、半導体製造工程において悪影響を及ぼし、加工品質を低下させる等の問題があった。
【００５０】
本実施例では、かかる問題を解決するための手段が講じられている。即ち、ロータ８の凹部２３内には、図２（ｂ）に例示する円盤形状のカバー２６が付設され、このカバー２６によってロータ締結用ボルト２４，２４の締結部の外周が気密に覆われている。
【００５１】
これにより、プロセスガスに対しての前記ロータ締結用ボルト２４，２４の締結部（心棒２２の端部を含む）の腐食を防止するとともに、該締結部からの錆の発生を防止し、また、カバー２６内の異物が吸気口４側に流出しないように構成されている。
【００５２】
さらに、カバー２６自体は、耐腐食性および防錆性のある材料で作製され、カバー２６の材料としてはアルミニウムのほかに、チタンなどの材料を採択することもできる。この構成により、プロセスガスによるカバー２６の腐食及び発錆を効果的に抑制することができる。
【００５３】
前記カバー２６は、凹部２３の内径と同一寸法の外径を有し、該カバー２６の中央部を貫通する座金２０付のカバー取付用ボルト２７によって、心棒２２の上端面にカバー２６が取り付けられている。これにより、ロータ８の凹部２３内にカバー２６が装着固定されるとともに、該カバー２６は凹部２３との間に隙間を生じないように気密に構成されている。
【００５４】
このように、カバー２６と凹部２３とは、両者の間からガス漏れを生じないように気密性が確保されているため、凹部２３内に存するプロセスガスが、吸気口４側に逆流しないように構成されている。
【００５５】
尚、座金２５には、回転体のバランス取りのための質量付加手段（図示せず）を設けることができ、この質量付加手段としては、例えばネジ、割りピン又はブシュ等からなる錘を採択できる。このように、回転体のバランス取りを行うことで、ロータ８の局部箇所に応力集中を生じさせることなく、ロータ８の円滑な高速回転が確保される。
【００５６】
上記の構成によれば、カバー２６により凹部２３の底面側内部を気密に被蓋したことによって、カバー２６の内側（凹部２３の底面側空間）に存在するプロセスガスが吸気口４側に漏洩する虞がない。
【００５７】
そのため、カバー２６の内側（凹部２３の底面側空間）に、錆やパーティクル等の異物がプロセスガスと一緒に存在していても、従来例の如く、前記異物がプロセスガスとともに装置チャンバー２１側に逆流することが防止される。
【００５８】
また、本実施例では、上記カバー２６の表面には、耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理、たとえば無電解ニッケルメッキ処理が施されている。このため、カバー２６の表面において、前記プロセスガスによる腐食及び発錆が効果的に抑制される。
【００５９】
また、本実施例では、ロータ締結用ボルト２４，２４、心棒２２及びカバー取付用ボルト２７の表面、並びに、吸気口４の開口部に設けたステンレス製の保護アミ２８及び保護アミ用止め輪２９の表面にも、無電解ニッケルメッキ処理が施されている。
【００６０】
このため、ロータ締結用ボルト２４，２４、心棒２２、座金２０，２５及びカバー取付用ボルト２７の表面、並びに、吸気口４の開口部に設けたステンレス製の保護アミ２８及び保護アミ用止め輪２９の表面は、高い腐食防止作用及び錆発生防止作用を有する。
【００６１】
従って、前記プロセスガスによるロータ締結用ボルト２４，２４、心棒２２、座金２０，２５及びカバー取付用ボルト２７の表面の腐食及び発錆を効果的に抑制できる。
さらに、仮にプロセスガスがカバー２６内から漏洩して吸気口４側に逆流した場合でも、プロセスガスによって保護アミ２８及び保護アミ用止め輪２９の表面が腐食及び発錆することを抑制できる。
【００６２】
図３は、前記凹部２３に装着したカバー２６の他の実施態様例を示し、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ部詳細図である。なお、図２と同一の構成要素には、それと同一の符号を付して、その詳細な説明を省略するものとする。
【００６３】
図３（ｂ）に示すように、凹部２３の内壁にはリング状の段差部３１が設けられ、凹部２３は段差部３１を境にして、その上側部分は下側部分よりも若干大径に形成されている。この段差部３１上面にカバー２６の外周縁部が密着した状態で載置装着されている。これにより、カバー２６の外周縁部と凹部２３の内周壁面との間は、一層気密性の高いシール構造が確保されている。
【００６４】
従って、カバー２６により凹部２３内の底面側空間部が一層気密に被蓋されているため、カバー２６内のプロセスガスが前記吸気口４側に逆流することをより確実に抑制することができる。
【００６５】
さらに、前記同様に、カバー２６自体は耐腐食性および防錆性のある材料、たとえば、アルミニウム、チタンなどで作製でき、この構成により、プロセスガスによるカバー２６の腐食及び発錆を抑制することができる。
【００６６】
図４は、真空ポンプ（ドラッグポンプ）に本発明を適用した実施の形態例を示す。尚、上記実施形態と同様の構成要素には、それと同一の符号を付して、その詳細な説明を省略するものとする。
【００６７】
図４に示すように、本実施例に係る真空ポンプ（ドラッグポンプ）１Ａにおいては、ロータ８Ａの上側端面には、上側開口部を有する円筒状リブ３２が突設され、該円筒状リブ３２の内側に凹所３３が形成されている。凹所３３の底面には、ステンレス製のロータ締結用ボルト２４，２４が締着されている。
【００６８】
このロータ締結用ボルト２４，２４により、ロータ軸７の心棒２２が座金２５を介してロータ８Ａに締結されている。このように、ロータ８Ａ上面に形成した円筒状リブ３２の底面には、ロータ軸７の心棒２２を締結するためのロータ締結用ボルト２４，２４が締着されている。
【００６９】
また、円筒状リブ３２内側の凹所３３には、円盤形状のカバー２６が付設され、このカバー２６によってロータ締結用ボルト２４，２４の締結部（心棒２２を含む）の外周が気密に覆われている。
【００７０】
即ち、カバー２６は、円筒状リブ３２の内径と同一寸法の外径を有し、カバー２６の中央部を貫通するカバー取付用ボルト２７によって、心棒２２の上端面にカバー２６が取り付けられている。
【００７１】
従って、円筒状リブ３２の内側壁面とカバー２６の外周側面とは、両者の間に隙間が生じないように構成されているので、カバー２６内のプロセスガスが吸気口（図１の符号４参照）側に漏洩しないように構成されている。
【００７２】
その結果、カバー２６で施蓋した凹所３３内のプロセスガス中に錆やパーティクル等の異物が含まれていても、この異物がプロセスガスと一緒に装置チャンバー（図１の符号２１参照）側に逆流することが未然に防止される。
【００７３】
また、前記同様に、カバー２６自体は耐腐食性および防錆性のある材料、たとえば、アルミニウム、チタンなどで作製でき、この構成により、プロセスガスによるカバー２６の腐食及び発錆を抑制することができる。
【００７４】
さらに、カバー２６、座金２０及びカバー取付用ボルト２７の表面には、高い耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理、たとえば無電解ニッケルメッキ処理が施されている。
【００７５】
このため、プロセスガスによるカバー２６、座金２０及びカバー取付用ボルト２７の表面の腐食および発錆を効果的に抑制することができる。
【００７６】
また、ロータ締結用ボルト２４，２４、座金２５及び心棒２２の各表面にも、前記同様に、高い耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理、たとえばニッケルコーティング処理が施されているため、前記各表面がプロセスガスによって腐食および錆を生ずる虞がない。
【００７７】
図５は、真空ポンプ（ドラッグポンプ）に本発明を適用した他の実施の形態例を示す。尚、上記実施形態と同様の構成要素には、それと同一の符号を付して、その詳細な説明を省略するものとする。
【００７８】
図５に示すように、真空ポンプ（ドラッグポンプ）１Ａのロータ８Ａの上側端面の中央部には、ステンレス製のロータ締結用ボルト２４，２４が締着されている。このロータ締結用ボルト２４，２４により、ロータ軸７の心棒２２が座金２５を介してロータ８Ａに締結されている。
【００７９】
このように、ロータ８Ａの上側端面の中央部には、ロータ軸７の心棒２２を締結するためのロータ締結用ボルト２４，２４が締着されている。
【００８０】
また、ロータ８Ａの上側端面の中央部には、上側に天面部を有する短い円筒状のカバー２６Ａが付設され、このカバー２６Ａによってロータ締結用ボルト２４，２４の締結部（心棒２２の端面を含む）が気密に覆われている。
【００８１】
即ち、カバー２６Ａは、該カバー２６Ａの中央部を貫通するカバー取付用ボルト２７によって、心棒２２の上端面に固定され、カバー２６Ａの下端とロータ８Ａの上側端面とは、両者の間に隙間が生じないように構成されている。
【００８２】
さらに、前記同様に、カバー２６Ａ自体は耐腐食性および防錆性のある材料、たとえば、アルミニウム、チタンなどで作製でき、これにより、カバー２６Ａ表面の腐食及び発錆を効果的に抑制することができる。
【００８３】
また、カバー２６Ａ、座金２０及びカバー取付用ボルト２７の各表面は、高い耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理、たとえば無電解ニッケルメッキ処理が施されている。このため、前記各表面の腐食及び錆を抑制することができる。
【００８４】
さらに、ロータ締結用ボルト２４，２４、座金２５及び心棒２２の各表面についても、高い耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理、たとえばニッケルコーティング処理が施されている。このため、ロータ締結用ボルト２４，２４等の各表面に腐食及び錆を発生させる虞がない。
【００８５】
本実施例では、カバー２６Ａの下側端面とロータ８Ａの上側端面とは、両者の間に隙間が生じないように構成されている。これにより、カバー２６Ａ内に滞留するプロセスガスが吸気口（図１の符号４参照）側に漏洩する恐れはない。そのため、カバー２６Ａ内のプロセスガス中に錆やパーティクル等の異物がふくまれていても、この異物が装置チャンバー（図１の符号２１参照）側に流出することが未然に防止される。
【００８６】
叙上のごとく、本発明によると、カバーにより、ボルトの締結部を覆うように構成したことによって、排気するガスが高い腐食性のプロセスガスである場合でも、該プロセスガスによるボルトの締結部の腐食を防止するとともに、ボルトの締結部における発錆を防止することができる。
【００８７】
併せて、カバー内に存在する錆、パーティクル（微粒子、ダスト）等の異物がプロセスガスと一緒に吸気口側に流出する恐れがないので、該異物が装置チャンバー内へ侵入することを未然に防止できる。
【００８８】
斯くして、装置チャンバー内への異物侵入に起因する半導体製造工程への悪影響を防止して、例えば半導体ウェハの加工品質を高めることができる。
【００８９】
また、カバー自体を耐腐食性および防錆性のある材料で作製することにより、プロセスガスによるカバーの腐食及び発錆を抑制でき、カバーの耐久性が向上して、カバーの寿命を長くすることができる。
【００９０】
さらに、カバーの表面に耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理を施した場合は、腐食性プロセスガスによるカバー表面の腐食及び発錆を効果的に防止し得るので、カバーの耐久性を更に向上させることができる。
【００９１】
さらにまた、本発明では、ボルト及び心棒についても、これらの表面に耐腐食性および防錆性のあるコーティング処理を施すことができ、以って、ボルト及び心棒の耐久性を更に向上させることができる。
【００９２】
また、カバー、ボルト及び心棒の各表面に施されたコーティング処理がニッケルコーティング処理である場合は、腐食性プロセスガスによるカバー、ボルト及び心棒の各表面の腐食及び発錆をより一層確実に防止して、これら部材の寿命を更に延長させることができる。
【００９３】
なお、本発明は、本発明の精神を逸脱しない限り種々の改変を為すことができ、そして、本発明が該改変されたものに及ぶことは当然である。
【符号の説明】
【００９４】
１      ターボ分子ポンプ（真空ポンプ）
１Ａ    ドラッグポンプ（真空ポンプ）
２      ケーシング
３      ベース部
４      吸気口
５      フランジ部
６      排気口
７      ロータ軸
８      ロータ
８Ａ    ロータ
９      回転翼
１０    筒型回転部材
１１    モータ部
１５    固定翼
１６    ねじ溝スペーサ（筒状外側ステータ）
２１    装置チャンバー
２２    心棒
２３    凹部
２４    ロータ締結用ボルト
２５    座金
２６    カバー
２６Ａ  カバー
２８    保護アミ
２９    保護アミ用止め輪
３１    段差部
３２    円筒状リブ
３３    凹所
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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