(57)【要約】【課題】真空状態にある空間の異物を除去すること。【解決手段】光を通過可能な真空状態の空間内の異物を除去する異物除去装置であって、空間のうち光の光路から外れた位置に配置され、空間内を飛散する異物を捕捉する捕捉部を備える。【選択図】図１
2014022644.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を通過可能な真空状態の空間内の異物を除去する異物除去装置であって、
前記空間のうち前記光の光路から外れた位置に配置され、前記空間内を飛散する前記異物を捕捉する捕捉部を備える
異物除去装置。
【請求項２】
前記捕捉部は、前記異物の運動エネルギーを奪うことによって前記異物の運動を停止させる
請求項１に記載の異物除去装置。
【請求項３】
前記空間には、前記光が入射する光学面を有する光学素子が設けられており、
前記捕捉部は、前記空間内のうち前記光学面とは異なる部分の少なくとも一部に設けられる
請求項１又は請求項２に記載の異物除去装置。
【請求項４】
前記捕捉部は、光源と照明光学系の間に形成される中間集光点の近傍に設けられる
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の異物除去装置。
【請求項５】
前記捕捉部は、前記光路を囲うように筒状に形成されている
請求項４に記載の異物除去装置。
【請求項６】
前記空間は、所定のチャンバーによって形成されており、
前記捕捉部は、前記チャンバーの壁面の少なくとも一部に設けられる
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の異物除去装置。
【請求項７】
前記空間内には、前記光を照射する被照射物が設けられており、
前記捕捉部は、衝突した前記異物が前記被照射物に向けて反射可能な面に設けられる
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の異物除去装置。
【請求項８】
前記空間には、当該空間を移動可能な移動部が設けられており、
前記捕捉部は、前記移動部の近傍に設けられ、前記移動部で発生する前記異物を捕捉する
請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の異物除去装置。
【請求項９】
前記空間には、前記光の光源が設けられており、
前記捕捉部は、前記光源の近傍に設けられる
請求項１から請求項８のうちいずれか一項に記載の異物除去装置。
【請求項１０】
前記異物を前記捕捉部へ案内する案内部を更に備える
請求項１から請求項９のうちいずれか一項に記載の異物除去装置。
【請求項１１】
前記捕捉部は、
前記異物を吸着させる吸着部と、
前記吸着部を支持するフレーム部と
を有する
請求項１から請求項１０のうちいずれか一項に記載の異物除去装置。
【請求項１２】
前記吸着部は、エアロゲルを含む材料で構成される
請求項１１に記載の異物除去装置。
【請求項１３】
前記フレーム部は、前記吸着部を補強する補強部を有する
請求項１１又は請求項１２に記載の異物除去装置。
【請求項１４】
前記空間には、前記空間を吸引するポンプ装置が接続されており、
前記捕捉部は、前記ポンプ装置との接続部分の近傍に設けられる
請求項１１から請求項１３のうちいずれか一項に記載の異物除去装置。
【請求項１５】
前記所定の波長の光は、極端紫外光である
請求項１から請求項１４のうちいずれか一項に記載の異物除去装置。
【請求項１６】
光を通過可能な真空状態の空間内の異物を除去する異物除去方法であって、
前記空間内を飛散する前記異物を捕捉可能な捕捉部を、前記空間のうち前記光の光路から外れた位置に配置させ、前記捕捉部によって前記異物を捕捉する
異物除去方法。
【請求項１７】
前記捕捉部は、前記異物の運動エネルギーを奪うことによって前記異物の運動を停止させる
請求項１６に記載の異物除去方法。
【請求項１８】
前記光は、極端紫外光である
請求項１６又は請求項１７に記載の異物除去方法。
【請求項１９】
光を通過させる真空状態の空間を形成するチャンバーと、
前記空間のうち前記光の光路から外れた位置に配置され、前記空間内を飛散する異物を捕捉する捕捉部と
を備えるチャンバー装置。
【請求項２０】
前記捕捉部は、前記異物の運動エネルギーを奪うことによって前記異物の運動を停止させる
請求項１９に記載のチャンバー装置。
【請求項２１】
前記空間には、前記光が入射する光学面を有する光学素子が設けられており、
前記捕捉部は、前記空間内のうち前記光学面とは異なる部分の少なくとも一部に設けられる
請求項１９又は請求項２０に記載のチャンバー装置。
【請求項２２】
前記捕捉部は、光源と照明光学系の間に形成される中間集光点の近傍に設けられる
請求項１９から請求項２１のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
【請求項２３】
前記捕捉部は、前記光路を囲うように筒状に形成されている
請求項２２に記載のチャンバー装置。
【請求項２４】
前記捕捉部は、前記チャンバーの壁面のうち少なくとも一部に設けられる
請求項１９から請求項２１のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
【請求項２５】
前記空間内には、前記光を照射する被照射物が設けられており、
前記捕捉部は、衝突した前記異物が前記被照射物に向けて反射可能な面に設けられる
請求項１９から請求項２１のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
【請求項２６】
前記空間には、当該空間を移動可能な移動部が設けられており、
前記捕捉部は、前記移動部の近傍に設けられ、前記移動部で発生する前記異物を捕捉する
請求項１９から請求項２１のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
【請求項２７】
前記空間には、前記光の光源が設けられており、
前記捕捉部は、前記光源の近傍に設けられる
請求項１９から請求項２６のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
【請求項２８】
前記異物を前記捕捉部へ案内する案内部を更に備える
請求項１９から請求項２７のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
【請求項２９】
前記捕捉部は、
前記異物を吸着させる吸着部と、
前記吸着部を支持するフレーム部と
を有する
請求項１９から請求項２８のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
【請求項３０】
前記吸着部は、エアロゲルを含む材料で構成される
請求項２９に記載のチャンバー装置。
【請求項３１】
前記フレーム部は、前記吸着部を補強する補強部を有する
請求項２９又は請求項３０に記載のチャンバー装置。
【請求項３２】
前記空間には、前記空間を吸引するポンプ装置が接続されており、
前記捕捉部は、前記ポンプ装置との接続部分の近傍に設けられる
請求項２９から請求項３１のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
【請求項３３】
前記所定の波長の光は、極端紫外光である
請求項１９から請求項３２のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置。
【請求項３４】
光を通過可能な真空状態の空間に前記光を射出する光源部と、
前記空間のうち前記光の光路から外れた位置に配置され、前記空間内を飛散する異物を捕捉する捕捉部と
を備える光源装置。
【請求項３５】
前記捕捉部は、前記異物の運動エネルギーを奪うことによって前記異物の運動を停止させる
請求項３４に記載の光源装置。
【請求項３６】
前記光は、極端紫外光である
請求項３４又は請求項３５に記載の光源装置。
【請求項３７】
露光光を射出する光源装置と、
前記露光光を通過させる真空状態の空間を形成するチャンバー装置と、
前記空間内の前記異物を除去する異物除去装置と
を備え、
前記空間内において、前記露光光によって所定のパターンを所定の基板に転写する露光装置であって、
前記異物除去装置として、請求項１から請求項１５のうちいずれか一項に記載の異物除去装置が用いられている
露光装置。
【請求項３８】
露光光を射出する光源装置と、
前記露光光を通過させる真空状態の空間を形成するチャンバー装置と
を備え、
前記空間内において、前記露光光によって所定のパターンを所定の基板に転写する露光装置であって、
前記チャンバー装置として、請求項１９から請求項３３のうちいずれか一項に記載のチャンバー装置が用いられている
露光装置。
【請求項３９】
露光光を射出する光源装置と、
前記露光光を通過させる真空状態の空間を形成するチャンバー装置と
を備え、
前記空間内において、前記光によって所定のパターンを所定の基板に転写する露光装置であって、
前記光源装置として、請求項３４から請求項３６のうちいずれか一項に記載の光源装置が用いられている
露光装置。
【請求項４０】
請求項３７から請求項３９のうちいずれか一項に記載の露光装置を用いて基板を露光することと、
露光された前記基板を現像することと
を含むデバイス製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異物除去装置、異物除去方法、光源装置、チャンバー装置、露光装置及びデバイス製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フォトリソグラフィ工程で用いられる露光装置において、例えば下記特許文献に開示されているような、露光光として極端紫外（ＥＵＶ：Extreme Ultra-Violet）光を用いるＥＵＶ露光装置が案出されている。ＥＵＶ露光装置は、露光光が通過する空間を真空状態として露光処理を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００５／１５７３８４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、真空状態にある空間において、例えばパーティクルなどの異物は、当該空間からの移動抵抗を受けにくい状態となるため、空間内を移動する。当該異物は、壁面や構造物に対して衝突を繰り返しながら徐々に運動エネルギーを低下させ、一定の速度以下になると壁面や構造物に衝突して付着する。異物が例えば露光装置のマスクやウエハなどに付着すると、露光精度が低下する場合がある。したがって、真空状態にある空間の異物を除去する技術が求められていた。
【０００５】
以上のような事情に鑑み、本発明の態様は、真空状態にある空間の異物を除去することが可能な異物除去装置、異物除去方法、光源装置、チャンバー装置、露光装置及びデバイス製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第一の態様に従えば、光を通過可能な真空状態の空間内の異物を除去する異物除去装置であって、空間のうち光の光路から外れた位置に配置され、空間内を飛散する異物を停止させて当該異物を捕捉する捕捉部を備える異物除去装置が提供される。
【０００７】
本発明の第二の態様に従えば、光を通過可能な真空状態の空間内の異物を除去する異物除去方法であって、空間内を飛散する異物を捕捉可能な捕捉部を、空間のうち光の光路から外れた位置に配置させ、捕捉部によって異物を停止させて異物を捕捉する異物除去方法が提供される。
【０００８】
本発明の第三の態様に従えば、光を通過させる真空状態の空間を形成するチャンバーと、空間のうち光の光路から外れた位置に配置され、空間内を飛散する異物を停止させて異物を捕捉する捕捉部とを備えるチャンバー装置が提供される。
【０００９】
本発明の第四の態様に従えば、光を通過可能な真空状態の空間に光を射出する光源部と、空間のうち光の光路から外れた位置に配置され、空間内を飛散する異物を停止させて異物を捕捉する捕捉部とを備える光源装置が提供される。
【００１０】
本発明の第五の態様に従えば、露光光を射出する光源装置と、露光光を通過させる真空状態の空間を形成するチャンバー装置と、空間内の異物を除去する異物除去装置とを備え、空間内において、露光光によって所定のパターンを所定の基板に転写する露光装置であって、異物除去装置として、本発明の第一の態様に従う異物除去装置が用いられている露光装置が提供される。
【００１１】
本発明の第六の態様に従えば、露光光を射出する光源装置と、露光光を通過させる真空状態の空間を形成するチャンバー装置とを備え、空間内において、露光光によって所定のパターンを所定の基板に転写する露光装置であって、チャンバー装置として、本発明の第三の態様に従うチャンバー装置が用いられている露光装置が提供される。
【００１２】
本発明の第七の態様に従えば、露光光を射出する光源装置と、露光光を通過させる真空状態の空間を形成するチャンバー装置とを備え、空間内において、光によって所定のパターンを所定の基板に転写する露光装置であって、光源装置として、本発明の第四の態様に従う露光装置が提供される。
【００１３】
本発明の第八の態様に従えば、本発明の第五の態様、第六の態様又は第七の態様に従う露光装置を用いて基板を露光することと、露光された前記基板を現像することとを含むデバイス製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の態様によれば、真空状態にある空間の異物を除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第一実施形態に係る露光装置の構成を示す図。
【図２】本実施形態に係る異物除去装置の構成を示す図。
【図３】第二実施形態に係る露光装置の構成を示す図。
【図４】本実施形態に係る異物除去装置の構成を示す図。
【図５】第三実施形態に係る露光装置の構成を示す図。
【図６】第四実施形態に係る露光装置の構成を示す図。
【図７】本実施形態に係る異物除去装置の構成を示す図。
【図８】第五実施形態に係る露光装置の構成を示す図。
【図９】変形例に係る異物除去装置の構成を示す図。
【図１０】変形例に係る異物除去装置の構成を示す図。
【図１１】マイクロデバイスの製造工程の一例を示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［第一実施形態］  
図面を参照して、本発明の第一実施形態を説明する。
【００１７】
図１は、本実施形態に係る露光装置１の構成を示す図である。  
図１に示すように、露光装置１は、露光光ＥＬとして波長が１００ｎｍ以下で、例えば３〜５０ｎｍ程度の範囲内の１１ｎｍ又は１３ｎｍ等のＥＵＶ光（Extreme Ultra Violet light）を用いるＥＵＶ露光装置である。
【００１８】
露光装置１は、露光光ＥＬを発生するレーザープラズマ光源１１及び露光光ＥＬでレチクル（被吸着物）Ｒを照明する照明光学系ＩＬＳを含む照明光学装置３と、レチクルＲを保持して移動するレチクルステージＲＳＴと、レチクルＲの下面であるパターン面（以下、レチクル下面と称する）に形成されたパターンの像を、レジスト（感光材料）が塗布されたウエハ（感光性基板）Ｗ上に投影する投影光学系ＰＯとを備えている。さらに、露光装置１は、ウエハＷを保持して移動するウエハステージＷＳＴと、装置全体の動作を統括的に制御するコンピュータを含む主制御系３０等とを備えている。
【００１９】
本実施形態では、露光光ＥＬとしてＥＵＶ光が使用されているため、照明光学系ＩＬＳ及び投影光学系ＰＯは、特定のフィルタ等（図示せず）を除いて複数のミラーにより構成され、レチクルＲも反射型である。これらのミラーの反射面及びレチクル下面には、ＥＵＶ光を反射する多層の反射膜が形成されている。
【００２０】
また、露光光ＥＬの気体による吸収を防止するため、露光装置１はほぼ全体として箱状の真空チャンバー２内に収容され、真空チャンバー２内の空間を排気管３２Ａａ、３２Ｂａ等を介して真空排気するための大型の真空ポンプ３２Ａ、３２Ｂ等が備えられている。さらに、真空チャンバー２内で露光光ＥＬの光路上の真空度をより高めるために複数のサブチャンバー（図示せず）も設けられている。一例として、真空チャンバー２内の気圧は１０−５Ｐａ程度、真空チャンバー２内で投影光学系ＰＯを収納するサブチャンバー（図示せず）内の気圧は１０−５〜１０−６Ｐａ程度である。また、露光装置１は、真空チャンバー２内の異物を除去する異物除去装置４を備えている。
【００２１】
以下、図１において、ウエハステージＷＳＴが載置される面（真空チャンバー２の底面）の法線方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内で図１の紙面に垂直な方向にＸ軸を、図１の紙面に平行な方向にＹ軸を取って説明する。本実施形態では、レチクル下面での露光光ＥＬの照明領域２７Ｒは、Ｘ方向に細長い円弧状であり、露光時にレチクルＲ及びウエハＷは投影光学系ＰＯに対してＹ方向（走査方向）に同期して走査される。
【００２２】
レーザープラズマ光源１１は、高出力のレーザ光源（図示せず）と、このレーザ光源から真空チャンバー２の窓部材１５を介して供給されるレーザ光を集光する集光レンズ１２と、キセノン又はクリプトン等のターゲットガスを噴出するノズル１４と、回転楕円面状の反射面を持つ集光ミラー１３とを備えた、ガスジェットクラスタ方式の光源である。
【００２３】
レーザープラズマ光源１１から放射された露光光ＥＬは、集光ミラー１３の第二焦点に集光する。その第二焦点に集光した露光光ＥＬは、凹面ミラー２１を介してほぼ平行光束となり、露光光ＥＬの照度分布を均一化するための一対の反射型インテグレータ２２及び反射型インテグレータ２３からなるオプティカル・インテグレータ（フライアイ光学系）１６に導かれる。なお、フライアイ光学系の基本的な構成及び作用については、例えば米国特許第６，４５２，６６１号明細書に開示されている。
【００２４】
反射型インテグレータ２３の近傍の面は、照明光学系ＩＬＳの瞳面であり、この瞳面又はこの近傍の位置に開口絞りＡＳが配置されている。開口絞りＡＳは、種々の形状の開口を有する複数の開口絞りを代表的に表している。主制御系３０の制御のもとで、開口絞りＡＳを交換することによって、照明条件を通常照明、輪帯照明、２極照明又は４極照明等に切り換えることができる。
【００２５】
オプティカル・インテグレータ１６を経た露光光ＥＬは、一度集光した後に曲面ミラー２４に入射し、曲面ミラー２４で反射された露光光ＥＬは、凹面ミラー２５で反射された後、ブラインド板２６Ａの円弧状のエッジ部で−Ｙ方向の端部が遮光された後、レチクル下面を円弧状の照明領域２７Ｒで下方から照明する。レチクル下面を照明する円弧状の照明領域２７Ｒは、均一な照度分布を有する。曲面ミラー２４と凹面ミラー２５とからコンデンサ光学系が構成されている。コンデンサ光学系によって、反射型インテグレータ２３を構成するエレメント群からの光がレチクル下面を重畳的に照明する。なお、図１の例では、曲面ミラー２４は凸面ミラーであるが、曲面ミラー２４を凹面ミラーより構成し、その分だけ凹面ミラー２５の曲率を小さくするようにしてもよい。凹面ミラー２１、オプティカル・インテグレータ１６、曲面ミラー２４及び凹面ミラー２５を含んで照明光学系ＩＬＳが構成されている。なお、照明光学系ＩＬＳの構成は任意であり、例えば露光光ＥＬのレチクル下面に対する入射角をさらに小さくするために、例えば凹面ミラー２５とレチクルＲとの間にミラーを配置してもよい。
【００２６】
レチクルＲの照明領域２７Ｒ内で反射した露光光ＥＬは、ブラインド板２６Ｂの円弧状のエッジ部で＋Ｙ方向の端部が遮光された後、投影光学系ＰＯに入射する。投影光学系ＰＯを通過した露光光ＥＬは、ウエハＷ上の露光領域（照明領域２７Ｒと共役な領域）２７Ｗに投影される。なお、ブラインド板２６Ａ，２６Ｂは、例えば照明光学系ＩＬＳ内のレチクル下面との共役面の近傍に配置してもよい。
【００２７】
レチクルＲは、レチクルステージＲＳＴの下面に、静電チャック（基台）ＲＨを介して吸着保持されている。レチクルステージＲＳＴは、レーザ干渉計（図示せず）の計測値及び主制御系３０の制御情報に基づいて、真空チャンバー２の外面のＸＹ平面に平行なガイド面に沿って、例えば磁気浮上型二次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（図示せず）によってＹ方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｘ方向及びθＺ方向（Ｚ軸回りの回転方向）等にも微小量駆動される。レチクルステージＲＳＴを真空チャンバー２側に覆うようにパーティション１８が設けられ、パーティション１８内は不図示の真空ポンプによって大気圧と真空チャンバー２内の気圧との間の気圧に維持されている。
【００２８】
レチクル下面側には、レチクル下面に対して例えば斜めに計測光を照射して、レチクル下面のＺ方向の位置（Ｚ位置）を計測する光学式のレチクルオートフォーカス系（図示せず）が配置されている。主制御系３０は、走査露光中にレチクルオートフォーカス系の計測値に基づいて、例えばレチクルステージＲＳＴ内のＺ駆動機構（図示せず）を用いてレチクルＲのＺ位置を許容範囲内に調整する。
【００２９】
投影光学系ＰＯは、一例として、６枚のミラーＭ１〜Ｍ６を不図示の鏡筒で保持することによって構成され、物体（レチクルＲ）側に非テレセントリックで、像（ウエハＷ）側にテレセントリックの反射系であり、投影倍率は１／４倍等の縮小倍率である。レチクルＲの照明領域２７Ｒで反射された露光光ＥＬが、投影光学系ＰＯを介してウエハＷ上の露光領域２７Ｗに、レチクルＲのパターンの一部の縮小像を形成する。
【００３０】
投影光学系ＰＯにおいて、レチクルＲからの露光光ＥＬは、ミラーＭ１で上方（＋Ｚ方向）に反射され、続いてミラーＭ２で下方に反射された後、ミラーＭ３で上方に反射され、ミラーＭ４で下方に反射される。次にミラーＭ５で上方に反射された露光光ＥＬは、ミラーＭ６で下方に反射されて、ウエハＷ上にレチクルＲのパターンの一部の像を形成する。一例として、ミラーＭ１，Ｍ２，Ｍ４，Ｍ６は凹面鏡であり、他のミラーＭ３，Ｍ５は凸面鏡である。
【００３１】
ウエハＷは、静電チャック（図示せず）を介してウエハステージＷＳＴ上に吸着保持されている。ウエハステージＷＳＴは、ＸＹ平面に沿って配置されたガイド面上に配置されている。ウエハステージＷＳＴは、レーザ干渉計（図示せず）の計測値及び主制御系３０の制御情報に基づいて、例えば磁気浮上型二次元リニアアクチュエータよりなる駆動系（図示せず）によってＸ方向及びＹ方向に所定ストロ−クで駆動され、必要に応じてθＺ方向等にも駆動される。
【００３２】
ウエハステージＷＳＴ上のウエハＷの近傍には、例えばレチクルＲのアライメントマークの像を検出する空間像計測系２９が設置され、空間像計測系２９の検出結果が主制御系３０に出力されている。主制御系３０は、空間像計測系２９の検出結果から投影光学系ＰＯの光学特性（諸収差、あるいは波面収差等）を求めることができる。なお、その光学特性は、テストプリント等で求めることも可能である。
【００３３】
露光の際には、ウエハＷ上のレジストから生じるガスが投影光学系ＰＯのミラーＭ１ないしＭ６に悪影響を与えないように、ウエハＷはパーティション１７の内部に配置される。パーティション１７には露光光ＥＬを通過させる開口が形成され、パーティション１７内の空間は、真空ポンプ（図示せず）により真空排気されている。
【００３４】
ウエハＷ上の１つのショット領域（ダイ）を露光するときには、露光光ＥＬが照明光学系ＩＬＳによりレチクル下面を円弧状の照明領域２７Ｒで照明し、レチクルＲとウエハＷとは投影光学系ＰＯに対して投影光学系ＰＯの縮小倍率に従った所定の速度比でＹ方向に同期して移動する（同期走査）。このようにして、レチクルパターンはウエハＷ上の一つのショット領域に露光される。その後、ウエハステージＷＳＴを駆動してウエハＷをステップ移動した後、ウエハＷ上の次のショット領域に対してレチクルＲのパターンが走査露光される。このようにステップ・アンド・スキャン方式でウエハＷ上の複数のショット領域に対して順次レチクルＲのパターンの像が露光される。
【００３５】
静電チャックＲＨは、レチクルＲをその自重に逆らって静電吸着して保持するものである。静電チャックＲＨは、図１に示すレチクルステージＲＳＴの下面に一体的に接続されている。レチクルステージＲＳＴは水平方向で移動することから、静電チャックＲＨの静電吸着力は、レチクルステージＲＳＴが移動したときにもレチクルＲを一体的に安定して保持できる大きさに設定されている。静電チャックＲＨは、クーロン力型及びジャンセン・ラーベック力型（ＪＲ力型）のいずれであってもよい。
【００３６】
静電チャックＲＨの下面は、レチクルＲが吸着保持される吸着面ＲＨａとなっている。吸着面ＲＨａは、水平方向に平行する平面状に形成されている。静電チャックＲＨの内部には、レチクルＲに対する吸着力を発生するために用いられる内部電極Ｅが設けられている。内部電極Ｅは、吸着面ＲＨａと略平行して形成されている。
【００３７】
レチクルＲは、ウエハＷを所定のパターンで露光するために用いられるものであり、略矩形板状に成形されている。レチクルＲの材質としては、石英又は低膨張ガラスの一種であり石英にチタンを添加したチタンドープ石英等が挙げられる。レチクルＲは、その板面が水平方向に平行する姿勢で、静電チャックＲＨの吸着面ＲＨａに吸着保持される。レチクルＲのレチクル下面Ｒｂには、ウエハＷを露光するための所定のパターンが形成されている。なお、上記パターンは、レチクル下面Ｒｂの周縁部を除いた領域に形成されている。
【００３８】
ウエハＷには、製造するマイクロデバイスの品種に応じたパターンを形成するため、その品種に応じて複数のレチクルＲが準備されている。複数のレチクルＲは、図示しないレチクル保管部に載置されて保管されている。製造するマイクロデバイスの品種交換に伴ってレチクルＲを交換するため、露光装置１には、レチクル保管部と静電チャックＲＨとの間でレチクルＲを搬送するレチクル搬送系が設けられている。
【００３９】
レチクル搬送系は、レチクル載置部５７１と、当該レチクル載置部５７１を駆動する不図示の駆動装置とを含んで構成されている。レチクル載置部５７１は、その上面にレチクルＲを載置して搬送するものであって、図示しないが平面視略Ｕ字状に形成された板状の部材である。すなわち、レチクル載置部５７１は、レチクルＲにおけるレチクル下面Ｒｂの周縁部を下方から支持できる形状となっている。このため、レチクル載置部５７１によるレチクルＲの搬送時に、レチクル下面Ｒｂのパターンを損傷することを防止できる。載置部駆動装置は、レチクル載置部５７１を水平方向及び鉛直方向で移動させるものである。
【００４０】
本実施形態の露光装置ＥＸは、レチクルＲとウエハＷとを所定の走査方向に同期移動しつつ、レチクルＲのパターンの像をウエハＷに投影する走査型露光装置、所謂スキャニングステッパである。本実施形態においては、ウエハＷの走査方向（同期移動方向）をＹ軸方向とし、レチクルＲの走査方向（同期移動方向）もＹ軸方向とする。露光装置ＥＸは、ウエハＷを投影光学系ＰＬの投影領域に対してＹ軸方向に移動するとともに、そのウエハＷのＹ軸方向への移動と同期して、照明光学系ＩＬの照明領域に対してレチクルＲをＹ軸方向に移動しつつ、レチクルＲを露光光ＥＬで照明し、そのレチクルＲからの露光光ＥＬをウエハＷに照射して、そのウエハＷを露光する。
【００４１】
上記のように構成された露光装置１において、真空チャンバー２の内部の空間２０が真空状態にある場合、例えばパーティクルなどの異物Ｐは、当該空間２０からの移動抵抗を受けにくい状態となる。このため、異物Ｐは、空間２０内を移動する。当該異物Ｐは、真空チャンバー２の壁面や露光装置ＥＸの構造物などに対して衝突を繰り返しながら徐々に運動エネルギーを低下させ、一定の速度以下になると壁面や構造物に衝突して付着する。このような異物Ｐが例えば露光光ＥＬの光路上の構造物に付着することによる露光精度の低下を防ぐため、空間２０には異物除去装置４が設けられている。
【００４２】
図２は、本実施形態に係る異物除去装置４の構成を示す概略図である。  
図２に示すように、異物除去装置４は、露光光ＥＬの光路に沿った位置、例えばレーザープラズマ光源１１と凹面ミラー２１との間、凹面ミラー２１とオプティカル・インテグレータ１６との間、オプティカル・インテグレータ１６と曲面ミラー２４との間、曲面ミラー２４と凹面ミラー２５との間、凹面ミラー２５とレチクルＲとの間、レチクルＲと投影光学系ＰＯとの間、の少なくとも１箇所に設けることができる。
【００４３】
異物除去装置４は、捕捉部４１及び案内部４２を有する。  
捕捉部４１は、空間２０を直線的に移動する異物Ｐを捕捉する。捕捉部４１は、露光光ＥＬの光路から外れた位置に配置されている。捕捉部４１は、吸着部４１ａ及びフレーム部４１ｂを有する。
【００４４】
吸着部４１ａは、真空チャンバー２の内部を移動する異物Ｐを吸着させる。吸着部４１ａは、例えばエアロゲルなどの多孔質材料を用いて形成されている。このようなエアロゲルしては、例えばシリカエアロゲルやカーボンナノチューブエアロゲルなどを挙げることができる。捕捉部４１が露光光ＥＬの光路から外れた位置に配置されているため、吸着部４１ａの材料については、露光光ＥＬを透過可能な材料に限られず露光光ＥＬを透過させない材料についても選択可能となるため、幅広く吸着部４１ａの材料を選択することができる。吸着部４１ａは、フレーム部４１ｂに保持されている。なお、吸着部４１ａとしてエアロゲルを用いる場合、空間２０にエアロゲルの脱ガス成分（水など）が放出される場合がある。これに対して、例えば、空間２０を吸引する真空ポンプ３２Ａに接続された排気管（接続部分）３２Ａａの近傍（例えば、排気管３２Ａａの内部）に異物除去装置４が配置されていても良い。この構成によれば、エアロゲルから排出される水蒸気が排気管３２Ａａから空間２０の外部に排気されることになる。
【００４５】
フレーム部４１ｂは、例えば直方体の箱状に形成されている。フレーム部４１ｂは、吸着部４１ａを収容する。吸着部４１ａは、フレーム部４１ｂに収容された状態で保持されている。フレーム部４１ｂは、例えば不図示の支持部を介して真空チャンバー２の壁部などに支持されている。フレーム部４１ｂの少なくとも一面には、開口部４１ｃが設けられている。開口部４１ｃには、吸着部４１ａの一部が露出している。開口部４１ｃは、露光光ＥＬの光路に向けられている。
【００４６】
案内部４２は、異物Ｐを捕捉部４１へと案内する。案内部４２は、露光光ＥＬの光路から外れた位置に設けられている。本実施形態では、捕捉部４１と案内部４２とが露光光ＥＬの光路を挟む位置に配置された構成が示されているが、これに限られることは無い。捕捉部４１及び案内部４２の両方が露光光ＥＬの光路から外れた位置に配置されている構成であれば、他の配置であっても良い。案内部４２は、露光光ＥＬの光路上を移動する異物Ｐの軌道を変更し、光路から外れた位置に配置される捕捉部４１へと異物Ｐを誘導する。案内部４２は、例えば開口部４１ｃから露出した吸着部４１ａに対して異物Ｐを誘導可能である。
【００４７】
案内部４２としては、例えば異物Ｐに光を照射させることで当該異物Ｐを帯電させる帯電機構（不図示）と、帯電した異物Ｐに電場を作用させて異物Ｐの軌道を曲げる電場発生機構（不図示）とを有する構成などが挙げられる。この他、案内部４２として、希薄流体を用いて異物Ｐの軌道を曲げる構成などを用いても良い。案内部４２は、例えば露光光ＥＬの光路上を移動する異物Ｐの軌道を、照明光学装置３の光軸に交差（例、直交）する方向に曲げることが可能である。
【００４８】
案内部４２は、異物Ｐの軌道を曲げることにより、フレーム部４１ｂの開口部４１ｃに露出した吸着部４１ａに対して当該異物Ｐを衝突させる。吸着部４１ａに衝突した異物Ｐは、吸着部４１ａによって運動エネルギーが奪われ、運動が停止する。このように、吸着部４１ａは、当該吸着部４１ａに衝突した異物Ｐの運動エネルギーを奪うことによって異物Ｐの運動を停止させる。運動が停止した異物Ｐは、吸着部４１ａに吸着する。このように、捕捉部４１は、吸着部４１ａに異物Ｐを吸着させることで、当該異物Ｐを停止させて捕捉する。
【００４９】
以上のように、本実施形態に係る異物除去装置４は、露光光ＥＬを通過可能な真空状態の空間２０内の異物Ｐを除去する異物除去装置４であって、空間２０のうち露光光ＥＬの光路から外れた位置に配置され、空間２０内を飛散する異物Ｐを停止させて当該異物Ｐを捕捉する捕捉部４１を備えるので、真空状態にある空間の異物を除去することができる。
【００５０】
また、本実施形態に係る露光装置１は、露光光ＥＬを射出するレーザープラズマ光源１１と、露光光ＥＬを通過させる真空状態の空間２０を形成する真空チャンバー２と、空間２０内の異物を除去する異物除去装置４とを備えるので、真空チャンバー２の空間２０を飛散する異物を除去することができる。これにより、露光光ＥＬの光路上の構造物に異物Ｐが付着するのを防ぐことができるので、露光精度の低下を防ぐことができる。
【００５１】
［第二実施形態］  
次に、図面を参照して、本発明の第二実施形態を説明する。
【００５２】
図３は、本実施形態に係る露光装置２０１の構成を示す図である。第一実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略あるいは簡略化する。  
図３に示すように、本実施形態に係る異物除去装置５は、空間２０のうち光学面とは異なる部分に設けられている。
【００５３】
例えば、異物除去装置５は、凹面ミラー２１のうち光反射面（光学面）２１ａ〜光反射面２５ａとは異なる非光学面２１ｂ〜非光学面２５ｂに対向する位置などに設けることができる。例えば、図３に示すように、非光学面２１ｂ〜非光学面２５ｂに対向する位置には、対向部材２１ｃ〜対向部材２５ｃが設けられている。異物除去装置５は、当該対向部材２１ｃ〜対向部材２５ｃに配置されている。このように、異物除去装置５を非光学面２１ｂ〜非光学面２５ｂから離して配置させても良い。異物除去装置５を非光学面２１ｂ〜非光学面２５ｂに直接設けるのではなく非光学面２１ｂ〜非光学面２５ｃから離して設けることにより、例えば各光学素子の温調への影響を回避できる。なお、図３においては、光反射面２１ａ〜２５ａとは反対側の面に対向する位置に異物除去装置５が設けられた構成を例示しているが、これに限られることは無く、例えば各光学素子の側面に対向する位置に異物除去装置５が配置されていても良い。
【００５４】
非光学面（２１ｂ〜２５ｂ）に対向する位置に設けられる異物除去装置５は、上記実施形態とは異なり、例えばシート状の構成とすることができる。図４は、異物除去装置５の構成を示す断面図である。図４に示すように、異物除去装置５は、捕捉部５１及び接着部５２を有する。
【００５５】
捕捉部５１は、上記実施形態と同様、エアロゲルなどの多孔質材料を用いて形成されている。捕捉部５１は、上記実施形態と同様、異物Ｐの運動エネルギーを奪うことによって異物Ｐの運動を停止させて捕捉する。当該捕捉部５１は、薄膜状に形成されている。
【００５６】
接着部５２は、捕捉部５１を支持すると共に非光学面２１ｂ〜２５ｂに対向する対向部材２１ｃ〜２５ｃに貼り付けられる。接着部５２は、対向部材２１ｃ〜２５ｃに対して着脱可能に設けられている。接着部５２を対向部材２１ｃ〜２５ｃに対して着脱させることで、捕捉部５１を交換することができる。
【００５７】
以上のように、本実施形態に係る異物除去装置５は、非光学面２１ｂ〜２５ｂに対向する位置に配置され、空間２０内を飛散する異物Ｐを停止させて当該異物Ｐを捕捉する捕捉部５１を備えるので、真空状態にある空間の異物Ｐのうち光学面２１ａ〜２５ａとは異なる部分に回りこんだ異物についても除去することができる。
【００５８】
［第三実施形態］  
次に、図面を参照して、本発明の第三実施形態を説明する。
【００５９】
図５は、本実施形態に係る露光装置３０１の構成を示す図である。上記実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略あるいは簡略化する。  
図５に示すように、本実施形態に係る異物除去装置６は、当該空間２０内の異物ＰがレチクルＲに向けて照射される第一空間２０Ａと、空間２０内の異物ＰがレチクルＲとは異なる位置に向けて照射される第二空間２０Ｂと、空間２０内を通過する露光光ＥＬの光路２０Ｃとのうち、上記第一空間２０Ａに配置することができる。
【００６０】
ここで、第一空間２０Ａは、レチクルＲの移動経路を含めた領域（被照射物）に対して異物Ｐを照射可能な空間を指す。第一空間２０Ａの一例として、空間２０のうち、例えばレチクルＲに向けて異物Ｐが照射される際に、レチクルＲと異物Ｐとの間に他の構造物が設けられておらず、異物Ｐが直線移動することによって異物ＰがレチクルＲに到達するような領域とすることができる。また、一例として、第一空間２０Ａは、空間２０のうちレチクルＲから直接見通せる領域とすることができる。このような第一空間２０Ａは、空間２０のうち例えば図５において斜線で示す領域である。なお、被照射物として、レチクルＲ以外の構造物（例、ウエハＷなど）を設定しても良い。この場合、第一空間２０Ａは、図５で示す領域とは異なっても良い。
【００６１】
また、図５に示すように、空間２０内の異物ＰをレチクルＲに向けて反射可能な面に異物除去装置６を配置しても良い。この場合、異物除去装置６を配置可能な面としては、第一空間２０Ａのうち構造物の表面などが挙げられる。例えば、このような面として、ブラインド板２６Ａ及びブラインド板２６ＢのうちレチクルＲに対向する面や、真空チャンバー２の壁面の少なくとも一部などが挙げられる。なお、ブラインド板２６Ａ及びブラインド板２６ＢのうちレチクルＲに対向する面に異物除去装置６が設けられることにより、例えばレチクルＲによって反射される異物Ｐを捕捉することができる。これにより、異物Ｐを効率的に捕捉することができる。
【００６２】
なお、異物除去装置６は、捕捉部６１が第一実施形態に記載のようにフレーム部に収容された構成であっても良いし、捕捉部６１が第二実施形態に記載のようにシート状に形成されていても良い。
【００６３】
以上のように、本実施形態によれば、真空チャンバー２の空間２０のうちレチクルＲの移動経路を含めた領域に対して異物Ｐを照射可能な第一空間２０Ａに異物除去装置６を配置したので、レチクルＲに向けて異物Ｐが反射されるのを防ぐことができる。これにより、異物Ｐの発生箇所によらず、異物Ｐを効率的に除去することができる。
【００６４】
［第四実施形態］  
次に、図面を参照して、本発明の第四実施形態を説明する。
【００６５】
図６は、本実施形態に係る露光装置４００の構成を示す図である。上記実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付してその説明を省略あるいは簡略化する。  
図６に示すように、本実施形態に係る露光装置４００は、露光光ＥＬが進行する所定空間を真空状態に調整する真空システムを含むチャンバー装置４０５を備えている。本実施形態において、チャンバー装置４０５は、本体チャンバー４０６と、光源チャンバー４０７と、本体チャンバー４０６と光源チャンバー４０７とを接続する中間チャンバー４０８とを含む。本体チャンバー４０６によって形成される内部空間４０６Ｓと、光源チャンバー４０７によって形成される内部空間４０７Ｓとは、中間チャンバー４０８によって形成される内部空間４０８Ｓを介して接続されている。
【００６６】
本実施形態においては、本体チャンバー４０６に第一真空システム４０９が接続され、光源チャンバー４０７に第二真空システム４１０が接続されている。制御装置４０４は、第一真空システム４０９及び第二真空システム４１０を用いて、内部空間４０６Ｓ、内部空間４０７Ｓ及び内部空間４０８Ｓを含む、露光光ＥＬが進行する所定空間をほぼ真空状態（例えば、１×１０−４Ｐａ程度の減圧雰囲気）に調整する。
【００６７】
本実施形態において、少なくともマスクステージ４０１、照明光学系ＩＬ、及び投影光学系ＰＬは、本体チャンバー４０６の内部空間４０６Ｓに収容される。また、光源装置４０３の少なくとも一部は、光源チャンバー４０７の内部空間４０７Ｓに収容される。光源装置４０３から発生した露光光ＥＬは、光源チャンバー４０７の内部空間４０７Ｓを進行し、中間チャンバー４０８の内部空間４０８Ｓを進行した後、本体チャンバー４０６の内部空間４０６Ｓを進行する。
【００６８】
また、本実施形態の露光装置４００は、露光光ＥＬが通過するように本体チャンバー４０６の一部に形成された開口部４１１と、開口部４１１を開閉する開閉機構４１２とを備えている。開閉機構４１２が開口部４１１を閉じることによって、内部空間４０６Ｓはほぼ密閉された状態となる。また、開閉機構４１２が開口部４１１を開けることによって、露光光ＥＬは開口部４１１を通過可能である。
【００６９】
図６において、発光部４１９で発光した光は、集光ミラー４１７で反射し、集光される。本実施形態において、集光ミラー４１７は、中間チャンバー４０８の内部空間４０８Ｓに中間集光点４２０を形成する。中間チャンバー４０８の内部空間４０８Ｓには、露光光ＥＬを通過させるための開口部４２２を有するプレート部材４２３が配置されている。
【００７０】
開口部４２２は、円形（ピンホール）であり、中間集光点４２０は、開口部４２２の近傍（内側）に形成される。発光部４１９より発光されたＥＵＶ光（露光光ＥＬ）は、本体チャンバー４０６の内部空間４０６Ｓに配置されている照明光学系ＩＬに入射する。本実施形態に係る異物除去装置７は、当該中間集光点４２０の近傍に配置されている。
【００７１】
図７は、異物除去装置７の構成を示す図である。図７（ａ）は斜視図、図７（ｂ）は断面図である。  
図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、異物除去装置７は、捕捉部７１及びフレーム部７２を有する。捕捉部７１としては、上記各実施形態と同様、エアロゲルなどの多孔質材料を用いて形成されている。捕捉部７１は、露光光ＥＬの光路を囲うように円筒状に形成されている。捕捉部７１は、内部（円筒の中空部）に中間集光点４２０が位置するように配置されている。捕捉部７１は、例えば中心軸が露光光ＥＬの光路に平行となるように配置されている。
【００７２】
フレーム部７２は、捕捉部７１の外周を保持するように円筒状に形成されている。フレーム部７２は、不図示の支持機構などによって着脱可能に支持されている。このため、フレーム部７２を着脱させることで、捕捉部７１を交換することができる。なお、異物除去装置７は、異物Ｐを捕捉部７１へと案内する案内部７３を有していても良い。案内部７３の構成としては、第一実施形態と同様の構成とすることができる。案内部７３を用いることにより、異物Ｐの案内距離を短くすることができる。これにより、異物Ｐの捕捉精度を向上させることができる。
【００７３】
また、図６に示すように、基板ステージ４０２は、例えばパーティション４３７の内部空間４２４などに配置されている。開口部４１１は、内部空間４０６Ｓに収容されている投影光学系ＰＬから射出された露光光ＥＬが入射可能な位置に形成されている。開口部４１１を通過した露光光ＥＬは、内部空間４０６Ｓの外側の外部空間に射出される。基板ステージ４０２は、内部空間４０６Ｓの外側で、ウエハＷを保持しながら開口部４１１と対向する位置に移動可能である。開口部４１１と対向する位置に、基板ステージ４０２に保持されているウエハＷが配置されることによって、投影光学系ＰＬから射出され、開口部４１１を通過した露光光ＥＬが、ウエハＷに照射される。
【００７４】
露光装置４００は、開口部４１１を開閉する開閉機構４１２を備えている。開閉機構４１２は、光源装置４０３のパルス状の発光と同期して、開口部４１１を開閉する。開閉機構４１２は、光源装置４０３が露光光ＥＬを発光しているときに、開口部４１１を開け、光源装置４０３が露光光ＥＬを発光していないときに、開口部４１１を閉じる。
【００７５】
開閉機構４１２は、開口部４１１の近傍で開口部４１１に対して移動可能であり、開口部４１１よりも大きいプレート部材（移動部）４２５と、プレート部材４２５を移動する駆動装置４２６とを有する。本実施形態において、プレート部材４２５は、本体チャンバー４０６に対して内部空間４０６Ｓの外側に配置されている。具体的には、プレート部材４２５は、本体チャンバー４０６と基板ステージ４０２（ウエハＷ）との間に配置されている。また、駆動装置４２６も、本体チャンバー４０６に対して内部空間４０６Ｓの外側に配置されている。なお、プレート部材４２５は、内部空間４０６Ｓとパーティション４３７の内部空間４２４との圧力差によって変形、破損しない程度に十分な強度を有しており、内部空間４０６Ｓを良好に密閉できる。
【００７６】
本実施形態に係る異物除去装置８は、図６に示すように、開閉機構４１２のプレート部材４２５の近傍に配置されている。例えば、異物除去装置８は、プレート部材４２５に対向する位置に配置されている。異物除去装置８は、例えば上記実施形態と同様にエアロゲルなどの多孔質材料を用いて形成された捕捉部８１を有する。捕捉部８１は、例えばプレート部材４２５に向けられている。このため、捕捉部８１は、プレート部材４２５の移動（開閉動作）によって発生して内部空間４０６Ｓ側に移動する異物Ｐを効率的に捕捉することが可能である。
【００７７】
［第五実施形態］  
次に、図面を参照して、本発明の第四実施形態を説明する。  
図８は、本実施形態に係る基板搬送装置５００の構成を示す図である。  
本実施形態に係る基板搬送装置５００は、レチクルステージ５１１および昇降装置５１２が配置される露光チャンバー（露光装置）５１３を有している。露光チャンバー５１３内では、露光の照明光としてＥＵＶ光が用いられる。投影像は像光学系システム１０１を用いたもので、ウエハ（不図示）上にレチクルＲによるパターンの縮小像を形成するものである。
【００７８】
レチクルステージ５１１には、レチクルＲを固定する静電チャック５４３が設けられている。レチクルステージ５１１は、案内部５４１によって水平方向に移動可能である。昇降装置５１２は昇降テーブル５４７を有している。また、本実施形態では、露光チャンバー５１３及びロボットチャンバー５１７などの異物Ｐを除去する異物除去装置９が設けられている。
【００７９】
露光チャンバー５１３の一側には、真空ロボット５１５が配置されるロボットチャンバー５１７が設けられている。ロボットチャンバー５１７の片側には、真空レチクルライブラリ５１９が設けられ、他側には、クリーンフィルタポッドオープナ（以下ＣＦＰオープナという）５２１が設けられている。露光チャンバー５１３、ロボットチャンバー５１７、真空レチクルライブラリ５１９およびＣＦＰオープナ５２１は、真空雰囲気とされている。
【００８０】
ロボットチャンバー５１７の露光チャンバー５１３に対向する位置には、ロードロック室５２３が配置されている。ロードロック室５２３は、第二ゲートバルブ５２５を介してロボットチャンバー５１７に連通されている。また、第一ゲートバルブ５２７を介して大気中に連通されている。
【００８１】
ロードロック室５２３の外側には、第二大気ロボット５２９を介してレチクルキャリアオープナ５３１が配置されている。レチクルキャリアオープナ５３１の外側には、第一大気ロボット５３３を介して大気レチクルライブラリ５３５が配置されている。
【００８２】
大気レチクルライブラリ５３５には、露光に使用されるＥＵＶ用のレチクルＲが、レチクルキャリア５９およびクリーンフィルタポッド（以下ＣＦＰという）６１により２重に保護された状態で置かれている。ＣＦＰ５６１は減圧雰囲気中においてレチクルＲを保護する保護カバーとしての機能を有する。
【００８３】
大気レチクルライブラリ５３５に置かれたレチクルキャリア５５９は、第一大気ロボット５３３によりレチクルキャリアオープナ５３１に搬送される。そして、レチクルキャリアＩＤリーダ６３によりレチクルキャリア５５９が識別される。このレチクルキャリアオープナ５３１において、レチクルキャリア５５９が開かれＣＦＰ５６１が露出される。露出されたＣＦＰ５６１は温度補償ランプ５４５により２〜３℃程度昇温される。昇温されたＣＦＰ５６１は第二大気ロボット５２９により、第一ゲートバルブ５２７のみが開いた状態のロードロック室５２３内に搬送される。なお、レチクルキャリアオープナ５３１からロードロック室５２３に至る順路は清浄雰囲気とされている。
【００８４】
ロードロック室５２３では、第一ゲートバルブ５２７および第二ゲートバルブ５２５を閉じた状態でＣＦＰ５６１ごと真空引きが行われる。ロードロック室５２３内が所定の真空状態になると、第二ゲートバルブ５２５のみが開かれ、ＣＦＰ５６１が真空ロボット５１５により真空レチクルライブラリ５１９に搬送される。
【００８５】
真空レチクルライブラリ５１９には、例えば５枚程度のレチクルＲがＣＦＰ５６１に収容された状態で保存される。レチクルＲは温度調整機構（図示せず）により所定の温度に維持される。ＣＦＰ５６１に収容された状態のレチクルＲは、レチクルＩＤリーダ（不図示）により識別される。識別されたレチクルＲは、真空ロボット５１５によりＣＦＰ５６１に収容された状態でＣＦＰオープナ５２１に搬送される。ＣＦＰオープナ５２１では、ＣＦＰ５６１が開かれレチクルＲが露出される。
【００８６】
上記構成において、異物除去装置９は、上記実施形態と同様に、エアロゲルなどの多孔質材料を用いて形成された捕捉部９１を有する。捕捉部９１は、例えば移動する構造体の近傍に配置されている。このような位置として、例えば露光チャンバー５１３の内部空間５１３ａについては、真空ロボット５１５のアームの可動領域に沿った位置や、昇降テーブル５４７を囲う位置などが挙げられる。また、ロボットチャンバー５１７の内部空間５１７ａについては、例えばＣＦＰオープナ５２１の近傍や、第一ゲートバルブ５２７の近傍、第二ゲートバルブ５２５の近傍などが挙げられる。
【００８７】
本実施形態に係る異物除去装置９は、ゲートバルブやＣＦＰオープナ、ロボット搬送機構などの移動部の移動によって発生する異物Ｐを効率的に捕捉することが可能である。これにより、露光光の光路上の構造物に異物Ｐが付着するのを防ぐことができるので、露光精度の低下を防ぐことができる。
【００８８】
本発明の技術範囲は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更を加えることができる。  
例えば、上記実施形態においては、異物除去装置４の捕捉部４１の表面を露出させた構成を例に挙げて説明したが、これに限られることは無い。例えば、図９に示すように、捕捉部４１の表面に補強部材６００を設けても良い。補強部材６００は、例えばメッシュ部６００ａを有している。メッシュ部６００ａの眼の寸法は、例えば捕捉対称となる異物Ｐが通過可能な寸法に設定することができる。この構成では、異物Ｐはメッシュ部６００ａを通り抜けて捕捉部４１に捕捉されることになる。
【００８９】
また、上記実施形態の真空状態の空間内において、図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すような異物案内部７００を配置しても良い。図１０（ａ）は異物案内部７００の斜視図であり、図１０（ｂ）は断面図である。図１０（ａ）及び図１０（ｂ）に示すように、異物案内部７００は、中空部７０２を有し、第一端部７００ａから第二端部７００ｂにかけて屈曲しながら徐々に先細りとなる形状を有している。このため、中空部７０２は、第一端部７００ａから第二端部７００ｂにかけて屈曲しながら徐々に先が細くなっている。第一端部７００ａには、開口部７０１が形成されている。開口部７０１は、中空部７０２に接続されている。中空部７０２のうち第二端部７００ｂ側の先端には、異物除去装置１０が設けられている。この構成により、例えば空間内の異物Ｐが開口部７０１から中空部７０２に入ると、異物Ｐは内壁によって反射され、徐々に中空部７０２の先端に移動し、異物除去装置１０によって捕捉される。このように、先細りに形成された中空部７０２の先端に配置されるため、少ない体積で異物Ｐを捕捉することができる。なお、異物案内部７００は、中空部７０２の先端部に異物除去装置１０が設けられない構成であっても良い。この場合、開口部７０１から中空部７０２に侵入した異物Ｐは、例えば異物案内部７００の内壁によって中空部７０２の先端に徐々に移動し、中空部７０２の先端部において運動エネルギーを奪われて内壁に付着する。このように、異物除去装置１０が設けられない構成の異物案内部７００は、異物Ｐを停止させて捕捉することができる。このため、当該異物案内部７００自体を本発明に係る異物除去装置として用いることができる。
【００９０】
なお、上述の各実施形態のウエハ（基板）としては、半導体デバイス製造用の半導体ウエハのみならず、ディスプレイデバイス用のガラス基板、薄膜磁気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用いられるマスクまたはレチクルの原版（合成石英、シリコンウエハ）等が適用される。
【００９１】
本発明の照明光学装置を備える露光装置としては、マスクと基板とを同期移動してマスクのパターンを走査露光するステップ・アンド・スキャン方式の走査型露光装置（スキャニングステッパ）の他に、マスクと基板とを静止した状態でレチクルＲのパターンを一括露光し、基板を順次ステップ移動させるステップ・アンド・リピート方式の投影露光装置（ステッパ）にも適用することができる。また、本発明は基板上で少なくとも２つのパターンを部分的に重ねて転写するステップ・アンド・スティッチ方式の露光装置にも適用できる。
【００９２】
また、例えば米国特許第６，６１１，３１６号に開示されているように、２つのマスクのパターンを、投影光学系を介して基板上で合成し、１回の走査露光によって基板上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置などにも本発明を適用することができる。
【００９３】
露光装置の種類としては、基板に半導体素子パターンを露光する半導体素子製造用の露光装置に限られず、液晶表示素子製造用又はディスプレイ製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ）、マイクロマシン、ＭＥＭＳ、ＤＮＡチップ、あるいはレチクル又はマスクなどを製造するための露光装置などにも広く適用できる。
【００９４】
また、本実施形態においては、露光光ＥＬがＥＵＶ光である場合を例にして説明したが、露光光ＥＬとして、例えば水銀ランプから射出される輝線（ｇ線、ｈ線、ｉ線）及びＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）等の遠紫外光（ＤＵＶ光）、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）及びＦ２レーザ光（波長１５７ｎｍ）等の真空紫外光（ＶＵＶ光）等を用いることもできる。
【００９５】
また、本発明は、基板ステージ（ウエハステージ）が複数設けられるツインステージ型の露光装置にも適用できる。ツインステージ型の露光装置の構造及び露光動作は、例えば特開平１０−１６３０９９号公報及び特開平１０−２１４７８３号公報（対応米国特許６，３４１，００７号、６，４００，４４１号、６，５４９，２６９号及び６，５９０，６３４号）、特表２０００−５０５９５８号（対応米国特許５，９６９，４４１号）或いは米国特許６，２０８，４０７号に開示されている。
【００９６】
以上のように、本実施形態の露光装置は、本願請求の範囲に挙げられた各構成要素を含む各種サブシステムを、所定の機械的精度、電気的精度、光学的精度を保つように、組み立てることで製造される。これら各種精度を確保するために、この組み立ての前後には、各種光学系については光学的精度を達成するための調整、各種機械系については機械的精度を達成するための調整、各種電気系については電気的精度を達成するための調整が行われる。各種サブシステムから露光装置への組み立て工程は、各種サブシステム相互の、機械的接続、電気回路の配線接続、気圧回路の配管接続等が含まれる。この各種サブシステムから露光装置への組み立て工程の前に、各サブシステム個々の組み立て工程があることはいうまでもない。各種サブシステムの露光装置への組み立て工程が終了したら、総合調整が行われ、露光装置全体としての各種精度が確保される。なお、露光装置の製造は温度およびクリーン度等が管理されたクリーンルームで行うことが望ましい。
【００９７】
なお、上記各実施形態で記載した構成については、適宜組み合わせて用いることができる。
【００９８】
半導体デバイス等のマイクロデバイスは、図１１に示すように、マイクロデバイスの機能・性能設計を行うステップ８０１、この設計ステップに基づいたマスク（レチクル）を製作するステップ８０２、デバイスの基材である基板を製造するステップ８０３、上述の実施形態に従ってマスクのパターンを用いて露光光で基板を露光すること、及び、露光された基板を現像すること、を含む基板処理（露光処理）を含む基板処理ステップ８０４、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程などの加工プロセスを含む）８０５、検査ステップ８０６等を経て製造される。
【００９９】
なお、上述の各実施形態の要件は、適宜組み合わせることができる。また、一部の構成要素を用いない場合もある。また、法令で許容される限りにおいて、上述の各実施形態及び変形例で引用した露光装置などに関する全ての公開公報及び米国特許の開示を援用して本文の記載の一部とする。
【符号の説明】
【０１００】
ＥＬ…露光光  Ｒ…レチクル  １、２０１、３０１、４００…露光装置  ２…真空チャンバー  ３…照明光学装置  ４、５、６、７、８、９、１０…異物除去装置  １１…レーザープラズマ光源  １２…集光レンズ  １３…集光ミラー  ２０…空間  ２０Ａ…第一空間  ２０Ｂ…第二空間  ２０Ｃ…光路  ２１ａ〜２５ａ…光反射面（光学面）  ２１ｂ〜２５ｂ…非光学面  ３２Ａ…真空ポンプ  ３２Ａａ…排気管  ４１、５１、６１、７１、８１、９１…捕捉部  ４１ａ…吸着部  ４１ｂ…フレーム部  ４１ｃ…開口部  ４２…案内部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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