(57)【要約】【課題】配線基板において、配線基板の強度を損なうことなくアンダーフィルの充填不良を抑制する。【解決手段】配線基板は、第１表面と、第２表面と、複数の接続端子とを備える。第１表面は、電気絶縁性を有し、開口部が形成されている。第２表面は、電気絶縁性を有し、開口部の内側において第１表面に対して窪んでいる。複数の接続端子は、導電性を有し、行列状に配設され、開口部の内側において露出している。第２表面は、複数の接続端子が配設された第１領域と、第１領域を取り囲む第２領域と、第２領域を局所的に外側へと拡張した第３領域とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性を有し、開口部が形成された第１表面と、
電気絶縁性を有し、前記開口部の内側において前記第１表面に対して窪んだ第２表面と、
導電性を有し、前記開口部の内側において露出した複数の接続端子と
を備える配線基板であって、
前記複数の接続端子は、行列状に配設され、
前記第２表面は、
前記複数の接続端子が配設された第１領域と、
前記第１領域を取り囲む第２領域と、
前記第２領域を局所的に外側へと拡張した第３領域と
を含むことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記複数の接続端子は、前記第２表面から突出していることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記第３領域は、前記第２領域における少なくとも１つの隅部を局所的に外側へと拡張した領域を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第３領域は、前記第２領域における少なくとも１つの辺の中央部を局所的に外側へと拡張した領域を有することを特徴とする請求項１から請求項３までのいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記第２表面の表面粗さは、前記第１表面よりも粗いことを特徴とする請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記第２表面の周縁部の少なくとも一部は、第１表面に向けて漸次的に隆起していることを特徴とする請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板には、半導体チップを実装可能に構成されたものが知られている（例えば、特許文献１，２を参照）。このような配線基板には、半導体チップと接続可能に構成された接続端子が形成されている。
【０００３】
特許文献１には、メッキ材料による接続端子間の電気的な短絡を防止するために、複数の接続端子を露出させる開口を有する絶縁層を形成し、その開口における複数の接続端子の間に絶縁物を形成した後、複数の接続端子にメッキを施すことが記載されている。特許文献２には、ハンダによる接続端子間の電気的な短絡を防止するために、接続端子間に形成した絶縁層を接続端子の厚み以下になるまで薄くすることが記載されている。
【０００４】
配線基板に対する半導体チップの実装時には、配線基板の接続端子は、半導体チップに対してハンダ付けされると共に、接続端子の周囲における配線基板と半導体チップとの隙間には、アンダーフィルとも呼ばれる液状硬化性樹脂が充填される（例えば、特許文献３を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−１０３６４８号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９２６９２号公報
【特許文献３】特開２０１０−１５３４９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１，２では、行列状に配設された複数の接続端子の周囲に充填されるアンダーフィルについて十分に考慮されていなかった。例えば、特許文献１の配線基板では、行列状に配設された複数の接続端子の周囲に、配線基板の周縁にわたって平坦に広がる基板表面が形成されているため、その表面を伝ってアンダーフィルが漏れ出し、不必要な部位にまでアンダーフィルが形成されてしまう可能性があった。
【０００７】
特許文献３では、行列状に配設された複数の接続端子の周囲の基板表面に、配線パターンが部分的に形成されているため、アンダーフィルの流れが阻害され、アンダーフィルの充填不良によるボイド（空洞）が形成されてしまう可能性があった。
【０００８】
特許文献１〜３のいずれにおいても、配線基板と半導体チップとの間の線熱膨張係数差について十分に考慮されていなかった。一般的に、配線基板の線熱膨張係数は、半導体チップの線熱膨張係数よりも大きく、この線熱膨張係数差に起因する熱応力によって配線基板に損傷（例えば、基板表面のクラック（ひび割れ））が発生する場合があった。
【０００９】
そのため、配線基板において、配線基板の強度を損なうことなくアンダーフィルの充填不良を抑制することが可能な技術が望まれていた。そのほか、配線基板においては、微細化や、低コスト化、省資源化、製造の容易化、使い勝手の向上、耐久性の向上などが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態として実現することが可能である。
【００１１】
（１）本発明の一形態によれば、配線基板が提供される。この配線基板は、電気絶縁性を有し、開口部が形成された第１表面と；電気絶縁性を有し、前記開口部の内側において前記第１表面に対して窪んだ第２表面と；導電性を有し、前記開口部の内側において露出した複数の接続端子とを備える配線基板であって、前記複数の接続端子は、行列状に配設され、前記第２表面は、前記複数の接続端子が配設された第１領域と、前記第１領域を取り囲む第２領域と、前記第２領域を局所的に外側へと拡張した第３領域とを含む。この形態の配線基板によれば、第１領域、第２領域および第３領域を含む第２表面が、第１表面の開口部の内側に、第１表面に対して窪んだ状態で設けられているため、第２表面上に充填されるアンダーフィルの漏出を防止することができる。また、第１領域、第２領域および第３領域を含む第２表面が、行列状に配設された複数の接続端子の周囲に設けられているため、第２表面に配線パターンが部分的に形成されている場合と比較して、アンダーフィルの流れ性が向上し、ボイドの形成を抑制することができる。また、第１領域、第２領域および第３領域を含む第２表面が、行列状に配設された複数の接続端子の周囲に設けられているため、第２表面に配線パターンが部分的に形成されている場合と比較して、第２表面の熱応力に対する強度が向上し、熱応力による配線基板の損傷を防止することができる。また、応力集中が発生し易い部位に第３領域を形成し、その第３領域にアンダーフィルを充填することによって、アンダーフィルを用いて配線基板を補強し、熱応力による配線基板の損傷を防止することができる。また、第３領域をアンダーフィルの注入口として利用することができるため、アンダーフィルの充填性を向上させることができる。これらの結果、この形態の配線基板によれば、配線基板の強度を損なうことなくアンダーフィルの充填不良を抑制することができる。
【００１２】
（２）上記形態の配線基板において、前記複数の接続端子は、前記第２表面から突出していてもよい。この形態の配線基板によれば、アンダーフィルに接続端子が埋没することによる接続端子のハンダ付け不良を防止することができる。
【００１３】
（３）上記形態の配線基板において、前記第３領域は、前記第２領域における少なくとも１つの隅部を局所的に外側へと拡張した領域を有するとしてもよい。この形態の配線基板によれば、比較的に応力集中が発生し易い隅部に形成された第３領域によって開口部の形状に起因する応力集中を緩和し、熱応力による配線基板の損傷を防止することができる。また、隅部に形成した第３領域にアンダーフィルを充填することによって、アンダーフィルを用いて隅部周辺を補強し、熱応力による配線基板の損傷を防止することができる。
【００１４】
（４）上記形態の配線基板において、前記第３領域は、前記第２領域における少なくとも１つの辺の中央部を局所的に外側へと拡張した領域を有するとしてもよい。この形態の配線基板によれば、中央部に形成された第３領域をアンダーフィルの注入口として利用することができるため、アンダーフィルの充填性を更に向上させることができる。
【００１５】
（５）上記形態の配線基板において、前記第２表面の表面粗さは、前記第１表面よりも粗いとしてもよい。この形態の配線基板によれば、アンダーフィルの流れ性を阻害することなく、毛細管現象を利用してアンダーフィルを第２表面上の各部に行き渡らせることができる。
【００１６】
（６）上記形態の配線基板において、前記第２表面の周縁部の少なくとも一部は、第１表面に向けて漸次的に隆起していてもよい。この形態の配線基板によれば、第２表面の周縁部におけるアンダーフィルの流れ性を向上させ、第２表面の周縁部におけるボイドの形成を抑制することができる。
【００１７】
本発明は、配線基板以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、配線基板を備える装置、配線基板の製造方法などの形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１実施形態における配線基板の構成を示す上面図である。
【図２】配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図３】半導体チップを実装した配線基板の構成を示す上面図である。
【図４】半導体チップを実装した配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図５】第２実施形態における配線基板の構成を示す上面図である。
【図６】第３実施形態における配線基板の構成を示す上面図である。
【図７】第４実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。
【図８】第５実施形態における配線基板の構成を模式的に示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
Ａ．第１実施形態：
図１は、第１実施形態における配線基板１０の構成を示す上面図である。図２は、配線基板１０の構成を模式的に示す部分断面図である。図２には、図１の矢視Ｆ２−Ｆ２で切断した配線基板１０の断面を図示した。
【００２０】
図３は、半導体チップ２０を実装した配線基板１０の構成を示す上面図である。図４は、半導体チップ２０を実装した配線基板１０の構成を模式的に示す部分断面図である。図４には、図３の矢視Ｆ４−Ｆ４で切断した配線基板１０の断面を図示した。図３の矢視Ｆ４−Ｆ４は、図１の矢視Ｆ２−Ｆ２に対応する。
【００２１】
配線基板１０は、有機材料を用いて形成され、有機基板（オーガニック基板）とも呼ばれる板状の部材である。本実施形態では、配線基板１０は、図３に示すように、半導体チップ２０を実装可能に構成されたフリップチップ実装基板である。
【００２２】
配線基板１０は、図２および図４に示すように、基層１２０と、導体層１３０と、絶縁層１４０とを備える。本実施形態では、配線基板１０は、基層１２０上に導体層１３０を形成した後、その上に更に絶縁層１４０を形成してなる。他の実施形態では、配線基板１０は、基層１２０上に複数の導体層と複数の絶縁層とを交互に積層した多層構造を有するとしてもよいし、このような多層構造を基層１２０の両面にそれぞれ有するとしてもよい。
【００２３】
図１には、相互に直交するＸＹＺ軸を図示した。図１のＸＹＺ軸は、他の図におけるＸＹＺ軸に対応する。図１のＸＹＺ軸のうち、基層１２０に対する絶縁層１４０の積層方向に沿った軸をＺ軸とする。Ｚ軸に沿ったＺ軸方向のうち、基層１２０から絶縁層１４０に向かって＋Ｚ軸方向とし、＋Ｚ軸方向の反対方向を−Ｚ軸方向とする。図１のＸＹＺ軸のうち、Ｚ軸に直交する層面方向に沿った２つの軸をＸ軸およびＹ軸とする。Ｘ軸に沿ったＸ軸方向のうち、図１の紙面左から紙面右に向かって＋Ｘ軸方向とし、＋Ｘ軸方向の反対方向を−Ｘ軸方向とする。Ｙ軸に沿ったＹ軸方向のうち、図１の紙面下方から紙面上方に向かって＋Ｙ軸方向とし、＋Ｙ軸方向の反対方向を−Ｙ軸方向とする。
【００２４】
配線基板１０の基層１２０は、絶縁性材料からなる板状の部材である。本実施形態では、基層１２０の絶縁性材料は、熱硬化性樹脂、例えば、ビスマレイミドトリアジン樹脂（Bismaleimide-Triazine Resin、ＢＴ）やエポキシ樹脂である。他の実施形態では、基層１２０の絶縁性材料は、繊維強化樹脂（例えば、ガラス繊維強化エポキシ樹脂）であってもよい。図１〜図４には図示しないが、基層１２０の内部に、スルーホール、スルーホール導体などを形成して、導体層１３０に接続する配線の一部を構成してもよい。
【００２５】
配線基板１０の導体層１３０は、基層１２０上に形成された導電性材料からなる導体パターンである。本実施形態では、導体層１３０は、基層１２０の表面上に形成された銅メッキ層を所望の形状にエッチングすることによって形成される。
【００２６】
導体層１３０は、複数の接続端子１３２を構成する。複数の接続端子１３２は、絶縁層１４０から露出した導体パターンである。複数の接続端子１３２は、図４に示すように、ハンダＳＤを介して半導体チップ２０の接続端子２３２と接続可能に構成されている。本実施形態では、複数の接続端子１３２の各表面には、メッキが施されている。
【００２７】
複数の接続端子１３２は、図１に示すように、Ｘ軸およびＹ軸にそれぞれ沿って行列状に配設されている。本実施形態では、複数の接続端子１３２の行列は、５行５列であるが、これに限るものではなく、ｎ行ｍ列（ｎおよびｍは１以上の自然数、ｎ＝ｍ＝１を除く）を満たす態様であればよい。他の実施形態では、複数の接続端子１３２は、隣り合う接続端子１３２同士を交互にずらして千鳥状に配設されていてもよい。
【００２８】
本実施形態では、導体層１３０は、接続端子１３２の他、内部配線１３６を構成する。導体層１３０の内部配線１３６は、絶縁層１４０によって被覆された導体パターンである。
【００２９】
配線基板１０の絶縁層１４０は、ソルダレジストとも呼ばれる絶縁性材料からなる層である。絶縁層１４０は、第１表面１４１と、第２表面１４２と、壁面１４８とを有する。
【００３０】
絶縁層１４０の第１表面１４１は、開口部１５０が形成された絶縁層１４０の表面である。本実施形態では、第１表面１４１は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って＋Ｚ軸方向側を向いた面であり、絶縁層１４０の＋Ｚ軸方向側の表面を構成する。
【００３１】
絶縁層１４０の第２表面１４２は、開口部１５０の内側において第１表面１４１に対して基層１２０側に窪んだ絶縁層１４０の表面である。本実施形態では、第２表面１４２は、Ｘ軸およびＹ軸に沿って＋Ｚ軸方向側を向いた面であり、開口部１５０の内側において絶縁層１４０の＋Ｚ軸方向側の表面を構成する。
【００３２】
図１および図２に示すように、第２表面１４２からは、導体層１３０の接続端子１３２が露出している。図２に示すように、本実施形態では、接続端子１３２は、第２表面１４２から＋Ｚ軸方向側に突出している。他の実施形態では、接続端子１３２は、Ｚ軸方向において第２表面１４２と同じ高さであってもよいし、第２表面１４２から−Ｚ軸方向側に陥没していてもよい。
【００３３】
第２表面１４２は、図１に示すように、第１領域１４２ａと、第２領域１４２ｂと、第３領域１４２ｃとを含む。第１領域１４２ａ、第２領域１４２ｂおよび第３領域１４２ｃは、一連の平面である。
【００３４】
第２表面１４２の第１領域１４２ａは、複数の接続端子１３２が配設された領域である。本実施形態では、第１領域１４２ａは、図１に示す輪郭線ＯＬ１で囲まれた矩形状の領域である。本実施形態では、矩形状の輪郭線ＯＬ１は、相互に対向するＸ軸に沿った２つの辺と、相互に対向するＹ軸に沿った２つの辺とを有する。
【００３５】
第２表面１４２の第２領域１４２ｂは、第１領域１４２ａを取り囲む領域である。本実施形態では、第２領域１４２ｂは、図１に示す輪郭線ＯＬ１と輪郭線ＯＬ２との間に囲まれた矩形環状の領域である。本実施形態では、矩形状の輪郭線ＯＬ２は、相互に対向するＸ軸に沿った２つの辺と、相互に対向するＹ軸に沿った２つの辺とを有する。
【００３６】
第２表面１４２の第３領域１４２ｃは、第２領域１４２ｂを局所的に外側へと拡張した領域である。本実施形態では、第３領域１４２ｃは、第２領域１４２ｂの隅部１５２を円状に外側へと拡張した形状をなすが、他の実施形態では、多角形状に外側へと拡張した形状をなしてもよい。本実施形態では、第３領域１４２ｃは、矩形環状の第２領域１４２ｂにおける４つの隅部１５２にそれぞれに形成されている。本実施形態では、第３領域１４２ｃは、第２領域１４２ｂにおける隅部１５２の全てにそれぞれ形成されているが、他の実施形態では、第２領域１４２ｂにおける隅部１５２の少なくとも１つに形成されていてもよい。
【００３７】
絶縁層１４０の壁面１４８は、積層方向（Ｚ軸方向）に沿って第１表面１４１と第２表面１４２との間を繋ぐ面であり、開口部１５０を画定する。本実施形態では、壁面１４８は、図２に示すように、角張った形状で第１表面１４１および第２表面１４２に繋がる。
【００３８】
本実施形態では、絶縁層１４０は、導体層１３０が形成された基層１２０上に光硬化型絶縁性樹脂を塗布した後、露光、現像を経て形成される。絶縁層１４０における開口部１５０は、露光時にマスクされた部分に相当し、現像時に未硬化部分が洗い流されることによって、絶縁層１４０における第２表面１４２および壁面１４８が形成される。このように、絶縁層１４０における第１表面１４１、第２表面１４２および壁面１４８は、単一の層を構成する部位として一体的に形成される。本実施形態では、第２表面１４２および壁面１４８の形状は、光硬化型絶縁性樹脂の材質、露光時におけるマスクの形状、並びに、露光時における照射光の強度、照射時間および照射角度などを調整することによって実現される。
【００３９】
本実施形態では、第２表面１４２の表面粗さは、第１表面１４１よりも粗い。本実施形態では、第２表面１４２の中心線平均粗さＲａは、０．０６〜０．８μｍ（マイクロメートル）であり、第２表面１４２の十点平均粗さＲｚは、１．０〜９．０μｍである。このような第２表面１４２の表面粗さに対して、第１表面１４１の中心線平均粗さＲａは、０．０２〜０．２５μｍであり、第１表面１４１の十点平均粗さＲｚは、０．６〜５．０μｍである。
【００４０】
図３および図４に示すように、配線基板１０に対する半導体チップ２０の実装時には、複数の接続端子１３２が半導体チップ２０の接続端子２３２に対してハンダ付けされると共に、開口部１５０における配線基板１０と半導体チップ２０との隙間には、アンダーフィル３０が充填される。本実施形態では、第２表面１４２は、第１領域１４２ａ、第２領域１４２ｂおよび第３領域１４２ｃを含めた全域において、アンダーフィル３０で満たされる。
【００４１】
以上説明した第１実施形態によれば、第１領域１４２ａ、第２領域１４２ｂおよび第３領域１４２ｃを含む第２表面１４２が、第１表面１４１の開口部１５０の内側に、第１表面１４１に対して窪んだ状態で設けられているため、第２表面１４２上に充填されるアンダーフィル３０の漏出を防止することができる。また、第１領域１４２ａ、第２領域１４２ｂおよび第３領域１４２ｃを含む第２表面１４２が、行列状に配設された複数の接続端子１３２の周囲に設けられているため、第２表面１４２に配線パターンが部分的に形成されている場合と比較して、アンダーフィル３０の流れ性が向上し、ボイドの形成を抑制することができる。また、第１領域１４２ａ、第２領域１４２ｂおよび第３領域１４２ｃを含む第２表面１４２が、行列状に配設された複数の接続端子１３２の周囲に設けられているため、第２表面１４２に配線パターンが部分的に形成されている場合と比較して、第２表面１４２の熱応力に対する強度が向上し、熱応力による配線基板１０の損傷を防止することができる。また、開口部１５０において応力集中が発生し易い隅部１５２に第３領域１４２ｃを形成し、その第３領域１４２ｃにアンダーフィル３０を充填することによって、アンダーフィル３０を用いて隅部１５２の周辺を補強し、熱応力による配線基板１０の損傷（例えば、隅部１５２を起点とする第１表面１４１のクラック）を防止することができる。また、第３領域１４２ｃをアンダーフィル３０の注入口として利用することができるため、アンダーフィルの充填性を向上させることができる。これらの結果、第１実施形態によれば、配線基板１０の強度を損なうことなくアンダーフィル３０の充填不良を抑制することができる。
【００４２】
また、複数の接続端子１３２が第２表面１４２から突出しているため、アンダーフィル３０に接続端子１３２が埋没することによる接続端子１３２のハンダ付け不良を防止することができる。また、第２表面１４２の表面粗さが第１表面１４１よりも粗いため、アンダーフィル３０の流れ性を阻害することなく、毛細管現象を利用してアンダーフィル３０を第２表面１４２上の各部に行き渡らせることができる。
【００４３】
Ｂ．第２実施形態：
図５は、第２実施形態における配線基板１０ｂの構成を示す上面図である。第２実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。第２実施形態は、本明細書で説明する他の実施形態や変形例に適用することが可能である。
【００４４】
第２実施形態の配線基板１０ｂは、第２表面１４２における第３領域１４２ｃの形状が異なる点を除き、第１実施形態と同様である。第１実施形態では、第２表面１４２の第３領域１４２ｃは、第２領域１４２ｂの隅部１５２を円状に外側へと拡張した形状をなすが、第２実施形態では、第２領域１４２ｂの隅部１５２を矩形状に外側へと拡張した形状をなす。本実施形態では、第３領域１４２ｃの矩形は、Ｘ軸およびＹ軸に対して４５°傾斜した辺を有する。
【００４５】
以上説明した第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、配線基板１０ｂの強度を損なうことなくアンダーフィル３０の充填不良を抑制することができる。
【００４６】
Ｃ．第３実施形態：
図６は、第３実施形態における配線基板１０ｃの構成を示す上面図である。第３実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。第３実施形態は、本明細書で説明する他の実施形態や変形例に適用することが可能である。
【００４７】
第３実施形態の配線基板１０ｃは、第２表面１４２における第３領域１４２ｃの形状が異なる点を除き、第１実施形態と同様である。第１実施形態では、第２表面１４２の第３領域１４２ｃは、第２領域１４２ｂの隅部１５２を外側へと拡張した形状をなす。第３実施形態では、第２領域１４２ｂの中央部１５４を局所的に外側へと拡張した形状をなす。第２領域１４２ｂの中央部１５４は、輪郭線ＯＬ２の１つの辺における一方の隅部１５２と他方の隅部１５２との中間に位置する。
【００４８】
本実施形態では、第３領域１４２ｃは、第２領域１４２ｂの中央部１５４を半円状に外側へと拡張した形状をなすが、他の実施形態では、多角形状に外側へと拡張した形状をなしてもよい。本実施形態では、第３領域１４２ｃは、矩形環状の第２領域１４２ｂにおける４つの中央部１５４の１つに形成されている。他の実施形態では、第３領域１４２ｃは、第２領域１４２ｂにおける中央部１５４の全てにそれぞれ形成されていてもよいし、第２領域１４２ｂにおける２つ以上の中央部１５４に形成されていてもよい。本実施形態では、第３領域１４２ｃは、第２領域１４２ｂの隅部１５２に形成されていないが、他の実施形態では、第２領域１４２ｂの隅部１５２および中央部１５４の両方に形成されていてもよい。
【００４９】
以上説明した第３実施形態によれば、隅部１５２ではなく中央部１５４の周辺を、アンダーフィル３０を用いて補強する点を除き、第１実施形態と同様に、配線基板１０ｃの強度を損なうことなくアンダーフィル３０の充填不良を抑制することができる。また、開口部１５０における中央部１５４に形成された第２表面１４２の第３領域１４２ｃをアンダーフィル３０の注入口として利用することができるため、アンダーフィル３０の充填性を更に向上させることができる。
【００５０】
Ｄ．第４実施形態：
図７は、第４実施形態における配線基板１０ｄの構成を模式的に示す部分断面図である。第４実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。第４実施形態は、本明細書で説明する他の実施形態や変形例に適用することが可能である。
【００５１】
第４実施形態の配線基板１０ｄは、第２表面１４２が壁面１４８に対して繋がる態様が異なる点を除き、第１実施形態と同様である。第１実施形態では、第２表面１４２は、角張った形状で壁面１４８に対して繋がるが、第４実施形態では、第２表面１４２は、壁面１４８に向かうに連れて＋Ｚ軸方向に隆起した周縁部１４２ｅを有し、この周縁部１４２ｅを介して壁面１４８に対して繋がる。すなわち、第４実施形態における第２表面１４２の周縁部１４２ｅは、第１表面１４１に向けて漸次的に隆起している。本実施形態では、第１表面１４１に向けて漸次的に隆起した周縁部１４２ｅは、第２表面１４２における第２領域１４２ｂおよび第３領域１４２ｃの各部に形成されているが、他の実施形態では、第２領域１４２ｂおよび第３領域１４２ｃの一方に形成されていてもよいし、第２領域１４２ｂおよび第３領域１４２ｃの一部に形成されていてもよい。
【００５２】
以上説明した第４実施形態によれば、第１実施形態と同様に、配線基板１０ｄの強度を損なうことなくアンダーフィル３０の充填不良を抑制することができる。また、第２表面１４２の周縁部１４２ｅが第１表面１４１に向けて漸次的に隆起しているため、第２表面１４２の周縁部１４２ｅにおけるアンダーフィル３０の流れ性を向上させ、第２表面１４２の周縁部１４２ｅにおけるボイドの形成を抑制することができる。
【００５３】
Ｅ．第５実施形態：
図８は、第５実施形態における配線基板１０ｅの構成を模式的に示す部分断面図である。第５実施形態の説明において、第１実施形態と同様の構成については同一符号を付すと共に説明を省略する。第４実施形態は、本明細書で説明する他の実施形態や変形例に適用することが可能である。
【００５４】
第５実施形態の配線基板１０ｅは、第２表面１４２が絶縁層１４０とは異なる絶縁層１６０によって形成されている点を除き、第１実施形態と同様である。第５実施形態の絶縁層１６０は、絶縁層１４０と同様の絶縁性材料からなる層である。本実施形態では、絶縁層１６０は、絶縁層１４０とは異なる工程で形成される。本実施形態では、開口部１５０に対応する部分が基層１２０にまで至る絶縁層１４０を形成した後、絶縁層１４０に囲まれた開口部１５０に対応する部分に絶縁性材料を充填することによって、絶縁層１６０が形成される。
【００５５】
以上説明した第５実施形態によれば、第１実施形態と同様に、配線基板１０ｅの強度を損なうことなくアンダーフィル３０の充填不良を抑制することができる。
【００５６】
Ｆ．他の実施形態：
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部または全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部または全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１０，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ，１０ｅ…配線基板
２０…半導体チップ
３０…アンダーフィル
１２０…基層
１３０…導体層
１３２…接続端子
１３６…内部配線
１４０…絶縁層
１４１…第１表面
１４２…第２表面
１４２ａ…第１領域
１４２ｂ…第２領域
１４２ｃ…第３領域
１４２ｅ…周縁部
１４８…壁面
１５０…開口部
１５２…隅部
１５４…中央部
１６０…絶縁層
２３２…接続端子
Ｆ２−Ｆ２…矢視
Ｆ４−Ｆ４…矢視
ＳＤ…ハンダ
ＯＬ１…輪郭線
ＯＬ２…輪郭線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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