(57)【要約】【課題】表示性能及び発光効率が改善された高精細の有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、少なくとも発光層を有する有機化合物層を形成する工程と、前記有機化合物層上に中間層を形成する工程と、前記中間層を覆う保護層を形成する工程と、フォトリソグラフィーにより所定の領域にレジスト層を形成する工程と、前記レジスト層で覆われていない領域に設けられている保護層、中間層及び有機化合物層をドライエッチングにより除去する工程と、前記基板上に残存する有機化合物層上に形成された層を除去する工程と、を含み、前記中間層を形成する工程が、前記有機化合物層上に水溶性材料を含む溶液を塗布して塗布膜を成膜する工程と、前記塗膜を乾燥させる工程と、からなり、前記塗布膜を乾燥させる工程から前記保護層を形成する工程に至るまでの工程を、不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする。【選択図】図１
2014044810.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも発光層を有する有機ＥＬ素子が複数配置され、
前記発光層が所定の形状でパターニングが施されている有機ＥＬ装置の製造方法であって、
基板上に、少なくとも発光層を有する有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層上に中間層を形成する工程と、
前記中間層を覆う保護層を形成する工程と、
フォトリソグラフィーにより所定の領域にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層で覆われていない領域に設けられている保護層、中間層及び有機化合物層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記基板上に残存する有機化合物層上に形成された層を除去する工程と、を含み、
前記中間層を形成する工程が、前記有機化合物層上に水溶性材料を含む溶液を塗布して塗布膜を成膜する工程と、前記塗膜を乾燥させる工程と、からなり、
前記塗布膜を乾燥させる工程から前記保護層を形成する工程に至るまでの工程を、不活性ガス雰囲気下で行うことを特徴とする、有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記不活性ガス雰囲気が、露点が−７０℃以下でありかつ含まれる酸素ガスの濃度が５ｐｐｍ以下のガス雰囲気であることを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬの製造方法。
【請求項３】
前記不活性ガスが、窒素又は希ガスであることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記塗布膜を乾燥させる工程が、大気圧下又は減圧雰囲気下で行われることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記保護層が、前記レジスト層を形成するレジスト材料に含まれる溶媒、前記レジスト層の現像液及び水のいずれにも溶解しない無機材料で構成されることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記無機材料が、窒化ケイ素、酸化ケイ素、アモルファスシリコン、アルミナ又はＡｌであることを特徴とする、請求項５に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護層を形成する工程に、保護層を形成するための真空引き工程が含まれることを特徴とする、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法により作製されたことを特徴とする、有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ装置に複数含まれる有機ＥＬ素子は、基板上に少なくとも第一電極と、有機発光層を含む積層構造体（有機化合物層）と、第二電極と、がこの順に積層されてなる電子素子である。有機ＥＬ装置において、有機ＥＬ素子に含まれる有機発光層は、通常、所定の形状にてパターニングが施されている。ここで有機発光層についてパターニングを施す方法として、例えば、シャドウマスクを介した蒸着法により領域を指定して有機発光層の構成材料を成膜する方法が挙げられる。また別法として、インクジェットを利用した有機発光層の構成材料の塗り分け方法、フォトリソグラフィー法による有機発光層のパターニングが挙げられる。
【０００３】
この中でもフォトリソグラフィー法による有機発光層のパターニングは、パターンの高精細化という観点で有力な方法であるといえる。しかし、フォトリソグラフィー法により有機発光層のパターニングを行う場合、レジスト材料を溶解するために使用される溶媒によっては、有機ＥＬ素子を構成し有機発光層等を有する有機化合物層を溶解してしまう可能性がある。ここで有機化合物層が上述した溶媒によって部分的に溶解しただけでも発光効率が低下したり発光しなくなったりすることがある。
【０００４】
この問題を解決する方法として、例えば、特許文献１に提案されている方法がある。ここで特許文献１にて提案されている方法は、有機化合物層上に中間層を設けた後、フォトレジストを用いたパターニングを行い、次いでパターン化されたフォトレジストをマスクにして中間層及び有機化合物層をそれぞれエッチングにより加工する方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４５０７７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、一般的なフォトリソグラフィー法において使用されるレジストの現像液はアルカリ性の水溶液である。ここで特許文献１にて提案されている方法では、レジストの現像を行う時、もしくは現像後において純水等でのリンスを行う際に、現像液や純水が中間層に浸透したり、現像液等によって中間層の一部が溶解したりすることがある。そうすると、アルカリ水溶液に曝されることによって、有機化合物層や電極（下部電極）が変質したり、溶解したりする等の現象が発生し、結果として有機ＥＬ素子がダメージを受ける可能性がある。
【０００７】
そこで、現像液や純水が中間層に浸透したり、現像液等が中間層の一部を溶解したりするのを抑制するため、防湿性の高い保護層で中間層を覆い、水分等が中間層に浸透するのを防止する方法が有効である。
【０００８】
ところが、保護層は中間層を覆って形成されるため、中間層を形成した後、中間層の構成材料の吸湿により中間層の中に水分が取り込まれると、この水分が保護層により閉じ込められる。そして保護層に閉じ込められた水分は、その後のフォト工程におけるプリベークやポストベーク等の熱工程によって、保護層の内側で有機発光層やアノード表面に拡散する。その結果、有機ＥＬ装置の発光効率の低下を起こす場合がある。
【０００９】
本発明は上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的は、表示性能及び発光効率が改善された高精細の有機ＥＬ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ素子が複数配置され、
前記発光層が所定の形状でパターニングが施されている有機ＥＬ装置の製造方法であって、
基板上に、少なくとも発光層を有する有機化合物層を形成する工程と、
前記有機化合物層上に中間層を形成する工程と、
前記中間層を覆う保護層を形成する工程と、
フォトリソグラフィーにより所定の領域にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層で覆われていない領域に設けられている保護層、中間層及び有機化合物層をドライエッチングにより除去する工程と、
前記基板上に残存する有機化合物層上に形成された層を除去する工程と、を含み、
前記中間層を形成する工程が、前記有機化合物層上に水溶性材料を含む溶液を塗布して塗布膜を成膜する工程と、前記塗布膜を乾燥させる工程と、からなり、
前記塗布膜を乾燥させる工程から前記保護層を形成する工程に至るまでの工程を、不活性ガス雰囲気下で行なうことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明に係る製造方法は、中間層とレジスト層との間に、水及びフォトレジストに含まれる有機溶媒のいずれにも溶解しない材料からなる保護層を設ける工程が含まれている。保護層を設けることにより、プロセス上使用される溶媒に左右されることなく一般的なフォトリソグラフィー法を利用することができる。さらに、中間層となる塗布膜を乾燥させる工程から保護層を形成する工程に至るまでの工程を、不活性ガス雰囲気下で行なうことにより、表示不良が抑制された高精細の有機ＥＬ装置の作製が可能となる。
【００１２】
以上より、本発明によれば、表示性能及び発光効率が改善された高精細の有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】中間層成膜工程から保護層形成工程までのプロセスを示すフロー図である。
【図２】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置の例を示す断面模式図である。
【図３】図２の有機ＥＬ表示装置の製造プロセスの一例を示す断面外略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、少なくとも発光層を有する有機ＥＬ素子が複数配置され、発光層が所定の形状でパターニングが施されている有機ＥＬ装置の製造方法である。
【００１５】
本発明の製造方法は、下記に示す工程（Ａ）乃至（Ｇ）を含んでいる。
（Ａ）基板上に、少なくとも発光層を有する有機化合物層を形成する工程（有機化合物層形成工程）
（Ｂ）有機化合物層上に中間層を形成する工程（中間層形成工程）
（Ｃ）中間層上に保護層を形成する工程（保護層形成工程）
（Ｄ）フォトリソグラフィーにより所定の領域にレジスト層を形成する工程（レジスト層形成工程）
（Ｅ）レジスト層で覆われていない領域に設けられている保護層、中間層及び有機化合物層をドライエッチングにより除去する工程（有機化合物層の加工工程）
（Ｆ）有機化合物層上に形成された層を除去する工程
【００１６】
尚、工程（Ｂ）は、下記（Ｂ１）乃至（Ｂ２）からなる工程である。
（Ｂ１）有機化合物層上に水溶性材料を含む溶液を塗布して塗布膜を成膜する工程（中間層塗布工程）
（Ｂ２）（工程（Ｂ１）にて成膜した）塗布膜を乾燥させる工程（中間層乾燥工程）
【００１７】
本発明では、上記工程（Ｂ２）（乾燥工程）から工程（Ｃ）（保護層形成工程）に至るまでの工程を、不活性ガス雰囲気下で行う。本発明において、不活性ガスとして、好ましくは、窒素ガス又はヘリウム、アルゴン等の希ガスである。図１は、中間層成膜工程から保護層形成工程までのプロセスを示すフロー図である。本発明において「乾燥工程から保護層形成工程に至るまでの工程」とは、図１に示すように、中間層乾燥工程を含んでいるが、保護層形成工程そのものは含まない。より具体的には、中間層となる塗布膜の乾燥工程と、この乾燥工程の後の工程であって保護層形成工程のために行われる真空引きを行う直前までの工程をいう。また本発明において、保護層形成工程とは、保護層形成工程において使用される保護層形成装置に基板を搬入するために保護層形成工程の直前に行われる真空引きが開始されたときから、保護層の成膜が完了するまでの工程をいう。
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明する。尚、以下の説明において、特に図示又は記載がない部分に関しては、当該技術分野の周知技術又は公知技術を適用することができる。また以下に説明する実施形態は、あくまでも本発明の実施形態の一つにすぎず、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００１９】
［有機ＥＬ表示装置］
図２は、本発明の製造方法で製造される有機ＥＬ表示装置の例を示す断面模式図である。図２の有機ＥＬ表示装置１は、基板１０上に、三種類の副画素、即ち、第一副画素２０ａと、第二副画素２０ｂと、第三副画素２０ｃと、が設けられている。ここで第一副画素２０ａと、第二副画素２０ｂと、第三副画素２０ｃと、により、画素が構成されている。また三種類の副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）は、互いに異なる有機化合物層を有している。本発明において、有機化合物層とは、少なくとも発光層を含む炭層あるいは複数の層からなる積層体であり、副画素毎にそれぞれ設けられている。ここで有機化合物層が複数層の層から構成される場合、有機化合物層には発光層の他に、電子注入層、電子輸送層、正孔注入層、正孔輸送層等の層が少なくとも一層以上含まれる。また有機化合物層に含まれる発光層は、一層であってもよいし複数の層からなる積層体であってもよい。ところで「（互いに）異なる有機化合物層」とは、各副画素に含まれる発光層又は発光層以外の層の特性のうち少なくとも一つが他の副画素と異なることをいう。ここで層（発光層、発光層以外の層）の特性としては、発光層等の所定の層の構成材料、組成、膜厚、層の成膜方法、層の成膜条件等が挙げられる。
【００２０】
尚、図２の有機ＥＬ表示装置１には、第一副画素２０ａと、第二副画素２０ｂと、第三副画素２０ｃと、からなる１組の画素が示されているが、実際の有機ＥＬ表示装置では、支持基板１０上に複数の画素がマトリックス状に配置されている。
【００２１】
図２の有機ＥＬ表示装置１において、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）は、それぞれ第一電極２１と、有機化合物層２２と、電子注入・輸送層２３と、第二電極２４と、を有する。
【００２２】
第一電極２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、基板１０上に設けられる電極層（下部電極、陽極）であり、副画素ごとに個別に設けられている。また第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃは、ＴＦＴ等のスイッチング素子（不図示）と電気接続されている。
【００２３】
有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、第一電極２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）ごとに設けられており、所定の有機化合物からなる単層あるいは複数層からなる積層体である。尚、有機化合物層２２ａ、２２ｂ、２２ｃは、それぞれ少なくとも発光層（不図示）を有している。
【００２４】
電子注入・輸送層２３は、第二電極２４（上部電極、陰極）から注入される電子を有機化合物層２２に注入・輸送するために設けられる。尚、図２の有機ＥＬ表示装置１では、電子注入・輸送層２３は、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通する層として設けられているが、本発明はこれに限定されるものではない。つまり、電子注入・輸送層２３は、副画素ごとに個別に設けてもよい。
【００２５】
図２の有機ＥＬ表示装置１では、第二電極２４（上部電極、陰極）は、電荷注入・輸送層２３と同様に各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通する層として設けられているが、本発明はこれに限定されるものではない。つまり、第二電極２４は、副画素ごとに個別に設けてもよい。
【００２６】
［有機ＥＬ表示装置の製造方法］
次に、図２の有機ＥＬ表示装置の製造方法を具体例として、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法について説明する。
【００２７】
上述したように、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、少なくとも下記に示す工程（Ａ）乃至（Ｆ）を有している。
（Ａ）基板上に、少なくとも発光層を有する有機化合物層を形成する工程（有機化合物層の形成工程）
（Ｂ）有機化合物層上に中間層を形成する工程（中間層の形成工程）
（Ｃ）中間層上に保護層を形成する工程（保護層の形成工程）
（Ｄ）フォトリソグラフィーにより所定の領域にレジスト層を形成する工程（レジスト層の形成工程）
（Ｅ）レジスト層で覆われていない領域に設けられている保護層、中間層及び有機化合物層をドライエッチングにより除去する工程（有機化合物層の加工工程）
（Ｆ）有機化合物層上に形成された層を除去する工程（中間層等の除去工程）
【００２８】
尚、工程（Ｂ）（中間層の形成工程）は、下記（Ｂ１）乃至（Ｂ２）からなる工程である。
（Ｂ１）有機化合物層上に水溶性材料を含む溶液を塗布して塗布膜を成膜する工程（塗布工程）
（Ｂ２）（工程（Ｂ１）にて成膜した）塗布膜を乾燥させる工程（乾燥工程）
【００２９】
図３は、図２の有機ＥＬ表示装置の製造プロセスの一例を示す断面外略図である。また図３は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における実施形態の例を示す断面模式図でもある。図２の有機ＥＬ表示装置を製造する際には、例えば、以下の工程により有機ＥＬ表示装置を製造する。
（１）第一電極の形成工程（図３（ａ））
（２）有機化合物層の形成工程（図３（ｂ））
（３）中間層の形成工程（図３（ｃ））
（４）保護層の形成工程（図３（ｄ））
（５）レジスト層の形成工程（図３（ｅ））
（６）露光工程（図３（ｆ））
（７）有機化合物層の加工工程（図３（ｇ））
（８）中間層及び保護層の除去工程（図３（ｌ））
（９）電子注入・輸送層の形成工程（図３（ｍ））
（１０）第二電極の形成工程（図３（ｎ））
【００３０】
ただし、上記（１）乃至（１０）の工程はあくまでも具体例であり、本発明は、この態様に限定されるものではない。尚、図２の有機ＥＬ表示装置１は、発光色が異なる３種類の副画素２０ａ、２０ｂ、２０ｃをそれぞれ作製する必要があるため、（１）の工程を行った後は、（８）の工程を行う前に、（２）乃至（７）の工程を合計で３回行う必要がある。例えば、ます第一副画素２０ａに含まれる有機化合物層２２ａを（２）乃至（７）の工程で形成する（図３（ｇ））。そして、第二副画素２０ｂに含まれる有機化合物層２２ｂを（２）乃至（７）の工程で形成した後（図３（ｈ）〜図３（ｉ））、第三副画素２０ｃに含まれる有機化合物層２２ｃを（２）乃至（７）の工程で形成する（図３（ｊ）〜図３（ｋ））。
【００３１】
次に、上記（１）乃至（１０）の工程についてそれぞれ具体的に説明する。
【００３２】
（第一電極の形成工程）
まず基板１０上に第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃを形成する。基板１０は、有機ＥＬ装置を安定に製造することができ、かつ駆動できるものであれば特に制限はない。例えば、ガラス、Ｓｉウェハ等の絶縁性の基板が好適に用いられる。また本発明において基板１０は、基材と、この基材の表面上に公知の方法を用いて形成されるスイッチング素子としてのトランジスタ（不図示）と、有機ＥＬ素子を発光させるために必要なデバイス（不図示）と、からなる構成であってもよい。尚、これらの構成部材で基板１０が構成される場合、基材上に設けられている上記トランジスタと上記デバイスとからなる組み合わせが１画素構成要素として二次元的に配設されている。そしてこれらトランジスタとデバイスとの組み合わせ、即ち、トランジスタ回路には、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）及び第二電極２４がそれぞれ電気的に接続されている。このように基材上にトランジスタ回路が設けられている場合には、トランジスタ回路を設けたことによる凹凸を平坦化することを目的として、必要に応じて平坦化層をトランジスタ回路上に設けてもよい。
【００３３】
第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃは、公知の電極材料からなる電極層であり、光の取り出し方向に対応してその構成材料を適宜選択する。トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合は、第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃを反射電極とし、後述する第二電極２５を光透過性電極とする。一方、ボトムエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合は、第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃを光透過性電極とし、第二電極２４を反射電極とする。
【００３４】
反射電極として第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃを形成する場合、第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃの構成材料として、好ましくは、Ｃｒ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｐｔ等の金属材料である。これら金属材料の中でも反射率が高い材料は、光取り出し効率をより向上させることができるのでより好ましい。反射電極は、例えば、スパッタリング等の公知の方法で上記金属材料の薄膜を膜厚５０ｎｍ乃至３００ｎｍの範囲で成膜し、フォトリソグラフィー等を用いて所望の形状に加工することで、副画素ごとに別個に形成される。尚、これらの金属材料からなる薄膜上には、当該薄膜の保護あるいは仕事関数の調節等の理由により、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の光透過性を有する酸化物導電体からなる層をさらに設けてもよい。また、第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃを形成する際には、メタルマスクを使用した蒸着を利用してもよい。メタルマスクを使用した蒸着を行った場合でも、第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃは、副画素ごとに別個に形成される。
【００３５】
光透過性電極として第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃを形成する場合、第一電極２１ａ、２１ｂ、２１ｃの構成材料としては、インジウム錫酸化物やインジウム亜鉛酸化物等の光透過性を有する酸化物導電体が挙げられる。光透過性電極は、例えば、スパッタリング等の公知の方法で上記酸化物導電体からなる薄膜を膜厚１０ｎｍ乃至１００ｎｍの範囲で成膜し、フォトリソグラフィー等を用いて所望の形状に加工することで、副画素ごとに別個に形成される。
【００３６】
（有機化合物層の形成工程）
有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、有機ＥＬ表示装置の構成部材であって、少なくとも発光層を含む単層又は複数の層からなる積層体である。有機化合物層２２に含まれる発光層以外の層としては、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層が挙げられる。ただし本発明はこれらに限定されるものではない。ここで発光層に隣接する層は、電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）であってもよいし、電荷ブロック層（電子ブロック層、正孔ブロック層）であってもよい。
【００３７】
有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の構成材料としては、公知の発光材料や公知の電荷注入・輸送性材料を用いることができる。また有機化合物層２２の形成方法としては、真空蒸着法等の公知の方法を採用することができる。
【００３８】
（中間層の成膜工程）
有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の加工方法を以下に説明する。まず図３（ｃ）に示すように、成膜した第一有機化合物層２２ａ（一色目の有機化合物層）上に、中間層３０を成膜する。ところで、有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）に構成材料として、例えば、アリールアミン誘導体、スチルベン誘導体、ポリアリーレン、縮合多環炭化水素化合物等の水にほとんど溶解しない材料を用いることができる。このように第一有機化合物層２２ａの構成材料が水にほとんど溶解しない材料である場合、中間層３０の構成材料として、水に溶解する材料（水溶性材料）を好適に用いることができる。中間層３０の構成材料となり得る水溶性材料として、例えば、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリビニルカプロラクタム（ＰＶＣＡＰ）、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリスチレンスルホン酸、ポリアクリルアミド２−メチルプロパンスルホン酸、ビニルピロリドンコポリマー等の水溶性ポリマーが挙げられる。
【００３９】
中間層３０を形成する方法としては、スピンコート法、ディップ法、スリットコート法等の塗布法を用いることができるが、本発明においてはこれらに限定されるものではない。また、中間層３０を形成する際のガス雰囲気は、大気下でもよいし、後述する不活性ガス雰囲気下でもよく、特に限定されない。
【００４０】
（中間層の乾燥工程）
中間層３０となる塗膜を塗布した後、塗布膜を乾燥させて塗布膜中の溶媒を除去する。塗布膜を乾燥させて塗布膜中の溶媒を除去する具体的な方法として、好ましくは、減圧法（減圧雰囲気にして塗布膜中の溶媒を除去する方法）や加熱法（塗布膜を加熱して塗布膜中の溶媒を蒸発させる方法）が挙げられる。加熱法を利用する場合、減圧雰囲気下で加熱するよりも大気圧下で加熱する方が好ましい。大気圧下で中間層３０となる塗布膜を加熱すると塗布膜に含まれる溶媒の突沸を緩和させることができ、中間層３０において気泡の発生を抑制することができる。ただし、加熱法を採用すると、熱による有機ＥＬ装置の特性が悪化する可能性があるため、加熱法を採用する際には、有機化合物層２２及び中間層３０の各構成材料のガラス転移点（Ｔg）を超えないように処理温度を設定することが好ましい。中間層３０となる塗布膜に含まれる溶媒の沸点が有機化合物層２２及び中間層３０の各構成材料のガラス転移点（Ｔg）よりも低い場合には、処理温度をその溶媒の沸点の近傍に設定することが好ましい。特に、急激な加熱は溶媒の突沸を起こす可能性が考えられるため、加熱温度の上限は、中間層３０となる塗布膜に含まれる溶媒の沸点より２０℃高い温度を超えない範囲において適宜設定することが好ましい。例えば、中間層３０となる塗布膜に含まれる溶媒が水である場合、水の沸点が有機化合物層２２の各構成材料のＴgよりも低い場合は、加熱温度を１２０℃以下に設定して中間層３０を乾燥させる。また、溶媒の沸点が有機化合物層２２の各構成材料のＴgよりも高い場合は、有機化合物層２２の各構成材料のＴgよりも２０℃以下の処理温度で大気圧下において乾燥させるか、減圧法を用いるとよい。また、有機化合物層２２の各構成材料のＴgよりも２０℃以下の処理温度で加熱しながら減圧してもよく、適宜選択できる。ここで減圧法を選択する場合、急激な減圧は突沸を起こす可能性があるため、緩やかに減圧することが好ましい。例えば、大気圧から１×１０-2Ｐａまで３０分かけて減圧するのが好ましい。
【００４１】
本発明において、中間層３０を乾燥させる工程は、不活性ガス雰囲気下、即ち、不活性ガスが充填された環境下にて行う。ここで不活性ガスとは、有機化合物層２２の構成材料と反応しないガスを意味するものであり、好ましくは、窒素ガス又はアルゴン、ヘリウム等の希ガスである。コストの面で考慮すると、特に好ましくは、窒素ガス、アルゴンガスである。また本工程（中間層の乾燥工程）で使用される不活性ガスは、好ましくは、露点が−７０℃以下であり、特に好ましくは、露点が−８０℃以下である。このため、中間層３０を乾燥させる工程において、中間層３０が置かれる環境（不活性ガス雰囲気）も、好ましくは、露点が−７０℃以下であり、特に好ましくは、露点が−８０℃以下である。また本工程で使用される不活性ガス中及び中間層３０が置かれる環境（不活性ガス雰囲気）内に含まれる酸素ガスの濃度は、好ましくは、５ｐｐｍ以下とする。
【００４２】
以上説明したように、本発明において、中間層３０を乾燥させる工程は、不活性ガス雰囲気下にて行なわれる。ただし本工程（中間層の乾燥工程）を行う前に、中間層３０を予備的に乾燥させてもよい。ここで中間層３０を予備的に乾燥させる際には、必ずしも不活性ガス雰囲気下にて行う必要がなく大気中で行ってもよいが、大気中にて中間層３０の予備乾燥を行う場合には、本工程（中間層の乾燥工程）と同等あるいは短い時間で行うのが好ましい。
【００４３】
中間層３０の乾燥工程は、例えば、チャンバー内で行われる。本工程（中間層の乾燥工程）で使用されるチャンバーは、特に限定されないが、圧力の設定（特に、減圧設定）や不活性ガスの導入が可能なチャンバーや、グローブボックス等を好適に用いることができる。特に、グローブボックスは操作性がよいので、好ましい。
【００４４】
尚、本発明においては、後述する保護層４０の形成工程を行う際には、乾燥雰囲気下、例えば、上述した不活性ガス雰囲気下で行う必要がある。ただし、この乾燥雰囲気下に代えて、真空下（ＣＶＤ法やスパッタ法を用いて成膜できる程度の真空度で、例えば、１×１０-3Ｐａより低い圧力条件下）で行ってもよい。このため、使用されるチャンバーとして、好ましくは、中間層３０の乾燥工程で使用されるチャンバーと保護層４０を形成する際に使用されるチャンバーとが連結してなる装置である。この装置は、二つのチャンバー間の連結部分において、低湿・低酸素濃度環境下もしくは真空環境下で基板を搬送することを可能にする装置である。またこの装置は、外気とは隔離された環境の中で、中間層３０を乾燥させる工程と、保護層４０の形成工程と、を行うことができる装置である。このため、中間層３０を乾燥させた後、保護層４０が形成されるまでの間において、大気中に含まれる水分が中間層３０内に侵入するのを防ぐことができる。
【００４５】
（保護層の形成工程）
次に、中間層３０上に保護層４０を形成する。保護層４０は、中間層３０が形成された基板面全体に形成するものであり、具体的には、基板１０に形成された中間層３０の全体を覆うように保護層４０を形成する。保護層４０の構成材料は、少なくともレジスト材料に含まれる溶媒、レジスト層の現像液及び水のいずれにも溶解しない材料であれば特に限定されない。例えば、窒化ケイ素、酸化ケイ素、アモルファスシリコン、アルミナ、Ａｌ等の無機材料が挙げられる。
【００４６】
保護層４０を形成する際には、直下にある中間層３０が変質したり溶解したりすることがない製法を選択することが必要である。例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ法等のドライプロセスで形成すると、中間層３０の変質・溶解が起こりにくいので好ましい。上述したように、中間層３０を乾燥させる工程で使用されるチャンバーと保護層４０を形成する際に使用されるチャンバーとが連結してなる装置を用いるのが特に好ましい。
【００４７】
（レジスト層の形成工程）
次に、保護層４０上にレジスト層５０を形成する。塗布法を利用してレジスト層を形成する場合、具体的方法としては、スピンコート法、ディップ法、スリットコート法等を挙げることができるが特に限定されない。このとき、中間層３０及び有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、いずれも保護層４０で覆われているため、レジスト層５０を形成するレジスト材料に含まれる溶媒による影響を受けることがない。尚、塗布法を利用してレジスト層５０を形成する際は、塗布膜を成膜した後、加熱処理や減圧処理により塗布膜中に含まれる溶媒を除去する（プリベーク）必要がある。
【００４８】
（露光工程、現像工程）
塗布・形成したレジスト層５０は、露光工程、現像工程を経て所定の形状に加工される。ここで露光工程とは、所定の領域に開口を有するフォトマスク６０を用いてレジスト層５０に光６１を照射する工程である。この露光工程により、レジスト層５０は、光６１が照射されていない領域５１と、光６１が照射されている領域５２と、に分けることができる。また現像工程は、露光工程を行った後、現像液を用いて、光６１が照射されていない領域５１又は光６１が照射されている領域５２にあるレジスト層を選択的に除去する工程である。このとき、中間層３０及び有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は保護層４０で覆われているため、現像液による影響を受けることがない。図３に示されるプロセスにてレジスト層の構成材料として使用されているレジスト材料はポジ型のレジスト材料を用いているので、光６１が照射されている領域５２に設けられているレジスト層が選択的に除去される。現像工程が終了した段階で保護層４０上には、光６１が照射されていない領域５１に対応するパターン形状を有するレジスト層５０が設けられることになる。尚、現像工程が終了した後は、基板１０を加熱してポストベークを行う。
【００４９】
（有機化合物層の加工工程）
次に、所定のパターニング形状を有するレジスト層５０をマスクにして、保護層４０、中間層３０及び有機化合物層（第一有機化合物層２２ａ）を順番に加工する。保護層４０、中間層３０及び有機化合物層（第一有機化合物層２２ａ）をそれぞれ加工する方法として、例えば、エッチングを用いた対象となる層の部分的除去が用いられる。ここで、本工程にて利用されるエッチングとして、好ましくは、ドライエッチングである。尚、本工程を行う際に、マスクとして利用される所定のパターン形状を有するレジスト層５０は適宜除去してもよい。
【００５０】
（中間層、保護層の除去工程）
有機化合物層の形成工程から有機化合物層の加工工程までの工程を有機ＥＬ素子の種類の数だけ繰り返し行った後、中間層３０及び保護層４０を除去する。これら２層の除去方法として、例えば、保護層４０をドライエッチングにより除去した後に中間層３０を溶解して除去する方法が挙げられるがこれに限定されるものではない。別法として、水洗によるリフトオフ法を利用して中間層３０及び保護層４０の一括除去も用いることができる。
【００５１】
（電子注入・輸送層の形成工程）
上記のように、中間層３０及び保護層４０の除去を行った後は、有機化合物層２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）上に、電子注入・輸送層２３を形成する。尚、この電子注入・輸送層２３は、図３（ｍ）に示されるように、各副画素に共通する層として形成するのが好ましい。電子注入層の構成材料である電子注入材料は仕事関数の高いものがよい。例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルカリ金属化合物（酸化物、炭酸塩、ハロゲン化塩）、アルカリ金属化合物（酸化物、炭酸塩、ハロゲン化塩）、電子輸送材料にアルカリ金属あるいはアルカリ金属化合物をドープしたもの等が挙げられる。ここで、アルカリ金属として、具体的には、セシウム、カリウム、リチウム等を挙げることができる。またアルカリ土類金属として、具体的には、カルシウム、バリウム等が挙げられる。電子注入・輸送層２３は真空蒸着法等により形成される。
【００５２】
（第二電極の形成工程等）
トップエミッション型の有機ＥＬ表示装置を作製する場合、上部電極に相当する第二電極２４は、透明導電材料からなる透明電極とする。光透過性を有する透明導電材料は、光の透過率の高い材料が好ましい。例えば、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛等の透明導電材料や、ポリアセチレン等の有機導電材料が挙げられる。尚、Ａｇ、Ａｌ等の金属材料を１０ｎｍ乃至３０ｎｍ程度に形成した半透過膜を第二電極２４としてもよい。ここで透明導電材料を用いて光透過性の電極を形成する場合、低消費電力化を目的として、電極として用いるのに必要な低抵抗特性と、光の取り出し効率を高めるのに必要な高透過率特性と、の両方を満足する組成が好ましい。光透過性の電極になる薄膜は、スパッタリング等の公知の方法で成膜することができる。上述した低抵抗特性と高透過率特性とを兼ね備える透明導電膜を作製する場合は、成膜装置の容量、ターゲット、装置内の圧力、成膜時の出力電圧を適宜調整する必要がある。第二電極２４は、スパッタリング等の公知技術を用いて成膜することができる。また第二電極２４は、図３（ｎ）に示されるように、各副画素に共通する層として形成してもよいが、マスキング等により所望の領域に選択的に成膜することが好ましい。
【００５３】
ところで、有機ＥＬ装置は水分によって劣化するため、第二電極２４上に、水分の浸入を防ぐ封止構造（不図示）を設けることが好ましい。封止構造としては、例えば、窒化ケイ素膜や酸化ケイ素膜等の防湿性の高い膜を単層あるいは積層で設ける膜封止構成が挙げられる。またこの膜封止構成に代えて、ガラス等の防湿性の高い封止基板を用いてこの封止基板の周囲を接着剤やガラスフリットを用いて基板１０に固定するキャップ封止構成等の公知の構成も採用することができる。
【実施例１】
【００５４】
図３に示される製造プロセスに従い、図２に示される有機ＥＬ装置を作製した。
【００５５】
（１）第一電極の形成工程（図３（ａ））
まず薄膜トランジスタ回路（不図示）を具備するガラス基板（基板１０）上に、Ａｌを成膜してＡｌ層を形成した。このときＡｌ層の膜厚を１００ｎｍとした。次に、Ａｌ層上にインジウム錫酸化物を成膜してＩＴＯ層を形成した。このときＩＴＯ層の膜厚を４０ｎｍとした。次に、Ａｌ層とＩＴＯ層とからなる積層電極膜を、フォトリソグラフィー法にてパターニングを行うことで、所定のパターン形状を有する第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）をそれぞれ形成した（図３（ａ））。ここで、形成された第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）は、幅０．６μｍ×長さ１．８μｍの矩形形状であり、隣接する第一電極間の間隔は０．６μｍであった。次に、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）上及び基板１０上に窒化ケイ素を成膜してＳｉＮ膜を形成した。このときＳｉＮ膜の膜厚を１．５μｍとした。次に、フォトリソグラフィー法にてパターニングを行うことで、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）を設ける領域に開口を有し、各第一電極を画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）単位で区画する画素間分離膜（不図示）を形成した。
【００５６】
（２）第一有機化合物層の形成工程（図３（ｂ））
次に、真空蒸着法により、第一電極（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）上に、正孔注入層と、正孔輸送層と、青色発光層と、をこの順に成膜してなる第一有機化合物層２２ａを形成した（図３（ｂ））。尚、青色発光層に含まれる発光材料として、青色に発光する公知の低分子有機材料を用いた。
【００５７】
（３）中間層の形成工程（図３（ｃ））
次に、第一有機化合物層２２ａ上に、ポリビニルピロリドン水溶液を塗布し、スピンコート法により、ＰＶＰ膜を成膜した。次に、ＰＶＰ膜を成膜した基板１０を、保護層形成用ＣＶＤチャンバーに連結され、かつ不活性ガスとして窒素が充填・循環されたグローブボックスの中に搬送した。次に、基板１０を、１１０℃で２０分間加熱してＰＶＰ膜を乾燥させることで中間層３０を得た（図３（ｃ））。ここで乾燥後の中間層３０の膜厚は１．５μｍであった。次に、基板１０を、グローブボックスから保護層形成用ＣＶＤチャンバーへ搬送した。尚、基板１０が大気に暴露されないように不活性ガス雰囲気下で基板１０を搬送した。
【００５８】
（４）保護層の形成工程（図３（ｄ））
次に、ＣＶＤチャンバーの内部について真空引きを行った後、ＣＶＤ法により、中間層３０が形成された基板面の全体に窒化ケイ素を成膜して保護層４０を形成した（図３（ｄ））。このとき保護層４０の膜厚は１μｍとした。
【００５９】
（５）レジスト層の形成工程（図３（ｅ））
次に、スピンコート法により、保護層４０上に、ポジ型レジストを成膜し、次いで成膜したレジスト膜を加熱乾燥させることによりレジスト層５０を形成した（図３（ｅ））。
【００６０】
（６）露光工程、現像工程（図３（ｆ））
次に、第一副画素２０ａ以外の領域に開口を有するＣｒ製のフォトマスク６０を用いて、レジスト層５０に光６１を照射した（図３（ｆ））。次に、アルカリ性現像液による現像と、純水を用いたリンスと、を順次行い、露光された領域５２のレジスト層を選択的に除去した。次に、基板１０に対してポストベークを行った。
【００６１】
（７）有機化合物層の加工工程（図３（ｇ））
次に、パターニングされたフォトレジスト層（領域５１に設けられるレジスト層）をマスクにして、ＲＩＥ装置を用いたドライエッチングにより、保護層４０と、中間層３０と、第一有機化合物層２２ａと、をこの順番で加工（パターニング）した。尚、保護層４０のエッチングを行う際はＣＦ4ガスを用いたドライエッチングを、中間層３０及び第一有機化合物層２２ａのエッチングを行う際はＯ2ガスを用いたドライエッチングを、それぞれ採用した。尚、本工程を終えた時点で、領域５１に設けられるレジスト層は消失していた（図３（ｇ））。
【００６２】
（８）第二有機化合物層の形成・加工工程（図３（ｈ）〜（ｉ））
次に、上記（２）乃至（４）にて説明したプロセスを採用して、第二有機化合物層２２ｂと、中間層３０と、保護層４０と、からなる積層体を形成した。尚、第二有機化合物層２２ｂには、青色発光層の代わりに、緑色に発光する公知の低分子有機材料を有する緑色発光層が含まれていた。次に、上記（５）乃至（６）にて説明したプロセスを採用して、保護層４０上であって第二副画素２０ｂを設ける領域５１に選択的にレジスト層を設けた（図３（ｈ））。次に、上記（７）にて説明したプロセスを採用して、保護層４０と、中間層３０と、第二有機化合物層２２ｂと、をこの順番で加工（パターニング）した（図３（ｉ））。
【００６３】
（９）第三有機化合物層の形成・加工工程（図３（ｊ）〜（ｋ））
次に、上記（２）乃至（４）にて説明したプロセスを採用して、第三有機化合物層２２ｃと、中間層３０と、保護層４０と、からなる積層体を形成した。尚、第三有機化合物層２２ｂには、青色発光層の代わりに、赤色に発光する公知の低分子有機材料を有する赤色発光層が含まれていた。次に、上記（５）乃至（６）にて説明したプロセスを採用して、保護層４０上であって第三副画素２０ｃを設ける領域５１に選択的にレジスト層を設けた（図３（ｊ））。次に、上記（７）にて説明したプロセスを採用して、保護層４０と、中間層３０と、第三有機化合物層２２ｃと、をこの順番で加工（パターニング）した（図３（ｋ））。
【００６４】
（１０）中間層及び剥離層の除去工程（図３（ｌ））
次に、基板１０を流水に３分浸すことで、基板１０の上に残存する有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の上の中間層３０及び保護層４０を一括除去した（図３（ｌ））。
【００６５】
（１１）電子注入・輸送層の形成工程（図３（ｍ））
次に、中間層３０及び保護層４０を除去した基板１０を十分に脱水した後、真空蒸着法により、有機化合物層（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）上に、電子輸送層と電子注入層とからなる電子注入・輸送層２３を形成した（図３（ｍ））。尚、電子注入・輸送層２３は、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）の共通する共通層として形成された。
【００６６】
（１２）第二電極の形成工程（図３（ｎ））
次に、スパッタリング法により、電子注入・輸送層２３上に、Ａｇを成膜して各画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）において共通する第二電極２４を形成した（図３（ｎ））。
【００６７】
（１３）封止工程
最後に、第二電極２４上に、窒化ケイ素を膜厚２μｍで成膜することにより水分侵入防止用の封止膜（不図示）を形成した。以上により、有機ＥＬ装置を得た。
【００６８】
（１４）装置の評価
得られた有機ＥＬ装置について装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良がなく、かつ青、緑、赤それぞれの色に発光する副画素の組を一画素とし、画素が１．２μｍピッチの高い精細度で配列された有機ＥＬ装置を実現することができた。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【００６９】
［比較例１］
実施例１の（３）において、ＰＶＰ膜（中間層）の乾燥と、ＰＶＰ膜形成後の基板の保護層を形成する装置への搬送と、を大気下で行った点を除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。以下、ＰＶＰ膜（中間層）の乾燥及びＰＶＰ膜形成後の基板の保護層を形成する装置への搬送の具体的な方法を以下に説明する。
【００７０】
（ＰＶＰ膜の乾燥工程（中間層の形成工程）））
ＰＶＰ膜を成膜した後、基板１０上に成膜されているＰＶＰ膜を、大気中において１１０℃で２０分間加熱してＰＶＰ膜を乾燥させた。次に、基板１０を、保護層形成用ＣＶＤチャンバー内、具体的には、ＣＶＤチャンバーのロードロック室に大気下にて搬送した。次に、ロードロック室で真空引きを行った後、基板１０をＣＶＤチャンバーの内部に搬送した。
【００７１】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良がいくつか確認された。
【実施例２】
【００７２】
実施例１の（３）において、不活性ガスである窒素がフローされており、不活性ガス雰囲気に保たれたベークチャンバー内においてＰＶＰ膜を乾燥させたことを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。
【００７３】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例３】
【００７４】
実施例１の（３）において、不活性ガスであるアルゴンがフローされており、不活性ガス雰囲気に保たれたベークチャンバー内においてＰＶＰ膜を乾燥させたことを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。
【００７５】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例４】
【００７６】
実施例１の（３）において、不活性ガスである窒素が充填・循環され、系内の露点が−７０℃、酸素濃度５ｐｐｍに維持されたグローブボックス内においてＰＶＰ膜を乾燥させたことを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。
【００７７】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例５】
【００７８】
実施例１の（３）において、不活性ガスであるアルゴンが充填・循環され、系内の露点が−７０℃であり、かつ系内の酸素濃度が５ｐｐｍに維持されたグローブボックス内においてＰＶＰ膜を乾燥させた。これを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。
【００７９】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例６】
【００８０】
実施例１の（３）において、不活性ガスである窒素が充填・循環され、系内の露点が−８０℃に維持されたグローブボックス内においてＰＶＰ膜を乾燥させたことを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。
【００８１】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例７】
【００８２】
実施例１の（３）において、不活性ガスである窒素が充填・循環され、系内の露点が−８０℃であり、かつ系内の酸素濃度が５ｐｐｍに維持されたグローブボックス内においてＰＶＰ膜を乾燥させた。これを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。
【００８３】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例８】
【００８４】
実施例１の（３）において、不活性ガスである窒素が充填・循環され、系内の露点が−８０℃であり、かつ系内の酸素濃度が１ｐｐｍに維持されたグローブボックス内においてＰＶＰ膜を乾燥させた。これを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。
【００８５】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例９】
【００８６】
実施例１の（３）において、以下に説明する方法によりＰＶＰ膜を乾燥させた。これを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。
【００８７】
（ＰＶＰ膜の乾燥工程（中間層の形成工程）））
ＰＶＰ膜を成膜した後、保護層形成用ＣＶＤチャンバーに連結されており、減圧設定及び不活性ガス導入が可能なベークチャンバーに基板１０を搬送させた。次に、３０分かけてベークチャンバー内の圧力を大気圧から１×１０-2Ｐａへ緩やかに減圧させた後、この圧力（１×１０-2Ｐａ）のまま１０分間保持した。次に、ベークチャンバー内の圧力を１×１０-3Ｐａまで減圧させた。次に、ベークチャンバー内に不活性ガスである窒素を導入してベークチャンバー内の圧力を大気圧にした。次に、ベークチャンバー内においてＰＶＰ膜が成膜されている基板１０を、１１０℃で２０分間加熱した。次に、保護層形成のため、ベークチャンバー及びＣＶＤチャンバーの圧力を１×１０-4Ｐａに減圧してから基板１０をＣＶＤチャンバーへ搬送した。
【００８８】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例１０】
【００８９】
実施例１の（３）において、以下に説明する方法によりＰＶＰ膜を乾燥させた。これを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。
【００９０】
（ＰＶＰ膜の乾燥工程（中間層の形成工程）））
ＰＶＰ膜を成膜した後、基板１０上に成膜されているＰＶＰ膜を、大気中において１１０℃で１０分間加熱してＰＶＰ膜の予備乾燥を行った。次に、基板１０を、不活性ガスである窒素が充填・循環され、系内の露点が−７０℃であり、かつ系内の酸素濃度が５ｐｐｍに維持されたグローブボックス内に搬送した。次に、このグローブボックス内において、ＰＶＰ膜を１１０℃で１０分間加熱乾燥させた。尚、本実施例で使用されたグローブボックスは、保護層形成用ＣＶＤチャンバーに連結されていた。
【００９１】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例１１】
【００９２】
実施例１の（３）において、以下に説明する方法によりＰＶＰ膜を乾燥させた。これを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を得た。
【００９３】
（ＰＶＰ膜の乾燥工程（中間層の形成工程）））
ＰＶＰ膜を成膜した後、基板１０上に成膜されているＰＶＰ膜を、大気中において１１０℃で１０分間加熱してＰＶＰ膜の予備乾燥を行った。次に、基板１０を、不活性ガスである窒素が充填・循環され、系内の露点が−７５℃であり、かつ系内の酸素濃度が２ｐｐｍに維持されたグローブボックス内に搬送した。次に、このグローブボックス内において、ＰＶＰ膜を１１０℃で１０分間加熱乾燥させた。次に、このグローブボックス内において基板１０を密閉容器に封入した。尚、この密閉容器内の露点及び酸素濃度は、グローブボックス内の露点及び酸素濃度と同じである。次に、この密閉容器を、保護層形成用ＣＶＤチャンバーに連結され、かつ不活性ガスとして窒素が充填・循環されることで系内の露点が−８０℃であり、かつ系内の酸素濃度が１ｐｐｍに維持されたグローブボックス内に搬送した。次に、搬送先のグローブボックス内にて密閉容器から基板１０を取り出した後、保護層形成用ＣＶＤチャンバー内に基板１０を搬送した。
【００９４】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例１２】
【００９５】
実施例１の（３）において、中間層３０の構成材料として、ＰＶＰの代わりにポリエチレングリコール（ＰＥＧ）を用いたことを除いては、実施例１と同様にして有機ＥＬ装置を得た。
【００９６】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【実施例１３】
【００９７】
実施例１の（４）において、中間層３０上に酸化ケイ素を成膜して保護層４０を形成したことを除いては、実施例１と同様にして有機ＥＬ装置を作製した。
【００９８】
得られた有機ＥＬ装置について、装置自体の発光状態を顕微鏡観察したところ、非発光などの表示不良は確認できなかった。また、素子効率は、蒸着マスクを用いた真空蒸着法のみで作製した素子と同等であった。
【符号の説明】
【００９９】
１：有機ＥＬ装置、１０：基板、２０ａ：第一副画素、２０ｂ：第二副画素、２０ｃ：第三副画素、２１（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）：第一電極、２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）：有機化合物層、２３：電子注入・輸送層、２４：第二電極、３０：中間層、４０：保護層、５０（５１、５２）：レジスト層、６０：マスク、６１：光
【図１】
2014044810.tif 000003
【図２】
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【図３】
2014044810.tif 000005