(57)【要約】【課題】磁性材料であるＦｅ、Ｎｉ及びＰの複合物として磁性膜及び非磁性膜を実現し、このような磁性膜及び非磁性膜を交互に積層した多層膜を提供すること、及び、このような多層膜を磁気ヘッドの磁気シールドとして採用した磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、及び磁気記録再生装置を提供する。さらに、上述した多層膜の製造方法を提供する。【解決手段】多層膜１は、磁性膜１１と、非磁性膜１２とを含んでおり、磁性膜１１と非磁性膜１２は、交互に積層される。磁性膜１１、及び、非磁性膜１２は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含んでおり、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰの組成比率を変更することによって成膜される。【選択図】図１
2014022718.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性膜と、非磁性膜とを含む多層膜であって、
前記磁性膜と前記非磁性膜は、交互に積層されており、
前記磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含み、Ｆｅ又はＮｉを主成分とするものであり、
前記非磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含み、Ｎｉを主成分とする、
多層膜。
【請求項２】
請求項１に記載された多層膜であって、
前記磁性膜は、６０〜９０ａｔ％のＦｅ、５〜３０ａｔ％のＮｉ及び５〜２０ａｔ％のＰを含んでおり、
前記非磁性膜は、５〜２０ａｔ％のＦｅ、６５〜８５ａｔ％のＮｉ及び１０〜３０ａｔ％のＰを含んでいる、
多層膜。
【請求項３】
多層膜の製造方法であって
前記多層膜は、磁性膜と、非磁性膜とを含んでおり、
前記磁性膜と前記非磁性膜は、交互に積層されており、
前記磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含んでおり、
前記非磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含んでおり、
前記Ｆｅ、前記Ｎｉ及び前記Ｐの組成比率を変更することによって、前記磁性膜及び前記非磁性膜を成膜する工程を含む、
製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載された多層膜の製造方法であって、
前記磁性膜及び前記非磁性膜をめっき浴中において、パルス電流によって、めっき膜として交互に成膜する工程を含んでおり、
前記パルス電流は、複数の区間に分かれており、前記区間のそれぞれにおいて、１周期が、電流Ｉ１が流れる期間Ｔ１と、前記電流Ｉ１と逆向きの電流Ｉ２が流れる期間Ｔ２によって構成される周波数ｆのパルス状の電流となっており、
前記電流Ｉ１、前記電流Ｉ２、前記期間Ｔ１、前記期間Ｔ２、及び前記周波数ｆは、前記区間のそれぞれにおいて、前記磁性膜又は前記非磁性膜のいずれかを成膜するように定められている、
製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載された多層膜の製造方法であって、
前記電流Ｉ１、前記電流Ｉ２、前記期間Ｔ１及び前記期間Ｔ２は、
５（ｍＡ／ｃｍ２）≦Ｉ１≦３０（ｍＡ／ｃｍ２）
−１０（ｍＡ／ｃｍ２）≦Ｉ２≦０（ｍＡ／ｃｍ２）
０．２≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．８
の関係を満たす、
製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載された多層膜の製造方法であって、
前記めっき浴は、Ｎｉイオン、Ｆｅイオン、応力緩和剤及び界面活性剤を含んでおり、
前記Ｎｉイオンは、イオン価数が２で、濃度が２〜５０ｇ／Ｌであり、
前記Ｆｅイオンは、イオン価数が２で、濃度が１〜１０ｇ／Ｌである、
製造方法。
【請求項７】
請求項４に記載された多層膜の製造方法であって、
前記めっき浴は、ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ、ＮＨ４Ｃｌ、Ｈ３ＢＯ３、（Ｃ７Ｈ５ＮＯ３Ｓ）Ｎａ及びＮａＰＨ２Ｏ２・Ｈ２Ｏを含んでおり、
前記電流Ｉ１、前記電流Ｉ２、前記期間Ｔ１、前記期間Ｔ２、及び前記周波数ｆは、
Ｉ２＝−Ｉ１×０．３５
Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）＝０．６２５
ｆ＝２５Ｈｚ
の関係を満たす、
製造方法。
【請求項８】
磁気シールドを含む磁気ヘッドであって、
前記磁気シールドは、多層膜となっており、
前記多層膜は、磁性膜及び非磁性膜を含んでおり、
前記磁性膜と前記非磁性膜は、交互に積層されており、
前記磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含み、Ｆｅ又はＮｉを主成分とするものであり、
前記非磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含み、Ｎｉを主成分とするものである、
磁気ヘッド。
【請求項９】
磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む、磁気ヘッド装置であって、
前記磁気ヘッドは、請求項８に記載された磁気ヘッドであり、
前記ヘッド支持装置は、前記磁気ヘッドを支持している、
磁気ヘッド装置。
【請求項１０】
磁気ヘッド装置と、磁気記録媒体とを含む磁気記録再生装置であって、
前記磁気ヘッド装置は、請求項９に記載された磁気ヘッド装置であり、前記磁気記録媒体との間で磁気記録及び磁気記録の再生を行う、
磁気記録再生装置。
【請求項１１】
磁気シールドを含む磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁気シールドは、多層膜となっており、
前記多層膜は、磁性膜及び非磁性膜を含んでおり、
前記磁性膜と前記非磁性膜は、交互に積層されており、
前記磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含んでおり、
前記非磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含んでおり、
前記Ｆｅ、前記Ｎｉ及び前記Ｐの組成比率を変更することによって、前記磁性膜及び前記非磁性膜を成膜する工程を含む、
製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載された磁気シールドを含む磁気ヘッドの製造方法であって、
前記磁性膜及び前記非磁性膜をめっき浴中において、パルス電流によって、めっき膜として交互に成膜する工程を含んでおり、
前記パルス電流は、複数の区間に分かれており、前記区間のそれぞれにおいて、１周期が、電流Ｉ１が流れる期間Ｔ１と、前記電流Ｉ１と逆向きの電流Ｉ２が流れる期間Ｔ２によって構成される周波数ｆのパルス状の電流となっており、
前記電流Ｉ１、前記電流Ｉ２、前記期間Ｔ１、前記期間Ｔ２、及び前記周波数ｆは、前記区間のそれぞれにおいて、前記磁性膜又は前記非磁性膜のいずれかを成膜するように定められている、
製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載された磁気シールドを含む磁気ヘッドの製造方法であって、
前記電流Ｉ１、前記電流Ｉ２、前記期間Ｔ１及び前記期間Ｔ２は、
５（ｍＡ／ｃｍ２）≦Ｉ１≦３０（ｍＡ／ｃｍ２）
−１０（ｍＡ／ｃｍ２）≦Ｉ２≦０（ｍＡ／ｃｍ２）
０．２≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．８
の関係を満たす、
製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載された磁気シールドを含む磁気ヘッドの製造方法であって、
前記めっき浴は、Ｎｉイオン、Ｆｅイオン、応力緩和剤及び界面活性剤を含んでおり、
前記Ｎｉイオンは、イオン価数が２で、濃度が２〜５０ｇ／Ｌであり、
前記Ｆｅイオンは、イオン価数が２で、濃度が１〜１０ｇ／Ｌである、
製造方法。
【請求項１５】
請求項１２に記載された磁気シールドを含む磁気ヘッドの製造方法であって、
前記めっき浴は、ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ、ＮＨ４Ｃｌ、Ｈ３ＢＯ３、（Ｃ７Ｈ５ＮＯ３Ｓ）Ｎａ及びＮａＰＨ２Ｏ２・Ｈ２Ｏを含んでおり、
前記電流Ｉ１、前記電流Ｉ２、前記期間Ｔ１、前記期間Ｔ２、及び前記周波数ｆは、
Ｉ２＝−Ｉ１×０．３５
Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）＝０．６２５
ｆ＝２５Ｈｚ
の関係を満たす、
製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層膜、磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、磁気記録再生装置及び多層膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気記録ヘッドの高記録密度化にともない、高周波特性の改善や記録ヘッド及びシールドによるイレーズ改善が強く求められている。この課題に対しては、特許文献１や特許文献２に開示されているように、磁性膜及び非磁性膜を交互に積層した多層膜をシールドとして使用する試みがなされている。
【０００３】
一方、磁性膜は磁性材料で形成され、非磁性膜は非磁性材料によって形成されるのが一般的である。そのため、磁性膜及び非磁性膜の双方を形成するためには、磁性材料及び非磁性材料の双方を準備しなければならないという制約がある。
【０００４】
また、磁性膜及び非磁性膜を含む多層膜は、特許文献３に開示されているようにめっき工法によって実現できるが、磁性膜及び非磁性膜の成膜の都度、めっき浴の変更を余儀なくされ、製造プロセスが複雑になり、生産コストが高くなってしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−１８２１４５
【特許文献２】特開２０００−４８３２７
【特許文献３】特開平１１−２５４２０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の課題は、磁性材料であるＦｅ、Ｎｉ及びＰの複合物として磁性膜及び非磁性膜を実現し、このような磁性膜及び非磁性膜を交互に積層した多層膜を提供すること及びこのような多層膜を磁気ヘッドの磁気シールドとして採用した磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、及び磁気記録再生装置を提供することである。
【０００７】
本発明のもう一つの課題は、上述した多層膜の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を達成するため、本発明に係る多層膜は、磁性膜と、非磁性膜とを含む。前記磁性膜と前記非磁性膜は、交互に積層されており、前記磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含み、Ｆｅ又はＮｉを主成分とするものであり、前記非磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含み、Ｎｉを主成分とするものである。前記磁性膜と前記非磁性膜の交互積層は、多層膜の磁区構造を安定させ、磁気シールド効果が高い。また、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを複合し、主成分をＦｅ又はＮｉとすることによって、磁束密度の高い磁性膜と磁束密度の低い非磁性膜の双方が実現される。また、このような構造の多層膜は、磁性膜及び非磁性膜を成膜するに当たって、材料を使い分ける必要がないため、製造工程も簡易化される。
【０００９】
前記磁性膜は、Ｆｅが６０〜９０ａｔ％、Ｎｉが５〜３０ａｔ％、Ｐが５〜２０ａｔ％となることによって、磁束密度が高まり、磁性膜としての性質が高い。前記非磁性膜は、Ｆｅが５〜２０ａｔ％、Ｎｉが６５〜８５ａｔ％、Ｐが１０〜３０ａｔ％となることによって、磁束密度が低く、非磁性膜としての性質が高い。
【００１０】
本発明に係る磁気ヘッドは、磁気シールドを含む。前記磁気シールドは、磁性膜と非磁性膜が交互に積層された多層膜となっている。前記磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含み、Ｆｅ又はＮｉを主成分とするものであり、前記非磁性膜は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰを含み、Ｎｉを主成分とするものである。また、本発明に係るヘッドは、ヘッド支持装置と組み合わされて磁気ヘッド装置を構成し、磁気ヘッド装置は、磁気記録媒体と組み合わされて磁気記録再生装置（ＨＤＤ）を構成する。このような磁気ヘッドは、磁性膜と非磁性膜が交互に積層された多層膜を磁気シールドとして採用しているので、磁気シールド機能が高く、高周波特性の改善やイレーズ改善がなされている。
【００１１】
本発明に係る多層膜及び磁気ヘッドの製造方法は、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰの組成比率を変更することによって、磁性膜及び非磁性膜を成膜する工程を含む。磁性材料を使用して、磁性膜及び非磁性膜の双方を形成できるので、磁性膜と非磁性膜を含む多層膜の形成に当たって、製造工程が簡略化される。
【００１２】
好ましい例として、本発明に係る多層膜及び磁気ヘッドの製造方法は、前記磁性膜及び前記非磁性膜をめっき浴中において、パルス電流によって、めっき膜として交互に成膜する工程を含む。前記パルス電流は、複数の区間に分かれており、前記区間のそれぞれにおいて、１周期が、電流Ｉ１が流れる期間Ｔ１と、前記電流Ｉ１と逆向きの電流Ｉ２が流れる期間Ｔ２によって構成される周波数ｆのパルス状の電流となっている。前記電流Ｉ１、前記電流Ｉ２、前記期間Ｔ１、前記期間Ｔ２、及び前記周波数ｆは、前記区間のそれぞれにおいて、前記磁性膜又は前記非磁性膜のいずれかを成膜するように定められている。
【００１３】
このように、パルス電流によってめっき膜を成膜する方法は、スパッタリングによる成膜方法と比較して、成膜時間を大幅に短縮することができる。また、パルス電流とすることによって、直流電流の場合に問題となるめっき膜の異常成長や軟磁気特性異常を防止することができる。さらに、パルス電流が、磁性膜又は非磁性膜のいずれかを成膜する区間を有していることで、磁性膜及び非磁性膜を正確に区分けして成膜できる。
【００１４】
前記パルス電流としては、前記電流Ｉ１、前記電流Ｉ２、前記期間Ｔ２及び前記期間Ｔ２が、５（ｍＡ／ｃｍ２）≦Ｉ１≦３０（ｍＡ／ｃｍ２）、−１０（ｍＡ／ｃｍ２）≦Ｉ２≦０（ｍＡ／ｃｍ２）、０．２≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．８の関係を満たすことが好ましい。特に、前記電流Ｉ１、前記電流Ｉ２、前記期間Ｔ１、前記期間Ｔ２、及び前記周波数ｆは、Ｉ２＝−Ｉ１×０．３５、Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）＝０．６２５、ｆ＝２５Ｈｚの関係を満たすことが好ましい。
【００１５】
また、前記めっき浴は、２〜５０ｇ／Ｌのイオン価数２のＮｉイオン、１〜１０ｇ／Ｌのイオン価数２のＦｅイオン、応力緩和剤及び界面活性剤を含んでいることが好ましい。特に、前記めっき浴は、ＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ、ＮＨ４Ｃｌ、Ｈ３ＢＯ３、（Ｃ７Ｈ５ＮＯ３Ｓ）Ｎａ及びＮａＰＨ２Ｏ２・Ｈ２Ｏを含んでいることが好ましい。
【００１６】
このような条件によると、めっき浴を変更することなく、パルス電流の調整のみによって、磁性膜及び非磁性膜を成膜することが可能となる。そのため、めっき浴を変更する工程が不要となり、製造プロセスの合理化、例えば、製造時間の短縮やコスト削減が可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
以上に述べたように、本発明によれば、磁性材料であるＦｅ、Ｎｉ及びＰの複合物として磁性膜及び非磁性膜を実現し、このような磁性膜及び非磁性膜を交互に積層した多層膜を提供すること及びこのような多層膜を磁気ヘッドの磁気シールドとして採用した磁気ヘッド、磁気ヘッド装置、及び磁気記録再生装置を提供することができる。
【００１８】
また、本発明によれば、上述した多層膜の製造方法を提供することができる。
【００１９】
本発明の構成、及び、利点については、添付図面を参照し、更に詳しく説明する。添付図面は、単に、例示に過ぎない。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る多層膜の一実施形態を示す断面図である。
【図２】めっき膜の組成比率及び磁束密度を示すグラフである。
【図３】本発明に係るパルスめっき法の一実施形態を示す図である。
【図４】パルス電流の波形の一例を示す図である。
【図５】パルス電流と本発明に係るパルスめっき法により成膜されためっき膜の組成比率及び磁束密度の関係を示すグラフである。
【図６】本発明に係るパルスめっき法を利用した多層膜の製造方法の一実施形態を示す図である。
【図７】本発明に係るパルスめっき法を利用して実際に形成された多層膜の一例を示す図である。
【図８】本発明に係る磁気ヘッドの外観斜視図である。
【図９】図８の一部拡大断面図である。
【図１０】本発明に係るヘッドジンバルアセンブリの斜視図である。
【図１１】本発明に係るヘッドアームアセンブリの斜視図である。
【図１２】本発明に係る磁気記録再生装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
１．多層膜
図１を参照すると、磁性膜１１と非磁性膜１２を含む多層膜１の断面が図示されている。
多層膜１は、磁性膜１１と非磁性膜１２が交互に積層された構造となっている。特に、図１のように、磁性膜１１の間に非磁性膜１２が介在する構造の場合、磁性膜１１間で静磁結合が発生し、各磁性膜１１の磁区構造が安定化する。磁区構造の安定化している多層膜１は、磁気シールド機能が高いことが知られており、電子機器等の磁気シールドとして採用することができる。
【００２２】
通常、磁性膜１１は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐ等の磁性材料によって形成され、非磁性膜１２は、Ｔａ、Ｔｉ、Ａｕ、Ｐｔ、Ａｌ２Ｏ３、ＳｉＯ２等の非磁性材料で形成される。そのため、磁性膜１１と非磁性膜１２を含む多層膜１の形成に当たっては、磁性材料及び非磁性材料の双方を準備しなければならないという制約がある。
【００２３】
本発明に係る多層膜の特徴は、磁性膜１１及び非磁性膜１２を磁性材料であるＦｅ、Ｎｉ及びＰの複合物（以下、「Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物」という）として形成しているところにある。Ｆｅ、Ｎｉ及びＰは、磁性材料であるが、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物として、Ｆｅ、Ｎｉ及びＰの組成比率を調整することによって、磁束密度の低い非磁性膜を実現する。そのため、本発明に係る多層膜は、磁性膜及び非磁性膜を成膜するに当たって、材料を使い分ける必要がなく、製造工程が簡易化されるという利点がある。
【００２４】
Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物の組成比率及び磁束密度は、パルスめっきにおける電流をコントロールして制御できる。図２を参照して、具体的に説明する。図２（Ａ）は、縦軸がＦｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物のＦｅ、Ｎｉ及びＰの組成比率を表示し、横軸がパルス電流を表示する。縦軸に示す組成のＦｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物は、横軸の電流値に応じて形成される。図２（Ｂ）は、縦軸がＦｅ、Ｎｉ、Ｐ複合物の磁束密度を表示し、横軸がパルス電流を表示している。図２（Ｂ）の横軸のパルス電流は、図２（Ａ）の横軸に対応する。なお、パルスめっきによって、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物を形成する方法については後で詳説する。
【００２５】
図２（Ａ）を参照すると、Ｎｉが実線で表示されており、Ｆｅが一点鎖線で表示されており、Ｐが点線で表示されている。電流が９（ｍＡ／ｃｍ２）以下となる領域Ｒ１においては、Ｎｉが主成分となっている。電流が、９（ｍＡ／ｃｍ２）以上の領域Ｒ２では、Ｎｉ又はＦｅが主成分となっている。特に、電流が、１３（ｍＡ／ｃｍ２）以上の領域Ｒ３では、Ｆｅが主成分となっている。
【００２６】
図２（Ｂ）を参照すると、図２（Ａ）と同じく領域Ｒ１〜Ｒ３に区分けされており、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物の組成は、領域Ｒ１で磁束密度が小さく、非磁性の性質が高いと言える。また、領域Ｒ２で磁束密度が高く、磁性体としての性質が高いといえる。特に、領域Ｒ３では、磁束密度が高い。
【００２７】
このように、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物は、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｐの組成比率をＦｅ又はＮｉが主成分となるように調整されることによって、磁性膜にもなり得るし、特に、Ｎｉが主成分の場合、非磁性膜にもなり得え、磁性膜と非磁性膜を交互に積層した多層膜を形成するための素材として採用できる。
【００２８】
また、磁性膜及び非磁性膜の組成比率については、必ずしも図２（Ａ）及び（Ｂ）に明示されている訳ではないが、例えば、磁性膜は、６０〜９０ａｔ％のＦｅ、５〜３０ａｔ％のＮｉ及び５〜２０ａｔ％のＰを含むことによって実現でき、非磁性膜は、５〜２０ａｔ％のＦｅ、６５〜８５ａｔ％のＮｉ及び１０〜３０ａｔ％のＰを含むことによって実現できる。
【００２９】
また、本発明に係るＦｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物には、Ｃｏを含めることもできる。なお、図１に示す多層膜１は、エッチングやミリング等の必要な工程を経ることにより、磁気ヘッド等の電子機器の磁気シールドとして用いることができる。
【００３０】
２．多層膜の製造方法
次に、図３〜図６を参照して、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物を用いて、磁性膜と非磁性膜を交互に積層した多層膜の製造方法について説明する。
【００３１】
本発明の多層膜の製造方法は、パルスめっき法によってＦｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物をめっき膜として成膜し、この成膜されためっき膜を磁性膜又は非磁性膜となるようにコントロールする点に特徴がある。
【００３２】
図３を参照すると、めっき槽１４の中にめっき浴１５が入れられている。めっき浴１５は、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物を形成できるように調整されている。具体的には、２価のＮｉイオンの濃度が２〜５０ｇ／Ｌ、２価のＦｅイオンの濃度が１〜１０ｇ／Ｌとなり、応力緩和剤及び界面活性剤を含むように調整されていることが好ましい。
【００３３】
電極板１８を電源１７に接続する。電源１７は、パルス電流を発生させるものである。そして、電極膜１６が成膜された基板１９をめっき浴１５に浸漬する。基板１９は、例え
ば、アルティック（Ａｌ２Ｏ３・ＴｉＣ）等のセラミック材料からなる。次に、電極膜１６を電源１７と接続して、電極膜１６にパルスめっきを施し、めっき膜１３を成膜する。パルスめっきは、電極膜１６にパルス電流を流すことによって行われる。
【００３４】
パルス電流の波形の例を図４に示す。図４では、横軸に時間をとり、縦軸に電流をとってある。図４を参照すると、パルス電流は、電流Ｉ１と、電流Ｉ２が交互に流れることによって構成されている。電流Ｉ２は、電流Ｉ１と逆向きに流れる。パルス電流は、１周期が、電流Ｉ１の流れる期間Ｔ１と、電流Ｉ２の流れる期間Ｔ２によって構成されており、パルス状になっている。また、パルス電流は、周波数ｆとなっている。このようなパルス電流を図３に示す電極膜１６に流すと、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物が１層のめっき膜１３として、電極膜１６の上に成膜される。このめっき膜１３は、図４に示すパルス電流の電流Ｉ１及び電流Ｉ２の値に応じて磁性膜又は非磁性膜となる。すなわち、パルス電流Ｉ１の値を操作することによって、めっき浴１５を変更することなく、非磁性領域から磁性領域までの広範囲にわたって、めっき膜１３を実現できる。
【００３５】
パルス電流としては、例えば、
５（ｍＡ／ｃｍ２）≦Ｉ１≦３０（ｍＡ／ｃｍ２）
−１０（ｍＡ／ｃｍ２）≦Ｉ２≦０（ｍＡ／ｃｍ２）
０．２≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．８
の関係を満たすように設定することが好ましい。このような値に設定することで、めっき膜１３を磁性膜又は非磁性膜となるようにコントロールできる。
【００３６】
めっき膜１３の膜厚は、パルス電流の流れる時間に比例して成長する。また、パルス電流の成膜速度は、１００〜１０００オングストローム／分であり、スパッタリングの成膜速度と比較して１０〜１００倍速い。さらに、パルス電流を用いてめっき膜を成膜する場合、直流電流で多層膜を形成した場合に問題となる高電流側又は低電流側でのめっき異常成長及び軟磁気特性異常を防止できる。また、めっき膜の平滑性を維持できる。
【００３７】
以上の具体的実施例について、図３〜５を参照して説明する。まず、図３に示すめっき浴１５をＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ：２０ｇ／Ｌ、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ：５０ｇ／Ｌ、ＮＨ４Ｃｌ：５ｇ／Ｌ、Ｈ３ＢＯ３：２５ｇ／Ｌ、（Ｃ７Ｈ５ＮＯ３Ｓ）Ｎａ：１ｇ／Ｌ、ＮａＰＨ２Ｏ２・Ｈ２Ｏ：１ｇ／Ｌとなるように調整する。
【００３８】
次に、図４に示すパルス電流は、
Ｉ２＝−Ｉ１×０．３５
Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）＝０．６２５
ｆ＝２５Ｈｚ
の関係を満たすように設定する。
【００３９】
このようなパルス電流を電極膜１６に流すと、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物としてめっき膜１３が成膜される。電極膜１６の上に成膜されためっき膜１３と電流Ｉ１の関係を図５に示す。
【００４０】
図５（Ａ）は、縦軸がめっき膜１３のＦｅ、Ｎｉ、Ｐ組成比率を示し、横軸が電流Ｉ１を示す。図５（Ｂ）は、縦軸が、めっき膜１３の磁束密度を示し、横軸が電流Ｉ１を示す。
【００４１】
図５（Ａ）を参照すると、Ｎｉが実線で表示されており、Ｆｅが一点鎖線で表示されており、Ｐが点線で表示されている。めっき膜１３は、電流Ｉ１が１３（ｍＡ／ｃｍ２）以下でＮｉが主成分となり、電流Ｉ１が１３（ｍＡ／ｃｍ２）以上でＦｅが主成分となる。
図５（Ｂ）を参照すると、めっき膜１３は、電流Ｉ１が９（ｍＡ／ｃｍ２）以下において磁束密度が小さく、９（ｍＡ／ｃｍ２）以上、特に、電流Ｉ１が１３（ｍＡ／ｃｍ２）以上で磁束密度が高い。
【００４２】
すなわち、電流Ｉ１を９（ｍＡ／ｃｍ２）以下に設定して、パルス電流を流せば、めっき膜１３を非磁性膜として成膜でき、電流Ｉ１を９（ｍＡ／ｃｍ２）以上、特に１３（ｍＡ／ｃｍ２）以上に設定して、パルス電流を流せばめっき膜１３を磁性膜として成膜できることが分かる。
【００４３】
次に、図３に流れるパルス電流の波形を図６（Ａ）に示すように一定期間ごとに変動させる場合について説明する。
【００４４】
図６（Ａ）は、横軸に時間をとり、縦軸に電流をとってある。まず、図６を参照すると、パルス電流は、複数の区間Ｓ１〜Ｓｎに分かれている。ここで、ｎは整数を意味する。図６において、区間Ｓｘでは、電流Ｉ１ｘと、電流Ｉ１ｘに対して逆方向となる電流Ｉ２ｘが交互に流れており、１周期が、電流Ｉ１ｘの流れる期間Ｔ１ｘと、電流Ｉ２ｘの流れる期間Ｔ２ｘによって構成され、パルス状となっている。また、区間Ｓｘは、周波数ｆｘである。ｘは、変数であり、１≦ｘ≦ｎを満たす整数である。
【００４５】
例えば、ｘ＝１のとき、区間Ｓ１は、電流Ｉ１１と、電流Ｉ１１に対して逆方向となる電流Ｉ２１が交互に流れ、１周期が、電流Ｉ１１の流れる期間Ｔ１１と、電流Ｉ２１の流れる期間Ｔ２１によって構成され、パルス状となる。また、区間Ｓ１は、周波数ｆ１となる。
【００４６】
区間Ｓｘは、図４に示すパルス電流と同様の説明が当てはまり、１層のめっき膜を形成する。このめっき膜は、Ｆｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物であり、電流Ｉ１ｘ及び電流Ｉ２ｘの値に応じて磁性膜又は非磁性膜となる。
【００４７】
例えば、図６（Ａ）に示すパルス電流は、
５（ｍＡ／ｃｍ２）≦Ｉ１ｘ≦３０（ｍＡ／ｃｍ２）
−１０（ｍＡ／ｃｍ２）≦Ｉ２ｘ≦０（ｍＡ／ｃｍ２）
０．２≦Ｔ１／（Ｔ１＋Ｔ２）≦０．８
の関係を満たすように設定することが好ましい。
【００４８】
図６（Ａ）に示す波形のパルス電流を図３に示す電極膜１６に流すと、図６（Ｂ）〜（Ｅ）の成膜工程を経て多層膜が形成される。図６（Ｂ）〜（Ｅ）は、図３を簡略化した形式で表示してあり、電極膜１６には、図３と同様にパルス電流が流れる仕組みとなっている。
【００４９】
具体的に説明すると、図６（Ｂ）において、区間Ｓ１のパルス電流が、基板１９の上に形成されている電極膜１６に流れると、電極膜１６の上に、めっき膜１３１が成膜される。次に、区間Ｓ２のパルス電流が流れると、図６（Ｃ）に示すように、めっき膜１３１の上にめっき膜１３２が成膜される。以降、区間Ｓｘのパルス電流が流れる間に、図６（Ｄ）に示すように、めっき膜１３ｘが成膜される。そして、最後に、区間Ｓｎのパルス電流が流れる間に、図６（Ｅ）に示すように、めっき膜１３ｎが成膜され、多層膜１が形成されることになる。めっき膜１３ｘは、区間Ｓｘにおける電流Ｉ１ｘ及び電流Ｉ２ｘの値を調整することにより、磁性膜又は非磁性膜として成膜される。
【００５０】
多層膜１の形成について、具体的実施例を用いて説明する。まず、図３に示すめっき浴１５をＦｅＳＯ４・７Ｈ２Ｏ：２０ｇ／Ｌ、ＮｉＳＯ４・６Ｈ２Ｏ：５０ｇ／Ｌ、ＮＨ４
Ｃｌ：５ｇ／Ｌ、Ｈ３ＢＯ３：２５ｇ／Ｌ、（Ｃ７Ｈ５ＮＯ３Ｓ）Ｎａ：１ｇ／Ｌ、ＮａＰＨ２Ｏ２・Ｈ２Ｏ：１ｇ／Ｌとなるように調整する。
【００５１】
次に、図６（Ａ）のパルス電流を、
Ｉ２ｘ＝−Ｉ１ｘ×０．３５
Ｔ１ｘ／（Ｔ１ｘ＋Ｔ２ｘ）＝０．６２５
ｆｘ＝２５Ｈｚ
ｎ≧３を満たす奇数
の関係を満たすように設定する。
【００５２】
さらに、ｘが奇数となっている区間Ｓｘで、電流Ｉ１ｘを１３（ｍＡ／ｃｍ２）以上に設定し、ｘが偶数なっている区間Ｓｘで、電流Ｉ１ｘを９（ｍＡ／ｃｍ２）以下に設定する。区間Ｓｘは、図４に示すパルス電流と同様の説明が当てはまるので、ｘが奇数となっている区間Ｓｘでめっき膜１３ｘを磁性膜として成膜し、ｘが偶数なっている区間Ｓｘでめっき膜１３ｘを非磁性膜として成膜する。
【００５３】
このように調整されたパルス電流を図６（Ｂ）〜（Ｅ）の電極膜１６に流すと、まず、図６（Ｂ）に示すように、区間Ｓ１のパルス電流が電極膜１６に流れる間に、めっき膜１３１が電極膜１６の上に磁性膜として成膜される。次に、図６（Ｃ）に示すように、区間Ｓ２のパルス電流が電極膜１６に流れる間に、めっき膜１３２がめっき膜１３１の上に非磁性膜として成膜される。以降、図６（Ｄ）に示すように、ｘが奇数となっている区間Ｓｘのパルス電流が流れる間に、めっき膜１３ｘが、磁性膜として成膜され、ｘが偶数となっている区間Ｓｘのパルス電流が流れる間に、めっき膜１３ｘが非磁性膜として成膜される。そして、最後に、区間Ｓｎのパルス電流が電極膜１６に流れる間に、めっき膜１３ｎが磁性膜として成膜され、磁性膜と非磁性膜が交互に積層された多層膜１が形成される。
【００５４】
この具体的実施例において、パルス電流を、次の（１）〜（３）のように設定し、実際に形成された多層膜１を図７に示す。図７は、透視型電子顕微鏡で多層膜１を観察した画像であり、層間構造を確認しやすいように、補助線として一点鎖線を挿入してある。図７を参照すると、電極膜１６の上にめっき膜１３１〜１３５が成膜され、多層膜１が形成されている。電極膜は、Ｔｉ及びＣｕの合金で形成されており、膜厚が１００ｎｍとなっている。めっき膜１３１、１３３、１３５は、磁性膜として成膜されており、それぞれの膜厚が２００ｎｍとなっている。また、めっき膜１３２、１３４は非磁性膜として成膜されており、それぞれの膜厚が１０ｎｍとなっている。
【００５５】
（１）区間数ｎ＝５
（２）パルス電流の区間Ｓ１、Ｓ３、Ｓ５において、電流Ｉ１１、Ｉ１３、Ｉ１５の値を１６．５（ｍＡ／ｃｍ２）に設定し、期間Ｔ１１、Ｔ１３、Ｔ１５を２５ｍ秒に設定する。このとき、電流Ｉ２１、Ｉ２３、Ｉ２５の値は、−５．８（ｍＡ／ｃｍ２）程度とし、期間Ｔ２１、Ｔ２３、Ｔ２５を１５ｍ秒とする。
（３）パルス電流の区間Ｓ２、Ｓ４において、電流Ｉ１２、Ｉ１４を８．３（ｍＡ／ｃｍ２）に設定し、期間Ｔ１２、Ｔ１４を２５ｍ秒に設定する。このとき、電流Ｉ２２、Ｉ２４の値を−２．９（ｍＡ／ｃｍ２）程度とし、期間Ｔ２２、Ｔ２４を１５ｍ秒とする。
【００５６】
以上に説明したように、複数区分でなるパルス電流により多層膜を形成すると、パルス電流を操作することにより、めっき浴１５を変更することなく、磁性膜及び非磁性膜を積層した多層膜を実現できることになる。めっき浴１５を変更する工程を省略できるので、製造時間の短縮やコストパフォーマンスに優れる。
【００５７】
また、以上のような磁性膜と非磁性膜を交互に積層した多層膜の製造方法は、例えば、電子機器の磁気シールドの形成に応用できる。電子機器としては、例えば、磁気ヘッドが
挙げられる。
【００５８】
磁気ヘッドは、基本的には、めっき法またはスパッタリング法に代表される膜形成技術、フォトリソグラフィ法に代表されるパターニング技術、ドライエッチング法またはウェットエッチング法に代表されるエッチング技術、ならびに化学機械研磨（ＣＭＰ：chemical mechanical polishing ）法に代表される研磨技術などを含む既存の薄膜プロセスを使用して、磁気ヘッド用ウエハの上で、構成要素を順次形成して積層させることにより製造される。
【００５９】
図６を参照して説明すると、図６（Ｂ）〜（Ｅ）に示す基板１９及び電極膜１６を磁気ヘッド用ウエハとみなせる。そして、図６（Ａ）に示すパルス電流を電極膜１６に流すと、上述したように図６（Ｂ）〜（Ｅ）の工程を経て、多層膜１が磁気シールド層として形成されることになる。ここで、ウエハは、形成しようとする磁気シールド層の下層構造を全て含んでいる。
【００６０】
特に、磁気シールド層は、磁性膜の間に非磁性膜が介在する構造であることが好ましい。磁性膜で静磁結合が発生し、各磁性膜の磁区構造が安定化する結果、磁気シールド機能が高まるからである。
【００６１】
このような構造の磁気シールド層を形成するためには、例えば、パルス電流を（４）〜（６）のように設定すればよい。
（４）区間数ｎは、奇数であり、ｎ≧３を満たす。
（５）ｘが奇数となる区間Ｓｘで、電流Ｉ１ｘを１３（ｍＡ／ｃｍ２）以上に設定する。（６）ｘが偶数となる区間Ｓｘで、電流Ｉ１ｘを９（ｍＡ／ｃｍ２）以下に設定する。
【００６２】
３．磁気ヘッド
図８〜図９には、高速回転する磁気記録媒体、例えばハードディスクと組み合わせて用いられる磁気ヘッドの外観及びその詳細が図示されている。このような磁気ヘッドは、一般には、浮上型と称される。
【００６３】
図８〜図９を参照し、磁気ヘッドの一般的な構造例を説明する。磁気ヘッドは、略直方体構造を有するスライダ基体４の一面に、記録処理および再生処理の双方を実行する薄膜素子ＲＷが取り付けられている。スライダ基体４は、浮上特性に直接関与する空気ベアリング面（ＡＢＳ）５１を有しており、空気の流れ方向Ａ１で見て、ＡＢＳ５１と直交するトレーリング側の端面に、薄膜素子ＲＷが取り付けられている。
【００６４】
また、トレーリング側の端面には、薄膜素子ＲＷのためのバンプ９１〜９４が設けられている。この種の磁気ヘッドでは、薄膜素子ＲＷとして、記録素子と、再生素子を有しており、バンプ９１〜９４は、これらの素子に対応して通常、４個備えられる。薄膜素子ＲＷの詳細は、図９に図示されている。
【００６５】
磁気ヘッドは、磁気記録媒体（ハードディスク）との間で、磁気情報の記録/再生を実行する複合型ヘッドである。この磁気ヘッドは、例えばアルティックなどの非磁性絶縁材料により構成されたスライダ基体４上に、絶縁層５２１と、磁気抵抗効果（ＭＲ：magneto-resistive effect）を利用して再生処理を実行する再生ヘッド部１００Ａと、分離層６２と、垂直記録方式の記録処理を実行する記録ヘッド部１００Ｂと、オーバーコート層６９とがこの順に積層されたものである。
【００６６】
絶縁層５２１、分離層６２およびオーバーコート層６９は、例えば、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）などの非磁性絶縁性材料により構成されている。
【００６７】
再生ヘッド部１００Ａは、例えば、下部リードシールド層２１１と、シールドギャップ膜２１２と、上部リードシールド層２１３〜２１５とがこの順に積層されたものである。このシールドギャップ膜２１２には、媒体対向面６３に露出するように再生素子６１が埋設されている。
【００６８】
下部リードシールド層２１１、シールドギャップ膜２１２、および上部リードシールド層２１３〜２１５は、いずれも再生素子６１を周辺から磁気的に分離するものであり、磁気シールド層２１を形成する。磁気シールド層２１は、媒体対向面６３から媒体対向面６３と反対側に向かって延在している。上部リードシールド層２１３、２１５は、磁性膜であり、非磁性膜からなる上部リードシールド層２１４を挟んだものである。下部リードシールド層２１１は、磁性膜であり、シールドギャップ膜２１２は、非磁性膜となっている。また、下部リードシールド層２１１、シールドギャップ膜２１２、上部リードシールド層２１３〜２１５は、いずれも本発明に係るＦｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物である。磁気シールド層２１は、例えば、本発明に係るパルスめっき法を利用して製造できる。
【００６９】
再生素子６１は、例えば、巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ：giant magneto-resistive effect）又は、トンネル磁気抵抗効果（ＴＭＲ：tunneling -magneto-resistive effect）などを利用するものである。
【００７０】
記録ヘッド部１００Ｂは、例えば、磁気シールド層２２と、磁極膜６５と、ギャップ膜６８と、絶縁膜５２２に埋設された薄膜コイル６７と、磁性膜６４とが、積層された垂直磁気記録ヘッドである。
【００７１】
磁気シールド層２２は、例えば、磁性膜の間に非磁性膜を介在させた構造となっている。磁気シールド層２２を形成する磁性膜及び非磁性膜は、いずれも本発明に係るＦｅ・Ｎｉ・Ｐ複合物であり、例えば、本発明に係るパルスめっき法を利用して製造できる。
【００７２】
磁極膜６５は、記録媒体に磁束を導くものであり、例えば、媒体対向面６３から媒体対向面６３と反対側に向かって延在している。この磁極膜６５は、例えば、非磁性膜６５３、記録磁極膜６５２及び補助磁極膜６５１がこの順に積層されたものである。
【００７３】
補助磁極膜６５１は、例えば、媒体対向面６３側からバックギャップＢＧまで延在している。この補助磁極膜６５１は、例えば、記録磁極膜６５２に対してトレーリング側に配置されている。非磁性膜６５３は、記録磁極膜６５２を周囲から電気的および磁気的に分離する。この非磁性膜６５３は、例えば、媒体対向面６３から延在しており、アルミナまたは窒化アルミニウムなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。ただし、非磁性膜６５３の延在範囲は任意に設定可能である。この非磁性膜６５３の媒体対向面６３に平行な断面形状は、Ｕ字型をなしており、その内側に記録磁極膜６５２の一部が埋設されている。特に、非磁性膜６５３は、例えば、ＡＬＤ法により形成された非磁性膜を含んでおり、記録磁極膜６５２の周囲に沿って均一な厚さを有している。記録磁極膜６５２は、主要な磁束の放出部分である。
【００７４】
図示は省略するが、本発明は熱アシスト磁気ヘッドとすることもできる。熱アシスト磁気ヘッドは、レーザー光等の熱を利用して、記録媒体の保磁力を局所的に低下させた状態で、データの書き込みを可能とする機能を備える。熱アシスト磁気ヘッドは、光導波路、表面プラズモン発生素子等の近接場光発生素子を含み、媒体対向面６３における記録磁極膜６５２の端面が、近接場光発生素子と近接することが好ましい。
【００７５】
また、図示は省略するが、記録磁極膜６５２は、シード層と、そのシード層上に形成さ
れためっき層とを含んでいる。シード層は、磁気ヘッドの製造工程においてめっき層を成長させるために使用されるものであり、例えば、めっき層と同様の磁性材料により構成されている。めっき層は、例えば、鉄ニッケル合金（ＦｅＮｉ）または鉄系合金などの高飽和磁束密度磁性材料により構成されている。この鉄系合金としては、例えば、鉄コバルト合金（ＦｅＣｏ）または鉄コバルトニッケル合金（ＦｅＣｏＮｉ）などが挙げられる。
【００７６】
薄膜コイル６７は、磁束を発生させるものであり、例えば、銅（Ｃｕ）などの高導電性材料により構成されている。この薄膜コイル６７は、バックギャップＢＧを中心として巻回された巻回構造（スパイラル構造）を有している。
【００７７】
絶縁膜５２２は、薄膜コイル６７を周辺から電気的に分離するものであり、例えば、加熱時に流動性を示すフォトレジストまたはスピンオングラス（ＳＯＧ：Spin On Glass ）などの非磁性絶縁性材料により構成されている。
【００７８】
磁性膜６４は、記録磁極膜６５２から記録媒体に向けて放出される磁束のうちの広がり成分を取り込むことにより垂直磁界の勾配を増大させると共に、記録後の磁束を取り込むことにより、記録ヘッド部１００Ｂと記録媒体との間において磁束を循環させるものである。この磁性膜６４は、記録磁極膜６５２のトレーリング側において媒体対向面６３から媒体対向面６３と反対側に向かって延在することにより、バックギャップＢＧを通じて磁極膜６５に連結されている。媒体対向面６３に近い側における磁性膜６４の端面は、例えば、矩形形状である。この磁性膜６４は、例えば、互いに別体をなすライトシールド層６４２およびリターンヨーク層６４１を含んでいる。
【００７９】
ライトシールド層６４２は、主に、垂直磁界勾配の増大機能を担うものであり、例えば、パーマロイまたは鉄系合金などの高飽和磁束密度磁性材料により構成されている。特に、ライトシールド層６４２は、記録磁極膜６５２から放出された磁束の広がり成分を取り込むことにより、（１）垂直磁界の磁界勾配を増大させ、（２）記録幅を狭め、（３）垂直磁界に斜め磁界成分を含めるものである。ただし、ライトシールド層６４２は、リターンヨーク層６４１と同様に、磁束の循環機能を兼ねる場合もある。このライトシールド層６４２は、媒体対向面６３から媒体対向面６３と反対側へ向かって延在しており、その後端において絶縁膜５２３に隣接している。
【００８０】
リターンヨーク層６４１は、磁束の循環機能を担うものであり、例えば、ライトシールド層６４２と同様の磁性材料により構成されている。このリターンヨーク層６４１は、ライトシールド層６４２のトレーリング側において媒体対向面６３から絶縁膜５２２上を経由してバックギャップＢＧまで延在しており、バックギャップＢＧを通じて、磁極膜６５に連結されている。また、リターンヨーク層６４１は、ライトシールド層６４２に連結されている。
【００８１】
オーバーコート層６９は、磁気ヘッドを保護するものであり、例えば、アルミナなどの非磁性絶縁性材料により構成されている。
【００８２】
４．磁気ヘッド装置
本発明は、磁気ヘッド装置についても開示する。磁気ヘッド装置は、磁気ヘッドと、ヘッド支持装置とを含む。ヘッド支持装置は、ヘッドにロール運動及びピッチ運動を許容するようにヘッドを支持するもので、ＨＧＡ（Head Gimbal Assembly）及びＨＡＡ（Head Arm Assembly）が含まれる。
【００８３】
図１０は、本発明に係るＨＧＡの斜視図である。図１０を参照すると、ＨＧＡは、磁気ヘッド３と、ヘッド支持装置７１１と、サスペンション７１２とを含む。サスペンション
７１２は、ロードビーム７１２１と、フレクシャ７１２２とを含む。フレクシャ７１２２は薄いバネ板材で構成され、一方の面がロードビーム７１２１に取り付けられている。フレクシャ７１２２の他方の面には、磁気ヘッド３が取り付けられている。フレクシャ７１２２の一面には磁気ヘッド３が接着などの手段によって取り付けられる。磁気ヘッド３は、例えば、図９に示すものである。
【００８４】
図１１は、本発明に係るＨＡＡの斜視図である。図１１を参照すると、ＨＡＡは、ＨＧＡ７１と、アーム７２１とを含む。アーム７２１は、適当な非磁性金属材料、例えば、アルミ合金等を用いて一体成形されている。アーム７２１には、取り付け孔７２２が備えられている。ＨＧＡ７１は、例えば、図１０に示すものであり、一端がアーム７２１に、ボール接続構造等によって固定されている。
【００８５】
５．磁気記録再生装置
さらに、本発明は磁気記録再生装置について開示する。図１２は、本発明に係る磁気記録再生装置の斜視図であり、磁気記録再生装置の一般的な構造例を示している。この磁気記録再生装置は、例えばハードディスクドライブである。
【００８６】
図１２を参照すると、磁気記録再生装置は、ＨＡＡ７２と、磁気記録媒体８２とを含む。磁気記録再生装置は、例えば、筐体８３の内部に、磁気記録媒体８２とＨＡＡ７２を備えている。
【００８７】
磁気記録媒体８２は、筐体８３に固定されたスピンドルモーター８４を中心として回転可能になっている。ＨＡＡ７２は、例えば、図１１に示したものであり、アーム７２１がアセンブリキャリッジ８５に接続されており、筐体８３に固定されたピボットベアリング８１を中心として旋回可能になっている。また、ＨＡＡ７２は、磁気ヘッド３を搭載している。磁気ヘッド３は、図９に示すものである。
【００８８】
アセンブリキャリッジ８５は、例えば、ボイスコイル膜モータなどの駆動源を含んで構成されている。この磁気記録再生装置は、例えば、ピボットベアリング８１を中心として複数のアーム７２１が一体的に旋回可能なモデルである。図１２では、磁気記録再生装置の内部構造を見やすくするために、筐体８３を部分的に切り欠いて示している。
【００８９】
磁気ヘッド３は、情報の記録時または再生時において磁気記録媒体８２が回転すると、その磁気記録媒体８２の記録面とＡＢＳ５１との間に生じる空気流を利用して、磁気記録媒体８２の記録面から浮上し、磁気記録動作及び再生動作が行われる。
【００９０】
以上、好ましい実施例を参照して本発明の内容を具体的に説明したが、本発明の基本的技術思想及び教示に基づいて、当業者であれば、種々の変形態様を採り得ることは自明である。
【符号の説明】
【００９１】
１              多層膜
１１            磁性膜
１２            非磁性膜
１３１〜１３ｎ  めっき膜
【図５】
2014022718.tif 000003
【図９】
2014022718.tif 000004
【図１０】
2014022718.tif 000005
【図１１】
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【図１２】
2014022718.tif 000007
【図１】
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【図２】
2014022718.tif 000009
【図３】
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【図４】
2014022718.tif 000011
【図６】
2014022718.tif 000012
【図７】
2014022718.tif 000013
【図８】
2014022718.tif 000014