(57)【要約】      （修正有）【課題】シリコンウェハ表面欠陥減少の為、最終研磨の研磨組成物を提案する。【解決手段】水；式（Ｉ）で示されるカチオン；式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体；及び場合により、ｐＨ調整剤を含む化学機械研磨組成物であって、少なくとも３００nm/minのシリコン除去速度を示す研磨組成物および製造方法。2014209623.tif 0000242014209623.tif 000025【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
水；
式（Ｉ）：
【化１７】
2014209623.tif 000020
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素及びＣ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群から独立して選択される）
で示されるカチオン；及び式（ＩＩ）：
【化１８】
2014209623.tif 000021
（式中、Ｒ５は、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群から選択される）
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体；及び、場合によりｐＨ調整剤を含み；
ここで、研磨組成物が少なくとも３００nm／minのシリコン除去速度を示す、
シリコンウェーハを研磨するための化学機械研磨組成物。
【請求項２】
化学機械研磨組成物が、１ppm未満のポリマーを含む、請求項１記載の化学機械研磨組成物。
【請求項３】
さらに炭酸イオン及びリン酸イオンの少なくとも一種を含む、請求項１記載の化学機械研磨組成物。
【請求項４】
さらにハロゲン化物イオンを含む、請求項３記載の化学機械研磨組成物。
【請求項５】
水を提供する工程；
式（Ｉ）：
【化１９】
2014209623.tif 000022
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素及びＣ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群から独立して選択される）
で示されるカチオン源を提供する工程；及び式（ＩＩ）：
【化２０】
2014209623.tif 000023
（式中、Ｒ５は、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群から選択される）
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源を提供する工程；
場合により、ｐＨ調整剤を提供する工程；そして
水、式（Ｉ）で示されるカチオン源、式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源及び任意のｐＨ調整剤を組み合わせる工程を含み；
ここで、化学機械研磨組成物がｐＨ８〜１２を示す、
請求項１記載の化学機械研磨組成物を製造する方法。
【請求項６】
式（Ｉ）で示されるカチオン源が、炭酸グアニジン及びリン酸グアニジンからなる群から選択される、請求項５記載の方法。
【請求項７】
式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源が、ピペラジン二塩酸塩水和物である、請求項５記載の方法。
【請求項８】
式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源が、ピペラジン二塩酸塩水和物である、請求項６記載の方法。
【請求項９】
シリコンウェーハを提供する工程；
請求項１記載の化学機械研磨組成物を提供する工程；
化学機械研磨パッドを提供する工程；
研磨機を提供する工程；
研磨機にシリコンウェーハ及び化学機械研磨パッドを設置する工程；
０．５kPa以上のダウンフォースで化学機械研磨パッドとシリコンウェーハの間の界面に動的接触を生じさせる工程；及び
化学機械研磨パッドとシリコンウェーハの間の界面又はその近傍で化学機械研磨パッド上に化学機械研磨組成物を分配する工程を含み、
ここで、化学機械研磨組成物がｐＨ８〜１１である、
シリコンウェーハの研磨方法。
【請求項１０】
化学機械研磨組成物が、毎分６３回転のプラテン速度、毎分５７回転のキャリア速度、２００ml／minの化学機械研磨組成物の流速、及び２７．５８kPa（４psi）のダウンフォースで、化学機械研磨パッドがポリウレタンを含浸させた不織布のポリエステルフェルトパッドを含む２００mmの研磨機において、少なくとも３００nm／minのシリコン除去速度を示す、請求項９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、一般に化学機械研磨の分野に関する。特に、本発明は、シリコンウェーハの化学機械研磨のための化学機械研磨組成物及び方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体産業で使用されるシリコンウェーハは、典型的にはデバイス製造に利用することができるようになる前に非常に高い表面完成度を必要とする。シリコンウェーハ表面は、研磨スラリーを用いたウェーハ表面の化学機械研磨により作り出される。研磨スラリーは、慣例的にサブミクロン砥粒濃度を含む組成物で構成される。シリコンウェーハは、研磨スラリー中の砥粒が荷重下でシリコンウェーハの表面に押し付けられるように、シリコンウェーハの表面に押し付けられ、回転する研磨パッドと組み合わせた研磨スラリーに含浸されるか、又はすすぎ洗いされる。研磨パッドの横方向の動きは、研磨スラリー中の砥粒をシリコンウェーハ表面で横切らせ、その結果、摩滅、又はシリコンウェーハ表面からの材料の容量移動を引き起こす。理想的には、そのプロセスが終了するときには、細部の最も細かいレベルに至るまで完全に平らな表面が作り出されるように、このプロセスにより、突出している表面の形状を選択的に除去する結果となる。
【０００３】
この産業において、従来実施されているシリコン研磨プロセスは、２以上の工程からなる。最初の研磨工程（すなわち粗い研磨工程）では、ウェーハの切り取り及び成型作業で取り残された全体的な欠陥が取り除かれる。ウェーハ表面は、最初の研磨工程の後に滑らかで鏡面状となるが、まだ多数の微小な欠陥を含んでいる。これらの微小な欠陥は、少量の物質を表面から除去するその後の最後の研磨工程で除去されるが、表面の欠陥を磨き落とすことに作用する。本発明は、最初の研磨工程から最後の研磨工程まで特に有用な溶液に関する。
【０００４】
研磨後に残っているシリコンウェーハ表面上のいかなる表面欠陥の数及び許容されるサイズは、絶えず減少している。シリコンウェーハの最も重要な材料の仕様のいくつかは、表面金属含量、前面の微小粗度及び単位面積当たりの粒子総数である。
【０００５】
最終の研磨シリコンウェーハのための一つの研磨組成物は、Lonckiらへの米国特許第５，８６０，８４８号に開示されている。Lonckiらは、水、組成物中で０．０２〜０．５重量％のサブミクロンシリカ粒子、濃度１００〜１，０００ppmの塩、組成物のｐＨを８〜１１にするのに十分な濃度のアミン化合物、及び濃度２０〜５００ppmの高分子電解質分散助剤を含む研磨組成物を開示し、上記組成物は、約１ppm未満の総ナトリウム及びカリウム含量、並びにそれぞれ０．１ppm未満の鉄、ニッケル、及び銅含量を有し、すべてのppmは上記組成物の重量部に対して百万分の１である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
それにもかかわらず、シリコンウェーハを最終研磨するための新しい化学機械研磨組成物が依然として必要である。特に、３００nm／min以上のシリコン除去速度を示す、原材料のシリコンウェーハ研磨（すなわち最初の工程）からシリコンウェーハの最終研磨のための新しい化学機械研磨組成物が必要である。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、水；式（Ｉ）：
【化１】
2014209623.tif 000002
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素及びＣ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群から独立して選択される）
で示されるカチオン；及び、式（ＩＩ）：
【化２】
2014209623.tif 000003
（式中、Ｒ５は、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群から選択される）
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体；及び、場合により、ｐＨ調整剤を含み；ここで研磨組成物は、少なくとも３００nm／minのシリコン除去速度を示す、シリコンウェーハを研磨するための化学機械研磨組成物を提供する。
【０００８】
本発明は、水；式（Ｉ）：
【化３】
2014209623.tif 000004
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素及びＣ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群から独立して選択される）
で示されるカチオン；及び、式（ＩＩ）：
【化４】
2014209623.tif 000005
（式中、Ｒ５は、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群から選択される）
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体；及び、場合により、ｐＨ調整剤を含み；ここで研磨組成物は、少なくとも３００nm／minのシリコン除去速度を示し；そして１ppm未満のポリマーを含む、シリコンウェーハを研磨するための化学機械研磨組成物を提供する。
【０００９】
本発明は、水；式（Ｉ）：
【化５】
2014209623.tif 000006
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ水素を示す）
で示されるカチオン；及び、式（ＩＩ）：
【化６】
2014209623.tif 000007
（式中、Ｒ５は、水素を示す）
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体；及び、場合により、ｐＨ調整剤を含み；ここで研磨組成物は、少なくとも３００nm／minのシリコン除去速度を示す、シリコンウェーハを研磨するための化学機械研磨組成物を提供する。
【００１０】
本発明は、水；式（Ｉ）：
【化７】
2014209623.tif 000008
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、それぞれ水素を示す）
で示されるカチオン；及び、式（ＩＩ）：
【化８】
2014209623.tif 000009
（式中、Ｒ５は、水素を示す）
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体；及び、場合により、ｐＨ調整剤を含み；ここで研磨組成物は、少なくとも３００nm／minのシリコン除去速度を示し；そして、１ppm未満のポリマーを含む、シリコンウェーハを研磨するための化学機械研磨組成物を提供する。
【００１１】
本発明は、水を提供する工程；式（Ｉ）：
【化９】
2014209623.tif 000010
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素及びＣ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群から独立して選択される）
で示されるカチオン源を提供する工程；及び、式（ＩＩ）：
【化１０】
2014209623.tif 000011
（式中、Ｒ５は、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群から選択される）
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源を提供する工程；及び、場合により、ｐＨ調整剤を提供する工程；及び水、式（Ｉ）に示されるカチオン源、式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源及び任意のｐＨ調整剤を組み合わせる工程を含み；ここで化学機械研磨組成物は、ｐＨ８〜１２を示す、化学機械研磨組成物の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明は、シリコンウェーハを提供する工程；本発明による化学機械研磨組成物を提供する工程；化学機械研磨パッドを提供する工程；研磨機を提供する工程；研磨機にシリコンウェーハ及び化学機械研磨パッドを設置する工程；０．５kPa以上のダウンフォースで化学機械研磨パッドとシリコンウェーハの間の界面に動的接触を生じさせる工程；及び化学機械研磨パッドとシリコンウェーハの間の界面又はその近傍で化学機械研磨パッド上に化学機械研磨組成物を分配する工程を含み；ここで化学機械研磨組成物は、ｐＨ８〜１１である、シリコンウェーハの研磨方法を提供する。
【００１３】
本発明は、シリコンウェーハを提供する工程；本発明による化学機械研磨組成物を提供する工程；化学機械研磨パッドを提供する工程；研磨機を提供する工程；研磨機にシリコンウェーハ及び化学機械研磨パッドを設置する工程；ダウンフォースで化学機械研磨パッドとシリコンウェーハの間の界面に動的接触を生じさせる工程；及び化学機械研磨パッドとシリコンウェーハの間の界面又はその近傍で化学機械研磨パッド上に化学機械研磨組成物を分配する工程を含み；ここで化学機械研磨組成物はｐＨ８〜１１であり；化学機械研磨組成物は、毎分６３回転のプラテン速度、毎分５７回転のキャリア速度、２００ml／minの化学機械研磨組成物の流速、及び２７．５８kPa（４psi）のダウンフォースで、化学機械研磨パッドがポリウレタンを含浸させた不織布のポリエステルフェルトパッドを含む２００mmの研磨機において、少なくとも３００nm／minのシリコン除去速度を示す、シリコンウェーハの研磨方法を提供する。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
詳細な説明
本発明の化学機械研磨組成物は、シリコンウェーハの研磨に有用である。本発明の化学機械研磨組成物は、シリコン除去速度を高め、相乗的である、（ｉ）式（Ｉ）で示されるカチオン；及び、（ｉｉ）式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体の組み合わせを含むことが好ましい。
【００１５】
本発明の化学機械研磨組成物は、砥粒を含まないことが好ましい。
【００１６】
本発明の化学機械研磨組成物中に含まれる水は、偶発的な不純物を抑制するため、脱イオン化及び蒸留の少なくとも一つが行われたものが好ましい。
【００１７】
本発明の化学機械研磨組成物は、式（Ｉ）：
【化１１】
2014209623.tif 000012
〔式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素及びＣ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群（好ましくは、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ６アリール基及びＣ７アルキルアリール基；より好ましくは、水素、メチル基及びフェニル基）から独立して選択される〕
で示されるカチオンを、０．０００５〜１０モル／L（より好ましくは、０．００５〜１モル／L；さらにより好ましくは、０．０１〜０．５モル／L；最も好ましくは、０．０４〜０．０６モル／L）含むことが好ましい。本発明の化学機械研磨組成物は、式（Ｉ）で示されるカチオンを０．０００５〜１０重量％（より好ましくは、０．００５〜１重量％；さらにより好ましくは０．０１〜０．５重量％；最も好ましくは、０．０４〜０．０６重量％）含むことが最も好ましく、ここで、式（Ｉ）で示されるカチオンは、式（Ｉａ）：
【化１２】
2014209623.tif 000013
で示されるものである。
【００１８】
本発明の化学機械研磨組成物は、式（ＩＩ）：
【化１３】
2014209623.tif 000014
〔式中、Ｒ５は、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基（好ましくは、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ６アリール基及びＣ７アルキルアリール基；より好ましくは、水素、メチル基及びフェニル基）からなる群から選択される〕
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体を、０．０００５〜１０モル／L（より好ましくは、０．００５〜１モル／L；さらにより好ましくは、０．０１〜０．５モル／L；最も好ましくは、０．０４〜０．０６モル／L）含むことが好ましい。本発明の化学機械研磨組成物は、ピペラジンを０．０００５〜１０モル／L（より好ましくは、０．００５〜１モル／L；さらにより好ましくは、０．０１〜０．５モル／L；最も好ましくは、０．０４〜０．０６モル／L）含むことが最も好ましい。
【００１９】
本発明の化学機械研磨組成物は、ｐＨ８〜１２で有効性を与える。本発明の化学機械研磨組成物は、ｐＨ８〜１２（より好ましくは、９〜１１；さらにより好ましくは、９．５〜１１．５；最も好ましくは、１０）を示すことが好ましい。所望のｐＨを達成するために、本発明の化学機械研磨組成物は、場合によりｐＨ調整剤を含有してもよい。好ましくは、ｐＨ調整剤は無機のｐＨ調整剤である。好ましい無機のｐＨ調整剤は、無機の酸及び塩基を含む。好ましい無機酸ｐＨ調整剤は、リン酸、硝酸、硫酸及び塩酸から選択される（最も好ましくは、硝酸）。好ましい無機塩基ｐＨ調整剤は、水酸化アンモニウム及び水酸化カリウムから選択される（最も好ましくは、水酸化カリウム）。
【００２０】
本発明の化学機械研磨組成物は、炭酸イオン；リン酸イオン及びハロゲン化物イオンからなる群から選択されるイオンをさらに含むことが好ましい。本発明の化学機械研磨組成物は、炭酸イオン；リン酸イオン及びハロゲン化物イオンからなる群から選択されるイオンを０．０００２５〜５モル／L（より好ましくは、０．００２５〜０．５モル／L；さらにより好ましくは、０．００５〜０．２５モル／L；最も好ましくは、０．０２〜０．０３モル／L）含むことがより好ましい。本発明の化学機械研磨組成物は、炭酸イオン及びリン酸イオンからなる群から選択されるイオンを０．０００２５〜５モル／L（より好ましくは、０．００２５〜０．５モル／L；さらにより好ましくは、０．００５〜０．２５モル／L；最も好ましくは、０．０２〜０．０３モル／L）含むことがさらにより好ましい。本発明の化学機械研磨組成物は、炭酸イオンを０．０００２５〜５モル／L（より好ましくは、０．００２５〜０．５モル／L；さらにより好ましくは、０．００５〜０．２５モル／L；最も好ましくは、０．０２〜０．０３モル／L）含むことが最も好ましい。
【００２１】
本発明の化学機械研磨組成物は、ハロゲン化物イオン（好ましくは、塩化物イオン）をさらに含むことが好ましい。本発明の化学機械研磨組成物は、ハロゲン化物イオン（好ましくは、塩化物イオン）を０．０００１〜４重量％（より好ましくは、０．００１〜０．５重量％；さらにより好ましくは、０．００３〜０．２重量％；最も好ましくは、０．０１〜０．０３重量％）含むことがより好ましい。
【００２２】
本発明の化学機械研磨組成物は、ポリマーを１ppm未満（より好ましくは、０．１ppm未満；さらにより好ましくは、０．０１ppm未満）含むことが好ましい。本発明の化学機械研磨組成物は、ポリマー（例えば、セルロースをベースとするポリマーのような水溶性ポリマー；及びヒドロキシエチルセルロース、ポリビニルアルコール、ポリアクリルアミド、ポリビニルピロリドン、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール、ポリエチレンオキシド、ポリアクリル酸のような高分子電解質）を含まないことが最も好ましい。
【００２３】
本発明の化学機械研磨組成物の製造方法は、好ましくは、水（好ましくは、イオン除去と蒸留の少なくとも一つを行ったもの；より好ましくは、イオン除去と蒸留の両方を行ったもの）を提供する工程；式（Ｉ）
【化１４】
2014209623.tif 000015
（式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４は、水素及びＣ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群（好ましくは、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ６アリール基及びＣ７アルキルアリール基；より好ましくは、水素、メチル基及びフェニル基；最も好ましくは、水素（即ち、ここでアニオンが
【化１５】
2014209623.tif 000016
である）から独立して選択される）
で示されるカチオン源を提供する工程；及び、式（ＩＩ）
【化１６】
2014209623.tif 000017
（式中、Ｒ５は、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ１−１０アリール基、Ｃ１−１０アリールアルキル基及びＣ１−１０アルキルアリール基からなる群（好ましくは、水素、Ｃ１−１０アルキル基、Ｃ６アリール基及びＣ７アルキルアリール基；より好ましくは、水素、メチル基及びフェニル基；最も好ましくは、水素）から選択される）
で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源を提供する工程；場合によりｐＨ調整剤を提供する工程；及び、水、式（Ｉ）で示されるカチオン源、式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源及び任意のｐＨ調整剤を組み合わせる工程を含み；ここで化学機械研磨組成物は、ｐＨ８〜１２（好ましくは、９〜１１；より好ましくは、９．５〜１０．５；最も好ましくは、１０）を示す。好ましくは、本発明の化学機械研磨組成物の製造方法において、式（Ｉ）で示されるカチオン源は、炭酸グアニジン（即ち、Ｈ２ＮＣ（＝ＮＨ）ＮＨ２）２・Ｈ２ＣＯ３）；リン酸グアニジン（即ち、Ｈ２ＮＣ（＝ＮＨ）ＮＨ２）２・Ｈ３ＰＯ４）；及び塩酸グアニジン（即ち、Ｈ２ＮＣ（＝ＮＨ）ＮＨ２・ＨＣｌ）からなる群から選択される。好ましくは、本発明の化学機械研磨組成物の製造方法において、式（Ｉ）で示されるカチオン源は、炭酸グアニジン（即ち、Ｈ２ＮＣ（＝ＮＨ）ＮＨ２）２・Ｈ２ＣＯ３）；及び、リン酸グアニジン（即ち、Ｈ２ＮＣ（＝ＮＨ）ＮＨ２）２・Ｈ３ＰＯ４）からなる群から選択される。好ましくは、本発明の化学機械研磨組成物の製造方法において、式（ＩＩ）で示されるピペラジン又はピペラジン誘導体源は、ピペラジン二塩酸塩水和物である。
【００２４】
本発明のシリコンウェーハの研磨方法は、好ましくは、シリコンウェーハを提供する工程；本発明による化学機械研磨組成物を提供する工程；化学機械研磨パッドを提供する工程；研磨機を提供する工程；研磨機にシリコンウェーハ及び化学機械研磨パッドを設置する工程；０．５kPa（好ましくは、０．５〜１００kPa；より好ましくは、０．７〜５０kPa；さらにより好ましくは、６〜３５kPa；最も好ましくは、２０〜３０kPa）以上のダウンフォースで化学機械研磨パッドとシリコンウェーハの間の界面に動的接触を生じさせる工程；及び化学機械研磨パッドとシリコンウェーハの間の界面又はその近傍で化学機械研磨パッド上に化学機械研磨組成物を分配する工程を含み；ここで化学機械研磨組成物はｐＨ８〜１２（好ましくは、９〜１１；より好ましくは、９．５〜１０．５；最も好ましくは、１０）を示す。好ましくは、本発明の方法で使用される化学機械研磨組成物は、毎分６３回転のプラテン速度、毎分５７回転のキャリア速度、２００ml／minの化学機械研磨組成物の流速、及び２７．５８kPa（４psi）の公称ダウンフォースで、化学機械研磨パッドがポリウレタンを含浸させた不織布のポリエステルフェルトパッドを含む２００mmの研磨機において、少なくとも３００nm／minのシリコン除去速度（より好ましくは、少なくとも４００nm／min；最も好ましくは、少なくとも５００nm／min）を示す。
【００２５】
以下の実施例において、本発明のいくつかの実施態様を詳細に説明する。
比較例Ｃ１〜Ｃ１８及び実施例１〜３
化学機械研磨組成物の調製
【００２６】
研磨実施例ＰＣ１〜ＰＣ１８及びＰ１〜Ｐ３（すなわち、それぞれ化学機械研磨組成物Ｃ１〜Ｃ１８及び１〜３）で使用される化学機械研磨組成物は、表１において列挙される量で成分を組み合わせ、そして組成物のｐＨを、ＨＮＯ３又はＫＯＨを用いて、表１において必要とされ、かつ示されるように表１に列挙される最終のｐＨに調整することにより調製した。
【００２７】
【表１】
2014209623.tif 000018
【００２８】
比較例ＰＣ１〜ＰＣ１８及び実施例Ｐ１〜Ｐ３
化学機械研磨実験
シリコン除去速度研磨試験は、比較例Ｃ１〜Ｃ１８及び実施例１〜３に従って調製された化学機械研磨組成物を使用して行った。具体的には、化学機械研磨組成物Ｃ１〜Ｃ１８及び１〜３のそれぞれのシリコン除去速度を、表１において特定した。これらのシリコン除去速度試験は、Strasbaugh Model 6EC研磨機及びポリウレタンを含浸させた不織布のポリエステルフェルトパッドであるSuba1200（商標）（Rohm and Haas Electronic Materials CMP Inc.から市販されている）を用いて、２７．５８kPa（４psi）のダウンフォース、２００ml／minの化学機械研磨組成物の流速、６３rpmのテーブル回転速度及び５７rpmのキャリア回転速度で、０．５重量％のフッ化水素酸溶液中で９０秒間プレエッチングされた８インチのＳｉ（１００）ウェーハを使用して行った。シリコン除去速度は、研磨によるそれぞれのＳｉ（１００）ウェーハの重量損失を測定することにより決定した。シリコン除去速度試験の結果を表２に示す。
【００２９】
【表２】
2014209623.tif 000019
【外国語明細書】
2014209623000001.pdf