(57)【要約】【課題】高温ハングアップ状態となり、波長変換素子の温度制御が制御不能に陥った場合であっても、早急に制御可能状態に回復させ、高い光出力を回復させること。【解決手段】半導体レーザ２から出射した基本波光は、波長変換素子５で波長変換され出射する。点灯回路２０は上記半導体レーザ２に電力を供給し半導体レーザ２を点灯させる。温度制御手段２１ｂは、ヒータ７の給電量を制御して、波長変換素子５が最適な波長変換効率となる温度になるように制御する。制御部２１のハングアップ抑止手段２３は、レーザ光量増加指令に対して、該増加指令から第１の期間Ｔ２が経過するまで、上記半導体レーザ２への給電量を増加させずに上記ヒータ７への給電を停止もしくは給電量を所定の値まで低減させる。そして、該増加指令から第２の期間Ｔ１が経過した後に、上記半導体レーザへの給電量を増加させる。【選択図】    図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体レーザと、該レーザから放射されたレーザ光を波長変換する波長変換素子と、
該波長変換素子を加熱するためのヒータと、該半導体レーザに給電するための給電回路と、該ヒータに給電するためのヒータ給電回路と、
上記波長変換素子の温度を検出し上記ヒータへの給電量を制御して該波長変換素子の温度を所望の温度に制御する温度制御手段を備え、上記半導体レーザに給電するための給電回路と上記ヒータ給電回路とを制御する制御部とを有するレーザ光源装置であって、
上記制御部は、上記波長変換素子の変換効率が最大となる温度より高温領域において上記ヒータへの給電量を低減させても波長変換素子の温度を制御できなくなる高温ハングアップ状態が生じたとき、該高温ハングアップを抑止する手段を備え、
上記ハングアップ抑止手段は、
上記半導体レーザへの給電量の増加指令に対して、該増加指令から第１の期間Ｔ２が経過するまで、上記ヒータへの給電を停止もしくは給電量を所定の値まで低減させ、該増加指令から第２の期間Ｔ１が経過した後に、上記半導体レーザへの給電量を増加させることを特徴とするレーザ光源装置。
【請求項２】
上記高温ハングアップ抑止手段は、上記増加指令における半導体レーザへの給電量の増加量に応じて、上記第１の期間Ｔ２の長さを変化させる
ことを特徴とする請求項１に記載のレーザ光源装置。
【請求項３】
上記高温ハングアップ抑止手段は、上記増加指令における半導体レーザへの給電量の増加量に応じて、上記第２の期間Ｔ１の長さを変化させることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のレーザ光源装置。
【請求項４】
上記波長変換素子は、周期的分極反転型ニオブ酸リチウムであることを特徴とする請求項１，２または請求項３に記載のレーザ光源装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、非線形光学結晶を用いた波長変換型のレーザ光源装置に関する。更に詳細には、非線形光学結晶を用いた波長変換型のレーザ光源において、該非線形光学結晶の変換効率が最大となるように温度制御する手段を持つレーザ光源装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
映画やホームシアター用等に利用される投射型プロジェクタの光源としてレーザ光を用いた装置の開発が進められている。これらの光源となるレーザ光源には、半導体レーザ素子から直接放射される光を用いる場合と、該半導体レーザ素子から放射された光を非線形光学結晶により他の波長に変換して用いる場合とが知られている。
最近では、青色や緑色のレーザ光源として該非線形光学結晶に、周期的分極反転型ニオブ酸リチウム（ＰＰＬＮ：Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ  Ｐｏｌｅｄ  Ｌｉｔｈｉｕｍ  Ｎｉｏｂａｔｅ）や周期分極反転型タンタル酸リチウム（ＰＰＬＴ：Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ  Ｐｏｌｅｄ  Ｌｉｔｈｉｕｍ  Ｔａｎｔａｌａｔｅ）等を用いたレーザ光源が開発されている。
【０００３】
このような技術としては、例えば特許文献１に記載のものが知られている。該公報によれば、半導体レーザからなる光源と、該光源から放射されたレーザ光を入射し第２高調波に変換する波長変換素子（非線形光学結晶として、例えばＰＰＬＮを用いた場合）と、該波長変換素子から放出された所定の波長の光を選択して前記光源に向かって反射させる外部共振器（例えば体積ブラッググレーティング：ＶＢＧ：ＶｏｌｕｍｅＢｒａｇｇ Ｇｒａｔｉｎｇ）とを具備したレーザ光源装置が記載されている。
また、該波長変換素子を取り付けるサブベースとの間には温度調節ユニットが設けられていることが記載されている。更に、該温度調節ユニットを用いて該波長変換素子の温度を調節することにより、波長変換素子の分極反転周期のピッチを調整することができるため、光の変換効率を向上させることが可能となることが記載されている。
【０００４】
図１１はレーザ光源装置の概略構成を示すブロック図である。
レーザ光源ユニットＬＨ上に実装された波長変換素子（例えばＰＰＬＮ）５は、レーザ光源素子（例えば半導体レーザ、以下半導体レーザとして説明する）２から放出される光の波長を入射光よりも短波長化する波長変換を行う機能を有しており、例えば、赤外線を緑色の光に変換することができる。
点灯回路２０は、給電回路Ｕ１と、パルス状の電力を供給するパルス回路Ｕ２から構成され、半導体レーザ２を点灯させるための電圧・電流を供給する。
この波長変換素子５は、所定の温度まで上昇させることで擬似位相整合され光変換の効率を上昇させる特徴を持ち、非常に精度の良い温度制御が必要となる。そのため、波長変換素子５を加熱するための加熱手段７（以下、ヒータ７として説明する）を備え、ヒータ７の温度を検出する温度検出手段Ｔｈ１、例えばサーミスタを配置している。
【０００５】
また、制御部２１は、制御手段２１ａと温度制御手段２１ｂとドライブ回路Ｕ３から構成され、ヒータ７を駆動するドライブ回路Ｕ３は、上記温度制御手段２１ｂにより駆動される。
上記給電回路Ｕ１は、制御部２１の制御手段２１ａによって半導体レーザ２に印加する電圧や流す電流が、予め設定された値、あるいは外部から設定された値になるように制御される。また、その給電の開始、停止などの制御がなされる。上記制御部２１の制御手段２１ａと温度制御手段２１ｂは、例えば演算処理装置（ＣＰＵあるいはマイクロプロセッサ）で構成される。
また、パルス回路Ｕ２は制御部２１によって制御される。制御部２１は、パルス回路Ｕ２のスイッチング素子をオン・オフし、半導体レーザ２を駆動するパルス出力を発生する。
制御部２１に設けられた温度制御手段２１ｂは温度検出手段Ｔｈ１により検出された温度と、目標温度である設定温度との差に基づき上記ヒータ７への給電量を制御し、波長変換素子の温度が上記設定温度になるようにフィードバック制御する。
なお、波長変換素子５（例えばＰＰＬＮ）は、該波長変換素子の温度によってレーザ光の変換効率が変化し、光変換効率を最大とすることができる最適な温度が存在する。
このため上記温度制御手段２１ｂは、温度検出手段Ｔｈ１により検出された波長変換素子５の温度が、上記光変換効率が最大となる温度となるように、ヒータ７を制御してその温度を制御するのが一般的である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−５４４４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述したように、波長変換素子５（例えばＰＰＬＮ）を用いたレーザ光源装置では、該ＰＰＬＮの温度によってレーザ光の変換効率が変化することから、波長変換素子５の温度をモニタしながらヒータ回路等により最適な温度を設定しなければならない。
図１２は、波長変換素子の設定温度と、波長変換素子に加わる熱量との関係を示す図である。同図の横軸は、波長変換素子の温度をフィードバック制御している際の設定温度を示し、線Ａはレーザ光源からの輻射熱による波長変換素子の加熱量(ＩＲ輻射熱量ともいう)、線Ｂはヒータ７による加熱量（ヒータ７への給電量）、線Ｃはこれらの合計である総熱量を示す。
なお、同図（ａ）は後述する高温ハングアップ状態になっていない場合を示し、（ｂ）は高温ハングアップ状態になった場合を示す。
【０００８】
図１２（ａ）に示すように、波長変換素子の設定温度を上昇していくと、ヒータの給電量がある温度Ｔｃで最大となる現象が生ずる。
一般的に波長変換素子５の温度を上昇させる場合は、単純にヒータへの給電量が増加すれば、波長変換素子の温度は上昇していくはずである。しかし、実際には図１２（ａ）に示すように、ヒータ７への給電量は、ある設定温度で極大となる。
この給電量が極大となる波長変換素子の設定温度は、レーザ光源の光出力が最大となる（すなわち波長変換素子の変換効率が最も高い）設定温度と一致する。
【０００９】
この現象は、以下のように説明することができる。
ヒータ７への給電量が最大となる温度（Ｔｃ）周辺では、半導体レーザ２から出力される赤外線の大半が可視光に変換されているが、赤外線が可視光に変換される割合が低い温度領域では、そのほとんどが赤外線のまま閉じ込められ、波長変換素子５を加熱する、いわゆる、輻射熱による加熱（前記ＩＲ輻射による加熱）に使われる。
前述したように、図１１に示したレーザ光源装置では、設定した目標温度に制御するために波長変換素子５の温度をフィードバック制御しているため、この赤外線の外乱の増減に依存してヒータ７への給電量も増減制御される。したがって波長変換素子５が輻射熱を多く受ける領域ではヒータ７への給電量は少なくても充分設定した温度となる。逆に可視光への変換効率が高いポイント（温度Ｔｃ付近）では、上記輻射熱が低減しているので、ヒータ７への給電量を増加するように温度制御手段２１ｂが制御する。このため、給電量の最も高い点が波長変換素子の変換効率が最も高い温度領域となるものと考えられる。
【００１０】
ところで、一般的にプロジェクタ光源では、使用環境や点灯条件によって光量の調整が必要となる。例えば、晴れた日の野外で映像を投射する場合と、映画館等の屋内を暗くして投射する場合では、必要となる光量は異なる。また、プロジェクタを省電力モードで点灯する場合と、通常電力で点灯する場合とでは、光源に投入される電力が大きく異なる。このように、光源となるレーザ光源装置に対して、レーザ点灯電流の増減制御が必要となる。
しかし、レーザ光量増加指令に従いレーザ点灯電流を増加させると、以下に説明するように、波長変換素子５温度が波長変換最適温度より高温で保持されてしまう高温ハングアップ状態となり、所望の変換光出力が得られず光量が大幅に減少する場合があることが分かった。
【００１１】
以下、上記高温ハングアップについて説明する。
前記したレーザ光源装置において、レーザ光量増加指令に従いレーザ点灯電流を増加させると、レーザ光による波長変換素子５の加熱量も増加する。このため波長変換素子５の温度が一時的に上昇する。
レーザ光による波長変換素子５の加熱量が増加すると、図１２に示すＩＲ輻射熱量Ａ、総熱量Ｃが増加する。このため、温度制御手段２１ｂは、ヒータ７への給電量を減少させるように制御するが、ヒータ回路への出力を遮断しても波長変換素子５の温度が下がらなくなると、図１２（ｂ）に示すように、波長変換素子５の温度を制御できなくなる。この結果、波長変換素子５の温度が上昇し、波長変換素子５の温度は、図１２（ｂ）に示す高温ハングアップ状態の領域に入り、高温ハングアップ２の状態になる。
すなわち、図１２（ｂ）において、波長変換素子の温度を上昇させていくと、高温ハングアップ１の温度で基本波光による波長変換素子５の加熱量が温度維持に必用なエネルギーよりも大きくなる。その場合ヒータ７への給電を停止しても波長変換素子５の温度は上がり続け、高温ハングアップ２の温度まで上昇して停止する。この高温ハングアップに陥ると、ヒータ７への給電を停止しても波長変換素子の温度を下げることができない。
【００１２】
図１３のタイムチャートにより、レーザ光量を増加させる指令（調光指令）があったときの動作を説明する。図１３において、（ａ）は調光トリガ（レーザ電流の増加指令）のタイミング、（ｂ）はレーザ電流の変化、（ｃ）はヒータへの給電量、（ｄ）は波長変換素子の温度を示す。
図１３（ａ）に示すように、レーザ光量を増加させる指令（調光指令）があると、同図（ｂ）に示すように図１１に示す給電回路Ｕ１は直ちにレーザ電流を増加させ、レーザ電流のレベルはＩＬ１からＩＬ２（増加量Ａ）になる。これにより、同図（ｄ）に示すようにすなわち波長変換素子５の温度は上昇する。
【００１３】
ここで、上記レーザ光量を増加させる指令によるレーザ電流の増加量が小さい等の理由により波長変換素子５の温度があまり増加せず、波長変換素子の温度が同図（ｄ）の破線に示すように上昇する場合は、高温ハングアップ状態にはならない。すなわち、ドライブ回路Ｕ３からのヒータ７への給電量は、同図（ｃ）に示すように、一旦低下するが、その後、波長変換素子５の温度が最大変換効率となる温度（前記図１３における給電量が最大となる温度（Ｔｃ））になることにより、同図の破線で示すように、ヒータ給電量は０レベルより大きな値で推移する。これは、前記図１２（ａ）の制御可能状態である。
【００１４】
一方、上記レーザ光量を増加させる指令によるレーザ電流の増加量が大きく、波長変換素子５の温度が大きく増加し、波長変換素子の温度が同図（ｄ）の実線に示すように増加すると、波長変換素子の温度を維持するために必用な熱量よりも基本波光による加熱量が大きくなってしまう。このため、ヒータ等の加熱手段への給電量の増減では波長変換素子の温度を制御できなくなる。
すなわち、高温ハングアップ１の温度で基本波光による波長変換素子５の加熱量が温度維持に必用なエネルギーよりも大きくなり、ヒータ７への給電を停止しても波長変換素子５の温度は上がり続け、高温ハングアップ２の温度まで上昇して停止する。
波長変換素子の温度は温度制御手段２１ｂにより制御されているので、上記高温ハングアップ状態になると、ヒータ７への給電量は同図（ｃ）に示すように０レベルとなる。すなわち、この状態になると、ヒータへの給電を停止しても波長変換素子５の温度を下げることができなくなる。
【００１５】
以上のように、レーザ光量増加指令に従いレーザ点灯電流を増加させると、レーザ光による波長変換素子５の加熱量も増加し、波長変換素子５の温度が最適な温度に下がらなくなり制御ができなくなる（高温ハングアップ状態になる）場合がある。
この高温ハングアップ状態では、波長変換素子５の温度が波長変換効率が最大となる温度より高温で保持されてしまい、所望の変換光出力が得られず光量が大幅に減少し、レーザ光量増加指令前より却って光量が減少した状態が維持されてしまう。
【００１６】
本発明は上記問題点を解決するものであって、本発明の課題は、高温ハングアップ状態となり、波長変換素子の温度制御が制御不能に陥った場合であっても、早急に制御可能状態に回復させ、高い光出力を回復させることができるレーザ光源装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
前記したように、温度によって変換効率が変化し、光変換効率を最大とする最適な温度が存在する波長変換素子を用いて波長変換を行うレーザ光源装置において、波長変換素子の温度制御を、ペルチェ素子のような冷却も行える手段を用いずにヒータ等の加熱手段で行い、かつ基本波光をパッケージ外に漏らさない構造であって波長変換されない基本波光の一部が波長変換素子の加熱に寄与するレーザ光源装置においては、高温ハングアップ状態となることがある。
この高温ハングアップ状態とは、上記レーザ光源装置において、波長変換素子の変換効率が最大となる温度より高温領域において、その温度を維持するために必用な熱量よりも基本波光による加熱量（ＩＲ輻射熱量）が大きくなってしまうことにより、ヒータ等の加熱手段への給電量の増減で波長変換素子の温度を制御できなくなり、ヒータ等の加熱手段への給電を停止しても温度を下げることができなくなる状態である。
本発明は、上記高温ハングアップ状態になるのを抑止するため、レーザ光源装置に高温ハングアップ抑止手段を設ける。
上記高温ハングアップ抑止手段は、ヒータ回路への給電を一旦停止（あるいは給電量を低下）し、レーザ光量増加指令から一定期間後にレーザ光量を増加する。これにより、波長変換素子の過昇温の抑制が可能となり、結果として、高温ハングアップを防止し、安定した波長変換素子の温度制御が可能なレーザ光源装置を提供することができる。すなわち、本発明においては、以下のようにして前記課題を解決する。
【００１８】
（１）半導体レーザと、該レーザから放射されたレーザ光を波長変換する波長変換素子と、該波長変換素子を加熱するためのヒータと、該半導体レーザに給電するための給電回路と、該ヒータに給電するためのヒータ給電回路と、上記波長変換素子の温度を検出し上記ヒータへの給電量を制御して該波長変換素子の温度を所望の温度に制御する温度制御手段を備え、上記半導体レーザに給電するための給電回路と上記ヒータ給電回路とを制御する制御手段とを有するレーザ光源装置において、上記制御手段に、上記波長変換素子の変換効率が最大となる温度より高温領域において上記ヒータへの給電量を低減させても波長変換素子の温度を制御できなくなる高温ハングアップ状態が生じたとき、該高温ハングアップを抑止する手段を設ける。
上記ハングアップ抑止手段は、上記半導体レーザへの給電量の増加指令に対して、該増加指令から第１の期間Ｔ２が経過するまで、上記ヒータへの給電を停止もしくは給電量を所定の値まで低減させ、該増加指令から第２の期間Ｔ１が経過した後に、上記半導体レーザへの給電量を増加させる。
（２）上記（１）において、高温ハングアップ抑止手段は、上記増加指令における半導体レーザへの給電量の増加量に応じて、上記第１の期間Ｔ２の長さを変化させる。
（３）上記（１）（２）において、上記高温ハングアップ抑止手段は、上記増加指令における半導体レーザへの給電量の増加量に応じて、上記第２の期間Ｔ１の長さを変化させる。
（４）上記（１）（２）（３）において、波長変換素子として周期的分極反転型ニオブ酸リチウムを用いる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明においては、以下の効果を得ることができる。
（１）レーザ光量増加（点灯電流増加）によって、波長変換素子に入射される基本波光が増加するが、半導体レーザへの給電量の増加指令に対して、該増加指令から第１の期間Ｔ２が経過するまで、上記ヒータへの給電を停止もしくは給電量を所定の値まで低減させ、該増加指令から第２の期間Ｔ１が経過した後に、上記半導体レーザへの給電量を増加させるようにしたので、レーザ光量増加による基本波光の増加により波長変換素子が所望の温度より高温になってしまうことを抑制することができる。このため、波長変換素子の変換効率が最大となる温度より高温域で加熱を止めても温度が下がらない制御不能状態（高温ハングアップ状態）を防止することができる。
（２）レーザ光量増加指令による半導体レーザへの給電量の増加量に応じて、上記第１の期間Ｔ２の長さを変化させたり、上記第２の期間Ｔ１の長さを変化させるようにすれば、
レーザ光量増加量が小さいときには、ヒータ温度が制御されない時間を短くしたり、レーザ光量増加指令からレーザ光量が増加するまでの遅れ時間を短くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施例のレーザ光源装置の構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施例のレーザ光源装置における制御部および点灯回路の構成を示すブロック図である。
【図３】給電回路の具体化された構成例を示す図である。
【図４】パルス回路の簡略化された構成例を示す図である。
【図５】ドライブ回路の構成及び制御部、ヒータ等の接続関係を示す図である。
【図６】ドライブ回路よりヒータに給電される電流波形の一例を示すタイミングチャートである。
【図７】制御部の温度制御手段における制御処理の一例を示すフローチャートである。
【図８】ハングアップ抑止手段を設けた場合の、レーザ光量増加指令（調光指令）があったときのレーザ電流、ヒータへの給電量等の変化を示すタイムチャートである。
【図９】ハングアップ抑止手段における制御処理の一例を示すフローチャートである。
【図１０】レーザ光量増加指令（調光指令）があったときのレーザ電流、ヒータへの給電量等の変化（ヒータ給電量を低下）を示すタイムチャートである。
【図１１】レーザ光源装置の概略構成を示すブロック図である。
【図１２】波長変換素子の設定温度と、波長変換素子に加わる熱量との関係を示す図である。
【図１３】レーザ光量増加指令（調光指令）があったときのレーザ電流、ヒータへの給電量等の変化を示すタイムチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は本発明の実施例のレーザ光源装置の構成を示す図である。
図１に示すようにレーザ光源装置は、レーザ光源ユニットＬＨと、半導体レーザを点灯させるための点灯回路２０と制御部２１とを有する。
レーザ光源ユニットＬＨにおいて、熱伝導性の高い材質、例えば銅（Ｃｕ）で形成されるベースプレート（ヒートシンク）となる基板１には、レーザ光の漏れを防ぎ、また内部に収納された部材を外気や埃から遮断するとともに断熱する遮断容器（例えばアルミニウム製）３が取り付けられている。
遮断容器３内の上記基板１上には、基本波光として赤外光を放射する半導体レーザ２が設けられている。半導体レーザ２は例えば、１０６４ｎｍを放射する外部共振器型面発光レーザアレイである。
【００２２】
該半導体レーザ２に対向する位置には、上記基本波光の特定の狭帯波長域の光を高い反射率（例えば９９．５％）で反射する基本波光反射素子４（例えば、前記ＶＢＧ）が配置され、上記半導体レーザ２に対し外部共振器を構成する。なお、基本波光反射素子４は、変換光は透過させる。
また、半導体レーザ２と基本波光反射素子４との間には、基本波光の波長の内の一部の光（位相整合した波長の光、位相整合温度は例えば８０Ｃ°〜１００Ｃ°）を変換して波長変換光（第二次高調波：ＳＨＧ）とする波長変換素子（例えば前記ＰＰＬＮ）５が配置される。該波長変換素子５は、上記半導体レーザ２が出力する基本波光である赤外光を可視光または紫外光に変換する。
波長変換素子５には、伝熱板６が熱的に接触して配置され、伝熱板６上には、波長変換素子５を加熱する手段である加熱手段（例えばヒータ）７と、波長変換素子５の温度を検出する温度検出手段Ｔｈ１（例えばサーミスタ）とが設けられる。
上記半導体レーザ２、波長変換素子５、基本波反射素子４により、外部共振器型垂直面発光レーザを構成しており、ここでは、上記半導体レーザ２、波長変換素子５、基本波反射素子４から構成される部分を光源部１２と呼ぶ。
【００２３】
上記遮断容器３の基板１に対向する面には、ダイクロイック出力ミラー１０が設けられ、前記基本波光反射素子４を透過して出力される波長変換光は、該ダイクロイック出力ミラー１０から出射する。
ダイクロイック出力ミラー１０は、前記基本波光反射素子４で反射されずに透過した基本波光を透過させずに反射する。ダイクロイック出力ミラー１０で反射した基本波光は、ビームダンプ１１（例えば黒アルマイト処理アルミプレート）に入射し吸収される。ビームダンプ１１は上記遮断容器３と熱的に接触している。
また、半導体レーザ２と上記波長変換素子５との間には、基本波光を透過し、波長変換光を反射させて、横方向に取り出すダイクロイックミラー８が設けられ、該ダイクロイックミラー８により反射された波長変換光は、反射ミラー９で、前記基本波光反射素子４を透過した波長変換光と同じ方向に反射され、上記ダイクロイック出力ミラー１０を透過して出射する。
すなわち、本発明が対象とするレーザ光源装置の光源部１２は、半導体レーザ２から放射された基本波光を波長変換する波長変換素子５と、該波長変換素子５の出射側に配置され、該波長変換素子５から出射した光の内、基本波光の特定の狭帯波長域の光を高い反射率で反射する上記半導体レーザ２に対し外部共振器を構成する基本波光反射素子４（例えば、ＶＢＧ）を備えている。
なお、その他、各部材を保持する保持部材等が設けられているが、同図には図示していない。
【００２４】
図１において、半導体レーザ２から出射した基本波光は、同図の矢印に示すように、ダイクロイックミラー８を介して波長変換素子５に入射する。
波長変換素子５に入射した光の内の一部の光は波長変換され、この波長変換された光は基本波光反射素子４を透過し、ダイクロイック出力ミラー１０を介して出射する。また、波長変換素子５で波長変換されなかった基本波光は、基本波光反射素子４で反射されて波長変換素子５に入射して、波長変換素子５で波長変換される。この波長変換された光はダイクロイックミラー８で反射して、反射ミラー９、ダイクロイック出力ミラー１０を介して出射する。
また、波長変換素子５で波長変換されずにダイクロイックミラー８に入射する基本波光は、ダイクロイックミラー８を透過し半導体レーザ２に入射する。
一方、基本波光反射素子４で反射せずに該素子を透過した基本波光、及び、上記ダイクロイックミラー８を透過せずに反射し、反射ミラー９で反射した基本波光は、同図の矢印に示すようにダイクロイック出力ミラー１０で反射して、ビームダンプ１１に入射して吸収される。
【００２５】
上記波長変換素子５としては、周期的分極反転構造を持つニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）、マグネシウムがドープされたニオブ酸リチウム（ＭｇＯ：ＬｉＮｂＯ3）、タンタルニオブ酸リチウム（ＬｉＴａＮｂＯ3）、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、あるいはチタン酸リン酸カリウム（ＫＴｉＯＰＯ４）等を用いることができ、一般的には、周期的分極反転ニオブ酸リチウム（ＰＰＬＮ）、周期分極反転Ｍｇドープニオブ酸リチウム（ＰＰＭｇＬＮ）、周期的分極反転タンタル酸リチウム（ＰＰＬＴ）、周期的分極反転チタン酸リン酸カリウム（ＰＰＫＴＰ）と呼ばれる擬似位相整合型波長変換素子を用いることができる。
【００２６】
本実施例の光源装置には図１に示すように、制御部２１、点灯回路２０が設けられる。
上記点灯回路２０は上記半導体レーザ２にパルス状の電力を供給し、半導体レーザ２を点灯させる。上記制御部２１は、上記点灯回路２０を制御するなど、レーザ光源装置の動作を制御するとともに、波長変換素子５の温度を制御して、波長変換素子５が最適な波長変換効率となる温度になるように制御する。
すなわち、制御部２１には温度検出手段Ｔｈ１により検出された波長変換素子５の温度が入力され、制御部２１は、波長変換素子の変換効率が最大となるときの波長変換素子の温度を、波長変換素子の最適設定温度とし、加熱手段７による加熱量を制御して波長変換素子５の温度が上記最適設定温度になるように、波長変換素子５の温度をフィードバック制御する。
【００２７】
図２は、本発明の実施例のレーザ光源装置における制御部および点灯回路の構成を示すブロック図である。
点灯回路２０は、同図に示すよう、例えば降圧チョッパや昇圧チョッパに代表されるあるいはその他の方式のスイッチング回路などから構成される給電回路Ｕ１と、パルス状の電力を供給するパルス回路Ｕ２から構成され、半導体レーザ２の状態あるいは点灯シーケンスに応じて、適合する電圧・電流を半導体レーザ２に出力する。
レーザ種によっては、略数百ｋＨｚの矩形波状のパルス電圧をレーザに印加する方式がよく知られている。本実施例では、パルス回路Ｕ２が給電回路Ｕ１の出力段に配置され、所望の周波数にてパルスを生成して、前記半導体レーザ２に出力する。
なお、前記と異なるレーザ種によっては、その限りでなく、パルス回路Ｕ２を省き、前記給電回路Ｕ１からの出力電圧を直接的に上記半導体レーザ２に相当するレーザ光源に印加してもかまわない。
【００２８】
本実施例で示される半導体レーザ２は赤外線を発光するものであり、可視光に変換するために波長を変換する素子である波長変換素子５（例えばＰＰＬＮ）を有している。
この波長変換素子５は、所定の温度まで上昇させることで、擬似位相整合され光変換の効率を上昇させる特徴を持ち、非常に精度の良い温度制御が必要となる。そのため、レーザ光源ユニットＬＨにおいても、波長変換素子５とそれを昇温するための加熱手段７（以下、ヒータ７として説明する）を備え、ヒータ７の温度（すなわち波長変換素子５の温度）を検出する素子温度検出手段Ｔｈ１、例えばサーミスタを配置している。
【００２９】
また、制御部２１は制御手段２１ａと温度制御手段２１ｂとドライブ回路Ｕ３から構成され、温度制御手段２１ｂの出力により、ヒータ７を駆動するドライブ回路Ｕ３が駆動される。
上記給電回路Ｕ１は、制御部２１によって、半導体レーザ２に印加する電圧や流す電流が、予め設定された値、あるいは外部から設定された値になるように制御される。また、その給電の開始、停止などの制御がなされる。上記制御部２１の制御手段２１ａと温度制御手段２１ｂは、例えば、演算処理装置（ＣＰＵあるいはマイクロプロセッサ）で構成される。
また、パルス回路Ｕ２は制御部２１の温度制御手段２１ｂによって制御される。温度制御手段２１ｂは、高い光出力効率を得るための最適なパルス周波数とデューティサイクル比を決定し、その値に従って、パルス回路Ｕ２のスイッチング素子をオン・オフし、半導体レーザ２を駆動するパルス出力を発生する。
【００３０】
制御部２１の制御手段２１ａは、高温ハングアップ抑止手段２１ｃを備え、高温ハングアップ抑止手段２１ｃは、後述するように、レーザ光量を増加させる指令があると、上記波長変換素子５を加熱するヒータ７への給電を一旦停止し、一定期間後に、上記給電回路Ｕ１によりレーザ２への給電量を増加させ、レーザ光量を増加させる。これにより、波長変換素子の過昇温の抑制が可能となり、高温ハングアップを抑止することができる。
温度制御手段２１ｂは素子温度検出手段Ｔｈ１により検出された温度と、波長変換素子の変換効率が最大となる温度である設定温度との差に基づき上記ヒータ７への給電量を制御し、波長変換素子５の温度が上記設定温度になるように制御する。
すなわち、温度制御手段２１ｂは、ドライブ回路Ｕ３を駆動してヒータ７への給電量を制御し、素子温度検出手段Ｔｈ１により検出された波長変換素子５の温度が上記設定温度になるようにフィードバック制御する。
具体的には、温度制御手段２１ｂは、ヒータ７への給電量を制御するための給電量を示す信号をドライブ回路Ｕ３へ送出し、ドライブ回路Ｕ３がヒータ７を駆動して、波長変換素子５の温度が上記設定温度になるようにフィードバック制御する。
ドライブ回路Ｕ３の出力形態は、電圧レベルを出力するものでもよく、ＰＷＭ方式を用いて給電量を制御するものでも良い。
【００３１】
図３は、本発明のレーザ光源装置における点灯回路２０で使用することのできる前記給電回路Ｕ１の具体化された一構成例を示す図である。
降圧チョッパ回路を基本とした前記給電回路Ｕ１は、ＤＣ電源Ｍ１より電圧の供給を受けて動作し、前記半導体レーザ２への給電量調整を行う。
給電回路Ｕ１においては、前記制御部２１により、ＦＥＴ等のスイッチング素子Ｑ１を駆動して、前記ＤＣ電源Ｍ１からの電流をオン・オフし、チョークコイルＬ１を介して平滑コンデンサＣ１を充電し、前記半導体レーザ２に電流を供給するように構成されている。なお、前記スイッチング素子Ｑ１がオン状態の期間は、前記スイッチング素子Ｑ１を通じた電流により、直接的に前記平滑コンデンサＣ１への充電と負荷である前記半導体レーザ２への電流供給が行われるとともに、チョークコイルＬ１に磁束の形でエネルギーを蓄え、前記スイッチング素子Ｑ１がオフ状態の期間には、前記チョークコイルＬ１に磁束の形で蓄えられたエネルギーによってフライホイールダイオードＤ１を介して前記平滑コンデンサＣ１への充電と前記半導体レーザ２への電流供給が行われる。
なお、先に図２に関連して説明した、前記給電回路Ｕ１の停止状態とは、前記スイッチング素子Ｑ１がオフ状態で停止している状態を指す。
【００３２】
前記降圧チョッパ型の前記給電回路Ｕ１においては、前記スイッチング素子Ｑ１の動作周期に対する、前記スイッチング素子Ｑ１がオン状態の期間、すなわちデューティサイクル比により、前記半導体レーザ２への給電量を調整することができる。ここでは、あるデューティサイクルを有するゲート駆動信号が前記制御部２１によって生成され、ゲート駆動回路Ｇ１を介して、前記スイッチング素子Ｑ１のゲート端子を制御することにより、前記ＤＣ電源からの電流のオン・オフが制御される。
前記半導体レーザ２への電流と電圧とは、給電電流検出手段Ｉ１と給電電圧検出手段Ｖ１とによって、検出できるように構成されている。なお、前記給電電流検出手段Ｉ１については、シャント抵抗を用いて、また、前記給電電圧検出手段Ｖ１については、分圧抵抗を用いて簡単に実現することができる。
【００３３】
前記給電電流検出手段Ｉ１からの給電電流検出信号、および、前記給電電圧検出手段Ｖ１からの給電電圧検出信号は、前記制御部２１に入力され、制御部２１は、前記ゲート駆動信号を出力して、スイッチング素子Ｑ１をオン・オフ制御し、目標電流が出力されるようにフィードバック制御する。これにより適切な電力あるいは電流をレーザへ供給することが可能となる。
【００３４】
図４は、本発明のレーザ光源装置における点灯回路２０で使用することのできるパルス回路Ｕ２の簡略化された一構成例を示す図である。
パルス回路Ｕ２は、ＦＥＴ等のスイッチング素子Ｑ２を用いた回路により構成されている。
スイッチング素子Ｑ２は、ゲート駆動回路Ｇ２を介して制御部２１より生成される信号に従って駆動される。スイッチング素子Ｑ２は、オン・オフの動作を高速に繰り返し、オンとなる度に、前記給電回路Ｕ１の出力により充電されるコンデンサ群Ｃ２から該スイッチング素子Ｑ２を介して、半導体レーザ２に給電が行われる。
【００３５】
例えば、略数百ｋＨｚの矩形波状のパルス電圧をレーザに印加する方式においては、パルス駆動方式のほうが、単純なＤＣ駆動よりも、半導体素子、例えばレーザダイオード内の接合部温度（ジャンクション温度）を低減することができ、その結果、光出力の効率を上昇させる効果がある。一般的に言って、レーザダイオードをＤＣ駆動すると順方向電圧がパルス駆動に比して低下するため、同程度の電力をレーザダイオードに給電することになると、供給電流を増加させる必要があり、結果として電流増大による損失が増加し、ジャンクションの温度が増加するからである。
いずれにしても、制御部２１は、より高い光出力効率を得るための最適なパルス周波数とデューティサイクル比を決定し、その値に従って、半導体レーザ２を駆動することができる。ただし、コスト上の兼ね合いから、多少の光出力効率の悪化を前提としてパルス回路Ｕ２を削除して、半導体レーザ２等を直接的にＤＣで駆動する形態としても構わない。
【００３６】
図５は、本発明のレーザ光源装置におけるドライブ回路Ｕ３と、前記制御部２１の温度制御手段２１ｂと、波長変換素子５等の接続関係を示す簡略化された一構成例を示す図である。
前記レーザ光源ユニットＬＨは、波長変換素子５を搭載し、光出力を最大とする、即ち光波長変換の効率が最大となる条件が存在する。その条件とは、前記波長変換素子５の温度であり、適切な温度条件を与えることにより高い変換効率を得ることができる。したがって、波長変換素子５の温度を外部から昇温することにより、波長変換素子５を最適な温度に調整する機構が必要となる。そのために、該波長変換素子５近傍にヒータ７を設け、波長変換素子５の温度が最適な温度となるようにヒータ７を制御することが肝要となる。
【００３７】
ここでの波長変換素子５の適切な温度条件について補足すると、製造上の要因あるいは波長変換素子５の構成や製造上の理由により、個体ごとにその最適値は異なり、例えば、略８０°Ｃ〜１００°Ｃ程度の温度であって、同範囲程度の「ばらつき」が存在する。
制御部２１を構成する演算処理装置（ＣＰＵあるいはマイクロプロセッサ）は、前述したように波長変換素子５の最適な温度条件になるように、制御を行う必要がある。
波長変換素子５の温度を所望の温度に一定に保つために、間接的にはヒータ７の温度を制御することで、これを実現する。したがって、温度検出手段Ｔｈ１をヒータ７の近傍の伝熱板６（図１参照）に配置している。
【００３８】
制御部２１は前記したように温度制御手段２１ｂを有し、温度制御手段２１ｂは、温度検出手段Ｔｈ１により波長変換素子５の温度情報を取得する。そして、設定温度と上記温度検出手段Ｔｈ１により検出された温度とを比較して、ヒータ７への給電量をフィードバック制御する。
ここでのヒータ７への給電方法の形態としては、制御部２１の温度制御手段２１ｂからのＰＷＭ信号のパルス信号を、ドライブ回路Ｕ３のゲート駆動回路Ｇ３を介して前記スイッチング素子Ｑ３のゲート端子に送出し、該スイッチング素子Ｑ３をオン・オフ制御する。
その結果、前記ヒータ７には、例えばＤＣ２４ＶのＤＣ電源から所定の周期で、所定のパルス電圧が給電される。このように、制御部２１は、ヒータ７の給電量を制御し、その結果、前記波長変換素子５が最適な温度になるよう安定的に制御する。
【００３９】
図６は、本発明の実施例のレーザ光源装置の点灯回路における、ドライブ回路Ｕ３より前記ヒータ７に給電される電流波形を簡略化したタイミングチャートである。
ヒータ７への給電量をフィードバック制御するために、制御部２１の温度制御手段２１ｂは、同図に示すＰＷＭ１周期とＰＷＭオン幅を決定して、ＰＷＭ信号を生成する。
なお、上記ＰＷＭ信号の代わりに、周波数変調信号等のＰＷＭ信号と同様のアナログ量を表す信号を生成するようにしてもよい。
このオン幅の増減によりヒータ７への給電量が調整され、波長変換素子５の温度が制御される。
上記フィードバック制御方式としては、一般的に「オン・オフ−ＰＩＤ制御」として知られている制御方式を用いることができる。ＰＩＤ制御は、比例要素と積分要素と微分要素を組み合わせて、目標の温度となるように制御する方式である。なお、本実施例で使用したＰＷＭ出力の周波数は例えば、略数ｋＨｚ程度の値が適用される。
【００４０】
図７は、上記制御部２１の温度制御手段２１ｂにおける制御処理の一例を示すフローチャートである。図７のフローチャートは、前述し制御部２１内に実装されたマイクロコンピュータにおけるソフトウエア処理により実現することができ、制御部２１の温度制御手段２１ｂは、例えば以下のフローチャートに示される処理を実行し、波長変換素子５の温度を設定温度に制御する。
制御部２１の温度制御手段２１ｂは、波長変換素子５の温度を目標温度に制御するために、波長変換素子５の温度（図１においてはヒータ７により加熱される伝熱板６の温度）を温度検出手段Ｔｈ１で検出し、検出した温度と目標温度となる上記設定温度とを比較することで、ヒータ７への出力操作量を周期的に実行し制御する。
これについて、その代表的手法である比例要素と積分要素とを組み合わせたＰＩ制御を例として説明する。
【００４１】
図７において、ステップ（Ｂ０１）でヒータ制御を開始し、まず、ステップ（Ｂ０２）において波長変換素子５の温度と相関があるヒータ７により加熱される伝熱板６の現在の温度、即ち波長変換素子５の温度実測値（ＰＰＬＮ温度実測値）を温度検出手段Ｔｈ１により測定し、温度実測値（Ｔｍ＿ＰＰＬＮ）を得る。
次に、ステップ（Ｂ０３）にて波長変換素子５の目標温度、即ち、波長変換素子５の温度設定値（ＰＰＬＮ温度設定値）を読み込み、最適温度設定値（Ｔｓ＿ＰＰＬＮ）を得る。
そして、ステップ（Ｂ０４）にて上記最適温度設定値（Ｔｓ＿ＰＰＬＮ）と、温度検出手段Ｔｈ１より測定された温度実測値（Ｔｍ＿ＰＰＬＮ）とを比較して、その差分（ｅｎ）を求める。この差分（ｅｎ）を用いて、ステップ（Ｂ０５）において、ＰＩ演算を行う。このＰＩ演算において、ヒータ７への給電量、即ち、ヒータ７への操作量を数式（１）より求める。
ＭＶｎ＝ＭＶｎ−１＋Ｋｐ×ｅｎ＋Ｋｉ×ｅｎ‐１・・・（１）
ここで、ＭＶｎは今回の操作量、ＭＶｎ−１は前周期の操作量、ｅｎは今回算出した温度の差分値、ｅｎ−１は前周期での温度差分値、Ｋｐ、Ｋｉは定数である。
【００４２】
ＰＩ演算により算出された操作量（ＭＶｎ）は制御部２１より送出するＰＷＭ信号のオン幅として更新することになるが、ステップ（Ｂ０６）、ステップ（Ｂ０７）にて、操作量（ＭＶｎ）が最大値（ＭＶｎ上限値）を上回っている場合にはその最大値を、最小値（ＭＶｎ下限値）を下回っている場合には最小値を操作量（ＭＶｎ）として上下限制限を行う（ステップ（Ｂ０８）、ステップ（Ｂ０９））。
そしてステップ（Ｂ０６〜Ｂ９）にて、最終的に決定した操作量を、制御部２１より送出するＰＷＭ信号のオン幅（Ｄｕｔｙ（ｎ））として更新し、その周期のヒータ制御を終了する（ステップ（Ｂ１０，Ｂ１１））。
このステップ（Ｂ０１）からステップ（Ｂ１１）までの一連の動作を所定の周期で繰り返す。本フローチャートを周期的に実行しフィードバック制御を行うことで、前記波長変換素子５が最適な温度になるよう安定的に制御される。
ここで説明している制御アルゴリズムは、比例制御と積分要素からなるＰＩ制御方式を用いているが、例えばＰＩＤ制御のようにＤｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ（微分）要素を加えた制御を含め他のフィードバック制御方式を用いても構わない。
【００４３】
次に、本発明に係る高温ハングアップ抑止手段２１ｃについて説明する。
高温ハングアップ抑止手段２１ｃは、前記したように、レーザ光量を増加させる指令があったとき、レーザ光量を直ちに増加させず、波長変換素子５を加熱するヒータ７への給電を、上記増加指令から第１の期間Ｔ２が経過するまで、停止もしくは給電量を所定の値まで低減させる。そして、該増加指令から第２の期間Ｔ１が経過した後に、上記半導体レーザへの給電量を増加させる。
【００４４】
図８のタイムチャートにより、高温ハングアップ抑止手段２１ｃの動作について説明する。図８は、上記高温ハングアップ抑止手段を設けた場合の、レーザ光量を増加させる指令（調光指令）があったときの動作タイムチャートであり、図８（ａ）は調光トリガ（レーザ電流の増加指令）のタイミング、（ｂ）はレーザ電流の変化、（ｃ）はヒータへの給電量、（ｄ）は波長変換素子の温度（ヒータの温度）を示す。
同図（ａ）に示すレーザ光量を増加させる指令（調光指令）があると、ハングアップ抑止手段２１ｃは、同図（ｃ）に示すように、ドライブ回路Ｕ３に対してＴ２の期間、ヒータ７への給電をオフとする指令を出し、ヒータへの給電量を０レベルにする。またこれと同時に、同図（ｂ）に示すように給電回路Ｕ１に対し、レーザ電流増加指令をＴ１の期間、遅延させ、レーザ電流をＩＬ１の値に保持させる。
これにより、同図（ｄ）に示すように、ヒータ７の温度は低下する。ヒータ７をオフにしてから期間Ｔ１が経過し、ヒータ７の温度がレーザ電流を増加させても高温ハングアップ状態にならない温度まで低下すると、レーザ電流を同図（ｂ）に示すようにＩＬ２まで増加させる。
【００４５】
レーザ電流の増加により、ヒータ７（波長変換素子５）の温度は同図（ｄ）のように増加する。そして、ヒータ７をオフにしてから期間Ｔ２経過後、ヒータ７を再びオンにする。ヒータ７（波長変換素子５）の温度はヒータ７をオフにしている間に低下しているので、ここでヒータ７をオンにしても、高温ハングアップ状態になることなく、ヒータ７（波長変換素子５）の温度は温度制御手段２１ｂにより制御され、前記した設定温度に維持される。
【００４６】
上記期間Ｔ１，Ｔ２の時間は、例えば実験等により高温ハングアップを抑止できる時間を求めておき、予めその時間に設定しておいてもよいが、レーザ電流の電流変化量（増加量）に応じて変化させてもよい。
表１にレーザ電流変化量に対するＴ１，Ｔ２の値の一例を示す。同表に示すように、レーザ電流変化量が小さい場合には、それに応じてＴ１，Ｔ２の値を小さく設定し、レーザ電流変化量が大きくなったときは、それに応じてＴ１，Ｔ２の値を大きくする。すなわち、レーザ電流の変化量が大きいときは、波長変換素子の加熱量も大きくなるので、その分、ヒータをオフにする時間を増加させるとともに、レーザ電流を増加させる時間を遅らせる。このように構成することにより、調光指令があったとき、レーザ電流の増加量が少ない場合には、短い遅れ時間でレーザ光量を増加させることができる。
なお、ここでは上記期間Ｔ１、Ｔ２がＴ１＜Ｔ２の場合について説明したが、波長変換素子の温度があまり上昇しない範囲内（高温ハングアップ状態にならない範囲内）であれば、Ｔ１＞Ｔ２に設定しても構わない。
【００４７】
【表１】
2014182338.tif 000003
【００４８】
図９は、制御部２１の上記ハングアップ抑止手段における制御処理の一例を示すフローチャートである。図９のフローチャートは、制御部２１内に実装されたマイクロコンピュータにおけるソフトウエア処理により実現することができる。
図９において、レーザ電流をＩＬ１からＩＬ２に増加させる調光指令（レーザ電流増加量Ａ）が与えられると、ステップＳ１において、Ｔｎ＝０、レーザ電流ＩＬｎ＝ＩＬ１、ヒータをＯＦＦに設定する。そして、ステップＳ２で、ＴｎをΔＴだけ増加させながら（Ｔｎ＝Ｔｎ−１＋ΔＴ）、ステップＳ３で、Ｔｎ≧Ｔ１になるまで待つ。Ｔｎ≧Ｔ１になると、ステップＳ４でレーザ電流ＩＬｎをＩＬ２に設定し、ステップＳ５で、ＴｎをΔＴだけ増加させながら（Ｔｎ＝Ｔｎ−１＋ΔＴ）、ステップＳ６で、Ｔｎ≧Ｔ２になるまで待つ。Ｔｎ≧Ｔ２になると、ステップＳ７でヒータをＯＮにして処理を終了する。
【００４９】
図８に示した例では、調光指令（レーザ電流の増加指令）があったとき、ヒータ７をオフにする場合について説明したが、図１０に示すように、ヒータ７をオフにせずに、ヒータ７への給電量を低減させてもよい。
図１０は、前記図８と同様、レーザ光量を増加させる指令（調光指令）があったときの動作タイムチャートであり、図１０（ａ）は調光トリガ（レーザ電流の増加指令）のタイミング、（ｂ）はレーザ電流の変化、（ｃ）はヒータへの給電量、（ｄ）は波長変換素子の温度（ヒータの温度）を示す。
図１０のタイムチャートは図８と同様であるが、（ｃ）に示すヒータへの給電量を０にせずに低減させている。
この場合、波長変換素子の温度（ヒータ温度）は、図８の場合に比べ上昇するものと考えられるが、波長変換素子（ヒータ）の温度の上昇が小さく、同図の点線に示す高温ハングアップ１の温度にまで上昇しなければ、図８の場合と同様に、高温ハングアップ状態になるのを抑止することができる。
【符号の説明】
【００５０】
１        基板
２        半導体レーザ
３        遮断容器
４        基本波光反射素子（ＶＢＧ）
５        波長変換素子（ＰＰＬＮ）
６        伝熱板
７        加熱手段（ヒータ）
８        ダイクロイックミラー
９        反射ミラー
１０      ダイクロイック出力ミラー
１１      ビームダンプ
２０      点灯回路
２１      制御部
２１ａ    制御手段
２１ｂ    温度制御手段
２１ｃ    高温ハングアップ抑止手段
Ｔｈ１    温度検出手段
ＬＨ      レーザ光源ユニット
Ｕ１      給電回路
Ｕ２      パルス回路
Ｕ３      ドライブ回路
Ｍ１      ＤＣ電源
Ｑ１，Ｑ２，Ｑ３    スイッチング素子
Ｌ１      チョークコイル
Ｃ１      平滑コンデンサ
Ｃ２      コンデンサ群
Ｄ１      フライホイールダイオード
Ｇ１，Ｇ２，Ｇ３      ゲート駆動回路
Ｉ１      給電電流検出手段
Ｖ１      給電電圧検出手段
【図１】
2014182338.tif 000004
【図２】
2014182338.tif 000005
【図３】
2014182338.tif 000006
【図４】
2014182338.tif 000007
【図５】
2014182338.tif 000008
【図６】
2014182338.tif 000009
【図７】
2014182338.tif 000010
【図８】
2014182338.tif 000011
【図９】
2014182338.tif 000012
【図１０】
2014182338.tif 000013
【図１１】
2014182338.tif 000014
【図１２】
2014182338.tif 000015
【図１３】
2014182338.tif 000016