(57)【要約】【課題】安価なＡｌ材を使用し、フラットパネルディスプレイの半透過電極用として有用なＡｌ合金膜を提供する。【解決手段】基板上に設けられた半透過電極に用いられるＡｌ合金膜であって、Ｓｉを含むと共に、高融点金属および／または希土類元素を含み、かつ、波長５５０ｎｍでの初期反射率が６０％以上、波長５５０ｎｍでの透過率が１０％以上、および温度８０℃かつ相対湿度８５％で９６時間保持する加速環境試験前後の反射率の変化率が５．０％以下を満たすことを特徴とするフラットパネルディスプレイの半透過電極用Ａｌ合金膜。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に設けられた半透過電極に用いられるＡｌ合金膜であって、
Ｓｉを含むと共に、高融点金属および／または希土類元素を含み、かつ、
波長５５０ｎｍでの初期反射率が６０％以上、
波長５５０ｎｍでの透過率が１０％以上、および
温度８０℃かつ相対湿度８５％で９６時間保持する加速環境試験前後の反射率の変化率が５．０％以下
を満たすことを特徴とするフラットパネルディスプレイの半透過電極用Ａｌ合金膜。
【請求項２】
前記Ａｌ合金膜に含まれるＳｉ量は２ａｔ％以上１０ａｔ％以下である請求項１に記載のＡｌ合金膜。
【請求項３】
前記高融点金属は、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｔａ、およびＭｎよりなる群から選ばれる少なくとも１種である請求項１または２に記載のＡｌ合金膜。
【請求項４】
前記高融点金属はＴｉである請求項１〜３のいずれかに記載のＡｌ合金膜。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載のＡｌ合金膜を含むフラットパネルディスプレイ用半透過電極。
【請求項６】
請求項５に記載の半透過電極を備えたフラットパネルディスプレイ。
【請求項７】
請求項１〜４のいずれかに記載のフラットパネルディスプレイの半透過電極用Ａｌ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＴＶ、ＰＣ、タッチパネル、携帯電話等のフラットパネルディスプレイの、半透過電極に用いられるＡｌ合金膜、および該Ａｌ合金膜を用いたフラットパネルディスプレイ用半透過電極、更には、該半透過電極を備えたフラットパネルディスプレイに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＴＶやＰＣ、タッチパネル、携帯電話、その他の各種産業機器の平面表示装置として挙げられる、液晶ディスプレイや、エレクトロルミネッセンスディスプレイ（ＥＬＤ、具体例としては有機ＥＬや無機ＥＬ）、フィールドエミッションディスプレイ（ＦＥＤ）、プラズマディスプレイ（ＰＤＰ）等は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）と総称される。
【０００３】
上記フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）には、構成部品として複数の電極が使用されており、このうち、光取出し側に配置される電極（例えば有機ＥＬにおいて、トップエミッション構造である場合の光取り出し側電極等）には、その特性として、一定以上の反射率と共に一定以上の透過率を示すこと、即ち、半透過であることが要求される。また電極として、電気抵抗率が抑えられていることも要求される（以下、これらの特性が要求される電極を「半透過電極」という）。
【０００４】
上記半透過電極として、一般的には、透明導電膜が単独で用いられるか、透明導電膜とＡｇ系膜との積層膜が用いられる。また特許文献１には、少なくとも酸化インジウムからなる金属酸化物層と、少なくともＡｌまたはＡｇからなる無機化合物層と、をこの順で積層した半透過半反射型電極基板が提案されている。
【０００５】
しかしながら、Ａｇは高価な元素であるため、Ａｇの代わりにＡｌを利用すれば、低価格化を実現することができる。また、Ａｌは自然酸化膜を形成して安定化することから、透明導電膜に代えてＡｌ系膜を半透過電極に採用することも可能である。透明導電膜として一般に用いられているＩＴＯは、高価な元素であるＩｎを含んでいるため、上記の通り、透明導電膜に代えてＡｌ系膜を採用できれば、更なる低価格化を実現することができる。
【０００６】
しかしＡｌは、上記自然酸化膜の成長により、光学特性が経過時間により変化する、具体的には、反射率等が成膜直後から低下するといった懸念がある。
【０００７】
よって、一定以上の反射率と共に一定以上の透過率を示し、かつ経時劣化の少ない（即ち、耐久性に優れた）、ＦＰＤの半透過電極に最適なＡｌ系膜の実現が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１８９８３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記の様な事情に着目してなされたものであって、その目的は、安価なＡｌ材を使用し、一定以上の反射率と透過率、および優れた耐久性を発揮して、ＦＰＤの半透過電極に適したＡｌ合金膜、および該Ａｌ合金膜を用いたＦＰＤ用半透過電極、更には、該半透過電極を備えたＦＰＤを実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決し得た本発明のフラットパネルディスプレイの半透過電極用Ａｌ合金膜は、基板上に設けられた半透過電極に用いられるＡｌ合金膜であって、Ｓｉを含むと共に、高融点金属および／または希土類元素を含み、かつ、波長５５０ｎｍでの初期反射率が６０％以上、波長５５０ｎｍでの透過率が１０％以上、および温度８０℃かつ相対湿度８５％で９６時間保持する加速環境試験前後の反射率の変化率が５．０％以下を満たすところに特徴を有する。
【００１１】
前記Ａｌ合金膜に含まれるＳｉ量は２ａｔ％以上１０ａｔ％以下であることが好ましい。また前記高融点金属は、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｔａ、およびＭｎよりなる群から選ばれる少なくとも１種であることが好ましく、特にはＴｉであることが好ましい。
【００１２】
本発明には、前記Ａｌ合金膜を含むフラットパネルディスプレイ用半透過電極、および該半透過電極を備えたフラットパネルディスプレイも含まれる。更には、上記Ａｌ合金膜成膜用スパッタリングターゲットも含まれる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明のＡｌ合金膜は、一定以上の透過率および反射率を示すと共に、耐久性にも優れており、更には低電気抵抗率も示すものであるため、ＦＰＤの半透過電極に最適である。よって、ＦＰＤの半透過電極として従来用いられてきたＡｇ系膜や透明導電膜に代えて、本発明のＡｌ合金膜を用いることができ、その結果、ＦＰＤの低価格化を図ることができる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明者らは、上述の通り、安価なＡｌ材を利用して、ＦＰＤの半透過電極として有用なＡｌ合金膜を得るべく鋭意研究を重ねた。その結果、Ｓｉと共に、高融点金属および／または希土類元素を含むＡｌ合金膜とし、かつ該Ａｌ合金膜が、波長５５０ｎｍでの反射率：６０％以上、波長５５０ｎｍでの透過率：１０％以上、および温度８０℃かつ相対湿度８５％で９６時間保持する加速環境試験（耐久性試験）前後の反射率の変化率：５．０％以下の全てを満たすようにすればよいことを見出した。
【００１５】
まず、本発明のＡｌ合金膜を構成する元素（Ｓｉ、高融点金属、希土類元素）について説明する。
【００１６】
Ｓｉは、Ａｌの自然酸化膜形成による反射率低下の抑制に有用な元素である。即ち、ＳｉはＡｌ合金膜の表面に濃化し、Ａｌに代わって優先的に酸化する。その結果、表面に形成されたＳｉ酸化物膜が保護膜となって、Ａｌの自然酸化膜形成を抑制し、反射率低下を防止し得るものと推察される。
【００１７】
この様な効果を十分発揮させるには、Ａｌ合金膜中のＳｉ量を２ａｔ％以上とすることが好ましい。より好ましくは３ａｔ％以上である。一方、前記Ｓｉ量が１０ａｔ％を超えると吸収係数が増加し、反射率が低下する。また、前記Ｓｉ量が多くなると、後述する実施例２に示す通り電気抵抗率が増加し、電極として使用し難くなる。よって、前記Ｓｉ量は１０ａｔ％以下とすることが好ましい。より好ましくは７ａｔ％以下であり、更に好ましくは５．５ａｔ％以下である。
【００１８】
また、Ａｌ結晶粒が加熱等により粗大化すると、表面荒れが生じ、散乱により反射率が低下して吸収率が増加し、その結果、耐久性の劣化を招く。本発明では、高融点金属および／または希土類元素（以下「高融点金属等」という）を含有させることにより、この高融点金属等がＡｌ合金膜中に分散して、Ａｌ結晶粒成長の核を増加させ、上記Ａｌ結晶粒の粗大化（Ａｌの自己粒成長）を抑制し、優れた耐久性を確保することができる。
【００１９】
このような作用を有効に発揮させるには、高融点金属等の含有量を０．５ａｔ％以上とすることが好ましい。より好ましくは０．８ａｔ％以上である。一方、高融点金属等の含有量が１．５ａｔ％を超えると、吸収係数が増加し、所望とする反射率および透過率を確保することが困難となる。よって高融点金属等の含有量は、１．５ａｔ％以下とすることが好ましい。より好ましくは１．２ａｔ％以下である。ここで「高融点金属等の含有量」とは、好ましくは下記元素よりなる群から選択される少なくとも一種の高融点金属、および／または、好ましくは下記元素よりなる群から選択される少なくとも一種の希土類元素を、単独で含むときは単独の量であり、二種類以上を含むときは合計量を意味する。
【００２０】
本発明に用いられる好ましい高融点金属として、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｔａ、およびＭｎよりなる群から選択される少なくとも一種が挙げられる。これらは単独で用いても良いし、二種以上を併用しても良い。より好ましい高融点金属はＴｉである。
【００２１】
本発明に用いられる希土類元素として、ランタノイド元素（ＬａからＬｕまでの１５元素）、Ｓｃ（スカンジウム）およびＹよりなる群から選択される少なくとも一種が挙げられる。
【００２２】
本発明のＡｌ合金膜は、上記の通り、Ｓｉを含むと共に、高融点金属および／または希土類元素を含み、残部はＡｌおよび不可避的不純物である。該不可避的不純物としては、Ａｌ合金膜の製造過程で不可避的に混入し得る元素が挙げられる。
【００２３】
本発明のＡｌ合金膜は、一定以上の透過率および一定以上の反射率を示し、かつ耐久性にも優れたものである。各特性の基準は以下のとおりである。
【００２４】
本発明において「一定以上の反射率を示す」とは、後述する実施例に記載の方法で、５５０ｎｍでの初期反射率を測定したときに、６０％以上であることを意味する。初期反射率は、好ましくは６２％以上、より好ましくは６５％以上である。尚、初期反射率の上限は８０％程度である。
【００２５】
また、本発明において「一定以上の透過率を示す」とは、後記する実施例に記載の方法で、５５０ｎｍでの透過率を測定したときに、１０％以上であることを意味する。好ましい透過率は１１％以上である。尚、透過率の上限は２５％程度である。
【００２６】
更に、「耐久性に優れる」とは、後述する実施例に示す通り、温度８０℃かつ相対湿度８５％の環境下で９６時間保持する加速環境試験を行ったときに、加速環境試験前後の反射率の変化率が５．０％以下であることを意味する。反射率の変化率は、より好ましくは４．５％以下である。
【００２７】
本発明では、上記特性を満たせばよく、Ａｌ合金膜の膜厚は特に問わず、例えば、７ｎｍ以上（好ましくは８ｎｍ以上）で１５ｎｍ未満（好ましくは１３ｎｍ以下、より好ましくは１２ｎｍ以下、更に１０ｎｍ以下）とすることが挙げられる。
【００２８】
上記Ａｌ合金膜を用いた、ＦＰＤ用半透過電極の構成形態として、下記の（Ａ）または（Ｂ）が挙げられる。
（Ａ）半透過電極が本発明のＡｌ合金膜のみからなる場合
（Ｂ）半透過電極が本発明のＡｌ合金膜と透明導電膜との積層体である場合
更に、上記（Ｂ）の構成形態として、下記の（Ｂ−１）または（Ｂ−２）が挙げられる。
（Ｂ−１）本発明のＡｌ合金膜の直上のみに透明導電膜が形成される場合
（Ｂ−２）本発明のＡｌ合金膜の直上および直下に透明導電膜が形成される場合
上記透明導電膜としては、ＩＴＯやＩＺＯなどを用いることができる。
【００２９】
上記透明導電膜の膜厚は、例えば、３ｎｍ以上（好ましくは５ｎｍ以上）、１５ｎｍ以下（好ましくは１０ｎｍ以下）とすることができる。
【００３０】
本発明のＡｌ合金膜は、真空蒸着法やイオンプレーティング法、スパッタリング法などにより基板上に成膜して得られるが、これらの薄膜形成方法の中でもスパッタリング法での成膜が推奨される。スパッタリング法により成膜されたＡｌ合金膜は、他の方法で成膜された薄膜と比べて、合金組成、合金元素分布および膜厚の膜面内均一性に優れており、安定した光学特性や耐久性が得られるからである。
【００３１】
上記スパッタリング法での成膜条件は特に限定されないが、例えば、以下のような条件を採用することが好ましい。
・基板温度：室温〜５０℃
・到達真空度：１×１０-5Ｔｏｒｒ以下（１×１０-3Ｐａ以下）
・成膜時の（Ａｒ）ガス圧：１〜４ｍＴｏｒｒ
・ＤＣスパッタリングパワー密度（ターゲットの単位面積当たりのＤＣスパッタリングパワー）：１．０〜２０Ｗ／ｃｍ2
【００３２】
上記スパッタリング法で、本発明のＡｌ合金膜を形成するには、用いるスパッタリングターゲットとして、Ｓｉを含むと共に、高融点金属および／または希土類元素を含むＡｌ基合金からなるものを用いることが好ましい。より好ましくはＳｉを２ａｔ％以上１０ａｔ％以下含むと共に、高融点金属および／または希土類元素を例えば０．５ａｔ％以上１．５ａｔ％以下含み、残部がＡｌおよび不可避不純物であるＡｌ基合金からなるものを用いるのがよく、特には、前記高融点金属として、例えばＴｉ、Ｆｅ、Ｍｎ、およびＴａよりなる群から選択される１種以上の元素（好ましくはＴｉ）を含むものを用いるのがよい。所望の成分・組成のＡｌ合金膜とほぼ同一の成分・組成のＡｌ基合金スパッタリングターゲットを用いれば、組成ズレすることなく、所望の成分・組成のＡｌ合金膜を形成できるのでよい。
【００３３】
上記スパッタリングターゲットは、溶解・鋳造法、粉末焼結法、スプレーフォーミング法などのいずれの方法によっても製造することができる。
【００３４】
ＦＰＤ用半透過電極は、上述の通り、上記Ａｌ合金膜からなる場合の他、透明導電膜との積層膜とする場合があるが、この場合の透明導電膜の成膜方法は公知の方法を採用すればよい。またＦＰＤの製造方法も公知の方法を採用すればよい。
【００３５】
本発明のＡｌ合金膜を備えた半透過電極は、具体的には、ＴＶ、ＰＣ、タッチパネル、携帯電話、タブレット端末、車載用ディスプレイモニター等に用いられるフラットパネルディスプレイの半透過電極として有用である。
【実施例】
【００３６】
以下、実施例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、本発明はもとより下記実施例によって制限を受けるものではなく、前・後記の趣旨に適合し得る範囲で適当に変更を加えて実施することも勿論可能であり、それらはいずれも本発明の技術的範囲に包含される。
【００３７】
［実施例１］
ガラス基板（コーニング社製の無アルカリガラス＃１７３７、直径：５０ｍｍ、厚さ：０．７ｍｍ）上に、表１に示す成分組成および膜厚のＡｌ合金膜（残部：Ａｌおよび不可避的不純物）を、ＤＣマグネトロンスパッタリング装置を用い、スパッタリング法により成膜して試料を得た。
【００３８】
スパッタリング装置には、複数のターゲットの同時放電が可能な多元スパッタリング装置（（株）アルバック製 ＣＳ−２００）を用いた。スパッタリング条件は、基板温度：室温、Ａｒガス流量：２０ｓｃｃｍ、Ａｒガス圧：約０．１Ｐａ、ＤＣスパッタリングパワー密度：２〜５Ｗ／ｃｍ2、到達真空度：２．０×１０-6Ｔｏｒｒ以下とした。
【００３９】
また上記成膜には、スパッタリングターゲットとして、真空溶解法により作製した下記表１に示す膜組成と同組成であるＡｌ合金スパッタリングターゲット、または、純Ａｌスパッタリングターゲットのスパッタリング面に、下記表１の膜を構成する金属元素からなる金属チップを接着した複合ターゲットを用いた。
【００４０】
上記方法で得られた試料を用いて、Ａｌ合金膜の初期反射率と透過率の測定、および加速環境試験を行って、加速環境試験前後のＡｌ合金膜の反射率の変化率を求め、耐久性を評価した。測定・試験方法の詳細は下記の通りである。尚、得られたＡｌ合金膜の組成は、ＩＣＰ発光分光分析装置（島津製作所製のＩＣＰ発光分光分析装置「ＩＣＰ−８０００型」）を用い、定量分析して確認した。
【００４１】
（初期反射率）
Ａｌ合金膜（単層膜）の５５０ｎｍの可視光の反射率を、分光光度計（日本分光社製  Ｖ−５７０分光光度計）を用い、絶対反射率を測定して求めた。そして、この初期反射率が６０％以上の場合を合格とした。
【００４２】
（透過率の測定）
Ａｌ合金膜（単層膜）の５５０ｎｍの透過率は、分光光度計（日本分光社製  Ｖ−５７０分光光度計）を用い測定した。波長５５０ｎｍの光に対する厚さ方向の直線透過率を測定した。このようにして測定した透過率が１０％以上の場合を合格とした。
【００４３】
（加速環境試験（耐久性の評価））
上記Ａｌ合金膜の形成された試料を用い、温度８０℃かつ相対湿度８５％の大気雰囲気中で９６時間保持する加速環境試験（高温高湿試験）を行って、この試験後の反射率を上記と同様にして測定した。そして、加速環境試験前後の反射率の変化率を、１００×［（加速環境試験前の反射率、即ち初期反射率）−（加速環境試験後の反射率）］／（初期反射率）から求めた。そして、この反射率の変化率が５．０％以下の場合を合格（耐久性に優れる）と評価した。
【００４４】
これらの結果を表１に示す。表１には、更に表の最右欄に「評価」の欄を設け、上記初期反射率、透過率、および加速環境試験前後の反射率の変化率の全てが合格の場合を○（半透過電極として有用）と評価し、少なくともいずれかが不合格のものを×と評価した。
【００４５】
【表１】
2014044233.tif 000002
【００４６】
表１より次の様に考察できる。
【００４７】
Ｓｉ量が０．５ａｔ％の場合（Ｎｏ．１〜４）や１ａｔ％の場合（Ｎｏ．５〜８）には、膜厚を変化させても、初期反射率、透過率、および加速環境試験前後の反射率の変化率を同時に満足させることができない。詳細には、反射率と透過率の良好なバランスを図ることができないか（Ｎｏ．３、４、７および８）、該バランスを図ることができても、Ｓｉ量が少ないため、Ａｌの自然酸化膜の成長を十分に抑制できず、その結果、加速環境試験前後の反射率の変化率が大きくなっている（Ｎｏ．１、２、５および６）。
【００４８】
またＮｏ．９〜２０の結果から、Ａｌ−２〜５．５Ｓｉ−１Ｔｉの場合、Ｎｏ．９、１０、１３、１４、１７および１８は本発明で規定の要件を満たしているが、Ｎｏ．１１、１２、１５、１６、１９および２０は、いずれも透過率が低くなっている。これら透過率の低い例は、いずれも膜厚が１５ｎｍ以上と比較的厚い。これらの結果から、Ａｌ合金膜の成分組成がＡｌ−２〜５．５Ｓｉ−１Ｔｉである場合、膜厚は、７ｎｍ以上１５ｎｍ未満とすることが好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以下であることがわかる。
【００４９】
また、Ｎｏ．２１〜２４は、Ａｌ−１０Ｓｉ−１Ｔｉの膜厚を変えた例である。これらの結果から、Ｎｏ．２２は本発明で規定の要件を満たしているが、Ｎｏ．２１は初期反射率が低く、またＮｏ．２３および２４は一定以上の透過率を確保できていない。
【００５０】
上記Ｎｏ．２１〜２４の結果から、特性と膜厚・成分組成の関係について、次の様に考察できる。即ち、Ｓｉは、前述した通り、膜の光吸収率を増加させる元素であるため、Ｓｉ量が１０ａｔ％と比較的多い場合、初期反射率の低下を招きやすい。よって、膜厚が比較的薄い場合（Ｎｏ．２１）、Ｓｉ量が比較的多いことに起因して所望の反射率が得られていないと思われる。一方、膜厚が厚くなると（Ｎｏ．２２〜２４）、反射率は一定以上確保できるが、一定以上の透過率を確保できなくなる（Ｎｏ．２３および２４）。これらの結果から、Ａｌ合金膜の成分組成がＡｌ−１０Ｓｉ−１Ｔｉである場合、膜厚は、８ｎｍ以上１５ｎｍ未満であることが好ましいといえる。
【００５１】
Ｎｏ．２５〜２７は、Ｓｉ量を１０ａｔ％で一定とし、Ｔｉ量を変えた例である。これらＮｏ．２５〜２７（Ｔｉ量は０．５〜０．１ａｔ％）とＮｏ．２２（Ｔｉ量は１ａｔ％）の結果を比較すると、高融点金属であるＴｉの含有量が少なくなると、優れた耐久性が得られ難くなっている。これは、前述した通り、Ａｌ結晶粒が粗大化して表面荒れが生じ、散乱によって反射率が低下、即ち、耐久性が劣化したためと思われる。
【００５２】
Ｎｏ．２８〜３０は、Ａｌ−２Ｓｉの膜厚を変えた例である。これらの例は、いずれも高融点金属や希土類元素を含んでいないため、耐久性と透過率の少なくともどちらかが劣っている。詳細には、Ｎｏ．２８は、高融点金属や希土類元素を含んでいないため、反射率の低下が生じて優れた耐久性を確保できていない。またＮｏ．２９は、Ｎｏ．２８と比較すると膜厚が厚いため、反射率の変化率はＮｏ．２８よりは小さくなっているが、所望の透過率を確保できていない。Ｎｏ．３０は、Ｎｏ．２９よりも更に膜厚が厚いため、反射率の低下は抑えられて耐久性は確保できているが、透過率が著しく低くなっている。
【００５３】
Ｎｏ．３１〜３３は、Ａｌ−１．０Ｔｉの膜厚を変えた例である。これらの例は、いずれもＳｉを含んでいないため、耐久性と透過率の少なくともどちらかが劣っている。詳細には、Ｎｏ．３１は、Ｓｉを含んでいないため、Ａｌの自然酸化膜形成が促進されて反射率の低下が生じ、優れた耐久性を確保できていない。またＮｏ．３２は、Ｎｏ．３１と比較すると膜厚が厚いため、反射率の変化率はＮｏ．３１よりは小さいが、所望の透過率を確保できていない。Ｎｏ．３３は、Ｎｏ．３２よりも更に膜厚が厚いため、反射率の低下は抑えられて耐久性は確保できているが、透過率が著しく低くなっている。
【００５４】
［実施例２］
表２に示す組成のＡｌ合金膜（いずれも膜厚：１００ｎｍ以上、残部：Ａｌおよび不可避的不純物）を、基板上に、実施例１と同様にして形成し、試料を作製した。
【００５５】
そして上記試料を用いて、一般的に用いられる四探針法により、市販の測定器（日置電機株式会社製：３５４０ミリオームハイテスタ）を用いて薄膜のシート抵抗を測定し、これに膜厚を乗じることにより電気抵抗率を算出した。
【００５６】
電気抵抗率の合格基準は、次の様にして決定した。即ち、透明導電膜として一般的に利用されているＩＴＯの単膜抵抗率は１３０μΩ・ｃｍである。本発明のＡｌ合金膜を半透過電極として利用するには、ＩＴＯと同等またはより低い電気抵抗率を示すことが必要である。そこで本実施例では、電気抵抗率が１００μΩ・ｃｍ以下の場合を○、１００μΩ・ｃｍ超１２０μΩ・ｃｍ以下の場合を△、１２０μΩ・ｃｍ超の場合を×とした。その結果を表２に示す。
【００５７】
【表２】
2014044233.tif 000003
【００５８】
表２より次の様に考察できる。電気抵抗率はＳｉ量の増加に伴って上昇し、Ｓｉ量が７ａｔ％あたりから、電気抵抗率が急激に上昇することがわかる。電気抵抗率を１００μΩ・ｃｍ以下に抑えるには、Ｓｉ量を１０ａｔ％未満とすることが好ましく、より好ましくは７ａｔ％以下とするのがよいことがわかる。