(57)【要約】【課題】透明導電性膜のレジスト膜への密着性を良好なものとし、簡単かつ安価に高精度の導電パターンを形成可能な導電パターン形成方法を提供する。【解決手段】本発明の導電パターン形成方法は、基材上に導電パターンを形成する導電パターン形成方法であって、前記基材の一方の主面上に、導電性高分子とアルコキシシランとを含むコーティング組成物を塗布して透明導電性膜を形成する工程と、前記透明導電性膜上の前記導電パターンを形成する位置にレジスト膜を形成する工程と、導電性高分子を失活させる不活性化剤を用いて、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電性膜の露出部の導電性を失活させる工程と、前記レジスト膜を粘着シートを用いて剥離し、前記導電パターンを得る工程と、を含み、前記アルコキシシランは、有機官能基を有するアルコキシシランを含み、前記有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、１モル％以上２０モル％以下である。【選択図】図１
2014179234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に導電パターンを形成する導電パターン形成方法であって、
前記基材の一方の主面上に、導電性高分子とアルコキシシランとを含むコーティング組成物を塗布して透明導電性膜を形成する工程と、
前記透明導電性膜上の前記導電パターンを形成する位置にレジスト膜を形成する工程と、
導電性高分子を失活させる不活性化剤を用いて、前記レジスト膜をマスクとして、前記透明導電性膜の露出部の導電性を失活させる工程と、
前記レジスト膜を粘着シートを用いて剥離し、前記導電パターンを得る工程と、を含み、
前記アルコキシシランは、有機官能基を有するアルコキシシランを含み、
前記有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、１モル％以上２０モル％以下であることを特徴とする導電パターン形成方法。
【請求項２】
前記アルコキシシランは、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシラン及びアルコキシオリゴマーからなる群から選ばれる少なくとも１種の多官能アルコキシシランを含む請求項１に記載の導電パターン形成方法。
【請求項３】
前記導電性高分子は、ポリチオフェン系化合物とポリスチレンスルホン酸とを含む請求項１又は２に記載の導電パターン形成方法。
【請求項４】
透明な基材と、前記基材の少なくとも一方の主面に請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電パターン形成方法を用いて形成された導電パターンと、を含むことを特徴とする透明導電性シート。
【請求項５】
前記透明導電性シートの前記導電パターン形成面において、前記導電パターンが形成されていない部分の表面抵抗値は、前記導電パターンが形成されている部分の表面抵抗値よりも１×１０6Ω／スクエア以上大きい請求項４に記載の透明導電性シート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電パターン形成方法及び透明導電性シートに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、透明タッチパネルなどの各種デバイスに用いられる透明電極には、スズ含有酸化インジウム（ＩＴＯ）などの酸化物系の導電性材料が多く使用されている。例えば、基材上にＩＴＯ膜を成膜し、ＩＴＯ膜を所望の形状にパターニングすることにより形成される導電パターンを透明電極として用いる。ＩＴＯ膜のパターニング方法としては、エッチング方式が主流となっているが、エッチング方式の問題点は、製造コストが高い点と、基材とＩＴＯ膜との屈折率差が大きいことにより、パターニングが見える点にある。また、ＩＴＯ膜は、スパッタリングを用いて成膜されるため、製造コストが高くなる。
【０００３】
そこで、導電性材料として、ＩＴＯに代えて、優れた安定性及び導電性を有するチオフェン系やアニリン系の高分子にドーパントを付加した導電性高分子が注目されている。
【０００４】
導電性高分子を導電性材料として用いた導電パターン形成方法としては、導電性高分子を含むコーティング組成物を用いて基材上に導電性膜を形成し、導電性膜の導電パターン形成位置以外の部分をエッチング液により溶解・除去することにより、残った導電性膜を導電パターンとする方法が知られている。しかし、この方法は、エッチング方式を利用するため、前述したような問題がある。
【０００５】
一方、エッチング方式を用いずに、導電性膜の導電パターン形成位置以外の部分の導電性を極端に下げる（抵抗を上げる）不活性化を行い、不活性化された部分（以下、非導電部という。）と不活性化されていない部分（以下、導電部という。）との表面抵抗値の差をつけることで、導電パターンを形成する方法も知られている。この方法の利点は、非導電部をエッチングにより除去する必要がないので、パターニングが見えない（骨見えがない）点と、導電パターン形成面に凹凸がないため、十分な硬度が得られる点にある。
【０００６】
ここで言う不活性化とは、導電性膜をある処理液（不活性化剤）に接触反応させることで、導電に関与する導電性高分子の二重結合を切断することにより、導電性高分子の導電性を失活させることをいう。
【０００７】
例えば、特許文献１には、基材上に不活性化剤を用いて膜パターンを形成し、その基材を、導電性膜へ接触させることにより、上記膜パターンに対応する部分の導電性を失活させて非導電部を形成し、残りの導電部を配線部とする導電パターン形成方法が提案されている。この特許文献１によれば、導電性膜の導電性を選択的に失活させて、所望の形状の導電パターンを、安価、簡便、且つ確実に形成することができ、各種デバイスの低廉化及び安定化を実現することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−０５４６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、上記特許文献１に記載の方法では、導電部と非導電部との表面抵抗値の差が十分ではなく、回路として機能させるには、導電部と非導電部との表面抵抗値の差をより大きなものとする必要がある。
【００１０】
また、導電性膜のレジスト膜への密着性についても更なる検討が必要である。すなわち、導電性膜のレジスト膜への密着性が不十分であると、導電性膜とレジスト膜との間に不活性化剤が浸食し、導電パターンの形成精度が悪くなるという問題が生じる。一方、導電性膜のレジスト膜への密着性が強すぎると、レジスト膜を導電性膜から完全に剥離することが困難になる。
【００１１】
本発明は、上記問題を解消するためになされたものであり、透明導電性膜のレジスト膜への密着性を良好なものとし、簡単かつ安価に高精度の導電パターンを形成可能な導電パターン形成方法、及び、透明性及び導電性に優れた導電パターンを有し、導電パターン形成面が平滑で、硬度に優れた安価な透明導電性シートを提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明の導電パターン形成方法は、基材上に導電パターンを形成する導電パターン形成方法であって、上記基材の一方の主面上に、導電性高分子とアルコキシシランとを含むコーティング組成物を塗布して透明導電性膜を形成する工程と、上記透明導電性膜上の上記導電パターンを形成する位置にレジスト膜を形成する工程と、導電性高分子を失活させる不活性化剤を用いて、上記レジスト膜をマスクとして、上記透明導電性膜の露出部の導電性を失活させる工程と、上記レジスト膜を粘着シートを用いて剥離し、上記導電パターンを得る工程と、を含み、上記アルコキシシランは、有機官能基を有するアルコキシシランを含み、上記有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、１モル％以上２０モル％以下であることを特徴とする。
【００１３】
本発明の透明導電性シートは、透明な基材と、上記基材の少なくとも一方の主面に上記本発明の導電パターン形成方法を用いて形成された導電パターンと、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の導電パターン形成方法によれば、透明導電性膜のレジスト膜への密着性を良好なものとし、簡単かつ安価に高精度の導電パターンを形成できる。
【００１５】
本発明の透明導電性シートによれば、透明性及び導電性に優れた導電パターンを有し、導電パターン形成面が平滑で、硬度に優れた安価な透明導電性シートを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、本発明の導電パターン形成方法の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の導電パターン形成方法は、基材上に導電パターンを形成する導電パターン形成方法であって、上記基材の一方の主面上に、導電性高分子とアルコキシシランとを含むコーティング組成物を塗布して透明導電性膜を形成する工程と、上記透明導電性膜上の上記導電パターンを形成する位置にレジスト膜を形成する工程と、導電性高分子を失活させる不活性化剤を用いて、上記レジスト膜をマスクとして、上記透明導電性膜の露出部の導電性を失活させる工程と、上記レジスト膜を粘着シートを用いて剥離し、上記導電パターンを得る工程と、を含み、上記アルコキシシランは、有機官能基を有するアルコキシシランを含み、上記有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、１モル％以上２０モル％以下であることを特徴とする。これにより、透明導電性膜のレジスト膜への密着性を良好なものとし、簡単かつ安価に高精度の導電パターンを形成できる。
【００１８】
以下、本発明の導電パターン形成方法について図１を用いて詳細に説明する。図１は、本発明の導電パターン形成方法の一例を説明するための図である。
【００１９】
＜透明導電性膜の形成＞
まず、図１（ａ）に示すように、基材１１の一方の主面上（図１では上面）にコーティング組成物を塗布し、該コーティング組成物を乾燥することにより、透明導電性膜１２を形成する。
【００２０】
上記コーティング組成物は、導電性高分子とアルコキシシランとを含む。
【００２１】
上記コーティング組成物を構成する導電性高分子とは、Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｐｏｌｙｍｅｒｓ（ＣＰｓ）と呼ばれる高分子であり、ドーパントによるドーピングによって、ポリラジカルカチオニック塩またはポリラジカルアニオニック塩が形成された状態で、それ自体が導電性を発揮し得る高分子をいう。
【００２２】
上記導電性高分子としては、例えば、ポリチオフェン系化合物とドーパントとを含むものを用いることができる。具体的には、ポリチオフェン系化合物としてポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）と、ドーパントとしてポリスチレンスルホン酸とを含む混合物（以下、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳともいう。）を用いることができる。
【００２３】
上記コーティング組成物を構成するアルコキシシランとしては、テトラアルコキシシラン、トリアルコキシシラン、ジアルコキシシラン及びアルコキシオリゴマーからなる群から選ばれる少なくとも１種の多官能アルコキシシランを含むものであることが好ましい。
【００２４】
上記テトラアルコキシシランの例としては、テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラｉｓｏ−プロポキシシラン、テトラｔ−ブトキシシランなどの炭素数１〜４のアルコキシ基でテトラ置換されたシランが挙げられる。具体例としては、信越化学社製の“ＫＢＥ−０４”などが挙げられる。
【００２５】
上記トリアルコキシシランの例としては、トリメトキシシラン、トリエトキシシラン、トリプロポキシシラン、トリブトキシシラン、トリｉｓｏ−プロポキシシラン、トリＬ−ブトキシシランなどの炭素数１〜４のアルコキシ基でトリ置換されたシランが挙げられる。
【００２６】
上記ジアルコキシシランの例としては、ジメチルジメトキシシラン、ジフェニルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジフェニルジエトキシシランなどが挙げられる。
【００２７】
上記アルコキシオリゴマーは、有機基とアルコキシシリル基を併せ持つ比較的低分子のレジンである。具体例としては、信越化学社製の“Ｘ−４０−２３０８”、“Ｘ−４０−９２３８”、“Ｘ−４０−９２４７”、“ＫＲ−４０１Ｎ”、“ＫＲ−５１０”、“ＫＲ−９２１８”などが挙げられる。
【００２８】
上記アルコキシシランの具体例のうち、より高い硬度の透明導電性膜を形成するためには、テトラアルコキシランが好ましく、より安定した状態で再現性良く、良質の膜を形成するためには、テトラアルコキシシラン及びトリアルコキシシランを併用することが好ましい。
【００２９】
上記アルコキシシランとして、テトラアルコキシシランとトリアルコキシシランとを併用する場合は、テトラアルコキシシランとトリアルコキシシランとのモル比は９：１〜５：５であることが好ましく、より好ましくは８：２〜６：４である。このモル比関係が好ましい理由は、透明導電性膜の硬度の低下を防止しつつ、経時変化によって透明導電性膜に亀裂が発生する危険性をより一層なくし、かつ基材との密着性をより高めることができるからである。上記テトラアルコキシシランは、高い膜硬度の発現に作用し、上記トリアルコキシシランは、膜の亀裂発生防止、基材との密着性に作用すると考えられる。
【００３０】
上記アルコキシシランの含有量は、上記導電性高分子に対して１００〜９００重量％が好ましく、より好ましくは２００〜６００重量％ある。アルコキシシランの含有量が少なすぎると、十分な硬度を有する透明導電性膜が得られにくい傾向にある。アルコキシシランの含有量が多すぎると、膜が白濁化し、光学特性が悪化する傾向にある。
【００３１】
上記コーティング組成物を構成するアルコキシシランは、有機官能基を有するアルコキシシランを含み、有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、１モル％以上２０モル％以下である。有機官能基を含有させることで、透明導電性膜のレジスト膜への密着性を良好なものとすることができる。すなわち、後の不活性化剤を用いる工程で、透明導電性膜とレジスト膜との間に不活性化剤が浸食するのを防ぎ、導電パターンを精度よく形成できる。ただし、有機官能基の割合が大きくなりすぎると、透明導電性膜のレジスト膜への密着性が強くなり、後のレジスト膜を剥離する工程で、粘着シートを用いたレジスト膜の剥離が困難になるため、有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、２０モル％以下が好ましい。
【００３２】
上記有機官能基としては、有機物や無機物と反応しない安定かつ疏水性のある官能基を用いることができる。例えば、メチル基、エチル基、フェニル基、脂肪族系の長鎖アルキル基などが挙げられるが、導電性高分子との相溶性を考慮すると、メチル基およびエチル基がより好ましい。
【００３３】
また、上記コーティング組成物を構成するアルコキシシランは、その全てが有機官能基を有するアルコキシシランとした場合、十分な強度（硬度、耐溶剤性）の膜が得られにくい傾向にあるため、有機官能基を有するアルコキシシランと、有機官能基を有さないアルコキシシランとを併用することが好ましい。有機官能基を有するアルコキシシランの割合は、全アルコキシシラン中、１モル％以上８０モル％以下が好ましい。
【００３４】
上記コーティング組成物には、上記以外に、アルコール（エタノール、メタノール、イソプロピルアルコールなど）と水との混合溶媒が添加される。アルコールと水との混合溶媒の添加により、上記アルコキシシランは若干加水分解するが実質的にはゲルまで進行せずにヒドロゾル液が得られる。水の含有量は、アルコキシシラン１モルに対して１〜４．５モルが好ましく、より好ましくは２〜４モルであり、アルコールの含有量は、アルコキシシラン１モルに対して、５〜４０モルが好ましく、より好ましくは１０〜３０モルである。ここで水の含有量が上記数値範囲内であると好ましいのは、次のような理由による。水は、加水分解反応の反応速度に作用するだけでなく、透明導電性膜の品質にも影響を及ぼす。つまり、水の含有量が多すぎると、基材との密着性が低下する傾向にあり、均一な膜厚の透明導電性膜が得られなくなる場合がある。逆に水の含有量が少なすぎると、加水分解反応の反応速度が遅くなったり、未反応物が残りやすくなったりするなど、十分な硬度の透明導電性膜を得られなくなる場合がある。一方、アルコールは、直接上記加水分解反応に関わるのものではないため、アルコールの含有量はそれほど厳しく制限されるものではないが、アルコールの含有量が多すぎると上記加水分解反応の反応速度が遅くなったり、透明導電性膜の厚みが薄くなったりするなどの問題が生じるため、適宜調整する必要がある。
【００３５】
また、上記コーティング組成物には、一般に使用される酸触媒（塩酸、硫酸、酢酸など）をさらに添加することができる。この場合、より安定した性能で高品質の透明導電性膜を再現性よく形成可能となる。
【００３６】
上記コーティング組成物の調製方法は、特に限定されず、公知の手法により適宜混合すればよい。
【００３７】
上記コーティング組成物の塗布方法には、例えば、バーコート法、リバース法、グラビア印刷法、マイクログラビア印刷法、ディッピング法、スピンコート法、スプレー法などの公知の塗布方法を用いることができる。
【００３８】
上記コーティング組成物の乾燥方法としては、コーティング組成物中の溶媒を除去できれば、特に限定されず、例えば、加熱乾燥、真空乾燥、自然乾燥などにより行うことができる。
【００３９】
上記基材には、例えば、プラスチック、ゴム、ガラス、金属、セラミックス、紙など種々のものを使用できる。
【００４０】
上記透明導電性膜の膜厚は、用途に応じて適宜設定されるものであるが、通常、０．０１〜１０μｍ程度である。膜厚が薄すぎても厚すぎても、均一な透明導電性膜を形成することが困難となる。コーティング組成物中に含まれる導電性高分子の割合にもよるが、膜厚が薄いと、表面抵抗値が増加する傾向にあり、膜厚が厚すぎると、全光線透過率が低下する傾向にある。
【００４１】
上記透明導電性膜の波長範囲３８０〜７８０ｎｍにおける全光線透過率は、８５％以上であることが好ましく、より好ましくは８８％以上である。全光線透過率が高いほど良好な光学特性を示す。上記全光線透過率は、紫外可視近赤外線分光光度計、例えば、日本分光社製の“Ｖ−５７０”により測定可能である。
【００４２】
上記透明導電性膜の表面硬度は、日本工業規格（ＪＩＳ）Ｋ５４００に規定された鉛筆硬度の測定方法により求められ、Ｈ以上であることが好ましく、より好ましくは２Ｈ以上である。鉛筆硬度が高いほど良好な硬度を示す。
【００４３】
＜レジスト膜の形成＞
上記透明導電性膜１２の形成後、図１（ｂ）に示すように、透明導電性膜１２上の導電パターン形成位置にレジスト膜１３を形成する。レジスト膜の形成方法としては、例えば、レジスト剤をスクリーン印刷することにより形成される。レジスト剤としては、例えば、ヘレウス社製の“Ｃｌｖｉｏｕｓ  ＳＥＴ  Ｓ”など、公知のものを使用できる。
【００４４】
＜導電性の低下＞
上記レジスト膜１３の形成後、図１（ｃ）に示すように、レジスト膜１３をマスクとして、透明導電性膜１２の露出部の導電性を低下させる。具体的には、透明導電性膜１２の露出部に、導電高分子を失活させる不活性剤を接触させることにより、露出部の導電性を失活（低下）させ、表面抵抗値を上昇させる。つまり、導電高分子が不活性化された部分（以下、非導電部という。）１２ａと、導電高分子が不活性化されていない部分（以下、導電部という。）１２ｂとの表面抵抗値の差をつけることができる。そして、後の工程で、マスクとしてのレジスト膜１３を剥がすと、導電部１２ｂが導電パターンとして機能することになる。このように本発明では、非導電部をエッチングすることなく、透明導電性膜の導電性を選択的に低下させて導電パターンを形成できるため、製造コストを抑制できる。また、導電パターン形成面が平滑であるため、骨見えの問題の発生を防止できるとともに、高硬度の透明導電性膜が得られる。
【００４５】
ここで、上記導電部１２ｂの表面抵抗値は、５×１０2Ω／スクエア以下であることが好ましい。表面抵抗値が小さいほど、導電性が高く、電気特性に優れる。上記表面抵抗値は、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計“Ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ”（ＭＣＰ−Ｔ６１０型）などの表面抵抗率測定装置によって測定可能である。
【００４６】
上記非導電部１２ａの表面抵抗値は、導電部１２ｂの表面抵抗値よりも１×１０6Ω／スクエア以上大きいことが好ましい。この場合、回路として機能するくらいに、導電部１２ｂと非導電部１２ａとの表面抵抗値の差をつけて、良好な電気的コントラストが得られる。上記表面抵抗値は、三菱化学アナリテック社製の抵抗率計“Ｈｉｒｅｓｔａ−ＵＰ”（ＭＣＰ−ＨＴ４５０型）などの表面抵抗率測定装置によって測定可能である。
【００４７】
上記不活性化剤としては、導電性高分子を失活できるものであればよく、例えば、酸化性化合物、塩基性化合物が挙げられるが、酸性化合物がより好ましい。酸化性化合物は、塩基性化合物に比べて表面抵抗値の増加が大きく、また、失活処理後の表面抵抗値の変動が少ないからである。
【００４８】
上記酸化性化合物としては、例えば、過酸化水素系化合物、過塩素酸系化合物、次亜塩素酸系化合物、過酢酸系化合物、メタクロロ安息香酸系化合物、亜硫酸系化合物などが挙げられる。
【００４９】
上記塩基性化合物としては、例えば、アンモニア、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ピリジン、４−メチルピリジン、水酸化テトラメチルアンモニウムなどが挙げられる。
【００５０】
＜レジスト膜の剥離＞
上記透明導電性膜１２の導電性を選択的に低下させた後、図１（ｄ）及び（ｅ）に示すように粘着シート１４を用いてレジスト膜１３を剥離する。具体的には、図１（ｄ）に示すように、基材１４ａの一主面に粘着層１４ｂが形成されてなる粘着シート１４の粘着層１４ｂ側の面を、透明導電性膜１２上に貼り付けた後、図１（ｅ）に示すように、粘着シート１４を引き剥がすことにより、粘着シート１４とレジスト膜１３とを一体に剥離除去する。すると、図１（ｆ）に示すように、透明導電性膜１２のレジスト膜１３が形成されていた位置に、導電部１２ｂからなる導電パターンが得られる。このようにしてパターニングされた透明導電性膜１２と基材１１との積層体は、透明導電性シート１５として用いられる。このように本発明では、粘着シートによってレジスト膜を簡単に剥離できるため、製品の歩留まりを向上できる。
【００５１】
次に、本発明の透明導電性シートについて説明する。
【００５２】
本発明の透明導電性シートは、透明な基材と、その基材の少なくとも一方の主面に上記本発明の導電パターン形成方法を用いて形成された導電パターンとを有する。これにより、透明性及び導電性に優れた導電パターンを有し、導電パターン形成面が平滑で、硬度に優れた透明導電性シートを安価に提供できる。
【００５３】
上記透明導電性シートの上記導電パターン形成面において、上記導電パターンが形成されていない部分の表面抵抗値は、上記導電パターンが形成されている部分の表面抵抗値よりも１×１０6Ω／スクエア以上大きいことが好ましい。この場合、回路として機能させることができる程度の良好な電気的コントラストが得られる。
【実施例】
【００５４】
以下、実施例に基づいて本発明を詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。また、特に指摘がない場合、下記において、「部」は「質量部」を意味する。また、下記において、「導電性高分子分散体」とは、本発明の導電性高分子を含む水溶液のことを意味する。
【００５５】
（実施例１）
＜透明導電性膜の形成＞
まず、以下の組成物を添加、混合してヒドロゾル液を調製した。
（１）アルコキシシラン：テトラエトキシシラン（信越化学社製、商品名“ＫＢＥ−０４”）：１９．２ミリモル（４．０部）
（２）有機官能基を有するアルコキシシラン：メチルトリメトキシシラン（信越化学社製、商品名“ＫＢＭ−１３”）：２．９ミリモル（０．４部）
（３）エタノール：２７．８部
（４）硝酸水溶液（濃度：１重量％）：４．５部
【００５６】
次に、以下の組成物を上記ヒドロゾル液に添加、混合してコーティング組成物を得た。本実施例１では、有機官能基の割合が、全アルコキシシラン中、３．３モル％であった。
（５）導電性高分子分散体（導電性高分子：ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ、ヘレウス社製、商品名“ＰＨ−１０００”、固形分濃度：１．２％）：１００．０部
（６）エチレングリコール：１１．１部
（７）ヒドロゾル液：３６．７部
【００５７】
次に、１０ｃｍ角の膜厚０．７ｍｍの無アルカリガラスを基材として用い、基材の一方の主面に上記コーティング組成物をスピンコーティング法により回転速度８００ｒｐｍ、３０秒間塗布した後、１５０℃で１０分間加熱した。これにより、基材と、基材の一方の主面に形成された透明導電性膜とからなる積層体を得た。なお、透明導電性膜の膜厚は０．６μｍであった。
【００５８】
＜レジスト膜の形成＞
次に、上記積層体の透明導電性膜側の主面の中央部に５ｃｍ角の面積にスクリーン印刷法によりレジスト剤（ヘレウス社製、商品名“Ｃｌｖｉｏｕｓ  ＳＥＴ  Ｓ”）を＃４００の版を用いてスクリーン印刷し、その後１００℃で５分間加熱した。これにより、透明導電性膜上にレジスト膜が形成された積層体を得た。
【００５９】
＜導電性の低下＞
次に、透明導電性膜上にレジスト膜が形成された積層体を、不活性剤（ヘレウス社製、商品名“Ｃｌｖｉｏｕｓ  Ｅｔｃｈ”）を１０％水溶液に調製した溶液に３０分間浸漬した後、蒸留水で洗浄し、１００℃で５分間加熱した。これにより、透明導電性膜の露出部の導電性を低下させた。
【００６０】
＜レジスト膜の剥離＞
次に、上記積層体の前記透明導電性膜側の主面上に、粘着シート（ニチバン社製の商品名“セロテープ（登録商標）”）の粘着層側の面を貼り付け、引き剥がす剥離操作を施すことにより、粘着シートとレジスト膜とを一体に剥離除去し、導電パターンを有する透明導電性シートを得た。得られた透明導電性シートの導電パターン形成面を顕微鏡で観察したところ、レジスト膜の残渣は全くみられず、レジスト膜が完全に剥離除去されていることがわかった。
【００６１】
次に、得られた透明導電性シートの電気特性を評価した。評価方法については以下に説明する。
【００６２】
＜電気特性＞
まず、透明導電性シートの導電パターン形成面において、導電パターンが形成されている導電部の表面抵抗値を、三菱化学アナリテック社製の抵抗率測定計“Ｌｏｒｅｓｔａ−ＧＰ”（ＭＣＰ−Ｔ６１０型）とＬＳＰプローブを用いて測定した。また、透明導電性シートの導電パターン形成面において、導電パターンが形成されていない非導電部の表面抵抗値を、三菱化学アナリテック社製の抵抗率測定計“Ｈｉｒｅｓｔａ−ＵＰ”（ＭＣＰ−ＨＴ４５０型）とＵＲＳプローブを用いて測定した。ここでは、導電部と非導電部の表面抵抗値の差が、１×１０6Ω／スクエア以上である場合は、良好な電気的コントラストが得られていると評価する。実施例１の場合、導電部の表面抵抗値は１×１０2Ω／スクエアであり、非導電部の表面抵抗値は１×１０9Ω／スクエアであり、良好な電気的コントラストが得られていることがわかった。
【００６３】
（比較例１）
組成物成分（２）メチルトリメトキシシランを、２．９ミリモルから２２．１ミリモルに変更し、組成物成分（１）テトラエトキシシランを、使用しないこと以外は、実施例１と同様にして、比較例１の透明導電性シートを作製した。本比較例１のコーティング組成物に含まれる有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、２５モル％であった。
【００６４】
比較例１の透明導電性シートについて、導電パターン形成面を顕微鏡で観察したところ、レジスト膜の残渣はが一部残っていることが確認され、レジスト膜が完全に剥離除去されていないことがわかった。また、上記実施例１と同様にして電気特性を評価したところ、導電部の表面抵抗値は１×１０9Ω／スクエアであり、非導電部の表面抵抗値は１×１０9Ω／スクエアであり、良好な電気的コントラストが得られていないことがわかった。
【００６５】
（比較例２）
組成物成分（１）テトラエトキシシランを、１９．２ミリモルから２２．１ミリモルに変更し、組成物成分（２）メチルトリメトキシシランを、使用しないこと以外は、実施例１と同様にして比較例２の透明導電性シートを作製した。本比較例２のコーティング組成物に含まれる有機官能基の割合は、全アルコキシシラン中、０モル％であった。
【００６６】
比較例２の透明導電性シートについて、導電パターン形成面を顕微鏡で観察したところ、レジスト膜の残渣は全くみられず、レジスト膜が完全に剥離除去されていることがわかった。また、上記実施例１と同様にして電気特性を評価したところ、導電部の表面抵抗値は１×１０7Ω／スクエアであり、非導電部の表面抵抗値は１×１０9Ω／スクエアであり、良好な電気的コントラストが得られなかった。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明は、液晶ディスプレイ、タッチパネル、有機エレクトロルミネッセンス素子等の透明電極や、電磁シールド材として好適に利用可能な透明導電性シートを提供できる。
【符号の説明】
【００６８】
１１  基材
１２  透明導電性膜
１２ａ  非導電部
１２ｂ  導電部
１３  レジスト膜
１４  粘着シート
１４ａ  基材
１４ｂ  粘着層
１５  透明導電性シート
【図１】
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