(57)【要約】【課題】フリップチップボンディングを用いる場合であっても、装置の信頼性や製造コストに影響を与えることなく、封止樹脂の充填を促進可能な構造の半導体装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置２００の製造方法では、一面に形成された複数のバンプ電極２２５と、該複数のバンプ電極２２５の間に配置された貫通孔２２７を有する半導体チップ２０３を準備し、複数のバンプ電極２２５を配線基板２０１に形成された複数の接続パッド２１７に電気的に接続するように、半導体チップ２０３を配線基板２０１上に搭載し、半導体チップ２０３の貫通孔２２７を通じて、半導体チップ２０３と配線基板２０１の間であって、複数のバンプ電極２２５の間に封止樹脂２１１ａを充填する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）一面に形成された複数のバンプ電極と、該複数のバンプ電極の間に配置された貫通孔を有する半導体チップを準備し、
（ｂ）複数の接続パッドを有する配線基板を準備し、前記複数のバンプ電極を前記複数の接続パッドに電気的に接続するように、前記半導体チップを前記配線基板上に搭載し、
（ｃ）前記半導体チップの前記貫通孔を通じて、前記半導体チップと前記配線基板の間であって、前記複数のバンプ電極の間に封止樹脂を充填する、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記（ｃ）は、前記半導体チップの前記貫通孔を通じて、前記半導体チップと前記配線基板の間であって、前記複数のバンプ電極の間に前記封止樹脂を充填し、さらに前記半導体チップを覆うようにして前記封止樹脂を充填する、
請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｃ）は、コンプレッションモールドにより、前記半導体チップの前記貫通孔を通じて、前記半導体チップと前記配線基板の間であって、前記複数のバンプ電極の間に前記封止樹脂を充填し、さらに前記半導体チップを覆うようにして前記封止樹脂を充填する、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｃ）は、前記半導体チップの前記貫通孔を通じて、前記半導体チップと前記配線基板の間であって、前記複数のバンプ電極の間にアンダーフィル材を充填する、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記（ｃ）は、ディスペンサーを用いて前記半導体チップの前記貫通孔を通じて、前記半導体チップと前記配線基板の間であって、前記複数のバンプ電極の間にアンダーフィル材を充填し、さらに、
（ｄ）前記半導体チップを覆うようにして封止体を形成する、
を有する、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
（ｅ）前記配線基板に形成されたランド上に外部端子を形成する、
を有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
複数の接続パッドを有する配線基板と、
チップ本体と、前記チップ本体に設けられ、前記接続パッドと接続される複数のバンプ電極と、前記チップ本体の、該複数のバンプ電極の間に配置された貫通孔を有し、複数の前記バンプ電極を介して前記配線基板上に搭載された半導体チップと、
前記半導体チップと前記配線基板の間であって、前記複数のバンプ電極の間に設けられた封止樹脂と、
を有する半導体装置。
【請求項８】
前記封止樹脂は、前記半導体チップを覆うようにして設けられている、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記封止樹脂は、フィラーを含有する、請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記封止樹脂は、
前記半導体チップと前記配線基板の間であって、前記複数のバンプ電極の間に設けられたアンダーフィル材と、前記半導体チップを覆うように設けられた封止体を有する、請求項８に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記配線基板の前記接続パッドが形成された面の反対側の面に形成され、前記接続パッドと電気的に接続されたランドと、
前記ランド上に形成された外部端子と、
を有する、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記封止樹脂は、前記半導体チップと前記配線基板の間であって、前記複数のバンプ電極間に設けられると共に、前記貫通孔を充填するように設けられている、請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法および半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＢＧＡ（Ball Grid Array）型の半導体装置は、配線基板の一方の面に半導体チップを搭載し、他方の面に半田等のボールを所定の配列形状となるように電極として配置し、ボールと半導体チップとを配線基板を介して電気的に接続し、半導体チップを樹脂で封止した構造を有している。
【０００３】
ここで、ボールと半導体チップとを配線基板を介して電気的に接続するための構造としては、ワイヤボンディングを用いたものが知られている。
【０００４】
一方で、ワイヤボンディング以外の構造として、フリップチップボンディングにより半導体チップを配線基板に搭載するＦＣ−ＢＧＡが検討されている。
【０００５】
ここで、ＦＣ−ＢＧＡにおいては、配線基板と半導体チップの間の隙間にも樹脂を充填する必要があるため、特にチップの中央領域に２列で配置されたバンプ電極の間に封止樹脂を充填する場合には、２列で配置されたバンプ電極間にボイドが発生する可能性がある。
【０００６】
このようなボイドの発生を防止するための構造としては、配線基板の、ボイドが発生し易い領域に空気抜き用の穴を設けた構造がある。
【０００７】
例えば特許文献１では、ＴＡＢテープにより形成される基板上に布設される配線に対して、バンプを介して電気的に接続されるチップが搭載されており、当該チップおよび配線等を含む領域は、樹脂により封止されるＢＧＡ型の半導体装置において、樹脂に内包されている空気（ボイド）が溜まり易いチップの搭載エリア近傍におけるＴＡＢテープの中央部に、空気（ボイド）を放散するための貫通孔を設ける技術が開示されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−９７５８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、特許文献１のように、基板に貫通孔を設ける構造の場合、封止金型を用いて樹脂封止する際に、封止樹脂が貫通孔を通って、基板の裏面に回り込む恐れがある。この基板の裏面への封止樹脂の回り込みによって、外部端子となる半田ボールが良好に搭載できなくなり、半導体装置の信頼性を低下させる恐れがあった。
【００１０】
また、特許文献１のような、基板に貫通孔を設ける構造を、一括モールド方式へ適用する場合、基板に貫通孔が形成されていることから、封止金型の下型で、基板の貫通孔に対応する位置にキャビティを設ける必要がある。
【００１１】
しかしながら、このような位置にキャビティを設けると、製品毎に下型を準備する必要が生じ、製造コストが高くなる恐れがあった。
【００１２】
そのため、フリップチップボンディングを用いる場合であっても、装置の信頼性や製造コストに影響を与えることなく、封止樹脂の充填を促進可能な半導体装置の製造方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の第１の態様は、（ａ）一面に形成された複数のバンプ電極と、該複数のバンプ電極の間に配置された貫通孔を有する半導体チップを準備し、（ｂ）複数の接続パッドを有する配線基板を準備し、前記複数のバンプ電極を前記複数の接続パッドに電気的に接続するように、前記半導体チップを前記配線基板上に搭載し、（ｃ）前記半導体チップの前記貫通孔を通じて、前記半導体チップと前記配線基板の間であって、前記複数のバンプ電極の間に封止樹脂を充填する、を有する半導体装置の製造方法である。
【００１４】
本発明の第２の態様は、複数の接続パッドを有する配線基板と、チップ本体と、前記チップ本体に設けられ、前記接続パッドと接続される複数のバンプ電極と、前記チップ本体の、該複数のバンプ電極の間に配置された貫通孔を有し、複数の前記バンプ電極を介して前記配線基板上に搭載された半導体チップと、前記半導体チップと前記配線基板の間であって、前記複数のバンプ電極の間に設けられた封止樹脂と、を有する半導体装置である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、フリップチップボンディングを用いる場合であっても、装置の信頼性や製造コストに影響を与えることなく、封止樹脂の充填を促進可能な構造の半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置２００を示す平面図であって、封止体２１１は一部のみを図示している。
【図２】図１のＡ−Ａ’断面図である。
【図３】図１の半導体チップ２０３の底面図（バンプ電極２２５が設けられた面側から見た図）である。
【図４】第１の実施形態に係る半導体装置２００の組立の手順を示す断面図である。
【図５】第１の実施形態に係る半導体装置２００の組立の手順を示す断面図である。
【図６】第１の実施形態に係る半導体装置２００の組立の手順を示す断面図である。
【図７】第２の実施形態に係る半導体装置２００ａを示す断面図である。
【図８】第２の実施形態に係る半導体装置２００ａの組立の手順を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面に基づいて本発明に好適な実施形態を詳細に説明する。
【００１８】
まず、図１および図２を参照して、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置２００の概略構成について説明する。
【００１９】
ここでは半導体装置２００として、ＤＲＡＭのメモリチップを搭載した半導体メモリが例示されている。
【００２０】
図１および図２に示すように、半導体装置２００は、複数の接続パッド２１７を有する配線基板２０１と、接続パッド２１７と接続される複数のバンプ電極２２５と、複数のバンプ電極２２５の間に配置された貫通孔２２７を有し、複数のバンプ電極２２５を介して配線基板２０１上に搭載された半導体チップ２０３と、半導体チップ２０３と配線基板２０１の間であって、複数のバンプ電極２２５の間に設けられた封止樹脂としての封止体２１１が設けられている。
【００２１】
次に、図１〜図３を参照して、半導体装置２００を構成する部材の詳細について説明する。
【００２２】
配線基板２０１は、例えば平面形状が矩形の０．２ｍｍ厚のガラスエポキシ製の基材２１３と、基材２１３の両面に設けられたＣｕ等の配線パターン２１５と、配線パターン２１５を部分的に覆うソルダーレジスト等の絶縁膜２１８とを有している。
【００２３】
また、基材２１３の一面側（半導体チップ２０３が設けられた側の面）の配線パターン２１５の絶縁膜２１８から露出された部位には複数の接続パッド２１７が形成され、基材２１３の他面の配線パターン２１５の絶縁膜２１８から露出された部位には、複数のランド２１９が形成されている。
【００２４】
接続パッド２１７とこれに対応するランド２１９とは、配線パターン２１５により電気的に接続されている。
【００２５】
さらに、ランド２１９上には外部端子としての半田ボール２２１が搭載されている。
【００２６】
一方、基材２１３の一面上には、半導体チップ２０３がフリップチップ実装により搭載されている。
【００２７】
図２および図３に示すように、半導体チップ２０３は、チップ本体としての略四角形の板状のシリコン基板２０２を有し、シリコン基板２０２の一方の面に所定の図示しない回路、例えばメモリ回路等が形成されるとともに、当該回路の入出力を行うための信号用の複数の電極パッド２２３が形成されている。
【００２８】
電極パッド２２３は、半導体チップ２０３のシリコン基板２０２の中央領域に２列で配置されており、さらに、半導体チップ２０３のシリコン基板２０２の長辺に沿って、長辺の近傍にも配置されている。
【００２９】
一方、電極パッド２２３を除く半導体チップ２０３のシリコン基板２０２の一方の面には、パッシベーション膜２３１が形成され、回路形成面を保護している。
【００３０】
また、電極パッド２２３のうち、半導体チップ２０３のシリコン基板２０２の中央領域に２列で配置された電極パッド２２３には、例えばファンクションバンプ等のバンプ電極２２５が形成されている。バンプ電極２２５は、図２に示すように略四角柱状のＣｕ等のピラー２２６と、ピラー２２６上に形成された半田層２２８により構成されている。半田層２２８は、所定温度でリフローされることで、溶融した半田が表面張力により中央部位が盛り上がり、ピラー２２６上に円弧状に形成される。
【００３１】
また電極パッド２２３のうち、半導体チップ２０３のシリコン基板２０２の長辺に沿って、長辺の近傍に設けられた電極パッド２２３には、複数の補強バンプ２２５ａが配置されている。補強バンプ２２５ａは、例えば中央領域に２列で配置されたバンプ電極２２５が温度サイクル等で壊れ難くするようにバンプ電極２２５の外側で接続させると共に、電源やＧＮＤに電気的に接続し、電源やＧＮＤの補強用に用いられる。
【００３２】
なお、補強バンプ２２５ａもバンプ電極２２５と同様に、Ｃｕ等のピラー２２６と、ピラー２２６上に形成された半田層２２８により構成されている。
【００３３】
電極パッド２２３は、半導体チップ２０３の中央領域に２列で配置されているものがあるため、当該電極パッド２２３上に形成されたバンプ電極２２５は、互いに隣接するバンプ列２０４ａ、２０４ｂを形成している。
【００３４】
さらに、図３に示すように、半導体チップ２０３においては、バンプ列２０４ａとバンプ列２０４ｂの間で、中央位置に貫通孔２２７が設けられている。貫通孔２２７は複数個所に配置しても良いが、複数個所に配置すると、半導体チップ２０３のチップ強度の低下につながるため、隣接する複数のバンプ列間（ここではバンプ列２０４ａ、２０４ｂ間）であって半導体チップ２０３のシリコン基板２０２の端部から最も遠い位置に１つ配置するのが好ましい。
【００３５】
貫通孔２２７は、例えば１５μｍ径で、ＴＳＶ（Through Substrate Via）と同様に、半導体チップ２０３を構成するシリコン基板２０２をエッチングすることで形成される。
【００３６】
さらに、配線基板２０１の一面上には熱硬化性のエポキシ樹脂等である封止体２１１が設けられており、配線基板２０１と半導体チップ２０３の間の隙間および半導体チップ２０３の裏面も封止体２１１で覆われている。封止体２１１としては、例えばＭＵＦ（Mold UnderFill）が用いられる。ＭＵＦは、熱硬化性の樹脂であり、通常の封止樹脂と比べて含有されるフィラーの径が小さく、例えば直径１０μｍ以下のフィラーを含有している。１０μｍ以下のフィラーを含有した封止樹脂を用いることで、封止体２１１の形成の際に、配線基板２０１と半導体チップ２０３間の隙間も封止樹脂で良好に充填されると共に、半導体チップ２０３に形成した貫通孔２２７にフィラーが詰まることなく封止樹脂が充填され、封止体２１１を形成できる。
【００３７】
換言すれば、封止体２１１は、半導体チップ２０３と配線基板２０１の間であって、複数のバンプ電極２２５間（ここではバンプ列２０４ａ、２０４ｂ間）に設けられると共に、貫通孔２２７を充填するように設けられている。
【００３８】
また、詳細は後述するが、半導体チップ２０３と配線基板２０１の間であって、隣接する複数のバンプ列（ここではバンプ列２０４ａ、２０４ｂ間）間に貫通孔２２７を通じて優先的に封止樹脂を供給することで、隣接する複数のバンプ列間へのボイドの発生を低減でき、ボイドによるリフロークラックを抑制し、半導体装置２００の信頼性を向上できる。さらに配線基板２０１に貫通孔を設けずに封止樹脂の充填を促進できるため、貫通孔を通じた配線基板２０１の裏面への封止樹脂の回り込みがなくなる。これにより、封止樹脂がランドを覆うことがなくなり、良好に半田ボール２２１を搭載でき、半導体装置２００の信頼性を向上できる。 
以上が半導体装置２００を構成する部材の詳細である。
【００３９】
次に、半導体装置２００の組立の手順について、図４〜図６を参照して説明する。
【００４０】
まず、図４（ａ）に示すような配線母基板３００を準備する。
【００４１】
配線母基板３００は、マトリクス状に配置された複数の製品形成部３０１を有しており、個々の製品形成部３０１が配線基板２０１に対応している。また、製品形成部３０１間には、製品形成部３０１を分離する際の切断面に対応するダイシングライン３０７が設けられている。
【００４２】
次に、図４（ｂ）に示すように、半導体チップ２０３を準備し、それぞれの製品形成部３０１に半導体チップ２０３がフリップチップ実装される。
【００４３】
具体的には、図示しないフリップチップボンダーのボンディングツールで半導体チップ２０３の裏面を吸着保持し、２４０℃程度の加熱条件下で荷重を印加し、半導体チップ２０３のバンプ電極２２５および補強バンプ２２５ａを配線基板２０１の接続パッド２１７に接合することで、配線基板２０１（製品形成部３０１）上に半導体チップ２０３を搭載する。
【００４４】
即ち、半導体チップ２０３は、前述したようにバンプ電極２２５および補強バンプ２２５ａが形成されており、バンプ電極２２５および補強バンプ２２５ａを、半田層２２８により配線基板２０１上の接続パッド２１７と接合することで、配線基板２０１上に半導体チップ２０３が搭載される。
【００４５】
フリップチップボンディングの完了した配線母基板３００は、コンプレッションモールド装置４００に送られる。
【００４６】
図５（ａ）に示すように、コンプレッションモールド装置４００は、配線母基板３００を保持する上型４０１と、上型と組み合わされる下型４０３を有している。
【００４７】
下型４０３は、下型本体４１１と、下型本体４１１の外周に設けられた外枠４０７を有し、下型本体４１１と外枠４０７でキャビティ４１３を構成している。
【００４８】
また、外枠４０７は下型本体４１１に弾性体４０９によって弾性的に保持されており、下型４０３の表面はフィルム４０５で覆われている。
【００４９】
コンプレッションモールド装置４００に送られた配線母基板３００は、図５（ａ）に示すように、上型４０１に配線母基板３００の他面を吸着されることでコンプレッションモールド装置４００に保持される。
【００５０】
また、コンプレッションモールド装置４００のキャビティ４１３内にフィルム４０５を介して、封止体２１１の原料である、顆粒状態の封止樹脂２１１ａが所定量、供給される。封止樹脂２１１ａは、ここでは熱硬化性の樹脂であり、１０μｍ以下のフィラーが含有されている。
【００５１】
次に、下型４０３を所定温度まで加熱することにより、図５（ｂ）および図６（ａ）に示すように、下型４０３に供給された顆粒状態の封止樹脂２１１ａが溶融され、キャビティ４１３内に溶融樹脂２１１ｂの層が形成される。
【００５２】
その後、配線母基板３００を吸着保持した上型４０１を下降させて、配線母基板３００の一面側を溶融樹脂２１１ｂに浸漬させる。さらに、図５（ｃ）に示すように、外枠４０７と配線母基板３００の端部を接触させて、上型４０１と下型４０３により溶融樹脂２１１ｂを圧縮することで、配線母基板３００上に封止樹脂層を形成する。
【００５３】
ここで、コンプレッションモールド装置４００の上型４０１と下型４０３により溶融樹脂２１１ｂを圧縮することで、図６（ｂ）に示すように、隣接する２つのバンプ列２０４ａ、２０４ｂ（図３参照）の間には、半導体チップ２０３の裏面側から半導体チップ２０３に形成した貫通孔２２７から溶融樹脂２１１ｂが真っ直ぐ入り込み、優先的に溶融樹脂２１１ｂが注入される。その後、半導体チップ２０３の側面を通じて、溶融樹脂２１１ｂが回り込み、図５（ｃ）および図６（ｃ）に示すように半導体チップ２０３と配線基板２０１の間の隙間に溶融樹脂２１１ｂが充填され、さらに、半導体チップ２０３を覆うように封止体２１１が形成される。なお、封止樹脂２１１ａが、１０μｍ以下のフィラーを含有するように構成したことで、貫通孔２２７にフィラーが詰まることなく封止樹脂２１１ａ（溶融樹脂２１１ｂ）を注入することができる。
【００５４】
このように半導体チップ２０３の貫通孔２２７を通じて、半導体チップ２０３と配線基板２０１の間であって、バンプ列２０４ａ、２０４ｂの間に封止樹脂２１１ａを充填することで、ボイドの発生し易いバンプ列２０４ａ、２０４ｂ間に半導体チップ２０３の貫通孔２２７を介して優先的に封止樹脂２１１ａが充填されるため、バンプ列２０４ａ、２０４ｂ間の領域へのボイドの発生を低減し、配線基板２０１と半導体チップ２０３間に良好に封止樹脂２１１ａを充填できる。さらに配線基板２０１には貫通孔２２７を設けずに封止樹脂２１１ａの充填を促進できるため、貫通孔を通じた配線基板２０１の裏面への封止樹脂２１１ａの回り込みがなくなる。これにより、封止樹脂２１１ａがランド２１９を覆うことがなくなり、良好に半田ボール２２１を搭載でき、半導体装置２００の信頼性を向上できる。
【００５５】
また配線基板２０１に貫通孔２２７を設けないことで、成形金型の下型に貫通孔に対応したキャビティを形成する必要がなくなるため、下型の共用化を図ることができ、半導体装置２００の組立コストを低減できる。またコンプレッションモールドにより、フリップチップ実装された半導体チップ２０３の裏面側から封止樹脂２１１ａを充填することで、優先的に半導体チップ２０３の貫通孔２２７から封止樹脂２１１ａを充填できる。さらにコンプレッションモールドを採用することで、トランスファーモールドで必要となるカルやランナー部が不要となり、封止樹脂２１１ａの使用量を低減できる。また一度のモールドにより、半導体チップ２０３と配線基板２０１間の封止樹脂２１１ａ充填と、半導体チップ２０３の周囲を覆うような封止樹脂２１１ａの形成ができるため、半導体装置２００を効率良く製造できる。
【００５６】
この後は、封止樹脂２１１ａを所定の温度、例えば１８０℃でキュアすることで、封止樹脂２１１ａが硬化される。
【００５７】
その後、上型４０１と下型４０３を分離して、配線母基板３００を取り出し、所定の温度、例えば２４０℃でリフローすることで封止樹脂２１１ａが完全に硬化され、図４（ｃ）に示すような、配線母基板３００の封止領域を一括的に覆う封止体２１１が形成される。
【００５８】
次に、図４（ｄ）に示すように、配線基板２０１のランド２１９上に、半田ボール２２１を搭載し、外部端子を形成する。
【００５９】
具体的には、例えば、配線基板２０１上のランド２１９の配置に合わせて複数の吸着孔が形成された図示しない吸着機構を用いて、半田ボール２２１を吸着孔に保持し、保持された半田ボール２２１を、フラックスを介して配線基板２０１のランド２１９に一括搭載する。
【００６０】
全ての製品形成部３０１への半田ボール２２１の搭載後、配線基板２０１をリフローすることで半田ボール２２１が固定される。
【００６１】
次に、半田ボール２２１が搭載された配線母基板３００を図示しない基板ダイシング装置に載置する。
【００６２】
配線母基板３００の載置が完了すると、図４（ｅ）に示すように、配線母基板３００をダイシングライン３０７（図４（ａ）参照）で切断し、製品形成部３０１毎に分離する。具体的には、配線母基板３００の封止体２１１側をダイシングテープ６００に図示しない接着層を介して接着し、ダイシングテープ６００によって配線基板２０１を支持する。その後、配線母基板３００を図示しないダイシング装置のダイシングブレードにより縦横にダイシングライン３０７を切断して製品形成部３０１毎に切断分離する。切断分離後、切断分離された個々の製品形成部３０１をダイシングテープ６００からピックアップすることで、図１に示すような半導体装置２００が得られる。 
以上が半導体装置２００の組立の手順である。
【００６３】
このように、第１の実施形態によれば、半導体装置２００は、複数の接続パッド２１７を有する配線基板２０１と、接続パッド２１７と接続される複数のバンプ電極２２５と、複数のバンプ電極２２５の間に配置された貫通孔２２７を有し、複数のバンプ電極２２５を介して配線基板２０１上に搭載された半導体チップ２０３と、半導体チップ２０３と配線基板２０１の間であって、複数のバンプ電極２２５の間に設けられた封止樹脂としての封止体２１１が設けられており、半導体チップ２０３の貫通孔２２７を通じて、半導体チップ２０３と配線基板２０１の間であって、複数のバンプ電極２２５の間に封止体２１１を充填することにより、製造される。
【００６４】
そのため、バンプ列２０４ａ、２０４ｂ間の領域へのボイドの発生を低減することができる。
【００６５】
また、第１の実施形態では、配線基板２０１でなく、半導体チップ２０３に貫通孔２２７を設けている。
【００６６】
そのため、貫通孔２２７を通じた配線基板２０１の裏面への封止樹脂２１１ａの回り込みがなくなり、半導体装置２００の信頼性を向上できる。
【００６７】
さらに、成形金型の下型に貫通孔に対応したキャビティを形成する必要がなくなるため、下型の共用化を図ることができ、半導体装置２００の組立コストを低減できる。
【００６８】
また、第１の実施形態では、コンプレッションモールドにより、フリップチップ実装された半導体チップ２０３の裏面側から封止樹脂２１１ａを充填している。
【００６９】
そのため、優先的に半導体チップ２０３の貫通孔２２７から封止樹脂２１１ａを充填できる。さらに、封止樹脂２１１ａの使用量を低減できる。
【００７０】
また一度のモールドにより半導体チップ２０３と配線基板２０１間の封止樹脂２１１ａの充填と、半導体チップ２０３の周囲を覆うような封止樹脂２１１ａの形成ができるため、半導体装置２００を効率良く製造できる。
【００７１】
次に、第２の実施形態について、図７および図８を参照して説明する。
【００７２】
第２の実施形態は、第１の実施形態において、複数のバンプ電極２２５の間に、貫通孔２２７を通じてアンダーフィル材２１１ｃを充填した後に、封止体２１１で半導体チップ２０３を覆ったものである。
【００７３】
なお、第２の実施形態において、第１の実施形態と同様の機能を果たす要素については同一の番号を付し、主に第１の実施形態と異なる部分について説明する。
【００７４】
図７に示すように、第２の実施形態に係る半導体装置２００ａは、複数のバンプ電極２２５の間にアンダーフィル材２１１ｃが充填されている。
【００７５】
アンダーフィル材２１１ｃは、後述するように、封止体２１１とは別に貫通孔２２７を通じて複数のバンプ電極２２５の間に充填されたものである。即ち、半導体装置２００ａにおいては、封止樹脂として、アンダーフィル材２１１ｃと封止体２１１を有している。
【００７６】
次に、半導体装置２００ａの組立の手順について、図８を参照して説明する。
【００７７】
まず、第１の実施形態と同様の配線母基板３００を用意し、図８（ａ）に示すように、第１の実施形態と同様に、それぞれの製品形成部３０１に半導体チップ２０３がフリップチップ実装される。
【００７８】
次に、図８（ｂ）に示すように、ディスペンサー４１を用いて貫通孔２２７を通じて複数のバンプ電極２２５の間にアンダーフィル材２１１ｃを充填する。
【００７９】
次に、図８（ｃ）に示すように、半導体チップ２０３を覆うように、封止体２１１を配線基板２０１（製品形成部３０１）上に形成する。
【００８０】
このように、アンダーフィル材２１１ｃを封止体２１１とは別に貫通孔２２７を通じて複数のバンプ電極２２５の間に充填してもよい。
【００８１】
なお、この場合は、封止体２１１の形成は、第１の実施形態と同様に、コンプレッションモールドにより行っても良いし、トランスファーモールドで行っても良い。
【００８２】
この後は、第１の実施形態と同様に、図８（ｄ）に示すように、配線基板２０１のランド２１９上に、半田ボール２２１を搭載し、図８（ｅ）に示すように、配線母基板３００をダイシングライン３０７で切断することで、図７に示すような半導体装置２００ａが得られる。
【００８３】
このように、第２の実施形態によれば、半導体装置２００ａは、複数の接続パッド２１７を有する配線基板２０１と、接続パッド２１７と接続される複数のバンプ電極２２５と、複数のバンプ電極２２５の間に配置された貫通孔２２７を有し、複数のバンプ電極２２５を介して配線基板２０１上に搭載された半導体チップ２０３と、半導体チップ２０３と配線基板２０１の間であって、複数のバンプ電極２２５の間にアンダーフィル材２１１ｃが設けられており、半導体チップ２０３の貫通孔２２７を通じて、半導体チップ２０３と配線基板２０１の間であって、複数のバンプ電極２２５の間にアンダーフィル材２１１ｃを充填することにより、製造される。 
従って、第１の実施形態と同様の効果を奏する。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
以上、本発明者によってなされた発明を実施形態に基づき説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。
【００８５】
例えば、上述した実施形態では、本発明を、半導体チップ２０３の中央領域に２列のバンプ電極が形成された場合について説明したが、本発明は何らこれに限定されることはなく、隣接された複数のバンプ列間に貫通孔を設ける構成であれば、どのようなバンプ配置のチップにも適用することができる。
【００８６】
また上述した実施形態では、フリップチップ実装されたメモリチップである半導体チップ２０３を有する半導体装置２００に適用した場合について説明したが、隣接したバンプ電極が配置される構成であれば、ロジックチップ等、どのような半導体チップを有する半導体装置にも本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【００８７】
４１      ：ディスペンサー
２００    ：半導体装置
２００ａ  ：半導体装置
２０１    ：配線基板
２０２    ：シリコン基板
２０３    ：半導体チップ
２０４ａ  ：バンプ列
２０４ｂ  ：バンプ列
２１１    ：封止体
２１１ａ  ：封止樹脂
２１１ｂ  ：溶融樹脂
２１１ｃ  ：アンダーフィル材
２１３    ：基材
２１５    ：配線パターン
２１７    ：接続パッド
２１８    ：絶縁膜
２１９    ：ランド
２２１    ：半田ボール
２２３    ：電極パッド
２２５    ：バンプ電極
２２５ａ  ：補強バンプ
２２６    ：ピラー
２２７    ：貫通孔
２２８    ：半田層
２３１    ：パッシベーション膜
３００    ：配線母基板
３０１    ：製品形成部
３０７    ：ダイシングライン
４００    ：コンプレッションモールド装置
４０１    ：上型
４０３    ：下型
４０５    ：フィルム
４０７    ：外枠
４０９    ：弾性体
４１１    ：下型本体
４１３    ：キャビティ
６００    ：ダイシングテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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