(57)【要約】【課題】被検体への接触性を確保しつつ、不要な振動を吸収する機能も低下させることがない超音波トランスデューサを提供する。【解決手段】基板１０と、基板１０上に配置され、空隙１４を挟んで対向する上部電極１６および下部電極１２と、基板１０下面に配置されたバッキング材２３およびハウジング２４と、基板１０の一側面に配置され、上部電極１６に電気的に接続された配線パターン２１と、基板１０の他側面に配置され、下部電極１２に電気的に接続された配線パターン２２と、配線パターン２１の側面に電気的に接続された上部電極駆動配線３１と、配線パターン２２の側面に電気的に接続された下部電極駆動配線３２と、を含む超音波トランスデューサ。【選択図】図２
2014000153.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方の面に配置されていて、下部電極と、空隙または圧電素子と、前記空隙または前記圧電素子を挟んで前記下部電極に対向する上部電極と、を有する振動子部と、
前記基板の他方の面に配置されたバッキング材と、
前記バッキング材の外周を囲むように前記基板の他方の面に配置され、該バッキング材を保持するハウジングと、
前記基板の一側面に配置され、前記上部電極に電気的に接続された第１導電部と、
前記基板の他側面に配置され、前記下部電極に電気的に接続された第２導電部と、
前記第１導電部の側面に電気的に接続された上部電極駆動配線と、
前記第２導電部の側面に電気的に接続された下部電極駆動配線と、
を含むことを特徴とする超音波トランスデューサ。
【請求項２】
前記第１導電部および前記第２導電部は、前記基板の前記一方の面に少なくとも露出するように該基板に設けられたビアであることを特徴とする請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項３】
前記ビアは、前記基板を貫通するスルーホールビア、または前記基板の前記一方の面に露出し前記他方の面には露出しないブラインドビアであることを特徴とする請求項２に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項４】
前記第１導電部および前記第２導電部は、前記基板が、前記ビアを露出させるように、該基板の厚み方向に切断されて形成されたものであることを特徴とする請求項３に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項５】
前記第１導電部および前記第２導電部は、前記基板が、前記ビアを含むように該基板の厚み方向に切断されて形成されたものであり、
前記上部電極駆動配線および前記下部電極駆動配線は、前記ビアの切断面に接続されていることを特徴とする請求項４に記載の超音波トランスデューサ。
【請求項６】
前記第１導電部、該第１導電部の側面に電気的に接続された前記上部電極駆動配線、前記第２導電部、および該第２導電部の側面に電気的に接続された前記下部電極駆動配線を絶縁性をもって被覆する配線保護材をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の超音波トランスデューサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の一方の面に振動子部が配置されている超音波トランスデューサに関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波トランスデューサは、従来より、超音波を照射し、被検体から反射されるエコー信号に基づいて診断画像を作成する超音波診断装置等に用いられている。
【０００３】
この超音波トランスデューサとしては、静電容量型超音波振動子（Ｃ−ＭＵＴ（Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer））と、圧電型超音波振動子（Ｐ−ＭＵＴ（Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer））と、が知られている。ここに、Ｃ−ＭＵＴの技術としては例えば特開２００８−１１９３１８号公報や特開２０１０−２７２９５６号公報が挙げられ、またＣ−ＭＵＴとＰ−ＭＵＴとを組み合わせた技術としては例えば特開２００７−２２９３２８号公報が挙げられる。
【０００４】
図１０は、従来のＣ−ＭＵＴの一例を示す断面図である。
【０００５】
Ｃ−ＭＵＴは、シリコンウェハ等で構成される基板１１０上に、第１絶縁層１１１、下部電極１１２、第２絶縁層１１３、空隙１１４、第３絶縁層１１５、上部電極１１６、保護膜１１７（空隙１１４上の第３絶縁層１１５、上部電極１１６、および保護膜１１７を総称して、メンブレンともいう）を積層して、振動子部を形成したものとなっている。ここに、基板１１０の振動子部が形成された側を上面側、その反対側を下面側ということにする。
【０００６】
なお、Ｐ−ＭＵＴは、Ｃ−ＭＵＴにおける空隙１１４に代えて、圧電素子を配置したものである。
【０００７】
また、基板１１０の下面側には、不要な振動を吸収するためのバッキング材１２３と、バッキング材１２３を保持するためにバッキング材１２３の外周を囲むように設けられたハウジング１２４と、が配置されている。ここに、バッキング材１２３が配置されている部分は、空隙１１４が設けられている領域の基板１１０を挟んだ反対側部分である。また、ハウジング１２４が配置されている部分は、空隙１１４が設けられている領域を取り囲む領域の、基板１１０を挟んだ反対側部分となる。
【０００８】
そして、下部電極１１２と上部電極１１６との間に電圧を印加することで、空隙１１４よりも上側のメンブレンが振動して超音波を送信する。また、超音波を受信すると、このメンブレンが振動して下部電極１１２と上部電極１１６との間の距離が変化し、電極間の電圧が変化して電気信号として検出される。
【０００９】
ところで、基板１１０としてシリコンウェハ等を使用しているために、下部電極１１２と上部電極１１６とへ電気を供給する配線を、超音波を送受信する上面側において接続している。
【００１０】
すなわち、上部電極１１６は、図１０の例えば左側の、空隙１１４が設けられていない領域において一部が保護膜１１７から外部に露呈して電極パッドを構成しており、この電極パッドにおいて半田１３４を介して上部電極駆動配線１３１に接続されている。
【００１１】
また、下部電極１１２は、図１０の例えば右側の、空隙１１４が設けられていない領域において一部が第２絶縁層１１３、第３絶縁層１１５、保護膜１１７等から外部に露呈して同様に電極パッドを構成しており、この電極パッドにおいて半田１３５を介して下部電極駆動配線１３２に接続されている。
【００１２】
なお、基板１１０の側面に対向する上部電極駆動配線１３１の部分は絶縁外皮１３１ａにより被覆され、同様に、下部電極駆動配線１３２の部分も絶縁外皮１３２ａにより被覆されている。
【００１３】
また、上部電極駆動配線１３１および下部電極駆動配線１３２の接続部分は、配線保護部材１３３により絶縁に被覆されている。
【００１４】
しかし、電極への配線が基板１１０の上面側において行われると、図１０に示すように、配線部がメンブレンよりも上方へ突出して高くなってしまう。このような構造では、メンブレンを被検体に十分に接触させることが難くなり、ひいては超音波の送受効率が低下してしまうことになる。
【００１５】
そこで、このような課題に対応するための構成を図１１を参照して説明する。図１１は従来のＣ−ＭＵＴの他の例を示す断面図である。
【００１６】
この例は、電極への配線を、基板１１０の下面側において行うようにしたものとなっている。このために、基板１１０として、スルーホールビア（貫通ビア）付きの基板１１０を用いている。
【００１７】
すなわち、基板１１０には、厚み方向に貫通したビアであるスルーホールビア１４１，１４２，１４３が形成されている。
【００１８】
上部電極１１６は基板１１０側に露呈しており、スルーホールビア１４１と電気的に接続されている。また、下部電極１１２も基板１１０側に露呈しており、スルーホールビア１４２と接続されている。
【００１９】
基板１１０の下面側には、上部電極駆動配線１３１および下部電極駆動配線１３２が配置されている。上部電極駆動配線１３１はスルーホールビア１４１と電気的に接続され、ひいては上部電極１１６と電気的に接続される。下部電極駆動配線１３２はスルーホールビア１４２と電気的に接続され、同様に、下部電極１１２と電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００２０】
【特許文献１】特開２００８−１１９３１８号公報
【特許文献２】特開２０１０−２７２９５６号公報
【特許文献３】特開２００７−２２９３２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００２１】
しかし、図１１に示す構成では、基板１１０の下面側の、本来ならばバッキング材１２３を配置するべき部分に空間１２３ａ，１２３ｂを設けて、空間１２３ａに上部電極駆動配線１３１を、空間１２３ｂに下部電極駆動配線１３２を、それぞれ配置している。従って、これらの空間１２３ａ，１２３ｂ部分では、バッキング材１２３による不要な振動の吸収を行うことができず、音響特性が損なわれて分解能が低下してしまうことになる。
【００２２】
また、バッキング材１２３の欠損を生じさせないようにするためには、ハウジング１２４が配置されるべき部分に空間を設けて上部電極駆動配線１３１および下部電極駆動配線１３２を配置することも考えられるが、この場合にはハウジング１２４に薄肉の部分が生じて強度が低下するとともに、ハウジング１２４がバッキング材１２３に接触しない部分が生じるために、バッキング材１２３を保持する機能が低下し、バッキング材１２３の形状も安定しないことになる。
【００２３】
こうして、被検体への接触性を確保しつつ、不要な振動も吸収することができる超音波トランスデューサが求められている。
【００２４】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、被検体への接触性を確保しつつ、不要な振動を吸収する機能も低下させることがない超音波トランスデューサを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００２５】
上記の目的を達成するために、本発明の一態様による超音波トランスデューサは、基板と、前記基板の一方の面に配置されていて、下部電極と、空隙または圧電素子と、前記空隙または前記圧電素子を挟んで前記下部電極に対向する上部電極と、を有する振動子部と、前記基板の他方の面に配置されたバッキング材と、前記バッキング材の外周を囲むように前記基板の他方の面に配置され、該バッキング材を保持するハウジングと、前記基板の一側面に配置され、前記上部電極に電気的に接続された第１導電部と、前記基板の他側面に配置され、前記下部電極に電気的に接続された第２導電部と、前記第１導電部の側面に電気的に接続された上部電極駆動配線と、前記第２導電部の側面に電気的に接続された下部電極駆動配線と、を含む。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の超音波トランスデューサによれば、被検体への接触性を確保しつつ、不要な振動を吸収する機能も低下させることがない。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施形態１における超音波トランスデューサの全体的な構成を示す斜視図。
【図２】上記実施形態１において、Ｃ−ＭＵＴとして構成した場合の図１のＡ−Ａ断面図。
【図３】上記実施形態１において、Ｐ−ＭＵＴとして構成した場合の図１のＡ−Ａ断面図。
【図４】本発明の実施形態２において、スルーホールビア付きの基板上にＣ−ＭＵＴを構成した様子を示す断面図。
【図５】上記実施形態２において、Ｃ−ＭＵＴを構成した基板をスルーホールビアの部分で切断する様子を示す断面図。
【図６】上記実施形態２において、スルーホールビアの部分で切断された基板に配線を行った様子を示す断面図。
【図７】本発明の実施形態３において、ブラインドビア付きの基板上にＣ−ＭＵＴを構成した様子を示す断面図。
【図８】上記実施形態３において、Ｃ−ＭＵＴを構成した基板をブラインドビアの部分で切断する様子を示す断面図。
【図９】上記実施形態３において、ブラインドビアの部分で切断された基板に配線を行った様子を示す断面図。
【図１０】従来のＣ−ＭＵＴの一例を示す断面図。
【図１１】従来のＣ−ＭＵＴの他の例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
［実施形態１］
【００２９】
図１から図３は本発明の実施形態１を示したものであり、図１は超音波トランスデューサの全体的な構成を示す斜視図である。
【００３０】
超音波トランスデューサ１は、図１に示すように、ハウジング部２上に超音波振動部３を配設して構成されている。
【００３１】
超音波振動部３は、駆動制御信号を入出力する単位であるＭＵＴエレメント３ａを複数配列して構成されており、各ＭＵＴエレメント３ａには振動単位となるＭＵＴセル３ｂが複数形成されている。
【００３２】
図２はＣ−ＭＵＴとして構成した場合の図１のＡ−Ａ断面図である。この図２は、超音波トランスデューサ１として、静電容量型超音波振動子（Ｃ−ＭＵＴ（Capacitive Micromachined Ultrasonic Transducer））を採用した例を示している。
【００３３】
Ｃ−ＭＵＴは、シリコンウェハやガラス基板等で構成される基板１０上に、第１絶縁層１１、下部電極１２、第２絶縁層１３、空隙１４（この空隙１４は、キャビティともいう）、第３絶縁層１５、上部電極１６、保護膜１７（空隙１４上の第３絶縁層１５、上部電極１６、および保護膜１７を総称して、メンブレンともいう）を積層して、振動子部を形成したものである。以下では、基板１０の振動子部が形成された側を上面側、その反対側を下面側ということにする。
【００３４】
まず、第１絶縁層１１は、基板１０の上面全体を覆うように形成される。
【００３５】
また、基板１０には、遅くとも下部電極１２を形成する前に、図２における右側面に第２導電部である第２の配線パターン２２が直接形成され、遅くとも上部電極１６を形成する前に、図２における左側面に第１導電部である第１の配線パターン２１が直接形成される。これらの配線パターン２１，２２は、少なくとも基板１０の上面と同等の位置まで形成されていて、図２に示す例においては、さらに基板１０の下面と同等の位置まで形成されている。
【００３６】
下部電極１２は、空隙１４に対応する領域を覆うように形成され、図２に示す例においては、空隙１４に対応する領域から右に延出されて第２の配線パターン２２に接続されている。
【００３７】
第２絶縁層１３は、下部電極１２の上面全体と、下部電極１２から露呈する第１絶縁層１１の上面と、を覆うように形成される。
【００３８】
第２絶縁層１３の上面には、例えば、空隙１４と同一形状の犠牲層がまず形成され、その後に第３絶縁層１５を形成して、第３絶縁層１５を形成した後に犠牲層を取り除くことにより、空隙１４が形成される。この空隙１４が、上述した振動単位となるＭＵＴセル３ｂに一対一に対応する。
【００３９】
第３絶縁層１５は、上述したように空隙１４を挟みながら、第２絶縁層１３の上面全体を覆うように形成される。
【００４０】
上部電極１６は、下部電極１２と同様に、空隙１４に対応する領域を覆うように形成され、空隙１４を挟んで下部電極１２に対向している。そして、上部電極１６は、図２に示す例においては、空隙１４に対応する領域から左に延出されて第１の配線パターン２１に接続されている。
【００４１】
保護膜１７は、上部電極１６の上面全体と、上部電極１６から露呈する第３絶縁層１５の上面と、を覆うように形成される。
【００４２】
上述したような基板１０から保護膜１７の各層が、図１に示した超音波振動部３に含まれる。
【００４３】
一方、図１に示したハウジング部２は、バッキング材２３とハウジング２４とを含んでいる。
【００４４】
すなわち、空隙１４が設けられた領域に対応する基板１０の下面側には、不要な振動を吸収するためのバッキング材２３が配置される。
【００４５】
さらに、このバッキング材２３を保持するために、バッキング材２３の外周を囲むようにハウジング２４が設けられる。従って、ハウジング２４が配置されている部分は、空隙１４が設けられている領域を取り囲む領域（従って、空隙１４が設けられていない領域）の、基板１０を挟んだ反対側部分となる。
【００４６】
なお、実際の製造工程としては、先にハウジング２４を配置して、その後にハウジング２４内にバッキング材２３を充填する等であっても構わない。
【００４７】
上述したように、超音波振動部３にハウジング部２が配置された超音波トランスデューサ１に対して、配線が行われる。
【００４８】
すなわち、上部電極駆動配線３１は、絶縁外皮３１ａが設けられていない先端部が、第１の配線パターン２１の図２に示す側面に対して、例えば半田等を用いて電気的に接続され固定される。
【００４９】
同様に、下部電極駆動配線３２は、絶縁外皮３２ａが設けられていない先端部が、第２の配線パターン２２の図２に示す側面に対して、例えば半田等を用いて電気的に接続され固定される。
【００５０】
また、上部電極駆動配線３１の絶縁外皮３１ａにより被覆された部分、および下部電極駆動配線３２の絶縁外皮３２ａにより被覆された部分は、ハウジング２４の側面に対して固定される。
【００５１】
そして、第１の配線パターン２１、第１の配線パターン２１の側面に電気的に接続された上部電極駆動配線３１、第２の配線パターン２２、および第２の配線パターン２２の側面に電気的に接続された下部電極駆動配線３２（あるいはさらにハウジング２４の側面）を絶縁性をもって被覆する配線保護材３３が、非導電性素材によりさらに形成される。
【００５２】
このような超音波トランスデューサ１は、例えば、次のような動作を概略行う。
【００５３】
上部電極駆動配線３１および下部電極駆動配線３２を介して、上部電極１６と下部電極１２との間にバイアス電圧を印加し、空隙１４上の第３絶縁層１５、上部電極１６、および保護膜１７で構成されるメンブレンにテンションを与える。
【００５４】
この状態で、下部電極１２と上部電極１６とに駆動信号を供給すると、上述したメンブレンが振動して超音波が送信される。
【００５５】
また、下部電極１２と上部電極１６との間にバイアス電圧が印加された状態で超音波を受信すると、このメンブレンが振動して下部電極１２と上部電極１６との間の距離が変化し、電極間の電圧が変化して電気信号として検出される。
【００５６】
なお、超音波トランスデューサ１として、図２には空隙１４を備えた静電容量型超音波振動子（Ｃ−ＭＵＴ）を示したが、これに代えて、図３に示すような圧電型超音波振動子（Ｐ−ＭＵＴ（Piezoelectric Micromachined Ultrasonic Transducer））であっても構わない。ここに図３は、Ｐ−ＭＵＴとして構成した場合の図１のＡ−Ａ断面図である。
【００５７】
図３に示すＰ−ＭＵＴは、図２に示したＣ−ＭＵＴにおける空隙１４に代えて、圧電素子１４ｐ（この圧電素子１４ｐは、ピエゾ素子ともいう）を配置したものとなっている。
【００５８】
このようなＣ−ＭＵＴに対しても、上述したＰ−ＭＵＴと同様の配線構造をとることが可能である。
【００５９】
このような実施形態１によれば、基板１０の両側面にそれぞれ配線パターン２１，２２を直接設けて、上部電極１６と下部電極１２とをそれぞれ接続するとともに、この配線パターン２１，２２に対して、上部電極駆動配線３１と下部電極駆動配線３２とをそれぞれ接続しているために、基板１０の上面側において配線を行う必要がなくなる。その結果、配線が保護膜１７よりも上方へ突出することがなくなるために、被検体への接触性を確保して、超音波を被検体に対して高い効率で送受信することができる。
【００６０】
また、空隙１４（または圧電素子１４ｐ）が設けられた領域に対応する基板１０の下面側には、バッキング材２３がもれなく配置されているために、不要な振動を十分に吸収することができる。さらに、ハウジング２４もバッキング材２３の外周を囲むように設けられているために、バッキング材２３の形状が安定する。こうして、音響特性を損なうことなく、超音波トランスデューサ１本来の分解能を確保することができる。
【００６１】
そして、例えば超音波振動部３に配線を行ってからハウジング部２と連結する場合は、超音波振動部３への配線接続を損なうことなく作業を行う必要があるために、連結作業が極めて困難である。一方、ハウジング部２に対して配線を固定してから超音波振動部３を連結する場合には、フレキシブルプリント基板などの配線接続部をハウジング部２の基板１０に対向する端部で微細に折り曲げて、かつ電極面が導通するように固定する必要があり、同様に困難な作業を要する。これに対して本実施形態によれば、超音波振動部３とハウジング部２とが連結された超音波トランスデューサ１に対して配線を行うことができるために、組み立て性が向上する利点がある。
［実施形態２］
【００６２】
図４から図６は本発明の実施形態２を示したものであり、図４はスルーホールビア付きの基板上にＣ−ＭＵＴを構成した様子を示す断面図、図５はＣ−ＭＵＴを構成した基板をスルーホールビアの部分で切断する様子を示す断面図、図６はスルーホールビアの部分で切断された基板に配線を行った様子を示す断面図である。
【００６３】
この実施形態２において、上述の実施形態１と同様である部分については同一の符号を付して説明を省略し、主として異なる点についてのみ説明する。
【００６４】
なお、本実施形態においてもＣ−ＭＵＴを例に挙げて説明するが、Ｐ−ＭＵＴであっても構わないことは上述した実施形態１と同様である。
【００６５】
本実施形態では、基板１０として、図４に示すように、スルーホールビア４１，４２，４３が適宜の間隔で設けられた基板１０を用いている。ここに、各スルーホールビア４１，４２，４３は、基板１０の厚み方向に貫通して設けられたビア（すなわち、基板１０の上面に少なくとも露出するビア）である。そして、図４の断面図において、基板１０の左側部に設けられているのがスルーホールビア４１、右側部に設けられているのがスルーホールビア４２、中央部に２つ設けられているのがスルーホールビア４３となっている。各スルーホールビア４１，４２，４３の内、スルーホールビア４３は空隙１４（または圧電素子１４ｐ）が設けられた領域に対応する位置に設けられているが、スルーホールビア４１，４２は空隙１４（または圧電素子１４ｐ）が設けられていない領域に対応する位置に設けられたものとなっている。
【００６６】
基板１０の上面に第１絶縁層１１〜保護膜１７が順次積層されて、振動子部が形成されるのは、上述した実施形態１と同様である。ただし、上部電極１６はスルーホールビア４１と、下部電極１２はスルーホールビア４２と、それぞれ電気的に接続されるように形成される。
【００６７】
図４に示したように振動子部が形成された基板１０は、次に、スルーホールビア４１およびスルーホールビア４２を露出させるように、基板１０の厚み方向に切断される。こうして露出したスルーホールビア４１が第１導電部、スルーホールビア４２が第２導電部となる。
【００６８】
ただし、スルーホールビア４１，４２を切断することなく基板１０のみを切断することは難しいために、実用的には、図５の矢印Ｂで示す位置において、スルーホールビア４１，４２を含むように基板１０を切断することになる。
【００６９】
続いて、図６に示すように、基板１０にバッキング材２３およびハウジング２４を取り付けてから、上部電極駆動配線３１が第１導電部であるスルーホールビア４１の切断面に電気的に接続されて固定され、下部電極駆動配線３２が第２導電部であるスルーホールビア４２の切断面に電気的に接続されて固定される。
【００７０】
その後、配線保護材３３により配線接続部分を被覆するのは、上述した実施形態１と同様である。
【００７１】
このような実施形態２によれば、スルーホールビアが設けられている基板１０を用いて、空隙１４（または圧電素子１４ｐ）が設けられていない領域に対応する位置に配設されたスルーホールビア４１，４２を第１導電部および第２導電部として利用することによっても、上述した実施形態１とほぼ同様の効果を奏することができる。
［実施形態３］
【００７２】
図７から図９は本発明の実施形態３を示したものであり、図７はブラインドビア付きの基板上にＣ−ＭＵＴを構成した様子を示す断面図、図８はＣ−ＭＵＴを構成した基板をブラインドビアの部分で切断する様子を示す断面図、図９はブラインドビアの部分で切断された基板に配線を行った様子を示す断面図である。
【００７３】
この実施形態３において、上述の実施形態１，２と同様である部分については同一の符号を付して説明を省略し、主として異なる点についてのみ説明する。
【００７４】
なお、本実施形態においてもＣ−ＭＵＴを例に挙げて説明するが、Ｐ−ＭＵＴであっても構わないことは上述した実施形態１，２と同様である。
【００７５】
上述した実施形態２は、スルーホールビアを利用して第１導電部および第２導電部を形成したが、本実施形態は、ブラインドビアを利用して第１導電部および第２導電部を形成するものとなっている。
【００７６】
すなわち本実施形態の基板１０は、上側に第１の基板１０Ａを、下側に第２の基板１０Ｂを、積層したものとなっている。
【００７７】
第１の基板１０Ａにはビア４１Ａ，４２Ａが設けられているが、第２の基板１０Ｂにはビアは設けられていない。従って、ビア４１Ａ，４２Ａは、基板１０全体（第１の基板１０Ａおよび第２の基板１０Ｂの全体）から見るとブラインドビアとなっていて、基板１０の上面（振動子部が形成された側の面）に露出するが、下面（ハウジング２４側の面）には露出しない。
【００７８】
基板１０の上面（すなわち、第１の基板１０Ａの上面）に第１絶縁層１１〜保護膜１７が順次積層されて、振動子部が形成されるのは、上述した実施形態１，２と同様である。ただし、上部電極１６はブラインドビア４１Ａと、下部電極１２はブラインドビア４２Ａと、それぞれ電気的に接続されるように形成される。
【００７９】
また、ブラインドビア４１Ａ，４２Ａが、空隙１４（または圧電素子１４ｐ）が設けられていない領域に対応する位置に設けられているのは、実施形態２のスルーホールビア４１，４２と同様である。
【００８０】
そして、図７に示すように振動子部が形成された基板１０が、ブラインドビア４１Ａおよびブラインドビア４２Ａを露出させるように、より実用的には、図８の矢印Ｃで示す位置においてブラインドビア４１Ａ，４２Ａを含むように、厚み方向に切断されることになる。こうして露出したブラインドビア４１Ａが第１導電部、ブラインドビア４２Ａが第２導電部となる。
【００８１】
続いて、図９に示すように、基板１０にバッキング材２３およびハウジング２４を取り付けてから、上部電極駆動配線３１が第１導電部であるブラインドビア４１Ａの切断面に電気的に接続されて固定され、下部電極駆動配線３２が第２導電部であるブラインドビア４２Ａの切断面に電気的に接続されて固定される。
【００８２】
その後、配線保護材３３により配線接続部分を被覆するのは、上述した実施形態１，２と同様である。
【００８３】
このような実施形態３によれば、ブラインドビア４１Ａ，４２Ａが設けられた基板１０を用いることによっても、スルーホールビア４１，４２が設けられた基板１０を用いた実施形態２とほぼ同様の効果を奏することができる。
【００８４】
なお、本発明は上述した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化することができる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成することができる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除しても良い。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせても良い。このように、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々の変形や応用が可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００８５】
１…超音波トランスデューサ
２…ハウジング部
３…超音波振動部
３ａ…ＭＵＴエレメント
３ｂ…ＭＵＴセル
１０…基板
１０Ａ…第１の基板
１０Ｂ…第２の基板
１１…第１絶縁層（振動子部）
１２…下部電極（振動子部）
１３…第２絶縁層（振動子部）
１４…空隙（振動子部）
１４ｐ…圧電素子（振動子部）
１５…第３絶縁層（振動子部）
１６…上部電極（振動子部）
１７…保護膜（振動子部）
２１…配線パターン（第１導電部）
２２…配線パターン（第２導電部）
２３…バッキング材
２４…ハウジング
３１…上部電極駆動配線
３１ａ…絶縁外皮
３２…下部電極駆動配線
３２ａ…絶縁外皮
３３…配線保護材
４１…スルーホールビア（第１導電部）
４２…スルーホールビア（第２導電部）
４３…スルーホールビア
４１Ａ…ブラインドビア（第１導電部）
４２Ａ…ブラインドビア（第２導電部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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