(57)【要約】      （修正有）【課題】素子を効率良く製造する素子製造方法および素子製造装置を提供する。【解決手段】はじめに、基材と、基材の法線方向に延びる突起部と、を含む中間製品５０を準備する。次に、真空環境に調整された積層室２０ａにおいて、中間製品５０に、突起部の側から蓋材２５を連続的に積層して積層体５１を形成する。その後、積層体５１を、積層室２０ａから、真空環境における圧力よりも高い第１圧力に調整された第１圧力室２１ａへ搬送する。次に、積層体５１を、第１圧力室２１ａから、真空環境に調整された分離室２２ａへ搬送し、積層体５１を中間製品５０および蓋材２５に分離する。ここで、積層体５１が搬送される方向に直交する面によって積層体５１を仮想的に切断した場合の積層体５１の断面において、中間製品５０と蓋材２５との間の空間は周囲から密閉されている素子製造方法。【選択図】図５
2014209481.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的に延びる基材上に素子を形成するための素子製造方法であって、
前記基材と、前記基材の法線方向に延びる突起部と、を含む中間製品を準備する工程と、
真空環境に調整された積層室において、前記中間製品に、前記突起部の側から蓋材を連続的に積層して積層体を形成する積層工程と、
前記積層体を、前記積層室から、前記積層室に連結され、真空環境における圧力よりも高い第１圧力に調整された第１圧力室へ搬送する工程と、
前記積層体を、前記第１圧力室から、前記第１圧力室に連結され、真空環境に調整された分離室へ搬送する工程と、
前記分離室において、前記積層体を前記中間製品および前記蓋材に分離する分離工程と、を備え、
前記積層体が搬送される方向に直交する面によって前記積層体を仮想的に切断した場合の積層体の断面において、前記中間製品と前記蓋材との間の空間が周囲から密閉されている、素子製造方法。
【請求項２】
前記積層体は、前記突起部とは反対の側から前記中間製品に対して連続的に積層された支持材をさらに含み、
前記積層体が搬送される方向に直交する面によって前記積層体を仮想的に切断した場合の積層体の断面において、前記蓋材と前記支持材とが接着されている、請求項１に記載の素子製造方法。
【請求項３】
前記素子は、前記基材と、前記基材上に設けられた複数の第１電極と、前記第１電極間に設けられた補助電極および前記突起部と、前記第１電極上に設けられた有機半導体層と、前記有機半導体層上および前記補助電極上に設けられた第２電極と、を含み、
前記中間製品は、前記基材と、前記基材上に設けられた複数の前記第１電極と、前記第１電極間に設けられた前記補助電極および前記突起部と、前記第１電極上および前記補助電極上に設けられた前記有機半導体層と、を含み、
前記素子製造方法は、前記第１圧力室において、前記補助電極上に設けられた前記有機半導体層を除去する除去工程を備える、請求項１または２に記載の素子製造方法。
【請求項４】
前記補助電極は、前記突起部によって部分的に覆われており、
前記除去工程は、前記突起部に隣接して配置された前記補助電極上の前記有機半導体層に光を照射する工程を含む、請求項３に記載の素子製造方法。
【請求項５】
前記突起部は、前記補助電極によって少なくとも部分的に覆われており、
前記除去工程において、前記突起部上に位置する前記補助電極上の前記有機半導体層が除去される、請求項３に記載の素子製造方法。
【請求項６】
前記中間製品は、前記基材と、前記基材上に設けられた前記突起部および被露光層を含み、
前記素子製造方法は、前記第１圧力室において、前記被露光層に露光光を照射する露光工程を備える、請求項１または２に記載の素子製造方法。
【請求項７】
前記蓋材のうち前記中間製品と向かい合う面には蒸着用材料が設けられており、
前記素子製造方法は、前記第１圧力室において、前記蒸着用材料に向けて光を照射して前記蒸着用材料を前記基材上に蒸着させる工程を備える、請求項１または２に記載の素子製造方法。
【請求項８】
連続的に延びる基材上に素子を形成するための素子製造装置であって、
前記基材および前記基材の法線方向に延びる突起部を含む中間製品に、前記突起部の側から蓋材を連続的に積層して積層体を形成する積層機構と、
前記積層室に連結され、真空環境における圧力よりも高い第１圧力に調整され、かつ前記積層室から搬送される前記積層体を受け入れる第１圧力室を含む圧力印加機構と、
前記第１圧力室に連結され、真空環境に調整され、かつ第１圧力室から搬送される前記積層体を受け入れる分離室において、前記積層体を前記中間製品および前記蓋材に分離する分離機構と、を備え、
前記積層体が搬送される方向に直交する面によって前記積層体を仮想的に切断した場合の積層体の断面において、前記中間製品と前記蓋材との間の空間が周囲から密閉されている、素子製造装置。
【請求項９】
前記積層体は、前記突起部とは反対の側から前記中間製品に対して連続的に積層された支持材をさらに含み、
前記積層体が搬送される方向に直交する面によって前記積層体を仮想的に切断した場合の積層体の断面において、前記蓋材と前記支持材とが接着されている、請求項８に記載の素子製造装置。
【請求項１０】
前記素子は、前記基材と、前記基材上に設けられた複数の第１電極と、前記第１電極間に設けられた補助電極および前記突起部と、前記第１電極上に設けられた有機半導体層と、前記有機半導体層上および前記補助電極上に設けられた第２電極と、を含み、
前記中間製品は、前記基材と、前記基材上に設けられた複数の前記第１電極と、前記第１電極間に設けられた前記補助電極および前記突起部と、前記第１電極上および前記補助電極上に設けられた前記有機半導体層と、を含み、
前記素子製造装置は、前記第１圧力室において、前記補助電極上に設けられた前記有機半導体層を除去する除去機構を備える、請求項８または９に記載の素子製造装置。
【請求項１１】
前記補助電極は、前記突起部によって部分的に覆われており、
前記除去機構は、前記突起部に隣接して配置された前記補助電極上の前記有機半導体層に光を照射する光照射部を有する、請求項１０に記載の素子製造装置。
【請求項１２】
前記突起部は、前記補助電極によって少なくとも部分的に覆われており、
前記除去機構は、前記突起部上に位置する前記補助電極上の前記有機半導体層を除去するよう構成されている、請求項１０に記載の素子製造装置。
【請求項１３】
前記中間製品は、前記基材と、前記基材上に設けられた前記突起部および被露光層を含み、
前記素子製造装置は、前記第１圧力室において、前記被露光層に露光光を照射する露光機構を備える、請求項８または９に記載の素子製造装置。
【請求項１４】
前記蓋材のうち前記中間製品と向かい合う面には蒸着用材料が設けられており、
前記素子製造装置は、前記第１圧力室において、前記蒸着用材料に向けて光を照射して前記蒸着用材料を前記基材上に蒸着させる蒸着機構を備える、請求項８または９に記載の素子製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、連続的に延びる基材上に素子を形成するための素子製造方法および素子製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機半導体素子や無機半導体素子などの素子を製造する工程は、素子中に不純物が混入することを防ぐため、主に真空環境下で実施される。例えば、基材上にカソード電極、アノード電極や半導体層を形成するための方法として、スパッタ法や蒸着法などの、真空環境下で実施される成膜技術が用いられている。真空環境は、真空ポンプなどを用いて、所定の時間をかけて素子製造装置の内部を脱気することによって実現される。
【０００３】
ところで素子の製造工程においては、成膜工程以外にも様々な工程が実施される。その中には、従来は大気圧下で実施されている工程も存在している。一方、真空環境を実現するためには、上述のように所定の時間を要する。従って、素子の製造工程が、真空環境下で実施される成膜工程に加えて、大気圧下で実施される工程をさらに含む場合、素子を素子製造装置の外部に一旦取り出すために、素子製造装置の内部の環境を大気に置換したり、素子製造装置の内部を脱気したりすることに要する時間がかさむことになる。このような時間が発生することを回避するため、素子の製造工程のうち可能な限り多くの工程が、素子製造装置の内部で実施されることが望ましい。これによって、１つの素子を得るために要する時間やコストを低減することができる。
【０００４】
成膜工程以外の工程の例としては、例えば特許文献１に記載されているような、補助電極上に位置する有機半導体層を除去する除去工程を挙げることができる。補助電極とは、有機半導体層の上に設けられる電極が薄膜状の共通電極である場合に、共通電極で発生する電圧降下が場所に応じて異なることを抑制するために設けられるものである。すなわち、共通電極を補助電極に様々な場所で接続させることにより、共通電極における電圧降下を低減することができる。一方、有機半導体層は一般に基材の全域にわたって設けられるため、共通電極を補助電極に接続するためには、補助電極上の有機半導体層を除去する上述の除去工程を実施する必要がある。
【０００５】
補助電極上の有機半導体層を除去する方法として、有機半導体層にレーザ光などの光を照射する方法が知られている。この場合、アブレーションによって、有機半導体層を構成する有機半導体材料が飛散するため、飛散した有機半導体材料による汚染を防ぐよう、基材を何らかの部材で覆って密閉しておくことが好ましい。例えば特許文献１においては、はじめに、真空環境下で対向基材を基材に重ね合わせて重ね合わせ基材を構成し、次に、対向基材と基材との間の空間を真空雰囲気に維持した状態で重ね合わせ基材を大気中に取り出し、その後、有機半導体層にレーザ光を照射する方法が提案されている。この場合、真空雰囲気と大気との間の差圧に基づいて、対向基材を基材に対して強固に密着させることができ、これによって、飛散した有機半導体材料による汚染を確実に防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４３４０９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載のように素子の製造工程の一部が大気中で実施される場合、すなわち素子製造装置の外部で実施される場合、上述のように、素子製造装置の内部の環境を大気に置換したり、素子製造装置の内部を脱気したりすることに要する時間がかさむことになる。この点を考慮すると、差圧を利用して基材を密閉する工程は、素子製造装置の内部で実施されることが好ましい。しかしながら、従来、素子製造装置の内部で差圧を利用して基材を密閉する方法は提案されてこなかった。
【０００８】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、素子製造装置の内部で差圧を利用して基材密閉することによって有機半導体素子などの素子を効率良く製造する素子製造方法および素子製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、連続的に延びる基材上に素子を形成するための素子製造方法であって、前記基材と、前記基材の法線方向に延びる突起部と、を含む中間製品を準備する工程と、真空環境に調整された積層室において、前記中間製品に、前記突起部の側から蓋材を連続的に積層して積層体を形成する積層工程と、前記積層体を、前記積層室から、前記積層室に連結され、真空環境における圧力よりも高い第１圧力に調整された第１圧力室へ搬送する工程と、前記積層体を、前記第１圧力室から、前記第１圧力室に連結され、真空環境に調整された分離室へ搬送する工程と、前記分離室において、前記積層体を前記中間製品および前記蓋材に分離する分離工程と、を備え、前記積層体が搬送される方向に直交する面によって前記積層体を仮想的に切断した場合の積層体の断面において、前記中間製品と前記蓋材との間の空間が周囲から密閉されている、素子製造方法である。
【００１０】
また本発明は、連続的に延びる基材上に素子を形成するための素子製造装置であって、前記基材および前記基材の法線方向に延びる突起部を含む中間製品に、前記突起部の側から蓋材を連続的に積層して積層体を形成する積層機構と、前記積層室に連結され、真空環境における圧力よりも高い第１圧力に調整され、かつ前記積層室から搬送される前記積層体を受け入れる第１圧力室を含む圧力印加機構と、前記第１圧力室に連結され、真空環境に調整され、かつ第１圧力室から搬送される前記積層体を受け入れる分離室において、前記積層体を前記中間製品および前記蓋材に分離する分離機構と、を備え、前記積層体が搬送される方向に直交する面によって前記積層体を仮想的に切断した場合の積層体の断面において、前記中間製品と前記蓋材との間の空間が周囲から密閉されている、素子製造装置である。
【００１１】
本発明において、前記積層体は、前記突起部とは反対の側から前記中間製品に対して連続的に積層された支持材をさらに含んでいてもよい。この場合、前記積層体が搬送される方向に直交する面によって前記積層体を仮想的に切断した場合の積層体の断面において、前記蓋材と前記支持材とが接着されていてもよい。
【００１２】
本発明において、前記素子は、前記基材と、前記基材上に設けられた複数の第１電極と、前記第１電極間に設けられた補助電極および前記突起部と、前記第１電極上に設けられた有機半導体層と、前記有機半導体層上および前記補助電極上に設けられた第２電極と、を含み、前記中間製品は、前記基材と、前記基材上に設けられた複数の前記第１電極と、前記第１電極間に設けられた前記補助電極および前記突起部と、前記第１電極上および前記補助電極上に設けられた前記有機半導体層と、を含んでいてもよい。この場合、本発明による素子製造方法は、前記第１圧力室において、前記補助電極上に設けられた前記有機半導体層を除去する除去工程を備えていてもよい。また、本発明による素子製造装置は、前記第１圧力室において、前記補助電極上に設けられた前記有機半導体層を除去する除去機構を備えていてもよい。
【００１３】
本発明において、前記補助電極は、前記突起部によって部分的に覆われていてもよい。この場合、本発明による素子製造方法の前記除去工程は、前記突起部に隣接して配置された前記補助電極上の前記有機半導体層に光を照射する工程を含んでいてもよい。また、本発明による素子製造装置の前記除去機構は、前記突起部に隣接して配置された前記補助電極上の前記有機半導体層に光を照射する光照射部を有していてもよい。
【００１４】
本発明において、前記突起部は、前記補助電極によって少なくとも部分的に覆われていてもよい。この場合、本発明による素子製造方法の前記除去工程において、前記突起部上に位置する前記補助電極上の前記有機半導体層が除去されてもよい。また、本発明による素子製造装置の前記除去機構は、前記突起部上に位置する前記補助電極上の前記有機半導体層を除去するよう構成されていてもよい。
【００１５】
本発明において、前記中間製品は、前記基材と、前記基材上に設けられた前記突起部および被露光層を含んでいてもよい。この場合、本発明による素子製造方法は、前記第１圧力室において、前記被露光層に露光光を照射する露光工程を備えていてもよい。また、本発明による素子製造装置は、前記第１圧力室において、前記被露光層に露光光を照射する露光機構を備えていてもよい。
【００１６】
本発明おいて、前記蓋材のうち前記中間製品と向かい合う面には蒸着用材料が設けられていてもよい。この場合、本発明による素子製造方法は、前記第１圧力室において、前記蒸着用材料に光を照射して前記蒸着用材料を前記基材上に蒸着させる工程を備えていてもよい。また、本発明による素子製造装置は、前記第１圧力室において、前記蒸着用材料に向けて光を照射して前記蒸着用材料を前記基材上に蒸着させる蒸着機構を備えていてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、素子製造装置の内部で差圧を利用して基材を蓋材で密閉することによって、有機半導体素子などの素子を効率良く製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における有機半導体素子を示す縦断面図。
【図２Ａ】図２Ａは、図１に示す有機半導体素子の補助電極、突起部および有機半導体層のレイアウトの一例を示す平面図。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図１に示す有機半導体素子の補助電極、突起部および有機半導体層のレイアウトのその他の例を示す平面図。
【図３】図３は、本発明の実施の形態における素子製造装置を示す図。
【図４】図４（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態における素子製造方法を示す図。
【図５】図５は、図３に示す素子製造装置の中間製品処理装置を示す図。
【図６】図６は、図５に示す積層体を示す断面図。
【図７】図７は、図３に示す素子製造装置の中間製品処理装置の変形例を示す図。
【図８】図８は、図７に示す積層体を示す断面図。
【図９】図９（ａ）〜（ｇ）は、本発明の実施の形態の変形例において、補助電極上の有機半導体層を除去する方法を示す図。
【図１０】図１０は、中間製品処理装置が、被露光層を露光する露光装置として構成される例を示す図。
【図１１】図１１は、図１０に示す露光装置によって実施される露光工程を示す図。
【図１２】図１２は、中間製品処理装置が、蒸着用材料を基材上に蒸着させる蒸着装置として構成される例を示す図。
【図１３】図１３は、図１２に示す蒸着装置によって実施される蒸着工程を示す図。
【図１４】図１４は、ゲートバルブの一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図１乃至図６を参照して、本発明の実施の形態について説明する。まず図１により、本実施の形態における有機半導体素子４０の層構成について説明する。ここでは有機半導体素子４０の一例として、トップエミッションタイプの有機ＥＬ素子について説明する。
【００２０】
有機半導体素子
図１に示すように有機半導体素子４０は、基材４１と、基材４１上に設けられた複数の第１電極４２と、第１電極４２間に設けられた補助電極４３および突起部４４と、第１電極４２上に設けられた有機半導体層４５と、有機半導体層４５上および補助電極４３上に設けられた第２電極４６と、を備えている。
【００２１】
有機半導体層４５は、有機化合物中における電子と正孔の再結合によって発光する発光層を少なくとも含んでいる。また有機半導体層４５は、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層または電子注入層など、有機ＥＬ素子において一般に設けられる様々な層をさらに含んでいてもよい。有機半導体層の構成要素としては公知のものを用いることができ、例えば特開２０１１−９４９８号公報に記載のものを用いることができる。
【００２２】
第１電極４２は、有機半導体層４５の各々に対応して設けられている。第１電極４２は、有機半導体層４５で発生した光を反射させる反射電極としても機能するものである。第１電極４２を構成する材料としては、アルミニウム、クロム、チタン、鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン、銅、タンタル、タングステン、白金、金、銀などの金属元素の単体またはこれらの合金を挙げることができる。
【００２３】
第２電極４６は、複数の有機半導体層４５に対する共通電極として機能するものである。また第２電極４６は、有機半導体層４５で発生した光を透過させるよう構成されている。第２電極４６を構成する材料としては、光を透過させることができる程度に薄くされた金属膜や、ＩＴＯなどの酸化物導電性材料を用いることができる。
【００２４】
補助電極４３は、電源（図示せず）から個々の有機半導体層までの距離の差に起因して電圧降下のばらつきが生じないようにし、これにより、有機ＥＬ素子を用いた表示装置の輝度のばらつきを抑制するためのものである。図１に示すように、各補助電極４３は第２電極４６に接続されている。補助電極４３を構成する材料としては、第１電極４２と同様の金属元素の単体または合金を挙げることができる。補助電極４３は、第１電極４２と同一の材料から構成されていてもよく、若しくは、第１電極４２とは異なる材料から構成されていてもよい。
【００２５】
突起部４４は、絶縁性を有する材料から構成されるものである。図１に示す例において、突起部４４は、第１電極４２と補助電極４３との間に設けられている。このような突起部４４を設けることにより、第１電極４２と補助電極４３および第２電極４６との間の絶縁性を確保することができる。また、突起部４４の間に設けられる有機半導体層４５の形状を適切に定めることができる。突起部４４を構成する材料としては、ポリイミドなどの有機材料や、酸化シリコンなどの無機絶縁性材料を用いることができる。また突起部４４は、基材４１の法線方向に沿って延びるよう構成されており、このため後述する蓋材を基材４１に密着させる際に、蓋材と基材４１との間に空間を確保するためのスペーサーとして機能することもできる。
【００２６】
図１に示すように、有機半導体層４５および第２電極４６は、第１電極４２上だけでなく突起部４４上にも連続して設けられていてもよい。なお、有機半導体層４５のうち電流が流れて発光するのは、第１電極４２と第２電極４６とによって上下に挟まれている部分であり、突起部４４上に位置する有機半導体層４５では発光が生じない。後述する図２Ａおよび図２Ｂにおいては、有機半導体層４５のうち発光が生じる部分のみが示されている。
【００２７】
次に、基材４１の法線方向から見た場合の有機半導体素子４０の構造について説明する。特に、有機半導体素子４０の補助電極４３、突起部４４および有機半導体層４５のレイアウトについて説明する。図２Ａは、補助電極４３、突起部４４および有機半導体層４５のレイアウトの一例を示す平面図である。図２Ａに示すように、有機半導体層４５は、マトリクス状に順に配置され、各々が矩形形状を有する赤色有機半導体層４５Ｒ、緑色有機半導体層４５Ｇおよび青色有機半導体層４５Ｂを含んでいてもよい。この場合、隣り合う有機半導体層４５Ｒ，４５Ｇ，４５Ｂの組み合わせが１つの画素を構成している。
【００２８】
図２Ａに示すように、補助電極４３は、マトリクス状に配置された有機半導体層４５の間を延びるよう格子状に配置されている。このように補助電極４３を配置することにより、各有機半導体層４５に接続された第２電極４６における電圧降下に、場所に応じた差が生じることを抑制することができる。また図２Ａに示すように、突起部４４は、有機半導体層４５を側方から取り囲むよう、有機半導体層４５と補助電極４３との間に設けられている。すなわち、突起部４４は、有機半導体層４５の四辺に沿って連続して設けられている。これによって、補助電極４３上の有機半導体層４５を除去する工程において、飛散した有機半導体材料が第１電極４２上の有機半導体層４５に到達することを防ぐことができる。
【００２９】
なお電圧降下を適切に低減することができる限りにおいて、補助電極４３がその全域にわたって第２電極４６に接続される必要はない。すなわち、後述する除去工程において、補助電極４３上の有機半導体層４５の全てが除去される必要はない。従って図２Ｂに示すように、突起部４４は、有機半導体層４５の四辺のうちの任意の辺に沿って非連続的に設けられていてもよい。図２Ｂに示す例においても、突起部４４によって挟まれた位置にある補助電極４３上の有機半導体層４５を除去する工程において、飛散した有機半導体材料が第１電極４２上の有機半導体層４５に到達することを防ぐことができる。また、突起部４４によって挟まれた位置にある補助電極４３を第２電極４６に接続することにより、電圧降下を適切に抑制することができる。
【００３０】
次に、本実施の形態による有機半導体素子４０を基材４１上に形成するための素子製造装置１０および素子製造方法について説明する。有機半導体素子４０に不純物が混入されることを十分に防ぐことができる限りにおいて、素子製造方法が実施される環境は特には限られないが、例えば素子製造方法は部分的に真空環境の下で実施される。なお少なくとも大気圧よりも低圧の環境である限りにおいて、真空環境における具体的な圧力が特に限定されることはないが、例えば素子製造装置１０の内部の圧力は１．０×１０４Ｐａ以下になっている。
【００３１】
素子製造装置
図３は、素子製造装置１０を概略的に示す図である。図３に示すように、素子製造装置１０は、基材４１上に複数の第１電極４２を形成する第１電極形成装置１１と、第１電極４２間に補助電極４３を形成する補助電極形成装置１２と、第１電極４２と補助電極４３との間に突起部４４を形成する突起部形成装置１３と、第１電極４２、補助電極４３上および突起部４４上に有機半導体層４５を形成する有機半導体層形成装置１４と、を備えている。以下の説明において、各装置１１，１２，１３，１４を用いた工程によって得られるものを中間製品５０と称することもある。第１電極形成装置１１を経た後の中間製品５０は、基材４１と、基材４１上に形成された複数の第１電極４２と、を含むものである。補助電極形成装置１２を経た後の中間製品５０は、第１電極４２間に形成された補助電極４３をさらに含むものである。突起部形成装置１３を経た後の中間製品５０は、第１電極４２と補助電極４３との間に形成された突起部４４をさらに含むものである。有機半導体層形成装置１４を経た後の中間製品５０は、補助電極４３上および突起部４４上に形成された有機半導体層４５をさらに含むものである。また、後述する中間製品処理装置１５を経た後の中間製品５０においては、補助電極４３上に設けられた有機半導体層４５が除去されている。
【００３２】
素子製造装置１０は、後述する蓋材２５が基材４１に対して積層されている間に所定の処理を実施する中間製品処理装置１５をさらに備えている。本実施の形態においては、中間製品処理装置１５が、補助電極４３上に設けられた有機半導体層４５を除去する除去装置として構成されている例について説明する。本実施の形態において、中間製品処理装置１５は、積層機構２０，圧力印加機構２１，分離機構２２および除去機構３０を有している。各機構２０，２１，２２，３０の詳細については後述する。また素子製造装置１０は、補助電極４３上の有機半導体層４５が除去された後に補助電極４３上および有機半導体層４５上に第２電極４６を形成する第２電極形装置１６をさらに備えている。
【００３３】
図３に示すように、素子製造装置１０は、各装置１１〜１６間で基材４１や中間製品５０を搬送するために各装置１１〜１６に接続された搬送装置１７をさらに備えていてもよい。
【００３４】
なお図３は、機能的な観点から各装置を分類したものであり、物理的な形態が図３に示す例に限られることはない。例えば、図３に示す各装置１１〜１６のうちの複数の装置が、物理的には１つの装置によって構成されていてもよい。若しくは、図３に示す各装置１１〜１６のいずれかは、物理的には複数の装置によって構成されていてもよい。例えば後述するように、第１電極４２および補助電極４３は１つの工程において同時に形成されることがある。この場合、第１電極形成装置１１および補助電極形成装置１２は１つの装置として構成されていてもよい。
【００３５】
素子製造方法
以下、図４（ａ）〜（ｇ）を参照して、素子製造装置１０を用いて有機半導体素子４０を製造する方法について説明する。ここでは、連続的に延びる長尺状の基材４１上に有機半導体素子４０を形成する方法について説明する。はじめに、例えばスパッタリング法によって、第１電極４２および補助電極４３を構成する金属材料の層を基材４１上に形成し、次に、金属材料の層をエッチングによって成形する。これによって、図４（ａ）に示すように、上述の第１電極４２および補助電極４３を同時に基材４１上に形成することができる。なお、第１電極４２を形成する工程および補助電極４３を形成する工程は、別個に実施されてもよい。
【００３６】
次に、図４（ｂ）に示すように、例えばフォトリソグラフィー法によって、第１電極４２と補助電極４３との間に、第１電極４２および補助電極４３よりも上方まで基材４１の法線方向に沿って延びる複数の突起部４４を形成する。その後、蒸着法，ＣＶＤ法，印刷法，インクジェット法または転写法などの一般的な成膜方法によって、図４（ｃ）に示すように、第１電極４２上，補助電極４３上および突起部４４上に有機半導体層４５を形成する。このようにして、基材４１と、基材４１に設けられた複数の第１電極４２と、第１電極４２間に設けられた補助電極４３および突起部４４と、第１電極４２上、補助電極４３上および突起部４４上に設けられた有機半導体層４５と、を含む中間製品５０を得ることができる。なお本実施の形態においては、上述のように、第１電極４２および補助電極４３が突起部４４よりも先に基材４１上に形成される。このため、第１電極４２および補助電極４３は、突起部４４によって部分的に覆われている。
【００３７】
次に、蓋材２５を準備し、その後、図４（ｄ）に示すように、中間製品処理装置１５の積層機構２０を用いて蓋材２５を中間製品５０に密着させる。次に、蓋材２５が中間製品５０に密着している間に、図４（ｅ）に示すように、中間製品処理装置１５の除去機構３０を用いて、補助電極４３上に設けられた有機半導体層４５にレーザ光などの光Ｌ１を照射する。これによって、光Ｌ１のエネルギーが有機半導体層４５によって吸収され、この結果、補助電極４３上の有機半導体層４５を構成する有機半導体材料が飛散する。このようにして、補助電極４３上の有機半導体層４５を除去する除去工程を実施することができる。補助電極４３上から飛散した有機半導体材料は、例えば図４（ｅ）に示されているように蓋材２５に付着する。その後、後述するように、第１電極４２上の有機半導体層４５上、および補助電極４３上に第２電極４６を形成する。
【００３８】
以下、上述の図４（ｄ）（ｅ）を参照して説明した、蓋材２５が中間製品５０に積層されて密着されている間に補助電極４３上の有機半導体層４５を除去する方法について、図５および図６を参照してより詳細に説明する。
【００３９】
（積層工程）
はじめに、中間製品処理装置１５の積層機構２０を用いて中間製品５０に蓋材２５を積層して積層体５１を形成する積層工程を実施する。積層機構２０は、真空環境に調整された積層室２０ａにおいて、中間製品５０に突起部４４の側から蓋材２５を連続的に積層するよう構成されたものである。図５に示すように、積層室２０ａには、積層室２０ａを脱気して真空環境を実現する脱気手段２０ｂと、長尺状の中間製品５０を巻き出す巻出部５０ａと、長尺状の蓋材２５を巻き出す蓋材巻出部２０ｃと、中間製品５０および蓋材２５を挟持して蓋材２５を中間製品５０に積層する一対の積層ローラー２０ｅ，２０ｅと、が設けられている。なお図５に示すように、突起部４４とは反対の側から中間製品５０に対して、支持材巻出部２０ｄから巻き出された長尺状の支持材２６が連続的にさらに積層されてもよい。
【００４０】
図６は、積層体５１が搬送される方向に直交する面によって、すなわち図５の線VI−VIに沿って積層体５１を仮想的に切断した場合の積層体５１の断面を示す図である。図６に示すように、支持材２６のうち中間製品５０と向かい合う面には、接着性を有するシール層２７が設けられており、このシール層２７によって中間製品５０が支持材２６に対して接着されている。また図６に示すように、蓋材２５は、中間製品５０を覆うとともに、積層体５１の搬送方向に沿って延びる蓋材２５の両端部において、シール層２７を介して支持材２６に接着されている。これによって、中間製品５０と蓋材２５との間に、周囲から密閉された密閉空間２８を形成することができる。なお蓋材２５または支持材２６自体が粘着性を有する場合、シール層２７が設けられていなくてもよい。
【００４１】
（第１圧力印加工程）
次に、中間製品処理装置１５の圧力印加機構２１を用いて、真空環境における圧力よりも高い第１圧力を積層体５１に印加する第１圧力印加工程を実施する。圧力印加機構２１は、積層室２０ａに連結されるとともに第１圧力に調整された第１圧力室２１ａを含んでいる。第１圧力室２１ａには、例えば第１圧力室２１ａ内に不活性ガスを導入することによって第１圧力室２１ａの圧力を第１圧力に調整する第１圧力調整手段２１ｂが設けられている。
【００４２】
なお図５に示すように、第１圧力室２１ａは、真空環境における圧力よりも高く、かつ第１圧力よりも低い第２圧力に調整された第２圧力室２３ａを介して積層室２０ａに連結されていてもよい。図５に示すように、第２圧力室２３ａには、第２圧力室２３ａの圧力を第２圧力に調整する第２圧力調整手段２３ｂが設けられている。また図５に示すように、積層室２０ａと第２圧力室２３ａとの間には、積層室２０ａの内部雰囲気を第２圧力室２３ａの内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブ２９が設けられていてもよい。同様に、第２圧力室２３ａと第１圧力室２１ａとの間には、第２圧力室２３ａの内部雰囲気を第１圧力室２１ａの内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブ２９が設けられていてもよい。ゲートバルブ２９を設けることによって、積層室２０ａ、第１圧力室２１ａおよび第２圧力室２３ａの圧力をそれぞれ真空環境、第１圧力および第２圧力に安定に制御することができる。
ゲートバルブ２９は、隣り合う室の間で互いに内部雰囲気が遮蔽されるよう、適切に構成されている。例えば図１４に示すように、積層室２０ａと第２圧力室２３ａとの間に設けられるゲートバルブ２９は、積層室２０ａおよび第２圧力室２３ａの両方に跨るように配置された一対のローラー２９ａを有している。積層体５１は、一対のローラー２９ａ間のギャップを通って積層室２０ａから第２圧力室２３ａへ搬送される。なおローラー２９ａと積層室２０ａの外壁および第２圧力室２３ａの外壁との間には、ローラー２９ａの回転を可能にするための隙間２０ｓおよび隙間２３ｓが形成されていてもよい。この場合、ゲートバルブ２９は、隙間２０ｓ，２３ｓに接続された排気手段をさらに有していてもよい。これによって、外部の気体が隙間２０ｓ，２３ｓを介して室２０ａ，２３ａ内に流入してしまうことや、隙間２０ｓ，２３ｓを介して室２０ａ，２３ａ間で気体が移動してしまうことを抑制することができる。
【００４３】
第１圧力印加工程においては、はじめに、積層体５１を積層室２０ａから第２圧力室２３ａへ搬送する。第２圧力室２３ａにおいては、積層体５１に対して第２圧力が印加される。一方、図６に示すように、積層体５１は、搬送方向に直交する方向において密閉されている。また後述するように、積層体５１の分離が実施される分離室２２ａは、積層室２０ａと同様に真空環境に調整されている。この場合、積層体５１の内部の圧力、例えば中間製品５０と蓋材２５との間の圧力は、真空環境における圧力と同等になっている。このため第２圧力室２３ａにおいては、真空環境と第２圧力との間の差、すなわち差圧に基づいて、蓋材２５が中間製品５０に対して押圧されて密着されている。
次に、積層体５１を第２圧力室２３ａから第１圧力室２１ａへ搬送する。第１圧力室２１ａにおいては、積層体５１に対して第１圧力が印加される。上述のように、第１圧力は第２圧力よりも高くなっている。このため第１圧力室２１ａにおいては、第２圧力室２３ａにおいて生じていた差圧よりもさらに大きな差圧に基づいて、蓋材２５が中間製品５０に対して強固に密着している。
【００４４】
（除去工程）
次に、中間製品処理装置１５の除去機構３０を用いて、第１圧力室２１ａにおいて、中間製品５０の補助電極４３上に設けられた有機半導体層４５を除去する除去工程を実施する。除去機構３０は、蓋材２５を通してレーザ光などの光Ｌ１を補助電極４３上の有機半導体層４５に照射することにより、補助電極４３上の有機半導体層４５を除去するものである。除去機構３０は、図６に示すように、例えば、レーザ光を生成する光照射部３１を有している。なお蓋材２５を構成する材料としては、レーザ光などの光Ｌ１を透過させることができるよう、ＰＥＴ、ＣＯＰ，ＰＰ，ＰＥ，ＰＣ，ガラスフィルムなどの透光性を有する材料が用いられる。なお蓋材２５は、蓋材２５からガスが流入し、中間製品５０と蓋材２５との間の空間の機密性が低下してしまうことや、中間製品５０の構成要素が酸化などによって劣化してしまうことを防ぐため、所定のガスバリア性を備えていることが好ましい。例えば、蓋材２５の酸素透過度は、好ましくは１００ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下になっており、より好ましくは３０ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下になっており、さらに好ましくは１５ｃｃ／ｍ２・ｄａｙ以下になっている。
【００４５】
除去工程においては、はじめに、光照射部３１と対向するよう配置された支持ローラー３２ａに向けて、ガイドローラー３２ｂなどを用いて積層体５１を導く。次に、支持ローラー３２ａによって支持されている積層体５１に対して光Ｌ１を照射する。具体的には、図４（ｅ）および図６に示すように、突起部４４に隣接して配置された補助電極４３上の有機半導体層４５に光Ｌ１を照射する。これによって、素子製造装置１０の内部において、図４（ｅ）に示すように補助電極４３上の有機半導体層４５を除去することができる。
【００４６】
（分離工程）
その後、中間製品処理装置１５の分離機構２２を用いて積層体５１を中間製品５０、蓋材２５および支持材２６に分離する分離工程を実施する。分離機構２２は、第１圧力室２１ａに連結され、真空環境に調整された分離室２２ａにおいて、積層体５１を中間製品５０、蓋材２５および支持材２６に分離するよう構成されたものである。分離室２２ａには、分離室２２ａを脱気して真空環境を実現する脱気手段２２ｂと、中間製品５０から蓋材２５および支持材２６を分離する一対の分離ローラー２２ｅ，２２ｅと、中間製品５０を巻き取る巻取部５０ｂと、中間製品５０から分離された蓋材２５を巻き取る蓋材巻取部２２ｃと、中間製品５０から分離された支持材２６を巻き取る支持材巻取部２２ｄと、が設けられている。
【００４７】
なお図５に示すように、分離室２２ａは、真空環境における圧力よりも高く、かつ第１圧力よりも低い第３圧力に調整された第３圧力室２４ａを介して第１圧力室２１ａに連結されていてもよい。図５に示すように、第３圧力室２４ａには、第３圧力室２４ａの圧力を第３圧力に調整する第３圧力調整手段２３ｂが設けられている。また図５に示すように、分離室２２ａと第３圧力室２４ａとの間には、分離室２２ａの内部雰囲気を第３圧力室２４ａの内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブ２９が設けられていてもよい。同様に、第３圧力室２４ａと第１圧力室２１ａとの間には、第３圧力室２４ａの内部雰囲気を第１圧力室２１ａの内部雰囲気に対して遮蔽するためのゲートバルブ２９が設けられていてもよい。ゲートバルブ２９を設けることによって、分離室２２ａ、第１圧力室２１ａおよび第３圧力室２４ａの圧力をそれぞれ真空環境、第１圧力および第３圧力に安定に制御することができる。
【００４８】
分離工程においては、はじめに、積層体５１を第１圧力室２１ａから第３圧力室２４ａへ搬送する。第３圧力室２４ａにおいては、積層体５１に対して第３圧力が印加される。上述のように、第３圧力は第１圧力よりも低くなっている。このため第３圧力室２４ａにおいては、中間製品５０に対する蓋材２５の密着の程度が、第１圧力室２１ａの場合に比べて緩和される。
次に、積層体５１を第３圧力室２４ａから分離室２２ａへ搬送する。上述のように、積層体５１の内部の圧力、例えば中間製品５０と蓋材２５との間の圧力は、積層体５１が形成される場所の圧力、すなわち積層室２０ａの真空環境における圧力と同等になっている。また上述のように、分離室２２ａも真空環境に調整されている。従って、分離室２２ａにおいては、積層体５１の内部と積層体５１の周囲との間の差圧はほとんど生じていない。このため、分離室２２ａにおいて、蓋材２５および支持材２６を中間製品５０から容易に分離することができる。図４（ｆ）は、蓋材２５および支持材２６が分離された後の中間製品５０を示す図である。
【００４９】
その後、図４（ｇ）に示すように、第１電極４２上の有機半導体層４５上、および補助電極４３上に第２電極４６を形成する。このようにして、第２電極４６に接続された補助電極４３を備える有機半導体素子４０を得ることができる。
【００５０】
本実施の形態によれば、素子製造装置１０の内部に、真空環境における圧力よりも高い圧力に調整され、かつ、積層室２０ａから搬送される積層体５１を連続的に受け入れる第１圧力室２１ａを設けることにより、差圧を利用して蓋材２５を中間製品５０に対して強固に密着させることができる。このため、上述の除去工程などの、中間製品５０に対する様々な処理を、蓋材２５が中間製品５０に強固に密着した状態で実施することができる。これによって、既に形成されている有機半導体層４５や、中間製品５０の周囲の環境が汚染されてしまうことを抑制することができる。また本実施の形態によれば、ロール・トゥー・ロールで供給される基材４１上に連続的に有機半導体素子４０を形成することができる。このため、有機半導体素子４０を効率良く製造することができる。
【００５１】
また本実施の形態によれば、積層室２０ａと第１圧力室２１ａとの間に、真空環境における圧力よりも高く、かつ第１圧力よりも低い第２圧力に調整された第２圧力室２３ａが設けられている。このため、積層体５１に印加される圧力を、積層室２０ａの真空環境における圧力から第１圧力室２１ａの第１圧力へ段階的に上昇させることができる。このことにより、蓋材２５をより均一に中間製品５０へ密着させることができる。また、第１圧力室２１ａ内の気体が積層室２０ａ内に漏れ出てしまうことを抑制することができる。同様に本実施の形態によれば、第１圧力室２１ａと分離室２２ａとの間に、真空環境における圧力よりも高く、かつ第１圧力よりも低い第３圧力に調整された第３圧力室２４ａが設けられている。これによって、第１圧力室２１ａ内の気体が分離室２２ａ内に漏れ出てしまうことを抑制することができる。
なお図５においては、積層室２０ａと第１圧力室２１ａとの間に１つの圧力室が設けられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、積層室２０ａと第１圧力室２１ａとの間には、圧力が段階的に高められた複数の圧力室が設けられていてもよい。これによって、積層体５１に印加される圧力を、積層室２０ａの真空環境における圧力から第１圧力室２１ａの第１圧力へより細かい段階で上昇させることができる。積層室２０ａと分離室２２ａとの間の圧力室についても同様である。なお、真空環境における圧力と第１圧力との間の差が小さい場合や、積層室２０ａおよび分離室２２ａと第１圧力室２１ａとの間での気体の漏れが十分に防がれている場合などは、上述の第２圧力室２３ａおよび第３圧力室２４ａが設けられていなくてもよい。
【００５２】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。また、上述した実施の形態において得られる作用効果が変形例においても得られることが明らかである場合、その説明を省略することもある。
【００５３】
（積層体の層構成の変形例）
上述の本実施の形態において、積層体５１が、中間製品５０、蓋材２５および支持材２６を含み、蓋材２５と支持材２６とを接着することによって密閉空間２８が形成される例を示した。しかしながら、中間製品５０と蓋材２５との間に、周囲から密閉された密閉空間２８を形成することができる限りにおいて、積層体５１の具体的な層構成が限定されることはない。
【００５４】
例えば図８に示すように、積層体５１が搬送される方向に直交する面によって積層体５１を仮想的に切断した場合の積層体５１の断面において、蓋材２５と中間製品５０とが接着されていてもよい。この場合、図８に示すように、蓋材２５は、積層体５１の搬送方向に沿って延びる蓋材２５の両端部において、シール層２７を介して、中間製品５０の対応する部分、例えば中間製品５０の両端部に接着されている。これによって、中間製品５０と蓋材２５との間に、周囲から密閉された密閉空間２８を形成することができる。なお蓋材２５または中間製品５０の基材４１自体が粘着性を有する場合、シール層２７が設けられていなくてもよい。
【００５５】
図７は、図８に示す積層体５１を形成するために用いられる積層機構２０と、図８に示す積層体５１を中間製品５０と蓋材２５とに分離する分離機構２２と、を有する中間製品処理装置１５を示す図である。図７に示す中間製品処理装置１５は、支持材２６、支持材巻出部２０ｄおよび支持材巻取部２２ｄが設けられていない点を除いて、図５に示す中間製品処理装置１５と同一であるので、詳細な説明を省略する。
【００５６】
なお図８に示す積層体５１を中間製品５０と蓋材２５とに分離する際に、シール層２７が中間製品５０側に残る場合、その後の工程において、中間製品５０のうちシール層２７が設けられている部分を切断して除去してもよい。
【００５７】
（有機半導体素子の層構成の変形例）
また上述の本実施の形態において、第１電極４２および補助電極４３が突起部４４よりも先に基材４１上に形成される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、突起部４４を第１電極４２および補助電極４３よりも先に基材４１上に形成してもよい。このような場合であっても、上述した本実施の形態による密着工程や除去工程を利用することができる。以下、このような例について図９（ａ）〜（ｇ）を参照して説明する。
【００５８】
はじめに図９（ａ）に示すように、基材４１上に複数の突起部４４を形成する。次に、図９（ｂ）に示すように、突起部４４間に第１電極４２を形成するとともに、突起部４４上に補助電極４３を形成する。その後、図９（ｃ）に示すように、第１電極４２，補助電極４３および突起部４４上に有機半導体層４５を形成する。このようにして、基材４１と、基材４１に設けられた複数の第１電極４２と、第１電極４２間に設けられた補助電極４３および突起部４４と、第１電極４２上および補助電極４３上に設けられた有機半導体層４５と、を含む中間製品５０を得ることができる。なお本変形例においては、第１電極４２および補助電極４３よりも先に突起部４４が形成されるため、突起部４４が補助電極４３によって覆われている。なお突起部４４は、その上面が全域にわたって補助電極４３によって覆われている必要はない。すなわち突起部４４は、その上面が少なくとも部分的に補助電極４３によって覆われていればよい。また上述の本実施の形態においては、第１電極４２間に２列にわたって突起部４４が設けられ、突起部４４間に補助電極４３が設けられる例を示したが、本変形例においては、補助電極４３が突起部４４上に設けられるため、図９（ｃ）に示すように第１電極４２間に設けられる突起部４４は１列のみであってもよい。
【００５９】
次に、積層機構２０を用いて、蓋材２５および支持材２６を中間製品５０に積層して積層体５１を形成する積層工程を実施する。その後、圧力印加機構２１を用いて、真空環境における圧力よりも高い第１圧力を積層体５１に印加する第１圧力印加工程を実施する。これによって、図９（ｄ）に示すように、蓋材２５が中間製品５０に密着される。次に、第１圧力室２１ａにおいて、中間製品５０の補助電極４３上に設けられた有機半導体層４５を除去する除去工程を実施する。この場合、蓋材２５のうち中間製品５０に向かい合う面の表面エネルギーを適切に設定することにより、図９（ｅ）に示すように、突起部４４上の補助電極４３上の有機半導体層４５を蓋材２５側に転移させることができる。すなわち本変形例においては、転移を利用して、突起部４４上の補助電極４３上の有機半導体層４５を除去する除去工程を実施することができる。その後、積層体５１を中間製品５０、蓋材２５および支持材２６に分離することによって、図９（ｆ）に示す中間製品５０を得ることができる。なお本変形例においても、転移を促進するため、上述の本実施の形態の場合と同様に、突起部４４上の補助電極４３上の有機半導体層４５に光を照射してもよい。
【００６０】
その後、図９（ｇ）に示すように、第１電極４２上の有機半導体層４５上および突起部４４上の補助電極４３上に第２電極４６を形成する。このようにして、第２電極４６に接続された補助電極４３を備える有機半導体素子４０を得ることができる。
【００６１】
なお上述の本実施の形態および本変形例においては、除去される有機半導体層４５が、補助電極４３に接している例を示したが、これに限られることはなく、除去される有機半導体層４５と補助電極４３との間に、図示しないその他の層、例えば導電性を有する層が介在されていてもよい。すなわち本願において、「補助電極上に設けられた有機半導体層を除去する」とは、基材の法線方向に沿って見た場合に補助電極と重なっている有機半導体層を除去することを意味している。
【００６２】
（中間製品処理装置が露光装置として構成される例）
また上述の本実施の形態および変形例において、積層機構２０、圧力印加機構２１および分離機構２２を有する中間製品処理装置１５が、補助電極４３上の有機半導体層４５を除去する除去装置として構成される例を示した。しかしながら、積層機構２０、圧力印加機構２１および分離機構２２の応用例が特に限られることはない。例えば中間製品処理装置１５は、図１０および図１１に示すように、積層機構２０と、圧力印加機構２１と、分離機構２２と、圧力印加機構２１の第１圧力室２１ａにおいて被露光層４７に対して露光光Ｌ２を照射する露光工程を実施する露光機構３３と、を有していてもよい。すなわち、第１圧力室２１ａにおける差圧を利用した第１圧力印加工程が、露光工程のために利用されてもよい。
【００６３】
（中間製品処理装置が蒸着装置として構成される例）
若しくは、中間製品処理装置１５は、図１２および図１３（ａ）（ｂ）に示すように、積層機構２０と、圧力印加機構２１と、分離機構２２と、圧力印加機構２１の第１圧力室２１ａにおいて蒸着用材料４８に光を照射して蒸着用材料４８を基材４１上に蒸着させる蒸着機構３５と、を有していてもよい。すなわち、第１圧力室２１ａにおける差圧を利用した第１圧力印加工程が、蒸着工程のために利用されてもよい。なお、蓋材２５のような柔軟性を有する部材の上に所定の材料を設け、この材料を加熱して蒸発させることにより、別の部材上に材料を付着させる、という方法は、印刷の分野において「昇華転写」と呼ばれる方法である。従って、本変形例における「蒸発」および「蒸着」という用語を、「昇華」および「昇華転写」に読み替えることも可能である。
【００６４】
本変形例においては、図１３（ａ）に示すように、蒸着用材料４８が、蓋材２５のうち中間製品５０に向かい合う側の面に設けられている。また図１３（ａ）に示すように、中間製品５０は、基材４１と、基材４１上に設けられた複数の突起部４４と、突起部４４間に設けられた第１電極４２と、を有している。この場合、蒸着機構３５を用いて赤外線などの光Ｌ３を蒸着用材料４８に照射すると、蒸着用材料４８が蒸発する。より具体的には、図１３（ａ）に示すように蒸着用材料４８のうち第１電極４２と対向する位置に存在する蒸着用材料４８に光Ｌ３を照射すると、蒸着用材料４８が蒸発して基材４１上の第１電極４２に付着する。この結果、図１３（ｂ）に示すように、第１電極４２上に蒸着層４９を形成することができる。また基材４１と蓋材２５との間の空間は、突起部４４によって適切に区画されている。このため、基材４１と蓋材２５との間の空間で蒸着用材料４８が広域にわたって飛散してしまうことが防がれている。なお蒸着用材料４８を加熱する方法は、上述の限りではない。例えば蒸着用材料４８の下部に赤外光を吸収する金属薄膜を形成しておき、金属薄膜を加熱することで蒸着用材料４８を蒸着させても良い。すなわち本変形例において、「光Ｌ３を蒸着用材料４８に照射する」という工程は、蒸着用材料４８に直接的に光を照射する工程だけでなく、蒸着用材料４８に隣接している部材に光が到達するように蒸着用材料４８に向けて光を照射するという工程をも含んでいる。
【００６５】
（その他の変形例）
上述の本実施の形態および各変形例において、有機半導体素子４０が有機ＥＬである例を示した。しかしながら、上述の素子製造装置１０および素子製造方法によって製造される有機半導体素子のタイプが特に限られることはない。例えば上述の素子製造装置１０および素子製造方法を用いて、有機トランジスタデバイスや有機太陽電池デバイスなどの様々な有機半導体素子を製造することが可能である。有機トランジスタデバイスにおいて、有機半導体層およびその他の構成要素としては公知のものを用いることができ、例えば特開２００９−８７９９６号公報に記載のものを用いることができる。同様に、有機太陽電池デバイスにおいて、有機半導体層から構成される光電変換層およびその他の構成要素としては公知のものを用いることができ、例えば特開２０１１−１５１１９５号公報に記載のものを用いることができる。また、上述の素子製造装置１０および素子製造方法は、有機半導体素子の製造だけでなく、無機半導体素子の製造に適用されてもよい。
【００６６】
なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１０  素子製造装置
１５  中間製品処理装置
２０  積層機構
２０ａ  積層室
２１  圧力印加機構
２１ａ  第１圧力室
２２  分離機構
２２ａ  分離室
２２ｅ  分離ローラー
２５  蓋材
２６  支持材
２８  密閉空間
３０  除去機構
３１  光照射部
４０  有機半導体素子
４１  基材
４２  第１電極
４３  補助電極
４４  突起部
４５  有機半導体層
４６  第２電極
５０  中間製品
５１  積層体
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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