(57)【要約】【課題】エッジショット領域にインプリントを行う場合における基板外への樹脂のはみ出しを低減するために有利な技術を提供する。【解決手段】インプリント装置は、基板の上に樹脂を塗布し該樹脂にモールドのパターン面を接触させて光によって硬化させるインプリントを行うように構成され、前記基板の上の樹脂に光を照射する照射部と、前記基板の複数のショット領域のうち前記基板のエッジを含むエッジショット領域にインプリントを行う際に、前記エッジショット領域における前記エッジの近傍領域であるエッジ近傍領域への光の照射が開始されたタイミングの後に、前記エッジショット領域におけるパターンを形成すべき領域であるパターン形成領域の上の樹脂に前記パターン面が接触した状態で前記パターン形成領域に光が照射されるように、前記照射部を制御する制御部と、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に樹脂を塗布し該樹脂にモールドのパターン面を接触させて光によって硬化させるインプリントを行うインプリント装置であって、
前記基板の上の樹脂に光を照射する照射部と、
前記基板の複数のショット領域のうち前記基板のエッジを含むエッジショット領域にインプリントを行う際に、前記エッジショット領域における前記エッジの近傍領域であるエッジ近傍領域への光の照射が開始されたタイミングの後に、前記エッジショット領域におけるパターンを形成すべき領域であるパターン形成領域の上の樹脂に前記パターン面が接触した状態で前記パターン形成領域に光が照射されるように、前記照射部を制御する制御部と、
を備えることを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記エッジショット領域にインプリントを行う際に、前記パターン形成領域の上の樹脂が前記エッジ近傍領域に広がる前に前記エッジ近傍領域への光の照射が開始され、その後、前記パターン形成領域の上の樹脂に前記パターン面が接触した状態で前記パターン形成領域に光が照射されるように、前記照射部を制御する、
ことを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記パターン形成領域の上の樹脂に前記パターン面が接触する前に前記エッジ近傍領域への光の照射が開始されるように、前記照射部を制御する、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記基板の複数のショット領域のうちインプリントを行うべきショット領域に樹脂を塗布する塗布部を更に備え、
前記塗布部は、インプリントを行うべきショット領域のうち前記エッジ近傍領域には樹脂を塗布しない、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記照射部は、光源と、前記エッジ近傍領域に光を照射する際に前記パターン形成領域に光が照射されないように前記光源からの光を遮断するマスクとを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記照射部は、前記複数のショット領域のうちインプリントを行うべきショット領域に応じて前記マスクを位置決めする位置決め機構を更に含む、
ことを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記マスクは、円弧状の外縁を有する、
ことを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
前記位置決め機構は、前記マスクを回転駆動する回転駆動機構と、前記マスクを並進駆動する並進駆動機構とを含む、
ことを特徴とする請求項６又は７に記載のインプリント装置。
【請求項９】
前記照射部は、前記エッジ近傍領域に光を照射する第１ユニットと、前記パターン形成領域に光を照射する第２ユニットとを含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項１０】
前記第１ユニットは、前記基板を保持する基板ステージに配置されている、
ことを特徴とする請求項９に記載のインプリント装置。
【請求項１１】
物品を製造する物品製造方法であって、
請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインプリント装置を用いて基板にインプリントを行う工程と、
インプリントがなされた基板を処理する工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、および、それを用いて物品を製造する物品製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細パターンの転写に有利な技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスなどの物品を量産するためのナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。インプリント技術では、電子線描画装置等を用いて微細パタ−ンが形成されたモールド（型）を原版としてシリコンウエハやガラスプレート等の基板の上に微細パターンを形成する。微細パターンは、基板の上に樹脂を塗布し、その樹脂にモールドのパターン面を接触させた状態で該樹脂に光を照射する該樹脂を硬化させ、その後に該樹脂からモールドを引き離すことによって形成される。
【０００３】
特許文献１には、所望のインプリント領域から重合性材料が流出して「はみ出し」が形成されることを防止する方法が記載されている。この方法では、インプリント領域のうち周辺部分である「帯」における重合性材料を露光することによって硬化および／または凝固させ、その後に、「帯」で囲まれた領域の重合性材料を露光することによって硬化および／または凝固させる。「帯」における重合性材料を露光する際には、「帯」で囲まれた領域の重合性材料がマスクによって遮光される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表2011-521438号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
基板に複数のショット領域を配置する際に、矩形かつ同一形状の複数のショット領域が配置されることが多い。しかしながら、１つのショット領域が複数のチップ領域を含む場合、基板の周辺部分には、基板のエッジを含むショット領域（以下、エッジショット領域）を配置することが、１枚の基板からより多くのチップを製造するために有用である。エッジショット領域は、少なくとも１つのチップ領域を含むように配置される。特許文献１では、エッジショット領域をインプリントすることは考慮されておらず、各ショット領域が基板の有効領域（デバイスを配置可能な領域）からはみ出されないように配置されることが前提とされていると理解される。特許文献１に記載された方法がエッジショット領域を有する基板へのインプリントに適用された場合、エッジショット領域においては、樹脂がモールドのパターンの凹部に毛細管現象によって吸引され、凹部に沿って流れて基板外に流れ出す可能性がある。あるいは、より単純に、樹脂にモールドのパターン面が接触することによって樹脂が横方向に広げられて、基板外に流れ出す可能性がある。
【０００６】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、エッジショット領域にインプリントを行う場合における基板外への樹脂のはみ出しを低減するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の１つの側面は、基板の上に樹脂を塗布し該樹脂にモールドのパターン面を接触させて光によって硬化させるインプリントを行うインプリント装置に係り、前記インプリント装置は、前記基板の上の樹脂に光を照射する照射部と、前記基板の複数のショット領域のうち前記基板のエッジを含むエッジショット領域にインプリントを行う際に、前記エッジショット領域における前記エッジの近傍領域であるエッジ近傍領域への光の照射が開始されたタイミングの後に、前記エッジショット領域におけるパターンを形成すべき領域であるパターン形成領域の上の樹脂に前記パターン面が接触した状態で前記パターン形成領域に光が照射されるように、前記照射部を制御する制御部と、を備える。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、エッジショット領域にインプリントを行う場合における基板外への樹脂のはみ出しを低減するために有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の１つの実施形態のインプリント装置の概略構成を示す図。
【図２】エッジショット領域へのインプリントを模式的に示す図。
【図３】エッジショット領域へのインプリントにおいて基板の外側に樹脂がはみ出すことを模式的に示す図。
【図４】エッジ近傍領域への光の照射を模式的に示す図。
【図５】基板に配列された複数のショット領域を例示する図。
【図６】エッジショット領域を例示する図。
【図７】エッジショット領域へのインプリントを説明する図。
【図８】エッジショット領域へのインプリントを説明する図。
【図９】エッジショット領域へのインプリントを説明する図。
【図１０】エッジショット領域へのインプリントを説明する図。
【図１１】エッジショット領域へのインプリントを説明する図。
【図１２】基板の複数のショット領域へのインプリントのシーケンスを例示する図。
【図１３】照射部の第１の構成例を示す図。
【図１４】照射部の第２の構成例を示す図。
【図１５】照射部の第３の構成例を示す図。
【図１６】照射部の第４の構成例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図１を参照しながら本発明の１つの実施形態のインプリント装置１００について説明する。インプリント装置１００は、例えば、基板ステージ１０、塗布部１１、インプリントヘッド１４、ステージ駆動機構１９、照射部２０および制御部ＣＮＴを備えうる。インプリント装置１００は、塗布部１１によって基板１の上に樹脂３を塗布し、インプリントヘッド１４によって樹脂３にモールド２のパターン面９を接触させ、照射部２０によって樹脂３に光（例えば紫外光）１３を照射することによって樹脂３を硬化させる。このような動作をインプリントと呼ぶことができる。
【００１１】
基板ステージ１０は、基板１を保持する。ステージ駆動機構１９は、基板１のショット領域が目標位置に位置決めされるように基板ステージ１０を位置決めする。塗布部１１は、基板１のショット領域の上に樹脂３を塗布する。インプリントヘッド１４は、モールド２を保持するモールド保持部を有し、基板１の上に塗布部１１によって塗布された樹脂に対してモールド保持部によって保持されたモールド２のパターン面９を接触させたり、硬化した樹脂３からモールド２を引き離したりする。照射部２０は、基板１の上の樹脂３に対して光１３を照射することによって樹脂３を硬化させる。制御部ＣＮＴは、少なくとも照射部２０を制御するように構成される。典型的には、制御部ＣＮＴは、照射部２０のほか、基板ステージ１０、塗布部１１、インプリントヘッド１４およびステージ駆動機構１９を制御するように構成されうる。本実施形態では、制御部ＣＮＴは、照射部２０のほか、基板ステージ１０、塗布部１１、インプリントヘッド１４およびステージ駆動機構１９を制御するように構成されているものとする。
【００１２】
塗布部１１は、例えば、液体状態の樹脂３を吐出する複数のノズルを含みうる。複数のノズルからの樹脂３の吐出は個別に制御され、これにより任意の形状のショット領域に対して樹脂３を塗布することができる。ここで、基板１に配列される複数のショット領域は、前述のように、基板１のエッジを含むエッジショット領域を含みうる。エッジショット領域は、基板１上における当該エッジショット領域の位置に応じた形状を有する。
【００１３】
図２（ａ）には、エッジショット領域へのインプリントにおいて塗布部１１によって基板１に塗布された樹脂３が模式的に示されている。樹脂３は、互いに分離された複数の液滴として基板１に塗布されうる。しかしながら、樹脂３は、一塊りの液滴として基板１に塗布されてもよい。図２（ｂ）には、インプリントヘッド１４によってモールド２を降下させることによって樹脂３にモールド２のパターン面９を接触させた状態が模式的に示されている。樹脂３の液滴は、パターン面９によって押しつぶされて水平方向に広がり、これに伴って液滴間のガスが外に押し出される。図２（ｃ）には、インプリントヘッド１４によってモールド２を更に降下させることによってモールド２のパターン面９と基板１のショット領域との間が樹脂３によって満たされた状態が模式的に示されている。
【００１４】
図２（ｃ）には、樹脂３が基板１の外側にはみ出すことなくモールド２のパターン面９に接触している状態が模式的に示されている。この状態で、照射部２０によって樹脂３に光１３が照射されることによって樹脂３が硬化する。樹脂３が硬化した後に、インプリントヘッド１４によってモールド２を上昇させることによって樹脂３からモールド２が引き離される。
【００１５】
図３には、エッジショット領域へのインプリントにおいて樹脂３が基板１の外側にはみ出した状態が模式的に示されている。基板１の外側への樹脂３のはみ出しは、例えば、基板１への樹脂の塗布量の制御誤差、基板１への樹脂の塗布位置の制御誤差、モールド２のパターン面９と基板１との間隔の制御誤差などによって起こりうる。樹脂３は、モールド２のパターン面９に形成された凹部に毛細管現象によって吸引され、当該凹部に沿って流れて基板１の外側に流れ出しうる。あるいは、樹脂３は、それに対してモールド２のパターン面９が接触することによって横方向に広げられて基板１の外側に流れ出しうる。樹脂３が基板１の外側にはみ出した状態で照射部２０によって光１３が照射されると、それによって樹脂３が硬化し、その後に基板１又はモールド２から離脱してパーティクルとなって浮遊しうる。あるいは、モールド２に付着した樹脂３は、次のショット領域にインプリントを行った際に、基板１の上に形成されるパターンの欠陥を発生させうる。あるいは、モールド２に付着した樹脂３は、インプリントを行った際にモールド２のパターン面９に欠陥を生じさせうる。
【００１６】
本実施形態では、上記のような基板１の外側への樹脂３のはみ出しが防止または低減される。ここで、図４を参照しながら、以下で用いられる用語である「エッジ近傍領域」および「パターン形成領域」について説明する。図４には、エッジ近傍領域５０およびパターン形成領域５１が模式的に示されている。エッジ近傍領域５０は、基板１のエッジの近傍の領域である。エッジ近傍領域５０は、基板１のエッジを含んでもよいし、エッジを含まなくてもよい。パターン形成領域５１は、パターンを形成すべき領域であり、チップとして切り出されるチップ領域の集合によって構成される。
【００１７】
以下、本実施形態におけるエッジショット領域へのインプリントについて説明する。
【００１８】
制御部ＣＮＴは、エッジショット領域にインプリントを行う際に、エッジ近傍領域５０への光の照射が開始されたタイミングの後にパターン形成領域５１の上の樹脂にパターン面９が接触した状態でパターン形成領域５１に光が照射されるように照射部２０を制御する。ここで、エッジ近傍領域５０およびパターン形成領域５１は、インプリントを行うべきエッジショット領域におけるエッジ近傍領域５０およびパターン形成領域５１である。
【００１９】
例えば、制御部ＣＮＴは、エッジショット領域にインプリントを行う際に、
（ａ）パターン形成領域５１の上の樹脂が基板１のエッジ近傍領域５０に広がる前にエッジ近傍領域５０への光の照射が開始され、その後、
（ｂ）パターン形成領域５１の上の樹脂にパターン面９が接触した状態でパターン形成領域５１に光が照射されるように、
照射部２０を制御しうる。ここで、エッジ近傍領域５０への光の照射の際に、基板１の外側にも光が照射されてもよい。また、パターン形成領域５１の樹脂にパターン面９が接触した状態でのパターン形成領域５１への光の照射は、エッジ近傍領域５０への光の照射が終了した後に開始されてもよいし、エッジ近傍領域５０への光の照射が終了する前に開始されてもよい。あるいは、パターン形成領域５１の樹脂にパターン面９が接触した状態でパターン形成領域５１に光が照射される際に、エッジ近傍領域５０にも光が照射されてもよい。
【００２０】
図４には、エッジショット領域へのインプリントの際に照射部２０によってエッジ近傍領域５０に光１３が照射されている様子が模式的に示されている。エッジ近傍領域５０への光の照射を開始するタイミングは、パターン形成領域５１の樹脂３がエッジ近傍領域５０に広がる前の任意のタイミングでありうる。エッジ近傍領域５０への光の照射を開始するタイミングは、例えば、パターン形成領域５１の樹脂３にモールド２のパターン面９が接触する前でありうる。エッジ近傍領域５０への光の照射を開始するタイミングは、例えば、パターン形成領域５１の樹脂３にモールド２のパターン面９が接触した後であってパターン面９と基板１との間隔が小さくなることにより樹脂３がエッジ近傍領域５０に流れ込む前であってもよい。エッジ近傍領域５０への光の照射を終了するタイミングは、エッジ近傍領域５０への光の照射が開始されてからエッジ近傍領域５０の樹脂が十分に硬化するための時間が経過した後でありうる。
【００２１】
図５には、基板１に配列された複数のショット領域が例示されている。基板１に配列された複数のショット領域は、エッジショット領域４と、非エッジショット領域５とを含む。エッジショット領域４は、基板１のエッジ６を含むショット領域であり、エッジ６として円弧を一部に含む白抜きの図形で示されている。非エッジショット領域５は、エッジショット領域４以外のショット領域であり、ハッチング付きの矩形で示されている。
【００２２】
図６に例示されているように、エッジショット領域４は、少なくとも１つのチップ領域８を含み、非エッジショット領域５は、複数のチップ領域８を含む。なお、各チップ領域８は、白抜きの矩形で示されている。基板１は、エッジ６の近傍に無効領域７ａを有しうる。無効領域７ａの幅は、基板１の仕様やチップの設計仕様に応じて定まりうるものであり、例えば、基板１の半径方向における幅が０ｍｍ〜３ｍｍの範囲内でありうる。エッジショット領域４は、無効チップ領域７を含んでいる。無効チップ領域７は、無効領域７ａを含むほか、無効領域７ａの内側の有効領域（デバイスを配置可能な領域）７ｂを含みうる。前述のエッジ近傍領域５０は、無効チップ領域７またはその一部とすることができる。あるいは、エッジ近傍領域５０は、無効領域７ａまたはその一部とすることができる。前述のパターン形成領域５１は、チップ領域８を含む。
【００２３】
本実施形態では、前述のように、エッジショット領域にインプリントを行う際に、エッジ近傍領域５０への光１３の照射が開始されたタイミングの後に、パターン形成領域５１の樹脂にパターン面９が接触した状態でパターン形成領域５１に光１３が照射される。図７には、エッジ近傍領域５０への光の照射が開始されたタイミングの後に、パターン形成領域５１の樹脂にパターン面９を接触させる動作が模式的に示されている。樹脂３の粘度は、例えば、１０〜２０ｃＰ(センチポワズ)の範囲内でありうる。樹脂３の粘度は、例えば、塗布部１１による樹脂の吐出の特性、モールド２のパターン面９の凹部への樹脂３の充填時間などを考慮して決定されうる。
【００２４】
光１３が照射されていないパターン形成領域５１の樹脂３は、モールド２のパターン面９によって押しつぶされて水平方向に広がり、エッジ近傍領域５０内に入り込みうる。エッジ近傍領域５０には光１３が照射されているので、エッジ近傍領域５０内に入り込んだ樹脂３は、光１３の照射によって硬化されうる。これにより、樹脂３が基板１の外側にはみ出すことが防止または低減される。ここで、塗布部１１は、エッジ近傍領域５０には樹脂３を塗布しないことが好ましいが、エッジ近傍領域５０に樹脂３を塗布してもよい。塗布部１１によるエッジ近傍領域５０への樹脂３の塗布は、意図的になされてもよいが、典型的には、意図的ではなく、制御誤差に起因してなされうる。
【００２５】
エッジ近傍領域５０の樹脂３は、パターン形成領域５１に樹脂３のパターンを形成するためにパターン面９と基板１との間隔がインプリントヘッド１４によって目標間隔に制御されるまでの間に完全に硬化してもよいが、完全に硬化しなくてもよい。エッジ近傍領域５０の樹脂３の硬化の程度は、照射部２０がエッジ近傍領域５０に照射する光１３の波長および／または光１３の照射時間によって制御されうる。
【００２６】
図８には、エッジ近傍領域５０に光が照射された状態でモールド２のパターン面９と基板１との間隔が狭められてパターン面９の凹部に樹脂３が充填される様子が模式的に示されている。このときも、エッジ近傍領域５０に入り込んだ樹脂３は、エッジ近傍領域５０に照射されている光によって硬化され、基板１の外側にはみ出すことが防止または低減される。
【００２７】
図９には、エッジ近傍領域５０において硬化した樹脂３ａが模式的に示されている。硬化した樹脂３ａは、硬化していない樹脂３の広がりを制限する土手として機能する。図１０には、パターン形成領域５１の上の樹脂への光の照射の様子が模式的に示されている。この際に、パターン形成領域５１のほか、エッジ近傍領域５０にも光が照射されてもよいし、基板１の外側の領域（基板ステージ１０）にも光が照射されてもよい。
【００２８】
図１１（ａ）には、光１３の照射によって硬化したパターン形成領域５１における樹脂３ｂが模式的に示されている。図１１（ｂ）には、硬化した樹脂３ａ、３ｂからモールド２を引き離した状態が模式的に示されている。
【００２９】
照射部２０は、光源１２と、エッジ近傍領域５０に光を照射する際にパターン形成領域５１に光１３が照射されないように光源１２からの光１３を遮断するマスク１５とを含みうる。照射部２０はまた、エッジ近傍領域５０に光を照射する際に光源１２とモールド２との間の光路にマスク１５を挿入したり、該光路からマスク１５を抜き出したりするための駆動機構２１を含みうる。照射部２０はまた、エッジショット領域のパターン形成領域５１、および、非エッジショット領域に光を照射する際に周辺のショット領域への光を遮断するマスク２５を有してもよい。マスク２５は、駆動機構２６によって駆動されうる。
【００３０】
以下、図１２を参照しながら本実施形態のインプリント装置１００による基板１の複数のショット領域へのインプリントについて例示的に説明する。図１２に示すシーケンスは、制御部ＣＮＴによって制御される。ステップ１０１では、塗布部１１によってインプリント対象のショット領域に樹脂３が塗布される。ステップ１０２では、インプリント対象のショット領域がエッジショット領域であるか非エッジショット領域であるかが判断され、非エッジショット領域であればステップ１０３に処理が進められ、エッジショット領域であればステップ１０５に処理が進められる。
【００３１】
ステップ１０３では、インプリント対象のショット領域がモールド２の下に配置されるようにステージ駆動機構１９によって基板ステージ１０が駆動される。その後、インプリントヘッド１４によってモールド２のパターン面９がインプリント対象のショット領域の樹脂３に接触するようにモールド２が駆動される。
【００３２】
ステップ１０４では、照射部２０によってインプリント対象のショット領域の樹脂３に光が照射され、これによって樹脂３が硬化する。ステップ１０８では、インプリントヘッド１４によって硬化した樹脂３からモールド２が引き離されるようにモールド２が駆動される。
【００３３】
ステップ１０９では、全てのショット領域に対するインプリントが終了したか否かが判断され、インプリントがなされていないショット領域がある場合には、処理がステップ１０１に戻される。
【００３４】
ステップ１０５では、インプリント対象のエッジショット領域がモールド２の下に配置されるようにステージ駆動機構１９によって基板ステージ１０が駆動される。その後、エッジショット領域のエッジ近傍領域５０の樹脂への光の照射が開始される。この光の照射は、エッジ近傍領域５０の樹脂が十分に硬化する時間の経過後に停止される。ステップ１０６では、インプリントヘッド１４によってモールド２のパターン面９がインプリント対象のショット領域の樹脂３に接触するようにモールド２が駆動される。
【００３５】
ステップ１０７では、照射部２０によってエッジショット領域のパターン形成領域５１の樹脂３に光が照射され、これによって樹脂３が硬化する。これに続くステップ１０８では、インプリントヘッド１４によって硬化した樹脂３からモールド２が引き離されるようにモールド２が駆動される。
【００３６】
図１３には、照射部２０の第１の構成例が示されている。なお、図１３では、図１に示された駆動機構２１は省略されている。照射部２０は、複数のショット領域のうちインプリントを行うべきショット領域に応じてマスク１５を位置決めする位置決め機構７０を含みうる。マスク１５は、円弧状の外縁を有しうる。円弧の半径は、エッジ近傍領域５０の内側に光が照射されないように決定されうる。位置決め機構７０は、マスク１５を照射部２０の光軸周りで回転駆動する回転駆動機構１６と、マスク１５を照射部２０の光軸に直交する方向に並進駆動する並進駆動機構１７とを含みうる。図１３（ａ）〜（ｄ）において、領域Ａは、エッジショット領域の位置を示している。なお、マスク１５は、円弧状の外縁を有することが好ましいが、直線状または折れ線状の外縁を有してもよい。
【００３７】
図１３（ｂ）における領域Ａに配置されているエッジショット領域にインプリントを行う際は、回転駆動機構１６および並進駆動機構１７によって図１３（ａ）に示すようにマスク１５が位置決めされうる。図１３（ｄ）における領域Ａに配置されているエッジショット領域にインプリントを行う際は、回転駆動機構１６および並進駆動機構１７によって図１３（ｃ）に示すようにマスク１５が位置決めされうる。回転駆動機構１６および並進駆動機構１７によるマスク１５の駆動は、複数のショット領域のうちインプリントすべきショット領域の位置に応じて制御されうる。
【００３８】
図１４には、照射部２０の第２の構成例が示されている。なお、図１４では、図１に示された駆動機構２１は省略されている。第２の構成例は、第１の構成例の変形例である。第２の構成例では、マスク１５は、２つの円弧状の外縁８１、８２を有する。２つの円弧状の外縁８１、８２は、マスク１５の中央から見て互いに反対方向に凸をなすように配置されている。これにより、回転駆動機構１６は、マスク１５を最大で１８０度回転駆動することによって、あらゆる位置のエッジショット領域の対応することができる。これに対して、第１の構成例では、回転駆動機構１６は、マスク１５を最大で３６０度回転駆動する必要がある。これにより、エッジショット領域へのインプリントのスループットを向上させることができ、また、回転駆動機構１６の構成を単純化することができる。ただし、回転駆動機構１６によるマスク１５の最大回転角は、１８０度に限定されるものではなく、より大きな最大回転角を有してもよい。
【００３９】
図１５には、照射部２０の第３の構成例が示されている。なお、図１５では、図１に示された駆動機構２１は省略されている。第３の構成例は、第２の構成例の変形例である。第３の構成例では、それぞれ円弧状の外縁９１、９２を有する２つのマスク１５を有し、２つの円弧状の外縁９１、９２は、２つのマスク１５の間の開口に向かって凸をなすように配置されている。
【００４０】
第２の構成例では、２つの円弧状の外縁８１、８２は、マスク１５の中央から見て互いに反対方向に凸をなすように配置されている。よって、あるエッジショット領域のインプリントのために外縁８１を使った後に他のエッジショット領域のインプリントのための外縁８２を使う場合に、光軸をマスク１５が横切る必要があり、その間は基板に光を照射することができない。これに対して、第３の構成例では、２つの円弧状の外縁９１、９２は、２つのマスク１５の間の開口に向かって凸をなすように配置されている。よって、第３の構成例では、あるエッジショット領域のインプリントのために外縁９１を使った後に他のエッジショット領域のインプリントのための外縁９２を使う場合に、光軸をマスク１５が横切る必要がない。したがって、第３の構成例では、第２の構成例よりもスループットを向上させることができる。
【００４１】
図１６には、照射部２０の第４の構成例が示されている。照射部２０は、に光１３を照射する第１ユニット３１と、パターン形成領域に光を照射する第２ユニット２９とを含む。ここで、第１ユニット３１は、例えば、基板１を取り囲むように基板ステージ１０に配置されうる。第２ユニット３２は、モールド２を介して基板１のパターン形成領域に光を照射するように配置されうる。
【００４２】
以下、上記のインプリント装置を用いて物品を製造する物品製造方法を説明する。この物品製造方法は、上記のインプリント装置を用いて樹脂のパターンを基板に形成する工程と、前記パターンが形成された基板を加工（例えばエッチング）する工程とを含む。物品は、例えば、半導体デバイス、液晶表示デバイス、マイクロマシーン等のデバイスでありうる。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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