(57)【要約】【課題】加工後の貫通孔にクラックが生じ難い、放電補助式レーザ孔加工方法を提供する。【解決手段】レーザ光照射と、第１および第２の電極間での放電現象とを組み合わせて絶縁基板に貫通孔を形成する、放電補助式レーザ孔加工方法であって、（１）レーザ光を照射することにより、絶縁基板の照射領域を加熱するステップと、（２）前記絶縁基板の両側に配置された第１および第２の電極間に、直流電圧を印加することにより、前記照射領域に放電を発生させるステップであって、前記第１および第２の電極間に印加される前記直流電圧をＥ０（Ｖ）とし、前記放電の際の放電容量をＣ（ｎＦ）としたとき、Ｅ０とＣの積で表される電荷量Ｑ（ｎＣ）は、１０００ｎＣ〜１００００ｎＣの範囲であるステップと、を有することを特徴とする放電補助式レーザ孔加工方法。【選択図】図３
2014223640.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザ光照射によって絶縁基板に複数の貫通孔を形成し、第１および第２の電極間での放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工方法であって、
（１）レーザ光を照射することにより、絶縁基板の照射領域に貫通孔を形成するステップと、
（２）前記絶縁基板の両側に配置された第１および第２の電極間に、直流電圧を印加することにより、前記照射領域に放電を発生させるステップであって、
前記第１および第２の電極間に印加される前記直流電圧をＥ０（Ｖ）とし、前記放電の際の放電容量をＣ（ｎＦ）としたとき、Ｅ０とＣの積で表される電荷量Ｑ（ｎＣ）は、１０００ｎＣ〜１００００ｎＣの範囲であるステップと、
を有することを特徴とする放電補助式レーザ孔加工方法。
【請求項２】
さらに、前記（１）のステップと前記（２）のステップの間に、
（３）前記絶縁基板の前記照射領域を介して、前記第１および第２の電極間に高周波高電圧（ＨＦ電圧）を印加するステップ
を有する、請求項１に記載の放電補助式レーザ孔加工方法。
【請求項３】
前記照射領域は、１０μｍ〜３００μｍの範囲の最大寸法を有する、請求項１または２に記載の放電補助式レーザ孔加工方法。
【請求項４】
前記絶縁基板の厚さは、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの範囲である、請求項１乃至３のいずれか一つに記載の放電補助式レーザ孔加工方法。
【請求項５】
絶縁基板に貫通孔を形成する、放電補助式レーザ孔加工装置であって、
絶縁基板に向かってレーザ光を照射するレーザ光源と、
放電回路と、
前記放電回路に接続され、前記絶縁基板の両側に配置された、第１および第２の電極であって、前記放電回路により、前記レーザ光の照射領域に放電を発生させる第１および第２の電極と、
を有し、
前記放電回路は、電源と、該電源と並列に接続された、放電用のキャパシタとを有し、
前記電源の電圧をＥ０（Ｖ）とし、前記キャパシタの静電容量をＣ（ｎＦ）としたとき、Ｅ０（Ｖ）とＣ（ｎＦ）の積で表される電荷量Ｑ（ｎＣ）は、１０００ｎＣ〜１００００ｎＣの範囲であることを特徴とする放電補助式レーザ孔加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放電補助式レーザ孔加工方法および放電補助式レーザ孔加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
絶縁基板に貫通孔を形成する技術として、レーザ溶融式放電除去技術が提案されている（例えば、特許文献１）。このレーザ溶融式放電除去技術では、レーザ光照射と電極間放電現象とを組み合わせることにより、絶縁基板に貫通孔を形成できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２０１２／５１９０９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述のように、レーザ溶融式放電除去技術では、レーザ光照射で絶縁材料を溶融した後、電極間放電現象によって溶融した絶縁材料を除去し、絶縁基板に貫通孔を形成できる。ここで、従来のレーザ溶融式放電除去方法では、しばしば、加工後の貫通孔にクラックが生じることが観測されている。このようなクラックは、製品の品質を低下させたり、製品の歩留まりを低下させる一因となり得る。
【０００５】
本発明は、このような背景に鑑みなされたものであり、本発明では、加工後の貫通孔にクラックが生じ難い、放電補助式レーザ孔加工方法を提供することを目的とする。また、本発明では、加工後の貫通孔にクラックが生じ難い、放電補助式レーザ孔加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明では、レーザ光照射によって絶縁基板に複数の貫通孔を形成し、第１および第２の電極間での放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する、放電補助式レーザ孔加工方法であって、
（１）レーザ光を照射することにより、絶縁基板の照射領域に貫通孔を形成するステップと、
（２）前記絶縁基板の両側に配置された第１および第２の電極間に、直流電圧を印加することにより、前記照射領域に放電を発生させるステップであって、
前記第１および第２の電極間に印加される前記直流電圧をＥ０（Ｖ）とし、前記放電の際の放電容量をＣ（ｎＦ）としたとき、Ｅ０とＣの積で表される電荷量Ｑ（ｎＣ）は、１０００ｎＣ〜１００００ｎＣの範囲であるステップと、
を有することを特徴とする放電補助式レーザ孔加工方法が提供される。
【０００７】
ここで、本発明による放電補助式レーザ孔加工方法は、
さらに、前記（１）のステップと前記（２）のステップの間に、
（３）前記絶縁基板の前記照射領域を介して、前記第１および第２の電極間に高周波高電圧（ＨＦ電圧）を印加するステップ
を有しても良い。
【０００８】
また、本発明による放電補助式レーザ孔加工方法において、前記照射領域は、１０μｍ〜３００μｍの範囲の最大寸法を有しても良い。
【０００９】
また、本発明による放電補助式レーザ孔加工方法において、前記絶縁基板の厚さは、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの範囲であっても良い。
【００１０】
また、本発明では、絶縁基板に貫通孔を形成する、放電補助式レーザ孔加工装置であって、
絶縁基板に向かってレーザ光を照射するレーザ光源と、
放電回路と、
前記放電回路に接続され、前記絶縁基板の両側に配置された、第１および第２の電極であって、前記放電回路により、前記レーザ光の照射領域に放電を発生させる第１および第２の電極と、
を有し、
前記放電回路は、電源と、該電源と並列に接続された、放電用のキャパシタとを有し、
前記電源の電圧をＥ０（Ｖ）とし、前記キャパシタの静電容量をＣ（ｎＦ）としたとき、Ｅ０（Ｖ）とＣ（ｎＦ）の積で表される電荷量Ｑ（ｎＣ）は、１０００ｎＣ〜１００００ｎＣの範囲であることを特徴とする放電補助式レーザ孔加工装置が提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明では、加工後の貫通孔にクラックが生じ難い、放電補助式レーザ孔加工方法を提供できる。また、本発明では、加工後の貫通孔にクラックが生じ難い、放電補助式レーザ孔加工装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工装置の構成の一例を概略的に示した図である。
【図２】本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工装置の放電回路の回路図の一例を模式的に示した図である。
【図３】本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工方法のフローを概略的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して、本発明について説明する。
【００１４】
（本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工装置について）
まず初めに、図１を参照して、本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工装置の構成について簡単に説明する。
【００１５】
図１には、本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工装置（以下、「第１の放電補助式レーザ孔加工装置」と称する）の構成の一例を概略的に示す。第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００は、放電補助式レーザ孔加工技術により、絶縁基板に貫通孔を形成できる。
【００１６】
なお、本願において、「放電補助式レーザ孔加工技術」とは、以下に示すような、絶縁基板に対するレーザ光照射によって絶縁基板の照射領域に貫通孔を形成し、その後電極間放電現象により、前記貫通孔の形状を調整する技術の総称を意味する。なお、孔形状の調整とは、レーザ光照射によって絶縁基板に複数の貫通孔を形成した際に生じるネッキングを低減することを意味する。ここで「ネッキング」とは、レーザ加工後に貫通孔内に形成され得る突出部分を意味する。
【００１７】
図１に示すように、第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００は、レーザ光源１１０と、レーザ光学系１２０と、制御回路１２５と、第１および第２の電極１４０、１４５とを有する。
【００１８】
レーザ光源１１０は、レーザ光学系１２０に向かってレーザ光１１３を照射する役割を有する。レーザ光学系１２０は、例えば１または２以上のレンズで構成される。レーザ光学系１２０は、レーザ光源１１０から照射されたレーザ光１１３を、絶縁基板１９０の照射領域１８３に収束させる役割を有する。
【００１９】
レーザ光源１１０は、配線１５７を介して、制御回路１２５と電気的に接続されている。
【００２０】
第１の電極１４０および第２の電極１４５は、それぞれ、導体１５０および１５５と電気的に接続されており、これらの導体１５０および１５５は、制御回路１２５と接続されている。
【００２１】
なお、図１の例では、第１の電極１４０と第２の電極１４５は、形状および配置形態が異なっている。すなわち、第１の電極１４０は、針状の形状を有し、絶縁基板１９０から離して配置されている。これに対して、第２の電極１４５は、略平板状の形状を有し、絶縁基板１９０の直下に、絶縁基板１９０と接するように配置されている。第２の電極１４５は、絶縁基板１９０を置載するステージとしての機能を兼ねることができる。
【００２２】
ただし、これは、単なる一例であって、例えば、よい。また、第２の電極１４５は、第１の電極１４０と同様の針状の形状を有してもよい。この場合、第１の電極１４０と、絶縁基板１９０を挟んで対向する位置にある第２の電極との間で、一組の電極対が構成される。
【００２３】
前述のように、制御回路１２５は、レーザ光源１１０、第１の電極１４０、および第２の電極１４５と接続されている。制御回路１２５は、放電回路１６０を有する。放電回路１６０は、後述するように、第１の電極１４０と第２の電極１４５の間で放電を発生させるために使用される。制御回路１２５は、レーザ光源１１０のオン／オフ、および第１の電極１４０〜第２の電極１５５間に印加される直流放電電圧の印加タイミング等を制御する。
【００２４】
次に、このような構成の第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００の動作について説明する。
【００２５】
第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００を用いて、絶縁基板１９０に貫通孔を形成する際には、まず、絶縁基板１９０が両電極１４０、１４５の間に配置される。さらに、第２の電極１４５（または別個のステージ）を水平方向に移動させることにより、絶縁基板１９０が所定の位置に配置される。
【００２６】
次に、レーザ光源１１０からレーザ光学系１２０に向かって、レーザ光１１３が照射される。レーザ光１１３は、レーザ光学系１２０により収束され、収束レーザ光１１５となる。この収束レーザ光１１５は、絶縁基板１９０の照射領域１８３に照射される。
【００２７】
これにより、絶縁基板１９０の照射領域１８３の温度が局部的に上昇し、該部分の絶縁材料が昇華し、ここに貫通孔１８５が形成される。
【００２８】
収束レーザ光１１５の照射後、制御回路１２５内の放電回路１６０により、両電極１４０、１４５間に直流高電圧が印加され、放電が生じる。この放電は、絶縁基板１９０の貫通孔１８５を介して生じる傾向にある。これは、絶縁基板１９０この位置では、抵抗が他の部分よりも低くなっているためである。
【００２９】
放電の発生により、貫通孔１８５の形状が調整され、所望の寸法形状の貫通孔１８５が形成される。
【００３０】
その後、必要な場合、第２の電極１４５（または別個のステージ）を水平方向に移動させ、絶縁基板１９０を所定の場所に配置する。その後、同様の工程により、第２の貫通孔が形成される。
【００３１】
このような工程を繰り返すことにより、絶縁基板１９０に１または２以上の貫通孔を形成できる。
【００３２】
なお、図１には、示されていないが、第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００は、さらに、高周波高電圧電源を有してもよい。高周波高電圧電源の設置の目的は、放電が開始されるまでの間に、絶縁基板１９０の貫通孔１８５の部分およびその近傍の温度が低下することを抑制することである。すなわち、高周波高電圧電源を用いて、絶縁基板１９０に対して高周波高電圧を印加することにより、収束レーザ光１１５の照射によって加熱された絶縁基板１９０の貫通孔１８５部分の高温状態を、放電開始まで確実に維持できる。ただし、高周波高電圧電源の設置は、任意である。
【００３３】
ここで、従来の溶融式放電除去加工方法では、しばしば、絶縁基板の加工後の貫通孔にクラックが生じることが観測されている。このようなクラックは、製品の品質を低下させたり、製品の歩留まりを低下させる一因となり得る。
【００３４】
これに対して、第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００を使用して、絶縁基板１９０に貫通孔１８５を形成した場合、クラックの発生率が有意に抑制される。
【００３５】
以下、第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００において、このような効果が得られる理由について説明する。
【００３６】
本願発明者らの研究によれば、貫通孔のクラックは、放電時に、貫通孔に大きなエネルギーが投与された際に生じ易い傾向にある。そのため、第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００では、放電時に貫通孔に投与されるエネルギー（電荷量）を抑制することにより、貫通孔にクラックが生じる頻度を抑制する。
【００３７】
第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００では、放電時に貫通孔に流れる電荷量Ｑ（ｎＣ）を、１０００ｎＣ〜１００００ｎＣの範囲に選定する。
【００３８】
ここで、第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００において、放電時に貫通孔に流れる電荷量Ｑ（ｎＣ）を調整する場合、前記電荷量Ｑ（ｎＣ）の範囲となるように、放電回路１６０を設計することが最も直接的かつ効果的である。
【００３９】
そこで、以下、第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００における放電回路１６０を用いて、放電時に貫通孔に流れる電荷量Ｑ（ｎＣ）を所定の範囲に調整する方法について説明する。
【００４０】
図２には、第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００において使用される放電回路１６０の回路図の一例を模式的に示す。
【００４１】
図２に示すように、放電回路１６０は、電源Ｖと、一次キャパシタＣｄ１と、二次キャパシタＣｄ２と、抵抗Ｒと、スイッチＳｗ等により構成される。
【００４２】
一次キャパシタＣｄ１および二次キャパシタＣｄ２は、電源Ｖと並列に配置される。抵抗Ｒは、一次キャパシタＣｄ１の正側と二次キャパシタＣｄ２の正側の間に配置される。スイッチＳｗは、二次キャパシタＣｄ２の正側に配置され、放電回路１６０を第１の電極１４０と接続する役割を有する。なお、一次キャパシタＣｄ１および二次キャパシタＣｄ２の負側は、第２の電極１４５と接続される。
【００４３】
このような放電回路１６０を使用して、第１の電極１４０と第２の電極１４５の間で放電を発生させる際には、スイッチＳｗが「閉」にされ、すなわち、放電回路１６０と第１の電極１４０とが接続（短絡）される。これにより、二次キャパシタＣｄ２に蓄積されていた電荷が一気に放出され、第１の電極１４０と第２の電極１４５の間に放電を生じさせることができる。
【００４４】
ここで、第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００では、放電時に貫通孔に流れる電荷量Ｑ（ｎＣ）を所定の範囲に調整するため、放電回路１６０を構成する各素子の物性値として、以下の値を採用している：
電源Ｖの電圧Ｅ０；５０００Ｖ、
二次キャパシタＣｄ２の静電容量Ｃ２；０．２ｎＦ〜２．０ｎＦの範囲。
【００４５】
ここで、放電の際に第１の電極１４０と第２の電極１４５の間に流れる電気量Ｑ（ｎＣ（ナノクーロン））は、以下の式で表され、
Ｑ（ｎＣ）＝Ｃ２（ｎＦ）×Ｅ０（Ｖ）        （１）式
上記の値を使用した場合のうちクラック数を低減させるためには、
１０００（ｎＣ）≦Ｑ（ｎＣ）≦１００００（ｎＣ）        （２）式
となる。
【００４６】
以上のように、第１の放電補助式レーザ孔加工装置１００では、放電時に貫通孔に流れる電荷量Ｑ（ｎＣ）が所定の範囲に調整されているため、貫通孔加工後のクラック発生率を有意に抑制できる。
【００４７】
（本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工方法について）
次に、図３を参照して、本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工方法について説明する。
【００４８】
図３には、本発明の一実施例による放電補助式レーザ孔加工方法（以下、「第１の放電補助式レーザ孔加工方法」と称する）のフローを概略的に示す。
【００４９】
図３に示すように、第１の放電補助式レーザ孔加工方法は、
レーザ光を照射することにより、絶縁基板の照射領域を加熱するステップ（ステップＳ１１０）と、
前記絶縁基板の前記照射領域を介して、前記第１および第２の電極間に高周波電圧を印加するステップ（ステップＳ１２０）と、
前記絶縁基板の両側に配置された第１および第２の電極間に、直流電圧を印加することにより、前記照射領域に放電を発生させるステップであって、
前記第１および第２の電極間に印加される前記直流電圧をＥ０（Ｖ）とし、前記放電の際の放電容量をＣ（ｎＦ）としたとき、Ｅ０とＣの積で表される電荷量Ｑ（ｎＣ）は、１０００ｎＣ〜１００００ｎＣの範囲であるステップ（ステップＳ１３０）と、
を有する。
【００５０】
なお、ステップＳ１２０は、任意に実施されるステップであって、必ずしも実施する必要はない。
【００５１】
以下、各ステップについて詳しく説明する。なお、以下の説明では、明確化のため、各部材を表す際には、前述の図１および図２に使用した参照符号を使用することにする。
【００５２】
（ステップＳ１１０）
まず、絶縁基板１９０の照射領域１８３に、レーザ光１１３が照射される。これにより、絶縁基板１９０の照射領域１８３が加熱され、該位置に貫通孔１８５が形成される。レーザ光１１３は、レーザ光学系１２０により収束された、収束レーザ光１１５であってもよい。
【００５３】
レーザ光１１３を照射するレーザ光源１１０の種類は、特に限られない。レーザ光源１１０は、例えば、ＣＯ２レーザ光源であってもよい。
【００５４】
絶縁基板１９０の種類は、特に限られず、絶縁基板１９０は、例えばガラス基板等であってもよい。絶縁基板１９０の厚さは、例えば、０．０５ｍｍ〜０．７ｍｍの範囲であってもよい。
【００５５】
絶縁基板１９０上の照射領域１８３、すなわちレーザ光１１３（または収束レーザ光１１５。以下同じ）の絶縁基板１９０上のスポットの最大寸法は、例えば、１０μｍ〜３００μｍの範囲である。ここで、照射スポットが略円形または略楕円形の場合、「最大寸法」とは、円の直径または楕円の長軸の寸法を意味し、照射スポットが略多角形状の場合、「最大寸法」とは、最大対角線長さを意味する。
【００５６】
（ステップＳ１２０）
次に、必要な場合、絶縁基板１９０の照射領域１８３を介して、第１および第２の電極１４０、１４５間に、高周波高電圧（ＨＦ電圧）が印加される。
【００５７】
前述のように、このステップは、放電が開始されるまでの間に、絶縁基板１９０の貫通孔１８５の部分およびその近傍の温度が低下することを抑制するために実施される。すなわち、絶縁基板１９０にＨＦ電圧を印加することにより、収束レーザ光１１５の照射によって加熱された絶縁基板１９０の貫通孔１８５部分の高温状態を、放電開始まで確実に維持できる。ただし、このステップは、省略してもよい。
【００５８】
ＨＦ電圧の交流周波数は、例えば、１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲であっても良い。
【００５９】
（ステップＳ１３０）
次に、絶縁基板１９０の両側に配置された第１および第２の電極１４０、１４５間に、直流電圧が印加される。これにより、絶縁基板１９０の貫通孔１８５を介して、放電が発生する（放電処理）。
【００６０】
ここで、第１の電極１４０と第２の電極１４５との間に印加される直流電圧をＥ０（Ｖ）とし、両電極１４０、１４５間に接続された放電容量をＣ（ｎＦ）としたとき、Ｅ０とＣの積で表される電荷量Ｑ（ｎＣ）は、１０００ｎＣ〜１００００ｎＣの範囲となるように調整されている。
【００６１】
この場合、放電時に貫通孔１８５に流れる電荷量Ｑ（ｎＣ）を有意に抑制することができ、貫通孔加工後のクラック発生率を有意に抑制できる。
【００６２】
このような放電処理の際には、例えば、図２に示したような放電回路１６０が使用される。放電回路１６０は、電源Ｖ（Ｅ０（Ｖ））を有し、第１および第２の電極１４０、１４５と、スイッチＳｗ（図２参照）を介して接続される。
【００６３】
放電回路１６０において、スイッチＳｗを「閉」にした際に、放電回路１６０と第１の電極１４０とが電気的に接続（短絡）される。これにより、二次キャパシタＣｄ２に蓄積されていた電荷が一気に放出され、第１の電極１４０と第２の電極１４５の間に放電を生じさせることができる。
【００６４】
ここで、前述のように、二次キャパシタＣｄ２の静電容量Ｃ（Ｆ）と、Ｅ０（Ｖ）の積、すなわち電気量Ｑ（ｎＣ）は、１０００ｎＣ〜１００００ｎＣの範囲である。
【００６５】
必要な場合、ステップＳ１１０〜ステップＳ１３０の工程が繰り返され、絶縁基板１９０に、複数の貫通孔１８５が形成される。
【００６６】
以上の工程により、クラックの発生率を低減させた状態で、絶縁基板１９０に貫通孔１８５を形成できる。
【実施例】
【００６７】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００６８】
（実施例１）
上面および下面を有する厚さ０．３ｍｍのガラス基板（無アルカリガラス）を準備し、このガラス基板に合計３０６００個の貫通孔を連続的に形成した。
【００６９】
貫通孔の形成には、前述の図１に示したような放電補助式レーザ孔加工装置１００を使用し、レーザ光照射工程、および直流放電電圧印加工程の順に、各工程を実施した。
【００７０】
レーザ光照射工程において、レーザ光源は、ＣＯ２レーザとし、レーザ出力は、５０Ｗとした。また、レーザ光照射時間は、８００μ秒とした。レーザ光のスポット直径は、約７０μｍである。
【００７１】
図２の放電回路において、電源Ｖの電圧Ｅ０は、５０００Ｖとし、二次キャパシタＣｄ２の静電容量Ｃ２は、１．０ｎＦとした。従って、放電の際に第１の電極と第２の電極の間に流れる電気量Ｑ（ｎＣ）は、５０００ｎＣである。
【００７２】
３０６００個の貫通孔を全て形成した後、各貫通孔の状態を観察した。また、健全な貫通孔とクラックが生じた貫通孔の数を調べ、貫通孔の欠陥率を評価した。ここで、貫通孔の欠陥率Ｐは、
Ｐ（％）＝（クラックが生じた貫通孔の数）／（全貫通孔数）×１００    （３）式
で評価した。その結果、貫通孔の欠陥率Ｐは、０．４％であった。
【００７３】
以下の表１の実施例１の欄には、放電回路における二次キャパシタＣｄ２の静電容量Ｃ２の値、電源電圧Ｅ０の値、電気量Ｑの値、および欠陥率Ｐをまとめて示した。
【００７４】
【表１】
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（実施例２）
実施例１と同様の方法により、ガラス基板に、合計５４０００個の貫通孔を連続的に形成した。ただし、この実施例２では、放電回路１６０において、二次キャパシタＣｄ２の静電容量Ｃ２は、０．２ｎＦとした。従って、放電の際に第１の電極と第２の電極の間に流れる電気量Ｑ（ｎＣ）は、１０００ｎＣである。
【００７５】
実施例１と同様の方法により、貫通孔の欠陥率Ｐを評価した。その結果、貫通孔の欠陥率Ｐは、０．８％であった。
【００７６】
前述の表１の実施例２の欄には、放電回路における二次キャパシタＣｄ２の静電容量Ｃ２の値、電源電圧Ｅ０の値、電気量Ｑの値、および欠陥率Ｐをまとめて示した。
【００７７】
（実施例３）
実施例１と同様の方法により、ガラス基板に、合計２７０００個の貫通孔を連続的に形成した。ただし、この実施例３では、放電回路１６０において、電源Ｖの電圧Ｅ０は、５０００Ｖとし、二次キャパシタＣｄ２の静電容量Ｃ２は、２．０ｎＦとした。従って、放電の際に第１の電極と第２の電極の間に流れる電気量Ｑ（ｎＣ）は、１００００ｎＣである。
【００７８】
実施例１と同様の方法により、貫通孔の欠陥率Ｐを評価した。その結果、貫通孔の欠陥率Ｐは、０．９％であった。
【００７９】
前述の表１の実施例３の欄には、放電回路における二次キャパシタＣｄ２の静電容量Ｃ２の値、電源電圧Ｅ０の値、電気量Ｑの値、および欠陥率Ｐをまとめて示した。
【００８０】
（比較例１）
実施例１と同様の方法により、ガラス基板に、合計２７０００個の貫通孔を連続的に形成した。ただし、この比較例１では、放電回路１６０において、電源Ｖの電圧Ｅ０は、６０００Ｖとし、二次キャパシタＣｄ２の静電容量Ｃ２は、２．０ｎＦとした。従って、放電の際に第１の電極と第２の電極の間に流れる電気量Ｑ（ｎＣ）は、１２０００ｎＣである。
【００８１】
実施例１と同様の方法により、貫通孔の欠陥率Ｐを評価した。その結果、貫通孔の欠陥率Ｐは、３．２％であった。
【００８２】
前述の表１の比較例１の欄には、放電回路における二次キャパシタＣｄ２の静電容量Ｃ２の値、電源電圧Ｅ０の値、電気量Ｑの値、および欠陥率Ｐをまとめて示した。
【００８３】
以上の結果から、実施例１〜実施例３の方法で貫通孔を形成した場合、比較例１の方法に比べて、クラックの発生率が有意に抑制されることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００８４】
本発明は、ガラス基板などの絶縁基板に貫通孔を形成する技術等に利用できる。
【符号の説明】
【００８５】
１００    第１の放電補助式レーザ孔加工装置
１１０    レーザ光源
１１３    レーザ光
１１５    収束レーザ光
１２０    レーザ光学系
１２５    制御回路
１４０    第１の電極
１４５    第２の電極
１５０、１５５  導体
１５７    配線
１６０    放電回路
１８３    照射領域
１８５    貫通孔
１９０    絶縁基板
【図１】
2014223640.tif 000004
【図２】
2014223640.tif 000005
【図３】
2014223640.tif 000006