(57)【要約】【課題】  有機半導体トランジスタを、３次元的に形成された挿入物装置上に形成するための方法及び装置を提供する。【解決手段】  いくつかの実施形態では、本発明は、有機半導体系薄膜トランジスタ、電気相互接続、及び励起要素を伴う３次元表面を、眼用レンズ内に組み込むための挿入物内に組み込むことを含んでいる。いくつかの実施形態では、形成された挿入物を、眼用装置として直接用いても、又は眼用装置内に組み込んでもよい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼用装置を形成するための方法であって、
第１の導電性配線を薄膜トランジスタに取り付けることと、
前記薄膜トランジスタに固定して取り付けられた有機半導体層を眼用挿入物装置上に堆積させることと、
封入層を前記眼用レンズ挿入物の周りに形成することと、
前記眼用挿入物装置を封入する眼用装置を形成することと、を含む、方法。
【請求項２】
前記封入層がパラレンである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記封入層が、ヒドロゲルを前記レンズ挿入物の周りに形成している、請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記第１の導電性配線が、透明電極を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記透明電極が、酸化インジウムスズを含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記薄膜トランジスタが、ｎ型有機半導体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記薄膜トランジスタが、ｐ型有機半導体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記薄膜トランジスタが、ｎ型有機半導体とｐ型有機半導体とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ｎ型有機半導体層が、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１５ＣｕＰｃ）を含む、請求項６に記載の方法。
【請求項１０】
前記ｐ型有機半導体層が、ペンタセンを含む、請求項７に記載の方法。
【請求項１１】
前記眼用挿入物装置上に、第１のゲート導体と電気通信する励起要素を堆積させることを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記励起要素が、電気化学セルである、請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記電気化学セルが、リチウムイオンセルである、請求項１２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体トランジスタを眼用装置挿入部品上に形成するための装置及び方法について記載する。いくつかの実施形態では、有機半導体トランジスタを眼用装置内に構成する方法及び装置は、３次元形状を有する基板上に生じる表面上に形成する。いくつかの実施形態では、方法及び装置に対する使用分野として、励起要素、挿入物、及び有機半導体装置が組み込まれた眼用装置を挙げてもよい。
【背景技術】
【０００２】
従来、眼用装置（例えば、コンタクトレンズ、眼内レンズ、又は涙点プラグ）には、矯正用、美容用、又は治療用品質を伴う生体適合性装置が含まれていた。コンタクトレンズは、例えば、視力矯正機能、美容強化、及び治療効果のうちの１つ又は２つ以上を提供することができる。それぞれの機能は、レンズの物理的特性によって与えられる。レンズに屈折性質を組み込む設計は、視力矯正機能を提供することができる。レンズに組み込まれる顔料は、美容強化を提供することができる。レンズに組み込まれる活性薬剤は、治療的機能を提供することができる。こうした物理的特性は、レンズが励起された状態となることなく実現される。受動的装置として従来より涙点プラグがある。
【０００３】
更に近年では、コンタクトレンズに能動部品を組み込み得ることが理論化されている。いくつかの部品は、半導体装置を含むことができる。動物の目に入れられるコンタクトレンズに埋め込まれた半導体装置を示したいくつかの例がある。こうした能動部品をレンズ構造自体の内部で励起及び活性化する多くの仕方についても、これまでに述べられている。レンズ構造によって画定される空間のトポロジー及びサイズにより、異なる機能の定義に対する新規かつ困難な環境が生じる。多くの実施形態では、眼用装置内の部品を励起させるための、信頼性が高く、コンパクトで、費用対効果の高い手段を提供することが重要である。いくつかの実施形態では、これらの励起要素は電池を含んでいてもよく、電池自体は「アルカリ」セルに基づく化学的性質から形成されていてもよい。電気エネルギーを用いる他の部品がこれらの励起要素に接続されていてもよい。いくつかの実施形態では、これらの他の部品には、回路機能を実行するトランジスタが含まれ得る。また、このような装置有機内に半導体装置が含まれていることが望ましい場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明には、３次元形状を含んでいてもよく、また眼用装置内に挿入してもよい１又は複数の眼用レンズ挿入物表面上に、有機半導体トランジスタを規定する方法及び装置が含まれる。いくつかの実施形態では、励起され、眼用装置内に組み込んでもよい眼用レンズ挿入物が提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
いくつかの実施形態では、眼用装置を形成するための方法であって、有機半導体層を基板上に堆積させることと、基板を挿入物部片に分割することであって、各挿入物部片は有機半導体を含む、分割することと、挿入物部片を眼用レンズ挿入物上に取り付けることと、封入層を眼用レンズ挿入物の周りに形成することと、を含む、方法が開示されている。
【０００６】
いくつかの実施形態では、基板はシリコンウェハである。いくつかの実施形態では、封入層はパラレンである。いくつかの他の実施形態では、封入層は、ヒドロゲルをレンズ挿入物の周りに形成している。
【０００７】
いくつかの実施形態では、少なくとも第１のゲート導体を基板上に形成する方法について開示している。いくつかの実施形態では、更に、基板上に、第１のゲート導体と電気通信する励起要素を堆積させる方法が開示されている。いくつかの実施形態では、励起要素は電気化学セルである。
【０００８】
いくつかの実施形態では、有機半導体層はｎ型有機半導体を含む。いくつかの実施形態では、有機半導体層はｐ型有機半導体を含む。いくつかの実施形態では、有機半導体層は、ｎ型有機半導体、ｐ型有機半導体、及びそれらの組み合わせを含む。いくつかの実施形態では、ｎ型有機半導体層は、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１５ＣｕＰｃ）を含む。いくつかの実施形態では、ｐ型有機半導体層はペンタセンを含む。
【０００９】
いくつかの実施形態では、励起要素は複数の電気化学セルから構成され、電気化学セルは、少なくとも部分的に、直列に接続されている。いくつかの実施形態では、第１のゲート導体は透明電極を含む。いくつかの実施形態では、透明電極は酸化インジウムスズを含む。
【００１０】
いくつかの実施形態では、眼用装置を形成するための方法であって、第１の導電性配線を薄膜トランジスタに取り付けることと、薄膜トランジスタに固定して取り付けられた有機半導体層を眼用挿入物装置上に堆積させることと、封入層を眼用レンズ挿入物の周りに形成することと、眼用挿入物装置を封入する眼用装置を形成することと、を含む、方法が開示されている。いくつかの実施形態では、封入層はパラレンである。いくつかの実施形態では、封入層は、ヒドロゲルをレンズ挿入物の周りに形成している。
【００１１】
いくつかの実施形態では、第１の導電性配線は透明電極を含む。いくつかの他の実施形態では、透明電極は酸化インジウムスズを含む。いくつかの実施形態では、薄膜トランジスタはｎ型有機半導体を含む。いくつかの実施形態では、薄膜トランジスタはｐ型有機半導体を含む。いくつかの実施形態では、薄膜トランジスタは、ｎ型有機半導体とｐ型有機半導体とを含む。いくつかの実施形態では、ｎ型有機半導体層は、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１５ＣｕＰｃ）を含む。いくつかの実施形態では、ｐ型有機半導体層はペンタセンを含む。
【００１２】
いくつかの実施形態では、眼用挿入物装置上に、第１のゲート導体と電気通信する励起要素を堆積させる方法が開示されている。いくつかの実施形態では、励起要素は電気化学セルである。いくつかの実施形態では、電気化学セルはリチウムイオンセルである。
【００１３】
いくつかの実施形態では、眼用レンズ挿入物を複数の仕方で形成して、有機半導体トランジスタ及び他の電気装置をその上に形成することができる３次元形状を得てもよい。電気装置の非限定的な例としては、抵抗器、コンデンサ、ダイオード、インダクタ、及び同様のこのような装置が挙げられる。その後、励起要素を、これらの有機半導体装置と接触させて又は有機半導体装置上に形成してもよい。いくつかの実施形態では、励起要素は、電池セル関連の化学物質を収容する膜を電気相互接続に適用することによって形成され得る。いくつかの他の実施形態では、励起要素を、有機半導体装置の回路を形成する際に用いてもよい。関連する実施形態では、適用は、化学物質の混合物を針又は他の適用ツールを用いることによって適用する場合がある、印刷プロセスによって行ってもよい。
【００１４】
眼用レンズは、３次元的に形成された眼用挿入物を重合材料内に封入することによって形成されてもよい。レンズの形成方法には、重合前に眼用挿入物が配置される鋳型部片間の反応混合物の重合が含まれ得る。いくつかの実施形態では、多くの機能的部品又は領域を眼用挿入物内に配置してもよい。いくつかの実施形態では、挿入物は、有機半導体層から形成された少なくとも１つのトランジスタを収容してもよい。他の共通要素としては、これらに限定されないが、導電性配線、励起要素、活性化要素、及び活性な眼用装置を挙げることができる。活性な眼用装置は、眼用レンズを通過する光の焦点特性を動的に変化させることができてもよい。焦点特性を動的に変化させることができる部品の非限定的な例として、液体メニスカスレンズ素子を挙げることができる。活性化要素の非限定的な例として、感圧性スイッチ、及び磁界センサを挙げることができる。磁界センサの非限定的な例として、ホール効果センサ、フォト検出器、音検出器、及び電磁信号（例えば、ＲＦ信号）を検出可能な他の装置を挙げることができる。
【００１５】
いくつかの実施形態では、有機半導体装置をｎ型有機半導体層から形成してもよい。他の実施形態では、有機半導体装置をｐ型有機半導体層から形成してもよい。更に他の場合では、ｐ型及びｎ型有機半導体層両方の装置を収容してもよい。
【００１６】
いくつかの実施形態では、導電性配線を、複数の金属層（例えば、銀、金、アルミニウム、及び銅（少数例として）の膜を含む）から形成してもよい。他の導電性配線は、透明な材料（例えば、しかしこれに限定されないが、酸化インジウムスズ）で形成されてもよい。いくつかの実施形態では、励起要素を、導電性配線上に配置しても、又は導電性配線に接続してもよい。励起要素の非限定的な例として、電池を挙げてもよい。いくつかの実施形態では、電池は、固体状態処理（例えば、これに限定されないが、複数のリチウム電池処理）から形成されてもよい。いくつかの実施形態では、電池は、湿式セルタイプの配合物（例えば、これに限定されないが、アルカリ性タイプの電気化学セル）から形成されてもよい。
【００１７】
いくつかの実施形態では、これらの仕方で形成された眼用レンズによって、新規なタイプの眼用装置を規定する。いくつかの実施形態では、眼用装置内に組み込まれた挿入物装置が新規である。いくつかの他の実施形態では、有機半導体装置を含む眼用装置を製造する新規な方法について説明している。薄膜有機半導体装置は、電極、誘電体、絶縁体、及び有機半導体層のパターニングされた規定から形成され得る。いくつかの他の実施形態では、結果として生じる装置を、３次元特徴を伴う眼用挿入物表面上に形成してもよい。いくつかの他の実施形態では、薄膜有機半導体装置を、有機半導体装置の形成後に３次元形状に形成してもよい。いくつかの実施形態では、有機半導体装置を含む形成された回路は、複数の手段（例えば、これらに限定されないが、ハンダ及び導電性接着剤）によって３次元の挿入物表面に伝導的に取り付けられてもよい。
【００１８】
いくつかの実施形態では、有機半導体装置を収容する挿入物を更に処理して、導電性配線及び励起要素を形成してもよい。代替的に、いくつかの他の実施形態では、導電性配線及び励起要素は、有機半導体装置を３次元挿入物に含める前に形成され得る。
【００１９】
いくつかの実施形態では、要素の複数の組み合わせによって新規な実施形態を規定してもよい。いくつかの実施形態では、より高い電位を伴う励起要素を、別個の電気化学セルの直列組み合わせから形成してもよい。より高い電位の励起要素によって、多くの活性化要素（例えば、これに限定されないが、感圧性コンタクトスイッチ）に対して励起が与えられてもよい。加えて、より高い電位の励起要素によって、励起が有機半導体回路に与えられてもよい。いくつかの実施形態では、要素の新規な組み合わせによって、眼用装置及びその形成方法を規定してもよい。その装置は、有機半導体を、基板上に、プラスチックと同様に、相対的に低い温度で形成することができるために、単純化された製造プロセスを有している。同様に、薄膜トランジスタと他の電気装置の、有機半導体に基づく性質が、挿入物の形成の他の処理態様とともに、より薄い眼用装置の使用可能性を可能にしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】有機半導体装置が本発明の実体の他の関連する開示内容と整合して規定される場合がある、３次元表面を伴う代表的な基板を例示する図である。
【図２】有機半導体装置の形成と整合する場合がある３次元表面を形成するための代表的なフローを例示する図である。
【図３】導電性配線が少なくとも２つの導電性場所内にある、３次元的に形成された挿入物装置に接続された集積回路装置を例示する図である。
【図４】眼用装置内に含めることに対して有用な場合がある、相補的なｎ型及びｐ型有機半導体装置の形成に対する代表的な処理フロー工程の組を例示する図である。
【図５】眼用装置内に後で含めることと整合する相補的な有機半導体装置の形成に対する代表的なプロセスフローを例示する図である。
【図６】図５における代表的なやり方において参照されたプロセスフローを更に処理して眼用装置にするための代表的な方法を例示する図である。
【図７】図５における代表的なやり方において参照されたプロセスフローを更に処理して眼用装置にするための代替の代表的な方法を例示する図である。
【図８】眼用装置内に含まれる有機半導体を用いる代表的な電子回路機能を例示する図である。
【図９】図８の回路要素を含む挿入物装置の表示を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明は、有機半導体装置を眼用挿入物構造上に形成するための装置及び方法に関する。いくつかの実施形態では、挿入物構造は、３次元トポロジーを有する表面を有していてもよい。以下のセクションでは、本発明の実施形態の「発明を実施するための形態」が記載される。好ましい実施形態及び代替の実施形態の両方の説明は、代表的な実施形態に過ぎず、変形、修正、及び代替が当業者にとって明白であり得ることが理解される。したがって、これらの代表的な実施形態は、基礎をなす発明の範囲を制限しない点は理解されなければならない。
【００２２】
用語集
本発明を対象としたこの説明及び特許請求の範囲においては、以下の定義が適用される様々な用語が用いられ得る。
封入するとは、本明細書で用いる場合、実体（例えば、媒体挿入物など）を、実体に隣接する環境から分離する障壁を形成することを指す。
【００２３】
封入材とは、本明細書で用いる場合、実体（例えば、媒体挿入物など）を囲みながら形成された層であって、実体に隣接する環境から実体を分離する障壁を形成する、層を指す。例えば、封入材を、シリコーンヒドロゲル、例えばエタフィルコン、ガリフィルコン、ナラフィルコン、及びセノフィルコン、又は他のヒドロゲルコンタクトレンズ材料から構成してもよい。いくつかの実施形態では、封入材を半透性にして特定の物質を実体内に収容して、特定の物質（例えば、水など）が実体に入らないようにしてもよい。
【００２４】
付勢されたとは、本明細書で用いる場合、電流を供給することができるか、又は内部に蓄積された電気的エネルギーを有することができる状態であることを指す。
【００２５】
エネルギーとは、本明細書で用いる場合、ある物理系が仕事をする能力のことを指す。仕事をすることにおいて電気的作用を行うことが可能なこの能力には、多くの用途が関連し得る。
【００２６】
エネルギー源とは、本明細書で用いる場合、エネルギーを供給するか、又は論理若しくは電気装置を励起状態にすることができる装置又は層を指す。
【００２７】
環境発電機とは、本明細書で用いる場合、エネルギーを環境から取り出して、それを電気エネルギーに変換することができる装置を指す。
【００２８】
機能化とは、本明細書で用いる場合、例えばエネルギー印加、作動、又は制御を含めた機能を、層又は装置が実行することを可能にすることを指す。
【００２９】
レンズとは、眼内又は眼の表面上に置かれるあらゆる眼用装置のことを指す。これらの装具は、光学補正をもたらすことができるか、又は美容用であってもよい。例えば、用語レンズは、コンタクトレンズ、眼内レンズ、オーバーレイレンズ、眼用挿入物、光学挿入物、又は他の同様の装置であって、それを通して視力が補正若しくは修正されるか、又は視力を妨げることなく目の生理機能が美容的に強化される（例えば、虹彩色）、装置を指す場合がある。いくつかの実施形態では、本発明の好ましいレンズは、シリコーンエラストマー又はヒドロゲルから作られたソフトコンタクトレンズである。ヒドロゲルの例としては、これらに限定されないが、シリコーンヒドロゲル、及びフルオロヒドロゲルが挙げられる。
【００３０】
レンズ形成混合物又は「反応混合物」又は「ＲＭＭ」（反応性モノマー混合物）とは、本明細書で用いる場合、硬化及び架橋してもよいか、又は架橋して眼用レンズを形成してもよいモノマー又はプレポリマ材料を指す。種々の実施形態には、これらに限定されないが、レンズ形成混合物に１又は複数の添加剤（例えば、ＵＶ遮断剤、ティント、光開始剤、又は触媒、及び眼用レンズ（例えば、コンタクト又は眼内レンズ）内で要求される場合がある他の添加剤）を伴うものが含まれる場合がある。
【００３１】
レンズ形成面とは、本明細書で用いる場合、レンズを成形するために用いる表面を指す。いくつかの実施形態では、このような表面は光学品質表面仕上げを有することができる。光学品質表面仕上げとは、表面が十分に形成されて滑らかであるために、成形表面と接触した状態でレンズ形成材料の重合によって作られたレンズ表面が光学的に許容できることを示す場合がある。更に、いくつかの実施形態では、レンズ形成は、幾何学的形状として、レンズ表面に所望の光学特性（例えば、限定することなく、球面、非球面、及び円柱屈折力、波面収差補正、角膜トポグラフィ補正、並びにこれらの組み合わせ）を与えるのに必要な形状を有していてもよい。
【００３２】
リチウムイオンセルとは、本明細書で用いる場合、セル内を移動するリチウムイオンが電気的エネルギーを生成する、電気化学セルを指す。この電気化学セル（通常は、電池と言われる）を、その典型的な形態で再励起しても又は再充電してもよい。
【００３３】
基板インサートとは、本明細書で用いる場合、眼用レンズ内部のエネルギー源を支持することが可能な成形可能又は剛性の基板を指す。いくつかの実施形態では、基板インサートは、１つ又は２つ以上の部品も支持する。
【００３４】
鋳型とは、本明細書で用いる場合、レンズを未硬化配合物から形成するために用いてもよい、剛性又は半剛性の物体を指す。鋳型の非限定的な例として、前方湾曲鋳型部分と後方湾曲鋳型部分とを形成する２つの鋳型部分が挙げられる。
【００３５】
眼用レンズ挿入物とは、本明細書で用いる場合、眼用装置内又は装置上に収容してもよい媒体を指し、その眼用装置は人間が着用する場合がある。
【００３６】
光学ゾーンとは、本明細書で用いる場合、眼用レンズの装用者がそこを通して見ることになる、眼用レンズの領域を指す。
【００３７】
有機半導体とは、本明細書で用いる場合、炭素系材料から作られた半導体を指す。
【００３８】
ＰＥＴＧとは、本明細書で用いる場合、透明なアモルファス熱可塑性物質であり、射出成形、シート押出成形、及び処理中の着色が可能である、ポリエチレンテレフタレートグリコールを指す。
【００３９】
電力とは、本明細書で用いる場合、単位時間当たりに行われる仕事又は移動するエネルギーを指す。
【００４０】
再付勢可能又は再充電可能とは、本明細書で用いる場合、仕事をするためのより高いキャパシティの状態へと復元可能な能力を指す。本発明内の多くの用途は、電流をある程度の率で、ある程度の再設定された時間枠の間、流すことができる状態に復元できる能力と関連付けられる場合がある。
【００４１】
再励起又は再充電とは、本明細書で用いる場合、仕事をするためのより高いキャパシティの状態に復元することを指す。本発明内の多くの用途は、装置内で、電流をある程度の率で、ある程度の再設定された時間枠の間流すことができることを復元することに関する場合がある。
【００４２】
鋳型からの解放とは、本明細書で用いる場合、レンズが鋳型から完全に分離されるか、又はゆるく取り付けられているだけであるために、軽く攪拌することで取り出されるか又はモップを用いて押し出される場合があることを意味する。
【００４３】
積層されたとは、本明細書で用いる場合、少なくとも２層の構成層を、層のうちの１つの一方の面の少なくとも一部が、第２の層の第１の面と接触するように、互いに近接して配置することを意味する。いくつかの実施形態では、膜（接着用か又は他の機能用かにかかわらず）が、互いに接触している２つの層の間に存在していてもよい。
【００４４】
積層型集積部品装置（ＳＩＣ装置）とは、本明細書で用いる場合、基板（電気及び電気機械装置を収容する場合がある）の薄層から、各基板層の少なくとも一部を互いに積層する手段によって、動作する集積装置に組み立てられたパッケージング製品を指す。基板層は、複数のタイプ、材料、形状、及びサイズの部品装置を含んでいてもよい。更に、層は、その層に所望され得る様々な輪郭に適合させ及びその輪郭をとらせる、様々なデバイス生産技術により作製されてもよい。
【００４５】
次に図１を参照して、半導体装置を含めることに対する１又は複数の励起要素を含む眼用レンズが例示されている。本明細書で説明する方法及び装置は、有機半導体装置を、３次元的に形成された基板内又は基板上に形成することに関する。基板は、それらの対応する表面上に電気相互接続を含んでいてもよい。例示したように、いくつかの実施形態では、代表的な３次元基板１００上に電気配線が設けられたものを示す。例は、眼用装置の一部を表わしている場合もあるし、又は他の専門用語では、眼用に対する挿入物装置の一部を表わしている場合もある。１つのこのような実施形態には、活性なフォーカシング素子が含まれる眼用装置が含まれ得る。このような活性なフォーカシング装置は、励起要素内に貯蔵してもよいエネルギーを用いる間に機能してもよい。図１における３次元基板上の電気配線によって、その上に励起要素を形成する良好な基板が得られてもよい。更に、個別の有機半導体装置か又は有機半導体装置から形成された回路は、これらの電気配線に複数の仕方で接続され得る。
【００４６】
図１を再び参照して、いくつかの実施形態では、眼用装置１００において、３次元基板は、例えば、光学的に活性な領域１１０を含んでいてもよい。いくつかの実施形態では、眼用装置１１０がフォーカシング素子である場合、活性な眼用領域１１０は、光がユーザの目の中に進むときに通るフォーカシング素子を収容する挿入物装置の前面を表わしてもよい。この領域１１０の外側には、通常は、眼用装置を着用する人に光学的に関連する経路内にはない眼用装置１００の周辺領域１１２が存在する。いくつかの実施形態では、装置を光学的に活性な領域１１０内に配置することが実現可能（特に、非常に薄い膜及び透明な電極を用いて）であるが、活性な集束機能に関係する部品をこのような周辺領域１１２内に配置することが適切な場合がある。いくつかの実施形態では、透明電極を、材料（例えば、これに限定されないが、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ））から形成してもよい。
【００４７】
いくつかの実施形態では、別の態様において、複数の部品を金属配線によって互いに電気的に接続することができ、これらの部品の一部は、有機半導体装置であってもよいし、又は有機半導体装置を含んでもよい。また金属配線によって、励起要素１１４を眼用装置１００内に組み込むことを支持する有用な機能が得られる場合がある。
【００４８】
図１を再び参照して、いくつかの実施形態では、励起要素１１４は電池であってもよい。例えば、電池は、固体状態電池又は湿式セル電池であってもよい。これらの例のいずれかにおいて、最低で少なくとも２つの導電性配線が、電池のアノードと電池のカソードとの間に形成される電位をもたらすために存在する場合がある。図１の代表的な眼用装置１００において、いくつかの実施形態では、電池接続部１１４を電気配線１５０の領域内に規定してもよい。いくつかの実施形態では、第１の励起要素又は電池１５０は、アノード接続部であってもよく、眼用装置１００に対する電気配線１１４の（−）電位接続部を表わしてもよい。
【００４９】
図１を再び参照して、いくつかの実施形態では、第２の励起要素又は電池１６０は、カソード接続部であってもよく、眼用装置１００に対する電気配線１１４の（＋）電位接続部を表わしてもよい。いくつかの実施形態では、有機半導体要素は、アノード１５０及びカソード１６０の接続点に接続され得る。後のセクションでは、これらの実施形態のいくつかについて、より詳細に説明する場合がある。一実施形態では、有機半導体装置の集積回路は、アノード１５０及びカソード１６０とともに他の場所に接続され得る。他の実施形態タイプでは、有機半導体装置は、眼用装置１００の基板表面上に直接形成されてもよく、アノード１５０及びカソード１６０と接続されるか、又は回路装置それ自体内での相互接続の場合と同じ冶金を用いることによって一体的に接続され得る。
【００５０】
図１を再び参照して、アノード１５０及びカソード１６０に接続された電気配線はそれぞれ、絶縁された配線１４０及び１７０であって、それぞれ、隣接する配線１３０及び１８０の近くに配置されていることが認められ得る。隣接する配線１３０及び１８０は、電池要素がこれらの配線上に作られたときに逆の電池化学又は電極タイプを表してもよい。したがって、隣接する配線１３０は、隣接する配線１３０と絶縁された配線１４０との間の電池セルのカソード１６０として機能する場合がある化学層に接続され得る。
【００５１】
図１において、隣接する配線１３０及び１８０が配線領域１２０を通して互いに接続されていることが認められ得る。配線領域１２０は、いくつかの実施形態では、任意の化学層によって部分的に覆われていても又は覆われていなくてもよい。したがって、配線領域１２０は電気相互接続の目的で機能する。この例では電池として構成された２対の電気セルが存在し得ること、並びにレイアウト及びデザインの性質によってこれら２つの電池が直列接続で接続されることが、明らかな場合がある。励起要素１５０及び１６０に渡る全体的な電気的性能は、２つの電池セルの組み合わせであると考えてもよい。
【００５２】
有機半導体装置を取り入れた実施形態では、励起電圧要求は１０台のボルトであってもよく、その結果、多数の配線領域１２０が存在して、励起要素１５０及び１６０がより高い全体励起電圧を規定できるように形成されている。
【００５３】
図２を参照して、代替的な実施形態の組について説明する場合がある。これらの代替的な実施形態では、１組の導電性特徴部２００（処理後に、３次元表面上の相互接続になる）が形成され、一方で、ベース材料が依然として平面形状に保たれている。工程２０１に進んで、ベース基板（いくつかの実施形態では、眼用レンズ又はレンズ挿入物の一部を形成することと整合している場合がある）を形成する。ベース基板材料の非限定的な例として、ＰＥＴＧを挙げることができる。いくつかの実施形態では、ベース基板が導電性材料から形成されている場合には、その表面を絶縁体材料でコーティングして、表面上への相互接続の形成と整合したままであってもよい。
【００５４】
いくつかの実施形態では、有機半導体処理をこの基板表面上に行なってもよい。これらの場合、処理工程（後のセクションで説明する）が基板上ですでに行なわれている場合があり、したがって、２０１の基板の表面には実際には有機半導体装置が含まれている場合がある。いくつかの実施形態では、図２の以後の処理工程を、これらの装置領域及び平坦基板上で行なってもよい。他の実施形態では、有機半導体装置を、図２のプロセスと同様の仕方で、しかし並列処理の仕方で形成してもよい。図２を再び参照して、基板ベースを工程２０２で更に処理する。いくつかの実施形態では、導電膜をベース基板上に適用する。導電膜には、本明細書においてこの実施形態に対して規定された技術及び説明すべき他のものと整合する、代替手段が含まれ得る。いくつかの実施形態では、膜を、展性のある導電性材料で形成して十分な厚さにし、後の形成プロセスの間に機械的故障が生じることを回避してもよい。
【００５５】
平坦基板ベースを３次元基板に形成するときに、導電膜を変形させてもよい。いくつかの実施形態では、膜は金膜から構成され得る。
【００５６】
図２を再び参照して、工程２０３において、平坦な部片を３次元形状に形成した後、導電膜をパターニングして所望の形状を形成してもよい。図示した形状は、３次元の望ましい結果を形成したであろう代表的な形状の組である。導電層（例えば、これに限定されないが、金導電層）をパターニングする多くの仕方が存在する場合がある。パターニング工程２０３の非限定的な例として、化学的なエッチングを伴うフォトリソグラフィを挙げることができる。代替的に、レーザアブレーションを前述の仕方で用いて、適切な成形された特徴部を形成してもよい。いくつかの実施形態では、結像された導体パターンを遮蔽板を通して堆積させて、直接、パターニングされた形状にしてもよい。
【００５７】
図２を再び参照して、いくつかの実施形態では、工程２０４において、ベース基板とその上に設けられた導電性特徴部との積層物を、その上に設けられた材料内に封入してもよい。いくつかの実施形態では、熱成形材料（例えば、これに限定されないが、ＰＥＴＧ）によって、このように用いることができる代表的な膜を得てもよい。いくつかの実施形態では、形成された特徴部を封入すると、特徴部の望ましい安定性が得られる場合がある。いくつかの他の実施形態では、膜の積層物を熱成形プロセスの間に変形させて、望ましい３次元形状を形成してもよい。いくつかの実施形態では、工程２０４の一部として、第１のプレーナ熱成形プロセスを行なって、上部の絶縁材料を、下部の基板ベースに対して、及び導電膜内の規定された特徴部に対して密封してもよい。更に加えて、中央の光学領域は、複合膜がない状態でより良好に機能する場合があるため、中央の光学ゾーン領域に対する切り取り部分を、非斜線の中央の円形領域によって例示する。
【００５８】
図２を再び参照して、工程２０５において、母材、形成された導電性特徴部、その上に設けられた封入層、及び絶縁層の積層物に対して熱成形プロセスを施して、３次元形状を得てもよい。いくつかの実施形態では、形状は、熱成形プロセスによってもたらされる電気相互接続を組み込んでもよい。工程２０４における処理がその上に設けられる絶縁層を含んだいくつかの実施形態では、ビアを絶縁材料内に形成してもよい。工程２０６において、組み込まれた電気相互接続を伴う３次元形状を処理して、導電性のビア及び開口部を適切な場所に形成する。これらのビア及び開口部を形成する多くの仕方が存在する場合があるが、非限定的な例では、レーザアブレーション処理を用いて、最上部絶縁体層を除去してその下の導電膜領域を露光することによって、正確な開口部を形成してもよい。結果として生じる、電気相互接続を伴う３次元表面は、本明細書で説明する他の仕方で作られたものと著しく類似する場合がある。
【００５９】
有機半導体装置を、３次元的に形成されたか又は形成可能な挿入物基板上に電気的に接続する。
次に、図３を参照して、有機半導体装置を、３次元的に形成されたか又は形成可能な挿入物基板上に電気的に接続することについて例示する。いくつかの実施形態では、３次元的に形成された挿入部品３００の一部の代表的なクローズアップを示す。領域３０５によって示された場所は、有機半導体装置を収容する場合がある、取り付けられた集積回路装置を表してもよく、あるいは有機半導体装置がすでに形成されているか又は以後の処理で形成される場合がある挿入物表面の領域を表わしてもよい。
【００６０】
いくつかの実施形態では、領域３１０及び３２０は、挿入物装置のより大きい相互接続特徴部が回路領域内の部品に対する電気的接続を形成する場所が表す場合がある。図３における代表的な説明では、有機半導体部品を基板から取り除くか又はダイスカットして、その後に挿入物に接続してもよい。したがって、図３における表現は、領域３１０及び３２０におけるフリップチップ配向を表わす場合があるが、相互接続特徴部（例えば、これらに限定されないが、流動性ハンダボール、又は導電性エポキシ接続）がチップ表面下に存在してもよい。
【００６１】
実施形態タイプのいずれかにおいて、接続方式の性質によって、回路領域３０５内の有機半導体装置が、相互接続配線を通して他の要素に確実に接続される場合がある。これらの他の要素として、これらに限定されないが、励起要素、センサ、活性な光学素子、他の集積回路デザイン、薬剤ポンプ、及び薬剤分散装置を挙げることができる。
【００６２】
いくつかの実施形態では、有機半導体トランジスタを眼用挿入物表面上に形成してもよい。有機半導体装置を眼用挿入物装置内に組み込む多くの方法が存在する場合がある。いくつかの実施形態では、組み込むべき有機半導体装置を形成する多くの方法が存在する場合がある。いくつかの他の実施形態では、有機半導体装置を電界効果半導体装置構造に基づいて形成する。これらの装置の非限定的な例として、半導体層の下にゲート電極が配置されるデザインが挙げられる。更なる実施形態では、半導体層の上方にゲート電極を含むか、又は半導体層にゲート電極を有する。
【００６３】
図４に進んで、並列処理フロー４００及び４５０が例示されている。これらは、相補的なｐ型及びｎ型有機半導体装置を製造するものである。工程４１０において、各タイプの装置に対して、基板は、その上に装置を形成してもよい平坦又は平面であってもよい。次に工程４１５において、金属又は導電性材料を堆積させて、ゲート電極を、処理フローのこの「底部ゲート」電極タイプで形成する。ゲート電極を形成する多くの手段が存在する場合がある。例えば、スパッタリング源又は蒸着源からの遮蔽堆積である。他の方法としては、ブランケット堆積と、それに続くパターニングされたエッチングプロセスとを挙げることができる。絶縁された導電性ゲート構造を形成する任意の方法が、本明細書における技術と整合している場合がある。
【００６４】
以下の工程４２０では、ゲート誘電体層を堆積させてゲート電極を覆って囲む。この堆積に対する効果的な方法は、誘電体上で液体前駆体からスピンさせ、それに続いて硬化させることであり得る。他の実施形態では、誘電体を気相堆積によって堆積させてもよい。いくつかの実施形態では、技法（例えば、これに限定されないが、化学機械研磨）によって、誘電体をその後に平坦化してもよい。
【００６５】
図４を再び参照して、工程４２５において、ｎ型有機半導体層を誘電体層上に堆積させてもよい。この堆積を、有機半導体の蒸気相形態のマスキングされた堆積によって局部的に制御してもよい。他の実施形態では、ブランケット膜を適用し、それに続いて、パターニングされた除去プロセスを施してもよい。いくつかの他の実施形態では、４２６において、ｎ型有機半導体層は存在しなくてもよい。二極性装置のいくつかの例では、ｎ型有機半導体膜はｐ型装置内に存在し、その後に、ｐ型有機半導体材料（図示せず）で覆ってもよい。この層に対するいくつかの材料として、以下のものを挙げることができる。Ｎ，Ｎ’−ビス（ｎ−オクチル）−ジシアノペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）（他の場合には、（ＰＤＩ−８ＣＮ２）と言われる）、カルボニル官能基化（α，ω−ジペルフルオロヘキシル−４Ｔ）（他の場合には、（ＤＦＨＣＯ−４Ｔ）と言われる）、及び銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（他の場合には、（Ｆ１５ＣｕＰｃ）と言われる）（少数の非限定的な代表的オプションとして）。
【００６６】
図４を再び参照して、工程４５６において、ｐ型有機半導体層を誘電体層上に堆積させてもよい。この堆積を、有機半導体の蒸気相形態のマスキングされた堆積によって局部的に制御してもよい。他の実施形態では、ブランケット膜を適用し、それに続いて、パターニングされた除去プロセスを施してもよい。工程４５５において、ｐ型有機半導体層が存在しないことが、いくつかの実施形態において認められてもよい。この層に対するいくつかの材料として、以下のものを挙げることができる。ペンタセン、テトラセン、ルブレン、及びレジオレギュラーポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＴ）（少数の非限定的な代表的オプションとして）。具体例について説明してきたが、許容できるｎ型及びｐ型有機ＴＦＴ装置を作り得る多くの材料が、本明細書における技術の範囲内で整合している場合がある。
【００６７】
図４を再び参照して、ソース及びドレイン電極４６１及び４６２をそれぞれ、次に、形成した有機半導体トランジスタ装置上に配置する。図４に示したように、２つの別個の工程が、工程４３５及び工程４３６として規定されている。多くの実施形態において、これらの工程は同時に行なわれ、工程番号の区別は単に、工程が異なる層上で行なわれていることを強調するためである。ソース／ドレイン電極を形成する多くの手段が存在する場合がある。例えば、スパッタリング源又は蒸着源からの遮蔽堆積である。他の方法としては、ブランケット堆積と、それに続くパターニングされたエッチングプロセスとを挙げることができる。絶縁された導電性電極構造を形成する任意の方法が、本明細書における技術と整合している場合がある。
【００６８】
図４を再び参照して、工程４４０及び４４１に進んで、絶縁体を、ソース及びドレイン電極並びに装置全体それ自体を封入するように配置してもよい。この堆積に対する効果的な方法は、誘電体上で液体前駆体からスピンさせ、それに続いて硬化させることであり得る。他の実施形態では、誘電体を、気相堆積によって堆積させてもよく、場合によっては、その後に、技法（例えば、これに限定されないが、非限定的な例として化学機械研磨）によって平坦化してもよい。絶縁体層の堆積に続いて、コンタクト開口部４６３を形成してもよい。これらのコンタクト開口部を実行することができる複数の処理工程の中で、レーザアブレーション処理又はリソグラフィ結像された減法エッチングプロセスを、非限定的な例として挙げてもよい。
【００６９】
次に、図５を参照して、いくつかの実施形態では、プロセスフロー５００を、有機半導体装置を形成する方法及び仕方に対してテキスト形式でまとめている。工程５０１において、平坦基板をクリーニングして、有機半導体装置へと処理することに備える。任意の３次元的に形成された表面を説明済みの仕方で処理することができる場合があるが、代表的な目的に対して、平坦基板について説明する。次の工程５０２において、ゲート金属特徴部を堆積させて空間的に規定する。代表的なフローは、装置構造下のゲートのタイプに対するものである。いくつかの実施形態では、当該技術分野で知られる多数のＴＦＴアーキテクチャが本明細書における技術の範囲と整合している場合がある。更に工程５０３に進んで、誘電体膜層をゲート電極上に及びその周りに堆積させる。好ましい実施形態では、誘電体層は、この処理後に、ほぼ平行であってもよく、またゲート誘電体の上方で平坦であってもよい。工程５０４及び５０５において、ｎ型及びｐ型有機半導体層を選択領域内に堆積させる。これらの選択された局部層を堆積させることに対して多くの仕方が存在する場合がある。例えば、限定されないが、マスキングされた堆積及びブランケット堆積の後に続けて減法エッチングを行なうことである。更に、いくつかの実施形態では、２つの領域の順序を逆にしてもよい。いくつかの実施形態では、ｎ型及びｐ型有機半導体装置の両方を形成することができる。これは回路柔軟性において望ましい場合があるが、これは複数の非トランジスタ装置の形成、例えばダイオードの形成を、ｎ型及びｐ型層の組み合わせによって可能にする場合もある。工程５０６において、ソース及びドレイン電極を形成する。前述したように、この例は、装置タイプの下のゲートに対するものであり、ソース及びドレイン電極を大まかに平坦な半導体領域上に堆積させる実施形態を表す場合がある。しかし、ＴＦＴアーキテクチャの多様性は、本明細書における技術と整合している場合がある。次に、工程５０７において、いくつかの実施形態では、装置及び電極を封入及び絶縁層によって囲んでもよい。いくつかの実施形態では、この層を、プレーナ上面が得られるように形成又は処理する。図５に示す最終工程（工程５０８）では、誘電体絶縁層内のコンタクトホールを、少なくとも部分的に、導電性電極が配置された領域の上方に形成する。いくつかの実施形態では、外部の電気接点を、形成された装置に対して形成してもよい。当業者には明らかであり得るように、代表的なプロセスフローによって、機能的回路を形成する多数の接続された有機半導体トランジスタが得られる場合がある。また、トランジスタ以外の他の装置（例えば、ダイオード、抵抗器、及びバラクター）を形成してもよい。
【００７０】
図６を参照して、プロセス５００に示すプレーナ処理を用いた眼用装置を更に処理する代表的なプロセスフロー６００を例示する。工程６０１において、図５に示すプロセス５００の更なる処理を、部分的又は全面的に、進めてもよい。その後、結果として生じる基板、有機半導体装置、導電性相互接続、及び基板上の他の任意の形成された装置を、工程６０２で更に処理してもよい。いくつかの実施形態では、工程６０２において、基板及び装置を変形させて、３次元的に成形された部片にしてもよい。いくつかの実施形態では、変形は、いくつかの例では基板の熱成形を伴ってもよく、又は他の実施形態では基板の折り畳みを伴ってもよい。
【００７１】
図６を再び参照して、工程６０３において、結果として生じる３次元的に成形された部片は、その上に、付加的な金属配線を堆積してもよい。いくつかの実施形態では、これらの金属配線は、導電層と、薄膜有機半導体装置の処理中に形成された開口部を介して交差してもよい。いくつかの実施形態では、励起装置は、平坦基板上にすでに配置されていなくてもよいが、このような配置は、現況技術内で可能な場合がある。工程６０４において、励起要素の適用は、複数の手段（例えば、陽極、陰極、及び電解質領域の印刷など）によって行なってもよい。
【００７２】
次の、工程６０５において、いくつかの実施形態では、装置を封入及び封止してもよい。封入を実行する多くの仕方が存在する場合がある。例えば、パリレンの気相堆積を、ある程度の領域を未封止又は未封入状態に保てるようにする遮蔽装置を用いて行なうことなどである。いくつかの実施形態では、結果として生じる装置を次に、工程６０６において、単一化しても又は取り除いてもよい。いくつかの実施形態では、形成された挿入物部片（光学ゾーン内に存在する場合がある）の中央領域は、複数の機能的目的（例えば、これに限定されないが、前方光学面をメニスカスに基づくレンズ素子に対して形成すること）のために残存してもよい。他の実施形態では、中央の光学ゾーンを取り除いて、環状タイプの眼用挿入物部片を形成してもよい。いくつかの実施形態では、この工程６０６を続けて、形成された眼用挿入物部片をその後に処理して、眼用挿入物に組み立てることを終了してもよい。
【００７３】
図を続けて、工程６０７において、いくつかの実施形態では、眼用装置を形成する。工程６０６の眼用挿入物を用いる眼用装置を形成する多くの仕方が存在する場合がある。いくつかの実施形態では、これは、眼用装置を、前方湾曲した鋳型片内に、少量の反応混合物とともに配置することを伴ってもよい。反応混合物を定着させることによって、挿入物部片を鋳型片の適切な場所に保持してもよい。その後、いくつかの実施形態では、前方及び後方湾曲鋳型部片を用いて適切な形状及び光学品質を成形して、眼用レンズ装置を作ってもよい。いくつかの他の実施形態では、挿入物を封入する成形工程において形成される材料には、ヒドロゲル形成材料が含まれ得る。
【００７４】
次に図７を参照して、いくつかの実施形態では、有機半導体装置を含む眼用装置を形成する代替的な方法７００について説明する。工程７０１において、プロセス５００の更なる処理を、部分的又は全面的に進めてもよい。いくつかの他の実施形態では、結果として生じる基板、有機半導体装置、導電性相互接続、及び基板上の他の任意の形成された装置を、工程７０２において更に処理してもよい。いくつかの実施形態では、工程７０２において、基板及び装置を変形させて、３次元的に成形された部片にしてもよい。変形には、いくつかの例において基板の熱成形を伴ってもよい。他の実施形態では、変形は、部片をその３次元形状に保つ熱成形又は接着剤結合に基づいて行なう基板の折り畳みを伴ってもよい。
【００７５】
図７を再び参照して、いくつかの実施形態では、工程７０３において、３次元形状を切断して、眼用装置に対する回路の完全コピーを収容するセグメントにしてもよい。次に、工程７０４において、いくつかの実施形態では、接続特徴部は、薄膜有機半導体装置の処理中に形成された開口部を介して導電層に適用されてもよい。いくつかの実施形態では、これらの接続特徴部には、種々の種類のはんだバンプが含まれ得る。他の実施形態では、接続特徴部には導電性エポキシが含まれ得る。これらの実施形態タイプのいずれかでは、工程７０５において、区分された回路部片が、３次元的に形成された挿入物部片に接続され得る。接続特徴部を他の封止剤及び封入材とともに用いて、セグメント化された回路部片を眼用挿入物部片に取り付けてもよい。いくつかの実施形態では、工程７０６において、結果として得られた挿入物部片に有機半導体が取り付けられたものを完成させて、完全な眼用挿入物にすることができる。
【００７６】
図７を続けて、いくつかの実施形態では、工程７０７において、眼用装置を形成する。工程７０６の眼用挿入物を用いる眼用装置を形成する多くの仕方が存在する場合がある。いくつかの実施形態では、これには、眼用装置を、前方湾曲した鋳型片内に少量の反応混合物とともに配置することが伴ってもよい。いくつかの実施形態では、反応混合物を定着させることによって、挿入物部片を鋳型片の適切な場所に保持してもよい。その後、いくつかの実施形態では、前方及び後方湾曲鋳型部片を用いて適切な形状及び光学品質を成形して、眼用レンズ装置を作ってもよい。いくつかの実施形態では、挿入物を封入する成形材料には、ヒドロゲル形成材料が含まれ得る。
【００７７】
いくつかの実施形態では、以前のセクションで述べた方法及び装置によって、複数の眼用装置を形成することができる。図８を参照して、代表的な電子回路８００について説明する。これは、励起要素を伴う眼用装置の導入と整合している。いくつかの実施形態では、電子回路８００は、電子回路８００が起動されたとき、起動装置としての機械スイッチに応答して、電位を、メニスカスに基づくフォーカシング素子を含む活性な眼用装置に渡って印加する。
【００７８】
図８を再び参照して、いくつかの実施形態において、励起要素８１０を示す。いくつかの実施形態では、励起要素８１０は、電子回路８００が有機半導体トランジスタを収容している場合があるため、複数及び多数の電池セルを直列に接続したものから構成されてもよい。一例としては、いくつかの実施形態では、適切なセルを接続して、励起要素内の電位として約２０ボルトを発生させてもよい。他の実施形態では、種々の複数のセルを互いに接続して、約１０ボルト〜１００ボルトの範囲の励起電位を発生させてもよい。
【００７９】
図８を続けて、いくつかの実施形態では、励起要素８１０は、その電位を活性な眼用要素８２０に渡って印加してもよい。活性な眼用要素８２０は、２種の不混和流体に渡って印加される電位に基づいてメニスカスの形状を変化させることによって応答する、メニスカスレンズに基づく装置であってもよい。いくつかの実施形態では、メニスカスレンズに基づく装置は、電気的観点から、極めて高インピーダンスのコンデンサとして本質的に機能する。したがって、励起要素８１０は最初に、活性な眼用要素８２０を第１の抵抗素子８７０を通して充電してもよい。電位によって容量性要素が十分に充電されると、励起要素８１０はその後に、大きな散逸的負荷を受けることはない。いくつかの他の実施形態では、起動回路構成を規定して、励起要素が放電されないことを更に確実にしてもよい。
【００８０】
いくつかの実施形態では、図８を再び参照して、電子回路８００は更に、相補的なｎ型及びｐ型有機半導体トランジスタを用いる回路に基づく「Ｄフリップフロップ」回路８５０を含んでもよい。いくつかの実施形態では、Ｄフリップフロップ回路８５０は、そのＤ及びＱ出力が互いに接続されていてもよく、それとともにセット（Ｓ）及びリセット（Ｒ）が接地に接続されていてもよい。いくつかの他の実施形態では、Ｑの出力が次に、ある状態から次の状態への反転が、電圧レベル変化がクロック（ＣＰ）入力において起こる度に生じる。その入力の設定は、励起源８１０によって第２の抵抗素子８４０を通して行なう。いくつかの実施形態では、外部スイッチ８６０が起動されると（ユーザが圧力を感圧スイッチ上に及ぼす場合であり得る）、ＣＰにおける電位が接地に近くになり、このレベル変化によって、Ｄフリップフロップ８５０の状態が切り換わる場合がある。いくつかの他の実施形態では、レベルがＱにおいて変化すると、そこに接続されたトランジスタ８３０が「ターンオン」されて活性な光装置に渡って導通し、装置を効果的に短絡させて、活性な光学的状態の状態を変えることができる。代表的な回路実施形態を起動させて、そのステータスを制御する多くの仕方が存在する場合がある。
【００８１】
図９に進んで、いくつかの実施形態では、挿入部品部片９００に対する物理表現（図８の実施形態と整合している）を示す。いくつかの実施形態では、メニスカスレンズ装置に対する第１の接続部９１０があってもよい。述べたように、多くの励起セル９２０が直列に接続されて存在し、有機半導体に基づく回路の動作に要求される必要な電位を発生させてもよい。いくつかの実施形態では、励起セル９２０の組み合わせによって、おおよそ２０ボルトの励起要素を規定してもよい。いくつかの他の実施形態では、励起要素９２０には接点９３０及び９４０が含まれ得る。
【００８２】
いくつかの実施形態では、Ｄタイプフリップフロップ９５０が挿入部品部片９００内にあってもよい。いくつかの実施形態では、Ｄタイプフリップフロップ９５０は、ｎ型及びｐ型有機半導体トランジスタの両方を収容することができる。更に、抵抗素子をＤタイプフリップフロップ９５０内に規定してもよい（図示せず）。いくつかの実施形態では、メニスカスレンズに対する代替的な接続点を規定する第２のコンタクト９６０が存在してもよい。いくつかの他の実施形態では、感圧性スイッチ９７０を、離間配置された金属配線から形成してもよく、感圧性スイッチ９７０は、圧力によってたわむと、２つのサイド間のコンタクトを終了させるものである。
【００８３】
励起要素を３次元表面上の電気相互接続上に形成するのに有用な場合がある形成、形成方法、及び形成装置に関係する本発明の技術の態様を説明するために、具体例を記載してきた。これらの例は前記説明に対するものであり、いかなる形においても範囲を限定することは意図されていない。したがって、説明は、当業者には明らかであり得るすべての実施形態を受け入れることが意図される。
【００８４】
〔実施の態様〕
（１）  眼用装置を形成するための方法であって、
第１の導電性配線（first conductive trace）を薄膜トランジスタに取り付けることと、
前記薄膜トランジスタに固定して取り付けられた有機半導体層を眼用挿入物装置上に堆積させることと、
封入層を前記眼用レンズ挿入物の周りに形成することと、
前記眼用挿入物装置を封入する眼用装置を形成することと、を含む、方法。
（２）  前記封入層がパラレンである、実施態様１に記載の方法。
（３）  前記封入層が、ヒドロゲルを前記レンズ挿入物の周りに形成している、実施態様２に記載の方法。
（４）  前記第１の導電性配線が、透明電極を含む、実施態様１に記載の方法。
（５）  前記透明電極が、酸化インジウムスズを含む、実施態様４に記載の方法。
【００８５】
（６）  前記薄膜トランジスタが、ｎ型有機半導体を含む、実施態様１に記載の方法。
（７）  前記薄膜トランジスタが、ｐ型有機半導体を含む、実施態様１に記載の方法。
（８）  前記薄膜トランジスタが、ｎ型有機半導体とｐ型有機半導体とを含む、実施態様１に記載の方法。
（９）  前記ｎ型有機半導体層が、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１５ＣｕＰｃ）を含む、実施態様６に記載の方法。
（１０）  前記ｐ型有機半導体層が、ペンタセンを含む、実施態様７に記載の方法。
【００８６】
（１１）  前記眼用挿入物装置上に、第１のゲート導体と電気通信する励起要素を堆積させることを更に含む、実施態様１に記載の方法。
（１２）  前記励起要素が、電気化学セルである、実施態様１１に記載の方法。
（１３）  前記電気化学セルが、リチウムイオンセルである、実施態様１２に記載の方法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
2014182391000001.pdf