(57)【要約】【課題】ＴＳＶプロセスにおいて表面にバンプが配設されたウェーハを良好に分割すること。【解決手段】半導体基板の表面にデバイスが形成され、各デバイスに対応して半導体基板内にＶｉａ電極が埋設されたウェーハの加工方法であり、ウェーハ外周から表面側の面取り部を除去する工程と、ウェーハの表面にキャリアプレートを配設する工程と、ウェーハの裏面からＶｉａ電極の深さを検出する工程と、ウェーハの内部に改質層を形成する工程と、Ｖｉａ電極がウェーハの裏面から露出しない程度にウェーハの裏面を研削して個々のチップに分割する工程と、エッチングによりウェーハの裏面からＶｉａ電極を突出させる工程と、ウェーハの裏面を絶縁膜で被覆する工程と、Ｖｉａ電極を絶縁膜から露出させる工程と、Ｖｉａ電極の露出部分にバンプを配設する工程と、キャリアプレートからダイシングテープにウェーハを移し替える工程とを備えた。【選択図】図５
2014044999.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の表面に複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され、デバイスの電極から半導体基板の裏面に向かって埋設されたＶｉａ電極を有するデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に面取り部を備えたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの加工方法であって、
外周余剰領域に切削ブレードを位置づけて所定の深さ切削し面取り部を除去する面取り部除去工程と、
該面取り部除去工程後に、ウェーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設工程と、
該キャリアプレート配設工程後に、ウェーハの裏面からＶｉａ電極の深さを検出するＶｉａ電極検出工程と、
該Ｖｉａ電極検出工程後に、ウェーハの裏面からウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置づけて照射し改質層を分割予定ラインに沿って形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程後に、Ｖｉａ電極が裏面に露出しない程度にウェーハの裏面を研削して薄化するとともに、該改質層からウェーハの表面に至るクラックを伸長させる裏面研削工程と、
該裏面研削工程後に、ウェーハの裏面から半導体基板をエッチングしてＶｉａ電極を突出させるエッチング工程と、
該エッチング工程後に、ウェーハの裏面を絶縁膜で被覆する絶縁膜被覆工程と、
該絶縁膜被覆工程後に、裏面から突出したＶｉａ電極を切削して絶縁膜から露出させると共にＶｉａ電極の頭を絶縁膜と同一面に仕上げる仕上げ工程と、
該仕上げ工程後に、Ｖｉａ電極の頭にバンプを配設するバンプ配設工程と、
該バンプ配設工程後に、ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共にウェーハの表面からキャリアプレートを取り外しウェーハをダイシングテープに移し替える移し替え工程と、
から、構成されるウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、貫通電極（Ｖｉａ電極）が形成されたウェーハの加工方法に関し、特に小チップ化に対応したウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、３次元実装技術として、複数の半導体チップを積層し、半導体チップ同士を接続する積層技術や、複数の半導体ウェーハを積層し、半導体ウェーハ同士を接続する積層技術の開発が進められている。この３次元実装技術として、半導体チップや半導体ウェーハを貫くＶｉａ電極を形成し、Ｖｉａ電極で半導体チップ同士や半導体ウェーハ同士を接続するＴＳＶ（Through  Silicon  Via）プロセスが知られている（例えば、特許文献１参照）。ＴＳＶプロセスでは、ワイヤボンディングと比較して、Ｖｉａ電極によって半導体チップ間や半導体ウェーハ間の接続長を短くでき、装置の小型化が可能になっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１３６１８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、特許文献１に記載のＴＳＶプロセスでは、半導体ウェーハ表面のＶｉａ電極の露出部分にバンプを形成し、バンプ付きの半導体ウェーハを分割して個々の半導体チップに分割している。この場合、バンプによる凹凸や半導体ウェーハの反り等の影響により、半導体ウェーハを良好に分割することが難しいという問題があった。今後、装置の小型化に伴って半導体ウェーハ上のバンプの間隔がより狭くなり、バンプ付きの半導体ウェーハを分割することが一層難しくなることが想定される。
【０００５】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、ＴＳＶプロセスにおいて表面にバンプが配設されたウェーハを良好に分割することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明のウェーハの加工方法は、半導体基板の表面に複数のデバイスが分割予定ラインによって区画され、デバイスの電極から半導体基板の裏面に向かって埋設されたＶｉａ電極を有するデバイス領域と、該デバイス領域を囲繞する外周余剰領域に面取り部を備えたウェーハを個々のデバイスに分割するウェーハの加工方法であって、外周余剰領域に切削ブレードを位置づけて所定の深さ切削し面取り部を除去する面取り部除去工程と、該面取り部除去工程後に、ウェーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設工程と、該キャリアプレート配設工程後に、ウェーハの裏面からＶｉａ電極の深さを検出するＶｉａ電極検出工程と、該Ｖｉａ電極検出工程後に、ウェーハの裏面からウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインに対応する内部に位置づけて照射し改質層を分割予定ラインに沿って形成する改質層形成工程と、該改質層形成工程後に、Ｖｉａ電極が裏面に露出しない程度にウェーハの裏面を研削して薄化するとともに、該改質層からウェーハの表面に至るクラックを伸長させる裏面研削工程と、該裏面研削工程後に、ウェーハの裏面から半導体基板をエッチングしてＶｉａ電極を突出させるエッチング工程と、該エッチング工程後に、ウェーハの裏面を絶縁膜で被覆する絶縁膜被覆工程と、該絶縁膜被覆工程後に、裏面から突出したＶｉａ電極を切削して絶縁膜から露出させると共にＶｉａ電極の頭を絶縁膜と同一面に仕上げる仕上げ工程と、該仕上げ工程後に、Ｖｉａ電極の頭にバンプを配設するバンプ配設工程と、該バンプ配設工程後に、ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着すると共にウェーハの表面からキャリアプレートを取り外しウェーハをダイシングテープに移し替える移し替え工程と、から、構成される。
【０００７】
この構成によれば、絶縁膜の形成前にウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射するので、絶縁膜の影響を受けずに良好な改質層を形成できる。また、ウェーハがキャリアプレートに支持されるため、ＴＳＶプロセスにおいてウェーハの反りによる不具合を防止できる。また、バンプの配設前に分割予定ラインに沿ってウェーハの内部に改質層が形成され、ウェーハの薄化時に改質層に生じるクラックによってウェーハが分割される。よって、バンプによる凹凸の影響を受けることなく良好にウェーハを個々のデバイスに分割できる。特に、本発明のウェーハの加工方法では、バンプ配設前にウェーハ内に改質層が形成されるため、バンプの間隔が狭い場合でも良好にウェーハを分割できる。また、ウェーハの薄化と同時にウェーハが分割されるため、別途分割工程を設ける必要がない。また、改質層の形成前にＶｉａ電極の深さが検出されるため、改質層によってＶｉａ電極が誤検出されることがない。さらに、ウェーハの薄化前にウェーハの内部にレーザー光線が照射されるため、レーザー光線がウェーハを透過し過ぎることがなく、ウェーハの内部に良好な改質層を形成できる。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、バンプ配設前にウェーハの内部に改質層を形成することで、ＴＳＶプロセスにおいて表面にバンプが配設されたウェーハを良好に分割することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本実施の形態に係るウェーハの全体図である。
【図２】本実施の形態に係る面取り部除去工程の一例を示す図である。
【図３】本実施の形態に係るキャリアプレート配設工程の一例を示す図である。
【図４】本実施の形態に係るＶｉａ電極検出工程の一例を示す図である。
【図５】本実施の形態に係る改質層形成工程の一例を示す図である。
【図６】本実施の形態に係る裏面研削工程の一例を示す図である。
【図７】本実施の形態に係るエッチング工程の一例を示す図である。
【図８】本実施の形態に係る絶縁膜被覆工程の一例を示す図である。
【図９】本実施の形態に係る仕上げ工程の一例を示す図である。
【図１０】本実施の形態に係るバンプ配設工程の一例を示す図である。
【図１１】本実施の形態に係る移し替え工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
添付図面を参照して、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について説明する。図１を参照して、加工対象となるＶｉａ電極が形成されたウェーハについて説明する。図１は、ウェーハの全体図である。なお、図１Ａは、ウェーハの斜視図を示し、図１Ｂは、ウェーハの中心線に沿う断面図を示す。
【００１１】
図１に示すように、ウェーハＷは、半導体基板１１上に多数のデバイス１２を配設して構成される。半導体基板１１は、略円板状に形成されており、表面１３に配列された格子状の分割予定ライン（不図示）によって複数の領域に区画されている。ウェーハＷの中央には、分割予定ラインに区画された各領域にデバイス１２が形成されている。ウェーハＷの表面１３は、複数のデバイス１２が形成されたデバイス領域１５と、デバイス領域１５を囲む外周余剰領域１６とに分けられている。ウェーハＷの外周余剰領域１６には面取り部１７が形成されている。また、ウェーハＷの外縁には、結晶方位を示すノッチ１８が形成されている。
【００１２】
ウェーハＷのデバイス領域１５には、各デバイス１２に対応してウェーハＷ内にＶｉａ電極１９が埋設されている。各Ｖｉａ電極１９は、各デバイス１２の電極から半導体基板１１の裏面１４に向かって伸びている。Ｖｉａ電極１９は、ウェーハＷの最終的な仕上げ厚みよりも僅かに長く形成されている。Ｖｉａ電極１９は、研削加工やＣＭＰ加工等で仕上げ厚みまでウェーハＷが薄化されることで、ウェーハＷの裏面１４から露出される。Ｖｉａ電極の露出部分には、略球状のバンプ２１（図１０参照）が形成される。なお、ウェーハとしては、シリコンウェーハに限定されず、ガリウム砒素やシリコンカーバイド等の半導体ウェーハでもよい。
【００１３】
このウェーハＷは、面取り部除去工程、キャリアプレート配設工程、Ｖｉａ電極検出工程、改質層形成工程、裏面研削工程、エッチング工程、絶縁膜被覆工程、仕上げ工程、バンプ配設工程、移し替え工程を経て加工される。面取り部除去工程では、ウェーハＷ外周に形成された面取り部１７が切削によって除去される（図２参照）。これにより、ウェーハＷの薄化後にナイフエッジになりうる面取り部１７が、研削加工に先だってウェーハＷ外周から除去される。キャリアプレート配設工程では、ウェーハＷの表面１３に樹脂を介してキャリアプレート２２が配設される（図３参照）。
【００１４】
Ｖｉａ電極検出工程では、ウェーハＷの裏面からＶｉａ電極１９までの深さが検出される（図４参照）。改質層形成工程では、分割予定ラインに沿ってウェーハＷ内部に改質層２５が形成される（図５参照）。裏面研削工程では、Ｖｉａ電極検出工程の検出結果に基づいて、ウェーハＷの裏面１４からＶｉａ電極１９が露出しない程度にウェーハＷの裏面１４が研削される（図６参照）。このとき、研削ホイール３８からの研削負荷により、改質層２５を分割起点として厚さ方向にクラックが生じて、ウェーハＷが個々のチップＣに分割される。エッチング工程では、半導体基板１１が僅かにエッチングされて、ウェーハＷの裏面１４からＶｉａ電極１９が突出される（図７参照）。絶縁膜被覆工程では、ウェーハＷの裏面１４からＶｉａ電極１９が突出した状態で、ウェーハＷの裏面が絶縁膜２７で被覆される（図８参照）。
【００１５】
仕上げ工程では、絶縁膜２７に被覆されたウェーハＷの裏面１４がＣＭＰにより研磨され、ウェーハＷの裏面１４からＶｉａ電極１９が露出される（図９参照）。バンプ配設工程では、ウェーハＷの裏面１４から露出したＶｉａ電極１９にバンプ２１が配設される（図１０参照）。移し替え工程では、キャリアプレート２２からダイシングテープ６４にウェーハＷが移し替えられる（図１１参照）。このような一連の加工により、バンプ２１による凹凸やウェーハＷの反りの影響を受けることなく、ウェーハＷを個々のデバイスに良好に分割することが可能となっている。
【００１６】
以下、図２から図１１を参照して、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について詳細に説明する。図２は面取り部除去工程、図３はキャリアプレート配設工程、図４はＶｉａ電極検出工程、図５は改質層形成工程、図６は裏面研削工程、図７はエッチング工程、図８は絶縁膜被覆工程、図９は仕上げ工程、図１０はバンプ配設工程、図１１は移し替え工程のそれぞれ一例を示す図である。
【００１７】
図２に示すように、面取り部除去工程では、切削装置（不図示）のチャックテーブル３１上にウェーハＷが保持される。ウェーハＷは、デバイス１２側の表面１３を上に向けて、ウェーハＷの中心がチャックテーブル３１の回転軸（Ｚ軸）に一致するように保持されている。切削ブレード３２は、ウェーハＷ外周の面取り部１７を除去するように、ウェーハＷの外周余剰領域１６（図１Ａ参照）に位置付けられている。このとき、切削ブレード３２の回転軸（Ｙ軸）がウェーハＷの中心線と一致するように位置合わせされている。そして、噴射ノズル（不図示）から切削水が噴射されると共に切削ブレード３２が高速回転され、切削ブレード３２によってウェーハＷの面取り部１７が切り込まれる。
【００１８】
続いて、チャックテーブル３１が回転することで、ウェーハＷ上側の面取り部１７が切削されて、ウェーハＷ外周に沿った段状溝２８が形成される。この場合、切削ブレード３２によって、後工程である裏面研削工程での仕上げ厚さよりも深く切り込まれている。このため、ウェーハＷ外周には、裏面研削工程後のウェーハＷ外周がナイフエッジ状に残ることがない。また、切削ブレード３２の回転方向は、ウェーハＷに対してダウンカットになる向きに設定され、切削屑を含む切削水がウェーハＷ上に飛散することを抑制している。
【００１９】
図３に示すように、面取り部除去工程の後にはキャリアプレート配設工程が実施される。キャリアプレート配設工程では、例えば、接着剤としての液状樹脂によってウェーハＷの表面１３にキャリアプレート２２が配設される。キャリアプレート２２は、ガラス、金属、セラミックス、剛性樹脂等の剛性の高い材料で円板状に形成されている。このキャリアプレート２２により、１００μｍ以下に薄化されたウェーハＷでも安定的に支持される。また、キャリアプレート２２によってウェーハＷの反りが抑えられるため、後工程におけるウェーハＷの反りによる不具合を防止できる。
【００２０】
なお、キャリアプレート２２は、例えば、ガラス及びセラミックスの場合には０．５ｍｍから１．５ｍｍ、金属（例えば、ステンレス）の場合には０．３ｍｍから１．０ｍｍで形成されるが、キャリアプレート２２の厚さは特に限定されない。接着剤は、特に限定されるものではなく、キャリアプレート２２の材質に応じて、紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂、ワックス等を用いてもよい。また、キャリアプレート配設工程は、専用の装置によって実施されてもよいし、オペレータによる手作業によって実施されてもよい。また、キャリアプレート２２は、ウェーハＷ全体を安定的に支持可能であればよく、円板状に限らず矩形状に形成されてもよい。
【００２１】
図４に示すように、キャリアプレート配設工程の後にはＶｉａ電極検出工程が実施される。Ｖｉａ電極検出工程では、検出装置（不図示）のチャックテーブル６５上にキャリアプレート２２を介してウェーハＷが保持される。ウェーハＷの上方には、被接触式の検出器３６が位置付けられている。検出器３６から半導体基板１１（シリコン）に対して透過性を有する波長の光が照射されることで、ウェーハＷの裏面１４からＶｉａ電極１９の先端２９までの深さが検出される。そして、ウェーハＷに対して検出器３６が相対移動されることで、各デバイス１２のＶｉａ電極１９の深さが検出される。
【００２２】
本実施の形態の検出器３６としては、ノンコンタクトゲージが用いられるが、Ｖｉａ電極１９の深さを検出可能であればどのような構成でもよい。また、検出器３６は、本実施の形態のように、Ｖｉａ電極検出工程の専用装置に設けられてもよいし、レーザー加工装置（不図示）にもうけられてもよい。また、ウェーハＷの内部に改質層２５（図５参照）が形成される前にＶｉａ電極１９の検出が行われるので、改質層２５がＶｉａ電極１９として誤検出されることがない。
【００２３】
図５に示すように、Ｖｉａ電極検出工程の後には改質層形成工程が実施される。改質層形成工程では、レーザー加工装置（不図示）のチャックテーブル４５上にキャリアプレート２２を介してウェーハＷが保持される。また、加工ヘッド４６の射出口がウェーハＷの分割予定ラインに位置付けられ、加工ヘッド４６によってウェーハＷの裏面１４側からレーザー光線が照射される。レーザー光線は、ウェーハＷに対して透過性を有する波長であり、ウェーハＷの内部に集光するように調整されている。そして、レーザー光線の集光点が調整されながら、ウェーハＷに対して加工ヘッド４６が相対移動されることで、ウェーハＷの内部に分割予定ラインに沿った改質層２５が形成される。
【００２４】
この場合、先ずウェーハＷの表面１３付近に集光点が調整され、全ての分割予定ラインに沿って改質層２５の下端部が形成されるようにレーザー加工される。そして、集光点の高さを上動させる度に分割予定ラインに沿ってレーザー加工が繰り返されることで、ウェーハＷの内部に所定の厚さの改質層２５が形成される。このようにして、ウェーハＷの内部に分割予定ラインに沿った分割起点が形成される。
【００２５】
ところで、ウェーハＷに所定以上（例えば、５０μｍ以上）の厚さがないと、レーザー光線がウェーハＷを透過し過ぎて、ウェーハＷの内部に良好な改質層２５を形成できない場合がある。また、ウェーハＷの裏面１４の研削後に改質層２５を形成すると、研削後の裏面１４の表面形状によってレーザー光線が乱反射して、ウェーハＷの内部に良好な改質層２５を形成できない場合がある。このため、本実施の形態では、裏面研削工程によるウェーハＷの薄化前に改質層形成工程を実施することで、ウェーハＷの内部に良好な改質層２５を形成することを可能にしている。
【００２６】
なお、改質層２５は、レーザー光線の照射によってウェーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。改質層２５は、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。
【００２７】
図６に示すように、改質層形成工程の後には裏面研削工程が実施される。裏面研削工程では、チャックテーブル３５に保持されたウェーハＷの上方に研削ユニット３７が位置付けられる。そして、研削ユニット３７の研削ホイール３８がＺ軸回りに回転しながらチャックテーブル３５に近付けられ、研削ホイール３８とウェーハＷの裏面１４とが平行状態で回転接触することでウェーハＷが研削される。研削加工中は、ハイトゲージ（不図示）によってウェーハＷの厚さがリアルタイムに測定される。ここでは、Ｖｉａ電極検出工程での検出結果に基づいてウェーハＷの目標の仕上げ厚さが設定される。そして、ハイトゲージの測定結果が仕上げ厚さに近付くように研削ユニット３７の送り量が制御され、Ｖｉａ電極１９の先端２９が裏面１４から露出しない程度にウェーハＷが研削される。
【００２８】
研削によってウェーハＷがＶｉａ電極１９の先端２９に近付くと、改質層２５に対して研削ホイール３８から研削負荷が加えられる。研削負荷によってウェーハＷに改質層２５を分割起点として分割予定ラインに沿って厚さ方向にクラックが生じ、ウェーハＷが個々のチップＣに分割される。そして、研削ホイール３８によってウェーハＷがＶｉａ電極１９の先端２９付近まで研削されると、研削ユニット３７による研削加工が停止される。このとき、ウェーハＷ外周の面取り部１７（図２参照）が面取り部除去工程において事前に除去されているため、ウェーハＷ外周に面取り部１７が残ってナイフエッジ状に形成されることがない。よって、薄化されたウェーハＷ外周に欠けが生じ難くなっている。
【００２９】
このようにウェーハＷが所望の仕上げ厚さまで薄化されながら、同時に個々のチップに分割される。このため、後段でウェーハＷを個々のチップＣに分割するための分割工程を設ける必要がなく、工程数を削減することができる。本実施の形態では、バンプ２１（図１０参照）の配設前にウェーハＷが分割されているため、バンプ配設後にバンプ２１による凹凸の影響を受けることなくウェーハＷを分割可能である。この場合、ウェーハＷは、キャリアプレート２２に支持されているため、ウェーハＷの割れが後工程に悪影響を与えることはない。また、ウェーハＷがキャリアプレート２２に支持されているため、裏面研削工程においてウェーハＷが薄化されて剛性が低下しても、ウェーハＷの搬送時の取り扱いが容易となる。
【００３０】
図７に示すように、裏面研削工程の後にはエッチング工程が実施される。エッチング工程では、エッチング装置（不図示）のチャックテーブル４１上にキャリアプレート２２を介してウェーハＷが保持される。そして、ウェーハＷの裏面１４に向けてエッチングガスが噴射され、エッチングガスをプラズマ化することでウェーハＷの裏面１４がエッチングされる。これにより、ウェーハＷの半導体基板１１（シリコン）のみが数μｍ除去され、ウェーハＷの裏面１４からＶｉａ電極１９の先端２９が僅かに突出する。エッチング工程により、裏面研削工程においてウェーハＷの裏面１４に生じる研削歪みが除去される。
【００３１】
なお、エッチング工程では、ウェーハＷの裏面１４からＶｉａ電極１９の先端２９を突出させるようにエッチングすればよく、プラズマエッチングに限られない。エッチング工程では、例えば、ウェットエッチングによってウェーハＷの裏面１４がエッチングされてもよい。本実施の形態においては、Ｖｉａ電極検出工程において、Ｖｉａ電極１９の深さを測った後に、裏面研削工程での研削量が調整されているので、エッチング量を最小に留めることができる。
【００３２】
図８に示すように、エッチング工程の後には絶縁膜被覆工程が実施される。絶縁膜被覆工程では、膜形成装置（不図示）のテーブル５１上にキャリアプレート２２を介してウェーハＷが保持される。テーブル５１上のウェーハＷは、酸素雰囲気中で加熱することで裏面１４とＶｉａ電極１９の先端２９が酸化され、絶縁膜２７が形成される。なお、このような熱酸化法で絶縁膜２７としての酸化膜（ＳｉＯ２）を生成する方法に変えて、ＣＶＤ法で絶縁膜２７としての窒化膜（ＳｉＮ）を生成してもよい。また、液状樹脂の塗布及び熱処理によりウェーハＷの裏面１４にポリイミド膜等の絶縁膜２７を形成してもよい。この場合、個々に分割されたチップＣが液状樹脂の絶縁膜２７により連結される。
【００３３】
本実施の形態では、絶縁膜２７の形成前に改質層２５（図５参照）が形成されるため、絶縁膜２７の形成後に改質層２５を形成する場合のように、絶縁膜２７によって改質層２５の形成が阻害されることがない。
【００３４】
図９に示すように、絶縁膜被覆工程の後には仕上げ工程が実施される。仕上げ工程では、研磨装置（不図示）のチャックテーブル５５上にキャリアプレート２２を介してウェーハＷが保持される。ここでは、ＣＭＰ（Chemical  Mechanical  Polishing）によりウェーハＷの裏面１４が研磨される。ＣＭＰは、研磨パッドとウェーハＷとの間に研磨液を供給しつつ、研磨パッドとウェーハＷとを相対的に摺動させることで研磨する。ＣＭＰによってウェーハＷの裏面１４の絶縁膜２７が研磨されて、Ｖｉａ電極１９の先端（頭）２９が絶縁膜２７から露出される。また、Ｖｉａ電極１９の先端２９が絶縁膜２７と同一面に仕上げられる。
【００３５】
このようにして、ウェーハＷの表面１３から裏面１４にわたって、ウェーハＷがＶｉａ電極１９によって貫通される。なお、仕上げ工程は、ウェーハＷの裏面１４を仕上げ研磨可能であればよく、ＣＭＰによる研磨に限定されない。仕上げ工程は、例えば、仕上げ用の研磨砥石を用いてウェーハＷの裏面１４が研磨されてもよい。
【００３６】
図１０に示すように、仕上げ工程の後にはバンプ配設工程が実施される。バンプ配設工程では、ウェーハＷの裏面１４から露出したＶｉａ電極１９にバンプ２１が配設される。バンプ２１は、金等のワイヤーの先端を加熱溶融してボールを形成した後、Ｖｉａ電極１９の露出部分に熱圧着することで形成される。バンプ２１は、金、銅によって略球状に形成される。なお、バンプ配設工程では、Ｖｉａ電極１９の先端２９にバンプ２１を配設可能であればよく、バンプ２１の配設方法は特に限定されない。バンプ配設工程では、電界メッキ法、スクリーン印刷法等によってバンプ２１が配設されてもよい。また、バンプ２１の形状は、特に略球状に限定されない。
【００３７】
図１１に示すように、バンプ配設工程の後には移し替え工程が実施される。移し替え工程では、ウェーハＷの裏面１４側にリングフレーム６３に張られたダイシングテープ６４が貼着され、ウェーハＷの表面１３からキャリアプレート２２が取り外される。移し替え工程後は、後工程においてユーザの用途に応じて適宜処理が実施される。例えば、バンプ配設工程によってウェーハＷの表面１３側にもバンプ２１が配設されてもよい。また、絶縁膜被覆工程において液状樹脂で絶縁膜２７が形成された場合には、チップ間が絶縁膜２７を介して連結されているため、分割装置（不図示）において絶縁膜２７が分割されてもよい。この場合、ウェーハＷの表面１３に保護テープが貼着され、チップＣ間がテープ拡張されることで絶縁膜２７が分割される。
【００３８】
以上のように、本実施の形態に係るウェーハの加工方法によれば、絶縁膜２７の形成前にウェーハＷに対して透過性を有する波長のレーザー光線を照射するので、絶縁膜２７の影響を受けずに良好な改質層２５を形成できる。また、ウェーハＷがキャリアプレート２２に支持されるため、ＴＳＶプロセスにおいてウェーハＷの反りによる不具合を防止できる。また、バンプ２１の配設前に分割予定ラインに沿ってウェーハＷの内部に改質層２５が形成され、ウェーハＷの薄化時に改質層２５に生じるクラックによってウェーハＷが分割される。よって、バンプ２１による凹凸の影響を受けることなく良好にウェーハＷを個々のデバイス１２に分割できる。特に、本発明のウェーハの加工方法では、バンプ２１の配設前にウェーハＷ内に改質層２５が形成されるため、バンプ２１の間隔が狭い場合でも良好にウェーハＷを分割できる。また、ウェーハの薄化と同時にウェーハが分割されるため、別途分割工程を設ける必要がない。さらに、ウエーハＷの薄化前にウエーハＷの内部にレーザー光線が照射されるため、レーザー光線がウエーハＷを透過し過ぎることがなく、ウエーハＷの内部に良好な改質層２５を形成できる。
【００３９】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００４０】
例えば、上記した実施の形態においては、改質層２５が分割予定ラインに沿って連続的に形成される構成としたが、この構成に限定されない。ウェーハＷが分割予定ラインに沿って分割可能であれば、改質層２５は分割予定ラインに沿って断続的に形成されてもよい。また、本実施の形態においては、各工程は別々の装置で実施されてもよいし、同一の装置で実施されてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４１】
以上説明したように、本発明は、ＴＳＶプロセスにおいて表面にバンプが配設されたウェーハを良好に分割することができるという効果を有し、特に、小チップ化に対応したウェーハの加工方法に有用である。
【符号の説明】
【００４２】
１１  半導体基板
１２  デバイス
１３  表面
１４  裏面
１５  デバイス領域
１６  外周余剰領域
１７  面取り部
１８  ノッチ
１９  Ｖｉａ電極
２１  バンプ
２２  キャリアプレート
２５  改質層
２７  絶縁膜
２８  段状溝
２９  先端（頭）
３２  切削ブレード
３６  検出器
３７  研削ユニット
４６  加工ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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