(57)【要約】【課題】  表示パネルの製造方法において、マスクと機能層とが接触して機能層が損傷を受けることに起因して生じる発光不良を防止する【解決手段】  基板１１の第１領域に第１サブ画素形成用マスクＭ１の開口Ｍ１ａを合わせ、且つ、第１サブ画素形成用マスクの下面Ｍ１ｃが基板の主面上の層形成下地面に実質的に当接するように第１サブ画素形成用マスクを配置した状態で、材料を順次積層して第１領域に堆積させることにより、複数の層からなる第１機能層５０（Ｒ）を形成する工程と、第１機能層を形成する工程の後に、基板の第２領域に第２サブ画素形成用マスクＭ１の開口Ｍ１ａを合わせ、且つ、第２サブ画素形成用マスクの下面Ｍ１ｃが第１の機能層に実質的に当接するように第２サブ画素形成用マスクを配置した状態で、材料を順次積層して第２領域に堆積させることにより、複数の層からなる第２機能層を形成する工程とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１機能層を有する第１サブ画素と、第２機能層を有する第２サブ画素とを備えた画素が複数配列された表示パネルの製造方法であって、
基板の主面上の第１領域に第１サブ画素形成用マスクの開口を合わせ、且つ、前記第１サブ画素形成用マスクの下面が前記基板の主面上の層形成下地面に実質的に当接するように前記第１サブ画素形成用マスクを配置した状態で、
第１機能層を形成するための材料を順次積層して前記第１領域に堆積させることにより、複数の層からなる第１機能層を形成する工程と、
前記第１機能層を形成する工程の後に、前記基板の主面上の第２領域に第２サブ画素形成用マスクの開口を合わせ、且つ、前記第２サブ画素形成用マスクの下面が前記第１の機能層に実質的に当接するように前記第２サブ画素形成用マスクを配置した状態で、
第２機能層を形成するための材料を順次積層して前記第２領域に堆積させることにより、複数の層からなる第２機能層を形成する工程と、
を含む表示パネルの製造方法。
【請求項２】
前記第１サブ画素形成用マスクと前記第２サブ画素形成用マスクは同一のサブ画素形成用マスクであり、
前記第１機能層を形成する工程の後、前記第２機能層を形成する工程の前に、前記サブ画素形成用マスクの下面が前記第１機能層と離間した状態で、前記第１領域から前記第２領域に前記開口が移動するよう、前記サブ画素形成用マスクを移動する請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項３】
前記第２機能層を形成する工程の後に、前記第１機能層及び前記第２機能層の上に、共通機能層を形成するための材料を堆積させることにより、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素における共通機能層を形成する工程を含む請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項４】
前記第１機能層を形成する工程においては、第１電子輸送層、第１発光層、及び第１正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第１領域に堆積させることにより前記第１機能層を形成し、
前記第２機能層を形成する工程においては、第２電子輸送層、第２発光層、及び第２正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第２領域に堆積させることにより、前記第２機能層を形成し、
前記共通機能層を形成する工程においては、第３正孔輸送層を形成するための材料を堆積させることにより、前記共通機能層を形成し、
前記第３正孔輸送層は、前記第１電荷輸送層又は前記第２電荷輸送層よりも厚く形成される請求項３記載の表示パネルの製造方法。
【請求項５】
前記第１機能層を形成する工程の前に、前記基板の主面上に、前記第１領域に含まれる第１開口と、前記第２領域に含まれる第２開口とを規定する隔壁を形成する工程を含む請求項１記載の表示パネルの製造方法。
【請求項６】
前記第１機能層を形成する工程においては、第１電子輸送層、第１発光層、及び第１正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第１領域に堆積させることにより前記第１機能層を形成する請求項１、又は３の何れかに記載の表示パネルの製造方法。
【請求項７】
前記第１機能層を形成する工程においては、第１電子注入層、第１電子輸送層、第１発光層、及び第１正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第１領域に堆積させることにより前記第１機能層を形成する請求項１、又は３の何れかに記載の表示パネルの製造方法。
【請求項８】
前記第２機能層を形成する工程においては、第２電子輸送層、第２発光層、及び第２正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第２領域に堆積させることにより、前記第２機能層を形成する請求項１又は３の何れかに記載の表示パネルの製造方法。
【請求項９】
前記第２機能層を形成する工程においては、第２電子注入層、第２電子輸送層、第２発光層、及び第２正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第２領域に堆積させることにより、前記第２機能層を形成する請求項１又は３の何れかに記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１０】
前記共通機能層を形成する工程においては、正孔注入層を形成するための材料を堆積させることにより、前記共通機能層を形成する請求項３記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１１】
前記共通機能層を形成する工程においては、第３正孔輸送層を形成するための材料を堆積させることにより、前記共通機能層を形成する請求項３記載の表示パネルの製造方法。
【請求項１２】
前記共通機能層を形成する工程においては、第３正孔輸送層、及び正孔注入層を形成するための材料を当該順序で積層して堆積させることにより、前記共通機能層を形成する請求項３記載の表示パネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）パネルなどの表示パネルおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、表示装置として基板上に有機ＥＬ素子を配設した有機ＥＬ表示パネルが普及しつつある。有機ＥＬ表示パネルは、自己発光を行う有機ＥＬ素子を利用するため視認性が高く、さらに完全固体素子であるため耐衝撃性に優れるなどの特徴を有する。
有機ＥＬ表示パネルでは、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の各色に対応する有機ＥＬ素子をそれぞれサブ画素とし、Ｒ、Ｇ、Ｂの３つのサブ画素の組み合わせ１画素を構成する。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、電流駆動型の発光素子であり、陽極、陰極、及びそれらの電極対の間に生じるキャリア（電子、正孔）の再結合による電界発光現象を行う有機発光層等を積層してなる機能層を積層して構成される。機能層には、有機発光層の他に、電極（陰極）から電子を注入するための電子注入層や、電極（陽極）から正孔を注入するための正孔注入層、及び電子注入層から注入された電子を有機発光層まで運ぶ電子輸送層や、正孔注入層から注入された正孔を有機発光層まで運ぶ正孔輸送層が含まれる。このような機能層は、真空蒸着法やスパッタリング法等の気相成長法により、マスクを用いて形成される場合がある。
【０００４】
特許文献１には、真空蒸着法により全面に正孔輸送層を成膜した後、発光層用成膜マスクのマスク開口から真空蒸着法により発光色ごとに各色の有機発光層を順次成膜する有機ＥＬ多色ディスプレイの製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３２３２７７号公報
【特許文献２】特開２００４−１６５０６７号公報
【特許文献３】特開平８−２２７２７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に示す製造方法では、発光層形成時には、既に正孔輸送層が形成されており、発光層形成用に用いられるマスクの位置合わせに際しては、この正孔輸送層をマスクの端部が接する可能性がある。
本発明は、気相成長法により機能層を形成する際にマスクと当該機能層の下にある機能層とが接触することに起因して生じる不良を防止する表示パネルの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様である表示パネルの製造方法は、第１機能層を有する第１サブ画素と、第２機能層を有する第２サブ画素とを備えた画素が複数配列された表示パネルの製造方法であって、基板の主面上の第１領域に第１サブ画素形成用マスクの開口を合わせ、且つ、前記第１サブ画素形成用マスクの下面が前記基板の主面上の層形成下地面に実質的に当接するように前記第１サブ画素形成用マスクを配置した状態で、第１機能層を形成するための材料を順次積層して前記第１領域に堆積させることにより、複数の層からなる第１機能層を形成する工程と、前記第１機能層を形成する工程の後に、前記基板の主面上の第２領域に第２サブ画素形成用マスクの開口を合わせ、且つ、前記第２サブ画素形成用マスクの下面が前記第１の機能層に実質的に当接するように前記第２サブ画素形成用マスクを配置した状態で、第２機能層を形成するための材料を順次積層して前記第２領域に堆積させることにより、複数の層からなる第２機能層を形成する工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
表示パネルの製造方法において、気相成長法により機能層を形成する際にマスクと機能層とが接触して機能層が損傷を受けることに起因して生じる発光不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】従来の表示パネルの製造方法において生じるマスク傷の発生原因示す説明図である。
【図２】従来の表示パネルの製造方法においてマスク傷に起因して発生する電極の断線の原因を示す説明図である。
【図３】実施の形態に係る表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。
【図４】実施の形態に係る表示パネル１０の一部拡大平面図である。
【図５】実施の形態に係る表示パネル１０の構成を示す図４におけるＡ−Ａ線で切った断面を示す模式断面図である。
【図６】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である基板準備、電極形成工程、及び隔壁を形成する工程を示す模式断面図である。
【図７】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第１機能層形成のためのマスクＭ１の配置操作を示す模式断面図である。
【図８】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第１機能層を形成する工程を示す模式断面図である。
【図９】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第１機能層形成後のマスクＭ１の退避操作を示す模式断面図である。
【図１０】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第２機能層形成のためのマスクＭ１の移動操作を示す模式断面図である。
【図１１】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第２機能層形成のためのマスクＭ１の移動操作を示す模式断面図である。
【図１２】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第２機能層形成のためのマスクＭ１の配置操作を示す模式断面図である。
【図１３】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第２機能層を形成する工程を示す模式断面図である。
【図１４】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第２機能層形成後のマスクＭ１の退避操作を示す模式断面図である。
【図１５】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第３機能層形成のためのマスクＭ１の移動操作を示す模式断面図である。
【図１６】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第３機能層形成のためのマスクＭ１の移動操作を示す模式断面図である。
【図１７】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第３機能層形成のためのマスクＭ１の配置操作を示す模式断面図である。
【図１８】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第３機能層形成工程を示す模式断面図である。
【図１９】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第３機能層形成後のマスクＭ１の退避操作を示す模式断面図である。
【図２０】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である共通能膜形成のためのマスクＭ２の配置操作を示す模式断面図である。
【図２１】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である共通機能層を形成する工程を示す模式断面図である。
【図２２】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である電極形成のためのマスクＭ３の配置操作を示す模式断面図である。
【図２３】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である電極形成工程を示す模式断面図である。
【図２４】実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である電極形成工程を示す模式断面図である。
【図２５】実施の形態の変形例に係る表示パネル１０の構成を示す模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
≪本発明を実施するための形態に至った経緯について≫
真空蒸着やスパッタリング等の気相成長法によって機能層を積層して形成する際に、蒸着等に用いるマスクの位置合わせ時等にマスクと既に形成してなる機能層とが接触し、機能層が損傷することによって、機能層や電極層の一部が剥離して発光不良を引き起こす現象がある。この現象に対し各種の検討が行われている。
【００１１】
特許文献２では、有機層形成時の蒸着マスクの位置決め時に、個別電極の端部を覆う端部カバー絶縁層の外側に形成されたマスク支持絶縁層によって蒸着マスクを支持する有機電界発光パネルの製造方法が提案されている。当該マスク支持絶縁層によって、有機層が蒸着マスクと接触することが防止されており、機械的強度の低い有機層が蒸着マスクとの接触により剥離したり、ダストが発生したりすることを確実に防止することが記載されている。
【００１２】
また、特許文献３では、基板上に、表示電極の各々を囲み前記基板上に突出する電気絶縁性の隔壁を形成する工程と、隔壁内の表示電極を露出せしめる複数の開口を有するマスクを、隔壁の上面に配置し、有機エレクトロルミネッセンス媒体を開口を介して隔壁内の表示電極の各々上に堆積させ、少くとも１層の有機エレクトロルミネッセンス媒体の薄膜を形成する発光層形成工程を含む有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法が提案されている。本文献には、隔壁があるために成膜用マスクの位置合わせ、移動、配置して蒸着する際に、マスクによる有機ＥＬ媒体層を傷つけることがないとの記載がされている。
【００１３】
しかしながら、機能層が形成される下の層（成膜下地層）と蒸着マスクとの間に隙間が開いていると、蒸着する材料が隙間の中に回り込み、不要な領域にまで機能層が形成されてマスキング精度が低下する傾向がある。マスキング精度を高めるために、マスクは、マグネット等を用いて成膜下地層に密着するように配置することが望ましい。
真空蒸着法等の気相成長法に用いるマスクには、通常、ＳＵＳ等の金属板をエッチングやレーザー等によりパターニングしたものや、レジストパターンを形成しめっきにより金属を堆積したものが用いられるが、その際に開口を取り囲むエッジ部に尖った部分やバリが生じることがある。一方、正孔輸送層を含め機能層は架橋等の化学的な結合により固まっていないため機械的強度が低い。両者が擦れた場合には、バリが生じている部分が機能層の上に配置され密着されると、マスクを取り除いたときに、マスクの下の機能層の表面に凹凸が形成され、機能層に傷（以後、マスク傷と称する）が付くことが、上記特許文献２に記載されている。
【００１４】
本発明者は、マスクと機能層とが接触して機能層が損傷して生じるマスク傷の発生原因と、マスク傷に起因する表示パネル上の各種現象との因果関係について、鋭意検討を行った。
図１は、発明者が実験した従来の表示パネルの製造方法において生じるマスク傷の発生原因示す説明図である。発明者はマスク傷の発生原因について実験検討する中で、図１に示すように、図示しない基板等に真空蒸着等の気相成長法によって形成された有機機能層６に、蒸着の際パターニングに用いるマスクが当接され密着している場合、後述する発光不良の原因となる比較的大きな傷は主としてパターニングのためのマスクの開口を取り囲むエッジ部が接触する箇所において、有機機能層６に傷が発生することを見出した。ここで、有機機能層６の厚みは約２００（ｎｍ）であり、マスク傷によって生じる凹凸の高さは機能層の表面から数十（ｎｍ）である。
【００１５】
図２は、従来の表示パネルの製造方法においてマスク傷に起因して発生する電極の断線の原因を示す説明図であって、有機機能層６の上に図１に示すようにマスクを配置した状態で、真空蒸着法によって電子輸送層５を形成した後、マスクを取り除き、さらに、真空蒸着法によって電極層２を形成した状態を示す。ここで、電子輸送層５の厚みは約２０（ｎｍ）であり、電極層２の厚みは約１４（ｎｍ）である。電子輸送層５はマスクの開口の内部に形成されるので、有機機能層６に生じたマスク傷は電子輸送層５の周縁部の近傍に位置する。電極層２は、その構成上、周縁部の左方では有機発光層６に積層され、周縁部の右方では電子輸送層５に積層されるので、周縁部において下地層が入れ変わり、電子輸送層５の厚みに相当する段差を跨いで、異なる下地に対して積層される。このとき、電子輸送層５の周縁部の近傍に、マスク傷に起因する凹凸が存在すると、電極層２は当該凹凸の影響を受け不連続に形成され、断線が生じる場合がある。すなわち、電極層２の厚み（約１４（ｎｍ））が、凹凸（高さ数十（ｎｍ））に比べて相対的に小さいために、電極層２が有機発光層６の凹凸を乗り超えることが出来ず、不連続部分が生じるためと考えられる。このような場合に、不連続部分が成膜当初から断線に至る場合や、成膜当初は断線には至っていない場合でも電界集中によって、通電途中に断線に至る場合も含め、表示パネルにおいて、発光不良の原因となることを実験検討により確認した。特に、トップエミッション構造で上部電極に金属電極を用いる場合、光を上部電極側から取り出すために上部電極をできるだけ薄く製膜しなくてはならないため、発光不良が発生しやすくなる。
【００１６】
発明者は、このような発光不良の原因となる大きなマスク傷を防止することができれば、マスク傷に起因する発光不良の発生を減少することができる点に着目し鋭意検討を行った。その結果、発光不良の原因となる大きなマスク傷は主としてマスクの開口部を取り囲むエッジ部が下地である機能層と接触する位置で生じ、マスクの下面と下地である機能層が接触した場合でも、上記エッジ部以外の部分においては、発光不良の原因となるような大きな凹凸を生むマスク傷は生じないことを見出した。そして、気相成長法により機能層を形成する工法において、マスキング精度を確保したうえで、マスクと機能層とが接触して機能層が損傷を受けることに起因して生じる発光不良を防止する本発明の実施の形態の一態様に至ったものである。
≪本発明を実施するための形態の概要≫
本発明を実施するための形態の一態様である表示パネルの製造方法は、第１機能層を有する第１サブ画素と、第２機能層を有する第２サブ画素とを備えた画素が複数配列された表示パネルの製造方法であって、基板の主面上の第１領域に第１サブ画素形成用マスクの開口を合わせ、且つ、前記第１サブ画素形成用マスクの下面が前記基板の主面上の層形成下地面に実質的に当接するように前記第１サブ画素形成用マスクを配置した状態で、第１機能層を形成するための材料を順次積層して前記第１領域に堆積させることにより、複数の層からなる第１機能層を形成する工程と、前記第１機能層を形成する工程の後に、前記基板の主面上の第２領域に第２サブ画素形成用マスクの開口を合わせ、且つ、前記第２サブ画素形成用マスクの下面が前記第１の機能層に実質的に当接するように前記第２サブ画素形成用マスクを配置した状態で、第２機能層を形成するための材料を順次積層して前記第２領域に堆積させることにより、複数の層からなる第２機能層を形成する工程と、ことを特徴とする。
【００１７】
ここで、「基板の主面」とは、表示パネルにおける表示面が形成される側の基板の面を指す。また、「層形成下地面」とは、第１機能層を形成するための材料が堆積する面を指す。また、「実質的に当接する」とは、マスクの下面の一部が一時的に接触する状態があることを指し、マスクの下面の一部が常時当接対象に接触していることを要しない。
また、別の態様では、前記第１サブ画素形成用マスクと前記第２サブ画素形成用マスクは同一のサブ画素形成用マスクであり、前記第１機能層を形成する工程の後、前記第２機能層を形成する工程の前に、前記サブ画素形成用マスクの下面が前記第１機能層と離間した状態で、前記第１領域から前記第２領域に前記開口が移動するよう、前記サブ画素形成用マスクを移動する構成であっても良い。
【００１８】
また、別の態様では、前記第２機能層を形成する工程の後に、前記第１機能層及び前記第２機能層の上に、共通機能層を形成するための材料を堆積させることにより、前記第１サブ画素及び前記第２サブ画素における共通機能層を形成する工程を含む構成であっても良い。
また、別の態様では、前記第１機能層を形成する工程においては、第１電子輸送層、第１発光層、及び第１正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第１領域に堆積させることにより前記第１機能層を形成し、前記第２機能層を形成する工程においては、第２電子輸送層、第２発光層、及び第２正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第２領域に堆積させることにより、前記第２機能層を形成し、前記共通機能層を形成する工程においては、第３正孔輸送層を形成するための材料を堆積させることにより、前記共通機能層を形成し、前記第３正孔輸送層は、前記第１電荷輸送層又は前記第２電荷輸送層よりも厚く形成される構成であっても良い。
【００１９】
また、別の態様では、前記第１機能層を形成する工程の前に、前記基板の主面上に、前記第１領域に含まれる第１開口と、前記第２領域に含まれる第２開口とを規定する隔壁を形成する工程を含む構成であっても良い。
また、別の態様では、前記第１機能層を形成する工程においては、第１電子輸送層、第１発光層、及び第１正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第１領域に堆積させることにより前記第１機能層を形成する構成であっても良い。
【００２０】
また、別の態様では、前記第１機能層を形成する工程においては、第１電子注入層、第１電子輸送層、第１発光層、及び第１正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第１領域に堆積させることにより前記第１機能層を形成する構成であっても良い。
また、別の態様では、前記第２機能層を形成する工程においては、第２電子輸送層、第２発光層、及び第２正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第２領域に堆積させることにより、前記第２機能層を形成する構成であっても良い。
【００２１】
また、別の態様では、前記第２機能層を形成する工程においては、第２電子注入層、第２電子輸送層、第２発光層、及び第２正孔輸送層を形成するための材料を、当該順序で積層して前記第２領域に堆積させることにより、前記第２機能層を形成する構成であっても良い。
また、別の態様では、前記共通機能層を形成する工程においては、正孔注入層を形成するための材料を堆積させることにより、前記共通機能層を形成する構成であっても良い。
【００２２】
また、別の態様では、前記共通機能層を形成する工程においては、第３正孔輸送層を形成するための材料を堆積させることにより、前記共通機能層を形成する構成であっても良い。
また、別の態様では、前記共通機能層を形成する工程においては、第３正孔輸送層、及び正孔注入層を形成するための材料を当該順序で積層して堆積させることにより、前記共通機能層を形成する構成であっても良い。
【００２３】
なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、工程、工程の順序などは一例であり、本発明を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない工程については、より好ましい形態を構成する任意の構成要素として説明される。
≪実施の形態≫
＜表示装置の全体構成＞
実施の形態の一態様に係る表示パネルを備えた表示装置１の構成について図３を用いて説明する。図３は、実施の形態に係る表示装置１の構成を示す模式ブロック図である。図３に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、これに接続された駆動制御部２０とを有し構成されている。表示パネル１０は、有機材料の電界発光現象を利用したパネルであり、複数の有機ＥＬ素子が、例えば、マトリクス状に配列された構成となっている。駆動制御部２０は、４つの駆動回路２１〜２４と制御回路２５とから構成されている。
【００２４】
なお、表示パネル１０に対する駆動制御部２０の配置については、本態様に限られない。
＜表示パネルの構成＞
（表示パネルの全体構成）
表示パネル１０の構成について、図４および図５を用いて説明する。図４は、表示パネル１０の概略構成を示す一部拡大平面図である。図５は、表示パネル１０の概略構成を示す部分断面図であり、図４におけるＡ−Ａ線で切った断面を示す断面図である。表示パネル１０は、図５の上側を表示面とする、いわゆるトップエミッション型である。以下、表示面側（基板１１の機能層が形成されている側）を上、その反対側を下として説明する。
【００２５】
図４に示すように、表示パネル１０は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する有機発光層１６（図５参照）を有する有機ＥＬ素子を、最少発光単位であるサブ画素１００（Ｒ）、１００（Ｂ）、１００（Ｇ）（以下、「Ｒ、Ｇ、Ｂ」を付して区別する説明する必要がない箇所では単に「サブ画素１００」と記載する。）とし、Ｒ、Ｇ、Ｂの色単位に列毎にマトリクス状に配列されており、同一列に属するサブ画素１００は同色に対応する。サブ画素１００（Ｒ）、１００（Ｂ）、１００（Ｇ）の３つのサブ画素の組み合わせにより１つの画素（画素）２００が構成される。
【００２６】
隔壁１３に設けられた開口部１３ａは、行列状に（ＸＹ方向に）配列されている。開口部１３ａの形状は、Ｙ方向に長辺を有する長尺状であり、例えば、Ｘ方向に沿った辺が約５０〜１１０［μｍ］、Ｙ方向に沿った辺が約１５０〜２５０［μｍ］の寸法で形成されている。
図４に示すように、開口部１３ａ（Ｒ）、開口部１３ａ（Ｇ）、開口部１３ａ（Ｂ）（以下、「Ｒ、Ｇ、Ｂ」を付して区別する説明する必要がない箇所では単に「開口部１３ａ」と記載する。）には、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の何れかの発光色に対応する有機発光層１６（Ｒ）、１６（Ｇ）、１６（Ｂ）（図５参照、（以下、「Ｒ、Ｇ、Ｂ」を付して区別する説明する必要がない箇所では単に「有機発光層１６」と記載する。）を含む機能層５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）（以下、「Ｒ、Ｇ、Ｂ」を付して区別する説明する必要がない箇所では単に「機能層５０」と記載する。）が形成されている。開口部１３ａ（Ｒ）、開口部１３ａ（Ｇ）、開口部１３ａ（Ｂ）は、各々機能層５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）により覆われており、これらの層は、各々開口部１３ａ（Ｒ）、開口部１３ａ（Ｇ）、開口部１３ａ（Ｂ）の外側にまではみ出して形成されている。そのため、図４においては、開口部１３ａ（Ｒ）、開口部１３ａ（Ｇ）、開口部１３ａ（Ｂ）は、各々機能層５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）よりも小さく破線で囲まれた領域として示している。
【００２７】
また、機能層５０（Ｒ）、５０（Ｇ）、５０（Ｂ）が形成される領域は、各々サブ画素１００（Ｒ）、１００（Ｂ）、１００（Ｇ）の内部に位置する。併せて、開口部１３ａ（Ｒ）、１３ａ（Ｇ）、１３ａ（Ｂ）に対応する領域は、各々前記サブ画素１００（Ｒ）、１００（Ｂ）、１００（Ｇ）の内部に位置する。
なお、図４においては、一部の開口部１３ａにのみ符号を付している。なお、図４においては、サブ画素１００をわかりやすく図示するために、後述する陽極１９を取り除いた状態で示している。
【００２８】
次に、図５に示すように、表示パネル１０は、基板１１をベースとして形成されている。そして、基板１１上には、陰極１２が互いに間隔を開けて形成されている。基板１１および陰極１２の上には、サブ画素１００に対応する位置に複数の開口部１３ａ（図４の破線で表した部分）が形成された隔壁１３が設けられている。
開口部１３ａ（Ｒ）、１３ａ（Ｂ）、１３ａ（Ｂ）の内部には、各々電子注入層１４（Ｒ）、１４（Ｇ）、１４（Ｂ）、電子輸送層１５（Ｒ）、１５（Ｇ）、１５（Ｂ）、有機発光層１６（Ｒ）、１６（Ｇ）、１６（Ｂ）、及び正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）が、順次形成されている。そして、正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）を覆うように、共通正孔輸送層１７ｂ、および正孔注入層１８が順次積層されている。なお、電子注入層１４、電子輸送層１５、有機発光層１６、および正孔輸送層１７ａの積層体を、機能層５０と呼ぶ。図５における、［ｔ］で示した数値は、各々の層の膜厚（単位（ｎｍ））を例示した数値である。
【００２９】
開口部１３ａの内部には、電子注入層１４が形成されているが、電子注入層１４は、開口部１３ａの内部からはみ出してその周縁部上にも形成されている。電子注入層１４の上には、電子輸送層１５が形成されている。電子輸送層１５の上には、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれか１色に対応する有機発光層１６が形成されている。有機発光層１６の上には、正孔輸送層１７ａが形成されている。本実施の形態においては、電子注入層１４、電子輸送層１５、有機発光層１６、および正孔輸送層１７ａの平面視した場合における外周縁が一致する
そして、正孔輸送層１７ａの上面および側面を覆うように共通正孔輸送層１７ｂが大面積のベタ膜として形成されている。即ち、共通正孔輸送層１７ｂは、正孔輸送層１７ａよりも平面視した場合におけるサイズが大きく、電子注入層１４、電子輸送層１５、有機発光層１６、および正孔輸送層１７ａの外周縁は、すべて共通正孔輸送層１７ｂの外周縁の内側に存在する。共通正孔輸送層１７ｂの上には、正孔注入層１８が形成されている。本実施の形態においては、共通正孔輸送層１７ｂと正孔注入層１８の平面視した場合における外周縁が一致する。
【００３０】
そして、正孔注入層１８の上に、複数のサブ画素を覆って陽極１９が形成されている。
以下、表示パネル１０を構成する各構成要素について説明する。
（基板）
基板１１は表示パネル１０における背面基板であり、その表面には、表示パネル１０をアクティブマトリクス方式で駆動するためのＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を含むＴＦＴ層（不図示）が形成されている。基板１１は、例えば、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、ポリイミド、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料をベース材料として形成される。ＴＦＴ層には、各ＴＦＴに対して外部から電力を供給するための配線部が含まれるが、本実施の形態においては、説明をわかりやすくするために、陰極のみを取り出して図示している。
【００３１】
（陰極）
陰極１２は、開口部１３ａに形成される一の有機発光層１６毎に形成されている。表示パネル１０はトップエミッション型であるため、陰極１２の材料としては光反射性材料が選択されている。陰極１２は、例えば、Ａｇ（銀）、Ａｌ（アルミニウム）、アルミニウム合金、Ｍｏ（モリブデン）、ＡＰＣ（銀、パラジウム、銅の合金）、ＡＲＡ（銀、ルビジウム、金の合金）、ＭｏＣｒ（モリブデンとクロムの合金）、ＭｏＷ（モリブデンとタングステンの合金）、ＮｉＣｒ（ニッケルとクロムの合金）等で形成されていても良い。なお、陰極１２の表面には公知の透明導電膜を設けてもよい。透明導電膜の材料としては、例えば酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）や酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）を用いることができる
（隔壁）
隔壁１３は、各色に分かれたサブ画素領域の規定、および陰極のエッジをカバーする役割を果たすとともに、真空蒸着法により有機発光層１６を形成する際にメタルマスクを支持する台座の役割を果たす。隔壁１３は、樹脂等の絶縁性を有する有機材料、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等で形成される。隔壁１３は、有機溶剤耐性を有することが好ましく、また、エッチング処理、ベーク処理等がされることがあるので、それらの処理に対して変形、変質などしにくい材料で形成することが好ましい。隔壁１３は、の高さは、充填する機能層の構成に応じて選択すればよい。例えば０．５μｍ以上２μｍ以下としても良く、より好ましくは、０．８μｍ以上１．２μｍ以下としてもよい。
【００３２】
（電子注入層）
電子注入層１４は、陰極１２から有機発光層１６への電子の注入を促進させる目的で設けられる。電子注入層１４は、例えば、リチウム、バリウム、カルシウム、カリウム、セシウム、ナトリウム、ルビジウム等の低仕事関数金属、フッ化リチウム等の低仕事関数金属塩、酸化バリウム等の低仕事関数金属酸化物、および上記低仕事関数金属、低仕事関数金属塩、または低仕事関数金属酸化物などを電子輸送性有機物（ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体、リンオキサイド誘導体、トリアゾール誘導体、トジアジン誘導体、シロール誘導体、ジメシチルボロン誘導体、トリアリールボロン誘導体など）に分散させた材料を用いることができる。
【００３３】
（電子輸送層）
電子輸送層１５は、陰極１２から注入された電子を有機発光層１６へ輸送する機能を有する。電子輸送層１５は、例えば、ニトロ置換フルオレノン誘導体、チオピランジオキサイド誘導体、ジフェキノン誘導体、ペリレンテトラカルボキシル誘導体、アントラキノジメタン誘導体、フレオレニリデンメタン誘導体、アントロン誘導体、オキサジアゾール誘導体、ペリノン誘導体、キノリン錯体誘導体（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）、リンオキサイド誘導体、トリアゾール誘導体、トジアジン誘導体、シロール誘導体、ジメシチルボロン誘導体、トリアリールボロン誘導体等を用いることができる。
【００３４】
（有機発光層）
有機発光層１６は、キャリア（正孔と電子）の再結合による発光を行う部位であり、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかの色に対応する光を発する有機材料を含むように構成されている。開口部１３ａＲにはＲに対応して発光する有機材料、開口部１３ａＧにはＧに対応して発光する有機材料、開口部１３ａＢにはＢに対応して発光する有機材料をそれぞれ含む有機発光層１６が形成される。有機発光層１６は、例えば、オキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属錯体、２−ビピリジン化合物の金属錯体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との錯体、オキシン金属錯体、希土類錯体等の蛍光物質（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）等を用いることができる。
【００３５】
（正孔輸送層）
正孔輸送層１７ａ、及び共通正孔輸送層１７ｂは、陽極１９から注入された正孔を有機発光層１６へ輸送する機能を有する。正孔輸送層１７ａ、及び共通正孔輸送層１７ｂは、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）等を用いることができる。
【００３６】
（正孔注入層）
正孔注入層１８は、陽極１９から有機発光層１６への正孔の注入を促進させる機能を有する。正孔注入層１８は、例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、ポリフィリン化合物、芳香族第三級アミン化合物、スチリルアミン化合物、ブタジエン化合物、アザトリフェニレン誘導体、ポリスチレン誘導体、ヒドラゾン誘導体、トリフェニルメタン誘導体、テトラフェニルベンジン誘導体（いずれも特開平５−１６３４８８号公報に記載）、ＭｏＯｘ（酸化モリブデン）、ＷＯｘ（酸化タングステン）又はＭｏｘＷｙＯｚ（モリブデン−タングステン酸化物）等の金属酸化物、金属窒化物又は金属酸窒化物等を用いることができる。
【００３７】
（陽極）
陽極１９は、表示パネル１０がトップエミッション型であるため、材料として光透過性材料を用いて形成されている。陽極１９は、導電性を有する材料を用いることができ、たとえば、アルミニウム、銀、ネオジウム−アルミニウム合金、金−アルミニウム合金、マグネシウム−銀合金といった金属や、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）等を用いることができる。また、多層膜で形成されてもよい。
【００３８】
（その他）
なお、図５には図示しないが、陽極１９の上には、有機発光層１６が水分や空気等に触れて劣化することを抑制する目的で封止層が設けられる場合がある。表示パネル１０はトップエミッション型であるため、封止層の材料としては、例えばＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）、有機物等の光透過性材料を選択する。さらに、アクリルまたはエポキシ系の樹脂と封止用基板を用いた封止を行う場合がある。
【００３９】
また、各開口部１３ａに形成される有機発光層１６を、すべて同色の有機発光層とすることもできる。尚、記載した材料以外の材料を用いて各層を形成することも可能である。
なお、上記説明において、電子注入層１４、電子輸送層１５、および正孔輸送層１７について、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色用の有機発光層１６が形成される予定の位置に形成されている電子注入層１４、電子輸送層１５、および正孔輸送層１７を、便宜的にＲ、Ｇ、Ｂの添え字を付して、それぞれ電子注入層１４（Ｒ）、１４（Ｇ）、１４（Ｂ）、電子輸送層１５（Ｒ）、１５（Ｇ）、１５（Ｂ）、正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）とした。これら機能層に用いる材料は、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色のサブ画素に共通である機能層を除き、Ｒ、Ｇ、Ｂ各色の有機発光層１６に用いられる材料のエネルギー準位に応じ、適宜、採用することができる。しかしながら、電子注入層１４（Ｒ）、１４（Ｇ）、１４（Ｂ）は、組成的には全て同じであってもよいし、電子輸送層１５（Ｒ）、１５（Ｇ）、１５（Ｂ）も、組成的には全て同じであってもよく、同様に正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）も組成的には全て同じであってもよい。
【００４０】
また、電子注入層１４（Ｒ）、電子輸送層１５（Ｒ）、有機発光層１６（Ｒ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｒ）の積層を総称して第１機能層５０（Ｒ）と記載する。同様に、電子注入層１４（Ｇ）、電子輸送層１５（Ｇ）、有機発光層１６（Ｇ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｇ）の積層を総称して第２機能層５０（Ｇ）とし、電子注入層１４（Ｂ）、電子輸送層１５（Ｂ）、有機発光層１６（Ｂ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｂ）の積層を総称して第３機能層５０（Ｂ）とする。
【００４１】
以上、表示パネル１０の構成等について説明した。
＜表示パネルの製造方法＞
次に、本実施形態の一態様に係る表示パネル１０の製造方法について図６〜図２４を用いて説明する。なお、図６〜図２４は、表示パネル１０の製造工程の一部を模式的に示す断面図である。
【００４２】
ここで、図６〜図２４においては、真空蒸着法による製造工程を示しているため、図５とは上下が逆になっている。しかし、説明の都合上、図６〜図２４においても、基板１１の機能層が形成されている側を上方、その反対側を下方として説明する。
（基板準備、電極形成工程）
図６は、実施の形態に係る表示パネルの製造工程の一部である基板準備、電極形成工程、及び隔壁を形成する工程を示す模式断面図である。基板１１をスパッタ成膜装置のチャンバー内に配置する。そしてチャンバー内に所定のスパッタガスを導入し、反応性スパッタ法に基づき、厚み１００（ｎｍ）程度の金属材料からなる陰極１２を、図６に示すように成膜する。なお、陰極１２は真空蒸着等の気相成長法でも形成することができ、また、スクリーン印刷やスピンコート法のウエットプロセスによっても形成することができる。
【００４３】
次に、陰極１２に積層して、例えば真空蒸着法またはスパッタリング法を用いて、厚み２０（ｎｍ）程度の図示しないＩＴＯ層をする。ＩＴＯ層の構成材料としては、透光性導電性材料であるＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）など公知の金属材料を用いることができる。尚、ＩＴＯ層は陰極１２上にのみ積層する。
（隔壁を形成する工程）
隔壁材料として、例えば感光性のレジスト材料を用意する。ここで感光性樹脂材料としては、例えば、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、フェノール系樹脂などから構成される公知のレジスト材料を用いることができる。また、撥液剤としては、例えば、フッ素系化合物材料などの公知の撥液材料を用いることができる。この隔壁材料を基板１１および陰極１２上に、例えばスピンコート法を用いて、一様に塗布し、例えば、１００℃程度の温度にて熱処理を施す。その後、開口部１３ａを形成できるようなパターンを有するマスクを重ねる。開口部１３ａのＸ方向（図５参照）に沿った幅Ｗ１は、例えば約３０〜９０［μｍ］に規定されている。そして、マスクの上から露光処理を行った後、例えば非水系の現像液として、例えばアルカリ性の現像液を用いてエッチングすることにより、未硬化の余分な隔壁材料を現像液で洗い出す。その後に純水で洗浄する。露光現像を行った後、残存隔壁材料に対して、例えば２００℃の温度にて熱処理を施すことにより、表面に吸着した余分な溶液などを蒸発させて、図６に示すように隔壁１３は完成する。以上のように、隔壁を形成する工程は行われる。その結果、最大高さが例えば０．５μｍ以上２μｍ以下程度、基板１１の主面に水平な方法における平均厚さが１．０μｍ程度の隔壁１３が形成される。
【００４４】
（第１機能層を形成する工程）
次に、電子注入層１４（Ｒ）、電子輸送層１５（Ｒ）、有機発光層１６（Ｒ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｒ）から構成される第１機能層５０（Ｒ）の形成工程について説明する。
［マスクＭ１の配置操作］
図７は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第１機能層形成のためのマスクＭ１の配置操作を示す模式断面図である。図７に示すように、マスクＭ１を隔壁１３上に、第１機能層を形成する工程におけるＲ色の有機発光層１６（Ｒ）が形成される箇所に開口Ｍ１ａが位置するように配置する。ここで、マスクＭ１の開口Ｍ１ａは、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれか１色に対応する有機発光層１６が形成される予定の位置にのみ設けられている。図８においては、Ｒ色の有機発光層１６（Ｒ）が形成される予定の位置にのみ開口Ｍ１ａが設けられている。開口Ｍ１ａのＸ方向に沿った幅Ｗ２は、例えば約４０〜１００［μｍ］に規定されている。
【００４５】
また、このとき、マスクＭ１の開口Ｍ１ａを取り囲むエッジ部Ｍ１ｂも隔壁１３上に位置している。隔壁１３は、架橋されていて比較的固い物性を有するため、マスクＭ１の開口Ｍ１ａを取り囲むエッジ部Ｍ１ｂのバリによって傷つきにくく隔壁１３の上面には凹凸が生じにくい。また、たとえ隔壁１３の上面に凹凸が生じても、図２において、説明したような断線を引き起こすような大きな凹凸は生じない。
【００４６】
［電子注入層１４（Ｒ）の形成］
図８は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第１機能層を形成する工程を示す模式断面図である。図８に示すように、マスクＭ１を用いて、真空蒸着法により電子注入層１４（Ｒ）を形成する。電子注入層１４（Ｒ）の膜厚は、例えば約１（ｎｍ）である。このとき、マスクＭ１の開口Ｍ１ａの幅（この場合、Ｘ軸方向における幅）Ｗ２は、隔壁１３の開口部１３ａの幅Ｗ１よりも広いため、電子注入層１４は、隔壁１３の開口部１３ａ内から隔壁１３の上面にはみ出すように形成される。
【００４７】
［電子輸送層１５（Ｒ）の形成］
次に、引き続きマスクＭ１を用いて、真空蒸着法により電子輸送層１５（Ｒ）を形成する。電子輸送層１５（Ｒ）の膜厚は、例えば約２０（ｎｍ）である。このとき、マスクＭ１は、取り外しや交換は行わず、電子注入層１４（Ｒ）形成時からそのまま連続して使用される。ここでも、マスクＭ１の開口Ｍ１ａの幅Ｗ２は、隔壁１３の開口部１３ａの幅Ｗ１よりも大きいため、電子輸送層１５（Ｒ）は、隔壁１３の開口部１３ａ内から隔壁の上面にはみ出して形成された電子注入層１４（Ｒ）の上に同様に形成される。
【００４８】
［有機発光層１６（Ｒ）、正孔輸送層１７ａ（Ｒ）の形成］
次に、引き続きマスクＭ１を用いて、真空蒸着法により有機発光層１６（Ｒ）および正孔輸送層１７ａ（Ｒ）を形成する。有機発光層１６（Ｒ）の膜厚は、例えば約５０（ｎｍ）、正孔輸送層１７ａ（Ｒ）の膜厚は、例えば約７５（ｎｍ）である。このとき、マスクＭ１は、取り外しや交換は行わず、電子輸送層１５（Ｒ）形成時からそのまま連続して使用される。すなわち、電子注入層１４（Ｒ）、電子輸送層１５（Ｒ）、有機発光層１６（Ｒ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｒ）の機能層を形成する工程間でマスクを交換する工程を挟まない。そのため、平面視した場合、機能層の外周縁が一致する。
【００４９】
電子注入層１４、電子輸送層１５、有機発光層１６、および正孔輸送層１７は、真空蒸着法により形成され、架橋等のプロセスを施されていないため隔壁１３等と異なり比較的柔らかい。しかし、マスクの開口を取り囲むエッジ部が機能層の上に配置されず、マスクの開口を取り囲むエッジ部に存在するバリが機能層とは接触しない。このため、機能層の表面が傷つけられて凹凸が生じることが無い。
【００５０】
（第２機能層を形成する工程）
次に、電子注入層１４（Ｇ）、電子輸送層１５（Ｇ）、有機発光層１６（Ｇ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｇ）から構成される第２機能層５０（Ｇ）の形成工程について説明する。
［マスクＭ１の退避、移動、配置］
第２機能層を形成する工程では、先ず、第１機能層を形成する工程におけるＲ色の有機発光層１６（Ｒ）が形成される箇所に開口Ｍ１ａが位置する状態から、第２機能層を形成する工程におけるＧ色の有機発光層１６（Ｇ）が形成される箇所に開口Ｍ１ａが位置する状態に、マスクＭ１を配置するための操作を行う。
【００５１】
図９は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第１機能層形成後のマスクＭ１の退避操作を示す模式断面図である。ここでは、図８に示す第１機能層を形成する工程を終えた状態から、図９に示すようにマスクＭ１を上方に移動し、マスクＭ１が第１機能層を構成する電子注入層１４（Ｒ）、電子輸送層１５（Ｒ）、有機発光層１６（Ｒ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｒ）と接触しない位置まで、マスクＭ１を退避させる。
【００５２】
図１０、及び図１１は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第２機能層形成のためのマスクＭ１の移動操作を示す模式断面図である。図１０に示すように、Ｇ色の有機発光層１６（Ｇ）を形成する箇所に開口Ｍ１ａを移動させるために、図１０の矢印の示す方向にマスクＭ１を移動させ、図１１に示すようにＧ色の有機発光層１６（Ｇ）が形成される箇所に開口Ｍ１ａが位置した状態でマスクＭ１の移動を停止する。このとき、マスクＭ１の下面Ｍ１ｃが正孔輸送層１７ａ（Ｒ）と接触しないよう、マスクＭ１が正孔輸送層１７ａ（Ｒ）から離間した状態で、マスクＭ１の移動及び位置決め操作を行う。
【００５３】
図１２は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第２機能層形成のためのマスクＭ１の配置操作を示す模式断面図である。ここでは、マスクＭ１を下方に移動させ、図１２に示すように、マスクＭ１の下面Ｍ１ｃが第１機能層を形成する工程で形成した正孔輸送層１７ａ（Ｒ）の上面に当接した状態でマスクＭ１の移動を停止する。図１２に示すように、マスクＭ１の下面Ｍ１ｃと隔壁１３との間には機能層５０ａ（Ｒ）の厚みに相当する隙間が生じるが、本実施の形態の一態様では、当該厚みは約１４６（ｎｍ）と小さく、このような隙間が生じることで、蒸着する材料が隙間の中に回り込みマスキング精度が低下することはない。また、磁石を用いて基板とマスクを密着させることにより、エッジ部Ｍ１ｂを含め、マスクＭ１の下面Ｍ１ｃの一部は隔壁１３上に当接され、１４６（ｎｍ）程度の隙間は無視できるくらいの隙間となる。以上によって、第２機能層を形成する工程におけるマスクＭ１の配置操作が完了する。
【００５４】
［電子注入層１４（Ｇ）の形成］
図１３は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第２機能層を形成する工程を示す模式断面図である。図１３に示すように、マスクＭ１を用いて真空蒸着法により電子注入層１４（Ｇ）を形成する。電子注入層１４（Ｇ）の膜厚は、例えば約１（ｎｍ）である。このとき、マスクＭ１は、下面Ｍ１ｃが正孔輸送層１７ａ（Ｒ）の最上面に密着するように配置されている。正孔輸送層１７ａ（Ｒ）は、真空蒸着法により形成され、架橋等のプロセスを施されていないため隔壁１３等と異なり比較的柔らかい。しかし、マスクＭ１が正孔輸送層１７ａ（Ｒ）の最上面と接する部分には開口Ｍ１ａが設けられていないので、開口Ｍ１ａのバリによって正孔輸送層１７ａ（Ｒ）の最上面に凹凸が形成されることはない。
【００５５】
［電子輸送層１５（Ｇ）の形成］
次に、引き続きマスクＭ１を用いて、真空蒸着法により電子輸送層１５（Ｇ）を形成する。電子輸送層１５（Ｇ）の膜厚は、例えば約２０（ｎｍ）である。このとき、マスクＭ１は、取り外しや交換は行わず、電子注入層１４（Ｇ）形成時からそのまま連続して使用される。
【００５６】
［有機発光層１６（Ｇ）、正孔輸送層１７ａ（Ｇ）の形成］
さらに、引き続いてマスクＭ１を用いて、真空蒸着法により有機発光層１６（Ｇ）および正孔輸送層１７ａ（Ｇ）を形成する。有機発光層１６（Ｇ）の膜厚は、例えば約４０（ｎｍ）、正孔輸送層１７ａ（Ｇ）の膜厚は、例えば約６５（ｎｍ）である。このときも、マスクＭ１は、取り外しや交換は行わず、電子輸送層１５（Ｇ）形成時からそのまま連続して使用する。このとき、電子注入層１４（Ｇ）、電子輸送層１５（Ｇ）、有機発光層１６（Ｇ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｇ）の機能層を形成する工程間でマスクを交換する工程を挟まない。そのため、平面視した場合、機能層の外周縁が一致する。
【００５７】
尚、本実施の形態に係る表示パネルの製造方法では、マスクＭ１は、図８において第１機能層５０（Ｒ）を形成するのに用いたマスクＭ１と同一のマスクを用いたが、マスクＭ１の開口Ｍ１ａがＧに対応する位置にのみ設けられているマスクを用いてもよい。
（第３機能層形成工程）
次に、電子注入層１４（Ｂ）、電子輸送層１５（Ｂ）、有機発光層１６（Ｂ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｂ）から構成される第３機能層５０（Ｂ）の形成工程について説明する。
【００５８】
［マスクＭ１のセット］
第３機能層形成工程では、先ず、第２機能層を形成する工程におけるＧ色の有機発光層１６（Ｇ）が形成される箇所に開口Ｍ１ａが位置する状態から、第３機能層形成工程におけるＢ色の有機発光層１６（Ｂ）が形成される箇所に開口Ｍ１ａが位置する状態に、マスクＭ１を配置する操作を行う。
【００５９】
図１４は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第２機能層形成後のマスクＭ１の退避操作を示す模式断面図である。図１３に示す第２機能層を形成する工程を終えた状態から、図１４に示すようにマスクＭ１を上方に移動し、マスクＭ１が、第１機能層５０（Ｒ）を構成する電子注入層１４（Ｒ）、電子輸送層１５（Ｒ）、有機発光層１６（Ｒ）、正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、及び第２機能層５０（Ｇ）を構成する電子注入層１４（Ｇ）、電子輸送層１５（Ｇ）、有機発光層１６（Ｇ）、正孔輸送層１７ａ（Ｇ）と接触しない位置まで、マスクＭ１を退避させる。
【００６０】
図１５、及び図１６は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第３機能層形成のためのマスクＭ１の移動操作を示す模式断面図である。図１５に示すように、Ｂ色の有機発光層１６（Ｂ）を形成する箇所に開口Ｍ１ａを移動させるために、図１５の矢印の示す方向にマスクＭ１を移動させ、図１６に示すように、Ｂ色の有機発光層１６（Ｂ）が形成される箇所に開口Ｍ１ａが位置した状態でマスクＭ１の移動を停止する。このとき、マスクＭ１の下面Ｍ１ｃが正孔輸送層１７ａ（Ｒ）及び正孔輸送層１７ａ（Ｇ）と接触しないよう、マスクＭ１が正孔輸送層１７ａ（Ｒ）及び正孔輸送層１７ａ（Ｇ）から離間した状態で、マスクＭ１の移動及び位置決め操作を行う。
【００６１】
図１７は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第３機能層形成のためのマスクＭ１の配置操作を示す模式断面図である。ここでは、マスクＭ１を下方に移動させ、図１７に示すように、マスクＭ１の下面Ｍ１ｃが正孔輸送層１７ａ（Ｒ）又は正孔輸送層１７ａ（Ｇ）の上面に当接した状態でマスクＭ１の移動を停止する。図１７に示すように、マスクＭ１の下面Ｍ１ｃと隔壁１３との間には機能層５０ａ（Ｒ）の厚みに相当する隙間が生じるが、本実施の形態の一態様では、当該厚みは約１４６（ｎｍ）と小さく、このような隙間が生じることで蒸着する材料が隙間の中に回り込みマスキング精度が低下することはない。また、磁石を用いて基板とマスクを密着させることにより、エッジ部Ｍ１ｂを含め、マスクＭ１の下面Ｍ１ｃの一部は隔壁１３上に当接され、１４６（ｎｍ）程度の隙間は無視できるくらいの隙間となる。以上によって、第３機能層形成工程におけるマスクＭ１の配置が完了する。
【００６２】
［電子注入層１４（Ｂ）、電子輸送層１５（Ｂ）、有機発光層１６（Ｂ）、正孔輸送層１７ａ（Ｂ）の形成］
図１８は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第３機能層形成工程を示す模式断面図である。図１８に示すように、真空蒸着法により電子注入層１４（Ｂ）、電子輸送層１５（Ｂ）、有機発光層１６（Ｂ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｂ）を、マスクＭ１の取り外しや交換を行わず、連続して形成する。電子注入層１４（Ｂ）の膜厚は、例えば約１（ｎｍ）、電子輸送層１５（Ｂ）の膜厚は、例えば約２０（ｎｍ）、有機発光層１６（Ｂ）の膜厚は、例えば約４０（ｎｍ）、正孔輸送層１７ａ（Ｂ）の膜厚は、例えば約２０（ｎｍ）である。電子注入層１４（Ｂ）、電子輸送層１５（Ｂ）、有機発光層１６（Ｂ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｂ）の機能層を形成する工程間でマスクを交換する工程を挟まないため、平面視した場合、機能層の外周縁が一致する。
【００６３】
また、このとき、マスクＭ１は、下面Ｍ１ｃが正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）の最上面に密着するように正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）上に配置されている。
ここで、マスクＭ１が正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）の最上面と接する部分には開口Ｍ１ａが設けられていないので、開口Ｍ１ａのバリによって正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）の最上面に凹凸が形成されることはない。
【００６４】
尚、本実施の形態に係る表示パネルの製造方法では、マスクＭ１は、図１３において第２機能層５０（Ｇ）を形成するのに用いたマスクＭ１と同一のマスクを用いたが、マスクＭ１の開口Ｍ１ａがＢに対応する位置にのみ設けられているマスクを用いてもよい。
（共通機能層を形成する工程）
図１９は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である第３機能層形成後のマスクＭ１の退避操作を示す模式断面図である。図１８に示す第３機能層形成工程を終えた状態から、図１９に示すようにマスクＭ１を上方に移動し、マスクＭ１が第１機能層を構成する電子注入層１４（Ｂ）、電子輸送層１５（Ｂ）、有機発光層１６（Ｂ）、および正孔輸送層１７ａ（Ｂ）と接触しない位置まで、マスクＭ１を退避させる。次に、マスクＭ１を取り外す。
【００６５】
図２０は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である共通能膜形成のためのマスクＭ２の配置操作を示す模式断面図である。マスクＭ２は、全ての機能層に対応する位置に開口Ｍ２ａが設けられており、第１機能層５０（Ｒ）、第２機能層５０（Ｇ）、第３機能層５０（Ｂ）を画素単位で覆うベタ膜として共通正孔輸送層１７ｂを形成してもよい。あるいは、全ての画素における第１機能層５０（Ｒ）、第２機能層５０（Ｇ）、第３機能層５０（Ｂ）を覆うひとつのベタ膜として形成してもよい。ここでは、第１機能層５０（Ｒ）、第２機能層５０（Ｇ）、第３機能層５０（Ｂ）を画素単位で覆うベタ膜として共通正孔輸送層１７ｂを形成する場合について、説明する。
【００６６】
図２１は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である共通機能層を形成する工程を示す模式断面図である。図２１に示すように、マスクＭ２を用いて真空蒸着法により正孔輸送層１７（Ｒ）、正孔輸送層１７（Ｇ）、および正孔輸送層１７（Ｂ）の上に共通層として共通正孔輸送層１７ｂを形成する。共通正孔輸送層１７ｂの膜厚は、例えば約９０（ｎｍ）である。マスクＭ２の開口Ｍ２ａの幅（Ｘ軸方向の幅）Ｗ４は、画素２００における第１機能層５０（Ｒ）から第３機能層５０（Ｂ）までの範囲を示す幅（Ｘ軸方向の幅）Ｗ３よりも広く設定されており、開口Ｍ２ａのエッジ部Ｍ２ｂと機能層５０の外周縁のうち前記エッジ部Ｍ２ｂに最も近接している部分との間には、隙間ｄ１が存在する。平面視においてマスクＭ２の開口Ｍ２ａ内に第１機能層５０（Ｒ）、第２機能層５０（Ｇ）、第３機能層５０（Ｂ）がそれぞれすっぽりと収まった状態で、マスクＭ２は隔壁１３上に密着して配置されている。そのため、マスクＭ２の開口Ｍ２ａのエッジ部Ｍ２ｂが第１機能層５０（Ｒ）、第２機能層５０（Ｇ）、第３機能層５０（Ｂ）の何れとも接触しない。従って、エッジ部Ｍ２ｂのバリによって正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）に凹凸が形成されることがない。なお、ここでは、幅Ｗ３は、Ｘ軸方向において、第１機能層５０（Ｒ）の外周縁と第３機能層５０（Ｂ）の外周縁との間の距離のうち、最も遠い距離をＷ３としている。このように、共通正孔輸送層１７ｂとして、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素に対して同時に成膜することにより、同じ膜厚を正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）として、Ｒ、Ｇ、Ｂのサブ画素に対して個別に成膜する場合よりも、全体として成膜に要する時間の削減、材料使用量の削減を図ることができる。
【００６７】
続いて、マスクＭ２を用いて図２１に示すように、真空蒸着法により共通正孔輸送層１７ｂの上に正孔注入層１８を形成する。正孔注入層１８の膜厚は、例えば約２０（ｎｍ）である。このとき、マスクＭ２は、取り外しや交換は行わず、共通正孔輸送層１７ｂ形成時からそのまま連続して使用される。共通正孔輸送層１７ｂと正孔注入層１８とを形成する工程間でマスクを交換する工程を挟まないため、平面視した場合、各機能層の外周縁が一致する。
【００６８】
（電極形成工程）
図２２は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である電極形成のためのマスクＭ３の配置操作を示す模式断面図である。マスクＭ２を取り外し、マスクＭ３を配置する。
図２３は、実施の形態に係る表示パネル１０の製造工程の一部である電極形成工程を示す模式断面図である。図２３に示すように、マスクＭ３を用いて、真空蒸着法により陽極１９を複数のサブ画素を覆って形成する。陽極１９の膜厚は、例えば約１５（ｎｍ）である。
【００６９】
なお、図示しないが、陽極１９の成膜工程後に、ＳｉＮ、ＳｉＯＮ等の光透過性材料をスパッタ法、ＣＶＤ法等で成膜し封止層を形成する工程や、アクリルまたはエポキシ系の樹脂と封止用基板を用いて封止を行う工程を実施する。
以上の工程を経ることにより、図２４に示すように表示パネル１０が完成する。
（マスク傷の防止に伴う発光不良を防止について）
本実施の形態の一態様では、上記したように、真空蒸着法やスパッタリング法等の気相成長法により機能層５０を形成する表示パネルの製造方法において、マスクＭ１の下面Ｍ１ｃが基板１１の主面上の層形成下地面に実質的に当接するようにマスクＭ１を配置し、マスクＭ１が機能層５０の最上面と接する部分には開口Ｍ１ａが設けられていない構成としたので、開口を取り囲むエッジ部Ｍ１ｂによって機能層５０の最上面にマスク傷である凹凸が形成されることを防止できる。これにより、マスクＭ１と機能層５０とが接触して機能層５０が損傷を受けることに起因して生じる発光不良を防止することができる。
【００７０】
（電子注入層１４を個別形成したことについて）
上記実施の形態の一態様によれば、電子注入層１４が各サブ画素において、複数のサブ画素を覆う共通層とはならずに個別に成膜されることになるため、電子注入層１４に導電性の高い材料を用いる場合であっても、隣接するサブ画素へ電流漏れが発生してしまうという問題を回避できる。
【００７１】
（共通正孔輸送層１７ｂ、正孔注入層１８を共通に形成したことについて）
有機ＥＬ素子のリーク電流を防ぐために有機物積層の総膜厚は厚く形成する必要がある。上記実施の形態の一態様では、移動度が、例えば１０-3（ｃｍ2／Ｖｓ）オーダーと、比較的高い正孔輸送性材料を用いた正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）、１７ｂ、または正孔注入層１８を、材料の移動度が、例えば１０-6〜１０-5（ｃｍ2／Ｖｓ）オーダーと、比較的低い電子輸送材料を用いた電子輸送層１５に対して厚く成膜する構成とした。これにより、駆動電圧の上昇を防止できる。また、厚く形成する正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）、１７ｂのうち、１７ｂを共通機能層とする構成とした。これにより、成膜に要する時間と材料使用量の削減ができる。また。共通に形成する共通正孔輸送層１７ｂを、第１機能層、第２機能層、第３機能層の上に配置する構成とした。これにより、マスク傷に起因する発光不良を防止できる。
【００７２】
尚、電子輸送層１５を共通機能層として同時に成膜する場合は、材料の移動度が低いために、駆動電圧の上昇を防止するために、膜厚を厚くすることが望ましくない。したがって、膜厚を厚く構成できない点で、電子輸送層１５を共通機能層として同時に成膜する場合は、成膜に要する時間と材料使用量の削減する効果は、共通正孔輸送層１７ｂを設けた場合に比べて、その効果は相対的に小さい。
【００７３】
また、成膜装置の誤作動や誤操作などのトラブル等によって、連続成膜とはならずマスクの移動・交換を挟んでしまった場合、マスクの再セット作業によってはアライメントズレが発生し、マスクの開口を取り囲むエッジ部が機能層の上に配置され機能層に凹凸が生じてしまう可能性がある。このような場合にも、上記実施の形態の一態様では、移動度が高く膜厚を厚く形成することができる正孔輸送層、及び正孔注入層が上部側に配置されているため、機能層の凹凸を正孔輸送性の電荷機能層の膜厚を厚くしてカバーすることで、その更に上部の層、例えば陽極の段切れを防止することが可能となる。
【００７４】
＜変形例＞
以上、実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限られない。例えば、以下のような変形例等が考えられる。
（１）  実施の形態では、各層の膜厚を図５に示すよう構成したが、各層の厚さはこれに限られない。例えば、図２５に示す態様とすることもできる。実施の形態では、図５に示すように、正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）、及び共通正孔輸送層１７ｂの膜厚が、各々、約７５（ｎｍ）、約６５（ｎｍ）、約２０（ｎｍ）、及び約９０（ｎｍ）であったところ、本変形例の一態様では、図２５に示すように、正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、及び１７ａ（Ｇ）の膜厚を、各々、約５５（ｎｍ）、及び約４５（ｎｍ）、及び正孔輸送層１７ａ（Ｂ）は形成しない構成とし、共通正孔輸送層１７ｂの膜厚を、約１１０（ｎｍ）とした。正孔輸送層１７ａ及び共通正孔輸送層１７ｂは、同一の材料で構成されているので、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する各サブ画素における正孔輸送層の総厚は、本変形例の一態様と実施の形態とで、同一である。本変形例の一態様では、正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）のうち、最も膜厚の薄い正孔輸送層１７ａ（Ｒ）を形成せず、相当する厚みの部分を共通機能層である共通正孔輸送層１７ｂに移行し、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する各サブ画素で同時に成膜する構成とした。これにより、本変形例の一態様では、正孔輸送層１７ａ（Ｒ）、１７ａ（Ｇ）、１７ａ（Ｂ）、及び共通正孔輸送層１７ｂのトータルの成膜に要する時間を、実施の形態に対して約８４％に低減することができる。
（２）本変形例の一態様では、図示していないが、陽極１９の上方には、各有機発光層１６の位置に合わせて、Ｒ、Ｇ、Ｂ各々の色に対応するカラーフィルターが配設されている。カラーフィルターは、Ｒ、Ｇ、Ｂに対応する波長の可視光を透過させるために設けられる透明層である。カラーフィルターは、具体的には、例えば、複数の開口部を画素単位に行列状に形成した隔壁が設けられたカラーフィルター形成用の基板に対し、カラーフィルター材料および溶媒を含有したインクを塗布する工程により形成される。
（３）変形例の一態様では、開口部１３ａの形状を、正方形、円形、楕円形等の形状とすることとしてもよい。開口部１３ａの形状が「長尺状である」とは、開口部が長辺と短辺を有する形状であることを指し、必ずしも矩形状である必要はない。例えば、正方形、円形、楕円形等の形状とすることとしてもよい。
（４）開口部１３ａは、Ｒ、Ｇ、Ｂによって面積が異なる構成としてもよい。
（５）実施の形態では、図５において、基板１１上に陰極１２〜陽極１９の各層が積層形成されてなる構成を示した。変形例の一態様においては、各層のうちの何れかの層を欠いている構成としてもよい。あるいは、１つの層が複数の層の機能を果たすように形成されている構成としてもよい。もしくは、例えば透明導電層などの他の層をさらに含む構成としてもよい。
（６）実施の形態では、陰極１２を形成した基板１１に隔壁１３を形成し、隔壁１３の開口部を含む領域に機能層を形成する構成とした。変形例の一態様においては、隔壁１３を設けず機能層を構成したが、隔壁１３を設けず陰極１２を形成した基板１１に機能層を形成する構成としても良い。
【００７５】
＜まとめ＞
以上、説明したとおり、本実施の形態の一態様では、気相成長法により機能層を形成する表示パネルの製造方法において、開口を取り囲むエッジ部によって機能層の最上面にマスク傷である凹凸が形成されることを防止できる。これにより、マスクと機能層とが接触して機能層が損傷を受けることに起因して生じる発光不良を防止することができる。
【００７６】
また、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法においては、複数の層からなる第１機能層を形成する第１機能層を形成する工程又は第２機能層を形成する工程において、マスクを交換する操作を挟まないため、第１機能層又は第２機能層を構成する各層の外周縁が一致する。また、マスクの開口を取り囲むエッジ部に存在するバリが開口内に位置する第１機能層とは接触しない。このため、第１機能層又は第２機能層の表面が傷つけられて凹凸が生じることが無い。従来の製造方法において、凹凸が形成された機能層の上に別の機能層が形成されると、凹凸部分の上に形成された機能層の膜厚が局所的に不均一となる。機能層に局所的に膜厚の不均一な部分が存在すると、その部分に電荷が集中して劣化が促進されるという問題が生じる。また、局所的に膜厚の不均一な部分が形成された場合には発光ムラの問題が生じる。しかし、本発明の一態様に係る表示パネルの製造方法では、上述したように、第１機能層、第２発光層および第２機能層の表面が傷つけられて凹凸が生じることが無いため、劣化促進や発光ムラの問題を防ぐことができる。
【００７７】
また、各層の界面にコンタミネーションが付着するという問題を防ぐことができる。有機ＥＬ素子において、層の界面の汚染は、しばしば有機ＥＬ素子の特性が不安定になり劣化するなどの問題を引き起こす原因となる。特に、発光層と発光層に隣接する層との界面がセンシティブであることが広く知られている。機能層を連続形成することで有機ＥＬ素子の特性劣化を防止できる。
【００７８】
また、第１機能層及び第２機能層の上に、共通機能層を形成するための材料を堆積させることにより、第１サブ画素及び第２サブ画素における共通機能層を形成する共通機能層を形成する工程においては、サブ画素形成マスクを用いて形成するのではなく、大開口のマスクを用いてベタ膜として形成するため、アラインメントが多少ずれた場合であっても、平面視した場合に、開口内に位置している第１機能層および第２機能層の外周縁とマスクの開口を取り囲むエッジ部との間には隙間が存在するために、マスクの開口を取り囲むエッジ部に存在するバリが開口内に位置する第１機能層および第２機能層とは接触せず、第１機能層および第２機能層の表面が傷つけられて凹凸が生じることが無い。また、共通機能層を形成する工程においては、Ｒ、Ｇ、Ｂで同じ材料の電荷機能層を用いる際に、Ｒ、Ｇ、Ｂそれぞれで個別に電荷機能層を成膜するのではなく、連続した一定膜厚を有する共通の電荷機能層とすることで、製造コスト、工程数を削減することができる。
【００７９】
また、共通機能層を形成する工程において成膜される各色について、同一の有機化合物材料からなる連続した一定膜厚を有する共通電荷機能層に加え、第１機能層を形成する工程および第２機能層を形成する工程において、第１機能層および第２機能層を形成するため、組み合わせにより各色それぞれの機能層は、それぞれ発光色（波長λ）に対応してそれぞれ異なる膜厚を有するようになる。これにより、共機能層並びに第１機能層、第２機能層の膜厚の設定によって各発光色の取り出しに最適な発光層の位置が画定でき、有機ＥＬ素子における発光色に対応したそれぞれ異なる光学距離を有する構成とすることができる。
【００８０】
なお、発明の理解の容易のため、上記各実施の形態で挙げた各図の構成要素の縮尺は実際のものと異なる場合がある。また本発明は上記各実施の形態の記載によって限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。
さらに、有機ＥＬ表示パネルにおいては電極のリード線等の部材も存在するが、電気的配線、電気回路については発光素子、表示装置等の技術分野における通常の知識に基づいて様々な態様を実施可能であり、本発明の説明として直接的には無関係のため、説明を省略している。尚、上記示した各図は模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
【産業上の利用可能性】
【００８１】
本発明の表示パネルの製造方等は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種表示装置、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等として用いられる表示パネルの製造方等に好適に利用可能である。
【符号の説明】
【００８２】
１０  表示パネル
１１  基板
１２  陰極
１３  隔壁
１３ａ  隔壁開口部
１４  電子注入層
１５  電子輸送層
１６  有機発光層
１７  正孔輸送層
１８  正孔注入層
１９  陽極
１００  サブ画素
２００  画素
Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３  マスク
Ｍ１ａ、Ｍ２ａ  開口
Ｍ１ｂ、Ｍ２ｂ  エッジ部
Ｍ１ｃ  下面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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