(57)【要約】【課題】本発明は、小型の抵抗器であっても抵抗体の相対的な寸法精度を向上させて抵抗値の精度を向上させおよびバラツキを抑え、さらに高抵抗を実現することの両立を図る抵抗器を得ることを目的とする。【解決手段】本発明の抵抗器の製造方法は、基板全面に抵抗層と、抵抗層上に複数の平行な帯状上面電極を形成し、帯状上面電極と直角な方向に複数の１次パターン溝を形成することにより抵抗層を分断して抵抗体を、および帯状上面電極を分断して複数の上面電極を形成する１次パターン溝形成工程と、抵抗体をトリミングして抵抗値を修正する抵抗値修正工程と、抵抗体を覆う保護膜を形成する保護膜形成工程とを備え、１次パターン溝の幅よりも狭く１次パターン溝の幅の内側に１次分割溝を形成する１次分割溝形成工程を有し、この１次分割溝により基板の分割を行う１次分割工程を備えたものである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に抵抗層を形成する抵抗層形成工程と、
前記抵抗層上に複数の平行な帯状上面電極を形成する帯状上面電極形成工程と、
前記帯状上面電極と直角な方向に複数の１次パターン溝を形成することにより前記抵抗層を分断して抵抗体を形成し、および前記帯状上面電極を分断して複数の上面電極を形成する１次パターン溝形成工程と、
前記抵抗体をトリミングすることで互いに隣接する前記上面電極層間の抵抗体の抵抗値を修正する抵抗値修正工程と、
前記抵抗体を覆う保護膜を形成する保護膜形成工程とを備え、
前記１次パターン溝の幅よりも狭く前記１次パターン溝の幅の内側に１次分割溝を形成する１次分割溝形成工程を有し、この１次分割溝により基板の分割を行う１次分割工程を有する抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器などに使用される抵抗器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の小型化の流れの中、抵抗器の小型化も望まれている。抵抗器は、０６０３（縦０．６ｍｍ、横０．３ｍｍのサイズ）や、０４０２（縦０．４ｍｍ、横０．２ｍｍのサイズ）の外形形状のチップ型抵抗器が開発されているが、さらに小型の０３０１５（縦０．３ｍｍ、横０．１５ｍｍのサイズ）や或いはそれ以下のチップ型抵抗器の出現も期待されている。
【０００３】
これらのチップ型抵抗器の典型的な構成は、アルミナなどの基板上に一対の上面電極と、この一対の上面電極間に抵抗体を形成した構成である。
【０００４】
一般に、チップ型抵抗器には厚膜タイプと薄膜タイプに分類することができる。厚膜タイプのチップ型抵抗器は、抵抗体となる材料を印刷工法により基板上に塗布し、その後焼成したものが広く知られている（特許文献１参照。）。
【０００５】
一方、薄膜タイプのチップ型抵抗器は、薄膜工法により基板上に抵抗体を形成したものである。薄膜工法としては、スパッタ工法が広く知られている（特許文献２参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】実開平６−６２５０１号公報
【特許文献２】特開平２−３０９６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
厚膜タイプのチップ型抵抗器における印刷工法は、メッシュを用いて所定の形状の抵抗体を基板上に形成するものである。メッシュの目は細かい方が抵抗体の形状の精度向上には有利である。従って、抵抗器の小型に伴い、メッシュの目も細かく、表現を変えるとメッシュの目の大きさも小さくすれば抵抗体の相対的な形状精度も維持できるはずである。ここで、抵抗材料は、印刷後には所定の形状を維持する必要があるので、その流動性は低い方が好ましい。しかし、流動性が低いとメッシュの目が小さいときに、抵抗材料がメッシュを通過する際の抵抗が増加して、印刷が困難になってくる。従って、メッシュを細かくするのにも制約があり、抵抗器の小型化にメッシュの目の細かさが追従できず、小型の抵抗器においては抵抗体の相対的な寸法精度が低下してしまい、抵抗値の精度の悪化および抵抗値バラツキの増大などを生じることとなってしまう。
【０００８】
一方、薄膜タイプのチップ型抵抗器におけるスパッタ工法は、抵抗体を構成する物質のターゲットを用いてスパッタ工法により抵抗体を形成するものである。しかし、スパッタ工法による抵抗体は金属に限られ、厚膜タイプの抵抗器のように抵抗体を導体とガラスとの混合物にすることができないので、高い抵抗値の抵抗器の製造が困難である。このため、薄膜タイプの抵抗器においては、抵抗値を高くするために抵抗体を蛇行形状にするなどの方法を実施しているが、抵抗器自体が小型化になると、そのスペースを確保することができず、高い抵抗値の抵抗器の製造が困難になる。
【０００９】
以上のように、小型化になると、抵抗体の相対的な寸法精度を向上させて抵抗値の精度向上およびバラツキを抑えることと、高抵抗を実現することの両立が困難であるという課題を有していた。
【００１０】
本発明は上記従来の課題を解決するもので、小型の抵抗器であっても抵抗体の相対的な寸法精度を向上させて抵抗値の精度を向上させおよびバラツキを抑え、さらに高抵抗を実現することの両立を図る抵抗器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するための、本発明は以下の手段を有している。
【００１２】
請求項１に記載の発明は、基板上に抵抗層を形成する抵抗層形成工程と、前記抵抗層上に複数の平行な帯状上面電極を形成する帯状上面電極形成工程と、前記帯状上面電極と直角な方向に複数の１次パターン溝を形成することにより前記抵抗層を分断して抵抗体を形成し、および前記帯状上面電極を分断して複数の上面電極を形成する１次パターン溝形成工程と、前記抵抗体をトリミングすることで互いに隣接する前記上面電極層間の抵抗体の抵抗値を修正する抵抗値修正工程と、前記抵抗体を覆う保護膜を形成する保護膜形成工程とを備え、前記１次パターン溝の幅よりも狭く前記１次パターン溝の幅の内側に１次分割溝を形成する１次分割溝形成工程を有し、この１次分割溝により基板の分割を行う１次分割工程を有する抵抗器の製造方法である。
【００１３】
請求項１に記載の発明は、抵抗体の相対的な寸法精度を向上させて抵抗値の精度を向上させおよびバラツキを抑え、かつ高抵抗を実現することの両立が可能となるという作用効果を有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の抵抗器の製造方法は、抵抗体の相対的な寸法精度を向上させて抵抗値の精度を向上させおよびバラツキを抑え、かつ高抵抗を実現することの両立が可能となるという優れた効果を有するものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の工程図
【図２】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の抵抗材料滴下工程の斜視図
【図３】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法のスピンコート工程の斜視図
【図４】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の転写工程の斜視図、（ｂ）同断面図
【図５】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の焼成工程の断面図
【図６】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の帯状上面電極形成工程の平面図、（ｂ）同ＡＡ断面図
【図７】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の１次パターン溝形成工程の平面図、（ｂ）同ＡＡ断面図
【図８】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の１次分割溝形成工程の平面図、（ｂ）同ＡＡ断面図
【図９】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の抵抗値修正工程の平面図
【図１０】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の保護膜形成工程の平面図、（ｂ）同ＡＡ断面図
【図１１】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の２次パターン溝形成工程の平面図、（ｂ）同ＡＡ断面図
【図１２】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の２次分割溝形成工程の平面図、（ｂ）同ＡＡ断面図
【図１３】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の第１の分割工程の平面図
【図１４】（ａ）本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の端面電極形成工程の平面図、（ｂ）同ＡＡ断面図
【図１５】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の第２の分割工程の平面図
【図１６】本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法で得られる抵抗器の断面図
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は、基板上に抵抗層を形成する抵抗層形成工程、抵抗層上に複数の平行な帯状上面電極を形成する帯状上面電極形成工程、帯状上面電極と直角な方向に複数の１次パターン溝を形成することにより前記抵抗層を分断して抵抗体を形成し、および前記帯状上面電極を分断して複数の上面電極を形成する１次パターン溝形成工程、抵抗体をトリミングすることで互いに隣接する上面電極層間の抵抗体の抵抗値を修正する抵抗値修正工程、抵抗体を覆う保護膜を形成する保護膜形成工程、および１次パターン溝の幅よりも狭く１次パターン溝の幅の内側に１次分割溝を形成する１次分割溝形成工程および１次分割溝の位置で基板の分割を行う第１の分割工程を有する抵抗器の製造方法である。
【００１７】
以下、一実施の形態を用いて、本発明をより詳細に説明する。
【００１８】
図１は、本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の工程図である。本実施の形態は、抵抗層形成工程、帯状上面電極形成工程および１次パターン溝形成工程を実施した後に１次分割溝形成工程を行い、その後、抵抗値修正工程、保護膜形成工程および第１の分割工程を有している。
【００１９】
以下、図２〜図１６を用いて、本実施の形態について、より詳細に説明をする。
【００２０】
図２は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の抵抗材料滴下工程の斜視図である。この工程は、転写用基板１上にフィルム２を貼り、その上に抵抗材料３を滴下した状態のものである。転写用基板１としては、表面が平滑なものがよく、例えばガラスが好適である。フィルム２の表面も平滑なものがよく、例えばＰＥＴによるフィルムが好適である。また、後にスピンコート工程があることを考えると、フィルム２は転写用基板１に貼り付く特性を有するものが好適である。また、抵抗材料３は、最終的に抵抗体を形成する物質と有機溶剤等を混ぜてペースト状にしたものを用いることができる。抵抗体の材料としては、厚膜工法で用いられる抵抗材料を用いても良く、例えばＡｇＰｄとガラスとのペーストなどを用いることができる。
【００２１】
図３は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法のスピンコート工程の斜視図である。図２の状態で転写用基板１を高速で回転させることにより、抵抗材料３を慣性力によりフィルム２を介した転写用基板１上に均一に薄く伸ばし、その後、乾燥させることで、抵抗層４を得ることができる。抵抗層４の厚みは、抵抗材料３の粘性、スピンコート工程における転写用基板１の回転速度および回転時間などにより調整することができる。また、有機溶剤は乾燥により蒸発する。
【００２２】
図４（ａ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の転写工程の斜視図、図４（ｂ）は同断面図である。図３の状態から、抵抗層４と共にフィルム２を転写用基板１から剥離させ、抵抗層４をフィルム２とともに基板５へ転写させることで、図４の状態を得る。このとき、フィルム２よりも抵抗層４が基板５に近く位置するように転写させる。即ち、基板５、抵抗層４およびフィルム２の順に配置されている。基板５としては放熱特性や機械的強度等からアルミナが好適である。
【００２３】
本実施の形態においては、図２に示す抵抗材料滴下工程、図３に示すスピンコート工程および図４に示す転写工程により抵抗層形成工程は構成される。
【００２４】
図５は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の焼成工程の断面図である。図４の状態から、全体を約８５０℃の高温で熱する焼成工程により抵抗層４を焼成し、フィルム２を消失させる。焼成温度は、抵抗層４を焼成させ、フィルム２を消失させる温度であればよく、それぞれの材質によって異なるが、多くの場合には、樹脂からなるフィルム２の消失温度よりも抵抗層４を焼成温度の方が高いので、抵抗層４の焼成温度で焼成工程を行えばよい。
【００２５】
図６（ａ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の帯状上面電極形成工程の平面図、図６（ｂ）は同ＡＡ断面図である。図５の状態から、マスクスパッタにより帯状上面電極６を形成している。帯状上面電極６は抵抗層４上に平行に複数本形成されており、抵抗層４とは電気的に接続している。また、帯状上面電極６は、マスクスパッタによるＣｒの下地層上にマスクスパッタによりＣｕの薄膜層を形成した構成が好適である。また、マスクスパッタによるＮｉＣｒ層上にＣｕのめっき層を形成した構成にしてもよい。なお、帯状上面電極形成工程と同時に或いは前後して、図１４（ｂ）で言及する裏面電極１７を形成する。裏面電極１７も帯状上面電極６と同様の製造方法による同様の構成に形成することができる。
【００２６】
図７（ａ）は、本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の１次パターン溝形成工程の平面図、図７（ｂ）は同ＡＡ断面図である。図６の状態において、ダイシング工法によって、抵抗層４および帯状上面電極６を分断させている。また、基板５に浅い溝を形成しており、この浅い溝が１次パターン溝７である。この工程により、帯状上面電極６からは複数の上面電極８が形成され、抵抗層４からは複数の抵抗体９が形成される。なお、図７（ａ）における抵抗層４の横方向の端部に残った部分はダミー部となり最終的にはチップ抵抗器の抵抗体９としては使用することは出来ない。
【００２７】
図８（ａ）は、本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の１次分割溝形成工程の平面図、図８（ｂ）は同ＡＡ断面図である。図７の状態でレーザ光線を照射させて、基板５に１次分割溝１０を形成している。具体的には、図７（ａ）においてレーザ光線を縦にスキャンさせて照射させることにより１次分割溝１０を得ることができる。１次分割溝１０は、１次パターン溝７の幅方向の内側に位置し、１次パターン溝７よりも狭い幅を有している。このようにしている理由については後述する。
【００２８】
図９は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の抵抗値修正工程の平面図である。抵抗値の修正を行う抵抗体９上に隣接して位置する一対の上面電極８に抵抗値測定のためのプローブを接触させて抵抗値を測定しながら、抵抗体９にレーザ光線によりトリミング溝１１を形成することによって抵抗値を修正させて所望の抵抗値を得る。
【００２９】
図１０（ａ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の保護膜形成工程の平面図、図１０（ｂ）は同ＡＡ断面図である。図９の状態から抵抗体９を全て覆い、かつ上面電極８の一部も覆うように保護膜１２を形成する。保護膜１２は絶縁性を有し、耐湿性に優れ、機械的強度に優れるものを用いることができる。ポリアミドやポリイミド、フェノール樹脂などが好適である。
【００３０】
図１１（ａ）は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の２次パターン溝形成工程の平面図、図１１（ｂ）は同ＡＡ断面図である。図１０の状態において、ダイシング工法によって、上面電極８および抵抗体９を分断させている。また、基板５に浅い溝を形成しており、この浅い溝が２次パターン溝１３である。なお、図１１（ａ）における抵抗層４の縦方向の端部に残った部分はダミー部となり最終的にはチップ抵抗器の抵抗体９としては使用することは出来ない。
【００３１】
図１２（ａ）は、本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の２次分割溝形成工程の平面図、図１２（ｂ）は同ＡＡ断面図である。図１１の状態でレーザ光線を照射させて、基板５に２次分割溝１４を形成している。具体的には、図１１（ａ）においてレーザ光線を横にスキャンさせて照射させることにより２次分割溝１４を得ることができる。２次分割溝１４は、２次パターン溝１３の幅方向の内側に位置し、２次パターン溝１３よりも狭い幅を有している。
【００３２】
図１３は、本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の第１の分割工程の平面図である。図１２において２次分割溝１４が形成された部分で基板５を分割することで、短冊基板１５を得ることができる。
【００３３】
図１４（ａ）は、本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の端面電極形成工程の平面図、図１４（ｂ）は同ＡＡ断面図である。図１３の状態において、マスクスパッタにより上面電極８の全て、保護膜１２の一部、短冊基板１５の端面の全面に端面電極１６を形成する。また、裏面電極１７とは裏面電極１７の端面で電気的に接続するように形成する。端面電極はＣｒの下地層上にＣｕ層を形成した構成にすることができる。
【００３４】
図１５は、本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法の第２の分割工程の平面図である。図１４の状態から短冊基板１５を１次分割溝１０で分割することで個片基板１８を得ることができる。
【００３５】
図１６は本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法で得られる抵抗器の断面図である。図１５の状態の個片基板１８にバレルめっきによるめっき層１９を形成すると図１６のような最終的な抵抗器を得ることができる。めっき層１９は、Ｎｉめっき層上にＳｎめっき層を形成した２層構造としている。めっき層１９は露出している導電体の表面に形成されるので、端面電極１６および裏面電極１７の表面に形成される。
【００３６】
以上の工程が本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法である。
【００３７】
以上のように本発明の一実施の形態における抵抗器の製造方法は、抵抗体９の厚みはスピンコート工法により、抵抗体９の縦横の外形はダイシング工法による１次パターン溝７と２次パターン溝１３とにより規定されるので、抵抗値を高精度にし、バラツキの小さいものとすることができ、また抵抗体９はスピンコート工法で抵抗層４を形成し、これを基板５に転写したものであるので抵抗材料３は純金属である必要はなく、厚膜工法で用いられる材料を使用することができるので、高抵抗のものを含む幅広い抵抗値の抵抗器を得ることができる。勿論、本実施の形態において低抵抗の抵抗器の製造も可能である。また、抵抗層４はスピンコート工法および転写により行わず、最初から基板５上に塗布して形成してもよい。この場合には、スピンコート工法に比較すると、抵抗層４の厚みの均一性の点で劣るが、印刷のメッシュを用いないので、通常の厚膜の印刷工法の製造方法に比べると、小型の抵抗器であっても高精度の抵抗値を得ることができる。
【００３８】
ここで、１次パターン溝７と１次分割溝１０の幅について説明する。１次パターン溝７および２次パターン溝１３によって抵抗体９の外形が規定され、また、基板５は１次分割溝１０および２次分割溝１４により分割されて個片基板１８となるので、個片基板１８の外形は１次分割溝１０および２次分割溝１４によって規定される。従って、１次パターン溝７の溝を１次分割溝１０の幅より広くすると、平面視した際に抵抗体９は個片基板１８の内側に位置することになる。これにより、抵抗体９における１次分割溝１０に平行な側面は、保護膜１２に覆われて露出することがなく、抵抗体９の品質が向上する。
【００３９】
また、帯状上面電極６から１次パターン溝７により分断されて得られた隣接する上面電極８間の絶縁抵抗値は、基板５の延面距離が長い方が高くなるので、１次パターン溝７を形成した後に１次分割溝１０を形成することで、抵抗値修正の際の精度を高めることができる。
【００４０】
なお、１次パターン溝７は浅く設ければよいので、ダイシングにより形成する時間を短縮することができる。そして、１次分割に用いる１次分割溝１０の溝は、深く形成する必要があるが、幅は狭くてもよいので、レーザ光線の照射により行うことで、加工時間を短縮させている。これは、２次パターン溝１３と２次分割溝１４の関係も同様である。
【００４１】
本実施の形態においては、焼成工程の後に１次パターン溝形成工程、１次分割溝形成工程、２次パターン溝形成工程および２次分割溝形成工程を実施している。このような工程の順番にしている理由は、以下の通りである。１次パターン溝形成工程、１次分割溝形成工程、２次パターン溝形成工程および２次分割溝形成工程によって基板５に溝を形成する際に基板５から削りくずが飛散する場合があり、この飛散物が抵抗体９に付着した後に焼成を行うと、飛散物と一体化した抵抗体９となってしまい、特性が悪化するおそれがある。従って、エアーを吹き付けるなどにより飛散物を除去すればよいのであるが、未焼成の抵抗体９は飛散物が付着しやすくエアーにより除去できないことがある。これに対し、焼成後の抵抗体９においては、エアーの吹き付けにより比較的容易に飛散物を除去することができる。また、仮に飛散物が付着していても、抵抗体９が飛散物と一体化する恐れは極めて小さく、特性が悪化するおそれも極めて少ない。以上の作用効果を有するので、本実施の形態においては焼成工程の後に１次パターン溝形成工程、１次分割溝形成工程、２次パターン溝形成工程および２次分割溝形成工程を実施している。
【００４２】
なお、上記の課題を解決できるのであれば、１次パターン溝形成工程、１次分割溝形成工程のあとに焼成工程を行うこともできる。例えば、１次パターン溝形成工程において、飛散物が生じないような基板５を用いるなどの場合が挙げられる。また、抵抗層４上にフィルム２を被せた状態にしておき、飛散物が抵抗層４の上面に飛び散ることを防止する方法もある。
【００４３】
本実施の形態において転写用基板１上にフィルム２を介して抵抗層４を形成している。スピンコート工程で高速に回転させることを考えると転写用基板１は剛体であることが求められる。スピンコート工程の高速回転により撓みが生じたり、振動が生じると均一の厚みの抵抗層４を得ることができないので、転写用基板１はスピンコート工程の高速回転においては実用上剛体とみなせることが必要である。一方、抵抗層４は乾燥はさせているが未焼成であるので十分な硬度がなく、支持するものがない状態で単独で基板５へ転写させることは困難であるので、支持するものが必要である。しかし、支持するものが剛体であると、抵抗層４を基板５へ転写させ難い。従って、抵抗層４を直接転写用基板１上に形成するのではなく、フィルム２上に形成している。これにより、スピンコート工程においては剛体である転写用基板１により抵抗層４は均一に形成され、転写工程においては抵抗層４を変形可能なフィルム２で支持することにより容易に転写を可能としている。
【００４４】
本実施の形態においては、転写工程の際に抵抗層４のみならずフィルム２も転写させ、後の焼成工程においてフィルム２を消失させている。これにより、抵抗層４を基板５へ転写させた後にフィルム２を抵抗層４から剥離させる必要がなく製造工程の効率化を図ることができる。なお、抵抗層４を基板５へ転写させた後にフィルム２を抵抗層４から剥離させる工程を設けても抵抗器の製造は可能ではある。この場合には、剥離させたフィルム２を再使用する方法もある。但し、フィルム２の洗浄が必要になる可能性があること、および再び転写用基板１上に貼り付ける際の取り扱い性を考慮すると、一般的にフィルム２の再使用より未使用のフィルム２を都度使用する方が効率的および経済的である。勿論、フィルム２が再使用に優れるものであるならば、再使用してもよい。
【００４５】
本実施の形態において、１次パターン溝形成工程および２次パターン溝形成工程はダイシングにより行っているが、レーザ光線の照射などの方法を取ることもできる。１次パターン溝形成工程および２次パターン溝形成工程は、焼成済みの抵抗層４および帯状上面電極６を分断し、さらに、基板５にも溝を形成することから、ダイシングによる機械的な切削によりこれらの構成要素を切断する方が効率的である。但し、小型化の流れの中では、微細な加工性に優れるレーザ光線の照射により行った方が適している。
【００４６】
本実施の形態において、帯状上面電極形成工程はスパッタ工法あるいはスパッタ工法で下地層を形成したのちにめっき工法によりめっき層を形成する工程としている。帯状上面電極６を厚膜印刷工程で形成する方法もあるが、抵抗器の小型化の中、印刷工法の場合にはメッシュの目の大きさにより帯状上面電極６の外形形状を高精度に製造することが難しい。平面視した際に、帯状上面電極６の一部は抵抗層４と重畳するが、この重畳部における帯状上面電極６の形状は抵抗値に影響を与えるため、帯状上面電極６は高精度に形成されることが望ましく、その点でスパッタ工法が優れている。スパッタ工法による下地層を形成した後にめっき層を形成する場合には、スパッタ工法よりめっき工法の方が帯状上面電極６を厚くすることが容易であるので、帯状上面電極６の抵抗値を容易に低下させることができる。
【００４７】
本実施の形態における端面電極形成工程は、スパッタ工法により、上面電極８から短冊基板１５の側面にかけて形成した一層の薄膜としているが、さらに裏面電極１７から短冊基板１５の側面にかけて形成した電極層との２層にしてもよい。また、この場合、裏面電極１７を設けず、裏面においては端面電極１６に直接端面電極１６を形成するようにしてもよい。
【００４８】
本実施の形態における裏面電極１７は、抵抗層４を転写する前に基板５に形成してもよい。また、裏面電極１７の寸法精度は、上面電極８とは異なり抵抗値に与える影響が小さいので厚膜印刷工法により形成してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００４９】
本発明に係る抵抗器の製造方法は、電子機器などに使用される抵抗器の製造方法に使用され有用である。
【符号の説明】
【００５０】
１  転写用基板
２  フィルム
３  抵抗材料
４  抵抗層
５  基板
６  帯状上面電極
７  １次パターン溝
８  上面電極
９  抵抗体
１０  １次分割溝
１１  トリミング溝
１２  保護膜
１３  ２次パターン溝
１４  ２次分割溝
１５  短冊基板
１６  端面電極
１７  裏面電極
１８  個片基板
１９  めっき層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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