(57)【要約】      （修正有）【課題】メモリカードに格納されるＯＳイメージに対するデータ信頼性を提供する埋め込み型マルチメディアカード及びそのＯＳイメージ書込み方法を提供する。【解決手段】メモリカード２００は、第１メモリ領域と第２メモリ領域とを含む不揮発性メモリ装置２２０と、信頼性モード情報が格納される第１レジスタ２１２及び運営体系イメージ情報が格納される第２レジスタ２１４を含み、ホストから書込み要請される運営体系イメージと前記運営体系イメージ情報とのマッチングの可否及び前記信頼性モード情報にしたがって前記運営体系イメージを前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域への移動を遮断するメモリコントローラと、を含む【選択図】図１
2014182832.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１メモリ領域と第２メモリ領域とを含む不揮発性メモリ装置と、
信頼性モード情報が格納される第１レジスタ及び運営体系イメージ情報が格納される第２レジスタを含み、ホストから書込み要請される運営体系イメージと前記運営体系イメージ情報とのマッチングの可否及び前記信頼性モード情報にしたがって前記運営体系イメージの前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域への移動を遮断するメモリコントローラと、を含む不揮発性格納装置。
【請求項２】
前記第１メモリ領域のセル当たりの格納ビット数は前記第２メモリ領域のセル当たりの格納ビット数より少ない請求項１に記載の不揮発性格納装置。
【請求項３】
前記第１レジスタの信頼性モード情報が信頼性非保証モードに設定される前には前記運営体系イメージは前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域に移動できないように設定される請求項２に記載の不揮発性格納装置。
【請求項４】
前記運営体系イメージ情報は、前記運営体系イメージに対するセクタ開始アドレス、セクタカウントの中で少なくとも１つを含む請求項２に記載の不揮発性格納装置。
【請求項５】
前記メモリコントローラは、書込み要請されるデータのセクタアドレスが前記運営体系イメージ情報と一致する場合に前記書込み要請されるデータを信頼性保証モードに管理する請求項４に記載の不揮発性格納装置。
【請求項６】
前記メモリコントローラは、前記運営体系イメージに対する書込みモードを活性化及び非活性化するためのフィールドを有する第３レジスタを含む請求項１に記載の不揮発性格納装置。
【請求項７】
前記第２レジスタは、前記運営体系イメージのセクタ開始アドレス、セクタカウント、及び属性の中で少なくとも１つが書き込まれる複数のレジスタセットで構成される請求項６に記載の不揮発性格納装置。
【請求項８】
前記第３レジスタは、
前記第２レジスタの設定が完了された後に前記運営体系イメージの書込みモードを活性化する第１ビットと、
前記運営体系イメージ書込みモードの完了の後に前記信頼性保証モードにしたがう前記運営体系イメージ書込みモードを永久的に非活性化するための第２ビットのフィールド値と、を含む請求項６に記載の不揮発性格納装置。
【請求項９】
運営体系イメージをメモリカードにプログラムする方法において、
前記運営体系イメージの信頼性保証モードにしたがう書込み機能の支援の可否を前記メモリカードの第１レジスタから読み出す段階と、
前記運営体系イメージのセクタ開始アドレス、セクタカウント、及び属性の中で少なくとも１つを含む運営体系イメージ情報を前記メモリカードの第２レジスタに書き込む段階と、
前記運営体系イメージを前記メモリカードにプログラムする段階と、を含み、
前記プログラムする段階で、前記メモリカードは、前記運営体系イメージ情報を参照して前記運営体系イメージを特定エラー率以下に管理するための信頼性保証モード又は信頼性非保証モードに不揮発性メモリ装置に書き込むプログラム方法。
【請求項１０】
埋め込み型マルチメディアカードの運営体系イメージプログラム方法において、
運営体系イメージ情報が存在するかを確認する段階と、
前記運営体系イメージの書込み要請が前記運営体系イメージ情報とマッチングされるか否かを検出する段階と、
前記書込み要請と前記運営体系イメージ情報とがマッチングされる場合に書込み要請される前記運営体系イメージを信頼性保証モードにしたがって不揮発性メモリ装置にプログラムする段階と、を含むプログラム方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体メモリ装置に係り、より具体的にはデータ信頼性を高くすることができる不揮発性格納装置及びその運営体系イメージプログラム方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体メモリ装置は、一般に、揮発性半導体メモリ装置（Ｖｏｌａｔｉｌｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｍｅｍｏｒｙ  ｄｅｖｉｃｅ）と不揮発性半導体メモリ装置（Ｎｏｎ−ｖｏｌａｔｉｌｅ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  ｍｅｍｏｒｙ  ｄｅｖｉｃｅ）とに区分され得る。揮発性半導体メモリ装置は読出し・書込みの速度は速いが、電源供給が遮断すると、格納された内容が消えてしまう短所がある。一方、不揮発性半導体メモリ装置は電源供給が遮断されてもその内容は保存される。したがって、不揮発性半導体メモリ装置は電源が供給されたか否かに関わらず保存しなければならない内容を格納するのに使われる。
【０００３】
不揮発性メモリ装置の代表的な例としてフラッシュメモリ装置がある。フラッシュメモリ装置はコンピュータ、携帯電話、ＰＤＡ、デジタルカメラ、カムコーダ、ボイスレコーダ、ＭＰ３プレーヤ、個人用携帯端末機ＰＤＡ、携帯用コンピュータ（Ｈａｎｄｈｅｌｄ  ＰＣ）、ゲーム機、ファックス、スキャナ、プリンタ等（以下、‘ホスト’と称する）のような情報機器の音声及び映像データ格納媒体として広く使用されている。
【０００４】
最近では、モバイル機器の格納媒体としてＮＡＮＤフラッシュ基盤の埋め込み型マルチメディアカード（Ｅｍｂｅｄｅｄ  ＭｕｌｔｉＭｅｄｉａ  Ｃａｒｄ：以下、ｅＭＭＣ）が普遍化されている。モバイル機器の格納媒体は基本的にモバイル機器の運営体系イメージ（ＯＳイメージ）を格納している。ｅＭＭＣはモバイル機器の印刷回路基板に基本的に装着されて出市されている。したがって、ｅＭＭＣに格納されるＯＳイメージはモバイル機器の印刷回路基板に装着される以前に格納され得る。しかし、ｅＭＭＣをモバイル機器の印刷回路基板にマウントする工程で、表面実装技術（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｍｏｕｎｔ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ：以下、ＳＭＴ）や赤外線リフロ（ＩＲ  Ｒｅｆｌｏｗ）等が使用される。このような工程によって、ｅＭＭＣに格納されたＯＳイメージに対する信頼性が低下し得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第８，２５３，１７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は表面実装技術ＳＭＴ又は赤外線リフロ（ＩＲ  Ｒｅｆｌｏｗ）技術を適用する以前にメモリカードに格納されるＯＳイメージに対するデータ信頼性を提供する埋め込み型マルチメディアカード及びそのＯＳイメージ書込み方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するための本発明による不揮発性格納装置は、  第１メモリ領域と第２メモリ領域とを含む不揮発性メモリ装置と、信頼性モード情報が格納される第１レジスタ及び運営体系イメージ情報が格納される第２レジスタを含み、ホストから書込み要請される運営体系イメージと前記運営体系イメージ情報とのマッチングの可否及び前記信頼性モード情報にしたがって前記運営体系イメージの前記第１メモリ領域から前記第２メモリ領域への移動を遮断するメモリコントローラと、を含む。
【０００８】
前記目的を達成するための本発明による運営体系イメージをメモリカードにプログラムする方法は、前記運営体系イメージの信頼性保証モードにしたがう書込み機能の支援の可否を前記メモリカードの第１レジスタから読み出す段階と、前記運営体系イメージのセクタ開始アドレス、セクタカウント、及び属性の中で少なくとも１つを含む運営体系イメージ情報を前記メモリカードの第２レジスタに書き込む段階と、前記運営体系イメージを前記メモリカードにプログラムする段階と、を含み、前記プログラムする段階で、前記メモリカードは、前記運営体系イメージ情報を参照して前記運営体系イメージを特定エラー率以下に管理するための信頼性保証モード又は信頼性非保証モードに不揮発性メモリ装置に書き込む。
【０００９】
前記目的を達成するための本発明による埋め込み型マルチメディアカードの運営体系イメージプログラム方法は、運営体系イメージ情報が存在するか否かを確認する段階と、前記運営体系イメージの書込み要請が前記運営体系イメージ情報とマッチングするか否かを検出する段階と、前記書込み要請と前記運営体系イメージ情報とがマッチングする場合に書込み要請される前記運営体系イメージを信頼性保証モードにしたがって不揮発性メモリ装置にプログラムする段階と、を含む。
【発明の効果】
【００１０】
以上のような本発明の実施形態によれば、表面実装技術や赤外線リフロー等を適用した以後にも格納されたＯＳイメージの信頼性を保証することができる埋め込み型マルチメディアカードを具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態によるメモリシステムを示すブロック図。
【図２】図１のレジスタのフィールド値を示すテーブル。
【図３】図１のレジスタのフィールド値を示すテーブル。
【図４】図１のレジスタのフィールド値を示すテーブル。
【図５Ａ】本発明の信頼性保証モードを示すブロック図。
【図５Ｂ】本発明の信頼性保証モードを示すブロック図。
【図６】本発明の実施形態によるホストのＯＳイメージ書込み動作を示す順序図。
【図７Ａ】本発明の実施形態によるメモリカードのＯＳイメージ書込み動作を示す順序図。
【図７Ｂ】本発明の実施形態によるメモリカードのＯＳイメージ書込み動作を示す順序図。
【図８】本発明の他の実施形態によるメモリシステムを示すブロック図。
【図９】図８に図示されたＳＭＴモードセットレジスタのフィールド値を示すテーブル。
【図１０】本発明の実施形態によるホストのＯＳイメージ書込み動作を示す順序図。
【図１１】本発明の他の実施形態によるメモリカードのＯＳイメージ書込み動作を示す順序図。
【図１２】本発明の実施形態によるメモリカードシステムを示すブロック図。
【図１３】本発明の実施形態による携帯用端末機を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
先の一般的な説明及び次の詳細な説明の全ては例示的であり、請求された発明の付加的な説明が提供される。参照符号が本発明の望ましい実施形態で詳細に表示され、その例が参照図面に表示されている。可能であるいずれの場合にも、同一の参照番号が同一又は類似な部分を参照するために説明及び図面で使用される。
【００１３】
以下では、フラッシュメモリ装置を使用する埋め込み型マルチメディアカードが本発明の特徴及び機能を説明するための例として使用される。しかし、この技術分野に熟練された者はここに記載された内容によって本発明の他の長所及び性能を容易に理解できる。本発明は他の実施形態を通じてまた、具現されるか、或いは適用され得る。その上に、詳細な説明は本発明の範囲、技術的思想、及び他の目的から相当に逸脱することなく、観点及び応用にしたがって修正するか、或いは変更することができる。
【００１４】
図１は本発明の実施形態によるメモリシステムを示すブロック図である。図１を参照すれば、メモリシステムはホスト１００とメモリカード２００とを含む。ホスト１００はメモリカード２００がターゲットボード（Ｔａｒｇｅｔ  ｂｏａｒｄ）に装着される前にＯＳイメージをプログラムすることができる。そして、ホスト１００はメモリカード２００がＯＳイメージを認識して信頼性保証モードにしたがって処理できるように設定することができる。さらに詳細に説明すれば、次の通りである。
【００１５】
ホスト１００はメモリカード２００にデータを書き込むか、或いはメモリカード２００に格納されたデータを読み出す。ホスト１００は命令語ＣＭＤ、ホスト１００内のクロック発生器（図示せず）で発生したクロック信号ＣＬＫ、そしてデータＤａｔａをメモリカード２００へ伝送する。ホスト１００はメモリカード２００の製造が完了した状態でメモリカード２００をテストするための装置であり得る。特に、ホスト１００はメモリカード２００がモバイル機器に実装される前にＯＳイメージを書き込むために複数のソケットを具備するギャング装置（Ｇａｎｇ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）であることもあり得る。そして、ホスト１００は表面実装技術ＳＭＴによってメモリカード２００が装着されるモバイル装置であることもあり得る。以下では本発明のホスト１００はＯＳイメージをメモリカード２００に書き込むためのギャング装置（Ｇａｎｇ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）であると仮定して本発明の長所を説明する。
【００１６】
メモリカード２００はカードコントローラ２１０と不揮発性メモリ装置２２０とを含む。本発明のメモリカード２００としてターゲットボード（Ｔａｒｇｅｔ  ｂｏａｒｄ）に内装（Ｅｍｂｅｄｅｄ）される埋め込み型マルチメディアカード（Ｅｍｂｅｄｅｄ  ＭｕｌｔｉＭｅｄｉａ  Ｃａｒｄ：以下、ｅＭＭＣ）が例示される。しかし、本発明のメモリカード２００は埋め込み型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ）のみに制限されないことはこの分野に技術を習得した者には容易に理解できる。
【００１７】
カードコントローラ２１０はホスト１００から命令語ＣＭＤ、クロック信号ＣＬＫ、及びデータＤａｔａを受信する。書込み動作の時、カードコントローラ２１０はホスト１００から書込み命令語（Ｗｒｉｔｅ  ＣＭＤ）と書込みデータ（Ｗｒｉｔｅ  Ｄａｔａ）とをクロック信号ＣＬＫに同期して受信することができる。そして、カードコントローラ２１０は提供される書込みデータ（Ｗｒｉｔｅ  Ｄａｔａ）を不揮発性メモリ装置２２０のターゲット領域に格納する。
【００１８】
カードコントローラ２１０は本発明の実施形態によるＯＳイメージの管理のために少なくとも３つのレジスタ２１２、２１４、２１６を含む。第１レジスタ２１２はホスト１００でＯＳイメージ情報（ＯＳ  ｉｍａｇｅ  ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）を提供すれば、ＯＳイメージに対する信頼性保証モードによる書込み機能を遂行できるか否かを示すレジスタである。第２レジスタ２１４はホスト１００から提供されるＯＳイメージ情報が格納されるレジスタである。第３レジスタ２１６は信頼性保証モードにしたがうＯＳイメージの書込み動作の開始の可否が設定されるレジスタである。
【００１９】
第１レジスタ２１２に設定された値が本発明の信頼性保証モードによるＯＳイメージ書込みが可能であると仮定する。ホスト１００は第１レジスタ２１２に設定された値を書き込むために特定命令語（例えば、ＣＭＤ８）をメモリカード２００へ提供する。そうすると、カードコントローラ２１０は第１レジスタ２１２の設定ビットをホスト１００へ提供し、ホスト１００は提供されたビット値を参照してメモリカード２００の属性を確認することができる。ホスト１００はメモリカード２００の信頼性保証モードによるＯＳイメージ書込みが可能であることを確認し、ＯＳイメージ情報を第２レジスタ２１４に書き込む。ＯＳイメージ情報は、例えばＯＳイメージのサイズ又はアドレス情報、その他の多様な属性が包含され得る。第２レジスタ２１４に対する書込みが完了すれば、ホスト１００は第３レジスタ２１６の開始ビットを活性化する。そうすると、カードコントローラ２１０は本発明のＯＳイメージ書込み動作を開始する。
【００２０】
不揮発性メモリ装置２２０は複数の不揮発性メモリチップを包含することができる。不揮発性メモリ装置２２０はセル当たりに格納されるデータのビット数が少ない第１メモリ領域とセル当たりに格納されるデータのビット数が第１メモリ領域より多い第２メモリ領域とを包含することができる。第１メモリ領域に格納されたデータは環境変化や物理的な干渉にも高いデータ信頼性を維持することができる。例えば、第１メモリ領域は１つのメモリセルに１ビットのデータを格納するシングルレベルセル（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ：ＳＬＣ）として管理され得る。そして、第２メモリ領域は１つのメモリセルに２ビット又は３ビットのデータを格納するマルチレベルセルとして管理され得る。しかし、第１メモリ領域にも２ビット以上のデータが格納され得る。しかし、第１メモリ領域に格納されるデータのセル当たりにビット数は第２メモリ領域のそれより少ない。
【００２１】
第１メモリ領域への書込み動作の時、書込み速度は第２メモリ領域に比べて相対的に速い。そして、第２メモリ領域に比べて第１メモリ領域に格納されたデータはさらに高い信頼性を有する。そのため、第１メモリ領域は入力されるデータを一時的に格納するバッファ用途として使用される。一方、第２メモリ領域はデータ集積度は高いが、相対的に低いデータ信頼性を有する。したがって、不揮発性メモリ装置２２０は入力されるデータを第１メモリ領域に一時的に格納した後に、以後特定時点で第１メモリ領域に格納されたデータを第２メモリ領域へ移す。
【００２２】
ＯＳイメージ書込み動作の時、活性化される信頼性保証モードは、例えばＯＳイメージをメモリカード２００が認識して第１メモリ領域のみに格納し、第２メモリ領域への移動を遮断する方式で遂行することができる。しかし、ＯＳイメージに対する信頼性保証モードはこれのみに制限されず、ＯＳイメージの信頼性を高くする多様な方式の動作が適用され得ることは容易に理解できる。
【００２３】
図２は図１の第１レジスタのビット値を例示的に示すテーブルである。図２を参照すれば、第１レジスタ２１２には供給者特定機能（Ｖｅｎｄｏｒ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｆｅａｔｕｒｅ）を支援する設定値が格納される。
第１レジスタ２１２に格納される１バイト（１  Ｂｙｔｅ）のデータには供給者の意図にしたがって多様な特性値が格納され得る。例示的に第１レジスタ２１２には本発明によるＯＳイメージ書込みをメモリカード２００が支援するか否かに対する情報が格納され得る。例えば、格納される１バイト（１Ｂｙｔｅ）の中で第２番目のビット（Ｂｉｔ１）に本発明のＯＳイメージ書込み動作の支援の可否が格納され得る。もし、ホスト１００で読み出された第２番目のビット（Ｂｉｔ１）の設定値が論理‘０’であれば、ホスト１００は本発明のＯＳイメージ書込み動作をメモリカード２００が支援しないと認識する。一方、第２番目のビットＢｉｔ１の設定値が論理‘１’であれば、ホスト１００は本発明のＯＳイメージ書込み動作をメモリカード２００が支援すると認識する。
【００２４】
ホスト１００はＯＳイメージ書込みを支援するか否かを確認するためにカード特定データ（Ｃａｒｄ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｄａｔａ：以下、ＣＳＤ）レジスタの設定値を読み出すための命令語を提供する。カード特定データレジスタ（ＣＳＤ  ｒｅｇｉｓｔｅｒ）に対する読出し要請によって、ホスト１００は第１レジスタ２１２に格納された第２番目のビットＢｉｔ１の論理値を確認するようになる。そして、ホスト１００はメモリカード２００が本発明のＯＳイメージ書込みを支援するか否かにしたがって第２レジスタ２１４にＯＳイメージ情報を書き込む。
【００２５】
図３は図１の第２レジスタのビット値を例示的に示すテーブルである。図３を参照すれば、第２レジスタ２１４には本発明のＯＳイメージ書込み動作を支援するメモリカード２００で使用するＯＳイメージ情報が格納される。
第２レジスタ２１４にはホスト１００で把握したＯＳイメージ情報が格納される。ここで、ホスト１００で把握したＯＳイメージ情報はメモリカード２００がモバイル機器に装着される以前、特に、表面実装技術ＳＭＴを適用する以前のみに限定されるＯＳイメージ情報に該当する。さらに具体的に説明すれば、ＯＳイメージ情報はＳＭＴ以前にメモリカード２００に格納されるＯＳイメージのサイズ情報が包含され得る。ＯＳイメージ情報には、例えば、ＯＳイメージが格納される開始セクタアドレス（Ｓｔａｒｔ  ｓｅｃｔｏｒ  ａｄｄｒｅｓｓ）が包含され得る。そして、ＯＳイメージ情報にはＯＳイメージのサイズに対応するセクターカウント（Ｓｅｃｔｏｒ  ｃｏｕｎｔ）が包含され得る。その他に、ＯＳイメージ情報にはホスト１００で書込み要請されるＯＳイメージに対する多様なファイル属性（Ａｔｔｒｉｂｕｔｅ１、  Ａｔｔｒｉｂｕｔｅ２）が包含され得る。
【００２６】
ＯＳイメージ情報が第２レジスタ２１４に格納されれば、メモリカード２００は以後にホスト１００から書込み要請されるデータがＯＳイメージであることを認識するようになる。そして、メモリカード２００はＯＳイメージに対してＳＭＴ動作、赤外線リフロ（ＩＲ  Ｒｅｆｌｏｗ）のような工程にもデータの信頼性を保証するための書込み動作を遂行するようになる。
ここで、第２レジスタ２１４の大きさが４バイト（４Ｂｙｔｅｓ）であると説明したが、本発明はこれに制限されない。ＯＳイメージ情報を十分に収容できるサイズのレジスタが第２レジスタ２１４へ追加に提供され得る。
【００２７】
図４は図１の第３レジスタのビット値を例示的に示すテーブルである。図４を参照すれば、第３レジスタ２１６にはＯＳイメージ情報の設定が完了された後にメモリカード２００のＯＳイメージに対する信頼性保証モードを活性化する設定値が格納される。例示的に第３レジスタ２１６は１バイト（１Ｂｙｔｅ）で構成され、ＬＳＢ（Ｂｉｔ０）、ビット（Ｂｉｔ１）、ＭＳＢ（Ｂｉｔ７）に本発明のＯＳイメージに対する信頼性保証モードの活性化の可否、及び状態が設定され得る。ここで、ＬＳＢ（Ｂｉｔ０）、ビット（Ｂｉｔ１）、ＭＳＢ（Ｂｉｔ７）の各々はデフォルト値に論理‘０’に設定されたと仮定する。
【００２８】
第３レジスタ２１６のＬＳＢ（Ｂｉｔ０）にはＯＳイメージに対する信頼性保証モードの活性化の可否が格納される。ホスト１００は第２レジスタ２１４にＯＳイメージ情報を書き込んだ以後に第３レジスタ２１６のＬＳＢ（Ｂｉｔ０）を論理‘１’にスイッチングすることができる。この時にホスト１００は第３レジスタ２１６のＬＳＢ（Ｂｉｔ０）を論理‘１’に書き込むためのスイッチング命令語を使用することができる。
以後、メモリカード２００は第３レジスタ２１６のＬＳＢ（Ｂｉｔ０）を参照して入力されるＯＳイメージに対して信頼性保証モードの実施の可否を判断する。
【００２９】
第３レジスタ２１６のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）にはＯＳイメージに対する信頼性保証モードの非活性化の可否が格納される。例えば、ホスト１００は信頼性保証モードによるＯＳイメージのプログラムが完了された後に第３レジスタ２１６のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）を論理‘１’にスイッチングすることができる。又は、ホスト１００はＳＭＴや、赤外線リフロ（ＩＲ  Ｒｅｆｌｏｗ）工程が完了された後に第３レジスタ２１６のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）を論理‘１’にスイッチングすることができる。この時にホスト１００は第３レジスタ２１６のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）を論理‘１’に書き込むためのスイッチング命令語を使用することができる。第３レジスタ２１６のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）の論理値を参照してメモリカード２００は書込み要請されるＯＳイメージに対して信頼性保証モードの活性化の可否を決定することができる。もし、第３レジスタ２１６のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）論理値が論理‘１’であることが確認されれば、メモリカード２００はＯＳイメージに対してそれ以上信頼性保証モードを適用しない。
【００３０】
第３レジスタ２１６のビットＢｉｔ１にはＯＳイメージに対する信頼性保証モードの現在状態、即ち信頼性保証モードの活性化又は非活性化の可否が格納される。第３レジスタ２１６のビットＢｉｔ１の論理‘０’は現在信頼性保証モードが非活性化状態であることを現わすことができる。第３レジスタ２１６のビットＢｉｔ１の論理‘１’は現在信頼性保証モードが活性化状態であることを現わすことができる。
【００３１】
例えば、ホスト１００は信頼性保証モードによるＯＳイメージのプログラムが完了された後に、第３レジスタ２１６のビットＢｉｔ１の論理値を参照して現在の信頼性保証モードの状態を確認することができる。もし、第３レジスタ２１６のＬＳＢ（Ｂｉｔ０）の論理値が論理‘１’であり、ＭＳＢ（Ｂｉｔ７）論理値が‘０’であっても、メモリカード２００の内部的にＯＳイメージに対する信頼性保証モードが解除される場合、第３レジスタ２１６のビットＢｉｔ１価論理‘０’に格納され得る。そうすると、ホスト１００が第３レジスタ２１６に設定された値を読み出すために特定命令語（例えば、ＣＭＤ８をメモリカード２００へ提供すれば、カードコントローラ２１０は第３レジスタ２１６の設定ビットをホスト１００へ提供するようになる。ホスト１００は提供された設定ビットの論理値を参照してメモリカード２００の属性を確認することができる。したがってホスト１００はメモリカード２００での現在ＯＳイメージに対する信頼性保証モードが活性化されているか否かと、そして信頼性保証モード動作が自動的に終了されているか否かを判断することができるようになる。
【００３２】
図５Ａ及び図５Ｂは本発明の信頼性保証モードにしたがう書込み動作を例示的に示すブロック図である。図５Ａは信頼性保証モードが非活性化された場合の不揮発性メモリ装置２２０へのデータ書込み過程を示し、図５Ｂは信頼性保証モードが活性化された場合のデータ書込み過程を示す。
【００３３】
ここで、本発明の不揮発性メモリ装置２２０は信頼性保証モードを提供するためにバッファメモリ２２２とメインメモリ２２４とを包含することができる。説明を簡単にするためにバッファメモリ２２２は１つのメモリセルに１ビットが格納されるシングルレベルセルＳＬＣとして管理されるものと看做す。そして、メインメモリ２２４は１つのメモリセルに３ビットが格納されるトリプルレベルセルＴＬＣとして管理されるものと看做す。しかし、バッファメモリ２２２とメインメモリ２２４のシングルレベルセルＳＬＣとトリプルレベルセルＴＬＣとに限定されず、バッファメモリ２２２のセル当たりに格納ビット数がメインメモリ２２４のセル当たりに格納ビット数より少なければ良い。
【００３４】
例示的にシングルレベルセルＳＬＣで構成されるバッファメモリ２２２は相対的に高い書込み速度を提供する。そして、シングルレベルセルＳＬＣでは読出し電圧によって識別される閾値電圧分布が２つの状態に制限されるので、バッファメモリ２２２は大きい読出しマージンを有する。したがって、バッファメモリ２２２は表面実装技術ＳＭＴ又は赤外線リフロのような工程に露出されても高いデータ信頼性を維持することができる。
【００３５】
トリプルレベルセルＴＬＣで構成されるメインメモリ２２４はシングルレベルセルＳＬＣで構成されるバッファメモリ２２２に比べて相対的に低い書込み速度を提供する。トリプルレベルセルＴＬＣでは限定された電圧ウインドウ内で識別可能である８つの閾値電圧分布が収容されなければならない。したがって、メインメモリ２２４は相対的に小さい読出しマージンを有し、外部の干渉によって容易に劣化され得る。したがって、表面実装技術ＳＭＴや赤外線リフロ（ＩＲ  Ｒｅｆｌｏｗ）のような高い温度に露出されれば、メインメモリ２２４に書き込まれたデータの信頼性は保証され難い。
【００３６】
メモリカード２００の一般的な書込み動作で、大部分のデータはバッファメモリ２２２に先ずプログラムされる。そして、バッファメモリ２２２にプログラムされたデータは以後特定時点でメインメモリ２２４へ移動するようになる。バッファメモリ２２２でメインメモリ２２４へのデータ移動（Ｍｉｇｒａｔｉｏｎ）はバックグラウンド動作によって実施することができる。又は、バッファメモリ２２２からメインメモリ２２４へのデータ移動はバッファメモリ２２２の書込み可能である空間の大きさにしたがって実施されることもあり得る。ここで、バッファメモリ２２２とメインメモリ２２４とは各々別のメモリチップとして提供され得る。即ち、不揮発性メモリ装置２２０はバッファメモリ２２２を構成する少なくとも１つのメモリチップと、メインメモリ２２４を構成する１つ以上のメモリチップとで構成され得る。又は、不揮発性メモリ装置２２０はバッファメモリ２２２とメインメモリ２２４とは異種のメモリが集積された１つのチップとしても具現することができる。
【００３７】
図５Ａを参照すれば、信頼性保証モードが活性化されない一般的な書込み動作の時（例えば、第３レジスタ２１６のＬＳＢが論理‘０’に検出される場合）に発生するデータ移動が図示されている。先ず、ホスト１００から書込みデータ（Ｗｒｉｔｅ  ｄａｔａ）が提供されれば、カードコントローラ２１０の制御にしたがって書込みデータはバッファメモリ２２２にプログラムされる。このような手続は符号（(1)）で表示されている。そして、カードコントローラ２１０によってバッファメモリ２２２に格納されたデータは特定時点でメインメモリ２２４のターゲット領域（Ｔａｒｇｅｔ  Ａｒｅａ）へ移動するようになる。このような手続は符号（(2)）で表示されている。
【００３８】
図５Ｂを参照すれば、信頼性保証モードが活性化された書込み動作でのデータ管理方法が図示されている。先ず、ホスト１００から書込みデータ（Ｗｒｉｔｅ  ｄａｔａ）が提供されれば、カードコントローラ２１０の制御にしたがって書込みデータはバッファメモリ２２２にプログラムされる。このような手続は符号（(1)）で表示されている。しかし、書込み要請されるデータに対する信頼性保証モードが活性化された場合、バッファメモリ２２２に格納されたデータのメインメモリ２２４への移動は遮断される。例えば、第３レジスタ２１６のＬＳＢ（Ｂｉｔ０）が論理‘１’に検出される場合がここに該当する。
【００３９】
信頼性保証モードの例として、書込み要請されるデータをシングルレベルセルＳＬＣで構成されるバッファメモリ２２２からトリプルレベルセルＴＬＣで構成されるメインメモリ２２４への移動を遮断する方式が説明された。しかし、本発明はこれに制限されない。その他にも多様な方式の信頼性保証モードが本発明のＯＳイメージの書込み動作に適用され得ることは容易に理解できる。
【００４０】
図６は本発明の実施形態によるホストのＯＳイメージ書込み動作を示す順序図である。図６を参照すれば、ホスト１００は表面実装技術ＳＭＴを適用する以前にＯＳイメージをメモリカード２００にプログラムする。ここで、ホスト１００は表面実装技術ＳＭＴを適用する以前にメモリカード２００にコードデータ（Ｃｏｄｅ  ｄａｔａ）やＯＳイメージ等を書き込むためのギャング装置（Ｇａｎｇ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）であり得る。ＯＳイメージが書き込まれるメモリカード２００がホストに連結されれば、本発明のＯＳイメージ書込みが開始される。
【００４１】
Ｓ１１０段階で、ホスト１００はメモリカード２００が本発明のＯＳイメージ書込み動作を支援するか否かを検出する。ホスト１００はメモリカード２００が連結されれば、供給者特定設定（Ｖｅｎｄｏｒ  ｓｐｅｃｉｆｉｃ  ｆｅａｔｕｒｅ）が書き込まれたレジスタを読み出すための命令語を提供することができる。例えば、ホスト１００は第１レジスタ２１２（図２参照）の設定を読み出すための命令語をメモリカード２００へ提供する。そうすると、メモリカード２００は第１レジスタ２１２に書き込まれたデータをホスト１００へ伝達する。ホスト１００はメモリカード２００から提供される第１レジスタ２１２の設定を参照してメモリカード２００が本発明のＯＳイメージ書込み動作を支援するか否かを判断する。ここで、本発明のＯＳイメージ書込み動作はメモリカード２００がホスト１００から提供されるＯＳイメージに対する認識及びＯＳイメージに対する信頼性保証モードを選択的に適用することを意味する。
【００４２】
Ｓ１２０段階で、ホスト１００はメモリカード２００が本発明のＯＳイメージ書込み動作を支援するか否かを判断する。ホスト１００はメモリカード２００から提供される第１レジスタ２１２の設定Ｂｉｔ１を参照して動作分岐を遂行する。もし、メモリカード２００が本発明のＯＳイメージ書込み動作を支援しないと検出されれば（いいえ方向）、手続は段階Ｓ１４０へ移動する。一方、メモリカード２００が本発明のＯＳイメージ書込み動作を支援すると検出されれば（はい方向）、手続は段階Ｓ１３０へ移動する。
【００４３】
Ｓ１３０段階で、ホスト１００はＯＳイメージ情報をメモリカード２００へ入力する。ホスト１００は第１レジスタ２１２の設定Ｂｉｔ１が論理‘１’に対応すると検出されれば、入力されるＯＳイメージをメモリカード２００が認識するようにＯＳイメージ情報をメモリカード２００に書き込む。ホスト１００は第２レジスタ２１４（図３参照）にホスト１００で保有しているＯＳイメージ情報を書き込む。ここで、ホスト１００はＯＳイメージを格納するための開始セクタアドレス（Ｓｔａｒｔ  ｓｅｃｔｏｒ  ａｄｄｒｅｓｓ）をメモリカード２００に格納することができる。そして、ホスト１００はＯＳイメージのサイズに対応するセクタカウント（Ｓｅｃｔｏｒ  ｃｏｕｎｔ）を第２レジスタ２１４に書き込むことができる。その他にホスト１００はメモリカード２００が書込み要請されるＯＳイメージを認識するためのファイル属性（Ａｔｔｒｉｂｕｔｅ１、Ａｔｔｒｉｂｕｔｅ２）を第２レジスタ２１４に書き込むことができる。ＯＳイメージ情報を書き込むための手続は複数のスイッチング命令語を通じて遂行することができることは当業者に容易に理解できる。
【００４４】
共に、ＯＳイメージ情報の書込みが完了すれば、ホスト１００はメモリカードの第３レジスタ２１６のＬＳＢを論理‘１’に活性化することができる。第３レジスタ２１６のＬＳＢが論理‘１’に活性化されれば、以後に書込み要請されるデータに対してはＯＳイメージとして認識し、本発明の信頼性保証モードにしたがって処理されることを意味する。
【００４５】
Ｓ１４０段階で、ホスト１００はＯＳイメージが格納されるメモリ領域に対する消去動作を遂行する。ホスト１００はメモリカード２００が本発明のＯＳイメージ書込み動作を支援する場合にはＯＳイメージ情報に対応する領域のみを消去するようにカードコントローラ２１０に要請することができる。一方、ホスト１００はメモリカード２００が本発明のＯＳイメージ書込み動作を支援しない場合にはＯＳイメージ又はコードデータを格納するために全体メモリ領域を消去するようにカードコントローラ２１０に要請することができる。ＯＳイメージを書き込む以前に消去動作を遂行する理由は、ＯＳイメージ書込み動作のうちに発生することができる書込み失敗の時に既に書き込まれたＯＳイメージの一部分を消去してメモリカード２００の容量を十分に確保するためである。
【００４６】
Ｓ１５０段階で、ホスト１００はメモリカード２００にＯＳイメージに対する書込み命令ＣＭＤ及びＯＳイメージを提供する。ホスト１００はメモリカード２００にストリーム書込み又はブロック書込み命令語を通じてＯＳイメージを書き込むことができる。
Ｓ１６０段階で、ホスト１００は書き込まれたＯＳイメージに対する検証動作を遂行する。ホスト１００は特定領域に書き込まれたＯＳイメージに対するエラー検出やその他の方式に進行される検証動作を通じて書込み失敗であるか、又は書込み成功であるかを判断する。
【００４７】
Ｓ１７０段階で、ホスト１００はＯＳイメージに対する書込み検証の結果にしたがって動作分岐を実施する。検証結果がメモリカード２００に書き込まれたＯＳイメージの書込み成功であると検出される場合（はい方向）、手続は以後に計画された表面実装技術ＳＭＴ段階へ移動する。一方、検証結果がメモリカード２００に書き込まれたＯＳイメージの書込み失敗であると検出される場合（いいえ方向）、手続は既存の書き込まれたメモリ領域を消去し、ＯＳイメージを再書き込むためにＳ１４０段階へ復帰する。
【００４８】
Ｓ１８０段階で、ホスト１００は本発明のＯＳイメージ書込み動作が完了された以後に遂行されるＯＳイメージに対する書込み動作の時に、信頼性保証モードが適用されないようにレジスタを設定する。例えば、ホスト１００は第３レジスタ２１６のＭＳＢを論理‘１’にスイッチングすることができる。そうすると、メモリカード２００へのＯＳイメージ書込みの時に信頼性保証モードの適用は永久的に遮断される。
【００４９】
Ｓ１９０段階で、メモリカード２００に対する表面実装技術ＳＭＴ適用が遂行される。メモリカード２００は実装されるモバイル機器のメインボードに装着される工程を経る。この時、赤外線リフロ（ＩＲ  Ｒｅｆｌｏｗ）が適用されることは容易に理解できる。表面実装技術ＳＭＴにしたがってモバイル機器にメモリカードが装着されれば、本発明のＯＳイメージ書込み動作が完了する。
【００５０】
以上ではホスト１００で制御される本発明によるＯＳイメージ書込み方法が説明された。ギャング装置（Ｇａｎｇ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）のようなホスト１００は複数のスロットを装着し、埋め込み型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ）に本発明の信頼性保証モードにしたがってＯＳイメージを書き込むことができる。この場合、表面実装技術ＳＭＴが適用された以後にも埋め込み型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ）に格納されたＯＳイメージの信頼性は維持され得る。
【００５１】
図７Ａ及び図７Ｂは本発明の実施形態によるメモリカードのＯＳイメージ書込み動作を示す順序図である。ＯＳイメージ情報の書込みが完了されたメモリカード２００はホスト１００の書込み要請にしたがって本発明のＯＳイメージ書込み動作を遂行することができる。例えば、ＯＳイメージ情報の入力が完了され、第３レジスタ２１６（図４参照）のＬＳＢが論理‘１’に活性化された以後に、メモリカード２００の動作が図７Ａ及び図７Ｂを参照して説明される。図７Ａを参照してホスト１００からの要請にしたがうメモリカード２００の動作分岐が説明される。
【００５２】
Ｓ２１０段階で、メモリカード２００は初期化動作を遂行することができる。初期化動作を通じてメモリカード２００はＯＳイメージ書き込みや又はその他のコードデータ、レジスタ設定動作のための内部環境を初期化するようになる。
Ｓ２２０段階で、メモリカード２００はホスト１００から提供される諸般要請（Ｒｅｑｕｅｓｔ）を受信する。ここで、ホスト１００から提供される要請はＯＳイメージ書込みのみに制限する必要はない。本発明のメモリカード２００はホスト１００から提供される多様なアクセス要請に対しても処理することができなければならない。
【００５３】
Ｓ２３０段階で、ホスト１００から提供される要請の種類にしたがって動作分岐が発生する。ホスト１００から伝達される要請が書込み（Ｗｒｉｔｅ）要請やレジスタ設定（Ｒｅｇｉｓｔｅｒ  ｓｅｔ）要請ではない場合（その他方向）、手続はＳ２４０段階へ移動する。ホスト１００から伝達される要請がレジスタ設定（Ｒｅｇｉｓｔｅｒｓｅｔ）要請である場合（レジスタ設定方向）、手続はＳ２５０段階へ移動する。ホスト１００から伝達される要請が書込み（Ｗｒｉｔｅ）要請である場合（書込み方向）、手続はＳ２６０段階へ移動する。
【００５４】
Ｓ２４０段階で、メモリカード２００はホスト１００で要請された動作を遂行するようになる。たとえ、ＯＳイメージ情報が提供されてもホスト１００からＯＳイメージと関係ない要請が提供されることがあり得るためである。
Ｓ２５０段階で、メモリカード２００はホスト１００で要請されたレジスタ設定（Ｒｅｇｉｓｔｅｒ  ｓｅｔ）動作を遂行する。例えば、ホスト１００から多様なスイッチング命令語が提供される場合にメモリカード２００は該当レジスタフィールドにホスト１００によって要請される設定値を書き込む。この場合、ＯＳイメージ書込みに関連された要請であっても、メモリカード２００はホスト１００によって要請された範囲でレジスタ設定動作を受動的に遂行する。
【００５５】
Ｓ２６０段階で、本発明の実施形態によるＯＳイメージ書込み動作が遂行される。メモリカード２００はＯＳイメージ情報とＯＳイメージとの書込み動作の活性化の可否を検出する。そして、検出されたデータを参照してホスト１００の介入なしでＯＳイメージの書込みモードを決定することができる。例えば、メモリカード２００は第２レジスタ２１４（図３参照）と第３レジスタ２１６（図４参照）とを参照して書込み要請されるデータに対する信頼性保証モードを活性化又は非活性化することができる。このような判断手続は後述する図７Ｂでより詳細に説明する。
【００５６】
Ｓ２７０段階で、メモリカード２００は選択されたモードにしたがって書込み要請されたＯＳイメージを不揮発性メモリ装置２２０（図１参照）に書き込む。もし、ＯＳイメージの書込み動作が信頼性保証モードに決定された場合、メモリカード２００は書込み要請されたデータのバッファメモリ２２２（図５Ｂ参照）からメインメモリ２２４（図５Ｂ参照）への移動を遮断する。しかし、ＯＳイメージの書込みモードが信頼性保証モードではないと判断された場合、メモリカード２００は書込み要請されたデータを特定時点でバッファメモリ２２２からメインメモリ２２４へ移動させる。
【００５７】
Ｓ２８０段階で、メモリカード２００は終了モードであるか否かを検出する。外部命令語や又は内部の動作状態が終了モード又は電源遮断モードである場合（はい方向）、メモリカード２００は諸般動作を中止する。しかし、終了モードではない場合（いいえ方向）にはホスト１００から提供される要請をモニターリングするためのＳ２２０段階へ復帰する。
【００５８】
以上では本発明の実施形態によるメモリカード２００のＯＳイメージ書込み動作が説明された。メモリカード２００はＯＳイメージの書込み動作の時、ホスト１００の介入無しで信頼性保証モード又は信頼性の非保証モードを決定することができる。このような機能はメモリカード２００が表面実装技術ＳＭＴの適用以前ではＯＳイメージに対する信頼性を保証するようにする。一方、表面実装技術ＳＭＴの適用以後では外部の介入無しでメモリカード２００に格納されたＯＳイメージに対する信頼性保証モードが解除されるように設定される。
【００５９】
図７Ｂは図７ＡのＳ２６０段階をさらに具体的に示す順序図である。図７Ｂを参照すれば、本発明の実施形態によるＯＳイメージ書込み動作が説明される。Ｓ２３０段階で、書込み要請が発生すれば、書込み動作のためのＳ２６０段階の諸般手続が開始される。
Ｓ２６１段階で、メモリカード２００はＯＳイメージに対する信頼性設定情報を検出する。メモリカード２００は例えば、第３レジスタ（図４参照）のＭＳＢの論理値を検出して、書込み要請されたデータの信頼性保証モードが非活性化されているか否かを検出する。もし、第３レジスタ２１６（図４参照）のＭＳＢの論理値が論理‘１’にスイッチングされている状態であれば、ＯＳイメージに対する信頼性保証モードが解除された状態であることを示す。この場合（はい方向）、手続は信頼性保証モードではない一般モードに書込み要請されたデータを記入するためにＳ２７０段階へ移動する。一方、第３レジスタ２１６のＭＳＢが論理‘０’、ＬＳＢが論理‘１’に維持される状態であれば、ＯＳイメージに対する信頼性保証モードが活性化された状態であると判断され得る。この場合（いいえ方向）、手続はＯＳイメージ情報の存在の可否を確認するためのＳ２６３段階へ移動する。
【００６０】
Ｓ２６３段階で、メモリカード２００はホスト１００からＯＳイメージ情報（ＯＳ  Ｉｍａｇｅ  Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ）が提供されたか否かを確認する。ＯＳイメージ情報の存在の可否は図３の第２レジスタ２１４の設定を参照して判断することができる。しかし、図４に説明された第３レジスタ２１６の論理値を確認することによってＯＳイメージ情報が入力されたか否かを判断することができる。とにかく、ＯＳイメージ情報が存在すると検出されれば（はい方向）、手続はＳ２６５段階へ移動する。一方、ＯＳイメージ情報が存在しないと検出されれば（いいえ方向）、手続はＳ２７０段階へ移動する。
【００６１】
Ｓ２６５段階で、書込み要請されるＯＳイメージが格納されるターゲット領域が既に格納されたＯＳイメージ情報と一致するか否か検出する。書込み要請の時へ提供されるアドレスが第２レジスタ２１４にホスト１００によって入力されたセクタカウントの範囲以内であるか又は超過するかが検出される。もし、書込み要請されたデータのターゲットアドレスがＯＳイメージ情報のセクタ情報と一致しない場合（いいえ方向）、手続はＳ２６７段階へ移動する。一方、書込み要請されたデータのターゲットアドレスがＯＳイメージ情報のセクタ情報と一致する場合（はい方向）、手続はＳ２６９段階へ移動する。
【００６２】
Ｓ２６７段階で、メモリカード２００は書込み要請されるデータに対する信頼性保証モードを解除する。例えば、書込み要請されたＯＳイメージの信頼性保証モードの状態を示す第３レジスタ２１６のビットＢｉｔ１を論理‘０’に設定し、該当データに対する信頼性保証モードは現在以後に保証されないようになる。この時には第３レジスタ２１６のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）とＬＳＢ（Ｂｉｔ０）との論理値は既存値そのまま維持される。
【００６３】
Ｓ２６９段階で、メモリカード２００は書込み要請されるＯＳイメージに対する信頼性保証モードを設定する。例えば、メモリカード２００が第３レジスタ２１６のビットＢｉｔ１を論理‘１’に設定すれば、該当データに対する信頼性保証モードは現在以後から活性化される。この時には第３レジスタ２１６のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）とＬＳＢ（Ｂｉｔ０）との論理値は既存のまま維持される。
【００６４】
図８は本発明の他の実施形態によるメモリシステムを示すブロック図である。図８を参照すれば、メモリシステムはホスト３００とメモリカード４００とを含む。ホスト３００はメモリカード４００の表面実装技術ＳＭＴの適用以前にＯＳイメージを書き込むことができる。そして、表面実装技術ＳＭＴの適用以後にホスト３００はＯＳイメージに対する信頼性保証モードが非活性化されるようにメモリカード４００のレジスタを設定することができる。
【００６５】
ホスト３００はメモリカード４００にデータを書き込むか、或いはメモリカード４００に格納されたデータを読み出す。ホスト３００は命令語ＣＭＤ、クロック信号ＣＬＫ、そしてデータＤａｔａをメモリカード４００へ伝送することができる。ホスト３００はメモリカード４００の製造が完了した状態でメモリカード４００をテストする装置であり得る。特に、ホスト３００はメモリカード４００がモバイル機器に実装される前にＯＳイメージを書き込むために複数のソケットを具備するギャング装置（Ｇａｎｇ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）であることもあり得る。そして、ホスト３００は表面実装技術ＳＭＴによってメモリカード４００が装着されるモバイル装置であることもあり得る。本発明のホスト３００としてＯＳイメージをメモリカード４００に書き込むギャング装置（Ｇａｎｇ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）が例示的に説明される。
【００６６】
メモリカード４００はカードコントローラ４１０と不揮発性メモリ装置４２０とを含む。カードコントローラ４１０はホスト３００から命令語ＣＭＤ、クロック信号ＣＬＫ、及びデータＤａｔａを受信する。書込み動作の時、書込み命令語（Ｗｒｉｔｅ  ＣＭＤ）と書込みデータ（Ｗｒｉｔｅ  Ｄａｔａ）をクロック信号ＣＬＫに同期して受信することができる。そして、カードコントローラ４１０は提供される書込みデータ（Ｗｒｉｔｅ  Ｄａｔａ）を不揮発性メモリ装置４２０のターゲット領域に格納する。
【００６７】
カードコントローラ４１０は本発明の実施形態によるＯＳイメージの管理のためのＳＭＴモードセットレジスタ４１２を含む。レジスタ４１２にはＳＭＴ（又は赤外線リフロ）に退避するためのデータの書込みモードが入力される。例えば、ＳＭＴが遂行される以前にＳＭＴ遂行の時に発生するデータのエラーを防止するためにＳＭＴモードセットレジスタ４１２を書込みイネーブル状態に設定することができる。ＳＭＴモードセットレジスタ４１２の書込みイネーブル状態で、カードコントローラ４１０は信頼性保証モードに入力されるデータを不揮発性メモリ装置４２０にプログラムする。しかし、ＳＭＴモードセットレジスタ４１２の書込みディスエーブル状態では、カードコントローラ４１０は入力されるデータに対する信頼性保証モードを非活性化するようになる。
【００６８】
ＳＭＴモードセットレジスタ４１２の設定はＯＳイメージのようなデータをメモリカード４００に書き込む前に遂行される。この時、ホスト３００はメモリカード４００にプログラムされるＯＳイメージの信頼性保証モードを活性化するためにスイッチング命令語を使用してＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド（Ｆｉｅｌｄ）値を書き込むことができる。そして、ＳＭＴ（又は、赤外線リフロ）が適用された以後、ホスト３００はメモリカード４００に信頼性保証モードにプログラムされたＯＳイメージに対して信頼性保証モードを終了するように設定を遂行することができる。この時にも、ホスト３００はスイッチング命令語を使用してＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド（Ｆｉｅｌｄ）値を書き込むことができる。
【００６９】
図９は図８に図示されたＳＭＴモードセットレジスタのフィールド値を例示的に示すテーブルである。図９を参照すれば、ＳＭＴモードセットレジスタ４１２にはＯＳイメージをプログラムする以前にメモリカード４００のＯＳイメージに対する信頼性保証モードを活性化する設定が格納される。例示的にＳＭＴモードセットレジスタ４１２は１バイト（１Ｂｙｔｅ）で構成され、ＬＳＢ（Ｂｉｔ０）とＭＳＢ（Ｂｉｔ７）とに本発明のＯＳイメージに対する信頼性保証モードの活性化の可否が設定され得る。ここで、ＬＳＢ（Ｂｉｔ０）とＭＳＢ（Ｂｉｔ７）の各々はデフォルト値として論理‘０’に設定されたと仮定する。
【００７０】
ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＬＳＢ（Ｂｉｔ０）にはＯＳイメージに対する信頼性保証モードの活性化の可否が格納される。ホスト３００はＳＭＴ適用以前にＯＳイメージをメモリカード４００に書き込むためにＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＬＳＢ（Ｂｉｔ０）を論理‘１’にスイッチングすることができる。この時にホスト３００はＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＬＳＢ（Ｂｉｔ０）を論理‘１’に書き込むためのスイッチング命令語を使用することができる。以後、メモリカード４００はＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＬＳＢ（Ｂｉｔ０）を参照して入力されるＯＳイメージに対して信頼性保証モードの実施の可否を判断する。
【００７１】
ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）にはＯＳイメージに対する信頼性保証モードの非活性化の可否が格納される。ホスト３００は例えば、ＳＭＴ動作が完了した後にＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）を論理‘１’にスイッチングすることができる。この時にホスト３００はＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）を論理‘１’に書き込むためのスイッチング命令語を使用することができる。ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）の論理値を参照してメモリカード４００はＯＳイメージに対して信頼性保証モードを非活性化することができる。もし、ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＭＳＢ（Ｂｉｔ７）論理値が論理‘１’であることが確認されれば、メモリカード４００はＯＳイメージに対してそれ以上信頼性保証モードを適用しない。
【００７２】
図１０は本発明の実施形態によるホストのＯＳイメージ書込み動作を示す順序図である。図１０を参照すれば、ホスト３００は表面実装技術ＳＭＴを適用する以前にＯＳイメージをメモリカード４００にプログラムする。ここで、ホスト３００は表面実装技術ＳＭＴを適用する以前にメモリカード４００にコードデータ（Ｃｏｄｅ  ｄａｔａ）やＯＳイメージ等を書き込むためのギャング装置（Ｇａｎｇ  Ｅｑｕｉｐｍｅｎｔ）であり得る。ＯＳイメージが書き込まれるメモリカード４００がホストに連結されれば、本発明のＯＳイメージ書込みが開始される。
【００７３】
Ｓ３１０段階で、ホスト３００はメモリカード４００のＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値を読み出す。ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値を読み出すためにホスト３００はＳＭＴモードセットレジスタ４１２の設定を読み出すためのレジスタ読出し命令語をメモリカード４００へ提供することができる。ホスト３００はレジスタ読出し命令語に応答して出力されるＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値が‘０ｘ００’、‘０ｘ０１’、‘０ｘ８１’の中でいずれか１つであるかを確認する。
【００７４】
Ｓ３２０段階で、ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値が‘０ｘ００’である場合、手続はＳ３３０段階へ移動する。ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値が‘０ｘ００’である場合、ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値のＭＳＢとＬＳＢとが全て論理‘０’であるデフォルト状態であることを意味する。したがって、ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値をＯＳイメージを書き込むための状態に再設定するためのＳ３３０段階へ移動する。ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値が‘０ｘ０１’又は‘０ｘ８１’である場合、手続はＳ３４０へ移動する。ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値が‘０ｘ０１’である場合はＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＭＳＢは論理‘０’であり、ＬＳＢは論理‘１’である状態であることを意味する。したがって、本発明の実施形態による信頼性保証モードが活性化された状態で遂行されるＯＳイメージ書込み動作が実施されなければならない。一方、ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値が‘０ｘ８１’である場合、ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のＭＳＢとＬＳＢとが全て論理‘１’である状態であることを意味する。したがって、ＯＳイメージに対する信頼性保証モードの適用を必要としない状態を示す。
【００７５】
Ｓ３３０段階で、ホスト３００はスイッチング命令語を使用してＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値を‘０ｘ０１’に設定する。そして、手続は再びＳ３１０段階へ復帰する。
Ｓ３４０段階で、ホスト３００はＯＳイメージが格納されるメモリ領域に対する消去動作を遂行する。ホスト３００はメモリカード４００のＯＳイメージがプログラムされる領域のみを消去するようにカードコントローラ４１０に要請することができる。又は、ホスト３００はメモリカード４００の全体領域を消去するようにカードコントローラ４１０に要請することができる。
【００７６】
Ｓ３５０段階で、ホスト３００はメモリカード４００にＯＳイメージに対する書込み命令ＣＭＤ及びＯＳイメージを提供する。ホスト３００はメモリカード４００にストリーム書込み又はブロック書込み命令語を通じてＯＳイメージを書き込むことができる。
Ｓ３６０段階で、ホスト３００は書き込まれたＯＳイメージに対する検証動作を遂行する。ホスト３００は特定領域に書き込まれたＯＳイメージに対するエラー検出やその他の方式で進行される検証動作を通じて書込み失敗であるか、又は書込み成功であるかを判断する。
【００７７】
Ｓ３７０段階で、ホスト３００はＯＳイメージに対する書込み検証の結果にしたがって動作分岐を実施する。検証結果がメモリカード４００に書き込まれたＯＳイメージの書込みが成功と検出される場合（はい方向）、手続は以後に計画された表面実装技術ＳＭＴ段階へ移動する。一方、検証結果がメモリカード２００に書き込まれたＯＳイメージの書込みが失敗であると検出される場合（いいえ方向）、手続は既存の書き込まれたメモリ領域を消去し、ＯＳイメージを再書き込むためにＳ３４０段階へ復帰する。
Ｓ３８０段階で、メモリカード４００に対する表面実装技術ＳＭＴ適用が遂行される。メモリカード４００は実装されるモバイル機器のメインボードに装着される工程を経る。この時、赤外線リフロ（ＩＲ  Ｒｅｆｌｏｗ）を適用することができることを容易に理解できる。
【００７８】
Ｓ３９０段階で、ホスト３００はＳＭＴ（又は赤外線リフロ）動作が完了されるにしたがってＳＭＴモードセットレジスタ４１２の状態を再設定する。ホスト３００はメモリカード４００にスイッチング命令語を通じてＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値を‘０ｘ８１’に変更する。ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値が‘０ｘ８１’である場合、信頼性保証モードにしたがって既にＯＳイメージ書込みが終了された状態であることを示す。したがって、以後には、たとえセクタカウント情報を含むＯＳイメージ書込み要請が発生しても、メモリカード２００は信頼性保証モードを活性化しないようになる。
【００７９】
図１１は本発明の他の実施形態によるメモリカードのＯＳイメージ書込み動作を示す順序図である。図１１を参照すれば、メモリカード４００はＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値を参照して書き込まれるＯＳイメージに対する信頼性保証モードを活性化又は非活性化させることができる。
【００８０】
Ｓ４１０段階で、メモリカード４００は初期化動作を遂行することができる。初期化動作を通じてメモリカード４００はＯＳイメージ書込みや、又はその他のコードデータ、レジスタ設定動作のための内部環境を初期化するようになる。
Ｓ４２０段階で、メモリカード４００はホスト３００から提供される諸般要請（Ｒｅｑｕｅｓｔ）を受信する。ここで、ホスト３００から提供される要請はＯＳイメージ書込みのみに制限する必要はない。本発明のメモリカード４００はホストから提供される多様な要請に対しても処理することができなければならない。
【００８１】
Ｓ４３０段階で、ホスト３００からの要請の種類にしたがって動作分岐が発生する。もし、ホスト３００から伝達される要請が書込み（Ｗｒｉｔｅ）要請及びレジスタ設定（Ｒｅｇｉｓｔｅｒ  ｓｅｔ）要請ではない場合（その他方向）、手続はＳ４４０段階へ移動する。ホスト３００から伝達される要請がレジスタ設定（Ｒｅｇｉｓｔｅｒ  ｓｅｔ）要請である場合（レジスタ設定方向）、手続はＳ４５０段階へ移動する。ホスト３００から伝達される要請が書込み（Ｗｒｉｔｅ）要請である場合（書込み方向）、手続はＳ４６０段階へ移動する。
【００８２】
Ｓ４４０段階で、メモリカード４００はホスト３００から要請された動作を遂行するようになる。たとえ、ＯＳイメージ情報が提供されても、ホスト３００からＯＳイメージと関係ない要請を発生することができるためである。
Ｓ４５０段階で、メモリカード４００はホスト３００から要請されたレジスタ設定（Ｒｅｇｉｓｔｅｒ  ｓｅｔ）動作を遂行する。例えば、ホスト３００から多様なスイッチング命令語が提供される場合にメモリカード４００は該当レジスタのフィールドにホスト３００によって要請される設定を書き込む。この場合、ＯＳイメージ書込みに関連した要請であっても、メモリカード４００はホスト３００によって要請された範囲でレジスタ設定動作を受動的に遂行する。
【００８３】
Ｓ４６０段階で、メモリカード４００はＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値を検出する。もし、ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値が‘０ｘ８１’である場合、手続はＳ４７０段階へ移動する。一方、ＳＭＴモードセットレジスタ４１２のフィールド値が‘０ｘ０１’である場合、手続はＳ４８０段階へ移動する。
Ｓ４７０段階で、メモリカード４００は書込み要請されるデータ（ＯＳイメージ）を信頼性保証モードが非活性化された状態に不揮発性メモリ装置４２０に書き込む。例えば、メモリカード４００は書込み要請されたデータを特定時点でＳＬＣセルで構成されるバッファメモリからマルチレベルセルＭＬＣやトリプルレベルセルＴＬＣで構成されるメインメモリへ移動させる。
【００８４】
Ｓ４８０段階で、メモリカード４００は書込み要請されるデータを信頼性保証モードにしたがって不揮発性メモリ装置４２０に書き込む。例えば、メモリカード４００は書込み要請されたデータをＳＬＣセルで構成されるバッファメモリにＳＭＴ動作が完了されるまで格納する。
Ｓ４９０段階で、メモリカード４００は終了モードであるか否かを検出する。外部命令語や又は内部の動作状態が終了モード又は電源遮断モードである場合（はい方向）、メモリカード４００は諸般動作を中止する。しかし、終了モードではない場合（いいえ方向）にはホスト３００から提供される要請をモニターリングするためのＳ４２０段階へ復帰する。
【００８５】
以上では本発明の他の実施形態によるメモリカード４００のＯＳイメージ書込み動作を説明した。メモリカード４００はＯＳイメージの書込み動作の時、ＳＭＴの適用の可否にしたがって互に異なるレベルの信頼性保証モードを適用することができる。
図１２は本発明の実施形態によるカードシステムの例を示すブロック図である。図１２を参照すれば、カードシステム１０００はホスト１１００とメモリカード１２００とを含む。ホスト１１００はホストコントローラ１１１０及びホスト接続ユニット１１２０を含む。メモリカード１２００はカード接続ユニット１２１０、カードコントローラ１２２０、及びフラッシュメモリ１２３０を含む。
【００８６】
ホスト接続ユニット１１２０及びカード接続ユニット１２１０は複数のピンで構成される。これらのピンとしてはコマンドピン、データピン、クロックピン、電源ピン等が含まれている。ピンの数はメモリカード１２００の種類にしたがって変わる。
ホスト１１００はメモリカード１２００にデータを書き込むか、或いはメモリカード１２００に格納されたデータを読み出す。ホストコントローラ１１１０はコマンド（例えば、書込みコマンド）、ホスト１１００内のクロック発生器（図示せず）で発生したクロック信号ＣＬＫ、及びデータＤＡＴをホスト接続ユニット２１２０を通じてメモリカード１２００へ伝送する。
【００８７】
カードコントローラ１２２０はカード接続ユニット１２１０を通じて受信された書込みコマンド内に応答して、カードコントローラ１２２０内にあるクロック発生器（図示せず）で発生したクロック信号に同期してデータをメモリ１２３０に格納する。フラッシュメモリ１２３０はホスト１１００から伝送されたデータを格納する。例えば、ホスト１１００がデジタルカメラである場合には映像データを格納する。
【００８８】
本発明のメモリカード１２００は埋め込み型マルチメディアカード（ｅＭＭＣ）で構成することができる。そして、ホスト１１００にＳＭＴや赤外線リフローのような実装工程が遂行される以前にＯＳイメージが信頼性保証モードの活性化状態で格納される。したがって、本発明によるメモリカード１２００はＳＭＴや赤外線リフローのような工程の後にもＯＳイメージの信頼性が高いので、不良率の低下に大きく寄与することが期待される。
カード接続ユニット１２１０はＵＳＢ、ＭＭＣ、ＰＣＩ−Ｅ、ＳＡＳ、ＳＡＴＡ、ＰＡＴＡ、ＳＣＳＩ、ＥＳＤＩ、及びＩＤＥ等のような多様なインターフェイスプロトコルの中の１つを通じて外部（例えば、ホスト）と通信するように構成される。
【００８９】
図１３は本発明の実施形態による携帯用端末機を示すブロック図である。図１３を参照すれば、本発明の実施形態による携帯用端末機２０００はイメージ処理部２１００、無線送受信部２２００、オーディオ処理部２３００、埋め込み型マルチメディアカード２４００、ＳＤＲＡＭ２５００、ユーザーインターフェイス２６００、及びコントローラ２７００を含む。
イメージ処理部２１００はレンズ２１１０、イメージセンサ２１２０、イメージプロセッサ２１３０、及びディスプレイ部２１４０を含む。無線送受信部２２１０はアンテナ２２１０、トランシーバ２２２０、モデム２２３０を含む。オーディオ処理部２３００はオーディオプロセッサ２３１０、マイク２３２０、及びスピーカ２３３０を含む。
【００９０】
ここで、埋め込み型マルチメディアカード２４００にはＯＳイメージ又はコードデータが格納され得る。特に、ＳＭＴや赤外線リフロのような実装工程が遂行される以前にＯＳイメージが信頼性保証モードに選択されたメモリ領域に格納される。したがって、本発明による埋め込み型マルチメディアカード２４００はＳＭＴや赤外線リフロのような工程の後にもＯＳイメージの信頼性が高いので、不良率低下に大きく寄与することが期待される。
【００９１】
本発明によるメモリカード、不揮発性メモリ装置、カードコントローラは多様な形態のパッケージを利用して実装され得る。例えば、本発明によるフラッシュメモリ装置そして／又はメモリコントローラはＰｏＰ（Ｐａｃｋａｇｅ  ｏｎ  Ｐａｃｋａｇｅ）、Ｂａｌｌ  ｇｒｉｄ  ａｒｒａｙｓ（ＢＧＡｓ）、Ｃｈｉｐ  ｓｃａｌｅ  ｐａｃｋａｇｅｓ（ＣＳＰｓ）、Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｌｅａｄｅｄ  Ｃｈｉｐ  Ｃａｒｒｉｅｒ（ＰＬＣＣ）、Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｄｕａｌ  Ｉｎ−Ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＰＤＩＰ）、Ｄｉｅ  ｉｎ  Ｗａｆｆｌｅ  Ｐａｃｋ、Ｄｉｅ  ｉｎ  Ｗａｆｅｒ  Ｆｏｒｍ、Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｂｏａｒｄ（ＣＯＢ）、Ｃｅｒａｍｉｃ  Ｄｕａｌ  Ｉｎ−Ｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＣＥＲＤＩＰ）、Ｐｌａｓｔｉｃ  Ｍｅｔｒｉｃ  Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔ  Ｐａｃｋ（ＭＱＦＰ）、Ｔｈｉｎ  Ｑｕａｄ  Ｆｌａｔｐａｃｋ（ＴＱＦＰ）、Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ（ＳＯＩＣ）、Ｓｈｒｉｎｋ  Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＳＳＯＰ）、Ｔｈｉｎ  Ｓｍａｌｌ  Ｏｕｔｌｉｎｅ（ＴＳＯＰ）、Ｓｙｓｔｅｍ  Ｉｎ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＳＩＰ）、Ｍｕｌｔｉ  Ｃｈｉｐ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＭＣＰ）、Ｗａｆｅｒ−ｌｅｖｅｌ  Ｆａｂｒｉｃａｔｅｄ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＷＦＰ）、Ｗａｆｅｒ−Ｌｅｖｅｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｅｄ  Ｓｔａｃｋ  Ｐａｃｋａｇｅ（ＷＳＰ）等のようなパッケージを利用して実装され得る。
【００９２】
以上のように図面と明細書で実施形態が開示された。ここで、特定な用語が使用されたが、これは単なる本発明を説明するための目的で使用されたものであり、意味限定や特許請求の範囲に記載された本発明の範囲を制限するために使用されたものではない。したがって、本技術分野の通常の知識を有する者であれば、これから多様な変形及び均等な他の実施形態が具現できるという点を理解できる。したがって、本発明の真の技術的保護範囲は添付された特許請求の範囲の技術的思想によって定めなければならない。
【符号の説明】
【００９３】
１００、３００・・・ホスト
２００、４００・・・メモリカード
２１０、４１０・・・カードコントローラ
２１２、２１４、２１６、４１２・・・レジスタ
２２０、４２０・・・不揮発性メモリ装置
２２２・・・バッファメモリ
２２４・・・メインメモリ
１１００・・・ホスト
１１１０・・・ホストコントローラ
１１２０・・・ホスト接続ユニット
１２００・・・メモリカード
１２１０・・・カード接続ユニット
１２２０・・・カードコントローラ
１２３０・・・フラッシュメモリ
２１１０・・・レンズ
２１２０・・・イメージセンサ
２１３０・・・イメージプロセッサ
２１４０・・・ディスプレイユニット
２２１０・・・アンテナ
２２２０・・・送受信機
２２３０・・・モデム
２３１０・・・オーディオ処理器
２４００・・・ｅＭＭＣ
２５００・・・ＳＤＲＡＭ
２６００・・・ユーザーインターフェイス
２７００・・・コントローラ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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