(57)【要約】【課題】反射層に接着剤を使用して発光素子を接着する際における反射層と接着剤との密着強度を向上させることのできる発光素子搭載用の配線基板及び発光装置を提供する。【解決手段】発光装置５０は、絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成された配線パターン２２と、配線パターン２２を被覆して形成された絶縁層３０と、絶縁層の上面に設けられた発光素子搭載領域とを有する配線基板１０と、絶縁層３０の上面３０Ａに接着剤５２により接着された発光素子５１とを有する。また、絶縁層３０の上面３０Ａには、その一部にシリカ膜Ｓ１が形成されている。【選択図】図４
2014179457.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された配線パターンと、
前記配線パターンを被覆して形成された反射層と、
前記反射層の表面に設けられた発光素子搭載領域と、を有し、
前記反射層の表面には、シリカ膜が一部に形成されていることを特徴とする発光素子搭載用の配線基板。
【請求項２】
前記反射層は、Ｓｉを含む絶縁樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の発光素子搭載用の配線基板。
【請求項３】
前記配線パターンは、パッドが設けられた第１配線パターンと、前記第１配線パターンと離間して形成された第２配線パターンと、を有し、
前記反射層には、前記第１配線パターンのパッドを露出する開口部が設けられ、
前記発光素子搭載領域は、前記第２配線パターン上に形成された前記反射層の表面に設けられることを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子搭載用の配線基板。
【請求項４】
前記絶縁層の第１面上に前記配線パターンと前記反射層とが形成され、前記絶縁層の前記第１面とは反対側の第２面上に放熱板が形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光素子搭載用の配線基板。
【請求項５】
前記反射層は、シリコーン系樹脂を含む絶縁樹脂からなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の発光素子搭載用の配線基板。
【請求項６】
前記反射層は、Ｘ線光電子分光分析装置により前記反射層の最表面を狭域スペクトル測定したときに、シリコーンに由来するピークが検出されず、シリカに由来するピークが検出されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の発光素子搭載用の配線基板。
【請求項７】
前記反射層は、波長が４５０〜７００ｎｍの間で５０％以上の反射率を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の発光素子搭載用の配線基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１つに記載の配線基板と、
前記反射層の前記発光素子搭載領域上に接着剤により接合された発光素子と、
を有することを特徴とする発光装置。
【請求項９】
前記接着剤は、シリコーン系樹脂と銀フィラーを含むダイボンド材であることを特徴とする請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線パターンとを有する配線基板の製造方法であって、
前記絶縁層上に、前記配線パターンを被覆するように反射層を形成する工程と、
前記反射層の表面に酸素活性種を付着させる工程と、
を有することを特徴とする発光素子搭載用の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記酸素活性種は、紫外線光照射により生成された酸素活性種、又は酸素をソースとしたプラズマにより生成された酸素活性種であることを特徴とする請求項１０に記載の発光素子搭載用の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線パターンとを有する配線基板に発光素子が実装されてなる発光装置の製造方法であって、
前記絶縁層上に、前記配線パターンを被覆するように反射層を形成する工程と、
前記反射層の表面に酸素活性種を付着させる工程と、
前記反射層に酸素活性種を付着させた後に、前記反射層に設けられた発光素子搭載領域上に接着剤により前記発光素子を接合する工程と、
を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子搭載用の配線基板、発光装置、発光素子搭載用の配線基板の製造方法及び発光装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、光源として低消費電力で長寿命である発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）が注目されており、例えば、ＬＥＤなどの発光素子を複数搭載した照明モジュールが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような照明モジュールでは、搭載される発光素子の出射光を反射する反射層（絶縁層）が最表層に形成されており、その反射層上にダイボンド材などの接着剤により発光素子が搭載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−４４５９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記照明モジュールでは、発光素子を固定するための接着剤（ダイボンド材）と反射層との密着強度が低いということが本発明者の鋭意研究によって明らかにされた。したがって、このような反射層に接着剤を使用して発光素子を接着した場合には、発光素子が反射層から剥離し易くなるという問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一観点によれば、絶縁層と、前記絶縁層の第１面上に互いに離間して形成された複数の配線パターンと、前記配線パターンの一部をパッドとして露出する開口部を有する反射層と、を有し、前記反射層の最表面には、シリカ膜が一部に形成されている。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一観点によれば、反射層に接着剤を使用して発光素子を接着する際における反射層と接着剤との密着強度を向上させることができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１実施形態の配線基板を示す概略断面図（図２及び図３における１−１断面図）。
【図２】第１実施形態の配線基板を示す概略平面図。
【図３】第１実施形態の配線基板を示す概略平面図。なお、本図では、一部の部材（最表面に形成された絶縁層）の図示を省略している。
【図４】第１実施形態の発光装置を示す概略断面図。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。
【図６】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。
【図７】ＥＳＣＡによる分析結果を示すグラフ。
【図８】シェア強度の測定結果を示すグラフ。
【図９】（ａ），（ｂ）は、変形例の配線基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】第２実施形態の発光装置を示す概略断面図。
【図１１】（ａ）〜（ｄ）は、第２実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】（ａ）〜（ｄ）は、第２実施形態の発光装置の製造方法を示す概略断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。
【０００９】
（第１実施形態）
以下、図１〜図６に従って第１実施形態を説明する。
まず、図１〜図３に従って配線基板１０の構造について説明する。
【００１０】
図１に示すように、配線基板１０は、放熱板１１と、放熱板１１上に形成された絶縁層１２と、絶縁層１２上に形成された配線パターン２０と、配線パターン２０の一部を覆う絶縁層３０と、配線パターン２０上に形成された金属層４０と、を有している。
【００１１】
放熱板１１は、例えば平面視略矩形状の平板である。放熱板１１の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）、Ｃｕをベースにした合金、鉄−ニッケル（Ｆｅ−Ｎｉ）、Ｆｅ−Ｎｉをベースにした合金、アルミニウム（Ａｌ）又はＡｌをベースにした合金等を用いることができる。放熱板１１の厚さは、例えば２００〜２０００μｍ程度とすることができる。
【００１２】
絶縁層１２は、放熱板１１の上面全面を覆うように形成されている。換言すると、放熱板１１は、絶縁層１２の下面（第２面）に形成されている。絶縁層１２は、配線パターン２０と放熱板１１とを絶縁する機能と、配線パターン２０と放熱板１１とを接着する機能を有している。絶縁層１２は、例えば平面視略矩形状の平板である。絶縁層１２の材料としては、例えばポリイミド系樹脂やエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂、又はエポキシ系樹脂にシリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ等のフィラーを混入した樹脂材を用いることができる。絶縁層１２の厚さは、例えば２５〜２００μｍ程度とすることができる。
【００１３】
複数の配線パターン２０は、絶縁層１２の上面１２Ａ（第１面）に形成されている。配線パターン２０の厚さは、例えば３〜１０５μｍ程度とすることができる。配線パターン２０の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００１４】
図３に示すように、配線パターン２０は、例えば平面視略矩形状に形成されている。これら複数の配線パターン２０は、配線基板１０の中央部において、平行に隣接して配置されている。また、隣接する配線パターン２０間には、下層の絶縁層１２を露出する溝状の開口部２０Ｘが形成されている。この開口部２０Ｘによって複数の配線パターン２０は互いに離間され、複数の配線パターン２０は互いに電気的に独立している。ここで、配線パターン２０の長辺の長さは例えば５〜１０ｍｍ程度とすることができ、配線パターン２０の短辺の長さは例えば１〜５ｍｍ程度とすることができる。また、各配線パターン２０間の幅（開口部２０Ｘの幅）は、例えば０．１〜０．３ｍｍ程度とすることができる。
【００１５】
配線パターン２０は、発光素子５１（図４参照）が搭載される発光素子搭載領域に形成された配線パターン２１と、その配線パターン２１を平面視で挟むようにして形成された配線パターン２２とを有している。
【００１６】
図１に示すように、絶縁層３０は、配線パターン２０の一部を被覆するように絶縁層１２の上面１２Ａに形成されている。絶縁層３０は、発光素子搭載領域に形成された配線パターン２１の表面（上面及び側面）全面を被覆するように形成されている。なお、絶縁層１２の上面１２Ａから絶縁層３０の上面３０Ａまでの厚さは、例えば５０〜１５０μｍ程度とすることができる。
【００１７】
図２に示すように、絶縁層３０には、配線パターン２２の一部をワイヤボンディング用のパッドＰ１として露出させるための複数の開口部３０Ｘが形成されるとともに、配線パターン２２の一部を電極端子Ｐ２として露出させるための一対の開口部３０Ｙが形成されている。電極端子Ｐ２には、外部の電源から実装基板の配線等を介して給電される。
【００１８】
各開口部３０Ｘ，３０Ｙの平面形状は、例えば略円形状に形成されている。開口部３０Ｘは、各配線パターン２２上に、その配線パターン２２の長手方向に沿って複数（ここでは、４つ）配列されている。開口部３０Ｙは、各配線パターン２２上において、上記開口部３０Ｘよりも外側の位置に形成されている。
【００１９】
図３に示すように、上記開口部３０Ｘ，３０Ｙから露出する配線パターン２０上、つまりパッドＰ１上及び電極端子Ｐ２上には金属層４０が形成されている。金属層４０は、開口部３０Ｘ，３０Ｙと同様に、例えば平面視略円形状に形成されている。この金属層４０の例としては、配線パターン２０の上面２０Ａから、ニッケル（Ｎｉ）層／金（Ａｕ）層を順に積層した金属層を挙げることができる。また、金属層４０の他の例としては、配線パターン２０の上面２０Ａから、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／銀（Ａｇ）層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層、Ａｇ層としては、例えば無電解めっき法により形成された金属層（無電解めっき金属層）を用いることができる。また、上記Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、上記Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、上記Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層、上記Ａｇ層はＡｇ又はＡｇ合金からなる金属層である。本実施形態では、図１に示すように、開口部３０Ｘ，３０Ｙから露出する配線パターン２０の上面２０ＡにＮｉ層４１とＡｕ層４２とがこの順番で積層されて上記金属層４０が形成されている。Ｎｉ層４１の厚さは例えば０．１〜３μｍ程度とすることができ、Ａｕ層４２の厚さは例えば０．０１〜１μｍ程度とすることができる。なお、金属層４０によってパッドＰ１が被覆される場合には、その金属層４０がパッドとして機能し、金属層４０によって電極端子Ｐ２が被覆される場合には、その金属層４０が電極端子として機能する。
【００２０】
上記絶縁層３０の材料としては、耐熱性に優れた材料を用いることができる。例えば、絶縁層３０の材料としては、シリコーンを含む樹脂材を用いることができる。このようなシリコーンを基本骨格とした材料は耐熱性及び耐光性が高いという優れた特性を有している。このため、絶縁層３０のように配線基板１０の最表面に形成される絶縁層の材料に適している。
【００２１】
また、絶縁層３０は、高い反射率を有することが好ましい。例えば、絶縁層３０は、波長が４５０ｎｍ〜７００ｎｍの間で５０％以上（好適には８０％以上）の反射率を有している。このような絶縁層３０は、白色レジスト層や反射層とも呼ばれる。この絶縁層３０の材料としては、例えば白色の絶縁性樹脂を用いることができる。白色の絶縁性樹脂としては、例えばシリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂に白色の酸化チタン（ＴｉＯ２）、硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）、シリカ（ＳｉＯ２）やアルミナ等からなるフィラーや顔料を含有した樹脂材を用いることができる。このような絶縁層３０（白色レジスト層）により配線基板１０の最表面を覆うことにより、当該配線基板１０に実装される発光素子５１（図４参照）からの光の反射率を高め、発光素子５１の光量ロスを低減させることができる。
【００２２】
さらに、絶縁層３０の材料としては、例えば熱伝導率の高い（例えば、０．５〜１０Ｗ／ｍＫ程度）絶縁性樹脂を用いることが好ましい。なお、絶縁層３０の材料としては、感光性樹脂であってもよいし、感光性を有しない非感光性樹脂（例えば、熱硬化性樹脂）であってもよい。なお、本実施形態では、シリコーンを含む樹脂材からなる絶縁層３０が用いられる。
【００２３】
上記絶縁層３０の上面３０Ａには、シリカ（ＳｉＯ２）が一部に含まれている。すなわち、絶縁層３０の上面３０Ａには、その一部にシリカ膜Ｓ１が形成されている。例えば、絶縁層３０の上面３０Ａには、シリコーン（Ｓｉ−Ｏ）よりもシリカ（ＳｉＯ２）が多く含まれている。例えば、絶縁層３０の上面３０ＡをＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光分析装置）で狭域スペクトル測定を行ったときに、シリコーン（Ｓｉ−Ｏ）に対応する１０２．１ｅＶ近傍のピークが検出されず、シリカ（ＳｉＯ２）に対応する１０３．５ｅＶ近傍にピークが検出される。上記ＥＳＣＡの分析条件としては、例えば装置としてＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ製のＱｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭが用いられ、Ｘ線源としてＡｌＫα（モノクロメータ）が用いられる。また、ＥＳＣＡの分析条件としては、光電子取り出し角度を４５度とし、測定領域を直径約１００μｍの領域とし、帯電中和機構を使用する条件が用いられる。
【００２４】
また、絶縁層３０の上面には、発光素子搭載領域が設けられている。詳述すると、絶縁層３０は、配線パターン２１の表面（上面及び側面）全面を被覆し、配線パターン２１周辺の絶縁層１２及び配線パターン２２の上面を被覆する絶縁層３１と、絶縁層３１から露出された絶縁層１２の上面１２Ａ全面及び配線パターン２２の上面２０Ａの一部を被覆する絶縁層３２とを有している。そして、上記発光素子搭載領域は、絶縁層３１の上面に設けられている。
【００２５】
ここで、絶縁層３１の材料と絶縁層３２の材料とは同一の材料であっても良いし、異なる材料であっても良い。絶縁層３１の材料と絶縁層３２の材料とを異なる材料にする場合には、例えば絶縁層３１，３２のうち少なくとも絶縁層３１は高い反射率を有する材料であることが好ましい。また、絶縁層３１，３２のうち少なくとも絶縁層３１、具体的には発光素子搭載領域が設けられた絶縁層３１には、上記シリカ膜Ｓ１が形成されている。なお、本実施形態では、絶縁層３１と絶縁層３２とは同一の材料からなり、絶縁層３１と絶縁層３２とは一体に形成されている。
【００２６】
次に、図４に従って発光装置５０の構造について説明する。
発光装置５０は、上記配線基板１０と、その配線基板１０に実装された複数の発光素子５１と、ボンディングワイヤ５５と、発光素子５１及びボンディングワイヤ５５等を封止する封止樹脂６０とを有している。
【００２７】
発光素子５１は、配線基板１０の絶縁層３１上に搭載されている。具体的には、発光素子５１は、発光面を上側にした状態で絶縁層３１の発光素子搭載領域に接着剤５２を介して接着されている。発光素子５１は、一方の電極（図示略）、具体的には外側の電極が、絶縁層３０の開口部３０Ｘ内に形成された金属層４０とボンディングワイヤ５５を介して電気的に接続されている。また、隣接する発光素子５１の電極（図示略）は、ボンディングワイヤ５５を介して互いに電気的に接続されている。このような絶縁層３１上に搭載される発光素子５１の接続は、直列接続であってもよいし、並列接続であってもよいし、直列接続及び並列接続の両方であってもよい。
【００２８】
なお、図示は省略するが、絶縁層３０の開口部３０Ｙ（図２参照）から露出された金属層４０、つまり電極端子Ｐ２は実装基板（図示略）と電気的に接続されている。このような接続により、発光素子５１は、外部の電源（図示略）から実装基板、電極端子Ｐ２や配線パターン２０等を介して給電されて発光する。
【００２９】
上記発光素子５１としては、例えば発光ダイオード（Light Emitting Diode：ＬＥＤ）や面発光型半導体レーザ（Vertical Cavity Surface Emitting Laser：ＶＣＳＥＬ）を用いることができる。ボンディングワイヤ５５としては、例えばＡｕワイヤ、アルミニウム（Ａｌ）ワイヤやＣｕワイヤなどを用いることができる。
【００３０】
また、接着剤５２としては、例えばダイボンド材（ダイアタッチ材）や銀ペーストなどを用いることができる。ダイボンド材としては、シリコーン系樹脂からなるダイボンド材、エポキシ系樹脂からなるダイボンド材、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂に銀等の金属フィラーやアルミナ等のフィラーを含有したダイボンド材を用いることができる。本例の接着剤５２としては、シリコーン系樹脂と銀フィラーとを含むダイボンド材が用いられる。
【００３１】
封止樹脂６０は、発光素子５１及びボンディングワイヤ５５等を封止するように配線基板１０の上面に設けられている。この封止樹脂６０の材料としては、例えばシリコーン系樹脂に蛍光体を含有させた樹脂材を用いることができる。このような蛍光体を含有させた樹脂材を発光素子５１上に形成することにより、発光素子５１の発光と蛍光体の発光の混色を用いることが可能となり、発光装置５０の発光色を様々に制御することができる。
【００３２】
次に、上記発光装置５０の製造方法について説明する。以下の説明では、１つの配線基板１０及び１つの発光装置５０を拡大して説明するが、実際には、１つの基板上に複数の配線基板１０となる部材を一括して作製した後に個々の配線基板１０に個片化される、あるいは１つの基板上に複数の発光装置５０となる部材を一括して作製した後、個々の発光装置５０に個片化される。
【００３３】
図５（ａ）に示すように、まず、放熱板１１の上面全面を覆うように絶縁層１２を形成するとともに、絶縁層１２の上面１２Ａ全面を覆うように銅箔２０Ｂを形成する。例えば絶縁層１２の片面に銅箔２０Ｂが被着された片面銅張り基板を放熱板１１に接着することにより、放熱板１１上に絶縁層１２及び銅箔２０Ｂを形成する。また、例えば銅箔付き絶縁樹脂フィルムを放熱板１１上に積層することにより、放熱板１１上に絶縁層１２及び銅箔２０Ｂを形成するようにしてもよい。このとき、放熱板１１としては、配線基板１０が多数個取れる大判の基板が使用される。
【００３４】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、銅箔２０Ｂの上面２０Ａに、所定の箇所に開口部７０Ｘを有するレジスト層７０を形成する。このレジスト層７０は、所要の配線パターン２０（図１参照）に対応する銅箔２０Ｂを被覆するように形成される。換言すると、レジスト層７０は、開口部２０Ｘに対応する位置に形成された開口部７０Ｘを有している。レジスト層７０の材料としては、耐エッチング性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層７０の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、銅箔２０Ｂの上面２０Ａにドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、そのドライフィルムをフォトリソグラフィ法によりパターニングして上記開口部７０Ｘを有するレジスト層７０を形成する。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層７０を形成することができる。
【００３５】
続いて、レジスト層７０をエッチングマスクとして銅箔２０Ｂをエッチングし、銅箔２０Ｂを所定形状にパターニングする。これにより、図５（ｃ）に示すように、銅箔２０Ｂに開口部２０Ｘが形成され、絶縁層１２の上面１２Ａに所要の配線パターン２０が形成される。すなわち、本工程により、絶縁層１２の上面１２Ａに配線パターン２１及び配線パターン２２が形成される。その後、図５（ｂ）に示したレジスト層７０を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００３６】
次いで、図５（ｄ）に示す工程では、絶縁層１２上及び配線パターン２０上に、パッドＰ１及び電極端子Ｐ２にそれぞれ対応する開口部３０Ｘ，３０Ｙ（図５（ｄ）では、電極端子Ｐ２及び開口部３０Ｙは図示略）を有する絶縁層３０を形成する。具体的には、絶縁層１２上に、配線パターン２１の表面全面を被覆するとともに、配線パターン２２の上面の一部をパッドＰ１又は電極端子Ｐ２として露出する絶縁層３０を形成する。この絶縁層３０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。また、絶縁層３０は、注射器（ディスペンサ）によって液状樹脂を塗布することによって形成することもできる。絶縁層３０の材料として感光性の絶縁樹脂を用いる場合には、フォトリソグラフィにより絶縁層３０を形成することもできる。
【００３７】
続いて、絶縁層３０を１５０℃程度の温度雰囲気でキュア（熱硬化処理）を行うことにより硬化させる。
次に、図６（ａ）に示す工程では、例えば無電解めっき法により、絶縁層３０から露出された配線パターン２０（配線パターン２２）上に金属層４０を形成する。ここで、金属層４０がＮｉ層４１とＡｕ層４２が順に積層された構造である場合には、例えば無電解めっき法により、絶縁層３０から露出された配線パターン２２上にＮｉ層４１とＡｕ層４２を順に積層する。
【００３８】
このとき、本実施形態のように絶縁層３０がシリコーンを含む樹脂材からなる場合には、絶縁層３０の最表面（上面３０Ａ）にはシリコーン（Ｓｉ−Ｏ）膜が形成されている。しかし、このように最表面にシリコーン膜が形成された状態で、その絶縁層３０（絶縁層３１）上に接着剤を介して発光素子を搭載すると、絶縁層と接着剤との密着強度が低いということが、本発明者らの鋭意研究によって分かってきた。
【００３９】
そして、本発明者らは、上述した問題点について鋭意研究した結果、絶縁層３０の最表面の一部にシリカ（ＳｉＯ２）膜を形成することにより、その絶縁層３０と発光素子を固定するための接着剤との密着強度を向上できることを見出した。
【００４０】
そこで、図６（ｂ）に示す工程において、図６（ａ）に示した構造体に対して、上記絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１を形成するための表面処理を施すようにした。このような表面処理は、例えば絶縁層３０の上面３０Ａに酸素活性種Ｏ＊を作用させることにより行われる。これにより、絶縁層３０上に形成されたシリコーン膜が変質し、絶縁層３０上にシリカ膜Ｓ１が形成されることになる。
【００４１】
例えば図６（ｂ）に示した例では、図６（ａ）に示した構造体に対して紫外線処理を施すことにより、シリコーン膜をシリカ膜Ｓ１に変化（変質）させて、シリカ膜Ｓ１を形成している。すなわち、図６（ａ）に示した構造体の上面（少なくとも、絶縁層３１の上面３０Ａ）に紫外線光Ｌを照射するようにした。紫外線光Ｌにより酸素が励起され、ワーク（ここでは、図６（ａ）に示した構造体）が置かれる処理室の酸素濃度、紫外線波長及び照度によって決まる量の酸素活性種Ｏ＊が生成される。そして、その酸素活性種Ｏ＊が絶縁層３０の上面３０Ａに形成されたシリコーン膜と反応してＳｉＯ２膜が形成され、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１が形成される。ここで、上記紫外線光Ｌとしては、酸素の吸収が大きい、波長１７２ｎｍの紫外線光（エキシマＵＶ光）を好適に用いることができる。紫外線光ＬとしてエキシマＵＶ光を用いる場合には、上記酸素濃度は例えば０．０１〜５％程度とすることができる。また、エキシマＵＶ光の照射量（＝照度×照射時間）は、例えば５００〜４０００ｍＪ／ｃｍ２程度とすることができる。なお、照射量は、エキシマＵＶ光を照射する照射ランプ（例えば、誘電体バリア放電エキシマランプ）とワーク表面との間の間隔と酸素濃度に依存している。
【００４２】
また、図６（ａ）に示した構造体に対して酸素プラズマ処理を施すことにより、シリコーン膜をシリカ（ＳｉＯ２）膜Ｓ１に変質させて、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１を形成するようにしてもよい。すなわち、酸素ガスのプラズマ（つまり、酸素をソースとしたプラズマ）により生成された酸素活性種Ｏ＊を利用して絶縁層３０を表面処理するようにしてもよい。具体的には、酸素プラズマ処理では、高周波電界中に酸素ガスを導入すると、その酸素ガスが例えばプラズマ化されて解離され、酸素活性種Ｏ＊が生成される。そして、その酸素活性種Ｏ＊が絶縁層３０の上面３０Ａに形成されたシリコーン膜と反応して、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ（ＳｉＯ２）膜Ｓ１が形成される。なお、酸素プラズマ処理の条件としては、例えば、ＲＦ出力を２５０Ｗ、酸素流量を１５ｓｃｃｍ、真空度を２０Ｐａ、処理時間を３０秒程度とすることができる。
【００４３】
また、図６（ａ）に示した構造体に対して、酸素と四フッ化炭素（ＣＦ４）を含むガスをソースとしたプラズマ処理を施すことによっても、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１を形成することができる。但し、このようなプラズマ処理では、排気ガスのフッ酸を除去するためのシステムや、大気中に放出するＣＦ４ガスを減らすために燃焼システムなどを設ける必要がある。
【００４４】
また、図６（ａ）に示した構造体に対してオゾン処理やコロナ放電処理を施すことによっても、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１を形成することができる。あるいは、図６（ａ）に示した構造体に対して、高圧水銀灯等を光源とする活性エネルギー線を照射することによっても、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１を形成することができる。
【００４５】
以上のような表面処理を絶縁層３０の上面３０Ａに施すことにより、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１が形成される。さらに、上記表面処理によって、シリカ膜Ｓ１の最表面には水酸基（ヒドロキシル基）が生成される。
【００４６】
以上の製造工程により、図１〜図３に示した配線基板１０が製造される。
次に、図６（ｃ）に示す工程では、接着剤５２により、配線基板１０の絶縁層３０（絶縁層３１）の上面３０Ａに複数の発光素子５１を接着（固定）する（ダイボンディング）。このとき、発光素子５１は、電極端子（図示略）の形成された発光面を上側にして絶縁層３１上に実装される。
【００４７】
本工程において、接着剤５２により、発光素子５１を絶縁層３０上に接着する際には、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１が形成され、そのシリカ膜Ｓ１の最表面に水酸基が生成されている。これにより、絶縁層３０と接着剤５２との密着強度を向上させることができる。
【００４８】
詳述すると、最表面に水酸基が生成されたシリカ膜Ｓ１が絶縁層３０の上面３０Ａに形成されているため、その水酸基が接着剤５２（ダイボンド材）の水酸基やカルボン酸基と加水分解することで共有結合が生じ、高い密着力が発現すると推測される。特に、接着剤５２がシリコーン系樹脂からなるダイボンド材である場合には、Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ結合（シロキサン結合）が容易に生じるため、絶縁層３０と接着剤５２との密着強度が向上すると推測される。
【００４９】
また、紫外線処理などによって表面処理が施される前に絶縁層３０の上面３０Ａに形成されているシリコーン膜よりも、上記表面処理が施された後に絶縁層３０の上面３０Ａに形成されたシリカ膜Ｓ１の方が硬度が高い。このため、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１が存在すると、絶縁層３０の上面３０Ａにシリコーン膜が形成されている場合に比べて、発光素子５１が接合される接合面（つまり、上面３０Ａ）の硬度が高くなる。これにより、発光素子５１側の接合面（ここでは、発光素子５１の下面）を、絶縁層３０の最表面に形成されたシリカ膜Ｓ１に確実に押圧させて密着させることができる。したがって、上記表面処理を施さずに絶縁層３０の上面３０Ａに発光素子５１を接合する場合に比べて、絶縁層３０の上面３０Ａに対して発光素子５１を高い接合強度で接合させることができる。
【００５０】
続いて、図６（ｃ）に示す工程では、発光素子５１の一方の電極（図示略）と金属層４０とをボンディングワイヤ５５により接続するとともに、隣接する発光素子５１の他方の電極（図示略）をボンディングワイヤ５５により互いに接続する。これにより、発光素子５１と配線パターン２０とが電気的に接続される。
【００５１】
次いで、配線基板１０上に実装された複数の発光素子５１及びボンディングワイヤ５５を封止する封止樹脂６０を形成する。例えば封止樹脂６０として熱硬化性を有する樹脂を用いる場合には、図６（ｃ）に示した構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ程度）を印加し、流動化した樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることで、封止樹脂６０を形成する。なお、封止樹脂６０は、液状の樹脂のポッティングにより形成することもできる。以上の製造工程により、図４に示した発光装置５０が製造される。
【００５２】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）発光素子５１の搭載前に、絶縁層３０の上面３０Ａに対して、酸素活性種による表面処理を施すようにした。この表面処理により、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１を形成することができ、さらにそのシリカ膜Ｓ１の最表面に水酸基を生成することができる。これにより、上記シリカ膜Ｓ１の形成された絶縁層３０と接着剤５２との密着強度を向上させることができ、絶縁層３０の上面３０Ａに対して発光素子５１を高い接合強度で接合させることができる。
【００５３】
（２）配線基板１０の最表層に、耐熱性及び耐光性に優れたシリコーンを含む絶縁層３０を形成するようにした。これにより、配線基板１０の最表層に、エポキシ系樹脂からなる絶縁層を形成する場合に比べて、耐熱性を向上させることができる。このため、実装部品（ここでは、発光素子５１）の発熱温度が高くなった場合にも、上記シリコーンを含む絶縁層３０を配線基板１０の最表層の反射層に適用することができる。
【００５４】
（３）紫外線処理や酸素プラズマ処理によって、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１を形成するようにした。これら紫外線処理や酸素プラズマ処理では、ＣＦ４ガスをソースとしたプラズマ処理のように燃焼システム等を設ける必要がないため、安価にシリカ膜Ｓ１を形成することができる。このため、製造コストの削減に貢献することができる。
【００５５】
（４）高い反射率を有する絶縁層３１上に発光素子５１を搭載するようにした。これにより、発光素子５１の発光効率を向上させることができる。
（５）発光素子５１が搭載される絶縁層３１の直下に配線パターン２１を形成するようにした。これにより、発光素子５１から発生した熱を絶縁層３１から配線パターン２１及び絶縁層１２を通じて放熱板１１に放熱することができる。ここで、配線パターン２１は絶縁層３１よりも高い熱伝導率を有しているため、発光素子５１から発生した熱を、絶縁層１２上に絶縁層３１が形成される場合よりも効率良く放熱板１１に放熱することができる。これにより、発光素子５１の発光効率の低下を好適に抑制することができる。
【００５６】
（６）シリコーン系樹脂と銀フィラーとを含む接着剤５２により、発光素子５１を絶縁層３０上に接合するようにした。これにより、発光素子５１を絶縁層３０に接合する際に、絶縁層３０の上面３０Ａに形成されたシリカ膜Ｓ１と反応してＳｉ−Ｏ−Ｓｉ結合が容易に生じるため、絶縁層３０と接着剤５２との密着強度をより向上させることができる。
【００５７】
（実験結果）
ここで、上述したように、酸化活性種Ｏ＊による表面処理によって絶縁層３０上のシリカ膜Ｓ１が形成されること、及び、そのシリカ膜Ｓ１の形成によって絶縁層３０と接着剤５２との密着強度が向上することを裏付ける実験結果について、図７及び図８に従って説明する。
【００５８】
まず、上記第１実施形態と同様の製造方法により、図１に示した構造と略同様の構造を有する配線基板１０を製造した。詳述すると、厚さ１ｍｍのアルミニウムからなる放熱板１１の上面に厚さ０．１ｍｍの絶縁層１２を積層し、その絶縁層１２の上面に厚さ０．１ｍｍの銅箔２０Ｂを積層した。続いて、銅箔２０Ｂを所定形状にパターニングして配線パターン２０（配線パターン２１，２２）を形成した後、開口部３０Ｘ，３０Ｙを有する絶縁層３０を形成し、その絶縁層３０を１５０℃の温度雰囲気でキュアして硬化させた。次いで、無電解めっき法により、開口部３０Ｘ，３０Ｙから露出された配線パターン２０上にＮｉ層４１とＡｕ層４２を順に積層した。このとき、Ｎｉ層４１の厚さは５μｍであり、Ａｕ層４２の厚さは０．５μｍであり、絶縁層１２の上面１２Ａから絶縁層３０の上面３０Ａまでの厚さは１２０μｍである。
【００５９】
そして、以上説明した構造の配線基板１０について、評価用のサンプルを５種類作成し（サンプル１〜５）、比較用のサンプルを３種類作成した（比較例１〜３）。
（サンプル１）
サンプル１では、絶縁層３０の材料として、エポキシ系樹脂をベースとし、シリカフィラーを含む白色の絶縁性樹脂を使用した。また、絶縁層３０の材料として、感光性を有する感光性樹脂を使用した。そして、このような絶縁層３０の上面３０Ａに対して紫外線処理を施した。紫外線処理は、処理対象である配線基板１０が置かれる処理室内の酸素濃度を５％とし、波長１７２ｎｍの紫外線光（エキシマＵＶ光）を配線基板１０の上面に照射した。このときのエキシマＵＶ光の照射量は６０００ｍＪ／ｃｍ２とした。
【００６０】
（サンプル２）
サンプル２では、絶縁層３０の材料として、エポキシ系樹脂をベースとし、シリカフィラーを含む白色の絶縁性樹脂を使用した。また、絶縁層３０の材料として、感光性を有しない非感光性樹脂を使用した。そして、このような絶縁層３０の上面３０Ａに対して、サンプル１と同様の条件で紫外線処理を施した。
【００６１】
（サンプル３）
サンプル３では、絶縁層３０の材料として、シリコーン系樹脂をベースとした白色の絶縁性樹脂を使用した。そして、このような絶縁層３０の上面３０Ａに対して、サンプル１と同様の条件で紫外線処理を施した。
【００６２】
（サンプル４）
サンプル４では、絶縁層３０の材料として、シリコーン系樹脂をベースとした白色の絶縁性樹脂を使用した。そして、このような絶縁層３０の上面３０Ａに対して酸素プラズマ処理を施した。酸素プラズマ処理の条件は、ＲＦ出力を２５０Ｗ、酸素流量を１５ｓｃｃｍ、真空度を２０Ｐａ、処理時間を３０秒程度とした。
【００６３】
（サンプル５）
サンプル５では、絶縁層３０の材料として、シリコーン系樹脂をベースとした白色の絶縁性樹脂を使用した。そして、このような絶縁層３０の上面３０Ａに対して、酸素と四フッ化炭素（ＣＦ４）を含むガスをソースとしたプラズマ処理を施した。このプラズマ処理の条件は、酸素流量を１０ｓｃｃｍ、四フッ化炭素流量を５ｓｃｃｍ、真空度を２０Ｐａ、処理時間を３０秒とした。
【００６４】
（比較例１）
比較例１は、サンプル１に対する比較サンプルである。この比較例１のサンプルは、絶縁層３０の上面３０Ａに対して紫外線処理を施さない点を除き、サンプル１と同一の条件で製造されたサンプルである。
【００６５】
（比較例２）
比較例２は、サンプル２に対する比較サンプルである。この比較例２のサンプルは、絶縁層３０の上面３０Ａに対して紫外線処理を施さない点を除き、サンプル２と同一の条件で製造されたサンプルである。
【００６６】
（比較例３）
比較例３は、サンプル３〜５に対する比較サンプルである。この比較例３のサンプルは、絶縁層３０の上面３０Ａに対して表面処理（紫外線処理やプラズマ処理）を施さない点を除き、サンプル３〜５と同一の条件で製造されたサンプルである。
【００６７】
（評価方法）
各サンプル１〜５の表面処理後における上記絶縁層３０の表面状態をＥＳＣＡ（Ｘ線光電子分光分析装置）で分析するとともに、各比較例１〜３における上記絶縁層３０の表面状態（つまり、表面処理を施す前の絶縁層３０の表面状態）をＥＳＣＡで分析した。このＥＳＣＡによる狭域スペクトル測定結果を図７に示した。このＥＳＣＡによる分析条件は、装置としてＵＬＶＡＣ−ＰＨＩ製のＱｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭを使用し、Ｘ線源としてＡｌＫα（モノクロメータ）を使用し、光電子取り出し角度を４５度とし、測定領域を直径約１００μｍの領域とし、帯電中和機構を使用するようにした。
【００６８】
続いて、各サンプル１〜５及び各比較例１〜３のサンプルの絶縁層３０の上面３０Ａに、接着剤５２によって、発光素子５１を接合した。そして、絶縁層３０と接着剤５２とのシェア強度を測定した。この測定結果を図８に示した。
【００６９】
（評価結果）
図７において、結合エネルギーが１０３．５ｅＶ付近であるピークは化合物ＳｉＯ２（シリカ）に由来し、結合エネルギーが１０２．１ｅＶ付近であるピークは化合物ＳｉＯ（シリコーン）に由来すると考えられる。図７の結果から明らかなように、絶縁層３０の上面３０Ａに対して表面処理を施していない比較例１，２のスペクトルでは、シリカ（ＳｉＯ２）に対応する１０３．５ｅＶ近傍にピークが無く、シリコーン（ＳｉＯ）に対応する１０２．１ｅＶ近傍にピークが検出された。これは、比較例１，２では、絶縁層３０の上面３０Ａにシリコーン膜がシリカ膜に比して大量に形成されているためと考えられる。なお、比較例３のスペクトルでは、シリカに対応する１０３．５ｅＶとシリコーンに対応する１０２．１ｅＶとの間にピークが検出された。これは、比較例３では、絶縁層３０の上面３０Ａにシリコーン膜とシリカ膜との双方が形成されているためと考えられる。
【００７０】
これに対し、絶縁層３０の上面３０Ａに対して表面処理を施したサンプル１〜５のスペクトルでは、シリコーンに対応する１０２．１ｅＶ近傍のピークが無くなり、シリカに対応する１０３．５ｅＶ近傍にピークが検出された。この結果は、絶縁層３０の上面３０Ａに対して酸素活性種による表面処理を施すことにより、その絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜がシリコーン膜に比して大量に形成されたことに由来すると推測される。これは、例えばサンプル３〜５では、上述したように、絶縁層３０の上面３０Ａに対して酸素活性種による表面処理を施すことにより、酸素活性種Ｏ＊と絶縁層３０上に形成されたシリコーン膜とが反応してＳｉＯ２膜が形成されたことによるものと考えられる。また、サンプル１，２では、絶縁層３０の上面３０Ａに対して酸素活性種による表面処理を施すことにより、絶縁層３０中のシリカフィラーや樹脂組成分の一部として含まれるケイ素（Ｓｉ）が酸素活性種Ｏ＊とが反応してＳｉＯ２膜が形成されたことによるものと考えられる。
【００７１】
そして、図８において、サンプル１と比較例１、サンプル２と比較例２、サンプル３〜５と比較例３とをそれぞれ比較すると明らかなように、発光素子５１搭載前に絶縁層３０に対して酸素活性種による表面処理を施すと（サンプル１〜５）、絶縁層３０に対して上記表面処理を施さない場合（比較例１〜３）よりも、シェア強度を向上させることができる。このようなシェア強度の向上は、上述した絶縁層３０の上面３０Ａ上にシリカ（ＳｉＯ２）膜が形成されたことに由来すると考えられる。
【００７２】
以上のことから、絶縁層３０の上面３０Ａに対して酸素活性種による表面処理を施すことにより、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１を形成させることができ、さらに絶縁層３０と接着剤５２とのシェア強度を向上させることができる。すなわち、絶縁層３０の上面３０Ａに対して酸素活性種による表面処理を施すことにより、絶縁層３０の上面３０Ａに対して上記表面処理を施さない場合よりも、絶縁層３０と接着剤５２との密着強度を向上させることができ、絶縁層３０と接着剤５２とのシェア強度を向上させることができる。
【００７３】
（第１実施形態の変形例）
・上記実施形態では、金属層４０を形成した後に、絶縁層３０の上面３０Ａに対して酸素活性種Ｏ＊による表面処理を施すようにしたが、この順番に限定されない。
【００７４】
例えば図９（ａ）に示すように、絶縁層３０を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させた後に、絶縁層３０の上面３０Ａに対して酸素活性種Ｏ＊による表面処理を施すようにしてもよい。そして、図９（ｂ）に示すように、上記表面処理後に、例えば無電解めっき法により、絶縁層３０から露出された配線パターン２０上に金属層４０を形成するようにしてもよい。
【００７５】
（第２実施形態）
以下、図１０〜図１２に従って第２実施形態について説明する。この実施形態の絶縁層３０及び金属層の構造が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。
【００７６】
図１０に示すように、配線パターン２０（配線パターン２２）上には、複数の金属層４５が形成されている。金属層４５は、上記金属層４０と同様に、例えば平面視略円形状に形成されている。金属層４５の例としては、配線パターン２０の上面２０Ａから、Ｎｉ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。これらＮｉ層、Ａｕ層、Ｐｄ層、Ａｇ層としては、例えば電解めっき法により形成された金属層（電解めっき金属層）を用いることができる。本実施形態では、配線パターン２０の上面２０ＡにＮｉ層４６とＡｕ層４７とがこの順番で積層されて上記金属層４５が形成されている。Ｎｉ層４６の厚さは例えば０．１〜３μｍ程度とすることができ、Ａｕ層４７の厚さは例えば０．０１〜１μｍ程度とすることができる。
【００７７】
絶縁層３０は、配線パターン２０の上面２０Ａ、絶縁層１２の上面１２Ａ及び金属層４５の上面の一部を被覆するように形成されている。絶縁層３０には、金属層４５の一部をワイヤボンディング用のパッドＰ１として露出させるための複数の開口部３０Ｘが形成されている。また、図示は省略するが、上記第１実施形態と同様に、絶縁層３０には、金属層４５の一部を電極端子として露出させるための一対の開口部３０Ｙが形成されている。この絶縁層３０は、配線パターン２１の表面（上面及び側面）全面を被覆し、配線パターン２１周辺の絶縁層１２、配線パターン２２及び金属層４５の一部を被覆する絶縁層３１と、絶縁層３１から露出された絶縁層１２の上面１２Ａ全面、配線パターン２２及び金属層４５の一部を被覆する絶縁層３２とを有している。
【００７８】
また、絶縁層３０の上面３０Ａには、その一部にシリカ膜Ｓ１が形成されている。例えば、絶縁層３０の上面３０Ａには、シリコーン（Ｓｉ−Ｏ）よりもシリカ（ＳｉＯ２）が多く含まれている。
【００７９】
次に、上記発光装置５０の製造方法について説明する。以下の説明では、１つの配線基板１０及び１つの発光装置５０を拡大して説明するが、実際には、１つの基板上に複数の配線基板１０となる部材を一括して作製した後に個々の配線基板１０に個片化される、あるいは１つの基板上に複数の発光装置５０となる部材を一括して作製した後、個々の発光装置５０に個片化される。
【００８０】
まず、図１１（ａ）に示す工程では、図５（ａ）に示した工程と同様に、放熱板１１の上面全面を覆うように絶縁層１２を形成するとともに、絶縁層１２の上面１２Ａ全面を覆うように銅箔２０Ｂを形成する。
【００８１】
次に、図１１（ｂ）に示す工程では、銅箔２０Ｂの上面２０Ａに、所定の箇所に開口パターン７１Ｘを有するレジスト層７１を形成する。この開口パターン７１Ｘは、金属層４５（図１０参照）に対応する部分の銅箔２０Ｂを露出するように形成される。レジスト層７１の材料としては、耐めっき性がある材料を用いることができる。具体的には、レジスト層７１の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。このレジスト層７１は、レジスト層７０と同様の方法により形成することができる。
【００８２】
続いて、図１１（ｃ）に示す工程では、上記レジスト層７１をめっきマスクとして、銅箔２０Ｂの上面２０Ａに、その銅箔２０Ｂをめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層７１の開口パターン７１Ｘから露出された銅箔２０Ｂの上面２０Ａに電解めっきを施すことにより、銅箔２０Ｂ上に金属層４５を形成する。ここで、金属層４５がＮｉ層４６とＡｕ層４７が積層された構造である場合には、電解めっき法により、レジスト層７１の開口パターン７１Ｘから露出された銅箔２０Ｂの上面２０ＡにＮｉ層４６とＡｕ層４７を順に積層する。
【００８３】
その後、図１１（ｄ）に示す工程では、図１１（ｃ）に示したレジスト層７１を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
次に、図１２（ａ）に示す工程では、銅箔２０Ｂの上面２０Ａに、所定の箇所に開口部７２Ｘを有するレジスト層７２を形成する。このレジスト層７２は、所要の配線パターン２０に対応する銅箔２０Ｂを被覆するように形成される。換言すると、レジスト層７２は、開口部２０Ｘに対応する位置に形成された開口部７２Ｘを有している。レジスト層７２の材料としては、耐エッチング性がある材料を用いることができ、例えば上記レジスト層７０と同様の材料を用いることができる。また、レジスト層７２は、レジスト層７０と同様の方法により形成することができる。
【００８４】
続いて、レジスト層７２をエッチングマスクとして銅箔２０Ｂをエッチングし、銅箔２０Ｂを所定形状にパターニングする。これにより、銅箔２０Ｂに開口部２０Ｘが形成され、絶縁層１２の上面１２Ａに所要の配線パターン２０が形成される。その後、レジスト層７２を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
【００８５】
次いで、図１２（ｂ）に示す工程では、絶縁層１２上及び配線パターン２０上に、金属層４５の上面の一部をパッドＰ１又は電極端子Ｐ２として露出させるための開口部３０Ｘ，３０Ｙ（図１２（ｂ）では、電極端子Ｐ２及び開口部３０Ｙは図示略）を有する絶縁層３０を形成する。この絶縁層３０は、例えば樹脂ペーストのスクリーン印刷法によって形成することができる。続いて、絶縁層３０を１５０℃程度の温度雰囲気でキュアを行うことにより硬化させる。
【００８６】
次に、図１２（ｃ）に示す工程では、図１２（ｂ）に示した構造体に対して、酸素活性種Ｏ＊による表面処理を施す。表面処理としては、例えば紫外線処理や酸素プラズマ処理を用いることができる。図１２（ｃ）の例では、先の図６（ｂ）に示した工程と同様に、図１２（ｂ）に示した構造体の上面（少なくとも、絶縁層３０の上面３０Ａ）に紫外線光Ｌを照射するようにした。このような表面処理により、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１を形成することができ、そのシリカ膜Ｓ１の最表面に水酸基を生成することができる。
【００８７】
以上の製造工程により、図１０に示した配線基板１０が製造される。
次に、図１２（ｄ）に示す工程では、接着剤５２により、配線基板１０の絶縁層３０（絶縁層３１）の上面３０Ａに複数の発光素子５１を接着する。このとき、発光素子５１は、電極端子（図示略）の形成された発光面を上側にして絶縁層３１上に実装される。
【００８８】
本工程において、接着剤５２により、発光素子５１を絶縁層３０上に接着する際には、絶縁層３０の上面３０Ａにシリカ膜Ｓ１が形成され、そのシリカ膜Ｓ１の最表面に水酸基が生成されている。これにより、絶縁層３０と接着剤５２との密着強度を向上させることができる。
【００８９】
続いて、図１２（ｄ）に示す工程では、発光素子５１の一方の電極（図示略）と金属層４５とをボンディングワイヤ５５により接続するとともに、隣接する発光素子５１の他方の電極（図示略）をボンディングワイヤ５５により互いに接続する。これにより、発光素子５１と配線パターン２０とが電気的に接続される。
【００９０】
次いで、配線基板１０上に実装された複数の発光素子５１及びボンディングワイヤ５５を封止する封止樹脂６０を形成する。以上の製造工程により、図１０に示した発光装置５０が製造される。
【００９１】
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（６）の効果に加えて以下の効果を奏する。
（７）配線パターン２０の上面２０Ａ上に電解めっき法により金属層４５を形成した後に、その金属層４５の一部を露出させる開口部３０Ｘ，３０Ｙを有する絶縁層３０を形成するようにした。この場合には、電解めっき法により金属層４５を形成する際には、絶縁層３０が形成されていないため、その絶縁層３０の存在に起因してめっき液が劣化することを未然に防止することができる。これにより、めっき液の液寿命を延ばすことができ、そのめっき液を継続的に使用することができる。この結果、コスト削減に貢献することができる。
【００９２】
さらに、無電解めっきや電解めっきを行う際に絶縁層３０がめっき槽のめっき液中に浸漬されることがないため、絶縁層３０にめっき液が染み込むことを未然に防止することができる。これにより、絶縁層３０の反射率が低下することを抑制することができる。
【００９３】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記各実施形態における配線パターン２０の上面２０Ａを粗面化するようにしてもよい。この場合の配線パターン２０の上面２０Ａは微細な凹凸形状が形成される。この粗面化された配線パターン２０の上面２０Ａの粗度は、例えば表面粗さＲａ値で５５〜２００ｎｍとなるように設定される。ここで、上記表面粗さＲａ値とは、表面粗さを表わす数値の一種であり、算術平均粗さと呼ばれるものであって、具体的には測定領域内で変化する高さの絶対値を平均ラインである表面から測定して算術平均したものである。この表面粗さＲａ値は、例えば原子間力顕微鏡を使用して測定される。
【００９４】
この場合には、例えば図５（ａ）や図１１（ａ）に示す工程において、放熱板１１上に絶縁層１２と銅箔２０Ｂとを順に積層した後に、銅箔２０Ｂに対して粗化処理を施す。この粗化処理により、銅箔２０Ｂの上面２０Ａに微細な凹凸が形成されて、その上面２０Ａが粗面化される。粗化処理としては、例えば黒化処理、エッチング処理、めっき、ブラスト等によって行うことができる。
【００９５】
・上記各実施形態における絶縁層３１と絶縁層３２とを異なる厚さに設定するようにしてもよい。例えば発光素子５１が搭載される発光素子搭載領域に形成された絶縁層３１を、絶縁層３２よりも厚く形成するようにしてもよい。このような厚さの異なる絶縁層３１と絶縁層３２とは例えば以下のように形成することができる。すなわち、絶縁層３１とその絶縁層３１と同じ厚さの絶縁層３２とを配線パターン２０及び絶縁層１２上に形成した後に、上記絶縁層３２をブラスト法などで薄化することにより、絶縁層３１よりも薄い絶縁層３２を形成することができる。また、絶縁層３１と絶縁層３２とを別の工程で形成することにより、厚さの異なる絶縁層３１，３２を形成するようにしてもよい。例えば、絶縁層３１、パッドＰ１及び電極端子Ｐ２の形成領域をマスクした状態で絶縁層３２を形成した後に、絶縁層３２の形成領域、パッドＰ１及び電極端子Ｐ２の形成領域をマスクした状態で絶縁層３１を形成するようにしてもよい。このとき、絶縁層３１，３２の形成順序は特に限定されない。
【００９６】
・上記各実施形態における絶縁層３１の上面３０Ａに凹部を形成するようにし、その凹部の底面上に発光素子５１を搭載するようにしてもよい。この場合には、絶縁層３１の上面に凹部を形成した後に、その凹部を含む絶縁層３１の上面に対して酸素活性種Ｏ＊による表面処理を施すようにする。
【００９７】
・上記各実施形態における配線パターン２１を省略してもよい。
・上記各実施形態では、絶縁層１２の上面１２Ａに配線パターン２０を形成するようにした。これに限らず、例えば絶縁層１２の上面１２Ａに凹部を形成し、その凹部の底面（第１面）上に配線パターン２０を形成するようにしてもよい。
【００９８】
・上記各実施形態では、配線パターン２０の上面２０Ａに金属層４０，４５を形成するようにした。これに限らず、例えば配線パターン２０の上面２０Ａに凹部を形成し、その凹部の底面（第１面）上に金属層４０，４５を形成するようにしてもよい。
【００９９】
・上記各実施形態における配線パターン２０の平面形状は、矩形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形状であってもよく、円形状であってもよい。
・上記各実施形態における絶縁層３０の開口部３０Ｘ，３０Ｙ及び金属層４０，４５の平面形状は、円形状に限らず、例えば矩形状や五角形状などの多角形状であってもよく、半円状や楕円状であってもよい。
【０１００】
・上記各実施形態における配線基板１０及び発光装置５０の平面形状は、矩形状に限らず、例えば三角形や五角形以上の多角形状であってもよく、円形状であってもよい。
・上記各実施形態の配線基板１０に、発光素子５１の代わりに、例えば発光素子サブマウントをワイヤボンディング実装するようにしてもよい。なお、発光素子サブマウントは、例えばセラミック等からなるサブマウント基板に発光素子が搭載され、その発光素子の周囲に反射板が配置され、発光素子が封止樹脂で封止された構造を有している。
【符号の説明】
【０１０１】
１０  配線基板
１１  放熱板
１２  絶縁層
２０  配線パターン
２１  配線パターン（第２配線パターン）
２２  配線パターン（第１配線パターン）
３０  絶縁層（反射層）
３１，３２  絶縁層（反射層）
４０，４５  金属層
４１，４６  Ｎｉ層
４２，４７  Ａｕ層
５０  発光装置
５１  発光素子
５２  接着剤
５５  ボンディングワイヤ
６０  封止樹脂
Ｓ１  シリカ膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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