(57)【要約】【課題】シャッタプレート及びバネが基板上の配線に固着することを防止できる表示装置を、提供する。【解決手段】  ＭＥＭＳシャッタ２０２は、ＴＦＴ基板１０１ｅ上にフォトリソグラフィ及びドライエッチングにより形成され、シャッタプレート２１０，第１バネ２２２及び第１アンカー２４０を構成要素としている。ＴＦＴ基板１０１ｅの表面には、金属膜によって配線２４３が形成されている。この配線２４３の表面におけるシャッタプレート２１０及び第１バネ２２２と重なる箇所には、絶縁膜２４４が形成されている。【選択図】図５
2014182211.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を放射するバックライトユニットと開閉動作により前記バックライトユニットから放射される光の量を制御するＭＥＭＳシャッタが透明基板上に設けられた構造を有する表示装置であって、
前記透明基板上に金属層として形成された配線と、
少なくとも、前記配線の表面における前記透明基板の表面に直交する方向に前記ＭＥＭＳシャッタと重なる箇所に、形成された絶縁膜と
を備えたことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記ＭＥＭＳシャッタは、二位置の間で移動することにより、第１の位置において前記バックライトユニットから放出される光を遮断するとともに、第２の位置において前記バックライトユニットから放出される光を透過させるシャッタプレートと、前記シャッタプレートを前記二位置の間で移動可能且つ前記透明基板の表面から離間した中空状態に保持する複数のバネとを有し、
前記絶縁膜は、前記配線の表面における前記透明基板の表面に直交する方向に前記バネと重なる箇所にも形成されている
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記ＭＥＭＳシャッタは、前記シャッタプレートにその一端が繋がっている前記複数のバネの他端に夫々繋がれた複数のアンカーを更に有する
ことを特徴とする請求項１記載の表示装置。
【請求項４】
前記ＭＥＭＳシャッタは、ドライエッチングによってアモルファスシリコンから形成されたものである
ことを特徴とする請求項２又は３記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、配線の表面のみに形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項６】
前記絶縁膜は、配線の表面及び側面に形成されている
ことを特徴とする請求項１又は２記載の表示装置。
【請求項７】
前記配線の全体が前記絶縁膜によって被覆されている
ことを特徴とする請求項６記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）技術を応用したメカニカルシャッタ（以下「ＭＥＭＳシャッタ」という。）を用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳシャッタ及びアパーチャプレートを用いた表示装置が、注目されてきている。このような表示装置（以下「ＭＥＭＳ表示装置」という。）では、画素ごとに、アパーチャプレートにバックライトが透過する開口部が形成されるとともに、各開口を覆うようにＭＥＭＳシャッタが設けられ、トランジスタを用いて高速で当該ＭＥＭＳシャッタが開閉されるとともにその開閉時間の比率が調整されることによって、微小な単位時間当たりの透過光量が制御され、よって、各画素の輝度値が調整される（特許文献１，特許文献２）。
【０００３】
図１１は、このようなＭＥＭＳ表示装置における任意の一つの画素近傍の断面図である。この図１１に示すように、ＭＥＭＳ表示装置５００は、透明なＴＦＴ基板５０１上に設けられたシャッタプレート５０２を主要構成とするＭＥＭＳ基板５１０，及び、図示せぬアパーチャプレートを、有している。
【０００４】
このシャッタプレート５０２は、ＴＦＴ基板５０１の上面と平行に二位置間で移動自在に、当該ＴＦＴ基板５０１の上面から約４μｍ離間して支持されている。具体的には、ＴＦＴ基板５０１の上面における各シャッタプレート５０２の移動範囲の外側４か所には、図１１に示すように、上述したように支持されているシャッタプレート５０２の上面と同じ高さを有するアンカー５０３が、形成されている。そして、シャッタプレート５０２と各アンカーとの間には、相互に接近する方向の付勢を加えるバネ５０４が、夫々架け渡されている。なお、各バネ５０４による付勢のベクトル方向は、シャッタプレート５０２の移動方向と平行である。そして、各バネは、シャッタプレート５０２における移動方向における各端縁の両端近傍に、夫々、取り付けられている。
【０００５】
以上のような構成において、各アンカー５０３を通じて各バネ５０４に対して選択的に電圧を印加することにより、シャッタプレート５０２を、ＴＦＴ基板５０１の表面と平行に、二位置の間で選択的に移動させることができるのである。このように各バネ５０４に対して選択的に電圧を印加するために、図１１に示すように、ＭＥＭＳ基板５１０のＴＦＴ基板５０１の表面上には、各シャッタプレート５０２に駆動電圧を供給するための配線が、敷設されている。
【０００６】
他方、図示せぬアパーチャプレートは、ガラス基板上に、各シャッタプレート５０２毎に開口が開けられた遮光膜が形成されることにより、構成されている。なお、各開口は、これに対応するシャッタプレート５０２が第１の位置にあるときには当該シャッタプレート５０２によって塞がれるが、シャッタプレート５０２が第２の位置にあるときには当該シャッタプレート５０２によって塞がれない形状を、有している。
【０００７】
そして、ＭＥＭＳ表示装置の完成時においては、ＭＥＭＳ基板５１０のＴＦＴ基板５０１と図示せぬアパーチャプレートとの間にシリコンオイルが充填される。
【０００８】
上記図示せぬアパーチャプレートを構成するガラス基板の側端面又は背面には、図示せぬバックライトユニットが取り付けられており、当該バックライトユニットから、赤（Ｒ），緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の各原色のバックライトがフェーズ毎に順次切り替えられて、当該ガラス基板に導入される。そして、各原色のバックライトは、ガラス基板内で反射を繰り返すことによってその全域に行き渡り、各開口を通って、ＭＥＭＳ基板５１０に向けて射出される。その結果、シャッタプレート５０２が第２の位置にあれば、バックライトが観察者の目に届き、各シャッタプレート５０２によって選択的に遮断又は透過されるバックライトにより、当該観察者の網膜上に映像が形成されるのである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特表２００８−１９７６６８号公報
【特許文献２】特表２０１０−５１７０７２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
これらシャッタプレーは、その形状に対応した型状に形成されたフォトレジスト上に、化学蒸着処理によりアモルファスシリコンを形成し、このアモルファスシリコンをドライエッチングによって切り出し、その後、残存したフォトレジストを除去することによって、中高に浮いた状態（以下、「中空状態」という）にある構造物として、製造される。これらの工程中の静電気による影響で、シャッタプレート５０２及びバネ５０４が帯電（チャージアップ）することがある。このような帯電（チャージアップ）がなされると、シャッタプレート５０２及びバネ５０４とＴＦＴ基板５０１との間に静電力が作用し、その結果、図１２に示すように、シャッタプレート５０２及びバネ５０４がＴＦＴ基板５０１に引き寄せられる。そしてシャッタプレート５０２及びバネ５０４と配線５０５が接触（若しくは、所定の限界を超えて接近）すると、両者間に分子間力が生じることにより、両者間が固着されてしまう。このような固着が発生すると、以後、シャッタプレート５０２を駆動することは不可能になってしまう（固着不良）。そして、このような固着不良の問題は、シャッタプレート５０２毎に選択的に生じ、製造歩留りを悪化させ、その為、ＭＥＭＳ表示装置５００の製造コストを増大させていた。
【００１１】
以上に鑑み、本発明の課題は、製造工程中の中空状態にあるシャッタ及びバネが何らかの外力の作用によって基板上の配線に接触しても、両者間に固着が発生することを防止できる表示装置を、提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明による表示装置は、光を放射するバックライトユニットと開閉動作により前記バックライトユニットから放射される光の量を制御するＭＥＭＳシャッタが透明基板上に設けられた構造を有する表示装置であって、前記透明基板の表面上に金属層として形成された配線と、少なくとも、前記配線の表面における前記透明基板の表面に直交する方向に前記ＭＥＭＳシャッタと重なる箇所に、形成された絶縁膜とを備えたことを、特徴とする。
絶縁膜は、配線の表面の全面に亙って形成されていても良いし、側面にも形成されても良いし、配線の全体を完全に被覆していても良いし、さらに、透明基板の表面をも覆うように形成されても良い。
また、ＭＥＭＳシャッタは、二位置の間で移動することにより、第１の位置において前記バックライトユニットから放出される光を遮断するとともに、第２の位置において前記バックライトユニットから放出される光を透過させるシャッタプレートと、前記シャッタプレートを、前記二位置の間で移動可能に、前記透明基板の表面から離間した中空状態に保持する複数のバネとを有するものであっても良い。この場合、絶縁膜は、前記配線の表面における前記透明基板の表面に直交する方向に前記バネと重なる箇所にも形成されることが、望ましい。
【発明の効果】
【００１３】
以上のように構成された本発明による表示装置によれば、配線上に被覆された絶縁膜によって、シャッタ又はバネとの間の分子間力を低減することができるので、配線とシャッタ又はばねとが相互に固着してしまうことを、防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１の実施形態に係るＭＥＭＳ表示装置を示す図であり、（ａ）は、ＭＥＭＳ表示装置の斜視図であり、（ｂ）は、ＭＥＭＳ表示装置の平面図である。
【図２】第１の実施形態に係る表示装置の回路ブロック図
【図３】第１の実施形態に係る表示装置に用いるＭＥＭＳシャッターの構成を示す斜視図
【図４】第１の実施形態によるＭＥＭＳ基板の平面図
【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿ったＭＥＭＳ基板の縦断面を示す断面図
【図６】第１の実施形態によるＭＥＭＳ基板の製造工程を示す縦断面図
【図７】第１の実施形態によるＭＥＭＳ基板の製造工程を示す縦断面図
【図８】第２の実施形態によるＭＥＭＳ基板の縦断面図
【図９】第３の実施形態によるＭＥＭＳ基板の縦断面図
【図１０】第４の実施形態によるＭＥＭＳ基板の縦断面図
【図１１】従来のＭＥＭＳ表示装置のＭＥＭＳ基板の縦断面図
【図１２】シャッタの固着不良発生時におけるＭＥＭＳ基板の縦断面図
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、図面に基づいて、本発明によるＭＥＭＳ表示装置を実施するための最良の形態を説明する。
【００１６】
（実施形態１）
＜構成＞
図１に本発明の一実施形態に係る表示装置１００を示す。図１（ａ）は、表示装置の斜視図であり、（ｂ）は、表示装置の平面図である。本実施形態に係る表示装置１００は、ＭＥＭＳ基板１０１及びアパーチャプレート１０９を有している。ＭＥＭＳ基板１０１は、ＴＦＴ（高温ポリシリコン）基板上に、表示部１０１ａ、駆動回路１０１ｂ、１０１ｃ及び１０１ｄ、並びに端子部１０１ｅが形成されることにより、構成されている。そして、ＭＥＭＳ基板１０１を構成するＴＦＴ基板とアパーチャプレート１０９とは、図示せぬバンプ及びシール材を用いて接合される。
【００１７】
図２に、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の回路ブロック図を示す。図２に示す本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、コントローラ１２１から画像信号及び制御信号が供給される。また、表示装置１００には、コントローラ１２１によって制御されるバックライトユニット１２２から、赤（Ｒ），緑（Ｇ）及び青（Ｂ）の各原色のバックライトが、周期的に切り替わりつつ供給される。なお、コントローラ１２１及びバックライト１２２を含むように本発明の表示装置１００が構成されてもよい。
【００１８】
図２に示すとおり、表示部１０１ａは、ゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）とデータ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）との交点に対応する位置に、マトリクス状に配置されたメカニカルシャッタ（ＭＥＭＳシャッタ）２０２、スイッチング素子２０４、及び保持容量２０６を有する画素２００を有している。駆動回路１０１ｂ、１０１ｃは、データドライバであり、スイッチング素子２０４へデータ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）を介してデータ信号を供給する。駆動回路１０１ｄは、ゲートドライバであり、スイッチング素子２０４へゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）を介してゲート信号を供給する。なお、本実施形態においては、図１に示すように、データドライバである駆動回路１０１ｂ、１０１ｃが、表示部１０１ａを挟むように配置されているが、この構成に限定されるものではない。スイッチング素子２０４は、データ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）から供給されるデータ信号に基づきＭＥＭＳシャッタ２０２を駆動する。
【００１９】
以下、図３を参照し、ＭＥＭＳシャッタ２０２の構成及び動作について説明する。図３は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッタ２０２の構成を示す斜視図である。なお、説明の便宜上、図３には、一つのＭＥＭＳシャッタ２０２のみを示すが、本発明の一実施形態に係る表示装置１００において、ＭＥＭＳ基板１０１を構成するＴＦＴ基板上に、多数個のＭＥＭＳシャッタ２０２がマトリクス状に配置されていることは、上述した通りである。
【００２０】
ＭＥＭＳシャッタ２０２は、シャッタプレート２１０、第１バネ２１６、２１８、２２０、２２２、第２バネ２２４、２２６、２２８、２３０、第１アンカー部２３２、２３４、２３８、２４０、及び第２アンカー部２３６、２４２を有する。シャッタプレート２１０には、一対の矩形の開口部２１２、２１４が、その長軸を相互に平行に向け且つ短軸方向に並べて形成されており、シャッタプレート２１０における開口部２１２，２１４以外の部分（両開口部２１２，２１４に挟まれた部分，開口部２１２とこれに隣接する外縁との間の部分，及び、開口部２１４とこれに隣接する部分）が、各開口部２１２，２１４と同じ幅を有した遮光部となる。また、アパーチャプレート１０９の表面には遮光膜が形成されているが、この遮光膜には、各ＭＥＭＳシャッタ２０２の各開口部２１２，２１４に夫々対応した複数の開口部が開けられている。そして、一方の位置に移動したシャッタプレート２１０の開口部２１２、２１４とアパーチャプレート１０９の各開口部とが、ＭＥＭＳ基板１０１を構成するＴＦＴ基板１０１ｅ（図５）の表面に垂直な方向に概略重なり合うように、ＭＥＭＳ基板１０１とアパーチャプレート１０９とが相互に位置決めされている。その結果、アパーチャプレート１０９内に供給されてその開口部を透過するバックライトが、シャッタプレート２１０の開口部２１２、２１４を透過し、観察者の目に視認される。
【００２１】
シャッタプレート２１０における各開口部２１２，２１４の長軸方向と平行な外縁の一方は、一対の第１バネ２１６、２１８を介して第１アンカー部２３２、２３４に接続されている。第１アンカー部２３２、２３４は、第１バネ２１６、２１８とともに、ＭＥＭＳ基板１０１を構成するＴＦＴ基板の表面から浮遊した状態に、シャッタプレート２１０を支持する機能を、有する。第１アンカー部２３２は、第１バネ２１６と電気的に接続されており、第１アンカー部２３４は、第１バネ２１８と電気的に接続されている。第１アンカー部２３２、２３４には、ＭＥＭＳ基板１０１に形成されたスイッチング素子２０４からバイアス電位の電圧が印加され、これにより第１バネ２１６、２１８にバイアス電位の電圧が印加される。
【００２２】
また、第２バネ２２４、２２６は、第２アンカー部２３６に電気的に接続されている。第２アンカー部２３６は、第２バネ２２４、２２６をＭＥＭＳ基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。第２アンカー部２３６は、グランド電極に接続されているので、第２バネ２２４、２２６の電位はグランド電位となる。尚、第２アンカー部２３６には、所定の電位の電圧が印加される構成であってもよい。
【００２３】
シャッタプレート２１０における各開２１２，２１４の長軸方向と平行な外縁の他方は、一対の第１バネ２２０、２２２を介して第１アンカー部２３８、２４０に接続されている。第１アンカー部２３８、２４０は、第１バネ２２０、２２２とともに、シャッタプレート２１０をＭＥＭＳ基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。第１アンカー部２３８は、第１バネ２２０と電気的に接続されており、第１アンカー部２４０は、第１バネ２２２と電気的に接続されている。第１アンカー部２３８、２４０には、ＭＥＭＳ基板１０１に形成されたスイッチング素子２０４からバイアス電位の電圧が印加され、第１バネ２２０、２２２には、バイアス電位の電圧が印加される。
【００２４】
また、第２バネ２２８、２３０は、第２アンカー部２４２に電気的に接続されている。第２アンカー部２４２は、第２バネ２２８、２３０をＭＥＭＳ基板１０１の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。第２アンカー部２４２は、グランド電極に接続されているので、第２バネ２２８、２３０の電位はグランド電位となる。
【００２５】
このように、シャッタプレート２１０を静電力により駆動させることにより、シャッタプレート２１０を高速動作させることが可能となる。従って、表示装置１００は、シャッタプレート２１０の位置を高速駆動により変化させて開口部２１２、２１４を透過する光の量を制御することにより、階調表示が可能となる。また、バックライト１２２から放射される光をＲ、Ｇ、Ｂ三色の順次駆動（フィールド・シーケンシャル駆動）とすることにより、カラー表示をすることも可能となる。この場合、液晶表示装置で必要な偏光板やカラーフィルタが不要となるので、バックライト１２２の光を減衰させることなく利用することも可能となる。
【００２６】
また、本実施形態においては、シャッタプレート２１０の両側に第１バネ、第２バネ、第１アンカー部、及び第２アンカー部を接続して配置した例について説明したが、本発明の表示装置１００はこの構成に限定されるものではない。例えば、シャッタプレート２１０の一方側に第１バネ、第２バネ、第１アンカー部、及び第２アンカー部を接続して配置し、シャッタプレート２１０の他方側には第１バネ及び第１アンカー部のみを接続して配置し、他方側の第１バネ及び第１アンカー部はシャッタプレート２１０を基板から浮遊した状態に支持する機能を持たせ、シャッタプレート２１０の一方側の第１バネ及び第２バネを静電駆動し、シャッタプレート２１０を動作させるようにしてもよい。
【００２７】
図４は、第１の実施形態によるＭＥＭＳシャッタ２０２近傍におけるＭＥＭＳ基板１０１の平面図（但し、各第２バネ２２４，２２６，２２８，２３０，及び、第２アンカー部２３６，２４２の図示は省略）であり、図５は、図４におけるＶ−Ｖ線に沿った縦断面図である。
【００２８】
図４及び図５に示すように、ＭＥＭＳ基板１０１を構成するＴＦＴ基板１０１ｅの表面（ＭＥＭＳシャッタ２０２に近接した面）には、各ＭＥＭＳシャッタ２０２を構成するアンカー部２３２，２３４，２３６，２３８，２４０，２４２に電圧を印加（若しくは、グランド電極に接続）するための多数の配線（金属層）２４３が、敷設されている。そして、配線（金属層）２４３の一部は、ＴＦＴ基板１０１ｅの表面に直交する方向において、第１バネ２１６，２１８，２２０，２２２及びシャッタプレート２１０と重なり合っている。
【００２９】
そして、アンカー部２３２，２３４，２３６，２３８，２４０，２４２の形成箇所を除いて、ＴＦＴ基板１０１ｅの表面の全面に亙って絶縁膜２４４が形成されている。この絶縁膜は、配線（金属層）２４３の形成箇所においては、この配線（金属層）２４３をも被覆している。この絶縁膜２４４の材料としては、絶縁性がある物質でありさえすれば、有機物であっても無機物であっても良い。例えば、無機物としては、ＳｉＯやＳｉＮが挙げられ、有機物としては、レジストが挙げられる。
【００３０】
配線（金属層）２４３及び絶縁膜２４４の厚さの総和は、図５では、ＴＦＴ基板１０１ｅとシャッタプレート２１０との間隔の半分を占めるように描かれているが、実際には、両者の間隔（４μｍ）よりも十分に薄いので、シャッタプレート２１０の動作に干渉することはない。
【００３１】
これら配線（金属層）２４３及び絶縁膜２４４の形成プロセスを、図５乃至図７を参照して以下に説明する。これら図６及び図７は、この形成プロセス途中における図５と同じ断面（図４におけるＶ−Ｖ線に沿った断面）の構造を示すものである。
【００３２】
この形成プロセスにおいては、先ず、ＴＦＴ基板１０１ｅ上に、スパッタリング又は金属蒸着により、金属層の薄膜が形成され、この金属層の薄膜が、フォトリソグラフィによって部分的にマスクされることにより、配線図通りにエッチングされる。図６は、このようにして金属層から配線２４３が形成された状態を示す断面図である。
【００３３】
次に、ＴＦＴ基板１０１ｅの表面を配線２４３ごと覆うように、ＣＶＤ（化学気相成長）によって絶縁膜２４４が形成され、フォトリソグラフィを用いたエッチングにより、各アンカー部２３２，２３４，２３６，２３８，２４０，２４２を形成するためのコンタクトホール２４４ａが形成される。図７は、このようにして、絶縁膜２４４が形成されてコンタクトホール２４４ａが開けられた状態を示す断面図である。
【００３４】
その後、従来におけるＭＥＭＳシャッタの形成プロセスと同様に、絶縁膜２４４上に、各第１アンカー部２３２，２３４，２３６，２３８，２４０，２４２，各第１バネ２１６，２１８，２２０，２２２及びシャッタプレート２１０の型となるフォトレジストを形成し、このフォトレジスト上に金属膜を形成し、ドライエッチングを施すことにより、当該金属膜を各第１アンカー部２３２，２３４，２３６，２３８，２４０，２４２，各第１バネ２１６，２１８，２２０，２２２及びシャッタプレート２１０の形状通りに削り取る。図５は、このようにして第１アンカー部２４，第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０が形成された状態を示す断面図である。
【００３５】
この時、工程中の静電気による影響でド第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０に帯電が生じ、ＴＦＴ基板１０１ｅとの間の静電力に因り、第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０がＴＦＴ基板１０１ｅに引き寄せられ、遂に、配線２４３に接触することがある。しかしながら、配線２４３全体が絶縁膜２４４によって被覆されているので、第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０と配線２４３との間の分子間力が低減する。従って、第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０と配線２４３との間は、相互に固着されず、第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０を、本来の中空状態に容易に復帰させることができるのである。
【００３６】
その後、従来におけるＭＥＭＳシャッタの形成プロセスと同様に、各第１アンカー部２３２，２３４，２３６，２３８，２４０，２４２，各第１バネ２１６，２１８，２２０，２２２及びシャッタプレート２１０の全面を絶縁膜で被覆することにより、これらを完成させる。なお、上記説明では省略したが、上記過程を通じて、各第２バネ２２４，２２６，２２８，２３０及び各第２アンカー部２３６，２４２も、同時に形成される。最後に、各配線２４４に表示部１０１ａの各画素を構成するスイッチング素子２０４又はグランド電極が接続され、これらに周辺回路１０１ａ〜ｄ，１２１，１２２が接続されることにより、ＭＥＭＳ基板１０１が完成する。
【００３７】
その後、上述したように、図示せぬバンプ及びシール材を介して、別途作成されたアパーチャ基板１０９が当該ＭＥＭＳ基板１０１に接続されて、その間隙にシリコンオイルが充填され、バックライトユニット１２２がアパーチャ基板１０９のガラス基板に装着されることにより、ＭＥＭＳ表示装置１００が完成するのである。
【００３８】
（実施形態２）
図８は、第２の実施形態によるＭＥＭＳ表示装置１００におけるＭＥＭＳ基板の縦断面図（図４のＶ−Ｖ線に沿った縦断面を示す図）である。第２の実施形態は、上述した第１の実施形態と比較して、絶縁膜２４４の形態のみを異にし、他を共通とする。従って、絶縁膜２４４以外の構成については、上述した第１の実施形態の説明を援用して、その説明を省略する。
【００３９】
図８に示すように、本実施形態における絶縁膜２４４は、上述した第１の実施形態と同様に、配線２４３の表面及び側面を被覆しているので、配線２４３の露出を完全に防止しているが、それ以外の箇所においては、除去されている。そのため、上述した第１の実施形態と同様の固着防止の効果が得られると同時に、アパーチャプレート１０９内に供給されてその開口部及びシャッタプレート２１０の開口部２１２、２１４を透過したバックライトが通過する光路上に、絶縁膜２４４が存在していないことに因り、バックライトの損失を防止することができるという効果も得られる。
【００４０】
（実施形態３）
図９は、第３の実施形態によるＭＥＭＳ表示装置１００におけるＭＥＭＳ基板の縦断面図（図４のＶ−Ｖ線に沿った縦断面を示す図）である。第３の実施形態は、上述した第１の実施形態と比較して、絶縁膜２４４の形態のみを異にし、他を共通とする。従って、絶縁膜２４４以外の構成については、上述した第１の実施形態の説明を援用して、その説明を省略する。
【００４１】
図９に示すように、本実施形態における絶縁膜２４４は、上述した第２の実施形態と同様に、配線２４３の表面及び側面を被覆しているが、それ以外の箇所においては除去されている。さらに、本実施形態における絶縁膜２４４は、ＴＦＴ基板１０１ｅの表面に直交する方向に第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０と重ならない箇所においては、配線２４３上からも除去されている。その結果、配線２４３は一部露出しているが、配線２４３の表面における露出している部分は第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０に接触しないので、配線２４３が第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０に固着することはなく、よって、従来におけるような固着不良の問題は生じない。また、本実施形態によっても、上述した第２の実施形態と同様に、バックライトの損失を防止することができるという効果を得ることができる。
【００４２】
（実施形態４）
図１０は、第４の実施形態によるＭＥＭＳ表示装置１００におけるＭＥＭＳ基板の縦断面図（図４のＶ−Ｖ線に沿った縦断面を示す図）である。第４の実施形態は、上述した第１の実施形態と比較して、絶縁膜２４４の形態のみを異にし、他を共通とする。従って、絶縁膜２４４以外の構成については、上述した第１の実施形態の説明を援用して、その説明を省略する。
【００４３】
図１０に示すように、本実施形態における絶縁膜２４４は、上述した第２の実施形態と同様に、配線２４３の表面を被覆しているが、それ以外の箇所においては除去されている。さらに、本実施形態における絶縁膜２４４は、配線２４３側面からも除去されている。その結果、配線２４３はその側面において露出しているが、配線２４３の側面は第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０に接触しないので、配線２４３が第１バネ２２２及びシャッタプレート２１０に固着することはなく、よって、従来におけるような固着不良の問題は生じない。また、本実施形態によっても、上述した第２の実施形態と同様に、バックライトの損失を防止することができるという効果を得ることができる。
【符号の説明】
【００４４】
１０１      ＭＥＭＳ基板
１０１ｅ    ＴＦＴ基板
２１０      シャッタ
２２２      第１バネ
２４３      配線
２４４      絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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