(57)【要約】      （修正有）【課題】荷電粒子線の制御の安定性を高める要求に応える制御素子およびそれを用いた荷電粒子線装置を提供する。【解決手段】制御素子６ａ〜６ｃは、荷電粒子線が通過する貫通孔Ｐおよび貫通孔Ｐの内周面Ｓ１から突出した凸部１１を有する筒体７と、内周面Ｓ１側の一主面Ｓ２が凸部１１の頂面Ｓ３に接合されているとともに一主面Ｓ２の面積が頂面Ｓ３の面積よりも大きい電極８とを備えて、筒体７と電極８との接合部の面積を小さくすることにより、接合部に加わる熱応力を低減する。【選択図】図２
2014186901.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線が通過する貫通孔および該貫通孔の内周面から突出した凸部を有する筒体と、
前記内周面側の一主面が前記凸部の頂面に接合されているとともに前記一主面の面積が前記頂面の面積よりも大きい電極とを備えたことを特徴とする制御素子。
【請求項２】
請求項１に記載の制御素子において、
前記貫通孔の貫通方向にて、前記電極の前記一主面の長さは、前記凸部の前記頂面の長さよりも大きいことを特徴とする制御素子。
【請求項３】
請求項２に記載の制御素子において、
前記貫通孔の貫通方向にて、前記凸部の長さは、前記凸部の底部から前記頂面に向かって小さくなっていることを特徴とする制御素子。
【請求項４】
請求項１に記載の制御素子において、
前記貫通孔の周方向にて、前記電極の前記一主面の幅は、前記凸部の前記頂面の幅よりも大きいことを特徴とする制御素子。
【請求項５】
請求項４に記載の制御素子において、
前記貫通孔の周方向にて、前記凸部の幅は、前記凸部の底部から前記頂面に向かって小さくなっていることを特徴とする制御素子。
【請求項６】
請求項５に記載の制御素子において、
前記貫通孔の周方向の両側に位置する前記凸部の側面は、前記凸部の内側に向かって窪んだ曲面状であることを特徴とする制御素子。
【請求項７】
請求項１に記載の制御素子において、
前記凸部の前記頂面および前記電極の前記一主面の間に介在しているとともに前記凸部の前記頂面および前記電極の前記一主面を接合したろう材と、
前記凸部の前記頂面および前記ろう材の間に介在しているとともに前記凸部の前記頂面に被着したメタライズ層とをさらに備えることを特徴とする制御素子。
【請求項８】
請求項７に記載の制御素子において、
前記メタライズ層は、前記凸部の側面にさらに被着していることを特徴とする制御素子。
【請求項９】
請求項８に記載の制御素子において、
前記メタライズ層は、前記貫通孔の前記内周面にさらに被着していることを特徴とする制御素子。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれかに記載の制御素子と、該制御素子の前記貫通孔を通過する荷電粒子線を放出する荷電粒子銃とを備えたことを特徴とする荷電粒子線装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体素子製造工程やフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造工程における荷電粒子線描画装置や走査型電子顕微鏡等の荷電粒子線装置に用いられる、荷電粒子線を制御するための制御素子およびそれを用いた荷電粒子線装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、荷電粒子線装置として、例えば、半導体ウェハやガラス基板等の対象物に微細な配線パターンを形成するために使用される荷電粒子線描画装置や、荷電粒子線を対象物に照射してそこから発生する二次荷電粒子線を使って像を得る走査型電子顕微鏡等が知られている。
【０００３】
例えば特許文献１には、荷電粒子線（電子ビーム）が通過する貫通孔（貫通穴）を有する筒体（リング状の絶縁部材）と、筒体の貫通孔の内周面に接合された電極（電極片）とを備えた制御素子（電子ビーム描画装置用電極）を具備した荷電粒子線装置（電子ビーム描画装置）が記載されている。
【０００４】
ところで、一般的に筒体と電極とは熱膨張率が異なる。例えば筒体がセラミックスからなり、電極が金属からなる場合には、筒体の熱膨張率は電極の熱膨張率よりも小さくなりやすい。それ故、例えば筒体に電極を接合する際に制御素子に熱が加わると、筒体と電極との接合部に熱応力が加わる。
【０００５】
この熱応力によって筒体から電極が剥離すると、電極の形成領域の変化や筒体の露出によるチャージアップ等によって貫通孔内の電界が不安定となるため、荷電粒子線の制御が不安定となる。その結果、荷電粒子線描画装置においては配線パターンに不良が生じやすくなり、また、走査型電子顕微鏡においては得られる像に変形や歪みが生じやすくなる。
【０００６】
したがって、荷電粒子線の制御の安定性を高めた制御素子が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−２６０３７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、荷電粒子線の制御の安定性を高める要求に応える制御素子およびそれを用いた荷電粒子線装置を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態における制御素子は、荷電粒子線が通過する貫通孔および該貫通孔の内周面から突出した凸部を有する筒体と、前記内周面側の一主面が前記凸部の頂面に接合されているとともに前記一主面の面積が前記頂面の面積よりも大きい電極とを備える。
【００１０】
本発明の一形態における荷電粒子線装置は、前述した制御素子と、該制御素子の前記貫通孔を通過する荷電粒子線を放出する荷電粒子銃とを備える。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の一形態における制御素子によれば、電極の一主面が凸部の頂面に接合されてい
るとともに電極の一主面の面積が凸部の頂面の面積よりも大きいことから、筒体と電極との接合部の面積を小さくすることができる。したがって、この接合部に加わる熱応力を低減することができるため、筒体からの電極の剥離を抑制し、ひいては荷電粒子線の制御の安定性を高めることができる。
【００１２】
本発明の一形態における荷電粒子線装置によれば、前述した制御素子を備えるため、荷電粒子線の制御の安定性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】（ａ）は、本発明の一実施形態における荷電粒子線装置の高さ方向（Ｚ方向）に沿った断面図であり、（ｂ）は図１（ａ）に示した荷電粒子線装置の電子レンズの斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１（ｂ）のＡ−Ａ線における貫通孔の貫通方向（Ｚ方向）に沿った断面図であり、（ｂ）は、図２（ａ）のＲ１部分の拡大図である。
【図３】（ａ）は、図２（ａ）のＢ−Ｂ線における貫通孔の周方向（ＸＹ平面方向）に沿った断面図であり、（ｂ）は、図２（ａ）のＣ−Ｃ線における貫通孔の周方向に沿った断面図であり、（ｃ）は、図２（ａ）のＤ−Ｄ線における貫通孔の周方向に沿った断面図である。
【図４】（ａ）は、図３（ａ）のＲ２部分の拡大図であり、（ｂ）は、図３（ｂ）のＲ３部分の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の一実施形態における制御素子を用いた荷電粒子線装置について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１（ａ）に示した荷電粒子線装置１は、例えば、半導体製造素子工程やフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）製造工程において、半導体ウェハやガラス基板等の対象物２に微細な配線パターンを形成するために使用される荷電粒子線描画装置や、荷電粒子線Ｅを対象物２の表面に照射してそこから発生する二次荷電粒子線を使って観察する走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）等に用いられる。
【００１６】
この荷電粒子線装置１は、荷電粒子線Ｅを放出する荷電粒子銃３と、この荷電粒子線Ｅが通過する複数の電子レンズ４と、荷電粒子線Ｅが照射される対象物２が載置されたステージ５とを備えている。この荷電粒子線装置１は、ステージ５で対象物２の位置決めを行ない、荷電粒子銃３から荷電粒子線Ｅを放出し、電子レンズ４で荷電粒子線Ｅの引き出し、加速および偏向等の制御を行なった後、荷電粒子線Ｅを対象物２に照射することによって、配線パターンの形成や対象物の観察を行なうものである。
【００１７】
本実施形態の電子レンズ４は、図１（ｂ）に示すように、積層された３つの制御素子６ａ〜６ｃを備えており、最上層に位置する第１制御素子６ａと、中央に位置する第２制御素子６ｂと、最下層に位置する第３制御素子６ｃとを備えている。
【００１８】
第１制御素子６ａは、荷電粒子銃３からの荷電粒子線Ｅの引き出しおよび荷電粒子線Ｅの加速を制御する高圧レンズとして機能するものである。第２制御素子６ｂは、荷電粒子線Ｅの偏向を制御する偏向器として機能するものである。第３制御素子６ｃは、外部の電界から第２制御素子６ｂを遮蔽するシールド電極として機能するものである。
【００１９】
なお、電子レンズ４は、第１制御素子６ａないし第３制御素子６ｃのいずれか１つを少なくとも有していればよく、第１制御素子６ａないし第３制御素子６ｃの位置関係を変更しても構わないし、第１制御素子６ａないし第３制御素子６ｃのいずれかを複数有してい
ても構わない。また、電子レンズ４は、制御素子６ａ〜６ｃそれぞれの間に荷電粒子線Ｅの絞りを制御するアパーチャー等の他の部材を備えていても構わないし、制御素子６ａ〜６ｃを収納して固定する筒状の外筒を備えていても構わない。
【００２０】
制御素子６ａ〜６ｃは、図２（ａ）ないし図４（ｂ）に示すように、それぞれ、荷電粒子線Ｅが通過する貫通孔Ｐを有する筒体７と、貫通孔Ｐ内にて筒体７に接合した電極８と、筒体７および電極８の間に介在しているとともに筒体７および電極８を接合したろう材９と、筒体７およびろう材９の間に介在しているととともに筒体７に被着したメタライズ層１０と、筒体７を貫通して電極８に電気的に接続した貫通導体（図示しない）と、筒体７の外周面にて貫通導体に電気的に接続した端子（図示しない）とを備えている。
【００２１】
なお、図２（ｂ）は、第２制御素子６ｂの貫通方向（Ｚ方向）に沿った断面の部分拡大図であるが、第１制御素子６ａおよび第３制御素子６ｃも図２（ｂ）と同様の構造を有する。また、図４（ａ）は、第１制御素子６ａの周方向（ＸＹ平面方向）に沿った断面の部分拡大図であるが、第３制御素子６ｃも図４（ａ）と同様の構造を有する。
【００２２】
制御素子６ａ〜６ｃにおいては、外部機器から端子および貫通導体を介して電極８に電圧が印加される。前述した電子レンズ４は、各制御素子６ａ〜６ｃの電極８に印加する電圧を制御することによって、貫通孔Ｐ内の電界を制御し、ひいては荷電粒子線Ｅの引き出し、加速および偏向等の制御を行なうことができる。なお、外部機器と電極８とは、端子および貫通導体以外の部材によって、電気的に接続されていても構わない。
【００２３】
第１制御素子６ａは、図３（ａ）に示すように、単極の電極８を有しており、電極８に印加する電圧を制御することによって、荷電粒子線Ｅの引き出しおよび加速を制御することができる。
【００２４】
第２制御素子６ｂは、図３（ｂ）に示すように、４極の電極８を有しており、それぞれの電極８に印加する電圧を個別に制御することによって、荷電粒子線Ｅの偏向を制御することができる。この第２制御素子６ｂにおいては、４極の電極８が、互いに離れつつ筒体７の周方向に沿って並んでおり、電極８同士の間には貫通孔Ｐの貫通方向に沿った隙間が形成されている。なお、第２制御素子６ｂは、４極以外の複数極の電極８を有していても構わない。
【００２５】
第３制御素子６ｃは、図３（ｃ）に示すように、単極の電極８を有しており、荷電粒子線Ｅの制御を直接行なうことはできないが、外部の電界から第２制御素子６ｂを遮蔽することができる。
【００２６】
筒体７は、電極８の支持部材および絶縁部材として機能するものである。この筒体７は、例えばアルミナ質焼結体または窒化珪素質焼結体等の絶縁性のセラミックスからなり、中でもアルミナ質焼結体からなることが望ましい。なお、アルミナ質焼結体は、チタン等の遷移金属の酸化物を含んでいても構わない。筒体７がアルミナ質焼結体からなる場合には、筒体７の熱膨張率は７ｐｐｍ／℃程度である。筒体７は、例えば円筒状である。なお、筒体７の熱膨張率は、市販のＴＭＡ（Thermo-Mechanical Analysis）装置を用いて測定される。以下、各部材の熱膨張率は、筒体７と同様に測定される。
【００２７】
電極８は、外部から電圧が印加されることによって、貫通孔Ｐを通過する荷電粒子線Ｅの引き出し、加速および偏向等を制御するものである。この電極８は、例えばチタンまたは銅等の導電性の金属からなり、中でもチタンからなることが望ましい。電極８がチタンからなる場合には、電極８の熱膨張率は８ｐｐｍ／℃程度である。電極８は、例えば板状である。
【００２８】
ろう材９は、筒体７と電極８との接合剤として機能するものである。このろう材９は、メタライズ層１０および電極８に接着している。このろう材９は、例えば銀ろうを用いることができる。ろう材９の筒体７側の一主面とその反対側の他主面との間の厚みは、例えば５μｍ以上３０μｍ以下である。
【００２９】
メタライズ層１０は、ろう材９と接着することによって、ろう材９を筒体７に接着させるものである。このメタライズ層１０は、例えばモリブデン−マンガンを主成分とする。メタライズ層１０の筒体７側の一主面とその反対側の他主面との間の厚みは、例えば５μｍ以上３０μｍ以下である。
【００３０】
ところで、一般的に筒体７と電極８とは熱膨張率が異なる。例えば筒体７がセラミックスからなり、電極８が金属からなる場合には、筒体７の熱膨張率は電極８の熱膨張率よりも小さくなりやすい。それ故、例えば筒体７に電極８を接合する際に、制御素子６ａ〜６ｃに熱が加わると、筒体７と電極８との接合部に熱応力が加わる。
【００３１】
一方、本実施形態の制御素子６ａ〜６ｃは、図２（ａ）ないし図４（ｂ）に示すように、荷電粒子線Ｅが通過する貫通孔Ｐおよびこの貫通孔Ｐの内周面Ｓ１から突出した凸部１１を有する筒体７と、内周面Ｓ１側の一主面Ｓ２が凸部１１の頂面Ｓ３に接合されているとともに一主面Ｓ２の面積が頂面Ｓ３の面積よりも大きい電極８とを備えている。
【００３２】
その結果、電極８の一主面Ｓ２が凸部１１の頂面Ｓ３に接合されているため、一主面Ｓ２の面積を頂面Ｓ３の面積よりも大きくする、すなわち頂面Ｓ３の面積を一主面Ｓ２の面積よりも小さくすることによって、筒体７と電極８との接合部の面積を容易に小さくすることができる。このように接合部の面積を小さくすることによって、接合部に加わる熱応力を低減することができる。したがって、この熱応力に起因した筒体７からの電極８の剥離を抑制することができるため、荷電粒子線Ｅの制御の安定性を高めることができる。それ故、荷電粒子線描画装置においては配線パターンの不良の発生を低減し、また、走査型電子顕微鏡においては得られる像の変形や歪みの発生を低減することができる。
【００３３】
また、電極８の一主面Ｓ２が凸部１１の頂面Ｓ３に接合されているため、電極８の一主面Ｓ２を筒体７の内周面Ｓ１に接合する場合と比較して、筒体７および電極８を容易に接合することができる。また、凸部１１の頂面Ｓ３にメタライズ層１０を容易に被着させることができ、さらに、メタライズ層１０上にろう材９を容易に接着させることができる。
【００３４】
本実施形態の制御素子６ａ〜６ｃにおいて、図２（ｂ）に示すように、貫通孔Ｐの貫通方向（Ｚ方向）にて、電極８の一主面Ｓ２の長さは、凸部１１の頂面Ｓ３の長さよりも大きい。その結果、貫通孔Ｐの貫通方向において、筒体７からの電極８の接合部の長さを小さくすることによって、接合部に加わる熱応力を低減することができる。特に、電極８の貫通孔Ｐの貫通方向（Ｚ方向）に沿った長さが、電極８の貫通孔Ｐの周方向（ＸＹ平面方向）に沿った幅よりも大きい場合に、効果的に熱応力を低減することができる。
【００３５】
本実施形態の制御素子６ａ〜６ｃにおいて、図２（ｂ）に示すように、貫通孔Ｐの貫通方向にて、凸部１１の長さは、凸部１１の底部１２から頂面Ｓ３に向かって小さくなっている。その結果、凸部１１の底部１２の強度を高めるとともに凸部１１の底部１２への応力集中を緩和できるため、接合部に加わる熱応力に起因した凸部１１の底部１２におけるクラックの発生を抑制し、ひいては筒体７と電極８との剥離を抑制することができる。
【００３６】
本実施形態の制御素子６ａ〜６ｃにおいて、貫通孔Ｐの貫通方向の両側に位置する凸部１１の側面Ｓ４は、円錐面状であり、さらには、図２（ｂ）に示すように、貫通方向に沿
った断面にて直線状である。その結果、凸部１１を容易に形成することができる。
【００３７】
本実施形態の制御素子６ａ〜６ｃは、図２（ｂ）に示すように、凸部１１の頂面Ｓ３および電極８の一主面Ｓ２の間に介在しているとともに凸部１１の頂面Ｓ３および電極８の一主面Ｓ２を接合したろう材９と、凸部１１の頂面Ｓ３およびろう材９の間に介在しているとともに凸部１１の頂面Ｓ３に被着したメタライズ層１０とを備えている。その結果、ろう材９およびメタライズ層１０によって、電極８を筒体７に容易に接合することができる。このろう材９は、メタライズ層１０に接着しつつ、電極８の一主面２におけるメタライズ層１０に対応する部分に接着している。
【００３８】
本実施形態の制御素子６ａ〜６ｃにおいて、図２（ｂ）に示すように、メタライズ層１０は、貫通孔Ｐの貫通方向の両側に位置する凸部１１の側面Ｓ４にさらに被着している。その結果、筒体７と電極８との接合部に加わる熱応力を分散させることができるため、筒体７と電極８との剥離を抑制することができる。
【００３９】
本実施形態の制御素子６ａ〜６ｃにおいて、図２（ｂ）に示すように、メタライズ層１０は、貫通孔Ｐの貫通方向にて凸部１１に近接する内周面Ｓ１の一部にさらに被着している。その結果、筒体７と電極８との接合部に加わる熱応力をさらに分散させることができる。このメタライズ層１０は凸部１１の側面Ｓ４から内周面Ｓ１の一部に渡って被着していることが望ましい。これにより、凸部１１の底部１２の強度を高めることができる。
【００４０】
本実施形態の制御素子６ａ〜６ｃにおいて、図２（ｂ）に示すように、ろう材９は、貫通孔Ｐの貫通方向の両側に位置する凸部１１の側面Ｓ４において、メタライズ層１０に接着している。その結果、筒体７と電極８との接合部に加わる熱応力を分散させることができるため、筒体７からの電極８の剥離を抑制することができる。このろう材９の厚みは、凸部１１の側面Ｓ４から内周面Ｓ１に向かって小さくなっていることが望ましい。その結果、ろう材９におけるクラックの発生を抑制できる。
【００４１】
本実施形態の第１制御素子６ａおよび第３制御素子６ｃにおいて、図３（ａ）、図３（ｃ）および図４（ａ）に示すように、筒体７は、単極の電極８に対応した１つの凸部１１を有する。電極８および凸部１１は、貫通孔Ｐの周方向に沿って環状である。そして、貫通孔Ｐの周方向にて、電極８の一主面Ｓ２の幅は、凸部１１の頂面Ｓ３の幅よりも小さい。
【００４２】
一方、本実施形態の第２制御素子６ｂにおいて、図３（ｂ）および図４（ｂ）に示すように、筒体７は、各電極８に対応した複数の凸部１１を有する。そして、貫通孔Ｐの周方向（ＸＹ平面方向）にて、電極８の一主面Ｓ２の幅は、凸部１１の頂面Ｓ３の幅よりも大きい。その結果、貫通孔Ｐの周方向において、筒体７と電極８との接合部の長さを小さくすることによって、接合部に加わる熱応力を低減することができる。特に、電極８の貫通孔Ｐの周方向（ＸＹ平面方向）に沿った幅が、電極８の貫通孔Ｐの貫通方向（Ｚ方向）に沿った長さよりも大きい場合に、効果的に熱応力を低減することができる。
【００４３】
本実施形態の第２制御素子６ｂにおいて、図４（ｂ）に示すように、貫通孔Ｐの周方向にて、凸部１１の幅は、凸部１１の底部１２から頂面Ｓ３に向かって小さくなっている。その結果、凸部１１の底部１２の強度を高めるとともに凸部１１の底部１２への応力集中を緩和できる。
【００４４】
本実施形態の第２制御素子６ｂにおいて、図４（ｂ）に示すように、貫通孔Ｐの周方向の両側に位置する凸部１１の側面Ｓ５は、凸部１１の内側に向かって窪んだ曲面状である。その結果、凸部１１の側面Ｓ５と内周面Ｓ１との間の角度を１８０°に近付け、凸部１１の底部１２への応力集中を緩和できる。
【００４５】
本実施形態の第２制御素子６ｂにおいて、図４（ｂ）に示すように、メタライズ層１０は、貫通孔Ｐの周方向の両側に位置する凸部１１の側面Ｓ５にさらに被着している。その結果、筒体７と電極８との接合部に加わる熱応力を分散させることができる。
【００４６】
本実施形態の第２制御素子６ｂにおいて、図４（ｂ）に示すように、メタライズ層１０は、貫通孔Ｐの周方向にて凸部１１に近接する内周面Ｓ１の一部にさらに被着している。その結果、筒体７と電極８との接合部に加わる熱応力をさらに分散させることができる。このメタライズ層１０は凸部１１の側面Ｓ５から内周面Ｓ１の一部に渡って被着していることが望ましい。その結果、凸部１１の底部１２の強度を高めることができる。
【００４７】
本実施形態の制御素子６ａ〜６ｃにおいて、凸部１１の突出方向（ＸＹ平面方向）における高さは、例えば０．３ｍｍ以上３ｍｍ以下である。また、貫通孔Ｐの貫通方向（Ｚ方向）における凸部１１の頂面Ｓ３の長さは、例えば１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。本実施形態の第２制御素子６ｂにおいて、貫通孔Ｐの周方向（ＸＹ平面方向）における凸部１１の頂面Ｓ３の幅は、例えば１ｍｍ以上５ｍｍ以下である。
【００４８】
次に、前述した制御素子６ａ〜６ｃの製造方法を説明する。
【００４９】
（１）筒体７を作製する。具体的には、例えば以下のように行う。
【００５０】
まず、セラミック粉末を種々の成形方法を用いて成形することによって、貫通孔が形成された筒状の成形体を得る。次に、この成形体を例えば１４００℃以上１８００℃以下で焼成して焼結体を得る。次に、研削加工を用いて、この焼結体を所望の形状にすることによって、筒体７を作製することができる。この際に、例えばマシニングセンタを用いた研削加工によって、所望の形状の凸部１１を形成する。
【００５１】
（２）筒体７に電極８を接合することによって、制御素子６ａ〜６ｃを作製する。具体的には、例えば以下のように行なう。
【００５２】
まず、モリブデン−マンガン法を用いて、筒体７の凸部１１の頂面Ｓ３にメタライズ層１０を被着させる。この際に、凸部１１の側面Ｓ４、Ｓ５および内周面Ｓ１の一部にもメタライズ層１０を被着させる。次に、めっき法を用いて例えば金からなる被膜をメタライズ層１０の表面に被着させる。次に、ろう材９を融点以上の温度で加熱して溶融させて、ろう材９をメタライズ層１０および電極８の間に介在させることによって、筒体７と電極８とを接合する。この際に、メタライズ層１０の表面に被着した金からなる被膜がろう材９内に拡散し、ろう材９がメタライズ層１０に接着する。
【００５３】
以上のようにして、制御素子６ａ〜６ｃを作製することができる。
【００５４】
本発明は前述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良、組合せ等が可能である。
【００５５】
例えば、凸部１１は、頂面Ｓ３の面積が電極８の一主面Ｓ２の面積よりも小さいものであれば、前述した実施形態で説明した凸部１１とは異なる形状であっても構わない。
【００５６】
また、前述した実施形態において、貫通孔Ｐの貫通方向の両側に位置する凸部１１の側面Ｓ４が円錐面状である構成を例に説明したが、この側面Ｓ４は凸部１１の内側に向かって窪んだ曲面状であっても構わない。この場合には、凸部１１の側面Ｓ４と内周面Ｓ１と
の間の角度を１８０°に近付け、凸部１１の底部１２への応力集中を緩和できる。
【００５７】
また、前述した実施形態においてメタライズ層１０が凸部１１の頂面Ｓ３、側面Ｓ４、Ｓ５および内周面Ｓ１の一部に被着した構成を例に説明したが、メタライズ層１０は、凸部１１の頂面Ｓ３のみに被着していても構わないし、凸部１１の頂面Ｓ３および側面Ｓ４、Ｓ５のみに被着していても構わない。
【００５８】
また、前述した実施形態においてろう材９およびメタライズ層１０を用いて筒体７および電極８を接合した構成を例に説明したが、筒体７および電極８の接合方法としては他の方法を用いてよい。例えばガラス等からなる無機系接合剤を用いても構わないし、活性金属法を用いても構わない。
【符号の説明】
【００５９】
１              荷電粒子線装置
２              対象物
３              荷電粒子銃
４              電子レンズ
５              ステージ
６ａ            第１制御素子
６ｂ            第２制御素子
６ｃ            第３制御素子
７              筒体
８              電極
９              ろう材
１０            メタライズ層
１１            凸部
１２            凸部の底部
Ｅ              荷電粒子線
Ｐ              貫通孔
Ｓ１            筒体の内周面
Ｓ２            電極の一主面
Ｓ３            凸部の頂面
Ｓ４            貫通孔の貫通方向の両側に位置する凸部の側面
Ｓ５            貫通孔の周方向の両側に位置する凸部の側面
【図１】
2014186901.tif 000003
【図２】
2014186901.tif 000004
【図３】
2014186901.tif 000005
【図４】
2014186901.tif 000006