(57)【要約】      （修正有）【課題】高周波信号を低損失で伝送できるプリント配線板および低周波信号と高周波信号を低損失で伝送できるプリント配線板を提供する。【解決手段】第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇと第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅと前記第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇと前記第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅで挟まれている第１の信号線５８Ｅと前記第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇの表面に形成されている第１のグランド層と前記第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅの表面に形成されている第２のグランド層とで形成される第１のビルドアップ層５００Ｆと、第１のビルドアップ層５００Ｆ上に形成され最上の層間樹脂絶縁層と最上の導体層とを有する第２のビルドアップ層６００Ｆとを有し、第１と第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みまたは材質が異なる。【選択図】図２
2014027212.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の層間樹脂絶縁層と第２の層間樹脂絶縁層と前記第１の層間樹脂絶縁層と前記第２の層間樹脂絶縁層で挟まれている第１の信号線と前記第１の層間樹脂絶縁層の表面に形成されている第１のグランド層と前記第２の層間樹脂絶縁層の表面に形成されている第２のグランド層とで形成される第１のビルドアップ層と、
前記第１のビルドアップ層上に形成され、最上の層間樹脂絶縁層と前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成されている最上の導体層とを有する第２のビルドアップ層とを有するプリント配線板において、
前記第１の信号線は前記第１のグランド層と前記第２のグランド層で挟まれていて、前記第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層と前記第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層で、材質または厚みが異なる。
【請求項２】
請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記第１のビルドアップ層は、さらに、前記第２の層間樹脂絶縁層と前記第２のグランド層の下に形成されている第３の層間樹脂絶縁層と前記第３の層間樹脂絶縁層下の第４の層間樹脂絶縁層と前記第３の層間樹脂絶縁層と前記第４の層間樹脂絶縁層で挟まれている第２の信号線と前記第３の層間樹脂絶縁層の表面に形成されている第３のグランド層と前記第４の層間樹脂絶縁層の表面に形成されている第４のグランド層とを有し、
前記第２の信号線は前記第３のグランド層と前記第４のグランド層で挟まれている。
【請求項３】
請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率は、前記第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率より高く、３．９以下である。
【請求項４】
請求項１に記載のプリント配線板であって、
前記第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みは、前記第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みより厚く、３０μｍ以上である。
【請求項５】
請求項３のプリント配線板であって、
前記第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の誘電正接は前記第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の誘電正接より低い。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の層数は偶数である。
【請求項７】
請求項２のプリント配線板であって、前記第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の層数は４層である。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第１のビルドアップ層は、さらに、第１の層間樹脂絶縁層と第２の層間樹脂絶縁層に挟まれる第３の信号線を有し、
前記第１の信号線の幅は前記第３の信号線の幅と同じもしくは前記第３の信号線の幅より太く、
前記第１の信号線を伝送する信号の速度は前記第３の信号線を伝送する信号の速度より速い。
【請求項９】
請求項１のプリント配線板であって、
前記最上の層間樹脂絶縁層は前記第１の層間樹脂絶縁層と前記第１のグランド層上に直接形成されていて、
前記第１のビルドアップ層は、前記第１の層間樹脂絶縁層を貫通し、前記第１の信号線に接続している第１のビア導体を有し、
前記第２のビルドアップ層は、前記最上の層間樹脂絶縁層を貫通し、前記第１の信号線に電気的に接続している最上のビア導体を有していて、
前記最上のビア導体は前記第１のビア導体の直上に形成されていない。
【請求項１０】
請求項９のプリント配線板であって、前記最上のビア導体は前記第１のビア導体のランド上に形成されている。
【請求項１１】
請求項９のプリント配線板であって、前記最上のビア導体と前記第１のビア導体との間の距離は７５μｍ以下である。
【請求項１２】
請求項１のプリント配線板であって、前記第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層は補強材を有しておらず、前記第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層は補強材を有している。
【請求項１３】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１の信号線の厚みは前記最上の導体層の厚み以上である。
【請求項１４】
請求項１３のプリント配線板であって、前記第１の信号線の厚みは前記最上の導体層の厚みより厚い。
【請求項１５】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みは前記第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みより厚い。
【請求項１６】
請求項９のプリント配線板であって、
前記最上のビア導体と前記第１のビア導体との間に迂回配線が形成されている。
【請求項１７】
請求項１又は請求項２のプリント配線板であって、
さらに、マザーボードと接続するためのバンプと前記マザーボードと接続するためのバンプを搭載するためのＢＧＡパッドと前記ＢＧＡパッドと前記第１の信号線との間に形成されている迂回配線を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、第１と第２のビルドアップ層を有するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記の特許文献１はストリップラインやマイクロストリップラインを開示している。特許文献１の図１にマイクロストリップラインが示されている。この図によれば、マイクロストリップラインとグランド層で２層の絶縁層を挟んでいる。その２層の絶縁層はマイクロストリップライン直下の低誘電率樹脂層とグランドライン直上の一般基材である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１１９１１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の特許文献１は特許文献１の図４にストリップラインを開示していて、そのストリップラインとグランド層との間に一般基材が形成されている。そのため、ストリップラインからの電界が、低誘電率樹脂層のみでなく一般基材を通過すると考えられる。その場合、低誘電率樹脂層中と一般基材中で電界が不均衡になりやすいと考えられる。そのため、信号波形の劣化やノイズの発生が考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、高周波信号を低損失で伝送できるプリント配線板を提供することである。他の目的は、低周波信号と高周波信号を低損失で伝送できるプリント配線板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、第１の層間樹脂絶縁層と第２の層間樹脂絶縁層と前記第１の層間樹脂絶縁層と前記第２の層間樹脂絶縁層で挟まれている第１の信号線と前記第１の層間樹脂絶縁層の表面に形成されている第１のグランド層と前記第２の層間樹脂絶縁層の表面に形成されている第２のグランド層とで形成される第１のビルドアップ層と、前記第１のビルドアップ層上に形成され、最上の層間樹脂絶縁層と前記最上の層間樹脂絶縁層上に形成されている最上の導体層とを有する第２のビルドアップ層とを有する。そして、前記第１の信号線は前記第１のグランド層と前記第２のグランド層で挟まれていて、前記第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層と前記第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層で、材質または厚みが異なる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図９】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１０】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１１】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図１２】第２実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図。
【図１３】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１４】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１５】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１６】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１７】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１８】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１９】本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図２０】第３実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図。
【図２１】第１実施形態のプリント配線板の信号線とグランド層を示す図。
【図２２】迂回配線の例。
【図２３】迂回配線の例。
【図２４】図２４（Ａ）はビア導体の断面であり、図２４（Ｂ）はランドの上面を示す平面図。
【図２５】第１のビルドアップ層のビア導体と第２のビルドアップ層のビア導体間の接続の例。
【図２６】スタックビアを示す図。
【図２７】迂回配線の例。
【図２８】第１実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図。
【図２９】第１実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図。
【図３０】第１実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
図１に本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の断面が示されている。そのプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。コア基板３０は、第１面（Ｆ）とその第１面と反対側の第２面（Ｓ）を有する絶縁基材３０zと絶縁基材の第１面上の導体層３４Ａと絶縁基材の第２面上の導体層３４Ｂと導体層３４Ａと導体層３４Ｂを接続しているスルーホール導体３６で形成されている。スルーホール導体３６は、絶縁基材に形成されている貫通孔３１内をめっき膜で充填することにより形成される。導体層３４Ａはグランド層を含み、そのグランド層は第４のグランド層を含む。
【０００９】
コア基板の第１面と絶縁基材の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基材（絶縁基板）の第２面は同じ面である。コア基板３０の第１面Ｆ上に第１のビルドアップ層５００Ｆが形成されている。第１のビルドアップ層５００Ｆはコア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている４層の層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｃ、５０Ｅ、５０Ｇを有する。コア基板に最も近い層間樹脂絶縁層が第４の層間樹脂絶縁層５０Ａである。そして、第４の層間樹脂絶縁層上に順に第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃと第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅと第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇが積層されている。
【００１０】
第４の層間樹脂絶縁層５０Ａ上に導体層５８Ａが形成されている。この導体層５８Ａは第２の信号線５８ＡＨを有している。
第４の層間樹脂絶縁層５０Ａと導体層５８Ａ上に第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃが形成されている。
第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃ上に導体層５８Ｃが形成されている。この導体層５８Ｃは第２のグランド層と第３のグランド層の少なくとも一方を含む。第２の信号線は第４のグランド層と第２または第３のグランド層で挟まれ、ストリップラインが形成されている。
第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃと導体層５８Ｃ上に第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅが形成されている。
第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅ上に導体層５８Ｅが形成されている。この導体層５８Ｅは第１の信号線５８ＥＨを含んでいる。導体層５８Ｅはさらに第３の信号線５８ＥＬを含んでも良い。
第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅと導体層５８Ｅ上に第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇが形成されている。
第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇ上に導体層５８Ｇが形成されている。この導体層５８Ｇは第１のグランド層を含んでいる。第１の信号線は第１のグランド層と第２または第３のグランド層で挟まれ、ストリップラインが形成されている。
第２のグランド層と第３のグランド層は繋がっていても良い。
第１のビルドアップ層は、導体層５８Ｇと導体層５８Ｅと導体層５８Ｃと導体層５８Ａを有する。
異なる層の導体層３４Ａ、５８Ａ、５８Ｃ、５８Ｅ、５８Ｇは層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体６０Ａ、６０Ｃ、６０Ｅ、６０Ｇで接続される。第１と第２の信号線で高周波の信号が伝送され、第３の信号線で低周波の信号が伝送される。高周波の信号は例えば６．０ＧＨｚ以上の信号である。
【００１１】
第１のビルドアップ層５００Ｆ上に第２のビルドアップ層６００Ｆが形成されている。第２のビルドアップ層６００Ｆは最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｃと最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｃ上の最上の導体層１５８Ｃを含んでいる。更に、第２のビルドアップ層は最上の層間樹脂絶縁層と第１のビルドアップ層間に上側の層間樹脂絶縁層１５０Ａと上側の層間樹脂絶縁層上の上側の導体層１５８Ａを有する。
第２のビルドアップ層に属する導体層１５８Ａ、１５８Ｃの厚みは第４の層間樹脂絶縁層５０Ａ上の導体層５８Ａの厚み以下である。また、第２のビルドアップ層に属する導体層１５８Ａ、１５８Ｃの厚みは第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅ上の導体層５８Ｅの厚み以下である。導体層５８Ａや導体層５８Ｅの厚みは第２のビルドアップ層に属する導体層１５８Ａ、１５８Ｃの厚みより厚いことが好ましい。高速信号をプリント配線板の水平方向に伝送することができる。特に、導体層５８Ａや導体層５８Ｅの厚みを最上の導体層の厚みで割ることで得られる値は１．０より大きいことが好ましい。１．０ＧＨｚ以上の高速信号の伝送損失が小さくなる。異なる層の導体層５８Ｇ、１５８Ａ、１５８Ｃは層間樹脂絶縁層を貫通するビア導体１６０Ａ、１６０Ｃで接続される。導体層５８Ａ、５８Ｅは高速な信号を伝送するための信号線を含んでいる。
【００１２】
第１のビルドアップ層５００Ｆの層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｃ、５０Ｅ、５０Ｇの厚みは第２のビルドアップ層６００Ｆの層間樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｃの厚みより厚いことが好ましい。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層で挟まれる信号線の厚みを厚くすることができる。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みを最上の層間樹脂絶縁層の厚みで割ることで得られる値は１．５より大きいことが好ましい。６．０ＧＨｚ以上の高速信号の伝送損失が小さくなる。
第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率の値は最上の層間樹脂絶縁層の比誘電率の値以上であることが好ましい。高速信号をプリント配線板の水平方向に伝送することができる。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率の値を最上の層間樹脂絶縁層の比誘電率の値で割ることで得られる値（ＥＶ）は１．０より大きいことが好ましい。３ＧＨｚ以上の高速信号の伝送損失が小さくなる。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率は最上の層間樹脂絶縁層の比誘電率より大きいことが好ましい。１．０ＧＨｚ以上の高速信号のノイズが小さくなる。第２のビルドアップ層の各層間樹脂絶縁層の厚みや材質は同じであることが好ましい。第２のビルドアップ層の各導体層の厚みは同じであることが好ましい。第１と第２のビルドアップ層で層間樹脂絶縁層の厚みまたは材質が異なるので、高速信号用の信号線のインダクタンスを所定の値とすることができる。ＥＶが１．５以上であると６ＧＨｚ以上の高速信号の伝送損失が小さくなる。
【００１３】
最上の導体層１５８Ｃは複数のＩＣチップ実装用のパッド１５８ＣＰを含み、そのパッド上にＩＣチップを実装するための半田バンプ７６Ｕが形成されている。パッド１５８ＣＰは高速信号用の入出力端子として機能するパッド（高速信号用パッドもしくは上側の高速信号用パッド）１５８ＣＰＨと低速信号用の入出力端子として機能するパッド（低速信号用パッドもしくは上側の低速信号用パッド）１５８ＣＰＬとＩＣチップのグランド電極につながるグランド用パッドを有する。
【００１４】
最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｃに形成されているビア導体１６０Ｃは高速信号用パッド１５８ＣＰＨと第１の信号線を接続するビア導体１６０ＣＨを有する。上側の層間樹脂絶縁層に形成されているビア導体１６０Ａは高速信号用パッドと第１の信号線を接続するビア導体１６０ＡＨを有する。第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇに形成されているビア導体６０Ｇは高速信号用パッドと第１の信号線を接続するビア導体６０ＧＨを有する。
最上の層間樹脂絶縁層に形成され高速信号用パッドと第１の信号線を接続するビア導体（最上の高速信号用ビア導体）１６０ＣＨは、上側の層間樹脂絶縁層１５０Ａに形成され高速信号用パッドと第１の信号線を接続するビア導体（上側の高速信号用ビア導体）１６０ＡＨの直上に形成されている。そして、上側の高速信号用ビア導体１６０ＡＨは、第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇに形成され高速信号用パッドと第１の信号線を接続するビア導体（第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体）６０ＧＨの直上に形成されている。高速信号は第１の信号線５８ＥＨを介してプリント配線板の外周に伝達される（図２８（Ａ））。高速信号は第２のビルドアップ層に属する導体層でプリント配線板の水平方向に所定の距離以上伝送されない。その所定の距離は例えば０．１ｍｍである。
【００１５】
最上の層間樹脂絶縁層に形成され高速信号用パッドと第１の信号線を接続するビア導体１６０ＣＨと第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇに形成され高速信号用パッドと第１の信号線を接続するビア導体６０ＧＨとの間に迂回配線が形成されても良い。この迂回配線によりインピーダンスが調整される。迂回配線ＷＵの例が図２２や図２３に示されている。迂回配線ＷＵは第１の層間樹脂絶縁層上や上側の層間樹脂絶縁層上に形成されている。第１の層間樹脂絶縁層上に形成されることが好ましい。ノイズが減る。最上の高速信号用ビア導体１６０ＣＨが上側の高速信号用ビア導体１６０ＡＨの直上に形成されているとき、上側の高速信号用ビア導体１６０ＡＨと第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体６０ＧＨ間に迂回配線が形成されることが好ましい（図２８（Ｂ））。ノイズが減る。図２８（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板の一部を示す断面図であり、図２７は図２８（Ｂ）のＷＵＸ１とＷＵＸ２間の平面図である。図２７にパッド（ビアパッド）ＶＰが描かれている。パッドＶＰの直上に上側の高速信号用ビア導体１６０ＡＨが形成されている。図２７に示されているように、パッドＶＰとビア導体６０ＧＨの間に迂回配線が形成されている。
第１のビルドアップ層の高速信号用の信号線を含む導体層は、第３の信号線５８ＥＬを有することができる（図３０）。第３の信号線により低速信号が伝送される。ここで、高速信号は１．０ＧＨｚ以上であり、低速信号は１００ＭＨｚ以下である。第３の信号線の幅は第１の信号線の幅より細い。
【００１６】
第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層で層間樹脂絶縁層の材質や厚みが異なるので、第１のビルドアップ層のビア導体と第２のビルドアップ層のビア導体の間に応力が集中し易い。その応力を小さくするため、最上の高速信号用ビア導体は上側の高速信号用ビア導体の直上に形成されていて、上側の高速信号用ビア導体と第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体はオフセットされることが好ましい。その例が図２５（Ａ）、（Ｂ）、（Ｅ）、（Ｆ）に示されている。第１のビルドアップ層のビア導体と第２のビルドアップ層のビア導体間で接続不良が発生しがたい。特に、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みが第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みより厚い場合、上側の高速信号用ビア導体と第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体をオフセットすることが好ましい。この場合、第２のビルドアップ層のビア導体は第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体のランドに繋がっていることが好ましい（図２４）。図２４（Ａ）は断面図であり、図２４（Ｂ）は平面図でありランドの上面を示している。
第１のビルドアップ層（上側の第１のビルドアップ層）と第２のビルドアップ層（上側の第２のビルドアップ層）で上側のビルドアップ層が形成される。上側の層間樹脂絶縁層が存在しない場合、図２４や図２５に示されているビア導体１６０ＡＨはビア導体１６０ＣＨに相当する。
【００１７】
コア基板３０の第２面Ｓ上に下側の第１のビルドアップ層５００Ｓが形成されている。下側の第１のビルドアップ層５００Ｓは上側の第１のビルドアップ層と同様である。下側の第１のビルドアップ層上に下側の第２のビルドアップ層６００Ｓが形成されている。下側の第２のビルドアップ層と上側の第２のビルドアップ層は同様である。下側の第１のビルドアップ層５００Ｓは４層の層間樹脂絶縁層５０Ｂ、５０Ｄ、５０Ｆ、５０Ｈを有する。下側の第２のビルドアップ層６００Ｓは２層の層間樹脂絶縁層１５０Ｂ、１５０Ｄを有する。下側の第１のビルドアップ層５００Ｓの層間樹脂絶縁層は、上側の第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層を含むことなく、上側の第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層のみで形成されても良い。
下側のビルドアップ層は交互に積層されている層間樹脂絶縁層と導体層で形成されていて、異なる層の導体層は層間樹脂絶縁層に形成れているビア導体で接続されている。下側の第１と第２のビルドアップ層で下側のビルドアップ層が形成されている。
【００１８】
上側の第２のビルドアップ層６００Ｆ上に開口７１Ａを有するソルダーレジスト層７０Ａが形成されている。下側の第２のビルドアップ層６００Ｓ上に開口７１Ｂを有するソルダーレジスト層７０Ｂが形成されている。ソルダーレジスト層の開口により露出している導体層１５８Ｃ、１５８Ｄやビア導体１６０Ｃ、１６０Ｄの上面はパッドとして機能する。パッド上にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの金属膜７２が形成され、その金属膜上に半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄが形成されている。上側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ７６Ｕを介してＩＣチップがプリント配線板に搭載される。下側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ７６Ｄを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。
【００１９】
下側の第２のビルドアップ層６００Ｓは最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｄを有している。また、下側の第２のビルドアップ層は最下の層間樹脂絶縁層を貫通し第１の信号線に電気的に繋がっている最下のビア導体１６０Ｄを有する。ビア導体１６０Ｄは最下の高速信号用ビア導体１６０ＤＨを含む。さらに、下側のビルドアップ層は最下の層間樹脂絶縁層上にマザーボードと接続するためのＢＧＡパッドＰＢを有する。下側のビルドアップ層のＢＧＡパッドＰＢは下側の高速信号用パッドＰＢＨを有する（図２８（Ｃ））。最下の高速信号用ビア導体と下側の高速信号用パッド間に図２２や図２３に示されている迂回配線が形成されていても良い。迂回配線は図２８（Ｃ）のＷＵＹ１とＷＵＹ２間の最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｄ上に形成されている。この迂回配線は最下の層間樹脂絶縁層上の導体層（最下の導体層）１５８Ｄに含まれる。この配線によりインピーダンスが制御される。
【００２０】
下側のビルドアップ層は上側のビルドアップ層と同様であってもよい。つまり、コア基板の第２面上に上側の第１のビルドアップ層と同様なビルドアップ層が形成されている。そして、下側の第１のビルドアップ層上に上側の第２のビルドアップ層と同様なビルドアップ層が形成されている。プリント配線板がこのようなビルドアップ層を有すると、コア基板の上下で構造が対称となるのでプリント配線板の反りが小さくなる。
【００２１】
高速信号は上側の高速信号用パッドから上側の第２のビルドアップ層のビア導体を介して第１の層間樹脂絶縁層上のビアパッドＶＰもしくは第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体６０ＧＨの上面ＶＵもしくは第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体のランドＶＬに至る。図２５（Ａ）、（Ｃ）、（Ｅ）は断面図である。図２５（Ｂ）は図２５（Ａ）のＸ−Ｘ部分の平面図であり、図２５（Ｄ）は図２５（Ｃ）のＹ−Ｙ部分の平面図であり、図２５（Ｆ）は図２５（Ｅ）のＺ−Ｚ部分の平面図である。図２５（Ａ）、（Ｂ）では、ビアパッドＶＰとビアランドＶＬ（第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体のランド）は配線ＶＰＬで繋がっている。図２５（Ｆ）ではビアパッドとビアランドが１つに成っている。ここで、第１の層間樹脂絶縁層上のビアパッドＶＰと第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体の上面ＶＵと第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体のランド（ビアランド）ＶＬは上側の第１のビルドアップ層への入力端子と称される。上側の第１のビルドアップ層への入力端子と上側の高速信号用パッド間に形成されている第２のビルドアップ層のビア導体はスタックビアであることが好ましい。スタックビアでは図２６に示されている様に上のビア導体が下のビア導体上に積層されている。さらに、第２のビルドアップ層のスタックビアは上側の高速信号用パッドの直下に形成されていることが好ましい。高速信号のノイズが減る。上側の高速信号用パッドと上側の第１のビルドアップ層への入力端子との間で高速信号が第２のビルドアップ層内の配線で水平方向に伝送される場合、その距離は０．１ｍｍ以下であることが好ましい。高速信号の伝送損失が減少する。
【００２２】
上側の第１のビルドアップ層への入力端子は第１の層間樹脂絶縁層のビア導体の上面である場合、高速信号が第１ビルドアップ層に最短距離で伝送される。
上側の第１のビルドアップ層への入力端子がビアパッドＶＰである場合、ビアパッドと第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体６０ＧＨ間に迂回配線ＷＵが存在することが好ましい。その例が図２７に示される。インピーダンスが制御される。迂回配線が存在しない場合、両者の間隔は０．１ｍｍ以下であることが好ましい。高速信号の伝送損失が減少する。
【００２３】
上側の第１のビルドアップ層への入力端子がビアランドである場合、上側の第１のビルドアップ層のビア導体と上側の第２のビルドアップ層のビア導体間の接続信頼性が高い。上側の高速信号用ビア導体と第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体との間の距離Ｋは０．１ｍｍ以下であることが好ましい（図２４（Ｂ））。高速信号の伝送損失が減少する。
第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みが３０μｍ以上であって、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みを第２のビルアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みで割ることで得られる値が１より大きい場合、第１のビルドアップ層への入力端子がビアランドやビアパッドであると、第１のビルドアップ層への入力端子と上側の第２のビルドアップ層の高速信号用ビア導体間の剥がれが発生しがたい。
【００２４】
第１のビルドアップ層への入力端子から上側の第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体６０ＧＨを介して高速信号は第１の信号線５８ＥＨに至る。そして、その信号線で高速信号はプリント配線板の水平方向に伝送される（図２８（Ａ）、（Ｂ））。ここで、水平方向は絶縁基材の第１面に略平行な方向である。第１の信号線はストリップラインなので、高速信号の伝送損失が低くなる。
プリント配線板が第３の信号線を有する場合、第３の信号線の幅は第１の信号線の幅より小さいことが好ましい。プリント配線板のサイズが小さくなる。伝送距離が短くなるので高速信号の伝送損失が減少する。高速信号伝送と高密度化が可能となる。第３の信号線はストリップラインでなくても良い。第３の信号線は第１の信号線を挟んでいるグランド層で挟まないことが好ましい。信号が劣化し難い。
【００２５】
第１実施形態では、ビルドアップ層が第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層で形成され、第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層で高速信号に対する役割が変えられている。第１のビルドアップ層で高速信号は主として水平方向に伝送され、第２のビルドアップ層で高速信号は主として垂直方向に伝送される。垂直方向は絶縁基材の第１面に垂直な方向である。第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層で高速信号に対する機能が変えられているので、第１実施形態のプリント配線板は例えば、１．０ＧＨｚ以上の高速信号を低損失で伝送することができる。プリント配線板が薄くて小さくなる。このように、第１と第２のビルドアップ層で役割が異なるので、第１実施形態では、第１と第２のビルドアップ層で層間樹脂絶縁層の厚みが異なる。もしくは、第１と第２のビルドアップ層で層間樹脂絶縁層の材質が異なる。
【００２６】
第１実施形態では、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層と第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層で材質が異なる。例えば、両者で比誘電率や誘電正接が異なる。もしくは、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みと第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みが異なる。そのため、第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層で高速信号に関する特性が変わる。高周波の信号と低周波の信号を低損失で伝送することができる。
【００２７】
第１実施形態のプリント配線板が第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層を有することで、複数の周波数の信号（低速信号と高速信号）が低損失で伝送される。また、第１の信号線と第１の信号線を挟むグランド層との間の層間樹脂絶縁層が単一の材質であるため、電界が不均衡になり難い。そのため、高速信号の信号波形が崩れ難い。ノイズが生じ難い。
【００２８】
第１実施形態のプリント配線板では、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の層数は４層である。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の層数は偶数であることが望ましい。層数が偶数であれば、高速信号用の配線が層間樹脂絶縁層を介してグランド層で挟まれる。ストリップラインが形成されるので、低損失で高周波の信号を伝送することができる。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の層数は２層もしくは４層であることが好ましい。層間樹脂絶縁層の層数が２層であると、プリント配線板が薄くなる。配線の長さが短くなるので、損失が低下する。層間樹脂絶縁層の層数が４層であると、高速信号用の入出力端子が多くても効率的に高速信号を伝送することができる。４層が望ましい。
【００２９】
図２は、図１のプリント配線板の一部を拡大して示す。
以下に、層間樹脂絶縁層の比誘電率の値や誘電正接の値や層間樹脂絶縁層の厚みや導体層の厚みなどが示されている。それらの値は一例である。
コア基板の絶縁基材３０zは、ガラスクロス等の心材を有する。絶縁基材３０zの比誘電率は４．８であり、誘電正接は０．０１５である。絶縁基材３０zの厚みＺ１は６００μｍであり、第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有する。絶縁基材３０zの第１面上の上側の導体層３４Ａと絶縁基材３０ｚの第２面上の下側の導体層３４Ｂの厚みａ３、ｂ３は２１μｍである。
【００３０】
上側の第１のビルドアップ層５００Ｆの１層目の第４の層間樹脂絶縁層５０Ａはコア基板上に直接形成されていて、その厚みＡ１は６０μｍである。第４の層間樹脂絶縁層５０Ａ上の導体層５８Ａの厚みａ１は１５μｍである。２層目の第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃの厚みＣ１は６０μｍであり、第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃ上の導体層５８Ｃの厚みｃ１は１５μｍである。３層目の第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅの厚みＥ１は６０μｍである。第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅ上の導体層５８Ｅの厚みｅ１は１５μｍである。４層目の第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇの厚みＧ１は６０μｍである。第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇ上の導体層５８Ｇの厚みｇ１は１５μｍである。
【００３１】
上側の第２のビルドアップ層６００Ｆの上側の層間樹脂絶縁層１５０Ａは上側の第１のビルドアップ層の第１の層間樹脂絶縁層上に形成されていて、その厚みＡ２は３０μｍである。上側の層間樹脂絶縁層上の導体層１５８Ａの厚みａ２は１２μｍである。上側の層間樹脂絶縁層上の最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｃの厚みＣ２は３０μｍである。最上の層間樹脂絶縁層上の最上の導体層１５８Ｃの厚みｃ２は１２μｍである。上側のビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ａの厚みＪは２１μｍである。第２のビルドアップ層の導体層の厚みが第１のビルドアップ層の導体層の厚みより薄いのでプリント配線板の反りが小さくなる。
【００３２】
下側の第１のビルドアップ層５００Ｓの１層目の第４の層間樹脂絶縁層５０Ｂはコア基板の第２面上に直接形成されていて、その厚みＢ１は６０μｍである。第４の層間樹脂絶縁層５０Ｂ上の導体層５８Ｂの厚みｂ１は１５μｍである。２層目の第３の層間樹脂絶縁層５０Ｄの厚みＤ１は６０μｍである。第３の層間樹脂絶縁層５０Ｄ上の導体層５８Ｄの厚みｄ１は１５μｍである。３層目の第２の層間樹脂絶縁層５０Ｆの厚みＦ１は６０μｍである。第２の層間樹脂絶縁層５０Ｆ上の導体層５８Ｆの厚みｆ１は１５μｍである。４層目の第１の層間樹脂絶縁層５０Ｈの厚みＨ１は６０μｍである。第１の層間樹脂絶縁層５０Ｈ上の導体層５８Ｈの厚みｈ１は１５μｍである。
【００３３】
下側の第１のビルドアップ層５００Ｓ上に下側の第２のビルドアップ層６００Ｓの下側の層間樹脂絶縁層１５０Ｂが形成されていて、その厚みＢ２は３０μｍである。下側の層間樹脂絶縁層上の導体層１５８Ｂの厚みｂ２は１２μｍである。下側の層間樹脂絶縁層上の最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｄの厚みＤ２は３０μｍである。最下の層間樹脂絶縁層上の導体層１５８Ｄの厚みｄ２は１２μｍである。最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｄ上のソルダーレジスト層７０Ｂ上の厚みＫは２１μｍである。
【００３４】
上側と下側の第１のビルドアップ層５００Ｆ、５００Ｓの層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｃ、５０Ｅ、５０Ｇ、５０Ｂ、５０Ｄ、５０Ｆ、５０Ｈは、ガラスクロス等の補強材を有している。上側と下側の第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率は３．９であり、誘電正接は０．００９である。上側と下側の第２のビルドアップ層６００Ｆ、６００Ｓの層間樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｃ、１５０Ｂ、１５０Ｄは、補強材を有さず、それぞれの厚みは３０μｍである。そして、それらの比誘電率は３．１であり、誘電正接は０．０１９である。ソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂの比誘電率は３．５５であり、誘電正接は０．０２４である。
【００３５】
図２１（Ａ）は、第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇと第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅと第３の層間樹脂絶縁層上の導体層に含まれるグランド層５８ＣＧと第１の層間樹脂絶縁層と第２の層間樹脂絶縁層に挟まれる高速信号用の配線（第１の信号線）５８ＥＨと第１の層間樹脂絶縁層上のグランド層５８ＧＧを示している。高速信号用の配線はグランド層５８ＣＧとグランド層５８ＧＧで挟まれストリップラインが形成されている。また、第１の信号線５８ＥＨは第１の信号線を含む導体層５８Ｅ内のグランド配線５８ＥＧで囲まれている。ここで、高速信号用の配線５８ＥＨの厚みは１５μｍであって幅は２８μｍでる。そして、６ＧＨｚの高周波において高速信号用の配線は９０Ωの特性インピーダンスを持ち、伝送損失は１．５ｄＢ以下である。同様に、第３と第４の層間樹脂絶縁層に挟まれる高速信号用の配線（第２の信号線）と第２の信号線を挟んでいる第３の層間樹脂絶縁層の表面に形成されているグランド層とコア基板のグランド層でストリップラインが形成されている。
【００３６】
第１実施形態のプリント配線板では、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の層数は４層である。
【００３７】
図２１（Ｂ）は、第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅ上の導体層５８Ｅの一部を示している。導体層５８Ｅは、図２１（Ａ）に示されている高速信号用の配線５８ＥＨと低速信号用の配線５８ＥＬを含む。高速信号用の配線の幅は２８μｍであり、この配線で約６ＧＨｚ以上の信号が伝送される。低速信号用の配線の幅は１４μｍであり、この配線で約１００ＭＨｚ以下の信号が伝送される。
【００３８】
第１実施形態のプリント配線板は、信号を伝送するための配線として、幅の広い高速信号用配線と細い低速信号用配線を有する。高速信号用配線の幅が広いので、抵抗が小さくなる。高周波領域でインピーダンスが整合される。また、低速信号が細い配線で伝送される。プリント配線板が小さくなる。高速信号の伝送距離が短くなるので、高速信号の伝送損失が小さくなる。
【００３９】
第１実施形態のプリント配線板では、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みが、第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みと異なる。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みは第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みより厚い。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の材質は第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の材質と異なる。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率は第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率より大きい。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層と第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層で厚みと材質の一方もしくは両方を変えることで、１つのプリント配線板内で複数の周波数の信号が低損失で伝送される。複数の周波数は例えば１．０ＧＨｚ以上の周波数と１００ＭＨｚ以下の周波数である。ここで、第１のビルドアップ層は、高速信号用の配線を有する。第１のビルドアップ層は低速信号用の配線も有してもよい。一方、第２のビルドアップ層には、低速信号用の配線が主として形成されている。
【００４０】
第２のビルドアップ層に高速信号用の配線が形成される場合、その長さは０．１ｍｍ以下である。
第１のビルドアップ層は高速信号を伝送することに適し、第２のビルドアップ層は低速信号を伝送することに適している。高速信号を伝送するため、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みが厚い。第２のビルドアップ層は低速信号を伝送することに適しているので、第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みは薄い。高周波信号の減衰が小さくなる。プリント配線板の厚みが薄くなる。また、第１のビルドアップ層の各層の層間樹脂絶縁層が、単一の材料で形成されている。電界が不均衡になりがたい。信号波形が崩れ難い。ノイズが発生しがたい。
【００４１】
第１実施形態のプリント配線板では、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率は、２．０から３．９であり、且つ、第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率より大きい。第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率は２．０から３．５であることが好ましい。また、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みは、３０μｍから２００μｍであり、且つ、第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みよりも厚い。第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みは１０μｍから３０μｍである。このため、第１のビルドアップ層は、高周波の信号を低損失で伝送することができる。
【００４２】
第１実施形態のプリント配線板では、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の誘電正接は第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の誘電正接より低い。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の誘電正接は０．００１から０．０１であり、第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の誘電正接は０．０１から０．０２である。第１のビルドアップ層は、高周波の信号を低損失で伝送することができる。
【００４３】
第１実施形態のプリント配線板では、第１のビルドアップ層５００Ｆ、５００Ｓの層間樹脂絶縁層は補強材を有し、第２のビルドアップ層６００Ｆ、６００Ｓの層間樹脂絶縁層は補強材を有しない。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みが第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みより厚く、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層が補強材を有するため、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の上面が平坦になりやすい。そのため、高速信号用の配線の幅や厚みの制御が容易となる。インピーダンスの整合が容易となる。また、第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層が心材を有するため、プリント配線板の反りが小さくなる。高速信号の伝送損失が低下する。
【００４４】
第１実施形態のプリント配線板では、第１のビルドアップ層の第１の層間樹脂絶縁層と第２の層間樹脂絶縁層で挟まれる導体層の厚みや第１のビルドアップ層の第３の層間樹脂絶縁層と第４の層間樹脂絶縁層で挟まれる導体層の厚みは第２のビルドアップ層の導体層の厚みより厚い。高速信号用の配線と同じ層に形成されている導体層の厚みは第２のビルドアップ層の導体層の厚みより厚い。それ以外の第１のビルドアップ層の導体層の厚みは第２のビルドアップ層の導体層と同様に高速信号用の配線の厚みより薄くてもよい。プリント配線板が薄くなる。第１のビルドアップ層の高速信号用の配線の厚みは第１のビルドアップ層のグランド層の厚みより厚く、第１のビルドアップ層のグランド層の厚みは第２のビルドアップ層の導体層の厚み以上であると、高速信号が低損失で伝送される。プリント配線板の厚みが薄くなる。
高速信号用の配線の抵抗が小さくなる。高周波領域でインピーダンスの整合が容易になる。
【００４５】
図２９は、第１実施形態のプリント配線板の断面の一部を示している。この例では、上側の高速信号用パッド１５８ＣＰＨと第１の信号線５８ＥＨがスタックビアで接続されていない。第１の信号線５８ＥＨと第１の層間樹脂絶縁層の高速信号用ビア導体６０ＧＨのビアパッドＶＰ間に迂回配線ＷＵが形成されている（図２７）。図２９の３０Ｘと３０Ｙ間に図２７（Ａ）、（Ｂ）に示される迂回配線と同様な迂回配線が形成されている。ビア導体から高速信号用の配線に高速信号が移るとき、反射等によりインピーダンスが変化する。迂回配線を形成することでインピーダンスが整合される。高速信号の周波数が６ＧＨｚ以上であっても、高速信号用の配線のインピーダンスは９０Ωに整合される。
迂回配線の形状はＵの形状や弧の形状である。
高速信号用の配線を挟むグランド層と同じ層に迂回配線が形成されている場合、迂回配線とグランド層の厚みは高速信号用の配線と略同じ厚みを有する。
【００４６】
第１実施形態のプリント配線板では、特性インピーダンスを整合するため、高速信号伝送用のビア導体と高速信号用の配線との間に迂回配線が形成される。高速信号がビア導体でプリント配線板の断面方向に伝送され、その後、高速信号用の配線でプリント配線板の水平方向に高速信号が伝送される場合、ビア導体と高速信号用の配線との間に迂回配線を形成することで、インピーダンスが整合される。迂回配線を有する経路は高周波の信号を伝送する経路に適している。
【００４７】
図２２（Ｂ）は最下の層間樹脂絶縁層上の導体層（最下の導体層）１５８Ｄの一部を示している。図中の左側の円形の導体パターンはマザーボードと接続するためのＢＧＡパッドＰＢＨであり、そのパッドＰＢＨ上に半田バンプ７６Ｄが形成される。半田バンプと導体層で材質が異なるため、インピーダンスが低下する。このため、ＢＧＡパッドＰＢＨと最下の層間樹脂絶縁層に形成されている高速信号用のビア導体１６０ＤＨとの間に迂回配線ＷＵが形成されている。ビア導体１６０ＤＨの周りの導体はビア導体１６０ＤＨのランド１６０ＤＶＬである。これにより、例えば、６ＧＨｚの高周波な信号に対してインピーダンスが９０Ωに保たれる。図２２（Ｂ）に関わる断面が図２８（Ｃ）に示されている。
【００４８】
第１実施形態のプリント配線板では、マザーボードと接続するＢＧＡパッドと最下の層間樹脂絶縁層のビア導体１６０ＤＨ間に特性インピーダンスを調整するための迂回配線が形成されている。このため、半田バンプでのインピーダンスの低下が抑制される。
【００４９】
迂回配線ＷＵは、上下で隣接するビア導体のランドＶＬと受けパッド（Receiving Pad）ＶＰ間に形成されてもよい（図２３（Ａ）、（Ｂ））。迂回配線で特性インピーダンスが高くなる。迂回配線の形状はコイル状やＵの形状や弧状やＬ字状、矩形状であることが好ましい。図２３（Ａ）、（Ｂ）は、迂回配線の例を示す。図２３（Ｃ）は断面図である。図２３（Ａ）、（Ｂ）は、図２３（Ｃ）のＶＸとＶＹ間の平面図である。
【００５０】
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図３〜図１０に示される。
（１）絶縁基材３０zとその両面に銅箔２２が積層されている両面銅張積層板３０Ｚが出発材料である。絶縁基材の厚さは、６００μｍである。絶縁基材は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する。銅箔２２の表面に図示されない黒化処理が施される（図３（Ａ））。
【００５１】
（２）絶縁基材３０ｚにレーザが照射され、スルーホール導体用の貫通孔３１が形成される（図３（Ｂ））。
【００５２】
（３）無電解めっき処理により無電解めっき膜２４が貫通孔３１の内壁と銅箔２２上に形成される（図３（Ｃ））。
【００５３】
（４）無電解めっき膜２４上にめっきレジスト２６が形成される（図３（Ｄ））。
【００５４】
（５）電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜２８が形成される。貫通孔内にスルーホール導体３６が形成される。スルーホール導体３６は貫通孔の内壁に形成されている無電解めっき膜２４と貫通孔を充填している電解めっき膜２８で形成される（図３（Ｅ））。
【００５５】
（６）めっきレジストが剥離され、電解めっき膜間の無電解めっき膜２４と銅箔２２が除去され、導体層３４Ａ、３４Ｂが形成される（図４（Ａ））。導体層３４Ａはグランド層を含む。導体層３４Ａ、３４Ｂの厚みは１５μｍである。コア基板が完成する。
【００５６】
（７）コア基板３０上にＢ−ステージのプリプレグが積層される。プリプレグは、ガラスクロスと樹脂とガラス粒子などの無機粒子を含む。コア基板の第１面と第２面上のプリプレグが硬化される。コア基板の第１面と第２面上に上側と下側の第１のビルドアップ層の１層目の第４の層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂが形成される（図４（Ｂ））。第４の層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂの厚みは６０μｍである。層間樹脂絶縁層の厚みは、図２１に示されているように、導体層の上面から層間樹脂絶縁層の上面までの距離である。層間樹脂絶縁層の厚みは導体層間の距離ＩＬである（図２１）。
【００５７】
（８）第４の層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂに導体層３４Ａ、３４Ｂやスルーホール導体３６に至るビア導体用の開口５１Ａ、５１Ｂが形成される（図４（Ｃ））。第４の層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂに粗面が形成される（図示せず）。
【００５８】
（９）無電解めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と第４の層間樹脂絶縁層上に無電解めっき膜５２が形成される（図４（Ｄ））。
【００５９】
（１０）無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図５（Ａ））。
【００６０】
（１１）電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜５２上に電解めっき膜５６が形成される（図５（Ｂ））。
【００６１】
（１２）めっきレジスト５４が除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解銅めっき膜５２が除去され、無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６からなる導体層５８Ａ、５８Ｂが形成される。導体層５８Ａ、５８Ｂは複数の導体回路やビア導体のランドを含む（図５（Ｃ））。導体層５８Ａ、５８Ｂの厚みは１５μｍである。導体層５８Ａは高速信号用の配線（第２の信号線）と低速信号用の配線を含む。導体層５８Ａ、５８Ｂの表面が粗化される（図示せず）。
【００６２】
（１３）図４（Ｂ）〜図５（Ｃ）の処理が繰り返される。第４の層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｂと導体層５８Ａ、５８Ｂ上に２層目の第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃ、５０Ｄが形成される。第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃ、５０Ｄ上に導体層５８Ｃ、５８Ｄが形成される。導体層５８Ｃはグランド層やビア導体のランドを含む。導体層５８Ｃ、５８Ｄと導体層５８Ａ、５８Ｂは第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃ、５０Ｄに形成されているビア導体６０Ｃ、６０Ｄで接続される。
【００６３】
第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃ、５０Ｄと導体層５８Ｃ、５８Ｄ上に３層目の第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅ、５０Ｆが形成される。第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅ、５０Ｆ上に導体層５８Ｅ、５８Ｆが形成される。導体層５８Ｅは高速信号用の配線（第１の信号線）と低速信号用の配線（第３の信号線）を含む。導体層５８Ｃ、５８Ｄと導体層５８Ｅ、５８Ｆは第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅ、５０Ｆに形成されているビア導体６０Ｅ、６０Ｆで接続される。
【００６４】
第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅ、５０Ｆと導体層５８Ｅ、５８Ｆ上に４層目の第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇ、５０Ｈが形成される。第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇ、５０Ｈ上に導体層５８Ｇ、５８Ｈが形成される。導体層５８Ｇはグランド層やビア導体のランドを含む。導体層５８Ｇ、５８Ｈと導体層５８Ｅ、５８Ｆは第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇ、５０Ｈに形成されているビア導体６０Ｇ、６０Ｈで接続される。
コア基板の第１面に上側の第１のビルドアップ層５００Ｆが形成され、コア基板の第２面に下側の第１のビルドアップ層５００Ｓが形成される（図６（Ａ））。上側と下側の第１のビルドアップ層に属する各層間樹脂絶縁層の厚みは同じである。第１実施形態では、層間樹脂絶縁層の厚みは６０μｍである。上側と下側の第１のビルドアップ層に属する各導体層の厚みは同じである。第１実施形態では、導体層の厚みは１５μｍである。
【００６５】
（１４）上側と下側の第１のビルドアップ層５００Ｆ、５００Ｓ上に層間絶縁層用樹脂フィルムが積層される。層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムは補強材を有していない。層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムが硬化される。上側と下側の第１のビルドアップ層５００Ｆ、５００Ｓ上に上側と下側の第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂが形成される（図６（Ｂ））。層間樹脂絶縁層１５０Ａは上側の層間樹脂絶縁層であり、層間樹脂絶縁層１５０Ｂは下側の層間樹脂絶縁層である。層間樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂの厚みは３０μｍである。
【００６６】
（１５）層間樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂにビア導体用の開口１５１Ａ、１５１Ｂが形成される（図７（Ａ））。層間樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂに粗面が形成される（図示せず）。
【００６７】
（１６）無電解めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と層間樹脂絶縁層上に無電解銅めっき膜１５２が形成される（図７（Ｂ））。
【００６８】
（１７）無電解銅めっき膜１５２上にめっきレジスト１５４が形成される（図８（Ａ））。
【００６９】
（１８）電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜１５２上に電解めっき膜１５６が形成される（図８（Ｂ））。
【００７０】
（１９）めっきレジスト１５４が５％ＮａＯＨで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解銅めっき膜１５２がエッチングにて除去され、無電解銅めっき膜１５２と電解めっき膜１５６からなる導体層１５８Ａ、１５８Ｂが形成される（図９（Ａ））。導体層１５８Ａ、１５８Ｂの表面が粗化される（図示せず）。
【００７１】
（２０）図６（Ｂ）〜図９（Ａ）の処理が繰り返され、層間樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂと導体層１５８Ａ、１５８Ｂ上に最上と最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｃ、１５０Ｄが形成される。最上の層間樹脂絶縁層は上側の第２のビルドアップ層６００Ｆに属し、最下の層間樹脂絶縁層は下側の第２のビルドアップ層６００Ｓに属する。最上と最下の層間樹脂絶縁層上に導体層１５８Ｃ、１５８Ｄが形成される。導体層１５８Ｃ、１５８Ｄと導体層１５８Ａ、１５８Ｂは最上と最下の層間樹脂絶縁層に形成されている最上と最下のビア導体１６０Ｃ、１６０Ｄで接続される（図９（Ｂ））。上側と下側の第２のビルドアップに属する各層間樹脂絶縁層と各導体層の厚みは同じである。層間樹脂絶縁層の厚みは３０μｍであり、導体層の厚みは１３μｍである。
【００７２】
（１７）上側と下側の第２のビルドアップ層上に開口７１Ａ、７１Ｂを有するソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂが形成される（図１０（Ａ））。開口７１Ａ、７１Ｂは導体層やビア導体の上面を露出する。その部分はパッドとして機能する。
【００７３】
（１８）パッド上にニッケル層とニッケル層上の金層で形成される金属膜７２が形成される（図１０（Ｂ））。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる金属膜が挙げられる。
【００７４】
（１９）この後、上側のビルドアップ層のパッドに半田バンプ７６Ｕが形成され、下側のビルドアップ層のパッドに半田バンプ７６Ｄが形成される。半田バンプを有するプリント配線板１０が完成する（図１）。
【００７５】
半田バンプ７６Ｕを介してＩＣチップがプリント配線板１０へ実装される（図示せず）。その後、半田バンプ７６Ｄを介してプリント配線板がマザーボードに搭載される。上側のビルドアップ層上にＩＣチップが実装される。
【００７６】
[第２実施形態]
図１１に本発明の第２実施形態に係るプリント配線板１０の断面が示されている。そのプリント配線板１０は、第１面（Ｆ）とその第１面と反対側の第２面（Ｓ）を有する絶縁基材１３０zと絶縁基材１３０ｚの第１面上の導体層１３４Ａと絶縁基材１３０ｚの第２面上の導体層１３４Ｂと導体層１３４Ａと導体層１３４Ｂを接続しているビア導体１３６で形成されているコア基板１３０を有する。導体層１３４Ａはグランド層を有する。
【００７７】
コア基板の第１面と絶縁基材の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基材の第２面は同じ面である。コア基板３０の第１面Ｆ上に上側の第１のビルドアップ層４５０Ｆが形成されている。上側の第１のビルドアップ層４５０Ｆはコア基板１３０の第１面Ｆ上に形成されている４層の層間樹脂絶縁層２５０Ａ、２５０Ｃ、２５０Ｅ、２５０Ｇを有する。第２実施形態の上側の第１のビルドアップ層は、第１実施形態の上側の第１のビルドアップ層と同様である。
【００７８】
１層目の第４の層間樹脂絶縁層２５０Ａ上に導体層２５８Ａが形成されている。導体層２５８Ａは高速信号を伝送する信号線を有する。導体層２５８Ａは低速信号を伝送する信号線を有しても良い。第４の層間樹脂絶縁層を貫通し導体層２５８Ａと導体層１３４Ａとを接続するビア導体２６０Ａが第４の層間樹脂絶縁層２５０Ａに形成されている。２層目の第３の層間樹脂絶縁層２５０Ｃが第４の層間樹脂絶縁層２５０Ａと導体層２５８Ａ上に形成されている。第３の層間樹脂絶縁層上に導体層２５８Ｃが形成されている。導体層２５８Ｃはグランド層を有する。第３の層間樹脂絶縁層を貫通し導体層２５８Ｃと導体層２５８Ａとを接続するビア導体２６０Ｃが第３の層間樹脂絶縁層に形成されている。３層目の第２の層間樹脂絶縁層２５０Ｅが第３の層間樹脂絶縁層２５０Ｃと導体層２５８Ｃ上に形成されている。第２の層間樹脂絶縁層上に導体層２５８Ｅが形成されている。第２の層間樹脂絶縁層を貫通し導体層２５８Ｅと導体層２５８Ｃとを接続するビア導体２６０Ｅが第２の層間樹脂絶縁層に形成されている。導体層２５８Ｅは高速信号を伝送する信号線を有する。導体層２５８Ｅは低速信号を伝送する信号線を有しても良い。４層目の第１の層間樹脂絶縁層２５０Ｇが第２の層間樹脂絶縁層２５０Ｅと導体層２５８Ｅ上に形成されている。第１の層間樹脂絶縁層上に導体層２５８Ｇが形成されている。導体層２５８Ｇはグランド層を含む。第１の層間樹脂絶縁層を貫通し導体層２５８Ｇと導体層２５８Ｅとを接続するビア導体２６０Ｇが第１の層間樹脂絶縁層に形成されている。導体層２５８Ａ内の高速信号用の信号線はコア基板のグランド層と第３の層間樹脂絶縁層上のグランド層上で挟まれている。導体層２５８Ｅ内の高速信号用の信号線は第３の層間樹脂絶縁層上のグランド層と第１の層間樹脂絶縁層上のグランド層で挟まれている。
【００７９】
上側の第１のビルドアップ層４５０Ｆの第１の層間樹脂絶縁層２５０Ｇ上に、上側の第２のビルドアップ層の１層目の第３の層間樹脂絶縁層３５０Ａが形成されている。層間樹脂絶縁層３５０Ａ上に導体層３５８Ａが形成されている。第３の層間樹脂絶縁層３５０Ａを貫通し導体層３５８Ａと導体層２５８Ｇとを接続するビア導体３６０Ａが第３の層間樹脂絶縁層３５０Ａに形成されている。第３の層間樹脂絶縁層３５０Ａ上に上側の第２のビルドアップ層の２層目の第２の層間樹脂絶縁層３５０Ｃが形成されている。層間樹脂絶縁層３５０Ｃ上に導体層３５８Ｃが形成されている。第２の層間樹脂絶縁層３５０Ｃを貫通し導体層３５８Ｃと導体層３５８Ａとを接続するビア導体３６０Ｃが第２の層間樹脂絶縁層３５０Ｃに形成されている。第２の層間樹脂絶縁層３５０Ｃ上に３層目の第１の層間樹脂絶縁層３５０Ｅが形成されている。第１の層間樹脂絶縁層３５０Ｅ上に導体層（最上の導体層）３５８Ｅが形成されている。第１の層間樹脂絶縁層３５０Ｅを貫通し導体層３５８Ｅと導体層３５８Ｃとを接続するビア導体３６０Ｅが第１の層間樹脂絶縁層３５０Ｅに形成されている。
【００８０】
コア基板１３０の第２面Ｓ上に上側の第１のビルドアップ層４５０Ｆと同様なビルドアップ層（下側の第１のビルドアップ層）４５０Ｓが形成されている。下側の第１のビルドアップ層上に上側の第２のビルドアップ層５５０Ｆと同様なビルドアップ層（下側の第２のビルドアップ層）５５０Ｓが形成されている。
【００８１】
コア基板の各導体層の厚みと上側と下側の第１のビルドアップ層に属する各導体層の厚みは同じで３５μｍである。上側と下側の第１のビルドアップ層に属する各層間樹脂絶縁層の厚みは４５μｍである。
上側と下側の第２のビルドアップ層に属する各導体層の厚みは１５μｍである。上側と下側の第２のビルドアップ層に属する各層間樹脂絶縁層の厚みは３０μｍである。
上側の第１のビルドアップ層と上側の第２のビルドアップ層で上側のビルドアップ層が形成され、下側の第１のビルドアップ層と下側の第２のビルドアップ層で下側のビルドアップ層が形成されている。
【００８２】
上側のビルドアップ層上に開口１７１Ａを備えるソルダーレジスト層（上側のソルダーレジスト層）１７０Ａが形成されている。下側のビルドアップ層上に開口１７１Ｂを有するソルダーレジスト層（下側のソルダーレジスト層）１７０Ｂが形成されている。ソルダーレジスト層の開口により露出している導体層３５８Ｅ、３５８Ｆやビア導体３６０Ｅ、３６０Ｆの上面はパッドとして機能する。パッド上にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの金属膜１７２が形成され、その金属膜上に半田バンプ１７６Ｕ、１７６Ｄが形成されている。
【００８３】
第２実施形態のプリント配線板のコア基板の厚みは第１実施形態のコア基板の厚みより薄い。
【００８４】
図１２は、図１１のプリント配線板の一部を拡大して示す。
コア基板を構成する絶縁基材１３０zは、ガラスクロス等の補強材を有する。絶縁基材の比誘電率は３．９であり、誘電正接は０．００９である。絶縁基材３０zの厚みＺ１は６０μｍである。絶縁基材１３０zの第１面上の導体層１３４Ａの厚みａ１と第２面上の導体層１３４Ｂの厚みｂ１は３５μｍである。
【００８５】
上側と下側の第１のビルドアップ層の各層間樹脂絶縁層の厚みは４５μｍである。上側と下側の第１ビルドアップ層の各導体層の厚みは３５μｍである。上側と下側の第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層（２５０Ａ、２５０Ｃ、２５０Ｅ、２５０Ｇ、２５０Ｂ、２５０Ｄ、２５０Ｆ、２５０Ｈ）はガラスクロスなどの補強材とシリカなどの無機粒子を含む。
【００８６】
上側と下側の第２のビルドアップ層の各層間樹脂絶縁層の厚みは３０μｍである。上側と下側の第２のビルドアップ層の各導体層の厚みは１５μｍである。上側と下側のソルダーレジスト層の厚みは２１μｍである。層間樹脂絶縁層の厚みの測定間隔は図２１に示される。上側と下側の第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層（３５０Ａ、３５０Ｃ、３５０Ｅ、３５０Ｂ、３５０Ｄ、３５０Ｆ）はシリカなどの無機粒子を含むが、ガラスクロスなどの補強材を含まない。
【００８７】
上側と下側の第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率は３．９であり、誘電正接は０．００９である。上側と下側の第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率は３．１であり、誘電正接は０．０１９である。上側と下側のソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂの比誘電率は３．５５であり、誘電正接は０．０２４である。
【００８８】
第２実施形態のプリント配線板はコア基板が薄いので、高速信号伝送に適する。第２実施形態のプリント配線板は第１実施形態と同様な迂回配線を備える。また、第２実施形態と第１実施形態では、同様なビルドアップ層を有するので、第２実施形態のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板と同様な効果を有する。
【００８９】
第２実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１３〜図１８に示される。
（１）絶縁基材１３０zとその両面に銅箔１２２が積層されている両面銅張積層板１３０Ｚが出発材料である。絶縁基材の厚さは、６０μｍである。絶縁基材は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する。銅箔１２２の表面に図示されない黒化処理が施される（図１３（Ａ））。
【００９０】
（２）絶縁基材１３０ｚにレーザが照射され、ビア導体用の開口１３１が形成される（図１３（Ｂ））。第２実施形態では、出発材料に形成される開口１３１は非貫通孔である。
【００９１】
（３）無電解めっき処理により無電解めっき膜１２４が開口１３１の内壁と銅箔１２２上に形成される（図１３（Ｃ））。
【００９２】
（４）無電解めっき膜１２４上にめっきレジスト１２６が形成される（図１３（Ｄ））。
【００９３】
（５）電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜１２８が形成される。開口内にビア導体１３６が形成される。ビア導体１３６は貫通孔の内壁に形成されている無電解めっき膜１２４と開口を充填している電解めっき膜１２８で形成される（図１３（Ｅ））。
【００９４】
（６）めっきレジストが除去され、電解めっき膜間の無電解めっき膜１２４が除去される。導体層１３４Ａ、１３４Ｂが形成される（図１３（Ｆ））。第２実施形態のコア基板１３０が完成する。第１実施形態のプリント配線板のコア基板を第２実施形態のコア基板に置き換えることができる。
【００９５】
（７）コア基板１３０上にＢ−ステージのプリプレグが積層される。プリプレグは、ガラスクロスと樹脂と無機粒子を含む。コア基板の第１面と第２面上のプリプレグが硬化される。コア基板の第１面と第２面上に１層目の第４の層間樹脂絶縁層２５０Ａ、２５０Ｂが形成される（図１３（Ｇ））。
【００９６】
（８）第４の層間樹脂絶縁層２５０Ａ、２５０Ｂに導体層１３４Ａ、１３４Ｂやビア導体１３６に至るビア導体用の開口２５１Ａ、２５１Ｂが形成される（図１４（Ａ））。第４の層間樹脂絶縁層２５０Ａ、２５０Ｂに粗面が形成される（図示せず）。
【００９７】
（９）無電解めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と第４の層間樹脂絶縁層２５０Ａ、２５０Ｂ上に無電解銅めっき膜２５２が形成される（図１４（Ｂ））。
【００９８】
（１０）無電解銅めっき膜２５２上にめっきレジスト２５４が形成される（図１４（Ｃ））。
【００９９】
（１１）電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜２５２上に電解めっき膜２５６が形成される（図１４（Ｄ））。
【０１００】
（１２）めっきレジスト２５４が５％ＮａＯＨで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解銅めっき膜２５２がエッチングにて除去され、無電解銅めっき膜２５２と電解めっき膜２５６からなる導体層２５８Ａ、２５８Ｂが形成される（図１４（Ｅ））。導体層２５８Ａ、２５８Ｂやビア導体２６０Ａ、２６０Ｂの表面が粗化される（図示せず）。
【０１０１】
（１３）図１３（Ｇ）〜図１４（Ｅ）と同様な処理が繰り返され、コア基板の両面に上側と下側の第１のビルドアップ層が形成される（図１５（Ａ））。
【０１０２】
（１４）上側と下側の第１のビルドアップ層上に、層間絶縁層用樹脂フィルムが積層される。層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムは補強材を有していない。層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムが硬化され第２のビルドアップ層の第３の層間樹脂絶縁層３５０Ａ、３５０Ｂが形成される（図１５（Ｂ））。
【０１０３】
（１５）上側と下側の第２のビルドアップ層の第３の層間樹脂絶縁層３５０Ａ、３５０Ｂにビア導体用の開口３５１Ａ、３５１Ｂが形成される（図１５（Ｃ））。第３の層間樹脂絶縁層３５０Ａ、３５０Ｂに粗面が形成される（図示せず）。
【０１０４】
（１６）無電解めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と第３の層間樹脂絶縁層上に無電解銅めっき膜３５２が形成される（図１６（Ａ））。
【０１０５】
（１７）無電解めっき膜１５２上にめっきレジスト３５４が形成される（図１６（Ａ））。
【０１０６】
（１８）電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜３５２上に電解めっき膜３５６が形成される（図１６（Ｃ））。
【０１０７】
（１９）めっきレジスト３５４が５％ＮａＯＨで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解銅めっき膜３５２がエッチングにて除去され、無電解銅めっき膜３５２と電解めっき膜３５６からなる導体層３５８Ａ、３５８Ｂが形成される（図１７（Ａ））。導体層３５８Ａ、３５８Ｂの表面が粗化される（図示せず）。
【０１０８】
（２０）図１５（Ｂ）〜図１７（Ａ）と同様な処理が繰り返され、上側と下側の第２のビルドアップ層が上側と下側の第１ビルドアップ層上に形成される。上側と下側のビルドアップ層が完成する。
【０１０９】
（１７）上側と下側のビルドアップ層上に上側と下側のソルダーレジスト層１７０Ａ、１７０Ｂが形成される（図１８（Ａ））。上側と下側のソルダーレジスト層は第１実施形態と同様な開口１７１Ａ、１７１Ｂを有する。その開口はパッドを露出する。
【０１１０】
（１８）パッド上にニッケル層とニッケル層上の金層で形成される金属膜１７２が形成される（図１８（Ｂ））。
【０１１１】
（１９）この後、上側のビルドアップ層のパッドに半田バンプ１７６Ｕが形成され、下側のビルドアップ層のパッドに半田バンプ１７６Ｄが形成される。半田バンプを有するプリント配線板１０が完成する（図１１）。
第２実施形態のプリント配線板で説明されている迂回配線ＷＵを有していてもよい。
【０１１２】
[第３実施形態]
図１９に本発明の第３実施形態に係るプリント配線板１０の断面が示されている。第３実施形態のプリント配線板は、第１のビルドアップ層５０００Ａと第１のビルドアップ層上の第２のビルドアップ層５０００Ｂを有する。第１のビルドアップ層は、４層の層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｃ、５０Ｅ、５０Ｇを有し、第２のビルドアップ層は、２層の層間樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｃを有する。第３実施形態のプリント配線板は、第１実施形態の上側のビルドアップ層とコア基板の第１面に形成されている導体層３４Ａと
上側と下側のソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂで形成されている。層間樹脂絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）５０Ａは第１面Ｆと第１面と反対の第２面Ｓを有する。導体層（最下の導体層）３４Ａは層間樹脂絶縁層５０Ａの第２面側に埋まっている。ソルダーレジスト層７０Ａは第２のビルドアップ層上に形成されていて、ソルダーレジスト７０Ｂは層間樹脂絶縁層５０Ａの第２面と導体層３４Ａ上に形成されている。
【０１１３】
導体層３４Ａはグランド層を有する。導体層５８Ａは高速信号用の信号線を有する。導体層３４Ａと導体層５８Ａは第４の層間樹脂絶縁層５０Ａを貫通するビア導体６０Ａで接続されている。第４の層間樹脂絶縁層５０Ａの第１面と導体層５８Ａ上に２層目の第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃが形成されている。第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃ上に導体層５８Ｃが形成されている。導体層５８Ｃはグランド層を有する。導体層５８Ｃと導体層５８Ａは第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃを貫通するビア導体６０Ｃで接続されている。第３の層間樹脂絶縁層５０Ｃと導体層５８Ｃ上に３層目の第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅが形成されている。第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅ上に導体層５８Ｅが形成されている。導体層５８Ｅは高速信号用の信号線を含む。導体層５８Ｅと導体層５８Ｃは第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅを貫通するビア導体６０Ｅで接続されている。第２の層間樹脂絶縁層５０Ｅと導体層５８Ｅ上に４層目の第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇが形成されている。第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇ上に導体層５８Ｇが形成されている。導体層５８Ｇはグランド層を含む。導体層５８Ｇと導体層５８Ｅは第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇを貫通するビア導体６０Ｇで接続されている。第１のビルドアップ層が完成する。高速信号用の信号線は上下のグランド層で挟まれている。
【０１１４】
第１のビルドアップ層の第１の層間樹脂絶縁層５０Ｇ上に、第２のビルドアップ層の下側の層間樹脂絶縁層１５０Ａが形成されている。層間樹脂絶縁層１５０Ａ上に導体層１５８Ａが形成されている。導体層１５８Ａと導体層５８Ｇは層間樹脂絶縁層１５０Ａを貫通するビア導体１６０Ａで接続されている。層間樹脂絶縁層１５０Ａと導体層１５８Ａ上に２層目の層間樹脂絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）１５０Ｃが形成されている。層間樹脂絶縁層１５０Ｃ上に導体層１５８Ｃが形成されている。導体層１５８Ｃと導体層１５８Ａは層間樹脂絶縁層１５０Ｃを貫通する最上のビア導体１６０Ｃで接続されている。第２のビルドアップ層が完成する。
【０１１５】
第２のビルドアップ層上に開口７１Ａを有するソルダーレジスト層７０Ａが形成されている。第１のビルドアップ層上に開口７１Ｂを有するソルダーレジスト層７０Ｂが形成されている。ソルダーレジスト層の開口により露出している導体層１５８Ｃ、導体層３４Ａやビア導体１６０Ｃの上面はパッドとして機能する。パッド上にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの金属膜７２が形成され、その金属膜上に半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄが形成されている。上側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ７６Ｕを介してＩＣチップがプリント配線板に搭載される。下側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ７６Ｄを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。第３実施形態のプリント配線板は第１実施形態と同様な第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層を有する。そのため、第３実施形態のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板と同様な効果を有する。第３実施形態のプリント配線板は、第１実施形態で説明されている迂回配線ＷＶを有しても良い。
【０１１６】
図２０は、図１９のプリント配線板の一部を示している。
第１のビルドアップ層の各層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｃ、５０Ｅ、５０Ｇの厚みは６０μｍである。第１のビルドアップ層の各導体層の厚みは３５μｍである。
【０１１７】
第２のビルドアップ層の各層間樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｃの厚みは２０μｍである。第２のビルドアップ層の各導体層の厚みは１５μｍである。
【０１１８】
層間樹脂絶縁層５０Ａ、５０Ｃ、５０Ｅ、５０Ｇは補強材を有する。第１のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率は３．９であり、誘電正接は０．００９である。第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｃは補強材を有していない。第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の比誘電率は３．１であり、誘電正接は０．０１９である。上側と下側のソルダーレジスト層７０Ａ、７０Ｂの比誘電率は３．５５であり、誘電正接は０．０２４である。
【符号の説明】
【０１１９】
３０  コア基板
３４Ａ、３４Ｂ  導体層
５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄ  層間樹脂絶縁層
５８Ａ、５８Ｂ、５８Ｃ、５８Ｄ  導体層
６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ、６０Ｄ  ビア導体
１５０Ａ、１５０Ｂ  層間樹脂絶縁層
【図１】
2014027212.tif 000003
【図２】
2014027212.tif 000004
【図３】
2014027212.tif 000005
【図４】
2014027212.tif 000006
【図５】
2014027212.tif 000007
【図６】
2014027212.tif 000008
【図７】
2014027212.tif 000009
【図８】
2014027212.tif 000010
【図９】
2014027212.tif 000011
【図１０】
2014027212.tif 000012
【図１１】
2014027212.tif 000013
【図１２】
2014027212.tif 000014
【図１３】
2014027212.tif 000015
【図１４】
2014027212.tif 000016
【図１５】
2014027212.tif 000017
【図１６】
2014027212.tif 000018
【図１７】
2014027212.tif 000019
【図１８】
2014027212.tif 000020
【図１９】
2014027212.tif 000021
【図２０】
2014027212.tif 000022
【図２１】
2014027212.tif 000023
【図２２】
2014027212.tif 000024
【図２３】
2014027212.tif 000025
【図２４】
2014027212.tif 000026
【図２５】
2014027212.tif 000027
【図２６】
2014027212.tif 000028
【図２７】
2014027212.tif 000029
【図２８】
2014027212.tif 000030
【図２９】
2014027212.tif 000031
【図３０】
2014027212.tif 000032