(57)【要約】【課題】高い生産性が得られ、配線パターンの微細化が可能な配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】配線基板１０００の製造方法は、下層配線パターン２と開口部４を備えた絶縁層３を有する基板１００上に、金属塩と還元剤を含むシード層形成用組成物を印刷または塗布して加熱し、シード層５を形成する工程と、シード層５上の所定領域であって、シード層５が設けられている領域よりも小さい領域に配線層７を形成する工程と、配線層７によって被覆されずに露出したシード層５を除去する工程とを有する。配線層７を形成する工程では、シード層５上の所定領域以外の領域にレジストパターン６を形成し、レジストパターン６によって被覆されずに露出したシード層５の上に、配線層７を形成し、次いで、レジストパターン６を除去して、シード層５上でパターニングされた配線層７を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属塩と還元剤を含む組成物を、基板上に印刷または塗布して形成した膜を加熱してシード層を形成する工程と、
前記シード層上の所定領域に配線層を形成する工程と、
前記配線層によって被覆されずに露出した前記シード層を除去する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記配線層を形成する工程は、前記シード層上の前記所定領域以外の領域にレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンによって被覆されずに露出した前記シード層の上に、前記配線層を形成する工程と、
前記レジストパターンを除去する工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記シード層を形成する工程は、前記基板上に開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層上と前記開口部の内面に、前記シード層を形成する工程とを有し、
前記所定領域は前記開口部を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記金属塩が銅塩であることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記銅塩は、ギ酸銅およびギ酸銅四水和物から選ばれる少なくとも一方であることを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記組成物は、さらに溶剤を含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記シード層を形成する工程は、非酸化性雰囲気下で１２０℃〜２６０℃で前記組成物を加熱することを特徴とする請求項１〜６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記基板の表面を粗化した後に前記シード層を形成することを特徴とする請求項１〜７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記基板と前記シード層の間にバリアメタル膜を形成する工程を有することを特徴とする請求項１〜８に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記シード層上の所定領域は、前記シード層が設けられている領域よりも小さい領域であることを特徴とする請求項１〜９に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１１】
前記配線層を形成する工程は、銅を含む電解液を用いた電解メッキによることを特徴とする請求項１〜１０に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法に用いることを特徴とするシード層形成用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法およびシード層形成用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板は、プリント配線基板等とも称され、電子部品を固定して配線するための電子機器の主要な部品となっている。
近年、その配線基板に形成される配線は、電子機器の小型化・高機能化に伴い、より一層微細化し、複雑化する傾向にある。そのため、配線基板の分野では、高精度な配線形成技術が求められている。
【０００３】
基板上にパターニングされた金属膜である配線パターンや電極パターン等を形成する配線形成技術としては、例えば、フォトリソグラフィ技術や、金属箔をガラスエポキシ樹脂基板またはポリイミドフィルムにラミネートする技術を利用する方法が知られている。
フォトリソグラフィ技術を利用する方法の１つであるサブトラクティブ法では、まず均質なベタ状の金属膜を基板上に形成する。金属膜の形成方法としては、メッキ法の他、蒸着法やスパッタ法等の利用が可能である。そして、形成された金属膜上の全面にレジスト液を塗布してレジスト層を形成する。次に、このレジスト層を、フォトマスクを用いて紫外線照射し、その後、現像することによりレジストパターンを形成する。次いで、レジストパターンで被覆されずに露出する金属膜をエッチングして除去し、さらに残存するレジスト部分を剥離する。こうして、所望のパターニングがなされた金属膜として、基板上に配線層を形成し、配線基板を得る。
【０００４】
また、フォトリソグラフィ技術を利用する別の方法としては、セミアディティブ法が知られている（例えば、特許文献１を参照。）。セミアディティブ法は、まず始めに基板の全面に、薄い導電層（以下、シード層と言う。）を形成する。シード層の形成方法としては、スパッタ法、無電解メッキ等の利用が一般的である。そして、形成された金属膜上の全域にレジスト液を塗布してレジスト層を形成する。次に、このレジスト層を、フォトマスクを用いて紫外線照射し、その後、現像することによりレジストパターンを形成する。得られたレジストパターンは、後に形成される配線層のパターンと相補的なパターンとなるようにされる。次いで、レジストパターンで被覆されずに露出するシード層の上に電解メッキによって金属パターンを形成する。その後、レジストパターンを除去し、次いで、レジストパターンの下地であって、レジストパターンの除去によって露出した領域のシード層を除去する。こうすることで、所望のパターニングがなされた金属膜として、基板上に配線層を形成し、配線基板を得る。
【０００５】
セミアディティブ法は、所望とする金属厚で断面矩形のパターン形状が得られ、サブトラクト法に比べ配線層の微細化に好適であるという特徴を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１０４６４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
以上のように、微細パターンの形成が容易で、高精度な配線層を基板上に形成するのに好適なセミアディティブ法は、電子機器の小型化・高機能化に対し有効な配線基板の配線形成技術となっている。
【０００８】
従来セミアディティブ法ではシード層の形成が必要であり、その形成にはスパッタ法や無電解メッキが用いられている。しかしながら、スパッタ法は、真空中での実施が必要であり、装置の大型化を招くとともに、装置の操作上の制約が大きい。さらに、処理に長時間を要して製造効率が低い。また、無電解メッキでは、例えば無電解銅メッキの場合、一般にコンディショニング、ソフトエッチング、キャタライジング、アクセレレーティング、無電解メッキと多数の工程が必要で製造効率が低いという問題がある、
【０００９】
したがって、小型化・高機能化とともに生産性の向上が求められる電子機器の分野では、配線基板における生産性の改善が強く求められている。
【００１０】
本発明は、以上の知見に基づいてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、高い生産性が得られ、パターンの微細化が可能な配線を有する配線基板の製造方法を提供することである。また、その配線基板の製造方法に好適に用いることができるシード層形成用組成物を提供することである。
【００１１】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の第１の態様は、金属塩と還元剤を含む組成物を、基板上に印刷または塗布して形成した膜を加熱してシード層を形成する工程と、
シード層上の所定領域に配線層を形成する工程と、
配線層によって被覆されずに露出したシード層を除去する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【００１３】
本発明の第１の態様において、配線層を形成する工程は、シード層上のその所定領域以外の領域にレジストパターンを形成する工程と、
レジストパターンによって被覆されずに露出したシード層の上に、配線層を形成する工程と、
レジストパターンを除去する工程とを有することが好ましい。
【００１４】
本発明の第１の態様において、シード層を形成する工程は、基板上に開口部を有する絶縁層を形成する工程と、
絶縁層上とその開口部の内面に、シード層を形成する工程とを有し、
シード層上の所定領域はその開口部を含むことが好ましい。
【００１５】
本発明の第１の態様において、金属塩が銅塩であることが好ましい。
【００１６】
本発明の第１の態様において、銅塩は、ギ酸銅およびギ酸銅四水和物から選ばれる少なくとも一方であることが好ましい。
【００１７】
本発明の第１の態様において、組成物は、さらに溶剤を含有することが好ましい。
【００１８】
本発明の第１の態様において、シード層を形成する工程は、非酸化性雰囲気下で１２０℃〜２６０℃で組成物を加熱することが好ましい。
【００１９】
本発明の第１の態様において、基板の表面を粗化した後にシード層を形成することが好ましい。
【００２０】
本発明の第１の態様において、基板とシード層の間にバリアメタル膜を形成する工程を有することが好ましい。
【００２１】
本発明の第１の態様において、シード層上の所定領域は、シード層が設けられている領域よりも小さい領域であることが好ましい。
【００２２】
本発明の第１の態様において、配線層を形成する工程は、銅を含む電解液を用いた電解メッキによることが好ましい。
【００２３】
本発明の第２の態様は、本発明の第１の態様の配線基板の製造方法に用いることを特徴とするシード層形成用組成物に関する。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の第１の態様によれば、高い生産性が得られ、パターンの微細化が可能な配線を有する配線基板の製造方法が提供される。
【００２５】
本発明の第２の態様によれば、高い生産性が得られ、パターンの微細化が可能な配線を有する配線基板の製造方法に好適に用いられるシード層形成用組成物が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施形態の配線基板の製造方法の各製造工程を示す模式的な断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施形態の配線基板の製造に用いる基板の製造方法の各製造工程を示す模式的な断面図である。
【図３】（ａ）および（ｂ）は、本発明の実施形態の配線基板の製造方法における、配線層の形成のための各工程を示す模式的な断面図である。
【図４】本発明の実施例である配線基板の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明は、配線基板の製造において、まず基板上に、電解メッキのためのシード層を形成する。本発明におけるシード層の形成は、スパッタ法等の真空プロセスを用いることはなく、金属塩と還元剤を含む組成物を印刷または塗布することで得られた膜を加熱する方法によって行われる。
【００２８】
そして、そのシード層上の所定領域に配線層を形成する。このとき、シード層上の配線層は、所望とする形状にパターニングがなされており、基板上のシード層が設けられている領域よりも小さい領域に形成されることが好ましい。
【００２９】
尚、配線層のパターニングは、フォトリソグラフィ法を利用することができる。すなわち、シード層の上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィ法を用いたパターニングを行って、レジストパターンを形成する。次いで、電解メッキによって、レジストパターンによって被覆されずに露出したシード層の上に金属パターンとして配線層を形成する。ここで、レジストパターンは配線層のパターンと相補的となるように予め形成されており、その結果、配線層は所望とするパターン形状を備えることができる。
【００３０】
その後、レジストパターンを除去し、次いで、レジストパターンの下層にあって、レジストパターンの除去によって露出した領域のシード層を除去する。このようにすることで、基板上に、所望のパターニングがなされた金属膜として、配線層を形成し、配線基板を得ることができる。
【００３１】
本発明の配線基板の製造方法は、上述したように、アディティブ法として知られる配線形成方法と同様の工程を有して構成される。しかし、本発明の配線基板の製造方法は、シード層の形成工程が、スパッタ法等の真空工程によらず、上述した金属成分を含んで構成される組成物を基板上に印刷または塗布して形成した膜を加熱することで配線基板の生産性を向上させることが可能となる。
以下で、本発明の配線基板の製造方法について、図面を用いて説明する。
【００３２】
図１（ａ）〜（ｄ）は、本発明の実施形態の配線基板の製造方法の各製造工程を示す模式的な断面図である。
【００３３】
本実施形態では、本発明の配線基板の製造方法を用い、一例として、本実施形態の多層配線基板を製造することができる。
【００３４】
本発明の実施形態の配線基板の製造方法は、以下の工程（Ａ）〜工程（Ｃ）を含む。
（Ａ）金属塩と還元剤を含む液状の組成物を、基板上に塗布して形成した膜を加熱してシード層を形成する工程、
（Ｂ）シード層上の所定領域に配線層を形成する工程、
（Ｃ）配線層によって被覆されずに露出したシード層を除去する工程。
【００３５】
工程（Ａ）は、例えば、図１（ａ）および図１（ｂ）に対応する。工程（Ｂ）は、例えば、図１（ｃ）に対応し、工程（Ｃ）は、例えば、図１（ｄ）に対応する。
【００３６】
多層配線基板を製造する場合、上述の工程（Ａ）で用いる基板は、図１（ａ）に示すように、その基板を構成する基体１上に下層配線パターン２が形成され、その下層配線パターン２を樹脂からなる絶縁層３が被覆し、その一部にその下層配線パターン２に達する開口部４が形成されている基板１００とすることができる。
【００３７】
本実施形態の配線基板の製造方法は、多層配線基板を製造する場合、上述の工程（Ａ）において使用する基板１００を製造するため、後述する図２（ａ）〜（ｃ）に対応する、以下の工程（ａ−１）〜工程（ａ−３）を含むことができる。
（ａ−１）本実施形態の配線基板の製造方法に用いる基板を構成する基体上に下層配線パターンを形成する工程、
（ａ−２）下層配線パターンを被覆する絶縁層を形成する工程、
（ａ−３）絶縁層に、下層配線パターンに達する開口部を形成する工程。
【００３８】
また、本実施形態の配線基板の製造方法は、工程（Ａ）でシード層を形成する前に、基板表面を粗化する工程を設けることができる。
本実施形態の配線基板の製造方法により多層配線基板を製造する場合には、上述の工程（ａ−３）の後に、工程（ａ−４−ｉ）として、基板の表面である絶縁層の表面を粗化する工程を設けることができる。
【００３９】
そして、上述の工程（ａ−３）の後に、工程（ａ−４−ｉｉ）として、基板とシード層との間に配置されるように、バリアメタル膜を形成する工程を設けることができる。
バリアメタル膜は、金属材料の拡散防止や相互反応防止のために用いられる金属膜の総称である。基板の絶縁層とシード層等、相互の母材と密着性がよく、反応しない材料が用いられる。例えば、シード層上に銅（Ｃｕ）からなる配線層を設ける場合、銅は、絶縁層等へ拡散しやすい性質を有することが知られている。その場合、バリアメタル膜は、配線層から銅原子が絶縁層中に拡散することを防止（バリア）するように機能する。銅の拡散防止のためのバリアメタル膜は、窒化チタン（ＴｉＮ）、タンタル（Ｔａ）、タンタル（Ｔａ）／窒化タンタル（ＴａＮ）、チタン（Ｔｉ）等により形成される。
【００４０】
工程（Ａ）では、以上の工程（ａ−１）〜工程（ａ−３）、および必要な場合に設けられる工程（ａ−４−ｉ）および工程（ａ−４−ｉｉ）により、下層配線パターン２と、その下層配線パターン２に達する開口部４を備えた絶縁層３とを有する基板１００を得ることができる。
【００４１】
そして、工程（Ａ）では、多層配線基板を製造する場合に、図１（ａ）に示すように、上述の工程（ａ−３）によって基体１上に開口部４を有する絶縁層３を形成した後、図１（ｂ）に示すように、その絶縁層３上と開口部４の内面に、シード層５を形成する工程を有することができる。その結果、図１（ｃ）に支援すように、上述した工程（Ｂ）のシード層５上に配線層７を形成する工程では、配線層７の形成領域に絶縁層３の開口部４を含むことができる。
【００４２】
次に、上述の工程（Ｂ）は、後述する図３（ａ）、（ｂ）に対応する、以下の工程（ｂ−１）〜工程（ｂ−３）を含んで構成することができる。
（ｂ−１）シード層上の配線層を形成するための所定領域以外の領域にレジストパターンを形成する工程、
（ｂ−２）レジストパターンによって被覆されずに露出したシード層の上に、配線層を形成する工程、
（ｂ−３）レジストパターンを除去する工程。
【００４３】
以下で、上述した工程（Ａ）〜工程（Ｃ）を含む本実施形態の配線基板の製造方法について、図面を参照しながらより詳細に説明する。
【００４４】
〔工程（Ａ）〕
多層配線基板を製造する場合、工程（Ａ）では、使用する基板１００を準備するため、上述した工程（ａ−１）〜工程（ａ−３）を有することができる。
【００４５】
図２（ａ）〜（ｃ）は、本実施形態の配線基板の製造に用いる基板の製造方法の各製造工程を示す模式的な断面図である。
【００４６】
図２（ａ）〜（ｃ）はそれぞれ、工程（Ａ）の有する上述の工程（ａ−１）〜工程（ａ−３）を説明する。尚、図２（ｃ）では、図１（ａ）と同様の図面を用いて工程を説明する。
【００４７】
［工程（ａ−１）］
工程（ａ−１）は、図２（ａ）に示すように、基板を構成する基体１上に下層配線パターン２を形成する工程である。
下層配線パターン２は、銅（Ｃｕ）等の導電性金属から形成することができる。下層配線パターン２が、銅からなる場合、樹脂からなる基体１の両面に銅箔がラミネートされている銅張積層板を用い、表面の銅箔を、例えば、エッチング等の公知の方法に従ってパターニングする。そして、基体１上に所望とするパターンを有する下層配線パターン２を形成する。
【００４８】
基体１には、有機プリント配線板に使用されている基体の適用が可能である。例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂よりなる基体、およびこれらの樹脂をガラス繊維で補強した基体等の使用が可能である。
【００４９】
［工程（ａ−２）］
工程（ａ−２）は、図２（ｂ）に示すように、下層配線パターン２を被覆する絶縁層３を形成する工程である。
【００５０】
絶縁層３を形成する材料としては、低誘電率を有している材料が好ましく、例えば、ＳｉＯ２等の無機酸化物の他、樹脂材料を用いることができる。樹脂材料としては、例えば、エポキシ樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、ポリエステル樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂等を挙げることができ、必要に応じ、シリカ、アルミナ、タルク等の無機粒子や、ガラス繊維で補強した材料が使用できる。また、これらの樹脂材料に感光性を備えさせることで、図２（ｃ）で後述する開口部（ビアホールとも言う。）４を、フォトリソグラフィ法を用いて形成できる材料として使用可能である。
【００５１】
樹脂を用いた絶縁層３の形成方法としては、絶縁層３を形成するための樹脂組成物を塗布等の方法により形成し、硬化させて形成することが可能である。また、例えば、予め形成されている熱硬化性樹脂シートを用い、真空プレス機により積層して基体１上に絶縁層３を形成することも可能である。
【００５２】
［工程（ａ−３）］
工程（ａ−３）は、図２（ｃ）に示すように、絶縁層３に、下層配線パターン２に達する開口部４を形成する工程である。
【００５３】
具体的な開口部４の形成方法としては、下層配線パターン２上に形成された絶縁層３に、例えば、高圧水銀灯、エキシマレーザー、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ等を用いて、下層配線パターン２に達する開口部４を形成する。
【００５４】
また、工程（ａ−２）で形成した絶縁層３が上述した感光性樹脂からなる場合には、公知のフォトリソグラフィプロセスにより、開口部４を形成してもよい。
【００５５】
開口部４の形状および大きさは特に限定されないが、開口部４の開口幅は、１μｍ〜５００μｍ、好ましくは５μｍ〜３００μｍ、より好ましくは５μｍ〜２００μｍ、特に好ましくは５μｍ〜５０μｍである。また、開口部４のアスペクト比（開口部４の深さを開口部４の開口幅で徐した値）は、好ましくは０．１以上、より好ましくは０．１〜５０、特に好ましくは１〜２５である。開口部４の開口幅およびアスペクト比が上述した範囲にあると、後述するシード層を効率よく形成することができる。
【００５６】
尚、工程（ａ−３）では、開口部４内の下層配線パターン２上には、レーザによる穴あけ処理、またはフォトリソグラフィプロセスにより残渣として生じた樹脂片（樹脂スミア）が残留していることがある。樹脂スミアは、次に説明するデスミア処理によって取り除くことが好ましい。
【００５７】
デスミア処理は、開口部４の形成された絶縁層３を有する基体１を用いて５分間程度の熱湯処理をする。その後、上述の下層配線パターン２上の樹脂スミアを、溶剤や市販の薬液を用いて膨潤槽であらかじめ膨潤させる。次いで、例えば、２回程度の水洗を行った後、デスミア液としてＮ−メチルピロリドン溶液あるいはアルカリ過マンガン酸塩溶液（過マンガン酸ナトリウムまたは過マンガン酸カリウムを含む溶液）を使用し、そのデスミア液で溶解除去する。そして、中和槽の薬液に浸けて中和を行い、水洗を行うことによって、下層配線パターン２の表面を清浄化する。
【００５８】
ここで、上述した樹脂スミアの膨潤のための市販の薬液としては、メルテックス社製のＭＬＢ−６００１Ａ、ＭＬＢ−６００１ＳおよびＭＬＢ−６００１Ｗを用いることができる。また、市販のデスミア液としては、メルテックス社製のＭＬＢ−４９７ＡおよびＭＬＢ−４９７Ｂを用いることができる。また、市販された中和のための薬液としては、メルテックス社製のＭＬＢ−７９０Ｍおよび前島商店製の９８％硫酸を用いることができる。
【００５９】
また、上述の工程（Ａ）において使用する基板を製造するため、上述の工程（ａ−３）の後に、工程（ａ−４−ｉ）として、基板の表面である絶縁層３の表面を粗化する工程（単に、表面粗化工程とも言う。）を設けることができる。
【００６０】
表面粗化工程では、絶縁層３の上に形成されるシード層等、その上層に形成される層との密着性を高めるために、絶縁層３の表面を粗化する。表面の粗化は、デスミア処理と同様のウェット処理またはドライエッチング処理により行われる。尚、デスミア処理工程を設けた場合には、表面粗化工程は、デスミア処理の工程に続けて実施することが好ましい。
表面粗化工程におけるウェット処理としては、酸、アルカリ、絶縁層３を形成する材料に対して溶解性を示す有機溶剤等を用いて、絶縁層３の表面に凹凸を形成する方法が挙げられる。
【００６１】
また、ドライエッチング処理としては、減圧雰囲気中でプラズマガスを発生させて絶縁層３の表面に凹凸を形成する方法が挙げられる。
上記のような表面粗化工程を設けることにより、絶縁層３の表面が粗化処理され、さらには、絶縁層３に形成された開口部４の内壁表面も同様に粗化処理されることになる。尚、本実施形態において、上記で例示した方法とは異なる方法であっても、表面粗化が可能な処理方法であれば、同等の作用効果が奏される。
【００６２】
表面粗化工程を設けることにより、絶縁層３と、シード層等のその上層に形成される層との密着性が高まり、製造される配線基板の信頼性が向上する。さらに、絶縁層３に形成された開口部４の内壁表面の状態を、例えば、シード層の形成に適した状態にすることができる。
【００６３】
工程（Ａ）は、以上の工程（ａ−１）〜工程（ａ−３）を有し、必要な場合に、表面粗化工程等を有することで、図１（ａ）（図２（ｃ））に示した、配線基板の製造に使用する基板１００を準備することができる。
【００６４】
工程（Ａ）は、図１（ａ）に示すように、工程（ａ−１）〜工程（ａ−３）によって、基板１００を準備し、図１（ｂ）に示すように、金属塩と還元剤を含む組成物を、その基板１００の上に印刷または塗布して形成した膜を加熱して、シード層５を形成する。工程（Ａ）は、基板１００上に開口部４を有する絶縁層３を形成する工程と、絶縁層３上と開口部４の内面に、シード層５を形成する工程とを有し、シード層５が、基板１００上の絶縁層３の上と開口部４の内面に形成される。
【００６５】
すなわち、本実施形態の配線基板の製造方法は、本実施形態のシード層形成用の組成物を上述した基板１００上に塗布し、得られた膜を非酸化性雰囲気下で加熱して、基板１００上に導電性のシード層５を容易に形成することができる。つまり、加熱することによって、金属塩が還元され、同時に、有機物は分解、揮発することにより除去されて、金属膜としてシード層５を形成することができる。基板１００が多層配線基板である場合、図１（ｂ）に示すように、絶縁層３上と開口部４の内面に、シード層５を形成することができる。
【００６６】
＜シード層形成用の組成物＞
次に、本実施形態のシード層形成用の組成物（以下、単に組成物と言う。）について、より詳しく説明する。
【００６７】
［組成物］
本実施形態の組成物は、金属塩と還元剤を含む組成物である。また、本実施形態の組成物は、さらに溶剤を含有することができる。
【００６８】
本実施形態の組成物は、基材上に印刷または塗布されることができれば状態は特に限定されないが、常温で液状またはペースト状であることが好ましい。なお、常温とは、温度１０℃〜３０℃を指し、液状であるとは、一定の体積の組成物が特定の形状を保持できない状態であることを指し、ペースト状であるとは、一定の体積の組成物が形状を自在に変えてかつその形状を保持することができる状態であることを指す。
【００６９】
［金属塩］
金属塩は、それに含まれる金属イオンが、組成物中の還元剤により還元され、金属単体となり、形成されるシード層の導電性を発現させる役割を果たすことができる。例えば、金属塩が銅塩である場合、銅塩に含まれる銅イオンは還元剤により還元され、銅単体となり、導電膜のシード層を形成することができる。
【００７０】
本実施形態の組成物の金属塩としては銅塩、銀塩が好ましい。
銅塩としては、銅イオンを含有する化合物であればよく、特に限定するものではないが、例えば、銅イオンと、無機アニオン種および／または有機アニオン種とからなる銅塩が挙げられる。これらの中でも、溶解度の面から、銅カルボン酸塩、銅の水酸化物、および銅とアセチルアセトン誘導体との錯塩からなる群より選ばれる一種または二種以上を用いることが好ましい。
【００７１】
例えば、銅カルボン酸塩としては、具体的には、酢酸銅、トリフルオロ酢酸銅、プロピオン酸銅、酪酸銅、イソ酪酸銅、２−メチル酪酸銅、２−エチル酪酸銅、吉草酸銅、イソ吉草酸銅、ピバリン酸銅、ヘキサン酸銅、ヘプタン酸銅、オクタン酸銅、２−エチルヘキサン酸銅、ノナン酸銅等の脂式カルボン酸との銅塩、マロン酸銅、コハク酸銅、マレイン酸銅等のジカルボン酸との銅塩、安息香酸銅、サリチル酸銅等の芳香族カルボン酸との銅塩、ギ酸銅、ヒドロキシ酢酸銅、グリオキシル酸銅、乳酸銅、シュウ酸銅、酒石酸銅、リンゴ酸銅、クエン酸銅等のカルボキシ基を有する有機酸との銅塩等が好適なものとして挙げられる。尚、ギ酸銅は、無水和物でもよく、水和していてもよい。ギ酸銅の水和物としては、四水和物が挙げられる。
【００７２】
また、銅とアセチルアセトン誘導体との錯塩としては、例えば、アセチルアセトナト銅、１，１，１−トリメチルアセチルアセトナト銅、１，１，１，５，５，５−ヘキサメチルアセチルアセトナト銅、１，１，１−トリフルオロアセチルアセトナト銅、および１，１，１，５，５，５−ヘキサフルオロアセチルアセトナト銅等が好適なものとして挙げられる。
【００７３】
これらの中でも、還元剤または溶剤に対する溶解性や分散性、形成されるシード層の抵抗特性を考慮した場合、酢酸銅、プロピオン酸銅、イソ酪酸銅、吉草酸銅、イソ吉草酸銅、ギ酸銅、グリオキシル酸銅等の銅カルボン酸塩が好ましい。
【００７４】
銀塩としては、銀の塩であれば特に限定されない。
例えば、硝酸銀、酢酸銀、酸化銀、アセチルアセトン銀、安息香酸銀、臭素酸銀、臭化銀、炭酸銀、塩化銀、クエン酸銀、フッ化銀、ヨウ素酸銀、ヨウ化銀、乳酸銀、亜硝酸銀、過塩素酸銀、リン酸銀、硫酸銀、硫化銀、およびトリフルオロ酢酸銀を挙げることができる。
【００７５】
本実施形態の組成物においては、形成されるシード層において、金属原子の絶縁層中へのマイグレーションを抑制する観点から、銅塩の使用が好ましい。銅塩の中でも、特に還元性を有するギ酸銅が好ましい。ギ酸銅としては、無水和物でもよく、ギ酸銅四水和物でもよい。
【００７６】
金属塩の含有量としては、本実施形態の組成物の全量に対して０．０１質量％〜５０質量％の範囲が好ましく、０．１質量％〜３０質量％の範囲がより好ましい。金属塩の含有量を０．０１質量％〜５０質量％の範囲とすることによって、安定かつ優れた導電性を有する金属膜を形成することができる。低抵抗値の金属膜を得る観点からは金属塩の含有量が０．０１質量％以上であることが好ましい。また、安定した銅膜形成組成物を得る観点からは金属塩の含有量が５０質量％以下であることが好ましい。
【００７７】
［還元剤］
本実施形態の組成物は、金属塩に含まれる金属イオンを還元して金属単体とすることを目的として、上述した金属成分とともに、還元剤を含有する。還元剤は、組成物の金属成分に含まれる金属イオンに対し還元性を有していれば特に限定するものではない。また、還元性とは、組成物の金属塩に含まれる金属イオンを還元できる性質であることを指す。
【００７８】
上記の還元剤としては、例えば、チオール基、ニトリル基、アミノ基、ヒドロキシ基、またはヒドロキシカルボニル基からなる群より選ばれる一種または二種以上の官能基を有する単分子化合物や、窒素原子、酸素原子、または硫黄原子からなる群より選ばれる一種または二種以上のヘテロ原子を分子構造内に有するポリマー等が挙げられる。
【００７９】
このような単分子化合物としては、例えば、アルカンチオール類、アミン類、ヒドラジン類、モノアルコール類、ジオール類、ヒドロキシアミン類、α−ヒドロキシケトン類、およびカルボン酸類等が挙げられる。
【００８０】
ポリマーとしては、例えば、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリチオフェン、ポリアクリルアミド、ポリアクリル酸、カルボキシメチルセルロース、ポリビニルアルコール、およびポリエチレンオキシド等が挙げられる。
これらの中でも、金属塩の溶解性、およびシード層形成時の除去性を考慮すると、アルカンチオール類、およびアミン類からなる群より選ばれる一種以上が好ましい。
【００８１】
アルカンチオール類としては、例えば、エタンチオール、ｎ−プロパンチオール、ｉ−プロパンチオール、ｎ−ブタンチオール、ｉ−ブタンチオール、ｔ−ブタンチオール、ｎ−ペンタンチオール、ｎ−ヘキサンチオール、シクロヘキサンチオール、ｎ−ヘプタンチオール、ｎ−オクタンチオール、２−エチルヘキサンチオール等が例示される。
【００８２】
また、アミン類としてはアミン化合物を挙げることができ、例えば、エチルアミン、ｎ−プロピルアミン、ｉ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｉ−ブチルアミン、ｔ−ブチルアミン、ｎ−ペンチルアミン、ｎ−ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチルアミン、２−エチルヘキシルアミン、２−エチルヘキシルプロピルアミン、３−エトキシプロピルアミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン、ｎ−ウンデシルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−トリデシルアミン、ｎ−テトラデシルアミン、ｎ−ペンタデシルアミン、ｎ−ヘキサデシルアミン、ベンジルアミン、アミノアセトアルデヒドジエチルアセタール等のモノアミン化合物、エチレンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、Ｎ−エチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジエチルエチレンジアミン、１，３−プロパンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，３−プロパンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，４−ブタンジアミン、１，５−ペンタンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，５−ペンタンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−１，６−ヘキサンジアミン、イソホロンジアミン等のジアミン化合物、ジエチレントリアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’Ｎ’’−ペンタメチルジエチレントリアミン、Ｎ−（アミノエチル）ピペラジン、Ｎ−（アミノプロピル）ピペラジン等のトリアミン化合物等が挙げられる。
【００８３】
モノアルコール類としては、例えば、メタノール、エタノール、ｎ−プロピアルコール、ｉ−プロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール、ｉ−ブチルアルコール、ｓｅｃ−ブチルアルコール、ペンタノール、ヘキサノール、ヘプタノール、オクタノール、シクロヘキサノール、ベンジルアルコール、ターピネオール等が挙げられる。
【００８４】
ジオール類としては、エチレングリコール、プロピレングリコール、１，２−ブタンジオール、１，２−ペンタンジオール、１，２−ヘキサンジオール、２，３−ブタンジオール、２，３−ペンタンジオール、２，３−ヘキサンジオール、２，３−ヘプタンジオール、３，４−ヘキサンジオール、３，４−ヘプタンジオール、３，４−オクタンジオール、３，４−ノナンジオール、３，４−デカンジオール、４，５−オクタンジオール、４，５−ノナンジオール、４，５−デカンジオール、５，６−デカンジオール、３−Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ−１，２−プロパンジオール、３−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−１，２−プロパンジオール、３−Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−プロピルアミノ−１，２−プロパンジオール、３−Ｎ，Ｎ−ジ−ｉ−プロピルアミノ−１，２−プロパンジオール、３−Ｎ，Ｎ−ジ−ｎ−ブチルアミノ−１，２−プロパンジオール、３−Ｎ，Ｎ−ジ−ｉ−ブチルアミノ−１，２−プロパンジオール、および３−Ｎ，Ｎ−ジ−ｔ−ブチルアミノ−１，２−プロパンジオールを挙げることができる。
【００８５】
カルボン酸類としては、金属塩に対し還元性を有するものであれば特に限定するものではないが、例えば、ギ酸、ヒドロキシ酢酸、グリオキシル酸、乳酸、シュウ酸、酒石酸、リンゴ酸、およびクエン酸を挙げることができる。
【００８６】
上記の還元剤は、上記の金属塩の種類に応じてこれを還元できるものを一種または二種以上を適宜選択または組み合わせて用いることができる。例えば金属塩としてギ酸銅を用いる場合、アミン化合物が好ましく、２−エチルヘキシルプロピルアミン、３−エトキシプロピルアミンがさらに好ましい。
【００８７】
還元剤の含有量としては、本実施の形態のシード層形成組成物の全量に対して１質量％〜９９質量％の範囲が好ましく、１０質量％〜９０質量％の範囲がより好ましい。還元剤の含有量を１質量％〜９９質量％の範囲とすることによって、優れた導電性を有するシード層を形成できる。また、含有量を１質量％〜９９質量％の範囲とすることによって、より低い抵抗値の銅膜を形成することができる。さらに、１０質量％〜９０質量％の範囲とすることによって、低い抵抗値と下地と密着性に優れたシード層を得ることができる。
【００８８】
［溶剤］
本実施形態の組成物は、組成物の粘度を調節して生産性を向上させる観点や、低抵抗かつ均一な導電層を得る観点から、溶剤を含有することが好ましい。
溶剤としては、組成物中の各成分を溶解または分散することができるものであり、金属塩の還元反応に関与しない有機溶媒が挙げられる。具体的には、エーテル類、エステル類、脂肪族炭化水素類、および芳香族炭化水素類からなる群より選ばれる一種、または相溶性のある二種以上の混合物が挙げられる。
【００８９】
エーテル類としては、例えば、ヘキシルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、トリエチレングリコールジエチルエーテル、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピラン、１，４−ジオキサン等が挙げられる。
【００９０】
エステル類としては、例えば、ギ酸メチル、ギ酸エチル、ギ酸ブチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、プロピオン酸メチル、プロピオン酸エチル、プロピオン酸ブチル、γ−ブチロラクトン等が挙げられる。
【００９１】
脂肪族炭化水素類としては、例えば、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、ｎ−オクタン、ｎ−ノナン、ｎ−デカン、ｎ−ウンデカン、ｎ−ドデカン、シクロヘキサン、デカリン等が挙げられる。
【００９２】
芳香族炭化水素類としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ｎ−プロピルベンゼン、ｉ−プロピルベンゼン、ｎ−ブチルベンゼン、メシチレン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン等が挙げられる。
【００９３】
これら有機溶剤のうち、特に組成物溶液の粘度の調整のし易さの観点から、エーテル類が好ましく、特にヘキシルメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル等が好ましい。
【００９４】
本実施の形態のシード層形成組成物に含有される溶剤の含有量は、本実施形態の組成物の全量に対して０質量％〜９５質量％の範囲であり、１質量％〜７０質量％の範囲であることが好ましく、１０質量％〜５０質量％の範囲であることがより好ましい。
【００９５】
本実施形態の組成物を製造する場合の混合方法としては、特に限定するものではないが、例えば、攪拌羽による攪拌、スターラーおよび攪拌子による攪拌、沸盪器による攪拌、超音波（ホモジナイザー）による攪拌等が挙げられる。攪拌条件としては、例えば、攪拌羽による攪拌の場合、攪拌羽の回転速度が、通常１ｒｐｍ〜４０００ｒｐｍの範囲、好ましくは１００ｒｐｍ〜２０００ｒｐｍの範囲である。
【００９６】
＜配線基板の製造方法＞
本実施形態の配線基板の製造方法は、以上で説明した組成物を用い、図１（ｂ）に示すように、金属塩と還元剤を含む組成物を基板１００上に印刷または塗布して形成した膜を加熱し、シード層５を形成することができる。
【００９７】
上記の印刷方法としては、基体１がリジッドである場合、インクジェット印刷、グラビア印刷、フレキソ印刷、（シルク）スクリーン印刷、凸版印刷等の方法が挙げられる。また、塗布方法としては、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法等が挙げられる。
また、フレキシブルな基体１を用いて形成された基板１００に対しては、上述の方法に加え、ロールコータによる塗布方法を用いることができる。
【００９８】
基板１００上への印刷または塗布方法に対応して、組成物の粘度を調整することができる。組成物の取りうる粘度は、０．０１Ｐｏｉｓｅ〜１０００Ｐｏｉｓｅであり、用いられる方法に応じて還元剤や溶剤の種類と量を調整して、組成物の粘度を調整することが好ましい。
【００９９】
例えば、凸版印刷、（シルク）スクリーン印刷等の高粘度領域の組成物が適した方法である場合、１０Ｐｏｉｓｅ〜１００Ｐｏｉｓｅが好ましい。インクジェット、グラビア、フレキソ印刷等の低粘度領域の組成物が適した場合では、０．０１Ｐｏｉｓｅ〜１０Ｐｏｉｓｅが好ましい。また、スピンコート法、スプレーコート法、バーコート法では、０．０１Ｐｏｉｓｅ〜１００Ｐｏｉｓｅであることが好ましい。尚、上記粘度における温度は２０℃、剪断速度は１０ｓｅｃ−１である。
【０１００】
本実施形態の組成物の粘度は、キャピラリー型、二重円筒型等の剪断速度が規定できる粘度測定方法ならばいずれの方法を用いても測定可能であるが、特にコーン／プレート型（Ｅ型）粘度計が、剪断速度１０ｓｅｃ−１において、上記範囲の粘度を簡便かつ正確に評価できる点で好ましい
【０１０１】
本実施形態の配線基板の製造方法において、シード層５の形成のための組成物の膜の加熱は、非酸化性雰囲気下で行うことが好ましい。非酸化性雰囲気としては、窒素雰囲気、ヘリウム雰囲気、アルゴン雰囲気等が挙げられる。また、処理能力向上のため、窒素フローリフロー炉等の連続焼成炉を使用し、加熱処理をすることも可能である。これらの中でも、安価な窒素ガスを用いることができる窒素雰囲気が好ましい。すなわち、本実施形態の配線基板の製造方法において、組成物は、水素ガス等の還元性ガスを用いた還元雰囲気を形成する必要はなく、安全な状態で加熱することによりシード層５を形成することができる。
【０１０２】
本実施形態の配線基板の製造方法において、シード層５形成のための組成物から形成された膜の加熱温度は、例えば、銅塩等の金属成分が還元され、有機物が分解または揮発する温度であれば特に限定するものではない。好ましくは、５０℃〜２６０℃の範囲であり、１２０℃〜２００℃の範囲がより好ましい。銅塩等である金属成分の還元を進行させ、また有機物の残存を防ぐためには加熱温度が５０℃以上であることが好ましく、基体１に有機材料からなる基体を利用するためには、加熱温度が２６０℃以下であることが好ましい。
【０１０３】
本実施形態の配線基板の製造方法において、加熱時間は、含有する金属成分の種類や、形成されるシード層５の導電性を考慮して適宜選択すればよく、特に限定するものではないが、２００℃程度の加熱温度を設定した場合には、通常１０分〜６０分間程度である。
【０１０４】
〔工程（Ｂ）〕
本実施形態の配線基板の製造方法の含有する工程（Ｂ）は、図１（ｃ）に示すように、シード層５上の所定領域であって、シード層５が設けられている領域よりも小さい領域に配線層７を形成する工程である。工程（Ｂ）は、上述したように、工程（ｂ−１）〜工程（ｂ−３）の各工程を含んで構成することができる。
【０１０５】
図３（ａ）および（ｂ）は、配線層の形成のための各工程を示す模式的な断面図である。
尚、図３（ｂ）では、図１（ｃ）と同様の図面を用いて工程を説明する。
【０１０６】
［工程（ｂ−１）］
工程（ｂ−１）は、図３（ａ）に示すように、図３（ｂ）でシード層５上の配線層７を形成するための所定領域以外の領域にレジストパターン６を形成する工程である。
【０１０７】
レジストパターン６を形成する際には、例えば、感光性絶縁樹脂組成物が用いられる。感光性絶縁樹脂組成物としては、通常のプリント配線基板の製造において用いられる感光性絶縁樹脂組成物であれば特に限定されず、例えば、アクリル樹脂系、エポキシ樹脂系、フェノール樹脂系、ポリイミド系等の樹脂組成物が挙げられる。特に、感光性絶縁樹脂組成物として、特開２００２−１３９８３５号公報に開示されている（Ａ）フェノール性水酸基を有するアルカリ可溶性樹脂、（Ｂ）分子中に少なくとも２つ以上のアルキルエーテル化されたアミノ基を含有する化合物、（Ｃ）架橋微粒子、（Ｄ）光感応性酸発生剤、および（Ｅ）溶剤を含む樹脂組成物を好適に用いることができる。また、感光性絶縁樹脂組成物は、液状であるいは貼着性を有するドライフィルムのようなフィルム状で用いてもよい。
【０１０８】
感光性のドライフィルムレジストには、市販品を使用することができ、例えば、ＦＰ−２２５（東京応化株式会社製）、ＲＹ３２２５（日立化成株式会社製）等を使用することができる。
【０１０９】
具体的には、開口部４の内部を含めて全面に感光性絶縁樹脂組成物を塗布（液状の場合）、またはラミネート（フィルム状の場合）して「感光性レジスト層」を形成する。そして、後述する図３（ｂ）の所望とする配線層７の形状に従うようにパターニングされたマスク（図示せず）を用いて露光および現像（レジストのパターニング）を行うことで、配線層７のパターン形状に応じて相補的な形状となるようにパターニングされたレジストパターン６を形成する。
【０１１０】
［工程（ｂ−２）］
工程（ｂ−２）は、図３（ｂ）（図１（ｃ））に示すように、レジストパターン６によって被覆されずに露出したシード層５の上に、配線層７を形成する工程である。
【０１１１】
工程（ｂ−２）は、絶縁層３上と開口部４の内面に形成されたシード層５を給電層として、開口部４を含む、レジストパターン６によって被覆されずに露出したシード層５の上に配線層７を形成する。形成された配線層７は、レジストパターン６によりシード層５上で所望とする形状にパターニングされており、シード層５が設けられている領域より小さい領域に形成されている。
【０１１２】
配線層７の構成材料としては、通常は銅（Ｃｕ）が用いられる。シード層５上の領域に配線層７を形成する方法としては、通常のプリント配線基板の製造において用いられる方法であれば特に限定されずに適用可能であり、例えば、電解メッキ、無電解メッキ、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法が挙げられる。特に、開口部４を含むシード層５上の領域に配線層７を形成する方法としては電解メッキが好ましい。
【０１１３】
電解メッキの具体例としては、上述の工程（ｂ−１）で得られたレジストパターン６の形成された基板１００を用い、９７℃以上の温度の熱湯処理を行った後、コンディショナ薬液を用いた前処理（例えば、５０℃程度で加熱。）を行い、室温条件下で水洗を行った後、ソフトエッチング薬液を用いた基板表面のソフトエッチングを行う。
次いで、水洗し、プレディップ薬液を用いた前処理を行った後、アクチベータ薬液を用いた活性化を行う。次いで、水洗の後、アクセレータを用いた析出促進処理を行い、銅メッキ液を用いた電解銅メッキ処理を行う。
その後、酸を用いた活性化処理を行って、レジストパターン６によって被覆されずに露出したシード層５の上に、銅からなる配線層７を形成する。
【０１１４】
電解メッキに用いるメッキ液としては、銅を含む電解液の使用が可能である。具体的には、硫酸銅（濃度：７５ｇ／リットル）、硫酸（濃度：２３０ｇ／リットル）、塩素イオン（濃度：５０ｍｇ／リットル）、光沢剤および補正剤を含有して構成されたものを用いることができる。
【０１１５】
電解メッキでは、上述のメッキ液を用い、２３℃程度の設定温度の下、電流密度を０．１Ａ／ｄｍ２〜１０Ａ／ｄｍ２として、含有成分の銅の析出を行う。好ましい銅の析出速度は、０．３３μｍ／分程度であり、その場合の電解メッキ処理の電流密度は、２Ａ／ｄｍ２程度とすることが好ましい。
【０１１６】
尚、上述した電解メッキ処理のための薬液は市販のものを使用することができる。例えば、硫酸銅としてはＪＸ日鉱日石金属製のユピノーグ（登録商標）（硫酸銅五水和物）を使用できる。光沢剤としてはクックソンエレクトロニクス製のスーパースロー２０００光沢剤を使用できる。補正剤としてはクックソンエレクトロニクス製のスーパースロー２０００補正剤を使用できる。活性化処理のための酸には、前島商店社製の９８％硫酸を使用することができる。
【０１１７】
［工程（ｂ−３）］
工程（ｂ−３）は、レジストパターン６を除去する工程である。公知の方法に従い、図１（ｃ）に示す、シード層５上のレジストパターン６を除去して、その下層のシード層５を露出させる。
【０１１８】
〔工程（Ｃ）〕
本実施形態の配線基板の製造方法の含有する工程（Ｃ）は、図１（ｄ）に示すように、配線層７によって被覆されずに露出したシード層５を除去する工程である。工程（Ｃ）では、開口部４の内部を含む基板１００の上に、所望のパターンを備えた配線層７を形成することができる。そして、配線層７のパターンの各部間にあったシード層５は除去され、配線層７の各部間で必要とされる場合に、絶縁性が確保される。そして、本実施形態の配線基板１０００を得ることができる。
【０１１９】
配線層７によって被覆されずに露出したシード層５の除去は、硫酸と過酸化水素の混合液や過硫酸ナトリウム、過硫酸アンモニウム、塩化第二鉄、塩化第二銅等のエッチング液を用い、溶解除去することにより行うことができる。
【０１２０】
本発明の実施形態の配線基板の製造方法は、図１（ａ）〜（ｄ）を用いて説明したように、工程（Ａ）〜工程（Ｃ）を含み、配線基板を製造することができる。本実施形態の配線基板の製造方法は、電解メッキのためのシード層を形成するが、その形成は、スパッタ法等の真空プロセスを用いることはなく、また、無電解メッキのように多数の工程が不要な、金属塩等を含む組成物を塗布して得られた膜を加熱する方法によって行われる。したがって、本実施形態の配線基板の製造方法は、微細なパターンかつ高い生産性で、配線基板を製造することができる。
【実施例】
【０１２１】
以下、実施例に基づいて本発明の実施形態をより具体的に説明する。しかし、本発明はこれらの実施例により何ら限定されるものではない。
【０１２２】
図４は、本発明の実施例である配線基板の模式的な断面図である。
【０１２３】
図４に示す配線基板１０００は、図１（ａ）〜（ｄ）に示した本発明の実施形態の配線基板の製造方法によって製造され、図１（ｄ）の配線基板１０００と同様の構造を有する。したがって、共通する構成要素は同じ符号を付し、重複する説明は省略する。
【０１２４】
〔組成物の調製〕
［調整例１］
組成物全体に対して、金属塩としてギ酸銅４水和物  ２０質量％、還元剤として２−エチルヘキシルアミン  ８０質量％となるように混合し、ビーズミルを使用して、室温で回転数２０００ｒｐｍ、６０分間のビーズミル分散を行い、組成物を調整した。
【０１２５】
［調整例２］
組成物全体に対して、金属塩として水酸化銅  １０質量％、還元剤として３−エトキシプロピルアミン  ７５質量％、ギ酸  １５質量％を混合し、ビーズミルを使用して、室温で回転数２０００ｒｐｍ、６０分間のビーズミル分散を行い、組成物を調整した。
【０１２６】
[調整例３]
組成物全体に対して、金属塩としてギ酸銅４水和物  １０質量％、還元剤として３−エトキシプロピルアミン  ９０質量％を混合し、ビーズミルを使用して、室温で回転数２０００ｒｐｍ、６０分間のビーズミル分散を行い、組成物を調整した。
【０１２７】
[調整例４]
組成物全体に対して、金属塩としてギ酸銅４水和物  １５質量％、還元剤としてアミノアセトアルデヒドジエチルアセタール  ８５質量％を混合し、ビーズミルを使用して、室温で回転数２０００ｒｐｍ、６０分間のビーズミル分散を行い、組成物を調整した。
【０１２８】
[調整例５]
組成物全体に対して、金属塩として酢酸銅  １０質量％、還元剤として３−エトキシプロピルアミン  ８０質量％、ギ酸  １０質量％を混合し、ビーズミルを使用して、室温で回転数２０００ｒｐｍ、６０分間のビーズミル分散を行い、組成物を調整した。
【０１２９】
[調整例６]
組成物全体に対して、金属塩として無水ギ酸銅  １５質量％、還元剤として２−エチルヘキシルプロピルアミン  ５０質量％、溶剤としてジエチレングリコールジメチルエーテル  ３５質量％を混合し、ビーズミルを使用して、室温で回転数２０００ｒｐｍ、６０分間のビーズミル分散を行い、組成物を調整した。
【０１３０】
[調整例７]
組成物全体に対して、金属塩として無水ギ酸銅  １５質量％、還元剤として２−エチルヘキシルプロピルアミン  ３５質量％、２−エトキシエチルアミン  ２５質量％、溶剤としてヘキシルメチルエーテル  ２５質量％を混合し、ビーズミルを使用して、室温で回転数２０００ｒｐｍ、６０分間のビーズミル分散を行い、組成物を調整した。
【０１３１】
〔配線基板の製造と評価〕
［実施例１］
ガラスエポキシ樹脂からなる厚さ１ｍｍの基体１の両面に１８μｍの銅箔がラミネートされている銅張積層板をエッチングし、基体１上に、幅１００μｍの銅からなる下層配線パターン２を形成した。次に、厚さ７０ミクロンの樹脂層（ＧＸ−１３：味の素ファインテクノ社製）をラミネーターにより積層し、絶縁層３を形成した。
【０１３２】
基体１に積層した絶縁層３に、直径１００ミクロンの開口部４を下層配線パターン２上の所定の位置に形成し、さらに、過マンガン酸液に浸漬することで、開口部４の側面を含む、絶縁層３の表面を粗化し、基板１００を得た。
【０１３３】
次に、バーコート法により、調整例１で調製された組成物を絶縁層３の表面にコートした。次に、組成物をコートした基板１００を窒素雰囲気中で、１７０℃、１０分間の加熱処理をすることで、絶縁層３の表面上に厚さ約１μｍのシード層５を形成した。
【０１３４】
次に、組成物を加熱して形成されたシード層５の上にリソグラフィ法を用いて、レジストパターン６（図４中、図示されない。）を形成した。次いで、基板１００を硫酸銅メッキ液に浸漬し、電解銅メッキにて、厚さ１０μｍの銅からなる配線層７を所定の位置に形成した。
【０１３５】
電解銅メッキ処理の後、レジストパターン６を除去し、さらに、通常の銅エッチング液で、レジストパターン６の下にあったシード層５を除去した。そして、幅５０μｍの配線層７として、配線層７ａ、７ｂ、７ｃを形成し、配線基板１０００を製造した。
【０１３６】
製造された配線基板１０００の評価は、配線間の抵抗値を測定して行った。
デジタルマルチメーター（Ｋｅｔｈｌｅｙ  ２０００）を用いて測定した結果、配線層７ｂと配線層７ｃ間（最小電極間距離３０μｍ）の絶縁抵抗が１０ＭΩ以上、配線層７ａと下層配線パターン２ａの導通抵抗が１０Ω以下であることを確認した。
【０１３７】
[実施例２]
調整例１の組成物の代わりに調整例２で調製された組成物を用い、実施例１と同様の製造方法により、図４に示す構造の配線基板１０００を製造した。そして、実施例１と同様の測定方法により配線間の抵抗値の測定を行った。測定した結果、配線層７ｂと配線層７ｃ間（最小電極間距離３０μｍ）の絶縁抵抗が１０ＭΩ以上、配線層７ａと下層配線パターン２ａの導通抵抗が１０Ω以下であることを確認した。
【０１３８】
[実施例３]
調整例１の組成物の代わりに調整例３で調製された組成物を用い、実施例１と同様の製造方法により、図４に示す構造の配線基板１０００を製造した。そして、実施例１と同様の測定方法により配線間の抵抗値の測定を行った。測定した結果、配線層７ｂと配線層７ｃ間（最小電極間距離３０μｍ）の絶縁抵抗が１０ＭΩ以上、配線層７ａと下層配線パターン２ａの導通抵抗が１０Ω以下であることを確認した。
【０１３９】
[実施例４]
調整例１の組成物の代わりに調整例４で調製された組成物を用い、実施例１と同様の製造方法により、図４に示す構造の配線基板１０００を製造した。そして、実施例１と同様の測定方法により配線間の抵抗値の測定を行った。測定した結果、配線層７ｂと配線層７ｃ間（最小電極間距離３０μｍ）の絶縁抵抗が１０ＭΩ以上、配線層７ａと下層配線パターン２ａの導通抵抗が１０Ω以下であることを確認した。
【０１４０】
[実施例５]
調整例１の組成物の代わりに調整例５で調製された組成物を用い、実施例１と同様の製造方法により、図４に示す構造の配線基板１０００を製造した。そして、実施例１と同様の測定方法により配線間の抵抗値の測定を行った。測定した結果、配線層７ｂと配線層７ｃ間（最小電極間距離３０μｍ）の絶縁抵抗が１０ＭΩ以上、配線層７ａと下層配線パターン２ａの導通抵抗が１０Ω以下であることを確認した。
【０１４１】
[実施例６]
調整例１の組成物の代わりに調整例６で調製された組成物を用い、実施例１と同様の製造方法により、図４に示す構造の配線基板１０００を製造した。そして、実施例１と同様の測定方法により配線間の抵抗値の測定を行った。測定した結果、配線層７ｂと配線層７ｃ間（最小電極間距離３０μｍ）の絶縁抵抗が１０ＭΩ以上、配線層７ａと下層配線パターン２ａの導通抵抗が１０Ω以下であることを確認した。
【０１４２】
[実施例７]
調整例１の組成物の代わりに調整例７で調製された組成物を用い、実施例１と同様の製造方法により、図４に示す構造の配線基板１０００を製造した。そして、実施例１と同様の測定方法により配線間の抵抗値の測定を行った。測定した結果、配線層７ｂと配線層７ｃ間（最小電極間距離３０μｍ）の絶縁抵抗が１０ＭΩ以上、配線層７ａと下層配線パターン２ａの導通抵抗が１０Ω以下であることを確認した。
【０１４３】
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【０１４４】
例えば、上述した本発明の実施形態では、本発明の配線基板の製造方法を用いて多層基板を製造する例について説明したが、製造される配線基板は多層基板に限られるわけではない。シード層を用いて配線層を形成する配線基板であれば、本発明の配線基板の製造方法を好適に適用することができる。
【産業上の利用可能性】
【０１４５】
本発明の配線基板の製造方法は、微細なパターンを有する配線層形成のためのシード層の形成に、スパッタ法等の真空プロセスを必要とするものではなく、高い生産性で、プリント配線基板等、高信頼性の配線基板を製造することができる。
【符号の説明】
【０１４６】
１    基体
２、２ａ    下層配線パターン
３    絶縁層
４    開口部
５    シード層
６    レジストパターン
７、７ａ、７ｂ、７ｃ    配線層
１００    基板
１０００    配線基板
【図１】
2014027211.tif 000003
【図２】
2014027211.tif 000004
【図３】
2014027211.tif 000005
【図４】
2014027211.tif 000006