(57)【要約】【課題】応答速度を向上させるとともに、光の透過損失を低減できる液晶表示装置及び液晶表示装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】液晶表示装置は、対向する第１の基板及び第２の基板の間に液晶層を有する表示装置であって、第１の基板は、第１電極と第２電極とを有し、第１電極又は第２電極は、第１の方向に延びる電極基部と、当該第１の方向と異なる第２の方向に延び、かつ互いに一定距離を隔てて電極基部から櫛歯状に複数突出する櫛歯部とを含み、櫛歯部は、電極基部が上または下に積層された接続部を有する。【選択図】図１３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１の基板及び第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板の間に設けられた液晶層と、
前記第１の基板と前記液晶層の間に設けられた第１電極と第２電極と、
を有する表示装置であって、
前記第１電極は、
第１の方向に延びる電極基部と、
当該第１の方向と異なる第２の方向に延び、かつ互いに一定距離を隔てて前記電極基部から複数突出する櫛歯部とを含み、
前記櫛歯部は、前記電極基部が上または下に積層された接続部を有する、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１電極と前記第２電極とは、前記液晶層を駆動する横電界を発生させる位置に配置されている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１電極は、絶縁層を介して前記第２電極の上に積層されている、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記液晶層は、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される場合、隣り合う前記櫛歯部間のスリットの幅方向において対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の近傍領域にある液晶分子と、前記対向する前記櫛歯部の長辺のうち他方の近傍領域にある液晶分子とが互いに逆方向に回転する、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１電極と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、
前記第２の基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜とをさらにを有し、
前記第１配向膜は、前記第２の方向と平行な方向である第１配向方向に配向処理され、
前記第２配向膜は、前記第１配向方向と反平行である第２配向方向に配向処理され、
前記第１電極及び前記第２電極に対して電圧が印加されていない場合、前記液晶分子の長軸が前記第１配向方向に並んで配向している、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される場合、前記液晶分子の長軸方向は、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の近傍領域において回転方向が右回りに、かつ他方の近傍領域において回転方向が左回りに、前記第１基板の面内方向で回転しながら、前記第１基板に対して垂直な方向に立ち上がるように配向する、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記電極基部は、透光性導電材料で形成されている、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記電極基部は、金属材料で形成されている、請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記櫛歯部は、透光性導電材料で形成されている、請求項１乃至８のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記電極基部は、前記接続部よりも下層にある、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の液晶表示装置と、
前記液晶表示装置に入力信号を供給する制御装置と、を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、液晶を備える液晶表示装置に関する。また、本開示は、液晶を備える液晶表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶を駆動する方式（モード）として、基板間に縦方向に発生する電界、いわゆる縦電界を用いる液晶駆動方式が知られている。このような縦電界を用いて液晶を駆動する液晶表示装置として、ＴＮ（Twisted  Nematic：ツイステッドネマティック）、ＶＡ（Vertical  Alignment：垂直配向）及びＥＣＢ（Electrically  Controlled  Birefringence：電界制御複屈折）等の縦電界型の液晶表示装置が知られている。また、特許文献１に記載されているように、液晶を駆動する方式として、基板に対して平行な方向（横方向）に発生する電界、いわゆる横電界を用いる液晶駆動方式も知られている。このような横電界を用いて液晶を駆動する液晶表示装置として、ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching：フリンジフィールドスイッチング）及びＩＰＳ（In  Plane  Switching：インプレーンスイッチング）等の横電界型の液晶表示装置も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−５２１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した横電界型の液晶表示装置では、第１電極と第２電極との間で、かつ基板に対して平行方向に電界を形成することにより液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、その液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。横電界型の液晶表示装置は、液晶の応答速度を向上させることが求められている。応答速度を向上させる第１電極又は第２電極の形状によっては、光が透過する損失を生じさせてしまう可能性がある。
【０００５】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、応答速度を向上させるとともに、光の透過損失を低減できる液晶表示装置及び液晶表示装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示による液晶表示装置は、対向する第１の基板及び第２の基板の間に液晶層を有する液晶表示装置であって、前記第１の基板は、第１電極と第２電極とを有し、前記第１電極は、第１の方向に延びる電極基部と、当該第１の方向と異なる第２の方向に延び、かつ互いに一定距離を隔てて前記電極基部から櫛歯状に複数突出する櫛歯部とを含み、前記櫛歯部は、前記電極基部が上または下に積層された接続部を有する。
【０００７】
本開示による電子機器は、上述した液晶表示装置と、前記液晶表示装置に入力信号を供給する制御装置と、を有する。
【発明の効果】
【０００８】
本開示によれば、応答速度を向上させるとともに、光の透過損失を低減できる液晶表示装置及び液晶表示装置を備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態１に係る液晶表示装置のシステム構成例を表すブロック図である。
【図２】図２は、実施形態１に係る液晶表示装置の画素を駆動する駆動回路を示す回路図である。
【図３】図３は、実施形態１に係る液晶表示装置の画素を説明するための平面図である。
【図４】図４は、図３のＡ１−Ａ２線断面を示す模式図である。
【図５】図５は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係を説明するための模式図である。
【図６】図６は、実施形態１に係る第１電極の形状と遮光位置との関係を説明するための模式図である。
【図７】図７は、実施形態１に係る液晶表示装置において、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加されない場合の液晶の配向を説明するための説明図である。
【図８】図８は、図７のＢ１−Ｂ２断面を示す模式図である。
【図９】図９は、実施形態１に係る液晶表示装置において、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加される場合の液晶の配向を説明するための説明図である。
【図１０】図１０は、図９のＣ１−Ｃ２線断面を示す模式図である。
【図１１】図１１は、実施形態１に係る第１電極の形状を詳細に説明するための模式図である。
【図１２】図１２は、実施形態１に係る第１電極を詳細に説明するための模式図である。
【図１３】図１３は、図１２のＥ１−Ｅ２線断面を示す模式図である。
【図１４】図１４は、実施形態１に係る第１電極の変形例を詳細に説明するための模式図である。
【図１５】図１５は、図１４のＦ１−Ｆ２線断面を示す模式図である。
【図１６】図１６は、図３のＡ１−Ａ２線断面の変形例を示す模式図である。
【図１７】図１７は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。
【図１８】図１８は、実施形態２に係る液晶表示装置の画素を説明するための平面図である。
【図１９】図１９は、図１８のＧ１−Ｇ２線断面を示す模式図である。
【図２０】図２０は、実施形態２に係る第１電極の形状と開口部との関係を説明するための模式図である。
【図２１】図２１は、実施形態２に係る第１電極の形状と遮光位置との関係を説明するための模式図である。
【図２２】図２２は、実施形態２に係る第１電極を詳細に説明するための模式図である。
【図２３】図２３は、図２２のＨ１−Ｈ２線断面を示す模式図である。
【図２４】図２４は、実施形態２に係る第１電極の変形例を詳細に説明するための模式図である。
【図２５】図２５は、図２４のＪ１−Ｊ２線断面を示す模式図である。
【図２６】図２６は、図１８のＧ１−Ｇ２線断面の変形例を示す模式図である。
【図２７】図２７は、実施形態２に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。
【図２８】図２８は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図２９】図２９は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３０】図３０は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３１】図３１は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３２】図３２は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３３】図３３は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３４】図３４は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３５】図３５は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３６】図３６は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３７】図３７は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３８】図３８は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図３９】図３９は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図４０】図４０は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【図４１】図４１は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本開示を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本開示が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施形態（液晶表示装置）
１−１．実施形態１
１−２．実施形態２
２．適用例（電子機器）
上記実施形態に係る液晶表示装置が電子機器に適用されている例
３．本開示の態様
【００１１】
＜１．実施形態（液晶表示装置）＞
＜１−１．実施形態１＞
図１は、本実施形態に係る液晶表示装置のシステム構成例を表すブロック図である。なお、表示装置１が本開示の「液晶表示装置」の一具体例に相当する。
【００１２】
表示装置１は、透過型の液晶表示装置であり、表示パネル２と、ドライバＩＣ３と、を備えている。図示しないフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Flexible  Printed  Circuits）は、ドライバＩＣ３への外部信号又はドライバＩＣ３を駆動する駆動電力を伝送する。表示パネル２は、透光性絶縁基板、例えばガラス基板１１と、ガラス基板１１の表面にあり、液晶セルを含む画素がマトリクス状（行列状）に多数配置されてなる表示エリア部２１と、水平ドライバ（水平駆動回路）２３と、垂直ドライバ（垂直駆動回路）２２と、を備えている。ガラス基板１１は、能動素子（例えば、トランジスタ）を含む多数の画素回路がマトリクス状に配置形成される第１の基板と、この第１の基板と所定の間隙をもって対向して配置される第２の基板とによって構成される。第１の基板と第２の基板との間隙は、第１の基板上の各所に配置形成されるフォトスペーサによって所定の間隙に保持される。そして、これら第１の基板、第２の基板間に液晶が封入される。
【００１３】
（液晶表示装置のシステム構成例）
表示パネル２は、ガラス基板１１上に、表示エリア部２１と、インターフェース（Ｉ／Ｆ）及びタイミングジェネレータの機能を備えるドライバＩＣ３と、垂直ドライバ２２及び水平ドライバ２３と、を備えている。
【００１４】
表示エリア部２１は、液晶層を含む画素Ｖｐｉｘが、表示上の１画素を構成するユニットがＭ行×Ｎ列に配置されたマトリクス（行列状）構造を有している。なお、この明細書において、行とは、一方向に配列されるＮ個の画素Ｖｐｉｘを有する画素行をいう。また、列とは、行に含まれる画素Ｖｐｉｘが配列される方向と直交する方向に配列されるＭ個の画素Ｖｐｉｘを有する画素列をいう。そして、ＭとＮとの値は、垂直方向の表示解像度と水平方向の表示解像度に応じて定まる。表示エリア部２１は、画素ＶｐｉｘのＭ行Ｎ列の配列に対して行毎に走査線２４１、２４２、２４３・・・２４Ｍが配線され、列毎に信号線２５１、２５２、２５３・・・２５Ｎが配線されている。以後、本実施形態においては、走査線２４１、２４２、２４３・・・２４Ｍを代表して走査線２４のように表記し、信号線２５１、２５２、２５３・・・２５Ｎを代表して信号線２５のように表記することがある。また、本実施形態においては、走査線２４１、２４２、２４３・・・２４Ｍの任意の３本の走査線を、走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２（ただし、ｍは、ｍ≦Ｍ−２を満たす自然数）のように表記し、信号線２５１、２５２、２５３・・・２５Ｎの任意の３本の信号線を、信号線２５ｎ、２５ｎ＋１、２５ｎ＋２（ただし、ｎは、ｎ≦Ｎ−２を満たす自然数）のように表記する。
【００１５】
表示装置１には、外部から外部信号である、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号が入力され、ドライバＩＣ３に与えられる。ドライバＩＣ３は、外部電源の電圧振幅のマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を、液晶の駆動に必要な内部電源の電圧振幅にレベル変換し、マスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号を生成する。ドライバＩＣ３は、生成したマスタークロック、水平同期信号及び垂直同期信号をそれぞれ垂直ドライバ２２及び水平ドライバ２３に与える。ドライバＩＣ３は、画素Ｖｐｉｘ毎の後述する共通電極ＣＯＭに対して各画素共通に与えるコモン電位を生成して表示エリア部２１に与える。
【００１６】
垂直ドライバ２２は、垂直クロックパルスに同期してドライバＩＣ３から出力される表示データを１水平期間で順次サンプリングしラッチする。垂直ドライバ２２は、ラッチされた１ライン分のデジタルデータを垂直走査パルスとして順に出力し、表示エリア部２１の走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２・・・に与えることによって画素Ｖｐｉｘを行単位で順次選択する。垂直ドライバ２２は、例えば、走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２・・・の表示エリア部２１の上寄り、垂直走査上方向から、表示エリア部２１の下寄り、垂直走査下方向へ順にデジタルデータを出力する。また、垂直ドライバ２２は、走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２・・・の表示エリア部２１の下寄り、垂直走査下方向から、表示エリア部２１の上寄り、垂直走査上方向へ順にデジタルデータを出力することもできる。
【００１７】
水平ドライバ２３には、例えば６ビットのＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）のデジタル映像データＶｓｉｇが与えられる。水平ドライバ２３は、垂直ドライバ２２による垂直走査によって選択された行の各画素Ｖｐｉｘに対して、画素毎に、もしくは複数画素毎に、或いは全画素一斉に、信号線２５を介して表示データを書き込む。
【００１８】
表示装置１は、液晶素子に同極性の直流電圧が印加され続けることによって液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等が劣化する可能性がある。表示装置１は、液晶の比抵抗（物質固有の抵抗値）等の劣化を防ぐため、駆動信号のコモン電位を基準として映像信号の極性を所定の周期で反転させる駆動方式が採られる。
【００１９】
この液晶表示パネルの駆動方式として、ライン反転駆動方式、ドット反転駆動方式、フレーム反転駆動方式などの駆動方式が知られている。ライン反転駆動方式は、１ライン（１画素行）に相当する１Ｈ（Ｈは水平期間）の時間周期で映像信号の極性を反転させる駆動方式である。ドット反転駆動方式は、互いに隣接する上下左右の画素毎に映像信号の極性を交互に反転させる駆動方式である。フレーム反転駆動方式は、１画面に相当する１フレーム毎に全画素に書き込む映像信号を一度に同じ極性で反転させる駆動方式である。表示装置１は、上記の各駆動方式のいずれを採用することも可能である。
【００２０】
（表示エリア部の構成例）
図２は、実施形態１に係る表示装置の画素を駆動する駆動回路を示す回路図である。表示エリア部２１には、各画素Ｖｐｉｘの薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin  Film  Transistor）素子Ｔｒに表示データとして画素信号を供給する信号線２５ｎ、２５ｎ＋１、２５ｎ＋２、各ＴＦＴ素子Ｔｒを駆動する走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２等の配線が形成されている。このように、信号線２５ｎ、２５ｎ＋１、２５ｎ＋２は、上述したガラス基板１１の表面と平行な平面に延在し、画素Ｖｐｉｘに画像を表示するための画素信号を供給する。画素Ｖｐｉｘは、ＴＦＴ素子Ｔｒ及び液晶素子ＬＣを備えている。ＴＦＴ素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Metal  Oxide  Semiconductor）型のＴＦＴで構成されている。ＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの一方は信号線２５ｎ、２５ｎ＋１、２５ｎ＋２に接続され、ゲートは走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２に接続され、ソース又はドレインの他方は液晶素子ＬＣの一端に接続されている。液晶素子ＬＣは、一端がＴＦＴ素子Ｔｒのソース又はドレインの他方に接続され、他端が共通電極ＣＯＭに接続されている。
【００２１】
画素Ｖｐｉｘは、走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２により、表示エリア部２１の同じ行に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２は、垂直ドライバ２２と接続され、垂直ドライバ２２から走査信号の垂直走査パルスが供給される。また、画素Ｖｐｉｘは、信号線２５ｎ、２５ｎ＋１、２５ｎ＋２により、表示エリア部２１の同じ列に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。信号線２５ｎ、２５ｎ＋１、２５ｎ＋２は、水平ドライバ２３と接続され、水平ドライバ２３より画素信号が供給される。さらに、画素Ｖｐｉｘは、共通電極ＣＯＭにより、表示エリア部２１の同じ列に属する他の画素Ｖｐｉｘと互いに接続されている。共通電極ＣＯＭは、ドライバＩＣ３と接続され、ドライバＩＣ３より駆動信号が供給される。
【００２２】
図１に示す垂直ドライバ２２は、垂直走査パルスを、図２に示す走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２を介して、画素ＶｐｉｘのＴＦＴ素子Ｔｒのゲートに印加することにより、表示エリア部２１にマトリクス状に形成されている画素Ｖｐｉｘのうちの１行（１水平ライン）を表示駆動の対象として順次選択する。図１に示す水平ドライバ２３は、画素信号を、図２に示す信号線２５ｎ、２５ｎ＋１、２５ｎ＋２を介して、垂直ドライバ２２により順次選択される１水平ラインに含まれる各画素Ｖｐｉｘにそれぞれ供給する。そして、これらの画素Ｖｐｉｘでは、供給される画素信号に応じて、１水平ラインの表示が行われるようになっている。ドライバＩＣ３は、駆動信号を印加し、共通電極ＣＯＭを駆動する。
【００２３】
上述したように、表示装置１は、垂直ドライバ２２が走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２を順次走査するように駆動することにより、１水平ラインが順次選択される。また、表示装置１は、１水平ラインに属する画素Ｖｐｉｘに対して、水平ドライバ２３が画素信号を供給することにより、１水平ラインずつ表示が行われる。この表示動作を行う際、ドライバＩＣ３は、共通電極ＣＯＭに対して駆動信号を印加するようになっている。
【００２４】
また、表示エリア部２１は、カラーフィルタを有する。カラーフィルタは、格子形状のブラックマトリクス７６ａと、開口部７６ｂと、を有する。ブラックマトリクス７６ａは、図２に示すように画素Ｖｐｉｘの外周を覆うように形成されている。つまり、ブラックマトリクス７６ａは、二次元配置された画素Ｖｐｉｘと画素Ｖｐｉｘとの境界に配置されることで、格子形状となる。ブラックマトリクス７６ａは、光の吸収率が高い材料で形成されている。開口部７６ｂは、ブラックマトリクス７６ａの格子形状で形成されている開口であり、画素Ｖｐｉｘに対応して配置されている。
【００２５】
開口部７６ｂは、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色された色領域を含む。カラーフィルタは、開口部７６ｂに例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域を周期的に配列して、図２に示す各画素ＶｐｉｘにＲ、Ｇ、Ｂの３色の色領域が１組として画素Ｐｉｘとして対応付けられている。
【００２６】
なお、カラーフィルタは、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。一般に、カラーフィルタは、緑（Ｇ）の色領域の輝度が、赤（Ｒ）の色領域及び青（Ｂ）の色領域の輝度よりも高い。カラーフィルタは、なくてもよく、この場合白色となる。或いは、カラーフィルタに光透過性の樹脂を用いて白色としてもよい。
【００２７】
表示エリア部２１は、正面に直交する方向からみた場合、走査線２４と信号線２５がカラーフィルタのブラックマトリクス７６ａと重なる領域に配置されている。つまり、走査線２４及び信号線２５は、正面に直交する方向からみた場合、ブラックマトリクス７６ａの後ろに隠されることになる。また、表示エリア部２１は、ブラックマトリクス７６ａが配置されていない領域が開口部７６ｂとなる。
【００２８】
図２に示すように、走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２が等間隔で配置され、信号線２５ｎ、２５ｎ＋１、２５ｎ＋２も等間隔で配置されている。そして、各画素Ｖｐｉｘは、近接する走査線２４ｍ、２４ｍ＋１、２４ｍ＋２と近接する信号線２５ｎ、２５ｎ＋１、２５ｎ＋２とで区画される領域に、同じ方向を向いて配置されている。
【００２９】
図３は、実施形態１に係る液晶表示装置の画素を説明するための平面図である。各画素Ｖｐｉｘは、垂直走査下方向（図中下方向）に開口部７６ｂが形成され、垂直走査上方向（図中上方向）左側にＴＦＴ素子Ｔｒが配置され、垂直走査上方向（図中上方向）右側にＴＦＴ素子Ｔｒのドレイン電極に画素電極が接続されるコンタクト９０Ｈが形成されている。なお、ＴＦＴ素子Ｔｒのドレインとは、半導体層（活性層）の一部とドレイン電極９０を含む。同様に、ＴＦＴ素子Ｔｒのソースとは、半導体層（活性層）の別の一部とソース電極９１を含む。カラーフィルタ７６Ｒ、７６Ｇ及び７６Ｂは、開口部７６ｂに例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域を周期的に配列して、図２に示す各画素Ｖｐｉｘ毎に、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域を形成している。
【００３０】
図４は、図３のＡ１−Ａ２線断面を示す模式図である。表示装置１は、図４に示すように、画素基板（第１の基板）７０Ａと、この画素基板７０Ａの表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板（第２の基板）７０Ｂと、画素基板７０Ａと対向基板７０Ｂとの間に挿設された液晶層７０Ｃとを備えている。なお、画素基板７０Ａの液晶層７０Ｃとは反対側の面には、バックライト（図示せず）が配置されている。なお、フォトスペーサ（図示せず）が画素基板７０Ａと対向基板７０Ｂとの間隙を所定の間隙に保持している。
【００３１】
実施形態１に係る液晶層７０Ｃは、画素基板７０ＡのＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）に積層された第１電極３１と第２電極３２との間で、かつＴＦＴ基板７１に対して平行方向に電界（横電界）を発生させることにより、液晶層７０Ｃの液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。例えば、図４に示す第２電極３２は上述した画素電極であり、第１電極３１は、上述した共通電極ＣＯＭである。また、図４に示す液晶層７０Ｃと画素基板７０Ａとの間、及び液晶層７０Ｃと対向基板７０Ｂとの間には、それぞれ第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂが配設されている。
【００３２】
対向基板７０Ｂは、ガラス基板７２と、このガラス基板７２の一方の面に形成された遮光性のブラックマトリクス７６ａと、を含む。ブラックマトリクス７６ａは、画素基板７０Ａと垂直な方向において、液晶層７０Ｃと対向する。
【００３３】
画素基板７０Ａは、回路基板としてのＴＦＴ基板７１を含む。ＴＦＴ基板７１上には、図３に示す走査線２４ｍが形成されている。走査線２４ｍは、ゲート電極９３が電気的に接続されている。なお図３及び図４では、走査線２４ｍ及びゲート電極９３が別々の層に形成されているが、走査線２４ｍ及びゲート電極９３を一体形成してもよい。
【００３４】
ＴＦＴ素子Ｔｒの活性層となるアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を含む半導体層９２は、ゲート電極９３の上層に形成されている。半導体層９２は、ＴＦＴ素子Ｔｒを構成するソース電極９１と接続されている。ソース電極９１は、導電体であり、半導体層９２の一部に電気的に接続されている。ソース電極９１は、図３に示す信号線２５ｎ（図４には非開示）に電気的に接続される。半導体層９２は、ＴＦＴ素子Ｔｒを構成するドレイン電極９０と接続されている。ドレイン電極９０は、半導体層９２の別の一部に電気的に接続されている。なお図３では、信号線２５ｎ及びソース電極９１が別々の層に形成されているが、信号線２５ｎ及びソース電極９１を一体形成してもよい。
【００３５】
絶縁層７４は、例えば、走査線２４ｍと半導体層９２との間の絶縁膜７４１と、半導体層９２と信号線２５ｎとの間の絶縁膜７４２と、信号線２５ｎと第２電極３２との間の絶縁膜７４３と、第２電極３２と第１電極３１との間の絶縁膜７４４とが積層されている。絶縁膜７４１、絶縁膜７４２、絶縁膜７４３、絶縁膜７４４は、同じ絶縁材料であってもよく、いずれかが異なる絶縁材料であってもよい。例えば、絶縁膜７４３は、ポリイミド樹脂などの有機絶縁材料で形成されており、他の絶縁膜（絶縁膜７４１、絶縁膜７４２、絶縁膜７４４）は、窒化珪素、酸化珪素等の無機絶縁材料で形成されている。
【００３６】
導電性金属で形成されたコンタクト９０Ｈは、いわゆるコンタクトホール内に形成され、ドレイン電極９０と第２電極３２とを接続する。第１電極３１は、共通電極ＣＯＭとして、各画素共通に与えるコモン電位が与えられている。第１電極３１及び第２電極３２は、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。
【００３７】
図５は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係を説明するための模式図である。図５に示すように、第１電極３１は、導電材料のない領域であるスリットＳにより、櫛歯状になっている。第１電極３１は、Ｙ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が逆方向である、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを含む。複数の櫛歯部１３１ａが、互いに一定距離を隔てて、それぞれの電極基部１３２から突出する。同様に、複数の櫛歯部１３１ｂが、互いに一定距離を隔てて、それぞれの電極基部１３２から突出する。それぞれの電極基部１３２からは、Ｘ方向に櫛歯部１３１ａが延び、Ｘ方向とは逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びている。
【００３８】
上述した第１配向膜７３ａは、Ｘ方向に所定の初期配向性をもつように、図３及び図５に示すラビング方向Ｒｕｂ（第１ラビング方向、第１配向方向）にラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行（第２ラビング方向、第２配向方向）にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向（配向方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。上述したように、Ｘ方向に櫛歯部１３１ａが延び、Ｘ方向と逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びており、ラビング方向Ｒｕｂは、櫛歯部１３１ａ又は櫛歯部１３１ｂの延びる方向と平行である。ここで平行とは、後述の図９に示す液晶分子ＬＣＱの回転方向が維持できる程度に平行であればよい。より具体的には、０度以上０．５度以下の製造誤差を含む。なお、本実施の形態では、所定の初期配向性をもつように第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂには、ラビング処理が施されている。しかしながら、第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂに初期配向性を持たせるのは、ラビング処理に限定されない。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂに光配向性を有する材料を用いて形成し、所定の初期配向性を持つようにしてもよい。
【００３９】
図６は、実施形態１に係る第１電極の形状と遮光位置との関係を説明するための模式図である。ブラックマトリクス７６ａは、図６に示す幅７６ｈ１ａの位置まで遮光し、コンタクト９０Ｈを隠していればよい。開口部７６ｂの縁に近い櫛歯部１３１ｂと、コンタクト９０Ｈとの間にある、最端スリットＳｗは、隣り合う櫛歯部１３１ａ又は隣り合う櫛歯部１３１ｂの間にあるスリットＳに加わる電界と分布が異なる。このため、ブラックマトリクス７６ａは、図６に示す幅７６ｈ１ｂの位置まで遮光し、コンタクト９０Ｈ及び最端スリットＳｗの半分以上を隠していれば、最端スリットＳｗとスリットＳとの透過率の変化率を近づけることができる。ブラックマトリクス７６ａは、図６に示す幅７６ｈ１ｃの位置まで遮光し、コンタクト９０Ｈ及び最端スリットＳｗを隠していれば、最端スリットＳｗとスリットＳとの透過率の変化率差を考慮しなくてもよくなる。この構造により、開口部７６ｂ内の輝度を均一にすることができる。
【００４０】
図７は、実施形態１に係る液晶表示装置において、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加されない場合の液晶の配向を説明するための説明図である。図８は、図７のＢ１−Ｂ２線断面を示す模式図である。図９は、実施形態１に係る液晶表示装置において、第１電極と第２電極との間に電界を形成する電圧が印加された場合の液晶の配向を説明するための説明図である。図１０は、図９のＣ１−Ｃ２線断面を示す模式図である。図１１は、実施形態１に係る第１電極の形状を詳細に説明するための模式図である。
【００４１】
上述したように、第１配向膜７３ａは、Ｘ方向に所定の初期配向性をもつように、図３及び図５に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。このため、図７に示すように、第１電極３１と第２電極３２との間に電界を形成する電圧が印加されない場合、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂの延びる方向に平行に、液晶層７０Ｃの液晶分子Ｌｃｍの長軸方向が沿うようになり、揃う傾向がある。このため、スリットＳの幅方向で対向する櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂの右側長辺１３１Ｒ及び左側長辺１３１Ｌの近傍領域において、液晶分子Ｌｃｍは、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂの延びる方向に平行に沿って初期配向している。また、図８に示す液晶分子Ｌｃｍは、ラビング方向Ｒｕｂに沿うとともに、ＴＦＴ基板７１の表面に対してプレチルト角θｐを有するようにラビング方向Ｒｕｂに向けて上向きに初期配向している。
【００４２】
図９に示すように、第１電極３１と第２電極３２との間に電界を形成する電圧が印加されると、液晶分子Ｌｃｍが液晶回転方向ＬＣＱに回転する。つまり液晶回転方向ＬＣＱは、Ｘ−Ｙ平面における液晶のツイストないし回転の方向を示す。右側長辺１３１Ｒの近傍領域と、左側長辺１３１Ｌの近傍領域とにある液晶分子Ｌｃｍは、互いに逆向きの電界を受け、逆向きに回転しやすい。
【００４３】
このように、実施形態１に係る表示装置１の液晶層７０Ｃは、第１電極３１と第２電極３２に電圧が印加される場合、隣り合う櫛歯部１３１ａ（１３１ｂ）のスリットＳの幅方向において対向する一方である、右側長辺１３１Ｒの近傍領域、及び他方である左側長辺１３１Ｌの近傍領域において、液晶分子Ｌｃｍが互いに逆方向に回転する。このため、特許文献１に記載のＦＦＳモードの表示装置と比較して、実施形態１に係る表示装置１は、液晶分子Ｌｃｍが第１電極３１と第２電極３２との間の電界の変化に高速に反応する。そして、実施形態１に係る表示装置１は、応答速度が向上する。
【００４４】
なお、応答速度とは、第１電極３１と第２電極３２に電圧を印加する時に、液晶の透過率を所定レベル間で遷移させる際の速度である。即ち電圧が印加されない状態（例えば透過率＝０）から電圧が印加される状態（透過率＝１）へ遷移する際、或いはその逆の遷移の際に要する時間で規定される。
【００４５】
第１電極３１と第２電極３２との間に電界を形成する電圧が印加されると、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向は、画素基板７０Ａ（ＴＦＴ基板７１）の表面に平行な平面（Ｘ−Ｙ面）内で回転しながら、図１０に示すように、Ｚ方向にも変化する。第１電極３１と第２電極３２とは、画素基板７０Ａ（ＴＦＴ基板７１）の表面に垂直な方向に対向して配置されているので、第１電極３１と第２電極３２との間に形成される電界は、スリットＳを通過するフリンジ電界となる。当該フリンジ電界により、液晶分子Ｌｃｍの長軸は、図９に示すＸ−Ｙ平面で各液晶回転方向ＬＣＱ（右回り、左回り）に回転しながら、画素基板７０Ａ（ＴＦＴ基板７１）の表面に垂直な方向（Ｚ方向）へ立ち上がる。スリットＳの中央領域では液晶回転方向ＬＣＱの向きが混在することがある。
【００４６】
図１０に示すように、櫛歯部１３１ｂ間にあるスリット領域Ｒｓでは、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向は、プレチルト角度θｐよりも大きくなる角度θｐ２になる。櫛歯部１３１ａ間にあるスリット領域Ｌｓでは、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向は、プレチルト角度θｐとは逆の方向の角度θｐ１になる。スリット領域Ｌｓは、スリット領域Ｒｓよりも、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向が立ち上がりにくく応答性が劣る可能性がある。
【００４７】
図１１に示すように、実施形態１に係る表示装置１は、第１電極３１の形状をより細かく規定することで応答性を向上できる。例えば、図１１に示すように、Ｘ方向における電極基部１３２間のトータルスリット長をＬ０とする。また、Ｘ方向における櫛歯部１３１ａの櫛歯突出長さをＬ１とする。櫛歯突出長さＬ１は、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆの位置ｘ１から電極基部１３２の突出開始位置ｘ０までの長さである。同様に、Ｘ方向における櫛歯部１３１ｂの櫛歯突出長さをＬ２とする。櫛歯突出長さＬ２は、櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆの位置ｘ１から電極基部１３２の突出開始位置ｘ０までの長さである。また、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆ及び櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆのＹ方向の幅は、ｗ１とする。トータルスリット長Ｌ０は、例えば１０μｍ以上６０μｍ以下が好ましい。また、トータルスリット長Ｌ０は、４０μｍ未満、例えば２０μｍなどが好適である。実施形態１に係る表示装置１は、トータルスリット長Ｌ０を短くすれば、液晶の配向安定性が高くなり、逆に長くすれば輝度が高くなる。
【００４８】
上述したように図１０に示すスリット領域Ｌｓは、スリット領域Ｒｓよりも、液晶分子Ｌｃｍの長軸方向が立ち上がりにくく応答性が劣る可能性がある。スリット領域Ｌｓをスリット領域Ｒｓよりも小さくするため、図１１に示す櫛歯突出長さＬ１は、櫛歯部１３１ａよりもラビング方向Ｒｕｂ側にある櫛歯部１３１ｂの櫛歯突出長さＬ２よりも小さくする。これにより、実施形態１に係る表示装置１は、応答速度を高めることができる。
【００４９】
櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆ及び櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆのＹ方向の幅ｗ１は、例えば２μｍ以上５μｍ以下とし、細い方が、応答速度を高めることができる。
【００５０】
隣り合う櫛歯部１３１ａの配列ピッチ（スリットピッチ）ｐは、隣り合う櫛歯部１３１ｂの配列ピッチｐと同じである。そして、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆと、櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆとがＹ方向に互い違いに配置されるようにしている。この構造により、図９に示すように、櫛歯部１３１ａの右側長辺１３１Ｒと、櫛歯部１３１ｂの右側長辺１３１Ｒとが、Ｘ方向に並ぶようになる。また、この構造により、図９に示すように、櫛歯部１３１ａの左側長辺１３１Ｌと、櫛歯部１３１ｂの左側長辺１３１Ｌとが、Ｘ方向に並ぶようになる。この結果、液晶分子Ｌｃｍが回転する液晶回転方向ＬＣＱは、Ｘ方向にみて同じ向きとなり、液晶分子Ｌｃｍが回転する挙動が安定する。配列ピッチｐは、狭い方が応答速度が速くなるため、配列ピッチｐが９μｍより小さいことが好ましい。
【００５１】
図１１に示す櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆと、櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆとの間は、Ｙ方向に延びる連通開口部のＸ方向の幅Ｗになり、狭い方が好ましい。例えば、連通開口部のＸ方向の幅Ｗは、７μｍ以下である。連通開口部のＸ方向の幅Ｗは、４μｍ以下であることがより好ましい。
【００５２】
櫛歯部１３１ａは、電極基部１３２の突出開始位置ｘ０において、Ｙ方向の幅がｗ２であり、櫛歯部１３１ａの先端１３１ａｆのＹ方向の幅ｗ１より広い。このため、櫛歯部１３１ａは、台形形状となる。このため、櫛歯部１３１ａの長辺１３１ａｌ１及び長辺１３１ａｌ２は、櫛歯部１３１ａの中心を通る仮想線１３１ａｃ（櫛歯部１３１ａが延びるＸ方向）に対して角度θだけ傾斜している斜辺となる。角度θが、０．５度よりも大きい場合、液晶分子Ｌｃｍが回転する液晶回転方向ＬＣＱが揃いやすくなり、液晶分子Ｌｃｍの挙動が安定する。
【００５３】
同様に、櫛歯部１３１ｂは、電極基部１３２の突出開始位置ｘ０において、Ｙ方向の幅がｗ２であり、櫛歯部１３１ｂの先端１３１ｂｆのＹ方向の幅ｗ１より広い。このため、櫛歯部１３１ｂは、台形形状となる。このため、櫛歯部１３１ｂの長辺１３１ｂｌ１及び長辺１３１ｂｌ２は、櫛歯部１３１ｂの中心を通る仮想線１３１ｂｃ（櫛歯部１３１ｂが延びるＸ方向）に対して角度θだけ傾斜している斜辺となる。角度θが、０．５度よりも大きい場合、液晶分子Ｌｃｍが回転する液晶回転方向ＬＣＱが揃いやすくなり、液晶分子Ｌｃｍの挙動が安定する。このように、実施形態１に係る表示装置１は、Ｘ方向で隣接する列同士及びＸ方向ライン上で、液晶回転方向ＬＣＱが揃っているので、配向安定性が高い。
【００５４】
電極基部１３２は、光の透過に寄与しないので、電極基部１３２のＸ方向（電極基部１３２が延びる方向と直交する方向）の幅Ｄ１は狭い方がよい。しかしながら、電極基部１３２は、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂが両方から複数突出する構成となっている。このため、電極基部１３２が、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂと同時に形成される場合、露光光の回り込みにより、電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１は、幅ｗ２よりも大きくなりやすい。特に、電極基部１３２が、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂと同様に、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である場合、露光光の回り込みにより、電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１は、幅ｗ２よりも大きくなりやすい。
【００５５】
図１２は、実施形態１に係る第１電極を詳細に説明するための模式図である。図１３は、図１２のＥ１−Ｅ２線断面を示す模式図である。図１２及び図１３に示すように、実施形態１に係る櫛歯部１３１（櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂ）は、電極基部１３２の下に積層される接続部１３５を有する。この構造により、露光することにより櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂが形成される層と、露光されることにより電極基部１３２が形成される層とが、一度に形成されないため、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを形成する際に露光する露光光の影響が電極基部１３２の形成に対して小さく、電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１を、幅ｗ２以下にすることもできるようになる。そして、実施形態１に係る表示装置１は、応答速度を向上させるとともに、第１電極３１による光の透過損失を低減できる。
【００５６】
電極基部１３２は、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂとは異なり、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）とは異なる、導電性の金属材料で形成されることがより好ましい。導電性の金属材料は、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）等を使用することができる。電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２の電気抵抗が下がり幅ｗ２を細くできる。また、電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２を細くできるドライエッチング工程が適用しやすくなる。このため、電極基部１３２が金属材料である場合、細線化が容易になる。
【００５７】
図１３に示すように、接続部１３５近傍において、櫛歯部１３１の角部の上に電極基部１３２の成膜がしにくく、上層の厚みｄが少なくなる傾向にある。厚みｄが小さいと断線の可能性がでてくる。電極基部１３２が断線する場合、電極基部１３２に繋がる複数の櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂにも同時に断線の影響が生じる可能性がある。そこで、実施形態１に係る第１電極３１は、図１４及び図１５に示す変形例のようにしてもよい。図１４は、実施形態１に係る第１電極の変形例を詳細に説明するための模式図である。図１５は、図１４のＦ１−Ｆ２線断面を示す模式図である。
【００５８】
図１４及び図１５に示すように、実施形態１の変形例に係る櫛歯部１３１（櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂ）は、電極基部１３２の上に積層される、接続部１３６を有する。この構造により、露光されることにより櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂが形成される層と、露光されることにより電極基部１３２が形成される層とが、一度に形成されないため、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを露光する露光光の影響が電極基部１３２の形成に対して小さく、電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１を、幅ｗ２以下にすることもできるようになる。
【００５９】
接続部１３６近傍において、電極基部１３２の角部の上に櫛歯部１３１の成膜がしにくく、上層の厚みｄが少なくなる傾向にある。厚みｄが小さいと断線の可能性がでてくる。櫛歯部１３１が断線する場合、電極基部１３２が断線する場合と比較して影響を受ける櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂが限定される。
【００６０】
電極基部１３２は、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂとは異なり、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）とは異なる、金属材料で形成されることがより好ましい。金属材料は、上述した材料を使用することができる。電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２の電気抵抗が下がり幅ｗ２を細くできる。また、電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２を細くできるドライエッチング工程が適用しやすくなる。このため、電極基部１３２が金属材料である場合、細線化が容易になる。
【００６１】
（製造方法）
実施形態１に係る表示装置１の製造方法は、例えば以下のプロセスを含む。製造装置は、画素基板（第１の基板）７０ＡのＴＦＴ基板７１として透光性基板である、ガラス基板を用意する第１の基板の準備工程を処理する。
【００６２】
次に、製造装置は、ＴＦＴ基板７１上に、走査線２４ｍ及びゲート電極９３を形成する。次に、製造装置は、ＴＦＴ基板７１上に、走査線２４ｍ及びゲート電極９３と半導体層９２との間の絶縁膜７４１を形成する。次に、製造装置は、ソース電極９１、ドレイン電極９０、半導体層９２などの層を形成する。次に、製造装置は、半導体層９２と信号線２５ｎとの間の絶縁膜７４２を形成する。次に、製造装置は、信号線２５ｎを形成し、信号線２５ｎとソース電極９１を接続する。次に、製造装置は、信号線２５ｎと第２電極３２との間の絶縁膜７４３を形成する。
【００６３】
次に、製造装置は、スパッタ法、エッチング等により、画素電極として第２電極３２を成膜し、上述した導電性のコンタクト９０Ｈを介してドレイン電極９０と第２電極３２とを接続する。第２電極３２の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。次に、製造装置は、プラズマＣＶＤ法などで、第２電極３２の上に絶縁膜７４４を成膜する。
【００６４】
次に、製造装置は、スパッタ法、エッチング等により、共通電極ＣＯＭとして第１電極３１を成膜する。第１電極３１の厚さは、例えば１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。製造装置は、図１３に示すように、第１電極３１のうち、櫛歯部１３１を先に成膜した後、電極基部１３２を成膜する。又は、製造装置は、図１５に示すように、第１電極３１のうち、電極基部１３２を先に成膜した後、櫛歯部１３１を成膜する。第１電極３１は、スリットＳにより櫛歯状に形成される。製造装置は、第１電極３１上であって、ポリイミド等の高分子材料にラビング方向Ｒｕｂの処理が施された第１配向膜７３ａが形成される。以上のように、製造装置は、第１の基板の製造工程を処理する。
【００６５】
製造装置は、対向基板（第２の基板）７０Ｂのガラス基板７２として透光性基板である、ガラス基板を用意する第２の基板の準備工程を処理する。
【００６６】
製造装置は、ガラス基板７２上に、カラーフィルタ７６Ｒ、７６Ｇ、７６Ｂ、ブラックマトリクス７６ａの層を形成し、その上にオーバーコート層などを形成する。そして、製造装置は、オーバーコート層上であって、ポリイミド等の高分子材料にラビング方向Ｒｕｂと反平行（逆方向）の処理が施された第２配向膜７３ｂが形成される。以上のように、製造装置は、第２の基板の製造工程を処理する。
【００６７】
製造装置は、画素基板７０Ａと対向基板７０Ｂを対向させ、その間に液晶を注入し、額縁部で封止することで、液晶層７０Ｃを形成する。画素基板７０Ａの背面側には、偏光板やバックライトなどが取り付けられ、前面側には偏光板などが取り付けられる。上述した額縁部の電極端には、上述したドライバＩＣ３が接続され、表示装置１が製造される。
【００６８】
なお実施形態１では、ＴＦＴ素子Ｔｒを構成する半導体層９２として、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）を用いたが、これに限定されない。半導体層９２として、多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）を用いてもよい。また、シリコンに代えて他の半導体材料（例えばゲルマニウム（Ｇｅ））、又はシリコンに他の材料を加えた材料（例えば、シリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ））を用いてもよい。さらに、半導体層９２として、酸化物半導体材料を用いてもよい。当該酸化物半導体材料として、例えば、インジウム（Ｉｎ）を含む酸化物半導体材料を用いてもよい。
【００６９】
また実施形態１において、ＴＦＴ素子Ｔｒは、ゲート電極９３が半導体層９２より下方に設けられるボトムゲート型ＴＦＴであるが、可能であれば、ゲート電極９３が半導体層９２より上方に設けられるトップゲート型ＴＦＴの構成を用いてもよい。
【００７０】
（実施形態１の変形例１）
次に、実施形態１の変形例１に係る表示装置１について説明する。図１６は、図３のＡ１−Ａ２線断面の変形例を示す模式図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００７１】
実施形態１の変形例１に係る表示装置１は、画素基板７０ＡのＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）に積層された第１電極３１と第２電極３２との間で、かつＴＦＴ基板７１に対して平行方向に電界（横電界）を形成することにより、液晶層７０Ｃの液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。例えば、図１６に示す第２電極３２は上述した共通電極ＣＯＭであり、第１電極３１は、上述した画素電極である。第１電極３１は、例えば導電性のコンタクト９０Ｈを介してドレイン電極９０に接続されている。第１電極３１は、上述された画素Ｖｐｉｘの領域毎に区画され、隣り合う画素Ｖｐｉｘの領域の第１電極３１とは絶縁され独立したパターンとなっている。
【００７２】
（実施形態１の変形例２）
次に、実施形態１の変形例２に係る表示装置１について説明する。図１７は、実施形態１に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００７３】
第１電極３１は、Ｘ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が逆方向である、櫛歯部１３１ａ及び櫛歯部１３１ｂを含む。複数の櫛歯部１３１ａが、互いに一定距離を隔てて、それぞれの電極基部１３２から突出する。同様に、複数の櫛歯部１３１ｂは、互いに一定距離を隔てて、それぞれの電極基部１３２から突出する。それぞれの電極基部１３２からは、Ｙ方向に櫛歯部１３１ａが延び、Ｙ方向とは逆方向に櫛歯部１３１ｂが延びている。
【００７４】
このため、上述した第１配向膜７３ａは、Ｙ方向に所定の初期配向性をもつように、図１７に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。なお、当該ラビング処理は、上述の光配向処理のように、他の配向処理に代えてもよい。
【００７５】
＜１−２．実施形態２＞
次に、実施形態２に係る表示装置１について説明する。図１８は、実施形態２に係る表示装置の画素を説明するための平面図である。図１９は、図１８のＧ１−Ｇ２線断面を示す模式図である。図２０は、実施形態２に係る第１電極の形状と開口部との関係を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００７６】
図１８に示すように、半導体層９２は、ＴＦＴ素子Ｔｒを構成する多結晶シリコン（ｐｏｌｙ−Ｓｉ）である。半導体層９２は、２つの領域でチャネルを形成したダブルゲートトランジスタである。
【００７７】
図１８及び図１９に示すように、実施形態２に係る表示装置１は、画素基板７０ＡのＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）に積層された第１電極３１と第２電極３２との間で、かつＴＦＴ基板７１に対して平行方向に電界（横電界）を形成することにより、液晶層７０Ｃの液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。例えば、図１９に示す第２電極３２は上述した共通電極ＣＯＭであり、第１電極３１は、上述した画素電極である。第１電極３１は、例えば導電性のドレイン電極９０に接続されている。第１電極３１は、上述された画素Ｖｐｉｘの領域毎に区画され、隣り合う画素Ｖｐｉｘの領域の第１電極３１とは絶縁され独立したパターンとなっている。
【００７８】
図２０に示すように、第１電極３１は、導電材料のない領域であるスリットＳにより、櫛歯状になっている。第１電極３１は、Ｙ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。上述した実施形態１とは異なり、櫛歯部１３１は、電極基部１３２から延びる方向が一方向である、櫛歯部１３１ｃを含む。複数の櫛歯部１３１ｃが、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から突出する。電極基部１３２からは、Ｘ方向とは逆方向に櫛歯部１３１ｃが延びている。櫛歯部１３１ｃは、Ｘ方向に延びてもよい。
【００７９】
上述した第１配向膜７３ａは、Ｘ方向に所定の初期配向性をもつように、図１８及び図２０に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。なお、当該ラビング処理は、上述の光配向処理のように、他の配向処理に代えてもよい。
【００８０】
図２１は、実施形態２に係る第１電極の形状と遮光位置との関係を説明するための模式図である。ブラックマトリクス７６ａは、図２１に示す幅７６ｈ１ｄの位置ａ１ まで遮光し、ドレイン電極９０を隠していればよい。ドレイン電極９０と接続し、開口部７６ｂの縁に近い櫛歯部１３４と、それに近接する櫛歯部１３１ｃとの間にある、最端スリットＳｗに加わる電界は、隣り合う櫛歯部１３１ｃの間にあるスリットＳに加わる電界と分布が異なる。このため、ブラックマトリクス７６ａは、櫛歯部１３４の縁１３４ａ１を隠す、図６に示す幅７６ｈ１ｂの位置まで遮光し、櫛歯部１３４の全体を隠していれば、最端スリットＳｗとスリットＳとの透過率の変化率を近づけることができる。ブラックマトリクス７６ａは、櫛歯部１３４の外周端ａ０からドレイン電極９０の位置ａ２まで遮光し、ドレイン電極９０を隠していれば、少なくとも明るさの低下ないし乱れが低減される。この構造により、開口部７６ｂ内の輝度を均一にすることができる。
【００８１】
上述した実施形態１に係る表示装置１と同様に、実施形態２に係る表示装置１の液晶層７０Ｃは、第１電極３１と第２電極３２に電圧が印加される場合、隣り合う櫛歯部１３１ｃのスリットＳの幅方向において対向する一方である、上述した右側長辺１３１Ｒの近傍領域、及び他方である上述した左側長辺１３１Ｌの近傍領域において、液晶分子が互いに逆方向に回転する。このため、特許文献１に記載のＦＦＳモードの表示装置と比較して、実施形態２に係る表示装置１は、液晶分子が第１電極３１と第２電極３２との間の電界の変化に高速に反応する。そして、実施形態２に係る表示装置１は、応答速度が向上する。
【００８２】
図２２は、実施形態２に係る第１電極を詳細に説明するための模式図である。図２３は、図２２のＨ１−Ｈ２線断面を示す模式図である。図２２及び図２３に示すように、実施形態２に係る櫛歯部１３１（櫛歯部１３１ｃ）は、電極基部１３２の下に積層される接続部１３５を有する。この構造により、露光されて櫛歯部１３１ｃが形成される層と、露光されて電極基部１３２が形成される層とが、一度に形成されないため、櫛歯部１３１ｃを露光する露光光の影響が電極基部１３２の形成に対して小さく、上述したように電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１を、幅ｗ２以下にすることもできるようになる。そして、実施形態２に係る表示装置１は、応答速度を向上させるとともに、第１電極３１による光の透過損失を低減できる。
【００８３】
電極基部１３２は、電極基部１３２は、櫛歯部１３１ｃとは異なり、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）とは異なる、金属材料で形成されることがより好ましい。金属材料は、上述した材料を使用することができる。電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２の電気抵抗が下がり幅ｗ２を細くできる。また、電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２を細くできるドライエッチング工程が適用しやすくなる。このため、電極基部１３２が金属材料である場合、細線化が容易になる。
【００８４】
図２３に示すように、接続部１３５近傍において、櫛歯部１３１の角部の上に電極基部１３２の成膜がしにくく、上層の厚みｄが少なくなる傾向にある。厚みｄが小さいと断線の可能性がでてくる。電極基部１３２が断線する場合、電極基部１３２に繋がる複数の櫛歯部１３１ｃにも同時に断線の影響が生じる可能性がある。そこで、実施形態２に係る第１電極３１は、図２４及び図２５に示す変形例のようにしてもよい。図２４は、実施形態２に係る第１電極の変形例を詳細に説明するための模式図である。図２５は、図２４のＪ１−Ｊ２線断面を示す模式図である。
【００８５】
図２４及び図２５に示すように、実施形態２の変形例に係る櫛歯部１３１（櫛歯部１３１ｃ）は、電極基部１３２の上に積層される、接続部１３６を有する。この構造により、櫛歯部１３１ｃを露光して形成する層と、電極基部１３２を露光して形成する層とが、一度に形成されないため、櫛歯部１３１ｃを露光する露光光の影響が電極基部１３２の形成に対して小さく、電極基部１３２のＸ方向の幅Ｄ１を、幅ｗ２以下にすることもできるようになる。
【００８６】
接続部１３６近傍において、電極基部１３２の角部の上に櫛歯部１３１の成膜がしにくく、上層の厚みｄが少なくなる傾向にある。厚みｄが小さいと断線の可能性がでてくる。櫛歯部１３１が断線する場合、電極基部１３２が断線する場合と比較して影響を受ける櫛歯部１３１ｃが限定される。
【００８７】
電極基部１３２は、櫛歯部１３１ｃとは異なり、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）とは異なる、金属材料で形成されることがより好ましい。金属材料は上述した材料を使用することができる。電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２の電気抵抗が下がり幅ｗ２を細くできる。また、電極基部１３２が金属材料である場合、電極基部１３２を細くできるドライエッチング工程が適用しやすくなる。このため、電極基部１３２が金属材料である場合、細線化が容易になる。
【００８８】
（実施形態２の変形例１）
次に、実施形態２の変形例１に係る表示装置１について説明する。図２６は、図１８のＧ１−Ｇ２線断面の変形例を示す模式図である。なお、上述した実施形態１及び実施形態２で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００８９】
実施形態２の変形例１に係る表示装置１は、画素基板７０ＡのＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）に積層された第１電極３１と第２電極３２との間で、かつＴＦＴ基板７１に対して平行方向に電界（横電界）を形成することにより、液晶層７０Ｃの液晶分子を基板面と平行な面内で回転させ、液晶分子の回転に対応した光透過率変化を利用して表示が行われる。例えば、図２６に示す第１電極３１は上述した共通電極ＣＯＭであり、第２電極３２は、上述した画素電極である。第２電極３２は、例えば導電性のコンタクト９０Ｈを介してドレイン電極９０に接続されている。
【００９０】
（実施形態２の変形例２）
次に、実施形態２の変形例２に係る表示装置１について説明する。図２７は、実施形態２に係る第１電極の形状と開口部との関係の変形例を説明するための模式図である。なお、上述した実施形態１及び実施形態２で説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。
【００９１】
第１電極３１は、Ｘ方向に延びる電極基部１３２から複数突出する櫛歯部１３１を備えている。櫛歯部１３１は、電極基部１３２からＹ方向とは逆方向に延びる櫛歯部１３１ｃを含む。複数の櫛歯部１３１ｃが、互いに一定距離を隔てて、電極基部１３２から突出する。櫛歯部１３１ｃは、Ｙ方向に延びてもよい。
【００９２】
このため、上述した第１配向膜７３ａは、Ｙ方向に所定の初期配向性をもつように、図２７に示すラビング方向Ｒｕｂにラビング処理が施されている。第２配向膜７３ｂは、第１配向膜７３ａのラビング方向Ｒｕｂと反平行にラビング処理が施されている。第１配向膜７３ａ及び第２配向膜７３ｂは、ラビング方向が互いにアンチパラレルの関係となっている。なお、当該ラビング処理は、上述の光配向処理のように、他の配向処理に代えてもよい。
【００９３】
＜２．適用例＞
次に、図２８乃至図４０を参照して、実施形態１、２及びこれらの変形例で説明した表示装置１の適用例について説明する。図２８乃至図４０は、実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置を適用する電子機器の一例を示す図である。実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１は、携帯電話、スマートフォン等の携帯端末装置、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、ビデオカメラ、或いは、車両に設けられるメータ類などのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１は、外部から入力された映像信号或いは内部で生成した映像信号を、画像或いは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。電子機器は、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１に映像信号を供給し、表示装置１の動作を制御する制御装置を備える。
【００９４】
（適用例１）
図２８に示す電子機器は、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１が適用されるテレビジョン装置である。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１及びフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、この映像表示画面部５１０は、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１である。
【００９５】
（適用例２）
図２９及び図３０に示す電子機器は、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１が適用されるデジタルカメラである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３及びシャッターボタン５２４を有しており、その表示部５２２は、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１である。図２９に示すように、このデジタルカメラは、レンズカバー５２５を有しており、レンズカバー５２５をスライドさせることで撮影レンズが現れる。デジタルカメラは、その撮影レンズから入射する光を撮像することで、デジタル写真を撮影することができる。
【００９６】
（適用例３）
図３１に示す電子機器は、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表すものである。このビデオカメラは、例えば、本体部５３１、この本体部５３１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５３３及び表示部５３４を有している。そして、表示部５３４は、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１である。
【００９７】
（適用例４）
図３２に示す電子機器は、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５４１、文字等の入力操作のためのキーボード５４２及び画像を表示する表示部５４３を有しており、表示部５４３は、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１である。
【００９８】
（適用例５）
図３３乃至図３９に示す電子機器は、表示装置１が適用される携帯電話機である。図３３は携帯電話機を開いた状態での正面図、図３４は携帯電話機を開いた状態での右側面図、図３５は携帯電話機を折りたたんだ状態での正面図、図３６は携帯電話機を折りたたんだ状態での左側面図、図３７は携帯電話機を折りたたんだ状態での右側面図、図３８は携帯電話機を折りたたんだ状態での平面図、図３９は携帯電話機を折りたたんだ状態での底面図である。当該携帯電話機は、例えば、上側筐体５５１と下側筐体５５２とを連結部（ヒンジ部）５５３で連結したものであり、ディスプレイ５５４、サブディスプレイ５５５、ピクチャーライト５５６及びカメラ５５７を有している。当該ディスプレイ５５４は、表示装置１が取り付けられている。このため、当該携帯電話機のディスプレイ５５４は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【００９９】
（適用例６）
図４０に示す電子機器は、携帯型コンピュータ、多機能な携帯電話、音声通話可能な携帯コンピュータ又は通信可能な携帯コンピュータとして動作し、いわゆるスマートフォン、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。この情報携帯端末は、例えば筐体５６１の表面に表示部５６２を有している。この表示部５６２は、実施形態又はその変形例の１つに係る表示装置１である。
【０１００】
（適用例７）
図４１は、実施形態又はその変形例の１つに係るメータユニットの概略構成図である。図４１に示す電子機器は、車両に搭載されるメータユニットである。図４１に示すメータユニット（電子機器）５７０は、燃料計、水温計、スピードメータ、タコメータ等、複数の上述した実施形態又はその変形例の１つに係る液晶表示装置１を液晶表示装置５７１として備えている。そして、複数の液晶表示装置５７１は、ともに、一枚の外装パネル５７２に覆われている。
【０１０１】
図４１に示す液晶表示装置５７１それぞれは、液晶表示手段としての液晶パネル５７３及びアナログ表示手段としてのムーブメント機構を互いに組み合わせた構成となっている。当該ムーブメント機構は、駆動手段としてのモータと、モータにより回転される指針５７４とを有している。そして、図４１に示すように、液晶表示装置５７１では、液晶パネル５７３の表示面に目盛表示、警告表示等を表示することができるとともに、ムーブメント機構の指針５７４が液晶パネル５７３の表示面側において回転することが可能となっている。
【０１０２】
なお図４１では、一枚の外装パネル５７２に複数の液晶表示装置５７１を設けた構成としたが、これに限定されない。外装パネルによって囲まれた領域に１つの液晶表示装置５７１を設け、当該液晶表示装置に燃料計、水温計、スピードメータ、タコメータ等を表示させてもよい。
【０１０３】
＜３．本開示の態様＞
本開示は、以下の態様を含む。
（１）対向する第１の基板及び第２の基板と、
前記第１の基板及び前記第２の基板の間に設けられた液晶層と、
前記第１の基板と前記液晶層の間に設けられた第１電極と第２電極と、
を有する表示装置であって、
前記第１電極は、
第１の方向に延びる電極基部と、
当該第１の方向と異なる第２の方向に延び、かつ互いに一定距離を隔てて前記電極基部から複数突出する櫛歯部とを含み、
前記櫛歯部は、前記電極基部が上または下に積層された接続部を有する、液晶表示装置。
（２）前記第１電極と前記第２電極とは、前記液晶層を駆動する横電界を発生させる位置に配置されている、（１）に記載の液晶表示装置。
（３）前記第１電極は、絶縁層を介して前記第２電極の上に積層されている、（２）に記載の液晶表示装置。
（４）前記液晶層は、前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される場合、隣り合う前記櫛歯部間のスリットの幅方向において対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の近傍領域にある液晶分子と、前記対向する前記櫛歯部の長辺のうち他方の近傍領域にある液晶分子とが互いに逆方向に回転する、（１）から（３）のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
（５）前記第１電極と前記液晶層との間に設けられた第１配向膜と、
前記第２の基板と前記液晶層との間に設けられた第２配向膜とをさらにを有し、
前記第１配向膜は、前記第２の方向と平行な方向である第１配向方向に配向処理され、
前記第２配向膜は、前記第１配向方向と反平行である第２配向方向に配向処理され、
前記第１電極及び前記第２電極に対して電圧が印加されていない場合、前記液晶分子の長軸が前記第１配向方向に並んで配向している、（１）から（３）のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
（６）前記第１電極と前記第２電極との間に電圧が印加される場合、前記液晶分子の長軸方向は、前記スリットの幅方向で対向する前記櫛歯部の長辺のうち一方の近傍領域において回転方向が右回りに、かつ他方の近傍領域において回転方向が左回りに、前記第１基板の面内方向で回転しながら、前記第１基板に対して垂直な方向に立ち上がるように配向する、（５）に記載の液晶表示装置。
（７）前記電極基部は、透光性導電材料で形成されている、（１）から（６）のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
（８）前記電極基部は、金属材料で形成されている、（１）から（６）のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
（９）前記櫛歯部は、透光性導電材料で形成されている、（１）から（８）のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
（１０）前記電極基部は、前記接続部よりも下層にある、（１）から（９）のいずれか１つに記載の液晶表示装置。
（１１）（１）から（１０）のいずれか１つに記載の液晶表示装置と、
前記液晶表示装置に入力信号を供給する制御装置と、を有する電子機器。
【符号の説明】
【０１０４】
１  表示装置
２  表示パネル
２１  表示エリア部
２２  垂直ドライバ
２３  水平ドライバ
７０Ａ  画素基板
７０Ｂ  対向基板
７０Ｃ  液晶層
７１  ＴＦＴ基板
７２  ガラス基板
７３ａ  第１配向膜
７３ｂ  第２配向膜
７４  絶縁層
７６ｂ  開口部
９０  ドレイン電極
９０Ｈ  コンタクト
９１  ソース電極
９２  半導体層
９３  ゲート電極
１３１  櫛歯部
１３１ａ  櫛歯部
１３１ｂ  櫛歯部
１３１ｃ  櫛歯部
１３５  接続部
１３６  接続部
５７０  メータユニット
５７１  液晶表示装置
５７２  外装パネル
５７３  液晶パネル
５７４  指針
ＣＯＭ  共通電極
Ｌ０  トータルスリット長
ＬＣ  液晶素子
Ｌｃｍ  液晶分子
ＬＣＱ  液晶回転方向
Ｒｕｂ  ラビング方向
Ｓ  スリット
Ｓｗ  最端スリット
Ｖｐｉｘ  画素
【図１】
2014209213.tif 000003
【図２】
2014209213.tif 000004
【図３】
2014209213.tif 000005
【図４】
2014209213.tif 000006
【図５】
2014209213.tif 000007
【図６】
2014209213.tif 000008
【図７】
2014209213.tif 000009
【図８】
2014209213.tif 000010
【図９】
2014209213.tif 000011
【図１０】
2014209213.tif 000012
【図１１】
2014209213.tif 000013
【図１２】
2014209213.tif 000014
【図１３】
2014209213.tif 000015
【図１４】
2014209213.tif 000016
【図１５】
2014209213.tif 000017
【図１６】
2014209213.tif 000018
【図１７】
2014209213.tif 000019
【図１８】
2014209213.tif 000020
【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
2014209213.tif 000032
【図３１】
2014209213.tif 000033
【図３２】
2014209213.tif 000034
【図３３】
2014209213.tif 000035
【図３４】
2014209213.tif 000036
【図３５】
2014209213.tif 000037
【図３６】
2014209213.tif 000038
【図３７】
2014209213.tif 000039
【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
2014209213.tif 000042
【図４１】
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