(57)【要約】【課題】配線の信頼性を向上させる。【解決手段】基板ＳＵＢ１上に、第１感光性樹脂からなる樹脂膜ＲＦ１、および、熱硬化性を有する第２感光性樹脂からなる樹脂膜ＲＦ２を、下から順に形成する。第２感光性樹脂は、第１温度での熱処理により硬化するが、第１感光性樹脂は、第１温度での熱処理後も硬化せず現像可能である。次に、露光および現像を行うことで、樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１に開口部ＯＰを形成した後、第１温度で熱処理することで、樹脂膜ＲＦ２を硬化させる。次に、現像を行うことで、開口部ＯＰの側面に露出した樹脂膜ＲＦ１を除去する。次に、開口部ＯＰの底部に露出した基板ＳＵＢ１上に導電膜ＣＦを形成した後、樹脂膜ＲＦ１を除去し、基板ＳＵＢ１上に残された導電膜ＣＦからなる配線を形成する。【選択図】図９
2014179440.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）第１温度での熱処理後も硬化せず現像可能な第１感光性樹脂と、前記第１温度での熱処理により硬化する第２感光性樹脂と、基板とを用意する工程、
（ｂ）前記第１感光性樹脂からなる第１樹脂膜を、前記基板の上面に形成する工程、
（ｃ）前記第２感光性樹脂からなる第２樹脂膜を、前記第１樹脂膜上に形成する工程、
（ｄ）前記第２樹脂膜および前記第１樹脂膜をパターン露光した後、現像することで、前記第２樹脂膜を貫通して前記第１樹脂膜に達する第１開口部を形成し、前記第１開口部に露出した前記第１樹脂膜に第２開口部を形成する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第２樹脂膜および前記第１樹脂膜を、前記第１温度で熱処理することで、前記第２樹脂膜を硬化させ、前記第１樹脂膜を硬化させない工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第１樹脂膜を現像することで、前記第２開口部の底部で前記第１樹脂膜を除去して前記基板を露出させ、前記第１樹脂膜のうち前記第２開口部の側面に露出した部分を除去して前記第２開口部の側面を前記第１開口部の側面よりも後退させる工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第２開口部の底部に露出した前記基板上、および、前記第２樹脂膜上に、導電膜を形成する工程、
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記第１樹脂膜、前記第２樹脂膜、および、前記第２樹脂膜上の前記導電膜を除去し、前記基板上の前記導電膜を残すことで、前記基板上に残された前記導電膜からなる配線を形成する工程、
を有する、配線形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の配線形成方法において、
前記（ｆ）工程では、前記第２樹脂膜のうち前記第１開口部の側面に露出した部分を除去しない、配線形成方法。
【請求項３】
請求項１記載の配線形成方法において、
前記（ｆ）工程では、前記第２開口部の側面を全面に亘り前記第１開口部の側面よりも後退させる、配線形成方法。
【請求項４】
請求項１記載の配線形成方法において、
前記（ｇ）工程では、前記第１樹脂膜の第１膜厚よりも小さい第２膜厚を有する前記導電膜を形成する、配線形成方法。
【請求項５】
請求項１記載の配線形成方法において、
前記（ａ）工程では、第１領域における前記基板の上面と、第２領域における前記基板の上面との間に設けられた段差部を有する前記基板を用意し、
前記（ｂ）工程では、前記第１領域および前記第２領域で、前記基板の上面に、前記段差部を埋めるように前記第１樹脂膜を形成し、
前記（ｄ）工程では、前記第２樹脂膜および前記第１樹脂膜をパターン露光した後、現像することで、前記第１領域で、前記第１開口部および前記第２開口部を形成し、前記第２領域で、前記第２樹脂膜を貫通して前記第１樹脂膜に達する第３開口部を形成し、前記第３開口部に露出した前記第１樹脂膜に第４開口部を形成し、
前記（ｆ）工程では、前記第１樹脂膜を現像することで、前記第４開口部の底部で前記第１樹脂膜を除去して前記基板を露出させ、前記第１樹脂膜のうち前記第４開口部の側面に露出した部分を除去して前記第４開口部の側面を前記第３開口部の側面よりも後退させ、
前記（ｇ）工程では、前記第４開口部の底部に露出した前記基板上に、前記導電膜を形成する、配線形成方法。
【請求項６】
請求項５記載の配線形成方法において、
前記（ｆ）工程では、前記第２樹脂膜のうち前記第１開口部の側面に露出した部分を除去せず、前記第２樹脂膜のうち前記第３開口部の側面に露出した部分を除去しない、配線形成方法。
【請求項７】
請求項５記載の配線形成方法において、
前記（ｆ）工程では、前記第２開口部の側面を全面に亘り前記第１開口部の側面よりも後退させ、前記第４開口部の側面を全面に亘り前記第３開口部の側面よりも後退させる、配線形成方法。
【請求項８】
請求項５記載の配線形成方法において、
前記（ａ）工程では、前記第１温度での熱処理後は硬化せず、前記第１温度よりも高い第２温度での熱処理により硬化するが、前記第２温度よりも低い第３温度で流動性を有し、前記第１温度での熱処理後も現像可能な前記第１感光性樹脂を用意し、
前記（ｂ）工程は、
（ｂ１）前記第１領域および前記第２領域で、前記基板の上面に、前記段差部を埋めるように前記第１感光性樹脂を塗布する工程、
（ｂ２）前記基板の上面に塗布された前記第１感光性樹脂を、前記第３温度で流動させることで、前記段差部上の前記第１樹脂膜の上面が平坦になるように、前記第１樹脂膜を形成する工程、
を含む、配線形成方法。
【請求項９】
請求項１記載の配線形成方法において、
前記第１感光性樹脂は、フォトレジストであり、
前記第２感光性樹脂は、感光性ポリイミド樹脂である、配線形成方法。
【請求項１０】
請求項９記載の配線形成方法において、
前記フォトレジストは、ポジ型であり、
前記感光性ポリイミド樹脂は、ポジ型である、配線形成方法。
【請求項１１】
（ａ）第１温度での熱処理後も硬化せず現像可能な第１感光性樹脂と、前記第１温度での熱処理により硬化する第２感光性樹脂と、半導体基板とを用意する工程、
（ｂ）前記半導体基板の上面に第１電極を形成する工程、
（ｃ）前記第１感光性樹脂からなる第１樹脂膜を、前記第１電極上を含めて前記半導体基板の上面に形成する工程、
（ｄ）前記第２感光性樹脂からなる第２樹脂膜を、前記第１樹脂膜上に形成する工程、
（ｅ）前記第２樹脂膜および前記第１樹脂膜をパターン露光した後、現像することで、前記第１電極上で、前記第２樹脂膜を貫通して前記第１樹脂膜に達する第１開口部を形成し、前記第１開口部に露出した前記第１樹脂膜に第２開口部を形成する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記第２樹脂膜および前記第１樹脂膜を、前記第１温度で熱処理することで、前記第２樹脂膜を硬化させ、前記第１樹脂膜を硬化させない工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記第１樹脂膜を現像することで、前記第２開口部の底部で前記第１樹脂膜を除去して前記第１電極を露出させ、前記第１樹脂膜のうち前記第２開口部の側面に露出した部分を除去して前記第２開口部の側面を前記第１開口部の側面よりも後退させる工程、
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記第２開口部の底部に露出した前記第１電極上、および、前記第２樹脂膜上に、導電膜を形成する工程、
（ｉ）前記（ｈ）工程の後、前記第１樹脂膜、前記第２樹脂膜、および、前記第２樹脂膜上の前記導電膜を除去し、前記第１電極上の前記導電膜を残すことで、前記第１電極上に残された前記導電膜からなる配線を形成する工程、
を有する、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程では、前記第２樹脂膜のうち前記第１開口部の側面に露出した部分を除去しない、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程では、前記第２開口部の側面を全面に亘り前記第１開口部の側面よりも後退させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｈ）工程では、前記第１樹脂膜の第１膜厚よりも小さい第２膜厚を有する前記導電膜を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程では、第１領域における前記半導体基板の上面と、第２領域における前記半導体基板の上面との間に設けられた段差部を有する前記半導体基板を用意し、
前記（ｂ）工程では、前記第１領域で、前記半導体基板の上面に前記第１電極を形成し、前記第２領域で、前記半導体基板の上面に第２電極を形成し、
前記（ｃ）工程では、前記第１領域および前記第２領域で、前記第１電極上および前記第２電極上を含めて前記半導体基板の上面に、前記段差部を埋めるように前記第１樹脂膜を形成し、
前記（ｅ）工程では、前記第２樹脂膜および前記第１樹脂膜をパターン露光した後、現像することで、前記第１電極上で、前記第１開口部および前記第２開口部を形成し、前記第２電極上で、前記第２樹脂膜を貫通して前記第１樹脂膜に達する第３開口部を形成し、前記第３開口部に露出した前記第１樹脂膜に第４開口部を形成し、
前記（ｇ）工程では、前記第１樹脂膜を現像することで、前記第４開口部の底部で前記第１樹脂膜を除去して前記第２電極を露出させ、前記第１樹脂膜のうち前記第４開口部の側面に露出した部分を除去して前記第４開口部の側面を前記第３開口部の側面よりも後退させ、
前記（ｈ）工程では、前記第４開口部の底部に露出した前記第２電極上に、前記導電膜を形成する、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程では、前記第２樹脂膜のうち前記第１開口部の側面に露出した部分を除去せず、前記第２樹脂膜のうち前記第３開口部の側面に露出した部分を除去しない、半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程では、前記第２開口部の側面を全面に亘り前記第１開口部の側面よりも後退させ、前記第４開口部の側面を全面に亘り前記第３開口部の側面よりも後退させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１５記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程では、前記第１温度での熱処理後は硬化せず、前記第１温度よりも高い第２温度での熱処理により硬化するが、前記第２温度よりも低い第３温度で流動性を有し、前記第１温度での熱処理後も現像可能な前記第１感光性樹脂を用意し、
前記（ｃ）工程は、
（ｃ１）前記第１領域および前記第２領域で、前記半導体基板の上面に、前記段差部を埋めるように前記第１感光性樹脂を塗布する工程、
（ｃ２）前記半導体基板の上面に塗布された前記第１感光性樹脂を、前記第３温度で流動させることで、前記段差部上の前記第１樹脂膜の上面が平坦になるように、前記第１樹脂膜を形成する工程、
を含む、半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１１記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１感光性樹脂は、フォトレジストであり、
前記第２感光性樹脂は、感光性ポリイミド樹脂である、半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１９記載の半導体装置の製造方法において、
前記フォトレジストは、ポジ型であり、
前記感光性ポリイミド樹脂は、ポジ型である、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線形成方法および半導体装置の製造方法に関し、例えば、半導体基板に形成された配線を備える半導体装置の製造方法に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
各種の基板上に形成される半導体回路を高集積化するためには、その基板上に微細な配線を形成する必要があり、そのような微細な配線を形成する方法として、リフトオフ法が用いられている。リフトオフ法は、基板上に形成されたフォトレジスト膜をパターニングして開口部を形成し、開口部に露出した基板上、および、フォトレジスト膜上に、配線となる導電膜を形成した後、フォトレジスト膜を除去することで、基板上に、導電膜からなる微細な配線を形成するものである。リフトオフ法では、配線となる導電膜を加工すなわちエッチングする工程が不要であり、配線を容易に厚膜化することができる。そのため、半導体装置の製造方法などに含まれる配線形成方法として、リフトオフ法が広く適用されている。
【０００３】
特開２０１０−１１３３５６号公報（特許文献１）、特開２００８−２４２２４７号公報（特許文献２）、特開２００４−２００２０９号公報（特許文献３）、特開２００８−１６６６３３号公報（特許文献４）および特開平６−２６７８４３号公報（特許文献５）には、リフトオフ法を用いて配線を形成する技術が開示されている。
【０００４】
また、特開平１０−１５４７０７号公報（特許文献６）、特開２００６−４１４７７号公報（特許文献７）、特開平７−２９８４６号公報（特許文献８）および特開平１１−９７３２８号公報（特許文献９）にも、リフトオフ法を用いて配線を形成する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１３３５６号公報
【特許文献２】特開２００８−２４２２４７号公報
【特許文献３】特開２００４−２００２０９号公報
【特許文献４】特開２００８−１６６６３３号公報
【特許文献５】特開平６−２６７８４３号公報
【特許文献６】特開平１０−１５４７０７号公報
【特許文献７】特開２００６−４１４７７号公報
【特許文献８】特開平７−２９８４６号公報
【特許文献９】特開平１１−９７３２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
リフトオフ法による配線形成方法では、導電膜を形成し、フォトレジスト膜を除去した後、例えば開口部の側面に堆積した導電膜がヒゲ状またはバリ状の異物となって残り、配線に、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着するおそれがある。配線にヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着すると、配線に不良が発生するおそれがあり、配線の信頼性が低下するおそれがある。
【０００７】
一方、配線にヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着することを防止するために、リフトオフ法において、異なる２つのフォトレジスト層を積層した積層膜に開口部を形成する方法がある。これは、開口部の底部における開口幅が、開口部の上端部における開口幅よりも大きく、断面形状としていわゆるアンダーカット形状を有する開口部を形成するものである。
【０００８】
例えば、上層のフォトレジスト層の感光速度が、下層のフォトレジスト層の感光速度よりも遅いことを用いて、断面形状としてアンダーカット形状を有する開口部を形成する方法がある。しかし、このような上下２層のフォトレジスト層を積層した積層膜に開口部を形成する方法では、アンダーカット形状を制御するために、それぞれのフォトレジスト層の組成を調整して、それぞれのフォトレジスト層の感光速度を調整しなければならず、工程が複雑になるおそれがある。また、下層のフォトレジスト層を現像する際に、上層のフォトレジスト層も現像されるため、開口部のうち上層のフォトレジスト層に形成された部分の開口幅が変化しやすく、アンダーカット形状を精度よく制御することは困難である。
【０００９】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一実施の形態によれば、配線形成方法において、基板上に、第１感光性樹脂からなる第１樹脂膜、および、熱硬化性を有する第２感光性樹脂からなる第２樹脂膜を、下から順に形成する。第２感光性樹脂は、第１温度での熱処理により硬化するが、第１感光性樹脂は、第１温度での熱処理後も硬化せず現像可能である。次に、露光および現像を行うことで、第２樹脂膜および第１樹脂膜に開口部を形成した後、第１温度で熱処理することで、第２樹脂膜を硬化させ、さらに２回目の現像を行うことで、開口部の側面に露出した第１樹脂膜を除去する。次に、開口部の底部に露出した基板上に導電膜を形成した後、第１樹脂膜を除去し、基板上に残された導電膜からなる配線を形成する。
【００１１】
また、他の実施の形態によれば、半導体装置の製造方法において、上面に電極が形成された半導体基板の上面に、第１感光性樹脂からなる第１樹脂膜、および、熱硬化性を有する第２感光性樹脂からなる第２樹脂膜を、下から順に形成する。第２感光性樹脂は、第１温度での熱処理により硬化するが、第１感光性樹脂は、第１温度での熱処理後も硬化せず現像可能である。次に、露光および現像を行うことで、第２樹脂膜および第１樹脂膜に開口部を形成した後、第１温度で熱処理することで、第２樹脂膜を硬化させ、さらに２回目の現像を行うことで、開口部の側面に露出した第１樹脂膜を除去する。次に、開口部の底部に露出した電極上に導電膜を形成した後、第１樹脂膜を除去し、電極上に残された導電膜からなる配線を形成する。
【発明の効果】
【００１２】
一実施の形態によれば、配線の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】実施の形態１の配線形成工程の一部を示すプロセスフロー図である。
【図２】実施の形態１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図３】実施の形態１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図４】実施の形態１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図５】実施の形態１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図６】実施の形態１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図７】実施の形態１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図８】実施の形態１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図９】実施の形態１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図１０】実施の形態１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図１１】比較例１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図１２】比較例１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図１３】比較例１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図１４】比較例２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図１５】比較例３の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図１６】実施の形態２の配線形成工程の一部を示すプロセスフロー図である。
【図１７】実施の形態２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図１８】実施の形態２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図１９】実施の形態２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図２０】実施の形態２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図２１】実施の形態２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図２２】実施の形態２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図２３】実施の形態２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図２４】実施の形態２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図２５】実施の形態２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図２６】比較例４の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【図２７】実施の形態３の半導体装置の製造工程の一部を示すプロセスフロー図である。
【図２８】実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図２９】実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図３０】実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図３１】実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図３２】実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図３３】実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図３４】実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図３５】実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図３６】実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【図３７】実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１５】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００１６】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことはいうまでもない。同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１７】
以下、代表的な実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なとき以外は同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。
【００１８】
さらに、実施の形態で用いる図面においては、断面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを省略する場合もある。また、平面図であっても図面を見やすくするためにハッチングを付す場合もある。
【００１９】
また、断面図および平面図において、各部位の大きさは実デバイスと対応するものではなく、図面を分かりやすくするため、特定の部位を相対的に大きく表示する場合がある。また、平面図と断面図が対応する場合においても、各部位の大きさを変えて表示する場合がある。
【００２０】
なお、以下の実施の形態においてＡ〜Ｂとして範囲を示す場合には、特に明示した場合を除き、Ａ以上Ｂ以下を示すものとする。
【００２１】
（実施の形態１）
実施の形態１では、基板上に配線を形成する配線形成方法について説明する。
【００２２】
＜配線形成方法＞
図１は、実施の形態１の配線形成工程の一部を示すプロセスフロー図である。図２〜図１０は、実施の形態１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【００２３】
始めに、基板ＳＵＢ１、感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２を用意する（図１のステップＳ１１）。
【００２４】
このステップＳ１１では、図２に示すように、例えば１〜１０Ωｃｍ程度の比抵抗を有するｐ型の単結晶シリコンなどからなる基板ＳＵＢ１を用意する。基板ＳＵＢ１の上面ＴＳは、平坦である。
【００２５】
また、このステップＳ１１では、後述するステップＳ１２において、基板ＳＵＢ１の上面ＴＳに形成する樹脂膜ＲＦ１の材料として、感光性樹脂ＰＲ１を用意する。感光性樹脂ＰＲ１は、後述するステップＳ１６における温度Ｔ１での熱処理後も硬化せず現像可能である。温度Ｔ１は室温よりも高い温度である。
【００２６】
このような感光性樹脂ＰＲ１として、例えば、一般に使用される各種のポジ型のフォトレジストを用いることができる。これにより、配線形成方法の汎用性を高めることができる。ポジ型のフォトレジストとして、例えば、ノボラック樹脂などの化学増幅系レジストを用いることができ、あるいは、化学増幅系レジスト以外の通常のレジストを用いることもできる。
【００２７】
感光性樹脂ＰＲ１がポジ型のフォトレジストであるときは、感光性樹脂ＰＲ１が現像可能であるとは、感光性樹脂ＰＲ１からなる樹脂膜ＲＦ１のうち露光により可溶化された部分を、現像液により溶解することができることを意味する。
【００２８】
また、このステップＳ１１では、後述するステップＳ１３において、樹脂膜ＲＦ１上に形成する樹脂膜ＲＦ２の材料として、熱硬化性を有する感光性樹脂ＰＲ２を用意する。感光性樹脂ＰＲ２は、熱硬化性を有し、後述するステップＳ１６における温度Ｔ１での熱処理により硬化する。
【００２９】
熱処理により感光性樹脂ＰＲ２が硬化するとは、感光性樹脂ＰＲ２を熱処理することで、不可逆な重合反応が進み、感光性樹脂ＰＲ２が硬化することを意味する。そして、感光性樹脂ＰＲ２が硬化するとは、分子内に三次元的に分子鎖が架橋した構造が形成されるため、感光性樹脂ＰＲ２からなる樹脂膜ＲＦ２が、物理的にも安定で、かつ、化学的にも安定になることを意味する。すなわち、感光性樹脂ＰＲ２が硬化するとは、感光性樹脂ＰＲ２からなる樹脂膜ＲＦ２に、変形が発生しなくなり、かつ、有機溶剤および現像液のいずれに対しても不溶化することを意味する。さらに好適には、感光性樹脂ＰＲ２が硬化するとは、例えば感光性樹脂ＰＲ２からなる樹脂膜ＲＦ２の引っ張り弾性率が０．１〜１０ＧＰａになることを意味する。
【００３０】
このような感光性樹脂ＰＲ２として、例えば、熱硬化性を有する感光性樹脂ＰＲ２の硬化温度Ｔｈが、感光性樹脂ＰＲ１の耐熱温度Ｔｅよりも低いものを用いることができる。前述した温度Ｔ１を、硬化温度Ｔｈ以上の温度であって、かつ、感光性樹脂ＰＲ１の耐熱温度Ｔｅよりも低い温度とするとき、感光性樹脂ＰＲ２は、温度Ｔ１における熱処理により硬化するが、感光性樹脂ＰＲ１は、温度Ｔ１における熱処理後も、変質も硬化もせず、現像可能である。これにより、後述するステップＳ１７において、樹脂膜ＲＦ１に２回目の現像、または、２回目の露光および２回目の現像を行って開口部の開口幅を調整することができる。
【００３１】
感光性樹脂ＰＲ２として、より好適には、例えば、熱硬化性を有するポリイミド系樹脂を用いることができる。ポリイミド系樹脂とは、イミド結合を有する樹脂である。
【００３２】
一方、感光性樹脂ＰＲ２として、さらに好適には、例えば、東レ株式会社製の感光性ポリイミドコーティング剤「ＬＴシリーズ」等の、例えば１５０〜１７０℃程度の硬化温度Ｔｈを有する材料を用いることができる。これにより、例えばフォトレジストからなる感光性樹脂ＰＲ１として、耐熱温度Ｔｅが２００℃を超えるものを通常用いることができるため、熱硬化性を有する感光性樹脂ＰＲ２の硬化温度Ｔｈを、感光性樹脂ＰＲ１の耐熱温度Ｔｅよりも低くすることができる。
【００３３】
次に、図３に示すように、基板ＳＵＢ１の上面ＴＳに、感光性樹脂ＰＲ１からなる樹脂膜ＲＦ１を形成する（図１のステップＳ１２）。
【００３４】
このステップＳ１２では、まず、例えばスピン塗布法により基板ＳＵＢ１の上面ＴＳに感光性樹脂ＰＲ１を塗布する。例えば、塗布装置に備えられた回転可能なスピンチャック（図示は省略）により基板ＳＵＢ１を保持し、スピンチャックに保持された基板ＳＵＢ１を回転させた状態で、基板ＳＵＢ１の中心上に感光性樹脂ＰＲ１を供給する。そして、供給された感光性樹脂ＰＲ１が遠心力により基板ＳＵＢ１上を中心から外周側へ流れることで、基板ＳＵＢ１の上面ＴＳに、感光性樹脂ＰＲ１が塗布される。
【００３５】
次いで、上面ＴＳに感光性樹脂ＰＲ１が塗布された基板ＳＵＢ１を、例えば熱処理装置に備えられたホットプレート（図示は省略）上に搬送し、ホットプレートにより基板ＳＵＢ１にベークすなわち熱処理を行う。この熱処理は、プリベークと呼ばれるものである。これにより、感光性樹脂ＰＲ１から有機溶媒を蒸発させることで感光性樹脂ＰＲ１が流動性を失って固化し、基板ＳＵＢ１の上面ＴＳに、例えば固化した感光性樹脂ＰＲ１としてのフォトレジストからなるフォトレジスト膜、すなわち樹脂膜ＲＦ１が形成される。ベークの条件は、感光性樹脂ＰＲ１に含まれる有機溶媒の材質にもよるが、例えば９０℃で９０秒間とすることができる。
【００３６】
また、樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦは、好適には、後述するステップＳ１８にて形成される導電膜ＣＦの膜厚ＴＣＦ（図９参照）よりも大きい。したがって、樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦは、導電膜ＣＦの膜厚ＴＣＦにもよるが、例えば０．５〜５μｍとすることができる。
【００３７】
次に、図４に示すように、樹脂膜ＲＦ１上に、感光性樹脂ＰＲ２からなる樹脂膜ＲＦ２を形成する（図１のステップＳ１３）。
【００３８】
このステップＳ１３では、まず、例えばスピン塗布法により樹脂膜ＲＦ１上に熱硬化性を有する感光性樹脂ＰＲ２を塗布する。例えば、塗布装置に備えられた回転可能なスピンチャック（図示は省略）により基板ＳＵＢ１を保持し、スピンチャックに保持された基板ＳＵＢ１を回転させた状態で、基板ＳＵＢ１の中心上に感光性樹脂ＰＲ２を供給する。そして、供給された感光性樹脂ＰＲ２が遠心力により基板ＳＵＢ１上を中心から外周側へ流れることで、樹脂膜ＲＦ１上に、感光性樹脂ＰＲ２が塗布される。
【００３９】
次いで、樹脂膜ＲＦ１上に樹脂膜ＲＦ２が塗布された基板ＳＵＢ１を、例えば熱処理装置に備えられたホットプレート（図示は省略）上に搬送し、ホットプレートにより基板ＳＵＢ１にベークすなわち熱処理を行う。この熱処理は、プリベークと呼ばれるものである。これにより、感光性樹脂ＰＲ２から有機溶媒を蒸発させることで感光性樹脂ＰＲ２が流動性を失って固化し、樹脂膜ＲＦ１上に、固化した感光性樹脂ＰＲ２からなる樹脂膜ＲＦ２が形成される。ベークの条件は、感光性樹脂ＰＲ２に含まれる有機溶媒の材質にもよるが、例えば９０℃で９０秒間とすることができる。
【００４０】
形成される樹脂膜ＲＦ２の膜厚は、特に限定はされないが、例えば０．５〜５μｍとすることができる。
【００４１】
次に、図５に示すように、形成された樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１をパターン露光する（図１のステップＳ１４）。
【００４２】
このステップＳ１４では、まず、樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１が形成された基板ＳＵＢ１を、露光装置に備えられたステージ（図示は省略）上に搬送し、マスクパターンＭＰ１を用いて露光光ＥＸＰにより露光する。露光光ＥＸＰとして、例えば波長３６５ｎｍの波長を有する水銀のスペクトル線であるｉ線からなる露光光を用いることができ、マスクパターンＭＰ１を用いて樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１に同時に露光、すなわち一括露光することができる。これにより、樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１に、マスクパターンＭＰ１が転写される。
【００４３】
なお、本実施の形態１では、ポジ型の感光性樹脂ＰＲ１からなる樹脂膜ＲＦ１を形成し、ポジ型の感光性樹脂ＰＲ２からなる樹脂膜ＲＦ２を形成する例について、説明する。しかし、マスクパターンＭＰ１に代え、パターンをポジネガ反転させ、ネガ型の感光性樹脂からなる樹脂膜に対応したマスクパターンを用いることにより、ネガ型の感光性樹脂ＰＲ１からなる樹脂膜ＲＦ１を形成し、ネガ型の感光性樹脂ＰＲ２からなる樹脂膜ＲＦ２を形成することもできる。この場合、露光されない部分が現像液に溶解可能である。
【００４４】
次いで、露光された基板ＳＵＢ１を、例えば熱処理装置に備えられたホットプレート（図示は省略）上に搬送し、ホットプレートにより基板ＳＵＢ１にベークすなわち熱処理を行う。このベークにより、樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１のうち露光された部分が、アルカリ性の現像液に対して可溶化する。また、樹脂膜ＲＦ１が化学増幅系レジストからなるときは、樹脂膜ＲＦ１のうち露光された部分が、露光により発生した酸を触媒として反応することで、アルカリ性の現像液に対して可溶化する。ベークの条件は、感光性樹脂ＰＲ２の材質、および、感光性樹脂ＰＲ１の材質にもよるが、例えば１１０℃で９０秒間とすることができる。
【００４５】
次に、図６に示すように、パターン露光された樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１を現像する（図１のステップＳ１５）。
【００４６】
このステップＳ１５では、露光された基板ＳＵＢ１を、現像装置に設けられたスピンチャック（図示は省略）により保持し、スピンチャックに保持された基板ＳＵＢ１をスピンチャックとともに回転させた状態で、基板ＳＵＢ１の中心上に、アルカリ性の現像液を吐出する。アルカリ性の現像液として、例えば水酸化テトラメチルアンモニウム（Tetramethylammonium hydroxide；ＴＭＡＨ）水溶液が用いられる。吐出された現像液が遠心力により基板ＳＵＢ１上を中心から外周側へ流れることによって、樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１のうち、露光され、可溶化された部分が溶解する。
【００４７】
これにより、樹脂膜ＲＦ２を貫通して樹脂膜ＲＦ１に達する開口部ＯＲ２が形成され、開口部ＯＲ２に露出した樹脂膜ＲＦ１に、開口部ＯＲ２と連通し、樹脂膜ＲＦ１の少なくとも途中まで達する開口部ＯＲ１が形成される。また、開口部ＯＲ１と開口部ＯＲ２とからなる開口部を全体として開口部ＯＰと称するものとすると、基板ＳＵＢ１上に、樹脂膜ＲＦ２を貫通し、樹脂膜ＲＦ１の少なくとも途中まで達する開口部ＯＰが形成されることになる。
【００４８】
ステップＳ１４〜ステップＳ１５では、好適には、開口部ＯＲ２における開口幅ＷＤＴが、後述するステップＳ１９にて形成される配線ＷＲ（図１０参照）の幅寸法に等しくなるように、ステップＳ１４における露光処理の条件もしくはベーク処理の条件、または、ステップＳ１５における現像処理の条件を調整する。
【００４９】
また、ステップＳ１４〜ステップＳ１５では、開口部ＯＲ１における最小の開口幅ＷＤＢが、開口部ＯＲ２における開口幅ＷＤＴより小さくてもよい。すなわち、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１が、平面視において、つまり、基板ＳＵＢ１の上面に垂直な方向から視たときに、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２よりも開口部ＯＲ１の中心側に位置していてもよい。さらに、ステップＳ１４〜ステップＳ１５では、開口部ＯＲ１が樹脂膜ＲＦ１を貫通しなくてもよい。図６では、開口部ＯＲ１が樹脂膜ＲＦ１を貫通しない例を示している。
【００５０】
次に、樹脂膜ＲＦ２を硬化させる（図１のステップＳ１６）。
【００５１】
このステップＳ１６では、ステップＳ１５までの工程が行われた基板ＳＵＢ１を、例えば熱処理装置に備えられたホットプレート（図示は省略）上に搬送し、ホットプレートにより基板ＳＵＢ１に温度Ｔ１でベークすなわち熱処理を行う。
【００５２】
前述したように、温度Ｔ１は、熱硬化性を有する感光性樹脂ＰＲ２の硬化温度Ｔｈ以上の温度である。したがって、温度Ｔ１でベークすなわち熱処理を行うことにより、樹脂膜ＲＦ２を硬化させることができる。また、感光性樹脂ＰＲ２として、例えば１５０〜１７０℃の硬化温度Ｔｈを有する感光性ポリイミドコーティング剤を用いる場合には、温度Ｔ１を、例えば１７０℃程度とすることができる。
【００５３】
前述したように、感光性樹脂ＰＲ２が熱硬化性を有するときは、感光性樹脂ＰＲ２を熱処理することで、不可逆な重合反応が進み、感光性樹脂ＰＲ２が硬化する。そして、感光性樹脂ＰＲ２が硬化した状態では、分子内に三次元的に分子鎖が架橋した構造が形成されるため、樹脂膜ＲＦ２は、物理的にも安定で、かつ、化学的にも安定な樹脂膜ＨＲＦ２になる。すなわち、感光性樹脂ＰＲ２が硬化した状態では、樹脂膜ＲＦ２は、変形が発生せず、かつ、有機溶剤および現像液のいずれに対しても不溶化した樹脂膜ＨＲＦ２となる。図７には、樹脂膜ＲＦ２が硬化して樹脂膜ＨＲＦ２となった状態が示されている。
【００５４】
なお、前述したステップＳ１２において、塗布された感光性樹脂ＰＲ１をベークすなわちプリベークする場合には、感光性樹脂ＰＲ１から有機溶媒が除去されて感光性樹脂ＰＲ１が固化され、樹脂膜ＲＦ１が形成される。しかし、感光性樹脂ＰＲ１が固化する際には、感光性樹脂ＰＲ１自体には例えば重合反応などによる変質が発生しない。したがって、熱硬化性を有する感光性樹脂ＰＲ２を硬化させることと、感光性樹脂ＰＲ１を固化させることとは、互いに意味が異なる。
【００５５】
また、前述したステップＳ１３において、塗布された感光性樹脂ＰＲ２をベークすなわちプリベークする場合には、感光性樹脂ＰＲ２から有機溶媒が除去されて感光性樹脂ＰＲ２が固化され、樹脂膜ＲＦ２が形成される。しかし、感光性樹脂ＰＲ２が固化する際には、感光性樹脂ＰＲ２自体には例えば重合反応などによる変質が発生しない。したがって、熱硬化性を有する感光性樹脂ＰＲ２を硬化させることと、熱硬化性を有する感光性樹脂ＰＲ２を固化させることとは、互いに意味が異なる。
【００５６】
一方、温度Ｔ１は、感光性樹脂ＰＲ１の耐熱温度Ｔｅよりも低い温度であり、感光性樹脂ＰＲ１は、温度Ｔ１での熱処理後も熱硬化せず現像可能である。したがって、温度Ｔ１での熱処理後も、感光性樹脂ＰＲ１に２回目の現像、または、２回目の露光および２回目の現像を行うことにより、開口部ＯＲ１における最小の開口幅ＷＤＢを調整することができる。
【００５７】
感光性樹脂ＰＲ１が化学増幅系レジストであるときは、感光性樹脂ＰＲ１は、露光の際の光反応により感光性樹脂ＰＲ１中に酸を発生させ、露光後のベークすなわち熱処理の際に、発生した酸を触媒として感光性樹脂ＰＲ１の基材樹脂が反応することで、現像液に可溶化する。したがって、温度Ｔ１での熱処理後も、感光性樹脂ＰＲ１のうち現像液に可溶化される部分を新たに発生させ、さらに２回目の現像を行って、開口部ＯＲ１における最小の開口幅ＷＤＢを調整することができる。
【００５８】
あるいは、感光性樹脂ＰＲ１が化学増幅系レジスト以外の通常のポジ型のレジストであるときは、感光性樹脂ＰＲ１は、露光の際の光反応により、感光性樹脂ＰＲ１の基材樹脂が反応することで、現像液に可溶化する。したがって、温度Ｔ１での熱処理後も、２回目の露光を行って、感光性樹脂ＰＲ１のうち現像液に可溶化される部分を新たに発生させ、さらに２回目の現像を行って、開口部ＯＲ１における最小の開口幅ＷＤＢを調整することができる。
【００５９】
次に、樹脂膜ＲＦ１を現像する（図１のステップＳ１７）。
【００６０】
このステップＳ１７では、ステップＳ１５と同様に、基板ＳＵＢ１を、現像装置に設けられたスピンチャック（図示は省略）により保持し、スピンチャックに保持された基板ＳＵＢ１をスピンチャックとともに回転させた状態で、基板ＳＵＢ１の中心上に、アルカリ性の現像液を吐出する。アルカリ性の現像液として、ステップＳ１５と同様に、例えばＴＭＡＨ水溶液が用いられる。
【００６１】
ステップＳ１６における温度Ｔ１のベークすなわち熱処理後も、感光性樹脂ＰＲ１のうち可溶化された部分は、現像可能である。したがって、ステップＳ１７において、吐出された現像液が遠心力により基板ＳＵＢ１上を中心から外周側へ流れることによって、樹脂膜ＲＦ１のうち、可溶化された部分が溶解する。
【００６２】
これにより、図８に示すように、開口部ＯＲ１の底部で樹脂膜ＲＦ１が除去されて基板ＳＵＢ１の上面ＴＳが露出する。つまり、樹脂膜ＲＦ１を貫通し、基板ＳＵＢ１に達する開口部ＯＲ１が形成される。また、樹脂膜ＲＦ１のうち開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に露出した部分が除去され、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１が開口部ＯＲ１の外側方に後退する。
【００６３】
一方、樹脂膜ＲＦ２が硬化されて樹脂膜ＨＲＦ２となり、樹脂膜ＨＲＦ２が現像液に対する溶解性を失っているため、樹脂膜ＨＲＦ２のうち開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２に露出した部分は除去されず、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２は開口部ＯＲ２の外側方に後退しない。例えば樹脂膜ＨＲＦ２がポリイミド膜からなるときは、ポリイミドが高い耐薬品性を有するため、アルカリ性の現像液により変形などが発生しない。
【００６４】
その結果、図８に示すように、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１は、好適には、全面に亘り、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２よりも開口部ＯＲ１の外側方に後退し、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２が、平面視において、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１よりも開口部ＯＲ２の中心側に位置した状態になる。つまり、開口部ＯＲ１における最小の開口幅ＷＤＢが、開口部ＯＲ２における開口幅ＷＤＴよりも大きくなるので、開口部ＯＲ１と開口部ＯＲ２とからなる開口部ＯＰは、断面形状として、いわゆるアンダーカット形状を有する。これにより、後述するステップＳ１８にて形成される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に堆積されることを防止することができる。
【００６５】
アンダーカット形状とは、一般的には、例えば、成形品を金型から出す時、そのままの状態では離型できない凸形状や凹形状を意味する。また、本願明細書では、アンダーカット形状とは、開口部ＯＲ１における最小の開口幅ＷＤＢが、開口部ＯＲ２における開口幅ＷＤＴよりも大きくなることを意味し、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１が、全面に亘り、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２よりも、開口部ＯＲ１の外側方に後退することを意味する。
【００６６】
なお、樹脂膜ＲＦ１のうち開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に露出した部分が少しでも除去されれば、ステップＳ１７を行わない場合に比べ、導電膜ＣＦを堆積する際に、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に導電膜ＣＦが堆積されることを抑制することができる。したがって、ステップＳ１７では、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１のうち一部が、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２よりも、開口部ＯＲ１の外側方に後退していなくてもよい。
【００６７】
また、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１が後退する距離が、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２が後退する距離よりも大きければ、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１が開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２よりも後退し、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に導電膜ＣＦが堆積されることを抑制することができる。したがって、ステップＳ１７では、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１が開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２よりも後退すればよく、樹脂膜ＨＲＦ２のうち開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２に露出した部分が、少し除去されてもよい。
【００６８】
ステップＳ１７における２回目の現像処理の条件を調整することで、開口部ＯＲ１における最小の開口幅ＷＤＢを調整することができる。
【００６９】
また、樹脂膜ＲＦ１が化学増幅系レジストからなるときは、ステップＳ１６における温度Ｔ１でのベークすなわち熱処理により、樹脂膜ＲＦ１のうちステップＳ１４にて露光された部分が酸を触媒として可溶化する反応が、より促進される。すなわち、ステップＳ１６が行われた後、樹脂膜ＲＦ１のうち、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に露出した部分が、アルカリ性の現像液に対して新たに可溶化されている。したがって、ステップＳ１７において、樹脂膜ＲＦ１のうち新たに可溶化された部分が溶解する。このような場合でも、ステップＳ１７における現像処理の条件を調整することで、開口部ＯＲ１における最小の開口幅ＷＤＢを調整することができる。
【００７０】
あるいは、樹脂膜ＲＦ１が化学増幅系レジスト以外の通常のフォトレジストからなるときは、ステップＳ１６とステップＳ１７との間に、２回目のパターン露光を行い、樹脂膜ＲＦ１のうち２回目のパターン露光がされた部分を、アルカリ性の現像液に対して新たに可溶化することができる。つまり、感光性樹脂ＰＲ１が化学増幅系レジスト以外の通常のレジストからなる場合には、２回目の現像の前に、２回目の露光を行うことで、樹脂膜ＲＦ１のうち可溶化される部分を増やすことができる。このような場合でも、ステップＳ１７における現像処理の条件を調整することで、開口部ＯＲ１における最小の開口幅ＷＤＢを調整することができる。
【００７１】
または、樹脂膜ＲＦ１が化学増幅系レジスト以外の通常のフォトレジストからなるときも、ステップＳ１６とステップＳ１７との間に、２回目のパターン露光を行わなくてもよい。このような場合でも、アルカリ性の現像液に対して可溶化された部分の全てが完全に溶解されていない場合には、ステップＳ１７における現像処理の条件を調整することで、開口部ＯＲ１における最小の開口幅ＷＤＢを調整することができる。
【００７２】
なお、ステップＳ１５にて開口部ＯＲ１が樹脂膜ＲＦ１を貫通していた場合、ステップＳ１７では、開口部ＯＲ１の底部の周辺部で樹脂膜ＲＦ１を除去して基板ＳＵＢ１の上面ＴＳを露出させることになる。
【００７３】
次に、図９に示すように、導電膜ＣＦを形成する（図１のステップＳ１８）。
【００７４】
このステップＳ１８では、基板ＳＵＢ１を、例えば成膜装置に設けられた基板ホルダ（図示は省略）により保持した状態で、例えば蒸着法またはスパッタリング法などにより、例えば金属膜からなる導電膜ＣＦを形成する。金属膜として、特に限定されないが、例えばモリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）およびモリブデンを積層した積層膜を形成することができる。
【００７５】
ステップＳ１８を行うことにより、開口部ＯＲ１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上、および、樹脂膜ＨＲＦ２上に、導電膜ＣＦが堆積される。一方、開口部ＯＰが断面形状としてアンダーカット形状を有しており、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１が、全面に亘り、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２よりも開口部ＯＲ１の外側方に後退しているとき、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１には、導電膜ＣＦが堆積されない。
【００７６】
好適には、導電膜ＣＦの膜厚ＴＣＦが、樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦよりも小さいことが好ましい。これにより、開口部ＯＲ１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上に堆積される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２に堆積される導電膜ＣＦ（図示は省略）と繋がることを防止することができる。したがって、後述するステップＳ１９にて形成される配線ＷＲ（図１０参照）に、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着することを防止することができる。
【００７７】
しかし、開口部ＯＲ１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上に形成される導電膜ＣＦの中央部など一部において、導電膜ＣＦの膜厚が樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦより小さくなくてもよい。この場合、基板ＳＵＢ１上に形成される導電膜ＣＦの外周部において、導電膜ＣＦが樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦよりも小さい膜厚ＴＣＦを有していれば、基板ＳＵＢ１上に堆積される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２に堆積される導電膜ＣＦと繋がることを防止することができる。したがって、後述するステップＳ１９にて形成される配線ＷＲに、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着することを防止することができる。
【００７８】
次に、図１０に示すように、樹脂膜ＲＦ１を除去する（図１のステップＳ１９）。
【００７９】
このステップＳ１９では、基板ＳＵＢ１を、例えば洗浄装置に設けられたスピンチャック（図示は省略）により保持し、スピンチャックに保持された基板ＳＵＢ１をスピンチャックとともに回転させた状態で、基板ＳＵＢ１の中心上に、樹脂膜ＲＦ１を溶解および除去可能な洗浄液を吐出する。洗浄液として、例えばイソプロピルアルコール（Iso Propyl Alcohol：ＩＰＡ）またはメチルエチルケトン（Methyl Ethyl Ketone：ＭＥＫ）などの有機溶剤が用いられる。
【００８０】
吐出された洗浄液が遠心力により基板ＳＵＢ１上を中心から外周側へ流れることによって、樹脂膜ＲＦ１が溶解され、除去されるとともに、樹脂膜ＲＦ１上の樹脂膜ＨＲＦ２、および、樹脂膜ＨＲＦ２上の導電膜ＣＦが除去される。一方、開口部ＯＲ１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上に形成されていた導電膜ＣＦは残される。このようなリフトオフ法により、基板ＳＵＢ１上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲが形成される。
【００８１】
＜配線に付着する導電膜およびアンダーカット形状の制御について＞
図１１〜図１３は、比較例１の配線形成工程中における基板の要部断面図である。比較例１の配線形成工程は、樹脂膜ＲＦ２を形成しない点で、実施の形態１の配線形成工程と異なる。
【００８２】
比較例１では、図１のステップＳ１１〜ステップＳ１２と同様の工程を行って、基板ＳＵＢ１上に例えばフォトレジストからなる樹脂膜ＲＦ１０１を形成した後、図１のステップＳ１３に相当する工程を行わず、図１のステップＳ１４〜ステップＳ１５と同様の工程を行う。これにより、図１１に示すように、樹脂膜ＲＦ１０１を貫通して基板ＳＵＢ１に達する開口部ＯＰ１０１を形成する。比較例１では、開口部ＯＰ１０１の底部の開口幅が、開口部ＯＰ１０１の上端部の開口幅と等しく、開口部ＯＰ１０１は、断面形状としてアンダーカット形状を有していない。
【００８３】
次に、図１のステップＳ１６およびステップＳ１７に相当する工程を行わず、図１のステップＳ１８と同様の工程を行って、導電膜ＣＦを形成する。これにより、図１２に示すように、開口部ＯＰ１０１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上、および、樹脂膜ＲＦ１０１上に、導電膜ＣＦが堆積される。また、比較例１では、開口部ＯＰ１０１に露出した樹脂膜ＲＦ１０１の側面にも、導電膜ＣＦが堆積される。
【００８４】
次に、図１のステップＳ１９と同様の工程を行って、樹脂膜ＲＦ１０１を除去する。これにより、樹脂膜ＲＦ１０１とともに、樹脂膜ＲＦ１０１上の導電膜ＣＦが除去される。一方、開口部ＯＰ１０１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上に形成されていた導電膜ＣＦは残される。このようなリフトオフ法により、図１３に示すように、基板ＳＵＢ１上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲが形成される。
【００８５】
しかし、比較例１の配線形成方法では、樹脂膜ＲＦ１０１の側面に堆積されていた導電膜ＣＦの一部が、ヒゲ状またはバリ状の異物となって残りやすい。つまり、配線ＷＲには、ヒゲ状またはバリ状の導電膜ＣＦＢが付着しやすい。配線にヒゲ状またはバリ状の導電膜ＣＦＢが付着すると、配線ＷＲに不良が発生するおそれがあり、配線ＷＲの信頼性が低下するおそれがある。
【００８６】
一方、配線ＷＲにヒゲ状またはバリ状の導電膜ＣＦＢが付着することを防止するために、リフトオフ法として、樹脂膜に、断面形状としてアンダーカット形状を有する開口部を形成する方法がある。
【００８７】
図１４は、比較例２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。比較例２の配線形成工程は、樹脂膜ＲＦ１に代え、ネガ型のフォトレジストからなる樹脂膜ＲＦ２０１を形成する点、および、樹脂膜ＲＦ２を形成しない点で、実施の形態１の配線形成工程と異なる。
【００８８】
比較例２では、図１のステップＳ１１と同様の工程を行った後、図１のステップＳ１２に相当する工程において、ネガ型のフォトレジストを塗布し、ベークすることで、樹脂膜ＲＦ２０１を形成する。次いで、図１のステップＳ１３に相当する工程を行わず、図１のステップＳ１４〜ステップＳ１５と同様の工程を行う。これにより、図１４に示すように、樹脂膜ＲＦ２０１を貫通して基板ＳＵＢ１に達する開口部ＯＰ２０１を形成する。比較例２では、開口部ＯＰ２０１の底部の開口幅は、開口部ＯＰ２０１の上端部の開口幅よりも大きく、開口部ＯＰ２０１は、断面形状としてアンダーカット形状を有している。
【００８９】
次に、図１のステップＳ１６およびステップＳ１７に相当する工程を行わず、図１のステップＳ１８と同様の工程を行って、導電膜ＣＦを形成する。これにより、図１４に示すように、開口部ＯＰ２０１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上、および、樹脂膜ＲＦ２０１上に、導電膜ＣＦが堆積される。また、比較例２では、樹脂膜ＲＦ２０１の側面には、導電膜ＣＦが堆積されない。
【００９０】
次に、図１のステップＳ１９の工程を行って、樹脂膜ＲＦ２０１を除去する。これにより、樹脂膜ＲＦ２０１とともに、樹脂膜ＲＦ２０１上の導電膜ＣＦが除去される。一方、開口部ＯＰ２０１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上に形成されていた導電膜ＣＦは残される。このようなリフトオフ法により、図１０に示したのと同様に、基板ＳＵＢ１上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲが形成される。
【００９１】
比較例２の配線形成方法では、樹脂膜ＲＦ２０１の側面には導電膜ＣＦが堆積されないため、配線ＷＲには、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着しない。しかし、ネガ型フォトレジストからなる樹脂膜ＲＦ２０１を形成し、形成された樹脂膜ＲＦ２０１に開口部ＯＰ２０１を形成する工程は、複雑であるか、または、汎用性が低い。
【００９２】
また、比較例２の配線形成方法では、開口部ＯＰ２０１の上端部から底部に向かって一様に開口幅が増加するため、蒸着法またはスパッタリング法などにより供給される原子が開口部ＯＰ２０１の側壁に回り込むおそれがあり、配線を形状精度良く形成することができない。
【００９３】
なお、比較例２において、ポジ型のフォトレジスト膜を形成した後、化学反応によりポジ型からネガ型へ反転させ、ネガ型のフォトレジスト膜としての樹脂膜ＲＦ２０１を形成するイメージリバース法を用いることも考えられる。しかし、イメージリバース法において、ネガ型のフォトレジスト膜としての樹脂膜ＲＦ２０１を形成し、形成された樹脂膜ＲＦ２０１に開口部ＯＰ２０１を形成する工程は、複雑であるか、または、汎用性が低い。
【００９４】
あるいは、リフトオフ法として、配線にヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着することを防止するために、異なる２つのフォトレジスト膜を積層した積層膜に、断面形状としてアンダーカット形状を有する開口部を形成する方法が考えられる。
【００９５】
図１５は、比較例３の配線形成工程中における基板の要部断面図である。比較例３の配線形成工程は、樹脂膜ＲＦ１に代え、例えばシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなるスペーサ膜ＳＰ３０１を用いる点、および、樹脂膜ＲＦ２に代え、フォトレジストからなる樹脂膜ＲＦ３０２を用いる点で、実施の形態１の配線形成工程と異なる。
【００９６】
比較例３では、図１のステップＳ１１と同様の工程を行った後、図１のステップＳ１２に相当する工程において、例えばシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなるスペーサ膜ＳＰ３０１を形成する。次いで、図１のステップＳ１３に相当する工程において、例えばフォトレジストからなる樹脂膜ＲＦ３０２を形成した後、図１のステップＳ１４〜ステップＳ１５と同様の工程を行って、樹脂膜ＲＦ３０２を貫通してスペーサ膜ＳＰ３０１に達する開口部を形成する。その後、開口部の底部に露出したスペーサ膜ＳＰ３０１を例えばフッ酸（ＨＦ）によりエッチングし、図１５に示すように、樹脂膜ＲＦ３０２およびスペーサ膜ＳＰ３０１を貫通して基板ＳＵＢ１に達する開口部ＯＰ３０１を形成する。比較例３では、開口部ＯＰ３０１の底部の開口幅は、開口部ＯＰ３０１の上端部の開口幅よりも大きく、開口部ＯＰ３０１は、断面形状としてアンダーカット形状を有している。
【００９７】
次に、図１のステップＳ１６およびステップＳ１７に相当する工程を行わず、図１のステップＳ１８と同様の工程を行って、導電膜ＣＦを形成する。これにより、図１５に示すように、開口部ＯＰ３０１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上、および、樹脂膜ＲＦ３０２上に、導電膜ＣＦが堆積される。
【００９８】
次に、図１のステップＳ１９に相当する工程を行って、スペーサ膜ＳＰ３０１を除去する。これにより、スペーサ膜ＳＰ３０１とともに、樹脂膜ＲＦ３０２、および、樹脂膜ＲＦ３０２上の導電膜ＣＦが除去される。一方、開口部ＯＰ３０１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上に形成されていた導電膜ＣＦは残される。このようなリフトオフ法により、図１０に示したのと同様に、基板ＳＵＢ１上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲが形成される。
【００９９】
比較例３の配線形成方法では、樹脂膜ＲＦ３０２の側面には導電膜ＣＦが堆積されることもあるが、樹脂膜ＲＦ３０２の側面に堆積された導電膜ＣＦは、基板ＳＵＢ１上に形成された導電膜ＣＦと繋がっていないため、配線ＷＲには、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着しない。しかし、比較例３の配線形成方法では、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などによりスペーサ膜ＳＰ３０１を成膜する工程、および、そのスペーサ膜ＳＰ３０１を例えばフッ酸によりエッチングする工程を行う必要があるため、工程数が増加するおそれがある。また、スペーサ膜ＳＰ３０１の膜厚は、導電膜ＣＦの膜厚より大きくする必要があるが、スペーサ膜ＳＰ３０１の応力によりスペーサ膜ＳＰ３０１の剥離が発生しやすくなる点、または、スペーサ膜ＳＰ３０１の堆積速度が小さい点で、スペーサ膜ＳＰ３０１の膜厚を増加させることは、困難である。したがって、導電膜ＣＦの膜厚が数μｍ以上であるときは、比較例３の配線形成方法を実際に行うことは、困難である。
【０１００】
一方、上記特許文献１および上記特許文献４に記載された技術では、第１フォトレジスト層上に形成された第２フォトレジスト層の感光速度が、第１フォトレジスト層の感光速度よりも遅いことを用いて、アンダーカット形状を有する開口部を形成する。しかし、上記特許文献１および上記特許文献４に記載された技術では、アンダーカット形状を制御するために、それぞれのフォトレジスト層の組成を調整して、それぞれのフォトレジスト層の感光速度を調整しなければならず、工程が複雑になるおそれがある。
【０１０１】
上記特許文献２および上記特許文献４に記載された技術では、下層のレジスト層が、上層のレジスト層よりも、同一現像液に対する溶解速度が速いことを用いて、アンダーカット形状を有する開口部を形成する。しかし、上記特許文献２および上記特許文献４に記載された技術では、アンダーカット形状を制御するために、それぞれのレジスト層の組成を調整して、それぞれのレジスト層の同一現像液に対する溶解速度を調整しなければならず、工程が複雑になるおそれがある。
【０１０２】
上記特許文献３に記載された技術では、２層のレジスト層を形成し、上層のレジスト層を露光、現像して第１の開口を形成した後、酸素プラズマアッシングを行って下層のレジスト層に第２の開口を形成することで、アンダーカット形状を有する開口部を形成する。しかし、上記特許文献３に記載された技術では、上層のレジスト層として、酸素プラズマアッシングに耐性のあるレジスト層を用いる必要があり、酸素プラズマアッシングを行う際に、第２の開口の底部に露出した基板がダメージすなわち損傷を受けるおそれがある。また、上記特許文献３に記載された技術では、アンダーカット形状を制御するためには、酸素プラズマアッシングの条件を調整する必要があるが、酸素プラズマアッシングの条件の調整によりアンダーカット形状を精度良く制御することは困難である。
【０１０３】
上記特許文献５に記載された技術では、２層のレジスト膜を形成し、上層のレジスト膜を露光、現像して２層のレジスト膜からなるパターンを形成した後、遠紫外線を照射して上層のレジスト膜を硬化させ、２回目の現像を行うことで、アンダーカット形状を有する開口部を形成する。しかし、上記特許文献５に記載された技術では、上層のレジスト膜を硬化させるために遠紫外線を照射する必要があり、工程が複雑になるおそれがある。
【０１０４】
上記特許文献６および上記特許文献７に記載された技術では、ポジ型である下層のフォトレジスト層と、ポジ型である上層のフォトレジスト層とを形成し、露光した後、熱処理により上層のフォトレジスト層をポジ型からネガ型に反転させ、現像することで、アンダーカット形状を有する開口部を形成する。しかし、上記特許文献６および上記特許文献７に記載された技術では、上層のフォトレジスト層のうちポジ型からネガ型に反転する部分の形状を制御することは困難であるため、アンダーカット形状を制御することは困難である。
【０１０５】
上記特許文献８に記載された技術では、下層のレジスト層を形成し、全面露光を行った後、上層のレジスト層を形成して露光、現像することで、アンダーカット形状を有する開口部を形成する。しかし、上記特許文献８に記載された技術では、上層のレジスト層に形成される開口部の開口幅が小さくなると、下層のレジスト層に形成される開口部の開口幅を制御することは困難になるため、配線を容易に微細化することができず、アンダーカット形状を精度良く制御することは困難である。
【０１０６】
上記特許文献９に記載された技術では、ネガ型の下層のフォトレジスト層の露光感度を、ネガ型の上層のフォトレジスト層の露光感度よりも小さくし、下層のフォトレジスト層の現像液に対する溶解速度を、上層のフォトレジスト層の溶解速度よりも大きくすることで、アンダーカット形状を有する開口部を形成する。また、上記特許文献９に記載された技術では、各フォトレジスト層のベークすなわち熱処理の温度を調整することで、各フォトレジスト層の露光感度を調整する必要がある。しかし、上下各フォトレジスト層の熱処理の温度を調整することで各フォトレジスト層の露光感度を調整することは容易ではない。そのため、上記特許文献９に記載された技術では、アンダーカット形状を精度良く制御することは困難である。
【０１０７】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態１の配線形成方法では、基板ＳＵＢ１上に、感光性樹脂ＰＲ１からなる樹脂膜ＲＦ１、および、熱硬化性を有する感光性樹脂ＰＲ２からなる樹脂膜ＲＦ２を、下から順に形成する。感光性樹脂ＰＲ２は、温度Ｔ１での熱処理により硬化するが、感光性樹脂ＰＲ１は、温度Ｔ１での熱処理後も硬化せず現像可能である。次に、露光および現像を行うことで、樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１に、開口部ＯＲ２および開口部ＯＲ１からなる開口部ＯＰを形成した後、温度Ｔ１で熱処理することで、樹脂膜ＲＦ２を硬化させ、さらに２回目の現像を行うことで、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に露出した樹脂膜ＲＦ１を除去する。次に、開口部ＯＲ１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上に導電膜ＣＦを形成した後、樹脂膜ＲＦ１を除去し、基板ＳＵＢ１上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲを形成する。
【０１０８】
本実施の形態１によれば、２回目の現像を行わない場合に比べ、樹脂膜ＲＦ１のうち開口部ＯＲ１の側面に露出した部分が少しでも除去されれば、導電膜ＣＦを形成する際に、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に導電膜ＣＦが堆積されることを抑制することができる。好適には、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１を開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２よりも後退させることにより、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に導電膜ＣＦが堆積されることをより抑制することができる。さらに好適には、２回目の現像の際に、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２に露出した樹脂膜ＲＦ２を除去しないので、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１を開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２よりも確実に後退させることができ、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に導電膜ＣＦが堆積されることをさらに抑制することができる。そのため、比較例１に比べ、樹脂膜ＲＦ１を除去して形成される配線ＷＲに、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着することを抑制することができる。したがって、比較例１に比べ、配線ＷＲに不良が発生することを抑制することができ、配線ＷＲの信頼性を向上させることができる。
【０１０９】
また、好適には、樹脂膜ＲＦ２が硬化した後、２回目の現像を行うか、または、２回目の露光および２回目の現像を行うことで、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１を、全面に亘り、開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２よりも開口部ＯＲ１の外側方に後退させる。これにより、開口部ＯＰが、断面形状としてアンダーカット形状を有するため、導電膜ＣＦを形成する際に、開口部ＯＲ１の側面ＳＦ１に導電膜ＣＦが堆積されることを防止することができる。そのため、比較例１に比べ、樹脂膜ＲＦ１を除去して形成される配線ＷＲに、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着することを防止することができる。したがって、比較例１に比べ、配線ＷＲに不良が発生することを防止することができ、配線ＷＲの信頼性をより確実に向上させることができる。
【０１１０】
さらに、本実施の形態１によれば、２回目の現像の際に、樹脂膜ＨＲＦ２のうち開口部ＯＲ２の側面ＳＦ２に露出した部分が除去されない。したがって、開口部ＯＲ２の開口幅ＷＤＴが２回目の現像の際に変化しないので、開口部ＯＲ１の底部に露出した基板ＳＵＢ１上に形成される配線ＷＲを、形状精度よく形成することができ、配線ＷＲの信頼性を向上させることができる。
【０１１１】
一方、本実施の形態１によれば、ネガ型のフォトレジスト膜として、または、ポジ型のフォトレジスト膜を化学反応によりポジ型からネガ型へ反転させたネガ型のフォトレジスト膜として、樹脂膜を形成し、形成された樹脂膜に開口部を形成する、という工程を行う必要がない。したがって、比較例２に比べ、配線形成工程が複雑化せず、配線形成工程の汎用性を高めることができる。
【０１１２】
また、本実施の形態１によれば、樹脂膜ＨＲＦ２のうち開口部ＯＲ１に露出した部分が除去されないので、開口部ＯＰの上端部から底部に向かって一様に開口幅が増加することがない。したがって、比較例２に比べ、蒸着法またはスパッタリング法などにより供給される原子が開口部ＯＰの側面に回り込むことを防止または抑制することができ、配線を形状精度良く形成することができる。
【０１１３】
さらに、本実施の形態１によれば、例えばシリコン酸化膜またはシリコン窒化膜からなるスペーサ膜を成膜する工程、および、そのスペーサ膜を例えばフッ酸（ＨＦ）によりエッチングする工程を行う必要がなく、比較例３に比べ、工程数を減少させることができる。また、樹脂膜ＲＦ１として数μｍ以上の膜厚を有するフォトレジスト膜を容易に形成することができるので、導電膜ＣＦの膜厚が数μｍ以上であるときも、比較例３に比べ、配線形成工程を容易に行うことができる。
【０１１４】
つまり、本実施の形態１によれば、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着せず、形状精度が高い配線ＷＲを、簡便な工程で形成することができる。
【０１１５】
一方、本実施の形態１によれば、アンダーカット形状を制御するために、感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２のそれぞれの組成を調整して、樹脂膜ＲＦ１および樹脂膜ＲＦ２それぞれの感光速度を調整する必要がない。そのため、アンダーカット形状を制御するために、感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２のそれぞれの組成を調整して、樹脂膜ＲＦ１および樹脂膜ＲＦ２それぞれの感光速度を調整する場合に比べ、工程が複雑になることを防止または抑制することができる。
【０１１６】
また、本実施の形態１によれば、アンダーカット形状を調整するために、感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２のそれぞれの組成を調整して、樹脂膜ＲＦ１および樹脂膜ＲＦ２それぞれの同一現像液に対する溶解速度を調整する必要がない。そのため、アンダーカット形状を調整するために、感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２のそれぞれの組成を調整して、樹脂膜ＲＦ１および樹脂膜ＲＦ２それぞれの同一現像液に対する溶解速度を調整する場合に比べ、工程が複雑になることを防止または抑制することができる。
【０１１７】
さらに、本実施の形態１によれば、感光性樹脂ＰＲ２として、酸素プラズマアッシングに耐性のある感光性樹脂を用いる必要がなく、酸素プラズマアッシングを行う際に、開口部ＯＲ１の底部に露出した基板ＳＵＢ１がダメージすなわち損傷を受けるおそれもない。また、アンダーカット形状を制御するために、酸素プラズマアッシングの条件を調整する必要もない。そのため、酸素プラズマアッシングを行って、アンダーカット形状を有する開口部を形成する場合に比べ、アンダーカット形状を精度良く制御することができる。
【０１１８】
また、本実施の形態１によれば、上層のレジスト膜を硬化させるために遠紫外線を照射する必要がない。そのため、遠紫外線を照射して上層のレジスト膜を硬化させ、２回目の現像を行うことで、アンダーカット形状を有する開口部を形成する場合に比べ、工程が複雑になることを防止または抑制することができる。
【０１１９】
一方、本実施の形態１によれば、熱処理により感光性樹脂ＰＲ２をポジ型からネガ型に反転させる必要がない。そのため、露光した後、熱処理により上層のフォトレジスト層をポジ型からネガ型に反転させ、現像することで、アンダーカット形状を有する開口部を形成する場合に比べ、アンダーカット形状を精度良く制御することができる。
【０１２０】
また、本実施の形態１によれば、開口部ＯＲ２の開口幅ＷＤＴが２回目の現像の際に変化しないので、樹脂膜ＲＦ２に形成される開口部ＯＲ２の開口幅が小さくなっても、樹脂膜ＲＦ１に形成される開口部ＯＲ１の開口幅を容易に制御することができる。そのため、下層のレジスト層を形成し、全面露光を行った後、上層のレジスト層を形成して露光、現像することで、断面形状としてアンダーカット形状を有する開口部を形成する場合に比べ、配線を容易に微細化することができる。
【０１２１】
さらに、本実施の形態１によれば、感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２のベークすなわち熱処理の温度を調整することで、樹脂膜ＲＦ１および樹脂膜ＲＦ２のそれぞれの露光感度を調整する必要がない。そのため、上下各フォトレジスト層の熱処理の温度を調整することで各フォトレジスト層の露光感度を調整する場合に比べ、アンダーカット形状を精度良く制御することができる。
【０１２２】
（実施の形態２）
実施の形態１では、平坦な上面を有する基板上に配線を形成する配線形成方法について説明した。一方、実施の形態２では、上面に段差部を有する基板上に配線を形成する配線形成方法について説明する。
【０１２３】
＜配線形成方法＞
図１６は、実施の形態２の配線形成工程の一部を示すプロセスフロー図である。図１７〜図２５は、実施の形態２の配線形成工程中における基板の要部断面図である。
【０１２４】
始めに、基板ＳＵＢ２、感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２を用意する（図１６のステップＳ２１）。
【０１２５】
このステップＳ２１では、図１７に示すように、例えば１〜１０Ωｃｍ程度の比抵抗を有するｐ型の単結晶シリコンなどからなる基板ＳＵＢ２を用意する。基板ＳＵＢ２は、領域ＡＲ１における基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ１と、領域ＡＲ２における基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ２との間に設けられた段差部ＳＴＰを有する。
【０１２６】
また、ステップＳ２１で用意する感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２については、それぞれ図１のステップＳ１１で用意した感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２と同様の感光性樹脂とすることができる。
【０１２７】
次に、図１８に示すように、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、基板ＳＵＢ２の上面に、感光性樹脂ＰＲ１からなる樹脂膜ＲＦ１を形成する（図１６のステップＳ２２）。このステップＳ２２では、図１のステップＳ１２と同様に、例えばスピン塗布法により感光性樹脂ＰＲ１を塗布した後、ベークすることにより、樹脂膜ＲＦ１を形成する。
【０１２８】
ステップＳ２２では、好適には、領域ＡＲ１における基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ１、および、領域ＡＲ２における基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ２に、基板ＳＵＢ２の段差部ＳＴＰを埋め、かつ、段差部ＳＴＰ上の樹脂膜ＲＦ１の上面が平坦になるように、樹脂膜ＲＦ１を形成する。上面が平坦になるように樹脂膜ＲＦ１を形成する方法としては、樹脂膜ＲＦ１の膜厚の増加に伴って、段差部ＳＴＰ上における樹脂膜ＲＦ１の上面平坦性が高くなることを利用する方法がある。すなわち、形成される樹脂膜ＲＦ１の膜厚は、段差部ＳＴＰを埋めるために十分な膜厚であって、かつ、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ１の高さ位置と、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ２の高さ位置とを等しくするのに十分な膜厚である。
【０１２９】
なお、段差部ＳＴＰを埋めるとは、領域ＡＲ１における基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ１の高さ位置が、領域ＡＲ２における基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ２の高さ位置よりも低いときは、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ１の上面の高さ位置が、領域ＡＲ２における基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ２の高さ位置以上の高さ位置になることを意味する。
【０１３０】
あるいは、ステップＳ２１で、感光性樹脂ＰＲ１として、好適には、熱硬化性を有し、硬化温度よりも低い温度で流動性を有する感光性樹脂を用意することができる。このとき、好適には、感光性樹脂ＰＲ１の硬化温度が、感光性樹脂ＰＲ２の硬化温度よりも高い。
【０１３１】
すなわち、ステップＳ２１では、感光性樹脂ＰＲ１として、好適には、後述するステップＳ２６における熱処理の温度Ｔ１で硬化せず、温度Ｔ１より高い温度Ｔ２で硬化するが、温度Ｔ２よりも低い温度Ｔ３で流動性を有し、温度Ｔ１での熱処理後も現像可能な感光性樹脂を用意することができる。温度Ｔ３は、室温よりも高い温度である。このような感光性樹脂ＰＲ１として、好適には、硬化する温度Ｔ２が、例えば３００〜４００℃であるものを用いることができる。これにより、前述したように、感光性樹脂ＰＲ２として、例えば１５０〜１７０℃の硬化温度Ｔｈを有する感光性ポリイミドコーティング剤を用いる場合に、例えば１７０℃程度である温度Ｔ１と、温度Ｔ２との差を十分大きくすることができる。また、温度Ｔ３として、例えば１７０〜２３０℃とすることができる。
【０１３２】
なお、感光性樹脂ＰＲ１が流動性を有するとは、樹脂膜ＲＦ１のうち上面の高さ位置が高い部分側から、樹脂膜ＲＦ１のうち上面の高さ位置が低い部分側に向かって感光性樹脂ＰＲ１が移動することを意味し、例えば、粘度が０．１〜１０Ｐａ・ｓであることを意味する（実施の形態３においても同様）。
【０１３３】
温度Ｔ３で流動性を有する感光性樹脂ＰＲ１を用いるときは、ステップＳ２２において、領域ＡＲ１における基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ１、および、領域ＡＲ２における基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ２に、段差部ＳＴＰの段差を埋めるように、感光性樹脂ＰＲ１を塗布する。そして、領域ＡＲ１における基板ＳＵＢ２の上面、および、領域ＡＲ２における基板ＳＵＢ２の上面に塗布された感光性樹脂ＰＲ１を、感光性樹脂ＰＲ１が硬化する温度Ｔ２よりも低い温度Ｔ３でベークすなわち熱処理し、感光性樹脂ＰＲ１を流動させる。すなわち感光性樹脂ＰＲ１に対してリフロー処理を行う。これにより、段差部ＳＴＰ上の樹脂膜ＲＦ１の上面が平坦になるように、すなわち、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ１の高さ位置と、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ２の高さ位置とを等しくするように、樹脂膜ＲＦ１を形成する。
【０１３４】
なお、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ１、および、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ２のいずれも、好適には、後述するステップＳ２８にて形成される導電膜ＣＦの膜厚ＴＣＦ（図２４参照）よりも大きい。
【０１３５】
次に、図１９に示すように、樹脂膜ＲＦ１上に樹脂膜ＲＦ２を形成する（図１６のステップＳ２３）。このステップＳ２３では、図１のステップＳ１３と同様の工程を行うことができる。
【０１３６】
次に、図２０に示すように、形成された樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１をパターン露光する（図１６のステップＳ２４）。このステップＳ２４では、図１のステップＳ１４と同様の工程を行うことができる。
【０１３７】
次に、図２１に示すように、パターン露光された樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１を現像する（図１６のステップＳ２５）。このステップＳ２５では、図１のステップＳ１５と同様の工程を行うことができる。
【０１３８】
これにより、領域ＡＲ１で、樹脂膜ＲＦ２を貫通して樹脂膜ＲＦ１に達する開口部ＯＲ２１が形成され、開口部ＯＲ２１に露出した樹脂膜ＲＦ１に、開口部ＯＲ２１と連通し、樹脂膜ＲＦ１の少なくとも途中まで達する開口部ＯＲ１１が形成される。また、開口部ＯＲ１１と開口部ＯＲ２１とからなる開口部を全体として開口部ＯＰ１と称するものとすると、領域ＡＲ１で、樹脂膜ＲＦ２を貫通し、樹脂膜ＲＦ１の少なくとも途中まで達する開口部ＯＰ１が形成されることになる。
【０１３９】
また、領域ＡＲ２で、樹脂膜ＲＦ２を貫通して樹脂膜ＲＦ１に達する開口部ＯＲ２２が形成され、開口部ＯＲ２２に露出した樹脂膜ＲＦ１に、開口部ＯＲ２２と連通し、樹脂膜ＲＦ１の少なくとも途中まで達する開口部ＯＲ１２が形成される。また、開口部ＯＲ１２と開口部ＯＲ２２とからなる開口部を全体として開口部ＯＰ２と称するものとすると、領域ＡＲ２で、樹脂膜ＲＦ２を貫通し、樹脂膜ＲＦ１の少なくとも途中まで達する開口部ＯＰ２が形成されることになる。
【０１４０】
ステップＳ２４〜ステップＳ２５では、好適には、開口部ＯＲ２１における開口幅ＷＤＴ１が、後述するステップＳ２９にて形成される配線ＷＲ１（図２５参照）の幅寸法に等しくなるように、ステップＳ２４における露光処理の条件もしくはベーク処理の条件、または、ステップＳ２５における現像処理の条件を調整する。また、開口部ＯＲ２２における開口幅ＷＤＴ２が、後述するステップＳ２９にて形成される配線ＷＲ２（図２５参照）の幅寸法に等しくなるように、ステップＳ２４における露光処理の条件もしくはベーク処理の条件、または、ステップＳ２５における現像処理の条件を調整する。
【０１４１】
また、ステップＳ２４〜ステップＳ２５では、領域ＡＲ１では、開口部ＯＲ１１における最小の開口幅ＷＤＢ１が、開口部ＯＲ２１における開口幅ＷＤＴ１より小さくてもよい。すなわち、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１が、平面視において、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１よりも開口部ＯＲ１１の中心側に位置していてもよい。領域ＡＲ２では、開口部ＯＲ１２における最小の開口幅ＷＤＢ２が、開口部ＯＲ２２における開口幅ＷＤＴ２より小さくてもよい。すなわち、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２が、平面視において、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２よりも開口部ＯＲ１２の中心側に位置していてもよい。
【０１４２】
さらに、開口部ＯＲ１１が樹脂膜ＲＦ１を貫通しなくてもよく、開口部ＯＲ１２が樹脂膜ＲＦ１を貫通しなくてもよい。図２１では、領域ＡＲ１における上面ＴＳ１の高さ位置が、領域ＡＲ２における上面ＴＳ２の高さ位置よりも低く、開口部ＯＲ１１が樹脂膜ＲＦ１を貫通せず、開口部ＯＲ１２が樹脂膜ＲＦ１を貫通する例を示している。
【０１４３】
次に、樹脂膜ＲＦ２を硬化させる（図１６のステップＳ２６）。このステップＳ２６では、図１のステップＳ１６と同様の工程を行うことができる。すなわち、ステップＳ２６では、温度Ｔ１でベークすなわち熱処理を行うことにより、樹脂膜ＲＦ２を硬化させ、図２２に示すように、樹脂膜ＨＲＦ２とすることができる。
【０１４４】
一方、図１のステップＳ１６と同様に、感光性樹脂ＰＲ１は、温度Ｔ１での熱処理後も硬化せず現像可能である。したがって、温度Ｔ１での熱処理後も、感光性樹脂ＰＲ１に２回目の現像、または、２回目の露光および２回目の現像を行うことにより、開口部ＯＲ１１における最小の開口幅ＷＤＢ１、および、開口部ＯＲ１２における最小の開口幅ＷＤＢ２を調整することができる。
【０１４５】
次に、図２３に示すように、樹脂膜ＲＦ１を現像する（図１６のステップＳ２７）。このステップＳ２７では、図１のステップＳ１７と同様の工程を行うことができる。
【０１４６】
ステップＳ２７を行うことにより、図２３に示すように、開口部ＯＲ１１の底部で樹脂膜ＲＦ１が除去されて基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ１が露出する。つまり、樹脂膜ＲＦ１を貫通し、基板ＳＵＢ２に達する開口部ＯＲ１１が形成される。また、樹脂膜ＲＦ１のうち開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１に露出した部分が除去され、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１が開口部ＯＲ１１の外側方に後退する。
【０１４７】
また、ステップＳ２７を行うことにより、図２３に示すように、開口部ＯＲ１２の底部で樹脂膜ＲＦ１が除去されて基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ２が露出する。つまり、樹脂膜ＲＦ１を貫通し、基板ＳＵＢ２に達する開口部ＯＲ１２が形成される。また、樹脂膜ＲＦ１のうち開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２に露出した部分が除去され、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２が開口部ＯＲ１２の外側方に後退する。
【０１４８】
一方、樹脂膜ＲＦ２が硬化されて樹脂膜ＨＲＦ２となり、樹脂膜ＨＲＦ２が現像液に対する溶解性を失っているため、樹脂膜ＨＲＦ２のうち開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１に露出した部分は除去されず、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１は開口部ＯＲ２１の外側方に後退しない。また、樹脂膜ＨＲＦ２のうち開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２に露出した部分は除去されず、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２は開口部ＯＲ２２の外側方に後退しない。
【０１４９】
その結果、図２３に示すように、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１は、好適には、全面に亘り、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１よりも開口部ＯＲ１１の外側方に後退した状態になる。つまり、開口部ＯＲ１１における最小の開口幅ＷＤＢ１が、開口部ＯＲ２１における開口幅ＷＤＴ１よりも大きくなるので、開口部ＯＲ１１と開口部ＯＲ２１とからなる開口部ＯＰ１は、断面形状として、アンダーカット形状を有する。これにより、後述するステップＳ２８にて形成される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１に堆積されることを防止することができる。
【０１５０】
また、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２は、好適には、全面に亘り、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２よりも開口部ＯＲ１２の外側方に後退した状態になる。つまり、開口部ＯＲ１２における最小の開口幅ＷＤＢ２が、開口部ＯＲ２２における開口幅ＷＤＴ２よりも大きくなるので、開口部ＯＲ１２と開口部ＯＲ２２とからなる開口部ＯＰ２は、断面形状として、アンダーカット形状を有する。これにより、後述するステップＳ２８にて形成される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２に堆積されることを防止することができる。
【０１５１】
なお、ステップＳ１７と同様に、樹脂膜ＲＦ１のうち開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１または開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２に露出した部分が少しでも除去されれば、ステップＳ２７を行わない場合に比べ、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１または開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２に導電膜ＣＦが堆積されることを抑制することができる。したがって、ステップＳ２７では、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１のうち一部が、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１よりも、開口部ＯＲ１１の外側方に後退していなくてもよく、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２のうち一部が、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２よりも、開口部ＯＲ１２の外側方に後退していなくてもよい。
【０１５２】
また、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１が後退する距離が、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１が後退する距離よりも大きければ、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１が開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１よりも後退し、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１に導電膜ＣＦが堆積されることを抑制することができる。したがって、ステップＳ２７では、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１が開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１よりも後退すればよく、樹脂膜ＨＲＦ２のうち開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１に露出した部分が、少し除去されてもよい。
【０１５３】
さらに、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２が後退する距離が、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２が後退する距離よりも大きければ、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２が開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２よりも後退し、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２に導電膜ＣＦが堆積されることを抑制することができる。したがって、ステップＳ２７では、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２が開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２よりも後退すればよく、樹脂膜ＨＲＦ２のうち開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２に露出した部分が、少し除去されてもよい。
【０１５４】
ステップＳ２７における２回目の現像処理の条件を調整することで、開口部ＯＲ１１における最小の開口幅ＷＤＢ１を調整することができ、開口部ＯＲ１２における最小の開口幅ＷＤＢ２を調整することができる。
【０１５５】
なお、ステップＳ２５にて開口部ＯＲ１１が樹脂膜ＲＦ１を貫通していた場合、ステップＳ２７では、開口部ＯＲ１１の底部の周辺部で樹脂膜ＲＦ１を除去して基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ１を露出させることになる。また、ステップＳ２５にて開口部ＯＲ１２が樹脂膜ＲＦ１を貫通していた場合、ステップＳ２７では、開口部ＯＲ１２の底部の周辺部で樹脂膜ＲＦ１を除去して基板ＳＵＢ２の上面ＴＳ２を露出させることになる。
【０１５６】
次に、図２４に示すように、導電膜ＣＦを形成する（図１６のステップＳ２８）。このステップＳ２８では、図１のステップＳ１８と同様の工程を行うことができる。
【０１５７】
ステップＳ２８を行うことにより、開口部ＯＲ１１の底部に露出した基板ＳＵＢ２上、開口部ＯＲ１２の底部に露出した基板ＳＵＢ２上、および、樹脂膜ＨＲＦ２上に、導電膜ＣＦが形成される。一方、開口部ＯＰ１が断面形状としてアンダーカット形状を有しており、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１が、全面に亘り、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１よりも開口部ＯＲ１１の外側方に後退しているとき、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１には、導電膜ＣＦが堆積されない。また、開口部ＯＰ２が断面形状としてアンダーカット形状を有しており、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２が、全面に亘り、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２よりも開口部ＯＲ１２の外側方に後退しているとき、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２には、導電膜ＣＦが堆積されない。
【０１５８】
図１のステップＳ１８と同様に、好適には、導電膜ＣＦの膜厚ＴＣＦが、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ１、および、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ２のいずれよりも小さいことが好ましい。これにより、開口部ＯＲ１１の底部に露出した基板ＳＵＢ２上に堆積される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１に堆積される導電膜ＣＦ（図示は省略）と繋がることを防止することができる。また、開口部ＯＲ１２の底部に露出した基板ＳＵＢ２上に堆積される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２に堆積される導電膜ＣＦ（図示は省略）と繋がることを防止することができる。したがって、後述するステップＳ２９にて形成される配線ＷＲ１および配線ＷＲ２（図２５参照）に、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着することを防止することができる。
【０１５９】
なお、図１のステップＳ１８と同様に、開口部ＯＲ１１の底部に露出した基板ＳＵＢ２上に形成される導電膜ＣＦの中央部など一部において、導電膜ＣＦの膜厚が樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ１より小さくなくてもよい。また、開口部ＯＲ１２の底部に露出した基板ＳＵＢ２上に形成される導電膜ＣＦの中央部など一部において、導電膜ＣＦの膜厚が樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ２より小さくなくてもよい。
【０１６０】
次に、図２５に示すように、樹脂膜ＲＦ１を除去する（図１６のステップＳ２９）。このステップＳ２９では、図１のステップＳ１９と同様の工程を行うことができる。
【０１６１】
ステップＳ２９を行うことにより、樹脂膜ＲＦ１が溶解され、除去されるとともに、樹脂膜ＲＦ１上の樹脂膜ＨＲＦ２、および、樹脂膜ＨＲＦ２上の導電膜ＣＦが除去される。一方、開口部ＯＲ１１および開口部ＯＲ１２のそれぞれに露出した基板ＳＵＢ２上に形成されていた導電膜ＣＦは残される。このようなリフトオフ法により、領域ＡＲ１で、基板ＳＵＢ２上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲ１が形成され、領域ＡＲ２で、基板ＳＵＢ２上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲ２が形成される。
【０１６２】
＜開口幅に対して段差が及ぼす影響について＞
図２６は、比較例４の配線形成工程中における基板の要部断面図である。比較例４の配線形成工程は、樹脂膜ＲＦ２を形成しない点、および、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ４０１の上面ＴＳＲ１の高さ位置が、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ４０１の上面ＴＳＲ２の高さ位置と異なる点で、実施の形態２の配線形成工程と異なる。
【０１６３】
比較例４では、図１６のステップＳ２１と同様の工程を行った後、図１６のステップＳ２２と同様の工程を行って形成される樹脂膜ＲＦ４０１については、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ４０１の上面ＴＳＲ１の高さ位置が、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ４０１の上面ＴＳＲ２の高さ位置と異なる。また、樹脂膜ＲＦ４０１を形成した後、図１６のステップＳ２３に相当する工程を行わず、図１６のステップＳ２４〜ステップＳ２５と同様の工程を行う。これにより、図２６に示すように、領域ＡＲ１で、樹脂膜ＲＦ４０１を貫通して基板ＳＵＢ２に達する開口部ＯＰ４０１を形成し、領域ＡＲ２で、樹脂膜ＲＦ４０１を貫通して基板ＳＵＢ２に達する開口部ＯＰ４０２を形成する。
【０１６４】
次に、図１６のステップＳ２６およびステップＳ２７に相当する工程を行わず、図１６のステップＳ２８と同様の工程を行って、導電膜ＣＦを形成する。これにより、図２６に示すように、領域ＡＲ１で、開口部ＯＰ４０１の底部に露出した基板ＳＵＢ２上、および、樹脂膜ＲＦ４０１上に、導電膜ＣＦが堆積され、領域ＡＲ２で、開口部ＯＰ４０２の底部に露出した基板ＳＵＢ２上、および、樹脂膜ＲＦ４０１上に、導電膜ＣＦが堆積される。また、比較例４では、領域ＡＲ１で、開口部ＯＰ４０１の側面にも導電膜ＣＦが堆積され、領域ＡＲ２で、開口部ＯＰ４０２の側面にも導電膜ＣＦが堆積される。
【０１６５】
次に、図１６のステップＳ２９と同様の工程を行って、樹脂膜ＲＦ４０１を除去する。これにより、樹脂膜ＲＦ４０１とともに、樹脂膜ＲＦ４０１上の導電膜ＣＦが除去される。一方、開口部ＯＰ４０１および開口部ＯＰ４０２の底部に露出した基板ＳＵＢ２上に形成されていた導電膜ＣＦは残される。このようなリフトオフ法により、領域ＡＲ１で、基板ＳＵＢ２上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲ１が形成され、領域ＡＲ２で、基板ＳＵＢ２上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲ２が形成される。
【０１６６】
しかし、比較例４の配線形成方法では、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ４０１の上面ＴＳＲ１と、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ４０１の上面ＴＳＲ２との間に段差が発生している。このような場合、同一のパターン寸法を有するマスクパターンを用いた場合でも、例えば上面ＴＳＲ１および上面ＴＳＲ２のそれぞれと焦点距離との関係などにより、開口部ＯＰ４０１の上端部の開口幅ＷＤＴ１と、開口部ＯＰ４０２の上端部の開口幅ＷＤＴ２とが、互いに異なるおそれがある。すなわち、領域ＡＲ１における開口部ＯＰ４０１の上端部の開口幅ＷＤＴ１、および、領域ＡＲ２における開口部ＯＰ４０２の上端部の開口幅ＷＤＴ２のいずれをも、所望の幅寸法に制御することが困難である。
【０１６７】
そのため、同一のパターン寸法を有するマスクパターンを用いた場合でも、開口部ＯＰ４０１の底部に露出した基板ＳＵＢ２に形成される配線ＷＲ１の幅寸法、および、開口部ＯＰ４０２の底部に露出した基板ＳＵＢ２上に形成される配線ＷＲ２の幅寸法のいずれをも、所望の幅寸法に制御することが困難である。
【０１６８】
また、開口部ＯＰ４０１および開口部ＯＰ４０２が、アンダーカットされた断面形状を有していないため、配線ＷＲ１および配線ＷＲ２にヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着しやすい点は、比較例１と同様である。
【０１６９】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態２の主要な特徴は、実施の形態１の主要な特徴を全て含んでいる。したがって、実施の形態２の効果は、実施の形態１の効果を全て含む。
【０１７０】
例えば、本実施の形態２でも、好適には、実施の形態１と同様に、開口部ＯＰ１および開口部ＯＰ２のそれぞれが断面形状においてアンダーカット形状を有する。そのため、比較例１に比べ、配線ＷＲ１および配線ＷＲ２に不良が発生することを防止することができ、配線ＷＲ１および配線ＷＲ２の信頼性をより確実に向上させることができる。また、実施の形態１と同様に、比較例２に比べ、配線形成工程が複雑化せず、配線形成工程の汎用性を高めることができ、比較例３に比べ、配線形成工程を容易に行うことができる。
【０１７１】
つまり、本実施の形態２によれば、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着せず、形状精度が高い配線ＷＲ１および配線ＷＲ２を、簡便な工程で形成することができる。
【０１７２】
さらに、本実施の形態２では、図１８に示すように、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ１と、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ２との間に段差が発生しない。このような場合、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ２の上面の高さ位置と、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ２の上面の高さ位置とを互いに等しくすることができ、段差部ＳＴＰ上の樹脂膜ＲＦ２の上面を平坦にすることができる。
【０１７３】
そのため、開口部ＯＲ２１の開口幅ＷＤＴ１、および開口部ＯＲ２２の開口幅ＷＤＴ２のいずれをも、所望の幅寸法に容易に制御することができる。また、開口部ＯＲ１１の底部に露出した基板ＳＵＢ２上に形成される配線ＷＲ１の幅寸法、および、開口部ＯＲ１２の底部に露出した基板ＳＵＢ２上に形成される配線ＷＲ２の幅寸法のいずれをも、所望の幅寸法に容易に制御することができる。
【０１７４】
（実施の形態３）
実施の形態１および実施の形態２では、基板上に配線を形成する配線形成方法について説明した。一方、実施の形態１および実施の形態２で説明した配線形成方法は、半導体装置の製造方法にも適用可能である。以下では、実施の形態３として、半導体素子としてヘテロ接合型バイポーラトランジスタ（Heterojunction Bipolar Transistor：ＨＢＴ）を有する半導体装置の製造方法について説明する。
【０１７５】
なお、実施の形態３の半導体装置の製造方法は、ＨＢＴ以外の各種の半導体素子を有し、その半導体素子に電気的に接続された電極と電気的に接続される配線を形成する、各種の半導体装置の製造方法にも適用可能である。また、実施の形態３の半導体装置の製造方法は、上面に段差部を有しない半導体基板を用いた半導体装置の製造方法にも適用可能である。
【０１７６】
図２７は、実施の形態３の半導体装置の製造工程の一部を示すプロセスフロー図である。図２８〜図３７は、実施の形態３の半導体装置の製造工程中における要部断面図である。
【０１７７】
始めに、半導体基板ＳＵＢ３、感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２を用意する（図２７のステップＳ３１）。このステップＳ３１では、図２８に示すように、半導体基板ＳＵＢ３として、例えば、半導体ウェハＳＷ上に、ｎ型のサブコレクタ層ＳＣＬ、ｎ型のコレクタ層ＣＬ、ｐ型のベース層ＢＬおよびｎ型のエミッタ層ＥＬおよびコンタクト層ＣＮＬが下から順に形成された半導体基板ＳＵＢ３を用意する。
【０１７８】
半導体ウェハＳＷは、例えば半絶縁性のガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等のような化合物からなり、その厚さは、例えば８０μｍ程度である。まず、半導体ウェハＳＷ上に、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法またはガスソースＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法等により、ｎ型のサブコレクタ層ＳＣＬ、ｎ型のコレクタ層ＣＬ、ｐ型のベース層ＢＬ、ｎ型のエミッタ層ＥＬおよびコンタクト層ＣＮＬを、下層から順に形成する。
【０１７９】
サブコレクタ層ＳＣＬは、例えばガリウムヒ素等のような化合物半導体に、例えばシリコン（Ｓｉ）等のような不純物が、例えば５×１０１８／ｃｍ３程度含有されたものであり、その厚さは、例えば６００ｎｍ程度である。コレクタ層ＣＬは、例えばガリウムヒ素等のような化合物半導体に、例えばシリコン等のような不純物が、例えば１０１６／ｃｍ３程度含有されたものであり、その厚さは、例えば８００ｎｍ程度である。ベース層ＢＬは、例えばガリウムヒ素等のような化合物半導体に、例えばカーボン等のような不純物が、例えば１×１０１９〜１×１０２０／ｃｍ３程度含有されたものであり、その厚さは、例えば５０ｎｍ程度である。
【０１８０】
エミッタ層ＥＬは、例えばインジウムガリウムリン（ＩｎＧａＰ）とその上に形成されたガリウムヒ素との積層結晶層に、例えばシリコン（Ｓｉ）等のような不純物が、例えば３×１０１７／ｃｍ３程度含有されたものであり、その厚さは、例えば２３０ｎｍ程度である。コンタクト層ＣＮＬは、例えばインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）等のような化合物半導体からなり、その厚さは、例えば３００ｎｍ程度である。
【０１８１】
また、ステップＳ３１で用意する感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２については、それぞれ図１のステップＳ１１で用意した感光性樹脂ＰＲ１および感光性樹脂ＰＲ２と同様の感光性樹脂とすることができる。
【０１８２】
次に、半導体基板ＳＵＢ３上に、電極を形成する（図２７のステップＳ３２）。このステップＳ３２では、以下のようにして、半導体基板ＳＵＢ３の上部に半導体素子としてのＨＢＴからなるトランジスタＴＲを形成し、半導体基板ＳＵＢ３上に、電極として、ＨＢＴのコレクタ電極ＣＥおよびエミッタ電極ＥＥを形成する。トランジスタＴＲを形成し、コレクタ電極ＣＥおよびエミッタ電極ＥＥを形成する方法は、特に限定されず、各種の方法を用いることができるが、一例として、以下のような方法を用いることができる。
【０１８３】
まず、コンタクト層ＣＮＬをフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術によりパターニングすることにより、コンタクト層ＣＮＬからなるエミッタ電極ＥＥを形成する。次いで、エミッタ電極ＥＥをマスクとして化学エッチングを用いてエミッタ層ＥＬをエッチングする。次いで、ベース層ＢＬおよびコレクタ層ＣＬをフォトリソグラフィ技術およびドライエッチング技術によりパターニングすることにより、ベース層ＢＬからなるベースメサＢＭ、および、コレクタ層ＣＬからなるコレクタメサＣＭを形成する。
【０１８４】
次いで、半導体ウェハＳＷ上に、ベースメサＢＭに接触するように、ベース電極ＢＥを例えばリフトオフ法により形成する。ベース電極ＢＥは、例えば白金（Ｐｔ）、チタン（Ｔｉ）および金（Ａｕ）を積層した積層膜からなる。次いで、サブコレクタ層ＳＣＬに接触するように、コレクタ電極ＣＥを例えばリフトオフ法等により形成する。コレクタ電極ＣＥは、例えば金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）、ニッケル（Ｎｉ）および金（Ａｕ）を積層した積層膜からなる。
【０１８５】
このようにして、図２９に示すように、半導体基板ＳＵＢ３の半導体ウェハＳＷ上に、ＨＢＴからなるトランジスタＴＲが形成される。トランジスタＴＲは、半導体ウェハＳＷ上に形成されたｎ型のサブコレクタ層ＳＣＬと、サブコレクタ層ＳＣＬ上に形成されたコレクタメサＣＭと、コレクタメサＣＭ上に形成されたベースメサＢＭと、ベースメサＢＭ上でパターニングされたエミッタ層ＥＬとを有している。また、トランジスタＴＲは、サブコレクタ層ＳＣＬ上に形成されたコレクタ電極ＣＥと、エミッタ層ＥＬ上に形成されたエミッタ電極ＥＥと、ベースメサＢＭ上に形成されたベース電極ＢＥとを有する。つまり、コレクタ電極ＣＥおよびエミッタ電極ＥＥは、半導体基板ＳＵＢ３上に形成されている。
【０１８６】
なお、コレクタ電極ＣＥが形成された領域を領域ＡＲ１とし、エミッタ電極ＥＥが形成された領域を領域ＡＲ２とする。このとき、半導体基板ＳＵＢ３は、実施の形態２の基板ＳＵＢ２と同様に、領域ＡＲ１における半導体基板ＳＵＢ３の上面ＴＳ１と、領域ＡＲ２における半導体基板ＳＵＢ３の上面ＴＳ２との間に設けられた段差部ＳＴＰを有する。
【０１８７】
次に、図３０に示すように、領域ＡＲ１および領域ＡＲ２で、半導体基板ＳＵＢ３の上面に、樹脂膜ＲＦ１を形成する（図２７のステップＳ３３）。このステップＳ３３では、図１６のステップＳ２２と同様の工程を行うことができる。このとき、コレクタ電極ＣＥ上およびエミッタ電極ＥＥ上を含めて半導体基板ＳＵＢ３の上面に、段差部ＳＴＰを埋めるように樹脂膜ＲＦ１を形成することになる。これにより、段差部ＳＴＰ上の樹脂膜ＲＦ１の上面が平坦化され、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ１の高さ位置と、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ２の高さ位置とを等しくすることができる。
【０１８８】
あるいは、ステップＳ３１では、図１６のステップＳ２１と同様に、感光性樹脂ＰＲ１として、好適には、後述するステップＳ３６における熱処理の温度Ｔ１で硬化せず、温度Ｔ１より高い温度Ｔ２で硬化するが、温度Ｔ２よりも低い温度Ｔ３で流動性を有し、温度Ｔ１での熱処理後も現像可能な感光性樹脂を用意することができる。そして、ステップＳ３３では、図１６のステップＳ２２と同様に、塗布された感光性樹脂ＰＲ１を、感光性樹脂ＰＲ２が硬化する温度Ｔ２よりも低い温度Ｔ３でベークすなわち熱処理し、感光性樹脂ＰＲ１を流動させる。これにより、段差部ＳＴＰ上の樹脂膜ＲＦ１の上面が平坦になるように、すなわち、領域ＡＲ１における樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ１の高さ位置と、領域ＡＲ２における樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ２の高さ位置とを等しくするように、樹脂膜ＲＦ１を形成する。
【０１８９】
なお、コレクタ電極ＣＥ上における樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ１、および、エミッタ電極ＥＥ上における樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ２のいずれも、好適には、後述するステップＳ３９にて形成される導電膜ＣＦの膜厚ＴＣＦ（図３６参照）よりも大きい。
【０１９０】
次に、図３１に示すように、樹脂膜ＲＦ１上に、樹脂膜ＲＦ２を形成する（図２７のステップＳ３４）。このステップＳ３４では、図１６のステップＳ２３と同様の工程を行うことができる。
【０１９１】
次に、図３２に示すように、樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１をパターン露光する（図２７のステップＳ３５）。このステップＳ３５では、図１６のステップＳ２４と同様の工程を行うことができる。
【０１９２】
次に、図３３に示すように、パターン露光された樹脂膜ＲＦ２および樹脂膜ＲＦ１を現像する（図２７のステップＳ３６）。このステップＳ３６では、図１６のステップＳ２５と同様の工程を行うことができる。これにより、図１６のステップＳ２５と同様に、コレクタ電極ＣＥ上で、開口部ＯＲ１１および開口部ＯＲ２１を形成し、エミッタ電極ＥＥ上で、開口部ＯＲ１２および開口部ＯＲ２２を形成することができる。また、図１６のステップＳ２５と同様に、開口部ＯＲ１１、開口部ＯＲ１２、開口部ＯＲ２１、開口部ＯＲ２２の側面を、それぞれ側面ＳＦ１１、側面ＳＦ１２、側面ＳＦ２１、側面ＳＦ２２とする。また、図１６のステップＳ２５と同様に、開口部ＯＲ１１と開口部ＯＲ２１とからなる開口部を全体として開口部ＯＰ１とし、開口部ＯＲ１２と開口部ＯＲ２２とからなる開口部を全体として開口部ＯＰ２とする。
【０１９３】
次に、図３４に示すように、樹脂膜ＲＦ２を硬化させる（図２７のステップＳ３７）。このステップＳ３７では、図１６のステップＳ２６と同様の工程を行うことができる。すなわち、ステップＳ３７では、温度Ｔ１でベークすなわち熱処理を行うことにより、樹脂膜ＲＦ２を硬化させ、樹脂膜ＨＲＦ２とすることができる。
【０１９４】
次に、図３５に示すように、樹脂膜ＲＦ１を現像する（図２７のステップＳ３８）。このステップＳ３８では、図１６のステップＳ２７と同様の工程を行うことができる。このとき、開口部ＯＲ１１の底部で樹脂膜ＲＦ１を除去してコレクタ電極ＣＥを露出させ、開口部ＯＲ１２の底部で樹脂膜ＲＦ１を除去してエミッタ電極ＥＥを露出させる。
【０１９５】
ステップＳ３８を行うことにより、図１６のステップＳ２７と同様に、例えば、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１は、好適には、全面に亘り、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１よりも開口部ＯＲ１１の外側方に後退した状態になる。つまり、開口部ＯＲ１１における最小の開口幅ＷＤＢ１が、開口部ＯＲ２１における開口幅ＷＤＴ１よりも大きくなるので、開口部ＯＲ１１と開口部ＯＲ２１とからなる開口部ＯＰ１は、断面形状として、アンダーカット形状を有する。これにより、後述するステップＳ３９にて形成される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１に堆積されることを防止することができる。
【０１９６】
また、ステップＳ３８を行うことにより、図１６のステップＳ２７と同様に、例えば、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２は、好適には、全面に亘り、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２よりも開口部ＯＲ１２の外側方に後退した状態になる。つまり、開口部ＯＲ１２における最小の開口幅ＷＤＢ２が、開口部ＯＲ２２における開口幅ＷＤＴ２よりも大きくなるので、開口部ＯＲ１２と開口部ＯＲ２２とからなる開口部ＯＰ２は、断面形状として、アンダーカット形状を有する。これにより、後述するステップＳ３９にて形成される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２に堆積されることを防止することができる。
【０１９７】
なお、図１６のステップＳ２７と同様に、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１のうち一部が、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１よりも、開口部ＯＲ１１の外側方に後退していなくてもよく、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２のうち一部が、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２よりも、開口部ＯＲ１２の外側方に後退していなくてもよい。また、図１６のステップＳ２７と同様に、樹脂膜ＨＲＦ２のうち開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１に露出した部分が、少し除去されてもよく、樹脂膜ＨＲＦ２のうち開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２に露出した部分が、少し除去されてもよい。
【０１９８】
次に、図３６に示すように、導電膜ＣＦを形成する（図２７のステップＳ３９）。このステップＳ３９では、図１６のステップＳ２８と同様の工程を行うことができ、例えばモリブデン（Ｍｏ）、金（Ａｕ）およびモリブデンを積層した積層膜を形成することができる。
【０１９９】
ステップＳ３９を行うことにより、開口部ＯＲ１１の底部に露出したコレクタ電極ＣＥ上、開口部ＯＲ１２の底部に露出したエミッタ電極ＥＥ上、および、樹脂膜ＨＲＦ２上に、導電膜ＣＦが堆積される。一方、開口部ＯＰ１が断面形状としてアンダーカット形状を有しており、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１が、全面に亘り、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１よりも開口部ＯＲ１１の外側方に後退しているとき、開口部ＯＲ１１の側面ＳＦ１１には、導電膜ＣＦが堆積されない。また、開口部ＯＰ２が断面形状としてアンダーカット形状を有しており、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２が、全面に亘り、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２よりも開口部ＯＲ１２の外側方に後退しているとき、開口部ＯＲ１２の側面ＳＦ１２には、導電膜ＣＦが堆積されない。
【０２００】
図１６のステップＳ２８と同様に、好適には、導電膜ＣＦの膜厚ＴＣＦが、コレクタ電極ＣＥ上における樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ１、および、エミッタ電極ＥＥ上における樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ２のいずれよりも小さいことが好ましい。これにより、開口部ＯＲ１１の底部に露出したコレクタ電極ＣＥ上に堆積される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ２１の側面ＳＦ２１に堆積される導電膜ＣＦ（図示は省略）と繋がることを防止することができる。また、開口部ＯＲ１２の底部に露出したエミッタ電極ＥＥ上に堆積される導電膜ＣＦが、開口部ＯＲ２２の側面ＳＦ２２に堆積される導電膜ＣＦ（図示は省略）と繋がることを防止することができる。したがって、後述するステップＳ４０にて形成される配線ＷＲ１および配線ＷＲ２（図３７参照）に、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着することを防止することができる。
【０２０１】
なお、図１６のステップＳ２８と同様に、開口部ＯＲ１１の底部に露出したコレクタ電極ＣＥ上に形成される導電膜ＣＦの中央部など一部において、導電膜ＣＦの膜厚が樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ１より小さくなくてもよい。また、開口部ＯＲ１２の底部に露出したエミッタ電極ＥＥ上に形成される導電膜ＣＦの中央部など一部において、導電膜ＣＦの膜厚が樹脂膜ＲＦ１の膜厚ＴＲＦ２より小さくなくてもよい。
【０２０２】
次に、図３７に示すように、樹脂膜ＲＦ１を除去する（図２７のステップＳ４０）。このステップＳ４０では、図１６のステップＳ２９と同様の工程を行うことができる。
【０２０３】
ステップＳ４０を行うことにより、樹脂膜ＲＦ１が溶解され、除去されるとともに、樹脂膜ＲＦ１上の樹脂膜ＨＲＦ２、および、樹脂膜ＨＲＦ２上の導電膜ＣＦが除去される。一方、コレクタ電極ＣＥ上の導電膜ＣＦ、および、エミッタ電極ＥＥ上の導電膜ＣＦは残される。このようなリフトオフ法により、領域ＡＲ１で、コレクタ電極ＣＥ上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲ１が形成され、領域ＡＲ２で、エミッタ電極ＥＥ上に残された導電膜ＣＦからなる配線ＷＲ２が形成される。
【０２０４】
なお、本実施の形態３は、コレクタ電極ＣＥ上、および、エミッタ電極ＥＥ上のうち、いずれか一方にのみ配線を形成する場合にも適用可能である。
【０２０５】
また、本実施の形態３は、例えば、ベース層ＢＬとしてガリウムヒ素を用い、エミッタ層ＥＬとしてアルミニウムガリウムヒ素（ＡｌＧａＡｓ）を用いたＨＢＴからなるトランジスタＴＲにも適用可能である。また、本実施の形態３は、例えば、ベース層ＢＬとしてインジウムガリウムヒ素（ＩｎＧａＡｓ）を用い、エミッタ層ＥＬとしてインジウムアルミニウムヒ素（ＩｎＡｌＡｓ）を用いたＨＢＴからなるトランジスタＴＲにも適用可能である。さらに、本実施の形態３は、例えば、ベース層ＢＬとしてシリコンゲルマニウム（ＳｉＧｅ）、エミッタ層ＥＬとしてシリコン（Ｓｉ）を用いたＨＢＴからなるトランジスタＴＲにも適用可能である。
【０２０６】
また、本実施の形態３においては、半導体基板ＳＵＢ３の半導体ウェハＳＷとしてＧａＡｓ基板を適用した場合について説明した。しかし、半導体基板ＳＵＢ３の半導体ウェハＳＷとして、インジウムリン（ＩｎＰ）基板、ＳｉＧｅ基板、Ｓｉ基板、ＳＯＩ（Silicon On Insulator）基板を用いることもできる。あるいは、半導体基板ＳＵＢ３として、ガラス基板など半導体基板以外の基板を用いることができる。
【０２０７】
＜本実施の形態の主要な特徴と効果＞
本実施の形態３の主要な特徴は、実施の形態１および実施の形態２の主要な特徴を全て含んでいる。したがって、実施の形態３の効果は、実施の形態１および実施の形態２の効果を全て含む。
【０２０８】
例えば、本実施の形態３でも、実施の形態１と同様に、開口部ＯＰ１および開口部ＯＰ２のそれぞれが断面形状においてアンダーカット形状を有する。そのため、比較例１に比べ、配線ＷＲ１および配線ＷＲ２に不良が発生することを防止または抑制することができ、配線ＷＲ１および配線ＷＲ２の信頼性を向上させることができる。また、実施の形態１と同様に、比較例２に比べ、配線形成工程が複雑化せず、配線形成工程の汎用性を高めることができ、比較例３に比べ、配線形成工程を容易に行うことができる。
【０２０９】
つまり、本実施の形態３によれば、ヒゲ状またはバリ状の導電膜が付着せず、形状精度が高い配線ＷＲ１および配線ＷＲ２を、半導体装置に備えられた配線として、簡便な工程で形成することができる。
【０２１０】
また、本実施の形態３でも、実施の形態２と同様に、コレクタ電極ＣＥ上の樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ１と、エミッタ電極ＥＥ上の樹脂膜ＲＦ１の上面ＴＳＲ２との間に段差が発生しない。そのため、コレクタ電極ＣＥ上の開口部ＯＲ２１の開口幅ＷＤＴ１、および、エミッタ電極ＥＥ上の開口部ＯＲ２２の開口幅ＷＤＴ２のいずれをも、所望の幅寸法に容易に制御することができる。また、コレクタ電極ＣＥ上に形成される配線ＷＲ１の幅寸法、および、エミッタ電極ＥＥ上に形成される配線ＷＲ２の幅寸法のいずれをも、所望の幅寸法に容易に制御することができる。
【０２１１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０２１２】
ＡＲ１、ＡＲ２  領域
ＢＥ  ベース電極
ＢＬ  ベース層
ＢＭ  ベースメサ
ＣＥ  コレクタ電極
ＣＦ  導電膜
ＣＬ  コレクタ層
ＣＭ  コレクタメサ
ＣＮＬ  コンタクト層
ＥＥ  エミッタ電極
ＥＬ  エミッタ層
ＥＸＰ  露光光
ＨＲＦ２  樹脂膜
ＭＰ１  マスクパターン
ＯＰ、ＯＰ１、ＯＰ２  開口部
ＯＲ１、ＯＲ１１、ＯＲ１２、ＯＲ２、ＯＲ２１、ＯＲ２２  開口部
ＰＲ１、ＰＲ２  感光性樹脂
ＲＦ１、ＲＦ２  樹脂膜
ＳＣＬ  サブコレクタ層
ＳＦ１、ＳＦ１１、ＳＦ１２、ＳＦ２、ＳＦ２１、ＳＦ２２  側面
ＳＰ３０１  スペーサ膜
ＳＴＰ  段差部
ＳＵＢ１、ＳＵＢ２  基板
ＳＵＢ３  半導体基板
ＳＷ  半導体ウェハ
ＴＣＦ、ＴＲＦ、ＴＲＦ１、ＴＲＦ２  膜厚
ＴＲ  トランジスタ
ＴＳ、ＴＳ１、ＴＳ２、ＴＳＲ１、ＴＳＲ２  上面
ＷＤＢ、ＷＤＢ１、ＷＤＢ２、ＷＤＴ、ＷＤＴ１、ＷＤＴ２  開口幅
ＷＲ、ＷＲ１、ＷＲ２  配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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