(57)【要約】【課題】マザー基板を研磨によって薄くするときの研磨液によって液晶セルが破壊されることを防止する。【解決手段】マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０が所定のピッチで島状に形成された第１のグラスファイバを含むマザー基板シール材６１と第２のグラスファイバを含む仮止め材６４とマザー基板シール材６１とマザー基板シール材６１の間、および、マザー基板シール材６１と仮止め材６４の間の隙間を埋めるマザー基板封止材６２によって封止されており、第２のグラスファイバの径は、第１のグラスファイバの径よりも大きい。このような構成によって、マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０の間にマザー基板封止材６２を均一に塗布することが出来る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素電極とＴＦＴを有する画素が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタが形成された対向基板とがシール材によって接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置の製造方法であって、
マザーＴＦＴ基板に複数のＴＦＴ基板を形成し、マザー対向基板に複数のマザー対向基板を形成し、
前記マザー対向基板の周辺に第１のグラスファイバを含むマザー基板シール材をシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成し、
前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をｑ１、前記シール間ギャップをｇ、とした場合、ｑ１＞ｇであり、かつ、ｇは５ｍｍ以下であり、
前記マザー基板シール材の一部は、第２のグラスファイバを含む仮止め材によって置き換え、
前記第２のグラスファイバの径は前記第１のグラスファイバの径よりも大きく、
前記マザーＴＦＴ基板と前記マザー対向基板を大気中において位置合わせし、前記仮止め材を紫外線によって硬化し、その後、前記マザー基板シール材を熱硬化させて前記マザーＴＦＴ基板と前記マザー対向基板接着することによってマザー基板を形成し、
前記マザー基板の周辺におけるマザーＴＦＴ基板とマザー対向基板の隙間からマザー基板封止材を塗布し、
前記マザー基板封止材を紫外線によって硬化させ、
その後、前記マザー基板の前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を研磨することによって薄くし、
その後、各液晶セルに分離することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記第１のグラスファイバの径をφ１とし、前記第２のグラスファイバの径をφ２とした場合、１．１φ１≦φ２≦１．４φ１であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記第１のグラスファイバの径をφ１とし、前記第２のグラスファイバの径をφ２とした場合、１．２φ１≦φ２≦１．３φ１であることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記マザー基板シール材を形成する部分は、前記マザー対向基板の端部から５ｍｍ以内であって、かつ、オーバーコート膜は形成されていないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
画素電極とＴＦＴを有する画素が形成されたＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板と、カラーフィルタが形成された対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを有するマザー基板であって、
前記マザー基板の周辺には、第１のグラスファイバを有するマザー基板シール材がシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成され、
前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をｑ１、前記シール間ギャップをｇ、とした場合、ｑ１＞ｇであり、かつ、ｇは５ｍｍ以下であり、
前記島状のマザー基板シール材の一部は、第２のグラスファイバを有する仮止め材によって置き換えられており、
前記第２のグラスファイバの径は、前記第１のグラスファイバの径よりも大きく、
前記マザー基板シール材と前記マザー基板シール材の間および前記マザー基板シール材と前記仮止め材の間は、前記マザー基板の端部側において、マザー基板封止材が形成されていることを特徴とするマザー基板。
【請求項６】
前記第１のグラスファイバの径をφ１とし、前記第２のグラスファイバの径をφ２とした場合、１．１φ１ ≦φ２ ≦１．４φ１であることを特徴とする請求項５に記載のマザー基板。
【請求項７】
前記第１のグラスファイバの径をφ１とし、前記第２のグラスファイバの径をφ２とした場合、１．２φ１≦φ２≦１．３φ１であることを特徴とする請求項６に記載のマザー基板。
【請求項８】
前記マザー基板シール材を形成する部分は、前記マザー対向基板の端部から５ｍｍ以内であって、かつ、オーバーコート膜は形成されていないことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか１項に記載のマザー基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に係り、特に、基板を研磨によって薄くし、かつ、マザー基板から複数の液晶セルを取り出す場合の歩留りを向上させる構成に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が設置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置では、画面は一定のサイズを保ったまま、セットの外形寸法を小さくしたいという要求と同時に液晶表示装置を薄くしたいという要求が強い。液晶表示装置を薄くするには、液晶表示装置を製作した後、液晶表示装置の外側を研磨して薄くしている。
【０００４】
小型の液晶表示装置は１個ずつ製造することはコスト上有利ではない。したがって、大きな基板に複数の液晶表示装置を形成して完成後個々の液晶表示装置を分離するというプロセスが取られる。なお、以後、マザー基板に形成される個々の液晶表示装置を液晶セルと呼ぶ。
【０００５】
すなわち、大きなマザーＴＦＴ基板に複数のＴＦＴ基板を形成する。また、大きなマザー対向基板に複数の対向基板を形成する。そして、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を貼り合わせてマザー基板が形成される。マザー基板から、スクライビングあるいはダイシング等によって個々の液晶セルを分離する。個々の分離された液晶セルに液晶を注入して液晶表示装置が出来上がる。
【０００６】
一方、液晶セルを薄くしたいという要求が存在する。最近では、液晶セルを構成するＴＦＴ基板および対向基板の厚さは、０．１８ｍｍ程度の薄さが要求されている。液晶セルの厚みはＴＦＴ基板あるいは対向基板等のガラス基板によってほぼ決まる。しかし、液晶セルに使用されるガラス基板は、０．５ｍｍあるいは０．４ｍｍ等に規格化されており、規格化された厚さ以外のガラス基板を使用することは、材料費の大幅なコスト高になる。また、規格化されたガラス基板よりもさらに薄いガラス基板を使用すると、ガラス基板の機械的な強度等の問題が生じ、製造工程におけるガラス基板の取り扱いが困難になる。
【０００７】
このような問題を解決して、薄型の液晶セルを可能とするために、液晶セルが完成したあと、ガラス基板、すなわち、ＴＦＴ基板と対向基板の外側を研磨する技術がある。この研磨は機械的な研磨、あるいは、フッ酸等による化学的研磨が多く使用される。
【０００８】
この研磨も個々の液晶セル毎に行うのは効率が悪いので、マザー基板の状態で研磨を行う。すなわち、マザー基板を形成する際に、マザー対向基板の周囲にマザー基板シール材を形成しておく。マザー基板シール材はマザー対向基板に形成された個々の液晶セルの対向基板を囲む形で形成される。その後、マザー対向基板とマザーＴＦＴ基板を貼り合わせると、複数の液晶セルがマザー基板シール材に囲まれた状態のマザー基板が形成される。
【０００９】
したがって、マザー基板に形成された複数の液晶セルはマザー基板シール材によって保護された形となっている。この状態のマザー基板を、例えば化学研磨するような場合は、化学研磨液に浸漬する。そうすると、マザーＴＦＴ基板およびマザー対向基板の外側が研磨され、マザーＴＦＴ基板およびマザー対向基板を薄くすることが出来る。一方、マザー基板に形成されている複数の液晶セルはマザー基板シール材によって保護されているので、研磨液の影響を受けない。
【００１０】
「特許文献１」には、ＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置において、マザー対向基板の外側に透明導電膜をスパッタリングによって形成するときに、マザー基板内部に存在する空気が膨張してマザー基板を破壊することを防止するために、マザー基板の外側を研磨するときに必要なマザー基板シール材を、スパッタリングを行うときにはその１部を破壊あるいは除去することによって、マザー基板の密閉を破り、マザー基板全体が破壊することを防止する製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００９−２５１５６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
「特許文献１」には、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板の貼り合わせを、減圧雰囲気でおこなうのか、大気中で行うのかの記載は無い。仮に、「特許文献１」に記載のようなマザー基板の貼り合わせを大気中で行う場合は、「特許文献１」に記載のような構成のマザー基板シール材は、内部の空気の排除が困難であり、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板の貼り合わせプロセスの歩留まりが低下する。
【００１３】
そこで、従来は、一般的には、真空封止（減圧封止を含む）が行われてきた。図１２は、本発明が対象とする液晶表示装置２の１例を示す平面図である。図１２の液晶表示装置２は、ＴＦＴ基板１００と対向基板２００とがシール材２０によって貼りあわされた液晶セルに注入孔４０から液晶を封入し、封止材３０によって封止したものである。図１３において、ＴＦＴ基板１００は対向基板２００よりも大きく、ＴＦＴ基板１００が１枚となっている部分は端子部１５０となっており、この部分にＩＣドライバ５０が搭載されている。
【００１４】
図１２に示す液晶表示装置２は携帯電話等に使用されるものであり、縦径ＬＹは例えば、８１ｍｍ、横径ＬＸは例えば、５４ｍｍ、端子部の長さＴは２．７ｍｍである。このような液晶表示装置を１個ずつ製作するのは効率が悪いので、マザー基板に多数の液晶セルを形成し、同時に多数の液晶セルを製作することが行われている。なお、本明細書では、ＴＦＴ基板と対向基板がシール材によって貼り合わされた状態のものを液晶セルといい、液晶を封入し、ＩＣドライバ等を搭載し終わったものを液晶表示装置と呼ぶことにする。
【００１５】
図１３は横方向に７個、縦方向に５個、合計３５個の液晶セル１がマザー基板８０に形成された例である。マザー基板８０の周辺にはマザー基板シール材６１が形成され、内部が密封されている。すなわち、液晶表示装置を薄くするために、マザー基板８０の状態で、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の外側を機械研磨あるいは化学研磨する。機械研磨にしろ、化学研磨にしろ、研磨液を使用する。研磨液がマザー基板８０の内部に侵入すると、各液晶セル１はまだ封止されていない状態なので、各液晶セル１が不良となってしまう。
【００１６】
図１３に示すようなマザー基板シール材６１は、一般にはマザー対向基板７０に形成され、マザーＴＦＴ基板６０と貼りあわされる。この時、大気中で貼り合わせを行うと、内部の空気が外に逃げにくいので、マザー基板８０内部の圧力が不安定となり、シール不良を生ずる場合が多い。
【００１７】
そこで、図１３に示すようなマザー基板８０を形成する場合は、真空中で行われる。図１４は、図１３に示すようなマザー基板８０を作成する場合のプロセスフローである。図１４において、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を別々に作成する。マザー基板シール材６１をマザー対向基板７０にディスペンサ、あるいは印刷等によって塗布する。その後、貼り合わせ装置全体を真空に排気する。ここで、真空に排気するとは、減圧するという意味も含む。
【００１８】
真空の状態で、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０のＸ軸とＹ軸を確認して、貼り合わせる。内部が真空になっているので、マザー基板シール材６１の内側の圧力が大きくなりすぎて、不安定になるということは無い。その後、真空装置からマザー基板を取り出す。そして、マザー基板シール材６１を熱硬化させる。その後、マザー基板の外側を機械研磨あるいは化学研磨することによって、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を薄くする。
【００１９】
図１３に示すマザー基板シール材を用いる場合は、図１４に示すように、貼り合わせ装置内を真空にする必要がある。マザー基板は大きいので、貼り合わせ装置も大型になり、真空装置も大型になる。したがって、製造設備のコストが嵩むことになり、液晶表示装置の製造コストを押し上げる。真空装置の大型化に限界がある場合は、大型のマザー基板を中型の基板に切断して、図１４に示すようなプロセスによって、液晶表示装置を製造する。この場合は、大型基板によって製造するよりも、製造効率は低下する。さらに大型のマザー基板を中型のマザー基板に切断するプロセスが必要となる。
【００２０】
本発明の課題は、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を貼り合わせる工程において、真空装置を必要としない構成を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明は上記問題を克服するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。
【００２２】
（１）画素電極とＴＦＴを有する画素が形成されたＴＦＴ基板と、カラーフィルタが形成された対向基板とがシール材によって接着し、内部に液晶が封入された液晶表示装置の製造方法であって、マザーＴＦＴ基板に複数のＴＦＴ基板を形成し、マザー対向基板に複数のマザー対向基板を形成し、前記マザー対向基板の周辺に第１のグラスファイバを含むマザー基板シール材をシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成し、前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をｑ１、前記シール間ギャップをｇ、とした場合、ｑ１＞ｇであり、かつ、ｇは５ｍｍ以下であり、前記マザー基板シール材の一部は、第２のグラスファイバを含む仮止め材によって置き換え、前記第２のグラスファイバの径は前記第１のグラスファイバの径よりも大きく、前記マザーＴＦＴ基板と前記マザー対向基板を大気中において位置合わせし、前記仮止め材を紫外線によって硬化し、その後、前記マザー基板シール材を熱硬化させて前記マザーＴＦＴ基板と前記マザー対向基板接着することによってマザー基板を形成し、前記マザー基板の周辺におけるマザーＴＦＴ基板とマザー対向基板の隙間からマザー基板封止材を塗布し、前記マザー基板封止材を紫外線によって硬化させ、その後、前記マザー基板の前記マザーＴＦＴ基板または前記マザー対向基板を研磨することによって薄くし、
その後、各液晶セルに分離することを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【００２３】
（２）画素電極とＴＦＴを有する画素が形成されたＴＦＴ基板が複数形成されたマザーＴＦＴ基板と、カラーフィルタが形成された対向基板が複数形成されたマザー対向基板とを有するマザー基板であって、前記マザー基板の周辺には、第１のグラスファイバを有するマザー基板シール材がシール間ギャップを介して島状に飛び飛びに所定のピッチで線状に形成され、前記マザー基板シール材の前記線状方向の幅をｑ１、前記シール間ギャップをｇ、とした場合、ｑ１＞ｇであり、かつ、ｇは５ｍｍ以下であり、
前記島状のマザー基板シール材の一部は、第２のグラスファイバを有する仮止め材によって置き換えられており、前記第２のグラスファイバの径は、前記第１のグラスファイバの径よりも大きく、前記マザー基板シール材と前記マザー基板シール材の間および前記マザー基板シール材と前記仮止め材の間は、前記マザー基板の端部側において、マザー基板封止材が形成されていることを特徴とするマザー基板。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、マザー対向基板とマザーＴＦＴ基板がシール間ギャップを介して飛び飛びに形成されたマザー基板シール材によって接着するので、シール間ギャップから内部の空気が抜けるため、マザーＴＦＴ基板とマザー対向基板を接着する際、マザー基板の内部の気圧が高くなることは無い。
【００２５】
対向基板とＴＦＴ基板の接着は、まず、仮止め材を紫外線（UV）硬化して仮接着し、その後、上記マザー基板シール材を熱硬化させる。仮止め材に含まれるグラスファイバの径をマザー基板シール材に含まれるグラスファイバの径よりも大きくすることよって、シール部におけるＴＦＴ基板と対向基板の間隔が均一になるので、シール材の周辺に封止材を充填する際、均一に塗布することが出来、研磨の際、研磨液がマザー基板の内部に侵入することによる不良を防止することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明によるマザー基板の平面図である。
【図２】本発明によるマザー対向基板の製造プロセスのフローである。
【図３】マザー対向基板にマザー基板シール材を形成した状態を示す平面図である。
【図４】マザー対向基板にマザー基板シール材と仮止め材を形成した状態を示す平面図である。
【図５】マザー対向基板の辺部におけるマザー基板シール材と仮止め材の形状を示す平面図である。
【図６】マザー対向基板のコーナー部におけるマザー基板シール材の形状を示す平面図である。
【図７】マザー基板封止材を塗布する状態を示す斜視図である。
【図８】本発明によるマザー基板封止材の塗布状態を示す詳細図である。
【図９】従来例によるマザー基板封止材の塗布状態を示す詳細図である。
【図１０】マザー基板シール材に含まれるグラスファイバの例である。
【図１１】仮止め材に含まれるグラスファイバの例である。
【図１２】本発明が適用される液晶表示装置の例を示す平面図である。
【図１３】従来例である、真空中でマザー対向基板とマザーＴＦＴ基板を接着する場合のマザー基板シール材の例である。
【図１４】従来例である、真空中でマザー対向基板とマザーＴＦＴ基板を接着する場合のプロセスチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に実施例を用いて本発明の内容を詳細に説明する。
【実施例１】
【００２８】
図１は本発明によるマザー基板８０の平面図である。マザー基板８０はマザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０が貼りあわされたものである。図１において、マザー基板８０には液晶セル１が横に７個、縦に５個、計３５個形成されている。各液晶セル１には、シール材２０が形成され、シール材２０の一部は液晶を注入するための注入孔４０になっている。
【００２９】
すなわち、マザー基板８０が完成後、各液晶セル１に分離された後、注入孔４０から液晶が注入され、その後、封止材３０によって封止される。したがって、図１の状態では、各液晶セル１の内部は、注入孔４０を介して開放された状態であり、研磨液等がマザー基板８０の内部に侵入すると、各液晶セル１の内部に入り込み、各液晶セル１は不良となる。
【００３０】
これを防止するために、図１において、マザー基板シール材６１およびマザー基板封止材６３が形成され、研磨液等がマザー基板の内部に侵入することを防止している。本発明の特徴は、マザー基板シール材６１とマザー基板封止材６３の両方によって、研磨液等が内部に侵入することを防止していることである。
【００３１】
図１では、さらに、マザー基板シール材６１によって接着する前の仮接着のための仮止め材６４がマザー基板７０の短辺に２個、長辺に４個形成されている。この仮止め材６４の数は、基板の大きさ、接着の条件等によって変化する。図１のマザー基板は、化学研磨によって、マザーＴＦＴ基板６０およびマザー対向基板７０を各々０．１８ｍｍ程度に薄くした状態となっている。
【００３２】
図２は、図１に示すマザー基板を製造するプロセスフローである。図３乃至１１は、図２のプロセスフローに対応した各工程におけるマザー基板の状態を示す図である。図２において、マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０は別々に製造される。本実施例では、マザー対向基板７０側に仮止め材６４、マザー基板シール材６１等を形成しているが、マザーＴＦＴ基板６０側に形成することも出来る。
【００３３】
図３は、マザー対向基板７０にマザー基板シール材６１を印刷した状態を示す平面図である。マザー基板シール材６１は連続したものではなく、飛び飛びに形成されている。したがって、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を貼り合わせる際、内部の空気が閉じこめられて圧力が上昇するという現象は免れることが出来る。
【００３４】
図３において、マザー基板シール材６１は、所定の間隔で形成されていない部分が存在している。この部分は仮止め材６４によって置き換えられる。すなわち、マザー基板シール材６１および各液晶セル１のシール材２０は熱硬化樹脂であり、マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０が貼りあわされた後、加熱することによって接着する。熱硬化して安定するまでに、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の合わせや位置や間隔が変化する場合がある。
【００３５】
この現象を防止するために、紫外線硬化樹脂で形成された仮止め材６４を所定の間隔で配置しておく。これが図２における仮止め材６４の塗布である。仮止め材６４の塗布はディスペンサ等によって行われる。図４は、このようにして、マザー対向基板７０に仮止め材６４を形成した状態を示す平面図である。仮止め材６４は、マザー対向基板７０の短辺側に２個、長辺側に４個形成されている。
【００３６】
図５は、マザー基板シール材６１の辺部における詳細な形状を示す平面図である。マザー対向基板７０には、各液晶セルに形成されたオーバーコート膜２０１が、マザー対向基板７０の端部からｄ１の距離まで連続して形成されている。ｄ１は例えば、５ｍｍである。マザー基板シール材６１が形成される部分には、オーバーコート膜２０１は形成されていない。
【００３７】
マザー対向基板７０の端部からマザー基板シール材６１の中心までの距離ｄ２は例えば、３ｍｍである。島状の各マザー基板シール材６１は例えば、レーストラック形状をしており、マザー基板７０の辺方向の幅はｑ１で、レーストラック端部の円の中心間の距離はｑ２である。ｑ１は例えば、２ｍｍであり、ｑ２は例えば、１ｍｍである。また、島状のマザー基板シール材６１の、図３における縦方向、すなわち、辺と直角の方向の幅ｗは例えば、２ｍｍである。
【００３８】
島状のマザー基板シール材６１は所定のピッチｐでシール間ギャップｇを介して線状（インライ状）に形成されている。所定のピッチｐは、コーナー部を除く全周において一定であることが望ましい。所定のピッチｐは、例えば、３．５ｍｍである。この場合、ｑ１を２ｍｍとすると、シール間ギャップの寸法ｇは１．５ｍｍである。以上の数値は例であるが、各マザー基板シール材６１の辺方向の幅ｑ１はシール間ギャップの寸法ｇより大きい。また、シール間ギャップの寸法ｇは５ｍｍを超えないように設定する必要がある。シール間ギャップの寸法ｇが大きすぎると、後で説明するマザー基板封止材６３を所定の位置にて止めることが困難になるからである。
【００３９】
図５において、マザー基板シール材６１とマザー基板シール材６１の間に仮止め材６４が形成されている。仮止め材６４は、ディスペンサ等によって形成され、平面は略円形であり、径ｒは３ｍｍである。仮止め材６４は、マザー基板シール材６１とは材質および形状が異なるので、仮止め材６４が形成されている部分は、他の部分に比較してマザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間の間隔が変動しやすい。そうすると、この部分において、後でマザー基板封止材６３を塗布する際に封止材６３が塗布できない領域が生ずる。
【００４０】
本発明は、後で説明するように、マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０の間隔を制御するための、マザー基板シール材６１あるいは仮止め材６４に含まれているグラスファイバの径を異ならせることによって、マザー基板シール部におけるマザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０の間隔を均一にしている。
【００４１】
図６はマザー基板シール材６１のコーナーにおける形状である。図６において、マザー基板シール材６１は、コーナーを面取りするような形状に形成されている。コーナーにおいては、後で述べるマザー基板封止材６１の進入の仕方が異なるので、マザー基板シール材６１の形状を辺部とは異なった形状としている。図４において、コーナー部のＣ１はたとえば、４．７ｍｍである。ｄ２は図３と同様であり、例えば、３ｍｍである。
【００４２】
以上の各寸法は、マザー対向基板７０に形成されたマザー基板シール材６１の寸法である。したがって、マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０を貼り合わせた後は、マザー基板シール材６１の各寸法は異なってくる。しかし、マザー基板シール材６１のシール間ギャップ６２の寸法ｇがマザー基板シール材６１の辺方向の幅ｑ１よりも小さいこと、シール間ギャップ６２の寸法ｇが５ｍｍよりも小さいこと、マザー基板シール材６１は一定ピッチで形成されていることが望ましいこと等は同様である。
【００４３】
このようにして、マザー対向基板７０にマザー基板シール材６１と仮止め材６４を形成した後、大気中において、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を、目合わせマーク等を利用して位置決めして貼り合わせる。本発明の構成によれば、真空中でなくとも、マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ６０基板の貼り合わせが可能である
マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を位置合わせしたところで、仮止め材６４に紫外線を照射して硬化させ、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を仮止めしておく。これが、図２における仮止め材６４のＵＶ硬化工程である。マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０が仮止めされた状態のものを熱硬化炉に投入して、マザー基板シール材６１を硬化させ、マザー基板８０が形成される。これが図２における「マザー基板シール材の熱硬化」である。
【００４４】
図４等に示すように、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０を貼り合わせる際、飛び飛びに形成されたマザー基板シール材６１のシール間ギャップ６２から内部の空気が逃げるので、マザー基板８０の内部の圧力が上昇して、シール材２０あるいはマザー基板シール材６１の熱硬化の際、マザー基板８０が破壊するというような問題は生じない。
【００４５】
図２において、マザー基板シール材６１を熱硬化させた後、封止材６３を塗布し、内部を密閉する。図７はマザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間にディスペンサ３００を用いてマザー基板封止材６１を塗布している状態を示す模式図である。図７はわかり易くするために、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０が離れて記載されているが、実際には、マザー基板シール材６１を介して接着している。図７において、マザー基板封止材６３がディスペンサ３００によって途中まで形成されている。マザー基板封止材６３は、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の端部に塗布されると、基板間に進入し、島状のマザー基板シール材６１とマザー基板シール材６１の間で、表面張力によって止まる。したがって、マザー基板封止材６３はマザー基板８０の端部から所定の位置まで形成されることになる。
【００４６】
図７において、島状のマザー基板シール材６１とマザー基板シール材６１の間に仮止め材６４が形成されているが、仮止め材６４の部分においても、同様に、マザー基板封止材６３が塗布される。ところで、島状のマザー基板封止材６１と仮止め材６４とは、材質も形状も異なるために、仮止め材６４が形成された部分と他の部分とでは、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間隔が異なる傾向にある。
【００４７】
マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間隔が仮止め材６４の部分においても、均一に形成できれば図８に示すようにマザー基板封止材６３も均一に塗布することが出来る。しかし、仮止め材６４の部分において、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間隔が異なると、図９に示すように、仮止め材６４の部分において、マザー基板封止材６３が塗布されない部分が生ずる。
【００４８】
このような現象は、仮止め材６４において、マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０の間隔が大きくなる場合も小さくなる場合にも生ずる。ところで、マザー基板シール材６１も仮止め材６４も樹脂で形成されているが、マザー対向基板７０とマザーＴＦＴ基板６０の間隔を設定するために、内部にグラスファイバを含んでおり、グラスファイバの径によって、間隔を設定している。
【００４９】
従来は、間隔を一定にするためには、マザー基板シール材６１に含まれるグラスファイバ６５の径と仮止め材６４に含まれるグラスファイバ６６の径を同じにしていた。しかし、このような従来例においては、特に、仮止め材６４の部分において、マザー基板封止材６３が塗布できない部分が生じ、歩留まりの低下をきたしていた。
【００５０】
本発明の特徴は、仮止め材６４に含まれるグラスファイバ６６の径をマザー基板シール材６１に含まれるグラスファイバ６５の径よりも大きくすることによって、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間隔を均一にすることである。つまり、常識的には、マザー基板シール材６１と仮止め材６４に含まれるグラスファイバの径は同じにすることがマザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間隔を均一にできるはずであるが、あえて、仮止め材６４に含まれるグラスファイバ６６の径をマザー基板シール材６１に含まれるグラスファイバ６５の径よりも大きくするという点に本発明の特徴がある。このような特別な構成によって、マザーＴＦＴ基板６０とマザー対向基板７０の間隔を均一にし、マザー基板封止材６３を均一に塗布することが出来るという、本発明の優れた作用効果を得ることが出来る。
【００５１】
実験によれば、仮止め材６４に含まれるグラスファイバ６６の径をφ２とし、マザー基板シール材６１に含まれるグラスファイバ６５の径をφ１とした場合、１．１φ１≦φ２≦１．４φ１の範囲とするのがよい。より好ましくは、１．１５φ１≦φ２≦１．３φ１の範囲とするのがよい。なお、マザー基板シール材６１に含まれるグラスファイバ６５の径φ１としては、例えば、６，５ｍｍ程度である。
【００５２】
以上が図２における「マザー基板封止材の塗布」である。その後、図２に示すように、マザー基板封止材６３を紫外線硬化する。その後、マザー基板８０を化学研磨液に浸漬して、マザーＴＦＴ基板６０およびマザー対向基板７０を０，１８ｍｍ程度にまで研磨する。本発明によれば、マザー基板封止材６３をマザー基板８０全体にわたって均一に塗布することが出来るので、研磨液がマザー基板の内部に侵入して個々の液晶セルを破壊するという現象を回避することが出来る。
【符号の説明】
【００５３】
１…液晶セル、  ２…液晶表示パネル、  １０…表示領域、  ２０…シール材、  ３０…封止材、  ４０…封止孔、  ５０…ＩＣドライバ、  ６０…マザーＴＦＴ基板、ｇ  ６１…マザー基板シール材、  ６２…シール間ギャップ、  ６３…マザー基板封止材、  ６４…仮止め材、  ６５…マザー基板シール材用グラスファイバ  ６６…仮止め材用グラスファイバ、  ７０…マザー対向基板、８０…マザー基板、  １００…ＴＦＴ基板、  ２００…対向基板、  ２０１…オーバーコート膜、  ３００…ディスペンサ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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