(57)【要約】【課題】サブフィールド駆動方式において配向不良を低減する。【解決手段】駆動装置は、複数のサブフィールドから構成されるフレームに区分された映像を示す映像信号から変換されたサブフィールドコードに応じて、複数のサブフィールドの各々について第１電圧であるオン電圧またはオフ電圧を、画素に印加する印加手段を有する。印加手段は、複数のサブフィールドのうち少なくとも一のサブフィールドにおいて、オン電圧を第１電圧から第２電圧に変更し、第２電圧は、画素における基準電位との電位差が第１電圧よりも小さく、少なくとも一のサブフィールドにおいてオン電圧が第２電圧に変更された場合のフレームにおける画素の階調が、当該少なくとも一のサブフィールドにおいて当該オン電圧が第１電圧のままであった場合の当該フレームにおける当該画素の階調と同一範囲にある。【選択図】図１１
2014191162.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のサブフィールドから構成されるフレームに区分された映像を示す映像信号から変換されたサブフィールドコードに応じて、前記複数のサブフィールドの各々について第１電圧であるオン電圧またはオフ電圧を、画素に印加する印加手段
を有し、
前記印加手段は、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも一のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第１電圧から第２電圧に変更し、
前記第２電圧は、前記画素における基準電位との電位差が前記第１電圧よりも小さく、
前記少なくとも一のサブフィールドにおいて前記オン電圧が前記第２電圧に変更された場合の前記フレームにおける前記画素の階調が、当該少なくとも一のサブフィールドにおいて当該オン電圧が前記第１電圧のままであった場合の当該フレームにおける当該画素の階調と同一範囲にある
ことを特徴とする駆動装置。
【請求項２】
前記印加手段は、前記フレームの最初のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第２電圧に変更する
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項３】
前記印加手段は、前記複数のサブフィールドのうち、前記サブフィールドコードが最初にオン電圧を示すサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第２電圧に変更する
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項４】
前記フレームは、２以上の異なる時間長のサブフィールドにより各々が構成される複数のフィールドに区分され、
前記印加手段は、前記複数のフィールドの各々の最初のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第２電圧に変更する
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項５】
前記フレームは、２以上の異なる時間長のサブフィールドにより各々が構成される複数のフィールドに区分され、
前記印加手段は、前記複数のフィールドの各々の、前記サブフィールドコードが最初にオン電圧を示すサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第２電圧に変更する
ことを特徴とする請求項１に記載の駆動装置。
【請求項６】
前記画素が液晶を含み、
前記印加手段は、前記画素において前記第２電圧が連続して印加される時間が、前記液晶の応答時間より短くなるように前記第２電圧を印加する
ことを特徴とする請求項１ないし５のいずれか一項に記載の駆動装置。
【請求項７】
複数の画素を有する電気光学パネルと、
複数のサブフィールドから構成されるフレームに区分された映像を示す映像信号から変換されたサブフィールドコードに応じて、前記複数のサブフィールドの各々について第１電圧であるオン電圧またはオフ電圧を、前記複数の画素に印加する印加手段
を有し、
前記印加手段は、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも一のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第１電圧から第２電圧に変更し、
前記第２電圧は、前記画素における基準電位との電位差が前記第１電圧よりも小さく、
前記少なくとも一のサブフィールドにおいて前記オン電圧が前記第２電圧に変更された場合の前記フレームにおける前記画素の階調が、当該少なくとも一のサブフィールドにおいて当該オン電圧が前記第１電圧のままであった場合の当該フレームにおける当該画素の階調と同一範囲にある
ことを特徴とする電気光学装置。
【請求項８】
請求項７に記載の電気光学装置を有する電子機器。
【請求項９】
複数のサブフィールドから構成されるフレームに区分された映像を示す映像信号から変換されたサブフィールドコードに応じて、前記複数のサブフィールドの各々について第１電圧であるオン電圧またはオフ電圧を、画素に印加するステップと、
前記複数のサブフィールドのうち少なくとも一のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第１電圧から第２電圧に変更するステップと
を有し
前記第２電圧は、前記画素における基準電位との電位差が前記第１電圧よりも小さく、
前記少なくとも一のサブフィールドにおいて前記オン電圧が前記第２電圧に変更された場合の前記フレームにおける前記画素の階調が、当該少なくとも一のサブフィールドにおいて当該オン電圧が前記第１電圧のままであった場合の当該フレームにおける当該画素の階調と同一範囲にある
ことを特徴とする電気光学装置の駆動方法。
【請求項１０】
複数の画素を有する液晶パネルと、
複数のサブフィールドから構成されるフレームに区分された映像を示す映像信号から変換されたサブフィールドコードに応じて、前記複数のサブフィールドの各々について第１電圧であるオン電圧またはオフ電圧を、前記複数の画素に印加する印加手段と
を有し、
前記印加手段は、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも一のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第１電圧から第２電圧に変更し、
前記第２電圧は、前記第２電圧を印加した際の液晶素子の透過率と第１電圧を印加した際の透過率とが同じとなる電圧で、且つ、前記透過率に到達する時間が、第１電圧を印加した際よりも長くなる電圧である
ことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブフィールド駆動方式を用いた表示装置における配向不良を低減する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶素子等の電気光学素子における階調制御方法として、電気光学素子に印加される電圧を変調する電圧変調方式の他、電気光学素子に一定電圧が印加される時間を変調する、いわゆるサブフィールド駆動方式が知られている（特許文献１）。サブフィールド駆動方式において、１フレームは複数のサブフィールドに分割される。複数のサブフィールドのうち電圧を印加するサブフィールド（オンするサブフィールド）と電圧を印加しないサブフィールド（オフするサブフィールド）との組み合わせにより、電気光学素子の階調が制御される。
【０００３】
特許文献１は、液晶の応答特性を考慮に入れた正確な階調表示をするため、あらかじめ実測した応答特性に基づいて、各サブフィールドの時間長および電圧値を決定することを開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−１００７０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
電気光学素子において、電圧無印加（オフ）の状態から急に高い電圧を印加すると、一時的な配向不良を起こす場合がある。この配向不良により、電気光学素子の階調が意図したものと異なってしまう場合があるという問題があった。
これに対し本発明は、サブフィールド駆動方式において配向不良を低減する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、複数のサブフィールドから構成されるフレームに区分された映像を示す映像信号から変換されたサブフィールドコードに応じて、前記複数のサブフィールドの各々について第１電圧であるオン電圧またはオフ電圧を、画素に印加する印加手段を有し、前記印加手段は、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも一のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第１電圧から第２電圧に変更し、前記第２電圧は、前記画素における基準電位との電位差が前記第１電圧よりも小さく、前記少なくとも一のサブフィールドにおいて前記オン電圧が前記第２電圧に変更された場合の前記フレームにおける前記画素の階調が、当該少なくとも一のサブフィールドにおいて当該オン電圧が前記第１電圧のままであった場合の当該フレームにおける当該画素の階調と同一範囲にあることを特徴とする駆動装置を提供する。
この駆動装置によれば、サブフィールド駆動方式において配向不良を低減することができる。
【０００７】
前記印加手段は、前記フレームの最初のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第２電圧に変更してもよい。
この駆動装置によれば、フレームの最初のサブフィールドの電圧印加に起因する配向不良を低減することができる。
【０００８】
前記印加手段は、前記複数のサブフィールドのうち、前記サブフィールドコードが最初にオン電圧を示すサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第２電圧に変更してもよい。
この駆動装置によれば、サブフィールドコードによらず、最初にオン電圧が印加されるサブフィールドに起因する配向不良を低減することができる。
【０００９】
前記フレームは、２以上の異なる時間長のサブフィールドにより各々が構成される複数のフィールドに区分され、前記印加手段は、前記複数のフィールドの各々の最初のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第２電圧に変更してもよい。
この駆動装置によれば、各フィールドの最初のサブフィールドの電圧印加に起因する配向不良を低減することができる。
【００１０】
前記フレームは、２以上の異なる時間長のサブフィールドにより各々が構成される複数のフィールドに区分され、前記印加手段は、前記複数のフィールドの各々の、前記サブフィールドコードが最初にオン電圧を示すサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第２電圧に変更してもよい。
この駆動装置によれば、サブフィールドコードによらず、各フィールドで最初にオン電圧が印加されるサブフィールドに起因する配向不良を低減することができる。
【００１１】
前記画素が液晶を含み、前記印加手段は、前記画素において前記第２電圧が連続して印加される時間が、前記液晶の応答時間より短くなるように前記第２電圧を印加してもよい。
この駆動装置によれば、階調への影響を抑制しつつ、サブフィールド駆動方式において配向不良を低減することができる。
【００１２】
また、本発明は、複数の画素を有する電気光学パネルと、複数のサブフィールドから構成されるフレームに区分された映像を示す映像信号から変換されたサブフィールドコードに応じて、前記複数のサブフィールドの各々について第１電圧であるオン電圧またはオフ電圧を、前記複数の画素に印加する印加手段を有し、前記印加手段は、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも一のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第１電圧から第２電圧に変更し、前記第２電圧は、前記画素における基準電位との電位差が前記第１電圧よりも小さく、前記少なくとも一のサブフィールドにおいて前記オン電圧が前記第２電圧に変更された場合の前記フレームにおける前記画素の階調が、当該少なくとも一のサブフィールドにおいて当該オン電圧が前記第１電圧のままであった場合の当該フレームにおける当該画素の階調と同一範囲にあることを特徴とする電気光学装置を提供する。
この電気光学装置によれば、サブフィールド駆動方式において配向不良を低減することができる。
【００１３】
さらに、本発明は、上記の電気光学装置を有する電子機器を提供する。
この電子機器によれば、サブフィールド駆動方式において配向不良を低減することができる。
【００１４】
さらに、本発明は、複数のサブフィールドから構成されるフレームに区分された映像を示す映像信号から変換されたサブフィールドコードに応じて、前記複数のサブフィールドの各々について第１電圧であるオン電圧またはオフ電圧を、画素に印加するステップと、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも一のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第１電圧から第２電圧に変更するステップとを有し、前記第２電圧は、前記画素における基準電位との電位差が前記第１電圧よりも小さく、前記少なくとも一のサブフィールドにおいて前記オン電圧が前記第２電圧に変更された場合の前記フレームにおける前記画素の階調が、当該少なくとも一のサブフィールドにおいて当該オン電圧が前記第１電圧のままであった場合の当該フレームにおける当該画素の階調と同一範囲にあることを特徴とする電気光学装置の駆動方法を提供する。
この駆動方法によれば、サブフィールド駆動方式において配向不良を低減することができる。
【００１５】
さらに、本発明は、複数の画素を有する液晶パネルと、複数のサブフィールドから構成されるフレームに区分された映像を示す映像信号から変換されたサブフィールドコードに応じて、前記複数のサブフィールドの各々について第１電圧であるオン電圧またはオフ電圧を、前記複数の画素に印加する印加手段とを有し、前記印加手段は、前記複数のサブフィールドのうち少なくとも一のサブフィールドにおいて、前記オン電圧を前記第１電圧から第２電圧に変更し、前記第２電圧は、前記第２電圧を印加した際の液晶素子の透過率と第１電圧を印加した際の透過率とが同じとなる電圧で、且つ、前記透過率に到達する時間が、第１電圧を印加した際よりも長くなる電圧であることを特徴とする液晶表示装置を提供する。
この液晶表示装置によれば、サブフィールド駆動方式において配向不良を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】液晶素子において発生する配向不良を例示する図。
【図２】第１実施形態に係る電子機器１０００の構成を示す図。
【図３】電気光学装置１の構成を示す図。
【図４】画素１１１の等価回路を示す図。
【図５】映像処理回路３０の構成を示す図。
【図６】データ線駆動回路１４０の詳細を示す図。
【図７】レベル変換回路２００の構成を例示する図。
【図８】サブフィールド駆動を説明するタイミングチャート。
【図９】各サブフィールドにおける動作を示すタイミングチャート。
【図１０】電気光学装置１の動作を示すフローチャート。
【図１１】第１実施形態において液晶素子１２０に印加される電圧を例示する図。
【図１２】変形例１において液晶素子１２０に印加される電圧を例示する図。
【図１３】変形例２において液晶素子１２０に印加される電圧を例示する図。
【図１４】第２実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す図。
【図１５】第２実施形態に係るレベル変換回路２００の構成を示す図。
【図１６】第２実施形態において液晶素子１２０に印加される電圧を例示する図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
１．概要
実施形態に係る装置の構成および動作の説明に先立ち、サブフィールド駆動方式を用いた液晶表示装置の問題点について説明する。液晶素子は、電圧印加により液晶分子の配向を制御することにより光学状態特性（透過率または反射率）を制御するものである。電圧印加により配向が変化する方向を規制するため、電圧無印加の状態における液晶分子の傾きの方向および角度を所定の範囲に制御する技術が知られている。電圧無印加の状態における液晶分子に与えられた傾きをプレチルトという。液晶素子に対し、電圧無印加の状態から急に高い電圧を印加すると、プレチルトで規制した方向に液晶分子が動かず、一時的な配向不良が起こる場合がある。
【００１８】
図１は、液晶素子において発生する配向不良を例示する図である。図１は、ノーマリーブラックの液晶素子において、電圧無印加（オフ電圧）の状態（図１（Ａ））からオン電圧（飽和電圧）を印加した場合における液晶素子の光学状態を示している。図１（Ｂ）は電圧印加開始から１．５ミリ秒後の光学状態を、図１（Ｃ）は電圧印加開始から７．５ミリ秒後の光学状態を、それぞれ示している。この配向不良は一時的なものであるので、いわゆる電圧変調方式のように、ある程度長い時間（例えば１フレーム）同じ電圧が印加され続ければ解消する。この例では、電圧印加開始から１．５ミリ秒後の時点で不均一に配向不良が発生しているが（図１（Ｂ））、電圧印加開始から７．５ミリ秒が経過した時点では配向不良は解消されほぼ所望の光学状態になっている。しかし、サブフィールド駆動方式においては、一定の高い電圧のオン／オフが繰り返されるため、一時的な配向不良が継続的に発生し、液晶素子の階調が意図したものと異なってしまう場合がある。また、この配向不良は、書き換え前の液晶分子の状態や温度など種々の要因に影響され、制御が困難である。したがって、配向不良を考慮して各サブフィールドにおけるオン／オフの組み合わせ（サブフィールドコード）を作成することはできない。
【００１９】
この問題に対処するため、プレチルトやギャップ（後述）を調整することにより、配向の規制力を高める技術がある。しかし、配向の規制力を高めるためにプレチルトやギャップを調整すると、コントラストや透過率が低下するという表示背反が起こる場合がある。本発明は、サブフィールド駆動方式において電圧無印加の状態から電圧を印加するときに、規定のオン電圧より低い電圧を印加することにより、配向不良を抑制する。
【００２０】
２．第１実施形態
２−１．構成
図２は、本発明の第１実施形態に係る電子機器１０００の構成を示す図である。この例で、電子機器１０００は、入力された映像信号Ｖｉｄ−ｉｎに応じた映像をスクリーンに投射するプロジェクターである。電子機器１０００は、電気光学装置１、光源２、制御部３、および投射部４を有する。電子機器１０００において、光源２から照射された光を電気光学装置１が変調し、さらにこれを投射部４がスクリーンに投射する。
【００２１】
図３は、電気光学装置１の構成を示す図である。電気光学装置１は、光変調器であり、液晶パネル１００、走査線駆動回路１３０、およびデータ線駆動回路１４０を３組と、制御回路１０と、電圧生成回路５０とを有する。各組は、それぞれ、色成分Ｒ（赤）、色成分Ｇ（緑）、および色成分Ｂ（青）に対応している。ここでは、図面が煩雑になるのを避けるため、１組の液晶パネル１００、走査線駆動回路１３０、およびデータ線駆動回路１４０のみを図示している。
【００２２】
液晶パネル１００は、供給される信号に応じて画像を表示する装置である。液晶パネル１００は、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された画素１１１を有する。画素１１１は、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１４０から供給される信号に応じた光学状態を示す。液晶パネル１００は、複数の画素１１１の光学状態を制御することにより画像を表示する。
【００２３】
液晶パネル１００は、素子基板１００ａと、対向基板１００ｂと、液晶１０５とを有する。素子基板１００ａと対向基板１００ｂとは、一定の間隙を保って貼り合わせられている。この間隙（ギャップ）に、液晶１０５が挟まれている。
【００２４】
素子基板１００ａは、対向基板１００ｂとの対向面において、ｍ行の走査線１１２およびｎ列のデータ線１１４を有する。走査線１１２はＸ（横）方向に沿って、データ線１１４はＹ（縦）方向に沿って、それぞれ設けられており、互いに絶縁されている。一の走査線１１２を他の走査線１１２と区別するときは、図において上から順に第１、第２、第３、…、第（ｍ−１）、および第ｍ行の走査線１１２という。同様に、一のデータ線１１４を他のデータ線１１４と区別するときは、図において左から順に第１、第２、第３、…、第（ｎ−１）、第ｎ列のデータ線１１４という。画素１１１は、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な位置にある視点からみたときに、走査線１１２およびデータ線１１４の交差に対応して設けられている。
【００２５】
図４は、画素１１１の等価回路を示す図である。画素１１１は、ＴＦＴ１１６と、液晶素子１２０と、保持容量１２５とを有する。液晶素子１２０は、画素電極１１８と、液晶１０５と、コモン電極１０８とを有する。画素電極１１８は、画素１１１毎に個別に設けられた電極である。コモン電極１０８は、すべての画素１１１に共通の電極である。画素電極１１８は素子基板１００ａに、コモン電極１０８は対向基板１００ｂに、それぞれ設けられている。液晶１０５は、画素電極１１８およびコモン電極１０８に挟まれている。コモン電極１０８には、コモン電圧ＬＣｃｏｍが印加される。
【００２６】
ＴＦＴ１１６は、画素電極１１８への電圧の印加を制御するスイッチング素子の一例であり、この例では、ｎチャネル型の電界効果トランジスターである。ＴＦＴ１１６は、画素１１１毎に個別に設けられている。第ｉ行第ｊ列のＴＦＴ１１６のゲートは第ｉ行の走査線１１２に、ソースは第ｊ列のデータ線１１４に、ドレインは画素電極１１８に、それぞれ接続されている。保持容量１２５は、一端が画素電極１１８に、他端が容量線１１５に、それぞれ接続されている。容量線１１５には、時間的に一定の電圧が印加される。
【００２７】
第ｉ行の走査線１１２にＨ（High）レベルの電圧（以下「選択電圧」という）が印加されると、第ｉ行第ｊ列のＴＦＴ１１６はオン状態となり、ソースとドレインが導通する。このとき、第ｊ列のデータ線１１４に、第ｉ行第ｊ列の画素１１１の階調値（データ）に応じた電圧（以下「データ電圧」という）が印加されると、データ電圧は、ＴＦＴ１１６を介して第ｉ行第ｊ列の画素電極１１８に印加される。
【００２８】
その後、第ｉ行の走査線１１２にＬ（Low）レベルの電圧（以下「非選択電圧」という）が印加されると、ＴＦＴ１１６はオフ状態になり、ソースとドレインは高インピーダンス状態となる。ＴＦＴ１１６がオン状態のとき画素電極１１８に印加された電圧は、液晶素子１２０の容量性および保持容量１２５によって、ＴＦＴ１１６がオフ状態になった後も保持される。
【００２９】
液晶素子１２０には、データ電圧とコモン電圧との電位差に相当する電圧が印加される。液晶１０５の分子配向状態は、液晶素子１２０に印加される電圧に応じて変化する。画素１１１の光学状態は、液晶１０５の分子配向状態に応じて変化する。例えば、液晶パネル１００が透過型のパネルである場合、変化する光学状態は透過率である。
【００３０】
再び図３を参照する。走査線駆動回路１３０は、ｍ本の走査線１１２の中から一の走査線１１２を順次排他的に選択する（すなわち走査線１１２を走査する）回路である。具体的には、走査線駆動回路１３０は、制御信号Ｙｃｔｒに従って、第ｉ行の走査線１１２に、走査信号Ｙｉを供給する。この例で、走査信号Ｙｉは、選択される走査線１１２に対しては選択電圧となり、選択されない走査線１１２に対しては非選択電圧となる信号である。
【００３１】
データ線駆動回路１４０は、ｎ本のデータ線１１４にデータ電圧を示す信号（以下「データ信号」という）を出力する回路である。具体的には、データ線駆動回路１４０は、映像処理回路３０から供給されるデータ信号Ｖｘを、制御信号Ｘｃｔｒに従ってサンプリングし、第１〜第ｎ列のデータ線１１４にデータ信号Ｘ１〜Ｘｎとして出力する。なお、本説明において電圧については、液晶素子１２０の印加電圧を除き、特に明記しない限り図示省略した接地電位を基準（ゼロＶ）として表す。
【００３２】
液晶パネル１００に表示される画像は、所定の周期で書き換えられる。以下、この書き換えの周期を「フレーム」という。例えば、画像が６０Ｈｚで書き換えられる場合、１フレームは約１６．７ｍｓｅｃである。走査線駆動回路１３０が１フレームに１回、ｍ本の走査線１１２を走査し、データ線駆動回路１４０がデータ信号を出力することにより、液晶パネル１００に表示される画像が書き換えられる。
【００３３】
この例で、液晶パネル１００の駆動にはサブフィールド駆動方式が用いられる。サブフィールド駆動方式において、１フレームはさらに複数の期間に分割される。この分割された期間をサブフィールドという。各サブフィールドにおいて液晶素子１２０に印加される電圧の絶対値は、オン電圧（例えば５Ｖ）およびオフ電圧（例えばゼロＶ）の２値のいずれかである。複数のサブフィールドは、オン電圧の極性が正極性となる期間（以下「正極性フィールド」という）およびオン電圧の極性が負極性となる期間（以下「負極性フィールド」という）に分けられる。
【００３４】
制御回路１０は、上位装置から供給される映像信号Ｖｉｄ−ｉｎおよび同期信号Ｓｙｎｃに応じて走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０を制御する信号を出力する。映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは、液晶パネル１００における各画素の階調値をそれぞれ指定するデジタル信号である。映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは、同期信号Ｓｙｎｃと同期して供給される。同期信号は、垂直走査信号、水平走査信号およびドットクロック信号（いずれも図示省略）を含んでいる。この例で、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎの周波数は６０Ｈｚである。すなわち、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎにより示される画像は、１６．６７ミリ秒毎に書き換えられる。
【００３５】
なお、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは直接的には階調値を指定するものであるが、階調値に応じて液晶素子に印加される電圧（以下「印加電圧」という）が定まるので、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは液晶素子の印加電圧を指定するものといえる。
【００３６】
制御回路１０は、走査制御回路２０と映像処理回路３０とを有する。走査制御回路２０は、制御信号Ｘｃｔｒ、制御信号Ｙｃｔｒ、制御信号Ｉｃｔｒ等、各種の制御信号を生成して、同期信号Ｓｙｎｃに同期して各部を制御する。映像処理回路３０は、デジタルの映像信号Ｖｉｄ−ｉｎを処理して、各色成分毎にデータ信号Ｖｘを出力する。
【００３７】
図５は、映像処理回路３０の構成を示す図である。映像処理回路３０は、記憶部３１と、極性信号生成部３２と、変換部３３と、出力部３４とを有する。記憶部３１は、ＬＵＴ（Look Up Table）を記憶している。ＬＵＴ３１１は、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎにより示される階調値をサブフィールドコードに変換する際に用いられる。サブフィールドコードは、各階調について、複数のサブフィールドの各々においてオン電圧（第１階調、例えば白に対応する電圧）およびオフ電圧（第２階調、例えば黒に対応する電圧）のどちらを印加すべきであるかを示す情報である。
【００３８】
極性信号生成部３２は極性信号ＦＲＰを生成する。極性信号ＦＲＰは、今が正極性フィールドおよび負極性フィールドのどちらであるかを示す信号である。この例で、極性信号生成部３２は外部から入力される同期信号Ｓｙｎｃから極性信号ＦＲＰを生成する。極性信号生成部３２は生成した極性信号ＦＲＰを、変換部３３および他の装置（例えばデータ線駆動回路１４０）に出力する。
【００３９】
変換部３３は、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎにより示される階調値を、サブフィールドコードに変換する。この例で、変換部３３は、時間比および現在が正極性フィールドであるか負極性フィールドであるかに応じて、階調値をサブフィールドコードに変換する。すなわち、変換部３３は、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎに加え、時間比を示す時間比信号ＰＮＲおよび極性信号ＦＲＰを用いて、階調値をサブフィールドコードに変換する。出力部３４は、サブフィールドコードを示すデータ信号Ｖｘを出力する。データ線駆動回路１４０は、データ信号Ｖｘに応じた電圧をデータ線１１４に印加する。なお、本実施形態においてはサブフィールド駆動方式が用いられるので、データ線１１４に印加される電圧の絶対値は、オン電圧およびオフ電圧の２値のいずれかである。
【００４０】
図６は、データ線駆動回路１４０の詳細を示す図である。データ線駆動回路１４０は、データ信号Ｘ１、Ｘ２、Ｘ３、…、Ｘｎをデータ線１１４に供給する回路である。データ線駆動回路１４０は、シフトレジスター１４１、データ供給線Ｖｘ、スイッチＳＷ１〜ＳＷｎ、ラッチ１４２、ラッチ１４３およびレベル変換回路２００を有している。この例で、データ線駆動回路１４０は、いわゆるＳＯＧ（System On Glass）技術を用いて、素子基板１００ａ上に形成されている。
【００４１】
シフトレジスター１４１は、制御回路１０からの信号に従って、サンプリングパルスＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、…、ＳＲｎを順次生成する。データ供給線Ｖｘは、スイッチＳＷを介してラッチ１４２に接続されている。スイッチＳＷの制御入力端子には、サンプリングパルスＳＲが供給される。この構成により、サンプリングパルスＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、…、ＳＲｎに各々同期して、画像データ信号Ｖｘがラッチ１４２に供給される。ラッチ１４２は、スイッチＳＷを介して入力される画像データ信号Ｖｘをラッチし、点順次の画像データｄ１〜ｄｎを得る。ラッチ１４２により得られた画像データｄ１〜ｄｎは、ラッチ１４３に入力される。ラッチ１４３は、画像データｄ１〜ｄｎをラッチし、線順次の画像データＤ１〜Ｄｎを得る。レベル変換回路２００は、画像データ「１」に対応する２つの電圧（ＶＨｉｇｈおよびＶＬｏｗ）と、画像データ「０」に対応する電圧（ＶＭｉｄ）との合計３つの電圧の中から、画像データＤ１〜Ｄｎおよび極性信号Ｆｐに基づいて選択した電圧の信号を、データ信号Ｘ１〜Ｘｎとしてデータ線１１４に供給する。
【００４２】
図７は、レベル変換回路２００の構成を例示する図である。図３においては、ｋ番目のデータ線にデータ信号Ｘｋを出力するための変換ユニットＵｋが示されている。ｋは１≦ｋ≦ｎを満たす整数である。変換ユニットＵｋは、データ信号Ｄｋおよび極性信号Ｆｐに応じて、電圧ＶＨｉｇｈ、ＶＭｉｄ、およびＶＬｏｗのいずれかを選択する３値セレクターである。レベル変換回路２００はｎ個の変換ユニットを有しており、各変換ユニットは同じ構成を有している。ここでは変換ユニットＵｋを例として説明する。レベル変換回路２００は、制御部２１０、制御部２２０および制御部２３０の３つの制御部、並びに選択部２４０を有する。制御部２１０は、電圧ＶＨｉｇｈを選択するタイミングを制御する。制御部２２０は、電圧ＶＬｏｗを選択するタイミングを制御する。制御部２３０は、電圧ＶＭｉｄを選択するタイミングを制御する。選択部２４０は、制御部２１０、制御部２２０および制御部２３０からの信号に応じて、電圧ＶＨｉｇｈ、ＶＬｏｗおよびＶＭｉｄのいずれかの電圧をデータ線１１４に印加する。
【００４３】
制御部２１０は、入力端子２１１、入力端子２１２および出力端子２１３を有する。入力端子２１１には、極性信号Ｆｐが入力される。入力端子２１２には、画像データ信号Ｖｘが入力される。制御部２１０は、極性信号Ｆｐおよび画像データ信号Ｖｘを用いた論理演算を行う回路を有する。第１の論理演算は、極性信号Ｆｐが示す値および画像データ信号Ｖｘが示す値の否定論理積（ＮＡＮＤ）を含む。この例で、第１の論理演算は、ＦｐとＶｘの否定論理積およびこの否定論理積の結果の否定（ＮＯＴ）から構成される。出力端子２１３は、第１の論理演算の結果を出力する。
【００４４】
制御部２２０は、入力端子２２１、入力端子２２２および出力端子２２３を有する。入力端子２２１と極性信号Ｆｐの信号線との間にはＮＯＴ回路２５０が設けられている。入力端子２２１には、極性信号Ｆｐの反転信号が入力される。入力端子２２２には、画像データ信号Ｖｘが入力される。制御部２２０は、極性信号Ｆｐの反転信号および画像データ信号Ｖｘを用いた論理演算（以下「第２の論理演算」という）を行う回路を有する。第２の論理演算は、反転信号が示す値および画像データ信号Ｖｘが示す値の否定論理積を含む。この例で、第２の論理演算は、Ｆｐの反転信号とＶｘの否定論理積（ＮＡＮＤ）およびこの否定論理積の結果の否定（ＮＯＴ）から構成される。出力端子２２３は、第２の論理演算の結果を出力する。
【００４５】
制御部２３０は、入力端子２３２および出力端子２３３を有する。入力端子２３２には、画像データ信号Ｖｘが入力される。制御部２２０は、画像データ信号Ｖｘを用いた論理演算（以下「第３の論理演算」という）を行う回路を有する。第３の論理演算は、画像データ信号Ｖｘが示す値の否定を含む。この例で、第３の論理演算は、Ｖｘの否定（ＮＯＴ）から構成される。出力端子２３３は、第３の論理演算の結果を出力する。
【００４６】
選択部２４０は、ＴＦＴ２４１、ＴＦＴ２４２およびＴＦＴ２４３の３つのスイッチング素子を有する。この例で、ＴＦＴ２４１、ＴＦＴ２４２およびＴＦＴ２４３は、単一の伝導型のチャネル（ここではｎチャネル）を有する電界効果トランジスターであり、ソース端子、ドレイン端子およびゲート端子を有する。ＴＦＴ２４１のソース端子は、電圧ＶＨｉｇｈ（例えば１２．０Ｖ）が印加される電圧線に接続されている。ＴＦＴ２４１のドレイン端子は、データ線１１４に接続されている。ＴＦＴ２４１のゲート端子は、出力端子２１３に接続されている。ＴＦＴ２４１は、出力端子２１３からＨレベルの信号が入力されたときにオン状態となり、データ線１１４に電圧ＶＨｉｇｈを印加する。この例で、出力端子２１３からＨレベルの信号が出力されるのは、第１の論理演算の結果が真のとき、すなわち、第１の論理演算における否定論理積の結果が偽のときである。ＴＦＴ２４２のソース端子は、電圧ＶＬｏｗ（例えば２．０Ｖ）が印加される電圧線に接続されている。ＴＦＴ２４２のドレイン端子は、データ線１１４に接続されている。ＴＦＴ２４２のゲート端子は、出力端子２２３に接続されている。ＴＦＴ２４２は、出力端子２２３からＨレベルの信号が入力されたときにオン状態となり、データ線１１４に電圧ＶＬｏｗを印加する。この例で、出力端子２２３からＨレベルの信号が出力されるのは、第２の論理演算の結果が真のとき、すなわち、第２の論理演算における否定論理積の結果が偽のときである。ＴＦＴ２４３のソース端子は、電圧ＶＭｉｄ（例えば７Ｖ）が印加される電圧線に接続されている。ＴＦＴ２４３のドレイン端子は、データ線１１４に接続されている。ＴＦＴ２４３のゲート端子は、出力端子２３３に接続されている。ＴＦＴ２４３は、出力端子２３３からＨレベルの信号が入力されたときにオン状態となり、データ線１１４に電圧ＶＭｉｄを印加する。この例で、出力端子２３３からＨレベルの信号が出力されるのは、第３の論理演算の結果が真のとき、すなわち、第３の論理演算における否定の結果が真のときである。
【００４７】
再び図３を参照する。電圧生成回路５０は、データ線駆動回路１４０に対し電源電圧を供給する。具体的には、電圧生成回路５０は、電圧ＶＨｉｇｈ、電圧ＶＭｉｄ、および電圧ＶＬｏｗの３種類の電圧を提供する。これら３種類の電圧値の大小関係は、ＶＨｉｇｈ＞ＶＭｉｄ＞ＶＬｏｗである。電圧ＶＨｉｇｈは、正極性のオン電圧に相当する電圧である。電圧ＶＭｉｄは、オフ電圧に相当する電圧である。電圧ＶＬｏｗは、負極性のオン電圧に相当する電圧である。この例で、電圧ＶＭｉｄは、コモン電圧ＬＣｃｏｍと等しい固定電圧である。すなわち、液晶素子１２０に印加される電圧は、ＶＨｉｇｈ（例えば１２．０Ｖ）とＶＭｉｄ（例えば７Ｖ）との電位差に相当する電圧（例えば５Ｖ）、ＶＬｏｗ（例えば２．０Ｖ）とＶＭｉｄ（例えば７Ｖ）との電位差に相当する電圧（例えば−５Ｖ）、またはゼロＶのいずれかである。なお、この例で、電圧ＶＨｉｇｈおよび電圧ＶＬｏｗは、制御回路１０の制御により変動する。通常時はＶＨｉｇｈ＝Ｖ１、ＶＬｏｗ＝Ｖ３であるが、特定のサブフィールドにおいては、ＶＨｉｇｈ＝Ｖ２、ＶＬｏｗ＝Ｖ４である。以下の例においては、Ｖ１＝１２．０Ｖ、Ｖ２＝１１．７Ｖ、Ｖ３＝２．０Ｖ、Ｖ４＝２．３Ｖ、ＶＭｉｄ＝７．０Ｖである。
【００４８】
ここで、データ線駆動回路１４０は、複数のサブフィールドから構成されるフレームに区分された映像を示す映像信号Ｖｉｄ−ｉｎから変換されたサブフィールドコードに応じて、複数のサブフィールドの各々についてオン電圧またはオフ電圧を、画素１１１に印加する印加手段を有する駆動装置の一例である。この印加手段は、複数のサブフィールドのうち少なくとも一のサブフィールドにおいて、オン電圧を第１電圧から第２電圧に変更する。第２電圧は、画素１１１に印加される電圧が第１電圧よりも小さい。
【００４９】
第２電圧を第１電圧よりどれだけ小さくするか、すなわち、電圧生成回路５０において生成される電圧値は、液晶素子１２０の特性に応じて決められる。配向不良を低減する観点からは第２電圧は小さい方が好ましい。しかし、第２電圧を小さくしすぎると、所望の階調を表現できなくなるという問題がある。そこで、第２電圧は、少なくとも一のサブフィールドにおいてオン電圧が第２電圧に変更された場合のそのフレームにおける画素１１１の階調が、そのサブフィールドにおいてオン電圧が第１電圧のままであった場合のそのフレームにおける画素１１１の階調と同一範囲にあるように決定される。または、第２電圧は、第２電圧を印加した際の液晶素子１２０の透過率と第１電圧を印加した際の透過率とが同じとなる電圧で、且つ、前記透過率に到達する時間が、第１電圧を印加した際よりも長くなる電圧としてもよい。
【００５０】
２−２．動作
図８は、サブフィールド駆動を説明するタイミングチャートである。この例では、１フレームは２０サブフィールドに分割される。以下の説明においてｋ番目のサブフィールドをＳＦｋと表す。例えば、１番目のサブフィールドはＳＦ１と表す。ＳＦ１〜ＳＦ１０においては正極性の電圧が印加され、ＳＦ１１〜ＳＦ２０においては負極性の電圧が印加される。すなわち、１フレームは、正極性電圧が印加される正極性フィールドおよび負極性電圧が印加される負極性フィールドの２つのフィールドに区分される。この例では、前半１０サブフィールドが正極性フィールドに含まれ、後半１０サブフィールドが負極性フィールドに含まれる。なお、図８およびこれ以降の図においては、図面が煩雑になるのを防ぐため、ＳＦ１、ＳＦ１０、ＳＦ１１、およびＳＦ２０のみ符号付で図示している。
【００５１】
この例で、正極性フィールドおよび負極性フィールドの各々に含まれるサブフィールドは、２以上の異なる時間長を有する。時間長の組み合わせは、正極性フィールドと負極性フィールドとで共通である。例えば、ＳＦ１とＳＦ１１の時間長は同じである。
【００５２】
垂直同期信号ＤＹは、フレームの始期を示す信号である。この例で、垂直同期信号ＤＹがＬレベルからＨレベルに立ち上がったタイミングがフレームの始期を示している。スタート信号ＥＮ１〜ＥＮ１０は、それぞれ、ＳＦ１〜ＳＦ１０（およびＳＦ１１〜ＳＦ２０）の始期を示す信号である。この例で、スタート信号ＥＮｋがＬレベルからＨレベルに立ち上がったタイミングがサブフィールドの始期を示している。信号ＶＯＬは、オン電圧を通常のオン電圧（例えば５．０Ｖ）から、低いオン電圧（例えば４．７Ｖ）に変更する期間を示している。この例で、信号ＶＯＬがＨレベルの期間は、オン電圧が第２電圧に変更される。
【００５３】
図９は、各サブフィールドにおける動作を示すタイミングチャートである。走査線駆動回路１３０は、制御信号Ｙｃｔｒに基づいて走査信号Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３、…、Ｙｍを生成する。各走査信号がＨレベルになる期間（アクティブ期間）は１水平走査期間（１Ｈ）である。アクティブ期間が順次隣りの走査線１１２にずれていく。これにより、走査線１１２が１本ずつ順次選択される。ｍ本の走査線１１２を順次選択するのに要する時間を１フィールドという。
【００５４】
データ線駆動回路１４０において、シフトレジスター１４１は、制御信号Ｘｃｔｒに基づいてサンプリングパルスＳＲ１、ＳＲ２、ＳＲ３、…、ＳＲｎを生成する。スイッチＳＷ１〜ＳＷｎは、それぞれ、サンプリングパルスＳＲ１〜ＳＲｎに基づいて画像データ信号Ｖｘをサンプリングする。ラッチ１４２は、サンプリング結果をラッチする。すなわち、ラッチ１４２は、サンプリングパルスＳＲｋがＨレベルであるときの画像データＶｘの値を、画像データｄｋとしてラッチする。画像データＶｘはｎ本のデータ線１１４に対応するデータを含んでいるが、ラッチ１４２により、画像データＶｘは点順次の画像データｄ１〜ｄｎに分解される。ラッチ１４３は水平走査期間の開始時点で画像データｄ１〜ｄｎをラッチし、線順次の画像データＤ１〜Ｄｎを得る。
【００５５】
制御回路１０から供給される極性信号Ｆｐは、所定の周波数（例えば６０Ｈｚ）でＨレベルからＬレベルに変化する信号である。いま、画像データＤｋの値が「１」（Ｈレベル）であった場合を考える。極性信号ＦｐがＨレベルの間は、出力端子２１３からＨレベルの信号が出力され、出力端子２２３および出力端子２３３からＬレベルの信号が出力される。これらの信号を受けて、ＴＦＴ２４１がオン状態となり、ＴＦＴ２４２およびＴＦＴ２４３はオフ状態となる。これらのスイッチング動作により、ｋ番目のデータ線１１４には、電圧ＶＨｉｇｈが印加される。一方、極性信号ＦｐがＬレベルの間は、出力端子２２３からＨレベルの信号が出力され、出力端子２１３および出力端子２３３からＬレベルの信号が出力される。これらの信号を受けて、ＴＦＴ２４２がオン状態となり、ＴＦＴ２４１およびＴＦＴ２４３はオフ状態となる。これらのスイッチング動作により、ｋ番目のデータ線１１４には、電圧ＶＬｏｗが印加される。すなわち、画像データＤｋの値が「１」である場合は、極性信号Ｆｐに応じて極性の異なる電圧がデータ線１１４に印加される。
【００５６】
次に、画像データＤｋの値が「０」（Ｌレベル）であった場合を考える。この場合は、極性信号Ｆｐの値によらず、出力端子２３３からＨレベルの信号が出力され、出力端子２１３および出力端子２２３からＬレベルの信号が出力される。これらの信号を受けて、ＴＦＴ２４３がオン状態となり、ＴＦＴ２４１およびＴＦＴ２４２はオフ状態となる。これらのスイッチング動作により、ｋ番目のデータ線１１４には、電圧ＶＭｉｄが印加される。
【００５７】
図１０は、電気光学装置１の動作を示すフローチャートである。図１０の処理は、サブフィールド毎に行われる。図１０のフローに先立ち、映像処理回路３０の変換部３３は、記憶部３１に記憶されているＬＵＴ３１１を参照して、入力映像信号Ｖｉｄ−ｉｎにより示される階調値を対応するサブフィールドコードに変換する。
【００５８】
ステップＳ１００において、映像処理回路３０は、現サブフィールドが特定のサブフィールドであるか判断する。特定のサブフィールドはあらかじめ決められており、映像処理回路３０の記憶部３１には、特定のサブフィールドを特定するための情報が記憶されている。特定のサブフィールドは、例えば、各フレームの最初のサブフィールド、すなわちＳＦ１である。現サブフィールドが特定のサブフィールドであると判断された場合（Ｓ１００：ＹＥＳ）、映像処理回路３０は、処理をステップＳ１２０に移行する。現サブフィールドが特定のサブフィールドでないと判断された場合（Ｓ１００：ＮＯ）、映像処理回路３０は、処理をステップＳ１１０に移行する。
【００５９】
ステップＳ１１０において、走査制御回路２０は、データ電圧として通常の電圧（例えば、オン電圧が５．０Ｖになる電圧）が印加されるように、電圧生成回路５０を制御する。具体的には、映像処理回路３０は、Ｌレベルの信号ＶＯＬを電圧生成回路５０に出力する。Ｌレベルの信号ＶＯＬが入力されている間、電圧生成回路５０は、電圧ＶＨｉｇｈおよび電圧ＶＬｏｗとして通常の電圧に相当する電圧Ｖ１（例えば１２．０Ｖ）および電圧Ｖ３（例えば２．０Ｖ）をそれぞれ出力する。現サブフィールドのサブフィールドコードがオンの場合、データ線駆動回路１４０は、正極性フィールドにおいては電圧ＶＨｉｇｈ（この場合、電圧Ｖ１）を、負極性フィールドにおいては電圧ＶＬｏｗ（この場合、電圧Ｖ３）を、対応するデータ線１１４に印加する。現サブフィールドのサブフィールドコードがオフの場合、データ線駆動回路１４０は、電圧ＶＭｉｄを、対応するデータ線１１４に印加する。
【００６０】
ステップＳ１２０において、走査制御回路２０は、データ電圧として低い電圧（例えば、オン電圧が４．７Ｖになる電圧）が印加されるように、電圧生成回路５０を制御する。具体的には、映像処理回路３０は、Ｈレベルの信号ＶＯＬを電圧生成回路５０に出力する。Ｈレベルの信号ＶＯＬが入力されている間、電圧生成回路５０は、電圧ＶＨｉｇｈおよび電圧ＶＬｏｗとして低い電圧に相当する電圧Ｖ２（例えば１１．７Ｖ）および電圧Ｖ４（例えば２．３Ｖ）をそれぞれ出力する。電圧Ｖ１〜Ｖ４の関係は、Ｖ１＞Ｖ２＞Ｖ４＞Ｖ３である。現サブフィールドのサブフィールドコードがオンの場合、データ線駆動回路１４０は、正極性フィールドにおいては電圧ＶＨｉｇｈ（この場合、電圧Ｖ２）を、負極性フィールドにおいては電圧ＶＬｏｗ（この場合、電圧Ｖ４）を、対応するデータ線１１４に印加する。現サブフィールドのサブフィールドコードがオフの場合、データ線駆動回路１４０は、電圧ＶＭｉｄを、対応するデータ線１１４に印加する。
【００６１】
図１１は、第１実施形態において液晶素子１２０に印加される電圧を例示する図である。図１１下段の図において、横軸は時間を、縦軸は液晶素子１２０に印加される電圧を示している。サブフィールドコードは、すべてのサブフィールドでオンである。液晶素子１２０に印加される電圧の絶対値は、ＳＦ１で４．７Ｖであり、それ以外のサブフィールドでは５．０Ｖである。このように、本実施形態によれば、電圧無印加の状態から急に高い電圧が印加されることが抑制される。したがって、配向不良の発生を低減することができる。
【００６２】
２−３．変形例
２−３−１．変形例１
図１２は、変形例１において液晶素子１２０に印加される電圧を例示する図である。ステップＳ１００における「特定のサブフィールド」は実施形態で説明したものに限定されない。変形例１において、特定のサブフィールドは、正極性フィールドおよび負極性フィールドのそれぞれの最初のサブフィールド、すなわちＳＦ１およびＳＦ１１である。この例で、サブフィールドコードは、「１１１１１０００００」である。なお「１」はオンを示し、「０」はオフを示す。異なる時間長（異なる重み）のサブフィールドが用いられる場合、時間長の短い（重みの軽い）サブフィールドほど、オフになる可能性が高い。図１２のように時間長の短いサブフィールドがフィールドの後半に偏っている場合、フィールドが切り替わったときに配向不良が発生する可能性がある。変形例１によれば、各フィールドで電圧無印加の状態から急に高い電圧が印加されることが抑制される。したがって、配向不良の発生を低減することができる。なお、１フレームに含まれるフィールド（ブロック）の数は２つに限定されない。例えば、１フレームが４つのフィールドに分割されるサブフィールドのパターンが用いられてもよい。
【００６３】
２−３−２．変形例２
図１３は、変形例２において液晶素子１２０に印加される電圧を例示する図である。変形例２において、特定のサブフィールドは、各フィールドの始期から液晶の応答時間未満のサブフィールドである。例えば、液晶の応答時間が、フレームの始期からＳＦ３の途中までに相当する時間であった場合、ＳＦ１およびＳＦ２、並びに対応するＳＦ１１およびＳＦ１２が、特定のサブフィールドである。変形例２によれば、低い電圧が連続して印加される時間は液晶の応答時間より短い。したがって、配向不良の発生を低減しつつ、所望の階調とのずれを低減することができる。
【００６４】
３．第２実施形態
図１４は、第２実施形態に係る電気光学装置１の構成を示す図である。以下、第１実施形態と共通する事項についてはその説明を省略する。第１実施形態においては、低いオン電圧が印加されるサブフィールドは、サブフィールドコードによらず固定されていた。すなわち、ステップＳ１００における「特定のサブフィールド」のサブフィールドコードがオフであった場合、その後のサブフィールドにおいて、急に高い電圧が印加されてしまう場合があった。第２実施形態は、この問題に対処する。
【００６５】
第２実施形態において、電圧生成回路５０は、ＶＨｉｇｈ１、ＶＨｉｇｈ２、ＶＭｉｄ、ＶＬｏｗ１、およびＶＬｏｗ２の５種類の電圧を供給する。第２実施形態において電圧生成回路５０は制御回路１０からの制御を受けず、ＶＨｉｇｈ１、ＶＨｉｇｈ２、ＶＭｉｄ、ＶＬｏｗ１、およびＶＬｏｗ２はすべて固定電圧である。これら５種類の電圧値の大小関係は、ＶＨｉｇｈ１＞ＶＨｉｇｈ２＞ＶＭｉｄ＞ＶＬｏｗ２＞ＶＬｏｗ１である。電圧ＶＨｉｇｈ１は、正極性の通常のオン電圧に相当する電圧である。電圧ＶＬｏｗ２は、負極性の通常のオン電圧に相当する電圧である。電圧ＶＨｉｇｈ２は、正極性の低いオン電圧に相当する電圧である。電圧ＶＬｏｗ１は、負極性の低いオン電圧に相当する電圧である。電圧ＶＭｉｄは、オフ電圧に相当する電圧である。電圧ＶＭｉｄは、コモン電圧ＬＣｃｏｍと等しい。この例では、ＶＨｉｇｈ１＝１２．０Ｖ、ＶＨｉｇｈ２＝１１．７Ｖ、ＶＭｉｄ＝７．０Ｖ、ＶＬｏｗ２＝２．３Ｖ、およびＶＬｏｗ１＝２．０Ｖである。
【００６６】
第２実施形態において、映像処理回路は、データ線駆動回路１４０に対して制御信号１ＯＮを出力する。制御信号１ＯＮは、制御の単位期間（フレームまたはフィールド）においてサブフィールドコードが最初にオンになるサブフィールドを示す信号である。具体的には、制御信号１ＯＮがＨレベルのときは、現サブフィールドが最初にオンになるサブフィールドであることを示し、Ｌレベルのときは現サブフィールドが最初にオンになるサブフィールドでないことを示す。
【００６７】
図１５は、第２実施形態に係るレベル変換回路２００の構成を示す図である。詳細な回路構成は省略するが、レベル変換回路２００は、ｎ個の５値セレクター２６０を有する。５値セレクター２６０は、データ線１１４に対応して設けられている。ｋ番目のデータ線１１４に対応する５値セレクター２６０は、極性信号Ｆｐ、制御信号１ＯＮ、およびデータ信号Ｄｋに応じて、電圧ＶＨｉｇｈ１、ＶＨｉｇｈ２、ＶＭｉｄ、ＶＬｏｗ１、およびＶＬｏｗ２の中から一の電圧を選択し、選択された電圧を出力する。具体的には、データ信号ＤｋがＬレベル（オフ）の場合、５値セレクター２６０は、電圧ＶＭｉｄを選択する。データ信号ＤｋがＨレベル（オン）であり極性信号ＦｐがＨレベル（正極性）である場合において、制御信号１ＯＮがＬレベル（最初にオンになるサブフィールドでない）のときは電圧ＶＨｉｇｈ１を選択し、制御信号１ＯＮがＨレベル（最初にオンになるサブフィールドである）のときは電圧ＶＨｉｇｈ２を選択する。データ信号ＤｋがＨレベル（オン）であり極性信号ＦｐがＬレベル（負極性）である場合において、制御信号１ＯＮがＬレベル（最初にオンになるサブフィールドでない）のときは電圧ＶＬｏｗ１を選択し、制御信号１ＯＮがＨレベル（最初にオンになるサブフィールドである）のときは電圧ＶＬｏｗ２を選択する。
【００６８】
図１６は、第２実施形態において液晶素子１２０に印加される電圧を例示する図である。図１６（Ａ）は最初にオンになるサブフィールドがＳＦ５である例を、図１６（Ｂ）は最初にオンになるサブフィールドがＳＦ６である例を、それぞれ示している。どのようなサブフィールドコードが与えられても、最初にオンになるサブフィールドにおいて低いオン電圧が印加される。このように、本実施形態によれば、電圧無印加の状態から急に高い電圧が印加されることが抑制される。したがって、配向不良の発生を低減することができる。なお、図１６では、各フィールドにおいて最初にオンになるサブフィールドで低いオン電圧が印加される例を説明したが、各フレームにおいて最初にオンになるサブフィールドのみ低いオン電圧が印加されてもよい。
【００６９】
４．変形例
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以下、変形例をいくつか説明する。以下の変形例のうち２つ以上のものが組み合わせて用いられてもよい。
【００７０】
第１実施形態および第２実施形態においては、対象となるサブフィールド期間のすべてにおいて通常よりも低いオン電圧を印加する例を説明した。この変形例においては、印加されるオン電圧は変化せず（上記の例では５．０Ｖ）、対象となるサブフィールド期間の一部においてオフ電圧を印加し、対象となるサブフィールド期間の実効値として、低いオン電圧が印加されるようにしてもよい。例えば、２ミリ秒の時間長を有するサブフィールドに対して１２０マイクロ秒の間、オフ電圧を印加すれば、実効値として印加されるオン電圧は４．７Ｖになる。この場合において、オフ電圧を印加する期間は、不連続な複数の期間に分割されてもよい。例えば、オフ電圧を印加する期間は、液晶がほとんど応答しない時間、具体的には、ＳＦ１〜ＳＦ１１の中で最も短いサブフィールドよりも短い時間長の期間であってもよい。このようにオフ期間を分割することにより、階調表現に与える影響を低減することができる。
【００７１】
第１実施形態の変形例として説明した変形例が、第２実施形態に対して適用されてもよい。
【００７２】
液晶表示装置１等のハードウェアの構成は実施形態で説明したものに限定されない。例えば、極性信号は、画像処理回路３０とは別の装置により生成されてもよい。別の例で、データ線駆動回路１４０の具体的構成は実施形態で説明したものと違う構成であってもよい。
また、実施形態では複数のサブフィールドは、時間長が異なるサブフィールドを含んでいたが、すべて時間長が同一であってもよい。さらに、１フレームを構成するサブフィールドの数は実施形態で説明したものに限定されず、これより多くても少なくてもよい。
【００７３】
液晶表示装置１を用いた電子機器１０００は、実施形態で例示したプロジェクターの他にも、テレビジョンや、ビューファインダー型・モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【００７４】
液晶１０５は、ＶＡ液晶に限定されない。ＴＮ液晶等、ＶＡ液晶以外の液晶が用いられてもよい。また、液晶１０５は、ノーマリーホワイトモードの液晶であってもよい。また、液晶以外の電気光学素子が用いられてもよい。
電気光学装置としては、実施形態で例示した液晶表示装置の他にも、ＥＰＤ（マイクロカプセル型電気泳動ディスプレイやＥＣＤ（エレクトロクロミックディスプレイ）等が挙げられる。
実施形態で説明したパラメーター（例えば、階調数、フレーム周波数、画素数、サブフィールド数など）および信号の極性やレベルはあくまで例示であり、本発明はこれに限定されない。
【符号の説明】
【００７５】
１…電気光学装置、２…光源、３…制御部、４…投射部、１０…制御回路、２０…走査制御回路、３０…画像処理回路、３１…記憶部、３２…極性信号生成部、３３…変換部、３４…出力部、５０…電圧生成回路、１００…液晶パネル、１０５…液晶、１０８…コモン電極、１１１…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１５…容量線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１２０…液晶素子、１２５…保持容量、１３０…走査線駆動回路、１４０…データ線駆動回路、１４１…シフトレジスター、１４２…ラッチ、１４３…ラッチ、２００…レベル変換回路、２１０…制御部、２１１…入力端子、２１２…入力端子、２１３…出力端子、２２０…制御部、２２１…入力端子、２２２…入力端子、２２３…出力端子、２３０…制御部、２３２…入力端子、２３３…出力端子、２４０…選択部、２４１…ＴＦＴ、２４２…ＴＦＴ、２４３…ＴＦＴ、２５０…ＮＯＴ回路、２６０…５値セレクター、３１１…ＬＵＴ、１０００…電子機器
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１】
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