(57)【要約】【課題】簡素化された且つ安価な構成でイメージセンサーの後段のアナログ処理部に入力される信号の電圧レベルを制限する。【解決手段】画像読取装置に、光源部と、イメージセンサーと、イメージセンサーから出力された第１アナログ信号の入力部と入力部に接続された第１の抵抗器と一端が第１の抵抗器に接続され他端がグランドに接続された第２の抵抗器とを備え第１アナログ信号を分圧して第２アナログ信号を生成する減衰部と、第２アナログ信号の直流電圧成分をカットして第３アナログ信号を生成するコンデンサーと、第３アナログ信号を増幅して第４アナログ信号を生成するアナログ処理部と、第４アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部を備える。減衰部の分圧比は、イメージセンサーから出力される可能性のある信号の振幅の最大値に対するアナログ処理部に入力可能な信号の振幅の最大値の比率以下である。【選択図】図５
2014027545.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
原稿に光を照射する光源部と、
前記光源部によって光が照射された原稿からの反射光を受光し、前記反射光の強度を電圧で表した第１アナログ信号を出力するイメージセンサーと、
前記第１アナログ信号が入力される入力部と、前記入力部に一端が接続された第１の抵抗器と、前記第１の抵抗器の他端に一端が接続され、他端がグランドに接続された第２の抵抗器とを備え、前記第１アナログ信号を前記第１の抵抗器と前記第２の抵抗器によって所定の分圧比で分圧することにより第２アナログ信号を生成する減衰部と、
前記減衰部により生成された第２アナログ信号に含まれる直流電圧成分をカットすることにより第３アナログ信号を生成するコンデンサーと、
前記第３アナログ信号を所定の増幅率で増幅して第４アナログ信号を生成するアナログ処理部と、
前記第４アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部と、を備え、
前記分圧比は、前記イメージセンサーから出力される可能性のあるアナログ信号の振幅の最大値に対する、前記アナログ処理部に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値の比率以下である画像読取装置。
【請求項２】
１又は複数の基板を更に備え、
前記減衰部と前記コンデンサーと前記アナログ処理部とが同一の前記基板上に設けられている請求項１に記載の画像読取装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の画像読取装置と、
前記Ａ／Ｄ変換部から出力されたデジタル信号を用いて画像形成を行う画像形成部と、
を備える画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、画像読取装置及び当該画像読取装置を備えた画像形成装置に関し、特に、イメージセンサーから出力されるアナログ信号の電圧レベルを制限する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、画像読取装置では、例えば図７に示すように、光源から照射された光束（図中の点線）をコンタクトガラス上に載置された原稿面で反射させ、反射光（図中の実線）の一部を反射ミラー及び集光レンズを介してＣＣＤ等のイメージセンサーに導き、イメージセンサーによって受光した光の強度を電圧で表すアナログ信号に変換することにより、読取位置に対応する画像データを生成する原稿の読取処理が行われている。そして、光源を副走査方向に移動させながら、又は、ＡＤＦ（Auto Document Feeder：自動給紙装置）によって原稿を副走査方向に搬送させながら、上記の一連の読取処理を繰り返し実行することによって、原稿全体に対応する画像データを形成し、原稿の読み取りを完了する。
【０００３】
しかしながら、例えば図８に示すように、貴金属類やクレジットカード等のように光沢のある立体物を原稿として読み取る場合には、光沢のある読み取り面が部分的に湾曲していること等に起因して、光源から照射された光が原稿面で正反射（鏡面反射）し、正反射光がイメージセンサーに入射されることがある。正反射光は、通常の平面の原稿に比して数倍の強度に及ぶことがあり、イメージセンサーから出力されるアナログ信号の電圧レベルが通常時の数倍に及ぶことがあった。
【０００４】
イメージセンサーの後段には、イメージセンサーから出力されたアナログ信号を、１画素毎にサンプリングして増幅するＡＦＥ（Analog-Front-End：アナログ・フロントエンド）回路が設けられている。このＡＦＥ回路の入力のダイナミックレンジは、近年の回路系の電源電圧が低下する傾向に伴って小さくなっている。このため、正反射光に対応する電圧レベルの高いアナログ信号がＡＦＥ回路に入力されると、ＡＦＥ回路において誤動作が生じ、読み取った画像に欠陥が生じるという問題があった。
【０００５】
この問題を解決するため、例えば下記特許文献１には、イメージセンサーとＡＦＥ回路との間に、イメージセンサーから出力される画像信号の黒レベル（上限値）をＡＦＥ回路の入力の黒レベルの限界値を超えないレベルに設定するクランプ回路、及びクランプ回路から出力された黒レベル設定後の画像信号のレベルを、ＡＦＥ回路の入力の白レベルの限界値（下限値）を超えないレベルに制限するリミッタ回路を設ける技術が記載されている。この技術によって、ＡＦＥ回路に入力される信号のレベルをＡＦＥ回路の入力のダイナミックレンジの範囲内に制限することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００６−２７０９０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記従来技術において、クランプ回路は、スイッチ、基準電圧源、トランジスタ及び抵抗を備えて構成され、リミッタ回路は、基準電圧源、３個のダイオード、トランジスタ、抵抗、及びコンデンサーを備えて構成されている。つまり、イメージセンサーとＡＦＥ回路（アナログ処理部）との間に、数多くの回路素子を備えた煩雑な構成の回路を設けなければならなかった。
【０００８】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、簡素化された構成であって、且つ、安価な構成で、イメージセンサーの後段に設けられたアナログ処理部に入力されるアナログ信号の電圧レベルを制限することができる画像読取装置及び当該画像読取装置を備えた画像形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る画像読取装置は、原稿に光を照射する光源部と、前記光源部によって光が照射された原稿からの反射光を受光し、前記反射光の強度を電圧で表した第１アナログ信号を出力するイメージセンサーと、前記第１アナログ信号が入力される入力部と、前記入力部に一端が接続された第１の抵抗器と、前記第１の抵抗器の他端に一端が接続され、他端がグランドに接続された第２の抵抗器とを備え、前記第１アナログ信号を前記第１の抵抗器と前記第２の抵抗器によって所定の分圧比で分圧することにより第２アナログ信号を生成する減衰部と、前記減衰部により生成された第２アナログ信号に含まれる直流電圧成分をカットすることにより第３アナログ信号を生成するコンデンサーと、前記第３アナログ信号を所定の増幅率で増幅して第４アナログ信号を生成するアナログ処理部と、前記第４アナログ信号をデジタル信号に変換するＡ／Ｄ変換部と、を備え、前記分圧比は、前記イメージセンサーから出力される可能性のあるアナログ信号の振幅の最大値に対する、前記アナログ処理部に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値の比率以下である。
【００１０】
この構成によれば、減衰部によって、イメージセンサーから出力された第１アナログ信号を所定の分圧比で分圧した第２アナログ信号が生成される。この分圧比は、イメージセンサーから出力される可能性のある第１アナログ信号の振幅の最大値に対するアナログ処理部に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値の比率以下である。したがって、減衰部から出力される第２アナログ信号の振幅の最大値は、アナログ処理部に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値以下に制限される。これによって、コンデンサーによって直流電圧成分がカットされた第３アナログ信号の振幅の最大値も、アナログ処理部に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値以下に制限される。
【００１１】
つまり、この構成によれば、２つの抵抗器によって構成された簡素化された構成であって、且つ、安価な構成で、イメージセンサーの後段のアナログ処理部に入力されるアナログ信号の電圧レベルを制限することができる。
【００１２】
また、１又は複数の基板を更に備え、前記減衰部と前記コンデンサーと前記アナログ処理部とが同一の前記基板上に設けられていることが好ましい。
【００１３】
この構成によれば、減衰部とコンデンサーとアナログ処理部とが同一の基板上に設けられているため、減衰部とコンデンサーとアナログ処理部とを異なる基板上に設ける場合に比して、減衰部からアナログ処理部までの距離が比較的近距離になるように各部を配置させることができる。これによって、第２アナログ信号及び第３アナログ信号に重畳されるノイズを比較的低減することができる。
【００１４】
また、本発明に係る画像形成装置は、前記画像読取装置と、前記Ａ／Ｄ変換部から出力されたデジタル信号を用いて画像形成を行う画像形成部と、を備える。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、簡素化された構成であって、且つ、安価な構成で、イメージセンサーの後段に設けられたアナログ処理部に入力されるアナログ信号の電圧レベルを制限することができる画像読取装置及び当該画像読取装置を備えた画像形成装置を提供することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明に係る画像読取装置を備えた画像形成装置の一例としての複合機の構成の一例を示す構成図。
【図２】原稿給紙部及び画像読取装置の構成の一例を示す構成図。
【図３】画像読取装置の電気的構成の一例を示すブロック図。
【図４】ＣＣＤの動作を説明するための信号波形図。
【図５】分圧回路の構成の一例を示す構成図。
【図６】（Ａ）は、ＣＣＤから出力されるアナログ信号の信号波形と分圧回路から出力されるアナログ信号の信号波形を示す説明図である。（Ｂ）は、コンデンサーから出力されるアナログ信号の信号波形を示す説明図である。
【図７】原稿の読み取り動作の一例を示す説明図。
【図８】原稿の読み取り時にイメージセンサーに正反射光が入射される態様の一例を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明に係る実施形態を図面に基づいて説明する。図１は、本発明に係る画像読取装置を備えた画像形成装置の一例である複合機の構成の一例を示す構成図である。
【００１８】
図１に示すように、複合機１は、コピー機能、プリンター機能、スキャナー機能及びファクシミリ機能等の複数の機能を兼ね備えている。複合機１は、本体部２と、本体部２の左方に設けられたスタックトレイ３と、ユーザーが種々の操作指令等を入力するための操作部３６と、本体部２の上部に配設された画像読取装置４と、画像読取装置４の上方に配設された原稿給紙部５とを備えている。
【００１９】
本体部２は、複数の給紙カセット２３と、給紙カセット２３から記録紙を１枚ずつ繰り出して画像形成部２５へ搬送する給紙ローラ２４と、給紙カセット２３から搬送されてきた記録紙に画像を形成する画像形成部２５とを備えている。
【００２０】
画像形成部２５は、後述する画像読取装置４で取得された画像データに基づいてレーザー光等を出力して、感光体ドラム２６を露光する光学ユニット２７と、感光体ドラム２６上にトナー像を形成する現像部２８とを備えている。画像形成部２５は、更に、感光体ドラム２６上のトナー像を記録紙に転写する転写部２９と、トナー像が転写された記録紙を加熱してトナー像を記録紙に定着させる一対のローラー３０及び３１からなる定着装置３２とを備えている。画像形成部２５は、更に、画像形成部２５内の用紙搬送路中に設けられ、記録紙をスタックトレイ３又は排出トレイ３３まで搬送する搬送ローラー対３４及び３５を備えている。
【００２１】
操作部３６は、ユーザーが複合機１に備えられた各種機能の実行指示を入力するためのスタートキー３６１と、印刷部数等を入力するためのテンキー３６２と、タッチパネル機能を有する液晶ディスプレイ等、各種情報を表示する表示部３６３を備えている。また、操作部３６は、表示部３６３で設定された設定内容等をリセットするリセットキー３６４と、実行中の印刷（画像形成）動作を停止させるためのストップキー３６５と、コピー機能、プリンター機能、スキャナー機能及びファクシミリ機能を切り換えるための機能切換キー３６６とを備えている。
【００２２】
図２は、原稿給紙部５及び画像読取装置４の構成の一例を示す構成図である。図２に示すように、原稿給紙部５は、原稿トレイ５１、給紙ローラー５２、搬送ドラム５３、排紙ローラー５４及び排紙トレイ５５を備え、ＡＤＦ（Auto Document Feeder：自動給紙装置）を構成している。原稿トレイ５１に載置された原稿は１枚ずつ給紙ローラー５２によって取り込まれて搬送ドラム５３へ搬送される。搬送ドラム５３を経由した原稿は排紙ローラー５４によって排紙トレイ５５へ排出される。
【００２３】
画像読取装置４は、原稿の画像を光学的に取得して画像信号を出力する。画像読取装置４は、例えば図２に示すように、コンタクトガラス４１１、光源（光源部）４２、第１ミラー４３１、第２ミラー４３２、第３ミラー４３３、第１キャリッジ４６、第２キャリッジ４７、集光レンズ４８、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）（イメージセンサー）４９を備えている。
【００２４】
コンタクトガラス４１１は、読み取る対象の原稿が載置される場所である。光源４２及び第１ミラー４３１は第１キャリッジ４６によって支持され、第２ミラー４３２及び第３ミラー４３３は第２キャリッジ４７によって支持されている。
【００２５】
画像読取装置４では、コンタクトガラス４１１上に載置された原稿を読み取るフラットベッド読取モードと、原稿給紙部５によって原稿を搬送させ、搬送途中で原稿を読み取るＡＤＦ読取モードの、２種類のモード（方法）によって原稿を読み取ることが可能になっている。
【００２６】
フラットベッド読取モードでは、光源４２によって、コンタクトガラス４１１上に載置された原稿における読取対象の主走査方向に延びる１ライン（読取対象ライン）に向けて光を照射させる。そして、読取対象ラインからの反射光が、第１ミラー４３１、第２ミラー４３２、第３ミラー４３３の順に反射して、集光レンズ４８に入射される。集光レンズ４８に入射された光は、集光されてＣＣＤ４９に出射される。ＣＣＤ４９は、受光した光を光電変換する。
【００２７】
ＣＣＤ４９は、一次元のイメージセンサーであり、１ライン分の原稿の画像を同時に処理して、受光した光の強度を電圧で表したアナログ信号を出力する。１ライン分の読み取りが終了すると、原稿の主走査方向（紙面に対して垂直方向）と直交する方向（副走査方向、矢印Ｙ方向）に第１キャリッジ４６及び第２キャリッジ４７が移動され、次のラインの読み取りが行われる。
【００２８】
一方、ＡＤＦ読取モードでは、原稿トレイ５１に載置された原稿が給紙ローラー５２により１枚ずつ取り込まれ、原稿が搬送ドラム５３から排紙トレイ５５への搬送経路に設けられた読取窓４１０とガイド板５９の隙間部を通過するときに、光源４２によって読取窓４１０を介して原稿の読取対象ラインに光を照射させる。読取対象ラインからの反射光は、第１ミラー４３１、第２ミラー４３２、第３ミラー４３３の順に反射して、集光レンズ４８に入射される。集光レンズ４８に入射された光は、集光されてＣＣＤ４９に出射される。ＣＣＤ４９は、受光した光を光電変換する。１ライン分の読み取りが終了すると、原稿は原稿給紙部５によって副走査方向に搬送され、次のラインが読み取られる。
【００２９】
次に、画像読取装置４の電気的な構成について説明する。図３は、画像読取装置４の電気的構成の一例を示すブロック図である。
【００３０】
図３に示すように、画像読取装置４は、光源４２、集光レンズ４８、ＣＣＤ４９、制御部６、記憶部７、同期信号生成回路９０、分圧回路（減衰部）９１、コンデンサー９２、ＡＦＥ回路（アナログ処理部）９３、Ａ／Ｄ変換回路（Ａ／Ｄ変換部）９４、シェーディング補正回路９５、及び画像処理回路９６を備えている。以下、図１及び図２と同じ符号を付した部分については、特筆しない限り、説明を省略する。
【００３１】
制御部６は、例えば、所定の演算処理を実行するＣＰＵ（Central Processing Unit）、所定の制御プログラムが記憶されたＲＯＭ（Read Only Memory）やデータを一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）等のメモリー、及び、これらの周辺回路等を備えている。
【００３２】
制御部６は、ＲＯＭ等に記憶された制御プログラムをＣＰＵによって実行することによって各種処理を実行し、複合機１全体の動作を制御する。制御部６は、複数の機能を実行する処理部として構成されており、特に、画像読取装置４に関わる機能を実行する処理部には、撮像制御部６１、光源制御部６２及び駆動制御部６３が含まれている。
【００３３】
撮像制御部６１は、ＣＣＤ４９、ＡＦＥ回路９３、Ａ／Ｄ変換回路９４及びシェーディング補正回路９５等の撮像系の回路を動作制御する。撮像制御部６１は、後述の各種タイミング信号の送出指示を同期信号生成回路９０に送出する。
【００３４】
光源制御部６２は、光源４２による光の照射のオン／オフを駆動制御する。また、光源制御部６２は、光源４２から照射させる光の光量を制御する。
【００３５】
駆動制御部６３は、フラットベッド読取モード時に、第１キャリッジ４６及び第２キャリッジ４７を副走査方向に移動させるべく、図略の第１キャリッジ４６及び第２キャリッジ４７の駆動用のモーターを制御する。また、駆動制御部６３は、ＡＤＦ読取モード時には、原稿給紙部５による原稿の搬送動作を制御する。
【００３６】
記憶部７は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable and Programmable Read Only Memory）等の不揮発性の記憶素子を用いて構成されている。記憶部７には、例えば、シェーディング補正回路９５におけるシェーディング補正に用いる各種補正値等の制御に用いる各種設定値が記憶されている。
【００３７】
同期信号生成回路９０は、ＣＣＤ４９及びＡＦＥ回路９３を動作させるための周期信号、具体的には、クロック信号ＣＬＫ、リセット信号ＲＳ、及びクランプ信号ＣＬＰや、Ａ／Ｄ変換回路９４を動作させるためのＡ／Ｄクロック信号ＡＤＣ等、撮像系の回路による一連の動作のタイミング制御に必要なタイミング信号を生成して出力する。
【００３８】
ＣＣＤ４９は、原稿からの反射光を受光して光電変換し、光の強度を電圧で表したアナログ信号（第１アナログ信号）Ａ１を出力する。
【００３９】
図４は、ＣＣＤ４９の動作を説明するための信号波形図である。図４に示すように、先ず、同期信号生成回路９０から入力されたクロック信号ＣＬＫ及びリセット信号ＲＳがハイレベルになると、ＣＣＤ４９は、蓄積されている電荷の吐き出しを開始する。これによって、ＣＣＤ４９から出力されるアナログ信号Ａ１の電圧レベルが上昇する。次に、リセット信号ＲＳがローレベルになり、クランプ信号ＣＬＰがハイレベルになると、アナログ信号Ａ１の電圧レベルが略一定のクランプレベルに維持される。
【００４０】
そして、クランプ信号ＣＬＰがローレベルになるとアナログ信号Ａ１が低下する。ここで、アナログ信号Ａ１が低下した最低点とクランプレベルとの差が、１画素分の濃度を示すようになっている。次に、再びクロック信号ＣＬＫとリセット信号ＲＳとがハイレベルになると、ＣＣＤ４９は、次の画素の蓄積電荷の吐き出しを開始し、以下、同様の動作を繰り返す。
【００４１】
図３に戻り、分圧回路９１は、ＣＣＤ４９から出力されたアナログ信号Ａ１を所定の分圧比で分圧することにより、アナログ信号（第２アナログ信号）Ａ２を生成する。分圧回路９１の詳細については後述する。
【００４２】
コンデンサー９２は、分圧回路９１から出力されたアナログ信号Ａ２に含まれる直流電圧成分をカットすることにより、アナログ信号（第３アナログ信号）Ａ３を生成する。
【００４３】
ＡＦＥ回路９３は、同期信号生成回路９０から出力される各種タイミング信号と同期を取り、コンデンサー９２から出力されたアナログ信号Ａ３を１画素毎にサンプル／ホールドし、当該１画素毎にサンプル／ホールドしたアナログ信号を所定の増幅率で増幅して、アナログ信号（第４アナログ信号）Ａ４を生成する。尚、増幅率は、試験運転等の実験値に基づいて、アナログ信号Ａ４の電圧が、後段のＡ／Ｄ変換回路９４におけるアナログ信号をデジタル信号に変換するために適切な電圧値になるように、予め定められている。
【００４４】
Ａ／Ｄ変換回路９４は、同期信号生成回路９０から出力されるＡ／Ｄクロック信号ＡＤＣと同期を取りながら、ＡＦＥ回路９３から出力されたアナログ信号Ａ４を１画素毎にデジタル信号Ｄ１に変換する。
【００４５】
シェーディング補正回路９５は、Ａ／Ｄ変換回路９４によって変換されたデジタル信号Ｄ１によって表される画像データを、予め記憶部７に記憶された光源４２の配向特性及びＣＣＤ４９の画素毎の感度バラツキ等の補正値に基づいてシェーディング補正して、シェーディング補正後の画像データＤ２を制御部６及び画像処理回路９６に出力する。
【００４６】
画像処理回路９６は、シェーディング補正後の画像データＤ２に対して、ＭＴＦ（Modulation Transfer Function）補正、エッジ強調、変倍、２値化等の画像処理を行う。画像処理回路９６は、画像処理を行った後の画像データＤ３を、画像形成部２５に出力する。
【００４７】
次に、分圧回路９１について詳述する。図５は、分圧回路９１の構成の一例を示す構成図である。分圧回路９１は、図５に示すように、コンデンサー９２及びＡＦＥ回路９３が設けられている回路基板（基板）Ｂと同一の基板に設けられている。
【００４８】
分圧回路９１は、ＣＣＤ４９から出力されたアナログ信号Ａ１が入力される入力端子（入力部）Ｔ１と、入力端子Ｔ１に一端が接続された抵抗器（第１の抵抗器）Ｒ１と、抵抗器Ｒ１の他端に一端が接続され、他端がグランドに接続された抵抗器（第２の抵抗器）Ｒ２とを備えている。尚、分圧回路９１は、入力端子Ｔ１に代えて、回路基板Ｂの入力端子Ｔ０に接続された配線パターンを入力部として備えていてもよい。
【００４９】
分圧回路９１は、抵抗器Ｒ１の抵抗値ｒ１と抵抗器Ｒ２の抵抗値ｒ２によって定まる所定の分圧比ＤＲで、ＣＣＤ４９から出力されたアナログ信号Ａ１を分圧し、当該分圧したアナログ信号Ａ２をコンデンサー９２に出力する。尚、分圧比ＤＲは、以下の式（１）で表される。
ＤＲ＝ｒ２／（ｒ１＋ｒ２）・・・式（１）
【００５０】
分圧比ＤＲは、具体的には、ＣＣＤ４９から出力されるアナログ信号Ａ１の振幅の最大値ＡＭ１と、ＡＦＥ回路９３に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値ＡＭ２と、を用いて、以下の式（２）を満たすように予め定められている。
ＤＲ  ≦  ＡＭ２／ＡＭ１・・・式（２）
【００５１】
ここで、ＣＣＤ４９から出力されるアナログ信号Ａ１の振幅の最大値ＡＭ１は、例えば、ＣＣＤ４９の仕様上定められた出力電圧範囲の最大値である。ＡＦＥ回路９３に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値ＡＭ２は、例えば、ＡＦＥ回路９３の仕様上定められた入力振幅範囲の最大値である。
【００５２】
つまり、分圧回路９１は、以下の式（３）を満たす、抵抗値ｒ１を有する抵抗器Ｒ１と、抵抗値ｒ２を有する抵抗器Ｒ２と、を備えて構成されている。
ｒ２／（ｒ１＋ｒ２）  ≦  ＡＭ２／ＡＭ１・・・式（３）
【００５３】
図６（Ａ）は、ＣＣＤ４９から出力されるアナログ信号Ａ１の信号波形Ｗ１と分圧回路９１から出力されるアナログ信号Ａ２の信号波形Ｗ２を示す説明図である。図６（Ｂ）は、コンデンサー９２から出力されるアナログ信号Ａ３の信号波形Ｗ３，Ｗ４を示す説明図である。
【００５４】
例えば、図６（Ａ）に示すように、分圧回路９１は、信号波形Ｗ１で表されるアナログ信号Ａ１が入力されると、上記式（１）で表される所定の分圧比ＤＲによってアナログ信号Ａ１を分圧して、信号波形Ｗ２で表されるアナログ信号Ａ２をコンデンサー９２に出力する。つまり、分圧回路９１は、信号波形Ｗ２で表されるアナログ信号Ａ２の振幅が、ＡＦＥ回路９３に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値ＡＭ２を超えないように、アナログ信号Ａ１を分圧する。コンデンサー９２は、入力されたアナログ信号Ａ２の直流電圧成分をカットして、図６（Ｂ）に示すように、信号波形Ｗ３で表されるアナログ信号Ａ３をＡＦＥ回路９３に出力する。このようにして、ＡＦＥ回路９３には、信号波形Ｗ３で表される、ＡＦＥ回路９３に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値ＡＭ２を超えない振幅のアナログ信号Ａ３が入力される。
【００５５】
これに対して、例えば分圧回路９１を設けることなく、ＣＣＤ４９から出力されたアナログ信号Ａ１をコンデンサー９２に入力した場合には、コンデンサー９２は、入力されたアナログ信号Ａ２の直流電圧成分をカットして、図６（Ｂ）に示すように、例えば信号波形Ｗ４で表されるアナログ信号Ａ３をＡＦＥ回路９３に出力することになる。つまり、ＡＦＥ回路９３には、ＡＦＥ回路９３に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値ＡＭ２を超える振幅のアナログ信号Ａ３が入力されることとなり、ＡＦＥ回路９３を誤動作させる虞が生じる。
【００５６】
このように、上記実施形態の構成によれば、分圧回路９１によって、ＣＣＤ４９から出力されたアナログ信号Ａ１を所定の分圧比ＤＲで分圧したアナログ信号Ａ２が生成される。この分圧比ＤＲは、ＣＣＤ４９から出力される可能性のあるアナログ信号Ａ１の振幅の最大値ＡＭ１に対するＡＦＥ回路９３に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値ＡＭ２の比率以下である。したがって、分圧回路９１から出力されるアナログ信号Ａ２の振幅の最大値は、ＡＦＥ回路９３に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値ＡＭ２以下に制限される。これによって、コンデンサー９２によって直流電圧成分がカットされたアナログ信号Ａ３の振幅の最大値も、ＡＦＥ回路９３に入力可能なアナログ信号の振幅の最大値ＡＭ２以下に制限される。
【００５７】
つまり、上記実施形態の構成によれば、２つの抵抗器Ｒ１，Ｒ２によって構成された簡素化された構成であって、且つ、安価な構成で、ＣＣＤ４９の後段のＡＦＥ回路９３に入力されるアナログ信号の電圧レベルを制限することができる。
【００５８】
また、上記実施形態の構成によれば、分圧回路９１とコンデンサー９２とＡＦＥ回路９３とが同一の回路基板Ｂ上に設けられているため、分圧回路９１とコンデンサー９２とＡＦＥ回路９３とを異なる回路基板上に設ける場合に比して、分圧回路９１からＡＦＥ回路９３までの距離が比較的近距離になるように各部９１〜９３を配置させることができる。これによって、アナログ信号Ａ２及びアナログ信号Ａ３に重畳されるノイズを比較的低減することができる。
【００５９】
尚、本発明に係る画像形成装置は、上記の複合機１に適用される場合の他、コピー機、スキャナー装置、及びファクシミリ装置等の画像形成装置に適用することが可能である。また、上記実施形態において図１乃至図８に示した構成は単なる一例に過ぎず、本発明を当該実施形態に限定する趣旨ではない。
【００６０】
例えば、分圧回路９１を、コンデンサー９２及びＡＦＥ回路９３とは異なる回路基板上に設けるように構成してもよい。
【符号の説明】
【００６１】
１        ：複合機（画像形成装置）
４        ：画像読取装置
５        ：原稿給紙部
６        ：制御部
７        ：記憶部
２５      ：画像形成部
４２      ：光源（光源部）
４６      ：第１キャリッジ
４７      ：第２キャリッジ
４８      ：集光レンズ
４９      ：ＣＣＤ
６１      ：撮像制御部
６２      ：光源制御部
６３      ：駆動制御部
９０      ：同期信号生成回路
９１      ：分圧回路（減衰部）
９２      ：コンデンサー
９３      ：ＡＦＥ回路（アナログ処理部）
９４      ：Ａ／Ｄ変換回路（Ａ／Ｄ変換部）
９５      ：シェーディング補正回路
９６      ：画像処理回路
Ａ１      ：アナログ信号（第１アナログ信号）
Ａ２      ：アナログ信号（第２アナログ信号）
Ａ３      ：アナログ信号（第３アナログ信号）
Ａ４      ：アナログ信号（第４アナログ信号）
ＡＭ１    ：ＣＣＤ（イメージセンサー）から出力されるアナログ信号の振幅の最大値
ＡＭ２    ：ＡＦＥ回路（アナログ処理部）に入力されるアナログ信号の振幅の最大値
Ｂ        ：回路基板（基板）
ＤＲ      ：分圧比
Ｒ１      ：抵抗器（第１の抵抗器）
Ｒ２      ：抵抗器（第２の抵抗器）
Ｔ１      ：入力端子（入力部）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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