(57)【要約】【課題】回路の集積度を向上させることができるとともに、生産効率性を向上させることができるコアレス基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明のコアレス基板の製造方法は、（Ａ）バリア板の一方向に第１回路層と第１ピラーを順次に備えた少なくとも一つのバリア板構造体を準備する段階と、（Ｂ）キャリア基板の一面または両面に備えられた第１絶縁層に、前記第１ピラーに対応して前記バリア板構造体を圧着する段階と、（Ｃ）前記バリア板を除去し、前記第１回路層に連結された第２ピラーを形成する段階と、（Ｄ）前記第２ピラーを埋め込む第２絶縁層を形成する段階と、（Ｅ）前記キャリア基板を分離する段階と、（Ｆ）前記第１絶縁層と第２絶縁層を平坦化する段階と、（Ｇ）前記第２ピラーが露出した第２絶縁層の外部面または前記第１ピラーが露出した第１絶縁層の外部面に、他の回路層と他のピラーを順次に含む他の絶縁層を多数積層する段階と、を含むものである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの第１ピラーを含む第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の一面または両面方向に、少なくとも一つの回路層及び前記回路層に連結された少なくとも一つの他のピラーをそれぞれ含んで積層された多数の絶縁層と、
前記多数の絶縁層のうち最外部絶縁層に備えられた最外部ピラーに接する多数の最外部回路層と、を含むコアレス基板。
【請求項２】
前記回路層は、前記第１ピラーを基準として前記第１ピラーの両面方向に対称に備えられる請求項１に記載のコアレス基板。
【請求項３】
前記回路層と他のピラーは、前記第１ピラーに接する回路層及び前記回路層に連結されたピラーの順に順次に繰り返して備えられる請求項１に記載のコアレス基板。
【請求項４】
（Ａ）バリア板の一方向に第１回路層と第１ピラーを順次に備えた少なくとも一つのバリア板構造体を準備する段階と、
（Ｂ）キャリア基板の一面または両面に備えられた第１絶縁層に、前記第１ピラーに対応して前記バリア板構造体を圧着する段階と、
（Ｃ）前記バリア板を除去し、前記第１回路層に連結された第２ピラーを形成する段階と、
（Ｄ）前記第２ピラーを埋め込む第２絶縁層を形成する段階と、
（Ｅ）前記キャリア基板を分離する段階と、
（Ｆ）前記第１絶縁層と第２絶縁層を平坦化する段階と、
（Ｇ）前記第２ピラーが露出した第２絶縁層の外部面または前記第１ピラーが露出した第１絶縁層の外部面に、他の回路層と他のピラーを順次に含む他の絶縁層を多数積層する段階と、を含むコアレス基板の製造方法。
【請求項５】
前記（Ａ）段階は、
（Ａ−１）前記バリア板の一面にドライフィルムを積層し、露光及び現像処理することにより、多数の開口部を有するドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ａ−２）前記ドライフィルムパターンに銅を充填して回路層を形成する段階と、
（Ａ−３）前記回路層が備えられたバリア板の面にピラー形成用ドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ａ−４）前記ピラー形成用ドライフィルムパターンに銅を充填し、前記ピラー形成用ドライフィルムパターンを剥離することにより、前記第１ピラーを形成する段階と、を含む請求項４に記載のコアレス基板の製造方法。
【請求項６】
前記（Ｃ）段階は、
（Ｃ−１）エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）またはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃｌａ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により前記バリア板を除去する段階と、
（Ｃ−２）前記第１絶縁層に第２ピラー用ドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ｃ−３）前記第２ピラー用ドライフィルムパターンに銅を充填し、前記第２ピラー用ドライフィルムパターンを剥離することにより、前記第２ピラーを形成する段階と、を含む請求項４に記載のコアレス基板の製造方法。
【請求項７】
前記（Ｄ）段階で、未硬化フィルム状態の前記第２絶縁層をラミネーター（ｌａｍｉｎａｔｏｒ）を用いて前記第２ピラーに圧着する請求項４に記載のコアレス基板の製造方法。
【請求項８】
前記（Ｅ）段階で、前記キャリア基板は、絶縁板及び前記絶縁板の一面または両面に積層された少なくとも一つの銅箔を含み、前記キャリア基板をルーティングして分離する請求項４に記載のコアレス基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｇ）段階は、
（Ｇ−１）前記第２ピラーが露出した第２絶縁層の外部面または前記第１ピラーが露出した第１絶縁層の外部面に、前記他の回路層を形成する段階と、
（Ｇ−２）前記他の回路層に、他のピラー形成用ドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ｇ−３）前記他のピラー形成用ドライフィルムパターンに銅を充填して、前記他の回路層に連結された前記他のピラーを形成する段階と、
（Ｇ−４）前記他のピラー形成用ドライフィルムパターンを剥離する段階と、
（Ｇ−５）ラミネーター（ｌａｍｉｎａｔｏｒ）を用いて、前記他のピラーに対応して前記他の絶縁層を積層する段階と、
（Ｇ−６）前記他のピラーを露出するために前記他の絶縁層を平坦化する段階と、を含み、
前記（Ｇ−１）段階から（Ｇ−６）段階を繰り返して遂行する請求項４に記載のコアレス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コアレス基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、プリント回路基板は、各種熱硬化性合成樹脂からなるボードの一面または両面に銅箔で配線した後、ボード上にＩＣまたは電子部品を配置固定し、これらの間の電気的配線を具現して絶縁体でコーティングしたものである。
【０００３】
最近、電子産業の発達に伴い、電子部品の高機能化、軽薄短小化に対する要求が急増しており、これにより、このような電子部品が搭載されるプリント回路基板も高密度配線化及び薄板化が求められている。
【０００４】
特に、プリント回路基板の薄板化に応えるべく、コア基板を除去して全体的な厚さを減らし、信号処理時間を短縮することができるコアレス基板が注目されている。コアレス基板の場合、コア基板を用いないため、製造工程中に支持体の機能を遂行することができるキャリア部材が必要である。キャリア部材の両面に、通常の基板製造方法に従って回路層及び絶縁層を含むビルドアップ層を形成した後、キャリア部材を除去することにより、上部基板と下部基板とに分離させて、コアレス基板を完成する。
【０００５】
従来のコアレス基板の製造方法は、特許文献１に記載されたように、各ビルドアップ層の電気的連結のためのビアを備えており、このようなビアを形成するための前段階として、絶縁層に開口部を形成するためにＬＤＡ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｒｅｃｔ  Ａｂｌａｔｉｏｎ）法を遂行している。
【０００６】
しかし、このようなＬＤＡ法は、レーザスポットサイズの制限により、開口部のサイズが大きい場合には加工時間が長くなるという問題点があった。
【０００７】
また、従来のコアレス基板の製造方法は、複数回のレーザ加工を行わなければならないため、工程が複雑で、コストが増加するという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１０−００４３５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記の問題点を解消するために、本発明の目的は、ドライフィルムを用いてビルドアップ層の電気的連結をなす多数のピラーを備えるコアレス基板を提供することにある。
【００１０】
上記の問題点を解消するために、本発明の他の目的は、ドライフィルムを用いてビルドアップ層の電気的連結をなす多数のピラーを備えるコアレス基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施例によるコアレス基板は、少なくとも一つの第１ピラーを含む第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一面または両面方向に、少なくとも一つの回路層と前記回路層に連結された少なくとも一つの他のピラーをそれぞれ含んで積層された多数の絶縁層と、前記多数の絶縁層のうち最外部絶縁層に備えられた最外部ピラーに接する多数の最外部回路層と、を含む。
【００１２】
本発明の一実施例によるコアレス基板において、前記回路層は、前記第１ピラーを基準として前記第１ピラーの両面方向に対称に備えられる。
【００１３】
本発明の一実施例によるコアレス基板において、前記回路層と他のピラーは、前記第１ピラーに接する回路層及び前記回路層に連結されたピラーの順に順次に繰り返して備えられる。
【００１４】
また、本発明の他の実施例によるコアレス基板の製造方法は、（Ａ）バリア板の一方向に第１回路層と第１ピラーを順次に備えた少なくとも一つのバリア板構造体を準備する段階と、（Ｂ）キャリア基板の一面または両面に備えられた第１絶縁層に、前記第１ピラーに対応して前記バリア板構造体を圧着する段階と、（Ｃ）前記バリア板を除去し、前記第１回路層に連結された第２ピラーを形成する段階と、（Ｄ）前記第２ピラーを埋め込む第２絶縁層を形成する段階と、（Ｅ）前記キャリア基板を分離する段階と、（Ｆ）前記第１絶縁層と第２絶縁層を平坦化する段階と、（Ｇ）前記第２ピラーが露出した第２絶縁層の外部面または前記第１ピラーが露出した第１絶縁層の外部面に、他の回路層と他のピラーを順次に含む他の絶縁層を多数積層する段階と、を含む。
【００１５】
本発明の他の実施例によるコアレス基板の製造方法において、前記（Ａ）段階は、（Ａ−１）前記バリア板の一面にドライフィルムを積層（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）し、露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）及び現像（ｄｅｖｅｌｏｐ）処理することにより、多数の開口部を有するドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ａ−２）前記ドライフィルムパターンに銅を充填して回路層を形成する段階と、（Ａ−３）前記回路層が備えられたバリア板の面にピラー形成用ドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ａ−４）前記ピラー形成用ドライフィルムパターンに銅を充填し、前記ピラー形成用ドライフィルムパターンを剥離することにより、前記第１ピラーを形成する段階と、を含む。
【００１６】
本発明の他の実施例によるコアレス基板の製造方法において、前記（Ｃ）段階は、（Ｃ−１）エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）またはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃｌａ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法により前記バリア板を除去する段階と、（Ｃ−２）前記第１絶縁層に第２ピラー用ドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ｃ−３）前記第２ピラー用ドライフィルムパターンに銅を充填し、前記第２ピラー用ドライフィルムパターンを剥離することにより、前記第２ピラーを形成する段階と、を含む。
【００１７】
本発明の他の実施例によるコアレス基板の製造方法において、前記（Ｄ）段階は、未硬化フィルム状態の前記第２絶縁層をラミネーター（ｌａｍｉｎａｔｏｒ）を用いて前記第２ピラーに圧着する。
【００１８】
本発明の他の実施例によるコアレス基板の製造方法において、前記（Ｅ）段階で、前記キャリア基板は、絶縁板及び前記絶縁板の一面または両面に積層された少なくとも一つの銅箔を含み、前記キャリア基板をルーティングして分離する。
【００１９】
本発明の他の実施例によるコアレス基板の製造方法において、前記（Ｇ）段階は、（Ｇ−１）前記第２ピラーが露出した第２絶縁層の外部面または前記第１ピラーが露出した第１絶縁層の外部面に、前記他の回路層を形成する段階と、（Ｇ−２）前記他の回路層に、他のピラー形成用ドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ｇ−３）前記他のピラー形成用ドライフィルムパターンに銅を充填して、前記他の回路層に連結された前記他のピラーを形成する段階と、（Ｇ−４）前記他のピラー形成用ドライフィルムパターンを剥離する段階と、（Ｇ−５）ラミネーター（ｌａｍｉｎａｔｏｒ）を用いて、前記他のピラーに対応して前記他の絶縁層を積層する段階と、（Ｇ−６）前記他のピラーを露出するために前記他の絶縁層を平坦化する段階と、を含み、前記（Ｇ−１）段階から（Ｇ−６）段階を繰り返して遂行する。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によるコアレス基板は、キャリア基板及びドライフィルムを用いて多数の絶縁層からなるビルドアップ層構造を具現し、ビルドアップ層の電気的連結のための多数の回路層及びピラーを対称的に備えることにより、回路の集積度を向上させることができる効果がある。
【００２１】
本発明によるコアレス基板の製造方法は、キャリア基板及びドライフィルムを用いて多層構造のコアレス基板を大量生産することができるため、生産効率性を向上させることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施例によるコアレス基板の断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｃ】本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｄ】本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｅ】本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｆ】本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｇ】本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｈ】本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図２Ｉ】本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図３】本発明の第２実施例によるコアレス基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００２４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００２５】
図１は、本発明の第１実施例によるコアレス基板の断面図である。
【００２６】
ここで、本発明の第１実施例によるコアレス基板は、例として、四つの絶縁層と五つの回路層を有するコアレス基板に具現して説明する。勿論、五つ以上の回路層を有する多層構造のコアレス基板に適用することもできる。
【００２７】
図１に図示されたように、本発明の第１実施例によるコアレス基板は、第１絶縁層１３０と、第２絶縁層１５０と、第３絶縁層１７０と、第４絶縁層１８０と、を備えており、第２絶縁層１５０を基準として、第２回路層１１４、第３ピラー１１６及び最上部回路層１１８がそれぞれ、第１回路層１１１、第１ピラー１１２及び第３回路層１１５に対称的に備えられる。
【００２８】
このような第１実施例によるコアレス基板は、最下部回路層１１９から最上部回路層１１８まで各絶縁層に備えられた回路層の間を電気的に連結する四つのピラー（ｐｉｌｌａｒ）１１２、１１３、１１６、１１７を含む。
【００２９】
また、第１実施例によるコアレス基板は、選択的に、最下部回路層１１９の一部または最上部回路層１１８の一部に、酸化防止及び半田付けを向上させるための第１表面処理膜、または最下部回路層１１９または最上部回路層１１８の電気伝導度を高めて外部素子との接続信頼性を向上させるための第２表面処理膜をさらに形成することもできる。
【００３０】
例えば、第１表面処理膜は、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つの膜に形成することが好ましい。特に、ＯＳＰ処理膜は、有機溶剤型と水溶性に区分され、有機溶剤型はロールコーティング（Ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコーティング（Ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）などを用いて最下部回路層１１９または最上部回路層１１８の表面に形成することができ、水溶性はディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）法を用いて形成することができる。
【００３１】
また、第２表面処理膜は、例えば、無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）膜であり、無電解メッキ工程でニッケルをメッキした後、置換型金（Ｉｍｅｒｓｉｏｎ  ｇｏｌｄ）をメッキして形成することができる。
【００３２】
これにより、第１実施例によるコアレス基板は、回路層を備えず第２ピラー１１３のみを備えた第２絶縁層１５０のような少なくとも一つの絶縁層を含むことができ、このような絶縁層を基準として、上、下の厚さ方向に積層された多数の絶縁層構造で多数の回路層とピラーが互いに対向して対称的に備えることができる。
【００３３】
このような本発明の第１実施例によるコアレス基板は、キャリア基板とドライフィルムを用いて多数の絶縁層からなるビルドアップ層構造に具現し、ビルドアップ層の電気的連結のための多数の回路層とピラーを対称的に備えることを特徴とする。
【００３４】
従って、レーザを用いて形成されていた従来のビアに代えて、電気的連結のためのピラーを容易に形成することができるため、本発明の第１実施例によるコアレス基板は、製造コストを低減し、回路の集積度を向上させることができる。
【００３５】
以下、本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法について、図２Ａから図２Ｉを参照して説明する。
【００３６】
図２Ａから図２Ｉは、本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００３７】
図２Ａに図示されたように、本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法は、まず、上部バリア板１１０と下部バリア板１２０のそれぞれの一面に、回路層及びピラーを形成する。
【００３８】
具体的には、上部バリア板１１０及び下部バリア板１２０が金属板であり、回路層及びピラーが形成されるための支持板として用いられる。
【００３９】
このような上部バリア板１１０と下部バリア板１２０の一面にドライフィルム（不図示）を積層（ｌａｍｉｎａｔｉｏｎ）した後、露光（ｅｘｐｏｓｕｒｅ）及び現像（ｄｅｖｅｌｏｐ）処理することにより、多数の開口部を有するドライフィルムパターンを形成することができる。
【００４０】
その後、このようなドライフィルムパターンにＣＶＤ、ＰＶＤまたは電解銅メッキ法により銅を充填し、ドライフィルムパターンを剥離することにより、上部バリア板１１０と下部バリア板１２０それぞれに、第１回路層１１１と第１ダミー回路層１２１を形成する。
【００４１】
次に、第１回路層１１１が備えられた上部バリア板１１０の面及び第１ダミー回路層１２１を備えた下部バリア板１２０の面に、ピラー形成用ドライフィルムパターンを形成する。
【００４２】
ピラー形成用ドライフィルムパターンにも同様に、ＣＶＤ、ＰＶＤまたは電解銅メッキ方法により銅を充填し、ピラー形成用ドライフィルムパターンを剥離することにより、第１回路層１１１と第１ダミー回路層１２１それぞれに、第１ピラー１１２と第１ダミーピラー１２２を形成する。
【００４３】
これにより、図２Ａに図示されたように、上部方向に内層回路を含む第１回路層１１１及び第１ピラー１１２を有する上部バリア板１１０の構造体（バリア板構造体）を備え、下部方向に内層回路を含む第１ダミー回路層１２１及び第１ダミーピラー１２２を有する下部バリア板１２０の構造体（バリア板構造体）を備えるようになる。
【００４４】
このような上部バリア板１１０の構造体と下部バリア板１２０の構造体は、図２Ｂに図示されたように、キャリア基板１０の両面に備えられた第１絶縁層１３０と第１ダミー絶縁層１４０それぞれに、第１ピラー１１２と第１ダミーピラー１２２がそれぞれ対応して圧着される。
【００４５】
キャリア基板１０は、例えば、絶縁板１１の一面または両面に二つの銅箔が積層された構造であり、製造過程でコアレス基板を支持する役割を遂行する。ここで、キャリア基板１０は、絶縁板１１の両面に二つの銅箔が備えられた形態を有すると説明したが、これに限定されず、絶縁板１１の両面にそれぞれ多数の銅箔が異なる厚さを有して備えることもできる。
【００４６】
具体的には、キャリア基板１０の絶縁板１１は、樹脂材質からなり、例えば、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリイミドなどの熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーなどの補強材が含浸されたプリプレグを用いることができる。
【００４７】
このような絶縁板１１は、絶縁板１１の上部面に第１上部銅箔１２−１及び第２上部銅箔１２−２が備えられ、絶縁板１１の下部面に第１下部銅箔１３−１及び第２下部銅箔１３−２が備えられる。
【００４８】
選択的に、第１上部銅箔１２−１と第２上部銅箔１２−２との間、または第１下部銅箔１３−１と第２下部銅箔１３−２との間に離型層（ｒｅｌｅａｓｅ  ｌａｙｅｒ）を備え、後続工程でキャリア基板１０の分離を容易にすることができる。
【００４９】
例えば、離型層は、フッ素系、シリコーン系、ポリエチレンテレフタレート、ポリメチルペンテン及びこれらの組み合わせからなる群から選択される高分子材質の粘着物質からなることが好ましいが、特にこれに限定されるものではない。
【００５０】
上部バリア板１１０の構造体と下部バリア板１２０の構造体を圧着することにより、図２Ｃに図示されたように、第１回路層１１１と第１ピラー１１２の構造部分及び第１ダミー回路層１２１と第１ダミーピラー１２２の構造部分が、第１絶縁層１３０と第１ダミー絶縁層１４０にそれぞれ埋め込まれる。
【００５１】
この際、第１絶縁層１３０と第１ダミー絶縁層１４０は、未硬化状態で圧着されることが好ましい。そのために、上部バリア板１１０の構造体と下部バリア板１２０の構造体を圧着する過程は、熱圧着プレスまたは熱圧着治具（ｊｉｇ）を用いて上部バリア板１１０と下部バリア板１２０を加熱する状態で遂行することができる。
【００５２】
その後、図２Ｄに図示されたように、上部バリア板１１０と下部バリア板１２０を除去する工程を遂行する。
【００５３】
ここで、上部バリア板１１０と下部バリア板１２０の除去工程は、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）法またはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃｌａ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法を用いることができ、特に、平坦化の効果が得られるＣＭＰ法を用いることが好ましい。
【００５４】
上部バリア板１１０と下部バリア板１２０の除去工程を遂行することにより、図２Ｄのように、平坦な第１絶縁層１３０と第１ダミー絶縁層１４０それぞれに第１回路層１１１と第１ダミー回路層１２１が露出される。
【００５５】
このような第１絶縁層１３０と第１ダミー絶縁層１４０の一部に、図２Ｅに図示されたように、第２ピラー１１３と第２ダミーピラー１２３を多数形成する。
【００５６】
具体的には、図２Ｅに図示されたように、平坦な第１絶縁層１３０と第１ダミー絶縁層１４０それぞれに、第２ピラー用ドライフィルムパターン１３５及び第２ダミーピラー用ドライフィルムパターン１４５を形成する。
【００５７】
このような第２ピラー用ドライフィルムパターン１３５及び第２ダミーピラー用ドライフィルムパターン１４５に、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤまたは電解銅メッキ法により銅を充填して、第２ピラー用ドライフィルムパターン１３５及び第２ダミーピラー用ドライフィルムパターン１４５を剥離することにより、第１回路層１１１と第１ダミー回路層１２１それぞれに第２ピラー１１３と第２ダミーピラー１２３を多数形成する。
【００５８】
第２ピラー１１３と第２ダミーピラー１２３を多数形成した後、図２Ｆに図示されたように、第２ピラー１１３と第２ダミーピラー１２３をそれぞれ埋め込む第２絶縁層１５０と第２ダミー絶縁層１６０を形成する。
【００５９】
第２絶縁層１５０と第２ダミー絶縁層１６０は、例えば、ラミネーター（ｌａｍｉｎａｔｏｒ）を用いて、未硬化フィルム形態でそれぞれ第２ピラー１１３と第２ダミーピラー１２３に圧着されて形成することができる。
【００６０】
この際、圧着過程の損傷を防止するために、第２絶縁層１５０と第２ダミー絶縁層１６０それぞれの厚さは、第２ピラー１１３と第２ダミーピラー１２３それぞれの高さより厚く備えることが好ましい。
【００６１】
第２絶縁層１５０と第２ダミー絶縁層１６０を形成した後、図２Ｇに図示されたように、キャリア基板１０に対するルーティング（ｒｏｕｔｉｎｇ）を遂行することにより、第２上部銅箔１２−２を含む上部コアレスプリント回路前駆体と第２下部銅箔１３−２を含む下部コアレスプリント回路前駆体を分離する。
【００６２】
この際、上部コアレスプリント回路前駆体と下部コアレスプリント回路前駆体は、第１上部銅箔１２−１と第２上部銅箔１２−２との間、または第１下部銅箔１３−１と第２下部銅箔１３−２との間に予め備えられた離型層によって、より容易に分離することができる。
【００６３】
このように分離された上部コアレスプリント回路前駆体と下部コアレスプリント回路前駆体それぞれに、回路層とピラーを備えた絶縁層を多数積層することにより、多層構造のコアレス基板を製造することができる。
【００６４】
その過程を説明するために、第２ピラー１１３を含む上部コアレスプリント回路構造体を例として選択して後続工程を説明する。勿論、第２ダミーピラー１２３を含む下部コアレスプリント回路構造体にも、後述する後続工程を同様に適用することができる。
【００６５】
分離された上部コアレスプリント回路構造体に対して、第１絶縁層１３０及び第２絶縁層１５０を平坦化する工程を遂行して第２上部銅箔１２−２を除去して、第１ピラー１１２の上部面と第２ピラー１１３の上部面を外部に露出させる。
【００６６】
ここで、第１絶縁層１３０及び第２絶縁層１５０を平坦化する工程は、ベルトサンダー（Ｂｅｌｔ−ｓａｎｄｅｒ）、エンドミル（ｅｎｄ−ｍｉｌｌ）またはセラミックバフ（ｃｅｒａｍｉｃ  ｂｕｆｆ）を用いた研磨工程、またはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程を用いることができる。
【００６７】
次に、図２Ｈに図示されたように、第１ピラー１１２が露出した第１絶縁層１３０の下部面に第３回路層１１５及び第４ピラー１１７を形成し、第２ピラー１１３が露出した第２絶縁層１５０の上部面に第２回路層１１４及び第３ピラー１１６を形成する。
【００６８】
具体的には、第１絶縁層１３０の下部面と第２絶縁層１５０の上部面にドライフィルム（不図示）を積層した後、露光及び現像処理することにより、多数の開口部を有するドライフィルムパターンを形成する。
【００６９】
その後、このようなドライフィルムパターンにＣＶＤ、ＰＶＤまたは電解銅メッキ法により銅を充填し、ドライフィルムパターンを剥離することにより、第１絶縁層１３０の下部面と第２絶縁層１５０の上部面それぞれに、第３回路層１１５と第２回路層１１４を形成する。
【００７０】
次に、第３回路層１１５が備えられた第１絶縁層１３０の下部面と第２回路層１１４が備えられた第２絶縁層１５０の上部面それぞれに、第４ピラー形成用ドライフィルムパターン及び第３ピラー形成用ドライフィルムパターンを形成する。
【００７１】
このような第３ピラー形成用ドライフィルムパターンと第４ピラー形成用ドライフィルムパターンにＣＶＤ、ＰＶＤまたは電解銅メッキ法により銅を充填し、第３及び第４ピラー形成用ドライフィルムパターンを剥離することにより、第２回路層１１４に連結された第３ピラー１１６と第３回路層１１５に連結された第４ピラー１１７を形成する。
【００７２】
これにより、図２Ｈに図示されたように、第１絶縁層１３０の下部方向に第３回路層１１５及び第４ピラー１１７を備え、第２絶縁層１５０の上部方向に第２回路層１１４及び第３ピラー１１６を備えるようになる。
【００７３】
第３ピラー１１６及び第４ピラー１１７を形成した後、図２Ｉに図示されたように、第３ピラー１１６と第４ピラー１１７をそれぞれ埋め込む第３絶縁層１７０と第４絶縁層１８０を形成する。
【００７４】
第３絶縁層１７０と第４絶縁層１８０は、第２絶縁層１５０の形成方法と同様に、ラミネーター（ｌａｍｉｎａｔｏｒ）を用いて、未硬化フィルム形態でそれぞれ第３ピラー１１６と第４ピラー１１７に圧着された後、平坦化工程により処理することができる。
【００７５】
この際、圧着過程の損傷を防止するために、第３絶縁層１７０と第４絶縁層１８０それぞれの厚さは、第３ピラー１１６と第４ピラー１１７それぞれの高さより厚く備えて圧着することができる。
【００７６】
その後、平坦化工程により第３ピラー１１６の上部面と第４ピラー１１７の上部面がそれぞれ露出した第３絶縁層１７０と第４絶縁層１８０に、最上部回路層１１８と最下部回路層１１９を形成する。ここで、最上部回路層１１８と最下部回路層１１９は、上述の回路層の形成方法と同様に、ドライフィルムパターンにＣＶＤ、ＰＶＤまたは電解銅メッキ法により銅を充填して形成することができる。
【００７７】
最上部回路層１１８と最下部回路層１１９を形成した後、このような最上部回路層１１８と最下部回路層１１９に表面処理膜（不図示）を選択的に形成することができる。
【００７８】
表面処理膜は、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、ブラウンオキサイド膜、及び無電解メッキ膜のうち何れか一つの膜で形成することができる。
【００７９】
ここで、ＯＳＰ処理膜は、有機溶剤型と水溶性に区分され、有機溶剤型はロールコーティング（Ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコーティング（Ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）などを用いて形成することができ、水溶性はディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）法を用いて形成することができる。
【００８０】
ブラックオキサイド膜またはブラウンオキサイド膜は、銅材質の最上部回路層１１８と最下部回路層１１９を酸化処理して形成することができる。
【００８１】
また、無電解メッキ膜は、例えば、無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）膜であり、無電解メッキ工程によりニッケルをメッキした後、置換型金（Ｉｍｅｒｓｉｏｎ  ｇｏｌｄ）をメッキして形成することができる。
【００８２】
勿論、このような表面処理膜は、上記の例に限定されるものではなく、ＨＡＳＬ（Ｈｏｔ  Ａｉｒ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｌｅｖｅｌｉｎｇ）またはその他の表面処理膜で形成することができる。
【００８３】
このような本発明の第１実施例によるコアレス基板の製造方法は、キャリア基板１０及びドライフィルムパターンを用いて、歪み（ｗａｒｐａｇｅ）が発生することなくコアレス基板を大量生産することができる。
【００８４】
特に、キャリア基板１０の上部面と下部面、両面方向に回路層及びピラーを含む多数の絶縁層を積層して多層構造のコアレス基板前駆体を形成した後、キャリア基板１０を分離することができる。
【００８５】
これにより、図２Ｉに図示された四つの絶縁層１３０、１５０、１７０、１８０と五つの回路層１１１、１１４、１１５、１１８、１１９を有するコアレス基板の他に、図３に図示された本発明の第２実施例によるコアレス基板のように、五つの絶縁層２２０、２６０、２７０、３００、３１０と六つの回路層２６１、２７１、３０１、３１１、３４１、３５１を有する構造に形成することもできる。
【００８６】
図３に図示された本発明の第２実施例によるコアレス基板も同様に、第１絶縁層２２０を基準として、第２上部回路層２６１と第２下部回路層２７１が互いに対向して対称形成される。
【００８７】
特に、第２上部回路層２６１の上部方向に順次に連結された第２上部ピラー２６２、第３上部回路層３０１、第３上部ピラー３０２、及び最上部回路層３５１が、第２下部回路層２７１の下部方向に順次に連結された第２下部ピラー２７２、第３下部回路層３１１、第３下部ピラー３１２、及び最下部回路層３４１にそれぞれ対向して対称形成される。
【００８８】
従って、本発明によるコアレス基板の製造方法は、キャリア基板１０を用いて両面に多層構造のコアレス基板前駆体を形成することにより、多数のコアレス基板を大量生産することができるため、生産効率性を向上させることができる。
【００８９】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【００９０】
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、回路の集積度を向上させることができるとともに、生産効率性を向上させることができるコアレス基板及びその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００９２】
１０  キャリア基板
１１  絶縁板
１２−１  第１上部銅箔
１２−２  第２上部銅箔
１３−１  第１下部銅箔
１３−２  第２下部銅箔
１１０  上部バリア板
１１１  第１回路層
１１２  第１ピラー
１１３  第２ピラー
１１４  第２回路層
１１５  第３回路層
１１６  第３ピラー
１１７  第４ピラー
１１８  最上部回路層
１１９  最下部回路層
１２０  下部バリア板
１２１  第１ダミー回路層
１２２  第１ダミーピラー
１２３  第２ダミーピラー
１３０  第１絶縁層
１３５  第２ピラー用ドライフィルムパターン
１４０  第１ダミー絶縁層
１４５  第２ダミーピラー用ドライフィルムパターン
１５０  第２絶縁層
１６０  第２ダミー絶縁層
１７０  第３絶縁層
１８０  第４絶縁層
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図２Ｅ】
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【図２Ｆ】
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【図２Ｇ】
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【図２Ｈ】
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【図２Ｉ】
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【図３】
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