(57)【要約】【課題】迅速かつ正確に欠陥発生工程の推定および特定ができる不良発生工程分析装置および不良発生工程の分析方法を提供すること。【解決手段】不良発生工程分析装置は、最終検査工程で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとに部材上に設定された座標上にマッピングするマッピング部（５２１）と、中間検査工程で得られた中間欠陥情報と、中間検査工程で検出された欠陥に対する修正工程を行った後に得られた修正結果情報とを紐付けする紐付け部（５２２）と、分類部（５２３）による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、中間欠陥情報を修正結果情報別に、上記部材上に設定された座標上にマッピングする分類マッピング部（５２４）とを備える。【選択図】図１
2014119423.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部材の最終検査工程で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとに上記部材上に設定された座標上にマッピングするマッピング部と、
上記部材に対する加工処理を行った後の中間検査工程で得られた中間欠陥情報と、上記中間検査工程で検出された欠陥に対する修正工程を行った後に得られた修正結果情報とを紐付けする紐付け部と、
上記紐付け部による紐付け結果に基づいて、上記中間検査工程における中間欠陥情報を修正結果情報で分類する分類部と、
上記分類部による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、上記中間欠陥情報を上記修正結果情報別に、上記部材上に設定された上記座標上にマッピングする分類マッピング部と、
上記マッピング部および上記分類マッピング部により生成された各マップを各工程別に表示するマップ表示部と
を備えることを特徴とする不良発生工程分析装置。
【請求項２】
請求項１に記載の不良発生工程分析装置において、
上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報を格納すると共に、上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報の各々に関する位置情報を格納するデータベースを備え、
上記紐付け部は、上記中間欠陥情報とその位置情報および上記修正結果情報とその位置情報を、上記データベースから取得して、紐付けをすることを特徴とする不良発生工程分析装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載の不良発生工程分析装置において、
上記部材は、ガラス基板であり、
上記加工処理は、上記ガラス基板に対する成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成を行って薄膜トランジスタ基板を製造する加工処理であり、
上記中間検査は、上記薄膜トランジスタ基板に対する検査であり、
上記最終検査は、上記薄膜トランジスタ基板を用いて製造された液晶表示パネルに対する点灯検査であることを特徴とする不良発生工程分析装置。
【請求項４】
部材に対して加工処理を行った後に中間検査を行い、この中間検査で検出された欠陥に対する修正工程を行い、その後に最終検査を行う製造工程において、
請求項１から３のいずれか１つに記載のマッピング部と紐付け部と分類部と分類マッピング部とマップ表示部とを用い、
上記マッピング部により得られた最終欠陥情報のマップと、上記分類マッピング部により得られた修正結果情報別の中間欠陥情報の分類マップとを比較することにより不良発生工程を特定する
ことを特徴とする不良発生工程の分析方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、有機ＥＬ（Electroluminescence：エレクトロルミネッセンス）表示パネルや液晶表示パネル等のフラットパネルディスプレイの製造工程において、不良パネルに繋がる不良発生工程を推測および特定するため等に用いれば特に好適な不良発生工程分析装置および不良発生工程の分析方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、フラットパネルディスプレイの不良発生工程分析装置としては、特開２００９−２６４８６５号公報（特許文献１）に記載のものがある。このフラットパネルディスプレイの不良発生工程分析装置は、最終検査である点灯検査において検出した不良存在絵素の最終欠陥座標（不良発生位置）と、薄膜トランジスタ（TFT）基板製造工程およびカラーフィルタ基板製造工程中の各中間検査で検出した中間欠陥座標とを、不良要因および欠陥種別ごとにデータベース上に格納する。そして、欠陥原因究明の際には、点灯検査で検出した最終欠陥座標（不良発生位置）と、各中間検査で検出した中間欠陥座標とを、順次検索しながら1対1対応で付き合わせることにより欠陥発生工程の特定を行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２６４８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記従来のフラットパネルディスプレイの不良発生工程分析装置では、大型のマザー基板上に多数の小型パネルをレイアウトして生産する場合、あるいは、発生率数%程度の不良に繋がる欠陥発生工程を推定、特定する場合には、上述のような1対1突合せによる方法では大量の不良パネル評価数が必要であり、かつ全データの突合せに膨大な時間がかかるため、非常に効率が悪いという問題がある。
【０００５】
この問題を解決する方法として、本発明者は、従来技術ではないが、ある一定期間内の最終検査での不良パネルの最終欠陥座標（最終欠陥検出位置）の発生傾向（面内分布）と各製造工程ごとの中間欠陥座標（中間欠陥検出位置）の傾向（面内分布）とを比較し、傾向の合致を以って、欠陥発生工程を推定する方法を試みた。
【０００６】
しかしながら、この方法のように、各製造工程ごとの中間検査情報だけを用いて中間欠陥座標（欠陥検出位置）の傾向（面内分布）を作成した場合、“誤検出欠陥”や“真欠陥ではあるが修正不要な欠陥”等の不良パネル発生には繋がらない可能性が高い欠陥の情報も含まれているため、得られた検査情報傾向（面内分布）がノイズに埋もれてしまい本来の分布を示さず、欠陥発生工程の推定および特定に時間がかかる、あるいはできないという危険性があることが分かった。
【０００７】
そこで、本発明の課題は、迅速かつ正確に欠陥発生工程の推定および特定ができる不良発生工程分析装置および不良発生工程の分析方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本発明の不良発生工程分析装置は、
部材の最終検査工程で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとに上記部材上に設定された座標上にマッピングするマッピング部と、
上記部材に対する加工処理を行った後の中間検査工程で得られた中間欠陥情報と、上記中間検査工程で検出された欠陥に対する修正工程を行った後に得られた修正結果情報とを紐付けする紐付け部と、
上記紐付け部による紐付け結果に基づいて、上記中間検査工程における中間欠陥情報を修正結果情報で分類する分類部と、
上記分類部による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、上記中間欠陥情報を上記修正結果情報別に、上記部材上に設定された上記座標上にマッピングする分類マッピング部と、
上記マッピング部および上記分類マッピング部により生成された各マップを各工程別に表示するマップ表示部と
を備えることを特徴としている。
【０００９】
１実施形態は、
上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報を格納すると共に、上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報の各々に関する位置情報を格納するデータベースを備え、
上記紐付け部は、上記中間欠陥情報とその位置情報および上記修正結果情報とその位置情報を、上記データベースから取得して、紐付けをする。
【００１０】
１実施形態では、
上記部材は、ガラス基板であり、
上記加工処理は、上記ガラス基板に対して成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成を行って薄膜トランジスタ基板を製造する加工処理であり、
上記中間検査は、上記薄膜トランジスタ基板に対する検査であり、
上記最終検査は、上記薄膜トランジスタ基板を用いて製造された液晶表示パネルに対する点灯検査である。
【００１１】
本発明の不良発生工程の分析方法は、
部材に対して加工処理を行った後に中間検査を行い、この中間検査で検出された欠陥に対する修正工程を行い、その後に最終検査を行う製造工程において、
上記マッピング部と紐付け部と分類部と分類マッピング部とマップ表示部とを用い、
上記マッピング部により得られた最終欠陥情報のマップと、上記分類マッピング部により得られた修正結果情報別の中間欠陥情報の分類マップとを比較することにより不良発生工程を特定する
ことを特徴としている。
【発明の効果】
【００１２】
この発明によれば、迅速かつ正確に欠陥発生工程の推定および特定ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態の不良発生工程分析装置および液晶表示パネルの製造工程を示す概略ブロック図である。
【図２】TFT基板の各製造工程の検査工程の検出欠陥の修正結果情報別の中間欠陥情報のマップである。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、この発明を図示の実施形態により詳細に説明する。
【００１５】
（第１実施形態）
図１に示すように、フラットパネルディスプレイの一例としての液晶表示パネルの製造工程は、TFT（薄膜トランジスタ）工程１、LCD（液晶表示装置）工程２、パネル組み立て工程３および最終検査工程としての点灯検査工程４とを有する。上記TFT工程１は、部材の一例としてのマザー基板であるガラス基板への成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成等をしてTFT基板を製造するTFT製造工程１１（加工処理の一例）と、中間検査工程の一例としてのTFT基板に対する検査をするTFT検査工程１２と、修正工程の一例としてのTFT基板に対する修正を行うTFT修正工程１３とを含む。また、上記LCD（液晶表示装置）工程は、加工処理であるCF（カラーフィルタ）基板製造工程２１と、中間検査工程の一例としてのCF基板に対する検査を行うCF検査工程２２と、修正工程の一例としてのCF基板に対する修正を行うCF修正工程２３と、TFT基板とCF基板とを貼合せて分断する貼合せ・分断工程２４と、液晶注入・封止工程２５とを含む。また、上記パネル組立工程３は、バックライト製造工程３１とモジュール組立工程３２と組立検査工程３３とを含む。これらの各工程は、特許文献１等で周知なので、詳しい説明は省略する。
【００１６】
この不良発生工程分析装置５０は、検査・修正情報管理用のデータベース５１とコンピュータ５２とを備える。
【００１７】
このデータベース５１には、中間検査工程としてのTFT検査工程１２、CF検査工程２３および組立検査工程３３で得られた中間欠陥情報およびその位置情報を格納する。この位置情報は、図示しないTFT基板またはCF基板の原点からのX軸（横軸）およびY（縦軸）の座標で表される（特許文献１参照）。また、データベース５１には、TFT修正工程１３およびCF修正工程２３で得られた修正結果情報およびその位置情報が格納され、さらに、最終検査工程としての点灯検査工程４で得られた最終欠陥情報およびその座標で表された位置情報が格納される（特許文献１参照）。
【００１８】
上記コンピュータ５２は、マッピング部５２１と紐付け部５２２と分類部５２３と分類マッピング部５２４とマップ表示部５２５とを有する。これらのマッピング部５２１、紐付け部５２２、分類部５２３および分類マッピング部５２４は、ソフトウェアによって構成される。
【００１９】
上記マッピング部５２１は、最終検査工程としての点灯検査工程４で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとにTFT基板上に設定された座標上にマッピングする。上記紐付け部５２２は、中間検査工程としてのTFT検査工程１２およびCF検査工程２２で得られた中間欠陥情報およびその位置情報と、TFT修正工程１３およびCF修正工程２３で得られた修正結果情報およびその位置情報とをデータベース５１から取得して、紐付けを行う。上記分類部５２３は、紐付け部５２２による紐付け結果に基づいて、TFT検査工程１２およびCF検査工程２２で得られた中間欠陥情報を修正結果情報で分類する。上記分類マッピング部５２４は、分類部５２３による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、中間欠陥情報を修正結果情報別に、基板上に設定された座標上にマッピングする。上記マップ表示部５２５は、マッピング部５２１および分類マッピング部５２４により生成された各マップを各工程別に表示する。
【００２０】
上記構成の不良発生工程分析装置のTFT工程１における検査結果・修正結果を用いた不良工程分析の例について説明する。
【００２１】
まず、TFT検査工程１２における中間欠陥情報としての各検査装置の検査結果を検査・修正情報管理用のデータベース５１に保存する。保存する具体的な中間欠陥情報としては、検出欠陥種、検出欠陥座標、検出欠陥強度、検査条件等である。同様に、TFT修正工程１３における修正結果（修正成功、修正不要、修正不可、欠陥位置不明：誤検出）、点灯検査工程４における最終欠陥情報としての検査結果、欠陥種・欠陥検出座標も、検査・修正情報管理用のデータベース５１に保存する。
【００２２】
マッピング部５２１は、データベース５１から最終欠陥情報を読み出して、点灯検査工程４において検出された欠陥座標を欠陥種別ごとに同一基板座標系上に重ね合わせてマッピングする。
【００２３】
次に、紐付け部５２２は、TFT検査工程１２で得られた中間欠陥情報およびその位置情報（座標）と、TFT修正工程１３で得られた修正結果情報およびその位置情報（座標）との紐付けを行う（関係づける）。
【００２４】
次に、分類部５２３は、TFT検査工程１２における各検査結果つまり中間欠陥情報および位置情報をTFT修正工程１３での各修正結果情報とつき合わせして、修正結果の種別ごとに分類する（図２の（ロ）を参照）。
【００２５】
次に、分類マッピング部５２４は、分類部５２３による中間欠陥情報の分類結果に基づいて、修正結果の種別ごとに、中間欠陥情報を、同一基板座標系上に重ね合わせてマッピングする（図２の（ハ）、（ニ）、（ホ）を参照）。
【００２６】
次に、マップ表示部５２５は、マッピング部５２１および分類マッピング部５２４により生成された各マップを各工程別に表示する。
【００２７】
具体的には、図２の（イ）は、TFT検査工程１２で見出した中間欠陥情報をその座標に合わせて画面上のドットで表した図であり、図２の（ロ）は、TFT検査工程１２で見出した中間欠陥情報をTFT修正工程１３の修正結果で紐付けた状態を表す図である。図２の（ロ）において、Aは修正済み中間欠陥Gｒ（グループ）に属する中間欠陥情報を表し、Ｂは修正不要欠陥Gr（誤検出/欠陥位置不明は除く）に属する中間欠陥情報を表し、Ｃは修正不可欠陥Grに属する中間欠陥情報を表す。図２の（ハ）、（ニ）、（ホ）は、修正結果の種別ごとに、つまり、「Ａ：修正済み」、「Ｂ：修正不要（誤検出を除く）」、「Ｃ：修正不可」に分けて画面上に
表示した図である。
【００２８】
点灯検査工程４で得られた最終欠陥情報を表示した画面、つまり、「点灯検査不良マッピング」（図２の（イ）に類似する図）と、「修正結果の種別ごとのTFT各工程検出欠陥マッピング」を比較した結果、点灯検査不良傾向（面内分布）が、ある工程（以下、α工程と言う。）の「A：修正済み欠陥」と類似していた場合、その不良はα工程の修正工程起因（修正不良）と考えることができる。また、「B：修正不要欠陥Gr（誤検出/欠陥位置不明は除く）」と類似していた場合は、α工程の修正工程起因（修正判断の誤り）と考えることができ、また、「C：修正不可欠陥Gr」と類似していた場合は、α工程のプロセス起因（加工工程起因）と考えることができる。
【００２９】
以上のように、第１実施形態によれば、マップ表示部５２５に、「点灯検査不良マッピング」と「修正結果の種別ごとのTFT各工程検出欠陥マッピング」とを表示して、比較評価することにより、点灯検査工程４で検出された最終欠陥の発生原因工程を迅速かつ正確に視覚的に判断することができる。
【００３０】
より詳しく言うと、点灯検査工程４で得られた最終欠陥情報のマップつまり点灯検査検出欠陥マップ（面内分布傾向）と、TFT製造工程１１中の各工程/各修正判定ごとの中間欠陥情報のマップ（面内分布傾向）とを画面上に並列表示し、つまり、不良パネル発生傾向（不良種別）と欠陥発生傾向（工程別/欠陥種別/修正判定別）を並列マップ表示形式で表示させるので、傾向の合致（欠陥発生工程の特定）を迅速かつ正確に視覚的に判断することが可能となる。
【００３１】
ここで、TFT製造工程１１について述べたが、LCD工程２のCF基板製造工程２１についても、全く同様であり、パネル組立組立工程３についても同様である。
【００３２】
また、TFT製造工程１１、CF基板製造工程２１およびパネル組立組立工程３中の各工程における欠陥位置傾向（面内分布傾向）マップを作成する際、各工程の中間欠陥情報を各検査工程後の修正工程の結果情報（修正判定：修正成功、修正不要、修正不可、欠陥位置不明：誤検出）に基づき分類し、各修正判定ごとに欠陥位置傾向（面内分布傾向）のマップを作成する。そして、不良パネル発生に繋がる可能性が高い中間欠陥情報と、誤検出欠陥や真欠陥ではあるが修正不要な欠陥等の不良パネル発生には繋がる可能性の低い中間欠陥情報を分離してマッピングすることで、欠陥発生傾向（面内分布傾向）がより正確な情報となり、傾向の合致（欠陥発生工程の特定）を迅速かつ正確に行うことが可能となる。
【００３３】
また、TFT製造工程１１やCF基板製造工程２１中の各検査工程後の修正工程の結果情報（修正判定：修正成功、修正不要、修正不可、欠陥位置不明：誤検出）を検査・修正情報用のデータベース５１に保存し、各検査工程における中間欠陥情報を修正工程の結果情報に基づいて、修正判定ごとに分類することにより、検査装置による誤検出等の影響を排除することができ、欠陥情報マップの精度を向上することができる。
【００３４】
第１実施形態の不良発生工程分析装置は、データベース５１を備えていたが、不良発生工程分析装置にデータベースを設けないで、データベースをサーバに設けるようにしてもよい。
【００３５】
（第２実施形態）
第１実施形態では、TFT基板の各検査工程１２における検査結果を各修正工程での修正結果とつき合わせ、修正結果の種別ごとに分類してマッピングしているが、修正結果ではなく修正基準を変更した修正仕様分類（別途作成しデータベースに保存）を用いて分類してもよい。
【００３６】
こうすることにより、修正基準変更による歩留り改善効果を予測することが可能となり、修正基準変更の指針とすることができる。
【００３７】
（第３実施形態）
第１実施形態では、本発明を液晶表示パネルの製造工程に適用した場合について説明しているが、本発明は、液晶表示パネルに限らず、有機ＥＬ表示パネル等のフラットパネルディスプレイは勿論のこと、加工処理を行うどのような部材の製造工程にも適用できる。より詳しくは、部材に対して加工処理を行った後に、中間検査を行い、中間検査で検出された欠陥に対して修正を行い、その後に最終検査を行う部材の製造工程であれば、本発明の不良発生工程分析装置を適用することができる。
【００３８】
部材は、ガラス基板等の基板に限らず、ブロック状の物体、棒状の物体であってもよいことは勿論である。
【００３９】
本発明および実施形態を纏めると、次のようになる。
【００４０】
本発明の不良発生工程分析装置は、
部材の最終検査工程４で得られた最終欠陥情報を不良種別ごとに上記部材上に設定された座標上にマッピングするマッピング部５２１と、
上記部材に対する加工処理を行った後の中間検査工程１２，２２で得られた中間欠陥情報と、上記中間検査工程１２，２２で検出された欠陥に対する修正工程１３，２３を行った後に得られた修正結果情報とを紐付けする紐付け部５２２と、
上記紐付け部５２２による紐付け結果に基づいて、上記中間検査工程１２，２２における中間欠陥情報を修正結果情報で分類する分類部５２３と、
上記分類部５２３による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、上記中間欠陥情報を上記修正結果情報別に、上記部材上に設定された上記座標上にマッピングする分類マッピング部５２４と、
上記マッピング部５２１および上記分類マッピング部５２４により生成された各マップを各工程別に表示するマップ表示部５２５と
を備えることを特徴としている。
【００４１】
本発明によれば、最終検査工程４で得られた最終欠陥情報を、マッピング部５２１によって、不良種別ごとに部材上に設定された座標上にマッピングして得られた最終欠陥情報のマップ（面内分布傾向）と、分類部５２３による中間欠陥情報の分類の結果に基づいて、分類マッピング部５２４によって、中間欠陥情報を修正結果情報別に、上記部材上に設定された座標上にマッピングして得られたマップ（面内分布傾向）とを、マップ表示部５２５の画面上に並列表示できるので、傾向の合致（欠陥発生工程の特定）を迅速かつ正確に視覚的に判断することが可能となる。
【００４２】
１実施形態は、
上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報を格納すると共に、上記中間欠陥情報、修正結果情報および最終欠陥情報の各々に関する位置情報を格納するデータベース５１を備え、
上記紐付け部５２２は、上記中間欠陥情報とその位置情報および上記修正結果情報とその位置情報を、上記データベース５１から取得して、紐付けをする。
【００４３】
１実施形態では、
上記部材は、ガラス基板であり、
上記加工処理は、上記ガラス基板に対して成膜、フォトリソグラフィ、エッチング、配向膜形成を行ってTFT基板（薄膜トランジスタ基板）を製造する加工処理であり、
上記中間検査は、上記薄膜トランジスタ基板に対する検査であり、
上記最終検査は、上記薄膜トランジスタ基板を用いて製造された液晶表示パネルに対する点灯検査である。
【００４４】
本発明の不良発生工程の分析方法は、
部材に対して加工処理を行った後に中間検査を行い、この中間検査で検出された欠陥に対する修正工程を行い、その後に最終検査を行う製造工程において、
上記マッピング部５２１と紐付け部５２２と分類部５２３と分類マッピング部５２４とマップ表示部５２５とを用い、
上記マッピング部５２１により得られた最終欠陥情報のマップと、上記分類マッピング部５２４により得られた修正結果情報別の中間欠陥情報の分類マップとを比較することにより不良発生工程を特定する
ことを特徴としている。
【符号の説明】
【００４５】
５１  データベース
５２  コンピュータ
５２１  マッピング部
５２２  紐付け部
５２３  分類部
５２４  分類マッピング部
５２５  マップ表示部
【図１】
2014119423.tif 000003
【図２】
2014119423.tif 000004