(57)【要約】【課題】汚染や品質低下の原因となる基板に対する処理液の再付着を低減すること。【解決手段】基板処理装置は、基板Ｗの周縁部を収容する収容溝２０がそれぞれに設けられており、収容溝２０の内面２１、２２を基板Ｗの周縁部に押し付けることにより、把持位置において基板Ｗを水平な姿勢で把持する複数のチャックピン１２と、複数のチャックピン１２の上方にそれぞれ配置されており、基板Ｗから排出される処理液を基板Ｗの周囲に案内する複数のガイド部材１６とを含む。各ガイド部材１６は、収容溝２０よりも内方でかつ収容溝２０よりも上方の位置に配置されたガイド内縁２４と、ガイド内縁２４よりも下方の高さで、かつチャックピン１２よりも外方の位置に配置されたガイド外縁２５とを含む。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の周縁部を収容する収容溝がそれぞれに設けられており、前記収容溝の内面を前記基板の周縁部に押し付けることにより、把持位置において前記基板を水平な姿勢で把持する複数のチャックピンと、
前記複数のチャックピンに把持されている基板に向けて処理液を吐出するノズルと、
前記複数のチャックピンの上方にそれぞれ配置されており、前記基板から排出される処理液を前記基板の周囲に案内する複数のガイド部材と、
前記複数のガイド部材と共に、前記基板を通る鉛直な基板回転軸線まわりに前記複数のチャックピンを回転させるスピンモータと、
前記基板回転軸線まわりに前記複数のチャックピンおよびガイド部材を取り囲んでおり、前記複数のチャックピンに把持されている基板から外方に排出された処理液を受け止める筒状のカップとを含み、
前記複数のガイド部材のそれぞれは、前記収容溝よりも内方でかつ前記収容溝よりも上方の位置に配置されたガイド内縁と、前記ガイド内縁と等しいまたは前記ガイド内縁よりも下方の高さで、かつ前記チャックピンよりも外方の位置に配置されたガイド外縁とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記ガイド外縁は、前記収容溝よりも下方に配置されている、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記ガイド部材は、前記基板回転軸線に直交する方向である径方向における前記チャックピンと前記ガイド外縁との間に少なくとも一部が配置されており、上端が下端よりも内方に位置するように傾斜した下向きの下傾斜面をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ガイド部材は、前記ガイド内縁から斜め下に外方に延びており、前記収容溝よりも上方に配置された内向き面をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ガイド部材は、前記ガイド外縁から斜め上に内方に延びる外向き面をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記チャックピンは、前記収容溝の上方に配置されたピン上面を含み、
前記ガイド部材は、前記チャックピンとは別の部材であり、前記ピン上面の上に配置されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記ガイド部材は、平面視で前記ピン上面の全域に重なっている、請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記ピン上面から前記ガイド内縁までの高さは、前記把持位置に位置する基板の上面からまで前記ピン上面の高さよりも大きい、請求項６または７に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記基板回転軸線に直交する方向である径方向における前記ガイド内縁から前記ピン上面の内縁までの距離は、前記把持位置に位置する基板の上面から前記ピン上面までの高さよりも大きい、請求項６〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記複数のガイド部材は、前記基板回転軸線まわりの方向である周方向に沿って環状に配置されており、
前記周方向への前記ガイド部材の長さは、前記周方向に隣接する２つの前記ガイド部材の間隔よりも大きい、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、処理液で基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、基板を一枚ずつ処理する枚葉式の基板処理装置や、複数枚の基板を一括して処理するバッチ式の基板処理装置が用いられる。
特許文献１に記載の枚葉式の基板処理装置は、基板を保持するスピンベースと、スピンベース上に設けられた複数のチャックピンと、スピンベースを回転させる電動モータと、スピンベースに対向して設けられた遮断板と、遮断板の下面中央部から基板の上面中央部に向けて処理液を吐出する処理液ノズルと、スピンベースに保持された基板の周囲を取り囲むカップとを備えている。
【０００３】
特許文献１の基板処理装置では、複数のチャックピンが水平な姿勢で基板を把持している状態で、電動モータがスピンベースを回転させる。さらに、遮断板の下面が基板の上面に近接している状態で、処理液ノズルから吐出された処理液が、遮断板の下面中央部を通って回転状態の基板の上面に供給される。基板の上面に供給された処理液は、基板の回転による遠心力によって基板上を外方に広がる。そして、基板の上面周縁部に達した処理液は、基板の周囲に振り切られ、カップによって受け止められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４１０５５７４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
回転状態の基板に供給された処理液は、基板に沿って外方に広がり、基板の周縁部に移動する。複数のチャックピンは、周方向に間隔を空けて配置されている。チャックピンが存在しない位置では、大部分の処理液が、基板の周縁部から概ね水平方向に排出される。これに対して、チャックピンが存在する位置では、チャックピンの近傍に達した処理液が、基板の上面から上方に突出するチャックピンの上部に衝突して、液滴またはミストに変化する場合がある。そのため、基板の周囲に排出されるべき処理液が、液滴またはミストの形態で基板に再付着する場合がある。また、チャックピンの近傍に達した処理液が、チャックピンの上部を乗り越えて、斜め上に外方に飛散する場合もある。
【０００６】
基板の周囲に飛散した処理液は、カップの内面に衝突して、基板側に跳ね返る。カップと処理液との衝突によって発生した処理液の液滴やミストは、内方に移動しながら、ダウンフロー（下降流）に乗って下方に移動する。そのため、基板の周縁部からの処理液の飛散方向が概ね水平である場合には、処理液の液滴やミストが基板よりも下方に移動する。これに対して、基板の周縁部からの処理液の飛散方向が斜め上方向である場合には、処理液の液滴やミストが、基板の上面に向かって斜め下に内方に移動するので、処理液が基板に再付着してしまう場合がある。そのため、基板とカップとの径方向の間隔を広げるために、カップを径方向に大型化するなどの再付着防止の対策を講じる必要がある。
【０００７】
特許文献１の基板処理装置では、遮断板の下面が基板の上面に近接している状態で処理液が基板に供給されるので、処理液が、基板の周縁部から斜め上に外方に飛散したとしても、処理液が基板に再付着し難い。しかしながら、この基板処理装置では、基板の上面全域が遮断板によって覆われているので、基板の上面に対する処理液の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させることができない。また、遮断板を基板の上方で上下方向に移動させるスペースが必要となるので、遮断板が設けられていない構成に比べて基板処理装置が上下方向に大型化してしまう。
【０００８】
そこで、本発明の目的は、汚染や品質低下の原因となる基板に対する処理液の再付着を低減できる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に記載の発明は、基板の周縁部を収容する収容溝がそれぞれに設けられており、前記収容溝の内面を前記基板の周縁部に押し付けることにより、把持位置において前記基板を水平な姿勢で把持する複数のチャックピンと、前記複数のチャックピンに把持されている基板に向けて処理液を吐出するノズルと、前記複数のチャックピンの上方にそれぞれ配置されており、前記基板から排出される処理液を前記基板の周囲に案内する複数のガイド部材と、前記複数のガイド部材と共に、前記基板を通る鉛直な基板回転軸線まわりに前記複数のチャックピンを回転させるスピンモータと、前記基板回転軸線まわりに前記複数のチャックピンおよびガイド部材を取り囲んでおり、前記複数のチャックピンに把持されている基板から外方に排出された処理液を受け止める筒状のカップとを含み、前記複数のガイド部材のそれぞれは、前記収容溝よりも内方でかつ前記収容溝よりも上方の位置に配置されたガイド内縁と、前記ガイド内縁と等しいまたは前記ガイド内縁よりも下方の高さで、かつ前記チャックピンよりも外方の位置に配置されたガイド外縁とを含む、基板処理装置である。基板の周縁部は、基板の表面の平坦部および基板の裏面の平坦部よりも外方の環状の部分を意味する。したがって、基板の周縁部は、基板の表面周縁部に位置する傾斜部と、基板の裏面周縁部に位置する傾斜部と、基板の周端面とを含む。
【００１０】
この構成によれば、基板の周縁部が、複数のチャックピンの収容溝内に収容される。そして、各収容溝の内面が、基板の周縁部に押し付けられる。これにより、基板が、把持位置において水平な姿勢で把持される。複数のガイド部材は、複数のチャックピンの上方にそれぞれ配置されている。スピンモータは、複数のガイド部材と共に複数のチャックピンを基板回転軸線まわりに回転させる。ノズルから吐出された処理液は、複数のチャックピンに把持されている回転状態の基板に供給される。したがって、基板に供給された処理液は、基板に沿って外方に広がり、基板の周縁部から外方に振り切られる。カップは、基板回転軸線まわりに複数のチャックピンおよびガイド部材を取り囲んでいる。したがって、基板から排出された処理液は、カップによって受け止められる。
【００１１】
各ガイド部材のガイド内縁は、チャックピンの収容溝よりも内方でかつ収容溝よりも上方の位置に配置されている。前述のように、基板の周縁部は、収容溝内に収容される。したがって、ガイド内縁は、基板の上面よりも上方で、かつ基板の周端面よりも内方の位置に配置される。そのため、内向き（基板回転軸線側）に開いた縦断面（鉛直面で切断した断面）を有する捕集溝が、基板、チャックピン、およびガイド部材によって形成される。回転状態の基板に供給された処理液は、遠心力を受けて外方に広がる。チャックピンの近傍に達した処理液は、この捕集溝内に入り込む。
【００１２】
チャックピンの近傍に達した処理液が、基板、チャックピン、およびガイド部材によって形成された捕集溝内に入り込むので、処理液とチャックピンとの衝突によって液滴やミストが発生したとしても、液滴やミストの拡散が捕集溝の内面によって抑えられる。これにより、基板に対する処理液の再付着が低減される。さらに、チャックピンを乗り越えようとする処理液が捕集溝内に捕集されるので、基板の周縁部から斜め上に飛散する処理液の量を低減できる。したがって、カップと処理液との衝突によって発生した処理液の液滴やミストが、基板に付着することを低減できる。
【００１３】
また、捕集溝に入り込んだ処理液は、ガイド部材の下側の面に沿ってガイド外縁の方に案内される。各ガイド外縁が、ガイド内縁と等しいまたはガイド内縁よりも下方の高さに配置されているので、外方に流れる処理液は、ガイド部材によって水平方向または斜め下方向に案内される。さらに、ガイド外縁が、チャックピンよりも外方に配置されているので、処理液は、ガイド部材によってチャックピンよりも外方の位置まで確実に案内される。したがって、処理液が、チャックピンから斜め上に外方に飛散することを抑制できる。これにより、汚染や品質低下の原因となる処理液の再付着を低減できる。
【００１４】
請求項２に記載の発明は、前記ガイド外縁は、前記収容溝よりも下方に配置されている、請求項１に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の周縁部を収容するチャックピンの収容溝よりも下方にガイド外縁が配置されているので、基板は、ガイド外縁よりも上方に配置される。言い換えると、ガイド外縁は、把持位置で把持されている基板の下面よりも下方に配置されている。したがって、処理液は、ガイド部材によって基板よりも下方まで案内され、基板よりも下方の位置からカップに向かって外方に飛散する。そのため、基板よりも上方の高さで発生する液滴およびミストの量を低減できる。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００１５】
請求項３に記載の発明は、前記ガイド部材は、前記基板回転軸線に直交する方向である径方向における前記チャックピンと前記ガイド外縁との間に少なくとも一部が配置されており、上端が下端よりも内方に位置するように傾斜した下向きの下傾斜面をさらに含む、請求項１または２に記載の基板処理装置である。前記下傾斜面は、水平面に対して傾いた平面であってもよいし、斜め上外方に膨らんだ曲面であってもよい。
【００１６】
この構成によれば、上端が下端よりも内方に位置するように傾斜した下向きの下傾斜面が、ガイド部材に設けられている。下傾斜面が水平面に対して傾斜しているので、処理液は、下傾斜面によって斜め下に外方に案内される。さらに、下傾斜面の少なくとも一部が、径方向におけるチャックピンとガイド外縁との間に配置されているので、処理液は、チャックピンよりも外方の位置で斜め下に案内される。そのため、基板の周縁部から斜め上に飛散する処理液の量を低減できる。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００１７】
請求項４に記載の発明は、前記ガイド部材は、前記ガイド内縁から斜め下に外方に延びており、前記収容溝よりも上方に配置された内向き面をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板回転軸線に径方向に対向するように水平面に対して傾斜した内向き面が、ガイド部材に設けられている。内向き面は、ガイド内縁から斜め下に外方に延びており、収容溝よりも上方に配置されている。したがって、チャックピンの近傍に達した処理液は、基板、チャックピン、およびガイド部材によって形成された捕集溝内に入り込むと共に、内向き面によって斜め下に外方に案内される。そのため、斜め上に外方に飛散する処理液の量がさらに低減される。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００１８】
請求項５に記載の発明は、前記ガイド部材は、前記ガイド外縁から斜め上に内方に延びる外向き面をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、上端が下端よりも内方に位置するように傾斜した外向きの外向き面が、ガイド部材に設けられている。外向き面は、ガイド外縁から斜め上に内方に延びている。上端が下端よりも外方に位置するように外向き面が傾斜している場合、処理液は、外向き面によって斜め上に外方に案内される。したがって、斜め上に外方に飛散する処理液の量が増加する。そのため、上端が下端よりも内方に位置するように外向き面を傾けることにより、斜め上に外方に飛散する処理液の量をさらに低減できる。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００１９】
請求項６に記載の発明は、前記チャックピンは、前記収容溝の上方に配置されたピン上面を含み、前記ガイド部材は、前記チャックピンとは別の部材であり、前記ピン上面の上に配置されている、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、チャックピンおよびガイド部材が別々の部材なので、チャックピンの形状の複雑化を抑制できる。同様に、ガイド部材の形状の複雑化を抑制できる。さらに、ガイド部材がピン上面の上に配置されているので、ガイド部材は、ピン上面を乗り越えて外方に飛散しようとする処理液を水平方向または斜め下方向に確実に案内できる。そのため、斜め上に外方に飛散する処理液の量をさらに低減できる。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００２０】
請求項７に記載の発明は、前記ガイド部材は、平面視で前記ピン上面の全域に重なっている、請求項６に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ガイド部材がピン上面の上方に配置されており、ガイド部材とピン上面とが平面視で重なっている。平面視におけるガイド部材の面積は、平面視におけるピン上面の面積よりも大きく、ピン上面の全域が、ガイド部材によってその上方から覆われている。したがって、ピン上面がガイド部材によって部分的に覆われている場合よりも、斜め上に外方に飛散する処理液の量を低減できる。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００２１】
請求項８に記載の発明は、前記ピン上面から前記ガイド内縁までの高さは、前記把持位置に位置する基板の上面からまで前記ピン上面の高さよりも大きい、請求項６または７に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ピン上面からガイド内縁までの高さが、把持位置に位置する基板の上面からピン上面までの高さよりも大きい。言い換えると、基板の上面からピン上面までの上下方向長さが小さい。したがって、基板の上面からガイド内縁までの上下方向長さが短縮され、ガイド内縁が基板の上面に近接する。そのため、基板、チャックピン、およびガイド部材によって形成された捕集溝の上下方向長さが短縮され、捕集溝の体積が減少する。これにより、基板とガイド部材との間の上下方向の隙間が処理液で満たされ易くなる。捕集溝が処理液で満たされている場合、後続の処理液は、捕集溝の内面に直接衝突しない。したがって、衝突により発生する処理液の液滴やミストの量が低減される。これにより、処理液の再付着を低減できる。
【００２２】
請求項９に記載の発明は、前記基板回転軸線に直交する方向である径方向における前記ガイド内縁から前記ピン上面の内縁までの距離は、前記把持位置に位置する基板の上面から前記ピン上面までの高さよりも大きい、請求項６〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ガイド内縁からピン上面の内縁までの径方向の距離が、把持位置に位置する基板の上面からピン上面までの高さよりも大きい。言い換えると、ピン上面の内縁から内方へのガイド部材の突出量が大きく、ガイド内縁から基板の周端面までの径方向の距離が大きい。したがって、捕集溝の深さ（捕集溝の開口部から捕集溝の底までの水平方向の長さ）が十分に確保される。そのため、ガイド部材は、チャックピンを乗り越えようとする処理液を確実に捕獲して、水平方向または斜め下方向に案内できる。これにより、処理液の再付着を低減できる。
【００２３】
請求項１０に記載の発明は、前記複数のガイド部材は、前記基板回転軸線まわりの方向である周方向に沿って環状に配置されており、前記周方向への前記ガイド部材の長さは、前記周方向に隣接する２つの前記ガイド部材の間隔（周方向の間隔）よりも大きい、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、ガイド部材が、周方向に隣接する２つのガイド部材の間隔よりも大きい周方向長さを有しており、周方向に長い。したがって、ガイド部材によって処理液の飛散方向が制御される範囲が周方向に長い。そのため、複数のガイド部材は、斜め上に外方に飛散する処理液の量をさらに低減できる。これにより、処理液の再付着が低減される。しかも、基板上の処理液は、周方向に長い複数のガイド部材によって複数のガイド部材の内方に溜められるので、基板の上面全域を覆う液膜を形成する際に必要な処理液の量を低減できる。これにより、基板処理装置のランニングコストを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置に備えられたチャンバー内の構成を示す模式図である。
【図２】スピンチャックの模式的な平面図である。
【図３】チャックピンおよびガイド部材の模式的な平面図である。
【図４Ａ】チャックピンが閉位置に位置している状態を示す模式的な平面図である。
【図４Ｂ】チャックピンが開位置に位置している状態を示す模式的な平面図である。
【図５】チャックピンおよびガイド部材の模式的な縦断面図である。
【図６】基板処理装置によって行われる基板の処理の一例を示す工程図である。
【図７】基板からその周囲に飛散する処理液の移動経路について説明するための模式図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係るガイド部材の模式的な縦断面図である。
【図９】本発明のさらに他の実施形態に係るガイド部材の模式的な縦断面図である。
【図１０】本発明のさらに他の実施形態に係るガイド部材の模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下では、この発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１に備えられたチャンバー４内の構成を示す模式図である。図２は、スピンチャック５の模式的な平面図である。図３は、チャックピン１２およびガイド部材１６の模式的な平面図である。図４Ａおよび図４Ｂは、チャックピン１２が閉位置に位置している状態と開位置に位置している状態とを示す模式的な平面図である。図５は、チャックピン１２およびガイド部材１６の模式的な縦断面図である。図４Ａおよび図４Ｂに示すように、チャックピン１２は、閉位置（図４Ａの位置）と開位置（図４Ｂの位置）との間で移動可能である。以下では、特に断りがない限り、チャックピン１２が閉位置に位置している状態について説明する。
【００２６】
図１に示すように、基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを枚ずつ処理する枚葉式の装置である。基板処理装置１は、基板Ｗに処理液を供給する複数の処理ユニット２と、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置３とを含む。
図１に示すように、各処理ユニット２は、基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式のユニットである。各処理ユニット２は、内部空間を有する箱形のチャンバー４と、チャンバー４内で一枚の基板Ｗを水平な姿勢で保持して、基板Ｗの中心を通る鉛直な基板回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック５と、スピンチャック５に保持されている基板Ｗに処理液を供給する処理液供給装置６と、基板回転軸線Ａ１まわりにスピンチャック５を取り囲む筒状のカップ７とを含む。
【００２７】
図１に示すように、チャンバー４は、スピンチャック５等を収容する箱形の隔壁８と、隔壁８の上部から隔壁８内にクリーンエアー（フィルターによってろ過された空気）を送る送風ユニットとしてのＦＦＵ９（ファン・フィルター・ユニット９）と、カップ７の下部からチャンバー４内の気体を排出する排気ダクト１０とを含む。ＦＦＵ９は、隔壁８の上方に配置されている。ＦＦＵ９は、隔壁８の天井からチャンバー４内に下向きにクリーンエアーを送る。排気ダクト１０は、カップ７の底部に接続されており、基板処理装置１が設置される工場に設けられた排気設備に向けてチャンバー４内の気体を案内する。したがって、チャンバー４内を下方に流れるダウンフロー（下降流）が、ＦＦＵ９および排気ダクト１０によって形成される。基板Ｗの処理は、チャンバー４内にダウンフローが形成されている状態で行われる。
【００２８】
図１に示すように、スピンチャック５は、水平な姿勢で保持された円板状のスピンベース１１と、スピンベース１１の上面外周部から上方に突出する複数のチャックピン１２と、複数のチャックピン１２を開閉させるチャック開閉機構１３とを含む。スピンチャック５は、さらに、スピンベース１１の中央部から下方に延びるスピン軸１４と、スピン軸１４を回転させることによりスピンベース１１およびチャックピン１２を基板回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１５と、遠心力によって基板Ｗから排出される処理液を基板Ｗの周囲に案内する複数のガイド部材１６とを含む。
【００２９】
図１に示すように、スピンベース１１の外径は、基板Ｗの直径よりも大きい。スピンベース１１の中心線は、基板回転軸線Ａ１上に配置されている。複数のチャックピン１２は、スピンベース１１の外周部でスピンベース１１に保持されている。複数のチャックピン１２は、周方向Ｘ１（基板回転軸線Ａ１まわりの方向）に間隔を空けて配置されている。各チャックピン１２は、基板Ｗの周縁部に押し付けられる。これにより、基板Ｗの下面とスピンベース１１の上面とが上下方向に離れた状態で、基板Ｗが水平に保持される。そして、複数のチャックピン１２によって基板Ｗが挟まれた状態で、スピンモータ１５がスピン軸１４を回転させると、基板Ｗは、スピンベース１１およびチャックピン１２と共に基板回転軸線Ａ１まわりに回転する。
【００３０】
図５に示すように、チャックピン１２は、基板Ｗの周端面に押し付けられる把持部１７と、基板Ｗの下面周縁部を支持する支持部１８とを含む。図３に示すように、チャックピン１２は、さらに、把持部１７および支持部１８と共に、基板回転軸線Ａ１と平行なピン回転軸線Ａ２まわりに回転する土台部１９を含む。
図５に示すように、把持部１７、支持部１８、および土台部１９は、一体である。把持部１７および支持部１８は、土台部１９に支持されている。土台部１９は、チャック開閉機構１３によってピン回転軸線Ａ２まわりに駆動される。把持部１７および支持部１８は、スピンベース１１の上方に配置されている。把持部１７および支持部１８は、スピンベース１１の外周面よりも内方（基板回転軸線Ａ１側。図５では左側）に配置されている。把持部１７は、支持部１８よりも上方に配置されている。図３に示すように、把持部１７および支持部１８は、ピン回転軸線Ａ２の周囲に配置されており、ピン回転軸線Ａ２に交差していない。
【００３１】
図５に示すように、把持部１７は、基板回転軸線Ａ１側に開いたＶ字状の縦断面（鉛直面で切断した断面）を有する収容溝２０を形成する２つの溝内面２１、２２を含む。２つの溝内面２１、２２は、収容溝２０の底から斜め上に内方に延びる上側溝内面２１と、収容溝２０の底から斜め下に内方に延びる下側溝内面２２と含む。支持部１８は、２つの溝内面２１、２２の下端（下側溝内面２２の内端）から基板回転軸線Ａ１側に斜め下に延びる支持面２３を含む。
【００３２】
図５に示すように、支持面２３は、収容溝２０よりも下方に配置されている。支持面２３は、下側溝内面２２の内方に配置されており、下側溝内面２２に連続している。上側溝内面２１および下側溝内面２２は、互いに等しい大きさで、かつ互いに反対の方向に水平面に対して傾いている。支持面２３は、水平面に対する下側溝内面２２の傾斜角度よりも小さい角度で水平面に対して傾いている。図３に示すように、支持面２３の周方向長さ（基板回転軸線Ａ１まわりの方向への長さ）は、把持部１７の上面に相当するピン上面１２ａの周方向長さよりも短い。収容溝２０は、基板Ｗの周端面に沿って延びている。
【００３３】
図４Ａおよび図４Ｂに示すように、各チャックピン１２は、把持部１７が基板Ｗの周端面に押し付けられる閉位置と、把持部１７が基板Ｗの周端面から離れる開位置との間で、スピンベース１１に対してピン回転軸線Ａ２まわりに回転可能である。チャック開閉機構１３は、閉位置と開位置との間で各チャックピン１２をピン回転軸線Ａ２まわりに回転させる。閉位置は、基板Ｗが複数のチャックピン１２によって把持される位置であり、開位置は、複数のチャックピン１２による基板Ｗの把持が解除される位置である。制御装置３は、チャック開閉機構１３を制御することにより、複数のチャックピン１２が基板Ｗを把持する閉状態と、複数のチャックピン１２による基板Ｗの把持が解除される開状態との間で、複数のチャックピン１２の状態を切り替える。
【００３４】
基板Ｗがスピンチャック５に搬送されるときには、制御装置３は、各チャックピン１２を開位置に退避させる。制御装置３は、この状態で、搬送ロボットに基板Ｗを複数のチャックピン１２に載置させる。これにより、図５において二点鎖線で示すように、各支持部１８の支持面２３が基板Ｗの下面周縁部に接触し、基板Ｗが、スピンベース１１の上面よりも上方の支持位置で水平な姿勢で支持される。制御装置３は、その後、各チャックピン１２を開位置から閉位置に移動させる。支持面２３が収容溝２０に向かって斜め上に延びているので、各チャックピン１２が閉位置に向かって移動する過程で、基板Ｗが複数の支持面２３によって徐々に持ち上げられる。さらに、各チャックピン１２が閉位置に向かって移動する過程で、把持部１７が基板Ｗの周端面に近づき、基板Ｗの周縁部が収容溝２０内に入り込む。これにより、図５において実線で示すように、上側溝内面２１および下側溝内面２２が基板Ｗの周縁部に押し付けられ、基板Ｗが、支持位置よりも上方の把持位置で水平な姿勢で把持される。
【００３５】
図５に示すように、複数のガイド部材１６は、複数のチャックピン１２の上方に配置されている。図５は、厚みが一定のプレートによってガイド部材１６が構成されている例を示している。チャックピン１２およびガイド部材１６は、別々の部材であり、互いに連結されている。ガイド部材１６は、対応するチャックピン１２をチャックピン１２の上方から覆っている。ガイド部材１６は、把持部１７上に配置されている。ガイド部材１６は、ピン上面１２ａから内方に突出していると共に、ピン上面１２ａから外方（基板回転軸線Ａ１から離れる方向。図５では右側）に突出している。ガイド部材１６は、把持位置に位置する基板Ｗの上方および周囲に配置されている。
【００３６】
図２に示すように、複数のガイド部材１６は、周方向Ｘ１に間隔を空けて配置されている。ガイド部材１６の周方向長さ（具体的には、後述する上水平面２８の周方向長さ）は、周方向Ｘ１に隣接する２つのガイド部材１６の間隔よりも小さい。図３に示すように、平面視におけるガイド部材１６の面積は、平面視におけるピン上面１２ａの面積よりも大きい。ガイド部材１６は、平面視でピン上面１２ａの全域に重なっている。したがって、ピン上面１２ａの全域が、ガイド部材１６に覆われている。ガイド部材１６は、ピン上面１２ａから基板Ｗの回転方向Ｄｒにおける上流側に延びている。さらに、ガイド部材１６は、ピン回転軸線Ａ２よりも基板Ｗの回転方向Ｄｒにおける上流側に配置されている。ガイド部材１６は、ピン回転軸線Ａ２よりも外方に配置されている。
【００３７】
複数のガイド部材１６は、それぞれ、複数のチャックピン１２に固定されている。したがって、各ガイド部材１６は、対応するチャックピン１２と共にピン回転軸線Ａ２まわりに回動すると共に、スピンベース１１およびチャックピン１２と共に基板回転軸線Ａ１まわりに回転する。図４Ａおよび図４Ｂに示すように、チャックピン１２が開位置に配置されている状態では、ガイド部材１６は、平面視で基板Ｗに重なっておらず、チャックピン１２が閉位置側に移動すると、ガイド部材１６は、基板Ｗに向かって内方に移動する。
【００３８】
図５に示すように、ガイド部材１６は、収容溝２０よりも内方でかつ収容溝２０よりも上方の位置に配置されたガイド内縁２４と、ガイド内縁２４よりも下方の高さでかつチャックピン１２よりも外方の位置に配置されたガイド外縁２５と、ガイド部材１６の上側部分に沿ってガイド内縁２４からガイド外縁２５まで延びる上ガイド面２６と、ガイド部材１６の下側部分に沿ってガイド内縁２４からガイド外縁２５まで延びる下ガイド面２７とを含む。
【００３９】
図３に示すように、ガイド内縁２４は、周方向Ｘ１に延びている。同様に、ガイド外縁２５は、周方向Ｘ１に延びている。ガイド内縁２４は、図５に示すような水平に延びる曲線であってもよいし、鉛直な曲面であってもよい。ガイド外縁２５についても同様である。ガイド内縁２４は、ガイド外縁２５よりも内方に配置されている。ガイド内縁２４は、ピン上面１２ａよりも内方に配置されており、ガイド外縁２５は、ピン上面１２ａよりも外方に配置されている。図３に示すように、ガイド内縁２４およびガイド外縁２５のそれぞれの周方向長さは、ピン上面１２ａの周方向長さよりも大きい。ガイド内縁２４は、把持位置に位置する基板Ｗの周端面よりも内方に配置されており、平面視で基板Ｗに重なっている。これに対して、ガイド外縁２５は、把持位置に位置する基板Ｗの周端面よりも外方に配置されており、平面視で基板Ｗに重なっていない。
【００４０】
図５に示すように、ガイド内縁２４は、２つの溝内面２１、２２よりも内方に配置されている。ガイド内縁２４は、把持位置に位置する基板Ｗの上面よりも上方に配置されている。把持位置に位置する基板Ｗの上面からピン上面１２ａまでの高さＨ１は、ピン上面１２ａからガイド内縁２４までの高さＨ２よりも小さい。したがって、基板Ｗの上面からガイド部材１６までの高さが小さく、ガイド部材１６が基板Ｗの上面に近接している。さらに、高さＨ１は、ガイド内縁２４からピン上面１２ａの内縁までの径方向Ｙ１（基板回転軸線Ａ１に直交する方向）の距離Ｄ１よりも小さい。ガイド外縁２５は、収容溝２０よりも下方に配置されている。ガイド外縁２５は、把持位置に位置する基板Ｗの下面よりも下方に配置されている。ガイド外縁２５は、スピンベース１１の外周面よりも外方に配置されている。
【００４１】
図５に示すように、上ガイド面２６は、下ガイド面２７の上方に配置されている。上ガイド面２６は、ガイド部材１６を上方から見たときに見える上向きの面であり、下ガイド面２７は、ガイド部材１６を上方から見たときに見えない下向きの面である。上ガイド面２６および下ガイド面２７のそれぞれは、一つ以上の平面によって構成されている。
図５に示すように、上ガイド面２６は、ガイド内縁２４から水平に外方に延びる上水平面２８と、上水平面２８の外縁から斜め下に外方に延びる上傾斜面としての外向き面２９とを含む。
【００４２】
図３に示すように、上ガイド面２６の上水平面２８は、周方向Ｘ１に延びる内縁および外縁と、内縁および外縁の一方から他方に延びる２つの側縁２８ｕ、２８ｄとを含む。制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、一定の回転方向Ｄｒに基板Ｗを回転させる。基板Ｗの回転方向Ｄｒにおける下流側の側縁２８ｄは、側縁２８ｄの内端が側縁２８ｄの外端よりも回転方向Ｄｒにおける下流側に位置するように、平面視で、径方向Ｙ１に対して傾いている。
【００４３】
図５に示すように、下ガイド面２７は、ガイド内縁２４から斜め下に外方に延びる内向き面３０と、下縁に相当する内向き面３０の外縁から水平に外方に延びる下水平面３１と、下水平面３１の外縁から斜め下に外方に延びる下傾斜面３２と、下縁に相当する下傾斜面３２の外縁から水平に外方に延びる下向き面３３とを含む。
図５に示すように、下ガイド面２７の内向き面３０は、ピン上面１２ａよりも内方に配置されている。下ガイド面２７の内向き面３０および下水平面３１は、上ガイド面２６の上水平面２８の下方に配置されている。ピン上面１２ａは、上水平面２８、内向き面３０、および下水平面３１よりも下方に配置されている。下ガイド面２７の下傾斜面３２は、上ガイド面２６の外向き面２９の下方に配置されている。外向き面２９および下傾斜面３２は、互いに平行であり、上下方向に重なっている。
【００４４】
図１に示すように、処理液供給装置６は、基板Ｗの上面に向けて薬液を吐出する上面ノズルとしての薬液ノズル３４と、薬液ノズル３４に接続された上薬液配管３５と、上薬液配管３５に介装された上薬液バルブ３６とを含む。上薬液バルブ３６が開かれると、上薬液配管３５から薬液ノズル３４に供給された薬液が、薬液ノズル３４から下方に吐出され、上薬液バルブ３６が閉じられると、薬液ノズル３４からの薬液の吐出が停止される。薬液ノズル３４に供給される薬液の一例は、硫酸、酢酸、硝酸、塩酸、フッ酸、アンモニア水、過酸化水素水、有機酸（たとえばクエン酸、蓚酸など）、有機アルカリ（たとえば、ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイドなど）、界面活性剤、および腐食防止剤のうちの少なくとも一つを含む液体である。
【００４５】
薬液ノズル３４は、基板Ｗの上面に対する処理液の着液位置が中央部と周縁部との間で移動するように移動しながら処理液を吐出するスキャンノズルである。図１に示すように、処理ユニット２は、薬液ノズル３４を移動させることにより、薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる薬液ノズル移動装置３７を含む。薬液ノズル移動装置３７は、薬液ノズル３４を移動させることにより、薬液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる。さらに、薬液ノズル移動装置３７は、薬液ノズル３４から吐出された薬液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、薬液ノズル３４がスピンチャック５の周囲に退避した退避位置との間で薬液ノズル３４を移動させる。
【００４６】
図１に示すように、処理液供給装置６は、基板Ｗの上面に向けてリンス液を吐出する上面ノズルとしてのリンス液ノズル３８と、リンス液ノズル３８に接続された上リンス液配管３９と、上リンス液配管３９に介装された上リンス液バルブ４０とを含む。上リンス液バルブ４０が開かれると、上リンス液配管３９からリンス液ノズル３８に供給されたリンス液が、リンス液ノズル３８から下方に吐出され、上リンス液バルブ４０が閉じられると、リンス液ノズル３８からのリンス液の吐出が停止される。リンス液ノズル３８に供給されるリンス液は、純水（脱イオン水：Ｄeionzied ater）である。リンス液ノズル３８に供給されるリンス液は、純水に限らず、炭酸水、電解イオン水、水素水、オゾン水、ＩＰＡ（イソプロピルアルコール、）および希釈濃度（たとえば、１０〜１００ｐｐｍ程度）の塩酸水のいずれかであってもよい。
【００４７】
リンス液ノズル３８は、スキャンノズルである。図１に示すように、処理ユニット２は、リンス液ノズル３８を移動させることにより、リンス液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させるリンス液ノズル移動装置４１を含む。リンス液ノズル移動装置４１は、リンス液ノズル３８を移動させることにより、リンス液の着液位置を基板Ｗの上面内で移動させる。さらに、リンス液ノズル移動装置４１は、リンス液ノズル３８から吐出されたリンス液が基板Ｗの上面に着液する処理位置と、リンス液ノズル３８がスピンチャック５の周囲に退避した退避位置との間でリンス液ノズル３８を移動させる。
【００４８】
図１に示すように、処理液供給装置６は、基板Ｗの下面中央部に向けて処理液を吐出する下面ノズル４２と、下面ノズル４２に接続された下薬液配管４３と、下薬液配管４３に介装された下薬液バルブ４４と、下面ノズル４２に接続された下リンス液配管４５と、下リンス液配管４５に介装された下リンス液バルブ４６とを含む。下面ノズル４２は、スピンベース１１の上面中央部から上方に突出している。基板Ｗが支持位置または把持位置でスピンチャック５に保持されている状態では、下面ノズル４２の吐出口が、スピンベース１１の上面の基板Ｗの下面との間に位置し、基板Ｗの下面中央部に上下方向に対向する。したがって、この状態で下薬液バルブ４４または下リンス液バルブ４６が開かれると、下面ノズル４２から上方に吐出された薬液またはリンス液が、基板Ｗの下面中央部に供給される。
【００４９】
図１に示すように、カップ７は、スピンチャック５に保持されている基板Ｗよりも外方（基板回転軸線Ａ１から離れる方向）に配置されている。カップ７は、スピンチャック５を取り囲む筒状の外壁４７と、スピンチャック５と外壁４７との間に配置された複数の処理液カップ（第１処理液カップ４８、第２処理液カップ４９、第３処理液カップ５０）と、基板Ｗの周囲に飛散した処理液を受け止める複数のガード（第１ガード５１、第２ガード５２、第３ガード５３、第４ガード５４）と、複数のガードのそれぞれを独立して昇降させるガード昇降装置５５とを含む。
【００５０】
図１に示すように、各処理液カップ４８〜５０は、スピンチャック５と外壁４７との間でスピンチャック５を取り囲んでいる。内側から二番目の第２処理液カップ４９は、第１処理液カップ４８よりも外方に配置されており、第３処理液カップ５０は、第２処理液カップ４９よりも外方に配置されている。第３処理液カップ５０は第２ガード５２と一体であり、第２ガード５２と共に昇降する。各処理液カップ４８〜５０は、上向きに開いた環状の溝を形成している。各ガード５１〜５４のそれぞれは、基板Ｗに供給される処理液の種類等に応じてガード昇降装置５５の制御により任意に昇降駆動され、使用された処理液をその種類等に応じた任意の処理液カップ４８〜５０に導くことができる。各処理液カップ４８〜５０に導かれた処理液は、この溝を通じて図示しない回収装置または廃液装置に送られる。
【００５１】
図１に示すように、各ガード５１〜５４は、スピンチャック５と外壁４７との間でスピンチャック５を取り囲んでいる。内側の３つのガード５１〜５３は、外側の３つのガード５２〜５４のうちの少なくとも一つによって取り囲まれた内ガードであり、外側の３つのガード５２〜５４は、内側の３つのガード５１〜５３のうちの少なくとも一つを取り囲む外ガードである。
【００５２】
図１に示すように、各ガード５１〜５４は、斜め上に内方に延びる円筒状の傾斜部５６と、傾斜部５６の下端から下方に延びる円筒状の案内部５７とを含む。各傾斜部５６の上端部は、ガード５１〜５４の上端部を構成しており、基板Ｗおよびスピンベース１１よりも大きな直径を有している。４つの傾斜部５６は、上下に重ねられており、４つの案内部５７は、同軸的に配置されている。最も外側の案内部５７を除く３つの案内部５７は、それぞれ、複数の処理液カップ４８〜５０内に出入り可能である。すなわち、カップ７は、折り畳み可能であり、ガード昇降装置５５が４つのガード５１〜５４の少なくとも一つを昇降させることにより、カップ７の展開および折り畳みが行われる。
【００５３】
図１に示すように、ガード昇降装置５５は、ガードの上端が基板Ｗより上方に位置する上位置と、ガードの上端が基板Ｗより下方に位置する下位置との間で、各ガード５１〜５４を昇降させる。ガード昇降装置５５は、上位置と下位置との間の任意の位置で各ガード５１〜５４を保持可能である。基板Ｗへの処理液の供給や基板Ｗの乾燥は、いずれかのガード５１〜５４が、基板Ｗの周端面に対向している状態で行われる。たとえば内側から三番目の第３ガード５３を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、第１ガード５１および第２ガード５２が下位置に配置され、第３ガード５３および第４ガード５４が上位置に配置される。また、最も外側の第４ガード５４を基板Ｗの周端面に対向させる場合には、第４ガード５４が上位置に配置され、他の３つのガード５１〜５３が下位置に配置される。
【００５４】
図６は、基板処理装置１によって行われる基板Ｗの処理の一例を示す工程図である。以下では、図１を参照する。図６については適宜参照する。
基板Ｗが処理されるときには、チャンバー４内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図６のステップＳ１）が行われる。具体的には、制御装置３は、全てのノズルがスピンチャック５の上方から退避しており、全てのガードが下位置に位置している状態で、搬送ロボットに基板Ｗをチャンバー４内に搬入させる。そして、制御装置３は、搬送ロボットに基板Ｗを複数のチャックピン１２上に載置させる。その後、制御装置３は、搬送ロボットをチャンバー４内から退避させる。さらに、制御装置３は、チャック開閉機構１３を制御することにより、複数のチャックピン１２に基板Ｗを把持させる。その後、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、スピンベース１１、チャックピン１２、およびガイド部材１６を基板回転軸線Ａ１まわりに回転させる。これにより、基板Ｗの回転が開始される。
【００５５】
次に、薬液を基板Ｗに供給する薬液供給工程（図６のステップＳ２）が行われる。具体的には、制御装置３は、薬液ノズル移動装置３７を制御することにより、薬液ノズル３４を退避位置から処理位置に移動させる。制御装置３は、さらに、外側の２つのガード（第３ガード５３および第４ガード５４）を上位置に位置させ、内側の２つのガード（第１ガード５１および第２ガード５２）を下位置に位置させる。これにより、第３ガード５３と第２ガード５２との間が開き、第３ガード５３の内周面が基板Ｗの周端面に対向する。
【００５６】
制御装置３は、この状態で、上薬液バルブ３６および下薬液バルブ４４を開いて、回転状態の基板Ｗの上面に向けて薬液ノズル３４に薬液を吐出させると共に、回転状態の基板Ｗの下面中央部に向けて下面ノズル４２に薬液を吐出させる。制御装置３は、さらに、薬液ノズル移動装置３７を制御することにより、基板Ｗの上面に対する薬液の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。そして、上薬液バルブ３６および下薬液バルブ４４が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、上薬液バルブ３６および下薬液バルブ４４を閉じて、薬液ノズル３４および下面ノズル４２からの薬液の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、薬液ノズル移動装置３７を制御することにより、薬液ノズル３４をスピンチャック５の上方から退避させる。
【００５７】
薬液ノズル３４から吐出された薬液は、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。同様に、下面ノズル４２から吐出された薬液は、基板Ｗの下面中央部に着液した後、遠心力によって基板Ｗの下面に沿って外方に流れる。これにより、基板Ｗの上面全域を覆う薬液の液膜が形成され、基板Ｗの上面全域に薬液が供給される。そのため、基板Ｗの上面全域が薬液によって処理される。同様に、下面ノズル４２から吐出された薬液が、基板Ｗの下面全域に供給され、基板Ｗの下面全域が薬液によって処理される。
【００５８】
さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対する薬液の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させるので、薬液の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査（スキャン）される。そのため、薬液ノズル３４から吐出された薬液が、基板Ｗの上面全域に直接吹き付けられ、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。また、基板Ｗの上面および下面の周縁部に達した薬液は、遠心力によって基板Ｗの周囲に振り切られる。そのため、基板Ｗから排出された薬液が、第３ガード５３と第２ガード５２との間を通じてカップ７の内部に導かれ、第１処理液カップ４８に収集される。
【００５９】
次に、リンス液の一例である純水を基板Ｗに供給するリンス液供給工程（図６のステップＳ３）が行われる。具体的には、制御装置３は、リンス液ノズル移動装置４１を制御することにより、リンス液ノズル３８を退避位置から処理位置に移動させる。そして、制御装置３は、第３ガード５３の内周面が基板Ｗの周端面に対向している状態で、上リンス液バルブ４０および下リンス液バルブ４６を開いて、回転状態の基板Ｗの上面に向けてリンス液ノズル３８に純水を吐出させると共に、回転状態の基板Ｗの下面中央部に向けて下面ノズル４２に純水を吐出させる。制御装置３は、さらに、リンス液ノズル移動装置４１を制御することにより、基板Ｗの上面に対する純水の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させる。そして、上リンス液バルブ４０および下リンス液バルブ４６が開かれてから所定時間が経過すると、制御装置３は、上リンス液バルブ４０および下リンス液バルブ４６を閉じて、リンス液ノズル３８および下面ノズル４２からのリンス液の吐出を停止させる。その後、制御装置３は、リンス液ノズル移動装置４１を制御することにより、リンス液ノズル３８をスピンチャック５の上方から退避させる。
【００６０】
リンス液ノズル３８から吐出された純水は、基板Ｗの上面に着液した後、遠心力によって基板Ｗの上面に沿って外方に流れる。同様に、下面ノズル４２から吐出された純水は、基板Ｗの下面中央部に着液した後、遠心力によって基板Ｗの下面に沿って外方に流れる。そのため、基板Ｗ上の薬液は、純水によって外方に押し流され、基板Ｗの周囲に排出される。これにより、基板Ｗ上の薬液が、純水によって洗い流され、基板Ｗ上の薬液の液膜が、基板Ｗの上面全域を覆う純水の液膜に置換される。同様に、下面ノズル４２から吐出された純水が、基板Ｗの下面全域に供給され、基板Ｗの下面に付着している薬液が純水によって洗い流される。
【００６１】
さらに、制御装置３は、基板Ｗが回転している状態で、基板Ｗの上面に対する純水の着液位置を中央部と周縁部との間で移動させるので、純水の着液位置が、基板Ｗの上面全域を通過し、基板Ｗの上面全域が走査（スキャン）される。そのため、純水ノズルから吐出された純水が、基板Ｗの上面全域に直接吹き付けられ、基板Ｗの上面全域が均一に処理される。また、基板Ｗの上面および下面の周縁部に達した純水は、遠心力によって基板Ｗの周囲に振り切られる。そのため、基板Ｗから排出された純水が、第３ガード５３と第２ガード５２との間を通じてカップ７の内部に導かれ、第１処理液カップ４８に収集される。
【００６２】
次に、基板Ｗを乾燥させる乾燥工程（図６のステップＳ４）が行われる。具体的には、制御装置３は、スピンモータ１５を制御することにより、基板Ｗの回転を高回転速度（たとえば数千ｒｐｍ）まで加速させる。これにより、基板Ｗ上の液体が、基板Ｗの周囲に振り切られ、第２ガード５２と第３ガード５３との間を通じて、カップ７の内部に導かれ、第１処理液カップ４８によって収集される。このようにして、水分が基板Ｗから除去され、基板Ｗが乾燥する。基板Ｗの高速回転が開始されてから所定時間が経過すると、制御装置３は、スピンチャック５を制御することにより、基板Ｗの回転を停止させる。その後、制御装置３は、全てのガードを下位置に移動させる。この状態で、制御装置３は、搬送ロボットをチャンバー４内に進入させて、搬送ロボットに基板Ｗを搬出させる（搬出工程。図６のステップＳ５）。
【００６３】
図７は、基板Ｗからその周囲に飛散する処理液の移動経路について説明するための模式図である。
図７に示すように、各ガイド部材１６のガイド内縁２４は、チャックピン１２の収容溝２０よりも内方でかつ収容溝２０よりも上方の位置に配置されている。基板Ｗの周縁部は、収容溝２０内に収容される。したがって、ガイド内縁２４は、基板Ｗの上面よりも上方で、かつ基板Ｗの周端面よりも内方の位置に配置される。そのため、内向き（基板回転軸線Ａ１側）に開いた縦断面を有する捕集溝５８が、基板Ｗ、チャックピン１２、およびガイド部材１６によって形成される。回転状態の基板Ｗに供給された処理液は、遠心力を受けて外方に広がる。チャックピン１２の近傍に達した処理液は、この捕集溝５８内に入り込む。
【００６４】
図７に示すように、チャックピン１２の近傍に達した処理液が、基板Ｗ、チャックピン１２、およびガイド部材１６によって形成された捕集溝５８内に入り込むので、処理液とチャックピン１２との衝突によって液滴やミストが発生したとしても、液滴やミストの拡散が捕集溝５８の内面によって抑えられる。これにより、基板Ｗに対する処理液の再付着が低減される。さらに、チャックピン１２を乗り越えようとする処理液が捕集溝５８内に捕集されるので、基板Ｗの周縁部から斜め上に飛散する処理液の量を低減できる。したがって、カップ７と処理液との衝突によって発生した処理液の液滴やミストが、基板Ｗに付着することを低減できる。
【００６５】
また、図７に示すように、捕集溝５８に入り込んだ処理液は、下ガイド面２７に沿ってガイド外縁２５の方に案内される。各ガイド外縁２５が、ガイド内縁２４よりも下方の高さに配置されているので、外方に流れる処理液は、ガイド部材１６によって水平方向または斜め下方向に案内される。さらに、ガイド外縁２５が、チャックピン１２よりも外方に配置されているので、処理液は、ガイド部材１６によってチャックピン１２よりも外方の位置まで確実に案内される。したがって、処理液が、チャックピン１２から斜め上に外方に飛散することを抑制できる。これにより、汚染や品質低下の原因となる処理液の再付着を低減できる。
【００６６】
以上のように本実施形態では、基板Ｗからの処理液の飛散方向が、ガイド部材１６によって制御され、基板Ｗよりも上方への処理液の飛散範囲が狭められる。カップ７と処理液との衝突によって発生した処理液の液滴やミストは、内方に移動しながら、ダウンフローに乗って下方に移動する。したがって、基板Ｗよりも上方への処理液の飛散範囲を狭めることにより、基板Ｗに対する処理液の再付着を低減できる。さらに、処理液の飛散範囲を狭めることができるので、基板Ｗとカップ７との径方向Ｙ１の間隔を広げるために、カップ７を径方向Ｙ１に大型化しなくてもよい。すなわち、カップ７の奥行（内径）を従来よりも減少させることができる。これにより、基板Ｗとカップ７との間に設けられた環状の気体流路の流路面積を減少させることができる。したがって、気流の速度（ダウンフローの速度）を維持しながら、排気設備の吸引力（排気圧）を弱めることができる。
【００６７】
また本実施形態では、基板Ｗの周縁部を収容するチャックピン１２の収容溝２０よりも下方にガイド外縁２５が配置されているので、基板Ｗは、ガイド外縁２５よりも上方に配置される。言い換えると、ガイド外縁２５は、把持位置で把持されている基板Ｗの下面よりも下方に配置されている。したがって、処理液は、ガイド部材１６によって基板Ｗよりも下方まで案内され、基板Ｗよりも下方の位置からカップ７に向かって外方に飛散する。そのため、基板Ｗよりも上方の高さで発生する液滴およびミストの量を低減できる。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００６８】
また本実施形態では、上端が下端よりも内方に位置するように傾斜した下向きの下傾斜面３２が、ガイド部材１６に設けられている。下傾斜面３２が水平面に対して傾斜しているので、処理液は、下傾斜面３２によって斜め下に外方に案内される。さらに、下傾斜面３２の少なくとも一部が、径方向Ｙ１におけるチャックピン１２とガイド外縁２５との間に配置されているので、処理液は、チャックピン１２よりも外方の位置で斜め下に案内される。そのため、基板Ｗの周縁部から斜め上に飛散する処理液の量を低減できる。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００６９】
また本実施形態では、基板回転軸線Ａ１に径方向Ｙ１に対向するように水平面に対して傾斜した内向き面３０が、ガイド部材１６に設けられている。内向き面３０は、ガイド内縁２４から斜め下に外方に延びており、収容溝２０よりも上方に配置されている。したがって、チャックピン１２の近傍に達した処理液は、基板Ｗ、チャックピン１２、およびガイド部材１６によって形成された捕集溝５８内に入り込むと共に、内向き面３０によって斜め下に外方に案内される。そのため、斜め上に外方に飛散する処理液の量がさらに低減される。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００７０】
また本実施形態では、チャックピン１２およびガイド部材１６が別々の部材なので、チャックピン１２の形状の複雑化を抑制できる。同様に、ガイド部材１６の形状の複雑化を抑制できる。さらに、ガイド部材１６がピン上面１２ａの上に配置されているので、ガイド部材１６は、ピン上面１２ａを乗り越えて外方に飛散しようとする処理液を水平方向または斜め下方向に確実に案内できる。そのため、斜め上に外方に飛散する処理液の量をさらに低減できる。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００７１】
また本実施形態では、ガイド部材１６がピン上面１２ａの上方に配置されており、ガイド部材１６とピン上面１２ａとが平面視で重なっている。平面視におけるガイド部材１６の面積は、平面視におけるピン上面１２ａの面積よりも大きく、ピン上面１２ａの全域が、ガイド部材１６によってその上方から覆われている。したがって、ピン上面１２ａがガイド部材１６によって部分的に覆われている場合よりも、斜め上に外方に飛散する処理液の量を低減できる。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００７２】
また本実施形態では、ピン上面１２ａからガイド内縁２４までの高さが、把持位置に位置する基板Ｗの上面からピン上面１２ａまでの高さよりも大きい。言い換えると、基板Ｗの上面からピン上面１２ａまでの上下方向長さが小さい。したがって、基板Ｗの上面からガイド内縁２４までの上下方向長さが短縮され、ガイド内縁２４が基板Ｗの上面に近接する。そのため、捕集溝５８の上下方向長さが短縮され、捕集溝５８の体積が減少する。これにより、基板Ｗとガイド部材１６との間の上下方向の隙間（捕集溝５８の内部）が処理液で満たされ易くなる。捕集溝５８が処理液で満たされている場合、後続の処理液は、捕集溝５８の内面に直接衝突しない。したがって、衝突により発生する処理液の液滴やミストの量が低減される。これにより、処理液の再付着を低減できる。
【００７３】
また本実施形態では、ガイド内縁２４からピン上面１２ａの内縁までの径方向Ｙ１の距離が、把持位置に位置する基板Ｗの上面からピン上面１２ａまでの高さよりも大きい。言い換えると、ガイド内縁２４からピン上面１２ａの内縁までの径方向Ｙ１の距離が大きく、ガイド内縁２４から基板Ｗの周端面までの径方向Ｙ１の距離が大きい。したがって、捕集溝５８の深さ（捕集溝５８の開口部から捕集溝５８の底までの水平方向の長さ）が十分に確保される。そのため、ガイド部材１６は、チャックピン１２を乗り越えようとする処理液を確実に捕獲して、水平方向または斜め下方向に案内できる。これにより、処理液の再付着を低減できる。
【００７４】
本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、ガイド外縁２５がガイド内縁２４よりも下方の高さに配置されている場合について説明したが、ガイド内縁２４およびガイド外縁２５が互いに等しい高さに配置されていてもよい。
【００７５】
また、前述の実施形態では、上ガイド面２６および下ガイド面２７が、水平面に対して傾斜した平面である場合について説明した。しかし、図８に示すように、上ガイド面２６および下ガイド面２７は、斜め上外方に膨らんだ曲面を含んでいてもよい。また、上ガイド面２６および下ガイド面２７の一方が、水平面に対して傾斜した平面を含んでおり、上ガイド面２６および下ガイド面２７の他方が、斜め上外方に膨らんだ曲面を含んでいてもよい。
【００７６】
また、前述の実施形態では、ガイド部材１６が屈曲している場合について説明したが、図９に示すように、ガイド部材１６は、水平面に沿って延びていてもよい。図９に示すガイド部材１６は、上端が下端よりも内方に位置するように傾斜した外向き面２９を含む。外向き面２９は、ガイド外縁２５から斜め上に内方に延びている。上端が下端よりも外方に位置するように外向き面２９が傾斜している場合、処理液は、外向き面２９によって斜め上に外方に案内される。したがって、斜め上に外方に飛散する処理液の量が増加する。そのため、上端が下端よりも内方に位置するように外向き面２９を傾けることにより、斜め上に外方に飛散する処理液の量をさらに低減できる。これにより、処理液の再付着をさらに低減できる。
【００７７】
また、前述の実施形態では、周方向Ｘ１へのガイド部材１６の長さが、周方向Ｘ１に隣接する２つのガイド部材１６の間隔よりも小さい場合について説明した。しかし、図１０に示すように、ガイド部材１６は、周方向Ｘ１に隣接する２つのガイド部材１６の間隔よりも大きい周方向長さを有していてもよい。
この構成によれば、ガイド部材１６が周方向Ｘ１に長いので、ガイド部材１６によって処理液の飛散方向が制御される範囲が周方向Ｘ１に長い。そのため、複数のガイド部材１６は、斜め上に外方に飛散する処理液の量をさらに低減できる。これにより、処理液の再付着が低減される。しかも、基板Ｗ上の処理液は、周方向Ｘ１に長い複数のガイド部材１６によって複数のガイド部材１６の内方に溜められるので、基板Ｗの上面全域を覆う液膜を形成する際に必要な処理液の量を低減できる。これにより、基板処理装置１のランニングコストを低減できる。さらに、周方向Ｘ１に隣接する２つのガイド部材１６の周方向Ｘ１の間隔が小さいので、複数のガイド部材１６が基板回転軸線Ａ１まわりに回転しているときに、気流の乱れが発生し難い。したがって、液滴やミストが乱流によって巻き上げられて、基板Ｗに付着することを低減できる。
【００７８】
また、前述の実施形態では、ガイド部材１６が、チャックピン１２に取り付けられた、チャックピン１２とは別の部材である場合について説明したが、ガイド部材１６は、チャックピン１２と一体であってもよい。
また、前述の実施形態では、ガイド部材１６が、平面視でピン上面１２ａの全域に重なっており、ピン上面１２ａの全域が、ガイド部材１６に覆われている場合について説明したが、ピン上面１２ａがガイド部材１６に部分的に覆われており、ピン上面１２ａの一部が平面視でガイド部材１６から露出していてもよい。
【００７９】
また、前述の実施形態では、ガイド内縁２４およびガイド外縁２５のそれぞれの周方向長さが、ピン上面１２ａの周方向長さよりも大きい場合について説明したが、ガイド内縁２４の周方向長さは、ピン上面１２ａの周方向長さと等しくてもよいし、ピン上面１２ａの周方向長さよりも小さくてもよい。ガイド外縁２５の周方向長さについても同様である。
【００８０】
また、前述の実施形態では、ガイド部材１６が板状である場合について説明したが、ガイド部材１６の形状は、板状でなくてもよい。すなわち、ガイド部材１６の上側の面と、ガイド部材１６の下側の面とは、互いに平行でなくてもよい。
また、前述の実施形態では、薬液ノズル３４およびリンス液ノズル３８の両方がスキャンノズルである場合について説明したが、薬液ノズル３４およびリンス液ノズル３８の一方または両方は、吐出口が静止された状態で基板Ｗの上面中央部に向けて処理液を吐出する固定ノズルであってもよい。
【００８１】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００８２】
１        ：基板処理装置
２        ：処理ユニット
３        ：制御装置
５        ：スピンチャック
７        ：カップ
１１      ：スピンベース
１２      ：チャックピン
１２ａ    ：ピン上面
１５      ：スピンモータ
１６      ：ガイド部材
１７      ：把持部
１８      ：支持部
１９      ：土台部
２０      ：収容溝
２１      ：上側溝内面
２２      ：下側溝内面
２３      ：支持面
２４      ：ガイド内縁
２５      ：ガイド外縁
２６      ：上ガイド面
２７      ：下ガイド面
２８      ：上水平面
２９      ：上傾斜面
３０      ：内向き面
３１      ：下水平面
３２      ：下傾斜面
３３      ：下向き面
３４      ：薬液ノズル
３８      ：リンス液ノズル
４２      ：下面ノズル
５９      ：捕集溝
Ａ１      ：基板回転軸線
Ａ２      ：ピン回転軸線
Ｗ        ：基板
Ｘ１      ：周方向
Ｙ１      ：径方向
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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