(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】シール材１４は、素子基板の第１辺に沿って形成された第１部分と、第１辺に隣接する第２辺に沿って形成された第２部分と、第１部分と第２部分とを接続する第３部分と、を有し、平面視で第３部分と第２辺との間に上下導通部２６が位置し、平面視で第３部分の表示領域側の縁の少なくとも一部は、第１部分の表示領域側の縁より第１辺側に突出している。【選択図】図５
2014119684.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記シール材により囲まれる領域の内側に、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、
前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する導通部と、
を含み、
前記シール材は、
前記第１基板の第１辺に沿って形成された第１部分と、
前記第１基板の前記第１辺に隣接する第２辺に沿って形成された第２部分と、
前記第１部分と前記第２部分とを接続する第３部分と、
を有し、
平面視で、前記第３部分と前記第２辺との間に前記導通部が位置し、
平面視で、前記第３部分の表示領域側の縁の少なくとも一部は、前記第１部分の表示領域側の縁より前記第１辺側に突出していることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する第２導通部を含み、
前記シール材は、
前記第１基板の前記第１辺及び前記第２辺のいずれか一方に対向する第３辺に沿って形成された第４部分と、
前記第１基板の前記第１辺及び前記第２辺の他方に対向する第４辺に沿って形成された第５部分と、
前記第４部分と前記第５部分とを接続する第６部分と、
を有し、
平面視で、前記第６部分と前記第３辺の間に前記第２導通部が位置し、
平面視で、前記第６部分の表示領域側の縁の少なくとも一部は、前記第５部分の表示領域側の縁より前記第４辺側に突出していることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の液晶装置であって、
前記第３部分の前記第１辺側の縁は、前記第１部分の前記第１辺側の縁より前記第１辺側に突出していることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
平面視で、前記第３部分の表示領域側の縁の他の一部は、前記第２部分の表示領域側の縁より前記第２辺側に突出し、
平面視で、前記第３部分の前記他の一部と前記第１辺との間に前記導通部が位置していることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記第３部分の内縁と表示領域との間に周辺電極が設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記第１辺及び前記第２辺に沿って形成された第１本線部と、前記第１本線部から前記第３部分に向かって突出した第１支線部と、を有する第１電極と、
前記第１本線部と前記第１部分及び前記第２部分との間に設けられた第２本線部と、前記第２本線部から前記第３部分の前記第１辺側に突出した部分に向かって突出した第２支線部と、を有し、前記第１電極と異なる電位が印加される第２電極と、
を含むことを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
このような液晶装置において、液晶供給時に混入したり、液晶層を取り囲んでいるシール材や封止材から溶出したりした不純物が、液晶装置の駆動によって表示領域に凝集することにより、液晶装置の表示特性が劣化する恐れがあることが知られている。
【０００４】
例えば、特許文献１には、液晶装置を構成する一対の基板間を電気的に接続するための上下導通部（銀点）を避けるようにシール材が形成されている技術が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平４−１５３６２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の構成によれば、液晶分子の揺らぎにより、不純物が角部に移動する可能性がある。しかしながら、角部に移動した不純物がシール材の延設方向に沿って再度拡散する恐れがあるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記シール材により囲まれる領域の内側に、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶層と、前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する導通部と、を含み、前記シール材は、前記第１基板の第１辺に沿って形成された第１部分と、前記第１基板の前記第１辺に隣接する第２辺に沿って形成された第２部分と、前記第１部分と前記第２部分とを接続する第３部分と、を有し、平面視で、前記第３部分と前記第２辺との間に前記導通部が位置し、平面視で、前記第３部分の表示領域側の縁の少なくとも一部は、前記第１部分の表示領域側の縁より前記第１辺側に突出していることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第１部分の内縁より第１辺側に、第３部分の内側の一部が突出して設けられているので、導通部を避けながら導通部側にシール材の内縁を張り出させることが可能となる。よって、第３部分に集められた不純物が、第３部分の張り出し部分にとどまり、張り出し部分から外部に不純物が再拡散することを抑えることができる。加えて、第１辺側に張り出すように第３部分の内縁を設けるので、表示領域から不純物が溜まる部分を遠ざけることが可能となり、表示への影響を抑制することができる。その結果、表示品質を向上させることができる。更に、導電部と異なる辺の側に張り出させるので、パネルの周辺領域を小さくできる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１基板と前記第２基板とを電気的に接続する第２導通部を含み、前記シール材は、前記第１基板の前記第１辺及び前記第２辺のいずれか一方に対向する第３辺に沿って形成された第４部分と、前記第１基板の前記第１辺及び前記第２辺の他方に対向する第４辺に沿って形成された第５部分と、前記第４部分と前記第５部分とを接続する第６部分と、を有し、平面視で、前記第６部分と前記第３辺の間に前記第２導通部が位置し、平面視で、前記第６部分の表示領域側の縁の少なくとも一部は、前記第５部分の表示領域側の縁より前記第４辺側に突出していることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、シール材における対向するコーナーに対応して第３部分及び第６部分を設けるので、液晶分子が揺らぎによって、対向する第３部分及び第６部分に不純物をとどめることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記第３部分の前記第１辺側の縁は、前記第１部分の前記第１辺側の縁より前記第１辺側に突出していることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、第３部分の外縁も内縁の形状に沿って突出しているので、第３部分のシール材を第１部分のシール材と略同じ幅を確保することが可能となり、第３部分における外部から液晶層への水分の浸入を、他のシール材の部分と同程度に防ぐことができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、平面視で、前記第３部分の表示領域側の縁の他の一部は、前記第２部分の表示領域側の縁より前記第２辺側に突出し、平面視で、前記第３部分の前記他の一部と前記第１辺との間に前記導通部が位置していることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、導通部の両脇に張り出すように第３部分が形成されているので、導通部を避けながら極力広い範囲で不純物を第３部分でとどめることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記第３部分の内縁と表示領域との間に周辺電極が設けられていることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、液晶分子の揺らぎに加えて、第３部分の内縁近傍に周辺電極が設けられているので、周辺電極と他の電極との間の電位差によって発生した電界により、効果的に第３部分に不純物を集めることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１辺及び前記第２辺に沿って形成された第１本線部と、前記第１本線部から前記第３部分に向かって突出した第１支線部と、を有する第１電極と、前記第１本線部と前記第１部分及び前記第２部分との間に設けられた第２本線部と、前記第２本線部から前記第３部分の前記第１辺側に突出した部分に向かって突出した第２支線部と、を有し、前記第１電極と異なる電位が印加される第２電極と、を含むことが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、液晶分子の揺らぎに加えて、第３部分の内縁に突出した第１電極と第２電極との間の電位差によって発生した電界により、効果的に第３部分に不純物を集めることができる。
【００２０】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２１】
本適用例によれば、上記した液晶装置を備えているので、表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】液晶装置のうち主にシール材の構成を示す模式平面図。
【図６】図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図７】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図８】第２実施形態の液晶装置のうち主にシール材の構成を示す模式平面図。
【図９】変形例の素子基板の構成を示す模式平面図。
【図１０】変形例の素子基板の構成を示す模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２４】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２５】
本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２６】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２７】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２８】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２９】
シール材１４の内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３０】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３１】
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
【００３２】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３３】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３４】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、配向膜２８を含むものである。
【００３５】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００３６】
遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３７】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３８】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた導通部としての上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３９】
画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４０】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４１】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４２】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４３】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４４】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４５】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。
【００４６】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００４７】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４８】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４９】
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５０】
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５１】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５２】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５３】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５４】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５５】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５６】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００５７】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００５８】
データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００５９】
画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００６０】
一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６１】
液晶層１５は、画素電極２７からの電界が印加されていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６２】
＜シール材の構成＞
図５は、液晶装置のうち主にシール材の構成を示す模式平面図である。図６は、図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、主にシール材の構成について、図５及び図６を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを第１基材１０ａと称して説明する。
【００６３】
図５及び図６に示すように、液晶装置１００の素子基板１０を構成する第１基材１０ａ上には、表示領域Ｅに画素電極２７が設けられている。画素電極２７上を含む第１基材１０ａ上の全体には、図示しない、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８（図４参照）が設けられている。
【００６４】
配向膜２８は、柱状構造物（カラム）を有している。柱状構造物は、第１基材１０ａ上の全体に亘って密集して設けられている。複数の柱状構造物は、第１基材１０ａに対し傾斜して設けられており、傾斜角度によって液晶層１５の液晶分子１５ａにプレチルト角が付与されるようになっている。ここで、プレチルト角とは、第１基材１０ａ表面に直交する方向と液晶分子１５ａの長軸方向とのなす角度をいう。
【００６５】
配向膜２８上における表示領域Ｅの周囲には、表示領域Ｅを囲むようにシール材１４が設けられている。また、第１基材１０ａ上における四隅には、素子基板１０と対向基板２０とを電気的に接続する上下導通部２６が設けられている。
【００６６】
シール材１４は、素子基板１０の第１辺に沿って形成された第１部分と、第１辺に隣接する第２辺に沿って形成された第２部分と、第１部分と第２部分とを接続する第３部分と、を有する。
【００６７】
例えば、素子基板１０の第１辺とは、走査線駆動回路２４が沿って設けられた辺であり、図５の右側の辺に対応する。素子基板１０の第２辺とは、複数の外部接続用端子６１が沿って配列されている辺に対向する辺である。
【００６８】
また、第３部分のうち第１部分と接続された部分と第２辺との間、及び第３部分のうち第２部分と接続された部分と第１辺との間に、上下導通部２６が配置されている。第３部分のうち第１部分と接続された部分と第３部分のうち第２部分と接続された部分とは、上下導通部２６と表示領域Ｅとの間で接続されている。
【００６９】
シール材１４の第３部分のうち第１部分と接続された部分の内縁の少なくとも一部は、第１部分の内縁より第１辺側に突出している。更にシール材１４の第３部分のうち第２部分と接続された部分の内縁の少なくとも一部は、第２部分の内縁より第２辺側に突出している。
【００７０】
また、本実施形態においては、シール材１４は、素子基板１０の第１辺に対向する第３辺に沿って形成された第４部分と、第１辺及び第３辺に隣接し、第２辺に対向する第４辺に沿って形成された第５部分と、第４部分と第５部分とを接続する第６部分と、を有する。
【００７１】
素子基板１０の第３辺とは、走査線駆動回路２４が沿って設けられた辺であり、図５の左側の辺に対応する。素子基板１０の第４辺は、複数の外部接続用端子６１が沿って配列されている辺であり、第５部分は平面視で複数の外部接続用端子６１と表示領域Ｅとの間に設けられている。
【００７２】
また、第６部分のうち第４部分と接続された部分と第４辺との間、及び第６部分のうち第５部分と接続された部分と第３辺との間に、上下導通部２６が配置されている。第６部分のうち第４部分と接続された部分と、第６部分のうち第５部分と接続された部分とは、上下導通部２６と表示領域Ｅとの間で接続されている。
【００７３】
シール材１４の第６部分のうち第４部分と接続された部分の内縁の少なくとも一部は、第４部分の内縁より第３辺側に突出している。更にシール材１４の第６部分のうち第５部分と接続された部分の内縁の少なくとも一部は、第５部分の内縁より第４辺側に突出している。
【００７４】
以上のように、シール材１４の第３部分と第６部分は、液晶のフロー効果でイオン性不純物７０が掃き寄せられやすい略液晶配向方位で対向するシール材１４の角部に形成されている。
【００７５】
また、本実施形態では、さらに、液晶配向方位ではない方向で対向するシール材１４の角部にも、第３部分及び第６部分と同様に突出部が形成されている。
【００７６】
上記内容を言い換えれば、素子基板１０の四隅には、上下導通部２６を避けるように、上下導通部２６の両脇に張り出すようにシール材１４の突出部１４ａが設けられている。更に、突出部１４ａの内縁側には、シール材１４の窪み１４ｂが形成されている。すなわち、平面視で液晶層１５が上下導通部２６の両脇に張り出すように突出しており、素子基板１０の四隅以外の部分では、液晶層１５の外縁が、上下導通部２６よりも表示領域Ｅ側に形成されている。
【００７７】
第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、対向電極３１が設けられている。対向電極３１の表面には、素子基板１０側と同様に、柱状構造物を有する配向膜３２（図４参照）が設けられている。
【００７８】
このようにシール材１４を設けることにより、図６に示すように、液晶を駆動させた際、液晶分子１５ａが揺らぎ、シール材１４の突出部１４ａ、言い換えれば、シール材１４の窪み１４ｂの中にイオン性不純物７０が集められる。そして、シール材１４の窪み１４ｂがイオン性不純物７０の溜まり場となり、イオン性不純物７０が窪み１４ｂの外に再拡散することを抑えることができる。加えて、上下導通部２６の両側に張り出すようにシール材１４の窪み１４ｂを設けるので、表示領域Ｅからイオン性不純物７０を遠ざけることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
【００７９】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図７を参照して説明する。図７は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００８０】
図７に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８１】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８２】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８３】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８４】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００８５】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００８６】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００８７】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。
【００８８】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００８９】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９０】
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、素子基板１０の四隅に設けられた上下導通部２６を避けるように、言い換えれば、上下導通部２６の両脇に張り出すようにシール材１４の突出部１４ａが設けられており、つまり、シール材１４の内縁側に窪み１４ｂが形成されているので、液晶を駆動させた際、液晶分子１５ａが揺らぎ、シール材１４のコーナーにある窪み１４ｂの中にイオン性不純物７０を掃き寄せることができる（液晶のフロー効果）。更に、窪み１４ｂがイオン性不純物７０の溜まり場となり、イオン性不純物７０が窪み１４ｂの外に再拡散することを抑えることができる。加えて、上下導通部２６の両側に張り出すようにシール材１４の窪み１４ｂを設けるので、表示領域Ｅからイオン性不純物７０を遠ざけることができる。その結果、表示品質を向上させることができる。
【００９１】
詳述すると、液晶中に含まれる不純物は液晶配向方向と平行に移動するため、シール材１４の液晶配向方向で対向する角部に不純物が掃き寄せられる。本発明の液晶装置１００によれば、液晶配向方向で対向する２つの角部にシール材１４の突出部１４ａ、すなわち液晶層１５の突出部が設けられている。そのため、液晶分子１５ａの駆動によるフロー効果でシール材１４の角部に掃き寄せられた不純物が、角部から再び拡散することを低減することができる。すなわち、液晶層１５の突出部において、不純物を捕獲することができる。さらに、本発明の液晶装置１００によれば、液晶配向方向で対向する２つの角部以外の２箇所の角部にも液晶層１５の突出部が設けられている。そのため、液晶配向方向で対向する２つの角部から漏れ出し、素子基板１０の辺と平行するシール材１４の延設方向に沿って拡散した不純物についても、２箇所の角部において捕獲することができる。よって、より表示ムラを低減することができる。
【００９２】
（２）本実施形態の液晶装置１００によれば、シール材１４の窪み１４ｂ部分において、内縁の形状に倣って外側の形状も突出しているので、窪み１４ｂのシール材１４の幅を他の部分のシール材１４の幅と略同じ幅にすることが可能となり、外部から液晶層１５に水分が浸入する程度を、他のシール材１４の部分と同程度に防ぐことができる。
【００９３】
（３）本実施形態の電子機器によれば、上記に記載の液晶装置１００を備えるので、表示特性を向上させることが可能な電子機器を提供することができる。
【００９４】
（第２実施形態）
＜シール材の構成＞
図８は、第２実施形態の液晶装置のうち主にシール材の構成を示す模式平面図である。以下、主にシール材の構成について、図８を参照しながら説明する。
【００９５】
第２実施形態の液晶装置２００は、上述の第１実施形態と比べて、周辺電極としてのイオントラップ電極４０，５０を用いている部分が異なり、その他の構成については概ね同様である。このため第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分について詳細に説明し、その他の重複する部分については適宜説明を省略する。
【００９６】
図８に示す図は、素子基板１０の四隅のうち一箇所の領域を示す模式平面図である。図８に示すように、第２実施形態の液晶装置２００は、上記した第１実施形態と同様に、表示領域Ｅを囲むようにシール材１４が設けられている。
【００９７】
また、素子基板１０上の四隅には、素子基板１０と対向基板２０とを電気的に接続する上下導通部２６が設けられている。シール材１４は、上下導通部２６を避けるように、言い換えれば、上下導通部２６の両脇に張り出すように、シール材１４が形成されている。
【００９８】
具体的には、上記した第１実施形態のように、上下導通部２６の両脇に張り出すようにシール材１４の突出部１４ａが設けられているとともに、シール材１４の窪み１４ｂが形成されている。すなわち、液晶層１５が、上下導通部２６の両脇に突出するように形成されている。
【００９９】
第２実施形態の特徴として、表示領域Ｅとシール材１４との間に、イオントラップ電極４０，５０が設けられている。イオントラップ電極４０，５０は、表示領域Ｅ側から第１イオントラップ電極４０と、第２イオントラップ電極５０とが設けられている。
【０１００】
第１イオントラップ電極４０は、対向電極３１と同電位が印加されており、例えば、７Ｖ程度が印加されている。第２イオントラップ電極５０は、第１イオントラップ電極４０と異なる電位が印加されており、例えば、５Ｖ程度が印加されている。このように２つのイオントラップ電極４０，５０間に電位差をつくることにより、液晶分子１５ａが揺らぐことによるフロー効果に加えて、効率的にイオントラップ電極４０，５０が設けられた表示領域Ｅの外部へイオン性不純物７０を引き寄せることができる。なお、第１イオントラップ電極４０及び第２イオントラップ電極５０に印加される電位は、少なくとも一部の期間で異なる電位が印加されていれば定電位に限定されず、第１イオントラップ電極４０及び第２イオントラップ電極５０のいずれか一方又はそれぞれに交流電位を印加するようにしてもよい。
【０１０１】
なお、第１イオントラップ電極４０は、上下導通部２６を挟んで形成された２つのシール材１４の窪み１４ｂの間に向かって第１支線部４０ａが延在している。第２イオントラップ電極５０は、一方の第２支線部５０ａが一方の窪み１４ｂの中に延在している。同様に、他方の第２支線部５０ｂが他方の窪み１４ｂの中に延在している。
【０１０２】
言い換えると、第２イオントラップ電極５０は、素子基板１０の第１辺に沿って形成された第２本線部５０と、素子基板１０の第２辺に沿って形成された第２本線部５０と、を有する。さらに、第２イオントラップ電極５０は、素子基板１０の第１辺に沿って形成された第２本線部５０から延在された第２支線部５０ｂを有する。第２支線部５０ｂは、第１辺側に突出している液晶層１５の突出部分にまで設けられている。さらに、第２イオントラップ電極５０は、素子基板１０の第２辺に沿って形成された第２本線部５０から延在された第２支線部５０ａを有する。第２支線部５０ａは、第２辺側に突出している液晶層１５の突出部分にまで設けられている。
【０１０３】
また、第１イオントラップ電極４０は、素子基板１０の第１辺に沿って形成された第２本線部５０と表示領域Ｅとの間に設けられた第１本線部４０と、素子基板１０の第２辺に沿って形成された第２本線部５０と表示領域Ｅとの間に設けられた第１本線部４０と、を有し、第１辺に沿って形成された第１本線部４０と第２辺に沿って形成された第１本線部４０とは、表示領域Ｅと素子基板１０の角部との間で接続されている。その接続箇所から延設された第１支線部４０ａが設けられている。第１支線部４０ａは、第２支線部５０ａと第２支線部５０ｂとの間に設けられている。
【０１０４】
このように、イオントラップ電極４０，５０を設けることにより、シール材１４の窪み１４ｂの中に電界を発生させることが可能となり、積極的に窪み１４ｂの中にイオン性不純物７０を引き寄せることができ、窪み１４ｂの中にイオン性不純物７０を溜めることができる。
【０１０５】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置２００によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１０６】
（４）第２実施形態の液晶装置２００によれば、シール材１４の窪み１４ｂの中にイオントラップ電極４０，５０が設けられているので、イオントラップ電極４０，５０の電位差によって、積極的に窪み１４ｂの中にイオン性不純物７０を引き寄せることができる。加えて、窪み１４ｂの間に第１支線部４０ａが延在しており、窪み１４ｂの中に第２支線部５０ａ，５０ｂが延在しているので、より窪み１４ｃの中にイオン性不純物７０を引き寄せることができる。
【０１０７】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１０８】
（変形例１）
上記したように、素子基板１０の四隅に対応した４箇所に上下導通部２６を避けるように、言い換えれば、上下導通部２６の両脇に張り出すようにシール材１４（突出部１４ａ、窪み１４ｂ）を設けることに限定されず、例えば、図９及び図１０に示すようにシール材１４を設けてもよい。なお、以下の変形例において、イオントラップ電極４０，５０については触れていないが、どの形態においても適用するようにしてもよい。
【０１０９】
図９（ａ）に示す素子基板１１０は、素子基板１１０の四隅に設けられた上下導通部２６のうち対向する２つの上下導通部２６の方向に、第１実施形態と同様の窪み１４ｂを設けている。これによれば、例えば、配向膜２８，３２の配向方向に沿って窪み１４ｂを設けることにより、液晶のフロー効果により、配向方向にある窪み１４ｂの中に効率よくイオン性不純物７０を集めることができる。
【０１１０】
図９（ｂ）に示す素子基板２１０は、素子基板２１０の四隅に設けられた上下導通部２６のうち対向する２つの上下導通部２６の方向に、第１実施形態とは異なる窪み１４ｃを設けている。具体的には、上下導通部２６を避けるように片側に張り出すようにシール材１４が設けられている。これによれば、図９（ａ）に示す素子基板１１０と比較して、シール材１４の窪み１４ｃの領域が少ないものの、設けられた窪み１４ｃにイオン性不純物７０を留まらせることが可能となり、集めたイオン性不純物７０が窪み１４ｃの外に再拡散することを抑えることができる。なお、図９（ｂ）では、対向して設けられた窪み１４ｃが平行方向に突出しているが、この形態に限定されず、一方の窪み１４ｃが垂直方向に突出するように設けられていてもよい。
【０１１１】
図９（ｃ）に示す素子基板３１０は、素子基板３１０の四隅に設けられた上下導通部２６のうち１つの上下導通部２６を避けるように片側に張り出してシール材１４が設けられている。これによれば、図９（ｂ）に示す素子基板２１０と比較して、窪み１４ｃの数が少なくなるが、本発明を実現する最低限の構成として、イオン性不純物７０を窪み１４ｃの中に溜めることができる。
【０１１２】
図１０（ａ）に示す素子基板４１０は、素子基板４１０の四隅に設けられた上下導通部２６のうち全ての上下導通部２６に対して避けるように片側に張り出してシール材１４の窪み１４ｃが設けられている。これによれば、図９（ｂ）、（ｃ）の素子基板２１０，３１０と比較して、シール材１４の窪み１４ｃの数が多く、より効率的にイオン性不純物７０を窪み１４ｃの中に溜めることができる。
【０１１３】
図１０（ｂ）に示す素子基板５１０は、素子基板５１０の四隅のうち対向する２つの隅から少しずれた位置に上下導通部２６が配置されている形態である。シール材１４の窪み１４ｄは、素子基板５１０の四隅の方向に張り出すように窪み１４ｄが設けられている。言い換えれば、上下導通部２６を避けるように、素子基板５１０の隅の方向にシール材１４の窪み１４ｄが張り出して設けられている。なお、上下導通部２６を避けられれば、１つの窪み１４ｄに代えて、上記第１実施形態のような２つの窪みを設けるようにしてもよい。
【０１１４】
図１０（ｃ）に示す素子基板６１０は、素子基板６１０の四隅の上下導通部２６の方向にシール材１４の窪み１４ｅが設けられている。具体的には、シール材１４の内縁１４ｅ１によって窪み１４ｅが設けられている。シール材１４の外縁１４ｅ２は、窪み１４ｅの形状に倣って突出することなく略方形状になっている。これによれば、窪み１４ｅが設けられた部分のシール材１４の幅が細くなり、耐湿性が低下する恐れが高くなるものの、シール材１４の内縁１４ｅ１によって形成された窪み１４ｅによって、イオン性不純物７０を溜めることができる。
【０１１５】
（変形例２）
上記したように、透過型の液晶装置１００であることに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１１６】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１４ａ…突出部、１４ｂ，１４ｃ，１４ｄ，１４ｅ…窪み、１４ｅ１…内縁、１４ｅ２…外縁、１５…液晶層、１５ａ…液晶分子、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…第２基板としての対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…導通部としての上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、４０…周辺電極としての第１イオントラップ電極（第１電極）、４０ａ…第１支線部、４３…接続部、５０…周辺電極としての第２イオントラップ電極（第２電極）、５０ａ…第２支線部、５０ｂ…第２支線部、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、７０…イオン性不純物、１００，２００…液晶装置、１１０，２１０，３１０，４１０，５１０，６１０…素子基板、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
2014119684.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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