(57)【要約】【課題】波長可変赤外線レーザーを用いてウェーハの厚さを測定しながら行う両面研磨において、特に抵抗率の小さいウェーハの厚さ測定の精度を低下することなく、設備コストの低減を可能とするウェーハの両面研磨方法及び両面研磨システムを提供することを目的とする。【解決手段】キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下定盤で挟み込み、キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給し、ウェーハの厚さを波長可変赤外線レーザーを用いた光反射干渉法で測定しながらウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置を複数用いてウェーハを両面研磨する方法であって、複数の両面研磨装置のそれぞれで用いる波長可変赤外線レーザーを、１つのレーザー光源から照射先の両面研磨装置を切り替えるようにして照射しながらウェーハの厚さを測定し、該ウェーハを目標厚さまで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法及び両面研磨システム。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下定盤で挟み込み、前記キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給し、前記ウェーハの厚さを波長可変赤外線レーザーを用いた光反射干渉法で測定しながら前記ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置を複数用いて前記ウェーハを両面研磨する方法であって、
前記複数の両面研磨装置のそれぞれで用いる前記波長可変赤外線レーザーを、１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替えるようにして照射しながら前記ウェーハの厚さを測定し、該ウェーハを目標厚さまで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法。
【請求項２】
前記波長可変赤外線レーザーの波長を１０００ｎｍ〜１７００ｎｍとすることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの両面研磨方法。
【請求項３】
前記１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替える際に、一定時間毎に前記複数の両面研磨装置の中から順次切り替え先を選択することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のウェーハの両面研磨方法。
【請求項４】
前記一定時間を１秒以上、６０秒以下とすることを特徴とする請求項３に記載のウェーハの両面研磨方法。
【請求項５】
前記１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替える際に、前記複数の両面研磨装置のそれぞれで前記ウェーハの厚さを測定する回数が毎分２回以上となるように切り替えることを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のウェーハの両面研磨方法。
【請求項６】
キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下定盤で挟み込み、前記キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給し、前記ウェーハの厚さを波長可変赤外線レーザーを用いた光反射干渉法で測定しながら前記ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置を複数用いて前記ウェーハを両面研磨するシステムであって、
１つのレーザー光源と、該１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替えるレーザー経路切替器を有し、前記複数の両面研磨装置のそれぞれで用いる前記波長可変赤外線レーザーを、前記レーザー経路切替器によって前記１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替えるようにして照射しながら前記ウェーハの厚さを測定し、該ウェーハを目標厚さまで両面研磨するものであることを特徴とするウェーハの両面研磨システム。
【請求項７】
前記波長可変赤外線レーザーの波長が１０００ｎｍ〜１７００ｎｍであることを特徴とする請求項６に記載のウェーハの両面研磨システム。
【請求項８】
前記１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替える際に、一定時間毎に前記複数の両面研磨装置の中から順次切り替え先を選択するものであることを特徴とする請求項６又は請求項７に記載のウェーハの両面研磨システム。
【請求項９】
前記一定時間が１秒以上、６０秒以下であることを特徴とする請求項８に記載のウェーハの両面研磨システム。
【請求項１０】
前記１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替える際に、前記複数の両面研磨装置のそれぞれで前記ウェーハの厚さを測定する回数が毎分２回以上となるように切り替えるものであることを特徴とする請求項６乃至請求項９のいずれか１項に記載のウェーハの両面研磨システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの厚さを測定しながらウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体回路線幅の微小化に伴い、その基板である半導体ウェーハに要求される平坦度はますます厳しくなってきている。このような中で、大直径ウェーハを研磨する際には、従来の片面研磨に代わってより加工精度の優れた両面研磨方式が採用されている。
ここで両面研磨装置は図８に示すような遊星歯車式の両面研磨装置と図９に示すような揺動式の両面研磨装置がある。遊星歯車式の両面研磨装置は上下定盤を有し、上定盤は上下動が可能で上定盤を下定盤に押し付けることで上下定盤間に挟まれたウェーハに対して荷重を加えることができる。また、図８に示すように、両面研磨装置１０１は下定盤内側に設けられたサンギヤ１０７と、下定盤外側に設けられたインターナルギヤ１０８とを有している。
【０００３】
また、上下定盤間にはウェーハを保持するキャリア１０５があり、その外周部がサンギヤとインターナルギヤに噛合して回転することができる。このキャリアはサンギヤとインターナルギヤの回転数に応じて上下定盤間で自転および公転する。被研磨物であるウェーハはこのキャリアに設けられた保持孔１０６に挿入されて保持されることで研磨中に両面研磨装置から飛び出すことなく研磨される。
【０００４】
一方、図９に示すように、揺動式の両面研磨装置１１１は回転する上下定盤の間にウェーハを保持するキャリア１０５を配置し、キャリア１０５を自転させずに円運動させてウェーハを研磨するものである。
遊星歯車式の両面研磨装置は揺動式の両面研磨装置と比べてキャリアの自転数及び公転数を高く設定することができ、その結果研磨中のウェーハの自転運動を促進させることで揺動式研磨機と比べ平坦度の高いウェーハに研磨できる。そのため、近年の両面研磨装置としては遊星歯車式の両面研磨機が主流となっている。
【０００５】
ここで、遊星歯車式の両面研磨装置において、研磨後のウェーハの平坦度は研磨終了時のウェーハの厚さ、すなわちウェーハの仕上がり厚さとキャリアの厚さとの関係によって変化することが知られている。例えば、キャリアの厚さに対して仕上がり厚さを厚くすると研磨荷重によるウェーハの研磨布への沈み込みの影響からウェーハ外周部の圧力が中央部に比べて高くなる。その結果、ウェーハ外周部の研磨が促進されて中心部よりも外周部が薄くなる、いわゆる外周ダレが発生し全体形状も凸形状になりやすい。
【０００６】
逆に、キャリアの厚さに対して仕上がり厚さを薄くするとキャリアがウェーハの研磨布への沈み込みの影響を緩和するいわゆるリテーナー効果から外周部の圧力が中央部に比べて小さくなる。その結果ウェーハ外周部が中心部に対して厚くなる外周ハネが発生し、全体形状は凹形状になりやすい。
このことから、平坦度の高いウェーハに研磨するためにはキャリアの厚さに対して最適な厚さでウェーハを仕上げる必要がある。
【０００７】
従来、最適な厚さでウェーハを仕上げるため、研磨前後でウェーハの厚さと研磨に費やした時間から研磨速度を計算し、これを研磨条件に対する予想研磨速度として蓄積している。この蓄積した予想研磨速度に基づいて、これから実施する研磨の研磨速度を予想し、必要な研磨量をこの予想した研磨速度で除することで得られる研磨時間で研磨を行う。そのため、例えば研磨布の経時的変化による研磨速度の変動などがあると、目標のウェーハ厚さと実際のウェーハ厚さにずれが生じ、平坦度が良くないウェーハができてしまう。
【０００８】
また、予め様々な研磨条件下での予想研磨速度を蓄積しておく必要があるため、コストがかかるし、これから実施する研磨の研磨条件下における予想研磨速度がない場合には、研磨速度を大雑把に予想することしかできず、その結果目標のウェーハ厚さと実際のウェーハ厚さのずれが大きくなり、平坦度が良くないウェーハができ易くなる。
【０００９】
このようなことから、図７に示すように、研摩中にその場で（ｉｎ−ｓｉｔｕ）ウェーハＷの厚さを測定する厚さ測定手段１０２を具備した両面研磨装置１０１を使用することで、例えば研磨布の経時的変化による研磨速度の変動の影響を受けることなく、所望の厚さでウェーハを仕上げることが可能となる。その結果、常に高平坦なウェーハに研磨することが可能となる（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１０−３４４６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、図７に示すような波長可変赤外線レーザーを用いた厚さ測定装置１０２を全ての両面研磨装置に設けるには投資負担が非常に大きくなってしまうという問題がある。特に、厚さ測定手段１０２のレーザー光源１０３が高価なので、レーザー光源１０３からのレーザー光をビームスプリッターで複数に分割して複数の両面研磨装置で同時に使用するといった方法も考えられるが、この場合、それぞれの両面研磨装置に送られるそれぞれのレーザー光の光量の低下を伴うため、特に厚さの厚いウェーハや不純物濃度の比較的高い、すなわち抵抗率の小さいウェーハに関しては十分な強度の反射信号が得られず、厚さ測定が正確にできないといった問題がある。
【００１２】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、波長可変赤外線レーザーを用いてウェーハの厚さを測定しながら行う両面研磨において、特に抵抗率の小さいウェーハの厚さ測定の精度を低下することなく、設備コストの低減を可能とするウェーハの両面研磨方法及び両面研磨システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記目的を達成するために、本発明によれば、キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下定盤で挟み込み、前記キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給し、前記ウェーハの厚さを波長可変赤外線レーザーを用いた光反射干渉法で測定しながら前記ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置を複数用いて前記ウェーハを両面研磨する方法であって、前記複数の両面研磨装置のそれぞれで用いる前記波長可変赤外線レーザーを、１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替えるようにして照射しながら前記ウェーハの厚さを測定し、該ウェーハを目標厚さまで両面研磨することを特徴とするウェーハの両面研磨方法が提供される。
【００１４】
また、本発明によれば、キャリアに保持されるウェーハを研磨布が貼付された上下定盤で挟み込み、前記キャリアを自転及び公転させ、研磨剤を供給し、前記ウェーハの厚さを波長可変赤外線レーザーを用いた光反射干渉法で測定しながら前記ウェーハの両面を同時に研磨する両面研磨装置を複数用いて前記ウェーハを両面研磨するシステムであって、
１つのレーザー光源と、該１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替えるレーザー経路切替器を有し、前記複数の両面研磨装置のそれぞれで用いる前記波長可変赤外線レーザーを、前記レーザー経路切替器によって前記１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替えるようにして照射しながら前記ウェーハの厚さを測定し、該ウェーハを目標厚さまで両面研磨するものであることを特徴とするウェーハの両面研磨システムが提供される。
【００１５】
このような両面研磨方法及び両面研磨システムであれば、高価なレーザー光源を複数の両面研磨装置で共有することで、設備コストを大幅に低減できると共に、ウェーハの厚さを精度を低下することなく測定してウェーハを目標厚さまで両面研磨できる。
【００１６】
このとき、前記波長可変赤外線レーザーの波長を１０００ｎｍ〜１７００ｎｍとすることが好ましい。
このようにすれば、波長可変赤外線レーザーがウェーハに対して光学的に透過できるので、ウェーハ表面での反射スペクトルを解析することができ、これによって、研磨中のウェーハの厚さを高精度に測定することができる。
【００１７】
また、前記１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替える際に、一定時間毎、好ましくは１秒以上、６０秒以下毎に前記複数の両面研磨装置の中から順次切り替え先を選択することが好ましい。
このようにすれば、１つのレーザー光源でより多くの両面研磨装置に切換可能となり、設備コストをより低減可能となる。
【００１８】
また、前記１つのレーザー光源から照射先の前記両面研磨装置を切り替える際に、前記複数の両面研磨装置のそれぞれで前記ウェーハの厚さを測定する回数が毎分２回以上となるように切り替えることが好ましい。
このようにすれば、確実にウェーハの厚さを精度を低下することなく測定できる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明では、両面研磨装置を複数用いて行うウェーハの両面研磨において、複数の両面研磨装置のそれぞれで用いる波長可変赤外線レーザーを、１つのレーザー光源から照射先の両面研磨装置を切り替えるようにして照射しながらウェーハの厚さを測定し、該ウェーハを目標厚さまで両面研磨するので、高価なレーザー光源を複数の両面研磨装置で共有することで、設備コストを大幅に低減できると共に、ウェーハの厚さを精度を低下することなく測定してウェーハを目標厚さまで両面研磨できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明のウェーハの両面研磨方法の一例のフロー図である。
【図２】本発明のウェーハの両面研磨方法で用いられる複数の両面研磨装置と厚さ測定手段を有した両面研磨システムの概略図である。
【図３】図２に示す両面研磨装置を拡大した図である。
【図４】実施例におけるウェーハの研磨中のウェーハ厚さの測定結果から最小二乗法で求めた近似線を示す図である。
【図５】比較例におけるウェーハの研磨中のウェーハ厚さの測定結果から最小二乗法で求めた近似線を示す図である。
【図６】実施例及び比較例における研磨後のウェーハ厚さの相対度数と累積相対度数を示す図である。
【図７】従来のウェーハの両面研磨方法で用いられている両面研磨装置とレーザー光源の概略図である。
【図８】一般的な遊星歯車式の両面研磨装置を示す概略図である。
【図９】一般的な揺動式の両面研磨装置を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
まず、本発明のウェーハの両面研磨方法で用いられる、複数の両面研磨装置及び厚さ測定手段を具備した両面研磨システムについて説明する。本発明では、図２に示すように、ウェーハを両面研磨する際に、厚さ測定手段２０のレーザー光源２１を複数の両面研磨装置１、１’で共有する。
【００２２】
図３に示すように、両面研磨装置１は円筒形の上定盤２及び下定盤３を有し、この上下定盤２、３には研磨布４がそれぞれその研磨面が対向するように貼り付けられている。ここで研磨布４は不織布にウレタン樹脂を含浸させたもの、又はウレタン発泡体のものなどである。下定盤３の内側にはサンギヤ７、外側にはインターナルギヤ８が取り付けられている。上下定盤２、３とサンギヤ７、インターナルギヤ８は同じ回転中心軸を有しており、当該軸周りに互いに独立に回転運動することができる。
【００２３】
キャリア５にはウェーハＷを保持するための保持孔６が設けられ、複数のキャリア５が上下定盤２、３の間に挟まれるようになっている。１つのキャリア５には複数の保持孔６が設けられバッチ毎に複数のウェーハＷを研磨できるようになっている。また、キャリア５はサンギヤ７およびインターナルギヤ８とそれぞれ噛合し、サンギヤ７およびインターナルギヤ８の回転数に応じて上下定盤間で自転および公転する。
【００２４】
また、研磨中のウェーハ厚さを厚さ測定手段２０で測定するために、上定盤２側に複数の孔１１が設けられている。厚さ測定手段２０は、レーザー光源２１と、ウェーハＷに波長可変赤外線レーザーを照射する光学ユニット２２、２２’と、ウェーハＷから反射された反射光を検出するフォトディテクタ（不図示）と、検出した反射光からウェーハ厚さを計算したり、厚さ測定を制御する厚さ測定用コンピュータ２４を有している。
【００２５】
１つのレーザー光源２１から発信された波長可変赤外線レーザーは、孔１１を通じて上下定盤間に挟まれた面内にあるウェーハＷに照射され、そこから反射した光を分析することで厚さを得ることができる。そして、複数の両面研磨装置１、１’で同じ１つのレーザー光源２１を用いて順次研磨中のウェーハの厚さの測定ができるようにレーザー経路切替器２３を具備している。
【００２６】
以下、本発明のウェーハの両面研磨方法を図１〜図３を用いてより具体的に説明する。
上記したように、研磨後のウェーハ平坦度はキャリアとウェーハ厚さの差で変わるため、実際の研磨で得られたウェーハ厚さ及び平坦度の情報を基に、最適な目標厚さ（仕上がり厚さ）を厚さ測定手段２０に設定しておく（図１の（Ａ））。
【００２７】
次に、ウェーハの厚さを測定しながら両面研磨装置を複数用いて研磨を開始する（図１の（Ｂ））。具体的には、図３に示すように、まず、それぞれの両面研磨装置１、１’のキャリア５の保持孔６にウェーハＷを挿入して保持する。その後、上定盤２が下降することでウェーハＷ及びキャリア５を挟み込んで研磨荷重を加える。上定盤２に設けられた貫通孔９を介して、ノズル１０から供給された研磨剤を上下定盤間に流し込みながら上定盤２と下定盤３を互いに逆方向に回転させることで、ウェーハＷの両面研磨を開始する。
【００２８】
ここで、研磨荷重、定盤回転数、キャリア自公転数はそれぞれの両面研磨装置１、１’に設けられる制御ユニット１２で制御される。
ウェーハＷの研磨中には、複数の両面研磨装置１、１’のそれぞれで用いる波長可変赤外線レーザーを、１つのレーザー光源２１から照射先の両面研磨装置１、１’を切り替えるようにして照射しながらウェーハＷの厚さを測定する。
【００２９】
波長可変赤外線レーザーの照射先の切り替えは、例えば図２に示すような厚さ測定手段２０のレーザー経路切替器２３によって行うことができる。
ここで、波長可変赤外線レーザーの照射先の両面研磨装置を切り替えるとは、波長可変赤外線レーザーを、例えばビームスプリッターで複数に分割することなく、複数の両面研磨装置１、１’の中から１台の両面研磨装置を照射先として任意に選択し、その選択した両面研磨装置のみに波長可変赤外線レーザーを照射することを意味する。そして、選択された両面研磨装置でのウェーハ厚さ測定をした後、レーザー経路切替器２３により切り替えてレーザーの照射先を他の両面研磨装置にしてウェーハ厚さ測定を行う。
【００３０】
この時、波長可変赤外線レーザーの照射先に選択された両面研磨装置では、図１に示すように、厚さ測定制御が有効であるとして、上記のように、厚さ測定手段２０のレーザー光源２１から発信された波長可変赤外線レーザーを用いてウェーハＷの厚さを測定する（図１の（Ｃ））。また、波長可変赤外線レーザーの照射先に選択された両面研磨装置以外の両面研磨装置では、厚さ測定制御が有効でないとして、予め設定された時間で研磨を継続する（図１の（Ｄ））。
【００３１】
このウェーハＷの厚さ測定結果が予め設定した目標厚さに到達した時点で、厚さ測定手段２０から制御ユニット１２を介して両面研磨装置１へ研磨停止信号を送り研磨を終了させる（図１の（Ｅ））。
このような本発明の両面研磨方法であれば、レーザー光の光量の低下を招くこと無く、任意の１台の両面研磨装置に波長可変赤外線レーザーを照射することができ、抵抗率の小さいウェーハを研磨する場合であっても、複数の両面研磨装置でウェーハの厚さを精度良く測定でき、目標厚さのウェーハを得ることができる。また、厚さ測定手段の中で特に高価なレーザー光源を複数の両面研磨装置で共有することで設備コストを大幅に低減できる。
【００３２】
ここで、波長可変赤外線レーザーがウェーハに対して光学的に透過可能となるように、波長を１０００ｎｍ〜１７００ｎｍとすることをが好ましい。このようにすれば、ウェーハ表面での反射スペクトル（ウェーハ表面と裏面で反射する光の干渉の様子）を解析することができ、これによって、研磨中のウェーハの厚さを高精度に測定することができる。
【００３３】
また、１つのレーザー光源から照射先の両面研磨装置を切り替える際には、一定時間毎に、複数の両面研磨装置の中から順次切り替え先を選択することで、研磨中のウェーハの厚さ測定の精度を低下させることなく、１つのレーザー光源でより多くの両面研磨装置に切り替え可能となり、設備コストをより低減できる。ここで、切り替えの際の一定時間を１秒以上、６０秒以下とすれば、ウェーハの厚さの正確な測定をより確実に行うことができるので好ましいが、定盤回転数やキャリア自公転数といった研磨条件に応じて適宜決定することができる。
【００３４】
波長可変赤外線レーザーの照射先を切り替える際の切り替え先の選択や切り替え間隔などのスケジュールは、図２に示す厚さ測定手段２０の厚さ測定用コンピュータ２４に予め設定しておくことで制御することができる。
このとき、複数の両面研磨装置のそれぞれでウェーハの厚さを測定する回数が毎分２回以上となるように切り替えるように設定することが好ましい。このようにすれば、確実にウェーハの厚さを精度を低下することなく測定できる。
【００３５】
例えば、研磨開始から研磨終了までの区間を複数の研磨ステップとして分割しておき、それぞれの両面研磨装置において、図１に示すように、研磨ステップ毎に波長可変赤外線レーザーの照射先であるか、すなわち厚さを計測するのか否かを判定するように設定することができる（図１の（Ｆ））。また、このとき、研磨ステップ毎に目標厚さを設定し、その研磨ステップにおいて厚さ測定を行いながら研磨する時間を、研磨中のウェーハ厚がその研磨ステップ毎の目標厚さに到達するまでとすることができる（図１の（Ｈ））。
【００３６】
研磨中のウェーハＷの厚さが予め設定した目標厚さに到達したか否かの判断は、厚さ測定手段２０で測定した厚さと目標厚さを比較することによって行う方法以外に、例えば、厚さ測定して得られた複数の測定値を縦軸に、研磨時間を横軸にとり、最小二乗法によって得られる近似線を算出することで測定値のばらつきの中心付近の厚さを計算によって求め、この近似線上の現在の研磨時間に相当する厚さを推定厚さとして算出するようにすることもできる（図１の（Ｇ））。この近似線を算出する方法では、厚さ測定の精度をより高めることができる。
【００３７】
さらに、厚さ測定の精度を高めるために、最小二乗法で近似線を求める際の厚み測定データ数を少なくとも２０点以上とし、近似線と測定値の差分のばらつき（標準偏差）が０．５μｍ以内となるようにすることが好ましい。
【００３８】
本発明では、レーザー光源を複数の両面研磨装置で共有するので、レーザー光源を共有しない従来の方法よりも厚さ測定回数が減少するが、このように実測した厚さに基づいて算出した推定厚さにより研磨終了を判定することで、より確実に高精度な厚さ測定を行うことができる。
【００３９】
図２に示す例では、１つのレーザー光源からのレーザー照射を２台の両面研磨装置間で切り替えるようにしているが、これに限定されず、３台以上の両面研磨装置間で切り替えるようにしても良い。また、厚さ測定用コンピュータ２４を各両面研磨装置で１台ずつ用いるようにしているが、１台の厚さ測定用コンピュータ２４で各両面研磨装置の厚さ測定の制御を実施しても良い。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４１】
（実施例）
図２に示すような２台の両面研磨装置と１つのレーザー光源を有した両面研磨システムを用い、本発明のウェーハの両面研磨方法に従って、直径３００ｍｍ、仕上げ目標厚さ７７５μｍのシリコンウェーハを両面研磨し、このときの研磨後のウェーハの厚さを評価した。
ここで、厚さ測定手段のレーザー経路切替器２３として、ＡＣ  Ｐｈｏｔｏｎｉｃｓ社製の１ｘ２  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｆｉｂｅｒｏｐｔｉｃ  Ｓｗｉｔｃｈを用いた。また、５秒毎に照射先の両面研磨装置を順次切り替えるようにした。
【００４２】
ウェーハ厚さが目標厚さに到達したか否かの判断は、厚さ測定によって得られた複数の測定値を縦軸に、研磨時間を横軸にとり、測定値から最小二乗法によって近似線を求め、この近似線上の現在の研磨時間に相当する厚さが目標厚さに達した時点で研磨を終了するようにした。
【００４３】
（比較例）
図７に示すような厚さ測定手段を有した１台の両面研磨装置を用いた以外、実施例と同様の条件でシリコンウェーハを両面研磨し、同様に評価した。
【００４４】
実施例の研磨中のウェーハ厚さ推移の結果を図４に、同様に比較例の結果を図５に示す。図４と図５を比較すると、実施例では２台の両面研磨装置間で１つのレーザー光源からのレーザー照射先を切り替えたため厚さ測定点数が比較例より少なくなっていることが分かる。
図６に、研磨後のウェーハ厚さの相対度数と累積相対度数の結果を示す。図６に示すように、実施例は測定回数が比較例よりも少なくなっても比較例と同等の分布で目標厚さ７７５μｍのウェーハを得ることができ、コスト低減と研磨精度の両立が成されていることが確認できた。
【００４５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００４６】
１、１’…両面研磨装置、  ２…上定盤、  ３…下定盤、  ４…研磨布、
５…キャリア、  ６…保持孔、  ７…サンギア、  ８…インターナルギア、
９…貫通孔、  １０…ノズル、  １１…複数の孔、  １２…制御ユニット、
２０…厚さ測定手段、  ２１…レーザー光源、  ２２、２２’…光学ユニット、
２３…レーザー経路切替器、  ２４…厚さ測定用コンピュータ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
2014223704.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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