(57)【要約】【課題】吐出安定性に優れ、かつ、導電性および膜強度が良好な導電膜が得られる、導電膜の製造方法を提供する。【解決手段】基材上に、酸化銅粒子（Ａ）、有機バインダ（Ｂ）およびガラス転移温度が５０℃以下である樹脂粒子（Ｃ）を含有する導電膜形成用組成物を、インクジェット法を用いて付与して、塗膜を形成する塗膜形成工程と、塗膜に対してパルス光照射処理を行い、酸化銅粒子（Ａ）を還元して、銅を含有する導電膜を形成する還元工程と、を備える導電膜の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に、酸化銅粒子（Ａ）、有機バインダ（Ｂ）およびガラス転移温度が５０℃以下である樹脂粒子（Ｃ）を含有する導電膜形成用組成物を、インクジェット法を用いて付与して、塗膜を形成する塗膜形成工程と、
前記塗膜に対してパルス光照射処理を行い、前記酸化銅粒子（Ａ）を還元して、銅を含有する導電膜を形成する還元工程と、を備える導電膜の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂粒子（Ｃ）のガラス転移温度が、０℃以上である、請求項１に記載の導電膜の製造方法。
【請求項３】
前記樹脂粒子（Ｃ）の平均粒子径が、１０〜１００ｎｍである、請求項１または２に記載の導電膜の製造方法。
【請求項４】
前記導電膜形成用組成物における前記樹脂粒子（Ｃ）の含有量が、前記有機バインダ（Ｂ）および前記樹脂粒子（Ｃ）の合計含有量に対して３０〜６０質量％である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項５】
前記樹脂粒子（Ｃ）が、自己分散性ポリマーである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項６】
前記導電膜形成用組成物が、さらに、銅錯体（Ｄ）を含有する、請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項７】
前記パルス光照射処理が、フラッシュランプによるパルス光照射処理である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の導電膜の製造方法により得られる導電膜。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜の製造方法および導電膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属粒子または金属酸化物粒子の分散体をインクジェット法などの印刷法により基材に塗布し、加熱処理により焼結させることによって配線等の導電膜を形成する方法が知られている。
上記方法は、従来の高熱・真空プロセス（スパッタ）やめっき処理による導電膜形成方法に比べて、簡便・省エネ・省資源であることから次世代エレクトロニクス開発において大きな期待を集めている。なかでも、近年、低コスト化の観点から、金属酸化物粒子を含む組成物を用いて、これを加熱処理により還元させるとともに焼結させることで導電膜を形成する方法が注目されている。
一方、上記のように加熱処理により焼結する場合、基材は高温に曝される。そのため、基材に熱可塑性樹脂基材を使用すると基材が溶融してしまい、均一な導電膜が得ることが難しいという問題がある。
【０００３】
このようななか、特許文献１には、焼結にパルス光を使用することで、熱可塑性樹脂基材を加熱し過ぎることなく、基材上の酸化銅インクを焼結して金属銅フィルムを形成する方法が開示されている（００１３段落、実施例１など）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１０−５２８４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したように、従来、酸化銅粒子を含有する組成物（酸化銅インク）を基材上に付与して塗膜を形成し、この塗膜にパルス光を照射して、導電膜を得る技術が知られている。
そして、例えば特許文献１（例えば、実施例１など）には、酸化銅インクに、ポリビニルピロリドンやポリエチレングリコール等のポリマー（有機バインダ）を配合することが記載されている。
【０００６】
このような有機バインダは、塗布性や成膜性の観点から使用されるが、導電性を有しないため、得られる導電膜における導電性の観点からは不要な成分である。したがって、有機バインダは、パルス光照射による焼結時に分解、揮発することが望ましい。
しかし、有機バインダが揮発する際に塗膜にボイドを発生し、得られる導電膜の導電性が低下する場合がある。
しかも、フラッシュランプによりパルス光照射を行なう場合には、塗膜は非常に高温になるため、有機バインダの揮発が爆発的に生じ、ボイドの発生が大きくなり、得られる導電膜の導電性が著しく低下するおそれがある。
【０００７】
また、酸化銅インクの塗布手段として、ノズルからインクを吐出させるインクジェット法は有効な手段であるが、有機バインダがノズル詰まりの原因となり、吐出安定性を低下させる場合がある。
その一方で、有機バインダは、パルス光照射により形成される導電膜の膜強度の観点からは有効な成分であり、吐出安定性と膜強度との両立も要求されている。
【０００８】
本発明は、以上の点を鑑みてなされたものであり、酸化銅粒子および有機バインダを含有する導電膜形成用組成物をインクジェット法により付与して塗膜を形成した後にパルス光照射処理をして導電膜を形成する導電膜の製造方法であって、吐出安定性に優れ、かつ、導電性および膜強度が良好な導電膜が得られる、導電膜の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者は、上記目的を達成するために鋭意検討した結果、導電膜形成用組成物に、特定の樹脂粒子を配合することで、吐出安定性に優れ、かつ、導電性および膜強度が良好な導電膜が得られることを見出し、本発明を完成させた。
【００１０】
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（８）を提供する。
（１）基材上に、酸化銅粒子（Ａ）、有機バインダ（Ｂ）およびガラス転移温度が５０℃以下である樹脂粒子（Ｃ）を含有する導電膜形成用組成物を、インクジェット法を用いて付与して、塗膜を形成する塗膜形成工程と、塗膜に対してパルス光照射処理を行い、酸化銅粒子（Ａ）を還元して、銅を含有する導電膜を形成する還元工程と、を備える導電膜の製造方法。
（２）樹脂粒子（Ｃ）のガラス転移温度が、０℃以上である、（１）に記載の導電膜の製造方法。
（３）樹脂粒子（Ｃ）の平均粒子径が、１０〜１００ｎｍである、（１）または（２）に記載の導電膜の製造方法。
（４）導電膜形成用組成物における樹脂粒子（Ｃ）の含有量が、有機バインダ（Ｂ）および樹脂粒子（Ｃ）の合計含有量に対して３０〜６０質量％である、（１）〜（３）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（５）樹脂粒子（Ｃ）が、自己分散性ポリマーである、（１）〜（４）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（６）導電膜形成用組成物が、さらに、銅錯体（Ｄ）を含有する、（１）〜（５）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（７）パルス光照射処理が、フラッシュランプによるパルス光照射処理である、（１）〜（６）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（８）（１）〜（７）のいずれかに記載の導電膜の製造方法により得られる導電膜。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、吐出安定性に優れ、かつ、導電性および膜強度が良好な導電膜が得られる、導電膜の製造方法を提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
最初に、本発明の導電膜の製造方法の特徴点を説明する。
本発明では、酸化銅粒子（Ａ）のバインダとして、有機バインダ（Ｂ）のほかに樹脂粒子（Ｃ）を併用しているため、有機バインダ（Ｂ）によるインクジェットノズル詰まりが低減し、吐出安定性が向上する。
また、ガラス転移温度が５０℃以下である樹脂粒子（Ｃ）を使用することにより、パルス光照射による焼結の際に、有機物の揮発が一定の形状を持って生じることで、得られる導電膜において、銅のネットワークが形成されやすく導電性に優れるうえ、膜強度も向上すると考えられる。
以下に、本発明の導電膜の製造方法について詳述する。
【００１３】
本発明の導電膜の製造方法は、（１）塗膜形成工程、および、（２）還元工程の２つの工程を備える。また、本発明の導電膜の製造方法は、後述するとおり、工程（１）と工程（２）との間に、乾燥工程をさらに備えるのが好ましい。
以下、各工程について詳述する。
【００１４】
［工程（１）：塗膜形成工程］
工程（１）は、基材上に、特定の導電膜形成用組成物をインクジェット法を用いて付与して、塗膜を形成する工程である。まず、本工程で使用される材料（基材、導電膜形成用組成物）を詳述する。
【００１５】
＜樹脂基材＞
本発明で使用する基材は、後述する工程（２）において、基材が軟化し、導電膜と融着して、密着性が向上することから、熱可塑性樹脂基材を使用するのが好ましい。
本発明で使用される熱可塑性樹脂基材は、熱可塑性樹脂により構成される基材であれば特に限定されない。
熱可塑性樹脂基材を構成する熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレンなどのポリオレフィン系樹脂；ポリメチルメタクリレートなどのメタクリル系樹脂；ポリスチレン、ＡＢＳ、ＡＳなどのポリスチレン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリ１，４−シクロヘキシルジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）などのポリエステル系樹脂；ポリカプロアミド（ナイロン６）、ポリヘキサメチレンアジパミド（ナイロン６６）、ポリヘキサメチレンセバカミド（ナイロン６１０）、ポリヘキサメチレンドデカミド（ナイロン６１２）、ポリドデカンアミド（ナイロン１２）、ポリヘキサメチレンテレフタラミド（ナイロン６Ｔ）、ポリヘキサンメチレンイソフタラミド（ナイロン６Ｉ）、ポリカプロアミド／ポリヘキサメチレンテレフタルアミドコポリマー（ナイロン６／６Ｔ）、ポリヘキサメチレンアジパミド／ポリヘキサメチレンテレフタルアミドコポリマー（ナイロン６６／６Ｔ）、ポリヘキサメチレンアジパミド／ポリヘキサメチレンイソフタルアミドコポリマー（ナイロン６６／６Ｉ）などのナイロン樹脂およびナイロン共重合体樹脂から選ばれるポリアミド樹脂；ポリ塩化ビニル樹脂；ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）；ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂；ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂；変性ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂；ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂；ポリスルホン（ＰＳＦ）樹脂；ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂；ポリケトン樹脂；ポリエーテルニトリル（ＰＥＮ）樹脂；ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂；ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）樹脂；ポリイミド（ＰＩ）樹脂；ポリアミドイミド（ＰＡＩ）樹脂；フッ素樹脂；これらの樹脂を変性させた変性樹脂またはこれらの樹脂の混合物；等が挙げられる。
【００１６】
熱可塑性樹脂基材を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は特に限定されないが、１６０℃以下が好ましく、１３０℃以下がより好ましく、１００℃以下がさらに好ましい。また、ガラス転移温度の下限も特に限定されないが、５０℃以上が好ましい。
ここでガラス転移温度とは、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）で測定されるガラス転移温度をいう。
【００１７】
本発明に使用される基材の厚さは、特に限定されず、例えば、１〜１００μｍが挙げられる。
【００１８】
＜導電膜形成用組成物＞
本発明で使用される導電膜形成用組成物（以下、本発明の導電膜形成用組成物ともいう）は、酸化銅粒子（Ａ）、有機バインダ（Ｂ）およびガラス転移温度が５０℃以下である樹脂粒子（Ｃ）を含有する。
また、本発明の導電膜形成用組成物は、導電性等の観点から銅錯体（Ｄ）を含有するのが好ましく、さらに、印刷性等の観点から溶媒（Ｅ）を実質的に含有するのが好ましい。
以下、本発明の導電膜形成用組成物の各成分について詳述する。
【００１９】
（酸化銅粒子（Ａ））
本発明の導電膜形成用組成物に含有される酸化銅粒子（Ａ）は、粒子状の酸化銅であれば特に限定されない。
なお、粒子状とは小さい粒状を指し、その具体例としては、球状、楕円体状などが挙げられる。完全な球や楕円体である必要はなく、一部が歪んでいてもよい。
本発明における「酸化銅」とは、酸化されていない銅を実質的に含まない化合物である。銅を実質的に含まないとは、限定的ではないが、銅の含有量が酸化銅粒子に対して１質量％以下であることをいう。酸化銅粒子に対する銅の含有量はＸＲＤにより測定したものである。
【００２０】
酸化銅粒子（Ａ）としては、酸化銅（Ｉ）粒子または酸化銅（ＩＩ）粒子が好ましく、安価に入手可能であり、また、得られる導電膜の導電性がより良好になるという理由から、酸化銅（ＩＩ）粒子がより好ましい。
【００２１】
酸化銅粒子（Ａ）の平均粒子径は特に限定されないが、２００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。下限も特に限定されないが、１ｎｍ以上が好ましい。
平均粒子径が１ｎｍ以上であると、粒子表面の活性が高くなりすぎず、本発明の導電膜形成用組成物中で溶解することがなく、取扱い性に優れるため好ましい。また、平均粒子径が２００ｎｍ以下であると、本発明の導電膜形成用組成物をインクジェット用インク組成物として用い、印刷法により配線等のパターン形成を行うことが容易となり、本発明の導電膜形成用組成物を導体化する際に、金属銅への還元が十分となり、得られる導電膜の導電性がより良好となるため好ましい。
なお、酸化銅粒子（Ａ）の平均粒子径は、平均二次粒径のことを指す。平均粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により、少なくとも５０個以上の酸化銅粒子の粒子径（直径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、観察図中、酸化銅粒子の形状が真円状でない場合、長径を直径として測定する。
酸化銅粒子としては、例えば、関東化学社製のＣｕＯナノ粒子、シグマアルドリッチ社製のＣｕＯナノ粒子、シーアイ化成社製のＣｕＯなどを好ましく使用できる。
【００２２】
本発明の導電膜形成用組成物全量に対する酸化銅粒子（Ａ）の含有量は、得られる導電膜の導電性がより良好になるという理由から、５〜５０質量％が好ましく、１０〜３０質量％より好ましい。
【００２３】
（有機バインダ（Ｂ））
有機バインダ（Ｂ）は、酸化銅粒子（Ａ）のバインダとして働き、得られる導電膜に靭性を付与して、膜強度を強化する。
有機バインダ（Ｂ）としては、例えば、アクリル系ポリマー（例えば、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリロニトリルなどのアクリル系モノマーの重合体または共重合体）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）、ポリエチレンイミン（ＰＥＩ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルアセタール、ポリエチレングリコール（ＰＥＧ）、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミドなどが挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００２４】
有機バインダ（Ｂ）の重量平均分子量は特に限定されず、例えば、５，０００〜５００，０００程度が挙げられ、１０，０００〜２２０，０００が好ましく、１２，０００〜１５０，０００がより好ましい。
なお、重量平均分子量は、ＧＰＣ法（溶媒：Ｎ−メチルピロリドン）により得られたポリスチレン換算値である。
【００２５】
本発明の導電膜形成用組成物において、有機バインダ（Ｂ）の含有量は、特に限定されないが、酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対して、０．５〜１０質量％が好ましく、１〜５質量％がより好ましい。
【００２６】
（樹脂粒子（Ｃ））
樹脂粒子（Ｃ）も、有機バインダ（Ｂ）と同様に酸化銅粒子（Ａ）のバインダとして働くものであるが、本発明の導電膜形成用組成物は、有機バインダ（Ｂ）と併用して、ガラス転移温度が５０℃以下である樹脂粒子（Ｃ）を含有することで、インクジェット法による吐出安定性が向上し、かつ、得られる導電膜の導電性および膜強度が良好になる。
【００２７】
本発明において、樹脂粒子（Ｃ）のガラス転移温度は５０℃以下であるが、得られる導電膜の膜強度がより優れるという理由から、０℃以上が好ましく、１０〜４５℃がより好ましく、１５〜４５℃がさらに好ましい。
なお、樹脂粒子（Ｃ）のガラス転移温度は、実測によって得られる測定Ｔｇを適用する。具体的には、測定Ｔｇとしては、エスアイアイ・ナノテクノロジー社製の示差走査熱量計（ＤＳＣ）ＥＸＳＴＡＲ６２２０を用いて通常の測定条件で測定された値を意味する。
【００２８】
樹脂粒子（Ｃ）の平均粒子径は、体積平均粒子径で１０ｎｍ〜１μｍ（１０００ｎｍ）が好ましく、１０〜２００ｎｍがより好ましく、以下に述べる理由から、１０〜１００ｎｍがさらに好ましい。すなわち、平均粒子径が１００ｎｍを超えると導電性が低下する場合があり、１０ｎｍ未満であると膜強度が低下する場合があるが、平均粒子径が１０〜１００ｎｍであれば、得られる導電膜の導電性および膜強度がより優れる。
なお、樹脂粒子（Ｃ）の粒径分布に関しても特に限定されず、広い粒径分布を持つものであってもよく、単分散の粒径分布を持つものであってもよい。また、単分散の粒径分布を持つ樹脂粒子を２種以上混合してもよい。
このような樹脂粒子（Ｃ）の平均粒子径および粒径分布は、ナノトラック粒度分布測定装置ＵＰＡ−ＥＸ１５０（日機装社製）を用いて、動的光散乱法により体積平均粒径を測定することにより求められるものである。
【００２９】
また、樹脂粒子（Ｃ）と酸化銅粒子（Ａ）との平均粒子径の差は、５０ｎｍ以下が好ましく、４０ｎｍ以下がより好ましい。樹脂粒子（Ｃ）が大きすぎると導電性が悪化する場合があり、酸化銅粒子（Ａ）が大きすぎると膜強度が悪化する場合があるが、両者の平均粒子径の差が上記範囲内であれば、得られる導電膜の導電性および膜強度がより優れる。
【００３０】
樹脂粒子（Ｃ）の重量平均分子量（Ｍｗ）は、特に限定されず、１０，０００〜２００，０００が好ましく、１００，０００〜２００，０００がより好ましい。なお、重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフ（ＧＰＣ）で測定される。
【００３１】
本発明の導電膜形成用組成物全量に対する樹脂粒子（Ｃ）の含有量は、特に限定されないが、０．５〜２０質量％が好ましく、３〜２０質量％より好ましく、５〜１５質量％より好ましい。
また、有機バインダ（Ｂ）および樹脂粒子（Ｃ）の合計含有量に対する樹脂粒子（Ｃ）の含有量は、１０〜８０質量％が好ましく、以下に述べる理由から、３０〜６０質量％がより好ましい。すなわち、この含有量が６０質量％を超えると膜強度が低下する場合があり、３０質量％未満であると吐出安定性が劣る場合があるが、３０〜６０質量％であれば、吐出安定性および膜強度がより優れる。
【００３２】
このような樹脂粒子（Ｃ）としては、ガラス転移温度が５０℃以下のものであれば特に限定されず、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
例えば、樹脂粒子（Ｃ）としては、粒子状にした樹脂を水性媒体に分散させたラテックスを使用でき、この樹脂の具体例としては、アクリル系樹脂、酢酸ビニル系樹脂、スチレン−ブタジエン系樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン系樹脂、塩化ビニル系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、ブタジエン系樹脂、スチレン系樹脂、架橋アクリル樹脂、架橋スチレン系樹脂、ベンゾグアナミン樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ウレタン系樹脂、パラフィン系樹脂、フッ素系樹脂などが挙げられる。
これらのうち、アクリル系樹脂、スチレン−ブタジエン系樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン系樹脂、アクリル−スチレン系樹脂、スチレン系樹脂、架橋アクリル樹脂、架橋スチレン系樹脂が好ましい。
【００３３】
また、樹脂粒子（Ｃ）としては、吐出安定性の観点から、自己分散性ポリマーの粒子が好ましく、カルボキシ基を有する自己分散性ポリマーの粒子がより好ましい。
自己分散性ポリマーの粒子（以下、「自己分散性ポリマー粒子」ともいう）とは、他の界面活性剤の不存在下に、ポリマー自身が有する官能基（特に酸性基またはその塩）によって、水性媒体中で分散状態となり得る水不溶性ポリマーであって、遊離の乳化剤を含有しない水不溶性ポリマーの粒子を意味する。
【００３４】
ここで、分散状態とは、水性媒体中に水不溶性ポリマーが液体状態で分散された乳化状態（エマルション）、および、水性媒体中に水不溶性ポリマーが固体状態で分散された分散状態（サスペンション）の両方の状態を含むものである。
また、自己分散性ポリマー粒子の分散状態とは、水不溶性ポリマー３０ｇを７０ｇの有機溶媒（例えば、メチルエチルケトン）に溶解した溶液、該水不溶性ポリマーの塩生成基を１００％中和できる中和剤（塩生成基がアニオン性であれば水酸化ナトリウム、カチオン性であれば酢酸）、および水２００ｇを混合、攪拌（装置：攪拌羽根付き攪拌装置、回転数２００ｒｐｍ、３０分間、２５℃）した後、該混合液から該有機溶媒を除去した後でも、分散状態が２５℃で少なくとも１週間安定に存在することを目視で確認できる状態をいう。
また、水不溶性ポリマーとは、ポリマーを１０５℃で２時間乾燥させた後、２５℃の水１００ｇ中に溶解させたときに、その溶解量が１０ｇ以下であるポリマーをいう。上記溶解量は、水不溶性ポリマーの塩生成基の種類に応じて、水酸化ナトリウムまたは酢酸で１００％中和したときの溶解量である。
また、水性媒体は、水を含んで構成され、必要に応じて親水性有機溶媒を含んでいてもよい。本発明においては、水と水に対して０．２質量％以下の親水性有機溶媒とから構成されることが好ましく、水から構成されることがより好ましい。
【００３５】
以下では、樹脂粒子（Ｃ）の好適例として自己分散性ポリマー粒子について説明するが、本発明における樹脂粒子（Ｃ）としてはこれに限定されるものではなく、上述したラテックス等も好ましく用いることができる。
【００３６】
上記自己分散性ポリマー粒子は、自己分散性の観点から、親水性の構成単位と、疎水性の構成単位として芳香族基含有モノマーに由来する構成単位および／または脂環式モノマーに由来する構成単位と、を含む水不溶性ポリマーを含むことが好ましい。
【００３７】
上記親水性の構成単位は、親水性基含有モノマーに由来するものであれば特に限定されず、１種の親水性基含有モノマーに由来するものであってもよく、２種以上の親水性基含有モノマーに由来するものであってもよい。
親水性基としては、特に限定されず、解離性基であってもよく、ノニオン性親水性基であってもよいが、解離性基が好ましく、アニオン性の解離性基がより好ましい。上記解離性基としては、カルボキシ基、リン酸基、スルホン酸基などが挙げられ、なかでも、カルボキシ基が好ましい。
上記親水性基含有モノマーは、自己分散性等の観点から、解離性基含有モノマーが好ましく、解離性基とエチレン性不飽和結合とを有する解離性基含有モノマーが好ましい。
上記解離性基含有モノマーとしては、例えば、不飽和カルボン酸モノマー、不飽和スルホン酸モノマー、不飽和リン酸モノマー等が挙げられる。
不飽和カルボン酸モノマーとしては、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、シトラコン酸、２−メタクリロイルオキシメチルコハク酸等が挙げられる。不飽和スルホン酸モノマーとして、例えば、スチレンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、３−スルホプロピル（メタ）アクリレート、ビス−（３−スルホプロピル）−イタコン酸エステル等が挙げられる。
不飽和リン酸モノマーとして、例えば、ビニルホスホン酸、ビニルホスフェート、ビス（メタクリロキシエチル）ホスフェート、ジフェニル−２−アクリロイロキシエチルホスフェート、ジフェニル−２−メタクリロイロキシエチルホスフェート、ジブチル−２−アクリロイロキシエチルホスフェート等が挙げられる。上記解離性基含有モノマーとしては、分散安定性、吐出安定性の観点から、不飽和カルボン酸モノマーが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸がより好ましい。
【００３８】
また、ノニオン性親水性基を有するモノマーとしては、例えば、２−メトキシエチルアクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）エチルアクリレート、２−（２−メトキシエトキシ）エチルメタクリレート、エトキシトリエチレングリコールメタクリレート、メトキシポリエチレングリコール（分子量２００〜１０００）モノメタクリレート、ポリエチレングリコール（分子量２００〜１０００）モノメタクリレートなどの（ポリ）エチレンオキシ基またはポリプロピレンオキシ基を含有するエチレン性不飽和モノマー；ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシ基を有するエチレン性不飽和モノマー；等が挙げられる。
また、ノニオン性親水性基を有するモノマーとしては、末端がヒドロキシ基のエチレン性不飽和モノマーよりも、末端がアルキルエーテルのエチレン性不飽和モノマーのほうが、粒子の安定性、水溶性成分の含有量の観点で好ましい。
【００３９】
上記親水性の構成単位としては、アニオン性の解離性基を有する親水性単位のみを含有する態様、および、アニオン性の解離性基を有する親水性の構成単位とノニオン性親水性基を有する親水性の構成単位とを両方含有する態様のいずれかが好ましい。
上記自己分散性ポリマーにおける上記親水性の構成単位の含有率は、２５質量％以下が好ましく、１〜２５質量％がより好ましい。
上記自己分散性ポリマーにおけるアニオン性の解離性基を有する構成単位の含有量は、酸価が後述する好適な範囲となるような範囲が好ましい。また、ノニオン性親水性基を有する構成単位の含有量は、吐出安定性の観点から、０〜２５質量％が好ましく、０〜２０質量％がより好ましい。
【００４０】
上記自己分散性ポリマー粒子は、カルボキシ基を有するポリマーを含むことが好ましく、カルボキシ基を有し、酸価が２５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇであるポリマーを含むことがより好ましく、２５〜８０ｍｇＫＯＨ／ｇがさらに好ましい。
【００４１】
上記芳香族基含有モノマーは、芳香族基と重合性基とを含む化合物であれば特に限定されない。上記芳香族基は、芳香族炭化水素に由来する基であってもよく、芳香族複素環に由来する基であってもよいが、芳香族炭化水素に由来する芳香族基が好ましい。
また、上記重合性基は、縮重合性の重合性基であってもよく、付加重合性の重合性基であってもよいが、付加重合性の重合性基が好ましく、エチレン性不飽和結合を含む基がより好ましい。
上記芳香族基含有モノマーは、芳香族炭化水素に由来する芳香族基とエチレン性不飽和結合とを有するモノマーが好ましい。上記芳香族基含有モノマーは、１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
上記芳香族基含有モノマーとしては、例えば、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレート、フェニル（メタ）アクリレート、スチレン系モノマー等が挙げられ、なかでも、ポリマー鎖の親水性および疎水性のバランス等の観点から、芳香族基含有（メタ）アクリレートモノマーが好ましく、フェノキシエチル（メタ）アクリレート、ベンジル（メタ）アクリレートがより好ましい。
上記自己分散性ポリマー粒子は、上記芳香族基含有（メタ）アクリレートモノマーに由来する構成単位を含み、その含有量は１０〜９５質量％が好ましく、１５〜９０質量％がより好ましく、１５〜８０質量％がさらに好ましい。
【００４２】
上記脂環式モノマーは、脂環式炭化水素基と重合性基とを含む化合物であれば特に限定されないが、分散安定性の観点から、脂環式（メタ）アクリレートが好ましい。
上記脂環式（メタ）アクリレートとは、（メタ）アクリル酸に由来する構造部位と、アルコールに由来する構造部位とを含み、アルコールに由来する構造部位に、無置換または置換された脂環式炭化水素基を少なくとも１つ含む構造を有するものである。なお、上記脂環式炭化水素基は、アルコールに由来する構造部位そのものであっても、連結基を介してアルコールに由来する構造部位に結合していてもよい。
上記脂環式炭化水素基としては、環状の非芳香族炭化水素基を含むものであれば特に限定されず、例えば、単環式炭化水素基、２環式炭化水素基、３環式以上の多環式炭化水素基などが挙げられ、その具体例としては、シクロペンチル基、シクロヘキシル基などのシクロアルキル基；シクロアルケニル基、ビシクロヘキシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、ジシクロペンタニル基、ジシクロペンテニル基、アダマンチル基、デカヒドロナフタレニル基、ペルヒドロフルオレニル基；等が挙げられ、炭素数５〜２０のものが好ましく、さらに置換基を有してもよく、縮合環を形成していてもよい。
上記脂環式炭化水素基とアルコールに由来する構造部位とを結合する連結基としては、例えば、炭素数１から２０までの、アルキル基、アルケニル基、アルキレン基、アラルキル基、アルコキシ基、モノまたはオリゴエチレングルコール基、モノまたはオリゴプロピレングリコール基などが挙げられる。
上記脂環式（メタ）アクリレートの具体例を以下に示すが、これらに限定されるものではなく、また、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。単環式（メタ）アクリレートとしては、シクロプロピル（メタ）アクリレート、シクロブチル（メタ）アクリレート、シクロペンチル（メタ）アクリレート、シクロヘキシル（メタ）アクリレート、シクロヘプチル（メタ）アクリレート、シクロオクチル（メタ）アクリレート、シクロノニル（メタ）アクリレートなどのシクロアルキル基の炭素数が３〜１０のシクロアルキル（メタ）アクリレート等が挙げられる。２環式（メタ）アクリレートとしては、イソボルニル（メタ）アクリレート、ノルボルニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。３環式（メタ）アクリレートとしては、アダマンチル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニルオキシエチル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
上記自己分散性ポリマー粒子に含まれる上記脂環式（メタ）アクリレートに由来する構成単位の含有率としては、２０〜９０質量％が好ましく、４０〜９０質量％がより好ましく、５０〜８０質量％がさらに好ましい。
【００４３】
上記自己分散性ポリマー粒子は、さらに、その他の構成単位を含んでもよい。
上記その他の構成単位を形成するモノマー（以下、「その他共重合可能なモノマー」ともいう）としては、特に限定されず、例えばアルキル基含有モノマーが挙げられる。
上記アルキル基含有モノマーとしては、例えば、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ｎ−プロピル（メタ）アクリレート、ｎ−ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、ｔ−ブチル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレートなどのアルキル（メタ）アクリレート；ヒドロキシメチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシペンチル（メタ）アクリレート、ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシ基を有するエチレン性不飽和モノマー；ジメチルアミノエチル（メタ）アクリレートなどのジアルキルアミノアルキル（メタ）アクリレート；Ｎ−ヒドロキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎーヒドロキシエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシブチル（メタ）アクリルアミドなどのＮ−ヒドロキシアルキル（メタ）アクリルアミド；Ｎ−メトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（ｎ−，イソ）ブトキシメチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−メトキシエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−エトキシエチル（メタ）アクリルアミド、Ｎ−（ｎ−、イソ）ブトキシエチル（メタ）アクリルアミドなどのＮ−アルコキシアルキル（メタ）アクリルアミド；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
これらのうち、炭素数が１〜８の鎖状（直鎖または分岐鎖）アルキル基を含有する（メタ）アクリレートが好ましく、炭素数が１〜４がより好ましく、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレートがさらに好ましい。
上記自己分散性ポリマー粒子が、その他の構成単位を含有する場合、その含有量は１０〜８０質量％が好ましく、１５〜７５質量％がより好ましい。
【００４４】
上記自己分散性ポリマーは、各構成単位が不規則的に導入されたランダム共重合体であってもよく、規則的に導入されたブロック共重合体であってもよい。
【００４５】
樹脂粒子（Ｃ）の重量平均分子量は上述したとおりであるが、上記自己分散性ポリマーの重量平均分子量（Ｍｗ）については、３，０００〜２０万が好ましく、５，０００〜１５万がより好ましく、１０，０００〜１０万がさらに好ましい。このとき、酸価は２５〜１００が好ましく、２５〜９５がより好ましい。
なお、重量平均分子量は、ゲル透過クロマトグラフ（ＧＰＣ）で測定される。ＧＰＣは、ＨＬＣ−８０２０ＧＰＣ（東ソー社製）を用い、カラムとして、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺＭ−Ｈ、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ４０００、ＴＳＫｇｅｌ ＳｕｐｅｒＨＺ２００（東ソー社製、４．６ｍｍＩＤ×１５ｃｍ）を３本用い、溶離液としてＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を用いる。また、条件としては、試料濃度を０．３５／ｍｉｎ、流速を０．３５ｍＬ／ｍｉｎ、サンプル注入量を１０μＬ、測定温度を４０℃とし、ＩＲ検出器を用いて行なう。また、検量線は、東ソー社製「標準試料ＴＳＫ ｓｔａｎｄａｒｄ，ｐｏｌｙｓｔｙｒｅｎｅ」：「Ｆ−４０」、「Ｆ−２０」、「Ｆ−４」、「Ｆ−１」、「Ａ−５０００」、「Ａ−２５００」、「Ａ−１０００」、「ｎ−プロピルベンゼン」の８サンプルから作製する。
【００４６】
上記自己分散性ポリマーは、上記芳香族基含有（メタ）アクリレートモノマーに由来する構造単位（好ましくは、フェノキシエチル（メタ）アクリレートに由来する構造単位および／またはベンジル（メタ）アクリレートに由来する構造単位）を共重合比率として上記自己分散性ポリマー粒子の全質量の１５〜８０質量％を含むことが好ましい。
【００４７】
上記水不溶性ポリマーの製造方法としては特に限定されず、例えば、重合性界面活性剤の存在下に、乳化重合を行い、界面活性剤と上記水不溶性ポリマーとを共有結合させる方法；上記親水性基含有モノマーと上記芳香族基含有モノマーとを含むモノマー混合物を溶液重合法、塊状重合法等の公知の重合法により、共重合させる方法；等が挙げられ、上記重合法としては、溶液重合法が好ましく、有機溶媒を用いた溶液重合法がより好ましい。
【００４８】
上記自己分散性ポリマー粒子の製造方法は、有機溶媒中でポリマーを合成する工程と、このポリマーのカルボキシ基の少なくとも一部が中和された水性分散物とする分散工程と、を備えるのが好ましい。
上記分散工程は、次の工程（ｉ）および工程（ｉｉ）を含むことが好ましい。
工程（ｉ）：ポリマー（水不溶性ポリマー）、有機溶媒、中和剤、および水性媒体を含有する混合物を、攪拌する工程
工程（ｉｉ）：上記混合物から上記有機溶媒を除去する工程
上記工程（ｉ）は、まずポリマー（水不溶性ポリマー）を有機溶媒に溶解させ、次に中和剤と水性媒体とを徐々に加えて混合、攪拌する工程が好ましい。攪拌方法に特に制限はなく、一般に用いられる混合攪拌装置や、必要に応じて超音波分散機や高圧ホモジナイザー等の分散機を用いることができる。有機溶媒としては、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶媒、メチルエチルケトンなどのケトン系溶媒、エーテル系溶媒が好ましく挙げられ、例えば、特開２０１０−１８８６６１号公報の段落００５９に例示された有機溶媒を使用できる。また、中和剤としては、例えば、特開２０１０−１８８６６１号公報の段落００６０〜００６１に例示された中和剤を使用できる。
上記工程（ｉｉ）では、上記工程（ｉ）で得られた分散体（混合物）から、減圧蒸留等の常法により有機溶剤を留去して水系へと転相することで上記自己分散性ポリマー粒子の水性分散物が得られる。得られた水性分散物中の有機溶媒は実質的に除去されており、有機溶媒の量は、０．２質量％以下が好ましく、０．１質量％以下がより好ましい。
【００４９】
（銅錯体（Ｄ））
本発明の導電膜形成用組成物は、得られる導電膜の導電性がより優れるという理由から、さらに、銅錯体（Ｄ）を含有するのが好ましい。
銅錯体（Ｄ）としては、例えば、銅アセチルアセトネート、キノリン銅、テトラキス（ピリジン）銅・過塩素酸塩、ビス（エチレンジアミン）銅などが挙げられるが、以下に説明する、ギ酸銅にアミンが配位してなるギ酸銅錯体（本明細書において、単に「ギ酸銅錯体」ともいう。）が好適に用いられる。
【００５０】
ギ酸銅錯体は、ギ酸銅とアミンとを混合することによって合成できる。ギ酸銅とアミンとはそのまま混合してもよく、水溶液、有機溶媒溶液または有機溶媒懸濁液として混合してもよい。ギ酸銅とアミンとの混合は、０〜１００℃程度の温度の下で、適切な撹拌機や混合機を用いて行うことが好ましい。また、ギ酸銅とアミンは、ギ酸銅１当量に対してアミンを２〜４当量加えることが好ましい。
ギ酸銅とアミンとを混合して得られる組成物中には、主成分としてギ酸アニオンおよびアミンを配位子として有する銅アミン錯体が生成する。好ましいギ酸銅アミン錯体は、中心金属であるＣｕ２＋に、ギ酸アニオンがおよびアミンが、それぞれ、２分子配位することが好ましい。２つのアミンは同一種類であってもよいし、異なる種類であってもよい。
ギ酸銅とアミンとを混合してなる組成物中には、混合条件に応じて、上記銅アミン錯体の他に、溶媒や未反応のアミンが含まれ得るが、ギ酸銅とアミンとを無溶媒で１：２の等量比で混合した場合には、ほぼ上記銅アミン錯体のみからなる組成物が得られる。
【００５１】
（ギ酸銅）
上記ギ酸銅としては、無水ギ酸銅（ＩＩ)、ギ酸銅（ＩＩ)・二水和物、ギ酸銅（ＩＩ）・四水和物などを用いることができる。
【００５２】
（アミン）
上記アミンとしては、第一級〜第三級のアミンを使用でき、なかでも、アミンの沸点が低いという観点から、第三級アミンが好ましい。また、得られるギ酸銅錯体の親水性が増すという観点から、分子内に１つ以上のヒドロキシ基を有するアミンが好ましい。
上記第三級アミンとしては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−メトキシエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−エトキシエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ｎ−プロポキシエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ｉ−プロポキシエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ｎ−ブトキシエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−（２−ヒドロキシエチルオキシ）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−（２−メトキシエチルオキシ）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−（２−エトキシエチルオキシ）エチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，１−ジメチル−２−ヒドロキシエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，１−ジメチル−２−メトキシエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−１，１−ジメチル−２−エトキシエチルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ヒドロキシプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−メトキシプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−エトキシプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ｉ−プロポキシプロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−３−ｎ−ブトキシプロピルアミン、およびＮ，Ｎ−ジメチル−２−ヒドロキシエタノールアミンが挙げられ、なかでも、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ヒドロキシエタノールアミンが好ましい。
【００５３】
本発明の導電膜形成用組成物において、銅錯体（Ｄ）の含有量は、酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対して１〜１５質量％が好ましく、３〜１０質量％がより好ましい。
【００５４】
（溶媒（Ｅ））
本発明の導電膜形成用組成物は、印刷性等の観点から、溶媒（Ｅ）を含有するのが好ましい。溶媒（Ｅ）は、酸化銅粒子（Ａ）、有機バインダ（Ｂ）および樹脂粒子（Ｃ）の分散媒として機能する。
溶媒（Ｅ）としては、例えば、水または親水性アルコールが挙げられ、親水性アルコールの具体例としては、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブチルアルコールなどの１価アルコール；エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、ポリエチレングリコール、プロピレングリコール、グリセリン、ジグリセリン、トリグリセリン、ポリグリセリン、トリメチロールプロパンなどの多価アルコール；等が挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
溶媒（Ｅ）の含有量は特に限定されないが、粘度の上昇が抑制され、取扱い性に優れる観点から、本発明の導電膜形成用組成物の固形分が１０〜６０質量％となる量が好ましく、固形分が２０〜５０質量％となる量がより好ましい。
【００５５】
（その他成分）
本発明の導電膜形成用組成物には、上記各成分以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、本発明の導電膜形成用組成物には、界面活性剤が含まれていてもよい。界面活性剤の種類は特に限定されず、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられ、これらを１種単独で用いてもよく、２種以上を併用してもよい。
【００５６】
（導電膜形成用組成物の粘度）
本発明の導電膜形成用組成物の粘度は、インクジェット吐出に適する粘度に調整することが好ましく、例えば、１〜５０ｃＰが好ましく、１〜４０ｃＰがより好ましい。
【００５７】
（導電膜形成用組成物の調製方法）
本発明の導電膜形成用組成物の調製方法は特に限定されず、公知の方法を採用でき、例えば、上述した必須成分および任意成分を、超音波法（例えば、超音波ホモジナイザーによる処理）、ミキサー法、３本ロール法、ボールミル法などの公知の方法により混合することによって、本発明の導電膜形成用組成物を得ることができる。
【００５８】
（インクジェット法）
工程（１）において、基材上に本発明の導電膜形成用組成物を付与（塗布）する方法は、インクジェットヘッドに設けられたノズルからインク（導電膜形成用組成物）を液滴状に吐出するインクジェット法である。インクジェット法によれば、サイズの大きい導電膜も簡便に製造できる。
インクジェット法としては、特に限定されず、公知の方式を採用でき、例えば、静電誘引力を利用してインクを吐出させる電荷制御方式；ピエゾ素子の振動圧力を利用するドロップオンデマンド方式（圧力パルス方式）；電気信号を音響ビームに変えインクに照射して放射圧を利用してインクを吐出させる音響インクジェット方式；インクを加熱して気泡を形成し、生じた圧力を利用するサーマルインクジェット方式；等が挙げられる。
また、インクジェットヘッドとしては、短尺のシリアルヘッドを用い、ヘッドを基材の幅方向に走査させるシャトル方式と、基材の１辺の全域に対応して素子が配列されているラインヘッドを用いたライン方式とがある。
【００５９】
なお、インクジェット法により塗布される塗膜の形状は特に限定されず、基材全面を覆う面状であっても、パターン状（例えば、配線状、ドット状）であってもよい。
基材上への導電膜形成用組成物の塗布量としては、所望する導電膜の膜厚に応じて適宜調整すればよいが、通常、塗膜の膜厚は０．０１〜５０００μｍが好ましく、０．１〜１０００μｍがより好ましい。
【００６０】
［乾燥工程］
本発明の導電膜の製造方法は、工程（１）と工程（２）との間に、工程（１）で形成された塗膜を乾燥する乾燥工程を、さらに備えるのが好ましい。
上記乾燥工程により、塗膜中に残存する溶媒が除去され、後述する還元工程において、溶媒の気化膨張に起因する微小なクラックや空隙の発生を低減できる。
乾燥方法としては、温風乾燥機などを用いることができる。
乾燥温度は、酸化物粒子（Ａ）の還元が生じない温度が好ましく、具体的には４０〜２００℃が好ましく、４５〜１５０℃がより好ましく、５０〜１２０℃がさらに好ましい。
乾燥時間は、特に限定されないが、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、１〜６０分が好ましい。
【００６１】
［工程（２）：還元工程］
工程（２）は、工程（１）で形成された塗膜（乾燥工程を備える場合は乾燥後の塗膜）に対してパルス光照射処理を行い、酸化銅粒子（Ａ）を還元して、銅を含有する導電膜を形成する工程である。
パルス光照射処理は、塗膜に対してパルス光を短時間照射する処理であり、基材を加熱し過ぎることがないため、基材として熱可塑性樹脂基材を使用できる。
塗膜にパルス光照射処理を行った場合、塗膜の表層で還元焼結が進むとともに、表層で吸収されたエネルギーが表層より下の領域に伝導し、塗膜全体で還元焼結が進む。より具体的には、酸化銅粒子（Ａ）の還元により生成する銅粒子が融着してグレインが形成され、さらにグレインどうしが接着・融着して銅を含有する導電膜が形成される。
【００６２】
パルス光照射処理で使用される光源は特に限定されず、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノン（Ｘｅ）ランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯などがある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、高密度エネルギービーム（レーザービーム）も使用される。
【００６３】
パルス光照射処理としては、フラッシュランプによるパルス光照射処理が好ましく、Ｘｅフラッシュランプによるパルス光照射処理がより好ましい。
パルス光の照射エネルギーは、１〜１００Ｊ／ｃｍ2が好ましく、１〜５０Ｊ／ｃｍ2がより好ましく、１〜３０Ｊ／ｃｍ2がさらに好ましい。パルス光のパルス幅は、１μ秒〜１００ｍ秒が好ましく、１０μ秒〜１０ｍ秒がより好ましい。パルス光の照射時間は、１μ秒〜１０００ｍ秒が好ましく、１ｍ秒〜５００ｍ秒がより好ましく、１ｍ秒〜２００ｍ秒がさらに好ましい。
【００６４】
上記パルス光照射処理を実施する雰囲気は特に限定されず、大気雰囲気下、不活性雰囲気下、または還元性雰囲気下などが挙げられる。なお、不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気であり、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素、ギ酸、アルコール等の還元性ガスが存在する雰囲気である。
【００６５】
（導電膜）
上記工程を実施することにより、銅を含有する導電膜が得られる。
導電膜の膜厚は特に限定されず、使用される用途に応じて適宜最適な膜厚が調整される。なかでも、プリント配線基板用途の点からは、０．０１〜１０００μｍが好ましく、０．１〜１００μｍがより好ましい。
【００６６】
導電膜は基材の全面、または、パターン状に設けられてもよい。パターン状の導電膜は、プリント配線基板などの導体配線（配線）として有用である。
パターン状の導電膜を得る方法としては、本発明の導電膜形成用組成物をパターン状に基材に付与して、パルス光照射処理を行う方法や、基材全面に設けられた導電膜をパターン状にエッチングする方法などが挙げられる。
エッチングの方法は特に限定されず、公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを採用できる。
【００６７】
パターン状の導電膜を多層配線基板として構成する場合、パターン状の導電膜の表面に、さらに絶縁層（絶縁樹脂層、層間絶縁膜、ソルダーレジスト）を積層して、その表面にさらに配線（金属パターン）を形成してもよい。
【００６８】
絶縁膜の材料は特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶樹脂などが挙げられる。
これらのうち、密着性、寸法安定性、耐熱性、電気絶縁性等の観点から、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、または液晶樹脂を含有するものであることが好ましく、より好ましくはエポキシ樹脂である。具体的には、味の素ファインテクノ社製、ＡＢＦ  ＧＸ−１３などが挙げられる。
【００６９】
また、配線保護のために用いられる絶縁層の材料の一種であるソルダーレジストについては、例えば、特開平１０−２０４１５０号公報や、特開２００３−２２２９９３号公報等に詳細に記載され、ここに記載の材料を所望により本発明にも適用できる。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、具体的には、例えば、太陽インキ製造社製ＰＦＲ８００、ＰＳＲ４０００（商品名）、日立化成工業社製  ＳＲ７２００Ｇ、などが挙げられる。
【００７０】
上記で得られた導電膜を有する基材（導電膜付き基材）は、種々の用途に使用できる。例えば、プリント配線基板、ＴＦＴ、ＦＰＣ、ＲＦＩＤなどが挙げられる。
【実施例】
【００７１】
（自己分散性ポリマー粒子Ｃ−１の調製）
攪拌機、温度計、還流冷却管、および窒素ガス導入管を備えた２リットル三口フラスコに、メチルエチルケトン５４０．０ｇを仕込んで、７５℃まで昇温した。反応容器内温度を７５℃に保ちながら、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）２４３ｇ、フェノキシエチルアクリレート（ＰｈＯＥＡ）２７０ｇ、アクリル酸（ＡＡ）２７ｇ、メチルエチルケトン１０８ｇ、および「Ｖ−６０１」（和光純薬社製）２．１６ｇからなる混合溶液を、２時間で滴下が完了するように等速で滴下した。滴下完了後、「Ｖ−６０１」１．０８ｇ、メチルエチルケトン１５．０ｇからなる溶液を加え、７５℃で２時間攪拌後、さらに「Ｖ−６０１」０．５４ｇ、メチルエチルケトン１５．０ｇからなる溶液を加え、７５℃で２時間攪拌した後、８５℃に昇温して、さらに２時間攪拌を続け、共重合体を含む重合溶液を得た。
次に、重合溶液５８８．２ｇを秤量し、イソプロパノール１６５ｇ、１モル／ＬのＮａＯＨ水溶液１２０．８ｍＬを加え、反応容器内温度を８０℃に昇温した。次に蒸留水７１８ｇを２０ｍＬ／ｍｉｎの速度で滴下し、水分散化せしめた。その後、大気圧下にて反応容器内温度８０℃で２時間、８５℃で２時間、９０℃で２時間保って溶媒を留去した。さらに、反応容器内を減圧して、イソプロパノール、メチルエチルケトン、蒸留水を留去し、固形分２６．０質量％の自己分散性ポリマーＣ−１（樹脂粒子）の水性分散物を得た。
【００７２】
なお、Ｃ−１のモノマー組成（質量比）は、メチルメタクリレート（ＭＭＡ）／フェノキシエチルアクリレート（ＰｈＯＥＡ）／アクリル酸（ＡＡ）＝４５／５０／５である。
また、Ｃ−１について、測定Ｔｇは４０℃、平均粒子径は２６ｎｍ、重量平均分子量（Ｍｗ）は７１，０００であった。
【００７３】
（自己分散性ポリマー粒子Ｃ−２〜Ｃ−８の調製）
モノマーの種類と質量比とが下記モノマー組成になるようにそれぞれ変更した以外は上記と同様にして、下記モノマー組成を有する自己分散性ポリマーＣ−２〜Ｃ−８（樹脂粒子）の水性分散物を調製した。
・Ｃ−２：メチルメタクリレート（ＭＭＡ）／２−メトキシエチルメタクリレート（ＭｅＯＥＡ）／ベンジルメタクリレート（ＢｚＭＡ）／メタクリル酸（ＭＡＡ）＝（３８／２０／３５／７）、測定Ｔｇ：５０℃、平均粒子径：１３ｎｍ、Ｍｗ：１２０，０００
・Ｃ−３：メチルメタクリレート（ＭＭＡ）／フェノキシエチルメタクリレート（ＰｈＯＥＭＡ）／メタクリル酸（ＭＡＡ）＝３５／５８／７、測定Ｔｇ：４１℃、平均粒子径：５ｎｍ、Ｍｗ：１８０，０００
・Ｃ−４：メチルメタクリレート（ＭＭＡ）／２−メトキシエチルメタクリレート（ＭｅＯＥＡ）／ベンジルメタクリレート（ＢｚＭＡ）／メタクリル酸（ＭＡＡ）＝（５５／４／３５／６）、測定Ｔｇ：７４℃、平均粒子径：１３ｎｍ、Ｍｗ：４６，０００
・Ｃ−５：メチルメタクリレート（ＭＭＡ）／ベンジルメタクリレート（ＢｚＭＡ）／ベンジルアクリレート（ＢｚＡ）／アクリル酸（ＡＡ）＝（５０／２１／２５／５）、測定Ｔｇ：６２℃、平均粒子径：４５ｎｍ、Ｍｗ：６０，０００
【００７４】
（ギ酸銅錯体の合成）
１Ｌナスフラスコに、メタノール（１００ｍＬ）と、ギ酸銅四水和物（１１．３ｇ）とを加え、懸濁液を作製した。その懸濁液に、Ｎ，Ｎ−ジメチル−２−ヒドロキシエタノールアミン（１１．９ｇ）を加え、室温で１時間撹拌した。得られた溶液を減圧留去して、ギ酸銅錯体（２２ｇ）を得た。
以下の導電膜形成用組成物の調製には、このギ酸銅錯体を用いた。
【００７５】
（組成物１の調製）
酸化銅粉末（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均一次粒子径：５０ｎｍ）に水およびジルコニアビーズ（０．０５ｍｍφ）を加え、バッチ式レディーミル（ＡＩＭＥＸ社製）で３０分間攪拌を行った後、ジルコニアビーズをろ過することにより平均粒子径６２ｎｍの酸化銅粒子の分散物を作製した。
このように作製した酸化銅粒子の分散物と、有機バインダとしてポリビニルピロリドン（重量平均分子量：１０，０００）と、樹脂粒子として日本ゼオン社製のラテックス「Ｎｉｐｏｌ  ＳＸ１５０３」（アクリロニトリル・ブタジエン共重合体、自己分散性：あり、Ｔｇ：−２０℃、平均粒子径：５０ｎｍ、固形分：４２質量％）と、銅錯体としてギ酸銅錯体とを、下記第１表に示す含有量で配合し、かつ、全固形分が３０質量％となるように溶媒として水を配合し、導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物１とする。
【００７６】
なお、下記第１表中の含有量は、酸化銅粒子は、導電膜形成用組成物全量に対する含有量（下記第１表では便宜的に「対全量含有量」と記載）を表し、有機バインダおよび銅錯体は、酸化銅粒子の含有量に対する含有量（下記第１表では便宜的に「対（Ａ）含有量」と記載）を表し、樹脂粒子は、有機バインダと樹脂粒子との合計含有量に対する含有量（下記第１表では便宜的に「対（Ｂ）＋（Ｃ）含有量」と記載）を表す。単位は、いずれも「質量％」である。
【００７７】
（組成物２の調製）
樹脂粒子として、日本ゼオン社製のラテックス「Ｎｉｐｏｌ  ＬＸ４３３Ｃ」（変性スチレン・ブタジエン共重合体、自己分散性：なし、Ｔｇ：５０℃、平均粒子径：１００ｎｍ、固形分：５０．０質量％）を使用した以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物２とする。
【００７８】
（組成物３の調製）
樹脂粒子として、日本ゼオン社製のラテックス「Ｎｉｐｏｌ  ＬＸ４３０」（変性スチレン・ブタジエン共重合体、自己分散性：なし、Ｔｇ：１２℃、平均粒子径：１５０ｎｍ、固形分：４９．０質量％）を使用した以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物３とする。
【００７９】
（組成物４の調製）
樹脂粒子として、日本ゼオン社製のラテックス「Ｎｉｐｏｌ  ＬＸ４１６」（変性スチレン・ブタジエン共重合体、自己分散性：なし、Ｔｇ：５０℃、平均粒子径：１１０ｎｍ、固形分：４８．０質量％）を使用した以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物４とする。
【００８０】
（組成物５の調製）
樹脂粒子として、自己分散性ポリマーＣ−１の水性分散物を使用した以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物５とする。
【００８１】
（組成物６の調製）
樹脂粒子として、自己分散性ポリマーＣ−２の水性分散物を使用した以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物５とする。
【００８２】
（組成物７の調製）
樹脂粒子として自己分散性ポリマーＣ−２の水性分散物を使用し、かつ、銅錯体を配合しなかった以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物７とする。
【００８３】
（組成物８〜９の調製）
樹脂粒子の含有量を、それぞれ下記第１表に示す含有量に変更した以外は、組成物６と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を、それぞれ組成物８〜９とする。
【００８４】
（組成物１０の調製）
樹脂粒子として、自己分散性ポリマーＣ−３の水性分散物を使用した以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物１０とする。
【００８５】
（比較組成物１の調製）
樹脂粒子を配合しなかった以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を比較組成物１（比１）とする。
【００８６】
（比較組成物２〜３の調製）
樹脂粒子として、それぞれ自己分散性ポリマーＣ−４またはＣ−５の水性分散物を使用した以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を、それぞれ比較組成物２（比２）および比較組成物３（比３）とする。
【００８７】
＜実施例１＞
ポリイミド基材（東レ・デュポン社製、厚さ：２５μｍ）上に、インクジェット印刷装置（ＦＵＪＩＦＩＬＭ  Ｄｉｍａｔｉｘ社製、装置名：ＤＭＰ−２８３１）を用いて、組成物１を５ｍｍ×２０ｍｍのベタ膜状に塗布し、１００℃で１０分間乾燥させることで塗膜を得た。その後、得られた塗膜にパルス光照射処理（Ｘｅｎｏｎ社製光焼結装置Ｓｉｎｔｅｒｏｎ２０００、照射エネルギー：５Ｊ／ｍ2、パルス幅：２ｍ秒）を行うことで導電膜を得た。
【００８８】
＜実施例２〜１０および比較例１〜３＞
組成物１の代わりに、それぞれ組成物２〜１０および比較組成物１〜３を使用した以外は、実施例１と同様にして、導電膜を得た。
【００８９】
＜導電性＞
得られた導電膜について、四探針法抵抗率計を用いて体積抵抗率を測定し、導電性を評価した。評価基準は以下のとおりである。実用上ＡまたはＢが要求される。
・Ａ：体積抵抗率が５０μΩ・ｃｍ未満
・Ｂ：体積抵抗率が５０μΩ・ｃｍ以上１００μΩ・ｃｍ未満
・Ｃ：体積抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上
【００９０】
＜吐出安定性＞
上記のようにインクジェット印刷装置を用いて組成物（比較組成物）の塗布を行ない、下記の基準により吐出安定性を評価した。なお、塗布ムラは目視観察した。実用上、ＡまたはＢであれば吐出安定性が良好で、インクジェット適性があるものとして評価できる。
（１）６０分連続吐出試験後の吐出率が９０％以上
（２）１分間吐出後、３０分休止した後の吐出率が９０％以上
（３）塗布ムラが見られない
・Ａ：３項目とも合格の場合
・Ｂ：２項目が合格の場合
・Ｃ：２項目以上が不合格
【００９１】
＜耐折性（膜強度の評価）＞
まず、得られた導電膜（５ｍｍ×２０ｍｍ）について、四探針法抵抗率計を用いて体積抵抗率（当初の抵抗率）を測定した。次に、導電膜を半分に折り、折り目に２００ｇの荷重を５分間加える試験を行なった後、同様にして体積抵抗率（試験後の抵抗率）を測定した。評価基準は以下のとおりである。実用上、ＡまたはＢであれば導電膜の膜強度が優れるものとして評価できる。
・Ａ：試験後の抵抗率が、当初の抵抗率に対して１％未満の上昇率である。
・Ｂ：試験後の抵抗率が、当初の抵抗率に対して１％以上５％未満の上昇率である。
・Ｃ：試験後の抵抗率が、当初の抵抗率に対して５％以上の上昇率である。
【００９２】
【表１】
2014191913.tif 000002
【００９３】
上記第１表に示す結果から分かるように、樹脂粒子（Ｃ）を配合しなかった比較例１は吐出安定性が不十分であり、また、配合した樹脂粒子のＴｇが５０℃超である比較例２および３は導電膜の膜強度が不十分であった。
【００９４】
これに対して、ガラス転移温度が５０℃以下である樹脂粒子（Ｃ）を使用した実施例１〜１０は、いずれも、吐出安定性ならびに導電膜の導電性および膜強度が優れていた。
【００９５】
このとき、実施例１〜４の対比から分かるように、樹脂粒子（Ｃ）のＴｇが０℃以上である実施例２〜４は、これを外れる実施例１よりも膜強度が優れていた。
また、樹脂粒子（Ｃ）の平均粒子径が１０〜１００ｎｍである実施例１および２は、この範囲を超える実施例３および４よりも導電性が優れていた。
また、樹脂粒子（Ｃ）が自己分散性である実施例１は、自己分散性ではない実施例２〜４よりも吐出安定性に優れていた。
【００９６】
また、実施例６と実施例７との対比から分かるように、銅錯体（Ｄ）を配合した実施例６は、これを配合しなかった実施例７よりも導電性が優れていた。
また、実施例６，８，９の対比から分かるように、樹脂粒子（Ｃ）の含有量が有機バインダ（Ｂ）および樹脂粒子（Ｃ）の合計含有量に対して３０〜６０質量％である実施例６は、この範囲未満である実施例８よりも吐出安定性が優れ、かつ、この範囲を超える実施例９よりも膜強度が優れていた。
また、実施例６と実施例１０との対比から分かるように、樹脂粒子（Ｃ）の平均粒子径が１０〜１００ｎｍである実施例６は、この範囲未満である実施例１０よりも膜強度が優れていた。