(57)【要約】    【課題】  厚みの薄いプリント配線板の製造方法の提供    【解決手段】  支持板上に中間体が形成され、その後、中間体と支持板は分離される。分離後、中間体は支持板無しで加工される。【選択図】  図２
2014027125.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持板を準備することと、
第１面と第２面を有する第１の絶縁層を前記第１の絶縁層の第２面が前記支持板と対向するように前記支持板上に形成することと、
前記第１の絶縁層の第１面上に第１の導体層を形成することと、
第１面と第２面を有する第２の絶縁層を前記第２の絶縁層の第２面が前記第１の絶縁層と対向するように前記第１の絶縁層の第１面と前記第１の導体層上に形成することと、
前記支持板と前記第１の絶縁層を分離することと、
前記第１の絶縁層を貫通し前記第１の導体層に至る第１の開口を形成することと、
前記第２の絶縁層を貫通し前記第１の導体層に至る第２の開口を形成することと、
前記第１の絶縁層の第２面上に第２の導体層を形成することと、
前記第２の絶縁層の第１面上に第３の導体層を形成することと、
前記第１の開口に前記第１の導体層と前記第２の導体層を接続する第１のビア導体を形成することと、
前記第２の開口に前記第１の導体層と前記第３の導体層を接続する第２のビア導体を形成することと、を含むプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
さらに、支持板上に第１の金属箔を積層することと前記第２の絶縁層の第１面上に第２の金属箔を積層することとを含み、
前記第１の絶縁層を形成することは前記第１の金属箔を介して前記第１の絶縁層を前記支持板上に形成することを含む。
【請求項３】
請求項２のプリント配線板の製造方法であって、
前記分離することは、前記支持板と前記第１の金属箔との間で行われる。
【請求項４】
請求項２のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の金属箔を積層することと前記第１の絶縁層を形成することと前記第１の導体層を形成することと前記第２の絶縁層を形成することと前記第２の金属箔を形成することは中間体を形成することであり、前記分離することは前記中間体を前記支持板から分離することである。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、さらに、前記第１の絶縁層の第２面と前記第２の導体層上に下側のビルドアップ層を形成することと前記第２の絶縁層の第１面と前記第３の導体層上に上側のビルドアップ層を形成することを含む。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の導体層を形成することは前記第１の開口を形成するためのアライメントマークを形成することを含む。
【請求項７】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の導体層を形成することは、前記第２の開口を形成するためのアライメントマークを形成することを含む。
【請求項８】
請求項１のプリント配線板の製造方法であって、前記支持板は銅張積層板からなり、前記第１の金属箔を積層することは前記銅張積層板と前記第１の金属箔を超音波で接合することを含む。
【請求項９】
請求項８のプリント配線板の製造方法であって、前記分離することは、前記銅張積層板と前記第１の金属箔を接合している箇所より内側で切断することを含む。
【請求項１０】
請求項７のプリント配線板の製造方法であって、前記第１の開口を形成するためのアライメントマークと前記第２の開口を形成するためのアライメントマークは同じである。
【請求項１１】
支持板上に第２の導体層を形成することと、
第１面と第２面を有する第１の絶縁層を前記第１の絶縁層の第２面が支持板と対向するように前記支持板と前記第２の導体層上に形成することと、
前記第１の絶縁層の第１面上に第１の導体層を形成することと、
前記第１の絶縁層を貫通し、前記第１の導体層と前記第２の導体層を接続する第１のビア導体を前記第１の絶縁層に形成することと、
第１面と第２面を有する第２の絶縁層を前記第２の絶縁層の第２面が前記第１の絶縁層と対向するように前記第１の絶縁層の第１面と前記第１の導体層上に形成することと、
前記第２の絶縁層の第１面上に第３の導体層を形成することと、
前記第２の絶縁層を貫通し、前記第１の導体層と前記第３の導体層を接続する第２のビア導体を前記第２の絶縁層に形成することと、
前記第２の導体層と前記第１の絶縁層を支持板から分離することと、を含むプリント配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、支持板を利用するプリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
下記特許文献１は背景技術の項でプリント基板は搬送装置を用いて製造されると述べている。また、プリント基板の厚みが０．３ｍｍ以下であると、特許文献１は１７段落で半田印刷装置への投入が困難であると述べている。そのため、特許文献１では、薄い基板が特許文献１の治具で保持され装置に投入されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−２３２４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の治具は、基板の外周を押さえる押さえ板を有している。そのため、特許文献１の治具で保持されている基板がエッチング装置内を搬送されると、基板上にエッチング液が溜まると考えられる。この場合、微細な回路を形成することが困難であると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、薄いプリント配線板を高い生産性で製造するためのプリント配線板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係るプリント配線板の製造方法は、支持板を準備することと、
第１面と第２面を有する第１の絶縁層を前記第１の絶縁層の第２面が前記支持板と対向するように前記支持板上に形成することと、
前記第１の絶縁層の第１面上に第１の導体層を形成することと、
第１面と第２面を有する第２の絶縁層を前記第２の絶縁層の第２面が前記第１の絶縁層と対向するように前記第１の絶縁層の第１面と前記第１の導体層上に形成することと、
前記支持板と前記第１の絶縁層を分離することと、
前記第１の絶縁層を貫通し前記第１の導体層に至る第１の開口を形成することと、
前記第２の絶縁層を貫通し前記第１の導体層に至る第２の開口を形成することと、
前記第１の絶縁層の第２面上に第２の導体層を形成することと、
前記第２の絶縁層の第１面上に第３の導体層を形成することと、
前記第１の開口に前記第１の導体層と前記第２の導体層を接続する第１のビア導体を形成することと、
前記第２の開口に前記第１の導体層と前記第３の導体層を接続する第２のビア導体を形成することとを含む。
【０００７】
本発明の別の観点に係るプリント配線板の製造方法は、支持板上に第２の導体層を形成することと、
第１面と第２面を有する第１の絶縁層を前記第１の絶縁層の第２面が支持板と対向するように前記支持板と前記第２の導体層上に形成することと、
前記第１の絶縁層の第１面上に第１の導体層を形成することと、
前記第１の絶縁層を貫通し、前記第１の導体層と前記第２の導体層を接続する第１のビア導体を前記第１の絶縁層に形成することと、
第１面と第２面を有する第２の絶縁層を前記第２の絶縁層の第２面が前記第１の絶縁層と対向するように前記第１の絶縁層の第１面と前記第１の導体層上に形成することと、
前記第２の絶縁層の第１面上に第３の導体層を形成することと、
前記第２の絶縁層を貫通し、前記第１の導体層と前記第３の導体層を接続する第２のビア導体を前記第２の絶縁層に形成することと、
前記第２の導体層と前記第１の絶縁層を支持板から分離することとを含む。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図９】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１０】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１１】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１２】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図７に示される。
（１）支持板１０が準備される。例えば、支持板１０は、絶縁基材１０ｚとその絶縁基材１０ｚの両面に積層されている銅箔１２とからなる銅張積層板（両面銅張積層板）である。支持板は第１面と第１面と反対側の第２面を有する。支持板１０の第１面上に金属箔（第１の金属箔）２２Ｓが積層される。金属箔２２は例えば銅箔であり、厚みは３μｍである。支持板１０と金属箔２２Ｓが外周で固定される。銅張積層板と金属箔は超音波で接合される。金属箔と支持板は固定部分１４で接合されている。固定部分の巾は数mmである。固定部分は枠状に形成されている（図１（Ａ））。金属箔２２Ｓはマット面（凹凸面）を有し、マット面と支持板が対向しないように金属箔が支持板上に積層される。なお、実際の工程では、両面銅張積層板の両面に銅箔、絶縁層が積層されるが、図では片面のみ示される。
【００１０】
（２）金属箔（第１の金属箔）２２Ｓ上にＢステージの樹脂フィルムが積層される（図１（Ｂ））。金属箔２２Ｓのマット面は第１の樹脂絶縁層と対向している。その後、樹脂フィルムは硬化され、支持板上に第１の樹脂絶縁層（第１の絶縁層）２０Ｓが形成される。第１の樹脂絶縁層２０Ｓは、補強材と無機粒子の一方もしくは両方を含む。補強材としては、例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。ガラスクロスが好適である。無機粒子として、シリカやアルミナや水酸化物からなる粒子が挙げられる。水酸化物としては、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化バリウム等の金属水酸化物が挙げられる。水酸化物は熱で分解されることで水が生成する。このため、水酸化物は、絶縁層を構成する材料から熱を奪うことが可能であると考えられる。すなわち、樹脂絶縁層２０Ｓが水酸化物を含むことで、レーザの加工性が向上すると推測される。第１の樹脂絶縁層は第１面と第１面と反対側の第２面を有し、第２面は金属箔のマット面と対向している。第１の絶縁層は支持板上に形成される。第１実施形態では、第１の絶縁層は支持板上に金属箔２２を介して積層されている。
【００１１】
（３）第１の樹脂絶縁層２０Ｓの第１面上に、導体層（第１の導体層）２６Ｃがセミアディティブ法もしくはテンティング法で形成される（図１（Ｃ））。導体層２６Ｃは複数の導体回路やアライメントマーク２６Ｔを有する。導体層２６Ｃの厚みは５μｍから１５μｍである。
【００１２】
（４）第１の樹脂絶縁層２０Ｓの第１面及び導体層２６Ｃ上にＢステージの樹脂フィルムが積層される。その後、樹脂フィルムが硬化され、第１の樹脂絶縁層上に第２の樹脂絶縁層（第２の絶縁層）２０Ｆが形成される（図１（Ｄ））。第２の樹脂絶縁層２０Ｆは第１面と第１面と反対側の第２面を有する。第１の樹脂絶縁層の第１面と第２の樹脂絶縁層の第２面が対向している。第２の樹脂絶縁層は第１の樹脂絶縁層と同様な補強材や無機粒子を含む。
【００１３】
（５）第２の樹脂絶縁層２０Ｆの第１面に金属箔（第２の金属箔）２２Ｆが積層される（図２（Ａ））。図２（Ａ）に示される基板１００は支持板付き中間体である。支持板上の第１の樹脂絶縁層２０Ｓと第１の樹脂絶縁層２０Ｓ上の第１の導体層２６Ｃと第１の樹脂絶縁層と導体層２６Ｓ上の第２の樹脂絶縁層２０Ｆとからなる中間体３０αが支持板上に形成されている。中間体は両面の金属箔（第１と第２の金属箔）２２Ｓ、２２Ｆを含んでもよい。金属箔２２Ｆはマット面を有しマット面は第２の樹脂絶縁層の第１面と対向している。金属箔２２Ｆの厚みは３μｍである。第１と第２の樹脂絶縁層の厚みは４０μｍから２００μｍである。樹脂絶縁層の厚みＴ１，Ｔ２は図４（Ａ）に示されている導体層の上面から樹脂絶縁層の上面までの距離である。プリント配線板の厚みを薄くするため、第１と第２の樹脂絶縁層の厚みは８０μｍ以下であることが好ましい。導体層の上面が凹凸を有する場合、樹脂絶縁層の厚みは凸の上端から樹脂絶縁層の上面までの距離である。
【００１４】
（６）図２（Ａ）中のＸ−Ｘ線に沿って、支持板付き中間体は切断される。切断箇所は固定部分より内側である。中間体３０αが、支持板１０から分離される（図２（Ｂ））。第１の樹脂絶縁層の厚みと第２の樹脂絶縁層の厚みとこれらで挟まれる導体層２６Ｃの厚みを足すことで得られる値（Ｘ）は９５μｍ以上であることが好ましい。Ｘは図２（Ｂ）や図４（Ａ）に示されている。
中間体が支持板から分離されても中間体の反りやうねりが小さい。中間体の厚みは１００μｍ以上であることが好ましい。搬送で中間体に不具合が発生しがたい。中間体は２層の樹脂絶縁層とそれらの樹脂絶縁層で挟まれる導体層を有するので、支持板無で中間体を加工することができる。１層の樹脂絶縁層の厚みが薄くても中間体を支持板無しで加工することができる。中間体の厚みは２００μｍ以下であることが好ましい。プリント配線板の厚みが薄くなる。更に、中間体の厚みは１５０μｍ以下であることが好ましい。薄くて反りの少ないプリント配線板を提供することができる。
【００１５】
（７）アライメントマーク２６Ｔ上の第１の金属箔２２Ｓと第２の金属箔２２Ｆが除去される（図１３（Ａ））。樹脂絶縁層が透過性の場合、樹脂絶縁層を介してアライメントマークが認識される。樹脂絶縁層が透過性でない場合、アライメントマーク上の樹脂絶縁層が除去される（図１３（Ｂ））。アライメントマークの上面２６ＴＦと下面２６ＴＳが部分的に露出する。樹脂絶縁層がアライメントマークの外周を覆っている（図１３（Ｃ））。図１３（Ｃ）では金属箔２２Ｓ、２２Ｆが省略されていて、樹脂絶縁層の上面とアライメントマークが描かれている。アライメントマーク２６Ｔを基準として中間体３０αの第１面ＦＦ（上面）側からレーザが照射される。第２の金属箔２２Ｆと第２の樹脂絶縁層を貫通し導体層２６Ｃに至る第２の開口３１Ｆが第２の樹脂絶縁層に形成される。
アライメントマーク２６Ｔを基準として中間体３０αの第２面ＳＳ（下面）側からレーザが照射される。第１の金属箔２２Ｓと第１の樹脂絶縁層を貫通し導体層２６Ｃに至る第１の開口３１Ｓが第１の樹脂絶縁層に形成される（図２（Ｃ））。この場合、レーザは金属箔２２Ｓ、２２Ｆに直接照射されている。中間体の第１面は第２の樹脂絶縁層の第１面と同じ面であり、中間体の第２面は第１の樹脂絶縁層の第２面と同じ面である。
開口３１Ｆ、３１Ｓを形成する方法は次のコンフォーマルマスク法でもよい。開口３１Ｆ、３１Ｓを形成する箇所の金属箔が除去され、金属箔をマスクとしてレーザで開口３１Ｆ、３１Ｓが形成される。
【００１６】
（８）中間体３０αの第１面ＦＦと第２面ＳＳ上及び第１の開口３１Ｓと第２の開口３１Ｆの内壁に無電解めっき膜２４が形成される（図３（Ａ））。無電解めっき膜２４を形成する材料としては、銅、ニッケルなどが挙げられる。
【００１７】
（９）無電解めっき膜２４上に所定パターンのめっきレジスト３３が形成される（図３（Ｂ））。
【００１８】
（１０）無電解めっき膜をシード層として、無電解めっき膜２４上に電解めっき膜３２が形成される。第１の開口３１Ｓ、第２の開口３１Ｆは電解めっき膜で充填される（図３（Ｃ））。
【００１９】
（１１）めっきレジストが除去され、電解めっき膜間の無電解めっき膜２４と金属箔２２Ｆ、２２Ｓが除去される。第１の開口３１Ｓ内に第１のビア導体３６Ｓが形成され、第２の開口３１Ｆ内に第２のビア導体３６Ｆが形成される。また、中間体の第１面ＦＦ上に第３の導体層３４Ｆが形成され、中間体の第２面ＳＳ上に第２の導体層３４Ｓが形成される。これにより、ビア導体３６Ｆと導体層２６Ｃ内の導体回路２６ＣＣとビア導体３６Ｓでスルーホール導体３６が形成され、スルーホール導体で第３の導体層３４Ｆと第２の導体層３４Ｓが接続される。
【００２０】
第１の導体層２６Ｃと第１の導体層２６Ｃを挟む第１と第２の樹脂絶縁層と第１の樹脂絶縁層の第２面上の第２の導体層３４Ｓと第２の樹脂絶縁層の第１面上の第３の導体層３４Ｆと第１の樹脂絶縁層を貫通し第１の導体層２６Ｃと第２の導体層３４Ｓを接続する第１のビア導体３６Ｓと第２の樹脂絶縁層を貫通し第３の導体層３４Ｆと第１の導体層２６Ｃを接続する第２のビア導体３６Ｆを有するコア基板（中間基板）３０が完成する（図４（Ａ））。中間基板は２層の樹脂絶縁層とそれらの樹脂絶縁層で挟まれる導体層と表裏の導体層を有するので、支持板無で中間基板を加工することができる。１層の樹脂絶縁層の厚みや各導体層の厚みが薄くても中間基板を支持板無しで加工することができる。
【００２１】
第１実施形態では第１の樹脂絶縁層に形成されている開口やビア導体は第１の樹脂絶縁層の第２面から導体層２６Ｃに向かってテーパーしている。導体層２６Ｃ上における第１のビア導体の径は第１の樹脂絶縁層の第２面における第１のビア導体の径は小さい。
第１実施形態では第２の樹脂絶縁層に形成されている開口やビア導体は第２の樹脂絶縁層の第１面から導体層２６Ｃに向かってテーパーしている。導体層２６Ｃ上における第２のビア導体の径は第２の樹脂絶縁層の第１面における第２のビア導体の径は小さい。
【００２２】
（１２）コア基板３０の両面Ｆ，Ｓに上側と下側の層間樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓが形成される（図３（Ｂ））。上側の層間樹脂絶縁層５０Ｆは第２の樹脂絶縁層の第１面と第３の導体層３４Ｆ上に形成されている。下側の層間樹脂絶縁層５０Ｓは第１の樹脂絶縁層の第２面と第２の導体層３４Ｓ上に形成されている。層間樹脂絶縁層の厚みは５μｍから３５μｍである。層間樹脂絶縁層の厚みＬは、導体層の上面から層間樹脂絶縁層の上面までの距離である（図４（Ｂ））。上側と下側の層間樹脂絶縁層は無機粒子もしくは無機粒子と補強材を有する。
【００２３】
（１３）次に、ＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０Ｆ，５０Ｓにそれぞれビア導体用の開口５１Ｆ，５１Ｓが形成される（図４（Ｃ））。
【００２４】
（１４）層間樹脂絶縁層５０Ｆ，５０Ｓ上と開口５１Ｆ、５１Ｓ内に無電解めっき膜５２が形成される（図５（Ａ））。
【００２５】
（１５）無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図５（Ｂ））。
【００２６】
（１６）めっきレジスト５４から露出する無電解めっき膜５２上に、電解めっき膜５６が形成される（図５（Ｃ））。
【００２７】
（１７）めっきレジスト５４が除去される。電解めっき膜間の無電解めっき膜がエッチングで除去されることで、上側と下側の導体層５８Ｆ，５８Ｓ及び上側と下側のビア導体６０Ｆ，６０Ｓが形成される（図６（Ａ））。上側の層間樹脂絶縁層と上側の導体層と上側のビア導体で上側のビルドアップ層が形成される。下側の層間樹脂絶縁層と下側の導体層と下側のビア導体で下側のビルドアップ層が形成される。
【００２８】
（１８）上側のビルドアップ層上に開口７１Ｆを有する上側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に開口７１Ｓを有する下側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図６（Ｂ））。開口７１Ｆ，７１Ｓから露出される導体層５８Ｆ、５８Ｓとビア導体６０Ｆ、６０Ｓの上面がパッド７１ＦＰ、７１ＳＰとして機能する。
【００２９】
（１９）パッド上にニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される（図７（Ａ））。
【００３０】
（２１）開口７１Ｆ，７１Ｓ内に半田ボールが搭載され、リフローが行われ、上側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｆが形成され、下側のビルドアップ層上に半田バンプ７６Ｓが形成される。プリント配線板１０を完成する（図７（Ｂ））。
【００３１】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、支持板１０上で中間体が形成される。１枚の樹脂絶縁層の厚みが薄くても、搬送などで中間体の樹脂絶縁層や導体層に折れやクラックが入らない。また、中間体は２層の樹脂絶縁層と１層の導体層を含むので、中間体の強度は高くなる。そのため、中間体が支持板から分離されても、中間体の反りやうねりは小さくなる。従って、支持板無で中間体が加工や搬送されても中間体はダメージを受けがたい。コア基板やプリント配線板の歩留りや接続信頼性が高くなる。また、薄いプリント配線板が効率よく製造される。第１実施形態の製造方法では治具を用いずビルドアップ層が形成される。微細な導体回路を形成することができる。第１実施形態では第１と第２の絶縁層の厚みが４０μｍから６０μｍであって、第１の導体層の厚みが７μｍ〜１８μｍであることが好ましい。薄くて反りの少ないプリント配線板が得られる。
【００３２】
第１実施形態では、導体層２６Ｃと同時にアライメントマーク２６Ｔが形成される。同一のアライメントマークに基づき、中間体の第１面ＦＦ側からレーザにより第２の開口３１Ｆが形成されると共に、中間体の第２面ＳＳ側からレーザにより第１の開口３１Ｓが形成される。第１と第２の開口は同一のアライメントマークを用いて形成されるため、第１の開口３１Ｓと第２の開口３１Ｆとの位置精度が高くなる。スルーホール導体の接続信頼性が高い。
【００３３】
第１実施形態のプリント配線板は、断面方向で対称性に優れるため、プリント配線板に熱応力が加わっても反りが生じにくい。
【００３４】
第１実施形態に係るプリント配線板では、コア基板３０を形成する第１と第２の樹脂絶縁層の厚みはビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みより厚いことが好ましい。さらに、第１と第２の樹脂絶縁層の厚みは３０μｍから６０μｍであって、ビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みは２０μｍから３５μｍであることが好ましい。
第１と第２の樹脂絶縁層は補強材を有し、ビルドアップ層の層間樹脂絶縁層は補強材を有さないことが好ましい。
第１と第２の樹脂絶縁層に挟まれる導体層の厚みはその他の導体層の厚みより厚いことが好ましい。中間体やコア基板の強度が高くなる。また、コア基板の表裏の導体層やビルドアップ層の導体層が微細な導体回路で形成される。例えば、８μｍ／８μｍ（ライン／スペース）以下の配線を持つプリント配線板を製造することができる。プリント配線板が小さくなるので、反りが小さくなる。
第１実施形態において、第１の金属箔と第２の金属箔とを用いることなく、中間体やコア基板を製造することができる。その場合、第１の絶縁層と支持板は外周の固定部分１４で接続される。
【００３５】
[第２実施形態]
第２実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図８〜図１２に示される。
（１）支持板１０は、第１実施形態と同様な両面銅張積層板である。第１実施形態と同様に両面銅張積層板の銅箔１２上に銅箔１６が接合される（図８（Ａ））。銅箔１６は第１実施形態と同様にマット面が上を向いている。
【００３６】
（２）銅箔１６上に、めっきレジストが形成される。めっきレジストから露出する銅箔１６上に第２の導体層３４Ｓが形成される。めっきレジストが除去される（図８（Ｂ））。そして、銅箔１６と第２の導体層上に第１実施形態と同様なＢステージの樹脂フィルムが積層される。樹脂フィルムが硬化され、金属箔１６と第２の導体層上に第１の樹脂絶縁層２０Ｓが形成される。第２の導体層は第１の樹脂絶縁層に埋まっている（図８（Ｃ））。
【００３７】
（３）第１の樹脂絶縁層２０Ｓの第１面からレーザが照射される。第２の導体層３４Ｓに至る第１の開口３１Ｓが第１の樹脂絶縁層に形成される（図９（Ａ））。第１の開口３１Ｓは第１の樹脂絶縁層の第１面から第２の導体層３４Ｓに向かってテーパーしている。
【００３８】
（４）第１の樹脂絶縁層２０Ｓの第１面上及び第１の開口３１Ｓの内壁に無電解めっき膜２４が形成される（図９（Ｂ））。
【００３９】
（５）無電解めっき膜２４上に所定パターンのめっきレジスト３３が形成される（図９（Ｃ））。
【００４０】
（６）無電解めっき膜をシード層として、無電解めっき膜２４上に電解めっき膜３２が形成される。第１の開口３１Ｓは電解めっき膜で充填される（図１０（Ａ））。
【００４１】
（７）めっきレジストが除去され、電解めっき膜間の無電解めっき膜２４が除去される。第１の開口３１Ｓ内に第１のビア導体３６Ｓが形成され、第１の樹脂絶縁層の第１面上に第１の導体層２６Ｃが形成される（図１０（Ｂ））。同様にアライメントマーク２２６Ｔが形成される。第１のビア導体は第１の樹脂絶縁層の第１面から第２の導体層３４Ｓに向かってテーパーしている。第２の導体層上における第１のビア導体の径（ボトム径）は第１の樹脂絶縁層の第１面における第１のビア導体の径（トップ径）より小さい。
【００４２】
（８）第１の樹脂絶縁層の第１面と導体層２６Ｃ上に第２の樹脂絶縁層２０Ｆが形成される（図１０（Ｃ））。
【００４３】
（９）図９（Ａ）〜図１０（Ｂ）の処理が繰り返され、第２の樹脂絶縁層２０Ｆに第２のビア導体３６Ｆが形成される。また、第２の樹脂絶縁層の第１面上に第３の導体層３４Ｆが形成される。第１実施形態と同様に、導体層２６Ｃと導体層２６Ｃを挟む第２のビア導体３６Ｆと第１のビア導体３６Ｓでスルーホール導体３６が形成される（図１１（Ａ））。支持板上に中間体３０αが完成する。
第２のビア導体により第１の導体層２６Ｃと第３の導体層は接続される。第２のビア導体は第２の樹脂絶縁層の第１面から導体層２６Ｃに向かってテーパーしている。導体層２６Ｃ上における第２のビア導体の径（ボトム径）は第２の樹脂絶縁層の第１面における第２のビア導体の径（トップ径）より小さい。
第１実施形態と第２実施形態でトップ径はレーザの入射側の径であり、ボトム径はレーザの到達側の径である。
【００４４】
（１０）第１実施形態と同様に支持板付き中間体は固定部分より内側で切断される。中間体３０αが、支持板１０から分離される（図１１（Ｂ））。
【００４５】
（１１）第１の樹脂絶縁層２０Ｓの第２面上の銅箔１６がエッチングで除去され、コア基板３０が完成する（図１１（Ｃ））。第２実施形態のコア基板では、第２の導体層が第１の樹脂絶縁層の第２面に埋めっていて、第３の導体層が第２の樹脂絶縁層の第１面上に形成されている。これにより、第２実施形態のプリント配線板やコア基板の厚みは第１実施形態のプリント配線板やコア基板の厚みより薄くなる。第２実施形態のコア基板では、第１と第２の樹脂絶縁層に形成されているビア導体が同じ方向にテーパーしている。そして、コア基板の一方の面の導体層が樹脂絶縁層に埋まっていて、コア基板の他方の面の導体層が樹脂絶縁層から突出している。このため、第２実施形態のコア基板やプリント配線板の反りは小さくなる。
【００４６】
（１２）図４（Ｂ）〜図６（Ａ）と同様な処理がコア基板３０上に行われる。コア基板上に上側と下側のビルドアップ層が形成される。その後、第１実施形態と同様に上側と下側のソルダーレジスト７０Ｆ、７０Ｓが形成される（図１２（Ａ））。第１実施形態と第２実施形態で絶縁層の材質や厚みは同様である。また、第１と第２実施形態で、第１と第２と第３の導体層の厚みは５〜１３μｍであることが好ましい。第１と第２実施形態でビルドアップ層の層間樹脂絶縁層の厚みや導体層の厚みは同様である。ビルドアップ層の導体層の厚みは５〜１３μｍである。
【００４７】
（１３）その後、第１実施形態と同様にパッド上にニッケルめっき層７２と金めっき層７４が形成される。そして、第１実施形態と同様にパッド上に半田バンプ７６Ｆ、７６Ｓが形成される。半田バンプ付きプリント配線板１０が完成する（図１２（Ｂ））。第２実施形態と第１実施形態で各樹脂絶縁層の第１面と第２面は同じである。また、第１実施形態に記載されている内容は第２実施形態に適用される。
【００４８】
第２実施形態のプリント配線板の製造方法では、第１実施形態と同様に中間体が支持板上で形成される。また、中間体から支持板が除去され、中間体からコア基板やプリント配線板が製造されている。従って、第２実施形態は第１実施形態と同様に、中間体は複数の絶縁層とその絶縁層に挟まれる導体層を有するので、中間体は強度を有する。従って、中間体は支持板無で加工される。第２実施形態は第１実施形態と同様な効果を有する。
【符号の説明】
【００４９】
１０  支持板
２０Ｆ  第２の絶縁層
２０Ｓ  第１の絶縁層
２２Ｆ  第２の金属箔
２２Ｓ  第１の金属箔
２６Ｃ  第１の導体層
２６Ｔ  アライメントマーク
３０  コア基板
３０α  中間体
３１Ｆ  第２の開口
３１Ｓ  第１の開口
３４Ｆ  第３の導体層
３４Ｓ  第２の導体層
３６Ｆ、３６Ｓ  ビア導体
５０Ｆ、５０Ｓ  層間樹脂絶縁層
６０Ｆ、６０Ｓ  ビア導体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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