(57)【要約】【課題】ＥＵＶ露光用反射型マスクの外観欠陥検査の際に、電子線のショットエラーに起因する過剰な欠陥検出を抑制し、高い検査感度が得られるＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法を提供する。【解決手段】ＥＵＶ露光用反射型マスクブランク上のレジストに電子線描画して複数のダイパターンを形成するマスクパターン描画において、ＥＵＶ露光用反射型マスクのマスクパターンが、検査用ダイパターンと比較用ダイパターンとを含む複数の同一のダイパターンを有し、検査用ダイパターンと比較用ダイパターンの電子線のショット分割の位置をずらして描画することを特徴とする。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＥＵＶ露光用反射型マスクブランク上にレジストを塗布し、電子線描画によりレジストパターンを形成し、前記レジストパターンに基づいて前記ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクをエッチングしてマスクパターンを形成するＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法であって、
前記マスクパターンが、検査用ダイパターンと比較用ダイパターンとを含む複数の同一のダイパターンを有し、
前記ＥＵＶ露光用反射型マスクブランク上の前記レジストに電子線描画して複数のダイパターンを形成するマスクパターン描画において、
前記検査用ダイパターンと前記比較用ダイパターンの電子線のショット分割の位置をずらして描画することを特徴とするＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法。
【請求項２】
前記電子線のショット分割のずらす位置が、１描画ショットのピッチ以内であることを特徴とする請求項１に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法。
【請求項３】
前記マスクパターンが、ラインアンドスペースパターンであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの高密度集積回路の製造に用いられる極端紫外（Ｅｘｔｒｅｍｅ Ｕｌｔｒａ Ｖｉｏｌｅｔ：以後、ＥＵＶと記す。）光を用いてマスク上のパターン（マスクパターンと称する）をウェハ上に転写するためのＥＵＶ露光用反射型マスク（以後、単にＥＵＶマスクとも言う）の製造方法に関し、さらに詳しくはマスクの外観欠陥検査において高い検査感度が得られるＥＵＶマスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの微細化に伴い、現在、ＡｒＦエキシマレーザを用いた光学式の投影露光装置により、フォトマスクを用いてウェハ上にパターン転写する露光方法が行なわれている。これらの光学式の投影露光装置による露光方法では、いずれ解像限界に達するため、電子線描画装置による直描やインプリントリソグラフィやＥＵＶリソグラフィのような新しいパターン形成方法が提案されている。
【０００３】
これらの新しいリソグラフィ技術の中で、ＥＵＶ露光は、エキシマレーザよりもさらに短波長の波長１３．５ｎｍ程度のＥＵＶ光を用い、通常１／４程度に縮小して露光する技術で、紫外線露光の短波長化の極限と見なされており、半導体デバイス用のリソグラフィ技術として注目されている。ＥＵＶ露光においては、短波長のために屈折光学系が使用できないので、反射光学系が用いられ、マスクとしては反射型マスクが提案されている。
【０００４】
ＥＵＶマスクは、基板と、基板上に設けられた多層膜構造でＥＵＶ光を反射する反射層と、反射層上に設けられたＥＵＶ光を吸収する吸収体層とを少なくとも有する構造となっており、吸収体層によるパターンを形成したマスクである。ＥＵＶマスクに入射したＥＵＶ光は、反射層では反射され、吸収体層では吸収され、反射されたＥＵＶ光によりウェハ上に縮小転写パターンが形成される。
【０００５】
ＥＵＶマスクには解決しなくてはならない技術的課題の一つとして、転写パターンに大きな影響を及ぼすマスクの外観欠陥の問題がある。ＥＵＶマスクの欠陥としては、例えば、本来必要なマスク上のパターンが欠損あるいは欠落している場合（白欠陥と称する）と、不要な余剰パターンが存在している場合（黒欠陥と称する）のパターン欠陥がある。マスクパターンに外観欠陥があると、ウェハすべてに欠陥が転写されてしまうので、外観欠陥の検査は重要であり、高い信頼性が要求される。
【０００６】
一般的なマスクの外観検査では、同一マスク上の隣り合うチップ（ダイ；Ｄｉｅとも言う）の同一パターンを比較検査するダイ・ツー・ダイ（Ｄｉｅ ｔｏ Ｄｉｅ；ＤＤ）検査と、マスク上の実パターンとマスクパターン描画時に用いた設計データ（ＣＡＤデータ）とを比較する、ダイ・ツー・データベース（Ｄｉｅ ｔｏ Ｄａｔａ ｂａｓｅ；ＤＤＢ）検査がある。マスク検査において、ダイとは、パターン比較検査の単位となる所定のパターン領域又はその検出画像を意味している。半導体デバイスのマスクパターンは、通常、マスク（レチクルとも称する）上に１つまたは複数のダイ（チップ）で構成されており、マスクパターンが複数のダイを含むときには、各ダイは、半導体デバイスの同じ層に対応している。
【０００７】
図４は、１枚のマスク４０に同じパターンを有する２つのダイ４１、４２が存在する場合の例を示すマスク平面模式図であり、ダイ・ツー・ダイ検査では、この２つのパターンを比較検査し、不一致部を検出したときの座標を欠陥位置情報として記録する。ダイ・ツー・ダイ検査は、欠陥が不規則に発生することを前提にしており、比較検査する隣り合うダイのパターンの同一箇所に同一形状の欠陥がある場合には検出できない。また、１枚のマスクに１つのチップしかない場合には検査ができない。ダイ・ツー・ダイ検査は、基本的には同じパターンの信号の比較検査であるために、ダイ・ツー・データベース検査に比べて、検出感度が高く、検査速度も早く、装置構成が簡単で、マスク欠陥検査に広く利用されている。
【０００８】
ＥＵＶマスクは、マスクパターンのハーフピッチ（ｈｐ）３２ｎｍ、さらには２２ｎｍ以下の微細パターン形成を対象としているので、パターン欠陥の検査光として、波長が１９３ｎｍまたは１９９ｎｍの遠紫外（ＤＵＶ；Ｄｅｅｐ  ＵＶ）光、あるいは電子線を用いる方法などが提案されている。電子線は高い解像度が期待できるが、検査速度が遅いという問題がある。そこで、マスクパターンのパターン寸法や寸法精度に基づいて、電子線検査と光学検査とを併用する検査方法が提案されている（特許文献１参照）。また、パターン検査の際に、高コントラストの検査像が得られるＥＵＶマスクの製造方法が開示されている（特許文献２参照）。
【０００９】
ＥＵＶマスクは基板上に反射層などが積層されており検査光を透過しないことから、ダイ・ツー・ダイ検査においては反射光のみを用いた検査となる。しかし、反射光の光プロファイルは透過光と比較してコントラストが大幅に低下している。また、光の位相差効果によりプロファイルが反転しやすいなど、複雑な挙動を示し、必要な検査感度を得ることは容易ではないという問題がある。
【００１０】
ＥＵＶマスクの検査では光プロファイルのコントラストを上げるために、偏光光源や変形照明など特殊な照明技術が用いられている。図５は、ＥＵＶマスクの反射光検査におけるハーフピッチ２２ｎｍのパターンを２種類の異なる照明により観察した場合の、表面写真とその光プロファイルを示す図である。一方、図６は、比較とするフォトマスクの透過光検査におけるハーフピッチ４０ｎｍのパターンの表面写真とその光プロファイルを示す図である。図５に示されるように、反射光検査において、ＥＵＶマスクの光プロファイルのコントラストを示す値は、上記のような特殊照明技術を用いても十分とは言えず、図６に示すフォトマスクの透過光検査の場合に比べて、照明Ａの場合で約１／１３、照明Ｂの場合で１／６に低下している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１１−９６８３８号公報
【特許文献２】特開２００９−７１１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
上記のように、ＥＵＶマスクの欠陥検出における検査感度は低く、高い検査感度を達成するためには欠陥検出の閾値設定が重要なパラメータとなる。このため、十分な検出感度を出すようにパラメータを設定すると、描画つなぎエラーによるパターンのわずかなＬＥＲ（Ｌｉｎｅ  Ｅｄｇｅ  Ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ；ライン（線分）の粗さ）を欠陥として検出してしまうという問題が発生していた。図２は、電子線（ＥＢ）のショット分割における描画つなぎエラー（ショットエラーと言う）と、マスクパターンの仕上がりの例を示す平面模式図である。図２（ａ）は、ＥＢのショットを示し、矩形上のショット数が２回でラインを描画し、ショットのつなぎ目２１がショット分割の位置である。図２（ｂ）は、マスクパターンの仕上がり状態を示し、ＥＢのショットが正常な場合は、パターンに凹凸は生じない。しかし、ＥＢのショットに横ずれ、縦ずれが生じるとショットエラーとなり、マスクパターンにはショットのつなぎ目２１にわずかな節ができ、ラインの粗さ（ＬＥＲ）が大きくなり、パターンの直線性が損なわれる。
【００１３】
図３は、ダイ・ツー・ダイ検査において、欠陥検査する検査用ダイパターンのショットエラーと、比較用の比較用ダイパターンとの差分データの例を示す平面模式図である。
ダイ・ツー・ダイ検査で、検査用ダイパターンと比較用ダイパターンとが、パターンを描画する電子線のショット位置が同じであって、図３（ａ）に示すように、ショットエラーが検査用ダイパターン３１ａのみで、比較用ダイパターン３２ａにショットエラーが無い場合には、差分データ３３ａ（円内の塗りつぶし部）は検査パターンのエラーのみとなる。
【００１４】
しかし、図３（ｂ）に示すように、検査用ダイパターン３１ｂにショットエラーがあって、比較用ダイパターン３２ｂに検査用ダイパターン３１ｂとの比較箇所で逆方にショットエラーが発生すると、差分データ３３ｂ（円内の塗りつぶし部）は検査パターンと比較パターンのエラーが合計されて、その部分を欠陥として検出しやすくなる。すなわち、比較するダイパターン間でショットエラーが逆に生じた場合、検査の比較においてショットエラーが倍に増幅されて観察されることとなる。そのため、検査感度を上げられない原因となり、必要な検査感度を得ることは容易ではないという問題があった。
【００１５】
フォトマスクなどの通常の透過型マスクでは、光のコントラストが十分であることから、欠陥検査の閾値を十分高くとり、上記のようなショットエラーを検出しないように設定することは、容易である。しかしながら、ＥＵＶマスクでは先に記述した理由から、十分な欠陥検出感度を得るためには、欠陥検出の閾値を低く抑える必要があり、ダイ間で上記のようにショットエラーが逆方向に発生した場合、これを欠陥として検出してしまう確率が高くなり、ＥＵＶマスクに固有の問題点とされていた。
【００１６】
このショットエラーによるマスク欠陥は、露光光に対するマスクとしての特性にはほとんど問題は無く、通常は転写されない欠陥であるが、マスクの欠陥検査においては欠陥として検出されてしまう。疑似欠陥と呼ばれるこれらの欠陥が、本当に不良となる欠陥なのか、それともショットエラーによる疑似欠陥なのかを判別するには、欠陥の位置座標に基づいて、個々の欠陥を拡大して目視判定する作業が必要となり、検出される欠陥の数が多いがゆえに、多大の時間と労力が必要になるという問題が生じてしまう。
【００１７】
そこで、本発明は、上記の問題点を解決することを鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、ＥＵＶマスクの外観欠陥検査の際に、電子線のショットエラーに起因する過剰な欠陥検出を抑制し、高い検査感度が得られるＥＵＶマスクの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記の課題を解決するために、本発明の請求項１に記載の発明に係るＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法は、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランク上にレジストを塗布し、電子線描画によりレジストパターンを形成し、前記レジストパターンに基づいて前記ＥＵＶ露光用反射型マスクブランクをエッチングしてマスクパターンを形成するＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法であって、前記マスクパターンが、検査用ダイパターンと比較用ダイパターンとを含む複数の同一のダイパターンを有し、前記ＥＵＶ露光用反射型マスクブランク上の前記レジストに電子線描画して複数のダイパターンを形成するマスクパターン描画において、前記検査用ダイパターンと前記比較用ダイパターンの電子線のショット分割の位置をずらして描画することを特徴とするものである。
【００１９】
本発明の請求項２に記載の発明に係るＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法は、請求項１に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法において、前記電子線のショット分割のずらす位置が、１描画ショットのピッチ以内であることを特徴とするものである。
【００２０】
本発明の請求項３に記載の発明に係るＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法は、請求項１または請求項２に記載のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法において、前記マスクパターンが、ラインアンドスペースパターンであることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２１】
本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法によれば、検査用ダイパターンと比較用ダイパターンの電子線のショット分割の位置をずらして描画することにより、マスクパターンの欠陥検査の際に、電子線のショットエラーに起因する過剰な欠陥検出を抑制し、検査時の欠陥検出の閾値を下げることができるようになり、高い検査感度でマスクパターンの欠陥検査を行うことが可能となり、高品質なＥＵＶ露光用反射型マスクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明のＥＵＶマスクの製造方法において、電子線描画して複数のダイパターンを形成するマスクパターン描画する際に、電子線のショット分割の一例を示す平面模式図である。
【図２】電子線のショット分割における描画つなぎエラーとマスクパターンの仕上がりの例を示す平面模式図である。
【図３】ダイ・ツー・ダイ検査において、検査用ダイパターンのショットエラーと、比較用ダイパターンとの差分データの例を示す平面模式図である。
【図４】１枚のマスクに同じパターンを有する２つのダイが存在する場合の例を示すマスク平面模式図である。
【図５】ＥＵＶマスクの反射光検査におけるパターンの略図と、その光プロファイルを示す図である。
【図６】フォトマスクの透過光検査におけるパターンの略図と、その光プロファイルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法の実施形態について詳細に説明する。
【００２４】
本発明のＥＵＶ露光用反射型マスクの製造方法は、ＥＵＶ露光用反射型マスクブランク（以後、ＥＵＶマスクブランクとも言う）上にレジストを塗布し、電子線描画によりレジストパターンを形成し、このレジストパターンに基づいてＥＵＶマスクブランクをエッチングしてマスクパターンを形成する製造方法であって、上記のマスクパターンが、検査用ダイパターンと比較用ダイパターンとを含む複数の同一のダイパターンを有し、ＥＵＶマスクブランク上のレジストに電子線描画して複数のダイパターンを形成するマスクパターン描画において、検査用ダイパターンと比較用ダイパターンの電子線のショット分割の位置をずらして描画するＥＵＶマスクの製造方法である。
【００２５】
本発明のＥＵＶマスクの製造方法においては、先ず、基板と、基板上にＥＵＶ光を反射する多層の反射層と、反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収体層とを少なくとも設けた、ＥＵＶマスクブランクを準備する。
本発明のＥＵＶマスクの製造方法に用いるＥＵＶマスクブランクは、従来公知のＥＵＶマスクブランクを用いることができる。
【００２６】
ＥＵＶマスクブランクを構成する薄膜層としては、上記の反射層、吸収体層に加えて、吸収体層をエッチングする際に使用する吸収体層上に設けたハードマスク層、酸化防止やマスク洗浄時における保護膜として反射層上に設けたキャッピング層、反射層へのエッチング損傷を防止するためのバッファ層、マスクパターンの光学検査時の感度を上げるために吸収体層の上に設けた低反射層、マスクを露光装置に設置するときの静電チャック用に基板裏面に設けた導電層などの薄膜層が設けられていてもよい。
【００２７】
以下の製造工程の説明においては、基板上に多層の反射層と吸収体層を設けたＥＵＶマスクブランクの場合を例にして説明する。
【００２８】
ＥＵＶマスクブランクの吸収体層上に、被転写体に対する転写パターンとなる吸収体パターンを形成するための電子線レジストを塗布し、上記の吸収体パターンの配置に基づいて電子線でパターン描画し、現像してレジストパターンを形成する。
本発明においては、上記のＥＵＶマスクブランク上のレジストに電子線でパターン描画する際に、検査用ダイパターンと比較用ダイパターンの電子線のショット分割の位置をずらして描画するものである。
【００２９】
半導体素子用のマスクのパターン形成に用いられる電子ビームの描画方式としては、ナノメートルのオーダーまで細く絞った電子ビームを走査する円形ビーム方式、最大数μｍ以下のサイズの矩形や三角形など、微細な基本図形に描画するパターンを分割して、各基本図形の形状のビームをショット描画していく可変成形ビーム（ＶＳＢ：Ｖａｒｉａｂｌｅ  Ｓｈａｐｅｄ  Ｂｅａｍ）方式などが実用されている。これらの描画方式の中で、可変成形ビーム（ＶＳＢ）方式はスループットに優れた描画方式である。
【００３０】
可変成形ビーム方式では、電子線が通過する２枚の矩形アパーチャの相対位置を変えて電子線の断面を変え、所望する縦、横サイズの矩形断面の電子線を作ってこれをマスク基板などに投射し、矩形の領域だけ露光し、次いでビーム偏向で投射位置を変え、上記の矩形領域を継ぎ足して行く形で、所望する形状の領域を露光する。この矩形断面の電子線による各露光をショットという。ショットの最大サイズ、グリッドは装置によってことなるが、一般的な電子線露光装置の場合の例では、最大サイズ１μｍ×１μｍ、グリッドサイズ1nm程度となっている。この場合、ゼロから１μｍ×１μｍまでの矩形を１nm単位で変え、任意のサイズのショットを選択することができる。
【００３１】
図１は、本発明のＥＵＶマスクの製造方法において、電子線描画して複数のダイパターンを形成するマスクパターン描画する際に、電子線のショット分割の一例を示す平面模式図である。矩形状の電子線（ＥＢ）のショットを図１の左端に示してあり、その大きさは可変である。図１（ａ）は、検査用のダイパターンであり、図１（ｂ）は、同一箇所の比較用のダイパターンである。検査用ダイパターンと比較用ダイパターンとは、ショットのつなぎ目位置をずらすようにしてショット分割されている。
【００３２】
図１（ａ）に示す各ラインパターンは、ショット数２回で露光されるように分割され、図１（ｂ）に示す各ラインパターンは、ショット数３回で露光されるように分割されている。図１（ａ）の検査用ダイパターンと、図１（ｂ）の比較用ダイパターンのショットのつなぎ目位置は異なり、図１（ｂ）のショットのつなぎ目１２、１３は、図１（ａ）のショットのつなぎ目１１と、１描画ショット１４の１／２ピッチ分だけ位置をずらしている。図１（ａ）に示すつなぎ目１１で接続する隣接する描画ショット１４において、長さＰが１描画ショットのピッチとなる。
【００３３】
図１に示すように、図１（ａ）の検査用ダイパターンと図１（ｂ）比較用ダイパターンの電子線のショット分割の位置をずらして描画することにより、例え図２に示したように、電子線のショットエラーが生じたとしても、検査用ダイパターンと比較用ダイパターンとでショットエラーが足し算されて、過剰に欠陥検出されることを防いでいる。その結果、検査時の欠陥検出の閾値を下げることが出来るようになり、ＥＵＶマスクにおいても、高い検査感度で、マスクパターンの欠陥検査を行うことが可能となる。
【００３４】
ショット分割とショットのつなぎ目位置の設定は、電子線描画用データのジョブ作成時、あるいは電子線描画装置で描画時に行うことができる。
電子線のショット分割をずらす位置は、１描画ショットのピッチ以内が好ましい。１ピッチ以内でショット分割をずらすことにより、ショットエラーに起因する欠陥検出を抑制し、高い検査感度でマスクパターンの欠陥検査を行うことが可能となる。
【００３５】
図１では、ダイパターンはＸ方向に最大ショットサイズ以下の描画ショットで、Ｙ方向に縦長の矩形パターンとして描画し、ショットのつなぎ目はパターンの縦長方向にある場合を例示しているが、もとより、ダイパターンはＸ方向に横長の矩形パターンであってもよい（図示せず）。Ｘ方向に横長の矩形パターンの場合には、ショットのつなぎ目は矩形パターンの横長方向にある。また、Ｘ方向に長い矩形パターンとＹ方向に長い矩形パターンが、１つのダイパターンの中に混在していてもよい。また、斜線状の矩形パターンが含まれていてもよい。
【００３６】
ここで、ＥＵＶマスクの製造工程に戻る。
上記のレジストパターン形成に続いて、形成されたレジストパターンに基づいて吸収体層をドライエッチングし、レジストパターンを剥離して吸収体パターンを形成し、ＥＵＶマスクが作製される。
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明する。
【実施例】
【００３７】
以下の手順で、同一条件で同一装置により複数のＥＵＶマスクブランクを作製した。
光学研磨された大きさ６インチ角（厚さ０．２５インチ）の合成石英基板の一主面上に、イオンビームスパッタ法により、Ａｒガス雰囲気下でＳｉターゲットを用いてＳｉ膜を４．２ｎｍ成膜し、続いてＭｏターゲットを用いてＭｏ膜を２．８ｎｍ成膜し、これを１周期として４０周期積層して多層反射層とし、その上にルテニウム（Ｒｕ）膜を２．５ｎｍ成膜してキャッピング層とした。Ｒｕ膜はバッファ層を兼ねるものである。
【００３８】
続いて、上記のＲｕ膜上に、ＤＣマグネトロンスパッタ法により、Ｔａターゲットを用いて、Ａｒと窒素の混合ガス雰囲気下で、ＴａＮ膜を６０ｎｍの厚さで成膜し、次にＡｒと酸素混合ガス雰囲気下でＴａＯ膜を１０ｎｍの厚さで成膜し、ＥＵＶ光を吸収する吸収体層とした。ＴａＯ膜は光学検査時の低反射層を兼ねるものである。一方、基板の他方の主面上にＣｒＮ膜を３０ｎｍ厚に成膜し、導電層とし、ＥＵＶ露光用のＥＵＶマスクブランクを得た。
【００３９】
次に、このＥＵＶマスクブランクを用い、ＴａＯ膜上に電子線レジストを膜厚１５０ｎｍで塗布し、可変成形ビーム方式の電子線描画装置で、ハーフピッチ２２ｎｍのラインアンドスペースの同一パターンを有する２つのチップ（ダイ）のパターン描画を行い、現像して、レジストパターンを形成した。２つのダイの一方は検査用ダイとし、他方は比較用ダイとした。電子線描画にあたり、あらかじめ描画用データのジョブ作成において、検査用ダイのパターンと比較用ダイのパターンとは、ショットのつなぎ目位置をずらすようにしてショット分割した。
【００４０】
次に、レジストパターンをマスクにして、ＴａＯ膜をフッ素ガスでドライエッチングし、次いで吸収体層ＴａＮ膜を塩素ガスでドライエッチングし、吸収体パターンを形成し、ＥＵＶ露光用のＥＵＶマスクを作製した。
【００４１】
次に、作製したＥＵＶマスクを、検査光波長１９３ｎｍのＤＵＶ光で反射光を用いて外観欠陥検査したところ、擬似欠陥がほとんど検出されない欠陥数の少ない高品質のＥＵＶマスクが得られた。
【符号の説明】
【００４２】
１１、１２、１３  ショットのつなぎ目
１４  １描画ショット
２１  ショットのつなぎ目
３１ａ、３１ｂ  検査用ダイパターン
３２ａ、３２ｂ  比較用ダイパターン
３３ａ、３３ｂ  差分データ
４０  マスク
４１、４２  ダイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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