(57)【要約】【課題】本発明は、積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。【解決手段】本発明によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含んでおり、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層と、上記活性層の少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層とを含み、上記セラミック本体の厚さをｔ、上記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たす積層セラミック電子部品が提供される。本発明によると、誘電体層のグレインの平均粒径を調節することにより、耐湿性に優れた高容量の積層セラミック電子部品を具現することができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含んでおり、
前記セラミック本体は、容量形成部である活性層と、前記活性層の少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層とを含み、前記セラミック本体の厚さをｔ、前記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、前記活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、前記カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たす、積層セラミック電子部品。
【請求項２】
前記カバー層を厚さ方向に３等分して、前記活性層から最も遠い第１層領域と、前記活性層に最も近い第３層領域と、前記第１層領域と前記第３層領域との間に配される第２層領域とに分けた場合、前記第１層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、前記第２層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たす、請求項１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項３】
前記Ｄｃ１とＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たす、請求項２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項４】
前記カバー層を厚さ方向に３等分して、前記活性層から最も遠い第１層領域と、前記活性層に最も近い第３層領域と、前記第１層領域と前記第３層領域との間に配される第２層領域とに分けた場合、前記第１層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、前記第３層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たす、請求項１から３のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項５】
前記Ｄｃ１とＤｃ３の比は、１．７４≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９を満たす、請求項４に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項６】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含んでおり、
前記セラミック本体は、容量形成部である活性層と、前記活性層の少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層とを含み、前記セラミック本体の厚さをｔ、前記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、前記カバー層を厚さ方向に３等分して、前記活性層から最も遠い第１層領域と、前記活性層に最も近い第３層領域と、前記第１層領域と前記第３層領域との間に配される第２層領域とに分けた場合、前記第１層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、前記第２層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たす、積層セラミック電子部品。
【請求項７】
前記Ｄｃ１とＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たす、請求項６に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項８】
前記カバー層を厚さ方向に３等分して、前記活性層から最も遠い第１層領域と、前記活性層に最も近い第３層領域と、前記第１層領域と前記第３層領域との間に配される第２層領域とに分けた場合、前記第３層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たす、請求項６または７に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項９】
前記Ｄｃ１とＤｃ３の比は、１．７４≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９を満たす、請求項８に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１０】
誘電体層を含むセラミック本体と、
前記セラミック本体内で前記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含んでおり、
前記セラミック本体は、容量形成部である活性層と、前記活性層の少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層とを含み、前記カバー層を厚さ方向に３等分して、前記活性層から最も遠い第１層領域と、前記活性層に最も近い第３層領域と、前記第１層領域と前記第３層領域との間に配される第２層領域とに分けた場合、前記第１層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、前記第３層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たす、積層セラミック電子部品。
【請求項１１】
前記Ｄｃ１とＤｃ３の比は、１．７４≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９を満たす、請求項１０に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１２】
前記カバー層を厚さ方向に３等分して、前記活性層から最も遠い第１層領域と、前記活性層に最も近い第３層領域と、前記第１層領域と前記第３層領域との間に配される第２層領域とに分けた場合、前記第１層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、前記第２層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たす、請求項１０または１１に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１３】
前記Ｄｃ１とＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たす、請求項１２に記載の積層セラミック電子部品。
【請求項１４】
セラミック粉末及び添加剤を含むスラリーを用いてセラミックグリーンシートを製造する段階と、
導電性金属ペーストを用いて前記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、
前記セラミックグリーンシートを積層して焼結することにより、誘電体層及び前記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、を含み、
前記セラミック本体は、容量形成部である活性層と、前記活性層の少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層とを含み、前記セラミック本体の厚さをｔ、前記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、前記活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、前記カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たす、積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１５】
前記添加剤の組成を調節することで、前記カバー層の誘電体グレインの平均粒径を調節する、請求項１４に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１６】
前記カバー層を厚さ方向に３等分して、前記活性層から最も遠い第１層領域と、前記活性層に最も近い第３層領域と、前記第１層領域と前記第３層領域との間に配される第２層領域とに分けた場合、前記第１層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、前記第２層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たす、請求項１４または１５に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【請求項１７】
前記カバー層を厚さ方向に３等分して、前記活性層から最も遠い第１層領域と、前記活性層に最も近い第３層領域と、前記第１層領域と前記第３層領域との間に配される第２層領域とに分けた場合、前記第１層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、前記第３層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たす、請求項１４から１６のいずれか一項に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐湿性に優れた高容量の積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、電子製品の小型化の傾向に伴い、積層セラミック電子部品にも小型化、大容量化が求められている。
【０００３】
これにより、誘電体と内部電極の薄膜化、多層化のための様々な方法が試されており、近年は、誘電体層の厚さは薄くなって積層数が増加する積層セラミック電子部品が製造されている。
【０００４】
また、誘電体層の薄膜化のために、最近、微細なセラミック粉末を用いて誘電体層を形成するセラミック電子部品が製造されている。
【０００５】
また、電子部品の小型化及び高容量化の傾向に伴い、容量非形成部であるカバー層の厚さも薄くなっている傾向にある。
【０００６】
これにより、積層セラミック電子部品の耐湿特性に問題がもたらされ、信頼性が低下するという問題がある。
【０００７】
また、耐湿特性の問題により、積層セラミック電子部品の加速寿命も低下するという問題が生じる恐れがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、耐湿性に優れた高容量の積層セラミック電子部品及びその製造方法に関する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一実施形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含んでおり、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層及び上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層を含み、上記セラミック本体の厚さをｔ、上記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たす積層セラミック電子部品が提供される。
【００１０】
本発明の一実施形態において、上記カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たすことができる。本発明の一実施形態において、上記Ｄｃ１とＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たすこともできる。
【００１１】
本発明の一実施形態において、上記カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たすことができる。本発明の一実施形態において、上記Ｄｃ１とＤｃ３の比は、１．７４ ≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９を満たすこともできる。
【００１２】
本発明の他の実施形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含んでおり、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層及び上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層を含み、上記セラミック本体の厚さをｔ、上記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たす積層セラミック電子部品が提供される。
【００１３】
本発明の一実施形態において、上記Ｄｃ１とＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たすこともできる。
【００１４】
本発明の一実施形態において、上記カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たすことができる。本発明の一実施形態において、上記Ｄｃ１とＤｃ３の比は、１．７４≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９を満たすこともできる。
【００１５】
本発明の一実施形態において、上記Ｄｃ１及びＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たし、上記カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たすことができる。本発明の一実施形態において、上記活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たすことができる。
【００１６】
本発明の他の実施形態によると、誘電体層を含むセラミック本体と、上記セラミック本体内で上記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含んでおり、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層及び上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層を含み、上記セラミック本体の厚さをｔ、上記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たす積層セラミック電子部品が提供される。
【００１７】
本発明の一実施形態において、上記Ｄｃ１とＤｃ３の比は、１．７４≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９を満たすこともできる。
【００１８】
本発明の一実施形態において、上記セラミック本体の厚さをｔ、上記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たすことができる。
【００１９】
本発明の一実施形態において、上記カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たすことができる。本発明の一実施形態において、上記Ｄｃ１とＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たすこともできる。
【００２０】
本発明の他の実施形態によると、セラミック粉末及び添加剤を含むスラリーを用いてセラミックグリーンシートを製造する段階と、導電性金属ペーストを用いて上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層して焼結することにより、誘電体層及び上記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、を含み、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層及び上記活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層を含み、上記セラミック本体の厚さをｔ、上記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たす積層セラミック電子部品の製造方法が提供される。
【００２１】
本発明の一実施形態において、上記添加剤の組成を調節することで、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径を調節することができる。
【００２２】
本発明の一実施形態において、上記カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たすことができる。
【００２３】
本発明の一実施形態において、上記カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たすことができる。
【００２４】
上記カバー層はセラミック粉末及び添加剤を含み、上記添加剤の組成を調節することで、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径を調節することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によると、誘電体層のグレインの平均粒径を調節することにより、耐湿性に優れた高容量の積層セラミック電子部品を具現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【図２】図１のＢ−Ｂ'の断面図である。
【図３】図２のＳ領域の拡大図である。
【図４】本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
本発明の実施形態は様々な他の形態に変形されることができ、本発明の範囲は以下で説明する実施形態に限定されるものではない。また、本発明の実施形態は当業界で平均的な知識を有する者に本発明をより完全に説明するために提供されるものである。従って、図面における要素の形状及び大きさ等はより明確な説明のために誇張されることがあり、図面上において同一の符号で示される要素は同一の要素である。
【００２８】
以下、添付図面を参照して本発明の好ましい実施形態を説明する。
【００２９】
図１は本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタを概略的に示す斜視図である。
【００３０】
図２は図１のＢ−Ｂ'の断面図である。
【００３１】
図３は図２のＳ領域の拡大図である。
【００３２】
図１から図３を参照すると、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層１を含むセラミック本体１０と、上記セラミック本体１０内で上記誘電体層１を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極２１、２２と、を含んでおり、上記セラミック本体１０は、容量形成部である活性層Ａと、上記活性層Ａの少なくとも一の面（例えば、図１に示すＴ軸の矢印方向を上とした場合、活性層Ａの上面及び下面のうちの少なくとも一面）に形成され、容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体１０の厚さをｔ、上記カバー層Ｃの厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記活性層Ａの誘電体グレインの平均粒径をＤａ、上記カバー層Ｃの誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たすことができる。
【００３３】
以下、本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品を説明するにあたり、特に積層セラミックキャパシタを用いて説明するが、これに制限されるものではない。
【００３４】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、誘電体層１を含むセラミック本体１０と、上記セラミック本体１０内で上記誘電体層１を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極２１、２２と、を含んでおり、上記セラミック本体１０は、容量形成部である活性層Ａと、上記活性層Ａの少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体１０の厚さをｔ、上記カバー層Ｃの厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たすことができる。
【００３５】
上記誘電体層１を形成する原料は、十分な静電容量が得られるものであれば特に制限されず、例えば、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）粉末であることができる。
【００３６】
上記誘電体層１を形成する材料は、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末に、本発明の目的に応じて様々なセラミック添加剤、有機溶剤、可塑剤、結合剤、分散剤などが添加されたものであることができる。
【００３７】
本発明の一実施形態によると、上記セラミック本体１０の厚さをｔ、上記カバー層Ｃの厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たすことができる。
【００３８】
即ち、上記カバー層Ｃは上記セラミック本体１０の厚さに対して５％未満の厚さを有しており、超小型及び高容量の積層セラミックキャパシタを具現するために、カバー層Ｃの厚さが小さく形成されることができる。
【００３９】
本発明の一実施形態では、上記カバー層Ｃが上記セラミック本体１０の厚さに対して５％未満の厚さを有する場合にも、耐湿特性に優れた積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００４０】
一方、上記カバー層Ｃが上記セラミック本体１０の厚さに対して５％以上の厚さを有する場合には、カバー層Ｃの厚さが十分厚いため、耐湿特性及び加速寿命において問題が発生しない。
【００４１】
上記第１及び第２内部電極２１、２２を形成する材料は、特に制限されず、例えば、パラジウム（Ｐｄ）、パラジウム−銀（Ｐｄ−Ａｇ）合金などの貴金属材料及びニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）のうち一つ以上の物質からなる導電性ペーストを用いて形成されることができる。
【００４２】
一方、静電容量の形成のために、外部電極３１、３２が上記セラミック本体１０の外側に形成されることができ、上記内部電極２１、２２と電気的に連結されることができる。
【００４３】
上記外部電極３１、３２は、内部電極と同一の材質の導電性物質で形成されることができるが、これに制限されず、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）などで形成されることができる。
【００４４】
上記外部電極３１、３２は、上記金属粉末にガラスフリットを添加して製造された導電性ペーストを塗布してから焼成することにより形成されることができる。
【００４５】
本発明の一実施形態によると、上記活性層Ａの誘電体グレインの平均粒径をＤａ、上記カバー層Ｃの誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たすことができる。
【００４６】
上記活性層Ａの誘電体グレインの平均粒径Ｄａ及び上記カバー層Ｃの誘電体グレインの平均粒径Ｄｃは、上記セラミック本体１０を誘電体層１の積層方向に切断して、図２に図示されたように、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で抽出された誘電体層の断面写真を分析することにより測定することができる。
【００４７】
例えば、ＡＳＴＭ（Ａｍｅｒｉｃａｎ  Ｓｏｃｉｅｔｙ  ｆｏｒ  Ｔｅｓｔｉｎｇ  ａｎｄ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）Ｅ１１２で規定する平均グレインサイズ標準測定方法を支援するグレインサイズ測定ソフトウェアを用いて、活性層Ａの誘電体グレインの平均粒径Ｄａ及びカバー層Ｃの誘電体グレインの平均粒径Ｄｃを測定することができる。
【００４８】
上記活性層Ａの誘電体グレインの平均粒径Ｄａ及びカバー層Ｃの誘電体グレインの平均粒径Ｄｃが０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たすように調節することにより、本発明の一実施形態による高容量の積層セラミックキャパシタは、優れた耐湿特性を有することができる。
【００４９】
また、上記高容量の積層セラミックキャパシタは、優れた耐湿特性を有するだけでなく、加速寿命も長くなって、優れた信頼性を有することができる。
【００５０】
上記活性層Ａの誘電体グレインの平均粒径Ｄａとカバー層Ｃの誘電体グレインの平均粒径Ｄｃの比（Ｄｃ／Ｄａ）が０．７未満である場合には、カバー層Ｃの誘電体グレインの平均粒径Ｄｃが小さくなることにより焼結開始温度が高くなるため、クラック不良が発生する恐れがある。
【００５１】
上記活性層Ａの誘電体グレインの平均粒径Ｄａとカバー層Ｃの誘電体グレインの平均粒径Ｄｃの比（Ｄｃ／Ｄａ）が１．５を超過する場合には、薄い厚さのカバー層Ｃ内の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃが大きいため、耐湿特性が低下するという問題が生じる恐れがある。
【００５２】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記カバー層Ｃを厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たすことができる。なお、ここで、最外層領域は上記活性層Ａから最も遠い第１層領域の一例であってよい。また、中間層領域は、第１層領域と、上記活性層Ａに最も近い第３層領域との間に配される第２層領域の一例であってよい。
【００５３】
本発明の一実施形態では、上記カバー層Ｃを厚さ方向に３等分したが、必ずしもこれに制限されるものではなく、複数等分することもできる。
【００５４】
上記最外層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ１と中間層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ２の比が１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たすように調節することにより、優れた耐湿特性を有する高容量の積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００５５】
また、上記Ｄｃ１とＤｃ２の比が１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たす場合、上記高容量の積層セラミックキャパシタは、優れた耐湿特性を有するだけでなく、加速寿命もより長くなって、優れた信頼性を有することができる。
【００５６】
上記最外層領域とは、上記カバー層Ｃを厚さ方向に３等分した時に、厚さ方向の外側、即ち、上記セラミック本体１０の上面側に接する一領域を意味する。
【００５７】
上記最外層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ１と中間層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ２の比（Ｄｃ１／Ｄｃ２）が１．１１未満である場合には、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径と中間層領域の誘電体グレインの平均粒径との差が大きくないため、クラック不良が発生して問題となる恐れがある。
【００５８】
一方、上記最外層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ１と中間層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ２の比（Ｄｃ１／Ｄｃ２）が２．９１を超過する場合には、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径と中間層領域の誘電体グレインの平均粒径との差が大きすぎるため、耐湿特性が低下するという問題が生じる恐れがある。
【００５９】
本発明の一実施形態による積層セラミックキャパシタは、上記カバー層Ｃを厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たすことができる。なお、ここで、最下部領域は上記活性層Ａに最も近い第３層領域の一例であってよい。
【００６０】
上記最外層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ１と最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ３の比が１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たすように調節することにより、耐湿特性に優れた高容量の積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００６１】
また、上記Ｄｃ１とＤｃ３の比が１．７４≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９を満たす場合、上記高容量の積層セラミックキャパシタは、優れた耐湿特性を有するだけでなく、加速寿命も長くなって、優れた信頼性を有することができる。
【００６２】
上記最下部層領域とは、上記カバー層Ｃを厚さ方向に３等分した時に、厚さ方向の内側、即ち、上記セラミック本体１０の容量形成部である活性層Ａに隣接する一領域を意味する。
【００６３】
上記最外層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ１と最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ３の比（Ｄｃ１／Ｄｃ３）が１．１３未満である場合には、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径と最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径との差が大きくないため、クラック不良が発生して問題となる恐れがある。
【００６４】
一方、上記最外層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ１と最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ３の比（Ｄｃ１／Ｄｃ３）が４．８８を超過する場合には、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径と最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径との差が大きすぎるため、耐湿特性が低下するという問題が生じる恐れがある。
【００６５】
上記カバー層Ｃは、特に制限されないが、例えば、セラミック粉末及び添加剤を含むことができる。
【００６６】
本発明の一実施形態によると、上記カバー層Ｃの各領域の誘電体グレインの平均粒径を調節する方法は、上記添加剤の組成を調節することにより行われることができるが、これに制限されるものではない。
【００６７】
一方、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層１を含むセラミック本体１０と、上記セラミック本体１０内で上記誘電体層１を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極２１、２２と、を含んでおり、上記セラミック本体１０は、容量形成部である活性層Ａと、上記活性層Ａの少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体１０の厚さをｔ、上記カバー層Ｃの厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記カバー層Ｃを厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たすことができる。
【００６８】
上記カバー層は、セラミック粉末及び添加剤を含むことができ、上記添加剤の組成を調節することで、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径を調節することができる。
【００６９】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品において、上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の説明と重複する部分は、ここでは省略する。
【００７０】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品は、誘電体層１を含むセラミック本体１０と、上記セラミック本体１０内で上記誘電体層１を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極２１、２２と、を含んでおり、上記セラミック本体１０は、容量形成部である活性層Ａと、上記活性層Ａの少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層Ｃとを含み、上記セラミック本体１０の厚さをｔ、上記カバー層Ｃの厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記カバー層Ｃを厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たすことができる。
【００７１】
上記活性層Ａの誘電体グレインの平均粒径をＤａ、上記カバー層Ｃの誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たし、上記カバー層Ｃの中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たすことができる。
【００７２】
本発明の他の実施形態によると、上記セラミック本体１０の厚さをｔ、上記カバー層Ｃの厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５の関係を満たし、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１の関係及び１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８の関係を満たすことにより、耐湿特性に優れた高容量の積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【００７３】
また、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３の関係及び１．７４≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９の関係を満たすことにより、上記高容量の積層セラミックキャパシタは、優れた耐湿特性を有するだけでなく、加速寿命も長くなって、優れた信頼性を有することができる。
【００７４】
上記カバー層Ｃは、セラミック粉末及び添加剤を含むことができ、上記添加剤の組成を調節することで、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径を調節することができる。
【００７５】
本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品において、上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の説明と重複する部分は、ここでは省略する。
【００７６】
図４は本発明の他の実施形態による積層セラミックキャパシタの製造工程図である。
【００７７】
図４を参照すると、本発明の他の実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、セラミック粉末及び添加剤を含むスラリーを用いてセラミックグリーンシートを製造する段階と、導電性金属ペーストを用いて上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、上記セラミックグリーンシートを積層して焼結することにより、誘電体層及び上記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、を含み、上記セラミック本体は、容量形成部である活性層と、上記活性層の少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層とを含み、上記セラミック本体の厚さをｔ、上記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たすことができる。
【００７８】
本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の製造方法は、まず、セラミック粉末及び添加剤を含むスラリーを用いてセラミックグリーンシートを製造することができる。
【００７９】
上記セラミックグリーンシートは、セラミック粉末、バインダー、溶剤を混合してスラリーを製造した後、上記スラリーをドクターブレード法により数μｍの厚さを有するシート（ｓｈｅｅｔ）状に製作することができる。
【００８０】
次に、導電性金属ペーストを用いて、上記セラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成することができる。
【００８１】
次に、上記内部電極パターンが形成されたグリーンシートを積層して焼結することにより、誘電体層及び上記誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極を含むセラミック本体を形成することができる。
【００８２】
本発明の他の実施形態による製造方法により製造された積層セラミック電子部品の上記セラミック本体は、容量形成部である活性層と、上記活性層の少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層とを含み、上記セラミック本体の厚さをｔ、上記カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、上記活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たすことができる。
【００８３】
上記カバー層は、セラミック粉末及び添加剤を含むことができ、上記添加剤の組成を調節することで、上記カバー層の誘電体グレインの平均粒径を調節することができる。
【００８４】
その他、上述した本発明の一実施形態による積層セラミック電子部品の特徴と同様の部分についての説明は、ここでは省略する。
【００８５】
以下、実施例を用いて本発明をより詳細に説明するが、本発明がこれにより制限されるものではない。
【００８６】
本実施例は、容量形成部である活性層と、上記活性層の少なくとも一の面に形成され、容量非形成部であるカバー層とを含む積層セラミックキャパシタに対して、セラミック本体の厚さｔ、カバー層の厚さＴ、活性層の誘電体グレインの平均粒径Ｄａ、カバー層の誘電体グレインの平均粒径Ｄｃ及びＤｃ１、Ｄｃ２、Ｄｃ３値による耐湿特性及び高温加速寿命の向上有無をテストするために行われた。
【００８７】
本実施例による積層セラミックキャパシタは、下記のような段階を経て製作された。
【００８８】
まず、チタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）などの粉末を含んで形成されたスラリーをキャリアフィルム（ｃａｒｒｉｅｒ  ｆｉｌｍ）上に塗布及び乾燥して複数のセラミックグリーンシートを製造し、これにより誘電体層１を形成する。
【００８９】
次に、内部電極用導電性ペーストを製造した後、上記グリーンシート上に上記内部電極用導電性ペーストをスクリーン印刷法により塗布して内部電極を形成した後、１９０〜２５０層積層して積層体を製作した。
【００９０】
特に、上記グリーンシート内にチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ３）とともに含まれる添加剤の組成を調節することにより、カバー層の誘電体グレインの平均粒径を多様に変化させて調節しながら上記積層体を製作した。
【００９１】
その後、圧着及び切断して０６０３規格サイズのチップを製作し、上記チップをＨ２０．１％以下の還元雰囲気の温度１０５０〜１２００℃で焼成した。
【００９２】
次に、外部電極の形成、メッキなどの工程を経て積層セラミックキャパシタを製作した。
【００９３】
下記表１はカバー層の厚さＴとセラミック本体の厚さｔの比によるクラック発生有無、耐湿特性及び高温加速寿命を比較した表である。
【００９４】
【表１】
2014022721.tif 000003
【００９５】
上記表１を参照すると、カバー層の厚さＴとセラミック本体の厚さｔの比が０．０５以下である試料１〜３の場合、Ｄｃ／Ｄａの比が１．５を超過しており、本発明の数値範囲を外れると耐湿特性が低下することが分かる。また、Ｄｃ１／Ｄｃ２及びＤｃ１／Ｄｃ３の比が本発明の数値範囲を外れると、クラックが発生し、加速寿命が短縮されるという問題があることが分かる。
【００９６】
一方、上記カバー層の厚さＴとセラミック本体の厚さｔの比が０．０５を超過する試料４〜６の場合、Ｄｃ／Ｄａ、Ｄｃ１／Ｄｃ２及びＤｃ１／Ｄｃ３の比が本発明の数値範囲を外れても、クラック、耐湿特性及び高温加速寿命において問題がないことが分かる。
【００９７】
本発明の特徴は、カバー層の厚さが相対的に薄いため、カバー層の厚さＴとセラミック本体の厚さｔの比（Ｔ／ｔ）が０．０５以下である場合にＤｃ／Ｄａ、Ｄｃ１／Ｄｃ２及びＤｃ１／Ｄｃ３の比を調節することにより、積層セラミック電子部品のクラック発生を防止し、耐湿特性及び高温加速寿命を向上させることにある。
【００９８】
下記表２はカバー層の厚さＴとセラミック本体の厚さｔの比（Ｔ／ｔ）が０．０５以下である場合に、Ｄｃ／Ｄａ、Ｄｃ１／Ｄｃ２及びＤｃ１／Ｄｃ３の比によるクラック発生有無、耐湿特性及び高温加速寿命を比較した表である。
【００９９】
【表２】
2014022721.tif 000004
【０１００】
上記表２から分かるように、本発明の一実施例による試料９〜１２はＤｃ／Ｄａ、Ｄｃ１／Ｄｃ２及びＤｃ１／Ｄｃ３の比が０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たし、クラックが発生せず、耐湿特性に優れており、高温加速寿命も良好である。
【０１０１】
一方、Ｄｃ／Ｄａが０．７未満である比較例に該当する試料７及び８の場合、耐湿特性は良好であったが、クラックが発生し、加速寿命が短縮して信頼性が劣ることが分かる。
【０１０２】
また、Ｄｃ／Ｄａが１．５を超過する比較例に該当する試料１３及び１４の場合、クラックは発生していないが、耐湿特性が不良で、加速寿命が短いため、信頼性が劣ることが分かる。
【０１０３】
一方、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１の関係、または１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８の関係を満たす本発明の一実施例による試料１５〜２１の場合、耐湿特性に優れた高容量の積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【０１０４】
特に、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３の関係及び１．７４≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９の関係を満たす試料１６〜１９の場合、優れた耐湿特性を有するだけでなく、加速寿命も相対的に長くなって、より優れた信頼性を有することが分かる。
【０１０５】
一方、Ｄｃ１／Ｄｃ２が２．９１を超過し、Ｄｃ１／Ｄｃ３が４．８８を超過する試料２２〜２５の場合、クラックは発生していないが、耐湿特性が不良で、加速寿命が短いため、信頼性において問題があることが分かる。
【０１０６】
結論的に、セラミック本体の厚さｔとカバー層の厚さＴの比がＴ≦ｔ×０．０５を満たす場合、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５の関係を満たすか、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１の関係、または１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８の関係を満たす本発明の実施例により、クラック発生を防止し、耐湿特性に優れた高容量の積層セラミックキャパシタを具現することができる。
【０１０７】
また、上記高容量の積層セラミックキャパシタは、優れた耐湿特性を有するだけでなく、加速寿命も長くなって、優れた信頼性を有する。
【０１０８】
本発明は、上述の実施形態及び添付の図面により限定されず、添付の請求範囲により限定される。従って、特許請求の範囲に記載された本発明の技術的思想を外れない範囲内で、当技術分野の通常の知識を有する者により様々な形態の置換、変形及び変更が可能であり、これも本発明の範囲に属する。本実施形態の例を項目として記載する。
［項目１］
誘電体層を含むセラミック本体と、
セラミック本体内で誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含んでおり、
セラミック本体は、容量形成部である活性層及び活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層を含み、セラミック本体の厚さをｔ、カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たす、積層セラミック電子部品。
［項目２］
カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たす、項目１に記載の積層セラミック電子部品。
［項目３］
Ｄｃ１とＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たす、項目２に記載の積層セラミック電子部品。
［項目４］
カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たす、項目１に記載の積層セラミック電子部品。
［項目５］
Ｄｃ１とＤｃ３の比は、１．７４≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９を満たす、項目４に記載の積層セラミック電子部品。
［項目６］
誘電体層を含むセラミック本体と、
セラミック本体内で誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含んでおり、
セラミック本体は、容量形成部である活性層及び活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層を含み、セラミック本体の厚さをｔ、カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たす、積層セラミック電子部品。
［項目７］
Ｄｃ１とＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たす、項目６に記載の積層セラミック電子部品。
［項目８］
カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たす、項目６に記載の積層セラミック電子部品。
［項目９］
Ｄｃ１とＤｃ３の比は、１．７４ ≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９を満たす、項目８に記載の積層セラミック電子部品。
［項目１０］
Ｄｃ１及びＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たし、
カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たす、項目６に記載の積層セラミック電子部品。
［項目１１］
活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たす、項目１０に記載の積層セラミック電子部品。
［項目１２］
誘電体層を含むセラミック本体と、
セラミック本体内で誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極と、を含んでおり、
セラミック本体は、容量形成部である活性層及び活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層を含み、カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たす、積層セラミック電子部品。
［項目１３］
Ｄｃ１とＤｃ３の比は、１．７４≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦３．５９を満たす、項目１２に記載の積層セラミック電子部品。
［項目１４］
セラミック本体の厚さをｔ、カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たす、項目１２に記載の積層セラミック電子部品。
［項目１５］
カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たす、項目１２に記載の積層セラミック電子部品。
［項目１６］
Ｄｃ１とＤｃ２の比は、１．５６≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．６３を満たす、項目１５に記載の積層セラミック電子部品。
［項目１７］
セラミック粉末及び添加剤を含むスラリーを用いてセラミックグリーンシートを製造する段階と、
導電性金属ペーストを用いてセラミックグリーンシート上に内部電極パターンを形成する段階と、
セラミックグリーンシートを積層して焼結することにより、誘電体層及び誘電体層を挟んで対向するように配置される第１及び第２内部電極を含むセラミック本体を形成する段階と、を含み、
セラミック本体は、容量形成部である活性層及び活性層の上面及び下面のうち少なくとも一面に形成される容量非形成部であるカバー層を含み、セラミック本体の厚さをｔ、カバー層の厚さをＴとしたときに、Ｔ≦ｔ×０．０５を満たし、活性層の誘電体グレインの平均粒径をＤａ、カバー層の誘電体グレインの平均粒径をＤｃとしたときに、０．７≦Ｄｃ／Ｄａ≦１．５を満たす、積層セラミック電子部品の製造方法。
［項目１８］
添加剤の組成を調節することで、カバー層の誘電体グレインの平均粒径を調節する、項目１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
［項目１９］
カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、中間層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ２としたときに、１．１１≦Ｄｃ１／Ｄｃ２≦２．９１を満たす、項目１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
［項目２０］
カバー層を厚さ方向に３等分した場合、最外層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ１、最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径をＤｃ３としたときに、１．１３≦Ｄｃ１／Ｄｃ３≦４．８８を満たす、項目１７に記載の積層セラミック電子部品の製造方法。
【符号の説明】
【０１０９】
１  誘電体層
２１、２２  第１及び第２内部電極
３１、３２  外部電極
１０  セラミック本体
Ａ  活性層
Ｃ  カバー層
Ｔ  カバー層の厚さ
ｔ  セラミック本体の厚さ
Ｄａ  活性層の誘電体グレインの平均粒径
Ｄｃ  カバー層の誘電体グレインの平均粒径
Ｄｃ１  カバー層の最外層領域の誘電体グレインの平均粒径
Ｄｃ２  カバー層の中間層領域の誘電体グレインの平均粒径
Ｄｃ３  カバー層の最下部層領域の誘電体グレインの平均粒径
【図１】
2014022721.tif 000005
【図２】
2014022721.tif 000006
【図３】
2014022721.tif 000007
【図４】
2014022721.tif 000008