(57)【要約】【課題】高精度に加工された炭化珪素基板を製造することが可能な炭化珪素基板の製造方法を提供する。【解決手段】炭化珪素基板の製造方法は、炭化珪素からなるインゴットを準備する工程と、準備されたインゴットを切断して炭化珪素基板１４を得る工程と、炭化珪素基板１４のシリコン面１０ｂをエッチングする工程と、炭化珪素基板１４がエッチングされた後、炭化珪素基板１４のエッチング面１４ｄを研磨する工程とを備えている。炭化珪素基板１４をエッチングする工程は、塩素ガスにより、炭化珪素基板１４のエッチング主面１４ｄを含むエッチング領域１４ｃから炭化珪素を構成する珪素原子を除去する工程を含んでいる。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素からなるインゴットを準備する工程と、
準備された前記インゴットを切断して炭化珪素基板を得る工程と、
前記炭化珪素基板の一方の主面をエッチングする工程と、
前記炭化珪素基板がエッチングされた後、前記炭化珪素基板の一方の主面を研磨する工程とを備え、
前記炭化珪素基板をエッチングする工程は、ハロゲン原子を含むガスにより、前記炭化珪素基板の前記主面を含む領域であるエッチング領域から前記炭化珪素を構成する珪素原子を除去する工程を含む、炭化珪素基板の製造方法。
【請求項２】
前記珪素原子を除去する工程では、前記エッチング領域において前記炭化珪素を構成する炭素原子を残存させつつ前記炭化珪素を構成する珪素原子が除去される、請求項１に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項３】
前記炭化珪素基板をエッチングする工程は、前記珪素原子を除去する工程の後に、酸化性ガスにより、珪素原子が除去された前記エッチング領域から前記炭化珪素を構成する炭素原子を除去する工程をさらに含む、請求項１または２に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項４】
前記珪素原子を除去する工程の後であって前記炭素原子を除去する工程の前に、前記ハロゲン原子を含むガスを不活性ガスにより置換する工程をさらに備える、請求項３に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項５】
前記珪素原子を除去する工程では、塩素ガスまたは塩化水素ガスにより、前記エッチング領域から前記炭化珪素を構成する珪素原子が除去される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項６】
前記炭化珪素基板を得る工程では、１００ｍｍ以上の直径を有する前記炭化珪素基板が得られる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項７】
前記炭化珪素基板をエッチングする工程では、８００℃以上１１００℃以下の温度において前記炭化珪素基板の前記主面がエッチングされる、請求項１〜６のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【請求項８】
前記炭化珪素基板をエッチングする工程では、１Ｐａ以上１００ｋＰａ未満の圧力において前記炭化珪素基板の前記主面がエッチングされる、請求項１〜７のいずれか１項に記載の炭化珪素基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素基板の製造方法に関するものであり、より特定的には、高精度に加工された炭化珪素基板を製造することが可能な炭化珪素基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体装置の高耐圧化、低損失化などを可能とするため、半導体装置を構成する材料としての炭化珪素の採用が進められている。炭化珪素は、従来より半導体装置を構成する材料として広く用いられている珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体である。そのため、半導体装置を構成する材料として炭化珪素を採用することにより、半導体装置の高耐圧化、オン抵抗の低減などを達成することができる。
【０００３】
炭化珪素を構成材料として採用する半導体装置には、炭化珪素からなる基板が用いられる。炭化珪素基板は、たとえば昇華再結晶法により種基板上に炭化珪素単結晶を成長させて製造したインゴットを切断することにより得られる。また、炭化珪素基板には、インゴットから切断する際に表面に発生するダメージ層を除去するため、ダイヤモンド砥粒などによる研磨加工が施される。炭化珪素基板の表面に発生するダメージ層を有効に除去するための研磨方法としては、たとえば荒研磨した炭化珪素基板の表面を酸化し、さらに仕上げ研磨により表面に形成された酸化膜を除去する方法などが提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２８３６２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インゴットを切断して得られた炭化珪素基板は、表面に発生するダメージ層の影響により基板の反りが大きい状態となっている。また、特許文献１において提案されている研磨方法では、基板の反りを十分に低減することができる程度にまでダメージ層を除去することは困難である。そのため、炭化珪素基板の研磨においては基板の反りに起因して加工精度が低下し、その結果、高精度に加工された炭化珪素基板を得ることが困難になるという問題がある。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、高精度に加工された炭化珪素基板を製造することが可能な炭化珪素基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の炭化珪素基板の製造方法は、炭化珪素からなるインゴットを準備する工程と、準備されたインゴットを切断して炭化珪素基板を得る工程と、炭化珪素基板の一方の主面をエッチングする工程と、炭化珪素基板がエッチングされた後、炭化珪素基板の一方の主面を研磨する工程とを備えている。炭化珪素基板をエッチングする工程は、ハロゲン原子を含むガスにより、炭化珪素基板の上記主面を含む領域であるエッチング領域から炭化珪素を構成する珪素原子を除去する工程を含んでいる。
【０００８】
本発明の炭化珪素基板の製造方法では、炭化珪素基板を研磨する前に、炭化珪素基板の上記主面を含むエッチング領域から炭化珪素を構成する珪素原子を除去することにより、炭化珪素基板の上記主面がエッチングされる。これにより、炭化珪素基板を研磨する前に、炭化珪素基板の反りを予め低減することができる。その結果、炭化珪素基板の研磨加工の精度をより向上させることができる。したがって、本発明の炭化珪素基板の製造方法によれば、高精度に加工された炭化珪素基板を製造することができる。
【０００９】
上記炭化珪素基板の製造方法において、珪素原子を除去する工程では、エッチング領域において炭化珪素を構成する炭素原子を残存させつつ炭化珪素を構成する珪素原子が除去されてもよい。これにより、炭化珪素基板の反りをより確実に低減することができる。
【００１０】
上記炭化珪素基板の製造方法において、炭化珪素基板をエッチングする工程は、珪素原子を除去する工程の後に、酸化性ガスにより、珪素原子が除去されたエッチング領域から炭化珪素を構成する炭素原子を除去する工程をさらに含んでいてもよい。これにより、炭化珪素基板の反りをさらに確実に低減することができる。
【００１１】
上記炭化珪素基板の製造方法は、珪素原子を除去する工程の後であって炭素原子を除去する工程の前に、ハロゲン原子を含むガスを不活性ガスにより置換する工程をさらに備えていてもよい。これにより、ハロゲン原子を含むガスと珪素原子との反応物と、酸化性ガスとの反応による生成物の発生を抑制することができる。
【００１２】
上記炭化珪素基板の製造方法において、珪素原子を除去する工程では、塩素ガスまたは塩化水素ガスにより、エッチング領域から炭化珪素を構成する珪素原子が除去されてもよい。このように、上記工程では、炭化珪素基板のエッチングに適した塩素ガスまたは塩化水素ガスを好適に採用することができる。
【００１３】
上記炭化珪素基板の製造方法において、炭化珪素基板を得る工程では、１００ｍｍ以上の直径を有する炭化珪素基板が得られてもよい。このように、上記炭化珪素基板の製造方法は、大口径の炭化珪素基板の製造方法において好適に採用することができる。
【００１４】
上記炭化珪素基板の製造方法において、炭化珪素基板をエッチングする工程では、８００℃以上１１００℃以下の温度において炭化珪素基板の上記主面がエッチングされてもよい。このように、上記工程では、炭化珪素基板の上記主面を効果的にエッチングすることが可能な温度条件を採用することができる。
【００１５】
上記炭化珪素基板の製造方法において、炭化珪素基板をエッチングする工程では、１Ｐａ以上１００ｋＰａ未満の圧力において炭化珪素基板の上記主面がエッチングされてもよい。このように、上記工程では、炭化珪素基板の上記主面を効果的にエッチングすることが可能な圧力条件を採用することができる。
【発明の効果】
【００１６】
以上の説明から明らかなように、本発明の炭化珪素基板の製造方法によれば、高精度に加工された炭化珪素基板を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】炭化珪素基板の製造方法を概略的に示すフローチャートである。
【図２】炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略図である。
【図３】炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略図である。
【図４】炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略図である。
【図５】炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略図である。
【図６】炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略図である。
【図７】炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略図である。
【図８】炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略図である。
【図９】炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略図である。
【図１０】炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略図である。
【図１１】炭化珪素基板の製造方法を説明するための概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には同一の参照番号を付し、その説明は繰返さない。
【００１９】
本発明の一実施の形態の炭化珪素基板の製造方法について説明する。図１を参照して、まず、工程（Ｓ１０）として、インゴット準備工程が実施される。この工程（Ｓ１０）では、以下に説明する工程（Ｓ１１）〜（Ｓ１３）が実施されることにより、炭化珪素からなるインゴットが準備される。
【００２０】
まず、工程（Ｓ１１）として、種基板準備工程が実施される。この工程（Ｓ１１）では、図２を参照して、主面１０ａ，１０ｂを有し、炭化珪素からなる種基板１０が準備される。種基板１０は、たとえば円板形状を有し、直径が１００ｍｍ以上である。
【００２１】
次に、工程（Ｓ１２）として、種基板貼付工程が実施される。この工程（Ｓ１２）では、まず、図４を参照して、カーボン製のるつぼ４から蓋部材５が取り外される。次に、図３を参照して、主面１０ａが蓋部材５の支持面５ａに対向するように、種基板１０が蓋部材５に貼り付けられる。種基板１０は、たとえばカーボン接着剤により蓋部材５に貼り付けられる。
【００２２】
次に、工程（Ｓ１３）として、単結晶成長工程が実施される。この工程（Ｓ１３）では、以下のようにして種基板１０の主面１０ｂ上に炭化珪素単結晶膜１２を成長させることによりインゴット１３が得られる。図４を参照して、まず、粉末状の炭化珪素原料１１がるつぼ本体４Ａ内に収容される。次に、種基板１０が貼り付けられた蓋部材５がるつぼ本体４Ａに設置される。これにより、種基板１０は、主面１０ｂが炭化珪素原料１１に対向するようにるつぼ４内に配置される。
【００２３】
次に、るつぼ４内を真空排気しつつ所定温度にまで昇温する。次に、るつぼ４内にアルゴン（Ａｒ）などの不活性ガスを導入する。次に、るつぼ４内を炭化珪素単結晶の成長温度（２０００℃以上２４００℃以下）にまで昇温する。次に、るつぼ４内を真空排気して所定圧力にまで減圧し、炭化珪素単結晶膜１２の成長を開始させる。このようにして、種基板１０の主面１０ｂ上に炭化珪素単結晶膜１２が成長したインゴット１３が得られる。
【００２４】
次に、工程（Ｓ２０）として、切断工程が実施される。この工程（Ｓ２０）では、以下のようにして、上記工程（Ｓ１０）において準備されたインゴット１３を切断することにより炭化珪素基板が得られる。まず、図５および図６を参照して、インゴット１３がその側面の一部が支持台７により支持されるように設置される。次に、ワイヤー６が、インゴット１３の直径方向に沿った方向に走行しつつ、その走行方向に垂直な方向である切断方向αに沿ってインゴット１３に接近し、ワイヤー６とインゴット１３とが接触する。そして、ワイヤー６が切断方向αに沿って進行し続けることにより、インゴット１３が切断され、図７に示すような炭化珪素基板１４が得られる。
【００２５】
次に、工程（Ｓ３０）として、エッチング工程が実施される。この工程（Ｓ３０）では、以下に説明する工程（Ｓ３１）〜（Ｓ３３）が実施されることにより、上記工程（Ｓ２０）において得られた炭化珪素基板１４の一方の主面であるシリコン（Ｓｉ）面１４ｂがエッチングされる。
【００２６】
まず、工程（Ｓ３１）として、第１エッチング工程が実施される。この工程（Ｓ３１）では、図８を参照して、まず、炭化珪素基板１４がエッチングされるべきシリコン面１４ｂを上方に向けた状態で反応管１のエッチング室１Ａ内に設置される。次に、エッチング室１Ａ内が所定の圧力にまで真空排気される。次に、エッチング室１Ａ内の真空状態を維持しつつ、反応管１の外部に配置されたヒータ２，３によりエッチング室１Ａ内を８００℃以上１１００℃以下の温度にまで昇温する。
【００２７】
次に、ハロゲン原子を含むガスである塩素（Ｃｌ２）ガスを、反応管１のガス導入口（図示しない）からエッチング室１Ａ内に導入しつつ、ガス排出口（図示しない）より排出する。エッチング室１Ａ内の圧力は、１Ｐａ以上１００ｋＰａ未満とされる。このように塩素ガスをエッチング室１Ａ内に所定流量で所定時間流すことにより、炭化珪素基板１４のシリコン面１４ｂにおいて、ＳｉＣ＋Ｃｌ２→ＳｉＣｌ４、の反応が起こる。これにより、図９に示すように炭化珪素基板１４のシリコン面１４ｂを含むエッチング領域１４ｃから炭化珪素基板１４の炭化珪素を構成する珪素（Ｓｉ）原子が選択的に除去され、炭化珪素基板１４を構成する炭素（Ｃ）原子が残存する。
【００２８】
次に、工程（Ｓ３２）として、窒素置換工程が実施される。この工程（Ｓ３２）では、図８を参照して、エッチング室１Ａ内が真空排気された後、不活性ガスである窒素（Ｎ２）ガスをガス導入口からエッチング室１Ａ内に導入しつつ、ガス排出口より排出する。これにより、上記工程（Ｓ３１）後にエッチング室１Ａ内に残存した塩素ガスおよび四塩化珪素（ＳｉＣｌ４）ガスが窒素ガスにより置換される。なお、エッチング室１Ａ内に導入する不活性ガスは、窒素（Ｎ２）ガスに限定されるものではなく、たとえばアルゴン（Ａｒ）などの希ガスであってもよい。
【００２９】
次に、工程（Ｓ３３）として、第２エッチング工程が実施される。この工程（Ｓ４０）では、まず、エッチング室１Ａ内の温度が８００℃以上１１００℃以下に維持された状態において、酸化性ガスである酸素（Ｏ２）ガスをガス導入口からエッチング室１Ａ内に導入しつつ、ガス排出口より排気する。エッチング室１Ａ内の圧力は１Ｐａ以上１００ｋＰａ未満とされる。このように酸素ガスをエッチング室１Ａ内に所定流量で所定時間流すことにより、炭化珪素基板１４のエッチング領域１４ｃにおいて、ＳｉＣ＋Ｏ２→ＳｉＣ＋ＣＯ２、の反応が起こる。これにより、珪素原子が除去されたエッチング領域１４ｃから炭化珪素基板１４の炭化珪素を構成する炭素原子がさらに除去される。その結果、図１０に示すように、炭化珪素基板１４からエッチング領域１４ｃが除去され、エッチング面１４ｄが形成される。また、酸化性ガスは、酸素ガスに限定されるものではなく、たとえばオゾン（Ｏ３）ガスや水素（Ｈ２）ガスなどであってもよい。このようにして、上記工程（Ｓ３１）〜（Ｓ３３）が実施されることにより、炭化珪素基板１４のシリコン面１４ｂがエッチングされ、工程（Ｓ３０）が完了する。なお、本実施の形態では、炭化珪素基板１４のシリコン面１４ｂがエッチングされる場合について説明したが、シリコン面１４ｂとは反対側の面であるカーボン面１４ａがエッチングされてもよい。
【００３０】
次に、工程（Ｓ４０）として、研磨工程が実施される。この工程（Ｓ４０）では、以下のようにして、上記工程（Ｓ３０）においてエッチングされた炭化珪素基板１４の一方の主面であるエッチング面１４ｄが研磨される。図１１を参照して、まず、研磨されるべきエッチング面１４ｄが回転定盤８の研磨面８ａと接触するように、炭化珪素基板１４が研磨装置９に配置される。回転定盤８の研磨面８ａ上には、たとえばダイヤモンド砥粒などの高硬度な砥粒が固定されている。次に、研磨面８ａ上にスラリーを供給しつつ、回転軸９ａを所定の回転速度で所定時間だけ回転させる。このとき、図１１中矢印に示すように、炭化珪素基板１４に対してカーボン面１４ａ側から所定の荷重を加える。このようにして、炭化珪素基板１４のエッチング面１４ｄが研磨される。なお、本実施の形態では、炭化珪素基板１４のエッチング面１４ｄが研磨される場合について説明したが、エッチング面１４ｄとは反対側の面であるカーボン面１４ａが研磨されてもよいし、エッチング面１４ｄおよびカーボン面１４ａのそれぞれが研磨されてもよい。
【００３１】
次に、工程（Ｓ５０）として、評価検査工程が実施される。この工程（Ｓ５０）では、炭化珪素基板１４の結晶欠陥などの品質が検査される。以上の工程（Ｓ１０）〜（Ｓ５０）が実施されることにより、炭化珪素基板１４が製造され、本実施の形態の炭化珪素基板の製造方法が完了する。
【００３２】
以上のように、本実施の形態の炭化珪素基板の製造方法では、炭化珪素基板１４を研磨する前に、炭化珪素基板１４のシリコン面１４ｂを含むエッチング領域１４ｃから炭化珪素を構成する珪素原子を除去することにより、炭化珪素基板１４のシリコン面１４ｂがエッチングされる。そのため、炭化珪素基板１４を研磨する前に、炭化珪素基板１４の反りを予め低減することができる。このように炭化珪素基板１４の反りを低減してその表面を平坦化することにより、炭化珪素基板１４を研磨する際に、炭化珪素基板１４の表面と回転定盤８の研磨面８ａとの貼付精度をより向上させることができる。その結果、炭化珪素基板１４の研磨加工における精度をより向上させることができる。したがって、本実施の形成の炭化珪素基板の製造方法によれば、高精度に加工された炭化珪素基板１４を製造することができる。
【００３３】
また、本実施の形態において、工程（Ｓ３１）では、塩素ガスによりエッチング領域１４ｃから珪素原子が除去されてもよいが、これに限られるものではない。たとえば、塩化水素（ＨＣｌ）ガスによりエッチング領域１４ｃから珪素原子が除去されてもよい。このように、工程（Ｓ３１）では、炭化珪素基板１４のエッチングに適した塩素ガスまたは塩化水素ガスをエッチングガスとして好適に採用することができる。
【００３４】
また、上述のように、本実施の形態では、工程（Ｓ３０）は、珪素原子を除去する工程（Ｓ３１）の後に、炭素原子を除去する工程（Ｓ３３）をさらに含んでいてもよい。この工程（Ｓ３３）は、本発明の炭化珪素基板の製造方法において必須の工程ではないが、これを実施することにより炭化珪素基板１４の反りをより確実に低減することができる。
【００３５】
また、上述のように、本実施の形態では、工程（Ｓ３１）の後であって工程（Ｓ３３）の前に、塩素ガスを窒素ガスにより置換する工程（Ｓ３２）が実施されてもよい。これにより、工程（Ｓ３１）において生成した四塩化珪素ガスと、酸素ガスとが反応して二酸化珪素（ＳｉＯ２）を生成することを抑制することができる。
【００３６】
また、本実施の形態では、工程（Ｓ２０）において、１００ｍｍ以上の直径を有する炭化珪素基板１４が得られてもよい。このように、本実施の形態の炭化珪素基板の製造方法は、大口径の炭化珪素基板の製造方法において好適に採用することができる。
【００３７】
また、上述のように、本実施の形態では、工程（Ｓ３０）において、８００℃以上１１００℃以下の温度において炭化珪素基板１４のシリコン面１４ｂがエッチングされてもよい。このように、この工程（Ｓ３０）では、炭化珪素基板１４のシリコン面１４ｂを効果的にエッチングすることが可能な温度条件を採用することができる。
【００３８】
また、上述のように、本実施の形態では、工程（Ｓ３０）において、１Ｐａ以上１００ｋＰａ未満の圧力において炭化珪素基板１４のシリコン面１４ｂがエッチングされてもよい。このように、この工程（Ｓ３０）では、炭化珪素基板１４のシリコン面１４ｂを効果的にエッチングすることが可能な圧力条件を採用することができる。
【００３９】
また、本実施の形態では、工程（Ｓ２０）において、インゴット１３を切断することにより得られた炭化珪素基板１４にさらに面取り加工が施されてもよい。本実施の形態の炭化珪素基板の製造方法では、面取り加工により炭化珪素基板１４の表面にダメージ層が発生した場合でも、後のエッチング工程（Ｓ３０）においてこれを容易に除去することができる。
【実施例１】
【００４０】
炭化珪素基板の反りによる研磨加工の精度に関して、本発明の効果を確認する実験を行った。まず、炭化珪素からなる種基板を準備した。次に、種基板の結晶成長面上に炭化珪素単結晶膜を形成することによりインゴットを製造した。次に、インゴットを切断することにより、３インチの直径を有する炭化珪素基板を得た。次に、炭化珪素基板をエッチングすべきシリコン（Ｓｉ）面が上方を向いた状態で反応管のエッチング室内に設置した。エッチング室の容積は１４Ｌであった。次に、エッチング室内を真空引きして５０Ｐａまで減圧した。次に、エッチング室内の真空状態を維持しつつ、１０００℃まで昇温した。次に、塩素ガスをエッチング室内に導入した。塩素ガスは０．３Ｌ／ｍｉｎの流量で３０分間導入した。次に、エッチング室内を真空排気した後に窒素ガスにより置換した。次に、酸素ガスをエッチング室内に導入した。酸素ガスは、２Ｌ／ｍｉｎの流量で５分間導入した。そして、エッチングの実施前後における炭化珪素基板の厚みの変化およびＳＯＲＩの変化を調査した。また、炭化珪素基板のカーボン（Ｃ）面をエッチングした場合についても同様に調査した。
【００４１】
上記実験の結果について説明する。まず、エッチングの実施前後における炭化珪素基板の厚みの変化は、シリコン面では８μｍ、カーボン面では２０μｍであった。これにより、本発明の炭化珪素基板の製造方法では、炭化珪素基板のエッチングによりその厚みが大きく変化することが確認された。また、エッチングの実施前は、炭化珪素基板のＳＯＲＩが１１．４μｍであったのに対し、エッチングの実施後は、炭化珪素基板のＳＯＲＩが９．７μｍにまで改善されていた。これにより、本発明の炭化珪素基板の製造方法では、炭化珪素基板の反りを低減することにより、研磨加工の精度をより向上させることが可能であることが確認された。
【００４２】
今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００４３】
本発明の炭化珪素基板の製造方法は、高精度に加工された炭化珪素基板を製造することが要求される炭化珪素基板の製造方法において、特に有利に適用され得る。
【符号の説明】
【００４４】
１  反応管、１Ａ  エッチング室、２，３  ヒータ、４  るつぼ、４Ａ  るつぼ本体、５  蓋部材、５ａ  支持面、６  ワイヤー、７  支持台、８  回転定盤、８ａ  研磨面、９  研磨装置、９ａ  回転軸、１０  種基板、１０ａ，１０ｂ，１４ａ，１４ｂ  主面、１１  炭化珪素原料、１２  炭化珪素単結晶膜、１３  インゴット、１４ｃ  エッチング領域、１４ｄ  エッチング面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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