(57)【要約】【課題】信頼性の低下を抑制するとともに表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に配置された絶縁膜と、画像を表示するアクティブエリアにおいて前記絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と対向する側に配置され前記第１配向膜と対向する第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板のうちの一方の基板に形成され他方の基板を支持し、前記第１配向膜と前記第２配向膜との間にセルギャップを形成するドット状の第１スペーサと、前記第１基板及び前記第２基板のうちの他方の基板に形成され一方の基板から離間したドット状の第２スペーサと、前記セルギャップに保持された液晶層と、を備えた、液晶表示装置。【選択図】      図２
2014119710.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に配置された絶縁膜と、画像を表示するアクティブエリアにおいて前記絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、
第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と対向する側に配置され前記第１配向膜と対向する第２配向膜と、を備えた第２基板と、
前記第１基板及び前記第２基板のうちの一方の基板に形成され他方の基板を支持し、前記第１配向膜と前記第２配向膜との間にセルギャップを形成するドット状の第１スペーサと、
前記第１基板及び前記第２基板のうちの他方の基板に形成され一方の基板から離間したドット状の第２スペーサと、
前記セルギャップに保持された液晶層と、
を備えた、液晶表示装置。
【請求項２】
前記第１基板は、さらに、前記アクティブエリアを囲む周辺エリアにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有し前記絶縁膜上にライン状に形成された第１バンクを備え、前記第１配向膜は、前記第１バンクの側面で途切れている、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１バンクは、前記アクティブエリアを囲む連続的な枠状に形成された、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１スペーサは、前記第１バンクと同等の断面形状を有する、請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１スペーサは、順テーパー状の断面形状を有する、請求項２または３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２基板は、さらに、前記アクティブエリアを囲む周辺エリアにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有しライン状に形成された第２バンクを備え、前記第２配向膜は、前記第２バンクの側面で途切れている、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第２バンクは、前記アクティブエリアを囲む連続的な枠状に形成された、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２スペーサは、前記第２バンクと同等の断面形状を有する、請求項６または７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第２スペーサは、順テーパー状の断面形状を有する、請求項６または７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第１バンクは前記第２バンクよりも前記第１基板の基板端部側に位置している、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
第１絶縁基板上に絶縁膜を形成し、画像を表示するアクティブエリアにおいて絶縁膜上に画素電極を形成し、前記画素電極上または前記絶縁膜上に第１スペーサをドット状に形成し、前記画素電極を覆う第１配向膜を形成した第１基板を用意し、
アクティブエリアにおいて第２絶縁基板の前記第１基板と対向する側に前記第１スペーサとは異なる高さの第２スペーサをドット状に形成し、第２配向膜を形成した第２基板を用意し、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、前記第１スペーサまたは前記第２スペーサが他方の基板を支持して前記第１配向膜と前記第２配向膜との間にセルギャップを形成する、液晶表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１スペーサを形成するフォトリソグラフィープロセスにおいて、アクティブエリアを囲む周辺エリアにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有し前記絶縁膜上にライン状に形成された第１バンクを同時に形成し、前記第１配向膜は前記第１バンクの側面で途切れ、
前記第２スペーサを形成するフォトリソグラフィープロセスにおいて、周辺エリアにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有しライン状に形成された第２バンクを同時に形成し、前記第２配向膜は前記第２バンクの側面で途切れている、請求項１１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記第１バンク及び前記第２バンクは、ネガ型のフォトレジストを塗布し、中心部分よりも周辺部分の光照射量が低くなる開口パターンを有するフォトマスクを介して前記フォトレジストを露光し、前記フォトレジストを現像することで形成する、請求項１２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第１スペーサは前記第１バンクと同等の断面形状を有し、前記第２スペーサは前記第２バンクと同等の断面形状を有する、請求項１２または１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１スペーサ及び前記第２スペーサの少なくとも一方は、順テーパー状の断面形状を有する、請求項１２または１３に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器やテレビなどの表示装置として各種分野で利用されている。近年では、液晶表示装置は、携帯電話などの携帯端末機器や、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置としても利用されている。
【０００３】
近年では、液晶表示装置、特にモバイル用途の製品において額縁部の縮小が求められている。このような狭額縁化の要望に対しては、アレイ基板と対向基板との合わせ精度を向上させ、且つ、シール材の位置精度も向上させ、さらにシール材の線幅を細くすることで、狭額縁化に対応しようとしている。例えば、従来の技術として、二酸化珪素を堆積しパターニングすることによって二重スペーサ壁を形成し、これらのスペーサ壁の間にシール材を配置する技術が提案されている。一方で、一対の基板間のセルギャップは、一方の基板上に有機系材料を用いて形成した柱状のスペーサによって制御する手法が主流である。
【０００４】
今日のモバイル用途の液晶表示装置は、高精細化が進み、アクティブエリアはより広く、周辺エリアの額縁部分はより狭くなる設計が求められている。そのため、一画素あたりの開口率（表示に寄与する面積）を確保するために、スペーサを微細パターンにする必要がある。スペーサーサイズが小さくなってくると、露光量のばらつきによりサイズ（幅および高さ）の制御が難しく、サイズのばらつきに起因してセルギャップが十分に制御できず、表示ムラを発生するおそれがある。
【０００５】
ところで、液晶表示装置に用いられる各種有機系材料（例えば配向膜など）には、透水性を有する材料が適用される場合がある。このような有機系材料を介して浸透した水分は、液晶層に侵入して液晶材料を変質させるおそれがある。また、液晶表示装置に適用された配線材料が浸透した水分の影響で腐食するおそれもある。また、浸透した水分の影響を受けて配向膜の配向規制力が低下するおそれもある。このような液晶材料の変質、配線材料の腐食、配向規制力の低下は、信頼性の低下を招くとともに、表示品位の劣化を招くおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２１９２３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本実施形態の目的は、信頼性の低下を抑制するとともに表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態によれば、
第１絶縁基板と、前記第１絶縁基板上に配置された絶縁膜と、画像を表示するアクティブエリアにおいて前記絶縁膜上に形成された画素電極と、前記画素電極を覆う第１配向膜と、を備えた第１基板と、第２絶縁基板と、前記第２絶縁基板の前記第１基板と対向する側に配置され前記第１配向膜と対向する第２配向膜と、を備えた第２基板と、前記第１基板及び前記第２基板のうちの一方の基板に形成され他方の基板を支持し、前記第１配向膜と前記第２配向膜との間にセルギャップを形成するドット状の第１スペーサと、前記第１基板及び前記第２基板のうちの他方の基板に形成され一方の基板から離間したドット状の第２スペーサと、前記セルギャップに保持された液晶層と、を備えた、液晶表示装置が提供される。
【０００９】
本実施形態によれば、
第１絶縁基板上に絶縁膜を形成し、画像を表示するアクティブエリアにおいて絶縁膜上に画素電極を形成し、前記画素電極上または前記絶縁膜上に第１スペーサをドット状に形成し、前記画素電極を覆う第１配向膜を形成した第１基板を用意し、アクティブエリアにおいて第２絶縁基板の前記第１基板と対向する側に前記第１スペーサとは異なる高さの第２スペーサをドット状に形成し、第２配向膜を形成した第２基板を用意し、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせ、前記第１スペーサまたは前記第２スペーサが他方の基板を支持して前記第１配向膜と前記第２配向膜との間にセルギャップを形成する、液晶表示装置の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態の液晶表示装置に適用可能な表示パネルＰＮＬの一例を概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの構造の一例を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、アレイ基板ＡＲの製造工程を説明するための図である。
【図４】図４は、対向基板ＣＴの製造工程を説明するための図である。
【図５】図５は、図１に示した表示パネルＰＮＬの構造の他の例を概略的に示す断面図である。
【図６】図６は、本実施形態に適用可能なフォトマスクの一例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１２】
図１は、本実施形態の液晶表示装置に適用可能な表示パネルＰＮＬの一例を概略的に示す平面図である。
【００１３】
すなわち、表示パネルＰＮＬは、アクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルであり、アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向配置された対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態でシール材ＳＥによって貼り合わせられている。このセルギャップは、アレイ基板ＡＲまたは対向基板ＣＴに形成された柱状の第１スペーサＳＰ１によって形成されている。液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間のセルギャップにおいてシール材ＳＥによって囲まれた内側に保持されている。
【００１４】
このような表示パネルＰＮＬは、シール材ＳＥによって囲まれた内側に、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。アクティブエリアＡＣＴは、例えば、略長方形状であり、ｍ×ｎ個のマトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている（但し、ｍ及びｎは正の整数である）。
【００１５】
アレイ基板ＡＲは、第１方向Ｘに沿って延出したゲート配線Ｇ、第１方向Ｘに直交する第２方向Ｙに沿って延出しゲート配線Ｇと交差するソース配線Ｓ、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓに接続されたスイッチング素子ＳＷ、スイッチング素子ＳＷに接続された画素電極ＰＥなどを備えている。液晶層ＬＱを介して画素電極ＰＥの各々と対向する対向電極ＣＥは、例えば対向基板ＣＴに備えられているが、アレイ基板ＡＲに備えられていても良い。
【００１６】
図示した例では、第１方向Ｘに隣接する３つの画素ＰＸ１乃至ＰＸ３の等価回路が示されている。これらの画素ＰＸ１乃至ＰＸ３は、互いに異なる色を表示する色画素であって、例えば画素ＰＸ１は赤色画素であり、画素ＰＸ２は緑色画素であり、画素ＰＸ３は青色画素である。つまり、３つの画素ＰＸ１乃至ＰＸ３がメイン画素に相当し、画素ＰＸ１乃至ＰＸ３のそれぞれがサブ画素に相当する。以下で「画素」という表記をした際にはサブ画素を意味するものとする。高精細仕様の場合、サブ画素の第１方向Ｘに沿った幅は２０μｍ以下である。
【００１７】
画素ＰＸ１では、スイッチング素子ＳＷ１はゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓ１に接続され、画素電極ＰＥ１はスイッチング素子ＳＷ１に接続され、液晶層ＬＱを介して対向電極ＣＥと対向している。画素ＰＸ２では、スイッチング素子ＳＷ２はゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓ２に接続され、画素電極ＰＥ２はスイッチング素子ＳＷ２に接続され、液晶層ＬＱを介して対向電極ＣＥと対向している。画素ＰＸ３では、スイッチング素子ＳＷ３はゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓ３に接続され、画素電極ＰＥ３はスイッチング素子ＳＷ３に接続され、液晶層ＬＱを介して対向電極ＣＥと対向している。
【００１８】
アクティブエリアＡＣＴにおいて、第１スペーサＳＰ１は、ドット状に形成され、第２方向Ｙに隣接する画素間に配置されている。この第１スペーサＳＰ１は、各画素に配置しても良いが、数画素置きに配置しても良い。図示した例では、第１スペーサＳＰ１は、第１方向Ｘ及び第２方向Ｙについて、１メイン画素置きに配置されている。
【００１９】
また、アクティブエリアＡＣＴにおいては、第１スペーサＳＰ１の他に、第２スペーサＳＰ２が配置されている。この第２スペーサＳＰ２は、第１スペーサＳＰ１とは異なり、主としてセルギャップを形成するために機能するものではない。詳細については後述するが、これらの第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２について、一方のスペーサがアレイ基板ＡＲに形成され、他方のスペーサが対向基板ＣＴに形成されている。
【００２０】
この第２スペーサＳＰ２は、ドット状に形成され、第２方向Ｙに隣接する画素間に配置され、第１方向Ｘに略等間隔で並んでいる。図示した例では、隣接する第１スペーサＳＰ１の間には５つの第２スペーサＳＰ２がライン上に並んでいる場合もあるし、複数の第２スペーサＳＰ２のみがライン上に並んでいる場合もある。なお、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２のレイアウトについては、図示した例に限らない。
【００２１】
駆動ＩＣチップ２及びフレキシブル・プリンテッド・サーキット（ＦＰＣ）基板３などの表示パネルＰＮＬの駆動に必要な信号を供給する信号供給源は、アクティブエリアＡＣＴよりも外側の周辺エリアＰＲＰに実装されている。これらの信号供給源としては、ゲート配線Ｇと接続されたゲートドライバ、ソース配線Ｓと接続されたソースドライバ、対向電極ＣＥにコモン電位を供給する給電部などが含まれている。
【００２２】
図示した例では、駆動ＩＣチップ２及びＦＰＣ基板３は、対向基板ＣＴの基板端部ＣＴＥよりも外側に延出したアレイ基板ＡＲの実装部ＭＴに実装されている。周辺エリアＰＲＰは、アクティブエリアＡＣＴを囲むエリアであり、シール材ＳＥが配置されるエリアを含み、矩形枠状に形成されている。
【００２３】
シール材ＳＥは、アクティブエリアＡＣＴを囲む矩形枠状に形成されている。また、図示した例では、周辺エリアＰＲＰには、第１バンクＢＫ１及び第２バンクＢＫ２がそれぞれ形成されている。これらの第１バンクＢＫ１及び第２バンクＢＫ２について、詳細は後述するが、一方のバンクがアレイ基板ＡＲに形成され、他方のバンクが対向基板ＣＴに形成されている。第１バンクＢＫ１及び第２バンクＢＫ２は、それぞれアクティブエリアＡＣＴを囲む矩形枠状に形成されている。つまり、第１バンクＢＫ１及び第２バンクＢＫ２は、それぞれ第１方向Ｘ及び第２方向Ｙに沿ってライン状に形成されている。
【００２４】
Ｘ−Ｙ平面内において、第１バンクＢＫ１と第２バンクＢＫ２とは重ならず、第１バンクＢＫ１と第２バンクＢＫ２との間には隙間が形成されている。また、第１バンクＢＫ１は周辺エリアＰＲＰのうちのパネル端部側（つまり、アクティブエリアＡＣＴから離れた側）に位置し、第２バンクＢＫ２は周辺エリアＰＲＰのうちのアクティブエリアＡＣＴに近接する側（つまり、アクティブエリアＡＣＴと第１バンクＢＫ１との間）に位置している。なお、第１バンクＢＫ１及び第２バンクＢＫ２は、図示した例に限らず、それぞれ複数本ずつ設けても良い。
【００２５】
これらの第１バンクＢＫ１及び第２バンクＢＫ２のうちの少なくとも一方はシール材ＳＥに包含されており、周辺エリアＰＲＰにおいてより外側に位置するバンクがシール材ＳＥに包含されていることが望ましい。図示した例では、第１バンクＢＫ１及び第２バンクＢＫ２の双方がシール材ＳＥに包含されている。
【００２６】
なお、表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードなどの主として縦電界を利用するモードや、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの主として横電界を利用するモードなどを適用可能に構成されている。横電界を利用するモードを適用した構成では、画素電極ＰＥ及び対向電極ＣＥの双方がアレイ基板ＡＲに備えられる。
【００２７】
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬの構造の一例を概略的に示す断面図である。なお、ここでは、画素電極ＰＥがアレイ基板ＡＲに備えられ、対向電極ＣＥが対向基板ＣＴに備えられた構成例の断面図を図示している。
【００２８】
アレイ基板ＡＲは、ガラス基板などの透明な第１絶縁基板１０を用いて形成されている。アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいては、第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴに対向する側に、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、画素電極ＰＥ、第１スペーサＳＰ１、第１配向膜ＡＬ１、図示しないスイッチング素子などを備えている。また、アレイ基板ＡＲは、周辺エリアＰＲＰにおいては、第１絶縁基板１０の対向基板ＣＴに対向する側に、アクティブエリアＡＣＴから延在した第１絶縁膜１１及び第２絶縁膜１２、外周配線Ｗ、第１バンクＢＫ１、第１配向膜ＡＬ１などを備えている。
【００２９】
第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上に配置されている。また、第１絶縁膜１１は、アクティブエリアＡＣＴのみならず周辺エリアＰＲＰにも延在している。この第１絶縁膜１１は、例えば、シリコン酸化物（ＳｉＯ）やシリコン窒化物（ＳｉＮ）などの無機系材料によって形成されており、無機系材料からなる絶縁層の単層構造であっても良いし、無機系材料からなる複数の絶縁層の積層構造であっても良い。
【００３０】
外周配線Ｗは、第１絶縁膜１１の上に形成されている。この外周配線Ｗは、ゲート配線Ｇやソース配線Ｓと同一層の配線材料によって形成されている。外周配線Ｗに適用される配線材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）、チタン（Ｔｉ）、銀（Ａｇ）などの単体、合金、複数の金属の積層体などが挙げられる。なお、ここでは、外周配線Ｗは、所望の電位の単なる配線であっても良いし、周辺エリアＰＲＰに配置される各種回路であっても良い。
【００３１】
第２絶縁膜１２は、層間絶縁膜であり、アクティブエリアＡＣＴのみならず周辺エリアＰＲＰにも延在し、第１絶縁膜の上に配置されている。この第２絶縁膜１２は、周辺エリアＰＲＰにおいて、外周配線Ｗを覆っている。より具体的には、第２絶縁膜１２は、外周配線Ｗの上面及び側面を覆っている。換言すると、外周配線Ｗは、外部に露出することなく、外気あるいは外気に含まれる水分に直接曝されることはない。このような第２絶縁膜１２は、その表面を平坦化するものであり、例えば透明な樹脂などの有機系材料によって形成されているが、透水性の低い材料であることが望ましい。なお、第２絶縁膜１２は、さらに透水性の低い無機系材料によって形成しても良いし、充填密度の高い材料によって形成しても良い。このような材料からなる第２絶縁膜１２が外周配線Ｗを覆うことにより、第２絶縁膜１２を介して浸透した水分による外周配線Ｗの腐食を抑制することが可能である。
【００３２】
画素電極ＰＥは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、第２絶縁膜１２の上に形成されている。画素電極ＰＥを形成する材料については、インジウム・ティン・オキサイド（ＩＴＯ）などの透明な導電材料でも良いし、アルミニウムなどの反射性の金属材料であっても良い。
【００３３】
第１バンクＢＫ１は、周辺エリアＰＲＰにおいて、第２絶縁膜１２の上に形成されている。図示した例では、第１バンクＢＫ１は、第２絶縁膜１２に接している底面よりも対向基板ＣＴ側の上面の方が拡大した逆テーパー状の断面形状を有している。また、第１バンクＢＫ１は、図示しないが、矩形状、つまり底面と上面とが略同一形状で略同一面積で対向した形状の断面形状を有していても良い。なお、第１バンクＢＫ１は、第２絶縁膜１２の上の領域のうち、第１絶縁基板１０の基板端部１０Ｅの近傍に位置していることが望ましい。このような第１バンクＢＫ１は、例えば樹脂材料によって形成されている。
【００３４】
第１スペーサＳＰ１は、アクティブエリアＡＣＴにおいて、画素電極ＰＥの上あるいは第２絶縁膜１２の上に形成され、その一部が画素電極ＰＥまたは第２絶縁膜１２の上に形成されていても良い。図示した例では、第１スペーサＳＰ１は、底面よりも上面の方が拡大した逆テーパー状の断面形状を有している。また、第１スペーサＳＰ１は、図示しないが、矩形状、つまり底面と上面とが略同一形状で略同一面積で対向した形状の断面形状を有していても良いし、順テーパー状、つまり上面よりも底面の方が拡大した断面形状を有していても良い。つまり、第１スペーサＳＰ１は、第１バンクＢＫ１と同等の断面形状を有していても良いし、異なる断面形状を有していても良い。なお、第１スペーサＳＰ１及び第１バンクＢＫ１の高さについては略同一である。このような第１スペーサＳＰ１は、例えば、第１バンクＢＫ１と同一の樹脂材料によって形成されている。つまり、第１バンクＢＫ１及び第１スペーサＳＰ１は、同一材料を用いて同一工程で一括して形成可能である。
【００３５】
第１配向膜ＡＬ１は、アクティブエリアＡＣＴにおいて、画素電極ＰＥを覆うとともに第２絶縁膜１２の上に配置されている。また、第１配向膜ＡＬ１は、周辺エリアＰＲＰにも延在し、第２絶縁膜１２の上に配置されている。この第１配向膜ＡＬ１は、詳述していないが、第１スペーサＳＰ１の上面及び第１バンクの上面にも配置されているものの、第１バンクＢＫ１の側面では途切れている。つまり、逆テーパー状の断面形状を有する第１バンクＢＫ１については、第１配向膜ＡＬ１によって完全に覆われることはなく、第１配向膜ＡＬ１のうち、第１バンクＢＫ１の上面に残った部分と、第２絶縁膜１２の上に配置された部分との間が分断されている。第１スペーサＳＰ１については、第１配向膜ＡＬ１によって完全に覆われていても良いし、第１バンクＢＫ１と同様に、第１スペーサＳＰ１の側面で第１配向膜ＡＬ１が途切れていても良い。
【００３６】
一方、対向基板ＣＴは、ガラス基板などの透明な第２絶縁基板２０を用いて形成されている。対向基板ＣＴは、アクティブエリアＡＣＴにおいては、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する側に、図示を省略したブラックマトリクス、カラーフィルタ２２、オーバーコート層２３、対向電極ＣＥ、第２スペーサＳＰ２、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。また、対向基板ＣＴは、周辺エリアＰＲＰにおいて、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲに対向する側に、周辺遮光層２４、アクティブエリアＡＣＴから延在したオーバーコート層２３、第２バンクＢＫ２、第２配向膜ＡＬ２などを備えている。
【００３７】
ブラックマトリクス及び周辺遮光層２４は、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。ブラックマトリクスは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、ゲート配線Ｇ、ソース配線Ｓ、スイッチング素子ＳＷなどの配線部と対向し、格子状に形成されている。周辺遮光層２４は、周辺エリアＰＲＰにおいて略全域に亘って延在し、アクティブエリアＡＣＴのブラックマトリクスと繋がっている。このような周辺遮光層２４は、例えば、黒色に着色された樹脂材料や、クロム（Ｃｒ）などの遮光性の金属材料によって形成されている。
【００３８】
カラーフィルタ２２は、アクティブエリアＡＣＴにおいて、第２絶縁基板２０のアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。このようなカラーフィルタ２２は、例えば、赤色、緑色、青色などにそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色画素には赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタが配置され、緑色画素には緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタが配置され、青色画素には青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタが配置されている。
【００３９】
オーバーコート層２３は、アクティブエリアＡＣＴにおいて、カラーフィルタ２２を覆うとともに、周辺エリアＰＲＰに延在し、周辺遮光層２４を覆っている。このようなオーバーコート層２３は、例えば透明な樹脂材料によって形成されている。
【００４０】
対向電極ＣＥは、アクティブエリアＡＣＴにおいて、オーバーコート層２３のアレイ基板ＡＲと対向する側に形成されている。このような対向電極ＣＥは、ＩＴＯなどの透明な導電材料によって形成されている。
【００４１】
第２バンクＢＫ２は、周辺エリアＰＲＰにおいて、オーバーコート層２３の上に形成されている。図示した例では、第２バンクＢＫ２は、オーバーコート層２３に接している底面よりもアレイ基板ＡＲ側の上面の方が拡大した逆テーパー状の断面形状を有している。また、第２バンクＢＫ２は、図示しないが、矩形状、つまり底面と上面とが略同一形状で略同一面積で対向した形状の断面形状を有していても良い。なお、第２バンクＢＫ２は、オーバーコート層２３の上の領域のうち、第２絶縁基板２０の基板端部２０Ｅの近傍に位置しているが、第１バンクＢＫ１の直上の位置よりアクティブエリアＡＣＴ側に位置している。このような第２バンクＢＫ２は、第１バンクＢＫ１と同様に、例えば樹脂材料によって形成されている。なお、第２バンクＢＫ２の高さは、第１バンクＢＫ１の高さとは異なり、図示した例では、第２バンクＢＫ２の高さ（オーバーコート層２３に接している底面から上面までの厚さ）は第１バンクＢＫ１の高さ（第２絶縁膜１２に接している底面から上面までの厚さ）よりも低い。
【００４２】
第２スペーサＳＰ２は、アクティブエリアＡＣＴにおいて、対向電極ＣＥの上に形成されている。図示した例では、第２スペーサＳＰ２は、底面よりも上面の方が拡大した逆テーパー状の断面形状を有している。また、第２スペーサＳＰ２は、図示しないが、矩形状、つまり底面と上面とが略同一形状で略同一面積で対向した形状の断面形状を有していても良いし、順テーパー状、つまり上面よりも底面の方が拡大した断面形状を有していても良い。つまり、第２スペーサＳＰ２は、第２バンクＢＫ２と同等の断面形状を有していても良いし、異なる断面形状を有していても良い。第２スペーサＳＰ２及び第２バンクＢＫ２の高さについては略同一である。なお、第２スペーサＳＰ２の高さは、第１スペーサＳＰ１の高さとは異なり、図示した例では、第２スペーサＳＰ２の高さ（対向電極ＣＥに接している底面から上面までの厚さ）は第１スペーサＳＰ１の高さ（画素電極ＰＥあるいは第２絶縁膜１２に接している底面から上面までの厚さ）よりも低い。このような第２スペーサＳＰ２は、例えば、第２バンクＢＫ２と同一の樹脂材料によって形成されている。つまり、第２バンクＢＫ２及び第２スペーサＳＰ２は、同一材料を用いて同一工程で一括して形成可能である。
【００４３】
第２配向膜ＡＬ２は、アクティブエリアＡＣＴにおいて、対向電極ＣＥを覆っている。また、第２配向膜ＡＬ２は、周辺エリアＰＲＰにも延在し、オーバーコート層２３を覆っている。この第２配向膜ＡＬ２は、詳述していないが、第２スペーサＳＰ２の上面及び第２バンクＢＫ２の上面にも配置されているものの、第２バンクＢＫ２の側面で途切れている。つまり、逆テーパー状の断面形状を有する第２バンクＢＫ２については、第２配向膜ＡＬ２によって完全に覆われることはなく、第２配向膜ＡＬ２のうち、第２バンクＢＫ２の上面に残った部分と、オーバーコート層２３を覆っている部分との間が分断されている。第２スペーサＳＰ２については、第２配向膜ＡＬ２によって完全に覆われていても良いし、第２バンクＢＫ２と同様に、第２スペーサＳＰ２の側面で第２配向膜ＡＬ２が途切れていても良い。
【００４４】
図示した例では、第１スペーサＳＰ１及び第１バンクＢＫ１の高さはアレイ基板ＡＲの第１配向膜ＡＬ１と対向基板ＣＴの第２配向膜ＡＬ２との間のセルギャップと同等である一方で、第２スペーサＳＰ２及び第２バンクＢＫ２の高さはセルギャップよりも小さい。つまり、第１スペーサＳＰ１及び第１バンクＢＫ１は、それぞれ第２配向膜ＡＬ２に接しており、対向基板ＣＴを支持するメインスペーサとして機能する。第２スペーサＳＰ２及び第２バンクＢＫ２は、それぞれ第１配向膜ＡＬ１には接しておらず、アレイ基板ＡＲから離間したサブスペーサとして機能する。
【００４５】
なお、第１スペーサＳＰ１及び第１バンクＢＫ１の高さと、第２スペーサＳＰ２及び第２バンクＢＫ２の高さとの大小関係を逆にしても良い。つまり、第２スペーサＳＰ２及び第２バンクＢＫ２のそれぞれが第１配向膜ＡＬ１に接しアレイ基板ＡＲを支持するメインスペーサとして機能する一方で、第１スペーサＳＰ１及び第１バンクＢＫ１は、それぞれ第２配向膜ＡＬ２には接しておらず、対向基板ＣＴから離間したサブスペーサとして機能するように構成しても良い。
【００４６】
上述したようなアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２が対向するように配置され、主として第１スペーサＳＰ１により所定のセルギャップが形成された状態でシール材ＳＥによって貼り合わせられている。第１バンクＢＫ１及び第２バンクＢＫ２は、シール材ＳＥによって包囲されている。つまり、第１バンクＢＫ１のうちの側面、及び、第２バンクＢＫ２のうちの側面は、いずれもシール材ＳＥによって覆われている。また、第２バンクＢＫ２とアレイ基板ＡＲとの間には、シール材ＳＥが介在している。
【００４７】
液晶層ＬＱは、シール材ＳＥによって囲まれた内側に封入されている。第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２は、液晶層ＬＱによって包囲されている。つまり、第１スペーサＳＰ１のうちの側面、及び、第２スペーサＳＰ２のうちの側面は、いずれも液晶層ＬＱによって覆われている。また、第２スペーサＳＰ２とアレイ基板ＡＲとの間には、液晶層ＬＱが介在している。
【００４８】
第１絶縁基板１０の外面には、第１偏光板ＰＬ１を含む第１光学素子ＯＤ１が配置されている。第２絶縁基板２０の外面には、第２偏光板ＰＬ２を含む第２光学素子ＯＤ２が接着されている。
【００４９】
次に、上述した表示パネルＰＮＬの製造方法の一例について説明する。なお、表示パネルＰＮＬを製造するに際しては、複数のアレイ基板ＡＲを一括して形成する第１マザー基板、及び、複数の対向基板ＣＴを一括して形成する第２マザー基板をそれぞれ用意し、これらの第１マザー基板及び第２マザー基板を貼り合わせた後に、単個の表示パネルＰＮＬに割断する手法を採用する場合があるが、ここでは簡略化して説明する。
【００５０】
図３は、アレイ基板ＡＲの製造工程を説明するための図である。
【００５１】
まず、図中の（ａ）で示したように、第１絶縁基板１０の上に、第１絶縁膜１１を形成する。その後、周辺エリアＰＲＰにおいて、第１絶縁膜１１の上に外周配線Ｗ等を形成するとともに、アクティブエリアＡＣＴにおいては図示しないがゲート配線やソース配線などの各種配線を形成する。その後、第２絶縁膜１２を形成する。なお、図示を省略しているが、これらの製造過程でスイッチング素子も同時に形成する。第２絶縁膜１２は、無機系材料で形成しても良いし、有機系材料で形成しても良い。その後、アクティブエリアＡＣＴにおいては、第２絶縁膜１２の上に画素電極ＰＥを形成し、スイッチング素子と電気的に接続する。
【００５２】
続いて、フォトリソグラフィープロセスにより、第１スペーサＳＰ１及び第１バンクＢＫ１を形成する。すなわち、図中の（ｂ）で示したように、アクティブエリアＡＣＴ及び周辺エリアＰＲＰにおいて、第２絶縁膜１２の上及び画素電極ＰＥの上にレジストＲ１を塗布する。レジストＲ１を塗布する手法については、特に問わないが、例えばスリットコーターやスピンコーターなどを用いる手法が適用可能である。このレジストＲ１は、比較的厚い膜厚で塗布され、例えば３．５μｍの膜厚で塗布される。レジストＲ１としては、例えば光照射によって硬化するネガ型のフォトレジストが適用可能である。このようなレジストＲ１を塗布した後に、所望の開口パターンが形成されたフォトマスクＰＭ１を介してレジストＲ１を露光する。フォトマスクＰＭ１の開口パターンは、例えば中心部分よりも周辺部分の光照射量が低くなるように形成されている。レジストＲ１のうち、開口パターンを介して露光された領域は硬化が進行する。
【００５３】
続いて、図中の（ｃ）で示したように、レジストＲ１を現像することで、アクティブエリアＡＣＴにおいては画素電極ＰＥの上に第１スペーサＳＰ１を形成するとともに、周辺エリアＰＲＰにおいては第２絶縁膜１２の上に第１バンクＢＫ１を形成する。すなわち、現像処理により、レジストＲ１のうちの未硬化部分が除去され、硬化した部分のみが逆テーパー状の断面を有する形で残り、アクティブエリアＡＣＴにおいてはドット状の第１スペーサＳＰ１が形成され、周辺エリアＰＲＰにおいてはアクティブエリアＡＣＴを囲むライン状の第１バンクＢＫ１が形成される。このようにして形成された第１スペーサＳＰ１の寸法の一例として、画素電極ＰＥに接している底面からの高さＨ１は３．３μｍであり、上面の幅Ｗ１は５μｍであった。第１バンクＢＫ１の寸法についても第１スペーサＳＰ１と同等であった。
【００５４】
続いて、図中の（ｄ）で示したように、画素電極ＰＥ、第１スペーサＳＰ１、第２絶縁膜１２、及び、第１バンクＢＫ１の上から配向膜材料を印刷する。配向膜材料の印刷は、アクティブエリアＡＣＴ及び周辺エリアＰＲＰの全面に対して一括して行う。印刷する配向膜材料の膜厚は、例えば、０．０５μｍ〜０．１μｍ程度である。このようにして印刷された配向膜材料は、画素電極ＰＥ及び第２絶縁膜１２の上に配置されるとともに、第１スペーサＳＰ１及び第１バンクＢＫ１の上面にも配置される（図中では第１スペーサＳＰ１及び第１バンクＢＫ１の上面の配向膜材料を省略している）。一方で、第１バンクＢＫ１のみならず第１スペーサＳＰ１が逆テーパー状に形成されているため、印刷された配向膜材料は、第１バンクＢＫ１及び第１スペーサＳＰ１の側面に塗布されない。このため、周辺エリアＰＲＰにおいて、ライン状の第１バンクＢＫ１を挟んで内側（つまりアクティブエリアＡＣＴに隣接する側）と外側（第１絶縁基板１０の基板端部１０Ｅ側）とで第１配向膜ＡＬ１が分断される。つまり、第１バンクＢＫ１によって囲まれた内側に位置する第１配向膜ＡＬ１は、第１バンクＢＫ１の外側の領域とは繋がっていない。なお、第１配向膜ＡＬ１には必要に応じて配向処理を行っても良い。
【００５５】
以上の工程を経てアレイ基板ＡＲが製造される。
【００５６】
続いて、図中の（ｅ）で示したように、シール材ＳＥを形成する。このシール材ＳＥは、ディスペンサーを用いて描画しても良いし、印刷版を用いて印刷しても良い。このようなシール材ＳＥは、第１バンクＢＫ１を包含するようにアクティブエリアＡＣＴを囲む矩形枠状に形成される。
【００５７】
図４は、対向基板ＣＴの製造工程を説明するための図である。
【００５８】
まず、図中の（ａ）で示したように、第２絶縁基板２０の上に、アクティブエリアＡＣＴにおいては図示しないブラックマトリクスやカラーフィルタ２２を形成し、周辺エリアＰＲＰにおいては周辺遮光層２４を形成した後に、オーバーコート層２３を形成する。その後、アクティブエリアＡＣＴにおいて、オーバーコート層２３の上に対向電極ＣＥを形成する。
【００５９】
続いて、フォトリソグラフィープロセスにより、第２スペーサＳＰ２及び第２バンクＢＫ２を形成する。すなわち、図中の（ｂ）で示したように、オーバーコート層２３の上にレジストＲ２を塗布する。レジストＲ２を塗布する手法については、レジストＲ１を塗布する手法と同様の手法が適用可能である。このレジストＲ２は、レジストＲ１よりも薄い膜厚で塗布され、例えば３．１μｍの膜厚で塗布される。レジストＲ２としては、例えばネガ型のフォトレジストが適用可能である。このようなレジストＲ２を塗布した後に、所望の開口パターンが形成されたフォトマスクＰＭ２を介してレジストＲ２を露光する。フォトマスクＰＭ２の開口パターンは、例えば中心部分よりも周辺部分の光照射量が低くなるように形成されている。レジストＲ２のうち、開口パターンを介して露光された領域は硬化が進行する。
【００６０】
続いて、図中の（ｃ）で示したように、レジストＲ２を現像することで、アクティブエリアＡＣＴにおいては対向電極ＣＥの上に第２スペーサＳＰ２を形成するとともに、周辺エリアＰＲＰにおいてはオーバーコート層２３の上に第２バンクＢＫ２を形成する。すなわち、現像処理により、レジストＲのうちの未硬化部分が除去され、硬化した部分のみが逆テーパー状の断面を有する形で残り、アクティブエリアＡＣＴにおいてはドット状の第２スペーサＳＰ２が形成され、周辺エリアＰＲＰにおいてはアクティブエリアＡＣＴを囲むライン状の第２バンクＢＫ２が形成される。このようにして形成された第２スペーサＳＰ２の寸法の一例として、対向電極ＣＥに接している底面からの高さＨ２は２．９μｍであり、上面の幅Ｗ２は５μｍであった。第２バンクＢＫ２の寸法についても第２スペーサＳＰ２と同等であった。
【００６１】
続いて、図中の（ｄ）で示したように、対向電極ＣＥ、第２スペーサＳＰ２、オーバーコート層２３、及び、第２バンクＢＫ２の上から配向膜材料を印刷する。配向膜材料の印刷は、アクティブエリアＡＣＴ及び周辺エリアＰＲＰの全面に対して一括して行う。印刷する配向膜材料の膜厚は、例えば、０．０５μｍ〜０．１μｍ程度である。このようにして印刷された配向膜材料は、対向電極ＣＥ及びオーバーコート層２３の上に配置されるとともに、第２スペーサＳＰ２及び第２バンクＢＫ２の上面に配置される（図中では第２スペーサＳＰ２及び第２バンクＢＫ２の上面の配向膜材料を省略している）。一方で、第２バンクＢＫ２のみならず第２スペーサＳＰ２が逆テーパー状に形成されているため、印刷された配向膜材料は、第２バンクＢＫ２及び第２スペーサＳＰ２の側面に塗布されない。このため、周辺エリアにおいて、ライン状の第２バンクＢＫ２を挟んで内側（つまりアクティブエリアＡＣＴに隣接する側）と外側（第２絶縁基板２０の基板端部２０Ｅ側）とで第２配向膜ＡＬ２が分断される。つまり、第２バンクＢＫ２によって囲まれた内側に位置する第２配向膜ＡＬ２は、第２バンクＢＫ２の外側の領域とは繋がっていない。なお、第２配向膜ＡＬ２には必要に応じて配向処理を行っても良い。
【００６２】
以上の工程を経て対向基板ＣＴが製造される。
【００６３】
その後、上記のアレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとを貼り合わせる。このとき、第１スペーサＳＰ１及び第１バンクＢＫ１は対向基板ＣＴを支持し、第２スペーサＳＰ２及び第２バンクＢＫ２はアレイ基板ＡＲから離間している。アレイ基板ＡＲ及び対向基板ＣＴを貼り合わせるに際しては、例えばアレイ基板ＡＲに閉ループ状のシール材ＳＥを形成し、シール材ＳＥで囲まれた内側に液晶材料を滴下した後に、対向基板ＣＴと貼り合わせる手法を適用しても良いし、アレイ基板ＡＲに液晶注入口を有するシール材ＳＥを形成し、対向基板ＣＴと貼り合わせた後に、液晶注入口から液晶材料を注入し、封止する手法を適用しても良い。これにより、図２に示したような断面構造を有する表示パネルＰＮＬが製造される。
【００６４】
このような本実施形態によれば、アクティブエリアＡＣＴにおいて、主としてセルギャップを形成するための第１スペーサ（メインスペーサ）ＳＰ１及び第１スペーサＳＰ１よりも低い高さの第２スペーサ（サブスペーサ）ＳＰ２がそれぞれ配置されている。このため、第１スペーサＳＰ１によりセルギャップを均一に保持しつつ、且つ、外部から押圧されるような応力が加わった際に第２スペーサＳＰ２が機能してクッション性を向上することができ、外部からの押圧力に対する強度を向上することが可能となる。しかも、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２は互いに異なる基板に形成されている（一例として、第１スペーサＳＰ１はアレイ基板ＡＲに形成され、第２スペーサＳＰ２は対向基板ＣＴに形成されている）。このため、高さの異なる２種類のスペーサを一括して形成する場合と比較して、それぞれのスペーサを安定したサイズ（高さ及び幅）で形成することが可能となる。特に、高精細化の要求に対して微細パターンが必要とされる場合であっても、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２をそれぞれ所望のサイズで容易且つ安定的に形成することが可能となる。したがって、セルギャップの不均一、あるいは、セルギャップのムラに起因した表示品位の劣化を抑制することが可能となる。
【００６５】
また、低温環境において液晶材料が収縮した状態で外部から大きな衝撃が加わったとしても、第２スペーサＳＰ２がクッションの役割を果たし、液晶層ＬＱでの気泡（低温気泡）の発生を抑制することが可能となる。したがって、信頼性の低下を抑制することが可能となる。
【００６６】
また、本実施形態によれば、アレイ基板ＡＲは、周辺エリアＰＲＰにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有しライン状に形成された第１バンクＢＫ１と、第１バンクＢＫ１の側面で途切れた第１配向膜ＡＬ１と、を備えている。また、対向基板ＣＴは、周辺エリアＰＲＰにおいて逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有しライン状に形成された第２バンクＢＫ２と、第２バンクＢＫ２の側面で途切れた第２配向膜ＡＬ２と、を備えている。つまり、第１配向膜ＡＬ１は第１バンクＢＫ１を挟んでその内側と外側とで分断され、第２配向膜ＡＬ２は第２バンクＢＫ２を挟んでその内側と外側とで分断される。
【００６７】
これにより、たとえ第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２の端部が外部に露出したとしても、第１配向膜ＡＬ１の端部から浸透した水分の第１バンクＢＫ１よりも内側への更なる浸透、及び、第２配向膜ＡＬ２の端部から浸透した水分の第２バンクＢＫ２よりも内側への更なる浸透を抑制することが可能となる。したがって、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２を介して浸透した水分による不具合の発生（液晶層への水分の侵入、配線材料の腐食、配向膜の配向規制力の低下など）を抑制することが可能となる。
【００６８】
特に、近年では、高精細化及び狭額縁化の要望が高まり、シール材ＳＥから基板端部１０Ｅ及び２０Ｅまでの距離が短くなってきているため、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの貼り合わせのマージンなどを考慮すると、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２は、所望の領域のみに印刷して形成する（つまり、配向膜の端部が外部に露出しないように形成する）には、高い精度が要求される。
【００６９】
このような課題に対して、本実施形態では、比較的ラフな印刷技術でアクティブエリアＡＣＴ及び周辺エリアＰＲＰの全面に亘って配向膜材料を印刷することで第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２を形成している。印刷された配向膜材料は、逆テーパー状あるいは矩形状の断面形状を有する第１バンクＢＫ１の側面及び第２バンクＢＫの側面で途切れるため、第１バンクＢＫ１の内側と外側に位置する第１配向膜ＡＬ１を分断するとともに、第２バンクＢＫ２の内側と外側に位置する第１配向膜ＡＬ１を分断している。このため、第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２から浸透した水分の透過経路を遮断することが可能となる。このため、信頼性の低下及び表示品位の劣化の抑制を実現しつつ、高精細化及び狭額縁化に対応することが可能となる。
【００７０】
また、第１バンクＢＫ１及び第２バンクＢＫ２は、アクティブエリアＡＣＴを囲む連続的な枠状に形成されているため、アクティブエリアを囲む全周に亘って第１配向膜ＡＬ１及び第２配向膜ＡＬ２を介した水分の透過経路をより低減することが可能となる。
【００７１】
また、第１バンクＢＫ１は、第２バンクＢＫ２よりもアレイ基板ＡＲの基板端部１０Ｅ側に位置している。つまり、第１バンクＢＫ１は、表示パネルＰＮＬのより端部に近い位置で水分の透過経路を遮断し、第１配向膜ＡＬ１への水分の浸透をより抑制することが可能となるため、同一基板上の外周配線Ｗへの水分の到達をより抑制することが可能となる。
【００７２】
また、第１バンクＢＫ１及び第１スペーサＳＰ１は同一材料を用いて一括して形成することが可能であり、また、第２バンクＢＫ２及び第２スペーサＳＰ２は同一材料を用いて一括して形成することが可能であるため、製造工程の増加を抑制することが可能となる。また、第１バンクＢＫ１及び第１スペーサＳＰ１を同時に形成するに際して、フォトマスクの開口パターンに応じて、第１バンクＢＫ１及び第１スペーサＳＰ１の断面形状を同等にすることも可能であるし、異ならせることも可能である。この点については、第２バンクＢＫ２及び第２スペーサＳＰ２を同時に形成するに際しても同様のことが言える。
【００７３】
次に、他の構造例について説明する。すなわち、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２の少なくとも一方は、順テーパー状の断面形状を有していても良い。
【００７４】
図５は、図１に示した表示パネルＰＮＬの構造の他の例を概略的に示す断面図である。
【００７５】
ここに示した構造例は、図２に示した構造例と比較して、第１スペーサＳＰ１及び第２スペーサＳＰ２がいずれも順テーパー状の断面形状を有する点で相違している。すなわち、アクティブエリアＡＣＴにおいて、アレイ基板ＡＲに備えられた第１スペーサＳＰ１は対向基板ＣＴを向く上面よりも画素電極ＰＥまたは第２絶縁膜１２に接する底面の方が拡大した断面形状を有し、また、対向基板ＣＴに備えられた第２スペーサＳＰ２はアレイ基板ＡＲを向く上面よりもオーバーコート層２３に接する底面の方が拡大した断面形状を有している。
【００７６】
ここに示した構造例においては、アレイ基板ＡＲは、アクティブエリアＡＣＴにおいて順テーパー状の断面形状を有する第１スペーサＳＰ１を備えている一方で、周辺エリアＰＲＰにおいては逆テーパー状（あるいは矩形状）の断面形状を有する第１バンクＢＫ１を備えている。この第１スペーサＳＰ１は、例えば、第１バンクＢＫ１と同一の樹脂材料によって形成されている。つまり、第１バンクＢＫ１及び第１スペーサＳＰ１は、同一材料を用いて同一工程で一括して形成可能である。
【００７７】
また、対向基板ＣＴは、アクティブエリアＡＣＴにおいて順テーパー状の断面形状を有する第２スペーサＳＰ２を備えている一方で、周辺エリアＰＲＰにおいては逆テーパー状（あるいは矩形状）の断面形状を有する第２バンクＢＫ２を備えている。この第２スペーサＳＰ２は、例えば、第２バンクＢＫ２と同一の樹脂材料によって形成されている。つまり、第２バンクＢＫ２及び第２スペーサＳＰ２は、同一材料を用いて同一工程で一括して形成可能である。
【００７８】
例えば、上記した製造工程と同様のフォトリソグラフィープロセスがここでも適用可能である。すなわち、ネガ型のフォトレジストを塗布した後に、所望の開口パターンが形成されたフォトマスクを介してフォトレジストを露光する。その後、フォトレジストを現像することで、第１バンクＢＫ１及び第１スペーサＳＰ１が同時に形成され、また、第２バンクＢＫ２及び第２スペーサＳＰ２が同時に形成される。ただし、ここで適用されるフォトマスクについては、工夫が必要である。
【００７９】
なお、その他の構成については、図２に示した構造例と同一であり、詳細な説明を省略する。
【００８０】
図６は、本実施形態に適用可能なフォトマスクの一例を示す平面図である。
【００８１】
図中の（Ａ）で示したフォトマスクの開口パターンＡＰ１は、第１スペーサＳＰ１または第２スペーサＳＰ２をドット状に形成するのに適用される。開口パターンＡＰ１は、図示した例では四角形である。開口パターンＡＰ１の周囲は、遮光されている。このような開口パターンＡＰ１を介して露光されたネガ型のフォトレジストは、開口パターンＡＰ１の中心部を中心に硬化が進行し、現像により、順テーパー状の断面形状を有する第１スペーサＳＰ１または第２スペーサＳＰ２を形成することができる。
【００８２】
図中の（Ｂ）で示した開口パターンＡＰ２は、第１バンクＢＫ１または第２バンクＢＫ２をライン状に形成するのに適用される。開口パターンＡＰ２は、図示した例では、直線状に延出している。開口パターンＡＰ２は、複数のパターンからなる。すなわち、中央部のライン状のパターンＡＰ２１は、比較的幅広である。パターンＡＰ２１を挟んだ両側に位置するライン状のパターンＡＰ２２は、パターンＡＰ２１よりも狭い幅を有している。パターンＡＰ２１は、その幅方向に間隔をおいて複数本並んでおり、例えば、中央部のパターンＡＰ２１から離れるにしたがって幅が狭くなるように形成されている。これにより、開口パターンＡＰ２は、中心部よりも周辺部分の光照射量が低くなるように形成されている。このような開口パターンＡＰ２を介してネガ型のフォトレジストを露光した際には以下のような現象が生ずる。すなわち、フォトレジストのうち、開口パターンＡＰ２の中心部のパターンＡＰ２１を介して露光された領域は中心に深部まで硬化が進行し、パターンＡＰ２１の周辺部分に位置するパターンＡＰ２２を介して露光された領域においては表面付近のみ硬化が進行し、深部まで硬化しにくい。このように露光されたフォトレジストを現像することにより、逆テーパー状の断面形状を有する第１バンクＢＫ１または第２バンクＢＫ２を形成することができる。
【００８３】
つまり、図中の（Ａ）で示した開口パターンＡＰ１と（Ｂ）で示した開口パターンＡＰ２とを有する単一のフォトマスクを介してネガ型のフォトレジストを露光し、現像することで、逆テーパー状の第１バンクＢＫ１及び順テーパー状の第１スペーサＳＰ１を同時に形成することが可能であり、同様に、逆テーパー状の第２バンクＢＫ２及び順テーパー状の第２スペーサＳＰ２を同時に形成することが可能である。
【００８４】
主としてセルギャップを形成するメインスペーサとして機能する第１スペーサＳＰ１が順テーパー状の断面を有することで、逆テーパー状の断面を有する第１スペーサＳＰ１を適用した場合と比較して、基板の支持強度を向上することができる。また、サブスペーサとして機能する第２スペーサＳＰ２が順テーパー状の断面を有することで、逆テーパー状の断面を有する第２スペーサＳＰ２を適用した場合と比較して、外部からの押圧力に対する強度をさらに向上することが可能となる。
【００８５】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制するとともに表示品位の劣化を抑制することが可能な液晶表示装置及びその製造方法を提供することができる。
【００８６】
なお、この発明は、上記実施形態そのものに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。
【符号の説明】
【００８７】
ＰＮＬ…表示パネル  ＡＲ…アレイ基板  ＣＴ…対向基板  ＬＱ…液晶層
ＡＣＴ…アクティブエリア  ＰＲＰ…周辺エリア
ＰＥ…画素電極  ＣＥ…対向電極
１１…第１絶縁膜  １２…第２絶縁膜
ＢＫ１…第１バンク  ＢＫ２…第２バンク
ＡＬ１…第１配向膜  ＡＬ２…第２配向膜
Ｗ…外周配線
ＳＥ…シール材
【図１】
2014119710.tif 000003
【図２】
2014119710.tif 000004
【図３】
2014119710.tif 000005
【図４】
2014119710.tif 000006
【図５】
2014119710.tif 000007
【図６】
2014119710.tif 000008