(57)【要約】【課題】インプリント装置において、基板にモールドのパターンを転写する上で有利な技術を提供する。【解決手段】パターンが形成されたモールドと基板上の樹脂とを接触させた状態で前記樹脂を硬化させ、前記硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置は、前記モールドを保持して移動可能なモールド保持部と、前記基板を保持して移動可能な基板保持部と、前記モールドと前記基板との距離に基づいて、前記モールドと前記基板との距離を変更することを妨げる抗力を決定する決定部と、前記モールドと前記基板との相対位置を制御するための情報を前記抗力に基づいて補正する補正部と、を含む。【選択図】図１
2014022527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パターンが形成されたモールドと基板上の樹脂とを接触させた状態で前記樹脂を硬化させ、前記硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記モールドを保持して移動可能なモールド保持部と、
前記基板を保持して移動可能な基板保持部と、
前記モールドと前記基板との距離に基づいて、前記モールドと前記基板との距離を変更することを妨げる抗力を決定する決定部と、
前記モールドと前記基板との相対位置を制御するための情報を前記抗力に基づいて補正する補正部と、
を含むことを特徴とするインプリント装置。
【請求項２】
前記モールドに力を加えて前記パターンを変形させる変形部を更に含み、
前記補正部は、前記変形部を制御するための情報を前記抗力に基づいて補正することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記抗力は、前記抗力をＦ、前記モールドと前記基板との距離をｈ、前記モールドと前記基板との相対速度をｄｈ／ｄｔ、係数をＫとするとき、
2014022527.tif 000004
によって表されることを特徴とする請求項１又は２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記係数は、前記モールドと前記基板との間における気体の粘性係数、および前記モールドと前記基板とが重なり合う面積によって決定されることを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記基板上の位置と当該位置における前記係数との対応関係を表す情報を記憶する記憶部を更に含み、
前記決定部は、インプリント処理が行われる前記基板上の位置に対応した前記係数を前記記憶部に記憶された情報によって取得することを特徴とする請求項３又は４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記モールドと前記基板との相対位置を制御するための情報は、前記モールド保持部を制御するための情報、および前記基板保持部を制御するための情報のうち少なくとも一方を含むことを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項に記載のインプリント装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載のインプリント装置を用いてパターンを前記基板に形成するステップと、
前記ステップでパターンが形成された前記基板を加工するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項８】
パターンが形成されたモールドと基板上の樹脂とを接触させた状態で前記樹脂を硬化させ、前記硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント方法であって、
前記モールドと前記基板との距離に基づいて、前記モールドと前記基板との距離を変更することを妨げる抗力を決定する決定工程と、
前記モールドと前記基板との相対位置を制御するための情報を前記抗力に基づいて補正する補正工程と、
を含むことを特徴とするインプリント方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、磁気記憶媒体や半導体デバイスなどの量産用ナノリソグラフィ技術の１つとして注目されている。インプリント技術は、微細なパターンが形成されたモールドを、基板上に供給された樹脂に押し付け、その状態で樹脂を硬化させる技術である。硬化した樹脂からモールドを剥離することで、基板上にモールドのパターンを転写することができる。
【０００３】
近年、半導体デバイスなどの製造では、複数のパターンを１つの基板上に重ね合わせる工程が必要であるほか、回路パターンの微細化も進んでいる。そのため、インプリント技術において、パターンが形成されるべき基板上の領域にモールドのパターンを高精度に転写することが重要である。そこで、特許文献１には、モールドに、基板上のマークに対応するマーク、およびそのマークの位置を取得するためのマークを備え、モールドと基板とをアライメントする方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４１８５９４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
インプリント処理においてモールドと基板との距離を変更する際、モールドと基板との間における気体の流れに起因して、それらの距離を変更することを妨げる抗力が生じる。このような抗力は、モールドと基板との相対位置を制御するときの外乱となる。そのため、モールドと基板との距離を変更する際に、それらが傾いた状態で接触したり、それらの相対位置が基板面と平行な方向にずれたりしうる。その結果、モールドと基板とを高精度にアライメントすることが困難となり、基板上に形成されたパターンにおいて位置ずれや欠損が発生しうる。
【０００６】
そこで、本発明は、インプリント装置において、基板にモールドのパターンを転写する上で有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、パターンが形成されたモールドと基板上の樹脂とを接触させた状態で前記樹脂を硬化させ、前記硬化した樹脂から前記モールドを剥離することで前記基板上にパターンを転写するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記モールドを保持して移動可能なモールド保持部と、前記基板を保持して移動可能な基板保持部と、前記モールドと前記基板との距離に基づいて、前記モールドと前記基板との距離を変更することを妨げる抗力を決定する決定部と、前記モールドと前記基板との相対位置を制御するための情報を前記抗力に基づいて補正する補正部と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、インプリント装置において、基板にモールドのパターンを転写する上で有利な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態のインプリント装置を示す図である。
【図２】モールドと基板との間における気体の流れを示す図である。
【図３】モールドと基板との位置関係を示す図である。
【図４】第１実施形態の制御系を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、各図において、基板面上で互いに直交する方向をそれぞれｘ方向およびｙ方向とし、基板面に垂直な方向をｚ方向とする。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態のインプリント装置１００について、図１を参照して説明する。インプリント装置は、半導体デバイスなどの製造に使用され、パターンが形成されたモールドを基板上の樹脂に押し付けた状態で樹脂を硬化させ、硬化した樹脂からモールドを剥離することで基板上にパターンを転写するインプリント処理を行う。インプリント装置１００は、モールド１を保持するモールド保持部１０と、基板２を保持する基板保持部２０と、モールド１を変形させる変形部１５と、基板上の樹脂に紫外光を照射する光照射部３０と、基板２に樹脂を塗布する塗布部４０とを含む。また、インプリント装置１００は、インプリント処理を制御するための制御系５０として、第１制御部５１と、第２制御部５２と、第３制御部５３と、決定部５４と、補正部５５と、記憶部５６とを含む。
【００１２】
モールド１は、通常、石英など紫外線を透過させることができる材料で作製されており、基板側の面の一部には、基板上の樹脂に転写する凹凸のパターン１ａが形成されている。また、モールド１の基板側の面と反対側の面には、パターン１ａが形成された部分の厚みが薄くなるように掘り込まれた凹部１ｂが形成されている。このように、パターン１ａが形成された部分を薄くすることで、後述する気室１４に圧力を加えたときにモールド１が変形しやすい状態にしている。基板２は、例えば、単結晶シリコン基板やＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板が用いられる。基板２の上面（非処理面）には、後述する塗布部４０によって紫外線硬化樹脂（以下、樹脂）が塗布され、基板２に塗布された樹脂にモールド１が押し付けられる。樹脂にモールド１が押し付けられた状態で紫外線３１ａを照射することによって樹脂が硬化し、硬化した樹脂からモールド１が剥離されることによって樹脂にモールド１のパターン１ａが転写される。
【００１３】
モールド保持部１０は、モールドチャック１１と、位置計測部１２とを含む。モールドチャック１１は、ｚ方向に推力を発生させるアクチュエータ１３を介して構造体３に固定されており、真空吸着力や静電力などによりモールド１を保持する。モールドチャック１１にはモールド１と接触する面に凹部１１ａが形成されており、モールドチャック１１の凹部１１ａは、モールド１により覆われてほぼ密閉された空間となる。モールドチャック１１の凹部１１ａとモールド１の凹部１ｂとによって規定される空間を、以下では気室１４と呼ぶ。気室１４は、配管１４ａを介して変形部１５に接続されている。変形部１５は、気室１４に圧縮空気を供給する供給源と気室１４を真空にする供給源とを切り替えるための切換え弁やサーボバルブなどの圧力調整器１５ａを含む。この変形部１５によってインプリント処理時に気室１４の圧力を制御し、モールド１を基板２に向かって凸型の形状に変形させることができる。このように、モールド１を変形させてインプリント処理を行うと、モールド１はその中心部から基板２に接触していくため、モールド１のパターン１ａに気泡が閉じ込められることが抑制され、基板上に転写されるパターンの欠損を防止することができる。アクチュエータ１３は、例えば、３個以上用いることによって、モールドチャック１１（モールド１）の位置および姿勢をｚ方向、ｘ軸まわりの回転（θｘ）、およびｙ軸まわりの回転（θｙ）について制御することができる。また、位置計測部１２は、例えば、エンコーダや干渉計、静電容量センサなどを含み、モールドチャック１１の位置を計測する。位置計測部１２は、例えば、３個以上のエンコーダを含む場合、モールドチャック１１におけるｚ方向の位置、ｘ軸を中心にしたθｘ回転量、およびｙ軸を中心にしたθｙ回転量を計測することができる。ここで、モールド保持部１０が固定される構造体３は、インプリント装置が固定された場所（床）からの振動を抑制するため、床に固定された定盤６によって、支持台５および空気ばね４を介して支持されている。また、構造体３を支持台５および定盤６と一体化し、定盤６の下に空気ばね４を挿入する構成にしてもよく、この場合も床からの振動を抑制できる。また、第１実施形態において変形部１５は、気室１４の圧力を調整してモールド１を変形しているが、例えば、圧電素子などによってモールド１の側面から力を加えてモールド１を変形してもよい。
【００１４】
基板保持部２０は、基板チャック２１と、ステージ駆動部２２と、位置計測部２３とを含む。基板チャック２１は、ｚ方向に推力を発生させるアクチュエータ２４を介してステージ駆動部２２に固定されており、真空吸着力や静電力などにより基板２を保持する。アクチュエータ２４は、例えば、３個以上用いることによって、基板チャック２１（基板２）の位置および姿勢をｚ方向、ｘ軸まわりの回転（θｘ）、およびｙ軸まわりの回転（θｙ）について制御することができる。ステージ駆動部２２は、例えば、リニアモーターを含み、基板チャック２１をｘ方向およびｙ方向に移動可能にする。また、位置計測部２３は、例えば、エンコーダや干渉計、静電容量センサなどを含み、基板チャック２１の位置を計測する。位置計測部２３は、例えば、干渉計を含む場合、基板チャック２１におけるｘ方向、ｙ方向およびｚ方向の位置、並びにθｘ回転量、θｙ回転量およびθｚ回転量（ｚ軸まわりの回転量）を計測することができる。
【００１５】
光照射部３０は、光源３１と光学素子３２を含む。光源３１は、基板２に塗布された樹脂を硬化させる紫外線３１ａを射出する。光学素子３２は、光源３１から射出された紫外線３１ａを折り曲げるミラーで構成され、インプリント処理の際にモールド１を介して基板上の樹脂に紫外線３１ａを照射する。第１実施形態のインプリント装置１００では、パターン１ａが形成されたモールド１を基板上の樹脂に接触させ、この状態で光源３１からの紫外線３１ａを照射して樹脂を硬化させる。ここで、第１実施形態では、光硬化法を採用するため光照射部３０が設置されているが、例えば、熱硬化法を採用する場合には、光照射部３０の代わりに熱硬化性樹脂を硬化するための熱源部を設置してもよい。
【００１６】
塗布部４０は、基板上に樹脂（未硬化樹脂）を塗布する。上述したように、第１実施形態で用いられる樹脂は、紫外線３１ａの照射によって硬化する性質を有する光硬化性樹脂（インプリント材）であり、半導体デバイス製造工程における各種条件によって適宜選択される。また、塗布部４０の吐出ノズルから吐出される樹脂の量は、基板上の樹脂に形成される凹凸のパターンにおいて、そのパターンの厚さや、凹凸の密度などによって適宜決定される。ここで、基板上の樹脂は、モールド１を接触させた状態で一定の時間を経過させ、モールドのパターンの隅々まで充填される。このとき、モールド１と基板２との間に気泡が閉じ込められてしまうと、基板上に形成されたパターンに欠損が生じてしまう。例えば、空気中でインプリント処理を行う場合、空気は樹脂に溶けにくいため、モールド１と基板２との間に気泡が生じ易い。そのため、第１実施形態では、基板上の樹脂に溶けやすい不活性ガスを供給するガスノズル４１が備えられている。
【００１７】
第１制御部５１は、インプリント処理を行う際において、モールド１の位置（ｚ方向、θｘおよびθｙ）が目標位置になるようにモールド保持部１０を制御する。第２制御部５２は、インプリント処理を行う際において、基板２の位置（ｘ方向、ｙ方向、ｚ方向、θｘ、θｙおよびθｚ）が目標位置になるように基板保持部２０を制御する。第３制御部５３は、インプリント処理を行う際において、モールド１の形状が目標形状になるように変形部１５を制御する。
【００１８】
近年、半導体デバイスなどの製造では、複数のパターンを１つの基板上に重ね合わせる工程が必要であるほか、回路パターンの微細化も進んでいる。そのため、第１実施形態のインプリント装置１００において、パターンが形成されるべき基板上の領域にモールド１のパターン１ａを高精度に転写することが重要である。即ち、モールド１と基板２とを高精度にアライメントすることが重要である。ここで、第１実施形態のインプリント装置１００におけるアライメントについて説明する。インプリント装置１００におけるアライメント方法としては、グローバルアライメント方式とダイバイダイアライメント方式とがある。グローバルアライメント方式は、基板上の数箇所のショット領域（サンプルショット領域）に形成されたマークの検出結果を統計処理して得られる指標に従ってアライメントを行う方式である。即ち、グローバルアライメント方式では、全てのショット領域に対して同一の指標でアライメントが行われる。一方で、ダイバイダイアライメント方式は、基板上の複数のショット領域ごとに、各ショット領域に形成されたマークの検出結果に従ってアライメントを行う方式である。このようなアライメントは、インプリント処理において樹脂を硬化させる前に行われ、モールド１のパターン１ａを基板２に転写する上で重要な工程である。しかしながら、インプリント処理においてモールド１と基板２との距離を変更する際、それらの間における気体の流れに起因して、それらの距離を変更することを妨げる抗力が生じてしまう。このような抗力は、モールド１と基板２との相対位置を制御するときの外乱となる。そのため、モールド１と基板２との距離を変更する際に、それらが傾いた状態で接触したり、それらの相対位置が基板面と平行な方向にずれたりしうる。その結果、モールド１と基板２とを高精度にアライメントすることが困難となり、基板上に形成されたパターンにおいて位置ずれや欠損が発生しうる。抗力を抑制する１つの手段として、モールド１と基板２との相対速度を低下させることが挙げられる。しかし、それらの相対速度を低下させることは、インプリント装置のスループットを低下させてしまうこととなる。そこで、第１実施形態のインプリント装置１００は、決定部５４と補正部５５とを備えており、第１制御部５１、第２制御部５２および第３制御部５３に対してフィードフォワード制御を行う。
【００１９】
決定部５４は、モールド１と基板２との距離に基づいて抗力を決定する。ここで、モールド１と基板２との距離を変更するときの抗力について図２を参照して説明する。図２（ａ）は、モールド１と基板２とを近づけることによって、モールド１と基板２との間における気体が外部に押し出される様子を示す。図２（ａ）において矢印８ａは、気体の流れを示す。モールド１と基板２とを近づけていくと、それらの間における気体が中心から外側に向かって押し出される。このとき、気体はそれぞれ固有の粘性係数を有する（例えば、２０℃の空気の粘性係数は１．８×１０−５／Ｐａ・ｓｅｃ）ため、モールド１と基板２とを近づけることを妨げる抗力が生じる。同様に、図２（ｂ）は、モールド１と基板２とを離すことによって、モールド１と基板２との間に気体が流入する様子を示す。図２（ｂ）において矢印８ｂは、気体の流れを示す。モールド１と基板２とを離していくと、それらの間における気体が外側から中心に向かって流入する。このときも、気体の粘性係数によって、モールド１と基板２とを離すことを妨げる抗力が生じる。このような抗力は、モールド１と基板２との距離の３乗に反比例し、モールド１と基板２との相対速度に比例するため、抗力をＦ、距離をｈ、相対速度をｄｈ／ｄｔおよび係数をＫとすると式（１）によって表される。
【００２０】
【数１】
2014022527.tif 000003
【００２１】
係数Ｋは、モールド１と基板２との間における気体の粘性係数や、モールド１と基板２とが重なり合う面積によって決定される。例えば、２０℃の空気中において、１５０ｍｍ角のモールド１が全面で基板２と重なり合う場合、係数Ｋは４×１０−９Ｎ／ｓｅｃ・ｍ２となる。
【００２２】
基板２に複数のショット領域を形成する場合、各ショット領域において、気体の粘性係数は変化しないが、モールド１と基板２とが重なり合う面積が異なる。例えば、基板２の中心部分にショット領域を形成する場合では、モールド１と基板２とが重なり合う面積は、モールドの面積にほぼ等しくなる。この場合、抗力はモールド１および基板２に均等に加わるため、それらが傾いたり、それらの相対位置が基板面と平行な方向にずれたりすることは少ない。それに対し、基板２の中心部分から離れた位置にショット領域２ａを形成する場合では、図３に示すように、モールド１と基板２とが重なり合う部分の面積は図３の斜線部となり、基板２の中心部分のショット領域を形成する場合と比べて小さくなる。また、この場合、斜線部に加わる抗力は、モールド１における斜線部以外の部分に加わる抗力と比べて、基板の厚み分（数百μｍ程度）だけ大きくなる。このように斜線部とそれ以外の部分とで抗力が異なると、モールド１と基板２とにモーメント（θｘおよびθｙ）が生じてそれらが傾いたり、それらの相対位置が基板面と平行な方向（ｘ方向およびｙ方向）にずれたりする。そのため、第１実施形態のインプリント装置１００は、基板上の位置と、その位置における係数Ｋとの対応関係を表す情報を記憶する記憶部５６を含む。そして、決定部５４は、インプリント処理が行われる基板上の位置に対応した係数Ｋを、記憶部５６に記憶された情報によって取得する。ここで、係数Ｋは、ｚ方向の抗力に加えて、モールド１と基板２とをｘ方向およびｙ方向にずらす力や、θｘおよびθｙに回転させる力を決定するための係数を含んでもよい。
【００２３】
補正部５５は、第１制御部５１におけるモールド保持部１０を制御するための情報（操作情報）、第２制御部５２における基板保持部２０を制御するための情報（操作情報）、および第３制御部５３における変形部１５を制御するための情報（操作情報）を補正する。ここで、第１制御部５１、第２制御部５２および第３制御部５３における操作情報の補正について図４を参照して説明する。図４は、第１実施形態の制御系５０を示すブロック図である。決定部５４は、減算器５４ａと計算器５４ｂとを含む。減算器５４ａは、位置計測部１２によって計測されたモールドチャック１１の位置と、位置計測部２３によって計測された基板チャック２１の位置との差分を算出し、算出した差分を計算器５４ｂに供給する。計算器５４ｂは、減算器５４ａから供給された差分によってモールド１と基板２との距離、およびそれらの距離を時間微分した相対速度を算出し、モールド１と基板２との距離を変更することを妨げる抗力を上述した式（１）に基づいて決定する。このとき、計算部５４ｂは、ｚ方向の抗力に基づいて、モールド１と基板２とをｘ方向およびｙ方向にずらす力や、それらをθｘおよびθｙに回転させる力を決定してもよい。補正部５５は、決定部５４によって決定された抗力によって、各制御部（５１、５２および５３）を補正するための補正情報を生成する。このとき、例えば、基板２の中心部分にショット領域を形成する場合、上述したように、モールド１と基板２との相対位置が基板面と平行な方向にずれることは少ないため、補正部５５は、ｚ方向の抗力を補正するための補正情報を生成すれば足りる。一方で、図３に示すように、基板２の中心部分から離れた位置にショット領域２ａを形成する場合、モールド１と基板２とをｘ方向およびｙ方向にずらす力や、それらをθｘおよびθｙに回転させる力が生じる。そのため、補正部５５は、ｚ方向の抗力を補正するための補正情報だけでなく、ｘ方向およびｙ方向の力を補正するための補正情報、並びにθｘおよびθｙに回転させる力を補正するための補正情報を生成してもよい。このような補正情報は、各制御部における制御器（５１ｂ、５２ｂおよび５３ｂ）の後に備えられた加算器（５１ｃ、５２ｃおよび５３ｃ）によって、各制御器で生成された操作情報に加算される。ここで、第１実施形態の補正部５５は、第１制御部５１および第２制御部５２の両方を補正しているが、それらのうち一方のみを補正してもよい。
【００２４】
第１制御部５１は、減算器５１ａ、制御器５１ｂ、加算器５１ｃおよび分配器５１ｄを含む。減算器５１ａは、位置計測部１２によって計測されたモールドチャック１１の現在位置と目標位置との制御偏差を算出し、算出された制御偏差を制御器５１ｂに供給する。制御器５１ｂは、例えばＰＩＤやローパスフィルタ、ノッチフィルタなどを含み、アクチュエータ１３を駆動するための操作情報を生成する。加算器５１ｃは、制御器５１ｂで生成された操作情報に、補正部５５から供給される補正情報を加算する。分配器５１ｄは、各アクチュエータ１３において必要な推力を補正された操作情報に基づいて計算し、その推力に対応した操作量（電圧）を各アクチュエータ１３のドライバに供給する。これにより、各アクチュエータ１３が駆動し、モールドチャック１１を目標位置および目標姿勢に近づけることができる。同様に、第２制御部５２は、減算器５２ａ、制御器５２ｂ、加算器５２ｃおよび分配器５２ｄを含む。減算器５２ａは、位置計測部２３によって計測された基板チャック２１の現在位置と目標位置との制御偏差を算出し、算出された制御偏差を制御器５２ｂに供給する。制御器５２ｂは、例えばＰＩＤやローパスフィルタ、ノッチフィルタなどを含み、アクチュエータ２４を駆動するための操作情報を生成する。加算器５２ｃは、制御器５２ｂで生成された操作情報に、補正部５５から供給された補正情報を加算する。分配器５２ｄは、各アクチュエータ２４において必要な推力を補正された操作情報に基づいて計算し、その推力に対応した操作量（電圧）を各アクチュエータ２４のドライバに供給する。これにより、各アクチュエータ２４が駆動し、基板チャック２１を目標位置および目標姿勢に近づけることができる。
【００２５】
第３制御部５３は、減算器５３ａ、制御器５３ｂ、加算器５３ｃおよび駆動器５３ｄを含む。減算器５３ａは、変形部１５に含まれる圧力計測器１５ｂによって計測された気室１４の圧力値と目標値との制御偏差を算出し、算出された制御偏差を制御器５３ｂに供給する。制御器５３ｂは、例えばＰＩＤやローパスフィルタ、ノッチフィルタなどを含み、変形部１５における圧力調整器１５ａを駆動するための操作情報を生成する。加算器５３ｃは、制御器５３ｂで生成された操作情報に、補正部５５から供給された補正情報を加算する。駆動器５３ｄは、補正された操作情報に基づいて圧力調整器１５ａを駆動する。例えば、モールド１と基板２とを近づける場合、抗力は、モールド１が基板２に向かって凸型の形状に変形することを妨げるような抗力となる。この場合、補正部５５は、モールド１と基板２との距離に基づいて、気室１４の圧力を増やすように操作情報を補正するための補正情報を生成する。この補正情報は、加算器５３ｃによって操作情報に加算される。そして、駆動器５３ｄにおいて、補正された操作情報に基づいて圧力調整器１５ａが駆動される。これにより、モールド１と基板２との距離を変更する際の抗力が生じても、モールド１の変形量をほぼ一定にすることができる。ここで、第３制御部５３における制御偏差は、圧力計測器１５ｂで計測された気室１４の圧力値とその目標値との差分であるが、モールド１の変形量を変位センサなどによって直接計測できる場合には、モールド１の変形量とその目標値との差分であってもよい。
【００２６】
上述したように、第１実施形態のインプリント装置１００は、モールド１と基板２との距離に基づいて抗力を決定する決定部５４と、各制御部（５１、５２および５３）における操作情報を抗力に基づいて補正する補正部５５とを含む。そして、決定部５４および補正部５５が各制御部（５１、５２および５３）に対してフィードフォワード制御を行う。これにより、各制御部は、外乱として働く抗力を考慮してモールド保持部１０、基板保持部２０および変形部１５を制御することができるため、モールド１と基板２とを高精度にアライメントすることができる。
【００２７】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された樹脂に上記のインプリント装置を用いてパターンを形成する工程（基板にインプリント処理を行う工程）と、かかる工程でパターンが形成された基板を加工する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００２８】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
2014022527.tif 000005
【図２】
2014022527.tif 000006
【図３】
2014022527.tif 000007
【図４】
2014022527.tif 000008