(57)【要約】【課題】低コストと高効率な光取り出し効率とを両立することが可能なＬＥＤ発光装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】ＬＥＤ発光装置１０は、インターポーザ２０と、インターポーザ２０の上面に実装されたＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂを備え、インターポーザ２０の上面は、ＬＥＤチップ２３から出射される光を反射する白色レジスト２２で覆われ、ＬＥＤチップ２３の上面並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面が白色レジスト２２から露出している。【選択図】図１
2014179385.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の上面に実装された１つ以上のＬＥＤチップおよび２つ以上のダミーチップを備え、
前記基板の上面は、前記ＬＥＤチップから出射される光を反射する反射膜で覆われ、前記１つ以上のＬＥＤチップの上面および前記２つ以上のダミーチップの上面が前記反射膜から露出している
ＬＥＤ発光装置。
【請求項２】
前記基板の上面には、配線パターンが形成され、
前記２つ以上のダミーチップは、前記配線パターンを介して前記ＬＥＤチップと電気的に接続されたボンディングパッドである
請求項１記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項３】
前記反射膜は、白色レジストである
請求項１記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項４】
前記１つ以上のＬＥＤチップおよび前記２つ以上のダミーチップの厚みは、実質的に同じである
請求項１〜３のいずれか１項に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項５】
前記２つ以上のダミーチップは、前記基板と同一体である
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項６】
前記２つ以上のダミーチップは、前記基板と別体である
請求項１〜４のいずれか１項に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項７】
前記２つ以上のダミーチップは、前記基板の上面に対して傾斜した側面を有する
請求項１〜６のいずれか１項に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項８】
前記基板は、インターポーザであり、
前記ＬＥＤ発光装置はさらに、
前記インターポーザを実装するための絶縁基板であって、上面に配線パターンが形成された絶縁基板と、
前記２つ以上のダミーチップと前記配線パターンとを接続するボンディングワイヤとを備える
請求項１〜７のいずれか１項に記載のＬＥＤ発光装置。
【請求項９】
ＬＥＤ発光装置の製造方法であって、
基板の上面に１つ以上のＬＥＤチップおよび２つ以上のダミーチップを実装する実装工程と、
前記１つ以上のＬＥＤチップおよび前記２つ以上のダミーチップが実装された前記基板の上面を、前記ＬＥＤチップから出射される光を反射する反射膜で覆う被覆工程と、
前記基板の上面を覆う前記反射膜のうち、前記１つ以上のＬＥＤチップおよび前記２つ以上のダミーチップの上面を覆う反射膜を除去する除去工程と
を含むＬＥＤ発光装置の製造方法。
【請求項１０】
さらに、前記実装工程の後であって、かつ、前記被覆工程の前に、前記１つ以上のＬＥＤチップおよび前記２つ以上のダミーチップの上面に剥離材を塗布する塗布工程を含み、
前記除去工程では、ピールテープを用いて、前記１つ以上のＬＥＤチップおよび前記２つ以上のダミーチップの上面を覆う反射膜を除去する
請求項９記載のＬＥＤ発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＬＥＤチップが実装されたＬＥＤ発光装置およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）チップは温度が上昇しすぎると故障率が上昇し、また、発光効率も低下するため、なるべく温度の上昇を防ぐことが重要である。温度の上昇を防ぐためには熱伝導率の高いシリコンまたはセラミックなどの基板にＬＥＤチップを直接、接合（例えば、フリップチップ実装）することが有効である。さらに、光取り出し効率を向上させるために、基板はＬＥＤチップから出射される光を有効に反射する必要がある。そのため、基板の上面には白色レジストまたはアルミニウム蒸着膜などの反射膜を形成することが望ましい。
【０００３】
従来、ＬＥＤチップを実装する基板に反射膜を形成するための様々な技術が提案されている（例えば、特許文献１、特許文献２など参照）。
【０００４】
特許文献１では、基板上のツェナーダイオードの上面に白色レジストを塗布することで反射膜を形成している。
【０００５】
また、特許文献２では、ＬＥＤチップの上面を避けた基板の上面に白色レジストを塗布することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−１５４３７号公報
【特許文献２】特開２０１２−１５４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１の技術では、基板上の限られた部品の上面だけに白色レジストが塗布されるだけなので、反射膜の面積としては十分ではない。そのために、基板の上面にも予め反射膜を形成しておく必要がある。ところが、反射膜としては、ＬＥＤチップと基板との接合プロセスにおける温度に耐える必要があるために、樹脂製のものは使いにくい。よって、金属性の反射膜を基板の上面に形成しておく必要があるが、その場合には、絶縁性の問題から、配線を避けて反射膜を形成するか、あるいは、絶縁膜を敷いた上に反射膜を形成する必要がある。ところが、配線を避けて反射膜を形成する方法では、反射膜の面積が低下するという問題があり、一方、絶縁膜を敷いた上に反射膜を形成する方法では、プロセスコストが高くなるという問題がある。
【０００８】
また、上記特許文献２の技術では、基板上の全ての配線パターンを白色レジストで埋没させてしまうために、配線接続にワイヤボンディングが使えず、必然的に貫通孔配線が必要となる。ところが、貫通孔配線の形成は、基板がセラミック製または金属性である場合に、非常に高価なプロセスになるという問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、低コストと高効率な光取り出し効率とを両立することが可能なＬＥＤ発光装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明に係るＬＥＤ発光装置の一形態は、基板と、前記基板の上面に実装された１つ以上のＬＥＤチップおよび２つ以上のダミーチップを備え、前記基板の上面は、前記ＬＥＤチップから出射される光を反射する反射膜で覆われ、前記１つ以上のＬＥＤチップの上面および前記２つ以上のダミーチップの上面が前記反射膜から露出している。
【００１１】
ここで、前記基板の上面には、配線パターンが形成され、前記２つ以上のダミーチップは、前記配線パターンを介して前記ＬＥＤチップと電気的に接続されたボンディングパッドであってもよい。
【００１２】
また、前記反射膜は、白色レジストであってもよい。
【００１３】
また、前記１つ以上のＬＥＤチップおよび前記２つ以上のダミーチップの厚みは、実質的に同じであってもよい。
【００１４】
また、前記２つ以上のダミーチップは、前記基板と同一体であってもよいし、前記基板と別体であってもよい。
【００１５】
また、前記２つ以上のダミーチップは、前記基板の上面に対して傾斜した側面を有してもよい。
【００１６】
また、前記基板は、インターポーザであり、前記ＬＥＤ発光装置はさらに、前記インターポーザを実装するための絶縁基板であって、上面に配線パターンが形成された絶縁基板と、前記２つ以上のダミーチップと前記配線パターンとを接続するボンディングワイヤとを備えてもよい。
【００１７】
また、上記目的を達成するために、本発明に係るＬＥＤ発光装置の製造方法の一形態は、ＬＥＤ発光装置の製造方法であって、基板の上面に１つ以上のＬＥＤチップおよび２つ以上のダミーチップを実装する実装工程と、前記１つ以上のＬＥＤチップおよび前記２つ以上のダミーチップが実装された前記基板の上面を、前記ＬＥＤチップから出射される光を反射する反射膜で覆う被覆工程と、前記基板の上面を覆う前記反射膜のうち、前記１つ以上のＬＥＤチップおよび前記２つ以上のダミーチップの上面を覆う反射膜を除去する除去工程とを含む。
【００１８】
ここで、さらに、前記実装工程の後であって、かつ、前記被覆工程の前に、前記１つ以上のＬＥＤチップおよび前記２つ以上のダミーチップの上面に剥離材を塗布する塗布工程を含み、前記除去工程では、ピールテープを用いて、前記１つ以上のＬＥＤチップおよび前記２つ以上のダミーチップの上面を覆う反射膜を除去してもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明により、低コストと高効率な光取り出し効率とを両立することが可能なＬＥＤ発光装置およびその製造方法が実現される。
【００２０】
よって、高効率及び長寿命なＬＥＤランプなどのＬＥＤチップを用いた照明用光源が普及してきた今日において、本発明の実用的価値は極めて高い。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態に係るＬＥＤ発光装置の構造を示す図
【図２】本実施の形態におけるＬＥＤ発光装置の製造工程のうち、ＬＥＤ搭載基板の製造工程を示す図
【図３】図２に示される工程に続くＬＥＤ発光装置の製造工程を示す図
【図４】本発明の実施の形態の変形例に係るＬＥＤ発光装置の構造を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係るＬＥＤ発光装置およびその製造方法の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。なお、各図は、模式図であり、必ずしも厳密に図示したものではない。
【００２３】
また、以下で説明する実施の形態は、本発明に係るＬＥＤ発光装置およびその製造方法の一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態などは一例であり、本発明に係るＬＥＤ発光装置およびその製造方法を限定する主旨ではない。また、以下の実施の形態における構成要素のうち、独立請求項に記載されていない構成要素については、任意の構成要素として説明される。
【００２４】
また、特に断りがない限り、本明細書における上（または上方）および下（または下方）は、断面図の上部および下部に対応する方向を指す。
【００２５】
まず、本発明の実施の形態に係るＬＥＤ発光装置について説明する。
【００２６】
図１は、本発明の実施の形態に係るＬＥＤ発光装置１０の構造を示す図である。図１の（ａ）は、ＬＥＤ発光装置１０の平面図であり、図１の（ｂ）は、図１の（ａ）におけるＡＡ’線での断面図である。
【００２７】
このＬＥＤ発光装置１０は、基板の一例であるインターポーザ２０と、インターポーザ２０の上面に実装（ここでは、フリップチップ実装）されたＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂとを備える。インターポーザ２０の上面（図１の（ｂ）における断面図では、インターポーザ２０上に形成された配線パターン２１ａおよび２１ｂの上面）は、ＬＥＤチップ２３から出射される光を反射する反射膜の一例である白色レジスト２２で覆われている。ＬＥＤチップ２３の上面およびダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面は、白色レジスト２２から露出している。
【００２８】
本実施の形態では、ＬＥＤ発光装置１０はさらに、絶縁基板３０と、ボンディングワイヤ２５ａおよび２５ｂとを備える。絶縁基板３０は、上面に配線パターン３１ａ〜３１ｃを有する。インターポーザ２０は、はんだ２６および配線パターン３１ｃを介して、絶縁基板３０に接合されている。ボンディングワイヤ２５ａおよび２５ｂは、それぞれ、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂと、配線パターン３１ａおよび３１ｂとを電気的に接続している。なお、絶縁基板３０とボンディングワイヤ２５ａおよび２５ｂとは、本発明に係るＬＥＤ発光装置における任意の構成要素であるが、実施の形態では、本発明に係るＬＥＤ発光装置の典型的な応用例として、ＬＥＤ発光装置１０に備えられている。
【００２９】
以下、ＬＥＤ発光装置１０の各構成要素を詳細に説明する。
【００３０】
ＬＥＤチップ２３は、ＬＥＤのベアチップであり、例えば、エピスター社製のＬＥＤチップである。ＬＥＤチップ２３の厚み（つまり、図示された設置状態における高さ）は、例えば、１５０〜３００μｍ程度である。また、ＬＥＤチップ２３のサイズ（平面視したときの形状）は、例えば、３００μｍ角の正方形、あるいは、それに近いサイズの長方形である。ＬＥＤチップ２３の接合面には、例えば、３〜６μｍ厚の金めっきで構成される２つの電極が形成されている。なお、２つの電極における金めっきの下地には、拡散防止膜（ニッケルや白金などの金属層）が形成されていることが望ましい。
【００３１】
ここで、本実施の形態では、ＬＥＤ発光装置１０に１つのＬＥＤチップ２３が備えられているが、本発明に係るＬＥＤ発光装置としては、２つ以上のＬＥＤチップが備えられてもよい。たとえば、本発明に係るＬＥＤ発光装置は、２つ以上のＬＥＤチップ２３を備える高輝度なＬＥＤモジュールであってもよい。
【００３２】
また、ＬＥＤチップ２３は、例えば、青色ＬＥＤチップである。そして、青色光を白色光に変換する蛍光体でＬＥＤチップ２３を覆ってもよい。これにより、照明用の器具などに適用できるＬＥＤ発光装置１０が実現される。ただし、本発明に係るＬＥＤ発光装置は、このような用途に限定されるものではない。
【００３３】
ダミーチップ２４ａおよび２４ｂは、白色レジスト２２から露出した上面をもつチップであり、本実施の形態では、それぞれ、配線パターン２１ａおよび２１ｂを介してＬＥＤチップ２３と電気的に接続されたボンディングパッドとして機能する。具体的には、ダミーチップ２４ａは、配線パターン２１ａを介して、ＬＥＤチップ２３が有する２つの電極のうちの一つ（例えば、ＬＥＤチップ２３のｎ型半導体層に接続された電極）と電気的に接続されている。一方、ダミーチップ２４ｂは、配線パターン２１ｂを介して、ＬＥＤチップ２３が有する２つの電極のうちの他方（例えば、ＬＥＤチップ２３のｐ型半導体層に接続された電極）と電気的に接続されている。
【００３４】
ここで、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂの厚みとＬＥＤチップ２３の厚みとは、実質的に同じである。なお、「厚みが実質的に同じ」とは、後述する製造方法において、共通の工程で、ＬＥＤチップ２３の上面、並びに、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面に覆われた白色レジスト２２を除去できる程度に両者の厚みが近いことをいう。具体的には、一方が他方の厚みの７０〜１３０％、より好ましくは、９０〜１１０％であるケースが該当する。
【００３５】
このようなダミーチップ２４ａおよび２４ｂは、インターポーザ２０と同一体（インターポーザ２０と一体形成される物、つまり、インターポーザ２０の一部）であってもよいし、インターポーザ２０と別体であってもよい。インターポーザ２０と別体のダミーチップ２４ａおよび２４ｂは、たとえば、板厚がＬＥＤチップ２３とほぼ等しい銅板またはニッケル板にめっきを施して適当なサイズに個片分割することで、製作される。このようなダミーチップ２４ａおよび２４ｂの材料は、導電性を有し、厚みがＬＥＤチップ２３と実質的に同じで、かつ、ボンディング用めっきができれば、いかなる素材であってもよい。典型的には、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂは、金錫共晶接合用の金めっきを施したニッケル片である。
【００３６】
なお、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面にはワイヤボンディングが行われる。よって、一例として、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂの表裏両面に金めっきを施すことで、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂを金ワイヤ用のボンディングパッドとして使用できる。また、他の一例として、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂの裏面のみに金めっきを施すことで、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂをアルミニウムワイヤ用のボンディングパッドとして使用できる。
【００３７】
なお、本実施の形態では、ＬＥＤ発光装置１０に２つのダミーチップ２４ａおよび２４ｂが備えられているが、本発明に係るＬＥＤ発光装置としては、３つ以上のダミーチップが備えられてもよい。たとえば、本発明に係るＬＥＤ発光装置は、２つ以上のＬＥＤチップと、ボンディングパッドとして機能する２つ以上のダミーチップと、ボンディングパッドとして機能しないダミーチップとを備えてもよい。
【００３８】
インターポーザ２０は、ＬＥＤチップ２３と絶縁基板３０上の配線パターン３１ａおよび３１ｂとの接続を中継するための１次実装基板である。インターポーザ２０は、熱伝導率が高く、ＬＥＤチップ２３と線膨張係数が近い基板であり、例えば、シリコン、窒化アルミニウムあるいは炭化ケイ素などで構成される基板である。
【００３９】
インターポーザ２０の上面には、配線パターン２１ａおよび２１ｂが形成されている。一方の配線パターン２１ａは、ＬＥＤチップ２３が有する２つの電極のうちの一つとダミーチップ２４ａとを電気的に接続する。他方の配線パターン２１ｂは、ＬＥＤチップ２３が有する２つの電極のうちの他方とダミーチップ２４ｂとを電気的に接続する。これらの配線パターン２１ａおよび２１ｂは、銅、ニッケル、または、金などで構成される一般的な導電パターンであり、スパッタ、めっき、および、蒸着などの製法を組み合わせて形成される。配線パターン２１ａおよび２１ｂの上面のうち、ＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂとの接合箇所には、接合用のバンプあるいは金錫めっきが形成される。そのとき、配線パターン２１ａおよび２１ｂの上面にバンプが形成される場合には、超音波接合により、配線パターン２１ａおよび２１ｂ（つまり、インターポーザ２０）と、ＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂとが接合される。また、配線パターン２１ａおよび２１ｂの上面に金錫めっきが形成される場合には、金錫共晶接合により、配線パターン２１ａおよび２１ｂ（つまり、インターポーザ２０）とＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂとが接合される。
【００４０】
なお、インターポーザ２０の裏面は、ヒートシンクまたは２次実装基板（本実施の形態では、絶縁基板３０）に接合するための膜が形成されている。放熱性能を最大限に高めるために、本実施の形態では、インターポーザ２０と絶縁基板３０とは、溶融金属（ここでは、はんだ２６）を用いて接合される。そのため、インターポーザ２０の裏面に形成される膜は、例えば、はんだ用のニッケルめっき膜または金めっき膜である。このようなめっき膜の形成では、めっき膜を表裏共通の膜構造にすることで、プロセスコストを低減することができる。
【００４１】
白色レジスト２２は、インターポーザ２０の上面（配線パターン２１ａおよび２１ｂが形成されている箇所については、その上面）のうち、ＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂが接合されている箇所を除く領域を覆っている。白色レジスト２２は、ＬＥＤチップ２３から出射される光を高い効率で反射する反射膜として機能し、例えば、一般的なシリコン系レジストである。なお、後述するように、本実施の形態におけるＬＥＤ発光装置１０の製造においては、白色レジスト２２の塗布後には、金錫プロセス等の高温処理がない。よって、白色レジスト２２としては、３００℃での耐熱などの高い耐熱性が必要とされず、安価で性能がよいシリコン系レジストを利用できる。
【００４２】
絶縁基板３０は、上面に配線パターン３１ａ〜３１ｃが形成された、インターポーザ２０を実装するための２次実装基板である。この絶縁基板３０は、例えば、セラミックフィラーなどを充填して熱伝導率を高めたプラスチックの上面に銅の配線パターン３１ａ〜３１ｃを形成したものである。銅の配線パターン３１ａ〜３１ｃには、例えば、その表面処理として、ニッケルめっきが施される。
【００４３】
はんだ２６は、インターポーザ２０と絶縁基板３０とを接合する溶融金属であり、例えば、錫−銀−銅系はんだである。なお、はんだ２６の種類としては、ボンディングパッドとして機能するダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面を汚染しないように、無フラックスまたは低フラックスのものが望ましい。
【００４４】
ボンディングワイヤ２５ａおよび２５ｂは、それぞれ、ダミーチップ２４ａと絶縁基板３０上の配線パターン３１ａ、および、ダミーチップ２４ｂと絶縁基板３０上の配線パターン３１ｂを電気的に接続するワイヤである。ボンディングワイヤ２５ａおよび２５ｂは、例えば、線径が５０〜２００μｍのアルミニウム線、または、線径が１８〜３０μｍの金線または銀合金線である。特に、アルミニウム線と銀合金線とは可視光領域の反射率が高いので、ボンディングワイヤ２５ａおよび２５ｂとして、アルミニウム線または銀合金線を採用することで、光の吸収による光取り出し効率の低下を回避できる。なお、ボンディングワイヤ２５ａおよび２５ｂとして金線または銀線を採用した場合には、その接合（ボンディング）のために金またはアルミニウムの膜が必要とされる。しかし、ボンディングワイヤ２５ａおよび２５ｂとしてアルミニウム線を採用した場合には、アルミニウム線はニッケルと安定的に接合されるので、接合後の信頼性も高くなる。よって、ボンディングワイヤ２５ａおよび２５ｂとしてアルミニウム線を採用することで、成膜工程を低コスト化できる。
【００４５】
なお、ＬＥＤ発光装置１０に耐振動性が要求される場合には、ワイヤボンディングの後に、シリコン樹脂などでボンディングワイヤ２５ａおよび２５ｂを封止するのが好ましい。
【００４６】
次に、以上のように構成された本実施の形態におけるＬＥＤ発光装置１０の製造方法について説明する。
【００４７】
図２は、本実施の形態におけるＬＥＤ発光装置１０の製造工程のうち、ＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂを備えるインターポーザ２０（以下、このような、ＬＥＤチップ２３が実装されたインターポーザ２０を「ＬＥＤ搭載基板」ともいう）の製造工程を示す図である。ここでは、ウエハの単位で、複数のＬＥＤ搭載基板を製造する工程が示されている。
【００４８】
まず、図２の（ａ）に示される実装工程のように、インターポーザ２０としてのシリコンウエハ２０ａの上面に、複数セットのＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂを実装する。なお、ＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂを実装に先立って、シリコンウエハ２０ａ（つまり、インターポーザ２０）の上面に、フォトリソグラフィにより、配線パターン３１ａおよび３１ｂを形成しておく。
【００４９】
次に、図２の（ｂ）に示される塗布工程のように、シリコンウエハ２０ａ（つまり、インターポーザ２０）に実装されたＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面に、スタンプ塗布により、シリコンオイルなどの剥離材４０を塗布する。なお、この塗布工程は、後の除去工程において、白色レジスト２２を、化学機械研磨（ＣＭＰ；Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）ではなく、ピールテープによって除去する場合にだけ行われる工程である。
【００５０】
続いて、図２の（ｃ）に示される被覆工程のように、スプレーコータにより、ＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂが実装されたシリコンウエハ２０ａ（つまり、インターポーザ２０）の上面の全てを、反射膜としての白色レジスト２２で覆う。なお、白色レジスト２２を塗布については、シリコンウエハ２０ａ（つまり、インターポーザ２０）上にＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂが実装された、高さが異なる箇所（凹凸）を有する面に対する全面的な塗布なので、このようなスプレーコート法が好ましい。
【００５１】
最後に、図２の（ｄ）に示される除去工程のように、シリコンウエハ２０ａ（つまり、インターポーザ２０）の上面を覆う白色レジスト２２のうち、ＬＥＤチップ２３並びにダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面を覆う白色レジスト２２を除去する。ここで、図２の（ｄ）には、除去工程として採用できる２種類の方法として、化学機械研磨による除去、および、ピールテープ４１による除去が示されている。いずれの方法が採用されてもよい。
【００５２】
ピールテープ４１によって白色レジスト２２を除去する場合には、図示されるように、ピールテープ４１を白色レジスト２２の上面に貼り付けた後に、そのピールテープ４１を剥がす。すると、図２の（ｂ）に示される塗布工程で剥離材４０が塗布されたＬＥＤチップ２３の上面、並びに、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面に塗布された白色レジスト２２だけが除去され、インターポーザ２０の上面を覆う白色レジスト２２が残る。これにより、ＬＥＤチップ２３の上面、並びに、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面を除いて、インターポーザ２０の上面が、全面的に白色レジスト２２に覆われる。
【００５３】
以上のようなＬＥＤ搭載基板の製造方法によれば、シリコンウエハ２０ａ（つまり、インターポーザ２０）の上面は、反射膜としての白色レジスト２２が全面的に塗布される。このとき、シリコンウエハ２０ａ（つまり、インターポーザ２０）の上面には、予め、ボンディングパッドとしてのダミーチップ２４ａおよび２４ｂが実装されている。これにより、ＬＥＤチップ２３の上面に塗布された余分な白色レジスト２２を除去する工程においては、ＬＥＤチップ２３の上面の白色レジスト２２の除去と同時に、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面の白色レジスト２２も除去される。その結果、ボンディングパッドとしてのダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面が白色レジスト２２から露出される。よって、基板（インターポーザ２０）の上面の反射膜を全面的に塗布しつつも基板に貫通孔配線を必要としないので、低コストと高効率な光取り出し効率とを両立することが可能なＬＥＤ搭載基板およびその製造方法が実現される。
【００５４】
図３は、図２に示される工程に続くＬＥＤ発光装置１０の製造工程を示す図である。つまり、図３は、本実施の形態におけるＬＥＤ発光装置１０の製造工程のうち、ＬＥＤ搭載基板を含む部品を絶縁基板３０に実装する工程を示す図である。
【００５５】
まず、図３の（ａ）に示されるように、図２に示される処理が施されたシリコンウエハ２０ａをダイシングする。これにより、１つ以上のＬＥＤチップ２３並びに２つ以上のダミーチップ２４ａおよび２４ｂが実装されたインターポーザ２０、つまり、ＬＥＤ搭載基板が複数個、製造される。
【００５６】
一方、図３の（ｂ）に示されるように、上面に配線パターン３１ａ〜３１ｃが形成された絶縁基板３０を準備し、その絶縁基板３０の上面におけるはんだ付けする箇所に、印刷によって、はんだ２６を塗布する。
【００５７】
そして、図３の（ｃ）に示されるように、図３の（ａ）に示される工程で準備されたＬＥＤ搭載基板を含む実装部品（例えば、ツェナーダイオード、コネクタなどを含む実装部品）を、はんだが塗布された絶縁基板３０上に載せる（マウントする）。
【００５８】
その後、図３の（ｄ）に示されるように、実装部品が搭載された絶縁基板３０を加熱するリフローにより、実装部品のはんだ付けを行う。
【００５９】
最後に、図３の（ｅ）に示されるように、必要に応じて、蛍光体および封止材によるポッティング加工を行う。このようにして、絶縁基板３０を備えるＬＥＤ発光装置１０が完成され、その後、特性検査などが行われる。
【００６０】
以上のように、本実施の形態におけるＬＥＤ発光装置１０の製造方法によれば、インターポーザ２０の上面は、反射膜としての白色レジスト２２が全面的に塗布される。このとき、インターポーザ２０の上面には、予め、ボンディングパッドとしてのダミーチップ２４ａおよび２４ｂが実装されている。これにより、ＬＥＤチップ２３の上面に塗布された余分な白色レジスト２２を除去する工程において、ＬＥＤチップ２３の上面の白色レジスト２２の除去と同時に、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面の白色レジスト２２も除去される。その結果、ボンディングパッドとしてのダミーチップ２４ａおよび２４ｂの上面が白色レジスト２２から露出される。よって、基板（インターポーザ２０）の上面に反射膜を全面的に塗布しつつも基板に貫通孔配線を必要としないので、低コストと高効率な光取り出し効率とを両立することが可能なＬＥＤ発光装置１０およびその製造方法が実現される。
【００６１】
以上、本発明に係るＬＥＤ発光装置１０およびその製造方法について、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の趣旨を逸脱しない限り、各種変形を実施の形態に施したもの、または、実施の形態における構成要素を組み合わせて構築される別の形態も、本発明に含まれる。
【００６２】
たとえば、上記実施の形態では、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂは、インターポーザ２０の上面に対して垂直な側面を有したが、インターポーザ２０の上面に対して傾斜した側面を有してもよい。つまり、本発明に係るＬＥＤ発光装置は、図４に示されるＬＥＤ発光装置１０ａのように、断面が台形となるダミーチップ２４ｃおよび２４ｄを備えてもよい。これにより、同一の上面の面積をもつ実施の形態におけるダミーチップ２４ａおよび２４ｂに比べ、より大きな接合面積で、ダミーチップ２４ｃおよび２４ｄとインターポーザ２０とが強固に接合される。よって、ダミーチップ２４ｃおよび２４ｄへのワイヤボンディング時、および、その後において、ダミーチップ２４ｃおよび２４ｄがインターポーザ２０から剥がれてしまうことが抑制される。
【００６３】
また、上記実施の形態では、ダミーチップ２４ａおよび２４ｂは、インターポーザ２０と別体の金属板で構成されたが、インターポーザ２０と同一体で構成されてもよい。インターポーザ２０と同一体のダミーチップについては、インターポーザ２０を構成する基板（例えば、シリコン基板）をエッチングすることによって、ＬＥＤチップ２３と同じ厚み（高さ）の凸部を形成し、その凸部を金属膜で覆うことにより、形成できる。同様に、窒化アルミニウムを粉末射出成形により成形することでも凸部を形成することもできる。これにより、インターポーザ２０と別個にダミーチップを準備する必要がなくなる。
【符号の説明】
【００６４】
１０、１０ａ  ＬＥＤ発光装置
２０  インターポーザ（基板の一例）
２０ａ  シリコンウエハ（基板の一例）
２１ａ、２１ｂ、３１ａ〜３１ｃ  配線パターン
２２  白色レジスト（反射膜の一例）
２３  ＬＥＤチップ
２４ａ〜２４ｄ  ダミーチップ
２５ａ、２５ｂ  ボンディングワイヤ
２６  はんだ
３０  絶縁基板
４０  剥離材
４１  ピールテープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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