(57)【要約】【課題】サブフィールド駆動で擬似輪郭を発生しにくくする。【解決手段】電気光学装置１は、光源部６０と、光源部６０からの照射光を変調して階調表示を行う画素を含む表示パネル１００とを備え、フレームを、第１のサブフィールドと、前記第１のサブフィールドよりも時間長の長い第２のサブフィールドとを含む複数のサブフィールドに分割し、前記サブフィールド毎に、階調に応じて前記画素をオン又はオフに駆動する駆動回路（走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１４０）と、前記第２のサブフィールドの前記照射光の光量を、前記第１のサブフィールドよりも低減させて、光源部６０により前記画素に光を照射する光源制御部５０とを備える。【選択図】図１
2014191300.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源部と、
前記光源部からの照射光を変調して階調表示を行う画素を含む表示パネルと
を備える電気光学装置の駆動装置であって、
フレームを、第１のサブフィールドと、前記第１のサブフィールドよりも時間長の長い第２のサブフィールドとを含む複数のサブフィールドに分割し、前記サブフィールド毎に、前記画素を階調に応じてオン又はオフに駆動する駆動回路と、
前記第２のサブフィールドの前記照射光の光量を、前記第１のサブフィールドよりも低減させて、前記光源部により前記画素に光を照射する光源制御部と
を備える電気光学装置の駆動装置。
【請求項２】
前記第２のサブフィールドは、前記複数のサブフィールドの中で最長のサブフィールドである
請求項１に記載の電気光学装置の駆動装置。
【請求項３】
前記表示パネルは、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に対応して設けられた複数の画素を含み、
前記光源部は、前記複数の画素に光を照射し、
前記駆動回路は、
前記複数の走査線を所定の順番で選択して、選択した走査線に対応する画素をオン又はオフに駆動し、
前記光源制御部は、
前記複数の画素が前記第２のサブフィールドで駆動されている期間に、前記照射光の光量を低減させる
請求項１又は２に記載の電気光学装置の駆動装置。
【請求項４】
前記表示パネルは、第１の方向に延在する複数の走査線と、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数のデータ線との各交差に対応して設けられた複数の画素を含み、
前記光源部は、前記第１のサブフィールドの時間長に応じて前記第２の方向の幅を調整した第１の光、及び、前記第２のサブフィールドの時間長に応じて前記第２の方向の幅を調整し、前記第１の光よりも光量を低減させた第２の光を射出し、
前記駆動回路は、
前記複数の走査線を前記第２の方向に順番に選択して、選択した走査線に対応する画素をオン又はオフに駆動し、
前記光源制御部は、
前記表示パネルにおいて前記第１の光を走査させて、当該第１の光を前記第１のサブフィールドで駆動されている画素に照射するとともに、前記表示パネルにおいて前記第２の光を走査させて、当該第２の光を前記第２のサブフィールドで駆動されている画素に照射する
請求項１又は２に記載の電気光学装置の駆動装置。
【請求項５】
光源部と、
前記光源部からの照射光を変調して階調表示を行う画素を含む表示パネルと
を備える電気光学装置の駆動方法であって、
フレームを、第１のサブフィールドと、前記第１のサブフィールドよりも時間長の長い第２のサブフィールドとを含む複数のサブフィールドに分割し、前記サブフィールド毎に、前記画素を階調に応じてオン又はオフに駆動し、
前記第２のサブフィールドの前記照射光の光量を、前記第１のサブフィールドよりも低減させて、前記光源部により前記画素に光を照射する
電気光学装置の駆動方法。
【請求項６】
光源部と、
前記光源部からの照射光を変調して階調表示を行う画素を含む表示パネルと、
フレームを、第１のサブフィールドと、前記第１のサブフィールドよりも時間長の長い第２のサブフィールドとを含む複数のサブフィールドに分割し、前記サブフィールド毎に、前記画素を階調に応じてオン又はオフに駆動する駆動回路と、
前記第２のサブフィールドの前記照射光の光量を、前記第１のサブフィールドよりも低減させて、前記光源部により前記画素に光を照射する光源制御部と
を備える電気光学装置。
【請求項７】
請求項６に記載の電気光学装置を備える電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブフィールド駆動で階調表示する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶等を備えた表示装置には、フレームを複数のサブフィールドに分割して、サブフィールド毎に画素をオン電圧又はオフ電圧を印加して階調表示を行う、サブフィールド駆動を行うものがある。特許文献１は、サブフィールド駆動と光源制御とを組み合わせて、表示可能な階調を増やすことを開示している。特許文献１に記載の発明では、１フレームを複数のサブフレームに分割し、サブフレームの期間の長い順に発光強度を徐々に低下させて、階調度が低い部分を意図的により低階調度に表現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−７８８６６号公報（段落００６４〜００６８、図３）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
サブフィールド駆動で階調を表示する場合、擬似輪郭の発生が問題となることがある。サブフィールドの分割数には限りがあるから、疑似輪郭が現れにくいサブフィールドコードだけを選択し使用することは、表示可能な階調数を減らす原因となる。
本発明は、上述した事情に鑑みてなされたもので、その目的の一つは、サブフィールド駆動で擬似輪郭を発生しにくくすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するために、本発明に係る電気光学装置の駆動装置は、光源部と、前記光源部からの照射光を変調して階調表示を行う画素を含む表示パネルとを備える電気光学装置の駆動装置であって、フレームを、第１のサブフィールドと、前記第１のサブフィールドよりも時間長の長い第２のサブフィールドとを含む複数のサブフィールドに分割し、前記サブフィールド毎に、前記画素を階調に応じてオン又はオフに駆動する駆動回路と、前記第２のサブフィールドの前記照射光の光量を、前記第１のサブフィールドよりも低減させて、前記光源部により前記画素に光を照射する光源制御部とを備える。
本発明によれば、時間長の長いサブフィールドの照射光の光量を低減させることにより、オン（又はオフ）しているサブフィールドも時間重心の移動量を小さくすることができるので、サブフィールド駆動で擬似輪郭を発生しにくくすることができる。
【０００６】
本発明に係る電気光学装置の駆動装置において、前記第２のサブフィールドは、前記複数のサブフィールドの中で最長のサブフィールドである。
本発明によれば、時間長の最も長いサブフィールドの照射光の光量を低減させることにより、サブフィールドの時間重心の移動量を小さくすることができるので、サブフィールド駆動で擬似輪郭を発生しにくくすることができる。
【０００７】
本発明に係る電気光学装置の駆動装置において、前記表示パネルは、複数の走査線と複数のデータ線との各交差に対応して設けられた複数の画素を含み、前記光源部は、前記複数の画素に光を照射し、前記駆動回路は、前記複数の走査線を所定の順番で選択して、選択した走査線に対応する画素をオン又はオフに駆動し、前記光源制御部は、前記複数の画素が前記第２のサブフィールドで駆動されている期間に、前記照射光の光量を低減させるようにしてもよい。
本発明によれば、表示パネルに含まれる複数の画素に光を照射する光源部を用いた場合であっても、各サブフィールドに対応した光量の光を、各画素に照射することができる。
【０００８】
本発明に係る電気光学装置の駆動装置において、前記表示パネルは、第１の方向に延在する複数の走査線と、前記第１の方向と交差する第２の方向に延在する複数のデータ線との各交差に対応して設けられた複数の画素を含み、前記光源部は、前記第１のサブフィールドの時間長に応じて前記第２の方向の幅を調整した第１の光、及び、前記第２のサブフィールドの時間長に応じて前記第２の方向の幅を調整し、前記第１の光よりも光量を低減させた第２の光を射出し、前記駆動回路は、前記複数の走査線を前記第２の方向に順番に選択して、選択した走査線に対応する画素をオン又はオフに駆動し、前記光源制御部は、前記表示パネルにおいて前記第１の光を走査させて、当該第１の光を前記第１のサブフィールドで駆動されている画素に照射するとともに、前記表示パネルにおいて前記第２の光を走査させて、当該第２の光を前記第２のサブフィールドで駆動されている画素に照射する。
本発明によれば、表示パネルの一部の画素と他の画素とが異なるサブフィールドで駆動される期間においても、各サブフィールドに対応した光量の光を、各画素に照射することができる。
【０００９】
なお、本発明は、電気光学装置の駆動装置のほか、電気光学装置の駆動方法、電気光学装置及び電子機器としても観念することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図。
【図２】同実施形態に係る表示パネルにおける等価回路を示す図。
【図３】同実施形態に係るサブフィールドの構成を示す図。
【図４】同実施形態に係る表示制御部において供給される信号の時間変化を示す図。
【図５】同実施形態に係るサブフィールドコードを例示する図。
【図６】同実施形態に係る光源制御部による光源制御の様子を示す図。
【図７】本発明の第２実施形態に係るサブフィールドの構成を示す図。
【図８】同実施形態に係る光源部の構成を示す図。
【図９】同実施形態に係る光源制御部による光源制御の様子を示す図。
【図１０】同実施形態に係る光源制御部による光源制御の様子を示す図。
【図１１】本発明の電気光学装置を適用したプロジェクターの構成を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。以下では、本発明に係る電気光学装置の駆動装置を組み込んだ電気光学装置として、電気光学装置１を例示して説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、本発明の第１実施形態に係る電気光学装置の全体構成を示すブロック図である。図１に示すように、電気光学装置１は、表示制御部１０、光源部６０及び表示パネル１００を備える。表示制御部１０は、より詳細には、制御回路２０、メモリー３０、変換部４０及び光源制御部５０を有する。
制御回路２０は、上位装置（図示略）から供給される垂直走査信号Ｖｓ、水平走査信号Ｈｓ及びドットクロック信号Ｃｌｋに同期して、電気光学装置１の各部を制御する。
【００１２】
メモリー３０は、縦ｍ行×横ｎ列で配列する画素１１０の各々に対応した記憶領域を有し、各記憶領域は、それぞれ画素１１０に対応した映像信号Ｖｉｄ−ｉｎを格納する。映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは、画素１１０の明るさ（つまり階調レベル）を、例えば８ビットで指定するデジタルデータである。映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは、例えば、階調レベルが高いほど画素１１０を明るくすることを指定し、階調レベルが低いほど画素１１０を暗くすることを指定する。
なお、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは、制御回路２０により画素に対応する記憶領域に格納される一方で、表示パネル１００において走査対象となった画素に対応したデータがメモリー３０から表示データＤａとして読み出される。
【００１３】
変換部４０は、メモリー３０から読み出された表示データＤａをサブフィールドコードに変換して、表示データＶｘを表示パネル１００へ供給する。表示データＶｘは、画素１１０（液晶素子）をオン又はオフさせるかを指定するデータである。サブフィールドコードは、表示データＤａの各階調レベルについて、複数のサブフィールドの各々において、オン電圧及びオフ電圧のどちらを印加すべきであるかを示す情報である。変換部４０は、例えば、階調値とサブフィールドコードとの対応関係を規定したルックアップテーブルを参照して、表示データＤａをサブフィールドコードに変換する。ただし、変換部４０は、ルックアップテーブルを参照する方法以外の方法で、表示データＤａをサブフィールドコードに変換してもよい。
【００１４】
光源制御部５０は、光源部６０を制御するための光源制御信号ＳＣを、光源部６０へ供給する。光源制御部５０は、例えば、光源部６０の点灯や消灯、点灯時に発する光の光量を制御する。
【００１５】
光源部６０は、例えば、Ｒ（赤）色、Ｇ（緑）色又はＢ（青）色の光を発する発光ダイオード（ＬＥＤ；Light Emitting Diode）や半導体レーザー等の固体光源、ハロゲンランプ等の白色光源を有し、発した光を表示パネル１００に照射する。光源部６０は、表示パネル１００の表示領域１０１の全体（すなわち全画素）に光を照射する。光源部６０は、少なくとも異なる２種類の光量で光を照射可能であり、光源制御部５０からの光源制御信号ＳＣに従った光量で光を発する。
【００１６】
表示パネル１００は、表示領域１０１において複数の画素１１０がマトリクス状に配列した表示パネルであり、ここでは液晶パネルである。詳細には、表示領域１０１には、ｍ行の走査線１１２が図においてＸ（水平）方向（第１の方向）に延在する一方、ｎ列のデータ線１１４が走査線１１２と電気的な絶縁を保ちつつ、図１においてＹ（垂直）方向（第２の方向）に延在している（ｍ、ｎはいずれも自然数）。そして、走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応するように画素１１０がそれぞれ設けられている。本実施形態において、画素１１０は、縦ｍ行×横ｎ列のマトリクス状に配列することになる。
【００１７】
図２は、表示パネル１００における等価回路を示す図である。
図２に示すように、表示パネル１００は、走査線１１２とデータ線１１４との交差に対応して、画素電極１１８とコモン電極１０８とで液晶１０５を挟持した液晶素子１２０が配列した構成である。表示パネル１００における等価回路では、図２に示すように、液晶素子１２０に対して並列に補助容量（蓄積容量）１２５が設けられる。補助容量１２５は、一端が画素電極１１８に接続され、他端が容量線１１５に共通接続されている。容量線１１５は時間的に一定の電圧に保たれている。
ここで、走査線１１２がＨレベルになると、その走査線にゲート電極が接続されたＴＦＴ１１６がオンとなり、画素電極１１８がデータ線１１４に接続される。このため、走査線１１２がＨレベルであるときに、データ線１１４に階調に応じた電圧のデータ信号を供給すると、そのデータ信号は、オンしたＴＦＴ１１６を介して画素電極１１８に印加される。走査線１１２がＬレベルになると、ＴＦＴ１１６はオフするが、画素電極１１８に印加された電圧は、液晶素子１２０の容量性及び補助容量１２５によって保持される。
液晶素子１２０では、画素電極１１８及びコモン電極１０８によって生じる電界に応じて液晶１０５の分子配向状態が変化する。このため、液晶素子１２０は、透過型であれば、印加・保持電圧に応じた透過率となる。表示パネル１００では、液晶素子１２０毎に透過率が変化するので、液晶素子１２０が画素に相当する。液晶素子１２０は、光源部６０からの照射光を変調して階調表示する。
なお、本実施形態においては、液晶１０５をＶＡ方式の液晶とし、液晶素子１２０が電圧無印加時において黒状態となるノーマリーブラックモードとする。
【００１８】
図１に戻って説明する。
走査線駆動回路１３０は、制御回路２０から供給されるスタートパルスＤｙをクロック信号Ｃｌｙに従って順次シフトし、１、２、３、４、・・・、ｍ行目の走査線１１２に、走査信号Ｇ１、Ｇ２、Ｇ３、Ｇ４、・・・、Ｇｍとして、供給する。
データ線駆動回路１４０は、変換部４０によって変換された表示データＶｘを、クロック信号Ｃｌｘで順次サンプリングするとともに、極性信号ＦＲＰで指定された極性の電圧に変換して、１、２、３、４、５、・・・、ｎ列目のデータ線１１４に、データ信号ｄ１、ｄ２、ｄ３、ｄ４、ｄ５、・・・、ｄｎとして供給する。画素をオンに駆動するときには、例えば、コモン電極１０８の電圧ＬＣｃｏｍとの電位差を５．０Ｖとするオン電圧が液晶素子１２０に印加される。画素をオフに駆動するときには、例えば、コモン電極１０８の電圧ＬＣｃｏｍとの電位差を０Ｖとするオフ電圧が液晶素子１２０に印加される。
以上の構成の走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１４０の協働により、電気光学装置１の駆動回路が実現される。
【００１９】
制御回路２０が供給する極性信号ＦＲＰは、画素（液晶素子１２０）への書込極性を指定する信号であり、例えばＨレベルであれば正極性書込を指定し、Ｌレベルであれば負極性書込を指定する。ここで、書込極性については、画素電極１１８がコモン電極１０８よりも高位側とする場合を正極性とし、低位側とする場合を負極性とする。極性信号ＦＲＰは、例えば、フレーム反転駆動を実現するように生成されるが、フレーム反転駆動に限定する主旨ではない。
【００２０】
図３は、電気光学装置１におけるサブフィールドの構成を示す図である。
図３に示すように、電気光学装置１では、１フレームを１０個のサブフィールドに分割して、サブフィールド毎に、１〜ｍ行目の走査線を走査する。電気光学装置１は、６０Ｈｚの駆動速度で表示パネル１００を駆動することにより、上位装置から６０Ｈｚの供給速度で供給される映像信号Ｖｉｄ−ｉｎに応じた１フレームの画像を表示する。ここでいう１フレームとは、１カット（コマ）分の映像信号Ｖｉｄ−ｉｎが上位装置から供給される期間、又は、１カットの分の画像を表示パネル１００が表示するのに要する期間をいい、垂直走査信号Ｖｓの周波数が６０Ｈｚであれば、その１周期分の１６．６７ミリ秒になる。
【００２１】
１フレームに含まれる１０つのサブフィールドを、時系列順に、サブフィールドＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ４、・・・、ＳＦ１０と表す。各サブフィールドの重みは、サブフィールドＳＦ１の期間長を「１」という重みで正規化して表現した場合、以下のとおりである。サブフィールドＳＦ１、ＳＦ２、ＳＦ３、ＳＦ４及びＳＦ５に与えられた重みは、「１」である。サブフィールドＳＦ６に与えられた重みは、「２」である。サブフィールドＳＦ７に与えられた重みは、「４」である。サブフィールドＳＦ８に与えられた重みは、「８」である。サブフィールドＳＦ９に与えられた重みは、「１６」である。サブフィールドＳＦ１０に与えられた重みは、「３２」である。よって、各サブフィールドの時間長は、ＳＦ１０＞ＳＦ９＞ＳＦ８＞ＳＦ７＞ＳＦ６＞ＳＦ５＝ＳＦ４＝ＳＦ３＝ＳＦ２＝ＳＦ１という関係を満たす。
【００２２】
図４は、表示制御部１０において供給される信号の時間変化を示す図である。垂直走査信号Ｖｓが、図４（ａ）に示すように制御回路２０に供給された場合、制御回路２０は、スタートパルスＤｙを、１行目の画素におけるＳＦ１〜ＳＦ１０の開始タイミングに合わせて、走査線駆動回路１３０へ供給する。走査線駆動回路１３０は、クロック信号Ｃｌｙに従ってスタートパルスＤｙを転送すること等によって、走査信号Ｇ１〜Ｇｍを順次走査線１１２へ供給する。図４（ｂ）は、走査線の１〜ｍ行を縦軸にとり、時間を横軸としたときに、走査信号Ｇ１〜Ｇｍによって選択される走査線の時間的推移を示す図である。走査線の選択を仮に走査線毎の黒棒で示したとき、走査線は排他的に選択されるので、走査線の選択における時間的推移は、実際には黒棒の連続点で示されるが、簡略的に表記するため、図４（ｂ）においては右下がりの実線で示している。
【００２３】
ところで、サブフィールド駆動で問題となることのある擬似輪郭は、時間方向への重心（時間重心ともいう。）の移動量が大きい場合に、特に発生しやすい。ここで、図５に示すように、重みが「３５」のサブフィールドコードＡ（図５（ａ）参照）で駆動されるフレームと、重みが「２８」のサブフィールドコードＢ１、Ｂ２（図５（ｂ）、（ｃ）参照）で駆動されるフレームとが、時間軸上で隣り合った場合を考える。まず、サブフィールドコードにおける重心の位置は、下記式（１）の関係を満たす。
重心の位置＝Σ（各サブフィールドの時間重心×時間重み×ＯＮ，ＯＦＦ×光量）／Σ（時間重み×ＯＮ，ＯＦＦ）  ・・・（１）
【００２４】
式（１）において、各サブフィールドの時間重心は、サブフィールドの開始時点を「０」とした場合の時間で表される。時間重みは、サブフィールドの時間長に与えられた重みであり、ここでは、図３を用いて説明した重みである。ＯＮ，ＯＦＦは、サブフィールドがオンで駆動されるのか（＝１）、又は、オフで駆動されるのか（＝０）を示す値である。
【００２５】
図５（ａ）に示すサブフィールドコードＡは、ＳＦ１〜ＳＦ９がオンであり、ＳＦ１０がオフであるから、重心は、サブフィールドの開始時点から４．３５３ｍｓの位置にある。図５（ｂ）に示すサブフィールドコードＢ１は、ＳＦ１〜ＳＦ４、ＳＦ８、ＳＦ９がオンであり、ＳＦ５〜ＳＦ７、ＳＦ１０がオフであるから、重心は、サブフィールドの開始時点から４．９７５ｍｓの位置にある。図５（ｃ）に示すサブフィールドコードＢ２は、ＳＦ６〜ＳＦ８がオンであり、ＳＦ１〜ＳＦ６、ＳＦ１０がオフであるから、重心は、サブフィールドの開始時点から５．２２４ｍｓの位置にある。よって、サブフィールドコードＡとの重心の時間方向への移動量を求めると、サブフィールドコードＢ１が４．９７５ｍｓ−４．３５３ｍｓ＝０．６２２ｍｓであり、サブフィールドコードＢ２が５．２２４ｍｓ−４．３５３ｍｓ＝０．８７１ｍｓである。よって、同じ階調を表現するためのサブフィールドコードＢ１、Ｂ２であっても、重心の移動量が小さいサブフィールドコードＢ１が採用され、重心の移動量が大きいサブフィールドコードＢ２が不採用となることがある。
【００２６】
式（１）から分かるように、サブフィールドの重心の位置は、時間長が長いサブフィールドがオンであるか、又は、オフであるかによって大きく変化しやすい。よって、時間長の長いサブフィールドがオンしていたフレームから、このサブフィールドがオフするフレームに切り替わったときには、重心の移動量が大きくなりやすい。同様に、時間長の長いサブフィールドがオフしていたフレームから、このサブフィールドがオンするフレームに切り替わったときには、重心の移動量が大きくなりやすい。
【００２７】
時間長が長いサブフィールドのオンオフの切り替わりによる重心移動を少なくするために、光源制御部５０は、時間長の長いサブフィールドにおいて、他のサブフィールドよりも、光源部６０が発する光の光量を低減させる。式（１）から分かるように、サブフィールドの時間長の他に、時間長が長いサブフィールドでの照射光の光量も、重心の位置に大きく影響するからである。すなわち、時間長が長いサブフィールドの光量を低くしておけば、時間長の短いサブフィールドとの重みとの差が小さくなり、重心の位置への影響度合いを小さくすることができる。時間長が最大であるサブフィールドＳＦ１０の重みは「３２」であるが、光量を１／２に半減させると、重みの「１６」のサブフィールドと同等となる。また、サブフィールドＳＦ１０の重みは「３２」であるが、光量を２／３に半減させると、重みが「２８．７」のサブフィールドとして使用することができる。この場合、重みが「２８．７」のサブフィールドは他に存在しないので、光源部６０の照射光の光量を一定にした場合には表示することのできない階調を、サブフィールドＳＦ１０をオンで駆動することによって表示することができる。
【００２８】
また、光源制御部５０は、時間長が最長のサブフィールドＳＦ１０で光量を低減させるのに代えて、又は、時間長が最大のサブフィールドと組み合わせて、例えば２番目や３番目の時間長のサブフィールド（ここではサブフィールドＳＦ８、ＳＦ９）で光量を低減させることもできる。光源制御部５０は、少なくとも最短でないサブフィールド（第２のサブフィールド）の光量を低減させれば、最短の時間長のサブフィールド（第１のサブフィールド）で光量を低減させた場合に比べて、重心の時間方向への移動量を小さくして、擬似輪郭の発生を減少させることが可能となる。
なお、画素の階調レベルとサブフィールドコードとの対応関係は、光源部６０の照射光の光量が低減させられた場合に所望する階調を表現できるように、例えば、変換部４０が参照するルックアップテーブルにおいて規定されている。
【００２９】
ところで、特定のサブフィールドだけで光源部６０が発する光の光量を低減させようとしても、そのサブフィールドの時間長が短い場合には、光量を低減させることのできる期間がない（又はほとんどない）場合がある。例えば、図４（ｂ）に示す時点ｔ０にサブフィールドＳＦ８での光量を低減させようとしても、サブフィールドＳＦ７で駆動される画素への照射光の光量も低減してしまい、所望する階調を表現することができなくなってしまう。
【００３０】
そこで、光源制御部５０は、図４（ｃ）に斜線で示した期間ｔ１〜ｔ３において、光量を低減させる光源制御を許可する。期間ｔ１は、表示パネル１００に含まれるすべての画素がサブフィールドＳＦ８で駆動されている期間である。期間ｔ２は、表示パネル１００に含まれるすべての画素がサブフィールドＳＦ９で駆動されている期間である。期間ｔ３は、表示パネル１００に含まれるすべての画素がサブフィールドＳＦ１０で駆動されている期間である。
【００３１】
期間ｔ１〜ｔ３において光量を低減させる場合、光源制御部５０は、図４（ａ）の「ＳＣ」の欄に示すように、光量の低減の開始時期及び終了時期を立ち上がりエッジによって規定する光源制御信号ＳＣを、光源部６０へ供給する。図４（ａ）の例では、光源制御部５０は、サブフィールドＳＦ８、ＳＦ９又はＳＦ１０の開始時点を規定するスタートパルスＤｙが立ち上がった後、そのサブフィールドでｍ行目の走査線１１２の走査線が選択された時点から光量を低減させるように、光源制御信号ＳＣを供給する。また、光源制御部５０は、サブフィールドＳＦ９、ＳＦ１０、ＳＦ１の開始時点を規定するスタートパルスＤｙが立ち上がったタイミングで、光量を低減させる制御を終了するように、光源制御信号ＳＣを供給する。
【００３２】
図６は、光源制御部５０による光源制御の結果の一例を示す図である。図６の例では、サブフィールドＳＦ９の光量を１／２とし、サブフィールドＳＦ１０の光量を２／３としている。この光源制御が行われた場合、時間長の長いサブフィールドＳＦ９、ＳＦ１０の重みが、光量を低減させない場合に比べて小さくなる。よって、光源制御部５０の光源制御により、次フレームでサブフィールドＳＦ９やＳＦ１０がオフで駆動される場合であっても、重心の移動量を小さくすることができる。
【００３３】
以上説明した第１実施形態によれば、電気光学装置１は、サブフィールドの時間長が長いサブフィールドにおいて、光源部６０の照射光の光量を低減させることによって、このサブフィールドのオンオフが切り替わった場合であっても、重心の時間方向への移動量を小さくする。この結果、サブフィールドコードの構成を特に工夫しなくても、光源制御によって、擬似輪郭の発生を抑えることができる。また、擬似輪郭が現れにくくなるため、電気光学装置１では、光量を一定とする場合には使用できなかったサブフィールドコードを使用できる機会が増えたり、また、単なるオンオフ駆動だけでは実現できなかった重みを得られたりすることが期待できる。このため、電気光学装置１によれば、サブフィールドの分割数を増やすことなく、表示可能な階調数を増やすことが可能である。
【００３４】
また、電気光学装置１は、特定のサブフィールドで光源部６０の照射光の光量を低減させる場合に、すべての画素がこのサブフィールドで駆動される期間に光量を低減させるから、他のサブフィールドで駆動される画素の照射光の光量まで低減することがない。このため、光源部６０の照射光の光量を低減させることによって、電気光学装置１において画像の表示品位が損なわれることがない。
【００３５】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の第２実施形態について説明する。
上述した第１実施形態では、電気光学装置１は、全画素が同一のサブフィールドで駆動されている期間に、光源部６０の照射光の光量を低下させていた。この構成では、光量を低下させる期間が限られてしまい、例えば時間長が短いサブフィールドで光量を低減させることができない場合がある。例えば、図７に示す構成のサブフィールドである場合には、全画素が同じサブフィールドで駆動される期間がほとんどない。
そこで、この第２実施形態の電気光学装置１では、後述する光源部６０ａを用いて、時間長の短いサブフィールドでも光量を低下させる光源制御を行う。この実施形態の電気光学装置１は、光源部６０に代えて光源部６０ａを有する点、及び、光源部６０ａを用いた高原制御を行う点で、上述した第１実施形態の構成と相違するが、これら以外の構成は同じであってよい。以下の説明において、第１実施形態と同じ構成については同一の符号を付して表し、その説明を省略する。
【００３６】
図８は、この実施形態の光源部６０ａの構成を説明する図である。光源部６０ａは、レーザー光源素子群６１と、コリメート光学系６２と、偏向ミラー６３とを有する。
レーザー光源素子群６１は、複数のレーザー光源素子６１ａ〜６１ｄを含む。レーザー光源素子６１ａ〜６１ｄは、それぞれ同じ波長の光を射出する。レーザー光源素子６１ａ〜６１ｄは、それぞれが偏向ミラー６３に向けて光を射出する。
【００３７】
コリメート光学系６２は、複数のコリメートレンズ６２ａ〜６２ｄを含む。コリメート光学系６２は、レーザー光源素子群６１が射出した光を平行化してそのスポット径を調整し、その調整後のビーム状の光を射出する。具体的には、コリメートレンズ６２ａは、レーザー光源素子６１ａが射出した光Ｌａのスポット径を調整する。コリメートレンズ６２ｂは、レーザー光源素子６１ｂが射出した光Ｌｂのスポット径を調整する。コリメートレンズ６２ｃは、レーザー光源素子６１ｃが射出した光Ｌｃのスポット径を調整する。コリメートレンズ６２ｄは、レーザー光源素子６１ｄが射出した光Ｌｄのスポット径を調整する。レーザー光源素子６１ａ〜６１ｄは互いに位置が異なり、光Ｌａ〜Ｌｄは、偏向ミラー６３に入射するときの入射角が互いに異なる。
【００３８】
偏向ミラー６３は、矢印Ｒ方向に回動可能であり、レーザー光源素子群６１からの入射光の光軸を、表示パネル１００におけるＸ方向及びＹ方向に変化させる反射体である。偏向ミラー６３は、ＭＥＭＳ技術により形成されるマイクロメカニカルミラー等により構成され、レーザー光源素子６１ａ〜６１ｄの各々からの入射した光Ｌａ〜Ｌｄを、表示パネル１００における互いに異なる領域へ反射させる。光源制御部５０は、ミラー駆動部（図示略）を制御して、偏向ミラー６３を駆動する。ミラー駆動部は、所定の回転軸の周りに偏向ミラー６３を駆動量に応じた角速度、振幅で回動させる。光源制御部５０は、例えば、破線に示すように偏向ミラー６３の姿勢を変化させることにより、光Ｌａ〜Ｌｄを、表示パネル１００においてＹ方向に走査させる。
【００３９】
図９は、光源制御部５０が光源部６０ａを用いて行う光源制御を説明する図である。図９には、表示パネル１００を正面から見た様子が示されている。図１０は、走査線の１〜ｍ行を縦軸にとり、時間を横軸としたときに、走査信号Ｇ１〜Ｇｍによって選択される走査線の時間的推移を示す図である。
図９（ａ）及び図１０に示すように、時点ｔ１１では、光源制御部５０は、レーザー光源素子６１ａの光Ｌａ（第１の光）を、サブフィールドＳＦ１で駆動される画素を配列した照射領域Ｔ１に照射する。光源制御部５０は、レーザー光源素子６１ｂの光Ｌｂ（第２の光）を、サブフィールドＳＦ２で駆動される画素を配列した照射領域Ｔ２に照射する。光源制御部５０は、レーザー光源素子６１ｃの光Ｌｃ（第２の光）を、サブフィールドＳＦ３で駆動される画素を配列した照射領域Ｔ３に照射する。光源制御部５０は、レーザー光源素子６１ｄの光Ｌｄ（第２の光）を、サブフィールドＳＦ４で駆動される画素を配列した照射領域Ｔ４に照射する。
【００４０】
図９（ａ）からも分かるように、サブフィールドの時間長に応じて、各サブフィールドで駆動される画素からなる領域のＹ方向の幅は異なる。このため、光源部６０ａは、各サブフィールドの時間長に応じてＹ方向の幅を調整した光を射出することによって、照射領域Ｔ１〜Ｔ４のそれぞれに光を照射することができる。照射光のＸ方向の幅については特に問わないが、表示パネル１００の１画素分以上の幅とすると、偏向ミラー６３の駆動周波数を低くすることができる。例えば、照射領域のＸ方向の幅は、表示パネル１００の表示領域１０１のＸ方向の幅と同じであってもよい。
【００４１】
時点ｔ１１以降においても、光源制御部５０は、光源部６０ａからの光Ｌａ〜Ｌｄを、それぞれ対応するサブフィールドの画素に光を照射するように、各光をＹ方向に走査させる。図９（ｂ）及び図１０に示すように、時点ｔ１２では、表示パネル１００はサブフィールドＳＦ２〜ＳＦ４で駆動される画素のみとなり、光源制御部５０は、光Ｌｂ〜Ｌｄをそれぞれ照射領域Ｔ２〜Ｔ４に照射する。図９（ｃ）に示すように、時点ｔ１３では、表示パネル１００はサブフィールドＳＦ３、ＳＦ４で駆動される画素のみとなり、光源制御部５０は、光Ｌｃ、Ｌｄをそれぞれ照射領域Ｔ３、Ｔ４に照射する。図９（ｄ）に示すように、時点ｔ１４では、サブフィールドＳＦ４で駆動される画素のみとなり、光源制御部５０は、光Ｌｄを照射領域Ｔ４に照射する。
【００４２】
各照射光の光量について説明すると、例えば、光源制御部５０は、サブフィールドＳＦ４、ＳＦ３、ＳＦ２、ＳＦ１の順に光量を低くする。この光源制御により、上述した第１実施形態と同様の作用により、擬似輪郭の発生を抑えることができる。また、本実施形態においても、光源制御部５０は、少なくとも最短でないサブフィールド（第２のサブフィールド）の光量を低減させれば、最短の時間長のサブフィールド（第１のサブフィールド）で光量を低減させた場合に比べて、重心の時間方向への移動量を小さくして、擬似輪郭の発生を減少させることが可能となる。
【００４３】
また、この実施形態では、表示パネル１００が４つのサブフィールドで同時に駆動される場合を説明したが、２つ、３つ又は５つ以上のサブフィールドで駆動されてもよい。この数がいくつであっても、光源部６０ａがその数と同数のレーザー光源素子を有していれば、サブフィールド毎に独立した光を、各画素に照射することができる。
【００４４】
以上説明した第２実施形態によれば、電気光学装置１は、光源部６０ａを制御して、サブフィールド毎に独立した照射光をＹ方向に走査させることにより、サブフィールドの時間長が短いサブフィールドについても、照射光の光量を低減させることができる。この実施形態の電気光学装置１によれば、上述した第１実施形態よりも、光量を低減させることのできるサブフィールドが増えるので、擬似輪郭の発生を抑える効果を更に向上させることもできる。
また、電気光学装置１は、各照射光のスポット径を、各サブフィールドの時間長に応じた大きさとするが、Ｘ方向及びＹ方向に１画素よりも大きい幅とすることによって、画素数が多く高精細な表示パネル１００が用いられた場合であっても、偏向ミラー６３の駆動周波数を著しく高くする必要がない。
【００４５】
＜変形例＞
本発明は、上述した実施形態と異なる形態で実施することが可能である。また、以下に示す変形例は、各々を適宜に組み合わせてもよい。
上述した第１実施形態の電気光学装置１では、一のサブフィールドの全体で光量を均一にしていたが、一のサブフィールド内で光量を変化させてもよい。例えば、光源制御部５０は、或るサブフィールドの前半の１／２の期間では光量を２／３に低減させ、後半の１／２の期間では光量を１／２に低減させる、という具合である。
【００４６】
上述した第２実施形態の電気光学装置１において、時間長が同じサブフィールドが時間軸上で複数連続する場合に、これらの複数のサブフィールドで駆動される画素に対し、１つのレーザー光源素子によって光を照射してもよい。
また、サブフィールドの数だけレーザー光源素子を有するのではなく、光源部６０ａは、１つの光源からの照射光を２つ以上の光に分けて、分けた光をそれぞれ異なる領域に照射してもよい。
【００４７】
上述した各実施形態において、光源部は、一定の光量で光を発する光源と、光源から発する光を減光する減光手段（例えば減光フィルタ）を備える構成であってよい。この場合、光源制御部５０は、光源の発光光量を一定したまま、減光手段の制御により、表示パネル１００への照射光の光量を低減させてもよい。光源制御部５０が照射光の光量を減じるための具体的な構成及び制御の内容は、特に問わない。
【００４８】
また、電気光学装置１は、２倍速駆動や４倍速駆動等の倍速駆動により表示パネル１００を駆動するものであってもよい。
また、サブフィールドコードは、時間軸上で先行するサブフィールドほど時間長が短い構成でなくてもよく、サブフィールドの時間長が少なくとも２種類あれば、それ以外はどのような構成であってもよい。
上述した各実施形態では、液晶１０５にＶＡ方式を用いた例について説明したがＴＮ方式を用いてもよい（つまり、液晶素子１２０がノーマリーホワイトモード）。
上述した各実施形態において、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは、画素の階調レベルを指定するものとしたが、液晶素子の印加電圧を指定するものとしてもよい。
また、各実施形態において、液晶素子１２０は、透過型に限られず、反射型であってもよい。
【００４９】
＜電子機器＞
次に、上述した実施形態に係る電気光学装置１を適用した電子機器について、プロジェクターを例にとって説明する。図１１は、プロジェクター２００の構成を示す平面図である。
プロジェクター２００は、ここでは液晶プロジェクターであり、反射型のスクリーンＳに画像光を投射する投射型表示装置である。図１１に示すように、プロジェクター２００は、光源部２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂと、液晶ライトバルブ２２０Ｒ、２２０Ｇ、２２０Ｂと、ダイクロイックプリズム２３０と、投射部２４０とを備える。プロジェクター２００の構成要素について、末尾の符号に「Ｒ」と付したものは赤（Ｒ）の色成分に対応する構成であり、「Ｇ」と付したものは緑（Ｇ）の色成分に対応する構成であり、「Ｂ」と付したものは青（Ｂ）の色成分に対応した構成である。光源部２１０Ｒ、２１０Ｇ及び２１０Ｂは、光源の色が異なるだけで、それ以外は共通した構成を有する。液晶ライトバルブ２２０Ｒ、２２０Ｇ、２２０Ｂは、形成する画像の色が異なるだけで、それ以外は共通した構成を有する。液晶ライトバルブ２２０Ｒ、２２０Ｇ、２２０Ｂが、表示パネル１００と同等の構成を備える。
以下の説明において、各色成分の構成要素を特に区別する必要のないときは、符号の末尾のアルファベット（Ｒ、Ｇ又はＢ）を省略して説明する。また、ここでは、光源部２１０Ｒ、２１０Ｇ、２１０Ｂの構成を、第１実施形態の構成のように液晶ライトバルブ２２０全体に光を照射する構成としているが、上述した第２実施形態の光源部６０ａと同等の構成に置き換えられてもよい。
【００５０】
光源部２１０Ｒは、Ｒ色のレーザー光を射出する赤色光源部である。光源部２１０Ｇは、Ｇ色のレーザー光を射出する緑色光源部である。光源部２１０Ｂは、Ｂ色のレーザー光を射出する青色光源部である。光源部２１０は、レーザー光源素子２１１と、回折光学素子２１２と、角度調整用光学素子２１３とを備える。レーザー光源素子２１１は、ここでは半導体レーザーであり、レーザー光を射出する。回折光学素子２１２は、レーザー光源素子２１１から射出したレーザー光を回折する。角度調整用光学素子２１３は、回折光学素子２１２において回折したレーザー光の射出角度を調整する。
【００５１】
液晶ライトバルブ２２０は、透過型の液晶ライトバルブであり、光源部２１０から入射したレーザー光を画像信号に応じて変調して、画像光を射出する光変調装置である。液晶ライトバルブ２２０ＲはＲ色成分の画像を形成して、Ｒ色の光を射出する。液晶ライトバルブ２２０ＧはＧ色成分の画像を形成して、Ｇ色の光を射出する。液晶ライトバルブ２２０ＢはＢ色成分の画像を形成して、Ｂ色の光を射出する。液晶ライトバルブ２２０Ｒ、２２０Ｇ、２２０Ｂが射出した画像光は、ダイクロイックプリズム２３０に３方向から入射する。ダイクロイックプリズム２３０において、Ｒ色及びＢ色の画像光は９０度に屈折する一方、Ｇ色の画像光は直進する。ダイクロイックプリズム２３０は、液晶ライトバルブ２２０Ｒ、２２０Ｇ、２２０Ｂにより変調された各色の画像光を合成して、合成後の画像光を投射部２４０に向けて射出する。
【００５２】
投射部２４０は、複数のレンズ（例えば凸レンズ及び凹レンズ）からなる投射レンズ２４１を有し、投射レンズ２４１により、ダイクロイックプリズム２３０で合成された画像光を、スクリーンＳ上に拡大投射する。ただし、投射レンズ２４１に含まれるレンズの形状、大きさ、配置間隔や枚数、テレセントリック性、倍率その他のレンズ特性は、要求される特性によって適宜設定可能である。
【００５３】
プロジェクター２００は、各色成分に対応する複数の液晶ライトバルブを有するものに限定されない。プロジェクター２００は、単一の液晶ライトバルブを有していてもよい。この場合、光学フィルター等を用いて画素毎に対応する色が設定される。また、ライトバルブは、透過型の表示パネルを用いたものに限られず、反射型の表示パネルを用いたものであってもよい。また、プロジェクター２００は、液晶型のプロジェクターに限られず、例えば、ＤＭＤ（Digital Mirror Device）等を用いたものであってもよい。
【００５４】
なお、電子機器としては、図１１を参照して説明したプロジェクターの他、テレビジョンや、ビューファインダー型・モニター直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、スマートフォン、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【符号の説明】
【００５５】
１…電気光学装置、１０…表示制御部、１００…表示パネル、１０１…表示領域、１１０…画素、１２０…液晶素子、１３０…走査線駆動回路、１４０…データ線駆動回路、２０…制御回路、３０…メモリー、４０…変換部、５０…光源制御部、６０、６０ａ…光源部、２００…プロジェクター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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