(57)【要約】【課題】ブランキング電極によるＯＮ／ＯＦＦによって流入する熱量の変化を、簡便な方法で緩和することが可能な荷電粒子線露光装置を提供する。【解決手段】荷電粒子線露光装置の第二のアパーチャプレートは、描画選択された荷電粒子線を通過させる第一の開口部と、非描画選択された荷電粒子線の少なくとも一部を遮蔽する第二の開口部とを備え、  第一のアパーチャプレートは、第一の開口部を通過した荷電粒子源からの荷電粒子線を露光面側に通過させる開口部と、第二の開口部を通過した荷電粒子線を遮蔽するアパーチャプレート部とを備え、  第一と第二の開口部及び第一のアパーチャプレートの開口部のサイズ又は形状を調整して、描画選択と非描画選択とによる第一のアパーチャプレートに流入する荷電粒子線による熱量の差を小さくするように構成され、第二のアパーチャプレートを、荷電粒子源または露光面と共役関係とならない位置に配置する。【選択図】            図１
2014022559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
荷電粒子線を放出する荷電粒子源と、
荷電粒子線を偏向させて、描画と非描画を選択制御する偏向器と、
描画像を露光面に投影する投影レンズと、
を備え、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を前記投影レンズを介して前記露光面に結像させ、描画像を描画する荷電粒子線露光装置であって、
前記偏向器と前記投影レンズの間に、アパーチャユニットを有し、
前記アパーチャユニットは、第一のアパーチャプレートと第二のアパーチャプレートとによって構成され、
前記第二のアパーチャプレートは、前記描画選択された前記荷電粒子源からの荷電粒子線を通過させる第一の開口部と、前記非描画選択された荷電粒子線の少なくとも一部を遮蔽する第二の開口部とを備えると共に、
前記第一のアパーチャプレートは、前記第一の開口部を通過した前記荷電粒子源からの荷電粒子線を前記露光面側に通過させる開口部と、前記第二の開口部を通過した荷電粒子線を遮蔽するアパーチャプレート部とを備え、
前記第一と第二の開口部及び前記第一のアパーチャプレートの開口部のサイズ又は形状を調整することによって、
前記描画選択された際に該第一のアパーチャプレートに流入する前記荷電粒子線による熱量と、前記非描画選択された際に該第一のアパーチャプレートに流入する前記荷電粒子線による熱量との差が、小さくなるように構成され、
前記第二のアパーチャプレートが、前記荷電粒子源または前記露光面と共役関係とならない位置に配置されていることを特徴とする荷電粒子線露光装置。
【請求項２】
前記第一のアパーチャプレートは、温度調整手段を有することを特徴とする請求項１に記載の荷電粒子線露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線露光装置に関し、詳しくは電子ビーム等の荷電粒子線を偏向させて試料面を走査させ、描画パターンに応じて荷電粒子線をＯＮ／ＯＦＦしてパターン描画する荷電粒子線露光装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
電子ビーム露光装置は、電子源から射出された電子ビームを試料面に照射し、それらをさらに偏向させて試料面を走査させ、目的とするパターンを描画する装置である。
電子ビーム露光装置には、単一の電子ビームを用いて描画するポイントビーム型方式や、複数の開口を有するアパーチャアレイにより、電子ビームを分割させることで形成した複数の電子ビームを用いて描画するマルチビーム型方式等がある。
いずれの方式も、描画パターンに応じてブランキング電極で偏向することによって、電子ビームをＯＮ／ＯＦＦしてパターンを描画する装置である。
【０００３】
電子ビーム露光装置では、電子ビームをＯＮ／ＯＦＦする際に、描画選択された電子ビームを通過させ、非描画選択された電子ビームを遮蔽するための開口部をもったアパーチャプレートを使用している。
このような電子ビーム露光装置において、非描画選択された電子ビームは、全てアパーチャプレートで遮蔽され、それらは熱としてアパーチャプレートに流入する。
これに対し、描画選択された電子ビームは、アパーチャプレートの開口部を通過しなかった一部のビームだけが遮蔽され、アパーチャプレートに熱として流入する。
このため、描画パターンによって、アパーチャプレートに流入する熱量が変化するので、アパーチャプレートの温度は不安定となる。
このアパーチャプレートを、例えば電子源と共役関係となる位置、もしくは、その近傍等に配置し、電子ビームの絞りとして機能させた場合、流入する熱量の変化により開口部の位置等が不安定となり、描画性能が悪化するという問題があった。
また、アパーチャプレートの近傍に、絞りや投影レンズ等のような精度を要する部品が配置されている場合、アパーチャプレートへの入熱量の変化が、それらの部品の温度変化に影響し、描画性能が悪化するという問題があった。
これらに対処するため、特許文献１ではつぎのような荷電粒子ビーム露光装置が提案されている。
この装置では、アパーチャプレートに流入する熱量の和が常に一定の値になる様に算出された熱量を、ブランキング電極によるＯＮ／ＯＦＦに同期させて、加熱手段によりアパーチャプレートに供給するように構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１６２８１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記従来例の特許文献１のものを、アパーチャプレートに適用した場合、アパーチャプレートに流入する熱量を一定として、温度の安定性を図ることができるが、つぎのような課題を有している。
すなわち、ブランキング電極のＯＮ／ＯＦＦに同期させて、アパーチャプレートに熱量を供給する機構を、アパーチャプレートに設置する必要があり、装置としての構成が煩雑となる。
また、マルチビーム型のような複数の電子ビームを扱う場合、各電子ビームに対して同様の制御が必要となり、装置としての構成はさらに煩雑となる。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑み、ブランキング電極によるＯＮ／ＯＦＦによって、アパーチャプレートに流入する熱量の変化を、簡便な方法で緩和し、精度の向上を図ることが可能となる荷電粒子線露光装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を放出する荷電粒子源と、
荷電粒子線を偏向させて、描画と非描画を選択制御する偏向器と、
描画像を露光面に投影する投影レンズと、
を備え、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を前記投影レンズを介して前記露光面に結像させ、描画像を描画する荷電粒子線露光装置であって、
前記偏向器と前記投影レンズの間に、アパーチャユニットを有し、
前記アパーチャユニットは、第一のアパーチャプレートと第二のアパーチャプレートとによって構成され、
前記第二のアパーチャプレートは、前記描画選択された前記荷電粒子源からの荷電粒子線を通過させる第一の開口部と、前記非描画選択された荷電粒子線の少なくとも一部を遮蔽する第二の開口部とを備えると共に、
前記第一のアパーチャプレートは、前記第一の開口部を通過した前記荷電粒子源からの荷電粒子線を前記露光面側に通過させる開口部と、前記第二の開口部を通過した荷電粒子線を遮蔽するアパーチャプレート部とを備え、
前記第一と第二の開口部及び前記第一のアパーチャプレートの開口部のサイズ又は形状を調整することによって、
前記描画選択された際に該第一のアパーチャプレートに流入する前記荷電粒子線による熱量と、前記非描画選択された際に該第一のアパーチャプレートに流入する前記荷電粒子線による熱量との差が、小さくなるように構成され、
前記第二のアパーチャプレートが、前記荷電粒子源または前記露光面と共役関係とならない位置に配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、ブランキング電極によるＯＮ／ＯＦＦによって、アパーチャに流入する熱量の変化を、簡便な方法で緩和し、精度の向上を図ることが可能となる荷電粒子線露光装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態１における荷電粒子線露光装置の一例を説明する図である。
【図２】本発明の実施形態１における電子ビームがアパーチャプレートを通過する例を示した図である。
【図３】本発明の実施形態１におけるアパーチャプレートを通過、または遮蔽される電子ビームのエネルギーを示した図である。
【図４】本発明の実施形態２におけるアパーチャプレートの一例を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
つぎに、本発明の実施形態について説明する。
（実施形態１）
実施形態１として、本発明を適用したマルチビーム型荷電粒子線露光装置の構成例について、図１を用いて説明する。
本実施形態のマルチビーム型荷電粒子線露光装置は、荷電粒子線を放出する荷電粒子源と、荷電粒子線を偏向させて、描画と非描画を選択制御する偏向器と、描画像を露光面に投影する投影レンズと、を備える。そして、前記荷電粒子源から放出される荷電粒子線を前記投影レンズを介して前記露光面に結像させ、描画像を描画するように構成される。
その際、前記偏向器と前記投影レンズの間に、偏向器による描画と非描画との選択制御によって、描画選択された荷電粒子線を通過させ又は非描画選択された荷電粒子線を遮蔽するためのアパーチャユニットが構成されている。
【００１１】
具体的には、本実施形態のマルチビーム型荷電粒子線露光装置は、例えば図１の概略図に示すように構成される。
本実施形態のマルチビーム型荷電粒子線露光装置における全ての制御回路２１〜２４は、主制御系２０を通じてコントロールすることが可能である。
電子源１から放射された電子ビームは、レンズ制御回路２１により、静電型のコリメータレンズ２のレンズパワーを調整することによって、平行化された電子ビームとなる。
この電子ビームはビーム成形プレート３を照射され、ビーム成形プレート３の開口部により、各々分割され、複数の電子ビームが成形される。ビーム成形プレート３を通過した電子ビームは、レンズ制御回路２１にて、第一のアパーチャプレート１０１上で結像するように、第一集束レンズ４のレンズパワーで調整され、ブランキング偏向器５を通過する。
ブランキング偏向器５は、個別の偏向電極を持ったデバイスで、ブランキング偏向器制御回路２２にて生成されるブランキング信号に基づき、個別に電子ビームのＯＮ／ＯＦＦを行う。
電子ビームがＯＮ（描画選択）の状態の個所は、電子ビームは偏向されず、電子ビームがＯＦＦ（非描画選択）の状態の個所は、偏向電極に電圧を印加することで電子ビームは偏向される。
【００１２】
図２に、ブランキング偏向器５によって、描画選択、または、非描画選択された各電子ビームが、第二のアパーチャプレート１０２、第一のアパーチャプレート１０１を通過する例を示す。
ブランキング偏向器５によって非描画選択された電子ビーム１ｂは、その後段に配置された第二のアパーチャプレート１０２の第二の開口部１０２ａによって、少なくとも一部が遮蔽される。
その後、第二の開口部１０２ａを通過した電子ビーム１ｂは、第一のアパーチャプレート１０１によって全て遮蔽され、非描画選択（ＯＦＦ）の状態となる。
ブランキング偏向器５によって描画選択された電子ビーム１ａは、その後段に配置された第二のアパーチャプレート１０２の第二の開口部１０２ａを通過する。なお、図１、図２では、電子ビーム１ａが第二のアパーチャプレート１０２の第二の開口部１０２ａを全て通過しているが、全てが通過する必要はなく、描画性能に影響がなければ、電子ビーム１ａの一部が遮蔽されてもよい。
その後、第二の開口部１０２ａを通過した電子ビーム１ａは、第一のアパーチャプレート１０１を照射し、第一の開口部１０１ａ上に照射された部分は、第一のアパーチャプレート１０１を露光面側に通過し、それ以外は第一のアパーチャプレート部で遮蔽される。
【００１３】
第一のアパーチャプレート１０１を通過した電子ビームは、第二集束レンズ６によって結像され、さらに投影レンズ８によってウエハー９上の露光面９ａに結像される。
ウエハー９上の電子ビームのスキャンは偏向器７で行うことができる。偏向器７は対向電極によって形成されており、Ｘ、Ｙ方向について２段の偏向を行うために４段の対向電極で構成される（図中では簡単のため、２段偏向器を１ユニットとして表記している）。
偏向器７は偏向器制御回路２３の信号に従って駆動される。
パターン描画中は、ウエハー９は、ステージ駆動制御回路２４の信号に従い、Ｘ方向にステージ１０を駆動することによって連続的に移動する。
その際、レーザー測長機（不図示）による実時間での測長結果を基準として、ウエハー９面上の電子ビームが偏向器７によってＹ方向に偏向され、かつブランキング偏向器５によって描画パターンに応じてビームのＯＮ／ＯＦＦが個別になされる。
これにより、ウエハー９上の露光面９ａに所望のパターンを高速に描画することができる。
【００１４】
以上のことから、描画パターンに関係なく、電子ビームの遮蔽により第一のアパーチャプレート１０１に流入する熱量が安定し、それによって、高精度な荷電粒子露光措置となる理由を、図３を用いて説明する。
図３は、本発明の一例であるマルチビーム型荷電粒子線露光装置の一部を構成する、第一のアパーチャプレート１０１、及び、第二のアパーチャプレート１０２を通過、もしくは遮蔽される電子ビームの熱量（エネルギー）を示したものである。
第二のアパーチャプレート１０２の第二の開口部１０２ａに関して、描画選択された電子ビーム１ａのエネルギー透過率を１、非描画選択された電子ビーム１ｂのエネルギー透過率をα（０≦α＜１）であるとする。
また、第一のアパーチャプレート１０１の第一の開口部１０１ａに関して、ブランキング偏向器５によって描画選択され、第二のアパーチャプレート１０２を通過した電子ビーム１ｃのエネルギー透過率をβ（０＜β≦１）とする。
また、ブランキング偏向器５によって非描画選択され、第二のアパーチャプレート１０２を通過した電子ビーム１ｄは、第一のアパーチャプレート１０１で全て遮蔽され、熱量として第一のアパーチャプレート１０１に流入する。
なお、描画選択された電子ビーム１ａの、第二の開口部１０２ａのエネルギー透過率は、説明を平易にするために１としたが、１でなくとも本質的な差異は生じない。
【００１５】
また、反射電子や熱放射等による影響も、同様の理由によりないものと仮定しているが、これらに関しても、影響の有無を考慮しなくとも本質的な差異は生じない。また、第二のアパーチャプレート１０２に照射される前の電子ビームのエネルギーをＰとしている。
描画選択された電子ビーム１ａは、第二のアパーチャプレート１０２の第二の開口部１０２ａを通過する。
描画選択された電子ビーム１ａの、第二の開口部１０２ａのエネルギー透過率は１としたため、第一のアパーチャプレート１０１には、エネルギーＰの電子ビーム１ｃが照射される。
【００１６】
次に、第一のアパーチャプレート１０１において、電子ビーム１ｃが第一の開口部１０１ａを通過する際に、電子ビーム１ｃの一部が遮蔽され、エネルギーβＰの電子ビーム１ｅが、第一のアパーチャプレート１０１を通過する。
この時、第一のアパーチャプレート１０１で遮蔽された電子ビームのエネルギー（１−β）・Ｐが、熱量として第一のアパーチャプレート１０１に流入する。
非描画選択された電子ビーム１ｂは、第二のアパーチャプレート１０２の第二の開口部１０２ａにおいて、電子ビーム１ｂの少なくとも一部が遮蔽されて、第二のアパーチャプレート１０２を通過する。非描画選択された電子ビーム１ｂの、第二の開口部１０２ａのエネルギー透過率はαと設定したため、第一のアパーチャプレート１０１には、エネルギーα・Ｐの電子ビーム１ｄが照射される。第一のアパーチャプレート１０１において、電子ビーム１ｄは、第一の開口部１０１ａ上を通過しないため、全て遮蔽される。この時、第一のアパーチャプレート１０１で遮蔽された電子ビームのエネルギーα・Ｐが、熱量として第一のアパーチャプレート１０１に流入する。
【００１７】
以上のことから、例えばα＝１−βとなるように、第一の開口部１０１ａ、第二の開口部１０２ａのサイズや形状等を調整することにより、描画パターンに関係なく、第一のアパーチャプレート１０１に流入する熱量を同等にすることができる。これによって、第一のアパーチャプレート１０１の温度安定性が向上するため、高精度な荷電粒子線露光装置を提供することが可能となる。
【００１８】
また、この時、第二のアパーチャプレート１０２は、荷電粒子源１、もしくは、露光面９ａと共役関係とならない位置に配置されている。この理由について以下に説明する。第一の開口部１０１ａ、第二の開口部１０２ａのエネルギー透過率を、α＝１−βとなるように調整した場合、第二のアパーチャプレート１０２に流入する熱量は、第一のアパーチャプレート１０１とは異なり、描画パターンに応じて変化する。第二のアパーチャプレート１０２が、荷電粒子源１、もしくは露光面９ａと共役関係となる位置に配置された場合、第二のアパーチャプレート１０２で中間像が形成されるため、第二のアパーチャプレート１０２の変化が描画精度に影響を与える。以上から、第二のアパーチャプレート１０２が、荷電粒子源１、もしくは、露光面９ａと共役関係となる位置に配置されていると、描画パターンにより、第二のアパーチャプレート１０２が温度変化し、中間像が変化するため、描画精度が悪化することになる。
なお、第一の開口部１０１ａ、第二の開口部１０２ａの形状に関しては、要求されるビーム形状や、電子ビームのエネルギー透過率が、目的を達成するよう設定してあれば制約はなく、例えば、円形、楕円形、四角形、三角形、鍵穴形状等でもよい。
なお、図１において、第一のアパーチャプレート１０１，第二のアパーチャプレート１０２は、電子ビームの本数に対応する数だけ、各開口部を有していればよく、例えば１本の電子ビームの場合、各開口部は１つだけであってもよい。
【００１９】
また、第一のアパーチャプレート１０１，第二のアパーチャプレート１０２の材質や厚さは特に指定していないが、これらは本荷電粒子線露光装置に要求される加工精度や、熱負荷等を考慮して決定することが可能である。
例えば、材質については、銅、チタン、モリブデン、タングステン等の金属もしくはその合金、アルミナや炭化ケイ素等のセラミックス、シリコンウエハー等が考えられる。
また、熱伝導性を向上させるために、表面に導電性膜で被覆する等も考えられる。また、厚さについては、５０〜１０００μｍ等とすることができる。これらはいずれも本荷電粒子線露光装置を使用する環境において、要求される位置精度や耐熱性等の性能を確保するように選択すればよい。
なお、本実施形態１では、電子ビームの結像する位置に配置されるように、第一のアパーチャプレート１０１を配置しているが、これに限定されるものではない。
例えば、結像によるエネルギー密度の集中を避けるために、第一のアパーチャプレート１０１の位置を結像位置から多少位置を前後させて配置してもよい。また、第一のアパーチャプレート１０１を、ビーム成形用のアパーチャとして機能するような位置に配置する等してもよい。
以上の構成によれば、ブランキング偏向器によるＯＮ／ＯＦＦによらず、第一のアパーチャプレート１０１に流入する熱量の変化を緩和することが可能となり、第一のアパーチャプレート１０１の温度安定性を向上させることができる。
また、ブランキング偏向器のＯＮ／ＯＦＦに同期させる機構が不要なため、装置としての構成も煩雑にならないようにすることが可能となる。
【００２０】
（実施形態２）
実施形態２として、実施形態１と異なる形態の荷電粒子線露光装置の構成例について、図４を用いて説明する。
本実施形態では、実施形態１の荷電粒子線露光装置において、第一のアパーチャプレート１０１に、温度調整部（温度調整手段）１０５を搭載したものである。これにより、例えば、実施形態１で説明した第一のアパーチャプレート１０１に、図４のような温度調整部１０５を搭載することで、温度調整部１０５を、第一のアパーチャプレート１０１の温度調整手段として作用させることができる。
そのため、第一のアパーチャプレート１０１が安定となる温度を制御し、熱膨張による変形量を制御することが可能になるため、荷電粒子線露光装置としてさらに描画精度を高めることができる。
【００２１】
図４に、本実施形態におけるアパーチャプレートの一例を示す。
図４において、温度調整部１０５の材質や厚さは特に指定していないが、設定温度や、調整方式を考慮してその構造を決定するようにすればよい。
例えば、水冷方式により冷却機構として機能させる場合、温度調整部１０５はその内部に水やアンモニア等の冷媒を循環させるための循環路（不図示）等を設置して構成される。
外部に設置された温度調整装置（不図示）により温度、流量、圧力が調整された冷媒を、温度調整部（不図示）を通じて循環させることで、第一のアパーチャプレート１０１を冷却する。
材質については、加工性や熱伝導性を考慮して決定すればよく、例えば、銅、アルミ、チタン、モリブデン、タングステン等の金属もしくはその合金、熱伝導性の良い窒化アルミ系のセラミックス等が考えられる。
【００２２】
また、熱伝導性を向上させるために、表面を導電性膜で被覆する等も考えられる。
また、第一のアパーチャプレート１０１との接触部は、熱伝導性を確保するために、銀ペースト等の熱伝導率の高い接着材で固定するか、接触面の平面性を高める、伝熱シート等を挿入する等して、接触面間を押し付けて固定治具（不図示）で固定してもよい。
また、厚さについては、温度調整部１０５の内部の循環路のサイズや、熱伝導性等を考慮したうえで決定すればよく、例えば０．２〜１０ｍｍ等とすることができる。
これらはいずれも本荷電粒子線露光装置を使用する環境において、要求される位置精度や耐熱性等の性能を確保するように選択すればよい。
また、温度調整部１０５は、第一のアパーチャプレート１０１と接して配置する以外に、第一のアパーチャプレート１０１と一体成形することにより構成していてもよい。
【実施例】
【００２３】
以下に、本発明の実施例について説明する。
［実施例１］
実施例１として、実施形態１の荷電粒子線露光装置を適用した構成例について説明する。
本実施例の荷電粒子線露光装置において、第一のアパーチャプレート１０１は、厚さ２００μｍ、直径１００ｍｍの両面研磨単結晶のシリコンウエハーで、中央部の一辺が４ｍｍの正方形エリアに、荷電粒子の通過する第一の開口部１０１ａを複数有している。
開口部１０１ａは丸穴で、穴径２１μｍ、ピッチ２００μｍの正方配列で配置され、フォトリソグラフィとドライエッチングにより形成した。
第二のアパーチャプレート１０２は、開口部分以外は同等であり、中央部の一辺が４ｍｍの正方形エリアに、第二の開口部１０２ａを複数有している。
第二の開口部１０２ａは一辺が９０μｍの正方形穴で、ピッチ２００μｍの正方配列で配置されている。
第一のアパーチャプレート１０１と第二のアパーチャプレート１０２は、描画選択された電子ビームの中心が、第一の開口部１０１ａの中心と第二の開口部１０２ａの中心を通過するように位置決めされ、互いに５ｍｍ離間して配置されている。
また、この時、非描画選択された電子ビームは、第二のアパーチャプレート１０２において、第二の開口部１０２ａの中心に対して４５μｍ離間した位置を通過するように設定されている。
【００２４】
本実施例の荷電粒子線露光装置に電子ビームを照射する場合を考える。電子ビームは、開口部１０１ａの１つの開口に対して１本存在し、各々が１０ｍＷのエネルギーを有するように、ビーム成形プレート等により設定した。
各電子ビームは、対応する第二の開口部１０２ａ、第一の開口部１０１ａをそれぞれ通過するものとする。
また、この電子ビームは、全く遮蔽されることなく各アパーチャプレートを通過する場合、第二のアパーチャプレート１０２の位置で３５μｍ径、第一のアパーチャプレート１０１の位置で３０μｍ径となる、円形で均一な強度を有する集束ビームであるとする。
【００２５】
以上の条件のもとで、第二のアパーチャプレート１０２の、第二の開口部１０２ａのエネルギー透過率は、描画選択された電子ビーム１ａに対しては１、非描画選択された電子ビーム１ｂに対しては０．５と設定される。
また、第一のアパーチャプレート１０１の、第一の開口部１０１ａのエネルギー透過率は、描画選択された電子ビーム１ａに対しては約０．４９、非描画選択された電子ビーム１ｂに対しては、第一の開口部１０１ａを通過しないため、０と設定される。
上記の電子ビームが、第二のアパーチャプレート１０２の側から照射される際、第一のアパーチャプレート１０１に流入する熱量は、１本の電子ビームに対して、描画選択時は約５．１ｍＷ、非描画選択時は約５ｍＷとなる。そのため、電子ビームのＯＮ／ＯＦＦにより流入する熱量の差は、０．１ｍＷ程度となる。
【００２６】
これに対して、第二のアパーチャプレート１０２が存在しない場合、非描画選択時は１０ｍＷの熱量が第一のアパーチャプレート１０１に流入するため、電子ビームのＯＮ／ＯＦＦにより流入する熱量の差は４．９ｍＷ程度となる。
また、第二のアパーチャプレート１０２は存在するが、第二の開口部１０２ａが、例えば、一辺が４０μｍの正方形の開口部である場合、非描画選択された電子ビーム１ｂは全て、第二のアパーチャプレート１０２で遮蔽される。
そのため、非描画選択時は第一のアパーチャプレート１０１に熱が流入しないため、電子ビームのＯＮ／ＯＦＦにより流入する熱量の差は５．１ｍＷ程度となる。
このように、いずれの場合においても、本発明に比べて電子ビームのＯＮ／ＯＦＦによる流入する熱量の差は大きくなることから、本発明により、第一のアパーチャプレート１０１の温度安定性を向上させることが可能である。
なお、本実施例では、反射電子や熱放射の影響等は考慮していないが、これらを考慮して適切に各開口部の設定をすることで、反射電子や熱放射等の影響がある場合でも、本実施例と同等の性能を得ることが可能である。
【００２７】
［実施例２］
実施例２として、実施形態２の荷電粒子線露光装置を適用した構成例について説明する。
実施例１と同様の荷電粒子線露光装置の、第一のアパーチャプレート１０１部に、厚さ４ｍｍで内部に３ｍｍφの冷媒循環路を有する銅製の温度調整部１０５を、電子ビームの軌道の妨げとならないような位置に配置した。
また、第一のアパーチャプレート１０１と温度調整部１０５の熱伝導性を考慮し、銀ペーストを用いて、第一のアパーチャプレート１０１に固定した。
この温度調整部１０５に対し、外部に設置された温度調整装置（不図示）により温度、流量、圧力が調整された冷却水を、温度調整部（不図示）を通じて循環させて、第一のアパーチャプレート１０１を冷却した。
温度調整部１０５がない場合、第一のアパーチャプレート１０１が熱的に安定するまでの温度上昇の影響で熱膨張し、第一の開口部１０１ａが変化するので、上昇温度や開口部の変化量を予測して第一の開口部１０１ａを設定する必要がある。
これに対し、温度調整部１０５が存在する場合、第一のアパーチャプレート１０１が熱的に安定な状態となる温度を制御することが可能となるため、第一の開口部１０１ａの変化量の予測精度も向上し、描画精度を向上させることが可能である。
【符号の説明】
【００２８】
１ａ：描画選択された電子ビーム
１ｂ：非描画選択された電子ビーム
１０１：第一のアパーチャプレート
１０１ａ：第一の開口部
１０２：第二のアパーチャプレート
１０２ａ：第二の開口部
１０５：温度調整部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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