(57)【要約】【課題】  高濃度のボロンを有するＳｉ基板であっても、エピ表面のピット欠陥を低減させた電子デバイス用エピタキシャル基板およびこの電子デバイス用エピタキシャル基板を製造する方法を提供する。【解決手段】  低抵抗Si単結晶基板の主面上に、ＭＯＣＶＤ法によりＳｉ単結晶層を形成する工程と、Ｓｉ単結晶層上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させてバッファおよび主積層体を形成してエピタキシャル基板を作製する工程を具えることを特徴とする。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるＳｉ単結晶基板と、前記Ｓｉ単結晶基板の主面上に形成されたＳｉ単結晶層を有し、前記Ｓｉ単結晶層の表面のＢ濃度がＳｉ単結晶基板のＢ濃度よりも小さいＩＩＩ族窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板。
【請求項２】
前記Ｓｉ単結晶層の表面のＢ濃度が０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３である請求項１に記載のＩＩＩ族窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板。
【請求項３】
抵抗値が
０．０３Ωｃｍ以下であるSi単結晶基板と、前記Ｓｉ単結晶基板の主面上に形成されたＳｉ単結晶層を有し、前記Ｓｉ単結晶層の抵抗値が前記Ｓｉ単結晶基板の抵抗値より大きいＩＩＩ族窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板。
【請求項４】
前記Ｓｉ単結晶層の表面の抵抗値が０．０５Ωｃｍより大きい請求項３に記載のＩＩＩ族窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板。
【請求項５】
前記Ｓｉ単結晶基板の主面とは反対側の裏面に不純物拡散抑制層を有する請求項１または３に記載のＩＩＩ族窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板
【請求項６】
Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるＳｉ単結晶基板と、前記Ｓｉ単結晶基板の主面上のＳｉ単結晶層を有し、前記Ｓｉ単結晶層の表面はＢ濃度が０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３であり、前記Ｓｉ単結晶層上に形成した複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した、絶縁層としてのバッファおよび前記バッファ上の主積層体とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板。
【請求項７】
前記Ｓｉ単結晶基板の主面とは反対側の裏面に不純物拡散抑制層を有する請求項６に記載の電子デバイス用エピタキシャル基板。
【請求項８】
Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるＳｉ単結晶基板の主面上に、気相成長によりＢ濃度がＳｉ単結晶基板より少ないＳｉ単結晶層を形成する工程を有する窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板の製造方法。
【請求項９】
前記Ｓｉ単結晶層の表面のＢ濃度が０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３である請求項８に記載の窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板の製造方法。
【請求項１０】
抵抗値が
０．０３Ωｃｍ以下であるＳｉ単結晶基板の主面上に、気相成長により抵抗値が前記Si単結晶基板の抵抗値より大きいＳｉ単結晶層を形成する工程を有する窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板の製造方法。
【請求項１１】
前記Ｓｉ単結晶層の表面の抵抗値が０．０５Ωｃｍより大きい請求項１０に記載の窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板の製造方法。
【請求項１２】
前記Ｓｉ単結晶層の成長前に、前記Ｓｉ単結晶基板の主面とは反対側の裏面に不純物拡散抑制層を形成する工程を有する請求項８または１０に記載の窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板の製造方法。
【請求項１３】
Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるＳｉ単結晶基板の主面上に気相成長により表面のＢ濃度が０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３であるＳｉ単結晶層を形成する工程と、
前記Ｓｉ単結晶層上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した、絶縁層としてのバッファと、前記バッファ上に主積層体とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法。
【請求項１４】
Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるＳｉ単結晶基板の両面を熱酸化して酸化膜を形成する工程と、裏面の酸化膜を保持して裏面とは反対側の主面の酸化膜を除去する工程と、酸化膜を除去した主面上に気相成長により表面のＢ濃度が０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３であるＳｉ単結晶層を形成する工程と、
前記Ｓｉ単結晶層上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した、絶縁層としてのバッファと、前記バッファ上の主積層体とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体、とくに、電子デバイス用エピタキシャル基板に用いるＳｉ基板およびその製造方法に関し、特に、横方向を電流導通方向とするHEMT用エピタキシャル基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｓｉ基板上に、ＡｌＮなどのバッファ層を介して、ＧａＮなどのＩＩＩ族窒化物をエピタキシャル成長できることが知られている。このような技術を用いて、近年、ＩＩＩ族窒化物を用いた高電子移動度トランジスタ（HEMT: High electron mobility transistor)が実用化されようとしている。
【０００３】
特許文献１は、ＣＺ法でのＳｉ基板表面のＣＯＰ等のピットが無いことを特徴とするＧａＮ形成用のＳｉ基板を開示している。
【０００４】
特許文献２は、比抵抗値が０．０１Ω・ｃｍ以下である低抵抗Ｓｉ基板を用いることで、反りを抑制した電子デバイス用エピタキシャル基板を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３５１６９２
【特許文献２】特開２０１０−１５３８１７
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載のＣＺ法による低ＣＯＰ基板は、通常のＳｉ基板にくらべて入手が困難である。また、特許文献２に記載のボロン濃度が１０１９／ｃｍ３以上の低抵抗Ｓｉ基板においては、ピットが大量発生する場合があった。本発明者らは大気暴露に起因してボロンの表面変質が起きるためと考えた。本発明の目的は、高濃度のボロンを有するＳｉ基板であっても、エピ表面のピット欠陥を低減させ、さらに、裏面への不純物拡散抑制も可能なＳｉ基板を提供し、高品質の電子デバイス用エピタキシャル基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、鋭意研究した結果、高濃度のボロンを有するＳｉ基板上にボロン濃度が小さいＳｉ単結晶層を別途形成することにより、ピットの大量発生リスクを大幅に抑えることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるＳｉ単結晶基板と、Ｓｉ単結晶基板の主面上に形成されたＳｉ単結晶層を有し、Ｓｉ単結晶層の表面のＢ濃度がＳｉ単結晶基板のＢ濃度よりも小さいＩＩＩ族窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板である。
【０００８】
Ｓｉ単結晶層の表面のＢ濃度は０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３であることが好ましい。
【０００９】
Ｓｉ単結晶基板の抵抗値は
０．０３Ω・ｃｍ以下であり、Ｓｉ単結晶層の抵抗値がＳｉ単結晶基板の抵抗値より大きいことが好ましい。さらに、Ｓｉ単結晶層の表面の抵抗値が０．０５Ω・ｃｍより大きいことがより好ましい。
【００１０】
Ｓｉ単結晶基板の主面とは反対側の表面にＳｉ酸化物層を有していても良い。
【００１１】
Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるSi単結晶基板と、Ｓｉ単結晶基板の主面上のＳｉ単結晶層を有し、Ｓｉ単結晶層の表面はＢを０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３含み、Ｓｉ単結晶層上に形成した絶縁層としてのバッファと、バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板である。
【００１２】
Ｓｉ単結晶基板の主面とは反対側の表面にＳｉ酸化物層を有する電子デバイス用エピタキシャル基板であってもよい。
【００１３】
上記目的を達成するための本発明の製造方法は、すなわち、Ｂ濃度が２×１０１８/ｃｍ３以上であるＳｉ単結晶基板の主面上に気相成長によりＢ濃度がＳｉ単結晶基板より少ないＳｉ単結晶層を形成する工程を有する窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板の製造方法である。
【００１４】
Ｓｉ単結晶層の表面のＢ濃度が０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３であることが好ましい。
【００１５】
Ｓｉ単結晶基板の抵抗値は
０．０３Ω・ｃｍ以下であり、Ｓｉ単結晶層の抵抗値が前記Si単結晶基板の抵抗値より大きいことが好ましい。さらには、Ｓｉ単結晶層の表面の抵抗値が０．０５Ω・ｃｍより大きいことがより好ましい。
【００１６】
Ｓｉ単結晶基板の主面とは反対側の表面にＳｉ酸化物層を有していても良い。
【００１７】
Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるＳｉ単結晶基板の主面上に気相成長により表面のＢ濃度が０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３であるＳｉ単結晶層を形成する工程と、
該Ｓｉ単結晶層上に形成した絶縁層としてのバッファと、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法である。
【００１８】
Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるＳｉ単結晶基板の両面を酸化して酸化膜を形成する工程と、一方の面の酸化膜を保持して他方の面の酸化膜を除去する工程と、酸化膜を除去した面上に気相成長により表面のＢ濃度が０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３であるＳｉ単結晶層を形成する工程と、
該Ｓｉ単結晶層上に形成した絶縁層としてのバッファと、該バッファ上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した主積層体とを具え、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板および電子デバイス用エピタキシャル基板は、２×１０１８／ｃｍ３以上のＢ濃度を有するＳｉ単結晶基板の上に、より少ないＢ濃度を有するＳｉ単結晶層を具えることにより、Ｓｉ単結晶表面の局所的なＢの改質を抑制できると共に、その上に形成されるＩＩＩ族窒化物半導体層へのＢの拡散が抑制され、ピットの発生を抑制することができる。
【００２０】
また、本発明の窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板の製造方法によれば、
Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるＳｉ単結晶基板の上に、Ｂをより少なく含むＳｉ単結晶層を、気相成長法（ＣＶＤ法、ＭＢＥ法など）を用いて形成することにより、
上記のようにＩＩＩ族窒化物半導体層とＳｉ単結晶との界面のＢの改質を抑制できると共に、その上に形成されるＩＩＩ族窒化物半導体層へのＢの拡散が抑制され、ピットの発生を抑制することができる基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】図１は、一般的な電界効果トランジスタを示す模式的断面図である。
【図２】図２は、本発明に従う電子デバイス用エピタキシャル基板の模式的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
次に、本発明の電子デバイス用エピタキシャル基板の実施形態について図面を参照しながら説明する。図２は、本発明に従う電子デバイス用エピタキシャル基板の断面構造を模式的に示したものである。なお、図２は、説明の便宜上、厚さ方向を誇張して描いたものである。
【００２３】
図２に示すように、本発明の電子デバイス用エピタキシャル基板１は、横方向を電流導通方向とする電子デバイス用エピタキシャル基板１であって、Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上であるSi単結晶基板２と、このＳi単結晶基板２の主面２ｂ上に形成したＳｉ単結晶層４とからなる窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板を有し、このＳｉ単結晶層４上に複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて形成した、初期成長層６および超格子積層体７からなる絶縁層としてのバッファと、バッファ上の主積層体５とを具え、Ｓｉ単結晶層４のＢ濃度はＳｉ基板に比べ小さく、かかる構成を有することにより、ＨＥＭＴのピット密度を小さく抑制できるものである。さらに、Ｓi単結晶基板２の裏面２ａ上に形成した不純物拡散抑制層を具える構成も、好ましい構成である。
【００２４】
ここで、「横方向を電流導通方向とする」とは、図１で示したように、ソース電極２４からドレイン電極２５へ、主に積層体の幅方向に電流が流れることを意味し、例えば半導体を一対の電極で挟んだ構造のように、主に縦方向すなわち積層体の厚さ方向に電流が流れるものとは異なることを意味する。
【００２５】
Si単結晶基板２の面方位は特に指定されず、(111),(100),(110)面等を使用することができるが、III族窒化物の(0001)面を表面平坦性よく成長させるためには、(111)面を使用することが望ましい。また、伝導型はｐ型であり、電気伝導性の高い低抵抗基板である。
【００２６】
基板のオフ角度については、０．２°以下であることが望ましい。通常Ｓｉ単結晶基板上にＳｉ単結晶層を成長させる場合、Ｓｉ単結晶層の表面に発生する表面欠陥であるヘイズを抑制するために、オフ角度を０．５℃以上とするのが通常である。しかし、本発明を検討する中で、オフ角度を０．２°より大きくすると、III族窒化物層にピットが多く発生すること、前記ヘイズはIII族窒化物層の表面には悪影響を与えないことが確認された結果としてIII族窒化物層成長用のより好ましい形態として想到された条件である。
【００２７】
Si単結晶基板２は、Ｂ濃度が２×１０１８／ｃｍ３以上（比抵抗が０．０３Ω・ｃｍ以下）である。より好ましくは３×１０１８／ｃｍ３以上（比抵抗が０．０２Ω・ｃｍ以下）、さらに好ましくは９×１０１８／ｃｍ３以上（比抵抗が０．０１Ω・ｃｍ以下）である。Ｂ濃度が大きいことにより、比抵抗が小さくなると共に、特開２０１０−１５３８１７に記載のように、基板の硬度が向上し、基板の反りに対する耐性が増すことになる。
【００２８】
Ｓｉ単結晶層４は、表面のＢ濃度がＳｉ単結晶基板より小さく、好ましくは２×１０１８／ｃｍ３未満である。なお、本発明のＳｉ単結晶層４のＢ濃度の値は、Ｓｉ基板の主面と対向するＩＩＩ族窒化物を成長させる予定面である表面の値とする。Ｓｉ単結晶層４のＳｉ基板の主面側においてはＳｉ基板からのＢ拡散の影響があるためである。Ｓｉ単結晶層４はＭＯＣＶＤ法を用いて製造することができ、その厚さは例えば１〜３μｍである。Ｓｉ単結晶層４の表面のＢ濃度は０．１〜０．７×１０１８／ｃｍ３であることがより好ましい。２×１０１８／ｃｍ３未満とすることで、大気中に放置した場合でも、Ｂの酸化が原因と考えられるＩＩＩ族窒化物半導体層でのピットの大量発生が起きる恐れがなくなり、さらに、０．７×１０１８／ｃｍ３以下とすることで、ピット密度を１／ｃｍ２以下に抑制することができる。なお、０．１×１０１８／ｃｍ３未満とした場合には、その上に形成するＩＩＩ族窒化物半導体層との間のミスフィット転位が発生しやすくなるため好ましくない。
なお、ここでいうピットは、電子供給層5ｂの表面における開口面積が０．２５μｍ２以上のものをいう。
【００２９】
Ｓｉ単結晶層４は、表面の抵抗値が０．０５Ω・ｃｍより大きいことが好ましい。０．０５Ω・ｃｍより大きいことにより、その上に形成するＩＩＩ族窒化物半導体層のピット密度を１／ｃｍ２以下に抑制することができる。Ｓｉ単結晶層４の厚さとしては１〜３μｍが好ましい。
【００３０】
Ｓｉ単結晶層４と主積層体５との間に形成されるバッファは、超格子構造または傾斜組成構造を有するのが好ましい。超格子構造とは、図２に示すように、第１層７ａと第２層７ｂを周期的に含むように積層することを意味する。第１層７ａと第２層７ｂ以外の層(たとえば組成遷移層)を含むことは可能である。また、傾斜組成構造とは、特定のIII族元素含有量を膜厚方向に傾斜させることを意味する。
【００３１】
また、バッファは、図２に示すように、Si単結晶層４と接する初期成長層６および初期成長層６上の超格子積層構造からなる超格子積層体７を有するのが好ましい。初期成長層６は例えばAlN材料からなることができ、初期成長層６をAlNで形成することにより、Si単結晶基板２との反応を抑制し、縦方向耐圧の向上を可能とする。
【００３２】
Ｓi単結晶基板２の裏面２ａ上に形成する不純物拡散抑制層としては、例えばSiの酸化物、窒化物または炭化物等が挙げられ、その厚さは０．１μｍ〜１０μｍであるのが好ましい。
【００３３】
電子デバイス用エピタキシャル基板１は、HEMTに用いるのが好ましい。図２に示すエピタキシャル基板１の主積層体５は、Ba1Alb1Gac1Ind1N(0≦a1≦1, 0≦b1≦1, 0≦c1≦1, 0≦d1≦1, a1+b1+c1+d1=1)材料からなるチャネル層５ａおよびチャネル層５ａよりバンド
ギャップの大きいBa2Alb2Gac2Ind2N(0≦a2≦1, 0≦b2≦1, 0≦c2≦1, 0≦d2≦1, a2+b2+c2+d2=1)材料からなる電子供給層５ｂを有することができる。この際、両層とも単一もしくは複数の組成から構成することができる。特に、合金散乱をさけ、電流導通部分の比抵抗を下げるためには、チャネル層５ａの少なくとも電子供給層５ｂと接する部分はGaN材料とすることが好ましい。
【００３４】
次に、本発明の電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００３５】
図２に示すように、Si単結晶基板２の主面２ｂ上に、Ｓｉ単結晶層４を形成した窒化物半導体成長用Ｓｉ単結晶基板を得る工程と、このＳｉ単結晶層４上に、複数層のIII族窒化物層をエピタキシャル成長させて初期成長層６および超格子積層体７からなる絶縁層としてのバッファと、バッファ上の主積層体５を形成してエピタキシャル基板を作製する工程とを具えることを特徴とし、かかる工程を有することにより、ＨＥＭＴのピット密度を小さく抑制できるエピタキシャル基板を製造できる。さらに、あらかじめＳi単結晶基板２の裏面２ａ上に不純物拡散抑制層３を形成する工程を有する場合も、好ましい工程である。
【００３６】
また、主積層体５を形成する工程の後、不純物拡散抑制層３およびSi単結晶基板２の少なくとも一部を除去する工程と、主積層体５上に電極を形成する工程とをさらに具えることができる。
【００３７】
不純物拡散抑制層３は、公知の方法、例えば裏面２ａに貼り付ける、裏面２ａ上にＣＶＤ法、スパッタ法等により蒸着させる、熱酸化により形成するといった方法により形成することができる。不純物拡散抑制層３がＳｉ酸化物の場合は、より好ましくは、高抵抗で、かつ緻密でエッチング耐性の高い層を形成することができる熱酸化によって形成されるのが好ましい。基板の全面に不純物拡散抑制層３を形成した後に、主面上の不純物拡散抑制層３を除去する工程を有しても良い。
【００３８】
主面２ｂ側に形成される層は、化学気相成長法を用いてエピタキシャル成長させることにより形成されるのが好ましい。成長方法としてはMOCVD法を用い、Ｓｉ単結晶の成長にはシランガスを用い、III族窒化物半導体の成長にはIII族原料としては、TMA(トリメチルアルミニウム)・TMG(トリメチルガリウム)等、Ｖ族原料としてはアンモニア等を用い、キャリアガスとして、水素および窒素ガス等を用いることができる。Ｂなどの不純物の濃度は、SIMSを用いて測定することができる。
【００３９】
なお、図１および図２は、代表的な実施形態の例を示したものであって、本発明はこれらの実施形態に限定されるものではない。たとえば、各層の間に本発明の効果に悪影響を与えない程度の中間層を挿入したり、他の超格子層を挿入したり、組成に傾斜をつけたりすることも可能である。
【実施例】
【００４０】
（実施例１）
図２に示すように (111)面（オフ角度0.08°）６インチＳｉ単結晶基板２(厚さ：６００μｍ、比抵抗：０．０１５Ω・ｃｍ、Ｂ濃度：４×１０１８／ｃｍ３)の表面２ｂ（主面）上に、シランガスを用いてＭＯＣＶＤ法（成長温度１１５０℃）によりＳｉ単結晶層４（厚さ：２μｍ、比抵抗：０．０１５Ω・ｃｍ、Ｓｉ単結晶層４表面のＢ濃度：０．５×１０１８／ｃｍ３）を形成した。その後、初期成長層６(ＡｌＮ材料、厚さ:１００ｎｍ)および超格子積層体７(ＡｌＮ（厚さ:４ｎｍ）とＡｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ（厚さ:２５ｎｍ）のペアを合計７５層)を成長させてバッファ４を形成し、この超格子積層体７上にチャネル層５ａ（ＧａＮ材料、厚さ:０．７５μｍ）および電子供給層５ｂ(Ａｌ0.15Ｇａ0.85Ｎ材料、厚さ：４０ｎｍ)をエピタキシャル成長させてＨＥＭＴ構造の主積層体５を形成し、試料を得た。
表面欠陥観察装置（ＣＳ−２０）を用いて電子供給層５ｂ表面のピット密度を測定したところ、ウエハ上の測定点１０箇所のピット密度は０．５〜１．０／ｃｍ２であり、ウエハ１枚あたりの平均は０．８／ｃｍ２であった。
【００４１】
（実施例２）
Ｓｉ単結晶基板２として比抵抗が０．００８Ω・ｃｍ、Ｂ濃度が１×１０１９／ｃｍ３の基板を使用した以外は、実施例１と同様の構造を同条件にて形成し、試料を得た。
電子供給層５ｂ表面のピット密度を測定したところ、ウエハ上の測定点１０箇所のピット密度は０．５〜１．０／ｃｍ２であり、ウエハ１枚あたりの平均は０．８／ｃｍ２であった。
【００４２】
（比較例１）
Ｓｉ単結晶層４を形成しなかった以外は、実施例１と同様の構造を同条件にて形成し、試料を得た。
電子供給層５ｂ表面のピット密度を測定したところ、ウエハ上の測定点１０箇所のピット密度は２.０〜５.０／ｃｍ２であり、ウエハ１枚あたりの平均は３．０／ｃｍ２であった。
【００４３】
（比較例２）
Ｓｉ単結晶層４を形成しなかった以外は、実施例２と同様の構造を同条件にて形成し、試料を得た。
電子供給層５ｂ表面のピット密度を測定したところ、ウエハ上の測定点１０箇所のピット密度は２.０〜１００／ｃｍ２であり、ウエハに局所的なピットの大量発生が生じていた。
【００４４】
（実施例３）
実施例１のＳｉ単結晶基板２を、熱酸化することにより基板の両面にＳｉ酸化物層を形成後、主面と反対側の裏面２ａにレジストを塗布し、ＢＨＦ溶液により主面２ｂのＳｉ酸化物層を除去した。その後、アセトンを用いてレジストを除去することにより、裏面２ａにＳｉ酸化物層３(厚さ:０．３μｍ)を有するＳｉ基板を形成した。その後、主面２ｂ上に、シランガスを用いたＭＯＣＶＤ法により実施例１と同様のＳｉ単結晶層を形成した。
その後、実施例１と同様にして主面上のＨＥＭＴ構造の主積層体５を形成し、試料を得た。
表面欠陥観察装置（CS-20）を用いて電子供給層５ｂ表面のピット密度を測定したところ、ピット密度はウエハ１枚（測定点１０箇所）あたりの平均で０．９／ｃｍ２であった。
【産業上の利用可能性】
【００４５】
本発明によれば、Ｂ濃度が高いＳｉ単結晶基板を用いても、ピットの発生を抑制することができる電子デバイス用エピタキシャル基板を提供することができる。
【００４６】
また、本発明の電子デバイス用エピタキシャル基板の製造方法によれば、Ｂ濃度が高いＳｉ単結晶基板であっても、ピット密度が小さい電子デバイス用エピタキシャル基板を製造することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１    電子デバイス用エピタキシャル基板
２    Ｓｉ単結晶基板
２ａ  裏面
２ｂ  主面
３    不純物拡散抑制層
４    Ｓｉ単結晶層
５    主積層体
５ａ  チャネル層
５ｂ  電子供給層
６    初期成長層
７    超格子積層体
７ａ  第１層
７ｂ  第２層
【図１】
2014022698.tif 000003
【図２】
2014022698.tif 000004