(57)【要約】【課題】意匠性の良いタッチパネルセンサを提供する。【解決手段】タッチパネルセンサ３０は、インデックスマッチング層７０，７５を含む基材フィルムと、基材フィルム３２の一方の側に設けられた第１透明導電体４０と、基材フィルム３２の他方の側に設けられた第２透明導電体４５と、を備えている。透明導電体４０，４５の両方と重なる領域を二重透明導電領域Ｒ２と称し、透明導電体４０，４５のいずれか一方と重なる領域を一重透明導電領域Ｒ１１，１２と称し、透明導電体４０，４５のいずれとも重ならない領域を非透明導電領域Ｒ０と称する場合に、インデックスマッチング層７０，７５は、領域Ｒ２，Ｒ１１，１２，Ｒ０の間における光の反射率の差が１％以下となるよう構成されている。また、領域Ｒ２，Ｒ１１，１２，Ｒ０のうちアクティブエリアにおいて最も大きい面積を占める領域が、最も大きい反射率を有している。【選択図】図６
2014186362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアを含むタッチパネルセンサであって、
インデックスマッチング層を含む基材フィルムと、
前記アクティブエリア内において基材フィルムの一方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電体と、
前記アクティブエリア内において基材フィルムの他方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する第２透明導電体と、を備え、
前記基材フィルムの法線方向において前記第１透明導電体および前記第２透明導電体の両方と重なる領域を二重透明導電領域と称し、前記第１透明導電体または前記第２透明導電体のいずれか一方と重なる領域を一重透明導電領域と称し、前記第１透明導電体および前記第２透明導電体のいずれとも重ならない領域を非透明導電領域と称する場合に、前記インデックスマッチング層は、前記二重透明導電領域、前記一重透明導電領域および前記非透明導電領域の間における光の反射率の差が１％以下となるよう構成されており、
前記二重透明導電領域、前記一重透明導電領域および前記非透明導電領域のうち前記アクティブエリアにおいて最も大きい面積を占める領域が、最も大きい反射率を有している、タッチパネルセンサ。
【請求項２】
前記二重透明導電領域、前記一重透明導電領域および前記非透明導電領域のうち前記アクティブエリアにおいて２番目に大きい面積を占める領域が、２番目に大きい反射率を有している、請求項１に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項３】
前記第１透明導電体は、タッチ位置を検出するための複数の第１透明パターンと、隣接する２つの前記第１透明パターンの間に配置された第１ダミーパターンと、を有し、
前記第２透明導電体は、タッチ位置を検出するための複数の第２透明パターンと、隣接する２つの前記第２透明パターンの間に配置された第２ダミーパターンと、を有し、
前記二重透明導電領域が、前記二重透明導電領域、前記一重透明導電領域および前記非透明導電領域のうち前記アクティブエリアにおいて最も大きい面積を占め、かつ最も大きい反射率を有する領域である、請求項１または２に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項４】
前記インデックスマッチング層は、前記二重透明導電領域、前記一重透明導電領域および前記非透明導電領域のいずれとも重なるよう設けられた広域インデックスマッチング層と、前記広域インデックスマッチング層と前記第１透明導電体との間に設けられ、前記第１透明導電体に対応したパターンを有する第１局所インデックスマッチング層と、前記広域インデックスマッチング層と前記第２透明導電体との間に設けられ、前記第２透明導電体に対応したパターンを有する第２局所インデックスマッチング層と、を含む、請求項１乃至３のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサ。
【請求項５】
タッチパネルセンサと、前記タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路と、を含むタッチパネル装置であって、
前記タッチパネルセンサが、請求項１乃至４のいずれか一項に記載のタッチパネルセンサを備える、タッチパネル装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、意匠性が改善されたタッチパネルセンサおよびタッチパネル装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
今日、入力手段として、タッチパネル装置が広く用いられている。タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ、タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路、配線およびＦＰＣ（フレキシブルプリント基板）を含んでいる。タッチパネル装置は、多くの場合、液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等の表示装置が組み込まれた種々の装置等（例えば、券売機、ＡＴＭ装置、携帯電話、ゲーム機）に対する入力手段として、表示装置とともに用いられている。このような装置においては、タッチパネルセンサが表示装置の表示面上に配置されており、これによって、表示装置に対する極めて直接的な入力が可能になっている。タッチパネルセンサのうち表示装置の表示領域に対面する領域は透明になっており、タッチパネルセンサのこの領域が、接触位置（接近位置）を検出し得るアクティブエリアを構成するようになる。
【０００３】
タッチパネル装置は、タッチパネルセンサ上への接触位置（接近位置）を検出する原理に基づいて、種々の形式に区別される。昨今では、光学的に明るいこと、意匠性があること、構造が容易であること、機能的にも優れていること等の理由から、容量結合方式のタッチパネル装置が注目されている。容量結合方式のタッチパネル装置においては、位置を検知されるべき外部導体（典型的には、指）が誘電体を介してタッチパネルセンサに接触（接近）する際、新たに奇生容量が発生する。この奇生容量に起因する静電容量の変化に基づいて、タッチパネルセンサ上における対象物の位置が検出される。容量結合方式には表面型と投影型とがあるが、マルチタッチの認識（多点認識）への対応に適していることから、投影型が注目を浴びている（例えば、特許文献１）。
【０００４】
投影型容量結合方式のタッチパネルセンサは、誘電体と、誘電体の両側に異なるパターンでそれぞれ形成され、導電性を有する第１透明パターンおよび第２透明パターンと、を有している。この場合、外部導体（典型的には、指）がタッチパネルセンサに接触または接近した際に生じる、電磁的な変化または静電容量の変化に基づき、外部導体に近接する透明パターンの位置が検出される。
【０００５】
投影型容量結合方式のタッチパネルセンサにおいて、一般に、透明パターンの光屈折率は比較的に大きく、このため、タッチパネルセンサのうち透明パターンが設けられている領域と透明パターンが設けられていない領域との間における光の反射率の差が大きくなる場合がある。このように領域間における光の反射率の差が大きい場合、透明パターンがタッチパネルセンサの使用者から視認されることになり、意匠上の観点から好ましくない。このような課題を解決するため、例えば特許文献２においては、粘着層として用いる材料の光屈折率を適宜調整することにより、領域間における光の反射率の差が低減されたタッチパネルセンサが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平９−２９２９５０号公報
【特許文献２】特開２００８−９８１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
タッチパネルセンサは上述のように、誘電体、透明導電体および粘着層などの様々な層から構成されている。従って、透明パターンが設けられている領域における光の反射率と、透明パターンが設けられていない領域における光の反射率との間の差を十分に小さくするためには、多数の層における界面反射を精密に計算した上で、上述の粘着層などの層の光屈折率や厚みを精密に設定する必要がある。また、設定通りの光屈折率や厚みで上述の粘着層などの層を製造する必要がある。このため、設計や製造に許容され得る誤差が小さく、この結果、設計や製造に要する工数が大きくなってしまうことが考えられる。
【０００８】
本発明は、このような課題を効果的に解決し得るタッチパネルセンサおよびタッチパネル装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、タッチ位置を検出され得る領域に対応するアクティブエリアを含むタッチパネルセンサであって、インデックスマッチング層を含む基材フィルムと、前記アクティブエリア内において基材フィルムの一方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する第１透明導電体と、前記アクティブエリア内において基材フィルムの他方の側に所定のパターンで設けられ、透光性および導電性を有する第２透明導電体と、を備え、前記基材フィルムの法線方向において前記第１透明導電体および前記第２透明導電体の両方と重なる領域を二重透明導電領域と称し、前記第１透明導電体または前記第２透明導電体のいずれか一方と重なる領域を一重透明導電領域と称し、前記第１透明導電体および前記第２透明導電体のいずれとも重ならない領域を非透明導電領域と称する場合に、前記インデックスマッチング層は、前記二重透明導電領域、前記一重透明導電領域および前記非透明導電領域の間における光の反射率の差が１％以下となるよう構成されており、前記二重透明導電領域、前記一重透明導電領域および前記非透明導電領域のうち前記アクティブエリアにおいて最も大きい面積を占める領域が、最も大きい反射率を有している、タッチパネルセンサである。ここで「反射率」とは、第１透明導電体などタッチパネルセンサの一側に配置されている各構成要素に起因する光の反射、および、第２透明導電体などタッチパネルセンサの他側に配置されている各構成要素に起因する光の反射の合計から算出される反射率を意味している。
【００１０】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記二重透明導電領域、前記一重透明導電領域および前記非透明導電領域のうち前記アクティブエリアにおいて２番目に大きい面積を占める領域が、２番目に大きい反射率を有していてもよい。
【００１１】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記第１透明導電体は、タッチ位置を検出するための複数の第１透明パターンと、隣接する２つの前記第１透明パターンの間に配置された第１ダミーパターンと、を有していてもよい。また前記第２透明導電体は、タッチ位置を検出するための複数の第２透明パターンと、隣接する２つの前記第２透明パターンの間に配置された第２ダミーパターンと、を有していてもよい。この場合、前記二重透明導電領域が、前記二重透明導電領域、前記一重透明導電領域および前記非透明導電領域のうち前記アクティブエリアにおいて最も大きい面積を占め、かつ最も大きい反射率を有する領域であってもよい。
【００１２】
本発明によるタッチパネルセンサにおいて、前記インデックスマッチング層は、前記二重透明導電領域、前記一重透明導電領域および前記非透明導電領域のいずれとも重なるよう設けられた広域インデックスマッチング層と、前記広域インデックスマッチング層と前記第１透明導電体との間に設けられ、前記第１透明導電体に対応したパターンを有する第１局所インデックスマッチング層と、前記広域インデックスマッチング層と前記第２透明導電体との間に設けられ、前記第２透明導電体に対応したパターンを有する第２局所インデックスマッチング層と、を含んでいてもよい。
【００１３】
本発明は、タッチパネルセンサと、前記タッチパネルセンサ上への接触位置を検出する制御回路と、を含むタッチパネル装置であって、前記タッチパネルセンサが、上記記載のタッチパネルセンサを備える、タッチパネル装置である。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、領域間で光の反射率が若干異なる場合であっても、各領域が識別されることを抑制することができる。このため、領域間における光の反射率の差に対する許容値を大きくすることができ、これによって、タッチパネルセンサの設計や製造に要する工数を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の一実施の形態によるタッチパネルセンサを示す平面図。
【図２】図２は、図１のタッチパネルセンサの、II線に沿った断面図。
【図３】図３は、図１のタッチパネルセンサの、III線に沿った断面図で。
【図４】図４は、図１のタッチパネルセンサの、IV線に沿った断面図。
【図５】図５は、図１において一点鎖線で囲まれた領域Ｖを拡大して示す平面図。
【図６】図６は、アクティブエリアに含まれる各領域の層構成を示す断面図。
【図７Ａ】図７Ａは、図１に示すタッチパネルセンサの製造方法を示す図。
【図７Ｂ】図７Ｂは、図１に示すタッチパネルセンサの製造方法を示す図。
【図７Ｃ】図７Ｃは、図１に示すタッチパネルセンサの製造方法を示す図。
【図７Ｄ】図７Ｄは、図１に示すタッチパネルセンサの製造方法を示す図。
【図７Ｅ】図７Ｅは、図１に示すタッチパネルセンサの製造方法を示す図。
【図７Ｆ】図７Ｆは、図１に示すタッチパネルセンサの製造方法を示す図。
【図８Ａ】図８Ａは、タッチパネルセンサがダミーパターンを含む例を示す平面図。
【図８Ｂ】図８Ｂは、タッチパネルセンサがダミーパターンを含む例を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図１乃至図７Ｆを参照して、本発明の実施の形態について説明する。なお、本明細書に添付する図面においては、図示と理解のしやすさの便宜上、適宜縮尺および縦横の寸法比等を、実物のそれらから変更し誇張してある。また本件において、「フィルム」という用語は、呼称の違いのみに基づいて、「シート」や「板」等と呼ばれる部材や部分から区別されるものではない。
【００１７】
はじめに図１を参照して、本実施の形態におけるタッチパネルセンサ３０全体について説明する。ここでは、タッチパネルセンサ３０が、投影型の静電容量結合方式のタッチパネルセンサとして構成される例について説明する。なお、「容量結合」方式は、タッチパネルの技術分野において「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等とも呼ばれており、本件では、これらの「静電容量」方式や「静電容量結合」方式等と同義の用語として取り扱う。典型的な静電容量結合方式のタッチパネルセンサは、透光性を有する導電性のパターンを有しており、外部の導体（典型的には人間の指）がタッチパネルセンサに接近することにより、外部の導体とタッチパネルセンサの導電性のパターンとの間でコンデンサ（静電容量）が形成される。そして、このコンデンサの形成に伴った電気的な状態の変化に基づき、タッチパネルセンサ上において外部導体が接近している位置の位置座標が特定される。タッチパネルセンサは、通常、液晶ディスプレイや有機ＥＬディスプレイなどの表示装置と組み合わされて用いられる。
【００１８】
図１に示すように、タッチパネルセンサ３０は、基材フィルム３２と、基材フィルム３２の一方の側（観察者側）の面上に所定のパターンで設けられた第１透明導電体４０と、基材フィルム３２の他方の側（表示装置側）の面上に所定のパターンで設けられた第２透明導電体４５と、を有している。本実施の形態において、透明導電体４０，４５とは、透光性および導電性を有する材料から構成されるパターンのことである。なお図１においては、第２透明導電体４５などの、基材フィルム３２の他方の側に設けられている構成要素が、便宜上、点線にて示されている。
【００１９】
基材フィルム３２は、タッチパネルセンサ３０において誘電体として機能するものである。図１に示すように、基材フィルム３２は、タッチ位置を検出され得る領域に対応する矩形状のアクティブエリアＡａ１と、アクティブエリアＡａ１を囲む矩形枠状の非アクティブエリアＡａ２と、を含んでいる。基材フィルム３２の一方の側に設けられた上述の第１透明導電体４０は、タッチ位置を検出するためにアクティブエリアＡａ１内に設けられた第１透明パターン４１を有している。同様に、基材フィルム３２の他方の側に設けられた上述の第２透明導電体４５は、タッチ位置を検出するためにアクティブエリアＡａ１内に設けられた第２透明パターン４６を有している。また非アクティブエリアＡａ２には、透明導電体４０，４５からの信号を外部へ伝達するための取出パターン４３，４８および端子部４４，４９が設けられている。
【００２０】
以下、タッチパネルセンサ３０を構成する各要素についてさらに詳述する。
【００２１】
（透明導電体、透明パターン）
図１に示すように、第１透明導電体４０の第１透明パターン４１は、ｘ方向に沿って直線状に延びるライン部４１ａと、ライン部４１ａから膨出した膨出部４１ｂと、を有している。ここで膨出部４１ｂとは、基材フィルム３２のフィルム面に沿ってライン部４１ａから膨らみ出ている部分のことである。同様に、第２透明導電体４５の第２透明パターン４６は、ｘ方向に直交するｙ方向に沿って直線状に延びるライン部４６ａと、ライン部４６ａから膨出した膨出部４６ｂと、を有している。
【００２２】
図１に示すように、第１透明パターン４１と第２透明パターン４６とは、互いに異なるパターンで配置されている。具体的には、図１に示すように、第１透明パターン４１の膨出部４１ｂと、第２透明パターン４６の膨出部４６ｂとが、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合に互いに重ならないように配置されている。このようにして、基材フィルム３２のアクティブエリアＡａ１のほぼ全域にわたって、第１透明パターン４１または第２透明パターン４６のいずれかが配置されている。
【００２３】
透明パターン４１，４６の材料、すなわち透明導電体４０，４５の材料としては、透明性および所要の導電性を有するものが用いられる。このような材料として、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物を挙げることができる。また、これらの金属酸化物が２種以上複合されたものが用いられてもよい。
【００２４】
なお透明導電体４０，４５がＩＴＯから構成される場合、透明導電体４０，４５の光屈折率は、光波長５５０ｎｍ付近において約１．９４となっている。光屈折率の算出方法は特には限定されないが、例えばエリプソメーターを用いた測定から、光波長３８０〜７８０ｎｍの可視光域における各層の屈折率を算出することができる。または、特定波長の光を生成する光源、例えば波長６３３ｎｍの光を生成するＨｅ−Ｎｅレーザーを用いて、特定波長における光屈折率を算出することもできる。屈折率の大小関係は、例えば、光波長３８０〜７８０ｎｍの可視光域において測定された屈折率の平均値に基づいて、若しくは、特定波長において、例えば光波長５５０ｎｍにおいて測定された屈折率に基づいて規定され得る。
【００２５】
透明導電体４０，４５の厚みは、好ましくは２０ｎｍ以下となっており、例えば各々１８ｎｍとなっている。膜厚が小さい場合、例えば４０ｎｍ以下の場合、一般に、透明導電体４０，４５の厚みが小さいほど、透明導電体４０、４５とエアとの界面における光の反射率は小さくなり、吸収項の影響が小さいため透過率が高くなる。
【００２６】
ところで、透明導電体４０，４５と基材フィルム３２のフィルム本体（後述）との間にインデックスマッチング層（後述）が介在されていない場合、一般に、透明導電体４０，４５における光の反射率が小さいほど、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域と透明導電体４０，４５が設けられていない領域との間における光の反射率の差も小さくなる。このため、透明導電体４０，４５の厚みをより小さくすることにより、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域と透明導電体４０，４５が設けられていない領域との間における光の反射率の差を小さくすることができ、これによって、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されるのを防ぐことができる。
【００２７】
一方、透明導電体４０，４５と基材フィルム３２のフィルム本体との間にインデックスマッチング層が介在されている場合、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５が設けられていない領域における反射率が高くなり、これによって、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域と透明導電体４０，４５が設けられていない領域との間における光の反射率の差が小さくなる。ここでインデックスマッチング層とは、後述するように、少なくとも一対の高屈折率層および低屈折率層を含む層のことである。このようなインデックスマッチング層が透明導電体４０，４５とフィルム本体との間に介在されている場合、薄膜干渉の効果が生じ、これによって、タッチパネルセンサ３０のうち透明導電体４０，４５が設けられている領域と透明導電体４０，４５が設けられていない領域との間における光の反射率および透過率の差を小さくすることができる。本実施の形態においては、第１透明導電体４０とフィルム本体との間に第１インデックスマッチング層が構成されており、また後第２透明導電体４５とフィルム本体との間に第２インデックスマッチング層が構成されている。
【００２８】
（取出パターン、端子部）
次に図２〜４を参照して、取出パターン４３，４８および端子部４４，４９について説明する。図２〜４はそれぞれ図１に示すタッチパネルセンサ３０のII線〜IV線に沿った断面図である。
【００２９】
図１に示すように、第１取出パターン４３は、その一端において第１透明パターン４１に接続されており、その他端において第１端子部４４に接続されている。同様に、第２取出パターン４８は、その一端において第２透明パターン４６に接続されており、その他端において第２端子部４９に接続されている。透明パターン４１，４６によって検出された信号は、取出パターン４３，４８を介して端子部４４，４９に伝達され、端子部４４，４９から外部へ取り出される。取出パターン４３，４８および端子部４４，４９を構成する材料は、導電性を有する限りにおいて特に限定されない。例えば図２〜４に示すように、取出パターン４３，４８は、透光性および導電性を有する材料から構成された、透明導電体４０，４５の透明導電部４３ａ，４８ａを含んでいてもよい。同様に、端子部４４，４９は、透光性および導電性を有する材料から構成された、透明導電体４０，４５の透明導電部４４ａ，４９ａを含んでいてもよい。
【００３０】
なお取出導電体４３，４８および取出端子部４４，４９は、上述のように非アクティブエリアＡａ２内に配置されている。このため、取出導電体４３，４８および取出端子部４４，４９が光を透過させる必要はない。従って、取出導電体４３，４８および端子部４４，４９は、遮光性を有する導電性材料、例えば金属材料を含んでいてもよい。例えば図２〜４に示すように、取出導電体４３，４８は、透明導電部４３ａ，４８ａ上に設けられ、遮光性を有する金属材料から構成された遮光導電部４３ｂ，４８ｂを含んでいてもよい。同様に、端子部４４，４９は、透明導電部４４ａ，４９ａ上に設けられ、遮光性を有する金属材料から構成された遮光導電部４４ｂ，４９ｂを含んでいてもよい。これによって、取出導電体４３，４８および取出端子部４４，４９の電気抵抗の値を低減することができる。遮光導電部４３ｂ，４８ｂおよび遮光導電部４４ｂ，４９ｂを構成する金属材料としては、例えばアルミニウム、モリブデン、銀、クロム、銅またはこれらの合金等を挙げることができる。
【００３１】
（アクティブエリアの見え方）
次に、タッチパネルセンサ３０のアクティブエリアＡａ１の見え方について説明する。図５は、図１において一点鎖線で囲まれた領域Ｖを拡大して示す平面図である。
【００３２】
上述のように、透明導電体４０，４５の光屈折率は、基材フィルム３２に比べて非常に大きくなっている。従って、透明導電体４０，４５が設けられている領域と透明導電体４０，４５が設けられていない領域とでは、光の反射の態様が大きく異なってくる。また、透明導電体４０，４５が設けられている領域には、第１透明導電体４０または第２透明導電体４５のみが設けられている領域だけでなく、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の両方が設けられている領域が含まれる。従って、タッチパネルセンサ３０のアクティブエリアＡａ１の見え方について考える場合、アクティブエリアＡａ１を以下の３種類の領域に分類して考えることが適切である。
第１の領域：基材フィルム３２の法線方向から見た場合に、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５の両方と重なる領域（以下、二重透明導電領域とも称する）
第２の領域：基材フィルム３２の法線方向から見た場合に、第１透明導電体４０または第２透明導電体４５のいずれか一方と重なる領域（以下、一重透明導電領域とも称する）
第３の領域：基材フィルム３２の法線方向から見た場合に、第１透明導電体４０および第２透明導電体４５のいずれとも重ならない領域（以下、非透明導電領域とも称する）
【００３３】
本実施の形態においては、上述のように、第１透明導電体４０の第１透明パターン４１の膨出部４１ｂと、第２透明導電体４５の第２透明パターン４６の膨出部４６ｂとは、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合に互いに重ならないように配置されている。従って、図５において符号Ａ１１またはＡ１２で表されているように、一重透明導電領域としては、基材フィルム３２の法線方向から見た場合に膨出部４１ｂまたは膨出部４６ｂと重なる領域が考えられる。符号Ａ１１で表される一重透明導電領域は、膨出部４１ｂなどの第１透明導電体４０と重なる領域を意味している。また符号Ａ１２で表される一重透明導電領域は、膨出部４６ｂなどの第２透明導電体４５と重なる領域を意味している。
【００３４】
また図５に示すように、第１透明導電体４０の第１透明パターン４１のライン部４１ａと、第２透明導電体４５の第２透明パターン４６のライン部４６ａとは、基材フィルム３２のフィルム面の法線方向から観察した場合に互いに部分的に重なるように配置されている。従って、図５において符号Ａ２で表されているように、二重透明導電領域としては、基材フィルム３２の法線方向から見た場合にライン部４１ａおよびライン部４６ａと重なる領域が考えられる。また図５おいて符号Ａ０で示されているように、非透明導電領域としては、基材フィルム３２の法線方向から見た場合に膨出部４１ｂと膨出部４６ｂとの間に位置する領域が考えられる。
【００３５】
図６は、アクティブエリアＡａ１に含まれる各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０の層構成を示す断面図である。それぞれなお図６は、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０を説明するための図であり、タッチパネルセンサ３０における透明導電体４０，４５の実際のパターンには対応していない。
【００３６】
図６には、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０によって光が反射される様子が示されている。また、図６に示す符号Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０はそれぞれ、領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における光の反射率を表している。なお各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における光の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０とは、各領域の表面における反射だけでなく、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０を構成する各層の界面における反射をも考慮することにより算出されるものである。具体的には、第１透明導電体４０や第１インデックスマッチング層７０などタッチパネルセンサ３０の一側に配置されている各構成要素に起因する光の反射、および、第２透明導電体４５や第２インデックスマッチング層７５などタッチパネルセンサ３０の他側に配置されている各構成要素に起因する光の反射の合計から算出される。もちろん、基材フィルム３２に起因する光の反射も考慮される。
【００３７】
反射率差１％以下のための構成
上述のように、意匠上の観点からは、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されないことが好ましい。従って、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における光の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０の差が大きくなることを抑制する必要がある。人間の目の特性を考慮すると、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における光の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０の差が少なくとも１％になっていることが好ましい。以下、このような反射率差を実現するための基材フィルム３２の構成について説明する。
【００３８】
図６に示すように、基材フィルム３２は、透明なフィルム本体３３と、フィルム本体３３と第１透明導電体４０との間に設けられたインデックスマッチング層７１，７４と、フィルム本体３３と第２透明導電体４５との間に設けられたインデックスマッチング層７６，７９と、を有している。このうち符号７１，７６で表されるインデックスマッチング層は、二重透明導電領域Ａ２、一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０のいずれとも重なるよう設けられている。一方、符号７４，７９で表されるインデックスマッチング層は、領域Ａ２、Ａ１１，Ａ１２，Ａ０の一部とのみ重なるよう設けられている。このような構成の相違に基づいて、以下の説明において、符号７１で表されるインデックスマッチング層を第１広域インデックスマッチング層と称し、符号７４で表されるインデックスマッチング層を第１局所インデックスマッチング層と称する。同様に、以下の説明において、符号７６で表されるインデックスマッチング層を第２広域インデックスマッチング層と称し、符号７９で表されるインデックスマッチング層を第２局所インデックスマッチング層と称する。上述の第１インデックスマッチング層７０は、第１広域インデックスマッチング層７１および第１局所インデックスマッチング層７４から構成されており、同様に上述の第２インデックスマッチング層７５は、第２広域インデックスマッチング層７６および第２局所インデックスマッチング層７９から構成されている。
【００３９】
図６に示すように、第１広域インデックスマッチング層７１は、フィルム本体３３の第１透明導電体４０側（一方の側）の面上に設けられた第１高屈折率層７２と、第１高屈折率層７２の第１透明導電体４０側（一方の側）の面上に設けられた第１低屈折率層７３と、を含んでいる。また第２広域インデックスマッチング層７６は、フィルム本体３３の第２透明導電体４５側（他方の側）の面上に設けられた第２高屈折率層７７と、第２高屈折率層７７の第２透明導電体４５側（他方の側）の面上に設けられた第２低屈折率層７８と、を有している。なお図６においては、第１局所インデックスマッチング層７４および第２局所インデックスマッチング層７９がそれぞれ単一の層で構成される例が示されているが、これに限られることはなく、広域インデックスマッチング層７１，７６の場合と同様に、局所インデックスマッチング層７４，７９がそれぞれ複数の層から構成されていてもよい。
【００４０】
（フィルム本体）
フィルム本体３３の材料としては、透明性の高い材料が好ましく、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、シクロオレフィンポリマー（ＣＯＰ）、環状オレフィン・コポリマー（ＣＯＣ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、（ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）などが挙げられる。フィルム本体３３の厚みは、例えば２５〜２００μｍの範囲内となっている。フィルム本体３３が例えばＰＥＴから構成される場合、フィルム本体３３の光屈折率は約１．６６となっている。
【００４１】
（インデックスマッチング層）
次に第１インデックスマッチング層７０および第２インデックスマッチング層７５について詳述する。上述のように、インデックスマッチング層７０，７５の広域インデックスマッチング層７１，７６は、高屈折率層７２，７７と低屈折率層７３，７８とを含んでいる。このうち低屈折率層７３，７８の光屈折率は、フィルム本体３３の光屈折率よりも小さくなっている。また高屈折率層７２，７７の光屈折率は、フィルム本体３３の光屈折率よりも大きくなっている。このような構成からなる広域インデックスマッチング層７１，７６をフィルム本体３３と透明導電体４０，４５との間に設けることにより、薄膜干渉の効果を生じさせることができ、これによって、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０の差を小さくすることができる。
【００４２】
次に局所インデックスマッチング層７４，７９について説明する。上述のように、局所インデックスマッチング層７４，７９は、領域Ａ２、Ａ１１，Ａ１２，Ａ０の一部とのみ重なるよう設けられている。例えば図６に示すように、第１局所インデックスマッチング層７４は、第１透明導電体４０に対応したパターンで、第１広域インデックスマッチング層７１と第１透明導電体４０との間に設けられている。また第２局所インデックスマッチング層７９は、第２透明導電体４５に対応したパターンで、第２広域インデックスマッチング層７６と第２透明導電体４５との間に設けられている。このような局所インデックスマッチング層７４，７９を設けることにより、二重透明導電領域Ａ２および一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２における反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２を、非透明導電領域Ａ０における反射率Ｒ０に対して高い自由度で精密に調整することが可能になる。
例えば、タッチパネルセンサ３０の設計変更のため、基材フィルム３２の厚みはそのままで透明導電体４０，４５の厚みを変更する場合を考える。この際、局所インデックスマッチング層７４，７９が存在していないとすると、広域インデックスマッチング層７１，７６の厚みや屈折率を調整することによって、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０の差を再調整することになる。この場合、４種類の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０を考慮しなければならないので、調整は容易ではない。
一方、局所インデックスマッチング層７４，７９が存在している場合、広域インデックスマッチング層７１，７６の厚みおよび屈折率はそのままで、局所インデックスマッチング層７４，７９についてのみ、その厚みや屈折率を調整する、という方法を採用することができる。この場合、領域Ａ０における反射率Ｒ０は変化しないので、領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２における反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２を反射率Ｒ０に近づける、ということのみを考慮して、局所インデックスマッチング層７４，７９の調整を実施することができる。すなわち、考慮されるべき反射率の種類の数を減らすことができる。このため、局所インデックスマッチング層７４，７９が存在していない場合に比べて、調整を容易に実施することができる。
【００４３】
（インデックスマッチング層の設計方法）
次に上述の機能を有するインデックスマッチング層７０，７５を設計する方法の一例について説明する。はじめに、タッチパネルセンサ３０における光学特性の目標を決定する。例えば、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０の差が１％以下であることを光学特性の目標とする。
【００４４】
次に、基材フィルム３２の各層の厚みおよび光屈折率と、透明導電体４０，４５の厚みおよび光屈折率とに基づいて、シミュレーションにより反射率の値を求める。そして、高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８などの広域インデックスマッチング層７１，７６並びに局所インデックスマッチング層７４，７９の厚みと光屈折率とを可変のパラメータとして、上述の光学特性の目標を達成するパラメータを探索する。これによって、高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８などの広域インデックスマッチング層７１，７６並びに局所インデックスマッチング層７４，７９の厚みおよび光屈折率の適切な範囲を算出し、このようにして、目標とする光学特性を得ることができるインデックスマッチング層７０，７５を設計する。なおシミュレーション用のツールとしては、例えばW.Thesis Hard-and SoftwareのCODEを用いることができる。
【００４５】
次に、インデックスマッチング層７０，７５を構成する材料について説明する。はじめに、広域インデックスマッチング層７１，７６を構成する高屈折率層７２，７７および低屈折率層７３，７８の材料について詳述する。高屈折率層７２，７７の材料としては、例えば酸化ニオブやジルコニウムなどの高屈折率材料が用いられる。高屈折率層７２，７７は、高屈折率材料単体によって構成される膜であってもよく、若しくは、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された高屈折率材料の粒子と、から構成されていてもよい。
低屈折率層７３，７８の材料としては、例えば酸化珪素などの低屈折率材料が用いられる。低屈折率層７３，７８においても、高屈折率層７２，７７の場合と同様に、低屈折率材料は、低屈折率材料単体によって構成される膜であってもよく、若しくは複数の粒子として存在していてもよい。ここでは、低屈折率層７３，７８が、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子と、から構成されている場合について説明する。
【００４６】
局所インデックスマッチング層７４，７９を構成する材料が特に限られることはなく、領域Ａ２、Ａ１１，Ａ１２における所望の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２を実現することができる様々な材料が用いられ得る。例えば局所インデックスマッチング層７４，７９は、酸化珪素などの低屈折率材料から構成されていてもよい。より具体的には、局所インデックスマッチング層７４，７９は、酸化珪素などの低屈折率材料によって構成された膜であってもよい。ここで、局所インデックスマッチング層７４，７９に隣接する低屈折率層７３，７８が、上述のように有機樹脂と有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子とから構成されている場合、局所インデックスマッチング層７４，７９における光屈折率は、低屈折率層７３，７８における光屈折率とほぼ同等になっていてもよい。例えば、局所インデックスマッチング層７４，７９における光屈折率と低屈折率層７３，７８における光屈折率との差の絶対値が０．０５以下となっていてもよい。
【００４７】
上述のように構成されるインデックスマッチング層７０，７５の各層の厚みおよび光屈折率の設計の一例を、参考として表１に示す。
【表１】
2014186362.tif 000003
表１に示すような層構成に基づいて、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ０における光の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ０を計算したところ、反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ０はそれぞれ１２．５％，１２．５％，１２．５％であった。各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ０における光の反射率に差が生じることを高いレベルで抑制できていると言える。
【００４８】
比較のため、局所インデックスマッチング層を用いることなく、インデックスマッチング層７０，７５の各層の厚みおよび光屈折率を設計した結果を表２に示す。
【表２】
2014186362.tif 000004
表２に示すような層構成に基づいて、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ０における光の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ０を計算したところ、反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ０はそれぞれ１２．２％，１２．３％，１２．５％であった。このように、局所インデックスマッチング層を用いない場合、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ０における光の反射率の差が最大で０．３％となっていた。このことから、局所インデックスマッチング層を用いた場合、二重透明導電領域Ａ２および一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２における反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２を、非透明導電領域Ａ０における反射率Ｒ０に対して高い自由度で精密に調整することができるため、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における光の反射率に差が生じることを高いレベルで抑制できると言える。
【００４９】
さらなる不可視化のための構成
なお上述の表１に示す設計に基づく、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ０における光の反射率の差は、あくまで計算値である。実際の製品では、製造誤差などが存在するため、各領域における反射率の差をゼロにすることは困難である。また本件発明者が鋭意研究を重ねた結果、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における光の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０の差を単に小さくするだけでは、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されないこと（パターンの不可視化）を十分に実現できない場合があることが知見された。以下、得られた知見について詳細に説明する。
【００５０】
本件発明者が鋭意研究を重ねた結果、反射率が同程度である複数の領域を見比べた場合、複数の領域の中で最も高い反射率を有する領域が目立って視認されることに気付いた。例えば、領域Ｒ０の反射率が０．９であり、領域Ｒ１１，Ｒ１２の反射率が０．８５である場合、領域Ｒ１１，Ｒ１２の面積が領域Ｒ０の面積よりも大きい場合であっても、人間の目には領域Ｒ０の存在が顕著に認識される、ということに気付いた。このことは、裏を返せば、領域Ｒ１１，Ｒ１２の面積が領域Ｒ０の面積よりも大きい場合、領域Ｒ１１，Ｒ１２の反射率を領域Ｒ０の反射率よりも大きくすることにより、領域Ｒ０の存在を極めて目立たないものとすることができる、ということを意味している。このような知見に基づき、本実施の形態によれば、以下のように各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における光の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０を設定することにより、各領域における反射率の差を単に小さくする場合よりもさらに高度にパターンの不可視化を実現することができる。
【００５１】
本実施の形態においては、二重透明導電領域Ａ２，一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０のうちアクティブエリアＡａ１において最も大きい面積を占める領域が、最も大きい反射率を有するよう、インデックスマッチング層７０，７５が構成されている。例えば図５から明らかなように、本実施の形態において、最も大きい面積を占める領域は一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２である。従って、一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２における反射率Ｒ１１，Ｒ１２が、二重透明導電領域Ａ２における反射率Ｒ２および非透明導電領域Ａ０における反射率Ｒ０よりも大きくなるよう、インデックスマッチング層７０，７５が構成されている。このことにより、二重透明導電領域Ａ２および非透明導電領域Ａ０を、一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２に比べて極めて目立たない領域とすることができる。これによって、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されることを十分に抑制することができる。
【００５２】
好ましくは、二重透明導電領域Ａ２，一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０のうちアクティブエリアＡａ１において２番目に大きい面積を占める領域が、２番目に大きい反射率を有するよう、インデックスマッチング層７０，７５が構成されている。なおアクティブエリアＡａ１において２番目に大きい面積を占め、かつ２番目に大きい反射率を有する領域は、二重透明導電領域Ａ２であってもよく、または非透明導電領域Ａ０であってもよい。
【００５３】
タッチパネルセンサの製造方法
次に、以上のような構成からなるタッチパネルセンサ３０を製造する方法について、図７Ａ〜図７Ｆを参照して説明する。図７Ａ〜図７Ｆは、タッチパネルセンサ３０の製造工程における、アクティブエリアＡａ１の各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における層構成の推移を示す図である。なお非アクティブエリアＡａ２の製造工程については、詳細な説明を省略する。
【００５４】
はじめに図７Ａに示すように、タッチパネルセンサ３０を作製するための元材としての積層体５０（ブランクとも呼ばれる）を準備する。積層体５０は、フィルム本体３３と、フィルム本体３３の一方の側に順に設けられた第１高屈折率層７２、第１低屈折率層７３、第１局所インデックスマッチング層７４および第１透明導電層５２ａと、フィルム本体３３の他方の側に順に設けられた第２高屈折率層７７、第２低屈折率層７８、第２局所インデックスマッチング層７９および第２透明導電層５２ｂと、を有している。透明導電層５２ａ，５２ｂは、透光性および導電性を有する材料から構成された層であり、パターニングされて後に透明導電体４０，４５となる層である。
【００５５】
積層体５０の各層を構成する方法が特に限られることはなく、公知の方法が適宜用いられる。例えば高屈折率層７２，７７は、有機樹脂および高屈折率材料の粒子を含む塗布液を、コーターを用いてコーティングすることによって形成され得る。同様に、低屈折率層７３，７８は、有機樹脂および低屈折率材料の粒子を含む塗布液をコーティングすることによって形成され得る。また局所インデックスマッチング層７４，７９および透明導電層５２ａ，５２ｂは、スパッタリングや真空蒸着によって形成され得る。
【００５６】
なお積層体５０の層構成が図７Ａに示す構成に限られることはなく、その他の層が積層体５０にさらに含まれていてもよい。例えば積層体５０は、図示はしないが、上述の遮光導電部４３ｂ，４４ｂ，４８ｂ，４９ｂを構成するために透明導電層５２ａ，５２ｂ上に設けられた金属層をさらに有していてもよい。また積層体５０は、基材フィルム３２を保護するためにフィルム本体３３と高屈折率層７２，７７との間に設けられるハードコート層などをさらに有していてもよい。ハードコート層は、例えばアクリル樹脂から構成される層である。
【００５７】
次に、図７Ｂに示すように、積層体５０の一方の側の面上に第１感光層５６ａを形成するとともに、積層体５０の他方の側の面上に第２感光層５６ｂを形成する。第１感光層５６ａおよび第２感光層５６ｂは、特定波長域の光、例えば紫外線に対する感光性を有している。感光層５６ａ，５６ｂは、例えば、積層体５０の表面上にコーターを用いて感光性材料をコーティングすることにより形成される。感光層５６ａ，５６ｂのタイプが特に限られることはない。例えば光溶解型の感光層が用いられてもよく、若しくは光硬化型の感光層が用いられてもよい。
【００５８】
次に、図７Ｃに示すように、感光層５６ａ，５６ｂが、形成されるべき透明導電体４０，４５に対応したパターンを有するようになるよう、感光層５６ａ，５６ｂを所定のパターンで露光して現像する。その後、図７Ｄに示すように、パターニングされた第１感光層５６ａをマスクとして第１透明導電層５２ａをエッチングするとともに、パターニングされた第２感光層５６ｂをマスクとして第２透明導電層５２ｂをエッチングする。エッチング液としては、例えば塩化第二鉄を含む溶液が用いられる。
【００５９】
次に、パターニングされた第１感光層５６ａおよび第１透明導電層５２ａをマスクとして第１局所インデックスマッチング層７４をエッチングするとともに、パターニングされた第２感光層５６ｂおよび第２透明導電層５２ｂをマスクとして第２局所インデックスマッチング層７９をエッチングする。これによって、図７Ｅに示すように、透明導電体４０，４５に対応したパターンを有する局所インデックスマッチング層７４，７９を得ることができる。
【００６０】
その後、透明導電層５２ａ,５２ｂ上の感光層５６ａ,５６ｂを除去する。これによって、図７Ｆに示すように、透明導電層５２ａ,５２ｂからなる透明導電体４０，４５を得ることができる。このようにして、タッチ位置を検出するための透明パターン４１，４６を含む透明導電体４０，４５を備えたタッチパネルセンサ３０を作製することができる。なお局所インデックスマッチング層７４，７９をエッチングする工程において、エッチング液としてアルカリ系の液を用いる場合、局所インデックスマッチング層７４，７９をエッチングすることと同時に感光層５６ａ,５６ｂを除去することも可能である。
【００６１】
なお上述の局所インデックスマッチング層７４，７９をエッチングする工程において、エッチングされるのは局所インデックスマッチング層７４，７９のみであり、低屈折率層７３，７８などの広域インデックスマッチング層７１，７６の構成要素はエッチングされない。なぜなら、低屈折率層７３，７８は、有機樹脂と、有機樹脂内に分散された低屈折率材料の粒子と、から構成されており、このため、低屈折率材料の粒子は、有機樹脂によってエッチング液から保護されているからである。
【００６２】
本実施の形態によれば、上述のように、インデックスマッチング層７０，７５は、アクティブエリアＡａ１内の二重透明導電領域Ａ２，一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０における光の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０の差が少なくとも１％になるよう構成されている。これによって、二重透明導電領域Ａ２，一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０の間の境界が視認されることを抑制することができる。さらに本実施の形態によれば、インデックスマッチング層７０，７５は、二重透明導電領域Ａ２，一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０のうちアクティブエリアＡａ１において最も大きい面積を占める領域が、最も大きい反射率を有するよう、インデックスマッチング層７０，７５が構成されている。このため、二重透明導電領域Ａ２，一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０のうち最も大きい面積を占める領域が、最も視認され易い領域になる。すなわち、それ以外の領域が目立たないようにすることができる。これらのことにより、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されることを十分に抑制することができる。また本実施の形態によれば、各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０の面積に応じて各領域Ａ２，Ａ１１，Ａ１２，Ａ０の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０を調整することにより、そのような調整を実施しない場合に比べて、透明導電体４０，４５の不可視化を実現する上で、領域間における光の反射率の差に対する許容値を大きくすることができる。このことにより、タッチパネルセンサ３０の設計や製造に要する工数を低減することができる。
【００６３】
また本実施の形態によれば、上述のように、インデックスマッチング層７０，７５は、二重透明導電領域Ａ２、一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０のいずれとも重なるよう設けられた広域インデックスマッチング層７１，７６に加えて、透明導電体４０，４５（すなわち二重透明導電領域Ａ２および一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２）に対応したパターンを有する局所インデックスマッチング層７４，７９をさらに含んでいる。このため、二重透明導電領域Ａ２および一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２における反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２を、非透明導電領域Ａ０における反射率Ｒ０に対して高い自由度で精密に調整することができる。このことにより、領域Ａ２、Ａ１１，Ａ１２，Ａ０における光の反射率Ｒ２，Ｒ１１，Ｒ１２，Ｒ０の差や大小関係をより精密かつ容易に設定することができる。このことにより、タッチパネルセンサ３０の設計や製造に要する工数を低減しながら、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されることを十分に抑制することができる。
【００６４】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、いくつかの変形例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。
【００６５】
ダミーパターンが設けられる例
従来、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されることを防ぐための方法の１つとして、透明導電体４０，４５が設けられていない領域に、透明導電体４０，４５を構成する材料と同一の材料を用いてダミーパターンを形成することが提案されている。本実施の形態においても、このようなダミーパターンがさらに設けられていてもよい。以下、タッチパネルセンサ３０がダミーパターンをさらに有する例について、図８Ａおよび図８Ｂを参照して説明する。
【００６６】
図８Ａおよび図８Ｂは、アクティブエリアＡａ１の一部を拡大して示す図であり、上述の本実施の形態における図５に対応する図である。なお図面が煩雑になることを避けるため、図８Ａには、基材フィルム３２の一方の側に設けられた第１透明導電体４０のみが示されており、図８Ｂには、基材フィルム３２の他方の側に設けられた第２透明導電体４５のみが示されている。
【００６７】
図８Ａに示すように、第１透明導電体４０は、タッチ位置を検出するための複数の第１透明パターン４１に加えて、隣接する２つの第１透明パターン４１の間に配置された第１ダミーパターン４２をさらに有している。各第１ダミーパターン４２は、透光性および導電性を有する材料から構成される層である。例えば各第１ダミーパターン４２は、上述の第１透明導電層５２ａから第１透明パターン４１と同時に形成される。このような第１ダミーパターン４２を設けることにより、基材フィルム３２の一方の側に、第１透明導電体４０を万遍なく存在させることができ、これによって、第１透明導電体４０のパターンが視認されることを防ぐことができる。なお図８Ａに示すように、第１ダミーパターン４２は、複数の単位パターン４２ａから構成されていてもよい。すなわち、第１ダミーパターン４２は細かく区画されていてもよい。これによって、仮に、製造工程における製造誤差などに起因して単位パターン４２ａの一部が第１透明パターン４１と接触してしまった場合であっても、そのような意図しない接触に起因して第１透明パターン４１のショートなどの不具合が生じてしまうことを防ぐことができる。
【００６８】
図８Ｂに示すように、第２透明導電体４５は、タッチ位置を検出するための複数の第２透明パターン４６に加えて、隣接する２つの第２透明パターン４６の間に配置された第２ダミーパターン４７をさらに有している。各第２ダミーパターン４７は、透光性および導電性を有する材料から構成される層である。例えば各第２ダミーパターン４７は、上述の第２透明導電層５２ｂから第２透明パターン４６と同時に形成される。このような第２ダミーパターン４７を設けることにより、基材フィルム３２の他方の側に、第２透明導電体４５を万遍なく存在させることができ、これによって、第２透明導電体４５のパターンが視認されることを防ぐことができる。なお第１ダミーパターン４２の場合と同様に、第２ダミーパターン４７は、複数の単位パターン４７ａから構成されていてもよい。
【００６９】
本変形例においても、上述の本実施の形態の場合と同様に、二重透明導電領域Ａ２，一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０のうちアクティブエリアＡａ１において最も大きい面積を占める領域が、最も大きい反射率を有するよう、インデックスマッチング層７０，７５が構成されている。好ましくは、二重透明導電領域Ａ２，一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０のうちアクティブエリアＡａ１において２番目に大きい面積を占める領域が、２番目に大きい反射率を有するよう、インデックスマッチング層７０，７５が構成されている。
【００７０】
なお本変形例においては、図８Ａおよび図８Ｂから明らかなように、第１透明導電体４０の第１ダミーパターン４２の単位パターン４２ａの大部分は、第２透明導電体４５の第２透明パターン４６の膨出部４６ｂと重なっている。また第２透明導電体４５の第２ダミーパターン４７の単位パターン４７ａの大部分は、第１透明導電体４０の第１透明パターン４１の膨出部４１ｂと重なっている。このため本変形例においては、基材フィルム３２の法線方向から見た場合に第１ダミーパターン４２の単位パターン４２ａまたは第２ダミーパターン４７の単位パターン４７ａと重なる領域の大部分が、二重透明導電領域Ａ２となっている。従って本変形例において、アクティブエリアＡａ１で最も大きい面積を占める領域は、二重透明導電領域Ａ２である。このため本変形例においては、二重透明導電領域Ａ２における反射率Ｒ２が、一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２における反射率Ｒ１１，Ｒ１２および非透明導電領域Ａ０における反射率Ｒ０よりも大きくなるよう、インデックスマッチング層７０，７５が構成されている。このことにより、一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２および非透明導電領域Ａ０を、二重透明導電領域Ａ２に比べて極めて目立たない領域とすることができる。これによって、透明導電体４０，４５のパターンがタッチパネルセンサ３０の使用者から視認されることを十分に抑制することができる。
【００７１】
なお図１乃至図７Ｆに示す上述の本実施の形態においては、最も大きい面積を占める領域が一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２であった。この場合、一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２における反射率Ｒ１１，Ｒ１２を二重透明導電領域Ａ２における反射率Ｒ２よりも大きくするためには、通常、上述の局所インデックスマッチング層７４，７９が必要になる。一方、図８Ａおよび図８Ｂに示す本変形例においては、最も大きい面積を占める領域が二重透明導電領域Ａ２になる。この場合、上述の局所インデックスマッチング層７４，７９が設けられていない場合であっても、二重透明導電領域Ａ２における反射率Ｒ２を、一重透明導電領域Ａ１１，Ａ１２における反射率Ｒ１１，Ｒ１２よりも大きくすることができる。従って本変形例においては、上述の局所インデックスマッチング層７４，７９は必須の構成要素ではない。
【００７２】
なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
【符号の説明】
【００７３】
３０  タッチパネルセンサ
３２  基材フィルム
３３  フィルム本体
４０  第１透明導電体
４１  第１透明パターン
４２  第１ダミーパターン
４５  第１透明導電体
４６  第２透明パターン
４７  第２ダミーパターン
５０  積層体
７０  第１インデックスマッチング層
７１  第１広域インデックスマッチング層
７４  第１局所インデックスマッチング層
７５  第２インデックスマッチング層
７６  第２広域インデックスマッチング層
７９  第２局所インデックスマッチング層
Ａ２  二重透明導電領域
Ａ１１，Ａ１２  一重透明導電領域
Ａ０  非透明導電領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図７Ｃ】
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【図７Ｄ】
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【図７Ｅ】
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【図７Ｆ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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