(57)【要約】【課題】熱伝導性と絶縁性に優れた回路基板用積層板、及び、この回路基板用積層板を用いて形成された金属ベース回路基板を提供すること。【解決手段】金属基板と、該金属基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた金属箔とを具備する回路基板用積層板であって、前記金属基板の絶縁層側の表面に溝が形成されており、且つ、前記絶縁層がアスペクト比２以上の非球状無機充填材と樹脂を含有することを特徴とする回路基板用積層板。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基板と、該金属基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた金属箔とを具備する回路基板用積層板であって、前記金属基板の絶縁層側の表面に溝が形成されており、且つ、前記絶縁層がアスペクト比２以上の非球状無機充填材と樹脂を含有することを特徴とする回路基板用積層板。
【請求項２】
前記非球状無機充填材が、鱗片状、板状、又は繊維状であることを特徴とする請求項１に記載の回路基板用積層板。
【請求項３】
前記非球状無機充填材が鱗片状の窒化ホウ素であることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路基板用積層板。
【請求項４】
前記窒化ホウ素の平均粒子径が１μｍ以上５０μｍ以下である、請求項３に記載の回路基板用積層板。
【請求項５】
前記金属基板表面に形成された溝の深さが１０〜１５０μｍであり、且つ、ピッチが１μｍ以上であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の回路基板用積層板。
【請求項６】
前記溝が前記金属基板表面にストライプ状、格子状又はドット状に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の回路基板用積層板。
【請求項７】
前記金属基板表面に形成された溝の断面形状が、Ｖ字型、Ｕ字型又は矩形型であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の回路基板用積層板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の回路基板用積層板の前記金属箔をパターニングすることによって得られる金属ベース回路基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板用積層板及び金属ベース回路基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年のエレクトロニクス技術の発達は目覚ましく、電気電子機器の高性能化及び小型化は急速に進行している。これに伴い、電気素子及び／又は電子素子を実装した部品の発熱量は益々大きくなっている。このような背景のもと、典型的にはＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect transistor）及びＩＧＢＴ（insulated-gate bipolar transistor）などの所謂パワーデバイスを搭載する金属ベース回路基板には、十分な耐熱性に加え、優れた放熱性が求められている。
【０００３】
金属ベース回路基板は、金属基板上に絶縁層と回路パターンとがこの順に積層された構造を有している。金属ベース回路基板の放熱性を高めるために、この絶縁層には、母材となる樹脂に、熱伝導率が高く且つ絶縁性の六方晶窒化ホウ素（ｈ−ＢＮ）を分散させた樹脂組成物が一般に広く用いられている。
【０００４】
この六方晶窒化ホウ素は、黒鉛と同様の層状の結晶構造を有し、形状が鱗片状である。そして、長径方向（結晶方向）の熱伝導率が高く、短径方向（層の厚さ方向）の熱伝導率が低いという異方的な熱伝導性を有している。そのため、プレス成形法、射出成形法、押出成形法、カレンダー成形法、ロール成形法、ドクターブレード成形法等のような公知の成形方法によってシート状に絶縁層を成形すると、成形時の圧力や流動によって、樹脂中の鱗片状窒化ホウ素が絶縁層内で倒れた状態、すなわち、図７に示すように、鱗片状窒化ホウ素５の長径方向が絶縁層のシート面方向と一致するように配向されやすいという傾向がある。このようにして得られる熱伝導性絶縁層は、絶縁層の面方向の熱伝導性に優れたものとなり、絶縁層の厚み方向が熱伝導経路となる使用形態において熱伝導性が十分でないという問題があった。
【０００５】
また、すべての鱗片状窒化ホウ素の長径方向を絶縁層の厚み方向に平行に配向させてしまうと、熱伝導性が向上する代わりに絶縁性が著しく低下してしまうため、熱伝導性と絶縁性とのバランスを考慮しつつ、熱伝導性絶縁層における鱗片状窒化ホウ素の配向を調整しなければならない。
【０００６】
このため、樹脂中に分散する鱗片状窒化ホウ素の長径方向をバランスよく配向させることにより、熱伝導性と絶縁性に優れた絶縁放熱性シートを提供すべく、鱗片状窒化ホウ素の一次粒子が凝集した二次凝集粒子を含有させてなる絶縁放熱性シートが提案されている（例えば、特許文献１〜３を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１１−２６６６１号公報
【特許文献２】特開平１１−６０２１６号公報
【特許文献３】特開２０１０−１５７５６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
鱗片状窒化ホウ素の一次粒子が凝集した二次凝集粒子を用いる上掲の方法では、鱗片状窒化ホウ素の長径方向（結晶方向）を絶縁層の厚み方向に平行に配向するには限界があり、絶縁層の厚み方向の熱伝導性を十分に向上させることが困難であった。また、二次凝集体は少なからず空孔を有しているため、そのような二次凝集体を分散してなる樹脂組成物を用いて絶縁層を形成しても金属ベース回路基板に用いられる絶縁放熱シートとして十分な絶縁性が得られないという問題があった。
【０００９】
本発明は、このような実情に鑑み、熱伝導性と絶縁性に優れた回路基板用積層板、及び、この回路基板用積層板を用いて形成された金属ベース回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の第１側面によると、金属基板と、該金属基板上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた金属箔とを具備する回路基板用積層板であって、前記金属基板の絶縁層側の表面に溝が形成されており、且つ、前記絶縁層がアスペクト比２以上の非球状無機充填材と樹脂を含有することを特徴とする回路基板用積層板が提供される。
【００１１】
本発明の一形態において、上記非球状無機充填材は、例えば、鱗片状、板状、又は繊維状である。  
本発明の他の形態において、上記非球状無機充填材は、例えば、鱗片状の窒化ホウ素であり、その平均粒子径は、例えば、１μｍ以上５０μｍの範囲内である。
【００１２】
本発明の他の形態において、上記金属基板表面に形成された溝は、例えば、深さが１０〜１５０μｍであり、且つ、ピッチが０．１μｍ以上である。
【００１３】
本発明の他の形態において、上記金属基板表面の溝は、例えば、ストライプ状、格子状又はドット状に形成されている。
【００１４】
本発明の他の形態において、上記金属基板表面の溝は、その断面形状が、例えば、Ｖ字型、Ｕ字型又は矩形型である。
【００１５】
本発明の第２側面によると、上述した回路基板用積層板の金属箔をパターニングすることによって得られる金属ベース回路基板が提供される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明により、熱伝導性及び絶縁性に優れた回路基板用積層体、及び、この回路基板用積層体を用いて形成された金属ベース回路基板の提供が可能となった。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一態様に係る回路基板用積層板を概略的に示す断面図。
【図２】図１に示す回路基板用積層板から得られる金属ベース回路基板の一例を概略的に示す断面図。
【図３】本発明の一態様に係る回路基板用積層板の一部を模式的に示す断面図。
【図４】本発明の一態様に係る回路基板用積層板の断面の一部を示す、図面に代わるＳＥＭ写真。
【図５】本発明の一態様に係る回路基板用積層板の断面の一部を示す、図面に代わるＳＥＭ写真。
【図６】本発明の一態様に係る回路基板用積層板の断面の一部を示す、図面に代わるＳＥＭ写真。
【図７】従来の絶縁放熱シートを模式的に示した断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の態様について図面を参照しながら詳細に説明する。  
本発明に係る回路基板用積層板は、表面に溝が形成された金属基板と、該金属基板の溝が形成された表面上に設けられた絶縁層と、該絶縁層上に設けられた金属箔とを具備してなり、絶縁層は、非球状の無機充填材と樹脂を含有している。
【００１９】
上記の通り、絶縁層を構成する樹脂中に分散される無機充填材として、例えば鱗片状窒化ホウ素のような非球状の無機充填材を使用した場合、粒子の長径方向（面内方向）が絶縁層の面方向と一致するように配向されやすい。一方、鱗片状窒化ホウ素のように、非球状の無機充填材における長径方向（面内方向）の熱伝導率が高く、短径方向（厚み方向）の熱伝導率が低い場合、そのような非球状無機充填材を用いて形成される従来の絶縁層においては、粒子の長径方向（面内方向）が絶縁層の面方向と一致するように配向されやすいために絶縁層の厚み方向における熱伝導性が十分でないという問題があった。
【００２０】
図１にその一態様が示されているように、本発明に係る回路基板用積層板１は、金属基板２の絶縁層３側の表面に溝が形成されている。このため、例えば図３に模式的に示されているように、金属基板２上に形成された絶縁層３のマトリクス樹脂６中に分散された非球状無機分散材５の長径方向が、溝の深さ方向に配向する。その結果、絶縁性を低下させることなく絶縁層の厚み方向の熱伝導性を向上させることができる。
【００２１】
絶縁層に用いられる無機充填材は、非球状の無機粒子であり、例えば、鱗片状、板状、繊維状などの形状が挙げられるが、これらに限定されるものではなく、アスペクト比が２以上であればよい。ここでアスペクト比は、粒子の形状が球又は立方体に近いか否かを表す指標となるものである。例えば鱗片状又は板状粒子の場合には、アスペクト比は粒子直径と粒子厚みとの比（粒子直径／粒子厚み）として表される。ここで粒子直径は後述する平均粒子径（Ｄ５０）を表し、粒子厚みはＳＥＭにより得られる粒子１０個の断面画像から測定される平均厚みを表す。また、例えば繊維状粒子の場合には、アスペクト比は繊維状粒子の長辺と短辺との比（長辺／短辺）として表される。ここで当該比（長辺／短辺）は非偏光光源方式による繊維長分布測定（ＩＳＯ１６０６５−２規格）から得られる平均長を表す。
【００２２】
無機充填材のアスペクト比が２未満であると、形状が球状もしくは立方体に近いために、金属基板表面に形成された溝に樹脂が流動しても粒子の長径方向が溝の深さ方向に配向しにくくなるため、所望とする熱伝導性が得られない。本発明の一形態において、無機充填材のアスペクト比は、例えば５〜６０であることが好ましく、１０〜３０であることがより好ましい。
【００２３】
非球状の無機充填材として、具体的には、例えば窒化ホウ素、窒化アルミ、窒化ケイ素、アルミナ、シリカ、炭化物、金属繊維、樹脂繊維等が挙げられる。本発明の一形態において、非球状の無機充填材は、鱗片状の窒化ホウ素（六方晶系窒化ホウ素［ｈ−ＢＮ］）であることが好ましい。
【００２４】
また、本発明の一形態において、非球状無機充填材の平均粒子径は、１μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましく、５μｍ以上２５μｍ以下であることがより好ましい。
【００２５】
ここで、平均粒子径とは、体積基準で粒度分布を求め、全体積を１００％とした累積カーブにおいて、その累積カーブが５０％となる点の粒径である、体積基準累積５０％径（Ｄ５０）を意味する。粒径の測定は、平均粒子径（Ｄ５０）が１μｍ以下の場合は光透過式遠心沈降法により測定され、１μｍを超える場合はレーザー回折・散乱法により測定される。
【００２６】
本発明の一形態において、絶縁層における非球状無機充填材の含有率（充填率）は、絶縁層に含有される樹脂を基準として４０〜８０体積％であることが好ましく、５０〜７０体積％あることがより好ましい。充填率が低すぎると配向はできても粒子同士の接点が少なくなってしまうため熱伝達のパスが形成できにくい問題が生じ得る。一方、充填率が高すぎると粘度が高くなりすぎるため樹脂の流動性が低下する問題が生じ得る。
【００２７】
絶縁層のマトリクスとなる樹脂としては、加熱および／または加圧により流動性を示す樹脂であれば特に限定されるものではない。例えば、ポリアミドイミド、液晶ポリエステル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリフェニルサルホン、ポリエーテルサルホン、ポリフェニレンスルフィド、エポキシ樹脂、イミド樹脂などが挙げられる。これらの樹脂は、単独又は組み合わせて用いることができる。
【００２８】
絶縁層を形成する樹脂組成物は、上述した非球状無機充填材及び樹脂以外に、例えば、溶剤を含有している。溶剤は、樹脂１００質量部に対して、例えば１０〜９９００質量部、より好ましくは１００〜１９００質量部含有させる。溶剤の量が過度に多い場合、塗膜から大量の溶剤を除去しなければならず、塗膜の外観不良を生じやすい。また、多くの乾燥時間を要するため生産性が低下する。一方、溶剤の量が過度に少ない場合、組成物が高粘度化する傾向があり、その取扱い性等が低下する。溶剤としては、例えば、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルアセトアミド、テトラフルオロイソプロパノール、メチルエチルケトン、エチレンジグリコールアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、メチルイソブチルケトンなどが挙げられる。
【００２９】
また、樹脂組成物は、更に種々の添加剤を含有していてもよい。添加剤としては、例えば、シランカップリング剤及びチタンカップリング剤などのカップリング剤、イオン吸着剤などが挙げられる。
【００３０】
金属基板において絶縁層が形成される側の表面は、溝（凹部）が形成されることにより凹凸面となっている。溝の深さ（ｄ）、ピッチ（ｐ）、形状などは、用いる無機充填材の粒子サイズや、金属ベース回路基板としての用途における放熱性と絶縁性のバランスにより適宜設定される。配向度を高めたい場合には、樹脂流動が十分に出来る範囲で溝のピッチを小さくして、深さを深くすればよい。溝の深さ（ｄ）は、例えば、１０〜１５０μｍであることが好ましく、２０〜１００μｍであることがより好ましい。溝のピッチ（ｐ）は、例えば、１μｍ以上であることが好ましく、１〜３００μｍであることがより好ましく、６０〜２５０μｍであることが更に好ましい。溝の断面形状は、限定されるものではないが、例えば、Ｖ字型、Ｕ字型又は矩形型であり、溝の基板表面上の形状は、限定されるものではないが、例えば、ストライプ状、格子状又はドット状である。
【００３１】
金属基板は、例えば、単体金属又は合金からなる。金属基板の材料としては、例えば、アルミニウム、鉄、銅、アルミニウム合金、又はステンレスを使用することができる。金属基板は、炭素などの非金属を更に含んでいてもよい。例えば、金属基板は、炭素と複合化したアルミニウムを含んでいてもよい。また、金属基板は、単層構造を有していてもよく、多層構造を有していてもよい。
【００３２】
金属基板は、高い熱伝導率を有している。典型的には、金属基板は、６０Ｗ・ｍ−１・Ｋ−１以上の熱伝導率を有している。  
金属基板は、可撓性を有していてもよく、可撓性を有していなくてもよい。金属基板の厚さは、例えば、０．２〜５ｍｍの範囲内にある。
【００３３】
金属基板表面への溝の形成方法としては、特に限定されるものではなく、例えば、エッチング、プレス成形、切削加工、ダイス加工、ローレット加工、サンドブラスト等、公知の方法を用いることができる。
【００３４】
図１に示すように、金属箔４は、絶縁層３上に設けられている。金属箔４は、絶縁層３を間に挟んで金属基板２と向き合っている。  
金属箔４は、例えば、単体金属又は合金からなる。金属箔４の材料としては、例えば、銅又はアルミニウムを使用することができる。金属箔４の厚さは、例えば、１０〜５０μｍの範囲である。
【００３５】
本発明に係る回路基板用積層板１は、例えば、以下の方法により製造する。  
まず、上述した樹脂を溶剤に溶解させて、光学的に等方性の溶液を得る。次に、上述した非球状の無機充填材を溶液中に分散させて分散液を得る。無機充填材は、例えば、ボールミル、三本ロール、遠心撹拌機又はビーズミルを用いて、粉砕しつつ上記溶液中に分散させてもよい。また、上記溶液に無機充填材を加えるのに先立って、この溶液にシランカップリング剤、イオン吸着剤などの添加剤を加えてもよい。
【００３６】
次に、この分散液を、表面に溝が形成された金属基板２及び金属箔４の少なくとも一方に塗布する。分散液の塗布には、例えば、ロールコート法、バーコート法又はスクリーン印刷法を利用することができる。連続式で行ってもよく、単板式で行ってもよい。
【００３７】
必要に応じて塗膜を乾燥させた後、金属基板２と金属箔４とが塗膜を挟んで向き合うように重ね合わせる。さらに、それらを熱プレスする。以上のようにして、回路基板用積層板１を得る。
【００３８】
この方法では、樹脂組成物である分散液を金属基板２及び金属箔４の少なくとも一方に塗布することにより塗膜を形成するが、他の態様において、分散液をＰＥＴフィルム等の基材に塗布し乾燥することにより予め塗膜を形成し、これを金属基板２及び金属箔４の一方に熱転写してもよい。 
樹脂組成物の金属基板２への塗布時、又は、樹脂組成物からなる塗膜の金属基板２への加熱加圧時に、金属基板２の表面に形成された溝（凹部）に非球状無機充填材が分散された樹脂が流れ込み、非球状無機充填材の長径方向が溝の形状に沿って絶縁層の厚み方向に配向する結果、放熱性及び絶縁性の向上効果がもたらされる。
【００３９】
次に、上述した回路基板用積層板１から得られる金属ベース回路基板１´について説明する。  
図２に示す金属ベース回路基板１´は、図１に示す回路基板用積層板から得られるものであり、金属基板２と、絶縁層３と、回路パターン４´とを含んでいる。回路パターン４´は、図１を参照しながら説明した回路基板用積層板の金属箔４をパターニングすることにより得られる。このパターニングは、例えば、金属箔４の上にマスクパターンを形成し、金属箔４の露出部をエッチングによって除去することにより得られる。金属ベース回路基板１´は、例えば、先の回路基板用積層板１の金属箔４に対して上記のパターニングを行い、必要に応じて、切断及び穴あけ加工などの加工を行うことにより得ることができる。
【００４０】
この金属ベース回路基板１´は、上述した回路基板用積層板１から得られるので、放熱性及び絶縁性に優れている。
【実施例】
【００４１】
以下に、本発明の例を記載する。本発明はこれらに限定されるものでない。  
＜樹脂組成物の調製＞
合成例１：樹脂組成物１
固形分３０質量％のポリアミドイミド樹脂溶液（日立化成製、「ＨＰＣ９０００」／溶剤：ジメチルアセトアミド）に対して、窒化ホウ素（電気化学工業製、「ＳＧＰ」、平均粒径２０μｍ、アスペクト比２０）を、樹脂固形分を基準として６０体積％となるよう配合し絶縁性樹脂組成物を調製した。
【００４２】
合成例２：対照用樹脂組成物１
固形分３０質量％のポリアミドイミド樹脂溶液（日立化成製、「ＨＰＣ９０００」）に対して、窒化ホウ素（電気化学工業製、「ＳＧＰ」、平均粒径２０μｍ）を、スプレードライ法により凝集させた凝集窒化ホウ素（平均粒径５０μｍ、アスペクト比１．３）を合計で、樹脂固形分を基準として６５体積％となるよう配合し絶縁性樹脂組成物を作製した。
【００４３】
なお、平均粒子径はレーザー回折・散乱法にて測定した。また、アスペクト比は、粒子直径／粒子厚みを表し、粒子直径は上述した平均粒子径（Ｄ５０）であり、粒子厚みはＳＥＭにより得られる粒子１０個の断面画像から測定される平均厚みである。但し、凝集体の場合のアスペクト比は、ＳＥＭにより得られる粒子１０個の断面画像から測定される、最長径の平均値／最長径と直角に交わる径の平均値、より得られる値である。
【００４４】
＜金属基板＞
金属基板として、熱伝導率１４０Ｗ/ｍｋ、厚み２．０ｍｍのアルミニウム合金板の片側表面に、下表に示すピッチ（ｐ）及び深さ（ｄ）を有する断面Ｖ字型の溝をストライプ状に形成したアルミ基板（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）を使用した。また、比較用として溝加工が施されていない平滑アルミ基板（熱伝導率１４０Ｗ/ｍｋ、厚み２．０ｍｍのアルミニウム合金板）を使用した。
【表１】
2014027226.tif 000002
【００４５】
＜評価＞
回路基板用積層板の密度、ＢＮ配向度、熱抵抗及び耐電圧を、下記評価方法に従い評価した。  
［密度］
上述した方法により得られた各絶縁性樹脂組成物を、遊星式攪拌脱泡機で５分攪拌した後、厚み７０μｍの銅箔上に熱接着後の厚みが約１００μｍになるように塗布し、２２０℃で溶媒が無くなるまで乾燥した。この塗膜が形成された銅箔を、上述した各アルミ基板上に塗膜が中間層となるように積層し、圧力２０ＭＰａ、温度２７０℃で熱接着した。得られた回路基板用積層板をサンプルとして、銅箔とアルミ板をケミカルエッチングして絶縁層のみを取り出した。
【００４６】
上記のようにして得られた絶縁層からシートサイズ５０×５０ｍｍに切り出し、アルキメデス法により乾燥塗膜の密度を測定した。その値を塗膜密度（ｇ／ｃｍ３）とした。
【００４７】
［ＢＮ配向度］
上述した方法により得られた各絶縁性樹脂組成物を、遊星式攪拌脱泡機で５分攪拌した後、厚み７０μｍの銅箔上に熱接着後の厚みが約１００μｍになるように塗布し、２２０℃で溶媒が無くなるまで乾燥した。この塗膜が形成された銅箔を、上述した各アルミ基板上に塗膜が中間層となるように積層し、圧力２０ＭＰａ、温度２７０℃で熱接着した。得られた回路基板用積層板をサンプルとして、銅箔とアルミ板をケミカルエッチングして絶縁層のみを取り出した。
【００４８】
上記のようにして得られた絶縁層からシートサイズ５０×５０ｍｍに切り出し、Ｘ線回折より得られる窒化ホウ素のａ軸（１００）とｃ軸（００２）のピーク強度を求め、式（１）よりＢＮ配向度（Ｉ．Ｏ．Ｐ）を求めた。
【数１】
2014027226.tif 000003
【００４９】
［熱抵抗］
上述した方法により得られた各絶縁性樹脂組成物を、遊星式攪拌脱泡機で５分攪拌した後、厚み７０μｍの銅箔上に熱接着後の厚みが約１００μｍになるように塗布し、２２０℃で溶媒が無くなるまで乾燥した。この塗膜が形成された銅箔を、上述した各アルミ基板上に塗膜が中間層となるように積層し、圧力２０ＭＰａ、温度２７０℃で熱接着した。得られた回路基板用積層板をサンプルとして、熱抵抗を以下の方法により評価した。
【００５０】
上記のようにして得られた積層体からシートサイズ３０×４０ｍｍの基板を切り出し、基板中央にランドサイズ１４×１０ｍｍを配置した。この基板にはんだでトランジスタＣ２２３３（東芝製）を取り付け、基板裏面に熱伝導性のシリコーングリースを使い水冷却装置にセットして３０Ｗの電力を供給したときに発熱するトランジスタ表面と冷却装置表面の温度を測定した。そして式（２）より熱抵抗（℃／Ｗ）を求めた。  
【数２】
2014027226.tif 000004
【００５１】
［耐電圧］
上述した方法により得られた各絶縁性樹脂組成物を、遊星式攪拌脱泡機で５分攪拌した後、厚み７０μｍの銅箔上に熱接着後の厚みが約１００μｍになるように塗布し、２２０℃で溶媒が無くなるまで乾燥した。この塗膜が形成された銅箔を、上述した各アルミ基板上に塗膜が中間層となるように積層し、圧力２０ＭＰａ、温度２７０℃で熱接着した。得られた回路基板用積層板をサンプルとして、熱抵抗を以下の方法により評価した。
【００５２】
上記のようにして得られた積層体からシートサイズ５０×５０ｍｍの基板を切り出し、基板中央にランドサイズφ２０ｍｍを配置した。絶縁油中にこの基板を浸漬し、室温で交流電圧を銅箔に印加し絶縁破壊する電圧（ｋＶ）を測定した。
【００５３】
評価結果を表２に示す。また、実施例１〜３の評価において作製した各試料の断面のＳＥＭ写真を各々図４−６に示す。
【００５４】
表２に示す
【表２】
2014027226.tif 000005
【００５５】
表２より、表面に溝加工が施されたＡｌ基板を用いることにより、密度及びＢＮ配向度が高められ、熱伝導率及び耐電圧に優れることがわかった。なお、表面に溝加工が施されたＡｌ基板を用いることによりＢＮ配向度が高まることは、図４−６からも確認することができる。すなわち、図４−６において、Ａｌ基板の表面に施された溝の形状に沿って鱗片状ＢＮの長径方向が絶縁層の厚み方向に配向している。
【符号の説明】
【００５６】
１・・・回路基板用積層板、１’・・・金属ベース回路基板、２・・・金属基板、３・・・絶縁層、４・・・金属箔、４’・・・回路パターン、５・・・非球状無機充填材、６・・・樹脂
【図１】
2014027226.tif 000006
【図２】
2014027226.tif 000007
【図３】
2014027226.tif 000008
【図４】
2014027226.tif 000009
【図５】
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【図６】
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【図７】
2014027226.tif 000012