(57)【要約】【課題】レジストパターン形成の現像後のリンスにおいて、レジストパターン倒れを抑制し、更にレジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、ＬＷＲを改善できるリソグラフィ用リンス剤などの提供。【解決手段】炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールと、水とを少なくとも含有するリソグラフィ用リンス剤である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールと、水とを少なくとも含有することを特徴とするリソグラフィ用リンス剤。
【請求項２】
前記炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールの含有量が、前記水１００質量部に対して０．２質量部以上である請求項１に記載のリソグラフィ用リンス剤。
【請求項３】
前記炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールが、１，２−ヘキサンジオール、１，２−ヘプタンジオール、１，２−オクタンジオール、及び１，８−オクタンジオールの少なくなくともいずれかである請求項１から２のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤。
【請求項４】
更に、界面活性剤を含有する請求項１から３のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤。
【請求項５】
前記界面活性剤が、塩化ベンザルコニウムである請求項４に記載のリソグラフィ用リンス剤。
【請求項６】
被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、
前記現像を行う工程に続いて、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
【請求項７】
前記リンスを行う工程に続いて、加熱を行う工程を含む請求項６に記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項８】
前記リンスを行う工程の後に、純水を用いて第二のリンスを行う工程を含む請求項６から７のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
【請求項９】
被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、
前記現像を行う工程に続いて、請求項１から５のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程と、
前記リンスを行う工程の後に、形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本件は、リソグラフィ用リンス剤、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ（Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｉｏｎ、半導体集積回路）などの半導体装置においては、集積度の向上に伴い、微細パターンの形成が要求されており、近年の最小パターンサイズは１００ｎｍ以下に達している。
【０００３】
こうした半導体装置における微細パターンの形成は、露光装置における光源の短波長化によって実現している。現在では、波長１９３ｎｍのＡｒＦ（フッ化アルゴン）エキシマレーザ光を用い、水を介して露光を行う液浸露光法による微細パターン形成が実施されている。今後の更なる微細化に向けては、電子線を用いた電子線露光法や、波長１３．５ｎｍの軟Ｘ線を用いたＥＵＶ（極端紫外線）露光法を用い、３０ｎｍ以下のパターン解像に向けた検討が進められている。
【０００４】
このようなレジストパターンサイズの微細化に伴い、レジストパターンの現像プロセスにおいて、リンス液が乾燥する際の表面張力による微細パターンの倒れが問題となっている。レジストパターンサイズが１００ｎｍ以下になり、かつレジストパターンサイズに対するレジスト膜厚の比であるアスペクト比が２を超えると、前記表面張力の影響は大きくなる。
【０００５】
また、このような１００ｎｍ以下の微細レジストパターンにおいては、レジストパターン幅の不均一さ（ＬＷＲ：Ｌｉｎｅ  ｗｉｄｔｈ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）が大きくなり、デバイス性能に悪影響を及ぼすことが問題視されている。
【０００６】
これらの問題を解決するために、露光装置、及びレジスト材料の最適化などが検討されているものの、これらの改善には多大な費用と時間を要することもあり、十分な効果は得られていない。
そこで、プロセスでの対応策が種々検討されている。
【０００７】
例えば、レジストパターン倒れに対しては、現像処理後のリンス処理で用いるリンス剤として、水溶性又はアルコール系溶剤に可溶なフッ素化合物を含むリンス剤が提案されている（例えば、特許文献１参照）。また、特定の化合物を含むリンス剤を用いたレジストパターン形成方法が提案されている（例えば、特許文献２及び３参照）。
【０００８】
また、ＬＷＲの改善に対しては、現像処理後のレジストパターンに対し、カルボキシル基などを含む酸性の低分子化合物を添加した有機系の塗布材料を塗布し、これを剥離処理することでレジストパターンを細くすると同時に、前記ＬＷＲを改善する方法が提案されている（例えば、特許文献４参照）。
【０００９】
しかし、これらの提案の技術では、微細レジストパターンにおける問題点であるレジストパターン倒れとＬＷＲとの両方を同時に改善することはできない。
【００１０】
そこで、レジストパターン倒れとＬＷＲとの両方を同時に改善する手段として、含窒素カチオン性界面活性剤及び含窒素両性界面活性剤の中から選ばれる少なくとも１種、及びアニオン性界面活性剤を含有する水性溶液からなるリソグラフィー用洗浄剤（リンス剤）が提案されている（例えば、特許文献５参照）。
しかし、この提案の技術では、リンス処理によってレジストパターンの表面を除去することでＬＷＲの改善を実現しているため、所望のレジストパターンサイズの制御が難しく、十分な方法とは言えない。
【００１１】
また、本願発明者らにより、レジストパターンのＬＷＲを改善する、炭素数４〜１１の直鎖アルカンジオールを用いたレジストパターン改善化材料が提案されている（例えば、特許文献６参照）。
【００１２】
また、レジストパターン倒れを改善する手段として、炭素数１〜１８の炭化水素基を有するモノアルコール、炭素数２〜１０の炭化水素基を有する多価アルコール、前記モノアルコール又は多価アルコールのアルキレンオキサイド付加物、置換基を有していてもよいフェノール化合物のアルキレンオキサイド付加物（ただし、置換基を有していてもよいフェノール化合物の炭素数は６〜２７である）、並びにアミンのアルキレンオキサイド付加物であって、アミンが炭素数１〜１０の炭化水素基及び１級若しくは２級アミノ基を有する１〜４価アミンである化合物からなる群より選ばれた１種以上を水中に含有してなるリンス剤が提案されている（例えば、特許文献７参照）。
しかし、炭素数２〜１０の炭化水素基を有する多価アルコールについては、数種類の化合物が例示されているものの、リンス剤として具体的に効果が確認されているのは、グリセリンのみであり、他の炭素数２〜１０の炭化水素基を有する多価アルコールについては、リンス剤としての効果は一切確認されていない。また、ＬＷＲの改善についても開示されていない。
【００１３】
したがって、レジストパターン形成の現像後のリンスにおいて、レジストパターン倒れを抑制し、更にレジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、ＬＷＲを改善できるリソグラフィ用リンス剤、並びにレジストパターン形成の現像後のリンスにおいて、レジストパターン倒れを抑制し、更にレジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、ＬＷＲを改善できるレジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法の提供が求められているのが現状である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００５−３０９２６０号公報
【特許文献２】特開２０１２−４２５３１号公報
【特許文献３】特開２００５−２９４３５４号公報
【特許文献４】特開２０１０−４９２４７号公報
【特許文献５】特開２００７−２１３０１３号公報
【特許文献６】特開２０１２−１０８４４５号公報
【特許文献７】特開２００３−１０７７４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本件は、従来における前記諸問題を解決し、以下の目的を達成することを課題とする。即ち、本件は、レジストパターン形成の現像後のリンスにおいて、レジストパターン倒れを抑制し、更にレジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、ＬＷＲを改善できるリソグラフィ用リンス剤、並びにレジストパターン形成の現像後のリンスにおいて、レジストパターン倒れを抑制し、更にレジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、ＬＷＲを改善できるレジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
前記課題を解決するための手段としては、以下の通りである。即ち、
開示のリソグラフィ用リンス剤は、炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールと、水とを少なくとも含有することを特徴とする。
開示のレジストパターンの形成方法は、被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、前記現像を行う工程に続いて、開示のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程とを含むことを特徴とする。
開示の半導体装置の製造方法は、被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、前記現像を行う工程に続いて、開示のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程と、前記リンスを行う工程の後に、形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングする工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
開示のリソグラフィ用リンス剤によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、レジストパターン形成の現像後のリンスにおいて、レジストパターン倒れを抑制し、更にレジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、ＬＷＲを改善できるリソグラフィ用リンス剤を提供できる。
開示のレジストパターンの形成方法によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、レジストパターン形成の現像後のリンスにおいて、レジストパターン倒れを抑制し、更にレジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、ＬＷＲを改善できるレジストパターンの形成方法を提供できる。
開示の半導体装置の製造方法によれば、従来における前記諸問題を解決し、前記目的を達成することができ、レジストパターン形成の現像後のリンスにおいて、レジストパターン倒れを抑制し、更にレジストパターンサイズを必要以上に変動させることなく、ＬＷＲを改善できる半導体装置の製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１Ａ】図１Ａは、開示の半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略図であり、シリコン基板上に層間絶縁膜を形成した状態を表す。
【図１Ｂ】図１Ｂは、開示の半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略図であり、図１Ａに示す層間絶縁膜上にチタン膜を形成した状態を表す。
【図１Ｃ】図１Ｃは、開示の半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略図であり、チタン膜上にレジスト膜を形成し、チタン膜にホールパターンを形成した状態を表す。
【図１Ｄ】図１Ｄは、開示の半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略図であり、ホールパターンを層間絶縁膜にも形成した状態を表す。
【図１Ｅ】図１Ｅは、開示の半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略図であり、ホールパターンを形成した層間絶縁膜上にＣｕ膜を形成した状態を表す。
【図１Ｆ】図１Ｆは、開示の半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略図であり、ホールパターン上以外の層間絶縁膜上に堆積されたＣｕを除去した状態を表す。
【図１Ｇ】図１Ｇは、開示の半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略図であり、ホールパターン内に形成されたＣｕプラグ上及び層間絶縁膜上に層間絶縁膜を形成した状態を表す。
【図１Ｈ】図１Ｈは、開示の半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略図であり、表層としての層間絶縁膜にホールパターンを形成し、Ｃｕプラグを形成した状態を表す。
【図１Ｉ】図１Ｉは、開示の半導体装置の製造方法の一例を説明するための概略図であり、三層構造の配線を形成した状態を表す。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（リソグラフィ用リンス剤）
開示のリソグラフィ用リンス剤（以下、「リンス剤」と称することがある。）は、炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールと、水とを少なくとも含有し、更に必要に応じて、その他の成分を含有する。
【００２０】
＜直鎖アルカンジオール＞
前記直鎖アルカンジオールとしては、炭素数６〜８であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、１，２−ヘキサンジオール、１，２−ヘプタンジオール、１，２−オクタンジオール、及び１，８−オクタンジオールの少なくともいずれかであることが、レジストパターン倒れの抑制効果が高い点、及びレジストパターン幅の不均一さ（ＬＷＲ：Ｌｉｎｅ  ｗｉｄｔｈ  ｒｏｕｇｈｎｅｓｓ）がより改善（低減）される点で好ましい。
前記直鎖アルカンジオールは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００２１】
前記リンス剤における前記直鎖アルカンジオールの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記水１００質量部に対して、０．１質量部以上が好ましく、０．２質量部以上がより好ましく、０．２質量部以上、かつ２０℃の水に対して溶解する上限量（即ち、２０℃の水に対する溶解度）であることが更に好ましく、０．２質量部〜１．５質量部が更により好ましく、０．２質量部〜０．８質量部が特に好ましい。前記含有量が、０．１質量部未満であると、レジストパターン倒れを抑制する効果、及びＬＷＲを改善する効果がほとんど得られないことがある。前記含有量が、２０℃の水に対して溶解する上限量（溶解度）を超えると、前記リンス剤中に溶解しない前記直鎖アルカンジオールが存在することがある。そうすると、前記リンス剤が不均一な液となり、レジストパターン倒れを抑制する効果、及びレジストパターンのＬＷＲを改善する効果がほとんど得られないことがある。そればかりではなく、リンス処理後のレジストパターン表面、又はレジストパターン間に前記直鎖アルカンジオールが残渣として付着することがある。前記含有量が、前記特に好ましい範囲内であると、より効果的にレジストパターン倒れが抑制される点、及びＬＷＲがより改善される点で有利である。
【００２２】
＜水＞
前記水としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、純水（脱イオン水）が好ましい。
【００２３】
前記リンス剤における前記水の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、リンス剤としての使用し易さの点で、前記リンス剤１００質量部に対して、８０質量部以上が好ましい。前記含有量が、８０質量部未満であると、リンス剤の粘度が上昇し、リンス処理装置内の汚染やレジストパターン上へのリンス剤残りが起きることがある。
【００２４】
＜その他の成分＞
前記その他の成分としては、開示の効果を害しない限り特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、水溶性ポリマー、界面活性剤、有機溶剤、公知の各種添加剤などが挙げられる。
これらは、前記リンス剤を用いたリンス処理時のレジストパターンに対する表面張力の調整と親和性向上に有効である。
【００２５】
−水溶性ポリマー−
前記水溶性ポリマーとしては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリアクリル酸、ポリビニルピロリドン、ポリエチレンイミン、ポリエチレンオキシド、スチレン−マレイン酸共重合体、ポリビニルアミン、ポリアリルアミン、オキサゾリン基含有水溶性樹脂、水溶性メラミン樹脂、水溶性尿素樹脂、アルキッド樹脂、スルホンアミド樹脂、セルロース、タンニン、これらを一部に含む樹脂などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
これらの中でも、安定性の点で、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリビニルピロリドン、及びこれらを一部に含む樹脂の少なくともいずれかであることが好ましい。
【００２６】
前記水溶性ポリマーの水溶性としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、２５℃の水１００ｇに対し、前記水溶性ポリマーが０．１ｇ以上溶解する水溶性が好ましい。
【００２７】
前記リンス剤における前記水溶性ポリマーの含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記水１００質量部に対して、１０質量部以下が好ましく、４質量部以下がより好ましい。前記含有量が、１０質量部を超えると、レジストパターン上への膜残りが発生し、現像及びリンス処理後のレジストパターンサイズの大幅な変動を引き起こすことがある。前記含有量が、前記より好ましい範囲内であると、レジストパターンサイズへの影響は無視できる範囲となり、レジストパターン倒れを抑制し、更に所望のレジストパターンサイズの範囲内でレジストパターン幅の均一さを向上できる点で有利である。前記含有量の下限としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、０．００１質量部以上が好ましい。
【００２８】
−界面活性剤−
前記界面活性剤としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができ、例えば、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤、アニオン性界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。これらの中でも、ナトリウム塩、カリウム塩等の金属イオンを含有しない点で、非イオン性界面活性剤、カチオン性界面活性剤が好ましい。
【００２９】
前記非イオン性界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、ポリオキシエチレン−ポリオキシプロピレン縮合物化合物、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレンアルキルエーテル化合物、ポリオキシエチレン誘導体化合物、ソルビタン脂肪酸エステル化合物、グリセリン脂肪酸エステル化合物、第１級アルコールエトキシレート化合物、フェノールエトキシレート化合物、ノニルフェノールエトキシレート系化合物、オクチルフェノールエトキシレート系化合物、ラウリルアルコールエトキシレート系化合物、オレイルアルコールエトキシレート系化合物、脂肪酸エステル系化合物、アミド系化合物、天然アルコール系化合物、エチレンジアミン系化合物、第２級アルコールエトキシレート系化合物などが挙げられる。
前記カチオン性界面活性剤としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、塩化セチルメチルアンモニウム、塩化ステアリルメチルアンモニウム、塩化セチルトリメチルアンモニウム、塩化ステアリルトリメチルアンモニウム、塩化ジステアリルジメチルアンモニウム、塩化ステアリルジメチルベンジルアンモニウム、塩化ドデシルメチルアンモニウム、塩化ドデシルトリメチルアンモニウム、塩化ベンジルメチルアンモニウム、塩化ベンジルトリメチルアンモニウム、塩化ベンザルコニウムなどが挙げられる。
【００３０】
前記リンス剤における前記界面活性剤の含有量としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記水１００質量部に対して、０．１質量部以上が好ましく、０．１質量部〜１．５質量部がより好ましい。前記含有量が、０．１質量部未満であると、レジストパターン倒れを抑制する効果、及びＬＷＲを改善する効果がほとんど得られないことがある。前記含有量が、前記より好ましい範囲内であると、より効果的にレジストパターン倒れが抑制される点、及びＬＷＲがより改善される点で有利である。
【００３１】
前記炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールの含有量と前記界面活性剤の含有量との合計としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、前記水１００質量部に対して、０．２質量部以上が好ましく、０．２質量部〜１．５質量部がより好ましい。前記含有量が、０．２質量部未満であると、レジストパターン倒れを抑制する効果、及びＬＷＲを改善する効果がほとんど得られないことがある。前記含有量が、前記より好ましい範囲内であると、より効果的にレジストパターン倒れが抑制される点、及びＬＷＲがより改善される点で有利である。
前記炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールの含有量と前記界面活性剤の含有量との合計が、前記好ましい範囲内である場合、又は前記より好ましい範囲内である場合の前記界面活性剤としては、より効果的にレジストパターン倒れが抑制される点、及びＬＷＲがより改善される点で、前記カチオン性界面活性剤が好ましく、塩化ベンザルコニウムがより好ましい。
【００３２】
−有機溶剤−
前記有機溶剤としては、特に制限はなく目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルコール系有機溶剤、鎖状エステル系有機溶剤、環状エステル系有機溶剤、ケトン系有機溶剤、鎖状エーテル系有機溶剤、環状エーテル系有機溶剤などが挙げられる。
前記アルコール系有機溶剤としては、例えば、エタノール、イソプロピルアルコールなどが挙げられる。前記鎖状エステル系有機溶剤としては、例えば、酢酸２−ヒドロキシエチルなどが挙げられる。前記環状エステル系有機溶剤としては、例えば、γ-ブチロラクトンなどが挙げられる。前記ケトン系有機溶剤としては、例えば、アセトンなどが挙げられる。前記鎖状エーテル系有機溶剤としては、例えば、エチレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルなどが挙げられる。前記環状エーテル系有機溶剤としては、例えば、テトラヒドロフランなどが挙げられる。
これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３３】
前記各種添加剤としては、例えば、アミン系、アミド系、アンモニウム塩素等に代表されるクエンチャーなどが挙げられる。これらは、１種単独で使用してもよいし、２種以上を併用してもよい。
【００３４】
前記リンス剤における前記有機溶剤、前記公知の各種添加剤などの含有量としては、特に制限はなく、前記炭素数６〜８の直鎖アルカンジオール、前記水、及び前記水溶性ポリマーの種類や含有量などに応じて適宜選択できる。
【００３５】
前記リンス剤の形態としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、水溶液、コロイド液、エマルジョン液などが挙げられる。これらの中でも、取扱易さの点で水溶液が好ましい。
【００３６】
＜使用等＞
前記リソグラフィ用リンス剤は、レジスト材料を被加工面上に塗布して形成したレジスト膜に対して露光処理を行った後、アルカリ現像液などの現像液による現像処理に引き続き用いるリンス剤として使用することができる。
【００３７】
前記リンス剤の使用方法についてその一例を説明する。
まず、被加工面上にレジスト膜を形成する。次いで、形成したレジスト膜に対し、露光処理を行う。前記露光処理は、レジストの種類によっては加熱を含んでいてもよい。
次に、前記露光処理の後の前記レジスト膜に対し、アルカリ現像液による現像処理を行う。前記アルカリ現像液には、例えば、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液を用い、スピン、スキャン又は浸漬法で前記現像処理を行う。
次に、前記レジスト膜に付与された現像液が乾く前、即ち前記現像液が前記レジスト膜上に盛られた状態で、前記リンス剤を用いてリンス処理を行う。前記現像液が乾いていないレジストパターンに対し、前記リンス剤を用いて、例えば、スピン、スキャン又は浸漬法で前記リンス処理を行う。この時、前記リンス剤と前記レジストパターンとの親和性により、前記リンス剤が乾燥する際の表面張力が緩和され、レジストパターン倒れを抑制することが可能となる。また、この親和性によりレジストパターン壁面の凹凸が緩和され、前記ＬＷＲが改善されたレジストパターン形成が可能となる。
そして、前記リンス剤により前記レジストパターンの現像プロセスにおいて発生するレジストパターン倒れが抑制された結果、目的の微細パターンの形成が可能となる。
また、前記リンス剤により前記レジストパターン壁面の凹凸が低減され、前記レジストパターンのライン幅の均一性が向上する。
以上の結果、前記リソグラフィ用リンス剤を用いることで、従来以上に高精細、かつより高精度な前記レジストパターンが形成される。
【００３８】
−レジストパターンの材料−
前記レジストパターン（前記リソグラフィ用リンス剤によりリンス処理を行うレジストパターン）の材料としては、特に制限はなく、公知のレジスト材料の中から目的に応じて適宜選択することができ、ネガ型、ポジ型のいずれであってもよく、例えば、ｇ線、ｉ線、ＫｒＦエキシマレーザ、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２エキシマレーザ、電子線等でパターニング可能なｇ線レジスト、ｉ線レジスト、ＫｒＦレジスト、ＡｒＦレジスト、Ｆ２レジスト、ＥＵＶレジスト、電子線レジストなどが挙げられる。これらは、化学増幅型であってもよいし、非化学増幅型であってもよい。前記レジストパターンの材料の具体例としては、例えば、ノボラック系レジスト、ＰＨＳ（ポリヒドロキシスチレン）系レジスト、アクリル系レジスト、シクロオレフィン−マレイン酸無水物系（ＣＯＭＡ系）レジスト、シクロオレフィン系レジスト、ハイブリッド系（脂環族アクリル系−ＣＯＭＡ系共重合体）レジストなどが挙げられる。これらは、フッ素修飾などがされていてもよい。
これらの中でも、より微細なパターニング、スループットの向上等の観点からアクリル系樹脂を含むレジスト、及びヒドロキシスチレン樹脂を含むレジストの少なくともいずれかがより好ましい。
【００３９】
前記レジストパターンの形成方法、並びに前記レジストパターンの大きさ、及び膜厚などについては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、膜厚については、加工対象である被加工面、エッチング条件などにより適宜決定することができ、一般に２０ｎｍ〜５００ｎｍ程度である。
【００４０】
前記リンス剤は、Ｌ／Ｓ（ラインアンドスペース）が１００ｎｍ以下のレジストパターンに好適に用いることができる。
【００４１】
前記リソグラフィ用リンス剤は、微細パターンの倒れを抑制し、また、レジストパターン壁面の凹凸を低減することで前記ＬＷＲを改善し、露光限界を超えてレジストパターンを微細化するのに好適に使用することができる。また、前記リソグラフィ用リンス剤は、後述するレジストパターンの形成方法、半導体装置の製造方法などに特に好適に使用することができる。
【００４２】
（レジストパターンの形成方法）
開示のレジストパターンの形成方法は、現像を行う工程（現像工程）と、リンスを行う工程（リンス工程）とを少なくとも含み、好ましくは、加熱を行う工程（加熱工程）、第二のリンスを行う工程（第二のリンス工程）を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
【００４３】
＜現像工程＞
前記現像工程としては、被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００４４】
前記レジスト膜は、例えば、前記レジストパターンの材料を、被加工面上に塗布することにより形成できる。前記被加工面としては、例えば、半導体基材の表面などが挙げられる。前記半導体基材としては、例えば、シリコンウエハ等の基板、各種酸化膜などが挙げられる。前記塗布の方法としては、例えば、スピンコートなどが挙げられる。
【００４５】
前記露光処理としては、特に制限はなく、露光される前記レジストパターンの材料の感度波長に応じて適宜選択することができる。前記露光処理に用いられる活性エネルギーとしては、具体的には、高圧水銀ランプ又は低圧水銀ランプから生じるブロードバンドの紫外線光、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー光（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー光（波長１５７ｎｍ）、ＥＵＶ光（波長５ｎｍ〜１５ｎｍの軟Ｘ線領域）、電子線、Ｘ線などが挙げられる。これらの中でも、前記レジストパターンの形成方法は、微細パターンの倒れや微細パターンにおけるＬＷＲが顕著となる、ＡｒＦエキシマレーザ、Ｆ２エキシマレーザ、ＥＵＶ光、電子線、Ｘ線露光での、微細パターンの倒れの防止や微細パターンにおけるＬＷＲの改善の効果が高い。
【００４６】
選択する前記レジストパターンの材料の種類によっては、前記レジストパターンの材料の塗布後、及び前記レジスト膜への露光の後の少なくともいずれかに加熱を行ってもよい。前記加熱は、塗布、又は露光後、速やかに、例えば、オーブン、ホットプレートなどで行う。前記加熱の条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００４７】
前記現像液としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ現像液などが挙げられる。前記アルカリ現像液としては、例えば、２．３８質量％テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド（ＴＭＡＨ）水溶液などが挙げられる。
【００４８】
前記現像工程により、前記露光処理を行ったレジスト膜はレジストパターンを得る。
【００４９】
＜リンス工程＞
前記リンス工程としては、前記現像工程に続いて、開示の前記リソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、アルカリ現像液による現像後のレジストパターンに対し、前記リソグラフィ用リンス剤をスピン、スキャン、又は浸漬して処理する工程などが挙げられる。具体的には、例えば、アルカリ現像液による現像に用いる装置と同様の装置を用い、アルカリ現像液による現像に引き続いて、レジスト膜に付与されたアルカリ現像液が乾く前、即ちアルカリ現像液がレジスト膜上に盛られた状態で、前記レジスト膜（レジストパターン）上に前記リンス剤を滴下又は浸漬し、前記アルカリ現像液を置換した上で振り切り、乾燥処理を行う。
【００５０】
前記リンス工程の条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、処理時間としては１秒間〜１０分間が好ましく、１秒間〜１８０秒間がより好ましい。
【００５１】
＜加熱工程＞
前記加熱工程としては、前記リンス工程に続いて、加熱を行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、オーブン又はホットプレートで前記レジストパターンを加熱する方法などが挙げられる。加熱を行うことにより、前記リソグラフィ用リンス剤と前記レジストパターンとの親和性が向上し、特にＬＷＲ改善への効果が高まる。
【００５２】
前記加熱の条件としては、前記レジストパターンを軟化させない限り、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、加熱温度は、一定であってもよいし、異なっていてもよく、一定である場合、４０℃〜１５０℃が好ましく、６０℃〜１２０℃がより好ましい。また、加熱時間としては、１０秒間〜５分間が好ましく、３０秒間〜１００秒間がより好ましい。更に、前記加熱工程の後に純水による第二のリンス工程を行ってもよい。
【００５３】
＜第二のリンス工程＞
前記第二のリンス工程としては、前記リンスを行う工程の後に、純水を用いて第二のリンスを行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記第二のリンス工程は、前記リンス工程に用いた前記リソグラフィ用リンス剤が乾く前に行うことが好ましい。
前記レジストパターンの形成方法が、前記加熱工程を含む場合、前記第二のリンス工程は、前記加熱工程の前に行ってもよいし、前記加熱工程の後に行ってもよい。
【００５４】
前記第二のリンス工程の条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、処理時間としては１秒間〜１０分間が好ましく、１秒間〜１８０秒間がより好ましい。
【００５５】
前記第二のリンス工程を行うことで、被加工面であるシリコンウエハ表面や裏面等への前記リソグラフィ用リンス剤の付着の可能性を低減し、また、よりレジストパターンのエッジがクリアになるなどしてＬＷＲ改善の効果が見られる場合がある。
【００５６】
前記レジストパターンの形成方法は、各種のレジストパターンの形成に適用可能であるが、特にレジストパターン倒れ、及びＬＷＲが顕著なライン＆スペースパターン、孤立パターン（ゲートパターンなど）の形成に好適である。
前記レジストパターンの形成方法により形成されたレジストパターンは、例えば、マスクパターン、レチクルパターンなどとして使用することができる。
前記レジストパターンの形成方法は、金属プラグ、各種配線、磁気ヘッド、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）、ＰＤＰ（プラズマディスプレイパネル）、ＳＡＷフィルタ（弾性表面波フィルタ）等の機能部品、光配線の接続に利用される光部品、マイクロアクチュエータ等の微細部品、半導体装置の製造に好適に使用することができ、さらに、後述する本発明の半導体装置の製造方法に好適に使用することができる。
【００５７】
（半導体装置の製造方法）
開示の半導体装置の製造方法は、現像を行う工程（現像工程）と、リンスを行う工程（リンス工程）と、パターニングする工程（パターニング工程）とを少なくとも含み、好ましくは、加熱を行う工程（加熱工程）、第二のリンスを行う工程（第二のリンス工程）を含み、更に必要に応じて、その他の工程を含む。
【００５８】
＜現像工程＞
前記現像工程としては、被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、開示の前記レジストパターンの形成方法において例示した前記現像工程などが挙げられる。
【００５９】
＜リンス工程＞
前記リンス工程としては、前記現像工程に続いて、開示の前記リソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、開示の前記レジストパターンの形成方法において例示した前記リンス工程などが挙げられる。
【００６０】
＜パターニング工程＞
前記パターニング工程としては、前記リンスを行う工程の後に、形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングする工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
前記エッチングの方法としては、特に制限はなく、公知の方法の中から目的に応じて適宜選択することができるが、ドライエッチングが好ましい。前記エッチングの条件としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。
【００６１】
＜加熱工程＞
前記加熱工程としては、前記リンス工程に続いて、加熱を行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、開示の前記レジストパターンの形成方法において例示した前記加熱工程などが挙げられる。
前記加熱工程は、前記リンス工程に続いて、前記パターニン工程の前に行うことが好ましい。
【００６２】
＜第二のリンス工程＞
前記第二のリンス工程としては、前記リンスを行う工程の後に、純水を用いて第二のリンスを行う工程であれば、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができ、例えば、開示の前記レジストパターンの形成方法において例示した前記第二のリンス工程などが挙げられる。
前記第二のリンス工程は、前記リンス工程の後であって、前記パターニング工程の前に行うことが好ましい。
【００６３】
開示の半導体装置の製造方法によると、例えば、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）、ＦＲＡＭ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  ＲＡＭ）などを初めとする各種半導体装置を効率的に製造することができる。
【実施例】
【００６４】
以下、実施例を挙げて開示のリンス剤、開示のレジストパターン形成方法などをより具体的に説明するが、開示のリンス剤、開示のレジストパターン形成方法などは、これらの実施例に何ら制限されるものではない。
【００６５】
（実施例１）
＜リソグラフィ用リンス剤の調製＞
下記に示す（Ａ）直鎖アルカンジオール、（Ｂ）添加剤、（Ｃ）水溶性ポリマー、及び（Ｄ）溶媒を用意した。
（Ａ）直鎖アルカンジオール
Ａ−１：１，２−ヘプタンジオール（東京化成株式会社製）
Ａ−２：１，２−ヘキサンジオール（東京化成株式会社製）
Ａ−３：１，２−オクタンジオール（東京化成株式会社製）
Ａ−４：１，８−オクタンジオール（東京化成株式会社製）
（Ｂ）添加剤
Ｂ−１：ジメチロールプロピオン酸ヘキシル系界面活性剤（界面活性剤、日光ケミカル株式会社製）
Ｂ−２：ポリオキシエチレンラウリルエーテル系界面活性剤（界面活性剤、花王株式会社製）
Ｂ−３：Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン（関東化学株式会社製）
Ｂ−４：塩化ベンザルコニウム（界面活性剤、和光純薬工業株式会社製）
（Ｃ）水溶性ポリマー
Ｃ−１：ポリビニルアルコール（ＰＶＡ−２０５Ｃ、株式会社クラレ製）
Ｃ−２：ポリビニルピロリドン（関東化学株式会社製）
（Ｄ）溶媒
Ｄ−１：水
Ｄ−２：イソプロピルアルコール
【００６６】
前記（Ａ）〜（Ｄ）を用い、表１に示す組成を有するリソグラフィ用リンス剤Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２４を調製した。
表１において、括弧内の数値は質量部を示す。
【００６７】
【表１】
2014044298.tif 000002
【００６８】
＜レジストパターンの形成＞
以下の物質を混合し、評価に用いるレジスト（化学増幅型ポジレジスト）材料を調製した。
〔レジスト材料の配合〕
樹脂：３０モル％ｔ−ブトキシカルボニル（ｔ−Ｂｏｃ）化ポリｐ−ヒドロキシスチレン（丸善石油化学株式会社製）                        １００質量部
光酸発生剤：トリフェニルスルフォニウムノナフルオロブタンスルホネート（みどり化学株式会社製）                                          ８質量部
添加剤    ：ヘキシルアミン（関東化学株式会社製）  ０．５質量部
溶剤      ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（関東化学株式会社製）                                                ７００質量部
【００６９】
シリコン基板上に上記レジスト材料を膜厚が２５０ｎｍとなるようにスピンコートし、１２０℃で６０秒間ベークを行った。次いで、この基板に対し、加速電圧５０ｋｅＶの電子線露光機を用いて、１００ｎｍ幅のラインアンドスペースパターン１０１本組（レジストラインパターンで１００本）を描画した。次いで、１１０℃で６０秒間のベークを行った。
【００７０】
次に、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（現像液）でパドル現像を３０秒間行い、レジスト膜が乾く前（現像液がレジスト膜上に盛られた状態）に、前記表１の各リンス剤を前記レジスト膜上に滴下し、現像液を置換した上で、リンス剤を振り切り、最終的に乾燥を行った。
【００７１】
＜リソグラフィ用リンス剤の評価＞
次に、前記の工程を通して得られたレジストパターンを、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、レジストパターン（レジストラインパターン）倒れの状況、レジストパターン（レジストラインパターン）幅の変化及び得られたレジストラインパターンのライン幅を計測した。表２に結果を示す。
レジストパターン倒れに対する効果については、１００本のレジストラインパターン中で倒れた数を計測し、その本数から以下の基準で表すものとした。
〔基準〕
◎：倒れたレジストパターンの本数が、１０本未満
○：倒れたレジストパターンの本数が、１０本以上３０本未満
△：倒れたレジストパターンの本数が、３０本以上５０本未満
×：倒れたレジストパターンの本数が、５０本以上
【００７２】
得られた前記レジストパターンのライン幅サイズ（表２〜４における「処理後サイズ」）及びレジストパターン幅の変化量（表２〜４における「変化量」）、更にレジストパターン幅のばらつき度（表２〜４における「ＬＷＲ」）及びＬＷＲの改善値（％）を求めた。
ＬＷＲについては、測長ＳＥＭを用いて観察した、長さ約７２０ｎｍの領域でのライン幅の２５点の平均値を元に、線幅のばらつきの標準偏差（σ）を３倍することで求め、さらに、未処理時（リンス剤Ｎｏ．１を用いた場合）のＬＷＲ値に対する処理後のＬＷＲ値の改善量の割合を以下の式により求め、それを「ＬＷＲ改善値（％）」と定義した。
ＬＷＲ改善値（％）＝
〔（未処理時のＬＷＲ値−処理後のＬＷＲ値）／（未処理時のＬＷＲ値）〕×１００
【００７３】
【表２】
2014044298.tif 000003
【００７４】
なお、リンス剤Ｎｏ．２〜２４における「変化量」は、リンス剤Ｎｏ．１を基準とし、リンス剤Ｎｏ．１の「変化量」を０ｎｍとした場合の変化量である。
【００７５】
表２より、開示のリソグラフィ用リンス剤は、直鎖アルカンジオール（Ａ）を含まない場合、一般的な界面活性剤物質のみを含む場合、及び特開２０１２−４２５３１号公報に開示の物質（Ｂ−３）を含む場合に比べて、レジストパターン倒れに対する効果の改善及びＬＷＲ値の向上が確認できた。また、開示のリソグラフィ用リンス剤は、一般的な界面活性剤物質のみを含む場合、及び特開２０１２−４２５３１号公報に開示の物質（Ｂ−３）を含む場合に比べて、パターン変化量が少なかった。また、開示のリソグラフィ用リンス剤は、塩化ベンザルコニウムのみを含む場合に比べて、ＬＷＲ値の向上が確認できた。
【００７６】
直鎖アルカンジオールの種類に関しては、炭素数８の直鎖アルカンジオールがレジストパターン倒れに対して改善効果が高いこと、及びＬＷＲ改善効果が高いことが確認できた。
【００７７】
直鎖アルカンジオールの含有量に関しては、水１００質量部に対して０．２質量部以上を含有する場合には、レジストパターン倒れに対する改善効果、及びＬＷＲ改善効果がより高くなった。
【００７８】
また、直鎖アルカンジオールと界面活性剤とを併用した場合でも、直鎖アルカンジオール単独の場合と同等の性能が得られた。
【００７９】
＜プロセスフローの評価＞
現像後のプロセスフローの影響について、以下の３通りの工程を通した場合のレジストパターン倒れ、レジストパターン幅の変化、及びＬＷＲ改善に対する効果を評価した。結果を表３−１〜表３−３に示す。
（Ｉ）アルカリ現像→リンス処理→スピン乾燥
（ＩＩ）アルカリ現像→リンス処理→スピン乾燥→ベーク（１１０℃で６０秒間）
（ＩＩＩ）アルカリ現像→リンス処理→純水リンス→スピン乾燥
評価したリソグラフィ用リンス剤は、表１のリンス剤Ｎｏ．１、４、及び８の３種とし、レジストパターン倒れに対する効果、レジストパターン幅の変化、及びＬＷＲ改善値は、前記と同様に求めた。ただし、処理（ＩＩ）、及び処理（ＩＩＩ）のＬＷＲ改善値は、リンス剤Ｎｏ．１の処理（Ｉ）のＬＷＲ値を未処理時として求めた。
【００８０】
【表３−１】
2014044298.tif 000004
【００８１】
【表３−２】
2014044298.tif 000005
【００８２】
【表３−３】
2014044298.tif 000006
【００８３】
表３−１〜表３−３より、１，２−オクタンジオールを用いたリソグラフィ用リンス剤Ｎｏ．４では、処理（Ｉ）に比べ、処理（ＩＩ）、処理（ＩＩＩ）の両方でＬＷＲの改善が見られた。レジストパターン倒れについては変化は無く、依然、高い効果が保たれることが明らかとなった。
これに対し、リソグラフィ用リンス剤Ｎｏ．１については、ベークの追加及び純水リンスの追加で改善は見られず、リンス剤Ｎｏ．８については、純水リンスを追加した処理（ＩＩＩ）でレジストパターンの細りとＬＷＲの悪化が観察された。
なお、処理（ＩＩ）において、ベーク後に純水リンスを行い、更にスピン乾燥を行うプロセスフローについても評価したが、処理（ＩＩ）と同等の結果が得られた。
【００８４】
（実施例２）
＜レジストパターンの形成＞
米国公開公報ＵＳ２０１１／０１５９４２９Ａ１に記載の実施例を参考にして、以下の組成で評価に用いるレジスト（化学増幅型ポジレジスト）材料を調製した。
〔レジスト材料の配合〕
樹脂  ：下記構造式の樹脂                              ４０質量部
【化１】
2014044298.tif 000007
添加剤：トリオクチルアミン（Ａｌｄｒｉｃｈ社製）    ０．１質量部
溶剤  ：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（関東化学株式会社製）
１，１００質量部
溶剤  ：γ−ブチロラクトン（東京化成工業株式会社製）２００質量部
【００８５】
シリコン基板上に下地有機膜としてＡＲＣ−３９（日産化学工業株式会社製）を８２ｎｍの膜厚で形成し、その上に上記レジスト材料を膜厚５０ｎｍとなるようにスピンコートし、１３０℃で６０秒間ベークを行った。次いで、この基板に対し、加速電圧５０ｋｅＶの電子線露光機を用いて、２４ｎｍ幅のラインアンドスペースパターン１０１本組（レジストランイパターンで１００本）をそれぞれ描画した。次いで、１３０℃で６０秒間のベークを行った。
【００８６】
次に、２．３８質量％のテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド水溶液（現像液）でパドル現像を３０秒間行い、レジスト膜が乾く前（現像液がレジスト膜上に盛られた状態）に、前記表１の各リンス剤を前記レジスト膜上に滴下し、現像液を置換した上で、リンス剤を振り切り、最終的に乾燥を行った。
【００８７】
＜リソグラフィ用リンス剤の評価＞
次に、前記の工程を通して得られたレジストパターンを、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察し、実施例１と同様にして評価した。表４に結果を示す。
【００８８】
【表４】
2014044298.tif 000008
【００８９】
なお、リンス剤Ｎｏ．２〜２４における「変化量」は、リンス剤Ｎｏ．１を基準とし、リンス剤Ｎｏ．１の「変化量」を０ｎｍとした場合の変化量である。
【００９０】
表４より、実施例１と異なるレジスト材料を用いても表２と同様の結果が得られることが確認できた。
【００９１】
（実施例３）
＜半導体装置の作製＞
図１Ａに示すように、シリコン基板１１上に層間絶縁膜１２を形成し、続いて、図１Ｂに示すように、層間絶縁膜１２上にスパッタリング法によりチタン膜１３を形成した。次に、図１Ｃに示すように、電子線露光によりレジストパターン１４を形成し、これをマスクとして用い、反応性イオンエッチングによりチタン膜１３をパターニングして開口部１５ａを形成した。引き続き、反応性イオンエッチングによりレジストパターン１４を除去するととともに、図１Ｄに示すように、チタン膜１３をマスクにして層間絶縁膜１２に開口部１５ｂを形成した。
次に、チタン膜１３をウェット処理により除去し、図１Ｅに示すように層間絶縁膜１２上にＴｉＮ膜１６をスパッタリング法により形成し、続いて、ＴｉＮ膜１６上にＣｕ膜１７を電解めっき法で成膜した。次いで、図１Ｆに示すように、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、化学機械研磨）にて開口部１５ｂ（図１Ｄ）に相当する溝部のみにバリアメタルとＣｕ膜（第一の金属膜）を残して平坦化し、第一層の配線１７ａを形成した。
次いで、図１Ｇに示すように、第一層の配線１７ａの上に層間絶縁膜１８を形成した後、図１Ａ〜図１Ｆと同様にして、図１Ｈに示すように、第一層の配線１７ａを、後に形成する上層配線と接続するＣｕプラグ（第二の金属膜）１９及びＴｉＮ膜１６ａを形成した。
上述の各工程を繰り返すことにより、図１Ｉに示すように、シリコン基板１１上に第一層の配線１７ａ、第二層の配線２０ａ、及び第三層の配線２１ａを含む多層配線構造を備えた半導体装置を製造した。なお、図１Ｉにおいては、各層の配線の下層に形成したバリアメタル層は、図示を省略した。
この実施例３では、レジストパターン１４を形成する際に、実施例１のリソグラフィ用リンス剤Ｎｏ．４を用いた。
また、層間絶縁膜１２は、誘電率２．７以下の低誘電率膜であり、例えば、多孔質シリカ膜（「セラメート  ＮＣＳ」；触媒化成工業株式会社製、誘電率２．２５）、Ｃ４Ｆ８とＣ２Ｈ２との混合ガス若しくはＣ４Ｆ８ガスをソースとして用い、これらをＲＦＣＶＤ法（パワー４００Ｗ）により堆積形成したフルオロカーボン膜（誘電率２．４）などである。
【００９２】
開示のリソグラフィ用リンス剤は、微細パターン形成時の問題となっている、レジストパターン倒れ、レジストパターン側壁の凹凸、及びレジストパターン幅の不均一さを改善し、露光限界を超えた微細パターン形成に好適に用いることができる。
また、開示のリソグラフィ用リンス剤は、各種のパターニング方法、半導体の製造方法などに好適に適用することができ、開示のリソグラフィ用リンス剤は、開示のレジストパターンの形成方法、開示の半導体装置の製造方法に特に好適に用いることができる。
開示の半導体装置の製造方法は、フラッシュメモリ、ＤＲＡＭ、ＦＲＡＭなどを初めとする各種半導体装置の製造に好適に用いることができる。
【００９３】
以上の実施例１〜３を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールと、水とを少なくとも含有することを特徴とするリソグラフィ用リンス剤。
（付記２）  前記炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールの含有量が、前記水１００質量部に対して０．２質量部以上である付記１に記載のリソグラフィ用リンス剤。
（付記３）  前記炭素数６〜８の直鎖アルカンジオールが、１，２−ヘキサンジオール、１，２−ヘプタンジオール、１，２−オクタンジオール、及び１，８−オクタンジオールの少なくなくともいずれかである付記１から２のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤。
（付記４）  更に、界面活性剤を含有する付記１から３のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤。
（付記５）  前記界面活性剤が、塩化ベンザルコニウムである付記４に記載のリソグラフィ用リンス剤。
（付記６）  更に、水溶性ポリマーを含有する付記１から５のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤。
（付記７）  前記水溶性ポリマーが、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリビニルアセテート、ポリビニルピロリドン、及びこれらを一部に含む樹脂の少なくともいずれかである付記６に記載のリソグラフィ用リンス剤。
（付記８）  被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、
前記現像を行う工程に続いて、付記１から７のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程とを含むことを特徴とするレジストパターンの形成方法。
（付記９）  前記リンスを行う工程に続いて、加熱を行う工程を含む付記８に記載のレジストパターンの形成方法。
（付記１０）  前記リンスを行う工程の後に、純水を用いて第二のリンスを行う工程を含む付記８から９のいずれかに記載のレジストパターンの形成方法。
（付記１１）  被加工面上に形成され露光処理が行われたレジスト膜に対して、現像液による現像を行う工程と、
前記現像を行う工程に続いて、付記１から７のいずれかに記載のリソグラフィ用リンス剤を用いてリンスを行う工程と、
前記リンスを行う工程の後に、形成されたレジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことにより前記被加工面をパターニングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
（付記１２）  前記リンスを行う工程に続いて、前記パターニングする工程の前に、加熱を行う工程を含む付記１１に記載の半導体装置の製造方法。
（付記１３）  前記リンスを行う工程の後であって、前記パターニングする工程の前に、純水を用いて第二のリンスを行う工程を含む付記１１から１２のいずれかに記載の半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００９４】
１１      シリコン基板
１２      層間絶縁膜
１３      チタン膜
１４      レジストパターン
１５ａ    開口部
１５ｂ    開口部
１６      ＴｉＮ膜
１６ａ    ＴｉＮ膜
１７      Ｃｕ膜
１７ａ    配線
１８      層間絶縁膜
１９      Ｃｕプラグ
２０      配線
２１      配線
【図１Ａ】
2014044298.tif 000009
【図１Ｂ】
2014044298.tif 000010
【図１Ｃ】
2014044298.tif 000011
【図１Ｄ】
2014044298.tif 000012
【図１Ｅ】
2014044298.tif 000013
【図１Ｆ】
2014044298.tif 000014
【図１Ｇ】
2014044298.tif 000015
【図１Ｈ】
2014044298.tif 000016
【図１Ｉ】
2014044298.tif 000017