(57)【要約】【課題】ゲージとデバイスチップとを接触させずにウェーハの厚さを測定しながら研削することができるウェーハの加工方法を提供すること。【解決手段】ウェーハの加工方法は、外周余剰領域ＣＡを除いて分割予定ラインに沿った改質層Ｋを形成する改質層形成ステップと、デバイスＤが形成されたウェーハＷの表面側に保護部材ＰＴを配設する保護部材配設ステップと、保護部材ＰＴ側をチャックテーブル２１で保持してウェーハＷの裏面Ｗｂから研削手段２２で研削し所定の厚さへと薄化するとともに、ウェーハＷのデバイス領域ＤＡが改質層Ｋに沿って個々のデバイスＤに分割される研削ステップと、を含み、研削ステップでは、ウェーハＷの裏面Ｗｂに接触してウェーハＷの厚さを測定する接触式厚さ測定ゲージ３０を、改質層Ｋが形成されていないウェーハＷの外周余剰領域ＣＡの裏面Ｗｂに接触させてウェーハＷの厚さを測定しながら研削する。【選択図】図６
2014209523.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、前記デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウェーハの加工方法であって、
ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けるとともに前記レーザー光線を照射し、前記外周余剰領域を除いて前記分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、
前記改質層形成ステップを実施する前または後に、デバイスが形成されたウェーハの表面側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、
前記改質層形成ステップと前記保護部材配設ステップとを実施した後、前記保護部材側をチャックテーブルで保持してウェーハの裏面から研削手段で研削し所定の厚さへと薄化するとともに、ウェーハの前記デバイス領域が前記改質層に沿って個々のデバイスに分割される研削ステップと、を含み、
前記研削ステップでは、ウェーハの裏面に接触してウェーハの厚さを測定する接触式厚さ測定ゲージを、前記改質層が形成されていないウェーハの前記外周余剰領域の裏面に接触させてウェーハの厚さを測定しながら研削することを特徴とするウェーハの加工方法。
【請求項２】
前記ウェーハは、透明体であることを特徴とする請求項１記載のウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器に広く利用されている半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造工程においては、表面にデバイスが形成されたウェーハを所定の厚さに研削し、分割予定ライン（ストリート）に沿ってウェーハを分割して個々のデバイスチップを製造している。ウェーハの研削には研削砥石を回転させる研削装置が用いられ、ウェーハの分割には切削ブレードを高速回転させる切削装置やパルスレーザー光線を照射するレーザー加工装置が用いられることが一般的である。
【０００３】
電子機器の小型化のため、デバイスチップも小さく薄くなる傾向にあるが、その達成のために用いられるのがいわゆる先ダイシング（ＤＢＧ：Dicing  Before  Grinding）という技術である（例えば、特許文献１参照）。また、さらなるストリートの狭小化とデバイス面側のチッピングレスとを達成するために、ウェーハの内部に改質層を形成するレーザー加工とウェーハを研削する研削加工とを組み合わせたウェーハの加工方法も提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
先ダイシングで予め溝または改質層が形成されたウェーハを研削する際、ウェーハの厚さを測定しながら所定の厚さになるまで研削を行う。その際、チャックテーブルで保持されつつ回転しているウェーハの上面に厚さ測定手段のゲージを接触させながら、ウェーハの厚さを測定する。ウェーハは、研削が進むにつれ、予め形成された溝または改質層によりデバイスチップへと分割されていく。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平５−３３５４１１号公報
【特許文献２】特開２００４−１１１４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
チップ化され保護テープへの接触面積が小さくなったデバイスチップは動きやすいため、ウェーハにゲージを接触させると、デバイスチップとゲージとが接触し、ゲージとの接触によりデバイスチップ同士が接触したり飛散したりする虞がある。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、ゲージとデバイスチップとを接触させずにウェーハの厚さを測定しながら研削することができるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明のウェーハの加工方法は、交差する複数の分割予定ラインで区画された領域にデバイスが形成されたデバイス領域と、デバイス領域を囲繞する外周余剰領域とを表面に有するウェーハの加工方法であって、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線の集光点を分割予定ラインの内部に位置付けるとともにレーザー光線を照射し、外周余剰領域を除いて分割予定ラインに沿った改質層を形成する改質層形成ステップと、改質層形成ステップを実施する前または後に、デバイスが形成されたウェーハの表面側に保護部材を配設する保護部材配設ステップと、改質層形成ステップと保護部材配設ステップとを実施した後、保護部材側をチャックテーブルで保持してウェーハの裏面から研削手段で研削し所定の厚さへと薄化するとともに、ウェーハのデバイス領域が改質層に沿って個々のデバイスに分割される研削ステップと、を含み、研削ステップでは、ウェーハの裏面に接触してウェーハの厚さを測定する接触式厚さ測定ゲージを、改質層が形成されていないウェーハの外周余剰領域の裏面に接触させてウェーハの厚さを測定しながら研削することを特徴とする。
【０００９】
また、上記ウェーハの加工方法において、ウェーハは、透明体であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明のウェーハの加工方法によれば、研削ステップでは個々のデバイスに分割されずに残存する外周余剰領域の裏面に接触式厚さ測定ゲージを接触させることから、個々のデバイスに分割されることで形成されるデバイスチップと接触式厚さ測定ゲージとを接触させずに、ウェーハの厚さを測定しながらウェーハを研削することができるという効果を奏する。このため、接触式厚さ測定ゲージの接触によるデバイスチップ同士の接触やデバイスチップの飛散を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、実施形態に係るウェーハの加工方法の保護部材配設ステップの説明図である。
【図２】図２は、保護部材配設ステップにより保護テープが貼着されたウェーハの概略構成図である。
【図３】図３は、実施形態に係るウェーハの加工方法の改質層形成ステップの説明図である。
【図４】図４は、レーザー光線の集光点の説明図である。
【図５】図５は、ウェーハの内部に形成される改質層の説明図である。
【図６】図６は、実施形態に係るウェーハの加工方法の研削ステップの説明図である。
【図７】図７は、厚さが測定されながら研削されるウェーハの説明図である。
【図８】図８は、研削ステップにより個々のデバイスに分割されたウェーハの説明図である。
【図９】図９は、図８に示すウェーハの概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換または変更を行うことができる。
【００１３】
〔実施形態〕
図１は、実施形態に係るウェーハの加工方法の保護部材配設ステップの説明図である。図２は、保護部材配設ステップにより保護テープが貼着されたウェーハの概略構成図である。図３は、実施形態に係るウェーハの加工方法の改質層形成ステップの説明図である。図４は、レーザー光線の集光点の説明図である。図５は、ウェーハの内部に形成される改質層の説明図である。図６は、実施形態に係るウェーハの加工方法の研削ステップの説明図である。図７は、厚さが測定されながら研削されるウェーハの説明図である。図８は、研削ステップにより個々のデバイスに分割されたウェーハの説明図である。図９は、図８に示すウェーハの概略断面図である。
【００１４】
本実施形態は、ウェーハの加工方法に関する。本実施形態に係るウェーハの加工方法は、図１に示すように、交差する複数の分割予定ラインＳで区画された領域にデバイスＤが形成されたデバイス領域ＤＡと、デバイス領域ＤＡを囲繞する外周余剰領域ＣＡとを表面Ｗａに有するウェーハＷの加工方法である。また、本実施形態に係るウェーハの加工方法は、ウェーハＷの厚さを測定しながら研削して所定の厚さｔ（図９参照）へと薄化するとともに、個々のデバイスＤに分割する加工方法であって、改質層形成ステップ、保護部材配設ステップおよび研削ステップを含んでいる。
【００１５】
ここで、加工対象としてのウェーハＷは、例えば、ガラス、サファイア、石英等の透明体であり、透明体を母材とする光デバイスウェーハ等である。ウェーハＷは、交差する複数の分割予定ラインＳで区画された領域にデバイスＤが形成されたデバイス領域ＤＡと、デバイス領域ＤＡを囲繞する外周余剰領域ＣＡとを表面Ｗａに有している。交差する複数の分割予定ラインＳは、例えば、直交している。交差する複数の分割予定ラインＳで区画された領域は、例えば、正方形である。
【００１６】
（保護部材配設ステップ）
保護部材配設ステップは、後述する改質層形成ステップを実施する前または後に、デバイスＤが形成されたウェーハＷの表面Ｗａ側に保護部材ＰＴを配設するステップである。本実施形態においては、改質層形成ステップを実施する前に、ウェーハＷの表面Ｗａ側に保護部材ＰＴを配設する。
【００１７】
保護部材ＰＴは、例えば、ウェーハＷの表面Ｗａに貼着される粘着テープであって、デバイスＤを保護するための部材である。保護部材ＰＴは、ウェーハＷと同じ直径であってもよいし、ウェーハＷより大きい直径で外周縁が環状フレームの開口周縁に貼着されていてもよい。その場合、ウェーハＷは保護部材ＰＴを介して環状フレームに支持される。
【００１８】
図２に示すように、ウェーハＷの表面Ｗａ側に保護部材ＰＴを配設すると、保護部材配設ステップは終了する。
【００１９】
（改質層形成ステップ）
改質層形成ステップは、図３から図５に示すように、ウェーハＷに対して透過性を有する波長のレーザー光線Ｌの集光点Ｐを分割予定ラインＳの内部に位置付けるとともにレーザー光線Ｌを照射し、外周余剰領域ＣＡを除いて分割予定ラインＳに沿った改質層Ｋを形成するステップである。本実施形態においては、上記保護部材配設ステップを実施した後に、外周余剰領域ＣＡを除いて分割予定ラインＳに沿った改質層Ｋを形成している。改質層形成ステップは、図３に示すように、レーザー加工ユニット１０により実施される。レーザー加工ユニット１０は、チャックテーブル１１と、レーザー光線照射手段１２と、撮像手段１３と、図示しないレーザー加工ユニット移動手段と、を含んで構成されている。
【００２０】
チャックテーブル１１は、ウェーハＷを保持する保持手段であり、例えば、負圧による吸引力でウェーハＷを吸引保持する。チャックテーブル１１は、保持面１１ａを構成する部分がポーラスセラミック等から形成された円盤形状であり、図示しない真空吸引源と接続されている。保持面１１ａには、上記保護部材配設ステップでウェーハＷに配設された保護部材ＰＴ側が載置される。つまり、チャックテーブル１１は、保護部材ＰＴを介してウェーハＷを吸引保持し、ウェーハＷは、表面Ｗａ側を保持面１１ａに向けて保持面１１ａ上に載置される。
【００２１】
レーザー光線照射手段１２は、図３および図４に示すように、レーザー光線Ｌを照射する集光器１２ａと、図示しないレーザー光線発振手段を収容するケーシング１２ｂと、を備えている。集光器１２ａは、チャックテーブル１１に保持されたウェーハＷに対して透過性を有する波長のレーザー光線Ｌを照射する。また、集光器１２ａは、レーザー光線Ｌの集光点Ｐを分割予定ラインＳの内部に位置付けるとともにレーザー光線Ｌを照射する。
【００２２】
集光点Ｐは、後述する研削ステップにおいてウェーハＷが薄化される所定の厚さｔ（図９参照）よりも裏面Ｗｂ側に設定される。すなわち集光点Ｐは、ウェーハＷの裏面Ｗｂからの深さｄが、研削ステップ実施前のウェーハＷの裏面Ｗｂから所定の厚さｔまでの深さよりも浅く設定される。また、レーザー光線照射手段１２から照射するレーザー光線Ｌは、例えば、パルスレーザーである。
【００２３】
本実施形態においては、ウェーハＷの裏面Ｗｂ側からレーザー光線Ｌが照射される。なお、ウェーハＷの表面Ｗａに保護部材ＰＴが配設されていない場合、例えば、上記保護部材配設ステップの実施前に改質層形成ステップを行う場合などは、ウェーハＷの表面Ｗａ側からレーザー光線Ｌを照射してもよい。
【００２４】
撮像手段１３は、例えば、ＣＣＤ（Charge Coupled Device）イメージセンサを用いたカメラ等である。撮像手段１３は、ウェーハＷの交差する複数の分割予定ラインＳを撮像し、アライメント調整用画像データを生成する。
【００２５】
レーザー加工ユニット移動手段は、チャックテーブル１１をＸ軸方向（加工送り方向に相当）に移動させ、レーザー光線照射手段１２をＹ軸方向（割り出し送り方向に相当）に移動させることで、チャックテーブル１１とレーザー光線照射手段１２とを相対移動させる。レーザー加工ユニット移動手段は、チャックテーブル１１をその中心軸線周りに回転させることもできる。レーザー加工ユニット移動手段は、加工送り方向にチャックテーブル１１を移動させることで、集光器１２ａから照射したレーザー光線Ｌを分割予定ラインＳに沿って照射させる。レーザー加工ユニット移動手段は、図３から図５に示すように、デバイス領域ＤＡ内の分割予定ラインＳに沿ってレーザー光線Ｌを照射させることで、外周余剰領域ＣＡを除いて分割予定ラインＳに沿った改質層Ｋを形成させる。
【００２６】
また、レーザー加工ユニット移動手段は、デバイス領域ＤＡ内の同一方向の全ての分割予定ラインＳについてレーザー光線Ｌを照射させた後、チャックテーブル１１を９０度回転させ、レーザー光線照射手段１２からのレーザー光線Ｌの照射を同様に繰り返すことで、外周余剰領域ＣＡを除いて交差する複数の分割予定ラインＳの全てに沿った改質層Ｋを形成する。
【００２７】
外周余剰領域ＣＡを除いて交差する複数の分割予定ラインＳの全てに沿ってレーザー光線Ｌを照射して改質層Ｋが形成されると、改質層形成ステップは終了する。なお、本実施形態において、Ｘ軸方向は、鉛直方向と直交する方向である。また、Ｙ軸方向は、Ｘ軸方向および鉛直方向と直交する方向である。
【００２８】
ここで、改質層Ｋは、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲のそれとは異なる状態となった領域である。改質層Ｋは、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域、および、これらの領域が混在した領域等である。本実施形態において、改質層Ｋは、後述する研削ステップにおいてウェーハＷが薄化される所定の厚さｔ（図９参照）よりも裏面Ｗｂ側にレーザー光線Ｌの集光点Ｐが設定されていることから、研削ステップにおいて除去されるものである。また、改質層Ｋは、研削ステップにおいてウェーハＷが所定の厚さｔに薄化された際に、交差する複数の分割予定ラインＳに沿ってクラックＣＫ（図８参照）を生じさせる起点となるものである。
【００２９】
（研削ステップ）
研削ステップは、上記改質層形成ステップと上記保護部材配設ステップとを実施した後に行われるステップであって、図６から図９に示すように、保護部材ＰＴ側をチャックテーブル２１で保持してウェーハＷの裏面Ｗｂから研削手段２２で研削し所定の厚さｔへと薄化するとともに、ウェーハＷのデバイス領域ＤＡが改質層Ｋに沿って個々のデバイスＤに分割されるステップである。研削ステップは、図６に示すように、研削ユニット２０により実施される。また、研削ステップでは、接触式厚さ測定ゲージ３０を、改質層Ｋが形成されていないウェーハＷの外周余剰領域ＣＡの裏面Ｗｂに接触させてウェーハＷの厚さを測定しながら研削する。
【００３０】
研削ユニット２０は、チャックテーブル２１と、研削手段２２と、図示しない研削ユニット移動手段と、を含んで構成されている。また、研削ユニット２０には、ウェーハＷの裏面Ｗｂに接触してウェーハＷの厚さを測定する接触式厚さ測定ゲージ３０が併設されている。
【００３１】
チャックテーブル２１は、レーザー加工ユニット１０のチャックテーブル１１と同様に、ウェーハＷの保護部材ＰＴ側を負圧によって吸引保持する。つまり、チャックテーブル２１は、保護部材ＰＴを介してウェーハＷを吸引保持し、ウェーハＷは、表面Ｗａ側を保持面２１ａに向けて保持面２１ａ上に載置される。
【００３２】
研削手段２２は、スピンドルハウジング２２ａと、スピンドルハウジング２２ａに回転自在に支持され図示しない回転駆動機構によって回転させられる回転スピンドル２２ｂと、回転スピンドル２２ｂに装着されたマウンター２２ｃと、マウンター２２ｃに取り付けられた研削ホイール２２ｄと、研削ホイール２２ｄの基台２２ｅと、基台２２ｅの下面に配設された研削砥石２２ｆと、研削水を供給する図示しない研削水供給ノズルと、を含んで構成されている。研削手段２２は、研削砥石２２ｆをチャックテーブル２１と同方向に回転させながらウェーハＷの裏面Ｗｂ側に接触させ、ウェーハＷを研削する。
【００３３】
研削ユニット移動手段は、チャックテーブル２１をその中心軸線周りに回転させ、研削手段２２をＺ軸方向（研削送り方向に相当）に移動させる。研削ユニット移動手段は、チャックテーブル２１と同方向に回転する研削砥石２２ｆを研削送り方向に移動させ、ウェーハＷの裏面Ｗｂに研削砥石２２ｆを接触させる。研削ユニット移動手段は、研削砥石２２ｆを所定の研削送り速度で下方に研削送りし、裏面Ｗｂ側からウェーハＷを研削して薄化する。研削ユニット移動手段は、ウェーハＷが所定の厚さｔへと薄化されるとともに、ウェーハＷのデバイス領域ＤＡが改質層Ｋに沿って個々のデバイスに分割されるまで、研削手段２２を研削送りする。すなわち研削ユニット移動手段は、ウェーハＷが所定の厚さｔへと薄化されたことが接触式厚さ測定ゲージ３０により検出されると、研削手段２２の研削送りを停止する。なお、本実施形態において、Ｚ軸方向は、鉛直方向である。
【００３４】
接触式厚さ測定ゲージ３０は、研削ステップにおいて、ウェーハＷの裏面Ｗｂに接触してウェーハＷの厚さを測定する厚さ測定手段である。接触式厚さ測定ゲージ３０は、公知の厚さ測定手段が用いられる。接触式厚さ測定ゲージ３０は、ウェーハＷが研削される際に研削手段２２から供給される研削水の影響を受けにくいため、研削手段２２よるウェーハＷの研削加工中に、非接触式厚さ測定手段よりも高精度でウェーハＷの厚さを測定することができる。また、接触式厚さ測定ゲージ３０は、非接触式厚さ測定手段ではウェーハＷの厚さを測定することができない透明体であっても、その厚さを測定することができる。
【００３５】
接触式厚さ測定ゲージ３０は、ウェーハＷの厚さを測定するための測定ヘッド３１を有している。測定ヘッド３１には、改質層Ｋが形成されていないウェーハＷの外周余剰領域ＣＡの裏面Ｗｂと接触する測定子３１ａが設けられている。測定子３１ａは、ウェーハＷの外周に形成されたノッチＷｃよりもウェーハＷの中心側と、デバイス領域ＤＡよりもウェーハＷの外周側との間で、外周余剰領域ＣＡの裏面Ｗｂと接触する。このため、例えば、ノッチＷｃが外周から１．５ｍｍ程度内側まで形成されているので、測定子３１ａは、ウェーハＷの外周から内側へ３〜１０ｍｍ程度の範囲において外周余剰領域ＣＡの裏面Ｗｂと接触する。
【００３６】
接触式厚さ測定ゲージ３０によりウェーハＷの厚さを測定しながら、研削手段２２によりウェーハＷの裏面Ｗｂ側を研削すると、改質層Ｋに対して研削砥石２２ｆから研削負荷が加えられ、図８および図９に示すように、改質層Ｋを起点として表面Ｗａに至るクラックＣＫが分割予定ラインＳに沿って形成される。
【００３７】
所定の厚さｔへと薄化されたウェーハＷからは、改質層Ｋが研削されて取り除かれる。また、所定の厚さｔへと薄化されたウェーハＷは、外周余剰領域ＣＡを除いて交差する複数の分割予定ラインＳに沿ったクラックＣＫにより、デバイス領域ＤＡが個々のデバイスＤに分割される。すなわちウェーハＷは、改質層Ｋに沿って個々のデバイスＤに分割される。
【００３８】
ウェーハＷが所定の厚さｔへと薄化され、デバイス領域ＤＡが個々のデバイスＤに分割されると、研削ステップは終了する。
【００３９】
なお、研削ステップの実施後、デバイス領域ＤＡが個々のデバイスＤに分割されることでデバイスチップＤＣが形成されるが、外周余剰領域ＣＡとデバイスチップＤＣとが保護部材ＴＰに支持されているため、ウェーハＷの形態が保たれる。
【００４０】
デバイスチップＤＣは、ウェーハＷの裏面Ｗｂが研削されて所定の厚さｔへと薄化される際に改質層Ｋが除去されているため、改質層Ｋにより強度が低下することはない。
【００４１】
研削ステップの実施後にリング形状で残存する外周余剰領域ＣＡは、図示しないリング除去装置による除去やエッジトリミングによる切除で取り除いたり、図示しないエキスパンド装置によるエキスパンド処理時にクラックを生じる改質層を上記改質層Ｋとは別に形成しておくことでエキスパンド時に分割するようにしたりしてもよい。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、研削ステップでは、保護部材ＰＴ側を研削ユニット２０のチャックテーブル２１で保持してウェーハＷの裏面Ｗｂから研削手段２２で研削し所定の厚さｔへとウェーハＷを薄化するとともに、ウェーハＷのデバイス領域ＤＡが改質層Ｋに沿って個々のデバイスＤに分割される。また、研削ステップでは、ウェーハＷの裏面Ｗｂに接触してウェーハＷの厚さを測定する接触式厚さ測定ゲージ３０を、改質層Ｋが形成されていないウェーハＷの外周余剰領域ＣＡの裏面Ｗｂに接触させてウェーハＷの厚さを測定しながら研削する。このため、ウェーハＷの厚さを測定しながらウェーハＷを研削することができる。
【００４３】
また、外周余剰領域ＣＡの裏面Ｗｂに接触式厚さ測定ゲージ３０を接触させ、デバイス領域ＤＡ内でデバイスチップＤＣを形成することから、デバイスチップＤＣと接触式厚さ測定ゲージ３０との接触を避けることができる。
【００４４】
デバイスチップＤＣと接触式厚さ測定ゲージ３０との接触を避けることができることから、接触式厚さ測定ゲージ３０との接触によるデバイスチップＤＣ同士の接触やデバイスチップＤＣの飛散を抑えることができる。
【００４５】
また、レーザー光線Ｌの照射によってウェーハＷの内部に形成される改質層Ｋは、その始点および終点を容易に制御することができる。このため、外周余剰領域ＣＡを残してデバイス領域ＤＡ内に改質層Ｋを容易に形成することができ、切削ステップの実施後に外周余剰領域ＣＡを残すことができる。
【００４６】
また、本実施形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハＷは透明体であることから、反射光を用いる非接触式厚さ測定手段で測定することが難しく、研削加工中は特に研削水などの影響受けることからウェーハＷの厚さをそもそも測定できないが、接触式厚さ測定ゲージ３０によりガラス、サファイア、石英等の透明体を母材とする光デバイスウェーハ等の厚さを測定しつつ、ウェーハＷを研削し所定の厚さｔへと薄化することができる。
【００４７】
透明体の厚さを測定しつつウェーハＷを研削し、所定の厚さｔへとウェーハＷを薄化することができることから、ウェーハＷが透明体である場合には、本実施形態に係るウェーハの加工方法は欠かすことができない技術である。
【００４８】
なお、上記実施形態において、ウェーハＷはガラス、サファイア、石英等を母材とする光デバイスウェーハ等であったが、ウェーハＷは透明体に限定されず、シリコン、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）等を母材とする半導体ウェーハ等であってもよく、無機材料基板、金属材料や樹脂材料等、各種加工材料であってもよい。
【符号の説明】
【００４９】
２１  チャックテーブル
２２  研削手段
３０  接触式厚さ測定ゲージ
ＣＡ  外周余剰領域
Ｄ  デバイス
ＤＡ  デバイス領域
Ｋ  改質層
Ｌ  レーザー光線
Ｐ  集光点
ＰＴ  保護部材
Ｗ  ウェーハ
Ｗａ  表面
Ｗｂ  裏面
Ｓ  分割予定ライン
ｔ  所定の厚さ
【図１】
2014209523.tif 000003
【図２】
2014209523.tif 000004
【図３】
2014209523.tif 000005
【図４】
2014209523.tif 000006
【図５】
2014209523.tif 000007
【図６】
2014209523.tif 000008
【図７】
2014209523.tif 000009
【図８】
2014209523.tif 000010
【図９】
2014209523.tif 000011