(57)【要約】【課題】大型化を抑制しながら、実装密度を向上させるとともに、簡便な方法により電子部品の実装を可能とする半導体装置実装構造体および該半導体装置実装構造体の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、フレキシブル基板１が電子部品２を覆うように折り曲げられ、フレキシブル基板１と電子部品２とが封止樹脂５で封止された第１半導体装置１０と、第２半導体装置２０とを接続する半導体装置実装構造体１００であって、フレキシブル基板１は、可撓部３と、硬質部４とを備え、可撓部３と硬質部４との境界部分で電子部品２の形状に沿って折り曲げられ、第１半導体装置１０は、第２半導体装置２０に対し硬質部４が平行となるよう縦に載置され、電子部品２と第２半導体装置２０とは電気的に接続されることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
フレキシブル基板が電子部品を覆うように折り曲げられ、該フレキシブル基板と該電子部品とが封止樹脂で封止された第１半導体装置と、平板状の第２半導体装置とを接続する半導体装置実装構造体であって、
前記フレキシブル基板は、折り曲げ可能な可撓部と、硬質部とを備え、該可撓部の該硬質部との境界部分で前記電子部品の形状に沿って折り曲げられ、
前記第１半導体装置は、前記第２半導体装置に対し前記硬質部が平行となるよう垂直に載置されることを特徴とする半導体装置実装構造体。
【請求項２】
前記硬質部は、前記電子部品の厚さと同程度の長さを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置実装構造体。
【請求項３】
前記硬質部は、前記可撓部の中央部に形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置実装構造体。
【請求項４】
前記電子部品の底面部と、前記硬質部ならびに前記硬質部近傍の可撓部との間を封止し、前記封止樹脂より軟質の第２封止樹脂を備え、
前記封止樹脂は、前記電子部品の側面部と前記可撓部との間を封止することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置実装構造体。
【請求項５】
前記封止樹脂および／または前記第２封止樹脂は、ＵＶ−熱併用硬化樹脂により形成されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置実装構造体。
【請求項６】
前記電子部品の底面部と前記硬質部との間に空隙部を備え、
前記封止樹脂は、前記電子部品の側面部と前記可撓部近傍とを封止することを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置実装構造体。
【請求項７】
前記硬質部上に、第２電子部品が実装されたことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置実装構造体。
【請求項８】
前記第２半導体装置は、前記第１半導体装置の実装位置近傍に、前記第１半導体装置の実装位置を規制する位置規制部材を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載の半導体装置実装構造体。
【請求項９】
前記フレキシブル基板は、外側面にアライメントマークを有し、
前記第２半導体装置は、前記第１半導体装置を実装する面にアライメントマークを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置実装構造体。
【請求項１０】
フレキシブル基板が電子部品を覆うように折り曲げられ、該フレキシブル基板と該電子部品とが封止樹脂で封止された第１半導体装置と、平板状の第２半導体装置とを接続する半導体装置実装構造体の製造方法であって、
前記フレキシブル基板は、折り曲げ可能な可撓部と、硬質部とを備え、該可撓部に前記電子部品をリフロー工法によりはんだ接続する電子部品接続工程と、
前記電子部品下部を含む前記フレキシブル基板表面全体に封止樹脂を塗布する塗布工程と、
前記可撓部を前記電子部品の外形に沿って折り曲げた後、治具により第１半導体装置を仮固定する折り曲げ工程と、
前記折り曲げ工程で仮固定した第１半導体装置を、加熱炉で加熱し、封止樹脂を硬化する硬化工程と、
前記硬化工程後の第１半導体装置を、前記第２半導体装置に対し前記硬質部が平行となるよう垂直に載置して接続する接続工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置実装構造体の製造方法。
【請求項１１】
前記封止樹脂は、ＵＶ−熱併用硬化樹脂であり、
前記塗布工程後、ＵＶ光を照射して、ＵＶ−熱併用硬化樹脂をＢステージ状態とするＵＶ光照射工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の半導体装置実装構造体の製造方法。
【請求項１２】
フレキシブル基板が電子部品を覆うように折り曲げられ、該フレキシブル基板と該電子部品とが封止樹脂で封止された第１半導体装置と、平板状の第２半導体装置とを接続する半導体装置実装構造体の製造方法であって、
前記フレキシブル基板は、可撓部と、硬質部とを備え、該可撓部に前記電子部品を接続する電子部品接続工程と、
前記硬質部上に、ＵＶ−熱併用硬化樹脂である前記封止樹脂より軟質である第２封止樹脂を塗布する第２封止樹脂塗布工程と、
前記第２封止樹脂塗布工程後、ＵＶ光を照射して、前記第２封止樹脂をＢステージ状態とするＵＶ光照射工程と、
前記電子部品下部を含む前記可撓部上に封止樹脂を塗布する塗布工程と、
前記可撓部を前記電子部品外形に沿って折り曲げて治具により第１半導体装置を仮固定する折り曲げ工程と、
前記折り曲げ工程で仮固定した第１半導体装置を、加熱炉で加熱し、封止樹脂および第２封止樹脂を硬化する硬化工程と、
前記硬化工程後の第１半導体装置を、前記第２半導体装置に対し前記硬質部が平行となるよう縦置きに載置して、前記電子部品と前記第２半導体装置とを電気的に接続する接続工程と、
を含むことを特徴とする半導体装置実装構造体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置実装構造体および該半導体装置実装構造体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、医療用および工業用の内視鏡が広く用いられている。医療用の内視鏡としては、例えば、体内への挿入部の先端にＣＣＤ等の撮像素子を内蔵したものがある。この挿入部を体内に深く挿入することにより、病変部を観察することができ、さらに、必要に応じて処置具を併用することにより、体内の検査や治療を行うこともできる。このような内視鏡において、半導体装置を内蔵する先端硬質部の小型化が要求されている。
【０００３】
半導体装置の小型化のために、種々の電子部品の実装方法が提案されている。たとえば、一方の面に電極、他方の面に外部電極がそれぞれ形成されたフレキシブル基板により、複数の電子部品を覆うように折り曲げ、内部を樹脂で封止した後、該フレキシブル基板をマザーボードに平行に載置した半導体装置が開示されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−０７７２９４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、複数の電子部品を内蔵するフレキシブル基板を横置きすることにより、簡便に実装密度を向上できるものの、口径が限定される内視鏡などでは、該フレキシブル基板の高さ方向への積層は制限される。したがって、実装密度をさらに上げるためには、該フレキシブル基板を、横方向に載置することになるが、該フレキシブル基板の折り曲げにより折り曲げ部分が円弧状となるため、実装間隔が余分に必要となり、大型化してしまうという問題を有していた。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、大型化を抑制しながら、実装密度を向上させるとともに、簡便な方法により電子部品の実装を可能とする半導体装置実装構造体および該半導体装置実装構造体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の半導体装置実装構造体は、フレキシブル基板が電子部品を覆うように折り曲げられ、該フレキシブル基板と該電子部品とが封止樹脂で封止された第１半導体装置と、平板状の第２半導体装置とを接続する半導体装置実装構造体であって、前記フレキシブル基板は、折り曲げ可能な可撓部と、硬質部とを備え、該可撓部の該硬質部との境界部分で前記電子部品の形状に沿って折り曲げられ、前記第１半導体装置は、前記第２半導体装置に対し前記硬質部が平行となるよう垂直に載置されることを特徴とする。
【０００８】
また、本発明の半導体装置実装構造体は、上記発明において、前記硬質部は、前記電子部品の厚さと同程度の長さを有することを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の半導体装置実装構造体は、上記発明において、前記硬質部は、前記可撓部の中央部に形成されることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の半導体装置実装構造体は、上記発明において、前記電子部品の底面部と、前記硬質部ならびに前記硬質部近傍の可撓部との間を封止し、前記封止樹脂より軟質の第２封止樹脂を備え、前記封止樹脂は、前記電子部品の側面部と前記可撓部との間を封止することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の半導体装置実装構造体は、上記発明において、前記封止樹脂および／または前記第２封止樹脂は、ＵＶ−熱併用硬化樹脂により形成されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置実装構造体は、上記発明において、前記電子部品の底面部と前記硬質部との間に空隙部を備え、前記封止樹脂は、前記電子部品の側面部と前記可撓部近傍とを封止することを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体装置実装構造体は、上記発明において、前記硬質部上に、第２電子部品が実装されたことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体装置実装構造体は、上記発明において、前記第２半導体装置は、前記第１半導体装置の実装位置近傍に、前記第１半導体装置の実装位置を規制する位置規制部材を有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の半導体装置実装構造体は、上記発明において、前記フレキシブル基板は、外側面にアライメントマークを有し、前記第２半導体装置は、前記第１半導体装置を実装する面にアライメントマークを有することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の半導体装置実装構造体の製造方法は、フレキシブル基板が電子部品を覆うように折り曲げられ、該フレキシブル基板と該電子部品とが封止樹脂で封止された第１半導体装置と、平板状の第２半導体装置とを接続する半導体装置実装構造体の製造方法であって、前記フレキシブル基板は、折り曲げ可能な可撓部と、硬質部とを備え、該可撓部に前記電子部品を接続する電子部品接続工程と、前記電子部品下部を含む前記フレキシブル基板表面全体に封止樹脂を塗布する塗布工程と、前記可撓部を前記電子部品の外形に沿って折り曲げた後、治具により第１半導体装置を仮固定する折り曲げ工程と、前記折り曲げ工程で仮固定した第１半導体装置を、加熱炉で加熱し、封止樹脂を硬化する硬化工程と、前記硬化工程後の第１半導体装置を、前記第２半導体装置に対し前記硬質部が平行となるよう垂直に載置して接続する接続工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の半導体装置実装構造体の製造方法は、上記発明において、前記封止樹脂は、ＵＶ−熱併用硬化樹脂であり、前記塗布工程後、ＵＶ光を照射して、ＵＶ−熱併用硬化樹脂をＢステージ状態とするＵＶ光照射工程を含むことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の半導体装置実装構造体の製造方法は、フレキシブル基板が電子部品を覆うように折り曲げられ、該フレキシブル基板と該電子部品とが封止樹脂で封止された第１半導体装置と、平板状の第２半導体装置とを接続する半導体装置実装構造体の製造方法であって、前記フレキシブル基板は、可撓部と、硬質部とを備え、該可撓部に前記電子部品をリフロー工法によりはんだ接続する電子部品接続工程と、前記硬質部上に、ＵＶ−熱併用硬化樹脂である前記封止樹脂より軟質である第２封止樹脂を塗布する第２封止樹脂塗布工程と、前記第２封止樹脂塗布工程後、ＵＶ光を照射して、前記第２封止樹脂をＢステージ状態とするＵＶ光照射工程と、前記電子部品下部を含む前記可撓部上に封止樹脂を塗布する塗布工程と、前記可撓部を前記電子部品外形に沿って折り曲げて治具により第１半導体装置を仮固定する折り曲げ工程と、前記折り曲げ工程で仮固定した第１半導体装置を、加熱炉で加熱し、封止樹脂および第２封止樹脂を硬化する硬化工程と、前記硬化工程後の第１半導体装置を、前記第２半導体装置に対し前記硬質部が平行となるよう縦置きに載置して、前記電子部品と前記第２半導体装置とを電気的に接続する接続工程と、を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、複数の電子部品を、大型化を抑制しながら、簡便に実装できる半導体装置実装構造を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置実装構造の断面概略図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置実装構造の製造工程を説明する概略図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置実装構造の製造工程を説明するフローチャートである。
【図４】図４は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置実装構造体の断面概略図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置実装構造の製造工程を説明する概略図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置実装構造の製造工程を説明するフローチャートである。
【図７】図７は、本発明の実施の形態３にかかる半導体装置実装構造の断面概略図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態４にかかる半導体装置実装構造の断面概略図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態４にかかる半導体装置実装構造の製造工程を説明する概略図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態５にかかる半導体装置実装構造の断面概略図である。
【図１１】図１１は、本発明の実施の形態５にかかる半導体装置実装構造の製造工程を説明する概略図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態６にかかる半導体装置実装構造の断面概略図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態６にかかる半導体装置実装構造の製造工程を説明する概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」という）を説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、各部材の比率などは、現実と異なることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００２２】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置実装構造の断面概略図である。本発明の実施の形態１にかかる半導体装置実装構造１００は、第１半導体装置１０と、平板状の第２半導体装置２０と、を備える。
【００２３】
第１半導体装置１０は、フレキシブル基板１が電子部品２を覆うように配置され、フレキシブル基板１と電子部品２とが封止樹脂５により接着されてなる。フレキシブル基板１は、可撓部３と、可撓部３の略中央部に形成される硬質部４とを備える。フレキシブル基板１は、可撓部３に補強板を貼り付けて硬質部４を形成するか、または市販のリジッドフレキシブル基板を使用してもよい。なお、本明細書において、電子部品２および第２半導体装置２０は、半導体チップや、半導体パッケージ部品、プリント配線板を意味するが、筐体等の構造部品であってもよい。
【００２４】
可撓部３の電子部品２側には、電子部品２と接続する電極７が形成されている。また、硬質部４の第２半導体装置２０側には、第２半導体装置２０と接続する外部電極６が形成される。硬質部４の長さＴ１は、電子部品の底面部の厚さＴ４と同程度の長さとすることが好ましい。硬質部４の長さＴ１を、電子部品の底面部の厚さＴ４と同程度の長さとして、可撓部３の硬質部４との境界で折り曲げることにより、電子部品２の形状に沿うように折り曲げ可能となる。なお、本明細書において、電子部品２の底面部とは、電子部品２が矩形体の場合、面積が最小である面を意味している。
【００２５】
電子部品２は、側面部にフレキシブル基板１と接続する電極８を備える。電極８は、はんだ等の導電部材によりフレキシブル基板１の電極部７と接続される。フレキシブル基板１と電子部品２との間は、封止樹脂５で封止される。封止樹脂５は、熱硬化性樹脂で形成される。
【００２６】
第２半導体装置２０上には、第１半導体装置１０、すなわち、電子部品２と接続する電極１２が形成され、Ａｕスタッドバンプやはんだ等の導電部材１１により接続される。第１半導体装置１０と第２半導体装置２０との接続部は、封止樹脂１３により封止される。第１半導体装置１０の第２半導体装置２０への接続は、硬質部４の表面が第２半導体装置２０に対し平行となるよう、第１半導体装置１０を垂直に載置して実装される。第１半導体装置１０を最小面積である底面部を介し、垂直に実装することにより、実装密度を向上することが可能となる。
【００２７】
硬質部４が形成されない、可撓部３のみのフレキシブル基板１で電子部品２を覆う第１半導体装置１０では、フレキシブル基板１の電子部品２の底面部側が円弧状となるため、垂直に実装した場合、フレキシブル基板１と導電部材１１との接続部に応力が集中する箇所が発生する。応力が集中する箇所が発生すると、高湿度下等の苛酷な環境下で該箇所において接続部分の剥離が生じることとなる。本実施の形態１では、硬質部３を備えることにより応力集中箇所が発生しないため、苛酷な環境下での使用においても、半導体装置実装構造体１００の接続信頼性を担保することが可能となる。
【００２８】
次に、図２および図３を参照して、本実施の形態にかかる半導体装置実装構造体１００の製造方法について説明する。図２は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置実装構造１００の製造工程を説明する概略図である。図３は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置実装構造の製造工程を説明するフローチャートである。なお、図２においては、電極等の図示は省略している。
【００２９】
まず、図２（ａ）に示すように、電子部品２をフレキシブル基板１に接続する（ステップＳ１：電子部品接続工程）。電子部品２は、可撓部３上にはんだ等の導電部材で接続される。はんだ接続は、リフロー工法を用いることが好ましい。
【００３０】
電子部品接続工程後、図２（ｂ）に示すように、電子部品２下部を含むフレキシブル基板１表面全体に封止樹脂５を塗布する（ステップＳ２：塗布工程）。封止樹脂５は、毛細管現象により電子部品２の下部に充填される。
【００３１】
図２（ｃ）に示すように、可撓部３を図中矢印で示す方向に折り曲げて、図２（ｄ）に示すように、可撓部３により電子部品２を覆う形状として、治具等により形状を仮固定する（ステップＳ３：折り曲げ工程）。
【００３２】
続いて、仮固定された第１半導体装置１０を加熱炉で加熱し、封止樹脂５を硬化する（ステップＳ４：硬化工程）。
【００３３】
封止樹脂５の硬化により封止された第１半導体装置１０を、第２半導体装置２０に対し硬質部４が平行となるよう縦に載置して、第１半導体装置１０を第２半導体装置２０に接続して半導体装置実装構造１００を製造する（ステップＳ５：接続工程）。
【００３４】
本実施の形態１にかかる半導体装置実装構造１００は、第１半導体装置１０の第２半導体装置２０と接続する側に硬質部４を形成することにより、フレキシブル基板１を電子部品２の形状に沿うように折り曲げても円弧状とならず、接続不良を防止することができる。また、第１半導体装置１０を第２半導体装置２０に対し、垂直に接続するため、実装密度を向上することができる。
【００３５】
実施の形態１では、封止樹脂５として熱硬化性樹脂を使用しているが、ＵＶ−熱併用型硬化樹脂を使用してもよい。ＵＶ−熱併用型硬化樹脂を使用する場合、封止樹脂５をフレキシブル基板１に塗布した後、ＵＶ照射して、半硬化状態とした後、可撓部３を電子部品２の形状に沿うように折り曲げ、仮固定し、加熱硬化すればよい。ＵＶ−熱併用型硬化樹脂を使用することにより、電子部品２等に対する熱ダメージを低減することができる。
【００３６】
（実施の形態２）
実施の形態２にかかる半導体装置実装構造体は、電子部品の底面部と、硬質部との間を封止する第２封止樹脂を備える点で、実施の形態１にかかる半導体装置実装構造１００と異なる。図４を参照して、実施の形態２にかかる半導体装置実装構造を説明する。図４は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置実装構造体の断面図である。
【００３７】
図４に示すように、第１半導体装置１０Ａにおいて、第２封止樹脂１４は、電子部品２の底面部と、硬質部４ならびに硬質部近傍の可撓部３との間を封止する。また、封止樹脂５は、電子部品２の側面部と可撓部３との間を封止する。封止樹脂５と第２封止樹脂１４とは接着されていることが好ましい。
【００３８】
第２封止樹脂１４は、封止樹脂５より軟質の材料を選択することが好ましい。第２封止樹脂として軟質の材料を選択することにより、第１半導体装置１０Ａに外力が加わった際、軟質材料である第２封止樹脂により応力が吸収されるため、第１半導体装置１０Ａ内の封止樹脂５の剥離、ならびに第１半導体装置１０Ａと第２半導体装置２０との接続剥離を防止することができる。また、硬質部４周辺も第２封止樹脂により封止されるため、可撓部３と硬質部４との接続部分の剥離を防止することもできる。
【００３９】
第２封止樹脂１４としては、封止樹脂よりも硬化後硬度が小さい材料を選択すればよい。たとえば、封止樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合、ウレタン樹脂やシリコン樹脂等を使用することができる。また、第２封止樹脂１４は、ＵＶ−熱併用硬化型樹脂であることが好ましい。本明細書において、ＵＶ−熱併用硬化型樹脂とは、ＵＶ照射によりＢステージ状態、すなわち可塑性および粘着性を有する半硬化状態まで硬化可能であり、さらに加熱することにより完全に硬化するものをいう。
【００４０】
次に、図５および図６を参照して、本実施の形態にかかる半導体装置実装構造体２００の製造方法について説明する。図５は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置実装構造２００の製造工程を説明する概略図である。図６は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置実装構造２００の製造工程を説明するフローチャートである。なお、図６においては、電極等の図示は省略している。
【００４１】
まず、図６（ａ）に示すように、電子部品２を可撓部３上に接続し（ステップＳ１１：電子部品接続工程）、硬質部４上に第２封止樹脂１４を塗布する（ステップＳ１２：第２封止樹脂塗布工程）。
【００４２】
第２封止樹脂１４を塗布した後、図６（ｂ）に示すように、ＵＶ光を照射して、第２封止樹脂１４を半硬化状態にする（ステップＳ１３：ＵＶ照射工程）。第２封止樹脂１４を半硬化状態とすることにより、後の工程で塗布する封止樹脂との混合を防止することが可能となる。
【００４３】
ＵＶ照射工程後、図６（ｃ）に示すように、電子部品２下部を含む可撓部３上に封止樹脂５を塗布し（ステップＳ１４：塗布工程）、図６（ｄ）に示すように、可撓部３を電子部品２の形状に沿うように折り曲げて、治具等により形状を仮固定し（ステップＳ１５：折り曲げ工程）、加熱炉で加熱して、封止樹脂５および第２封止樹脂１４を硬化する（ステップＳ１６：硬化工程）。
【００４４】
その後、第１半導体装置１０Ａを、第２半導体装置２０に対し硬質部４が平行となるよう縦に載置して、第１半導体装置１０Ａを第２半導体装置２０に接続することにより半導体装置実装構造２００を製造する（ステップＳ１７：接続工程）。
【００４５】
本実施の形態２にかかる半導体装置実装構造２００は、電子部品２の底面部と硬質部４との間を封止する軟質の第２封止樹脂１４を備えるため、第１半導体装置１０Ａに外力が加わった際に、第２封止樹脂１４が応力を吸収でき、接続破壊を防止することが可能となる。また、実施の形態１と同様に、第１半導体装置１０Ａの第２半導体装置２０と接続する側に硬質部４を形成するため、フレキシブル基板１を電子部品２の形状に沿うように折り曲げても円弧状とならず、接続不良を防止することができる。また、第１半導体装置１０Ａを第２半導体装置２０に対し、垂直に接続するため、実装密度を向上することができる。
【００４６】
実施の形態２では、第２封止樹脂１４として、軟質材料を選択するとともに、ＵＶ−熱併用硬化型樹脂を選択することにより、封止樹脂５と第２封止樹脂１４との混合を防止することができるが、封止樹脂５をＵＶ−熱併用硬化型樹脂とし、封止樹脂５を可撓部３上に塗布し、ＵＶ照射をしてＢステージとした後、第２封止樹脂１４を硬質部４上に塗布しても同様の効果を得ることができる。
【００４７】
（実施の形態３）
実施の形態３にかかる半導体装置実装構造体は、電子部品の底面部と、硬質部との間に空隙部を備える点で、実施の形態１にかかる半導体装置実装構造１００と異なる。図７を参照して、実施の形態３にかかる半導体装置実装構造を説明する。図７は、本発明の実施の形態３にかかる半導体装置実装構造体の断面図である。
【００４８】
図７に示すように、第１半導体装置１０Ｂは、電子部品２の底面部と硬質部４との間に空隙部１５を備える。封止樹脂５は、電子部品３の側面部と可撓部３との間を封止する。
【００４９】
実施の形態３にかかる半導体装置実装構造体３００は、空隙部１５の存在により、第１半導体装置１０Ｂに外力が加わった際、空隙部１５近傍の可撓部３が変形して応力を吸収するため、第１半導体装置１０Ｂと第２半導体装置２０との接続剥離を防止することができる。また、実施の形態１と同様に、第１半導体装置１０Ｂの第２半導体装置２０と接続する側に硬質部４を形成するため、フレキシブル基板１を電子部品２の形状に沿うように折り曲げても円弧状とならず、接続不良を防止することができる。また、第１半導体装置１０Ｂを第２半導体装置２０に対し、垂直に接続するため、実装密度を向上することができる。
【００５０】
（実施の形態４）
実施の形態４にかかる半導体装置実装構造体は、硬質部上に、第２電子部品が実装される点で実施の形態１にかかる半導体装置実装構造１００と異なる。図８を参照して、実施の形態４にかかる半導体装置実装構造を説明する。図８は、本発明の実施の形態４にかかる半導体装置実装構造体の断面図である。
【００５１】
図８に示すように、実施の形態４にかかる半導体接続構造４００において、硬質部４上に第２電子部品１６が実装されている。第２電子部品１６は、チップ受動部品、パッケージ部品、半導体チップ等である。
【００５２】
次に、図を参照して実施の形態４にかかる半導体接続構造４００の製造工程を説明する。図９は、本発明の実施の形態４にかかる半導体装置実装構造４００の製造工程を説明する概略図である。なお、図９においては、電極等の図示は省略している。
【００５３】
まず、図９（ａ）に示すように、電子部品２を可撓部３上に接続するとともに、硬質部４上に第２電子部品１６を接続する。
【００５４】
接続後、図９（ｂ）に示すように、封止樹脂５をフレキシブル基板１全体に塗布した後、図９（ｃ）に示すように、可撓部３を折り曲げて、図９（ｄ）に示すように、フレキシブル基板１により電子部品２及び第２電子部品１６を覆うような形状とする。
【００５５】
その後、第１半導体装置１０Ｃを加熱して封止樹脂５を硬化し、第１半導体装置１０Ｃを、第２半導体装置２０に対し硬質部４が平行となるよう縦に載置した状態で接続することにより、半導体装置実装構造４００を製造することができる。
【００５６】
実施の形態４にかかる半導体装置実装構造体４００は、電子部品２と硬質部４との間に、第２電子部品１６を実装することができるので、実装密度のさらなる向上を図ることが可能となる。また、実施の形態１と同様に、第１半導体装置１０Ｃの第２半導体装置２０と接続する側に硬質部４を形成するため、フレキシブル基板１を電子部品２の形状に沿うように折り曲げても円弧状とならず、接続不良を防止することができる。
【００５７】
（実施の形態５）
実施の形態５にかかる半導体装置実装構造体は、第２半導体装置の第１半導体装置の実装位置近傍に、第１半導体装置の実装位置を規制する位置規制部材を有する点で実施の形態１にかかる半導体装置実装構造１００と異なる。図１０を参照して、実施の形態５にかかる半導体装置実装構造を説明する。図１０は、本発明の実施の形態５にかかる半導体装置実装構造体の断面図である。
【００５８】
図１０に示すように、実施の形態５にかかる第２半導体装置２０Ｄは、第１半導体装置１０の実装位置近傍に、第１半導体装置１０の実装位置を規制する位置規制部材としてのダム１７を備える。ダム１７内に第１半導体装置１０を嵌合させることにより、第１半導体装置１０の実装位置を規制する。ダム１７は、厚膜金属や、フォトレジスト等の厚膜樹脂で形成すればよい。
【００５９】
次に、図を参照して実施の形態５にかかる半導体接続構造５００の製造工程を説明する。図１１は、本発明の実施の形態５にかかる半導体装置実装構造５００の製造工程を説明する概略図である。なお、図１１においては、電極等の図示は省略している。
【００６０】
図１１（ａ）に示すように、第１半導体装置１０の実装位置にダム１７を形成した後、図１１（ｂ）に示すように、電極上に導電部材１１を形成する。その後、図１１（ｃ）に示すように、封止樹脂１３をダム１７内に塗布し、実施の形態１のステップＳ１〜Ｓ４のようにして製造した第１半導体装置１０を、第２半導体装置２０Ｄに対し硬質部４が平行となり、かつダム１７内に嵌合するよう縦に載置して接続することにより、半導体装置実装構造５００を製造することができる。
【００６１】
実施の形態５にかかる半導体装置実装構造体５００は、ダム１７により第１半導体装置１０の実装位置を規制できるため、位置合わせが容易となり、より簡便に半導体装置の接続構造を製造することができる。また、第１半導体装置１０の第２半導体装置２０と接続する側に硬質部４を形成するため、フレキシブル基板１を電子部品２の形状に沿うように折り曲げても円弧状とならず、接続不良を防止することができる。さらに、第１半導体装置１０を第２半導体装置２０Ｄに対し、垂直に接続するため、実装密度を向上することができる。
【００６２】
（実施の形態６）
実施の形態６にかかる半導体装置実装構造は、第１半導体装置および第２半導体装置に、アライメントマークを有し、第１半導体装置を第２半導体装置に接続した後、可撓部を折り曲げて半導体装置実装構造を製造する点で実施の形態１と異なる。図１２を参照して、実施の形態６にかかる半導体装置実装構造を説明する。図１２は、本発明の実施の形態６にかかる半導体装置実装構造体の断面図である。
【００６３】
図１２に示すように、実施の形態６にかかる第１半導体装置１０Ｅは、可撓部３Ｅが短く、フレキシブル基板１Ｅは、電子部品２の１つの側面と底面のみを覆うようにＬ字に形成されている。
【００６４】
また、フレキシブル基板１Ｅには、電子部品２側の反対側である外側面にアライメントマーク１８が形成され、第２半導体装置２０Ｅの第１半導体装置１０Ｅの実装面側に形成されたアライメントマーク１９とともに、位置合わせに使用される。アライメントマーク１８および１９は、電極等のパターン形成時に同時に形成すればよい。
【００６５】
次に、図を参照して実施の形態６にかかる半導体接続構造６００の製造工程を説明する。図１３は、本発明の実施の形態６にかかる半導体装置実装構造６００の製造工程を説明する概略図である。
【００６６】
図１３（ａ）に示すように、実装機のカメラにてアライメントマーク１８および１９を観察し、アライメントマーク１８および１９の位置に基づき、第１半導体装置１０Ｅと、第２半導体装置２０Ｅとを位置合わせして、接続する。第１半導体装置１０Ｅは、可撓部３上に電子部品２を接続し、封止樹脂５をフレキシブル基板１全体に塗布し、可撓部３を折り曲げていない状態で、第２半導体装置２０Ｅに接続される。
【００６７】
第１半導体装置１０Ｅと第２半導体装置２０Ｅとを接続後、図１３（ｂ）に示すように接続部分に封止樹脂１３を塗布する。その後、図１３（ｃ）に示すように、可撓部３を電子部品２の形状に沿うように折り曲げ、折り曲げた状態で、加熱して、封止樹脂５および１３を硬化・封止することにより、半導体装置実装構造体６００を製造することができる。なお、封止樹脂１３は第1半導体装置１０Ｅをフレキシブル基板１に接続する前に塗布しても良い。
【００６８】
実施の形態６にかかる半導体装置実装構造体６００は、アライメントマーク１８および１９により、第１半導体装置１０Ｅと第２半導体装置２０Ｅとの位置合わせを容易に行うことができる。また、第１半導体装置１０Ｅを第２半導体装置２０Ｅに対し、垂直に接続するため、実装密度を向上することができる。
【産業上の利用可能性】
【００６９】
以上のように、本発明の半導体装置実装構造体は、内視鏡や超音波画像システム（超音波内視鏡）のように、小型でありながら、高度な実装密度が要求される用途に特に適している。
【符号の説明】
【００７０】
１  フレキシブル基板
２  電子部品
３  可撓部
４  硬質部
５、１３  封止樹脂
６  外部電極
７、８、１２  電極
９、１１  導電部材
１４  第２封止樹脂
１５  空隙部
１６  第２電子部品
１７  ダム
１０、１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、１０Ｅ  第１半導体装置
２０、２０Ｄ、２０Ｅ  第２半導体装置
１００、２００、３００、４００、５００、６００  半導体装置実装構造体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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