(57)【要約】【課題】電極間の短絡をより確実に防止することができる発光素子、表示装置および電子機器を提供する【解決手段】第１電極、発光層を含む有機層、酸化亜鉛を含む抵抗層および第２電極をこの順に有し、前記酸化亜鉛の結晶方位は複数の面指数の成分を含む発光素子。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極、発光層を含む有機層、酸化亜鉛を含む抵抗層および第２電極をこの順に有し、
前記酸化亜鉛の結晶方位は複数の面指数の成分を含む
発光素子。
【請求項２】
前記酸化亜鉛の結晶方位は、（００２）成分とこれ以外の少なくとも一の成分とを含む
請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記酸化亜鉛の結晶方位は、（００２）成分と（１０１）成分とを含む
請求項１に記載の発光素子。
【請求項４】
前記酸化亜鉛の、（００２）成分に対する（１０１）成分の比（（１０１）／（００２））は５％以上である
請求項３に記載の発光素子。
【請求項５】
前記抵抗層の体積抵抗率は、１×１０2Ω・ｍ以上１×１０6Ω・ｍ以下であり、その厚みは０．１μｍ以上１０μｍ以下である
請求項１に記載の発光素子。
【請求項６】
前記抵抗層の体積抵抗率は、５×１０2Ω・ｍ以上５×１０4Ω・ｍ以下であり、その厚みは０．１５μｍ以上１μｍ以下である
請求項１に記載の発光素子。
【請求項７】
前記酸化亜鉛は、Ｘ線回折で複数のピークを有する
請求項１に記載の発光素子。
【請求項８】
前記抵抗層は、前記酸化亜鉛と共に添加剤を含む
請求項１に記載の発光素子。
【請求項９】
前記添加剤は、スズ（Ｓｎ），インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），タリウム（Ｔｌ），ビスマス（Ｂｉ）および鉛（Ｐｂ）のうちの少なくとも１の元素を含む
請求項８に記載の発光素子。
【請求項１０】
前記抵抗層と有機層との間に半透過・反射膜を有し、
前記発光層からの光は、前記第１電極と有機層との第１界面と前記半透過・反射膜と有機層との第２界面との間で共振する
請求項１に記載の発光素子。
【請求項１１】
複数の発光素子を有し、
前記発光素子は、
第１電極、発光層を含む有機層、酸化亜鉛を含む抵抗層および第２電極をこの順に有し、
前記酸化亜鉛の結晶方位は複数の面指数の成分を含む
表示装置。
【請求項１２】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
複数の発光素子を有し、
前記発光素子は、
第１電極、発光層を含む有機層、酸化亜鉛を含む抵抗層および第２電極をこの順に有し、
前記酸化亜鉛の結晶方位は複数の面指数の成分を含む
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、２つの電極間に有機層と共に抵抗層を有する発光素子およびこれを備えた表示装置、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electroluminescence）素子は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な素子として、表示装置へ適用されている。このような有機ＥＬ素子は、例えば、第１電極、発光層を含む有機層および第２電極をこの順に有しており、その発光光を制御するため、共振器構造の導入が提案されている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
共振器構造により有機層を構成する各層の厚みを最適化すると、発光色の色純度や発光効率が向上するが、有機層の厚みが小さくなると、第１電極と第２電極との間で短絡が生じる虞がある。このような短絡を防止するため、特許文献２〜６には有機ＥＬ素子中に高抵抗の膜を介在させる方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第０１／３９５５４号
【特許文献２】特開２００１−０３５６６７号公報
【特許文献３】特開２００６−３３８９１６号公報
【特許文献４】特開２００５−２０９６４７号公報
【特許文献５】特開２０１１−１０３２０５号公報
【特許文献６】特開２０１１−０４０２４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、これらの方法でも未だ短絡による欠陥素子の発生を十分に防ぐことができず、より確実に第１電極と第２電極との間の短絡を防止することが望まれる。
【０００６】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、第１電極と第２電極との間の短絡をより確実に防ぐことができる発光素子およびこれを備えた表示装置、並びに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本技術による発光素子は、第１電極、発光層を含む有機層、酸化亜鉛を含む抵抗層および第２電極をこの順に有し、酸化亜鉛の結晶方位は複数の面指数の成分を含むものである。
【０００８】
本技術による表示装置は、上記発光素子を複数備えたものである。
【０００９】
本技術による電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
【００１０】
本技術の発光素子では、例えば異物の付着等により第１電極と第２電極との間に有機層が成膜されない領域が生じても、電極間に酸化亜鉛を含む抵抗層が介在する。酸化亜鉛の結晶方位が面指数で複数の成分を含むことにより膜応力が低減され、抵抗層に含有させることが可能となる。酸化亜鉛は、他の高抵抗材料と比較して有機層により近い光学特性を有している。
【発明の効果】
【００１１】
本技術の発光素子、表示装置および電子機器によれば、有機層と第２電極との間に酸化亜鉛を含む抵抗層を設けるようにしたので、第１電極と第２電極との間の短絡をより確実に防止することができる。また、光取り出し効率を向上させることも可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本技術の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４Ａ】図１に示した有機層の構成について説明するための断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに示した有機層の他の例を表す断面図である。
【図５】図１に示した半透過・反射膜の構成を表す平面図である。
【図６Ａ】図１に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図６Ｂ】図６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図６Ｃ】図６Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図７Ａ】図６Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図７Ｂ】図７Ａに続く工程を表す断面図である。
【図８Ａ】図７Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く工程を表す断面図である。
【図９】図１に示した第１電極上に異物が存在する場合について説明するための断面図である。
【図１０】図１に示した抵抗層のＸ線回折の結果を表す図である。
【図１１】酸化亜鉛の結晶方位における（１０１）成分の比と応力の大きさとの関係を表す図である。
【図１２】変形例１に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１３】変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１４】変形例３に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１５】図１４に示した取り出し電極の構成を表す平面図である。
【図１６】図１４に示した取り出し電極の他の例を表す断面図である。
【図１７】図１等に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１８】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図１９Ａ】適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図１９Ｂ】適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２０】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２１】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２２Ａ】適用例５の閉じた状態を表す図である。
【図２２Ｂ】適用例５の開いた状態を表す図である。
【図２３】適用例６の外観を表す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１．実施の形態（表示装置：抵抗層に酸化亜鉛を含む例）
２．変形例１（抵抗層と第２電極との間に導電性樹脂層を有する例）
３．変形例２（補助電極を有する例）
４．変形例３（取り出し電極を有する例）
【００１４】
＜実施の形態＞
［表示装置１の全体構成］
図１は、本技術の一実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の要部断面構成を表したものである。この表示装置１は、複数の有機ＥＬ素子２０を備えた自発光型の表示装置であり、支持基板１１の上に、画素駆動回路形成層Ｌ１、有機ＥＬ素子２０を含む発光素子形成層Ｌ２および対向基板３３をこの順に有している。表示装置１は対向基板３３側に光取り出し方向を有する、所謂トップエミッション型の表示装置であり、画素駆動回路形成層Ｌ１には、例えば映像表示用の信号線駆動回路や走査線駆動回路（図示せず）が含まれている。各構成要素の詳細については後述する。
【００１５】
図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、支持基板１１の上に表示領域１１０を有し、例えば極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。支持基板１１上の表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０が設けられている。表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機ＥＬ素子２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）と、それらを駆動するための画素駆動回路１４０とが形成されている。有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂは、それぞれ、赤色、緑色、青色を発光する有機ＥＬ素子２０を意味する。
【００１６】
図３は、画素駆動回路１４０の一例を表したものである。画素駆動回路１４０は、後述する第１電極２１（図１）の下層に形成されたアクティブ型の駆動回路である。すなわち、この画素駆動回路１４０は、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２と、これらトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、第１の電源ライン（Ｖｃｃ）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１に直列に接続された有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂとを有する。駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成されている。
【００１７】
画素駆動回路１４０において、列方向には信号線１２０Ａが複数配置され、行方向には走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの交差点毎に、有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂのいずれか一つが設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０にそれぞれ接続されている。トランジスタＴｒ２のソース電極には信号線駆動回路１２０から画像信号が、トランジスタＴｒ２のゲート電極には走査線駆動回路１３０から走査信号がそれぞれ順次供給される。
【００１８】
[表示装置１の要部構成]
次に、再び図１を参照して、支持基板１１、画素駆動回路形成層Ｌ１、発光素子形成層Ｌ２および対向基板３３などの詳細な構成について説明する。
【００１９】
支持基板１１は、例えば石英，ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハ，金属箔もしくは樹脂製のフィルムやシートなどにより構成されている。上記ガラスとしては、例えば、高歪点ガラス，ソーダガラス（Ｎａ2Ｏ・ＣａＯ・ＳｉＯ2），硼珪酸ガラス（Ｎａ2Ｏ・Ｂ2Ｏ3・ＳｉＯ2），フォルステライト（２ＭｇＯ・ＳｉＯ2）あるいは鉛ガラス（Ｎａ2Ｏ・ＰｂＯ・ＳｉＯ2）等を用いることができる。樹脂材料としては、例えばポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ），ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ），ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ），ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ），ポリビニルアルコール（ＰＶＡ），ポリビニルフェノール（ＰＶＰ），ポリエーテルスルフォン（ＰＥＳ），ポリイミドもしくはポリカーボネート樹脂などを用いることが可能である。樹脂材料を用いて支持基板１１を構成する場合には透水性や透ガス性を抑えるため、積層構造とし、表面処理を行うことが好ましい。トップエミッション型では対向基板３３から光が取り出されるため、支持基板１１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。支持基板１１を可撓性材料により構成し、折り曲げ可能な表示装置を実現するようにしてもよい。支持基板１１のヤング率および曲率半径の値は制限されない。
【００２０】
画素駆動回路形成層Ｌ１は、ＴＦＴ１０Ｔ（図３  駆動トランジスタＴｒ１，書込トランジスタＴｒ２）と配線１７が埋設された層間絶縁層１６Ａ，１６Ｂとを有している。
【００２１】
ＴＦＴ１０Ｔは、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３およびソース・ドレイン領域１４Ａ，１４Ｂとチャネル領域１５とを有する半導体層を含むものである。半導体層のチャネル領域１５はゲート電極１２に対向する位置に設けられ、半導体層とゲート電極１２との間にはゲート絶縁膜１３が介在する。半導体層には、チャネル領域１５を間にしてソース・ドレイン領域１４Ａとソース・ドレイン領域１４Ｂとが設けられている。このようなＴＦＴ１０Ｔは、配線１７を介して有機ＥＬ素子２０に電気的に接続される。半導体層には例えばａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン），酸化物半導体あるいは有機半導体等を用いることが可能である。図１では、ゲート電極１２が支持基板１１上に設けられた、所謂ボトムゲート型のトランジスタ１２を図示したが、ＴＦＴ１０Ｔはトップゲート型であってもよい。
【００２２】
層間絶縁層１６Ａ，１６Ｂは、画素駆動回路１４０（ＴＦＴ１０Ｔ等）が形成された支持基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔が設けられるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。配線１７は、ＴＦＴ１０Ｔのソース・ドレイン領域１４Ａ，１４Ｂと有機ＥＬ素子２０（後述の第１電極２１）とを電気的に接続している。配線１７は、下層（支持基板１１側）の層間絶縁層１６Ａに設けられたコンタクトを介してＴＦＴ１０Ｔのソース・ドレイン領域１４Ａ，１４Ｂと、上層（対向基板３３側）の層間絶縁層１６Ｂの接続孔に設けられたコンタクトを介して第１電極２１と、それぞれ接続されている。層間絶縁層１６Ａ，１６Ｂの構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料が挙げられる。
【００２３】
発光素子形成層Ｌ２には、有機ＥＬ素子２０および絶縁層（隔壁）２４と、それらを覆う保護層３１および接着層３２とが設けられている。有機ＥＬ素子２０は、支持基板１１の側から、アノード電極としての第１電極２１、有機層２３、半透過・反射膜４０、抵抗層５０およびカソード電極としての第２電極２２が各々順に積層されたものである。
【００２４】
第１電極２１は、有機層２３（後述の図４  正孔輸送層２３Ｂ）に正孔を注入する電極であり、層間絶縁層１６Ｂ上にそれぞれ有機ＥＬ素子２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）ごとに設けられている。第１電極２１は反射層としての機能も兼ねており、できるだけ第１電極２１が高い反射率を備えることが、発光効率を高めるうえで好ましい。第１電極２１は、例えば白金（Ｐｔ），金（Ａｕ），銀（Ａｇ），クロム（Ｃｒ），タングステン（Ｗ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），鉄（Ｆｅ），コバルト（Ｃｏ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ），ネオジム（Ｎｄ）あるいはモリブデン（Ｍｏ）などの金属元素の単体または合金から構成されている。例えば、このような合金として、銀を主成分とし、０．３重量％〜１重量％のパラジウム（Ｐｄ）および０．３重量％〜１重量％の銅を含有するＡｇ−Ｐｄ−Ｃｕ合金や、Ａｌ−Ｎｄ合金を用いることができる。アルミニウム単体やアルミニウム合金のように、反射率が高くても、表面の酸化皮膜の存在や、仕事関数が大きくないことによる正孔注入障壁が問題となる材料においても、適切な正孔注入層を設けることによって第１電極１４として使用することが可能である。第１電極１４の表面に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）などの透明導電膜を設けるようにしてもよい。第１電極２１の厚みは例えば０．０１μｍ以上１μｍ以下である。
【００２５】
絶縁層２４は、第１電極２１と第２電極２２との間の絶縁性を確保すると共に、発光領域を所望の形状に成形するためのものであり、発光領域に対応して開口部２５が設けられている。この開口部２５に有機層２３が設けられている。絶縁層２４は、例えば、テーパ状となっており、第１電極２１から第２電極２２に向かうにつれて開口部２５が徐々に広がっている。絶縁層２４は、例えばＳｉＯ2等の無機絶縁材料または感光性樹脂材料等の有機絶縁材料により構成されている。無機絶縁材料と有機絶縁材料とを積層させるようにしてもよい。有機層２３は、開口部２５以外の部分（絶縁層２４上）に設けられていてもよいが、発光が生じるのは開口部２５のみである。
【００２６】
有機層２３は、例えば、図４Ａに示したように、第１電極２１側から正孔輸送層２３Ｂ、発光層２３Ａおよび電子輸送層２３Ｃをこの順に積層したものである。第１電極２１と正孔輸送層２３Ｂとの間に正孔注入層、電子輸送層２３Ｃと第２電極２２との間に電子注入層を設けるようにしてもよい（図示せず）。これらのうち、発光層２３Ａ以外の層は必要に応じて設けるようにすればよい。有機層２３は、例えば有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ毎に設けられている（図１）。有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに共通の有機層２３を設けて、例えば白色発光を行うことも可能である（図示せず）。正孔輸送層２３Ｂ、発光層２３Ａおよび電子輸送層２３Ｃの積層構造を一のタンデムユニットとして、各有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂに二以上のタンデムユニットを積層させるようにしてもよい。
【００２７】
正孔輸送層２３Ｂは、第１電極２１に生じた正孔を発光層２３Ａへ効率良く輸送するためのものであり、その厚みは例えば、１０ｎｍ〜２００ｎｍである。正孔輸送層２３Ｂには、例えば、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）を用いることできる。有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの正孔輸送層２３Ｂは、例えばいずれも同じ材料により構成されている。
【００２８】
発光層２３Ａは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。例えば、有機ＥＬ素子２０Ｒの発光層２３Ａが赤色，有機ＥＬ素子２０Ｇの発光層２３Ａが緑色，有機ＥＬ素子２０Ｂの発光層２３Ａが青色をそれぞれ発光する。発光層２３Ａの厚みは、例えば、１ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００２９】
有機ＥＬ素子２０Ｒの発光層２３Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス[（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル]−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００３０】
有機ＥＬ素子２０Ｇの発光層２３Ａは、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００３１】
有機ＥＬ素子２０Ｂの発光層２３Ａは、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス[２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル]ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００３２】
電子輸送層２３Ｃは、発光層２３Ａへの電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば、キノリン、ペリレン、フェナントロリン、フェナントレン、ピレン、ビススチリル、ピラジン、トリアゾール、オキサゾール、フラーレン、オキサジアゾール、フルオレノン、アントラセン、ナフタレン、ブタジエン、クマリン、アクリジン、スチルベンまたはこれらの誘導体や金属錯体により構成されている。電子輸送層２３Ｃの厚みは、例えば５ｎｍ〜３００ｎｍである。例えば、電子輸送層２３Ｃには、厚み２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（略称Ａｌｑ3）を用いることができる。有機ＥＬ素子２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂの電子輸送層２３Ｃは、例えばいずれも同じ材料により構成されている。
【００３３】
半透過・反射膜４０は、有機ＥＬ素子２０の共振器構造を構成するためのものであり、例えば全ての有機ＥＬ素子２０に共通して設けられている。詳細には、第１電極２１と有機層２３（図４Ａ  正孔輸送層２３Ｂ）との界面Ｐ１（第１界面）と半透過・反射膜４０と有機層２３（図４Ａ  電子輸送層２３Ｃ）との界面Ｐ２（第２界面）との間で、発光層２３Ａからの光が共振し、その一部が半透過・反射膜４０を介して第２電極２２から取り出される。有機ＥＬ素子２０がこのような共振構造を有することにより、発光層２３Ａで発生した光が多重干渉を起こし第２電極２２側から取り出される光のスペクトルの半値幅が減少する。即ち、正面方向における光放射強度を高め、発光の色純度を向上させることができる。また、対向基板３３側から入射した外光は、多重干渉が生じて減衰するため、その反射率が小さくなる。なお、半透過・反射膜４０を設けずに、表示装置１を構成するようにしてもよい。
【００３４】
界面Ｐ１から発光層２３Ａの最大発光位置までの光学的距離をＯＬ1、界面Ｐ２から最大発光位置までの光学的距離をＯＬ2としたとき、ＯＬ1，ＯＬ2は例えば以下の数１および数２を満たす。最大発光位置（最大発光位置Ｍ１）は、例えば、電子輸送層２３Ｃと発光層２３Ａとの界面である（図４Ａ）。最大発光位置（最大発光位置Ｍ２）は、図４Ｂに示したように、正孔輸送層２３Ｂと発光層２３Ａとの界面であってもよい。例えば、有機ＥＬ素子２０Ｒが最大発光位置Ｍ１、有機ＥＬ素子２０Ｇ，２０Ｂが最大発光位置Ｍ２となっている。
【００３５】
（数１）
０．７｛−Φ1／（２π）＋ｍ1｝≦２×OＬ1／λ≦１．２｛−Φ1／（２π）＋ｍ1｝
（数２）
０．７｛−Φ2／（２π）＋ｍ2｝≦２×OＬ2／λ≦１．２｛−Φ2／（２π）＋ｍ2｝
（数１および数２中、
ＯＬ1：界面Ｐ１から発光層２３Ａの最大発光位置までの光学的距離、
ＯＬ2：界面Ｐ２から最大発光位置までの光学的距離、
λ：発光層２３Ａで発生した光のスペクトルの最大ピーク波長、
Φ1：界面Ｐ１で生じる反射光の位相シフト量（単位  ラジアン）、
ただし、−２π＜Φ1≦０
Φ2：界面Ｐ２で生じる反射光の位相シフト量（単位  ラジアン）、
ただし、−２π＜Φ2≦０であり、
（ｍ1，ｍ2）の値は（０，０）、（１，０）または（０，１）のいずれかである。）
【００３６】
このように、有機ＥＬ素子２０の有機層２３、第１電極２１および半透過・反射膜４０により構成される光の干渉条件あるいは共振条件を規定することで、輝度、色度の視野角依存性を小さくすることができる。
【００３７】
半透過・反射膜４０は、例えば、アルカリ金属またはアルカリ土類金属と銀とを含有している。具体的には、半透過・反射膜４０はマグネシウム（Ｍｇ）と銀とを含んでおり、その体積比は例えばＭｇ：Ａｇ＝５：１〜３０：１である。半透過・反射膜４０は、マグネシウムとカルシウム（Ｃａ）とを含むようにしてもよく、その体積比は例えばＭｇ：Ｃａ＝２：１〜１０：１である。半透過・反射膜４０をアルミニウムあるいは銀により構成することも可能である。半透過・反射膜４０の厚みは、例えば１ｎｍ以上６ｎｍ以下である。
【００３８】
半透過・反射膜４０は、断線部４０Ａを有している。上記のように薄い膜厚（例えば１ｎｍ以上６ｎｍ以下）の半透過・反射膜４０は、絶縁層２４の側壁には成膜されにくく、例えば絶縁層２４の側壁に断線部４０Ａが設けられている。従って断線部４０Ａは、図５に示したように、開口部２５の周囲に存在する。
【００３９】
抵抗層５０は、有機層２３と第２電２２極との間、具体的には半透過・反射膜４０と第２電極２２との間に、支持基板１１上の表示領域１１０全面に渡って設けられ、第１電極２１および第２電極２２よりも電気抵抗が高くなっている。本実施の形態では、この抵抗層５０が酸化亜鉛（ＺｎＯ）を含有して構成されており、酸化亜鉛の結晶方位は複数の面指数の成分を含んでいる。詳細は後述するが、これにより、第１電極２１と第２電極２２との間の短絡をより確実に防止すると共に光取り出し効率を向上させることができる。抵抗層５０は電荷の輸送機能あるいは電荷の注入機能を備えている。抵抗層５０は、有機層２３と第２電極２２との間であればいずれの位置に設けられていてもよい。例えば、半透過・反射膜４０を設けずに表示装置１を構成する場合に、電子輸送層２３Ｃと第２電極２２との間に設けるようにしてもよい。また、電子輸送層２３Ｃを省略する場合には、発光層２３Ａと第２電極２２との間に設けることも可能である。
【００４０】
抵抗層５０に流れる電流は、一の有機ＥＬ素子２０全体に流れる電流の１／１０であることが好ましい。このような抵抗層５０の電気抵抗率は、例えば１×１０2Ω・ｍ以上１×１０6Ω・ｍ以下（１×１０4Ω・ｃｍ以上１×１０8Ω・ｃｍ以下）であり、抵抗層５０の厚みは、例えば０．１μｍ以上１０μｍ以下である。このうち、抵抗層５０の電気抵抗率が５×１０2Ω・ｍ以上５×１０4Ω・ｍ以下（５×１０4Ω・ｃｍ以上５×１０6Ω・ｃｍ以下）、抵抗層５０の厚みが０．１５μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。抵抗層５０には、上述のように酸化亜鉛が含有されており、この酸化亜鉛の結晶方位は例えば面指数で（００２）成分と（１０１）成分とを含んでいる。酸化亜鉛の結晶方位は、上記（００２）成分および（１０１）成分の他、例えば、（００１）または（２１２）であってもよく、これらのうちの２以上の成分を含んでいればよい。このように、酸化亜鉛の結晶方位が複数の面指数の成分を含むことにより、抵抗層５０の膜応力が低減され、有機層２３に確実に電圧印加を行うことができる。（００２）成分に対する（１０１）成分の比（（１０１）／（００２））は、５％以上であることが好ましく、１５％以上であることがより好ましい。（００２）成分に対して（１０１）成分が５％以上含まれることにより、抵抗層５０の膜応力を抑え、有機ＥＬ素子２０を確実に発光させることができる。酸化亜鉛は、例えば酸化ニオブ（Ｎｂ2Ｏ5）等の他の高抵抗材料よりも、有機層２３に近い光学特性を有するため、発光層２３Ａで発生した光の取り出し効率が向上し、消費電力を抑えることが可能となる。抵抗層５０には酸化亜鉛が３０％以上含まれることが好ましい。
【００４１】
抵抗層５０は、酸化亜鉛と共に光学特性の向上あるいは抵抗率の調整のための添加剤を含んでいることが好ましい。このような添加剤の成分は、例えば、遷移金属元素，半金属元素あるいは原子番号３０以下の軽元素等であり、具体的には、スズ（Ｓｎ），インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），タリウム（Ｔｌ），ビスマス（Ｂｉ）あるいは鉛（Ｐｂ）等が挙げられる。このうち、マグネシウム、アルミニウムおよびシリコンを含むことが好ましい。抵抗層５０にこれらの元素が複数含まれていてもよい。抵抗層５０は、このような添加剤を例えば１０％〜２０％程度含んでいる。抵抗層５０はアモルファスな膜であってもよい。抵抗層５０が緻密で透水性の低い膜であれば、後述の保護層３１を設けずに表示装置１を構成することも可能である。
【００４２】
半透過・反射膜４０と抵抗層５０との間には、更に有機層を設けることも可能である（図示せず）。この有機層は、発光層を含むものであってもよい。
【００４３】
第２電極２２は、第１電極２１と絶縁された状態で抵抗層５０上に設けられており、全ての有機ＥＬ素子２０に共通している。この第２電極２２は、光透過性の透明材料からなり、例えば、ＩＴＯ，ＩＺＯ，酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）により構成されている。第２電極２２には、例えば体積抵抗率が１Ω・ｍ（１００Ω・ｃｍ）以下の材料、例えばＩＴＯを用いることが好ましい。第２電極２２の厚みは例えば５００ｎｍである。
【００４４】
保護層３１は、発光層２３Ａで発生した光に対して透明であり、かつ、緻密で透水性の低い材料により構成することが好ましい。このような材料として、例えば、アモルファスシリコン（α−シリコン），アモルファス炭化シリコン（α−ＳｉＣ），アモルファス窒化シリコン（α−Ｓｉ1-XＮx），アモルファス酸化シリコン（α−Ｓｉ1-yＯy），アモルファスカーボン（α−Ｃ），アモルファス酸化・窒化シリコンあるいは酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）等が挙げられる。
【００４５】
接着層３２には、例えばアクリル系接着剤，エポキシ系接着剤，ウレタン系接着剤，シリコーン系接着剤およびシアノアクリレート系接着剤等の熱硬化型接着剤あるいは紫外光硬化型接着剤等を用いることができる。
【００４６】
対向基板３３は、有機ＥＬ素子２０の第２電極２２の側に位置し、接着層３２と共に有機ＥＬ素子２０を封止するものである。対向基板３３には、発光層２３Ａで発生する光に対して透明であれば、上述の支持基板１１と同様の材料を用いることができる。対向基板３３には、例えば、カラーフィルタおよびブラックマトリクスとしての遮光膜（いずれも図示せず）を設けるようにしてもよい。
【００４７】
［表示装置１の製造方法］
このような表示装置１は、例えば以下のようにして製造することができる（図６Ａ〜図８Ｂ）。
【００４８】
まず、支持基板１１にＴＦＴ１０Ｔを形成する。具体的には、支持基板１１上にパターン状のゲート電極１２を設けた後、このゲート電極１２を覆うようにしてゲート絶縁膜１３および半導体層をこの順に成膜する。こののち、半導体層にチャネル領域１５およびソース・ドレイン領域１４Ａ，１４Ｂを設けることによりＴＦＴ１０Ｔが形成される。次いで、ＴＦＴ１０Ｔ上に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により酸化シリコンを成膜した後、フォトリソグラフィおよびエッチングを用いて酸化シリコン膜に接続孔を設け、層間絶縁層１６Ａを形成する（図６Ａ）。
【００４９】
続いて、層間絶縁層１６Ａ上に例えば真空蒸着法によりアルミニウムを成膜した後、これをエッチングして配線１７を形成する。配線１７は、層間絶縁層１６Ａに設けたコンタクトにより半導体層のソース・ドレイン領域１４，１４Ｂに電気的に接続しておく。配線１７を設けた後、図６Ｂに示したように、例えば酸化シリコンからなる層間絶縁層１６Ｂを形成する。層間絶縁層１６Ｂは、例えば層間絶縁層１６Ａと同様の方法を用いて形成する。層間絶縁層１６Ｂには、配線１７の一部に対向する位置に接続孔を設けておく。
【００５０】
層間絶縁層１６Ｂを設けた後、例えば、真空蒸着法によりＡｌ−Ｎｄ合金を成膜し、これをエッチングして、パターン状の第１電極２１を形成する（図６Ｃ）。第１電極２１は、層間絶縁層１６Ｂに設けたコンタクトにより配線１７に電気的に接続しておく。次いで、例えばスピンコーティング法により厚み１μｍのポリイミドからなる絶縁層２４を形成した後、第１電極２１の少なくとも一部を露出させるよう絶縁層２４をエッチングして開口部２５を設ける（図７Ａ）。
【００５１】
続いて、図７Ｂに示したように、例えば真空蒸着法を用いて、開口部２５に有機ＥＬ素子１０毎に正孔輸送層２３Ｂ、発光層２３Ａおよび電子輸送層２３Ｃをこの順に成膜し、有機層２３を形成する。次いで、表示領域１１０（図２）の全面に例えば真空蒸着法を用いて、平均膜厚５ｎｍのＭｇ−Ａｇ（体積比  Ｍｇ：Ａｇ＝１０：１）からなる半透過・反射膜４０を成膜する（図８Ａ）。半透過・反射膜４０に断線部４０Ａを設けるため、比較的低い圧力、例えば１×１０-3Ｐａ以下で半透過・反射膜４０を成膜することが好ましい。このとき、有機層２３と同一の真空蒸着装置内で有機層２３と連続して半透過・反射膜４０を形成することにより、大気中の水分や酸素による有機層２３の劣化を防ぐことができる。
【００５２】
半透過・反射膜４０を設けた後、半透過・反射膜４０上に酸化亜鉛を含む抵抗層５０を形成する。この抵抗層５０は、例えば、厚み０．５μｍ、電気抵抗率１×１０4Ω・ｍ（１×１０6Ω・ｃｍ）である。カバレッジを良くするため、比較的高い圧力、例えば、０．１Ｐａ以上１０Ｐａ以下で成膜することが好ましい。
【００５３】
抵抗層５０に含有される酸化亜鉛の結晶方位が複数の面指数の成分、例えば、（００２）成分と共に（１０１）成分を含むようにするため、酸化亜鉛が過度に結晶化されないように抵抗層５０を成膜することが好ましい。例えば、スパッタリング法を用いて抵抗層５０を形成する場合、制限板を使用することによりエネルギーの高いスパッタ粒子が削減され、過度の結晶化を防ぐことができる。あるいは、スパッタ粒子が基板に到達するまでの間にスパッタ粒子とキャリアガス分子との衝突が５回以上なされるように設定するようにしてもよい。具体的には、まず、基板回転式スパッタリング成膜装置を用い、ターゲットから極めて近距離の位置に制限板を設ける。次いで、アルゴン（Ａｒ）に対して１．５％の酸素（Ｏ2）を導入し、例えばチャンバー圧力０．７Ｐａで抵抗層５０を成膜する。チャンバー圧力は、スパッタ粒子が基板に到達するまでの間にキャリアガス分子と５回以上衝突するように調整する。これにより、例えば（００２）成分に対する（１０１）成分の比が１０％の結晶方位を有する酸化亜鉛が成膜される。上述のように、添加剤を混合して抵抗層５０を形成するようにしてもよい。
【００５４】
抵抗層５０を設けた後、抵抗層５０上に例えばＩＴＯからなる厚み０．５μｍの第２電極２２を形成する（図８Ｂ）。この第２電極２２の電気抵抗率は、例えば１Ω・ｍ（１００Ω・ｃｍ）である。第２電極２２は、例えば、真空蒸着法，スパッタリング法またはイオンプレーティング法等を用いて成膜する。
【００５５】
続いて、支持基板１１の全面に例えばＣＶＤ法またはスパッタリング法により保護層３１を形成する。そののち、保護層３１の上に接着層３２を間にして対向基板３３を貼り合わせる。具体的には、支持基板１１（保護層３１）の周縁に、シール剤（図示せず）を設けた後、このシール剤の内側に接着層３２を充填して対向基板３３を貼り合わせる（ＯＤＦ法:One Drop Fill）。この接着層３２を、例えば加熱し、対向基板３３を支持基板１１に固定する。接着層３２を対向基板３３側に設けるようにしてもよく、あるいはシート状の接着層３２を用いるようにしてもよい。以上により、図１乃至図３に示した表示装置１が完成する。
【００５６】
［表示装置１の作用・効果］
この表示装置１では、各有機ＥＬ素子２０（２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ）に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０からは、画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御され、これにより、有機ＥＬ素子２０に駆動電流Ｉｄが注入され、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極２１（界面Ｐ１）と半透過・反射膜４０（界面Ｐ２）との間で多重反射し、半透過・反射膜４０、抵抗層５０、第２電極２２および対向基板３３を透過して取り出される。このような共振器構造を備えることにより、第２電極２２を透過して射出される光が共振の中心波長付近になるため、表示光の色純度が向上すると共に、その光強度も向上する。
【００５７】
ここでは、第１電極２１と第２電極２２との間、具体的には、半透過・反射膜４０と第２電極２２との間に、酸化亜鉛を含む抵抗層５０が設けられている。これにより、第１電極２１と第２電極２２との間の短絡をより確実に防止すると共に光取り出し効率を向上させることができる。以下、これについて詳細に説明する。
【００５８】
表示装置１を製造する際には、図９に示したように、第１電極２１上に異物Ｆが付着する虞がある。この異物Ｆにより有機層２３のカバレッジが不完全となり、異物Ｆの近傍には有機層２３の成膜されない領域が生じる。異物Ｆ以外の要因、例えば第１電極２１の表面の一部の隆起等によっても、有機層２３の成膜されない領域が生じる。このような領域では有機層２３の上部の半透過・反射膜４０も、その膜厚が小さいため段切れが生じる。従って、抵抗層の設けられていない表示装置では、異物Ｆの近傍で第１電極と第２電極との短絡が生じ、表示品質が低下する。これに対し、特許文献２（ボトムエミッション型）では、アノード電極と有機層との間に酸化インジウム系化合物からなる抵抗層を設ける方法が提案されている。また、特許文献３（トップエミッション型）ではアノード電極の一部を、特許文献４（ボトムエミッション型）ではカソード電極の一部をそれぞれ高抵抗化する方法が開示されている。しかしながらこれらの方法では、上述のように、未だ短絡による欠陥素子の発生を十分に防ぐことができない。
【００５９】
本実施の形態では半透過・反射膜４０と第２電極２２との間に酸化亜鉛を含む抵抗層５０が設けられているので、異物Ｆの近傍ではこの抵抗層５０が第１電極２１と第２電極２２との間に介在する。従って、第１電極２１と第２電極２２とが直接接することがなく、異物Ｆの近傍への過剰な電流の集中を防いで有機ＥＬ素子２０の有機層２３全面に電圧を印加することができる。よって、第１電極２１と第２電極２２との間の短絡の発生をより確実に防ぐことができる。なお、半透過・反射膜４０がない場合であっても、抵抗層５０は十分な電荷輸送層を有しており、第２電極２２から有機層２３に確実に電圧が印加される。
【００６０】
第１電極と第２電極との間の抵抗層を例えば酸化ニオブ等の高抵抗材料を主成分として構成することも考えられる（例えば、特許文献５，６）。ここで、酸化ニオブと酸化亜鉛の光学特性を比較する。酸化ニオブを主成分とした抵抗層では、波長６３３ｎｍでの屈折率（ｎ）が２．３以上２．４以下、波長４５０ｎｍでの消衰係数（ｋ）が０．００５以下である。一方、酸化亜鉛を主成分とした抵抗層５０では、波長６３３ｎｍでの屈折率（ｎ）が１．８以上１．９以下、波長４５０ｎｍでの消衰係数（ｋ）が０．００１以下である。即ち、抵抗層５０に酸化亜鉛を含有させることにより、有機層２３と抵抗層５０との光学特性が近づき、表示装置１の光取り出し効率を向上させることができる。よって、省電力化することが可能となる。また、色度視野角依存性も低減する。
【００６１】
しかしながら、酸化亜鉛の結晶方位が例えば面指数で（００２）成分のみ等、単一の成分である場合、抵抗層の膜応力が大きくなる。これにより、抵抗層を均一に成膜することができず、有機層と抵抗層との間で膜剥がれが生じる虞がある。均一な成膜は表示装置が大型になるほど困難となる。製造効率を上げるため、大型の装置により小型のディスプレイを製造する場合も同様である。抵抗層の膜剥がれは有機層を破壊し、有機ＥＬ素子の正常な発光を妨げる。
【００６２】
表示装置１では、抵抗層５０の酸化亜鉛の結晶方位が、複数の面指数の成分を含んでいるため、抵抗層５０の膜応力が低減される。従って、抵抗層５０を面内で均一に成膜して膜剥がれを防ぎ、有機層２３に確実に電圧を印加することができる。
【００６３】
図１０は、結晶方位が面指数で（００２）成分と（１０１）成分とを含む抵抗層５０（酸化亜鉛）、および（００２）成分のみの抵抗層１５０（酸化亜鉛）それぞれを、Ｘ線回折法を用いて測定した結果を表すものである。抵抗層１５０のピークが１つ（２θ：３４°付近）であるのに対し、抵抗層５０では２つのピーク（２θ：３４°および３６°付近）が観測された。
【００６４】
図１１に（００２）成分に対する（１０１）成分の比（（１０１）／（００２））と応力との関係を表す。なお、（１０１）／（００２）はＸ線解析のピーク強度の比から求めた。この図より、（１０１）成分が増加するにつれて応力が小さくなっていくことがわかる。（１０１）／（００２）が５％（０．００５）未満、即ち応力の絶対値が−４００ＭＰａよりも大きくなる膜では、欠陥有機ＥＬ素子が目立つのに対し、（１０１）／（００２）が５％以上では、ほぼ全ての有機ＥＬ素子２０が正常に発光する。応力の絶対値が−２５０ＭＰａよりも小さく、ストレスフリーな膜（（１０１）／（００２）が１５％以上）で、より確実に全ての有機ＥＬ素子２０を正常に発光させることができる。欠陥有機ＥＬ素子の割合は、酸化亜鉛の結晶方位が面指数で（００２）のみの場合３０％以上、（１０１）／（００２）が１．９％のとき０．１９２９％、（１０１）／（００２）が１７．１％のとき０．００９６％、（１０１）／（００２）が４６．２％のとき０．００３９％であった。
【００６５】
以上のように、本実施の形態では、第１電極２１と第２電極２２との酸化亜鉛を含む抵抗層５０を設け、酸化亜鉛の結晶方位が面指数で複数成分を含むようにしたので、第１電極２１と第２電極２２との間の短絡をより確実に防止すると共に光取り出し効率を向上させることができる。
【００６６】
以下、上記実施の形態の変形例について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００６７】
＜変形例１＞
図１２は、変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ａは、抵抗層５０と第２電極２２との間に導電性樹脂層６０を有するものである。この点を除き、表示装置１Ａは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００６８】
導電性樹脂層６０は、第２電極２２と抵抗層５０との間の導通を補助するものである。この導電性樹脂層６０の電気抵抗率は例えば、１×１０-4Ω・ｍ以上１×１０2Ω・ｍ以下（１×１０-2Ω・ｃｍ以上１×１０4Ω・ｃｍ以下）であり、その厚みは１μｍ以上１００μｍ以下である。導電性樹脂層６０には、例えば、樹脂材料に導電性高分子を含有させたものを用いることができる。樹脂材料としては、例えばアクリル系，エポキシ系，ウレタン系，シリコーン系およびシアノアクリレート系樹脂等の熱硬化型樹脂あるいは紫外光硬化樹脂等が挙げられ、導電性高分子としては例えばポリピロール，ポリエーテル，ポリアニリンおよびポリチオフェン等が挙げられる。導電性樹脂層６０をコポリマーにより構成するようにしてもよい。コポリマーは、例えばアクリル系，エポキシ系，ウレタン系，シリコーン系またはシアノアクリレート系ポリマーに、ピロールまたはチオフェン等の導電性ポリマーを共重合させて形成する。
【００６９】
導電性樹脂層６０を有する表示装置１Ａでは、保護層３１および接着層３２を省略するようにしてもよい（図１２）。このような表示装置１Ａでは、第２電極２２が設けられた対向基板３３と、有機層２３が設けられた支持基板１１とを貼り合わせることにより製造することが可能となる。即ち、有機層２３上に第２電極２２を形成する工程を省略することができるため、有機層２３の劣化を防ぐことができる。また、より高品質の第２電極２２を形成することも可能となる。
【００７０】
＜変形例２＞
図１３は、変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｂは補助電極７０を有するものである。この補助電極７０は、第２電極２２と外部回路とを電気的に接続している。この点を除き、表示装置１Ｂは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７１】
補助電極７０は、例えば接着層３２に設けられた導電性のリブ７１により第２電極２２に電気的に接続されている。リブ７２は、例えばポリイミド樹脂またはアクリル樹脂等からなるリブの表面に、導電性材料膜が設けられたものである。導電性材料膜としては、例えば、アルミニウム，銀，銅，チタン，タングステン，タンタル，モリブデン，ＩＴＯ，ＩＺＯあるいは酸化スズ等を用いることができる。リブ７１の高さは例えば５μｍである。補助電極７０は、例えば、厚みは１μｍのアルミニウムにより構成されている。
【００７２】
＜変形例３＞
図１４は、変形例３に係る表示装置（表示装置１Ｃ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｃは、取り出し電極８０を有するものである。この取り出し電極８０は、第２電極２２と外部回路を接続している。この点を除き、表示装置１Ｃは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７３】
取り出し電極８０は、図１５に示したように、例えば対向基板３３の周縁に額縁状に設けられ、その一部は、第２電極２２と重なっている（重畳部８０Ａ）。取り出し電極８０は、例えばチタンにより構成されている。取り出し電極８０を、支持基板１１側に設けることも可能である（図１６）。
【００７４】
（モジュールおよび適用例）
以下、上記実施の形態で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００７５】
（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ（以下、表示装置１と表す）は、例えば、図１７に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、支持基板１１の一辺に、保護層３１および対向基板３３から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００７６】
（適用例１）
図１８は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７７】
（適用例２）
図１９Ａ，１９Ｂは、上記実施の形態等の表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７８】
（適用例３）
図２０は、上記実施の形態等の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００７９】
（適用例４）
図２１は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８０】
（適用例５）
図２２Ａ，２２Ｂは、上記実施の形態の表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８１】
（適用例６）
図２３は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるスマートフォン（多機能電話）の外観を表したものである。このスマートフォンは、例えば、表示部８１０および非表示部８２０により構成され、表示部８１０で操作可能、即ち、表示部８１０にタッチパネルを有している。この表示部８１０が上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８２】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００８３】
また、上記実施の形態等においては、有機層２３の発光層２３Ａが赤色，緑色および青色の光を発生させる場合について説明したが、発光色は白色や黄色等の他の色であってもよい。また、例えば、上記実施の形態では、駆動方式がアクティブマトリクス方式の表示装置について説明したが、パッシブマトリクス方式の表示装置としてもよい。
【００８４】
更に、上記実施の形態等では、第１電極２１を陽極、第２電極２２を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極２１を陰極、第２電極２２を陽極としてもよい。加えて、支持基板１１側から光を取り出すようにしてもよい（ボトムエミッション型）。
【００８５】
また更に、本技術は共振構造を有していない表示装置にも適用可能である。
【００８６】
また加えて、上記実施の形態等では、第１電極２１と第２電極２２との間の抵抗層５０が酸化亜鉛を含む場合について説明したが、第２電極２２が酸化亜鉛を含むようにしてもよい。この酸化亜鉛の結晶方位は複数の面指数の成分を含んでいる。これにより、第２電極２２の応力が緩和され、大型の表示装置（ディスプレイ）であってもより安定して、その全面を点灯させることが可能となる。
【００８７】
なお、本技術は以下の様な構成をとることも可能である。
（１）第１電極、発光層を含む有機層、酸化亜鉛を含む抵抗層および第２電極をこの順に有し、前記酸化亜鉛の結晶方位は複数の面指数の成分を含む発光素子。
（２）前記酸化亜鉛の結晶方位は、（００２）成分とこれ以外の少なくとも一の成分とを含む前記（１）に記載の発光素子。
（３）前記酸化亜鉛の結晶方位は、（００２）成分と（１０１）成分とを含む前記（１）または（２）に記載の発光素子。
（４）前記酸化亜鉛の、（００２）成分に対する（１０１）成分の比（（１０１）／（００２））は５％以上である前記（３）に記載の発光素子。
（５）前記抵抗層の体積抵抗率は、１×１０2Ω・ｍ以上１×１０6Ω・ｍ以下であり、その厚みは０．１μｍ以上１０μｍ以下である前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載の発光素子。
（６）前記抵抗層の体積抵抗率は、５×１０2Ω・ｍ以上５×１０4Ω・ｍ以下であり、その厚みは０．１５μｍ以上１μｍ以下である前記（１）乃至（５）のうちいずれか１つに記載の発光素子。
（７）前記酸化亜鉛は、Ｘ線回折で複数のピークを有する前記（１）乃至（６）のうちいずれか１つに記載の発光素子。
（８）前記抵抗層は、前記酸化亜鉛と共に添加剤を含む前記（１）乃至（７）のうちいずれか１つに記載の発光素子。
（９）前記添加剤は、スズ（Ｓｎ），インジウム（Ｉｎ），ガリウム（Ｇａ），マグネシウム（Ｍｇ），カルシウム（Ｃａ），アルミニウム（Ａｌ），シリコン（Ｓｉ），タリウム（Ｔｌ），ビスマス（Ｂｉ）および鉛（Ｐｂ）のうちの少なくとも１の元素を含む前記（８）に記載の発光素子。
（１０）前記抵抗層と有機層との間に半透過・反射膜を有し、前記発光層からの光は、前記第１電極と有機層との第１界面と前記半透過・反射膜と有機層との第２界面との間で共振する前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の発光素子。
（１１）複数の発光素子を有し、前記発光素子は、第１電極、発光層を含む有機層、酸化亜鉛を含む抵抗層および第２電極をこの順に有し、前記酸化亜鉛の結晶方位は複数の面指数の成分を含む表示装置。
（１２）表示装置を備え、前記表示装置は、複数の発光素子を有し、前記発光素子は、第１電極、発光層を含む有機層、酸化亜鉛を含む抵抗層および第２電極をこの順に有し、前記酸化亜鉛の結晶方位は複数の面指数の成分を含む電子機器。
【符号の説明】
【００８８】
１，１Ａ，１Ｂ…表示装置、１１…支持基板、１２…ゲート電極、１３…ゲート絶縁膜、１４Ａ，１４Ｂ…ソース・ドレイン領域、１５…チャネル領域、１６Ａ，１６Ｂ…層間絶縁層、１７…配線、１０Ｔ…ＴＦＴ、２０，２０Ｒ，２０Ｇ，２０Ｂ…有機ＥＬ素子、２１…第１電極、２２…第２電極、２３…有機層、２３Ａ…発光層、２３Ｂ…正孔輸送層、２３Ｃ…電子輸送層、２４…絶縁層、２５…開口部、３１…保護層、３２…接着層、３３…対向基板、４０…半透過・反射膜、４０Ａ…断線部、５０…抵抗層、６０…導電性樹脂層、７０…補助電極、７１…リブ、８０…取り出し電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６Ａ】
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【図６Ｂ】
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【図６Ｃ】
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【図７Ａ】
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【図７Ｂ】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２Ａ】
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【図２２Ｂ】
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【図２３】
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