(57)【要約】【課題】  三次元的に形成されたインサート装置上に有機半導体トランジスタを形成するための方法及び装置を提供する。【解決手段】  いくつかの実施形態において、本発明は、眼用レンズに組み込むために、有機半導体ベースの薄膜トランジスタ、電気的相互接続、及び通電素子を備える三次元表面を、インサートに組み込むことを含む。いくつかの実施形態において、形成されたインサートは、眼用装置として直接使用されるか、又は眼用装置に組み込まれてもよい。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
眼用装置の形成方法であって、
基材上に有機半導体層を堆積することと、
前記基材をインサート部品に分割することであって、各インサート部品は有機半導体を含む、ことと、
インサート部品を、眼用レンズインサート上に取り付けることと、
前記眼用レンズインサートの周囲に封入層を形成することとを含む、方法。
【請求項２】
前記基材は、シリコンウェハである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記封入層は、パラレンである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記封入層は、前記レンズインサートの周囲にヒドロゲルを形成する、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
前記基材上に少なくとも第１ゲート導体を形成することを更に含む、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第１ゲート導体と電気的に連絡する通電素子を前記基材上に堆積することを更に含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記通電素子は、電気化学セルである、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記有機半導体層は、ｎ型有機半導体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記有機半導体層は、ｐ型有機半導体を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記有機半導体層は、ｎ型有機半導体、ｐ型有機半導体、及びこれらの組み合わせを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ｎ型有機半導体層は、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１５ＣｕＰｃ）を含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１２】
前記ｐ型有機半導体層は、ペンタセンを含む、請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記通電素子は、少なくとも一部が直列で接続される、２つ以上の電気化学セルから構成される、請求項６に記載の方法。
【請求項１４】
前記第１ゲート導体は、透明電極を含む、請求項５に記載の方法。
【請求項１５】
前記透明電極は、酸化インジウムスズを含む、請求項１４に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、眼用装置インサート構成要素上に、有機半導体トランジスタを形成するための装置及び方法を記載する。いくつかの実施形態において、三次元形状を有する、基材上に生じる、表面上の眼用装置形状内に、有機半導体トランジスタを構成するための方法及び装置である。いくつかの実施形態において、このような方法及び装置を使用する分野は、通電要素、インサート、及び有機半導体装置を組み込む眼用装置を含んでもよい。
【背景技術】
【０００２】
従来より、コンタクトレンズ、眼内レンズ、又は涙点プラグなどの眼科用装置には、矯正的、美容的、又は治療的性質を有する生体適合性装置が含まれていた。コンタクトレンズは、例えば、視力矯正機能、美容強化、及び治療効果のうちの１つ又は２つ以上を提供することができる。それぞれの機能は、レンズの物理的特性によって与えられる。レンズに屈折性質を組み込む設計は、視力矯正機能を提供することができる。レンズに組み込まれる顔料は、美容強化を提供することができる。レンズに組み込まれる活性薬剤は、治療的機能を提供することができる。こうした物理的特性は、レンズが励起された状態となることなく実現される。受動的装置として従来より涙点プラグがある。
【０００３】
更に近年では、コンタクトレンズに能動的要素を組み込み得ることが理論化されている。いくつかの構成要素は、半導体装置を含むことができる。動物の目に入れられるコンタクトレンズに埋め込まれた半導体装置を示したいくつかの例がある。こうした能動的要素をレンズ構造自体の内部で励起及び活性化する多くの方法についても、これまでに述べられている。レンズ構造によって画定される空間のトポロジー及びサイズにより、異なる機能の定義に対する新規かつ困難な環境が生じる。多くの実施形態において、眼科用デバイスの内部の構成要素を通電するための信頼できるコンパクトでコスト効果の優れた手段を提供することは重要である。いくつかの実施形態において、これらの通電素子は、ひいては「アルカリ」電池系化学から形成され得る、電池を含み得る。電気エネルギーを使用する他の構成要素が、これらの通電要素に接続されてもよい。いくつかの実施形態において、これらの他の構成要素は、回路機能を実行するために、トランジスタを含んでもよい。このような有機装置内に半導体装置を含めることが望ましい場合がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
したがって、本発明は、三次元形状を含んでもよく、かつ眼用装置に挿入され得る、１つ又は２つ以上の眼用レンズインサート表面の上に有機半導体トランジスタを画定する方法及び装置を含む。いくつかの実施形態では、通電され、眼科用装置内へ組み込まれ得る眼用レンズインサートが提供される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
いくつかの実施形態において、基材上に有機半導体層を堆積することと、基材をインサート部品へと分割することであって、各インサート部品は有機半導体を含むことと、インサート部品を眼用レンズインサートへと取り付けることと、眼用レンズインサートの周囲の封入層を形成することとを含む、眼用装置を形成する方法が開示される。
【０００６】
いくつかの実施形態において、基材はシリコンウェハである。いくつかの実施形態において、封入層はパラレンである。いくつかの他の実施形態において、封入層は、レンズインサートの周囲にヒドロゲルを形成する。
【０００７】
いくつかの実施形態において、基材上に第１ゲート導体を形成する方法が開示される。いくつかの実施形態において、更に、第１ゲート導体と電気的に連絡する基材上に、通電素子を堆積する方法が開示される。いくつかの実施形態において、通電素子は、電気化学セルである。
【０００８】
いくつかの実施形態において、有機半導体層は、ｎ型有機半導体を含む。いくつかの実施形態において、有機半導体層は、ｐ型有機半導体を含む。いくつかの実施形態において、有機半導体層は、ｎ型有機半導体、ｐ型有機半導体、及びこれらの組み合わせを含む。いくつかの実施形態において、ｎ型有機半導体層は、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１５ＣｕＰｃ）を含む。いくつかの実施形態において、ｐ型有機半導体層は、ペンタセンを含む。
【０００９】
いくつかの実施形態において、通電素子は、２つ以上の電気化学セルから構成され、これらは、少なくとも一部が直列で接続される。いくつかの実施形態において、第１ゲート導体は、透明な電極を含む。いくつかの実施形態において、透明電極は、酸化インジウムスズを含む。
【００１０】
いくつかの実施形態において、眼用レンズインサートは、三次元形状を生じる多くの方法で形成され得、その上に、有機半導体トランジスタ及び他の電気装置が形成される。電気装置の非限定的な例としては、抵抗器、コンデンサ、ダイオード、インダクタ、及び同様のこのような装置を含む。その後、通電素子は、これらの有機半導体装置と接触するように、又はその上に形成され得る。いくつかの実施形態において、通電素子は、電池に関する化学を含むフィルムを電気的相互接続へと適用することによって形成され得る。いくつかの他の実施形態において、通電素子はまた、有機半導体装置の回路を形成するために使用され得る。関連する実施形態において、この適用は、針又は他の適用ツールを使用して、化学物質の混合物を適用し得る印刷プロセスによって実行され得る。
【００１１】
眼用レンズは、三次元的に形成された眼用インサートを、重合化した材料内に封入することによって形成され得る。レンズを形成する方法は、成形部品の間の反応性混合物を重合することを含んでもよく、重合前に眼用インサートが配置される。いくつかの実施形態において、多くの機能的構成要素又は区域が、眼用インサート内に位置する。いくつかの実施形態において、インサートは、有機半導体層から形成される、少なくとも１つのトランジスタを含み得る。他の一般的な要素としては、導電性配線、通電要素、起動要素、及び能動的眼用装置が挙げられるがこれらに限定されない。能動的眼用装置は、眼用レンズを通過する光の焦合特性を動的に変更することが可能であり得る。焦合特性を動的に変更できる構成要素の非限定的な例としては、液体メニスカスレンズ要素が挙げられる。起動要素の非限定的な例としては、感圧スイッチ、及び磁場センサーが挙げられる。磁場センサーの非限定的な実施例としては、ホール効果センサー、写真検出器、音声検出器、及びＲＦ信号などの電磁信号を検出することができる他の装置が挙げられる。
【００１２】
いくつかの実施形態において、有機半導体装置は、ｎ型有機半導体層から形成され得る。他の実施形態において、有機半導体装置はｐ型有機半導体層から形成され得る。更に他の例は、ｐ型及びｎ型有機半導体層の両方の装置を含み得る。
【００１３】
いくつかの実施形態において、導電性配線は、いくつかの例として、銀、金、アルミニウム、及び銅のフィルムを含む、様々な金属製層から形成され得る。他の導電性配線は、例えば、酸化インジウムスズが挙げられるがこれらに限定されない透明な材料から形成され得る。いくつかの実施形態において、通電素子は、導電性配線上に位置するか、又は導電性配線に接続され得る。通電素子の非限定的な例は、電池であり得る。いくつかの実施形態において、電池は、様々なリチウム電池プロセスが挙げられるか、これに限定されない、ソリッドステートプロセスから形成され得る。いくつかの実施形態において、アルカリ型電気化学セルが挙げられるがこれらに限定されない、湿電池タイプの配合により形成され得る。
【００１４】
いくつかの実施形態において、これらの方法で形成された眼用レンズは、新しい種類の眼用装置を形成する。いくつかの実施形態において、眼用装置内に組み込まれたインサート装置は新しい。いくつかの他の実施形態において、有機半導体装置を含む眼用装置を製造する新しい方法が記載される。薄膜有機半導体装置は、電極、誘電体、絶縁体、及び有機半導体の層をパターンを伴って画定することにより形成され得る。いくつかの他の実施形態において、生じる装置は、三次元特徴を備える、眼用インサート表面上に形成され得る。いくつかの他の実施形態において、薄膜有機半導体装置は、有機半導体装置の形成後に、三次元形状に形成され得る。いくつかの実施形態において、有機半導体装置を含む形成された回路はまた、ハンダ及び導電性接着剤が挙げられるがこれらに限定されない、様々な手段により、三次元インサート表面に、導電性を有するように取り付けられてもよい。
【００１５】
いくつかの実施形態において、有機半導体装置を含むインサートは、導電性配線及び通電素子を形成するように更に加工されてもよい。あるいは、いくつかの他の実施形態において、導電性配線及び通電素子は、有機半導体装置を三次元インサートへと含める前に形成されてもよい。
【００１６】
いくつかの実施形態において、要素の様々な組み合わせが新しい実施形態を規定してもよい。いくつかの実施形態において、より高い電位を有する通電素子が、個別の電気化学セルの直列の組み合わせにより形成されてもよい。より高い電位の通電素子は、感圧接触スイッチが挙げられるがこれらに限定されない、多くの起動素子に通電をもたらし得る。加えて、より高い電位の通電素子は、有機半導体回路への通電をもたらしてもよい。いくつかの実施形態において、要素の新しい組み合わせは、眼用装置及びこれらを形成する方法を規定することができ、この装置は、比較的低い温度において、プラスチックなどの基材上で、形成される有機半導体の能力のために、より単純な製造プロセスを有する。同様に、有機半導体に基づく、薄膜トランジスタ及び他の電気装置の性質は、インサートの形成の他のプロセスの態様と相まって、薄い眼用装置を使用可能にし得る。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】発明者の他の関連する開示と適合するものとして、その上に有機半導体装置が画定され得る、三次元表面を備える代表的基材を例示する。
【図２】有機半導体装置の形成と適合し得る、三次元表面の形成の、代表的なフローを例示する。
【図３】少なくとも２つの導電性位置における、導電性配線を備える、三次元的に形成されたインサート装置と接続された、集積回路装置を例示する。
【図４】眼用装置に含めるために有用であり得る、相補的なｎ及びｐ型有機半導体装置の形成のための、プロセスフロー工程の代表的なセットを例示する。
【図５】後に眼用装置に含めることと適合する、相補的な有機半導体装置の形成のための代表的なプロセスフローを例示する。
【図６】図５において代表的な方法で参照される、プロセスフローの眼用装置へと更に加工するための、代表的な方法を例示する。
【図７】図５において代表的な方法で参照される、プロセスフローの眼用装置へと更に加工するための、別の代表的な方法を例示する。
【図８】眼用装置に含められた有機半導体を使用した、代表的な電子回路を例示する。
【図９】図８の回路素子を含む、インサート装置の図を例示する。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明は、眼用インサート構造体上に、有機半導体装置を形成するための装置及び方法に関する。いくつかの実施形態において、インサート構造体は、三次元トポグラフィを有する表面を有し得る。以下のセクションでは、本発明の実施形態の「発明を実施するための形態」が記載される。好ましい実施形態及び代替の実施形態の両方の説明は、代表的な実施形態に過ぎず、変形、修正、及び代替が当業者にとって明白であり得ることが理解される。したがって、これらの代表的な実施形態は基礎をなす発明の範囲を制限しない点は理解されなければならない。
【００１９】
用語集
本発明を対象としたこの説明及び特許請求の範囲においては、以下の定義が適用される様々な用語が用いられ得る。
封入する：本明細書において使用するとき、例えば、メディアインサートなどの物体を、この物体と隣接する環境から分離するために、障壁を形成することを指す。
【００２０】
封入剤：本明細書において使用するとき、物体と隣接する環境から物体を分離するために障壁を生成する、例えば、メディアインサートなどの物体を囲むようにして形成される、層を指す。例えば、封入剤は、エタフィルコン、ガリフィルコン、ナラフィルコン、及びセノフィルコン、又は他のヒドロゲルコンタクトレンズ材料などの、シリコーンヒドロゲルから構成されることがある。いくつかの実施形態において、封入剤は、物体内に特定の物質を含み、例えば、水などの特定の物質が物体内に入らないようにするように、半透性であってもよい。
【００２１】
付勢された：本明細書で使用する場合、電流を供給することができるか、又は内部に蓄積された電気的エネルギーを有することができる状態であることを指す。
【００２２】
エネルギー：本明細書で使用する場合、ある物理系が仕事をする能力のことを指す。本発明で使用される場合の多くは、動作する際に電気的作用を行うことが可能なこの容量に関連し得る。
【００２３】
エネルギー源：本明細書で使用する場合、エネルギーを供給し、又は論理若しくは電気的装置を通電状態に置くことが可能な装置又は層を指す。
【００２４】
エネルギーハーベスタ：本明細書で使用する場合、環境からエネルギーを抽出することができ、それを電気的エネルギーに変換することができる装置を指す。
【００２５】
機能化：本明細書で使用するとき、例えばエネルギー印加、作動、又は制御を含めた機能を、層又は装置が実行することを可能にすることを指す。
【００２６】
レンズ：眼内又は眼の表面上に置かれるあらゆる眼科用装置のことを指す。これらの装具は、光学補正をもたらすことができるか、又は美容用であってもよい。例えば、レンズという用語は、コンタクトレンズ、眼内レンズ、オーバーレイレンズ、眼用インサート、光学インサート、又は視力が補正若しくは変更されるか、又は視力を妨げることなく目の生理機能が美容的に拡張される（例えば、虹彩色）、他の同様のデバイスを指し得る。いくつかの実施形態では、本発明の好ましいレンズは、ソフトコンタクトレンズであり、これらはシリコーンエラストマー又はヒドロゲルから作製される。ハイドロゲルの例としては、シリコーンハイドロゲル、及びフルオロヒドロゲルが挙げられるがこれらに限定されない。
【００２７】
レンズ形成混合物又は「反応性混合物」又は「ＲＭＭ」（反応性モノマー混合物）：本明細書で使用する場合、硬化及び架橋され得るか、又は架橋されて眼科用レンズを形成し得るモノマー又はプレポリマー材料を指す。様々な実施形態は、ＵＶ遮断剤、染料、光開始剤、又は触媒及びコンタクト若しくは眼内レンズ等の眼科レンズに望まれ得る他の添加剤等の１つ又は２つ以上の添加剤を有するレンズ形成混合物を含むが、これらに限定されない。
【００２８】
レンズ形成表面：本明細書で使用するとき、レンズの成型に使用される表面を指す。いくつかの実施形態において、このような表面は、光学品質表面仕上げを有し得る。光学品質表面仕上げとは、成形型表面に接触しているレンズ形成材料の重合によって作られるレンズ表面が光学的に許容可能であるように形成され、平滑であることを示し得る。更に、いくつかの実施形態では、レンズ形成は、レンズ表面に所望の光学特性を付与するのに必要な幾何学形状を有することができる。所望の光学特性としては、限定することなく、球面、非球面、及び円筒屈折力、波面収差補正、角膜トポグラフィ補正、及びこれらの組み合わせが挙げられる。
【００２９】
リチウムイオンセル：本明細書で使用するとき、リチウムイオンセルは、セル内を移動するリチウムイオンが電気的エネルギーを生成する、電気化学セルを指す。典型的には電池と呼ばれるこの電気化学セルは、その通常の状態に再充電され得る。
【００３０】
基板インサート：本明細書において使用するとき、眼科用レンズ内部のエネルギー源を支持することが可能な成形可能又は剛性の基板のことを指す。いくつかの実施形態では、基板インサートは、１つ又は２つ以上の構成要素も支持する。
【００３１】
鋳型：本明細書で使用される場合、未硬化配合物からレンズを形成するために使用され得る、剛性又は半剛性の物体を指す。成形の非限定的な例としては、前方湾曲成形部、及び後方湾曲成形部を形成する、２つの成形部を含む。
【００３２】
眼用レンズインサート：本明細書において使用するとき、眼用装置内に収容されるか、その上に位置し得る媒体を指し、眼用装置は、人により使用可能であり得る。
【００３３】
光学ゾーン：本明細書で使用するとき、眼科用レンズの装用者がそこを通して見ることになる、眼科用レンズの領域を指す。
【００３４】
有機半導体：本明細書において使用するとき、炭素系材料で作製される半導体を指す。
【００３５】
ＰＥＴＧ：本明細書において使用するとき、プロセス中に、射出成形されるか、シート押し出しされるか、染色され得る、透明な非晶質熱可塑性樹脂である、ポリエチレンテレフタレートグリコールを指す。
【００３６】
電力：本明細書において使用する場合、単位時間当たりに行われる仕事又は移動するエネルギーのことを指す。
【００３７】
再付勢可能又は再充電可能：本明細書で使用する場合、仕事をするためのより高いキャパシティの状態へと復元可能な能力を指す。本発明内の多くの使用は、特定の再開された時間期間電流を特定の割合で流すことができる状態に回復できる能力と関連付けられる。
【００３８】
再通電又は再充電：本明細書で使用するとき、仕事を行うためのより高い能力を有する状態まで回復することを指す。本発明における多くの用途は、装置内において、特定の率で、特定の回復された時間の間、電流を流す能力を復元することに関連し得る。
【００３９】
成形型から取り外す：本明細書で使用するとき、レンズが、成形型から完全に分離した状態、又は穏やかな揺動によって取り外すか、若しくは綿棒を用いて押し外すことができるように、ほんの軽く付着した状態のいずれかとなることを意味する。
【００４０】
積層された本明細書において使用する場合、少なくとも２層の構成層を、層のうちの１つの一方の面の少なくとも一部が、第２の層の第１の面と接触するように、互いに近接して配置することを意味する。いくつかの実施形態では、接着のためであれ、又は他の機能のためであれ、フィルムが２つの層の間に存在してよく、これらの層は互いに接触している。
【００４１】
スタック一体型コンポーネントデバイス（ＳＩＣ−デバイス）：本明細書で使用するとき、電気的及び電気機械的デバイスを含み得る基材の薄層を、各層の少なくとも一部分を互いの上に積み重ねる手段により、動作可能な一体型デバイスへと組み立て得る製品のパッケージング製品を指す。基材層は、様々な種類の材料、形状及び大きさの構成装置を含み得る。更に、層は、その層に所望され得る様々な輪郭に適合させ及びその輪郭をとらせる様々なデバイス生産技術により作製されてもよい。
【００４２】
図１を参照し、半導体装置を含めるための、１つ又は２つ以上の通電素子を含み、眼用レンズが例示される。本明細書において記載される方法及び装置は、三次元的に形成された基材の中又は上に有機半導体装置を形成することに関連する。基材は、その対応する表面上に、電気的相互接続を含んでもよい。例示されるように、いくつかの実施形態において、上部に電気配線を備える、代表的な三次元基材１００が示される。この例は、眼用レンズの一部を表してもよく、又は他の用語においてこれは、眼科用用途のためのインサート装置の一部を表し得る。このような実施形態は、能動的集束要素が含まれる眼用装置を含み得る。このような能動集束要素装置は、通電要素内に保存され得る電力を使用する間に機能し得る。図１の三次元基材上の電気配線は、上部に通電素子を形成するために、好適な基材を提供し得る。更に、有機半導体装置から形成されるディスクリートの有機半導体装置又は回路は、様々な方法でこれらの電気配線に接続され得る。
【００４３】
図１を再び参照し、いくつかの実施形態において、眼用装置１００において、三次元基材は、例えば、光学的に能動的な区域１１０を含み得る。いくつかの実施形態において、眼用装置１１０が焦合要素であるとき、能動的眼科用区域１１０は、ユーザーの目に入る光が通る焦合要素を含む、インサート装置の前側表面を表し得る。この区域１１０の外側には、典型的には、眼用装置１００の周辺区域１１２が存在してもよく、これは眼用装置を着用する人に光学的に関係する経路内にはない。いくつかの実施形態において、このような周辺区域１１２に能動的焦合機能に関連する構成要素を配置することが好適であり得るが、特に薄いフィルム及び透明な電極においては、光学的能動的区域１１０に装置を配置することも可能である。いくつかの実施形態において、透明な電極は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）が挙げられるがこれらに限定されない材料から形成され得る。
【００４４】
いくつかの実施形態において、別の態様で、様々な構成要素は、金属配線によって互いに電気的に接続されてもよく、これらの構成要素のいくつかは、有機半導体装置であり得、又はこれを含み得る。金属配線は、通電素子１１４を眼用装置１００に組み込むことを支援するために有用な機能をもたらし得る。
【００４５】
図１を再び参照し、いくつかの実施形態において、通電素子１１４は電池であってもよい。例えば、電池は、個体電池、又は湿電池であり得る。これらの例のいずれにおいても、少なくとも２つの配線があり得、それらは電池の陽極と電池の陰極との間に生じる電位をもたらすように導電性である。図１の代表的な眼用装置１００において、いくつかの実施形態において、電池接続部１１４が、電気配線１５０の区域内に画定されてもよい。いくつかの実施形態において、第１通電要素又は電池１５０は、別のアノード接続部であってもよく、電気配線１１４の眼用装置１００への負電位接続を表す。
【００４６】
図１を再び参照し、いくつかの実施形態において、第２通電素子、又は電池１６０は、カソード接続部であり、電気配線１１４の眼用装置１００への正電位接続を表す。いくつかの実施形態において、有機半導体要素は、アノード１５０及びカソード１６０接続点に接続されてもよい。後半の章において、これらの実施形態のいくつかが、更に詳細に記載されてもよい。一実施形態において、有機半導体装置の集積回路は、アノード１５０、及びカソード１６０、加えて他の位置において接続され得る。他の実施形態の種類において、有機半導体装置は、眼用装置１００の基材表面上に直接形成されてもよく、アノード１５０及びカソード１６０と接続するか、又は回路装置自体の内部における相互接続のために、同じ冶金技術を使用して一体的に接続される。
【００４７】
図１を再び参照し、アノード１５０及びカソード１６０に接続された電気配線は、それぞれ、隣接する配線１３０及び１８０の付近にある隔離配線１４０及び１７０であることが観察され得る。これらの配線上に電池素子が生成されたとき、近隣の配線１３０及び１８０は反対の電池化学又は電極型を表し得る。したがって、隣接する配線１３０は化学層に接続されてもよく、これは隣接する配線１３０と隔離配線１４０との間の電池のカソード１６０としてこれを機能させることができる。
【００４８】
図１において、隣接する配線１３０及び１８０は、配線区域１２０を通じて互いに接続することが観察され得る。配線区域１２０は、いくつかの実施形態において、いずれかの化学層によって部分的に被覆されるか又は被覆されないことがある。したがって、配線区域１２０は、電気接続の目的のために機能する。この例では、電池として構成された電気セルの２つの対があり得、そのレイアウトと設計の性質がこれらの２つの電池を直列に接続していることは明らかであり得る。通電素子１５０及び１６０にわたる全体的な電気性能は、したがって、２つの電池セルの組み合わせであると考えることができる。
【００４９】
有機半導体装置を組み込む実施形態において、電圧印加の要件は、十数Ｖであり得、したがって、通電素子１５０及び１６０により高い合計印加電圧を生じさせる、多くの配線区域１２０が存在し得る。
【００５０】
別の一連の実施形態が、図２に関して記載され得る。これらの別の実施形態において、一連の導電性機構２００が形成され、これは処理後、三次元表面上に相互接続が形成され、一方でベース材料は平面状の形状に維持される。工程２０１に進むと、ベース基材が形成され、前記ベース基材は、いくつかの実施形態では、眼科レンズ又はレンズインサートの一部を形成することと調和し得る。ベース基材材料の非限定的な例としては、ＰＥＴＧが挙げられる。いくつかの実施形態において、ベース材料が、導電性材料から形成されるとき、その表面は、絶縁材料でコーティングされて、表面上の相互接続の形成と調和したままであってもよい。
【００５１】
いくつかの実施形態において、有機半導体処理は、この基材表面上に生じてもよい。これらの場合、後の項に記載される処理工程は、基材に既に行われていることがあり、したがって、基材２０１は実際に、その表面上の有機半導体装置を含んでもいることがある。いくつかの実施形態において、図２のその後の処理は、これらの装置区域及び平坦な基材に行われてもよい。他の実施形態において、有機半導体装置は、図２のプロセスと同様の方法で形成されてもよいが、ただし並行処理方式で行われる。図２を再び参照し、ベース基材は工程２０２で更に処理される。いくつかの実施形態において、導電性フィルムが、ベース基材上に適用される。導電性フィルムは、この実施形態、及び説明される他の実施形態に関して定義される、本明細書における技術と適合する代替物を含み得る。いくつかの実施形態において、フィルムは、鍛造可能な導電性材料から、かつ後の形成プロセスでの機械的故障を避けるのに十分な厚さで形成され得る。
【００５２】
平坦な基材ベースが三次元基材へと形成されると、導電性フィルムは、変形され得る。いくつかの実施形態において、フィルムは、金のフィルムを含み得る。
【００５３】
図２を再び参照し、工程２０３において、平坦な断片が三次元形状に形成された後、導電性フィルムは、所望の形状を形成するようにパターン化されてもよい。示される形状は、三次元形状の所望の結果を形成する、形状の代表的なセットである。金の導電性層が挙げられるがこれらに限定されない、導電性層をパターン化する様々な方法が存在し得る。パターン化工程２０３の非限定的な例としては、化学エッチングによるフォトリソグラフィが挙げられる。代替的に、レーザーアブレーションを前述の方法で使用して、適切な形状の機構を作製してもよい。いくつかの実施形態において、画像化した導電体パターンは、スクリーンを通じてパターン化した形状へと堆積されていてもよい。
【００５４】
図２を再び参照し、いくつかの実施形態において、ステップ２０４において、重複する導電性機構を有するベース基材の積み重ね体が、オーバーレイ材料に封入されてもよい。いくつかの実施形態において、ＰＥＴＧが挙げられるがこれらに限定されない熱形成材料は、この方法で使用され得る代表的なフィルムをもたらし得る。いくつかの実施形態において、形成される機構の封入は、機構の所望の安定性を生じ得る。いくつかの他の実施形態において、フィルムの積み重ね体は、所望の三次元形状を形成するために熱形成プロセス中に変形されてもよい。いくつかの実施形態において、下部基材ベースに、及び導電性フィルム内に画定される機構にオーバーレイ材料を封止するために、工程２０４の一部として、第１の平坦な熱形成プロセスが行われてもよい。加えて、中央光学ゾーン区域の切り抜き部は、中央光学区域は複合フィルムなしにより良好に機能し得るために、非成形の中央円形区域により例示される。
【００５５】
図２を再び参照し、工程２０５において、ベース材料の積み重ね体、形成された導電性機構、オーバーレイ封入層、及び絶縁層は、三次元形状を生じるために、熱形成プロセスに供されてもよい。いくつかの実施形態において、形状は、熱形成プロセスから生じる電気相互接続を組み込んでもよい。工程２０４における処理がオーバーレイ絶縁層を含むいくつかの実施形態においては、導通孔が絶縁材料内に形成されてもよい。工程２０６では、導電性ビア及び開口部を適切な位置に形成するように、電気的相互接続が組み込まれた３次元形状が加工される。これらの導通孔及び開口部を生成するために多くの方法があり得るが、非限定的な実施例において、上部絶縁層を焼灼して、下部導電性フィルム領域を露出することによって、正確な開口部を形成するために、レーザーアブレーション処理が使用されてもよい。得られた電気的相互接続を有する３次元面は、本明細書で論じた他の方法で生成されたものと有意に類似し得る。
【００５６】
三次元的に形成された、又は形成可能なインサート基材上の、電気接続有機半導体装置
ここで図３を参照し、三次元的に形成された、又は形成可能なインサート基材上に、電気接続有機半導体装置が例示される。いくつかの実施形態において、三次元的に形成されたインサート構成要素３００の一部の代表的な拡大図が示される。区域３０５によって示される位置は、有機半導体装置を含み得る、取り付けられた集積回路装置を表すか、又はこれは、上部に有機半導体装置が既に形成されているか、又は以降のプロセスで形成され得る、インサート表面の区域を表し得る。
【００５７】
いくつかの実施形態において、区域３１０及び３２０は、インサート装置のより大きな相互接続機構が、回路区域内の構成要素に電気接続を形成する、位置を表してもよい。図３における代表的な図において、有機半導体構成要素は、基材から切り抜かれるか、又はダイスカットされ、その後インサートに接続されてもよい。図３の図はしたがって、区域３１０及び３２０のフリップチップの向きを表してもよいが、チップ表面下には、流動性ハンダボール、又は導電性エポキシ接続が挙げられるがこれらに限定されない、相互接続機構が存在してもよい。
【００５８】
いずれかの実施形態の種類において、接続スキームの性質は、回路区域３０５の有機半導体装置が、相互接続配線を通じて他の要素に接続されることを確実にし得る。これらの他の要素には、通電素子、センサー、能動的光学要素、他の集積回路設計、薬剤ポンプ、及び薬剤分散装置が挙げられるが、これらに限定されない。
【００５９】
いくつかの実施形態において、有機半導体トランジスタは、眼用インサート表面上に形成され得る。有機半導体装置を眼用インサート装置に組み込むための、様々な方法が存在し得る。いくつかの実施形態において、組み込まれる有機半導体装置を形成する様々な方法が存在し得る。いくつかの他の実施形態において、有機半導体装置は、電界効果半伝導性装置構造に基いて形成される。これらの装置の非限定的な実施例は、半導電層の下に位置するゲート電極を有する設計を含み、追加的な実施形態は、半導体層上にゲート電極を含むか、又は半導体層にゲート電極を有する。
【００６０】
図４に移り、並行プロセスのフロー４００及び４５０が例示され、これらは、相補的なｐ型及びｎ型有機半導体装置を含む。各種類の装置のための工程４１０において、基材は平坦又は平面的であり、その上に装置が形成される。次に、工程４１５において、「ボトムゲート」電源タイプのプロセスフローにおいて、ゲート電極を形成するために、金属製又は導電性材料が堆積される。スパッタリング又は蒸発源からのスクリーン堆積を含む、ゲート電極を形成するための多くの手段が存在し得る。他の手段は、ブランケット蒸着（パターン化エッチングプロセスが続く）が挙げられる。隔離された導電性ゲート構造を形成するいずれかの方法も、本明細書における技術と適合し得る。
【００６１】
続く工程４２０において、ゲート誘電層が堆積されて、ゲート電極を被覆及び包囲する。この堆積のための効果的な方法を、液体前駆体を誘電体上にスピン堆積し、その後硬化させることでありえる。他の実施形態において、誘電体は、蒸着によって堆積されてもよい。いくつかの実施形態において、誘電体はその後、例えば、化学機械的研磨が挙げられるがこれらに限定されない技術によって、平坦化されてもよい。
【００６２】
図４を再び参照し、工程４２５において、ｎ型半導体層が、誘電層上に堆積されてもよい。この堆積は、蒸気相の形態の有機半導体の被覆堆積によって部分的に制御されてもよい。他の実施形態において、ブランケットフィルム適用された後に、パターン化除去プロセスが行われてもよい。いくつかの他の実施形態において、工程４２６において、ｎ型有機半導体層は存在しないことがある。両極性装置のいくつかの例において、ｎ型有機半導体フィルムは、ｎ型装置に存在してもよく、その後ｐ型有機半導体材料（図示されない）によって被覆される。この層のいくつかの材料としては、Ｎ，Ｎ’−ビス（ｎ−オクチル）−ジシアノペリレン−３，４，９，１０−ビス（ジカルボキシイミド）（ＰＤＩ−８ＣＮ２とも称される）、カルボニル基（α，ω−ジペルフルオロヘキシル−４Ｔ）（ＤＦＨＣＯ−４Ｔとも称される）、及び銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１５ＣｕＰｃ）が、いくつかの非限定的な代表的選択肢として挙げられる。
【００６３】
図４を再び参照し、工程４５６において、ｐ型半導体層が、誘電層上に堆積されてもよい。この堆積は、蒸気相の形態の有機半導体の被覆堆積によって部分的に制御されてもよい。他の実施形態において、ブランケットフィルム適用された後に、パターン化除去プロセスが行われてもよい。工程４５５において、いくつかの実施形態において、ｐ型有機半導体層が存在しないことが観察され得る。この層のためのいくつかの材料としては、ペンタセン、テトラセン、ルブレン、及び位置規則的ポリ（３−ヘキシルチオフェン）（Ｐ３ＨＦ）が、いくつかの非限定的な代表的選択肢として挙げられる。特定の実施例が記載されたが、許容可能なｎ及びｐ型有機ＴＦＴ装置を形成し得る多くの材料が、本明細書における技術範囲内であり得る。
【００６４】
図４を再び参照し、ソース電極４６１、及びドレーン電極４６２はそれぞれ、次に、形成有機半導体トランジスタ装置（formative organic semiconductor transistor device）上に配置される。図４に示されるように、２つの別個の工程が、工程４３５、及び工程４３６として定義される。多くの実施形態において、これらの工程は同時的に生じ、工程番号の区別は、単に工程が異なる層において生じていることを強調するためのものである。スパッタリング又は蒸発源からのスクリーン堆積を含むソース／ゲート電極を形成するための多くの手段が存在し得る。他の手段は、ブランケット蒸着（パターン化エッチングプロセスが続く）が挙げられる。隔離された導電性電極構造を形成するいずれかの方法も、本明細書における技術と適合し得る。
【００６５】
図４を再び参照し、工程４４０、４４１に移り、ソース電極及びドレーン電極、並びに装置全体自体を封入するために、絶縁体が配置されてもよい。この堆積のための効果的な方法を、液体前駆体を誘電体上にスピン堆積し、その後硬化させることでありえる。他の実施形態において、誘電体は、蒸着によって堆積されてもよく、いくつかの場合において、その後、非限定的な例として、化学機械的研磨が挙げられるがこれに限定されない技術によって、平坦化される。絶縁層の堆積の後、接触開口部４６３が形成され得る。これらの接触開口部を形成し得る、様々な処理工程の中でも、非限定的な例として、レーザーアブレーションプロセス、又はリソグラフィ画像化基材エッチングプロセスが挙げられる。
【００６６】
ここで図５を参照し、いくつかの実施形態において、プロセスフロー５００は、有機半導体装置の形成方法及び様式について、文章の形態で要約されている。工程５０１において、平坦な基材は、有機半導体への加工の準備のために清浄化される。蒸気の方法において三次元的に形成された任意の基材を形成することが可能であり得るが、典型的目的のために平坦な基材が記載される。次に工程５０２において、ゲート金属機構が堆積されて、空間的に画定される。代表的なフローは、装置の下にゲートがある種類の構造のためのものである。いくつかの実施形態において、当該技術分野において既知の多くのＴＦＴ設計が、本明細書における技術範囲と適合し得る。更に工程５０３に移り、誘電フィルム層が、ゲート電極の上及び周囲に堆積される。好ましい実施形態において、誘電層は、このプロセスの後に、ゲート誘電体の上でほぼ並行及び平坦となり得る。工程５０４及び５０５において、ｎ型及びｐ型有機半導体層は、選択される区域に堆積される。これらの選択される区域の層を堆積する方法としては、被覆堆積及びブランケット堆積（基材エッチングが続く）が挙げられるがこれらに限定されない多くの方法が存在する。更にいくつかの実施形態において、２つの区域の順番は逆であってもよい。いくつかの実施形態において、ｎ及びｐ型有機半導体装置が形成されてもよい。これは回路柔軟性において望ましいことがあるが、また、ｎ及びｐ型層の組み合わせによるダイオードの形成などの、様々な非トランジスタ装置の形成を可能にし得る。工程５０６において、ソース電極及びドレーン電極が形成される。前述のように、この例は、装置の下にゲートがある種類のものであり、ソース及びドレーン電極が、ほぼ平坦な半導体区域の上に堆積される実施形態を表す。しかしながら、ＴＦＴ設計の多様性もまた、本明細書における技術と適合し得る。次に、工程５０７において、いくつかの実施形態において、装置及び電極は、封入及び絶縁層によって包囲されてもよい。いくつかの実施形態において、この層は、平坦な上面を生じるように、形成又は処理される。図５に示される最終的な工程、工程５０８において、誘電絶縁層の接触穴が、導電性電極が位置する区域の上に、少なくとも一部がくるように形成される。いくつかの実施形態において、形成される装置に対する、外側電気接触が形成され得る。代表的なプロセスフローは、機能回路を形成するための、様々な接続された有機半導体トランジスタを生じ得ることが、当業者には明らかであり得る。同様に、ダイオード、レジスタ、及びバラクタが含まれるトランジスタ以外の他の装置が形成されてもよい。
【００６７】
図６を参照し、プロセス５００に示される平面加工を使用して、眼用装置を更に加工するための代表的なプロセスフロー６００が例示される。工程６０１において、図５に示されるプロセス５００の更なる加工が、一部又は全部、行われてもよい。その後、生じる基材、有機半導体装置、導電性相互接続、及び基材上に形成される他の任意の装置が、工程６０２で更に加工され得る。いくつかの実施形態において、工程６０２において、基材及び装置は、三次元的に成形された部品へと変形され得る。いくつかの実施形態において、いくつかの実施例において基材の熱形成を含み得るか、又は他の実施形態において基材の折り畳みを含み得る。
【００６８】
図６を再び参照し、工程６０３において、生じる三次元形状の部品は、その上に堆積される追加的な金属配線を有し得る。いくつかの実施形態において、これらの金属配線は、薄膜有機半導体装置の加工中に形成される開口部を介して、導電性層と交差してもよい。いくつかの実施形態において、通電装置は、平坦な基材の上に未だ配置されてこなったかもしれないが、このような配置は、現況技術の範囲内において可能であり得る。工程６０４において、通電要素は、例えば、アノード、カソード、及び電解質区域の印刷を含む、様々な手段によって適用され得る。
【００６９】
次に、工程６０５、いくつかの実施形態において、装置は封入及び封止され得る。一定の区域を封止されないか、又は封入されないままとするために、スクリーニング装置によりパリレンを気相堆積することなど、封入のための多くの手段が存在し得る。いくつかの実施形態において、生じる装置は次に、工程６０６において分離されるか、又は切り取られてもよい。いくつかの実施形態において、光学ゾーンに位置し得る形成されたインサート部品の中央区域は、メニスカス系レンズ要素のために、前側光学表面を形成することが挙げられるがこれに限定されない、様々な機能的目的のために残ってもよい。他の実施形態において、中央光学ゾーンは、環状眼用インサート部品を形成するために、取り除かれてもよい。いくつかの実施形態において、この工程６０６を勧め、形成された光学インサート部品はその後、眼用インサートへの組み立てを完了するべく、加工され得る。
【００７０】
引き続き図を参照し、工程６０７において、いくつかの実施形態において、眼用装置が形成される。工程６０６の眼用インサートを使用して、眼用装置を形成するための多くの方法が存在し得る。いくつかの実施形態において、これは、眼用装置を、少量の反応性混合物と共に前方湾曲成形型部品に配置することを含み得る。反応性混合物を固定することにより、インサート部品は、成形部品へと好適な位置で維持され得る。その後、いくつかの実施形態において、製造される眼用レンズ装置を好適な形状にし、光学品質を与えるために、前方及び後方湾曲成形部品が使用されてもよい。いくつかの他の実施形態において、インサートを封入する、成形工程において形成される材料としては、ヒドロゲル形成材料が挙げられる。
【００７１】
ここで図７を参照し、いくつかの実施形態において、有機半導体装置を含む、眼用装置を形成するための別の方法７００が記載される。工程７０１において、プロセス５００の更なる処理が一部、又は全部行われ得る。いくつかの他の実施形態において、生じる基材、有機半導体装置、導電性相互接続、及び基材上に形成される他の任意の装置が、工程７０２で更に加工され得る。いくつかの実施形態において、工程７０２において、基材及び装置は、三次元的に成形された部品へと変形され得る。変形は、いくつかの例において、基材の熱成形を含み得る。他の実施形態において、変形は、部品の三次元形状を保つために、熱形成、又は接着剤結合に基づき基材を折り曲げることを含み得る。
【００７２】
図７を再び参照し、いくつかの実施形態において、工程７０３で、三次元形状は、眼用装置のために回路の完全な複製を含む区分へと切り取られてもよい。次に、工程７０４において、いくつかの実施形態において、接続機構は、薄膜有機半導体装置の加工中に形成される開口部を介して導電性相に適用され得る。いくつかの実施形態において、これらの接続機構は、様々な種類のハンダバンプを含み得る。他の実施形態において、接続機構は、導電性エポキシ樹脂を含み得る。これらの実施形態の種類のいずれかにおいて、工程７０５では、区分化された回路部品が、三次元的に形成されたインサート部品に接続されてもよく、分割された回路部品を眼用インサート部品に取り付けるために、接続機構が、他の封止材及び封入剤と共に使用され得る。いくつかの実施形態において、工程７０６では、有機半導体が取り付けられた生じるインサート部品は、完全な眼用インサートへと仕上げられてもよい。
【００７３】
引き続き図７を参照し、いくつかの実施形態において、工程７０７では、眼用装置が形成される。工程７０６の眼用インサートを使用して、眼用装置を形成するための多くの方法が存在し得る。いくつかの実施形態において、これは、眼用装置を、少量の反応性混合物と共に前方湾曲成形型部品に配置することを含み得る。いくつかの実施形態において、反応性混合物を固定することにより、インサート部品は、成形部品へと好適な位置で維持され得る。その後、いくつかの実施形態において、製造される眼用レンズ装置を好適な形状にし、光学品質を与えるために、前方及び後方湾曲成形部品が使用されてもよい。いくつかの他の実施形態において、インサートを封入する成形材料には、ヒドロゲル形成材料が挙げられる。
【００７４】
いくつかの実施形態において、前の項で言及された方法及び装置は、様々な眼用装置を生じ得る。図８を参照し、代表的な電気回路８００が記載され、これは、通電素子を備える眼用装置の実施と適合する。いくつかの実施形態において、電気回路８００は、起動装置としての機械的スイッチに対応し、電気カイロ８００が起動されるときに、メニスカスベースの、焦合要素を含む、能動的眼用装置にわたって、電位を印加する。
【００７５】
図８を再び参照し、いくつかの実施形態において、通電素子８１０が示される。いくつかの実施形態において、電気回路８００は、有機半導体トランジスタを含むために、通電素子８１０は、直列様式で接続された、様々な、多くの電池セルを含み得る。例として、いくつかの実施形態において、通電素子において、およそ２０Ｖの電位を生成するために、適切な電池が接続され得る。他の実施形態において、様々な多くの電池が一緒に接続されて、およそ１０Ｖ〜１００Ｖの範囲の電位を生成する。
【００７６】
引き続き図８を参照し、いくつかの実施形態において、通電素子８１０は、能動的眼用要素８２０にその電位を印加してもよい。能動的眼用装置８２０は、２種類の不混和性流体に電位を適用することで、メニスカスの形状が変化することにより反応する、メニスカスレンズベースの装置であり得る。いくつかの実施形態において、メニスカスレンズベースの装置は、電気的観点から、非常に高いインピーダンスのコンデンサとして、本質的に機能する。したがって、通電要素８１０は、第１抵抗素子８７０を通じて能動的眼用装置８２０を最初に充電してもよい。電位が、容量性素子を完全に充電したとき、導電性素子８１０はその後、大きな散逸性負荷を有さない。いくつかの他の実施形態において、通電素子が放電しないことを更に確実にするために、スタートアップ回路が画定され得る。
【００７７】
いくつかの実施形態において、図８を再び参照し、電気回路８００は更に、相補的なｎ及びｐ型有機半導体トランジスタを使用する回路に基いて、「Ｄ−ＦｌｉｐＦｌｏｐ」回路８５０を含み得る。いくつかの実施形態において、Ｄ−ＦｌｉｐＦｌｏｐ回路８５０は、一緒に接続されたそのＤ及びＱ出力、加えてセット（Ｓ）及びリセット（Ｒ）が接地接続される。いくつかの他の実施形態において、Ｑの出力はひいては、クロック（ＣＰ）入力における電圧レベルの変化がある度に、ある状態から次の状態へと変換する。この入力は、第２反応性要素８４０を通じて、電源８１０によって設定される。いくつかの実施形態において、ユーザーが感圧スイッチに圧力をかける際など、外側スイッチ８６０が起動されるとき、ＣＰにおける電池は地電位に近づき、このレベル変化は、Ｄ−ＦｌｉｐＦｌｏｐ  ８５０の状態を変換し得る。いくつかの他の実施形態において、Ｑにおいてレベルが変化するとき、これに接続されたトランジスタ８３０は「オン」になり、能動的光学装置に電流を流して、装置を効率的に短絡させ、能動的光学状態を状態変更させる。代表的な回路実施形態の状態を活性化及び制御するための、多くの方法が存在し得る。
【００７８】
図９に移り、いくつかの実施形態において、図８の実施形態と適合する、インサート構成要素部品９００の物理的描写が提示される。いくつかの実施形態において、メニスカスレンズ装置の第１接続９１０が見いだされる。上記のように、有機半導体ベースの回路の動作のために要求される、必要な電位を生じるために、直列で接続される、多くの電池９２０が存在し得る。いくつかの実施形態において、電池９２０の組み合わせは、およそ２０Ｖの通電素子を画定し得る。いくつかの他の実施形態において、通電素子９２０は、接触点９３０及び９４０を含み得る。
【００７９】
いくつかの実施形態において、インサート構成要素部品９００内にＤ−Ｔｙｐｅ  ＦｌｉｐＦｌｏｐ  ９５０が見いだされる。いくつかの実施形態において、Ｄ−Ｔｙｐｅ  ＦｌｉｐＦｌｏｐ  ９５０は、は、ｎ及びｐ型有機半導体トランジスタの両方を含み得る。更に、Ｄ−Ｔｙｐｅ  ＦｌｉｐＦｌｏｐ  ９５０内に低構成要素も画定され得る（図示されない）いくつかの実施形態において、メニスカスレンズの代替的な接続点を画定する第２接触子９６０が提示され得る。いくつかの他の実施形態において、感圧スイッチ９７０が、離間した金属配線から形成され得、これは圧力が変化する際に、両側の間の接触を形成する。
【００８０】
３次元の表面上の電気相互接続上に通電素子を生じるために有用であり得る形成、形成方法、及び形成装置に関して、発明の技術の態様を例示するために具体的な例を説明してきた。これらの例は先の例示のためであり、いかなる方法においても範囲を限定することを意図しない。したがって、本開示は、当業者には明らかであり得る全ての実施形態を包含することを意図する。
【００８１】
〔実施の態様〕
（１）  眼用装置の形成方法であって、
基材上に有機半導体層を堆積することと、
前記基材をインサート部品に分割することであって、各インサート部品は有機半導体を含む、ことと、
インサート部品を、眼用レンズインサート上に取り付けることと、
前記眼用レンズインサートの周囲に封入層を形成することとを含む、方法。
（２）  前記基材は、シリコンウェハである、実施態様１に記載の方法。
（３）  前記封入層は、パラレンである、実施態様１に記載の方法。
（４）  前記封入層は、前記レンズインサートの周囲にヒドロゲルを形成する、実施態様３に記載の方法。
（５）  前記基材上に少なくとも第１ゲート導体を形成することを更に含む、実施態様４に記載の方法。
【００８２】
（６）  前記第１ゲート導体と電気的に連絡する通電素子を前記基材上に堆積することを更に含む、実施態様５に記載の方法。
（７）  前記通電素子は、電気化学セルである、実施態様６に記載の方法。
（８）  前記有機半導体層は、ｎ型有機半導体を含む、実施態様１に記載の方法。
（９）  前記有機半導体層は、ｐ型有機半導体を含む、実施態様１に記載の方法。
（１０）  前記有機半導体層は、ｎ型有機半導体、ｐ型有機半導体、及びこれらの組み合わせを含む、実施態様１に記載の方法。
【００８３】
（１１）  前記ｎ型有機半導体層は、銅ヘキサデカフルオロフタロシアニン（Ｆ１５ＣｕＰｃ）を含む、実施態様８に記載の方法。
（１２）  前記ｐ型有機半導体層は、ペンタセンを含む、実施態様９に記載の方法。
（１３）  前記通電素子は、少なくとも一部が直列で接続される、２つ以上の電気化学セルから構成される、実施態様６に記載の方法。
（１４）  前記第１ゲート導体は、透明電極を含む、実施態様５に記載の方法。
（１５）  前記透明電極は、酸化インジウムスズを含む、実施態様１４に記載の方法。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【外国語明細書】
2014182396000001.pdf