(57)【要約】      （修正有）【課題】露光装置において、基板ステージを高精度に制御するために有利な技術を提供する。【解決手段】基板を露光する露光装置１００は、基板を保持して移動可能な基板ステージ６と、基板ステージの位置を計測する位置計測部８と、位置計測部を支持する構造体７と、構造体に加わる力を計測する力計測部９と、力計測部における計測値と補正係数とに基づいて基板ステージの位置を制御するための指令値を補正する補正部１３と、補正部による補正を行わずに露光された複数のショット領域を有する評価用基板を用いて補正係数を算出する算出部１２と、を含み、複数のショット領域間の第１マークと第２マークとの位置ずれ情報、および各ショット領域を露光する際において力計測部によって計測された計測値に基づいて補正係数を算出する。【選択図】図１
2014022467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を露光する露光装置であって、
前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、
前記基板ステージの位置を計測する位置計測部と、
前記位置計測部を支持する構造体と、
前記構造体に加わる力を計測する力計測部と、
前記力計測部における計測値と補正係数とに基づいて、前記基板ステージの位置を制御するための指令値を補正する補正部と、
前記補正部による補正を行わずに露光された複数のショット領域を有する評価用基板を用いて前記補正係数を算出する算出部と、
を含み、
前記複数のショット領域は、第１ショット領域と、前記第１ショット領域に隣り合う第２ショット領域と、前記第２ショット領域に隣り合う第３ショット領域とを含み、
各ショット領域は、第１マークおよび第２マークを含み、
前記算出部は、前記第１ショット領域の第１マークと前記第２ショット領域の第２マークとの位置ずれ情報、前記第２ショット領域の第１マークと前記第３ショット領域の第２マークとの位置ずれ情報、および各ショット領域を露光する際において前記力計測部によって計測された計測値に基づいて前記補正係数を算出することを特徴とする露光装置。
【請求項２】
各ショット領域が含む第１マークおよび第２マークは、各ショット領域内において第１方向に離隔して配置され、
前記複数のショット領域は、前記第１方向に沿って配列された複数のショット領域を含むことを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記第１方向に隣り合うショット領域は、それらのうち一方における第１マークと他方における第２マークとが重なるように配置されることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記第１方向に沿って配列された複数のショット領域は、前記第１ショット領域、前記第２ショット領域および前記第３ショット領域を含むことを特徴とする請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】
各ショット領域は、前記第１方向と異なる第２方向に離隔して配置された第３マークおよび第４マークを更に含み、
前記複数のショット領域は、前記第１方向に沿って配列された複数のショット領域から前記第２方向にずれた位置に配置された複数のショット領域を更に含み、
前記第２方向にずれた位置に配置された複数のショット領域は、前記第１方向に沿って配列されることを特徴とする請求項２又は３に記載の露光装置。
【請求項６】
前記算出部は、前記第２方向に隣り合うショット領域のうち一方における第３マークと他方における第４マークとの位置ずれ情報を更に用いて前記補正係数を算出することを特徴とする請求項５に記載の露光装置。
【請求項７】
前記第２方向に隣り合うショット領域は、それらのうち一方における第３マークと他方における第４マークとが重なるように配置されることを特徴とする請求項５又は６に記載の露光装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の露光装置を用いて基板を露光するステップと、
前記ステップで露光された前記基板を現像するステップと、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項９】
基板を保持して移動可能な基板ステージと、前記基板ステージの位置を計測する位置計測部と、前記位置計測部を支持する構造体とを有し、前記基板を露光する露光装置を校正する校正方法であって、
離隔して配置された第１マークと第２マークとをそれぞれ含む複数のショット領域を有する評価用基板を用い、第１ショット領域の第１マークと前記第１ショット領域に隣り合う第２ショット領域の第２マークとの位置ずれ情報、前記第２ショット領域の第１マークと前記第２ショット領域に隣り合う第３ショット領域の第２マークとの位置ずれ情報、および各ショット領域を露光する際において前記構造体に加わる力に基づいて補正係数を算出する算出工程を含み、
前記複数のショット領域は、前記第１ショット領域、前記第２ショット領域および前記第３ショット領域を含み、
前記補正係数は、前記基板ステージの位置を制御するための指令値を補正するための係数であることを特徴とする校正方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置およびその校正方法、並びに物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置では、半導体集積回路における回路パターンの微細化および高集積化に伴って、基板ステージの位置を高精度に制御することがより重要になってきている。そのため、基板ステージの位置を計測する計測器は、計測器の位置ずれが生じにくいように、変形しにくい高剛性材料で形成された構造体によって支持される。
【０００３】
しかしながら、構造体は、それを支持する支持台からの振動や基板ステージの移動に伴う反力などによって力が加わることによって変形しうる。これにより、構造体に取り付けられている計測器の位置がずれてしまう。そして、このような計測器の位置ずれは、基板ステージの位置計測に誤差を生じさせる原因となる。そこで、特許文献１には、パターンが重ねて形成された評価用基板を用いて、重なったパターンの位置ずれ情報と、各パターンを形成する際に構造体に加わる力の差とに基づいて補正係数を算出し、補正係数に基づいて計測誤差を補正する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４２２９３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の露光装置では、補正係数は、パターンが重ねて形成された評価用基板を用い、重なったパターンの位置ずれ情報と、各パターンを形成する際に構造体に加わる力の差とに基づいて算出される。しかしながら、パターンが重ねて形成された評価用基板によって補正係数を算出する場合、第１層目のパターンを形成する際と第２層目のパターンをを形成する際とで基板ステージの位置がほとんど変わらない。そのため、重なったパターンの位置ずれ、および各パターンを形成する際に構造体に加わる力の差が小さく、特許文献１の露光装置における補正係数では、基板ステージの位置制御系を校正するには不十分であった。
【０００６】
そこで、本発明は、露光装置において、基板ステージを高精度に制御するために有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としての露光装置は、基板を露光する露光装置であって、前記基板を保持して移動可能な基板ステージと、前記基板ステージの位置を計測する位置計測部と、前記位置計測部を支持する構造体と、前記構造体に加わる力を計測する力計測部と、前記力計測部における計測値と補正係数とに基づいて、前記基板ステージの位置を制御するための指令値を補正する補正部と、前記補正部による補正を行わずに露光された複数のショット領域を有する評価用基板を用いて前記補正係数を算出する算出部と、を含み、前記複数のショット領域は、第１ショット領域と、前記第１ショット領域に隣り合う第２ショット領域と、前記第２ショット領域に隣り合う第３ショット領域とを含み、各ショット領域は、第１マークおよび第２マークを含み、前記算出部は、前記第１ショット領域の第１マークと前記第２ショット領域の第２マークとの位置ずれ情報、前記第２ショット領域の第１マークと前記第３ショット領域の第２マークとの位置ずれ情報、および各ショット領域を露光する際において前記力計測部によって計測された計測値に基づいて前記補正係数を算出することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、露光装置において、基板ステージを高精度に制御するために有利な技術を提供することができる
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の第１実施形態の露光装置を示す図である。
【図２】投影光学系、位置計測部およびそれらを支持する構造体を示す図である。
【図３】評価用基板上に重ねて形成された複数のショット領域を示す図である。
【図４】評価用基板上に並べて形成された複数のショット領域を示す図である。
【図５】隣り合うショット領域の配置関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施の形態について説明する。なお、各図において、同一の部材ないし要素については同一の参照番号を付し、重複する説明は省略する。また、明細書および図面では、投影光学系の光軸に平行な方向をｚ方向、ｚ方向に垂直な面内において互いに直交する２つの方向をそれぞれｘ方向およびｙ方向として説明する。
【００１１】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態の露光装置１００について、図１を参照して説明する。第１実施形態の露光装置１００は、照明系１と、マスクステージ３と、投影光学系４と、基板ステージ６と、構造体７と、位置計測部８と、力計測部９とを備える。また、露光装置１００は、基板ステージ６の位置を制御する位置制御系１１と、補正係数を算出する算出部１２と、基板ステージ６の位置を制御するための指令値を補正する補正部１３とを備える。
【００１２】
照明系１は、光源から射出された露光光によって、マスクステージ３に保持されたマスク２を照明する。投影光学系４は、所定の倍率（例えば１倍）を有し、マスク２に形成されたパターンを基板５に投影する。基板ステージ６は、基板５を保持し、露光光の光軸方向（ｚ方向）と直交する方向（ｘｙ方向）に移動可能に構成される。位置計測部８は、例えば、構造体７に取り付けられたレーザー干渉計を含み、基板ステージ６の位置を計測する。レーザー干渉計は、レーザー光８ａを基板ステージ６が備える反射板（不図示）に向けて照射し、反射板で反射したレーザー光８ａによって基板ステージ６における基準位置からの変位を検出する。位置計測部８は、レーザー干渉計によって検出された変位に基づいて基板ステージ６の現在位置を算出する。構造体７は、投影光学系４、基板ステージ６および位置計測部８を支持しており、位置計測部８の位置ずれを生じにくくするため、変形しにくい高剛性材料で形成されている。また、構造体７は、例えば空気ばね１０ａを介して、支持台１０によって支持されている。力計測部９は、支持台１０から構造体７に加わる力を計測する。構造体７に加わる力（力計測部９によって計測された計測値）は、例えば、支持台１０と構造体７との間における空気ばね１０ａの圧力値を計測し、計測した圧力値に有効断面積（構造体７において力が加わる面の面積）を乗じて算出される。
【００１３】
位置制御系１１は、基板ステージ６の目標位置から現在位置を減算して指令値を生成する減算器１１ａと、基板ステージ６を制御する制御部１１ｂとで構成される。減算器１１ａは、基板ステージ６の目標位置と、位置計測部８によって計測された基板ステージ６の現在位置との制御偏差を算出し、算出した制御偏差が小さくなるように基板ステージ６を制御するための指令値を生成する。制御部１１ｂは、減算器１１ａにおいて生成された指令値に基づいて基板ステージ６を制御する。
【００１４】
投影光学系４、基板ステージ６および位置計測部８は、位置計測部８の位置ずれを生じにくくするため、変形しにくい高剛性材料で形成された構造体７によって支持されている。しかしながら、構造体７には、構造体７を支持する支持台１０からの振動や基板ステージ６の移動に伴う反力などによって力が加わるため、僅かではあるが構造体７が変形し、構造体７に取り付けられた位置計測部８の位置がずれてしまう。ここで、位置計測部８の位置ずれについて図２を参照して説明する。図２は、露光装置１００における投影光学系４、位置計測部８およびそれらを支持する構造体７を示す図である。構造体７に力が加わっていない状態では、図２（ａ）に示すように、位置計測部８は投影光学系４の光軸４ａから距離８ｂだけ離れた位置になる。その一方で、構造体７に力（ｆ３およびｆ４）が加わった状態では、図２（ｂ）に示すように、構造体７が力によって変形し、位置計測部８は投影光学系４の光軸４ａから距離８ｃだけ離れた位置になる。即ち、構造体７に力が加わって構造体７が変形すると、位置計測部８の位置がずれるため、位置計測部８における基板ステージ６の位置の計測値に誤差が生じてしまいうる。このような位置計測部８の位置ずれを抑制する一つの手段としては、構造体７の剛性を更に高めることが挙げられる。しかし、構造体７の剛性を高めることは、露光装置のコストアップや、露光装置の輸送および設置場所の制約などを伴ってしまう。そこで、第１実施形態の露光装置１００は、補正係数を算出する算出部１２と、基板ステージ６を制御するための指令値を補正する補正部１３とを備え、基板ステージ６の位置を校正する。
【００１５】
算出部１２は、補正部１３による補正を行わずに露光された複数のショット領域を有する評価用基板を用いて、補正係数を算出する。ここで、第１実施形態の露光装置１００において補正係数を算出する方法を、特許文献１の露光装置と比較して説明する。まず、特許文献１の露光装置において補正係数を算出する方法を説明する。特許文献１の露光装置では、複数のショット領域が重ねて形成された評価用基板を用いて補正係数が算出される。具体的には、第１マークと第２マークとが近接して形成されたマスクを用い、第１層目の露光におけるショット領域（以下、第１パターン２０）に、第２層目の露光におけるショット領域（以下、第２パターン２１）が評価用基板上に重ねて形成される。図３は、評価用基板上に重ねて形成された第１パターン２０と第２パターン２１とを示す図である。図３において、実線は第１パターン２０を示しており、第１パターン２０には第１マーク２０ａおよび第２マーク２０ｂが近接して形成されている。同様に、破線は第２パターン２１を示し、第２パターン２１には第１マーク２１ａおよび第２マーク２１ｂが近接して形成されている。第１パターン２０に第２パターン２１を重ねて形成する際、図３に示すように、第２パターン２１の第１マーク２１ａおよび第２マーク２１ｂが、第１パターン２０の第２マーク２０ｂおよび第１マーク２０ａにそれぞれに重なるように基板ステージが制御される。このとき、構造体７には上述したように力が加わっているため、構造体７が変形し、位置計測部８における基板ステージ６の位置計測に誤差が生じてしまう。その結果、第１パターン２０のマークと第２パターン２１のマークとの間にも相対的な位置ずれ（ｘ方向の位置ずれをｄｘ、ｙ方向の位置ずれをｄｙとする）が生じる。この相対的な位置ずれ情報（ｄｘおよびｄｙ）と、第１パターン２０および第２パターン２１を形成する際に力計測部９によって計測された計測値の差に基づいて補正係数が算出される。特許文献１の露光装置のおいて補正係数を算出する場合、第１パターン２０を形成する際と第２パターン２１を形成する際とで基板ステージ６の位置がほとんど変わらない。そのため、第１パターン２０と第２パターン２１との位置ずれ、および各パターンを形成する際に構造体に加わる力の差が小さくなり、基板ステージ６の位置制御系を校正することが不十分になってしまいうる。そこで、第１実施形態の露光装置１００では、複数のショット領域が並べて形成された評価用基板を用いて補正係数が算出される。
【００１６】
次に、第１実施形態の露光装置１００において補正係数を算出する方法を説明する。第１実施形態の露光装置１００では、第１マークと第２マークとがｘ方向（第１方向）に、および第３マークと第４マークとがｙ方向（第２方向）に離隔して形成されたマスクを用い、図４に示すように、複数のショット領域３０が評価用基板上に並べて形成される。図４は、評価用基板上に並べて形成された複数のショット領域３０を示す図である。図４において、各ショット領域３０における番号は、各ショット領域３０が露光された順番である。各ショット領域内３０には、第１マーク３０ａと第２マーク３０ｂとがｘ方向（第１方向）に、および第３マーク３０ｃと第４マーク３０ｄとがｙ方向（第２方向）に離隔して形成されている。複数のショット領域３０は、ｘ方向に沿って配列された複数のショット領域３１（第１ショット領域３１ａ、第２ショット領域３１ｂ、第３ショット領域３１ｃ・・・）を含む。また、複数のショット領域３０は、複数のショット領域３１からｙ方向にずれた位置においてｘ方向に沿って配列された複数のショット領域３２（第６ショット領域３２ａ、第７ショット領域３２ｂ、第８ショット領域３２ｃ・・・）を含む。
【００１７】
複数のショット領域３０において、ｘ方向に隣り合うショット領域のうち一方における第１マーク３０ａと他方における第２マーク３０ｂとは互いに重なるように配置される。例えば、１番目に露光された第１ショット領域３１ａと２番目に露光された第２ショット領域３１ｂとにおける配置関係を図５（ａ）に示す。図５（ａ）において、破線は１番目に露光された第１ショット領域３１ａを示し、実線は２番目に露光された第２ショット領域３１ｂを示す。また、第１ショット領域３１aおよび第２ショット領域３１ｂにはそれぞれ、第１マーク３０ａおよび第２マーク３０ｂがｘ方向（第１方向）に離隔して形成されている（第３マーク３０ｃおよび第４マーク３０ｄは省略する）。図５（ａ）に示すように、第２ショット領域３１ｂを露光する際、第２ショット領域３１ｂの第２マーク３０ｂが第１ショット領域３１ａの第１マーク３０ａに重なるように基板ステージ６が制御される。このとき、構造体７には上述したように力が加わっているため、構造体７が変形し、位置計測部８における基板ステージ６の位置の計測値に計測誤差が生じてしまう。その結果、第１ショット領域３１ａの第１マーク３０ａと第２ショット領域３１ｂの第２マーク３０ｂとの間に相対的な位置ずれ（ｘ方向の位置ずれをｄｘ、ｙ方向の位置ずれをｄｙとする）が生じる。
【００１８】
同様に、複数のショット領域３０において、ｙ方向に隣り合うショット領域のうち一方における第３マーク３０ｃと他方における第４マーク３０ｄとは互いに重なるように配置される。例えば、１番目に露光された第１ショット領域３１ａと１０番目に露光された第１０ショット領域３２ｅとにおける配置関係を図５（ｂ）に示す。図５（ｂ）において、破線は１番目に露光された第１ショット領域３１ａを示し、実線は１０番目に露光された第１０ショット領域３２ｅを示す。また、第１ショット領域３１ａおよび第１０ショット領域３２ｅにはそれぞれ、第３マーク３０ｃおよび第４マーク３０ｄがｙ方向（第２方向）に離隔して形成されている（第１マーク３０ａおよび第２マーク３０ｂは省略する）。図５（ｂ）に示すように、第１０ショット領域３２ｅを露光する際、第１０ショット領域３２ｅの第４マーク３０ｄが第１ショット領域３１ａの第３マーク３０ｃに重なるように基板ステージ６が制御される。このとき、構造体７には上述したように力が加わっているため、構造体７が変形し、位置計測部８における基板ステージ６の位置の計測値に計測誤差が生じてしまう。その結果、第１ショット領域３１ａの第３マーク３０ｃと第１０ショット領域３２ｅの第４マーク３０ｄとの間に相対的な位置ずれ（ｘ方向の位置ずれをｄｘ、ｙ方向の位置ずれをｄｙとする）が生じる。
【００１９】
このように、複数のショット領域３０が並べて形成された評価用基板では、特許文献１の露光装置と比べて、各ショット領域３０を露光する際の基板ステージ６の位置の差が大きくなる。そのため、隣り合うショット領域における相対的な位置ずれ、および各ショット領域３０を形成する際に構造体７に加わる力の差を大きくすることができ、基板ステージ６の位置の計測誤差を補正するために十分な補正係数を算出することができる。ここで、第１実施形態の露光装置１００において、算出部１２が補正係数を算出する算出方法について説明する。図４に示すように複数のショット領域３０が並べて形成された評価用基板において、隣り合うショット領域におけるマーク（第１マークと第２マーク、または第３マークと第４マーク）の相対的な位置ずれ（ｄｘおよびｄｙ）をｘｍ＿ｎおよびｙｍ＿ｎと規定する。ｍおよびｎは、各ショット領域３０が露光された順番である。例えば、１番目に露光された第１ショット領域３１ａと２番目に露光された第２ショット領域３１ｂとにおける相対的な位置ずれは、ｄｘがｘ１＿２およびｄｙがｙ１＿２と規定することができる。また、１番目に露光された第１ショット領域３１ａと１０番目に露光された第１０ショット領域３２ｅとにおける相対的な位置ずれは、ｄｘがｘ１＿１０およびｄｙがｙ１＿１０と規定することができる。このように相対的な位置ずれを規定した場合、複数のショット領域３０における相対的な位置ずれ（ｘ方向の位置ずれをＸ、およびｙ方向の位置ずれをＹとする）は式（１）によって表される。
【００２０】
【数１】
2014022467.tif 000003
【００２１】
各ショット領域３０を露光する際、構造体７には、例えば図１に示すように、４つの力ｆ１〜ｆ４が加わるとする。構造体７に加わる力ｆ１〜ｆ４は、上述したように、力計測部９によって計測され、具体的には、支持台１０と構造体７との間における空気ばね１０ａの圧力値を計測し、計測した圧力値に有効断面積（構造体７において力が加わる面の面積）を乗じて算出される。そして、構造体７に加わる力ｆ１〜ｆ４は、各ショット領域３０を露光する際に力計測部９によって計測され、各ショット領域３０を露光する際において構造体７に加わる力ｆ１〜ｆ４をｆｍ＿１〜ｆｍ＿４と規定する。ｍは、各ショット領域３０が露光された順番である。例えば、１番目に露光された第１ショット領域３１ａでは、第１ショット領域３１ａを露光する際において構造体７に加わる力はｆ１＿１〜ｆ１＿４と規定することができる。このように構造体７に加わる力を規定した場合、複数のショット領域３０を露光する際において構造体７に加わる力Ｆは式（２）によって表される。また、隣り合うショット領域のそれぞれを露光する際に構造体７に加わる力の差Ｐは式（３）によって表される。なお、構造体７の振動を抑制するため、支持台１０と構造体７との間に、例えばリニアモータを併設する場合がある。この場合、リニアモータの推力値も、構造体７に加わる力として追加することができる。また、第１実施形態における構造体７には、４つの力が加わるとしたが、より多くの力を考慮してもよい。
【００２２】
【数２】
2014022467.tif 000004
【００２３】
【数３】
2014022467.tif 000005
【００２４】
隣り合うショット領域におけるマークの相対的な位置ずれｘｍ＿ｎおよびｙｍ＿ｎは、各ショット領域を露光する際において構造体７に加わる力の差Ｐに、比例定数を乗じて足したものとなる。そのため、比例定数が式（４）によって表されるとすると、ｘｍ＿ｎおよびｙｍ＿ｎは、それぞれ式（５）によって表され、複数のショット領域３０における相対的な位置ずれ（ＸおよびＹ）は式（６）および式（７）によって表される。
【００２５】
【数４】
2014022467.tif 000006
【００２６】
【数５】
2014022467.tif 000007
【００２７】
【数６】
2014022467.tif 000008
【００２８】
【数７】
2014022467.tif 000009
【００２９】
即ち、複数のショット領域３０における相対的な位置ずれ（ＸおよびＹ）と、各ショット領域３０を露光する際において構造体７に加わる力の差Ｐとの関係は、式（８）によって表される。構造体７に加わる力の差Ｐの疑似逆行列を式（８）の両辺に乗ずると、比例定数ＡｘおよびＡｙが算出される。この比例定数ＡｘおよびＡｙは、実際に基板を露光する際の補正係数となる。
【００３０】
【数８】
2014022467.tif 000010
【００３１】
評価用基板を用いて算出された補正係数（比例定数）は、補正部１３において、実際に基板を露光する際に構造体７に加わる力と乗じられ、基板ステージ６の位置を制御するための指令値を補正する補正値が得られる。具体的には、ある時刻ｔにおいて、位置計測部８のｘ方向の誤差Ｄｘ（ｔ）およびｙ方向の計測誤差Ｄｙ（ｔ）は、構造体７に加わる力（力計測部９おける計測値）をｆ１（ｔ）〜ｆ４（ｔ）とすると、式（９）によって表される。補正部１３は、この計測誤差Ｄｘ（ｔ）およびＤｙ（ｔ）を補正値として位置制御系１１に供給し、基板ステージ６の位置を制御するための指令値を補正する。ここで、指令値の補正は、例えば、基板ステージ６の目標位置または位置計測部８の計測値を補正することによって行われる。
【００３２】
【数９】
2014022467.tif 000011
【００３３】
上述したように、第１実施形態の露光装置１００は、複数のショット領域３０が並んで形成された評価用基板を用いて補正係数を算出し、算出した補正係数と力計測部９における計測値とに基づいて基板ステージ６の位置を制御するための指令値を補正する。これにより、位置計測部８における計測誤差を補正するために十分な補正係数を算出することができ、高精度に露光装置１００を校正することができる。ここで、第１実施形態の露光装置１００における評価用基板では、隣り合うショット領域の位置ずれは、重なり合ったマークによって計測した。これは、重なり合ったマークの位置ずれを高精度に計測するためであり、マークを重ね合わせなくても高精度に計測できる場合は、隣り合うショット領域におけるマークを重ね合わせなくてもよい。即ち、各ショット領域を離隔して配置させてもよい。
【００３４】
＜物品の製造方法の実施形態＞
本発明の実施形態にかける物品の製造方法は、例えば、半導体デバイス等のマイクロデバイスや微細構造を有する素子等の物品を製造するのに好適である。本実施形態の物品の製造方法は、基板に塗布された感光剤に上記の走査露光装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板を露光する工程）と、かかる工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含む。更に、かかる製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージング等）を含む。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３５】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明はこれらの実施形態に限定されないことはいうまでもなく、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【図１】
2014022467.tif 000012
【図２】
2014022467.tif 000013
【図３】
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【図４】
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【図５】
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