(57)【要約】【課題】回転双晶に起因する格子欠陥が十分に低減された高品質な化合物半導体基板およびその製造方法を提供する。【解決手段】化合物半導体基板の製造方法であって、Ｓｉ基板上にＩｎを照射する工程と、Ｉｎが照射されたＳｉ基板上にＩｎを含まない化合物半導体層を形成する工程とを備え、Ｓｉ基板とＩｎを含まない化合物半導体層との間にＩｎを含む層が形成されることを特徴とする。Ｉｎを含む層は、Ｓｉ基板上に照射されたＩｎと、Ｉｎを含まない化合物半導体層の一部の元素との結合を有する。Ｓｉ基板上にＩｎを照射する工程の前に、Ｓｉ基板上にＡｓを照射する工程をさらに備えた場合、Ｉｎを含む層は、Ｓｉ基板上に照射されたＡｓと、Ａｓが照射されたＳｉ基板上に照射されたＩｎとの結合を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｓｉ基板上にＩｎを照射する工程と、
前記Ｉｎが照射されたＳｉ基板上にＩｎを含まない化合物半導体層を形成する工程と、
を備え、前記Ｓｉ基板と前記Ｉｎを含まない化合物半導体層との間にＩｎを含む層が形成されることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。
【請求項２】
Ｓｉ基板上にＩｎを照射する工程の前に、Ｓｉ基板上にＡｓを照射する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１に記載の化合物半導体基板の製造方法。
【請求項３】
前記Ｉｎを含む層が、前記Ｓｉ基板上に照射されたＡｓと、前記Ａｓが照射されたＳｉ基板上に照射されたＩｎとの結合を有することを特徴とする請求項２に記載の化合物半導体基板の製造方法。
【請求項４】
前記Ｉｎを含む層が、前記Ｓｉ基板上に照射されたＩｎと、前記Ｉｎを含まない化合物半導体層の一部の元素との結合を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の化合物半導体基板の製造方法。
【請求項５】
前記Ｉｎを含む層の厚さが５０Å以下であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の化合物半導体基板の製造方法。
【請求項６】
前記化合物半導体層が、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、およびこれらの混晶のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の化合物半導体基板の製造方法。
【請求項７】
Ｓｉ基板と、
前記Ｓｉ基板上に形成されたＩｎを含む層と、
前記Ｉｎを含む層上に形成されたＩｎを含まない化合物半導体層と
を備え、前記Ｉｎを含む層は、前記Ｓｉ基板上に照射されたＩｎと、前記Ｉｎを含まない化合物半導体層の一部の元素とが結合して形成されることを特徴とする化合物半導体基板。
【請求項８】
Ｓｉ基板と、
前記Ｓｉ基板上に形成されたＩｎを含む層と、
前記Ｉｎを含む層上に形成されたＩｎを含まない化合物半導体層と
を備え、前記Ｉｎを含む層は、前記Ｓｉ基板上に照射されたＡｓと、前記Ａｓが照射された前記Ｓｉ基板上に照射されたＩｎとが結合して形成されることを特徴とする化合物半導体基板。
【請求項９】
化合物半導体層の［１１１］軸の周りに３６０度φスキャンをした時に得られる回折線の１〜３番目に大きな回折強度をもつピーク値の平均値が、４〜６番目に大きな回折強度を持つピーク値の平均値の５倍以上であることを特徴とする化合物半導体基板。
【請求項１０】
前記Ｉｎを含む層の厚さが５０Å以下であることを特徴とする請求項７または８に記載の化合物半導体基板。
【請求項１１】
前記化合物半導体層が、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、およびこれらの混晶のうちのいずれかであることを特徴とする請求項７乃至９のいずれかに記載の化合物半導体基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、化合物半導体基板及びその製造方法に関し、より詳細には、Ｓｉ基板上に形成された化合物半導体層を備える化合物半導体基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、ＧａＡｓに代表される化合物半導体については、Ｓｉでは得にくい特性を発現できるとして、ＨＥＭＴ（Ｈｉｇｈ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｏｂｉｌｉｔｙ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＨＢＴ（Ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの高速電子デバイスや、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｅｄ  Ｄｉｏｄｅ）、ＬＤ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ）などの光デバイス、高効率の太陽電池、磁気センサなど多岐に渡るデバイスへの応用が進められている。
【０００３】
これらのデバイスを作製するに当たって、高い特性や長期間の信頼性を得るためには、これらのデバイスにはできるだけ結晶欠陥の少ない化合物半導体層が形成されることが求められる。このため、一般的には、これらのデバイスの化合物半導体層は、デバイスの化合物半導体層と同じ種類の化合物半導体基板を用いるホモエピタキシーによって形成される。
【０００４】
しかしながら、一般的にこのような化合物半導体は大型の単結晶を成長することが困難で、大口径の化合物半導体基板を得ることはＳｉと比べて困難である。また、化合物半導体基板として比較的広く用いられているＧａＡｓやＩｎＰなどの単結晶からなる化合物半導体基板は、割れやすくてプロセス中に破損しやすいばかりでなく、価格的にもＳｉと比べると高価である。
【０００５】
そこで、安価で、丈夫で、高品質な化合物半導体基板に関する技術が注目されており、特にＳｉ基板上に化合物半導体層を成長させた化合物半導体基板に関する技術が注目されている。高品質の化合物半導体層をＳｉ基板上に成長できれば、化合物半導体による光を使ったデバイス応用や高速動作といった特徴と、Ｓｉ上の大規模な信号処理回路とを融合させたＯＥＩＣ（Ｏｐｔｏ−Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）などについても利用が可能となる。
【０００６】
Ｓｉ基板上に化合物半導体層を備える化合物半導体基板およびその製造方法としては、特許文献１に記載のものが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２００９／０３５０７９号パンフレット
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  Ａｐｐｌｉｅｄ  Ｐｈｙｓｉｃｓ  ７５（１９９４）３４３５、Ｊ．Ｈ．Ｎｅｅｔｈｉｌｉｎｇ  ｅｔ．ａｌ．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
Ｓｉ基板上に化合物半導体層を備える化合物半導体基板において、Ｓｉ基板上にヘテロエピタキシャル成長によって化合物半導体層を形成する場合、結晶を成長する方位によっても特徴的な問題が生じる。
【００１０】
例えばＳｉ（１１１）面に化合物半導体層としてＧａＡｓを成長する場合、ＧａＡｓの（１００）面がＳｉの（１００）面と揃った方向に成長する場合だけでなく、［１１１］軸を中心に回転した方向に別のドメインが成長する場合が生じる（非特許文献１参照）。
【００１１】
同一の層中に存在する別のドメインの成長部位は回転双晶と呼ばれる。化合物半導体層中に回転双晶が存在すると、それぞれのドメインの界面から層中に格子欠陥を生じるため、その上に形成されるデバイス特性に影響を与え得るので、回転双晶はできるだけ少なくするのが望ましい。
【００１２】
しかしながら、従来技術の化合物半導体基板およびその製造方法では、回転双晶に起因する格子欠陥は十分に低減できていなかった。
【００１３】
すなわち本発明は、回転双晶に起因する格子欠陥が十分に低減された高品質な化合物半導体基板およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明は、上記課題を解決するために鋭意検討した結果、Ｓｉ基板上にＩｎを含む層を形成する工程と、Ｉｎを含む層上に、Ｉｎを含まない化合物半導体層を形成する工程と、を備える化合物半導体基板の製造方法により、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させた。
【００１５】
請求項１に記載の発明は、化合物半導体基板の製造方法であって、Ｓｉ基板上にＩｎを照射する工程と、Ｉｎが照射されたＳｉ基板上にＩｎを含まない化合物半導体層を形成する工程とを備え、Ｓｉ基板とＩｎを含まない化合物半導体層との間にＩｎを含む層が形成されることを特徴とする。
【００１６】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明であって、Ｓｉ基板上にＩｎを照射する工程の前に、Ｓｉ基板上にＡｓを照射する工程をさらに備えたことを特徴とする。
【００１７】
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明であって、Ｉｎを含む層が、Ｓｉ基板上に照射されたＡｓと、Ａｓが照射されたＳｉ基板上に照射されたＩｎとの結合を有することを特徴とする。
【００１８】
また、請求項４に記載の発明は、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発明であって、Ｉｎを含む層が、Ｓｉ基板上に照射されたＩｎと、Ｉｎを含まない化合物半導体層の一部の元素との結合を有することを特徴とする。
【００１９】
また、請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発明であって、Ｉｎを含む層の厚さが５０Å以下であることを特徴とする。
【００２０】
また、請求項６に記載の発明は、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発明であって、化合物半導体層が、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、およびこれらの混晶のうちのいずれかであることを特徴とする。
【００２１】
また、請求項７に記載の発明は、化合物半導体基板であって、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板上に形成されたＩｎを含む層と、Ｉｎを含む層上に形成されたＩｎを含まない化合物半導体層とを備え、Ｉｎを含む層は、Ｓｉ基板上に照射されたＩｎと、Ｉｎを含まない化合物半導体層の一部の元素とが結合して形成されることを特徴とする。
【００２２】
また、請求項８に記載の発明は、化合物半導体基板であって、Ｓｉ基板と、Ｓｉ基板上に形成されたＩｎを含む層と、Ｉｎを含む層上に形成されたＩｎを含まない化合物半導体層とを備え、Ｉｎを含む層は、Ｓｉ基板上に照射されたＡｓと、Ａｓが照射されたＳｉ基板上に照射されたＩｎとが結合して形成されることを特徴とする。
【００２３】
また、請求項９に記載の発明は、化合物半導体基板であって、化合物半導体層の［１１１］軸の周りに３６０度φスキャンをした時に得られる回折線の１〜３番目に大きな回折強度をもつピーク値の平均値が、４〜６番目に大きな回折強度を持つピーク値の平均値の５倍以上であることを特徴とする。
【００２４】
また、請求項１０に記載の発明は、請求項７または８に記載の発明であって、Ｉｎを含む層の厚さが５０Å以下であることを特徴とする。
【００２５】
また、請求項１１に記載の発明は、請求項７乃至９のいずれか一項に記載の発明であって、化合物半導体層が、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、およびこれらの混晶のうちのいずれかであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の化合物半導体基板およびその製造方法によれば、回転双晶に起因する格子欠陥が十分に低減された高品質な化合物半導体基板およびその製造方法を提供することが可能になる。
【００２７】
本発明の化合物半導体基板およびその製造方法は、Ｓｉ上に化合物半導体層を備える化合物半導体基板およびその製造方法であるため、安価で大面積が可能、かつハンドリングが容易な化合物半導体基板およびその製造方法であり、さらに、回転双晶に起因する格子欠陥が十分に低減された高品質な化合物半導体基板およびその製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の一実施形態にかかる化合物半導体基板の断面模式図である。
【図２】実施例１にかかるＳｉ｛２２０｝およびＧａＡｓの｛２２０｝回折について、φ方向に３６０℃スキャンしたときのＸ線回折強度分布を示す図である。
【図３】比較例１にかかるＳｉ｛２２０｝およびＧａＡｓの｛２２０｝回折について、φ方向に３６０℃スキャンしたときのＸ線回折強度分布を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明の実施形態（以下、本実施形態と称する）について述べ、図面および実施例に基づいて詳細に説明する。
【００３０】
［化合物半導体基板］
図１に、本実施形態の１つにおける化合物半導体基板の断面模式図を示す。
【００３１】
図１に記載の化合物半導体基板１０は、Ｓｉ基板１０１と、Ｉｎを含む層１０２と、Ｉｎを含まない化合物半導体層１０３とを備える。
【００３２】
また、本実施形態の化合物半導体基板１０は、Ｓｉ基板上にＩｎを含む層を形成する工程と、Ｉｎを含む層上にＩｎを含まない化合物半導体層を形成する工程と、を備える製造方法により得られる。
【００３３】
Ｓｉ基板１０１とＩｎを含まない化合物半導体層１０３との間にＩｎを含む層１０２を備えることにより、Ｉｎを含まない化合物半導体層１０３の層中の回転双晶の発生が低減される。
【００３４】
本実施形態の化合物半導体基板は、化合物半導体層に対してＸ線回折による評価を行い、化合物半導体層の［１１１］軸の周りに３６０度φスキャンをした時に得られる回折線の１〜３番目に大きな回折強度をもつピーク値の平均値が、４〜６番目に大きな回折強度を持つピーク値の平均値の５倍以上（後述のＲｔｗｉｎが５以上）であることが好ましい。Ｒｔｗｉｎが５以上であることにより、本実施形態の化合物半導体基板上に成長されるデバイス層の欠陥密度が低減される。
【００３５】
本実施形態におけるＩｎを含む層１０２は、厚さが５０Å以下であることが好ましい。本発明においてＩｎを含む層を設ける目的は、Ｉｎを含む層の上のＩｎを含まない化合物半導体層の回転双晶を少なくすることであり、このＩｎを含む層の厚さが５０Å以下であればＩｎを含む層の特性はバルクと同等ではなく、Ｉｎを含む層の上の化合物半導体層のヘテロ成長条件や素子を作製した場合の特性などに対する影響が小さくなるため好ましい。
【００３６】
本実施形態におけるＩｎを含まない化合物半導体層は、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、およびこれらの混晶のうちのいずれかであることが好ましい。これらの材料は何れも立方晶系に属し、（１１１）軸の周りに回転双晶が作られる可能性があるが、いずれも本発明の効果によって回転双晶の割合を減ずることが期待できる。
【００３７】
［Ｓｉ基板１０１］
後述の実施例においてはＳｉ単結晶基板を、（１１１）面が表面になるように切り出し、研磨したものを用いるが、本発明におけるＳｉ基板はこれに限定されず、（１１１）面からいずれかの方向に０〜１０℃程度傾斜した面であっても同様に用いることが出来る。
【００３８】
［Ｉｎを含む層１０２］
本発明の技術的な特徴は、Ｉｎを含まない化合物半導体層を成長する前に、Ｉｎを照射することであるが、これは必ずしも金属状のＩｎを形成することを示すものではない。Ｉｎの照射に引き続いてＩｎを含まない化合物半導体層を形成することによって、Ｉｎを含まない化合物半導体層に含まれる５族元素（たとえばＩｎを含まない化合物半導体がＧａＡｓである場合はＡｓ）とＩｎが直接結合した層が界面に形成される。本発明においては、Ｓｉ基板１０１とＩｎを含まない化合物半導体層１０３との界面に形成するＩｎと５族元素との結合をもつことを特徴とする層を「Ｉｎを含む層」と定義する。このようなＩｎを含む層は、界面近傍での極めて薄い領域であるので、膜厚を厳密に制御出来る方法で作製することが好ましく、分子線エピタキシー（ＭＢＥ）、有機金属化学気相成長（ＭＯＣＶＤ）、電子ビーム蒸着などの方法で形成することが出来る。またこのようなＩｎを含む層は、基板上の全面に渡って均一に形成されているのが好ましいが、一部にＩｎ−Ｉｎの金属結合を持っているような場合でも同様の効果が期待できる。
【００３９】
［Ｉｎを含まない化合物半導体層１０３］
本発明におけるＩｎを含まない化合物半導体層とは、組成中にＩｎを含まない化合物半導体を示すが、ＧａＡｓ、ＡｌＡｓ、ＧａＰ、ＡｌＰ、ＧａＳｂ、ＡｌＳｂやこれらの混晶半導体などの、Ｓｉと同様に立方晶系に属する結晶格子を持っているものが好ましい。これらの形成方法には特に制限はなく、実施例に示されているようなＭＢＥ法の他、ＭＯＣＶＤ法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法など、一般的な半導体の成長法は何れも用いることが出来る。
【００４０】
［化合物半導体基板の製造方法］
本実施形態の化合物半導体基板の製造方法は、Ｓｉ基板上にＩｎを含む層を形成する工程と、Ｉｎを含む層上にＩｎを含まない化合物半導体層を形成する工程と、を備える製造方法である。
【００４１】
Ｉｎを含まない化合物半導体層を形成する工程に先立ち、Ｓｉ基板上にＩｎを含む層を形成する工程を有することにより、Ｉｎを含まない化合物半導体層の回転双晶の発生が低減される。
【００４２】
Ｉｎを含まない化合物半導体層の形成に先立ち、常識にとらわれることなく、目的となる化合物半導体層には含まれないＩｎを含む層を形成することにより、化合物半導体層の回転双晶の発生が低減されることを本発明者らは見出した。
【００４３】
以下、本発明の実施形態について、実施例に基づいて説明する。
【実施例１】
【００４４】
［Ａｓ先行照射のある場合］
Ｓｉ基板上に化合物半導体としてＧａＡｓを成長する場合において、本発明による化合物半導体基板を以下に記載の方法で作製した。
【００４５】
まずＳｉ（１１１）基板の表面の有機物、金属等の汚染物質を除去した後、濃度１．０ｗｔ％のフッ化水素水溶液を用いて表面の酸化膜を除去して、水素終端処理を行った。
これを直ちにＭＢＥ装置内（ＶＧ  ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｏｒ製  Ｖ−１００）に導入し、１．２×１０-7Ｐａの真空中で、基板の指示温度が３００℃になるまで加熱し、温度が一定になったところでＡｓを照射し、そのまま１０分間Ａｓを照射しながらホールドした。
【００４６】
次にＡｓ照射を停め、直ちにＩｎを照射した。Ｉｎの照射量はＩｎＡｓが形成されると想定したときに５．５Åに相当する量を用いた。
【００４７】
引き続いて、基板の指示温度を４００℃になるまで加熱しＧａＡｓを２０ｎｍ成長させ、更に基板の指示温度を６００℃になるまで加熱してＧａＡｓを９８０ｎｍ成長させ、Ｓｉ基板上に化合物半導体層としてＧａＡｓを備える化合物半導体基板Ａを得た。
【００４８】
上記ＧａＡｓを成長するときのＡｓ／Ｇａのフラックス比は、いずれも２０であった。
【００４９】
作製した膜は以下の方法で回転双晶の発生の有無を評価した。
【００５０】
まず、基板であるＳｉの（１１１）面と平行にＧａＡｓの（１１１）が成長していることをＸ線回折装置（例えばＰＡＮａｌｙｔｉｃａｌ  ＭＲＤ）を用いて確認する。その後、ＧａＡｓの｛２２０｝面の回折位置にくるようにＸ線回折装置の２θ位置を調整し、ＧａＡｓの［１１１］軸のまわりに３６０度φ方向のスキャンを行い、ＧａＡｓ｛２２０｝面回折の評価を行った。ＧａＡｓは本来閃亜鉛鉱構造を持っているため、［１１１］軸に対しては３回対称になっており、ＧａＡｓ膜に回転双晶が一切なければ｛２２０｝面の回折線は３本出てくるが、［１１１］軸に対して１８０度回転したドメインが存在すると、｛２２０｝の回折線は６本現れる。そこで、上記のような方法でスキャンしたときに現れるピークのうち、１〜３番目に大きな回折強度をもつピークの平均値と、４〜６番目に大きな回折強度を持つピークの平均値との比をとって回転双晶の存在比率の指標（Ｒｔｗｉｎ）とした。すなわち、作製した薄膜中にほぼ同量の回転双晶が存在すれば、このＲｔｗｉｎの値は１に近づき、回転双晶が少なく単一のドメインに近いほど、Ｒｔｗｉｎの値は大きな値をとる。
【００５１】
図２は、実施例１で得られた化合物半導体基板Ａを、上記評価方法に従ってＧａＡｓの［１１１］軸のまわりに３６０度φ方向のスキャンを行って得られたＧａＡｓ｛２２０｝面回折の結果（図２（ｂ））と、ＧａＡｓの下にあるＳｉを［１１１］軸のまわりに３６０度φ方向のスキャンを行って得られたＳｉ｛２２０｝面回折の結果（図２（ａ））である。
【００５２】
図２（ａ）（ｂ）を対比することから明らかなとおり、ＧａＡｓの測定において得られる｛２２０｝ピークのうち回折強度の大きなピークは、Ｓｉの｛２２０｝回折が得られるφ（Ｐｈｉ）の位置と一致しており、この回折を示すＧａＡｓ層の成長方位はＳｉの成長方位と一致していることを示している。
【００５３】
図２（ｂ）より、実施例１で得られた化合物半導体基板ＡのＲｔｗｉｎは７．９であった。
【実施例２】
【００５４】
［Ａｓ先行照射のない場合］
Ｓｉ基板上に化合物半導体としてＧａＡｓを成長する場合において、実施例１と同様の方法で水素終端処理したＳｉ（１１１）基板をＭＢＥ装置内に導入し、１．２×１０-7Ｐａの真空中で、基板の指示温度が３００℃になるまで加熱した。
【００５５】
次に、実施例１ではＡｓの照射を行ったが、本実施例においてはＡｓを照射することなく、Ｉｎを実施例１と同様の量だけ基板上に照射した。
【００５６】
引き続いて、基板の指示温度を４００℃になるまで加熱しＧａＡｓを２０ｎｍ成長させ、更に基板の指示温度を６００℃になるまで加熱してＧａＡｓを９８０ｎｍ成長させ、Ｓｉ基板上に化合物半導体層としてＧａＡｓを備える化合物半導体基板Ｂを得た。
【００５７】
上記ＧａＡｓを成長するときのＡｓ／Ｇａのフラックス比は、実施例１と同様にいずれも２０であった。
【００５８】
作製した膜のＲｔｗｉｎを実施例１と同様の手法で評価したところ、Ｒｔｗｉｎは７．０であった。
【比較例１】
【００５９】
［Ｉｎの先行照射がない場合］
実施例１の場合と同様に、まずＳｉ（１１１）基板の表面の有機物、金属等の汚染物質を除去した後、濃度１．０ｗｔ％のフッ化水素水溶液を用いて表面の酸化膜を除去して、水素終端処理を行った。
【００６０】
これを直ちにＭＢＥ装置内に導入し、１．２×１０-7Ｐａの真空中で、基板の指示温度が３００℃になるまで加熱し、温度が一定になったところでＡｓを照射し、そのまま１０分間Ａｓを照射しながらホールドした。
【００６１】
次にＡｓ照射を停め、直ちにＧａを照射した。Ｇａの照射量は、ＧａＡｓが形成されると想定して５．５Åに相当する量だけ照射した。
【００６２】
引き続いて、基板の指示温度を４００℃になるまで加熱しＧａＡｓを２０ｎｍ成長させ、更に基板の指示温度を６００℃になるまで加熱してＧａＡｓを９８０ｎｍ成長させ、Ｓｉ基板上に化合物半導体層としてＧａＡｓを備える化合物半導体基板Ｂを得た。
【００６３】
上記ＧａＡｓを成長するときのＡｓ／Ｇａのフラックス比は、いずれも２０であった。
作製した膜は、実施例１の場合と同様にＧａＡｓ｛２２０｝面回折のφ方向スキャンで回転双晶の有無を評価した。その結果を図３に示す。実施例１の場合と比較すると、図３（ｂ）のＧａＡｓ｛２２０｝のスキャンでは、図３（ａ）のＳｉ｛２２０｝のスキャンで観察されるピークとは異なる位置に回折強度の強いピークを持っており、ＧａＡｓ層の成長方位はＳｉの成長方位と異なる層が主体であることを示している。図３（ｂ）より、比較例１で得られた化合物半導体基板ＢのＲｔｗｉｎは４．４であった。
【符号の説明】
【００６４】
１０  化合物半導体基板
１０１  Ｓｉ基板
１０２  Ｉｎを含む層
１０３  Ｉｎを含まない化合物半導体層
【図１】
2014022564.tif 000003
【図２】
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【図３】
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