(57)【要約】【課題】重合開始剤の機能を兼ねた液晶性モノマーを用いた、液晶組成物を提供する。【解決手段】ブルー相を発現する液晶材料、および下記一般式（Ｇ１）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物。2014186219.tif 000040但し、一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、ｎ、ｍはそれぞれ独立に２乃至２０の整数である。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブルー相を発現する液晶材料、および下記一般式（Ｇ１）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物。
【化１】
2014186219.tif 000035
（但し、一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、ｎ、ｍはそれぞれ独立に２乃至２０の整数である。）
【請求項２】
ブルー相を発現する液晶材料、および下記一般式（Ｇ２）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物。
【化２】
2014186219.tif 000036
（但し、一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、ｎ、ｍはそれぞれ独立に２乃至２０の整数である。）
【請求項３】
ブルー相を発現する液晶材料、および下記一般式（Ｇ２）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物。
【化３】
2014186219.tif 000037
（但し、一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。）
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記一般式（Ｇ１）、前記一般式（Ｇ２）または前記一般式（Ｇ３）で示される液晶性モノマーは、下記構造式（１００）である液晶組成物。
【化４】
2014186219.tif 000038
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記一般式（Ｇ１）、前記一般式（Ｇ２）、前記一般式（Ｇ３）または前記構造式（１００）で示される液晶性モノマーは、光の吸収端の波長が３２０ｎｍより長波長である液晶組成物。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一において、
前記一般式（Ｇ１）、前記一般式（Ｇ２）、前記一般式（Ｇ３）または前記構造式（１００）で示される液晶性モノマーは、光の吸収端の波長が３６５ｎｍより長波長である液晶組成物。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
非液晶性モノマーを含む液晶組成物。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
カイラル剤を含む液晶組成物。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一において、
前記液晶組成物は、
液晶性モノマーと、非液晶性モノマーと、ブルー相を発現する液晶材料と、カイラル剤の混合物であり
前記液晶性モノマーは、重合開始剤の機能を兼ねる、液晶組成物。
【請求項１０】
下記の構造（Ｈ１）と、ブルー相を発現する液晶材料を分子内に含む、高分子／液晶複合体。
【化５】
2014186219.tif 000039
【請求項１１】
請求項１０に記載の高分子／液晶複合体を用いた液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶組成物、高分子／液晶複合体、液晶素子および液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイが実用化され、従来のブラウン管を用いたディスプレイからの置き換えが進んでいる。フラットパネルディスプレイには、液晶表示素子を有する液晶表示装置をはじめ、エレクトロルミネッセンス素子（ＥＬ素子）を有するＥＬ表示装置や、プラズマディスプレイなどが存在しており、市場においてはこれらが競合している。現在のところ、様々な技術による欠点の克服、生産コストの抑制などにより、液晶表示装置が市場において優位な立場にある。
【０００３】
上述の液晶表示装置が、他のフラットパネルディスプレイと比較して劣っている点の一つに、素子の応答速度（表示の切り替え速度）がある。応答速度の欠点を克服すべく、これまでにも様々な技術が提案されてきた。従来の、いわゆるＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードと呼ばれる液晶駆動方式を採用する液晶素子では、その応答速度が１０ｍｓ程度であったが、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モードやＦＬＣ（Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ）モードといった方式を用いることで、１ｍｓ程度までの応答速度の向上が実現されている。
【０００４】
このような液晶の駆動方式と並んで注目される技術として、ブルー相と呼ばれる状態を液晶表示素子に用いる技術がある。ブルー相は、例えばコレステリック相と等方相との間に出現する液晶相で、極めて応答速度が高いという特徴を備えている。このブルー相を用いることで、液晶表示装置の応答時間を１ｍｓ以下とすることが可能である。
【０００５】
ブルー相は、発現する温度範囲の狭さが大きな問題となっているが、ブルー相が発現している液晶組成物中に高分子の三次元網目構造を形成することで、ブルー相の発現温度を拡大する手法が報告されている（たとえば特許文献１）。
【０００６】
特許文献１では、液晶組成物中に高分子の三次元網目構造を形成するために、液晶組成物中に重合性のモノマーを添加し、これに紫外線を照射して重合させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３２７９６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、紫外線を照射してモノマーを重合させるためには、液晶組成物中に、モノマーの他に、紫外線を吸収しモノマーの重合を開始させる、重合開始剤を別に添加する必要があった。そのため、液晶素子の作製工程が増加していた。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一態様では、重合開始剤の機能を兼ねたモノマーを用いた、液晶組成物を提供することを目的の一とする。
【００１０】
本発明の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、および下記一般式（Ｇ１）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物である。
【化１】
2014186219.tif 000002
【００１１】
但し、一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、ｎ、ｍはそれぞれ独立に２乃至２０の整数である。
【００１２】
また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、および下記一般式（Ｇ２）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物である。
【化２】
2014186219.tif 000003
【００１３】
但し、一般式（Ｇ２）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ２）中、ｎ、ｍはそれぞれ独立に２乃至２０の整数である。
【００１４】
また、本発明の別の一態様は、ブルー相を発現する液晶材料、および下記一般式（Ｇ３）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物である。
【化３】
2014186219.tif 000004
【００１５】
但し、一般式（Ｇ３）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。
【００１６】
また、上記一般式（Ｇ１）、一般式（Ｇ２）または一般式（Ｇ３）で示される液晶性モノマーは、下記構造式（１００）で示される液晶性モノマーを含む液晶組成物である。
【化４】
2014186219.tif 000005
【００１７】
また、上記一般式（Ｇ１）、一般式（Ｇ２）、一般式（Ｇ３）で示される液晶性モノマーは、光の吸収端の波長が３２０ｎｍより大きいことが好ましく、３６５ｎｍより大きいことがより好ましい。
【００１８】
また、上記構造式（１００）で示される液晶性モノマーは、光の吸収端の波長を３６５ｎｍより大きくすることができる。
【００１９】
また、本発明の別の一態様は、上記において、非液晶性モノマーを含んでいてもよい。また、カイラル剤を含んでいてもよい。
【００２０】
また、本発明の別の一態様は、上記の液晶性モノマーと、非液晶性モノマーと、ブルー相を発現する液晶材料と、カイラル剤の混合物からなる液晶組成物であってもよい。
【００２１】
また、本発明の別の一態様は、下記の構造（Ｈ１）とブルー相を発現する液晶材料を分子内に含む、高分子／液晶複合体である。
【００２２】
【化５】
2014186219.tif 000006
【００２３】
また、本発明の別の一態様は、上記の高分子／液晶複合体を用いた液晶表示装置である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の一態様により、重合開始剤の機能を兼ねた液晶性モノマーを用いた、液晶組成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】液晶素子を説明する概念図。
【図２】液晶表示装置の一形態を説明する図。
【図３】液晶表示装置の電極構成の一形態を説明する図。
【図４】液晶表示モジュールを説明する図。
【図５】電子機器を説明する図。
【図６】Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図７】Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６のジクロロメタン溶液の吸収スペクトル。
【図８】実施例２の液晶素子における印加電圧と透過率の関係を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の態様について、図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。したがって、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、以下に説明する構成において、同一部分及び同様な機能を有する部分については同一の符号を異なる図面間で共通して用い、その繰り返しの説明は省略する。
【００２７】
また、本明細書等において、液晶表示装置とは、画像表示デバイス、表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、コネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ  Ａｕｔｏｍａｔｅｄ  Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ  Ｃａｒｒｉｅｒ  Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または表示素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て液晶表示装置に含むものとする。また、本明細書等における液晶表示装置としては、液晶特性を利用した電子機器を全て含むものとし、例えば、表示機能を有していない液晶電気光学装置もその範疇に含むものとする。
【００２８】
（実施の形態１）
本実施の形態では、高分子安定化ブルー相を発現する液晶組成物、および該液晶組成物を高分子安定化処理（重合）して得られる高分子／液晶複合体について説明する。
【００２９】
本実施の形態で示す液晶組成物は、ブルー相を発現する液晶材料、非液晶性モノマーおよび液晶性モノマーを含んで構成される。また、これらに加えてカイラル剤を含んでいてもよい。なおモノマーには、液晶性モノマーと、非液晶性モノマーが含まれる。
【００３０】
ブルー相は、光を実質的に散乱せず且つ光学的に等方的な相である。ブルー相を発現する液晶材料としては、ネマチック性液晶性化合物、スメクチック性液晶性化合物等が挙げられ、ネマチック性液晶性化合物が好ましい。なお、ネマチック性液晶性化合物としては特に制限されず、ビフェニル系化合物、ターフェニル系化合物、フェニルシクロヘキシル系化合物、ビフェニルシクロヘキシル系化合物、フェニルビシクロヘキシル系化合物、安息香酸フェニル系化合物、シクロヘキシル安息香酸フェニル系化合物、フェニル安息香酸フェニル系化合物、ビシクロヘキシルカルボン酸フェニル系化合物、アゾメチン系化合物、アゾおよびアゾオキシ系化合物、スチルベン系化合物、ビシクロヘキシル系化合物、フェニルピリミジン系化合物、ビフェニルピリミジン系化合物、ピリミジン系化合物、およびビフェニルエチン系化合物等が挙げられる。
【００３１】
カイラル剤とは、液晶材料にねじれ構造を生じさせるものである。また、カイラル剤の添加量はブルー相を発現する液晶材料の回折波長に影響する。従って、カイラル剤の添加量は、ブルー相を発現する液晶材料の回折波長が可視領域（３８０〜７５０ｎｍ）外となるように調整するのが好ましい。カイラル剤としては、Ｓ−８１１（メルク社製）、Ｓ−１０１１（メルク社製）、１，４：３，６−ジアンヒドロ−２，５−ビス［４−（ｎ−ヘキシル−１−オキシ）安息香酸］ソルビトール（略称：ＩＳＯ−（６ＯＢＡ）２）（みどり化学株式会社製）などを適宜選択して用いることができる。
【００３２】
なお、当該液晶組成物において、ねじれ力の強いカイラル剤を用いる構成は、共焦点レーザー顕微鏡による撮像データにおいて、高分子／液晶複合体の配向に由来する縞模様が観測され、複数の向きの当該縞模様が境界を介さずに隣接して存在する領域が、１５μｍ×１５μｍに相当する範囲に少なくとも２箇所以上存在する特徴的なテクスチャ（以下、単に特徴的なテクスチャと示す場合がある）を示し、光漏れの少ない高分子／液晶複合体を与えることができるため、好ましい構成である。
【００３３】
非液晶性モノマーは、液晶性を示さず、光によって重合することができるモノマーであって、棒状の分子構造（例えば、ビフェニル基、又はビフェニルシクロヘキシル基等の末端にアルキル基、シアノ基、フッ素などが存在する分子構造など）を有さないモノマーをいう。具体的には、分子構造中にアクリロイル基、メタクリロイル基、ビニル基、エポキシ基等の重合性基を含むモノマーが挙げられるが、これらに限られるものではない。
【００３４】
液晶性モノマーは、液晶性を示し、光によって重合することができるモノマーである。本発明の一態様の液晶組成物における液晶性モノマーは、重合開始剤の機能を兼ねるために、３２０ｎｍ以上、より好ましくは３６５ｎｍ以上の波長の光を吸収する液晶性モノマーとする。
【００３５】
本発明の一態様の液晶組成物の高分子安定化処理（重合）には、光重合を用いることができる。光重合は、例えば紫外線を照射することにより行うことができる。ただし紫外線のなかでも、３６５ｎｍ以下、特に３２０ｎｍ以下の波長の紫外線は、液晶組成物中の他の材料にダメージを与えるおそれがあり、高分子安定化処理（重合）に適さない。そこで、３６５ｎｍ以下、特に３２０ｎｍ以下の波長の紫外線をカットした紫外線を照射することで、高分子安定化処理（重合）を行う工程が好ましい。
【００３６】
そのため、本発明の一態様の液晶組成物に用いる液晶性モノマーを、３２０ｎｍ以上、より好ましくは３６５ｎｍ以上の光を吸収するようにすることで、液晶組成物中の他の材料にダメージを与えずに、高分子安定化処理（重合）を行うことができる。
【００３７】
３２０ｎｍ以上、より好ましくは３６５ｎｍ以上の光を吸収させるため、本発明の一態様の液晶組成物における液晶性モノマーは、下記一般式（Ａ）で示す骨格を有する。
【００３８】
【化６】
2014186219.tif 000007
【００３９】
但し、一般式（Ａ）中、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。
【００４０】
よって本発明の一態様の液晶組成物における液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ１）で示される。
【００４１】
【化７】
2014186219.tif 000008
【００４２】
但し、一般式（Ｇ１）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、ｎ、ｍはそれぞれ独立に２乃至２０の整数である。
【００４３】
また、本発明の一態様の液晶組成物における液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ２）で示される。
【００４４】
【化８】
2014186219.tif 000009
【００４５】
但し、一般式（Ｇ２）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ２）中、ｎ、ｍはそれぞれ独立に２乃至２０の整数である。
【００４６】
また、本発明の一態様の液晶組成物における液晶性モノマーは、下記一般式（Ｇ３）で示される。
【００４７】
【化９】
2014186219.tif 000010
【００４８】
但し、一般式（Ｇ３）中、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。
【００４９】
一般式（Ｇ１）で示される液晶性モノマーの具体例としては、構造式（１００）〜構造式（１５９）で示される液晶性モノマーを挙げることができる。ただし、本発明はこれらに限定されない。
【００５０】
【化１０】
2014186219.tif 000011
【００５１】
【化１１】
2014186219.tif 000012
【００５２】
【化１２】
2014186219.tif 000013
【００５３】
【化１３】
2014186219.tif 000014
【００５４】
【化１４】
2014186219.tif 000015
【００５５】
【化１５】
2014186219.tif 000016
【００５６】
【化１６】
2014186219.tif 000017
【００５７】
【化１７】
2014186219.tif 000018
【００５８】
【化１８】
2014186219.tif 000019
【００５９】
【化１９】
2014186219.tif 000020
【００６０】
【化２０】
2014186219.tif 000021
【００６１】
本発明の一態様の液晶組成物における液晶性モノマーの合成方法としては、種々の反応の適応が可能である。例えば、下記の合成法１乃至合成法４に示す合成反応を行うことによって合成することができる。
【００６２】
≪合成法１≫
本合成法では、下記反応式（ｇ−１）および（ｇ−２）による、一般式（Ｇ１）で示される液晶性モノマーの合成法を説明する。
【００６３】
【化２１】
2014186219.tif 000022
【００６４】
フェノール誘導体（化合物（ｐ１））と、テレフタル酸誘導体（化合物（ｐ２））との、エステル化反応を行うことにより、テレフタル酸モノエステル（化合物（ｐ３））を得ることができる。（反応式（ｇ−１））。反応式（ｇ−１）において、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表し、Ｒ１は水素またはメチル基のいずれか一を表し、ｎは２乃至２０の整数を示す。
【００６５】
エステル化反応としては、酸触媒を用いた脱水縮合によるエステル化反応（付加脱離反応）が挙げられる。脱水縮合反応を行う場合、硫酸やパラ−トルエンスルホン酸等の酸触媒を用いることができる。または、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド・塩酸塩（略称：ＥＤＣ）やジシクロヘキシルカルボジイミド（略称：ＤＣＣ）などのジイミド化合物を用いてエステル化することも出来る。ＥＤＣ又はＤＣＣを用いる場合、副生成物の除去が容易なためＥＤＣを用いる方が好ましい。なお、化合物（ｐ３）の合成はこれらの反応に限られるものではない。
【００６６】
【化２２】
2014186219.tif 000023
【００６７】
次いで、反応式（ｇ−１）で得られたテレフタル酸モノエステル（化合物（ｐ３））と、フェノール誘導体（化合物（ｐ４））との、エステル化反応を行うことにより、目的の一般式（Ｇ１）で示される液晶性モノマーを得ることができる（反応式（ｇ−２））。反応式（ｇ−２）において、Ｒ１、Ｒ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、Ｘ１、Ｘ２はそれぞれ独立に水素またはメチル基のいずれか一を表す。また、一般式（Ｇ１）中、ｎ、ｍは２乃至２０の整数を示す。
【００６８】
エステル化反応としては、酸触媒を用いた脱水縮合によるエステル化反応（付加脱離反応）が挙げられる。脱水縮合反応を行う場合、硫酸やパラ−トルエンスルホン酸等の酸触媒を用いることができる。または、１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド・塩酸塩（略称：ＥＤＣ）やジシクロヘキシルカルボジイミド（略称：ＤＣＣ）などのジイミド化合物を用いてエステル化することも出来る。ＥＤＣ又はＤＣＣを用いる場合、副生成物の除去が容易なためＥＤＣを用いる方が好ましい。なお、一般式（Ｇ１）の合成はこれらの反応に限られるものではない。
【００６９】
以上によって、本発明の一態様の液晶組成物における液晶性モノマーを合成することができる。
【００７０】
本発明の一態様である液晶組成物は、以上の材料を含んで構成される。そして、該液晶組成物を高分子安定化処理（重合）することにより、高分子安定化ブルー相を発現することができる。
【００７１】
液晶組成物の高分子安定化処理（重合）には、前述したように光重合を用いることができ、例えば紫外線を照射することにより行うことができる。なお、重合させる時間については、液晶組成物に含まれる材料に応じて適宜調節すればよい。
【００７２】
高分子安定化処理（重合）のときの処理温度は、得られる高分子／液晶複合体が、高分子安定化ブルー相を示す温度であることが好ましい。より好ましくは液晶組成物および高分子／液晶複合体が等方相またはブルー相の状態を維持できる温度とするのが好ましい。また、液晶組成物が等方相であっても高分子安定化処理（重合）後の高分子／液晶複合体がブルー相の状態を維持できる温度であればよい。また高分子安定化処理（重合）中において温度を変化させてもよく、この場合、液晶組成物が等方相またはブルー相を発現する温度で重合を開始し、高分子／液晶複合体がブルー相を示すような処理温度であればよい。
【００７３】
重合を行うことで、液晶組成物中の液晶性モノマーと非液晶性モノマーが共重合し、下記の構造（Ｈ１）を分子内に有する三次元ネットワークが形成される。これにより、下記の構造記の構造（Ｈ１）とブルー相を発現する液晶材料を分子内に含む、高分子／液晶複合体が形成される。
【００７４】
【化２３】
2014186219.tif 000024
【００７５】
≪合成法２≫
本合成法では、一般式（Ｇ２）で示される液晶性モノマーの合成法を説明する。
【化２４】
2014186219.tif 000025
【００７６】
一般式（Ｇ２）で示される液晶性モノマーは、一般式（Ｇ１）、反応式（ｇ−１）および（ｇ−２）におけるＸ１、Ｘ２が水素である以外は、合成法１と同様に合成することができる。
【００７７】
また、高分子安定化処理（重合）により、液晶組成物中の、一般式（Ｇ２）で示される液晶性モノマーと非液晶性モノマーが共重合し、下記の構造（Ｈ２）を分子内に有する三次元ネットワークが形成される。これにより、下記の構造記の構造（Ｈ２）とブルー相を発現する液晶材料を分子内に含む、高分子／液晶複合体が形成される。
【００７８】
【化２５】
2014186219.tif 000026
【００７９】
≪合成法３≫
本合成法では、一般式（Ｇ３）で示される液晶性モノマーの合成法を説明する。
【化２６】
2014186219.tif 000027
【００８０】
一般式（Ｇ３）で示される液晶性モノマーは、一般式（Ｇ１）、反応式（ｇ−１）および（ｇ−２）におけるＸ１、Ｘ２が水素であり、ｎ、ｍが６である以外は、合成法１と同様に合成することができる。
【００８１】
また、高分子安定化処理（重合）により、液晶組成物中の、一般式（Ｇ３）で示される液晶性モノマーと非液晶性モノマーが共重合し、下記の構造（Ｈ３）を分子内に有する三次元ネットワークが形成される。これにより、下記の構造記の構造（Ｈ３）とブルー相を発現する液晶材料を分子内に含む、高分子／液晶複合体が形成される。
【００８２】
【化２７】
2014186219.tif 000028
≪合成法４≫
本合成法では、下記反応式（ｇ−３）による、構造式（１００）で示される液晶性モノマーの合成法を説明する。
【化２８】
2014186219.tif 000029
【００８３】
４−（６−アクリロイルオキシ−ｎ−ヘキシル−１−オキシ）フェノールと、テレフタル酸との、エステル化反応を行うことにより、テレフタル酸ビス−［４−（６−アクリロイルオキシ−ｎ−ヘキシル−１−オキシ）フェニル］（略称：Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６）を得ることができる反応式（ｇ−３）。
【００８４】
エステル化反応としては、合成例１に記載の方法を適用することができる。
【００８５】
また、高分子安定化処理（重合）により、液晶組成物中の、構造式（１００）で示される液晶性モノマーと非液晶性モノマーが共重合し、下記の構造（Ｈ４）を分子内に有する三次元ネットワークが形成される。これにより、下記の構造記の構造（Ｈ４）とブルー相を発現する液晶材料を分子内に含む、高分子／液晶複合体が形成される。
【００８６】
【化２９】
2014186219.tif 000030
【００８７】
本発明の一態様である液晶組成物を用いることで、重合開始剤の機能を兼ねた液晶性モノマーを用いた液晶組成物とすることができる。そのため、重合開始剤を添加する必要がなく、液晶素子の作製工程を削減できる。
【００８８】
本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【００８９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した液晶組成物を適用した液晶素子及び液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
【００９０】
本実施の形態に係る液晶素子及び液晶表示装置の例を図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示す。
【００９１】
なお、本明細書等において、液晶素子とは、液晶の光学的変調作用により光の透過または非透過を制御する素子であり、一対の電極層及びその間に挟持された液晶組成物を少なくも含んで構成される。本実施の形態において液晶素子は、少なくとも一対の電極層（電位の異なる画素電極層２３０及び共通電極層２３２）の間に、実施の形態１で示したブルー相を発現可能な液晶組成物２０８を有する。
【００９２】
図１（Ａ）及び図１（Ｂ）は、第１の基板２００と第２の基板２０１とが、ブルー相を発現する液晶組成物２０８を間に挟持して対向するように配置された液晶表示装置である。図１（Ａ）及び図１（Ｂ）の液晶素子及び液晶表示装置は、液晶組成物２０８に対する画素電極層２３０及び共通電極層２３２の配置が異なる例である。
【００９３】
図１（Ａ）の液晶表示装置は、第１の基板２００と液晶組成物２０８との間に画素電極層２３０と、共通電極層２３２が隣接して設けられている。図１（Ａ）の構成により、基板に概略平行（すなわち水平な方向）な電界を生じさせて、基板と平行な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式を用いることができる。
【００９４】
このような図１（Ａ）の構成は、本発明の一態様に係る液晶組成物である上述のブルー相を発現する液晶組成物を液晶組成物２０８に用いる場合に好適に適用することができる。
【００９５】
画素電極層２３０と共通電極層２３２との間に電界を形成することで、液晶を制御する。液晶には水平方向の電界が形成されるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。ブルー相を発現する液晶組成物は、高速応答が可能であるため、液晶素子及び液晶表示装置の高性能化が可能になる。また、ブルー相を呈するように配向している液晶分子を、基板と平行な方向で制御できるため、視野角を拡大することができる。
【００９６】
例えば、高速応答が可能であるため、バックライト装置にＲＧＢの発光ダイオード（ＬＥＤ）等を配置し、時分割によりカラー表示する継時加法混色法（フィールドシーケンシャル法）や、時分割により左目用の映像と右目用の映像を交互に見るシャッター眼鏡方式による３次元表示方式に好適に採用できる。
【００９７】
図１（Ｂ）の液晶素子及び液晶表示装置は、液晶組成物２０８を挟持して第１の基板２００側に画素電極層２３０、第２の基板２０１側に共通電極層２３２が設けられている。図１（Ｂ）の構成であると、基板に概略垂直な電界を生じさせて、基板と垂直な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式を用いることができる。また、液晶組成物２０８と、画素電極層２３０及び共通電極層２３２との間に配向膜２０２ａ、配向膜２０２ｂを設けてもよい。本発明の一態様に係る液晶組成物は、様々な構成の液晶素子、及び様々な表示モードの液晶表示装置に用いることができる。
【００９８】
液晶組成物２０８を介して隣接する画素電極層２３０と、共通電極層２３２との距離は、画素電極層２３０及び共通電極層２３２にそれぞれ所定の電圧を印加した時、画素電極層２３０及び共通電極層２３２間に介在する液晶組成物２０８の液晶が応答する距離とする。該距離に応じて印加する電圧を適宜制御する。
【００９９】
液晶組成物２０８の厚さ（膜厚）の最大値は１μｍ以上２０μｍ以下とすることが好ましい。
【０１００】
液晶組成物２０８を注入する方法として、ディスペンス法（滴下法）や、第１の基板２００と第２の基板２０１とを貼り合わせてから毛細管現象等を用いて液晶を注入する注入法を用いることができる。その後、液晶組成物２０８に光を照射して、重合を行う。
【０１０１】
また、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）では図示しないが、偏光板、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどを適宜設けることができる。例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。また、光源としてバックライトなどを用いることができる。
【０１０２】
本明細書では、半導体素子（例えばトランジスタ）、画素電極層、及び共通電極層が形成されている基板を素子基板（第１の基板）といい、該素子基板と液晶組成物を介して対向する基板を対向基板（第２の基板）という。
【０１０３】
本発明の一態様に係る液晶表示装置として、光源の光を透過することによって表示を行う透過型の液晶表示装置、入射する光を反射することによって表示を行う反射型の液晶表示装置、又は透過型と反射型を両方有する半透過型の液晶表示装置を提供することができる。
【０１０４】
透過型の液晶表示装置の場合、光が透過する画素領域に存在する画素電極層、共通電極層、第１の基板、第２の基板、その他の絶縁膜、導電膜などは可視光の波長領域の光に対して透光性とする。図１（Ａ）の構成の液晶表示装置においては、画素電極層、共通電極層は透光性が好ましいが、開口パターンを有する場合は形状によっては金属膜などの非透光性材料を用いてもよい。
【０１０５】
一方、反射型の液晶表示装置の場合、液晶組成物に対して視認側と反対側には液晶組成物を透過した光を反射する反射性の部材（反射性を有する膜や基板など）を設ければよい。よって、視認側より反射性の部材までに設けられ、光が透過する基板、絶縁膜、導電膜は可視光の波長領域の光に対して透光性とする。なお、本明細書で透光性とは少なくとも可視光の波長領域の光を透過する性質をいう。図１（Ｂ）の構成の液晶表示装置においては、視認側と反対側の画素電極層又は共通電極層を反射性とし、反射性の部材として用いることができる。
【０１０６】
画素電極層２３０、共通電極層２３２は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化インジウムに酸化亜鉛（ＺｎＯ）を混合したインジウム亜鉛酸化物、酸化インジウムに酸化シリコン（ＳｉＯ２）を混合した導電材料、有機インジウム、有機スズ、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、グラフェン、またはタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【０１０７】
第１の基板２００、第２の基板２０１にはバリウムホウケイ酸ガラスやアルミノホウケイ酸ガラスなどのガラス基板、石英基板、プラスチック基板などを用いることができる。
【０１０８】
本発明の一態様の液晶組成物を液晶素子又は液晶表示装置に適用することで、作製工程を削減した液晶素子又は液晶表示装置とすることができる。
【０１０９】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。
【０１１０】
（実施の形態３）
本発明の一態様に係る液晶表示装置として、パッシブマトリクス型の液晶表示装置、アクティブマトリクス型の液晶表示装置を提供することができる。本実施の形態は、本発明の一態様に係るアクティブマトリクス型の液晶表示装置の例を、図２及び図３を用いて説明する。
【０１１１】
図２（Ａ）は液晶表示装置の平面図であり１画素分の画素を示している。図２（Ｂ）は図２（Ａ）の線Ｘ１−Ｘ２における断面図である。
【０１１２】
図２（Ａ）において、複数のソース配線層（配線層４０５ａを含む）が互いに平行（図中上下方向に延伸）かつ互いに離間した状態で配置されている。複数のゲート配線層（ゲート電極層４０１を含む）は、ソース配線層に略直交する方向（図中左右方向）に延伸し、かつ互いに離間するように配置されている。共通配線層４０８は、複数のゲート配線層それぞれに隣接する位置に配置されており、ゲート配線層に概略平行な方向、つまり、ソース配線層に概略直交する方向（図中左右方向）に延伸している。ソース配線層と、共通配線層４０８及びゲート配線層とによって、略長方形の空間が囲まれているが、この空間に液晶表示装置の画素電極層及び共通電極層が配置されている。画素電極層を駆動するトランジスタ４２０は、図中左上の角に配置されている。画素電極層及びトランジスタは、マトリクス状に複数配置されている。
【０１１３】
図２の液晶表示装置において、トランジスタ４２０に電気的に接続する第１の電極層４４７が画素電極層として機能し、共通配線層４０８と電気的に接続する第２の電極層４４６が共通電極層として機能する。なお、第１の電極層と共通配線層によって容量が形成されている。共通電極層はフローティング状態（電気的に孤立した状態）として動作させることも可能だが、固定電位、好ましくはデータとして送られる画像信号の中間電位近傍でフリッカーの生じないレベルに設定してもよい。
【０１１４】
基板に概略平行（すなわち水平な方向）な電界を生じさせて、基板と平行な面内で液晶分子を動かして、階調を制御する方式を用いることができる。このような方式として、図２及び図３に示すようなＩＰＳモードで用いる電極構成が適用できる。
【０１１５】
ＩＰＳモードなどに示される横電界モードは、液晶組成物の下方に開口パターンを有する第１の電極層（例えば各画素別に電圧が制御される画素電極層）及び第２の電極層（例えば全画素に共通の電圧が供給される共通電極層）を配置する。よって第１の基板４４１上には、一方が画素電極層であり、他方が共通電極層である第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６が形成され、少なくとも第１の電極層及び第２の電極層の一方が層間膜上に形成されている。第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６は、平面形状でなく、様々な開口パターンを有し、屈曲部や枝分かれした櫛歯状を含む。第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６はその電極間に電界を発生させるため、同形状であり且つ重ならない配置とする。
【０１１６】
また、第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６としてＦＦＳモードで用いる電極構成を適用してもよい。ＦＦＳモードに示される横電界モードは、液晶組成物の下方に開口パターンを有する第１の電極層（例えば各画素別に電圧が制御される画素電極層）及びさらにその開口パターンの下方に平板状の第２の電極層（例えば全画素に共通の電圧が供給される共通電極層）を配置する。この場合、第１の基板４４１上には、一方が画素電極層であり、他方が共通電極層である第１の電極層及び第２の電極層が形成され、画素電極層と共通電極層とは絶縁膜（又は層間絶縁層）を介して積層するように配置される。画素電極層及び共通電極層のいずれか一方は、絶縁膜（又は層間絶縁層）の下方に形成され、かつ平板状であり、他方は絶縁膜（又は層間絶縁層）の上方に形成され、かつ様々な開口パターンを有し、屈曲部や枝分かれした櫛歯状を含む形状とする。第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６はその電極間に電界を発生させるため、同形状であり且つ重ならない配置とする。
【０１１７】
液晶組成物４４４としては、実施の形態１で示した液晶組成物を用いる。また、液晶組成物４４４には、有機樹脂が含まれてもよい。本実施の形態では、液晶組成物４４４として、実施の形態１で示したブルー相を発現可能な液晶組成物を用い、高分子安定化処理によって、ブルー相を発現している状態（ブルー相を呈す状態、又はブルー相を示す状態ともいう）で液晶表示装置に設けられる。
【０１１８】
画素電極層である第１の電極層４４７と共通電極層である第２の電極層４４６との間に電界を形成することで、液晶組成物４４４の液晶を制御する。液晶には水平方向の電界が形成されるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。ブルー相を呈するように配向している液晶分子を、基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広くなる。
【０１１９】
第１の電極層４４７及び第２の電極層４４６の他の例を図３に示す。図３（Ａ）乃至（Ｄ）の上面図に示すように、第１の電極層４４７ａ乃至４４７ｄ及び第２の電極層４４６ａ乃至４４６ｄが互い違いとなるように形成されており、図３（Ａ）では第１の電極層４４７ａ及び第２の電極層４４６ａはうねりを有する波状形状であり、図３（Ｂ）では第１の電極層４４７ｂ及び第２の電極層４４６ｂは同心円状の開口部を有する形状であり、図３（Ｃ）では第１の電極層４４７ｃ及び第２の電極層４４６ｃは櫛歯状であり一部重なっている形状であり、図３（Ｄ）では第１の電極層４４７ｄ及び第２の電極層４４６ｄは櫛歯状であり電極同士がかみ合うような形状である。なお、図３（Ａ）乃至（Ｃ）のように、第１の電極層４４７ａ、４４７ｂ、４４７ｃ、と第２の電極層４４６ａ、４４６ｂ、４４６ｃとが重なる場合は、第１の電極層４４７と第２の電極層４４６との間には絶縁膜を形成し、異なる膜上に第１の電極層４４７と第２の電極層４４６とをそれぞれ形成する。
【０１２０】
なお、第１の電極層４４７、第２の電極層４４６は、開口パターンを有する形状であるために、図２（Ｂ）の断面図においては分断された複数の電極層として示されている。これは本明細書の他の図面においても同様である。
【０１２１】
トランジスタ４２０は逆スタガ型の薄膜トランジスタであり、絶縁表面を有する基板である第１の基板４４１上に形成され、ゲート電極層４０１、ゲート絶縁層４０２、半導体層４０３、ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５ｂを含む。
【０１２２】
本明細書に開示する液晶表示装置に適用できるトランジスタの構造は特に限定されず、例えばトップゲート構造、又はボトムゲート構造のスタガ型及びプレーナ型などを用いることができる。また、トランジスタはチャネル形成領域が一つ形成されるシングルゲート構造でも、２つ形成されるダブルゲート構造もしくは３つ形成されるトリプルゲート構造であっても良い。また、チャネル領域の上下にゲート絶縁層を介して配置された２つのゲート電極層を有する、デュアルゲート型でもよい。
【０１２３】
トランジスタ４２０を覆い、半導体層４０３に接する絶縁膜４０７、絶縁膜４０９が設けられ、絶縁膜４０９上に層間膜４１３が積層されている。
【０１２４】
第１の基板４４１と対向基板である第２の基板４４２とを、液晶組成物４４４を間に挟持させてシール材で固着する。液晶組成物４４４を形成する方法として、ディスペンス法（滴下法）や、第１の基板４４１と第２の基板４４２とを貼り合わせてから毛細管現象等を用いて液晶を注入する注入法を用いることができる。
【０１２５】
シール材としては、代表的には可視光硬化性、紫外線硬化性または熱硬化性の樹脂を用いるのが好ましい。代表的には、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、アミン樹脂などを用いることができる。また、光（代表的には紫外線）重合開始剤、熱硬化剤、フィラー、カップリング剤を含んでもよい。
【０１２６】
シール材に紫外線などの光硬化樹脂を用い、滴下法で液晶組成物を形成する場合など、高分子安定化処理の光照射工程によってシール材の硬化も行ってもよい。
【０１２７】
本実施の形態では、第１の基板４４１の外側（液晶組成物４４４と反対側）に偏光板４４３ａを、第２の基板４４２の外側（液晶組成物４４４と反対側）に偏光板４４３ｂを設ける。また、偏光板の他、位相差板、反射防止膜などの光学フィルムなどを設けてもよい。例えば、偏光板及び位相差板による円偏光を用いてもよい。以上の工程で、液晶表示装置を完成させることができる。
【０１２８】
なお、図示しないが、光源としてはバックライト、サイドライトなどを用いればよい。光源は素子基板である第１の基板４４１側から、視認側である第２の基板４４２へと透過するように照射される。
【０１２９】
第１の電極層４４７、及び第２の電極層４４６は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物、グラフェンなどの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
【０１３０】
また、第１の電極層４４７、及び第２の電極層４４６はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【０１３１】
また、第１の電極層４４７、及び第２の電極層４４６として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。
【０１３２】
下地膜となる絶縁膜を第１の基板４４１とゲート電極層４０１の間に設けてもよい。下地膜は、第１の基板４４１からの不純物元素の拡散を防止する機能があり、窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、又は酸化窒化シリコン膜から選ばれた一又は複数の膜による単層、又は積層構造により形成することができる。ゲート電極層４０１の材料は、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらを主成分とする合金材料用いて形成することができる。また、ゲート電極層４０１としてリン等の不純物元素をドーピングした多結晶シリコン膜に代表される半導体膜、ニッケルシリサイドなどのシリサイド膜を用いてもよい。ゲート電極層４０１は、単層構造としてもよいし積層構造としてもよい。なお、ゲート電極層４０１に遮光性を有する導電膜を用いると、バックライトからの光（第１の基板４４１から入射する光）が、半導体層４０３へ入射することを防止することができる。
【０１３３】
ゲート絶縁層４０２は、プラズマＣＶＤ法又はスパッタリング法等を用いて、酸化シリコン膜、酸化ガリウム膜、酸化アルミニウム膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化窒化アルミニウム膜、または窒化酸化シリコン膜等を用いて形成することができる。または、ゲート絶縁層４０２の材料として酸化ハフニウム、酸化イットリウム、酸化ランタン、ハフニウムシリケート（ＨｆＳｉｘＯｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、ハフニウムアルミネート（ＨｆＡｌｘＯｙ（ｘ＞０、ｙ＞０））、窒素が添加されたハフニウムシリケート、窒素が添加されたハフニウムアルミネートなどのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いてもよい。これらのｈｉｇｈ−ｋ材料を用いることでゲートリーク電流を低減できる。なお、ゲート絶縁層４０２は、単層構造としてもよいし、積層構造としてもよい。
【０１３４】
半導体層４０３に用いる材料は特に限定されず、トランジスタ４２０に要求される特性に応じて適宜設定すればよい。半導体層４０３に用いることのできる材料の例を説明する。
【０１３５】
半導体層４０３を形成する材料としては、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、単結晶シリコン等を用いることができる。また、半導体層１０８としては、酸化物半導体を用いてもよい。該酸化物半導体は、少なくともインジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）及びＭ（Ａｌ、Ｇａ、Ｇｅ、Ｙ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｌａ、ＣｅまたはＨｆ等の金属）を含むＩｎ−Ｍ−Ｚｎ酸化物で表記される層を含むことが好ましい。または、ＩｎとＺｎの双方を含むことが好ましい。
【０１３６】
例えば、酸化物半導体として、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、Ｉｎ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｚｎ−Ｍｇ酸化物、Ｓｎ−Ｍｇ酸化物、Ｉｎ−Ｍｇ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ酸化物、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｌａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｃｅ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｐｒ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｎｄ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｍ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｅｕ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｇｄ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｂ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｄｙ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｏ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｅｒ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｔｍ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｙｂ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｌｕ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ａｌ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｓｎ−Ｈｆ−Ｚｎ酸化物、Ｉｎ−Ｈｆ−Ａｌ−Ｚｎ酸化物を用いることができる。
【０１３７】
なお、ここで、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ酸化物とは、ＩｎとＧａとＺｎを主成分として有する酸化物という意味であり、ＩｎとＧａとＺｎの比率は問わない。また、ＩｎとＧａとＺｎ以外の金属元素が入っていてもよい。
【０１３８】
なお、半導体層４０３は一部のみがエッチングされ、溝部（凹部）を有する半導体層である。
【０１３９】
ソース電極層又はドレイン電極層として機能する配線層４０５ａ、４０５ｂの材料としては、Ａｌ、Ｃｒ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜等が挙げられる。また、熱処理を行う場合には、この熱処理に耐える耐熱性を導電膜に持たせることが好ましい。例えば、Ａｌ単体では耐熱性が劣り、また腐蝕しやすい等の問題点があるので耐熱性導電性材料と組み合わせて形成する。Ａｌと組み合わせる耐熱性導電性材料としては、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、ネオジム（Ｎｄ）、スカンジウム（Ｓｃ）から選ばれた元素、または上述した元素を成分とする合金か、上述した元素を組み合わせた合金膜、または上述した元素を成分とする窒化物で形成する。
【０１４０】
トランジスタ４２０を覆う絶縁膜４０７、絶縁膜４０９は、乾式法や湿式法で形成される無機絶縁膜、有機絶縁膜を用いることができる。例えば、ＣＶＤ法やスパッタリング法などを用いて得られる窒化シリコン膜、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、酸化タンタル膜などを用いることができる。また、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ等の有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンケイ酸ガラス）等を用いることができる。また、絶縁膜４０７として酸化ガリウム膜を用いてもよい。
【０１４１】
なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁膜４０７、絶縁膜４０９を形成してもよい。例えば、無機絶縁膜上に有機樹脂膜を積層する構造としてもよい。
【０１４２】
以上のように、実施の形態１で示した液晶組成物を液晶表示装置に適用することで、作製工程を削減した液晶表示装置を提供することができる。
【０１４３】
また、実施の形態１で示したブルー相を発現する液晶組成物を用いた液晶素子は、高速応答が可能であるため、液晶表示装置の高性能化が可能になる。
【０１４４】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適
宜組み合わせて用いることができる。
【０１４５】
（実施の形態４）
本実施の形態では、上記実施の形態で示した液晶組成物を含む液晶表示装置について説明する。液晶表示装置は、トランジスタを画素部、さらには駆動回路に含んで構成される。また、トランジスタを用いて駆動回路の一部または全体を、画素部と同じ基板上に一体形成し、システムオンパネルを形成することができる。
【０１４６】
液晶表示装置は表示素子として液晶素子（液晶表示素子ともいう）を含む。
【０１４７】
また、液晶表示装置は、表示素子が封止された状態にあるパネルと、該パネルにコントローラを含むＩＣ等を実装した状態にあるモジュールとを含む。さらに、該液晶表示装置を作製する過程における、表示素子が完成する前の一形態に相当する素子基板に関し、該素子基板は、電流を表示素子に供給するための手段を複数の各画素に備える。素子基板は、具体的には、表示素子の画素電極のみが形成された状態であっても良いし、画素電極となる導電膜を成膜した後であって、エッチングして画素電極を形成する前の状態であっても良いし、あらゆる形態があてはまる。
【０１４８】
液晶表示装置の一形態に相当する液晶表示パネルの外観及び断面について、図４を用いて説明する。図４（Ａ１）及び図４（Ａ２）は、第１の基板４００１上に形成されたトランジスタ４０１０、トランジスタ４０１１、及び液晶素子４０１３を、第２の基板４００６との間にシール材４００５によって封止した、パネルの上面図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ１）及び図４（Ａ２）のＭ−Ｎにおける断面図に相当する。
【０１４９】
第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とを囲むようにして、シール材４００５が設けられている。また画素部４００２と、走査線駆動回路４００４の上に第２の基板４００６が設けられている。よって画素部４００２と、走査線駆動回路４００４とは、第１の基板４００１とシール材４００５と第２の基板４００６とによって、液晶組成物４００８と共に封止されている。
【０１５０】
また、図４（Ａ１）は第１の基板４００１上のシール材４００５によって囲まれている領域とは異なる領域に、別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３が実装されている。なお、図４（Ａ２）は信号線駆動回路の一部を第１の基板４００１上に設けられたトランジスタで形成する例であり、第１の基板４００１上に信号線駆動回路４００３ｂが形成され、かつ別途用意された基板上に単結晶半導体膜又は多結晶半導体膜で形成された信号線駆動回路４００３ａが実装されている。
【０１５１】
なお、別途形成した駆動回路の接続方法は、特に限定されるものではなく、ＣＯＧ方法、ワイヤボンディング方法、或いはＴＡＢ方法などを用いることができる。図４（Ａ１）は、ＣＯＧ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例であり、図４（Ａ２）は、ＴＡＢ方法により信号線駆動回路４００３を実装する例である。
【０１５２】
また、第１の基板４００１上に設けられた画素部４００２と、走査線駆動回路４００４は、トランジスタを複数有しており、図４（Ｂ）では、画素部４００２に含まれるトランジスタ４０１０と、走査線駆動回路４００４に含まれるトランジスタ４０１１とを例示している。トランジスタ４０１０、トランジスタ４０１１上には絶縁層４０２０、層間膜４０２１が設けられている。
【０１５３】
トランジスタ４０１０、トランジスタ４０１１は、実施の形態４に示すトランジスタを適用することができる。
【０１５４】
また、層間膜４０２１、又は絶縁層４０２０上において、駆動回路用のトランジスタ４０１１の半導体層のチャネル形成領域と重なる位置に導電層を設けてもよい。導電層は、電位がトランジスタ４０１１のゲート電極層と同じでもよいし、異なっていても良く、第２のゲート電極層として機能させることもできる。また、導電層の電位がＧＮＤ、０Ｖ、或いは導電層はフローティング状態であってもよい。
【０１５５】
また、層間膜４０２１上に画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１が形成され、画素電極層４０３０はトランジスタ４０１０と電気的に接続されている。液晶素子４０１３は、画素電極層４０３０、共通電極層４０３１及び液晶組成物４００８を含む。なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６の外側にはそれぞれ偏光板４０３２ａ、偏光板４０３２ｂが設けられている。
【０１５６】
液晶組成物４００８には、実施の形態１で示した液晶組成物を用いる。画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１には、上記実施の形態で示したような画素電極層及び共通電極層の構成を適用することができる。
【０１５７】
本実施の形態では、液晶組成物４００８はブルー相を発現する液晶組成物を用い高分子安定化処理によって、ブルー相を発現している状態（ブルー相を呈す状態、又はブルー相を示す状態ともいう）で液晶表示装置に設けられる。よって、本実施の形態では、図１（Ａ）、図３で示したような画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１が開口パターンを有する形状である。
【０１５８】
画素電極層４０３０と共通電極層４０３１との間に電界を形成することで、液晶組成物４００８の液晶を制御する。液晶には水平方向の電界が形成されるため、その電界を用いて液晶分子を制御できる。ブルー相を呈するように配向している液晶分子を、基板と平行な方向で制御できるため、視野角が広くなる。
【０１５９】
なお、第１の基板４００１、第２の基板４００６としては、透光性を有するガラス、プラスチックなどを用いることができる。プラスチックとしては、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）板、ＰＶＦ（ポリビニルフルオライド）フィルム、ポリエステルフィルムまたはアクリル樹脂フィルムを用いることができる。また、アルミニウムホイルをＰＶＦフィルムやポリエステルフィルムで挟んだ構造のシートを用いることもできる。
【０１６０】
また、柱状のスペーサ４０３５は絶縁膜を選択的にエッチングすることで得られる柱状のスペーサであり、液晶組成物４００８の膜厚（セルギャップ）を制御するために設けられている。なお、球状のスペーサを用いていても良い。液晶組成物４００８を用いる液晶表示装置において液晶組成物の厚さであるセルギャップは１μｍ以上２０μｍ以下とすることが好ましい。なお、本明細書においてセルギャップの厚さとは、液晶組成物の厚さ（膜厚）の最大値とする。
【０１６１】
なお、図４は透過型液晶表示装置の例であるが、本実施の形態は半透過型液晶表示装置でも、反射型液晶表示装置でも適用することができる。
【０１６２】
また、図４の液晶表示装置では、基板の外側（視認側）に偏光板を設ける例を示すが、偏光板は基板の内側に設けてもよい。偏光板の材料や作製工程条件によって適宜設定すればよい。また、ブラックマトリクスとして機能する遮光層を設けてもよい。
【０１６３】
層間膜４０２１の一部として、カラーフィルタ層や遮光層を形成してもよい。図４においては、トランジスタ４０１０、４０１１上方を覆うように遮光層４０３４が第２の基板４００６側に設けられている例である。遮光層４０３４を設けることにより、さらにコントラスト向上やトランジスタの安定化の効果を高めることができる。
【０１６４】
トランジスタを保護膜として機能する絶縁層４０２０で覆う構成としてもよいが、特に限定されない。
【０１６５】
なお、保護膜は、大気中の有機物や金属物、水蒸気などの汚染不純物の侵入を防ぐためのものであり、緻密な膜が好ましい。保護膜は、スパッタリング法を用いて、酸化シリコン膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜、酸化アルミニウム膜、窒化アルミニウム膜、酸化窒化アルミニウム膜、又は窒化酸化アルミニウム膜の単層、又は積層で形成すればよい。
【０１６６】
また、平坦化絶縁膜として透光性の絶縁層をさらに形成する場合、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂、ポリアミド、エポキシ等の、耐熱性を有する有機材料を用いることができる。また上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）、シロキサン系樹脂、ＰＳＧ（リンケイ酸ガラス）、ＢＰＳＧ（ボロンリンケイ酸ガラス）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜を複数積層させることで、絶縁層を形成してもよい。
【０１６７】
積層する絶縁層の形成法は、特に限定されず、その材料に応じて、スパッタリング法、スピンコート、ディップ法、スプレー塗布法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷）、ロールコート、カーテンコート、ナイフコート等を用いることができる。
【０１６８】
画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１は、酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物、グラフェンなどの透光性を有する導電性材料を用いることができる。
【０１６９】
また、画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１はタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、ハフニウム（Ｈｆ）、バナジウム（Ｖ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、チタン（Ｔｉ）、白金（Ｐｔ）、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）等の金属、又はその合金、若しくはその金属窒化物から一つ、又は複数種を用いて形成することができる。
【０１７０】
また、画素電極層４０３０及び共通電極層４０３１として、導電性高分子（導電性ポリマーともいう）を含む導電性組成物を用いて形成することができる。
【０１７１】
また、別途形成された信号線駆動回路４００３と、走査線駆動回路４００４または画素部４００２に与えられる各種信号及び電位は、ＦＰＣ４０１８から供給されている。
【０１７２】
また、トランジスタは静電気などにより破壊されやすいため、ゲート線またはソース線に対して、駆動回路保護用の保護回路を同一基板上に設けることが好ましい。保護回路は、非線形素子を用いて構成することが好ましい。
【０１７３】
図４では、接続端子電極４０１５が、画素電極層４０３０と同じ導電膜から形成され、端子電極４０１６は、トランジスタ４０１０、４０１１のソース電極層及びドレイン電極層と同じ導電膜で形成されている。
【０１７４】
接続端子電極４０１５は、ＦＰＣ４０１８が有する端子と、異方性導電膜４０１９を介して電気的に接続されている。
【０１７５】
また、図４においては、信号線駆動回路４００３を別途形成し、第１の基板４００１に実装している例を示しているが、この構成に限定されない。走査線駆動回路を別途形成して実装しても良いし、信号線駆動回路の一部または走査線駆動回路の一部のみを別途形成して実装しても良い。
【０１７６】
以上のように、実施の形態１で示した液晶組成物を液晶表示装置に適用することで、作製工程を削減した液晶表示装置を提供することができる。
【０１７７】
また、実施の形態１で示したブルー相を発現する液晶組成物を用いた液晶素子は、高速応答が可能であるため、液晶表示装置の高性能化が可能になる。
【０１７８】
以上、本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適
宜組み合わせて用いることができる。
【０１７９】
（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様を適用した液晶表示装置を用いた電子機器の一例について、図５を用いて説明する。
【０１８０】
本実施の形態の電子機器は、表示部に本発明の一態様の液晶表示装置を備える。
【０１８１】
液晶表示装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図５に示す。
【０１８２】
図５（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０２が組み込まれている。表示部７１０２では、映像を表示することが可能である。本発明の一態様を適用した液晶表示装置は、表示部７１０２に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０３により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０１８３】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１１により行うことができる。リモコン操作機７１１１が備える操作キーにより、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０２に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１１に、当該リモコン操作機７１１１から出力する情報を表示する表示部を設ける構成としてもよい。
【０１８４】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１８５】
図５（Ｂ）は、コンピュータの一例を示している。コンピュータ７２００は、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、本発明の一態様の液晶表示装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。
【０１８６】
図５（Ｃ）は、携帯型ゲーム機の一例を示している。携帯型ゲーム機７３００は、筐体７３０１ａ及び筐体７３０１ｂの二つの筐体で構成されており、連結部７３０２により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１ａには表示部７３０３ａが組み込まれ、筐体７３０１ｂには表示部７３０３ｂが組み込まれている。また、図５（Ｃ）に示す携帯型ゲーム機は、スピーカ部７３０４、記録媒体挿入部７３０５、操作キー７３０６、接続端子７３０７、センサ７３０８（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、ＬＥＤランプ、マイクロフォン等を備えている。もちろん、携帯型ゲーム機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０３ａ、筐体７３０１ｂの両方、又は一方に本発明の一態様の液晶表示装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図５（Ｃ）に示す携帯型ゲーム機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型ゲーム機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図５（Ｃ）に示す携帯型ゲーム機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１８７】
図５（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、本発明の一態様の液晶表示装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
【０１８８】
図５（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１８９】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの二つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１９０】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。
【０１９１】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロセンサ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０１９２】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０１９３】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０１９４】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０１９５】
図５（Ｅ）は、二つ折り可能なタブレット型端末（開いた状態）の一例を示している。タブレット型端末７５００は、筐体７５０１ａ、筐体７５０１ｂ、表示部７５０２ａ、表示部７５０２ｂを有する。筐体７５０１ａと筐体７５０１ｂは、軸部７５０３により接続されており、該軸部７５０３を軸として開閉動作を行うことができる。また、筐体７５０１ａは、電源７５０４、操作キー７５０５、スピーカ７５０６等を備えている。なお、タブレット型端末７５００は、本発明の一態様の液晶表示装置を表示部７５０２ａ、表示部７５０２ｂの両方、又は一方に用いることにより作製される。
【０１９６】
表示部７５０２ａや表示部７５０２ｂは、少なくとも一部をタッチパネルの領域とすることができ、表示された操作キーにふれることでデータ入力をすることができる。例えば、表示部７５０２ａの全面にキーボードボタンを表示させてタッチパネルとし、表示部７５０２ｂを表示画面として用いることができる。
【０１９７】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【実施例１】
【０１９８】
本実施例では、本発明の一態様である液晶組成物に含まれる液晶性モノマーであり、実施の形態１において化学式（１００）で表される、テレフタル酸ビス−［４−（６−アクリロイルオキシ−ｎ−ヘキシル−１−オキシ）フェニル］（略称：Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６）の合成例を例示する。Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６の構造式を以下に示す。
【０１９９】
【化３０】
2014186219.tif 000031
【０２００】
≪合成例≫
５００ｍＬのナスフラスコに２．０ｇ（７．６ｍｍｏｌ）の４−（６−アクリロイルオキシ−ｎ−ヘキシル−１−オキシ）フェノールと、０．６０ｇ（３．６ｍｍｏｌ）のテレフタル酸と、０．２８ｇ（２．３ｍｍｏｌ）の４−ジメチルアミノピリジン（ＤＭＡＰ）と、１．５ｇ（７．６ｍｍｏｌ）の１−エチル−３−（３−ジメチルアミノプロピル）カルボジイミド塩酸塩（ＥＤＣ）と、１００ｍＬのＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を加え、この溶液を大気下、室温で２７時間、攪拌した。薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）により反応が終了していることを確認した後、得られた溶液を濃縮し、クロロホルムと飽和炭酸水素ナトリウム水溶液と、飽和食塩水を加えて、有機層を取り出し、水層をクロロホルムで３回抽出した。有機層と抽出液を合わせて、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥し、この混合物を自然濾過により濾別した。濾液を濃縮し、得られた溶液をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒：クロロホルム）により精製し、白色固体物質を得た。得られた白色固体物質を、さらに高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）により精製したところ、白色固体を０．５ｇ、収率２２％で得た。この合成スキームを（ａ−１）に示す。
【０２０１】
【化３１】
2014186219.tif 000032
【０２０２】
≪ＮＭＲ≫
得られた物質の１Ｈ  ＮＭＲデータを以下に示す。また、１Ｈ  ＮＭＲチャートを図６に示す。
【０２０３】
１Ｈ  ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝１．４５−１．５９（ｍ，８Ｈ）、１．６８−１．８７（ｍ，８Ｈ）、３．９８（ｔ，Ｊ＝６．３Ｈｚ，４Ｈ）、４．１８（ｔ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，４Ｈ）、５．８２（ｄｄ，Ｊ１＝１０．４Ｈｚ，Ｊ２＝１．７Ｈｚ，２Ｈ）、６．１３（ｄｄ，Ｊ１＝１０．５Ｈｚ，Ｊ２＝１７．４Ｈｚ，２Ｈ）、６．４１（ｄｄ，Ｊ１＝１．４Ｈｚ，Ｊ２＝１７．６Ｈｚ，２Ｈ）、６．９４（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ、４Ｈ）、７．１５（ｄ，Ｊ＝９．３Ｈｚ，４Ｈ）、８．３２（ｓ，４Ｈ）。
【０２０４】
≪ＵＶ吸収≫
次に、Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）を測定した。測定結果を図７（Ａ）および（Ｂ）に示す。図７（Ｂ）は、図７（Ａ）の縦軸の吸光強度について拡大した図である。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。図７においては、Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６のジクロロメタン溶液を石英セルに入れて測定したスペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定したスペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示す。
【０２０５】
吸収スペクトルにおいて２４３ｎｍに吸収ピークが見られた。図７（Ａ）および（Ｂ）に示すように、Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６の吸収端は３２０ｎｍより長波長であることがわかった。また、特に図７（Ｂ）に示すように、Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６の吸収端は３６５ｎｍより長波長であることもわかった。
【実施例２】
【０２０６】
本実施例では、本発明の一態様である液晶組成物として２種、比較例として１種の液晶組成物を作製し、それらを用いて作製した液晶素子の特性を評価した結果を示す。
【０２０７】
本実施例で作製した液晶素子１、液晶素子２および比較液晶素子に用いた、液晶組成物の構成を表１に示す。表１において混合比は重量比で表している。
【０２０８】
【表１】
2014186219.tif 000033
【０２０９】
本実施例の液晶素子１、液晶素子２および比較液晶素子では、ブルー相を発現する液晶材料として、混合液晶Ｅ−８（株式会社ＬＣＣ製）、４−（ｔｒａｎｓ−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）−３’，４’−ジフルオロ−１，１’−ビフェニル（略称：ＣＰＰ−３ＦＦ）（大立高分子工業社製）、および４−ｎ−ペンチル安息香酸４−シアノ−３−フルオロフェニル（略称：ＰＥＰ−５ＣＮＦ）（大立高分子工業社製）を用いた。また、カイラル剤として１，４：３，６−ジアンヒドロ−２，５−ビス［４−（ｎ−ヘキシル−１−オキシ）安息香酸］ソルビトール（略称：ＩＳＯ−（６ＯＢＡ）２）（みどり化学株式会社製）を用いた。また、非液晶性モノマーとして、メタクリル酸ドデシル（略称：ＤＭｅＡｃ）を用いた。
【０２１０】
また、液晶性モノマーとして、液晶素子１では、実施例１で作製したテレフタル酸ビス−［４−（６−アクリロイルオキシ−ｎ−ヘキシル−１−オキシ）フェニル］（略称：Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６）を用いた。液晶性モノマーとして、液晶素子２では、実施例１で作製したＤａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６と、１，４−ビス［４−（６−アクリロイルオキシ−ｎ−へキシル−１−オキシ）ベンゾイルオキシ］−２−メチルベンゼン（略称：ＲＭ２５７−Ｏ６）を用いた。液晶性モノマーとして、比較液晶素子では、ＲＭ２５７−Ｏ６を用いた。
【０２１１】
また、重合開始剤として、比較液晶素子では、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン（略称：ＤＭＰＡＰ）（東京化成工業株式会社製）を用いた。なお、液晶素子１および液晶素子２では重合開始剤であるＤＭＰＡＰは用いなかった。
【０２１２】
本実施例で用いたブルー相を発現する液晶材料：ＣＰＰ−３ＦＦ及びＰＥＰ−５ＣＮＦ、カイラル剤：ＩＳＯ−（６ＯＢＡ）２、非液晶性モノマー：ＤＭｅＡｃ、液晶性モノマー：Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６およびＲＭ２５７−Ｏ６、重合開始剤：ＤＭＰＡＰの構造式を下記に示す。
【０２１３】
【化３２】
2014186219.tif 000034
【０２１４】
液晶素子１、液晶素子２及び比較液晶素子は、画素電極層及び共通電極層が図３（Ｃ）のように櫛歯状に形成されたガラス基板と、対向基板となるガラス基板とを間に空隙（４μｍ）を有してシール材によって貼り合わせた後、注入法によって表１で示す各液晶組成物を、等方相の状態で、基板間に注入し作製した。
【０２１５】
画素電極層及び共通電極層は酸化珪素を含むインジウム錫酸化物を用いてスパッタリング法にて形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、画素電極層と共通電極層の各幅、及び画素電極層と共通電極層との間隔は５μｍとした。また、シール材は紫外線及び熱硬化型シール材を用い、硬化処理として、９０秒間の紫外線（放射照度１００ｍＷ／ｃｍ２）照射処理を行い、その後１２０℃で１時間加熱処理を行った。
【０２１６】
また、液晶素子１、液晶素子２及び比較液晶素子それぞれにおいて、ブルー相を発現する温度（液晶素子１と液晶素子２では３０℃、比較液晶素子では４１℃）において恒温とし、紫外線（光源メタルハライドランプ、波長３６５ｎｍ、放射照度９ｍＷ／ｃｍ２）を照射することによって高分子安定化処理を行った。なお、光源と液晶素子との間には３５０ｎｍ以下の波長をカットする光学フィルタ（ＬＵ０３５０、朝日分光株式会社製）を設け、液晶素子へ照射される光源からの紫外線を調整した。高分子安定化処理によって、液晶素子１、液晶素子２および比較液晶素子中に含まれるモノマーが重合し、液晶素子１、液晶素子２および比較液晶素子は、高分子／液晶複合体を有する液晶素子となる。
【０２１７】
液晶素子１、液晶素子２及び比較液晶素子に電圧を印加し、印加電圧に対する透過率の特性評価を行った。特性評価は、光源はハロゲンランプ、温度は室温の測定条件で、液晶素子１、液晶素子２及び比較液晶素子をクロスニコルの偏光子で挟んだ状態で行った。
【０２１８】
図８に液晶素子１、液晶素子２及び比較液晶素子の印加電圧と透過率の関係を示す。図８において液晶素子１は黒い菱形のドット、液晶素子２は白い丸印のドット、比較液晶素子はバツ印のドットで示している。
【０２１９】
図８に示すように、重合開始剤を用いた比較液晶素子と同様に、重合開始剤を用いなかった液晶素子１および液晶素子２も良好な素子特性を示した。
【０２２０】
以上の実施例１および実施例２より、液晶素子１および液晶素子２に液晶性モノマーとして用いたＤａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６は、重合開始剤の機能を兼ねることができる液晶性モノマーであることがわかった。
【０２２１】
これは、Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６の光の吸収端の波長が３６５ｎｍより長波長であり、高分子安定化処理の際に照射される光を吸収できるためだと考えられる。Ｄａｃ−ＰｒＥＰｒＥＰ−Ｏ６の一部が紫外線を吸収し、ラジカルを発生することで、重合開始剤としても機能することで重合が可能となる。
【符号の説明】
【０２２２】
１０８    半導体層
２００    基板
２０１    基板
２０２ａ    配向膜
２０２ｂ    配向膜
２０８    液晶組成物
２３０    画素電極層
２３２    共通電極層
４０１    ゲート電極層
４０２    ゲート絶縁層
４０３    半導体層
４０５ａ    配線層
４０５ｂ    配線層
４０７    絶縁膜
４０８    共通配線層
４０９    絶縁膜
４１３    層間膜
４２０    トランジスタ
４４１    基板
４４２    基板
４４３ａ    偏光板
４４３ｂ    偏光板
４４４    液晶組成物
４４６    電極層
４４６ａ    電極層
４４６ｂ    電極層
４４６ｃ    電極層
４４６ｄ    電極層
４４７    電極層
４４７ａ    電極層
４４７ｂ    電極層
４４７ｃ    電極層
４４７ｄ    電極層
４００１    基板
４００２    画素部
４００３    信号線駆動回路
４００３ａ    信号線駆動回路
４００３ｂ    信号線駆動回路
４００４    走査線駆動回路
４００５    シール材
４００６    基板
４００８    液晶組成物
４０１０    トランジスタ
４０１１    トランジスタ
４０１３    液晶素子
４０１５    接続端子電極
４０１６    端子電極
４０１８    ＦＰＣ
４０１９    異方性導電膜
４０２０    絶縁層
４０２１    層間膜
４０３０    画素電極層
４０３１    共通電極層
４０３２ａ    偏光板
４０３２ｂ    偏光板
４０３４    遮光層
７１００    テレビジョン装置
７１０１    筐体
７１０２    表示部
７１０３    スタンド
７１１１    リモコン操作機
７２００    コンピュータ
７２０１    本体
７２０２    筐体
７２０３    表示部
７２０４    キーボード
７２０５    外部接続ポート
７２０６    ポインティングデバイス
７３００    携帯型ゲーム機
７３０１ａ    筐体
７３０１ｂ    筐体
７３０２    連結部
７３０３ａ    表示部
７３０３ｂ    表示部
７３０４    スピーカ部
７３０５    記録媒体挿入部
７３０６    操作キー
７３０７    接続端子
７３０８    センサ
７４００    携帯電話機
７４０１    筐体
７４０２    表示部
７４０３    操作ボタン
７４０４    外部接続ポート
７４０５    スピーカ
７４０６    マイク
７５００    タブレット型端末
７５０１ａ    筐体
７５０１ｂ    筐体
７５０２ａ    表示部
７５０２ｂ    表示部
７５０３    軸部
７５０４    電源
７５０５    操作キー
７５０６    スピーカ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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