(57)【要約】      （修正有）【課題】回路基板に設けられた貫通孔を通る接合材料により半導体装置と別の回路基板が接続不良を起こり難くする電気回路装置を提供する。【解決手段】第１の貫通孔１０が設けられ第１の電極１４を表面に有する第１の回路基板４と、第１の回路基板の裏面側に配置され第１の貫通孔に対応する第２の電極１６を表面に有する第２の回路基板６と、第１の回路基板の表面側に配置され第１の電極に対応する第３の電極２０と第２の電極に対応する第４の電極２２とを裏面に有する半導体装置８と、第１の電極と第３の電極を接合する第１の接合材料３０と、第１の貫通孔を貫き第２の電極と第４の電極を接合する第２の接合材料３２と、第１の電極と第２の回路基板の間に配置され、第１の回路基板を支持する支持体３４とを有する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の貫通孔が設けられ、第１の電極を表面に有する第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の裏面側に配置され、前記第１の貫通孔に対応する第２の電極を表面に有する第２の回路基板と、
前記第１の回路基板の表面側に配置され、前記第１の電極に対応する第３の電極と前記第２の電極に対応する第４の電極とを裏面に有する半導体装置と、
前記第１の電極と前記第３の電極を接合する第１の接合材料と、
前記第１の貫通孔を貫き前記第２の電極と前記第４の電極を接合する第２の接合材料と、
前記第１の電極と前記第２の回路基板の間に配置され、前記第１の回路基板を支持する支持体とを
有する電気回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の電気回路装置において、
前記第１の回路基板は、さらに第２の貫通孔を有し、
前記第２の回路基板は、さらに前記第２の貫通孔に対応し表面から突出する第１の突出部を有し、
前記半導体装置は、さらに前記第２の貫通孔に対応し裏面から突出する第２の突出部を有し、
前記第１の突出部および前記第２の突出部の一方は、前記第１の回路基板に設けられた第２の貫通孔に対応する凹部を有し、
前記第１の突出部および前記第２の突出部の他方は、前記第２の貫通孔を貫いて前記凹部に嵌合する突起を有することを
特徴とする電気回路装置。
【請求項３】
請求項２に記載の電気回路装置において、
前記第２の突出部は、前記半導体装置の四隅に配置されていることを
特徴とする電気回路装置。
【請求項４】
第１の貫通孔と第２の貫通孔が設けられ、第１の電極を表面に有する第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の裏面側に配置され、前記第１の貫通孔に対応する第２の電極と前記第２の貫通孔に対応し表面から突出する第１の突出部とを有する第２の回路基板と、
前記第１の回路基板の表面側に配置され、前記第１の電極に対応する第３の電極と前記第２の電極に対応する第４の電極と前記第２の貫通孔に対応し裏面から突出する第２の突出部とを有する半導体装置と、
前記第１の電極と前記第３の電極を接合する第１の接合材料と、
前記第１の貫通孔を貫き前記第２の電極と前記第４の電極を接合する第２の接合材料とを有し、
前記第１の突出部および前記第２の突出部の一方は、前記第１の回路基板に設けられた第２の貫通孔に対応する凹部を有し、
前記第１の突出部および前記第２の突出部の他方は、前記第２の貫通孔を貫いて前記凹部に嵌合する突起を有する
電気回路装置。
【請求項５】
第１の貫通孔が設けられ第１の電極を表面に有する第１の回路基板の裏面側に、前記第１の貫通孔に対応する第２の電極を有する第２の回路基板と前記第１の回路基板を支持する支持体とを前記第１の回路基板の裏面側に、前記第１の貫通孔に前記第２の電極が対向し前記第１の電極と前記第２の回路基板の間に前記支持体が介在するように配置する第１の工程と、
前記第１の電極に対応する第３の電極と前記第２の電極に対応する第４の電極とを裏面に有する半導体装置を前記第１の回路基板の表面側に、前記第１の電極と前記第３の電極が第１の接合材料を挟み前記第２の電極と前記第４の電極が第２の接合材料を挟むように配置する第２の工程と、
前記第１の接合材料を加熱し前記第１の電極と前記第３の電極を接合し、前記第２の接合材料を加熱し前記第２の電極と前記第４の電極を接合する第３の工程とを有する
電気回路装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気回路装置および電気回路装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器は、信号配線を有する回路基材と回路基材に搭載された複数の半導体パッケージとを有する装置である。半導体パッケージには、回路基材の信号配線を伝搬する信号が入出力する。
【０００３】
回路基材は、ガラスクロスとガラスクロスに含浸された熱硬化性樹脂とを有する基板である。ガラスクロスの誘電率は一定でなく、回路基材内で変動する。したがって信号配線を伝わる信号の伝搬時間も、回路基材内における信号配線の位置に応じて変動する。
【０００４】
そこでポリイミドフィルムに信号配線を設けこの信号配線により信号を伝送することで、信号の伝搬時間の変動を抑制する電子機器が提案されている。
【０００５】
ポリイミドフィルムは、可撓性の絶縁フィルムである。信号配線が設けられたポリイミドフィルム（以下、可撓性回路基材と呼ぶ）は、半導体パッケージと回路基材の間に配置される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１０３４４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上記の電子機器では可撓性回路基材に貫通孔を形成し、この貫通孔を通るバンプにより半導体パッケージの電極と回路基材の電極が接続される。さらにこのバンプにより、可撓性回路基材が回路基材（例えば、プリント配線基板）に固定される。
【０００８】
しかし可撓性回路基材は、バンプにより固定されるまでは僅かな力やリフロー時の熱膨張などにより、容易に傾いたり位置ずれしたりする。
【０００９】
可撓性回路基材が傾くと、可撓性回路基材と半導体パッケージを接続するバンプが接続不良を起こす。また可撓性回路基材が位置ずれすると、可撓性回路基材と回路基材を接続するバンプが接続不良を起こす。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の問題を解決するために、本装置の一観点によれば、第１の貫通孔が設けられ第１の電極を表面に有する第１の回路基板と、前記第１の回路基板の裏面側に配置され前記第１の貫通孔に対応する第２の電極を表面に有する第２の回路基板と、前記第１の回路基板の表面側に配置され前記第１の電極に対応する第３の電極と前記第２の電極に対応する第４の電極とを裏面に有する半導体装置と、前記第１の電極と前記第３の電極を接合する第１の接合材料と、前記第１の貫通孔を貫き前記第２の電極と前記第４の電極を接合する第２の接合材料と、前記第１の電極と前記第２の回路基板の間に配置され、前記第１の回路基板を支持する支持体とを有する電気回路装置が提供される。 
【発明の効果】
【００１１】
開示の装置によれば、回路基板に設けられた貫通孔を通る接合材料により半導体装置と別の回路基板が接続される電気回路装置において、接続不良が起こり難くなる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図１は、実施の形態の電気回路装置の平面図である。
【図２】図２は、図１において破線で囲われた領域を拡大した図である。
【図３】図３は、図２のIII-III線に沿った断面図である。
【図４】図４は、図２のIII-III線に沿った断面の分解図である。
【図５】図２のIII-III線に沿った第１の回路基板の部分平面図である。
【図６】図６は、図２のIII-III線に沿った第２の回路基板の部分平面図である。
【図７】図７は、第１の回路基板の部分断面図です。
【図８】図８は、支持体および突出部を有さない電気回路装置の断面図である。
【図９】図９は、図８の電気回路装置の問題を説明する断面図である。
【図１０】図１０は、図８の電気回路装置の問題を説明する断面図である。
【図１１】図１１は、実施の形態の電気回路装置の別の例を示す図である。
【図１２】図１２は、電気回路装置を形成する各部品の断面図である。
【図１３】図１３は、電気回路装置の製造方法の工程断面図である。
【図１４】図１４は、電気回路装置の製造方法の工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面にしたがって本発明の実施の形態について説明する。但し、本発明の技術的範囲はこれらの実施の形態に限定されず、特許請求の範囲に記載された事項とその均等物まで及ぶものである。尚、図面が異なっても対応する部分には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００１４】
（１）構造
図１は、実施の形態の電気回路装置２の平面図である。
【００１５】
図１に示すように、電気回路装置２は、第１の回路基板４と第２の回路基板６と半導体装置８とを有している。
【００１６】
第１の回路基板４は、例えば可撓性の基板（Flexible printed circuit）である。図１に示す例では、第１の回路基板４には複数の半導体装置８が搭載されている。しかし、第１の回路基板４に搭載される半導体装置８は一つであってもよい。
【００１７】
第１の回路基板４は第２の回路基板６とは別の回路基板まで伸びて、この別の回路基板に接続されてもよい。第１の回路基板４の端には、コネクタが接続されてもよい。或いは第１の回路基板４の端には、何も接続されなくてもよい。
【００１８】
第２の回路基板６は、例えばガラスクロスとガラスクロスに含浸された樹脂（エポキシ樹脂やポリイミド樹脂）とを有する回路基板（例えば、プリント配線基板）である。第２の回路基板６は、例えばマザーボードやシステムボードである。
【００１９】
図１に示す例では、第１の回路基板４に半導体装置８が搭載されると共に、第２の回路基板６にも半導体装置８ａが搭載される。しかし第２の回路基板６には、半導体装置８ａが搭載されなくてもよい。
【００２０】
図２は、図１において破線で囲われた領域Ａを拡大した図である。図２には、半導体８の裏面の構造が破線で示されている。図３は、図２のIII-III線に沿った断面図である。図４は、図２のIII-III線に沿った断面の分解図である。
【００２１】
図３及び４に示すように、第２の回路基板６は、第１の回路基板４の裏面側に配置される。一方、半導体装置８は、第１の回路基板４の表面側に配置される。
【００２２】
図５は、図２のIII-III線に沿った第１の回路基板４の部分平面図である。図４及び５に示すように、第１の回路基板４には、第１の貫通孔１０と第２の貫通孔１２が設けられる。そして第１の回路基板４は、第１の電極１４を表面に有する。
【００２３】
図６は、図２のIII-III線に沿った第２の回路基板６の平面図である。図４及び６に示すように、第２の回路基板６は、第１の貫通孔１０に対応する第２の電極１６と第２の貫通孔１２に対応し表面から突出する第１の突出部１８とを有する。
【００２４】
なお図６には、第１の電極１４に対応する領域１４ａおよび後述する支持体３４に対応する領域３４ａが、破線により示されている。第１の電極１４は領域１４ａの上方に配置され、支持体３４は領域３４ａの上方に配置される。
【００２５】
図３に示すように、半導体装置８は、パッケージ基板２６と、パッケージ基板２６の表面に搭載された半導体チップ（半導体素子）２８とを有する。半導体チップ２８には、集積回路が形成されている。
【００２６】
半導体装置８はさらに、図２及び４に示すように、第１の電極１４に対応する第３の電極２０と、第２の電極１６に対応する第４の電極２２とを有する。半導体装置８はさらに、図４に示すように、第２の貫通孔１２に対応し裏面（パッケージ基板２６の裏面）から突出する第２の突出部２４を有する。
【００２７】
第３の電極２０と第４の電極２２は、パッケージ基板２６を介して半導体チップ２８に接続される。パッケージ基板２６は、例えばビルドアップ基板である。図２に示すように、第２の突出部２４は、例えば半導体装置８の四隅に配置される。
【００２８】
図３に示すように、電気回路装置２はさらに、第１の電極１４と第３の電極２０を接合する第１の接合材料３０と、第１の貫通孔１０（図４参照）を貫き第２の電極１６と第４の電極２２を接合する第２の接合材料３２とを有する。第１の接合材料３０および第２の接合材料３２は、例えば半田（例えば、ＡｇＳｎはんだ）である。
【００２９】
図３及び４に示すように、電気回路装置２はさらに、第１の電極１４と第２の回路基板６の間に配置され、第１の回路基板４を支持する支持体３４を有する。支持体３４は、例えば樹脂製の板である。支持体３４は、例えば接着材により第１の回路基板４の裏面または第２の回路基板６の表面に接着（固定）される。支持体３４は、金属製（例えば、ステンレス）の板であってもよい。
【００３０】
図４に示すように、第２の突出部２４は、第１の回路基板４に設けられた第２の貫通孔１２に対応する凹部３６を有する。一方、第１の突出部１８は、図３及び４に示すように、第２の貫通孔１２を貫いて凹部３６に嵌合する突起３８を有する。但し、第１の突出部１８が凹部３６を有し、第２の突出部２４が突起３８を有してもよい。
【００３１】
第１の突出部１８は例えば金属（例えば、ステンレス）製の部品であり、例えば第２の回路基板６の表面にルータで形成された窪みに嵌合される。第１の突出部１８は、第２の回路基板６を貫通する貫通孔に嵌め込まれてもよい。或いは第１の突出部１８は、第２の回路基板６の表面に接着材により接着（固定）されてもよい。
【００３２】
同様に、第２の突出部２４は例えば金属（例えば、ステンレス）製の部品であり、半導体装置８の裏面に形成された窪みに嵌合される。第２の突出部２４は、パッケージ基板２６を貫通する貫通孔に嵌め込まれてもよい。或いは第２の突出部２４は、半導体装置８の裏面に接着材により接着（固定）されてもよい。
【００３３】
第１の突出部１８および第２の突出部２４は、例えば金属の線材から形成される。第１の突出部１８および第２の突出部２４は、樹脂（例えば、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂）製の部品であってもよい。
【００３４】
第１の突出部１８および第２の突出部２４の直径は、例えば５ｍｍ程度である。凹部３６および突起３８の直径は、例えば３ｍｍ程度である。
【００３５】
図７は、第１の回路基板４の断面図です。第１の回路基板４は、図７に示すように例えば信号線４０が表面に配置された第１の樹脂フィルム（例えば、ポリイミドフィルム）４２ａと、第１の電極１４が表面に配置された第２の樹脂フィルム（例えば、ポリイミドフィルム）４２ｂとを有する。第１の回路基板４はさらに、第１の樹脂フィルム４２ａと第２の樹脂フィルム４２ｂとを接着する接着層４４と、第１の電極１４と信号線４０を接続するビア４６とを有する。
【００３６】
半導体装置８（図３参照）から出力された信号は例えば第１の電極１４とビア４６を介して信号線（配線）４０に供給され、信号線４０を伝搬する。或いは、信号線４０からビア４６と第１の電極１４を介して半導体装置８に信号が供給される。半導体装置８に供給される信号および半導体装置８から供給される信号は、同じ信号線４０を伝搬してもよい。
【００３７】
第２の回路基板６は、ガラス繊維が織り合されたガラスクロスとガラスクロスに含浸された熱硬化性樹脂とを有する。ガラス繊維の誘電率は、熱硬化性樹脂の誘電率より高い。
【００３８】
ガラスクロスを形成するガラス繊維の密度は均一ではない。例えば縦糸と横糸が交差する領域におけるガラス繊維の密度は、縦糸の間の領域におけるガラス繊維の密度より高い。このため回路基材内の誘電率は均一ではなく、変動している。この誘電率の不均一性により回路基材を伝搬する信号の伝播時間は、信号線の配置位置に応じて変動する。
【００３９】
一方、図７に示すように第１の回路基板４は、ガラスクロスを含まない。したがって第１の回路基板４に複数の信号線４０を設けると、各信号線を伝搬する信号の速度は略一定になる（ただし、各信号線は同じ構造を有するものとする。）。
【００４０】
第１の回路基板４には、例えば伝搬速度の変動（揺らぎ）が問題になる信号線が配置される。例えば第１の回路基板４には、差動信号を伝送する一対の信号線（以下、差動配線と呼ぶ）が配置される。差動配線の一方には、差動配線の他方に供給される信号とは逆相の信号が供給される。上記のように第１の回路基板４では、信号線４０ごとの伝搬速度が略一定なので、差動スキュー（差動信号のズレ）は殆ど生じない。
【００４１】
第２の回路基板６は、多層配線基板であってもよい。この場合、第２の回路基板６の内部に配置される信号線は、この信号線の端部に接するビアホール内の導電膜を介して半導体装置に接続される。この導電膜は、終端が開放されたビアオープンスタブを形成する。このため半導体装置８から第２の回路基板６に高周波信号が供給されると、このビアオープンスタブで反射波が生じ信号が歪む。
【００４２】
一方、実施の形態の第１の回路基板４は、図７に示すように、ビアオープンスタブを有さない。したがって、半導体基板８から第１の回路基板４に供給される高周波信号の反射波は抑制される。このため第１の回路基板４を設けることにより、信号品質（signal integrity）が向上する。第１の回路基板４に供給される信号の周波数は、例えば１０〜１００ＧＨｚである。
【００４３】
第２の回路基板６には、例えば伝播速度の変動が問題にならない信号や周波数が低い信号（例えば、１０ＧＨｚ以下の信号）の配線が配置される。第２の回路基板６にはさらに、電源線やグラウンド面が配置される。
【００４４】
図８は、支持体３４および突出部１８,２４を有さない電気回路装置２ａの断面図である。
【００４５】
電気回路装置２ａでは、第１の回路基板４ａに形成された貫通孔１０ａを通る第２の接合材料３２ａにより、第２の回路基材６ａの第２の電極１６ａと半導体装置８ｂの第４の電極２２ａとが接続される。この第２の接合材料３２ａにより、第１の回路基板４ａが第２の回路基板６ａに固定される。第１の回路基板４ａは、第２の接合材料３２ａがリフローにより貫通孔１０ａの壁に密着することで固定される。
【００４６】
図９及び１０は、図８の電気回路装置２ａの問題を説明する断面図である。
【００４７】
第１の回路基板４ａは第２の接合材料３２ａにより固定されるまでは、図９に示すように、僅かな力やリフロー時の熱膨張により容易に傾く。さらに第１の回路基板４ａは第２の接合材料３２ａにより固定されるまでは、図１０に示すように、僅かな力やリフロー時の熱膨張などにより容易に位置ずれする。
【００４８】
第１の回路基板４ａは、半導体装置８ｂの下側において、例えば隣の半導体装置（図示せず）から受ける力によって容易に傾き或いは位置ずれする。
【００４９】
ポリイミド製の第１の回路基板４ａの熱膨張係数は、ガラスクロスを含む第２の回路基板６ａの熱膨張係数より小さく、半導体装置８ｂの熱膨張係数（パッケージ基板２６の熱膨張係数）より大きい。このためリフロー等により加熱されると、第１の回路基板４ａ、第２の回路基板６ａ、および半導体装置８ｂはそれぞれ不均等に膨張する。その結果、第１の回路基板４ａは、容易に傾き或いは位置ずれする。
【００５０】
第１の回路基板４ａが傾くと図９に示すように、第１の回路基板４ａの第１の電極１４ａと半導体装置８ｂの第３の電極２０ａを、第１の接合材料３０ａによりに接続することが困難になる。
【００５１】
第１の回路基板４ａが位置ずれすると図１０に示すように、第２の回路基板６ａの第２の電極１６ａと半導体装置８ｂの第４の電極２２ａを、第２の接合材料３２ａにより接続することが困難になる。さらに第１の回路基板４ａの第１の電極１４ａと半導体装置８ｂの第３の電極２０ａを、第１の接合材料３０ａによりに接続することが困難になる。このため図８の電気回路装置２ａでは、電気回路の接続不良が起きやすい。
【００５２】
一方、実施の形態の電気回路装置２では図３に示すように支持体３４が第１の回路基板４を支持するので、第１の回路基板４は傾き難い。さらに実施の形態の電気回路装置２では、第１の回路基板４が第２の貫通孔１２（図４参照）の周りで第１の突出部１８と第２の突出部２４により挟まれて固定されるので、第１の回路基板４は位置ずれを起こし難い。したがって実施の形態の電気回路装置２は、接続不良を起こし難い。
【００５３】
なお第１の回路基板４と第２の回路基板６の間隔は、例えば１００〜５００μｍである。第１の回路基板４と半導体装置８の間隔は、例えば１００〜５００μｍである。第１の回路基板４の厚さは、例えば１０〜１００μｍである。
【００５４】
図１１は、実施の形態の電気回路装置２ｂの別の例を示す図である。図１１は、第１の回路基板４ｂの長手方向に沿った断面図である。なお図１１では、第１〜４の電極は省略されている。
【００５５】
図２に示す電気回路装置２ｂでは、電極２０,２２や接合材料３０,３２(図３参照)は第１の回路基板４の短手方向に沿って配置されている。しかし電極２０,２２や接合材料３０,３２は、図１１に示すように第１の回路基板４の長手方向に沿って配置されてもよい。或いは、電極２０,２２や接合材料３０,３２は格子状に配置されてもよい。さらに第１の回路基板４ｂは、図１１に示すように半導体装置８ｃの外側では、第２の回路基板６から離れてもよい。
【００５６】
図３の電気回路装置２は、第１の突出部１８と第２の突出部２４が嵌合した固定部４８と支持体３４を有している。しかし電気回路装置２は、固定部４８（すなわち、第１の突出部１８と第２の突出部２４）と支持体３４のいずれか一方だけを有していてもよい。
【００５７】
（２）製造方法
図１２は、電気回路装置２を形成する各部品の断面図である。図１３及び１４は、電気回路装置２の製造方法の工程断面図である。
【００５８】
まず図１２に示すように、第１の回路基板４と、第２の回路基板６と、半導体装置８と、第１の回路基板４を支持する支持体３４とを用意する。
【００５９】
第１の回路基板４は、第１の貫通孔１０と第２の貫通孔１２が設けられ第１の電極１４を表面に有する基板である。
【００６０】
後述する半導体装置の配置工程の前（好ましくは、後述する回路基板の配置工程の前）に第１の接合材料３０が、第１の電極１４に接合される。第１の接合材料３０は、第３の電極２０に接合されてもよい。第１の接合材料３０は、例えば半田バンプである。
【００６１】
第２の回路基板６は、第１の貫通孔１０に対応する第２の電極１６と、第２の貫通孔１２に対応し表面から突出する第１の突出部１８とを有する。
【００６２】
半導体装置８は、第１の電極１４に対応する第３の電極２０と第２の電極１６に対応する第４の電極２２とを裏面に有し半導体チップ２８を搭載する装置である。半導体装置８は、さらに第２の貫通孔１２に対応し第１の突出部１８に嵌合する第２の突出部２４を裏面に有する。
【００６３】
後述する半導体装置の配置工程の前までに第２の接合材料３２が、第４の電極２２に接合される。第２の接合材料３２は、第２の電極１６に接合されてもよい。第２の接合材料３２は、例えば半田バンプである。
【００６４】
―回路基板の配置工程（図１３）―
まず第１の回路基板４の裏面に支持体３４を、例えば接着材により接着（固定）する。支持体３４は、第１の電極１４から見て第１の回路基板４の反対側に接着（固定）される。
【００６５】
次に図１３に示すように、第１の貫通孔１０に第２の電極１６が対向し第１の電極１４と第２の回路基板６の間に支持体３４が介在するように、第１の回路基板４の裏面側に第２の回路基板６と支持体３４を配置する。
【００６６】
この時さらに第１の突出部１８と第２の貫通孔１２が平面視において重なるように、第１の回路基板４の裏面側に第２の回路基板６を配置する。図１２に示す例では、第２の突出部２４が凹部３６を有し、第１突出部１８が凹部３６に嵌合する突起３８を有している。したがって図１３に示すように、第１の突出部１８の突起３８が第２の貫通孔１２（図１２参照）を貫通する。第１の突出部１８が凹部３６を有し、第２の突出部２４が凹部３６に嵌合する突起３８を有してもよい。
【００６７】
支持体３４は、第２の回路基板６の表面に固定されてもよい。すなわち支持体３４は、第１の回路基板４および第２の回路基板６のいずれに固定されてもよい。ただし支持体３４は、図１３に示すように、第１の回路基板４の裏面側に第２の回路基板６が配置された時に、第１の電極１４と第２の回路基板６の間に位置するように固定される。
【００６８】
本工程により第１の回路基板４は、支持体３４により支持される。したがって支持体１０は以後、傾き難くなる。
【００６９】
―半導体装置の配置工程（図１４）―
次に半導体装置８を第１の回路基板４の表面側に、第１の電極１４と第３の電極２０が第１の接合材３０を挟み第２の電極１６と第４の電極２２が第２の接合材３２を挟むように配置する。この時さらに一方の突出部（図１２では、第２の突出部２４）の凹部３６に他方の突出部（図１２では、第１の突出部１８）の突起３８が嵌合するように、半導体装置８を配置する。
【００７０】
本工程により第１の回路基板４は、第１の突出部１８と第２の突出部２４が嵌合した固定部４８により固定される。したがって第１の回路基板４は以後、位置ずれし難くなる。
【００７１】
―接合工程―
最後に第１の接合材料３０を加熱し、第１の電極１４と第３の電極２０を接合する。さらに第２の接合材料３２を加熱し、第２の電極１６と第４の電極２２を接合する。
【００７２】
第１の接合材料３０と第２の接合材料３２は、例えばリフロー処理により同時に加熱される。以上により、図３に示す電気回路装置２が形成される。
【００７３】
以上の例では複数の第１の電極１４に対して、１つの支持体３４が配置される。しかし支持体３４は、第１の電極１４ごとに配置されてもよい。
【００７４】
また以上の例では、半導体装置８は、半導体チップ２８とパッケージ基板２６だけを有している。しかし半導体装置８は、ヒートディスペンサー、フィン、封止樹脂等を有してもよい。
【００７５】
また以上の例では、第１の回路基板は可撓性の基板である。しかし第１の回路基板は、非可撓性基板（例えば、シリコンインターポーザ）であってもよい。
【００７６】
以上の実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００７７】
（付記１）
第１の貫通孔が設けられ、第１の電極を表面に有する第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の裏面側に配置され、前記第１の貫通孔に対応する第２の電極を表面に有する第２の回路基板と、
前記第１の回路基板の表面側に配置され、前記第１の電極に対応する第３の電極と前記第２の電極に対応する第４の電極とを裏面に有する半導体装置と、
前記第１の電極と前記第３の電極を接合する第１の接合材料と、
前記第１の貫通孔を貫き前記第２の電極と前記第４の電極を接合する第２の接合材料と、
前記第１の電極と前記第２の回路基板の間に配置され、前記第１の回路基板を支持する支持体とを
有する電気回路装置。
【００７８】
（付記２）
付記１に記載の電気回路装置において、
前記第１の回路基板は、さらに第２の貫通孔を有し、
前記第２の回路基板は、さらに前記第２の貫通孔に対応し表面から突出する第１の突出部を有し、
前記半導体装置は、さらに前記第２の貫通孔に対応し裏面から突出する第２の突出部を有し、
前記第１の突出部および前記第２の突出部の一方は、前記第１の回路基板に設けられた第２の貫通孔に対応する凹部を有し、
前記第１の突出部および前記第２の突出部の他方は、前記第２の貫通孔を貫いて前記凹部に嵌合する突起を有することを
特徴とする電気回路装置。
【００７９】
（付記３）    
付記２に記載の電気回路装置において、
前記第２の突出部は、前記半導体装置の四隅に配置されていることを
特徴とする電気回路装置。
【００８０】
（付記４）
付記１乃至３のいずれか１項に記載の電気回路装置において、
前記支持体は、前記第１の回路基板または前記第２の回路基板のいずれか一方に固定されていることを
特徴とする電気回路装置。
【００８１】
（付記５）
付記１乃至４のいずれか１項に記載の電気回路装置において、
前記第１の回路基板は可撓性の基板であることを
特徴とする電気回路装置。
【００８２】
（付記６）
付記１乃至５のいずれか１項に記載の電気回路装置において、
前記第１の回路基板は、前記第１の電極を介して前記半導体装置から供給される信号および前記第１の電極を介して前記半導体装置に供給される信号のいずれか一方または双方が伝搬する信号線を有することを
特徴とする電気回路装置。
【００８３】
（付記７）
第１の貫通孔と第２の貫通孔が設けられ、第１の電極を表面に有する第１の回路基板と、
前記第１の回路基板の裏面側に配置され、前記第１の貫通孔に対応する第２の電極と前記第２の貫通孔に対応し表面から突出する第１の突出部とを有する第２の回路基板と、
前記第１の回路基板の表面側に配置され、前記第１の電極に対応する第３の電極と前記第２の電極に対応する第４の電極と前記第２の貫通孔に対応し裏面から突出する第２の突出部とを有する半導体装置と、
前記第１の電極と前記第３の電極を接合する第１の接合材料と、
前記第１の貫通孔を貫き前記第２の電極と前記第４の電極を接合する第２の接合材料とを有し、
前記第１の突出部および前記第２の突出部の一方は、前記第１の回路基板に設けられた第２の貫通孔に対応する凹部を有し、
前記第１の突出部および前記第２の突出部の他方は、前記第２の貫通孔を貫いて前記凹部に嵌合する突起を有する
電気回路装置。
【００８４】
（付記８）
第１の貫通孔が設けられ第１の電極を表面に有する第１の回路基板の裏面側に、前記第１の貫通孔に対応する第２の電極を有する第２の回路基板と前記第１の回路基板を支持する支持体とを前記第１の回路基板の裏面側に、前記第１の貫通孔に前記第２の電極が対向し前記第１の電極と前記第２の回路基板の間に前記支持体が介在するように配置する第１の工程と、
前記第１の電極に対応する第３の電極と前記第２の電極に対応する第４の電極とを裏面に有する半導体装置を前記第１の回路基板の表面側に、前記第１の電極と前記第３の電極が第１の接合材料を挟み前記第２の電極と前記第４の電極が第２の接合材料を挟むように配置する第２の工程と、
前記第１の接合材料を加熱し前記第１の電極と前記第３の電極を接合し、前記第２の接合材料を加熱し前記第２の電極と前記第４の電極を接合する第３の工程とを有する
電気回路装置の製造方法。
【００８５】
（付記９）
付記８に記載の電気回路装置の製造方法において、
第１の工程では、前記第１の回路基板の裏面または前記第２の回路基板の表面に前記支持体を固定した後に、第２の回路基板と前記支持体を前記第１の回路基板の裏面側に配置し、
前記第１の接合材料は前記第２の工程の前に、前記第１の電極または前記第３の電極に接合され、
前記第２の接合材料は前記第２の工程の前に、前記第２の電極または前記第４の電極に接合されることを
特徴とする電気回路装置の製造方法。
【００８６】
（付記１０）
付記８又は９に記載の電気回路装置の製造方法において、さらに、
前記第１の回路基板は、さらに第２の貫通孔が設けられ、
前記第２の回路基板は、さらに前記第２の貫通孔に対応し表面から突出する第１の突出部を有し、
前記半導体装置は、さらに前記第２の貫通孔に対応し前記第１の突出部に嵌合する第２の突出部を有し、
前記第１の工程では、前記第１の突出部と前記第２の貫通孔が平面視において重なるように、前記第２の回路基板を前記第１の回路基板の裏面側に配置し、
前記第２の工程では、前記第１の突出部と前記第２の突出部が嵌合するように、前記半導体装置を前記第１の回路基板の表面側に配置することを
特徴とする電気回路装置の製造方法。  
【符号の説明】
【００８７】
２・・・電気回路装置
４・・・第１の回路基板
６・・・第２の回路基板
８・・・半導体装置
１０・・・第１の貫通孔
１２・・・第２の貫通孔
１４・・・第１の電極
１６・・・第２の電極
１８・・・第１の突出部
２０・・・第３の電極
２２・・・第４の電極
２４・・・第２の突出部
２８・・・半導体チップ
３０・・・第１の接合材料
３２・・・第２の接合材料
３４・・・支持体
３６・・・凹部
３８・・・突起
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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