(57)【要約】【課題】１つの実施形態は、例えば、データフォーマット特性を改善できる磁気ディスク装置を提供することを目的とする。【解決手段】１つの実施形態によれば、磁気ディスクと、ヘッドと、制御部とを有する磁気ディスク装置が提供される。ヘッドは、磁気ディスクにデータを書き込む。制御部は、ヘッドを磁気ディスクの仮想円軌道に位置制御する。仮想円軌道は、第１のサーボセクタ領域と第２のサーボセクタ領域とを有する。第２のサーボセクタ領域は、第１のサーボセクタ領域よりサーボ間隔が広い。第２のサーボセクタ領域への書き込みビット数は、第１のサーボセクタ領域への書き込みビット数より多い。【選択図】図８
2014182857.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクにデータを書き込む磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを、第１のサーボセクタ領域と前記第１のサーボセクタ領域よりサーボ間隔が広い第２のサーボセクタ領域とを有する、前記磁気ディスクの仮想円軌道に位置制御する制御部と、
前記磁気ディスクへの記録容量を優先する場合、前記第１のサーボセクタ領域の書き込みビット密度に近づくように前記第２のサーボセクタ領域の書き込みビット密度を増加させ、前記磁気ディスクの信頼性を優先する場合、前記第２のサーボセクタ領域の書き込みビット密度に近づくように前記第１のサーボセクタ領域の書き込みビット密度を減少させ、前記磁気ディスクへの記録容量及び前記磁気ディスクの信頼性の両方を考慮する場合、前記第１のサーボセクタ領域の書き込みビット密度と前記第２のサーボセクタ領域の書き込みビット密度とが互いに近づくように前記第１のサーボセクタ領域の書き込みビット密度を減少させるとともに前記第２のサーボセクタ領域の書き込みビット密度を増加させるように設定する設定部と、
を備える磁気ディスク装置。
【請求項２】
磁気ディスクと、
前記磁気ディスクにデータを書き込む磁気ヘッドと、
前記磁気ヘッドを、第１のサーボセクタ領域と前記第１のサーボセクタ領域よりサーボ間隔が広い第２のサーボセクタ領域とを有する、前記磁気ディスクの仮想円軌道に位置制御する制御部と、
を備え、
前記仮想円軌道における前記第２のサーボセクタ領域への書き込みビット数は、前記第１のサーボセクタ領域への書き込みビット数より多い
磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記磁気ディスクへの記録容量を優先する場合、前記第１のサーボセクタ領域の書き込みビット密度に近づくように前記第２のサーボセクタ領域の書き込みビット密度を増加させるように設定する第１設定部
をさらに備える請求項２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記磁気ディスクの信頼性を優先する場合、前記第２のサーボセクタ領域の書き込みビット密度に近づくように前記第１のサーボセクタ領域の書き込みビット密度を減少させるように設定する第２設定部
をさらに備える請求項２又は３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記磁気ディスクへの記録容量及び前記磁気ディスクの信頼性の両方を考慮する場合、前記第１のサーボセクタ領域の書き込みビット密度と前記第２のサーボセクタ領域の書き込みビット密度とが互いに近づくように前記第１のサーボセクタ領域の書き込みビット密度を減少させるとともに前記第２のサーボセクタ領域の書き込みビット密度を増加させるように設定する第３設定部
をさらに備える請求項２から４のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
磁気ディスクと、前記磁気ディスクにデータを書き込む磁気ヘッドと、前記磁気ヘッドを前記磁気ディスクの仮想円軌道に位置制御する制御部とを有する磁気ディスク装置の制御方法であって、
前記仮想円軌道における複数のサーボセクタ領域のそれぞれについてサーボ間隔を測定することと、
前記測定された前記複数のサーボセクタ領域のそれぞれのサーボ間隔に応じて、前記複数のサーボセクタ領域のそれぞれにデータフォーマットを設定することと、
を備え、
前記仮想円軌道は、
第１のサーボセクタ領域と、
前記第１のサーボセクタ領域よりサーボ間隔が広い第２のサーボセクタ領域と、
を有し、
前記データフォーマットの設定は、前記第２のサーボセクタ領域への書き込みビット数が前記第１のサーボセクタ領域への書き込みビット数より多くなるように、データフォーマットを設定することを含む
磁気ディスク装置の制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ディスク装置及び磁気ディスク装置の制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
複数の磁気ヘッドが搭載された磁気ディスク装置において、各磁気ディスク間で偏心差がある場合に、各磁気ヘッドについてそれぞれ偏心補正を行うと、ヘッドチェンジシーク時の位置誤差および速度誤差の要因となり、シーク時間が増大しやすく、シークパフォーマンスが低下しやすい。このような各磁気ディスク間の偏心差による影響を抑制するために、磁気ディスクの回転中心に対して同様の真円を描くように各磁気ヘッドの軌道が制御される仮想円制御が行われることがある。仮想円制御では、仮想的な円軌道上に異なるトラックのサーボセクタ領域が設けられ、各サーボセクタ領域に対してデータの書き込み及び読み出しが行われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１２３５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
１つの実施形態は、例えば、仮想円制御に関する特性を改善できる磁気ディスク装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
１つの実施形態によれば、磁気ディスクと、ヘッドと、制御部とを有する磁気ディスク装置が提供される。ヘッドは、磁気ディスクにデータを書き込む。制御部は、ヘッドを磁気ディスクの仮想円軌道に位置制御する。仮想円軌道は、第１のサーボセクタ領域と第２のサーボセクタ領域とを有する。第２のサーボセクタ領域は、第１のサーボセクタ領域よりサーボ間隔が広い。第２のサーボセクタ領域への書き込みビット数は、第１のサーボセクタ領域への書き込みビット数より多い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施形態にかかる磁気ディスク装置の平面構成を示す図。
【図２】第１の実施形態にかかる磁気ディスク装置の断面構成を示す図。
【図３】第１の実施形態にかかる磁気ディスク装置の機能構成を示す図。
【図４】第１の実施形態における複数の磁気ディスク間の偏心差を示す図。
【図５】第１の実施形態における偏心がある場合の仮想円軌道を示す図。
【図６】第１の実施形態における仮想円軌道のデータフォーマットの設定情報を示す図。
【図７】比較例及び第１の実施形態におけるサーボセクタ領域のデータフォーマットを示す図。
【図８】第１の実施形態における仮想円軌道の各サーボセクタ領域のデータフォーマット特性を示す図。
【図９】第１の実施形態にかかる磁気ディスク装置の動作を示すフローチャート。
【図１０】第１の実施形態の変形例におけるサーボセクタ領域のデータフォーマットを示す図。
【図１１】第１の実施形態の変形例における仮想円軌道の各サーボセクタ領域のデータフォーマット特性を示す図。
【図１２】第１の実施形態の他の変形例における仮想円軌道の各サーボセクタ領域のデータフォーマット特性を示す図。
【図１３】第２の実施形態におけるサーボセクタ領域のデータフォーマットを示す図。
【図１４】第２の実施形態における仮想円軌道の各サーボセクタ領域のデータフォーマット特性を示す図。
【図１５】第３の実施形態におけるサーボセクタ領域のデータフォーマットを示す図。
【図１６】第３の実施形態における仮想円軌道の各サーボセクタ領域のデータフォーマット特性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる磁気ディスク装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかる磁気ディスク装置１００について図１及び図２を用いて説明する。図１は、磁気ディスク装置１００の構成を示す平面図である。図２は、磁気ディスク装置１００の構成を示す断面図である。
【０００９】
図１及び図２に示すように、磁気ディスク６は、基板（円板）に磁気記録層を設けて構成される。磁気ディスク６は、例えば２．５インチ（６．３５ｃｍ）の大きさであり、ドライブ内に、複数（例えば３枚）設けられている。スピンドルモータ５は、磁気ディスク６を支持し、且つ回転する。磁気ヘッド４は、アクチュエータに設けられている。この磁気ヘッド４は、複数（例えば３枚）の磁気ディスク６の表面及び裏面に対応して複数設けられている（図４に示す磁気ヘッド４−１〜４−６参照）。アクチュエータは、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）３と、アーム８と、フレクシャ（サスペンション）９を有する。フレクシャ９の先端に、磁気ヘッド４が取り付けられている。
【００１０】
磁気ヘッド４は、磁気ディスク６のデータを読み取んだり、磁気ディスク６にデータを書き込んだりする。磁気ヘッド４は、ＭＲ素子（再生素子）と、ライト素子とを有する。ボイスコイルモータ３は、磁気ヘッド４を磁気ディスク６の半径方向に駆動し、磁気ディスク６の所望のトラックに位置付ける。ボイスコイルモータ３及びスピンドルモータ（ＳＰＭ）５は、ドライブベース２に設けられる。カバー１は、ドライブベース２を覆い、ドライブ内部を外部から隔離する。プリント板７は、ドライブベース２の下に設けられ、ドライブの制御回路を搭載する。コネクタ１０は、ドライブベース２の下に設けられ、制御回路と外部とを接続する。このドライブは、小型であり、例えばノートパソコン等の内蔵ディスクとして使用される。
【００１１】
図３は、磁気ディスク装置１００の構成を示すブロック図である。ＨＤＣ（ハードディスクコントローラ）１８は、ホスト装置ＨＡとの間での各種コマンドの授受、データの授受等のホスト装置ＨＡとのインターフェース制御及び磁気ディスク媒体上の記録再生フォーマットを制御するための磁気ディスク装置内部の制御信号の発生等を行う。バッファ１７は、ホスト装置ＨＡからのライトデータの一時的な記憶及び磁気ディスク６からのリードデータの一時的な記憶に使用される。
【００１２】
ＭＣＵ（マイクロコントローラユニット）１９は、マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）、メモリ、ＤＡコンバータ、ＡＤコンバータ等で構成されている。ＭＣＵ１９は、磁気ヘッド４の位置決めのためのサーボ制御（位置決め制御）等を行う。ＭＣＵ１９は、メモリに記憶されたプログラムを実行して、サーボ復調部１６からの位置信号を認識し、位置決めのためのボイスコイルモータ３のＶＣＭ制御電流の制御値を計算する。そして、ＭＣＵ１９は、ＶＣＭ駆動回路１３を介してボイスコイルモータ３を制御することで、磁気ヘッド４の位置決め制御を行う。更に、ＭＣＵ１９は、ＳＰＭ駆動回路１４の駆動電流の制御を行う。なお、磁気ディスク６、磁気ヘッド４、ボイスコイルモータ３、スピンドルモータ５は、例えば、ＨＤＡ（Ｈａｒｄ  Ｄｉｓｋ  Ａｓｓｅｍｂｌｙ）の筐体（カバー１及びドライブベース２）内に収容されている。
【００１３】
ＶＣＭ駆動回路１３は、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）３に駆動電流を流すためのパワーアンプで構成される。ＳＰＭ駆動回路１４は、磁気ディスク６を回転するスピンドルモータ（ＳＰＭ）５に駆動電流を流すためのパワーアンプで構成される。
【００１４】
リードチャネル１５は、記録再生を行うための回路である。リードチャネル１５は、ホスト装置ＨＡからのライトデータを磁気ディスク６に記録するための変調回路、パラレルシリアル変換回路、磁気ディスク６からデータを再生するための復調回路、シリアルパラレル変換回路等を有する。サーボ復調部１６は、図５にて後述するように、磁気ディスク６に記録されたサーボパターンＳＲＶ０〜ＳＲＶ１５（図７参照）を復調し、ＭＣＵ１９に復調した位置信号を出力する。
【００１５】
なお、各サーボパターンＳＲＶ０〜ＳＲＶ１５は、例えば、サーボマーク、グレイコード、バースト部を有する。サーボマークは、サーボパターンＳＲＶ０〜ＳＲＶ１５の先頭を示し、読み出しの基準となる基準マークである。グレイコードは、トラックごとのトラック番号（「ｎ」、「ｎ＋１」、「ｎ＋２」…）がデジタルデータで記録される。磁気ディスク装置１００では、グレイコードに記録されたトラック番号を復調することで、磁気ヘッドがどのトラック番号のトラックに位置しているかを検出できる。
【００１６】
バースト部は、各トラックにおいてトラック中心からのオフセット位置を検出するため、位相の９０度ずれた４相の面積パターンを示す位置信号ＰｏｓＡ、ＰｏｓＢ、ＰｏｓＣ、ＰｏｓＤが記録される記録領域である。磁気ディスク装置１００では、バースト部に記録された位置信号ＰｏｓＡ、ＰｏｓＢ、ＰｏｓＣ、ＰｏｓＤの振幅（面積に相当）を得て、検出されたトラック番号のトラック中心からの磁気ヘッドの位置（オフセット位置）を復調する。なお、本実施の形態では、オフセット位置の復調方式が、ＰｏｓＡ〜ＰｏｓＤによる面積サーボに限定されるものでなく、Ｎｕｌｌサーボパターンや位相差サーボパターンを用いたものであってもよい。
【００１７】
また、図示されていないが、磁気ディスク装置１００内には、磁気ヘッド４に記録電流を供給するライトアンプと、磁気ヘッド４からの再生電圧を増幅するプリアンプとを内蔵したヘッドＩＣが設けられている。
【００１８】
次に、磁気ディスク装置１００における仮想円制御について図４及び図５を用いて説明する。図４は、複数の磁気ディスク６−１〜６−３間の偏心差を示す図である。図５は、磁気ディスク６における１次偏心がある場合の仮想円軌道を示す図である。以下では、トラック又は仮想円軌道において隣接する２つのサーボパターンに挟まれた領域をサーボセクタ領域と呼ぶことにする。
【００１９】
磁気ディスク装置１００は、図５に示すような磁気ディスク６上に書かれたサーボパターンＳＲＶ０〜ＳＲＶ１５を使って各磁気ヘッド４−１〜４−６（図４参照）を位置決めし、磁気ディスク６に対してデータをライト・リードする。
【００２０】
図４に示すように、スピンドルモータ（ＳＰＭ）５に複数の磁気ディスク６−１〜６−３を組み付ける際に、各磁気ディスク６−１〜６−３単体でサーボパターンＳＲＶ０〜ＳＲＶ１５をライトした後に複数の磁気ディスク６−１〜６−３を組み付ける場合と、１つの磁気ディスク６−１に種パターンとしてのサーボパターンＳＲＶ０〜ＳＲＶ１５をライトした後に複数の磁気ディスク６−１〜６−３を組み付けてから他の磁気ディスク６−２，６−３にサーボパターンＳＲＶ０〜ＳＲＶ１５をライトする場合（セルフサーボライト方式）とがある。単体でサーボライトされたパターンを使う場合でも、種パターンを使う場合でも、スピンドルモータ５の回転中心ＲＣと磁気ディスク６−１〜６−３のサーボパターンＳＲＶ０〜ＳＲＶ１５の中心ＤＣ−１〜ＤＣ−３とが互いに偏心しやすい。さらに、磁気ディスク６−１〜６−３の偏心量ＥＣ−１〜ＥＣ−３が、複数の磁気ディスク６−１〜６−３の間で互いに異なることがある。なお、磁気ディスク６−１〜６−３の偏心量ＥＣ−１〜ＥＣ−３は、例えば、向き及び大きさを持つベクトル量とすることができる。
【００２１】
このように各磁気ディスク６−１〜６−３間で偏心差（偏心量ＥＣ−１〜ＥＣ−３の差）がある場合に、各磁気ヘッド４−１〜４−６についてそれぞれ偏心補正を行うと、ヘッドチェンジシーク時の位置誤差および速度誤差の要因となり、シーク時間が増大しやすく、シークパフォーマンスが低下しやすい。このような各磁気ディスク６−１〜６−３間の偏心差による影響を抑制するために、偏心補正を行わずに、磁気ディスクの回転中心ＲＣに対して同様の真円（すなわち、図５に示す仮想円軌道ＣＯ）を描くように各磁気ヘッド４−１〜４−６の軌道が制御される仮想円制御が行われることがある。
【００２２】
すなわち、仮想円制御では、各磁気ディスク６−１〜６−３ごとの偏心量ＥＣ−１〜ＥＣ−３の差による影響をキャンセルし、全ての磁気ヘッド４−１〜４−６が同円となるように仮想的な円（すなわち、仮想円軌道ＣＯ）を作り、それに沿って各磁気ヘッド４−１〜４−６を位置決め制御する。これにより、ヘッドチェンジを行う際のスキュー時間を短くでき、磁気ディスク装置１００の性能を向上できる。
【００２３】
仮想円制御を行うと、例えば１次偏心がない場合（理想的な場合）、仮想円軌道ＣＯ−１が、磁気ディスク６上に同心円状に設定された複数のトラック（図示せず）のうち、例えばｎ番目のトラックに沿ったものになる。各トラックには、サーボ間隔が互いに均等である複数のサーボセクタ領域が含まれている。それに応じて、仮想円軌道ＣＯ−１には、サーボ間隔が互いに均等である複数のサーボセクタ領域が含まれている。
【００２４】
例えば、仮想円軌道ＣＯ−１には、複数のサーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６が含まれる。サーボパターンの中心とディスクの中心が同じである場合、複数のサーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６は、サーボ間隔が互いに均等である。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ１のサーボ間隔Ｗ１−１は、サーボセクタ領域ＳＣ９のサーボ間隔Ｗ９−１と均等である。
【００２５】
しかし、実際には、図４に示すように、各磁気ディスク６−１〜６−３ごとに偏心量ＥＣ−１〜ＥＣ−３の１次偏心があるので、例えば、仮想円軌道ＣＯ−２が図５に示すようなものになる。図５（ａ）に示す仮想円軌道ＣＯ−２は、磁気ディスク６上に同心円状に設定された複数のトラックＴＲ１〜ＴＲｋのうち、例えば図５（ａ）の右側でｎ番目のトラックＴＲｎに沿ったものになり、例えば図５（ａ）の左側でｎ番目より外側のｎ＋１番目のトラックＴＲｎ＋１に沿ったものになり、例えば図５（ａ）の上側及び下側でｎ番目のトラックＴＲｎとｎ＋１番目のトラックＴＲｎ＋１との間を進むものになる。各トラックＴＲ１〜ＴＲｋには、サーボ間隔が互いに均等である複数のサーボセクタ領域が含まれている。また、各トラックＴＲ１〜ＴＲｋの各サーボセクタ領域のサーボ間隔は、外側のトラックほど広くなっている。そのため、仮想円軌道ＣＯ−２には、サーボ間隔が互いに異なる複数のサーボセクタ領域が含まれている。
【００２６】
例えば、仮想円軌道ＣＯ−２には、図５（ａ）に示すように、複数のサーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６が含まれる。複数のサーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６は、図５（ｂ）に示すように、サーボ間隔が互いに異なっている。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ１のサーボ間隔Ｗ１−２は、サーボセクタ領域ＳＣ９のサーボ間隔Ｗ９−２より広い。例えば、仮想円軌道ＣＯ−２では、サーボセクタ領域ＳＣ１からサーボセクタ領域ＳＣ９へ近づくにつれて徐々にサーボ間隔が狭くなっていき、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１６に近づくにつれて徐々にサーボ間隔が広くなっていく（図８（ａ）参照）。
【００２７】
次に、磁気ディスク装置１００におけるデータフォーマットについて図６〜図８を用いて説明する。図６は、仮想円軌道のデータフォーマットの設定情報を示す図である。図７（ａ）は、比較例におけるサーボセクタ領域のデータフォーマットを示す図である。図７（ｂ）は、第１の実施形態におけるサーボセクタ領域のデータフォーマットを示す図である。図８（ａ）は、仮想円軌道におけるサーボ間隔の分布を示す図である。図８（ｂ）は、仮想円軌道における書き込みビット数の分布を示す図である。図８（ｃ）は、仮想円軌道におけるセクタビット密度の分布を示す図である。なお、図８（ａ）〜図８（ｃ）では、サーボセクタ領域の周方向位置をＰｏｓ（サーボセクタ領域の番号ＳＣ＊）で示している。
【００２８】
仮想円軌道ＣＯに対してデータフォーマットを設定する際に、例えば図６に示す設定情報が用いられる。データフォーマットの設定情報は、例えば、複数の書き込みブロック（複数の物理ブロック）を含む論理ブロックにおけるどの書き込みブロックまでが設定対象のサーボセクタ領域に含まれるのかを設定する。論理ブロックは、ホスト装置ＨＡ（図３）からのアクセス単位であり、例えばホスト装置ＨＡからのコマンドで指定される論理アドレスに対応したものである。各論理ブロックは、例えば、固定されたビット長を有している。書き込みブロック（物理ブロック）は、例えば、ＨＤＣ１８（図３参照）で読み出し制御又は書き込み制御を行う際に指定される物理アドレスに対応したものである。各書き込みブロックは、例えば、固定されたビット長を有している。データフォーマットは、ＭＣＵ１９で実行されるファームウェア（設定部）により設定される。
【００２９】
例えば図６に示すように４つの論理ブロックＬＢＡ０〜ＬＢＡ３が３つのサーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ３にちょうど収まる場合、４つの論理ブロックＬＢＡ０〜ＬＢＡ３と３つのサーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ３との対応関係を１つのセット情報ＳＥＴとする。この設定情報では、少なくとも、区切り位置（例えば、何番目の書き込みブロックかを示す情報）ＰＴ１，ＰＴ２と、区切られる論理ブロックＬＢＡ１，ＬＢＡ２を識別する情報とが対応付けられた情報が含まれていればよい。そして、セット情報ＳＥＴを繰り返すことで、仮想円軌道ＣＯの１周分についてデータフォーマットを設定できる。
【００３０】
例えば、各論理ブロックが１番目〜ｋ番目の書き込みブロックを含むとすると、図６に示す場合、サーボセクタ領域ＳＣ１には、論理ブロックＬＢＡ０の１番目〜ｋ番目の書き込みブロックと、論理ブロックＬＢＡ１の１番目〜ｋ−ｐ番目の書き込みブロックとが割り当てられる。サーボセクタ領域ＳＣ２には、論理ブロックＬＢＡ１のｋ−ｐ＋１番目〜ｋ番目の書き込みブロックと、論理ブロックＬＢＡ２の１番目〜ｋ−ｑ番目の書き込みブロックとが割り当てられる。サーボセクタ領域ＳＣ３には、論理ブロックＬＢＡ２のｋ−ｑ＋１番目〜ｋ番目の書き込みブロックと、論理ブロックＬＢＡ３の１番目〜ｋ番目の書き込みブロックとが割り当てられる。
【００３１】
ここで、仮に、仮想円軌道ＣＯにおける各サーボセクタ領域の書き込みビット数が均等になるように（例えば、図８（ｂ）の一点鎖線の特性になるように）データフォーマットが設定される場合を考える。この場合、例えばスピンドルモータ５（図１参照）が一定の回転数で磁気ディスク６を回転させるため、ＨＤＣ１８が、磁気ヘッド４を介した読み出し・書き込みを行う際に、そのデータフォーマットの設定に合うように、読み出し・書き込み制御に用いるクロックの周波数を適宜変更して調整することになる。これにより、仮想円軌道ＣＯの１周内でビット密度の不揃いが発生する。
【００３２】
例えば、図６の例では、各サーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ３の書き込みビット数に対応した書き込みブロック数について、次の数式１が成り立つ。
ｋ＋（ｋ−ｐ）＝ｐ＋（ｋ−ｑ）＝ｑ＋ｋ・・・数式１
【００３３】
例えば数式１の各辺の値が２０である場合（すなわち、各サーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６の書き込みブロック数が２０である場合）、サーボセクタ領域ＳＣ９，ＳＣ１のデータフォーマットは、例えば、図７（ａ）に示すようになる。すなわち、サーボセクタ領域ＳＣ９及びサーボセクタ領域ＳＣ１には、いずれも、２０個の書き込みブロックが割り当てられている。
【００３４】
このとき、上記のように、サーボセクタ領域ＳＣ１のサーボ間隔Ｗ１−２は、サーボセクタ領域ＳＣ９のサーボ間隔Ｗ９−２より広い。また、各書き込みブロックは、固定されたビット長を有している。このため、サーボセクタ領域ＳＣ１のビット密度は、サーボセクタ領域ＳＣ９のビット密度より小さくなっている。
【００３５】
例えば、仮想円軌道ＣＯ−２では、サーボセクタ領域ＳＣ１からサーボセクタ領域ＳＣ９へ近づくにつれて徐々にサーボ間隔が狭くなっていき、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１６に近づくにつれて徐々にサーボ間隔が広くなっていく（図８（ａ）参照）。このため、仮想円軌道ＣＯ−２では、サーボセクタ領域ＳＣ１からサーボセクタ領域ＳＣ９へ近づくにつれて徐々にビット密度が高くなっていき、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１６に近づくにつれて徐々にビット密度が低くなっていく（図８（ｃ）の一点鎖線の特性、参照）。
【００３６】
例えば、図８（ｃ）に示されるように、サーボ間隔の狭いサーボセクタ領域ＳＣ９において、ビット密度をそれ以上増加させるとエラーレートが閾値レベルを超えてしまう場合、すなわち、エラーレートを許容範囲内に収めるための上限レベル近傍までビット密度を高くしている場合であっても、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域ＳＣ１では、ビット密度を増加させる余地があることが理解される。すなわち、各サーボセクタ領域の書き込みビット数が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合は、面密度の向上の観点から無駄が多い傾向にある。
【００３７】
そこで、本実施形態では、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域への書き込みビット数をサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域への書き込みビット数より多くすることで、磁気ディスク装置１００における面密度の向上を目指す。
【００３８】
例えば、図７（ｂ）に示すように、サーボセクタ領域ＳＣ９に２０個の書き込みブロックが割り当てられているのに対して、サーボセクタ領域ＳＣ１には、２５個の書き込みブロックが割り当てられている。
【００３９】
このとき、上記のように、サーボセクタ領域ＳＣ１のサーボ間隔Ｗ１−２は、サーボセクタ領域ＳＣ９のサーボ間隔Ｗ９−２より広い。また、各書き込みブロックは、固定されたビット長を有している。このため、サーボセクタ領域ＳＣ１のビット密度は、サーボセクタ領域ＳＣ９のビット密度に近づくように（例えば、均等になるように）増加している。
【００４０】
例えば、仮想円軌道ＣＯ−２では、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１へ近づくにつれて徐々にサーボ間隔が広くなっていく（図８（ａ）参照）。これに応じて、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１へ近づくにつれて徐々に書き込みビット数を増加させる（図８（ｂ）の実線の特性、参照）。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ１の書き込みビット数をＢＮ０からＢＮ１まで増加させる。また、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１６へ近づくにつれて徐々にサーボ間隔が広くなっていく（図８（ａ）参照）。これに応じて、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１６へ近づくにつれて徐々に書き込みビット数を増加させる（図８（ｂ）の実線の特性、参照）。
【００４１】
これにより、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度をサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度に近づくように（例えば、均等になるように）増加させることができる（図８（ｃ）の実線の特性、参照）。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ１のビット密度をＢＤ０からＢＤ１まで増加させることができる。
【００４２】
このようなデータフォーマットの設定は、例えば、図６に示すセット情報ＳＥＴを１周分の情報とすることで実現できる。すなわち、複数の論理ブロックと１周分のサーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６との対応関係を１つのセット情報ＳＥＴとすることで実現できる。この場合、例えばスピンドルモータ５（図１参照）が一定の回転数で磁気ディスク６を回転させるため、ＨＤＣ１８が、磁気ヘッド４を介した読み出し・書き込みを行う際に、そのデータフォーマットの設定に合うように、読み出し・書き込み制御に用いるクロックの周波数を調整することになる。例えば、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡ってビット密度が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合、ＨＤＣ１８は、磁気ヘッド４を介した読み出し・書き込みを行う際に、読み出し・書き込み制御に用いるクロックの周波数を略一定に調整することができる。
【００４３】
次に、磁気ディスク装置１００の動作について図９を用いて説明する。図９は、磁気ディスク装置１００の動作を示すフローチャートである。
【００４４】
ステップＳ１では、ＨＤＣ１８（図３参照）が、ベッド番号を初期値（例えば、一番若い番号）にして、複数の磁気ヘッド４−１〜４−６（図４参照）のうち最初に制御すべき磁気ヘッド４として初期値のヘッド番号の磁気ヘッド４を選択する。
【００４５】
ステップＳ２では、ＨＤＣ１８が、ステップＳ１で選択された磁気ヘッド４を用いてサーボパターンＳＲＶ０〜ＳＲＶ１５からサーボ情報を読み取る。そして、ＨＤＣ１８は、読み取られたサーボ情報に応じて磁気ディスク６の中心ＤＣ−１〜ＤＣ−３の位置を推定し、推定された中心ＤＣ−１〜ＤＣ−３の位置に応じて、磁気ディスク６の１次偏心の偏心量ＥＣを求める。
【００４６】
ステップＳ３では、ＨＤＣ１８が、ステップＳ２で求められた偏心量ＥＣ（例えば、ベクトル量）に応じて、仮想円軌道ＣＯにおける各サーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６のサーボ間隔を求める。例えば、スピンドルモータ５（図１参照）が一定の回転数で磁気ディスク６を回転させるため、ＨＤＣ１８は、各サーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６のサーボ間隔として、各サーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６について両端のサーボパターンＳＲＶ０〜ＳＲＶ１５を磁気ヘッド４が通過する時間間隔を計算する。
【００４７】
ステップＳ４では、ＨＤＣ１８が、ステップＳ３で測定された各サーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６のサーボ間隔に応じて、各サーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６のデータフォーマットを設定する。例えば、ＨＤＣ１８は、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域への書き込みビット数をサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域への書き込みビット数より多くなるように、各サーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６のデータフォーマットを設定する。例えば、ＨＤＣ１８は、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度がサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度に近くなるように（例えば、均等になるように）、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度を増加させる。
【００４８】
ステップＳ５では、ＨＤＣ１８が、現在のヘッド番号を参照することなどにより、複数の磁気ヘッド４−１〜４−６（図４参照）の全てについてデータフォーマットの設定を行ったか否か判断する。ＨＤＣ１８は、全ての磁気ヘッド４−１〜４−６についてデータフォーマットの設定を行っていない（ステップＳ５で「Ｎｏ」の）場合、処理をステップＳ６へ進める。ＨＤＣ１８は、全ての磁気ヘッド４−１〜４−６についてデータフォーマットの設定を行った（ステップＳ５で「Ｙｅｓ」の）場合、処理をステップＳ７へ進める。
【００４９】
ステップＳ６では、ＨＤＣ１８が、複数の磁気ヘッド４−１〜４−６に対応する複数のヘッド番号のうち未選択のヘッド番号を選択する。例えば、ＨＤＣ１８は、複数のヘッド番号が連続した番号であれば、現在のヘッド番号をインクリメントする。そして、ＨＤＣ１８は、処理をステップＳ２に戻す。
【００５０】
ステップＳ７では、ＨＤＣ１８が、複数の磁気ヘッド４−１〜４−６のデータフォーマットの設定情報（図６参照）を磁気ディスク６のシステムエリアに保存する。
【００５１】
以上のように、第１の実施形態では、磁気ディスク装置１００において、仮想円軌道ＣＯ内のサーボ間隔の広いサーボセクタ領域（第２のサーボセクタ領域）ＳＣ１への書き込みビット数が、サーボ間隔の狭いサーボセクタ領域（第１のサーボセクタ領域）ＳＣ９への書き込みビット数より多い。これにより、各サーボセクタ領域の書き込みビット数が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合（比較例）に比べて、磁気ディスク装置１００における磁気ディスク６への記録の面密度を向上できる。すなわち、磁気ディスク装置１００において、面密度に関するデータフォーマット特性を改善できる。したがって、仮想円制御の利点を保ちつつ、面密度を向上させることが可能となり、比較例に比べて、より大容量の磁気ディスク装置の提供が可能となる。
【００５２】
また、第１の実施形態では、磁気ディスク装置１００において、ＨＤＣ（制御部）１８が、磁気ディスク６への記録容量を優先する場合、サーボセクタ領域（第１のサーボセクタ領域）ＳＣ９の書き込みビット密度に近づくようにサーボセクタ領域（第２のサーボセクタ領域）ＳＣ１の書き込みビット密度を増加させる。例えば、ＨＤＣ（制御部）１８が、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度をサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度に近づくように（例えば、均等になるように）増加させる。これにより、各サーボセクタ領域の書き込みビット数が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合に比べて、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、磁気ディスク装置１００における磁気ディスク６への記録の面密度を（例えば、エラーレートを許容範囲内に収めるための上限レベル（例えば、図８（ｃ）に示すビット密度ＢＤ１）近傍まで）向上できる。
【００５３】
また、第１の実施形態では、磁気ディスク装置１００において、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、各サーボセクタ領域のビット密度を均一化することができるので、各サーボセクタ領域のエラーレートも均一化できる。これにより、読み出し制御における誤り訂正処理の発生頻度も均一化でき、読み出し動作を安定化できる。
【００５４】
なお、図１０及び図１１に示すように、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度を、各サーボセクタ領域の書き込みビット数が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合（すなわち、比較例）におけるサーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度とサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度との中間の値になるように増加させてもよい。
【００５５】
例えば、図１０に示すように、サーボセクタ領域ＳＣ９に２０個の書き込みブロックが割り当てられているのに対して、サーボセクタ領域ＳＣ１には、２２個の書き込みブロックが割り当てられている。この２２個は、サーボセクタ領域ＳＣ１の比較例における書き込みブロック数（２０個）より多く、サーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度と均等なビット密度を実現するための書き込みブロック数（２５個）より少ない。
【００５６】
例えば、仮想円軌道ＣＯ−２では、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１へ近づくにつれて徐々にサーボ間隔が広くなっていく（図１１（ａ）参照）。これに応じて、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１へ近づくにつれて徐々に書き込みビット数を増加させる（図１１（ｂ）の実線の特性、参照）。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ１の書き込みビット数をＢＮ０からＢＮ０及びＢＮ１の間のＢＮ２まで増加させる。また、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１６へ近づくにつれて徐々にサーボ間隔が広くなっていく（図１１（ａ）参照）。これに応じて、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１６へ近づくにつれて徐々に書き込みビット数を増加させる（図１１（ｂ）の実線の特性、参照）。これにより、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度をサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度に近づくように増加させることができる（図１１（ｃ）参照）。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ１のビット密度をＢＤ０からＢＤ０及びＢＤ１の中間のＢＤ２まで増加させることができる。
【００５７】
あるいは、図１２に示すように、サーボ間隔の狭いサーボセクタ領域からサーボ間隔の広いサーボセクタ領域へかけて書き込みビット数を増加させる場合に、２段階で増加させてもよい。
【００５８】
例えば、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ６までを略一定の書き込みビット数ＢＮ０とし、サーボセクタ領域ＳＣ５からサーボセクタ領域ＳＣ１までを書き込みビット数ＢＮ０より大きい略一定の書き込みビット数ＢＮ２とする。すなわち、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１へ近づくにつれて書き込みビット数を２段階で増加させる（図１２（ｂ）の実線の特性、参照）。また、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１３までを略一定の書き込みビット数ＢＮ０とし、サーボセクタ領域ＳＣ１４からサーボセクタ領域ＳＣ１６までを書き込みビット数ＢＮ２とする。すなわち、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１６へ近づくにつれて書き込みビット数を２段階で増加させる（図１２（ｂ）の実線の特性、参照）。これにより、仮想円軌道ＣＯ−２の略半周分について、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度をサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度に近づくように増加させることができる。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ１のビット密度をＢＤ０からＢＤ２（ＢＤ０及びＢＤ１の中間の密度）まで増加させることができる。
【００５９】
このようなデータフォーマットの設定は、例えば、図６に示すセット情報ＳＥＴを、書き込みビット数ＢＮ０である第１の領域ＲＧ１用と、書き込みビット数ＢＮ２である第２の領域ＲＧ２用との２種類用意することで実現できる。すなわち、第１の領域ＲＧ１において第１の領域ＲＧ１用のセット情報ＳＥＴを繰り返すことでデータフォーマットを設定し、第２の領域ＲＧ２において第２の領域ＲＧ２用のセット情報ＳＥＴを繰り返すことでデータフォーマットを設定する。
【００６０】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態にかかる磁気ディスク装置について説明する。以下では、第１の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００６１】
第１の実施形態では、磁気ディスク装置１００の記録容量を優先する場合について例示的に説明しているが、第２の実施形態では、磁気ディスク装置１００の信頼性を優先する場合について例示的に説明する。
【００６２】
第２の実施形態では、図１３及び図１４に示すように、サーボ間隔の狭いサーボセクタ領域への書き込みビット数をサーボ間隔の広いサーボセクタ領域への書き込みビット数より少なくすることで、磁気ディスク装置１００における信頼性の向上を目指す。ビット密度が高い領域ではエラーレートが悪化する可能性が高くエラーマージンが少ないのに対して、ビット密度が低い領域ではエラーレートを低くできエラーマージンを多く取れる。そのため、ビット密度をより少なくすることで信頼性を向上できる。図１３は、第２の実施形態におけるサーボセクタ領域のデータフォーマットを示す図である。図１４（ａ）は、仮想円軌道におけるサーボ間隔の分布を示す図である。図１４（ｂ）は、仮想円軌道における書き込みビット数の分布を示す図である。図１４（ｃ）は、仮想円軌道におけるセクタビット密度の分布を示す図である。なお、図１４（ａ）〜図１４（ｃ）では、サーボセクタ領域の周方向位置をＰｏｓ（サーボセクタ領域の番号ＳＣ＊）で示している。
【００６３】
例えば、図１３に示すように、サーボセクタ領域ＳＣ１に２０個の書き込みブロックが割り当てられているのに対して、サーボセクタ領域ＳＣ９には、１６個の書き込みブロックが割り当てられている。この１６個は、サーボセクタ領域ＳＣ９の比較例における書き込みブロック数（２０個）より少ない。
【００６４】
このとき、上記のように、サーボセクタ領域ＳＣ９のサーボ間隔Ｗ９−２は、サーボセクタ領域ＳＣ１のサーボ間隔Ｗ１−２より狭い。また、各サーボセクタ領域内で、各書き込みブロックは、固定されたビット長を有している。このため、サーボセクタ領域ＳＣ９のビット密度は、サーボセクタ領域ＳＣ１のビット密度に近づくように（例えば、均等になるように）減少している。
【００６５】
例えば、仮想円軌道ＣＯ−２（図５参照）では、サーボセクタ領域ＳＣ１からサーボセクタ領域ＳＣ９へ近づくにつれて徐々にサーボ間隔が狭くなっていく（図１４（ａ）参照）。これに応じて、サーボセクタ領域ＳＣ１からサーボセクタ領域ＳＣ９へ近づくにつれて徐々に書き込みビット数を減少させる（図１４（ｂ）の実線の特性、参照）。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ９の書き込みビット数をＢＮ０からＢＮ３まで減少させる。また、サーボセクタ領域ＳＣ１６からサーボセクタ領域ＳＣ９へ近づくにつれて徐々にサーボ間隔が狭くなっていく（図１４（ａ）参照）。これに応じて、サーボセクタ領域ＳＣ１６からサーボセクタ領域ＳＣ９へ近づくにつれて徐々に書き込みビット数を減少させる（図１４（ｂ）の実線の特性、参照）。
【００６６】
これにより、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、サーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度をサーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度に近づくように（例えば、均等になるように）減少させることができる（図１４（ｃ）の実線の特性、参照）。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ９のビット密度をＢＤ１からＢＤ０まで減少させることができる。
【００６７】
このようなデータフォーマットの設定は、例えば、図６に示すセット情報ＳＥＴを１周分の情報とすることで実現できる。すなわち、複数の論理ブロックと１周分のサーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６との対応関係を１つのセット情報ＳＥＴとすることで実現できる。この場合、例えばスピンドルモータ５（図１参照）が一定の回転数で磁気ディスク６を回転させるため、ＨＤＣ１８が、磁気ヘッド４を介した読み出し・書き込みを行う際に、そのデータフォーマットの設定に合うように、読み出し・書き込み制御に用いるクロックの周波数を調整することになる。例えば、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡ってビット密度が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合、ＨＤＣ１８は、磁気ヘッド４を介した読み出し・書き込みを行う際に、読み出し・書き込み制御に用いるクロックの周波数を略一定に調整することができる。
【００６８】
以上のように、第２の実施形態では、磁気ディスク装置１００において、仮想円軌道ＣＯ内のサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域（第２のサーボセクタ領域）ＳＣ１への書き込みビット数が、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域（第１のサーボセクタ領域）ＳＣ９への書き込みビット数より少ない。これにより、各サーボセクタ領域の書き込みビット数が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合（比較例）に比べて、磁気ディスク装置１００における磁気ディスク６への記録のエラーレートを低減できるので、磁気ディスク装置１００の信頼性を向上できる。すなわち、磁気ディスク装置１００において、信頼性に関するデータフォーマット特性を改善できる。したがって、仮想円制御の利点を保ちつつ、信頼性を向上させることが可能となり、比較例に比べて、より高信頼性の磁気ディスク装置の提供が可能となる。
【００６９】
また、第２の実施形態では、磁気ディスク装置１００において、ＨＤＣ（制御部）１８が、磁気ディスク６の信頼性を優先する場合、サーボセクタ領域（第２のサーボセクタ領域）ＳＣ１の書き込みビット密度に近づくようにサーボセクタ領域（第１のサーボセクタ領域）ＳＣ９の書き込みビット密度を減少させる。例えば、ＨＤＣ（制御部）１８が、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、サーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度をサーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度に近づくように（例えば、均等になるように）減少させる。これにより、各サーボセクタ領域の書き込みビット数が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合に比べて、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、磁気ディスク装置１００における磁気ディスク６への記録のエラーレートを低減できる。
【００７０】
また、第２の実施形態では、磁気ディスク装置１００において、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、各サーボセクタ領域のビット密度を均一化することができるので、各サーボセクタ領域のエラーレートも均一化できる。これにより、読み出し制御における誤り訂正処理の発生頻度も均一化でき、読み出し動作を安定化できる。
【００７１】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態にかかる磁気ディスク装置について説明する。以下では、第１及び第２の実施形態と異なる部分を中心に説明する。
【００７２】
第１の実施形態では、磁気ディスク装置１００の記録容量を優先する場合について例示的に説明し、第２の実施形態では、磁気ディスク装置１００の信頼性を優先する場合について例示的に説明した。第３の実施形態では、磁気ディスク装置１００の記録容量及び磁気ディスク装置１００の信頼性の両方を考慮する場合について例示的に説明する。
【００７３】
第３の実施形態では、図１５及び図１６に示すように、サーボ間隔の狭いサーボセクタ領域への書き込みビット数を減少させるとともにサーボ間隔の広いサーボセクタ領域への書き込みビット数を増加させることで、磁気ディスク装置１００の記録容量及び磁気ディスク装置１００の信頼性の両方の向上を目指す。図１５は、第３の実施形態におけるサーボセクタ領域のデータフォーマットを示す図である。図１６（ａ）は、仮想円軌道におけるサーボ間隔の分布を示す図である。図１６（ｂ）は、仮想円軌道における書き込みビット数の分布を示す図である。図１６（ｃ）は、仮想円軌道におけるセクタビット密度の分布を示す図である。なお、図１６（ａ）〜図１６（ｃ）では、サーボセクタ領域の周方向位置をＰｏｓ（サーボセクタ領域の番号ＳＣ＊）で示している。
【００７４】
例えば、図１５に示すように、サーボセクタ領域ＳＣ１に２２個の書き込みブロックが割り当てられている。この２２個は、サーボセクタ領域ＳＣ１の比較例における書き込みブロック数（２０個）より多い。それとともに、サーボセクタ領域ＳＣ９には、１８個の書き込みブロックが割り当てられている。この１８個は、サーボセクタ領域ＳＣ９の比較例における書き込みブロック数（２０個）より少ない。
【００７５】
このとき、上記のように、サーボセクタ領域ＳＣ１のサーボ間隔Ｗ１−２は、サーボセクタ領域ＳＣ９のサーボ間隔Ｗ９−２より広い。また、各サーボセクタ領域内で、各書き込みブロックは、固定されたビット長を有している。このため、サーボセクタ領域ＳＣ１のビット密度とサーボセクタ領域ＳＣ９のビット密度とが互いに近づくように（例えば、互いに均等になるように）、サーボセクタ領域ＳＣ１のビット密度が増加するとともに、サーボセクタ領域ＳＣ９のビット密度が減少している。
【００７６】
例えば、仮想円軌道ＣＯ−２（図５参照）では、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１へ近づくにつれて徐々にサーボ間隔が広くなっていく（図１６（ａ）参照）。これに応じて、サーボセクタ領域ＳＣ６からサーボセクタ領域ＳＣ１へ近づくにつれて徐々に書き込みビット数を増加させるとともに、サーボセクタ領域ＳＣ７からサーボセクタ領域ＳＣ９へ近づくにつれて徐々に書き込みビット数を減少させる（図１６（ｂ）の実線の特性、参照）。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ１の書き込みビット数をＢＮ０からＢＮ５まで増加させるとともに、サーボセクタ領域ＳＣ９の書き込みビット数をＢＮ０からＢＮ４まで減少させる。また、サーボセクタ領域ＳＣ９からサーボセクタ領域ＳＣ１６へ近づくにつれて徐々にサーボ間隔が広くなっていく（図１６（ａ）参照）。これに応じて、サーボセクタ領域ＳＣ１３からサーボセクタ領域ＳＣ１６へ近づくにつれて徐々に書き込みビット数を増加させるとともに、サーボセクタ領域ＳＣ１２からサーボセクタ領域ＳＣ９へ近づくにつれて徐々に書き込みビット数を減少させる（図１６（ｂ）の実線の特性、参照）。
【００７７】
このとき、例えば、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域の書き込みビット数の増加分がサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域の書き込みビット数の減少分より多くなるように調整することができる。例えば、図１６（ｂ）に示す実線が一点鎖線より下にある第３の領域ＲＧ３において実線と一点鎖線とで挟まれる領域の面積が、実線が一点鎖線より上にある第４の領域ＲＧ４において実線と一点鎖線とで挟まれる領域の面積より小さくなるように調整することができる。
【００７８】
これにより、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度とサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度とが互いに近づくように（例えば、均等になるように）、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度を増加させることができるとともに、サーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度を減少させることができる（図１６（ｃ）の実線の特性、参照）。例えば、サーボセクタ領域ＳＣ１のビット密度をＢＤ０からＢＤ３まで増加させることができるとともに、サーボセクタ領域ＳＣ９のビット密度をＢＤ１からＢＤ０まで減少させることができる。
【００７９】
このようなデータフォーマットの設定は、例えば、図６に示すセット情報ＳＥＴを１周分の情報とすることで実現できる。すなわち、複数の論理ブロックと１周分のサーボセクタ領域ＳＣ１〜ＳＣ１６との対応関係を１つのセット情報ＳＥＴとすることで実現できる。この場合、例えばスピンドルモータ５（図１参照）が一定の回転数で磁気ディスク６を回転させるため、ＨＤＣ１８が、磁気ヘッド４を介した読み出し・書き込みを行う際に、そのデータフォーマットの設定に合うように、読み出し・書き込み制御に用いるクロックの周波数を調整することになる。例えば、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡ってビット密度が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合、ＨＤＣ１８は、磁気ヘッド４を介した読み出し・書き込みを行う際に、読み出し・書き込み制御に用いるクロックの周波数を略一定に調整することができる。
【００８０】
以上のように、第３の実施形態では、磁気ディスク装置１００において、ＨＤＣ（制御部）１８が、磁気ディスク６の記録容量及び磁気ディスク６の信頼性の両方を考慮する場合、サーボセクタ領域（第２のサーボセクタ領域）ＳＣ１の書き込みビット密度とサーボセクタ領域（第１のサーボセクタ領域）ＳＣ９の書き込みビット密度とが互いに近づくように、サーボセクタ領域（第２のサーボセクタ領域）ＳＣ１の書き込みビット密度を増加させるとともに、サーボセクタ領域（第１のサーボセクタ領域）ＳＣ９の書き込みビット密度を減少させる。このとき、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域の書き込みビット数の増加分がサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域の書き込みビット数の減少分より多くなるように調整することができる。これにより、各サーボセクタ領域の書き込みビット数が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合に比べて、磁気ディスク装置１００における磁気ディスク６への記録の面密度を向上できるとともに、磁気ディスク装置１００における磁気ディスク６への記録のエラーレートを低減できる。
【００８１】
また、第３の実施形態では、磁気ディスク装置１００において、ＨＤＣ（制御部）１８が、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度とサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度とが互いに近づくように、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域のビット密度を増加させるとともに、サーボ間隔の狭いサーボセクタ領域のビット密度を減少させる。このとき、サーボ間隔の広いサーボセクタ領域の書き込みビット数の増加分がサーボ間隔の狭いサーボセクタ領域の書き込みビット数の減少分より多くなるように調整することができる。これにより、各サーボセクタ領域の書き込みビット数が均等になるようにデータフォーマットが設定される場合に比べて、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、磁気ディスク装置１００における磁気ディスク６への記録の面密度を向上できるとともに、磁気ディスク装置１００における磁気ディスク６への記録のエラーレートを低減できる。
【００８２】
また、第３の実施形態では、磁気ディスク装置１００において、仮想円軌道ＣＯ−２の１周分に渡って、各サーボセクタ領域のビット密度を均一化することができるので、各サーボセクタ領域のエラーレートも均一化できる。これにより、読み出し制御における誤り訂正処理の発生頻度も均一化でき、読み出し動作を安定化できる。
【００８３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８４】
４  磁気ヘッド、  ６  磁気ディスク、  １００  磁気ディスク装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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