(57)【要約】【課題】ＩＰＳ駆動方式のブルー相液晶表示装置に比べて透過率が高いながら、低い駆動電圧で駆動が可能である表示装置が提供される。【解決手段】液晶表示装置は第１電極、前記第１電極に対向し、前記第１電極と共に垂直電界を形成する第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に提供されたブルー相液晶、及び前記第１電極を介して前記第２電極に対向して提供された第２プリズムシートを含む。前記第１プリズムシートは外部からの入射光が前記垂直電界に対して前記ブルー相液晶に傾くように入射されるように前記入射光の経路を変更する。【選択図】図１
2014186045.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、
前記第１電極に対向し、前記第１電極と共に垂直電界を形成する第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に提供されたブルー相液晶層と、
前記第１電極を介して前記第２電極に対向して提供され、外部からの入射光が前記垂直電界に対して前記ブルー相液晶層に傾くように入射されるように前記入射光の経路を変更する第１光経路変更手段と、を含む液晶表示装置。
【請求項２】
前記第２電極を介して前記第１電極に対向して提供され、前記ブルー相液晶層を透過した透過光の経路を変更する第２光経路変更手段をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１光経路変更手段又は前記第２光経路変更手段の中で少なくとも１つはその断面が多角形である複数の突出部を有する光学シートであることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１光経路変更手段又は第２光経路変更手段の中で少なくとも１つは複数のピラミッド形状の突出部を有する光学シートであることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１光経路変更手段は第１方向に延長された複数のプリズムの山を有するプリズムシートであることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記第２光経路変更手段は第２方向に延長された複数のプリズムの山を有するプリズムシートであることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記第１電極を介して前記ブルー相液晶層にに対向され、前記ブルー相液晶層へ提供される入射光を第３方向に偏光する第１偏光子をさらに含むことを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第１偏光子は前記第１電極と前記第１光経路変更手段との間に提供されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記第１偏光子は前記第１光経路変更手段を介して前記第１電極と対向して提供されることを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記第２電極を介して前記ブルー相液晶層に対向して提供され、前記ブルー相液晶層を透過した透過光を前記第３方向と垂直になる第４方向に偏光する第２偏光子をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】
前記第２偏光子は前記第２電極と前記第２光経路変更手段との間に提供されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１２】
前記第２偏光子は前記第２光経路変更手段を介して前記第２電極と対向して提供されることを特徴とする請求項１０に記載の液晶表示装置。
【請求項１３】
前記第１偏光子と前記第１電極との間に提供された第１ベース基板と、前記第２偏光子と前記第２電極との間に提供された第２ベース基板をさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項１４】
前記ブルー相液晶層は体心立方構造を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項１５】
前記ブルー相液晶層は高分子安定化されたことを特徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置に関し、より詳細にはブルー相液晶を使用した液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１は光学シートであり得り、この場合、前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１は板状の本体ＢＤと前記本体の上に配置された複数の突出部ＰＲを包含できる。しかし、既存のＰＳ−ＢＰＬＣＤは高い駆動電圧と低い光学的透過度との問題によって今まで商用化されなかった。これはＰＳ−ＢＰＬＣＤの場合、等方相から印加された電圧が増加することによって電界方向に光軸を有する複屈折量が増加するので、既存の駆動方法では水平電界駆動（ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ；ＩＰＳ）方法で駆動特性を得るためである。ＩＰＳ駆動の時、パターンされた電極の上部は透過光を大きく得ることができないので、低い開口率特性を有するしかないし、水平電界の強さは電極が形成されない上部基板に近くなるほど、急激に減少されるので、誘導される複屈折量も非常に低いしかないためである。これは広い温度範囲で安定されたブルー相を得るためにドーピングされた高分子による有効電界の減少と共に既存のＰＳ−ＢＰＬＣＤが低い透過率及び高い駆動電圧を有する根本的な原因である。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】Ｚ．Ｇｅ，Ｓ．Ｇａｕｚａ，Ｍ．Ｊｉａｏ，Ｈ．Ｘｉａｎｙｕ，  ａｎｄ  Ｓ．Ｔ．Ｗｕ，Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．９４（１０）．ｐｐ．  １０１１０４（２００９）．
【非特許文献２】Ｊ．Ｙａｎ，Ｍ．Ｊｉａｏ，Ｌ．Ｒａｏ，ａｎｄ  Ｓ．Ｔ．Ｗｕ，  Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．，Ｖｏｌ．９６（７）．ｐｐ．０７１１０５（２０１０）．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＰＳ−ＢＰＬＣＤを垂直電界で駆動する場合には光軸が垂直入射された光の進行方向と平行に形成されて直交する偏光子対の間で電圧にしたがう階調特性を得ることができなかった。本研究ではパターンされた電極が要求されない垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣＤを提案し、これを基板の上下板に適切な光屈折効果を誘導するためのプリズムシートを付着することによって、高い開口率にしたがう高輝度、相対的に低い駆動電圧特性を得られることを提示しようとする。また、高い光効率を低い電界印加のみで得られるようにすることによって履歴現象（ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ）が除去された階調特性を得るとする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記した目的を達成するための液晶表示装置は第１電極、前記第１電極に対向し、前記第１電極と共に垂直電界を形成する第２電極、前記第１電極と前記第２電極との間に提供されたブルー相液晶、及び前記第１電極を介して前記第２電極に対向して提供された第２プリズムシートを含む。
前記第１プリズムシートは外部からの入射光が前記垂直電界に対して前記ブルー相液晶に傾くように入射されるように前記入射光の経路を変更する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一実施形態によれば既存のＩＰＳ駆動方式のブルー相液晶表示装置に比べて透過率が高いながらも低い駆動電圧で駆動が可能である表示装置を提供する。
特に、本発明の一実施形態によれば、ＩＰＳブルー相液晶モードの既存の低い透過率と高い駆動電圧を解決できる垂直電界駆動ブルー相液晶モードを提供する。本発明の一実施形態によれば、パターニングされた電極構造が必要としないので、製作過程が非常に簡単であり、既存のＩＰＳブルー相液晶モードと異なりに、高い開口率、低い駆動電圧、及び減少された履歴現象（ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ）を有する表示装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一実施形態による液晶表示装置を示した断面図である。
【図２】ＰＳ−ＢＰＬＣに対する電気場の自乗値にしたがう常温でのΔｎｉｎｄｕｃｅｄ／λのグラフである。
【図３Ａ】セルギャップが４μｍであるＰＳ−ＢＰＬＣセルにおいて、多様な入射角θｉにしたがうＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧−透過率カーブ（Ｖ−Ｔ  ｃｕｒｖｅ）を示したグラフである。
【図３Ｂ】セルギャップが６μｍであるＰＳ−ＢＰＬＣセルにおいて、多様な入射角θｉにしたがうＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧−透過率カーブ（Ｖ−Ｔ  ｃｕｒｖｅ）を示したグラフである。
【図３Ｃ】セルギャップが１０μｍであるＰＳ−ＢＰＬＣセルにおいて、多様な入射角θｉにしたがうＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧−透過率カーブ（Ｖ−Ｔ  ｃｕｒｖｅ）を示したグラフである。
【図４】プリズムシートを付着したことと付着しない垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの増加する電圧を印加して測定した透過率を示したグラフである。
【図５】第１基板の外側面のみにプリズムシートを付着した場合と第１基板及び第２基板の外側面の両方にプリズムシートを付着した場合との視野角にしたがう輝度を示したグラフである。
【図６】既存のＩＰＳセルと本発明の一実施形態による垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルのプリズム角度にしたがう電圧−透過率グラフである。
【図７】低いプリズム角度と高いプリズム角度とを有するプリズムシートを付着したＰＳ−ＢＰＬＣセルの印加された電圧にしたがう電界−誘導ΔｎｅｆｆとΔｎｅｆｆ・ｄグラフである。
【図８】２つのプリズムシートを付着した垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルと既存のＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルとのＶ−Ｔグラフである。
【図９Ａ】ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧にしたがうΔＶ／Ｖｐ値を示したグラフである。
【図９Ｂ】垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧にしたがうΔＶ／Ｖｐ値を示したグラフである。
【図１０Ａ】ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧にしたがうオン／オフ応答時間を示したグラフである。
【図１０Ｂ】垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルとの電圧にしたがうオン／オフ応答時間を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明は多様な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるので、特定実施形態を図面に例示し、本文で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定な開示形態に対して限定しようとすることでなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全て変更、均等物乃至代替物を含むこととして理解しなければならない。
【０００９】
各図面を説明しながら類似な参照符号を類似な構成要素に対して使用した。添付された図面において、構造物の寸法は本発明を明確に説明するために実際より拡大して示したことである。第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、前記構成要素は前記用語によって限定されない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しないながら、第１構成要素は第２構成要素と称され得り、類似に第２構成要素も第１構成要素と称され得る。単数の表現は文脈の上に明確に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【００１０】
本出願で、“包含する”又は“有する”等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組合したことが存在することを指定しようとするものであるが、１つ又はその以上の異なる特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらを組合したものの存在又は付加可能性を予め排除しないこととして理解しなければならない。また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分“上に”あるとする場合、これは他の部分“直ちに上に”にある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。反対に層、膜、領域、板等の部分が他の部分“下に”あるとする場合、これは他の部分“直ちに下に”にある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。
【００１１】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００１２】
図１は本発明の一実施形態による液晶表示装置を示した断面図である。
図１を参照すれば、本発明の一実施形態による液晶表示装置は第１基板ＳＵＢ１、第２基板ＳＵＢ２、ブルー相液晶ＢＰＬＣ、第１光経路変更手段ＬＣＭ１、第２光経路変更手段ＬＣＭ２、第１偏光子ＰＯＬ１、及び第２偏光子ＰＯＬ２を含む。
【００１３】
前記第１基板ＳＵＢ１は第１ベース基板ＢＳ１と前記第１ベース基板ＢＳ１の上に提供された第１電極ＥＬ１とを含む。本発明の一実施形態によれば、前記第１基板ＳＵＢ１は前記第１電極ＥＬ１に電気的に連結された薄膜トランジスター（図示せず）をさらに包含できる。前記第１電極ＥＬ１が複数個に提供される場合、前記薄膜トランジスターは前記第１電極ＥＬ１に対応して複数個に提供され得る。前記薄膜トランジスターは前記第１電極ＥＬ１へ提供される駆動信号をスイッチングする。
【００１４】
前記第２基板ＳＵＢ２は前記第１基板ＳＵＢ１へ対向して配置され、第２ベース基板ＢＳ２と前記第２ベース基板ＢＳ２との上に提供された第２電極ＥＬ２を含む。ここで、前記第１電極ＥＬ１と前記第２電極ＥＬ２とは互に対向するように配置される。前記第１電極ＥＬ１と前記第２電極ＥＬ２とへ互に異なるレベルの電圧が印加されれば、前記第１電極ＥＬ１と前記第２電極ＥＬ２との間に垂直電界が形成される。
【００１５】
前記第１ベース基板ＢＳ１及び前記第２ベース基板ＢＳ２は透明な絶縁基板として、ガラス、プラスチック、水晶のような物質からなり得る。前記第１電極ＥＬ１及び前記第２電極ＥＬ２は透明導電物質物質からなり得り、例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）やＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）のような物質からなり得る。
【００１６】
前記ブルー相液晶ＢＰＬＣは前記第１基板ＳＵＢ１と前記第２基板ＳＵＢ２との間、詳細には前記第１電極ＥＬ１と前記第２電極ＥＬ２との間に提供される。
【００１７】
本発明の一実施形態による前記ブルー相液晶ＢＰＬＣは一般的にキラルネマティック（ｃｈｉｒａｌ  ｎｅｍａｔｉｃ；ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ）相と等方液晶相との間の温度範囲内で現れるキラル液晶のみで現れる中間相である。前記ブルー相液晶ＢＰＬＣはネマティック液晶に約１０％のキラルドーパントを追加して製造され得る。
【００１８】
前記ブルー相液晶ＢＰＬＣは、コレステリック相液晶と類似に、円偏光された光の選択的反射を示す。前記ブルー相液晶ＢＰＬＣは二重ねじれシリンダー（ｄｏｕｂｌｅ−ｔｗｉｓｔ  ｃｙｌｉｎｄｅｒ：ＤＴＣ）構造を有する。前記二重ねじれシリンダー構造は中央で軸に平行な液晶方向子が半径に対して空間的に回転している形態である。前記ブルー相液晶ＢＰＬＣは格子欠陥によって構造が安定化された流体格子を有する。前記ブルー相液晶ＢＰＬＣは前記特性のために可視光のブラッグ回折と光バンド（ｐｈｏｔｏｎｉｃ  ｂａｎｄ）等を電気的に制御できる。
【００１９】
しかし、前記ブルー相液晶ＢＰＬＣは等方相とコレステリック相との間の温度範囲で存在する。前記温度範囲を拡張するために前記ブルー相液晶ＢＰＬＣに高分子を選択的に拡散させ得る。前記ブルー相液晶ＢＰＬＣに高分子が拡散されて交差結合されたネットワーク（ｃｒｏｓｓｌｉｎｋｅｄ  ｎｅｔｗｏｒｋ）を成すと、前記ブルー相液晶分子の整列が安定化され、本発明の一実施形態によれば、前記ブルー相液晶は高分子安定化されたブルー相液晶（ＰＳ−ＢＰＬＣ；ｐｏｌｙｍｅｒ  ｓｔａｂｉｌｉｚｅｄ  ｂｌｕｅ  ｐｈａｓｅ  ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ）であり得る。ここで、前記高分子はブルー相液晶方向子を整列して安定化させ、又は前記ブルー相液晶ＢＰＬＣの整列構造を固定させることを制御できる。これにしたがって、前記高分子安定ブルー相液晶（ＰＳ−ＢＰＬＣ）は熱的に安定化され、高分子安定化されないブルー相液晶よりさらに広い温度範囲でブルー相に存在するようになる。
【００２０】
前記ブルー相液晶ＢＰＬＣは初期に等方状態を示す。前記ブルー相液晶ＢＰＬＣへ電圧が印加されれば、電界にしたがって屈折率が変わるカー効果（Ｋｅｒｒ  ｅｆｆｅｃｔ）によって等方状態で非等方状態にスイッチングされる。
【００２１】
前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１は前記第１基板ＳＵＢ１を介して前記ブルー相液晶ＢＰＬＣに対向する。即ち、前記第１基板ＳＵＢ１の外側面に提供される。前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１は、外部からの入射光Ｌｉが前記ブルー相液晶ＢＰＬＣへ入射する時、前記第１電極ＥＬ１と前記第２電極ＥＬ２とによって形成された垂直電界Ｅに対して傾くように入射されるように前記入射光Ｌｉの経路を変更する。
【００２２】
前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１は光学シートであり得り、この場合、前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１は板状の本体ＢＤと前記本体の上に配置された複数の突出部ＰＲを包含できる。前記突出部ＰＲは前記本体の一面と垂直になる方向に切断した時の断面が実質的に多角形であり得り、例えば、三角形であり得る。ここで、前記突出部ＰＲの各々は四角錐のピラミッド形状や三角錐形状を有し得る。また、前記突出部ＰＲの各々は第１方向に延長されて形成され得り、この時、前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１はプリズムシートであり得る。
【００２３】
前記第２光経路変更手段ＬＣＭ２は前記第２基板ＳＵＢ２を介して前記ブルー相液晶層ＢＰＬＣに対向する。即ち、前記第２基板ＳＵＢ２の外側に提供される。前記第２光経路変更手段ＬＣＭ２は前記ブルー相液晶ＢＰＬＣからの出射光Ｌｏを前記第２基板ＳＵＢ２の表面に垂直になる方向に進行するように前記出射光Ｌｏの経路を変更する。前記第２光経路変更手段ＬＣＭ２また光学シートであり得ることであって、図面では前記第２光経路変更手段ＬＣＭ２が板状の本体ＢＤと前記本体ＢＤの上に配置された複数の突出部ＰＲを包含できる。前記突出部ＰＲは前記本体の一面と垂直になる方向に切断した時の断面が実質的に多角形であり得り、例えば、三角形であり得る。ここで、前記突出部ＰＲの各々は四角錐のピラミッド形状や三角錐形状を有し得る。また、前記突出部ＰＲの各々は第２方向に延長されて形成され得り、この時、前記第２光経路変更手段ＬＣＭ２はプリズムシートであり得る。前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１と前記第２光経路変更手段ＬＣＭ２とは同一な形状を有し得るが、互に異なる形状を有するように提供され得る。
【００２４】
前記第１偏光子ＰＯＬ１は前記入射光Ｌｉを第３方向に偏光する。前記第１偏光子ＰＯＬ１は前記第１基板ＳＵＢ１と前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１との間に提供されるか、或いは、前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１を介して前記第１基板ＳＵＢ１に対向して提供され得る。前記第２偏光子ＰＯＬ２は前記出射光Ｌｏを第４方向に偏光する。前記第２偏光子ＰＯＬ２は前記第２基板ＳＵＢ２と前記第２光経路変更手段ＬＣＭ２との間に提供されるか、或いは、前記第２光経路変更手段ＬＣＭ２を介して前記第２基板ＳＵＢ２に対向して提供され得る。ここで、前記第１方向と前記第２方向は互に同一な方向であり得り、前記第１及び第２方向は前記第３方向と第４方向と異なる方向であり得る。例えば、前記第１方向と前記第２方向とは前記第３方向に対して両方とも４５°の角度に傾いた同一な方向に提供され得る。
【００２５】
本発明の一実施形態では前記第１偏光子ＰＯＬ１が前記第１光経路変更手段ＬＣＭ１を介して前記第１基板ＳＵＢ１に対向して配置され、前記第２偏光子ＰＯＬ２が前記第２光経路変更手段ＬＣＭ２を介して前記第２基板ＳＵＢ２に対向して配置されたことを一例として図示した。
【００２６】
前記第１偏光子ＰＯＬ１と前記第２偏光子ＰＯＬ２との偏光軸は互に平行であるか、或いは互に垂直に提供され得る。即ち、前記第１方向は前記第２方向に垂直になる方向であり得る。本発明の一実施形態では前記第１偏光子ＰＯＬ１及び前記第２偏光子ＰＯＬ２の偏光軸が互に垂直である場合を一例として説明する。
【００２７】
本発明の一実施形態では前記液晶表示装置が第１光経路変更手段ＬＣＭ１及び第２光経路変更手段ＬＣＭ２のみを含むことを開示したが、追加的な光学シートをさらに具備することができる。例えば、前記第１光経路変更手段によって発生できる回折現象やモアレ（ｍｏｉｒｅ）等を減少させるために追加的に拡散シートのような光学シートをさらに具備することができる。
【００２８】
図示せずが、前記表示装置には外部で光を提供するためのバックライトユニットが提供され得る。
【００２９】
上記した構造を有する液晶表示装置の駆動に対して以下説明する。
【００３０】
本発明の一実施形態による表示装置は垂直配向モードに駆動する。
【００３１】
前記液晶表示装置において、前記ブルー相液晶に電界が印加されなければ、前記ブルー相液晶は屈折率異方性を有しないし、前記ブルー相液晶を通過する光は前記直交偏光子によって遮断されてブラック状態を示す。前記ブルー相液晶に電界が印加されれば、前記電界の方向をしたがって位相遅延軸が生成される。前記ブルー相液晶は前記電界によって屈折率異方状態に変形される。電界−誘導複屈折は下の数式によって電界の方向をしたがって誘導される。
【００３２】
【数１】
2014186045.tif 000003
【００３３】
ここで、Δｎは電界−誘導複屈折、λは入射光の波長、Ｋはブルー相液晶のカー常数、及びＥはブルー相液晶層の電界値を示す。前記ブルー相液晶自体が等方状態で非等方状態に変化することにも関わらず、垂直入射される光の偏光状態は変化されない。これにしたがって、前記ブルー相液晶はｃ−プレート状態になる。前記ブルー相液晶を通過する光は前記直交偏光子によって遮断されてブラック状態を示す。
【００３４】
本発明の一実施形態によれば、前記液晶表示装置に配置させて外部光が前記ブルー相液晶に傾斜入射するように前記第１ベース基板の外側面に第１光経路変更手段を配置する。本実施形態では前記第１光経路変更手段がプリズムシートであることを一例として説明する。前記ブルー相液晶に進行する光は前記第１光経路変更手段によってスネルの法則にしたがって屈折されてθｉの入射角（０°＜θｉ＜９０°）を有し、前記ブルー相液晶へ入射する。
【００３５】
前記液晶表示装置に電界が印加される時、電界−印加有効複屈折値と、前記入射角を有し、傾くように入射した光にしたがう透過率は次のような式２及び式３に示し得る。
【数２】
2014186045.tif 000004
【数３】
2014186045.tif 000005
【００３６】
ここで、Δｎｅｆｆ（θｉ、Ｅ）は傾斜入射された入射光による電界−印加有効複屈折である。そして、ｄ（θｉ）は有効セルギャップとして、前記第１電極と前記第２電極との間の光経路を考慮した実質的な間隔である。前記入射角と電界−誘導有効位相遅延差値の結果は第１光経路変更手段において、プリズムの山の角度θｐによって決定され得る。
【００３７】
ここで、前記第２ベース基板の外側に配置された前記第２光経路変更手段は前記第２ベース基板面に傾くように進行する光を前記第２ベース基板面に垂直になる方向に進行するように集光する。これにしたがって、前記第２ベース基板の表面に垂直になる方向、即ち使用者が映像を見る正面方向への光量が増加し、輝度が上昇し、入射角による偏光子の透過度の変化を考慮すると、コントラスト比もまた増加する。
【００３８】
上記した構造を有する液晶表示装置では既存のＩＰＳ高分子安定化されたブルー相液晶モードで見える高い履歴現象（ｈｙｓｔｅｒｅｓｉｓ）特徴、低い光効率、高い駆動電圧のような深刻な問題が改善される。また第１及び第２基板に付着された２つの光経路屈折手段を利用することによって、光学的に効率的な電界−誘導有効位相遅延差値を求められることのみでなく高い輝度を得られる。これの結果として、高い光効率、低い駆動電圧、及び速い応答速度を同時に得られる。
【００３９】
（実施形態１−高分子安定化されたブルー相液晶）
本発明の一実施形態によるブルー相液晶の材料としては６５ｗｔ％の前駆体ホストネマティックＬＣ（Ｈｏｓｔ  Ｎｅｍａｔｉｃ  ＬＣ：ＮＬＣ）、２５ｗｔ％のキラルドーパント（Ｃｈｉｒａｌ  ｄｏｐａｎｔ）（Ｓ８１１、Ｍｅｒｃｋ）、１０ｗｔ％のプレポリマー（トリメチロールプロパントリアクリレート（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｏｐｒｏｐａｎｅ  ｔｒｉａｃｒｙｌａｔｅ（ＴＭＰＴＡ、Ｔｏｋｙｏ  Ｋａｓｅｉ  Ｋｏｇｙｏ）とＲＭ２５７（Ｍｅｒｃｋ））、及び微量の光開始剤を混合した液晶を使用した。前記光開始剤は光重合反応が容易に生じるようにして高分子の密度をディスクリネーション（ｄｉｓｃｌｉｎａｔｉｏｎ）線に集中的に密集させるために使用され、光誘導相分離方法（ｐｈｏｔｏ−ｉｎｄｕｃｅｄ  ｐｈａｓｅ  ｓｅｐａｒａｔｉｏｎ  ｍｅｔｈｏｄ）に混合された。本実験に使用されたホストＮＬＣ（ＢＹＬＣ５３ＸＸ、ＢａＹｉ  Ｓｐａｃｅ  Ｃｏ．）は多数個のメソゲン（ｍｅｓｏｇｅｎ）ユニットで構成された複屈折率０．１１９を有する共融混合物（ｅｕｔｅｃｔｉｃ  ｍｉｘｔｕｒｅ）である。そして、混合された前駆体の相分離順序は等方相（４８℃）−ブルー相１−（４７℃）−コレステリック相である。
【００４０】
前記混合された前駆体を注入したセルに１０ｍＷ／ｃｍ２（３６５ｎｍ）のＵＶ光（ｍｅｔａｌ  ｈａｌｉｄｅ  ｌａｍｐ）を前記ブルー相液晶に３分間照射して高分子安定化ブルー相液晶（ＰＳ−ＢＰＬＣ）セルを完成した。前記ＰＳ−ＢＰＬＣセルは常温が含まれる４５℃〜０℃でも熱的に安定された様子を示された。
【００４１】
図２はＰＳ−ＢＰＬＣに対する電気場の自乗値にしたがう常温でのΔｎｉｎｄｕｃｅｄ／λのグラフである。図２で勾配はカー常数を示す。図２によれば、測定されたカー常数は約０．０９ｎｍ／Ｖ２である。
【００４２】
（実施形態２−傾斜入射にしたがう電気光学効果）
図３Ａ乃至図３Ｃはセルギャップが各々異なる３つのＰＳ−ＢＰＬＣセルにおいて、多様な入射角θｉにしたがうＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧−透過率カーブ（Ｖ−Ｔ  ｃｕｒｖｅ）を示したグラフである。
【００４３】
図３Ａ乃至図３Ｃにおいて、３つのサンプルにおいて、セルギャップを除いて同一な条件で電圧と透過率とが測定された。各サンプル（ｓａｍｐｌｅ）のセルギャップ条件は図３Ａでｄ＝４μｍ、図３Ｂで６μｍ、図３Ｖで１０μｍであった。各セルで電界−誘導有効位相遅延差値を決定するために空気とベース基板の表面で反射される光学的損失量を測定した。先ず、電圧を印加しない状態で上部偏光子を下部偏光子の透過軸と平行にしてセルの透過率を測定し、その後、上部偏光子を下部偏光子の透過軸と垂直になるように回転させて電圧を印加した後、透過率を測定することによって偏光子対とセルとでの光学的損失を測定した。このように測定した２つの透過率は光学的損失を比例縮小することによって定量化した。
【００４４】
図３Ａ乃至図３Ｃの電圧−透過率カーブはＰＳ−ＢＰＬＣセルに電圧を印加して増加させることによって測定された。以後、内容では、電圧スイーピング条件は履歴現象実験を除いては常に同じ電圧条件を有するように設定された。
【００４５】
図３Ａ乃至図３Ｃを参照すれば、全てのサンプルの透過率が入射角θｉが増加することによって増加することを確認できる。これは同じ電圧条件の下で有効位相遅延差値が増加するためである。しかし、ｄ＝４μｍ、６μｍのセルギャップを有するサンプルの透過率はθｉが３８°になって飽和状態になる時にも相変わらず５０％以下の透過率を示した。これは実験に使用されたＰＳ−ＢＰＬＣ物質の低いカー常数によって最大電界−誘導有効位相遅延差値が小さいためである。しかし、セルギャップを１０μｍまで増加させることによって、９０％以上を超過する透過率を得られる。一般的なＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣモードではセルギャップを増加させることによって効率的に透過率を増加させない。なぜならば、横電界が下部基板から遠くなるほど、急激に減少するためである。したがって、ＩＰＳモードの透過率はその物質のカー常数のみによって電界−誘導位相遅延差値を調節できるので、透過率を向上させるのには非常に制限的である。しかし、提案された構造では電界−誘導有効位相遅延差値はセルギャップの柔軟性でよって効率的に向上され得るが、これはＰＳ−ＢＰＬＣの全体体積領域での均一な電界分布ためである。飽和された透過率を示すために要求される電圧は線形的にセルギャップが増加することによって同一に増加する。
【００４６】
（実施形態３−プリズムシートの製造）
本発明の一実施形態では前記光経路変更手段としてプリズムシートを使用した。前記プリズムシートは非等方湿式蝕刻（ａｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃ  ｗｅｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）されたシリコンＳｉウエハーを使用したインプリンティング（ｉｍｐｒｉｎｔｉｎｇ）で製作した。
【００４７】
前記プリズムシートを製造するために、蝕刻工程の前にシリコンウエハー表面をＳｉＯ２表面（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｄｅｐｔｈ  ｏｆ  １  μｍ）になるように熱的酸化（ｔｈｅｒｍａｌ  ｏｘｉｄａｔｉｏｎ）させる。そして、周期的なＳｉＯ２線パターン（線幅＝２０μｍ、線の間の間隔＝１００μｍ、線長さ＝２ｃｍ）をフォトリソグラフィー（ｐｈｏｔｏ−ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）工程とバッファ酸化蝕刻（ＢＯＥ）溶液を利用して形成した。以後に、５％で希釈されたテトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ  ａｍｍｏｎｉｕｍ  ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ：ＴＭＡＨ）溶液を利用して非等方湿式蝕刻を遂行した。その結果、５４．７°の蝕刻角度を有する鋸歯のような模様を有する周期的なパターン（周期性＝１２０μｍ）を前記ウエハーの表面に形成した。理想的なプリズム構造を得るために蝕刻率（０．８μｍ／ｍｉｎ）と蝕刻深さを注意深く制御した。
【００４８】
次に、蝕刻された前記シリコンウエハー表面を疏水性表面がなるようにテフロン（登録商標）をスピンコーティングした。その次に、シリコンウエハー構造を重合されたポリジメチルシロキサン（ｐｏｌｙｄｉｍｅｔｈｌｙｓｉｌｏｘａｎｅ：ＰＤＭＳ）フィルムを利用して複製した。前記シリコンウエハー表面に疏水性処理を行ったので、複製されたＰＤＭＳモールドは何らかの損傷（ｄｅｆｅｃｔｓ）も無く容易に剥がされる。最後に、透明なプリズムシートをＰＤＭＳモールドとＵＶ硬化高分子（ＮＯＡ８９、Ｎｏｒｌａｎｄ）とを使用してインプリンティング工程でベース基板表面に形成した。ＮＯＡ８９によって獲得した最終的なプリズム構造のプリズム角度θｐは非等方湿式蝕刻されたシリコンウエハー表面の蝕刻角度と同一である。ＮＯＡ８９の屈折率（ｎｐｒｉｓｍ）は本実験に使用された光源の波長（４８８ｎｍ）で約１．４５の値を有する。前記プリズム表面で垂直に入射された光の屈折を考慮する時、ブルー相液晶層に入射される角度θｉはスネルの法則によって約２４°になった。前記プリズム／ベース基板界面の間の追加的な屈折効果は無視できるのは、ベース基板として使用されたガラス基板の屈折率（ｎｇｌａｓｓ〜１．５）とプリズムシートの屈折率（ｎｐｒｉｓｍ）が類似であるためである。前記電圧−透過率カーブから分かるように２４°の入射角は光学的効率を向上させるためには充分でないし、透過率は相変わらず４０％以下であった。また、１０μｍのセルギャップを有するセルでも低い透過率を示した。
【００４９】
前記プリズムシートのプリズム角度をθｐ＝５４．７°からθｐ＝６４°に増加させた場合、前記ブルー相液晶層にの入射角はθｉ＝２４°からθｉ＝２８°に増加された。この場合に垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセル（ｄ＝１０μｍ）が６０％を超過する透過率を示した。図３Ａ乃至図３Ｃを再び参照すれば、３８°以上のθｉで高い透過率を示す。３８°の入射角θｉを有するようにするためには７８．５°のθｐが要求されるが、プリズムシートの空気／プリズム界面で反射による損失またθｐの増加にしたがって共に増加され得る。
【００５０】
（実施形態４−階調特性）
図４はプリズムシートを付着したことと付着しない垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセル（ｄ＝１０μｍ  ｉｎ  ｂｏｔｈ  ｃｅｌｌｓ）の増加する電圧を印加して測定した透過率を示したグラフであり、電圧を印加した状態でアルゴンレーザー（Ａｒｇｏｎ  ｌａｓｅｒ；４８８ｎｍ）を垂直に照射する時のＰＳ−ＢＰＬＣセルの透過率を測定したことである。この時、前記ＰＳ−ＢＰＬＣセルの外側面には各々プリズムシート（θｐ＝５４．７°）が付着された。前記プリズムシートはフォトリソグラフィー工程とインプリンティング方法によって縁にアラインマーク（ａｌｉｇｎ  ｍａｒｋ）がパターニングされる。これを利用して上下基板のプリズムシートは光学顕微鏡を利用して付着した。前記透過率を得るために、先ず電圧を印加しない状態で下部偏光子に水平に透過された光の強さを測定した。そして、直交偏光子の上で電圧を増加させながら、透過率を測定した。
【００５１】
また、前記プリズムシートを付着しないセル（ｄ＝１０μｍ、θｉ＝２４°）をセルローテーション方法のとようなティルティング方向に回転させながら、透過率を測定した。
【００５２】
図４を参照すれば、低いプリズムシートの角度によって、ブルー相液晶層に入射される光の角度が小さくて飽和状態での透過率が約３５％に光学的効率向上が大きく向上されない。しかし、２つの電圧−透過率カーブが良く一致する。これは空気／プリズムシートの界面を除外した追加的な屈折効果は無視できることを意味する。
【００５３】
（実施形態５−プリズムシートと視野角）
図５は第１基板の外側面のみにプリズムシートを付着した場合と、第１基板及び第２基板の外側面の両方にプリズムシートを付着した場合の視野角にしたがう輝度を示したグラフである。
【００５４】
図５において、サンプルＩは第１基板の外側面のみにプリズムシートが付着された場合であり、サンプルＩＩは第１基板及び第２基板の外側面の両方にプリズムシートを付着した場合である。ブルー相液晶を含む他のセル条件（ｄ＝１０μｍ、θｉ＝２４°）は全て同様に維持される。
【００５５】
図５を参照すれば、第２基板の外側面にプリズムのシートが付着されないセルは傾斜入射角視野角度での輝度が正面での輝度より著しく高く示された。サンプルＩで最高の透過率を示す視野角はθｉ＝２４°を考慮した時、理論的に約３７．５°を有し、実験結果と良く一致する。サンプルＩＩはこれとは異なりに視野角が広くなることにしたがって輝度は漸進的に減少され、正面視野方向で最も高い輝度を示した。これは第２基板の外側面にプリズムシートが提供されて光を再屈折させて正面の輝度が増加させたことを意味する。
【００５６】
（実施形態６−光効率と駆動電圧）
図６は既存のＩＰＳセルと本発明の一実施形態による垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルのプリズム角度にしたがう電圧−透過率グラフである。前記ＩＰＳセルはプリズムシートが具備されない一般的な形態のＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルであり、本発明の一実施形態による垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルはプリズムシートのプリズム角度が異なりに設定された。
【００５７】
垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの光効率を向上させるためにプリズム角度（θｐ＝６４°）を高くした２つのプリズムシートがセル（ｄ＝１０μｍ）に付着された。この場合にＰＳ−ＢＰＬＣ層へ入る光の入射角は高くなるプリズム角度によって２８°になる。
【００５８】
低いプリズム角度を有する２つのプリズムシートを付着した垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセル（ｄ＝１０μｍ、ｑｐ＝５４．７°）の電圧−透過率カーブと一般的なＩＰＳ電極構造によって駆動されるＰＳ−ＢＰＬＣセル（ｄ＝３μｍ）の電圧−透過率カーブを比較するための１つのグラフに共に構成した。ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルで水平パターンされたＩＴＯ電極の間隔と線幅は各々３μｍと４μｍとである。
【００５９】
２つのプリズムのシートを付着した垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧−透過率カーブを比較した時、高いプリズム角度を有する２つのプリズムシートが付着されたセルの飽和された透過率は、図６に図示されたように、低いプリズム角度を有する２つのプリズムシートを付着したセルより２倍以上高い透過率を示した。増加されたθｐのために入射角が２４°から２８°に増加されたことを考慮すれば、ｄ（θｉ）はｄ（θｉ＝２４°）＝１０．９５μｍからｄ（θｉ＝２８°）＝１１．２７μｍに約３％程度増加された。
【００６０】
図７は低いプリズム角度と高いプリズム角度とを有するプリズムシートを付着したＰＳ−ＢＰＬＣセルの印加された電圧にしたがう電界−誘導ΔｎｅｆｆとΔｎｅｆｆ・ｄグラフである。
【００６１】
図７を参照すれば電界−誘導Δｎｅｆｆ（θｉ）は０．００８９から０．０１３３に約４８％が増加した。これは増加されたθｉを利用することによって、Δｎｅｆｆ（θｉ）で由来された光効率が向上されたことを意味する。
再び図６及び図７を参照すれば、ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルと低いプリズム角度を有する垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧−透過率カーブを比較した時、２つセルの飽和された透過率が類似であることを発見した。しかし、低い駆動電圧範囲では垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの透過率がＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルよりさらに速く増加することを分かられる。これは電界−誘導複屈折率が比較的低い駆動電圧で垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの全体体積領域に均一に印加されたためである。そして、全体位相遅延差値はセルギャップを通過する傾斜入射光をしたがって蓄積される。反面にＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルでは低い駆動電圧では第２基板付近でのカー効果が不充分である。
【００６２】
反面に、高いプリズム角度を有するプリズムシートが付着された垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルは飽和された透過率がＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセル透過率の２倍である概ね６８％に近くに向上された。ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルの最高利用できる透過率はＩＰＳ電極構造による低い開口率のために４３％以下に制限された。言い換えれば、ＰＳ−ＢＰＬＣ物質の特性に関係なくＩＰＳ電極の上部分に電界が弱いので液晶が回転されないし、これにしたがって無視できる程度の電界−誘導有効位相遅延差値が生成されるためである。一般的なＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣモードで、ＩＰＳ電極間隔と駆動電圧との間の関係は必然的に相反関係に包含される。同一の電極間隔条件の下に開口率を増加させるためには電極の幅は必ず狭くならなければならない。これは製品収率に強くに関連された要素である。
【００６３】
図６の飽和された透過率領域において、飽和透過率の９０％を示すために要求される印加電圧は２つのプリズムシート（θｐ＝６４°）を付着した垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルで約４３Ｖであり、ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルで約６４Ｖとして、２つのプリズムシート（θｐ＝６４°）を付着した垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルが約２０Ｖにさらに低い駆動電圧に駆動されることを示した。本発明で使用されたブルー相液晶よりさらに高いカー常数物質を使用すれば、駆動電圧を１０Ｖ（ここで、示す駆動電圧の１／４）に近くに減少させ得る。
【００６４】
図６を参照すれば、ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルが有する最高透過率のような値を得るために垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルで要求される駆動電圧は単なる２０Ｖしかならない。これはＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルの駆動電圧より４０Ｖ以上さらに低いことである。また、垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの電界を印加した時と印加しない時との応答速度は７０Ｖの駆動電圧で各々約０．２ｍｓと０．６ｍｓを示した。
【００６５】
（実施形態７−履歴現象）
図８は２つのプリズムシートを付着した垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセル（ｄ＝１０μｍ）と既存のＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセル（電極間隔＝３μｍ、電極幅＝４μｍ、セルギャップ＝３μｍ）のＶ−Ｔグラフとして、一般的なＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルの履歴現象と２つのプリズムシート（θｐ＝６４°）を付着した垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの履歴現象が図示された。
【００６６】
図８を参照すれば、ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧−透過率カーブで一般的な履歴特性は最高透過率の９０％地点でスイーピング電圧Ｖｐに対してΔＶ〜８Ｖを有することを確認した。ΔＶは履歴電圧として、最高透過率の中間地点で電圧の差異によって定義される。ここで、頂点スイープ電圧ＶｐとΔＶの比はΔＶ／Ｖｐ〜１２．７％である。６３Ｖのような頂点スイープ電圧で、垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルもΔＶ〜３ＶとΔＶ／Ｖｐ〜４．７％の履歴現象を示したことであって、履歴現象が効率的に減少されたことを確認できた。
【００６７】
しかし、頂点スイープ電圧が４０Ｖである時、垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルとＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルの明らかな差異点が確認された。ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧−透過率カーブは相変わらずΔＶ〜３．５Ｖの履歴現象を示したが、垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの増加／減少電圧スイープで概ね同一な電圧−透過率カーブを示したことであって、これは電界分布の結果であると見える。垂直電界駆動セルで均一な電界が形成されるが、ＩＰＳ電極によって形成される電界は相対的に均一でない。その上に、一般的なＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣモードでは極端的に高い電界が下部基板の付近で要求され、非常に低い透過率がまた示す。特に、垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルでは４０Ｖの駆動電圧で垂直電界の強度が約４Ｖ／μｍであり、概ね６０％の透過率を示した。反面に、ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルでは４０Ｖの駆動電圧で第１基板付近での横電界は１３．３Ｖ／μｍであり、透過率は２５％以下であった。これはブルー相液晶とＩＰＳモードとを使用して履歴現象無しで駆動するためには駆動電圧が１２Ｖ以下にならなければならないことを意味する。即ち、ＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルは履歴現象無しで駆動するための臨界電圧は約１２Ｖとして実験的に確認された。しかし、１２Ｖの印加された電圧以下でＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルの透過率は単なる約３％を示しているので、何らかの意味は与えない。これに比べて、垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルが均一な電界分布の長所を提供することのみでなく電界−誘導位相遅延差値を効率的に利用することによって履歴現象を減らすことに適合であることを示す。
【００６８】
図９Ａ及び図９ＢはＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルと垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧にしたがうΔＶ／Ｖｐ値を各々示したグラフである。図９Ａ及び図９Ｂを参照すれば、図８での履歴現象の結果と同様にＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルでは１２ＶでΔＶ／Ｖｐ値が大きくなる始まること確認できた。垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルは４０ＶでΔＶ／Ｖｐ値が大きくなり、これは先の実験結果と良く一致することを確認できる。
【００６９】
図１０Ａ及び図１０ＢはＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルと垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの電圧にしたがうオン／オフ応答時間を各々示したグラフである。
【００７０】
図１０Ａ及び図１０Ｂを参照すれば、駆動電圧条件でオンタイムとオフタイムとの両方がＩＰＳ  ＰＳ−ＢＰＬＣセルより垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルがさらに速いことを確認できる。これは垂直電界駆動ＰＳ−ＢＰＬＣセルの全体液晶セル領域で均一な電界が掛かるので、さらに低い電界条件で十分な電界誘導位相が具現でき、高分子網の内に形成された液晶分子の分布変化が相対的に少なくとも十分な輝度が形成できるためである。
【符号の説明】
【００７１】
ＢＰＬＣ・・・ブルー相液晶
ＢＳ１  ・・・第１ベース基板
ＢＳ２  ・・・第２ベース基板
ＥＬ１  ・・・第１電極
ＥＬ２  ・・・第２電極
Ｌ      ・・・光
ＬＣＭ  ・・・光経路変更手段
ＰＯＬ１・・・第１偏光子
ＰＯＬ２・・・第２偏光子
ＳＵＢ１・・・第１基板
ＳＵＢ２・・・第２基板
【図１】
2014186045.tif 000006
【図２】
2014186045.tif 000007
【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
2014186045.tif 000009
【図３Ｃ】
2014186045.tif 000010
【図４】
2014186045.tif 000011
【図５】
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【図６】
2014186045.tif 000013
【図７】
2014186045.tif 000014
【図８】
2014186045.tif 000015
【図９Ａ】
2014186045.tif 000016
【図９Ｂ】
2014186045.tif 000017
【図１０Ａ】
2014186045.tif 000018
【図１０Ｂ】
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