(57)【要約】【課題】測定対象セル上の欠陥を精度よく検出可能にする。【解決手段】太陽電池の欠陥検査装置は、主光源から発光されたコヒーレント光の反射角度を周期的に変更して、反射されたコヒーレント光を太陽電池セルの副走査方向に走査させる反射部材３３と、コヒーレント光が照射された太陽電池セルの起電流信号に応じたパルス信号を生成するパルス信号生成部３５と、パルス信号を積分した積分信号を生成する積分信号生成部と、反射部材の反射範囲を複数通りに変化させて、積分信号の信号レベルと基準信号の信号レベルとのレベル差が最小になるときの反射部材によるコヒーレント光の反射範囲を、反射部材の最終的な反射範囲として決定する反射範囲調整部２０と、を備える。【選択図】図８
2014209518.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
太陽電池セルに照射されるコヒーレント光を発光する主光源と、
前記主光源を前記太陽電池セルの主走査方向に移動させる主光源移動制御部と、を備え、
前記主光源から発光されたコヒーレント光を前記太陽電池セルの副走査方向に走査させて、前記太陽電池セルから発生した起電流信号を検出して、前記太陽電池セルに欠陥があるか否かを検査する太陽電池の欠陥検査装置において、
前記主光源から発光されたコヒーレント光の反射角度を周期的に変更して、反射されたコヒーレント光を前記太陽電池セルの副走査方向に走査させる反射部材と、
コヒーレント光が照射された前記太陽電池セルの起電流信号に応じたパルス信号を生成するパルス信号生成部と、
前記パルス信号を積分した積分信号を生成する積分信号生成部と、
前記反射部材の反射範囲を複数通りに変化させて、前記積分信号の信号レベルと基準信号の信号レベルとのレベル差が最小になるときの前記反射部材によるコヒーレント光の反射範囲を、前記反射部材の最終的な反射範囲として決定する反射範囲調整部と、を備えることを特徴とする太陽電池の欠陥検査装置。
【請求項２】
前記パルス信号生成部は、前記起電流信号に含まれるバスバー電極による信号の変動成分を除去した前記パルス信号を生成することを特徴とする請求項１に記載の欠陥検査装置。
【請求項３】
前記反射部材の反射範囲を調整可能な交流電圧信号を生成する交流電圧信号生成部を備え、
前記反射範囲調整部は、前記交流電圧信号の周波数を段階的に切り替えて前記積分信号の信号レベルと前記基準信号の信号レベルとのレベル差が最小になるときの反射範囲を検索することを特徴とする請求項１または２に記載の欠陥検査装置。
【請求項４】
複数の太陽電池セルが直列接続されたストリング上の任意の測定対象セルに照射されるコヒーレント光を発光する主光源と、
前記ストリング上の前記測定対象セル以外の非測定対象セルに照射される非コヒーレント光を発光する副光源と、
前記主光源を前記ストリングの長手方向に対応する前記太陽電池セルの主走査方向に移動させる主光源移動制御部と、を備え、
前記主光源から発光されたコヒーレント光を前記測定対象セルの副走査方向に走査させるとともに、前記副光源から発光された非コヒーレント光を前記非測定対象セルに照射させた状態で、前記測定対象セルから発生した起電流信号を検出して、前記測定対象セルに欠陥があるか否かを検査する太陽電池の欠陥検査装置において、
前記起電流信号のピーク値を所定時間ごとに検波して第１ピーク信号を生成するピーク検波回路と、
前記ピーク検波回路よりも長い時定数で前記起電流信号のピーク値を検波して生成した第２ピーク信号、または前記起電流信号を積分した積分信号に基づいて、基準信号を生成する基準信号生成部と、
前記第１ピーク信号の信号レベルと前記基準信号の信号レベルとを比較した結果に基づいて、前記主光源からのコヒーレント光が前記測定対象セルの走査を終えて、隣接する前記太陽電池セルとの境界に達したか否かを判断するセル間判断部と、を備えることを特徴とする太陽電池の欠陥検査装置。
【請求項５】
前記基準信号生成部は、前記積分信号の信号レベルを減衰させて前記基準信号を生成し、
前記セル間判断部は、前記第１ピーク信号の信号レベルが前記基準信号の信号レベルを下回ったことが検出されると、前記主光源からのコヒーレント光が前記測定対象セルの走査を終えて、隣接する前記太陽電池セルとの境界に達したと判断することを特徴とする請求項４に記載の欠陥検査装置。
【請求項６】
前記測定対象セルに隣接する前記非測定対象セルに照射された前記副光源からの非コヒーレント光が前記測定対象セルに漏れ込むことにより発生した起電流成分を前記起電流信号から除去するバイアス電流キャンセル回路を備え、
前記ピーク検波回路および前記基準信号生成部には、前記バイアス電流キャンセル回路の出力信号が入力されることを特徴とする請求項４または５に記載の太陽電池の欠陥検査装置。
【請求項７】
複数の太陽電池セルが直列接続されたストリング上の任意の測定対象セルに照射されるコヒーレント光を発光する主光源と、
前記ストリング上の前記測定対象セル以外の非測定対象セルに照射される非コヒーレント光を発光する副光源と、
前記主光源を前記ストリングの長手方向に対応する前記太陽電池セルの主走査方向に移動させる主光源移動制御部と、を備え、
前記主光源から発光されたコヒーレント光を前記測定対象セルの副走査方向に走査させるとともに、前記副光源から発光された非コヒーレント光を前記非測定対象セルに照射させた状態で、前記測定対象セルから発生した起電流信号を検出して、前記測定対象セルに欠陥があるか否かを検査する太陽電池の欠陥検査装置において、
前記起電流信号に含まれる前記測定対象セル上のバスバー電極による信号変動成分の波形を急峻化させる信号急峻化部と、
前記バスバー電極による信号変動成分の信号レベルを基準信号の信号レベルと比較した結果に基づいて、前記信号急峻化部によりさらに前記信号変動成分の波形を急峻化させるか否かを判断する信号急峻判断部と、を備えることを特徴とする太陽電池の欠陥検査装置。
【請求項８】
前記信号急峻化部は、
前記起電流信号のイコライザ調整を行うイコライザアンプと、
前記イコライザアンプの入出力間に接続される可変容量素子および可変抵抗素子と、を有し、
前記信号急峻判断部は、前記バスバー電極による信号変動成分の信号レベルを基準信号の信号レベルと比較した結果に基づいて、前記可変容量素子の容量および前記可変抵抗素子の抵抗値の少なくとも一方を調整することを特徴とする請求項７に記載の欠陥検査装置。
【請求項９】
前記信号急峻化部は、
前記イコライザアンプの出力信号に基づいて、前記測定対象セルから起電流が発生している期間に対応するマスク信号を生成するマスク信号生成部と、
前記マスク信号のパルス幅に同期させて、前記イコライザアンプの出力信号のパルス幅を制限するパルス幅制限部と、を有し、
前記信号急峻判断部は、前記パルス幅制限部の出力信号に含まれる前記バスバー電極による信号変動成分の信号レベルと前記基準信号の信号レベルとの差分信号に基づいて、前記可変容量素子の容量および前記可変抵抗素子の抵抗値の少なくとも一方をさらに調整するか否かを判断することを特徴とする請求項８に記載の欠陥検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池の欠陥を検査する欠陥検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、環境意識の高まりとともに、ますます多くの太陽電池が市場に流通するに至っている。こうした中、長期にわたる太陽電池の信頼性を維持するには、製造工程あるいはフィールドに設置する前に、クラックを含む欠陥のある太陽電池を特定して排除する必要がある。
【０００３】
以下に記載する特許文献１には、主光源と副光源の２つの光源を用いる太陽電池出力測定装置が開示されている。太陽電池では、複数の太陽電池セルが直列に接続されている場合、その出力電流は、発電量が最も少ない太陽電池セルの電流に制限されることが知られている。
【０００４】
したがって、直列接続された複数の太陽電池セルのうちの一つを測定対象セルとする場合、このセルで発生した起電流は、他の非測定対象セルでそれ以上の電流量の起電流を発生させないと、外部に取り出すことができない。このため、太陽電池の測定対象セルの受光面には主光源による光を照射し、非測定対象セルの受光面には、主光源よりも照度の高い副光源にて光を照射するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２３８９０６号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
主光源には、位相および波長の揃ったコヒーレント光を発光するレーザ光源が用いられることが多いが、測定対象セルの全域にレーザ光を照射するには、レーザ光源からのレーザ光を副走査方向に走査させる部材が必要となる。この種のスキャン部材として、レーザ光源からのレーザ光を反射させて測定対象セルに照射するようにし、その反射角度を周期的に切り替えることで、副走査方向への走査を行わせる反射部材が知られている。
【０００７】
この種の反射部材とレーザ光源との位置関係がずれると、正しい走査が行えなくなるため、通常は、反射部材とレーザ光源とを一体的に取り付けたレーザヘッドを用意し、レーザ光源の発光寿命が近づくと、レーザヘッドごと交換するのが一般的である。
【０００８】
ところが、レーザ光源の発光特性と反射部材の反射特性には個体差によるばらつきがあるため、レーザヘッドを新たに欠陥検査装置に取り付けた際には、レーザ光が測定対象セル上の全域を正しく走査するか否かの調整を行う必要がある。上述した特許文献１には、この種の調整手法については何ら開示されていない。
【０００９】
また、直列接続された複数の太陽電池セルを、一つずつ順に測定対象セルとして欠陥検査を行う場合、測定対象セルが切り替わるたびに、副光源の点灯および消灯の切替を行わなければならない。このため、主光源からのレーザ光が測定対象セルの端まで走査されて、次の太陽電池セルとのセル間に達したことを正しく検出できる必要がある。ところが、上述した特許文献１には、セル間を正しく検出するための手法については何ら開示されていない。
【００１０】
さらに、直列接続された複数の太陽電池セルのうちの一つを測定対象セルとして、前述の反射部材とレーザ光源で走査すると、検出される起電流の信号波形はセル自身の持つキャパシタンスとシリーズ抵抗Rsによってできる時定数によって応答が遅くなり、欠陥部での電流変化が現れない。このため、適切な信号処理を行わないと、起電流信号から、欠陥部分を正しく抽出できない。ところが、上述した特許文献１には、起電流信号から欠陥部分を正しく抽出する手法は何ら開示されていない。
【００１１】
本発明は、上述した課題に鑑みて、測定対象セル上の欠陥を精度よく検出可能な太陽電池の欠陥検査装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様は、太陽電池セルに照射されるコヒーレント光を発光する主光源と、
前記主光源を前記太陽電池セルの主走査方向に移動させる主光源移動制御部と、を備え、
前記主光源から発光されたコヒーレント光を前記太陽電池セルの副走査方向に走査させて、前記太陽電池セルから発生した起電流信号を検出して、前記太陽電池セルに欠陥があるか否かを検査する太陽電池の欠陥検査装置において、
前記主光源から発光されたコヒーレント光の反射角度を周期的に変更して、反射されたコヒーレント光を前記太陽電池セルの副走査方向に走査させる反射部材と、
コヒーレント光が照射された前記太陽電池セルの起電流信号に応じたパルス信号を生成するパルス信号生成部と、
前記パルス信号を積分した積分信号を生成する積分信号生成部と、
前記反射部材の反射範囲を複数通りに変化させて、前記積分信号の信号レベルと基準信号の信号レベルとのレベル差が最小になるときの前記反射部材によるコヒーレント光の反射範囲を、前記反射部材の最終的な反射範囲として決定する反射範囲調整部と、を備えるものである。
【００１３】
また、本発明の一態様は、複数の太陽電池セルが直列接続されたストリング上の任意の測定対象セルに照射されるコヒーレント光を発光する主光源と、
前記ストリング上の前記測定対象セル以外の非測定対象セルに照射される非コヒーレント光を発光する副光源と、
前記主光源を前記ストリングの長手方向に対応する前記太陽電池セルの主走査方向に移動させる主光源移動制御部と、を備え、
前記主光源から発光されたコヒーレント光を前記測定対象セルの副走査方向に走査させるとともに、前記副光源から発光された非コヒーレント光を前記非測定対象セルに照射させた状態で、前記測定対象セルから発生した起電流信号を検出して、前記測定対象セルに欠陥があるか否かを検査する太陽電池の欠陥検査装置において、
前記起電流信号のピーク値を所定時間ごとに検波して第１ピーク信号を生成するピーク検波回路と、
前記ピーク検波回路よりも長い時定数で前記起電流信号のピーク値を検波して生成した第２ピーク信号、または前記起電流信号を積分した積分信号に基づいて、基準信号を生成する基準信号生成部と、
前記第１ピーク信号の信号レベルと前記基準信号の信号レベルとを比較した結果に基づいて、前記主光源からのコヒーレント光が前記測定対象セルの走査を終えて、隣接する前記太陽電池セルとの境界に達したか否かを判断するセル間判断部と、を備えるものである。
【００１４】
さらに、本発明の一態様は、複数の太陽電池セルが直列接続されたストリング上の任意の測定対象セルに照射されるコヒーレント光を発光する主光源と、
前記ストリング上の前記測定対象セル以外の非測定対象セルに照射される非コヒーレント光を発光する副光源と、
前記主光源を前記ストリングの長手方向に対応する前記太陽電池セルの主走査方向に移動させる主光源移動制御部と、を備え、
前記主光源から発光されたコヒーレント光を前記測定対象セルの副走査方向に走査させるとともに、前記副光源から発光された非コヒーレント光を前記非測定対象セルに照射させた状態で、前記測定対象セルから発生した起電流信号を検出して、前記測定対象セルに欠陥があるか否かを検査する太陽電池の欠陥検査装置において、
前記起電流信号に含まれる前記測定対象セル上のバスバー電極による信号変動成分の波形を急峻化させる信号急峻化部と、
前記バスバー電極による信号変動成分の信号レベルを基準信号の信号レベルと比較した結果に基づいて、前記信号急峻化部によりさらに前記信号変動成分の波形を急峻化させるか否かを判断する信号急峻判断部と、を備えるものである。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、太陽電池の欠陥を精度よく検出可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る太陽電池の欠陥検査装置１の概略構成を示すブロック図。
【図２】代表的な太陽電池モジュール１０１の一例を示す図。
【図３】主光源３と副光源７の配置の一例を示す図。
【図４】（ａ）は光源ユニット２２の中央の溝部２４付近の斜視図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線すなわち長手方向の断面図。
【図５】主光源３の詳細な構成を示す図。
【図６】主光源３からのレーザ光の軌跡を矢印で示した図。
【図７】代表的な太陽電池の分光感度を示す図。
【図８】主光源スキャン振幅検出回路１８の内部構成の一例を示すブロック図。
【図９】ＭＥＭＳミラー３３の振れ角調整を行っている最中に太陽電池セル２Ｃから出力される起電流波形を示す図。
【図１０】パルス生成回路が生成するパルス信号の信号波形図。
【図１１】セル間切替タイミング生成回路１７の内部構成の第１例を示すブロック図。
【図１２】バイアス電流キャンセル回路１２の出力信号波形ｗ１と、高速ピーク検波回路４１から出力される第１ピーク信号の信号波形ｗ２と、低速ピーク検波回路４２から出力される第２ピーク信号の信号波形ｗ３と、アッテネータ４３から出力される基準信号の信号波形ｗ４と、セル間検出信号ｗ５とを示す波形図。
【図１３】高速ピーク検波回路４１と低速ピーク検波回路４２の内部構成の一例を示す回路図。
【図１４】セル間切替タイミング生成回路１７の内部構成の第２例を示すブロック図。
【図１５】図１４のピーク検波回路４５の出力信号波形ｗ６とアッテネータ４３の出力信号波形ｗ７とセル間検出信号ｗ8とを示す波形図。
【図１６】太陽電池セル２Ｃの等価回路図。
【図１７】イコライザ回路１１の内部構成の一例を示すブロック図。
【図１８】イコライザ回路１１内の各部の信号波形を示す波形図。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
図１は本発明の一実施形態に係る太陽電池の欠陥検査装置１の概略構成を示すブロック図である。図１の欠陥検査装置１は、太陽電池モジュール１０１の欠陥検査を行うものである。ここで、太陽電池モジュール１０１とは、太陽電池積層体をラミネートして封止したものである。太陽電池積層体は、複数の太陽電池セル２Ｃを直列接続したストリング群２を複数並べた集合体の上下に封止材と保護材を積層した構造体である。
【００１８】
図１には、３つの太陽電池セル２Ｃを直列接続したストリング群２が図示されているが、直列接続する太陽電池セル２Ｃの数には特に制限はない。
【００１９】
図１の欠陥検査装置１は、複数の太陽電池セル２Ｃが直列接続されたストリング群２ごとに欠陥検査を行う。より具体的には、各ストリング群２内の個々の太陽電池セル２Ｃを順に測定対象セルとしてレーザ光すなわちコヒーレント光を照射し、他のすべての非測定対象セルにＬＥＤ光を照射した状態で測定対象セルに流れる起電流を計測して、測定対象セル内に欠陥が存在するか否かの欠陥検査を行う。欠陥には、クラックと結晶欠陥があるが、本実施形態に係る欠陥検査装置１では、クラックと結晶欠陥のいずれの検査にも用いることができる。
【００２０】
図１の欠陥検査装置１は、主光源３と、主光源送りモータ（主光源移動制御部）４と、モータ制御回路５と、主光源制御回路６と、副光源７と、副光源制御回路８と、センサ９と、電流電圧変換回路１０と、イコライザ回路１１と、バイアス電流キャンセル回路１２と、第１Ａ／Ｄ変換回路１３と、画像処理部１４と、表示器１５と、バイポーラ電源１６と、セル間切替タイミング生成回路１７と、主光源スキャン振幅検出回路１８と、第２Ａ／Ｄ変換回路１９と、マイクロコンピュータ２０と、光源ユニット送りモータ２１とを備えている。
【００２１】
主光源３は、測定対象セルにレーザ光を照射するレーザ光源である。主光源３の具体的な構成については後述する。後述するように、主光源３は光源ユニットに載置された状態で、ストリング群２の長手方向に移動可能とされている。主光源送りモータ４は、主光源３をストリング群２の長手方向に移動させる駆動力を発生する。モータ制御回路５は、主光源送りモータ４の回転方向および回転速度を制御する。主光源制御回路６は、主光源３からレーザ光を発光する制御を行う。
【００２２】
副光源７は、非測定対象セルにＬＥＤ光を照射するＬＥＤ光源である。副光源制御回路８は、副光源７からＬＥＤ光を発光する制御を行う。副光源７は、ストリング群２内の各セルに対応づけて設けられており、副光源制御回路８は各セルごとに副光源７の点灯／消灯を切替制御する。
【００２３】
センサ９は、後述する光源ユニットの両端に配置されており、主光源３からのレーザ光がセンサ９にて検出されると、レーザ光がストリング群２の端部に達したことを示す信号を出力する。この信号はマイクロコンピュータ２０に供給されるとともに、第１Ａ／Ｄ変換回路１３に供給される。
【００２４】
電流電圧変換回路１０は、測定対象セルで生じた起電流を電圧に変換する。イコライザ回路１１は、電流電圧変換回路１０で生成した電圧の波形整形を行う。
【００２５】
バイアス電流キャンセル回路１２は、ストリング群２を流れる起電流のうち不要な起電流成分を除去する。より具体的には、隣接した非測定対象セルを照射するＬＥＤ光が漏れ込むことによって測定対象セルで発電した起電流成分をバイアス電流キャンセル回路１２で除去する。また、バイアス電流キャンセル回路１２は、測定対象セルが半田ショートやクラックなどによって短絡している場合に、非測定対象セルから流れ込む起電流を除去することもできる。すなわち、バイアス電流キャンセル回路１２を設けることで、測定対象セルに照射されたレーザ光のみによる起電流を正しく検出できるようになる。
【００２６】
第１Ａ／Ｄ変換回路１３は、バイアス電流キャンセル回路１２から出力されるレーザ光のみによる起電流をＡ／Ｄ変換する。さらに、第１Ａ／Ｄ変換回路１３には、センサ９からの検出信号と、マイクロコンピュータ２０からの同期信号とが入力される。センサ９の検出信号は、バイアス電流キャンセル回路１２の出力信号を取り込むためのトリガとして使用される。また、同期信号は、測定対象セルにレーザ光を走査する毎に流れる起電流（バイアス電流キャンセル回路１２の出力信号）を時系列で管理するために使用される。第１Ａ／Ｄ変換回路１３は、取り込んだ起電流データと、同期信号データと、センサ信号から求めたレーザ光の走査振幅が最大となる位置情報を出力する。
【００２７】
画像処理部１４は、第１Ａ／Ｄ変換回路１３の出力信号に基づいて画像処理を行って、表示器１５に表示させる。これにより、測定対象セル内に例えばクラックがあれば、そのクラックの形状が画像として表示器１５に表示される。
【００２８】
バイポーラ電源１６は、測定対象セルの短絡電流Ｉｓｃを得るため、セル電極間の電位差が等価的に零の状態となるように、ストリング群２に付与する電圧を生成する。なお、バイポーラ電源１６は、必ずしも測定対象セルの両端電極間に印可される電圧を零にするとは限らない。例えば、単結晶セルは、結晶欠陥がほとんどないため、測定対象セルの両端電圧を零にしても構わないが、多結晶セルは、単結晶セルと比べて結晶欠陥が多いため、測定対象セルの両端に所定の逆バイアス電圧が印可されるように電圧調整を行う。このようにする理由は、測定対象セルの両端電圧を等価的に零にすると、検査画像中に結晶欠陥まで視認されてしまい、クラックの自動判定が行えなくなるためである。多結晶セルからなる測定対象セルの両端に絶対値が測定対象セルのＶｏｃ（開放電圧）程度の逆バイアス電圧を印可すると、結晶欠陥部での再結合が少なくなり、結晶欠陥が電流の変化として検出されにくくなる。一方、クラックについては、電流の変化として検出可能である。すなわち、クラックに限定した自動判定が容易となる。このように、バイポーラ電源１６は、太陽電池セル２Ｃが単結晶セルか多結晶セルかによって、測定対象セルの両端電極に印可する電圧を切り替える。
【００２９】
セル間切替タイミング生成回路１７は、後に詳述するように、ストリング群２内のセル間の境界を検出して、副光源７の点灯／消灯を切り替えるタイミング信号を生成する。
【００３０】
主光源スキャン振幅検出回路１８は、後に詳述するように、主光源３からのレーザ光を反射させる図１では不図示の反射部材であるＭＥＭＳミラーの振り角を検出する。
【００３１】
第２Ａ／Ｄ変換回路１９は、主光源スキャン振幅検出回路１８で検出したＭＥＭＳミラーの振り角に応じた値をＡ／Ｄ変換してマイクロコンピュータ２０に送る。マイクロコンピュータ２０は、第２Ａ／Ｄ変換回路１９の出力値と予め決められた基準値とを比較して、両者が等しくなるようにＭＥＭＳミラーの振り角を調整する。
【００３２】
図２は代表的な太陽電池モジュール１０１の一例を示す図である。図２の例では、１０個の太陽電池セル２Ｃが直列接続されて一列Ｓ１を形成し、その列Ｓ１の端部が隣の列Ｓ２の端部に接続されて、２列分の計２０個の太陽電池セル２Ｃが直列接続されて一つのストリング群２を構成している。
【００３３】
本実施形態に係る欠陥検査装置１は、各ストリング群２ごとに、ストリング群２内の個々の太陽電池セル２Ｃに順にレーザ光を照射して起電流を測定し、その測定結果を画像処理して表示器１５に表示する。これにより、各セルの欠陥（例えばクラック）の有無が画像として表示され、欠陥の有無を簡易かつ迅速に把握することができる。より詳細には、測定対象セルに流れる起電流の大きさは、欠陥の有無で変化するため、スキャンによって得られた起電流を時系列でマッピングすると、セル内の欠陥部分を画像として表現できるのである。
【００３４】
上述したように、欠陥として結晶欠陥とクラックの２種類を挙げているが、本実施形態では、バイポーラ電源１６でストリング群２に印可する電圧を切り替えることで、両方の欠陥を同時に画像表示することもできるし、結晶欠陥を除去したクラックのみの画像を表示することもできる。
【００３５】
上述したように、ストリング群２内の測定対象セル以外のすべての太陽電池セル２Ｃには、ＬＥＤ光が照射されるが、ＬＥＤ光の照射強度は、レーザ光の照射強度よりも高くする必要がある。その理由は、測定対象セルで生じたレーザ光による起電流がストリング群２内を流れるように電流経路を形成する必要があるためである。
【００３６】
図３は主光源３と副光源７の配置の一例を示す図である。図示のように、主光源３と副光源７を内蔵する光源ユニット２２が太陽電池モジュール１０１の各ストリング群２を横切るように（図３のＸ方向に）移動することで、各ストリング群２ごとに太陽電池セル２Ｃの欠陥検査が行われる。
【００３７】
なお、図３では、光源ユニット２２が太陽電池モジュール１０１のＸ方向（搬送方向）に移動する例を示しているが、光源ユニット２２の位置を固定として、太陽電池モジュール１０１を搬送方向に移動させて欠陥検査を行ってもよい。
【００３８】
光源ユニット２２は、ストリング群２の長手方向（図３の紙面の表裏方向）に延びる３列の溝部２４，２４Ａ，２４Ｂを有し、各溝部の間には遮光板２３が設けられている。この遮光板２３は、隣の溝部内の副光源７からのＬＥＤ光が入り込まないようにするためのものである。
【００３９】
図４（ａ）は図３の光源ユニット２２の中央の溝部２４付近の斜視図、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ線すなわち長手方向の断面図である。図示のように、中央の溝部２４には主光源３が配置され、主光源３の斜め上方には副光源７が対応するストリングの長手方向に沿って２列に配置されている。これら副光源７は、その上方に配置される太陽電池セル２Ｃの中央に向かって、斜め上方にＬＥＤ光を照射する。そして、各太陽電池セルに対して個別に点灯／消灯することができる。主光源３は、図４（ｂ）に示すように、中央の溝部２４の長手方向に沿って、端から端まで移動し、連続的に上方にレーザ光ＬＢを照射する。
【００４０】
両側の溝部２４Ａ，２４Ｂにもそれぞれ、対応するストリングの長手方向に沿って副光源７が設けられている。各溝部の副光源７はいずれも、対応するストリング内の各セルに対応づけて設けられており、各ストリングに対して個別に点灯／消灯することができる。
【００４１】
主光源３は、中央の溝部２４に沿って、対応するストリングの長手方向（図３の紙面の表裏方向）に移動可能とされており、その移動方向制御は主光源送りモータ４が行う。主光源３からのレーザ光が照射されるセルが測定対象セルであり、このセルに対してレーザ光を照射している間は、そのセルと同じ列の他のすべてのセルには、光源ユニット２２の中央の溝の副光源７からＬＥＤ光が照射され、同じストリング群２内の他の列のすべてのセルには、両側の溝のうち一方の副光源７からＬＥＤ光が照射される。主光源３が隣のセルに移動すると、それに合わせて、ＬＥＤ光を照射するセルも切り替わる。
【００４２】
より具体的には、主光源３が隣のセルの位置に移動すると、図１に示したセル間切替タイミング生成回路１７がセル間の境界を検出し、これにより、副光源７の点灯／消灯が切り替わる。
【００４３】
図５は主光源３の詳細な構成を示す図である。図示のように、主光源３は、レーザ光源３２と、レーザ光源３２からのレーザ光ＬＢを反射させるＭＥＭＳミラー３３とを一体に組み込んだレーザヘッドである。
【００４４】
図６は主光源３からのレーザ光の軌跡を矢印で示した図である。図示のように、レーザ光は、ＭＥＭＳミラー３３によって反射されるため、測定対象セルのＸ方向を高速にスキャンしながら、主光源３のＹ方向への移動に伴ってＹ方向に移動する。ＭＥＭＳミラー３３の振れ角の制御は、図１の主光源制御回路６によって行われる。
【００４５】
光源ユニット２２は、ストリング群２の長手方向に延在しており、その両側にはセンサ９が配置されている。センサ９は、主光源３からのレーザ光を検知する受光素子（例えばフォトトランジスタ）を含んでいる。
【００４６】
主光源３がストリング群２の端部に達すると、主光源３からのレーザ光がセンサ９で検知される。センサ９は、主光源３がストリング群２の端部に達したことを示す信号をマイクロコンピュータ２０に通知する。これにより、マイクロコンピュータ２０は、主光源３がストリング群２の端部に達したことを検知し、主光源送りモータ４に主光源３の進行方向を切り替えるように指示するとともに、副光源制御回路８に対して副光源７の点灯／消灯の切替を指示する。また、マイクロコンピュータ２０は、光源ユニット２２をＸ方向に１セル分移動させる制御も行う。
【００４７】
副光源７としてＬＥＤ光源を用いる理由は、指向性の高いものを比較的安価に入手できることと、白熱電球やキセノンランプと比べて熱の発生が少ないことと、光源を小型化できることと、単色光であること等による。
【００４８】
太陽電池の種類ごとに分光感度が異なっている。図７は代表的な太陽電池の分光感度を示す図である。図示のように、結晶シリコン型とＣＩＧＳ型の太陽電池では、９００ｎｍ〜１０００ｎｍの発光波長の光に対して最も感度が高い。
【００４９】
そこで、本実施形態では、８７０ｎｍ〜１０００ｎｍ程度の発光波長を持つＬＥＤ光源を用いることにした。より具体的には、安価でかつ省スペースという観点から、９４０ｎｍ程度の発光波長を持つＧａＡｓ発光ダイオードまたは８７０ｎｍ程度の発光波長を持つＧａＡｌＡｓ発光ダイオードを用いることにした。
【００５０】
上述したように、非測定対象セルにはＬＥＤ光が照射され、測定対象セルにはレーザ光が照射されるが、ＬＥＤ光の照射強度がレーザ光の照射強度よりも十分に高くないと、レーザ光の照射により測定対象セルで生じた起電流を、同じストリング群２内の非測定対象セルを介して外部に取り出せなくなる。よって、ＬＥＤ光の照射強度は、レーザ光の照射強度よりも十分に高くする必要がある。
【００５１】
レーザ光の発光波長は、可視光の中では長波長であり、入手性がよくスポット径の調整がしやすいという観点で、本実施形態では、発光波長が６６０ｎｍの赤色レーザを用いることにした。
【００５２】
（ＭＥＭＳミラー３３の振れ角調整）
光源ユニット２２に搭載されている主光源３とＭＥＭＳミラー３３は、上述したように着脱可能なレーザヘッドに一体的に取り付けられている。レーザには発光寿命があるため、レーザヘッドは定期的に交換する必要がある。ところが、レーザヘッドごとに、レーザの発光特性やＭＥＭＳミラー３３の共振周波数等に個体差によるばらつきがあるため、レーザヘッドを取り替えた場合には、ＭＥＭＳミラー３３の振れ角を調整する必要がある。ＭＥＭＳミラー３３の振れ角を調整しないとすると、レーザのスキャン振幅が規定値からずれてしまい、太陽電池セル２Ｃの全域をスキャンできなくなったり、セル間を正しく認識できなくなってしまい、欠陥検査精度が悪くなる。
【００５３】
ＭＥＭＳミラー３３は、図１の主光源スキャン振幅検出回路１８内のパワーアンプにより電圧駆動されるものであり、このパワーアンプから出力される交流電圧信号の周波数を制御することで、ＭＥＭＳミラー３３の振れ角を調整できる。より詳細には、パワーアンプから出力される交流電圧信号の周波数を変えると、ＭＥＭＳミラー３３の共振周波数が変化し、ＭＥＭＳミラー３３の振れ角の大きさが変わる。そこで、主光源スキャン振幅検出回路１８は、マイクロコンピュータ２０からの指示に応じて、交流電圧信号の周波数を例えば１Ｈｚ刻みで変化させて、ＭＥＭＳミラー３３の振れ角が所定の値になるようにする。
【００５４】
図８は主光源スキャン振幅検出回路１８の内部構成の一例を示すブロック図である。なお、図８中のマイクロコンピュータ２０は図１に示したものである。図８に示すように、主光源スキャン振幅検出回路１８は、太陽電池セル２Ｃからの起電流信号を電圧変換するアンプ３４と、アンプ３４の出力信号に基づいてパルス信号を生成するパルス生成回路（パルス信号生成部）３５と、パルス生成回路３５で生成したパルス信号の積分値を生成する積分回路（積分信号生成部）３６と、パワーアンプ（交流電圧信号生成部）３７とを有する。積分回路３６から出力された積分信号は、図１に示す第２Ａ／Ｄ変換回路１９でデジタル信号に変換された後にマイクロコンピュータ２０に入力される。マイクロコンピュータ２０は、このデジタル信号に基づいて、ＭＥＭＳミラー３３の振れ角を調整するための調整信号を生成してパワーアンプ３７に供給する。この調整信号に基づいてパワーアンプ３７は交流電圧信号を生成して、ＭＥＭＳミラー３３に供給する。
【００５５】
マイクロコンピュータ２０は、ＭＥＭＳミラー３３の反射範囲を複数通りに変化させて、積分信号の信号レベルを、予め設定した基準信号（目標振れ角に相当する起電流Dutyを積分したもの）の信号レベルと比較し、両信号レベルの差が最小になるときのＭＥＭＳミラー３３の共振周波数を最終的な振れ角（反射範囲）として決定する。このように、マイクロコンピュータ２０は、反射範囲調整部として機能する。
【００５６】
図８のアンプ３４は、図１の電流電圧変換回路１０、イコライザ回路１１およびバイアス電流キャンセル回路１２に対応するものである。
【００５７】
図９はＭＥＭＳミラー３３の振れ角調整を行っている最中に太陽電池セル２Ｃから出力される起電流波形を示す図であり、図８のアンプ３４の出力信号波形である。図８の波形の時刻ｔ１，ｔ２等の落ち込みは、太陽電池セル２Ｃ上のバスバー電極によるものであり、時刻ｔ３の落ち込みは、太陽電池セル２Ｃの端よりも外側をレーザがスキャンしたものである。
【００５８】
図８のパルス生成回路３５は、図９の時刻ｔ１，ｔ２等のバスバー電極による影響をなくすために、図１０のようなパルス信号を生成する。図１０では、バスバー電極による信号の落ち込みはなくなっており、太陽電池セル２Ｃの端から外側をレーザがスキャンした時点で、パルス信号が変化している。
【００５９】
積分回路３６は、図１０の破線で示すように、パルス信号を積分した積分信号を生成する。そして、マイクロコンピュータ２０は、この積分信号の信号レベルを、予め設定した参照値と比較して、両者の差異ができるだけ小さくなるように、ＭＥＭＳミラー３３の振れ角を調整する。より具体的には、マイクロコンピュータ２０は、ＭＥＭＳミラー３３に与える交流電圧信号の周波数を１Ｈｚ刻みで変化させて、図９の積分信号の振幅が参照積分値に最も近いときの交流電圧信号の周波数を最終的に選択する。
【００６０】
このようなＭＥＭＳミラー３３の振れ角調整を行うことで、図８に矢印ｙ１で示すように、セルの端部から外側に所定の値（例えば５ｍｍ）まで正確にＭＥＭＳミラー３３を振らせることができるようになる。
【００６１】
上述したように、ＭＥＭＳミラー３３の振れ角調整は、太陽電池セル２Ｃ検査装置の工場出荷時と、それ以降のレーザヘッドの交換時とに行えばよい。ＭＥＭＳミラー３３の振れ角調整は、太陽電池セル２Ｃ単体で行ってもよいし、図１に示すように複数の太陽電池セル２Ｃを直列接続したストリング群２の状態で行ってもよい。その際、図１のバイポーラ電源１６により逆方向電圧を印可して行ってもよいし、印可しなくてもよい。
【００６２】
このように、レーザヘッド交換時にＭＥＭＳミラー３３の振れ角を調整する必要があることから、ＭＥＭＳミラー３３に供給される交流電圧信号の周波数を例えば１Ｈｚ刻みで変化させて、太陽電池セル２Ｃからの起電流信号からパルス信号を生成し、そのパルス信号の積分値が基準値に最も近くなる交流電圧信号の周波数を最終的に選択するため、ＭＥＭＳミラー３３の振れ角を最適化させることができる。
【００６３】
（セル間切替タイミング生成）
図１のセル間切替タイミング生成回路１７は、ＭＥＭＳミラー３３でスキャンされながらストリング群２の長手方向に移動するレーザ光が隣接する太陽電池セル２Ｃ間に達したタイミングを検出する。
【００６４】
図１１はセル間切替タイミング生成回路１７の内部構成の第１例を示すブロック図である。図１１のセル間切替タイミング生成回路１７は、図１のバイアス電流キャンセル回路（起電流ＤＣ成分キャンセル回路）１２の出力信号のピーク値を高速に検波して第１ピーク信号を生成する高速ピーク検波回路４１と、バイアス電流キャンセル回路１２の出力信号のピーク値を低速に検波して第２ピーク信号を生成する低速ピーク検波回路４２と、低速ピーク検波回路４２の出力信号の信号レベルを減衰させて基準信号を生成するアッテネータ（基準信号生成部）４３と、コンパレータ（セル間判断部）４４とを有する。
【００６５】
図１２は、バイアス電流キャンセル回路１２の出力信号波形ｗ１と、高速ピーク検波回路４１から出力される第１ピーク信号の信号波形ｗ２と、低速ピーク検波回路４２から出力される第２ピーク信号の信号波形ｗ３と、アッテネータ４３から出力される基準信号の信号波形ｗ４とを示す波形図である。図示のように、高速ピーク検波回路４１は、入力信号に対する応答性がよいため、バイアス電流キャンセル回路１２の出力信号がハイからロウに変化すると、追随性よく高速ピーク検波回路４１の出力信号レベルも下がる。これに対して、低速ピーク検波回路４２は、高速ピーク検波回路４１ほどは入力信号に対する応答性がよくないため、バイアス電流キャンセル回路１２の出力信号がハイからロウに変化しても、すぐには低速ピーク検波回路４２の出力信号レベルは変化せず、徐々に低下する。
【００６６】
このように、低速ピーク検波回路４２から出力される第２ピーク信号は、信号レベルの変動が少ないことから、図１１のセル間切替タイミング生成回路１７では、第２ピーク信号に基づいて、セル間を検出するための基準信号を生成する。より具体的には、低速ピーク検波回路４２から出力される第２ピーク信号をアッテネータ４３に入力して信号振幅を小さくすることにより、基準信号を生成する。図１２では、基準信号波形を破線ｗ４で示している。基準信号レベルは、基本的には予め設定される固定値であり、例えば最大振幅レベルの１／２の信号レベルに設定される。
【００６７】
コンパレータ４４は、高速ピーク検波回路４１から出力される第１ピーク信号の信号レベルが基準信号レベルを下回ると、セル間に達したことを示す信号ｗ５を出力する。
【００６８】
図１３は高速ピーク検波回路４１と低速ピーク検波回路４２の内部構成の一例を示す回路図である。高速ピーク検波回路４１と低速ピーク検波回路４２は基本的には同一の回路構成を有し、例えば図１３に示すように、コンパレータ４８と、ダイオード４９と、キャパシタ素子５０と、抵抗素子５１と、バッファ５２とを有する。図１３のキャパシタ素子５０の容量値が高速ピーク検波回路４１と低速ピーク検波回路４２では異なっている。低速ピーク検波回路４２よりも高速ピーク検波回路４１のキャパシタ素子５０の容量値または抵抗素子５１の抵抗値を小さくすることで、キャパシタ素子５０と抵抗素子５１とで決まる時定数が小さくなり、入力信号に追随性よく出力信号が変化する。
【００６９】
なお、高速ピーク検波回路４１と低速ピーク検波回路４２の内部構成は、図１３に示した回路に限定されるものではない。
【００７０】
図１４はセル間切替タイミング生成回路１７の内部構成の第２例を示すブロック図である。図１４のセル間切替タイミング生成回路１７は、図１のバイアス電流キャンセル回路１２の出力信号のピーク値を検波して第１ピーク信号を生成するピーク検波回路４５と、図１のバイアス電流キャンセル回路１２の出力信号を積分した積分信号（第２ピーク信号）を生成する積分回路４６と、積分信号のゲイン調整を行うアンプ４７と、アンプ４７の出力信号を減衰して基準信号を生成するアッテネータ４３と、コンパレータ４４とを有する。アンプ４７とアッテネータ４３は一つにまとめて最適なゲインを調整するようにしてもよい。
【００７１】
図１５は図１４のピーク検波回路４５の出力信号波形ｗ６とアッテネータ４３の出力信号波形ｗ７とを示す波形図である。ピーク検波回路４５は、例えば図１１の低速ピーク検波回路４２と同様の回路で構成されており、その出力信号波形ｗ６は、図１のバイアス電流キャンセル回路１２の出力信号のピーク値に追随して変化する。
【００７２】
コンパレータ４４は、ピーク検波回路４５の出力信号レベルがアッテネータ４３の出力信号レベルを下回ると、セル間に達したことを示す信号ｗ８を出力する。
【００７３】
図１１および図１４では、図１のバイアス電流キャンセル回路１２の出力信号をアナログ信号のままでセル間切替タイミング生成回路１７に入力する例を示したが、Ａ／Ｄ変換器でデジタル信号に変換した後にセル間切替タイミング生成回路１７に入力してもよい。
【００７４】
セル間切替タイミング生成回路１７で検出したセル間の情報は、マイクロコンピュータ２０に入力される。マイクロコンピュータ２０は、セル間切替タイミング生成回路１７で主光源３からのレーザ光がセル間に達したことが検出されると、ＬＥＤ光を発光すべき副光源７を切替制御する。
【００７５】
このように、セル間切替タイミング生成回路１７は、起電流信号だけを用いて、レーザ光のスキャン位置が太陽電池セル２Ｃのセル間に達したことを正確に検出できる。すなわち、起電流信号を２種類の回路（高速ピーク検波回路４１と低速ピーク検波回路４２、またはピーク検波回路４５と積分回路４６）に入力して、ピーク検波した信号と基準信号とを生成して、両者を比較することで、セル間の位置を正しく検出できる。
【００７６】
（イコライザ学習）
図１６は太陽電池セル２Ｃの等価回路図である。図示のように、太陽電池セル２Ｃは、等価的に、電流源５３と、ダイオード５４と、シャント抵抗Ｒshと、キャパシタ素子５５とが並列接続された並列回路に、シリーズ抵抗Ｒsが直列接続された回路で表される。
【００７７】
太陽電池セル２Ｃが直列接続された場合の起電流信号は、図１６中のシャント抵抗Ｒｓｈ、キャパシタ素子５５およびシリーズ抵抗Ｒｓによる時定数で、なで肩の波形形状になる。このようななで肩の波形形状では、太陽電池セル２Ｃ内にクラックや結晶欠陥があっても、その波形もなまってしまい、欠陥の有無と場所を正確に検出できなくなる。
【００７８】
そこで、本実施形態では、図１のイコライザ回路１１にて、自動的にイコライザ学習を行って、起電流信号の波形を補償する。
【００７９】
図１７はイコライザ回路１１の内部構成の一例を示すブロック図である。図１７のイコライザ回路１１は、イコライザアンプ６１と、イコライザアンプ６１の入出力端子間に直列接続された抵抗素子６２，６３と、これら抵抗素子６２，６３間と接地端子間に直列接続された可変容量素子６４および可変抵抗素子６５と、マスク回路６６と、スイッチ回路６７と、コンパレータ６８と、ラッチ回路６９と、マイクロコンピュータ７０とを備えている。マイクロコンピュータ７０は、図１に示したマイクロコンピュータ２０と同じでもよいし、別個でもよい。別個の場合は、図１７のマイクロコンピュータ７０は、図１に示したマイクロコンピュータ２０と協働して動作する。
【００８０】
イコライザアンプ６１には、太陽電池セル２Ｃからの起電流信号が入力される。マイクロコンピュータ７０は、可変容量素子６４の容量値と可変抵抗素子６５の抵抗値を可変制御して、イコライザアンプ６１の出力信号のエッジができるだけ急峻になるように補償する。
【００８１】
図１８はイコライザ回路１１内の各部の信号波形を示す波形図である。図１８は、イコライザ回路１１の動作を初期化させるリセット信号ｗ１１、可変容量素子６４の容量値および可変抵抗素子６５の抵抗値を可変制御するための調整信号ｗ１２、イコライザ回路１１の入力信号ｗ１３、マスク回路６６から出力されるマスク信号ｗ１４、スイッチ回路６７の出力信号ｗ１５、基準信号の信号レベルｗ１６、ラッチ回路６９から出力されるイコライザ結果を示すＥＱ＿ＯＫ信号ｗ１７の各信号波形を示している。
【００８２】
イコライザ回路１１の入力信号ｗ１３は、太陽電池セル２Ｃの起電流信号であり、バスバー部分で信号レベルの落ち込みがある。図１８の信号ｗ１３は、３箇所で信号波形の落ち込みがあることから、３本のバスバーが設けられていることを示している。本実施の形態では、調整対象として、バスバー部での信号レベルを使用する。
【００８３】
マスク回路６６は、起電流が流れている区間だけ、イコライザ回路１１の入力信号ｗ１３を抽出するマスク信号ｗ１４を生成する。より具体的には、マスク回路６６は、イコライザ回路１１の入力信号ｗ１３のなで肩部分を含まないように、入力信号ｗ１３のパルス幅よりも狭いパルス幅のマスク信号を生成する。
【００８４】
スイッチ回路６７は、マスク信号がＨレベルの期間のみを対象として、イコライザ回路１１の入力信号ｗ１３から信号ｗ１５を抽出する。
【００８５】
図１７のイコライザアンプ６１、可変容量素子６４、可変抵抗素子６５、マスク回路（マスク信号生成部）６６およびスイッチ回路（パルス幅制限部）６７が信号波形を補償する信号急峻化部に対応する。
【００８６】
マイクロコンピュータ７０は、図１８における時刻ｔ１〜ｔ２のサイクルと、時刻ｔ２〜ｔ３のサイクルと、時刻ｔ３〜ｔ４のサイクルと、時刻ｔ４以降のサイクルとで、それぞれ調整信号ｗ１２の調整量を段階的に変えている。これに応じて、バスバー成分の信号レベルの落ち込む量も段階的に多くなり、起電流波形が順次補償されていく。バスバー成分の信号レベルをどの程度落ち込ませるかは、調整信号ｗ１２によって決定される。すなわち、調整信号ｗ１２により、可変容量素子６４の容量値と可変抵抗素子６５の抵抗値の少なくとも一方を調整することにより、イコライザ回路１１の入力信号ｗ１３に含まれるバスバー成分の落ち込みの急峻さを制御できる。
【００８７】
このように、マイクロコンピュータ７０は、信号急峻判断部に対応する。より具体的には、マイクロコンピュータ７０は、スイッチ回路６７の出力信号レベルを予め設定した基準信号の信号レベルと比較した結果に基づいて、バスバー成分の落ち込みをより急峻化させるか否かを判断する。
【００８８】
コンパレータ６８は、スイッチ回路６７の出力信号レベルが基準値を下回ると、イコライザ調整が完了であることを示す信号を出力する。図１８の信号波形の場合、時刻ｔ４以降のサイクルのときに、スイッチ回路６７の出力信号に含まれるバスバー成分が基準信号ｗ１６の信号レベルを下回り、コンパレータ６８はイコライザ調整が完了したことを示す信号を出力する。この信号は、ラッチ回路６９でＥＱ＿ＯＫ信号ｗ１７のＨレベルとして状態保持されて、マイクロコンピュータ７０に入力される。これにより、マイクロコンピュータ７０は、イコライザ調整が完了したことを認識する。
【００８９】
スイッチ回路６７の出力信号ｗ１５に含まれるバスバー成分の信号の落ち込みが基準信号ｗ１６の信号レベルを下回ったときにイコライザ調整が完了したと判断する理由は、以下の通りである。理想的にはバスバー部では太陽電池の起電流が零であるが、太陽電池のキャパシタ素子５５とシリーズ抵抗Ｒｓあるいは検出回路までの配線抵抗Ｒによる時定数の為、起電流は零にはならない。応答が追従できないのである。そこで、起電流が零付近になるポイントを基準信号ｗ１６に設定してバスバー部での起電流の落ち込みがこのポイントまで到達するように調整すれば、等価的には、上記理想状態まで補償できたことになる。このようにすれば、起電流信号波形が十分補償できたと判断できるので、仮に太陽電池セル２Ｃ中にクラック等の欠陥があったときに、この欠陥部分も急峻な信号レベルの変化として認識できるようになる。
【００９０】
上述したイコライザ学習は、検査を行う太陽電池セル２Ｃの種類が変わるたびに行うのが望ましい。太陽電池セル２Ｃの種類により、等価パラメータ（シリーズ抵抗Ｒｓ、シャント抵抗Ｒｓｈ、キャパシタ素子５５）が異なるためである。あるいは、同じ種類の太陽電池セル２Ｃであっても、測定対象セルが変わるたびに上述したイコライザ学習を行ってもよい。
【００９１】
このように、イコライザアンプ６１に接続された可変容量素子６４の容量値および可変抵抗素子６５の抵抗値を可変制御するための調整信号ｗ１２を調整することにより、起電流信号波形に含まれるバスバー成分の信号の落ち込み量を制御し、バスバー成分の信号の落ち込みが基準値を下回った時点でイコライザ調整が完了と判断するため、煩雑なイコライザ調整を自動化することができ、作業者の手間が省けるとともに、最適なイコライザ調整が可能となる。
【００９２】
本発明の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本発明の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１  欠陥検査装置、２  ストリング、２Ｃ  太陽電池セル、３  主光源、４  主光源送りモータ、５  モータ制御回路、６  主光源制御回路、７  副光源、８  副光源制御回路、９  センサ、１０  電流電圧変換回路、１１  イコライザ回路、１２  バイアス電流キャンセル回路、１３  第１Ａ／Ｄ変換回路、１４  画像処理部、１５  表示器、１６  バイポーラ電源、１７  セル間切替タイミング生成回路、１８  主光源スキャン振幅検出回路、１９  第２Ａ／Ｄ変換回路、２０  マイクロコンピュータ、２1  光源ユニット送りモータ、２２  光源ユニット、３２  レーザ光源、３３  ＭＥＭＳミラー、３４  アンプ、３５  パルス生成回路、３６  積分回路、３７  パワーアンプ、４１  高速ピーク検波回路、４２  低速ピーク検波回路、４３  アッテネータ、４４  コンパレータ、４５  ピーク検波回路、４６  積分回路、５３  電流源、５４  ダイオード、５５  キャパシタ素子、６１  イコライザアンプ、６２，６３  抵抗素子、６４  可変容量素子、６５  可変抵抗素子、６６  マスク回路、６７  スイッチ回路、６８  コンパレータ、６９  ラッチ回路、７０  マイクロコンピュータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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