(57)【要約】【課題】従来に比べてより効率的に静電気を逃がすことができる電気光学装置、及び電子機器等を提供する。【解決手段】電気光学装置１００は、パッド３００と、複数の有機発光ダイオード２１５と、各有機発光ダイオード２１５のカソードに共通に電気的に接続されるＶＣＴ電極２５０と、一端がパッド３００に電気的に接続され、他端がＶＣＴ電極２５０に電気的に接続される保護素子３１２とを含む。パッド３００は、電気光学装置１００が形成される基板の外周辺のうち少なくとも３辺のそれぞれに沿って配置されてもよいし、該基板の外周辺に沿って配置される複数のパッドの１つとして配置されてもよい。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッドと、
複数の有機発光ダイオードと、
前記複数の有機発光ダイオードを構成する各有機発光ダイオードのカソードに共通に電気的に接続される第１の電極と、
一端が前記パッドに電気的に接続され、他端が前記第１の電極に電気的に接続される第１の保護素子とを含むことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記第１の保護素子は、
保護ダイオード、オフトランジスター、及びサイリスターのうちのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
それぞれが前記各有機発光ダイオードに電流を供給する複数の駆動トランジスターと、
前記複数の駆動トランジスターを構成する各駆動トランジスターのソースに共通に電気的に接続される第２の電極と、
一端が前記パッドに電気的に接続され、他端が前記第２の電極に電気的に接続される第２の保護素子とを含むことを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記第２の保護素子は、
保護ダイオード、又はオフトランジスターであることを特徴とする請求項３に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記第２の電極は、
前記複数の有機発光ダイオードが形成される表示領域に平面視で重なるように配置され、
前記第１の電極は、
前記第２の電極を周回するように配置される１又は複数の電極により構成されることを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記第２の電極は、
前記複数の有機発光ダイオードが形成される表示領域に平面視で重なるように配置され、
前記第１の電極は、
前記第２の電極の外周辺のうち互いに交差する２辺に沿った外周辺を有することを特徴とする請求項３又は４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記第２の電極と前記第２の保護素子の他端とを電気的に接続する接続配線を含み、
前記接続配線は、
前記第１の電極と平面視で重なるように配置されることを特徴とする請求項３乃至６のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
接地電圧が供給される電源パッドを含み、
前記第１の電極と前記第１の保護素子とを接続する配線のインピーダンスと前記第１の電極のインピーダンスとの合成インピーダンスが、前記電源パッドに電気的に接続される配線のインピーダンスより低いことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記パッドは、
前記電気光学装置が形成される基板の外周辺に沿って配置される複数のパッドの１つであることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記電気光学装置が形成される基板の外周辺のうち少なくとも３辺のそれぞれに沿って前記パッドが配置されることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
前記パッドは、
前記電気光学装置の実装用パッドであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電気光学装置を含むことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び電子機器等に関し、例えば電気光学素子として有機発光ダイオードを用いた電気光学装置、及びこれを含む電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode：以下、ＯＬＥＤ）等の発光素子を電気光学素子として用いた電気光学装置に関する技術が種々提案されている。この種の電気光学装置では、複数の走査線と複数のデータ線とが交差して配置されると共に、走査線とデータ線の交差に対応して複数の画素回路がマトリックス状に配置される。各画素回路は、少なくとも駆動トランジスター及び発光素子を有し、画素の階調レベルに対応したデータ信号が駆動トランジスターのゲートに供給されると、該駆動トランジスターは、そのゲート・ソース間電圧に応じた電流を発光素子に供給する。発光素子は、駆動トランジスターからの電流に応じた輝度で発光する。
【０００３】
このような電気光学装置は、例えば電子ビューファインダー（Electronic View Finder：以下、ＥＶＦ）やヘッドマウントディスプレイ（Head Mounted Display：以下、ＨＭＤ）等の超小型ディスプレイへの応用に好適な装置である。この場合、電気光学装置には、１画素当たりのサイズをできるだけ小さくしながら画素数を増大させ、限られた画面サイズでより高品質の画像を表示することが要求される。そのため、電気光学装置が形成される半導体基板（チップ）のサイズは、大きくなる傾向にある。
【０００４】
その一方で、この種の電気光学装置においても、静電気放電（Electro Static Discharge：以下、ＥＳＤ）による損傷や誤動作発生等を防止する静電破壊対策は重要であり、電気光学装置における静電破壊対策に関する技術が種々提案されている。例えば、特許文献１には、ＥＳＤから半導体回路を保護する保護回路を、該半導体回路と半導体回路に信号で供給するための入力端子との間に配置した半導体装置を含む電気光学装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００８−２１１２２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
例えば特許文献１に開示されているように、ＥＳＤから半導体回路等を保護する保護回路は、端子から侵入した静電気を、半導体回路等の高電位側電源電圧が供給される電源線又は該半導体回路の接地電圧が供給される電源線に逃がすように構成される。
【０００７】
しかしながら、このような手法では、電気光学装置が形成される半導体基板のサイズが大きくなると、基板の外周辺に沿って配置される端子（パッド）によっては、上記の高電位側電源電圧又は接地電圧が供給される端子との距離が遠くなる。
【０００８】
図１６に、一般的な電気光学装置における静電破壊対策の説明図を示す。図１６は、電気光学装置の端子の配置を模式的に示した平面図を表す。
【０００９】
電気光学装置１０は、半導体基板上に形成され、該半導体基板には、複数の画素回路がマトリックス状に配置される表示部１２と、基板の外周辺に沿って配置される複数のパッド１４とが設けられる。表示部１２を構成する画素回路には、複数のパッド１４のいずれかを介して外部から制御信号や電源電圧が供給される。
【００１０】
なお、電気光学装置１０が、表示部１２を構成する画素回路に駆動信号を供給する駆動回路を備える場合、該駆動回路は表示部１２と複数のパッド１４との間に配置され、複数のパッド１４には、駆動回路を制御するための各種信号や電源電圧が外部から供給される。
【００１１】
複数のパッド１４のうちパッド１４ａは、表示部１２を挟んで対向する位置に配置されるパッド１４ｂから最も遠い。例えばパッド１４ｂが、外部から高電位側電源電圧又は接地電圧が供給される電源パッドであるものとすると、パッド１４ａの近傍に配置される静電気保護回路１６ａは、パッド１４ｂとの間で長い配線１８を介して接続される。このとき、配線１８のインピーダンスが高くなり、パッド１４ａから侵入する静電気を効率的に電源パッド１４ｂに逃がすことができないケースが懸念される。配線１８を表示部１２の厚さ方向の上部又は下部に配置することも考えられるが、いずれの場合も配線１８のインピーダンスが高くなり、同様のケースが懸念される。
【００１２】
本発明は、以上のような技術的課題に鑑みてなされたものである。本発明の幾つかの態様によれば、従来に比べてより効率的に静電気を逃がすことができる電気光学装置、及び電子機器等を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
（１）本発明の第１の態様は、電気光学装置が、パッドと、複数の有機発光ダイオードと、前記複数の有機発光ダイオードを構成する各有機発光ダイオードのカソードに共通に電気的に接続される第１の電極と、一端が前記パッドに電気的に接続され、他端が前記第１の電極に電気的に接続される第１の保護素子とを含む。
【００１４】
本態様においては、複数の有機発光ダイオードを備えた電気光学装置が、各有機発光ダイオードのカソードに共通に接続される第１の電極と、パッドとの間に接続された第１の保護素子を含んで構成される。これにより、電気光学装置のサイズ（又は電気光学装置が形成される基板のサイズ）が大きくなった場合でも、第１の保護素子と第１の電極とを従来より短い接続配線で接続した状態で、より低いインピーダンスを有する第１の電極に静電気を逃がすことができる。この結果、本態様によれば、従来に比べてより効率的に静電気を逃がすことができる電気光学装置を提供することができる。
【００１５】
（２）本発明の第２の態様に係る電気光学装置では、第１の態様において、前記第１の保護素子は、保護ダイオード、オフトランジスター、及びサイリスターのうちのいずれかである。
【００１６】
本態様によれば、第１の保護素子として保護ダイオード、オフトランジスター、及びサイリスターのうちのいずれかを採用するようにしたので、第１の保護素子に接続される電極を変更するだけで、従来に比べてより効率的に静電気を逃がすことができる。
【００１７】
（３）本発明の第３の態様に係る電気光学装置は、第１の態様又は第２の態様において、それぞれが前記各有機発光ダイオードに電流を供給する複数の駆動トランジスターと、前記複数の駆動トランジスターを構成する各駆動トランジスターのソースに共通に電気的に接続される第２の電極と、一端が前記パッドに電気的に接続され、他端が前記第２の電極に電気的に接続される第２の保護素子とを含む。
【００１８】
本態様においては、電気光学装置が、各有機発光ダイオードに電流を供給する各駆動トランジスターのソースに共通に接続される第２の電極と、パッドとの間に接続された第２の保護素子を更に含んで構成される。これにより、電気光学装置のサイズ（又は電気光学装置が形成される基板のサイズ）が大きくなった場合でも、第２の保護素子を介して、より低いインピーダンスを有する第２の電極に静電気を逃がすことができる。この結果、本態様によれば、従来に比べてより効率的に静電気を逃がすことができる電気光学装置を提供することができる。
【００１９】
（４）本発明の第４の態様に係る電気光学装置では、第３の態様において、前記第２の保護素子は、保護ダイオード、又はオフトランジスターである。
【００２０】
本態様によれば、第２の保護素子として保護ダイオード又はオフトランジスターを採用するようにしたので、第２の保護素子に接続される電極を変更するだけで、従来に比べてより効率的に静電気を逃がすことができる。
【００２１】
（５）本発明の第５の態様に係る電気光学装置では、第３の態様又は第４の態様において、前記第２の電極は、前記複数の有機発光ダイオードが形成される表示領域に平面視で重なるように配置され、前記第１の電極は、前記第２の電極を周回するように配置される１又は複数の電極により構成される。
【００２２】
本態様によれば、表示領域を有効活用して配置されるため、第１の電極及び第２の電極のそれぞれのインピーダンスがより一層低くなり、パッドから侵入した静電気をより一層効率よく逃がすことができるようになる。
【００２３】
（６）本発明の第６の態様に係る電気光学装置では、第３の態様又は第４の態様において、前記第２の電極は、前記複数の有機発光ダイオードが形成される表示領域に平面視で重なるように配置され、前記第１の電極は、前記第２の電極の外周辺のうち互いに交差する２辺に沿った外周辺を有する。
【００２４】
ここで、第２の電極が矩形形状を有する場合、第１の電極は、第２の電極の外周辺の３辺に沿った外周辺を有していてもよい。本態様によれば、表示領域を有効活用して配置されるため、第１の電極及び第２の電極のそれぞれのインピーダンスがより一層低くなり、パッドから侵入した静電気をより一層効率よく逃がすことができるようになる。
【００２５】
（７）本発明の第７の態様に係る電気光学装置は、第３の態様乃至第６の態様のいずれかにおいて、前記第２の電極と前記第２の保護素子の他端とを電気的に接続する接続配線を含み、前記接続配線は、前記第１の電極と平面視で重なるように配置される。
【００２６】
本態様においては、第２の電極の外側に第１の電極が配置されるため第１の電極と第１の保護素子との間は最短距離で接続することができる。そして、更に、その内部に配置される第２の電極と第２の保護素子とを接続する接続配線を、第１の電極と平面視で重なるように配置することで、第２の電極と第２の保護素子との間は最短距離で接続することで、より効率よく静電気を逃がすことができる。
【００２７】
（８）本発明の第８の態様に係る電気光学装置では、第１の態様乃至第７の態様のいずれかにおいて、接地電圧が供給される電源パッドを含み、前記第１の電極と前記第１の保護素子とを接続する配線のインピーダンスと前記第１の電極のインピーダンスとの合成インピーダンスが、前記電源パッドに電気的に接続される配線のインピーダンスより低い。
【００２８】
本態様によれば、第１の電極と第１の保護素子とを接続する配線のインピーダンスと第１の電極のインピーダンスとの合成インピーダンスが、電源電圧が供給される電源パッドに接続される配線のインピーダンスより低くなるようにしたので、従来に比べてより効率的に静電気を逃がすことができる電気光学装置を提供することができる。
【００２９】
（９）本発明の第９の態様に係る電気光学装置では、第１の態様乃至第８の態様のいずれかにおいて、前記パッドは、前記電気光学装置が形成される基板の外周辺に沿って配置される複数のパッドの１つである。
【００３０】
本態様によれば、基板の外周辺に沿って複数のパッドが配置される場合に、基板のサイズが大きくなっても、従来に比べてより効率的に静電気を逃がすことができる電気光学装置を提供することができる。
【００３１】
（１０）本発明の第１０の態様に係る電気光学装置では、第１の態様乃至第８の態様のいずれかにおいて、前記電気光学装置が形成される基板の外周辺のうち少なくとも３辺のそれぞれに沿って前記パッドが配置される。
【００３２】
本態様によれば、基板の外周辺のうち少なくとも３辺のそれぞれに沿って複数のパッドが配置される場合に、基板のサイズが大きくなっても、従来に比べてより効率的に静電気を逃がすことができる電気光学装置を提供することができる。
【００３３】
（１１）本発明の第１１の態様に係る電気光学装置では、第１の態様乃至第１０の態様のいずれかにおいて、前記パッドは、前記電気光学装置の実装用パッドである。
【００３４】
本態様によれば、表示モジュール等に実装するため実装用パッドから侵入する静電気を従来より効率よく逃がすことができる電気光学装置を提供することができる。
【００３５】
（１２）本発明の第１２の態様は、電子機器が、第１の態様乃至第１１の態様のいずれかの電気光学装置を含む。
【００３６】
本態様によれば、パッドから侵入する静電気を従来より効率よく逃がすことができる電気光学装置が適用された電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本実施形態に係る電気光学装置の構成の概要を示す図。
【図２】図１の電気光学装置の回路平面配置の一例を示す図。
【図３】図１の画素回路の構成例を示す図。
【図４】図３のＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極の平面配置の一例を示す図。
【図５】本実施形態における保護回路の説明図。
【図６】図５の保護回路の構成例の回路図。
【図７】ＶＥＬ電極と保護回路とを接続する接続配線の説明図。
【図８】図２のＡ−Ａ線に沿った電気光学装置の断面構造の一例を模式的に示す図。
【図９】本実施形態の第１の変形例における電気光学装置のＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極の平面配置の一例を示す図。
【図１０】本実施形態の第２の変形例における電気光学装置のＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極の平面配置の一例を示す図。
【図１１】本実施形態の第３の変形例における電気光学装置のＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極の平面配置の一例を示す図。
【図１２】本実施形態の第４の変形例における電気光学装置のＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極の平面配置の一例を示す図。
【図１３】本実施形態における電気光学装置を適用した表示モジュールの構成例を示す図。
【図１４】本実施形態における電子機器としてのＨＭＤの外観を示す図。
【図１５】図１４に示すＨＭＤの光学的な構成の概要を示す図。
【図１６】一般的な電気光学装置における静電破壊対策の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成のすべてが本発明の課題を解決するために必須の構成要件であるとは限らない。
【００３９】
〔電気光学装置〕
図１に、本発明の一実施形態に係る電気光学装置の構成の概要を示す。
本実施形態における電気光学装置１００は、発光素子としてＯＬＥＤが用いられる複数の画素回路や各画素回路に駆動信号等を供給する駆動回路等が、例えばシリコン基板に形成された有機ＥＬ装置である。
【００４０】
電気光学装置１００は、走査線駆動回路１１０と、データ線駆動回路１２０と、表示部２００とを備えている。電気光学装置１００の外部には、制御回路１５０と、電源回路１６０とが設けられる。
電気光学装置１００は、走査線駆動回路１１０及びデータ線駆動回路１２０のうち少なくとも１つが外部に設けられた構成を有していてもよい。また、電気光学装置１００は、制御回路１５０及び電源回路１６０の少なくとも１つが内蔵された構成を有していてもよい。
【００４１】
表示部２００は、マトリックス状に配列されている複数の画素回路２１０を備えている。複数の画素回路２１０は、それぞれが同一の構成を有する。表示部２００には、各走査線が図１のＸ方向に延びるようにｍ（ｍは２以上の整数）本の走査線１１２が配列される。また、表示部２００には、各データ線が図１のＹ方向に延びるようにｎ（ｎは２以上の整数）列のデータ線１２２が配列される。そして、ｍ行の走査線１１２とｎ列のデータ線１２２との交差に対応して、画素回路２１０が設けられる。１本の走査線１１２とＸ方向に隣接する３本のデータ線１２２との交差に対応した３つの画素回路２１０は、それぞれＲ（赤）、Ｇ（緑）、及びＢ（青）の画素に対応し、カラー画像を構成する画素の１ドットを表現する。
【００４２】
制御回路１５０は、走査線駆動回路１１０及びデータ線駆動回路１２０に対して制御信号Ｃｔｒ１，Ｃｔｒ２を供給すると共に、データ線駆動回路１２０に対して各行の画素に対応した画像データを供給する。また、制御回路１５０は、電源回路１６０による各種の電源電圧の生成を制御することができる。
制御信号Ｃｔｒ１は、走査線駆動回路１１０を制御するためのパルス信号である垂直同期信号、水平同期信号、クロック信号やイネーブル信号である。
制御信号Ｃｔｒ２は、データ線駆動回路１２０を制御するための水平同期信号、ドットクロック信号ＤＣＬＫ、ラッチパルス信号ＬＰやイネーブル信号である。
画像データは、走査線駆動回路１１０からの走査信号により選択された行の画素毎の階調レベルに対応したデータである。
【００４３】
走査線駆動回路１１０は、垂直同期信号により規定される各フレーム期間において走査線１１２を１行毎に順番に走査するための走査信号Ｇｗｒ（１）〜Ｇｗｒ（ｍ）を制御信号Ｃｔｒ１に基づいて生成する。図１では、１，２，３，・・・，（ｍ−１），ｍ行目の走査線１１２に供給される走査信号を、それぞれＧｗｒ（１），Ｇｗｒ（２），Ｇｗｒ（３），・・・，Ｇｗｒ（ｍ−１），Ｇｗｒ（ｍ）と表記している。
なお、走査線駆動回路１１０は、走査信号Ｇｗｒ（１）〜ＧＷｒ（ｍ）の他に、各画素回路に供給する制御信号を行毎に生成するが、図１では図示を省略している。
【００４４】
データ線駆動回路１２０は、水平走査期間毎に、走査線駆動回路１１０により選択され行の各画素の階調レベルに対応したデータ信号Ｖｄ（１）〜Ｖｄ（ｎ）を各データ線１２２に供給する。
【００４５】
電源回路１６０は、走査線駆動回路１１０、データ線駆動回路１２０、及び制御回路１５０のそれぞれに必要な各種の電源電圧を生成し供給する。
具体的には、電源回路１６０は、走査線駆動回路１１０に対し、走査線駆動回路１１０を動作させるための電源電圧や、走査信号Ｇｗｒ（１）〜Ｇｗｒ（ｍ）や各画素回路に供給される制御信号を生成するための各種電源電圧を供給する。
また、電源回路１６０は、データ線駆動回路１２０に対し、データ線駆動回路１２０を動作させるための電源電圧や、階調レベルに対応した複数の階調電圧を供給する。
更に、電源回路１６０は、表示部２００を構成する各画素回路に対し、各画素回路を動作させるための電源電圧を供給する。
【００４６】
図２に、図１の電気光学装置１００の回路平面配置の一例を示す。図２において、図１と同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００４７】
電気光学装置１００が形成される半導体基板（以下では、適宜、基板と略す）では、矩形形状の表示部２００の外周辺に沿って、走査線駆動回路１１０ａ，１１０ｂと、データ線駆動回路１２０と、図１では図示しないテスト回路１３０とが配置される。
走査線駆動回路１１０ａ，１１０ｂは、表示部２００の外周辺のうち対向する２辺ＳＤ１，ＳＤ２のそれぞれに沿って配置される。表示部２００の外周辺のうち辺ＳＤ１，ＳＤ２と交差する辺ＳＤ３に沿ってデータ線駆動回路１２０が配置され、表示部２００の外周辺のうち辺ＳＤ３に対向する辺ＳＤ４に沿ってテスト回路１３０が配置される。
【００４８】
また、電気光学装置１００が形成される基板の外周辺のうち対向する辺ＳＤ１０，ＳＤ１１と、辺ＳＤ１０，ＳＤ１１と交差する辺ＳＤ１２に沿って複数のパッド３００がテスト用パッドとして配置される。各パッド３００に対応して各保護回路３１０が設けられており、各保護回路３１０は、対応するパッド３００の近傍位置で、該パッド３００より基板の内部側に配置されている。
【００４９】
更に、電気光学装置１００が形成される基板の外周辺のうち辺ＳＤ１２に対向する辺ＳＤ１３に沿って複数の実装用パッド３２０が配置される。各実装用パッド３２０に対応して各保護回路３３０が設けられており、各保護回路３３０は、対応する実装用パッド３２０の近傍位置で、該実装用パッド３２０より基板の端部側に配置されている。なお、保護回路３３０の構成は、保護回路３１０の構成と同様である。
【００５０】
走査線駆動回路１１０ａ，１１０ｂは、それぞれ図１の走査線駆動回路１１０の機能を有し、同一走査線に対して互いに同一タイミングで走査信号や制御信号を供給する。これにより、表示部２００を構成する画素回路２１０の位置によって走査信号等のなまりに起因した表示ムラを低減する。
【００５１】
テスト回路１３０は、表示部２００を構成する複数の画素回路２１０の動作を検証するための制御を行う。具体的には、テストモード動作時に、テスト回路１３０は、１又は複数のデータ線１２２毎に、対応するパッド３００を介してデータ信号を出力する制御を行う。これにより、表示部２００を構成する複数の画素回路２１０やこれらに接続されるデータ線１２２等の検証が可能となる。
【００５２】
以上のような構成を有する電気光学装置１００において、パッド３００に対応して設けられる保護回路３１０は、表示部２００を構成する複数の画素回路２１０に共通に接続されるＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極の少なくとも一方に静電気を逃がす構成を有している。
【００５３】
以下、本実施形態におけるＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極について説明するため、ＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極が接続される画素回路２１０について説明する。
【００５４】
図３に、図１の画素回路２１０の構成例を示す。図３は、ｉ（ｉは自然数）行目のｊ（ｊは自然数）列目に位置する画素回路を表す。図３において、図１と同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００５５】
画素回路２１０は、Ｐ型金属酸化膜半導体（Metal-Oxide Semiconductor：以下、ＭＯＳ）トランジスター２１１〜２１４と、ＯＬＥＤ２１５と、保持容量２１６とを備えている。画素回路２１０には、トランジスター２１２〜２１４のそれぞれのゲート信号となる走査信号Ｇｗｒ（ｉ）、制御信号Ｇｃｍｐ（ｉ），Ｇｅｌ（ｉ）が供給される。走査信号Ｇｗｒ（ｉ）、制御信号Ｇｃｍｐ（ｉ），Ｇｅｌ（ｉ）は、ｉ行目に対応して走査線駆動回路１１０（１１０ａ，１１０ｂ）によって供給された信号であり、ｉ行目のｊ列以外の他の列の画素回路にも共通に供給される。
【００５６】
トランジスター２１１は、駆動トランジスターとして、ソースがＶＥＬ電極２５０（第２の電極）に電気的に接続され、ドレインがトランジスター２１３のドレインと、トランジスター２１４のソースとに電気的に接続される。また、トランジスター２１１のゲートは、トランジスター２１２のドレインと、トランジスター２１３のソースと、保持容量２１６の一端とに電気的に接続される。ＶＥＬ電極２５０には、画素回路２１０において電源の高電位側となる電圧Ｖｅｌが供給される。電圧Ｖｅｌは、電源回路１６０から供給される電圧である。
【００５７】
トランジスター２１２は、書き込みトランジスターとして、ソースがデータ線１２２に電気的に接続され、ゲートが走査線１１２に接続される。トランジスター２１２のゲートは、ゲート信号としての走査信号Ｇｗｒ（ｉ）により制御される。
【００５８】
トランジスター２１３は、閾値補償トランジスターとして、ゲートに制御信号Ｇｃｍｐ（ｉ）が供給される。トランジスター２１３のゲートは、ゲート信号としての制御信号Ｇｃｍｐ（ｉ）により制御される。
【００５９】
トランジスター２１４は、電流供給制御トランジスターとして、ドレインがＯＬＥＤ２１５のアノードに電気的に接続され、ゲートに制御信号Ｇｅｌ（ｉ）が供給される。トランジスター２１４のゲートは、ゲート信号としての制御信号Ｇｅｌ（ｉ）により制御される。トランジスター２１４を設けることにより、例えば電源投入直後にＯＬＥＤ２１５に電流が供給されて意図しない画像を表示してしまうという事態を回避することができる。
【００６０】
また、図３に示すように、トランジスター２１１〜２１４の基板電位として、電圧Ｖｅｌが供給される。
更に、画素回路２１０には、ドレインがＯＬＥＤ２１５のアノードに電気的に接続され、ソースに所与の初期電圧が供給されるＰ型ＭＯＳトランジスターを設けてもよい。所定のタイミングで、このトランジスターを介して初期電圧をＯＬＥＤ２１５のアノードに印加することで、ＯＬＥＤ２１５の寄生容量に蓄積された電荷を初期化することができ、ＯＬＥＤ２１５の寄生容量に起因した表示劣化を防止することができるようになる。
【００６１】
ＯＬＥＤ２１５のカソードは、ＶＣＴ電極２６０（第１の電極）に電気的に接続され、該カソードには、画素回路２１０において電源の低電位側である電圧Ｖｃｔが供給される。ＯＬＥＤ２１５は、基板においてアノードと光透過性を有するカソードとにより白色有機ＥＬ層を挟持することにより構成される発光素子であり、出射側であるカソードには、Ｒ、Ｇ、Ｂのいずれかのカラーフィルターが重ねて配置されている。ＯＬＥＤ２１５に、アノードからカソードに電流が流れると、アノードから注入された正孔とカソードから注入された電子とが有機ＥＬ層において再結合して励起子が生成され、白色光が発光する。この白色光は、カソードを透過後にカラーフィルターにより着色され、観察者に視認される。
【００６２】
保持容量２１６の他端は、ＶＥＬ電極２５０に電気的に接続され、トランジスター２１１のゲート・ソース間電圧を保持する。
保持容量２１６は、トランジスター２１１のゲートの寄生容量や、絶縁層を導電層で挟持して形成される容量を用いて形成される。
【００６３】
図３に示す画素回路２１０の動作について、簡単に説明すると、走査信号により選択された１水平走査期間内に、階調レベルに対応したデータ信号がトランジスター２１２を介して書き込まれる。すると、トランジスター２１３がオンとなり、トランジスター２１１の閾値が補償された状態で保持容量２１６にデータ信号が保持される。その後、トランジスター２１４がオンとなり、ＯＬＥＤ２１５には、トランジスター２１１のゲート・ソース間電圧に対応した電流が供給される。このため、ＯＬＥＤ２１５は、トランジスター２１１の閾値を補償した状態で、階調レベルに対応した輝度で発光することができる。
【００６４】
図４に、図３のＶＥＬ電極２５０及びＶＣＴ電極２６０の平面配置の一例を示す。図４において、図２又は図３と同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００６５】
ＶＥＬ電極２５０は、複数のＯＬＥＤが形成される表示領域である表示部２００に平面視で重なるように配置される。ＶＥＬ電極２５０は、複数の実装用パッド３２０のいずれかに電気的に接続され、この実装用パッド３２０を介して電圧ＶｅｌがＶＥＬ電極２５０に供給される。
【００６６】
これに対して、ＶＣＴ電極２６０は、ＶＥＬ電極２５０と電気的に分離された状態で、ＶＥＬ電極２５０を周回するように配置される。ＶＣＴ電極２６０は、複数の実装用パッド３２０のいずれかに電気的に接続され、この実装用パッド３２０を介して電圧ＶｃｔがＶＣＴ電極２６０に供給される。これにより、表示部２００を構成する複数の画素回路２１０のそれぞれは同一の条件でＶＥＬ電極２５０に接続されるため、表示ムラの低減を図ることができる。
【００６７】
なお、電圧Ｖｃｔは、接地電圧Ｖｓｓと同電位の電圧とすることができる。しかしながら、本実施形態では、複数の実装用パッド３２０は、接地電圧Ｖｓｓを供給するための電源パッドとは別に、電圧Ｖｃｔを供給するためのパッドを含む。そのため、保護回路３１０（具体的には、保護回路３１０を構成する保護素子）とＶＣＴ電極２６０とを接続する配線のインピーダンスとＶＣＴ電極２６０のインピーダンスとの合成インピーダンスを、接地電圧Ｖｓｓを供給するための電源パッドに電気的に接続される配線のインピーダンスより低くすることができる。
【００６８】
更に、基板の外周辺に沿って配置されるパッド３００の近傍の保護回路３１０（図４では図示せず）は、従来よりも短い配線を介してＶＥＬ電極２５０又はＶＣＴ電極２６０に電気的に接続される。そのため、本実施形態によれば、従来と比べて、より低いインピーダンスの電極に静電気を効率よく逃がすことができるようになる。
【００６９】
図５に、本実施形態における保護回路３１０の説明図を示す。図５において、図１〜図４と同一部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
図６に、図５の保護回路３１０の構成例の回路図を示す。図６において、図５と同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００７０】
本実施形態では、パッド３００に接続されその近傍に配置される図２の保護回路３１０が、上記のＶＥＬ電極２５０及びＶＣＴ電極２６０に接続される。パッド３００から侵入した静電気は、従来よりもインピーダンスが低いＶＥＬ電極２５０又はＶＣＴ電極２６０に逃がされ、保護回路３１０に接続される内部回路を保護する。
【００７１】
図６に示すように、保護回路３１０は、保護素子３１２，３１４と、保護抵抗３１６とを備えている。保護素子３１２（第１の保護素子）の一端は、パッド３００に電気的に接続され、他端はＶＣＴ電極２６０に電気的に接続される。保護素子３１４（第２の保護素子）の一端は、パッド３００に電気的に接続され、他端は、ＶＥＬ電極２５０に電気的に接続される。
【００７２】
即ち、電気光学装置１００は、パッド３００と、複数のＯＬＥＤ２１５と、各ＯＬＥＤ２１５のカソードに共通に電気的に接続されるＶＣＴ電極２６０と、一端がパッド３００に電気的に接続され他端がＶＣＴ電極２６０に電気的に接続される保護素子３１２とを含むことができる。図６では、保護素子３１２は、保護ダイオードにより構成され、該保護ダイオードのアノードは、ＶＣＴ電極２６０に電気的に接続され、該保護ダイオードのカソードは、パッド３００に電気的に接続される。
なお、保護素子３１２は、オフトランジスター又はサイリスターにより構成されていてもよい。
【００７３】
更に、電気光学装置１００は、複数のトランジスター２１１と、各トランジスター２１１のソースに共通に電気的に接続されるＶＥＬ電極２５０と、一端がパッド３００に電気的に接続され他端がＶＥＬ電極２５０に接続される保護素子３１４とを含むことができる。図６では、保護素子３１４は、保護ダイオードにより構成され、該保護ダイオードのアノードは、パッド３００に電気的に接続され、該保護ダイオードのカソードは、ＶＥＬ電極２５０に電気的に接続される。
なお、保護素子３１４は、オフトランジスターにより構成されていてもよい。
【００７４】
このとき、ＶＣＴ電極２６０は、ＶＥＬ電極２５０を周回するように配置されるため、図７に示すように、保護回路３１０を構成する保護素子３１２の他端とＶＣＴ電極２６０との間は、最短経路の接続配線４１０により接続されることが望ましい。また、図７に示すように、電気光学装置１００は、ＶＥＬ電極２５０と保護回路３１０を構成する保護素子３１４の他端とを接続する接続配線４００を備え、接続配線４００は、ＶＣＴ電極２６０と平面視で重なるように配置されることが望ましい。こうすることで、保護素子３１２の他端とＶＣＴ電極２６０との間のみならず、保護素子３１４の他端とＶＥＬ電極２５０との間を、最短経路で接続することができる。
【００７５】
図８に、図２のＡ−Ａ線に沿った電気光学装置１００の断面構造の一例を模式的に示す。図８において、図１〜図３と同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。なお、図８は、走査線駆動回路１１０ｂを通るＡ−Ａ線に沿った断面構造の一例を表すが、走査線駆動回路１１０ａを通る線に沿った断面構造も同様である。また、図８において、ＯＬＥＤ２１５の断面構造の詳細については図示を省略している。
【００７６】
電気光学装置１００は、Ｐ型半導体基板５００に形成される。Ｐ型半導体基板５００には、Ｎ型不純物領域（ウェル）５０２，５０４やＰ型不純物領域５０６，５０８，５１０が形成される。Ｎ型不純物領域５０２上に、画素回路２１０が形成される。Ｎ型不純物領域５０４及びＰ型不純物領域５０６，５０８上に、走査線駆動回路１１０ｂを構成する回路の一部が形成される。Ｐ型不純物領域５１０上に、図６に示す保護回路３１０を構成する保護素子３１２が形成される。
【００７７】
Ｐ型半導体基板５００の上層に形成されたパッド３００は、スルーホールを介して電気的に接続される複数の配線層を介して、Ｐ型不純物領域５１０に形成されるＮ型高濃度不純物領域５１２に接続される。このＰ型不純物領域５１０には、更にＰ型高濃度不純物領域５１４が形成されており、Ｐ型高濃度不純物領域５１４は、スルーホールを介して電気的に接続される複数の配線層を介して、ＶＣＴ電極２６０に電気的に接続される。Ｎ型高濃度不純物領域５１２側が保護ダイオードのカソード側となり、Ｐ型高濃度不純物領域５１４側が保護ダイオードのアノード側となる。Ｎ型高濃度不純物領域５１２とＰ型高濃度不純物領域５１４により、保護素子３１２が形成される。なお、図８では図示されていないが、同様にして保護素子３１４も形成される。
【００７８】
ＶＣＴ電極２６０は、走査線駆動回路１１０ｂを構成するトランジスターの上層に形成される。
【００７９】
ＶＥＬ電極２５０の下層には、絶縁膜を挟持した導電層からなる容量がスタックされた保持容量２１６が形成される。この保持容量２１６の一端は、上層のＶＥＬ電極２５０に電気的に接続され、他端は図示しないトランジスターのゲート等に接続されている。
【００８０】
ＶＥＬ電極２５０は、スルーホールを介して電気的に接続される複数の配線層を介して、Ｎ型不純物領域５０２に形成されるＮ型高濃度不純物領域５１６に電気的に接続される。Ｎ型不純物領域５０２には、上層にゲート酸化膜を介してゲート電極が形成されるチャネル領域を挟んでＰ型アクティブ領域５１８，５２０が形成されている。Ｐ型アクティブ領域５１８は、Ｐ型トランジスターのソースとなり、Ｐ型アクティブ領域５２０は、Ｐ型トランジスターのドレインとなる。Ｐ型アクティブ領域５２０は、スルーホールを介して電気的に接続される複数の配線層を介して、ＶＥＬ電極２５０の上層に形成されるＯＬＥＤ２１５に電気的に接続される。
【００８１】
なお、本実施形態では、実装用パッド３２０の近傍に配置される保護回路３３０を構成する保護素子は、ＶＥＬ電極２５０又はＶＣＴ電極２６０に接続されていない。これは、ＶＥＬ電極２５０又はＶＣＴ電極２６０より、実装用パッド３２０のうち電圧Ｖｅｌ又は電圧Ｖｃｔが供給されるパッドに接続される電源線に最短距離で接続することができるためである。しかしながら、実装用パッド３２０についても、パッド３００と同様に、その近傍に配置される保護回路３３０を構成する保護素子を、ＶＥＬ電極２５０又はＶＣＴ電極２６０に接続するようにしてもよい。
即ち、本発明に係るパッドは、電気光学装置１００が形成される基板の外周辺のうち少なくとも３辺のそれぞれに沿って配置されるが、該基板の外周辺に沿って配置される複数のパッド３００の１つ、又は電気光学装置１００の実装用パッド３２０であってもよい。
【００８２】
以上説明したように、本実施形態では、表示部２００に形成される複数のＯＬＥＤに共通に接続されるＶＥＬ電極２５０又はＶＣＴ電極２６０を、保護回路３１０を構成する保護素子に接続するようにした。これにより、電気光学装置１００が形成される基板のサイズが大きくなった場合であっても、配線を引き回すことなく、従来に比べてより低いインピーダンスの電極に、パッドから侵入する静電気を効率よく逃がすことができるようになる。
【００８３】
〔変形例〕
図４では、ＶＣＴ電極２６０は、ＶＥＬ電極２５０に周回するように配置されていたが、本実施形態におけるＶＣＴ電極２６０の平面形状は、これに限定されるものではない。ＶＣＴ電極は、ＶＥＬ電極を周回するように配置される複数の電極に構成されたり、ＶＥＬ電極の外周辺のうち少なくとも２辺に沿った外周辺を有するように配置されたりしてもよい。
【００８４】
１．  第１の変形例
図９に、本実施形態の第１の変形例における電気光学装置のＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極の平面配置の一例を示す。図９において、図４と同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００８５】
第１の変形例における電気光学装置１００ａにおいて配置されるＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極が、図４の電気光学装置１００において配置されるＶＥＬ電極２５０及びＶＣＴ電極２６０と異なる点は、平面視におけるＶＣＴ電極の形状である。電気光学装置１００ａでは、ＶＣＴ電極２６０ａは、矩形形状のＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち３辺に沿った外周辺を有し、コ字又はＵ字の形状を有する。
【００８６】
具体的には、ＶＣＴ電極２６０ａは、ＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち対向する辺ＳＤ２０，ＳＤ２１と、辺ＳＤ２０，ＳＤ２１と交差する辺ＳＤ２２に沿った外周辺を有する。図９では、辺ＳＤ２２は、実装用パッド３２０の配列方向に沿う辺である。ＶＣＴ電極２６０ａは、複数の実装用パッド３２０のいずれかに電気的に接続され、この実装用パッド３２０を介して電圧ＶｃｔがＶＣＴ電極２６０ａに供給される。
【００８７】
なお、図９では、ＶＣＴ電極２６０ａの開口側が、辺ＳＤ２２に対向する辺ＳＤ２３側に設けられているが、この開口側が、辺ＳＤ２０，ＳＤ２１，辺ＳＤ２２のいずれかの辺側に設けられていてもよい。
【００８８】
第１の変形例によれば、パッド３００とＶＣＴ電極２６０ａとを接続する配線をより短くでき、且つ、ＶＣＴ電極２６０ａのインピーダンスをより低くすることができるので、本実施形態と同様に、表示ムラの低減を図ることができる。
【００８９】
２．  第２の変形例
図１０に、本実施形態の第２の変形例における電気光学装置のＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極の平面配置の一例を示す。図１０において、図４又は図９と同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００９０】
第２の変形例における電気光学装置１００ｂにおいて配置されるＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極が、図４の電気光学装置１００において配置されるＶＥＬ電極２５０及びＶＣＴ電極２６０と異なる点は、ＶＣＴ電極が分割されて配置される点である。電気光学装置１００ｂには、ＶＣＴ電極２６０ｂ１，２６０ｂ２が形成され、ＶＣＴ電極２６０ｂ１は、図９のＶＣＴ電極２６０ａと同様に、図１０の矩形形状のＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち３辺に沿った外周辺を有し、コ字又はＵ字の形状を有する。ＶＣＴ電極２６０ｂ２は、ＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち残りの１辺に沿った外周辺を有する。
【００９１】
具体的には、ＶＣＴ電極２６０ｂ１は、ＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち対向する辺ＳＤ２０，ＳＤ２１と、辺ＳＤ２０，ＳＤ２１と交差する辺ＳＤ２２に沿った外周辺を有する。ＶＣＴ電極２６０ｂ２は、ＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち辺ＳＤ２２に対向する辺ＳＤ２３に沿った外周辺を有する。即ち、ＶＣＴ電極２６０ｂ１は、ＶＣＴ電極２６０ｂ２の開口側に設けられ、ＶＣＴ電極２６０ｂ１，２６０ｂ２は、対向配置することにより、ＶＥＬ電極２５０を周回するように配置される。ＶＣＴ電極２６０ｂ１，２６０ｂ２は、複数の実装用パッド３２０のいずれかに電気的に接続され、この実装用パッド３２０を介して電圧ＶｃｔがＶＣＴ電極２６０ｂ１，２６０ｂ２に供給される。
【００９２】
なお、図１０では、ＶＣＴ電極２６０ｂ１の開口側が、辺ＳＤ２３側に設けられているが、この開口側が、辺ＳＤ２０，ＳＤ２１，辺ＳＤ２２のいずれかの辺側に設けられていてもよい。
【００９３】
第２の変形例によれば、パッド３００とＶＣＴ電極２６０ｂ１，２６０ｂ２のいずれかとを接続する配線をより短くでき、且つ、ＶＣＴ電極２６０ｂ１，２６０ｂ２のインピーダンスをより低くすることができるので、本実施形態と同様に、表示ムラの低減を図ることができる。
【００９４】
３．  第３の変形例
図１１に、本実施形態の第３の変形例における電気光学装置のＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極の平面配置の一例を示す。図１１において、図４又は図９と同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【００９５】
第３の変形例における電気光学装置１００ｃにおいて配置されるＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極が、図４の電気光学装置１００において配置されるＶＥＬ電極２５０及びＶＣＴ電極２６０と異なる点は、平面視におけるＶＣＴ電極の形状である。電気光学装置１００ｃでは、ＶＣＴ電極２６０ｃは、矩形形状のＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち互いに交差する２辺に沿った外周辺を有し、Ｌ字の形状を有する。
【００９６】
具体的には、ＶＣＴ電極２６０ｃは、ＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち互いに交差する辺ＳＤ２０，ＳＤ２２に沿った外周辺を有する。ＶＣＴ電極２６０ｃは、複数の実装用パッド３２０のいずれかに電気的に接続され、この実装用パッド３２０を介して電圧ＶｃｔがＶＣＴ電極２６０ｃに供給される。
【００９７】
なお、図１１では、ＶＣＴ電極２６０ｃが、辺ＳＤ２０，ＳＤ２２に沿った外周辺を有するが、辺ＳＤ２０，ＳＤ２３や辺ＳＤ２３，ＳＤ２１、又は辺ＳＤ２１，ＳＤ２２に沿った外周辺を有していてもよい。
【００９８】
第３の変形例によれば、パッド３００とＶＣＴ電極２６０ｃとを接続する配線をより短くでき、且つ、ＶＣＴ電極２６０ｃのインピーダンスをより低くすることができるので、本実施形態と同様に、表示ムラの低減を図ることができる。
【００９９】
４．  第４の変形例
図１２に、本実施形態の第４の変形例における電気光学装置のＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極の平面配置の一例を示す。図１２において、図４又は図９と同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【０１００】
第４の変形例における電気光学装置１００ｄにおいて配置されるＶＥＬ電極及びＶＣＴ電極が、図４の電気光学装置１００において配置されるＶＥＬ電極２５０及びＶＣＴ電極２６０と異なる点は、ＶＣＴ電極が分割されて配置される点である。電気光学装置１００ｄには、ＶＣＴ電極２６０ｄ１，２６０ｄ２が形成され、ＶＣＴ電極２６０ｄ１は、図１１のＶＣＴ電極２６０ｃと同様に、矩形形状のＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち互いに交差する２辺に沿った外周辺を有し、Ｌ字の形状を有する。ＶＣＴ電極２６０ｄ２もまた、ＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち互いに交差する残りの２辺に沿った外周辺を有し、Ｌ字の形状を有する。
【０１０１】
具体的には、ＶＣＴ電極２６０ｄ１は、ＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち互いに交差する辺ＳＤ２０，ＳＤ２２に沿った外周辺を有し、ＶＣＴ電極２６０ｄ２は、ＶＥＬ電極２５０の外周辺のうち互いに対向する辺ＳＤ２３，ＳＤ２１に沿った外周辺を有する。即ち、ＶＣＴ電極２６０ｄ１，２６０ｂ２は、対向配置することにより、ＶＥＬ電極２５０を周回するように配置される。ＶＣＴ電極２６０ｄ１，２６０ｄ２は、複数の実装用パッド３２０のいずれかに電気的に接続され、この実装用パッド３２０を介して電圧ＶｃｔがＶＣＴ電極２６０ｄ１，２６０ｄ２に供給される。
【０１０２】
なお、図１２では、ＶＣＴ電極２６０ｄ１が、辺ＳＤ２０，ＳＤ２２に沿った外周辺を有し、ＶＣＴ電極２６０ｄ２が、辺ＳＤ２３，ＳＤ２１に沿った外周辺を有しているが、ＶＣＴ電極２６０ｄ１が、辺ＳＤ２０，ＳＤ２３に沿った外周辺を有し、ＶＣＴ電極２６０ｄ２が、辺ＳＤ２１，ＳＤ２２に沿った外周辺を有していてもよい。
【０１０３】
第４の変形例によれば、パッド３００とＶＣＴ電極２６０ｄ１，２６０ｄ２のいずれかとを接続する配線をより短くでき、且つ、ＶＣＴ電極２６０ｄ１，２６０ｄ２のインピーダンスをより低くすることができるので、本実施形態と同様に、表示ムラの低減を図ることができる。
【０１０４】
〔電子機器〕
本実施形態における電気光学装置１００とフレキシブルプリント回路（Flexible Printed Circuits：以下、ＦＰＣ）基板とを用いた表示モジュールを構成することで、電気光学装置１００の電子機器への搭載がより簡素化される。
【０１０５】
図１３に、本実施形態における電気光学装置１００を適用した表示モジュールの構成例を示す。
【０１０６】
表示モジュール６００は、電気光学装置１００と、ＦＰＣ基板６１０とを備えている。ＦＰＣ基板６１０には、電気光学装置１００の実装用パッド３２０に接続される複数の実装端子（図示せず）と、ＣＯＦ（Chip On Film）技術により実装される集積回路装置６２０と、外部回路に接続される複数の端子６２２とを備えている。ＦＰＣ基板６１０には、複数の実装端子と集積回路装置６２０の端子とを電気的に接続する配線や、集積回路装置６２０の端子と複数の端子６２２とを電気的に接続する配線とが形成されている。
集積回路装置６２０は、図１の制御回路１５０及び電源回路１６０の機能を有し、電気光学装置１００の表示制御を行う。
【０１０７】
本実施形態における電気光学装置１００又はこれを用いた表示モジュール６００は、次のような電子機器に適用することができる。
【０１０８】
図１４に、本実施形態における電子機器としてのＨＭＤの外観を示す。
図１５に、図１４に示すＨＭＤの光学的な構成の概要を示す。図１５において、図１４と同様の部分には同一符号を付し、適宜説明を省略する。
【０１０９】
本実施形態におけるＨＭＤ７００は、テンプル７１０Ｌ，７１０Ｒと、ブリッジ７２０と、レンズ７０１Ｌ，７０１Ｒとを備えている。このＨＭＤ７００は、図１５に示すように、テンプル７１０Ｌ及びレンズ７０１Ｌの近傍に、左眼用の電気光学装置７３０Ｌ（又は電気光学装置７３０Ｌを備えた表示モジュール）及び光学レンズ７０２Ｌを備えている。また、ＨＭＤ７００は、図１５に示すように、テンプル７１０Ｒ及びレンズ７０１Ｒの近傍に、右眼用の電気光学装置７３０Ｒ（又は電気光学装置７３０Ｒを備えた表示モジュール）及び光学レンズ７０２Ｒを備えている。
【０１１０】
更に、ＨＭＤ７００は、図１５に示すように、レンズ７０１Ｌからの光が左眼に届く光路上に配置されるハーフミラー７０３Ｌと、レンズ７０１Ｒからの光が右眼に届く光路上に配置されるハーフミラー７０３Ｒとを備えている。電気光学装置７３０Ｌ，７３０Ｒとして、それぞれ本実施形態の電気光学装置１００を適用することができる。
【０１１１】
電気光学装置７３０Ｌの画像表示面は、図１５において右側を向くように配置され、電気光学装置７３０Ｌによる表示画像に対応した光は、光学レンズ７０２Ｌを介してハーフミラー７０３Ｌに照射される。ハーフミラー７０３Ｌは、光学レンズ７０２Ｌからの光を左眼が位置する方向に反射すると共に、レンズ７０１Ｌからの光を左眼が位置する方向に透過させる。
電気光学装置７３０Ｒの画像表示面は、図１５において左側を向くように配置され、電気光学装置７３０Ｒによる表示画像に対応した光は、光学レンズ７０２Ｒを介してハーフミラー７０３Ｒに照射される。ハーフミラー７０３Ｒは、光学レンズ７０２Ｒからの光を右眼が位置する方向に反射すると共に、レンズ７０１Ｒからの光を右眼が位置する方向に透過させる。
【０１１２】
これにより、ＨＭＤ７００の装着者は、電気光学装置７３０Ｌ，７３０Ｒの表示画像を、レンズ７０１Ｌ，７０２Ｒを介して入ってくる外の様子を重ね合わせたシースルー状態で観察することができる。
このとき、ＨＭＤ７００において、視差を伴う両眼画像のうち左眼用画像を電気光学装置７３０Ｌに表示させ、該両眼画像のうち右眼用画像を電気光学装置７３０Ｒに表示させることで、装着者は、立体感を有する画像を認識することができる。
【０１１３】
以上のようなＨＭＤ７００に本実施形態における電気光学装置１００を適用することにより、静電破壊対策を十分に実施する一方で、より高画質の画像表示が可能となる。
【０１１４】
以上、本発明に係る電気光学装置、及び電子機器等を上記の実施形態に基づいて説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではない。例えば、その要旨を逸脱しない範囲において種々の態様において実施することが可能であり、次のような変形も可能である。
【０１１５】
（１）本実施形態では、電気光学装置１００が、図１に示す構成を例に説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
【０１１６】
（２）本実施形態では、電気光学装置１００の回路配置や電極配置が、図２や図４に示す配置であるものとして説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０１１７】
（３）本実施形態では、画素回路２１０の構成を図３に示す構成を例に説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。
【０１１８】
（４）本実施形態では、画素回路２１０内を構成するトランジスターがＰ型のＭＯＳトランジスターであるものとして説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、少なくとも１つがＮ型のＭＯＳトランジスターであってもよい。
【０１１９】
（５）本実施形態では、電気光学装置１００が適用された電子機器として、ＨＭＤを例に説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、本発明に係る電子機器として、超小型ディスプレイとしてＥＶＦ等の直視型の表示パネルを用いた機器であってもよい。
また、本発明に係る電子機器として、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルスチルカメラ、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電子ペーパー、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ（Point of sale system）端末、プリンター、スキャナー、複写機、ビデオプレーヤー、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【０１２０】
（６）上記の実施形態において、本発明を電気光学装置、及び電子機器等として説明したが、本発明は、これに限定されるものではない。例えば、本発明に係る電気光学装置の素子保護方法等であってもよい。
【符号の説明】
【０１２１】
１０，１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ，７３０Ｌ，７３０Ｒ…電気光学装置、  １２，２００…表示部、  １４，１４ａ，１４ｂ，３００…パッド、
１６ａ…静電気保護回路、  １８…配線、
１１０，１１０ａ，１１０ｂ…走査線駆動回路、  １２０…データ線駆動回路、
１３０…テスト回路、  １５０…制御回路、  １６０…電源回路、  ２１０…画素回路、
２１１〜２１４…トランジスター、  ２１５…ＯＬＥＤ、  ２１６…保持容量、
２５０…ＶＥＬ電極（第２の電極）、  ２６０，２６０ａ，２６０ｂ１，２６０ｂ２，２６０ｃ，２６０ｄ１，２６０ｄ２…ＶＣＴ電極（第１の電極）、
３１０，３３０…保護回路、  ３１２…保護素子（第１の保護素子）、
３１４…保護素子（第２の保護素子）、  ３１６…保護抵抗、  ３２０…実装用パッド、
４００，４１０…接続配線、  ５００…Ｐ型半導体基板、
５０２，５０４…Ｎ型不純物領域、  ５０６，５０８，５１０…Ｐ型不純物領域、
５１２，５１６…Ｎ型高濃度不純物領域、  ５１４…Ｐ型高濃度不純物領域、
５１８，５２０…Ｐ型アクティブ領域、  ６００…表示モジュール、
６１０…ＦＰＣ基板、  ６２０…集積回路装置、  ６２２…端子、
７００…ＨＭＤ、  ７０１Ｌ，７０１Ｒ…レンズ、  ７０２Ｌ，７０２Ｒ…光学レンズ、
７０３Ｌ，７０３Ｒ…ハーフミラー、  ７１０Ｌ，７１０Ｒ…テンプル、
７２０…ブリッジ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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