(57)【要約】      （修正有）【課題】良好な光取り出し効率が得られるとともに、散乱層の薄層化を実現できる散乱層付ガラス基板を提供する。【解決手段】ガラス基板１上に、酸化物からなる透明な連続相と、酸化物粒子とを含む散乱層２が設けられ、散乱層の表面が研磨されており、散乱層の表面の一部または全部が連続相の研磨面からなり、酸化物粒子の方が連続相よりも屈折率が低く、両者の屈折率差が０．３以上であり、酸化物粒子の平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ未満であり、散乱層の厚さが、酸化物粒子の平均粒子径よりも大きく、１０μｍ以下である、散乱層付ガラス基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板上に散乱層が設けられ、該散乱層の表面が研磨されている散乱層付ガラス基板であって、
前記散乱層が、酸化物からなる透明な連続相と、酸化物粒子とを含み、
前記散乱層の表面の一部または全部が前記連続相の研磨面からなり、
前記酸化物粒子の方が前記連続相よりも屈折率が低く、両者の屈折率差が０．３以上であり、
前記酸化物粒子の平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ未満であり、
前記ガラス基板から前記散乱層の表面までの距離の平均値で表される散乱層の厚さが、前記酸化物粒子の平均粒子径よりも大きく、１０μｍ以下である、散乱層付ガラス基板。
【請求項２】
前記散乱層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２００ｎｍ以下である、請求項１に記載の散乱層付ガラス基板。
【請求項３】
前記連続相が酸化スズからなる、請求項１または２に記載の散乱層付ガラス基板。
【請求項４】
前記酸化物粒子がシリカ粒子である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板。
【請求項５】
前記散乱層が、前記散乱層の表面において該連続相の凹部に充填された平坦化材をさらに含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板。
【請求項６】
前記平坦化材がシリカからなる、請求項５に記載の散乱層付ガラス基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板と、該散乱層付ガラス基板の散乱層上に設けられた透明電極層を有する、電極層付ガラス基板。
【請求項８】
前記透明電極層の材質がＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＮｂドープＴｉＯ２、ＴａドープＴｉＯ２からなる群から選らばれるいずれか１種である、請求項７記載の電極層付ガラス基板。
【請求項９】
請求項１〜６のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板を備えた光電変換素子。
【請求項１０】
ガラス基板上に散乱層を設ける工程と、該散乱層を研磨する工程を有し、
前記散乱層を設ける工程が、ガラス基板上に、酸化物からなる透明な連続相と酸化物粒子とを含む層を設ける工程を含み、
前記酸化物粒子の方が前記連続相よりも屈折率が低く、両者の屈折率差が０．３以上であり、
前記酸化物粒子の平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ未満であり、
前記散乱層の研磨後の、前記ガラス基板から前記散乱層の表面までの距離の平均値で表される散乱層の厚さが、前記酸化物粒子の平均粒子径よりも大きく、１０μｍ以下である、散乱層付ガラス基板の製造方法。
【請求項１１】
前記連続相と酸化物粒子とを含む層を設ける工程が、前記ガラス基板上に、前記酸化物粒子を含む第１のコーティング液を塗布する工程と、焼成によって前記連続相を構成する酸化物が得られる、酸化物の前駆体を含む第２のコーティング液を塗布する工程を含む、請求項１０に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
【請求項１２】
前記第１のコーティング液を塗布する際のガラス基板の温度が２００〜６５０℃である、請求項１１に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
【請求項１３】
前記第２のコーティング液を塗布する際のガラス基板の温度が２００〜６５０℃である、請求項１１または１２に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
【請求項１４】
前記散乱層を設ける工程が、前記連続相と酸化物粒子とを含む層上に、平坦化材からなる平坦化層を形成する工程をさらに含み、
前記散乱層を研磨する工程が、前記平坦化層を、前記連続相が露出するまで研磨する工程である、請求項１０〜１３のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
【請求項１５】
前記平坦化層を形成する工程が、前記連続相と酸化物粒子とを含む層上に、焼成によって前記平坦化材が得られる、平坦化材の前駆体を含む第３のコーティング液を塗布する工程を含む、請求項１４に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
【請求項１６】
前記第３のコーティング液を塗布する際の前記ガラス基板の温度が２００〜６５０℃である、請求項１５に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
【請求項１７】
前記ガラス基板として、溶融ガラスが帯状に成型されたガラスリボンを用いる、請求項１０〜１６のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は散乱層付ガラス基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（エレクトロルミネッセント）素子は、例えばディスプレイ、バックライト、照明等の用途に広く用いられている。一般的な有機ＥＬ素子は、透明基板上に設けられた第１の電極（陽極）と、第２の電極（陰極）と、これらの電極間に設けられた有機発光層を基本的に有する。
特許文献１には、有機発光層で発光した光の取り出し効率を向上させるために、透明基板と第１の電極との間に、ガラスからなるベース材中に気泡が分散された散乱層を設け、該散乱層と第１の電極との間にガラス以外の無機材料からなる光取り出し補助層を設けた構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】国際公開第２０１２／０５７０４３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１における散乱層の厚さは４２μｍ（実施例１）と比較的厚く、素子全体の小型化の点から散乱層をより薄くすることが求められる。
本発明は、良好な光取り出し効率が得られるとともに、散乱層の薄層化を実現できる散乱層付ガラス基板およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は以下の［１］〜［１７］である。
［１］  ガラス基板上に散乱層が設けられ、該散乱層の表面が研磨されている散乱層付ガラス基板であって、前記散乱層が、酸化物からなる透明な連続相と、酸化物粒子とを含み、
前記散乱層の表面の一部または全部が前記連続相の研磨面からなり、前記酸化物粒子の方が前記連続相よりも屈折率が低く、両者の屈折率差が０．３以上であり、前記酸化物粒子の平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ未満であり、前記ガラス基板から前記散乱層の表面までの距離の平均値で表される散乱層の厚さが、前記酸化物粒子の平均粒子径よりも大きく、１０μｍ以下である、散乱層付ガラス基板。
【０００６】
［２］  前記散乱層の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）が２００ｎｍ以下である、［１］に記載の散乱層付ガラス基板。
［３］  前記連続相が酸化スズからなる、［１］または［２］に記載の散乱層付ガラス基板。
［４］  前記酸化物粒子がシリカ粒子である、［１］〜［３］のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板。
［５］  前記散乱層が、前記散乱層の表面において該連続相の凹部に充填された平坦化材をさらに含む、［１］〜［４］のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板。
［６］  前記平坦化材がシリカからなる、［５］に記載の散乱層付ガラス基板。
【０００７】
［７］  ［１］〜［６］のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板と、該散乱層付ガラス基板の散乱層上に設けられた透明電極層を有する、電極層付ガラス基板。
［８］  前記透明電極層の材質がＩＴＯ、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＺＯ、ＡＺＯ、ＧＺＯ、ＮｂドープＴｉＯ２、ＴａドープＴｉＯ２からなる群から選らばれるいずれか１種である、［７］記載の電極層付ガラス基板。
［９］  ［１］〜［６］のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板を備えた光電変換素子。
【０００８】
［１０］  ガラス基板上に散乱層を設ける工程と、該散乱層を研磨する工程を有し、前記散乱層を設ける工程が、ガラス基板上に、酸化物からなる透明な連続相と酸化物粒子とを含む層を設ける工程を含み、前記酸化物粒子の方が前記連続相よりも屈折率が低く、両者の屈折率差が０．３以上であり、前記酸化物粒子の平均粒子径が０．１μｍ以上１０μｍ未満であり、前記散乱層の研磨後の、前記ガラス基板から前記散乱層の表面までの距離の平均値で表される散乱層の厚さが、前記酸化物粒子の平均粒子径よりも大きく、１０μｍ以下である、散乱層付ガラス基板の製造方法。
【０００９】
［１１］  前記連続相と酸化物粒子とを含む層を設ける工程が、前記ガラス基板上に、前記酸化物粒子を含む第１のコーティング液を塗布する工程と、焼成によって前記連続相を構成する酸化物が得られる、酸化物の前駆体を含む第２のコーティング液を塗布する工程を含む、［１０］に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
［１２］  前記第１のコーティング液を塗布する際のガラス基板の温度が２００〜６５０℃である、［１１］に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
［１３］  前記第２のコーティング液を塗布する際のガラス基板の温度が２００〜６５０℃である、［１１］または［１２］に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
【００１０】
［１４］  前記散乱層を設ける工程が、前記連続相と酸化物粒子とを含む層上に、平坦化材からなる平坦化層を形成する工程をさらに含み、前記散乱層を研磨する工程が、前記平坦化層を、前記連続相が露出するまで研磨する工程である、［１０］〜［１３］のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
［１５］  前記平坦化層を形成する工程が、前記連続相と酸化物粒子とを含む層上に、焼成によって前記平坦化材が得られる、平坦化材の前駆体を含む第３のコーティング液を塗布する工程を含む、［１４］に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
［１６］  前記第３のコーティング液を塗布する際の前記ガラス基板の温度が２００〜６５０℃である、［１５］に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
［１７］  前記ガラス基板として、溶融ガラスが帯状に成型されたガラスリボンを用いる、［１０］〜［１６］のいずれか一項に記載の散乱層付ガラス基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、良好な光取り出し効率が得られるとともに、散乱層の薄層化を実現できる散乱層付ガラス基板が得られる。
また散乱層付ガラス基板の散乱層上に設けられた透明電極層を有し、良好な光取り出し効率が得られるとともに、散乱層の薄層化を実現できる電極層付ガラス基板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】試験例のシミュレーションで計算モデルとして用いた有機ＥＬ素子の構成を示す断面図である。
【図２】試験例の結果を示すグラフである。
【図３】試験例の結果を示すグラフである。
【図４】試験例の結果を示すグラフである。
【図５】実施例で得られた散乱層付ガラス基板（研磨前）の断面の走査型電子顕微鏡写真である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本明細書における屈折率は、Ｈｅランプｄ線（波長：５８７．６ｎｍ）を用いて２５℃で測定した屈折率を意味する。屈折率はアッベの屈折率計により測定される。
本明細書における酸化物粒子の平均粒子径は、動的散乱法によって測定される一次粒子径のメジアン径（５０％粒子径）である。
本明細書における散乱層の厚さは、散乱層付ガラス基板の断面を走査型電子顕微鏡にて観察して得られる像（断面像）から計測され、ガラス基板の表面から散乱層の表面（研磨された面）までの距離の、測定視野内での平均値である。該測定視野は、ガラス基板の表面に平行な方向における幅が１２．６μｍ程度の範囲である。
本明細書における、散乱層の表面粗さは、触針式あるいは光波干渉式の表面粗さ計を用いて測定された算術平均粗さ（Ｒａ）である。
本明細書において、透明とは波長４００ｎｍ〜１０００ｎｍでの透過率が９０％以上（吸収による損失が１０％以下）であること意味する。
【００１４】
＜散乱層付ガラス基板＞
本発明の散乱層付ガラス基板は、ガラス基板上に散乱層が設けられており、該散乱層の表面（ガラス基板とは反対側の面）は研磨された研磨面となっている。
散乱層は、酸化物からなる透明な連続相と、酸化物粒子とを含む層である。散乱層の研磨された表面（研磨面）の一部または全部は、連続相が研磨された研磨面からなる。
【００１５】
〔ガラス基板〕
ガラス基板の材料としては、ソーダライムシリカガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノシリケートガラス等が挙げられる。
散乱層付ガラス基板を有機ＥＬ素子用ガラス基板として用いる場合、ガラス基板としては、無アルカリガラス、またはソーダライムシリカガラスにシリカコートしたものが好ましい。
ガラス基板の屈折率は１．４〜１．９が好ましい。該屈折率が１．４以上であると散乱層・ガラス基板界面における屈折率差を小さくでき、１．９以下であると空気・ガラス基板との屈折率差を小さくできる。
ガラス基板の屈折率と、連続相の屈折率との差（屈折率差）を、［ガラス基板の屈折率］−［連続相の屈折率］で定義すると、―０．３〜０．３が好ましく、―０．２５〜０．２５がより好ましい。該屈折率差が上記範囲内であるとガラス基板と連続相との界面における反射光による損失を小さくできる。
ガラス基板の厚さは２ｍｍ以下が好ましく、１ｍｍ以下がより好ましい。２ｍｍ以下であると有機ＥＬ素子自体の厚さを薄くするうえで好ましい。ガラス基板の厚さの下限は特に限定されないが製造性の点で０．００１ｍｍ以上が好ましく、０．００２ｍｍ以上がより好ましい。
【００１６】
ガラス基板は、基板本体と、該基板本体の散乱層が設けられる側の表面に設けられた１層以上の機能層（散乱層は機能層に含まれない。）とからなるものであってもよい。機能層は基板本体の表面の全面を覆うように設けられた層であり、かかる機能層が設けられている場合、ガラス基板の表面から散乱層の表面までの距離は、最外の機能層の表面から散乱層の表面までの距離となる。
かかる機能層としては、アンダーコート層、密着改善層、保護層等が挙げられる。アンダーコート層は、アルカリバリア層やワイドバンドの低屈折率層としての機能を有する。アンダーコート層としては、アルコキシシランまたはその加水分解物（ゾルゲルシリカ）を含むアンダーコート用コーティング液を基板本体の表面全面に塗布することによって形成される層が好ましい。
またガラス基板は、基板本体の散乱層が設けられていない側（散乱層が設けられた側と反対側）に光取り出し効率を向上させるための光学的機能層（または光学的機能を有する形状）を備えたものであってもよい。例えば、基板本体の表面を化学的または物理的に処理し微細な凹凸形状を設けること、マイクロレンズアレイ等の成形体を貼付すること等が挙げられる。
【００１７】
〔散乱層〕
散乱層は、酸化物からなる透明な連続相と酸化物粒子とを含む層である。さらに、連続相の表面に存在する凹部に充填された平坦化材を含んでもよい。また、連続相と酸化物粒子との間に、酸化物粒子と実質的に屈折率差が無い材質からなる層が存在していてもよい。
実質的に屈折率差が無いとは、本発明の効果に対する影響が無視できる程度に屈折率差が小さい（例えば０．０５以下）ことを意味する。
散乱層の厚さは酸化物粒子の平均粒子径より大きく、１０μｍ以下である。
連続相を構成する酸化物は、無機酸化物が好ましく、金属酸化物がより好ましい。
金属酸化物の例としては、酸化チタン（屈折率：２．５）、酸化亜鉛（屈折率：２．０）、酸化スズ（屈折率：２．０）、酸化アルミ（屈折率：１．８）等が挙げられる。これらのうち、透明電極層との屈折率差を小さくしやすい点で酸化スズが特に好ましい。
連続相は酸化物粒子よりも屈折率が高い層（高屈折率層）をなす。後述のように酸化物粒子としてシリカ粒子が好ましく、連続相を構成する酸化物はシリカ粒子より屈折率が高いものが好ましい。
【００１８】
酸化物粒子は酸化物からなる粒子である。該酸化物としては連続相よりも屈折率が低く、その差が０．３以上であるものを用いる。連続相と酸化物粒子との屈折率差が０．３以上であると散乱層が１０μｍ以下と薄い場合に、散乱層を設けることによる光取り出し効率を良好に向上させることができる。該屈折率差が大きいほど光取り出し効率が大きくなる。該屈折率差の上限は特に限定されないが、材料の入手容易性の点から０．９以下が好ましい。
酸化物粒子をなす酸化物の具体例としては、シリカ（酸化ケイ素、屈折率：１．４５）、ジルコニア（ＺｒＯ２）、チタニア（ＴｉＯ２）、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）等が挙げられる。特に散乱効果が良好に得られやすく、比較的安価である点でシリカが好ましい。散乱層に含まれる酸化物粒子は１種でもよく、２種以上の酸化物粒子が含まれていてもよい。
【００１９】
酸化物粒子の形状は特に限定されないが、製造が容易である点から略球状が好ましい。
酸化物粒子の平均粒子径は０．１μｍ以上であり、０．２μｍ以上が好ましい。０．１μｍ以上であると、散乱層を設けることによる光取り出し効率の向上効果が良好に得られる。
一方、本発明において酸化物粒子の平均粒子径は散乱層の厚さよりも小さい。散乱層の厚さは１０μｍ以下であることから、酸化物粒子の平均粒子径の上限は１０μｍ未満であり、ガラス基板を垂直方向から見たときの酸化物粒子の分散状態がより均一になりやすい点からは、５μｍ以下が好ましく、１μｍ以下がより好ましい。
【００２０】
散乱層における酸化物粒子の体積充填率は２０〜６０体積％が好ましい。２０体積％以上であると、散乱層を設けることによる光取り出し効率の向上効果が充分に得られやすい。６０体積％以下であると連続相の体積が十分に確保され、連続相が良好に形成されやすい。体積充填率が高くなるしたがって光取り出し効率は向上する一方、酸化物粒子の量が増えるためコストが増大する。コストの増大を抑えつつ良好な光取り出し効率向上効果が得られやすい点で体積充填率は２０〜５０体積％がより好ましく、２０〜４０体積％がさらに好ましい。
【００２１】
本発明の好ましい一実施態様において、散乱層が、ガラス基板の表面（散乱層が設けられる側の表面）を被覆するように設けられた、酸化物粒子を含む酸化ケイ素膜と、その上に形成された酸化物からなる透明な連続相を有する。かかる実施態様において、散乱層における酸化物粒子の体積充填率は、以下の方法で求められる。
まず着膜効率の目安として、ガラス基板上における酸化物粒子の被覆率を以下のようにして求める。酸化物粒子を含む酸化ケイ素膜において、酸化物粒子は層をなしてガラス基板の表面を覆っているとみなす。
接触段差計（ＡＬＶＡＣ社製、ＤＥＫＴＡＫ１５０）を用い、測定長さ１ｍｍにて酸化物粒子を含有する酸化ケイ素膜の表面の凹凸形状を測定する。測定結果から、酸化物粒子が存在している部分の長さを抜き出し、下式から被覆率を求める。
被覆率（％）＝１００×酸化物粒子が存在している部分の長さ（ｍｍ）／測定長さ（１ｍｍ）。
次に上記定義で求められる被覆率を用いて、「体積充填率＝１００×０．７４×（被覆率）３」により求める。ここで係数０．７４が六方最密構造の場合の充填率７４％からくる値である。
酸化物粒子を含む酸化ケイ素膜において、酸化物粒子が１層をなしている場合は上記式で体積充填率が求められる。該酸化物粒子が２層をなしている場合は、下記式により体積充填率が求められる。「体積充填率＝１００×０．７４×｛（1層目の被覆率）３＋（２層目の被覆率）３｝／２」。
【００２２】
散乱層の表面（ガラス基板側とは反対側の面）は研磨されており、平滑な研磨面となっている。該散乱層の研磨された表面（研磨面）の算術平均粗さ（Ｒａ）は、２００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。表面粗さが上記範囲の上限値を超えると、該散乱面の上に透明電極層や有機ＥＬ素子等を作成した場合に、電極間の短絡などの不具合が生じる恐れがある。該算術平均粗さ（Ｒａ）は小さいほど好ましく、下限値は特に限定されない。Ｒａの下限値は理想的には０（ゼロ）である。製造容易性の点で０．０５ｎｍ以上が好ましく、０．１ｎｍ以上がより好ましい。
【００２３】
（１）散乱層が平坦化材を含まない場合、散乱層の研磨された表面（研磨面）は、ガラス基板上に連続相と酸化物粒子とを含む層を形成した後、この層の表面を研磨して平滑にした面である。研磨面は連続相からなる平滑面であり、酸化物粒子が露出している場合もある。
（２）散乱層をスプレー法を用いて形成した場合など、連続相の表面に凹部が存在する場合は、平坦化材を用いて該凹部を平坦化することが好ましい。具体的には、ガラス基板上に連続相と酸化物粒子を含む層を形成した後、その上に平坦化材からなる平坦化層を形成して連続相の表面に存在する凹部を平坦化材で埋めた後、該平坦化層を、連続相が露出するまで研磨する。この場合の研磨面は、連続相からなる領域のみである場合と、前記連続相からなる領域と、連続相の凹部に充填された平坦化材からなる領域が不規則に混在している場合がある。いずれにおいても酸化物粒子が研磨面に露出している場合もある。
【００２４】
連続相の表面の凹部を平坦化層で埋めた後に研磨することによって、所望の表面粗さにするのに必要な連続相の研磨量を低減させることができる。例えば、連続相の結晶構造が柱状結晶である場合など、連続相が研磨し難い材質である場合には、（２）の方法を用い、平坦化層を研磨しやすい材質で形成することによって、所望の表面粗さを得るための研磨が容易になる。
【００２５】
＜散乱層付ガラス基板の製造方法＞
本発明の散乱層付ガラス基板の製造方法は、ガラス基板上に散乱層を設ける工程と、該散乱層を研磨する工程を有する。
ガラス基板の材料としては上述したものが用いられる。
また本工程におけるガラス基板としてガラス製造工程の途中のガラスリボンを用いてもよい。すなわち、溶融ガラスを帯状のガラスリボンに成形し、該ガラスリボンを徐冷してガラスを製造する方法において、ガラスリボン上に散乱層を設けた後に徐冷してもよい。生産効率が良い点で、ガラスリボン上に散乱層を形成することが好ましい。
【００２６】
〔散乱層を設ける工程〕
ガラス基板上に散乱層を設ける工程は、ガラス基板上に、酸化物からなる透明な連続相と酸化物粒子とを含む層を設ける工程を含む。散乱層が平坦化材を含む場合は、連続相と酸化物粒子とを含む層上に、平坦化材からなる平坦化層を形成する工程をさらに含む。
連続相と酸化物粒子とを含む層を形成する工程は、酸化物粒子を含む第１のコーティング液を塗布する工程と、焼成によって連続相を構成する酸化物が得られる、酸化物の前駆体を含む第２のコーティング液を塗布する工程を含む方法で実施することができる。
例えば、上述の酸化物粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、液状媒体を含む第１のコーティング液をガラス基板上に塗布し、その上に、連続相を構成する酸化物の前駆体と、必要に応じて液状媒体を含む第２のコーティング液を塗布した後、加熱焼成する方法が好ましい。酸化物の前駆体は、これを焼成することにより目的の酸化物が得られる化合物である。
アルコキシシランの加水分解物は酸化ケイ素の前駆体であり、これを焼成することにより酸化ケイ素が得られる。前記第１のコーティング液をガラス基板上に塗布して焼成することにより、ガラス基板上に酸化物粒子を含む酸化ケイ素膜が着膜した状態を得ることができる。
【００２７】
または、連続相と酸化物粒子とを含む層を形成する工程は、連続相を構成する酸化物の前駆体と、上述の酸化物粒子と、必要に応じて液状媒体を、一括して含むコーティング液をガラス基板上に塗布し、これを加熱焼成する方法で実施することもできる。
【００２８】
〔第１のコーティング液〕
第１のコーティング液は、上述の酸化物粒子と、アルコキシシランの加水分解物と、液状媒体を含む。
（アルコキシシランの加水分解物）
アルコキシシランの加水分解物は、アルコキシシランを水および触媒によって加水分解することによって得られるものである。アルコキシシランの加水分解物は、未反応のアルコキシシランを含んでいてもよい。
【００２９】
アルコキシシランとしては、テトラアルコキシシラン（テトラメトキシシラン、テトラエトキシシラン、テトラプロポキシシラン、テトラブトキシシラン等）、モノアルキルトリアルコキシシラン（メチルトリメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、エチルトリメトキシシラン、エチルトリエトキシシラン、プロピルトリメトキシシラン、プロピルトリエトキシシラン等）、ジアルキルジアルコキシシラン（ジメチルジメトキシシラン、ジメチルジエトキシシラン、ジエチルジメトキシシラン、ジエチルジエトキシシラン、ジプロピルジメトキシシラン、ジプロピルジエトキシシラン等）、トリアルキルモノアルコキシシラン（トリメチルメトキシシラン、トリメチルエトキシシラン、トリエチルメトキシシラン、トリエチルエトキシシラン、トリプロピルメトキシシラン、トリプロピルエトキシシラン等）、モノアリールトリアルコキシシラン（フェニルトリメトキシシラン、フェニルトリエトキシシラン等）、ジアリールジアルコキシシラン（ジフェニルジメトキシシラン、ジフェニルジエトキシシラン等）、トリアリールモノアルコキシシラン（トリフェニルメトキシシラン、トリフェニルエトキシシラン等）、ペルフルオロポリエーテル基を有するアルコキシシラン（ペルフルオロポリエーテルトリエトキシシラン等）、ペルフルオロアルキル基を有するアルコキシシラン（ペルフルオロエチルトリエトキシシラン等）、ビニル基を有するアルコキシシラン（ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等）、エポキシ基を有するアルコキシシラン（２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン等）、アクリロイルオキシ基を有するアルコキシシラン（３−アクリロイルオキシプロピルトリメトキシシラン等）等が挙げられる。
【００３０】
アルコキシシランとしては、加水分解速度が速く生産性が高い等の点から、テトラアルコキシシランが好ましく、テトラエトキシシラン、テトラメトキシシランがより好ましい。
【００３１】
アルコキシシランの加水分解は、水および触媒として酸またはアルカリを用いて行う。酸としては、無機酸（硝酸、硫酸、塩酸等）、有機酸（ギ酸、しゅう酸、酒石酸、クエン酸、モノクロル酢酸、ジクロルム酢酸、トリクロル酢酸等）が挙げられる。アルカリとしては、アンモニア、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。触媒としては、長期保存性の点から、酸が好ましい、また、触媒としては、酸化物粒子の分散を妨げないものが好ましい。
【００３２】
（液状媒体）
第１のコーティング液の液状媒体としては、水および（ポリ）エチレングリコールのいずれか一方または両方を用いる。水および（ポリ）エチレングリコール以外の液状媒体を用いた場合、酸化物粒子を含む酸化ケイ素膜がガラス基板上に着膜しない、または酸化物粒子を含むケイ素膜の着膜効率が著しく低下する。
【００３３】
第１のコーティング液の液状媒体としては、アルコキシシランの加水分解に水が必要である点から、水のみ、または水と（ポリ）エチレングリコールとの混合物が好ましい。また、酸化物粒子を含有する酸化ケイ素膜の着膜効率がよい点から、（ポリ）エチレングリコールと必要最小限の水との混合物が特に好ましい。
（ポリ）エチレングリコールとしては、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール、分子量３００以下のポリエチレングルコール等が挙げられ、酸化物粒子を含有する酸化ケイ素膜の着膜効率がよい点から、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコールが好ましく、テトラエチレングリコールが特に好ましい。
第１のコーティング液は、本発明の効果を損なわない範囲内で、水および（ポリ）エチレングリコール以外の液状媒体を含んでいてもよい。
【００３４】
（第１のコーティング液の組成）
第１のコーティング液の固形分濃度（第１のコーティング液中の酸化物粒子およびアルコキシシランの加水分解物の合計の濃度）は、酸化物粒子を含む酸化ケイ素膜の着膜効率および第１のコーティング液の粘度（取扱性）の点から、０．３〜７０質量％が好ましく、３〜２５質量％がより好ましい。
【００３５】
酸化物粒子の割合は、第１のコーティング液の固形分（第１のコーティング液中の酸化物粒子およびアルコキシシランの加水分解物の合計）の１００質量％のうち、１〜６０質量％が好ましく、３〜３０質量％がより好ましい。酸化物粒子の割合が１質量％以上であれば、酸化物粒子に由来する機能が充分に発揮される。酸化物粒子の割合が６０質量％以下であれば、酸化物粒子が凝集することが抑制され、酸化物粒子が均一に分散した膜が得られる。
【００３６】
アルコキシシランの加水分解物（ＳｉＯ２換算固形分）の割合は、第１のコーティング液の固形分（第１のコーティング液中の酸化物粒子およびアルコキシシランの加水分解物の合計）の１００質量％のうち、４０〜９９質量％が好ましく、７０〜９７質量％がより好ましい。アルコキシシランの加水分解物の割合が４０質量％以上であれば、酸化物粒子を高効率で着膜させることができる。アルコキシシランの加水分解物の割合が９９質量％以下であれば、酸化物粒子に由来する機能が充分に発揮される。
【００３７】
〔第２のコーティング液〕
第２のコーティング液は、金属酸化物の前駆体と、必要に応じて液状媒体とを含むものである。
【００３８】
（金属酸化物の前駆体）
金属酸化物の前駆体としては、下記のものが挙げられる。
酸化チタンの前駆体：チタニウムアルコキシド、酢酸チタン、チタニウムオキシアセチルアセトナート、チタニウムアセチルアセトナート、エチレンジアミン四酢酸チタン、エチルヘキサン酸チタン、安息香酸チタン、乳酸チタン、硫化チタン、フッ化チタン、塩化チタン、臭化チタン、ヨウ化チタン等。
酸化亜鉛の前駆体：酢酸亜鉛、亜鉛アセチルアセトナート、エチレンジアミン四酢酸亜鉛、エチルヘキサン酸亜鉛、オクタデカン酸亜鉛、安息香酸亜鉛、ナフテン酸亜鉛、乳酸亜鉛、硫化亜鉛、ほう酸亜鉛、炭酸亜鉛、フッ化亜鉛、塩化亜鉛、臭化亜鉛、ヨウ化亜鉛等。
酸化スズの前駆体：酢酸スズ、ジブチルスズジアセテート、スズアセチルアセトナート、エチレンジアミン四酢酸スズ、エチルヘキサン酸スズ、硫化スズ、フッ化スズ、塩化スズ、臭化スズ、ヨウ化スズ等。
酸化アルミの前駆体：アルミニウムアルコキサイド、アルミニウムアセチルアセトネート、酢酸アルミニウム、乳酸アルミニウム、オクタデカン酸アルミニウム、ステアリン酸アルミニウム、ラウリン酸アルミニウム、塩化アルミニウム、臭化アルミニウム、ヨウ化アルミニウム、フッ化アルミニウム、硫酸アルミニウム、硝酸アルミニウム、リン酸アルミニウム等。
【００３９】
（液状媒体）
第２のコーティング液の液状媒体は、金属酸化物の前駆体に応じて、適宜選択すればよい。
【００４０】
（第２のコーティング液の組成）
第２のコーティング液の固形分濃度（第２のコーティング液中の金属酸化物の前駆体の濃度）は、金属酸化物の前駆体に応じて、適宜選択すればよい。
【００４１】
（コーティング液の塗布方法）
第１のコーティング液または第２のコーティング液の塗布方法としては、生産効率の点から、コーティング液を、ノズル（スプレーガン等）を用いて噴霧するスプレー法が好ましい。
スプレー法による具体的な塗布方法としては、下記の方法（ｉ）、（ii）等が挙げられ、工程数が少なく、高い生産効率が得られやすい点から、方法（ii）が好ましい。
【００４２】
（ｉ）固定されたガラス基板の上方でノズルを移動させながら、ノズルからガラス基板にコーティング液を噴霧する方法。
（ii）本工程におけるガラス基板がガラスリボンであり、一方向に移動しているガラスリボンに、ノズルからコーティング液を噴霧する方法。
【００４３】
（焼成方法）
第１のコーティング液または第２のコーティング液の焼成方法は、（ａ）ガラス基板（またはガラスリボン）を焼成温度以上に加熱しておき、コーティング液を塗布すると同時に焼成する方法であってもよく、（ｂ）焼成温度より低温のガラス基板上にコーティング液を塗布した後、加熱を開始して焼成する方法でもよい。
（ａ）の場合、コーティング液を塗布する際のガラス基板の温度は、例えば２００〜６５０℃が好ましく、３００〜６００℃がより好ましい。
ガラス基板の温度が２００℃以上であれば、短時間で目的の焼成を行うことができ、良好な生産性が得られやすい。焼成のための加熱は６５０℃以下で十分である。
また、本工程におけるガラス基板がフロート法で製造されるガラスリボンである場合、フロートバス中で溶融ガラスを成形して得られたガラスリボンに対し、フロートバスと徐冷工程との間または徐冷工程中において、ガラスリボンが２００〜６５０℃の温度範囲にある位置にてコーティング液を噴霧することが好ましい。フロートバス直後の位置のガラスリボンの温度は、ガラス組成にもよるが、通常６５０℃程度であり、フロートバスを出たガラスリボンは徐冷され（徐冷工程）、４００℃以下に冷却される。
【００４４】
（ｂ）の場合、ガラス基板上に第１のコーティング液を塗布、焼成して酸化物粒子を含む酸化ケイ素膜を形成した後、その上に第２のコーティング液を塗布して焼成する方法でもよい。または、ガラス基板上に第１のコーティング液を塗布し、これを焼成する前に、第２のコーティング液を塗布し、その後に焼成を行って両コーティング液を同時に焼成する方法であってもよい。
【００４５】
〔平坦化層を設ける工程〕
連続相の表面の凹部を平坦化材で埋める場合は、平坦化材（好ましくは酸化ケイ素（シリカ））の前駆体と、必要に応じて液状媒体を含む第３のコーティング液を、連続相と酸化物粒子とを含む層上に塗布して焼成することによって平坦化層を形成することが好ましい。平坦化材の前駆体は、これを焼成することにより目的の平坦化材が得られる化合物である。
第３のコーティング液に液状媒体を用いる場合、該液状媒体は焼成によって除去されるものであればよく、特に限定されない。例えば水、２−プロパノール、ジメチルホルムアミド、ノルマルヘキサン、ノルマルデカン等を用いることができる。
【００４６】
平坦化材が酸化ケイ素（シリカ）である場合、酸化ケイ素の前駆体としては、オルガノポリシロキサン（シリコーンオイル等）、アルコキシシランの加水分解物等を用いることができる。塗着効率の点からはオルガノポリシロキサンが好ましい。
オルガノポリシロキサンの具体例としてはジメチルシリコーンオイル、メチルハイドロジェンシリコーンオイル、エポキシ変性シリコーンオイル、カルボキシル変性シリコーンオイル、長鎖アルキル変性シリコーンオイル、ポリエーテル変性シリコーンオイル等が挙げられる。
アルコキシシランの加水分解物は、上述の第１のコーティング液におけるアルコキシシランの加水分解物と同様である。
【００４７】
第３のコーティング液の固形分濃度（平坦化材の濃度）は特に限定されないが、塗着効率の点からは１０質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましい。該固形分濃度の上限は材料取り扱いの点からは９０質量％以下が好ましく、８０質量％以下がより好ましい。
第３のコーティング液の塗布方法としては、平坦化層を薄く形成しやすい点で、ノズル（スプレーガン等）を用いて噴霧するスプレー法が好ましい。
スプレー法による具体的な塗布方法としては、上述した方法（ｉ）、（ii）等が挙げられ、工程数が少なく、高い生産効率が得られやすい点から、方法（ii）が好ましい。
【００４８】
第３のコーティング液の焼成は、（ｃ）ガラス基板を焼成温度以上に加熱しておき、第３のコーティング液を塗布すると同時に焼成する方法であってもよく、（ｄ）焼成温度よりも低温のガラス基板上に第３のコーティング液を塗布した後、加熱を開始して焼成する方法でもよい。
（ｃ）の場合、第３のコーティング液を塗布する際のガラス基板の温度は、例えば２００〜６５０℃が好ましく、３００〜６００℃がより好ましい。
ガラス基板の温度が２００℃以上であれば短時間で焼成でき、良好な生産性が得られやすい。焼成のための加熱は６５０℃以下で十分である。
【００４９】
また、第１〜第３のコーティング液の塗布および焼成は、ガラス基板上に第１のコーティング液および第２のコーティング液を塗布、焼成して連続相と酸化物粒子とを含む層を形成した後、その上に第３のコーティング液を塗布して焼成する方法でもよい。または、ガラス基板上に第１のコーティング液および第２のコーティング液を塗布し、これを焼成する前に、第３のコーティング液を塗布し、その後に焼成を行って全コーティング液を同時に焼成する方法であってもよい。
【００５０】
また、本工程におけるガラス基板がフロート法で製造されるガラスリボンである場合、フロートバス中で溶融ガラスを成形して得られたガラスリボンに対し、フロートバスと徐冷工程との間または徐冷工程中において、ガラスリボンが２００〜６５０℃の温度範囲にある位置にて、前記第１のコーティング液および第２のコーティング液を噴霧し、続いて第３のコーティング液を噴霧することが好ましい。
第２のコーティング液を噴霧した後、第３のコーティング液を噴霧するタイミングは特に限定されず、第２のコーティング液を噴霧した直後に第３のコーティング液を噴霧してもよい。
【００５１】
〔研磨工程〕
このようにして、ガラス基板上に散乱層として連続相と酸化物粒子とを含む層が形成された積層体を得た後、該連続相と酸化物粒子とを含む層を研磨することにより、散乱層付ガラス基板が得られる。
またはガラス基板上に連続相と酸化物粒子とを含む層が形成され、その上に平坦化層が形成された積層体を得た後、該平坦化層を連続相が露出するまで研磨することにより、散乱層付ガラス基板が得られる。
ガラス基板としてガラスリボンを用いた場合は、徐冷工程を経て冷却されたガラス基板に対して、または冷却後、適宜の大きさに切断されたガラス基板に対して研磨を行う。冷却後のガラス基板の温度は６０℃以下が好ましい。
【００５２】
研磨方法は、上述した平滑な研磨面が得られる方法であればよく、公知の研磨方法を適宜用いることができる。
例えば、コロイダルシリカあるいは酸化セリウム等を遊離砥粒とする研磨剤を用いて研磨する方法、ダイヤモンド粒子等を固定した研磨定盤を用いて研磨する方法、市販の研磨テープ等を用いて研磨する方法などを用いることができる。
【００５３】
〔電極層付ガラス基板〕
本発明の電極層付ガラス基板は、散乱層付ガラス基板の散乱層上に透明電極層（以下、単に電極層ということもある。）を設けたものである。
透明電極層は公知の材料を用いて形成することができる。例えば、ＩＴＯ（酸化インジウムスズ）、ＳｎＯ２、ＺｎＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）、ＡＺＯ（ＺｎＯ−Ａｌ２Ｏ３、アルミニウムがドーピングされた亜鉛酸化物）、ＧＺＯ（ＺｎＯ−Ｇａ２Ｏ３、ガリウムがドーピングされた亜鉛酸化物）、ＮｂドープＴｉＯ２、ＴａドープＴｉＯ２等が挙げられる。これらのうち、特に成膜性の点でＩＴＯが好ましい。透明電極層は、２種以上の材料を用いて形成される積層膜であってもよい。
電極層の厚さは特に限定されないが、例えば５０ｎｍ以上である。５０ｎｍ以上であると電気抵抗を低く抑えやすい。
電極層の屈折率は例えば１．７〜２．２である。電極層と、散乱層の連続相との屈折率差は、これらの界面での反射を抑えて光の取り出し効率を向上させるためには０．３以下が好ましく、０．２以下がより好ましい。
【００５４】
〔用途〕
本発明の散乱層付ガラス基板またはこれを備えた電極層付ガラス基板は、ガラス基板を介して光を取り出す構成、またはガラス基板を介して受光する構成を有する光電変換素子に好適である。
かかる光電変換素子の例としては、有機ＥＬ（エレクトロルミネッセント）を用いた有機発光ダイオード（有機ＥＬ素子）、太陽電池等が挙げられる。
【００５５】
〔作用効果〕
本発明によれば、散乱層の厚さが１０μｍ以下と薄いにもかかわらず、光取り出し効率が良好な散乱層付ガラス基板、およびこれを用いた光電変換素子を得ることができる。
すなわち後述の試験例の図２に示されるように、散乱層における酸化物粒子と連続相との屈折率差によって取り出し量の膜厚依存性が異なり、厚さが１０μｍ以下と薄い本発明の散乱層の場合には、屈折率差を大きくすることによって取り出し量を増大させることが可能である。
【実施例】
【００５６】
以下に実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
下記試験例１〜３および比較試験例１は、散乱層付ガラス基板を用いて有機ＥＬ素子を構成したときに得られる特性を、光学シミュレーションを用いて評価した例である。
光学シミュレーションには光線追跡法（ソフト名：「ＬｉｇｈｔＴｏｏｌｓ」、ＣＹＢＥＲＮＥＴ社製）を用いた。計算手法は以下の通りである。散乱層の屈折率、酸化物粒子の屈折率および粒径からＭｉｅ散乱理論によって散乱の位相関数、すなわち１つの粒子により光が散乱する際に生じる散乱光の角度分布を求める。これにより散乱光強度に応じた確率で光は粒子により散乱すると計算される。その後、酸化物粒子の粒子密度を入力することにより、光がある一つの粒子で散乱した後、どの程度の距離進めば次の粒子で散乱するか（平均自由工程と呼ばれる。）が定まり、また入力した散乱層の厚みに光の透過方向の進行距離が到達した時点で散乱層の計算は終了する。
【００５７】
有機ＥＬ素子の構成は、図１に示す計算モデルとした。図１において符号１はガラス基板、２は散乱層、３は第一電極層、４は有機発光層、５は第二電極層をそれぞれ示す。有機発光層４は、発光層４ａとその周囲に設けられた有機層４ｂとからなる。ガラス基板１の散乱層とは反対側の面１ａが光取り出し面である。
各層の厚み、屈折率は以下の表１の通りである。なお、表中記載のない「−」は以下の試験例で変化させる項目であることを示す。
本例で用いた光学シミュレーションの手法では、散乱層２は、連続相と該連続相中に均一に存在する酸化物粒子（図示せず）とからなる。例えば、図１中矢印で示すように、有機発光層４側から散乱層２に入射された光が１個の酸化物粒子に当たると１回屈折を生じるとして計算される。
シミュレーション条件は、発光層４ａから合計１Ｗの光が出射され、ガラス基板１の光取り出し面１ａから出射した光の総エネルギー量を、取り出し光量（単位：Ｗ）として計算した。
【００５８】
【表１】
2014097903.tif 000003
【００５９】
＜試験例１：取り出し光量の膜厚依存性＞
散乱層の酸化物粒子が、粒子径０．５μｍのシリカ粒子（屈折率１．４５）であるときの、散乱層の膜厚（単位：μｍ）と取り出し光量（単位：Ｗ）との関係を調べた。いずれの膜厚の場合も体積充填率は２０体積％とした。結果を図２に示す。散乱層の膜厚がゼロのときの値は、散乱層がない場合の値を意味する（以下、同様）。
＜比較試験例１＞
試験例１において、散乱層の酸化物粒子を粒子径０．５μｍのアルミナ粒子（屈折率１．８０）に変更したほかは、試験例１と同様にシミュレーションを行った。結果を図２に示す。
【００６０】
図２の結果より、散乱層の酸化物粒子がシリカ粒子（散乱層の連続相と酸化物粒子との屈折率差が０．５５）である試験例１では、散乱層の膜厚が３〜５μｍ付近において取り出し光量が最も高く、膜厚が大きくなるにしたがって低下する。
一方、散乱層の酸化物粒子がアルミナ粒子（散乱層の連続相と酸化物粒子との屈折率差が０．２）である比較試験例１では、散乱層の膜厚が大きくなるにしたがって取り出し光量が増大する。
そして膜厚が１０μｍ以下の範囲において、試験例１の方が比較試験例１よりも取り出し光量が高く、膜厚が１０μｍを超える範囲では、比較試験例１の方が取り出し光量が高い。
【００６１】
＜試験例２：取り出し光量の粒子径依存性＞
散乱層の酸化物粒子がシリカ粒子（屈折率１．４５）であるとき、酸化物粒子の粒子径（単位：μｍ）と取り出し光量（単位：Ｗ）との関係を調べた。
いずれの粒子径の場合も散乱層の膜厚は１．００１μｍ、体積充填率は４０体積％とした。結果を図３に示す。粒子径がゼロのときの値は、散乱層が連続相のみからなる場合の値を意味する。
図３の結果より、シリカ粒子の粒子径が０．０５μｍの場合は、シリカ粒子を含む散乱層を設けることによる取り出し光量の増え方は小さいが、シリカ粒子の粒子径が０．１μｍ〜０．２μｍにかけて大きくなるにしたがって取り出し光量が増大し、０．２μｍのときが取り出し光量が最も高い。シリカ粒子の粒子径が０．２μｍ〜１μｍの範囲では取り出し光量はほぼ横ばいで０．４Ｗ以上の高い値が維持される。
【００６２】
＜試験例３：取り出し光量の屈折率差依存性＞
散乱層の酸化物粒子の屈折率が１．０〜２．０の範囲（連続相との屈折率差が０〜１．０の範囲）で変化するときの、取り出し光量（単位：Ｗ）の値を調べた。酸化物粒子の粒子径は０．１μｍ、０．４μｍ、０．５μｍ、１μｍの４通りとした。いずれの場合も散乱層の膜厚は１．００１μｍ、体積充填率は３０体積％とした。結果を図４に示す。
図４の結果より、いずれの粒子径においても屈折率差が大きいほど取り出し光量は増大する傾向にあることがわかる。
【００６３】
＜実施例１：散乱層付ガラス基板の製造＞
まず、散乱層を形成するための第１のコーティング液を調製した。すなわち、テトラエチレングリコールに、テトラエトキシシラン（関東化学社製、ＳｉＯ２換算固形分：９９．９質量％）を、第１のコーティング液中３０質量％となるように加え、さらに硝酸（７０質量％水溶液）を、第１のコーティング液中０．３５質量％となるように加え、１時間撹拌した。次いで、シリカゾル（日産化学工業製、ＭＰ−４５４０Ｍ、平均一次粒子径：４５０ｎｍ、固形分：４０．７質量％、媒体：水）を、第１のコーティング液中２．５２．０質量％となるように加え、５〜１０分撹拌し、ＳｉＯ２換算固形分濃度：９．６５質量％、固形分中のシリカ粒子の割合：１０．４質量％、固形分中のアルコキシシランの加水分解物（ＳｉＯ２換算固形分）の割合：８９．６質量％である第１の第コーティング液を得た。
これとは別に第２のコーティング液を調製した。すなわち、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドに、ジブチルスズジアセテート（酸化スズ前駆体）を、第２のコーティング液中２０質量％となるように加え、１０分間撹拌し、第２のコーティング液を得た。
【００６４】
また、平坦化層を形成するための第３のコーティング液を調製した。すなわちノルマルデカンに、長鎖アルキル変性シリコーンオイル（信越シリコーン社製、製品名：ｘ−２２−７３２２、）を第３のコーティング液中７０質量％となるように加え、５〜１０分撹拌して第３のコーティング液を得た。
【００６５】
塗布装置としては、ＫＭ−１００（ＳＰＤ研究所社製）を用いた。ガラス基板としては、縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ×厚さ４ｍｍの高透過ガラス（旭硝子社製）を用いた。
ガラス基板をステージ上に載置し、ステージ裏面側にステージと非接触でヒーターを設置した。ヒーターの放射熱により、ステージを介してガラス基板を６００℃に加熱した。
ガラス基板の温度は、ガラス基板の一側面に熱伝対を接触させることにより測定した。スプレーガンで第１のコーティング液を噴霧する前にガラス基板を充分な時間加熱したため、ここで測定された温度はガラス基板の表面温度とほぼ同じとみなしてよい。
このようにしてガラス基板を６００℃まで昇温した後、ガラス基板の上方に配置したスプレーガンからガラス基板上に第１のコーティング液を噴霧した。スプレーガンから第１のコーティング液を噴霧する際、送液速度が０．３５ｍＬ／秒となるようにスプレーガンへの送液圧力を調節し、噴霧圧力は１ＭＰａとした。塗布時間は１５秒とした。なお、ステージ、ガラス基板、スプレーガンは防爆装置で囲われた状態で噴霧を行い、雰囲気温度は調整しなかった。こうして、ガラス基板上にシリカ粒子を含有する酸化ケイ素膜を形成した。
【００６６】
次いで、シリカ粒子を含有する酸化ケイ素膜を形成した直後のガラス基板を６００℃に維持したまま、該酸化ケイ素膜上に、ガラス基板の上方に配置したスプレーガンから第２のコーティング液を噴霧した。スプレーガンから第２のコーティング液を噴霧する際、送液速度が０．３５ｍＬ／秒となるようにスプレーガンへの送液圧力を調節し、噴霧圧力は１ＭＰａとした。塗布時間は２０秒とした。こうしてシリカ粒子を含有する酸化ケイ素膜上に、酸化スズ層（連続相）を形成した。
続いて、前記酸化スズ層を形成した直後のガラス基板を６００℃に維持したまま、ガラス基板の上方に配置したスプレーガンから該酸化スズ層上に第３のコーティング液を噴霧した。スプレーガンから第３のコーティング液を噴霧する際、送液速度が０．３５ｍＬ／秒となるようにスプレーガンへの送液圧力を調節し、噴霧圧力は１ＭＰａとした。塗布時間は２０秒とした。
こうして、シリカ粒子（屈折率１．４５）と、酸化ケイ素膜（屈折率１．４５）と、酸化スズ（屈折率１．９）の連続相とからなる層の上に、酸化ケイ素（シリカ）からなる平坦化層が形成された積層物を得た。
図５は、得られた積層物の断面を走査型電子顕微鏡にて観察して得られる像の写真である。この断面像より、ガラス基板の表面から、シリカ粒子と酸化ケイ素膜と連続相とからなる層の表面までの距離（凹凸頂点までの高さ）の平均値（厚さ）を測定したところ０．７μｍであった。またガラス基板の表面から平坦化層の表面までの距離の平均値を測定したところ１．０μｍであった。したがって平坦化層の厚さは０．３μｍである。
【００６７】
次いで、前記積層物の平坦化層を、連続相の一部が露出するまで下記の条件で研磨して、表面が研磨された散乱層を形成した。こうして散乱層付ガラス基板を得た。
本例では、上記で得た積層物（縦１０ｃｍ×横１０ｃｍ）を、縦５ｃｍ×横５ｃｍの大きさに分割したものを研磨対象のサンプルとした。
（研磨条件）
研磨機：卓上小型ラッピングマシーンＮＦ−３００（ナノファクター社製）、
研磨パッド：スエードパッドＨ７０００（フジボウ愛媛社製）、
研磨液：コロイダルシリカ研磨剤コンポール８０（フジミインコーポレーテッド社製）と純水を１：１（体積比）の割合で混合、さらに硝酸でｐＨ＝２に調整したもの、
研磨圧：５ｋＰａ、
プラテン（定盤）回転数：２０ｒｐｍ、
研磨液供給速度：１０ミリリットル／分、
研磨時間：１２０分、
サンプルの保持方法：セラミックス製の保持板に水張りパッド（フジボウ愛媛社製）、を用いてサンプルを保持させた。
【００６８】
こうして得られた散乱層付ガラス基板の厚みについては、研磨前のガラス基板の表面から平坦化層の表面までの距離が１．０μｍであり、上記研磨条件における研磨速度が約０．００３μｍであることから推察して、研磨後の散乱層の厚さは約０．６４μｍであると考えられる。該散乱層の研磨面の表面粗さ（Ｒａ）は５０ｎｍであった。
【００６９】
得られた散乱層付ガラス基板における光取り出し効率の向上効果を下記の方法で評価した。
まず、散乱層付ガラス基板の表面（研磨面）に、発光剤であるトリス（８−キノリノラト）アルミニウム錯体を真空蒸着で膜厚２００ｎｍに成膜した。ＵＶランプ（波長３６５ｎｍ）からの出射光を、散乱層付ガラス基板に、発光剤からなる膜が形成された面から入射させ、反対側のガラス基板表面（ガラス基板の散乱層が設けられている側とは反対側の表面）の輝度Ａ（ｃｄ／ｍ２）を、輝度計（ＭＩＮＯＬＴＡ社製、製品名：ＬＳ−１１０）を用いて測定した。
参照として、散乱層を有さないほかは同じであるガラス板について、同条件でＵＶランプ光を入射させたときの輝度Ｂ（ｃｄ／ｍ２）を測定した。輝度Ａを輝度Ｂで除した値を光取り出し量の向上倍率とする。該向上倍率の値が大きいほど、散乱層を設けたことによる光取り出し効率の向上効果が高いことを示す。
結果を表２に示す。
【００７０】
【表２】
2014097903.tif 000004
【００７１】
＜実施例２＞
実施例１において、シリカ粒子径を変えて散乱層付ガラス基板を製造した。
すなわち、第１のコーティング液において、シリカゾル（日産化学工業社製、製品名：ＭＰ−２０４０、平均一次粒子径：０．１９μｍ、固形分濃度：４０質量％、媒体：水）を、コーティング液中２．５質量％となるように加えた。
その他は実施例１と同様にして、シリカ粒子（屈折率１．４５）と、酸化ケイ素膜（屈折率１．４５）と、酸化スズ（屈折率１．９）の連続相とからなる層の上に、酸化ケイ素（シリカ）からなる平坦化層が形成された積層物を得た。
ガラス基板の表面から、シリカ粒子と酸化ケイ素膜と連続相とからなる層の表面までの距離（凹凸頂点までの高さ）の平均値（厚さ）は０．３３μｍであった。またガラス基板の表面から平坦化層の表面までの距離の平均値は０．７４であった。したがって平坦化層の厚さは０．３μｍである。
これを、実施例１と同様にして研磨処理して散乱層付ガラス基板を得た。
上記研磨条件における研磨速度から推察して、研磨後の散乱層の厚さは約０．３８μｍであると考えられる。該散乱層の研磨面の表面粗さ（Ｒａ）は４０ｎｍであった。
実施例１と同様にして光取り出し量の向上倍率を測定した。結果を表３に示す。
【００７２】
【表３】
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【００７３】
表２、３に示されるように、散乱層の厚さが約０．６４μｍ、０．３８μｍと薄いにも関わらず、良好な光取り出し効率が得られる。
【符号の説明】
【００７４】
１  ガラス基板、
２  散乱層、
３  第一電極層、
４  有機発光層、
４ａ  発光層、
４ｂ  有機層、
５  第二電極層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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