(57)【要約】【課題】  被処理体に対して均一かつ効率のよい加熱処理を行うことが可能なマイクロ波加熱処理装置および処理方法を提供する。【解決手段】  マイクロ波加熱処理装置１の支持装置４は、処理容器２の底部１３のほぼ中央を貫通して処理容器２の外部まで延びる管状のシャフト１４と、シャフト１４の上端付近においてほぼ水平方向に設けられた誘電体板１５と、誘電体板１５の周縁部に着脱可能に装着された支持部材としての複数の支持ピン１６と、回転駆動部１７と、昇降駆動部１８と、を有している。誘電体板１５は、ウエハＷと離間した状態でウエハＷと処理容器２の底部１３との間に介在し、ウエハＷの下方におけるマイクロ波の状態を変化させることによってウエハＷへのマイクロ波吸収を促進する。【選択図】図１
2014027039.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上壁、底壁及び側壁を有し、被処理体を収容する処理容器と、
前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、
前記処理容器内で被処理体に当接してこれを支持する複数の支持部材と、
前記支持部材によって支持された状態の被処理体と前記底壁との間に、前記被処理体に離間した状態で配置される誘電体部材と、
を備えたマイクロ波加熱処理装置。
【請求項２】
前記誘電体部材は、前記底壁に離間した状態で配置されている請求項１に記載のマイクロ波加熱処理装置。
【請求項３】
前記複数の支持部材は、前記誘電体部材に装着されている請求項１又は２に記載のマイクロ波加熱処理装置。
【請求項４】
前記被処理体及び前記誘電体部材は、共に円板状をなし、前記誘電体部材の直径が、少なくとも被処理体の直径以上である請求項３に記載のマイクロ波加熱処理装置。
【請求項５】
前記複数の支持部材を水平方向に円運動させる回転機構をさらに備えた請求項１から４のいずれか１項に記載のマイクロ波加熱処理装置。
【請求項６】
前記複数の支持部材が被処理体を支持する高さ位置を可変に調節する高さ位置調節機構をさらに備えた請求項１から５のいずれか１項に記載のマイクロ波加熱処理装置。
【請求項７】
前記底壁から前記被処理体までの高さＨに対し、前記底壁と前記被処理体との間の空間に生成する定在波の波長λ０が、Ｈ＝ｎ×λ０／２（ここで、ｎは正の整数を意味する）の関係になるように、前記誘電体部材を設ける請求項１から６のいずれか１項に記載のマイクロ波加熱処理装置。
【請求項８】
前記誘電体部材の表面に、厚さ１０〜５００ｎｍの範囲内の金属材料の薄膜を有している請求項１から７のいずれか１項に記載のマイクロ波加熱処理装置。
【請求項９】
前記処理容器の上壁は、前記マイクロ波導入装置において生成された前記マイクロ波を前記処理容器に導入する複数のマイクロ波導入ポートを有している請求項１から８のいずれか１項に記載のマイクロ波加熱処理装置。
【請求項１０】
上壁、底壁及び側壁を有し、被処理体を収容する処理容器と、
前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、
前記処理容器内で被処理体に当接してこれを支持する複数の支持部材と、
前記支持部材によって支持された状態の被処理体と前記底壁との間に、前記被処理体に離間した状態で配置される誘電体部材と、
を備えたマイクロ波加熱処理装置を用いて前記被処理体を加熱処理する処理方法。
【請求項１１】
前記支持部材により支持した前記被処理体を回転させながら加熱処理する請求項１０に記載の処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波を処理容器に導入して所定の処理を行うマイクロ波加熱処理装置およびこのマイクロ波加熱処理装置を用いて被処理体を加熱処理する処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩデバイスやメモリデバイスの微細化が進むに伴い、トランジスタ作製工程における拡散層の深さが浅くなっている。従来、拡散層に注入されるドーピング原子の活性化は、ランプヒーターを用いるＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）と呼ばれる急速加熱処理により行われてきた。しかし、ＲＴＡ処理では、ドーピング原子の拡散が進むため、拡散層の深さが許容範囲を超えて深くなってしまい、微細設計の障害となるという問題が生じていた。拡散層の深さのコントロールが不完全であると、リーク電流の発生などデバイスの電気的特性を低下させてしまう要因となる。
【０００３】
近年、半導体ウエハに対して熱処理を施す装置として、マイクロ波を使用する装置が提案されている。マイクロ波加熱を利用してドーピング原子の活性化を行う場合、マイクロ波がドーピング原子に直接作用することから、余剰加熱が起こらず、拡散層の拡がりを抑制できるという利点がある。
【０００４】
マイクロ波を利用した加熱装置として、例えば、特許文献１では、半導体ウエハを支持する回転可能な支持台と、半導体ウエハを加熱するための電磁波照射部とを備えた有機物剥離装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１５６０４９号公報（例えば、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
マイクロ波は、波長が数十ミリと長く、しかも、処理容器内で定在波を形成しやすいという特徴を有している。そのため、例えば半導体ウエハをマイクロ波で加熱処理する場合、半導体ウエハの面内で電磁界の強弱に分布が生じ、加熱温度の不均一が生じやすいという問題があった。また、半導体ウエハへのマイクロ波の吸収効率が低いため、加熱が不十分になりやすく、電力の有効利用という面でも問題があった。
【０００７】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、被処理体に対して均一かつ効率のよい加熱処理を行うことが可能なマイクロ波加熱処理装置および処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明のマイクロ波加熱処理装置は、上壁、底壁及び側壁を有し、被処理体を収容する処理容器と、
前記被処理体を加熱処理するためのマイクロ波を生成して前記処理容器に導入するマイクロ波導入装置と、
前記処理容器内で被処理体に当接してこれを支持する複数の支持部材と、
前記支持部材によって支持された状態の被処理体と前記底壁との間に、前記被処理体に離間した状態で配置される誘電体部材と、
を備えている。
【０００９】
本発明のマイクロ波加熱処理装置において、前記誘電体部材は、前記底壁に離間した状態で配置されていてもよい。
【００１０】
本発明のマイクロ波加熱処理装置において、前記複数の支持部材は、前記誘電体部材に装着されていてもよい。この場合、前記被処理体及び前記誘電体部材は、共に円板状をなし、前記誘電体部材の直径が、少なくとも被処理体の直径以上であってもよい。
【００１１】
本発明のマイクロ波加熱処理装置は、前記複数の支持部材を水平方向に円運動させる回転機構をさらに備えていてもよい。
【００１２】
本発明のマイクロ波加熱処理装置は、前記複数の支持部材が被処理体を支持する高さ位置を可変に調節する高さ位置調節機構をさらに備えていてもよい。
【００１３】
本発明のマイクロ波加熱処理装置は、前記底壁から前記被処理体までの高さＨに対し、前記底壁と前記被処理体との間の空間に生成する定在波の波長λ０が、Ｈ＝ｎ×λ０／２（ここで、ｎは正の整数を意味する）の関係になるように、前記誘電体部材を設けるものであってもよい。
【００１４】
本発明のマイクロ波加熱処理装置は、前記誘電体部材の表面に、厚さ１０〜５００ｎｍの範囲内の金属材料の薄膜を有していてもよい。
【００１５】
本発明のマイクロ波加熱処理装置において、前記処理容器の上壁は、前記マイクロ波導入装置において生成された前記マイクロ波を前記処理容器に導入する複数のマイクロ波導入ポートを有していてもよい。
【００１６】
本発明の処理方法は、上記いずれかのマイクロ波加熱処理装置を用いて前記被処理体を加熱処理するものである。この場合、前記支持部材により支持した前記被処理体を回転させながら加熱処理をしてもよい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明のマイクロ波加熱処理装置および処理方法では、被処理体に対して均一かつ効率の良い加熱処理を行うことが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置の概略の構成を示す断面図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における支持ピンを装着した誘電体板を示す斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における誘電体板と支持ピンと半導体ウエハとの高さ位置を示す説明図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態におけるマイクロ波導入装置の高電圧電源部の概略の構成を示す説明図である。
【図５】図１に示した処理容器の天井部の上面を示す平面図である。
【図６】図１に示した制御部の構成を示す説明図である。
【図７】本発明の第２の実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置の概略の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態における支持ピンと誘電体板とを示す斜視図である。
【図９】ウエハへのマイクロ波電力の吸収効率のシミュレーション結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
【００２０】
［第１の実施の形態］
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置の概略の構成について説明する。図１は、本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置の概略の構成を示す断面図である。本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置１は、連続する複数の動作を伴って、例えば半導体デバイス製造用の半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」と記す。）Ｗに対して、マイクロ波を照射してアニール処理を施す装置である。
【００２１】
マイクロ波加熱処理装置１は、被処理体であるウエハＷを収容する処理容器２と、処理容器２内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置３と、処理容器２内においてウエハＷを支持する支持装置４と、処理容器２内にガスを供給するガス供給機構５と、処理容器２内を減圧排気する排気装置６と、これらマイクロ波加熱処理装置１の各構成部を制御する制御部８とを備えている。
【００２２】
＜処理容器＞
処理容器２は、金属材料によって形成されている。処理容器２を形成する材料としては、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等が用いられる。
【００２３】
処理容器２は、上壁としての板状の天井部１１および底壁としての底部１３と、天井部１１と底部１３とを連結する角筒状の側壁部１２と、天井部１１を上下に貫通するように設けられた複数のマイクロ波導入ポート１０と、側壁部１２に設けられた搬入出口１２ａと、底部１３に設けられた排気口１３ａとを有している。なお、側壁部１２は円筒状であってもよい。搬入出口１２ａは、処理容器２に隣接する図示しない搬送室との間でウエハＷの搬入出を行うためものである。処理容器２と図示しない搬送室との間には、ゲートバルブＧＶが設けられている。ゲートバルブＧＶは、搬入出口１２ａを開閉する機能を有し、閉状態で処理容器２を気密にシールすると共に、開状態で処理容器２と図示しない搬送室との間でウエハＷの移送を可能にする。
【００２４】
＜マイクロ波導入装置＞
マイクロ波導入装置３は、処理容器２の上部に設けられ、処理容器２内に電磁波（マイクロ波）を導入するマイクロ波導入手段として機能する。マイクロ波導入装置３の構成については、後で詳しく説明する。
【００２５】
＜支持装置＞
支持装置４は、処理容器２の底部１３のほぼ中央を貫通して処理容器２の外部まで延びる管状のシャフト１４と、シャフト１４の上端付近においてほぼ水平方向に設けられた誘電体部材としての誘電体板１５と、誘電体板１５の周縁部に着脱可能に装着された支持部材としての複数の支持ピン１６とを有している。さらに、支持装置４は、シャフト１４を回転させる回転駆動部１７と、シャフト１４を上下に変位させる昇降駆動部１８と、シャフト１４を支持するとともに、回転駆動部１７と昇降駆動部１８とを連結する可動連結部１９と、を有している。回転駆動部１７、昇降駆動部１８及び可動連結部１９は、処理容器２の外部に設けられている。なお、処理容器２内を真空状態にする場合は、シャフト１４が底部１３を貫通する部分の周囲に、例えばベローズなどのシール機構２０を設けることができる。
【００２６】
図２は、支持ピン１６を装着した誘電体板１５を示す斜視図である。また、図３は、側面から見た、誘電体板１５と、支持ピン１６と、支持ピン１６上に支持されたウエハＷの高さ位置を示す説明図である。複数（本実施の形態では３本）の支持ピン１６は、処理容器２内においてウエハＷの裏面に当接してウエハＷを支持する。複数の支持ピン１６は、その上端部がウエハＷの周方向に並ぶように配置されている。各支持ピン１６は、誘電体板１５に着脱可能に装着されている。複数の支持ピン１６および誘電体板１５は、誘電体材料によって形成されている。複数の支持ピン１６および誘電体板１５を形成する誘電体材料としては、例えば、石英、セラミックス等を用いることができる。
【００２７】
誘電体板１５は、ウエハＷの下方において、ウエハＷ及び処理容器２の底部１３の両方から離間した状態で、ウエハＷと底部１３との間に介在する。本実施の形態において、誘電体板１５は、ウエハＷを支持する支持装置４の一構成部材であるとともに、ウエハＷの下方におけるマイクロ波の状態を変化させることによってウエハＷへのマイクロ波の吸収を促進するマイクロ波吸収促進手段として機能する。誘電体板１５をマイクロ波吸収促進手段として効果的に機能させる観点から、底部１３の上面から誘電体板１５の裏面までの高さＨ１は、例えば、３〜３０ｍｍの範囲内、好ましくは５〜１５ｍｍの範囲内とすることができる。
【００２８】
支持ピン１６は、ウエハＷを誘電体板１５から所定の間隔で離間させ得る突出高さを有している。支持ピン１６の突出高さは、図３に示す誘電体板１５の上面からウエハＷの裏面までの高さＨ２に等しい。この高さＨ２は、誘電体板１５をマイクロ波吸収促進手段として効果的に機能させる観点から、例えば、３〜３０ｍｍの範囲内、好ましくは５〜１５ｍｍの範囲内とすることができる。高さＨ２は、支持ピン１６を交換することによって調節できる。なお、支持ピン１６の本数は、ウエハＷを安定して支持できれば３本に限らない。
【００２９】
本実施の形態において、ウエハＷと誘電体板１５は、共に円板状をなしており、誘電体板１５の直径Ｄは、少なくともウエハＷの直径ＤＷ以上であることが好ましい。なお、誘電体板１５は、ウエハＷの下方におけるマイクロ波の状態を変化させる作用を有する限り、その形状は問わず、例えば開口径１ｍｍ径以下の格子状等の形状であってもよい。誘電体板１５の厚みＴは、ウエハＷへのマイクロ波吸収効率に影響を与える。誘電体板１５をマイクロ波吸収促進手段として効果的に機能させる観点から、厚みＴは、底部１３の上面から誘電体板１５の裏面までの高さＨ１、及び誘電体板１５の上面からウエハＷの裏面までの高さＨ２を考慮した上で、例えば２〜２０ｍｍの範囲内から選択することが好ましい。
【００３０】
また、図示は省略するが、誘電体板１５の表面に、赤外線を反射させる作用を有する金属薄膜を設けてもよい。そのような金属薄膜としては、例えばアルミニウム等の金属による薄膜を挙げることができる。誘電体板１５を構成する誘電体材料、例えば石英は熱容量が大きいため、マイクロ波によって加熱されたウエハＷからの輻射熱を吸収し、ウエハＷの加熱効率を低下させる要因となる。そのため、赤外線を反射させる性質を持つ金属薄膜を誘電体板１５の表面に形成しておくことによって、ウエハＷからの輻射熱を該金属薄膜の表面で反射させ、ウエハＷの加熱効率を向上させることが可能になる。このような目的のため、誘電体板１５の表面に形成する金属薄膜の厚さは、例えば１０〜５００ｎｍの範囲内、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲内とすることができる。金属薄膜の厚さが１０ｎｍ未満では、赤外線を反射させる機能が十分に発揮できず、他方、金属薄膜の厚さが５００ｎｍを超えると、マイクロ波が誘電体板１５を透過しにくくなるので好ましくない。
【００３１】
支持装置４において、シャフト１４、誘電体板１５、回転駆動部１７及び可動連結部１９は、支持ピン１６に支持されたウエハＷを水平方向に回転運動させる回転機構を構成している。複数の支持ピン１６及び誘電体板１５は、回転駆動部１７を駆動させることによって、シャフト１４を回転中心にして回転し、各支持ピン１６を水平方向に円運動（公転）させる。また、支持装置４において、シャフト１４、誘電体板１５、昇降駆動部１８及び可動連結部１９は、支持ピン１６に支持されたウエハＷの高さ位置を調節する高さ位置調節機構を構成している。複数の支持ピン１６及び誘電体板１５は、昇降駆動部１８を駆動させることによって、シャフト１４とともに、上下方向に昇降変位するように構成されている。
【００３２】
回転駆動部１７は、シャフト１４を回転させ得るものであれば、特に制限はなく、例えば図示しないモータ等を備えていてもよい。昇降駆動部１８は、シャフト１４及び可動連結部１９を昇降変位させ得るものであれば、特に制限はなく、例えば図示しないボールねじ等を備えていてもよい。回転駆動部１７と昇降駆動部１８は一体の機構であってもよく、可動連結部１９を有しない構成であってもよい。なお、ウエハＷを水平方向に回転させる回転機構及びウエハＷの高さ位置を調節する高さ位置調節機構は、それらの目的を実現できれば、他の構成であってもよい。
【００３３】
＜排気機構＞
排気装置６は、例えば、ドライポンプ等の真空ポンプを有している。マイクロ波加熱処理装置１は、更に、排気口１３ａと排気装置６とを接続する排気管２１と、排気管２１の途中に設けられた圧力調整バルブ２２と、を備えている。排気装置６の真空ポンプを作動させることにより、処理容器２の内部空間が減圧排気される。なお、マイクロ波加熱処理装置１は、大気圧での処理も可能であり、その場合は、真空ポンプは不要である。排気装置６としてドライポンプ等の真空ポンプを用いる替わりに、マイクロ波加熱処理装置１が設置される施設に設けられた排気設備を用いることも可能である。
【００３４】
＜ガス供給機構＞
マイクロ波加熱処理装置１は、更に、処理容器２内にガスを供給するガス供給機構５を備えている。ガス供給機構５は、図示しないガス供給源を備えたガス供給装置５ａと、ガス供給装置５ａに接続され、処理容器２内に処理ガスを導入する複数の配管２３と、を備えている。複数の配管２３は、処理容器２の側壁部１２に接続されている。
【００３５】
ガス供給装置５ａは、複数の配管２３を介して、処理ガスまたは冷却ガスとして、例えば、Ｎ２、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ｏ２、Ｈ２等のガスを処理容器２内へサイドフロー方式で供給できるように構成されている。なお、処理容器２内へのガスの供給は、例えばウエハＷに対向する位置（例えば、天井部１１）にガス供給手段を設けて行ってもよい。また、ガス供給装置５ａの代りに、マイクロ波加熱処理装置１の構成には含まれない外部のガス供給装置を使用してもよい。図示しないが、マイクロ波加熱処理装置１は、更に、配管２３の途中に設けられたマスフローコントローラおよび開閉バルブを備えている。処理容器２内に供給されるガスの種類や、これらのガスの流量等は、マスフローコントローラおよび開閉バルブによって制御される。
【００３６】
＜整流板＞
マイクロ波加熱処理装置１は、更に、処理容器２内の複数の支持ピン１６の周囲において、側壁部１２との間に、枠状をした整流板２４を備えている。整流板２４は、整流板２４を上下に貫通するように設けられた複数の整流孔２４ａを有している。整流板２４は、処理容器２内においてウエハＷが配置される予定の領域の雰囲気を整流しながら排気口１３ａに向かって流すためのものである。整流板２４は、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、ステンレス等の金属材料によって形成されている。なお、整流板２４は、マイクロ波加熱処理装置１における必須の構成要素ではなく、設けなくてもよい。
【００３７】
＜温度計測部＞
マイクロ波加熱処理装置１は、更に、ウエハＷの表面温度を測定する図示しない複数の放射温度計と、これらの放射温度計に接続された温度計測部２７とを備えている。
【００３８】
＜マイクロ波放射空間＞
本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置１では、処理容器２内において、天井部１１、側壁部１２及び整流板２４で区画される空間がマイクロ波放射空間Ｓ１を形成している。このマイクロ波放射空間Ｓ１には、天井部１１に設けられた複数のマイクロ波導入ポート１０からマイクロ波が放射される。処理容器２の天井部１１、側壁部１２及び整流板２４は、いずれも金属材料によって形成されているため、マイクロ波を反射し、マイクロ波放射空間Ｓ１内に散乱させる。
【００３９】
＜マイクロ波導入装置＞
次に、図１、図４及び図５を参照して、マイクロ波導入装置３の構成について説明する。図４は、マイクロ波導入装置３の高電圧電源部の概略の構成を示す説明図である。図５は、図１に示した処理容器２の天井部１１の上面を示す平面図である。
【００４０】
前述のように、マイクロ波導入装置３は、処理容器２の上部に設けられ、処理容器２内に電磁波（マイクロ波）を導入するマイクロ波導入手段として機能する。図１に示したように、マイクロ波導入装置３は、マイクロ波を処理容器２に導入する複数のマイクロ波ユニット３０と、複数のマイクロ波ユニット３０に接続された高電圧電源部４０とを備えている。
【００４１】
（マイクロ波ユニット）
本実施の形態では、複数のマイクロ波ユニット３０の構成は全て同一である。各マイクロ波ユニット３０は、ウエハＷを処理するためのマイクロ波を生成するマグネトロン３１と、マグネトロン３１において生成されたマイクロ波を処理容器２に伝送する導波管３２と、マイクロ波導入ポート１０を塞ぐように天井部１１に固定された透過窓３３とを有している。マグネトロン３１は、本発明におけるマイクロ波源に対応する。
【００４２】
図５に示したように、本実施の形態では、処理容器２は、天井部１１において全体として略十字形をなすように周方向に等間隔に配置された４つのマイクロ波導入ポート１０を有している。各マイクロ波導入ポート１０は、長辺と短辺とを有する平面視矩形をなしている。各マイクロ波導入ポート１０の大きさや、長辺と短辺の比は、マイクロ波導入ポート１０毎に異なっていてもよいが、ウエハＷに対するアニール処理の均一性を高めるとともに制御性をよくする観点から、４つのマイクロ波導入ポート１０のすべてが同じ大きさ及び形状であることが好ましい。なお、本実施の形態では、各マイクロ波導入ポート１０にそれぞれマイクロ波ユニット３０が接続されている。つまり、マイクロ波ユニット３０の数は４つである。
【００４３】
マグネトロン３１は、高電圧電源部４０によって供給される高電圧が印加される陽極および陰極（いずれも図示省略）を有している。また、マグネトロン３１としては、種々の周波数のマイクロ波を発振することができるものを用いることができる。マグネトロン３１によって生成されるマイクロ波は、被処理体の処理毎に最適な周波数を選択し、例えばアニール処理においては、２．４５ＧＨｚ、５．８ＧＨｚ等の高い周波数のマイクロ波であることが好ましく、５．８ＧＨｚのマイクロ波であることが特に好ましい。
【００４４】
導波管３２は、断面が矩形且つ角筒状の形状を有し、処理容器２の天井部１１の上面から上方に延びている。マグネトロン３１は、導波管３２の上端部の近傍に接続されている。導波管３２の下端部は、透過窓３３の上面に接している。マグネトロン３１において生成されたマイクロ波は、導波管３２および透過窓３３を介して処理容器２内に導入される。
【００４５】
透過窓３３は、誘電体材料によって形成されている。透過窓３３の材料としては、例えば、石英、セラミックス等を用いることができる。透過窓３３と天井部１１との間は、図示しないシール部材によって気密にシールされている。透過窓３３の下面から支持ピン１６に支持されたウエハＷの表面までの距離（ギャップＧ）は、ウエハＷへマイクロ波が直接放射されることを抑制する観点から、例えば２５ｍｍ以上とすることが好ましく、２５〜５０ｍｍの範囲内で可変に調節することがより好ましい。
【００４６】
マイクロ波ユニット３０は、更に、導波管３２の途中に設けられたサーキュレータ３４、検出器３５およびチューナ３６と、サーキュレータ３４に接続されたダミーロード３７とを有している。サーキュレータ３４、検出器３５およびチューナ３６は、導波管３２の上端部側からこの順に設けられている。サーキュレータ３４およびダミーロード３７は、処理容器２からの反射波を分離するアイソレータを構成する。すなわち、サーキュレータ３４は、処理容器２からの反射波をダミーロード３７に導き、ダミーロード３７は、サーキュレータ３４によって導かれた反射波を熱に変換する。
【００４７】
検出器３５は、導波管３２における処理容器２からの反射波を検出するためのものである。検出器３５は、例えばインピーダンスモニタ、具体的には、導波管３２における定在波の電界を検出する定在波モニタによって構成されている。定在波モニタは、例えば、導波管３２の内部空間に突出する３本のピンによって構成することができる。定在波モニタによって定在波の電界の場所、位相および強さを検出することにより、処理容器２からの反射波を検出することができる。また、検出器３５は、進行波と反射波を検出することが可能な方向性結合器によって構成されていてもよい。
【００４８】
チューナ３６は、マグネトロン３１と処理容器２との間のインピーダンスを整合する機能を有している。チューナ３６によるインピーダンス整合は、検出器３５における反射波の検出結果に基づいて行われる。チューナ３６は、例えば、導波管３２の内部空間に出し入れすることができるように設けられた導体板（図示省略）によって構成することができる。この場合、導体板の、導波管３２の内部空間への突出量を制御することにより、反射波の電力量を調整して、マグネトロン３１と処理容器２との間のインピーダンスを調整することができる。
【００４９】
（高電圧電源部）
高電圧電源部４０は、マグネトロン３１に対してマイクロ波を生成するための高電圧を供給する。図４に示したように、高電圧電源部４０は、商用電源に接続されたＡＣ−ＤＣ変換回路４１と、ＡＣ−ＤＣ変換回路４１に接続されたスイッチング回路４２と、スイッチング回路４２の動作を制御するスイッチングコントローラ４３と、スイッチング回路４２に接続された昇圧トランス４４と、昇圧トランス４４に接続された整流回路４５とを有している。マグネトロン３１は、整流回路４５を介して昇圧トランス４４に接続されている。
【００５０】
ＡＣ−ＤＣ変換回路４１は、商用電源からの交流（例えば、三相２００Ｖの交流）を整流して所定の波形の直流に変換する回路である。スイッチング回路４２は、ＡＣ−ＤＣ変換回路４１によって変換された直流をオン・オフ制御する回路である。スイッチング回路４２では、スイッチングコントローラ４３によってフェーズシフト型のＰＷＭ（Pulse  Width  Modulation）制御またはＰＡＭ（Pulse  Amplitude  Modulation）制御が行われて、パルス状の電圧波形が生成される。昇圧トランス４４は、スイッチング回路４２から出力された電圧波形を所定の大きさに昇圧するものである。整流回路４５は、昇圧トランス４４によって昇圧された電圧を整流してマグネトロン３１に供給する回路である。
【００５１】
＜制御部＞
マイクロ波加熱処理装置１の各構成部は、それぞれ制御部８に接続されて、制御部８によって制御される。制御部８は、典型的にはコンピュータである。図６は、図１に示した制御部８の構成を示す説明図である。図６に示した例では、制御部８は、ＣＰＵを備えたプロセスコントローラ８１と、このプロセスコントローラ８１に接続されたユーザーインターフェース８２および記憶部８３とを備えている。
【００５２】
プロセスコントローラ８１は、マイクロ波加熱処理装置１において、例えば温度、圧力、ガス流量、マイクロ波出力、ウエハＷの回転速度等のプロセス条件に関係する各構成部（例えば、マイクロ波導入装置３、支持装置４、ガス供給装置５ａ、排気装置６、温度計測部２７等）を統括して制御する制御手段である。
【００５３】
ユーザーインターフェース８２は、工程管理者がマイクロ波加熱処理装置１を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードやタッチパネル、マイクロ波加熱処理装置１の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。
【００５４】
記憶部８３には、マイクロ波加熱処理装置１で実行される各種処理をプロセスコントローラ８１の制御によって実現するための制御プログラム（ソフトウエア）や、処理条件データ等が記録されたレシピ等が保存されている。プロセスコントローラ８１は、ユーザーインターフェース８２からの指示等、必要に応じて、任意の制御プログラムやレシピを記憶部８３から呼び出して実行する。これにより、プロセスコントローラ８１による制御下で、マイクロ波加熱処理装置１の処理容器２内において所望の処理が行われる。
【００５５】
上記の制御プログラムおよびレシピは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤ、ブルーレイディスク等のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に格納された状態のものを利用することができる。また、上記のレシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用することも可能である。
【００５６】
＜作用＞
次に、本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置１の作用効果について説明する。上記のとおり、誘電体板１５は、ウエハＷと離間した状態でウエハＷと処理容器２の底部１３との間に介在し、ウエハＷの下方におけるマイクロ波の状態を変化させることによってウエハＷへのマイクロ波吸収を増大させる。ウエハＷと処理容器２の底部１３との間に誘電体板１５を介在させることによって、ウエハＷへのマイクロ波の吸収効率が向上する理由は明らかではないが、以下のように考えれば合理的説明が可能である。各マイクロ波導入ポート１０から処理容器２内に導入されたマイクロ波は、処理容器２の底部１３とウエハＷとの間の空間Ｓ２に定在波を生成させる。この空間Ｓ２に、マイクロ波を透過させる誘電体材料からなる誘電体板１５が存在することによって、空間Ｓ２における定在波を共振状態に近づけることができる。この共振状態によって、マイクロ波が空間Ｓ２内に閉じ込められる。このようなマイクロ波の閉じ込め効果によって、空間Ｓ２に入射するマイクロ波と、空間Ｓ２から出ていく反射波とが打消し合いながら、ウエハＷへのマイクロ波の吸収効率が向上し、ウエハＷの加熱が促進されるものと推測される。従って、本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置１では、ウエハＷへのマイクロ波の吸収効率を高くするために、処理容器２の底部１３からウエハＷの裏面までの高さＨ（Ｈ＝Ｈ１＋Ｔ＋Ｈ２である）と、空間Ｓ２に生成する定在波の波長λ０（管内波長λｇにほぼ等しい）との関係が、Ｈ＝ｎ×λ０／２（ここで、ｎは正の整数を意味する）の関係になるように誘電体板１５を設けることが好ましい。具体的には、Ｈ＝ｎ×λ０／２となるように、上記高さＨ１、厚みＴ及び高さＨ２を設定することが好ましい。
【００５７】
また、本実施の形態では、回転駆動部１７を駆動させることによって、複数の支持ピン１６に支持されたウエハＷを水平方向に所定の速度で回転させながらアニール処理を行う。これによって、ウエハＷの面内において、周方向でのマイクロ波の放射が均一化される。従って、回転によって、ウエハＷの面内での周方向におけるアニール処理の均一化が実現できる。
【００５８】
［処理手順］
次に、マイクロ波加熱処理装置１においてウエハＷに対してアニール処理を施す際の処理の手順について説明する。まず、例えばユーザーインターフェース８２から、マイクロ波加熱処理装置１においてアニール処理を行うように、プロセスコントローラ８１に指令が入力される。次に、プロセスコントローラ８１は、この指令を受けて、記憶部８３またはコンピュータ読み取り可能な記憶媒体に保存されたレシピを読み出す。次に、レシピに基づく条件によってアニール処理が実行されるように、プロセスコントローラ８１からマイクロ波加熱処理装置１の各エンドデバイス（例えば、マイクロ波導入装置３、支持装置４、ガス供給装置５ａ、排気装置６等）に制御信号が送出される。
【００５９】
次に、ゲートバルブＧＶが開状態にされて、図示しない搬送装置によって、ウエハＷが、ゲートバルブＧＶおよび搬入出口１２ａを通って処理容器２内に搬入され、複数の支持ピン１６の上に載置される。複数の支持ピン１６は、昇降駆動部１８を駆動させることによって、シャフト１４、誘電体板１５とともに、上下方向に昇降し、ウエハＷが所定の高さＨにセットされる。この高さＨは、上記高さＨ１、厚みＴ及び高さＨ２を考慮して設定することができる。この高さＨで、回転駆動部１７を駆動させることによって、ウエハＷを、水平方向に所定の速度で回転させる。なお、ウエハＷの回転は、連続的でなく、非連続的であってもよい。次に、ゲートバルブＧＶが閉状態にされて、必要な場合は排気装置６によって、処理容器２内が減圧排気される。次に、ガス供給装置５ａによって、所定の流量の処理ガスが処理容器２内に導入される。処理容器２の内部空間は、排気量およびガス供給量を調整することによって、所定の圧力に調整される。
【００６０】
次に、高電圧電源部４０からマグネトロン３１に対して電圧を印加してマイクロ波を生成する。マグネトロン３１において生成されたマイクロ波は、導波管３２を伝搬し、次に、透過窓３３を透過して、処理容器２内において回転するウエハＷの上方の空間に導入される。本実施の形態では、複数のマグネトロン３１において順次マイクロ波を生成し、各マイクロ波導入ポート１０から交互にマイクロ波を処理容器２内に導入する。なお、複数のマグネトロン３１において同時に複数のマイクロ波を生成させ、各マイクロ波導入ポート１０から同時にマイクロ波を処理容器２内に導入するようにしてもよい。
【００６１】
処理容器２に導入されたマイクロ波は、回転するウエハＷに照射されて、ジュール加熱、磁性加熱、誘導加熱等の電磁波加熱により、ウエハＷが迅速に加熱される。その結果、ウエハＷに対してアニール処理が施される。ここで、ウエハＷの高さＨを、上記高さＨ１、厚みＴ及び高さＨ２を考慮して設定することによって、ウエハＷの加熱効率を高めることができる。なお、ウエハＷの高さＨをアニール処理の間に変化させてもよい。このように、支持装置４によって、アニール処理の間にウエハＷを回転させることによってウエハＷに照射されるマイクロ波の偏りを少なくし、ウエハＷ面内の加熱温度を均一化することができる。
【００６２】
プロセスコントローラ８１からマイクロ波加熱処理装置１の各エンドデバイスにアニール処理を終了させる制御信号が送出されると、マイクロ波の生成が停止されると共に、ウエハＷの回転が停止し、処理ガスおよび冷却ガスの供給が停止されて、ウエハＷに対するアニール処理が終了する。次に、ゲートバルブＧＶが開状態にされて、支持ピン１６上のウエハＷの高さ位置を調整した後、図示しない搬送装置によって、ウエハＷが搬出される。
【００６３】
マイクロ波加熱処理装置１は、例えば半導体デバイスの作製工程において、拡散層に注入されたドーピング原子の活性化を行うためのアニール処理などの目的で好ましく利用できる。
【００６４】
以上のように、本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置および処理方法では、誘電体材料からなる誘電体板１５を、ウエハＷとの間に所定の間隔を開けて空間Ｓ２に介在させることによって、ウエハＷ面内でのマイクロ波の吸収を高め、加熱効率を改善することができる。また、ウエハＷを水平方向に所定の速度で回転させながらアニール処理を行うことによって、ウエハＷの面内において、マイクロ波の吸収が均一化される。従って、本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置および処理方法によれば、ウエハＷに対して効率良く、かつ、ウエハＷの面内において優れた均一性でアニール処理を行うことが可能である。
【００６５】
［第２の実施の形態］
次に、図７及び図８を参照して、本発明の第２の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置について説明する。図７は、本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置１Ａの概略の構成を示す断面図である。図８は、支持ピン１６と誘電体板１５Ａとの関係を示す斜視図である。本実施の形態に係るマイクロ波加熱処理装置１Ａは、連続する複数の動作を伴って、例えばウエハＷに対して、マイクロ波を照射してアニール処理を施す装置である。以下の説明では、第１の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置１との相違点を中心に説明し、図７及び図８において、第１の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置１と同じ構成には同一の符号を付して説明を省略する。
【００６６】
本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置１Ａは、ウエハＷを収容する処理容器２と、処理容器２内にマイクロ波を導入するマイクロ波導入装置３と、処理容器２内においてウエハＷを支持する支持装置４Ａと、処理容器２内にガスを供給するガス供給機構５と、処理容器２内を減圧排気する排気装置６と、これらマイクロ波加熱処理装置１Ａの各構成部を制御する制御部８とを備えている。
【００６７】
支持装置４Ａは、処理容器２の底部１３のほぼ中央を貫通して処理容器２の外部まで延びる管状のシャフト１４と、シャフト１４の上端付近においてほぼ水平方向に設けられた誘電体部材としての誘電体板１５Ａと、シャフト１４に取付けられた複数のアーム部１５Ｂと、各アーム部１５Ｂに着脱可能に装着された複数の支持ピン１６とを有している。さらに、支持装置４Ａは、シャフト１４を回転させる回転駆動部１７と、シャフト１４を上下に変位させる昇降駆動部１８と、シャフト１４を支持するとともに、回転駆動部１７と昇降駆動部１８とを連結する可動連結部１９と、を有している。アーム部１５Ｂは、支持ピン１６と同数（例えば３本）設けられている。各アーム部１５Ｂは、シャフト１４を中心に水平方向に放射状に延びている。支持ピン１６は、各アーム部１５Ｂの先端付近に装着されている。本実施の形態では、ウエハＷと誘電体板１５Ａが共に円板状をなしており、誘電体板１５Ａの直径は、ウエハＷの直径よりも小さい。従って、複数の支持ピン１６は、誘電体板１５Ａの外側において誘電体板１５Ａの下方から上方へ向けて立上がり、ウエハＷを支持する。
【００６８】
誘電体板１５Ａは、ウエハＷの下方において、ウエハＷ及び処理容器２の底部１３の両方から離間した状態で、ウエハＷと底部１３との間に介在する。誘電体板１５Ａは、ウエハＷの下方におけるマイクロ波の状態を変化させることによってウエハＷへのマイクロ波吸収を促進するマイクロ波吸収促進手段として機能する。誘電体板１５Ａは、ウエハＷを支持する支持ピン１６を装着していない点を除き、第１の実施の形態と同様の機能を有している。このように、本実施の形態では、マイクロ波吸収促進手段としての誘電体板１５Ａと、複数の支持ピン１６を支持するアーム部１５Ｂと、を別個の部材によって構成している。なお、本実施の形態における誘電体板１５Ａの厚みＴ、底部１３の上面から誘電体板１５Ａの裏面までの高さＨ１、誘電体板１５Ａの上面からウエハＷの裏面までの高さＨ２、及び、底部１３からウエハＷの裏面までの高さＨは、第１の実施の形態と同様に設定することができる。
【００６９】
本実施の形態のマイクロ波加熱処理装置１Ａにおける他の構成及び効果は、第１の実施の形態のマイクロ波加熱処理装置１と同様であるので説明を省略する。なお、図７では、誘電体板１５Ａをシャフト１４に固定することによって、アーム部１５Ｂ及び支持ピン１６と同期して回転及び昇降するように構成したが、誘電体板１５Ａと、アーム部１５Ｂ及び支持ピン１６を別々の駆動機構によって回転及び昇降させるように構成してもよい。この場合、誘電体板１５Ａは、支持装置４Ａの一構成部材ではなく、独立した部材とすることができる。また、本実施の形態では、誘電体板１５Ａは回転及び昇降しなくてもよい。なお、本実施の形態においても、第１の実施の形態と同様に、誘電体板１５Ａに金属薄膜を形成することができる。
【００７０】
［シミュレーション試験］
次に、図９を参照しながら、本発明の効果を確認したシミュレーション試験の結果について説明する。第１の実施の形態（図１〜図６）と同様の構成のマイクロ波加熱処理装置１において、誘電体板１５の厚みＴ、底部１３から誘電体板１５の裏面までの高さＨ１（以下、「誘電体板高さＨ１」と記すことがある）、及び底部１３からウエハＷの裏面までの高さＨ（図３のＴ＋Ｈ１＋Ｈ２；以下、「ウエハ高さＨ」と記すことがある）を変化させた場合のウエハＷのマイクロ波電力の吸収効率をシミュレーションした。誘電体板１５の厚みＴは、２ｍｍ、４ｍｍ又は６ｍｍに設定した。誘電体板高さＨ１は、−５ｍｍ〜２５ｍｍまでの間で変化させた。なお、−５ｍｍは、誘電体板１５を設けない場合を意味する。ウエハ高さＨは、０ｍｍ〜４０ｍｍまでの間で変化させた。他のシミュレーション条件として、誘電体板１５の材質は石英とし、支持装置４によってウエハＷを水平方向に回転させながらアニール処理を行う設定にした。
【００７１】
シミュレーション試験の結果を図９に示した。図９（ａ）は、誘電体板１５の厚みＴ＝２ｍｍ、同図（ｂ）はＴ＝４ｍｍ、同図（ｃ）はＴ＝６ｍｍの結果である。図９は、白黒で表現しているため明瞭ではないが、色が薄く（白く）なるに従い、ウエハＷへの電力吸収効率が向上していることを示している。最も色の濃い部分は、ウエハＷへの電力吸収効率が７０％程度であり、最も白い部分は、ウエハＷへの電力吸収効率が８０％程度である。
【００７２】
図９から、ウエハＷの下方に誘電体板１５を設けることにより、誘電体板１５を設けない場合に比べ、ウエハＷへの電力吸収効率を最大で１０％増大させることができた。また、誘電体板１５の厚みＴ、誘電体板高さＨ１、及びウエハ高さＨを上記設定範囲内で変化させることによって、ウエハＷへの電力吸収効率が変化することも理解される。例えば、このシミュレーション条件では、誘電体板１５の厚みＴを４ｍｍに設定した場合に、ウエハＷへの電力吸収効率を向上させ得る誘電体板高さＨ１及びウエハ高さＨの範囲が広く、厚みＴを２ｍｍ又は６ｍｍに設定した場合に比べ、ウエハＷへのマイクロ波の吸収効率を促進する効果が得られやすいことが明らかとなった。このように、本シミュレーション試験では、誘電体板１５を設け、誘電体板１５の厚みＴ、誘電体板高さＨ１、及びウエハ高さＨを調節することによって、ウエハＷに対して効率の良いアニール処理が可能になることが確認できた。
【００７３】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、本発明のマイクロ波加熱処理装置は、半導体ウエハを被処理体とする場合に限らず、例えば太陽電池パネルの基板やフラットパネルディスプレイ用基板を被処理体とするマイクロ波加熱処理装置にも適用できる。
【００７４】
また、マイクロ波加熱処理装置におけるマイクロ波ユニット３０の数（マグネトロン３１の数）やマイクロ波導入ポート１０の数は、上記実施の形態で説明した数に限られない。
【符号の説明】
【００７５】
１…マイクロ波加熱処理装置、２…処理容器、３…マイクロ波導入装置、４、４Ａ…支持装置、５…ガス供給機構、５ａ…ガス供給装置、６…排気装置、８…制御部、１０…マイクロ波導入ポート、１１…天井部、１２…側壁部、１２ａ…搬入出口、１３…底部、１３ａ…排気口、１４…シャフト、１５、１５Ａ…誘電体板、１６…支持ピン、１７…回転駆動部、１８…昇降駆動部、１９…可動連結部、２１…排気管、２２…圧力調整バルブ、２３…配管、２４…整流板、２４ａ…整流孔、３０…マイクロ波ユニット、３１…マグネトロン、３２…導波管、３３…透過窓、３４…サーキュレータ、３５…検出器、３６…チューナ、３７…ダミーロード、４０…高電圧電源部、Ｇ…ギャップ、ＧＶ…ゲートバルブ、Ｓ１…マイクロ波放射空間、Ｓ２…空間、Ｗ…半導体ウエハ。
【図１】
2014027039.tif 000003
【図２】
2014027039.tif 000004
【図３】
2014027039.tif 000005
【図４】
2014027039.tif 000006
【図５】
2014027039.tif 000007
【図６】
2014027039.tif 000008
【図７】
2014027039.tif 000009
【図８】
2014027039.tif 000010
【図９】
2014027039.tif 000011