(57)【要約】【課題】フリンジ電界を用いた液晶表示装置において表示品位を高めることが可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板１０と、対向基板と、液晶層とを備える。ＴＦＴアレイ基板１０は、Ｘ方向に凹凸７ａ，７ｂが配設された上面を有する下部電極７と、下部電極７上に電極間絶縁膜１４を介して形成された、スリット８ｓを有する対向電極８とを含む。そして、平面視でのＸ方向において、下部電極の第１凸部７ａ１の上部全体が、スリット８ｓから露出している。【選択図】図２
2014182234.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板と対向配置された第２基板と、
前記第１及び第２基板の間に挟持された液晶層と
を備え、
前記第１基板は、
予め定められた方向に凹凸が配設された上面を有する第１電極と、
前記第１電極上に電極間絶縁膜を介して形成された、スリットを有する第２電極と
を含み、
平面視での前記予め定められた方向において、前記第１電極の第１凸部の上部全体が、前記スリットから露出している、液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記第２電極のうち、前記予め定められた方向にて隣り合う二つの前記スリットの間の部分である部分電極に関し、前記部分電極の上面は、前記部分電極の端部から中央部に向かって凸状に傾斜する傾斜面を含む、液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２に記載の液晶表示装置であって、
平面視において、前記スリットの端部は、前記第１凸部の隣の第２凸部と、前記第１凸部と前記第２凸部との間の凹部との間に位置する、液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶表示装置であって、
前記第２電極のうち、前記予め定められた方向にて隣り合う二つの前記スリットの間の部分である部分電極は、平坦に形成されている、液晶表示装置。
【請求項５】
請求項２または請求項４に記載の液晶表示装置であって、
平面視において、一つの前記部分電極の両端部はいずれも、前記第１凸部の上部と、前記第２凸部の上部との間に位置する、液晶表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれかに記載の液晶表示装置であって、
前記第１基板は、
前記第１電極下に形成された、前記予め定められた方向に前記凹凸と同様の凹凸が配設された上面を有する層間絶縁膜をさらに含み、
前記第１電極の前記凹凸は、前記層間絶縁膜の前記凹凸を反映している、液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６に記載の液晶表示装置であって、
前記層間絶縁膜は感光性を有する樹脂膜によって構成されている、液晶表示装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれかに記載の液晶表示装置であって、
前記第１電極の前記凹凸のピッチは３〜５μｍであり、当該凹凸の深さは０．１〜０．５μｍである、液晶表示装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の液晶表示装置であって、
前記第１基板は、
前記第２電極に印加する電圧を制御する薄膜トランジスタをさらに含む、液晶表示装置。
【請求項１０】
（ａ）基板上に薄膜トランジスタを形成する工程と、
（ｂ）前記基板上及び前記薄膜トランジスタ上に、第１コンタクトホールを有し、かつ、予め定められた方向に凹凸が配設された上面を有する第１絶縁膜を形成する工程と、
（ｃ）前記第１絶縁膜の前記上面上に、前記凹凸を反映する凹凸が配設された上面を有する第１電極を形成する工程と、
（ｄ）前記第１電極の前記上面上に、第２コンタクトホールを有する第２絶縁膜を形成する工程と、
（ｅ）前記第２絶縁膜上に、前記第１及び第２コンタクトホールを介して前記薄膜トランジスタと電気的に接続された、スリットを有する第２電極を形成する工程と
を備え、
前記工程（ｅ）にて、平面視での前記予め定められた方向において、前記第１電極の第１凸部の上部全体が、前記スリットから露出するように、前記スリットが前記第２電極に形成される、液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に関し、特にフリンジフィールドスイッチングモードなどの液晶表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インプレーンスイッチング（In-Plane-Switching：ＩＰＳ）（登録商標）モードの液晶表示装置は、対向する基板間に挟持された液晶層に横電界を印加して表示を行う表示方式である。ＩＰＳモードは、ＴＮ（Twisted Nematic）モードと比較して視野角特性に優れており、高画質化への要求を満足することが可能な表示方式であると考えられている。
【０００３】
ＩＰＳモードの液晶表示装置では、互いに対向する不透明の金属膜からなる画素電極及び対向電極を、同一の基板の同一階層に形成する構成が一般的である。このような構造の液晶表示装置は、通常のＴＮモードと比べて画素開口率を大きくすることが困難であり、そのため光利用効率が低いという欠点がある。
【０００４】
ＩＰＳモードの液晶表示装置における開口率及び透過率を改善するために、フリンジフィールドスイッチング（Fringe Field Switching：ＦＦＳ）モードが提案されている（例えば、特許文献１，２）。ＦＦＳモードの液晶表示装置では、画素電極と対向電極とを透明導電膜により形成しているため、ＩＰＳモードより開口率及び透過率が向上することになる。また、ＦＦＳモードの液晶表示装置では、保持容量形成部を形成しなくても、透明導電膜間の容量を高めることができるため、当該保持容量形成部による透過率ロスが生じなくなる。
【０００５】
以上のようなＦＦＳモードの液晶表示装置において、さらなる開口率及び透過率を向上させる構成や製造方法が提案されている（例えば、特許文献３，４）。また、ＦＦＳモードの反射型及び半透過型の液晶表示装置において、液晶層の厚さバラツキによるコントラスト低下を改善する手法や、製造方法が提案されている（例えば、特許文献４）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−２３５７６３号公報
【特許文献２】特開２００２−１８２２３０号公報
【特許文献３】特開２００９−３６９４７号公報
【特許文献４】特開２００９−１２８３９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
さて、ＦＦＳモードの液晶表示装置がＩＰＳモードの液晶表示装置と異なる特徴として、上層に設けられたスリットを有する対向電極と、絶縁膜を介して下層に設けられた下部電極とを備える点が挙げられる。このような構成によれば、対向電極と下部電極とに異なる電位を印加することにより、下部電極の上部、対向電極のスリット、液晶層、及び、対向電極の上部の順（またはこれと逆順）に通り、液晶層において横方向になる電界（以下「フリンジ電界」）が発生する。ＦＦＳモードの液晶表示装置では、このフリンジ電界を用いて液晶を駆動させることが可能となっている。
【０００８】
しかしながら、従来のＦＦＳモードの液晶表示装置のフリンジ電界は、対向電極とスリットとの境界においては横方向に向いているが、対向電極の中央部近傍と、スリットの中央部近傍とにおいては、縦方向（対向電極及び下部電極などの積層方向）に向いてしまうという問題がある。これにより、対向電極及びスリットの中央部近傍のいずれにおいても、液晶分子が電界に沿って立ち上がって配置され、電界印加時に十分な位相差が得られない（不足する）ために、透過率が一画素内において局所的に低下する。このため、一画素内における透過率が不均一となるとともに、一画素全体の平均透過率を低下させてしまうことになる結果、表示品位が低下するといった問題がある。
【０００９】
そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、フリンジ電界を用いた液晶表示装置において表示品位を高めることが可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置は、第１基板と、前記第１基板と対向配置された第２基板と、前記第１及び第２基板の間に挟持された液晶層とを備える。前記第１基板は、予め定められた方向に凹凸が配設された上面を有する第１電極と、前記第１電極上に電極間絶縁膜を介して形成された、スリットを有する第２電極とを含み、平面視での前記予め定められた方向において、前記第１電極の第１凸部の上部全体が、前記スリットから露出している。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、平面視での予め定められた方向において、第１電極の第１凸部の上部全体が、第２電極のスリットから露出するように構成されている。これにより、第１凸部を、第２電極に対してなるべく横方向に配置することができることから、フリンジ電界を、なるべく横方向に向けることができる。したがって、フリンジ電界を用いた液晶表示装置において表示品位を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】液晶表示装置に用いられるＴＦＴアレイ基板の構成を示す平面図である。
【図２】実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板の画素構成を示す平面図である。
【図３】実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板の画素構成を示す断面図である。
【図４】実施の形態１に係る液晶表示装置の効果を説明するための図である。
【図５】実施の形態１に係る液晶表示装置の効果を説明するための図である。
【図６】実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図７】実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図８】実施の形態２に係るＴＦＴアレイ基板の画素構成を示す断面図である。
【図９】実施の形態２に係る液晶表示装置の効果を説明するための断面図である。
【図１０】実施の形態３に係るＴＦＴアレイ基板の画素構成を示す断面図である。
【図１１】実施の形態３に係る液晶表示装置の製造方法を説明するための断面図である。
【図１２】実施の形態３に係る液晶表示装置の効果を説明するための断面図である。
【図１３】実施の形態４に係るＴＦＴアレイ基板の画素構成を示す平面図である。
【図１４】実施の形態４に係るＴＦＴアレイ基板の画素構成を示す断面図である。
【図１５】変形例に係るＴＦＴアレイ基板の画素構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
＜実施の形態１＞
＜構成＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る液晶表示装置に用いられる基板１０（第１基板）の構成を示す平面図である。この基板１０は、例えば、スイッチング素子がアレイ状に形成されたアレイ基板などに適用される。以下では、基板１０は、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor：ＴＦＴ）のアレイ基板、すなわちＴＦＴアレイ基板（以下「ＴＦＴアレイ基板１０」と記す）であるものとして説明する。
【００１４】
なお、図示しないが、本実施の形態１に係る液晶表示装置は、ＴＦＴアレイ基板１０（第１基板）だけでなく、対向基板（第２基板）と、液晶層と、バックライトユニット等を備えて構成されている。
【００１５】
対向基板は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向配置された基板（例えばカラーフィルタ基板）であり、視認側（図１に示されるＴＦＴアレイ基板１０の手前側）に配置される。対向基板には、カラーフィルタ、ブラックマトリクス（ＢＭ）、及び配向膜等が形成されている。
【００１６】
液晶層は、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板との間に挟持される。すなわち、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板との間には液晶が導入されている。さらに、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板のそれぞれの、液晶層と逆側の面には、偏光板、及び位相差板等が設けられる。
【００１７】
なお、ＴＦＴアレイ基板１０、対向基板及び液晶層は、液晶表示パネルを構成しており、バックライトユニットは、当該液晶表示パネルの反視認側に配設される。
【００１８】
ここで、ＴＦＴアレイ基板１０には、フリンジ電界を発生することが可能な下部電極及び対向電極（画素電極）が形成されているものとする。すなわち、本実施の形態１に係る液晶表示装置は、ＦＦＳモードの液晶表示装置であるものとする。この液晶表示装置の全体構成については、以下に述べる実施の形態１〜４において共通である。
【００１９】
次に、ＴＦＴアレイ基板１０の構成について詳細に説明する。
【００２０】
図１に示されるように、ＴＦＴアレイ基板１０には、表示領域４１と、当該表示領域４１を囲むように設けられた額縁領域４２とが設けられている。
【００２１】
表示領域４１には、複数のゲート配線（走査信号線）４３と複数のソース配線（表示信号線）４４とが形成されている。複数のゲート配線４３は平行に配設され、複数のソース配線４４は平行に配設されている。一方、ゲート配線４３とソース配線４４とは、平面視においては互いに交差するように形成されているが、後述するように断面視においてはゲート絶縁膜により絶縁されている。隣接する二つのゲート配線４３と、隣接する二つのソース配線４４とで囲まれた領域が画素４７となる。したがって、ＴＦＴアレイ基板１０では、画素４７がマトリクス状に配列される。
【００２２】
額縁領域４２には、走査信号駆動回路４５と表示信号駆動回路４６とが設けられている。ゲート配線４３は、表示領域４１から額縁領域４２まで延設され、ＴＦＴアレイ基板１０の端部で、走査信号駆動回路４５と接続される。ソース配線４４も同様に、表示領域４１から額縁領域４２まで延設され、ＴＦＴアレイ基板１０の端部で、表示信号駆動回路４６と接続される。ＴＦＴアレイ基板１０の、走査信号駆動回路４５の近傍領域にて、走査信号駆動回路４５と電気的に接続された外部配線４８が設けられている。また、ＴＦＴアレイ基板１０の、表示信号駆動回路４６の近傍領域にて、表示信号駆動回路４６と電気的に接続された外部配線４９が設けられている。外部配線４８，４９には、例えば、ＦＰＣ（Flexible Printed Circuit）等の配線基板が用いられる。
【００２３】
外部配線４８，４９を介して走査信号駆動回路４５及び表示信号駆動回路４６に外部からの各種信号が供給される。走査信号駆動回路４５は外部からの制御信号に基づいて、ゲート配線４３を順次に選択し、当該選択したゲート配線４３にゲート信号（走査信号）を供給する。表示信号駆動回路４６は外部からの制御信号や、表示データに基づいて表示信号をソース配線４４に供給する。これにより、表示データに応じた表示電圧を各画素４７に順次に供給することができる。
【００２４】
画素４７内には、少なくとも１つのＴＦＴ５０が形成されている。ＴＦＴ５０はソース配線４４とゲート配線４３との交差点近傍に配置される。ＴＦＴ５０は、ゲート配線４３からのゲート信号に応じてオンまたはオフする。ＴＦＴ５０は、オンされている状態でソース配線４４から表示電圧が供給されると、ドレイン電極に接続された対向電極に表示電圧を印加する。
【００２５】
続いて、本実施の形態１に係る液晶表示装置の画素４７の構成について説明する。図２は、本実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板１０の画素構成を示した平面図である。図３は、本実施の形態１に係るＴＦＴアレイ基板１０の画素構成を示した断面図である。図２はＴＦＴアレイ基板１０の画素４７の１つを示しており、図３は図２のＡ−Ａ断面図である。ここでは、チャネルエッチ型のＴＦＴ５０が形成されている場合について例示的に説明をする。
【００２６】
ここで、画素構成について詳細に説明する前に、この画素構成の概要について説明する。対向電極８は、スリット８ｓを有しており、下部電極７と電極間絶縁膜１４を介して対向配置されている（図３）。下部電極７及び対向電極８は、上述したフリンジ電界を発生させるための電極であり、そのフリンジ電界の大きさは、対向電極８に印加された表示電圧の大きさに対応する。なお、ＴＦＴアレイ基板１０の表面には、配向膜（図示せず）が形成されている。
【００２７】
ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板間の液晶層（図３においてＴＦＴアレイ基板１０上側の液晶層）の液晶は、表示電圧に応じたフリンジ電界によって駆動され、液晶の配向方向が変化する。これに伴い、液晶層を通過する光の偏光状態が変化する。すなわち、液晶層を通過する光の偏光状態は、表示電圧に応じて変更可能となっている。
【００２８】
ここで、バックライトユニットからの光は、ＴＦＴアレイ基板１０側の偏光板を通過すると直線偏光になり、当該偏光板を通過した光は、液晶層を通過すると上述したように偏光状態が変化する。そして、液晶層を通過した光が対向基板側の偏光板を通過する光量は、液晶層における偏光状態の変化に依存する。
【００２９】
すなわち、バックライトユニットから液晶表示パネルを透過する透過光のうち、視認側の偏光板（対向基板側の偏光板）を通過する光の光量は、対向電極８に印加される表示電圧に基づいて変更することが可能となっている。このように、対向電極８に印加される表示電圧を制御することによって、視認側に通過する光量を変化させることができる。すなわち、画素４７ごとに表示電圧を変えることによって、所望の画像を表示領域４１に表示することが可能となっている。
【００３０】
次に、このような画素４７の構成について詳細に説明する。図２及び図３において、ガラス等の透明な絶縁性の透明基板１０ａ上に、その一部がゲート電極１を構成するゲート配線４３と、共通配線９とが形成されている。ゲート配線４３は、透明基板１０ａ上において一方向に直線的に延在するように配設されている。ゲート電極１、ゲート配線４３、及び、共通配線９は、例えばＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇやこれらを主成分とする合金膜、またはこれらの積層膜によって形成されている。
【００３１】
ゲート電極１、ゲート配線４３、及び、共通配線９を覆うように、ゲート絶縁膜１１が設けられている。ゲート絶縁膜１１は、窒化シリコン、酸化シリコン等の絶縁膜により形成されている。そして、ＴＦＴ５０の形成領域では、ゲート絶縁膜１１を介してゲート配線４３上に半導体層２が設けられている。ここでは、半導体層２は、平面視においてゲート配線４３と重なるようゲート絶縁膜１１の上に形成され、この半導体層２とほぼ重なる領域のゲート配線４３がゲート電極１となる。半導体層２は、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、金属酸化物等により形成されている。以下では、半導体層２が非晶質シリコンで形成されている場合について例示的に説明をする。
【００３２】
また、半導体層２は、半導体層２の両端のそれぞれの上部に、導電性不純物がドーピングされたオーミックコンタクト膜３を含んでいる。このオーミックコンタクト膜３に対応する半導体層２の領域は、ソース・ドレイン領域となる。具体的には、図３中の左側のオーミックコンタクト膜３に対応する半導体層２の領域がソース領域となる。そして、図３中の右側のオーミックコンタクト膜３に対応する半導体層２の領域がドレイン領域となる。このように、半導体層２の両端にはソース・ドレイン領域が形成されている。そして、平面視において半導体層２のソース・ドレイン領域に挟まれた領域がチャネル領域となる。半導体層２のチャネル領域上には、オーミックコンタクト膜３は形成されていない。オーミックコンタクト膜３は、例えば、リン（Ｐ）等の不純物が高濃度にドーピングされた、ｎ型非晶質シリコンやｎ型多結晶シリコンなどにより形成されている。
【００３３】
ソース領域のオーミックコンタクト膜３上には、ソース電極４の一部が形成されている。具体的には、ソース領域のオーミックコンタクト膜３上から、チャネル領域と逆側に延在するソース電極４が形成されている。同様に、ドレイン領域のオーミックコンタクト膜３上には、ドレイン電極５の一部が形成されている。具体的には、ドレイン領域のオーミックコンタクト膜３上から、チャネル領域と逆側に延在するドレイン電極５が形成されている。すなわち、ソース電極４及びドレイン電極５は、オーミックコンタクト膜３と同様、半導体層２のチャネル領域上には形成されない。
【００３４】
以上のように、本実施の形態１に係る液晶表示装置においては、チャネルエッチ型のＴＦＴ５０が、透明基板１０ａ上に形成されることになる。
【００３５】
ソース電極４のうち、半導体層２のチャネル領域と逆側に延在した部分は、ソース配線４４と繋がっている。断面視において、ソース配線４４は、ゲート絶縁膜１１上に形成されている。平面視においては、ソース配線４４は、ゲート配線４３と交差する方向に直線的に延在する本体部分と、当該交差近傍において本体部分から分岐してゲート配線４３の延在方向と同じ方向に延在する分岐部分とを有している。そして、この分岐部分が、ソース電極４に対応している。
【００３６】
ドレイン電極５は、半導体層２のチャネル領域と逆側に延在した延在部分を有している。このドレイン電極５の延在部分は、接続配線１９（図２）を介して対向電極８と電気的に接続されている。なお、接続配線１９は、下部電極７と同じ材料（ここでは同じ金属膜）から形成されるが、下部電極７と離間されており、下部電極７と絶縁されている。
【００３７】
ソース電極４、ソース配線４４、及び、ドレイン電極５は、例えばＣｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇやこれらを主成分とする合金膜、またはこれらの積層膜によって形成されている。
【００３８】
半導体層２、ソース電極４、ソース配線４４、及び、ドレイン電極５を覆うように、第１層間絶縁膜１２が設けられている。第１層間絶縁膜１２は、例えば窒化シリコン，酸化シリコン等の絶縁膜により形成されている。
【００３９】
第１層間絶縁膜１２を覆うように、第２層間絶縁膜１３（層間絶縁膜）が設けられている。ここで、第２層間絶縁膜１３は、図２及び図３に示されるように予め定められた方向（図２に示されるＸ方向）に凹凸が配設された上面を有している。第２層間絶縁膜１３は、例えばアクリル，エポキシ，ポリイミド，ポリオレフィン等の樹脂膜より形成されている。
【００４０】
第１及び第２層間絶縁膜１２，１３には、ドレイン電極５の一部の上に第１コンタクトホール１５が設けられている。また、ゲート絶縁膜１１と、第１及び第２層間絶縁膜１２，１３とには、共通配線９の一部の上に第３コンタクトホール１７が設けられている。なお、第２コンタクトホール１６については後述する。
【００４１】
下部電極７（第１電極）は、第２層間絶縁膜１３の凹凸が配設された上面上に形成されるとともに、第３コンタクトホール１７内にて共通配線９と電気的に接続されている。本実施の形態１では、下部電極７の上面には、第２層間絶縁膜１３の凹凸が反映、すなわち凹凸が浮き出て転写されている。このように、下部電極７は、第２層間絶縁膜１３の凹凸と同様の凹凸がＸ方向に配設された上面を有している。このような構成によれば、下部電極７の上面に凹凸を簡単な工程で形成することが可能となっている。なお、以下の説明では、下部電極７の凹凸は、凸部７ａ（７ａ１，７ａ２）と、凹部７ｂとを含むものとして説明する。
【００４２】
接続配線１９は、第１コンタクトホール１５周辺の第２層間絶縁膜１３上に形成されるとともに、第１コンタクトホール１５内にてドレイン電極５と電気的に接続されている。下部電極７及び接続配線１９は、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ等の透明導電膜（金属酸化物）により形成されている。なお、上述したように、接続配線１９は、下部電極７と離間されて下部電極７と絶縁されている。
【００４３】
第２層間絶縁膜１３、下部電極７、及び、接続配線１９を覆うように、電極間絶縁膜１４が設けられている。本実施の形態１では、電極間絶縁膜１４の上面には、下部電極７の凹凸が反映、すなわち凹凸が浮き出て転写されている。このように、電極間絶縁膜１４は、下部電極７の凹凸と同様の凹凸がＸ方向に配設された上面を有している。電極間絶縁膜１４は、例えば窒化シリコン、酸化シリコン等の絶縁膜により形成されている。また、電極間絶縁膜１４には、接続配線１９の一部の上に第２コンタクトホール１６が設けられている。
【００４４】
対向電極８（第２電極）は、電極間絶縁膜１４の凹凸が配設された上面上に形成されるとともに、第２コンタクトホール１６内にて接続配線１９と電気的に接続されている。これにより、ＴＦＴアレイ基板１０に含まれるＴＦＴ５０は、対向電極８に印加する表示電圧（電圧）を制御することが可能となっている。また、対向電極８の上面には、電極間絶縁膜１４の凹凸が反映、すなわち凹凸が浮き出て転写されている。対向電極８は、例えばＩＴＯ，ＩＺＯ等の透明導電膜（金属酸化物）により形成されている。
【００４５】
さらに、対向電極８はスリット８ｓを有している。以下、対向電極８のうち、Ｘ方向にて隣り合う二つのスリット８ｓの間の部分を「部分電極８ｐ」と記す。上述したように、対向電極８には電極間絶縁膜１４の凹凸が反映されていることから、部分電極８ｐの上面は、部分電極８ｐの端部から中央部に向かって凸状に傾斜する傾斜面８ｆ（図３）を含んでいる。
【００４６】
さて、図２には、下部電極７の凸部７ａの上部が太線で示されている。この図２に示されるように、本実施の形態１では、平面視でのＸ方向において、下部電極７の一つの凸部７ａ１（第１凸部）に注目したときその上部全体が、一つのスリット８ｓから露出している。
【００４７】
ここでは、その構成の一例として、Ｘ方向において、下部電極７の凸部７ａ１の上部の位置と、スリット８ｓの中央部の位置と、第２層間絶縁膜１３の凸部の上部の位置とが、ほぼ揃えられている。また、Ｘ方向において、下部電極７の凸部７ａ１の隣の凸部７ａ２の上部の位置と、部分電極８ｐの中央部の位置と、第２層間絶縁膜１３の凸部の上部の位置とが、ほぼ揃えられている。さらに、Ｘ方向において、下部電極７の凹部７ｂの下部の位置と、スリット８ｓ及び部分電極８ｐの境界の位置（つまり、スリット８ｓ及び部分電極８ｐのそれぞれの端部の位置）と、第２層間絶縁膜１３の凹部の下部の位置とが、ほぼ揃えられている。
【００４８】
＜効果＞
以上のように構成された本実施の形態１に係る液晶表示装置の効果を、図４及び図５を用いて説明する。図４は、本実施の形態１に係る液晶表示装置と関連するＦＦＳモードの液晶表示装置（以下「関連液晶表示装置」と記す）における、画素構造及び液晶分子の動作を示す図である。図５は、本実施の形態１に係る液晶表示装置における、画素構造及び液晶分子の動作を示す図である。なお、図４（ａ）及び図５（ａ）はそれらの平面図であり、図４（ｂ）及び図５（ｂ）はそれらの断面図である。
【００４９】
図４及び図５におけるＯＦＦは、下部電極７及び対向電極８にフリンジ電界３４を印加していないＯＦＦ状態を示しており、図４及び図５におけるＯＮは、下部電極７及び対向電極８にフリンジ電界３４を印加して液晶分子３２を動作させたＯＮ状態を示している。具体的には、液晶分子３２は、棒形状を有しており、フリンジ電界３４が発生していないＯＦＦ状態の場合には、図４（ａ）及び図５（ａ）に示されるように長手方向を第１横方向３５ａに向けているが、フリンジ電界３４が発生したＯＮ状態の場合には、図４（ｂ）及び図５（ｂ）に示されるように長手方向をフリンジ電界３４の方向に向けるように動作するものとする。以上のように動作する構成においては、ＯＮ状態において、多くの液晶分子３２の長手方向が、なるべく第２横方向３５ｂに向くことが好ましい。
【００５０】
ここで、関連液晶表示装置においてＯＮ状態で発生するフリンジ電界３４は、図４（ｂ）に示されるように、部分電極８ｐとスリット８ｓとの境界近傍（部分電極８ｐ及びスリット８ｓのそれぞれの端部）において第２横方向３５ｂに向かうが、部分電極８ｐ及びスリット８ｓのそれぞれの中央部近傍においては、縦方向３５ｃに向かう。このため、部分電極８ｐ及びスリット８ｓのそれぞれの中央部において、液晶分子３２の長手方向が、第２横方向３５ｂに向かずに縦方向３５ｃに向いてしまうことになる。よって、十分な位相差が得られない（不足する）ために、意図せず透過率が低下してしまう。
【００５１】
これに対して、本実施の形態１に係る液晶表示装置では、平面視でのＸ方向（予め定められた方向）において、下部電極７の第１凸部７ａ１の上部全体が、対向電極８のスリット８ｓから露出するように構成されている。これにより、第１凸部７ａ１を、対向電極８に対してなるべく第２横方向３５ｂに配置することができることから、対向電極８と第１凸部７ａ１との間のフリンジ電界３４を、なるべく第２横方向３５ｂに向けることができる。これにより、対向電極８のスリット８ｓの中央部において、液晶分子３２の長手方向が、縦方向３５ｃに向くのが抑制され、なるべく第２横方向３５ｂに向けることができる。したがって、ＯＮ状態の一画素４７において、透過率が局所的に低下するのを抑制することができることから、一画素４７内の透過率を均一化することができるとともに、一画素４７全体の平均透過率を向上させることができる。よって、フリンジ電界を用いた液晶表示装置において表示品位を高めることができる。
【００５２】
また、本実施の形態１に係る液晶表示装置では、部分電極８ｐ（対向電極８）の上面は、部分電極８ｐの端部から中央部に向かって凸状に傾斜する傾斜面８ｆを含んでいる。これにより、部分電極８ｐの上面を、第１凸部７ａ１側になるべく向けることができることから、対向電極８と第１凸部７ａ１との間のフリンジ電界３４を、より第２横方向３５ｂに向けることができる。したがって、一画素４７内の透過率をさらに均一化することができるとともに、一画素４７全体の平均透過率をさらに向上させることができるので、フリンジ電界を用いた液晶表示装置において表示品位をさらに高めることができる。
【００５３】
＜製造方法＞
次に、本実施の形態１に係る液晶表示装置の製造方法について説明する。
【００５４】
まず、ガラス等の透明な絶縁性の透明基板１０ａの上面全体に、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇやこれらを主成分とする合金膜、またはこれらの積層膜を成膜する。例えば、スパッタ法や蒸着法などを用いて透明基板１０ａの上面全体に成膜する。その後、レジストを塗布して、塗布したレジストをフォトマスク上から露光し、レジストを感光させる。次に、感光させたレジストを現像して、レジストをパターニングする。以後、これら一連の工程を写真製版と呼ぶ。その後、このレジストパターンをマスクとして上述の成膜（ここでは金属膜）をエッチングし、フォトレジストパターンを除去する。以後、このような工程を微細加工技術と呼ぶ。これにより、ゲート電極１、ゲート配線４３、及び、共通配線９がパターニングされる。
【００５５】
次に、透明基板１０ａの上面全体（ゲート電極１、ゲート配線４３、及び、共通配線９など）を覆うように、例えば、プラズマＣＶＤ、常圧ＣＶＤ、減圧ＣＶＤなどを用いて、ゲート絶縁膜１１となる第１絶縁膜、半導体層２及びオーミックコンタクト膜３となる材料を、この順に成膜する。第１絶縁膜には、窒化シリコン、酸化シリコンなどを用いることができる。なお、ゲート絶縁膜１１は、ピンホール等の膜欠陥発生による短絡を防止するため、複数回に分けて成膜することが好ましい。
【００５６】
半導体層２となる材料には、非晶質シリコン、多結晶シリコン、金属酸化物などを用いることができる。また、オーミックコンタクト膜３となる材料には、高濃度のリン（Ｐ）等の不純物を半導体層２に添加したｎ型非晶質シリコンやｎ型多結晶シリコンなどを用いることができる。その後、写真製版及び微細加工技術により、半導体層２及びオーミックコンタクト膜３となる上述の成膜を、半導体層２及びオーミックコンタクト膜３を形成する前段階までパターニングする。ここでは、その一例として、半導体層２及びオーミックコンタクト膜３となる上述の成膜を、ゲート電極１上に島状にパターニングする。
【００５７】
次に、オーミックコンタクト膜３などを覆うように、Ｃｒ，Ａｌ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇやこれらを主成分とする合金膜、またはこれらの積層膜を成膜する。例えば、スパッタ法や蒸着法など用いて成膜する。その後、写真製版及び微細加工技術によりパターニングして、ソース電極４、ソース配線４４、及び、ドレイン電極５を形成する。
【００５８】
続いて、ソース電極４及びドレイン電極５をマスクとして、オーミックコンタクト膜３となる膜をエッチングする。すなわち、島状にパターニングされたオーミックコンタクト膜３のうち、ソース電極４またはドレイン電極５に覆われずに露出した部分をエッチングにより除去する。これにより、ソース電極４とドレイン電極５との間にチャネル領域が設けられた半導体層２及びオーミックコンタクト膜３が形成される。なお、上記説明では、ソース電極４及びドレイン電極５をマスクとしてエッチングを行ったが、ソース電極４及びドレイン電極５をパターニングする際に用いたレジストパターンをマスクとして、オーミックコンタクト膜３のエッチングを行ってもよい。その場合は、ソース電極４及びドレイン電極５上のレジストパターンを除去する前に、オーミックコンタクト膜３のエッチングを行う。以上の製造工程により、透明基板１０ａ上に、アレイ状のＴＦＴ５０が形成される。
【００５９】
これ以降の製造工程については、図６及び図７を用いて説明する。図６及び図７は本実施の形態１に係る液晶表示装置（特にＴＦＴアレイ基板１０）の製造方法を示す断面図である。
【００６０】
上述の工程によりＴＦＴ５０を形成した後、図６（ａ）に示すように、透明基板１０ａの上面全体（ソース電極４、ドレイン電極５及びソース配線４４、ゲート絶縁膜１１など）を覆うように、第１層間絶縁膜１２を成膜する。例えば、ＣＶＤ法などを用いて、第１層間絶縁膜１２となる窒化シリコン，酸化シリコン等の無機絶縁膜を、上記透明基板１０ａの上面全体に成膜する。これにより、半導体層２のチャネル領域などが第１層間絶縁膜１２に覆われる。
【００６１】
次に、第１層間絶縁膜１２を覆うように、第２層間絶縁膜１３を形成する。例えば、スピンコート法やスリットコート法などを用いて、第２層間絶縁膜１３（層間絶縁膜）となるアクリルやエポキシやポリイミド，ポリオレフィンなどの感光性の樹脂膜を、図６（ａ）に示した透明基板１０ａの上面全体に塗布する。ここでは、第２層間絶縁膜１３の膜厚が、もっとも薄くなる部分（ＴＦＴ５０上の部分）で２．０μｍ以上になるように、塗布膜厚を設定した。その後、上記樹脂膜に、上記凹凸のパターンと、第１及び第３コンタクトホール１５，１７のパターンとを写真製版技術で形成する。この際、例えば、凹凸の深さが０．５μｍとなる露光量で露光し、コンタクトホールのパターンは樹脂膜を完全に除去できる露光量で露光を行う。
【００６２】
その後、第２層間絶縁膜１３の全面に紫外線を照射した後、１００℃の熱処理、つづいて２３０℃の熱処理を行い焼成した。これにより、図６（ｂ）に示される構造が形成される。なお、第２層間絶縁膜１３には、感光性を有する樹脂膜（例えばポジ型の感光性を有する樹脂膜）を用いることが好ましい。このように構成すると、露光量により第２層間絶縁膜１３の凹凸１３ｃの深さを任意に制御できるからである。また、凹凸１３ｃのピッチを３〜５μｍ、凹凸１３ｃの深さは、０．１〜０．５μｍであることが好ましい。凹凸１３ｃの深さが０．５μｍより深くなると、液晶層の厚さの変動によるコントラスト低下が無視できなくなり、表示性能が低下するからである。
【００６３】
次に、第２層間絶縁膜１３をマスクとする微細加工技術を用いて、第１層間絶縁膜１２をパターン形成することにより、第１及び第３コンタクトホール１５，１７を形成する。これにより、図６（ｃ）に示される構造が形成される。すなわち、透明基板１０ａ上及びＴＦＴ５０上に、第１コンタクトホール１５を有し、かつ、凹凸１３ｃが配設された上面を有する第１絶縁膜（ここでは第１及び第２層間絶縁膜１２，１３全体からなる絶縁膜）が形成される。
【００６４】
なお、額縁領域４２では、ゲート配線４３及びソース配線４４と、走査信号駆動回路４５及び表示信号駆動回路４６とをそれぞれ接続するための端子（不図示）が、ゲート配線４３またはソース配線４４と同じ層によって形成されている。そして、ゲート端子を露出するゲート端子部コンタクトホール２１（図２）となるホールが、第３コンタクトホール１７と同様にパターン形成することにより、ゲート絶縁膜１１、第１及び第２層間絶縁膜１２，１３に形成される。また、ソース端子を露出するソース端子部コンタクトホール２２（図２）となるホールが、第１コンタクトホール１５と同様にパターン形成することにより、第１及び第２層間絶縁膜１２，１３に形成される。
【００６５】
続いて、例えばスパッタ法などにより、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を、図６（ｃ）に示した透明基板１０ａの上面全体（第２層間絶縁膜１３、並びに、第１及び第３コンタクトホール１５，１７内など）に成膜する。この際に、第２層間絶縁膜１３の凹凸１３ｃ上に成膜された透明導電膜の上面には、凹凸１３ｃを反映する（凹凸１３ｃに追従する）凹凸が形成される。
【００６６】
それから、写真製版及び微細加工技術により、この透明導電膜をパターニングする。これにより、図７（ａ）に示される構造が形成される。すなわち、第１絶縁膜（ここでは第１及び第２層間絶縁膜１２，１３全体からなる絶縁膜）の上面上に、凹凸１３と同様の凹凸７ｃ（凸部７ａ及び凹部７ｂ）が配設された上面を有する下部電極７と、これと絶縁された接続配線１９とが形成される。
【００６７】
なお、下部電極７などの透明導電膜を形成する際に、額縁領域４２の上記ゲート端子部コンタクトホール２１（図２）となるホール内、及び、上記ソース端子部コンタクトホール２２となるホール内にも、当該透明導電膜が形成される。それらホール内に形成された透明導電膜は、後の工程において、ゲート端子パッド２３（図２）及びソース端子パッド２４となる。
【００６８】
次に、図７（ａ）に示した透明基板１０ａの上面全体（第２層間絶縁膜１３、下部電極７、及び、接続配線１９など）を覆うように、電極間絶縁膜１４を成膜する。例えば、ＣＶＤ法などを用いて，電極間絶縁膜１４となる窒化シリコン，酸化シリコン等の無機絶縁膜を、上記透明基板１０ａの上面全体に成膜する。この際に、第２層間絶縁膜１３及び下部電極７の凹凸７ｃ上に成膜された電極間絶縁膜１４の上面には、凹凸７ｃを反映する（凹凸７ｃに追従する）凹凸が形成される。
【００６９】
なお、電極間絶縁膜１４の成膜における温度を、第２層間絶縁膜１３を焼成した温度以上にした場合には、第２層間絶縁膜１３からガスが離脱して、電極間絶縁膜１４の膜中に当該ガスが取り込まれる結果、電極間絶縁膜１４の絶縁性や被服性が低下する。そのため、電極間絶縁膜１４の成膜における温度は、第２層間絶縁膜１３を焼成した温度以下にすることが好ましい。本実施の形態では、成膜温度を第２層間絶縁膜１３の焼成温度以下の温度（例えば２２０℃）にした状態で、電極間絶縁膜１４となる窒化シリコン膜を３００ｎｍの厚さで形成した。
【００７０】
次に、写真製版及び微細加工技術により、電極間絶縁膜１４に第２コンタクトホール１６を形成する。これにより、図７（ｂ）に示される構造が形成される。すなわち、第２コンタクトホール１６を有し、かつ、下部電極７の凹凸７ｃと同様の凹凸１４ｃを有する電極間絶縁膜１４（第２絶縁膜）が形成される。なお、額縁領域４２では、上記ゲート端子部コンタクトホール２１（図２）及びソース端子部コンタクトホール２２が完成する。
【００７１】
次に、例えばスパッタ法などにより、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を、図７（ｂ）に示した透明基板１０ａの上面全体（電極間絶縁膜１４上及び第２コンタクトホール１６内など）に成膜する。そして、写真製版及び微細加工技術により、この透明導電膜をパターニングして、スリット８ｓを有する対向電極８を形成する。
【００７２】
ここで本実施の形態１では、平面視でのＸ方向において、下部電極７の一つの凸部７ａ１の上部全体が、一つのスリット８ｓから露出するように、当該スリット８ｓが対向電極８に形成される。ここで、対向電極８には電極間絶縁膜１４の凹凸１４ｃが反映される結果、部分電極８ｐの上面には、部分電極８ｐの端部から中央部に向かって凸状に傾斜する傾斜面８ｆが含まれている。なお、対向電極８のスリット８ｓ及び部分電極８ｐと、下部電極７の凹凸との具体的な位置関係は、上述した通りである。
【００７３】
以上により、図７（ｃ）に示される構造が形成される。すなわち、電極間絶縁膜１４上に、第１及び第２コンタクトホール１５，１６を介してＴＦＴ５０と電気的に接続された、スリット８ｓを有する対向電極８が形成される。
【００７４】
なお、対向電極８となる透明導電膜を形成する際に、額縁領域４２の上記ゲート端子部コンタクトホール２１（図２）内、及び、ソース端子部コンタクトホール２２内にも、透明導電膜が形成される。これらゲート端子部コンタクトホール２１（図２）及びソース端子部コンタクトホール２２内に形成された透明導電膜は、それぞれ、ゲート端子パッド２３及びソース端子パッド２４にパターニングされる。以上の工程を経て、本実施の形態１に係る液晶表示装置が備えるＴＦＴアレイ基板１０が完成する。
【００７５】
以上により作製したＴＦＴアレイ基板１０の上に、その後のセル工程において配向膜を形成する。また、別途作製された対向基板の上に配向膜を同様に形成する。そして、この配向膜に対して、液晶との接触面に一方向にミクロな傷をつける配向処理（ラビング処理）を施す。次に、ＴＦＴアレイ基板１０と対向基板との間にシール材を塗布して、液晶注入口を除いて閉じた空間がそれら基板の間に形成されるように、ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板をシール材により固定する貼り合せを行う。ＴＦＴアレイ基板１０及び対向基板を貼り合わせた後、真空注入法等を用い、液晶注入口から液晶を上記空間に注入する。そして、液晶注入口を封止する。このようにして形成した液晶セルの両面に偏光板を貼り付けて、駆動回路を接続した後、バックライトユニットを取り付ける。このようにして、本実施の形態１に係る液晶表示装置が完成する。
【００７６】
以上のように構成された本実施の形態１に係る液晶表示装置によれば、平面視でのＸ方向（予め定められた方向）において、下部電極７の第１凸部７ａ１の上部全体が、対向電極８のスリット８ｓから露出するように構成されている。これにより、第１凸部７ａ１を、対向電極８に対してなるべく横方向に配置することができることから、フリンジ電界を、なるべく横方向に向けることができる。したがって、フリンジ電界を用いた液晶表示装置において表示品位を高めることができる。
【００７７】
＜実施の形態２＞
本発明の実施の形態２に係る液晶表示装置の画素４７の構成について、図８を用いて説明する。図８は、本実施の形態２に係るＴＦＴアレイ基板１０の画素構成を図３と同様に示した断面図である。なお、本実施の形態２に係る液晶表示装置おいて、実施の形態１で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、異なる点を中心に以下説明する。
【００７８】
実施の形態１では、平面視でのＸ方向において、下部電極７の凹部７ｂの位置と、スリット８ｓ及び部分電極８ｐのそれぞれの端部の位置とがほぼ揃えられていた。これに対して、本実施の形態２では、平面視でのＸ方向において、スリット８ｓの端部は、凸部７ａ２と、凹部７ｂ１（凸部７ａ１と凸部７ａ２の間の凹部７ｂ）との間に位置している。すなわち、本実施の形態２に係る部分電極８ｐの端部は、実施の形態１に係る部分電極８ｐの端部よりも、部分電極８ｐの中央部側に後退している。
【００７９】
なお、本実施の形態２に係るＴＦＴアレイ基板１０の製造方法としては、実施の形態１で説明した製造方法において、第２層間絶縁膜１３に凹凸を形成する写真製版のパターンを調整するとともに、対向電極８にスリット８ｓを形成する写真製版のパターンを調整すればよい。それ以外の工程については、実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００８０】
以上のように構成された本実施の形態２に係る液晶表示装置の効果について、図９を用いて説明する。仮に、実施の形態１において、下部電極７の凹部７ｂと、スリット８ｓの端部（部分電極８ｐの端部）との間において、図９において二点鎖線に示されるような位置ズレが発生した場合には、部分電極８ｐ端部の上面が、下部電極７の凸部７ａ１と逆側に向くことになる。この場合のフリンジ電界３４の方向は、もとのフリンジ電界３４よりも、縦方向３５ｃ側に向いてしまうことになる。
【００８１】
これに対して、本実施の形態２では、上記位置ズレが多少発生しても、部分電極８ｐ端部の上面が下部電極７の凸部７ａ１と逆側に向くのを抑制することができる。すなわち、上記位置ズレが多少発生しても、フリンジ電界３４をなるべく第２横方向３５ｂに向ける効果、ひいては液晶表示装置の表示品位を高める効果を維持することができる。
【００８２】
＜実施の形態３＞
本発明の実施の形態３に係る液晶表示装置の画素４７の構成について、図１０を用いて説明する。図１０は、本実施の形態３に係るＴＦＴアレイ基板１０の画素構成を図３と同様に示した断面図である。なお、本実施の形態３に係る液晶表示装置おいて、実施の形態１で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、異なる点を中心に以下説明する。
【００８３】
本実施の形態３では、部分電極８ｐは平坦に形成されている。なお、対向電極８のスリット８ｓ及び部分電極８ｐと、下部電極７の凹凸との具体的な位置関係は、実施の形態１と同様である。すなわち、図１０に示される断面構成を平面視した場合には、Ｘ方向において、下部電極７の凸部７ａ１の上部の位置と、スリット８ｓの中央部の位置と、第２層間絶縁膜１３の凸部の上部の位置とが、ほぼ揃えられている。また、Ｘ方向において、下部電極７の凸部７ａ２の上部の位置と、部分電極８ｐの中央部の位置と、第２層間絶縁膜１３の凸部の上部の位置とが、ほぼ揃えられている。さらに、Ｘ方向において、下部電極７の凹部７ｂの下部の位置と、スリット８ｓ及び部分電極８ｐの境界の位置と、第２層間絶縁膜１３の凹部の下部の位置とが、ほぼ揃えられている。
【００８４】
ここで、本実施の形態３では、電極間絶縁膜１４には、塗布型の絶縁膜を用いるものとする。なお、塗布型の絶縁膜は、ＣＶＤなどにより形成された絶縁膜などと、同じ膜厚にして比較すると、それらの比誘電率の低くなる。しかし、塗布型の絶縁膜を電極間絶縁膜１４に用いた場合としても、フリンジ電界を発生させる部位の厚さを薄くすることにより、ＣＶＤなどの絶縁膜と同等の比誘電率、ひいては駆動電圧を得ることができる。それ以外の構成については実施の形態１と同様であるため、説明を省略する。
【００８５】
次に、本実施の形態３に係るＴＦＴアレイ基板１０の製造方法について図１１を用いて説明する。本実施の形態３の製造方法は、下部電極７を形成する工程（図７（ａ））まで、実施の形態１と同様であるため、その工程までの製造方法の説明については省略する。また、本実施の形態３の製造方法における、ゲート端子部コンタクトホール２１（図２）、ソース端子部コンタクトホール２２、ゲート端子パッド２３、及び、ソース端子パッド２４を形成する工程も、実施の形態１と同様であるため、ここでは省略する。
【００８６】
図７（ａ）に示した透明基板１０ａの上面全体（第２層間絶縁膜１３、下部電極７、及び、接続配線１９など）を覆うように、塗布によって電極間絶縁膜１４を成膜する。ここで、実施の形態１に係る電極間絶縁膜１４は、第２層間絶縁膜１３及び下部電極７の凹凸を反映した凹凸状に形成されていた。これに対して、本実施の形態３に係る電極間絶縁膜１４は、平坦化されている。
【００８７】
なお、電極間絶縁膜１４となる塗布型の絶縁膜としては、アクリル，エポキシ，ポリイミド，ポリオレフィン，有機ＳＯＧなどを用いてもよい。電極間絶縁膜１４は薄く形成されるため、絶縁性が優れた材料を選択することが望ましく、非感光性の有機絶縁膜がよい。本実施の形態３では、優れた絶縁性と平坦性、高い透過率を有する有機ＳＯＧ膜を電極間絶縁膜１４に用い、電極間絶縁膜１４が最も薄い部分（下部電極７の凸部上の部分など）の膜厚が２００ｎｍになるように形成し、焼成温度は２３０℃とした。
【００８８】
次に、写真製版及び微細加工技術により、電極間絶縁膜１４に第２コンタクトホール１６を形成する。これにより、図１１（ａ）に示される構造が形成される。
【００８９】
次に、例えばスパッタ法などにより、ＩＴＯやＩＺＯなどの透明導電膜を、図１１（ａ）に示した透明基板１０ａの上面全体（電極間絶縁膜１４上及び第２コンタクトホール１６内など）に成膜する。そして、写真製版及び微細加工技術により、この透明導電膜をパターニングして、スリット８ｓを有する対向電極８を形成する。なお、ここでの対向電極８のスリット８ｓ及び部分電極８ｐと、下部電極７の凹凸との具体的な位置関係は、上述した通りである。
【００９０】
以上により、図１１（ｂ）に示される構造が形成される。すなわち、電極間絶縁膜１４上に、第１及び第２コンタクトホール１５，１６を介してＴＦＴ５０と電気的に接続された、スリット８ｓを有する対向電極８が形成される。
【００９１】
以上のように構成された本実施の形態３に係る液晶表示装置の効果について、図１２を用いて説明する。図１２は、本実施の形態３に係る液晶表示装置のＴＦＴアレイ基板１０の画素構造と液晶分子の動作とを、図５と同様に示す図である。
【００９２】
本実施の形態３によれば、対向電極８のスリット８ｓの中央部近傍において、電極間絶縁膜１４が薄くなるように、下部電極７の凸部７ａ１が形成されている。また、第１凸部７ａ１を、対向電極８に対してなるべく第２横方向３５ｂに配置することができることから、実施の形態１と同様に、対向電極８と第１凸部７ａ１との間のフリンジ電界３４を、なるべく第２横方向３５ｂに向けることができる。したがって、実施の形態１と同様に、一画素４７内の透過率を均一化することができるとともに、一画素４７全体の平均透過率を向上させることができるので、液晶表示装置の表示品位を高めることができる。
【００９３】
また、本実施の形態３によれば、スリット８ｓの端部近傍において、電極間絶縁膜１４が厚くなるように、下部電極７の凹部７ｂ１が形成される。このため、スリット８ｓの端部での電界集中による電極間絶縁膜１４へのチャージが低下し、焼きつき現象を抑制する効果が得られる。さらに、本実施の形態３では、対向電極８が平坦に形成される。このため、フリンジ電界３４を横方向に延ばすために下部電極７の凹凸深さをより深くした場合でも、液晶層の厚さは当該凹凸の影響を受けなくて済むことから、液晶層の厚さのばらつきによるコントラストの低下を抑えることができる。
【００９４】
なお、以上の本実施の形態３についての説明では、電極間絶縁膜１４に非感光性の塗布型の絶縁膜を用いた例について説明したが、感光性の有機絶縁膜であってもよい。この場合、平坦化性が高い材料が望ましい。また、平坦化性が高い材料であれば、液状の塗布材料である必要はなく、例えばポリシラザンなどでもよい。
【００９５】
＜実施の形態４＞
本発明の実施の形態４に係る液晶表示装置の画素４７の構成について、図１３及び図１４を用いて説明する。図１３は、本実施の形態４に係るＴＦＴアレイ基板１０の画素構成を示した平面図である。図１４は、実施の形態４に係るＴＦＴアレイ基板１０の画素構成を示した断面図である。図１３はＴＦＴアレイ基板１０の画素４７の１つを示しており、図１４は図１３のＡ−Ａ断面図である。なお、本実施の形態４に係る液晶表示装置おいて、実施の形態３で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、異なる点を中心に以下説明する。
【００９６】
本実施の形態４では、平面視において、一つの部分電極８ｐの両端部はいずれも、凸部７ａ１の上部と、凸部７ａ２の上部との間に位置している。すなわち、実施の形態３では、下部電極７の凸部７ａが、部分電極８ｐの中央部の下側に設けられていた（図１０）に対し、本実施の形態４では、下部電極７の凸部７ａが、部分電極８ｐの中央部の下側に設けられていない（図１４）ように構成されている。
【００９７】
なお、本実施の形態４に係るＴＦＴアレイ基板１０の製造方法としては、実施の形態３で説明した製造方法において、第２層間絶縁膜１３に凹凸を形成する写真製版のパターンを調整するとともに、対向電極８にスリット８ｓを形成する写真製版のパターンを調整すればよい。それ以外の工程については、実施の形態３と同様であるため、説明を省略する。
【００９８】
以上のように構成された本実施の形態４に係る液晶表示装置によれば、実施の形態３に係る液晶表示装置とほぼ同様に構成されているため、実施の形態３と同様に、液晶表示装置の表示品位を高めることができる。
【００９９】
さらに、本実施の形態４によれば、一つの部分電極８ｐの両端部はいずれも、凸部７ａ１の上部と、凸部７ａ２の上部との間に位置している。したがって、部分電極８ｐの中央部においては、電極間絶縁膜１４が厚く構成され、スリット開口端部の電界集中による電極間絶縁膜１４へのチャージが低下する。よって、焼きつき現象を抑制することができる。また、対向電極８と下部電極７とで形成されるＣｓ保持容量を低減することができることから、Ｃｓ保持容量に電荷を書き込むＴＦＴ５０の駆動負荷を低減することが可能であり、その結果として、ＴＦＴ５０を小型化することが可能となる。
【０１００】
なお、以上の説明では、実施の形態３に本実施の形態４を適用した場合について説明したが、これに限ったものではなく、実施の形態１，２についても同様に適用することができる。
【０１０１】
＜実施の形態１〜実施の形態４の変形例＞
以上で説明した実施の形態１〜４では、下部電極７の凹凸の断面形状は正弦波（余弦波）と同等の形状であった。しかしこれに限ったものではなく、図１５（ａ）に示されるように、下部電極７の凹凸の断面形状は、傾斜面を有する多角形状であってもよい。また、凸部の上部及び側部に対向電極８が形成することができ、かつ、下部電極７の凹凸の段差が小さい場合には、図１５（ｂ）に示されるように、下部電極７の凹凸の断面形状は、矩形波と同等の形状であってもよい。
【０１０２】
また、実施の形態１〜４では、下部電極７を共通配線９に接続し、対向電極８にドレイン電極５を接続する液晶表示装置（すなわち対向電極８を画素電極とする液晶表示装置）について説明した。しかし、これに限ったものではなく、下部電極７をドレイン電極５に接続し、対向電極８に共通配線９を接続する液晶表示装置（すなわち下部電極７を画素電極とする液晶表示装置）であってもよい。
【０１０３】
また、実施の形態１〜４では、凹凸を形成する第２層間絶縁膜１３の下層に第１層間絶縁膜１２を設けた構成について説明したが、第１層間絶縁膜１２は省略して第２層間絶縁膜１３のみで構成してもよい。
【０１０４】
また、実施の形態１〜４では、第２層間絶縁膜１３に感光性の樹脂膜を用いた例について説明したが、凹凸を形成すれば非感光性の樹脂膜でもよい。その場合は、非感光性の樹脂膜を塗布・焼成した後にレジストで同様の凹凸パターンを形成して、既存のドライエッチング技術で凹凸パターンを樹脂膜に転写すればよい。
【０１０５】
また、実施の形態１〜４では、ＴＦＴ５０として、チャネルエッチ型のＴＦＴが形成された液晶表示装置について説明したが、ＴＦＴ５０として、トップゲート型など他のＴＦＴが形成されてもよい。
【０１０６】
また、実施の形態１〜４では、対向電極８のスリット８ｓの方向がソース配線４４と平行な場合について例示的に説明したが、これに限るものではない。対向電極８のスリットの方向は、ソース配線４４と平行な方向だけでなく、任意の方向、または任意の異なる方向の組み合わせとしてもよい。なお、上記実施の形態１〜４は、適宜組み合わせて実施することができる。
【０１０７】
また、実施の形態１〜４では、対向電極８のスリット８ｓのピッチが画素内で同じ場合について例示的に説明したが、これに限るものではない。対向電極８のスリット８ｓと凹凸との位置関係が実施の形態１〜４を満たしていれば、任意のピッチ、または任意の異なるピッチを一つの画素内で組み合わせてもよい。なお、上記実施の形態１〜４は、適宜組み合わせて実施することができる。
【０１０８】
なお、以上の説明は、本発明の実施の形態を説明するものであり、本発明が以上の実施の形態に限定されるものではない。本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【０１０９】
１０  ＴＦＴアレイ基板、７  下部電極、７ａ，７ａ１，７ａ２  凸部、７ｂ  凹部、８  対向電極、８ｐ  部分電極、８ｓ  スリット、１０ａ  透明基板、１２  第１層間絶縁膜、１３  第２層間絶縁膜、１４  電極間絶縁膜、１５  第１コンタクトホール、１６  第２コンタクトホール、５０  ＴＦＴ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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