(57)【要約】【課題】 液晶分子の応答速度の低下によって発生するテクスチャを減らした液晶表示装置を提供する。【解決手段】本発明は、下部基板、下部基板の上に形成されており、部分板電極及び部分板電極から延長されている複数の微細枝電極を含む画素電極、及び下部基板の上であり、画素電極の下に形成されて、傾斜部を含む下部膜を含む下部表示板；下部基板に対向する上部基板、上部基板に形成されている共通電極を含む上部表示板；及び下部表示板と上部表示板の間に位置する液晶層を含み、傾斜部の一部は微細枝電極の一部と重なる液晶表示装置に関する。【選択図】図１
2014119755.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部基板、前記下部基板の上に形成されており、部分板電極及び前記部分板電極から延長されている複数の微細枝電極を含む画素電極、及び前記下部基板の上であり、前記画素電極の下に形成されて、傾斜部を含む下部膜を含む下部表示板；
前記下部基板に対向する上部基板、前記上部基板に形成されている共通電極を含む上部表示板；及び
前記下部表示板と前記上部表示板の間に位置する液晶層を含み、
前記傾斜部の一部は前記微細枝電極の一部と重なる、液晶表示装置。
【請求項２】
前記傾斜部を含む下部膜は、カラーフィルタであるか、または有機絶縁物を含む保護膜である、請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記部分板電極はひし形状を有し、
前記傾斜部もひし形状を有し、
前記傾斜部のひし形状が、前記部分板電極のひし形状より大きい、請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記部分板電極から垂直または水平方向に延長されている延長部をさらに含み、
前記複数の微細枝電極は、前記延長部からも突出している、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記共通電極は、切開部または突起で形成され、十字構造を有する液晶制御手段を有する、請求項３に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記液晶制御手段の前記十字構造の交差点は、前記部分板電極または前記傾斜部の中心と一致する、請求項５に記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記共通電極は、切開部または突起で形成されている追加的な液晶制御手段をさらに含む、請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
下部基板、前記下部基板の上に形成されており、部分板電極及び前記部分板電極から延長されている複数の微細枝電極を含む画素電極、及び前記下部基板の上であり、前記画素電極の下に形成されて、傾斜部を含む下部膜を含む下部表示板；
前記下部基板に対向する上部基板、前記上部基板に形成されている共通電極を含み、前記共通電極は、切開部または突起で形成され、十字構造を有する液晶制御手段を有する上部表示板；及び
前記下部表示板と前記上部表示板の間に位置する液晶層を含み、
前記複数の微細枝電極の終端は互いに接続されなくて、外部に突出した構造を有する、液晶表示装置。
【請求項９】
前記傾斜部の一部は前記微細枝電極の一部と重なる、請求項８に記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
前記液晶制御手段の前記十字構造の交差点は、前記部分板電極または前記傾斜部の中心と一致する、請求項９に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、現在、最も幅広く使用されているフラットパネル表示装置の１つであって、画素電極と共通電極など電界生成電極（ｆｉｅｌｄ  ｇｅｎｅｒａｔｉｎｇ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）が形成されている２枚の表示板と、その間に挿入されている液晶層を含む。液晶表示装置は、電界生成電極に電圧を印加して液晶層に電界を印加し、これを通じて液晶分子の方向を決定し、入射光の偏光を制御することによって画像を表示する。
【０００３】
液晶表示装置のうち、電界が印加されない状態で、液晶分子をその長軸が表示板に対して垂直となるように配列した垂直配向方式（ｖｅｒｔｉｃａｌｌｙ  ａｌｉｇｎｅｄ  ｍｏｄｅ）の液晶表示装置が開発されている。
【０００４】
垂直配向方式の液晶表示装置においては、広視野角の確保が重要な問題であり、このために電界生成電極に微細スリットなどの切開部を形成するなどの方法が用いられる。切開部や突起は、液晶分子が傾く方向（ｔｉｌｔ ｄｉｒｅｃｔｉｏｎ）を決めるので、これらを適切に配置して液晶分子の傾斜方向を多様な方向に分散させることにより、視野角を広くすることができる。
【０００５】
画素電極に微細スリットを形成して、複数の枝電極を有するようにする方法の場合、液晶分子の微細スリットに加え、他の液晶制御力との関係により、液晶分子の応答速度が低下して、一定時間の間にテクスチャが表示される問題がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明は上記従来の問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、液晶分子の応答速度の低下によって発生するテクスチャを減らした液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた本発明の実施形態による液晶表示装置は、下部基板、下部基板の上に形成されており、部分板電極（a partial plate electrode）及び部分板電極から延長されている複数の微細枝電極（minute branch electrodes）を含む画素電極、及び下部基板の上であり、画素電極の下に形成されて、傾斜部を含む下部膜を含む下部表示板；下部基板に対向する上部基板、上部基板に形成されている共通電極を含む上部表示板；及び下部表示板と上部表示板の間に位置する液晶層を含み、傾斜部の一部は微細枝電極の一部と重なる。
【０００８】
傾斜部を含む下部膜はカラーフィルタであるか、または有機絶縁物を含む保護膜であってもよい。
【０００９】
部分板電極はひし形状を有し、傾斜部もひし形状を有し、傾斜部のひし形状が部分板電極のひし形状より大きくてもよい。
【００１０】
部分板電極から垂直または水平方向に延長される延長部をさらに含み、複数の微細枝電極は延長部から突出してもよい。
【００１１】
共通電極は切開部または突起で形成され、十字構造を有する液晶制御手段を有してもよい。
【００１２】
液晶制御手段の十字構造の交差点は、部分板電極または傾斜部の中心と一致してもよい。
【００１３】
共通電極は切開部または突起で形成されている追加液晶制御手段をさらに含んでもよい。
【００１４】
本発明の実施形態による液晶表示装置は、下部基板、下部基板の上に形成されており、部分板電極及び部分板電極から延長されている複数の微細枝電極を含む画素電極、及び下部基板の上であり、画素電極の下に形成されて、傾斜部を含む下部膜を含む下部表示板；下部基板に対向する上部基板、上部基板に形成されている共通電極を含み、共通電極は切開部または突起で形成され、十字構造を有する液晶制御手段を有する上部表示板；及び下部表示板と上部表示板の間に位置する液晶層を含み、複数の微細枝電極の終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。
【００１５】
傾斜部の一部は、微細枝電極の一部と重なってもよい。
【００１６】
液晶制御手段の十字構造の交差点は、部分板電極または傾斜部の中心と一致してもよい。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、画素電極に微細パターンと共に部分板電極を形成して、液晶表示装置の視野角、側面視認性を広くし、応答速度を速くするだけでなく、下部層に位置する段差提供手段と微細パターンが一定の区間重なるように形成して、液晶分子の制御力を向上させることにより、液晶分子の応答速度を向上させ、これによってテクスチャを減らす。また、液晶分子の制御力を向上させる構造を追加的に使用して、液晶分子の応答速度を向上させる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の実施形態による液晶表示装置の配置図である。
【図２】図１のＩＩ-ＩＩ線に沿った断面図である。
【図３】図１の液晶表示装置の一画素についての等価回路図である。
【図４】図１の液晶表示装置からカラーフィルタ、画素電極、及び共通電極だけを分離して示した配置図である。
【図５】本発明の実施形態を利用して実験した結果を示した図面である。
【図６】本発明の実施形態と比較例を比較した実験結果を示した図面である。
【図７】本発明の実施形態と比較例を比較した実験結果を示した図面である。
【図８】本発明の実施形態と比較例を比較した実験結果を示した図面である。
【図９】本発明の実施形態と比較例を比較した実験結果を示した図面である。
【図１０】本発明の実施形態によるテクスチャを示した図面である。
【図１１】本発明の実施形態によるテクスチャを示した図面である。
【図１２】本発明の実施形態によるテクスチャを示した図面である。
【図１３】本発明の実施形態によるテクスチャを示した図面である。
【図１４】本発明の実施形態によるテクスチャを示した図面である。
【図１５】本発明の実施形態によるテクスチャを示した図面である。
【図１６】本発明の実施形態によるテクスチャを示した図面である。
【図１７】本発明の実施形態によるテクスチャを示した図面である。
【図１８】本発明の他の実施形態による画素構造及びそれによるテクスチャを示した図面である。
【図１９】本発明の他の実施形態による画素構造及びそれによるテクスチャを示した図面である。
【図２０】本発明の他の実施形態による画素構造及びそれによるテクスチャを示した図面である。
【図２１】本発明の他の実施形態による画素構造及びそれによるテクスチャを示した図面である。
【図２２】本発明の他の実施形態による画素構造及びそれによるテクスチャを示した図面である。
【図２３】本発明の他の実施形態による画素構造及びそれによるテクスチャを示した図面である。
【図２４】本発明の他の実施形態による画素構造及びそれによるテクスチャを示した図面である。
【図２５】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の回路図及び配置図を示した図面である。
【図２６】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の回路図及び配置図を示した図面である。
【図２７】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の回路図及び配置図を示した図面である。
【図２８】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の回路図及び配置図を示した図面である。
【図２９】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の回路図及び配置図を示した図面である。
【図３０】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の回路図及び配置図を示した図面である。
【図３１】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の回路図及び配置図を示した図面である。
【図３２】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の回路図及び配置図を示した図面である。
【図３３】本発明の他の実施形態による液晶表示装置の断面図である。
【図３４】紫外線などの光によって重合される重合体を利用して液晶分子がプレチルトを有するようにする過程を示した図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
添付した図面を参照しながら、本発明の実施形態について、本発明が属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は種々の異なる形態に実現でき、ここで説明する実施形態に限られない。
【００２０】
図面において、種々の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書の全体にわたって類似する部分に対しては同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるというとき、これは他の部分の「すぐ上」にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。一方、ある部分が他の部分の「すぐ上」にあるというときには、中間に他の部分がないことを意味する。
【００２１】
次に、本発明の実施形態による液晶表示装置について、図１〜図３を参照して詳細に説明する。
【００２２】
図１は、本発明の実施形態による液晶表示装置の配置図であり、図２は、図１のＩＩ-ＩＩ線に沿った断面図であり、図３は、図１の液晶表示装置の一画素についての等価回路図である。
【００２３】
図２を参照すると、本実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、これら２つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３、及び表示板１００、２００の外側面に付着している一対の偏光子（図示せず）を含む。
【００２４】
最初に、下部表示板１００について説明する。
【００２５】
絶縁基板１１０の上に複数のゲート線１２１、複数の減圧ゲート線１２３、及び複数の蓄積電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。
【００２６】
ゲート線１２１及び減圧ゲート線１２３は、主に横方向に延在して、ゲート信号を伝達する。ゲート線１２１は、上下に突出した第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌを含み、減圧ゲート線１２３は、上に突出した第３ゲート電極１２４ｃを含む。図１の実施形態では、第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌは互いに接続して、１つの突出部を形成する。
【００２７】
蓄積電極線１３１も、主に横方向に延在して、共通電圧Ｖｃｏｍなどの定められた電圧を伝達する。蓄積電極線１３１は、維持電極１３５ａ、１３５ｂ、１３５ｃを含み、下に拡張された容量電極１３４を含む。蓄積電極線１３１は  上に延在する２つの第１縦維持電極部１３５ａ、２つの第１縦維持電極部１３５ａを接続する横維持電極部１３５ｂ、及び前記横維持電極部１３５ｂからさらに上に延在する２つの第２縦維持電極部１３５ｃを含む。
【００２８】
第１縦維持電極部１３５ａは、上部に形成された第１画素電極１９１ｈの縦周縁に沿って形成され、第２縦維持電極部１３５ｃは、第２副画素電極１９１ｌの縦周縁に沿って形成されている。一方、横維持電極部１３５ｂは、第２副画素電極１９１ｌの横周縁と、第１画素電極１９１ｈの横周縁との間に位置し、２つの横周縁に沿って形成されている。
【００２９】
その結果、第１縦維持電極部１３５ａと横維持電極部１３５ｂは、第１画素電極１９１ｈの周縁に沿って形成されて、第１画素電極１９１ｈと少なくとも一部重なり、第２縦維持電極部１３５ｃと横維持電極部１３５ｂは、第２副画素電極１９１ｌの周縁に沿って形成されて、第２副画素電極１９１ｌと少なくとも一部重なっている。
【００３０】
図１において、上部に位置している横維持電極部１３５ｂと、下部に位置している横維持電極部１３５ｂとが、互いに分離されているように示されているが、実際には、隣接する上下の画素ＰＸに形成されている横維持電極部１３５ｂと互いに電気的に接続されている。
【００３１】
ゲート導電体１２１、１２３、１３１の上にはゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）１４０が形成されている。
【００３２】
ゲート絶縁膜１４０の上には、非晶質または結晶質ケイ素などからなる複数の半導体が形成されている。半導体は、主に縦方向に延在しており、第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌに向かって延在し互いに接続されている第１半導体１５４ｈ及び第２半導体１５４ｌ及び第２半導体１５４ｌと接続された第３半導体１５４ｃを含む。第３半導体１５４ｃは延在して第４半導体１５７を形成する。
【００３３】
半導体１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃの上には複数のオーミックコンタクト部材（図示せず）が形成され、第１半導体１５４ｈの上には第１オーミックコンタクト部材（図示せず）が形成され、第２半導体１５４ｌ及び第３半導体１５４ｃの上にもそれぞれ第２オーミックコンタクト部材１６４ｂ及び第３オーミックコンタクト部材（図示せず）が形成されている。第３オーミックコンタクト部材は延在して第４オーミックコンタクト部材１６７を形成する。
【００３４】
オーミックコンタクト部材１６４ｂ、１６７の上には複数のデータ線１７１、複数の第１ドレイン電極１７５ｈ、複数の第２ドレイン電極１７５ｌ、及び複数の第３ドレイン電極１７５ｃを含むデータ導電体が形成されている。
【００３５】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び減圧ゲート線１２３と交差する。各データ線１７１は、第１ゲート電極１２４ｈ及び第２ゲート電極１２４ｌに向かって延在しており、互いに接続されている第１ソース電極１７３ｈ及び第２ソース電極１７３ｌを含む。
【００３６】
第１ドレイン電極１７５ｈ、第２ドレイン電極１７５ｌ、及び第３ドレイン電極１７５ｃは、広い端部と、棒状の端部とを含む。第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌの棒状の端部は、第１ソース電極１７３ｈ及び第２ソース電極１７３ｌによって一部が取り囲まれている。第２ドレイン電極１７５ｌの広い端部は、さらに延在して「Ｕ」字状に曲がった第３ソース電極１７３ｃを形成する。第３ドレイン電極１７５ｃの広い端部１７７ｃは容量電極１３４と重なって、減圧キャパシタＣｓｔｄを形成し、棒状の端部は第３ソース電極１７３ｃによって一部が取り囲まれている。
【００３７】
第１／第２／第３ゲート電極（１２４ｈ／１２４ｌ／１２４ｃ）、第１／第２／第３ソース電極（１７３ｈ／１７３ｌ／１７３ｃ）、及び第１／第２／第３ドレイン電極（１７５ｈ／１７５ｌ／１７５ｃ）は、第１／第２／第３半導体（１５４ｈ／１５４ｌ／１５４ｃ）と共にそれぞれ１つの第１／第２／第３薄膜トランジスタ（Ｑｈ／Ｑｌ／Ｑｃ）を構成し、薄膜トランジスタのチャネルは、各ソース電極（１７３ｈ／１７３ｌ／１７３ｃ）と各ドレイン電極（１７５ｈ／１７５ｌ／１７５ｃ）の間の各半導体（１５４ｈ／１５４ｌ／１５４ｃ）に形成される。
【００３８】
半導体１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃは、ソース電極１７３ｈ、１７３ｌ、１７３ｃとドレイン電極１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃの間のチャネル領域を除いては、データ導電体１７１、１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ及びその下部のオーミックコンタクト部材１６４ｂ、１６７と実質的に同一の平面形状を有する。つまり、半導体１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃには、ソース電極１７３ｈ、１７３ｌ、１７３ｃとドレイン電極１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃとの間のスペースに加え、データ導電体１７１、１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃによって覆われずに、露出した部分がある。
【００３９】
データ導電体１７１、１７５ｈ、１７５ｌ、１７５ｃ及び露出した半導体１５４ｈ、１５４ｌ、１５４ｃ部分の上には、窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機絶縁物からなる下部保護膜１８０ｐが形成されている。
【００４０】
下部保護膜１８０ｐの上にはカラーフィルタ２３０を配置する。カラーフィルタ２３０は、隣接するデータ線１７１の間のスペースに沿って縦方向に長く延在して形成されており、カラーフィルタ２３０における第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌと重なる部分のうち、一部領域に高さが変化する傾斜部２３５ｈ、２３５ｌを有する。傾斜部２３５ｈ、２３５ｌは、図１に示したようにひし形構造を有する。第１傾斜部２３５ｈのひし形構造は、第１部分板電極１９２ｈが占める正四角形領域の境界と頂点が接するように形成されている。また、第２傾斜部２３５ｌのひし形構造は、第２部分板電極１９２ｌが占める長方形領域を２つの正四角形領域に分けて、２つの正四角形領域に１つずつ形成され、１つの第２傾斜部２３５ｌのひし形構造は、正四角形領域の境界と頂点が接するように形成されている。しかし、実施形態によっては、当該領域の境界と頂点は一定の距離が離れていてもよい。また、実施形態によっては、ひし形構造が位置する領域が長方形領域を有してもよい。傾斜部２３５ｈ、２３５ｌは、ひし形構造の辺から中心に向かって高さが次第に低くなる構造を有する。傾斜部２３５ｈ、２３５ｌの一辺から中心までは一定の傾きで高さが低くなる構造（図２参照）を有し、高さが低くなるほど、その幅が狭くなる。ひし形構造の傾斜部２３５ｈ、２３５ｌの中心にはカラーフィルタを形成しなくてもよく、実施形態によっては、中心付近で一定の領域にカラーフィルタが形成されない開口部を有してもよい。各カラーフィルタ２３０は、赤色、緑色及び青色の三原色など原色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの１つを表示でき、各カラーフィルタ２３０はデータ線１７１の上で互いに重なってもよい。
【００４１】
カラーフィルタ２３０の上には上部保護膜１８０ｑが形成されている。上部保護膜１８０ｑは、カラーフィルタ２３０が浮くことを防止し、カラーフィルタ２３０から流入する溶剤（ｓｏｌｖｅｎｔ）のような有機物による液晶層３の汚染を抑えて、画面の駆動時に起こりうる残像のような不良を防止してもよく、また，窒化ケイ素または酸化ケイ素などの無機絶縁物または有機物質で形成してもよい。
【００４２】
下部保護膜１８０ｐ、カラーフィルタ２３０、及び上部保護膜１８０ｑには、第１ドレイン電極１７５ｈの広い端部と第２ドレイン電極１７５ｌの広い端部をそれぞれ露出する、複数の第１コンタクトホール１８４ｈ及び複数の第２コンタクトホール１８４ｌが形成されている。
【００４３】
上部保護膜１８０ｑの上には複数の画素電極１９１が形成されている。画素電極１９１は、２つのゲート線１２１、１２３を介在させて互いに分離され、画素領域の上と下に配置されて列方向に隣接する第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌを含む。
【００４４】
第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌはそれぞれ、その中央に位置する部分板電極１９２ｈ、１９２ｌと部分板電極１９２ｈ、１９２ｌから垂直または水平方向に延長されている延長部１９４ｈ、１９４ｌ、及び部分板電極１９２ｈ、１９２ｌと延長部１９４ｈ、１９４ｌから斜線方向に突出している複数の微細枝電極１９３ｈ、１９３ｌを含む。
【００４５】
第１副画素電極１９１ｈは、正四角形領域に位置する第１部分板電極１９２ｈ、第１延長部１９４ｈ、及び複数の第１微細枝電極１９３ｈを有し、正四角形領域の外部に延長された第１接続部１９７ｈによって第１ドレイン電極１７５ｈの広い端部と接続されている。
【００４６】
第１部分板電極１９２ｈはひし形状を有し、正四角形領域の中心にその中心を位置させており、ひし形状の各頂点は、正四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第１部分板電極１９２ｈは、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈの中心から一部分を覆っている。その結果、第１部分板電極１９２ｈは、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈが提供する傾斜をそのまま有する（図２参照）。
【００４７】
第１部分板電極１９２ｈのひし形状の各頂点から垂直または水平方向（ゲート線１２１またはデータ線１７１に平行または垂直方向）に延長されている第１延長部１９４ｈを有する。第１延長部１９４ｈは、垂直または水平方向に延長されて、第１副画素電極１９１ｈが占める正四角形領域の境界と接触する。その結果、第１延長部１９４ｈは、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【００４８】
第１部分板電極１９２ｈの斜辺及び第１延長部１９４ｈからは複数の第１微細枝電極１９３ｈが延長されている。複数の第１微細枝電極１９３ｈは、正四角形領域の残った領域を満たし、第１延長部１９４ｈ（またはゲート線１２１、またはデータ線１７１）に対して４５°の角度をなしており、第１部分板電極１９２ｈの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第１微細枝電極１９３ｈの終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。第１微細枝電極１９３ｈの終端が接続して閉じられれば、電界によって配向されようとする液晶層３の液晶分子の方向と、閉じられた終端によって配列されようとする液晶分子の方向とが異なって、液晶分子の応答速度が遅くなり得る。したがって、本発明の実施形態では、第１微細枝電極１９３ｈの終端が接続せずに、外部に突出して、第１微細枝電極１９３ｈの間の開口領域が開口された構造を有する。その結果、液晶分子が他の抵抗を受けずに電界によって配向されようとする方向に配向されるので、液晶分子の応答速度が向上し、テクスチャが減少する。
【００４９】
また、複数の第１微細枝電極１９３ｈで第１部分板電極１９２ｈの斜辺及び第１延長部１９４ｈと接続されている接続端は、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈの上部に位置して複数の第１微細枝電極１９３ｈの中のカラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈと重なっている。つまり、第１微細枝電極１９３ｈの接続端は一定距離ほどカラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈと重なる。したがって、第１微細枝電極１９３ｈの接続端付近は、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する（図２参照）。第１微細枝電極１９３ｈの終端部分とカラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈとが重なることにより、当該部分での液晶制御力がさらに大きくなり、そのために液晶分子が電界によって速やかに動作できるようにしてもよい。その結果、液晶分子の応答速度が向上する。但し、第１微細枝電極１９３ｈの長さが過度に長くなって、重なる距離が過度に大きい場合には、スリット構造によるテクスチャが発生する恐れがあるため、重なる距離を一定距離以下にする必要がある。本実施形態で、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものは、５０μｍより大きく６８μｍ以下の長さを有してもよく、表示装置の特性によって画素のサイズが決められる。画素のサイズによって正四角形領域のサイズが決められるとき、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さも、５０μｍより大きく６８μｍ以下の範囲から選択されて用いられてもよい。しかし、実施形態によっては、上記数値から外れる実施形態も存在してよい。第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく３５％以下の値を有してもよく、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものが第１傾斜部２３５ｈと重なる長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく１０％以下の値を有してもよい。これについては、後述する図１０〜図１７を参照して説明する。
【００５０】
一方、第２副画素電極１９１ｌが占める縦長の長方形領域は２つの正四角形領域に分けられ、第１副画素電極１９１ｈの構造はそれぞれ２つの正四角形領域に形成されて、第２副画素電極１９１ｌを形成する。
【００５１】
つまり、第２副画素電極１９１ｌが占める縦長の長方形領域を分けることによって提供された正四角形領域の１つに形成されている第２副画素電極１９１ｌは、次のような特徴を有する。
【００５２】
第２副画素電極１９１ｌは、２つに分けられた正四角形領域に位置する第２部分板電極１９２ｌ、第２延長部１９４ｌ、及び複数の第２微細枝電極１９３ｌを含む。
【００５３】
第２部分板電極１９２ｌはひし形状を有し、その中心は正四角形領域の中心に位置され、ひし形状の各頂点は、正四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第２部分板電極１９２ｌは、カラーフィルタ２３０の第２傾斜部２３５ｌの中心から一部分を覆っている。その結果、第２部分板電極１９２ｌは、カラーフィルタ２３０の第２傾斜部２３５ｌが提供する傾斜をそのまま有する。
【００５４】
第２副画素電極１９１ｌは、第２部分板電極１９２ｌのひし形状の各頂点から垂直または水平方向（ゲート線１２１またはデータ線１７１に平行または垂直方向）に延長されている第２延長部１９４ｌを有する。第２延長部１９４ｌは、垂直または水平方向に延長されて、２つに分けられた正四角形領域の境界と接触する。その結果、第２延長部１９４ｌは、カラーフィルタ２３０の第２傾斜部２３５ｌのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【００５５】
第２部分板電極１９２ｌの斜辺及び第２延長部１９４ｌからは複数の第２微細枝電極１９３ｌが延長されている。複数の第２微細枝電極１９３ｌは正四角形領域の残った領域を満たし、第２延長部１９４ｌ（またはゲート線１２１、またはデータ線１７１）に対して４５°の角度をなしており、第２部分板電極１９２ｌの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第２微細枝電極１９３ｌの終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。第２微細枝電極１９３ｌの終端が接続して閉じられれば、電界によって配向されようとする液晶層３の液晶分子の方向と、閉じられた終端によって配列されようとする液晶分子の方向とが異なって、液晶分子の応答速度が遅くなり得る。したがって、本発明の実施形態では、第２微細枝電極１９３ｌの終端が接続せずに外部に突出して、第２微細枝電極１９３ｌの間の開口領域が開口された構造を有する。その結果、液晶分子が他の抵抗を受けずに電界によって配向されようとする方向に配向されるので，液晶分子の応答速度が向上し、テクスチャが減少する。
【００５６】
また、複数の第２微細枝電極１９３ｌで第２部分板電極１９２ｌの斜辺及び第２延長部１９４ｌと接続されている接続端は、カラーフィルタ２３０の第２傾斜部２３５ｌの上部に位置して複数の第２微細枝電極１９３ｌの中のカラーフィルタ２３０の第２傾斜部２３５ｌと重なっている。つまり、第２微細枝電極１９３ｌの接続端は一定距離ほどカラーフィルタ２３０の第２傾斜部２３５ｌと重なる。したがって、第２微細枝電極１９３ｌの接続端付近は、カラーフィルタ２３０の第２傾斜部２３５ｌによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する。第２微細枝電極１９３ｌの終端部分とカラーフィルタ２３０の第２傾斜部２３５ｌとが重なることにより、当該部分での液晶制御力がさらに大きくなり、そのために液晶分子が電界によって速やかに動作できるようにしてもよい。その結果、液晶分子の応答速度が向上する。但し、第２微細枝電極１９３ｌの長さが過度に長くなって、重なる距離が過度に大きい場合には、スリット構造によるテクスチャが発生する恐れがあるため、重なる距離を一定距離以下にする必要がある。本実施形態で、第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものは５０μｍより大きく６８μｍ以下の長さを有してもよく、表示装置の特性によって画素のサイズが決められる。画素のサイズによって正四角形領域のサイズが決められるとき、微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものの長さも、５０μｍより大きく６８μｍ以下の範囲から選択されて用いられてもよい。しかし、実施形態によっては、上記数値から外れる実施形態も存在してよい。第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものの長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく３５％以下の値を有してもよく、第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものが第２傾斜部２３５ｌと重なる長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく１０％以下の値を有してもよい。これについては、後述する図１０〜図１７を参照して説明する。
【００５７】
上下に隣接する２つの正四角形領域に位置する第２延長部１９４ｌのうち、垂直方向に隣接して形成されたものは互いに接続されている。また、複数の第２微細枝電極１９３ｌのうち、互いに隣接して形成されたものも互いに接続されていてもよい。一方、実施形態によっては、第２微細枝電極１９３ｌが直接接続されずに、水平方向の接続構造を介在させて、これを通じて接続されてもよい。
【００５８】
また、上部に位置する正四角形領域においては、正四角形領域の外部に延長された第２接続部１９７ｌによって第２ドレイン電極１７５ｌの広い端部と接続されている。
【００５９】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、第１コンタクトホール１８４ｈ及び第２コンタクトホール１８４ｌを通じてそれぞれ第１ドレイン電極１７５ｈ及び第２ドレイン電極１７５ｌからデータ電圧の印加を受ける。データ電圧が印加された第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、２つの電極１９１、２７０の間の液晶層３の液晶分子の方向を決定するために上部表示板２００の共通電極２７０と共に電界を生成する。一定の液晶分子の方向によって液晶層３を通過する光の輝度が変化する。
【００６０】
第１副画素電極１９１ｈと共通電極２７０は、その間の液晶層３と共に第１液晶キャパシタＣｌｃｈを構成し、第２副画素電極１９１ｌと共通電極２７０は、その間の液晶層３と共に第２液晶キャパシタＣｌｃｌを構成して、第１薄膜トランジスタＱｈ及び第２薄膜トランジスタＱｌがターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。
【００６１】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、維持電極１３５をはじめとする蓄積電極線１３１と重なって第１ストレージキャパシタＣｓｔｈ及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｌを構成し、第１ストレージキャパシタＣｓｔｈ及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｌは、それぞれ第１液晶キャパシタＣｌｃｈ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｌの電圧維持能力を強化する。
【００６２】
容量電極１３４と第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７７ｃは、ゲート絶縁膜１４０と半導体層及びオーミックコンタクト部材１５７、１６７を介在させて互いに重なって減圧キャパシタＣｓｔｄを構成する。本発明の他の実施形態で、減圧キャパシタＣｓｔｄを構成する容量電極１３４と第３ドレイン電極１７５ｃの拡張部１７７ｃの間に配置されている半導体層及びオーミックコンタクト部材１５７、１６７は除去されてもよい。
【００６３】
画素電極１９１、露出した上部保護膜１８０ｑの上には下部配向膜（図示せず）が形成されている。下部配向膜は、垂直配向膜であってもよく、光反応物質を含む配向膜であってもよい。
【００６４】
次に、上部表示板２００について説明する。
【００６５】
絶縁基板２１０の下に遮光部材（ｌｉｇｈｔ  ｂｌｏｃｋｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）２２０を配置する。遮光部材２２０は、ブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）ともいい、光漏れを防止する。遮光部材２２０は、ゲート線１２１及び減圧ゲート線１２３に沿って延在して上下に拡張されており、第１薄膜トランジスタＱｈ、第２薄膜トランジスタＱｌ、及び第３薄膜トランジスタＱｃなどが位置する領域を覆うだけでなく、データ線１７１に沿って延在しており、データ線１７１の周辺を覆っている。遮光部材２２０が覆わない領域は、外部に光を放出させて画像を表示する領域になる。
【００６６】
遮光部材２２０の下には有機物質で形成されて平坦化された下部面を提供する平坦化層２５０が形成されている。図２の実施形態では、遮光部材２２０が上部表示板２００に形成されているが、実施形態によっては下部表示板１００に形成されてもよい。
【００６７】
平坦化層２５０の下部面には透明な導電物質で形成された共通電極２７０が形成されている。共通電極２７０には液晶制御手段として切開部２７５ｈ／２７５ｌが十字状に形成されている。第１切開部２７５ｈの十字構造における交差点は、下部表示板１００の第１部分板電極１９２ｈのひし形状の中心またはカラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈのひし形状の中心と重なる。また、第２切開部２７５ｌの十字構造は、上下に２つ形成されており、下部表示板１００の２つの第２部分板電極１９２ｌのひし形状の中心またはカラーフィルタ２３０の２つの第２傾斜部２３５ｌのひし形状の中心とそれぞれ重なる。また、隣接する画素に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌどうしは延長されて、互いに接続されてもよい。このような切開部２７５ｈ／２７５ｌは、液晶分子の制御力を向上させる役割を果たす。
【００６８】
また、共通電極２７０には、切開部２７５ｈ／２７５ｌの十字構造の交差点付近に追加的な液晶制御手段を配置する。図１の実施形態では、追加的な液晶制御手段としてひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌが形成されている。ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌは、平面図上で下部表示板１００の部分板電極１９２ｈ、１９２ｌのひし形状またはカラーフィルタ２３０の傾斜部２３５ｈ、２３５ｌのひし形状と平行する辺を有する。ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌのサイズは、実施形態によって多様であってよい。過度に小さいと、液晶制御手段としての役割が微々たるものとなり、過度に大きいと、透過率が低下するので、実施形態によって適切なサイズに形成してもよい。このような追加的な液晶制御手段のひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌによれば、共通電極２７０に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌは、垂直または水平方向だけに延長されるので、これに対する４５°方向の液晶制御力は劣る。ひし形状の追加的な液晶制御手段（ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌ）を形成して、４５°方向に対する液晶制御力を向上させ、その結果、電界によって液晶分子が速やかに配向されるようにすることで、応答速度を向上させる。
【００６９】
共通電極２７０、切開部２７５ｈ／２７５ｌ、及びひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌの下には、上部配向膜（図示せず）が形成されている。上部配向膜は、垂直配向膜であってもよく、光重合物質を利用して光配向された配向膜であってもよい。
【００７０】
２つの表示板（１００、２００）の外側面には偏光子（ｐｏｌａｒｉｚｅｒ）（図示せず）が備えられて、２つの偏光子の透過軸は直交し、このうちの１つの透過軸はゲート線１２１に対して平行してもよい。しかし、偏光子は、２つの表示板（１００、２００）のうちのいずれか１つの外側面だけに配置されてもよい。
【００７１】
液晶層３は負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電界がない状態で、その長軸が２つの表示板（１００、２００）の表面に対して垂直になるように配向されている。したがって、電界がない状態で、入射光は直交偏光子を通過できずに遮断される。
【００７２】
図１の実施形態による液晶層３には、紫外線などの光によって重合された重合体を含んでいない。しかし、実施形態によっては、紫外線などの光によって重合された重合体をさらに含んでもよい。つまり、液晶層３がプレチルトを提供する重合体がなくても、十分に配列方向が制御される場合には、重合体を含まなくてもよい。一方、実施形態によっては、上部表示板２００及び下部表示板１００に形成されている配向膜に紫外線などの光によって重合された重合体が含まれてもよく、図３４に示したような方法を通じて重合体が含まれてもよい。このとき、液晶層３では重合体が含まれなくてもよい。これについては、図３４を参照して説明する。
【００７３】
上述したように、データ電圧が印加された第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、上部表示板２００の共通電極２７０と共に電界を生成することにより、電界がない状態で、２つの電極１９１、２７０の表面に対して垂直になるように配向されていた液晶層３の液晶分子が、２つの電極１９１、２７０の表面に対して水平方向に向かって傾くようになり、液晶分子の傾く程度によって液晶層３を通過する光の輝度が変化する。
【００７４】
液晶表示装置は、２つの表示板１００、２００の間のセル間隔を維持するための間隔材（図示せず）をさらに含み、間隔材は、上部表示板２００に付着して、共通電極２７０の下に配置してもよい。
【００７５】
一方、図１の実施形態では、液晶表示装置は，上部保護膜１８０ｑ及び下部保護膜１８０ｐを含んでいる。つまり、カラーフィルタ２３０の上下に上部保護膜１８０ｑ及び下部保護膜１８０ｐが形成されているが、実施形態によっては、上部保護膜１８０ｑ及び下部保護膜１８０ｐの両方が除去されるか、またはこれらのうちの１つの保護膜が除去されてもよい。
【００７６】
一方、実施形態によっては、カラーフィルタ２３０が図１及び図２とは異なる位置（下部基板の他の部分、または上部基板）に形成されてもよく、その場合、図２のカラーフィルタ２３０の位置に有機膜が形成されてもよく、当該有機膜に傾斜部が形成されてもよい。このとき、上部保護膜１８０ｑは省略されてもよい。
【００７７】
一方、実施形態によっては、共通電極２７０に形成されている液晶制御手段及び追加的な液晶制御手段として、切開部の代わりに突起構造を形成してもよい。これについては、図３３を参照して説明する。
【００７８】
以下、図４を参照して、図１の液晶表示装置における特徴的部分を含むカラーフィルタ、画素電極、及び共通電極の構造だけについて詳細に説明する。
【００７９】
図４は、図１の液晶表示装置でカラーフィルタ、画素電極、及び共通電極だけを分離して示した配置図である。
【００８０】
先ず、図４では、図１の画素のうち、上部に位置する副画素だけを示しており、ＣＦはカラーフィルタ（ｃｏｌｏｒ  ｆｉｌｔｅｒ）を示し、ＰＥは画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を示し、ＣＥは共通電極（ｃｏｍｍｏｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）を示している。
【００８１】
図４に示されたカラーフィルタ２３０は、第１傾斜部２３５ｈを有する。第１傾斜部２３５ｈは、第１副画素電極１９１ｈと重なる部分の一部領域に、高さが変わる構造を有する。第１傾斜部２３５ｈは、図４に示したようにひし形構造を有する。第１傾斜部２３５ｈのひし形構造は、第１部分板電極１９２ｈが占める正四角形領域の境界と頂点が接するように形成されている。第１傾斜部２３５ｈは、ひし形構造の辺から中心に向かって高さが次第に低くなる構造を有する。第１傾斜部２３５ｈの一辺から中心までは、一定の傾きで高さが低くなる構造を有し、高さが低くなるほど、その幅が狭くなる。
【００８２】
図４に示された画素電極ＰＥは、次のような特徴を有する。
【００８３】
カラーフィルタ２３０の上には、第１部分板電極１９２ｈ、第１部分板電極１９２ｈから垂直または水平方向に延長されている第１延長部１９４ｈ、及び第１部分板電極１９２ｈと第１延長部１９４ｈから斜線方向に突出している複数の第１微細枝電極１９３ｈを含む第１副画素電極１９１ｈが形成されている。第１副画素電極１９１ｈは、正四角形領域の外部に延長されて、第１ドレイン電極１７５ｈの広い端部と接続されている第１接続部１９７ｈをさらに含む。
【００８４】
第１部分板電極１９２ｈはひし形状を有し、正四角形領域の中心にその中心を位置させており、ひし形状の各頂点は、正四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第１部分板電極１９２ｈは、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈの中心から一部分を覆っている。その結果、第１部分板電極１９２ｈは、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈが提供する傾斜をそのまま有する。
【００８５】
第１副画素電極１９１ｈは，第１部分板電極１９２ｈのひし形状の各頂点から垂直または水平方向に延長されている第１延長部１９４ｈを有する。第１延長部１９４ｈは、垂直または水平方向に延長されて、第１副画素電極１９１ｈが占める正四角形領域の境界と接触する。その結果、第１延長部１９４ｈは、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【００８６】
第１部分板電極１９２ｈの斜辺及び第１延長部１９４ｈからは複数の第１微細枝電極１９３ｈが延長されている。複数の第１微細枝電極１９３ｈは、正四角形領域の残った領域を満たし、第１延長部１９４ｈに対して４５°の角度をなしており、第１部分板電極１９２ｈの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第１微細枝電極１９３ｈの終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。
【００８７】
また、複数の第１微細枝電極１９３ｈにおいて、第１部分板電極１９２ｈの斜辺及び第１延長部１９４ｈと接続されている接続端は、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈの上部に位置して複数の第１微細枝電極１９３ｈの中のカラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈと重なっている。つまり、第１微細枝電極１９３ｈの接続端は一定距離ほどカラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈと重なる。したがって、第１微細枝電極１９３ｈの接続端付近は、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する。
【００８８】
図４に示された共通電極ＣＥは、次のような特徴を有する。
【００８９】
共通電極ＣＥは、液晶制御手段及び追加的な液晶制御手段を有し、液晶制御手段としては第１切開部２７５ｈを有し、追加的な液晶制御手段としては第１ひし形切開パターン２７６ｈを有する。
【００９０】
先ず、第１切開部２７５ｈは十字状に形成されており、共通電極ＣＥが形成されない領域である。また、第１ひし形切開パターン２７６ｈはひし形状を有し、第１切開部２７５ｈの交差点に中心を置いて位置している。
【００９１】
図４においては、共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、及びカラーフィルタＣＦを組み合わせた構造も示しており、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈによって実際には段差を有する構造である（図２参照）。
【００９２】
共通電極ＣＥ、画素電極ＰＥ、及びカラーフィルタＣＦを組み合わせた構造（ＣＦ＋ＰＥ＋ＣＥ）を見ると、第１部分板電極１９２ｈのひし形状の辺と、カラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈの辺とが互いに平行であり、平面図上で重ならないことが分かる。つまり、第１傾斜部２３５ｈのひし形構造がより大きい面積を有し、第１部分板電極１９２ｈのひし形構造がより小さい面積を有する。また、２つのひし形構造はその中心が一致する。その結果、第１微細枝電極１９３ｈの接続端側の一部は第１傾斜部２３５ｈと重なって傾いた構造を有する。
【００９３】
また、共通電極ＣＥの第１切開部２７５ｈの十字構造における交差点は、下部表示板１００の第１部分板電極１９２ｈのひし形状の中心、及びカラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈのひし形状の中心と一致する。また、共通電極ＣＥの第１ひし形切開パターン２７６ｈのひし形状も、第１部分板電極１９２ｈのひし形状の中心、及びカラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈのひし形状の中心と一致する。また、第１ひし形切開パターン２７６ｈのひし形構造は、第１部分板電極１９２ｈのひし形面積及びカラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈのひし形面積より小さく、各ひし形状の辺は互いに平行で、重ならない。
【００９４】
以上のように、図１の実施形態によれば、液晶分子の制御力を向上させるために、画素電極１９１の微細枝電極の終端を接続せずに、突出した構造に形成した。また、カラーフィルタの傾斜部と微細枝電極が一部重なって、当該領域での液晶分子の制御力を向上させた。それだけでなく、上部表示板２００の共通電極に液晶制御手段及び追加的な液晶制御手段を形成して、液晶分子の制御力を向上させた。
【００９５】
つまり、図１の実施形態では、微細枝電極の終端の突出構造、傾斜部と微細枝電極を重ねる構造、共通電極における液晶制御手段の形成、及び共通電極における追加的な液晶制御手段の形成という合計４つの構造を通じて、液晶分子の制御力を向上させている。しかし、このような４つの構造のうちの少なくとも１つだけが形成されても液晶制御力が向上するので、これらのうちの少なくとも１つだけが形成される実施形態も本発明に属する。実施形態の液晶配向特性により、上述した４つの構造のうちの少なくとも１つ以上を組み合わせて使用することで、液晶配向力を向上させてもよい。
【００９６】
以下、図５を参照して、図１に示したように４つの液晶配向力強化構造を用いた実施形態における透過率及び表示特性の変化について説明する。
【００９７】
図５は、本発明の実施形態を利用して実験した結果を示した図面である。
【００９８】
図５に示したように、共通電極２７０に形成された追加的な液晶制御手段であるひし形切開パターン２７６ｈ、２７６ｌの部分で光の透過率が悪いことが確認できる。しかし、これによってその周辺の液晶分子の４５°方向の液晶配向力が向上して、液晶分子が速やかに配向して、応答特性が向上される。
【００９９】
また、図５においては、部分板電極１９２ｈ、１９２ｌの４辺と、共通電極２７０の切開部２７５ｈ、２７５ｌとが接触する付近で、テクスチャが発生することも確認できる。この場合は、部分板電極１９２ｈ、１９２ｌの辺は４５°の角度に傾いているが、共通電極２７０の切開部２７５ｈ、２７５ｌが垂直／水平方向に形成されて、当該部分では液晶分子の配向方向の差によってテクスチャが発生している。しかし、この部分には傾斜部２３５ｈ、２３５ｌが形成されており、傾斜部２３５ｈ、２３５ｌと微細枝電極１９３ｈ、１９３ｌが重なって液晶分子の制御力を向上させ、テクスチャが発生する領域を減らしながら、液晶分子の応答速度も向上させている。
【０１００】
以下、傾斜部２３５ｈ、２３５ｌと微細枝電極１９３ｈ、１９３ｌとが重なる程度による表示特性の変化について説明する。
【０１０１】
先ず、図６〜図９では、傾斜部２３５ｈ、２３５ｌと微細枝電極１９３ｈ、１９３ｌとが重ならない比較例と比較して、傾斜部２３５ｈ、２３５ｌと微細枝電極１９３ｈ、１９３ｌとが重なる場合の表示特性について説明する。
【０１０２】
図６〜図９は、本発明の実施形態と比較例を比較した実験結果を示した図面である。
【０１０３】
図６においては、第１副画素電極１９１ｈの中で第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さを６５μｍに形成した実施形態を基に実験したものを示している。ここで、第１傾斜部２３５ｈの一辺の長さは１００μｍであり、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものは１５μｍ重なっている。
【０１０４】
図７では、図６と同様の重なった構造を有する画素について、時間の経過によるテクスチャの変化を示している。図７において、右側に向かうほど時間が経過したことを示しており、時間が経過するほど、テクスチャが無くなることを確認できる。
【０１０５】
図８では、比較例として、図６で微細枝電極が傾斜部と重ならない場合を示している。この場合には時間が経過しても、テクスチャの変化が少ないことが分かる。
【０１０６】
図７と図８は、互いに同一の間隔で撮影されたもので、図７の実施形態が、比較例に比べてテクスチャの除去に要する時間が少ないことが分かり、その結果、液晶分子の応答速度が向上されることを確認できる。
【０１０７】
図９は、これを表に示しており、横軸は時間であり、縦軸は輝度である。
【０１０８】
図９に示したように、図６の実施形態は、短い時間で最大輝度が現れて、維持されることを確認できるが、比較例では、時間が経過するにつれて輝度が徐々に増加されて、継続的に液晶分子が配列されながら表示輝度が増加することが確認できる。したがって、図６に示したように、微細枝電極が傾斜部と重なると、液晶分子の制御力が強化されて、液晶分子の応答速度が向上することが分かる。
【０１０９】
また、図９では、図６の実施形態の方が比較例より表示輝度も向上することを示している。つまり、図６の実施形態は、テクスチャが少なく、速やかに除去されるので、表示輝度が比較例より高いことが確認できる。
【０１１０】
以下、図１０〜図１７を参照して、微細枝電極と傾斜部の重なる程度による表示特性を説明する。
【０１１１】
図１０〜図１７は、本発明の実施形態によるテクスチャを示した図面であり、図１０及び図１１は、微細枝電極のうち最も長いものの長さが５０μｍである場合であり、図１２及び図１３は、微細枝電極のうち最も長いものの長さが６２μｍである場合であり、図１４及び図１５は、微細枝電極のうち最も長いものの長さが６８μｍである場合であり、図１６及び図１７は、微細枝電極のうち最も長いものの長さが７３μｍである場合である。
【０１１２】
先ず、図１０及び図１１について説明する。
【０１１３】
図１０及び図１１は、微細枝電極のうち最も長いものの長さが５０μｍで、第１微細枝電極１９３ｈの終端と第１傾斜部２３５ｈの一辺とが互いに一致する場合である。その結果、第１傾斜部２３５ｈの各辺に対応する部分でテクスチャが発生することを確認できる。
【０１１４】
しかし、図１２〜図１５に示したように、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さが６２μｍまたは６８μｍである場合には、第１傾斜部２３５ｈの各辺に対応する部分で、第１微細枝電極１９３ｈによって液晶制御力が増加して、当該部分でテクスチャが除去されたことを確認できる。
【０１１５】
但し、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さが６８μｍの図１４及び図１５においては、さらに第１傾斜部２３５ｈの各辺に対応する部分でテクスチャが発生し始めることを確認できる。
【０１１６】
第１微細枝電極１９３ｈと第１傾斜部２３５ｈの重なる長さが、図１６及び図１７に示したようにさらに長くなれば、第１傾斜部２３５ｈの各辺に対応する部分でテクスチャが多く発生するようになって、透過率を低下させる問題が発生する。
【０１１７】
したがって、本実施形態では、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さが、５０μｍを超えなければならず、６８μｍ以下であってもよい。このとき、第１傾斜部２３５ｈの一辺の長さは１００μｍであり、正四角形領域の斜線長さは２００μｍである。
【０１１８】
したがって、微細枝電極のうち最も長いものの長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく３５％以下の値を有してもよく、微細枝電極のうち最も長いものが傾斜部と重なる長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく１０％以下の値を有してもよい。
【０１１９】
以下、図１８〜図２４を参照して、上部表示板２００の共通電極２７０に形成される液晶制御手段または追加的な液晶制御手段の種々の実施形態について説明する。
【０１２０】
図１８〜図２４は、本発明の他の実施形態による画素構造、及びそれによるテクスチャを示した図面である。
【０１２１】
先ず、図１８及び図１９は、図１の共通電極２７０から追加的な液晶制御手段のひし形切開パターン２７６ｈ、２７６ｌを除去した場合である。つまり、共通電極２７０には、液晶制御手段であって十字構造を有する切開部２７５ｈ、２７５ｌだけが形成されている。
【０１２２】
図１９を図５と比較すると、図１９の実施形態では、十字構造の交差点部分で光が透過するという長所があるが、十字構造の切開部２７５ｈと第１傾斜部２３５ｈとが重なる領域で発生するテクスチャのサイズが、相対的に大きいことが分かる。
【０１２３】
以下、図２０の実施形態について説明する。
【０１２４】
図２０に示したように、共通電極２７０には十字構造の切開部を液晶制御手段として有し、追加的な液晶制御手段としては、図１とは異なってＸ字形状を有するＸ字切開パターン２７７ｈで形成されている。ここで、Ｘ字切開パターン２７７ｈの一辺の長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく２５％以下の値を有してもよい。Ｘ字切開パターン２７７ｈは、突起で形成される場合を含んでＸ字パターンとする。
【０１２５】
図２１を図５及び図１９と比較すると、十字構造の交差点部分で光が透過するという長所を有し、十字構造の切開部２７５ｈと第１傾斜部２３５ｈとが重なる領域で発生するテクスチャのサイズも、相対的に大きくないという長所を有する。
【０１２６】
以下、図２２の実施形態について説明する。
【０１２７】
図２２に示したように、共通電極２７０に追加的な液晶制御手段を有することなく、液晶制御手段として有する十字構造の切開部２７５ｈの中間に切断された部分２７５-１ｈを有する。切断された部分２７５-１ｈは、共通電極２７０が切開部２７５ｈの間に形成されることにより、切開部分が切断されるように形成されている。その結果、１つの正四角形領域に位置する共通電極２７０が、切断された部分２７５-１ｈを通じて接続されている。
【０１２８】
図２３を図５、図１９、及び図２１と比較すると、十字構造の交差点の部分で光が透過するという長所があるが、十字構造の切開部２７５ｈと第１傾斜部２３５ｈが重なる領域、及び切断された部分２７５-１ｈで、テクスチャが発生することを確認できる。
【０１２９】
実施形態によっては、図１、図１８、図２０、及び図２２のうち、少なくとも２つが互いに共に用いられるが、一例として図２４の構造を示した。
【０１３０】
図２４は、図１と図２２の構造を併合した構造である。
【０１３１】
つまり、図２４に示したように、共通電極２７０に液晶制御手段として有する十字構造の第１切開部２７５ｈの中間に、切断された部分２７５-１ｈを有する。また、図１に示したように、追加的な液晶制御手段として第１ひし形切開パターン２７６ｈを有する。このような図２４の構造は、第１切開部２７５ｈの切断された部分２７５-１及びひし形切開パターン２７６ｈにより、液晶分子の制御力が向上して、さらに速い液晶分子の応答速度を得ることができる。
【０１３２】
以上のような本発明の実施形態は、多様な画素構造で適用が可能であり、以下の図２５〜図３２においては、各画素構造別に適用された代表的な例についてそれぞれ説明する。
【０１３３】
図２５〜図３２は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の回路図及び配置図を示した図面である。
【０１３４】
先ず、図２５及び図２６を参照して、２つの副画素が１つのトランジスタＱからデータ電圧の印加を受けた後、ストレージキャパシタＣａｓによってカップリングされている構造に基づいて説明する。
【０１３５】
図２５は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の一画素に対する等価回路図であり、図２６は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の下部表示板の配置図である。
【０１３６】
本発明の実施形態による液晶表示装置は、複数のゲート線ＧＬ、複数のデータ線ＤＬ、及び複数の蓄積電極線ＳＬを含む信号線と、これに接続されている複数の画素ＰＸを含む。各画素ＰＸは、一対の第１副画素ＰＸａ及び第２副画素ＰＸｂを含み、第１副画素ＰＸａには第１副画素電極（図２６の１９１ｈ）が形成され、第２副画素ＰＸｂには第２副画素電極（図２６の１９１ｌ）が形成される。
【０１３７】
本発明の実施形態による液晶表示装置は、ゲート線ＧＬ及びデータ線ＤＬに接続されているスイッチング素子Ｑ、スイッチング素子Ｑと接続して第１副画素ＰＸａに形成される第１液晶キャパシタＣｌｃａと第１ストレージキャパシタＣｓｔａ、スイッチング素子Ｑと接続して第２副画素ＰＸｂに形成される第２液晶キャパシタＣｌｃｂと第２ストレージキャパシタＣｓｔｂ、及びスイッチング素子Ｑ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｂの間に形成される補助キャパシタＣａｓをさらに含む。
【０１３８】
スイッチング素子Ｑは、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬと接続され、入力端子はデータ線ＤＬと接続され、出力端子は第１液晶キャパシタＣｌｃａ、第１ストレージキャパシタＣｓｔａ、及び補助キャパシタＣａｓと接続されている。
【０１３９】
補助キャパシタＣａｓの一側端子は、スイッチング素子Ｑの出力端子に接続され、他側端子は、第２液晶キャパシタＣｌｃｂ及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｂに接続される。
【０１４０】
補助キャパシタＣａｓによって第２液晶キャパシタＣｌｃｂの充電電圧を第１液晶キャパシタＣｌｃａの充電電圧より低くすることで、液晶表示装置の側面視認性を向上させることができる。
【０１４１】
このような本発明の実施形態による液晶表示装置の構造においては、図２６に示したように、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板（図示せず）の上に、複数のゲート線（ｇａｔｅ  ｌｉｎｅ）１２１及び複数の蓄積電極線（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ  ｌｉｎｅｓ）１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。
【０１４２】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向に延在する。各ゲート線１２１は、上に突出した複数のゲート電極（ｇａｔｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１２４を含む。
【０１４３】
蓄積電極線１３１は、所定の電圧の印加を受け、ゲート線１２１とほぼ平行に延在する。各蓄積電極線１３１は、隣接した２つのゲート線１２１の間に位置する。蓄積電極線１３１は、下に拡張された維持電極（ｓｔｏｒａｇｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１３５ａ、１３５ｂを含む。しかし、蓄積電極線１３１及び維持電極１３５ａ、１３５ｂの形状及び配置は多様に変更されてもよい。
【０１４４】
ゲート導電体１２１、１３１の上にはゲート絶縁膜（ｇａｔｅ  ｉｎｓｕｌａｔｉｎｇｌａｙｅｒ）（図示せず）が形成されている。ゲート絶縁膜の上には島型の半導体１５４が形成されている。半導体１５４はゲート電極１２４の上に位置する。
【０１４５】
半導体１５４及びゲート絶縁膜の上には複数のデータ線（ｄａｔａ  ｌｉｎｅ）１７１とドレイン電極（ｄｒａｉｎ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７５を含むデータ導電体が形成されている。
【０１４６】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び蓄積電極線１３１と交差する。各データ線１７１は、ゲート電極１２４に向かって延在したソース電極（ｓｏｕｒｃｅ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１７３を含む。
【０１４７】
ドレイン電極１７５は、データ線１７１と分離されており、ゲート電極１２４を中心にソース電極１７３と対向する棒状の端部を含む。棒状の端部は、曲がったソース電極１７３によって一部が取り囲まれている。
【０１４８】
ドレイン電極１７５の他端部は、データ線１７１に実質的に平行に延在して、第１副画素ＰＸａと第２副画素ＰＸｂにわたって形成され、第２副画素ＰＸｂに形成された部分を補助電極１７６という。
【０１４９】
データ導電体１７１、１７５及び半導体１５４の上には保護膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）（図示せず）が形成されている。保護膜は、有機絶縁物などからなり、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌを含む。保護膜は、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌを除いて表面が平坦である。図２６の実施形態では、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌが保護膜の上に形成されていて、図１のカラーフィルタ２３０に形成されている実施形態と異なる。
【０１５０】
傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌと重なる部分のうちの一部領域に位置し、高さが変化する構造を有する。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、図２６に示したようにひし形構造を有する。第１傾斜部１８５ｈのひし形構造は、第１部分板電極１９２ｈが占める四角形領域の境界と頂点が接するように形成されてもよく、実施形態によっては、境界と接しなくてもよい。また、第２傾斜部１８５ｌのひし形構造は、第２部分板電極１９２ｌが占める四角形領域の境界と頂点が接するように形成されてもよく、実施形態によっては、境界と接しなくてもよい。また、実施形態によっては、ひし形構造が位置する領域が正四角形、または長方形領域を有してもよい。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、ひし形構造の辺から中心に向かって高さが次第に低くなる構造を有する。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌの一辺から中心までは一定の傾きで高さが低くなる構造を有し、高さが低くなるほどその幅が狭くなる。ひし形構造の傾斜部１８５ｈ、１８５ｌの中心では有機絶縁物が形成されなくてもよく、実施形態によっては、中心付近で一定の領域に有機絶縁物が形成されない開口部を有してもよい。
【０１５１】
保護膜の下にはカラーフィルタが形成されてもよく、カラーフィルタが上部表示板に位置してもよい。また、図２６とは異なり、保護膜の下に位置するカラーフィルタに、図１に示したような傾斜部が位置してもよい。このとき、保護膜には傾斜部が形成されなくてもよい。
【０１５２】
保護膜の上には複数の画素電極（ｐｉｘｅｌ  ｅｌｅｃｔｒｏｄｅ）１９１が形成されている。各画素電極１９１は、一定の間隔を置いて形成される第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌとを含む。
【０１５３】
第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌは、それぞれその中央に位置する部分板電極１９２ｈ、１９２ｌ、部分板電極１９２ｈ、１９２ｌから垂直または水平方向に延長されている延長部１９４ｈ、１９４ｌ、及び部分板電極１９２ｈ、１９２ｌと延長部１９４ｈ、１９４ｌから斜辺方向に突出している複数の微細枝電極１９３ｈ、１９３ｌを含む。
【０１５４】
第１副画素電極１９１ｈには、第１部分板電極１９２ｈと、複数の第１微細枝電極１９３ｈが形成されており、四角形領域の外部に延長された接続部によってドレイン電極１７５の広い端部と接続されている。
【０１５５】
第１部分板電極１９２ｈはひし形状を有し、四角形領域の中心にその中心を位置させており、ひし形状の各頂点は、四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第１部分板電極１９２ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈの中心から一部分を覆っている。その結果、第１部分板電極１９２ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈが提供する傾斜をそのまま有する。
【０１５６】
第１副画素電極１９１ｈは第１部分板電極１９２ｈのひし形状の各頂点から垂直または水平方向（ゲート線１２１またはデータ線１７１に平行または垂直方向）に延長されている第１延長部１９４ｈを有する。第１延長部１９４ｈは、垂直または水平方向に延長されて、第１副画素電極１９１ｈが占める四角形領域の境界と接触する。その結果、第１延長部１９４ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【０１５７】
第１部分板電極１９２ｈの斜辺及び第１延長部１９４ｈからは複数の第１微細枝電極１９３ｈが延長されている。複数の第１微細枝電極１９３ｈは、四角形領域の残った領域を満たし、第１延長部１９４ｈ（またはゲート線１２１、またはデータ線１７１）に対して４５°の角度をなしており、第１部分板電極１９２ｈの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第１微細枝電極１９３ｈの終端は互いに接続されず、外部に突出した構造を有する。第１微細枝電極１９３ｈの終端が接続して閉じられれば、電界によって配向されようとする液晶層３の液晶分子の方向と、閉じられた終端によって配列されようとする液晶分子の方向とが異なって、液晶分子の応答速度が遅くなり得る。したがって、本発明の実施形態では、第１微細枝電極１９３ｈの終端が接続せずに、外部に突出して、第１微細枝電極１９３ｈの間の開口領域が開口された構造を有する。その結果、液晶分子が他の抵抗を受けずに電界によって配向されようとする方向に配向されるので、液晶分子の応答速度が向上し、テクスチャが減少する。
【０１５８】
また、複数の第１微細枝電極１９３ｈにおいて、第１部分板電極１９２ｈの斜辺及び第１延長部１９４ｈと接続されている接続端は、保護膜の第１傾斜部１８５ｈの上部に位置して複数の第１微細枝電極１９３ｈの中の保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なっている。つまり、第１微細枝電極１９３ｈの接続端は一定距離ほど保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なる。したがって、第１微細枝電極１９３ｈの接続端付近は、保護膜の第１傾斜部１８５ｈによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する。第１微細枝電極１９３ｈの終端部分と保護膜の第１傾斜部１８５ｈとが重なることにより、当該部分での液晶制御力がさらに大きくなり、そのために液晶分子が電界によって速やかに動作するようにしてもよい。その結果、液晶分子の応答速度が向上する。但し、第１微細枝電極１９３ｈの長さが過度に長くなって、重なる距離が過度に大きい場合には、スリット構造によるテクスチャが発生する恐れがあるため、重なる距離を一定距離以下にする必要がある。本実施形態で、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものは５０μｍより大きく６８μｍ以下の長さを有してもよく、表示装置の特性によって画素のサイズが決められる。画素のサイズによって四角形領域のサイズが決められるとき、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さも５０μｍより大きく、６８μｍ以下の範囲から選択されて用いられてもよい。しかし、実施形態によっては、上記数値から外れる実施形態も存在してよい。第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さは、四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく、３５％以下の値を有してもよく、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものが第１傾斜部２３５ｈと重なる長さは、四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく、１０％以下の値を有してもよい。
【０１５９】
一方、第２副画素電極１９１ｌの第２部分板電極１９２ｌはひし形状を有し、四角形領域の中心にその中心を位置させており、ひし形状の各頂点は四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第２部分板電極１９２ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌの中心から一部分を覆っている。その結果、第２部分板電極１９２ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌが提供する傾斜をそのまま有する。
【０１６０】
第２副画素電極１９１ｌは第２部分板電極１９２ｌのひし形状の各頂点から垂直または水平方向（ゲート線１２１またはデータ線１７１に平行または垂直方向）に延長されている第２延長部１９４ｌを有する。第２延長部１９４ｌは、垂直または水平方向に延長されて、２つに分けられた正四角形領域の境界と接触する。その結果、第２延長部１９４ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【０１６１】
第２部分板電極１９２ｌの斜辺及び第２延長部１９４ｌからは複数の第２微細枝電極１９３ｌが延長されている。複数の第２微細枝電極１９３ｌは、四角形領域の残った領域を満たし、第２延長部１９４ｌ（またはゲート線１２１、またはデータ線１７１）に対して４５°の角度をなしており、第２部分板電極１９２ｌの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第２微細枝電極１９３ｌの終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。第２微細枝電極１９３ｌの終端が接続して閉じられれば、電界によって配向されようとする液晶層３の液晶分子の方向と、閉じられた終端によって配列されようとする液晶分子の方向とが異なって、液晶分子の応答速度が遅くなり得る。したがって、本発明の実施形態では、第２微細枝電極１９３ｌの終端が接続せずに、外部に突出して、第２微細枝電極１９３ｌの間の開口領域が開口された構造を有する。その結果、液晶分子が他の抵抗を受けずに電界によって配向されようとする方向に配向されるので、液晶分子の応答速度が向上し、テクスチャが減少する。
【０１６２】
また、複数の第２微細枝電極１９３ｌにおいて、第２部分板電極１９２ｌの斜辺及び第２延長部１９４ｌと接続されている接続端は、保護膜の第２傾斜部１８５ｌの上部に位置して複数の第１微細枝電極１９３ｈの中の保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なっている。つまり、第２微細枝電極１９３ｌの接続端は一定距離ほど保護膜の第２傾斜部１８５ｌと重なる。したがって、第２微細枝電極１９３ｌの接続端付近は、保護膜の第２傾斜部１８５ｌによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する。第２微細枝電極１９３ｌの終端部分と保護膜の第２傾斜部１８５ｌとが重なることにより、当該部分での液晶制御力がさらに大きくなり、そのために液晶分子が電界によって速やかに動作するようにしてもよい。その結果、液晶分子の応答速度が向上する。但し、第２微細枝電極１９３ｌの長さが過度に長くなって、重なる距離が過度に大きい場合には、スリット構造によるテクスチャが発生する恐れがあるため、重なる距離を一定距離以下にする必要がある。本実施形態で、第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものは５０μｍより大きく、６８μｍ以下の長さを有してもよく、表示装置の特性によって画素のサイズが決められる。画素のサイズによって正四角形領域のサイズが決められるとき、微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものの長さも５０μｍより大きく、６８μｍ以下の範囲から選択されて用いられてもよい。しかし、実施形態によっては、上記数値から外れる実施形態も存在してよい。第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものの長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく、３５％以下の値を有してもよく、第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものが第２傾斜部１８５ｌと重なる長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく、１０％以下の値を有してもよい。
【０１６３】
一方、第２副画素電極１９１ｌには、第２部分板電極１９２ｌと複数の第２微細枝電極１９３ｌが形成されており、補助電極１７６と重なって補助キャパシタＣａｓを構成する。
【０１６４】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、上部表示板の共通電極、その間の液晶層と共に、第１液晶キャパシタ及び第２液晶キャパシタを構成して、薄膜トランジスタ（図２５のＱ）がターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。
【０１６５】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、維持電極１３５ａ、１３５ｂと重なって第１ストレージキャパシタＣｓｔａ及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｂを構成し、第１液晶キャパシタＣｌｃａ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧維持能力を強化する。
【０１６６】
第１実施形態で、補助電極１７６は、ドレイン電極１７５が延長されて形成されたものと説明したが、本発明はこれに限定されることなく、補助電極１７６がドレイン電極１７５と分離されて形成されてもよい。このとき、第１副画素電極１９１ｈの上部の保護膜にはコンタクトホールが形成され、補助電極１７６は、コンタクトホールを通じて第１副画素電極１９１ｈと接続され、第２副画素電極１９１ｌと重なるように形成されてもよい。
【０１６７】
一方、上部表示板２００には、遮光部材及び共通電極が形成されてもよい。カラーフィルタは上部表示板２００に形成されてもよい。
【０１６８】
上部表示板２００に形成される共通電極は、透明な導電物質で形成されており、液晶制御手段及び追加的な液晶制御手段を含んでもよい。
【０１６９】
共通電極２７０には、液晶制御手段として切開部２７５ｈ／２７５ｌが十字状に形成されている。第１切開部２７５ｈの十字構造における交差点は、下部表示板１００の第１部分板電極１９２ｈのひし形状の中心、または保護膜の第１傾斜部１８５ｈのひし形状の中心と重なる。また、第２切開部２７５ｌの十字構造は、下部表示板１００の第２部分板電極１９２ｌのひし形状の中心、または保護膜の第２傾斜部１８５ｌのひし形状の中心とそれぞれ重なる。また、隣接する画素に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌどうしは延長されて、互いに接続されてもよい。このような切開部２７５ｈ／２７５ｌは、液晶分子の制御力を向上させる役割を果たす。
【０１７０】
また、共通電極２７０には、切開部２７５ｈ／２７５ｌの十字構造の交差点付近に追加的な液晶制御手段が位置する。図２６の実施形態では、追加的な液晶制御手段としてひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌが形成されている。ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌは、平面図上で下部表示板１００の部分板電極１９２ｈ、１９２ｌのひし形状、または保護膜の傾斜部１８５ｈ、１８５ｌのひし形状と平行する辺を有する。ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌのサイズは、実施形態によって多様であってもよい。過度に小さいと、液晶制御手段としての役割が微々たるものとなり、過度に大きいと、透過率が低下するので、実施形態によって適切なサイズに形成してもよい。このような追加的な液晶制御手段のひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌによれば、共通電極２７０に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌは、垂直または水平方向だけに延長されるので、これに対する４５°方向の液晶制御力は劣る。ひし形状の追加的な液晶制御手段（ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌ）を形成することで、４５°方向に対する液晶制御力を向上させ、その結果、電界によって液晶分子が速やかに配向されるようにして、応答速度を向上させる。
【０１７１】
下部表示板１００及び上部表示板２００の内側には配向膜（図示せず）が形成されている。配向膜は、垂直配向膜であってもよく、光重合物質を利用して光配向された配向膜であってもよい。
【０１７２】
２つの表示板１００、２００の外側面には偏光子（図示せず）が備えられており、２つの偏光子の透過軸は直交し、このうちの１つの透過軸はゲート線１２１に対して平行してもよい。
【０１７３】
液晶層３は下部表示板１００及び上部表示板２００の間に負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電界がない状態で、その長軸が２つの表示板１００、２００の表面に対して垂直になるように配向されている。
【０１７４】
図２６の実施形態による液晶層３には、紫外線などの光によって重合された重合体を含んでいない。しかし、実施形態によっては、紫外線などの光によって重合された重合体をさらに含んでもよい。これについては、図３４を参照して説明する。
【０１７５】
以下、図２７及び図２８を参照すると、２つの副画素がそれぞれ１つずつのトランジスタＱａ、Ｑｂから同一のデータ電圧の印加を受けた後、第３スイッチング素子Ｑｃによって第２副画素電極（図２８の１９１ｌ）の電荷が補助キャパシタＣａｓに流れて、第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧が下降する。
【０１７６】
以下、図２７及び図２８を参照して、本発明の実施形態による液晶表示装置について詳細に説明する。
【０１７７】
図２７は、本発明の実施形態による液晶表示装置の一画素に対する等価回路図であり、図２８は、本発明の実施形態による液晶表示装置の下部表示板の配置図である。
【０１７８】
本発明の実施形態による液晶表示装置は、複数のゲート線ＧＬｎ、ＧＬｎ＋１、複数のデータ線ＤＬ、及び複数の蓄積電極線ＳＬを含む信号線と、これに接続されている複数の画素ＰＸを含む。各画素ＰＸは、一対の第１副画素ＰＸａ及び第２副画素ＰＸｂを含み、  第１副画素ＰＸａには第１副画素電極（図２８の１９１ｈ）が形成され、第２副画素ＰＸｂには第２副画素電極（図２８の１９１ｌ）が形成される。
【０１７９】
本発明の実施形態による液晶表示装置は、ゲート線ＧＬｎ及びデータ線ＤＬに接続されている第１スイッチング素子Ｑａと第２スイッチング素子Ｑｂ、第１スイッチング素子Ｑａと接続して第１副画素ＰＸに形成される第１液晶キャパシタＣｌｃａと第１ストレージキャパシタＣｓｔａ、第２スイッチング素子Ｑｂと接続して第２副画素に形成される第２液晶キャパシタＣｌｃｂと第２ストレージキャパシタＣｓｔｂ、第２スイッチング素子Ｑｂと接続し、次のゲート線ＧＬｎ＋１によってスイッチングされる第３スイッチング素子Ｑｃ、及び第３スイッチング素子Ｑｃと接続される補助キャパシタＣａｓをさらに含む。
【０１８０】
第１スイッチング素子Ｑａ及び第２スイッチング素子Ｑｂは、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、その制御端子はゲート線ＧＬｎと接続され、入力端子はデータ線ＤＬと接続され、出力端子はそれぞれ第１液晶キャパシタＣｌｃａ及び第１ストレージキャパシタＣｓｔａ、第２液晶キャパシタＣｌｃｂ及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｂと接続されている。
【０１８１】
第３スイッチング素子Ｑｃも、下部表示板１００に備えられている薄膜トランジスタなどの三端子素子であって、制御端子は次のゲート線ＧＬｎ＋１と接続され、入力端子は第２液晶キャパシタＣｌｃｂと接続され、出力端子は補助キャパシタＣａｓと接続されている。
【０１８２】
補助キャパシタＣａｓの一側端子は第３スイッチング素子Ｑｃの出力端子に接続され、他側端子は蓄積電極線ＳＬに接続される。
【０１８３】
本発明の実施形態による液晶表示装置の動作について説明すると、ゲート線ＧＬｎにゲートオン電圧が印加されれば、これに接続された第１スイッチング素子Ｑａ及び第２スイッチング素子Ｑｂがターンオンされ、データ線１７１のデータ電圧が第１副画素電極及び第２副画素電極（図２８の１９１ｈ、１９１ｌ）に印加される。
【０１８４】
次に、ゲート線ＧＬｎにゲートオフ電圧が印加され、次のゲート線ＧＬｎ＋１にゲートオン電圧が印加されれば、第１スイッチング素子Ｑａ及び第２スイッチング素子Ｑｂはターンオフされ、第３スイッチング素子Ｑｃはターンオンされる。そのために第２スイッチング素子Ｑｂの出力端子と接続された第２副画素電極（図２８の１９１ｌ）の電荷が補助キャパシタＣａｓに流れて、第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧が下降する。
【０１８５】
このように、第１液晶キャパシタＣｌｃａ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｂの充電電圧を異ならせることで、液晶表示装置の側面視認性を向上させることができる。
【０１８６】
このような本発明の実施形態による液晶表示装置の構造においては、図２８に示したように、透明なガラスまたはプラスチックなどからなる絶縁基板（図示せず）の上に、複数の第１ゲート線１２１、複数の減圧ゲート線１２３、及び複数の蓄積電極線１３１を含む複数のゲート導電体が形成されている。
【０１８７】
第１ゲート線１２１及び減圧ゲート線１２３は、主に横方向に延在して、ゲート信号を伝達する。第１ゲート線１２１は、上に突出した第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂを含み、減圧ゲート線１２３は、上に突出した第３ゲート電極１２４ｃを含む。第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂは、互いに接続して１つの突出部を形成する。
【０１８８】
蓄積電極線１３１も、主に横方向に延在して、共通電圧などの定められた電圧を伝達する。蓄積電極線１３１は、上下に拡張された維持電極１３５ａ、１３５ｂを含む。このとき、蓄積電極線１３１及び維持電極１３５ａ、１３５ｂの形状及び配置は多様に変更されてもよい。
【０１８９】
ゲート導電体１２１、１２３、１３１の上にはゲート絶縁膜（図示せず）が形成されている。
【０１９０】
ゲート絶縁膜１４０の上には複数の島型の半導体１５４が形成されている。半導体１５４は、第１ゲート電極１２４ａの上に位置した第１半導体１５４ａ、第２ゲート電極１２４ｂの上に位置した第２半導体１５４ｂ、及び第３ゲート電極１２４ｃの上に位置した第３半導体１５４ｃを含む。第１半導体１５４ａと第２半導体１５４ｂは互いに接続されてもよい。
【０１９１】
半導体１５４及びゲート絶縁膜の上には複数のデータ線ｌｉｎｅ１７１、第１ドレイン電極１７５ａ、第２ドレイン電極１７５ｂ、第３ソース電極１７３ｃ、及び第３ドレイン電極１７５ｃを含むデータ導電体が形成されている。
【０１９２】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延在して第１ゲート線１２１及び減圧ゲート線１２３と交差する。各データ線１７１は、第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂに向かって延在する第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂを含む。第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂは互いに接続されている。
【０１９３】
第１ドレイン電極１７５ａ、第２ドレイン電極１７５ｂ、及び第３ドレイン電極１７５ｃは、広い一端部と、棒状の他端部を含む。第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの棒状の端部は、それぞれ第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂによって一部が取り囲まれており、第３ドレイン電極１７５ｃも第３ソース電極１７３ｃによって一部が取り囲まれている。第２ドレイン電極１７５ｂの広い一端部は、第３ソース電極１７３ｃと接続されている。第３ドレイン電極１７５ｃの広い端部１７７ｃは、蓄積電極線１３１の拡張部１３７ａと一部重なって、補助キャパシタＣａｓを形成する。
【０１９４】
第１／第２／第３ゲート電極（１２４ａ／１２４ｂ／１２４ｃ）、第１／第２／第３ソース電極（１７３ａ／１７３ｂ／１７３ｃ）及び第１／第２／第３ドレイン電極（１７５ａ／１７５ｂ／１７５ｃ）は、第１／第２／第３半導体（１５４ａ／１５４ｂ／１５４ｃ）と共に１つの第１／第２／第３薄膜トランジスタ（図５のＱａ／Ｑｂ／Ｑｃ）を構成し、薄膜トランジスタのチャネルは、各ソース電極（１７３ａ／１７３ｂ／１７３ｃ）と各ドレイン電極（１７５ａ／１７５ｂ／１７５ｃ）の間の各半導体（１５４ａ／１５４ｂ／１５４ｃ）に形成される。
【０１９５】
データ導電体１７１、１７５ａ、１７５ｂ、１７５ｃ及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ、１５４ｃ部分の上には、保護膜（図示せず）が形成されている。保護膜は、有機絶縁物などからなり、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌを含む。保護膜は、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌを除いては表面が平坦である。図２８の実施形態では、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌが保護膜の上に形成されていて、図１のカラーフィルタ２３０に形成されている実施形態と異なる。
【０１９６】
傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌと重なる部分のうちの一部領域に位置し、高さが変化する構造を有する。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、図２８に示したようにひし形構造を有する。第１傾斜部１８５ｈのひし形構造は、第１部分板電極１９２ｈが占める四角形領域の境界と頂点が接するように形成されてもよく、実施形態によっては、境界と接しなくてもよい。また、第２傾斜部１８５ｌのひし形構造は、第２部分板電極１９２ｌが占める四角形領域の境界と頂点が接するように形成されてもよく、実施形態によっては、境界と接しなくてもよい。また、実施形態によっては、ひし形構造が位置する領域が正四角形または長方形領域を有してもよい。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、ひし形構造の辺から中心に向かって高さが次第に低くなる構造を有する。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌの一辺から中心までは、一定の傾きで高さが低くなる構造を有し、高さが低くなるほど、その幅が狭くなる。ひし形構造の傾斜部１８５ｈ、１８５ｌの中心では有機絶縁物が形成されなくてもよく、実施形態によっては、中心付近で一定の領域に有機絶縁物が形成されない開口部を有してもよい。
【０１９７】
保護膜の下にはカラーフィルタが形成されてもよく、カラーフィルタが上部表示板に位置してもよい。また、図２８と異なり、保護膜の下に位置するカラーフィルタに、図１に示したような傾斜部が位置してもよい。このとき、保護膜には傾斜部が形成されなくてもよい。
【０１９８】
保護膜の上には複数の画素電極１９１が形成されている。各画素電極１９１は、一定の間隔を置いて形成される第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌを含む。
【０１９９】
第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌは、それぞれその中央に位置する部分板電極１９２ｈ、１９２ｌ、部分板電極１９２ｈ、１９２ｌから垂直または水平方向に延長されている延長部１９４ｈ、１９４ｌ、及び部分板電極１９２ｈ、１９２ｌと延長部１９４ｈ、１９４ｌから斜線方向に突出している複数の微細枝電極１９３ｈ、１９３ｌを含む。
【０２００】
第１副画素電極１９１ｈには、第１部分板電極１９２ｈと複数の第１微細枝電極１９３ｈとが形成されており、四角形領域の外部に延長された接続部により、ドレイン電極１７５の広い端部と接続されている。
【０２０１】
第１部分板電極１９２ｈは、ひし形状を有し、四角形領域の中心にその中心を位置させており、ひし形状の各頂点は、四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第１部分板電極１９２ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈの中心から一部分を覆っている。その結果、第１部分板電極１９２ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈが提供する傾斜をそのまま有する。
【０２０２】
第１部分板電極１９２ｈのひし形状の各頂点から垂直または水平方向（ゲート線１２１またはデータ線１７１に平行または垂直方向）に延長されている第１延長部１９４ｈを有する。第１延長部１９４ｈは、垂直または水平方向に延長されて、第１副画素電極１９１ｈが占める四角形領域の境界と接触する。その結果、第１延長部１９４ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【０２０３】
第１部分板電極１９２ｈの斜辺及び第１延長部１９４ｈからは複数の第１微細枝電極１９３ｈが延長されている。複数の第１微細枝電極１９３ｈは、四角形領域の残った領域を満たし、第１延長部１９４ｈ（またはゲート線１２１またはデータ線１７１）に対して４５°の角度をなしており、第１部分板電極１９２ｈの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第１微細枝電極１９３ｈの終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。第１微細枝電極１９３ｈの終端が接続して閉じられれば、電界によって配向されようとする液晶層３の液晶分子の方向と、閉じられた終端によって配列されようとする液晶分子の方向とが異なって、液晶分子の応答速度が遅くなり得る。したがって、本発明の実施形態では、第１微細枝電極１９３ｈの終端が接続せずに、外部に突出して、第１微細枝電極１９３ｈの間の開口領域が開口された構造を有する。その結果、液晶分子が他の抵抗を受けずに電界によって配向されようとする方向に配向されるので、液晶分子の応答速度が向上し、テクスチャが減少する。
【０２０４】
また、複数の第１微細枝電極１９３ｈにおいて、第１部分板電極１９２ｈの斜辺、及び第１延長部１９４ｈと接続されている接続端は、保護膜の第１傾斜部１８５ｈの上部に位置して複数の第１微細枝電極１９３ｈの中の保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なっている。つまり、第１微細枝電極１９３ｈの接続端は一定距離ほど保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なる。したがって、第１微細枝電極１９３ｈの接続端付近は、保護膜の第１傾斜部１８５ｈによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する。第１微細枝電極１９３ｈの終端部分と、保護膜の第１傾斜部１８５ｈとが重なることにより、当該部分での液晶制御力がさらに大きくなり、そのために液晶分子が電界によって速やかに動作するようにしてもよい。その結果、液晶分子の応答速度が向上する。但し、第１微細枝電極１９３ｈの長さが過度に長くなって、重なる距離が過度に大きい場合には、スリット構造によるテクスチャが発生する恐れがあるため、重なる距離を一定距離以下にする必要がある。本実施形態で、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものは５０μｍより大きく、６８μｍ以下の長さを有してもよく、表示装置の特性によって画素のサイズが決められる。画素のサイズによって四角形領域のサイズが決められるとき、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さも５０μｍより大きく、６８μｍ以下の範囲から選択されて用いられてもよい。しかし、実施形態によっては、上記数値から外れる実施形態も存在してよい。第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さは、四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく、３５％以下の値を有してもよく、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものが第１傾斜部２３５ｈと重なる長さは、四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく、１０％以下の値を有してもよい。
【０２０５】
一方、第２副画素電極１９１ｌの第２部分板電極１９２ｌはひし形状を有し、四角形領域の中心にその中心を位置させており、ひし形状の各頂点は、四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第２部分板電極１９２ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌの中心から一部分を覆っている。その結果、第２部分板電極１９２ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌが提供する傾斜をそのまま有する。
【０２０６】
第２副画素電極１９１ｌは第２部分板電極１９２ｌのひし形状の各頂点から垂直または水平方向（ゲート線１２１またはデータ線１７１に平行または垂直方向）に延長されている第２延長部１９４ｌを有する。第２延長部１９４ｌは、垂直または水平方向に延長されて、２つに分けられた正四角形領域の境界と接触する。その結果、第２延長部１９４ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【０２０７】
第２部分板電極１９２ｌの斜辺及び第２延長部１９４ｌからは複数の第２微細枝電極１９３ｌが延長されている。複数の第２微細枝電極１９３ｌは、四角形領域の残った領域を満たし、第２延長部１９４ｌ（またはゲート線１２１、またはデータ線１７１）に対して４５°の角度をなしており、第２部分板電極１９２ｌの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第２微細枝電極１９３ｌの終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。第２微細枝電極１９３ｌの終端が接続して閉じられれば、電界によって配向されようとする液晶層３の液晶分子の方向と、閉じられた終端によって配列されようとする液晶分子の方向とが異なって、液晶分子の応答速度が遅くなり得る。したがって、本発明の実施形態では、第２微細枝電極１９３ｌの終端が接続せずに、外部に突出して、第２微細枝電極１９３ｌの間の開口領域が開口された構造を有する。その結果、液晶分子が他の抵抗を受けずに電界によって配向されようとする方向に配向されるので、液晶分子の応答速度が向上し、テクスチャが減少する。
【０２０８】
また、複数の第２微細枝電極１９３ｌにおいて、第２部分板電極１９２ｌの斜辺及び第２延長部１９４ｌと接続されている接続端は、保護膜の第２傾斜部１８５ｌの上部に位置して複数の第１微細枝電極１９３ｈの中の保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なっている。つまり、第２微細枝電極１９３ｌの接続端は一定距離ほど保護膜の第２傾斜部１８５ｌと重なる。したがって、第２微細枝電極１９３ｌの接続端付近は、保護膜の第２傾斜部１８５ｌによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する。第２微細枝電極１９３ｌの終端部分と保護膜の第２傾斜部１８５ｌとが重なることにより、当該部分での液晶制御力がさらに大きくなり、そのために液晶分子が電界によって速やかに動作するようにしてもよい。その結果、液晶分子の応答速度が向上する。但し、第２微細枝電極１９３ｌの長さが過度に長くなって、重なる距離が過度に大きい場合には、スリット構造によるテクスチャが発生する恐れがあるため、重なる距離を一定距離以下にする必要がある。本実施形態で、第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものは５０μｍより大きく、６８μｍ以下の長さを有してもよく、表示装置の特性によって画素のサイズが決められる。画素のサイズによって正四角形領域のサイズが決められるとき、微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものの長さも５０μｍより大きく、６８μｍ以下の範囲から選択されて用いられてもよい。しかし、実施形態によっては、上記数値から外れる実施形態も存在してよい。第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものの長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく、３５％以下の値を有してもよく、第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものが第２傾斜部１８５ｌと重なる長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく、１０％以下の値を有してもよい。
【０２０９】
一方、上部表示板２００には遮光部材及び共通電極が形成されてもよい。カラーフィルタは上部表示板２００に形成されてもよい。
【０２１０】
上部表示板２００に形成される共通電極は、透明な導電物質で形成されており、液晶制御手段及び追加的な液晶制御手段を含んでもよい。
【０２１１】
共通電極２７０には、液晶制御手段として切開部２７５ｈ／２７５ｌが十字状に形成されている。第１切開部２７５ｈの十字構造における交差点は、下部表示板１００の第１部分板電極１９２ｈのひし形状の中心、または保護膜の第１傾斜部１８５ｈのひし形状の中心と重なる。また、第２切開部２７５ｌの十字構造は、下部表示板１００の第２部分板電極１９２ｌのひし形状の中心、または保護膜の第２傾斜部１８５ｌのひし形状の中心とそれぞれ重なる。また、隣接する画素に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌどうしは延長されて、互いに接続されてもよい。このような切開部２７５ｈ／２７５ｌは、液晶分子の制御力を向上させる役割を果たす。
【０２１２】
また、共通電極２７０には、切開部２７５ｈ／２７５ｌの十字構造の交差点付近に追加的な液晶制御手段が位置する。図２８の実施形態では、追加的な液晶制御手段としてひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌが形成されている。ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌは、平面図上で下部表示板１００の部分板電極１９２ｈ、１９２ｌのひし形状、または保護膜の傾斜部１８５ｈ、１８５ｌのひし形状と平行する辺を有する。ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌのサイズは実施形態によって多様であってもよい。過度に小さいと、液晶制御手段としての役割が微々たるものとなり、過度に大きいと、透過率が低下するので、実施形態によって適切なサイズに形成してもよい。このような追加的な液晶制御手段のひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌによれば、共通電極２７０に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌは、垂直または水平方向だけに延長されるので、これに対する４５°方向の液晶制御力は劣る。ひし形状の追加的な液晶制御手段（ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌ）を形成して、４５°方向に対する液晶制御力を向上させ、その結果、電界によって液晶分子が速やかに配向されるようにして、応答速度を向上させる。
【０２１３】
下部表示板１００及び上部表示板２００の内側には配向膜（図示せず）が形成されている。配向膜は、垂直配向膜であってもよく、光重合物質を利用して光配向された配向膜であってもよい。
【０２１４】
２つの表示板１００、２００の外側面には偏光子（図示せず）が備えられており、２つの偏光子の透過軸は直交し、このうちの１つの透過軸はゲート線１２１に対して平行してもよい。
【０２１５】
液晶層３は下部表示板１００及び上部表示板２００の間に負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電界がない状態で、その長軸が２つの表示板１００、２００の表面に対して垂直になるように配向されている。
【０２１６】
図２８の実施形態による液晶層３には、紫外線などの光によって重合された重合体を含んでいない。しかし、実施形態によっては、紫外線などの光によって重合された重合体をさらに含んでもよい。これについては、図３４を参照して説明する。
【０２１７】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、上部表示板の共通電極、その間の液晶層と共に、第１液晶キャパシタ及び第２液晶キャパシタ（図２７のＣｌｃａ、Ｃｌｃｂ）を構成し、第１薄膜トランジスタ及び第２薄膜トランジスタ（図２７のＱａ、Ｑｂ）がターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。
【０２１８】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、維持電極１３５ａ、１３５ｂと重なって、第１ストレージキャパシタＣｓｔａ及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｂを構成し、第１液晶キャパシタＣｌｃａ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧維持能力を強化する。
【０２１９】
以下、図２９及び図３０を参照して、２つの副画素がそれぞれ１つずつのトランジスタＱａ、Ｑｂから互いに異なるデータ電圧の印加を受ける構造について説明する。
【０２２０】
図２９は、本発明の実施形態による液晶表示装置の一画素に対する等価回路図であり、図３０は、本発明の実施形態による液晶表示装置の下部表示板の配置図である。
【０２２１】
図２９及び図３０を参照すれば、本発明の一実施形態による液晶表示装置は、互いに対向する下部表示板１００と上部表示板２００、及びこれら２つの表示板１００、２００の間に挿入されている液晶層３を含む。
【０２２２】
先ず、下部表示板１００について説明する。
【０２２３】
絶縁基板１１０の上に複数のゲート線１２１、及び複数の蓄積電極線１３１、１３５が形成されている。
【０２２４】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向に延在する。各ゲート線１２１は、上に突出した複数の第１ゲート電極及び第２ゲート電極１２４ａ、１２４ｂを含む。
【０２２５】
蓄積電極線は、ゲート線１２１と実質的に平行に延在した幹線（ｓｔｅｍ）１３１と、これから延在した複数の維持電極１３５を含む。
【０２２６】
蓄積電極線１３１、１３５の形状及び配置は、多様な形態に変更されてもよい。
【０２２７】
ゲート線１２１及び蓄積電極線１３１、１３５の上にはゲート絶縁膜１４０が形成されており、ゲート絶縁膜１４０の上には非晶質または結晶質ケイ素などからなる複数の半導体１５４ａ、１５４ｂが形成されている。
【０２２８】
半導体１５４ａ、１５４ｂの上にはそれぞれ複数の対のオーミックコンタクト部材（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）が形成されており、オーミックコンタクト部材は、シリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度にドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成してもよい。
【０２２９】
オーミックコンタクト部材及びゲート絶縁膜１４０の上には、複数の対のデータ線１７１ａ、１７１ｂと、複数の対の第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂが形成されている。
【０２３０】
データ線１７１ａ、１７１ｂは、データ信号を伝達し、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び蓄積電極線１３１の幹線と交差する。データ線１７１ａ、１７１ｂは、第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂに向かって延在して、Ｕ字状に曲がった第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂを含み、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂは、第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂを中心に第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂと対向する。
【０２３１】
第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂは、それぞれ第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂによって一部が取り囲まれた一端部から上に延在しており、反対側の端部は、他の層との接続のために面積が広くてもよい。
【０２３２】
しかし、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂをはじめとするデータ線１７１ａ、１７１ｂの形状及び配置は、多様な形態に変更されてもよい。
【０２３３】
第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂ、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂ、第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂは、第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂと共に第１薄膜トランジスタＱａ及び第２薄膜トランジスタＱｂを構成し、第１薄膜トランジスタＱａ及び第２薄膜トランジスタＱｂのチャネルは、第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂと第１ドレイン電極１７５ａ及び第２ドレイン電極１７５ｂの間の第１半導体１５４ａ及び第２半導体１５４ｂに形成される。
【０２３４】
オーミックコンタクト部材は、その下の半導体１５４ａ、１５４ｂと、その上のデータ線１７１ａ、１７１ｂ、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間だけに存在し、これらの間の接触抵抗を小さくする。半導体１５４ａ、１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂとの間をはじめとして、データ線１７１ａ、１７１ｂ及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂによって覆われずに、露出した部分がある。
【０２３５】
データ線１７１ａ、１７１ｂ、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂ、及び露出した半導体１５４ａ、１５４ｂ部分の上には、保護膜（図示せず）が形成されている。保護膜は、有機絶縁物などからなり、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌを含む。保護膜は、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌを除いて表面が平坦である。図３０の実施形態では、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌが保護膜の上に形成されていて、図１のカラーフィルタ２３０に形成されている実施形態と異なる。
【０２３６】
傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌと重なる部分のうちの一部領域に位置し、高さが変化する構造を有する。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、図３０に示したようにひし形構造を有する。第１傾斜部１８５ｈのひし形構造は、第１部分板電極１９２ｈが占める四角形領域の境界と頂点が接するように形成されてもよく、実施形態によっては、境界と接しなくてもよい。また、第２傾斜部１８５ｌのひし形構造は、第２部分板電極１９２ｌが占める四角形領域の境界と頂点が接するように形成されてもよく、実施形態によっては、境界と接しなくてもよい。また、実施形態によっては、ひし形構造が位置する領域が、正四角形または長方形領域を有してもよい。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、ひし形構造の辺から中心に向かって高さが次第に低くなる構造を有する。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌの一辺から中心までは、一定の傾きで高さが低くなる構造を有し、高さが低くなるほど、その幅が狭くなる。ひし形構造の傾斜部１８５ｈ、１８５ｌの中心では有機絶縁物が形成されなくてもよく、実施形態によっては、中心付近で一定の領域に有機絶縁物が形成されない開口部を有してもよい。
【０２３７】
保護膜の下にはカラーフィルタが形成されてもよく、カラーフィルタが上部表示板に位置してもよい。また、図３０と異なり、保護膜の下に位置するカラーフィルタに、図１に示したような傾斜部が位置してもよい。このとき、保護膜には傾斜部が形成されなくてもよい。
【０２３８】
保護膜の上には複数の画素電極１９１が形成されている。各画素電極１９１は、一定の間隔を置いて形成される第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌとを含む。
【０２３９】
第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌは、それぞれその中央に位置する部分板電極１９２ｈ、１９２ｌ、部分板電極１９２ｈ、１９２ｌから垂直または水平方向に延長されている延長部１９４ｈ、１９４ｌ、及び部分板電極１９２ｈ、１９２ｌと延長部１９４ｈ、１９４ｌから斜線方向に突出している複数の微細枝電極１９３ｈ、１９３ｌを含む。
【０２４０】
第１副画素電極１９１ｈには、第１部分板電極１９２ｈと複数の第１微細枝電極１９３ｈが形成されており、四角形領域の外部に延長された接続部によってドレイン電極１７５の広い端部と接続されている。
【０２４１】
第１部分板電極１９２ｈはひし形状を有し、四角形領域の中心にその中心を位置させており、ひし形状の各頂点は、四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第１部分板電極１９２ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈの中心から一部分を覆っている。その結果、第１部分板電極１９２ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈが提供する傾斜をそのまま有する。
【０２４２】
第１部分板電極１９２ｈのひし形状の各頂点から垂直または水平方向（ゲート線１２１またはデータ線１７１に平行または垂直方向）に延長されている第１延長部１９４ｈを有する。第１延長部１９４ｈは、垂直または水平方向に延長されて第１副画素電極１９１ｈが占める四角形領域の境界と接触する。その結果、第１延長部１９４ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【０２４３】
第１部分板電極１９２ｈの斜辺及び第１延長部１９４ｈからは複数の第１微細枝電極１９３ｈが延長されている。複数の第１微細枝電極１９３ｈは、四角形領域の残った領域を満たし、第１延長部１９４ｈ（またはゲート線１２１、またはデータ線１７１）に対して４５°の角度をなしており、第１部分板電極１９２ｈの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第１微細枝電極１９３ｈの終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。第１微細枝電極１９３ｈの終端が接続して閉じられれば、電界によって配向されようとする液晶層３の液晶分子の方向と、閉じられた終端によって配列されようとする液晶分子の方向とが異なって、液晶分子の応答速度が遅くなり得る。したがって、本発明の実施形態では、第１微細枝電極１９３ｈの終端が接続せずに、外部に突出して、第１微細枝電極１９３ｈの間の開口領域が開口された構造を有する。その結果、液晶分子が他の抵抗を受けずに電界によって配向されようとする方向に配向されるので、液晶分子の応答速度が向上し、テクスチャが減少する。
【０２４４】
また、複数の第１微細枝電極１９３ｈにおいて、第１部分板電極１９２ｈの斜辺、及び第１延長部１９４ｈと接続されている接続端は、保護膜の第１傾斜部１８５ｈの上部に位置して複数の第１微細枝電極１９３ｈの中の保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なっている。つまり、第１微細枝電極１９３ｈの接続端は一定距離ほど保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なる。したがって、第１微細枝電極１９３ｈの接続端付近は、保護膜の第１傾斜部１８５ｈによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する。第１微細枝電極１９３ｈの終端部分と保護膜の第１傾斜部１８５ｈとが重なることにより、当該部分での液晶制御力がさらに大きくなり、そのために液晶分子が電界によって速やかに動作するようにしてもよい。その結果、液晶分子の応答速度が向上する。但し、第１微細枝電極１９３ｈの長さが過度に長くなって、重なる距離が過度に大きい場合には、スリット構造によるテクスチャが発生する恐れがあるため、重なる距離を一定距離以下にする必要がある。本実施形態で、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものは５０μｍより大きく、６８μｍ以下の長さを有してもよく、表示装置の特性によって画素のサイズが決められる。画素のサイズによって四角形領域のサイズが決められるとき、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さも５０μｍより大きく、６８μｍ以下の範囲から選択されて用いられてもよい。しかし、実施形態によっては、上記数値から外れる実施形態も存在してよい。第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さは、四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく、３５％以下の値を有してもよく、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものが第１傾斜部２３５ｈと重なる長さは、四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく、１０％以下の値を有してもよい。
【０２４５】
一方、第２副画素電極１９１ｌの第２部分板電極１９２ｌはひし形状を有し、四角形領域の中心にその中心を位置させており、ひし形状の各頂点は、四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第２部分板電極１９２ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌの中心から一部分を覆っている。その結果、第２部分板電極１９２ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌが提供する傾斜をそのまま有する。
【０２４６】
第２副画素電極１９１ｌは第２部分板電極１９２ｌのひし形状の各頂点から垂直または水平方向（ゲート線１２１またはデータ線１７１に平行または垂直方向）に延長されている第２延長部１９４ｌを有する。第２延長部１９４ｌは、垂直または水平方向に延長されて、２つに分けられた正四角形領域の境界と接触する。その結果、第２延長部１９４ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【０２４７】
第２部分板電極１９２ｌの斜辺及び第２延長部１９４ｌからは複数の第２微細枝電極１９３ｌが延長されている。複数の第２微細枝電極１９３ｌは、四角形領域の残った領域を満たし、第２延長部１９４ｌ（またはゲート線１２１、またはデータ線１７１）に対して４５°の角度をなしており、第２部分板電極１９２ｌの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第２微細枝電極１９３ｌの終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。第２微細枝電極１９３ｌの終端が接続して閉じられれば、電界によって配向されようとする液晶層３の液晶分子の方向と、閉じられた終端によって配列されようとする液晶分子の方向とが異なって、液晶分子の応答速度が遅くなり得る。したがって、本発明の実施形態では、第２微細枝電極１９３ｌの終端が接続せずに、外部に突出して、第２微細枝電極１９３ｌの間の開口領域が開口された構造を有する。その結果、液晶分子が他の抵抗を受けずに電界によって配向されようとする方向に配向されるので、液晶分子の応答速度が向上し、テクスチャが減少する。
【０２４８】
また、複数の第２微細枝電極１９３ｌにおいて、第２部分板電極１９２ｌの斜辺及び第２延長部１９４ｌと接続されている接続端は、保護膜の第２傾斜部１８５ｌの上部に位置して複数の第１微細枝電極１９３ｈの中の保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なっている。つまり、第２微細枝電極１９３ｌの接続端は一定距離ほど保護膜の第２傾斜部１８５ｌと重なる。したがって、第２微細枝電極１９３ｌの接続端付近は、保護膜の第２傾斜部１８５ｌによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する。第２微細枝電極１９３ｌの終端部分と保護膜の第２傾斜部１８５ｌとが重なることにより、当該部分での液晶制御力がさらに大きくなり、そのために液晶分子が電界によって速やかに動作するようにしてもよい。その結果、液晶分子の応答速度が向上する。但し、第２微細枝電極１９３ｌの長さが過度に長くなって、重なる距離が過度に大きい場合には、スリット構造によるテクスチャが発生する恐れがあるため、重なる距離を一定距離以下にする必要がある。本実施形態で、第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものは５０μｍより大きく、６８μｍ以下の長さを有してもよく、表示装置の特性によって画素のサイズが決められる。画素のサイズによって正四角形領域のサイズが決められるとき、微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものの長さも５０μｍより大きく、６８μｍ以下の範囲から選択されて用いられてもよい。しかし、実施形態によっては、上記数値から外れる実施形態も存在してよい。第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものの長さは正四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく、３５％以下の値を有してもよく、第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものが第２傾斜部１８５ｌと重なる長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく、１０％以下の値を有してもよい。
【０２４９】
一方、上部表示板２００には遮光部材及び共通電極が形成されてもよい。カラーフィルタは上部表示板２００に形成されてもよい。
【０２５０】
上部表示板２００に形成される共通電極は、透明な導電物質で形成されており、液晶制御手段及び追加的な液晶制御手段を含んでもよい。
【０２５１】
共通電極２７０には、液晶制御手段として切開部２７５ｈ／２７５ｌが十字状に形成されている。第１切開部２７５ｈの十字構造における交差点は、下部表示板１００の第１部分板電極１９２ｈのひし形状の中心、または保護膜の第１傾斜部１８５ｈのひし形状の中心と重なる。また、第２切開部２７５ｌの十字構造は、下部表示板１００の第２部分板電極１９２ｌのひし形状の中心、または保護膜の第２傾斜部１８５ｌのひし形状の中心とそれぞれ重なる。また、隣接する画素に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌどうしは延長されて、互いに接続されてもよい。このような切開部２７５ｈ／２７５ｌは、液晶分子の制御力を向上させる役割を果たす。
【０２５２】
また、共通電極２７０には、切開部２７５ｈ／２７５ｌの十字構造の交差点付近に追加的な液晶制御手段が位置する。図３０の実施形態では、追加的な液晶制御手段としてひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌが形成されている。ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌは、平面図上で下部表示板１００の部分板電極１９２ｈ、１９２ｌのひし形状、または保護膜の傾斜部１８５ｈ、１８５ｌのひし形状と平行する辺を有する。ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌのサイズは、実施形態によって多様であってもよい。過度に小さいと、液晶制御手段としての役割が微々たるものとなり、過度に大きいと、透過率が低下するので、実施形態によって適切なサイズに形成してもよい。このような追加的な液晶制御手段のひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌによれば、共通電極２７０に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌは、垂直または水平方向だけに延長されるのでて、これに対する４５°方向の液晶制御力は劣る。ひし形状の追加的な液晶制御手段（ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌ）を形成して、４５°方向に対する液晶制御力を向上させ、その結果、電界によって液晶分子が速やかに配向されるようにして、応答速度を向上させる。
【０２５３】
下部表示板１００及び上部表示板２００の内側には配向膜（図示せず）が形成されている。配向膜は、垂直配向膜であってもよく、光重合物質を利用して光配向された配向膜であってもよい。
【０２５４】
２つの表示板１００、２００の外側面には偏光子（図示せず）が備えられており、２つの偏光子の透過軸は直交し、このうちの１つの透過軸はゲート線１２１に対して平行してもよい。
【０２５５】
液晶層３は下部表示板１００及び上部表示板２００の間に負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電界がない状態で、その長軸が２つの表示板１００、２００の表面に対して垂直になるように配向されている。
【０２５６】
図３０の実施形態による液晶層３には、紫外線などの光によって重合された重合体を含んでいない。しかし、実施形態によっては、紫外線などの光によって重合された重合体をさらに含んでもよい。これについては、図３４を参照して説明する。
【０２５７】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、上部表示板の共通電極、その間の液晶層と共に、第１液晶キャパシタ及び第２液晶キャパシタを構成し、薄膜トランジスタ（図２９のＱ）がターンオフされた後にも印加された電圧を維持する。
【０２５８】
第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌは、維持電極１３５ａ、１３５ｂと重なって第１ストレージキャパシタＣｓｔａ及び第２ストレージキャパシタＣｓｔｂを構成し、第１液晶キャパシタＣｌｃａ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｂの電圧維持能力を強化する。
【０２５９】
以下、図３１及び図３２を参照して、２つの副画素がトランジスタＱａ、Ｑｂから同一のデータ電圧の印加を受けた後、電圧がスイングする電源線に接続されたキャパシタＣｓａ、Ｃｓｂにより、各画素が表示する階調が変更される構造について説明する。
【０２６０】
図３１は、本発明の実施形態による液晶表示装置の一画素に対する等価回路図であり、図３２は、本発明の実施形態による液晶表示装置の下部表示板の配置図である。
【０２６１】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、図３１に示したように、ゲート線ＧＬ、データ線ＤＬ、第１電源線ＳＬ１、第２電源線ＳＬ２、ゲート線ＧＬ、及びデータ線ＤＬに接続される第１スイッチング素子Ｑａ、第２スイッチング素子Ｑｂを含む。
【０２６２】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１スイッチング素子Ｑａに接続される補助昇圧キャパシタＣｓａ及び第１液晶キャパシタＣｌｃａと、第２スイッチング素子Ｑｂに接続される補助減圧キャパシタＣｓｂ及び第２液晶キャパシタＣｌｃｂをさらに含む。
【０２６３】
第１スイッチング素子Ｑａ及び第２スイッチング素子Ｑｂは、薄膜トランジスタなどの三端子素子からなる。第１スイッチング素子Ｑａ及び第２スイッチング素子Ｑｂは、同一のゲート線ＧＬ及び同一のデータ線ＤＬに接続され、同一のタイミングでターンオンされて、同一のデータ信号を出力する。
【０２６４】
第１電源線ＳＬ１及び第２電源線ＳＬ２には、一定の周期でスイングする電圧が印加される。第１電源線ＳＬ１には、一定の周期（例えば、１Ｈ）の間に第１低電圧が印加され、その後一定の周期の間に第１高電圧が印加される。第２電源線ＳＬ２には、一定の周期の間に第２高電圧が印加され、その後一定の周期の間に第２低電圧が印加される。このとき、第１周期と第２周期は、１フレームの間に複数回繰り返されて、第１電源線ＳＬ１と第２電源線ＳＬ２にはスイングする電圧が印加される。このとき、第１低電圧と第２低電圧は同一であり、第１高電圧と第２高電圧も同一であってもよい。
【０２６５】
補助昇圧キャパシタＣｓａは、第１スイッチング素子Ｑａ及び第１電源線ＳＬ１に接続され、補助減圧キャパシタＣｓｂは、第２スイッチング素子Ｑｂ及び第２電源線ＳＬ２に接続される。
【０２６６】
補助昇圧キャパシタＣｓａが第１スイッチング素子Ｑａと接続された部分の端子（以下、「第１端子」という）の電圧Ｖａは、第１電源線ＳＬ１に第１低電圧が印加されると低くなり、第１高電圧が印加されると高くなる。その後、第１電源線ＳＬ１の電圧がスイングすることにより、第１端子の電圧Ｖａもスイングするようになる。
【０２６７】
また、補助減圧キャパシタＣｓｂが第１スイッチング素子Ｑｂと接続された部分の端子（以下、「第２端子」という）の電圧Ｖｂは、第２電源線ＳＬ２に第２高電圧が印加されると高くなり、第２低電圧が印加されると低くなる。その後、第２電源線ＳＬ２の電圧がスイングすることにより、第２端子の電圧Ｖｂもスイングするようになる。
【０２６８】
このように、２つの副画素に同一のデータ電圧が印加されても、第１電源線ＳＬ１及び第２電源線ＳＬ２でスイングする電圧の大きさにより、２つの副画素の画素電極の電圧Ｖａ、Ｖｂが変化するので、これを通じて２つの副画素の透過率が異なるようにし、側面視認性を向上させることができる。
【０２６９】
以下、図３２を参照して、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の構造について説明する。
【０２７０】
透明なガラスまたはプラスチックなどからなる第１基板（図示せず）の上に、複数のゲート線１２１、第１電源線１３１ａ、及び第２電源線１３１ｂが形成されている。
【０２７１】
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達し、主に横方向に延在する。ゲート線１２１は、上に突出した第１ゲート電極１２４ａ、及び下に突出した第２ゲート電極１２４ｂを含む。
【０２７２】
第１電源線１３１ａ及び第２電源線１３１ｂには、一定の周期を有してスイングする電圧が印加される。
【０２７３】
第１電源線１３１ａには一定の周期（例えば、１Ｈ）の間に第１低電圧が印加され、その後一定の周期の間に第１高電圧が印加される。第２電源線１３１ｂには、一定の周期の間に第２高電圧が印加され、その後一定の周期の間に第２低電圧が印加される。このとき、第１周期と第２周期は１フレームの間に複数回繰り返されて、第１電源線１３１ａと第２電源線１３１ｂにはスイングする電圧が印加される。このとき、第１低電圧と第２低電圧は同一であり、第１高電圧と第２高電圧も同一であってもよい。
【０２７４】
第１電源線１３１ａは、ゲート線１２１より上側に形成され、第２電源線１３１ｂは、ゲート線１２１より下側に形成されてもよい。
【０２７５】
ゲート線１２１、第１電源線１３１ａ、及び第２電源線１３１ｂの上には、ゲート絶縁膜 （図示せず）が形成されている。ゲート絶縁膜の上には、島型の半導体（図示せず）が形成されている。半導体は、それぞれ第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂの上に位置する。
【０２７６】
半導体及びゲート絶縁膜の上には、複数のデータ線１７１、第１ソース電極１７３ａ、第２ソース電極１７３ｂ、第１ドレイン電極１７５ａ、及び第２ドレイン電極１７５ｂが形成されている。
【０２７７】
データ線１７１は、データ信号を伝達し、主に縦方向に延在してゲート線１２１及び電源線１３１ａ、１３１ｂと交差する。図３２に示しているデータ線１７１は、一直線の形態に形成されていない。データ線１７１は、互いに接続される第１副データ線１７１ａと第２副データ線１７１ｂからなり、第１副データ線１７１ａと第２副データ線１７１ｂは、互いに異なる線上に配置されている。第１副データ線１７１ａは、データ線１７１より右側に隣接した画素電極１９１の周縁に沿って形成され、第２副データ線１７１ｂは、データ線１７１より左側に隣接した画素電極１９１の周縁に沿って形成される。
【０２７８】
第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂは、それぞれデータ線１７１から第１ゲート電極１２４ａ及び第２ゲート電極１２４ｂの上に突出して形成される。第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂは、同一のデータ線１７１から突出して形成されるので、同一のデータ電圧の印加を受ける。第１ソース電極１７３ａ及び第２ソース電極１７３ｂはＵ字状に形成されてもよい。
【０２７９】
第１ドレイン電極１７５ａは、第１ソース電極１７３ａと離隔されており、第１ゲート電極１２４ａを中心に第１ソース電極１７３ａと対向する棒状の端部と、第１電源線１３１ａと一部重なるように拡張されて形成されている拡張部を含む。第１ドレイン電極１７５ａの棒状の端部は、Ｕ字状の第１ソース電極１７３ａによって一部が取り囲まれている。また、第１ドレイン電極１７５ａの拡張部は十字形態を有する。
【０２８０】
第２ドレイン電極１７５ｂは、第２ソース電極１７３ｂと離隔しており、第２ゲート電極１２４ｂを中心に第２ソース電極１７３ｂと対向する棒状の端部と、第２電源線１３１ｂと一部重なるように拡張されて形成されている拡張部を含む。第２ドレイン電極１７５ｂの棒状の端部は、Ｕ字状の第２ソース電極１７３ｂによって一部が取り囲まれている。また、第２ドレイン電極１７５ｂの拡張部は十字形態を有する。
【０２８１】
第１ゲート電極１２４ａ、第１ソース電極１７３ａ、及び第１ドレイン電極１７５ａは、第１スイッチング素子（図３１のＱａ）を構成し、第２ゲート電極１２４ｂ、第２ソース電極１７３ｂ、及び第２ドレイン電極１７５ｂは、第２スイッチング素子（図３１のＱｂ）を構成する。
【０２８２】
データ線１７１、第１ソース電極１７３ａ、第２ソース電極１７３ｂ、第１ドレイン電極１７５ａ、及び第２ドレイン電極１７５ｂの上には、保護膜（図示せず）が形成されている。保護膜は有機絶縁物などからなり、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌを含む。保護膜は、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌを除いて表面が平坦である。図３０の実施形態では、傾斜部１８５ｈ、１８５ｌが保護膜の上に形成されていて、図１のカラーフィルタ２３０に形成されている実施形態と異なる。
【０２８３】
傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌと重なる部分のうちの一部領域に位置し、高さが変化する構造を有する。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、図３０に示したようにひし形構造を有する。第１傾斜部１８５ｈのひし形構造は、第１部分板電極１９２ｈが占める四角形領域の境界と頂点が接するように形成されてもよく、実施形態によっては、境界と接しなくてもよい。また、第２傾斜部１８５ｌのひし形構造は、第２部分板電極１９２ｌが占める四角形領域の境界と頂点が接するように形成されてもよく、実施形態によっては、境界と接しなくてもよい。また、実施形態によっては、ひし形構造が位置する領域が、正四角形または長方形領域を有してもよい。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌは、ひし形構造の辺から中心に向かって高さが次第に低くなる構造を有する。傾斜部１８５ｈ、１８５ｌの一辺から中心までは、一定の傾きで高さが低くなる構造を有し、高さが低くなるほど、その幅が狭くなる。ひし形構造の傾斜部１８５ｈ、１８５ｌの中心では有機絶縁物が形成されなくてもよく、実施形態によっては、中心付近で一定の領域に有機絶縁物が形成されない開口部を有してもよい。
【０２８４】
保護膜の下にはカラーフィルタが形成されてもよく、カラーフィルタが上部表示板に位置してもよい。また、図３０と異なり、保護膜の下に位置するカラーフィルタに、図１に示したような傾斜部が位置してもよい。このとき、保護膜には傾斜部が形成されなくてもよい。
【０２８５】
保護膜の上には複数の画素電極１９１が形成されている。各画素電極１９１は、一定の間隔を置いて形成される第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌとを含む。
【０２８６】
第１副画素電極１９１ｈと第２副画素電極１９１ｌは、それぞれその中央に位置する部分板電極１９２ｈ、１９２ｌ、部分板電極１９２ｈ、１９２ｌから垂直または水平方向に延長されている延長部１９４ｈ、１９４ｌ、及び部分板電極１９２ｈ、１９２ｌと延長部１９４ｈ、１９４ｌから斜線方向に突出している複数の微細枝電極１９３ｈ、１９３ｌを含む。
【０２８７】
第１副画素電極１９１ｈには、第１部分板電極１９２ｈと複数の第１微細枝電極１９３ｈが形成されており、四角形領域の外部に延長された接続部により、ドレイン電極１７５の広い端部と接続されている。
【０２８８】
第１部分板電極１９２ｈはひし形状を有し、四角形領域の中心にその中心を位置させており、ひし形状の各頂点は、四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第１部分板電極１９２ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈの中心から一部分を覆っている。その結果、第１部分板電極１９２ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈが提供する傾斜をそのまま有する。
【０２８９】
第１部分板電極１９２ｈのひし形状の各頂点から垂直または水平方向（ゲート線１２１またはデータ線１７１に平行または垂直方向）に延長されている第１延長部１９４ｈを有する。第１延長部１９４ｈは、垂直または水平方向に延長されて、第１副画素電極１９１ｈが占める四角形領域の境界と接触する。その結果、第１延長部１９４ｈは、保護膜の第１傾斜部１８５ｈのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【０２９０】
第１部分板電極１９２ｈの斜辺及び第１延長部１９４ｈからは複数の第１微細枝電極１９３ｈが延長されている。複数の第１微細枝電極１９３ｈは、四角形領域の残った領域を満たし、第１延長部１９４ｈ（またはゲート線１２１、またはデータ線１７１）に対して４５°の角度をなしており、第１部分板電極１９２ｈの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第１微細枝電極１９３ｈの終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。第１微細枝電極１９３ｈの終端が接続して閉じられれば、電界によって配向されようとする液晶層３の液晶分子の方向と、閉じられた終端によって配列されようとする液晶分子の方向とが異なって、液晶分子の応答速度が遅くなり得る。したがって、本発明の実施形態では、第１微細枝電極１９３ｈの終端が接続せずに、外部に突出して、第１微細枝電極１９３ｈの間の開口領域が開口された構造を有する。その結果、液晶分子が他の抵抗を受けずに電界によって配向されようとする方向に配向されるので、液晶分子の応答速度が向上し、テクスチャが減少する。
【０２９１】
また、複数の第１微細枝電極１９３ｈにおいて、第１部分板電極１９２ｈの斜辺、及び第１延長部１９４ｈと接続されている接続端は、保護膜の第１傾斜部１８５ｈの上部に位置して複数の第１微細枝電極１９３ｈの中の保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なっている。つまり、第１微細枝電極１９３ｈの接続端は一定距離ほど保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なる。したがって、第１微細枝電極１９３ｈの接続端付近は、保護膜の第１傾斜部１８５ｈによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する。第１微細枝電極１９３ｈの終端部分と保護膜の第１傾斜部１８５ｈとが重なることにより、当該部分での液晶制御力がさらに大きくなり、そのために液晶分子が電界によって速やかに動作するようにしてもよい。その結果、液晶分子の応答速度が向上する。但し、第１微細枝電極１９３ｈの長さが過度に長くなって、重なる距離が過度に大きい場合には、スリット構造によるテクスチャが発生する恐れがあるため、重なる距離を一定距離以下にする必要がある。本実施形態で、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものは５０μｍより大きく、６８μｍ以下の長さを有してもよく、表示装置の特性によって画素のサイズが決められる。画素のサイズによって四角形領域のサイズが決められるとき、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さも５０μｍより大きく、６８μｍ以下の範囲から選択されて用いられてもよい。しかし、実施形態によっては、上記数値から外れる実施形態も存在してよい。第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものの長さは、四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく、３５％以下の値を有してもよく、第１微細枝電極１９３ｈのうち最も長いものが第１傾斜部２３５ｈと重なる長さは、四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく、１０％以下の値を有してもよい。
【０２９２】
一方、第２副画素電極１９１ｌの第２部分板電極１９２ｌはひし形状を有し、四角形領域の中心にその中心を位置させており、ひし形状の各頂点は、四角形領域の境界から一定の距離を有して形成されている。また、第２部分板電極１９２ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌの中心から一部分を覆っている。その結果、第２部分板電極１９２ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌが提供する傾斜をそのまま有する。
【０２９３】
第２部分板電極１９２ｌのひし形状の各頂点から垂直または水平方向（ゲート線１２１またはデータ線１７１に平行または垂直方向）に延長されている第２延長部１９４ｌを有する。第２延長部１９４ｌは、垂直または水平方向に延長されて、２つに分けられた正四角形領域の境界と接触する。その結果、第２延長部１９４ｌは、保護膜の第２傾斜部１８５ｌのひし形構造の頂点とも平面図上で接触し、上下に重なっている。
【０２９４】
第２部分板電極１９２ｌの斜辺及び第２延長部１９４ｌからは複数の第２微細枝電極１９３ｌが延長されている。複数の第２微細枝電極１９３ｌは、四角形領域の残った領域を満たし、第２延長部１９４ｌ（またはゲート線１２１、またはデータ線１７１）に対して４５°の角度をなしており、第２部分板電極１９２ｌの斜辺に対しては９０°の角度をなしている。また、第２微細枝電極１９３ｌの終端は互いに接続せずに、外部に突出した構造を有する。第２微細枝電極１９３ｌの終端が接続して閉じられれば、電界によって配向されようとする液晶層３の液晶分子の方向と、閉じられた終端によって配列されようとする液晶分子の方向とが異なって、液晶分子の応答速度が遅くなり得る。したがって、本発明の実施形態では、第２微細枝電極１９３ｌの終端が接続せずに、外部に突出して、第２微細枝電極１９３ｌの間の開口領域が開口された構造を有する。その結果、液晶分子が他の抵抗を受けずに電界によって配向されようとする方向に配向されるので、液晶分子の応答速度が向上してテクスチャが減少する。
【０２９５】
また、複数の第２微細枝電極１９３ｌにおいて、第２部分板電極１９２ｌの斜辺及び第２延長部１９４ｌと接続されている接続端は、保護膜の第２傾斜部１８５ｌの上部に位置して複数の第１微細枝電極１９３ｈの中の保護膜の第１傾斜部１８５ｈと重なっている。つまり、第２微細枝電極１９３ｌの接続端は一定距離ほど保護膜の第２傾斜部１８５ｌと重なる。したがって、第２微細枝電極１９３ｌの接続端付近は、保護膜の第２傾斜部１８５ｌによって提供される傾斜をそのまま有し、接続端付近から終端までは水平構造を有する。第２微細枝電極１９３ｌの終端部分と保護膜の第２傾斜部１８５ｌとが重なることにより、当該部分での液晶制御力がさらに大きくなり、そのために液晶分子が電界によって速やかに動作するようにしてもよい。その結果、液晶分子の応答速度が向上する。但し、第２微細枝電極１９３ｌの長さが過度に長くなって、重なる距離が過度に大きい場合には、スリット構造によるテクスチャが発生する恐れがあるため、重なる距離を一定距離以下にする必要がある。本実施形態で、第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものは５０μｍより大きく、６８μｍ以下の長さを有してもよく、表示装置の特性によって画素のサイズが決められる。画素のサイズによって正四角形領域のサイズが決められるとき、微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものの長さも５０μｍより大きく、６８μｍ以下の範囲から選択されて用いられてもよい。しかし、実施形態によっては、上記数値から外れる実施形態も存在してよい。第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものの長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して２５％より大きく、３５％以下の値を有してもよく、第２微細枝電極１９３ｌのうち最も長いものが第２傾斜部１８５ｌと重なる長さは、正四角形領域全体の斜辺の長さに対して０％より大きく、１０％以下の値を有してもよい。
【０２９６】
一方、上部表示板２００には遮光部材及び共通電極が形成されてもよい。カラーフィルタは上部表示板２００に形成されてもよい。
【０２９７】
上部表示板２００に形成される共通電極は、透明な導電物質で形成されており、液晶制御手段及び追加的な液晶制御手段を含んでもよい。
【０２９８】
共通電極２７０には、液晶制御手段として切開部２７５ｈ／２７５ｌが十字状に形成されている。第１切開部２７５ｈの十字構造における交差点は、下部表示板１００の第１部分板電極１９２ｈのひし形状の中心、または保護膜の第１傾斜部１８５ｈのひし形状の中心と重なる。また、第２切開部２７５ｌの十字構造は、下部表示板１００の第２部分板電極１９２ｌのひし形状の中心、または保護膜の第２傾斜部１８５ｌのひし形状の中心とそれぞれ重なる。また、隣接する画素に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌどうしは延長されて、互いに接続されてもよい。このような切開部２７５ｈ／２７５ｌは、液晶分子の制御力を向上させる役割を果たす。
【０２９９】
また、共通電極２７０には、切開部２７５ｈ／２７５ｌの十字構造の交差点付近に追加的な液晶制御手段が位置する。図３２の実施形態では、追加的な液晶制御手段としてひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌが形成されている。ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌは、平面図上で下部表示板１００の部分板電極１９２ｈ、１９２ｌのひし形状、または保護膜の傾斜部１８５ｈ、１８５ｌのひし形状と平行する辺を有する。ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌのサイズは、実施形態によって多様であってもよい。過度に小さいと、液晶制御手段としての役割が微々たるものとなり、過度に大きいと、透過率が低下するので、実施形態によって適切なサイズに形成してもよい。このような追加的な液晶制御手段のひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌによれば、共通電極２７０に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌは、垂直または水平方向だけに延長されるのでて、これに対する４５°方向の液晶制御力は劣る。ひし形状の追加的な液晶制御手段（ひし形切開パターン２７６ｈ／２７６ｌ）を形成して、４５°方向に対する液晶制御力を向上させ、その結果、電界によって液晶分子が速やかに配向されるようにして、応答速度を向上させる。
【０３００】
下部表示板１００及び上部表示板２００の内側には配向膜（図示せず）が形成されている。配向膜は、垂直配向膜であってもよく、光重合物質を利用して光配向された配向膜であってもよい。
【０３０１】
２つの表示板１００、２００の外側面には偏光子（図示せず）が備えられており、２つの偏光子の透過軸は直交し、このうちの１つの透過軸はゲート線１２１に対して平行してもよい。
【０３０２】
液晶層３は下部表示板１００及び上部表示板２００の間に負の誘電率異方性を有し、液晶層３の液晶分子は、電界がない状態で、その長軸が２つの表示板１００、２００の表面に対して垂直になるように配向されている。
【０３０３】
第１副画素電極１９１ａ及び第２副画素電極１９１ｂは、第２基板に形成された共通電極、その間の液晶層と共に、第１液晶キャパシタ及び第２液晶キャパシタ（図３１のＣｌｃａ、Ｃｌｃｂ）を構成し、第１スイッチング素子Ｑａ及び第２スイッチング素子Ｑｂがオフの状態になった後にも印加された電圧を維持する。
【０３０４】
また、第１副画素電極１９１ａは、第１電源線１３１ａ及びその間の保護膜と共に、補助昇圧キャパシタ（図３１のＣｓａ）を構成し、第１液晶キャパシタ（図３１のＣｌｃａ）の電圧を昇圧させる。第２副画素電極１９１ｂは、第２電源線１３１ｂ及びその間の保護膜と共に、補助減圧キャパシタ（図３１のＣｓｂ）を構成し、第２液晶キャパシタ（図３１のＣｌｃｂ）の電圧を減圧させる。電源線１３１ａ、１３１ｂに印加される電圧によっては、補助昇圧キャパシタ（図３１のＣｓａ）が第１液晶キャパシタ（図３１のＣｌｃａ）の電圧を減圧させ、補助減圧キャパシタ（図３１のＣｓｂ）が第２液晶キャパシタ（図３１のＣｌｃｂ）の電圧を昇圧させることもする。
【０３０５】
以下、図３３を参照して、本発明の他の実施形態について説明する。
【０３０６】
図３３は、本発明の他の実施形態による液晶表示装置の断面図である。
【０３０７】
図３３は図２に対応し、図２とは異なり、共通電極２７０に形成されている液晶制御手段及び追加的な液晶制御手段が切開部ではなく、突起状に形成されている。
【０３０８】
また、カラーフィルタ２３０の傾斜部が、図２に示したように全体的に形成されず、一部領域だけに傾いた部分を有し、それ以外の部分は平坦な構造を有する。
【０３０９】
このように、図２と差がある部分を中心に詳細に説明すると、次の通りである。
【０３１０】
カラーフィルタ２３０は、隣接するデータ線１７１の間に沿って縦方向に長く延在して形成されており、そのうち第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌと重なる部分のうち、一部領域に高さが変化する部分傾斜部２３５ｈ’を有する。部分傾斜部２３５ｈ’は、ひし形構造を有し、部分傾斜部２３５ｈ’は、ひし形構造の辺から高さが次第に低くなる部分と、高さが平坦な部分とを有する。ここで、高さが低くなる部分は、一定の傾きで高さが低くなり、高さが低くなるほど、その幅が狭くなる。また、高さが平板な部分はカラーフィルタ２３０が形成されていて、高さが一定であってもよく、カラーフィルタ２３０が、図３３に示したように除去されて、高さが一定であってもよい。
【０３１１】
第１傾斜部２３５ｈのひし形構造は、第１部分板電極１９２ｈが占める正四角形領域の境界と頂点が接するように形成されている。しかし、実施形態によっては、当該領域の境界と頂点が一定の距離離れてもよい。また、実施形態によっては、ひし形構造が位置する領域が長方形領域を有してもよい。
【０３１２】
部分傾斜部２３５ｈ’のうちの傾斜部分は、第１微細枝電極１９３ｈと重なり、第１微細枝電極１９３ｈは、部分傾斜部２３５ｈ’だけに形成されるようにしてもよい。実施形態によっては、第１微細枝電極１９３ｈが、部分傾斜部２３５ｈ’のうちの高さが平坦な部分に形成されてもよい。
【０３１３】
一方、共通電極２７０には、液晶制御手段として突起部２７５ｈ’が十字状に形成されている。突起部２７５ｈ’の十字構造における交差点は、下部表示板１００の第１部分板電極１９２ｈのひし形状の中心、またはカラーフィルタ２３０の第１傾斜部２３５ｈのひし形状の中心と重なる。また、隣接する画素に位置する切開部２７５ｈ／２７５ｌどうしは延長されて、互いに接続されてもよい。このような切開部２７５ｈ／２７５ｌは、液晶分子の制御力を向上させる役割を果たす。
【０３１４】
また、共通電極２７０には、突起部２７５ｈ’の十字構造の交差点付近に追加的な液晶制御手段が位置する。図３３の実施形態では、追加的な液晶制御手段としてひし形突起パターン２７６ｈ’が形成されている。ひし形突起パターン２７６ｈ’は、平面図上で下部表示板１００の部分板電極１９２ｈ、１９２ｌのひし形状、またはカラーフィルタ２３０の傾斜部２３５ｈ、２３５ｌのひし形状と平行する辺を有する。ひし形突起パターン２７６ｈ’のサイズは、実施形態によって多様であってもよい。過度に小さいと、液晶制御手段としての役割が微々たるものとなり、過度に大きいと、透過率が低下するので、実施形態によって適切なサイズに形成してもよい。このような追加的な液晶制御手段のひし形突起パターン２７６ｈ’によれば、共通電極２７０に位置する突起部２７５ｈ’は、垂直または水平方向だけに延長されるのでて、これに対する４５°方向の液晶制御力は劣る。ひし形状の追加的な液晶制御手段（ひし形突起パターン２７６ｈ’）を形成して、４５°方向に対する液晶制御力を向上させ、その結果、電界によって液晶分子が速やかに配向されるようにして、応答速度を向上させる。
【０３１５】
実施形態によっては、液晶制御手段及び追加的な液晶制御手段のうちの１つは切開部に形成し、それ以外の１つは突起部に形成してもよい。
【０３１６】
図３３に示したように、カラーフィルタ２３０に形成された傾斜部が、一部分だけに傾斜が形成された部分傾斜部２３５ｈ’である場合には、全体に傾斜がある実施形態に比べ、液晶制御力が少なくなり得る。このような場合には、実施形態によって、液晶分子の制御力を向上させるために液晶層または配向膜に光反応物質を含め、プレチルトを提供してもよい。
【０３１７】
以下、図３４を参照して、光配向について説明する。
【０３１８】
図３４は、紫外線などの光によって重合される重合体を利用して、液晶分子がプレチルトを有するようにする過程を示した図面である。
【０３１９】
図３４を参照すれば、先ず、紫外線などの光による重合反応（ｐｏｌｙｍｅｒｉｚａｔｉｏｎ）によって硬化する単量体（ｍｏｎｏｍｅｒ）などの重合体（ｐｒｅｐｏｌｙｍｅｒ）３３０を、液晶物質と共に２つの表示板１００、２００の間に注入する。重合体３３０は、紫外線などの光によって重合反応を行う反応性メソゲン（ｒｅａｃｔｉｖｅｍｅｓｏｇｅｎ）であってもよい。
【０３２０】
次に、第１副画素電極１９１ｈ及び第２副画素電極１９１ｌにデータ電圧を印加し、上部表示板２００の共通電極２７０に共通電圧を印加して、２つの表示板１００、２００の間の液晶層３に電界を生成する。これにより、液晶層３の液晶分子３１はその電界に対応して、一定の方向に傾く。
【０３２１】
このように、液晶層３の液晶分子３１が一定の方向に傾いた状態で、紫外線などの光を照射すると、重合体３３０が重合反応を行って、図３４に示したようにプレチルト提供重合体３５０が形成される。プレチルト提供重合体３５０は、表示板１００、２００に接して形成される。プレチルト提供重合体３５０によって液晶分子３１は、上述した方向にプレチルトを有するように配向方向が定められる。したがって、電界生成電極１９１、２７０に電圧を加えない状態でも、液晶分子３１は互いに異なる４方向にプレチルトを有して配列するようになる。
【０３２２】
その結果、１つの画素中のうち、上部副画素または下部副画素それぞれの領域で、液晶分子３１が合計４方向にプレチルトを有するようになる。
【０３２３】
図３４に示したような重合体を利用したプレチルトは、カラーフィルタ２３０の傾斜部が提供する段差だけでは液晶分子を制御してテクスチャを減らすことができない場合に、付随的に使用されることが好ましい。
【０３２４】
図３４では、液晶層に光反応物質を含む実施形態を中心に記述したが、配向膜に光反応物質を含める場合もこれに準じて形成される。
【０３２５】
以上では、微細枝電極の終端の突出構造、傾斜部と微細枝電極とが重なった構造、共通電極における液晶制御手段の形成、及び共通電極における追加的な液晶制御手段の形成、光配向によるプレチルトの提供など多様な方法で液晶分子の制御力を向上させている。しかし、このような構造のうち少なくとも１つだけが形成されても、液晶制御力が向上するので、これらのうちの少なくとも１つだけが形成される実施形態も本発明に属する。実施形態の液晶配向特性により、このような構造のうち少なくとも１つ以上を組み合わせて使用して、液晶配向力を向上させることもできる。
【０３２６】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されず、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の種々の変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属する。
【符号の説明】
【０３２７】
１００  下部表示板
１１０、２１０  絶縁基板
１２１、１２３  ゲート線
１２４  ゲート電極
１３１、１３５  蓄積電極線
１３１ａ、１３１ｂ  電源線
１３４  容量電極
１３５  維持電極
１４０  ゲート絶縁膜
１５４  半導体
１６４、１６７  オーミックコンタクト部材
１７１  データ線
１７３  ソース電極
１７５  ドレイン電極
１７６  補助電極
１８０ｐ、１８０ｑ  保護膜
１８４ｈ、１８４ｌ  コンタクトホール
１８５ｈ、１８５ｌ  傾斜部
１９１  画素電極
１９１ｈ、１９１ｌ  副画素電極
１９２ｈ、１９２ｌ  部分板電極
１９３ｈ、１９３ｌ  微細枝電極
１９４ｈ、１９４ｌ  延長部
１９７ｈ、１９７ｌ  接続部
２００  上部表示板
２２０  遮光部材
２３０  カラーフィルタ
２３５ｈ、２３５ｌ  傾斜部
２３５ｈ’  部分傾斜部
２５０  平坦化層
２７０  共通電極
２７５ｈ、２７５ｌ  切開部
２７５ｈ’  突起部
２７５-１  切断された部分
２７６ｈ、２７６ｌ  ひし形切開パターン
２７６ｈ’  ひし形突起パターン
２７７ｈ  Ｘ字状切開パターン
３  液晶層
３３０  重合体
３５０  プレチルト提供重合体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図９】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１４】
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【図１６】
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【図１８】
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【図２０】
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【図２２】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図１１】
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【図１３】
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【図１５】
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【図１７】
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【図１９】
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【図２１】
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【図２３】
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