(57)【要約】  【課題】  プローブパッドの耐久性を向上させること。  【解決手段】  プローブカード基板４は、絶縁基体１と、絶縁基体１内に設けられた配線導体２と、絶縁基体１の主面に設けられたプローブパッド３とを含んでいる。プローブパッド３は、配線導体２に電気的に接続されており、プローブピン６が接触するものである。プローブパッド３は、凹面部３ａを含む周縁領域と、第１の凸面部３ｂを含む中央領域とを有している。【選択図】  図２
2014186023.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基体と、
該絶縁基体内に設けられた配線導体と、
前記絶縁基体の主面に設けられているとともに、前記配線導体に電気的に接続されており、プローブピンが接触するプローブパッドとを備えており、
前記プローブパッドは、凹面部を含む周縁領域と第１の凸面部を含む中央領域とを有していることを特徴とするプローブカード基板。
【請求項２】
前記プローブパッドは、前記絶縁基体の前記主面を露出させる第１の貫通部を有していることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード基板。
【請求項３】
前記プローブパッドは、平面視において前記絶縁基体の前記主面に露出した前記配線導体の端面に一部が重なるように設けられた第２の貫通部を少なくとも１つ有していることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプローブカード基板。
【請求項４】
前記プローブパッドは、前記周縁領域に設けられた第２の凸面部を有していることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載のプローブカード基板。
【請求項５】
請求項１に記載のプローブカード基板と、
該プローブカード基板の前記プローブパッドに位置合せされて設けられたプローブピンとを備えていることを特徴とするプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブカード基板およびプローブカードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウエハ上に形成された複数の半導体回路素子における電気検査を一括して行うためにプローブカードが開発されている。プローブカードにおいては、プローブピンがプローブパッドから横滑りしないように、プローブピンに接触するプローブパッドの中央領域を周縁領域よりも低くなるように全体的に窪ませた断面形状にしたものが提案されている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２９２７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、単に中央領域を周縁領域よりも低くなるように窪ませただけでは、プローブピンとプローブパッドとの電気的接続性は向上するものの、プローブパッドの中央領域が周縁領域に比べてプローブピンによって削られる頻度が高くなって、プローブパッドの中央領域の耐久性が低下し易くなるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの態様によるプローブカード基板は、絶縁基体と、絶縁基体内に設けられた配線導体と、絶縁基体の主面に設けられたプローブパッドとを含んでいる。プローブパッドは、配線導体に電気的に接続されており、プローブピンが接触するものである。プローブパッドは、凹面部を含む周縁領域と、第１の凸面部を含む中央領域とを有している。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一つの態様によるプローブカード基板において、プローブパッドが、凹面部を含む周縁領域と、第１の凸面部を含む中央領域とを有していることによって、第１の凸面部に接触したプローブピンの先端が第１の凸面部の周囲の凹面部に滑り落ちて、プローブピンとプローブパッドとの電気的接続の位置が検査ごとに分散されやすくなり、プローブパッドの特定部分がプローブピンによって集中的に削られることが抑えられる。その結果、プローブパッドの耐久性が向上される。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の一つの実施形態におけるプローブカードを示す縦断面図である。
【図２】（ａ）は、図１に示されたプローブカードにおいて符号Ａによって示された部分の拡大図であり、（ｂ）は、（ａ）に示されたプローブ基板のプローブパッドを示す下面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、図２（ｂ）に示されたプローブパッドの形成方法を説明する図である。
【図４】（ａ）および（ｂ）は、図２（ａ）および（ｂ）に示されたプローブパッドの他の構造例を示す縦断面図および下面図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、図２（ｂ）に示されたプローブパッドの他の構造例を示す下面図である。
【図６】（ａ）は、図２（ａ）および（ｂ）に示されたプローブパッドの他の構造例を示す下面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示されたプローブパッドのＡ−Ａにおける断面図である。
【図７】（ａ）は、図２（ａ）および（ｂ）に示されたプローブパッドの他の構造例を示す下面図であり、（ｂ）は、（ａ）のＢ−Ｂにおける断面図である。
【図８】図７（ｂ）において符号Ｂによって示された部分の拡大図である。
【図９】（ａ）〜（ｃ）は、図７（ａ）に示されたプローブパッドの他の構造例を示す下面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【０００９】
図１に示されているように、本実施形態におけるプローブカード基板４は、絶縁基体１と、絶縁基体１内に設けられた複数の配線導体２と、絶縁基体１の主面に設けられた複数のプローブパッド３とを含んでいる。
【００１０】
プローブパッド３が形成されているプローブカード基板４の一方の主面（下面）には、上下方向に可動な状態でプローブピン６が配置されており、このプローブピン６はガイド７および保持枠８によって支えられているとともにプローブパッド３に電気的に接続されるように位置合わせされている。プローブピン６の下端は、半導体回路素子が形成された半導体ウエハ９のパッド９ａに電気的に接続可能な位置に配置されている。プローブカード基板４とプローブピン６とによってプローブカードが構成されている。
【００１１】
プローブカードが半導体ウエハ９上に降下することで、パッド９ａとプローブピン６とが電気的に接続される。これによって、プローブカード基板４の他方の主面（上面）に設けられた外部接続端子５と半導体ウエハ９のパッド９ａとが電気的に接続されるので、外部接続端子５に接続されたテスター(不図示)によって、半導体ウエハ９の半導体回路素子の電気的特性の良否を判断できるようになる。
【００１２】
絶縁基体１の絶縁層１ａは、例えば、酸化アルミニウム（アルミナ：Ａｌ２Ｏ３）質焼結体、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）質焼結体、炭化珪素（ＳｉＣ）質焼結体，ムライト質焼結体、ガラスセラミックス等のセラミックス材料から成るものである。また、プローブカードとして用いるため、絶縁基体１は熱膨張係数が半導体ウエハを形成するシリコン（Ｓｉ）に近い、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）質焼結体、ムライト質（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）焼結体またはガラスセラミックスを用いることが好ましい。
【００１３】
プローブカード基板４の絶縁層１ａを上下に貫通するビア導体を含む配線導体２および外部接続端子５は、焼成によって絶縁層１ａと一体的に形成され、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、モリブデン−マンガン（Ｍｏ−Ｍｎ）合金、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）または銀−パラジウム（Ｐｄ）合金等の金属材料を主成分とするメタライズから成るものである。
【００１４】
図２（ａ）および図２（ｂ）を参照してプローブパッド３についてさらに詳細に説明する。
【００１５】
プローブパッド３は、絶縁基体１内に設けられた配線導体２に電気的に接続されており、凹面部３ａを含む周縁領域と第１の凸面部３ｂ（以下、単に凸面部３ｂともいう）を含む中央領域とを有している。プローブカードが降下して、プローブピン６の下端が半導体ウエハ９のパッド９ａに接触することによって、プローブピン６が押し上げられ、プローブピン６の上端がプローブパッド３に押し当てられてプローブパッド３に電気的に接続するように、プローブピン６がガイド７によって位置合わせされている。
【００１６】
プローブピン６は、プローブパッド３の凸面部３ｂに接触した後に、さらにプローブパッド３に押し当てられることによって撓んで、プローブピン６の上端は、プローブパッド３の凹面部３ａへ滑るように移動する。プローブピン６の上端は、凹面部３ａの底部において安定する。また、プローブピン６は、プローブパッド３の凹面部３ａの傾斜面の途中の位置に接触した場合にも、プローブパッド３の凹面部３ａの底部において安定する。
【００１７】
図２（ｂ）において、プローブピン６の上端が凸面部３ｂから凹面部３ａへ滑るように移動した後に安定する位置（凹面部３ａの底部）が、二点鎖線によって仮想的に示されている。プローブピン６の上端は、二点鎖線上のいずれかの位置において安定する。
【００１８】
本実施形態のプローブカード基板４において、プローブパッド３が、凹面部３ａを含む周縁領域と、第１の凸面部３ｂを含む中央領域とを有していることによって、第１の凸面部３ｂに接触したプローブピン６の先端が第１の凸面部３ｂの周囲の凹面部３ａに滑り落ちて、プローブピン６とプローブパッド３との電気的接続の位置が検査ごとに分散されやすくなり、プローブパッド３の特定部分が集中的に削り取られることが抑えられる。その結果、プローブパッドの耐久性が向上される。
【００１９】
プローブピン６は、タングステン（Ｗ）またはその合金等の硬質の金属材料で形成されており、一方の先端がプローブパッド３と接続するように、金属材料またはセラミックス材料にプローブパッド３と同じピッチで穴を形成したガイド７に挿通されており、ガイド７は保持枠８内に配置されている。プローブピン６の他方の先端は、半導体回路素子が形成された半導体ウエハ９上のパッド９ａと接続するように配置されており、接続時には、全てのプローブピン６が半導体ウエハ９上のパッド９ａに接続するため、ばね性を持たせるように弓状に湾曲して形成されている。
【００２０】
プローブカード基板４にプローブピン６を配置しプローブカードとすることで、半導体素子の検査を行うことができるようになる。
【００２１】
このようなプローブカード基板４は、絶縁層１ａが、例えば、酸化アルミニウム質焼結体で形成される場合には、以下の方法により製作される。
【００２２】
まず、酸化アルミニウム、酸化珪素、酸化マグネシウムおよび酸化カルシウムの原材料粉末に適当な有機バインダおよび溶媒を添加混合して泥漿状となすとともに、ドクターブレード法等を用いてこれをシート状に成形して、絶縁層１ａとなる複数のセラミックグリーンシートを作製する。
【００２３】
次に、セラミックグリーンシートのビアが形成される所定位置に金型等を用いた打ち抜き加工またはレーザ加工を用いて貫通孔を形成するとともに、貫通孔に導体ペーストを充填する。また、スクリーン印刷法等を用いてセラミックグリーンシートの所定位置に配線導体２あるいは必要に応じて外部接続端子５となる導体ペースト層を１０（μｍ）〜２０（μｍ）の厚みに形成する。導体ペーストは、タングステン、モリブデンまたはモリブデン−マンガン合金等の融点の高い金属粉末と適当な樹脂バインダおよび溶剤とを混練することにより作製される。レーザ加工を用いて貫通孔を形成する場合は、金型を用いた打ち抜き加工を用いて貫通孔を形成する場合に比べて、貫通孔は耐久性を考慮した形状にする必要がなく、用途に応じて最適の形状を決定することができる。したがって、貫通孔はレーザ加工を用いて形成することが好ましい。
【００２４】
次に、これらセラミックグリーンシートを重ね合わせて圧着して積層体を作製し、この積層体を１５００（℃）〜１６００（℃）程度の高温で焼成することによって配線基板が
作製される。
【００２５】
また、絶縁層１ａがガラスセラミックス材料から成る場合であれば、アルミナ等を主成分とする拘束グリーンシートを用いることができる。拘束グリーンシートは、セラミックグリーンシートが焼結する温度では焼結収縮しない。セラミックグリーンシートの積層体の両面に拘束グリーンシートを積層して焼成することによって、セラミックグリーンシートの積層面方向の焼結収縮が拘束グリーンシートによって抑えられる。
【００２６】
したがって、拘束グリーンシートを用いることによって、収縮ばらつきの小さいプローブカード基板４が得られる。これによって、プローブカード基板４は、ビアを含む内部の配線導体２の位置ばらつきを小さくすることができるので、絶縁層１ａの表面に薄膜形成法を用いて形成するプローブパッド３をより小さくすることができ、また、高密度に形成することができるので好ましい。
【００２７】
また、絶縁層１ａが１３００（℃）程度で焼成できる低温焼成基板の場合には、銅粉末または銀粉末を導体ペーストに添加して、銅または銀の融点以上の焼成温度で焼成する場合は、ビア中の銅粉末もしくは銀粉末は互いに溶融し溶着しあうために、接触抵抗が減少するので好ましい。
【００２８】
プローブカード基板４のプローブパッド３は、上記のようにして焼成した配線基板の表面を研磨するなどして平坦にした後に、蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の薄膜形成法を用いて形成する。外部接続端子５も同様にして、薄膜形成法を用いて形成してもよい。具体的には、図３（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。
【００２９】
まず、配線基板の主面の全面に、０．１（μｍ）〜３（μｍ）程度の厚みの、例えば、クロム（Ｃｒ）−銅（Ｃｕ）合金層またはチタン（Ｔｉ）−銅（Ｃｕ）合金層から成る下地導体層を形成し、その上にプローブパッド３のパターン形状の開口を有するレジスト膜を形成する。そして、このレジスト膜をマスクとしてめっき等で銅または金等の金属から成る主導体の下地層を０．５（μｍ）〜２（μｍ）程度の厚みに形成する。そして、レジスト膜を剥離除去し、エッチング法を用いて下地導体層の露出した部分を除去することによって、図３（ａ）に示すように、プローブパッド３の主導体第１下地層３−１を形成する。次に凸部となる主導体第２下地層3−2の形状の開口を有するレジスト膜１０をマスクとして電解めっき法を用いて主導体第２下地層３−２を形成することによって、図３（ｂ）に示すようにレジスト膜１０の開口の中心が盛り上がった主導体第２下地層3−2になる。そして、レジスト膜１０を剥離除去するによって、中央領域の第１の凸面部３ｂとなる下地と周縁領域の凸部の下地である主導体第２下地層３−２との間に、凹面部３ａとなる凹部が図３（ｃ）に示すように形成される。そして、例えば、銅等から成る電解めっき層でパッド全体を覆うことで、図３（ｄ）に示すように、本実施形態の凹面部３ａを含む周縁領域と第１の凸面部３ｂを含む中央領域とを有するプローブパッド３となる。その表面には、さらに、めっき法を用いてニッケルおよび金のめっき層を形成するとよい。以上のようにして、プローブカード基板４が形成される。なお、パッド全体を覆う様に電解めっきをかける場合には、めっき液中に必要に応じてめっき成長抑制剤と促進剤を添加したものを使用すると、主導体第１下地層３−１と主導体第２下地層３−２の接続部の屈曲部付近にめっきが厚く付き易くなり、凹面部３ａがなだらかに形成されるようになり特定の部分が擦れることが少なくなるので好ましい。凹面部３ａの窪み深さは、５（μｍ）〜２０（μｍ）程度が好ましい。ここでいう凹面部３ａの窪み深さとは、凹面部３ａの外縁の最も高い位置と凹面部３ａの底部（最も低い位置）との高低差のことをいう。窪み深さが５（μｍ）以上であるとプローブピン６がプローブパッド３から外れにくく、また、窪み深さは２０（μｍ）あるとプローブピン６がプローブパッド３から外れにくくなるのに十分な深さである。
【００３０】
なお、平面視した場合に凹面部３ａの底部にあたる部位を二点鎖線によって仮想的に示したが、二点鎖線の部分は必ずしも同じ深さに形成されている必要はないが、同じ深さに形成されていると、プローブピン６の先端がプローブパッド３に押し付けられた場合に特定の部分に集中するようにずれることを抑制することができ、プローブパッド３は耐久性がより低下しにくくなるので好ましい。また、プローブパッド３Ａは、図４（ａ）および（ｂ）に示されているように、凹面部３ａが平坦な底面３ｃを有している構造であっても構わない。図４（ｂ）において、平坦な底面３ｃは２つの二点鎖線によって挟まれた領域である。また、後ほど述べるように、プローブパッド３（３Ａ）の形状は円形である必要はなく、適宜必要に応じて決定すれば良い。
【００３１】
また、プローブパッド３は、上記例のように、無機材料からなる絶縁基体１上に直接形成されている必要はなく、無機材料からなる絶縁基体１上に、例えば、ポリイミド樹脂等の有機樹脂材料からなる絶縁体が形成されて、その上にプローブパッド３が形成されていても構わない。ポリイミド等の有機樹脂材料による絶縁層１ａは、無機材料の絶縁層１ａに比べてヤング率が小さく、プローブパッド３にプローブピン６から加わる応力を緩和する効果があるため、プローブパッド３上のめっき層に加わるダメージが小さくなるので好ましい。
【００３２】
また、図５（ａ）に示されているように、プローブパッド３Ａ１において、第１の凸面部３ｂの外側の周縁領域に設けられた第２の凸面部３ｄを有していると、二点鎖線で示す凹面部３ａの底部の長さを第１の凸面部３ｂだけの場合より長く形成できるので、プローブピン６によって擦られる部位がより分散されるようになるので、プローブパッド３の耐久性をさらに向上させることができる。
【００３３】
また、図５（ｂ）に示されているように、プローブパッド３Ａ２が四角形状の場合には、第２の凸面部３ｄを中央部の第１の凸面部３ｂとプローブパッド３の４隅との間に形成して凹面部３ａを第１の凸面部３ｂの周囲と第２の凸面部３ｄの周囲にも形成するようにすると、二点鎖線で示す凹面部３ａの底部の長さをより長く形成できるので、プローブピン６によって擦られる部位がより分散される様になるので、プローブパッド３Ａ２の耐久性をさらに向上させることができる。
【００３４】
また、プローブパッド３Ａ３は、図５（ｃ）に示されているように、例えば、図５（ａ）に示された構造の変形として、第１の凸面部３ｂと第２の凸面部３ｄとが繋がっているような構造であってもよい。すなわち、凸面部３ｂおよび３ｃの形状は、円形状に限られるものではない。このように、図５（ｃ）に示された技術的工夫は、例えば、図５（ｂ）に示された構造においても適用可能である。
【００３５】
また、図６に示されているように、プローブパッド３Ｂは、絶縁基体１の主面を露出させる複数の第１の貫通部３ｅを有している。この第１の貫通部３ｅは、第１の凸面部３ｂを囲むように周縁領域（凹面部３ａ）に設けられている。図６において、第１の貫通部３ｅは、プローブパッド３Ｂの中央部の第１の凸面部３ｂの外側の領域（周縁領域）にわたって設けられており、四角形状の一辺の長さが、例えば、２０（μｍ）〜１００（μｍ）である。
【００３６】
また、プローブピン６は、平面視の形状が円形状であり、図２（ａ）に示すように、先端に向かうにつれて漸次直径が小さくなっており、第１の貫通部３ｅは、プローブピン６の先端の一部が第１の貫通部３ｅの内部に入り込んで、第１の貫通部３ｅに接触するような大きさに設けられていることが好ましい。なお、第１の貫通部３ｅの内部に入り込んで接触するような大きさとは、プローブピン６の先端の一部が第１の貫通部３ｅの内部に収
まり、プローブピン６が第１の貫通部３ｅに接触するとともに、平面方向（絶縁基体１の主面に平行な方向）に動きにくい状態になるような大きさのことをいう。プローブピン６の先端の一部は、第１の貫通部３ｅの内部の上側に収まっている。
【００３７】
このように、プローブパッド３Ｂは、第１の貫通部３ｅが凹面部３ａに設けられており、プローブピン６の電気的接続の位置が検査ごとに分散されやすくなる。さらに、プローブピン６の先端の一部が第１の貫通部３ｅに収まることによってプローブピン６が平面方向に動きにくくなり、プローブピン６との電気的な接続を安定にすることができる。
【００３８】
また、第１の貫通部３ｅは、形状が四角形状に限らず、図８（ａ）または図８（ｃ）に示されているように、形状が円形形状でもよく、絶縁基体１の主面が露出するような形状であればよく、ほかの形状でも構わない。
【００３９】
また、図７（ａ）に示されているように、プローブパッド３Ｃは、第２の貫通部３ｆが平面視において絶縁基体１の主面に露出した配線導体２の端面２ａに重なるように設けられている。プローブパッド３Ｃは、第２の貫通部３ｆを少なくとも１つ有している。図７（ａ）においては、第２の貫通部３ｆは、配線導体２の端面２ａが露出するように設けられており、第２の貫通部３ｆは、端面２ａの上部に位置しているプローブパッド３Ｃを貫通しており、端面２ａの周辺部のプローブパッド３Ｃに４つ設けられている。
【００４０】
また、配線導体２の端面２ａは、形状が円形状の場合には、直径が、例えば、８０（μｍ）〜２５０（μｍ）である。また、第２の貫通部３ｆは、形状が四角形状の場合には、一辺の長さが、例えば、２０（μｍ）〜１００（μｍ）である。また、配線導体２の端面２ａは、図８（ｂ）または（ｃ）に示すように、四角形状であってもよい。また、配線導体２の端面２ａは、形状が四角形状の場合には、一辺の長さが、例えば、８０（μｍ）〜２５０（μｍ）である。
【００４１】
例えば、配線導体２は微小な空隙部を有しており、プローブカードの作製プロセスで熱が加わると、配線導体２の空隙部内のガスの体積が増えて、ガスが配線導体２の端面２ａに向かって進行して、ガスが配線導体２の端面２ａとプローブパッド３Ｃとの間に溜まりやすくなり、端面２ａからのプローブパッド３Ｃの膨れが発生しやくなる。
【００４２】
また、配線導体２は空隙部のガスの体積の増加によって、プローブパッド３Ｃの膨れが発生する可能性があるが、さらに、例えば、外部接続端子５またはプローブパッド３Ｃを形成するためにエッチング処理する場合の薬液処理によって配線導体２の空隙部に液体が浸み込んだりすると、端子付け等を行なうための半田付け等の熱が薬液処理で空隙部に浸み込んだ液体に加わり、液体がガス化することによってさらに膨れが発生しやすくなる。
【００４３】
しかしながら、プローブパッド３Ｃは、第２の貫通部３ｆが配線導体２の端面２ａが露出するように設けられているので、空隙内のガスはプローブパッド３Ｃの第２の貫通部３ｆ内に露出した断面２ａを介してプローブパッド３Ｃの外部に逃げやすくなり、配線導体２の端面２ａとプローブパッド３との間にガスが滞留しにくくなり、プローブパッド３Ｃの剥がれ等の発生が抑制される。
【００４４】
また、図８に示されているように、プローブパッド３Ｃ１は、表面保護のためにめっき法等を用いて表面保護層３−３が形成されることがある。また、この場合には、配線導体２の端面２ａにも表面保護層３−３が形成される。第２の貫通部３ｆは、平面視において絶縁基体１の主面に露出した配線導体２の端面２ａに一部が重なっており、さらに、絶縁基体１の主面が露出するように設けられている。すなわち、平面視において第２の貫通部３ｆは、一部が配線導体２の端面２ａに重なり、残りが絶縁基体１の主面に重なっている
。
【００４５】
このような場合には、配線導体２の空隙部のガスは、表面保護層３−３と絶縁基体１の主面との境界部からプローブパッド３Ｃ１の外部に逃げやすくなるため、配線導体２の端面２ａとプローブパッド３Ｃ１との間にガスが滞留しにくくなり、配線導体２の端面２ａとプローブパッド３Ｃ１との間の剥がれ等の発生が抑制される。
【００４６】
したがって、配線導体２の端面２ａの表面に表面保護膜３−３が設けられている場合には、平面視において絶縁基体１の主面に露出した配線導体２の端面２ａに第２の貫通部３ｆが重なるように、そして、絶縁基体１の主面が露出するように第２の貫通部３ｆを設けることによって、プローブパッド３は、配線導体２の空隙部のガスをプローブパッド３Ｃ１の外部に逃がすことができる。
【００４７】
このように、配線導体２の端面２ａの表面に表面保護層３−３を形成する場合にも、配線導体２の端面２ａに第２の貫通部３ｆが重なるように、そして、絶縁基体１の主面が露出するように第２の貫通部３ｆを設けることによって、表面保護層３−３と絶縁基体１の主面との境界部からプローブパッド３ｃ１の外部にガスが逃げやすくなって、配線導体２の端面２ａとプローブパッド３Ｃ１との間にガスが滞留しにくくなり、配線導体２の端面２ａとプローブパッド３Ｃ１との間の剥がれ等の発生が抑制することができる。
【００４８】
また、図７において、プローブパッド３Ｃは、第２の貫通部３ｆが絶縁基体１の主面に露出した配線導体２の端面２ａに重なるように、形状が四角形状で設けられている。しかしながら、第２の貫通部３ｆは、形状が四角形状に限らず、図８（ａ）または図８（ｃ）に示されているように、形状が円形形状でもよく、配線導体２の端面２ａが露出するような形状であればよく、ほかの形状でも構わない。
【００４９】
また、図６乃至図８において、プローブパッド３Ｂ〜３Ｃの中心に配線導体２の端面２ａが位置しているが、絶縁基体１の大きさは原料ロットまたは焼成ロットによってばらつきが生じやすいために、端面２ａがプローブパッド３Ｂ〜３Ｃの中心に位置するとは限らない。第２の貫通部３ｆは、配線導体２の端面２ａが露出するように設けられていればよく、あるいは、第２の貫通部３ｆは、配線導体２の端面２ａに重なるように設けられていればよい。
【００５０】
すなわち、たとえ、配線導体２の端面２ａとプローブパッド３Ｂ（３Ｃ）との位置ずれが生じても、プローブパッド３Ｂ（３Ｃ）は、配線導体２の端面２ａが第２の貫通部３ｆから露出していればよく、あるいは、平面視において第２の配線導体２の端面２ａに第２の貫通部３ｆが重なっていればよい。
【００５１】
また、例えば、配線導体２の端面２ａとプローブパッド３Ｂ（３Ｃ）との位置ずれが生じて、第２の貫通部３ｆから配線導体２の端面２ａが露出していない場合でも、あるいは、第２の貫通部３ｆが第２の配線導体２の端面２ａに重なっていない場合でも、図６乃至図８に示された例のように、第１の貫通部３ｅがプローブパッド３Ｂ（３Ｃ）の外周縁部を除いた全域に形成されていれば、第１の貫通部３ｅから配線導体２の端面２ａを露出させる、あるいは、第１の貫通部３ｅを第２の配線導体２の端面２ａに重ならせることができる。
【００５２】
したがって、このような場合には、プローブパッド３Ｂ（３Ｃ）は、第１の貫通部３ｅによって配線導体２の端面２ａとプローブパッド３Ｂ（３Ｃ）との間にガスが滞留しにくくなり、配線導体２の端面２ａとプローブパッド３Ｂ（３Ｃ）との間の剥がれ等の発生が抑制することができる。
【００５３】
また、上述の技術内容は、図４および図５に示されたプローブパッドに対しても適用可能である。
【００５４】
また、上述の技術内容は、外部接続端子５が設けられる絶縁基体１の配線導体２に対しても適用可能である。具体的には、外部接続端子５は、プローブパッド３と同様に、平面視において絶縁基体１の主面(外部接続端子５が設けられる主面)に露出した配線導体２の端面に重なるように設けられているとともに、端面を露出させる貫通部を少なくとも１つ有していてもよい。このように、外部接続端子５は、配線導体２の端面が貫通部から露出することになり、配線導体２に微小な空隙部があったとしても、空隙部のガスが貫通部を介して外部接続端子５の外部に逃げやすくなるので、配線導体２の端面とプローブパッド３との間にガスが滞留しにくくなり、配線導体２の端面と外部接続端子５との間に膨れ等が発生しにくくなるので、好ましい。
【００５５】
また、外部接続端子５は、表面保護のためにめっき法等を用いて表面保護層が形成されることがある。また、この場合には、配線導体２の端面にも表面保護層が形成される。貫通部は、平面視において絶縁基体１の主面に露出した配線導体２の端面に重なっており、さらに、絶縁基体２の端面と主面とが露出するように設けられている。すなわち、貫通部は、一部が配線導体２の端面に重なり、残りが絶縁基体１の主面に重なっている。
【００５６】
このような場合には、配線導体２の空隙部のガスは、表面保護層３−３と絶縁基体１の主面との境界部から外部接続端子５の外部に逃げやすくなるため、外部接続端子５に膨れ等が発生しにくくなり、配線導体２の端面と外部接続端子５との間の剥がれ等の発生が抑制される。
【００５７】
本発明は、上述した形態に特に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【符号の説明】
【００５８】
１・・・・・絶縁基体
１ａ・・・・絶縁層
２・・・・・配線導体
２ａ・・・・端面
３・・・・・プローブパッド
３−１・・・・・主導体第１下地層
３−２・・・・・主導体第２下地層
３−３・・・・・表面保護層
３ａ・・・・凹面部
３ｂ・・・・第１の凸面部
３ｃ・・・・平坦部
３ｄ・・・・第２の凸面部
３ｅ・・・・第１の貫通部
３ｆ・・・・第２の貫通部
４・・・・・プローブカード基板
５・・・・・外部接続端子
６・・・・・プローブピン
７・・・・・ガイド
８・・・・・保持枠
９・・・・・半導体ウエハ
９ａ・・・・パッド
１０・・・・・フォトレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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