(57)【要約】【課題】材料中の燐分布がより均一化されたことにより電気銅めっきに用いた際に歩留まりを向上させることができる電気めっき用アノード材の製造方法の提供。【解決手段】（ａ）液相から固相に冷却凝固させて形成することにより、燐の含有量が質量％で０より大きく０．１より小さい含燐銅地金を製造する工程と、（ｂ）前記（ａ）工程に引き続いて前記含燐銅地金に均質化熱処理を施しその後に急冷することにより焼入れする工程と、（ｃ）前記（ｂ）工程の後に更に加工熱処理を施しその後再び焼入れすることにより電気めっき用アノード材を得る工程と、を含むことを特徴とする電気めっき用アノード材の製造方法を提供する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）液相から固相に冷却凝固させて形成することにより、燐の含有量が質量％で０より大きく０．１より小さい含燐銅地金を製造する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程に引き続いて、前記含燐銅地金に均質化熱処理を施し、その後に急冷することにより焼入れする工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後に、更に加工熱処理を施し、その後再び焼入れすることにより、電気めっき用アノード材を得る工程と、
を含むことを特徴とする電気めっき用アノード材の製造方法。
【請求項２】
前記（ｂ）工程における前記均質化熱処理は、５４０℃〜１０８５℃の温度範囲でなされることを特徴とする請求項１に記載の電気めっき用アノード材の製造方法。
【請求項３】
前記焼入れは、平均温度が６０℃以下の冷媒を用いて行われることを特徴とする請求項１または２に記載の電気めっき用アノード材の製造方法。
【請求項４】
燐の含有量が質量％で０より大きく０．１より小さい含燐銅により構成された本体と、該本体の表面を覆っているブラックフィルムとを有し、該本体の表面における該ブラックフィルムによる単位面積１ｃｍ２あたりの被覆率が９８％以上であることを特徴とする電気めっき用アノード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アノード材の製造方法に関し、特に電気めっきに用いるアノード材の製造方法及びこれにより得られる電気めっき用アノードに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気銅めっき工程においては、金属銅をアノードとして用いてきた。銅をアノードとすると、溶解時に一価の銅の不均化反応に起因して金属銅や酸化銅からなる粒子が発生する上、銅の析出速度も速い。しかし、めっき浴における銅含有量が増えすぎると、陽極泥が増える上に、銅粉等の余分なパーティクルも発生しこれらがカソード側の被めっき物に付着して汚染してしまう。また、析出した銅の表面にも、析出速度が速すぎることにより析出が不均一になり凹凸が発生する。
【０００３】
このような欠点を解決するため、金属銅に少量の燐を含有させた含燐銅をアノードに用いる方法が考案された。このようなアノードによれば、電気めっきの過程で、含燐銅アノードの表面に、銅、燐、塩素を主成分とする導電性のブラックフィルムが形成される。このブラックフィルムは一価銅の不均化反応を抑制することができ、ひいては銅パーティクルの発生が低減される。
【０００４】
例えば、特開２００２‐２７５６９８号公報（特許文献１）には、電気めっき用含燐銅アノードの製造方法が開示されている。これによれば、電気銅に燐を添加して得られた鋳塊に熱処理を施し再結晶させることで、銅めっきのアノードとして用いるのに適した結晶粒径を具えた含燐銅を得ることができる。
【０００５】
しかし、上記の含燐銅アノード製造方法には以下のような欠点がある。つまり、製造過程において燐元素が銅の結晶粒界や樹枝状晶（デンドライト）の間隙に析出しやすいことから、燐元素の分布が不均一となる。このように燐の分布が偏っている含燐銅アノードを用いると、燐含有量が比較的多い部分のアノード表面においては、ブラックフィルムが厚く成長して剥離しやすくなり、一方、燐含有量が比較的少ない部分のアノード表面においては、形成されるブラックフィルムも比較的薄いので、金属銅や酸化銅が生成しやすい。脱落したブラックフィルム、および生成した金属銅や酸化銅は、めっき浴中でスライム状になりカソード側の被めっき材表面に付着する。その結果、突起等のめっき欠陥が起こり、被めっき材が例えば半導体ウェハ等の場合はこのようなめっき欠陥が特に問題となる。
【０００６】
これに鑑みて、電気めっき用アノードの品質をいかに向上させるかについて示された文献も存在する。例えば、特開２０１１‐１６２８７５号公報（特許文献２）に開示されている方法は以下の通りである。即ち、含燐銅に加工歪みを与えた後に、再結晶化熱処理を施すことで、該含燐銅アノード表面の結晶粒の粒界のうち、所謂、特殊粒界の形成割合を高める。そして、特殊粒界においては選択的溶解（不均一溶解）が起きにくいことにより、含燐銅アノード表面における未だ溶解していない結晶粒の剥離が抑えられ、ブラックフィルムを厚さが均等になるように形成させることができる。これにより、ブラックフィルムの剥離を防止し、ひいてはアノードスライムに起因するめっき不良の発生を回避することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２‐２７５６９８号公報
【特許文献２】特開２０１１‐１６２８７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述のように、電気めっき用の含燐銅アノードにおいては、アノードにおける燐元素の分布を均一化させることにより、ブラックフィルムをいかに均一にアノードの表面に形成することができるかが、アノードスライムの発生を抑えてめっき品質を向上させるための重点課題となっている。
【０００９】
本発明は、上記課題を鋭意研究した結果なされたものであり、材料中の燐分布がより均一化されたことにより電気銅めっきに用いた際に歩留まりを向上させることができる電気めっき用アノード材の製造方法を提供することを一つの目的とする。
【００１０】
また、本発明は、電気銅めっきに用いた際に歩留まりを向上させることができる電気めっき用アノードを提供することを他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
前記一つの目的を達成するために、本発明は、
（ａ）液相から固相に冷却凝固させて形成することにより、燐の含有量が質量％で０より大きく０．１より小さい含燐銅地金を製造する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程に引き続いて、前記含燐銅地金に均質化熱処理を施し、その後に急冷することにより焼入れする工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後に、更に加工熱処理を施し、その後再び焼入れすることにより、電気めっき用アノード材を得る工程と、を含むことを特徴とする電気めっき用アノード材の製造方法を提供する。
【００１２】
なお、前記（ａ）工程における形成は、真空鋳造、大気鋳造、溶射のいずれかを用いてなされることが好ましく、前記（ｂ）工程ないし前記（ｃ）工程における焼入れは、冷媒の平均温度が６０℃以下である水冷却または油冷却によって行われることが好ましい。
【００１３】
また、前記（ｂ）工程における均質化熱処理は、５４０℃〜１０８５℃の温度範囲、更には９００℃より大きく１０５０℃を超えない温度範囲で５〜８時間なされることが好ましい。
【００１４】
また、前記（ｃ）工程における加工熱処理は、熱間鍛造、熱間圧延、冷間圧延、熱間プレスのいずれかまたはこれらの組み合わせを行った後に焼きなまし熱処理をすることによってなされることが好ましい。
【００１５】
加えて、前記他の目的を達成するために、本発明は、燐の含有量が質量％で０より大きく０．１より小さい含燐銅により構成された本体と、該本体の表面を覆っているブラックフィルムとを有し、該本体の表面における該ブラックフィルムによる単位面積１ｃｍ２あたりの被覆率が９８％以上であることを特徴とする電気めっき用アノードをも提供する。
【００１６】
なお、前記本体は、上記電気めっき用アノード材の製造方法によって製造された電気めっき用アノード材であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１７】
上記方法によれば、均質化熱処理およびその後の焼入れを経ることにより、得られる電気めっき用アノード材において、燐元素の偏析が防がれており、また、焼入れ後に加工熱処理と再び焼入れを行うことで、燐分布がより一層均一化されることができる。また、このように製造された電気めっき用アノード材を電気めっきに用いれば、構造が均質なブラックフィルムが形成されるので、ブラックフィルムのアノードからの剥離が防がれ、めっき不良の発生を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明に係る電気めっき用アノード材の製造方法の第１の実施形態における工程を示す図である。
【図２】本発明に係る電気めっき用アノード材の製造方法の第２の実施形態における工程を示す図である。
【図３】本発明に係る電気めっき用アノード材の製造方法の第３の実施形態における工程を示す図である。
【図４】本発明に係る電気めっき用アノードを示す部分断面図である。
【図５】本発明に係る電気めっき用アノードが電気めっきに用いられている状態を示す概要図である。
【図６】本発明の具体例に係る電気めっき用アノードの表面を示す部分断面拡大図である。
【図７】本発明の具体例に係る電気めっき用アノードにおけるブラックフィルムの成膜状態を示す光学顕微鏡図である。
【図８】比較例１に係る電気めっき用アノードにおいて、ブラックフィルムが樹枝状を呈していることを示す部分断面拡大図である。
【図９】比較例１に係る電気めっき用アノードにおいて、ブラックフィルムが樹枝状を呈していることを示す光学顕微鏡図である。
【図１０】比較例２に係る電気めっき用アノードにおいて、ブラックフィルムに点状の中空部が散在していることを示す部分断面拡大図である。
【図１１】比較例２に係る電気めっき用アノードにおいて、ブラックフィルムに点状の中空部が散在していることを示す光学顕微鏡図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
図１は、本発明に係る電気めっき用アノード材の製造方法の第１の実施形態での工程を示しており、本工程はステップＳ１１とステップＳ１２とを含んでいる。
【００２０】
ステップＳ１１では、銅材料を液相から固相に冷却凝固させるよう形成することにより、燐の含有量が質量％で０より大きく０．１より小さい含燐銅地金を製造する。
【００２１】
ステップＳ１２では、ステップＳ１１に引き続いて、得られた含燐銅地金に対して均質化熱処理を施し、その後に急冷することにより焼入れすることで、燐の分布が均一な含燐銅からなる電気めっき用アノード材が得られる。
【００２２】
以下には第１〜第３の実施形態を具体的に説明する
【００２３】
<第１の実施形態>
まず、上記ステップＳ１１を行う。具体的には、まず、燐の含有量が０．１質量％を超えない範囲で金属銅中に燐を添加し、その後金属銅を真空炉に入れ、真空溶解法により真空鋳造する。つまり、真空度が１０−２から１０−４ｍｍＨｇの真空炉に、銅および燐原料を入れて加熱溶解したのちに冷却凝固させた。このように真空溶解を用いる利点としては、銅および燐原料の酸化を防止することで鋳造品質の良好な含燐銅地金が得られるという点が挙げられる。
【００２４】
なお、ステップＳ１１での含燐銅地金の形成方法としては、上記のような真空鋳造だけでなく、大気溶解法による大気鋳造や溶射を用いても構わず、要は銅と燐を混合し溶解させてから冷却凝固させるよう形成できればよい。なお、溶射を用いる場合は、溶射距離が１００ｍｍ以内、溶射圧力が５〜６０ｂａｒ、孔径が３〜７ｍｍとなるようにすることが好ましい。
【００２５】
次に、ステップＳ１１に引き続いて、つまり間に他の処理を挟まずに直接、ステップＳ１２を行う。具体的には、燐の分布を更に均一化させるよう、得られた含燐銅地金に５４０℃〜１０８５℃の温度範囲で均質化熱処理を施す。ここでの均質化熱処理とは、含燐銅地金に対して長時間の高温熱処理を施すことであり、この過程で、燐元素は銅中で更に拡散するのに充分な熱量と時間を与えられ、処理後には含燐銅地金内での燐元素はより均一に分布される。続いて、均質化熱処理を経た含燐銅地金を、冷媒に浸して急冷する、つまり焼入れすることにより、燐がより均一に分布した含燐銅が製造される。
【００２６】
なお、上記焼入れは、水を冷媒とした水冷却を用いるとよいが、例えば油を冷媒とした油冷却によって行われても構わず、要は用いる冷媒の平均温度が６０℃以下であればよい。このような冷媒は、均質化熱処理が施されたばかりの含燐銅地金の温度に比べて遥かに温度が低い上に、含燐銅地金と直に接触するので、熱伝導により含燐銅地金の温度を急速に下げることができる。また、このような冷却方法は、加熱後に真空炉中に放置したまま炉内温度が高温から徐々に室温に下がって熱平衡状態に至るように冷却する方法よりも温度降下率が遥かに高い。
【００２７】
このように、均質化熱処理を施す目的は、偏析現象により銅の結晶粒界や樹枝状晶部分に偏って析出した燐元素を拡散させて分布状態を均一化させるためである。そのため、ステップＳ１２における均質化熱処理は、含燐銅地金の融点より低く且つ該融点の半分より高い温度範囲、つまりは５４０℃〜１０８５℃の温度範囲で行うことが望ましい。
【００２８】
また、均質化熱処理の温度範囲は、９００℃を超えると燐の分布状態がより均一的になる。一方、１０５０℃を越えると燐元素が揮発しやすくなる。そこで、均質化熱処理は、９００℃より大きく１０５０℃を超えない温度範囲で行われることがより好ましく、また、加熱する時間は少なくとも４時間、好ましくは５〜８時間である。
【００２９】
また、上述の焼入れは均質化熱処理の後に速やかに行われることで、燐元素が冷却の過程で結晶粒界や樹枝状晶部分に偏析するのを防ぐことができる。これにより、焼入れ後、燐が均一に分布した含燐銅からなる電気めっき用アノード材を得ることができる。
【００３０】
さらに、ここで注意すべきは、もしも上記ステップＳ１１とステップＳ１２の間に、他の加工処理を挟むと、燐元素の拡散が妨げられ、下述する比較例１および比較例２のように、燐分布の均一化も妨げられる。
【００３１】
<第２の実施形態>
図２は、本発明に係る電気めっき用アノード材の製造方法の第２の実施形態での工程を示しており、本工程は第１の実施形態で含まれていたステップＳ１１およびステップＳ１２に加えて更にステップＳ１３を含んでいる。
【００３２】
ステップＳ１１およびステップＳ１２を経て得られた電気めっき用アノード材は、従来のアノード材と比べ燐分布の均一性がより向上されているが、更にアノード材中の結晶粒を微細化させて燐分布の均一性をより一層向上させるために、本実施形態ではステップＳ１２の後にステップＳ１３を行う。
【００３３】
ステップＳ１３では、得られた含燐銅に対して、加工熱処理と焼入れを施す。ここでの加工熱処理とは、熱間鍛造と冷間圧延を施した後に焼きなましする熱処理であり、加工熱処理を経た含燐銅をその後再び水冷却により焼入れすることにより、燐分布状態を、第１の実施形態で得られるものよりも、更に均一化させることができる。
【００３４】
なお、ステップＳ１３での加工熱処理は、高温処理に限定されるものではなく、樹枝状晶が破砕されると共に結晶粒が更に微細化されるように含燐銅に外力（例えば機械応力）を印加することで、燐分布状態をより一層均一化させることができる処理方法を含む。すなわち、ステップＳ１３での加工熱処理は上述の方法以外にも、熱間鍛造、熱間圧延、冷間圧延、熱間プレスのいずれかまたはこれらの組み合わせを行った後に焼きなまし熱処理をすることによってなされればよく、また、これらに限らず、含燐銅中の樹枝状晶が破砕され且つ結晶粒が更に微細化されるような処理であれば良い。また、ステップＳ１３での焼入れも、ステップＳ１２でのものと同様に、水冷却に限らず油冷却でも構わず、含燐銅が平均温度６０℃以下の冷媒に直に接触するように焼入れされればよい。
【００３５】
<第３の実施形態>
図３は、本発明に係る電気めっき用アノード材の製造方法の第３の実施形態での工程を示しており、第２の実施形態に類似するが、本工程ではステップＳ１３が繰り返し行われている。なお以下の説明ではステップＳ１３を二回行う例を示しているが、本発明はこれに限らずステップＳ１３を三回以上行ってもよい。
【００３６】
図示されているように、本実施形態は、ステップＳ１１→ステップＳ１２→ステップＳ１３→ステップＳ１３の順で行われる。
【００３７】
ここで、二回目のステップＳ１３における加工熱処理は、冷間圧延とその後に行われる焼きなまし熱処理であり、加工熱処理後に更に焼入れを行う。焼入れの方法は第１および第２の実施形態と同様である。
【００３８】
第３の実施形態によれば、第２の実施形態よりも一回多くステップＳ１３を行うので、第２の実施形態で得られるものよりも結晶粒が更に微細化されることで燐元素の分布状態も更に均一的な含燐銅からなる電気めっき用アノード材を製造することができる。
【００３９】
上述した第１〜第３の実施形態によってそれぞれ得られる電気めっき用アノード材は、燐の分布が従来のものよりも更に大幅に均一化されているので、これを電気めっきに用いれば、アノード材表面に形成されるブラックフィルムがより均質になり、またその厚みもより均等になる。
【００４０】
図４には、本発明に係る電気めっき用アノード材の製造方法により得られた電気めっき用アノード２が、電気めっきに用いられることによりブラックフィルムを有するようになった状態が示されており、図中２１はアノード本体、２２はブラックフィルムである。
【００４１】
アノード本体２１は、該アノードを電気めっきに用いた際に電解液に浸される表面２１１を有している。なお、このアノード本体２１は、上述した本発明に係る電気めっき用アノード材の製造方法の第１〜第３いずれかの実施形態で得られたものである。また、ブラックフィルム２２は、電気めっき処理の過程でアノード本体２１の表面２１１に自然に形成されるものであり、主に銅、燐、塩素等からなっている。
【００４２】
図５は、アノード２が電気めっきに用いられている状態を示す概要図である。電解液３としては、濃度がそれぞれ硫酸銅１０〜７０ｇ／Ｌ、硫酸１０〜３００ｇ／Ｌ、塩素２０〜１００ｍｇ／Ｌのものを用いるとよい。電解槽中の電解液３を撹拌し、アノード２と、グラファイトからなるカソード４を電解槽中にそれぞれ配置する。続いて、電流密度１Ａ／ｄｍ２（ＡＳＤ）の直流電源を室温中で１５分間印加してめっき処理を行う。
【００４３】
この際、アノード本体２１における燐元素の分布が均一であることにより、ブラックフィルム２２は電解液３に浸されているアノード本体２１の表面２１１に均質に形成される。このようにブラックフィルム２２がアノード本体２１を均等に覆うことで、めっき処理中に一価の銅の不均化反応が起きて金属銅や酸化銅からなる粒子が発生するのを防ぐことができ、ひいてはカソード側の被めっき物が発生した粒子により汚染されることを防ぐことができる。
【００４４】
以下には、本発明に係る電気めっき用アノードの実施具体例、並びに比較例を挙げて、それらの比較分析結果を示す。
【００４５】
[具体例]
（１）真空鋳造により燐含有量が０．０６５質量％の含燐銅地金を作製した。
（２）該含燐銅地金に対して、９５０℃で５時間の均質化熱処理を施した。その後すぐに該含燐銅地金を平均温度６０℃以下の水中に入れて焼入れすることで、電気めっき用アノード材となる含燐銅が得られた。
（３）得られた電気めっき用のアノード材を熱間鍛造した。その後、６００℃で１時間焼きなましした。焼きなまし後すぐに該アノード材を平均温度６０℃以下の水中に入れて焼入れした。
（４）該アノード材を冷間圧延した。その後、６００℃で１時間焼きなましした。焼きなまし後すぐに該アノード材を平均温度６０℃以下の水中に入れて焼入れした。
（５）３００番の紙やすりで該アノード材の表面を研磨した。
（６）濃度がそれぞれ硫酸銅３０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｍｇ／Ｌのめっき液をめっき槽に入れて撹拌した。該めっき液中で、該アノード材をアノード側に、グラファイトをカソード側に配し、電流密度１Ａ／ｄｍ２（ＡＳＤ）の直流電源を室温中で１５分間印加することでめっき処理を行った。この際、アノードの表面にブラックフィルムが形成された。
【００４６】
[比較例１]
（１）真空鋳造により燐含有量が０．０６５質量％の含燐銅地金を製造した。
（２）得られた含燐銅地金を８００℃で１時間予熱してから油圧による熱間プレスを施した後に冷間圧延した。
（３）その後、８００℃で１時間焼きなましを行ってから、空気冷却することで、比較例１の電気めっき用アノード材を得た。
（４）濃度がそれぞれ硫酸銅３０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｍｇ／Ｌのめっき液をめっき槽に入れて撹拌した。該めっき液中で、比較例１のアノード材をアノード側に、グラファイトをカソード側に配し、電流密度１Ａ／ｄｍ２（ＡＳＤ）の直流電源を室温中で１５分間印加することでめっき処理を行った。この際、アノードの表面にブラックフィルムが形成された。
【００４７】
[比較例２]
（１）真空鋳造により燐含有量が０．１質量％より小さい含燐銅地金を製造した。
（２）得られた含燐銅地金を８００℃で１時間予熱してから油圧による熱間プレスを施した。
（３）続いて、８００℃で１時間焼きなましを行ってから、空気冷却した後に、更に冷間圧延を施した。
（４）その後、７００℃で１時間焼きなましを行ってから、空気冷却することで、比較例２の電気めっき用アノード材を得た。
（５）濃度がそれぞれ硫酸銅３０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｍｇ／Ｌのめっき液をめっき槽に入れて撹拌した。該めっき液中で、比較例２のアノード材をアノード側に、グラファイトをカソード側に配し、電流密度１Ａ／ｄｍ２（ＡＳＤ）の直流電源を室温中で１５分間印加することでめっき処理を行った。この際、アノードの表面にブラックフィルムが形成された。
【００４８】
<分析結果>
以下には、上記の具体例および各比較例によってそれぞれ得られた電気めっき用アノード材表面に形成されたブラックフィルムを成膜品質の観点から分析した結果を示す。
【００４９】
なお、ブラックフィルムの成膜品質を分析したのみで、その成膜品質を左右するアノード材そのものの燐分布状態を直接分析していない理由は、燐含有量が０．１質量％以下の場合、エネルギー分散型Ｘ線分析（ＥＤＳ）や電子線マイクロアナライザ（ＥＰＭＡ）の検出可能範囲外となり分析ができないからである。ゆえに、アノード材表面に形成されたブラックフィルムの成膜品質からアノード材の燐分布状態を推測する。
【００５０】
つまり、ブラックフィルムの成膜が均一であることは、アノード材における燐分布も均一であることを示している。一方、ブラックフィルムの成膜が不均一であること、例えばブラックフィルムに樹枝状のむらや金属銅の地色が現れた中空部等がある場合、アノード材における燐分布も不均一であることを示している。
【００５１】
図６は本発明の具体例に係るアノード材表面の部分断面拡大図であり、図７は該アノード材表面におけるブラックフィルムの成膜状態を観察した光学顕微鏡図である。これらの図から見て取れるに、本具体例により作製された電気めっき用アノード材を用いれば、電気めっきの過程でアノード材表面にブラックフィルムが均一に形成されるので、アノード材表面が満遍なくブラックフィルムに覆われている。また、ブラックフィルム内部も充実しており、中空部がない。上記光学顕微鏡図から測定した結果、１ｃｍ２を単位面積として、本具体例により作製されたアノード材の表面におけるブラックフィルムによる単位面積あたりの被覆率は９８％以上であった。
【００５２】
図８〜図１１は上述の各比較例に係る図であり、図８および図１０はそれぞれ比較例１および比較例２に係る各アノード材表面の部分断面拡大図であり、図９および図１１はそれぞれ各該アノード材表面におけるブラックフィルムの成膜状態を観察した光学顕微鏡図である。これらの図から見て取れるに、鋳造とその後の焼きなましの間に加工を行ったアノード材を用いた場合、あるいは焼きなまし後に加工熱処理および焼入れを経ずに作製されたアノード材を用いた場合、電気めっきの過程でアノード材表面にブラックフィルムが不均等に形成されるので、アノード材表面が満遍なくブラックフィルムに覆われることができない。また、ブラックフィルム内部においても、樹枝状の中空部があることから、ブラックフィルムがアノード材における樹枝状晶部分に偏るように形成されたことがわかる。上記光学顕微鏡図から測定した結果、１ｃｍ２を単位面積として、各比較例により作製されたアノード材の表面におけるブラックフィルムによる単位面積あたりの被覆率は９８％を遥かに下回った。
【００５３】
以上まとめると、本発明に係る電気めっき用アノード材の製造方法では、液相から固相に冷却凝固させるように形成された含燐銅が、熱処理、具体的には均質化熱処理とその後の焼入れを経ることにより、燐元素が銅の結晶粒界や樹枝状晶部分に偏析するのを防ぐことができ、更に焼入れ後に一回以上の加工熱処理と焼入れを行うことで樹枝状晶を破砕することができる。これにより燐分布が従来よりも大幅に均一化された含燐銅からなる電気めっき用のアノード材を作製することができる。また、このように作製されたアノード材を電気めっきに用いれば、めっき処理の過程でアノード材の表面に構造が均質なブラックフィルムが形成されるので、電気めっき処理中にブラックフィルムが剥離してしまうのを防ぐことができる。これにより、めっき不良の発生を回避でき、つまりは本発明の目的が的確に達成される。
【００５４】
以上、本発明の好ましい実施形態および具体例を説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明にかかる電気めっき用アノード材の製造方法は、電気銅めっきに用いるための含燐銅アノードの作製に有用である。
【符号の説明】
【００５６】
２        アノード
２１      本体
２１１    表面
２２      ブラックフィルム
３        電解液
４        カソード
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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