(57)【要約】【課題】バリを発生させることなく支持基板に収容孔を形成する【解決手段】多層配線基板１の製造方法では、まず、支持基板２１の面Ｐ１上に形成された金属層に、金属層を貫通する貫通孔を形成する。そして、支持基板２１の面Ｐ１の側から貫通孔内にドリルを挿入したり、レーザ加工またはパンチング加工を施したりして、支持基板２１を穿孔することにより、支持基板２１を貫通する収容孔２４を支持基板２１内に形成する。その後、収容孔２４内に電子部品５を埋め込む。そして収容孔２４の開口部２４１は、支持基板２１の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔の開口部の周縁と収容孔２４における面Ｐ１側の開口部の周縁とが接することなく、貫通孔の開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを積層して構成されるビルドアップ層と、前記ビルドアップ層を支持する支持基板と、前記支持基板の内部に埋め込まれた電子部品とを備える配線基板の製造方法であって、
前記支持基板の面上に形成された第１金属層に、前記第１金属層を貫通する第１貫通孔を形成する第１貫通孔形成工程と、
前記支持基板の両面のうち前記第１金属層が形成されている面を上面とするとともに他方の面を下面として、前記上面の側から前記第１貫通孔内にドリルを挿入して、前記ドリルで前記支持基板を穿孔することにより、前記支持基板を貫通する収容孔を前記支持基板内に形成する収容孔形成工程と、
前記収容孔内に前記電子部品を埋め込む埋込工程とを有し、
前記第１貫通孔形成工程では、前記第１貫通孔における開口部を第１貫通孔開口部とし、前記収容孔における前記上面側の開口部を収容孔開口部として、前記第１貫通孔開口部の周縁と前記収容孔開口部の周縁とが接することなく前記支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、前記収容孔開口部は、前記第１貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記収容孔形成工程が行われる前において、前記支持基板における前記下面上に形成された第２金属層に、前記第２金属層を貫通する第２貫通孔を形成する第２貫通孔形成工程を有し、
前記第２貫通孔形成工程では、前記第２貫通孔における開口部を第２貫通孔開口部として、前記第１貫通孔開口部の周縁と前記第２貫通孔開口部の周縁とが接することなく前記支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、前記第１貫通孔開口部は、前記第２貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記収容孔形成工程では、
前記ドリルで前記支持基板を複数回穿孔することにより、１つの前記収容孔を形成する
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記収容孔開口部はオーバル形状である
ことを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、前記収容孔開口部と前記第１貫通孔開口部とは相似形状である
ことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを積層して構成されるビルドアップ層と、前記ビルドアップ層を支持する支持基板と、前記支持基板の内部に埋め込まれた電子部品とを備える配線基板の製造方法であって、
前記支持基板の面上に形成された第１金属層に、前記第１金属層を貫通する第１貫通孔を形成する第１貫通孔形成工程と、
前記支持基板の両面のうち前記第１金属層が形成されている面を上面とするとともに他方の面を下面として、前記上面の側から前記第１貫通孔内にレーザ加工またはパンチング加工を施して、前記支持基板を穿孔することにより、前記支持基板を貫通する収容孔を前記支持基板内に形成する収容孔形成工程と、
前記収容孔内に前記電子部品を埋め込む埋込工程とを有し、
前記第１貫通孔形成工程では、前記第１貫通孔における開口部を第１貫通孔開口部とし、前記収容孔における前記上面側の開口部を収容孔開口部として、前記第１貫通孔開口部の周縁と前記収容孔開口部の周縁とが接することなく前記支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、前記収容孔開口部は、前記第１貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成する
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品が内部に埋め込まれる配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
支持基板に、絶縁層と導体層とを交互に積層したビルドアップ層を形成する配線基板が知られている。このような配線基板の支持基板の内部に電子部品を埋め込む収容孔を形成するために、金属層が両面に形成されている状態の支持基板をドリルで打ち抜く技術が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−３３９４８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献１に記載の技術では、上記金属層をドリルで打ち抜くことに起因して、上記金属層に形成された貫通孔の周縁部にバリが発生するため、バリを除去するための工程が別途必要となり、配線基板の生産性に悪影響を及ぼすという問題があった。
【０００５】
また、上記金属層にレーザ加工またはパンチング加工することにより上記貫通孔を形成する場合にも、ドリルで打ち抜く場合と同様に、貫通孔の周縁部にバリが発生するという問題があった。
【０００６】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものであり、バリを発生させることなく支持基板に収容孔を形成することができる技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するためになされた第１発明は、少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを積層して構成されるビルドアップ層と、ビルドアップ層を支持する支持基板と、支持基板の内部に埋め込まれた電子部品とを備える配線基板の製造方法であって、支持基板の面上に形成された第１金属層に、第１金属層を貫通する第１貫通孔を形成する第１貫通孔形成工程と、支持基板の両面のうち第１金属層が形成されている面を上面とするとともに他方の面を下面として、上面の側から第１貫通孔内にドリルを挿入して、ドリルで支持基板を穿孔することにより、支持基板を貫通する収容孔を支持基板内に形成する収容孔形成工程と、収容孔内に電子部品を埋め込む埋込工程とを有し、第１貫通孔形成工程では、第１貫通孔における開口部を第１貫通孔開口部とし、収容孔における上面側の開口部を収容孔開口部として、第１貫通孔開口部の周縁と収容孔開口部の周縁とが接することなく支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、収容孔開口部は、第１貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成することを特徴とする配線基板の製造方法である。
【０００８】
このように構成された配線基板の製造方法では、まず第１貫通孔形成工程で、支持基板の面上に形成された第１金属層に、第１金属層を貫通する第１貫通孔を形成する。そして収容孔形成工程で、支持基板の両面のうち第１金属層が形成されている面（上面）の側から第１貫通孔内にドリルを挿入して、ドリルで支持基板を穿孔することにより、支持基板を貫通する収容孔を支持基板内に形成する。その後、収容孔内に電子部品を埋め込む。
【０００９】
そして、収容孔における上面側の開口部（収容孔開口部）は、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第１貫通孔における開口部（第１貫通孔開口部）の周縁と収容孔開口部の周縁とが接することなく第１貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。
【００１０】
このため、収容孔を支持基板内に形成するために、ドリルの軸方向を支持基板の上面に対して垂直にした状態で支持基板の上面の側から第１貫通孔内にドリルを挿入する場合に、ドリルが第１金属層と接触しないようにすることができる。これにより、収容孔開口部の周縁部にバリを発生させることなく支持基板に収容孔を形成することができる。
【００１１】
さらに、収容孔開口部が、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第１貫通孔開口部の周縁と収容孔開口部の周縁とが接することなく第１貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されていることにより、収容孔と電子部品との間に充填される樹脂材料においてクラックが発生するのを抑制することができる。
【００１２】
また、第１発明の配線基板の製造方法において、支持基板における下面上に第２金属層が形成されている場合には、収容孔形成工程が行われる前において、支持基板における下面上に形成された第２金属層に、第２金属層を貫通する第２貫通孔を形成する第２貫通孔形成工程を有し、第２貫通孔形成工程では、第２貫通孔における開口部を第２貫通孔開口部として、第１貫通孔開口部の周縁と第２貫通孔開口部の周縁とが接することなく支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第１貫通孔開口部は、第２貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成するようにするとよい。
【００１３】
収容孔形成工程においてドリルの軸方向を支持基板の上面に対して垂直にしてドリルで支持基板を穿孔する場合に、ドリルの軸方向が上面に対する垂直方向から外れることがある。この場合には、収容孔における下面側の開口部は、収容孔における上面側の開口部（収容孔開口部）よりも開口面積が大きくなることがある。
【００１４】
このようなときに、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において第２貫通孔開口部が、第１貫通孔開口部の全体と完全に一致する位置関係にて形成されていると、支持基板の下面側でバリが発生するおそれがある。支持基板の上面側から挿入されたドリルが支持基板を貫通して下面側に到達した場合に第２金属層と接触して、ドリルが第２金属層を打ち抜く可能性があるためである。
【００１５】
これに対して、第１発明の配線基板の製造方法では、第１貫通孔開口部は、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第１貫通孔開口部の周縁と第２貫通孔開口部の周縁とが接することなく第２貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。
【００１６】
これにより、ドリルで支持基板を穿孔しているときにドリルの軸方向が変動しても、支持基板の上面側から挿入されたドリルが支持基板を貫通して下面側に到達した場合に第２金属層と接触してしまうという事態の発生を抑制することができる。したがって、支持基板における下面上に第２金属層が形成されている場合において、収容孔における下面側の開口部の周縁部でバリが発生するのを抑制することができる。
【００１７】
また、第１発明の配線基板の製造方法は、収容孔形成工程が、ドリルで支持基板を複数回穿孔することにより１つの収容孔を形成するものである場合に適用するとよい。なお、このような収容孔の具体例として、収容孔開口部がオーバル形状であるものが挙げられる。
【００１８】
第１金属層に第１貫通孔を形成することなく（すなわち、第１金属層をドリルで打ち抜くことにより）支持基板を複数回穿孔して１つの収容孔を形成する場合には、第１金属層の同一箇所で複数回ドリルが接触する可能性があり、接触回数が増大するほどバリが発生し易くなる。
【００１９】
これに対して、第１発明の配線基板の製造方法では、ドリルで支持基板を複数回穿孔することにより１つの収容孔を形成するものである場合であっても、第１貫通孔内にドリルを挿入する場合にドリルが第１金属層と接触しないようにすることができ、バリを発生させることなく支持基板に収容孔を形成することができる。したがって、ドリルで支持基板を複数回穿孔することにより１つの収容孔を形成する場合に、第１発明の配線基板の製造方法を適用すると、バリ低減効果が大きくなる。
【００２０】
また、第１発明の配線基板の製造方法は、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、収容孔開口部と第１貫通孔開口部とは相似形状であるようにするとよい。
収容孔開口部と第１貫通孔開口部とが相似形状であるようにすると、第１貫通孔開口部の開口面積が収容孔開口部の開口面積よりも大きければ、必ず、収容孔開口部が、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第１貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含されるように収容孔開口部を配置することができる。
【００２１】
そして、収容孔開口部の形状を決定すれば、その後、第１貫通孔開口部の投影領域内に収容孔開口部の全体が包含されるようにするために、第１貫通孔開口部を、「収容孔開口部より開口面積が大きい相似形状」というような簡単な条件で決定することができ、配線基板のパターン設計を簡略化することができる。
【００２２】
さらに、上記目的を達成するためになされた第２発明の配線基板の製造方法は、少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを積層して構成されるビルドアップ層と、ビルドアップ層を支持する支持基板と、支持基板の内部に埋め込まれた電子部品とを備える配線基板の製造方法であって、支持基板の面上に形成された第１金属層に、第１金属層を貫通する第１貫通孔を形成する第１貫通孔形成工程と、支持基板の両面のうち第１金属層が形成されている面を上面とするとともに他方の面を下面として、上面の側から第１貫通孔内にレーザ加工またはパンチング加工を施して、支持基板を穿孔することにより、支持基板を貫通する収容孔を支持基板内に形成する収容孔形成工程と、収容孔内に電子部品を埋め込む埋込工程とを有し、第１貫通孔形成工程では、第１貫通孔における開口部を第１貫通孔開口部とし、収容孔における上面側の開口部を収容孔開口部として、第１貫通孔開口部の周縁と収容孔開口部の周縁とが接することなく支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、収容孔開口部は、第１貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成することを特徴とする。
【００２３】
このように構成された配線基板の製造方法では、まず第１貫通孔形成工程で、支持基板の面上に形成された第１金属層に、第１金属層を貫通する第１貫通孔を形成する。そして収容孔形成工程で、支持基板の両面のうち第１金属層が形成されている面（上面）の側から第１貫通孔内にレーザ加工またはパンチング加工を施して、支持基板を穿孔することにより、支持基板を貫通する収容孔を支持基板内に形成する。その後、収容孔内に電子部品を埋め込む。
【００２４】
そして、収容孔における上面側の開口部（収容孔開口部）は、支持基板の面と平行な基準面への正射投影において、第１貫通孔における開口部（第１貫通孔開口部）の周縁と収容孔開口部の周縁とが接することなく第１貫通孔開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。
【００２５】
このため、収容孔を支持基板内に形成するために、上面の側から第１貫通孔内にレーザ加工またはパンチング加工を施す場合に、レーザ光線またはパンチ金型が第１金属層と接触しないようにすることができる。これにより、収容孔開口部の周縁部にバリを発生させることなく支持基板に収容孔を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】多層配線基板１の概略構成を示す断面図である。
【図２】多層配線基板１の製造工程を示す第１の断面図である。
【図３】多層配線基板１の製造工程を示す第２の断面図である。
【図４】貫通孔６１１，６２１の平面図と図３の断面図である。
【図５】多層配線基板１の製造工程を示す第３の断面図である。
【図６】オーバル形状の貫通孔を形成する方法を示す開口部２４１の平面図である。
【図７】開口部２４１，２４２および貫通孔６１１，６２１の平面図と図５の断面図である。
【図８】開口部２４１，２４２と貫通孔６１１，６２１の位置関係を示す図である。
【図９】多層配線基板１の製造工程を示す第４の断面図である。
【図１０】多層配線基板１の製造工程を示す第５の断面図である。
【図１１】多層配線基板１の製造工程を示す第６の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に本発明の実施形態を図面とともに説明する。
本発明が適用された実施形態の多層配線基板１は、図１に示すように、支持層２とビルドアップ層３，４とを備え、支持層２における一方の面Ｐ１および他方の面Ｐ２のそれぞれにビルドアップ層３とビルドアップ層４を積層方向ＳＤに沿って積層して構成される。
【００２８】
まず支持層２は、支持基板２１と導体層２２，２３を備える。支持基板２１は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含侵させた板状部材であり、高い剛性を有する。導体層２２および導体層２３はそれぞれ、支持基板２１における一方の面（面Ｐ１）および他方の面（面Ｐ２）に積層される。
【００２９】
支持基板２１内には、支持基板２１を貫通する収容孔２４が形成されている。そして収容孔２４内には、電子部品５（本実施形態では積層コンデンサ）が埋め込まれている。
次にビルドアップ層３は、絶縁層３１と導体層３２とビア導体３３とを備える。ビルドアップ層３は、絶縁層３１と導体層３２とが積層方向ＳＤに沿って積層されて構成されている。そしてビア導体３３は、絶縁層３１内において積層方向ＳＤに延びて形成される。これにより、導体層３２が導体層２２と電気的に接続される。
【００３０】
またビルドアップ層４は、絶縁層４１と導体層４２とビア導体４３とを備える。ビルドアップ層４は、絶縁層４１と導体層４２とが積層方向ＳＤに沿って積層されて構成されている。そしてビア導体４３は、絶縁層４１内において積層方向ＳＤに延びて形成される。これにより、導体層４２が導体層２３および電子部品５と電気的に接続される。
【００３１】
次に、本発明が適用された多層配線基板１の製造方法を説明する。
図２に示すように、まず、金属層６１および金属層６２（本実施形態では銅）がそれぞれ面Ｐ１および面Ｐ２に積層された支持基板２１を用意する。
【００３２】
そして、サブトラクティブ法によって不要な金属層６１，６２を除去する。これにより、図３に示すように、所定のパターンを有する導体層２２，２３が形成される。したがって、所定のパターンを有するように形成された金属層６１，６２はそれぞれ導体層２２，２３に相当する。
【００３３】
図４は、貫通孔６１１，６２１（後述）の平面図を図３の断面図と対応付けて示したものである。図４に示すように、金属層６１において、収容孔２４（後の工程で形成されるため破線で示す）における面Ｐ１側の開口部２４１と接する領域には、面Ｐ１側から開口部２４１の全体を視認可能に配置された開口部を有する貫通孔６１１が形成される。
【００３４】
同様に、金属層６２において、収容孔２４における面Ｐ２側の開口部２４２と接する領域には、面Ｐ２側から開口部２４２の全体を視認可能に配置された開口部を有する貫通孔６２１が形成される。
【００３５】
なお、収容孔２４の開口部２４１はオーバル状に形成される。そして貫通孔６１１は、開口部２４１のオーバル形状に相似し且つ開口部２４１より開口面積が大きいオーバル状に形成されている。
【００３６】
また、収容孔２４の開口部２４２はオーバル状に形成される。そして貫通孔６２１は、開口部２４２のオーバル形状に相似し且つ開口部２４２より開口面積が大きいオーバル状に形成されている。
【００３７】
そして、面Ｐ１側からドリルを貫通孔６１１内に挿入することにより、ドリルで支持基板２１を穿孔し、図５に示すように、支持基板２１を貫通する収容孔２４を形成する。このときドリルは、その軸方向が積層方向ＳＤに沿うようにして挿入される。
【００３８】
なお収容孔２４は、図６に示すように、軸方向に垂直な断面が円形状であるドリルを、オーバル形状の貫通孔６１１の長軸方向ＬＡに沿って互いに異なる位置（図中の点線の円ＤＲ１，ＤＲ２，ＤＲ３，ＤＲ４，ＤＲ５を参照）で複数回穿孔することにより形成される。
【００３９】
また、ドリルの軸方向が積層方向ＳＤに沿うようにしてドリルを支持基板２１内に挿入する場合に、ドリルの軸方向が積層方向ＳＤから外れてしまうことがある。このため、図７に示すように、収容孔２４における面Ｐ２側の開口部２４２は、面Ｐ１側の開口部２４１よりも開口面積が大きくなることがある。このため貫通孔６２１は、貫通孔６１１より開口面積が大きいオーバル状に形成されている。図７は、開口部２４１，２４２および貫通孔６１１，６２１の平面図を図５の断面図と対応付けて示したものである。
【００４０】
図８に、支持基板２１の面と平行な基準面への正射投影における開口部２４１，２４２および貫通孔６１１，６２１の位置関係を示す。
図８に示すように、支持基板２１の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔６１１の開口部の周縁と開口部２４１の周縁とが接することなく、開口部２４１は、貫通孔６１１の開口部の投影領域内に全体が包含されている。また、貫通孔６２１の開口部の周縁と開口部２４２の周縁とが接することなく、開口部２４２は、貫通孔６２１の開口部の投影領域内に全体が包含されている。また、貫通孔６１１の開口部の周縁と貫通孔６２１の開口部の周縁とが接することなく、貫通孔６１１は、貫通孔６２１の開口部の投影領域内に全体が包含されている。
【００４１】
その後、図９に示すように、支持基板２１における面Ｐ２側に、剥離可能な粘着テープ７０を貼り付けることにより、収容孔２４の開口部２４２を粘着テープ７０で塞ぐ。
そして、開口部２４１側から収容孔２４内に電子部品５を挿入し、電子部品５を粘着テープ７０上に載置する。粘着テープ７０の粘着力により電子部品５は粘着テープ７０上に固定され、図１０に示すように、収容孔２４内に電子部品５が収容される。
【００４２】
その後、支持基板２１の面Ｐ１について、支持基板２１上にフィルム状の樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を配置し、真空下において加圧加熱することにより樹脂材料を硬化させて絶縁層３１を形成する。これにより、図１１に示すように、支持基板２１の面Ｐ１と導体層２２が絶縁層３１に被覆された状態になる。また、収容孔２４と電子部品５との間の隙間に絶縁層３１が充填された状態になり、収容孔２４内に電子部品５が埋め込まれる。
【００４３】
その後、粘着テープ７０を除去し、支持基板２１の面Ｐ２について、絶縁層３１の形成と同様の工程を用いることで、絶縁層４１を形成する。
そして、絶縁層３１，４１の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、絶縁層３１，４１内に複数のビアホールを形成する。さらに、ビアホールの形成によりビアホール内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキを行うことにより、絶縁層３１，４１上に薄い無電解メッキ層（本実施形態では銅）を形成する。そして、無電解メッキ層上に、導体層３２，４２の配線パターンに対応する所定のレジストパターンを形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、レジストに覆われていない領域にメッキ層（本実施形態では銅）を形成する。その後、不要な無電解メッキ層とレジストをエッチングにより除去する。これにより、図１に示すように、ビアホール内にビア導体３３，４３が形成されるとともに、所定の配線パターンを有する導体層３２，４２が形成される。
【００４４】
このように構成された多層配線基板１の製造方法では、まず、支持基板２１の面Ｐ１上に形成された金属層６１に、金属層６１を貫通する貫通孔６１１を形成する。そして、支持基板２１の面Ｐ１の側から貫通孔６１１内にドリルを挿入して、ドリルで支持基板２１を穿孔することにより、支持基板２１を貫通する収容孔２４を支持基板２１内に形成する。その後、収容孔２４内に電子部品５を埋め込む。
【００４５】
そして収容孔２４の開口部２４１は、支持基板２１の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔６１１の開口部の周縁と開口部２４１の周縁とが接することなく、貫通孔６１１の開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。
【００４６】
このため、収容孔２４を支持基板２１内に形成するために、ドリルの軸方向を支持基板２１の面Ｐ１に対して垂直にした状態で支持基板２１の面Ｐ１の側から貫通孔６１１内にドリルを挿入する場合に、ドリルが金属層６１と接触しないようにすることができる。これにより、開口部２４１の周縁部にバリを発生させることなく支持基板２１に収容孔２４を形成することができる。
【００４７】
さらに、収容孔２４の開口部２４１が、支持基板２１の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔６１１の開口部の周縁と開口部２４１の周縁とが接することなく、貫通孔６１１の開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されていることにより、収容孔２４と電子部品５との間に充填される樹脂材料においてクラックが発生するのを抑制することができる。
【００４８】
表１に示すように、貫通孔６１１の開口部の周縁と収容孔２４の開口部２４１の周縁との距離（以下、樹脂部引き下がりという）が、０μｍである場合には、収容孔２４と電子部品５との間に充填される樹脂材料においてクラックが発生する。一方、樹脂部引き下がりが１０μｍ〜１５０μｍの場合には、クラックが発生しない。なお、樹脂部引き下がりは、１０〜１００μｍであるのが好ましい。
【００４９】
【表１】
2014209562.tif 000003
また多層配線基板１の製造方法では、支持基板２１の面Ｐ２上に形成された第２金属層に、金属層６２を貫通する貫通孔６２１を形成する。そして、貫通孔６１１は、支持基板２１の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔６１１の開口部の周縁と貫通孔６２１の開口部の周縁とが接することなく、貫通孔６２１の開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。
【００５０】
これにより、ドリルで支持基板２１を穿孔しているときにドリルの軸方向が変動しても、支持基板２１の面Ｐ１側から挿入されたドリルが支持基板２１を貫通して面Ｐ２側に到達した場合に金属層６２と接触してしまうという事態の発生を抑制することができる。したがって、支持基板２１の面Ｐ２上に金属層６２が形成されている場合において、収容孔２４の開口部２４２の周縁部でバリが発生するのを抑制することができる。
【００５１】
また多層配線基板１の製造方法では、ドリルで支持基板２１を複数回穿孔することにより１つの収容孔２４を形成する。
金属層６１に貫通孔６１１を形成することなく（すなわち、金属層６１をドリルで打ち抜くことにより）支持基板２１を複数回穿孔して１つの収容孔を形成する場合には、金属層６１の同一箇所で複数回ドリルが接触する可能性があり、接触回数が増大するほどバリが発生し易くなる。
【００５２】
これに対して、多層配線基板１の製造方法では、ドリルで支持基板２１を複数回穿孔することにより１つの収容孔２４を形成するものである場合であっても、貫通孔６１１内にドリルを挿入する場合にドリルが金属層６１と接触しないようにすることができ、バリを発生させることなく支持基板２１に収容孔２４を形成することができる。したがって、ドリルで支持基板２１を複数回穿孔することにより１つの収容孔２４を形成する場合に、多層配線基板１の製造方法を適用すると、バリ低減効果が大きくなる。
【００５３】
また多層配線基板１の製造方法では、支持基板２１の面と平行な基準面への正射投影において、収容孔２４の開口部２４１と貫通孔６１１の開口部とは相似形状である。
このようにすると、貫通孔６１１の開口部の開口面積が開口部２４１の開口面積よりも大きければ、必ず、開口部２４１が、支持基板２１の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔６１１の開口部の周縁と開口部２４１の周縁とが接することなく、貫通孔６１１の開口部の投影領域内に全体が包含されるように開口部２４１を配置することができる。
【００５４】
そして、開口部２４１の形状を決定すれば、その後、貫通孔６１１の開口部の投影領域内に開口部２４１の全体が包含されるようにするために、貫通孔６１１の開口部を、「開口部２４１より開口面積が大きい相似形状」というような簡単な条件で決定することができ、多層配線基板１のパターン設計を簡略化することができる。
【００５５】
以上説明した実施形態において、多層配線基板１は本発明における配線基板、金属層６１は本発明における第１金属層、貫通孔６１１は本発明における第１貫通孔、面Ｐ１は本発明における上面、面Ｐ２は本発明における下面、金属層６２は本発明における第２金属層、貫通孔６２１は本発明における第２貫通孔である。
【００５６】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採ることができる。
上記実施形態では、ドリルで支持基板２１を穿孔することにより、バリを発生させることなく支持基板２１に収容孔２４を形成するものを示した。しかし、ドリルの代わりに、レーザ加工またはパンチング加工を施して、支持基板２１に収容孔２４を形成するようにしてもよい。
【００５７】
具体的には、まず、支持基板２１の面Ｐ１上に形成された金属層６１に、金属層６１を貫通する貫通孔６１１を形成する。そして、支持基板２１の面Ｐ１の側からレーザ加工またはパンチング加工を施して、支持基板２１を穿孔することにより、支持基板２１を貫通する収容孔２４を支持基板２１内に形成する。その後、収容孔２４内に電子部品５を埋め込む。
【００５８】
そして収容孔２４の開口部２４１は、支持基板２１の面と平行な基準面への正射投影において、貫通孔６１１の開口部の周縁と開口部２４１の周縁とが接することなく、貫通孔６１１の開口部の投影領域内に全体が包含される位置関係にて形成されている。
【００５９】
このため、収容孔２４を支持基板２１内に形成するために、支持基板２１の面Ｐ１の側から貫通孔６１１内にレーザ加工またはパンチング加工を施す場合に、レーザ光線またはパンチ金型が金属層６１と接触しないようにすることができる。これにより、開口部２４１の周縁部にバリを発生させることなく支持基板２１に収容孔２４を形成することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１…多層配線基板、２…支持層、３，４…ビルドアップ層、５…電子部品、２１…支持基板、２２，２３，３２，４２…導体層、２４…収容孔、３１，４１…絶縁層、３３，４３…ビア導体、６１，６２…金属層、２４１，２４２…開口部、６１１，６２１…貫通孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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