(57)【要約】【課題】モールドと基板との位置合わせ精度を向上させることができるパターン形成方法及びパターン形成装置を提供すること。【解決手段】実施形態に係るパターン形成方法は、モールドの凹凸パターンを基板上の樹脂に接触させて、未硬化領域の樹脂を硬化させる工程を含む。未硬化領域の樹脂を硬化させる工程は、第１硬化処理と、第２硬化処理と、含む。第１硬化処理は、基板を基準にしてモールドの位置合わせを行う工程と、複数の未硬化領域のそれぞれについて、下地パターンを基準にした凹凸パターンの位置ずれ量を求める工程と、複数の未硬化領域のなかで位置ずれ量が最も小さい未硬化領域の樹脂を硬化させる工程と、を、未硬化領域が１つになるまで繰り返す。第２硬化処理は、基板を基準にしてモールドの位置合わせを行う工程と、未硬化領域の樹脂を硬化させる工程と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１アライメントマークを含む下地パターンを有する基板を用意し、前記基板上に樹脂を塗布する工程と、
第２アライメントマークを含む凹凸パターンを有するモールドを用意し、前記基板の上に前記モールドを重ね合わせ、前記凹凸パターンを前記樹脂に接触させる工程と、
前記樹脂を複数の領域に区分けした場合、前記複数の領域のうち前記樹脂が硬化されていない未硬化領域の前記樹脂に光を照射して硬化させる工程と、
前記樹脂の全体に前記光を照射する工程と、
前記樹脂から前記モールドを引き離す工程と、
を備え、
前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程は、
前記未硬化領域が複数ある場合、
前記基板を基準にして前記モールドの位置合わせを行う工程と、
前記複数の未硬化領域のそれぞれについて、前記下地パターンを基準にした前記凹凸パターンの位置ずれ量を求める工程と、
前記位置ずれ量が予め設定された基準値以下になった前記複数の未硬化領域のなかで前記位置ずれ量が最も小さい前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程と、
を、前記未硬化領域が１つになるまで繰り返す第１硬化処理を含み、
前記未硬化領域が１つの場合、
前記基板を基準にして前記モールドの位置合わせを行う工程と、
前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程と、
を有する第２硬化処理を含むパターン形成方法。
【請求項２】
下地パターンを有する基板を用意し、前記基板上に樹脂を塗布する工程と、
凹凸パターンを有するモールドを用意し、前記基板の上に前記モールドを重ね合わせ、前記凹凸パターンを前記樹脂に接触させる工程と、
前記樹脂を複数の領域に区分けした場合、前記複数の領域のうち前記樹脂が硬化されていない未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程と、
前記樹脂から前記モールドを引き離す工程と、
を備え、
前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程は、
前記未硬化領域が複数ある場合、
前記基板を基準にして前記モールドの位置合わせを行う工程と、
前記複数の未硬化領域のそれぞれについて、前記下地パターンを基準にした前記凹凸パターンの位置ずれ量を求める工程と、
前記複数の未硬化領域のなかで前記位置ずれ量が最も小さい前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程と、
を、前記未硬化領域が１つになるまで繰り返す第１硬化処理を含み、
前記未硬化領域が１つの場合、
前記基板を基準にして前記モールドの位置合わせを行う工程と、
前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程と、
を有する第２硬化処理を含むパターン形成方法。
【請求項３】
前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程は、前記樹脂に光を照射して前記樹脂を硬化させることを含む請求項２記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程は、前記第２硬化処理と、前記樹脂から前記モールドを引き離す工程と、の間に、前記樹脂の全体に前記光を照射することをさらに備えた請求項３記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記下地パターンは、第１アライメントマークを含み、
前記凹凸パターンは、第２アライメントマークを含む請求項２〜４のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程は、前記未硬化領域において前記位置ずれ量が予め設定された基準値以下になった場合に前記樹脂を硬化させることを含む請求項２〜５のいずれか１つに記載のパターン形成方法。
【請求項７】
下地パターンを有する基板を用意し、前記基板上に樹脂を塗布する工程と、
凹凸パターンを有するモールドを用意し、前記基板の上に前記モールドを重ね合わせ、前記凹凸パターンを前記樹脂に接触させる工程と、
前記樹脂を複数の領域に区分けした場合、前記複数の領域の前記樹脂を硬化させる工程と、
前記樹脂から前記モールドを引き離す工程と、
を備え、
前記複数の領域の前記樹脂を硬化させる工程は、
前記複数の領域のうちの１つである基準領域について前記基板を基準にした前記モールドの位置合わせを行い、前記基準領域の前記樹脂を硬化させる工程と、
前記複数の領域のうち前記樹脂が硬化された硬化領域と隣り合う領域であって前記樹脂が硬化されていない未硬化領域について、前記基板を基準にした前記モールドの位置合わせを行い、前記樹脂を硬化させることを、前記未硬化領域が無くなるまで繰り返す工程と、
を含むパターン形成方法。
【請求項８】
凹凸パターンを有するモールドを保持するモールド保持部と、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板と前記モールドとの位置合わせを行うアライメント部と、
前記基板の上に感光性の樹脂を塗布する塗布部と、
前記前記モールド保持部及び前記基板保持部を駆動する駆動部と、
前記樹脂に照射する光を発光する発光部と、
前記凹凸パターンを前記樹脂に接触させた状態で前記光を照射する場合、前記樹脂を複数の領域に区分けして前記複数の領域のうち前記樹脂が硬化していない未硬化領域に前記光を照射するように前記発光部を制御し、前記複数の領域の前記樹脂が硬化した後に前記樹脂から前記モールドを引き離すように前記駆動部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、
前記未硬化領域が複数ある場合、
前記基板を基準にして前記モールドの位置合わせを行うように前記アライメント部を制御し、
前記複数の未硬化領域のそれぞれについて、前記下地パターンを基準にした前記凹凸パターンの位置ずれ量を求める演算を行い、
前記複数の未硬化領域のなかで前記位置ずれ量が最も小さい前記未硬化領域の前記樹脂に前記光を照射して前記樹脂を硬化させるように前記発光部を制御することを、
前記未硬化領域が１つになるまで繰り返す第１硬化処理を行い、
前記未硬化領域が１つの場合、
前記基板を基準にして前記モールドの位置合わせを行うように前記アライメント部を制御し、
前記未硬化領域の前記樹脂に前記光を照射して前記樹脂を硬化させるように前記発光部を制御する第２硬化処理を行うパターン形成装置。
【請求項９】
凹凸パターンを有するモールドを保持するモールド保持部と、
基板を保持する基板保持部と、
前記基板と前記モールドとの位置合わせを行うアライメント部と、
前記基板の上に感光性の樹脂を塗布する塗布部と、
前記前記モールド保持部及び前記基板保持部を駆動する駆動部と、
前記樹脂に照射する光を発光する発光部と、
前記凹凸パターンを前記樹脂に接触させた状態で前記光を照射する場合、前記樹脂を複数の領域に区分けして前記複数の領域に前記光を照射するように前記発光部を制御し、前記複数の領域の前記樹脂が硬化した後に前記樹脂から前記モールドを引き離すように前記駆動部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記複数の領域の前記樹脂を硬化させる制御において、
前記複数の領域のうちの１つである基準領域について前記基板を基準にした前記モールドの位置合わせを行い、前記基準領域の前記樹脂を硬化させる工程と、
前記複数の領域のうち前記樹脂が硬化された硬化領域と隣り合う領域であって前記樹脂が硬化していない未硬化領域について、前記基板を基準にした前記モールドの位置合わせを行い、前記樹脂を硬化させることを、前記未硬化領域が無くなるまで繰り返す工程と、  を行うパターン形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法及びパターン形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置などのパターンを形成するパターン形成方法として、例えば、インプリント法がある。インプリント法は、モールド（原版）に設けられた凹凸パターンの形状を対象物に転写する方法であり、１００ナノメートル（ｎｍ）以下の微細なパターンの形成と量産性とを両立させる技術として、注目されている。インプリント法では、パターンを転写する対象の基板の上に光硬化型の樹脂を塗布し、この樹脂にモールドの凹凸パターンを接触させる。この状態で樹脂に光を照射して硬化させた後、モールドを樹脂から引き離す。これにより、樹脂にモールドの凹凸パターンの形状が転写される。このようなパターン形成方法においては、モールドと基板との位置合わせ精度の向上が重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５７７２９０５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、モールドと基板との位置合わせ精度を向上させることができるパターン形成方法及びパターン形成装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係るパターン形成方法は、下地パターンを有する基板を用意し、前記基板上に樹脂を塗布する工程と、凹凸パターンを有するモールドを用意し、前記基板の上に前記モールドを重ね合わせ、前記凹凸パターンを前記樹脂に接触させる工程と、前記樹脂を複数の領域に区分けした場合、前記複数の領域のうち前記樹脂が硬化されていない未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程と、前記樹脂から前記モールドを引き離す工程と、を含む。
前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程は、第１硬化処理と、第２硬化処理と、含む。
前記第１硬化処理は、前記未硬化領域が複数ある場合の処理である。前記第１硬化処理は、前記基板を基準にして前記モールドの位置合わせを行う工程と、前記複数の未硬化領域のそれぞれについて、前記下地パターンを基準にした前記凹凸パターンの位置ずれ量を求める工程と、前記複数の未硬化領域のなかで前記位置ずれ量が最も小さい前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程と、を、前記未硬化領域が１つになるまで繰り返す。
前記第２硬化処理は、前記未硬化領域が１つの場合の処理である。前記第２硬化処理は、前記基板を基準にして前記モールドの位置合わせを行う工程と、前記未硬化領域の前記樹脂を硬化させる工程と、を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
【図３】図３は、具体例（その１）を例示する模式的平面図である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は、具体例（その１）のパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｅ）は、具体例（その２）を例示する模式的平面図である。
【図６】図６は、第２の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
【図７】図７は、第２の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
【図８】図８（ａ）〜（ｅ）は、具体例（その３）を例示する模式的平面図である。
【図９】図９（ａ）及び（ｂ）は、樹脂の硬化の順番を例示する模式的平面図である。
【図１０】図１０（ａ）及び（ｂ）は、光の照射範囲を例示する模式的平面図である。
【図１１】図１１（ａ）及び（ｂ）は、樹脂を硬化させる方向について例示する模式的平面図である。
【図１２】図１２（ａ）及び（ｂ）は、樹脂を硬化させる方向について例示する模式的平面図である。
【図１３】図１３は、第３の実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する模式図である。
【図１４】図１４は、コンピュータのハードウェア構成を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を図に基づき説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【０００８】
（第１の実施形態）
図１及び図２は、第１の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
図１には、第１の実施形態に係るパターン形成方法の全体の流れが表され、図２には、図１に表した処理の一部の流れが表される。
【０００９】
図１に表したように、第１の実施形態に係るパターン形成方法は、基板を用意する工程（ステップＳ１０１）と、樹脂を塗布する工程（ステップＳ１０２）と、モールドを樹脂に接触させる工程（ステップＳ１０３）と、樹脂を硬化させる工程（ステップＳ１０４）と、樹脂からモールドを引き離す工程（ステップＳ１０５）と、を含む。
【００１０】
ステップＳ１０１において用意する基板は、主面と、主面に設けられた下地パターンと、を有する。ステップＳ１０２では、基板の主面上に樹脂を塗布する。樹脂としては、例えば光照射によって硬化する光硬化型樹脂である。
【００１１】
ステップＳ１０３では、先ず、凹凸パターンを有するモールドを用意する。凹凸パターンは、樹脂に転写するパターンの形状が反転した凹凸形状を有する。次に、基板の上にモールドを重ね合わせる。重ね合わせる方向は、基板の主面と直交する方向（Ｚ方向）である。この際、基板の主面と凹凸パターンとを向かい合わせにする。次に、基板の主面上に塗布された樹脂に、モールドの凹凸パターンを接触させる。
【００１２】
ステップＳ１０４では、樹脂を複数の領域に区分けした場合、複数の領域のうち樹脂が硬化されていない未硬化領域の樹脂を硬化させる。ここで、樹脂の区分けとは、Ｚ方向にみて樹脂を複数の領域に区分けすることである。
【００１３】
ステップＳ１０５では、硬化した樹脂からモールドを引き離す。これにより、モールドの凹凸パターンの形状が樹脂に転写される。樹脂には、モールドの凹凸パターンの凹凸形状が反転したパターンが形成される。本実施形態に係るパターン形成方法において、パターンを形成する対象は、樹脂や基板（基板上に形成された膜を含む）である。基板にパターンを形成するには、先に説明したように樹脂にパターンを形成した後、この樹脂をマスクとして基板をエッチングする。これにより、基板に樹脂のパターンが転写される。
【００１４】
第１の実施形態に係るパターン形成方法では、ステップＳ１０４に表した樹脂を硬化させる工程として、図２に表したフローチャートに沿って未硬化領域の樹脂を硬化させる。
【００１５】
図２に表したように、先ず、ステップＳ１４１では、複数の未硬化領域があるか否かを判断する。複数の未硬化領域がある場合には、ステップＳ１４２〜ステップＳ１４４の処理を行う。ステップＳ１４２〜ステップＳ１４４の処理は、第１硬化処理である。一方、複数の未硬化領域がない場合、すなわち未硬化領域が１つの場合には、ステップＳ１４５〜ステップＳ１４６の処理を行う。ステップＳ１４５〜ステップＳ１４６の処理は、第２硬化処理である。
【００１６】
先ず、第１硬化処理について説明する。ステップＳ１４２では、基板を基準にしてモールドの位置合わせを行う。例えば、複数の未硬化領域のそれぞれについて、基板に設けられた下地パターンと、モールドの凹凸パターンとの位置合わせを行う。下地パターンは第１アライメントマークを含む。凹凸パターンは第２アライメントマークを含む。ステップＳ１４２では、例えば、複数の未硬化領域のそれぞれについて、第１アライメントマークと、第２アライメントマークとがＺ方向に重なるように基板とモールドとの位置合わせを行う。この位置合わせを行うため、樹脂の複数の領域を設定する際、それぞれの領域内にＺ方向にみて第１アライメントマーク及び第２アライメントマークが含まれるようにすることが望ましい。
【００１７】
ここで、基板を基準にしたモールドの位置合わせは、基板を保持するステージ及びモールドを保持するチャックの少なくとも一方を移動させることで行われる。また、より精度の高い位置合わせは、モールドの外周部をアクチュエータで押圧等することで、モールドの外形サイズを制御することで行われる。
【００１８】
次に、ステップＳ１４３では、複数の未硬化領域のそれぞれについて、下地パターンを基準にした凹凸パターンの位置ずれ量を求める。例えば、複数の未硬化領域のそれぞれについて、第１アライメントマークを基準にした第２アライメントマークの位置ずれ量を求める。位置ずれ量は、例えば、Ｚ方向と直交するＸ方向のずれ量（ｄｘ）、Ｚ方向及びＸ方向と直交するＹ方向のずれ量（ｄｙ）、及びＸＹ面に沿った回転方向のずれ量（ｄθ）から求められる。
【００１９】
次に、ステップＳ１４４では、複数の未硬化領域のなかで位置ずれ量が最も小さい未硬化領域の樹脂を硬化させる。先ず、ステップＳ１４３で求めた複数の未硬化領域のそれぞれの位置ずれ量から、最も位置ずれ量の小さい未硬化領域を選択する。
【００２０】
選択に用いられる位置ずれ量は、例えば、Ｘ方向のずれ量（ｄｘ）と、Ｙ方向のずれ量（ｄｙ）とから求めた距離である。なお、距離以外にも、Ｘ方向のずれ量（ｄｘ）、Ｙ方向のずれ量（ｄｙ）及び回転方向のずれ量（ｄθ）のいずれか１つのずれ量や、Ｘ方向のずれ量（ｄｘ）、Ｙ方向のずれ量（ｄｙ）及び回転方向のずれ量（ｄθ）から算出した総合的なずれ量を用いてもよい。ここで、選択の対象としては、位置ずれ量が予め設定された基準値以下の未硬化領域である。
【００２１】
次に、選択された未硬化領域の樹脂を硬化させる。すなわち、選択された未硬化領域の樹脂に光を照射して、硬化させる。
【００２２】
第１硬化処理としては、このステップＳ１４２〜ステップＳ１４４を、未硬化領域が１つになるまで繰り返す。そして、未硬化領域が残り１つになった場合、第２硬化処理を行う。
【００２３】
次に、第２硬化処理について説明する。ステップＳ１４５では、基板を基準にしてモールドの位置合わせを行う。ステップＳ１４５では、残り１つの未硬化領域について、基板に設けられた下地パターンと、モールドの凹凸パターンとの位置合わせを行う。例えば、１つの未硬化領域について、第１アライメントマークと、第２アライメントマークとがＺ方向に重なるように基板とモールドとの位置合わせを行う。
【００２４】
次に、ステップＳ１４６では、残り１つの未硬化領域の樹脂を硬化させる。すなわち、ステップＳ１４５の位置合わせにおいて、残り１つの未硬化領域についての位置ずれ量が予め設定された基準値以下になった段階で、この未硬化領域の樹脂を硬化させる。例えば、この未硬化領域の樹脂に光を照射し、硬化させる。これにより、ステップＳ１０４の樹脂の硬化処理を終了する。
【００２５】
ここで、ステップＳ１０４の樹脂の硬化処理は、第２硬化処理と、ステップＳ１０５の樹脂からモールドを引き離す処理との間に、樹脂の全体に光を照射することを含んでいてもよい。これによって、複数の領域の隙間や基板周辺など、樹脂が硬化が不足している部分について確実に硬化することになる。
【００２６】
このように、第１の実施形態に係るパターン形成方法では、樹脂の複数の領域について、下地パターンと凹凸パターンとの位置ずれ量が小さい順に樹脂の硬化が行われる。これにより、基板の全体において高い精度でモールドとの位置合わせがなされたパターンの形成が行われる。
【００２７】
例えば、基板に複数の第１アライメントマークが設けられ、モールドに複数の第１アライメントマークに対応した複数の第２アライメントマークが設けられている場合において、基板を基準にモールドを位置合わせしようとすると、一部のアライメントマークについては位置合わせされるものの、位置合わせしきれないアライメントマークも発生する。この状態で樹脂全体を硬化させると、位置合わせしきれていないアライメントマークの周辺では、十分な合わせ精度でパターンを形成することができない。
【００２８】
本実施形態では、複数の領域のそれぞれについて位置合わせがなされた状態で、各領域ごとに樹脂の硬化が行われる。すなわち、１つの未硬化領域について樹脂の硬化が行われた後であっても、他の未硬化領域については位置合わせを行うことができる。したがって、各領域ごとに位置合わせ及び樹脂の硬化が行われるため、複数の第１アライメントマーク及び複数の第２アライメントマークのそれぞれの領域について、精度の高い位置合わせが行われることになる。
【００２９】
次に、具体例について説明する。
図３は、具体例（その１）を例示する模式的平面図である。
図４（ａ）〜（ｄ）は、具体例（その１）のパターン形成方法を例示する模式的断面図である。
図３に表したモールド１Ａは、１つのモールド１Ａに複数ショット分の凹凸パターンが設けられている。例えば、モールド１Ａには、２×２の配列で合計４つのショット領域ＳＴ１〜ＳＴ４に対応して凹凸パターンが設けられている。
【００３０】
基板Ｓには、各ショット領域ＳＴ１〜ＳＴ４に対応して、それぞれ複数の第１アライメントマークＡＭ１が設けられている。複数の第１アライメントマークＡＭ１は、各ショット領域ＳＴ１〜ＳＴ４のそれぞれの周辺部分に配置されている。
【００３１】
モールド１Ａには、各ショット領域ＳＴ１〜ＳＴ４のそれぞれに、基板Ｓの複数の第１アライメントマークＡＭ１に対応した複数の第２アライメントマークＡＭ２が設けられる。
【００３２】
基板Ｓにモールド１Ａを位置合わせするには、モールド１Ａの外周を図示しないアクチュエータによって押圧する。この押圧のバランスによって、複数の第１アライメントマークＡＭ１のそれぞれに、複数の第２アライメントマークＡＭ２のそれぞれを位置合わせする。
【００３３】
具体的なパターン形成方法を図４（ａ）〜（ｄ）に沿って説明する。
先ず、図４（ａ）に表したように、基板Ｓの第１面Ｓ１の上に樹脂５０を塗布する。説明の便宜上、基板Ｓには、第１アライメントマークＡＭ１ａ〜ＡＭ１ｅが設けられているものとする。次に、基板Ｓの上にモールド１Ａを重ね合わせ、樹脂５０にモールド１Ａの凹凸パターンを接触させる。説明の便宜上、モールド１Ａには、第２アライメントマークＡＭ２ａ〜ＡＭ２ｅが設けられているものとする。
【００３４】
なお、以下の説明では、複数の第１アライメントマークを総称する場合には、第１アライメントマークＡＭ１と言うことにする。また、複数の第２アライメントマークを総称する場合には、第２アライメントマークＡＭ２と言うことにする。
【００３５】
先ず、図４（ａ）に表したように、基板Ｓを基準にしてモールド１Ａの位置合わせを行う。次いで、樹脂５０を複数の領域Ｒ１〜Ｒ５に区分けする。Ｚ方向にみた場合、第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２の組を中心として、領域Ｒ１〜Ｒ５に区分けする。
【００３６】
次に、各領域Ｒ１〜Ｒ５について、第１アライメントマークＡＭ１を基準にした第２アライメントマークＡＭ２の位置ずれ量を求める。例えば、領域Ｒ１においては、第１アライメントマークＡＭ１ａを基準にした第２アライメントマークＡＭ２ａの位置ずれ量を求め、領域Ｒ２においては、第１アライメントマークＡＭ１ｂを基準にした第２アライメントマークＡＭ２ｂの位置ずれ量を求める。
【００３７】
各領域Ｒ１〜Ｒ５についてそれぞれ求めた位置ずれ量のうち、位置ずれ量が所定の基準値以下になった領域が選択の対象になる。ここでは、例えば領域Ｒ１〜Ｒ５が選択の対象になった場合を例として説明する。選択の対象になった領域Ｒ１〜Ｒ５のうち、最も位置ずれ量の小さい領域を選択する。例えば、領域Ｒ１〜Ｒ５のうち領域Ｒ３における位置ずれ量が最も小さかったとする。
【００３８】
次に、図４（ｂ）に表したように、選択された領域の樹脂５０を硬化させる。ここでは、領域Ｒ３が選択されたため、領域Ｒ３の樹脂５０を硬化させる。例えば、領域Ｒ３の樹脂５０に局所的に樹脂５０を硬化させる波長の光（例えば、紫外線光）ＬＴを照射する。これにより、領域Ｒ３の樹脂５０のみが硬化する。
【００３９】
次に、図４（ｃ）に表したように、基板Ｓを基準にしてモールド１Ａの位置合わせを行う。この位置合わせでは、領域Ｒ３の樹脂５０は硬化しているため、領域Ｒ３において、第１アライメントマークＡＭ１ｃと第２アライメントマークＡＭ２ｃとの位置関係は変化しない。位置合わせは、未硬化領域である領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４及びＲ５において行われる。
【００４０】
次に、未硬化領域（領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４及びＲ５）について、第１アライメントマークＡＭ１を基準にした第２アライメントマークＡＭ２の位置ずれ量を求める。各領域Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４及びＲ５についてそれぞれ求めた位置ずれ量のうち、硬化領域（領域Ｒ３）と隣り合う領域のなかで、位置ずれ量が所定の基準値以下になった領域が選択の対象になる。ここでは、硬化領域である領域Ｒ３と隣り合う領域Ｒ２及びＲ４が選択の対象になった場合を例として説明する。選択の対象になった領域Ｒ２及びＲ４のうち、最も位置ずれ量の小さい領域を選択する。例えば、領域Ｒ２及びＲ４のうち領域Ｒ２における位置ずれ量が最も小さかったとする。
【００４１】
次に、選択された領域の樹脂５０を硬化させる。ここでは、領域Ｒ２が選択されたため、領域Ｒ２の樹脂５０を硬化させる。例えば、領域Ｒ２の樹脂５０に局所的に樹脂５０を硬化させる光ＬＴを照射する。これにより、領域Ｒ２の樹脂５０のみが硬化する。
【００４２】
このような処理を、未硬化領域が１つになるまで繰り返す。そして、未硬化領域が１つになった場合、その未硬化領域について第１アライメントマークＡＭ１を基準にした第２アライメントマークＡＭ２の位置合わせを行う。その後、その未硬化領域の樹脂５０を硬化させる。これにより、図４（ｄ）に表したように、全ての領域Ｒ１〜Ｒ５の樹脂５０の硬化が完了する。
【００４３】
全ての領域Ｒ１〜Ｒ５の樹脂５０を硬化させた後は、樹脂５０の全体に光ＬＴを照射することが望ましい。領域Ｒ１〜Ｒ５のそれぞれについて個別に樹脂５０を硬化させた場合、領域Ｒ１〜Ｒ５の隙間や縁の部分など、樹脂５０が完全に硬化していない箇所もあり得る。そこで、樹脂５０の全体に光を照射することで、完全に硬化していない箇所についても確実に硬化することになる。
【００４４】
樹脂５０を硬化した後は、モールド１Ａを樹脂５０を引き離す。これにより、モールド１Ａの凹凸パターンの形状が樹脂５０に転写される。具体例（その１）では、いわゆるマルチショットを行うモールド１Ａと基板Ｓとの間で高精度な位置合わせが行われた状態で、パターンが形成される。
【００４５】
図５（ａ）〜（ｅ）は、具体例（その２）を例示する模式的平面図である。
図５（ａ）〜（ｅ）に表したモールド１Ｂは、１つのモールド１Ｂに１つのショット分の凹凸パターンが設けられている。図５（ａ）に表したように、例えば、モールド１Ｂには、１つのショット領域ＳＴ１１に対応して凹凸パターンが設けられている。
【００４６】
基板Ｓには、ショット領域ＳＴ１１に対応して、複数の第１アライメントマークＡＭ１が設けられている。複数の第１アライメントマークＡＭ１は、例えばショット領域ＳＴ１１の四隅及び各辺に沿って設けられる。図５（ａ）に表した例では、複数の第１アライメントマークＡＭ１ａ〜ＡＭ１ｊが設けられているものとする。
【００４７】
モールド１Ｂには、基板Ｓの複数の第１アライメントマークＡＭ１ａ〜ＡＭ１ｊに対応した複数の第２アライメントマークＡＭ２ａ〜ＡＭ２ｊが設けられる。
【００４８】
パターンを形成するには、先ず、図５（ｂ）に表したように、基板Ｓ上に樹脂５０を塗布し、基板Ｓの上にモールド１Ｂを重ね合わせ、モールド１Ｂの凹凸パターンを樹脂５０に接触させる。次に、基板Ｓを基準にしてモールド１Ｂの位置合わせを行う。
【００４９】
次に、複数の第１アライメントマークＡＭ１のそれぞれを基準にした複数の第２アライメントマークＡＭ２のそれぞれの位置ずれ量を求める。求めた位置ずれ量のうち、位置ずれ量が所定の基準値以下になった第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２の組が選択の対象になる。
【００５０】
そして、選択の対象になった組のうち、最も位置ずれ量の小さい組を選択する。ここでは、例えば第１アライメントマークＡＭ１ｂ及び第２アライメントマークＡＭ２ｂの組が選択されたものとする。次に、選択されたアライメントマークの組の位置を中心とした樹脂５０の一部の領域Ｒ２に光ＬＴを照射して、領域Ｒ２の樹脂５０を硬化させる。
【００５１】
次に、図５（ｃ）及び（ｄ）に表したように、基板Ｓを基準にしてモールド１Ｂの位置合わせを行う。この位置合わせでは、領域Ｒ２の樹脂５０は硬化しているため、領域Ｒ２において、第１アライメントマークＡＭ１ｂと第２アライメントマークＡＭ２ｂとの位置関係は変化しない。位置合わせは、領域Ｒ２以外の未硬化領域での第１アライメントマークＡＭ１と第２アライメントマークＡＭ２との間で行われる。
【００５２】
次に、硬化した領域Ｒ２以外の未硬化領域について、第１アライメントマークＡＭ１を基準にした第２アライメントマークＡＭ２の位置ずれ量を求める。求めた位置ずれ量のうち、位置ずれ量が所定の基準値以下になった第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２の組を選択する。
【００５３】
ここでは、第１アライメントマークＡＭ１ａ及び第２アライメントマークＡＭ２ａの組、及び第１アライメントマークＡＭ１ｃ及び第２アライメントマークＡＭ２ｃの組が選択されたとする。
【００５４】
次に、選択されたアライメントマークの組の位置を中心とした樹脂５０の一部の領域を硬化させる。ここでは、図５（ｅ）に表したように、選択された第１アライメントマークＡＭ１ａ及び第２アライメントマークＡＭ２ａの組を中心とした樹脂５０の一部の領域Ｒ１と、第１アライメントマークＡＭ１ｃ及び第２アライメントマークＡＭ２ｃの組を中心とした樹脂５０の一部の領域Ｒ３に光ＬＴを照射して、領域Ｒ１及び領域Ｒ３の樹脂５０を硬化させる。領域Ｒ１及び領域Ｒ３の硬化の順番は、同時でも、いずれか一方を先に行ってもよい。これにより、領域Ｒ１及びＲ３の樹脂５０が硬化する。
【００５５】
このような処理を、全てのアライメントマークの組について繰り返す。その後、樹脂５０の全体に光ＬＴを照射する。すなわち、各アライメントマークの組の位置を中心とした樹脂５０の一部の硬化では、未硬化の部分が残っている。したがって、全てのアライメントマークの組を中心とした樹脂５０の一部を硬化した後は、樹脂５０の全体に光ＬＴを照射して、未硬化の樹脂５０を硬化させる。
【００５６】
樹脂５０を硬化した後は、モールド１Ｂを樹脂５０を引き離す。これにより、モールド１Ｂの凹凸パターンの形状が樹脂５０に転写される。具体例（その２）では、１ショット内において、モールド１Ｂと基板Ｓとの間で高精度な位置合わせが行われた状態で、パターンが形成される。
【００５７】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るパターン形成方法を説明する。
図６及び図７は、第２の実施形態に係るパターン形成方法を例示するフローチャートである。
図６には、第２の実施形態に係るパターン形成方法の全体の流れが表され、図７には、図６に表した処理の一部の流れが表されている。
【００５８】
図６に表したように、第２の実施形態に係るパターン形成方法は、基板を用意する工程（ステップＳ２０１）と、樹脂を塗布する工程（ステップＳ２０２）と、モールドを樹脂に接触させる工程（ステップＳ２０３）と、樹脂を硬化させる工程（ステップＳ２０４）と、樹脂からモールドを引き離す工程（ステップＳ２０５）と、を含む。第２の実施形態に係るパターン形成方法の全体の流れは、第１の実施形態に係るパターン形成方法と同じである。第２の実施形態に係るパターン形成方法では、ステップＳ２０４に表した樹脂を硬化させる工程が、第１の実施形態に係るパターン形成方法と相違する。
【００５９】
次に、ステップＳ２０４に表した樹脂を硬化させる工程を、図７のフローチャートに沿って説明する。
【００６０】
図７に表したように、先ず、ステップＳ２４１では、複数の領域のうちの１つである基準領域にいて、基板を基準にしたモールドの位置合わせを行う。次に、ステップＳ２４２では、基準領域の樹脂を硬化させる。すなわち、樹脂全体のうち一部の領域である基準領域の樹脂のみを硬化させる。
【００６１】
次に、ステップＳ２４３では、未硬化領域があるか否かを判断する。未硬化領域ある場合には、ステップＳ２４４〜ステップＳ２４５の処理を行う。未硬化領域がなければ処理を終了する。
【００６２】
未硬化領域がある場合、先ず、ステップＳ２４４に表したように、未硬化領域について基板を基準にしたモールドの位置合わせを行う。ここで、位置合わせの対象は、硬化領域と隣り合う未硬化領域である。次に、ステップＳ２４５に表したように、未硬化領域の樹脂を硬化させる。ステップＳ２４４〜ステップＳ２４５の処理を未硬化領域が無くなるまで繰り返す。
【００６３】
このように、第２の実施形態に係るパターン形成方法では、樹脂の複数の領域について、基準領域を起点として硬化領域と隣り合う未硬化領域の樹脂を順に硬化していく。これにより、２つの硬化領域の間に未硬化領域が挟まれることがなくなる。２つの硬化領域の間に未硬化領域があると、この未硬化領域について基板とモールドとの位置合わせが行いにくい。第２の実施形態では、２つの硬化領域の間に未硬化領域が挟まることがないため、樹脂全体について基板とモールドとの高精度な位置合わせが行われる。
【００６４】
次に、具体例について説明する。
図８（ａ）〜（ｅ）は、具体例（その３）を例示する模式的平面図である。
図８（ａ）〜（ｅ）に表したモールド１Ｃは、１つの基板Ｓの全体についてパターンを一括形成するためのモールドである。図８（ａ）に表したように、基板Ｓは、例えばウェーハＷである。基板Ｓには、複数の第１アライメントマークＡＭ１が設けられている。複数の第１アライメントマークＡＭ１は、例えばウェーハＷの中央部及び周縁部に沿って設けられる。図８（ａ）に表した例では、複数の第１アライメントマークＡＭ１ａ〜ＡＭ１ｉが設けられているものとする。
【００６５】
モールド１Ｃには、基板Ｓの複数の第１アライメントマークＡＭ１ａ〜ＡＭ１ｉに対応した複数の第２アライメントマークＡＭ２ａ〜ＡＭ２ｉが設けられる。
【００６６】
パターンを形成するには、先ず、図８（ａ）に表したように、基板Ｓ上に樹脂５０を塗布し、基板Ｓの上にモールド１Ｃを重ね合わせ、モールド１Ｃの凹凸パターンを樹脂５０に接触させる。次に、基板Ｓを基準にしてモールド１Ｃの位置合わせを行う。この具体例では、ウェーハＷの中央部に設けられた第１アライメントマークＡＭ１ａ及び第２アライメントマークＡＭ２ａを中心とした樹脂５０の領域Ｒ１を基準領域ＲＲとする。
【００６７】
次に、図８（ｂ）に表したように、基準領域ＲＲである領域Ｒ１について、第１アライメントマークＡＭ１ａを基準にした第２アライメントマークＡＭ２ａの位置合わせが完了した段階で、領域Ｒ１の樹脂５０を硬化させる。すなわち、領域Ｒ１に光ＬＴを照射して、領域Ｒ１の樹脂５０を硬化させる。
【００６８】
次に、図８（ｃ）に表したように、樹脂５０が硬化した領域Ｒ１と隣り合う領域Ｒ２〜Ｒ９のいずれかを選択し、基板Ｓを基準にしてモールド１Ｃの位置合わせを行う。この具体例では、領域Ｒ１と隣り合う領域Ｒ２について、第１アライメントマークＡＭ１ｂを基準にした第２アライメントマークＡＭ２ｂの位置合わせを行う。
【００６９】
次に、図８（ｄ）及び（ｅ）に表したように、第１アライメントマークＡＭ１ｂを基準にした第２アライメントマークＡＭ２ｂの位置合わせが完了した段階で、領域Ｒ２の樹脂５０を硬化させる。すなわち、領域Ｒ２に光ＬＴを照射して、領域Ｒ２の樹脂５０を硬化させる。
【００７０】
このように、樹脂５０が硬化した領域（硬化領域）と隣り合う未硬化領域について、順番に第１アライメントマークＡＭ１を基準にした第２アライメントマークＡＭ２の位置合わせを行い、その領域について樹脂５０を硬化させる処理を繰り返す。その後、樹脂５０の全体に光ＬＴを照射する。
【００７１】
樹脂５０を硬化した後は、モールド１Ｃを樹脂５０を引き離す。これにより、モールド１Ｃの凹凸パターンの形状が樹脂５０に転写される。具体例（その３）では、ウェーハＷの全体において、モールド１ＣとウェーハＷ（基板Ｓ）との間で高精度な位置合わせが行われた状態で、パターンが形成される。
【００７２】
次に、樹脂の硬化の順番について説明する。
図９（ａ）及び（ｂ）は、樹脂の硬化の順番を例示する模式的平面図である。
図９（ａ）に表した例では、ウェーハＷの周縁部に設けられた１組の第１アライメントマークＡＭ１ｉ及び第２アライメントマークＡＭ２ｉを中心とした樹脂５０の一部の領域Ｒ９を基準領域ＲＲとしている。樹脂５０は、基準領域ＲＲである領域Ｒ９から、領域Ｒ９と隣り合う領域Ｒ８、領域Ｒ８と隣り合う領域Ｒ２、領域Ｒ２と隣り合う領域Ｒ１、…という順番で硬化される。この順番によれば、樹脂５０の硬化する領域が連続して拡がる。
【００７３】
図９（ｂ）に表した例では、基板Ｓの周縁部に設けられた１組の第１アライメントマークＡＭ１ｂ及び第２アライメントマークＡＭ２ｂを中心とした樹脂５０の一部の領域Ｒ２を基準領域ＲＲとしている。樹脂５０は、基準領域ＲＲである領域Ｒ２から、領域Ｒ２と隣り合う領域Ｒ１、樹脂５０が硬化した領域Ｒ２と隣り合う領域Ｒ３、…という順番で硬化される。この順番によれば、樹脂５０の硬化する領域が連続して拡がる。
【００７４】
次に、光の照射範囲について説明する。
図１０（ａ）及び（ｂ）は、光の照射範囲を例示する模式的平面図である。
図１０（ａ）及び（ｂ）に表した例では、樹脂５０を硬化させる光ＬＴの範囲がライン状になっている。図１０（ａ）に表した例は、ウェーハＷにパターンを形成する場合の例である。樹脂５０を硬化させる光ＬＴの照射範囲ＬＴＡは長方形である。照射範囲ＬＴＡの長辺の長さは、例えばウェーハＷの直径以上である。樹脂５０を硬化させる場合、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡを短辺方向に走査する。基板Ｓとモールド１とを位置合わせする際、位置合わせする領域の順番は、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡの走査に合わせられている。
【００７５】
図１０（ｂ）に表した例は、矩形のショット領域ＳＴにパターンを形成する場合の例である。樹脂５０を硬化させる光ＬＴの照射範囲ＬＴＡは長方形である。照射範囲ＬＴＡの長辺の長さは、例えばショット領域ＳＴの短辺の長さ以上である。樹脂５０を硬化させる場合、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡを短辺方向に走査する。基板Ｓとモールド１とを位置合わせする際、位置合わせする領域の順番は、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡの走査に合わせられている。
【００７６】
光ＬＴの照射範囲ＬＴＡを走査することで、樹脂５０の硬化する領域が連続して拡がることになる。
【００７７】
次に、樹脂を硬化させる方向について説明する。
図１１（ａ）〜図１２（ｂ）は、樹脂を硬化させる方向について例示する模式的平面図である。
図１１（ａ）及び（ｂ）には、ウェーハＷにパターンを形成する場合の樹脂の硬化の方向が表されている。
図１１（ａ）には、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡが円形の場合が表されている。光ＬＴの照射範囲ＬＴＡは、ウェーハＷの中心部から外周部に向かって移動する。１回の照射で１つの照射範囲ＬＴＡに光ＬＴが照射される場合、照射範囲ＬＴＡをウェーハＷの中心部から外周部に向けて螺旋状に移動させてもよい。１回の照射で複数の照射範囲ＬＴＡに同時に光ＬＴが照射される場合、ウェーハＷの中心部から外周部にかけて光ＬＴの照射範囲ＬＴＡの数を増やすようにしてもよい。
【００７８】
図１１（ｂ）には、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡが拡がる場合が表されている。図１１（ｂ）に表した例では、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡは円形である。光ＬＴの照射範囲ＬＴＡの直径を拡げることで、樹脂５０の硬化する範囲が拡がる。ウェーハＷの中心部の樹脂５０を硬化させる場合には小さな直径の照射範囲ＬＴＡで光ＬＴを照射し、ウェーハＷの外周部の樹脂５０を硬化させる場合には大きな直径の照射範囲ＬＴＡで光ＬＴを照射する。
【００７９】
図１２（ａ）及び（ｂ）には、矩形のショット領域ＳＴにパターンを形成する場合の樹脂の硬化の方向が表されている。
図１２（ａ）には、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡが矩形（例えば、長方形）の場合が表されている。光ＬＴの照射範囲ＬＴＡは、ショット領域ＳＴの中央部から外側に向けて走査される。
【００８０】
図１２（ｂ）には、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡが拡がる場合が表されている。図１２（ｂ）に表した例では、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡは矩形（例えば、長方形）である。光ＬＴの照射範囲ＬＴＡの長辺の長さは、例えば、ショット領域ＳＴの短辺の長さ以上である。光ＬＴの照射範囲ＬＴＡについて短辺の長さを長くする（幅を広くする）ことで、樹脂５０の硬化する範囲が拡がる。ショット領域ＳＴの中央部の樹脂５０を硬化させる場合には、狭い幅の照射範囲ＬＴＡで光ＬＴを照射、ショット領域ＳＴの外側部分の樹脂５０を硬化させる場合には、広い幅の照射範囲ＬＴＡで光ＬＴを照射する。
【００８１】
図１１（ａ）及び図１２（ａ）に表した例において、基板Ｓとモールド１とを位置合わせする際、位置合わせする領域の順番は、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡの移動方向に合わせられている。また、図１１（ｂ）及び図１２（ｂ）に表した例において、基板Ｓとモールド１とを位置合わせする際、位置合わせする領域の順番は、光ＬＴの照射範囲ＬＴＡの拡がりの方向に合わせられている。これにより、基板Ｓとモールド１との位置合わせが行われた順に樹脂５０の硬化する領域が連続して拡がることになる。よって、基板Ｓ（ウェーハＷ）の全体においてモールド１との高精度な位置合わせが行われ、位置ずれの抑制されたパターンが形成される。
【００８２】
（第３の実施形態）
図１３は、第３の実施形態に係るパターン形成装置の構成を例示する模式図である。
図１３に表したように、パターン形成装置１１０は、モールド保持部２と、基板保持部５と、アライメント部９と、塗布部１４と、駆動部８と、発光部１２と、制御部２１と、を備える。パターン形成装置１１０は、さらに、アライメントセンサ７と、加圧部１０と、を備える。実施形態に係るパターン形成装置１１０は、モールド１の凹凸パターンを基板Ｓ上の樹脂に転写するインプリント装置である。
【００８３】
基板Ｓは、例えば半導体基板やガラス基板である。基板Ｓには下地パターンが形成される。基板Ｓは、下地パターン上に形成された膜を含んでいてもよい。膜としては、絶縁膜、金属膜（導電膜）及び半導体膜の少なくともいずれかである。パターン転写時には、基板Ｓの上に樹脂が塗布される。
【００８４】
基板保持部５は、ステージ定盤１３の上に移動可能に設けられる。基板保持部５は、ステージ定盤１３の上面１３ａに沿った２軸に沿ってそれぞれ移動可能に設けられる。ここで、ステージ定盤１３の上面１３ａに沿った２軸を、Ｘ軸及びＹ軸とする。基板保持部５は、Ｘ軸及びＹ軸と直交するＺ軸にも移動可能に設けられる。基板保持部５には、Ｘ軸、Ｙ軸及びＺ軸のそれぞれを中心として回転可能に設けられていることが望ましい。
【００８５】
基板保持部５には基準マーク台６が設けられる。基準マーク台６の上には装置の基準位置となる基準マーク（不図示）が設置される。基準マークは例えば回折格子で構成される。基準マークは、アライメントセンサ７の校正及びモールド１の位置決め（姿勢制御・調整）に利用される。基準マークは、基板保持部５上の原点である。基板保持部５の上に載置される基板ＳのＸ，Ｙ座標は、基準マーク台６を原点とした座標になる。
【００８６】
モールド保持部２は、モールド１を固定する。モールド保持部２は、モールド１の周縁部分を例えば真空吸着によって保持する。ここでは、モールド１は、石英や蛍石など紫外線（ＵＶ光）を透過する材料で形成される。モールド１に形成された凹凸からなる転写パターンは、デバイスパターンに対応したパターンと、モールド１と基板Ｓとの位置合わせ時に使用されるアライメントマークに対応したパターンとを含む。モールド保持部２はモールド１を装置基準に位置決めするように動作する。モールド保持部２は、ベース部１１に取り付けられる。
【００８７】
ベース部１１には、アライメント部９及び加圧部１０（アクチュエータ）が取り付けられる。アライメント部９は、モールド１の位置（姿勢）を微調整する調整機構を有する。アライメント部９は、モールド１の位置（姿勢）を微調整することにより、モールド１と基板Ｓとの相対的な位置を補正する。アライメント部９は、例えば制御部２１から指示を受けて基板Ｓとモールド１との位置合わせ及びモールド１の位置の微調整を行う。
【００８８】
加圧部１０は、モールド１の側面に応力を与えてモールド１を歪ませる。矩形のモールド１の場合、加圧部１０は、モールド１の４つの側面から中心に向けてモールド１を加圧する。これにより、転写するパターンの大きさを補正（倍率補正）する。また、加圧部１０は、モールド１を押圧するバランスによってモールド１を変形させる。加圧部１０は、例えば制御部２１から指示を受けてモールド１を所定の応力で加圧する。
【００８９】
アライメントセンサ７は、モールド１に設けられた第２アライメントマークＡＭ２と、基板Ｓに設けられた第１アライメントマークＡＭ１とを検出する。アライメントセンサ７は、例えば光学カメラを有する。光学カメラによって取り込んだ画像信号から第１アライメントマークＡＭ１と第２アライメントマークＡＭ２との相対的な位置ずれ量が求められる。
【００９０】
アライメントセンサ７は、第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２の画像を取り込む際、発光部１２から発光する樹脂５０を硬化させるための光の波長とは異なる波長の光を用いる。
【００９１】
アライメントセンサ７は、基準マーク台６上の基準マークに対するモールド１の位置ずれ、及び基板Ｓを基準としたモールド１の位置ずれを検出する。アライメントセンサ７で検出した第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２の位置（例えば、Ｘ，Ｙ座標）は、制御部２１に送られる。アライメントセンサ７は固定式でも移動式でもよい。
【００９２】
制御部２１は、アライメントセンサ７で検出した第１アライメントマークＡＭ１及び第２アライメントマークＡＭ２の位置情報に基づき、位置ずれ量を演算する。アライメント部９は、制御部２１から送られた信号によって基板Ｓとモールド１とのアライメント調整を行う。
【００９３】
制御部２１は、光源１２を制御する。インプリント法によるパターンの形成では、基板Ｓの上に樹脂５０を塗布した後、モールド１の凹凸パターンを樹脂５０に接触させた状態で発光部１２から樹脂５０に光を照射する。制御部２１は、この光の照射タイミングや照射量を制御する。
【００９４】
発光部１２は、例えば紫外線光を放出する。発光部１２は、例えばモールド１の直上に設置される。なお、発光部１２の位置はモールド１の直上に限られない。発光部１２がモールド１の直上以外の位置に配置されている場合には、ミラー等の光学部材を用いて光路を設定し、発光部１２から放出した光をモールド１の直上からモールド１に向けて照射するように構成すればよい。
【００９５】
塗布部１４は基板Ｓ上に樹脂を塗布する。塗布部１４はノズルを有し、このノズルから樹脂を基板Ｓの上に滴下する。
【００９６】
駆動部８は、モールド保持部２及び基板保持部５を駆動する。駆動部８は、モールド保持部２及び基板保持部５の少なくともいずれかを駆動して、モールド１と基板Ｓとの相対的な位置関係を変化させる。
【００９７】
パターン形成装置１１０の制御部２１は、モールド１の凹凸パターンを樹脂５０に接触させた状態で樹脂を複数の領域に分けて発光部１２から樹脂５０に向けて照射する光ＬＴを制御する。制御部２１は、樹脂５０の複数の領域のうち樹脂５０が硬化されていない未硬化領域に光ＬＴを照射するように発光部１２を制御する。制御部２１は、複数の領域の樹脂５０が硬化した後に樹脂５０からモールド１を引き離すように駆動部８を制御する。
【００９８】
パターン形成装置１１０の発光部１２は、樹脂５０の複数の領域に個別に光ＬＴを照射する構成を有する。例えば、発光部１２は、光源から出射された光を複数の照射範囲に分ける機構や、光の照射範囲を移動させる機構を備える。制御部２１は、発光部１２を制御して、樹脂５０の複数の領域のどの位置へ光を照射するか、どの程度の光量で照射するか、どのようなタイミングで照射するか、などを制御する。
【００９９】
パターン形成装置１１０は、上記説明した第１及び第２の実施形態に係るパターン形成方法によってパターンを形成する。すなわち、第１の実施形態に係るパターン形成方法を行う場合、パターン形成装置１１０の制御部２１は、図２に表したステップＳ１４１〜ステップＳ１４６の処理を実行する。第２の実施形態に係るパターン形成方法によってパターンを形成する場合、パターン形成装置１１０の制御部２１は、図７に表したステップＳ２４１〜ステップＳ２４５の処理を実行する。
【０１００】
パターン形成装置１１０によれば、基板の全体において高い精度でモールド１との位置合わせがなされたパターンの形成が行われる。
【０１０１】
（第４の実施形態）
上記説明した第１及び第２の実施形態に係るパターン形成方法は、コンピュータによって実行されるプログラム（アライメントプログラム）として実現可能である。
図１４は、コンピュータのハードウェア構成を例示する図である。
コンピュータ２００は、中央演算部２０１、入力部２０２、出力部２０３、記憶部２０４を含む。入力部２０２は、記録媒体Ｍに記録された情報を読み取る機能を含む。アライメントプログラムは、中央演算部２０１で実行される。
【０１０２】
アライメントプログラムは、図２に表したステップＳ１４１〜ステップＳ１４６の処理をコンピュータ２００に実行させる。アライメントプログラムは、図７に表したステップＳ２４１〜ステップＳ２４５の処理をコンピュータ２００に実行させてもよい。
【０１０３】
（第５の実施形態）
アライメントプログラムは、コンピュータ読取可能な記録媒体に記録されていてもよい。記録媒体Ｍは、図２に表したステップＳ１４１〜ステップＳ１４６の処理をコンピュータ２００に読み取り可能な形式によって記憶している。記録媒体Ｍは、図７に表したステップＳ２４１〜ステップＳ２４５の処理をコンピュータ２００に読み取り可能な形式によって記憶してもよい。記録媒体Ｍは、ネットワークに接続されたサーバ等の記憶装置であってもよい。また、アライメントプログラムは、ネットワークを介して配信されてもよい。
【０１０４】
以上説明したように、実施形態に係るパターン形成方法及びパターン形成装置によれば、モールドと基板との位置合わせ精度を向上させることができる。
【０１０５】
なお、上記に本実施形態を説明したが、本発明はこれらの例に限定されるものではない。例えば、前述の各実施形態に対して、当業者が適宜、構成要素の追加、削除、設計変更を行ったものや、各実施形態の特徴を適宜組み合わせたものも、本発明の要旨を備えている限り、本発明の範囲に含有される。
【０１０６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１０７】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…モールド、２…モールド保持部、５…基板保持部、６…基準マーク台、７…アライメントセンサ、８…駆動部、９…アライメント部、１０…加圧部、１１…ベース部、１２…発光部、１３…ステージ定盤、１４…塗布部、２１…制御部、５０…樹脂、１１０…パターン形成装置、２００…コンピュータ、２０１…中央演算部、２０２…入力部、２０３…出力部、２０４…記憶部、ＡＭ１…第１アライメントマーク、ＡＭ２…第２アライメントマーク、ＬＴ…光、ＬＴＡ…照射範囲、Ｍ…記録媒体、Ｓ…基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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