(57)【要約】【課題】エピタキシャルウエハ上の乗り数を増加させて生産性を向上させる。【解決手段】面発光レーザチップ１を、三角柱状の形状を有すると共に、少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順にエピタキシャル成長されて構成された共振器を有する本体部６と、正電極パッド４および負電極パッド５と、本体部６の上面２に形成されたレーザ光を取り出すための開口部３とを含んで構成する。そして、正電極パッド４を本体部６の上面２に形成している。こうして、面発光レーザチップ１を、上面２および底面７の形状を頂点数が最小の多角形である三角形にすることによって、エピタキシャルウエハから切り出す一つ当たりの面発光レーザチップ１の表面積を効率良く小さくし、一枚のエピタキシャルウエハから切り出せる面発光レーザの数である乗り数を増加させて、生産性を向上させることができる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
三角柱状の形状を有すると共に、上記三角柱の一端面と他端面との間に、上記他端面側から少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順にエピタキシャル成長されて構成された共振器を有する本体部と、
上記本体部における上記量子井戸活性層に電流を供給するための正電極パッドおよび負電極パッドと、
上記本体部における三角形を成す上記一端面に設けられると共に、上記量子井戸活性層からのレーザ光を外部に取り出すための開口部と
を備え、
上記正電極パッドと上記負電極パッドとのうちの少なくとも何れか一方は、上記本体部における上記一端面に形成されており、
上記開口部は、上記一端面に形成された電極パッドに形成されている
ことを特徴とする面発光レーザチップ。
【請求項２】
請求項１に記載の面発光レーザチップにおいて、
上記開口部は、三角形を成す上記一端面における上記三角形の何れか一つの頂点の近傍に設けられている
ことを特徴とする面発光レーザチップ。
【請求項３】
請求項２に記載の面発光レーザチップにおいて、
上記一端面における上記開口部が近傍に設けられている頂点から上記開口部の中心までの距離は、上記頂点からこの頂点に対向する辺までの距離の半分を下回るようになっている
ことを特徴とする面発光レーザチップ。
【請求項４】
基板上に、少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順にエピタキシャル成長されて形成されたエピタキシャルウエハに対して、請求項１から請求項３までの何れか一つに記載の面発光レーザチップをレイアウトする面発光レーザチップのレイアウト方法であって、
２つの上記面発光レーザチップの上記一端面あるいは上記他端面を形作る２つの三角形を最も長い辺同士を密着させて形成される平行四辺形を、上記エピタキシャルウエハ上にレイアウトし、さらに上記レイアウトされた平行四辺形を一方向に直線状に繰り返して配列してレイアウトする
ことを特徴とする面発光レーザチップのレイアウト方法。
【請求項５】
基板上に、少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順にエピタキシャル成長されて形成されたエピタキシャルウエハに対して、請求項１から請求項３までの何れか一つに記載の面発光レーザチップであって、且つ上記一端面および上記他端面が直角三角形である面発光レーザチップをレイアウトする面発光レーザチップのレイアウト方法であって、
４つの上記面発光レーザチップの上記一端面あるいは上記他端面を形作る４つの直角三角形を直角の頂点を一点に集め、この一点の周囲に上記４つの面発光レーザチップを配置して形成される平行四辺形を上記エピタキシャルウエハ上にレイアウトし、さらに上記レイアウトされた平行四辺形を一方向に直線状に配列してレイアウトする
ことを特徴とする面発光レーザチップのレイアウト方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、エピタキシャルウエハに形成する際の乗り数を増やすことができ、且つ上面に電極パッド形成用のスペースを確保できる面発光レーザチップ、および、この面発光レーザチップのレイアウト方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、エピタキシャルウエハに形成された面発光レーザとして、特開２００５‐７２１２８号公報(特許文献１)の図２に開示されたようなものがある。この面発光レーザにおいては、半導体基板上にエピタキシャル成長法によって、下部多層膜反射鏡,下部クラッド層,量子井戸活性層,上部クラッド層および上部多層膜反射鏡を順に積層する。次に、上記下部クラッド層のうち上記量子井戸活性層に近い一層でなる電流狭窄層よりも下までエッチングを行って円柱状のメサポストを形成し、上記メサポスト全体に保護膜をコーティングした後、上記メサポストの最上面の上記保護膜を除去し、上記保護膜が除去された領域に光出射部となる開口部を有するリング状の上部電極を形成する。さらに、上記半導体基板の裏面には下部電極を形成している。
【０００３】
上記構成において、上記下部電極に供給された電流は、上記半導体基板から上述の各エピタキシャル層を通過して上記上部電極に至る。その際に、上記量子井戸活性層は注入された電流によって発光し、上記上部電極の開口部でなる上記光出射部から外部に、レーザ光として放射される。
【０００４】
しかしながら、上記面発光レーザには、以下のような問題がある。
【０００５】
上述したように、上記面発光レーザは、エピタキシャルウエハに対して垂直な方向にレーザ光を出射させる際に、エピタキシャルウエハに対する垂直方向に光増幅を行うため、上記下部クラッド層,上記量子井戸活性層および上記上部クラッド層で構成される共振器を必要とする。そのため、一般的には、レーザ光を得るために必要なキャリアを活性層に注入する機能を有する正極電極パッド(以下、単に正電極パッドと言う)および負極電極パッド(以下、単に負電極パッドと言う)のうちの少なくとも何れか一方を、面発光レーザの表面に形成する必要がある。
【０００６】
さらに、一般的には、上記面発光レーザには、上記エピタキシャルウエハに対して垂直な方向にレーザ光を取り出すために、レーザ光を出射するための開口部(光出射部)を上記表面に形成する必要がある。ここでは、上記面発光レーザにおいての開口部のある面を上面とし、その反対側の面を底面とする。
【０００７】
さらに、上記面発光レーザの生産性を向上させる一つの手段として、上記面発光レーザの上記上面と上記底面との面積を縮小して、一枚のエピタキシャルウエハから切り出せる面発光レーザの数(乗り数)を増加することが有用である。しかしながら、上記面発光レーザの面積の最小値は、上記電極の面積と上記開口部の面積とを加算した面積以下にすることは構造上できない。
【０００８】
上記特許文献１の図２からも分かるように、一般的な面発光レーザチップは立方体であり、上記電極パッドと上記開口部とが形成される上面と底面とが四角形である。そして、面発光レーザチップに必要な上記開口部および上記電極パッドの合計面積に対して、それらが形成される面発光レーザチップの上面が四角形であるが故に面積の余分を生ずる。
【０００９】
したがって、エピタキシャルウエハに対する面発光レーザチップの乗り数を増加して面発光レーザチップの生産性を向上させるという観点おいては、無駄を生み出してしまうという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００５‐７２１２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、この発明の課題は、エピタキシャルウエハ上の乗り数を増加させて生産性を向上できる面発光レーザチップ、および、この面発光レーザチップのレイアウト方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、この発明の面発光レーザチップは、
三角柱状の形状を有すると共に、上記三角柱の一端面と他端面との間に、上記他端面側から少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順にエピタキシャル成長されて構成された共振器を有する本体部と、
上記本体部における上記量子井戸活性層に電流を供給するための正電極パッドおよび負電極パッドと、
上記本体部における三角形を成す上記一端面に設けられると共に、上記量子井戸活性層からのレーザ光を外部に取り出すための開口部と
を備え、
上記正電極パッドと上記負電極パッドとのうちの少なくとも何れか一方は、上記本体部における上記一端面に形成されており、
上記開口部は、上記一端面に形成された電極パッドに形成されている
ことを特徴としている。
【００１３】
上記構成によれば、本面発光レーザチップを、上記一端面および上記他端面の形状を頂点数が最小の多角形である三角形にすることによって、エピタキシャルウエハから切り出す一つ当たりの上記面発光レーザチップの上記一端面および上記他端面の面積を効率良く小さくすることができる。したがって、一枚のエピタキシャルウエハから切り出せる上記面発光レーザの数である乗り数を増加し、生産性を向上させることができる。
【００１４】
また、１実施の形態の面発光レーザチップでは、
上記開口部は、三角形を成す上記一端面における上記三角形の何れか一つの頂点の近傍に設けられている。
【００１５】
この実施の形態によれば、上記一端面の三角形の面積に対して無駄なく上記電極パッドの面積を十分に大きくすることができる。その場合、上記電極パッドの面積を必要十分な大きさに抑えて上記一端面の面積を小さくし、本面発光レーザチップを小型にすることもできる。
【００１６】
また、１実施の形態の面発光レーザチップでは、
上記一端面における上記開口部が近傍に設けられている頂点から上記開口部の中心までの距離は、上記頂点からこの頂点に対向する辺までの距離の半分を下回るようになっている。
【００１７】
この実施の形態によれば、上記一端面の三角形の面積に対して無駄なく上記電極パッドの面積を十分に大きくすることができる。その場合、上記電極パッドの面積を必要十分な大きさに抑えて上記一端面の面積を小さくし、本面発光レーザチップを小型にすることもできる。
【００１８】
また、この発明の面発光レーザチップのレイアウト方法は、
基板上に、少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順にエピタキシャル成長されて形成されたエピタキシャルウエハに対して、上記この発明の面発光レーザチップをレイアウトする面発光レーザチップのレイアウト方法であって、
２つの上記面発光レーザチップの上記一端面あるいは上記他端面を形作る２つの三角形を最も長い辺同士を密着させて形成される平行四辺形を、上記エピタキシャルウエハ上にレイアウトし、さらに上記レイアウトされた平行四辺形を一方向に直線状に繰り返して配列してレイアウトする
ことを特徴としている。
【００１９】
上記構成によれば、上記エピタキシャルウエハに対して、上記一端面の面積に対して無駄なく大きな面積の電極パッドを形成することができる三角柱状の上記面発光レーザチップを、無駄なくレイアウトすることができる。したがって、上記エピタキシャルウエハに対する上記面発光レーザチップの乗り数を増加して、上記面発光レーザチップの生産性を向上させることができる。
【００２０】
また、この発明の面発光レーザチップのレイアウト方法は、
基板上に、少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順にエピタキシャル成長されて形成されたエピタキシャルウエハに対して、上記この発明の面発光レーザチップであって、且つ上記一端面および上記他端面が直角三角形である面発光レーザチップをレイアウトする面発光レーザチップのレイアウト方法であって、
４つの上記面発光レーザチップの上記一端面あるいは上記他端面を形作る４つの直角三角形を直角の頂点を一点に集め、この一点の周囲に上記４つの面発光レーザチップを配置して形成される平行四辺形を上記エピタキシャルウエハ上にレイアウトし、さらに上記レイアウトされた平行四辺形を一方向に直線状に配列してレイアウトする
ことを特徴としている。
【００２１】
上記構成によれば、上記エピタキシャルウエハに対して、上記一端面の面積に対して無駄なく大きな面積の電極パッドを形成することができる三角柱状の上記面発光レーザチップを、無駄なくレイアウトすることができる。したがって、上記エピタキシャルウエハに対する上記面発光レーザチップの乗り数を増加して、上記面発光レーザチップの生産性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００２２】
以上より明らかなように、この発明の面発光レーザチップは、上記一端面および上記他端面の形状を頂点数が最小の多角形である三角形にすることによって、エピタキシャルウエハから切り出す一つ当たりの上記面発光レーザチップの上記一端面および上記他端面の面積を効率良く小さくすることができる。したがって、一枚のエピタキシャルウエハから切り出せる上記面発光レーザの数である乗り数を増加し、生産性を向上させることができる。
【００２３】
また、この発明の面発光レーザチップのレイアウト方法は、２つの上記面発光レーザチップの上記一端面または上記他端面を形作る２つの三角形を最も長い辺同士を密着させて形成される平行四辺形を、上記エピタキシャルウエハ上にレイアウトし、さらに、上記レイアウトされた平行四辺形を一方向に直線状に繰り返して配列してレイアウトするので、上記エピタキシャルウエハに対して、上記一端面の面積に対して無駄なく大きな面積の電極パッドを形成することができる三角柱状の上記面発光レーザチップを、無駄なくレイアウトすることができる。したがって、上記エピタキシャルウエハに対する上記面発光レーザチップの乗り数を増加して、上記面発光レーザチップの生産性を向上させることができる。
【００２４】
また、この発明の面発光レーザチップのレイアウト方法は、４つの上記面発光レーザチップの上記一端面あるいは上記他端面を形作る４つの直角三角形を直角の頂点を一点に集め、この一点の周囲に上記４つの面発光レーザチップを配置して形成される平行四辺形を上記エピタキシャルウエハ上にレイアウトし、さらに上記レイアウトされた平行四辺形を一方向に直線状に配列してレイアウトするので、上記エピタキシャルウエハに対して、上記一端面の面積に対して無駄なく大きな面積の電極パッドを形成することができる三角柱状の上記面発光レーザチップを、無駄なくレイアウトすることができる。したがって、上記エピタキシャルウエハに対する上記面発光レーザチップの乗り数を増加して、上記面発光レーザチップの生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】この発明の面発光レーザチップにおける斜視図である。
【図２】図１に示す面発光レーザチップにおける上面の形状を示す図である。
【図３】図１における開口部および正電極パッドの設定を例示する図である。
【図４】上記面発光レーザチップの上面の具体的形状を示す図である。
【図５】上記面発光レーザチップの底面の具体的形状を示す図である。
【図６】上記面発光レーザチップのレイアウト例を示す図である。
【図７】図６とは異なる面発光レーザチップのレイアウト例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、この発明を図示の実施の形態により詳細に説明する。図１は、本実施の形態の面発光レーザチップにおける斜視図である。
【００２７】
本面発光レーザチップ１は、図１示すごとく三角柱状を成している。そして、三角柱の一方の端面２には、円形の開口部３および正電極パッド４が形成されている。ここで、正電極パッド４の一部が三角形の端面２の角に向って延在しており、正電極パッド４の上記延在部４'に開口部３が形成されている。また、端面２とは反対側の他方の端面には、負電極パッド５が形成されている。尚、本実施の形態においては、三角柱状を成す面発光レーザチップ１における開口部３が形成される端面を上面２とし、その反対側の端面を底面とする。
【００２８】
ここで、詳述はしないが、上記上面２と上記底面との間の本体部６には、エピタキシャル成長法によって、上記底面側の半導体基板上に少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順に積層させてなるエピタキシャル層(共振器)が形成されている。
【００２９】
ここで、両電極パッド４,５の位置や形状や大きさに制限はなく、例えば開口部３が形成されている上面２に正電極パッド４と上記負電極パッドとの両方を形成してもよい。あるいは、開口部３が形成されている上面２に負電極パッドを形成し、上記底面に正電極パッドを形成してもよい。
【００３０】
図２は、本面発光レーザチップ１における上面２の形状を示す。尚、上記底面も図２の形状を有することは言うまでもない。
【００３１】
図２において、上記上面２の形状は三角形であり、この三角形の各頂点の内角θ1,θ2,θ3には、三角形の定義であるθ1＋θ2＋θ3＝１８０°を満たす角度であれば特に制限はない。また、三角形の各辺の長さＬ1,Ｌ2,Ｌ3も、θ1＋θ2＋θ3＝１８０°が成立する長さであれば特に制限はない。
【００３２】
また、上記開口部３の形状も、本実施の形態のように必ずしも円形である必要はなく、楕円形や四角形やその他の多角形であっても何ら差し支えない。さらに、開口部３の面積と位置とにも制限はなく、開口部３が形成された上面２である光出射面内であればよい。
【００３３】
但し、図３に示すように、上記開口部３を、例えば三角形を成す上面２の頂点近傍に形成することによって、三角形の面積に対して、正電極パッド４の面積を無駄なく十分に大きく設定することが可能になる。
【００３４】
具体的には、上記上面２の三角形において、近傍に開口部３が形成される頂点を頂点Ａとし、頂点Ａに対向する辺を辺ａとし、頂点Ａから円形を成す開口部３の中心までの距離をＨとし、頂点Ａと辺ａとの間の距離をｈAとした場合に、
Ｈ＜ｈA/２
の関係が成立するような位置に、開口部３を形成するのである。こうすることによって、上面２である三角形の面積に対して、無駄なく大きな面積の正電極パッド４を形成することができるのである。
【００３５】
図４に、本実施の形態における面発光レーザチップ１の上面２の具体的形状の一例を示す。すなわち、上面２の形状は直角二等辺三角形である。尚、図４に示すように、平面視において上面２が見える向きを「上向き」と定義する。そして、「上向き」の状態の面発光レーザチップ１を「上向きチップ」と称する。
【００３６】
一方、図５に、本実施の形態における面発光レーザチップ１の上記底面７の具体的形状の一例を示す。すなわち、底面７の形状は、上面２の形状に対応する直角二等辺三角形である。尚、図５に示すように、平面視において底面７が見える向きを「下向き」と定義する。そして、「下向き」の状態の面発光レーザチップ１を「下向きチップ」と称する。
【００３７】
図６に、上記本体部６となるエピタキシャル層が形成されたエピタキシャルウエハに面発光レーザチップ１を形成する場合における、面発光レーザチップ１のレイアウト例を示す。このレイアウトでは、上記上向きチップと上記下向きチップとが、直角二等辺三角形を成す上面２および底面７を互いの面の同じ長さの斜辺ｂ,ｂと辺ｃ,ｃ(図４および図５参照)とを密着させて、一方向に交互に配列されている。
【００３８】
このレイアウトによれば、上面２の面積に対して無駄なく大きな面積の正電極パッド４を形成することができる三角柱状の面発光レーザチップ１を、上記エピタキシャルウエハ上に無駄なくレイアウトすることができる。したがって、エピタキシャルウエハに対する面発光レーザチップ１の乗り数を増加して、面発光レーザチップ１の生産性を向上させることができるのである。
【００３９】
尚、図４〜図６においては、上記面発光レーザチップ１の上面２および底面７の形状を直角二等辺三角形としている。しかしながら、この発明は、直角二等辺三角形に限定されるものではない。要は、上面２の形状と底面７の形状とが全く同じ三角形であれば、上記上向きチップの上面２と上記下向きチップの底面７とを互いの最も長い辺同士を密着させて配置した場合、その表面は平行四辺形を形成するので、この平行四辺形を一方向に繰り返すことによって図６と同様のレイアウトを行うことが可能になるのである。
【００４０】
図７に、図６とは異なるエピタキシャルウエハに対する面発光レーザチップ１のレイアウト例を示す。このレイアウトでも、上記上向きチップと上記下向きチップを組み合わせている。このレイアウトでは、２つの上記上向きチップの上面２と２つの上記下向きチップの底面７とを、互いの直角な頂点を一点に集め、この一点の周囲に上記上向きチップと上記下向きチップとを交互に配置して正方形を形成する。そして、この正方形を一方向に繰り返して配列するようにしている。
【００４１】
このレイアウトの場合にも、上面２の面積に対して無駄なく大きな面積の正電極パッド４を形成することができる三角柱状の面発光レーザチップ１を、上記エピタキシャルウエハ上に無駄なくレイアウトすることができる。したがって、エピタキシャルウエハに対する面発光レーザチップ１の乗り数を増加して、面発光レーザチップ１の生産性を向上させることができるのである。
【００４２】
尚、このレイアウトの場合においても、上記面発光レーザチップ１の上面２および底面７の形状は直角二等辺三角形に限定されるものではない。要は、上面２の形状と底面７の形状とが全く同じ直角三角形であれば、２つの上記上向きチップの上面２と２つの上記下向きチップの底面７とを互いの直角な頂点を一点に集め、この一点の周囲に上記上向きチップと上記下向きチップとを交互に配置した場合に、その表面は平行四辺形を形成するので、この平行四辺形を一方向に繰り返すことによって図７と同様のレイアウトを行うことが可能になるのである。
【００４３】
ここで、図６および図７に示すレイアウトにおいて、上記面発光レーザチップ１の上記上向きチップおよび上記下向きチップの上面２に形成される開口部３の位置は、特に制限されるものではない。図３において「Ｈ＜ｈA/２」となる位置に形成することが電極パッド４,５を広くとれるため望ましく、三角形を成す上面２に三つある頂点の何れの頂点の近傍に形成してもよい。
【００４４】
尚、上記面発光レーザチップ１を上記エピタキシャルウエハから切り出す方法は、璧開面を利用して分離する方法や、ダイヤモンドカッター等によるダイシング方法や、上記璧開面を利用する方法と上記ダイシングを利用する方法とを組み合わせて分離する方法が考えられる。
【００４５】
以上のごとく、本実施の形態においては、面発光レーザチップ１を、三角柱状の形状を有すると共に、上記三角柱の底面７側から上面２側に向けて、少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順にエピタキシャル成長されて構成された共振器を有する本体部６と、本体部６における上記量子井戸活性層に電流を供給するための正電極パッド４および負電極パッド５と、本体部６における三角形を成す上面２に設けられると共に、上記量子井戸活性層からのレーザ光を外部に取り出すための開口部３と、を備えて構成する。そして、正電極パッド４と負電極パッド５とのうちの少なくとも何れか一方を本体部６における上面２に形成すると共に、開口部３を上面２に形成された電極パッドに形成するようにしている。
【００４６】
このように、上記面発光レーザチップ１を、上面２および底面７の形状を頂点数が最小の多角形である三角形にすることによって、エピタキシャルウエハから切り出す一つ当たりの面発光レーザチップ１の上面２および底面７の面積を効率良く小さくすることができる。したがって、一枚のエピタキシャルウエハから切り出せる面発光レーザの数である乗り数を増加し、生産性を向上させることも可能になる。
【００４７】
また、上記実施の形態によれば、上記開口部３を、三角形を成す上面２における上記三角形の何れか一つの頂点Ａの近傍に形成している。したがって、上面２の三角形の面積に対して無駄なく電極パッド４,７の面積を十分に大きくすることができる。その場合、電極パッド４,７の面積を必要十分な大きさに抑えて上面２の面積を小さくし、面発光レーザチップ１を小型にすることができる。
【００４８】
また、上記実施の形態によれば、上記上面２における開口部３が近傍に形成されている頂点Ａから開口部３の中心までの距離を、上記頂点Ａからこの頂点Ａに対向する辺ａまでの距離の半分を下回るように設定している。したがって、上面２である三角形の面積に対して、無駄なく大きな面積の電極パッド４,７を形成することができる。さらに、電極パッド４,７の面積を必要十分な大きさに抑えて上面２の面積を小さくし、面発光レーザチップ１を小型にすることが可能になる。
【００４９】
また、上記実施の形態によれば、基板上に、少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順にエピタキシャル成長されて形成されたエピタキシャルウエハ上に、上記構成の面発光レーザチップ１をレイアウトする場合に、２つの上記面発光レーザチップ１の上面２あるいは底面７を形作る２つの三角形を最も長い辺同士を密着させて形成される平行四辺形を上記エピタキシャルウエハ上にレイアウトし、さらに上記レイアウトされた平行四辺形を一方向に直線状に繰り返して配列してレイアウトすることによって、上記エピタキシャルウエハ上に面発光レーザチップ１をレイアウトするようにしている。
【００５０】
また、基板上に、少なくとも下部クラッド層,量子井戸活性層および上部クラッド層が順にエピタキシャル成長されて形成されたエピタキシャルウエハ上に、上記構成を有すると共に、上面２および底面７が直角三角形である面発光レーザチップ１をレイアウトする場合に、４つの上記面発光レーザチップ１の上面２あるいは底面７を形作る４つの直角三角形を直角の頂点を一点に集め、この一点の周囲に上記４つの面発光レーザチップを配置して形成される平行四辺形を上記エピタキシャルウエハ上にレイアウトし、さらに上記レイアウトされた平行四辺形を一方向に直線状に繰り返して配列してレイアウトすることによって、上記エピタキシャルウエハ上に面発光レーザチップ１をレイアウトするようにしている。
【００５１】
したがって、上記何れのレイアウト方法の場合にも、上面２の面積に対して無駄なく大きな面積の正電極パッド４を形成することができる三角柱状の面発光レーザチップ１を、上記エピタキシャルウエハ上に無駄なくレイアウトすることができる。したがって、エピタキシャルウエハに対する面発光レーザチップ１の乗り数を増加して、面発光レーザチップ１の生産性を向上させることができる。
【００５２】
尚、上記面発光レーザチップ１のレイアウト方法においては、図６および図７に示すように、上記上向きチップと上記下向きチップとを交互に配列するようにしている。しかしながら、この発明はこの配列に限定されるものではなく、上記上向きチップのみあるいは上記下向きチップのみを配列するようにしても差し支えない。
【符号の説明】
【００５３】
１…面発光レーザチップ、
２…上面、
３…開口部、
４…正電極パッド、
５…負電極パッド、
６…本体部、
７…底面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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