(57)【要約】      （修正有）【課題】「受け入れ洗浄」を行なった場合であっても、情報記録媒体の信号対雑音比（ＳＮＲ）の変化を小さく抑制することを可能とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供する。【解決手段】情報記録媒体に用いられる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、ガラス基板を準備する工程と、ガラス基板を研磨する第１研磨工程と、研磨が施されたガラス基板に対して化学強化処理を施す工程と、化学強化処理が施されたガラス基板を研磨する第２研磨工程と、研磨されたガラス基板を洗浄する工程とを備え、ガラス基板の組成は、［Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ］の割合が、７質量％〜３０質量％であり、第２研磨工程の後、ガラス基板を洗浄する工程が終了するまでの間における、ガラス基板の表層の［Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ］の組成の変化量の合計が、５０ｎｇ／ｃｍ３以内である。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報記録媒体に用いられる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、
ガラス基板を準備する工程と、
前記ガラス基板を研磨する第１研磨工程と、
研磨が施された前記ガラス基板に対して化学強化処理を施す工程と、
前記化学強化処理が施された前記ガラス基板を研磨する第２研磨工程と、
研磨された前記ガラス基板を洗浄する工程と、
を備え、
前記ガラス基板の組成は、［Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ］の割合が、７質量％〜３０質量％であり、
前記第２研磨工程の後前記ガラス基板を洗浄する工程が終了するまでの間における、前記ガラス基板の表層の［Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ］の組成の変化量の合計が、５０ｎｇ／ｃｍ３以内である、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
［Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ］の組成の変化量の合計が、４０ｎｇ／ｃｍ３以内である、請求項１に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記第２研磨工程の後前記ガラス基板を洗浄する工程が終了するまでの間における、前記ガラス基板の前記表層の組成の変化量が、Ｌｉが０．１質量％以上１質量％以下、Ｎａが０．１質量％以上２．１質量％以下、Ｋが０．０５質量％以上０．５質量％以下である、請求項１または２に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記ガラス基板の前記表層の組成の変化量が、Ｎａが０．１質量％以上１．０質量％以下、Ｋが０．０５質量％以上０．１質量％以下である、請求項３に記載の情報記録媒体用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、情報記録媒体用ガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）装置においては、記録密度が増々高密度化されてきている。記録密度の高密度化により、情報記録媒体（メディア）と情報記録媒体上を浮上しながら記録の読み書きを行なうヘッドとのギャップは数ｎｍ程度にまで狭小化している。
【０００３】
情報記録媒体に用いられる情報記録媒体用ガラス基板（以下、単にガラス基板と称する場合もある）は、記録密度の高密度化に対応するためにガラス基板の表面欠陥を低減させて、ヘッドとの衝突を起こさないようにしている。
【０００４】
記録密度が６００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２（面記録密度）以上のハードディスクドライブ装置に用いられるガラス基板の場合、ガラス基板の表面の清浄性を向上させるため、ガラス基板への磁気薄膜層の形成前に、従来の最終洗浄工程の後に、さらに、アルカリ性の溶液でガラス基板を洗浄し、ガラス基板上のわずかなパーティクルも除去するという工程が新たに導入されている（特許文献１参照）。
【０００５】
しかし、次世代の６３０Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２（面記録密度）対応で、特に組成として、アルカリ金属、アルカリ土類金属成分の多いガラス基板、化学強化処理(面強化処理)を施したガラス基板を情報記録媒体用ガラス基板として用いた場合に、平滑性、清浄性に問題がないにもかかわらず、電磁変換特性（SNR)が低下してしまうという問題が発生した。
【０００６】
このようなガラス基板を精査した結果、製造後のガラス基板に対して磁気薄膜層を形成した後に、磁気信号のシグナルノイズ比のバラつきが発生し、リード・ライトエラーの発生要因となっている可能性が見出された。このような磁気信号のシグナルノイズ比のバラつきの要因について更に検討を進めた結果、下記のことが判明した。
【０００７】
情報記録媒体に用いられるガラス基板は、製造後一旦密封状態にして搬送用ＢＯＸに梱包されて搬送される。次に、ガラス基板は、梱包が解かれ搬送用ＢＯＸから取り出される。その後、ガラス基板に磁性層を塗布する工程に供される。
【０００８】
その際、梱包時、搬送時、取り出し時に、ガラス基板の表面状態が不均一化したり、微細なパーティクルが付着する場合がある。ガラス基板の表面状態を均一化する為に、アルカリ溶液のような比較的洗浄性が高く、場合によってはガラス基板の表面を若干溶解させるような特性を持つ洗剤を用いて、ガラス基板の表面の洗浄（以下、「受け入れ洗浄」と称する。）が行なわれている（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２００８／００４４７０号
【特許文献２】特開２００６−１２７６２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述の磁気信号のシグナルノイズ比のバラツキは、このような磁気薄膜層の形成直前に行なわれるアルカリ洗浄において、ガラス表面の安定状態が損なわれて発生しており、ガラス基板自体を製造後に検査しても要因が判明し得なかったことが明らかになった。さらに、ガラス基板のアルカリ洗浄耐性のバラツキも、磁気信号のシグナルノイズ比のバラツキの発生要因であることも判明した。
【００１１】
通常、金属系の付着物を落とすために、ガラス基板を酸性洗剤で洗浄する工程、ガラス基板を次の工程へ搬送する工程で酸性洗剤を用いる。しかし、アルカリ金属および／またはアルカリ土類金属量の多いガラス基板、化学強化処理（面強化処理）を施したガラス基板は、酸を用いる工程中でアルカリ金属がガラス基板の表層から溶出し、この溶出量によって「受け入れ洗浄」でのアルカリ耐久性に差異が生じてしまうことが分かった。この結果、信号対雑音比（Ｓ／Ｎ比：ＳＮＲ）のバッチ間バラツキが発生していた。
【００１２】
本発明は、上記の実情に鑑みてなされたものであって、「受け入れ洗浄」を行なった場合であっても、ガラス基板の表層からのアルカリ金属の溶出量を所定の範囲に抑制することで、当該ガラス基板を用いて情報記録媒体を製造した場合であっても、情報記録媒体の信号対雑音比（ＳＮＲ）の変化を小さく抑制することを可能とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に基づいた情報記録媒体用ガラス基板の製造方法においては、情報記録媒体に用いられる情報記録媒体用ガラス基板の製造方法であって、ガラス基板を準備する工程と、上記ガラス基板を研磨する第１研磨工程と、研磨が施された上記ガラス基板に対して化学強化処理を施す工程と、上記化学強化処理が施された上記ガラス基板を研磨する第２研磨工程と、研磨された上記ガラス基板を洗浄する工程とを備え、上記ガラス基板の組成は、［Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ］の割合が、７質量％〜３０質量％であり、上記第２研磨工程の後上記ガラス基板を洗浄する工程が終了するまでの間における、上記ガラス基板の表層の［Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ］の組成の変化量の合計が、５０ｎｇ／ｃｍ３以内である。
【００１４】
他の形態においては、［Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ］の組成の変化量の合計が、４０ｎｇ／ｃｍ３以内である。
【００１５】
他の形態においては、上記第２研磨工程の後上記ガラス基板を洗浄する工程が終了するまでの間における、上記ガラス基板の上記表層の組成の変化量が、Ｌｉが０．１質量％以上１質量％以下、Ｎａが０．１質量％以上２．１質量％以下、Ｋが０．０５質量％以上０．５質量％以下である。
【００１６】
他の形態においては、上記ガラス基板の上記表層の組成の変化量が、Ｎａが０．１質量％以上１．０質量％以下、Ｋが０．０５質量％以上０．１質量％以下である。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、「受け入れ洗浄」を行なった場合であっても、ガラス基板の表層からのアルカリ金属の溶出量を所定の範囲に抑制することで、当該ガラス基板を用いて情報記録媒体を製造した場合であっても、情報記録媒体の信号対雑音比（ＳＮＲ）の変化を小さく抑制することを可能とする情報記録媒体用ガラス基板の製造方法を提供することを提供することを可能とする。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の斜視図である。
【図２】実施の形態における情報記録媒体の斜視図である。
【図３】実施の形態における情報記録媒体の製造方法を示すフロー図である。
【図４】「化学強化工程」を施したガラス基板と、「化学強化工程」を施していないガラス基板とに対して、（Ａ）は酸に接触しない「工程」を採用した場合のアルカリ成分の溶出量、（Ｂ）は酸への接触が多い「工程」を採用した場合のアルカリ成分の溶出量を示す図である。
【図５】実施例１〜３および比較例１〜２における情報記録媒体用ガラス基板の評価結果を示す図である。
【図６】実施例Ａ〜Ｈにおける情報記録媒体用ガラス基板の評価結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本発明の実施の形態および実施例について説明する。同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。以下に説明する実施の形態および実施例において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。
【００２０】
本実施の形態においては、ガラス組成を示す「％」表示は特に断らない限り「ｍｏｌ％」を示すものとする。「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」等のような化学式の加算表記は、そのような化学式で示される成分の合計量を示すものとする。たとえば、「Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ」とはＬｉ２ＯとＮａ２ＯとＫ２Ｏとの合計量を示す。
【００２１】
（情報記録媒体１の構成）
図１および図２を参照して、情報記録媒体用ガラス基板１Ｇおよび情報記録媒体１の構成について説明する。図１は、情報記録媒体用ガラス基板１Ｇの斜視図、図２は、情報記録媒体の斜視図である。
【００２２】
図１に示すように、情報記録媒体１に用いられる情報記録媒体用ガラス基板１Ｇ（以下、「ガラス基板１Ｇ」と称する。）は、中心に孔１１が形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板１Ｇは、外周端面１２、内周端面１３、表主表面１４、および裏主表面１５を有している。ガラス基板１Ｇとしては、アモルファスガラス等を用い、たとえば、外径約６５ｍｍ、内径約２０ｍｍ、厚さ約０．８ｍｍ、表面粗さは、約２．０Å以下である。
【００２３】
ガラス基板１Ｇのインチサイズに特に限定はなく、０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、３．５インチ各種ガラス基板１Ｇを、情報記録媒体用のディスクとして製造してもよい。
【００２４】
落下衝撃によるガラス基板１Ｇの割れに対して有効であることから、ガラス基板１Ｇの厚みは０．３０ｍｍ〜２．２ｍｍが好ましい。ここでいうガラス基板１Ｇの厚みとは基板上の点対象となる任意の何点かで測定した値の平均値を意味する。
【００２５】
ガラス基板１の大きさは、たとえば０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、または３．５インチである。ガラス基板の厚さは、破損防止の観点から、たとえば０．３０ｍｍ〜２．２ｍｍである。本実施の形態におけるガラス基板の大きさは、外径が約６４ｍｍ、内径が約２０ｍｍ、厚さが約０．８ｍｍである。ガラス基板の厚さとは、ガラス基板上の点対象となる任意の複数の点で測定した値の平均によって算出される値である。ガラス基板の高硬度化の観点から、ガラス基板１のビッカース硬度は、６１０ｋｇ／ｍｍ２以上であるとよい。
【００２６】
ガラス基板には、ガラス転移温度（Ｔｇ）が、６５０℃以上のガラスであれば、どのような組成でも構わないが、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの割合が、７質量％〜３０質量％であるようなアルカリ成分が多く含まれる組成であると、よりアルカリ成分の溶出によるＳＮＲ変化が大きくなるため、本実施の形態における効果が顕著に得られるのでよい。
【００２７】
本実施の形態においては、ＳｉＯ２＋Ａｌ２Ｏ３＋Ｂ２Ｏ３の割合が５０質量（ｗｔ）％〜８５質量（ｗｔ）％であり、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋Ｋ２Ｏの割合が２質量（ｗｔ）％〜２０質量（ｗｔ）％であることが好ましい。
【００２８】
さらに、後述の化学強化工程（Ｓ７０）において、アルミノシリケートガラスが、イオン交換による応力層を形成しやすい観点から、以下の組成のガラスを用いることが、より好ましい。
【００２９】
好ましいガラス基板の組成は、例えば、ＳｉＯ２が、５０質量（ｗｔ）％〜７０質量（ｗｔ）％、Ａｌ２Ｏ３が、０質量（ｗｔ）％〜２０質量（ｗｔ）％、Ｂ２Ｏ３が、０質量（ｗｔ）％〜５質量（ｗｔ）％、Ｐ２Ｏ５が、０．１質量（ｗｔ）％〜３質量（ｗｔ）％、Ｎａ２Ｏが、２質量（ｗｔ）％〜６質量（ｗｔ）％、ＭｇＯが、６質量（ｗｔ）％〜１２質量（ｗｔ）％、ＣａＯが、０．１質量（ｗｔ）％〜３質量（ｗｔ）％、ＺｎＯが、３質量（ｗｔ）％〜８質量（ｗｔ）％、ＴｉＯ２が、３質量（ｗｔ）％〜８質量（ｗｔ）％、Ｌｉ２Ｏが、０質量（ｗｔ）％〜４質量（ｗｔ）％、Ｎａ２Ｏが、２質量（ｗｔ）％〜６質量（ｗｔ）％、Ｋ２Ｏが、０質量（ｗｔ）％〜３質量（ｗｔ）％である。
【００３０】
図２に示すように、情報記録媒体１は、上記したガラス基板１Ｇの表主表面１４上に磁気薄膜層２３が形成されている。図示では、表主表面１４上にのみ磁気薄膜層２３が形成されているが、裏主表面１５上に磁気薄膜層２３を設けることも可能である。
【００３１】
磁気薄膜層２３の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、たとえば、磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂をガラス基板１Ｇ上にスピンコートして形成する方法、スパッタリングにより形成する方法、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。
【００３２】
スピンコート法での膜厚は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成がよい。
【００３３】
磁気薄膜層２３に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉ、Ｃｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。近年では、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられるようになってきている。
【００３４】
磁気ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層２３の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００３５】
必要により下地層、保護層を設けてもよい。情報記録媒体１における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。
【００３６】
下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
【００３７】
磁気薄膜層２３の摩耗、腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。
【００３８】
上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を形成してもよい。
【００３９】
（ガラス基板１Ｇの製造工程）
次に、図３を参照して、本実施の形態に係るガラス基板１Ｇおよび情報記録媒体１の製造方法を説明する。図３は、ガラス基板１Ｇおよび情報記録媒体１の製造方法を示すフロー図である。
【００４０】
まず、ステップ１０（以下、「Ｓ１０」と略す。ステップ１１以降も同様。）の「ガラス溶融工程」において、ガラス基板を構成するガラス素材を溶融する。
【００４１】
Ｓ１１の「プレス成形工程」において、溶融させたガラス素材を上型および下型を用いたプレスによりガラス基板を作製した。使用したガラス組成は、一般的なアルミノシリケートガラスを用いた。ガラス基板の作製方法としては成形に限らず、公知の手法である板ガラスからの切り出し等でも構わず、ガラス組成もこれに限らない。
【００４２】
Ｓ１２の「第１ラップ工程」において、ガラス基板の両主表面をラッピング加工した。この第１ラップ工程は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置を用いて行なった。具体的には、ガラス基板の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、研削液をガラス基板の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行なった。このラッピング加工により、おおよそ平坦な主表面を有するガラス基板を得た。
【００４３】
Ｓ１３の「コアリング工程」において、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、ガラス基板の中心部に穴を形成し、円環状のガラス基板を作製した。ガラス基板の内周端面、および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を実施した。
【００４４】
Ｓ１４の「第２ラップ工程」において、ガラス基板の両主表面について、上記第１ラップ工程（Ｓ１２）と同様に、ラッピング加工を行なった。この第２ラップ工程を行なうことにより、前工程のコアリングおよび端面加工において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができる。その結果、後工程での主表面の研磨時間を短縮することができる。
【００４５】
Ｓ１５の「外周研磨工程」において、ガラス基板の外周端面について、ブラシ研磨による鏡面研磨を行なった。このとき研磨砥粒としては、一般的な酸化セリウム砥粒を含むスラリーを用いた。本実施の形態では、Ｓ１０〜Ｓ１５が、ガラス基板を準備する工程となる。
【００４６】
Ｓ１６の「第１ポリッシュ工程」において、主表面研磨を行なった。この第１ポリッシュ工程は、上述の第１および第２ラップ工程（Ｓ１２，Ｓ１４）において主表面に残留したキズおよび反りを矯正することを主目的とするものである。この第１ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により主表面の研磨を行なった。研磨剤としては、一般的な酸化セリウム砥粒を用いた。
【００４７】
Ｓ１７の「化学強化工程」において、ガラス基板１Ｇの主表面に対して表面強化層を形成した。具体的には、３００℃に加熱された硝酸カリウム（７０％）と硝酸ナトリウム（３０％）の混合溶液中に、ガラス基板１Ｇを約３０分間浸漬することによって化学強化を行なった。その結果、ガラス基板の内周端面および外周端面のリチウムイオンおよびナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオンおよびカリウムイオンにそれぞれ置換され、圧縮応力層が形成されることでガラス基板の主表面及び端面が強化された。
【００４８】
Ｓ１８の「第２ポリッシュ工程」において、主表面研磨工程を施した。この第２ポリッシュ工程は上述までの工程で発生、残存している主表面上の微小欠陥等を解消して鏡面状に仕上げること、反りを解消し所望の平坦度に仕上げることを目的とする。この第２ポリッシュ工程は、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により研磨を行なった。研磨剤としては、平滑面を得る為に平均粒径が約２０ｎｍのコロイダルシリカを用いた。
【００４９】
Ｓ１９の「洗浄工程」において、ガラス基板の主表面、端面の最終洗浄を実施する。これによりガラス基板上に残存する付着物を除去する。
【００５０】
Ｓ２０の「検査工程」において、ガラス基板の表層の組成の変化量の検査を行なった。その後、Ｓ２１の「磁気薄膜成膜工程」において、上述の検査の結果合格した、ガラス基板の両主表面に、Ｃｒ合金からなる密着層、ＣｏＦｅＺｒ合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる配向制御下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、Ｃ系の保護層、Ｆ系からなる潤滑層を順次成膜することにより、垂直磁気記録方式の情報記録媒体を製造した。この構成は垂直磁気記録方式の構成の一例であり、面内情報記録媒体として磁性層等を構成してもよい。その後、「後熱処理工程」を実施することで、情報記録媒体が完成する。
【００５１】
本実施の形態におけるガラス基板の製造方法は、以上のように構成される。このガラス基板の製造方法を用いることで、図１に示すガラス基板１Ｇが得られる。その後、このようにして得られたガラス基板１Ｇを用いて、図２に示す情報記録媒体１が得られる。
【００５２】
ここで、図４を参照して、上述のＳ１７の「化学強化工程」を施したガラス基板と、「化学強化工程」を施していないガラス基板とに対して、（Ａ）は酸に接触しない「工程」を採用した場合のアルカリ成分の溶出量を示し、（Ｂ）は酸への接触が多い「工程」を採用した場合のアルカリ成分の溶出量を示している。ここでの、「工程」とは、搬送間におけす水への浸漬工程、洗浄工程を意味する。
【００５３】
酸に接触しない「工程」を採用した（Ａ）の場合、「化学強化工程」を施したガラス基板のアルカリ成分の溶出量は、「化学強化工程」を施していないガラス基板の溶出量に比較して少ない。しかし、酸への接触が多い「工程」を採用した（Ｂ）の場合、化学強化工程」を施したガラス基板のアルカリ成分の溶出量は、「化学強化工程」を施していないガラス基板の溶出量に比較して多くなっている。
【００５４】
ガラス基板の製造工程中において、アルカリ成分の溶出量が多いと、受け入れ洗浄でのアルカリ洗浄耐性が低くなり、ＳＮＲバラツキを発生する。したがって、ガラス基板の製造工程中において、アルカリ成分の溶出量を抑制する「工程」の採用が重要となる。
【００５５】
(実施例)
第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１８）の条件を各種設定して、第２研磨工程（Ｓ１８）の後ガラス基板を洗浄する工程が終了するまでの間における、ガラス基板の表層の組成の変化量を調整するようにした。
【００５６】
以下の実施例ではガラス基板の材料として、質量％で、Ｌｉ２Ｏ＝４．０％、Ｎａ２Ｏ＝１１．０％、Ｋ２Ｏ＝１．０％、ＭｇＯ＝１．０％、ＣａＯ＝２．０％、ＳｉＯ２＝６５．５％、Ａｌ２Ｏ３＝１５．５％の組成のガラス材料を用いた。
【００５７】
ガラス基板は１００枚を１バッチとして、第２研磨工程（Ｓ１８）まで製造した。その後、以下の実施例１〜比較例２で示した条件の５０ｍＬの溶液で処理を行なった。その後、１０枚を抜き取り、その溶液中へのＬｉ、Ｎａ、Ｋの溶出量を、ＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析装置、エスアイアイナノテクノロジー社製  ＳＰＱ９７００）を用いて評価した。
【００５８】
更に、残りから１０枚を抜き取り、４０℃において、ｐＨ１１  ＮａＯＨで３０分処理した際のＳｉ溶出量を、ＩＣＰ−ＡＥＳ（誘導結合プラズマ発光分析分光装置、エスアイアイナノテクノロジー社製  ＳＰＳ３５２０ＵＶ）で測定し、「平均値」および「３σ」で評価した。
【００５９】
残りのガラス基板８０枚に、磁気薄膜層を形成し、ＳＮＲ評価を行った。（１００枚加工したもののうち、１０枚は枚葉で処理、残り９０枚は通常の製造工程で製造した。）
以下に示す実施例１〜比較例２において、図５に、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量（ｎｇ／ｃｍ３）、Ｓｉ溶出量（ｐｐｂ）、ＳＮＲ変化（ｄｂ）を示す。図５中の、Ｓｉ溶出量の（）内の値は、３σの値を示す。値が小さいほど、バラツキが小さいことを示す。
【００６０】
判定基準としては、＋０．１５ｄｂの場合は「ＡＡＡ」、０以上０．１５ｄｂ未満の場合は「ＡＡ」、０未満−０．１ｄｂ以下の場合は「Ａ」、０〜−０．１ｄｂ以下は「Ｂ」、−０．１１〜０．２０ｄｂは「Ｃ」、−０．２１〜０．３０ｄｂは「Ｄ」、−０．３１ｄｂ〜は「Ｅ」と評価した。
【００６１】
（実施例１）
各工程間は、搬送工程（浸漬）では、ｐＨ８の溶液中に１分浸漬させた後、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例１では、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量が、３３ｎｇ／ｃｍ３、Ｓｉ溶出量が、８０ｐｐｂ（３σの値は「６」）、ＳＮＲ変化が、０ｄｂであった。判定は、「Ｂ」であった。
【００６２】
（実施例２）
各工程間は、搬送工程（浸漬）では、ｐＨ７の純水中に１分浸漬させた後、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例２では、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量が、３５ｎｇ／ｃｍ３、Ｓｉ溶出量が、１００ｐｐｂ（３σの値は「９」）、ＳＮＲ変化が、−０．０１ｄｂであった。判定は、「Ｂ」であった。
【００６３】
（実施例３）
各工程間は、搬送工程（浸漬）では、ｐＨ７の純水中に５分間滞留させた後、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例３では、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量が、４８ｎｇ／ｃｍ３、Ｓｉ溶出量が、１０５ｐｐｂ（３σの値は「１０」）、ＳＮＲ変化が、−０．０３ｄｂであった。判定は、「Ｃ」であった。
【００６４】
（比較例１）
各工程間は、搬送工程（浸漬）では、ｐＨ３の溶液中に５分間滞留させた後、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。比較例１では、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量が、５５ｎｇ／ｃｍ３、Ｓｉ溶出量が、２００ｐｐｂ（３σの値は「５５」）、ＳＮＲ変化が、−０．４ｄｂであった。判定は、「Ｄ」であった。
【００６５】
（比較例２）
各工程間は、搬送工程（浸漬）では、ｐＨ５の溶液中に５分間滞留させた後、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。比較例１では、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量が、６０ｎｇ／ｃｍ３、Ｓｉ溶出量が、１８０ｐｐｂ（３σの値は「４０」）、ＳＮＲ変化が、−０．３２ｄｂあった。判定は、「Ｄ」であった。
【００６６】
(実施例Ａ〜Ｈ)
第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１８）の条件を各種設定して、アルカリ金属の変化量を調整した。ガラス基板は１００枚を１バッチとして、第２研磨工程（Ｓ１８）まで製造した。実施例１〜比較例２で示した工程と同一条件になるように５０ｍＬの溶液で処理を行なった。
【００６７】
その後、１０枚を抜き取り、その溶出液をＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析装置、エスアイアイナノテクノロジー社製  ＳＰＱ９７００）を用いてＬｉ、Ｎａ、Ｋの溶出量を評価し、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量が同一であることを確認した。
【００６８】
残り９０枚から１０枚を抜き取り、ＸＰＳ（走査型X線光電子分光分析装置、アルバック・ファイ社製  Ｑｕａｎｔｅｒａ  ＳＸＭ）を使用し、極表面の元素分析を行ない元の調合組成に比べてのＬｉ,Ｎａ,Ｋの変化量を評価した。
【００６９】
更に、残り８０枚から１０枚を抜き取り、４０℃において、ｐＨ１１、ＮａＯＨで３０分処理した際のＳｉ溶出量をＩＣＰ−ＡＥＳ（誘導結合プラズマ発光分析分光装置、エスアイアイナノテクノロジー社製  ＳＰＳ３５２０ＵＶ）で測定し、平均値および３σで評価した。
【００７０】
残りのガラス基板７０枚に、磁気薄膜層を形成し、ＳＮＲ評価を行った。（１００枚加工したもののうち、１０枚は枚葉で処理、残り９０枚は通常の製造工程で製造した。）
以下に示す実施例Ａ〜Ｈにおいて、図６に、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量（ｎｇ／ｃｍ３）、Ｌｉの変化量（質量％）、Ｎａの変化量（質量％）、Ｋの変化量（質量％）、Ｓｉ溶出量（ｐｐｂ）、および、ＳＮＲ変化（ｄｂ）を示す。図５中の、Ｓｉ溶出量の（）内の値は、３σの値を示す。値が小さいほど、バラツキが小さいことを示す。判定基準としては、ＳＮＲ変化が、＋０．１５ｄｂの場合は「ＡＡＡ」、０以上０．１５ｄｂ未満の場合は「ＡＡ」、０未満−０．１ｄｂ以下の場合は「Ａ」、０〜−０．１ｄｂ以下は「Ｂ」、−０．１１〜０．２０ｄｂは「Ｃ」、−０．２１〜０．３０ｄｂは「Ｄ」、−０．３１ｄｂ〜は「Ｅ」と評価した。
【００７１】
（実施例Ａ）
各工程間は、搬送工程（浸漬）では、溶液中に浸漬させることなく、（ガラス基板の表面が乾かないように）１分以内に直接次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例Ａでは、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量は、３８ｎｇ／ｃｍ３、Ｌｉの変化量は、０．１５質量％、Ｎａの変化量は、０．１０質量％、Ｋの変化量は、０．０６質量％、Ｓｉ溶出量は、６０ｐｐｂ（３σの値は「５」）、および、ＳＮＲ変化は、０．１６ｄｂあった。判定は、「ＡＡＡ」であった。
【００７２】
（実施例Ｂ）
各工程間は、搬送工程（浸漬）でｐＨ８の溶液中に３０秒浸漬させた後で、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例Ｂでは、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量は、３８ｎｇ／ｃｍ３、Ｌｉの変化量は、０．３０質量％、Ｎａの変化量は、１．１０質量％、Ｋの変化量は、０．０８質量％、Ｓｉ溶出量は、８０ｐｐｂ（３σの値は「１０」）、および、ＳＮＲ変化は、０．０４ｄｂあった。判定は、「ＡＡ」であった。
【００７３】
（実施例Ｃ）
各工程間は、搬送工程（浸漬）でｐＨ７の純水中に３０秒浸漬させた後で、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例Ｃでは、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量は、３８ｎｇ／ｃｍ３、Ｌｉの変化量は、０．２５質量％、Ｎａの変化量は、０．９０質量％、Ｋの変化量は、０．１３質量％、Ｓｉ溶出量は、８５ｐｐｂ（３σの値は「８」）、および、ＳＮＲ変化は、０．０５ｄｂあった。判定は、「ＡＡ」であった。
【００７４】
（実施例Ｄ）
各工程間は、搬送工程（浸漬）でｐＨ７の純水中に１分浸漬させた後で、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例Ｄでは、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量は、３８ｎｇ／ｃｍ３、Ｌｉの変化量は、０．３０質量％、Ｎａの変化量は、２．１３質量％、Ｋの変化量は、０．４０質量％、Ｓｉ溶出量は、１００ｐｐｂ（３σの値は「１０」）、および、ＳＮＲ変化は、−０．０２ｄｂあった。判定は、「Ａ」であった。
【００７５】
（実施例Ｅ）
各工程間は、搬送工程（浸漬）でｐＨ８の溶液中に１分浸漬させた後で、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例Ｅでは、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量は、３８ｎｇ／ｃｍ３、Ｌｉの変化量は、０．３３質量％、Ｎａの変化量は、０．３３質量％、Ｋの変化量は、０．５４質量％、Ｓｉ溶出量は、９０ｐｐｂ（３σの値は「１０」）、および、ＳＮＲ変化は、−０．０６ｄｂあった。判定は、「Ａ」であった。
【００７６】
（実施例Ｆ）
各工程間は、搬送工程（浸漬）でｐＨ７．５の溶液中に１分浸漬させた後で、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例Ｆでは、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量は、３８ｎｇ／ｃｍ３、Ｌｉの変化量は、１．０３質量％、Ｎａの変化量は、０．３８質量％、Ｋの変化量は、０．１７質量％、Ｓｉ溶出量は、１００ｐｐｂ（３σの値は「７」）、および、ＳＮＲ変化は、−０．０７ｄｂあった。判定は、「Ａ」であった。
【００７７】
（実施例Ｇ）
各工程間は、搬送工程（浸漬）でｐＨ８の溶液中に５分滞留させた後で、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例Ｇでは、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量は、３８ｎｇ／ｃｍ３、Ｌｉの変化量は、０．９０質量％、Ｎａの変化量は、２．１３質量％、Ｋの変化量は、０．５２質量％、Ｓｉ溶出量は、１０５ｐｐｂ（３σの値は「１０」）、および、ＳＮＲ変化は、−０．１５ｄｂあった。判定は、「Ｂ」であった。
【００７８】
（実施例Ｈ）
各工程間は、搬送工程（浸漬）でｐＨ７の純水中に５分滞留させた後で、次の工程に進み、第２研磨工程（Ｓ１８）後の洗浄工程（Ｓ１９）をアルカリ洗剤を用いて行なった。実施例Ｈでは、Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋの溶出量は、３８ｎｇ／ｃｍ３、Ｌｉの変化量は、１．０２質量％、Ｎａの変化量は、２．２２質量％、Ｋの変化量は、０．６０質量％、Ｓｉ溶出量は、１１０ｐｐｂ（３σの値は「８」）、および、ＳＮＲ変化は、−０．１７ｄｂあった。判定は、「Ｂ」であった。
【００７９】
以上の実施例１〜３、実施例Ａ〜Ｈ、および、比較例１，２によれば、ガラス基板の組成は、Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏの割合が、比較的多いガラス素材を用いた場合であっても、第２研磨工程の後ガラス基板を洗浄する工程が終了するまでの間における、ガラス基板の表層の［Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ］の組成の変化量の合計が、５０ｎｇ／ｃｍ３以内（実施例１〜３、実施例Ａ〜Ｈ）となる条件で洗浄を行なうことで、当該ガラス基板を用いて情報記録媒体を製造した場合であっても、情報記録媒体のＳＮＲの変化を小さくすることが可能となる。
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［Ｌｉ２Ｏ＋Ｎａ２Ｏ＋Ｋ２Ｏ］の組成の変化量の合計が、４０ｎｇ／ｃｍ３以内（実施例１、２、実施例Ａ〜Ｈ）であれば、より情報記録媒体のＳＮＲの変化を小さくすることが可能となる。
【００８０】
第２研磨工程の後ガラス基板を洗浄する工程が終了するまでの間における、ガラス基板の表層の組成の変化量が、Ｌｉが０．１質量％以上１質量％以下、Ｎａが０．１質量％以上２．１質量％以下、Ｋが０．０５質量％以上０．５質量％以下であれば（実施例Ａ〜Ｃ）であれば、より情報記録媒体のＳＮＲの変化（＋０．０４〜＋０．１６）を小さくすることが可能となる。
【００８１】
より好ましくは、ガラス基板の表層の組成の変化量が、Ｎａが０．１質量％以上１．０質量％以下、Ｋが０．０５質量％以上０．１質量％以下であれば（実施例Ｂ）、より情報記録媒体のＳＮＲの変化（＋０．０４）を小さくすることが可能となる。
【００８２】
以上、本発明の実施の形態および実施例について説明したが、今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００８３】
１  情報記録媒体、１Ｇ  情報記録媒体用ガラス基板、１１  孔、１２  外周端面、１３  内周端面、１４  表主表面、１５  裏主表面、２３  磁気薄膜層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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