(57)【要約】【課題】壁電極の近傍における配向不良に起因する光漏れを防止することが可能な液晶表示装置を提供することである。【解決手段】  液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、画素の対向する長手方向の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記第２基板側に突出するように立設して形成される一対の壁状電極と、画素領域を覆うように形成される光配向膜とを備える液晶表示装置であって、前記一対の壁状電極の立設面に沿って形成される防護膜を備え、前記防護膜が、前記一対の壁状電極に沿い前記第２基板側に延在する前記光配向膜の表面を覆うと共に、前記防護膜の第１基板側の端部が、前記第１基板の面内方向に延在し、且つ前記壁状電極の近傍に位置する前記光配向膜の表面を覆う液晶表示装置である。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、画素の対向する長手方向の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記第２基板側に突出するように立設して形成される一対の壁状電極と、画素領域を覆うように形成される光配向膜とを備える液晶表示装置であって、
前記一対の壁状電極の立設面に沿って形成される防護膜を備え、
前記防護膜が、前記一対の壁状電極に沿い前記第２基板側に延在する前記光配向膜の表面を覆うと共に、
前記防護膜の第１基板側の端部が、前記第１基板の面内方向に延在し、且つ前記壁状電極の近傍に位置する前記光配向膜の表面を覆うことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記光配向膜は、前記一対の壁状電極に沿い前記第２基板側に延在する領域と、前記配向膜が前記第１基板の面内方向に延在する領域とが交差する境界部の表面が、少なくとも曲面状に形成され、
前記防護膜は、前記光配向膜の曲面状の境界部を含む前記壁状電極の近傍の面内方向に延在する前記光配向膜の表面を覆うことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
前記一対の壁状電極に挟まれる領域に平坦化膜を有し、
前記平坦化膜の上層に前記光配向膜が形成され、
前記壁状電極面に沿って前記平坦化膜の辺端部が上方に引き上がると共に、前記光配向膜も前記平坦化膜の引き上がりに沿い、少なくとも前記光配向膜の境界部の表面が曲面状に形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記防護膜は、無機絶縁膜材料で形成されることを特徴とする請求項１乃至３のうちの何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記防護膜は、光配向処理後の前記光配向膜の上面に形成した無機膜を異方性ドライエッチングで形成してなることを特徴とする請求項４に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
前記防護膜は、有機絶縁膜材料で形成されることを特徴とする請求項１乃至３のうちの何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項７】
前記防護膜は、光配向処理後の前記光配向膜の上面に塗布した有機膜を露光・現像処理で形成してなることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】
前記第２基板は、平面的に見て、前記壁状電極を覆う遮光膜を有し、
前記防護膜の端部は、平面的に見て、前記遮光膜の端部よりも画素の透過領域側に形成されることを特徴とする請求項１乃至７のうちの何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項９】
前記一対の壁状電極に挟まれる画素の透過領域に形成され、前記一対の壁状電極の延在方向に沿って形成される第２の電極を備え、
前記一対の壁状電極と前記第２の電極とに間に印加される駆動信号で液晶を駆動することを特徴とする請求項１乃至８のうちの何れかに記載の液晶表示装置。
【請求項１０】
液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、画素の対向する長手方向の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記第２基板側に突出するように立設して形成される一対の壁状電極と、画素領域を覆うように形成される光配向膜と、前記一対の壁状電極に沿い前記第２基板側に延在する前記光配向膜の表面を覆うと共に、その端部が、前記第１基板の面内方向に延在し、且つ前記壁状電極の近傍に位置する前記光配向膜の表面を覆う防護膜とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記光配向膜を前記第１基板の上面に形成する工程と、
前記光配向膜を光配向処理する工程と、
前記光配向膜の全面を覆うようにして無機絶縁膜材料からなる無機膜層を形成する工程と、
前記無機膜層を前記第１基板の法線方向から異方性ドライエッチングでエッチングする工程と、
を備えることを特徴とする液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶表示装置及びその製造方法に係わり、特に、基板面から突出して形成される壁状の電極を有する液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示モード効率を向上させた液晶表示装置として、図７に示すように、画素境界に配置した一対の壁状の画素電極（壁画素電極）ＰＸの間の領域に、この一対の壁画素電極ＰＸの延在方向に沿って形成される壁状の共通電極ＣＴ１を形成した液晶表示装置がある。この液晶表示装置では、画素境界に形成される一対の壁画素電極ＰＸと壁状の共通電極ＣＴ１との間の領域にも、壁画素電極ＰＸ及び壁状の共通電極ＣＴ１からそれぞれ延在した平板状の電極（透明電極）が絶縁膜ＰＡＳ２を介して形成されている。さらには、壁状の共通電極ＣＴ１は壁画素電極ＰＸよりも突出量が小さく形成され、一対の壁画素電極ＰＸに囲まれる領域には、壁状の共通電極ＣＴ１の形成に伴う表面の凹凸を平坦化するために、壁状の共通電極ＣＴ１をも覆うようにして平坦化膜となる絶縁膜ＰＡＳ５が形成されている。この一対の壁画素電極ＰＸが形成される領域を除く他の領域を平坦化する構成により、第１基板の面内方向に平行な均一の電界を生成する構成となっている。
【０００３】
しかしながら、図８に示すように、絶縁膜ＰＡＳ５を有機絶縁膜材料で形成した場合、壁画素電極ＰＸの近傍では有機絶縁膜材料が壁画素電極ＰＸに沿った形状にエッチングされる、いわゆる「引き上がり」が生じることとなる。この引き上がりのために、絶縁膜ＰＡＳ５の表面を含む第１基板ＳＵＢ１の液晶層ＬＣの側に形成される光配向膜ＯＲＩにおいても、一対の壁画素電極ＰＸとの間の領域はほぼ平坦な形状であるが、各壁画素電極ＰＸの近傍では光配向膜ＯＲＩも絶縁膜ＰＡＳ５の表面形状に沿って曲面状に成膜されることとなる。このため、光配向膜ＯＲＩの配向処理において、壁画素電極ＰＸの近傍では、図７の丸印Ｅに示すように、第１基板ＳＵＢ１の正面から照射される光配向用の光（偏光光）ＬＴの一部が曲面状の光配向膜ＯＲＩの上面で反射された偏光光ＬＴ１となり、壁画素電極ＰＸの近傍において配向乱れが生じてしまうことが明らかとなった。
【０００４】
この配向乱れの生じた領域に接する液晶層ＬＣでは、液晶分子の初期配向に乱れが生じることとなる。このとき、配向乱れが生じる領域は、第２基板ＳＵＢ２とカラーフィルタＣＦとの間の層に形成されるブラックマトリクスＢＭにより遮光されない領域となっている。その結果、黒表示時において、図８中に矢印Ｓ１で示すように、丸印Ｅで示す領域ではバックライト光が透過してしまうこととなり、ダイナミックレンジが低下してしまうという問題が生じ、その解決方法が要望されている。
【０００５】
第１基板ＳＵＢ１の液晶層側の表面に形成される突起部における配向不良を防止する技術として、例えば、特許文献１に記載の液晶表示装置がある。この特許文献１に記載の技術では、各画素内の平坦化された絶縁膜の表面に成膜した導電膜をエッチングし、複数本の線状電極を並設する際に、各線状電極の端部をテーパー状に形成することにより、配向処理用の光の反射に伴う配向乱れを防止する構成となっている。このとき、各線状電極の厚さをｘ、端部のテーパー角度をθ、配向制御膜（配向膜）の膜厚をｙとした場合、θは４５度より大きく７５度以下であり、かつｙ＞ｘ／２ｓｉｎ２θを満たす構成となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４３８３８２５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載の線状電極の構造では、各線状電極における液晶側への突出量すなわち線状電極厚さは、液晶層の厚さよりも非常に小さい構成となっている。これに対して、第１基板の表面に立設する壁画素電極ＰＸを用いる液晶表示装置では、特許文献１の線状電極の厚さに相当する壁画素電極ＰＸの高さが非常に高く形成される構成となる。このため、壁画素電極ＰＸの高さと配向膜の膜厚との関係を満たす構造を実現できないという問題があった。
【０００８】
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、壁電極の近傍における配向不良に起因する光漏れを防止することが可能な液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
（１）前記課題を解決すべく、液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、画素の対向する長手方向の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記第２基板側に突出するように立設して形成される一対の壁状電極と、画素領域を覆うように形成される光配向膜とを備える液晶表示装置であって、
前記一対の壁状電極の立設面に沿って形成される防護膜を備え、
前記防護膜が、前記一対の壁状電極に沿い前記第２基板側に延在する前記光配向膜の表面を覆うと共に、
前記防護膜の第１基板側の端部が、前記第１基板の面内方向に延在し、且つ前記壁状電極の近傍に位置する前記光配向膜の表面を覆う液晶表示装置である。
【００１０】
（２）前記課題を解決すべく、液晶層を介して対向配置される第１基板と第２基板とを有し、画素の対向する長手方向の辺縁部に沿って形成され、前記第１基板の液晶側面から前記第２基板側に突出するように立設して形成される一対の壁状電極と、画素領域を覆うように形成される光配向膜と、前記一対の壁状電極に沿い前記第２基板側に延在する前記光配向膜の表面を覆うと共に、その端部が、前記第１基板の面内方向に延在し、且つ前記壁状電極の近傍に位置する前記光配向膜の表面を覆う防護膜とを備える液晶表示装置の製造方法であって、
前記光配向膜を前記第１基板の上面に形成する工程と、
前記光配向膜を光配向処理する工程と、
前記光配向膜の全面を覆うようにして無機絶縁膜材料からなる無機膜層を形成する工程と、
前記無機膜層を前記第１基板の法線方向から異方性ドライエッチングでエッチングする工程と、
を備える液晶表示装置の製造方法である。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、壁電極の近傍における配向不良に起因する光漏れを防止することができる。
【００１２】
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図である。
【図２】本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図３】本発明の実施形態１の液晶表示装置における防護膜の形成工程を説明するための図である。
【図４】本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図５】本発明の実施形態２の液晶表示装置における防護膜の形成工程を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態３の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【図７】従来の液晶表示装置における光配向処理を説明するための断面図である。
【図８】従来の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。また、Ｘ，Ｙ，ＺはそれぞれＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を示す。
【００１５】
《実施形態１》
〈全体構成〉
図１は本発明の実施形態１の液晶表示装置の全体構成を説明するための平面図であり、以下、図１に基づいて、本発明の液晶表示装置の全体構成を説明する。
【００１６】
図１に示すように、実施形態１の液晶表示装置は、壁状の画素電極（壁画素電極）ＰＸや薄膜トランジスタＴＦＴ等が形成される第１基板ＳＵＢ１と、第１基板ＳＵＢ１に対向して配置されカラーフィルタ等が形成される第２基板ＳＵＢ２と、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とで挟持される液晶層とで構成される液晶表示パネルＰＮＬを有する。また、液晶表示パネルＰＮＬと光源となる図示しないバックライトユニット（バックライト装置）とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２との固定及び液晶の封止は、第２基板の周辺部に環状に塗布されたシール材ＳＬで固定され、液晶も封止される構成となっている。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示用の画素（以下、画素と略記する）の形成される領域が表示領域ＡＲとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ＡＲとはならない。
【００１７】
また、第２基板ＳＵＢ２は第１基板ＳＵＢ１よりも小さな面積となっており、第１基板ＳＵＢ１の図中下側の辺部を露出させるようになっており、第１基板ＳＵＢ１の辺部には、半導体チップで構成される駆動回路ＤＲが搭載されている。この駆動回路ＤＲは、表示領域ＡＲに配置される各画素を駆動する。なお、以下の説明では、液晶表示パネルＰＮＬの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。また、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、樹脂性の透明絶縁基板等であってもよい。
【００１８】
実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１の液晶側の面であって表示領域ＡＲには、図１中Ｘ方向に延在しＹ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの走査信号が供給される走査信号線（ゲート線）ＧＬが形成されている。また、図１中Ｙ方向に延在しＸ方向に並設され、駆動回路ＤＲからの映像信号（階調信号）が供給される映像信号線（ドレイン線）ＤＬが形成されている。隣接する２本のドレイン線ＤＬと隣接する２本のゲート線ＧＬとで囲まれる領域が画素を構成し、複数の画素がドレイン線ＤＬ及びゲート線ＧＬに沿って、表示領域ＡＲ内においてマトリックス状に配置されている。
【００１９】
各画素は、例えば、図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’に示すように、ゲート線ＧＬからの走査信号によってオン／オフ駆動される薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン線ＤＬからの映像信号が供給される壁画素電極ＰＸと、共通信号線（コモン線）ＣＬを介して映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極ＣＴ１，ＣＴ２とを備えている。図１中丸印Ａの等価回路図Ａ’においては、壁画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴ１，ＣＴ２を模式的に線状に記しているが、実施形態１の壁画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴ１，２の構成については、後に詳述する。なお、実施形態１の薄膜トランジスタＴＦＴは、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線ＤＬと接続される側をドレイン電極、壁画素電極ＰＸと接続される側をソース電極と記す。
【００２０】
壁画素電極ＰＸと共通電極ＣＴ１，ＣＴ２との間には、第１基板ＳＵＢ１の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から横電界方式と称される。また、実施形態１の液晶表示装置においては、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小（黒表示）とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。
【００２１】
各ドレイン線ＤＬ及び各ゲート線ＧＬはその端部においてシール材ＳＬを越えてそれぞれ延在され、外部システムからフレキシブルプリント基板ＦＰＣを介して入力される入力信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する駆動回路ＤＲに接続される。ただし、実施形態１の液晶表示装置では、駆動回路ＤＲを半導体チップで形成し第１基板ＳＵＢ１に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板ＦＰＣにテープキャリア方式やＣＯＦ（Chip On Film）方式で搭載し、第１基板ＳＵＢ１に接続させる構成であってもよい。
【００２２】
〈画素の詳細構成〉
図２は本発明の実施形態１の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図であり、特に、画素の短手方向の断面図である。ただし、図２に示す断面図では、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の露出面（液晶表示装置の表示面側及び裏面側）に配置される周知の一対の偏光板（上偏光板及び下偏光板）、及び第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＣの側の面に形成される配向膜は省略する。また、薄膜トランジスタＴＦＴやゲート線ＧＬ等も周知の構成となるので、その薄膜層についても省略する。なお、偏光板については、周知の技術を用いて、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＣの側の面に形成する構成であってもよい。
【００２３】
図２に示すように、実施形態１の液晶表示装置では、第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とが液晶層ＬＣを介して対向配置される構成となっている。このとき、実施形態１の画素構成では、第１基板ＳＵＢ１の上面（液晶側面）にはドレイン線ＤＬが形成され、このドレイン線ＤＬをも覆うようにして、絶縁膜ＰＡＳ１が形成されている。絶縁膜ＰＡＳ１の液晶側面（上面）には、ＸＺ面での断面形状が矩形状をなし、少なくともＹ方向（画素の長手方向）に断続的に延在する柱状形状の絶縁膜(以下、壁電極絶縁膜と記す)ＰＡＳ３が形成され、基板表面から液晶層ＬＣ側に大きく突出する凸状形状をなす構成となっている。なお、実施形態１の画素構成においては、例えば、表示に係わらない領域であるゲート線と交差する部分には壁電極絶縁膜ＰＡＳ３が形成されない構成となっており、液晶の流動性を妨げない構成となっている。
【００２４】
また、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３は画素のＸ方向（短手方向）の配置に対しては、画素の辺縁部となる隣接画素との境界部分（画素境界部分）に形成されている。この壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側面（側壁面） には、絶縁膜ＰＡＳ２を介してその側面（側壁面）を覆うように、壁画素電極ＰＸが形成されている。実施形態１の壁画素電極ＰＸは、基板側の辺縁部（下端側）から画素の平面方向（第１基板ＳＵＢ１の面内方向）にも伸延する構成となっており、その端部は壁状の共通電極ＣＴ１の側壁面に沿って第２基板ＳＵＢ２の方向に伸延する構成となっている。この構成からなる壁画素電極ＰＸが各画素にそれぞれ形成され、後に詳述する共通電極ＣＴ１を介して対向配置される一対の壁画素電極ＰＸにより、１つの画素が構成されている。
【００２５】
一対の壁画素電極ＰＸに挟まれる各画素の領域には、液晶層ＬＣを介して一対の電極ＣＴ１，ＣＴ２がＺ方向に対向配置され、共通電極を構成している。特に、第２基板ＳＵＢ２の側にＹ方向に延在する線状の共通電極ＣＴ２が形成され、第１基板ＳＵＢ１の側にＹ方向に延在する壁状の共通電極ＣＴ１が形成され、該２つの共通電極ＣＴ１，ＣＴ２により擬似的な壁状の共通電極（擬似壁共通電極）を構成している。なお、第１基板ＳＵＢ１に形成される共通電極ＣＴ１のみを用いる構成であってもよい。
【００２６】
第１基板ＳＵＢ１側の電極である共通電極ＣＴ１の構成では、隣接する壁電極絶縁膜ＰＡＳ３間に、該壁電極絶縁膜ＰＡＳ３と同様にＹ方向に延在する柱状の絶縁膜(擬似壁電極絶縁膜)ＰＡＳ４が形成されている。該擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４は、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３と同様に絶縁膜ＰＡＳ１の上面に形成され、Ｘ方向及びＺ方向の大きさが壁電極絶縁膜ＰＡＳ３よりも小さい構成となっている。擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４を覆うように透明導電膜からなる共通電極ＣＴ１が形成されると共に、該共通電極ＣＴ１のＸ方向の端部は絶縁膜ＰＡＳ１の表面すなわち第１基板ＳＵＢ１の面内方向に沿い、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の方向に伸延されている。
【００２７】
このとき、実施形態１の液晶表示装置では、共通電極ＣＴ１及び壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の露出面を含む第１基板ＳＵＢ１の表面を覆うように形成される絶縁膜ＰＡＳ２を介し、該絶縁膜ＰＡＳ２の上面に形成される壁画素電極ＰＸの一部と重畳される構成となっている。この構成により、保持容量Ｃｓｔを形成し、各画素内に保持容量Ｃｓｔを形成するための電極を形成することを不要とし、各画素においてバックライト光が透過（通過）する領域（透過領域）を大きく形成することを可能とし、開口率を向上させる構成となっている。なお、壁画素電極ＰＸ及び共通電極ＣＴ１，ＣＴ２は、周知のＩＴＯ（tin-doped indium oxide），ＧＺＯ，ＡＺＯ等の透明導電膜で形成される。また、各画素内に保持容量Ｃｓｔをそれぞれ形成し、共通電極ＣＴ１及び壁画素電極ＰＸが第１基板ＳＵＢ１の面内方向に延在されない構成であってもよい。
【００２８】
また、共通電極ＣＴ１の形状に伴う各画素内の凹凸を平坦化するための平坦化膜となる絶縁膜ＰＡＳ５が、一対の壁画素電極ＰＸの立設部分の間に形成されている。この壁画素電極ＰＸの立設部分は第１基板ＳＵＢ１の法線方向とほぼ一致する構成となるので、壁画素電極ＰＸの立設部分の第１基板ＳＵＢ１の側は絶縁膜ＰＡＳ５にその一部が覆われる構成となる。また、絶縁膜ＰＡＳ５の表面を含む第１基板ＳＵＢ１の表面の内で、少なくとも表示領域ＡＲ内には、周知の光配向膜材料からなる光配向膜ＯＲＩが形成される構成となっている。さらには、第１基板ＳＵＢ１の法線方向に延在する領域部分の光配向膜ＯＲＩの表面を覆うようにして、防護膜ＤＦが形成されている。
【００２９】
一方、液晶層ＬＣを介して対向配置される第２基板ＳＵＢ２の液晶面側には、遮光層となる周知のブラックマトリクスＢＭ、Ｒ（赤色），Ｇ（緑色），Ｂ（青色）に対応した周知のカラーフィルタＣＦ、共通電極ＣＴ２、及びその上面を覆う周知のオーバーコート層ＯＣが形成されている。また、オーバーコート層ＯＣの上面には、図示しない配向膜が形成されている。
【００３０】
〈防護膜の詳細構成〉
図２中丸印Ｂの拡大図Ｂ’に示すように、実施形態１の画素構造では、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面に沿う領域の光配向膜ＯＲＩ表面を覆うようにして、窒化シリコン（ＳｉＮ）や酸化シリコン（ＳｉＯ）等の一層又は多層の無機絶縁膜からなる防護膜ＤＦが形成されている。特に、実施形態１の防護膜ＤＦは、壁画素電極ＰＸの立設部分の光配向膜ＯＲＩの表面に沿いＹ方向に延在して形成されると共に、第１基板ＳＵＢ１の側の辺端部は絶縁膜ＰＡＳ５を覆う光配向膜ＯＲＩの表面に到達し密着される構成となっている。すなわち、実施形態１の画素構成では、壁画素電極ＰＸの立設部分の光配向膜ＯＲＩの表面を覆うと共に、壁画素電極ＰＸの立設部分の光配向膜ＯＲＩと絶縁膜ＰＡＳ５を覆う光配向膜ＯＲＩとが交差する境界部分近傍の光配向膜ＯＲＩの表面も覆う構成となっている。この構成により、防護膜ＤＦが壁画素電極ＰＸの立設部分に沿って形成される光配向膜ＯＲＩの立設領域表面を覆うと共に、初期配向乱れの生じた光配向膜ＯＲＩの表面領域（配向乱れ領域）ＯＤＡをも壁画素電極ＰＸの延在方向に沿って覆う構成となっている。
【００３１】
また、配向乱れ領域ＯＤＡのＸ方向幅をＷ、防護膜ＤＦの膜厚をｔとした場合、実施形態１の防護膜ＤＦの構成では、ｔ≧Ｗを満たすように防護膜ＤＦが形成されている。さらには、Ｙ方向に延在しＸ方向に並設されるブラックマトリクス（遮光膜）ＢＭとの間の領域、すなわちバックライト光が透過する画素の領域（透過領域）内に、実施形態１の防護膜ＤＦの端部が形成される構成となっている。すなわち、配向乱れ領域ＯＤＡが原因となって発生する液晶分子の初期配向の乱れが生じる領域である、黒表示時にバックライト光が透過してしまう領域を表示不良領域とした場合、少なくとも防護膜ＤＦが表示不良領域を占めるように形成されている。
【００３２】
さらには、実施形態１の画素構成では、壁画素電極ＰＸ及び防護膜ＤＦの辺端部がそれぞれ第２基板ＳＵＢ２の液晶側面に当接される構成、すなわち壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面を覆う光配向膜ＯＲＩが第２基板ＳＵＢ２の液晶側面に当接される構成となっている。この構成では、表示不良領域に液晶分子が侵入してしまうことを防護膜ＤＦが防止できる。すなわち、配向乱れ領域ＯＤＡの発生に伴って液晶分子の初期配向の乱れが生じてしまうこととなる幅Ｗの領域に液晶層ＬＣが形成されないように、幅Ｗよりも膜厚（膜幅）ｔが大きい防護膜ＤＦが形成される構成となっている。
【００３３】
このように、実施形態１の画素構成では、防護膜ＤＦが壁画素電極ＰＸに沿って形成されているので、光配向膜ＯＲＩに配向乱れ領域ＯＤＡが形成されている場合であっても、液晶層ＬＣに表示不良領域が生じてしまうことを防止できる。
【００３４】
このとき、実施形態１の画素構成では、画素の透過領域に形成される防護膜ＤＦにはバックライト光が入射することとなるが、第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２に配置される偏光板がクロスニコルに配置される構成となっている。従って、第１基板ＳＵＢ１の側の偏光板（下偏光板）を透過した後に、偏光されることなく防護膜ＤＦを透過し第２基板ＳＵＢ２に達したバックライト光は該第２基板ＳＵＢ２の側の偏光板（上偏光板）で遮蔽されることとなる。その結果、実施形態１の構成では、光配向膜ＯＲＩに配向乱れ領域ＯＤＡが形成される構成であっても、表示不良領域が形成され防護膜ＤＦの形成により配向乱れに伴う黒表示時におけるバックライト光の透過を防止できる。よって、ダイナミックレンジを向上することができ、表示品質を向上させることができる。
【００３５】
このとき、実施形態１の画素構成では、防護膜ＤＦの膜厚方向により配向乱れの領域ＯＤＡのＸ方向の拡がり方向（壁画素電極ＰＸからの離れる方向）を覆う構成となっているので、防護膜ＤＦの膜厚を制御することにより配向乱れ領域ＯＤＡを覆う範囲を制御できる。従って、第１基板ＳＵＢ１の表面に各薄膜層を形成する際の位置合わせ精度よりも配向乱れ領域ＯＤＡのＹ方向幅が微細幅であっても、配向乱れ領域ＯＤＡのみを覆うことができ、表示に寄与しない領域を小さくすることができるので、開口率の減少を最小限に抑制できるという効果を得ることもできる。
【００３６】
なお、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面と第２基板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＣが介在される液晶表示装置に本願発明を適用した場合であっても、各画素領域内に表示不良領域が形成されることを防止できる。この場合、第１基板ＳＵＢ１の側に形成される光配向膜ＯＲＩの配向乱れ領域ＯＤＡ（表示不良領域を含む）は防護膜ＤＦに覆われ、防護膜ＤＦと第２基板ＳＵＢ２との間の液晶分子の配向は第２基板ＳＵＢ２の図示しない配向膜で配向されることとなる。よって、液晶分子の初期配向が配向乱れ領域ＯＤＡの影響を受けて表示不良領域が形成されてしまうことを防止できるからである。
【００３７】
また、実施形態１の画素構成においては、防護膜ＤＦの第２基板ＳＵＢ２の側の辺端部は、絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面を覆う部分の光配向膜ＯＲＩの表面から突出しない構成が好ましいが、液晶層ＬＣのＺ方向の厚さによっては、突出する構成であってもよい。
【００３８】
〈防護膜の形成方法〉
次に、図３に本発明の実施形態１の液晶表示装置における防護膜の形成工程を説明するための図を示し、以下、図３に基づいて、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面に沿って光配向膜ＯＲＩの上面を覆う防護膜ＤＦの形成方法について詳細に説明する。ただし、実施形態１の液晶表示装置は、第１基板ＳＵＢ１に形成される防護膜ＤＦの形成工程を除く他の薄膜層の形成工程は従来と同様となる。従って、以下の説明では、本願発明に特徴的な防護膜ＤＦの形成工程について詳細に説明する。なお、図３においては、第１基板ＳＵＢ１は省略する。また、無機材料である窒化シリコン（ＳｉＮ）を用いた防護膜ＤＦを形成する場合について説明するが、酸化シリコン（ＳｉＯ）等の他の無機材料又はその組み合わせによる多層構造であってもよい。また、各薄膜層の形成は、周知のフォトリソグラフィ技術で形成されるので、その詳細な説明は省略する。
【００３９】
ａ）光配向膜の形成工程
第１基板ＳＵＢ１の液晶面側に順次、ゲート線ＧＬ等を含む薄膜トランジスタＴＦＴ、ドレイン線ＤＬ、層間絶縁膜ＰＡＳ１、擬似壁電極絶縁膜ＰＡＳ４、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３、共通電極ＣＴ１、層間絶縁膜ＰＡＳ２、壁画素電極ＰＸ、絶縁膜ＰＡＳ５、及び光配向膜ＯＲＩが形成される。このとき、実施形態１の画素構成においても、壁画素電極ＰＸの立設部分の表面に沿って絶縁膜ＰＡＳ５に引き上がりが生じるので、光配向膜ＯＲＩの延在方向が水平から垂直に変化する部分（境界部）は直交しない曲線状の構造となる。
【００４０】
この後に、図３（ａ）に示すように、少なくとも一対の壁画素電極ＰＸに囲まれる領域の光配向膜ＯＲＩに上方から矢印で示す偏光光ＬＴを照射し、配向処理を行う。このとき、実施形態１の光配向膜ＯＲＩへの光配向処理においても、偏光光ＬＴの反射等により直線的に偏光光ＬＴが照射されない領域である壁画素電極ＰＸの立設部分の下端側に沿った領域には配向乱れが生じることとなる。すなわち、図３（ａ）中に矢印で示す偏光光ＬＴの内で、基板表面から突出する壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面の近傍に照射される偏光光ＬＴ１は、折れ線の矢印で示すように、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面に沿って垂直方向に延在する光配向膜ＯＲＩの表面等で反射される。この反射された偏光光ＬＴ１も、水平方向に延在する光配向膜ＯＲＩに照射されることとなり、水平方向に延在する光配向膜ＯＲＩの壁電極絶縁膜ＰＡＳ３に沿った領域に配向乱れが生じる領域が形成される。
【００４１】
ｂ）薄膜層の形成工程
次に、周知の化学的気相成長法（ＣＶＤ法）により、第１基板ＳＵＢ１の上面を覆うように、例えば、窒化シリコン（ＳｉＮ）等の無機膜材料からなる薄膜層ＴＦを成膜する。この薄膜層ＴＦは、図３（ｂ）に示すように、光配向膜ＯＲＩの表面を覆うように形成され、その膜厚は基板表面でほぼ同じ膜厚となる。
【００４２】
ｃ）エッチング工程
次に、周知のドライエッチングにより、薄膜層ＴＦをエッチング処理する。このとき、実施形態１のドライエッチング処理では、第１基板ＳＵＢ１の上面すなわち第１基板ＳＵＢ１の法線方向から反応性イオンを基板表面に衝突（入射）させることにより、薄膜層ＴＦを異方性ドライエッチング処理する。特に、実施形態１の異方性ドライエッチングでは、エッチングマスクを用いることなく、第１基板ＳＵＢ１の法線方向から薄膜層ＴＦの膜厚分に相当するエッチング処理（ドライエッチング）を行う。この異方性ドライエッチング処理により、薄膜層ＴＦの表面の内で、第１基板ＳＵＢ１の面内方向に延在される部分の薄膜層ＴＦのみがエッチングされ、除去されることとなる。なお、薄膜層ＴＦの異方性ドライエッチングでは光配向膜ＯＲＩの表面も一部エッチングされることとなるが、光配向膜ＯＲＩは膜中においても配向性能を有しているので、エッチングで露出された面も配向性能を有することとなる。
【００４３】
このエッチング時において、図３（ｂ）に示すように、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面は第１基板ＳＵＢ１の法線方向に形成されている。従って、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面に沿って形成される薄膜層ＴＦの上端側においては、その上端側部分が壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の上面（頭頂面）を覆うように形成される薄膜層ＴＦと共にエッチングされ、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の上面側を覆うように形成される光配向膜ＯＲＩの表面が露出されることとなる。一方、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面に沿って形成される薄膜層ＴＦの下端側においては、第１基板ＳＵＢ１の面内方向の薄膜層ＴＦのみがエッチングされる。よって、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面に沿った薄膜層ＴＦの下端側は、第１基板ＳＵＢ１の面内方向に延在する光配向膜ＯＲＩの辺縁部上面を覆う構成となる。
【００４４】
その結果、図３（ｃ）に示すように、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面に沿うと共に、その下端側が配向乱れの生じる部分の光配向膜ＯＲＩの上面を覆う薄膜層である防護膜ＤＦを有する第１基板ＳＵＢ１が形成される。
【００４５】
エッチング工程の後に、前述する製造工程で形成された第１基板ＳＵＢ１と、周知の製造工程で形成された第２基板ＳＵＢ２とを固定すると共に、その間に液晶を封止した後に、マザーガラスを切断する。次に、周知の技術を用いて、切断後の各液晶表示パネルの第１基板ＳＵＢ１及び第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＣと対向する側の面に周知の偏光板を貼り付けすることにより、図２に示す実施形態１の液晶表示パネルが形成される。この液晶表示パネルの裏面側に周知のバックライト装置を搭載することにより、図１に示す実施形態１の液晶表示装置が形成される。
【００４６】
このように、実施形態１の液晶表示装置では、防護膜ＤＦの成膜において、ＣＶＤ法による薄膜層ＴＦの成膜工程と、該薄膜層ＴＦの異方性ドライエッチングによるエッチング工程との２つの工程の追加のみで、防護膜ＤＦの成膜ができる。すなわち、一般的なエッチング工程で必要となるエッチングマスクの形成及び除去を行うためのレジスト材料の塗布や仮ベイク、露光、現像、及びエッチングマスクの除去を行うための各工程が不要となり、工程の増加を大幅に抑制することができる。その結果、生産効率の低下を大幅に抑制しつつ、画素端部の光漏れを防止できるという格別の効果を得ることができる。
【００４７】
特に、実施形態１の防護膜ＤＦの形成では、異方性ドライエッチングのみで防護膜ＤＦのパターニングが完了する、すなわち防護膜ＤＦの形成に位置合わせが必要なエッチングマスクが不要となる。従って、高精細化のために画素が非常に小さい液晶表示装置に対しては、防護膜ＤＦの形成に位置合わせ等が不要となる実施形態１の画素構成が有利となる。
【００４８】
なお、前述するエッチング工程においては、一対の壁画素電極ＰＸ間の領域及び壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面に形成される薄膜層ＴＦの膜厚が均一に形成されている場合について説明したが、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面の形状等により、薄膜層ＴＦの膜厚が均一とならないこともある。この場合、実施形態１の画素構成では、画像表示に係わる領域である、絶縁膜ＰＡＳ５の上面を覆う光配向膜ＯＲＩすなわち一対の壁画素電極ＰＸの間に形成される光配向膜ＯＲＩが液晶分子の初期配向を決定することとなる。従って、絶縁膜ＰＡＳ５の上層に形成される薄膜層ＴＦの厚さを基準として、当該薄膜層ＴＦをエッチングする構成がよい。この場合、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面の形状によっては、薄膜層ＴＦの一部が残ることも考えられるが、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３が形成される領域にはブラックマトリクスＢＭが形成されており、画像表示に寄与しない領域である。よって、薄膜層ＴＦの一部が残る構成であってもよい。
【００４９】
以上説明したように、実施形態１の液晶表示装置では、光配向膜ＯＲＩの塗布後の光配向処理の際に配向乱れが生じる部分とその上方領域に防護膜ＤＦが形成される構成となるので、配向乱れが生じた個所を含む壁画素電極ＰＸの立設部分に沿った光配向膜ＯＲＩの近傍に液晶層ＬＣが形成されることを防止できる。その結果、液晶層ＬＣの液晶分子の配向乱れを防止することができ、壁画素電極ＰＸの立設部分の近傍における光漏れを防止することができるので、液晶表示装置のダイナミックレンジを向上させることができ、表示画像の表示品質を向上できる。
【００５０】
ただし、第２基板ＳＵＢ２に形成されるブラックマトリクスＢＭのＸ方向の幅を大きく形成することにより、配向乱れ領域ＯＤＡの部分で透過したバックライト光を遮蔽する構成も可能である。しかしながら、ブラックマトリクスＢＭの形成精度及び第１基板ＳＵＢ１と第２基板ＳＵＢ２とを貼り合わせる際の位置合わせ精度等を考慮した場合、ブラックマトリクスＢＭの幅を配向乱れ領域ＯＤＡの幅Ｗの数倍で形成する必要がある。このために、本願発明の実施形態１の画素構成に比較して、ブラックマトリクスＢＭの幅を大きくする構成では、各画素の開口率が大幅に低下してしまい、表示品質が大幅に低下してしまうこととなる。これに対して、実施形態１の液晶表示装置では、前述するように、各画素の開口率の低下を抑えることができる。
【００５１】
なお、実施形態１の液晶表示装置では、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３に壁画素電極ＰＸのみを配置した壁状電極を有する液晶表示装置に本願発明を適用した場合について説明したが、この画素構造に限定されることはない。例えば、各画素の辺縁部に壁状の画素電極と壁状の共通電極とがそれぞれ配置される画素構造、すなわち透過領域を介して壁状電極が対向配置される画素構造の液晶表示装置にも適用可能である。
【００５２】
《実施形態２》
図４は本発明の実施形態２の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図であり、実施形態１の図２に対応する断面図である。ただし、実施形態２の液晶表示装置では、防護膜ＤＦの構成及び形成方法が異なるのみで、他の構成は実施形態１と同様となる。従って、以下の説明では、防護膜ＤＦについて詳細に説明する。
【００５３】
図４に示す実施形態２の液晶表示装置では、有機膜材料であるフォトレジスト材料で防護膜ＤＦが形成されている。この実施形態２の防護膜ＤＦの構成においても、実施形態１と同様に、光配向膜ＯＲＩの表面の内で、第１基板ＳＵＢ１の法線方向に延在する部分すなわち壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面に沿った部分を覆うように、その表面に防護膜ＤＦが形成される構成となっている。このとき、図４の丸印Ｃの拡大図Ｃ’から明らかなように、実施形態２の防護膜ＤＦの構成においても、実施形態１の防護膜ＤＦと同様に、防護膜ＤＦの絶縁膜ＰＡＳ５の側の端面が光配向膜ＯＲＩの水平領域と密着する構成となっている。すなわち、防護膜ＤＦの絶縁膜ＰＡＳ５の側の端面が光配向膜ＯＲＩの面内方向から法線方向に変化する領域をも覆うように形成されている。
【００５４】
その結果、光配向膜ＯＲＩの面内方向から法線方向に変化する領域に形成されることとなる配向乱れ領域ＯＤＡは防護膜ＤＦの絶縁膜ＰＡＳ５の側の端面に覆われる構成となり、実施形態２の防護膜ＤＦの構成においても、光配向膜ＯＲＩの初期配向乱れの生じる配向乱れ領域ＯＤＡを覆うと共に、光配向膜ＯＲＩの立設部分の上面には防護膜ＤＦが形成される構成となっている。よって、液晶分子が初期配向乱れ領域ＯＤＡに侵入することを防止でき、実施形態１と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
なお、実施形態２の防護膜ＤＦにおいては、後に詳述するように、周知のフォトレジスト膜と同様の露光・現像処理で形成される構成となっているので、防護膜ＤＦの角部がエッチングされ、液晶層ＬＣと接する側面は曲面形状となる。すなわち、現像処理により、実施形態２の防護膜ＤＦの上面（第２基板ＳＵＢ２の側の面）と共通電極ＣＴ１の側の側壁面との角部もエッチングされ、防護膜ＤＦの壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面側から第１基板ＳＵＢ１の面内方向の光配向膜ＯＲＩの表面に至る曲面形状となる。
【００５６】
〈防護膜の形成方法〉
次に、図５に本発明の実施形態２の液晶表示装置における防護膜の形成工程を説明するための図を示し、以下、図５に基づいて、実施形態２の防護膜ＤＦの形成方法について詳細に説明する。ただし、実施形態２の液晶表示装置においても、第１基板ＳＵＢ１に形成される防護膜ＤＦの形成工程を除く他の薄膜層の形成工程は従来と同様となる。従って、以下の説明では、本願発明に特徴的な防護膜ＤＦの形成工程について詳細に説明する。また、以下の説明では、フォトレジスト材料としてポジ型のフォトレジスト材料を用いた場合について説明する。
【００５７】
ａ）光配向膜の形成工程
実施形態２の光配向膜ＯＲＩの光配向処理においても、図５（ａ）に示すように、実施形態１と同様、偏光光ＬＴの内で、基板表面から突出する壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面の近傍に照射される偏光光ＬＴ１は、折れ線の矢印で示すように、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面に沿って垂直方向に延在する光配向膜ＯＲＩの表面等で反射される。この反射された偏光光ＬＴ１により、水平方向に延在する光配向膜ＯＲＩの壁電極絶縁膜ＰＡＳ３に沿った領域に配向乱れ領域ＯＤＡが形成されることとなる。
【００５８】
ｂ）フォトレジスト材料の塗布工程
次に、周知の液体状のフォトレジスト材料を第１基板ＳＵＢ１の上面を覆うように塗布した後に、仮ベイク処理（仮焼成処理）することにより、第１基板ＳＵＢ１の表面を覆う有機材料からなるレジスト膜ＲＥＧを成膜する。このとき、フォトレジスト材料はポジ型及びネガ型のいずれのレジスト材料であってもよい。なお、この塗布工程は通常のレジスト材料の塗布工程と同様である。
【００５９】
ｃ）露光・現像工程
次に、露光工程において、露光マスクを用いて、レジスト膜ＲＥＧの内で、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の側壁面に沿った部分を除く領域、すなわち壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面及び壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の近傍領域を除く隣接間並びに壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の近傍領域の上側部分のみを露光する。この露光では、フォトレジスト材料としてポジ型のフォトレジスト材料を用いる場合、露光した領域の溶解性が増大される。このときの露光工程では、防護膜ＤＦの上方部分のレジスト膜ＲＥＧもエッチングする必要があるので、防護膜ＤＦが形成される領域への露光は周知のハーフ露光等を適宜行う。これにより、第１基板ＳＵＢ１の面内方向と平行をなす領域のレジスト膜ＲＥＧが露光領域となるので、後述の現像工程において、レジスト膜ＲＥＧを現像した際に、防護膜ＤＦの上端が壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面の光配向膜ＯＲＩの表面よりも突出しない構成とすることができる。
【００６０】
なお、実施形態２の防護膜ＤＦの構成においては、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面に形成される光配向膜ＯＲＩの表面が第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＣの側の面と当接する又は近接する構成となるので、防護膜ＤＦの上端が壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面の光配向膜ＯＲＩの表面よりも突出しない構成とするものである。従って、壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面に形成される光配向膜ＯＲＩの表面が第２基板ＳＵＢ２の液晶層ＬＣの側の面と当接する又は近接しない構成の場合には、防護膜ＤＦの上端が壁電極絶縁膜ＰＡＳ３の頭頂面の光配向膜ＯＲＩの表面よりも突出する構成であってもよい。すなわち、防護膜ＤＦを形成する部分へのハーフ露光等を行うことなく、通常の露光マスクを用いた露光で防護膜ＤＦを形成できる。
【００６１】
次に、現像工程において、露光領域のレジスト膜ＲＥＧを除去することにより、図３（ｃ）に示す防護膜ＤＦが形成される。このとき、防護膜ＤＦの上面と共通電極ＣＴ１の側の側壁面との角部もエッチングされ、防護膜ＤＦの側壁面は曲面形状となる。
【００６２】
以上説明したように、実施形態２の防護膜ＤＦの形成方向においては、光配向膜ＯＲＩの形成の後に、フォトレジスト材料の塗布工程、露光工程、及び現像工程を追加するのみで、防護膜ＤＦを形成できるという効果を得ることができるので、防護膜ＤＦの形成に伴う生産効率の低下を最小限に抑制することができる。
【００６３】
なお、実施形態２の液晶表示装置では、防護膜ＤＦをレジスト材料で形成する場合について説明したが、これに限定されることはない。例えば、絶縁膜ＰＡＳ５のように平坦化膜を形成する際に用いるアクリル樹脂等の他の感光性の有機膜材料を用いる構成であってもよい。
【００６４】
《実施形態３》
図６は本発明の実施形態３の液晶表示装置における画素構成を説明するための断面図であり、実施形態１の図２に対応する断面図である。ただし、図６に示す画素構成では、防護膜ＤＦの構成を除く他の構成は実施形態１と同様となるので、以下の説明では，防護膜ＤＦについて詳細に説明する。
【００６５】
図６に示すように、実施形態３の構成では、光配向膜ＯＲＩの配向乱れ領域ＯＤＡの表面に、その膜厚が他の薄膜層と同程度となる防護膜ＤＦが形成される構成となっている。従って、実施形態３の画素構造では、防護膜ＤＦの第２基板ＳＵＢ２の側には液晶層ＬＣが形成される構成となっている。すなわち、実施形態３の画素構成では、光配向膜ＯＲＩの上面である第１基板ＳＵＢ１の全面に、例えば、周知の無機絶縁膜材料から薄膜層を成膜した後に、防護膜ＤＦの形状に対応したエッチングマスクを形成し、該エッチングマスクを用いて薄膜層をパターニングした後に、エッチングマスクを除去することにより、実施形態３の防護膜ＤＦを形成する。この実施形態３の防護膜ＤＦは、第１基板ＳＵＢ１の面内方向に沿って形成される光配向膜ＯＲＩの表面に、第１基板ＳＵＢ１の法線方向が防護膜ＤＦの膜厚方向となる構成が実施形態１，２の防護膜ＤＦと異なる構成となっている。なお、このときのエッチングマスクとして、例えば、実施形態２の防護膜ＤＦを用いる構成であってもよい。
【００６６】
この実施形態３の画素構造では、図６中の丸印Ｄの拡大図Ｄ’に示すように、防護膜ＤＦと第２基板ＳＵＢ２との間の領域すなわち防護膜ＤＦの上面にも液晶層ＬＣが形成されることとなるが、防護膜ＤＦのＸ方向の幅は非常に狭い幅となる。さらには、防護膜ＤＦは液晶分子の配向に影響を与えない薄膜材料で形成されているので、防護膜ＤＦと第２基板ＳＵＢ２との間の液晶分子の初期配向は、近傍の液晶分子の初期配向方向と揃うように配向されることとなる。従って、実施形態３の液晶表示装置においても、黒表示時における初期配向乱れに伴うバックライト光の透過を防止でき、ダイナミックレンジを向上させることができる。
【００６７】
また、実施形態３の構成では、防護膜ＤＦの上面部分配向乱れ領域ＯＤＡの上面部分にも液晶層ＬＣが形成される構成となり、この領域もバックライト光の透過する領域として表示に寄与することが可能となる。従って、開口率の低下を防止できるという格別の効果を得ることもできる。
【００６８】
なお、実施形態１〜３の液晶表示装置においては、壁画素電極ＰＸ及び壁状の共通電極ＣＴ１の第１基板ＳＵＢ１側の端部から当該第１基板ＳＵＢ１の面内方向に延在する延在部を形成し、絶縁膜ＰＡＳ２を介して該延在部を対向配置させ、保持容量Ｃｓｔを形成する構成としたが、これに限定されることはない。例えば、壁画素電極ＰＸ及び壁状の共通電極ＣＴ１の延在部を設けない構成、すなわち、保持容量Ｃｓｔを別に形成する構成であってもよい。
【００６９】
また、実施形態１〜３の液晶表示装置においては、Ｙ方向が長手方向となり、Ｘ方向が短手方向となる矩形形状の画素に本願発明を適用した場合について説明したが、画素の形状はこれに限定されない。例えば、画素の長手方向の中心よりも上側領域ではＹ方向に対して時計回りに画素が傾斜し、中心よりも下側領域ではＹ方向に対して反時計回りに画素が傾斜する、いわゆるマルチドメイン形状等の他の形状の画素にも適用可能である。
【００７０】
さらには、実施形態１〜３の液晶表示装置においては、画素の両端から延在する一対の壁画素電極ＰＸを映像信号が供給されるソース電極とし、一対の壁画素電極ＰＸの間に配置される擬似壁共通電極を共通信号が供給されるコモン電極とするが、画素両端の壁画素電極ＰＸに共通信号を供給し、擬似壁共通電極に映像信号を供給する構成としてもよい。ただし、第２基板ＳＵＢ２の側に形成される共通電極ＣＴ２に薄膜トランジスタＴＦＴの出力を接続する構成は非常に困難となるので、第２基板ＳＵＢ２側に形成され共通電極ＣＴ２は設けない構成とする。
【００７１】
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
【符号の説明】
【００７２】
ＰＮＬ……液晶表示パネル、ＳＵＢ１……第１基板、ＳＵＢ２……第２基板
ＡＲ……表示領域、ＤＲ……駆動回路、ＦＰＣ……フレキシブルプリント基板
ＳＬ……シール材、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＤＬ……映像信号線（ドレイン線）
ＣＬ……共通信号線（コモン線）、ＧＬ……走査信号線（ゲート線）、ＬＣ……液晶層
ＰＸ……壁画素電極、ＣＴ１，２……共通電極、Ｃｓｔ……保持容量、ＤＦ……防護膜
ＢＭ……ブラックマトリクス（遮光膜）、ＣＦ……カラーフィルタ、ＯＲＩ……光配向膜
ＯＣ……オーバーコート層、ＰＡＳ１，２……絶縁膜、ＰＡＳ３……壁電極絶縁膜 
ＰＡＳ４……擬似壁電極絶縁膜 、ＰＡＳ５……絶縁膜（平坦化膜）、ＴＦ……薄膜層
ＯＤＡ……配向乱れ領域、ＬＴ，ＬＴ１……偏光光
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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