(57)【要約】      （修正有）【課題】様々な許容熱履歴を有するワークに対応できる半田ダイボンダ及びボンディング方法を提供。【解決手段】ワーク５を搬送する搬送路２１にワーク５を直列状に複数供給し、直列状に供給された複数のワーク５を所定のピッチで間欠送りし、供給装置３を制御し搬送路２１にワーク５が存在しない供給パターンを形成し、搬送路２１上のワーク５に半田を塗布し、半田が塗布されたワーク５に半導体素子９を装着する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ワークを搬送する搬送路上に前記ワークを直列状に所定の間隔で複数供給する供給装置と、
前記直列状に供給された複数の前記ワークを所定のピッチで間欠搬送する搬送装置と、
前記供給装置が前記搬送路上に前記ワークを間引いて供給するように供給パターンを制御する制御装置と、
前記搬送路上の前記ワークに半田を塗布する塗布装置と、
前記半田が塗布された前記ワークに半導体素子を装着する装着装置と、
を有することを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項２】
請求項１に記載の半田ダイボンダであって、
前記供給パターンは、Ｍ（≧０の整数）個おきに前記ワークが供給される供給パターンであることを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項３】
請求項２に記載の半田ダイボンダであって、
前記供給パターンは、複数の前記Ｍ個おきに前記ワークが供給される供給パターンであることを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項４】
請求項１に記載の半田ダイボンダであって、
前記供給パターンは、Ｌ（≧０の整数）個おきに前記ワークが間引かれて供給される供給パターンであることを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項５】
請求項４に記載の半田ダイボンダであって、
前記供給パターンは、複数の前記Ｌ個おきに前記ワークが間引かれて供給される供給パターンであることを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項６】
請求項１に記載の半田ダイボンダであって、
前記供給装置は、前記ワークをＫ（≧１の整数）単位で供給し、
前記供給パターンは、（Ｍ（≧０の整数）＋１）×Ｋ個おきに前記ワークがＫ個供給される供給パターンであることを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載の半田ダイボンダであって、
前記ワークの持つ許容熱履歴と熱履歴とを規定する規定条件とに基づいて前記供給パターンを決定する決定手段を有することを特徴とする半田ダイボンダ。
【請求項８】
ワークを搬送する搬送路上に前記ワークを直列状に所定の間隔で複数供給する供給ステップと、
前記直列状に供給された複数の前記ワークを所定のピッチで間欠搬送する搬送ステップと、
前記供給装置が前記搬送路上に前記ワークを間引いて供給するように供給パターンを制御する制御ステップと、
前記搬送路上の前記ワークに半田を供給する塗布ステップと、
前記半田が塗布された前記ワークに半導体素子を装着する装着ステップと、
を有することを特徴とするボンディング方法。
【請求項９】
請求項８に記載のボンディング方法であって、
前記供給パターンは、Ｍ（≧０の整数）毎おきに前記ワークが供給される供給パターンであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１０】
請求項９に記載のボンディング方法であって、
前記供給パターンは、複数の前記Ｍ個おきに前記ワークが供給される供給パターンであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１１】
請求項８に記載のボンディング方法であって、
前記供給パターンは、Ｌ（≧０の整数）個おきに前記ワークが間引かれて供給される供給パターンであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のボンディング方法であって、
前記供給パターンは、複数の前記Ｌ個おきに前記ワークが間引かれて供給される供給パターンであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１３】
請求項８に記載のボンディング方法であって、
前記搬送路上に前記ワークをＫ（≧１の整数）単位で供給し、
前記供給パターンは、（Ｍ（≧０の整数）＋１）×Ｋ個おきに前記ワークがＫ個供給される供給パターンであることを特徴とするボンディング方法。
【請求項１４】
請求項８乃至１３のいずれかに記載のボンディング方法であって、
前記ワークの持つ許容熱履歴と熱履歴とを規定する規定条件とに基づいて前記供給パターンを決定する決定ステップを有することを特徴とするンディング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半田ダイボンダの搬送路上を間欠搬送されるヒートシンクや基板等のワークに半導体素子を装着する半田ダイボンダ及びボンディング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半田ダイボンダは、搬送路上の複数の送り爪を一定のピッチで間欠搬送し、搬送路上に載置したヒートシンクやフレームなどのワークを搬送し、搬送されてきたワークに接合部材である半田を添加し、その半田の上に半導体素子を装着（ボンディング）する装置である。このような従来技術としては、特許文献１がある。
特許文献１に記載された技術は、図４に示すように搬送路上の全ての送り爪にワークを供給して、ワークを処理している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２６６０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、昨今は、鉛フリー半田を代表する様々な成分の半田が使用されるようになり、熱履歴（加熱温度×加熱時間）の許容値も様々に変化しており、耐え得る熱履歴が低くなる場合がある。また、搬送路上に供給されるワーク（半導体素子を搭載する基板や基板に搭載される半導体素子、ヒートシンクや基板の表面処理材等を含む）においても、その材質等が様々であり、許容される熱履歴は制限されることになる。搬送路を長くすることも可能であるが、装置自体が大型化する。また、ワークの許容熱履歴毎に搬送路の長さ等を変えた装置を用いることも可能であるが、許容熱履歴は多様であり、コスト的に好ましくない。
【０００５】
従って、本発明の目的は、様々な許容熱履歴を有するワークに対応できる半田ダイボンダ及びボンディング方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上記目的を達成するため、少なくとも以下の特徴を有する。
本発明は、半田ダイボンダ又はボンディング方法において、ワークを搬送する搬送路に前記ワークを直列状に所定の間隔で複数供給し、前記直列状に供給された複数の前記ワークを所定のピッチで間欠送りし、前記供給装置を制御し前記搬送路上の送り爪に所定の間隔でワークを間引いて供給する供給パターンを形成し、前記搬送路上の前記ワークに半田を塗布し、前記半田が塗布された前記ワークに半導体素子を装着することを特徴とする。
【０００７】
また、本発明は、前記供給パターンをＭ個（≧０の整数）おきに前記ワークを供給するパターンとしてもよい。
さらに、前記供給パターンを複数の前記Ｍ個おきに形成されるパターンとしてもよい。
【０００８】
また、本発明は、前記供給パターンをＬ個（≧０の整数）おきに前記ワークが間引かれる供給パターンとしてもよい。
さらに、前記供給パターンを複数の前記Ｌで形成されるパターンとしてもよい。
【０００９】
また、本発明は、前記搬送路上に前記ワークをＫ個（≧１の整数）単位で供給し、前記供給パターンは、（Ｍ（≧０の整数）＋１）×Ｋ個おきに前記ワークがＫ個供給される供給パターンとしてもよい。
さらに、前記ワークの持つ許容熱履歴と熱履歴を規定する規定条件とに基づいて前記供給パターンを決定してもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、様々な許容熱履歴を有するワークに対応できる半田ダイボンダ及びボンディング方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態である半田ダイボンダを示す図である。
【図２】ワークの供給装置の構成を模式的に示し、その動作を説明する図である。
【図３】本発明の第２の実施形態である半田ダイボンダを示す図である。
【図４】第２の実施形態である半田ダイボンダにおいて、搬送路と各ステーションの構成を模式的に、さらに加熱範囲及び冷却範囲を示した図である。
【図５】供給パターン形成方法の第１の実施形態である供給間隔Ｍを変える実施例１において、１個おき（供給間隔Ｍ＝１）に供給された供給路上のワークの状態を示す図である。
【図６】供給間隔Ｍを変える実施例１において、２個おき（供給間隔Ｍ＝２）に供給された供給路上のワークの状態を示す図である。
【図７】供給間隔Ｍを変える実施例１において、３個おき（供給間隔Ｍ＝３）に供給された供給路上のワークの状態を示す図である。
【図８】供給間隔Ｍを変える実施例１において、供給間隔Ｍを設定する画面を示す図である。
【図９】供給間隔Ｍを変える実施例２を示し、実施例１の図６に対応し、供給間隔Ｍ＝２、供給単位Ｋ＝２のケースの供給路上のワークの状態を示す図である。
【図１０】実施例１の図８に対応し、実施例２の供給間隔Ｍを設定する画面である。
【図１１】供給パターン形成方法の第２の実施形態である間引間隔Ｌを変える実施例３において、２個おきにワークを間引きして供給する場合（間引間隔Ｌ＝２）の供給路上のワークの状態を示す図である。
【図１２】間引間隔Ｌを変える実施例３において、３個おきにワークを間引きして供給する場合（間引間隔Ｌ＝３）の供給路上のワークの状態を示す図である。
【図１３】間引間隔Ｌを変える実施例３において、間引間隔Ｌを設定する画面を示す図である。
【図１４】供給パターン形成方法の第３の実施形態である供給間隔Ｍが混在した供給パターンの例における供給路上のワークの状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下図面に基づき、本発明の実施形態を説明する。図１は、本発明の第１の実施形態である半田ダイボンダ１を示す図である。半田ダイボンダ１は、ヒートシンクや基板等の２枚Ａ、Ｂのワーク５を基台２０に凹上に設けられた搬送路２１に同時に供給する供給装置３と、供給されたワーク５を各処理位置に間欠に搬送する搬送装置２と、搬送路２１上のワーク５に半導体素子を装着するために半導体素子であるチップ９との接合材となる半田を塗布する２台の塗布装置４Ａ、４Ｂと、半田が塗布されたワーク５に半導体素子を装着する２台の装着装置６Ａ、６Ｂと、装着装置６Ａ、６Ｂとで処理されたワーク５を取出す取出装置７と、これらを制御する制御装置５０を有する。
【００１３】
なお、搬送路２１上のワーク５の下側に付したＡ、Ｂは、同時に供給された２枚のＡ、Ｂのワークが供給する度にシフトしていった状態を示す。また、本実施形態ではワーク５が間欠に搬送されるので停止中に各処理を行う必要がある。このような各処理を行うためにワーク５が停止する処理位置の各々をステーションと呼ぶ。そして、各装置及び各ステーションの添え字Ａ、Ｂは、ＡはＡのワーク５を、ＢはＢのワーク５を処理することを示す。例えば、供給装置３により搬送路２１に供給する処理位置を供給ステーション３Ａｓ、３Ｂｓと、塗布する処理位置をそれぞれ塗布ステーション４Ａｓ、４Ｂｓと、ワーク５に半導体素子を装着する処理位置をそれぞれ装着ステーション６Ａｓ、６Ｂｓと、半導体素子が装着されたワークを取り出す処理位置をそれぞれ取出ステーション７Ａｓ、７Ｂｓと呼ぶ。なお、各装置、各ステーションに関し、Ａ、Ｂの区別が必要ないときはＡ、Ｂを省略する。
【００１４】
上記の半田ダイボンダ１において、塗布装置４Ａで半田を塗布されたワーク５は装着装置６Ａで処理され、塗布装置４Ｂで半田を塗布されたワーク５は装着装置６Ｂで処理される。本実施形態では装着装置６Ａ、６Ｂは、５ピッチ離れた位置に配置しているが、奇数ピッチ離れた箇所ではどこでもよい。なお、装着装置６Ａと、装着装置６Ａの前処理装置である塗布装置４Ａとを装着ユニット８Ａといい、同様に装着装置６Ｂと、装着装置６Ｂの前処理装置である塗布装置４Ｂとを装着ユニット８Ｂという。前処理装置には、塗布装置の他、ワーク上に塗布された半田をコテ状のツールにより形成する半田形成装置を設ける場合がある。
【００１５】
搬送装置２は、ワーク５が移動する搬送路２１と、搬送方向（矢印Ｈ）に沿って設けられるトランスファ２３と、搬送路２１上の各ワーク５を係止して移動させるためにトランスファ２３に所定間隔毎に設けられる複数の送り爪２４と、トランスファ２３を所定間隔で規定される所定のピッチで往復動作させる往復駆動源（図示せず）と、駆動源によりトランスファ２３を１ピッチ往動作により移動させた後、下端の軸（図示せず）を支点として上方へ遥動させてワーク５と送り爪２４との係止を解除する遥動駆動源（図示せず）とを備えている。このトランスファ２３の所定長さの１ピッチずつの往復動作と上下動作によって、ワーク５は矢印Ｈ方向に間欠に搬送される。
【００１６】
塗布装置４Ａ、４Ｂは、それぞれ塗布ノズル４Ａｎ、４Ｂｎを有し、ワークの所定の位置に半田を塗布する。図１では塗布したことをシンボル的に示すためにワーク上に丸（○）を付している。また、装着装置６Ａ、６Ｂは、それぞれ装着ヘッド６ｈを有し、ウェハ保持部６ｗで保持されたウェハ１０からチップ９をピックアップし、位置決め用カメラ６ｃで撮像されたチップの姿勢に基づいて位置が補正されて、ワーク５上にチップ９を装着する。図１では装着したことをシンボル的に示すためにワーク上に４角形（□）を付している。
【００１７】
このような構成によって、ワーク５は搬送路２１の上流から供給され、ワーク５はトランスファ２３の送り爪２４によって間欠に送られ、ワーク５が停止している間に塗布ステーション４Ａｓ、４Ｂｓで半田が塗布され、装着ステーション６Ａｓ、６Ｂｓでチップが装着されて、取出ステーション７Ａｓ、７Ｂｓで外部に取り出される。
【００１８】
次に、本発明の実施形態の供給装置３の構成と動作及び半田ダイボンダ１を構成する供給ステーション３ｓ、塗布ステーション４ｓ、及び装着ステーション６ｓとの位置関係を説明する。
【００１９】
まず、図２を用いて供給装置３の構成と動作を説明する。図２は供給装置３及び供給ステーション３Ａｓ、３Ｂｓの周辺を模式的に示す図である。
供給装置３は、基台３１、基台に凹状に構成されたワーク５を供給する供給路３２と、供給路に存在するワーク５を搬送路２１に２個同時に押出すＵの字状の供給プッシャ３３と、供給路３２にワーク５を載置する供給部３７とを有する。
【００２０】
供給部３７は、ワーク５を有し、そのワーク５を搬送路３２に供給するワーク供給ボックス３７ａと、供給路３２上に供給されたワーク５を矢印Ｊ方向に移動させる分配プッシャ３７ｂを有する。
【００２１】
供給プッシャ３３は、Ｕ字状の形状を有し、左右のプッシャ部３３Ａ、３３Ｂが押出供給路３８Ａ、３８Ｂ上を移動して、それぞれが供給路３２上のワーク５を搬送路２１上に供給する。この時、押出供給路３８Ａと３８Ｂとの分岐点にはワーク５を吸着する吸着孔３６Ａ、３６Ｂがあり、吸着孔３６Ａと３６Ｂがワーク５を吸着し、それぞれの分岐点にワーク５が存在することを検出する。
【００２２】
ガイド機構３４、３５は、ワーク５より小さい大きさを有し、昇降可能な機構（図示せず）を有する。ガイド機構３４は、ワーク５を供給路３２に供給する時に、上昇してワーク５が押出供給路３８Ｂに供給されないようにガイドする。ガイド機構３５は、ワーク５を押出供給路３８Ａ、３８Ｂ上を移動させる時に、やや上昇して分岐点上のワークが押出供給路３８Ｂに確実に供給されるようにガイドする。
【００２３】
次に、半田ダイボンダ１を構成する供給ステーション３ｓ、塗布ステーション４ｓ、及び装着ステーション６ｓとの位置関係を説明する。
【００２４】
供給ステーション３Ａｓ、３Ｂｓには同時に２個のワーク５が供給される。その後、トランスファ２３の送り爪２４を２個分の長さ分、即ち２ピッチ分間欠に往移動し、トランスファ２３を上昇させ、また元の位置に戻る復移動する往復移動を行う。この往復動作を繰り返す。その結果、図１に示すように各送り爪２４に供給ステーション３Ａｓ、３Ｂｓから供給されたワーク５が、Ｂ、Ａ、Ｂ、Ａ、・・・・と並ぶ。即ち、Ａの位置が偶数の位置になり、Ｂが奇数の位置となる。そこで、偶数Ａの位置にいるワーク５は、塗布ステーション４Ａｓで半田を塗布され、装着ステーション６Ａｓでチップ９が装着される。同様に、偶数Ｂの位置にいるワーク５は、塗布ステーション４Ｂｓで半田を塗布され、装着ステーション６Ｂｓでチップ９が装着される。
【００２５】
以上の説明では、半田ダイボンダ１は、一度に２個のワーク５を搬送路２１上に供給する供給装置３と、２個のワークをそれぞれ処理する２台の塗布装置４Ａ、４Ｂと、２台の装着装置６Ａ、６Ｂとを有している。
【００２６】
なお、２個だけでなく、ワーク５を一度に３個以上搬送路２１上に供給してもよい。また、複数個同時に供給しても、装着ユニット８は１ユニットでもよい。
【００２７】
一方、図３に示す本発明の第２の実施形態である半田ダイボンダ１Ａは、ワーク５を１個ずつ搬送路２１上に供給され、１個ずつ間欠送りされ、１台の塗布装置４と、１台の装着装置６でワーク５を順に処理する。図３では、図１と同じ機能を果たすものは、添え字Ａ、Ｂを除いた符号として表す。従って、図３に示す各構成の動作は、２個ずつ間欠送りされ、２台の塗布装置と２台の装着装置で処理されるということ以外は、図１と同じである。
【００２８】
図１、図３に示す半田ダイボンダ１、１Ａにおいて、高温の半田がワーク５に溶融・塗布される。また、チップ９を半田上に確実装着するために、搬送路２１上のワーク５は、半田の融点以上の温度に加熱され、その後冷却される。ワーク５は、熱容量が小さいために供給されると、直ぐ加熱温度となる。なお、図１、図３において、加熱装置や冷却装置は、図示していない。
【００２９】
ワークの熱履歴ＴＨは、（加熱温度Ｔ）×（加熱時間Ｈ）で定義される。熱履歴ＴＨには制約があり、許容熱履歴内で処理されなければならない。課題で述べたように、昨今は、鉛フリーはんだに代表される様々な成分の半田が使用されるようになり、ワークの熱履歴の許容範囲は、厳しいものとなり、搬送路上の全ての送り爪２４にワーク５を供給すると、搬送路上のワーク５に施される様々な処理に要する時間等の制約により、熱履歴を許容範囲内に収めることができない場合がある。そこで、ワーク５の許容熱履歴毎に搬送路２１の長さ等を変更した装置を用いることも可能であるが、許容熱履歴は多様であり、コスト的に好ましくない。
【００３０】
そこで、搬送路２１上の送り爪にワークが存在しない供給パターンを形成することでワークの許容熱履歴を満足する供給パターンを形成する方法（手段）について説明する。
【００３１】
そこで、まず、許容熱履歴内に収まるように、ワーク５を搬送路２１上に一定の供給間隔（一定の送り爪数）毎に繰り返して供給するパターンを有する供給パターン形成方法（手段）の第１の実施形態の実施例を説明する。
【００３２】
（実施例１）
半田ダイボンダの第２の実施形態である図３に示す半田ダイボンダ１Ａに適用した供給パターン形成方法の第１の実施例を説明する。
図４は、第２の実施形態である半田ダイボンダ１Ａにおいて、搬送路２１と各ステーションの構成を模式的に、さらに加熱範囲ＨＲ及び冷却範囲ＣＲを示した図である。加熱範囲ＨＲは、ワーク５が搬送路２１上に供給される供給ステーション３ｓから、チップ９が装着されチップ９が加熱範囲ＨＲと冷却範囲ＣＲとの境界位置１１までの間である。冷却範囲ＣＲは、境界位置１１からワーク５が取出される取出ステーション７ｓまでの間である。なお、境界位置１１は、半田ダイボンダ１Ａの仕様によって異なり、冷却範囲ＣＲにおける冷却温度が装着装置や装着ステーションに影響を及ぼさない位置に設けられる。
【００３３】
熱履歴の問題は、使用される半田が決まれば加熱温度Ｔが決まり、加熱範囲ＨＲでは加熱温度Ｔはほぼ一定となるので、加熱時間Ｈが問題となる。
【００３４】
ワークの処理は間欠的に停止して行われるから、加熱温度Ｔと加熱時間Ｈとの積で表される熱履歴ＴＨは式（１）で定義される。
ＴＨ＝Ｔ×（加熱範囲ＨＲの搬送時間（ＣＴ）＋ワークの処理時間（ＡＴ））（１）
加熱範囲ＨＲの搬送時間ＣＴは、間欠送りの間隔である搬送ピッチＰの搬送時間ＰＴが一定であれば変化しない。即ち、加熱範囲ＨＲ内の搬送ピッチ数をＮとすれば、式（２）となる。
ＣＴ＝Ｎ×ＰＴ                                                        （２）
問題は、ワークの処理時間ＡＴである。ワークの処理時間ＡＴは、あるワーク５が加熱範囲ＨＲを搬送され、処理が施されるワークと当該ワークの前後に配置された処理前および処理後のワークの全てのワーク処理時間を合計したものである。例えば、加熱範囲ＨＲの中に当該ワークを含めてワークが１０個存在する場合、１個のワークの処理時間をＤＴとすると、ワークの処理時間ＡＴは１０×ＤＴとなる。
【００３５】
実施例１では、加熱範囲ＨＲ内の搬送ピッチ数をＮとし、一定の供給間隔（一定の送り爪数）Ｍ個おきにワーク５を搬送路２１上に供給する。その場合、加熱範囲ＨＲ内に処理すべきワーク数は、Ｎ／（Ｍ＋１）となるから、ワークの処理時間ＡＴは式（３）となる。
ＡＴ＝ＤＴ×（Ｎ／（Ｍ＋１））                                        （３）
また、ワーク５に施される処理の数は多く、ワーク５を搬送路２１上に供給する供給処理、半田の塗布処理、チップ９の装着処理、処理されたワーク５を搬送路２１上から取出す処理等がある。それらの処理は間欠的に並行して行われるから、それらの処理のうち最大の処理時間ＭＤＴを有する処理の処理時間がワーク１個の処理時間ＭＤＴとなる。
以上の説明より、ワーク５を処理するために必要な熱履歴ＮＴＨは、最終的には式（４）となる。
ＮＴＨ＝Ｔ×（Ｎ×ＰＴ＋ＭＤＴ×（Ｎ／（Ｍ＋１）））                  （４）
図８は、供給間隔Ｍを設定する画面を示す。図８では、図４に示すワーク５の許容加熱時間ＡＨと入力条件とが、画面左側に表示されている。このワークの許容加熱時間ＡＨは、１２０secである。図８に示される許容加熱時間を規定する規定条件は、搬送ピッチの搬送時間ＰＴが１sec、加熱範囲ＨＲ内の搬送ピッチ数Ｎが５０、ワークの最大処理時間ＭＴＤが半田塗布の２secである。許容加熱時間ＡＨや許容熱履歴ＡＴＨ等の規定条件は、ワークのライブラリデータに記憶していてもよいし、作業員が入力してもよい。
【００３６】
規定条件は、図８に示す規定条件の他、ワーク５の種類、加熱温度、半田の種類等の様々な因子がある。許容加熱時間ＡＨは、それらによって異なる。図８や後述する図１０に示す規定条件は、一例であり、様々な因子の影響を受けて示された値である。
【００３７】
図４に示す間引きしない従来の方法、即ち供給間隔Ｍ＝０のケースでは、必要な加熱時間ＮＨは１５０secとなり、図８に示される許容加熱時間ＡＨの１２０secより大きくなる。従って、従来の方法（供給間隔Ｍ＝０）では、熱履歴条件を満足しない。
【００３８】
一方、図５、図６及び図７に示すＭ＝１、２及び３のケースにおける必要な加熱時間ＮＨは、画面右側に示すように、それぞれ、１００sec、８３sec及び７５secとなる。そこで、運転員は、許容加熱時間ＡＨの１２０secを満足する供給間隔Ｍ＝１の場合、即ち必要な加熱時間ＮＨが１００secとなる供給間隔Ｍ＝１を選ぶ、又は、ワーク５の持つ許容加熱時間ＡＨと許容熱履歴ＡＴＨとを規定する規定条件とに基づいて供給パターンを決定する決定手段に基づいて自動的に供給間隔：１と表示・選択する。その後、運転に必要なその他の条件を決定する必要な作業を終了させ、供給間隔Ｍ＝１で運転に入る。
なお、図５、図６及び図７に、ワーク５が存在する送り爪２４のワークを実線で示し、ワークが存在しない送り爪２４のワークを破線で示している。
【００３９】
（実施例２）
図９、図１０は、半田ダイボンダの第２の実施形態である図１に示す供給単位Ｋ＝２個単位にワーク５を供給する半田ダイボンダ１に適用した供給間隔Ｍを変える実施例２を説明する図である。なお、供給単位Ｋは３以上でもよい。
図９は、実施例１の図６に示す供給間隔Ｍ＝１に対応する実施例２を示し、実施例２では、供給単位Ｋで、即ちＫ×Ｍ個のワーク５が供給されない例である。即ち、ワーク５は、(Ｍ+１)×Ｋ個毎にＫ個、搬送路２１上に供給される。供給単位Ｋ＝２、供給間隔Ｍ＝２の場合は、２×（２＋１）＝６個毎に２個、搬送路２１上に供給される。図９においても、図６と同様に、ワーク５が存在する送り爪２４のワークを実線で示し、ワークが存在しない送り爪２４のワークを破線で示している。図１０は、実施例１の図８に対応し、実施例２の供給間隔Ｍを設定する画面である。なお、図１０に、供給間隔Ｍと同様、供給単位Ｋを入力するＧＵＩを設けて、これらの組み合わせに基づいて装置の運転方法を設定する。
【００４０】
実施例２の場合は、供給単位Ｋが２個の場合であり、処理すべきワーク５の数が実施例１に比べて増加するため加熱時間が長くなり、熱履歴ＴＨも高くなる。従って、ワーク５の許容加熱時間ＡＨである１００secを満足する条件はより厳しくなる。規定条件は、実施例１と搬送ピッチの搬送時間ＡＴとワーク最大処理時間ＭＤＴとが同じであり、加熱範囲ＨＲの搬送ピッチ数が７２と多くなっている。
【００４１】
上述したように、ワーク５は、(Ｍ＋１)×Ｋ個毎にＫ個、搬送路２１上に供給されるから、加熱範囲ＨＲ内における繰り返しサイクル数は、Ｎ／（（Ｍ＋１）×Ｋ）となる。その結果、ワーク５を処理するために必要な加熱時間ＮＨは、式（５）となる。
ＮＨ＝Ｎ×ＰＴ＋ＭＤＴ×（Ｎ／（Ｍ＋１）×Ｋ））                      （５）
供給間隔Ｍの各候補に対する必要な加熱時間ＮＨは、図１０の右側の表となり、許容熱履歴ＡＴＨを満足するケースは、図９に示す供給間隔Ｍ＝２、供給単位Ｋ＝２のケースとなる。
【００４２】
（実施例３）
次に、一定の供給間隔Ｍ個おきにワーク５を搬送路上に供給する第１の実施形態と異なり、搬送路上に供給するワーク５を一定の間引間隔Ｌで間引きする供給パターンの形成方法の第２の実施形態を説明する。
供給パターン形成方法（手段）の第２の実施形態の例として、図３に示す半田ダイボンダ１に適用した場合の例を代表して供給パターン形成方法（手段）の実施例３で説明する。実施例３の半田の融点温度、許容熱履歴ＡＴＨ及び規定条件は、実施例１と同じとする。
【００４３】
実施例３では、ワーク５を間引き供給せずに運転するケースは実施例１の図４と同じであり、１個おきにワーク５を間引き供給して運転するケースは実施例１の図５と同じであるので図を省略する。図１１、図１２は、それぞれ、２個おき、３個おきにワーク５を１個間引きして供給する例を示す。
【００４４】
実施例３において、Ｌ個おきのケースでは、Ｌ個処理して１個処理しないから、加熱範囲ＨＲ内に存在する処理すべきワーク数は、Ｎ×（Ｌ／（Ｌ＋１））となり、そのワークの処理時間ＡＴは式（６）、式(６´)となる。
ＡＴ＝ＭＤＴ×Ｎ×（Ｌ／（Ｌ＋１））  （Ｌ≧１以上の整数）          （６）
ＡＴ＝ＭＤＴ×Ｎ                      （Ｌ＝０）                  （６´）
従って、ワーク５を処理するために必要な加熱時間ＮＨは、式（７）となる。
ＮＨ＝Ｎ×ＰＴ＋ＭＤＴ×Ｎ×（Ｌ／（Ｌ＋１））  （Ｌ≧１以上の整数）  （７）
図１３は、間引間隔Ｌを設定する画面である。間引間隔Ｌの各候補に対する必要な加熱時間ＮＨを、図１３の右側の表に示す。その結果、許容加熱時間ＡＨを満足し、最も大きな値を示す場合は、Ｌ＝２のケースとなる。本ケースは、加熱範囲ＨＲにおいて処理できるワーク数は３３個であり、１個当たりの処理時間は、約３．５secとなる。一方、実施例１での加熱範囲ＨＲにおいて処理できるワーク数は２５個であり、１個当たりの処理時間は、約４．０secとなる。
【００４５】
従って、実施例１と同じ半田の融点温度、許容熱履歴ＡＴＨや規定条件では、実施例３の方がスループットの高い生産性の高い半田ダイボンダ１Ａを提供できる。
【００４６】
以上説明した実施形態１乃至３は、一定の供給間隔Ｍや供給単位Ｋ、間引間隔Ｌ、若しくはこれらの組み合わせでワーク５を処理する例である。
【００４７】
（実施例４）
実施例４は、実施形態３のうち複数の供給間隔Ｍ（例えば供給間隔Ｍ１と供給間隔Ｍ２）が混在したパターンを設けて、ワークを処理する供給パターンを形成する方法である。実施例４の規定条件は実施例１と同じで、許容加熱時間ＡＨは半田の融点が高くなったことにより、８０secと短時間であるとする。この条件では、実施例１では、供給間隔Ｍ＝３の設定となり、加熱範囲ＨＲにおけるワーク５の処理個数は１２．５個、許容加熱時間ＡＨは７５secとなり、５secの余裕がある。
【００４８】
そこで、実施例４では、可能な限り許容加熱時間ＡＨ＝８０secに近づけることによって、スループットを向上させ、生産性を向上させることができる場合を想定する。
【００４９】
実施例４では、単一の供給間隔Ｍ＝３のみで供給パターンを形成するのではなく第一の供給間隔Ｍ１＝３に加えて第二の供給間隔Ｍ２＝２の複数の供給間隔Ｍを交互に適用して混在させた供給パターンを形成することにより、熱履歴条件を緩和し、可能な限り許容加熱時間ＡＨ＝８０secに近づける。
【００５０】
図１４に示すように、実施例４では７個のピッチのうち２個のワーク５が処理される。よって、加熱範囲ＨＲにおけるワーク５の処理個数は、２個×５０／７＝１４.２個となり、必要な加熱時間ＮＨは、５０＋２×１４.２≒７８.４secとなる。
【００５１】
この結果、ワーク５の１個当りの処理時間は、実施例１の７５／１２．５＝６secに比べ、実施例４では、７８．４／１４．２≒５．５secと、約０．５sec短縮できる。
【００５２】
従って、実施例１と同じ許容加熱時間ＡＨや規定条件では、実施例４の方が実施例１に比べスループットが高く生産性の高い半田ダイボンダ１Ａを提供できる。
【００５３】
実施例４の方法は、実施例２に対しても適用可能である。また、実施例４の考え方は、単一若しくは複数の供給単位Ｋや間引間隔Ｌ、供給間隔Ｍを混在させたケースにも適用できる。
【００５４】
以上説明した実施形態１乃至４によれば、搬送路上にワークが存在しない供給パターンを設定することで、ワークが有する許容熱履歴ＡＴＨや許容加熱時間ＡＨを満足する半田ダイボンダ及びボンディング方法を提供できる。
【００５５】
また、実施形態１乃至４はチップだけでなくトレイ等の供給形態にも適用可能である。
【００５６】
以上本発明の実施態様について説明したが、上述の説明に基づいて当業者にとって種々
の代替例、修正又は変形が可能であり、本発明はその趣旨を逸脱しない範囲で前述の種々
の代替例、修正又は変形を包含するものである。
【符号の説明】
【００５７】
１、１Ａ：半田ダイボンダ              ２：搬送装置
２１；搬送路                          ２３：トランスファ
２４：送り爪                          ３：供給装置
３１：基台                            ３２：供給路
３７：供給部                          ３ｓ、３Ａｓ、３Ｂｓ；供給ステーション
４、４Ａ、４Ｂ：塗布装置              ４ｓ、４Ａｓ、４Ｂｓ；塗布ステーション
５：ワーク                            ６Ａ、６Ｂ：装着装置
６Ａｓ、６Ｂｓ；装着ステーション      ７：取出装置
８Ａ、８Ｂ：装着ユニット              ９：チップ
１０：ウェハ                          １１：境界位置
５０：制御装置                        ＡＴ：ワークの処理時間
ＡＨ：許容加熱時間                ＣＨ：冷却範囲
ＣＴ：加熱範囲ＨＲの搬送時間          ＤＴ：ワークの処理時間
ＨＲ：加熱範囲                        Ｌ：間引間隔
Ｍ：供給間隔                          ＭＤＴ：ワークの最大処理時間
Ｎ：加熱範囲内の搬送ピッチ数          ＮＨ：必要な加熱時間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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