(57)【要約】【課題】亜鉛の揮散が抑制され、高密度の焼結体を作製することが可能なカプセル熱間等方加圧焼結を実現可能とする酸化亜鉛系粉末、酸化亜鉛系焼結体の製造方法およびターゲットを提供する。【解決手段】本発明の酸化亜鉛系粉末は、炭化チタン粉末と、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する焼成酸化亜鉛粉末とを混合して得られる、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末であり、全金属原子数に対してチタンの原子数の割合が０．２％以上５％以下となるように、前記炭化チタン粉末が含有され、前記２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する焼成酸化亜鉛粉末が、２．８ｇ／ｃｍ３未満のタップ密度を有する原料酸化亜鉛粉末を焼成して得られる。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化チタン粉末と、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する焼成酸化亜鉛粉末とを混合して得られる、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末であって、
全金属原子数に対してチタンの原子数の割合が０．２％以上５％以下となるように、前記炭化チタン粉末が含有され、
前記２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する焼成酸化亜鉛粉末が、２．８ｇ／ｃｍ３未満のタップ密度を有する原料酸化亜鉛粉末を焼成して得られる、
ことを特徴とする、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末。
【請求項２】
酸化ガリウム粉末、酸化アルミニウム粉末および炭化アルミニウム粉末からなる群より選択される少なくとも１種が、全金属原子数に対して、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が０．１％以上２．５％以下となるように、さらに含有される、請求項１に記載の酸化亜鉛系粉末。
【請求項３】
炭化チタン粉末と、２．８ｇ／ｃｍ３未満のタップ密度を有する原料酸化亜鉛粉末との混合物を焼成して得られる、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末であって、
全金属原子数に対してチタンの原子数の割合が０．２％以上５％以下となるように、前記炭化チタン粉末が含有される、
ことを特徴とする、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末。
【請求項４】
前記混合物が、酸化ガリウム粉末、酸化アルミニウム粉末および炭化アルミニウム粉末からなる群より選択される少なくとも１種を、全金属原子数に対して、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が０．１％以上２．５％以下となるように、さらに含有する、請求項３に記載の酸化亜鉛系粉末。
【請求項５】
前記焼成が、酸化性雰囲気中にて９００〜１４００℃で行われる、請求項１または２に記載の酸化亜鉛系粉末。
【請求項６】
前記焼成が、非酸化性雰囲気中にて９００〜１３００℃で行われる、請求項１〜４のいずれかに記載の酸化亜鉛系粉末。
【請求項７】
前記原料酸化亜鉛粉末が、０．５〜１．２ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有する、請求項１〜６のいずれかに記載の酸化亜鉛系粉末。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の酸化亜鉛系粉末を金属製容器に充填し、カプセル熱間等方加圧焼結を行う工程を含む、酸化亜鉛系焼結体の製造方法。
【請求項９】
前記カプセル熱間等方加圧焼結における焼結温度が９００〜１４００℃であり、焼結体の相対密度を９８％以上とする、請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記カプセル熱間等方加圧焼結が、不活性ガス雰囲気下で行われる、請求項８または９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記カプセル熱間等方加圧焼結が、５０ＭＰａ以上の圧力条件下で行われる、請求項８〜１０のいずれかに記載の製造方法。
【請求項１２】
スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション（ＰＬＤ）法またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法による成膜に用いられるターゲットであって、
請求項８〜１１のいずれかに記載の製造方法により得られた酸化亜鉛系焼結体を加工して得られるターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング法などにより酸化亜鉛系透明導電膜を安定して形成するために有用な酸化亜鉛系粉末、酸化亜鉛系焼結体の製造方法、およびそれらを用いたターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
透明導電膜は、可視光透過性と電気伝導性とを兼ね備えた膜であり、太陽電池、液晶表示素子、受光素子などの電極；自動車窓、建築用などの熱線反射膜；帯電防止膜；冷凍ショーケースにおける防曇用透明発熱体など、幅広い分野で利用されている。特に、低抵抗で導電性に優れた透明導電膜は、太陽電池、液晶表示素子（液晶、有機エレクトロルミネッセンス、無機エレクトロルミネッセンスなど）、タッチパネルなどに好適であることが知られている。
【０００３】
従来、透明導電膜としては、酸化インジウムに酸化錫を添加したＩＴＯ膜が、利用されている。しかし、原料となるインジウムがレアメタルであり、資源量、価格などに問題があるため、ＩＴＯ膜に代わる膜が求められている。
例えば、スパッタリング法による工業的製造も可能である酸化亜鉛系透明導電膜が注目されており、その導電性能を高めるべく研究が進められている。具体的には、非特許文献１では、導電性を高めるべくＺｎＯに種々のドーパントをドープさせる試みが報告されている。その中で、現在、ＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）、ＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）が優れた導電性を示すため実用的に使用されている。しかし、化学的耐久性に劣り、主に現在使用されているのが太陽電池用透明導電膜であり、特に近赤外領域の透過性が低いため、太陽電池の変換効率が低下してしまう大きな問題点がある。
【０００４】
また、本発明者は、亜鉛に比べ化学的耐久性に優れ、ドーパントであるチタン源として４価の酸化チタン（ＴｉＯ２（ＩＶ））でなく、低原子価酸化チタンを用いれば、化学的耐久性の改良に有用なチタンの含有量を増やし得ることを見出している。さらに、低抵抗であり、太陽電池などの透明導電膜に有望な近赤外の透過性にも優れることを見出している（特許文献１参照）。
ところで、ＴｉＯ（ＩＩ）に代表される低原子価酸化チタンは、光触媒、顔料などに使用されるＴｉＯ２（ＩＶ）と異なり汎用されておらず、用いるとコストが高くなる。そのため、透明導電膜がコスト面で問題とならないような特殊な用途に用いられる場合には問題にならないが、透明導電膜が汎用の用途に用いられる場合には、コスト面で不利になる場合がある。
【０００５】
チタン源として、既に本発明者が見出している低原子価酸化チタン以外にも、硼化チタン、特許文献２に記載のように金属チタンも同様の特性が発現できる可能性があると考えられる。また、チタン源ではないが、酸化亜鉛系透明導電膜の構成元素である亜鉛またはアルミニウムを金属亜鉛または金属アルミニウムの形態にて導入することにより、多量の酸素欠損を導入することができると考えられる。
しかし、硼化チタンを用いると、焼結中に酸化硼素が生成する。この酸化硼素は融点および沸点が低く（融点：約４５０℃、沸点：約１８６０℃）、求められる最低限の密度を有する焼結体を得るために必要な焼結温度（少なくとも１０００℃）では、溶融して蒸発しやすくなる。そのため、組成が不均一かつ低密度な焼結体となり、透明導電膜形成材料として用いるには不適切である。
【０００６】
一方、金属チタンについては、均一かつ高密度な焼結体を得るために必要な平均粒径が１μｍ以下の１次粒子が存在しない。すなわち、市販されている金属チタンについて、１次粒子の最小粒径は約２０μｍであり、これを数μｍ程度の粒径に粉砕することは、粉じん爆発を起こし発火するおそれがある為か、工業的に使用する量の平均粒径が１μｍ以下の１次粒子を入手することができない。
また金属亜鉛または金属アルミニウムを導入する場合には、金属亜鉛（融点：４１９℃、沸点：９３０℃）および金属アルミニウム（融点：６６０℃、沸点：２０６０℃）は融点および沸点が低く、溶融して蒸発しやすい。そのため、焼結密度が低い多孔質性の焼結体が得られたり、溶融金属が流動して偏析（組成ムラ）したりする。
【０００７】
また、チタン源として炭化チタンを用いることも考えられる。この場合、炭化チタンが酸化チタン（ＴｉＯ２）に酸化されることを抑制するため、無加圧焼結では非酸化性雰囲気（不活性雰囲気、還元雰囲気など）中で焼結する必要がある。しかし、非酸化性雰囲気中で焼結すると、酸化亜鉛は還元されやすくより揮散しやすい金属亜鉛となるので、非酸化性雰囲気下で焼結体を製造する場合は、酸化性雰囲気下で製造する場合よりも、亜鉛の消失量が増すことになる。このように、亜鉛揮散の抑制は、無加圧焼結では物理的に実現できない。
亜鉛が揮散した部分は空孔が生じやすく、焼結体の密度低下を招くことになる。このような低密度の焼結体を用いてスパッタリングにて成膜すると、異常放電が発生しやすくなり安定して成膜できないという問題がある。
【０００８】
加圧焼結の場合、亜鉛の揮散を抑制できる可能性はある。しかし、一般的なホットプレス法では、原料粉末を成型加圧して焼結させるが、黒鉛製のダイスとパンチとの間にクリアランス（隙間）が存在するため、そのクリアランスから若干亜鉛が揮散する。また、通常の熱間等方加圧焼結（ＨＩＰ）法（いわゆるカプセルフリーＨＩＰ法）を採用すると、バルク焼結体のさらなる高密度化が可能となる。
しかし、カプセルフリーＨＩＰ法は、原料として、ある程度高密度化（相対密度が９０〜９５％）されている焼結体（欠陥が外観と遮断されている閉気孔しか存在しない）を用いなければ、さらに閉気孔をつぶして緻密化することができない。したがって、ある程度高密度化された焼結体を得るために、予め焼結工程が別途必要であり、この焼結工程で亜鉛が揮散することになる。
【０００９】
そこで、別途の焼結工程が不要であり、亜鉛の揮散を抑制して高密度の焼結体を得ることができる焼結方法として、原料粉末を金属製の容器（カプセル）に充填し、気密封止して加圧焼結するカプセル熱間等方加圧焼結（カプセルＨＩＰ）法がある。
カプセルＨＩＰは、焼結すべき粉末（原料粉末）を金属製の容器内に気密封止するので、亜鉛の揮散をほぼ０に抑えることができる唯一の方法である。しかし、カプセルＨＩＰは、金属製容器ごと加圧に供するため、加圧による金属製容器の収縮率が大きい場合（すなわち、原料粉末の充填率が低い場合）、金属製容器が破裂する。金属製容器が破裂すると、原料粉末が飛散して焼結体が得られなくなる。
【００１０】
ところで、市販の酸化亜鉛粉末を、原料粉末の主原料として用いる場合、充填率は高くても２０％程度にしかならない。カプセルＨＩＰを行う場合、一般に、金属製容器に充填した原料粉末の充填率を少なくとも５０％にする必要があるため、市販の酸化亜鉛粉末を、そのまま原料粉末として使用することはできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２０１１−１９０５２８号公報
【特許文献２】特許第４９８２４２３号
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】月刊ディスプレイ、１９９９年９月号、ｐ１０〜「ＺｎＯ系透明導電膜の動向」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明の課題は、亜鉛の揮散が抑制され、高密度の焼結体を作製することが可能なカプセル熱間等方加圧焼結を実現可能とする酸化亜鉛系粉末、ならびに実用に耐え得る導電性、優れた化学的耐久性および近赤外域高透過性を有する透明導電膜を成膜することができる酸化亜鉛系焼結体の製造方法およびターゲットを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明者は、上記課題を解決するべく鋭意検討を行った結果、以下の構成からなる解決手段を見出し、本発明を完成するに至った。
（１）炭化チタン粉末と、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する焼成酸化亜鉛粉末とを混合して得られる、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末であって、全金属原子数に対してチタンの原子数の割合が０．２％以上５％以下となるように、前記炭化チタン粉末が含有され、前記２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する焼成酸化亜鉛粉末が、２．８ｇ／ｃｍ３未満のタップ密度を有する原料酸化亜鉛粉末を焼成して得られることを特徴とする、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末。
（２）酸化ガリウム粉末、酸化アルミニウム粉末および炭化アルミニウム粉末からなる群より選択される少なくとも１種が、全金属原子数に対して、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が０．１％以上２．５％以下となるように、さらに含有される、（１）に記載の酸化亜鉛系粉末。
（３）炭化チタン粉末と、２．８ｇ／ｃｍ３未満のタップ密度を有する原料酸化亜鉛粉末との混合物を焼成して得られる、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末であって、全金属原子数に対してチタンの原子数の割合が０．２％以上５％以下となるように、前記炭化チタン粉末が含有されることを特徴とする、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末。
（４）前記混合物が、酸化ガリウム粉末、酸化アルミニウム粉末および炭化アルミニウム粉末からなる群より選択される少なくとも１種を、全金属原子数に対して、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が０．１％以上２．５％以下となるように、さらに含有する、（３）に記載の酸化亜鉛系粉末。
（５）前記焼成が、酸化性雰囲気中にて９００〜１４００℃で行われる、（１）または（２）に記載の酸化亜鉛系粉末。
（６）前記焼成が、非酸化性雰囲気中にて９００〜１３００℃で行われる、（１）〜（４）のいずれかに記載の酸化亜鉛系粉末。
（７）前記原料酸化亜鉛粉末が、０．５〜１．２ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有する、（１）〜（６）のいずれかに記載の酸化亜鉛系粉末。
（８）上記（１）〜（７）のいずれかに記載の酸化亜鉛系粉末を金属製容器に充填し、カプセル熱間等方加圧焼結を行う工程を含む、酸化亜鉛系焼結体の製造方法。
（９）前記カプセル熱間等方加圧焼結における焼結温度が９００〜１４００℃であり、焼結体の相対密度を９８％以上とする、（８）に記載の製造方法。
（１０）前記カプセル熱間等方加圧焼結が、不活性ガス雰囲気下で行われる、（８）または（９）に記載の製造方法。
（１１）前記カプセル熱間等方加圧焼結が、５０ＭＰａ以上の圧力条件下で行われる、（８）〜（１０）のいずれかに記載の製造方法。
（１２）スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション（ＰＬＤ）法またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法による成膜に用いられるターゲットであって、（８）〜（１１）のいずれかに記載の製造方法により得られた酸化亜鉛系焼結体を加工して得られるターゲット。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、酸化亜鉛系粉末のタップ密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上であるので、この酸化亜鉛系粉末を金属製容器に充填して、酸化亜鉛系粉末の充填率を５０％以上とすることができる。したがって、カプセル熱間等方加圧焼結を行っても、金属製容器が破裂せず、亜鉛の揮散も抑制され、原料である酸化亜鉛系粉末の組成と焼結体の組成とがほぼ同じである高密度の酸化亜鉛系焼結体を得ることができる。この酸化亜鉛系焼結体を用いることにより、成膜中にほとんど異常放電が発生することなく、安定して再現性よく成膜することができる。得られた透明導電膜は、実用に耐え得る導電性、優れた化学的耐久性および近赤外域高透過性を有する。さらに、高価なインジウムおよび低原子価酸化チタンを使用していないため、大幅なコスト削減も可能であり、希少金属でかつ毒性を有するインジウムを必須としないという利点も有するので、工業的に極めて有用である。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】（ａ）は実施例１における焼成後の酸化亜鉛粉末（焼成酸化亜鉛粉末）のＳＥＭ写真（倍率：１０倍）であり、（ｂ）は（ａ）の倍率を変えたＳＥＭ写真（倍率：５０００倍）である。
【図２】（ａ）は実施例１における焼成前の酸化亜鉛粉末のＳＥＭ写真（倍率：５０００倍）であり、（ｂ）は（ａ）の倍率を変えたＳＥＭ写真（倍率：３００００倍）である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（酸化亜鉛系粉末）
本発明に係る酸化亜鉛系粉末は、炭化チタン粉末と、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する焼成酸化亜鉛粉末とを混合して得られる、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末であり、全金属原子数に対してチタンの原子数の割合が０．２％以上５％以下となるように、前記炭化チタン粉末が含有され、前記２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する焼成酸化亜鉛粉末が、２．８ｇ／ｃｍ３未満のタップ密度を有する原料酸化亜鉛粉末を焼成して得られるものである。以下、この酸化亜鉛系粉末を「第１の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末」と記載する場合がある。
【００１８】
炭化チタン粉末は特に限定されないが、９９質量％以上の純度を有するものが好ましく、例えば、市販の炭化チタン粉末が使用される。炭化チタン粉末の平均粒径は、特に限定されないが、好ましくは０．０２μｍ以上５μｍ以下である。粒径が大きい炭化チタン粉末の場合、粉砕してから用いてもよい。ＢＥＴ比表面積については、特に限定されない。
炭化チタン粉末は、通常１．６〜１．８ｇ／ｃｍ３程度のタップ密度を有している。炭化チタン粉末の含有量は後述のように少量であり、得られる酸化亜鉛系粉末のタップ密度にほとんど影響を及ぼさないため、炭化チタン粉末のタップ密度は特に限定されない。
【００１９】
上述のように、本発明者は、チタン源として低原子価酸化チタン（例えば、ＴｉＯ（ＩＩ）など）を用いると、低抵抗化に有効であることを見出している。低原子価酸化チタンを用いると、焼結体中に安定して多量に酸素欠損を導入でき、酸素欠損由来のキャリア電子が導電性に寄与すると推察される。炭化チタンは、分子内に炭素を有しており、この炭素が原料に存在する酸素を焼結中に捕捉し、ＣＯまたはＣＯ２として系外に放出するため、焼結体中に多量の酸素欠損状態を導入することができる。
さらに、スパッタリングにおける成膜の際、チャンバー内の微量酸素は、プラズマ放電安定性に悪影響を及ぼす。炭化チタンは、分子内の炭素がチャンバー内の微量の吸着酸素などを補足し（吸着酸素を還元し）、ＣＯまたはＣＯ２として系外に放出するため、チャンバー内の微量な酸素を除去する役割も果たす。
【００２０】
第１の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末には、炭化チタンが、全金属原子数に対してチタンの原子数の割合が０．２％以上５％以下となるように含有される。このような割合で炭化チタンが含有されると、カプセル熱間等方加圧法（以下、「カプセルＨＩＰ法」と記載する場合がある）により焼成しても、亜鉛が揮発することなく、チタン原子数の割合がこの範囲内である組成の酸化亜鉛系焼結体を製造することができる。このような酸化亜鉛系焼結体を用いて成膜すると、優れた化学的耐久性、導電性および透明性を有する透明導電膜が得られる。
第１の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末において、炭化チタンは、全金属原子数に対してチタンの原子数の割合が、好ましくは０．５〜４．０％、より好ましくは０．７〜３．５％となるように含有される。
【００２１】
原料酸化亜鉛粉末は、上記のように、２．８ｇ／ｃｍ３未満のタップ密度を有し、好ましくは０．５〜１．２ｇ／ｃｍ３である。市販の酸化亜鉛粉末は、粒子サイズおよび粒度分布によって多少の差はあるが、１．１２ｇ／ｃｍ３以下のタップ密度を有することが多い。タップ密度が２．８ｇ／ｃｍ３未満であれば、原料酸化亜鉛粉末は、焼成履歴があってもよい。なお、酸化亜鉛の理論密度（タップ密度の上限）は、５．６ｇ／ｃｍ３である。
本発明におけるタップ密度とは、ＪＩＳ  Ｋ５１０１に基づき、一定容積の容器に粉末を自然落下により目一杯充填した後、さらに該容器に一定の振動（タッピング）による衝撃を加え、粉末の体積変化がなくなったときの単位体積当たりの粉末の質量と定義する。なお、一定容積の容器に粉末を自然落下により目一杯充填し、その内容積を体積としたときの単位体積当たりの粉末の質量を嵩密度といい、一般的にタップ密度は、嵩密度の１．１〜１．３倍程度の値となる。
【００２２】
原料酸化亜鉛粉末としては、通常、ウルツ鉱構造を有するＺｎＯなどの粉末が用いられ、さらにこのＺｎＯを予め不活性雰囲気や還元雰囲気で焼成して酸素欠損を生じさせたものを用いてもよい。原料酸化亜鉛粉末の純度は特に限定されず、例えば９９質量％以上の純度を有するものが好ましい。
原料酸化亜鉛粉末の平均粒径は特に限定されず、例えば０．０２μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。ＢＥＴ比表面積は、特に限定されない。
【００２３】
本発明に用いられる２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する焼成酸化亜鉛粉末は、上記原料酸化亜鉛粉末を焼成して得られる。例えば、原料酸化亜鉛粉末を焼成後、ジョージクラッシャー、ロールクラッシャー、スタンプミル、ハンマーミル、乳鉢など公知の方法で解砕して粉末にすればよい。
【００２４】
原料酸化亜鉛粉末の焼成条件は、特に限定されない。焼成温度は通常９００〜１４００℃程度である。焼成温度がこの範囲内であれば、酸化亜鉛が還元されて金属亜鉛が析出したり、亜鉛が揮発したりすることなく、粒成長を十分に進行させることができ、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する焼成酸化亜鉛粉末が得られる。焼成に用いる装置は特に限定されず、縦型電気炉、管状炉、マッフル炉、チューブ炉、炉床昇降式電気炉、ボックス型電気炉などが挙げられる。
【００２５】
また、焼成時間は通常８〜２４時間程度であり、好ましくは１０〜１５時間程度である。焼成時間が８時間未満の場合、焼結が不十分となるおそれがありタップ密度が向上しないことがある。一方、焼成時間が２４時間を超えても、それ以上タップ密度は向上せず、コスト面で好ましくない。
【００２６】
焼成温度および焼成時間がこのような範囲内であれば、酸化亜鉛が熱分解を起こして揮散するのを抑制し、粒成長を十分に進行させることができ、タップ密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上、通常３．３〜５．６ｇ／ｃｍ３である酸化亜鉛系粉末とすることができる。特に、焼成温度は上記範囲内であれば高いほど好ましく、粒子間で固相焼結が進行して粒成長が生じ、粒子サイズが平均的に大きくなる。その結果、粒子サイズの分布が広くなるため、大きな粒子の隙間に小さな粒子が入り、粒子を充填した際に単位体積当たりの粒子間の隙間が減少し、タップ密度の向上に繋がる。
【００２７】
焼成する際の雰囲気は、酸化性雰囲気（例えば、大気雰囲気、酸化雰囲気など）であっても、非酸化性雰囲気（例えば、不活性雰囲気、還元雰囲気、真空など）であってもよく、大気雰囲気中で焼成するのが好ましい。
焼成は、酸化性雰囲気の場合、好ましくは９００〜１４００℃、より好ましくは１０００〜１３００℃で行われ、非酸化性雰囲気の場合、好ましくは９００〜１３００℃、より好ましくは９２０〜１２００℃で行われる。
【００２８】
酸化雰囲気としては、例えば、大気よりも酸素濃度が高い雰囲気などが挙げられる。
不活性雰囲気としては、例えば、窒素、アルゴン、ヘリウム、ネオン、二酸化炭素などの雰囲気が挙げられる。
還元性雰囲気としては、例えば、水素、一酸化炭素、硫化水素、二酸化硫黄などの雰囲気が挙げられる。
【００２９】
このようにして得られた焼成酸化亜鉛粉末は、２．８ｇ／ｃｍ３以上、好ましくは３．３〜５．６ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有する。この焼成酸化亜鉛粉末と上記炭化チタン粉末とを混合して得られる酸化亜鉛系粉末（第１の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末）は、金属製容器に多く充填されるため、充填率を５０％以上とすることができる。特に、酸化亜鉛系粉末が、３．３〜５．６ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有する場合、より多くの粉末を充填することができ、かつカプセルＨＩＰ焼結後の金属製容器が対称に収縮するため加工しやすくなる。
【００３０】
さらに、充填率を５０％以上にすることができるため、カプセルＨＩＰ法による金属製容器の収縮率を５０％以下にすることができる。したがって、金属製容器を破壊することなく酸化亜鉛系粉末を加圧焼結でき、原料酸化亜鉛系粉末由来の亜鉛の揮発を抑制した高密度の酸化亜鉛系焼結体を得ることができる。
ここで、充填率とは、理論的にカプセルＨＩＰ後に焼結体が理論密度に到達したとし、得られた焼結体の理論密度に対する、焼結体の原料である酸化亜鉛系粉末のタップ密度の割合である。
【００３１】
また、金属製容器の収縮率は、下記式を用いて求められる。
金属製容器の収縮率（％）＝［１−（カプセルＨＩＰ後の金属製容器の内容積／カプセルＨＩＰ前の金属製容器の内容積）］×１００
【００３２】
第１の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末には、さらなる低抵抗化を目的として、酸化ガリウム粉末、酸化アルミニウム粉末および炭化アルミニウム粉末からなる群より選択される少なくとも１種（以下、「酸化ガリウム粉末など」と省略して記載する場合がある）を添加してもよい。
【００３３】
酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）粉末、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）粉末、および炭化アルミニウム（Ａｌ４Ｃ３）粉末は、９９質量％以上の純度を有するものが好ましく、例えば市販のものが使用される。酸化ガリウム粉末などの平均粒径は、特に限定されないが、５μｍ以下であることが好ましい。なお、酸化ガリウム粉末などの含有量は、後述のように少量であり、得られる酸化亜鉛系粉末のタップ密度にほとんど影響を及ぼさないため、酸化ガリウム粉末などのタップ密度は特に限定されない。
酸化ガリウム粉末、酸化アルミニウム粉末および炭化アルミニウム粉末からなる群より選択される少なくとも１種は、ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が０．１％以上２．５％以下となるように含有される。好ましくは０．３〜２．３％であり、より好ましくは０．５〜２％である。
【００３４】
ガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が０．１％未満の場合、導電性の向上効果が不十分となる。一方、２．５％を超える場合、ガリウムまたはアルミニウムが亜鉛サイトに置換固溶しきれなくなり、結晶粒界に析出して導電性の低下または透過率の低下を招くこととなる。なお、酸化ガリウム粉末、酸化アルミニウム粉末および炭化アルミニウム粉末は２種以上を併用してもよく、その場合、トータル量で０．１％以上２．５％以下となればよい。
【００３５】
炭化チタン粉末と特定の焼成酸化亜鉛粉末との混合方法は、湿式混合であっても、乾式混合であってもよい。混合は、具体的には、パウミキサー、ヘンシエルミキサー、ナウターミキサー、リボンミキサー、一軸撹拌機、二軸撹拌機などを用いて行われる。
【００３６】
第１の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末は、上述のように、炭化チタンと、原料酸化亜鉛粉末を予め焼成して得られる特定の焼成酸化亜鉛粉末と、必要に応じて酸化ガリウム粉末または酸化アルミニウム粉末とを混合して得られる。
ところで、本発明の酸化亜鉛系粉末は、炭化チタンと、原料酸化亜鉛粉末と、必要に応じて酸化ガリウム粉末などとの混合物を焼成しても得られる。
【００３７】
すなわち、本発明に係る他の酸化亜鉛系粉末は、炭化チタン粉末と、２．８ｇ／ｃｍ３未満のタップ密度を有する原料酸化亜鉛粉末との混合物を焼成して得られる、２．８ｇ／ｃｍ３以上のタップ密度を有する酸化亜鉛系粉末であり、全金属原子数に対してチタンの原子数の割合が０．２％以上５％以下となるように、前記炭化チタン粉末が含有される。以下、この酸化亜鉛系粉末を「第２の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末」と記載する場合がある。
第２の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末にも、さらなる低抵抗化を目的として、酸化ガリウム粉末、酸化アルミニウム粉末および炭化アルミニウム粉末からなる群より選択される少なくとも１種を添加してもよい。
【００３８】
第２の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末に用いられる炭化チタン粉末、原料酸化亜鉛粉末、および必要に応じて用いられる酸化ガリウム粉末などは、上述の通りである。
第２の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末は、これらの粉末を上述の湿式混合または乾式混合によって混合し、得られた混合物を焼成して得られる。特に、第２の実施態様において、焼成は、上述の非酸化性雰囲気中で行うのが好ましい。焼成を酸化性雰囲気中で行うと、炭化チタンが酸化チタンに酸化されるためである。得られた焼結体を、例えば、ジョージクラッシャー、ロールクラッシャー、スタンプミル、ハンマーミル、乳鉢など公知の方法で解砕して粉末にすればよい。
【００３９】
第２の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末を、カプセルＨＩＰ法により焼成しても、亜鉛が揮発することなく、チタン原子数の割合がこの範囲内である組成の酸化亜鉛系焼結体を製造することができる。このような酸化亜鉛系焼結体を用いて成膜すると、優れた化学的耐久性、導電性および透明性を有する透明導電膜が得られる。
【００４０】
（酸化亜鉛系焼結体の製造方法）
本発明に係る酸化亜鉛系焼結体の製造方法は、上述の酸化亜鉛系粉末（第１または第２の実施態様に係る酸化亜鉛系粉末）を金属製容器に充填した後、カプセル熱間等方加圧（カプセルＨＩＰ）焼結を行うことで、酸化亜鉛系焼結体を製造する方法である。このカプセルＨＩＰ焼結は、酸化亜鉛系粉末を、閉鎖空間内に充填（すなわち、金属製容器内に真空封止により充填）して行われるため、亜鉛の揮散が抑制され、得られる酸化亜鉛系焼結体と仕込んだ酸化亜鉛系粉末とで組成ずれが生じにくい高密度の酸化亜鉛系焼結体が得られる。
【００４１】
金属製容器としては、真空封止が可能であり、かつ焼結温度にて十分変形しても破裂するおそれがない材料であればよく、通常、鉄、アルミニウム、ステンレスなどが用いられる。
金属製容器は、好ましくは１．５ｍｍ〜４ｍｍの壁厚を有する。この範囲内であれば、金属製容器は、容易に軟化して変形し、焼結反応が進行するに従い、焼結体に追随して収縮することができる。金属製容器の形状は、特に限定されず、例えば、カプセルＨＩＰ焼結の際に等方的に加圧しやすい形状であればよく、円柱形状、直方体形状などが挙げられる。また金属製容器の寸法は、所望の酸化亜鉛系焼結体の大きさによって、適宜設定される。
【００４２】
カプセルＨＩＰを行う際に、タップ密度が２．８ｇ／ｃｍ３以上の酸化亜鉛系粉末を金属製容器内に充填した後、金属製容器を加熱しながら、金属製容器内の圧力が１．３３×１０−２Ｐａ以下となるまで減圧する（真空引きを行う）。これにより、酸化亜鉛系粉末に付着しているガス、吸着水分などを除去することができる。１．３３×１０−２Ｐａ以下となるまで減圧しなければ、酸化亜鉛粉に付着しているガス、吸着水分などの除去が不十分となり、焼結時に金属製容器が膨れ、高密度の焼結体が得られないおそれがある。
減圧は、例えば、金属製容器に排気管を接続して行い、金属製容器内の圧力が１．３３×１０−２Ｐａ以下となれば、排気管を閉じて金属製容器を封止する。減圧の際、金属製容器は、好ましくは１００〜６００℃程度に加熱される。
【００４３】
カプセルＨＩＰ処理（カプセルＨＩＰ焼結）は、金属製容器をＨＩＰ装置に配置して行う。カプセルＨＩＰ処理は高温高圧下のガスを圧力媒体として金属製容器内部の酸化亜鉛系粉末の焼結を行うものである。
【００４４】
処理温度（焼結温度）は、好ましくは９００〜１４００℃であり、より好ましくは１０００〜１３００℃である。このような温度範囲内であれば、金属製容器が軟化して変形する温度領域であるため、カプセルＨＩＰ処理に際して、金属カプセルが抵抗となることなく、金属製容器内の酸化亜鉛系粉末に圧力を１００％かけることができる。
圧力媒体に用いられるガスは特に限定されず、例えば窒素、アルゴンなどの不活性ガスが挙げられる。処理圧力は、好ましくは５０ＭＰａ以上、より好ましくは７０ＭＰａ以上であり、処理時間は、好ましくは１時間以上、より好ましくは１．５時間以上である。
処理温度が低すぎたり、圧力が低すぎたり、時間が短すぎたりすると、低い相対密度（例えば９０％未満）を有する焼結体が得られる傾向にある。
【００４５】
このような温度条件で処理を行うと、９８％以上の相対密度を有する酸化亜鉛系焼結体が得られる。このような酸化亜鉛系焼結体を用いると、例えば、スパッタリングで成膜する際、異常放電が発生しにくく、安定して成膜することができる。
ここで、相対密度とは、焼結体の原料である各金属酸化物の単体密度に各金属酸化物粉末の混合重量比をかけ、和をとった理論密度に対する、実際に得られた焼結体の密度の割合であり、例えば、焼結体が酸化亜鉛および炭化チタンからなる場合は、下記式から求められる。
相対密度＝［（焼結体の密度）／（理論密度）］×１００
理論密度＝（酸化亜鉛の単体密度×混合質量比）＋（炭化チタンの単体密度×混合質量比）
なお、焼結体の密度は、実施例に記載の評価方法によって測定することができる。
【００４６】
このようにして得られた酸化亜鉛系焼結体は、実質的に亜鉛と、酸素と、チタンと、炭素と、必要に応じてガリウムまたはアルミニウムとからなる。ここで、「実質的」とは、酸化物焼結体を構成する全原子の９９％以上が亜鉛と、酸素と、チタンと、炭素と、必要に応じてガリウムまたはアルミニウムとからなることを意味する。
【００４７】
酸化亜鉛系焼結体は、実質的に亜鉛と、酸素と、チタンと、炭素と、必要に応じてアルミニウムまたはガリウムとからなれば、微量原子として錫、シリコン、ゲルマニウム、ジルコニウム、ハフニウム、インジウム、イリジウム、ルテニウムおよびレニウムからなる群より選ばれる少なくとも１種を含んでいてもよい。
微量原子は、例えば、上記原料粉末に不純物とし混入しているものでもよく、微量元素の酸化物などを、さらに原料粉末として添加してもよい。
【００４８】
添加元素は、酸化物の形態で酸化亜鉛系焼結体中に存在していてもよいし、酸化亜鉛相の亜鉛サイトに置換した（固溶した）形態で存在していてもよいし、チタン酸亜鉛化合物相のチタンサイトおよび亜鉛サイトから選ばれる少なくとも一方に置換した（固溶した）形態で存在していてもよい。
なお、酸化亜鉛相とは、具体的には、ＺｎＯのほか、これにチタン元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、亜鉛欠損により非化学量論組成となったものも含むものとする。なお、酸化亜鉛相は、通常、ウルツ鉱型構造をとる。
【００４９】
また、チタン酸亜鉛化合物相とは、具体的には、ＺｎＴｉＯ３、Ｚｎ２ＴｉＯ４のほか、これらの亜鉛サイトにチタン元素が固溶されたものや、酸素欠損が導入されているものや、Ｚｎ／Ｔｉ比がこれらの化合物から僅かにずれた非化学量論組成のものも含むものとする。
【００５０】
酸化亜鉛系焼結体は、上述のカプセルＨＩＰ法によって得られるため、チタン、ガリウムなどの原子数の割合は、使用する本発明の酸化亜鉛系粉末と同じである。すなわち、チタンの原子数の割合が全金属原子数に対して０．２％以上５％以下であり、必要に応じて用いられるガリウムまたはアルミニウムの原子数の割合が全金属原子数に対して０．１％以上６％以下である。
このような酸化亜鉛系焼結体を用いると、現在使用されているＡＺＯ（アルミニウムドープ酸化亜鉛）やＧＺＯ（ガリウムドープ酸化亜鉛）よりはるかに優れた化学的耐久性を有し、かつ導電性および透明性を有する透明導電膜が得られる。
【００５１】
特に、チタンの含有量が上記範囲内でより少ない場合（０．２％〜２％程度の場合）、形成された膜の屈折率が小さくなり、近赤外域の高透過性を維持しながら、近紫外光域から可視光域の透過率が高くなる傾向にある。膜の近紫外光域から可視光域の透過性が向上すると、この透明導電膜を用いた太陽電池の変換効率が高くすることができる。
このように、極めて高い化学的耐久性が要求される用途、近紫外光域から可視光域の高透過性重視が要求される用途などによって、特性を自由に調整することができる。
【００５２】
酸化亜鉛系焼結体は、実質的に炭化チタンの結晶相を含有しないことが好ましい。酸化亜鉛系焼結体に炭化チタンの結晶相が含まれると、得られる膜が、比抵抗などの物性にムラがあり均一性に欠けるものとなるおそれがある。酸化亜鉛系焼結体は、チタンの原子数の割合が全金属原子数に対して０．２％以上５％以下であるので、通常、チタンが酸化亜鉛に完全に反応し、酸化亜鉛系焼結体中に炭化チタン結晶相は生成されにくい。
なお、炭化チタンの結晶相とは、具体的には、炭化チタンほか、これらの結晶に亜鉛など他の元素が固溶された物質も含むものとする。
【００５３】
炭化チタンと酸化亜鉛とを用いた酸化亜鉛系粉末から得られる酸化亜鉛系焼結体は、酸化亜鉛相とチタン酸亜鉛化合物相とから構成される焼結体が好ましい。このように酸化亜鉛系焼結体中にチタン酸亜鉛化合物相が含まれていると、焼結体自体の強度が増すため、例えば膜を形成する際、過酷な条件（高電力など）で成膜してもクラックを生じることがない。なお、チタン酸亜鉛化合物相および酸化亜鉛相は、上述の通りである。
酸化ガリウム粉末などを、さらに用いた酸化亜鉛系粉末から得られる酸化亜鉛系焼結体は、酸化亜鉛相と、チタン酸亜鉛化合物相と、ガリウムおよびアルミニウムから選ばれる少なくとも一方の酸化物相とから構成される焼結体；酸化亜鉛相と、チタン酸亜鉛化合物相とから構成される焼結体；チタン酸亜鉛化合物相から構成される焼結体が好ましい。
【００５４】
酸化亜鉛系焼結体は、好ましくは５ｋΩ・ｃｍ以下の比抵抗を有する。例えば直流スパッタリング時の成膜速度は、スパッタリングターゲットとする酸化亜鉛系焼結体の比抵抗に依存するので、酸化亜鉛系焼結体の比抵抗が５ｋΩ・ｃｍを超えると、直流スパッタで安定した成膜ができないおそれがある。成膜時の生産性を考慮すると、酸化亜鉛系焼結体の比抵抗は低いほど好ましく、具体的には１００Ω・ｃｍ以下であるのがよい。
【００５５】
酸化亜鉛系焼結体は、好ましくは本発明に係る酸化亜鉛系焼結体の製造方法によって得られる。しかし、この製造方法により得られたものに限定されるわけではない。通常、酸化亜鉛系焼結体を還元雰囲気にて焼結した場合は、酸素欠損の導入により、酸化亜鉛系焼結体の比抵抗は低くなり、酸化雰囲気にて焼結した場合は、比抵抗は高くなる。
【００５６】
（ターゲット）
本発明のターゲットは、各種成膜方法で用いられるターゲットであり、特に、スパッタリング法、イオンプレーティング法、パルスレーザーデポジション（ＰＬＤ）法またはエレクトロンビーム（ＥＢ）蒸着法による成膜に用いられるターゲットである。本発明のターゲットは、上記の製造方法により得られた酸化亜鉛系焼結体を加工して得られる。したがって、本発明のターゲットは高密度であり、例えば、スパッタリング法で成膜する際、異常放電が発生しにくく、安定して成膜することができる。なお、このような成膜の際に用いる固形材料のことを「タブレット」と称する場合もあるが、本発明においてはこれらを含め「ターゲット」と称することとする。本発明のターゲットは、上述した本発明の酸化亜鉛系焼結体を、所定の形状および所定の寸法に加工して得られる。
【００５７】
加工方法は、特に制限されず、適宜公知の方法を採用すればよい。例えば、酸化亜鉛系焼結体に平面研削などを施した後、所定の寸法に切断して支持台に貼着することにより、本発明のターゲットを得ることができる。必要に応じて、複数枚の酸化亜鉛系焼結体を分割形状に並べて、大面積のターゲット（複合ターゲット）としてもよい。
本発明のターゲットを用いて形成された透明導電膜は、再現性よく安定して優れた導電性と化学的耐久性（耐熱性、耐湿性など）とを兼ね備えたものである。したがって、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイ、無機ＥＬ（エレクトロルミネセンス）ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイ、電子ペーパーなどの透明電極；太陽電池の光電変換素子の窓電極；透明タッチパネルなどの入力装置の電極；電磁シールドの電磁遮蔽膜；透明電波吸収体；紫外線吸収体；さらには透明半導体デバイスとして他の金属膜／金属酸化膜と組み合わせて利用することができる。
【実施例】
【００５８】
以下、実施例および比較例を挙げて本発明を具体的に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５９】
（実施例１）
＜酸化亜鉛粉末の製造＞
酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ：キシダ化学（株）製、純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下）を、大気中において昇温速度１０℃／分で室温から１２００℃まで昇温した後、１２００℃で１２時間焼成した。得られた焼成物をハンマーミルで粉砕・解砕して、焼成酸化亜鉛粉末を得た。焼成前の酸化亜鉛粉末および焼成酸化亜鉛粉末について、タップ密度を求めたところ、焼成前の酸化亜鉛粉末は１．０２ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有し、焼成酸化亜鉛粉末は３．９２ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有していた。
なお、タップ密度は、ＪＩＳ  Ｋ５１０１に準拠して、所定サイズのメスシリンダーに酸化亜鉛粉末の体積変化がなくなるまで、振動を付与しながら酸化亜鉛粉末を充填し、メスシリンダーの体積（ｃｍ３）と酸化亜鉛粉末の充填量（ｇ）とから求めた。
【００６０】
また、焼成酸化亜鉛粉末および焼成前の酸化亜鉛粉末を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。図１に、焼成酸化亜鉛粉末のＳＥＭ写真を示し、図２に焼成前の酸化亜鉛粉末のＳＥＭ写真を示す。焼成前の酸化亜鉛粉末は六角柱状などの角張った形状を有し、粒径はサブミクロン〜１μｍ程度であり粒度分布は狭かった。一方、焼成酸化亜鉛粉末はほぼ球形を有し、サブミクロン程度の微細粒子から数百μｍの巨大粒子まで存在しており、粒度分布が広くなってタップ密度は向上した。
【００６１】
＜酸化亜鉛系焼結体の製造＞
焼成酸化亜鉛粉末、炭化チタン粉末（ＴｉＣ：日本新金属（株）製、純度９９．９％、平均粒径０．９〜１．５μｍ）、および酸化アルミニウム粉末（Ａｌ２Ｏ３：住友化学（株）製「ＡＫＰ−３０００」、純度９９．９％、平均粒径０．５μｍ）を、亜鉛元素とチタン元素とアルミニウム元素との原子数比がＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９８．２：１．０：０．８となるように合計で１６００ｇ秤量し、ポリプロピレン製容器に入れた。次いで、混合溶媒としてエタノール１８００ｇを入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。この湿式混合は、ボールとして硬質ＺｒＯ２ボール（２ｍｍφ）を用い、卓上型ボールミルを用いて４時間行った。湿式混合後のスラリーを取り出してボールを篩いで除去し、エタノールをエバポレーターによって除去して、酸化亜鉛系粉末を得た。
【００６２】
得られた酸化亜鉛系粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）でできた金属製容器（外径：８３ｍｍ、内径：８０ｍｍ、高さ：７８ｍｍ）に酸化亜鉛系粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填し、タップ密度を求めると３．８６ｇ／ｃｍ３であった。理論密度が約５．６ｇ／ｃｍ３であることから、充填率は約６９％であった。理論密度は以下の式により求めた。
理論密度＝（酸化亜鉛の単体密度×混合質量比）＋（炭化チタンの単体密度×混合質量比）＋（酸化アルミニウムの単体密度×混合質量比）
【００６３】
金属製容器に酸化亜鉛系粉末を充填した後に、金属製容器に排気管を上蓋に溶接し、その後上蓋と金属製容器とを溶接した。金属製容器の溶接部の健全性を確認するため、Ｈｅリーク検査を行った。この時の漏れ量を１×１０−９Ｐａ・ｍ３／秒以下とした。次いで、５５０℃に加熱しながら７時間かけて金属製容器内を減圧し、金属製容器内が１．３３×１０−２Ｐａ以下になったことを確認して排気管を閉じ、金属製容器を封止した。封止した金属製容器をＨＩＰ装置（（株）神戸製鋼所製）内に設置し、カプセルＨＩＰ処理を行った。カプセルＨＩＰ処理は、圧力１００ＭＰａのアルゴン（Ａｒ）ガス（純度９９．９％）を圧力媒体とし、１１００℃で２時間行った。ＨＩＰ処理後、金属製容器を取り外し、円柱型の酸化亜鉛系焼結体を得た。
【００６４】
この酸化亜鉛系焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔をほとんど有さず緻密な焼結体であった。この酸化亜鉛系焼結体の相対密度を、以下の式で求めると９８．５％であった。理論密度は上述の通りであり、焼結体の密度はアルキメデス法により求めた。
相対密度＝［（焼結体の密度）／（理論密度）］×１００
【００６５】
酸化亜鉛系焼結体を研削および表面研磨に供し、直径５０．８ｍｍおよび厚さ３ｍｍの円盤状に加工した。得られた加工物を、エネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ−７００Ｌ」）にて分析すると、ＺｎとＴｉとＡｌとの原子数比はＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９８．２：１．０：０．８であった。この酸化亜鉛系焼結体のＺｎとＴｉとＡｌとの原子数比は、仕込み時の原子数比であるＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９８．２：１．０：０．８と同じであり、亜鉛は揮散していないことがわかる。
酸化亜鉛系焼結体の結晶構造を、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製、ＲＩＮＴ２０００）を用いて調べると、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸亜鉛（Ｚｎ２ＴｉＯ４）およびアルミン酸亜鉛（ＺｎＡｌ２Ｏ４）の結晶相の混合物であり、炭化チタンの結晶相および酸化アルミニウムの結晶相は確認できなかった。
【００６６】
銅板をバッキングプレートとして用い、得られた酸化亜鉛系焼結体を、インジウム半田でボンディングして、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットを用いて、スパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。すなわち、スパッタリング装置（キャノンアネルバエンジニアリング（株）製、Ｅ−２００）内に、上記ターゲットと透明基材（石英ガラス基板）とをそれぞれ設置し、Ａｒガス（純度９９．９９９５％以上、Ａｒ純ガス＝５Ｎ）を１２ｓｃｃｍで導入して、圧力０．５Ｐａ、電力７５Ｗ、基板温度２００℃の条件下でスパッタリングを行い、基板上に膜厚５００ｎｍの透明導電膜を形成した。成膜中、異常放電はほとんど発生せず、具体的には、約１時間のスパッタリングにおいて、異常放電に起因してスパッタリング装置の運転が停止した回数は３回以内であった。
【００６７】
原料混合物の原子数比（仕込み時の原子数比）と得られた酸化亜鉛系焼結体の原子数比とが同じであり、極めて高密度の酸化亜鉛系焼結体が得られたことがわかる。したがって、酸化亜鉛系焼結体を加工して得られるターゲットを用いてスパッタリングを行うと、異常放電がほとんど発生せず安定して成膜できた。
【００６８】
（実施例２）
＜酸化亜鉛系粉末の製造＞
実施例１で用いた酸化亜鉛粉末および実施例１で用いた炭化チタン粉末を、亜鉛元素とチタン元素との原子数比がＺｎ：Ｔｉ＝９６．５：３．５となるように合計で１２００ｇ秤量して乾式混合した。得られた混合粉末を、不活性雰囲気（アルゴン雰囲気）中において昇温速度１０℃／分で室温から１２００℃まで昇温した後、１２００℃で１０時間焼成した。得られた焼成物を乳鉢で軽く手粉砕して、酸化亜鉛系粉末を得た。この酸化亜鉛系粉末は、２．９４ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有していた。原料として用いた酸化亜鉛粉末は、１．０２ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有しており、焼成前の混合粉末（酸化亜鉛粉末および炭化チタン粉末）は、１．００ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有していた。タップ密度は、実施例１と同様の方法で求めた。
【００６９】
＜酸化亜鉛系焼結体の製造＞
得られた酸化亜鉛系粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）でできた金属製容器（外径：８３ｍｍ、内径：８０ｍｍ、高さ：７８ｍｍ）に酸化亜鉛系粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填し、タップ密度を求めると２．９４ｇ／ｃｍ３であった。理論密度が約５．６ｇ／ｃｍ３であることから、充填率は約５３％であった。理論密度は以下の式により求めた。
理論密度＝（酸化亜鉛の単体密度×混合質量比）＋（炭化チタンの単体密度×混合質量比）
【００７０】
金属製容器に酸化亜鉛系粉末を充填した後、実施例１と同様の手順でＨＩＰ処理を行い、円柱型の酸化亜鉛系焼結体を得た。この酸化亜鉛系焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔をほとんど有さず緻密な焼結体であった。この酸化亜鉛系焼結体の相対密度を実施例１と同様の方法で求めたところ、９８．５％であった。
【００７１】
得られた酸化亜鉛系焼結体を研削および表面研磨に供し、直径５０．８ｍｍおよび厚さ３ｍｍの円盤状に加工した。得られた加工物を、エネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ−７００Ｌ」）にて分析すると、ＺｎとＴｉと原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９６．５：３．５であった。この原子数比は、仕込み時の原子数比であるＺｎ：Ｔｉ＝９６．５：３．５と同じであり、亜鉛は揮散していないことがわかる。
酸化亜鉛系焼結体の結晶構造を、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製、ＲＩＮＴ２０００）を用いて調べると、酸化亜鉛（ＺｎＯ）およびチタン酸亜鉛（Ｚｎ２ＴｉＯ４）の結晶相の混合物であり、炭化チタンの結晶相は確認できなかった。
【００７２】
銅板をバッキングプレートとして用い、得られた酸化亜鉛系焼結体を、インジウム半田でボンディングして、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様の手順で、スパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。成膜中、異常放電はほとんど発生せず、具体的には、約１時間のスパッタリングにおいて、異常放電に起因してスパッタリング装置の運転が停止した回数は３回以内であった。
【００７３】
原料混合物の原子数比（仕込み時の原子数比）と得られた酸化亜鉛系焼結体の原子数比とが同じであり、極めて高密度の酸化亜鉛系焼結体が得られたことがわかる。したがって、酸化亜鉛系焼結体を加工して得られるターゲットを用いてスパッタリングを行うと、異常放電がほとんど発生せず安定して成膜できた。
【００７４】
（実施例３）
＜酸化亜鉛系粉末の製造＞
実施例１で用いた酸化亜鉛粉末、実施例１で用いた炭化チタン粉末、および酸化ガリウム粉末（Ｇａ２Ｏ３：住友化学（株）製、純度９９．９％、平均粒径１μｍ以下）を、亜鉛元素とチタン元素とガリウム元素の原子数比がＺｎ：Ｔｉ：Ｇａ＝９８．２：１．０：０．８となるように合計で１２００ｇ秤量して乾式混合した。得られた混合粉末を、不活性雰囲気（アルゴン雰囲気）中において昇温速度１０℃／分で室温から１２００℃まで昇温した後、１２００℃で１０時間焼成した。得られた焼成物を乳鉢で軽く手粉砕して、酸化亜鉛系粉末を得た。この酸化亜鉛系粉末は、２．９４ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有していた。原料として用いた酸化亜鉛粉末は、１．０２ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有しており、焼成前の混合粉末（酸化亜鉛粉末、炭化チタン粉末および酸化ガリウム粉末）は、１．００ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有していた。理論密度は以下の式により求めた。
理論密度＝（酸化亜鉛の単体密度×混合質量比）＋（炭化チタンの単体密度×混合質量比）＋（酸化ガリウムの単体密度×混合質量比）
【００７５】
＜酸化亜鉛系焼結体の製造＞
得られた酸化亜鉛系粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）でできた金属製容器（外径：８３ｍｍ、内径：８０ｍｍ、高さ：７８ｍｍ）に酸化亜鉛系粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填し、タップ密度を求めると２．９４ｇ／ｃｍ３であった。理論密度が約５．６ｇ／ｃｍ３であることから、充填率は約５３％であった。理論密度は実施例２と同様にして求めた。
【００７６】
金属製容器に酸化亜鉛系粉末を充填した後、実施例１と同様の手順でＨＩＰ処理を行い、円柱型の酸化亜鉛系焼結体を得た。この酸化亜鉛系焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔をほとんど有さず緻密な焼結体であった。この酸化亜鉛系焼結体の相対密度を実施例１と同様の方法で求めたところ、９８．５％であった。
【００７７】
得られた酸化亜鉛系焼結体を研削および表面研磨に供し、直径５０．８ｍｍおよび厚さ３ｍｍの円盤状に加工した。得られた加工物を、エネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ−７００Ｌ」）にて分析すると、ＺｎとＴｉと原子数比はＺｎ：Ｔｉ：Ｇａ＝９８．２：１．０：０．８であった。この原子数比は、仕込み時の原子数比であるＺｎ：Ｔｉ：Ｇａ＝９８．２：１．０：０．８と同じであり、亜鉛は揮散していないことがわかる。
酸化亜鉛系焼結体の結晶構造を、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製、ＲＩＮＴ２０００）を用いて調べると、酸化亜鉛（ＺｎＯ）およびチタン酸亜鉛（Ｚｎ２ＴｉＯ４）、ガリウム酸亜鉛（ＺｎＧａ２Ｏ４）の結晶相の混合物であり、炭化チタンの結晶相および酸化ガリウムの結晶相は確認できなかった。
【００７８】
銅板をバッキングプレートとして用い、得られた酸化亜鉛系焼結体を、インジウム半田でボンディングして、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様の手順で、スパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。成膜中、異常放電はほとんど発生せず、具体的には、約１時間のスパッタリングにおいて、異常放電に起因してスパッタリング装置の運転が停止した回数は３回以内であった。
【００７９】
原料混合物の原子数比（仕込み時の原子数比）と得られた酸化亜鉛系焼結体の原子数比とが同じであり、極めて高密度の酸化亜鉛系焼結体が得られたことがわかる。したがって、酸化亜鉛系焼結体を加工して得られるターゲットを用いてスパッタリングを行うと、異常放電がほとんど発生せず安定して成膜できた。
【００８０】
（実施例４）
＜酸化亜鉛系粉末の製造＞
実施例１で用いた酸化亜鉛粉末および実施例１で用いた炭化チタン粉末を、亜鉛元素とチタン元素との原子数比がＺｎ：Ｔｉ＝９８．５：１．５となるように合計で１２００ｇ秤量して乾式混合した。得られた混合粉末を、不活性雰囲気（アルゴン雰囲気）中において昇温速度１０℃／分で室温から１２００℃まで昇温した後、１２００℃で１０時間焼成した。得られた焼成物を乳鉢で軽く手粉砕して、酸化亜鉛系粉末を得た。この酸化亜鉛系粉末は、２．９４ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有していた。原料として用いた酸化亜鉛粉末は、１．０２ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有しており、焼成前の混合粉末（酸化亜鉛粉末および炭化チタン粉末）は、１．００ｇ／ｃｍ３のタップ密度を有していた。タップ密度は、実施例１と同様の方法で求めた。
【００８１】
＜酸化亜鉛系焼結体の製造＞
得られた酸化亜鉛系粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）でできた金属製容器（外径：８３ｍｍ、内径：８０ｍｍ、高さ：７８ｍｍ）に酸化亜鉛系粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填し、タップ密度を求めると２．９４ｇ／ｃｍ３であった。理論密度が約５．６ｇ／ｃｍ３であることから、充填率は約５３％であった。理論密度は実施例２と同様にして求めた。
【００８２】
金属製容器に酸化亜鉛系粉末を充填した後、実施例１と同様の手順でＨＩＰ処理を行い、円柱型の酸化亜鉛系焼結体を得た。この酸化亜鉛系焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔をほとんど有さず緻密な焼結体であった。この酸化亜鉛系焼結体の相対密度を実施例１と同様の方法で求めたところ、９８．５％であった。
【００８３】
得られた酸化亜鉛系焼結体を研削および表面研磨に供し、直径５０．８ｍｍおよび厚さ３ｍｍの円盤状に加工した。得られた加工物を、エネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ−７００Ｌ」）にて分析すると、ＺｎとＴｉと原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９８．５：１．５であった。この原子数比は、仕込み時の原子数比であるＺｎ：Ｔｉ＝９８．５：１．５と同じであり、亜鉛は揮散していないことがわかる。
酸化亜鉛系焼結体の結晶構造を、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製、ＲＩＮＴ２０００）を用いて調べると、酸化亜鉛（ＺｎＯ）およびチタン酸亜鉛（Ｚｎ２ＴｉＯ４）の結晶相の混合物であり、炭化チタンの結晶相は確認できなかった。
【００８４】
銅板をバッキングプレートとして用い、得られた酸化亜鉛系焼結体を、インジウム半田でボンディングして、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様の手順で、スパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。成膜中、異常放電はほとんど発生せず、具体的には、約１時間のスパッタリングにおいて、異常放電に起因してスパッタリング装置の運転が停止した回数は３回以内であった。
【００８５】
原料混合物の原子数比（仕込み時の原子数比）と得られた酸化亜鉛系焼結体の原子数比とが同じであり、極めて高密度の酸化亜鉛系焼結体が得られたことがわかる。したがって、酸化亜鉛系焼結体を加工して得られるターゲットを用いてスパッタリングを行うと、異常放電がほとんど発生せず安定して成膜できた。
【００８６】
（実施例５）
＜酸化亜鉛系焼結体の製造＞
実施例１で得られた焼成酸化亜鉛粉末、実施例１で用いた炭化チタン粉末、および実施例１で用いた酸化アルミニウム粉末を、亜鉛元素とチタン元素とアルミニウム元素との原子数比がＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９９．０：０．７：０．３となるように用いた以外は、実施例１と同様の手順で酸化亜鉛系粉末を得た。
【００８７】
得られた酸化亜鉛系粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）でできた金属製容器（外径：８３ｍｍ、内径：８０ｍｍ、高さ：７８ｍｍ）に酸化亜鉛系粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填し、タップ密度を求めると３．８９ｇ／ｃｍ３であった。理論密度が約５．６ｇ／ｃｍ３であることから、充填率は約６９％であった。理論密度は実施例１と同様にして求めた。
【００８８】
金属製容器に酸化亜鉛系粉末を充填した後、実施例１と同様の手順でＨＩＰ処理を行い、円柱型の酸化亜鉛系焼結体を得た。この酸化亜鉛系焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔をほとんど有さず緻密な焼結体であった。この酸化亜鉛系焼結体の相対密度を実施例１と同様の方法で求めたところ９８．５％であった。
【００８９】
酸化亜鉛系焼結体を研削および表面研磨に供し、直径５０．８ｍｍおよび厚さ３ｍｍの円盤状に加工した。得られた加工物を、エネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ−７００Ｌ」）にて分析すると、ＺｎとＴｉとＡｌとの原子数比はＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９９．０：０．７：０．３であった。この酸化亜鉛系焼結体のＺｎとＴｉとＡｌとの原子数比は、仕込み時の原子数比であるＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９９．０：０．７：０．３と同じであり、亜鉛は揮散していないことがわかる。
酸化亜鉛系焼結体の結晶構造を、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製、ＲＩＮＴ２０００）を用いて調べると、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸亜鉛（Ｚｎ２ＴｉＯ４）およびアルミン酸亜鉛（ＺｎＡｌ２Ｏ４）の結晶相の混合物であり、炭化チタンの結晶相および酸化アルミニウムの結晶相は確認できなかった。
【００９０】
銅板をバッキングプレートとして用い、得られた酸化亜鉛系焼結体を、インジウム半田でボンディングして、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様の手順で、スパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。成膜中、異常放電はほとんど発生せず、具体的には、約１時間のスパッタリングにおいて、異常放電に起因してスパッタリング装置の運転が停止した回数は３回以内であった。
【００９１】
原料混合物の原子数比（仕込み時の原子数比）と得られた酸化亜鉛系焼結体の原子数比とが同じであり、極めて高密度の酸化亜鉛系焼結体が得られたことがわかる。したがって、酸化亜鉛系焼結体を加工して得られるターゲットを用いてスパッタリングを行うと、異常放電がほとんど発生せず安定して成膜できた。
【００９２】
（実施例６）
＜酸化亜鉛系焼結体の製造＞
実施例１で得られた焼成酸化亜鉛粉末、および実施例１で用いた炭化チタン粉末を、亜鉛元素とチタン元素との原子数比がＺｎ：Ｔｉ＝９５．０：５．０となるように用いた以外は、実施例１と同様の手順で酸化亜鉛系粉末を得た。
【００９３】
得られた酸化亜鉛系粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）でできた金属製容器（外径：８３ｍｍ、内径：８０ｍｍ、高さ：７８ｍｍ）に酸化亜鉛系粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填し、タップ密度を求めると３．８４ｇ／ｃｍ３であった。理論密度が約５．６ｇ／ｃｍ３であることから、充填率は約６９％であった。理論密度は実施例２と同様にして求めた。
【００９４】
金属製容器に酸化亜鉛系粉末を充填した後、実施例１と同様の手順でＨＩＰ処理を行い、円柱型の酸化亜鉛系焼結体を得た。この酸化亜鉛系焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔をほとんど有さず緻密な焼結体であった。この酸化亜鉛系焼結体の相対密度を実施例１と同様の方法で求めたところ９８．５％であった。
【００９５】
酸化亜鉛系焼結体を研削および表面研磨に供し、直径５０．８ｍｍおよび厚さ３ｍｍの円盤状に加工した。得られた加工物を、エネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ−７００Ｌ」）にて分析すると、ＺｎとＴｉとの原子数比はＺｎ：Ｔｉ＝９５．０：５．０であった。この酸化亜鉛系焼結体のＺｎとＴｉとの原子数比は、仕込み時の原子数比であるＺｎ：Ｔｉ＝９５．０：５．０と同じであり、亜鉛は揮散していないことがわかる。
酸化亜鉛系焼結体の結晶構造を、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製、ＲＩＮＴ２０００）を用いて調べると、酸化亜鉛（ＺｎＯ）およびチタン酸亜鉛（Ｚｎ２ＴｉＯ４）の結晶相の混合物であり、炭化チタンの結晶相は確認できなかった。
【００９６】
銅板をバッキングプレートとして用い、得られた酸化亜鉛系焼結体を、インジウム半田でボンディングして、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様の手順で、スパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。成膜中、異常放電はほとんど発生せず、具体的には、約１時間のスパッタリングにおいて、異常放電に起因してスパッタリング装置の運転が停止した回数は３回以内であった。
【００９７】
原料混合物の原子数比（仕込み時の原子数比）と得られた酸化亜鉛系焼結体の原子数比とが同じであり、極めて高密度の酸化亜鉛系焼結体が得られたことがわかる。したがって、酸化亜鉛系焼結体を加工して得られるターゲットを用いてスパッタリングを行うと、異常放電がほとんど発生せず安定して成膜できた。
【００９８】
（実施例７）
＜酸化亜鉛系焼結体の製造＞
実施例１で得られた焼成酸化亜鉛粉末、実施例１で用いた炭化チタン粉末、および実施例１で用いた酸化アルミニウム粉末を、亜鉛元素とチタン元素とアルミニウム元素との原子数比がＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９４．５：３．５：２．０となるように用いた以外は、実施例１と同様の手順で酸化亜鉛系粉末を得た。
【００９９】
得られた酸化亜鉛系粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）でできた金属製容器（外径：８３ｍｍ、内径：８０ｍｍ、高さ：７８ｍｍ）に酸化亜鉛系粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填し、タップ密度を求めると３．８２ｇ／ｃｍ３であった。理論密度が約５．６ｇ／ｃｍ３であることから、充填率は約６８％であった。理論密度は実施例１と同様にして求めた。
【０１００】
金属製容器に酸化亜鉛系粉末を充填した後、実施例１と同様の手順でＨＩＰ処理を行い、円柱型の酸化亜鉛系焼結体を得た。この酸化亜鉛系焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔をほとんど有さず緻密な焼結体であった。この酸化亜鉛系焼結体の相対密度を実施例１と同様の方法で求めたところ９８．５％であった。
【０１０１】
酸化亜鉛系焼結体を研削および表面研磨に供し、直径５０．８ｍｍおよび厚さ３ｍｍの円盤状に加工した。得られた加工物を、エネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ−７００Ｌ」）にて分析すると、ＺｎとＴｉとＡｌとの原子数比はＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９４．５：３．５：２．０であった。この酸化亜鉛系焼結体のＺｎとＴｉとＡｌとの原子数比は、仕込み時の原子数比であるＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９４．５：３．５：２．０と同じであり、亜鉛は揮散していないことがわかる。
酸化亜鉛系焼結体の結晶構造を、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製、ＲＩＮＴ２０００）を用いて調べると、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸亜鉛（Ｚｎ２ＴｉＯ４）およびアルミン酸亜鉛（ＺｎＡｌ２Ｏ４）の結晶相の混合物であり、炭化チタンの結晶相および酸化アルミニウムの結晶相は確認できなかった。
【０１０２】
銅板をバッキングプレートとして用い、得られた酸化亜鉛系焼結体を、インジウム半田でボンディングして、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様の手順で、スパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。成膜中、異常放電はほとんど発生せず、具体的には、約１時間のスパッタリングにおいて、異常放電に起因してスパッタリング装置の運転が停止した回数は３回以内であった。
【０１０３】
原料混合物の原子数比（仕込み時の原子数比）と得られた酸化亜鉛系焼結体の原子数比とが同じであり、極めて高密度の酸化亜鉛系焼結体が得られたことがわかる。したがって、酸化亜鉛系焼結体を加工して得られるターゲットを用いてスパッタリングを行うと、異常放電がほとんど発生せず安定して成膜できた。
【０１０４】
（実施例８）
＜酸化亜鉛系焼結体の製造＞
実施例１で得られた焼成酸化亜鉛粉末、実施例１で用いた炭化チタン粉末、および炭化アルミニウム粉末（Ａｌ４Ｃ３：（株）高純度化学研究所製「ＡＬＩ０３ＰＢ」、純度９９．９％、平均粒径１．０μｍ）を、亜鉛元素とチタン元素とアルミニウム元素との原子数比がＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９８．５：１．０：０．５となるように用いた以外は、実施例１と同様の手順で酸化亜鉛系粉末を得た。
【０１０５】
得られた酸化亜鉛系粉末を、ステンレス（ＳＵＳ３０４）でできた金属製容器（外径：８３ｍｍ、内径：８０ｍｍ、高さ：７８ｍｍ）に酸化亜鉛系粉末の体積変化がなくなるまで振動を付与しながら充填し、タップ密度を求めると３．８２ｇ／ｃｍ３であった。理論密度が約５．６ｇ／ｃｍ３であることから、充填率は約６８％であった。理論密度は以下の式により求めた。
理論密度＝（酸化亜鉛の単体密度×混合質量比）＋（炭化チタンの単体密度×混合質量比）＋（炭化アルミニウムの単体密度×混合質量比）
【０１０６】
金属製容器に酸化亜鉛系粉末を充填した後、実施例１と同様の手順でＨＩＰ処理を行い、円柱型の酸化亜鉛系焼結体を得た。この酸化亜鉛系焼結体を電子顕微鏡で観察したところ、空孔をほとんど有さず緻密な焼結体であった。この酸化亜鉛系焼結体の相対密度を実施例１と同様の方法で求めたところ９８．５％であった。
【０１０７】
酸化亜鉛系焼結体を研削および表面研磨に供し、直径５０．８ｍｍおよび厚さ３ｍｍの円盤状に加工した。得られた加工物を、エネルギー分散型蛍光Ｘ線装置（（株）島津製作所製「ＥＤＸ−７００Ｌ」）にて分析すると、ＺｎとＴｉとＡｌとの原子数比はＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９８．５：１．０：０．５であった。この酸化亜鉛系焼結体のＺｎとＴｉとＡｌとの原子数比は、仕込み時の原子数比であるＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９８．５：１．０：０．５と同じであり、亜鉛は揮散していないことがわかる。
酸化亜鉛系焼結体の結晶構造を、Ｘ線回折装置（理学電機（株）製、ＲＩＮＴ２０００）を用いて調べると、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、チタン酸亜鉛（Ｚｎ２ＴｉＯ４）およびアルミン酸亜鉛（ＺｎＡｌ２Ｏ４）の結晶相の混合物であり、炭化チタンの結晶相および炭化アルミニウムの結晶相は確認できなかった。
【０１０８】
銅板をバッキングプレートとして用い、得られた酸化亜鉛系焼結体を、インジウム半田でボンディングして、スパッタリングターゲットを得た。
得られたスパッタリングターゲットを用いて、実施例１と同様の手順で、スパッタリング法により透明導電膜を成膜し、透明導電基板を得た。成膜中、異常放電はほとんど発生せず、具体的には、約１時間のスパッタリングにおいて、異常放電に起因してスパッタリング装置の運転が停止した回数は３回以内であった。
【０１０９】
原料混合物の原子数比（仕込み時の原子数比）と得られた酸化亜鉛系焼結体の原子数比とが同じであり、極めて高密度の酸化亜鉛系焼結体が得られたことがわかる。したがって、酸化亜鉛系焼結体を加工して得られるターゲットを用いてスパッタリングを行うと、異常放電がほとんど発生せず安定して成膜できた。
【０１１０】
（比較例１）
＜酸化亜鉛系焼結体の製造＞
タップ密度が１．０２ｇ／ｃｍ３である酸化亜鉛粉末（ＺｎＯ：和光純薬工業（株）製、特級）と酸化チタン（ＴｉＯ（ＩＩ）：（株）高純度化学研究所製）を、亜鉛元素とチタン元素とアルミニウム元素との原子数比がＺｎ：Ｔｉ：Ａｌ＝９６．５：３．０：０．５となるように合計で５００ｇ秤量し、ポリプロピレン製容器に入れた。次いで、混合溶媒としてエタノール６００ｇを入れ、湿式ボールミル混合法により湿式混合した。この湿式混合は、ボールとして硬質ＺｒＯ２ボール（２ｍｍφ）を用い、卓上型ボールミルを用いて４時間行った。湿式混合後のスラリーを取り出し、ボールを篩いによって除去し、エタノールをエバポレーターによって除去して混合粉末を得た。
実施例１と同様の手順で、得られた混合粉末のタップ密度を求めたところ、１．０１ｇ／ｃｍ３であった。
【０１１１】
この混合粉末を用いて、実施例１と同様の手順でＨＩＰ処理を行ったところ、ＨＩＰ処理中に金属製容器が破裂し、混合粉末がＨＩＰ処理装置内に飛散し、酸化亜鉛系焼結体を作製することが出来なかった。
得られた混合粉末の理論密度が約５．６ｇ／ｃｍ３であることから、充填率が約１８％であることがわかる。なお、理論密度は実施例１と同様にして求めた。このように、酸化亜鉛系粉末の充填率が約１８％と極めて低く、金属製容器の収縮率が８２％となるため、混合粉末の収縮に金属製容器の収縮が追随できず、金属製容器が破裂してしまった。
【図１】
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【図２】
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