(57)【要約】      （修正有）【課題】プリント基板のたわみ、伸縮等の変形を高精度に補正可能であり、かつ効率良く補正処理ができる直接露光装置を提供する。【解決手段】ベクタデータである設計配線パターン１０１をラスタデータである第１の露光パターンに変換するラスタ変換処理部１０６と、第１の露光パターンをＹ方向の高さ１ｄｏｔの複数の第１のラインに分離するメモリ制御部１１３と、プリント基板６に設けられたアライメントマーク位置の設計値と測定値との差分から補正係数を生成する補正係数生成部１０４と、第１のラインの両端座標Ａ，Ｂに補正係数を用いて第１のライン補正するライン補正部１１４と、補正後の前記第１のラインをＹ方向に平行な高さ１ｄｏｔの複数のラインに分割して第２のラインを生成するライン分割処理部１１７と、第２のラインの結合により全補正領域の露光パターン６を生成するメモリ制御部１１３と、を備えた。【選択図】図１
2014209154.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベクタデータである配線パターンをラスタデータである露光パターンに変換してワークに露光する配線パターンの描画方法であって、
ベクタデータである前記配線パターンをラスタデータである第１の露光パターンに変換
する工程と、
前記第１の露光パターンをＹ方向の高さ１ｄｏｔの一定長の複数の第１のラインに分離
する工程と、
前記ワークに設けられたアライメントマーク位置の設計値と測定値との差分から補正係
数を生成する工程と、
前記第１のラインの両端座標に前記補正係数を用いて当該第１のラインを補正する工程
と、
補正後の前記第１のラインをＹ方向に平行な高さ１ｄｏｔの複数のラインに分割して第
２のラインを生成する工程と、
前記第２のラインの結合により第２の露光パターンを生成する工程と、
を備えた描画方法。
【請求項２】
ベクタデータである配線パターンをラスタデータである露光パターンに変換してワーク
に露光する配線パターンの描画装置であって、
ベクタデータである前記配線パターンをラスタデータである第１の露光パターンに変換
する手段と、
前記第１の露光パターンをＹ方向の高さ１ｄｏｔの一定長の複数の第１のラインに分離
する手段と、
前記ワークに設けられたアライメントマーク位置の設計値と測定値との差分から補正係
数を生成する手段と、
前記第１のラインの両端座標に前記補正係数を用いて当該第１のラインと補正する手段
と、
補正後の前記第１のラインをＹ方向に平行な高さ１ｄｏｔの複数のラインに分割して第
２のラインを生成する手段と、
前記第２のラインの結合により第２の露光パターンを生成する手段と、
を備えた描画装置。
【請求項３】
請求項２に記載の配線パターンの描画装置であって、
前記第１の露光パターンに変換する手段によって変換されたラスタデータを格納する第
１の格納手段と、
前記第２のラインを生成する手段によって生成されたラスタデータを格納する第２の格
納手段と、
を備え、
前記第２の格納手段のサイズは、前記第１の格納手段のｍ×ｍ（ｍは３以上の整数）の
サイズである描画装置。
【請求項４】
請求項２又は３に記載の描画装置と、
前記第２の露光パターンを生成する手段により生成されたラスタデータに基づいて前記
ワークを露光する露光手段と、
を備えた露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は描画方法、描画装置及び露光装置に係り、さらに詳しくは、ＣＡＤ等で設計さ
れたプリント基板の配線パターンを露光装置で使用する露光パターンに変換する描画方法
、この描画方法を実行する描画装置、及びこの描画装置を備えた露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
露光装置の１つである直接露光装置は、マスクフィルムを用いずにプリント基板に配線
パターンを露光する装置である。この露光装置では、露光の際にＣＡＤ（Computer-Aided
Design ）等で設計された設計配線パターンを露光パターンに変換して（以下、この変換
を「ラスタ変換」と称する。）露光する。
【０００３】
設計配線パターンはベクトル図形で表現される単位図形データ（単位図形は、円、四角形、三角形などの単純な形状の図形である）の集合（以下、「ベクタデータ」と称する。）で構成される。
【０００４】
露光装置はベクタデータを格納するベクタメモリ、ラスタ変換を行うラスタ変換部、ラ
スタデータを格納するラスタメモリ等を備えている。ラスタ変換部はベクタメモリから取
り出したベクタデータをラスタ変換してラスタデータを生成し、ラスタメモリに格納する。ラスタメモリに格納されたラスタデータは露光パターンとして露光の際に使用される。
【０００５】
露光対象となるプリント基板は製造工程において熱等により、たわみ、伸縮等の変形が
発生し、この変形の度合いは基板１枚毎に異なる。プリント基板製造の歩留まり向上のた
めには、基板１枚毎に変形を検出し、露光パターンに対して１枚毎の変形に応じた補正を
実施することが好ましい。
【０００６】
プリント基板の変形に応じて配線パターンを補正する方法として、１枚のプリント基板
の四隅に基準となるアライメントマークを設けておき、露光に先立ち、アライメントマー
クをＣＣＤカメラ等で読み取り、本来あるべきアライメントマーク位置との差分をもとに
補正係数を計算し、この補正係数に基づいて露光パターンを補正して露光（描画）する方
法がある。
【０００７】
また補正には２種類の補正方法があり、ベクタデータに対して補正を実施する方法（以
下、この補正を「ベクタ補正」と称する。）と、ベクタデータをラスタ変換したラスタデ
ータ（以下、単に「ラスタデータ」と称する。）に対して補正を実施する方法（以下、この補正を「ラスタ補正」と称する。）がある
。
【０００８】
ベクタ補正は、ベクタ図形の頂点（四角形なら４つの頂点）毎に補正を実施する。頂点毎に補正を実施すると、図形の形状に応じた正確な補正が期待できる。このときの演算量は設計配線パターンに含まれるベクタデータの数に依存する。そのためベクタ補正を実施する場合、設計配線パターン毎の処理時間は一定でない。また、基板１枚毎に補正を実施する場合は、この補正とベクタデータをラスタデータに変換するラスタ変換処理をリアルタイムに実施する必要がある。
【０００９】
ラスタ補正はラスタデータに対して補正を実施する。この場合、図形の形状に依存しない補正となるため、補正の正確さではベクタ補正に劣る。しかし、前記ラスタデータのサイズが露光する基板サイズと分解能により決定されるため、補正の演算量は一定である。従って設計配線パターン毎の処理時間も一定である。また、基板１枚毎に補正を実施する場合は、前記ラスタデータに対する補正のみをリアルタイムに実施すればよい。
【００１０】
ベクタ補正は、正確な補正ができる一方、設計配線パターン毎の処理時間は一定でない
。ラスタ補正は、補正の正確さはベクタ補正には劣るが、設計配線パターン毎の処理時間
は一定である。
【００１１】
このようなラスタ補正の公知例として例えば特開２０１０−２０４４２１号公報（特許
文献１）に記載された技術が知られている。この公知技術は、簡易な処理にて基板の変形
に応じた描画データの補正処理を行える直接描画装置を提供するためになされたもので、
ベクタ形式のパターンデータから変換されたラスタ形式の初期描画データが表現する描画
対象画像を含む描画領域を、複数のメッシュ領域に仮想的に分割し、複数のメッシュ領域
の各々について、描画領域における配置位置と当該配置位置における描画内容とを関連づ
けた分割描画データを生成しておき、描画時には、描画対象とされる基板を撮像すること
により得られる撮像画像から特定される、基板に設けられたアライメントマークの位置に
基づいて、複数のメッシュ領域を基板の形状に応じて再配置する際の配置位置を特定し、
複数のメッシュ領域を特定された配置位置に再配置させた状態で、分割描画データにおい
て複数のメッシュ領域と関連づけられている描画内容を合成し、一の描画データを生成す
るというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２０１０−２０４４２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
図１０はラスタデータを領域毎に補正する前記公知技術の補正方法を示す説明図である
。同図（Ａ）はラスタデータを小領域に分割して基板の変形に対応させたときのラスタデ
ータの小領域が重複する例、同図（Ｂ）はラスタデータの小領域の間に抜け部分が生じる
例をそれぞれ示す。
【００１４】
従来技術では、図１０に示すようにラスタデータを予め設定されたマトリクス状の領域
（メッシュ領域）に分割する（（Ａ）−（ａ），（Ｂ）−（ａ））。変形したプリント基板６のアライメントマーク１０位置をＣＣＤカメラ等の撮像装置によって撮影し、アライメントマーク１０位置を測定する（（Ａ）−（ｂ），（Ｂ）−（ｂ））。（Ａ）−（ｂ）はプリント基板６が回転していない例を、（Ｂ）−（ｂ）はプリント基板６が（Ａ）−（ｂ）に対して反時計回り方向に若干回転している例をそれぞれ示す。
【００１５】
同図（Ａ），（Ｂ）において、（ｃ）では、アライメントマーク１０の位置からプリン
ト基板６の縦横の伸縮量を求め、同図（ａ）で分割したラスタデータの小領域毎の縦横の
伸縮率を決定する。図では、縦方向がＮ倍、横方向がＭ倍を想定している。
【００１６】
そして、小領域毎に求められた縦方向と横方向の伸縮率に応じて（ａ）の個々の領域を
進出させたラスタデータの小領域を設定し、（ｂ）の変形したプリント基板６上に仮想的
に前記ラスタデータの小領域を貼り付け、分割描画データにおいて複数のメッシュ領域と
関連づけられている描画内容を合成し、一のラスタデータからなる描画データを生成する
。
【００１７】
その際、（Ａ）−（ｄ）では、貼り付けた際、丸印で示すように上下左右の領域毎の整
合性を取ることが難しい場合が生じ、この部分の描画内容（ラスタデータ）の合成に問題
が生じる場合がある。
【００１８】
また、（Ｂ）−（ｄ）では、貼り付けた際、丸印で示すように上下左右の領域の間に隙
間が発生し、データ間に抜けが生じる場合がある。このように抜けが生じると、描画内容
（ラスタデータ）の合成ができなくなり、補正不能となる場合も生じ得る。このようにプリント基板６が初期状態から回転している場合に、補正が難しい。
【００１９】
さらに、領域毎に分解して伸縮率を決定する必要があるため、領域数が多くなればなる
ほど処理数が累乗的に増加し、その分の演算量も多くなり、効率的に処理することが難し
かった。
【００２０】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、高精度に補正可能であり、かつ効率良く補
正処理ができるようにすることにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
前記課題を解決するため、本発明は、ベクタデータである配線パターンをラスタデータ
である露光パターンに変換してワークに露光する配線パターンの描画方法であって、ベク
タデータである前記配線パターンをラスタデータである第１の露光パターンに変換する工
程と、前記第１の露光パターンをＹ方向の高さ１ｄｏｔの一定長の複数の第１のラインに
分離する工程と、前記ワークに設けられたアライメントマーク位置の設計値と測定値との
差分から補正係数を生成する工程と、前記第１のラインの両端座標に前記補正係数を用い
て当該第１のラインを補正する工程と、補正後の前記第１のラインをＹ方向に平行な高さ
１ｄｏｔの複数のラインに分割して第２のラインを生成する工程と、前記第２のラインの
結合により第２の露光パターンを生成する工程と、を備えたことを特徴とする。なお、前
記以外の課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明で明らかになる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、高精度に補正可能であり、かつ効率良く補正処理を行うことができる
。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係る露光装置の概略構成を示す機能ブロック図である。
【図２】第１のキャッシュメモリを概念的に示す図である。
【図３】第２のキャッシュメモリを概念的に示す図である。
【図４】補正が実施される前のラスタデータの一部を概念的に示す図である。
【図５】ライン補正部で補正された第１のラインを概念的に示す図である。
【図６】ライン分割処理部で分割された第２のラインを概念的に示す図である。
【図７】ライン分割処理部で分割された第２のラインを第２のキャッシュメモリに書き込むときの状態を概念的に示す図である。
【図８】図４ないし図７で説明した個々の補正処理を全体的にさらに具体的に示す説明図である。
【図９】補正係数の算出原理を説明するための説明図である。
【図１０】従来技術における補正方法を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照し、本発明の実施形態について説明する。
【００２５】
図１は本発明の実施形態に係る露光装置の概略構成を示す機能ブロック図である。図１
において、露光装置１は、ＣＡＤ（Computer Aided Design）／ＣＡＭ（Computer Aided 
Manufacturing）システム２、描画制御装置３及び露光部４から基本的に構成され、ＣＡ
Ｄ／ＣＡＭシステム２及び描画制御装置３により描画装置７が構成される。
【００２６】
ＣＡＤ／ＣＡＭシステム２は、設計配線パターン１０１、プリント基板測定部１０２、
ベクタデータ生成部１０３、及び補正係数生成部１０４を備えている。
【００２７】
描画制御装置３は、ベクタデータ格納部１０５、ラスタ変換処理部１０６、ラスタデー
タ格納部１０７、ラスタ補正部１０８、データ格納部１０９、データ転送部１１０、及び
補正係数格納部１１１を備えている。
【００２８】
ラスタ補正部１０８は、さらに、メモリ制御部１１３、ライン補正部１１４、第１のキ
ャッシュメモリ１１５、第２のキャッシュメモリ１１６及びライン分割処理部１１７を含
む。
【００２９】
露光部４は、プリント基板搬送装置５の上面に所定の間隔を持って対向して配置されて
いる。プリント基板搬送装置５の上面にはプリント基板６が所定間隔で載せられて搬送さ
れ、露光位置に達した位置で露光部４によってプリント配線パターンが露光される。
【００３０】
露光部４によって露光する場合には、露光に先立ち、ベクタデータ生成部１０３は設計
配線パターン１０１をベクトル図形で表わされる単位図形データ（単位図形は、円、四角
形、三角形などの単純な形状の図形である）の集合に分解し、ベクタデータを生成する。
【００３１】
ベクタデータ格納部１０５はベクタデータ生成部１０３で生成されたベクタデータを格
納する。なお、ベクタデータは圧縮された状態でベクタデータ格納部１０５に格納するこ
ともできる。このように圧縮すると、ベクタデータ格納部１０５のメモリ量を削減するこ
とが可能となる。
【００３２】
ラスタ変換処理部１０６はベクタデータ格納部１０５に格納されたベクタデータをラス
タデータに変換し、ラスタデータ格納部１０７に格納する。
【００３３】
ラスタ変換処理部１０６は、変換したラスタデータをラスタデータ格納部１０７に格納する際に一定サイズを処理領域と定義して処理領域毎に管理して格納する（例えば、縦２５６ｄｏｔｘ横２５６ｄｏｔ）。このサイズは、後に説明するラスタ補正の処理領域と一致していることが望ましい。また、処理領域毎にラスタデータを圧縮してラスタデータ格納部１０７に格納してもよい。圧縮すると、ラスタデータ格納部１０７のメモリ量を削減することができる。
【００３４】
プリント基板測定部１０２はプリント基板６の１枚毎に、プリント基板６に設けられた
アライメントマーク１０をＣＣＤカメラ等の撮像装置で読み取る。
【００３５】
補正係数生成部１０４は読み取ったアライメントマーク位置と、本来あるべきアライメ
ントマーク位置との差分をもとに補正係数を生成し、補正係数格納部１１１に格納する。
【００３６】
ラスタ補正部１０８は、補正係数格納部１１１に格納されている補正係数を用い、ラス
タデータ格納部１０７に格納されているラスタデータをラスタ補正の処理領域毎にラスタ補正する。
【００３７】
メモリ制御部１１３は、ラスタデータ格納部１０７、データ格納部１０９、ライン補正
部１１４、第１のキャッシュメモリ１１５及び第２のキャッシュメモリ１１６のデータの
受け渡しを制御する。
【００３８】
第１のキャッシュメモリ１１５は、ラスタデータ格納部１０７からメモリ制御部１１３
を経由して処理領域毎に送られてくるラスタデータの一部を格納する。第１のキャッシュメモリ１１５のサイズはラスタデータ格納部１０７の処理領域と同じサイズであることが望ましい。例えば、第１のキャッシュメモリ１１５のサイズが２５６ｄｏｔｘ２５６ｄｏｔである場合、第１のキャッシュメモリ１１５は図２に示すような形状である。
【００３９】
第１のキャッシュメモリ１１５に格納されたラスタデータの一部は、補正を効率的に実施するために、Ｙ方向の高さ１ｄｏｔで第１のキャッシュメモリ１１５と同じ幅の単位で１行ずつ読み出される。このＹ方向の高さ１ｄｏｔで第１キャッシュメモリ１１５と同幅のデータは、白黒入り混じったデータ系列であるが、これを第１のライン２０４と称する。例えば第１のキャッシュメモリ１１５のサイズが図２に示すように２５６ｄｏｔｘ２５６ｄｏｔである場合、第１のライン２０４は高さ１ｄｏｔ、幅２５６ｄｏｔの部分である。なお、第１のライン２０４の１ｄｏｔは符号２０３で示す。
【００４０】
第２のキャッシュメモリ１１６は、ライン補正部１１４とライン分割処理部１１７で生
成した補正後の第１のライン（以下、第２のラインと呼ぶ）２０５のラスタデータを格納
する。第２のキャッシュメモリ１１６のサイズは第１のキャッシュメモリ１１５のサイズ
を１処理領域とすると、３×３処理領域分のサイズである。なお、ここでは３×３のマト
リクスに設定しているが、ｍ×ｍ（ｍは３以上の整数）のマトリクスを用いることもでき
る。
【００４１】
図３は第１のキャッシュメモリ１１５が２５６ｄｏｔｘ２５６ｄｏｔの場合の、第２のキャッシュメモリ（７６８ｄｏｔｘ７６８ｄｏｔ）１１６への記憶の仕方の例である。
【００４２】
ライン補正部１１４は、第１のキャッシュメモリ１１５からメモリ制御部１１３を経由
して送られた第１のライン２０４の両端座標に対して、補正係数格納部１１１に格納され
ている補正係数を用いて補正し、これを補正後の両端座標とする。補正後の両端座標に基
づいて、メモリ制御部１１３は第２のキャッシュメモリ１１６に読み込むべき処理領域を
決定し、データ格納部１０９からラスタデータの一部を読み込む。
【００４３】
第２のキャッシュメモリ１１６に読み込む処理領域は、第２のラインの両端のＸ座標の
中点とＹ座標の中点が含まれる処理領域を基準とし（図３の（２））、その左右の１処
理領域分、上方に２処理領域分である。このような基準で第２のキャッシュメモリ１１６
に読み込む処理領域を決定することにより、第１のキャッシュメモリ１１５に格納された
ラスタデータの一部に含まれる第１のライン２０４の全ては、補正後、第２のキャッシュメモリ１１６のいずれかの処理領域に必ず含まれる。
【００４４】
ライン分割処理部１１７は、ライン補正部１１４で補正された第１のライン２０４の高
さが１ｄｏｔ以上になった場合、その補正された第１のライン２０４を複数の第２のライ
ン２０５に分割する。
【００４５】
このように第１のライン２０４のラスタデータの補正を、ライン補正部１１４と、ライ
ン分割処理部１１７とでライン単位に補正を実施することにより、ｄｏｔ毎に補正を実施
する場合より演算量が削減され、効率的なラスタ補正が可能となる。
【００４６】
ここで、簡単のために第１のキャッシュメモリ１１５のサイズを８ｄｏｔＸ８ｄｏｔとした場合の補正の例を図４、図５、図６、図７を用いて説明する。
【００４７】
図４は、補正が実施される前のラスタデータの一部を示す図であり、簡単のために２４ｄｏｔＸ２４ｄｏｔのサイズとした。第１のキャッシュメモリ１１５は、処理すべき８ｄｏｔｘ８ｄｏｔのデータを格納する。例えば、第１のキャッシュメモリ１１５は、処理すべきラスタデータの一部として図４の処理領域（２）を格納する。斜線部は、第１のキャッシュメモリ１１５から初めにライン補正部１１４に送られ、処理される第１のライン２０４である。
【００４８】
ライン補正部１１４は、メモリ制御部１１３を経由して送られた第１のライン２０４に
対して、補正後の両端座標を計算する。例えば、図５に示すようにライン補正部１１４で
の計算結果、両端座標がＡ（ｘ１＋２，ｙ１＋１５），Ｂ（ｘ２＋２，ｙ１＋１７）であ
ると、メモリ制御部１１３はその両端座標Ａ，Ｂに基づき、第２のキャッシュメモリ１１
６に読み込む処理領域を決定する。
【００４９】
両端座標がＡ，Ｂの場合、Ｘ座標の中点はｘ１＋５、Ｙ座標の中点はｙ１＋１６である
。メモリ制御部１１３は、処理すべきラスタデータの両端座標のＸ座標の中点とＹ座標の中点が含まれる処理領域を基準として読み込む処理領域を決定する。よって、メモリ制御部は、図７に示すように処理領域（８）を基準とし、３×３処理領域サイズ分（図７の処理領域（４）〜（１２）のラスタデータを第２のキャッシュメモリ１１６に読み込む。
【００５０】
ここで、図５に示すように補正された場合、ライン補正部１１４で補正された第１のラ
インの高さは１ｄｏｔ以上（図では３ｄｏｔ）となる。従って、ライン分割処理部１１７
は、図６に示すように補正された第１のラインを３つのＹ方向に平行な高さ１ｄｏｔの第２のライン２０５に分割する。
【００５１】
メモリ制御部１１３は、図７に示すように第２のキャッシュメモリ１１６の処理領域、この場合、処理領域（５）（８）（９）に跨っているので、（５）（８）（９）に分割された３つの第２のライン２０５を書き込む。
【００５２】
第１のキャッシュメモリ１１５に格納した１処理領域分のラスタデータの補正が完了すると、メモリ制御部１１３は、ラスタデータ格納部１０７から次の処理領域のラスタデータを第１のキャッシュメモリ１１５に格納する。
【００５３】
また、メモリ制御部１１３は、第２のキャッシュメモリ１１６に格納されている補正後
のラスタデータをデータ格納部１０９に書き込む。
【００５４】
ラスタ補正部１０８は、ラスタデータ格納部１０７に格納されているラスタデータを処理するまで処理領域毎に同様の処理を行う。
【００５５】
データ格納部１０９は、ラスタ補正部１０８により補正後のラスタデータを格納する。ラスタ変換処理部１０６で変換されたラスタデータがラスタ補正部１０８により全て補正されると、データ格納部１０９は、補正後のラスタデータをデータ転送部１１０に送る。
【００５６】
そして、データ転送部１１０は、データ格納部１０９に格納された補正後のラスタデータを露光部４に送る。露光部４は、補正後のラスタデータをプリント基板６に露光する。
【００５７】
複数の基板に同種の基板データを露光する場合、１回目の処理でラスタ変換したラスタデータを２回目の処理でもそのまま使用する。このような手順で処理することにより、２回目以降の処理ではラスタ変換処理部１０６でのラスタ変換処理を省くことができる。
【００５８】
図８は、図４ないし図７で説明した個々の補正処理を全体的にさらに具体的に示す説明図である。前述の従来技術で説明した図１０（Ｂ）と対応する。
【００５９】
従来技術では、ラスタデータをマトリクス領域に分割し、アライメントマーク１０の測
定結果に基づき、分割された小領域毎に伸縮率を決定して変形したプリント基板６上に仮
想的に貼り付けて補正データを合成していた。これに対して、本実施形態では、図２ある
いは図４に示したように高さ１ドットのラインに分割して第１のライン２０４を生成する。この状態を図８（ａ）に示す。高さ１ドットのラインは、前述のように第１のキャッシュメモリ１１５と同じ幅の単位で読み出される。
【００６０】
次いで、アライメントマーク１０の位置からプリント基板６の歪みを測定し、補正係数
を生成する。
【００６１】
補正係数の算出原理は、例えば従来から知られているものであるが、以下の通りである。
【００６２】
図９は補正係数の算出原理を説明するための説明図である。同図において、プリント基
板６の四隅の本来あるべきアライメントマーク１０位置（設計値）を点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３
、Ｐ４とする。変形したプリント基板６から読み取ったアライメントマーク１０位置（測
定値）の前記各点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４に対応する点をそれぞれ、点Ｐ１１、点Ｐ２１
、点Ｐ３１、点Ｐ４１とする。両者の差分、言い換えれば各点Ｐ１１、Ｐ２１、Ｐ３１、
Ｐ４１の点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４に対する差分を、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ３、Ｖ４とする。
【００６３】
前記点Ｐ４と点Ｐ１を結ぶ線分をＡ１、点Ｐ１と点Ｐ２を結ぶ線分をＢ１、点Ｐ２と点
Ｐ３を結ぶ線分をＣ１、点Ｐ３と点Ｐ４を結ぶ線分をＤ１とし、点Ｐ４１と点Ｐ１１を結
ぶ線分をＡ２、点Ｐ１１と点Ｐ２１を結ぶ線分をＢ２、点Ｐ２１と点Ｐ３１を結ぶ線分を
Ｃ２、点Ｐ３１と点Ｐ４１を結ぶ線分をＤ２とする。
【００６４】
いま、点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４で形成される平面上に、本来あるべき変形していない
プリント基板６上のある任意の点ＰＯが、点Ｐ１１、Ｐ２１、Ｐ３１、Ｐ４１で形成され
る平面上の点ＰＯ１ずれているとき、このずれ量（指定位置に対する補正量）ＶＯを求め
る。
【００６５】
前記各点Ｐ１、Ｐ２、Ｐ３、Ｐ４と、点Ｐ１１、Ｐ２１、Ｐ３１、Ｐ４１の間には、
Ｐ１１＝Ｐ１＋Ｖ１
Ｐ２１＝Ｐ２＋Ｖ２
Ｐ３１＝Ｐ３＋Ｖ３
Ｐ４１＝Ｐ４＋Ｖ４
の関係がある。
【００６６】
前記任意の点ＰＯを通り、線分Ａ１と平行な線分Ａ１１を引き、線分Ｂ１、Ｄ１との交
点を求め、それぞれ点Ｒ１と点Ｒ２とする。同様に、点ＰＯを通り線分Ｂ１と平行な線分
Ｂ１１を引き、線分Ａ１、Ｃ１との交点を求め、それぞれ点Ｓ１、Ｓ２とする。
【００６７】
線分Ｂ１と、点Ｐ１と点Ｒ１を結ぶ線分ｂ１の比を、１：αとし、同様に、線分Ａ１と
、点Ｐ１と点Ｓ１を結ぶ線分ａ１の比を、１：βとする。また、線分Ｂ１上の内分点Ｒ１に対する、線分Ｂ２上の内分点をＲ１１とする。つまり、線分Ｂ２と、点Ｐ１１と点Ｒ１１を結ぶ線分ｂ２の比は１：αとなる。すると、点Ｒ１に対する点Ｒ１１のずれ量Ｖ１１は、
Ｖ１１＝Ｒ１１−Ｒ１
＝（１−α）Ｖ１＋αＶ２ 
また、点Ｒ２に対する点Ｒ２１のずれ量Ｖ４１は、
Ｖ４１＝Ｒ２１−Ｒ２
＝（１−α）Ｖ４＋αＶ３
で求められる。よって、任意の点ＰＯに対する点ＰＯ１のずれ量ＶＯは、 
ＶＯ＝ＰＯ１−ＰＯ 
＝（１−β）Ｖ１１＋βＶ４１ 
＝Ｖ１＋α（Ｖ２−Ｖ１）＋β（Ｖ４−Ｖ１）
＋αβ（Ｖ１−Ｖ２＋Ｖ３ −Ｖ４）
で求められる。
【００６８】
従って、任意の点ＰＯについて、ずれ量ＶＯを係数化し、補正係数として使用すること
ができる。
【００６９】
図８（ｂ），（ｂ’）に示したような場合は、点Ｐ１に対応する本来あるべき第１のア
ライメントマーク１０−１と変形した後の第１のアライメントマーク１０−１１とのずれ
量、本来あるべき第２のアライメントマーク１０−２と変形した後の第２のアライメント
マーク１０−２１とのずれ量、本来あるべき第３のアライメントマーク１０−３と変形し
た後の第３のアライメントマーク１０−３１とのずれ量、本来あるべき第４のアライメン
トマーク１０−４と変形した後の第４のアライメントマーク１０−４１とのずれ量から４
つのアライメントマークの本来あるべき位置から変形後の位置に補正する補正係数を生成
する。生成された補正係数は、補正係数格納部１１１に格納される。
【００７０】
そして、図８（ｃ）に示すように補正係数を用いて第１のライン２０４を補正し、補正
後のラスタデータを第２のキャッシュメモリ１１６に書き込む（図５参照）。次いで、図８（ｄ）に示すように補正した第１のライン２０４を１ドットの高さのラインに分割した第２のライン２０５を生成し（図６及び図７参照）、補正後のラスタデータをデータ格納部１０９に書き込む。
【００７１】
ラスタ変換処理部１０６で変換されたラスタデータがラスタ補正部１０８によりライン毎に全て補正されると、第２のラインに対応する補正後のラスタデータを図８（ｅ）に示すように全て結合することにより、補正後のラスタデータによって全補正領域について露光パターン２０６の補正が完了する。
【００７２】
第２のラインデータによって全領域について補正が完了すると、データ格納部１０９は
、補正が完了した補正後のラスタデータをデータ転送部１１０に送り、露光部４では、データ転送された補正後のラスタデータに基づいて、変形したプリント基板６に対して露光処理を実行する。
【００７３】
以上のように、本実施形態によれば、次のような効果を奏する。なお、以下の実施形態
における効果の説明では、特許請求の範囲における各構成要素と本実施形態の各部につい
てかっこ書き若しくは参照符号により両者の対応関係が明確になるようにした。
【００７４】
１）  本実施形態に係るベクタデータである配線パターン（設計配線パターン１０１）を
ラスタデータである露光パターンに変換してワーク（プリント基板６）に露光する配線パ
ターンの描画方法では、
ベクタデータである前記配線パターン（設計配線パターン１０１）をラスタデータであ
る第１の露光パターンに変換する工程と（ベクタデータ格納部１０５→ラスタ変換処理部
１０６→ラスタデータ格納部１０７）、
前記第１の露光パターンをＹ方向の高さ１ｄｏｔの一定長（実施形態では８ｄｏｔ）の
複数の第１のライン２０４に分離する工程と（メモリ制御部１１３、図８（ａ））、
前記ワークに設けられたアライメントマーク１０位置の設計値（１０−１，２，３，４
，）と測定値（１０−１１，２１，３１，４１）との差分から補正係数を生成する工程と
（プリント基板測定部１０２→補正係数生成部１０４、図８（ａ）及び（ｂ））、
各前記第１のライン２０４の両端座標Ａ，Ｂに前記補正係数を用いて補正する工程と（
補正係数格納部１１１→ライン補正部１１４、図８（ｃ））、
補正後の前記第１のライン２０４をＹ方向に平行な高さ１ｄｏｔの複数のラインに分割
して第２のライン２０５を生成する工程と（ライン分割処理部１１７、図８（ｄ））、
前記第２のライン２０５の結合により第２の露光パターン（全補正領域の露光パターン
２０６）を生成する工程と（ライン分割処理部１１７、ライン補正部１１４→メモリ制御
部１１３、図８（ｅ））、を備えた。
【００７５】
これにより、図１０（Ａ）（ｄ）に示したラスタデータの重複も、図１０（Ｂ）（ｄ）
に示したラスタデータのデータ抜けも生じることがなく、ラスタ補正が不可能となる場合
もなく高精度の補正が可能になる。また、Ｙ方向の高さ１ｄｏｔの１ライン単位で処理するので、１ｄｏｔ毎に処理した従来例に比較して格段に処理効率を高めることができる。
【００７６】
２）  ベクタデータである配線パターン（設計配線パターン１０１）をラスタデータであ
る露光パターンに変換してワーク（プリント基板６）に露光する配線パターンの描画装置
７であって、
ベクタデータである前記配線パターン（設計配線パターン１０１）をラスタデータであ
る第１の露光パターンに変換する手段（ラスタ変換処理部１０６）と、
前記第１の露光パターンをＹ方向の高さ１ｄｏｔの一定長の複数の第１のライン２０４
に分離する手段（メモリ制御部１１３）と、
前記ワーク（プリント基板６）に設けられたアライメントマーク１０位置の設計値（１
０−１，２，３，４）と測定値（１０−１１，２１，３１，４１）との差分から補正係数
を生成する手段（補正係数生成部１０４）と、
前記第１のライン２０４の両端座標Ａ，Ｂに前記補正係数を用いて補正する手段（ライ
ン補正部１１４）と、
補正後の前記第１のライン２０４をＹ方向に平行な高さ１ｄｏｔの複数のラインに分割
して第２のライン２０５を生成する手段（ライン分割処理部１１７）と、
前記第２のライン２０５の結合により第２の露光パターン（全補正領域の露光パターン
２０６）を生成する手段（メモリ制御部１１３）と、
を備えたので、前記１）と同様の効果を奏する。
【００７７】
３）  前記第１の露光パターンに変換する手段（ラスタ変換処理部１０６）によって変換
されたラスタデータを格納する第１の格納手段（第１のキャッシュメモリ１１５）と、前
記第２のラインを生成する手段（ライン分割処理部１１７）によって生成されたラスタデ
ータを格納する第２の格納手段（第２のキャッシュメモリ１１６）と、を備え、前記第２
の格納手段（第２のキャッシュメモリ１１６）のサイズは、前記第１の格納手段（第１の
キャッシュメモリ１１５）のｍ×ｍ（ｍは３以上の整数）のサイズに設定されているので
、第１のライン２０４をｍ個のＹ方向に平行な高さ１ｄｏｔの第２のライン２０５に分割することができる。
【００７８】
４）  露光装置１が、前記描画装置７と、前記第２の露光パターンを生成する手段（メモリ制御部１１３）により生成されたラスタデータに基づいて前記ワークを露光する露光手段（露光部４）と、を備えているので、効率良く処理された描画データに基づいて高精度の露光が可能となる。
【００７９】
なお、本発明は前述した実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
の変形が可能であり、特許請求の範囲に記載された技術思想に含まれる技術的事項の全て
が本発明の対象となる。前記実施形態は、好適な例を示したものであるが、当業者ならば
、本明細書に開示の内容から、各種の代替例、修正例、変形例あるいは改良例を実現する
ことができ、これらは添付の特許請求の範囲に記載された技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００８０】
１  露光装置
２  ＣＡＤ／ＣＡＭシステム
３  描画制御装置
４  露光部
５  プリント基板搬送装置
６  プリント基板
７  描画装置
１０  アライメントマーク
１０−１，２，３，４  アライメントマークの設計値
１０−１１，２１，３１，４１  アライメントマークの測定値
１０１  設計配線パターン
１０２  プリント基板測定部
１０３  ベクタデータ生成部
１０４  補正係数生成部
１０５  ベクタデータ格納部
１０６  ラスタ変換処理部
１０７  ラスタデータ格納部
１０８  ラスタ補正部
１０９  データ格納部
１１０  データ転送部
１１１  補正係数格納部
１１３  メモリ制御部
１１４  ライン補正部
１１５  第１のキャッシュメモリ
１１６  第２のキャッシュメモリ
１１７  ライン分割処理部
２０３  ラスタデータの一部の１ｄｏｔ
２０４  第１のライン
２０５  第２のライン
２０６  全補正領域の露光パターン
【図１】
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【図３】
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【図９】
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【図１０】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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