(57)【要約】      （修正有）【課題】熱処理によって半導体装置に生じる内部熱応力をより少なくできるリードフレームを提供する。【解決手段】半導体チップ５を載置するダイパッド部２４に、その内周面が対向する１対の傾斜面２４ｂと他の１対の傾斜面で形成される貫通孔２４ａを形成する。半導体装置１０は、このリードフレームのダイパッド部２４の傾斜面２４ｂと他の１対の傾斜面で半導体チップ５が係止されると共に、半導体チップ５の側面と傾斜面２４ｂと他の１対の傾斜面とがダイボンド剤３で接着されている。半導体チップ５は、インナーリード部２２ａとワイヤーボンディングされ、ダイパッド部２４と共に封止樹脂６により封止されている。このように、半導体チップ５の底面には熱膨張係数の差が大きいダイボンド剤３が存在せず、熱膨張係数の近い封止樹脂６で覆われているため、半導体チップ５及びダイパッド部２４の湾曲を抑制することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップを樹脂にて封止する樹脂封止型の半導体装置用のリードフレームであって、
前記半導体チップが載置される貫通孔を有するダイパッド部と、インナーリード部とアウターリード部を有するリードフレームと、を備え、
前記ダイパッド部の貫通孔は、途中に前記半導体チップを係止する係止部を有する、
ことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
前記貫通孔は、前記貫通孔の一方の開口が前記半導体チップよりも大きく形成され、他方の開口が前記半導体チップよりも小さく形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
前記貫通孔は、対向する２組の面で形成され、当該２組のうちの少なくとも一方の対向する面が傾斜して形成されている、
ことを特徴とする請求項２に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記貫通孔は、内面に段差部を備え、当該段差部により前記半導体チップを係止する環状平面部が形成されている、
ことを特徴とする請求項１、請求項２、又は請求項３に記載のリードフレーム。
【請求項５】
請求項１から請求項４のうちのいずれか１の請求項に記載したリードフレームと、
前記貫通孔の内側で係止、固着され、前記インナーリード部と電気的に接続された前記半導体チップと、
前記半導体チップと前記ダイパッド部と前記インナーリード部を封止する封止樹脂と、を備え、
前記封止樹脂は、前記半導体チップの下側面と貫通孔により形成される空間を含めて充填されている、
ことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リードフレーム、及び半導体装置にかかり、詳細には、樹脂封止型の半導体装置とそのリードフレームに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置は小型、薄型化の要求から、リードフレーム上に半導体チップを載置して樹脂封止した樹脂封止型の半導体装置が広く使用されている（特許文献１）。
図６は、従来の半導体装置１００の側断面を表したものである。
従来の半導体装置１００は、図６に示されるように、パッケージの封止樹脂の内部に配置されている。
すなわち、半導体装置１００は、リード部２２とダイパッド部２４０からなるリードフレームのダイパッド部２４０上に、ダイボンド剤３０を介して半導体チップ５が接着され、半導体チップ５とリード部２２とがボンディングワイヤー１で接続された状態で、これらの外周が封止樹脂６で封止されている。
【０００３】
このように形成される半導体装置１００は、構成する半導体チップ５はシリコンを素材とし、ダイパッド部２４０は銅を素材とし、封止樹脂６はエポキシを素材として形成されている。そして、これら各構成部材の熱膨張係数は、半導体チップ５が３×１０-6mm／°Ｃ、ダイパッド２４０が１７×１０-6mm／°Ｃ、ダイボンド剤３０が３８×１０-6mm／°Ｃであり、封止樹脂６が１０×１０-6mm／°Ｃである。
【０００４】
半導体装置１００は、その製造工程において温度サイクル試験やリフロー行程等において熱処理されるのが一般であり、この加熱の際とその後の常温に戻る際に膨張と収縮が行われる。
図７は、熱処理中における半導体装置１００の状態を表したものである。
図７に示すように、熱処理により外部から加熱されると半導体装置１００は、各構成部材の熱膨張係数の違いから、封止樹脂６はダイボンド２４０側が膨張し半導体チップ５側が収縮することで全体に湾曲し、図７の矢印Ｐで示したように、内部熱応力が半導体装置１００に作用することになる。
【０００５】
この加熱の際と常温に戻る際の膨張と収縮、及び内部熱応力によって、半導体チップ５とダイパッド部２４０を接着しているダイボンド剤３０が剥離し、半導体装置１００の内部構造が破壊される可能性があった。
そして、ダイボンド剤３０の剥離によって半導体チップ５とダイパッド部２４０との界面位置に隙間が生じると、半導体チップ５をグランド線に接続するためにダイボンド剤３０を使用している場合には、半導体装置１００の特性を悪化させることになる。
また、このダイボンド剤３０の一部に剥離が生じていると、高温多湿試験時に、半導体チップ５とダイパッド部２４０との界面に生じた隙間に水分が集まる。この水分が、外部からの熱により気化膨張を起こすことが、パッケージ全体に亀裂を生じさせるパッケージクラックの原因の一つでもある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３２４９２６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、熱処理によって半導体装置に生じる内部熱応力をより少なくすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）請求項１に記載の発明では、半導体チップを樹脂にて封止する樹脂封止型の半導体装置用のリードフレームであって、前記半導体チップが載置される貫通孔を有するダイパッド部と、インナーリード部とアウターリード部を有するリードフレームと、を備え、前記ダイパッド部の貫通孔は、途中に前記半導体チップを係止する係止部を有する、ことを特徴とするリードフレームを提供する。
（２）請求項２に記載の発明では、前記貫通孔は、前記貫通孔の一方の開口が前記半導体チップよりも大きく形成され、他方の開口が前記半導体チップよりも小さく形成される、ことを特徴とする請求項１に記載のリードフレームを提供する。
（３）請求項３に記載の発明では、前記貫通孔は、対向する２組の面で形成され、当該２組のうちの少なくとも一方の対向する面が傾斜して形成されている、ことを特徴とする請求項２に記載のリードフレームを提供する。
（４）請求項４に記載の発明では、前記貫通孔は、内面に段差部を備え、当該段差部により前記半導体チップを係止する環状平面部が形成されている、ことを特徴とする請求項１、請求項２、又は請求項３に記載のリードフレームを提供する。
（５）請求項５に記載の発明では、請求項１から請求項４のうちのいずれか１の請求項に記載したリードフレームと、前記貫通孔の内側で係止、固着され、前記インナーリード部と電気的に接続された前記半導体チップと、前記半導体チップと前記ダイパッド部と前記インナーリード部を封止する封止樹脂と、を備え、前記封止樹脂は、前記半導体チップの下側面と貫通孔により形成される空間を含めて充填されている、ことを特徴とする半導体装置を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明では、半導体チップを載置するダイパッド部を、半導体チップを収容可能な傾斜面を有する貫通孔を形成したので、半導体チップを配置した場合にその上下の面が封止樹脂で封止されるため、半導体装置に生じる内部熱応力をより少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施形態が適用されるリードフレームの構成図である。
【図２】図１のリードフレームを使用した半導体装置の構成図である。
【図３】半導体装置の製造過程の状態を表した説明図である。
【図４】半導体装置の製造過程の状態を表した他の説明図である。
【図５】変形例に係るダイパッド部の形状を表した説明図である。
【図６】従来の樹脂封止型の半導体装置の構成図である。
【図７】熱処理中における従来の半導体装置の状態を表した説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明のリードフレーム、及び、半導体装置における好適な実施の形態について、図１から図５を参照して詳細に説明する。
（１）実施形態の概要
本実施形態のリードフレーム２０では、半導体チップ５を載置するダイパッド部２４に、その内周面が対向する１対の傾斜面２４ｂと他の１対の傾斜面２４ｃで形成される水平断面が矩形形状の貫通孔２４ａを形成する。
そして、半導体装置１０は、このリードフレーム２０のダイパッド部２４の傾斜面２４ｂ、２４ｃで半導体チップ５が係止されると共に、半導体チップ５の側面と傾斜面２４ｂ、２４ｃとがダイボンド剤３で接着されている。
半導体チップ５は、インナーリード部２２ａとワイヤーボンディングされ、ダイパッド部２４と共に封止樹脂６により封止されている。
このように、半導体チップ５の底面には熱膨張係数の差が大きいダイボンド剤３が存在せず、熱膨張係数の近い封止樹脂で覆われているため、半導体チップ５及びダイパッド部２４の湾曲を抑制することができる。
また、湾曲により内部熱応力の偏りが発生したとしても、半導体チップ５の側面がダイパッド部２４の貫通孔２４ａに収容されるようにすることで、半導体チップ５の側面にかかる応力を低減することができる。
これにより、半導体装置１０を構成する各部材の内部熱応力の違いによる半導体装置内部の破壊を防止することができる。
【００１２】
（２）実施形態の詳細
図１は本実施形態が適用されるリードフレームの構成を表したもので、（ａ）は、リードフレーム２０の平面図で、（ｂ）はＡ−Ａ断面図である。
図１に示すように、本実施形態のリードフレーム２０は、銅を素材とし、長形のリード部２２と、矩形のダイパッド部２４とから構成されている。本実施形態のリード部２２は、２方向リード方式となっており、ダイパッド部２４の対向する一方の２辺（図１では左右の両辺）から所定間隔をおいて、それぞれ３個ずつ合計６個配設されている。
ただし、対向する他方の２辺にも所定間隔をおいて、すなわちダイパッド部２４の４方にリード部２２を配設することで４方向リード方式にしてもよい。また、配設するリード部２２の総数や、配置箇所については、接続される半導体チップ５に応じて決められる。
各リード部２２は、その長手方向がダイパッド部２４を向くように配設される。
【００１３】
ダイパッド部２４には、貫通孔２４ａが形成されている。この貫通孔２４ａは、一方の側（上側）の開口面積よりも、他方の側（下側）の開口面積を小さくすることで、他方の側に向かって縮形状に形成されている。
載置される半導体チップ５に比べ、上側開口面は大きく形成され、下側開口面は小さく形成されている。
貫通孔２４ａの内側面は、対向する１対の傾斜面２４ｂと、他の対向する１対の傾斜面２４ｃとから構成され、水平断面における形状は半導体チップ５の下側面の形状と相似する矩形に形成されている。
【００１４】
なお、本実施形態では、対向する１対の面と、他方の対向する１対の面の双方を傾斜面として形成したが、いずれか一方の１対の面を傾斜面とし、他方の１対の面を垂直面としてもよい。この場合、半導体チップ５は、一方の１対の傾斜面で係止されることになる。
本実施形態において、半導体チップ５の底面端部が傾斜面で係止されることで、当該傾斜面における半導体底面と接触している部分が係止部として機能している。
【００１５】
ダイパッド部２４及び貫通孔２４ａのサイズは、載置される半導体チップ５のサイズに応じて決められている。
例えば、収容する半導体チップ５の平面サイズがａ×ｂであった場合、貫通孔２４ａの上側開口のサイズは（ａ＋２α）×（ｂ＋２α）に形成される。ここで、α＝５μｍ〜１０μｍの範囲で選択される。
一方、貫通孔２４ａの下側開口のサイズは（ａ−２β）×（ｂ−２β）の範囲で選択される。
【００１６】
ダイパッド部２４の厚さは、半導体チップ５の厚さをｃとすると、ｃ＋γの厚さに形成される。γは、貫通孔２４ａの傾斜面２４ｂ、２４ｃに半導体チップ５が係止される位置から下側の長さ（ダイパッド部２４の下側面までの長さ）である。当該係止位置から上側の長さが半導体チップ５の厚さｃと同じである。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、ダイパッド部２４の外側面部から傾斜面２４ｂまでの厚さよりも、傾斜面２４ｃまでの厚さの方が厚く形成されている。
これは、傾斜面２４ｃ側は、リードフレーム２０に半導体チップ５を装着した半導体装置１０を熱処理した場合に湾曲しやすい面と平行であるため、傾斜面２４ｃ側を、傾斜面２４ｂ側よりも厚くすることで、より湾曲しにくい構造とするためである。
なお、厚くした分だけ装置が大型化するため、両者を同一の厚さにすることも可能である。
【００１８】
リード部２２は、ダイパッド部２４側のインナーリード部２２ａと、反対側のアウターリード部２２ｂで構成される。
図１（ｂ）の断面図では、リード部２２は、インナーリード部２２ａとアウターリード部２２ｂとで段差を設けているが、これは、半導体装置１０に使用され、半導体装置１０の足として段差が形成された後の形状を表したもので、リードフレーム２０としては段差の無い形状である。ただし、段差を設けたものをリードフレーム２０としてもよい。
【００１９】
なお、図１に示したリードフレーム２０は、各リード部２２とダイパッド部２４とがバラバラの状態で表示されているが、実際の製品としては、各部品はリードフレーム２０の外側を取り囲むフレーム枠（図示しない）に接続されており、半導体装置１０を形成した後に切断されるようになっている。
なお、ダイパッド部２４は、直接フレーム枠に接続される場合と、いずれか１のリード部２２と接続されることで当該リード部２２を介してフレーム枠に接続される場合もある。この場合、ダイパッド部２４が接続されるリード部２２は、通常グランド用として使用される。
【００２０】
図２は、図１で説明したリードフレーム２０を使用した半導体装置１０の構成を示したもので、（ａ）は半導体装置１０の平面と平行な面での断面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面図である。（ａ）は（ｂ）のＢ−Ｂ断面図でもある。
図２に示されるように、半導体装置１０は、半導体チップ５がダイパッド部２４の貫通孔２４ａ内に収容され、半導体チップ５の下面の端部が、貫通孔２４ａの傾斜面２４ｂ、２４ｃと当接することで係止している。
半導体チップ５は、貫通孔２４ａのほぼ中央に配設されることで、傾斜面２４ｂ、傾斜面２４ｃとの間に断面三角形状の空間が確保される。
この空間にはダイボンド剤３が充填されることで、半導体チップ５は、その側面がダイボンド剤３によってダイパッド部２４の傾斜面２４ｂ、２４ｃに接着されている。
ダイボンド剤３は、熱伝導性に優れた各種材料が使用され、本実施形態ではＡｇペーストが使用される。但し、本実施形態のダイボンド剤３は、半導体チップ５をグランド接続する機能はないため、非導電系樹脂系の接着剤を使用するようにしてもよい。
なお、本実施形態の半導体チップ５では、グランド接続はワイヤーボンディングにより行われる。
【００２１】
半導体チップ５の上面には図示しない電極が形成されており、この電極とリード部２２のインナーリード部２２ａとが、Ａｕを素材とするボンディングワイヤー１で電気的に接続されている。
一方、リード部２２のアウターリード部２２ｂは、本実施形態の半導体装置１０を実装基板に接続するための外部端子として機能する。
【００２２】
半導体装置１０は、図２に示すように、ダイパッド部２４と、その傾斜面２４ｂ、２４ｃにダイボンド剤３で固定された半導体チップ５と、インナーリード部２２ａ、及び、ボンディングワイヤー１は、封止樹脂６によって封止されている。封止樹脂６の封止材としては各種樹脂材料を使用することが可能であるが、本実施形態では、この封止樹脂６は、エポキシ樹脂にシリカ系のフィラーを配合したものを素材とする、エポキシ樹脂系封止材が使用される。
【００２３】
封止樹脂６は、貫通孔２４ａにおける、半導体チップ５よりも下側にダイボンド剤３が入り込む。このように、半導体チップ５はその上下両面が、線膨張係数が近い封止樹脂６で覆われることにより、加熱による湾曲が発生しにくくなっている。
【００２４】
次に、本実施形態における半導体装置１０の製造方法について説明する。
図３、図４は、半導体装置１０の製造過程の状態を表したものである。なお、図３、４では、見やすくするためにリード部２２、ダイパッド部２４、及び半導体チップ５について外形線を表示し断面線を省略している。
半導体装置１０の製造は、半導体チップ載置工程、固着工程、ワイヤーボンディング工程、封止工程、アウターリード部整形工程、及び、製品検査工程の順に行うことで製造する。
以下各工程について説明する。
【００２５】
（１）半導体チップ載置工程
半導体チップ載置工程は、リードフレーム２０を構成しているダイパッド部２４の貫通孔２４ａの傾斜面２４ｂ、２４ｃに半導体チップ５を載置する工程である。
具体的には、図３（ａ）に示すように、フレーム枠（図示しない）に接続されたリードフレーム２０を用意し、ダイパッド部２４の傾斜面２４ｂ、２４ｃの上部にＡｇペースト等の接着剤（ダイボンド剤３）を塗布する。
そして図３（ｂ）に示すように、貫通孔２４ａの傾斜面２４ｂ、２４ｃ上に半導体チップ５を載置する。その際半導体チップ５は、市販の半導体チップ５用ダイボンダー装置を使用することで、半導体チップ５の中心が貫通孔２４ａの中心に位置するように載置される。
【００２６】
なお、ダイボンド剤３については、傾斜面２４ｂ、２４ｃに塗布するのではなく、半導体チップ５の側面に塗布し、ダイボンド剤３を塗布した半導体チップ５を傾斜面２４ｂ、２４ｃに載置するようにしてもよい。
また、傾斜面２４ｂ、２４ｃに半導体チップ５を載置した後、半導体チップ５の側面と傾斜面２４ｂ、２４ｃとの間に形成される断面三角形状の空間に、ダイボンド剤３を塗布又は注入するようにしてもよい。
【００２７】
（２）固着工程
固着工程は、半導体チップ５の側面と傾斜面２４ｂ、２４ｃ間のダイボンド剤３を固化接着する工程である。
この固着工程では、１５０°Ｃ〜２５０°Ｃで塗布したＡｇペーストをキュア（Ｃｕｒｅ；熱硬化）させることで、半導体チップ５を固着させる。
なお、Ａｇペースト以外のダイボンド剤３を使用した場合には、使用したダイボンド剤３に応じた固着処理を行う。
【００２８】
（３）ワイヤーボンディング工程
ワイヤーボンディング工程は、半導体チップ５とインナーリード部２２ａをボンディングワイヤー１で接続する工程である。
すなわち、図３（ｃ）に示すように、リードフレーム２０を構成するインナーリード部２２ａと、半導体チップ５の上面に形成された図示しない電極とを、Ａｕを素材としたボンディングワイヤー１で接続する。
この工程により、半導体チップ５とリード部２２とが電気的に接続される。
【００２９】
（４）封止工程
封止工程は、半導体チップ５が載置されたリードフレーム２０を封止樹脂６で樹脂封止する工程である。
図４（ｄ）に示すように、上下に分割可能な上型６０ａと下型６０ｂからなる樹脂成形金型の内部に、半導体チップ５が載置されたリードフレーム２０をセットする。すなわち、半導体チップ５が載置されたリードフレーム２０を挟み込むようにして、樹脂成形金型の上型６０ａと下型６０ｂとを重ね合わせる。
そして、樹脂成形金型の内部空間に封止樹脂６を流し込み、封止樹脂６を固化させた後、図４（ｅ）に示すように、樹脂成形金型を取り外す。
この際に、ダイパッド部２４の貫通孔２４ａ下部（半導体チップ５の下側）にも封止樹脂６が入り込む。
【００３０】
（５）アウターリード部整形工程
アウターリード部整形工程は、アウターリード部２２ｂを所定の形状に整形する工程である。
樹脂成形金型を取り外した後、封止樹脂６で封止されたリードフレーム２０をリード枠から切断する。
その後、図４（ｆ）に示されるように、アウターリード部２２ｂを、インナーリード部２２ａとの段差を有する所定の形状に整形する。
【００３１】
（６）製品検査工程
半導体装置１０の電気的特性検査と、信頼性試験を行い、不良品を除く工程である。
電気的特性検査では、樹脂封止した半導体チップ５に対する所望の電気的特性が得られるか否かを検査する。
信頼性試験では、高温多湿試験等の各種信頼性についての試験が行われる。高温多湿試験では、温度８５°Ｃ湿度８５％という条件で試験が行われる。また、製品としての半導体装置１０は、基板にはんだ付けする際に、赤外線炉などを利用したリフロー工程があり、この工程では、外部から２６０°Ｃの高い熱を加えられる。
【００３２】
このような信頼性試験における、半導体装置１０の作用について説明する。
本信頼性試験では、半導体装置１０に外部から熱を加え、常温に戻った場合の内部熱応力の状態について検討する。
ここで、インナーリード部２２ａが存する水平面を基準として、半導体装置１０の上半分を上部分とし、下半分を下部分として説明する。
【００３３】
本実施の形態の場合は、シリコンを素材とした半導体チップ５の熱膨張係数は３×１０-6mm／°Ｃであり、銅を素材としたダイパッド部２４の熱膨張係数は１７×１０-6mm／°Ｃである。また、ダイボンド剤３が３８×１０-6mm／°Ｃであり、エポキシを素材とした封止樹脂６の熱膨張係数は１０×１０-6mm／°Ｃである。
【００３４】
本実施の形態における半導体装置１０に外部から熱が加えられた時から常温に戻るまで、半導体装置１０の下部分は、ダイパッド部２４の膨張が半導体チップ５に影響することから、図７の従来図と同様に、下向きの凸状に反ろうとする。
一方、半導体装置１０の上部分は、封止樹脂６の加熱時の膨張により、半導体装置１０の下部分と反対の上向きの凸状に反ろうとし、その後常温に戻る冷却時に、封止樹脂６が収縮するため、半導体装置１０の下部分と同じ下向きの凸状に反ろうとする。
【００３５】
このとき、従来の半導体装置１００では、図７で説明したように、半導体装置１０内部における熱応力が半導体チップ５の側面に発生し、半導体チップ５とダイパッド部２４０との剥離が生じる。
これに対して、本実施形態の半導体装置１０では、半導体チップ５、ダイボンド剤３、ダイパッド部２４という線膨張係数が大きく異なる３層構造ではなく、半導体チップ５の両面を線膨張係数が近い封止樹脂６で封止されているため、湾曲（反る量）が抑制される。
また、半導体チップ５は、傾斜面２４ｂ、２４ｃによる貫通孔２４ａ内に収納されているため、半導体チップ５の側面への応力も少なくなる。
【００３６】
また、本実施の形態における半導体装置１０は、半導体チップ５と、ダイパッド部２４のそれぞれを左右対称に分割する中心軸が、半導体装置１０を左右対称に分割する中心軸と同軸上に位置している。これにより、半導体装置１０において、熱応力が中心軸を中心に左右対称に働くことになる。よって、熱応力が偏ることなく均等に働くので、半導体チップ５とダイパッド部２４との剥離が発生しにくくなる。
【００３７】
以上、本実施形態に係る半導体装置１０と半導体装置１０の製造方法について、図面に基づいて説明したが、本発明は、図示した例示に限定されるものではない。本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で当業者の知識に基づき種々なる改良、修正、変形を加えた態様で実施できるものである。
【００３８】
図５は、本実施形態の変形例に係るダイパッド部２４の形状を、その断面で表したものである。
説明した実施形態では、半導体チップ５を傾斜面２４ｂ、２４ｃとの当接により係止するようにしているが、変形例では貫通孔２４ａに段差部を設けることで貫通孔２４ａ下端に環状平面部２４ｄを形成したものである。
半導体チップ５は、その底面の外周部が環状平面部２４ｄによって係止される。半導体チップ５の底面と環状平面部２４ｄにはダイボンド剤３は配設されない。
この変形例によれば、半導体チップ５が環状平面部２４ｄによって係止されるため、半導体チップ５を水平に配置しやすくなる。
【００３９】
図５（ａ）は、環状平面部２４ｄの外形サイズが半導体チップ５よりも大きく形成されている。傾斜面２４ｂ、２４ｃは、ダイパッド部２４の厚さの途中まで形成され、環状平面部２４ｄの外形と連続している。
図５（ｂ）は、環状平面部２４ｄの外形サイズを半導体チップ５と同じサイズに形成したものである。傾斜面２４ｂ、２４ｃは、ダイパッド部２４の厚さの途中まで形成され、環状平面部２４ｄの外形と連続している。
図５（ｃ）は、貫通孔２４ａの傾斜面２４ｂ、２４ｃの傾斜を無くし、垂直面で形成したものである。
図５（ａ）〜（ｃ）の各変形例では、実施形態と同様に、半導体チップ５の側面がダイボンド剤３によって貫通孔２４ａの内側側面と接着される。
【００４０】
なお、環状平面部２４ｄは、半導体チップ５を載置する際に、その上面で半導体チップ５を係止するための係止部として機能するものである。
従って、貫通孔２４ａの内周面全体にわたって環状に形成される必要はなく、少なくとも２辺に形成された少なくとも３点以上の突起であってもよい。
また、対向する２辺全体にわたる平面部を形成するようにしてもよい。
【００４１】
（１）以上説明したように、本実施形態のリードフレーム２０は、樹脂封止型の半導体装置用のリードフレームであって、半導体チップ５が載置されるダイパッド部２４と、インナーリード部２２ａとアウターリード部２２ｂを有するリードフレーム２０と、を備え、ダイパッド部２４は、半導体チップ５の厚みより深く、かつ半導体チップ５の底面寸法より各辺に対して５μｍ以上大きな上面開口部と半導体チップ５の底面寸法よりも小さい下面開口部とからなる貫通孔２４ａが形成されている。
（２）また本実施形態の半導体装置１０は、上記リードフレーム２０と、貫通孔２４ａの傾斜面２４ｂ、２４ｃとダイボンド剤３を介して固定され、ボンディングワイヤー１でインナーリード部２２ａと電気的に接続された半導体チップ５と、リードフレーム２０と半導体チップ５とを封止する封止樹脂６とを備え、封止樹脂６は、貫通孔２４ａ内の半導体チップ５の下側の空間にも充填されている。
（３）また、本実施形態の半導体装置１０は、リードフレーム２０のダイパッド部２４に形成された貫通孔２４ａの傾斜面２４ｂ、２４ｃ上部にダイボンド剤３を介して半導体チップ５を載置するステップと、ダイボンド剤３により半導体チップ５をその側面においてダイパッド部２４に接着するステップと、半導体チップ５とインナーリード部２２ａをボンディングワイヤー１で接続するステップと、半導体チップとダイパッド部２４とインナーリード部２２ａを樹脂成形金型６０ａ、６０ｂで挟み込みその内側に封止樹脂６を流し込み樹脂封止成形するステップと、アウターリード部２２ｂをリード枠から切断して所定の形状に整形するステップと、により製造する。
【００４２】
（４）そして、本実施形態のリードフレーム２０及び半導体装置１０によれば、半導体チップ５の底面には熱膨張係数の差が大きいダイボンド剤３が存在せず、熱膨張係数の近い封止樹脂６で覆われているため、半導体チップ５及びダイパッド部２４の湾曲を抑制することができる。
【符号の説明】
【００４３】
１  ボンディングワイヤー
３  ダイボンド剤
５  半導体チップ
６  封止樹脂
１０  半導体装置
２０  リードフレーム
２２ａ  インナーリード部
２２ｂ  アウターリード部
２４    ダイパッド部
２４ａ  貫通孔
２４ｂ  傾斜面
２４ｃ  傾斜面
２４ｄ  環状平面部
１００  従来の半導体装置
２４０  従来のダイパッド部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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