(57)【要約】【課題】信頼性を向上させることが可能な電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器を提供する。【解決手段】素子基板に実装端子８２を有する複数の液晶パネルと、少なくとも液晶パネルの周囲に配置された共通配線８１及び検査配線７２と、共通配線８１と第１導電膜からなる実装端子８２とを電気的に接続する接続配線８３、放電抵抗配線８４、中継電極８５，８６と、接続配線８３と絶縁層７１を介して平面視で交差するように配置された検査配線７２と、を備え、接続配線８３は、素子基板の最下層に配置された配線である。【選択図】図７
2014182251.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を含み、実装端子を有する電気光学パネルと、
前記電気光学パネルの周囲の少なくとも一部に配置された第１配線と、
前記第１配線と前記実装端子とを電気的に接続する接続配線と、
前記実装端子と前記接続配線とを電気的に接続する放電抵抗配線と、
前記放電抵抗配線と前記接続配線とを電気的に接続する中継電極と、
前記接続配線と絶縁層を介して交差するように配置された検査用の第２配線と、
を含み、
前記接続配線と前記基板との間の距離は、前記電気光学パネルが含むトランジスターの半導体層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
基板を含み、実装端子を有する電気光学パネルと、
前記電気光学パネルの周囲の少なくとも一部に配置された第１配線と、
前記第１配線と前記実装端子とを電気的に接続する接続配線と、
前記実装端子と前記接続配線とを電気的に接続する放電抵抗配線と、
前記放電抵抗配線と前記接続配線とを電気的に接続する中継電極と、
前記接続配線と絶縁層を介して交差するように配置された検査用の第２配線と、
を含み、
前記第２配線と前記基板との間の距離は、前記電気光学パネルが含むトランジスターの半導体層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電気光学装置であって、
前記第２配線と前記接続配線との間に、第１絶縁層、第２絶縁層、及び第３絶縁層が配置されることを特徴とする電気光学装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の電気光学装置であって、
前記接続配線又は前記第２配線は、下側遮光膜と同層に設けられていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
基板の上の電気光学パネルとなる領域の周囲の少なくとも一部に接続配線を形成する接続配線形成工程と、
前記接続配線の上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層の上に、放電抵抗配線を形成する放電抵抗配線形成工程と、
前記放電抵抗配線の上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、
前記接続配線の上の前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールを形成する第１のコンタクトホール形成工程と、
前記第２絶縁層の上で前記電気光学パネルの周囲の少なくとも一部に前記第１コンタクトホールを介して前記接続配線と電気的に接続される第１配線、及び、前記第２絶縁層の上に前記第２コンタクトホールを介して前記接続配線と電気的に接続される第１中継電極とを形成する工程と、
前記第１配線及び前記第１中継電極の上に第３絶縁層を形成する第３絶縁層形成工程と、
前記放電抵抗配線の上の前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層に第３コンタクトホール及び第４コンタクトホールを形成し、前記第１中継電極の上の前記第３絶縁層に第５コンタクトホールを形成する第２のコンタクトホール形成工程と、
前記第３コンタクトホールを介して前記放電抵抗配線と電気的に接続される実装端子、及び、前記第４コンタクトホールを介して前記放電抵抗配線と電気的に接続され、前記第５コンタクトホールを介して前記第１中継電極と電気的に接続される第２中継電極を形成する工程と、
前記実装端子及び前記第２中継電極の上に、第４絶縁層を形成する第４絶縁層形成工程と、
前記第４絶縁層の上に、前記接続配線と交差するように検査用の第２配線を形成する第２配線形成工程と、
を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
基板の上の電気光学パネルとなる領域の周囲の少なくとも一部に検査用の第２配線を形成する第２配線形成工程と、
前記第２配線の上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、
前記第１絶縁層の上に、放電抵抗配線を形成する放電抵抗配線形成工程と、
前記放電抵抗配線の上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、
前記第２絶縁層の上で前記電気光学パネルの周囲の少なくとも一部に第１配線を形成する第１配線形成工程と、
前記第１配線の上に第３絶縁層を形成する第３絶縁層形成工程と、
前記放電抵抗配線の上の前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層に第６コンタクトホール及び第７コンタクトホールを形成し、前記第１配線の上の前記第３絶縁層に第８コンタクトホールを形成する第３のコンタクトホール形成工程と、
前記第６コンタクトホールを介して前記放電抵抗配線と電気的に接続される実装端子、及び、前記第７コンタクトホールを介して前記放電抵抗配線と電気的に接続される第３中継電極、前記第８コンタクトホールを介して前記第１配線と電気的に接続される第４中継電極を形成する工程と、
前記実装端子、前記第３中継電極、及び前記第４中継電極の上に、第４絶縁層を形成する第４絶縁層形成工程と、
前記第３中継電極の上の前記第４絶縁層に第９コンタクトホールを形成し、前記第４中継電極の上の前記第４絶縁層に第１０コンタクトホールを形成する第４のコンタクトホール形成工程と、
前記第４絶縁層の上に、前記第９コンタクトホールを介して前記第３中継電極と電気的に接続され、前記第１０コンタクトホールを介して前記第４中継電極と電気的に接続される接続配線を形成する接続配線形成工程と、
を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項７】
請求項５又は請求項６に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記基板上に形成する前記接続配線又は前記第２配線は、下側遮光膜と同層に形成することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
液晶装置は、例えば、基板に複数の液晶装置が配置されるように形成され、液晶装置を構成する液晶パネルの周囲に、ゲート電極と同層の共通配線が引き回されて形成されている。共通配線は、基板上の１層目の導電配線と、コンタクトホールと、例えば、先行文献１に記載のように、半導体層と同層の活性層からなる放電抵抗と、を介して、液晶パネルの実装端子と電気的に接続されている。また、液晶パネルの周囲には、上記活性層と絶縁層を介して平面視で交差するように、ビデオ信号線と接続される検査配線が引き回されている。
【０００４】
つまり、液晶パネルに設けられた実装端子は、上記活性層を介して、液晶パネルの周囲に引き回された共通配線と電気的に接続することができる。一方、検査配線は、絶縁層を介すと共に、上記活性層と平面視で交差させて液晶パネルの周囲を引き回すことにより、液晶パネルの他の実装端子と電気的に接続することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２１３００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、１層目の導電配線を形成した後にプラズマを用いたドライエッチングを行うと、平面視で配線が交差する領域の検査配線と活性層との断面的な距離が近いことから、検査配線と活性層とが交差する部分において静電気破壊が起きることがある。静電気破壊が発生すると、その部分から発塵し、異物が表示性能や品質に影響を及ぼす恐れがあるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板を含み、実装端子を有する電気光学パネルと、前記電気光学パネルの周囲の少なくとも一部に配置された第１配線と、前記第１配線と前記実装端子とを電気的に接続する接続配線と、前記実装端子と前記接続配線とを電気的に接続する放電抵抗配線と、前記放電抵抗配線と前記接続配線とを電気的に接続する中継電極と、前記接続配線と絶縁層を介して交差するように配置された検査用の第２配線と、を含み、前記接続配線と前記基板との間の距離は、前記電気光学パネルが含むトランジスターの半導体層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、平面視で配線（接続配線、第２配線）が交差する部分において、一方の接続配線は最下層の配線を用いているので、接続配線と第２配線との断面的な距離を離すことが可能となる。よって、製造過程において、例えば、電気光学パネルの周囲の比較的面積の広い配線に蓄積された静電気が放電する際、配線が交差する部分において静電気破壊が発生することを防ぐことができる。その結果、静電破壊によって発生した異物が表示性能や品質に影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］本適用例に係る電気光学装置は、基板を含み、実装端子を有する電気光学パネルと、前記電気光学パネルの周囲の少なくとも一部に配置された第１配線と、前記第１配線と前記実装端子とを電気的に接続する接続配線と、前記実装端子と前記接続配線とを電気的に接続する放電抵抗配線と、前記放電抵抗配線と前記接続配線とを電気的に接続する中継電極と、前記接続配線と絶縁層を介して交差するように配置された検査用の第２配線と、を含み、前記第２配線と前記基板との間の距離は、前記電気光学パネルが含むトランジスターの半導体層と前記基板との間の距離よりも短いことを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、平面視で配線（接続配線、第２配線）が交差する部分において、一方の第２配線は最下層の配線を用いているので、接続配線と第２配線との断面的な距離を離すことが可能となる。よって、製造過程において、例えば、電気光学パネルの周囲の比較的面積の広い配線に蓄積された静電気が放電する際、配線が交差する部分において静電気破壊が発生することを防ぐことができる。その結果、静電破壊によって発生した異物が表示性能や品質に影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る電気光学装置において、前記第２配線と前記接続配線との間に、第１絶縁層、第２絶縁層、及び第３絶縁層が配置されることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、平面視で配線が交差する部分において、一方の配線は最下層の配線を用いており、他方の配線は２層目以上の導電膜を用いているので、交差する配線の距離を長くすることが可能となる。よって、製造過程において静電気が放電する際、交差部で静電気破壊することを抑えることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る電気光学装置において、前記接続配線又は前記第２配線は、下側遮光膜と同層に設けられていることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、平面視で配線が交差する部分において、一方の配線は最下層の下側遮光膜と同層の配線を用いており、他方の配線は２層目以上の導電膜を用いているので、交差する配線の距離を長くすることが可能となる。よって、製造過程において静電気が放電する際、交差する部分で静電気破壊することを抑えることができる。
【００１６】
［適用例５］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板の上の電気光学パネルとなる領域の周囲の少なくとも一部に接続配線を形成する接続配線形成工程と、前記接続配線の上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層の上に、放電抵抗配線を形成する放電抵抗配線形成工程と、前記放電抵抗配線の上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、前記接続配線の上の前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層に第１コンタクトホール及び第２コンタクトホールを形成する第１のコンタクトホール形成工程と、前記第２絶縁層の上で前記電気光学パネルの周囲の少なくとも一部に前記第１コンタクトホールを介して前記接続配線と電気的に接続される第１配線、及び、前記第２絶縁層の上に前記第２コンタクトホールを介して前記接続配線と電気的に接続される第１中継電極とを形成する工程と、前記第１配線及び前記第１中継電極の上に第３絶縁層を形成する第３絶縁層形成工程と、前記放電抵抗配線の上の前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層に第３コンタクトホール及び第４コンタクトホールを形成し、前記第１中継電極の上の前記第３絶縁層に第５コンタクトホールを形成する第２のコンタクトホール形成工程と、前記第３コンタクトホールを介して前記放電抵抗配線と電気的に接続される実装端子、及び、前記第４コンタクトホールを介して前記放電抵抗配線と電気的に接続され、前記第５コンタクトホールを介して前記第１中継電極と電気的に接続される第２中継電極を形成する工程と、前記実装端子及び前記第２中継電極の上に、第４絶縁層を形成する第４絶縁層形成工程と、前記第４絶縁層の上に、前記接続配線と交差するように検査用の第２配線を形成する第２配線形成工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、配線（接続配線、第２配線）が交差する部分において、一方の接続配線は基板に最も近い膜をパターニングして形成し、他方の第２配線は第４絶縁層上に形成するので、接続配線と第２配線との断面的な距離を離すことが可能となる。よって、製造過程において、例えば、電気光学パネルの周囲の比較的面積の広い配線に蓄積された静電気が放電する際、配線が交差する部分において静電気破壊が発生することを防ぐことができる。その結果、静電破壊によって発生した異物が表示性能や品質に影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００１８】
［適用例６］本適用例に係る電気光学装置の製造方法は、基板の上の電気光学パネルとなる領域の周囲の少なくとも一部に検査用の第２配線を形成する第２配線形成工程と、前記第２配線の上に第１絶縁層を形成する第１絶縁層形成工程と、前記第１絶縁層の上に、放電抵抗配線を形成する放電抵抗配線形成工程と、前記放電抵抗配線の上に第２絶縁層を形成する第２絶縁層形成工程と、前記第２絶縁層の上で前記電気光学パネルの周囲の少なくとも一部に第１配線を形成する第１配線形成工程と、前記第１配線の上に第３絶縁層を形成する第３絶縁層形成工程と、前記放電抵抗配線の上の前記第２絶縁層及び前記第３絶縁層に第６コンタクトホール及び第７コンタクトホールを形成し、前記第１配線の上の前記第３絶縁層に第８コンタクトホールを形成する第３のコンタクトホール形成工程と、前記第６コンタクトホールを介して前記放電抵抗配線と電気的に接続される実装端子、及び、前記第７コンタクトホールを介して前記放電抵抗配線と電気的に接続される第３中継電極、前記第８コンタクトホールを介して前記第１配線と電気的に接続される第４中継電極を形成する工程と、前記実装端子、前記第３中継電極、及び前記第４中継電極の上に、第４絶縁層を形成する第４絶縁層形成工程と、前記第３中継電極の上の前記第４絶縁層に第９コンタクトホールを形成し、前記第４中継電極の上の前記第４絶縁層に第１０コンタクトホールを形成する第４のコンタクトホール形成工程と、前記第４絶縁層の上に、前記第９コンタクトホールを介して前記第３中継電極と電気的に接続され、前記第１０コンタクトホールを介して前記第４中継電極と電気的に接続される接続配線を形成する接続配線形成工程と、を有することを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、配線（接続配線、第２配線）が交差する部分において、一方の第２配線は基板に最も近い膜をパターニングして形成し、他方の接続配線は第４絶縁層上に形成するので、第２配線と接続配線との断面的な距離を離すことが可能となる。よって、製造過程において、例えば、電気光学パネルの周囲の比較的面積の広い配線に蓄積された静電気が放電する際、配線が交差する部分において静電気破壊が発生することを防ぐことができる。その結果、静電破壊によって発生した異物が表示性能や品質に影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る電気光学装置の製造方法において、前記基板上に形成する前記接続配線又は前記第２配線は、下側遮光膜と同層に形成することが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、平面視で配線が交差する領域において、一方の接続配線又は第２配線は最下層の下側遮光膜と同層の膜をパターニングして形成し、他方の第２配線又は接続配線は２層目以上の導電膜をパターニングして形成するので、交差する配線の距離を長くすることが可能となる。よって、製造過程において静電気が放電する際、交差部で静電気破壊が発生することを抑えることができる。
【００２２】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の電気光学装置を備えることを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、上記の電気光学装置を備えているので、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】電気光学装置（液晶装置）としてのマザー基板の構成を示す模式平面図。
【図２】液晶装置を構成する液晶パネルの構成を示す模式平面図。
【図３】図２に示す液晶パネルのＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図４】液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図。
【図５】液晶パネルの構造を示す模式断面図。
【図６】図１に示す液晶装置のＡ部を拡大して示す拡大平面図。
【図７】図６に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図８】液晶装置の製造方法のうち、接続配線及び検査配線周辺の製造方法を示す模式断面図。
【図９】液晶装置の製造方法のうち、接続配線及び検査配線周辺の製造方法を示す模式断面図。
【図１０】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１１】変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２６】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２７】
本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２８】
＜電気光学装置（液晶装置）としてのマザー基板の構成＞
図１は、電気光学装置（液晶装置）としてのマザー基板の構成を示す模式平面図である。以下、マザー基板の構成を、図１を参照しながら説明する。
【００２９】
図１に示すように、マザー基板５００は、例えば、電気光学パネルとしての液晶パネル１００を製造するために用いられるものであり、液晶パネル１００を構成する一対の基板のうち一方の基板（例えば、素子基板）が複数個分、マトリックス状に面付けされる。マザー基板５００の大きさは、例えば、８インチである。マザー基板５００の厚みは、例えば、１．２ｍｍである。マザー基板５００の材質は、例えば、石英である。
【００３０】
各液晶パネル１００には、表示領域Ｅ（図２参照）の周辺に、周辺回路としてのデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４、及び外部接続用端子６５が形成されている（図２参照）。データ線駆動回路２２及び走査線駆動回路２４と外部接続用端子６５とは、互いに配線２９によって、電気的に接続されている。以下、マザー基板５００から最終的に形成される液晶パネル１００の構造について説明する。
【００３１】
＜液晶装置を構成する液晶パネルの構成＞
図２は、液晶装置を構成する液晶パネルの構成を示す模式平面図である。図３は、図２に示す液晶パネルのＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図４は、液晶パネルの電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶パネルの構成を、図２〜図４を参照しながら説明する。
【００３２】
図２及び図３に示すように、本実施形態の液晶パネル１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持された電気光学層としての液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００３３】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３４】
シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図２及び図３では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３５】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３６】
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
【００３７】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６５に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３８】
図３に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３９】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、配向膜２８を含むものである。
【００４０】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００４１】
遮光膜１８は、図２に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００４２】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４３】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図２に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４４】
画素電極２７を覆う配向膜２８および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶パネル１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４５】
このような液晶パネル１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４６】
図４に示すように、液晶パネル１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４７】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４８】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４９】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図２参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図２参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００５０】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。
【００５１】
液晶パネル１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００５２】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００５３】
図５は、液晶パネルの構造を示す模式断面図である。以下、液晶パネルの構造を、図５を参照しながら説明する。なお、図５は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５４】
図５に示すように、液晶パネル１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５５】
第１基材１０ａ上には、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５６】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５７】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５８】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５９】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００６０】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００６１】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００６２】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００６３】
データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００６４】
画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図２及び図３参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００６５】
一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６６】
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６７】
図６は、図１に示す液晶装置のＡ部を拡大して示す拡大平面図である。図７は、図６に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図６及び図７を参照しながら説明する。なお、図５に示す絶縁層の名称と、図６及び図７に示す絶縁層の名称とは、説明の便宜上異ならせている。また、図６及び図７は、各構成要素の平面的又は断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００６８】
図６に示すように、液晶装置５００は、上記したように、複数の液晶パネル１００がマトリックス状に面付けされている。隣り合う液晶パネル１００の境界には、液晶パネル１００と電気的に接続された第１配線としての共通配線８１が設けられている。共通配線８１は、各液晶パネル１００の周囲やマザー基板（液晶装置５００）の全体に亘って引き回されている。よって、共通配線８１の面積は、他の配線の面積と比較して極端に広い。つまり、共通配線８１は、製造途中において、大きな寄生容量を有する恐れがある。
【００６９】
共通配線８１は、液晶パネル１００のゲート電極３０ｇと同層に設けられており、ポリシリコンによって形成されている。共通配線８１は、液晶パネル１００の実装端子８２と、接続配線８３及び放電抵抗配線８４などを介して電気的に接続されている。具体的には、図７を参照しながら説明する。
【００７０】
図７に示すように、共通配線８１は、第１絶縁層７１ａ及び第２絶縁層７１ｂに設けられたコンタクトホールＣＮＴ９１を介して、接続配線８３と電気的に接続されている。接続配線８３は、液晶パネル１００に設けられた活性層からなる下側遮光膜３ｃと同層に配置され、タングステンシリサイドなどの材料で形成されている。接続配線８３は、高抵抗配線とも呼ばれており、液晶パネル１００の完成後に、スクライブライン領域から切断される。よって、接続配線８３の一部は、最終的には液晶パネル１００から切り離され、完成品の段階では配線としての機能を有しない。
【００７１】
また、接続配線８３は、第１絶縁層７１ａ〜第３絶縁層７１ｃに設けられたコンタクトホールＣＮＴ９２，９３，９４及び中継電極８５，８６を介して、放電抵抗配線８４と電気的に接続されている。放電抵抗配線８４は、液晶パネル１００の半導体層３０ａと同層に設けられており、ポリシリコンによって形成されている。放電抵抗配線８４の抵抗値は、ポリシリコン膜のシート抵抗によって決められており、例えば、ポリシリコン膜を狭い範囲で蛇行させて所定の距離を有することにより規定される。液晶パネル１００と共通配線８１との間に放電抵抗配線８４が設けられていることにより、過剰な静電気が液晶パネル１００に流れることを抑えることができる。
【００７２】
放電抵抗配線８４は、コンタクトホールＣＮＴ９５を介して、液晶パネル１００の実装端子８２と電気的に接続されている。言い換えれば、実装端子８２は、１層目の導電膜で形成されている。実装端子８２上には、シリコン酸化膜などからなる第４絶縁層７１ｄが設けられている。第４絶縁層７１ｄ上には、第２配線としての検査配線７２が設けられている。
【００７３】
具体的には、検査配線７２は、スクライブライン領域において、平面視で接続配線８３と交差するように設けられている。検査配線７２は、一方が液晶パネル１００の周囲に引き回されており、他方が液晶パネル１００のビデオ信号の実装端子と電気的に接続されている（図示省略）。
【００７４】
また、検査配線７２の上層の絶縁層（図示せず）には、液晶パネル１００側及びスクライブライン領域側ともに、検査配線７２と同層の導電配線に接続されるコンタクトホールＣＮＴ９６，９７が設けられている。このコンタクトホールＣＮＴ９６，９７を開口したときに、コンタクトホールＣＮＴ９６，９７に繋がる配線に蓄積された静電気が開放される。以下、液晶装置５００の製造方法について説明する。
【００７５】
＜電気光学装置としての液晶装置の製造方法＞
図８及び図９は、電気光学装置としての液晶装置の製造方法のうち、接続配線及び検査配線周辺の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００７６】
まず、図８（ａ）に示す工程（接続配線形成工程、第１絶縁層形成工程、放電抵抗配線形成工程）では、第１基材１０ａ上に、接続配線８３及び放電抵抗配線８４を形成する。具体的には、石英からなる第１基材１０ａ上に、タングステンシリサイドなどからなる接続配線８３を形成する。製造方法は、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いることにより製造することができる。
【００７７】
次に、第１基材１０ａ及び接続配線８３上に、例えば、ＣＶＤ法（化学気相成長法：Chemical Vapor Deposition）などを用いて第１絶縁層７１ａを形成する。その後、第１絶縁層７１ａ上に、活性層からなる放電抵抗配線８４を、公知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて形成する。
【００７８】
図８（ｂ）に示す工程（第２絶縁層形成工程、第１のコンタクトホール形成工程、第１配線形成工程、第１中継電極形成工程）では、第１配線としての共通配線８１及び第１中継電極８５を形成する。具体的には、まず、共通配線８１と平面視で重なる領域の第２絶縁層７１ｂ及び第１絶縁層７１ａにコンタクトホールＣＮＴ９１（第１コンタクトホール），９２（第２コンタクトホール）を形成する。次に、ポリシリコン膜をコンタクトホール内に埋め込むと共に、第２絶縁層７１ｂ上に成膜する。その後、ポリシリコン膜をパターニングすることにより、接続配線８３の一端と電気的に接続された共通配線８１と、接続配線８３の他端と電気的に接続された第１中継電極８５とが形成される。
【００７９】
図８（ｃ）に示す工程（第３絶縁層形成工程、第２のコンタクトホール形成工程、第１導電膜形成工程）では、１層目の導電膜である、実装端子８２及び第２中継電極８６を形成する。具体的には、まず、第２絶縁層７１ｂ、共通配線８１、及び第１中継電極８５の上に、シリコン酸化膜などからなる第３絶縁層７１ｃを成膜する。次に、放電抵抗配線８４と平面視で重なる領域、及び第１中継電極８５と平面視で重なる領域に、コンタクトホールＣＮＴ９３（第５コンタクトホール），９４（第４コンタクトホール），９５（第３コンタクトホール）を形成する。
【００８０】
その後、コンタクトホールＣＮＴ９３，９４，９５の中を埋めると共に、第３絶縁層７１ｃ上にアルミニウムなどからなる１層目の導電膜を成膜する。次に、導電膜をパターニングすることにより、第３絶縁層７１ｃ上に、実装端子８２及び第２中継電極８６が形成される。これにより、共通配線８１と実装端子８２とが電気的に接続された状態になる。
【００８１】
図９（ｄ）に示す工程（第４絶縁層形成工程）では、接続配線８３と平面視で交差するように検査配線７２を形成する。具体的には、まず、実装端子８２、第２中継電極８６、及び第３絶縁層７１ｃ上に、シリコン酸化膜などからなる第４絶縁層７１ｄを成膜する。次に、第４絶縁層７１ｄ上に、アルミニウムなどからなる２層目の導電膜を成膜する。その後、２層目の導電膜をパターニングして、平面視で接続配線８３と交差するように検査配線７２を形成する。
【００８２】
これにより、平面視で配線が交差する部分の接続配線８３と検査配線７２との距離を、従来と比較して長くすることができる。
【００８３】
図９（ｅ）に示す工程では、検査配線７２及び第４絶縁層７１ｄ上に、図示しない第５絶縁層を成膜する。そして、第５絶縁層に、下層の配線と電気的に接続されるコンタクトホールを形成する。コンタクトホールの製造方法は、プラズマを用いたドライエッチングを行う。エッチングにより、下層の配線まで開口孔が貫通したとき、第１基材１０ａ上から１層目の導電膜まで形成された配線などに蓄積された静電気が、第５絶縁層に開口されたコンタクトホールＣＮＴ９６，９７から放電する。
【００８４】
このとき上記したように、配線が交差する領域は、下側遮光膜３ｃと同層の接続配線８３と、２層目の導電膜からなる検査配線７２との断面的な距離が、従来と比較して長くなっている（例えば、１μｍ以上）。よって、第５絶縁層にプラズマを用いてコンタクトホールＣＮＴ９６，９７を形成した際、接続配線８３に過剰な静電気が流れた場合でも、検査配線７２との断面的な距離が離されているので、配線が交差する領域で静電気破壊が起きることを抑えることができる。その結果、その部分から発塵し、異物が表示性能や品質に影響を及ぼすことを抑えることができる。検査が終了した後は、スクライブ・ブレイク工程により、接続配線８３が切断され、共通配線８１と液晶パネル１００とが分離する。
【００８５】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１０を参照して説明する。図１０は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００８６】
図１０に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８７】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８８】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８９】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００９０】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００９１】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９２】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶パネル１００が適用されたものである。液晶パネル１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００９３】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い信頼性を得ることができる。
【００９４】
なお、液晶パネル１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００９５】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置５００、液晶装置５００の製造方法、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９６】
（１）本実施形態の液晶装置５００によれば、平面視で配線（接続配線８３、検査配線７２）が交差する部分において、一方の接続配線８３は最下層の下側遮光膜３ｃと同層の配線を用いており、他方の検査配線７２は２層目以上の導電膜を用いているので、接続配線８３と検査配線７２との断面的な距離を離すことが可能となる。よって、製造過程において、例えば、液晶パネル１００の周囲の比較的面積の広い配線に蓄積された静電気が放電する際、配線が交差する部分において静電気破壊が発生することを防ぐことができる。その結果、静電破壊によって発生した異物が表示性能や品質に影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００９７】
（２）本実施形態の液晶装置５００によれば、共通配線８１と接続配線８３とがコンタクトホールＣＮＴ９１を介して接続されているので、例えば、共通配線８１を１層目の導電配線を介して接続配線８３と接続する場合と比較して、平面視で検査配線７２と１層目の導電膜との距離を離すことができる。よって、検査配線７２と１層目の導電膜との間で静電気破壊が起きることを抑えることができる。
【００９８】
（３）本実施形態の液晶装置５００の製造方法によれば、配線（接続配線８３、検査配線７２）が交差する部分において、一方の接続配線８３は第１基材１０ａに最も近い膜をパターニングして形成し、他方の検査配線７２は第４絶縁層７１ｄ上に形成するので、接続配線８３と検査配線７２との断面的な距離を離すことが可能となる。よって、製造過程において、例えば、液晶パネル１００の周囲の比較的面積の広い配線に蓄積された静電気が放電する際、配線が交差する部分において静電気破壊が発生することを防ぐことができる。その結果、静電破壊によって発生した異物が表示性能や品質に影響を及ぼすことを抑えることができる。
【００９９】
（４）本実施形態の電子機器によれば、上記した液晶パネル１００を備えているので、信頼性の高い電子機器を提供することができる。
【０１００】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１０１】
（変形例１）
上記したように、第１基材１０ａ上における下側遮光膜３ｃと同層に接続配線８３を形成し、２層目の導電膜を用いて検査配線７２を形成することに限定されず、図１１に示すように構成してもよい。図１１は、変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図である。
【０１０２】
図１１に示す液晶装置５１０は、最下層の配線を検査配線７２として用いており、２層目の導電膜を共通配線８１と実装端子８２とを電気的に接続するための接続配線８３として用いている部分が、上記実施形態と異なっている。
【０１０３】
具体的には、図１１に示すように、第１基材１０ａ上における下側遮光膜３ｃと同層に、検査配線７２が設けられている。第１絶縁層７１ａ上には、上記実施形態と同様に、放電抵抗配線８４が設けられている。第２絶縁層７１ｂ上には、上記実施形態と同様に、共通配線８１が設けられている。
【０１０４】
第３絶縁層７１ｃ上には、第３絶縁層７１ｃを貫通するように設けられたコンタクトホールＣＮＴ９６（第８コンタクトホール）を介して、共通配線８１と電気的に接続された第２中継電極８８（第４中継電極）が設けられている。また、第３絶縁層７１ｃ及び第２絶縁層７１ｂを貫通するように設けられたコンタクトホールＣＮＴ９４（第７コンタクトホール），９５（第６コンタクトホール）を介して、放電抵抗配線８４と電気的に接続された実装端子８２、及び放電抵抗配線８４と電気的に接続された第１中継電極８７（第３中継電極）が設けられている。
【０１０５】
第４絶縁層７１ｄ上には、第４絶縁層７１ｄを貫通するように設けられたコンタクトホールＣＮＴ９７（第９コンタクトホール）を介して、第１中継電極８７と電気的に接続された接続配線８３が設けられている。更に、接続配線８３は、第４絶縁層７１ｄを貫通するように設けられたコンタクトホールＣＮＴ９８（第１０コンタクトホール）を介して、第２中継電極８８と電気的に接続されている。
【０１０６】
つまり、共通配線８１と実装端子８２とは、２層目の導電膜を接続配線８３として用いることにより電気的に接続される。最下層に設けられた検査配線７２は、接続配線８３と平面視で交差するように設けられている。
【０１０７】
この構成によれば、配線が交差する領域において、一方の配線（検査配線７２）を最下層の配線として形成し、他方の配線（接続配線８３）を２層目以上の導電膜を用いて形成するので、製造過程に配線に蓄積された静電気が、第４絶縁層７１ｄ上のコンタクトホールを形成した際に放電したとしても、静電気破壊することを防ぐことができる。
【０１０８】
（変形例２）
上記したように、電気光学装置として液晶パネル１００に適用することに限定されず、例えば、有機ＥＬ装置、プラズマディスプレイ、電子ペーパー等に適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１０９】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，３２…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６５…外部接続用端子、７１ａ…第１絶縁層、７１ｂ…第２絶縁層、７１ｃ…第３絶縁層、７１ｄ…第４絶縁層、７２…第２配線としての検査配線、８１…第１配線としての共通配線、８２…実装端子、８３…接続配線、８４…放電抵抗配線、８５…第１中継電極、８６…第２中継電極、８７…第１中継電極、８８…第２中継電極、ＣＮＴ９１，９２，９３，９４，９５，９６，９７，９８…コンタクトホール、１００…液晶パネル、５００，５１０…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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