(57)【要約】【課題】小型化を可能とすること。【解決手段】波長可変干渉フィルターの可動基板５２は、可動部、及び、可動基板５２を基板厚み方向から見た平面視において、可動部の外に設けられた溝５２６を備え、溝５２６は、溝深さ寸法が均一となる底面５２６Ｃと、底面５２６Ｃに連続する側面とを有し、側面は、可動基板５２を基板厚み方向に沿って切断した断面視において、円弧状の第一曲面部５２６Ａ及び第二曲面部５２６Ｂにより構成されている。【選択図】図４
2014119685.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板に対向して配置された第二基板と、
前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、を備え、
前記第二基板は、可動部、及び、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部の外に設けられた溝を備え、
前記溝は、溝深さ寸法が均一となる底面と、前記底面に連続する側面とを有し、
前記側面は、前記第二基板を基板厚み方向に沿って切断した断面視において、複数の円弧状の曲面部により構成されている
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項２】
請求項１に記載の波長可変干渉フィルターにおいて、
前記断面視において、複数の前記曲面部の円弧中心点は、前記底面と前記側面との境界から前記第二基板の基板厚み方向に沿った仮想直線上に位置する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルター。
【請求項３】
第一基板を形成し、当該第一基板に、光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜を設ける第一基板形成工程と、
第二基板を形成する第二基板形成工程と、
前記第二基板に設定された可動部形成領域に、光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を形成する第二反射膜形成工程と、
前記第一基板と前記第二基板とを、前記第一反射膜及び前記第二反射膜が対向するように接合する接合工程と、を有し、
前記第二基板形成工程は、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部形成領域の外に、溝深さ寸法が均一となる底面、及び前記底面に連続する側面を有する溝を形成する溝形成工程を含み、
前記溝形成工程は、
前記第二基板の表面上に、前記底面に対応する領域が開口した第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、
前記第一マスクを用いて前記第二基板をウェットエッチングして、第一溝を形成する第一エッチング工程と、
前記第一マスクを除去した後、前記第二基板の表面上に、前記底面に対応する領域が開口した第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、
前記第二マスクを用いて前記第二基板をウェットエッチングして、第二溝を形成する第二エッチング工程と、を有する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の波長可変干渉フィルターの製造方法において、
前記第二マスク形成工程は、
前記第一溝が形成された前記第二基板の表面上に、前記第一溝を構成する側面及び底面を覆うマスク部材を形成する工程と、
前記マスク部材が形成された前記第二基板の表面上に、前記マスク部材を覆う電着レジストを材料とするレジストを形成する工程と、
形成された前記レジストをパターニングする工程と、
パターニングされた前記レジストをマスクにして前記マスク部材をエッチングすることで前記第二マスクを形成する工程と、を有する
ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の波長可変干渉フィルターの製造方法において、
前記レジストは、ポジ型のレジストである
ことを特徴とする波長可変干渉フィルターの製造方法。
【請求項６】
第一基板、前記第一基板に対向して配置された第二基板、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜、及び、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を備えた波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を備え、
前記第二基板は、可動部、及び、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部の外に設けられた溝を備え、
前記溝は、溝深さ寸法が均一となる底面と、前記底面に連続する側面とを有し、
前記側面は、前記第二基板を基板厚み方向に沿って切断した断面視において、複数の円弧状の曲面部により構成されている
ことを特徴とする光学フィルターデバイス。
【請求項７】
第一基板と、
前記第一基板に対向して配置された第二基板と、
前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、
前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、
前記第一反射膜と前記第二反射膜との間に入射した光が干渉して選択された波長の光を検出する検出部と、を備え、
前記第二基板は、可動部、及び、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部の外に設けられた溝を備え、
前記溝は、溝深さ寸法が均一となる底面と、前記底面に連続する側面とを有し、
前記側面は、前記第二基板を基板厚み方向に沿って切断した断面視において、複数の円弧状の曲面部により構成されている
ことを特徴とする光学モジュール。
【請求項８】
第一基板、前記第一基板に対向して配置された第二基板、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜、及び、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を備えた波長可変干渉フィルターと、
前記波長可変干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、
前記第二基板は、可動部、及び、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部の外に設けられた溝を備え、
前記溝は、溝深さ寸法が均一となる底面と、前記底面に連続する側面とを有し、
前記側面は、前記第二基板を基板厚み方向に沿って切断した断面視において、複数の円弧状の曲面部により構成されている
ことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、波長可変干渉フィルター、波長可変干渉フィルターの製造方法、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、一対の基板の互いに対向する面に、それぞれ反射膜を対向配置した波長可変干渉フィルターが知られている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の波長可変干渉フィルターは、下部基板と上部基板とを接合した波長可変干渉フィルターであり、下部基板の上部基板に対向する面に下部ミラーが設けられ、上部基板の下部基板に対向する面に下部ミラーと対向する上部ミラーが設けられている。
また、上部基板には、平面視にて上部ミラーを囲う領域に、ダイアフラムが設けられ、このダイアフラムが上下方向に変位することで、下部ミラー及び上部ミラーの間の寸法が変化する。
ここで、ダイアフラムは、上部基板にウェットエッチングを施して溝を形成することで得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１９７３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、可視光域の光を対象とした波長可変干渉フィルターでは、一般に、下部基板及び上部基板として、可視光域を透過可能なガラスが用いられる。このようなガラス製の上部基板にウェットエッチングを施してダイアフラムを形成する場合、図１７に示すように、ダイアフラムの形状に対応した開口を有するマスクＭ９を用いる。この場合、等方性エッチングにより、エッチングが深さ方向だけではなく、マスク開口端Ｍ９１から横方向へ進行し、ダイアフラムの溝底面９２６Ｂから上部基板９２の上面（マスクが形成される面）に亘って、マスク開口端Ｍ９１を中心として円弧状の曲面からなる側面９２６Ａが形成される。このため、このマスクＭ９の開口よりも横方向に広がる側面９２６Ａの領域Ｄ９分だけ、波長可変干渉フィルターのサイズが増大するという課題がある。
【０００５】
本発明は、小型化が可能な波長可変干渉フィルター、波長可変干渉フィルターの製造方法、光学フィルターデバイス、光学モジュール、及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の波長可変干渉フィルターは、第一基板と、前記第一基板に対向して配置された第二基板と、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、を備え、前記第二基板は、可動部、及び、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部の外に設けられた溝を備え、前記溝は、溝深さ寸法が均一となる底面と、前記底面に連続する側面とを有し、前記側面は、前記第二基板を基板厚み方向に沿って切断した断面視において、複数の円弧状の曲面部により構成されていることを特徴とする。
【０００７】
本発明では、第二基板に設けられた溝は、溝深さ寸法が均一となる底面と、底面に連続する側面とを有し、側面は、第二基板を基板厚み方向に沿って切断した断面視において、複数の円弧状の曲面部により構成されている。
この構成によれば、溝の側面が１つの曲面部のみにより構成されている場合と比べて、平面視における溝の側面の領域を縮小できる。これにより、溝の幅を狭くすることができ、波長可変干渉フィルターを小型化できる。
【０００８】
本発明の波長可変干渉フィルターでは、前記断面視において、複数の前記曲面部の円弧中心点は、前記底面と前記側面との境界から前記第二基板の基板厚み方向に沿った仮想直線上に位置することが好ましい。
この構成によれば、平面視における溝の側面の領域をさらに縮小できる。
【０００９】
本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法は、第一基板を形成し、当該第一基板に、光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜を設ける第一基板形成工程と、第二基板を形成する第二基板形成工程と、前記第二基板に設定された可動部形成領域に、光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を形成する第二反射膜形成工程と、前記第一基板と前記第二基板とを、前記第一反射膜及び前記第二反射膜が対向するように接合する接合工程と、を有し、前記第二基板形成工程は、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部形成領域の外に、溝深さ寸法が均一となる底面、及び前記底面に連続する側面を有する溝を形成する溝形成工程を含み、前記溝形成工程は、前記第二基板の表面上に、前記底面に対応する領域が開口した第一マスクを形成する第一マスク形成工程と、前記第一マスクを用いて前記第二基板をウェットエッチングして、第一溝を形成する第一エッチング工程と、前記第一マスクを除去した後、前記第二基板の表面上に、前記底面に対応する領域が開口した第二マスクを形成する第二マスク形成工程と、前記第二マスクを用いて前記第二基板をウェットエッチングして、第二溝を形成する第二エッチング工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
例えば、第一マスクを用いた１回のウェットエッチングにより第二基板に溝を形成する場合、溝の深さ寸法と略同一寸法のサイドエッチングが進行する。
これに対して、本発明では、溝は第一エッチング工程と第二エッチング工程とにより形成される。さらに、第二マスクは、溝の底面に対応する領域が開口しているため、第二エッチング工程におけるサイドエッチングの起点は、溝の底面と側面との境界から、第二基板の基板厚み方向に沿った仮想直線上に位置する。
このため、第一マスクを用いた１回のウェットエッチングにより同じ深さの溝を形成する場合と比べて、サイドエッチング寸法を短くすることができる。
これにより、第二基板に形成される溝の幅を狭くすることができ、波長可変干渉フィルターを小型化できる。
【００１１】
本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法では、前記第二マスク形成工程は、前記第一溝が形成された前記第二基板の表面上に、前記第一溝を構成する側面及び底面を覆うマスク部材を形成する工程と、前記マスク部材が形成された前記第二基板の表面上に、前記マスク部材を覆う電着レジストを材料とするレジストを形成する工程と、形成された前記レジストをパターニングする工程と、パターニングされた前記レジストをマスクにして前記マスク部材をエッチングすることで前記第二マスクを形成する工程と、を有することが好ましい。
【００１２】
マスク部材が形成された第二基板の表面上に、例えば、スピンコート法を用いてレジストを形成した場合には、第一溝の側面を覆うマスク部材に、レジストが上手く定着しない可能性がある。
これに対して、本発明では、レジストに電着レジストを用いているため、第一溝の側面を覆うマスク部材に、レジストを信頼性高く定着させることができる。これにより、レジストのパターニングを精度よく行うことができる。
【００１３】
本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法では、前記レジストは、ポジ型のレジストであることが好ましい。
マスク部材を覆うレジストが、例えば、ネガ型のレジストである場合、第一溝の側面上にレジストを残すため、この側面上のレジストを露光する必要がある。しかしながら、第一溝の側面には光が届きにくいため、この側面上のレジストが十分に露光されず、現像の結果、この側面上のレジストが除去されてしまうことがある。
これに対して、本発明によれば、レジストがポジ型のため、第一溝の側面上にレジストを残すために、この側面上のレジストを露光する必要がない。このため、レジストのパターニングをさらに精度よく行うことが可能となる。
【００１４】
本発明の光学フィルターデバイスでは、第一基板、前記第一基板に対向して配置された第二基板、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜、及び、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを収納する筐体と、を備え、前記第二基板は、可動部、及び、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部の外に設けられた溝を備え、前記溝は、溝深さ寸法が均一となる底面と、前記底面に連続する側面とを有し、前記側面は、前記第二基板を基板厚み方向に沿って切断した断面視において、複数の円弧状の曲面部により構成されていることを特徴とする。
【００１５】
本発明では、上記発明と同様、第二基板に形成される溝の幅を狭くすることができ、波長可変干渉フィルターを小型化できる。この結果、波長可変干渉フィルターが搭載される光学フィルターデバイスを小型化できる。また、波長可変干渉フィルターが筐体内に収納されているため、大気に含まれるガス等による反射膜の劣化や、異物の付着を抑制することができる。
【００１６】
本発明の光学モジュールでは、第一基板と、前記第一基板に対向して配置された第二基板と、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜と、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜と、前記第一反射膜と前記第二反射膜との間に入射した光が干渉して選択された波長の光を検出する検出部と、を備え、前記第二基板は、可動部、及び、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部の外に設けられた溝を備え、前記溝は、溝深さ寸法が均一となる底面と、前記底面に連続する側面とを有し、前記側面は、前記第二基板を基板厚み方向に沿って切断した断面視において、複数の円弧状の曲面部により構成されていることを特徴とする。
本発明では、上記発明と同様、第二基板に形成される溝の幅を狭くすることができ、光学モジュールを小型化できる。
【００１７】
本発明の電子機器では、第一基板、前記第一基板に対向して配置された第二基板、前記第一基板に設けられ、入射光の一部を反射し一部を透過する第一反射膜、及び、前記第二基板に設けられ、前記第一反射膜に対向し、入射光の一部を反射し一部を透過する第二反射膜を備えた波長可変干渉フィルターと、前記波長可変干渉フィルターを制御する制御部と、を備え、前記第二基板は、可動部、及び、前記第二基板を基板厚み方向から見た平面視において、前記可動部の外に設けられた溝を備え、前記溝は、溝深さ寸法が均一となる底面と、前記底面に連続する側面とを有し、前記側面は、前記第二基板を基板厚み方向に沿って切断した断面視において、複数の円弧状の曲面部により構成されていることを特徴とする。
【００１８】
本発明では、上記発明と同様、第二基板に形成される溝の幅を狭くすることができ、波長可変干渉フィルターを小型化できる。この結果、波長可変干渉フィルターが搭載される電子機器を小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る第一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図。
【図２】本実施形態の波長可変干渉フィルターの概略構成を示す平面図。
【図３】図２におけるIII-III線を断面した波長可変干渉フィルターの断面図。
【図４】図３の可動基板の溝付近を拡大した図。
【図５】本実施形態の波長可変干渉フィルターの製造工程を示すフローチャート。
【図６】図５の固定基板形成工程における第一ガラス基板の状態を示す図。
【図７】図５の可動基板形成工程における第二ガラス基板の状態を示す図。
【図８】図５の可動基板形成工程における第二ガラス基板の状態を示す図。
【図９】図５の可動基板形成工程における第二ガラス基板の状態を示す図。
【図１０】図５の基板接合工程を示す図。
【図１１】本発明に係る第二実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図。
【図１２】本発明に係る電子機器である測色装置の一例を示すブロック図。
【図１３】本発明に係る電子機器であるガス検出装置の一例を示す概略図。
【図１４】図１３のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図。
【図１５】本発明に係る電子機器である食物分析装置の概略構成を示す図。
【図１６】本発明に係る電子機器である分光カメラの概略構成を示す模式図。
【図１７】従来の波長可変干渉フィルターの課題を説明する図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
［第一実施形態］
以下、本発明に係る第一実施形態を図面に基づいて説明する。
［分光測定装置の構成］
図１は、本発明に係る一実施形態の分光測定装置の概略構成を示すブロック図である。
分光測定装置１は、本発明に係る電子機器の一例であり、測定対象Ｘで反射された測定対象光に基づいて、測定対象光のスペクトルを測定する装置である。なお、本実施形態では、測定対象Ｘで反射した測定対象光を測定する例を示すが、測定対象Ｘとして、例えば液晶パネル等の発光体を用いる場合、当該発光体から発光された光を測定対象光としてもよい。
この分光測定装置１は、図１に示すように、光学モジュール１０と、制御部２０と、を備えている。
【００２１】
［光学モジュールの構成］
次に、光学モジュール１０の構成について、以下に説明する。
光学モジュール１０は、図１に示すように、波長可変干渉フィルター５と、ディテクター１１と、Ｉ−Ｖ変換器１２と、アンプ１３と、Ａ／Ｄ変換器１４と、電圧制御部１５とを備えて構成される。
【００２２】
ディテクター１１は、光学モジュール１０の波長可変干渉フィルター５を透過した光を受光し、受光した光の光強度に応じた検出信号（電流）を出力する。
Ｉ−Ｖ変換器１２は、ディテクター１１から入力された検出信号を電圧値に変換し、アンプ１３に出力する。
アンプ１３は、Ｉ−Ｖ変換器１２から入力された検出信号に応じた電圧（検出電圧）を増幅する。
Ａ／Ｄ変換器１４は、アンプ１３から入力された検出電圧（アナログ信号）をデジタル信号に変換し、制御部２０に出力する。
【００２３】
（波長可変干渉フィルターの構成）
図２は、波長可変干渉フィルター５の概略構成を示す平面図であり、図３は、図２のIII-III線における波長可変干渉フィルター５の断面図である。
波長可変干渉フィルター５は、本発明の波長可変干渉フィルターの製造方法により製造される。なお、波長可変干渉フィルターの製造方法については後述する。
この波長可変干渉フィルター５は、図２に示すように、例えば平面正方形状の板状の光学部材である。この波長可変干渉フィルター５は、図３に示すように、本発明の第一基板である固定基板５１、及び本発明の第二基板である可動基板５２を備えている。これらの固定基板５１及び可動基板５２は、それぞれ例えば、ソーダガラス、結晶性ガラス、石英ガラス、鉛ガラス、カリウムガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラスなどの各種ガラスや、水晶などにより形成されている。そして、これらの固定基板５１及び可動基板５２は、固定基板５１の第一接合部５１３及び可動基板の第二接合部５２３が、例えばシロキサンを主成分とするプラズマ重合膜などにより構成された接合膜５３（第一接合膜５３１及び第二接合膜５３２）により接合されることで、一体的に構成されている。
【００２４】
固定基板５１には、本発明の第一反射膜を構成する固定反射膜５４が設けられ、可動基板５２には、本発明の第二反射膜を構成する可動反射膜５５が設けられている。これらの固定反射膜５４及び可動反射膜５５は、反射膜間ギャップＧ１を介して対向配置されている。そして、波長可変干渉フィルター５には、この反射膜間ギャップＧ１を調整するのに用いられる静電アクチュエーター５６が設けられている。この静電アクチュエーター５６は、固定基板５１に設けられた固定電極５６１と、可動基板５２に設けられた可動電極５６２とにより構成されている。これらの固定電極５６１、可動電極５６２は、電極間ギャップＧ２（Ｇ２＞Ｇ１）を介して対向する。ここで、これらの電極５６１，５６２は、それぞれ固定基板５１及び可動基板５２の基板表面に直接設けられる構成であってもよく、他の膜部材を介して設けられる構成であってもよい。
また、波長可変干渉フィルター５を固定基板５１（可動基板５２）の基板厚み方向から見た図２に示すようなフィルター平面視において、固定基板５１及び可動基板５２の平面中心点Ｏは、固定反射膜５４及び可動反射膜５５の中心点と一致し、かつ後述する可動部５２１の中心点と一致する。
なお、以降の説明に当たり、固定基板５１または可動基板５２の基板厚み方向から見た平面視、つまり、固定基板５１、接合膜５３、及び可動基板５２の積層方向から波長可変干渉フィルター５を見た平面視を、フィルター平面視と称する。
【００２５】
（固定基板の構成）
固定基板５１は、厚みが例えば１ｍｍに形成されたガラス基材を加工することで形成される。具体的には、図３に示すように、固定基板５１には、エッチングにより電極配置溝５１１及び反射膜設置部５１２が形成されている。この固定基板５１は、可動基板５２に対して厚み寸法が大きく形成されており、固定電極５６１及び可動電極５６２間に電圧を印加した際の静電引力や、固定電極５６１の内部応力による固定基板５１の撓みはない。
また、固定基板５１の頂点Ｃ１（図２参照）には、切欠部５１４が形成されており、波長可変干渉フィルター５の固定基板５１側に、後述する可動電極パッド５６４Ｐが露出する。
【００２６】
電極配置溝５１１は、フィルター平面視で、固定基板５１の平面中心点Ｏを中心とした環状に形成されている。反射膜設置部５１２は、前記平面視において、電極配置溝５１１の中心部から可動基板５２側に突出して形成される。ここで、電極配置溝５１１の溝底面は、固定電極５６１が配置される電極設置面５１１Ａとなる。また、反射膜設置部５１２の突出先端面は、反射膜設置面５１２Ａとなる。
また、固定基板５１には、電極配置溝５１１から、固定基板５１の外周縁の頂点Ｃ１，頂点Ｃ２に向かって延出する電極引出溝５１１Ｂ（図２参照）が設けられている。
【００２７】
電極配置溝５１１の電極設置面５１１Ａには、固定電極５６１が設けられている。この固定電極５６１は、電極設置面５１１Ａのうち、後述する可動部５２１の可動電極５６２に対向する領域に設けられている。また、固定電極５６１上に、固定電極５６１及び可動電極５６２の間の絶縁性を確保するための絶縁膜が積層される構成としてもよい。
そして、固定基板５１には、固定電極５６１の外周縁から、頂点Ｃ２方向に延出する固定引出電極５６３が設けられている。これらの固定引出電極５６３の延出先端部（固定基板５１の頂点Ｃ２に位置する部分）は、電圧制御部１５に接続される固定電極パッド５６３Ｐを構成する。
なお、本実施形態では、電極設置面５１１Ａに１つの固定電極５６１が設けられる構成を示すが、例えば、平面中心点Ｏを中心とした同心円となる２つの電極が設けられる構成（二重電極構成）などとしてもよい。
【００２８】
反射膜設置部５１２は、上述したように、電極配置溝５１１と同軸上で、電極配置溝５１１よりも小さい径寸法となる略円柱状に形成され、当該反射膜設置部５１２の可動基板５２に対向する反射膜設置面５１２Ａを備えている。
この反射膜設置部５１２には、図３に示すように、固定反射膜５４が設置されている。この固定反射膜５４としては、例えばＡｇ等の金属膜や、Ａｇ合金等の合金膜を用いることができる。また、例えば高屈折層をＴｉＯ２、低屈折層をＳｉＯ２とした誘電体多層膜を用いてもよい。さらに、誘電体多層膜上に金属膜（又は合金膜）を積層した反射膜や、金属膜（又は合金膜）上に誘電体多層膜を積層した反射膜、単層の屈折層（ＴｉＯ２やＳｉＯ２等）と金属膜（又は合金膜）とを積層した反射膜などを用いてもよい。
【００２９】
また、固定基板５１の光入射面（固定反射膜５４が設けられない面）には、固定反射膜５４に対応する位置に反射防止膜を形成してもよい。この反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成することができ、固定基板５１の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させる。
【００３０】
そして、固定基板５１の可動基板５２に対向する面のうち、エッチングにより、電極配置溝５１１、反射膜設置部５１２、及び電極引出溝５１１Ｂが形成されない面は、第一接合部５１３を構成する。この第一接合部５１３には、第一接合膜５３１が設けられ、この第一接合膜５３１が、可動基板５２に設けられた第二接合膜５３２に接合されることで、上述したように、固定基板５１及び可動基板５２が接合される。
【００３１】
（可動基板の構成）
可動基板５２は、厚みが例えば６００μｍに形成されるガラス基材を加工することで形成されている。
具体的には、可動基板５２は、図２に示すようなフィルター平面視において、平面中心点Ｏを中心とした円形状の可動部５２１と、可動部５２１と同軸であり可動部５２１を保持する保持部５２２と、保持部５２２の外側に設けられた基板外周部５２５と、を備えている。
また、可動基板５２には、図２に示すように、頂点Ｃ２に対応して、切欠部５２４が形成されており、波長可変干渉フィルター５を可動基板５２側から見た際に、固定電極パッド５６３Ｐが露出する。
【００３２】
可動部５２１は、保持部５２２よりも厚み寸法が大きく形成され、例えば、本実施形態では、可動基板５２の厚み寸法と同一寸法に形成されている。この可動部５２１は、フィルター平面視において、少なくとも反射膜設置面５１２Ａの外周縁の径寸法よりも大きい径寸法に形成されている。そして、この可動部５２１には、可動電極５６２及び可動反射膜５５が設けられている。
なお、固定基板５１と同様に、可動部５２１の固定基板５１とは反対側の面には、反射防止膜が形成されていてもよい。このような反射防止膜は、低屈折率膜及び高屈折率膜を交互に積層することで形成することができ、可動基板５２の表面での可視光の反射率を低下させ、透過率を増大させることができる。
【００３３】
可動電極５６２は、可動基板５２の固定基板５１と対向する表面５２Ａに、電極間ギャップＧ２（Ｇ２＞Ｇ１）を介して固定電極５６１に対向し、固定電極５６１と同一形状となる環状に形成されている。また、可動基板５２には、可動電極５６２の外周縁から可動基板５２の頂点Ｃ１に向かって延出する可動引出電極５６４を備えている。この可動引出電極５６４の延出先端部（可動基板５２の頂点Ｃ１に位置する部分）は、電圧制御部１５に接続される可動電極パッド５６４Ｐを構成する。
可動反射膜５５は、可動部５２１の可動面５２１Ａの中心部に、固定反射膜５４と反射膜間ギャップＧ１を介して対向して設けられる。この可動反射膜５５としては、上述した固定反射膜５４と同一の構成の反射膜が用いられる。
なお、本実施形態では、反射膜間ギャップＧ１が電極間ギャップＧ２よりも小さい構成を例示するが、これに限定されない。つまり、反射膜間ギャップＧ１及び電極間ギャップＧ２は、波長可変干渉フィルター５により取り出す光の波長域によって決定することができ、例えば反射膜間ギャップＧ１と電極間ギャップＧ２とが同一寸法であってもよく、反射膜間ギャップＧ１が電極間ギャップＧ２よりも大きく設定される構成であってもよい。
【００３４】
可動基板５２の表面５２Ａとは反対の表面５２Ｂ側には、フィルター平面視にて可動部５２１の外に環状の溝５２６が形成されている。図４は、図３の可動基板の溝付近を拡大した図である。図４に示すように、溝５２６は、溝深さ寸法が均一となる底面５２６Ｃと、底面５２６Ｃに連続する側面とにより構成されている。側面は、第一曲面部５２６Ａ及び第二曲面部５２６Ｂを含んでいる。
第一曲面部５２６Ａは、可動基板５２の表面５２Ｂと連続した面である。第一曲面部５２６Ａは、表面５２Ｂと同一平面上であり、かつ、フィルター平面視にて底面５２６Ｃの端部Ｅ５２と重なる仮想の第一点Ｏ１を中心として円弧状に形成された曲面部である。
第二曲面部５２６Ｂは、底面５２６Ｃと連続した面である。第二曲面部５２６Ｂは、第一点Ｏ１よりも底面５２６Ｃ側に位置し且つフィルター平面視にて底面５２６Ｃの端部Ｅ５２と重なる仮想の第二点Ｏ２を中心として円弧状に形成された曲面部である。
すなわち、底面５２６Ｃの端部Ｅ５２は、底面５２６Ｃと第二曲面部５２６Ｂとの境界に相当する。そして、この端部Ｅ５２から可動基板５２の厚み方向に沿った仮想直線Ｌ上に、第一点Ｏ１及び第二点Ｏ２は位置している。
ここで、第二点Ｏ２は、第一曲面部５２６Ａの円弧延長上に位置している。
このように、可動基板５２に溝５２６が形成されることで、保持部５２２が得られる。
【００３５】
保持部５２２は、可動部５２１の周囲を囲うダイアフラムであり、可動部５２１よりも厚み寸法が小さく形成されている。
このような保持部５２２は、可動部５２１よりも撓みやすく、僅かな静電引力により、可動部５２１を固定基板５１側に変位させることが可能となる。この際、可動部５２１が保持部５２２よりも厚み寸法が大きく、剛性が大きくなるため、保持部５２２が静電引力により固定基板５１側に引っ張られた場合でも、可動部５２１の形状変化が起こらない。したがって、可動部５２１に設けられた可動反射膜５５の撓みも生じず、固定反射膜５４及び可動反射膜５５を常に平行状態に維持することが可能となる。
なお、本実施形態では、ダイアフラム状の保持部５２２を例示するが、これに限定されず、例えば、平面中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された梁状の保持部が設けられる構成などとしてもよい。
【００３６】
基板外周部５２５は、上述したように、フィルター平面視において保持部５２２の外側に設けられている。この基板外周部５２５の固定基板５１に対向する面は、第一接合部５１３に対向する第二接合部５２３を備えている。そして、この第二接合部５２３には、第二接合膜５３２が設けられ、上述したように、第二接合膜５３２が第一接合膜５３１に接合されることで、固定基板５１及び可動基板５２が接合されている。
【００３７】
（電圧制御部の構成）
電圧制御部１５は、波長可変干渉フィルター５の固定引出電極５６３（固定電極パッド５６３Ｐ）、可動引出電極５６４（可動電極パッド５６４Ｐ）に接続されている。
そして、電圧制御部１５は、制御部２０から測定対象波長に対応した電圧指令信号を受信すると、対応する電圧を固定引出電極５６３及び可動引出電極５６４間に印加する。これにより、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６（固定電極５６１及び可動電極５６２間）に、印加電圧に基づいた静電引力が発生し、可動部５２１が固定基板５１側に変位して、反射膜間ギャップＧ１の大きさが変化する。
【００３８】
（制御部の構成）
制御部２０は、例えばＣＰＵやメモリー等が組み合わされることで構成され、分光測定装置１の全体動作を制御する。この制御部２０は、図１に示すように、フィルター駆動部２１と、光量取得部２２と、分光測定部２３と、を備える。
また、制御部２０は、各種データを記憶する記憶部（図示略）を備え、記憶部には、静電アクチュエーター５６を制御するためのＶ−λデータが記憶される。
このＶ−λデータには、静電アクチュエーター５６に印加する電圧（Ｖ）に対する、波長可変干渉フィルター５を透過する光のピーク波長（λ）が記録されている。
【００３９】
フィルター駆動部２１は、波長可変干渉フィルター５により取り出す光の目的波長を設定するとともに、記憶部に記憶されたＶ−λデータから設定した目的波長に対応する目標電圧値を読み込む。そして、フィルター駆動部２１は、読み込んだ目標電圧値を印加させる旨の制御信号を電圧制御部１５に出力する。これにより、電圧制御部１５から静電アクチュエーター５６に目標電圧値の電圧が印加される。
光量取得部２２は、ディテクター１１により取得された光量に基づいて、波長可変干渉フィルター５を透過した目的波長の光の光量を取得する。
分光測定部２３は、光量取得部２２により取得された光量に基づいて、測定対象光のスペクトル特性を測定する。
分光測定部２３における分光測定方法としては、例えば、測定対象波長に対してディテクター１１により検出された光量を、当該測定対象波長の光量として分光スペクトルを測定する方法や、複数の測定対象波長の光量に基づいて分光スペクトルを推定する方法等が挙げられる。
分光スペクトルを推定する方法としては、例えば、複数の測定対象波長に対する光量のそれぞれを行列要素とした計測スペクトル行列を生成し、この計測スペクトル行列に対して、所定の変換行列を作用させることで、測定対象となる光の分光スペクトルを推定する。この場合、分光スペクトルが既知である複数のサンプル光を、分光測定装置１により測定し、測定により得られた光量に基づいて生成される計測スペクトル行列に変換行列を作用させた行列と、既知の分光スペクトルとの偏差が最小となるように、変換行列を設定する。
【００４０】
［波長可変干渉フィルターの製造方法］
次に、上述したような波長可変干渉フィルター５の製造方法について、図面に基づいて説明する。
図５は、波長可変干渉フィルター５の製造工程を示すフローチャートである。
波長可変干渉フィルター５の製造では、まず、固定基板５１を形成するための第一ガラス基板５１Ｐ、可動基板５２を形成するための第二ガラス基板５２Ｐを用意し、固定基板形成工程ステップＳ１及び可動基板形成工程ステップＳ２を実施する。この後、基板接合工程ステップＳ３を実施し、固定基板形成工程ステップＳ１により加工された第一ガラス基板５１Ｐと、可動基板形成工程ステップＳ２により加工された第二ガラス基板５２Ｐとを接合し、チップ単位で波長可変干渉フィルター５を切り出す。
以下、各工程ステップＳ１〜ステップＳ３について、図面に基づいて説明する。
【００４１】
（固定基板形成工程）
図６は、固定基板形成工程ステップＳ１における第一ガラス基板５１Ｐの状態を示す図である。
固定基板形成工程ステップＳ１では、まず、固定基板５１の製造素材である第一ガラス基板５１Ｐ（例えば厚み寸法が１ｍｍ）の両面を、表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。
【００４２】
この後、図６（Ａ）に示すように、第一ガラス基板５１Ｐの両面（全表面）に第一マスク層Ｍ１（レジスト）を塗布して、塗布された第一マスク層Ｍ１をフォトリソグラフィ法により露光・現像し、電極配置溝５１１、電極引出溝５１１Ｂ（図示略）、及び反射膜設置部５１２を形成する箇所が開口するようにパターニングする。ここで、本実施形態では、１つの第一ガラス基板５１Ｐから複数の固定基板５１を形成する。したがって、この工程では、第一ガラス基板５１Ｐに、複数の固定基板５１がアレイ状に並列配置された状態で製造されるよう、レジストパターンを形成する。
次に、図６（Ｂ）に示すように、第一ガラス基板５１Ｐを例えば０．５μｍの深さ寸法までエッチングする。ここでのエッチングとしては、例えばフッ酸水溶液等のフッ酸系のエッチング液を用い、ウェットエッチングを行う。これにより、第一ガラス基板５１Ｐに反射膜設置面５１２Ａが形成される。
【００４３】
この後、第一マスク層Ｍ１を除去した後、電極配置溝５１１を形成するための第二マスク層Ｍ２（レジスト）を、第一ガラス基板５１Ｐの全表面に形成する。そして、図６（Ｃ）に示すように、電極配置溝５１１（及び電極引出溝５１１Ｂ）を形成する箇所を開口するようにパターニングする。なお、ここでは、第一マスク層Ｍ１を除去して、新たに第二マスク層Ｍ２を形成する例を示すが、例えば、第一マスク層Ｍ１を除去せず、反射膜設置部５１２の形成位置のみに新たに第二マスク層Ｍ２を形成してもよい。
【００４４】
そして、第一ガラス基板５１Ｐをウェットエッチングして電極配置溝５１１及び電極引出溝５１１Ｂ（図示略）を形成する。この際、例えば、反射膜設置面５１２Ａからの深さ寸法が１μｍとなる位置（第一ガラス基板５１Ｐの上面からの深さ寸法が１．５μｍとなる位置）に電極設置面５１１Ａが位置するように、ウェットエッチングを実施する。この後、第二マスク層Ｍ２を除去する。
これにより、図６（Ｄ）に示すように、電極配置溝５１１、電極引出溝５１１Ｂ（図示略）、及び反射膜設置部５１２が形成された固定基板５１の基板形状が決定される。
【００４５】
次に、本発明の第一成膜工程を実施する。
この第一成膜工程では、まず、第一ガラス基板５１Ｐに固定電極５６１を形成する電極材料を成膜する。固定電極５６１及び固定引出電極５６３としては、いかなる電極材料を用いてもよいが、本実施形態では、０．１μｍのＩＴＯ膜を、スパッタリング法等を用いて形成する。この後、電極材料をパターニングすることで、図６（Ｅ）に示すように、固定電極５６１及び固定引出電極５６３（図示略）を形成する。このパターニングでは、例えば、形成されたＩＴＯ上に、固定電極５６１及び固定引出電極５６３の形成位置にレジストパターンを施す。そして、硝酸及び塩酸の混合液を用いてＩＴＯをエッチングし、エッチング後にレジストパターンを除去する。
また、固定電極５６１上に絶縁層を成膜する場合、固定電極５６１の形成後、例えばプラズマＣＶＤ等により固定基板５１の可動基板５２に対向する面全体に、例えば１００ｎｍ程度の厚みの絶縁膜（例えばＴＥＯＳやＳｉＯ２）を成膜する。そして、固定電極パッド５６３Ｐ上の絶縁膜を、例えばドライエッチング等により除去する。
【００４６】
次に、図６（Ｆ）に示すように、反射膜設置面５１２Ａ上に固定反射膜５４を設ける。ここで、本実施形態では、固定反射膜５４として、Ａｇ合金を用いる。固定反射膜５４として、Ａｇ合金等の金属膜やＡｇ合金等の合金膜を用いる場合、第一ガラス基板５１Ｐの電極配置溝５１１や反射膜設置部５１２が形成された面に、固定反射膜５４の膜層を形成した後、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングをする。
なお、固定反射膜５４として誘電体多層膜を形成する場合では、例えばリフトオフプロセスにより形成することができる。この場合、フォトリソグラフィ法などにより、固定基板５１上の反射膜形成部分以外にレジスト（リフトオフパターン）を形成する。この後、固定反射膜５４を形成するための材料（例えば、高屈折層をＴｉＯ２、低屈折層をＳｉＯ２とした誘電体多層膜）をスパッタリング法または蒸着法等により成膜する。そして、固定反射膜５４を成膜した後、リフトオフにより、不要部分の膜を除去する。
また、誘電体多層膜上に更に金属膜や金属合金膜を積層した固定反射膜５４を用いる場合や、誘電体膜（例えばＴｉＯ２やＴａ２Ｏ５等の高屈折層）上に金属膜や金属合金膜を積層した固定反射膜５４を用いる場合では、上述のようにリフトオフプロセスにより誘電体多層膜（誘電体膜）を形成した後、スパッタリング法や蒸着法等により、金属膜や金属合金膜を成膜し、フォトリソグラフィ法等を用いてパターニングをする。
以上により、固定基板５１が複数アレイ状に配置された第一ガラス基板５１Ｐが形成される。
【００４７】
（可動基板形成工程）
次に、可動基板形成工程ステップＳ２について説明する。図７〜図９は、可動基板形成工程ステップＳ２における第二ガラス基板５２Ｐの状態を示す図である。
可動基板形成工程ステップＳ２では、まず、可動基板５２の製造素材である第二ガラス基板５２Ｐ（例えば厚み寸法が０．６ｍｍ）の表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるまで両面を精密研磨する。
そして、図７（Ａ）に示すように、第二ガラス基板５２Ｐの両面にＣｒ膜／Ａｕ膜の積層膜Ｅ１を、スパッタリング法により成膜する。ここで、Ｃｒ膜及びＡｕ膜の膜厚寸法は特に限定されないが、本実施形態では、Ｃｒ膜を５０ｎｍ、Ａｕ膜を５００ｎｍに形成する。
次に、図７（Ｂ）に示すように、第二ガラス基板５２Ｐの両面に、スピンコート法によりレジストを塗布して、積層膜Ｅ１を覆うレジストＲＥ１を形成する。
【００４８】
次に、図７（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、レジストＲＥ１を露光・現像し、可動基板５２における溝５２６の底面５２６Ｃに対応する領域が開口するようにパターニングする。ここで、本実施形態では、１つの第二ガラス基板５２Ｐから複数の可動基板５２を形成する。したがって、この工程では、第二ガラス基板５２Ｐに、複数の可動基板５２がアレイ状に並列配置された状態で製造されるよう、レジストパターンを形成する。
そして、このパターニングされたレジストＲＥ１を用いて、積層膜Ｅ１をエッチングして第一マスクＭ１１を形成する。このとき、積層膜Ｅ１を構成するＡｕ膜をヨウ素及びヨウ化カリウムの混合液でエッチングし、Ｃｒ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングする。
【００４９】
次に、図７（Ｄ）に示すように、パターニングされたレジストＲＥ１及び第一マスクＭ１１をマスクとして、第二ガラス基板５２Ｐを、緩衝フッ酸を用いてウェットエッチングする（第一エッチング工程）。深さ方向のエッチング寸法は、例えば、０．３ｍｍである。これにより、第二ガラス基板５２Ｐには、第一マスクＭ１１の開口と対応する底面Ｔ１Ｂと、底面Ｔ１Ｂと第二ガラス基板５２Ｐの上面とを結ぶ側面Ｔ１Ａとから構成される第一溝Ｔ１が形成される。
ここで、等方性エッチングにより、第一溝Ｔ１の深さと略同一寸法のサイドエッチングが進行する。これにより、側面Ｔ１Ａは、第一マスクＭ１１の開口端Ｍ１１Ａを中心として円弧状に形成された曲面となる。
なお、第一マスクＭ１１の開口端Ｍ１１Ａは、可動基板５２の仮想の第一点Ｏ１に相当し、側面Ｔ１Ａは、可動基板５２の溝５２６の第一曲面部５２６Ａを構成する。
次に、図７（Ｅ）に示すように、パターニングされたレジストＲＥ１及び第一マスクＭ１１を除去する。
【００５０】
次に、図８（Ａ）に示すように、第二ガラス基板５２Ｐの両面に、第一溝Ｔ１を構成する側面Ｔ１Ａ及び底面Ｔ１Ｂを覆うＣｒ膜／Ａｕ膜の積層膜Ｅ２を、スパッタリング法により成膜する。ここで、Ｃｒ膜及びＡｕ膜の膜厚寸法は特に限定されないが、本実施形態では、Ｃｒ膜を５０ｎｍ、Ａｕ膜を５００ｎｍに形成する。
次に、図８（Ｂ）に示すように、第二ガラス基板５２Ｐの両面に、積層膜Ｅ２を覆う電着レジストを材料とするレジストＲＥ２を形成する。ここで、レジストＲＥ２は、ポジ型のレジストである。
次に、図８（Ｃ）に示すように、フォトリソグラフィ法により、レジストＲＥ２を露光・現像し、可動基板５２における溝５２６の底面５２６Ｃに対応する領域が開口するようにパターニングする。
そして、このパターニングされたレジストＲＥ２を用いて、積層膜Ｅ２をエッチングして第二マスクＭ２１を形成する。このとき、積層膜Ｅ２を構成するＡｕ膜をヨウ素及びヨウ化カリウムの混合液でエッチングし、Ｃｒ膜を硝酸セリウムアンモニウム水溶液でエッチングする。
【００５１】
次に、図８（Ｄ）に示すように、パターニングされたレジストＲＥ２及び第二マスクＭ２１をマスクとして、第二ガラス基板５２Ｐを、緩衝フッ酸を用いてウェットエッチングする（第二エッチング工程）。深さ方向のエッチング寸法は、例えば、０．２７ｍｍである。これにより、第二ガラス基板５２Ｐには、第二マスクＭ２１の開口と対応する底面Ｔ２Ｂと、底面Ｔ２Ｂと第二ガラス基板５２Ｐの上面とを結ぶ側面Ｔ２Ａとから構成される第二溝Ｔ２が形成される。
ここで、等方性エッチングにより、第二溝Ｔ２の深さと略同一寸法のサイドエッチングが進行する。これにより、側面Ｔ２Ａは、第二マスクＭ２１の開口端Ｍ２１Ａを中心として円弧状に形成された曲面となる。
なお、第二マスクＭ２１の開口端Ｍ２１Ａは、可動基板５２の仮想の第二点Ｏ２に相当し、底面Ｔ２Ｂは、可動基板５２の溝５２６の底面５２６Ｃに相当し、側面Ｔ２Ａは、可動基板５２の溝５２６の第二曲面部５２６Ｂに相当する。
次に、図８（Ｅ）に示すように、パターニングされたレジストＲＥ２及び第二マスクＭ２１を除去する。
これにより、第二ガラス基板５２Ｐに、溝５２６が形成され、厚みが例えば３０μｍの保持部５２２が得られる。
【００５２】
次に、図９（Ａ）に示すように、第二ガラス基板５２Ｐの溝５２６が形成される表面とは反対側の表面に、可動電極５６２及び可動引出電極５６４（図示略）を形成する。この可動電極５６２及び可動引出電極５６４の形成では、上記第一ガラス基板５１Ｐにおける固定電極５６１の形成と同様の方法を用いることができる。
【００５３】
この後、図９（Ｂ）に示すように、可動面５２１Ａに可動反射膜５５を形成する。この可動反射膜５５の形成も、上記第一ガラス基板５１Ｐにおける固定反射膜５４と同様の方法により形成することができる。
以上により、可動基板５２が複数アレイ状に配置された第二ガラス基板５２Ｐが製造される。
【００５４】
（基板接合工程）
次に、基板接合工程ステップＳ３について説明する。図１０は、基板接合工程ステップＳ３における第一ガラス基板５１Ｐ及び第二ガラス基板５２Ｐの状態を示す図である。
この基板接合工程ステップＳ３では、まず、第一ガラス基板５１Ｐの第一接合部５１３と、第二ガラス基板５２Ｐの第二接合部５２３とに、ポリオルガノシロキサンを主成分としたプラズマ重合膜（接合膜５３）を、例えばプラズマＣＶＤ法等により成膜する。接合膜５３の厚みとしては、例えば１０ｎｍから１０００ｎｍとすればよい。
【００５５】
そして、第一ガラス基板５１Ｐ及び第二ガラス基板５２Ｐのプラズマ重合膜に対して活性化エネルギーを付与するために、活性化エネルギーを付与するために、プラズマ処理またはＵＶ処理を行う。プラズマ処理の場合は、Ｏ２、Ｎ２、Ａｒ等を処理ガスとするＲＦプラズマを照射し、ＵＶ処理の場合は、ＵＶ光源としてエキシマＵＶ（波長１７２ｎｍ）を用いる。 
プラズマ重合膜に活性化エネルギーを付与した後、これらの第一ガラス基板５１Ｐ及び第二ガラス基板５２Ｐのアライメント調整を行い、プラズマ重合膜を介して第一ガラス基板５１Ｐ及び第二ガラス基板５２Ｐを重ね合わせ、接合部分に例えば９８（Ｎ）の荷重を１０分間かける。これにより、第一ガラス基板５１Ｐ及び第二ガラス基板５２Ｐ同士が接合される。
【００５６】
この後、各波長可変干渉フィルター５をチップ単位で取り出す切断工程を実施する。具体的には、図１０に示すラインＢ１に沿って第一ガラス基板５１Ｐ及び第二ガラス基板５２Ｐの接合体を切断する。切断には、例えばレーザー切断等を利用することができる。以上により、チップ単位の波長可変干渉フィルター５が製造される。
【００５７】
［第一実施形態の作用効果］
本実施形態の波長可変干渉フィルター５は、溝５２６の側面は、第一曲面部５２６Ａ及び第二曲面部５２６Ｂにより構成され、第一曲面部５２６Ａ及び第二曲面部５２６Ｂの円弧の中心点である第一点Ｏ１及び第二点Ｏ２は、溝５２６における底面５２６Ｃの端部Ｅ５２から可動基板５２の基板厚み方向に沿った仮想直線Ｌ上に位置する。
この構成によれば、溝５２６の側面が１つの曲面部のみにより構成されている場合と比べて、平面視における溝５２６の側面の領域を縮小できる。これにより、溝５２６の幅を狭くすることができ、波長可変干渉フィルター５を小型化できる。
【００５８】
また、本実施形態の波長可変干渉フィルター５の製造方法では、溝５２６は、第一エッチング工程と第二エッチング工程とにより形成される。さらに、第二マスクＭ２１は、溝５２６の底面５２６Ｃに対応する領域が開口しているため、第二エッチング工程におけるサイドエッチングの起点は、溝５２６における底面５２６Ｃの端部Ｅ５２から第二ガラス基板５２Ｐの基板厚み方向に沿った仮想直線上に位置する。
このため、第一マスクＭ１１を用いた１回のウェットエッチングにより同じ深さの溝５２６を形成する場合と比べて、サイドエッチング寸法を短くすることができる。
例えば、第一エッチング工程におけるエッチングの深さ寸法と、第二エッチング工程におけるエッチングの深さ寸法とを、略同一にすることで、サイドエッチング寸法を約半分にすることができる。
これにより、溝５２６の幅を狭くすることができ、波長可変干渉フィルター５を小型化できる。
【００５９】
また、第一溝Ｔ１が形成された第二ガラス基板５２Ｐに形成されるレジストＲＥ２には、電着レジストが用いられている。
例えば、レジストＲＥ２を、スピンコート法を用いて形成した場合には、第一溝Ｔ１の側面Ｔ１Ａを覆う積層膜Ｅ２に、レジストＲＥ２が上手く定着しない可能性がある。
これに対して、本発明では、レジストＲＥ２に電着レジストが用いられているため、第一溝Ｔ１の側面Ｔ１Ａを覆う積層膜Ｅ２に、レジストＲＥ２を信頼性高く定着させることができる。これにより、レジストＲＥ２のパターニングを精度よく行うことができる。
【００６０】
また、レジストＲＥ２には、ポジ型のレジストが用いられている。
例えば、レジストＲＥ２がネガ型である場合、第一溝Ｔ１の側面Ｔ１Ａ上にレジストＲＥ２を残すため、側面Ｔ１Ａ上のレジストＲＥ２を露光する必要がある。しかしながら、側面Ｔ１Ａには光が届きにくいため、側面Ｔ１Ａ上のレジストＲＥ２が十分に露光されず、現像の結果、側面Ｔ１Ａ上のレジストＲＥ２が除去されてしまうことがある。
これに対して、本発明によれば、レジストＲＥ２がポジ型のため、側面Ｔ１Ａ上にレジストＲＥ２を残すために、側面Ｔ１Ａ上のレジストＲＥ２を露光する必要がない。このため、レジストＲＥ２のパターニングをさらに精度よく行うことが可能となる。
【００６１】
［第二実施形態］
次に、本発明の第二実施形態について、図面に基づいて説明する。
上記第一実施形態の分光測定装置１では、光学モジュール１０に対して、波長可変干渉フィルター５が直接設けられる構成とした。しかしながら、光学モジュールとしては、複雑な構成を有するものもあり、特に小型化の光学モジュールに対して、波長可変干渉フィルター５を直接設けることが困難な場合がある。本実施形態では、そのような光学モジュールに対しても、波長可変干渉フィルター５を容易に設置可能にする光学フィルターデバイスについて、以下に説明する。
図１１は、本発明に係る第二実施形態の光学フィルターデバイスの概略構成を示す断面図である。
【００６２】
図１１に示すように、光学フィルターデバイス６００は、波長可変干渉フィルター５と、当該波長可変干渉フィルター５を収納する筐体６０１と、を備えている。
筐体６０１は、ベース基板６１０と、リッド６２０と、ベース側ガラス基板６３０と、リッド側ガラス基板６４０と、を備える。
【００６３】
ベース基板６１０は、例えば単層セラミック基板により構成される。このベース基板６１０には、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２が設置される。ベース基板６１０への可動基板５２の設置としては、例えば接着層等を介して配置されるものであってもよく、他の固定部材等に嵌合等されることで配置されるものであってもよい。また、ベース基板６１０には、光通過孔６１１が開口形成される。そして、この光通過孔６１１を覆うように、ベース側ガラス基板６３０が接合される。ベース側ガラス基板６３０の接合方法としては、例えば、ガラス原料を高温で熔解し、急冷したガラスのかけらであるガラスフリットを用いたガラスフリット接合、エポキシ樹脂等による接着などを利用できる。
【００６４】
このベース基板６１０のリッド６２０に対向するベース内側面６１２には、波長可変干渉フィルター５の各引出電極５６３，５６４のそれぞれに対応して内側端子部６１５が設けられている。なお、各引出電極５６３，５６４と内側端子部６１５との接続は、例えばＦＰＣ６１５Ａを用いることができ、例えばＡｇペースト、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film）、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste）等により接合する。また、ＦＰＣ６１５Ａによる接続に限られず、例えばワイヤーボンディング等による配線接続を実施してもよい。
また、ベース基板６１０は、各内側端子部６１５が設けられる位置に対応して、貫通孔６１４が形成されており、各内側端子部６１５は、貫通孔６１４に充填された導電性部材を介して、ベース基板６１０のベース内側面６１２とは反対側のベース外側面６１３に設けられた外側端子部６１６に接続されている。
そして、ベース基板６１０の外周部には、リッド６２０に接合されるベース接合部６１７が設けられている。
【００６５】
リッド６２０は、図１１に示すように、ベース基板６１０のベース接合部６１７に接合されるリッド接合部６２４と、リッド接合部６２４から連続し、ベース基板６１０から離れる方向に立ち上がる側壁部６２５と、側壁部６２５から連続し、波長可変干渉フィルター５の可動基板５２側を覆う天面部６２６とを備えている。このリッド６２０は、例えばコバール等の合金または金属により形成することができる。
このリッド６２０は、リッド接合部６２４と、ベース基板６１０のベース接合部６１７とが、接合されることで、ベース基板６１０に密着接合されている。
この接合方法としては、例えば、レーザー溶着の他、銀ロウ等を用いた半田付け、共晶合金層を用いた封着、低融点ガラスを用いた溶着、ガラス付着、ガラスフリット接合、エポキシ樹脂による接着等が挙げられる。これらの接合方法は、ベース基板６１０及びリッド６２０の素材や、接合環境等により、適宜選択することができる。
【００６６】
リッド６２０の天面部６２６は、ベース基板６１０に対して平行となる。この天面部６２６には、光通過孔６２１が開口形成されている。そして、この光通過孔６２１を覆うように、リッド側ガラス基板６４０が接合される。リッド側ガラス基板６４０の接合方法としては、ベース側ガラス基板６３０の接合と同様に、例えばガラスフリット接合や、エポキシ樹脂等による接着などを用いることができる。
【００６７】
上述したような本実施形態の光学フィルターデバイス６００では、筐体６０１により波長可変干渉フィルター５が保護されているため、外的要因による波長可変干渉フィルター５の破損を防止できる。また、光学フィルターデバイス６００の内部が密閉された構成となるため、水滴や帯電物質等の異物の侵入を抑制でき、固定反射膜５４や可動反射膜５５にこれらの異物が付着する不都合も抑制することができる。
【００６８】
［その他の実施形態］
なお、本発明は前述の実施形態に限定されるものではなく、本発明の目的を達成できる範囲での変形、改良等は本発明に含まれるものである。
【００６９】
上記第一実施形態では、溝５２６のエッチングは、第一及び第二エッチング工程による２回のエッチングにより行われているが、第二エッチング工程を繰り返し行い、溝５２６を３回以上のエッチング工程により形成してもよい。すなわち、溝５２６の側面を、３つ以上の曲面部により構成してもよい。
この場合、平面視における溝５２６を構成する側面の領域をさらに縮小できる。
【００７０】
上記第一実施形態では、溝５２６は環状であるが、これに限定されない。例えば、フィルター平面視において、平面中心点Ｏを中心として、等角度間隔で配置された円弧状の複数の溝により構成されていてもよい。
【００７１】
上記第一実施形態では、レジストＲＥ２に電着レジストを用いているが、レジストＲＥ２の定着が好適に行われる場合には、これに限定されない。
また、上記第一実施形態では、レジストＲＥ２にポジ型のレジストを用いているが、露光が好適に行われる場合には、ネガ型のレジストを用いてもよい。
【００７２】
上記実施形態では、固定電極５６１及び可動電極５６２により構成される静電アクチュエーター５６により、反射膜間ギャップＧ１の寸法を可変させる構成を例示したが、これに限定されない。
例えば、固定基板５１に設けられる第一誘電コイルと、可動基板５２に設けられる第二誘電コイルまたは永久磁石とにより構成される誘電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。
さらに、静電アクチュエーター５６の代わりに圧電アクチュエーターを用いる構成としてもよい。この場合、例えば保持部５２２に下部電極層、圧電膜、及び上部電極層を積層配置させ、下部電極層及び上部電極層の間に印加する電圧を入力値として可変させることで、圧電膜を伸縮させて保持部５２２を撓ませることができる。
さらには、電圧印加により反射膜間ギャップＧ１の大きさを変化させる構成に限られず、例えば、波長可変干渉フィルター５の外の空気圧に対する、固定基板５１及び可動基板５２の間の空気圧を変化させることで、反射膜間ギャップＧ１の大きさを調整する構成なども例示できる。
【００７３】
また、本発明の電子機器として、上記各実施形態では、分光測定装置１を例示したが、その他、様々な分野により本発明の波長可変干渉フィルター５、光学モジュール、及び電子機器を適用することができる。
【００７４】
例えば、図１２に示すように、本発明の電子機器を、色を測定するための測色装置に適用することもできる。
図１２は、波長可変干渉フィルター５を備えた測色装置４００の一例を示すブロック図である。
この測色装置４００は、図１２に示すように、検査対象Ａに光を射出する光源装置４１０と、測色センサー４２０（光学モジュール）と、測色装置４００の全体動作を制御する制御装置４３０（制御部）とを備える。そして、この測色装置４００は、光源装置４１０から射出される光を検査対象Ａにて反射させ、反射された検査対象光を測色センサー４２０にて受光し、測色センサー４２０から出力される検出信号に基づいて、検査対象光の色度、すなわち検査対象Ａの色を分析して測定する装置である。
【００７５】
光源装置４１０は、光源４１１、複数のレンズ４１２（図１２には１つのみ記載）を備え、検査対象Ａに対して例えば基準光（例えば、白色光）を射出する。また、複数のレンズ４１２には、コリメーターレンズが含まれてもよく、この場合、光源装置４１０は、光源４１１から射出された基準光をコリメーターレンズにより平行光とし、図示しない投射レンズから検査対象Ａに向かって射出する。なお、本実施形態では、光源装置４１０を備える測色装置４００を例示するが、例えば検査対象Ａが液晶パネルなどの発光部材である場合、光源装置４１０が設けられない構成としてもよい。
【００７６】
測色センサー４２０は、図１２に示すように、波長可変干渉フィルター５と、波長可変干渉フィルター５を透過する光を受光するディテクター１１と、波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６への印加電圧を制御する電圧制御部１５とを備える。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、光学フィルターデバイス６００を用いてもよい。また、測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５に対向する位置に、検査対象Ａで反射された反射光（検査対象光）を、内部に導光する図示しない入射光学レンズを備えている。そして、この測色センサー４２０は、波長可変干渉フィルター５により、入射光学レンズから入射した検査対象光のうち、所定波長の光を分光し、分光した光をディテクター１１にて受光する。
【００７７】
制御装置４３０は、本発明の制御部であり、測色装置４００の全体動作を制御する。
この制御装置４３０としては、例えば汎用パーソナルコンピューターや、携帯情報端末、その他、測色専用コンピューターなどを用いることができる。そして、制御装置４３０は、図１２に示すように、光源制御部４３１、測色センサー制御部４３２、及び測色処理部４３３などを備えて構成されている。
光源制御部４３１は、光源装置４１０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、光源装置４１０に所定の制御信号を出力して、所定の明るさの白色光を射出させる。
測色センサー制御部４３２は、測色センサー４２０に接続され、例えば利用者の設定入力に基づいて、測色センサー４２０にて受光させる光の波長を設定し、この波長の光の受光量を検出する旨の指令信号を測色センサー４２０に出力する。これにより、測色センサー４２０の電圧制御部１５は、制御信号に基づいて、静電アクチュエーター５６に電圧を印加し、波長可変干渉フィルター５を駆動させる。
測色処理部４３３は、ディテクター１１により検出された受光量から、検査対象Ａの色度を分析する。また、測色処理部４３３は、上記第一と同様、ディテクター１１により得られた光量を計測スペクトルＤとして、推定行列Ｍｓを用いて分光スペクトルＳを推算することで検査対象Ａの色度を分析してもよい。
【００７８】
また、本発明の電子機器の他の例として、特定物質の存在を検出するための光ベースのシステムが挙げられる。このようなシステムとしては、例えば、波長可変干渉フィルター５を用いた分光計測方式を採用して特定ガスを高感度検出する車載用ガス漏れ検出器や、呼気検査用の光音響希ガス検出器等のガス検出装置を例示できる。
このようなガス検出装置の一例を以下に図面に基づいて説明する。
【００７９】
図１３は、波長可変干渉フィルター５を備えたガス検出装置の一例を示す概略図である。
図１４は、図１３のガス検出装置の制御系の構成を示すブロック図である。
このガス検出装置１００は、図１３に示すように、センサーチップ１１０と、吸引口１２０Ａ、吸引流路１２０Ｂ、排出流路１２０Ｃ、及び排出口１２０Ｄを備えた流路１２０と、本体部１３０と、を備えて構成されている。
本体部１３０は、流路１２０を着脱可能な開口を有するセンサー部カバー１３１、排出手段１３３、筐体１３４、光学部１３５、フィルター１３６、波長可変干渉フィルター５、及び受光素子１３７（検出部）等を含む検出装置と、検出された信号を処理し、検出部を制御する制御部１３８、電力を供給する電力供給部１３９等から構成されている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、光学フィルターデバイス６００を用いてもよい。また、光学部１３５は、光を射出する光源１３５Ａと、光源１３５Ａから入射された光をセンサーチップ１１０側に反射し、センサーチップ側から入射された光を受光素子１３７側に透過するビームスプリッター１３５Ｂと、レンズ１３５Ｃ，１３５Ｄ，１３５Ｅと、により構成されている。
また、図１４に示すように、ガス検出装置１００の表面には、操作パネル１４０、表示部１４１、外部とのインターフェイスのための接続部１４２、電力供給部１３９が設けられている。電力供給部１３９が二次電池の場合には、充電のための接続部１４３を備えてもよい。
さらに、ガス検出装置１００の制御部１３８は、図１４に示すように、ＣＰＵ等により構成された信号処理部１４４、光源１３５Ａを制御するための光源ドライバー回路１４５、波長可変干渉フィルター５を制御するための電圧制御部１４６、受光素子１３７からの信号を受信する受光回路１４７、センサーチップ１１０のコードを読み取り、センサーチップ１１０の有無を検出するセンサーチップ検出器１４８からの信号を受信するセンサーチップ検出回路１４９、及び排出手段１３３を制御する排出ドライバー回路１５０などを備えている。また、ガス検出装置１００には、Ｖ−λデータを記憶する記憶部（図示略）を備える。
【００８０】
次に、上記のようなガス検出装置１００の動作について、以下に説明する。
本体部１３０の上部のセンサー部カバー１３１の内部には、センサーチップ検出器１４８が設けられており、このセンサーチップ検出器１４８でセンサーチップ１１０の有無が検出される。信号処理部１４４は、センサーチップ検出器１４８からの検出信号を検出すると、センサーチップ１１０が装着された状態であると判断し、表示部１４１へ検出動作を実施可能な旨を表示させる表示信号を出す。
【００８１】
そして、例えば利用者により操作パネル１４０が操作され、操作パネル１４０から検出処理を開始する旨の指示信号が信号処理部１４４へ出力されると、まず、信号処理部１４４は、光源ドライバー回路１４５に光源作動の信号を出力して光源１３５Ａを作動させる。光源１３５Ａが駆動されると、光源１３５Ａから単一波長で直線偏光の安定したレーザー光が射出される。また、光源１３５Ａには、温度センサーや光量センサーが内蔵されており、その情報が信号処理部１４４へ出力される。そして、信号処理部１４４は、光源１３５Ａから入力された温度や光量に基づいて、光源１３５Ａが安定動作していると判断すると、排出ドライバー回路１５０を制御して排出手段１３３を作動させる。これにより、検出すべき標的物質（ガス分子）を含んだ気体試料が、吸引口１２０Ａから、吸引流路１２０Ｂ、センサーチップ１１０内、排出流路１２０Ｃ、排出口１２０Ｄへと誘導される。なお、吸引口１２０Ａには、除塵フィルター１２０Ａ１が設けられ、比較的大きい粉塵や一部の水蒸気などが除去される。
【００８２】
また、センサーチップ１１０は、金属ナノ構造体が複数組み込まれ、局在表面プラズモン共鳴を利用したセンサーである。このようなセンサーチップ１１０では、レーザー光により金属ナノ構造体間で増強電場が形成され、この増強電場内にガス分子が入り込むと、分子振動の情報を含んだラマン散乱光、及びレイリー散乱光が発生する。
これらのレイリー散乱光やラマン散乱光は、光学部１３５を通ってフィルター１３６に入射し、フィルター１３６によりレイリー散乱光が分離され、ラマン散乱光が波長可変干渉フィルター５に入射する。そして、信号処理部１４４は、電圧制御部１４６に対して制御信号を出力する。これにより、電圧制御部１４６は、上記第一実施形態に示すように、記憶部から測定対象波長に対応する電圧値を読み込み、その電圧を波長可変干渉フィルター５の静電アクチュエーター５６に印加し、検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５で分光させる。この後、分光した光が受光素子１３７で受光されると、受光量に応じた受光信号が受光回路１４７を介して信号処理部１４４に出力される。この場合、波長可変干渉フィルター５から目的とするラマン散乱光を精度よく取り出すことができる。
信号処理部１４４は、上記のようにして得られた検出対象となるガス分子に対応したラマン散乱光のスペクトルデータと、ＲＯＭに格納されているデータとを比較し、目的のガス分子か否かを判定し、物質の特定をする。また、信号処理部１４４は、表示部１４１にその結果情報を表示させたり、接続部１４２から外部へ出力したりする。
【００８３】
なお、上記図１３及び図１４において、ラマン散乱光を波長可変干渉フィルター５により分光して分光されたラマン散乱光からガス検出を行うガス検出装置１００を例示したが、ガス検出装置として、ガス固有の吸光度を検出することでガス種別を特定するガス検出装置として用いてもよい。この場合、センサー内部にガスを流入させ、入射光のうちガスにて吸収された光を検出するガスセンサーを本発明の光学モジュールとして用いる。そして、このようなガスセンサーによりセンサー内に流入されたガスを分析、判別するガス検出装置を本発明の電子機器とする。このような構成でも、波長可変干渉フィルター５を用いてガスの成分を検出することができる。
【００８４】
また、特定物質の存在を検出するためのシステムとして、上記のようなガスの検出に限られず、近赤外線分光による糖類の非侵襲的測定装置や、食物や生体、鉱物等の情報の非侵襲的測定装置等の、物質成分分析装置を例示できる。
以下に、上記物質成分分析装置の一例として、食物分析装置を説明する。
【００８５】
図１５は、波長可変干渉フィルター５を利用した電子機器の一例である食物分析装置の概略構成を示す図である。
この食物分析装置２００は、図１５に示すように、検出器２１０（光学モジュール）と、制御部２２０と、表示部２３０と、を備えている。検出器２１０は、光を射出する光源２１１と、測定対象物からの光が導入される撮像レンズ２１２と、撮像レンズ２１２から導入された光を分光する波長可変干渉フィルター５と、分光された光を検出する撮像部２１３（検出部）と、を備えている。なお、波長可変干渉フィルター５の代わりに、光学フィルターデバイス６００を用いてもよい。
また、制御部２２０は、光源２１１の点灯・消灯制御、点灯時の明るさ制御を実施する光源制御部２２１と、波長可変干渉フィルター５を制御する電圧制御部２２２と、撮像部２１３を制御し、撮像部２１３で撮像された分光画像を取得する検出制御部２２３と、信号処理部２２４と、記憶部２２５と、を備えている。
【００８６】
この食物分析装置２００は、システムを駆動させると、光源制御部２２１により光源２１１が制御されて、光源２１１から測定対象物に光が照射される。そして、測定対象物で反射された光は、撮像レンズ２１２を通って波長可変干渉フィルター５に入射する。波長可変干渉フィルター５は電圧制御部２２２の制御により、波長可変干渉フィルター５が駆動される。これにより、波長可変干渉フィルター５から精度よく目的波長の光を取り出すことができる。そして、取り出された光は、例えばＣＣＤカメラ等により構成される撮像部２１３で撮像される。また、撮像された光は分光画像として、記憶部２２５に蓄積される。また、信号処理部２２４は、電圧制御部２２２を制御して波長可変干渉フィルター５に印加する電圧値を変化させ、各波長に対する分光画像を取得する。
【００８７】
そして、信号処理部２２４は、記憶部２２５に蓄積された各画像における各画素のデータを演算処理し、各画素におけるスペクトルを求める。また、記憶部２２５には、例えばスペクトルに対する食物の成分に関する情報が記憶されており、信号処理部２２４は、求めたスペクトルのデータを、記憶部２２５に記憶された食物に関する情報を基に分析し、検出対象に含まれる食物成分、及びその含有量を求める。また、得られた食物成分及び含有量から、食物カロリーや鮮度等をも算出することができる。さらに、画像内のスペクトル分布を分析することで、検査対象の食物の中で鮮度が低下している部分の抽出等をも実施することができ、さらには、食物内に含まれる異物等の検出をも実施することができる。
そして、信号処理部２２４は、上述のようにして得られた検査対象の食物の成分や含有量、カロリーや鮮度等の情報を表示部２３０に表示させる処理をする。
【００８８】
また、図１５において、食物分析装置２００の例を示すが、略同様の構成により、上述したようなその他の情報の非侵襲的測定装置としても利用することができる。例えば、血液等の体液成分の測定、分析等、生体成分を分析する生体分析装置として用いることができる。このような生体分析装置としては、例えば血液等の体液成分を測定する装置として、エチルアルコールを検知する装置とすれば、運転者の飲酒状態を検出する酒気帯び運転防止装置として用いることができる。また、このような生体分析装置を備えた電子内視鏡システムとしても用いることができる。
さらには、鉱物の成分分析を実施する鉱物分析装置としても用いることができる。
【００８９】
さらには、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、電子機器としては、以下のような装置に適用することができる。
例えば、各波長の光の強度を経時的に変化させることで、各波長の光でデータを伝送させることも可能であり、この場合、光学モジュールに設けられた波長可変干渉フィルター５により特定波長の光を分光し、受光部で受光させることで、特定波長の光により伝送されるデータを抽出することができ、このようなデータ抽出用光学モジュールを備えた電子機器により、各波長の光のデータを処理することで、光通信を実施することもできる。
【００９０】
また、電子機器としては、本発明の波長可変干渉フィルターにより光を分光することで、分光画像を撮像する分光カメラ、分光分析機などにも適用できる。このような分光カメラの一例として、波長可変干渉フィルター５を内蔵した赤外線カメラが挙げられる。
図１６は、分光カメラの概略構成を示す模式図である。分光カメラ３００は、図１６に示すように、カメラ本体３１０と、撮像レンズユニット３２０と、撮像部３３０（検出部）とを備えている。
カメラ本体３１０は、利用者により把持、操作される部分である。
撮像レンズユニット３２０は、カメラ本体３１０に設けられ、入射した画像光を撮像部３３０に導光する。また、この撮像レンズユニット３２０は、図１６に示すように、対物レンズ３２１、結像レンズ３２２、及びこれらのレンズ間に設けられた波長可変干渉フィルター５を備えて構成されている。
撮像部３３０は、受光素子により構成され、撮像レンズユニット３２０により導光された画像光を撮像する。
このような分光カメラ３００では、波長可変干渉フィルター５により撮像対象となる波長の光を透過させることで、所望波長の光の分光画像を撮像することができる。
【００９１】
さらには、本発明の波長可変干渉フィルターをバンドパスフィルターとして用いてもよく、例えば、発光素子が射出する所定波長域の光のうち、所定の波長を中心とした狭帯域の光のみを波長可変干渉フィルター５で分光して透過させる光学式レーザー装置としても用いることができる。
また、本発明の波長可変干渉フィルターを生体認証装置として用いてもよく、例えば、近赤外領域や可視領域の光を用いた、血管や指紋、網膜、虹彩などの認証装置にも適用できる。
【００９２】
さらには、光学モジュール及び電子機器を、濃度検出装置として用いることができる。この場合、波長可変干渉フィルター５により、物質から射出された赤外エネルギー（赤外光）を分光して分析し、サンプル中の被検体濃度を測定する。
【００９３】
上記に示すように、本発明の波長可変干渉フィルター、光学モジュール、及び電子機器は、入射光から所定の光を分光するいかなる装置にも適用することができる。そして、本発明の波長可変干渉フィルターは、上述のように、１デバイスで複数の波長を分光させることができるため、複数の波長のスペクトルの測定、複数の成分に対する検出を精度よく実施することができる。したがって、複数デバイスにより所望の波長を取り出す従来の装置に比べて、光学モジュールや電子機器の小型化を促進でき、例えば、携帯用や車載用の光学デバイスとして好適に用いることができる。
【００９４】
その他、本発明の実施の際の具体的な構造は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造等に適宜変更できる。
【符号の説明】
【００９５】
１…分光測定装置（電子機器）、５…波長可変干渉フィルター、１０…光学モジュール、１１…ディテクター（検出部）、２０…制御部、５１…固定基板（第一基板）、５２…可動基板（第二基板）、５４…固定反射膜（第一反射膜）、５５…可動反射膜（第二反射膜）、１００…ガス検出装置（電子機器）、１３７…受光素子（検出部）、１３８…制御部、２００…食物分析装置（電子機器）、２１３…撮像部（検出部）、２２０…制御部、３００…分光カメラ（電子機器）、３３０…撮像部（検出部）、４００…測色装置（電子機器）、４３０…制御装置（制御部）、５２１…可動部、５２６…溝、５２６Ａ…第一曲面部（曲面部）、５２６Ｂ…第二曲面部（曲面部）、５２６Ｃ…底面、Ｅ５２…端部、Ｌ…仮想直線、Ｏ１…第一点（円弧中心点）、Ｏ２…第二点（円弧中心点）。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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