(57)【要約】【課題】ダイシング方法及びダイシング装置に関し、裏面チッピングによるチップ片のダイシングブレードによる除去を容易にする。【解決手段】ダイシングする前に、スクライブラインに沿ってダイシングテープに紫外線を照射することにより、スクライブラインに沿った互いに平行な２本の線状領域における紫外線硬化型接着糊層を硬化させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェーハの裏面に紫外線硬化型接着糊層によりダイシングテープを粘着する粘着工程と、
スクライブラインに沿って前記ダイシングテープに紫外線を照射することにより、前記スクライブラインに沿った互いに平行な２本の線状領域における前記紫外線硬化型接着糊層を硬化させる紫外線照射工程と、
前記スクライブラインに沿って前記ウェーハをダイシングするダイシング工程と
を有することを特徴とするダイシング方法。
【請求項２】
前記紫外線照射工程が、前記スクライブラインに沿った２箇所の線状領域に同時に紫外線を照射しながら走査する工程であることを特徴とする請求項１に記載のダイシング方法。
【請求項３】
前記紫外線照射工程が、前記スクライブラインに沿った２箇所の線状領域の一方に紫外線を照射しながら走査し、次いで、前記スクライブラインに沿った２箇所の線状領域の他方に紫外線を照射しながら走査する工程であることを特徴とする請求項１に記載のダイシング方法。
【請求項４】
前記紫外線照射工程が、前記スクライブラインに沿った互いに平行な２本の線状領域に対してマスクを介して紫外線を照射する工程であることを特徴とする請求項１に記載のダイシング方法。
【請求項５】
ダイシング用紫外線照射装置と、
ウェーハをスクライブラインに沿ってダイシングするダイシングブレードと、
前記ダイシング用紫外線照射装置による紫外線の走査と前記ダイシングブレードによるダイシングを連動して行う連動機構と
を有し、
前記ダイシング用紫外線照射装置は、
紫外線照射ヘッドと、
前記紫外線照射ヘッドまたはウェーハの一方を操作する走査機構と、
スクライブラインの位置を認識するカメラと
を有し、
前記紫外線照射ヘッドは、
前記紫外線光源からの紫外線を２分割するスリットと、
分割された前記紫外線を前記ウェーハに対して縮小投影するレンズ系と
を備えていることを特徴とするダイシング装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシング方法及びダイシング装置に関する。例えば、ダイシングの品質を高めることのできるダイシング方法及びダイシング装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体製造プロセスにおいては、ウェーハ状態で各種工程によりデバイスを作り込んだ後、各半導体チップに分化するためにウェーハを切削加工するダイシング工程を有している。切削加工であるダイシングは発塵するプロセスであるため、切削水による洗浄機構を有しており、さらに、回転するダイシングブレードの掻き出しによりＳｉ屑が外部へ除去される。
【０００３】
このようなダイシング工程においては、ウェーハをダイシングテープに粘着した状態でダイシングを行っているが、ダイシング品質を高めるために、ＵＶ（紫外線）硬化型の接着糊層を有するダイシングテープを用いる場合がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
図１５は、従来のＵＶ硬化型の接着糊層を有するダイシングテープを用いたダイシング工程の説明図である。まず、図１５（ａ）に示すように、ＵＶ硬化型接着糊層８１を有するダイシングテープ８０にフレームリング８２ごとウェーハ７０を粘着した状態で、ダイシングブレード８３でウェーハ７０をダイシングしてチップ７１にする。この工程で、ダイシング箇所においてチップ７１の角部が欠けてＳｉ片７２となる裏面チッピングが発生しやすい。
【０００５】
次いで、図１５（ｂ）に示すように、裏面からＵＶ光８４を照射してＵＶ硬化型接着糊層８１を硬化させて、粘着力を低下させる。
【０００６】
次いで、図１５（ｃ）に示すように、ダイシングテープ８０の裏面側からチップ７１を突き上げた状態で、真空チャック機構を利用したピックアップツール８５によりチップ７１を取り出す。
【０００７】
また、ダイシング前にＵＶ硬化させ、糊材の弾性率を高めることでチッピングなどのダイシング品質を高める手法も提案されている。しかし、この場合、ＵＶ硬化させることにより、チップの保持力が低下し、特に、ウェーハ外周部に存在する三角チップが研削水等の影響により飛散しやすくなり、飛散した三角チップがブレードに接触し、ブレードを破損させてしまう虞がある。
【０００８】
そこで、ＵＶ照射に際して、製品チップ領域のみにＵＶ光を照射して、三角チップが位置するウェーハ外周部の糊材は硬化させずに粘着性を保った状態でダイシングすることが提案されている（例えば、特許文献２参照）。この場合、ウェーハ周辺部ではチップの保持力が保たれるので、三角チップの飛散が抑制される。
【０００９】
一方、ＵＶ硬化型接着糊材を硬化させないでダイシングを行うと、軟らかいＵＶ硬化型接着糊材がダイシング部レートのダイヤ砥粒の表面に付着して目つぶれを起こし、裏面チッピングが発生しやすくなったり、ダイシングブレードの寿命低下を招くことになる。
【００１０】
そこで、ダイシングラインに沿った領域を予めＵＶ照射により糊材を硬化させたり（例えば、特許文献３参照）、或いは、ダイシング時にダイシングラインの前方部にＵＶ照射しながらダイシングを行う（例えば、特許文献４参照）ことが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平１０−２４２０８３号公報
【特許文献２】特開２０１０−１３５３５６号公報
【特許文献３】特開平０８−２７４０４８号公報
【特許文献４】特開平０９−０１７７５２号公報
【非特許文献】
【００１２】
【非特許文献１】Ｌａｓｅｒ  Ａｇｅｎｃｙ社ホームページ，“レーザ加工工学系の種類”（ＵＲＬ：ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ.ｌａｓｅｒ−ａｃ.ｃｏｍ／ｂａｓｉｃ／０４＿０３．ｐｈｐ）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
ダイシング工程で発生したＳｉ屑等はブレードによりかき出し、切削水により外部に除去している。しかし、裏面チッピングが発生した場合には、ブレードのかき出しにてＳｉ片が除去されず、ダイシングテープ側に保持される場合がある。
【００１４】
保持されたＳｉ片は、チッピング検査時の認識性の低下の原因になったり、チップと一体となってピックアップされることで、以降組立工程に異物として持ち込まれ不良発生のリスク要因となる。
【００１５】
即ち、図１５（ｃ）に示すように、ダイシング時に発生したＳｉ片７２がチップ７１と一緒にピックアップされるが、チップ７１の搬送時にＳｉ片７２がチップ７１から離脱してＳｉ屑７３となる。このＳｉ屑７３が他のチップ７１の上に乗ると、組み立て工程において、このＳｉ屑７３がチップ７１の表面に押し付けられてチップ７１に傷をつけることになる。
【００１６】
特に、ウェーハ背面にメタルが形成されるプロセスの場合には、母体チップとチッピングが背面メタルによってつながってしまうため、チッピングとして発生したＳｉ片をかき出して除去することがより重要となる。
【００１７】
しかし、特許文献１に示すように、ＵＶ硬化型接着糊層を硬化しない状態でダイシングを行った場合には、チッピング発生部に欠けたＳｉ片に対する粘着力が大きいため、ブレード砥粒の摩擦力だけではＳｉ片の除去が困難であるという問題がある。
【００１８】
また、特許文献２乃至特許文献４に示すように、少なくともダイシング箇所の粘着力を低下させた場合には、Ｓｉ片の除去が多少容易になるものの、やはり、ブレード砥粒の摩擦力だけではＳｉ片の除去が困難であるという問題がある。
【００１９】
したがって、ダイシング方法において、裏面チッピングによるチップ片のダイシングブレードによる除去を容易にすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２０】
開示する一観点からは、ウェーハの裏面に紫外線硬化型接着糊層によりダイシングテープを粘着する粘着工程と、前記ダイシングテープの背面よりダイシングラインに沿って紫外線を照射して前記ダイシングラインに沿った互いに平行な２本の線状領域における前記紫外線硬化型接着糊層を硬化させる紫外線照射工程と、前記ダイシングラインに沿ってダイシングするダイシング工程とを有することを特徴とするダイシング方法が提供される。
【００２１】
また、開示する別の観点からは、ダイシング用紫外線照射装置と、ウェーハをスクライブラインに沿ってダイシングするダイシングブレードと、前記ダイシング用紫外線照射装置による紫外線の走査と前記ダイシングブレードによるダイシングを連動して行う連動機構とを有し、前記ダイシング用紫外線照射装置は、紫外線照射ヘッドと、前記紫外線照射ヘッドまたはウェーハの一方を操作する走査機構と、スクライブラインの位置を認識するカメラとを有し、前記紫外線照射ヘッドは、前記紫外線光源からの紫外線を２分割するスリットと、分割された前記紫外線を前記ウェーハに対して縮小投影するレンズ系とを備えていることを特徴とするダイシング装置が提供される。
【発明の効果】
【００２２】
開示のダイシング方法及びダイシング装置によれば、裏面チッピングによる半導体片のダイシングブレードによる除去を容易にすることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態のダイシング方法の説明図である。
【図２】本発明の実施例１に用いるダイシング用ＵＶ光照射装置の概略的構成図である。
【図３】照射ヘッドの概略的構成図である。
【図４】本発明の実施例１のダイシング工程の途中までの説明図である。
【図５】本発明の実施例１のダイシング工程の図４以降の途中までの説明図である。
【図６】本発明の実施例１のダイシング工程の図５以降の途中までの説明図である。
【図７】本発明の実施例１のダイシング工程の図６以降の途中までの説明図である。
【図８】本発明の実施例１のダイシング工程の図７以降の途中までの説明図である。
【図９】Ｓｉ片除去機構の説明図である。
【図１０】本発明の実施例１のダイシング工程の図８以降の説明図である。
【図１１】Ｓｉ片の除去状態の説明図である。
【図１２】本発明の実施例２のダイシング方法におけるＵＶ照射方法の説明図である。
【図１３】本発明の実施例３のダイシング方法におけるＵＶ照射方法の説明図である。
【図１４】本発明の実施例４のダイシング方法の説明図である。
【図１５】従来のＵＶ硬化型の接着糊層を有するダイシングテープを用いたダイシング工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
ここで、図１を参照して、本発明の実施の形態のダイシング方法を説明する。図１は、本発明の実施の形態のダイシング方法の説明図である。まず、図１（ａ）に示すように、ウェーハ１を紫外線硬化型接着糊層４を設けたダイシングテープ３に接着する。次いで、ダイシングテープ３の背面からスクライブライン２に沿って紫外線５を照射して紫外線硬化型接着糊層４を選択的に硬化する。この時、ダイシングブレードの通るライン６を挟んで対向する互いに平行な２本の線状領域７に紫外線５を照射する。
【００２５】
次いで、図１（ｂ）に示すように、ダイシングブレード８によりウェーハ１をダイシングしてチップ９に分割する。この時、裏面チッピングが発生しやすい箇所においては紫外線硬化型接着糊層４の粘着性が低下しているので、発生したチップ片１０はダイシングブレード８の摩擦力により効率的に掻き出される。また、ダイシングブレードの通るライン６にある紫外線硬化型接着糊層４はダイシングブレード８に付着するので、ダイシングブレード８の摩擦力が高まり、より効率的にチップ片１０が掻き出される。
【００２６】
この場合のウェーハ１は、Ｓｉウェーハが典型的であるが、化合物半導体ウェーハでも良いし、強誘電体ウェーハでも良く、或いは、ＳＯＳの場合には、サファイアウェーハとなる。
【００２７】
ダイシングテープ３としては、Ｎ４０００シリーズ、Ｎ７０００シリーズ或いはＮ８０００シリーズ（いずれも、住友ベークライト社製商品型番）や、ＤＵ−３００或いはＤＵ−２１８７Ｇ（いずれも、日東電工社製商品型番）等を用いることができる。
【００２８】
紫外線５としては、線硬化型接着糊層４の特性に応じて２００ｎｍ〜４５０ｎｍの波長の紫外光が望ましく、レーザ光でも非レーザ光でも良い。レーザ光を用いる場合には、エキシマレーザ、ＬＤ励起型固体レーザ、ランプ励起型固体レーザ或いはモードロックレーザ等を用いることができる。
【００２９】
また、非レーザ光を用いる場合には、典型的には直管型のＵＶ光源を用いれば良く、例えば、紫外線水銀ランプ、エキシマＵＶランプ或いはメタルハライドＵＶランプ等を用いることができる。
【００３０】
また、２本の平行な線状領域７に紫外線５を照射する方法としては、一度に２本の線状領域７に照射するようにしても良いし、一本ずつ照射するようにしても良いし、或いは、格子状のスリットを設けたマスクを用いて二次元的に照射しても良い。なお、紫外線５の照度は使用するダイシングテープ３によって決まるが、１００ｍＪ／ｃｍ２〜１０００ｍＪ／ｃｍ２が一般的である。
【００３１】
一度に２本の線状領域７に照射する場合には、紫外線光源からの紫外光を２分するスリットと、２分した紫外光を縮小投影するレンズ系を備えた光学系（例えば、非特許文献１参照）を用いれば良い。
【００３２】
また、一本ずつ照射する場合には、紫外線レーザ光源と、紫外線レーザ光を走査するガルバノミラー系と、縮小投影レンズ、典型的にはｆθレンズを備えた光学系を用いれば良い。なお、ｆθレンズは入射角度θに比例した像高Ｈをもち、その関係は焦点距離をｆとするとＨ＝ｆθになり、ｆθレンズを使用することにより容易に等速度スキャンが可能になる。また、スポットＵＶ照射位置はウェーハ表面側に設置された、スクライブライン認識用カメラにて特定する。
【００３３】
また、紫外線照射とダイシングを一連の工程として同時に行う場合には、ダイシングブレード８の直前に紫外線照射装置を配置すれば良い。この時、紫外線照射装置により２本の平行な線状領域７に紫外線を照射した直後に、ダイシングブレード８によりダンシングを行えば良い。
【実施例１】
【００３４】
つぎに、図２乃至図１１を参照して、本発明の実施例１のダイシング方法を説明する。図２は、本発明の実施例１に用いるダイシング用ＵＶ光照射装置の概略的構成図である。ＵＶ光源２１、ＵＶ光源２１からのＵＶ光を導く光ファイバ２２、光ファイバ２２の先端部に取り付けられた照射ヘッド３０、照射ヘッド３０をＸ方向に移動させるＸ軸ガイドレール２３、Ｘ軸ガイドレール２３をＹ方向に移動させるＹ軸ガイドレール２４を備えている。また、ウェーハ４０の裏面にスクライブラインを検出するスクライブライン認識用カメラ２５を備えている。
【００３５】
図３は、照射ヘッドの概略的構成図である。筐体３１の光入射口にはＵＶレーザ光３２を二分するスリット３３が設けられ、内部に、ＵＶレーザ光３２を偏向するミラー３４、ＵＶレーザ光３２を収束して、ウェーハ４０に照射するレンズ３５，３６を備えている。このレンズ３５，３６はウェーハ４０の裏面に張り付けられたダイシングテープ４６にスクライブライン４２の両側に照射されるように収束してスリットラインを縮小結像させる。なお、図における符号４７，４８，４９は、それぞれ、ＵＶ硬化型接着糊層、ダイシングブレードの通るライン及びＵＶ照射領域である。
【００３６】
次に、図４乃至図１０を参照して、本発明の実施例１のダイシング工程を説明する。まず、図４（ａ）に示すように、スクライブライン４２により区画され、配線層４１を設けた製品チップ領域を形成したウェーハ４０を用意し、図４（ｂ）に示すように配線層４１を形成した面に表面保護テープ４３を貼り付ける。
【００３７】
次いで、図５（ｃ）に示すように、表面保護テープ４３をウェーハの形状に沿って切断する。次いで、図５（ｄ）に示すように、砥石４４を用いてウェーハ４０の裏面を所定の厚さまで研削する。
【００３８】
次いで、図６（ｅ）に示すように、ＵＶ硬化型接着糊層（４７）を有するダイシングテープ４６を用いてウェーハ４０をフレームリング４５にマウントする。次いで、図６（ｆ）に示すように、ウェーハ４０の表面に張り付けた表面保護テープ４３を剥離する。
【００３９】
次いで、図７（ｇ）に示すように、図２に示した照射装置を用いてウェーハ４０の裏面からスクライブライン４２に沿ってＵＶレーザ光を照射してダイシングブレードの通るライン４８の両側に２本のＵＶ照射領域４９を形成する。なお、上図は斜視図であり、下図は断面図であり、以下、同様とする。
【００４０】
図７（ｈ）は、ＵＶ照射後の拡大図であり、ダイシングブレードの通るライン４８の幅を５０μｍとし、その両側に幅５０μｍのＵＶ照射領域４９を形成する。このＵＶ照射領域４９においてはＵＶ硬化型接着糊層（４７）が硬化して粘着性が低下するが、ダイシングブレードの通るライン４８において未硬化のままであるので、粘着性を保っている。なお、ＵＶ照射パターンは、左図のようにコーナーにおいてダイシングブレードの通るライン４８の一部に照射するようにしても良いし、或いは、右図のように、ダイシングブレードの通るライン４８は完全に未照射にするようにしても良い。
【００４１】
次いで、図８（ｉ）に示すように、ダイシングブレード５０を用いてウェーハ４０をスクライブライン４２に沿ってダイシングすることによってチップ５１に分割する。図８（ｊ）はダイシング部の拡大図であり、チッピングが発生した箇所からＳｉ片（５２）が除去されている。
【００４２】
図９は、Ｓｉ片除去機構の説明図であり、図９（ｌ）は図９（ｋ）の要部拡大図である。ダイシングブレード５０に埋め込んだダイヤモンド砥粒５３にダイシングブレードの通るライン４８にあった未硬化のＵＶ硬化型接着糊層４７が掻き出されて接着糊残渣５４として付着する。この未硬化の接着糊残渣５４の粘着力によりＳｉ片５２に対する摩擦が大きくなって、Ｓｉ片５２が効率的に除去される。
【００４３】
次いで、図９（ｍ）に示すように、ダイシングを終了してダイシングテープ４６の裏面からＵＶ光５５を全面に照射して、ＵＶ硬化型接着糊層４７の未硬化部を硬化させて、粘着力を低下させる。次いで、図１０（ｎ）に示すように、裏面からチップ５１を突き上げた状態でピックアップツール５６を用いてチップ５１を取り出す。図１０（ｏ）は取り出したチップの断面図であり、裏面のチッピング箇所からＳｉ片（５２）が除去されている。
【００４４】
図１１は、Ｓｉ片の除去状態の説明図であり、図１１（ａ）はＵＶ未照射の場合のテープ越し画像であり、図１１（ｂ）はＵＶ照射の場合のテープ越し画像である。図１１（ａ）に示すように、紫外線を照射しない場合には、Ｓｉ片５２がダイシングテープ４６に粘着した状態で残存している。一方、図１１（ｂ）に示すように、ダイシングラインに沿って２本のラインの紫外線を照射した場合には、Ｓｉ片５２が見られなかった。
【００４５】
以上、説明したように、本発明の実施例１のダイシング方法においては、ダイシングブレードの通るラインを未硬化の状態とし、その両側を硬化している。したがって、発生したＳｉ片に対するダイシングテープの粘着力が低下するとともに、ダイシングブレードには未硬化の接着糊残渣が付着し、ダイシングブレードの摩擦力をより高めているので、Ｓｉ片が効率的に掻き出される。その結果、ピックアップ工程等においてＳｉ片の残留による障害が発生することがない。
【実施例２】
【００４６】
次に、図１２を参照して、本発明の実施例２のダイシング方法を説明するが、実施例２のダイシング方法は、ＵＶ光の照射方法が異なるだけで、他の工程は上記の実施例１と全く同様であるので、照射方法のみを説明する。
【００４７】
図１２は、本発明の実施例２のダイシング方法におけるＵＶ照射方法の説明図であり、図１２（ａ）は本発明の実施例２に用いるダイシングライン用ＵＶ光照射装置の概念的構成図であり、図１２（ｂ）はＵＶ光照射状況の説明図である。
【００４８】
図１２（ａ）に示すように、このダイシングライン用ＵＶ光照射装置は、ＵＶ光源２１、ＵＶ光源２１からのＵＶレーザ光３２をＸＹ方向に走査するガルバノミラー系３７、走査されたＵＶ光をウェーハ４０の背面に縮小投影するｆθレンズ３８を備えている。また、ウェーハ４０の裏面にスクライブラインを検出するスクライブライン認識用カメラ２５を備えている。
【００４９】
ガルバノミラー系３７は、一対のガルバノミラー３７１，３７２を備えており、ガルバノミラー３７１でＹ方向の位置を決定した状態で、ガルバノミラー３７２でＸ方向にＵＶレーザ光３２を走査する。
【００５０】
図１２（ｂ）に示すように、ガルバノミラー系３７でＵＶレーザ光３２を走査し、ｆθレンズ３８でＵＶレーザ光３２を縮小してダイシングテープ４６の背面に投影して、ＵＶ硬化型接着糊層４７を選択的に硬化させる。次いで、ガルバノミラー３７１によりＹ方向の位置を５０μｍずらせて、ガルバノミラー３７２により再びＸ方向に走査して、５０μｍ離れた位置のＵＶ硬化型接着糊層４７を選択的に硬化させる。
【実施例３】
【００５１】
次に、図１３を参照して、本発明の実施例３のダイシング方法を説明するが、実施例３のダイシング方法は、ＵＶ光の照射方法が異なるだけで、他の工程は上記の実施例１と全く同様であるので、照射方法のみを説明する。
【００５２】
図１３は、本発明の実施例３のダイシング方法におけるＵＶ照射方法の説明図であり、図１３（ａ）は本発明の実施例３に用いるダイシングライン用ＵＶ光照射装置の概念的構成図であり、図１３（ｂ）はＵＶ光照射状況の説明図である。
【００５３】
図１３（ａ）に示すように、このダイシングライン用ＵＶ光照射装置は直管型ＵＶ光源６１と、２本の平行なスリット６５を格子状に設けたマスク６２を備えている。マスク６２はガラス基板６３上にＣｕ膜６４を形成したのち、エッチングにより幅が５０μｍで間隙が５０μｍの２本のスリット６５を形成したものである。
【００５４】
図１３（ｂ）に示すように、ダイシングテープ４６の背面にマスク６２を、スリット６５とスクライブライン４２に対して位置合わせした状態で当接させ、直管型ＵＶ光源６１を走査して、ウェーハの全面にスリット６５に対応したＵＶ照射領域４９を形成する。
【００５５】
本発明の実施例３においては、マスクを用いているので、ＵＶ光照射に要する時間を大幅に短縮することが可能になる。但し、チップのサイズに応じてマスクを作成する必要がある。
【実施例４】
【００５６】
次に、図１４を参照して、本発明の実施例４のダイシング方法を説明するが、実施例４のダイシング方法は、ＵＶ光を照射しながらダイシングを行う方法であって、ＵＶ光の照射方法が異なるだけで、他の工程は上記の実施例１と全く同様であるので、照射方法のみを説明する。
【００５７】
図１４は、本発明の実施例４のダイシング方法の説明図であり、図１４（ａ）はダイシング工程におけるダイシング方向に沿った断面図であり、図１３（ｂ）はダイシング方向に垂直な断面図である。
【００５８】
図１４（ａ）に示すように、ウェーハ４０を透明ステージ５７上に固定し、ダイシングブレード５０の直前のウェーハ４０の裏面側にＵＶ照射ヘッド３０を設置する。透明ステージ６６は透明部材であれば何でも良いが、ここでは石英製ステージを用いる。スポットＵＶ照射のアライメントはダイシング装置についているウェーハアライメント用カメラ（図示は省略）
【００５９】
図１４（ｂ）に示すように、ＵＶ照射ヘッド３０からＵＶレーザ光３２をダイシングテープ４６の背面に透明ステージ５７を介して照射しながら、透明ステージ５７をＸ方向に移動させてダイシングをおこなう。ついで、透明ステージをＹ方向に１チップ分ずらしたのち、Ｘ方向に移動させてダイシングを行う。
【００６０】
本発明の実施例４においては、ＵＶ光を照射しながらダイシングを行っているので、実施例１に比べてＵＶ照射工程に要する時間を省略することができるので、スループットが向上する。                
【００６１】
ここで、実施例１乃至実施例４を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。
（付記１）ウェーハの裏面に紫外線硬化型接着糊層によりダイシングテープを粘着する粘着工程と、スクライブラインに沿って前記ダイシングテープに紫外線を照射することにより、前記スクライブラインに沿った互いに平行な２本の線状領域における前記紫外線硬化型接着糊層を硬化させる紫外線照射工程と、前記スクライブラインに沿って前記ウェーハをダイシングするダイシング工程とを有することを特徴とするダイシング方法。
（付記２）前記紫外線照射工程が、前記スクライブラインに沿った２箇所に同時に紫外線を照射しながら走査する工程であることを特徴とする付記１に記載のダイシング方法。
（付記３）前記紫外線を走査しながら、前記紫外線硬化型接着糊層を硬化させた２本の線状領域の間をダイシングすることを特徴とする付記２に記載のダイシング方法。
（付記４）前記紫外線照射工程が、前記スクライブラインに沿った１箇所に紫外線を照射しながら走査し、次いで、前記スクライブラインに沿って前記紫外線を照射した箇所に対して一定の間隙を挟んだ箇所に紫外線を照射しながら走査する工程であることを特徴とする付記１に記載のダイシング方法。
（付記５）前記紫外線照射工程が、前記スクライブラインに沿った互いに平行な２本の線状領域に対してマスクを介して紫外線を照射する工程であることを特徴とする付記１に記載のダイシング方法。
（付記６）紫外線光源と、紫外線照射ヘッドと、前記紫外線照射ヘッドまたはウェーハの一方を操作する走査機構と、スクライブラインの位置を認識するカメラとを有し、前記紫外線照射ヘッドは、前記紫外線光源からの紫外線を２分割するスリットと、分割された前記紫外線を前記ウェーハに対して縮小投影するレンズ系とを備えていることを特徴とするダイシング用紫外線照射装置。
（付記７）紫外線光源と、紫外線照射ヘッドと、スクライブラインの位置を認識するカメラとを有し、前記紫外線照射ヘッドは、前記紫外線光源からの紫外線を前記スクライブラインに沿って走査しながら照射するガルバノミラー系と、前記ガルバノミラー系で走査された紫外線をウェーハに対して縮小投影するレンズ系とを備えていることを特徴とするダイシング用紫外線照射装置。
（付記８）ダイシング用紫外線照射装置と、ウェーハをスクライブラインに沿ってダイシングするダイシングブレードと、前記ダイシング用紫外線照射装置による紫外線の走査と前記ダイシングブレードによるダイシングを連動して行う連動機構とを有し、前記ダイシング用紫外線照射装置は、紫外線照射ヘッドと、前記紫外線照射ヘッドまたはウェーハの一方を操作する走査機構と、ウェーハアライメントカメラとを有し、前記紫外線照射ヘッドは、前記紫外線光源からの紫外線を２分割するスリットと、分割された前記紫外線を前記ウェーハに対して縮小投影するレンズ系とを備えていることを特徴とするダイシング装置。
【符号の説明】
【００６２】
１  ウェーハ
２  スクライブライン
３  ダイシングテープ
４  紫外線硬化型接着糊層
５  紫外線
６  ダイシングブレードの通るライン
７  線状領域
８  ダイシングブレード
９  チップ
１０  チップ片
２１  ＵＶ光源
２２  光ファイバ
２３  Ｘ軸ガイドレール
２４  Ｙ軸ガイドレール
２５  スクライブライン認識用カメラ
３０  照射ヘッド
３１  筐体
３２  ＵＶレーザ光
３３  スリット
３４  ミラー
３５，３６  レンズ
３７  ガルバノミラー系
３７１，３７２  ガルバノミラー
３８  ｆθレンズ
４０  ウェーハ
４１  配線層
４２  スクライブライン
４３  表面保護テープ
４４  砥石
４５  フレームリング
４６  ダイシングテープ
４７  ＵＶ硬化型接着糊層
４８  ダイシングブレードの通るライン
４９  ＵＶ照射領域
５０  ダイシングブレード
５１  チップ
５２  Ｓｉ片
５３  ダイヤモンド砥粒
５４  接着糊残渣
５５  ＵＶ光
５６  ピックアップツール
５７  透明ステージ
６１  直管型ＵＶ光源
６２  マスク
６３  ガラス基板
６４  Ｃｕ膜
６５  スリット
７０  ウェーハ
７１  チップ
７２  Ｓｉ片
７３  Ｓｉ屑
８０  ダイシングテープ
８１  ＵＶ硬化型接着糊層
８２  フレームリング
８３  ダイシングブレード
８４  ＵＶ光
８５  ピックアップツール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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