(57)【要約】【課題】配線基板と電子素子との間の対向空間の密閉性が好適に維持される電子部品を提供する。【解決手段】電子部品１は、配線基板５と、該配線基板５の上面１５ａに、下面２３ａを対向させて実装されたＳＡＷ素子７と、ＳＡＷ素子を覆って配線基板５の上面１５ａとＳＡＷ素子の下面２３ａとの間の対向空間Ｓを封止する第１封止材９と、該第１封止材９を覆う第２封止材１１と、を備えている。第１封止材９は、ＳＡＷ素子７の側面２３ｃに側方外側に突出する突起９ｅを有している。【選択図】図３
2014049816.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
該配線基板の表面に、主面を対向させて実装された電子素子と、
該電子素子を覆って前記配線基板の表面と前記電子素子の主面との間の対向空間を封止する第１封止材と、
該第１封止材を覆う第２封止材と、
を備え、
前記第１封止材は、前記電子素子の側面に側方外側に突出する突起を有している
電子部品。
【請求項２】
前記第１封止材は、前記電子素子の上面における部分の厚みが前記電子素子の側面から前記配線基板の表面に亘る部分の厚みよりも薄い
請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第１封止材の、前記電子素子の側面から前記配線基板の表面に亘る部分の厚みは、前記対向空間の高さよりも大きい
請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記突起は、その頂部が前記電子素子の側面において前記電子素子の上面寄りに位置している
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項５】
前記突起は、前記電子素子の上面側の突起側面に、前記配線基板の表面と平行、且つ、前記第１封止材の、前記電子素子の上面における部分の外表面と面一に連続する平面を有する
請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項６】
前記突起は、前記電子素子の下面側の突起側面に、前記電子素子の下面側ほど突起高さを低くさせる傾斜面を有する
請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項７】
前記突起は、平面視において楕円形状である
請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項８】
前記第１封止材は、前記電子素子の上面における部分の外表面の粗さが前記電子素子の側面から前記配線基板の表面に亘る部分の外表面の粗さよりも小さい
請求項１〜７のいずれか１項に記載の電子部品。
【請求項９】
配線基板の表面に、主面を対向させて電子素子を実装する工程と、
前記電子素子を覆って前記配線基板の表面と前記電子素子の主面との間の対向空間を封止する第１封止材を設ける工程と、
前記第１封止材の、前記電子素子の上面における部分を前記上面へ向けてプレスする工程と、
プレスされた前記第１封止材を覆う第２封止材を設ける工程と、
を備える電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）素子、圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ：Film Bulk Acoustic Resonator）等の電子素子を含む電子部品及びその製造方法に関する。
【０００２】
配線基板と、該配線基板に表面実装された電子素子と、該電子素子を覆い、配線基板と電子素子との間の対向空間を封止する封止材とを有する電子部品が知られている（例えば特許文献１）。封止材は、例えば、フィラーを含む樹脂である。
【０００３】
特許文献１において、電子素子は、配線基板に機能面を対向させた圧電基板と、その機能面に形成されたＩＤＴとを有するＳＡＷ素子である。ＳＡＷ素子は、封止材に覆われることによって保護等がなされるとともに、機能面が対向空間に露出することにより（封止材に覆われないことにより）、機能面の振動（ＳＡＷの伝搬）が好適になされる。
【０００４】
特許文献１では、製造工程において、配線基板に実装されたＳＡＷ素子を覆うように液状の封止材を供給したときに、封止材が対向空間に流れ込むことを抑制するために、ＳＡＷ素子をシートで覆って対向空間を密閉し、その後、封止材を供給している。すなわち、封止材は、直接的には、シートに対して密着（接着）されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−４１３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子素子の電気特性を維持するためには、対向空間の密閉性が好適に維持されることが好ましい。そのためには、例えば、シート（第１封止材）と封止材（第２封止材）との間の剥離強度が向上することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の電子部品は、配線基板と、該配線基板の表面に、主面を対向させて実装された電子素子と、該電子素子を覆って前記配線基板の表面と前記電子素子の主面との間の対向空間を封止する第１封止材と、該第１封止材を覆う第２封止材と、を備え、前記第１封止材は、前記電子素子の側面に側方外側に突出する突起を有している。
【０００８】
好適には、前記第１封止材は、前記電子素子の上面における部分の厚みが前記電子素子の側面から前記配線基板の表面に亘る部分の厚みよりも薄い。
【０００９】
好適には、前記第１封止材の、前記電子素子の側面から前記配線基板の表面に亘る部分の厚みは、前記対向空間の高さよりも大きい。
【００１０】
好適には、前記突起は、その頂部が前記電子素子の側面において前記電子素子の上面寄りに位置している。
【００１１】
好適には、前記突起は、前記電子素子の上面側の突起側面に、前記配線基板の表面と平行、且つ、前記第１封止材の、前記電子素子の上面における部分の外表面と面一に連続する平面を有する。
【００１２】
好適には、前記突起は、前記電子素子の下面側の突起側面に、前記電子素子の下面側ほど突起高さを低くさせる傾斜面を有する。
【００１３】
好適には、前記突起は、平面視において楕円形状である。
【００１４】
好適には、前記第１封止材は、前記電子素子の上面における部分の外表面の粗さが前記電子素子の側面から前記配線基板の表面に亘る部分の外表面の粗さよりも小さい。
【００１５】
本発明の電子部品の製造方法は、配線基板の表面に、主面を対向させて電子素子を実装する工程と、前記電子素子を覆って前記配線基板の表面と前記電子素子の主面との間の対向空間を封止する第１封止材を設ける工程と、前記第１封止材の、前記電子素子の上面における部分を前記上面へ向けてプレスする工程と、プレスされた前記第１封止材を覆う第２封止材を設ける工程と、を備える。
【発明の効果】
【００１６】
上記の構成によれば、対向空間の密閉性が維持される。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）及び図１（ｂ）は本発明の実施形態に係る電子部品の外観を示す斜視図。
【図２】図１の電子部品の分解斜視図。
【図３】図３（ａ）は図２のIIIａ−IIIａ線に対応する電子部品の断面図、図３（ｂ）は図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図、図３（ｃ）は図３（ａ）の領域IIIｃの拡大図。
【図４】図４（ａ）は図３（ａ）の領域IVａの拡大図、図４（ｂ）は図３（ａ）のIVｂ−IVｂ線における断面図、図４（ｃ）は図３（ａ）のIVｃ−IVｃ線における断面図。
【図５】図５（ａ）〜図５（ｃ）は図１の電子部品の製造方法を説明する断面図。
【図６】図６（ａ）〜図６（ｃ）は図５（ｃ）の続きを示す断面図。
【図７】変形例に係る電子部品を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態に係る電子部品について、図面を参照して説明する。なお、以下の説明で用いられる図は模式的なものであり、図面上の寸法比率等は現実のものとは必ずしも一致していない。
【００１９】
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る電子部品１の外観を示す上面１ａ側から見た斜視図であり、図１（ｂ）は、電子部品１の外観を示す下面１ｂ側から見た斜視図である。
【００２０】
なお、電子部品１は、いずれの方向が上方若しくは下方とされてもよいものであるが、便宜的に、直交座標系ｘｙｚを定義するとともに、ｚ方向の正側を上方として、上面若しくは下面の語を用いるものとする。
【００２１】
電子部品１は、例えば、概ね直方体状に形成されており、その下面１ｂには、複数の外部端子３が適宜な形状及び適宜な数で露出している。電子部品１の大きさは適宜な大きさとされてよいが、例えば、１辺の長さが１ｍｍ〜数ｍｍである。
【００２２】
電子部品１は、不図示の実装基板に対して下面１ｂを対向させて配置され、実装基板に設けられたパッドと複数の外部端子３とがバンプ等を介して接合されることにより実装基板に実装される。そして、電子部品１は、例えば、複数の外部端子３のいずれかを介して信号が入力され、入力された信号に所定の処理を施して複数の外部端子３のいずれかから出力する。
【００２３】
なお、複数の外部端子３の数、位置及び役割は、電子部品１内部の構成等に応じて適宜に設定されてよい。本実施形態では、４つの外部端子３が下面１ｂの４隅に設けられている場合を例示している。
【００２４】
図２は、電子部品１の分解斜視図である。図３（ａ）は、図２のIIIａ−IIIａ線に対応する電子部品１の断面図である。
【００２５】
電子部品１は、配線基板５と、当該配線基板５上に実装されたＳＡＷ素子７と、ＳＡＷ素子７を封止する第１封止材９及び第２封止材１１とを有している。図３（ａ）に示すように、配線基板５とＳＡＷ素子７との間には、これらを接合するバンプ１３が介在しており、これにより、配線基板５とＳＡＷ素子７との間には、対向空間Ｓが構成されている。
【００２６】
配線基板５は、例えば、リジッド式のプリント配線板によって構成されており、絶縁基体１５と、絶縁基体１５の上面１５ａに形成された上面導電層１７Ａ（図３（ａ））と、絶縁基体１５の内部に該絶縁基体１５に平行に形成された内部導電層１７Ｂ（図３（ａ））と、絶縁基体１５の全部又は一部を上下方向に貫通するビア導体１９（図３（ａ））と、絶縁基体１５の下面１５ｂに形成された既述の外部端子３とを有している。なお、配線基板５は、内部導電層１７Ｂが設けられないものであってもよい。
【００２７】
絶縁基体１５は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。また、絶縁基体１５は、例えば、樹脂、セラミック及び／又はアモルファス状態の無機材料を含んで形成されている。絶縁基体１５は、単一の材料からなるものであってもよいし、基材に樹脂を含浸させた基板のように複合材料からなるものであってもよい。
【００２８】
上面導電層１７Ａは、バンプ１３が接合される基板パッド２１（図３（ａ））を含んでいる。ビア導体１９及び内部導電層１７Ｂは、基板パッド２１と外部端子３とを接続する配線を含んでいる。なお、上面導電層１７Ａ、内部導電層１７Ｂ及びビア導体１９は、インダクタ、コンデンサ若しくは適宜な処理を実行する回路を含んでいてもよい。これら導電層等は、例えば、Ｃｕ等の金属により構成されている。基板パッド２１においては、バンプ１３との接合性向上のために、Ｎｉ，Ａｕ等のめっきが施されていてもよい。
【００２９】
ＳＡＷ素子７は、圧電基板２３と、圧電基板２３の下面２３ａに設けられた素子導電層２５とを有している。なお、ＳＡＷ素子７は、この他、圧電基板２３の上面２３ｂを覆う電極及び／又は保護層等の適宜な部材を有していてよい。
【００３０】
圧電基板２３は、例えば、概ね薄型の直方体状に形成されている。その寸法は適宜に設定されてよいが、例えば、平面視における１辺は０．６〜０．８ｍｍである。圧電基板２３の平面視における大きさは、配線基板５の平面視における大きさよりも小さい。圧電基板２３は、例えば、タンタル酸リチウム単結晶、ニオブ酸リチウム単結晶等の圧電性を有する単結晶の基板により構成されている。
【００３１】
素子導電層２５は、ＳＡＷを励起するための励振電極２７と、バンプ１３が接合される素子パッド２９と、これらを接続する不図示の配線とを有している。素子導電層２５は、例えば、Ａｌ−Ｃｕ合金等の金属により構成されている。素子パッド２９においては、バンプ１３との接合性向上のために、Ｎｉ，Ａｕ等のめっきが施されていてもよい。
【００３２】
励振電極２７は、いわゆるＩＤＴ（InterDigital transducer）であり、図２に示すように、一対の櫛歯電極３１を含んでいる。各櫛歯電極３１は、バスバー３１ａと、バスバー３１ａから延びる複数の電極指３１ｂとを有しており、一対の櫛歯電極３１は、互いに噛み合うように（複数の電極指３１ｂが互いに交差するように）配置されている。なお、図２等は模式図であることから、複数本の電極指３１ｂを有する櫛歯電極３１が１対のみ図示されているが、実際には、これよりも多くの電極指３１ｂを有する複数対の櫛歯電極３１が設けられていてよい。励振電極２７は、例えば、ＳＡＷフィルタ、ＳＡＷ共振器及び／又はデュプレクサを構成している。
【００３３】
一対の櫛歯電極３１の一方に信号が入力されると、当該信号はＳＡＷに変換されて圧電基板２３の下面２３ａを電極指３１ｂに直交する方向（ｘ方向）に伝搬し、再度信号に変換されて一対の櫛歯電極３１の他方から出力される。その過程において、信号はフィルタリング等がなされる。
【００３４】
素子パッド２９は、圧電基板２３の下面２３ａにおいて、例えば、励振電極２７の外周側に配置されており、下面２３ａに形成された不図示の配線を介して励振電極２７に接続されている。一対の櫛歯電極３１の一方は、複数の素子パッド２９のいずれかを介して信号が入力され、一対の櫛歯電極３１の他方は、複数の素子パッド２９のいずれかを介して信号を出力する。
【００３５】
バンプ１３は、素子パッド２９と基板パッド２１との間に介在して、これらパッドを接合している。バンプ１３は、例えばはんだにより構成されている。はんだは、Ｐｂ−Ｓｎ合金はんだ等の鉛を用いたはんだであってもよいし、Ａｕ−Ｓｎ合金はんだ、Ａｕ−Ｇｅ合金はんだ、Ｓｎ−Ａｇ合金はんだ、Ｓｎ−Ｃｕ合金はんだ等の鉛フリーはんだであってもよい。なお、バンプ１３は、導電性樹脂によって構成されていてもよい。
【００３６】
第１封止材９は、シート（層）状の部材であり、ＳＡＷ素子７を覆って対向空間Ｓを密閉している。より具体的には、第１封止材９は、ＳＡＷ素子７の上面２３ｂを覆うとともに上面２３ｂに密着する上面部９ａと、ＳＡＷ素子７の側面２３ｃを覆うとともに側面２３ｃに密着する側面部９ｂと、配線基板５の上面１５ａのうちのＳＡＷ素子７の周囲部分を覆うとともに当該周囲部分に密着する周囲部９ｃとを有している。
【００３７】
第１封止材９の上面部９ａは、第１封止材９の他の部分（側面部９ｂ及び周囲部９ｃ）よりも薄く形成されている。例えば、側面部９ｂ（後述する突起９ｅ除く）及び周囲部９ｃの厚みが１００〜１４０μｍであるのに対して、上面部９ａの厚みは２０〜５０μｍである。
【００３８】
本実施形態では、第１封止材９の側面部９ｂや周囲部９ｃの厚みは、対向空間Ｓの高さよりも大きくなっている。従って、対向空間Ｓの側方は、第１封止材９の厚みで密閉されるのではなく、周囲部９ｃの長さ（ｘ方向）によって密閉されている。ただし、側面部９ｂや周囲部９ｃの厚みは、対向空間Ｓの高さよりも小さくてもよい。
【００３９】
図３（ｂ）は、図３（ａ）の領域IIIｂの拡大図であり、図３（ｃ）は、図３（ａ）の領域IIIｃの拡大図である。
【００４０】
これらの図において模式的に示すように、上面部９ａの外表面の粗さは、他の部分（側面部９ｂ及び周囲部９ｃ）の外表面の粗さよりも小さくなっている。
【００４１】
外表面の粗さは、例えば、以下のように測定される。まず、電子部品１を切断し、その切断面を走査型電子顕微鏡で撮像する。これにより、図３（ｂ）及び図３（ｃ）のような断面画像を得る。なお、切断面は、撮像前に研磨されてもよい。また、撮像時の倍率は、第１封止材９の外表面を観察可能に適宜に設定される。
【００４２】
次に、図３（ｂ）及び図３（ｃ）において示すように、その断面画像において、第１封止材９の表面の最も低い部分に接する直線と、最も高い部分に接する直線とからなる平行線を引く。これら直線は、例えば、ＳＡＷ素子７の上面２３ｂ若しくは配線基板５の上面１５ａに平行に引けばよい。そして、その平行線の間隔ｗ１、ｗ２を外表面の粗さを示す指標である最大高さとする。
【００４３】
なお、測定は、複数の断面において行われればより正確であるが、外表面の粗さの凹凸に比較して電子部品１は十分に大きいことから、１断面において行われれば十分と考えられる。
【００４４】
上記のように測定した最大高さの一例を示すと、周囲部９ｃ等の外表面の最大高さｗ２は１２μｍ程度、上面部９ａの外表面の最大高さｗ１は２μｍ程度である。
【００４５】
図３（ａ）に戻って、第２封止材１１は、第１封止材９を覆うとともに第１封止材９に密着している。第２封止材１１の外形は、例えば、概ね直方体状になるように形成されている。その平面視における形状及び大きさは、例えば、配線基板５の平面形状と同様である。第２封止材１１の厚みは、ＳＡＷ素子７の保護の観点等の種々の観点から適宜な大きさとされてよい。
【００４６】
第１封止材９及び第２封止材１１それぞれは、例えば、樹脂を含んで構成されている。当該樹脂は、好ましくは熱硬化性樹脂であり、熱硬化性樹脂は、例えば、エポキシ樹脂若しくはフェノール樹脂である。樹脂には、当該樹脂よりも熱膨張係数が低い材料により形成された絶縁性粒子からなるフィラーが混入されていてもよい。絶縁性粒子の材料は、例えば、シリカ、アルミナ、フェノール、ポリエチレン、グラスファイバー、グラファイトフィラーである。なお、第１封止材９又は第２封止材１１は、樹脂以外の材料、例えば、アモルファス状態の無機材料によって構成されていてもよい。
【００４７】
第１封止材９及び第２封止材１１の熱膨張係数はそれぞれ適宜に設定されてよい。例えば、これらの熱膨張係数は、互いに同程度とされている。これにより、第１封止材９及び第２封止材１１の熱膨張差により両者が剥離することが抑制される。
【００４８】
ただし、一方の熱膨張係数が他方の熱膨張係数に対して高く設定されていてもよい。例えば、配線基板５が第１封止材９よりも熱膨張係数が低い材料（例えばセラミック）により形成されている場合においては、配線基板５と第１封止材９との熱膨張差による反りを解消するように、第２封止材１１の熱膨張係数を第１封止材９の熱膨張係数よりも低く設定してよい。また、逆に、配線基板５が第１封止材９よりも熱膨張係数が低い材料（例えば樹脂）により形成されている場合においては、配線基板５と第１封止材９との熱膨張差による反りを解消するように、第２封止材１１の熱膨張係数を第１封止材９の熱膨張係数よりも高く設定してよい。
【００４９】
対向空間Ｓは、第１封止材９及び第２封止材１１によって密閉されている。対向空間Ｓ内は、真空となっていてもよいし、空気等の気体が封入されていてもよい。気体が封入されている場合、その圧力は、対向空間Ｓ内の温度が大気の温度と同等のときに、大気圧よりも高くてもよいし、同等でもよいし、大気圧よりも低くてもよい。対向空間Ｓの高さは、例えば、３０μｍ程度である。
【００５０】
図４（ａ）は、図３（ａ）の領域IVａの拡大図である。
【００５１】
第１封止材９の側面部９ｂには、外側へ突出する突起９ｅが形成されている。突起９ｅ（全体又はその頂部）は、ＳＡＷ素子７の側面２３ｃにおいてＳＡＷ素子７の上面２３ｂ寄り（側面２３ｃの中央よりも上面２３ｂ側）に位置している。
【００５２】
突起９ｅの、ＳＡＷ素子７の上面２３ｂ側の突起側面９ｅａは、配線基板５の上面１５ａ及びＳＡＷ素子７の上面２３ｂと概ね平行で、且つ、第１封止材９の上面部９ａの外表面と面一に連続している。突起９ｅの、ＳＡＷ素子７の下面２３ａ側の突起側面９ｅｂは、下面２３ａ側ほど突起高さを低くさせる傾斜面を有している。
【００５３】
図４（ｂ）は、図３（ａ）のIVｂ−IVｂ線における断面図であり、図４（ｃ）は、図３（ａ）のIVｃ−IVｃ線における断面図である。ただし、第２封止材１１の図示は省略している。
【００５４】
図４（ｃ）に示すように、突起９ｅが形成されていない部分においては、第１封止材９の側面部９ｂは、概ね一定の厚さであり、圧電基板２３（ＳＡＷ素子７）が概ね直方体であることに対応して、その外形は概ね矩形である。
【００５５】
図４（ｂ）に示すように、突起９ｅは、圧電基板２３の全周に亘って形成されている。突起９ｅの平面視における外形は、概ね楕円となっている。換言すれば、突起９ｅは、平面視における圧電基板２３の各辺の中央側ほど突出している。
【００５６】
なお、楕円は、２定点からの距離の和が一定の点の集合からなる曲線（幾何学における厳密な意味での楕円）に限定されず、そのような厳密な意味での楕円を含む、全体として丸みを帯びた形状をいうものとし、また、真円も含むものとする。
【００５７】
突起９ｅの突出量は、適宜な大きさとされてよい。例えば、突起９ｅの突出量（側面部９ｂの最も薄い部分の外表面からの高さ）は、平面視における圧電基板２３の辺の中央において（最大で）、２０〜１００μｍである。
【００５８】
図５（ａ）〜図６（ｃ）は、電子部品１の製造方法を説明する、図３（ａ）に対応する断面図である。ただし、素子導電層２５等の細部については図示を省略している。製造工程は、図５（ａ）から図６（ｃ）へ順に進んでいく。なお、各部材は、工程の進行に伴って形状等が変化するが、その変化に関わらず、同一の名称及び同一の符号で参照するものとする。
【００５９】
まず、図５（ａ）に示すように、ＳＡＷ素子７が配線基板５に実装される。具体的には、スクリーン印刷法若しくはディスペンサ法等の適宜な方法により、バンプ１３となるはんだペーストをＳＡＷ素子７又は配線基板５に形成し、ＳＡＷ素子７を配線基板５に載置する。そして、リフロー炉等によってバンプ１３を溶融し、その後、冷却によって溶融したバンプ１３を固化させる。
【００６０】
次に、図５（ｂ）に示すように、配線基板５及びＳＡＷ素子７を覆うように第１封止材９を設ける。この段階において、第１封止材９は、可撓性（別の観点では比較的高い粘性）を有するシート状であり、また、その厚みは、第１封止材９の全体に亘って概ね一定である。第１封止材９を配置している間、ＳＡＷ素子７、配線基板５及び第１封止材９の周囲の雰囲気は減圧されている（大気圧よりも低くされている）。
【００６１】
次に、図５（ｃ）に示すように、型１０１により第１封止材９の周囲部９ｃとなる部分を配線基板５に押し付ける。その結果、周囲部９ｃが配線基板５に密着され、対向空間Ｓは密閉される。この工程においても、図５（ｂ）の工程に引き続き、ＳＡＷ素子７、配線基板５及び第１封止材９の周囲の雰囲気は減圧されている。
【００６２】
次に、図６（ａ）に示すように、ＳＡＷ素子７、配線基板５及び第１封止材９の周囲の雰囲気を大気圧とする。図５（ｂ）及び図５（ｃ）の工程は減圧下で行われたことから、第１封止材９の内外には気圧差が生じ、第１封止材９は、大気により外側から内側へ押圧される。これにより、第１封止材９は、その全体（ただし、対向空間Ｓの側方を除く）がＳＡＷ素子７及び配線基板５に密着する。
【００６３】
なお、図５（ｂ）〜図６（ａ）の工程では、第１封止材９の変形を容易化するために、第１封止材９は常温よりもやや高い温度とされていることが好ましい。例えば、当該工程において、配線基板５は９０℃程度に加熱され、これにより、第１封止材９も間接的に加熱される。
【００６４】
次に、図６（ｂ）に示すように、型１０３により第１封止材９の上面部９ａを下方へプレスする。型１０３の上面部９ａに当接する面は、平面とされており、当該面が配線基板５に平行になるように型１０３は駆動される。また、この当接する面の表面粗さは小さく（上述した上面部９ａの表面粗さよりも小さく）されている。
【００６５】
この工程により、上面部９ａは、押し潰され、薄くなりつつ周囲に広がる。これにより、上面部９ａは、周囲部９ｃ等の第１封止材９の他部分よりも薄くなり、また、側面部９ｂの上部（上面部９ａの端部を兼ねる部分）には、突起９ｅが形成される。
【００６６】
上面部９ａと、突起９ｅの上方側の突起側面９ｅａとは、共に型１０３に当接しているから、面一に連続するとともに、配線基板５等に平行な平面となる。また、これらの表面は、型１０３に凹凸が押し潰されることにより、第１封止材９の他の部分の表面に比較して滑らかになる。
【００６７】
突起９ｅの、型１０３が当接する部分（突起側面９ｅａ）以外の部分は、内圧及び張力が均衡する安定した形状（表面積の少ない形状）になろうとする。具体的には、下方側の突起側面９ｅｂは、ＳＡＷ素子７の下方へ広がる傾斜面となる。また、突起９ｅの平面視における外形（図４（ｂ）参照）は、元の形状（矩形）よりも円形に近づいた形状（楕円）となる。
【００６８】
プレスは、例えば、配線基板５が載置された不図示のチャックと型１０３との距離（配線基板５の下面１５ｂと第１封止材９の上面部９ａの外表面との距離）が予め設定された値になるまで行われる。これにより、配線基板５、バンプ１３及びＳＡＷ素子７の厚みが製造誤差によってばらついても、このばらつきは第１封止材９の上面部９ａの厚みの調整によって吸収され、配線基板５の下面１５ｂから上面部９ａの外表面までの厚さは一定とされる。
【００６９】
この工程において、第１封止材９は、その変形が容易化されるように、常温よりもやや高い温度、また、図５（ｂ）〜図６（ａ）の工程よりもやや高い温度とされていることが好ましい。例えば、型１０３は、１００〜１２０℃の温度に加熱され、これにより、第１封止材９も間接的に加熱される。
【００７０】
突起９ｅが形成されると、特に図示しないが、第１封止材９は硬化される。例えば、第１封止材９が熱硬化性樹脂を含むものであれば、加熱処理が行われる。
【００７１】
その後、図６（ｃ）に示すように、ＳＡＷ素子７の周囲に液状の第２封止材１１が供給される。供給は、例えば、スクリーン印刷法若しくはディスペンサー法によって、大気圧下若しくは減圧雰囲気下で行われる。そして、第２封止材１１は硬化される。例えば、第２封止材１１が熱硬化性樹脂を含むものであれば、加熱処理が行われる。このようにして、電子部品１が作製される。
【００７２】
なお、以上に説明した図５（ａ）〜図６（ｃ）の工程において、配線基板５は、当該配線基板５が多数個取りされる母基板の一部の状態であってもよいし、その母基板がダイシングされて個片化された状態であってもよい。母基板の状態である場合においては、図６（ｃ）の工程の後、配線基板５は、第１封止材９及び第２封止材１１と共にダイシングされる。
【００７３】
以上のとおり、本実施形態では、電子部品１は、配線基板５と、該配線基板５の表面（上面１５ａ）に、主面（下面２３ａ）を対向させて実装されたＳＡＷ素子７と、ＳＡＷ素子を覆って配線基板５の上面１５ａとＳＡＷ素子の下面２３ａとの間の対向空間Ｓを封止する第１封止材９と、該第１封止材９を覆う第２封止材１１と、を備えている。そして、第１封止材９は、ＳＡＷ素子７の側面２３ｃに側方外側に突出する突起９ｅを有している。
【００７４】
従って、第２封止材１１は、第１封止材９に対して係合し、第１封止材９からの剥離が抑制される。その結果、対向空間Ｓの密閉性が向上し、ひいては、電子部品１（ＳＡＷ素子７）の電気特性の維持が図られる。
【００７５】
また、本実施形態では、第１封止材９は、ＳＡＷ素子７の上面２３ｂにおける部分（上面部９ａ）の厚みがＳＡＷ素子７の側面２３ｃから配線基板５の表面（上面１５ａ）に亘る部分（側面部９ｂ及び周囲部９ｃに亘る部分）の厚みよりも薄い。
【００７６】
従って、対向空間Ｓの側方を相対的に厚い側面部９ｂ乃至は周囲部９ｃで密閉して対向空間Ｓの密閉性を向上させる一方で、上面部９ａを薄くして電子部品１の低背化を図ることができる。また、上面部９ａが薄くなることにより、第１封止材９の熱膨張係数とＳＡＷ素子７（圧電基板２３）の熱膨張係数との間に差異がある場合において、熱応力が緩和される。その結果、ＳＡＷ素子７の変形が抑制され、例えば、下面２３ａにおけるＳＡＷの伝搬特性の変化も抑制される。
【００７７】
また、本実施形態では、第１封止材９の、側面部９ｂから周囲部９ｃに亘る部分の厚みは、対向空間Ｓの高さよりも大きい。
【００７８】
従って、第１封止材９は、その厚みによって対向空間Ｓの側方を密閉するのではなく、周囲部９ｃにおける平面方向の広がりによって対向空間Ｓの側方を密閉することになる。その結果、上述した、低背化しつつも対向空間Ｓの密閉性を向上させる効果が顕著に向上する。
【００７９】
また、本実施形態では、突起９ｅは、その頂部がＳＡＷ素子７の側面２３ｃにおいてＳＡＷ素子７の上面２３ｂ寄りに位置している。
【００８０】
従って、例えば、突起９ｅによりＳＡＷ素子７の上部側における第２封止材１１の体積が少なくなるから、第２封止材１１の硬化収縮によってＳＡＷ素子７に生じるストレスを低減し、ひいては、電気特性を向上させることができる。また、例えば、第１封止材９の突起９ｅと周囲部９ｃとの間に、第２封止材１１が充填される空間を確実に確保して、第２封止材１１の突起９ｅに対する係合を確実に行うことができる。
【００８１】
また、本実施形態では、突起９ｅは、ＳＡＷ素子７の上面２３ｂ側の突起側面９ｅａに、配線基板５の表面（上面１５ａ）と平行、且つ、第１封止材９の、ＳＡＷ素子の上面２３ｂにおける部分（上面部９ａ）の外表面と面一に連続する平面を有する。
【００８２】
従って、第１封止材９の上面に広い面積で第２封止材１１が密着する領域を確保することができる。また、第１封止材９が設けられた後、第２封止材１１が設けられる前に、上方から吸着によりＳＡＷ素子７等を持ち上げる場合においては、その吸着性が向上する。
【００８３】
また、本実施形態では、突起９ｅは、ＳＡＷ素子７の下面２３ａ側の突起側面９ｅｂに、ＳＡＷ素子の下面２３ａ側ほど突起高さを低くさせる傾斜面を有する。
【００８４】
従って、例えば、突起側面９ｅｂが真下に面しているような場合に比較して、液状の第２封止材１１が突起側面９ｅｂに接触しやすい。例えば、液状の第２封止材１１が突起９ｅの下方へ流れ込みやすく、空気を巻き込み難い。その結果、第２封止材１１がより確実に突起側面９ｅｂに密着する。
【００８５】
突起９ｅは、平面視において楕円形状である。従って、例えば、第２封止材１１の硬化収縮による応力が分散され、ＳＡＷ素子７に生じるストレスを低減できる。ひいては、ＳＡＷ素子７の電気特性を向上させることができる。
【００８６】
また、本実施形態では、ＳＡＷ素子７の上面２３ｂにおける部分（上面部９ａ）の外表面の粗さは、ＳＡＷ素子７の側面２３ｃから配線基板５の上面１５ａに亘る部分（側面部９ｂ及び周囲部９ｃ）の外表面の粗さよりも小さい。
【００８７】
従って、例えば、第１封止材９が設けられた後、第２封止材１１が設けられる前に、上方から吸着によりＳＡＷ素子７等を持ち上げる場合において、その吸着性が向上する。
【００８８】
また、本実施形態では、電子部品１の製造方法は、配線基板５の表面（上面１５ａ）に、主面（下面２３ａ）を対向させてＳＡＷ素子７を実装する工程（図５（ａ））と、ＳＡＷ素子７を覆って配線基板５の上面５ａとＳＡＷ素子７の下面２３ａとの間の対向空間Ｓを封止する第１封止材９を設ける工程（図５（ｂ）〜図６（ａ））と、第１封止材９の、ＳＡＷ素子７の上面２３ｂにおける部分（上面部９ａ）を上面２３ｂへ向けてプレスする工程（図６（ｂ））と、プレスされた第１封止材９を覆う第２封止材１１を設ける工程（図６（ｃ））と、を備える。
【００８９】
従って、突起９ｅを簡便に形成することができる。また、第１封止材９の上面部９ａを他の部分に比較して薄くしたり、その表面を滑らかにしたりすることも容易である。また、既に述べたように、配線基板５、バンプ１３及びＳＡＷ素子７の厚みのばらつきをプレスの量の調整によって吸収し、電子部品１の全体としての高さを一定にすることもできる。
【００９０】
（変形例）
図７は、変形例に係る電子部品２０１を示す図６（ｃ）と同様の断面図である。なお、電子部品２０１は、第１封止材等の形状が電子部品１と相違するが、便宜上、同一符号を用いる。
【００９１】
電子部品２０１は、第１封止材９（及びこれを覆う第２封止材１１）の形状乃至は寸法のみが電子部品１と相違する。具体的には、電子部品２０１において、突起９ｅは、ＳＡＷ素子７の側面２３ｃの略全面に亘って形成されている。換言すれば、第１封止材９のＳＡＷ素子７の側面における部分（側面部９ｂ）は、その概ね全体が突起９ｅにより構成されている。側面部９ｂの最も薄い部分の厚みは、周囲部９ｃの厚みと同等であってもよいし、周囲部９ｃの厚みよりも厚くてもよい。このような突起９ｅは、例えば、第１封止材９のプレス前における厚みを比較的大きくしておくとともに、プレスの量を大きくすることにより形成可能である。電子部品２０１においても、電子部品１と同様の種々の効果が奏される。
【００９２】
本発明は、以上の実施形態及び変形例に限定されず、種々の態様で実施されてよい。
【００９３】
電子部品は、一の電子素子と、当該電子素子と実装基板とを仲介するため配線基板（インターポーザ）とを有するものに限定されない。例えば、電子部品は、配線基板に複数種類の電子素子が実装されてモジュール化されたものであってもよいし、コンピュータのマザーボードのようなものであってもよい。
【００９４】
なお、配線基板に複数の電子素子が実装される場合において、これらの電子素子は、共に第１封止材及び第２封止材により封止されてもよいし、特定の電子素子のみが封止されてもよい。
【００９５】
電子素子は、圧電素子乃至はＳＡＷ素子に限定されない。圧電素子は、弾性波を利用しないものであってもよいし、圧電薄膜共振器等のＳＡＷ以外の弾性波を利用するものであってもよい。ＳＡＷ素子の具体的な構成は、実施形態において例示したものに限定されない。例えば、ＳＡＷ素子は、励振電極を覆うＳｉＯ２等からなる保護層を有していてもよい。
【００９６】
第１封止材は、電子素子の上面における部分（上面部９ａ）が他の部分よりも薄くなくてもよい。例えば、シート状の封止材を電子素子に被せた後に、その上面部にのみ液状の封止材を塗布し、その後、プレスを行えば、上面部の厚みを他の部分の厚みと同等以上としつつ、突起を形成することができる。
【００９７】
また、突起の位置、突起側面の形状、平面視の突起形状等は適宜に設定されてよい。例えば、第１封止材をプレスする型（１０３）において、電子素子の上面周囲に位置する部分に突起乃至は傾斜面を設けることにより、突起の位置を下方へずらしたり、突起側面の形状（配線基板に対する角度）を任意のものとしたり、平面視における突起形状を任意のものとしたりすることができる。
【００９８】
なお、型に突起を設ける場合、多数個取りで電子部品を作成する場合において、隣接する電子部品間において第１封止材が接して一体化してしまう（第１封止材が拡がり過ぎる）ことを抑制できるという効果も期待される。また、型は、突起が設けられる代わりに、第１封止材の突起に対応する凹部が形成されてもよい。
【００９９】
第１封止材において、電子素子の上面における部分の外表面の粗さは、他の部分の外表面の粗さよりも小さくなくてもよい。例えば、第１封止材をプレスする型において、第１封止材に当接する面に凹凸を形成すれば、第１封止材の外表面の粗さを大きくすることができる。
【符号の説明】
【０１００】
１…電子部品、５…配線基板、７…ＳＡＷ素子（電子素子）、９…第１封止材、１１…第２封止材、Ｓ…対向空間。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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