(57)【要約】【課題】基板とフィルムとを均一に接合することができる接合装置、および、かかる接合装置によって得られた接合体を提供すること。【解決手段】接合装置１は、基板とフィルムとを加熱により接合する装置である。接合装置１は、本体部２１と、基板を支持する支持部２２とを有するステージ２と、支持部２２で基板を支持した支持状態で、支持部２２を介して基板を加熱する加熱手段と、支持状態の基板にフィルムを押し付けつつ、転動する加圧ローラー４と、本体部２１と支持部２２と支持状態の基板とで囲まれた空間２４内にガスＧを供給するガス供給手段７とを備えている。ガス供給手段７は、空間２４内にガスＧを流入させる４つの流入口７１と、各流入口７１と異なる位置に設けられ、空間２４内のガスＧを流出させる１つの流出口７２とを有し、各流入口７１は、流出口７２よりも支持部２２側に偏在している。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する基板と、樹脂材料で構成されたフィルムとを加熱により接合する接合装置であって、
板状をなす本体部と、前記本体部の一方の面から突出し、該本体部の周方向に沿ってリング状に形成され、前記基板に当接して該基板を支持する支持部とを有するステージと、
前記支持部で前記基板を支持した支持状態で、前記支持部を介して前記基板を加熱する加熱手段と、
前記支持状態の基板に前記フィルムを押し付けつつ、転動する加圧ローラーと、
前記本体部と前記支持部と前記支持状態の基板とで囲まれた空間内にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記ガス供給手段は、前記空間内にガスを流入させる少なくとも１つの流入口と、
前記流入口と異なる位置に設けられ、前記空間内から、該空間内のガスを流出させる少なくとも１つの流出口とを有し、
前記流入口は、前記流出口よりも前記支持部側に位置していることを特徴とする接合装置。
【請求項２】
前記支持状態の基板の前記支持部に当接した部分の温度が、前記加熱手段の作動により上昇した際には、前記流入口から流入するガスの量を増加する請求項１に記載の接合装置。
【請求項３】
前記本体部の平面視で、前記流入口と前記支持部との距離は、前記流入口と前記流出口との距離よりも短い請求項１または２のいずれかに記載の接合装置。
【請求項４】
前記流入口の中心位置は、前記支持部の内周部から、前記流入口の直径の長さ以内に配置されている請求項１ないし３のいずれかに記載の接合装置。
【請求項５】
前記本体部は、平面視で円形をなし、
前記流入口は、前記本体部の周方向に沿って等間隔に複数配置され、前記流出口は、前記本体部の中心部に前記流入口の配置数よりも少ない個数配置されている請求項１ないし４のいずれかに記載の接合装置。
【請求項６】
前記流入口および前記流出口は、それぞれ、前記本体部に貫通して形成され、前記支持状態の基板に対向している請求項１ないし５のいずれかに記載の接合装置。
【請求項７】
前記流入口から流入されるガスの総流入量は、前記流出口から排出されるガスの総流出量以上である請求項１ないし６のいずれかに記載の接合装置。
【請求項８】
前記加熱手段は、前記本体部に対して、前記空間の反対側に配置された電熱線を有する請求項１ないし７のいずれかに記載の接合装置。
【請求項９】
前記支持部は、前記本体部と一体的に形成されている請求項１ないし８のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１０】
前記支持部に設けられ、前記支持状態の基板を前記支持部から離間する方向に押圧する少なくとも１本の押圧ピンを有する押圧手段をさらに備える請求項１ないし９のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１１】
前記押圧ピンは、前記支持部の周方向に沿って前記流入口と同数配置されており、
前記本体部の平面視で、前記流入口は、前記押圧ピンと前記流出口との間に配置されている請求項１０に記載の接合装置。
【請求項１２】
前記支持部に設けられ、前記支持状態の基板を前記本体部側に吸引する少なくとも１つの吸引口を有する吸引手段をさらに備える請求項１ないし１１のいずれかに記載の接合装置。
【請求項１３】
可撓性を有する基板と、
樹脂材料で構成されたフィルムとを備え、
請求項１ないし１２のいずれかに記載の接合装置によって前記基板と前記フィルムとが接合されたことを特徴とする接合体。
【請求項１４】
前記基板は、ウェハーである請求項１３に記載の接合体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接合装置および接合体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ウェハー（半導体ウェハー）と樹脂フィルムとの接合体を、例えばＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）等の母材として用いている。ウェハーと樹脂フィルムとの接合には、接合装置が用いられる（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の接合装置は、円板状をなす本体部と、当該本体部の上面から突出し、その周方向に沿って円環状に形成された支持部とを有するステージを備えている。また、この接合装置では、支持部でウェハーを支持した状態では、当該ウェハーが自重により撓んでしまうため、本体部と支持部とウェハーとで囲まれた空間内に空気を供給して、その撓みを防止している。そして、このような支持状態のウェハーの上面に、粘着性を有する樹脂フィルムを接合していく。これにより、接合体が得られる。
なお、特許文献１に記載の接合装置では、空間内への空気は、本体部の中央部に形成された１つの空気吹出し口から供給され、本体部の縁部近傍に形成された４つの空気排出口から排出される。
【０００３】
ところで、樹脂フィルムの種類によっては、当該樹脂フィルムとウェハーとを加熱により接合する場合もある。この場合、特許文献１に記載の接合装置を、ステージごとウェハーを加熱することができるよう構成することもできる。このような構成の装置では、空気吹出し口と空気排出口とが前述したような配置となっていることに起因する、空間内での空気の流れによって、ウェハーの温度分布が不均一となる、すなわち、ウェハーに高温の部分と低温の部分とが生じてしまう。そして、温度分布が不均一なウェハーに樹脂フィルムを接合すると、接合ムラ、すなわち、接合強度が高い部分と低い部分とが生じるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平３−２０４９５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、基板とフィルムとを均一に接合することができる接合装置、および、かかる接合装置によって得られた接合体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の本発明により達成される。
本発明の接合装置は、可撓性を有する基板と、樹脂材料で構成されたフィルムとを加熱により接合する接合装置であって、
板状をなす本体部と、前記本体部の一方の面から突出し、該本体部の周方向に沿ってリング状に形成され、前記基板に当接して該基板を支持する支持部とを有するステージと、
前記支持部で前記基板を支持した支持状態で、前記支持部を介して前記基板を加熱する加熱手段と、
前記支持状態の基板に前記フィルムを押し付けつつ、転動する加圧ローラーと、
前記本体部と前記支持部と前記支持状態の基板とで囲まれた空間内にガスを供給するガス供給手段とを備え、
前記ガス供給手段は、前記空間内にガスを流入させる少なくとも１つの流入口と、
前記流入口と異なる位置に設けられ、前記空間内から、該空間内のガスを流出させる少なくとも１つの流出口とを有し、
前記流入口は、前記流出口よりも前記支持部側に位置していることを特徴とする。
【０００７】
支持状態の基板の支持部に当接している部分は、その温度が加熱手段の作動によって上昇しそうであるが、流入口から流入するガスにより冷却されて、当該温度上昇が抑制される。また、流入口から流出口に向かうガスによって、基板の温度がならされることとなる。その結果、基板の表面は、フィルムと接合可能な程に加熱され、その温度分布は、均一となる。そして、この温度分布が均一な状態で、基板にフィルムを加圧ローラーで押し付けることにより、基板とフィルムとを確実に均一に接合することができる。
【０００８】
本発明の接合装置では、前記支持状態の基板の前記支持部に当接した部分の温度が、前記加熱手段の作動により上昇した際には、前記流入口から流入するガスの量を増加するのが好ましい。
これにより、基板の表面の温度分布が確実に均一となり、この状態で基板とフィルムとを接合することによって、これらをより確実に均一に接合することができる。
【０００９】
本発明の接合装置では、前記本体部の平面視で、前記流入口と前記支持部との距離は、前記流入口と前記流出口との距離よりも短いのが好ましい。
これにより、流入口が流出口よりも支持部にできる限り近い位置に配置されることとなり、よって、流入口からのガスで、支持状態の基板の支持部に当接している部分に対する冷却効果が向上する。
【００１０】
本発明の接合装置では、前記流入口の中心位置は、前記支持部の内周部から、前記流入口の直径の長さ以内に配置されているのが好ましい。
これにより、流入口が流出口よりも支持部にできる限り近い位置に配置されることとなり、よって、流入口からのガスで、支持状態の基板の支持部に当接している部分に対する冷却効果が向上する。
【００１１】
本発明の接合装置では、前記本体部は、平面視で円形をなし、
前記流入口は、前記本体部の周方向に沿って等間隔に複数配置され、前記流出口は、前記本体部の中心部に前記流入口の配置数よりも少ない個数配置されているのが好ましい。
これにより、前記空間内を確実に加圧することができ、よって、基板に撓みが生じるのを確実に防止することができる。
【００１２】
本発明の接合装置では、前記流入口および前記流出口は、それぞれ、前記本体部に貫通して形成され、前記支持状態の基板に対向しているのが好ましい。
これにより、流入口および流出口をそれぞれ別部材で構成するのが省略され、よって、接合装置が簡単な構成のものとなる。また、流入口からのガスが確実に基板に衝突することとなり、よって、当該基板を確実に冷却することできる。
【００１３】
本発明の接合装置では、前記流入口から流入されるガスの総流入量は、前記流出口から排出されるガスの総流出量以上であるのが好ましい。
これにより、前記空間内の圧力を大気圧よりも高く設定して、支持状態の基板に撓みが生じるのを確実に防止することができる。
本発明の接合装置では、前記加熱手段は、前記本体部に対して、前記空間の反対側に配置された電熱線を有するのが好ましい。
これにより、電熱線に対して電圧を印加すると当該電熱線が発熱して、支持状態の基板をステージ（支持部）を介して確実に加熱することができる。
【００１４】
本発明の接合装置では、前記支持部は、前記本体部と一体的に形成されているのが好ましい。
これにより、加熱手段の作動により発生した熱が本体部、支持部、基板の順に確実に伝達され、よって、基板を確実に加熱することができる。
本発明の接合装置では、前記支持部に設けられ、前記支持状態の基板を前記支持部から離間する方向に押圧する少なくとも１本の押圧ピンを有する押圧手段をさらに備えるのが好ましい。
これにより、押圧手段が作動した、すなわち、押圧ピンが支持状態の基板を支持部から離間する方向に押圧した際には、基板を支持部から剥離することができる。
【００１５】
本発明の接合装置では、前記押圧ピンは、前記支持部の周方向に沿って前記流入口と同数配置されており、
前記本体部の平面視で、前記流入口は、前記押圧ピンと前記流出口との間に配置されているのが好ましい。
これにより、流入口を流出口よりも支持部にできる限り近い位置に配置することができ、よって、流入口からのガスで、支持状態の基板の支持部に当接している部分に対する冷却効果が向上する。
【００１６】
本発明の接合装置では、前記支持部に設けられ、前記支持状態の基板を前記本体部側に吸引する少なくとも１つの吸引口を有する吸引手段をさらに備えるのが好ましい。
これにより、支持状態を確実に維持することができ、よって、当該支持状態の基板が支持部から不本意にズレてしまうのを確実に防止することができる。これにより、基板とフィルムとを正確に接合することができる。
【００１７】
本発明の接合体は、可撓性を有する基板と、
樹脂材料で構成されたフィルムとを備え、
本発明の接合装置によって前記基板と前記フィルムとが接合されたことを特徴とする。
これにより、接合体が確実に接合装置によって得られたものとなり、例えば、基板がウェハーで構成されている場合、当該接合体を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やＭＥＭＳ等に用いることができる。
本発明の接合体では、前記基板は、ウェハーであるのが好ましい。
これにより、接合体を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やＭＥＭＳ等に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の接合装置の実施形態を示す平面図である。
【図２】図１中のＡ−Ａ線断面図（基板とフィルムとの接合過程を経時的示す断面側面図）である。
【図３】図１中のＡ−Ａ線断面図（基板とフィルムとの接合過程を経時的示す断面側面図）である。
【図４】図１中のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】本発明の接合装置と従来の接合装置とをそれぞれ用いたときの基板の表面の温度分布を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の接合装置および接合体を添付図面に示す好適な実施形態に基づいて詳細に説明する。
図１は、本発明の接合装置の実施形態を示す平面図、図２および図３は、それぞれ、図１中のＡ−Ａ線断面図（基板とフィルムとの接合過程を経時的示す断面側面図）、図４は、図１中のＢ−Ｂ線断面図、図５は、本発明の接合装置と従来の接合装置とをそれぞれ用いたときの基板の表面の温度分布を示すグラフである。なお、以下では、説明の都合上、図２〜図４中の上側を「上（上方）」または「表」、下側を「下（下方）」または「裏」と言う。
図１〜図４に示す接合装置１は、基板２０１とフィルム２０２とを加熱により接合して接合体２０を製造する装置である。
【００２０】
まず、接合体２０について説明する。
図４に示すように、接合体２０は、基板２０１とフィルム２０２とで構成され、基板２０１の表側の面（上面）２０３にフィルム２０２の裏側の面（下面）２０５が接合されたものである。
基板２０１は、その平面視が円形をなし、可撓性を有するウェハー（半導体ウェハー）である。この場合、接合体２０を薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やＭＥＭＳ等に用いることができる。
また、基板２０１の大きさとしては、特に限定されず、例えば接合体２０をＭＥＭＳに用いる場合、直径を１５２．４〜２０３．２ｍｍ（６〜８インチ）とすることができ、厚さを２００〜８００μｍとすることができる。
基板２０１は、主にシリコンを含有する材料で構成されている。
【００２１】
フィルム２０２は、基板２０１よりも可撓性に富み、樹脂材料で構成されたものである。このフィルム２０２は、基板２０１に接合される以前は、すなわち、母材としては帯状をなしており（図２、図３参照）、基板２０１に接合された後に余分な部分が切断される。これにより、接合体２０でのフィルム２０２は、平面視で基板２０１と同じ大きさの円形状をなすものとなる。そして、フィルム２０２は、接合体２０に例えばエッチングを施す場合に基板２０１を保護する保護フィルムとして機能したり、接合体２０を例えば切削する場合に切りくずが飛散するのを防止するバックグラインド（ＢＧ）として機能したりする。
【００２２】
このようなフィルム２０２の構成材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、その他フッ素系樹脂等の各種樹脂材料を用いることができる。そして、このような樹脂材料で構成されたフィルム２０２は、加熱により基板２０１と化学的に接合される。
なお、フィルム２０２の厚さは、例えば接合体２０をＭＥＭＳに用いる場合、４０〜６０μｍとすることができる。
【００２３】
次に、接合装置１について説明する。
図１〜図４に示すように、接合装置１は、ステージ２と、加熱手段３と、加圧ローラー４と、押圧手段５と、吸引手段６と、ガス供給手段７とを備えている。
図２〜図４に示すように、ステージ２は、板状をなす本体部２１と、基板２０１を支持する支持部２２とで構成されている。
【００２４】
図１に示すように、本体部２１は、平面視で円形をなす部分である。この本体部２１は、ハウジング３１上に水平に載置されている。
なお、本体部２１の直径としては、特に限定されず、例えば、基板２０１の直径と同じかまたはそれよりも大きい。
本体部２１の上面（一方の面）２１１の縁部には、支持部２２が上方に向かって突出して形成されている。この支持部２２の高さとしては、特に限定されず、例えば、基板２０１の厚さの１０〜１００倍であるのが好ましい。
また、支持部２２は、本体部２１の周方向に沿って円環状（リング状）をなす部分となっている。これにより、支持部２２は、その上面２２１が基板２０１の裏側の面（下面）２０４の縁部に当接して、当該基板２０１を確実に支持することができる。以下、支持部２２で基板２０１を支持した状態を「支持状態」と言う。
【００２５】
ステージ２では、本体部２１と支持部２２とが一体的に形成されている。これにより、後述するように加熱手段３の作動により発生した熱が、本体部２１、支持部２２、基板２０１の順に確実に伝達され、よって、基板２０１を確実に加熱することができる。
ステージ２の構成材料としては、特に限定されず、例えば、アルミニウムやステンレス鋼等のような金属材料を用いることができる。金属材料は、熱伝導性が比較的高い材料であり、加熱手段３からの熱を基板２０１に伝達するのに寄与する。
【００２６】
図２、図３に示すように、加熱手段３は、支持状態の基板２０１を、支持部２２を介して加熱するものである。この加熱手段３は、本体部２１の下側（本体部２１の空間２４と反対側）に配置されたハウジング３１と、ハウジング３１内に収納された電熱線３２と、電熱線３２に電気的に接続された交流電源３３と、電熱線３２と交流電源３３との間に配置されたスイッチ３４とを有している。
ハウジング３１は、外形形状が円板状をなす中空体で構成されている。このハウジング３１の直径は、ステージ２（本体部２１）の直径と同じとなっている。また、ハウジング３１の構成材料もステージ２の構成材料と同様のものを用いることができる。これにより、電熱線３２で発生した熱をステージ２に確実に伝えることができる。
【００２７】
ハウジング３１内には、螺旋状に巻回されたニクロム線等の発熱体で構成された電熱線３２が収納されている。この電熱線３２は、交流電源３３により電圧が印加されると発熱することができる。これにより、前述したように支持状態の基板２０１を、ステージ２（支持部２２）を介して確実に加熱することができる。また、加熱手段３は、図示しない温度調節機能を有する。
交流電源３３は、例えば２００Ｖの電圧を電熱線３２に印加することができる。
また、スイッチ３４は、電熱線３２に対して電圧を印加する状態と、電圧印加を停止する状態とに切り換えるものである。
【００２８】
ステージ２の上側には、加圧ローラー４が配置されている。加圧ローラー４は、支持状態の基板２０１にフィルム２０２を押し付けつつ、基板２０１上を水平に転動することができる（図２、図３参照）。これにより、加熱された基板２０１と、フィルム２０２とを確実に接合させることができる。なお、加圧ローラー４の転動は、図示しない駆動機構により行なわれる。この駆動機構としては、特に限定されず、例えば、モーター等を有する構成とすることができる。
また、加圧ローラー４は、図２、図３に示す構成で中実体で構成されているが、これに限定されず、中空体であってもよい。
【００２９】
また、図１に示すように、加圧ローラー４の全長は、ステージ２の直径よりも大きいのが好ましい。これにより、一方向の走査で、フィルム２０２の裏側の面２０５全体を、基板２０１の表側の面２０３全体に確実に押し付けることができる。
加圧ローラー４の構成材料としては、特に限定されず、例えば、ステンレス鋼等のような比較的硬質の金属材料を用いるのが好ましい。これにより、フィルム２０２を基板２０１により確実に押し付けることができる。
【００３０】
図１〜図３に示すように、吸引手段６は、ステージ２の支持部２２に設けられた４つの吸引口６１と、ポンプ（吸引ポンプ）６２と、各吸引口６１とポンプ６２とを接続するチューブ６３とを有している。
なお、図１に示すように、支持部２２の上面２２１には、その周方向に沿って４本の溝２２２が形成されている。これらの溝２２２は、支持部２２の周方向に沿って間隔を置いて互いに独立して配置され、支持状態の基板２０１により、上方から気密的に封止される。
【００３１】
そして、各溝２２２の底部に、それぞれ、１つの吸引口６１が開口している。すなわち、各溝２２２の底部から本体部２１の下面２１２（他方の面）までを１つずつの吸引口６１が貫通して形成されている。
また、各吸引口６１は、支持部２２の周方向に沿って等間隔に配置されている。
吸引口６１の形成数は、本実施形態では４つであるが、これに限定されず、例えば、１つ、２つ、３つまたは５つ以上であってもよい。
【００３２】
各吸引口６１の下端部には、それぞれ、チューブ６３が気密的に接続されている。このチューブ６３は、硬質のものであってもよいし、軟質のもの、すなわち、可撓性を有するものであってもよい。
また、４本のチューブ６３のうちの１本のチューブ６３には、ポンプ６２の近傍に、圧力計６４が設置されている。この圧力計６４により、チューブ６３内の圧力を検出することができ、よって、ポンプ６２による吸引力を把握することができる。
【００３３】
そして、ポンプ６２が作動することにより、支持状態の基板２０１を吸引口６１を介してステージ２の本体部２１側に吸引することができる。これにより、支持状態を確実に維持することができ、よって、当該支持状態の基板２０１が支持部２２から不本意にズレてしまうのを確実に防止することができる。これにより、基板２０１とフィルム２０２とを正確に接合することができる。
このポンプ６２としては、特に限定されず、例えば、真空ポンプを用いることができる。
【００３４】
図１、図４に示すように、押圧手段５は、ステージ２の支持部２２に設けられた４本の押圧ピン５１を有している。
なお、支持部２２には、隣接する溝２２２同士の間に、支持部２２の上面２２１から本体部２１の下面２１２までを貫通する貫通孔２２３が形成されている。各貫通孔２２３は、支持部２２の周方向に沿って等間隔に配置されている。
【００３５】
そして、各押圧ピン５１は、それぞれ、円柱状をなす部材で構成され、貫通孔２２３に対し出没自在に挿入されている。この押圧ピン５１の出没動作は、図示しない駆動機構により行なわれる。この駆動機構としては、特に限定されず、例えば、エアシリンダー等を有する構成とすることができる。
図４に示すように、吸引手段６の作動を停止し、支持状態の基板２０１に対する吸引を解除した状態で、各押圧ピン５１がそれぞれ突出した際には、支持状態の基板２０１を支持部２２から離間する方向に押圧することができる。これにより、接合体２０を支持部２２から剥離することができる。
【００３６】
なお、押圧ピン５１の上面５１１は、丸みを帯びているのが好ましい。
また、押圧ピン５１の本数は、本実施形態では４本であるが、これに限定されず、例えば、１本、２本、３本または５本以上であってもよい。
押圧ピン５１の構成材料としては、特に限定されず、例えば、ステンレス鋼等のような比較的硬質の金属材料を用いるのが好ましい。
【００３７】
図２、図３に示すように、ガス供給手段７は、ステージ２の本体部２１と支持部２２と支持状態の基板２０１とで囲まれた空間２４内にガスＧを供給するものである。このガスＧの供給により、前記空間２４内の圧力が上昇する。これにより、支持状態の基板２０１は、前記空間２４に臨む部分、すなわち、支持部２２に支持されている部分以外の部分撓撓みが生じるのが防止される。そして、この状態でフィルム２０２を接合することにより、基板２０１の表側の面２０３とフィルム２０２の裏側の面２０５とが確実に接合される。
【００３８】
ガス供給手段７は、空間２４内にガスＧを流入させる（供給する）４つの流入口７１と、空間２４内のガスＧを流出させる（排出する）１つの流出口７２と、ポンプ７３と、各流入口７１とポンプ７３とを接続するチューブ７４と、流出口７２に接続されたチューブ７５とを有している。また、４本のチューブ７４のうちの１本のチューブ７４には、ポンプ７３の近傍にバルブ７６と流量計７７とが設置されている。また、チューブ７５の途中には、バルブ７８と圧力計７９とが設置されている。
【００３９】
図２、図３に示すように、各流入口７１は、それぞれ、ステージ２の本体部２１にその厚さ方向に貫通して形成されている。また、各流入口７１の上端開口部（上端）７１１は、空間２４に向かって開口している、すなわち、支持状態の基板２０１の裏側の面２０４に臨んでいる。
流出口７２も、流入口７１と同様に、ステージ２の本体部２１にその厚さ方向に貫通して形成されている。さらに、流出口７２の上端開口部（上端）７２１も、空間２４に向かって開口している、すなわち、支持状態の基板２０１の裏側の面２０４に臨んでいる。
接合装置１は、各流入口７１と流出口７２とが互いに異なる位置に設けられており、これらの位置関係、すなわち、各流入口７１が流出口７２よりも支持部２２側に偏在していることに特徴を有する装置である。以下、この位置関係について具体的に説明する。
【００４０】
まず、図１〜図３に示すように、各流入口７１は、それぞれ、支持部２２の直近に配置されている。ここで、「直近」とは、流入口の中心７１２の位置が支持部２２の内周部２２４から当該流入口７１２の直径の長さ以内のことを言う。
図１に示すように、流出口７２は、本体部２１の中心部に配置されている。各流入口７１は、それぞれ、流出口７２よりも外側で、本体部２１の周方向に沿って等間隔に配置されている。
【００４１】
また、本体部２１の平面視で、各流入口７１の中心７１２と支持部２２の内周部２２４との距離Ｌ２は、それぞれ、各流入口７１の中心７１２と流出口７２の中心７２２との距離Ｌ１よりも短い（図１参照）。
また、本体部２１の平面視で、各流入口７１は、各押圧ピン５１と流出口７２との間に配置されている。
【００４２】
ところで、接合装置１のステージ２のように円板状をなす本体部と、円環状をなす支持部とを有するステージを備える従来の接合装置（例えば特開平３−２０４９５５号公報の第１図および第２図に示す構成の装置）では、基板の表面の温度分布は、図５に示すように、支持部に接している部分の温度が最も高く、本体部の中心側に行くに従って温度が低下していく傾向がある。なお、この従来の接合装置では、流入口と流出口との位置関係が接合装置１での流入口７１と流出口７２との位置関係と異なっている。
しかしながら、接合装置１では、基板２０１の表面の温度分布は、図５に示すように、基板２０１の面方向に沿って均一（一定）となっている。これは、前述したような流入口７１と流出口７２との位置関係の特徴が起因している。
【００４３】
接合装置１でも、支持状態の基板２０１の支持部２２に当接している部分は、その温度が加熱手段３の作動によって上昇しそうであるが、各流入口７１から流入するガスＧにより冷却されて、当該温度上昇が確実に抑制される。この場合、各流入口７１から流入するガスＧの量を増加するのが好ましい。また、流入口７１から流出口７２に向かうガスＧによって、基板２０１の温度がならされることとなる。その結果、基板２０１の表面は、フィルム２０２と接合可能な程に加熱され、その温度分布は、均一となる。
そして、この温度分布が均一な状態で、基板２０１にフィルム２０２を加圧ローラー４で押し付けることにより、基板２０１とフィルム２０２とを確実に均一に接合することができる、すなわち、基板２０１とフィルム２０２との間（接合部）に接合ムラ（接合強度の高低差）が生じるのが確実に防止される。
【００４４】
また、流入口７１から流入されるガスＧの総流入量は、流出口７２から排出されるガスＧの流出量（総流出量）以上であるのが好ましい。その量としては、空間２４内の圧力を大気圧よりも高く設定して、よって、前述した基板２０１の撓みを確実に防止することができる程度とすることができる。
総流入量が流出量以上となるよう調整するには、流入側の流量計７７が示す値を確認しつつバルブ７６の開度を適宜調整するとともに、流出側の圧力計７９が示す値を確認しつつバルブ７８の開度を調整することにより、行なわれる。
【００４５】
なお、流入口７１の形成数（配置数）は、本実施形態では４つであるが、これに限定されず、例えば、１つ、２つ、３つまたは５つ以上であってもよい。また、流出口７２の形成数（配置数）は、本実施形態では１つであるが、これに限定されず、例えば、２つ以上であってもよい。そして、いずれの場合でも、流入口７１の形成数は、流出口７２の形成数よりも多いのが好ましい。
【００４６】
ポンプ７３は、その作動により、各チューブ７４を介して、当該チューブ７４が接続された流入口７１向かってガスＧを送り出すことができるものである。このポンプ７３としては、特に限定されず、例えば、ベーンポンプを用いることができる。
なお、ガスＧは、空気（ドライエア）や窒素であるのが好ましい。また、ガスＧの温度は、常温とするのが好ましい。
【００４７】
各流入口７１の下端部には、それぞれ、チューブ７４が気密的に接続されている。また、流出口７２の下端部には、チューブ７５が気密的に接続されている。チューブ７４、７５は、それぞれ、硬質のものであってもよいし、軟質のもの、すなわち、可撓性を有するものであってもよい。なお、チューブ７４、７５は、それぞれ、加熱手段３の電熱線３２を回避して配設されている。
【００４８】
以上、本発明の接合装置および接合体を図示の実施形態について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、接合装置および接合体を構成する各部は、同様の機能を発揮し得る任意の構成のものと置換することができる。また、任意の構成物が付加されていてもよい。
また、加圧ローラーは、それ自体を加熱可能に構成されていてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１……接合装置  ２……ステージ  ２１……本体部  ２１１……上面（一方の面）  ２１２……下面（他方の面）  ２２……支持部  ２２１……上面  ２２２……溝  ２２３……貫通孔  ２２４……内周部  ２４……空間  ３……加熱手段  ３１……ハウジング  ３２……電熱線  ３３……交流電源  ３４……スイッチ  ４……加圧ローラー  ５……押圧手段  ５１……押圧ピン  ５１１……上面  ６……吸引手段  ６１……吸引口  ６２……ポンプ（吸引ポンプ）  ６３……チューブ  ６４……圧力計  ７……ガス供給手段  ７１……流入口  ７１１……上端開口部（上端）  ７１２……中心  ７２……流出口  ７２１……上端開口部（上端）  ７２２……中心  ７３……ポンプ  ７４、７５……チューブ  ７６……バルブ  ７７……流量計  ７８……バルブ  ７９……圧力計  ２０……接合体  ２０１……基板  ２０２……フィルム  ２０３……表側の面（上面）  ２０４、２０５……裏側の面（下面）  Ｇ……ガス  Ｌ１、Ｌ２……距離
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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