(57)【要約】【課題】ウェハ上に複数のマスクを重ねて高精度に位置決めすること。【解決手段】マスク位置決め方法において、ウェハ上に第１及び第２マスクを重ねて位置決めする。マスク位置決め方法は、磁力発生する磁力発生手段とウェハとの第１所定距離の位置で第１マスクをウェハ上に位置決めするステップと、磁力発生手段を第１所定距離の位置からウェハ側に接近させた第２所定距離の位置に移動させ第１マスクを磁力発生手段の磁力でウェハ上に吸着させるステップと、第２所定距離の位置でウェハ上に位置決めされた第１マスク上において第２マスクを位置決めするステップと、磁力発生手段を第２所定距離からウェハ側に接近させた第３所定距離の位置に移動させ第１及び第２マスクを磁発生手段の磁力でウェハ上に吸着させるステップと、を含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウェハ上に第１及び第２マスクを重ねて位置決めするマスク位置決め方法であって、
磁力発生する磁力発生手段と前記ウェハとの第１所定距離の位置で、前記第１マスクを前記ウェハ上に位置決めするステップと、
前記磁力発生手段を前記第１所定距離の位置から前記ウェハ側に接近させた第２所定距離の位置に移動させ、前記第１マスクを前記磁力発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着させるステップと、
前記第２所定距離の位置で、前記ウェハ上に位置決めされた前記第１マスク上において前記第２マスクを位置決めするステップと、
前記磁力発生手段を前記第２所定距離から前記ウェハ側に接近させた第３所定距離の位置に移動させ、前記第１及び第２マスクを前記磁発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着させるステップと、
を含むことを特徴とするマスク位置決め方法。
【請求項２】
請求項１記載のマスク位置決め方法であって、
前記第１所定距離は、前記第１マスクをウェハ上に位置決めする際に、前記第１マスクが前記磁力発生手段からの磁力の影響を受けない距離であることを特徴とするマスク位置決め方法。
【請求項３】
請求項２記載のマスク位置決め方法であって、
前記第２所定距離は、前記ウェハ上に位置決めされた第１マスク上において前記第２マスクを位置決めする際に、前記第２マスクが前記磁力発生手段からの磁力の影響を受けない距離であることを特徴とするマスク位置決め方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のうちいずれか１項記載のマスク位置決め方法であって、
前記磁力発生手段を前記第２所定距離の位置から前記ウェハ側に接近させた第４所定距離の位置に移動させ、前記第１及び第２マスクを前記磁力発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着させるステップと、
前記第４所定距離の位置で、前記ウェハ上に位置決めされた前記第１及び２マスク上において第３マスクを位置決めするステップと、を更に含み、
前記磁力発生手段を前記第４所定距離から前記ウェハ側にさらに接近させた第３所定距離の位置に移動させ、前記第１、第２及び第３マスクを前記磁発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着させることを特徴とするマスク位置決め方法。
【請求項５】
請求項１乃至４のうちいずれか１項記載のマスク位置決め方法であって、
前記ウェハをウェハホルダに保持させるステップを更に含むことを特徴とするマスク位置決め方法。
【請求項６】
磁力発生する磁力発生手段と、
前記磁力発生手段から第１所定距離の位置で、前記ウェハ上に位置決めされる第１マスクと、
前記磁力発生手段を前記第１所定距離から前記ウェハ側に接近させた第２所定距離の位置において前記第１マスクが前記磁力発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着されると共に、前記第２所定距離の位置で前記ウェハ上に位置決めされた前記第１マスク上において位置決めされる第２マスクと、
を備えることを特徴とするマスク位置決め装置。
【請求項７】
請求項６記載のマスク位置決め装置であって、
前記磁力発生手段を移動させる移動手段と、
前記移動手段の移動を制御する制御手段と、を更に備え、
前記制御手段は、
前記第１所定距離、前記第２所定距離、および、該第２所定距離から前記磁力発生手段を前記ウェハ側に接近し、前記第１及び第２マスクが前記磁発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着する第３所定距離、の位置に段階的に、前記磁力発生手段が移動するように前記移動手段を制御する、
ことを特徴とするマスク位置決め装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ上に複数のマスクを高精度に位置決めできるマスク位置決め方法、及びマスク位置決め装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ウェハ上にマスクを位置決めしウェハに対して成膜が行われている。この際、ウェハ上にマスクをより高精度に位置決めすることが求められている。例えば、ガラス基板とメタルマスクを磁力で張り合わせ位置決めを行うマスク位置決め方法が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−１４６５６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記特許文献１に示すマスク位置決め方法においては、単一のメタルマスクをウェハ上に位置決めする技術である。一方で複数のメタルマスクを重ねてウェハ上に位置決めする場合があり、そのような場合でも高精度な位置決め技術が要望させている。
【０００５】
本発明は、このような問題点を解決するためになされたものであり、ウェハ上に複数のマスクを重ねて高精度に位置決めできるマスク位置決め方法及びマスク位置決め装置を提供することを主たる目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するための本発明の一態様は、ウェハ上に第１及び第２マスクを重ねて位置決めするマスク位置決め方法であって、磁力発生する磁力発生手段と前記ウェハとの第１所定距離の位置で、前記第１マスクを前記ウェハ上に位置決めするステップと、前記磁力発生手段を前記第１所定距離の位置から前記ウェハ側に接近させた第２所定距離の位置に移動させ、前記第１マスクを前記磁力発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着させるステップと、前記第２所定距離の位置で、前記ウェハ上に位置決めされた前記第１マスク上において前記第２マスクを位置決めするステップと、前記磁力発生手段を前記第２所定距離から前記ウェハ側に接近させた第３所定距離の位置に移動させ、前記第１及び第２マスクを前記磁発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着させるステップと、を含むことを特徴とするマスク位置決め方法である。
この一態様において、前記第１所定距離は、前記第１マスクをウェハ上に位置決めする際に、前記第１マスクが前記磁力発生手段からの磁力の影響を受けない距離であってもよい。
この一態様において、前記第２所定距離は、前記ウェハ上に位置決めされた第１マスク上において前記第２マスクを位置決めする際に、前記第２マスクが前記磁力発生手段からの磁力の影響を受けない距離であってもよい。
この一態様において、前記磁力発生手段を前記第２所定距離の位置から前記ウェハ側に接近させた第４所定距離の位置に移動させ、前記第１及び第２マスクを前記磁力発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着させるステップと、前記第４所定距離の位置で、前記ウェハ上に位置決めされた前記第１及び２マスク上において第３マスクを位置決めするステップと、を更に含み、前記磁力発生手段を前記第４所定距離から前記ウェハ側にさらに接近させた第３所定距離の位置に移動させ、前記第１、第２及び第３マスクを前記磁発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着させてもよい。
この一態様において、前記ウェハをウェハホルダに保持させるステップを更に含んでいても良い。
他方、上記目的を達成するための本発明の一態様は、磁力発生する磁力発生手段と、前記磁力発生手段から第１所定距離の位置で、前記ウェハ上に位置決めされる第１マスクと、前記磁力発生手段を前記第１所定距離から前記ウェハ側に接近させた第２所定距離の位置において前記第１マスクが前記磁力発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着されると共に、前記第２所定距離の位置で前記ウェハ上に位置決めされた前記第１マスク上において位置決めされる第２マスクと、を備えることを特徴とするマスク位置決め装置であってもよい。
この一態様において、前記磁力発生手段を移動させる移動手段と、前記移動手段の移動を制御する制御手段と、を更に備え、前記制御手段は、前記第１所定距離、前記第２所定距離、および、該第２所定距離から前記磁力発生手段を前記ウェハ側に接近し、前記第１及び第２マスクが前記磁発生手段の磁力で前記ウェハ上に吸着する第３所定距離、の位置に段階的に、前記磁力発生手段が移動するように前記移動手段を制御してもよい。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、ウェハ上に複数のマスクを重ねて高精度に位置決めできるマスク位置決め方法及びマスク位置決め装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施の形態１に係るマスク位置決め装置の概略的な構成を示す図である。
【図２Ａ】本発明の実施の形態１に係るマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図２Ｂ】本発明の実施の形態１に係るマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図２Ｃ】本発明の実施の形態１に係るマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図２Ｄ】本発明の実施の形態１に係るマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図２Ｅ】本発明の実施の形態１に係るマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図２Ｆ】本発明の実施の形態１に係るマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図２Ｇ】本発明の実施の形態１に係るマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図３Ａ】マスク位置決め方法により位置決めされた下側及び上側マスクを示す図である。
【図３Ｂ】下側及び上側マスクを用いてウェハ上成膜された膜の一例を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係るマスク位置決め装置によるマスク位置決め方法の処理フローの一例を示すフローチャートである。
【図５Ａ】マスク位置決め装置によるマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図５Ｂ】マスク位置決め装置によるマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図５Ｃ】マスク位置決め装置によるマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図５Ｄ】マスク位置決め装置によるマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図５Ｅ】マスク位置決め装置によるマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図５Ｆ】マスク位置決め装置によるマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図５Ｇ】マスク位置決め装置によるマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図５Ｈ】マスク位置決め装置によるマスク位置決め方法を説明するための図である。
【図６】本発明の実施の形態２に係るマスク位置決め方法の処理フローの一例を示すフローチャートである。
【図７】磁力の影響によりマスクがずれて位置決めされた状態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。図１は、本発明の実施の形態１に係るマスク位置決め装置の概略的な構成を示す図である。本実施の形態１に係るマスク位置決め装置１は、ウェハ２上に複数のマスクを重ねて高精度に位置決めできるものである。
【００１０】
ここで、マスクは、ウェハ２の上面に配置される下側マスク（第１マスクの一具体例）と、下側マスク上に配置される上側マスク（第２マスクの一具体例）と、から構成されている。また、下側マスク及び上側マスクは、磁性体金属で形成されたメタルマスクとして構成されている。したがって、後述の磁力発生部５の磁力により吸引される性質を有している。
【００１１】
マスク位置決め装置１は、ウェハ２を保持するウェハホルダ３と、ウェハホルダ３を保持するウェハホルダ保持部４と、磁力を発生する磁力発生部５と、磁力発生部５を保持する保持部６と、磁力発生部５を移動させる移動機構７と、磁力発生部５をｘｙ軸方向へ移動させ或いは回転させるｘｙθステージ部８と、移動機構７及びｘｙθステージ部８を制御する制御部９と、を備えている。
【００１２】
ウェハホルダ３は、例えば、その上面にウェハ２が載置される凹状部２１が形成されている。ユーザはその凹状部２１の形状に沿ってウェハ２を配置することができる。一方、ウェハホルダ３の下面は、後述の磁力発生部５の複数の永久磁石５１が挿入される凹部２２が略等間隔で複数形成されている。ウェハホルダ３下面の各凹部２２には、後述の磁力発生部５の各永久磁石５１の先端部が挿入される。
【００１３】
ウェハホルダ保持部４は、保持部６に固定されており、磁力発生部５上にウェハホルダ３を保持する。
【００１４】
磁力発生部５は、磁力発生手段の一具体例であり、複数の永久磁石５１と、各永久磁石５１を保持する磁石ホルダ５２と、を有している。各永久磁石５１は磁石ホルダ５２に１列或いは複数列、略等間隔で配置されている。各永久磁石５１は、Ｓ極とＮ極とが交互に上側を向くように並んで配置されている。なお、永久磁石５１として、例えば、ネオジム磁石が用いられている。永久磁石５１の代わりに、磁力制御が可能な電磁石を用いることも可能である。
【００１５】
保持部６は、ＸＹθステージ部８に固定されている。また、保持部６には、ウェハホルダ保持部４、移動機構７及び磁力発生部５が接続されている。
【００１６】
移動機構７は、移動手段の一具体例であり、例えば、磁力発生部５の側縁を保持して、上下方向へ伸縮することで、磁力発生部５を上下方向へ移動させることができる。移動機構７は、例えば、上下方向へ伸縮する伸縮機構と、伸縮機構を駆動するモータなどの駆動部と、を有している。駆動部は制御部９から送信される制御信号に応じて伸縮機構を駆動し、磁力発生部５を上下方向へ移動させることができる。例えば、制御部９は、移動機構７の伸縮機構を制御して磁力発生部５を上方向へ移動させ、磁力発生部５をウェハホルダ３に近付ける。これにより、ウェハホルダ３に保持されたウェハ２上に配置された下側及び／又は上側マスクに対する磁力発生部５の磁力を制御することができる。
【００１７】
ｘｙθステージ部８は、移動機構７を介して磁力発生部５を、ｘｙ軸方向へ移動させ或いは回転させることができる。これにより、ウェハホルダ３に保持されたウェハ２上に配置された下側及び／又は上側マスクに対する磁力発生部５のｘｙ軸方向の位置、回転方向の位置を高精度に調整することができる。なお、例えば、ボールネジ機構などを手動で回転させることで、移動機構７を介して磁力発生部５を上下方向及びｘｙ軸方向に移動させ、あるいは回転させることもできる。
【００１８】
制御部９は、制御手段の一具体例であり、移動機構７及びｘｙθステージ部８を制御して磁力発生部５の移動を制御する。制御部９は、例えば、制御処理、演算処理等と行うＣＰＵ（Central Processing Unit）９ａと、ＣＰＵ９ａによって実行される制御プログラム、演算プログラム等が記憶されたＲＯＭ（Read Only Memory）９ｂと、処理データ等を一時的に記憶するＲＡＭ（Random Access Memory）９ｃと、を有するマイクロコンピュータを中心にして、ハードウェア構成されている。また、これらＣＰＵ９ａ、ＲＯＭ９ｂ、及びＲＡＭ９ｃは、データバス９ｄによって相互に接続されている。
【００１９】
ところで、ウェハ上にメタルマスクを磁力発生部の磁力を用いて吸着させ位置決めする場合、その磁力の吸着力でウェハに対してメタルマスクがずれてしまうという問題が生じている。特に、複数のマスク７０１、７０２をウェハ７０３上に重ねて位置決めする場合、その磁力の影響でずれが大きくなり高精度な位置決めがより困難となる（図７）。
【００２０】
そこで、本実施の形態に係るマスク位置決め装置１は、ウェハ２上に下側マスク及び上側マスクを夫々位置決めする際に、下側マスク及び上側マスクと磁力発生部５との距離を段階的に調整する。これにより、下側マスク及び上側マスクを磁力の影響を受けることなく、夫々、ウェハ２上に高精度に位置決めできる。さらに、下側マスク及び上側マスクの位置決め後は磁力発生部５の磁力により、下側マスク及び上側マスクをウェハ２上に吸着させ、確実に固定することができる。
【００２１】
次に、上述した本実施の形態に係るマスク位置決め方法について詳細に説明する。
ウェハ２をウェハホルダ３に保持させる。このとき、磁力発生部５とウェハ２との距離は第１所定距離Ｌ１となっており、磁力発生部５は初期位置にある（図２Ａ）。
【００２２】
次に、上記磁力発生部５とウェハ２との距離が第１所定距離Ｌ１の位置で、下側マスク１０をウェハ２上で位置決めを行い（図２Ｂ）、下側マスク１０をウェハ２上に貼り付ける（図２Ｃ）。このとき、第１所定距離Ｌ１は、下側マスク１０をウェハ２上に位置決めする際に、下側マスク１０が磁力発生部５からの磁力の影響を受けない距離となっている。このため、ユーザは磁力の影響でぶれることなく下側マスク１０をウェハ２上に高精度に位置決めすることができる。なお、下側マスク１０及び後述の上側マスク１１が磁力発生部５からの磁力の影響を受けないとは、磁力を受けた場合でもその影響が僅かであり、その影響をユーザが感知できない状態を含むものとする。
【００２３】
その後、磁力発生部５を第１所定距離Ｌ１の位置からウェハ２側に接近させた第２所定距離Ｌ２（第２所定距離Ｌ２＜第１所定距離Ｌ１）の位置に移動させる（図２Ｄ）。この磁力発生部５が第２所定距離Ｌ２（例えば、下側マスク１０から数ミリ程度の距離）の位置において、下側マスク１０が磁力発生部５の磁力でウェハ２上に吸着する。これにより、ウェハ２上に位置決めされた下側マスク１０はウェハ２上に確実に固定される。
【００２４】
さらに、この磁力発生部５が第２所定距離Ｌ２の位置において、ウェハ２上に位置決めされた下側マスク１０上において上側マスク１１を位置決めし（図２Ｅ）、上側マスク１１をウェハ２上に吸着された下側マスク１０上に貼り付ける（図２Ｆ）。このとき、磁力発生部５の磁力は下側マスク１０のみをウェハ２上に吸着させるが、上側マスク１１はその磁力の影響を受けない。これは、主に下側マスク１０が磁力発生部５から上側マスク１１への磁力を遮断し弱めるためである。これにより、ユーザは磁力の影響でぶれることなく、上側マスク１１をウェハ２及び下側マスク１０上に高精度に位置決めすることができる。
【００２５】
最後に、磁力発生部５を第２所定距離Ｌ２の位置からウェハ２側にさらに接近させた第３所定距離Ｌ３の位置（磁力発生部５とウェハ２とが最接近した位置、第１所定距離Ｌ１＞第２所定距離Ｌ２＞第３所定距離Ｌ３）に移動させる（図２Ｇ）。これにより、下側マスク１０及び上側マスク１１を磁力発生部５の磁力でウェハ２上に吸着させ、確実に固定することができる。
【００２６】
上述したマスク位置決め方法を用いることで、例えば、図３Ａに示すように、下側マスク１０及び上側マスク１１の開口位置をウェハ２の所望位置に高精度に位置決めできる。したがって、図３Ｂに示すように、ウェハ２上に高精度に成膜を行うことができる。
【００２７】
図４は、本実施の形態に係るマスク位置決め装置によるマスク位置決め方法の処理フローの一例を示すフローチャートである。
【００２８】
まず、磁力発生部５を移動機構７にセットし（図５Ａ）、ロック（位置決め固定）する（図５Ｂ）（ステップＳ１０１）。次に、ウェハ２が取付けられたウェハホルダ３をウェハホルダ保持部４にセットする（図５Ｃ）（ステップＳ１０２）。
【００２９】
その後、磁力発生部５とウェハ２との距離が第１所定距離Ｌ１の位置において、下側マスク１０をウェハ２上で位置決めを行い、下側マスク１０をウェハ２上に貼り付ける（図５Ｄ）（ステップＳ１０３）。このとき、ユーザは下側マスク１０をウェハ２上に磁力発生部５の磁力の影響を受けることなく高精度に位置決め貼り付けできる。
【００３０】
制御部９は、移動機構７を制御して磁力発生部５を第１所定距離Ｌ１の位置からウェハ２側に接近させた第２所定距離Ｌ２の位置に移動させる（図５Ｅ）（ステップＳ１０４）。そして、この磁力発生部５が第２所定距離Ｌ２の位置において、ウェハ２上に位置決めされた下側マスク１０上において上側マスク１１を位置決めし、上側マスク１１をウェハ２上に吸着された下側マスク１０上に貼り付ける（図５Ｆ）（ステップＳ１０５）。このとき、ユーザは上側マスク１１をウェハ２及び下側マスク１０上に、磁力発生部５の磁力の影響を受けることなく高精度に位置決め貼り付けできる。
【００３１】
なお、上記ウェハ２上における上側マスク１１及び下側マスク１０の位置決めは、例えば、多関節型のアームロボットなどを用いて行っても良い。これにより、より作業の効率化を向上させることができる。
【００３２】
制御部９は、移動機構７を制御して磁力発生部５を第２所定距離Ｌ２の位置からウェハ２側にさらに接近させた第３所定距離Ｌ３の位置（例えば、磁力発生部５とウェハホルダ３が接触し一体となる位置）に移動させる（図５Ｇ）（ステップＳ１０６）。これにより、下側マスク１０及び上側マスク１１を磁力発生部５の磁力でウェハ２上に吸着させ、確実に固定することができる。なお、制御部９は、予め設定された自動プログラムを実行することで、上述の如く、磁力発生部５を第１所定距離Ｌ１の位置から第２所定距離Ｌ２及び第３所定距離Ｌ３の位置へ自動的に移動させてもよく、あるいは、ユーザのスイッチ操作に応じて移動させてもよい。
【００３３】
最後に、ウェハホルダ３をウェハホルダ保持部４から外すことで（図５Ｈ）、一体となったウェハホルダ３、ウェハ２、下側マスク１０、上側マスク１１及び磁力発生部５を、成膜を行う装置へ移動させることができる。なお、上述の磁力発生部５のセット、ウェハホルダ３のセット及び取外しなどを、アームロボットなどを用いて行ってもよい。これにより、より作業の効率化を図ることができる。
【００３４】
以上、本実施の形態１に係るマスク位置決め方法において、第１所定距離Ｌ１の位置で下側マスク１０をウェハ２上に位置決めし、第２所定距離Ｌ２の位置で下側マスク１０を磁力発生部５の磁力でウェハ２上に吸着させ、その第２所定距離Ｌ２の位置で下側マスク１０上に上側マスク１１を位置決めし、第３所定距離Ｌ３の位置で下側マスク１０及び上側マスク１１を磁力発生部５の磁力でウェハ２上に吸着させる。これにより、第１所定距離Ｌ１の位置で、磁力発生部５の磁力の影響を受けることなく下側マスク１０をウェハ２上に位置決めできる。さらに、第２所定距離Ｌ２の位置で、下側マスク１０をウェハ２上に吸着させつつ、磁力発生部５の磁力の影響を受けることなく上側マスク１１を下側マスク１０及びウェハ２上に位置決めすることができる。このように、磁力発生部５の磁力の影響を受けることなく、ウェハ２上に複数のマスクを重ねて高精度に位置決めできる。
【００３５】
実施の形態２．
上記実施の形態１に係るマスク位置決め方法においては、下側マスク１０及び上側マスク１１の２枚のメタルマスクをウェハ２上に重ねて位置決めする方法である。一方、本実施の形態２に係るマスク位置決め方法においては、３枚のメタルマスクをウェハ２上に重ねて位置決めを行う。例えば、第１マスク（下側マスク）１０、第２マスク（上側マスク）１１、及び第３マスク１２をこの順でウェハ２上に重ねて位置決めを行ってもよい。
【００３６】
図６は、本実施の形態２に係るマスク位置決め方法の処理フローの一例を示すフローチャートである。
【００３７】
まず、磁力発生部５を移動機構７にセットし、ロックする（ステップＳ２０１）。ウェハ２をウェハホルダ３にセットする（ステップＳ２０２）。このとき、磁力発生部５とウェハ２との距離は第１所定距離Ｌ１となっている。
【００３８】
次に、上記磁力発生部５とウェハ２との距離が第１所定距離Ｌ１の位置で、第１マスク１０をウェハ２上で位置決めを行い、第１マスク１０をウェハ２上に貼り付ける（ステップＳ２０３）。その後、磁力発生部５を第１所定距離Ｌ１の位置からウェハ２側に接近させた第２所定距離Ｌ２の位置に移動させ、第１マスク１０を磁力発生部５の磁力でウェハ２上に吸着させる（ステップＳ２０４）。この磁力発生部５が第２所定距離Ｌ２の位置において、ウェハ２上に位置決めされた第１マスク１０上において第２マスク１１を位置決めし、第２マスク１１を、ウェハ２上に吸着された第１マスク１０上に貼り付ける（ステップＳ２０５）。ここまでは、上記実施の形態１に係るマスク位置決め方法と同一である。
【００３９】
さらに、磁力発生部５を第２所定距離Ｌ２の位置からウェハ２側にさらに接近させた第４所定距離Ｌ４（第１所定距離Ｌ１＞第２所定距離Ｌ２＞第４所定距離Ｌ４＞第３所定距離Ｌ３）の位置に移動させ、第１マスク１０及び第２マスク１１を磁力発生部５の磁力でウェハ２上に吸着させる（ステップＳ２０６）。
【００４０】
この磁力発生部５が第４所定距離Ｌ４の位置において、ウェハ２上に位置決めされた第１マスク１０及び第２マスク１１上に第３マスクを位置決めし、第３マスクを第２マスク１１上に貼り付ける（ステップＳ２０７）。
【００４１】
なお、この第４所定距離Ｌ４は、磁力発生部５の磁力が第１マスク１０及び第２マスク１１のみをウェハ２上に吸着し、第３マスクに対してその磁力の影響を与えない距離となっている。これにより、ユーザは第３マスクをウェハ２、第１マスク１０、及び第２マスク１１上に高精度に位置決めすることができる。
【００４２】
最後に磁力発生部５を第４所定距離Ｌ４の位置からウェハ２側に最接近させた第３所定距離Ｌ３の位置に移動させる（ステップＳ２０８）。これにより、第１マスク１０、第２マスク１１、第３マスクを磁力発生部５の磁力でウェハ２上に吸着させ、確実に固定することができる。なお、４枚以上のメタルマスクをウェハ２上に重ねて位置決めする場合も、上記第２所定距離及び第４所定距離と同様の中間距離を設定し、同様に磁力発生部５の磁力の影響を受けることなく高精度に位置決めすることができる。
【００４３】
以上、本実施の形態２に係るマスク位置決め方法によれば、磁力発生部５の磁力の影響を受けることなく、３枚以上のメタルマスクをウェハ２上に重ねて高精度に位置決めすることができる。
【００４４】
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１    マスク位置決め装置
２    ウェハ
３    ウェハホルダ
４    ウェハホルダ保持部
５    磁力発生部
６    保持部
７    移動機構
８    ｘｙθステージ部
９    制御部
１０    下側マスク
１１    上側マスク
【図１】
2014049612.tif 000003
【図２Ａ】
2014049612.tif 000004
【図２Ｂ】
2014049612.tif 000005
【図２Ｃ】
2014049612.tif 000006
【図２Ｄ】
2014049612.tif 000007
【図２Ｅ】
2014049612.tif 000008
【図２Ｆ】
2014049612.tif 000009
【図２Ｇ】
2014049612.tif 000010
【図３Ａ】
2014049612.tif 000011
【図３Ｂ】
2014049612.tif 000012
【図４】
2014049612.tif 000013
【図５Ａ】
2014049612.tif 000014
【図５Ｂ】
2014049612.tif 000015
【図５Ｃ】
2014049612.tif 000016
【図５Ｄ】
2014049612.tif 000017
【図５Ｅ】
2014049612.tif 000018
【図５Ｆ】
2014049612.tif 000019
【図５Ｇ】
2014049612.tif 000020
【図５Ｈ】
2014049612.tif 000021
【図６】
2014049612.tif 000022
【図７】
2014049612.tif 000023