(57)【要約】【課題】高エネルギーの光の照射下においてもヘイズの発生を低減しつつ、ペリクル枠体の異物検査に優れたペリクル枠体及びペリクルを提供する。【解決手段】ペリクル枠体２は、枠状に形成され、開口部４を覆うペリクル膜３を展張支持し、その表面に空隙Ｋを有する酸化皮膜層Ｐが設けられており、酸化皮膜層Ｐの空隙率が約１０％以上である。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
枠状に形成され、開口部を覆う光学的薄膜体を展張支持するペリクル枠体であって、
その表面に空隙を有する酸化皮膜層が設けられており、
前記酸化皮膜層の空隙率が１０％以上であることを特徴とする、ペリクル枠体。
【請求項２】
前記酸化皮膜層には、前記空隙が形成されない領域が点在する、請求項１に記載のペリクル枠体。
【請求項３】
前記酸化皮膜層は、α−Ａｌ２Ｏ３とγ−Ａｌ２Ｏ３の混合層を含む、請求項１又は２に記載のペリクル枠体。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載のペリクル枠体と、
前記ペリクル枠体の開口部を覆うように展張支持された光学的薄膜体とを備えるペリクル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばＩＣ（Integrated Circuit：集積回路）、ＬＳＩ（Large Scale Integration：大規模集積回路）、ＴＦＴ型ＬＣＤ（ThinFilm Transistor，Liquid Crystal Display：薄膜トランジスタ液晶ディスプレイ）等の半導体装置や液晶表示装置を製造する際のリソグラフィー工程で使用されるフォトマクスやレティクルに異物が付着することを防止するために用いるペリクルのペリクル枠体及びペリクルに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＳＩ、超ＬＳＩなどの半導体装置や液晶表示装置（ＬＣＤ）を構成する薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）やカラーフィルター（ＣＦ）等の製造工程には、露光装置を用いたフォトリソグラフィー工程が含まれる。このとき、一般にペリクルと呼ばれる防塵手段が用いられている。このペリクルは、フォトマスクやレティクルに合わせた形状を有する厚さ数ミリ程度の枠体の上縁面に、厚さ１０μｍ以下程度のニトロセルロース、セルロース誘導体、フッ素ポリマーなどの透明な高分子膜（光学的薄膜体）を展張して接着したものであり、異物がフォトマスクやレティクル上に直接付着することを防ぐ。仮にフォトリソグラフィー工程において異物がペリクル上に付着したとしても、フォトレジストが塗布されたウエハー上にこれらの異物は結像しないため、異物の像による露光パターンの短絡や断線等を防止し、フォトリソグラフィー工程の製造歩留まりを向上させることができる。
【０００３】
そのため、ペリクルメーカーでは、ペリクル自体に異物が付着している状態では出荷できないため、ペリクル製造工程中に幾度も暗室の集光灯下で目視検査や装置等使って異物検査を行っている。また、マスクメーカーやデバイスメーカーにおいても、マスクに貼付する前にペリクルへの異物検査を行っている。そのため、異物検査のし易さは従来から求められており、その対策の一つとして異物が選別しやすいようにペリクル枠体を黒色系にすることが望まれている。
【０００４】
また、近年、半導体装置の高集積化に伴い、より狭い線幅で微細な回路パターンの描画が求められ、フォトリソグラフィー工程に用いる露光光についてもＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｍｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｍｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（波長１５７ｎｍ）等のようなより短波長の光が用いられるようになっている。これらの露光光の短波長化・高エネルギー化に伴い、露光に伴うペリクル膜又はマスクの汚れ（ヘイズ）が発生する頻度が高くなっている。そのような場合、フォトマスク等の製造後の検査では無欠陥の良好な品質状態であっても、露光装置でエキシマレーザーの照射を繰り返すうちに良好なパターン転写像が得られず、場合によっては半導体素子の回路の断線やショートを引き起こしてしまうことがある。
【０００５】
ところで、ペリクルの枠体は、一般にアルミニウム材からなり、通常、その表面には陽極酸化皮膜が形成されている。しかし、陽極酸化皮膜を形成する際に用いる電解液には硫酸等の酸性成分が含まれており、これが皮膜中に残存すると、フォトリソグラフィー工程等フォトマスクやレティクルとの間の閉ざされた空間内にガス状物として発生する。そのようなガス状物としてのイオンやアウトガスが、雰囲気中に含まれているアンモニアをはじめ、シアン化合物や炭化水素化合物などと光化学反応を起こしてヘイズが生じる。また、通常はペリクル枠体を黒色化するために有機染料が使用されており、有機染料は露光中の散乱光によって光劣化を起こす可能性があると言われている。
【０００６】
そこで、上記の問題に関して、ペリクル枠体に対して陽極酸化処理をした後に純水中で超音波洗浄を行うことで、酸性成分を除去する方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。また、陽極酸化皮膜の代わりに電着塗装等によるポリマー皮膜を形成する方法や、酸性成分の含有量を個別に規定することで、フォトリソグラフィー工程でのヘイズを抑制する方法も知られている（例えば、特許文献２，３参照）。
【０００７】
また、ペリクルはマスクに貼り付けられて使用されるが、露光中、有機系染料を使用したペリクル枠体にマスクからの散乱光が照射された場合、分解物が発生する恐れがあるとして有機系染料を含まないペリクル枠体が提案されている（例えば、特許文献２,５〜８参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００６−１８４８２２号公報
【特許文献２】特開２００７−３３３９１０号公報
【特許文献３】特開２００７−２２５７２０号公報
【特許文献４】特開２００９−２７６５２１号公報
【特許文献５】特開２０１０−２１１０２１号公報
【特許文献６】特開平９−２３６９０８号公報
【特許文献７】特開２０１０−１０７９８６号公報
【特許文献８】米国特許公開第ＵＳ２０１１／００６３６０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
従来からある上述したヘイズの問題は、依然として解決されておらず、ヘイズの生成原因物質である酸性成分の含有量が更に低減されたペリクル枠体が求められている。
【００１０】
ヘイズの原因は、主にアンモニウムイオンと硫酸イオンとが反応して生成される硫酸アンモニウム化合物であるとされている。マスクとペリクルとの閉空間内における化合物の生成を抑制するためには、ペリクルから発生するアンモニウムイオンや硫酸イオンを極力抑制する必要がある。そのため、アルミニウム材の皮膜中または表面に存在する硫酸イオンを低減するために、硫酸を含まない電解液で陽極酸化処理を行うことが望まれている。一方で、有機染料を使用しない方法も提案されているが、上記特許文献２に記載されているように黒色樹脂等で被覆した場合は、イオンは低減されるが、散乱光によって光劣化を起こす可能性がある。また、上記特許文献４に記載されているように、無着色のアルミニウムを使用すると、ペリクル枠体の異物検査性が悪い。
【００１１】
また、上記特許文献５に記載されているように、めっき膜厚が１μｍ程度の場合、ペリクル枠体が黒色系ではないために異物検査がし難い。めっき膜厚が０．１μｍ程度と薄い場合には、めっき後の表面に色むらが発生し、異物検査がし難いといった問題がある。また、二層構造で第一層をＮｉめっきとした場合、めっきの主成分には硫酸や酢酸などの塩類が用いられるため、第二層に膜厚０．１μｍ〜１μｍの銀や金等の貴金属めっきを処理した場合、薄い皮膜であるためめっきの欠陥部などから第一層のＮｉめっきが露出し、硫酸、酢酸等の酸類が放出されてヘイズの原因になる可能性がある。
【００１２】
また、上記特許文献６に記載のものでは、硫酸で陽極酸化処理を行っているため、耐光性があっても所望する総量にまでイオンを低減させることができない可能性がある。また、文献７、８には実施例が無いため本文に沿って作製してみると、従来問題となっていた硫酸イオン等は低減できるが、電解質液由来の電解質イオンが発生することが判明した。また、前記イオンを発生させない場合は、ペリクル枠体として使用できない着色度合になることが判明した。
【００１３】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、高エネルギーの光の照射下においてもヘイズの発生を低減しつつ、ペリクル枠体の異物検査に優れたペリクル枠体及びペリクルを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために、本発明者らは、鋭意研究を重ねた結果、ペリクル枠体の表面の酸化皮膜層が空隙を有し、その空隙率が所定値以上とすることにより、従来よりもヘイズの生成原因物質である酸性成分の含有量が低減し、更には、ペリクル枠体として使用可能な着色になり且つ異物検査も良好なペリクル枠体を得ることができることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１５】
すなわち、本発明に係るペリクル枠体は、枠状に形成され、開口部を覆う光学的薄膜体を展張支持するペリクル枠体であって、その表面に空隙を有する酸化皮膜層が設けられており、酸化皮膜層の空隙率が１０％以上であることを特徴とする。
【００１６】
一実施形態においては、酸化皮膜層には、空隙が形成されない領域が点在する。
【００１７】
一実施形態においては、酸化皮膜層は、α−Ａｌ２Ｏ３とγ−Ａｌ２Ｏ３の混合層を含む。
【００１８】
本発明に係るペリクルは、上記のペリクル枠体と、ペリクル枠体の開口部を覆うように展張支持された光学的薄膜体とを備える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、高エネルギーの光の照射下においてもヘイズの発生を低減すると共に、異物検査に優れたものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の一実施形態に係るペリクル枠体を用いたペリクルを示す斜視図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】ペリクル枠体の表面を示す顕微鏡写真である。
【図４】評価結果を示す表である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。図１は、本発明の一実施形態に係るペリクル枠体を用いたペリクルを示す斜視図であり、図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。図１及び図２に示すように、ペリクル１は、ペリクル枠体２と、ペリクル枠体２の上縁面２ｅに展張支持されたペリクル膜（光学的薄膜体）３と、ペリクル枠体２の下縁面２ｆに塗布された粘着体１０と、粘着体１０に粘着され、この粘着体１０を保護する保護フィルムＦとを備えている。
【００２２】
このペリクル枠体２は、対向する一対の長辺２ａ，２ｂと、この長辺２ａ，２ｂよりも短い対向する一対の短辺２ｃ，２ｄとから構成されており、平面視において矩形状を呈している。ペリクル枠体２において、長辺２ａと長辺２ｂとの長さは等しく形成されており、短辺２ｃと短辺２ｄとの長さは等しく形成されている。ペリクル枠体２は、矩形状の開口部４を有しており、長辺２ａ，２ｂ及び短辺２ｃ，２ｄは、開口部４の周縁を形成している。
【００２３】
ペリクル膜３の材質としては、特に制限はないが透過率が高く耐光性の高いものが好ましい。例えば、従来エキシマレーザー用に使用されている、非晶質フッ素ポリマー等が好適に用いられる。非晶質フッ素ポリマーの例としては、サイトップ（旭硝子（株）製商品名）、テフロン（登録商標）、ＡＦ（デュポン社製商品名）等が挙げられる。これらのポリマーは、ペリクル膜３の作製時に必要に応じて溶媒に溶解して使用してもよく、例えば、フッ素系溶媒などで適宜溶解しえる。ペリクル枠体２にペリクル膜３を展張する方法としては、特に制限はなく、公知の方法を用いることができる。また、ペリクル膜３の膜厚としては、０．２０μｍ以上１０μｍ以下がよい。好ましくは、０．２５μｍ以上８．０μｍ以下、更には０．６μｍ以下である。膜厚が０．２０μｍ以上１０μｍ以下であれば、透過率もよく製造上作製可能な範囲になるため好ましい。
【００２４】
ペリクル膜３を接着する接着剤としては、従来から使用されているものを使用でき、例えば、アクリル樹脂接着剤、エポキシ樹脂接着剤、シリコーン樹脂接着剤、含フッ素シリコン接着剤等のフッ素ポリマー等を挙げることができるが、中でもフッ素系ポリマーが好適である。フッ素系ポリマーとしては、具体的にはサイトップシリーズ（旭硝子（株）製商品名）が挙げられる。
【００２５】
粘着体１０としては、アクリル系粘着材、シリコーン系粘着材、ＳＥＢＳ系等のゴム系粘着材、両面粘着テープ等が使用されるが、アウトガス、イオン等の関係よりアクリル系粘着材がより好ましい。粘着体１０は、必要により溶媒で希釈してペリクル枠体上端面に塗布し、加熱して乾燥し硬化させることにより形成することができる。この場合、接着剤の塗布方法としては、刷毛塗り、スプレー、自動ディスペンサーによる方法等が採用される。
【００２６】
粘着体１０を保護する保護フィルムＦは、ポリエチレンテレフタレート、ポリテトラフルオロエタン、フッ素樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリカーボネート、塩化ビニル、ポリプロピレン等からなるフィルムを用いることができる。また、粘着体１０の粘着力に応じて、離型剤、例えばシリコーン系離型剤、またはフッ素系離型剤を、保護フィルムの表面に塗布してもよい。保護フィルムの厚さは、例えば、１ｍｍ以下０．０１ｍｍ以上が好ましい。
【００２７】
また、ペリクル枠体２には、異物を捕集したり耐光性を向上させるために内壁粘着材や耐光性の良い樹脂等を内壁に設けたり、内壁を被覆したりすることもできる。内壁粘着材としては、例えば、アクリル系樹脂、アクリル系粘着材、フッ素系樹脂、フッ素系粘着材等が挙げられる。特に耐光性を考慮すると、好ましくは、フッ素系樹脂であり、具体的には、テトラフルオロエチレン共重合体、ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ビニリデンフルオライド共重合体等のフッ素系の共重合体等を例示できるが、特にこれらに限定されない。
【００２８】
続いて、上述のペリクル枠体２について、より詳細に説明する。ペリクル枠体２は、例えばアルミニウム、アルミニウム合金（５０００系、６０００系、７０００系等）、鉄及び鉄系合金、セラミックス（ＳｉＣ、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３等）、セラミックスと金属との複合材料（Ａｌ−ＳｉＣ、Ａｌ−ＡｌＮ、Ａｌ−Ａｌ２Ｏ３等）、炭素鋼、工具鋼、ステンレスシリーズ等からなる。これらの中でも、アルミニウム、アルミニウム合金が、軽量かつ剛性の面からより好ましい。
【００２９】
ペリクル枠体２の表面には、図２に示すように、空隙Ｋを有する酸化皮膜層Ｐが形成されている。酸化皮膜層Ｐは、空隙率が１０％以上であることが好ましい。更には、空隙率は、１２％以上、より好ましくは１４％以上である。また、酸化皮膜層Ｐの空隙率が高すぎると、イオンの析出量が増えるため、空隙率は、約７０％以下が好ましい。
【００３０】
酸化皮膜層Ｐの空隙率の評価方法としては、ペリクル枠体２の各辺１ヵ所ずつの表面をＳＥＭ（走査電子顕微鏡）にて３０００倍に拡大した写真において、空隙Ｋが多い場所で１０ｃｍ×１０ｃｍの正方形を選択し、正方形に対して０．３μｍ以上の空隙Ｋの面積の割合を算出したものを空隙率とした。空隙率が１０％以上である場合には、ペリクル枠体２を洗浄する洗浄水が孔の中まで入りこむ孔数が多くなることでペリクル枠体２の洗浄性が向上し、ペリクル枠体２から検出されるイオン量を従来よりも減らすことが可能になる。
【００３１】
また、酸化皮膜層Ｐにおいては、図３に示すように、空隙Ｋが０．３μｍ以上のものについては孔に対して環状を成していることが好ましく、環状部分は２．０μｍ以下であることが好ましい。
【００３２】
酸化皮膜層Ｐには、図３に示すように、空隙Ｋが形成されない領域Ｒが点在している。酸化皮膜層Ｐの全面に空隙Ｋが形成されている場合、そこから洗浄されなかった遷移金属イオンが分析中に析出することになるため、空隙Ｋが形成されない領域Ｒが点在することが好ましい。領域Ｒは、空隙Ｋが存在する周辺部より高いことが好ましく、最大高さとしては１μｍ以上５μｍ以下高いことが好ましい。凹凸の差が大きいと暗室内の集光灯下でペリクル枠体の異物検査をする際に光の散乱が激しくなり異物検査に時間を要することになる。
【００３３】
また、酸化皮膜層Ｐは、色合いを良くするために遷移金属を含むことが好ましく、遷移金属としては、元素周期表の１Ｂ族、２Ｂ族、３Ａ族、４Ａ族、５Ａ族、６Ａ族、７Ａ族が好ましく、更には、５Ａ族、６Ａ族が好ましい。特に、ジルコニア系、バナジウム系、モリブデン系、タングステン系、クロム系、マンガン系などは、微量でも黒色しやすいことから好ましい。更に、ペリクル枠体の耐光性の観点からタングステン系、バナジウム系が好ましく、特にバナジウム系が好ましい。
【００３４】
酸化皮膜層Ｐは、α−Ａｌ２Ｏ３とγ−Ａｌ２Ｏ３の混合層を含むことが好ましい。酸化皮膜層Ｐは、α−Ａｌ２Ｏ３の割合が多いほど硬い皮膜になる一方、脆くなりやすくなる。そのため、酸化皮膜層Ｐは、脆さを低減するために、γ−Ａｌ２Ｏ３と適度な割合で混合していることが好ましい。また、アルミニウム材は、α−Ａｌ２Ｏ３よりγ−Ａｌ２Ｏ３と結合しやすい。そのため、酸化皮膜層Ｐは、着色の面からもγ−Ａｌ２Ｏ３を混合していることが好ましい。
【００３５】
本実施形態では、上記ペリクル枠体２を得る一つの方法として、マイクロアーク酸化処理を一例として説明する。なお、ペリクル枠体２は他の方法により製造しても構わない。ここで、マイクロアーク酸化処理とは、電解質液内に装入した金属（陽極）とステンレス電極等（陰極）との間に数百ボルトの高電圧を印加し、金属の表面でマイクロアーク反応を形成し、金属板の表面に超硬質の酸化皮膜層Ｐを形成する表面処理技術である。電解液としては、遷移金属酸化物水溶液を用いるがこれに限定されるものではない。
【００３６】
上記電解液に、アルミニウム合金（例えばＡ６０６１）を陽極に、陰極にステンレス電極を浸漬し、約２５０Ｖ〜８００Ｖの高電圧を印可することで、アルミニウム表面でのアーク放電により約８００℃以上の高温プラズマによって酸化皮膜層Ｐが形成される。処理時間は約２〜３０分、電解液温度としては５〜６０℃、電流密度は３〜３０Ａ／ｄｍ２、電解液のｐＨはｐＨ７〜１２の範囲であることが好ましい。
【００３７】
また、電解液は、遷移金属系化合物以外に強固な酸化皮膜層Ｐを形成する上で、アルカリ性の水酸基イオンを含む電解液や酸素量の多いリン酸系やなどを含むことがより好ましい。メカニズムはとしては、電解液中で酸素量を多量に生成し、それが表層部分に混入することで、マイクロアーク処理による表層部分内の酸素濃度が高くなり、容易に酸化アルミニウムを生成させ、その後による高電圧で皮膜破壊が始まると予想される。また、電解液により、放電可能で高温でも表面が焦げ付かない状態とすることができる。具体的には、電解液は、ＫＯＨ、ＮａＯＨ、ＥＤＴＡ、ＳｉＯ３、Ｋ４Ｐ２Ｏ７、Ｎａ３ＰＯ４、Ｋ２ＨＰＯ４、Ｎａ２ＨＰＯ４、ＫＨ２ＰＯ４、ＮＨ４Ｈ２ＰＯ４、Ｃ４Ｈ６Ｏ６等を含むことが好ましい。
【００３８】
そして、酸化皮膜層Ｐは、上記の陽極酸化処理の条件を調整し、得られる膜厚を２．０〜３０．０μｍ、好ましくは３．０〜２８．０μｍ、更には４．０〜２５．０μｍとすることが望ましい。酸化皮膜層Ｐの厚みが２．０μｍより大きいと、着色処理で十分な着色性が得られ、酸化皮膜層Ｐの厚みが３０．０μｍより小さいと、アルミニウム材との密着性に優れる。
【００３９】
また、上記のような処理は、一般的に用いられる陽極酸化アルミニウム合金のような封孔処理をしないため封孔処理剤に含まれるＮｉが表面に析出しない。ヘイズはイオン種とイオン量が少ないほど良いため、Ｎｉ量も低減した方がより良い。具体的には、ペリクル枠体２に対してＮｉ含有量は８０ｐｐｍ以下であれば好ましく、評価方法としては遷移金属と同じ評価方法で測定可能である。なお、具体的な製造方法については、実施例にて説明する。
【００４０】
以上説明したように、本実施形態では、ペリクル枠体２の表面に空Ｋを有する酸化皮膜層Ｐが設けられており、酸化皮膜層Ｐの空隙率が１０％以上である。これにより、高エネルギーの光の照射下においてもヘイズの発生を低減しつつ、ペリクル枠体２の異物検査に優れるものとすることができる。
【実施例】
【００４１】
次に、実施例及び比較例を挙げて本実施形態をより具体的に説明するが、本実施の形態はその要旨を超えない限り、下記の実施例に限定されるものではない。
【００４２】
［実施例１］
ＪＩＳ  Ａ６０６１アルミニウム合金材を切断し、枠体外寸法１４９ｍｍ×１２２ｍｍ×５．８ｍｍ、枠体厚さ２ｍｍとなるように切削研磨して枠材を用意した。電解液（Ｖ２Ｏ５＋ＰＯ４塩）を用意し、陰極にステンレス電極を用意し、陽極に前記枠材を設置し、電解液温度２５℃、最高電圧３５０Ｖにて１０分処理した後、純水にて十分に洗浄し、ペリクル枠体を得た。
【００４３】
（ペリクル枠体の検査性評価）
上記で得たペリクル枠体の色合いを蛍光灯下で確認し、暗室内の集光灯下にて一般的な陽極酸化アルミニウム合金（比較例２）と比較して検査の難易度を作業者（１０名）に確認してもらった。検査良好な人８〜１０名を「○」、５〜７名を「△」、０〜４名を「×」とした。その結果を図３に示す。
【００４４】
また、上述の方法で得られたペリクル枠体をポリエチレン袋に入れ、枠体表面積１００ｃｍ２あたり純水１００ｍｌを加えて密封し、９０℃に保って３時間浸漬した。このようにして枠体からの溶出成分を抽出した抽出水を、セル温度３５℃、カラム（IonPacAS19）温度３５℃とし、１．０ｍｌ／ｍｉｎの条件でイオンクロマトグラフ分析装置（日本ダイオネクス社製ＩＣＳ−２１００）を用いて分析した。この抽出水から、硫酸イオン及び遷移金属イオンを検出した。結果を図４に示す。なお、図４において、「＜０．５０ｐｐｂ」は、定量下限以下であることを示している。
【００４５】
更に、本実施例１の条件で得た別のペリクル枠体を５ｃｍの棒状に切り出し、ＳＥＭ（株式会社日立ハイテクノロジーズ社製  ＳＵ１５１０走査電子顕微鏡）にて、加電圧１５ｋＶ、３０００倍にて観察した。その結果を図３に示す。
【００４６】
[実施例２]
印加電圧を４５０Ｖにした以外は実施例１と同様にして、ペリクル枠体を準備した。図４に示す項目を、実施例１と同様にしてそれぞれ評価した。結果を図４に示す。
【００４７】
[実施例３]
電解液をＮａ２ＷＯ４＋ＫＯＨに変更した以外は実施例２と同様にして、ペリクル枠体を準備した。図４に示す項目を、実施例１と同様にしてそれぞれ評価した。結果を図４に示す。
【００４８】
[実施例４]
印加する電圧を８１０Ｖにした以外は実施例１と同様にして、ペリクル枠体を準備した。図４に示す項目を、実施例１と同様にしてそれぞれ評価した。結果を図４に示す。
【００４９】
[比較例１]
印加する電圧を２４０Ｖにした以外は実施例１と同様にして、ペリクル枠体を準備した。図４に示す項目を、実施例１と同様にしてそれぞれ評価した。結果を図４に示す。
【００５０】
[比較例２]
実施例１同じ寸法の枠材を用意した。陽極酸化処理に用いる電解液を硫酸１６０ｇ／Ｌの水溶液として、１５℃で電解電圧２０Ｖの定電圧電解を２５分行った。そして、上記処理した枠材を、有機染料にて染色後、封孔剤（花見化学社製  シーリングＸシリーズ）を濃度４０ｍｌ／Ｌで含有した水溶液に枠材を入れ、９０℃にて２０分浸漬して封孔処理を行った。そして純水にて十分に洗浄し、ペリクル枠体を得た。図４に示す項目を、実施例１と同様にしてそれぞれ評価した。結果を図４に示す。
【符号の説明】
【００５１】
１…ペリクル、２…ペリクル枠体、３…ペリクル膜（光学的薄膜体）、４…開口部、Ｐ…酸化皮膜層。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図３】
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