(57)【要約】【課題】インダクタンスを低減させることができ、かつ、小型化すること。【解決手段】三相インバータ装置１０は、第１の半導体素子４２，４４，４６と電源の正極又は負極とを電気的に接続する第２のバスバー２９と、金属板２２〜２５と、第２の半導体素子４１，４３，４５と金属板２２〜２４を電気的に接続する第１のバスバー２６〜２８とを備える。第１のバスバー２６〜２８と、第２のバスバー２９とは、少なくとも一部が対向し、第１のバスバー２６〜２８と、第２のバスバー２９との対向部分の間には、樹脂１２が充填されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の配線層に搭載される第１の半導体素子と、
第２の配線層に搭載される第２の半導体素子と、
前記第２の半導体素子と前記第１の配線層とを電気的に接続するための第１のバスバーと、
前記第１の半導体素子と電源の正極又は負極とを電気的に接続するための第２のバスバーと、を備えた半導体装置であって、
前記第１のバスバーと、前記第２のバスバーとは、少なくとも一部が対向し、
前記第１のバスバーと、前記第２のバスバーとの対向部分の間には、樹脂が充填されることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
第１の配線層に搭載される第１の半導体素子と、
第２の配線層に搭載される第２の半導体素子と、
前記第１の半導体素子と電源の正極又は負極とを電気的に接続するための第２のバスバーと、
前記第２の配線層と前記電源における前記第２のバスバーが接続される極性とは異なる極性とを電気的に接続するための第３のバスバーと、を備えた半導体装置であって、
前記第２のバスバーと、前記第３のバスバーとは、少なくとも一部が対向し、
前記第２のバスバーと、前記第３のバスバーとの対向部分の間には、樹脂が充填されることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１の配線層及び前記第２の配線層が接合される絶縁層を備えることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁層には、放熱部材が接合されることを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記絶縁層と前記放熱部材には応力緩和部材が介装されることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の半導体素子には、３個の下アーム用スイッチング素子を含み、
前記第２の半導体素子には、３個の上アーム用スイッチング素子を含み、
前記第１の配線層は、３個形成されるとともに、各第１の配線層には、それぞれ前記下アーム用スイッチング素子のコレクタが電気的に接続され、
前記第２の配線層には、３個の前記上アーム用スイッチング素子のコレクタが電気的に接続され、
各第１の配線層のそれぞれと、各上アーム用スイッチング素子のエミッタは、第１のバスバーによって電気的に接続され、
各下アーム用スイッチング素子のそれぞれのエミッタと前記電源の負極は、前記第２のバスバーによって電気的に接続され、
前記第２の配線層には、第３のバスバーが接続されることを特徴とする請求項１〜請求項５のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記放熱部材は、冷媒を流通させる冷媒通路を有する冷却器であることを特徴とする請求項４〜請求項６のうちいずれか１項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電源と半導体素子とバスバーによって電気的に接続した半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、電力変換装置などの半導体装置としては、特許文献１に記載の半導体装置が挙げられる。
特許文献１に記載の半導体装置は、放熱ブロックの上面に半導体素子（ＩＧＢＴ）のコレクタ電極と、ダイオードの裏面電極とが半田によって接合されている。放熱ブロックは、放熱手段と、配線との双方を兼ねている。半導体素子のエミッタ電極とダイオードの表面電極は、リードによって接合されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−２０２８８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、半導体装置の駆動に伴う発熱量の低減などのために、半導体装置のインダクタンスを低減させることが望まれている。また、半導体装置は、例えば、自動車などに搭載されるため、半導体装置の小型化が望まれている。
【０００５】
本発明は、このような従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、インダクタンスを低減させることができ、かつ、小型化できる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するため、請求項１に記載の発明は、第１の配線層に搭載される第１の半導体素子と、第２の配線層に搭載される第２の半導体素子と、前記第２の半導体素子と前記第１の配線層とを電気的に接続するための第１のバスバーと、前記第１の半導体素子と電源の正極又は負極とを電気的に接続するための第２のバスバーと、を備えた半導体装置であって、前記第１のバスバーと、前記第２のバスバーとは、少なくとも一部が対向し、前記第１のバスバーと、前記第２のバスバーとの対向部分の間には、樹脂が充填されることを要旨とする。
【０００７】
これによれば、第１のバスバーと第２のバスバーとは、少なくとも一部が対向する。第１のバスバーを流れる電流の向きは、第２のバスバーを流れる電流の向きと逆方向である。このため、第１のバスバーに電流が流れることによって発生する磁束と、第２のバスバーに電流が流れることによって発生する磁束は、相互誘導作用によって打ち消されて、半導体装置のインダクタンスが低減する。また、第１のバスバーと第２のバスバーとの間に樹脂を充填することで、樹脂が絶縁層として機能する。このため、半導体装置のインダクタンスを低減させるために第１のバスバーと第２のバスバーとを対向配置させても、間に絶縁層が介在されるため、絶縁距離（空間距離）を短くすることができる。このため、第１のバスバーと第２のバスバーとの離間距離を短くすることができる。したがって、絶縁距離を確保するために第１のバスバーと第２のバスバーとの離間距離が長くなることが抑えられ、半導体装置を小型化することができる。
【０００８】
請求項２に記載の発明は、第１の配線層に搭載される第１の半導体素子と、第２の配線層に搭載される第２の半導体素子と、前記第１の半導体素子と電源の正極又は負極とを電気的に接続するための第２のバスバーと、前記第２の配線層と前記電源における前記第２のバスバーが接続される極性とは異なる極性とを電気的に接続するための第３のバスバーと、を備えた半導体装置であって、前記第２のバスバーと、前記第３のバスバーとは、少なくとも一部が対向し、前記第２のバスバーと、前記第３のバスバーとの対向部分の間には、樹脂が充填されることを要旨とする。
【０００９】
これによれば、第２のバスバーと、第３のバスバーとは、少なくとも一部が対向する。第２のバスバーを流れる電流の向きは、第３のバスバーを流れる電流の向きと逆方向である。このため、相互誘導作用によって、半導体装置のインダクタンスが低減する。また、第２のバスバーと第３のバスバーとの間に充填された樹脂が絶縁層として機能することで、絶縁距離を短くすることができる。このため、絶縁距離を確保するために第２のバスバーと第３のバスバーとの離間距離が長くなることが抑えられ、半導体装置を小型化することができる。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の半導体装置であって、前記第１の配線層及び前記第２の配線層が接合される絶縁層を備えることを要旨とする。
これによれば、第１の配線層と第２の配線層との電気的絶縁性を確保しやすい。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明であって、前記絶縁層には、放熱部材が接合されることを要旨とする。
これによれば、第１の半導体素子及び第２の半導体素子が発した熱は、絶縁層を介して放熱部材に伝導する。そして、放熱部材によって第１の半導体素子及び第２の半導体素子が発した熱を放熱することができる。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、請求項４に記載の半導体装置であって、前記絶縁層と前記放熱部材には応力緩和部材が介装されることを要旨とする。
これによれば、放熱部材の線膨脹係数と絶縁層の線膨脹係数との相違に起因して熱応力が発生したときに、その熱応力が応力緩和部材によって緩和される。このため、絶縁層と放熱部材との間の接合部にクラックが生じることを抑制することができる。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、請求項１〜請求項５のうちいずれか１項に記載の半導体装置であって、前記第１の半導体素子には、３個の下アーム用スイッチング素子を含み、前記第２の半導体素子には、３個の上アーム用スイッチング素子を含み、前記第１の配線層は、３個形成されるとともに、各第１の配線層には、それぞれ前記下アーム用スイッチング素子のコレクタが電気的に接続され、前記第２の配線層には、３個の前記上アーム用スイッチング素子のコレクタが電気的に接続され、各第１の配線層のそれぞれと、各上アーム用スイッチング素子のエミッタは、第１のバスバーによって電気的に接続され、各下アーム用スイッチング素子のそれぞれのエミッタと前記電源の負極は、前記第２のバスバーによって電気的に接続され、前記第２の配線層には、第３のバスバーが接続されることを要旨とする。
【００１４】
これによれば、本発明の半導体装置を三相インバータ装置に具体化することができる。
請求項７に記載の発明は、請求項４〜請求項６のうちいずれか１項に記載の半導体装置であって、前記放熱部材は、冷媒を流通させる冷媒通路を有する冷却器であることを要旨とする。
【００１５】
これによれば、半導体素子が発する熱を、冷媒通路を流通する冷媒によって効率よく冷却することができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、インダクタンスを低減することができ、かつ、小型化できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態における三相インバータ装置の分解斜視図。
【図２】実施形態における三相インバータ装置の平面図。
【図３】実施形態における三相インバータ装置を示す図２の３−３線断面図。
【図４】実施形態における三相インバータ装置を示す図２の４−４線断面図。
【図５】実施形態における三相インバータ装置の電気的構成を示す回路図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の半導体装置を三相インバータ装置に具体化した一実施形態を図１〜図５にしたがって説明する。
図１に示すように、半導体装置としての三相インバータ装置１０は、回路基板２０上に６個の半導体素子４１〜４６が接合されるとともに、回路基板２０に冷却器１１が熱的に接合されている。
【００１９】
回路基板２０は、絶縁層としての矩形板状のセラミック基板２１と、セラミック基板２１の表面に接合された第１の金属板２２、第２の金属板２３、第３の金属板２４及び第４の金属板２５とから構成されている。金属板２２〜２５は、セラミック基板２１に積層されている。各金属板２２〜２５は、電気的に絶縁されている。金属板２２〜２５は、それぞれ、アルミニウムなどの導電材料から形成されている。
【００２０】
第１の金属板２２、第２の金属板２３及び第３の金属板２４は、セラミック基板２１の長手方向に並んで設けられている。また、第４の金属板２５は、第１の金属板２２、第２の金属板２３及び第３の金属板２４のそれぞれと、セラミック基板２１の短手方向に並んで設けられている。本実施形態では、第１の金属板２２、第２の金属板２３及び第３の金属板２４が第１の配線層として機能する。また、第４の金属板２５が第２の配線層として機能している。
【００２１】
各金属板２２〜２４には、それぞれ、第１の半導体素子４２，４４，４６が１個ずつ接合されている。第４の金属板２５には、３個の第２の半導体素子４１，４３，４５が接合されている。
【００２２】
図２に示すように、各金属板２２〜２４には、それぞれ、平面視矩形状をなす板状の第１のバスバー２６〜２８が接合されている。第１のバスバー２６の長手方向第１端部の裏面は、第１の金属板２２の表面に接合されている。第１のバスバー２６の長手方向第２端部の裏面は、第２の半導体素子４１の表面に接合されている。第１のバスバー２７の長手方向第１端部の裏面は、第２の金属板２３の表面に接合されている。第１のバスバー２７の長手方向第２端部の裏面は、第２の半導体素子４３の表面に接合されている。第１のバスバー２８の長手方向第１端部の裏面は、第３の金属板２４の表面に接合されている。第１のバスバー２８の長手方向第２端部の裏面は、第２の半導体素子４５の表面に接合されている。第１のバスバー２６〜２８によって、金属板２２〜２４と第２の半導体素子４１，４３，４５は電気的に接続されている。
【００２３】
各第１の半導体素子４２，４４，４６の表面には、電源の負極に電気的に接続される第２のバスバー２９が接合されている。第２のバスバー２９は、平面視矩形状をなす板状の本体部３０と、本体部３０の長手方向に沿って本体部３０の短手方向に向けて３箇所から突出する平面視矩状をなす板状の接続部３１〜３３とを有している。接続部３１の先端の裏面は、第１の半導体素子４２の表面に接合されている。接続部３２の先端の裏面は、第１の半導体素子４４の表面に接合されている。接続部３３の先端の裏面は、第１の半導体素子４６の表面に接合されている。第２のバスバー２９によって、各第１の半導体素子４２，４４，４６と電源の負極とは電気的に接続されている。
【００２４】
第４の金属板２５には、電源の正極に接続される第３のバスバー３４が接合されている。第３のバスバー３４によって、第４の金属板２５と電源の正極とは電気的に接続されている。したがって、第２のバスバー２９と第３のバスバー３４とは、電源の異なる極性に電気的に接続されている。
【００２５】
図２及び図３に示すように、第２のバスバー２９の本体部３０と、第３のバスバー３４とは、その厚み方向に対向している。図２に示すように、平面視において、第２のバスバー２９の本体部３０は、第３のバスバー３４に対して若干本体部３０の短手方向にずれて配置されている。このため、第３のバスバー３４と、第２のバスバー２９の本体部３０とは、一部がその厚み方向（セラミック基板２１と金属板２２〜２５の積層方向）に対向している。
【００２６】
図２及び図４に示すように、各第１のバスバー２６〜２８のそれぞれと、第２のバスバー２９の接続部３１〜３３及び本体部３０とは、厚み方向に対向している。図２に示すように、平面視において、第２のバスバー２９の接続部３１〜３３は、第１のバスバー２６〜２８に対して若干接続部３１〜３３の短手方向にずれて配置されている。このため、第１のバスバー２６〜２８と、第２のバスバー２９とは、一部がその厚み方向（セラミック基板２１と金属板２２〜２５の積層方向）に対向している。
【００２７】
図２に示すように、第３のバスバー３４、第２のバスバー２９及び第１のバスバー２６〜２８は、その厚み方向の面が金属板２２〜２５と対向するように配設されている。したがって、第３のバスバー３４、第２のバスバー２９及び第１のバスバー２６〜２８は、厚み方向の面が、金属板２２〜２５と平行をなしており、第３のバスバー３４、第２のバスバー２９及び第１のバスバー２６〜２８の面方向と、金属板２２〜２５の面方向とが一致している。
【００２８】
図３に示すように、セラミック基板２１の裏面には、アルミニウムなどの金属板からなる応力緩和部材３５が設けられている。応力緩和部材３５には、厚み方向に貫通する貫通孔３５ａが形成されている。
【００２９】
セラミック基板２１の裏面には、間に応力緩和部材３５を介装させた状態で、放熱部材としての冷却器１１が接合されている。冷却器１１の内部には、直線状に延びる複数の冷媒通路１１ａが区画されている。冷却器１１には、図示しない冷媒流入部及び冷媒流出部が形成されており、冷媒流入部から流入した冷媒が、冷媒通路１１ａを流通して冷媒流出部から流出するように構成されている。
【００３０】
三相インバータ装置１０は、冷却器１１上に設けられた部材が、絶縁性の樹脂１２によって冷却器１１に対して樹脂モールドされている。具体的にいえば、樹脂１２は、冷却器１１の表面に形成されており、第１の半導体素子４２，４４，４６、第２の半導体素子４１，４３，４５、各金属板２２〜２５、セラミック基板２１、応力緩和部材３５、第１のバスバー２６〜２８、第２のバスバー２９及び第３のバスバー３４を覆っている。樹脂１２は、各部材の間に充填されている。これにより、第２のバスバー２９と第３のバスバー３４との間には、第２のバスバー２９と第３のバスバー３４の対向部分も含む全体にわたって樹脂１２が充填されている。また、第２のバスバー２９と第１のバスバー２６〜２８との間には、第２のバスバー２９と第１のバスバー２６〜２８の対向部分も含む全体にわたって樹脂１２が充填されている。第３のバスバー３４及び第２のバスバー２９の本体部３０の一部は、樹脂１２から突出しており、この部分に対して外部電極などを介して電源が電気的に接続される。
【００３１】
次に、本実施形態の三相インバータ装置１０の電気的構成について図５にしたがって説明する。
図５に示すように、第１の半導体素子４２，４４，４６及び第２の半導体素子４１，４３，４５は、それぞれ、１個のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６と１個のダイオードＤが一つのデバイスとして組み込まれて構成されている。第２の半導体素子４１，４３，４５のそれぞれに組み込まれた第１のスイッチング素子Ｑ１、第３のスイッチング素子Ｑ３及び第５のスイッチング素子Ｑ５は、三相インバータ装置１０の上アーム用スイッチング素子として機能している。第１の半導体素子４２，４４，４６のそれぞれに組み込まれた第２のスイッチング素子Ｑ２、第４のスイッチング素子Ｑ４及び第６のスイッチング素子Ｑ６は、三相インバータ装置１０の下アーム用スイッチング素子として機能している。各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６としては、例えば絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ（insulated gate bipolar transistor：ＩＧＢＴ）やパワーＭＯＳＦＥＴ（metal oxide semiconductor field effect transistor）等のパワー半導体素子が用いられる。第１の半導体素子４２，４４，４６の表面及び第２の半導体素子４１，４３，４５の表面には、それぞれ、各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６のゲート電極及びエミッタ電極が設けられている。第１の半導体素子４２，４４，４６の裏面及び第２の半導体素子４１，４３，４５の裏面には、それぞれ、各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６のコレクタ電極が設けられている。また、各第１の半導体素子４２，４４，４６の表面及び各第２の半導体素子４１，４３，４５の表面には、それぞれ、ダイオードＤのアノードが設けられるとともに、裏面には、それぞれ、ダイオードＤのカソードが設けられている。
【００３２】
第１のスイッチング素子Ｑ１と第２のスイッチング素子Ｑ２、第３のスイッチング素子Ｑ３と第４のスイッチング素子Ｑ４、第５のスイッチング素子Ｑ５と第６のスイッチング素子Ｑ６はそれぞれ直列に接続されている。
【００３３】
スイッチング素子Ｑ１，Ｑ３，Ｑ５のコレクタはそれぞれ、第４の金属板２５及び第３のバスバー３４を介して電源としてのバッテリＢの正極に接続されている。スイッチング素子Ｑ２，Ｑ４，Ｑ６のエミッタはそれぞれ、第２のバスバー２９によってバッテリＢの負極に接続されている。
【００３４】
各スイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６のエミッタとコレクタ間には、それぞれダイオードＤが逆並列に、すなわちカソードがエミッタにアノードがコレクタに対応する状態に接続されている。
【００３５】
第１のスイッチング素子Ｑ１と第２のスイッチング素子Ｑ２の接続点、第３のスイッチング素子Ｑ３と第４のスイッチング素子Ｑ４の接続点及び第５のスイッチング素子Ｑ５と第６のスイッチング素子Ｑ６の接続点は、負荷５１（例えば、三相モータ）に接続されている。そして、三相インバータ装置１０は、バッテリＢから供給される直流電力を交流電力に変換して負荷５１に供給する。
【００３６】
次に、本実施形態の三相インバータ装置１０の作用について説明する。
第１のバスバー２６〜２８と第２のバスバー２９は、一部がその厚み方向に対向している。第２のバスバー２９と第３のバスバー３４は、一部がその厚み方向に対向している。第１のバスバー２６〜２８及び第３のバスバー３４を流れる電流の向きは、第２のバスバー２９を流れる電流の向きと逆方向である。このため、第１のバスバー２６〜２８及び第３のバスバー３４に電流が流れることによって発生する磁束と、第２のバスバー２９に電流が流れることによって発生する磁束は、相互誘導作用によって打ち消される。
【００３７】
また、第１のバスバー２６〜２８と第２のバスバー２９との間には、樹脂１２が充填されている。同様に、第２のバスバー２９と第３のバスバー３４との間には、樹脂１２が充填されている。三相インバータ装置１０が駆動されるときには第１のバスバー２６〜２８、第２のバスバー２９及び第３のバスバー３４に電流が流れる。このとき、樹脂１２は絶縁層として機能する。
【００３８】
したがって、上記実施形態によれば、以下のような効果を得ることができる。
（１）第１のバスバー２６〜２８と第２のバスバー２９は、一部がその厚み方向に対向している。このため、相互誘導作用によって、三相インバータ装置１０のインダクタンスが低減する。また、第１のバスバー２６〜２８と第２のバスバー２９との間に充填された樹脂１２が絶縁層として機能するため、絶縁距離（空間距離）を短くすることができる。このため、第１のバスバー２６〜２８と、第２のバスバー２９との離間距離を短くすることができる。したがって、絶縁距離を確保するために第１のバスバー２６〜２８と、第２のバスバー２９との離間距離が長くなることが抑えられ、三相インバータ装置１０を小型化することができる。
【００３９】
（２）第２のバスバー２９と第３のバスバー３４は、一部がその厚み方向に対向している。このため、相互誘導作用によって、三相インバータ装置１０のインダクタンスが更に低減する。また、第２のバスバー２９と第３のバスバー３４の間に充填された樹脂１２が絶縁層として機能し、第２のバスバー２９と第３のバスバー３４の離間距離が長くなることが抑えられる。このため、三相インバータ装置１０を更に小型化することができる。
【００４０】
（３）各金属板２２〜２５は、セラミック基板２１の表面に設けられている。このため、各金属板２２〜２５の絶縁性を確保しやすい。
（４）セラミック基板２１の裏面には、冷却器１１が接合されている。したがって、各第１の半導体素子４２，４４，４６及び第２の半導体素子４１，４３，４５が発した熱は、セラミック基板２１を介して冷却器１１に伝導する。そして、冷却器１１によって第１の半導体素子４２，４４，４６及び第２の半導体素子４１，４３，４５が発した熱を放熱することができる。
【００４１】
（５）セラミック基板２１と冷却器１１の間には、応力緩和部材３５が介装されている。したがって、冷却器１１の線膨脹係数とセラミック基板２１の線膨脹係数との相違に起因して熱応力が発生したときに、その熱応力が応力緩和部材３５によって緩和される。このため、セラミック基板２１と冷却器１１との間の接合部にクラックが生じることを抑制することができる。このため、冷却器１１が応力緩和部材３５から剥離しにくい。
【００４２】
（６）第１の半導体素子及び第２の半導体素子としてスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６を採用し、第１のスイッチング素子Ｑ１と第２のスイッチング素子Ｑ２、第３のスイッチング素子Ｑ３と第４のスイッチング素子Ｑ４、第５のスイッチング素子Ｑ５と第６のスイッチング素子Ｑ６をそれぞれ直列接続している。そして、直列接続された一対のスイッチング素子Ｑ１〜Ｑ６がインバータ装置の１相を構成している。したがって、インバータ装置として三相インバータ装置１０を構成することができる。
【００４３】
（７）放熱部材として、冷媒を流通させることができる冷媒通路１１ａが形成された冷却器１１を用いている。したがって、第１の半導体素子４２，４４，４６及び第２の半導体素子４１，４３，４５が発する熱を、冷媒通路１１ａを流通する冷媒によって効率よく冷却することができる。
【００４４】
（８）第２のバスバー２９は、第１のバスバー２６〜２８及び第３のバスバー３４に対してずれて配置されている。このため、樹脂モールドするときに、樹脂が第２のバスバー２９と、第１のバスバー２６〜２８及び第３のバスバー３４との間に流れやすい。
【００４５】
（９）また、第２のバスバー２９、第１のバスバー２６〜２８及び第３のバスバー３４を半田などによって接合するときには、接合部の状態を確認しやすく、接合状態が良好か否かを判断しやすい。
【００４６】
（１０）また、第２のバスバー２９は、第１のバスバー２６〜２８及び第３のバスバー３４に対してずれて配置されていることで、半田などによる接合が行いやすい。
なお、実施形態は、以下のように変更してもよい。
【００４７】
○  実施形態において、第１のバスバー２６〜２８と第３のバスバー３４のどちらか一方のみが第２のバスバー２９と対向していてもよい。この場合、第１のバスバー２６〜２８と第３のバスバー３４のうち、第２のバスバー２９と対向するバスバーと第２のバスバー２９との間にのみ樹脂１２が充填されていてもよい。また、３個の第１のバスバー２６〜２８のうち、少なくともいずれか一つと、第２のバスバー２９とが対向していてもよい。
【００４８】
○  実施形態において、第３のバスバー３４及び第２のバスバー２９は、その厚み方向の面が金属板２２〜２５と平行をなすように配置したが、これに限られない。例えば、第３のバスバー３４及び第２のバスバー２９は、金属板２２〜２５に直交する方向に向けて延びるように配置されていてもよい。この場合、第３のバスバー３４及び第２のバスバー２９は、セラミック基板２１と金属板２２〜２５との積層方向に突出する。このため、三相インバータ装置１０を、金属板２２〜２５の面方向に対して小型化することができる。
【００４９】
○  実施形態において、冷却器１１が絶縁性の材料によって形成されている場合や、冷却器１１の表面が絶縁性の材料でコーティングされている場合には、セラミック基板２１を設けず、金属板２２〜２５を直接冷却器１１に接合してもよい。また、絶縁性を有する部材であれば、冷却器１１以外の部材に金属板２２〜２５を設けてもよい。
【００５０】
○  実施形態において、三相インバータ装置１０の駆動に伴い発生する熱を冷却器１１以外の手段によって十分に冷却できる場合には、冷却器１１を設けなくてもよい。
○  実施形態において、三相インバータ装置１０の駆動に伴い発生する熱によって生じる熱応力が低い場合には、応力緩和部材３５を設けなくてもよい。この場合、セラミック基板２１の裏面に冷却器１１の表面がロウ付けされる。
【００５１】
○  実施形態において、放熱部材として、板状の放熱部材を用いてもよい。
○  本発明の半導体装置を三相インバータ装置１０以外に具体化してもよい。例えば、単層インバータ装置やＤＣＤＣコンバータに具体化してもよい。
【符号の説明】
【００５２】
Ｑ１〜Ｑ６…スイッチング素子、１０…三相インバータ装置、１１…冷却器、１１ａ…冷媒通路、１２…樹脂、２１…セラミック基板、２２…第１の金属板、２３…第２の金属板、２４…第３の金属板、２５…第４の金属板、２６〜２８…第１のバスバー、２９…第２のバスバー、３４…第３のバスバー、３５…応力緩和部材、４１，４３，４５…第２の半導体素子、４２，４４，４６…第１の半導体素子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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