(57)【要約】      （修正有）【課題】磁石によって誘発される磁場角度に基づき複数の磁石に関連する複数の位置を測定することができる方法及び装置を提供する。【解決手段】第１の磁石１２０及び第２の磁石１２２に関連する磁場成分Ｂｘ、Ｂｙ、Ｂｚを感知装置である３Ｄホール効果センサ１３０で測定し、測定された磁場成分Ｂｘ、Ｂｙ、Ｂｚに基づき、第１の角度ｘｚ及び第２の角度ｙｚを識別する。識別された第１及び第２の角度ｘｚ、ｙｚにより、第１の磁石１２０及び第２の磁石１２２の位置を識別する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気角度位置センサに含まれる複数の磁石に関連する複数の磁場成分を測定し、
測定された磁場成分に基づき第１の角度を識別し、当該第１の角度は、前記複数の磁石の第１の磁石に関連する角度位置を表し、
測定された磁場成分に基づき第２の角度を識別し、当該第２の角度は、前記複数の磁石の第２の磁石に関連する角度位置を表し、
識別された第１の角度及び第２の角度に基づき、前記第１の磁石の位置を識別し、
識別された第１の角度及び第２の角度に基づき、前記第２の磁石の位置を識別すること、を含む方法。
【請求項２】
前記磁場成分は、Ｂｘ磁場成分と、Ｂｙ磁場成分と、Ｂｚ磁場成分とを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記磁場成分は、感知装置を使用して測定される、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記感知装置は、三次元（３Ｄ）ホール効果センサである、請求項３に記載の方法。
【請求項５】
複数の磁石と、
前記複数の磁石に関連する複数の磁場成分を測定するセンサと、
処理論理とを含み、
処理論理は、
測定された磁場成分に基づき第１の角度を識別し、当該第１の角度は、前記複数の磁石の中の第１の磁石に関連する角度位置を表し、
測定された磁場成分に基づき第２の角度を識別し、当該第２の角度は、前記複数の磁石の中の第２の磁石に関連する角度位置を表し、
識別された第１の角度及び第２の角度に基づき前記第１の磁石の位置を識別し、
識別された第１の角度及び第２の角度に基づき前記第２の磁石の位置を識別する、装置。
【請求項６】
前記磁場成分は、Ｂｘ磁場成分と、Ｂｙ磁場成分と、Ｂｚ磁場成分とを含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記磁場成分は、感知装置を使用して測定される、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記感知装置は、三次元（３Ｄ）ホール効果センサである、請求項７に記載の装置。
【請求項９】
磁気角度位置センサに含まれる複数の磁気に関連する複数の磁場成分を測定する手段と、
前記測定された磁場成分に基づき第１の角度を識別する手段であって、当該第１の角度が前記複数の磁石の第１の磁石に関連する角度位置を表す、前記識別する手段と、
前記測定された磁場成分に基づき第２の角度を識別する手段であって、当該第２の角度が前記複数の磁石の第２の磁石に関連する角度位置を表す、前記識別する手段と、
識別された第１の角度及び第２の角度に基づき前記第１の磁石の位置を識別する手段と、
識別された第１の角度及び第２の角度に基づき前記第２の磁石の位置を識別する手段と、を含む装置。
【請求項１０】
前記磁場成分は、Ｂｘ磁場成分と、Ｂｙ磁場成分と、Ｂｚ磁場成分とを含む、請求項９に記載の装置。
【請求項１１】
前記磁場成分は、感知装置を使用して測定される、請求項９に記載の装置。
【請求項１２】
前記感知装置は、三次元（３Ｄ）ホール効果センサである、請求項１１に記載の装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本願は、２０１３年３月１４日に出願され、“磁気角度位置センサ”と表題付けられた米国仮出願番号６１／７８１，７０６号の優先権とその利益を主張し、その内容は、参照することよってここに内容が完全に包含される。
【図面の簡単な説明】
【０００２】
本明細書に組み込まれ、かつ本明細書の一部を構成する添付の図面は、ここに記載されるひとつもしくは複数の実施例を例示し、当該記載とともに、これらの実施例を説明する。
【図１】図１は、二つの磁石及びセンサを有する磁気角度位置センサの例を示す。
【図２Ａ】図２Ａは、角度と二つの磁石の位置との間の関連のグラフを例示する。
【図２Ｂ】図２Ｂは、角度と二つの磁石の位置との間の関連のグラフを例示する。
【図２Ｃ】図２Ｃは、二つの磁石間のクロストークに関連し得るエラーを示すグラフの例示である。
【図２Ｄ】図２Ｄは、磁石に関連し得る束密度のグラフ例を示す。
【図３】図３は、第１の磁石及び第２の磁石の位置を識別するために使用され得る動作例のフローチャートを例示する。
【図４】図４は、磁気角度位置センサに使用され得る磁石の例を示す。
【図５Ａ】図５Ａは、丸い（円柱状に形成された）磁石及び円錐の（円錐状に形成された）磁石に関連する様々なパラメーターの結果例を示している様々なグラフを例示する。
【図５Ｂ】図５Ｂは、丸い（円柱状に形成された）磁石及び円錐の（円錐状に形成された）磁石に関連する様々なパラメーターの結果例を示している様々なグラフを例示する。
【図５Ｃ】図５Ｃは、丸い（円柱状に形成された）磁石及び円錐の（円錐状に形成された）磁石に関連する様々なパラメーターの結果例を示している様々なグラフを例示する。
【図６】図６は、ここに記載される一つまたはそれ以上の技術を実行し得る装置の例を示す。
【発明を実施するための形態】
【０００３】
以下の詳細な説明は、添付の図面を参照する。異なる図面での同一の参照番号は、同一または類似する要素と同一であるとみなし得る。また、以下の詳細な説明は、本発明を限定しない。
【０００４】
ここで述べられる技術は、例えば、磁石によって誘発される磁場角度に基づき複数の磁石に関連する複数の位置を測定するために使用され得る。ある実施例では、磁気角度位置センサは、磁石の移動により誘発される三次元（３Ｄ）の場を測定し得る回路を含み得る。当該回路は、モノリシックな集積回路（ＩＣ）に包含され得る。当該回路は、例えば、３Ｄ磁場を測定するためのホール効果技術を含むことができる。
【０００５】
具体的には、回路は、磁石に関連する磁場の磁束密度を測定し得る。当該磁束密度は、例えば、回路へ直交し、かつ並列に印加され得る。回路は、磁石に関連する磁場の様々な磁場成分を感知し得る。これらの磁場成分は、例えば、“Ｂｘ”、“Ｂｙ”およびまたは、“Ｂｚ”成分を含むことができ、ここで、“Ｂ”が磁場の強さを示し、“ｘ”、“ｙ”、“ｚ”が磁場の方向を示す。
【０００６】
図１は、第１の磁石１２２と、第２の磁石１２０と、感知装置１３０とを有する磁気角度位置センサ１００の例を示している。磁気角度位置センサ１００は、例えば感知装置１３０の位置に関して、磁石１２０、１２２の位置を測定するために使用され得る。
【０００７】
磁気角度位置センサ１００は、例えば磁石のような磁気素子の位置を識別するために、ここで述べられる一つまたはそれ以上の技術を取り入れ得る装置の例であることに留意すべきである。しかしながら、その他の装置が、磁気素子の位置を識別するため、ここで述べられる一つまたはそれ以上の技術を取り入れ得ることが留意されるべきである。例えば、二つより多い磁石及び２つまたはそれ以上の感知装置を含む装置は、当該装置内に含まれる１つまたはそれ以上の磁石の位置を識別するために、ここで述べられる１つまたはそれ以上の技術を実施し得る。
【０００８】
ここで図１を参照すると、第１の磁石１２２は、環状体(トロイド)のように形成されることができるが、さらに以下で説明されるであろうように、その他の形状が使用され得る。第１の磁石１２２は、当該第１の磁石１２２を保護するコーティングを含み得る。第１の磁石１２２は、磁性材料で作られ得る。適切な磁性材料は、例えば、アルミニウム、ニッケル及びコバルト（ＡｌＮｉＣｏ）のような鉄合金、ネオジム、フェライトまたはサマリウムコバルト、を含み得る。その他、適切な磁性材料が使われ得ることに留意すべきである。
【０００９】
第２の磁石１２０もまた、環状体のように形成され得るが、例えば以下で述べられる形状のような他の形状が使用され得る。第２の磁石１２０もまた、当該第２の磁石１２０を保護する、コーティングを含み得る。さらに、第２の磁石１２０もまた、例えば上記で述べられたような適切な磁性材料で作られ得る。
【００１０】
感知装置１３０は、磁石１２０及び１２２に関連する磁場成分“Ｂｘ”、“Ｂｙ”、“Ｂｚ”を識別することが可能な３Ｄホール効果センサであり得る。感知装置１３０は、例えば、“Ｂｘ”、“Ｂｙ”、“Ｂｚ”成分を同定するために使用され得る電子回路を含み得る。
【００１１】
感知装置１３０は、ＩＣの中に含まれ得る。感知装置１３０を実行するために使用され得る感知装置の例は、ベルギーのイーペルのマイクロエレクトロニクスインテグレートシステム（Microelectronics Integrated System）のメレキシス(Melexis)から入手可能なTriaxis（登録商標）シリーズのセンサＩＣを含み得る。使用され得るTriaxis（登録商標）シリーズのセンサＩＣの例は、Melexis MLX90365 センサＩＣである。
【００１２】
第１の磁石１２２は、それが感知装置１３０によって識別され得る（例えば、測定される）“Ｂｘ”成分に影響を及ぼすが、感知装置１３０によって識別される“Ｂｙ”成分には影響を及ぼさないように、配置され、および／または、設計され得る。第２の磁石１２０は、それが感知装置１３０によって識別され得る“Ｂｙ”成分に影響を及ぼすが、感知装置１３０によって識別される“Ｂｘ”成分には影響を及ぼさないように、配置され、および／または、設計され得る。
【００１３】
例えば、直交する点（例えば、９０°点であるが、角度が９０°と異なっていても良い）において、感知装置１３０によって測定される“Ｂｙ”成分は、第１の磁石１２２ではなく第２の磁石１２０によって影響を及ぼされ得る。また、直交する点において、感知装置１３０によって測定される“Ｂｘ”成分は、第２の磁石１２０ではなく第１の磁石１２２によって影響を及ぼされ得る。
【００１４】
感知装置１３０によって識別され得る“Ｂｚ”成分の読取りは、例えば、磁気角度位置センサ１００の動作に関連され得る温度、および／または、ドリフト効果を補償するために使用され得る。“Ｂｚ”成分は、例えば“Ｂｘ”及び“Ｂｙ”成分に対して直角であり得る。“Ｂｚ”は、第１の磁石１２２及び第２の磁石１２０の両方によって影響を及ぼされ得る。例えば、第１の磁石１２２の位置及び第２の磁石１２０の位置は、“Ｂｚ”に影響を及ぼし得る。
【００１５】
角度“ｘｚ”及び角度“ｙｚ”は、“Ｂｘ”、“Ｂｙ”、“Ｂｚ”を使用して識別され得る。例えば、角度“ｘｚは”、公式：角度“ｘｚ”＝ａｒｃｔａｎ（Ｂｘ／Ｂｚ）を使用して識別され得る。角度“ｙｚ”は、例えば、公式：角度“ｙｚ”＝ａｒｃｔａｎ（Ｂｙ／Ｂｚ）を使用して識別され得る。さらに以下で述べられるように、角度“ｘｚ”は、磁石１２２の位置を識別するために使用され得るし、角度“ｙｚ”は、磁石１２０の位置を識別するために使用され得る。
【００１６】
磁石１２０の位置及び磁石１２２の位置は、様々な要因を含み得ることに留意すべきである。これらの要因は、例えば、磁石１２０、１２２の形状；磁石１２０、１２２および感知装置１３０間の距離；磁石１２０、１２２間の距離；および磁石１２０、１２２に関する感知装置１３０の角度を含み得る。
【００１７】
磁気角度位置センサ１００は、様々な装置において実施され得る。例えば、磁気角度位置センサ１００のような、磁気角度位置センサを実施し得る装置の例は、二重クラッチトランスミッション（ＤＣＴ）を含み得る。その他の装置が、ここで述べられる一つまたはそれ以上の技術を取り入れる磁気角度位置センサを実施し得ることは、留意されるべきである。磁気角度位置センサ１００を実施し得る装置６００の例は、図６に関して、さらに以下で述べられるだろう。
【００１８】
図２Ａは、角度“ｘｚ”と、磁石１２０及び１２２の位置との関係のグラフの例を示す。図２Ａを参照すると、第１の磁石１２２の位置は、変数“ｚ１”によって識別され得る。第２の磁石１２０の位置は、変数“ｚ２”によって識別され得る。
【００１９】
図２Ｂは、角度“ｙｚ”と、磁石１２０及び１２２の位置との関係のグラフの例を示す。図２Ｂを参照すると、第１の磁石１２２の位置は、変数“ｚ１”によって識別され、第２の磁石１２０の位置は、変数“ｚ２”によって識別され得る。
【００２０】
グラフ２Ａ及び２Ｂの両方を組み合わせることにより、二つの未知の位置“ｚ１”及び“ｚ２”は、角度“ｘｚ”及び角度“ｙｚ”を知ることで、識別され得る。
【００２１】
図２Ｃは、例えば、第１の磁石１２２及び第２の磁石１２０のような、２つの磁石間のクロストークに関連し得るエラーを示すグラフの例である。図２Ｂを参照し、角度“ｙｚ”は、第２の磁石位置“ｚ２”に関連すると仮定する。“Ｂｚ”が、例えば、ゼロまたは第１の磁石位置“ｚ１”の一定の関数であるとき、クロストークが不在となり得る。
【００２２】
ここで、角度“ｙｚ”は第２の磁石位置“ｚ２”に関連し、角度“ｙｚ”は、“ｚ１”がゼロと等しい時、キャリブレートされると仮定する。クロストークは、例えば、ゼロと等しくない“ｚ１”に対する角度“ｙｚ”曲線とゼロと等しい“ｚ１”との差を識別することによって決定され得る。この差は、“ｚ２”が、例えば、百分率のフルスケール（ＦＳ）エラーとなる全ストロークを移動するとき、ゼロと等しい“ｚ１”に関係する角度の全体の変化によって割られる。
【００２３】
図２Ｃのグラフの例に示されるように、クロストークは、例えば、４．７％ＦＳまで上昇し得る。しかしながら、クロストークを可能な限り低くすることが望まれ得る。ゼロでないクロストークは、例えば、角度“ｘｚ”及び角度“ｙｚ”を識別し、かつ、識別された角度に基づき未知の位置“ｚ１”及び“ｚ２”を解明することに基づき訂正され得る。
【００２４】
図２Ｄは、第１の磁石１２２に関係し得る束密度のグラフの例を示している。図２Ｄを参照すると、グラフの例において、例えば第２の磁石１２０が存在しない時、第１の磁石１２２についての束密度が示される。また、グラフ内では、“Ｂｙ”は、対称の視点から説明され得るゼロであり得る。加えて、グラフ例において、“Ｂｚ”は、クロストーク値を４．７％ＦＳに制限し得る、ほぼ一定であり得る。もし“Ｂｚ”が一定であるならば、クロストークは、例えば、設計のゴールであり得る０％ＦＳであり得る。
【００２５】
図３は、例えば、第１の磁石１２２及び第２の磁石１２０のような第１の磁石及び第２の磁石の位置を、それぞれ識別するために使用され得る動作例のフローチャートを説明する。第１の磁石及び第２の磁石は、例えば、磁気角度位置センサ１００のような磁気角度位置センサの一部であり得る。磁気角度位置センサは、例えば、感知装置１３０のような感知する装置も含み得る。
【００２６】
図３を参照すると、ブロック３１０において、磁場成分“Ｂｘ”、“Ｂｙ”、“Ｂｚ”が測定される。磁場成分“Ｂｘ”、“Ｂｙ”、“Ｂｚ”は、例えば、感知装置１３０のような感知装置を使用して、測定され得る。
【００２７】
磁場成分“Ｂｙ”は、第２の磁石によって影響を及ぼされ得る。例えば、直交点において、磁場成分“Ｂｙ”は、第１の磁石ではなく第２の磁石によって影響を及ぼされ得る。磁場成分“Ｂｙ”は、感知装置を使用して測定され得る。
【００２８】
磁場成分“Ｂｘ”は、第１の磁石によって影響を及ぼされ得る。例えば、直交点において、磁場成分“Ｂｘ”は、第２の磁石ではなく第１の磁石によって影響を及ぼされ得る。磁場成分“Ｂｘ”は、感知装置を使用して測定され得る。
【００２９】
ブロック３１２において、角度“ｘｚ”及び角度“ｙｚ”が識別され得る。角度“ｘｙ”及び角度“ｙｚ”は、測定された“Ｂｘ”、“Ｂｙ”、“Ｂｚ”の磁気成分に基づき識別され得る。
【００３０】
例えば、角度“ｘｚ”は、式：角度“ｘｚ”＝ａｒｃｔａｎ（Ｂｘ／Ｂｚ）に基づき識別され、ここで、“Ｂｘ”及び“Ｂｚ”は、磁気成分“Ｂｘ”及び“Ｂｚ”であり、これらはそれぞれブロック３１０で測定されたものである。加えて、例えば、角度“ｙｚ”は、式：角度“ｙｚ”＝ａｒｃｔａｎ（Ｂｙ／Ｂｚ）に基づき識別され、ここで、“Ｂｙ”及び“Ｂｚ”は、磁気成分“Ｂｙ”及び“Ｂｚ”であり、これらはそれぞれブロック３１０で測定されたものである。
【００３１】
ブロック３１４において、第１の磁石の位置（“ｚ１”）及び第２の磁石の位置（“ｚ２”）は、ブロック３１２において識別された角度“ｘｚ”及び角度“ｙｚ”に基づき識別され得る。
【００３２】
例えば２つの磁石を利用する磁気角度位置センサでは、２つの磁石は同じ方向に分極化され得る。したがって、両磁石は、磁場成分“Ｂｚ”に寄与し得る。このことは、１つの磁石よりも２つの磁石が使用されるときの方が結果として生じる残留磁束密度場“Ｂｒ”がより高くなり得る、ということを意味し得る。より高い場は、より小さな磁石が使用されることを可能にし得る。
【００３３】
図４は、磁気角度位置センサ１００に使用され得る磁石４１０、４５０の例を説明する。図４を参照すると、磁石４１０は円柱状に形成され得る。矢印４１６は、磁石４１０の高さを示し得り、矢印４１８は、磁石４１０の長さを示し得る。磁石４１０の体積例は、４８５ミリメーター（ｍｍ）３であり得る。
【００３４】
矢印４１４は、感知装置１３０と磁石４１０との間の間隔を示し得る。当該間隔は、磁石４１０が感知装置１３０によって測定されることができる磁場の強さを提供し得るものであり得る。
【００３５】
例えば、結果として生じる場“Ｂｒ”は、次の式：“Ｂｒ”＝ｓｑｒｔ（Ｂｙ２＋Ｂｚ２）を使用して識別され、ここで、“ｓｑｒｔ”が平方根を表す。もし、感知装置１３０が、２００ガウスの最小の結果として生じる場“Ｂｒ”を必要とするならば、矢印４１４によって示される間隔は、例えば磁石４１０のストロークの終わりが少なくともこの要件を満たすようなものであり得る。実際には、その設計により、磁石４１０は、感知装置１３０にとって不可欠な“Ｂｒ”以上を提供し、それゆえ幾分過剰な設計と考えられ得る。
【００３６】
磁石４５０は、例えば磁気角度位置センサ１００のような磁気角度位置センサにおいて使用され得るその他の磁石の例である。磁石４５０は、円錐状に形成され得る。磁石４５０の長さは、矢印４５８によって示され得る。磁石４５０の体積例は、３３５ｍｍ３であり得る。
【００３７】
矢印４５４は、感知装置１３０と磁石４５０との間の間隔を示し得る。矢印４５４によって示される間隔は、例えば磁石４５０のストロークの終わりにおいて、少なくとも感知装置１３０にとっての“Ｂｒ”の最小要件が満たされるようなものであり得る。
【００３８】
磁石４５０は、矢印４５２によって示される第１の幅及び矢印４５６によって示される第２の幅を持ち得る。当該第１の幅は、磁石４５０に関連する最大の幅になり得、実質的に磁石４５０の中心に向かって配置され得る。第２の幅さは、実質的に磁石４５０の１つまたはそれ以上の終わりに向かって配置され得る。磁石４５０は、第１の幅から第２の幅に向かって徐々に傾斜され得る。
【００３９】
磁石４５０は、製造するのに磁石４１０よりも少ない材料を必要とし得、それゆえ、生産するのに磁石４１０よりも安価になり得る。加えて、磁石４５０に関連する“Ｂｒ”は、感知装置１３０によって必要とされる最小の“Ｂｒ”により近づくことができ、従って、磁石４５０は、磁石４１０がみなされたような過剰な設計とはみなされ得ない。
【００４０】
図５Ａ−図５Ｃは、円形の（円柱状に形成された）磁石及び円錐の（円錐状に形成された）磁石に関連する種々のパラメーターの結果例を示している様々なグラフの例を示している。プロット５２０ａ−ｆは、円錐状の磁石に関連する結果の例を示し、プロット５３０ａ―ｆは、円形の磁石に関連する結果の例を示す。図５Ａ−図５Ｃに例示されるプロットによってわかるように、円錐状の磁石及び円形の磁石の結果例は、例えば磁気角度位置センサに使用される時、円錐状の磁石が円形の磁石よりも性能が優れていることを示す傾向がある。
【００４１】
典型的な磁石対磁石の距離は、例えば４０ｍｍよりも短くなり得る。この場合、１つの感知装置１３０が、角度“ｘｚ”及び角度“ｙｚ”を測定するために使用され得る。角度“ｘｚ”に関する磁石１２０からの磁気的な影響／クロストークは、角度“ｙｚ”を使用することによって減少され得る。角度“ｙｚ”に関する磁石１２２からの磁気的な影響／クロストークは、角度“ｘｚ”を使用することによって減少され得る。
【００４２】
しかしながら、磁石対磁石の距離がより大きい（例えば、４０ｍｍから１００ｍｍ）とき、同様のアプローチが使用され得る。この場合、１つの感知装置の代わりに２つの感知装置が使用され得る。ここで、２つの技術が識別されることができ、第１の感知装置において角度ｘｚ＿１及び角度ｙｚ＿１が測定され、第２の感知装置において角度ｘｚ＿２及び角度ｙｚ＿２が測定され得る。
【００４３】
第１の技術は、角度ｘｚ＿１が第１の磁石によって主に影響を及ぼされていることを含み得る。角度ｘｚ＿１に関する第２の磁石からの磁気的な影響／クロストークは、角度ｙｚ＿１を使用することによって除去され得る。角度ｘｚ＿２は、例えば、主に第２の磁石によって影響を及ぼされ得る。角度ｘｚ＿２に関する第１の磁石からの磁気的な影響／クロストークは、例えば、角度ｙｚ＿２を使用することによって除去され得る。
【００４４】
第２の技術は、角度ｘｚ＿１が第１の磁石によって主に影響を及ぼされていることを含み得る。角度ｘｚ＿１に関する第２の磁石からの磁気的な影響／クロストークは、角度ｘｚ＿２を使用することによって除去され得る。角度ｘｚ＿２は、主に第２の磁石によって影響を及ぼされ得る。角度ｘｚ＿２に関する第１の磁石からの磁気的な影響／クロストークは、例えば、角度ｘｚ＿１を使用することによって除去され得る。
【００４５】
図６は、ここで述べられる１つまたはそれ以上の技術を実行し得る装置６００の例を説明する。図６を参照すると、装置６００は、磁気角度位置センサ１００及び計算装置６２０を含み得る。磁気角度位置センサ１００の実施例は上記で述べられている。
【００４６】
計算装置６２０は、処理ロジック６２２及びストレージ６２４を含み得る。処理ロジック６２２は、例えば、情報を解釈し、実行し、および／またはその他の処理をするためのロジックを含み得る。当該情報は、例えば、ストレージ６２４に記憶され得る情報を含み得る。
【００４７】
処理ロジック６２２は、様々な異種ハードウェアを含み得る。当該ハードウェアは、例えば、１つまたはそれ以上の、プロセッサー、マイクロプロセッサー、フィールドプログラマブルゲートアレイ（ＦＰＧＡｓ）、アプリケーション特定命令セットプロセッサー（ＡＳＩＰｓ）、特定用途集積回路（ＡＳＩＣｓ）、複合プログラマブルロジックデバイス（ＣＰＬＤｓ）、グラフィック処理ユニット（ＧＰＵｓ）、および／または、例えば、情報を解釈し、実行し、操作し、および／またはその他の処理をし得る処理論理回路のその他のタイプの、ある組み合わせを含み得る。処理ロジック６２２は、単一のコアまたは複数のコアを含み得る。処理ロジック６２２を実行するために使用され得るプロセッサーの例は、限定されるものではないが、カリフォルニアのサンタクララのインテルコーポレーションから入手できるインテルＡｔｏｍＴＭブランドプロセッサーを含む。
【００４８】
ストレージ６２４は、計算装置６２０のためのストレージを提供する。ストレージは、例えば、処理ロジック６２２によって使用され得るコンピュータが実行可能な命令および／またはデータのような情報を記憶するために使用され得る、実態的な一時的でない記憶装置であり得る。当該情報は、例えば、処理ロジックによって実行されるとき、ここで述べられる一つまたはそれ以上の技術を実行し得るコンピュータ実行可能な命令を含み得る。例えば、当該情報は、処理ロジック６２２によって実行されるとき、図３について上記で述べられた一つまたはそれ以上の動作を実行し得るコンピュータ実行可能な命令を含み得る。
【００４９】
ストレージ６２４は、情報を記憶するために使用され得る１つまたはメモリ装置を含み得る。メモリ装置は、例えば、当該メモリ装置に記憶された情報へのシリアルまたはランダムなアクセスを支援し得る。メモリ装置に記憶された情報へのシリアルアクセスを支援するメモリ装置は、シリアルメモリ装置と呼ばれ得る。メモリ装置に記憶される情報へのランダムアクセスを支援するメモリ装置は、ランダムアクセスメモリ（ＲＡＭ）装置と呼ばれ得る。
【００５０】
メモリ装置は、例えば、揮発性メモリ装置または不揮発性メモリ装置であり得る。揮発性メモリ装置は、電力がメモリ装置から取り除かれた後に、メモリ装置に記憶された情報を失くし得るメモリ装置であり得る。不揮発性メモリ装置は、電力がメモリ装置から取り除かれた後に、メモリ装置に記憶された情報を維持し得るメモリ装置であり得る。
【００５１】
ストレージ６２４に使用され得るメモリ装置の例は、限定されるものではないが、ダイナミックＲＡＭ（ＤＲＡＭ）デバイスと、フラッシュメモリデバイスと、スタティックＲＡＭ（ＳＲＡＭ）デバイスと、ゼロキャパシターＲＡＭ（ＺＲＡＭ）デバイスと、ツイントランジスターＲＡＭ（ＴＴＲＡＭ）デバイスと、リードオンリメモリ（ＲＯＭ）デバイスと、強誘電性トランジスターＲＡＭ（ＦｅＴＲＡＭ）デバイスと、磁気抵抗ＲＡＭ（ＭＲＡＭ）デバイスと、相変化メモリ（ＰＣＭ）デバイスと、ＰＣＭ及びスイッチ（ＰＣＭＳ）デバイスと、ナノワイヤーに基づくデバイスと、抵抗ＲＡＭメモリ（ＲＲＡＭ）デバイスと、電気的に消去可能なプログラマブルＲＯＭ（ＥＥＰＲＯＭ）デバイスと、を含む。
【００５２】
前記の実施例の記載は、例示及び記載を提供することを意図されており、発明を消耗させることまたはここに開示された正確な形態に限定することは意図されていない。変更及び変形は、上記の教示の観点から可能であり、または発明の実施から取得され得る。例えば、図３に関して一連の動作が上記で説明されたが、動作の順序は他の実施において変更され得る。さらに、従属関係の無い動作が、並行して実行され得る。
【００５３】
ここで使用される素子、動作、または命令は、そのようなことが明確に述べられない限りは、本発明に対して重要または不可欠と解釈されるべきではない。また、ここで使用されるように、冠詞“a”は、１つまたはそれより大きな項目を含むことが意図される。１つの項目のみが意図される箇所では、用語“one”または類似する言語が使用される。さらに、熟語“based on”は、その他に明確に述べられない限り、“based, at least in part, on”を意味することを意図される。
【００５４】
本発明は、上記で示される特定の実施例に限られないが、本発明は、次の添付された請求項の範囲に属する、いずれかまたは全ての特定の実施例及び均等物を含むだろうということが意図される。
【図３】
2014178316.tif 000003
【図６】
2014178316.tif 000004
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図２Ｄ】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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