(57)【要約】【課題】信頼性の低下を抑制することが可能な配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁基板上に位置するスイッチング素子及び配線と、前記スイッチング素子及び前記配線を覆うとともに前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する有機系レジストからなる第１膜厚の第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜の上に配置され前記第１コンタクトホールに貫通した第２コンタクトホールを有する有機系レジストからなる第２膜厚の第２層間絶縁膜と、前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続された電極と、を備えた配線基板。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子及び配線を備えた処理基板上に第１有機系レジスト材料を第１膜厚で塗布し、前記第１有機系レジスト材料に第１コンタクトホールを形成するための第１露光パターンで前記第１有機系レジストを露光し、前記第１有機系レジスト材料を現像し、前記第１有機系レジスト材料をアニールして、前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁膜を形成し、
前記第１層間絶縁膜の上に第２有機系レジスト材料を第２膜厚で塗布し、前記第２有機系レジスト材料に第２コンタクトホールを形成するための第２露光パターンで前記第２有機系レジスト材料を露光し、前記第２有機系レジスト材料を現像し、前記第２有機系レジスト材料をアニールして、前記第１コンタクトホールに貫通した第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜を形成する、配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールはいずれも多角形状であり、前記第１コンタクトホールのすべての角が前記第２層間絶縁膜によって覆われ、前記第２コンタクトホールのすべての角が前記第１層間絶縁膜の上に位置する、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記第１膜厚は前記第２膜厚よりも薄い、請求項１または２に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記第１膜厚は２μｍ以下である、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第１露光パターンは前記第２露光パターンとは異なる、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１有機系レジスト材料及び前記第２有機系レジスト材料は、アクリル系レジスト材料である、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
絶縁基板上に位置するスイッチング素子及び配線と、
前記スイッチング素子及び前記配線を覆うとともに前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する有機系レジストからなる第１膜厚の第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜の上に配置され前記第１コンタクトホールに貫通した第２コンタクトホールを有する有機系レジストからなる第２膜厚の第２層間絶縁膜と、
前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続された電極と、を備え、
前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールはいずれも多角形状であり、前記第１コンタクトホールのすべての角が前記第２層間絶縁膜によって覆われ、前記第２コンタクトホールのすべての角が前記第１層間絶縁膜の上に位置する、配線基板。
【請求項８】
絶縁基板上に位置するスイッチング素子及び配線と、
前記スイッチング素子及び前記配線を覆うとともに前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する有機系レジストからなる第１膜厚の第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜の上に配置され前記第１コンタクトホールに貫通した第２コンタクトホールを有する有機系レジストからなる第２膜厚の第２層間絶縁膜と、
前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続された電極と、を備え、
前記第１膜厚は前記第２膜厚よりも薄い、配線基板。
【請求項９】
絶縁基板上に位置するスイッチング素子及び配線と、
前記スイッチング素子及び前記配線を覆うとともに前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する有機系レジストからなる第１膜厚の第１層間絶縁膜と、
前記第１層間絶縁膜の上に配置され前記第１コンタクトホールに貫通した第２コンタクトホールを有する有機系レジストからなる第２膜厚の第２層間絶縁膜と、
前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続された電極と、を備え、
前記第１コンタクトホールは前記第２コンタクトホールとは異なる形状である、配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルや有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）パネルなどの表示パネルは、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、パーソナルコンピュータなどのＯＡ機器やテレビ、携帯電話などの携帯端末機器、カーナビゲーション装置、ゲーム機などの表示装置として広く利用されている。
【０００３】
このような表示パネルは、画像を表示するアクティブエリアにゲート配線やソース配線、スイッチング素子などを備えたアレイ基板を具備している。アレイ基板は、これらの各種配線を覆う有機絶縁膜を備え、その表面が平坦化されている。厚い膜厚の有機絶縁膜が必要とされる場合に、例えば、第１の感光性樹脂を塗布した後にプリベークして第１の感光性樹脂層を形成した後に、フォトマスクを介して露光し、第１感光性樹脂層の上に第２感光性樹脂を塗布した後にプリベークして第２の感光性樹脂層を形成した後に、フォトマスクを介して露光し、第１の感光性樹脂層及び第２の感光性樹脂層の不要箇所を現像液で一緒にエッチングして所定パターンを残存させ、より高い温度で加熱処理を行い、第１の感光性樹脂層及び第２の感光性樹脂層を同時に硬化する技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−２６０７６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本実施形態の目的は、信頼性の低下を抑制することが可能な配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本実施形態によれば、
絶縁基板上に位置するスイッチング素子及び配線と、前記スイッチング素子及び前記配線を覆うとともに前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する有機系レジストからなる第１膜厚の第１層間絶縁膜と、前記第１層間絶縁膜の上に配置され前記第１コンタクトホールに貫通した第２コンタクトホールを有する有機系レジストからなる第２膜厚の第２層間絶縁膜と、前記第１コンタクトホール及び前記第２コンタクトホールを介して前記スイッチング素子に電気的に接続された電極と、
を備えた配線基板が提供される。
【０００７】
本実施形態によれば、
スイッチング素子及び配線を備えた処理基板上に第１有機系レジスト材料を第１膜厚で塗布し、前記第１有機系レジスト材料に第１コンタクトホールを形成するための第１露光パターンで前記第１有機系レジストを露光し、前記第１有機系レジスト材料を現像し、前記第１有機系レジスト材料をアニールして、前記スイッチング素子まで貫通した第１コンタクトホールを有する第１層間絶縁膜を形成し、前記第１層間絶縁膜の上に第２有機系レジスト材料を第２膜厚で塗布し、前記第２有機系レジスト材料に第２コンタクトホールを形成するための第２露光パターンで前記第２有機系レジスト材料を露光し、前記第２有機系レジスト材料を現像し、前記第２有機系レジスト材料をアニールして、前記第１コンタクトホールに貫通した第２コンタクトホールを有する第２層間絶縁膜を形成する、配線基板の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施形態の配線基板を備えた表示装置ＤＳＰを概略的に示す平面図である。
【図２】図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬを構成するアレイ基板ＡＲの構造例を概略的に示す断面図である。
【図３】図３は、コンタクトホールＣＨに形成されるクラックを説明するための平面図である。
【図４】図４は、図２に示したアレイ基板ＡＲにおけるコンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の形状例を概略的に示す平面図である。
【図５】図５は、図２に示したアレイ基板ＡＲにおけるコンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の他の形状例を概略的に示す平面図である。
【図６】図６は、図２に示したアレイ基板のうちの第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４を形成するための製造方法を説明するための概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、各図において、同一又は類似した機能を発揮する構成要素には同一の参照符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１０】
図１は、本実施形態の配線基板を備えた表示装置ＤＳＰを概略的に示す平面図である。
【００１１】
ここに図示した表示装置ＤＳＰは、表示パネルＰＮＬとしてアクティブマトリクスタイプの液晶表示パネルを備えた液晶表示装置であるが、有機ＥＬ表示パネルを備えた有機ＥＬ表示装置であっても良い。本実施形態の配線基板は、例えば、図示した表示パネルＰＮＬのアレイ基板ＡＲに相当する。
【００１２】
すなわち、表示パネルＰＮＬは、アレイ基板ＡＲと、アレイ基板ＡＲに対向配置された対向基板ＣＴと、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間に保持された液晶層ＬＱと、を備えている。アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとは、これらの間に所定のセルギャップを形成した状態でシール材ＳＥによって貼り合わせられている。液晶層ＬＱは、アレイ基板ＡＲと対向基板ＣＴとの間のセルギャップにおいてシール材ＳＥによって囲まれた内側に保持されている。
【００１３】
このような表示パネルＰＮＬは、シール材ＳＥによって囲まれた内側に、画像を表示するアクティブエリアＡＣＴを備えている。アクティブエリアＡＣＴは、例えば、長方形状であり、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されている。
【００１４】
アレイ基板ＡＲは、第１方向Ｘに沿って延出した複数のゲート配線Ｇ、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに沿って延出した複数のソース配線Ｓ、ゲート配線Ｇ及びソース配線Ｓに接続されたスイッチング素子ＳＷ、スイッチング素子ＳＷに接続された画素電極ＰＥなどを備えている。液晶層ＬＱを介して画素電極ＰＥの各々と対向する共通電極ＣＥは、例えば対向基板ＣＴに備えられているが、アレイ基板ＡＲに備えられていても良い。
【００１５】
なお、表示パネルＰＮＬの詳細な構成については説明を省略するが、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モード、ＯＣＢ（Ｏｐｔｉｃａｌｌｙ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｂｅｎｄ）モード、ＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｅｄ）モードなどの主として縦電界を利用するモードや、ＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ  Ｆｉｅｌｄ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードなどの主として横電界を利用するモードなどを適用可能に構成されている。横電界を利用するモードを適用した構成では、画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥの双方がアレイ基板ＡＲに備えられる。
【００１６】
表示パネルＰＮＬの駆動に必要な信号を供給する信号供給源は、図示しないが、アクティブエリアＡＣＴよりも外側の周辺エリアＰＲＰに実装される。
【００１７】
図２は、図１に示した表示パネルＰＮＬを構成するアレイ基板ＡＲの構造例を概略的に示す断面図である。ここでは、ＦＦＳモードを適用したアレイ基板ＡＲの構造例について説明する。なお、図面では、説明に必要な主要部のみを図示している。
【００１８】
すなわち、アレイ基板ＡＲは、ガラス基板や樹脂基板などの第１絶縁基板１０を用いて形成されている。このアレイ基板ＡＲは、第１絶縁基板１０の上にスイッチング素子ＳＷ、画素電極ＰＥ、共通電極ＣＥ、第１絶縁膜１１、第２絶縁膜１２、第３絶縁膜（第１層間絶縁膜）１３、第４絶縁膜（第２層間絶縁膜）１４などを備えている。
【００１９】
スイッチング素子ＳＷは、例えばトップゲート型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）であり、半導体層ＳＣを備えている。半導体層ＳＣは、第１絶縁膜１１によって覆われている。また、第１絶縁膜１１は、第１絶縁基板１０の上にも配置されている。スイッチング素子ＳＷのゲート電極ＷＧは、ゲート配線Ｇと電気的に接続され、第１絶縁膜１１の上に形成されている。このゲート電極ＷＧは、第２絶縁膜１２によって覆われている。また、第２絶縁膜１２は、第１絶縁膜１１の上にも配置されている。
【００２０】
スイッチング素子ＳＷのソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第２絶縁膜１２の上に形成されている。ソース電極ＷＳは、ソース配線Ｓと電気的に接続され、半導体層ＳＣにコンタクトしている。ドレイン電極ＷＤは、ソース電極ＷＳから離間し、半導体層ＳＣにコンタクトしている。ソース電極ＷＳ及びドレイン電極ＷＤは、第３絶縁膜１３によって覆われている。また、第３絶縁膜１３は、第２絶縁膜１２の上にも配置されている。この第３絶縁膜１３には、ドレイン電極ＷＤまで貫通したコンタクトホールＣＨ１が形成されている。
【００２１】
共通電極ＣＥは、第３絶縁膜１３の上に形成されている。共通電極ＣＥは、第４絶縁膜１４によって覆われている。また、第４絶縁膜１４は、第３絶縁膜１３の上にも配置されている。この第４絶縁膜１４には、コンタクトホールＣＨ１に貫通したコンタクトホールＣＨ２が形成されている。
【００２２】
第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４は、それぞれ透明な有機絶縁膜であり、アクリル系レジスト材料などの有機系レジスト材料を用いて形成されている。第３絶縁膜１３の膜厚Ｔ１及び第４絶縁膜１４の膜厚Ｔ２は、例えばそれぞれ２μｍ以下である。このため、第３絶縁膜１３と第４絶縁膜１４とを積層した状態の総膜厚は３μｍ以上となり、その上限は約４μｍ程度となる。第４絶縁膜１４の表面は、ほぼ平坦化されている。
【００２３】
画素電極ＰＥは、第４絶縁膜１４の上に形成され、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２を介してドレイン電極ＷＤにコンタクトしている。
【００２４】
図３は、コンタクトホールＣＨに形成されるクラックを説明するための平面図である。
【００２５】
図中に示した例は、コンタクトホールＣＨにクラックＣＣが生じた状態の一例に相当する。すなわち、有機系レジスト材料を比較的厚い膜厚で塗布した後に、フォトリソグラフィプロセスなどを利用してコンタクトホールＣＨを形成し、アニールして有機系レジスト材料を硬化する際、有機系レジスト材料に含まれていた溶剤が揮発するなどして収縮する。このとき、コンタクトホールＣＨにおいては、角（厳密には丸みを有している場合もあり得る）などの比較的応力に対して弱い箇所にクラックＣＣが形成されやすい。発明者が検討したところでは、有機系レジスト材料を４μｍ以上の膜厚で塗布して略四角形状のコンタクトホールＣＨを形成した際には、コンタクトホールＣＨの角付近からその周囲に延びるクラックＣＣが頻繁に形成されることが確認された。また、発明者が検討したところでは、有機系レジスト材料を塗布する際の膜厚を比較的薄くしてコンタクトホールＣＨを形成した場合、硬化後の膜厚が２μｍ以下となるような条件であれば、コンタクトホールＣＨからのクラックはほとんど形成されないことも確認された。
【００２６】
図２に示した例で、コンタクトホールＣＨ１にクラックが発生した場合には、そのクラックに共通電極ＣＥが入り込み、コモン電位の共通電極ＣＥと、ソース配線Ｓあるいはスイッチング素子ＳＷとの間でのショートを引き起こすおそれがある。また、コンタクトホールＣＨ２にクラックが発生した場合には、そのクラックに画素電極ＰＥが入り込み、コモン電位の共通電極ＣＥと画素電位の画素電極ＰＥとの間でのショートを引き起こすおそれがある。
【００２７】
また、第３絶縁膜１３の上、あるいは、第４絶縁膜１４の上に形成される配線が、クラックの上を通る際に断線するおそれがある。
【００２８】
図４は、図２に示したアレイ基板ＡＲにおけるコンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の形状例を概略的に示す平面図である。図中の（Ａ）は概略平面図であり、（Ｂ）は（Ａ）のうちのＢ−Ｂ線で切断した断面図であり、（Ｃ）は（Ａ）のうちのＣ−Ｃ線で切断した断面図であり、
ここに示した例では、コンタクトホールＣＨ１は略四角形であり、コンタクトホールＣＨ２も略四角形であるが、コンタクトホールＣＨ２はコンタクトホールＣＨ１を約４５°回転させた位置関係になるように形成されている。なお、回転させた角度は４５°に限るものではない。このとき、コンタクトホールＣＨ１の４つの角ＣＲ１１乃至ＣＲ１４は、いずれも第４絶縁膜１４によって覆われている。また、コンタクトホールＣＨ１の一部のエッジは、コンタクトホールＣＨ２のエッジよりも内側に位置し、第４絶縁膜１４から露出している。一方、コンタクトホールＣＨ２の４つの角ＣＲ２１乃至ＣＲ２４は、いずれもコンタクトホールＣＨ１のエッジよりも外側に位置している。つまり、コンタクトホールＣＨ２の４つの角ＣＲ２１乃至ＣＲ２４は、第４絶縁膜１４の下地である第３絶縁膜１３の上に位置している。
【００２９】
このような例は、コンタクトホールＣＨ１がコンタクトホールＣＨ２とは異なる形状である場合に相当する。また、このような例は、コンタクトホールＣＨ１を形成する際に用いる第１フォトマスクの第１露光パターンが第２コンタクトホールＣＨ２を形成する際に用いる第２フォトマスクの第２露光パターンとは異なる場合に相当する。
【００３０】
ここに示した例は、コンタクトホールＣＨ１の４つの角ＣＲ１１乃至ＣＲ１４と、コンタクトホールＣＨ２の４つの角ＣＲ２１乃至ＣＲ２４とが重ならない位置関係にある。このため、たとえコンタクトホールＣＨ１の角から外側に向かってクラックが発生したとしても、４つの角ＣＲ１１乃至ＣＲ１４のいずれもが第４絶縁膜１４によって覆われており、また、たとえコンタクトホールＣＨ２の角から外側に向かってクラックが発生したとしても、４つの角ＣＲ２１乃至ＣＲ２４のいずれもがその下地である第３絶縁膜１３の上に位置しているため、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の周囲に第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４を貫通するクラックの発生を抑制することが可能となる。
【００３１】
これにより、不所望な層間ショートの発生や配線の断線を抑制することが可能となる。したがって、信頼性の低下を抑制することが可能となる。
【００３２】
なお、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の双方が多角形状である場合、下層に位置するコンタクトホールＣＨ１のすべての角が上層の第４絶縁膜１４によって覆われ、上層に位置するコンタクトホールＣＨ２のすべての角が下層の第３絶縁膜１３の上に位置するような位置関係であれば、上記した例に限らない。
【００３３】
図５は、図２に示したアレイ基板ＡＲにおけるコンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の他の形状例を概略的に示す平面図である。
【００３４】
図中の（Ａ）で示した例では、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２は、いずれも略四角形であるが、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の中心がほぼ一致する位置関係にあり、且つ、コンタクトホールＣＨ２のサイズがコンタクトホールＣＨ１のサイズよりも大きく形成されている。このとき、コンタクトホールＣＨ１のすべてのエッジは、コンタクトホールＣＨ２のエッジの内側に位置している。つまり、コンタクトホールＣＨ２のすべてのエッジ、及び、４つの角ＣＲ２１乃至ＣＲ２４は、いずれも第３絶縁膜１３の上に位置している。
【００３５】
図中の（Ｂ）で示した例では、（Ａ）に示した例と比較して、コンタクトホールＣＨ２のサイズがコンタクトホールＣＨ１のサイズよりも小さい点で相違している。このとき、コンタクトホールＣＨ２のすべてのエッジは、コンタクトホールＣＨ１のエッジの内側に位置している。つまり、コンタクトホールＣＨ１のすべてのエッジ、及び、４つの角ＣＲ１１乃至ＣＲ１４は、いずれも第４絶縁膜１４によって覆われている。
【００３６】
（Ａ）及び（Ｂ）に示した例は、コンタクトホールＣＨ１がコンタクトホールＣＨ２とは異なる形状である場合に相当する。
【００３７】
図中の（Ｃ）で示した例では、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２は略同一形状の四角形であるが、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の中心が一致しない位置関係にある。図示した例では、コンタクトホールＣＨ１の３つの角ＣＲ１１乃至ＣＲ１３は第４絶縁膜１４によって覆われている一方で、角ＣＲ１４はコンタクトホールＣＨ２の内側に位置している。また、コンタクトホールＣＨ２の３つの角ＣＲ２１乃至ＣＲ２３は第３絶縁膜１３の上に位置している一方で、角ＣＲ２４はコンタクトホールＣＨ１の内側に位置している。
【００３８】
図５に示したいずれの例についても、第３絶縁膜１３は比較的薄い膜厚（上記のクラックがほとんど形成されない膜厚）Ｔ１に形成され、第１コンタクトホールＣＨ１の４つの角ＣＲ１１乃至ＣＲ１４のいずれからもクラックは形成されていない。一方で、第４絶縁膜１４の膜厚Ｔ２は、第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４の積層体として必要な総膜厚が得られるように設定され、膜厚Ｔ１よりも厚く設定されている。
【００３９】
このため、第４絶縁膜１４にコンタクトホールＣＨ２を形成した際に、たとえコンタクトホールＣＨ２の角から外側に向かってクラックが発生したとしても、（Ａ）に示した例では、４つの角ＣＲ２１乃至ＣＲ２４のいずれもが、クラックの発生しない条件で形成された第３絶縁膜１３の上に位置しているため、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の周囲に第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４の双方を貫通するクラックの発生を抑制することが可能となる。（Ｂ）に示した例では、たとえコンタクトホールＣＨ２の角から外側に向かってクラックが発生したとしても、コンタクトホールＣＨ１の内側で留まるため、第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４の双方を貫通するクラックの発生を抑制することが可能となる。（Ｃ）で示した例では、３つの角ＣＲ２１乃至ＣＲ２３のいずれもが、クラックの発生しない条件で形成された第３絶縁膜１３の上に位置し、且つ、角ＣＲ２４からのクラックはコンタクトホールＣＨ１の内側で留まるため、第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４の双方を貫通するクラックの発生を抑制することが可能となる。
【００４０】
また、コンタクトホールＣＨ１からクラックが形成されない条件で第３絶縁膜１３が形成されていれば、コンタクトホールＣＨ２はコンタクトホールＣＨ１と完全に一致する（あるいはコンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２双方のエッジが完全に重なる）位置関係で形成されても良い。
【００４１】
なお、第４絶縁膜１４は比較的薄い膜厚（上記のクラックがほとんど形成されない膜厚）Ｔ２に形成される、一方で、第３絶縁膜１３の膜厚Ｔ１は、膜厚Ｔ２よりも厚く設定され、第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４の積層体として必要な総膜厚が得られるように設定されても良い。但し、第３絶縁膜１３にクラックが生じた場合、比較的薄い膜厚Ｔ２の第４絶縁膜１４が第３絶縁膜１３のクラックを埋められるとは限らない。このため、第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４の一方の膜厚を他方よりも厚くする場合には、下地となる第３絶縁膜１３の膜厚Ｔ１を薄くしてクラックがほとんど形成されない条件で形成し、第４絶縁膜１４の膜厚Ｔ２を膜厚Ｔ１よりも厚くすることが望ましい。勿論、第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４の双方は、クラックがほとんど形成されない条件で形成されていても良く、膜厚Ｔ１と膜厚Ｔ２とが同等であっても良い。
【００４２】
次に、上記のアレイ基板（配線基板）ＡＲのうち、第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４を形成するための製造方法について図６を参照しながら説明する。
【００４３】
まず、図中の（Ａ）で示すように、処理基板ＳＵＢの上に第１有機系レジスト材料１３０を第１膜厚で塗布する。処理基板ＳＵＢは、図示しないが、スイッチング素子に加えて、ゲート配線やソース配線などの配線を備えている。第１有機系レジスト材料１３０としては、例えば、アクリル系レジスト材料などが適用可能である。なお、以下に説明する例では、有機系レジスト材料１３０は、光照射によって現像液に対して可溶性となるポジ型を適用している。第１有機系レジスト材料１３０を塗布する手法については特に問わない。その後、処理基板ＳＵＢをプリベークし、第１有機系レジスト材料１３０を固化する。
【００４４】
続いて、図中の（Ｂ）で示すように、フォトマスクＭ１を用いて第１有機系レジスト材料１３０を露光する。ここでは、第１有機系レジスト材料１３０がポジ型であるため、フォトマスクＭ１は、コンタクトホールＣＨ１を形成する領域など第１有機系レジスト材料１３０を除去する領域に対応した第１開口部ＡＰ１を含む第１露光パターンを有している。露光用の光源には、例えば、紫外線波長の光を放射する超高圧水銀灯などが適用可能である。第１有機系レジスト材料１３０は、紫外線で露光されることにより、露光部が現像液に対して可溶性となる。
【００４５】
続いて、図中の（Ｃ）で示すように、第１有機系レジスト材料１３０を現像する。この現像処理により、第１有機系レジスト材料１３０のうち、主として露光部が除去される。
【００４６】
続いて、図中の（Ｄ）で示すように、処理基板ＳＵＢをアニールし、第１有機系レジスト材料１３０を硬化させ、コンタクトホールＣＨ１などを有する第３絶縁膜１３が形成される。
【００４７】
続いて、図中の（Ｅ）で示すように、処理基板ＳＵＢの第３絶縁膜１３の上に第２有機系レジスト材料１４０を第２膜厚で塗布する。塗布された第２有機系レジスト材料１４０は、コンタクトホールＣＨ１にも延在する。第２有機系レジスト材料１４０としては、第１有機系レジスト材料１３０と同等の性質を有する材料などが適用可能である。その後、処理基板ＳＵＢをプリベークし、第２有機系レジスト材料１４０を固化する。
【００４８】
続いて、図中の（Ｆ）で示すように、フォトマスクＭ２を用いて第２有機系レジスト材料１４０を露光する。ここでは、有機系レジスト材料１４０がポジ型であるため、フォトマスクＭ２は、コンタクトホールＣＨ２を形成する領域など第２有機系レジスト材料１４０を除去する領域に対応した第２開口部ＡＰ２を含む第２露光パターンを有している。第１開口部ＡＰ１の形状及び第２開口部ＡＰ２の形状については、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の位置関係が上記した例のようになるように適宜選択される。第２有機系レジスト材料１４０は、紫外線で露光されることにより、露光部が現像液に対して可溶性となる。
【００４９】
続いて、図中の（Ｇ）で示すように、第２有機系レジスト材料１４０を現像する。この現像処理により、第２有機系レジスト材料１４０のうち、主として露光部が除去される。
【００５０】
続いて、図中の（Ｈ）で示すように、処理基板ＳＵＢをアニールし、第２有機系レジスト材料１４０を硬化させ、コンタクトホールＣＨ２などを有する第４絶縁膜１４が形成される。
【００５１】
本実施形態によれば、層間絶縁膜として有機絶縁膜を適用する場合に、有機絶縁膜である第３絶縁膜１３にコンタクトホールＣＨ１を形成し、また、第４絶縁膜１４にコンタクトホールＣＨ２を形成するに際して、コンタクトホールＣＨ１及びコンタクトホールＣＨ２の周囲に第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４を貫通するクラックの発生を抑制することが可能となる。
【００５２】
このため、第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４を介した層間の絶縁性を向上することが可能となり、不所望な層間ショートの発生や配線の断線を抑制することが可能となる。したがって、信頼性の低下を抑制することが可能となる。
【００５３】
また、第３絶縁膜１３及び第４絶縁膜１４を介して位置する電極同士は、微細なコンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２を介して確実に電気的に接続することが可能となる。あるいは、超微細加工で形成したスイッチング素子ＳＷと画素電極ＰＥとが微細なコンタクトホールＣＨ１及びＣＨ２を介して電気的に接続することが可能となる。これにより、高精細化が可能となる。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態によれば、信頼性の低下を抑制することが可能な配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【００５５】
なお、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これらの新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これらの実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
ＤＳＰ…表示装置
ＰＮＬ…表示パネル  ＡＲ…アレイ基板（配線基板）
１３…第３絶縁膜（第１層間絶縁膜）  ＣＨ１…コンタクトホール
１４…第４絶縁膜（第２層間絶縁膜）  ＣＨ２…コンタクトホール
１３０…第１有機系レジスト材料  １４０…第２有機系レジスト材料
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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