(57)【要約】【課題】テンプレートから転写された複数のパターンを高精度で配列できるパターン形成方法及びテンプレートを提供する。【解決手段】実施形態によれば、パターン形成方法は、硬化したインプリントレジスト１１からテンプレート２０を離し、テンプレート２０の非インプリント部３１に形成されたアライメントマーク３５を、インプリントレジスト１１には接触させずに、アライメントパターン２５の転写パターン４２に対して位置決めして、硬化したインプリントレジスト１１の隣のショット領域に供給された未硬化のインプリントレジスト１１に、テンプレート２０のメインパターン２３及びアライメントパターン２５を接触させる工程を備えている。【選択図】図３
2014049658.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
メサ部と、前記メサ部よりも外側の領域で前記メサ部に対してくぼんで設けられた非インプリント部とを有するテンプレートにおける前記メサ部にいずれも凹凸パターンとして形成されたメインパターン及びアライメントパターンを、被加工体上に供給された未硬化のインプリントレジストに接触させる工程と、
前記テンプレートが接触した状態で前記インプリントレジストを硬化させ、前記インプリントレジストに、前記メインパターンの転写パターンと、前記アライメントパターンの転写パターンとを形成する工程と、
前記硬化したインプリントレジストから前記テンプレートを離し、前記テンプレートの前記非インプリント部に形成されたアライメントマークを、前記インプリントレジストには接触させずに、前記アライメントパターンの転写パターンに対して位置決めして、前記硬化したインプリントレジストの隣のショット領域に供給された未硬化のインプリントレジストに、前記テンプレートの前記メインパターン及び前記アライメントパターンを接触させる工程と、
前記テンプレートが接触した状態で前記隣のショット領域の前記インプリントレジストを硬化させ、前記インプリントレジストに前記メインパターンの転写パターンと、前記アライメントパターンの転写パターンとを形成する工程と、
を備えたパターン形成方法。
【請求項２】
被加工体とテンプレートとの相対的移動制御により前記被加工体と前記テンプレートとの位置を合わせ、メサ部と、前記メサ部よりも外側の領域で前記メサ部に対してくぼんで設けられた非インプリント部とを有する前記テンプレートにおける前記メサ部にいずれも凹凸パターンとして形成されたメインパターン及びアライメントパターンを、前記被加工体上に供給された未硬化のインプリントレジストに接触させる工程と、
前記テンプレートが接触した状態で前記インプリントレジストを硬化させ、前記インプリントレジストに、前記メインパターンの転写パターンと、前記アライメントパターンの転写パターンとを形成する工程と、
前記硬化したインプリントレジストから前記テンプレートを離し、前記被加工体と前記テンプレートとの相対的移動制御により、前記硬化したインプリントレジストの隣のショット領域に供給された未硬化のインプリントレジストに前記テンプレートの前記メインパターン及び前記アライメントパターンを接触させるとともに、前記テンプレートの前記非インプリント部に形成され前記インプリントレジストには接触されないアライメントマークと、前記硬化したインプリントレジストに形成された前記アライメントパターンの転写パターンとの位置の合わせずれを検出する工程と、
前記テンプレートが接触した状態で前記隣のショット領域の前記インプリントレジストを硬化させ、前記インプリントレジストに前記メインパターンの転写パターンと、前記アライメントパターンの転写パターンとを形成する工程と、
を備え、
前記アライメントマークと前記アライメントパターンの転写パターンとの位置の合わせずれの検出結果に基づいて、前記テンプレートと、別の被加工体との相対的移動が制御されるパターン形成方法。
【請求項３】
前記アライメントマークを前記アライメントパターンの転写パターンの上方で前記アライメントパターンの転写パターンに対して重ね合わせ、前記アライメントマークの位置及び前記アライメントパターンの転写パターンの位置を光学的に検出して、前記アライメントマークを前記アライメントパターンの転写パターンに対して位置決めする請求項１記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記アライメントマークを前記アライメントパターンの転写パターンの上方で前記アライメントパターンの転写パターンに対して重ね合わせ、前記アライメントマークの位置及び前記アライメントパターンの転写パターンの位置を光学的に検出して、前記アライメントマークと前記アライメントパターンの転写パターンとの位置の合わせずれを検出する請求項２記載のパターン形成方法。
【請求項５】
凹凸パターンであるメインパターンと、凹凸パターンである複数のアライメントパターンとを有し、インプリントレジストに対して接触されるメサ部と、
前記メサ部よりも外側の領域で前記メサ部に対してくぼんで設けられ、前記メサ部が前記インプリントレジストに接触した状態で前記インプリントレジストに接触しない非インプリント部であって、前記複数のアライメントパターンのピッチに対応したピッチで配列された複数のアライメントマークを有する非インプリント部と、
を備えたテンプレート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法及びテンプレートに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程における微細パターンの形成と量産性とを両立させる技術として、インプリント法によるパターン転写技術が注目されている。インプリント法によれば、凹凸パターンが形成されたテンプレートを、ウェーハ上に供給された液状の有機材料などのインプリントレジストに接触させた状態で、例えば光照射によりインプリントレジストを硬化させる。
【０００３】
ウェーハに対するテンプレートの位置決め方法としては、あらかじめウェーハにマーク群を形成しておき、それらマーク群に対してテンプレートをアライメントしながら複数のショット領域にパターンを転写していく方法が提案されているが、ウェーハに対する高精度に位置決めされたマーク群の形成は、コストアップをまねく。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−６６２３８号公報
【特許文献２】特開２０１２−４５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の実施形態は、テンプレートから転写された複数のパターンを高精度で配列できるパターン形成方法及びテンプレートを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態によれば、パターン形成方法は、メサ部と、前記メサ部よりも外側の領域で前記メサ部に対してくぼんで設けられた非インプリント部とを有するテンプレートにおける前記メサ部にいずれも凹凸パターンとして形成されたメインパターン及びアライメントパターンを、被加工体上に供給された未硬化のインプリントレジストに接触させる工程を備えている。また、実施形態によれば、パターン形成方法は、前記テンプレートが接触した状態で前記インプリントレジストを硬化させ、前記インプリントレジストに、前記メインパターンの転写パターンと、前記アライメントパターンの転写パターンとを形成する工程を備えている。また、実施形態によれば、パターン形成方法は、前記硬化したインプリントレジストから前記テンプレートを離し、前記テンプレートの前記非インプリント部に形成されたアライメントマークを、前記インプリントレジストには接触させずに、前記アライメントパターンの転写パターンに対して位置決めして、前記硬化したインプリントレジストの隣のショット領域に供給された未硬化のインプリントレジストに、前記テンプレートの前記メインパターン及び前記アライメントパターンを接触させる工程を備えている。また、実施形態によれば、パターン形成方法は、前記テンプレートが接触した状態で前記隣のショット領域の前記インプリントレジストを硬化させ、前記インプリントレジストに前記メインパターンの転写パターンと、前記アライメントパターンの転写パターンとを形成する工程を備えている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】（ａ）は実施形態のテンプレートの模式斜視図であり、（ｂ）は実施形態のテンプレートの一部の模式断面図。
【図２】実施形態のパターン形成方法を示す模式断面図。
【図３】実施形態のパターン形成方法を示す模式図。
【図４】実施形態のパターン形成方法を示す模式平面図。
【図５】実施形態のパターン形成方法を示す模式断面図。
【図６】アライメントマーク及びアライメントパターン（の転写パターン）の他の組み合わせ例の模式平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照し、実施形態について説明する。なお、各図面中、同じ要素には同じ符号を付している。
【０００９】
図１（ａ）は、実施形態のテンプレート２０の模式斜視図であり、図１（ｂ）は実施形態のテンプレート２０の一部の模式断面図である。
【００１０】
図１（ａ）に示すテンプレート２０は凹凸パターンが形成された面を上に向けており、図１（ｂ）に示すテンプレート２０は凹凸パターンが形成された面を下に向けている。  
図１（ｂ）は、テンプレート２０におけるアライメントマーク３５及びアライメントパターン２５が形成された端部側の断面を表す。
【００１１】
なお、図１（ａ）では、テンプレート２０に形成された凹凸パターンのうち、半導体デバイスの回路パターンとなるメインパターン２３の図示は省略し、アライメントパターン２５とアライメントマーク３５のみを図示している。
【００１２】
また、図４（ａ）及び（ｂ）に、テンプレート２０の模式平面図を示す。図４（ａ）及び（ｂ）に示すテンプレート２０には、アライメントマーク３５のみを図示している。
【００１３】
テンプレート２０は、例えば外形形状が四角形の板状に形成され、一方の面側にメサ部２１が設けられている。メサ部２１の平面形状は四角形状に形成され、そのメサ部２１の周囲の領域に非インプリント部３１が設けられている。メサ部２１は非インプリント部３１に対して突出し、逆に、非インプリント部３１はメサ部２１に対してくぼんでいる。
【００１４】
テンプレート２０の面方向の中央を含む内側の領域にメサ部２１が設けられ、そのメサ部２１よりも面方向の外側の領域に非インプリント部３１が設けられている。メサ部２１が設けられた面側からテンプレート２０を見た平面視で、非インプリント部３１はメサ部２１の周囲を連続して囲んでいる。
【００１５】
テンプレート２０は、後述するインプリントレジスト１１を硬化させる光（例えば紫外光）に対する透過性を有する材料（例えば石英）からなる。メサ部２１と非インプリント部３１とは一体に設けられている。
【００１６】
メサ部２１の表面には、メインパターン２３とアライメントパターン２５が形成されている。メインパターン２３及びアライメントパターン２５は、いずれも凹凸パターンとして形成されている。
【００１７】
図１（ａ）に示すように、例えば４本のバー状の凸部２２が四角形状に組み合わされて１つのアライメントパターン２５が構成され、そのアライメントパターン２５が、メサ部２１における４箇所のコーナー付近の表面に形成されている。
【００１８】
４つのアライメントパターン２５よりも内側の領域に、メインパターン２３が形成されている。メインパターン２３は、半導体デバイスの回路パターンに対応するパターンであり、その回路パターンに対応した微細ピッチで繰り返された複数の凹部及び複数の凸部を有する。
【００１９】
非インプリント部３１には、アライメントマーク３５が凹凸パターンとして形成されている。アライメントマーク３５を形成する凹凸パターンにおける凸部は、メサ部２１よりも突出していない。
【００２０】
非インプリント部３１には複数のアライメントマーク３５が形成され、１つのアライメントマーク３５は、例えば４本のバー状の凹部３２が四角形状に組み合わされて構成される。
【００２１】
アライメントパターン２５は、メインパターン２３とアライメントマーク３５との間のメサ部２１の端部領域に形成されている。
【００２２】
ここで、メサ部２１の表面に対して平行な面内で直交する２方向をＸ方向（第１の方向）およびＹ方向（第２の方向）とする。
【００２３】
図１（ａ）に示すように、メサ部２１の表面において、Ｙ方向の一端側の領域には、２つのアライメントパターン２５がＸ方向に配列され、Ｙ方向の他端側の領域にも、２つのアライメントパターン２５がＸ方向に配列されている。
【００２４】
また、メサ部２１の表面において、Ｘ方向の一端側の領域には、２つのアライメントパターン２５がＹ方向に配列され、Ｘ方向の他端側の領域にも、２つのアライメントパターン２５がＹ方向に配列されている。
【００２５】
図１（ａ）、図４（ａ）及び（ｂ）に示すように、非インプリント部３１は、メサ部２１をＹ方向に挟んでＸ方向に延びる一対の領域３１ａ、３１ｂと、メサ部２１をＸ方向に挟んでＹ方向に延びる一対の領域３１ｃ、３１ｄとを有する。
【００２６】
領域３１ａ及び領域３１ｂのそれぞれには、アライメントパターン２５のＸ方向のピッチに対応したピッチで、２つのアライメントマーク３５が配列されている。  
領域３１ｃ及び領域３１ｄのそれぞれには、アライメントパターン２５のＹ方向のピッチに対応したピッチで、２つのアライメントマーク３５が配列されている。
【００２７】
したがって、非インプリント部３１には、８つのアライメントマーク３５が形成されている。それぞれのアライメントマーク３５は、メサ部２１のコーナー付近に形成されている。
【００２８】
１つのアライメントマーク３５と１つのアライメントパターン２５とは、バーインバー型の組み合わせを構成する。図４（ａ）及び（ｂ）を参照して、後述するように、インプリントレジスト１１に形成されたアライメントパターン２５の転写パターン（アライメント転写パターン）４２の上に、アライメントマーク３５が重ね合わされると、例えば、アライメント転写パターン４２が形作る四角形の内側に、アライメントマーク３５が形作る四角形が収まることができる。
【００２９】
アライメントマーク３５のＹ方向のピッチは、アライメントパターン２５のＹ方向のピッチに対応しているため、図４（ａ）に示すように、Ｙ方向に配列された２つのアライメントマーク３５を同時にアライメント転写パターン４２の内側に収めることが可能である。
【００３０】
また、アライメントマーク３５のＸ方向のピッチは、アライメントパターン２５のＸ方向のピッチに対応しているため、図４（ｂ）に示すように、Ｘ方向に配列された２つのアライメントマーク３５を同時にアライメント転写パターン４２の内側に収めることが可能である。
【００３１】
アライメントパターン２５の凹凸のピッチおよびアライメントマーク３５の凹凸のピッチは、メインパターン２３の凹凸の最小ピッチよりも大きい。そのため、アライメントパターン２５の転写パターン（アライメント転写パターン）４２と、そのアライメント転写パターン４２に重ね合わされるアライメントマーク３５は、カメラなどを使って容易に光学的に検出できる。
【００３２】
次に、図２（ａ）〜図５（ｄ）を参照して、第１実施形態によるパターン形成方法について説明する。
【００３３】
図２（ａ）に示すように、被加工体としてのウェーハ１０上に、液状で未硬化のインプリントレジスト１１が供給される。インプリントレジスト１１は、例えば紫外光により硬化する樹脂である。
【００３４】
インプリントレジスト１１は、ウェーハ１０の面内で複数に分けられた領域（ショット領域）ごとに供給される。そして、以下に説明するように、未硬化のインプリントレジスト１１に対してテンプレート２０を接触させた状態でインプリントレジスト１１を硬化させ、テンプレート２０に形成されたメインパターン２３とアライメントパターン２５をインプリントレジスト１１に転写する。
【００３５】
あるショット領域についてのインプリントが終了すると、そのショット領域の隣のショット領域に未硬化のインプリントレジスト１１が新たに供給され、そのインプリントレジスト１１にテンプレート２０を接触させてインプリントレジスト１１を硬化させる。そして、さらにそのショット領域の隣のショット領域に未硬化のインプリントレジスト１１を供給し、以上の手順が繰り返される。すなわち、ウェーハ１０表面の複数のショット領域に対してステップアンドリピート方式で、テンプレート２０のパターンが転写されていく。
【００３６】
あるショット領域にインプリントレジスト１１を供給した後、図２（ｂ）に示すように、テンプレート２０のメサ部２１に形成されたメインパターン２３及びアライメントパターン２５を、未硬化のインプリントレジスト１１に接触させる。
【００３７】
未硬化のインプリントレジスト１１は、メインパターン２３の凹部、アライメントパターン２５の凹部、およびメインパターン２３とアライメントパターン２５との間の凹部２４に充填される。
【００３８】
このとき、メサ部２１に対してくぼんで設けられた非インプリント部３１は、インプリントレジスト１１に接触しない。
【００３９】
そして、インプリントレジスト１１にテンプレート２０が接触した図２（ｂ）に示す状態で、インプリントレジスト１１を硬化させる。具体的には、図２（ｃ）に示すように、テンプレート２０の上方からテンプレート２０を通してインプリントレジスト１１に紫外光１００を照射し、インプリントレジスト１１を硬化させる。
【００４０】
あるいは、インプリントレジスト１１として熱硬化性樹脂を使い、加熱によりインプリントレジスト１１を硬化させてもよい。この場合、テンプレート２０は光透過性を有しなくてもよい。
【００４１】
インプリントレジスト１１を硬化させた後、図２（ｄ）に示すように、インプリントレジスト１１からテンプレート２０を離す。
【００４２】
硬化したインプリントレジスト１１には、テンプレート２０のメインパターン２３の凹凸を反転させたメイン転写パターン４１と、テンプレート２０のアライメントパターン２５の凹凸を反転させたアライメント転写パターン４２が形成される。アライメント転写パターン４２は、ショット領域の端部領域に形成される。
【００４３】
次に、図３に示すように、すでにメイン転写パターン４１及びアライメント転写パターン４２が形成されたインプリントレジスト１１が形成されたインプリント済みショット領域の隣のショット領域に、未硬化のインプリントレジスト１１を供給する。また、その隣のショット領域の上にテンプレート２０を移動させる。
【００４４】
そして、テンプレート２０の非インプリント部３１に形成されたアライメントマーク３５を、隣のショット領域の端部領域に形成されたインプリント済みのアライメント転写パターン４２の上方で、そのアライメント転写パターン４２に対して非接触で重ね合わせる。
【００４５】
テンプレート２０の上方にはカメラ５２が設けられ、そのカメラ５２により、アライメントマーク３５の位置及びアライメント転写パターン４２の位置を光学的に検出する。
【００４６】
その検出信号は制御装置５３に送られ、制御装置５３は前記検出信号に基づいて、必要に応じて、ウェーハ１０を支持しているステージ５１及びテンプレート２０の一方または両方を移動させて、ウェーハ１０とテンプレート２０との相対位置を補正する。テンプレート２０とウェーハ１０は、図４（ａ）及び（ｂ）に示すＸ方向やＹ方向に相対的に移動され、また、ＸＹ平面内で回転する方向にも相対的に移動される。
【００４７】
インプリント済みのショット領域と、次のインプリント対象のショット領域とがＸ方向に隣接する場合には、図４（ａ）に示すように、テンプレート２０の非インプリント部３１にＹ方向に配列された２つのアライメントマーク３５が、すでにインプリントレジスト１１の端部領域に形成されてＹ方向に配列された２つのアライメント転写パターン４２のそれぞれの内側に収まるように、アライメントマーク３５がアライメント転写パターン４２に対して位置決めされる。
【００４８】
あるいは、インプリント済みのショット領域と、次のインプリント対象のショット領域とがＹ方向に隣接する場合には、図４（ｂ）に示すように、テンプレート２０の非インプリント部３１にＸ方向に配列された２つのアライメントマーク３５が、すでにインプリントレジスト１１の端部領域に形成されてＸ方向に配列された２つのアライメント転写パターン４２のそれぞれの内側に収まるように、アライメントマーク３５がアライメント転写パターン４２に対して位置決めされる。
さらに、インプリント対象のショット領域が先にインプリント済みの２つのショット領域と、それぞれＸ方向及びＹ方向に隣接する場合には、テンプレート２０の非インプリント部３１にＹ方向に配列された２つのアライメントマーク３５が、すでにインプリントレジスト１１の端部領域に形成されてＹ方向に配列された２つのアライメント転写パターン４２のそれぞれの内側に収まるように、Ｘ方向に隣接したインプリント済みのショット領域との間でアライメントマーク３５がアライメント転写パターン４２に対して位置決めされるとともに、テンプレート２０の非インプリント部３１にＸ方向に配列された２つのアライメントマーク３５が、すでにインプリントレジスト１１の端部領域に形成されてＸ方向に配列された２つのアライメント転写パターン４２のそれぞれの内側に収まるように、Ｙ方向に隣接したインプリント済みのショット領域との間でアライメントマーク３５がアライメント転写パターン４２に対して位置決めされる。
【００４９】
インプリント済みのショット領域に形成されたアライメント転写パターン４２に対して、テンプレート２０のアライメントマーク３５が位置決めされることで、インプリント済みのショット領域に対してテンプレート２０が位置決めされる。そのテンプレート２０を使って、隣のショット領域のインプリントレジスト１１がパターニングされる。結果として、隣接する２つのショット領域にそれぞれテンプレート２０を使って転写される２つのメイン転写パターン４１が所望の距離（ピッチ）で整列される。
【００５０】
また、重ね合わされるアライメントマーク３５とアライメント転写パターン４２との組み合わせ対は、Ｘ方向およびＹ方向にそれぞれ複数対（実施形態では２対）配列されているため、ショット領域に対するテンプレート２０のＸＹ平面内の傾き（回転）も補正することができる。
【００５１】
そして、アライメントマーク３５をアライメント転写パターン４２に重ね合わせて、ウェーハ１０に対してテンプレート２０を位置決めした状態を維持して、図５（ａ）に示すように、今インプリント対象であるショット領域に供給された未硬化のインプリントレジスト１１に、テンプレート２０のメサ部２１に形成されたメインパターン２３及びアライメントパターン２５を接触させる。
【００５２】
このときも、メサ部２１に対してくぼんで設けられた非インプリント部３１は、インプリントレジスト１１に接触しない。また、非インプリント部３１よりもテンプレート２０の面方向の内側の領域に形成されたメサ部２１は、隣のインプリント済みショット領域の硬化したインプリントレジスト１１には重ならない。
【００５３】
したがって、インプリント済みショット領域のインプリントレジスト１１にすでに形成されたメイン転写パターン４１及びアライメント転写パターン４２は、隣の他のショット領域のインプリント時にテンプレート２０による物理的な干渉を受けない。
【００５４】
テンプレート２０において、アライメントパターン２５は、メインパターン２３とアライメントマーク３５との間のメサ部２１の端部領域に形成されている。このため、アライメントパターン２５の転写パターン（アライメント転写パターン）４２は、ショット領域の端部領域に形成される。したがって、非インプリント部３１の面方向の突出幅の増大を抑えつつ、非インプリント部３１に形成されたアライメントマーク３５を、アライメント転写パターン４２に重ね合わせることができる。
【００５５】
図５（ａ）に示すように、未硬化のインプリントレジスト１１は、テンプレート２０におけるメインパターン２３の凹部、アライメントパターン２５の凹部、およびメインパターン２３とアライメントパターン２５との間の凹部２４に充填される。
【００５６】
そして、テンプレート２０がインプリントレジスト１１に接触した状態で、図５（ｂ）に示すように、テンプレート２０の上方からテンプレート２０を通してインプリントレジスト１１に紫外光１００を照射して、インプリントレジスト１１を硬化させる。
【００５７】
インプリントレジスト１１を硬化させた後、図５（ｃ）に示すように、インプリントレジスト１１からテンプレート２０を離す。硬化したインプリントレジスト１１には、テンプレート２０のメインパターン２３の凹凸を反転させたメイン転写パターン４１と、テンプレート２０のアライメントパターン２５の凹凸を反転させたアライメント転写パターン４２が形成される。
【００５８】
そして、以上説明した工程が、ショット領域の数だけ繰り返され、すべてのショット領域に、テンプレート２０のメインパターン２３の転写パターン（メイン転写パターン）４１と、アライメントパターン２５の転写パターン（アライメント転写パターン）４２が転写形成されたインプリントレジスト１１が形成される。
【００５９】
その後、そのインプリントレジスト１１をマスクにして、図５（ｄ）に示すように、ウェーハ１０に対してエッチングを行い、ウェーハ１０の表面に凹凸パターン７１、７２が形成される。最終的には、インプリントレジスト１１はウェーハ１０上から除去される。
【００６０】
インプリントレジスト１１のメイン転写パターン４１の下に形成される凹凸パターン７１は、半導体デバイスの回路パターンに対応し、微細ピッチで繰り返された凹凸を有する。
【００６１】
インプリントレジスト１１のアライメント転写パターン４２の下に形成される凹凸パターン７２は、ダイシング領域に相当する領域に形成され、ダイシングにより個片化された半導体チップには残らない。あるいは、凹凸パターン７２が、個片化後の半導体チップに残されても回路としては機能しない。
【００６２】
以上説明した実施形態によれば、ウェーハ１０上にあらかじめ高い位置精度でマーク群を形成することなく、メインパターン２３とともにインプリントレジスト１１に転写されるアライメントパターン２５と、そのアライメントパターン２５の転写パターン（アライメント転写パターン）４２に対して位置決めされるアライメントマーク３５とを、それぞれ、メサ部２１と非インプリント部３１に有するテンプレート２０を用いることで、複数のショット領域のそれぞれに形成されるメインパターン２３の転写パターン（メイン転写パターン）４１を所望の間隔（ピッチ）で整列させることができる。ウェーハ１０に対して高精度に位置決めされたマーク群の形成が不要になることで、コスト低減を図れる。
【００６３】
次に、第２実施形態によるパターン形成方法について説明する。
【００６４】
第２実施形態においても、第１実施形態と同様のテンプレート２０が用いられ、各ショット領域に供給された未硬化のインプリントレジスト１１にテンプレート２０を接触させた状態でインプリントレジスト１１を硬化させ、インプリントレジスト１１に、テンプレート２０に形成されたメインパターン２３の転写パターン（メイン転写パターン）４１と、アライメントパターン２５の転写パターン（アライメント転写パターン）４２が形成される。
【００６５】
第１実施形態では、各ショット領域に対するインプリントの度に、インプリント済みの隣のショット領域のインプリントレジスト１１に形成されたアライメント転写パターン４２に対して、テンプレート２０のアライメントマーク３５を位置決めして、インプリントが繰り返されていく。
【００６６】
これに対して、第２実施形態では、ウェーハ１０とテンプレート２０との相対的移動制御によって、ウェーハ１０表面の各ショット領域に対してテンプレート２０の位置を合わせてインプリントを繰り返していく。
【００６７】
ただし、今インプリントの対象となっているショット領域の隣に、すでにインプリント済みのアライメント転写パターン４２が形成されている場合には、図３に示すカメラ５２で、アライメント転写パターン４２の位置と、その上方のテンプレート２０のアライメントマーク３５の位置を検出する。
【００６８】
その検出結果から、図３に示す制御装置５３は、アライメントマーク３５と、アライメント転写パターン４２との位置の合わせずれを算出し、ウェーハ１０に対するテンプレート２０の位置の合わせずれ（隣接ショット領域パターン間の距離）を補正するための補正パラメータを算出する。この補正パラメータは、図３に示す記憶装置５４に格納される。
【００６９】
そして、次のウェーハ１０に対してテンプレート２０を使ってインプリントを行うときに、制御装置５３は記憶装置５４から読み出した上記補正パラメータに基づいて、ステージ５１とテンプレート２０との相対的移動を制御して、ウェーハ１０の各ショット領域に対してテンプレート２０を位置決めする。
【００７０】
前のウェーハ１０に対するインプリント時に得られたウェーハ１０とテンプレート２０との位置合わせの補正データを、次のウェーハ１０に対するテンプレート２０の相対移動制御にフィードバックさせることで、高精度に複数のパターンを整列させて転写していくことができる。
【００７１】
第２実施形態によれば、各ショットごとに、アライメントマーク３５がアライメント転写パターン４２に対して所望の重なり状態となるように、ステージ５１及びテンプレート２０の相対位置の微調整を行う必要がなく、高いスループットでインプリント処理を行える。
【００７２】
なお、上記補正データは、各ウェーハ１０のインプリント処理ごとに更新してもよいし、ある複数枚のウェーハ１０（例えば同じロットの複数枚のウェーハ１０）に対して、同じ補正データを使ってもよい。
【００７３】
アライメントマーク３５とアライメントパターン２５との組み合わせは、バーインバー型に限らず、図６（ａ）に示すようにボックスインボックス型、あるいは、図６（ｂ）に示すラインアンドスペース型の組み合わせであってもよい。
【００７４】
図６（ａ）に示すボックスインボックス型では、アライメントマーク６１およびアライメントパターンはともに四角いボックス形状に形成され、図６（ａ）に示す例では、実線で表されるアライメントマーク６１が、破線で表されるアライメントパターンの転写パターン（アライメント転写パターン）６２の内側に収まることで、アライメント転写パターン６２に対してアライメントマーク６１が位置決めされる。
【００７５】
図６（ｂ）に示すラインアンドスペース型では、アライメントマーク６４およびアライメントパターンは、それぞれ、複数のラインアンドスペースパターン群を有する。破線で表されるアライメントパターンの転写パターン（アライメント転写パターン）６５のラインアンドスペース群と、実線で表されるアライメントマーク６４の各ラインアンドスペース群とが、相互の群間に入り組んで組み合わされることで、アライメントマーク６４がアライメント転写パターン６５に対して位置決めされる。
【００７６】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７７】
１１…インプリントレジスト、２０…テンプレート、２１…メサ部、２３…メインパターン、２５…アライメントパターン、３１…非インプリント部、３５…アライメントマーク、４１…メインパターンの転写パターン、４２…アライメントパターンの転写パターン、５１…ステージ、５２…カメラ、５３…制御装置、５４…記憶装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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