(57)【要約】【課題】含酸素化合物の含有量の少ない、高純度の溶融塩を安価に提供可能な、溶融塩の製造方法の提供。【解決手段】アルミニウムハロゲン化物と、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物及びアルキルピリジニウムハロゲン化物から選ばれた一種以上と、含酸素化合物と、を含有する溶融塩に塩素化剤を添加する工程と、前記塩素化剤を含有する前記溶融塩を１００℃以上、２００℃以下に加熱して前記含酸素化合物を除去する工程と、を有する溶融塩の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
アルミニウムハロゲン化物と、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物及びアルキルピリジニウムハロゲン化物から選ばれた一種以上と、含酸素化合物と、を含有する溶融塩に塩素化剤を添加する工程と、
前記塩素化剤を含有する前記溶融塩を１００℃以上、２００℃以下に加熱して前記含酸素化合物を除去する工程と、
を有する溶融塩の製造方法。
【請求項２】
アルミニウムハロゲン化物と、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物及びアルキルピリジニウムハロゲン化物から選ばれた一種以上と、含酸素化合物と、を含有する溶融塩を１００℃以上、２００℃以下に加熱する工程と、
前記１００℃以上、２００℃以下の溶融塩に塩素化剤を添加して前記含酸素化合物を除去する工程と、
を有する溶融塩の製造方法。
【請求項３】
前記塩素化剤を、前記含酸素化合物に対してモル比で１倍以上、５倍以下添加する請求項１又は請求項２に記載の溶融塩の製造方法。
【請求項４】
前記塩素化剤が、塩化チオニル、二塩化オキサリル及び二塩化ホスホニルからなる群より選択されるいずれか一種以上である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の溶融塩の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の溶融塩の製造方法によって得られる溶融塩。
【請求項６】
請求項５に記載の溶融塩を用いて、基材表面にアルミニウムを電析させるアルミニウムの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、含酸素化合物の含有量の少ない溶融塩の製造方法、前記溶融塩の製造方法により得られる溶融塩、及び前記溶融塩を用いたアルミニウムの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
アルミニウムは導電性、耐腐食性、軽量、無毒性など多くの優れた特徴を有しており、金属製品等へのめっきに広く利用されている。しかしながらアルミニウムは酸素に対する親和力が大きく、酸化還元電位が水素より低いため、水溶液系のめっき浴では電気めっきを行うことが困難である。このためアルミニウムを電気めっきする方法としては溶融塩浴を用いる方法が行われている。
【０００３】
溶融塩によるめっき浴は一般的には高温にする必要があるが、１−エチル−３−メチルイミダゾリウムクロリド（ＥＭＩＣ）や、１−ブチルピリジニウムクロリド（ＢＰＣ）などの有機塩化物塩と塩化アルミニウム（ＡlＣl3）とを混合することで、室温で液体のアルミニウム浴を形成できることが知られている。
特に、ＥＭＩＣ−ＡlＣl3系は液の特性が良好でアルミめっき液として有用であり、特開２０１１−２２５９５０号公報（特許文献１）には、アルミニウム構造体の製造方法に前記アルミめっき液を用いることが提案されている。
【０００４】
しかしながら前記有機塩化物塩や塩化アルミニウムは吸湿性が高く、前記アルミめっき液も雰囲気中の水分を吸湿して劣化しやすいことが知られている。また、前記有機塩化物塩は簡便な合成方法がなく非常に高価であるため、頻繁にアルミめっき液を交換するとコスト増になるという問題点が有る。
【０００５】
溶融塩中に含まれる水分由来の含酸素不純物を除去して高純度の溶融塩を製造する方法としては、特開平０７−０６５８５８号公報（特許文献２）において、塩化チオニルを用いる方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２２５９５０号公報
【特許文献２】特開平０７−０６５８５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は前記問題点に鑑みて、含酸素化合物の含有量の少ない、高純度の溶融塩を安価に提供可能な、溶融塩の製造方法等を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は高純度の溶融塩を得るために、まず、前記特許文献２に記載の方法について検討を行った。その結果、確かにめっき液における波数３３６０ｃｍ-1の吸収強度が小さくなるものの、めっき液中に他の含酸素化合物が不純物として含まれていてめっき液の純度が充分に高くなっていないことが確認された。
【０００９】
そこで、本発明者等は当該他の含酸素化合物が何であるかを明らかにするために更なる検討を重ねた。その結果、特許文献２に記載の方法によれば、３３６０ｃｍ-1に吸収を示すＡl-ＯＨ系の不純物は除去できるが、波数６８０ｃｍ-1に吸収を示すＡl-Ｏ系の含酸素化合物を除去できていないことが見出された。
【００１０】
上記の前記Ａl-Ｏ系の不純物は、ホスゲン（ＣＯＣl2）又は四塩化炭素（ＣＣl4）を用いることで除去可能なことが知られている（Gleb Mamantov. et.al, "Removal of Oxide Impurities from Alkali Haloaluminate Melts Using Carbon Tetrachloride", J.Electrochem. Soc., Vol. 140, No.6, June 1993）。しかしながら、ホスゲンは毒性が非常に強く、また四塩化炭素は麻酔性があり、ともに危険な試薬であって製造が制限されている。このため安全面に問題があり、工業的な利用には適さないという問題がある。
そこで、本発明者等は他の方法によって前記めっき液から不純物としてのＡl-Ｏ系の含酸素化合物を除去することについて更に鋭意探求を重ねた。
【００１１】
本発明は上記課題を解決すべく以下の構成を採用する。
即ち、本発明は（１）アルミニウムハロゲン化物と、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物及びアルキルピリジニウムハロゲン化物から選ばれた一種以上と、含酸素化合物と、を含有する溶融塩に塩素化剤を添加する工程と、前記塩素化剤を含有する前記溶融塩を１００℃以上、２００℃以下に加熱して前記含酸素化合物を除去する工程と、を有する溶融塩の製造方法、である。
【発明の効果】
【００１２】
本発明により、含酸素化合物の含有量の少ない、高純度の溶融塩を安価に提供可能な溶融塩の製造方法等を提供することが可能となる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
最初に本発明の実施形態の内容を列記して説明する。
（１）本発明は、アルミニウムハロゲン化物と、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物及びアルキルピリジニウムハロゲン化物から選ばれた一種以上と、含酸素化合物と、を含有する溶融塩に塩素化剤を添加する工程と、前記塩素化剤を含有する前記溶融塩を１００℃以上、２００℃以下に加熱して前記含酸素化合物を除去する工程と、を有する溶融塩の製造方法、である。
（２）また、本発明は、アルミニウムハロゲン化物と、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物及びアルキルピリジニウムハロゲン化物から選ばれた一種以上と、含酸素化合物と、を含有する溶融塩を１００℃以上、２００℃以下に加熱する工程と、前記１００℃以上、２００℃以下の溶融塩に塩素化剤を添加して前記含酸素化合物を除去する工程と、を有する溶融塩の製造方法、である。
上記のように本発明においては、溶融塩に塩素化剤を添加してから加熱処理を行ってもよいし、溶融塩を充分な温度に加熱した後あるいは加熱しながら塩素化剤を添加してもよい。
【００１４】
上記（１）又は（２）に記載の発明により、含酸素化合物の含有量の少ない、高純度の溶融塩を安価に提供可能な溶融塩の製造方法が提供される。例えば、本発明により含酸素化合物の含有量が０．１ｍｏｌ／Ｌ以下の溶融塩を簡便に提供することができ、このような溶融塩はアルミニウムを電析させる際に好適に用いることができる。また、前記塩素化剤の添加量や反応時間を適宜調整することで含酸素化合物の含有量が０．０５ｍｏｌ／Ｌ以下の溶融塩や、０．０３ｍｏｌ／Ｌ以下の溶融塩を提供することも可能である。なお、溶融塩中の含酸素不純物の含有量が２．５ｍｏｌ／Ｌを超えるとアルミニウムの電析を行えなくなるため、２．５ｍｏｌ／Ｌ以下となるようにして溶融塩の製造を行うことが好ましい。
【００１５】
（３）また、前記塩素化剤は、前記含酸素化合物に対してモル比で１倍以上、５倍以下添加することが好ましい。
塩素化剤の添加量を上記範囲にすることにより、溶融塩中の含酸素不純物を充分に除去することができる。
【００１６】
（４）また、前記塩素化剤は、塩化チオニル、二塩化オキサリル及び二塩化ホスホニルからなる群より選択されるいずれか一種以上であることが好ましい。
これらの塩素化剤は液体であり取り扱いが容易である。また、含酸素化合物と反応した後の生成物がガス化しやすく溶融塩中に不要物が蓄積しないため好ましい。
【００１７】
（５）また、本発明の実施形態である溶融塩は、上記（１）から（４）のいずれか一項に記載の溶融塩の製造方法によって得られる溶融塩、である。
本発明に係る溶融塩は、不純物としての含酸素化合物の含有量が非常に少ない高純度の溶融塩である。
【００１８】
（６）また、本発明の実施形態であるアルミニウムの製造方法は、上記（５）に記載の溶融塩を用いて、基材表面にアルミニウムを電析させるアルミニウムの製造方法である。
一般に、アルミニウムを電析させる際に用いられる溶融塩は非常に高価なものであるが、本発明のアルミニウムの製造方法に使用する溶融塩は前記のように安価に提供されるものであるため、本発明のアルミニウムの製造方法によればアルミニウムを安価に提供することができる。また、本発明のアルミニウムの製造方法に用いる前記溶融塩は非常に高純度であるため、アルミニウムを電析させる際の電流密度を高くすることができ、この点でもアルミニウムの製造コストを下げることができる。
【００１９】
［本発明の実施形態の詳細］
本発明の実施形態に係る溶融塩の製造方法等の具体例を以下に説明する。なお、本発明はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【００２０】
＜溶融塩の製造方法＞
本発明の実施形態に係る溶融塩の製造方法は、アルミニウムハロゲン化物と、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物及びアルキルピリジニウムハロゲン化物から選ばれた一種以上と、含酸素化合物と、を含有する溶融塩に塩素化剤を添加する工程と、前記塩素化剤を含有する前記溶融塩を１００℃以上、２００℃以下に加熱して前記含酸素化合物を除去する工程と、を有する。
また、本発明の別の実施形態に係る溶融塩の製造方法は、アルミニウムハロゲン化物と、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物及びアルキルピリジニウムハロゲン化物から選ばれた一種以上と、含酸素化合物と、を含有する溶融塩を１００℃以上、２００℃以下に加熱する工程と、前記１００℃以上、２００℃以下の溶融塩に塩素化剤を添加して前記含酸素化合物を除去する工程と、を有する。
上記のように本発明の実施形態に係る溶融塩の製造方法おいては、溶融塩に塩素化剤を添加してから加熱処理を行ってもよいし、溶融塩を充分な温度に加熱した後あるいは加熱しながら塩素化剤を添加してもよい。
【００２１】
前記溶融塩中に含まれるアルミニウムハロゲン化物や、アルキルピリジニウムハロゲン化物、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物は吸湿性が非常に高く、これらを用いた溶融塩も雰囲気中の水分を吸湿してしまう。このため溶融塩を用いたアルミニウムの電析は通常、窒素雰囲気下やアルゴン雰囲気下等で行われるが、基材等から水分が持ち込まれてしまい、経時的にめっき液が劣化してしまう。
【００２２】
めっき液中に水が混入すると下記の反応が進行する。
ＡlＣl4-  + Ｈ2Ｏ ⇔ ＡlＯＨＣl3-  + Ｈ+ + Ｃl- ⇔ ＡlＯＣl2-  + ２Ｈ+ + ２Ｃl-
Ａl2Ｃl7- + Ｈ2Ｏ ⇔ Ａl2ＯＨＣl6- + Ｈ+ + Ｃl- ⇔ Ａl2ＯＣl5- + ２Ｈ+ + ２Ｃl-
【００２３】
上記の反応式で表されるように、まず、塩化アルミニウムイオンと水との反応によってめっき液中にＡlＯＨＣl3-またはＡl2ＯＨＣl6-が蓄積する。そして、ＨＣlがめっき液から脱離することで、徐々にＡlＯＣl2-またはＡl２ＯＣl5-がめっき液中に蓄積する。なお、この反応は非常にゆっくりではあるが進行し、また、加熱することにより反応が促進されることを本発明者等は確認した。
上記の不純物が蓄積すると、めっき液中のアルミニウムの析出に関与するイオンが減少するため、高電流密度でのめっきが困難となる。具体的には、高電流密度でアルミニウムの電析を行った際に、イオンの供給が追い付かず、コゲめっきと呼ばれる微細な粉末上の析出が生じ、アルミニウム膜が形成されなくなってしまう。
【００２４】
以上のことから本発明においては、アルミニウムハロゲン化物と、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物及びアルキルピリジニウムハロゲン化物から選ばれた一種以上と、含酸素化合物と、を含有する溶融塩に塩素化剤を添加する。このとき、特許文献２では塩化チオニルを添加した場合の反応温度を８０℃以下にするように記載されているが、本発明においては、前記塩素化剤を含有する前記溶融塩を１００℃以上、２００℃以下に加熱する。これによって特許文献２に記載の方法では除去しきれていなかったＡl-Ｏ系の不純物をも除去することができる。
【００２５】
上記の反応は可逆反応と考えられているが、実際には反応の際に生じるＨＣlガスがめっき液中から脱離するため実質的には不可逆反応となる。また、めっき液中の化学種を考慮すると、Ｃlが減少しＯが蓄積すると捉えることができる。このため、Ａl-Ｏ系の不純物の除去には、塩素化剤が有効と考えられる。
【００２６】
そして、本発明者等はＡl-Ｏ系の不純物と塩素化剤との反応を進行させるための反応温度を種々検討した結果、前記塩素化剤を含有する前記溶融塩の温度を１００℃以上にすることで反応が進行することが見出された。また、溶融塩の温度が２００℃を超えると、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物やアルキルピリジニウムハロゲン化物の分解反応が生じてしまい、溶融塩の純度が低下することが見出された。このため前記塩素化剤を含有する前記溶融塩は１００℃以上、２００℃以下になるようにする。前記塩素化剤を含有する前記溶融塩は１１０℃以上、１８０℃以下にすることがより好ましく、１３０℃以上、１６０℃以下にすることが更に好ましい。
【００２７】
なお、上記の反応は、開放容器では塩素化剤が揮発して反応が進行しにくいため、密閉容器内で行うことが好ましい。
【００２８】
前記塩素化剤として、例えば塩化チオニル、二塩化オキサリルを用いる場合には下記の反応が進行する。
［塩化チオニルの場合］
ＡlＯＣl2-  + ＳＯＣl2 → ＡlＣl4-  + ＳＯ2
Ａl2ＯＣl5- + ＳＯＣl2 → Ａl2Ｃl7- + ＳＯ2
［二塩化オキサリルの場合］
ＡlＯＣl2-  + (ＣＯＣl)2 → ＡlＣl4-  + ＣＯ + ＣＯ2
Ａl2ＯＣl5- + (ＣＯＣl)2 → Ａl2Ｃl7- + ＣＯ + ＣＯ2
【００２９】
前記溶融塩中への前記塩素化剤の添加量は、前記含酸素化合物に対してモル比で１倍以上、５倍以下であることが好ましい。前記塩素化剤を前記含酸素化合物に対してモル比で１倍以上添加することにより、前記溶融塩に含まれる含酸素化合物を充分に除去することができる。また、前記塩素化剤を前記含酸素化合物に対してモル比で５倍以下にすることにより、塩素化剤が余剰になり過ぎることを抑制することができる。
上記の観点から、前記溶融塩に添加する前記塩素化剤の添加量は、前記含酸素化合物に対してモル比で、１．３倍以上、３．０倍以下であることがより好ましく、１．５倍以上、２．５倍以下であることが更に好ましい。
【００３０】
なお、前記溶融塩中に含まれる含酸素化合物の量は、例えば、前記溶融塩について赤外分光法により赤外線吸収スペクトルを測定し、波数３３６０ｃｍ-1及び波数６８０ｃｍ-1の吸収強度から判断することができる。
【００３１】
上記のように溶融塩中にはＡl-Ｏ系化合物に比べて塩素化剤を過剰に添加する（好ましくは１〜５倍）ため、未反応の塩素化剤が溶融塩中に残留することとなる。これらの残留物は、例えば、溶融塩を減圧し、かつ５０℃〜８０℃に加熱することで除去することが可能である。また、溶融塩の減圧及び加熱では除去しきれない程度の極微量の残留物を除去する場合には、電流密度０．１Ａ/ｄｍ2〜４Ａ/ｄｍ2で、１０分〜１２００分、通電すればよい。
【００３２】
前記溶融塩に含まれるアルミニウムハロゲン化物としては、例えば、塩化アルミニウム（ＡlＣl3）、臭化アルミニウム（ＡlＢr3）、ヨウ化アルミニウム（ＡlＩ3）等が挙げられる。
前記溶融塩に含まれるアルキルイミダゾリウムハロゲン化物としては、例えば、１−エチル−３−メチル−イミダゾリウムクロリド（ＥＭＩＣ）、１−ブチル−３−メチル−イミダゾリウムクロリド（ＢＭＩＣ）等が挙げられる。
前記溶融塩に含まれるアルキルピリジニウムハロゲン化物としては、例えば、ブチルピリジニウムクロリド（ＢＰＣ）、メチルピリジニウムクロリド（ＭＰＣ）等が挙げられる。
【００３３】
前記含酸素化合物を含む溶融塩に添加する塩素化剤は、塩化チオニル、二塩化オキサリル及び二塩化ホスホニルからなる群より選択されるいずれか一種以上であることが好ましい。
【００３４】
なお、本発明の溶融塩の製造方法は、溶融塩を使用している過程で不純物として含酸素化合物を比較的多量に含んでしまった溶融塩から前記含酸素化合物を除去して、高純度の溶融塩を得る際に特に有効であるが、極微量の含酸素化合物を含んだ未使用の溶融塩の場合からも更に含酸素化合物を除去して高純度の溶融塩を製造することができる。即ち、アルミニウムハロゲン化物と、アルキルイミダゾリウムハロゲン化物及びアルキルピリジニウムハロゲン化物から選ばれた一種以上とを混合したばかりの溶融塩であっても、雰囲気中の水分が取り込まれた結果、微量の含酸素化合物を含む溶融塩となっており、このような溶融塩を出発材料として用いて本発明の溶融塩の製造方法を実施することもできる。
【００３５】
＜溶融塩＞
本発明に係る溶融塩は、前記本発明の溶融塩の製造方法により得られる。このような溶融塩は、含酸素化合物の含有量が非常に少なく高純度の溶融塩であり、アルミニウムの析出に関与するイオンの量が多い状態にある。
また、本発明の溶融塩は、前述のように含酸素化合物の含有量が多くなり過ぎて使用不可能になってしまったような溶融塩をも出発材料として用いることができるため、新たに高価な試薬を用いて製造される溶融塩よりも、はるかに安価に提供されるものである。
【００３６】
＜アルミニウムの製造方法＞
本発明に係るアルミニウムの製造方法は、前記本発明の溶融塩を用いて、基材表面にアルミニウムを電析させるアルミニウムの製造方法である。アルミニウムを電析させる方法は特に限定されず、従来公知の方法により行うことができる。また、基材は特に限定されず導電性を有するものを使用することができる。
前述のように前記本発明の溶融塩は非常に高純度であり、アルミニウムの析出に関与するイオンの量が多く含んでいるため、高電流密度でアルミニウムを電析させることが可能である。
【実施例】
【００３７】
以下、実施例に基づいて本発明をより詳細に説明するが、これらの実施例は例示であって、本発明の溶融塩の製造方法等はこれらに限定されるものではない。本発明の範囲は特許請求の範囲の範囲によって示され、特許請求の範囲の範囲と均等の意味及び範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００３８】
［実施例１］
モル比で２：１となるように塩化アルミニウムと１−エチル−３−メチルイミダゾリウムクロリドとを混合して溶融塩を得た。続いて、この溶融塩に水を３体積％添加して、十分に混合した。
上記水を混合させた後の溶融塩について、赤外分光計（ＩＲ）により吸収スペクトルを測定したところ、３３６０ｃｍ-1（Ａl-ＯＨ系不純物による吸収）および６８０ｃｍ-1（Ａl-Ｏ系不純物による吸収）に吸収ピークが確認された。
【００３９】
続いて、上記溶融塩を、１００℃で１時間加熱した。
上記加熱後の溶融塩について、赤外分光計により吸収スペクトルを測定したところ、３３６０ｃｍ-1のピークが消失する一方で、６８０ｃｍ-1のピークが増加していることが確認された。
【００４０】
続いて、上記溶融塩に、塩化チオニルをＡl-Ｏ系不純物の含有量の３倍（モル換算）添加し、１３０℃で１時間、密閉容器内で反応させた。
反応後の溶融塩について、赤外分光計により吸収スペクトルを測定したところ、３３６０ｃｍ-1および６８０ｃｍ-1のピークが減少していた。これにより含酸素化合物が除去された高純度の溶融塩が得られたことが確認された。溶融塩中の水由来の含酸素化合物（Ａl-ＯＨ系不純物及びＡl-Ｏ系不純物）の除去率は９３％であった。
【００４１】
前記溶融塩を１Ｔorrまで減圧し、８０℃で８時間、熱処理した。その後、電流密度１．０Ａ/ｄｍ2にて、１０時間、空電解を行った。これにより、余剰の塩化チオニルを除去することができた。
【００４２】
各工程において溶融塩の赤外線吸収スペクトルを測定したことにより得られた、Ａl-ＯＨ系不純物及びＡl-Ｏ系不純物の含有量の推移を表１に示す。なお、表１中の値は吸収スペクトルの強度に基づいて不純物量を濃度（mol/Ｌ）換算した値である。
【００４３】
［実施例２］
実施例１において、溶融塩を１００℃で１時間加熱した後に溶融塩の温度を保持したまま塩化チオニルをＡl-Ｏ系不純物の含有量の３倍（モル換算）添加し、溶融塩の温度を１３０℃に上昇させて１時間反応させた以外は、実施例１と同様の処理を行った。溶融塩中の水由来の含酸素化合物（Ａl-ＯＨ系不純物及びＡl-Ｏ系不純物）の除去率は８８％であった。実施例１と同様に、水分由来の不純物の含有量の推移を表１に表す。
【００４４】
［実施例３］
実施例１において水を添加した後の熱処理を行わない以外は実施例１と同様の処理を行った。塩素化剤としての塩化チオニルを添加した後は実施例１と同様に、溶融塩を１３０℃に加熱して１時間反応させた。溶融塩中の水由来の含酸素化合物（Ａl-ＯＨ系不純物及びＡl-Ｏ系不純物）の除去率は９６％であった。実施例１と同様に、水由来の不純物の含有量の推移を表１に示す。
【００４５】
［実施例４］
実施例１において、溶融塩を、モル比で２：１．５：０．５となるように塩化アルミニウムと１−エチル−３−メチルイミダゾリウムクロリドと、ブチルピリジニウムクロリドとを混合して得た以外は、実施例１と同様の処理を行った。溶融塩中の水由来の含酸素化合物（Ａl-ＯＨ系不純物及びＡl-Ｏ系不純物）の除去率は９８％であった。実施例１と同様に、水分由来の不純物の含有量の推移を表１に表す。
【００４６】
［実施例５］
実施例１の塩化チオニルの代わりに二塩化オキサリルを用いた以外は実施例１と同様の処理を行った。溶融塩中の水由来の含酸素化合物（Ａl-ＯＨ系不純物及びＡl-Ｏ系不純物）の除去率は６７％であった。実施例１と同様に、水分由来の不純物の含有量の推移を表１に示す。
【００４７】
［実施例６］
実施例１の塩化チオニルの代わりに二塩化ホスホニルを用いた以外は実施例１と同様の処理を行った。溶融塩中の水由来の含酸素化合物（Ａl-ＯＨ系不純物及びＡl-Ｏ系不純物）の除去率は７６％であった。実施例１と同様に、水分由来の不純物の含有量の推移を表１に表す。
【００４８】
［実施例７］
実施例１の塩化チオニルの代わりに、塩化チオニル、二塩化オキサリル及び二塩化ホスホニルの混合物を用いた以外は実施例１と同様の処理を行った。溶融塩中の水由来の含酸素化合物（Ａl-ＯＨ系不純物及びＡl-Ｏ系不純物）の除去率は９０％であった。実施例１と同様に、水分由来の不純物の含有量の推移を表１に表す。
【００４９】
［比較例］
実施例１において、塩化チオニルを添加した後の溶融塩の加熱温度を９０℃にした以外は実施例１と同様の処理を行った。実施例１と同様に、水分由来の不純物の含有量の推移を表１に示す。
【００５０】
【表１】
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【００５１】
＜アルミニウムの電析性＞
実施例１により得られた溶融塩を用いて限界電流密度値を測定することで、アルミニウムのめっき性を評価した。なお、限界電流密度は、銅板を用いたハルセル試験において、付着しためっき被膜が黒くなっている部分と金属光沢を示す部分の境界から読み取った結果とした。
その結果、実施例１の溶融塩は、水を添加して加熱処理をした後と、塩素化剤を添加して加熱処理をした後とで、限界電流密度値が２Ａ/ｄｍ2から４．５Ａ/ｄｍ2に増加していることが確認された。これは本発明の溶融塩が非常に高純度であり、高電流密度でアルミニウムを電析させることが可能なことを示している。