(57)【要約】【課題】フューズの腐食によるトリム回路部の不良を防止する。【解決手段】半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成された第１配線Ｍ１を覆う第２層間絶縁膜ＳＺ２の表面に接するように、第２配線Ｍ２が形成されている。第２配線Ｍ２は、フューズＦＨを含み延在する第２配線Ｐ１と、フューズＦＨとは距離を隔てられた第２配線Ｐ２とを含む。第２配線Ｐ１は第１配線Ｍ１に電気的に接続されている。第２配線Ｍ２を覆う第３層間絶縁膜ＳＺ３の表面に接するように第３配線Ｍ３が形成されている。第２配線Ｐ１と第２配線Ｐ２との間に応力緩和部ＳＲＬ１が形成されている。【選択図】図３
2014017436.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板の主表面上に形成された下部配線と、
前記下部配線を覆うように形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜に接するように形成され、前記下部配線と電気的に接続されるフューズを含み延在する第１部分および前記第１部分とは距離を隔てられた第２部分を含む中部配線と、
前記中部配線を覆うように形成された他の層間絶縁膜と、
前記下部配線に電気的に接続される引き出し配線と、
延在する前記中部配線の前記第１部分の端部と前記第２部分との間に配置され、前記中部配線と同じ層から形成された応力緩和部と
を備えた、半導体装置。
【請求項２】
前記下部配線は前記引き出し配線とされた、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記他の層間絶縁膜に接するように形成された上部配線を備え、
前記上部配線は、前記引き出し配線として、前記中部配線の前記第２部分を介して前記下部配線に電気的に接続された、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記中部配線の前記第２部分に対して前記応力緩和部が位置する側とは反対の側に配置され、前記中部配線と同じ層から形成された他の応力緩和部を備えた、請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記中部配線の前記第２部分は、前記引き出し配線として前記下部配線に電気的に接続された、請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記中部配線は、
配線本体と、
前記配線本体の下面に接するように形成されたバリア膜と、
前記配線本体の上面に接するように形成された反射防止膜と
を含む、請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記配線本体はアルミニウムを含み、
前記バリア膜はチタンナイトライドを含み
前記反射防止膜は、チタンおよびチタンナイトライドを含む、請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記応力緩和部は電気的にフローティングである、請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記応力緩和部は電源電位に接続された、請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記応力緩和部は、前記中部配線の前記第１部分の前記端部と前記第２部分とによって挟まれた領域内に配置された、請求項１記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記応力緩和部は、前記中部配線の前記第１部分の前記端部と前記第２部分とによって挟まれた領域に配置されるとともに、前記第１部分が延在する方向と交差する方向に延在するように配置された、請求項１記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記応力緩和部と前記中部配線の前記第１部分の前記端部との距離は、前記応力緩和部と前記第２部分との距離よりも長く設定された、請求項１記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記応力緩和部は、微細パターンとして形成された、請求項１記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体装置に関し、特に、フューズを備えた半導体装置に好適に利用できるものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置では、回路特性を調整するために、フューズが設けられている。フューズは、フューズボックスに形成されている。フューズボックスには、フューズの他に、ガードリング、引き出し配線およびシールリングが形成されている。ガードリングは、フューズが配置される領域を取り囲むように形成されている。引き出し配線は、フューズをなす配線に電気的に接続されている。シールリングは、ガードリングを取り囲むように形成されている。フューズが配置される領域では、レーザ光線による溶断（ブロー）を行うためにパッシベーション膜が除去されている。
【０００３】
レーザ光線が照射された箇所では、フューズを覆う層間絶縁膜が消失して、フューズが溶断されている。このため、水分が容易に侵入して溶断されたフューズが腐食することがある。従来、このようなフューズの腐食耐性を向上させるための対策が採られている（特許文献１、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−１５４７０６号公報
【特許文献２】特開２００７−８１１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の半導体装置では、次のような問題点があった。溶断されたフューズに対する腐食耐性は向上するものの、溶断された箇所から侵入した水分が、溶断されたフューズの隣に位置する、溶断されていないフューズに到達することがある。そのフューズをなす配線は、配線本体、バリアメタル膜および反射防止膜によって形成されている。バリアメタル膜は配線本体と下地との間に形成され、反射防止膜は配線本体の上面に形成される。
【０００６】
今回、溶断されていないフューズに到達する水分が、そのフューズに接続されている配線に悪影響を及ぼすことが発明者らによって確認された。すなわち、溶断されていないフューズに到達する水分とフューズ（配線）を流れる電流とによって、反射防止膜と配線本体との界面に腐食が生じることが確認された。特に、配線の端部では、界面の腐食に伴う配線の体積膨張によって、配線を覆う層間絶縁膜に応力が生じ、クラックが発生する場合があることが確認された。
【０００７】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付の図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施の形態に係る半導体装置は、下部配線と電気的に接続されるフューズを含み延在する第１部分および第１部分とは距離を隔てられた第２部分を含む中部配線と、延在する中部配線の第１部分の端部と第２部分との間に配置され、中部配線と同じ層から形成された応力緩和部とを備えている。
【発明の効果】
【０００９】
一実施の形態に係る半導体装置によれば、フューズの腐食によるトリム回路部の不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】実施の形態１に係る半導体装置におけるトリム回路部の構造の一例を示す平面図である。
【図２】同実施の形態において、フューズとその近傍を示す部分平面図である。
【図３】同実施の形態において、図２に示す断面線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける部分断面図である。
【図４】同実施の形態において、フューズの溶断を説明するための第１の部分断面図である。
【図５】同実施の形態において、フューズの溶断を説明するための第２の部分断面図である。
【図６】同実施の形態において、フューズが溶断されたトリム回路部を示す平面図である。
【図７】比較例に係る半導体装置におけるトリム回路部の構造を示す部分断面図である。
【図８】比較例において、フューズの溶断を説明するための第１の部分断面図である。
【図９】比較例において、フューズの溶断を説明するための第２の部分断面図である。
【図１０】比較例において、フューズが溶断されたトリム回路部を示す平面図である。
【図１１】比較例に係る半導体装置における第２配線の端部とその近傍を示す部分拡大断面図である。
【図１２】同実施の形態において、第２配線の端部および応力緩和部とその近傍の構造を示す部分拡大断面図である。
【図１３】同実施の形態において、変形例１に係るフューズとその近傍を示す部分平面図である。
【図１４】同実施の形態において、変形例２に係るフューズとその近傍を示す部分平面図である。
【図１５】同実施の形態において、変形例３に係るフューズとその近傍を示す部分平面図である。
【図１６】実施の形態２に係る半導体装置におけるトリム回路部の構造を示す部分断面図である。
【図１７】実施の形態３に係る半導体装置におけるトリム回路部の構造を示す部分断面図である。
【図１８】変形例に係る半導体装置におけるトリム回路部の構造を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
実施の形態１
まず、フューズを含むトリム回路部の構造について説明する。図１に示すように、半導体装置ＳＤにおけるトリム回路部ＴＣでは、３本のフューズＦＨが一セットとされて、それぞれの一端側が、電源、制御回路ＣＣおよび接地端子に接続される。一方、３本のフューズＦＨのそれぞれの他端側は、引き出し配線ＥＨを介して内部回路ＮＣに接続されている。
【００１２】
電源に接続されるフューズＦＨおよび接地端子に接続されるフューズＦＨのいずれか一方のフューズと、制御回路に接続されるフューズＦＨとを溶断（ブロー）することによって、内部回路ＮＣへの信号が「Ｈ」または「Ｌ」のいずれかに選択されることになる。このため、３本のフューズＦＨのうちの１本のフューズＦＨは、必ず溶断されないフューズになる。
【００１３】
フューズＦＨをレーザ光線によって溶断する際の影響が外へ及ばないように、フューズＦＨを取り囲むようにガードリングＧＲが形成されている。ガードリングＧＲの内側の領域はフューズＦＨが形成されたフューズ領域になる。フューズＦＨが溶断された箇所から侵入する水分が漏れ出るのを阻止するため、ガードリングＧＲを取り囲むようにシールリングＳＲが形成されている。フューズＦＨ、ガードリングＧＲおよびシールリングＳＲによって、フューズボックスＦＢが形成される。
【００１４】
ガードリングＧＲは、フューズとなる配線以外の各配線となる層をパターニングすることによって形成されている。シールリングＳＲは、引き出し配線ＥＨ以外の各配線となる層をパターニングすることによって形成されている。
【００１５】
次に、フューズとその近傍の構造について詳しく説明する。図２および図３に示すように、半導体基板ＳＵＢの主表面を覆うように、第１層間絶縁膜ＳＺ１が形成されている。この第１層間絶縁膜ＳＺ１は、分離酸化膜ＢＺによって規定される素子形成領域（図示せず）に形成された素子（図示せず）を覆うように形成されている。その第１層間絶縁膜ＳＺ１の表面に接するように、引き出し配線ＥＨを含む第１配線Ｍ１が形成されている。第１配線Ｍ１を覆うように第２層間絶縁膜ＳＺ２が形成されている。
【００１６】
その第２層間絶縁膜ＳＺ２の表面に接するように、第２配線Ｍ２が形成されている。第２配線Ｍ２は、フューズＦＨを含み延在する部分（第２配線Ｐ１）と、フューズＦＨが延在する方向にフューズＦＨとは距離を隔てられた部分（第２配線Ｐ２）とを含む。フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１は、プラグＰＧ１を介して、引き出し配線ＥＨとなる第１配線Ｍ１に電気的に接続されている。プラグＰＧ１は、第２層間絶縁膜ＳＺ２を貫通する第１ヴィアＶ１に形成されている。
【００１７】
第２配線Ｍ２を覆うように第３層間絶縁膜ＳＺ３が形成されている。第３層間絶縁膜ＳＺ３の表面に接するように第３配線Ｍ３が形成されている。その第３配線Ｍ３を覆うように、パッシベーション膜ＰＶが形成されている。
【００１８】
この半導体装置におけるトリム回路部では、第３層間絶縁膜ＳＺ３に生じる応力を緩和させるために、第２配線Ｍ２と同じ層から応力緩和部ＳＲＬ１が形成されている。応力緩和部ＳＲＬ１は、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１の端部と第２配線Ｐ２との間の領域において、フューズＦＨが延在する方向に沿って微細パターンとして形成されている。
【００１９】
次に、半導体装置におけるフューズの溶断（ブロー）について説明する。フューズの溶断はレーザ光線の照射によって行われる。図１に示される３本のフューズＦＨのうち所定の２本のフューズに対して、図４に示すように、レーザ光線ＬＲが照射される。これにより、図５および図６に示すように、所定の２本のフューズＦＨが溶断されることになる。フューズＦＨが溶断されたフューズ溶断部ＦＣＲでは、フューズＦＨをなす第２配線Ｍ２、Ｐ１が露出する。
【００２０】
フューズ溶断部ＦＣＲでは水分に対して無防備となる。このため、露出した第２配線Ｍ２は腐食しやすくなるが、回路的にはオープンになっているため、トリム特性的には安定である。また、侵入した水分はシールリングＳＲにより、フューズボックスＦＢの外へ漏れ出るのを阻止することができる。
【００２１】
ところが、図６に示すように、フューズ溶断部ＦＣＲから侵入した水分が、矢印Ｙに示すように、溶断されていないフューズにまで到達することがある。上述した半導体装置では、溶断されていないフューズに到達した水分に起因する問題を解消することができる。このことについて、比較例を交えて説明する。
【００２２】
図７に示すように、比較例に係る半導体装置では、フューズＣＦＨをなす第２配線ＣＭ２は、引き出し配線ＣＥＨとして、第２配線Ｍ２よりも上に位置する第３配線ＣＭ３にプラグＣＰＧ２を介して電気的に接続されている。プラグＣＰＧ２は、第３層間絶縁膜ＣＳＺ３を貫通する第２ヴィアＣＶ２に形成されて、フューズＣＦＨをなす第２配線ＣＭ２の上面に接触するとともに、第３配線ＣＭ３の下面に接触する。なお、これ以外の構成として、図３に示される部材と同一部材については、参照符号の頭に符号「Ｃ」を付し、必要でない限りその説明を繰り返さないこととする。
【００２３】
次に、比較例におけるフューズの溶断について説明する。３本のフューズＣＦＨのうち所定の２本のフューズＣＦＨ（図１０参照）に対して、図８に示すように、レーザ光線ＣＬＲが照射される。これにより、図９および図１０に示すように、所定の２本のフューズＣＦＨが溶断されることになる。フューズＣＦＨが溶断されたフューズ溶断部ＣＦＣＲでは、フューズＣＦＨをなす第２配線ＣＭ２が露出し、水分が浸入しやすくなる。そのフューズ溶断部ＣＦＣＲから侵入した水分は、矢印ＣＹに示すように、溶断されていないフューズＣＦＨにまで到達することがある。
【００２４】
ここで、フューズＣＦＨをなす第２配線ＣＭ２の構造について説明する。図１１に示すように、第２配線ＣＭ２は、アルミニウム配線本体ＣＨＨ、バリアメタル膜ＣＢＬおよび反射防止膜ＣＡＲによって形成されている。バリアメタル膜ＣＢＬは、アルミニウム配線本体の下面と第２層間絶縁膜ＣＳＺ２の表面とに接触するように形成されている。バリアメタル膜ＣＢＬとして、チタンナイトライド膜ＴＮ１が形成されている。
【００２５】
一方、反射防止膜ＣＡＲは、アルミニウム配線本体ＣＨＨの上面に接触するように形成されている。反射防止膜ＣＡＲは、チタン膜Ｔ１とチタンナイトライド膜ＴＮ２から形成され、チタン膜Ｔ１がアルミニウム配線本体ＣＨＨに接触している。
【００２６】
溶断されていないフューズＣＦＨにはプラグＣＶ２を介して電流が流れる。電流が流れているフューズＣＦＨに水分が到達すると、その水分、フューズを流れる電流およびイオン化傾向の違いによって、特に、アルミニウム配線本体ＣＨＨと反射防止膜ＣＡＲのチタン膜Ｔ１との界面において腐食が生じ、その腐食が高電位側に向かって進行する（ガルバニック腐食）。
【００２７】
この場合、プラグＣＰＧ２は、アルミニウム配線本体ＣＨＨとチタン膜Ｔ１との界面が位置する、第２配線ＣＭ２上面側に接続されているため、腐食は高電位が印加されているプラグＣＰＧ２側に向かって進行する。このため、プラグＣＰＧ２が接続された第２配線層ＣＭ２の端部では、界面の腐食によって第２配線層ＣＭ２の体積が膨張する。第２配線層ＣＭ２の体積が膨張すると、第２配線層ＣＭ２を覆う第３層間絶縁膜ＣＳＺ３に応力が生じて、第３層間絶縁膜ＣＳＺ３にクラックＣＲＫが生じる場合がある。また、プラグＣＰＧ２と第２配線ＣＭ２との接触抵抗が増大してしまう。
【００２８】
これに対して、実施の形態に係る半導体装置では、図１２に示すように、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１の端部と第２配線Ｐ２との間の領域において、第２配線Ｍ２と同じ層から応力緩和部ＳＲＬ１が形成されている。すなわち、バリアメタル膜ＢＬ（チタンナイトライド膜ＴＮ１）、アルミニウム配線本体ＨＨおよび反射防止膜ＡＲ（チタン膜Ｔ１、チタンナイトライド膜ＴＮ２）の積層膜と同じ積層膜からなる応力緩和部ＳＲＬ１が、微小パターンとして形成されている。これにより、第３層間絶縁膜ＳＺ３に応力が生じたとしても、その応力は、その微小パターンによって分散されて、第３層間絶縁膜ＳＺ３にクラックが発生するのを阻止することができる。
【００２９】
また、この場合、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１は、プラグＰＧ１を介して、引き出し配線ＥＨとなる第１配線Ｍ１に電気的に接続されている。そのプラグＰＧ１は、腐食が進行する、チタン膜Ｔ１とアルミニウム配線本体ＨＨとの界面が位置する第２配線Ｐ１の上面側ではなく、その反対側の第２配線Ｐ１の下面（バリアメタル膜ＢＬ）側に接続されている。これにより、プラグＰＧ１と第２配線Ｐ１との接触抵抗の上昇を抑制することができる。
【００３０】
上述した半導体装置では、応力緩和部ＳＲＬ１が、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１の端部と第２配線Ｐ２との間の領域において、微細パターンとして形成された場合を例に挙げて説明した。ここで、そのような応力緩和部ＳＲＬ１のパターン（平面構造）の変形例について説明する。
【００３１】
変形例１
図１３に示すように、変形例１に係る半導体装置では、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１の端部と第２配線Ｐ２との間の領域に加えて、その領域から、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１が延在する方向と交差する方向に位置する領域の部分にも、応力緩和部ＳＲＬ１の微細パターンが配置されている。すなわち、フューズＦＨの幅よりも広くなるように、応力緩和部ＳＲＬ１の微細パターンが配置されている。
【００３２】
この場合には、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１の側方から第３層間絶縁膜ＳＺ３に生じる応力を効果的に分散させて、応力を緩和させることができる。
【００３３】
変形例２
図１４に示すように、変形例２に係る半導体装置では、応力緩和部ＳＲＬ１の微細パターンと第２配線Ｐ２との距離Ｌ１に対して、応力緩和部ＳＲＬ１の微細パターンとフューズＦＨとなる第２配線Ｐ１の端部との距離Ｌ２が長くなるように、応力緩和部ＳＲＬ１の微細パターンが配置されている。
【００３４】
この場合には、たとえ、第２配線Ｍ２、Ｐ１の端部に位置する第３層間絶縁膜ＳＺ３の部分にクラックが発生したとしても、その影響を低減することができる。
【００３５】
変形例３
図１５に示すように、変形例３に係る半導体装置では、第２配線Ｐ１が延在する方向と交差する方向にそれぞれ間隔を隔てて配置される複数のフューズＦＨとなる第２配線Ｐ１に対して、共通のライン状の応力緩和部ＳＲＬ１が配置されている。すなわち、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１の端部と第２配線Ｐ２との間の領域を横切るように、ライン状の応力緩和部ＳＲＬ１が配置されている。そのライン状の応力緩和部ＳＲＬ１は、電源電位に電気的に接続されている。
【００３６】
この場合には、応力緩和部ＳＲＬ１の電位がフューズＦＨの電位と同じ電位になる。これにより、第３層間絶縁膜ＳＺ３にクラックが発生したとしても、応力緩和部ＳＲＬ１とフューズＦＨとで電位差がないため、腐食が進行することはない。
【００３７】
実施の形態２
前述した半導体装置では、第１配線を引き出し配線ＥＨとした場合を例に挙げて説明した。ここでは、第３配線を引き出し配線とした場合の一例について説明する。
【００３８】
図１６に示すように、実施の形態２に係る半導体装置では、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１は、プラグＰＧ１を介して第１配線Ｍ１に電気的に接続されている。その第１配線Ｍ１は、他のプラグＰＧ１を介して第２配線Ｐ２に電気的に接続されている。さらに、その第２配線Ｐ２は、プラグＰＧ２を介して、引き出し配線ＥＨとしての第３配線Ｍ３に電気的に接続されている。なお、これ以外の構成については、図３に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付し、その説明を繰り返さないこととする。
【００３９】
上述した半導体装置では、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１の端部と第２配線Ｐ２との間の領域において、第２配線Ｍ２と同じ層から応力緩和部ＳＲＬ１が、微小パターンとして形成されている。これにより、実施の形態１において説明したように、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１の腐食に起因して第３層間絶縁膜ＳＺ３に応力が生じたとしても、その応力は、その微小パターンによって分散されて、第３層間絶縁膜ＳＺ３にクラックが生じるのを阻止することができる。また、プラグＰＧ１が第２配線Ｐ１の下面（バリアメタル膜ＢＬ）側に接続されていることで、プラグＰＧ１と第２配線Ｐ１との接触抵抗の上昇を抑制することができる。
【００４０】
なお、応力緩和部ＳＲＬ１の配置パターンとしては、図２に示される配置パターンの他に、図１３、図１４または図１５に示される配置パターンを適用することが可能である。
【００４１】
実施の形態３
ここでは、第３配線を引き出し配線とした場合の他の例について説明する。図１７に示すように、実施の形態３に係る半導体装置では、第２配線Ｍ２は、フューズＦＨを含み延在する部分（第２配線Ｐ１）と、フューズＦＨが延在する方向にフューズＦＨとは距離を隔てられた部分（第２配線Ｐ２）と、フューズが延在する方向に第２配線Ｐ２とは距離を隔てられた部分（第２配線Ｐ３）を含む。また、第１配線Ｍ１は、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１に電気的に接続される部分（第１配線Ｑ１）と、第１配線ＰＰ１から距離を隔てられた部分（第１配線Ｑ２）とを含む。
【００４２】
第２配線Ｐ２と第２配線Ｐ３との間の領域には、第２配線Ｍ２と同じ層から応力緩和部ＳＲＬ２が微細パターンとして形成されている。また、第１配線Ｑ１と第１配線Ｑ２との間の領域には、第１配線Ｍ１と同じ層から応力緩和部ＳＲＬ３が微細パターンとして形成されている。なお、これ以外の構成については、図３に示す半導体装置または図１６に示す半導体装置と同様なので、同一部材には同一符号を付し、その説明を繰り返さないこととする。
【００４３】
上述した半導体装置では、応力緩和部ＳＲＬ１に加えて、第２配線Ｐ２と第２配線Ｐ３との間の領域に応力緩和部ＳＲＬ２が微細パターンとして形成されている。これにより、フューズＦＨとなる第２配線Ｐ１の腐食に起因して第３層間絶縁膜ＳＺ３に応力が生じたとしても、その応力は、応力緩和部ＳＲＬ１の微細パターンと、応力緩和部ＳＲＬ２の微細パターンとによって効果的に分散されて、第３層間絶縁膜ＳＺ３にクラックが生じるのを確実に阻止することができる。
【００４４】
なお、この半導体装置では、第１配線Ｑ１と第１配線Ｑ２との間の領域にも、応力緩和部ＳＲＬ３が形成されているが、特に、この応力緩和部ＳＲＬ３が形成されていない場合でも、応力緩和の効果を得ることはできる。この応力緩和部ＳＲＬ３が形成されていることで、第２層間絶縁膜ＳＺ２の応力緩和の効果をさらに高めることができる。
【００４５】
また、応力緩和部ＳＲＬ１の配置パターンとしては、図２に示される配置パターンの他に、図１３、図１４または図１５に示される配置パターンを適用することが可能である。さらに、応力緩和部ＳＲＬ２の配置パターンおよび応力緩和部ＳＲＬ３の配置パターンについても、同様に適用することが可能である。
【００４６】
また、上述した各実施の形態では、第１配線Ｍ１または第３配線Ｍ３を引き出し配線とした半導体装置を例に挙げたが、図１８に示すように、第２配線Ｍ２、Ｐ２を引き出し配線ＥＨとしてもよい。この場合にも、第２配線Ｍ２、Ｐ１と第２配線Ｍ２、Ｐ１との間に応力緩和部ＳＲＬ１が形成されていることで、第３層間絶縁膜ＳＺ３に生じる応力を緩和させることができる。
【００４７】
また、上述した各実施の形態では、半導体装置の配線構造としては、第１配線、第２配線および第３配線の三層構造の場合を例に挙げて説明したが、配線構造としては三層構造に限られるものではなく、四層構造あるいはそれ以上の構造でもよい。いずれの構造においても、フューズとなる配線を基準にして、その配線の同じ層から形成される応力緩和部を配置することで、層間絶縁膜に及ぼす応力を緩和させることができる。
【００４８】
さらに、上述した各実施の形態では配線として、アルミニウム配線の場合を例に挙げて説明した。配線としては、銅配線の場合にも適用することが可能である。銅配線においても、ガルバニック腐食が発生しやすい界面が銅配線の上面側にあることがわかっている。このため、銅配線においても、アルミニウム配線の場合と同様に、フューズをなす銅配線は、ガルバニック腐食が発生しやすい上面側とは反対側の下面側からその下方に位置する下部配線を介して引き出し配線に電気的に接続されて、そのフューズをなす銅配線の端部の近傍に応力緩和部が配置される。これにより、フューズをなす銅配線を覆う層間絶縁膜に生じる応力を分散させて、応力を緩和させることができる。
【００４９】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００５０】
ＳＤ  半導体装置、ＴＣ  トリム回路部、ＦＢ  フューズボックス、ＦＨ  フューズ本体、ＧＲ  ガードリング、ＳＲ  シールリング、ＦＲ  フューズ領域、ＣＣ  制御回路、ＮＣ  内部回路、ＳＵＢ  半導体基板、ＢＺ  分離酸化膜、ＳＺ１  第１層間絶縁膜、Ｍ１  第１配線、ＳＺ２  第２層間絶縁膜、Ｖ１  第１ヴィア、ＰＧ１  第１プラグ、Ｍ２  第２配線、ＳＺ３  第３層間絶縁膜、Ｖ２  第２ヴィア、ＰＧ２  第２プラグ、Ｍ３  第３配線、ＥＨ  引き出し配線、ＰＶ  パッシベーション膜、ＳＲＬ１、ＳＲＬ２、ＳＲＬ３  応力緩和部、ＨＨ  配線本体、ＢＬ  バリアメタル膜、ＴＮ１  チタンナイトライド膜、ＡＲ  反射防止膜、ＴＩ  チタン膜、ＴＮ２  チタンナイトライド膜、ＦＣＲ  フューズ溶断部、ＬＲ  レーザ光線、ＣＲＫ  クラック。
【図１】
2014017436.tif 000003
【図２】
2014017436.tif 000004
【図３】
2014017436.tif 000005
【図４】
2014017436.tif 000006
【図５】
2014017436.tif 000007
【図６】
2014017436.tif 000008
【図７】
2014017436.tif 000009
【図８】
2014017436.tif 000010
【図９】
2014017436.tif 000011
【図１０】
2014017436.tif 000012
【図１１】
2014017436.tif 000013
【図１２】
2014017436.tif 000014
【図１３】
2014017436.tif 000015
【図１４】
2014017436.tif 000016
【図１５】
2014017436.tif 000017
【図１６】
2014017436.tif 000018
【図１７】
2014017436.tif 000019
【図１８】
2014017436.tif 000020