(57)【要約】【課題】半導体レーザ装置を備え、歩留りを向上できる電子デバイスを提供する。【解決手段】光導波路３９の一端の出射部３９ａからレーザ光を出射する半導体レーザ装置２０と、照射領域１５ａに出射部３９ａを近接対向して半導体レーザ装置２０が固着される支持体１０とを備えた電子デバイス１の製造方法において、半導体レーザ装置２０の出射面３０ａに平行な方向に半導体レーザ装置２０を支持体１０に対して相対移動させる移動装置５２と、半導体レーザ装置２０の対向面３０ｂに面して配される監視装置５３と、照射領域１５ａに照明光を照射する光源５５とを備え、照射領域１５ａに向けて照射された照明光が半導体レーザ装置２０を透過して対向面３０ｂから出射され、監視装置５３により出射面３０ａを監視して半導体レーザ装置２０を相対移動し、出射部３９ａと照射領域１５ａとが合致した際に半導体レーザ装置２０を固着する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１光導波路の一端の出射部からレーザ光を出射する半導体レーザ装置と、所定の照射領域に前記出射部を近接対向して前記半導体レーザ装置が固着される支持体とを備えた電子デバイスの製造方法において、前記半導体レーザ装置の前記出射部を含む出射面に平行な方向に前記半導体レーザ装置を前記支持体に対して相対移動させる移動装置と、前記半導体レーザ装置の前記出射面の対向面に面して配される監視装置と、前記照射領域に照明光を照射する光源とを備え、前記照射領域に向けて照射された前記照明光が前記半導体レーザ装置を透過して前記対向面から出射され、前記監視装置により前記出射面を監視して前記半導体レーザ装置を相対移動し、前記出射部と前記照射領域とが合致した際に前記半導体レーザ装置を固着することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記照射領域が前記支持体に設けられた光透過部の一端から成り、前記対向面に照射された前記照明光が前記半導体レーザ装置を透過して前記照明領域の周囲で反射し、前記半導体レーザ装置を再度透過して前記対向面から出射されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記照射領域が前記支持体を貫通する光透過部の一端から成り、前記光透過部の他端に照射された前記照明光が前記光透過部及び前記半導体レーザ装置を透過して前記対向面から出射されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項４】
第１光導波路を導波するレーザ光を反射する端面コート膜が前記出射面または前記対向面に形成され、前記照明光の波長が該レーザ光の波長と異なることを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれかに記載の電子デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記支持体が磁気記録を行うヘッド部から成るとともに、前記ヘッド部の媒体対向面に垂直方向に貫通する第２光導波路の一端により前記照射領域が形成され、前記照射領域の形成面上に前記半導体レーザ装置を固着したことを特徴とする請求項１〜請求項４のいずれかに電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体レーザ装置と半導体レーザ装置を固着して半導体レーザ装置からレーザ光を照射される支持体とを備えた電子デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ装置等に搭載される従来の熱アシスト磁気記録ヘッドは特許文献１に開示される。この熱アシスト磁気記録ヘッドは磁気ディスクに磁気記録を行うヘッド部上に半導体レーザ装置が固着される。半導体レーザ装置はヘッド部の照射領域にレーザ光を照射する。
【０００３】
図８は熱アシスト磁気記録ヘッド１のヘッド部１０と半導体レーザ装置２０との接合工程を示す側面図である。ヘッド部１０は保持装置５１により保持され、磁気記録を行う磁気記録部（不図示）の近傍に光導波路１５が設けられる。光導波路１５内には近接場光を発生させる素子（不図示）が配される。
【０００４】
半導体レーザ装置２０はヒートシンク２８に接着され、半導体レーザ素子３０と半導体レーザ素子３０を設置するサブマウント２１とを有している。半導体レーザ素子３０には光導波路３９が設けられる。半導体レーザ素子３０の前面の出射面３０ａ上には光導波路３９の一端から成る出射部３９ａが露出する。
【０００５】
ヒートシンク２８は出射面３０ａに平行な二方向（Ｘ方向及びＹ方向）に移動する移動装置５２により保持される。これにより、ヒートシンク２８に接着される半導体レーザ装置２０がヘッド部１０に対して相対移動する。
【０００６】
ヘッド部１０の上方には光導波路１５の一端の照射領域１５ａを監視する監視装置５３が設置される。ヘッド部１０に対してＸ方向に離れた位置にはヘッド部１０上からＸ方向に退避した半導体レーザ装置２０の出射部３９ａを下方から監視する監視装置５４が設置される。監視装置５３と監視装置５４とはＸ方向に例えば、距離Ｘ０だけ離れている。
【０００７】
図９、図１０はそれぞれ監視装置５３、５４の監視画面５３ａ、５４ａを示している。監視画面５３ａには照射領域１５ａの画像が形成される。これにより、監視画面５３ａ内の基準点Ｃ１に対する照射領域１５ａのＸ方向及びＹ方向の位置（距離Ｘ１、Ｙ１）が検出される。監視画面５４ａには出射部３９ａの画像が形成される。これにより、監視画面５４ａ内の基準点Ｃ２に対する出射部３９ａのＸ方向及びＹ方向の位置（距離Ｘ２、Ｙ２）が検出される。
【０００８】
また、ヘッド部１０の設置面１０ａ上には紫外線硬化型の接着剤１９が塗布される。移動装置５２をＸ方向に距離Ｘ０だけ移動すると、出射部３９ａが照射領域１５ａの近傍に対向配置される。そして、距離Ｘ１、Ｙ１、Ｘ２、Ｙ２に基づいて、移動装置５２をＸ方向及びＹ方向に移動させる（図９、図１０の場合はＸ方向にＸ１＋Ｘ２、Ｙ方向にＹ１−Ｙ２）。これにより、照射領域１５と出射部３９ａとが近接対向する。この時、紫外線の照射によって接着剤１９を硬化し、半導体レーザ装置２０がヘッド部１０の設置面１０ａ上に固着される。
【０００９】
上記構成の熱アシスト磁気記録ヘッド１において、半導体レーザ装置２０の出射部３９ａからヘッド部１０の照射領域１５ａに向けてレーザ光が出射される。照射領域１５ａから光導波路１５に入射した光は光導波路１５を導波して近接場光を発生する。磁気ディスクは近接場光の熱により局所的に保持力が低下し、磁気記録部によって磁気記録される。これにより、保持力の高い磁気ディスクを用いることができ、磁気ディスクの記録密度を向上することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００６−１８５５４８号公報（第９頁〜第１５頁、第１図）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、上記従来の熱アシスト磁気記録ヘッド１によると、監視装置５３、５４により照射領域１５ａ及び出射部３９ａの位置を検出した後に半導体レーザ装置２０が移動する。このため、移動装置５２の移動精度によって照射領域１５ａと出射部３９ａとの位置合せ精度が低くなり、熱アシスト磁気記録ヘッド１の歩留りが低い問題があった。
【００１２】
また、熱アシスト磁気記録ヘッド１以外の電子デバイスの場合も同様の問題がある。即ち、半導体レーザ装置２０を支持する支持体上の照射領域に出射点３９ａを近接対向する場合に、照射領域と出射点３９ａとの位置合せ精度が低くなる。このため、電子デバイスの歩留りが低い問題があった。
【００１３】
本発明は、歩留りを向上できる電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために本発明は、第１光導波路の一端の出射部からレーザ光を出射する半導体レーザ装置と、所定の照射領域に前記出射部を近接対向して前記半導体レーザ装置が固着される支持体とを備えた電子デバイスの製造方法において、前記半導体レーザ装置の前記出射部を含む出射面に平行な方向に前記半導体レーザ装置を前記支持体に対して相対移動させる移動装置と、前記半導体レーザ装置の前記出射面の対向面に面して配される監視装置と、前記照射領域に照明光を照射する光源とを備え、前記照射領域に向けて照射された前記照明光が前記半導体レーザ装置を透過して前記対向面から出射され、前記監視装置により前記出射面を監視して前記半導体レーザ装置を相対移動し、前記出射部と前記照射領域とが合致した際に前記半導体レーザ装置を固着することを特徴としている。
【００１５】
この構成によると、監視装置が半導体レーザ装置の対向面に面して配置され、支持体の照射領域に向けて照射された照明光は半導体レーザ装置を透過して監視装置に導かれる。監視装置は出射面を監視し、出射部及び照射領域の画像を取得する。そして、移動装置により半導体レーザ装置を支持体に対して相対移動し、出射部と照射領域とが合致すると支持体に半導体レーザ装置が固着される。
【００１６】
また本発明は、上記構成の電子デバイスの製造方法において、前記照射領域が前記支持体に設けられた光透過部の一端から成り、前記対向面に照射された前記照明光が前記半導体レーザ装置を透過して前記照明領域の周囲で反射し、前記半導体レーザ装置を再度透過して前記対向面から出射されることを特徴としている。
【００１７】
また本発明は、上記構成の電子デバイスの製造方法において、前記照射領域が前記支持体を貫通する光透過部の一端から成り、前記光透過部の他端に照射された前記照明光が前記光透過部及び前記半導体レーザ装置を透過して前記対向面から出射されることを特徴としている。
【００１８】
また本発明は、上記構成の電子デバイスの製造方法において、第１光導波路を導波するレーザ光を反射する端面コート膜が前記出射面または前記対向面に形成され、前記照明光の波長が該レーザ光の波長と異なることを特徴としている。
【００１９】
また本発明は、上記構成の電子デバイスの製造方法において、前記照明光が第１光導波路を導波するレーザ光よりも波長の長い赤外光から成ることを特徴としている。
【００２０】
また本発明は、上記構成の電子デバイスの製造方法において、前記支持体が磁気記録を行うヘッド部から成るとともに、前記ヘッド部の媒体対向面に垂直方向に貫通する第２光導波路の一端により前記照射領域が形成され、前記照射領域の形成面上に前記半導体レーザ装置を固着したことを特徴としている。この構成によると、電子デバイスは熱アシスト磁気記録ヘッドを構成し、出射部からレーザ光を出射し、第２光導波路を介して記録媒体にレーザ光を照射して磁気記録を行う。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によると、照射領域に向けて照射された照明光が半導体レーザ装置を透過して対向面から出射され、対向面に面した監視装置により出射面を監視しながら半導体レーザ装置を相対移動する。これにより、近接対向する出射部と照射領域とを同時に監視して位置合わせし、両者の位置合せ精度を向上することができる。従って、電子デバイスの歩留りを向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１実施形態の製造方法による熱アシスト磁気記録ヘッドを示す側面断面図
【図２】図１の熱アシスト磁気記録ヘッドの半導体レーザ装置を示す正面図
【図３】本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法の接合工程を示す側面図
【図４】本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法の接合工程の監視画面を示す図
【図５】本発明の第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法の接合工程の監視画面を示す図
【図６】本発明の第２実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法の接合工程を示す側面図
【図７】本発明の第２実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法の接合工程の監視画面を示す図
【図８】従来の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法の接合工程を示す側面図
【図９】従来の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法の接合工程の照射領域の監視画面を示す図
【図１０】従来の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法の接合工程の出射部の監視画面を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２３】
＜第１実施形態＞
以下に図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図１は第１実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッドの製造方法により得られる熱アシスト磁気記録ヘッドの側面断面図を示している。熱アシスト磁気記録ヘッド１はＨＤＤ装置等に搭載され、サスペンション（不図示）の支持によって磁気ディスクＤ上に軸方向移動可能に配置される。
【００２４】
熱アシスト磁気記録ヘッド１はヘッド部１０（支持体）と半導体レーザ装置２０とを備えている。ヘッド部１０は磁気ディスクＤに媒体対向面１０ｂを対向し、半導体レーザ装置２０はヘッド部１０の媒体対向面１０ｂと反対側の設置面１０ａに接着剤１９により固着される。
【００２５】
ヘッド部１０は矢印Ａ方向に回転する磁気ディスクＤ上を浮上するスライダ部１１を有し、スライダ部１１の媒体退出側の端部に素子部１２が設けられる。素子部１２は磁気記録を行う磁気記録部１３及び磁気ディスクＤの磁化を検出して出力する磁気再生部１４を有している。
【００２６】
磁気記録部１３の近傍には半導体レーザ装置２０から出射されるレーザ光を導波する光導波路１５（第２光導波路）が設けられる。光導波路１５はヘッド部１０を貫通して光を透過する光透過部を形成し、空洞または周囲を囲む部材よりも高屈折率の透明部材により形成される。設置面１０ａ上に露出する光導波路１５の一端は後述するように半導体レーザ装置２０から出射されるレーザ光の照射領域１５ａを形成する。また、光導波路１５内には近接場光を発生させる素子（不図示）が配される。
【００２７】
半導体レーザ装置２０はサブマウント２１の設置面２１ａ上に半導体レーザ素子３０がＡｕＳｎ等のロウ材（不図示）を介して接着される。サブマウント２１の設置面２１ａはヘッド部１０の設置面１０ａに直交する。サブマウント２１はＳｉ等により形成され、接着剤１９により前面２１ｂを設置面１０ａに接着される。
【００２８】
半導体レーザ素子３０は設置面２１ａに平行な方向に延びる光導波路３９（第１光導波路）を有している。半導体レーザ素子３０の前面の出射面３０ａ上には光導波路３９の一端の出射部３９ａが露出し、出射面３０ａに対向する対向面３０ｂ上には光導波路３９の他端の発光部３９ｂが露出する。光導波路３９を導波するレーザ光は出射部３９ａから出射される。
【００２９】
図２は半導体レーザ素子３０の正面断面図を示している。半導体レーザ素子３０はｎ型ＧａＡｓから成る基板３１上にエピタキシャル成長した半導体積層膜３２を有している。半導体積層膜３２は基板３１側から順に第１バッファ層３２ａ、第２バッファ層３２ｂ、ｎ型クラッド層３２ｃ、ｎ側光ガイド層３２ｄ、正孔障壁層３２ｅ、多重量子井戸活性層３２ｆ、ｐ側光ガイド層３２ｇ、第１ｐ型クラッド層３２ｈ、エッチストップ層３２ｉ、第２ｐ型クラッド層３２ｊ、中間層３２ｋ、キャップ層３２ｍを積層して形成される。
【００３０】
第１バッファ層３２ａはｎ型ＧａＡｓにより形成される。第２バッファ層３２ｂはｎ型ＧａＩｎＰにより形成される。ｎ型クラッド層３２ｃはｎ型ＡｌＧａＩｎＰにより形成される。ｎ側光ガイド層３２ｄはｎ型ＡｌＧａＡｓにより形成される。正孔障壁層３２ｅはＡｌＧａＡｓにより形成される。多重量子井戸活性層３２ｆはＩｎＧａＡｓ及びＡｌＧａＡｓにより形成される。ｐ側光ガイド層３２ｇはｐ型ＡｌＧａＡｓにより形成される。
【００３１】
第１ｐ型クラッド層３２ｈはｐ型ＡｌＧａＩｎＰにより形成される。エッチストップ層３２ｉはｐ型ＧａＩｎＰにより形成される。第２ｐ型クラッド層３２ｊはｐ型ＡｌＧａＩｎＰにより形成される。中間層３２ｋはｐ型ＧａＩｎＰにより形成される。キャップ層３２ｍはｐ型ＧａＡｓにより形成される。尚、各層の順序や組成は半導体レーザ素子３０の設計に最適な内容に適宜変更することが可能である。
【００３２】
エッチストップ層３２ｉよりも上層の半導体積層膜３２には一対の平行な溝部３３ａで挟まれたリッジ部３３が形成される。リッジ部３３の幅Ｗは例えば、２μｍに形成される。リッジ部３３によって半導体レーザ素子３０の前後方向に延びる光導波路３９（図１参照）が形成される。
【００３３】
リッジ部３３の上面を除く半導体積層膜３２上にはＳｉＯ2から成る埋め込み層３４が積層される。埋め込み層３４上にはリッジ部３３の上面に接したＡｕを主体とするｐ側電極３５が形成される。基板３１の裏面にはＡｕを主体とするｎ側電極３６が形成される。
【００３４】
また、半導体レーザ素子３０の出射面３０ａ（図１参照）及び対向面３０ｂ（図１参照）の一方または両方にはレーザ光に対して所定の反射率を有する端面コート膜（不図示）が形成される。端面コート膜によって光導波路３９を導波するレーザ光が反射して増幅される。
【００３５】
上記構成の熱アシスト磁気記録ヘッド１は磁気記録部１３及び磁気再生部１４を磁気ディスクＤに対向し、スライダ部１１により磁気ディスクＤ上を浮上する。半導体レーザ素子３０の光導波路３９を導波するレーザ光は出射面３０ａ上の出射部３９ａからヘッド部１０の照射領域１５ａに向けて前方に出射される。照射領域１５ａから光導波路１５に入射した光は光導波路１５を導波して近接場光を発生する。
【００３６】
磁気ディスクＤは近接場光の熱により局所的に保持力が低下し、磁気記録部１３によって磁気記録される。これにより、保持力の高い磁気ディスクＤを用いることができ、磁気ディスクＤの記録密度を向上することができる。また、磁気ディスクＤの磁化が磁気再生部１４により検出され、磁気ディスクＤに記録されたデータを読み出すことができる。
【００３７】
図３は本実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１の製造方法のヘッド部１０と半導体レーザ装置２０との接合工程を示す側面図である。ヘッド部１０は保持装置５１により保持され、半導体レーザ装置２０は移動装置５２により保持される。移動装置５２は出射面３０ａに平行な直交する二方向（Ｘ方向及びＹ方向）に移動する。これにより、半導体レーザ装置２０はヘッド部１０に対して相対移動する。
【００３８】
保持装置５１により半導体レーザ装置２０を保持して移動装置５２によりヘッド部１０を保持し、半導体レーザ装置２０をヘッド部１０に対して相対移動させてもよい。また、半導体レーザ装置２０及びヘッド部１０を異なる移動装置により保持して半導体レーザ装置２０をヘッド部１０に対して相対移動させてもよい。
【００３９】
半導体レーザ装置２０はサブマウント２１の前面２１ｂをヘッド部１０の設置面１０ａ上の所定位置に紫外線硬化型の接着剤１９を介して仮止めされる。この時、出射部３９ａと照射領域１５ａとがＸ方向及びＹ方向に概略同じ位置に配置される。
【００４０】
半導体レーザ装置２０の上方には半導体レーザ素子３０の対向面３０ｂに面して光源５５及びカメラ等の監視装置５３が設置される。光源５５は半導体レーザ素子３０から出射されるレーザ光と異なる波長の照明光を出射する。これにより、後述するように半導体レーザ素子３０を透過する照明光が出射面３０ａ及び対向面３０ｂに形成される端面コート膜で反射されることを防止する。
【００４１】
また、光源５５から出射される照明光が半導体レーザ素子３０から出射されるレーザ光よりも波長の長い赤外光から成るとより望ましい。この時、監視装置５３は赤外線カメラにより構成される。光源５５による照明光が半導体レーザ素子３０によるレーザ光よりも波長が短いと、半導体レーザ素子３０を透過する照明光が半導体レーザ素子３０内で吸収され易くなる。このため、レーザ光よりも波長の長い照明光によって照明光の吸収を低減し、監視装置５３による位置検出精度の低下を防止することができる。
【００４２】
光源５５から対向面３０ｂに向けて出射された照明光は矢印Ｂ１に示すように、半導体レーザ素子３０の半導体積層膜３２（図２参照）を透過して出射面３０ａから出射される。出射面３０ａから出射された照明光は照射領域１５ａを含む設置面１０ａ上に照射される。これにより、照明光は光導波路１５を透過するとともに、矢印Ｂ２に示すように照射領域１５ａの周囲で散乱反射する。
【００４３】
照射領域１５ａの周囲で反射した照明光は出射面３０ａを介して半導体レーザ素子３０に再度入射し、矢印Ｂ３に示すように半導体レーザ素子３０を透過する。そして、対向面３０ｂから照明光が出射され、監視装置５３に導かれる。
【００４４】
監視装置５３は出射面３０ａの近傍に合焦され、出射面３０ａ及び設置面１０ａの画像を取得する。図４は監視装置５３の監視画面５３ａの一例を示している。監視画面５３ａには出射面３０ａ上の出射部３９ａ及び設置面１０ａ上の照射領域１５ａの画像が形成され、出射部３９ａ及び照射領域１５ａが同時に監視される。照射領域１５ａは照明光を透過するため、周囲よりも暗く観察される。これにより、出射部３９ａと照射領域１５ａとのＸ方向及びＹ方向の距離Ｘ３、Ｙ３が検出される。
【００４５】
次に、移動装置５２により半導体レーザ装置２０をＸ方向及びＹ方向に距離Ｘ３、Ｙ３だけ移動する。これにより、図５に示すように出射部３９ａと照射領域１５ａとが合致する。この時、紫外線の照射によって接着剤１９を硬化し、半導体レーザ装置２０がヘッド部１０の設置面１０ａ上に固着される。
【００４６】
本実施形態によると、照射領域１５ａに向けて照射された照明光が半導体レーザ装置２０の半導体レーザ素子３０を透過して対向面３０ｂから出射される。そして、対向面３０ｂに面した監視装置５３により出射面３０ａを監視して半導体レーザ装置２０を相対移動する。これにより、近接対向する出射部３９ａと照射領域１５ａとを同時に監視して位置合わせし、両者の位置合せ精度を向上することができる。従って、熱アシスト磁気記録ヘッド１の歩留りを向上することができる。
【００４７】
また、照射領域１５ａがヘッド部１０（支持体）に設けられた光導波路１５（光透過部）の一端により形成される。そして、対向面３０ｂに照射された照明光が半導体レーザ装置２０の半導体レーザ素子３０を透過して照明領域１５ａの周囲で反射し、半導体レーザ素子３０を再度透過して対向面３０ｂから出射される。これにより、容易に照明光を照射領域１５ａに照射し、照射領域１５ａを監視装置５３により観察することができる。
【００４８】
また、光導波路３９（第１光導波路）を導波するレーザ光を反射する端面コート膜が出射面３０ａ及び対向面３０ｂに形成され、照明光の波長が該レーザ光の波長と異なる。これにより、光源５５から出射される照明光が端面コート膜で反射されることを防止し、確実に半導体レーザ素子３０を透過させることができる。
【００４９】
また、光源５５から出射される照明光が光導波路３９を導波するレーザ光よりも波長の長い赤外光から成ると、半導体レーザ素子３０内の照明光の吸収を低減し、監視装置５３による位置検出精度の低下を防止することができる。
【００５０】
また、照射領域１５ａの形成面を構成する設置面１０ａ上に半導体レーザ装置２０を固着するので、半導体レーザ装置２０を設置面１０ａに沿って相対移動して容易に出射部３９ａと照射領域１５ａとを合致させることができる。
【００５１】
＜第２実施形態＞
次に、図６は第２実施形態の熱アシスト磁気記録ヘッド１の製造方法のヘッド部１０と半導体レーザ装置２０との接合工程を示す側面図である。説明の便宜上、前述の図１〜図５に示す第１実施形態と同様の部分には同一の符号を付している。本実施形態は光源５５の配置が第１実施形態と異なっている。その他の部分は第１実施形態と同様である。
【００５２】
光源５５はヘッド部１０の媒体対向面１０ｂに面して配置される。光源５５から媒体対向面１０ｂに向けて出射された照明光は矢印Ｂ４に示すように光導波路１５を透過し、照射領域１５ａから出射される。照射領域１５ａから出射された照明光は出射面３０ａを介して半導体レーザ素子３０に入射し、矢印Ｂ５に示すように半導体レーザ素子３０を透過する。そして、対向面３０ｂから照明光が出射され、監視装置５３に導かれる。
【００５３】
監視装置５３は出射面３０ａの近傍に合焦され、出射面３０ａ及び設置面１０ａの画像を取得する。この時、照射領域１５ａを照射する照明光は光導波路１５を透過して出射面３０ａに導かれるため、周囲よりも明るく観察される。これにより、出射部３９ａ及び照射領域１５ａの位置が検出される。
【００５４】
次に、移動装置５２により半導体レーザ装置２０をＸ方向及びＹ方向に移動する。これにより、図７に示すように出射部３９ａと照射領域１５ａとが合致する。この時、紫外線の照射によって接着剤１９を硬化し、半導体レーザ装置２０がヘッド部１０の設置面１０ａ上に固着される。
【００５５】
本実施形態によると、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。また、照射領域１５ａがヘッド部１０（支持体）を貫通した光透過部から成る光導波路１５の一端により形成される。そして、光導波路１５の他端に照射された照明光が光導波路１５及び半導体レーザ素子３０を透過して対向面３０ｂから出射される。これにより、容易に照明光を照射領域１５ａに照射し、照射領域１５ａを監視装置５３により観察することができる。
【００５６】
尚、第１、第２実施形態において、従来例と同様の金属等のヒートシンク２８(図８参照）を設けてもよい。
【００５７】
＜第３実施形態＞
第１、第２実施形態は熱アシスト磁気記録ヘッド１について説明しているが、半導体レーザ装置２０と半導体レーザ装置２０が固着される支持体とを備えた他の電子デバイスであってもよい。即ち、電子デバイスは半導体レーザ装置２０に設けた出射部３９ａと、支持体に設けた照射領域とが近接対向し、出射部３９ａから照射領域にレーザ光が出射される。この電子デバイスの製造方法において、上記と同様に半導体レーザ装置２０を透過する照明光によって出射部３９ａと照射領域とを同時に監視し、半導体レーザ装置２０が支持体に固着される。これにより、電子デバイスの歩留りを向上することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５８】
本発明によると、半導体レーザ装置と半導体レーザ装置を固着して半導体レーザ装置からレーザ光を照射される支持体とを備えた熱アシスト磁気記録ヘッド等の電子デバイスに利用することができる。
【符号の説明】
【００５９】
１    熱アシスト磁気記録ヘッド
１０    ヘッド部
１１    スライダ部
１２    素子部
１３    磁気記録部
１４    磁気再生部
１５    光導波路
１５ａ  照射領域
１９    接着剤
２０    半導体レーザ装置
２１    サブマウント
２８    ヒートシンク
３０    半導体レーザ素子
３０ａ  出射面
３０ｂ  対向面
３１    基板
３２    半導体積層膜
３３    リッジ部
３４    埋め込み層
３５    ｐ側電極
３６    ｎ側電極
３９    光導波路
３９ａ  出射部
３９ｂ  発光部
５１    保持装置
５２    移動装置
５３、５４  監視装置
５５    光源
Ｄ    磁気ディスク
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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