(57)【要約】【課題】生産性を向上させたデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】実施形態のデバイスの製造方法は、被処理体の第１面と、第１支持基板と、を金属元素および半金属元素の少なくともいずれかを含む第１の層を介して接着する工程と、前記被処理体の前記第１面とは反対側の前記被処理体の第２面から前記被処理体の一部を除去する工程と、前記第１の層に液体または気体を接触させることにより、前記第１の層を膨潤させる工程と、前記被処理体の前記第１面から前記第１支持基板を剥離する工程と、を備える。【選択図】図１
2014017333.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理体の第１面と、第１支持基板と、を金属元素および半金属元素の少なくともいずれかを含む第１の層を介して接着する工程と、
前記被処理体の前記第１面とは反対側の前記被処理体の第２面から前記被処理体の一部を除去する工程と、
前記第１の層に液体または気体を接触させることにより、前記第１の層を膨潤させる工程と、
前記被処理体の前記第１面から前記第１支持基板を剥離する工程と、
を備え、
前記第１支持基板には、前記第１の層が設けられている前記第１支持基板の第３面とは反対側の前記第１支持基板の第４面から前記第１の層にまで到達する複数の貫通孔が設けられているデバイスの製造方法。
【請求項２】
被処理体の第１面と、第１支持基板と、を金属元素および半金属元素の少なくともいずれかを含む第１の層を介して接着する工程と、
前記被処理体の前記第１面とは反対側の前記被処理体の第２面から前記被処理体の一部を除去する工程と、
前記第１の層に液体または気体を接触させることにより、前記第１の層を膨潤させる工程と、
前記被処理体の前記第１面から前記第１支持基板を剥離する工程と、
を備えたデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記第１支持基板においては、前記第１の層が設けられている前記第１支持基板の第３面とは反対側の前記第１支持基板の第４面から前記第１の層にまで達する複数の貫通孔が設けられている請求項２記載のデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記第１支持基板を前記被処理体に接着する前においては、前記被処理体の前記第１面の側では、前記被処理体に形成された酸化膜または有機物層が表出している請求項１〜３のいずれか１つに記載のデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記被処理体の前記第１面から前記第１支持基板を剥離した後、金属元素および半金属元素の少なくともいずれかを含む第２の層を介して前記第２支持基板を前記被処理体の前記第２面の側に接着し、前記被処理体の前記第１面の側を加工する請求項１〜４のいずれか１つに記載のデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記被処理体の前記第１面の側を加工した後、前記第２の層に液体または気体を接触させて前記第２の層を膨潤させることにより、前記被処理体の前記第２面の側から前記第２支持基板を剥離する請求項５記載のデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記被処理体を個片化した後、前記第１の層を膨潤させる請求項１〜６のいずれか１つに記載のデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記液体および前記気体は、水を含有する請求項１〜７のいずれか１つに記載のデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記第１支持基板の材料と前記被処理体の材料とが同じである請求項１〜８のいずれか１つに記載のデバイスの製造方法。
【請求項１０】
前記被処理体の前記第１面と前記第１支持基板とを前記第１の層を介して接着する前に、前記第１の層の前記被処理体に接する接触面に粗面化処理を行う請求項１〜９のいずれか１つに記載のデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワー半導体素子、ＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの製造プロセスでは、被処理基板の表面側にはウェーハプロセスを実施するとともに、被処理基板の裏面側に電極等を形成する場合がある。被処理基板の裏面側に電極等を形成する場合には、デバイス特性を向上させるために被処理基板の薄化処理をする場合がある。しかし、被処理基板はその厚みが薄くなるほど強度が低下する。その結果、薄化処理をした後においては、被処理基板が割れたり、欠けたりして、デバイスの製造歩留まりが低減するという問題があった。
【０００３】
この問題を解決するために、近年、被処理基板を支持基板に固定しつつ、ウェーハプロセスを進行させる方法が利用されている。この方法では、所定のプロセスが終了した後に、被処理基板から支持基板が剥がされる。被処理基板の支持基板の固定には、通常、有機物の接着剤が用いられる。有機物の接着剤を用いれば、被処理基板と支持基板との剥離が容易になる。
【０００４】
しかし、この剥離には専用の薬剤が用いられ、被処理基板になるべく薬剤からのダメージ（例えば、腐食等）を与えないものを選択しなければならないという制約が生じる。また、被処理基板にダメージを与えない薬剤が確保されたとしても、接着剤は有機物であるために、十分な耐熱性を確保することができない。このため、高温処理プロセスでは接着剤を用いることができず、高温処理プロセス毎に被処理基板を事前に支持基板から剥がしてから該プロセスを進行させるという煩雑さがあった。これにより、デバイスの生産性が向上しないという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２４２７１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、より生産性を向上させたデバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態のデバイスの製造方法は、被処理体の第１面と、第１支持基板と、を金属元素および半金属元素の少なくともいずれかを含む第１の層を介して接着する工程と、前記被処理体の前記第１面とは反対側の前記被処理体の第２面から前記被処理体の一部を除去する工程と、前記第１の層に液体または気体を接触させることにより、前記第１の層を膨潤させる工程と、前記被処理体の前記第１面から前記第１支持基板を剥離する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態に係るデバイスの製造方法のプロセスフロー図である。
【図２】第１実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【図３】第１実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【図４】膨潤前後の接着層のＳＥＭ断面像である。
【図５】第２実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【図６】第２実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【図７】第２実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【図８】第３実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【図９】第３実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【図１０】第３実施形態の変形例に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【図１１】第４実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【図１２】第５実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、図面を参照しつつ、実施形態について説明する。以下の説明では、同一の部材には同一の符号を付し、一度説明した部材については適宜その説明を省略する。
【００１０】
（第１実施形態）  
図１は、第１実施形態に係るデバイスの製造方法のプロセスフロー図である。
【００１１】
第１実施形態に係るデバイスの製造方法では、例えば、薄い半導体層等の被処理体を支持基板によって支持しながら製造プロセスを進行させる。支持基板上には金属元素および半金属元素の少なくともいずれかを含む層（以下、単に層とする）が設けられている。
【００１２】
第１実施形態に係るデバイスの製造方法では、支持基板を被処理体の第１面に、該層を介して接着する（ステップＳ１０）。  
次に、被処理体の第１面とは反対側の被処理体の第２面から被処理体の一部を除去することにより、被処理体の厚さを薄くする（ステップＳ２０）。  
次に、該層に、液体または気体を接触させることにより、該層を膨潤させる（ステップＳ３０）。  
次に、被処理体の第１面から支持基板を剥離する（ステップＳ４０）。
【００１３】
被処理体の厚さを薄くしてから、該層を膨潤させるまでの間は、薄い被処理体が該層を介して支持基板によって固定支持される。この間において被処理基板には、例えばイオン注入、加熱処理、および電極形成等の加工が施される。
【００１４】
第１実施形態に係るデバイスの製造方法のより具体的な方法について説明する。  
第１実施形態では、デバイスの一例として上下電極構造のＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）を製造するプロセスが例示される。  
図２および図３は、第１実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【００１５】
まず、図２（ａ）には、第１実施形態に係る被処理体１０Ａの断面が表されている。被処理体１０Ａは、例えば、半導体基板１１と、複数の素子領域１２ａと、パッシベーション膜１３と、を備える。被処理体１０Ａは、その上面１０ｕ（第１面）の側において複数の素子領域１２ａを有する。被処理体１０Ａの上面１０ｕの側では、被処理体１０Ａの上面１０ｕの側に形成された有機物層（例えば、パッシベーション膜１３）が表出している。
【００１６】
図２（ａ）に表される段階では、半導体基板１１は個片化される前のウェーハ状態にある。第１実施形態では、半導体基板１１の材料として、例えば不純物元素（ドーパント）が含有されたｎ形シリコン結晶を用いる。不純物元素としては、例えば、リン（Ｐ）、ヒ素（Ａｓ）等があげられる。また、図２（ａ）に表される段階では、被処理体１０Ａの上面１０ｕの側にＩＧＢＴのゲート電極、ｎ形エミッタ領域、ｐ形ベース領域等が設けられている（図示しない）。
【００１７】
被処理体１０Ａの下面１０ｄ（第２面）の側には、後述するプロセスによってＩＧＢＴのコレクタ領域が形成される。また、被処理体１０Ａの上面１０ｕの側には、被処理体１０Ａの保護を図るためにパッシベーション膜１３が設けられている。素子領域１２ａの一部はパッシベーション膜１３から開口されている。パッシベーション膜１３は有機物層であり、有機物としては、例えばポリイミドがあげられる。また、パッシベーション膜１３は、無機物層（酸化シリコン膜、窒化シリコン膜等）でもよい。第１実施形態では、有機物層のパッシベーション膜を例示する。第１実施形態では、パッシベーション膜１３の上面が被処理体の上面１０ｕであり、この上面１０ｕが後述する支持基板２０との接触面になる。
【００１８】
次に、図２（ｂ）に表されるように、被処理体１０Ａの上面１０ｕに支持基板２０（第１支持基板）を対向させる。支持基板２０は、上面２０ｕ（第３面）と下面２０ｄ（第４面）とを有する。すなわち、支持基板２０の上面２０ｕを被処理体１０Ａの上面１０ｕに対向させる。支持基板２０の平面形状は被処理体１０Ａの平面形状と同じである。支持基板２０の主成分は、シリコン（Ｓｉ）である。支持基板２０の材料としては、シリコンのほか、ガラス、セラミック等であってもよい。
【００１９】
また、支持基板２０の上面２０ｕの上には、金属元素および半金属元素の少なくともいずれかを含む層として、接着層２１（第１の層）が設けられている。すなわち、支持基板２０と被処理体１０Ａとは、接着層２１を介して接着されている。この場合、接着層２１の上面２１ｕが被処理体１０の上面１０ｕとの接触面になる。接着層２１は、支持基板２０と被処理体１０Ａとの間に位置している。なお、接着層２１が付設された支持基板２０については、被処理体１０Ａを準備する前に予め用意してもよい。
【００２０】
金属元素はアルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）の群から選択される少なくとも１つの金属元素である。半金属元素はシリコン（Ｓｉ）である。
【００２１】
例えば、接着層２１は、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）の群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属膜、もしくは、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）の群から選択される少なくとも１つの金属を含む酸化膜、もしくは、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）の群から選択される少なくとも１つの金属を含む金属膜と、アルミニウム（Ａｌ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、マグネシウム（Ｍｇ）、チタン（Ｔｉ）の群から選択される少なくとも１つの金属を含む酸化膜と、を含む積層膜である。
【００２２】
また、接着層２１は、シリコン（Ｓｉ）を含む半金属膜、もしくは、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化膜、もしくは、シリコン（Ｓｉ）を含む半金属膜と、シリコン（Ｓｉ）を含む酸化膜と、を含む積層膜であってもよい。
【００２３】
接着層２１は、支持基板２０の上面２０ｕの上に、例えば、真空蒸着、スパッタリング法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等によって形成される。接着層２１が酸化膜である場合、酸化膜は非晶質膜である。接着層２１が金属膜もしくは半金属膜である場合、金属膜の表面および半金属膜の表面には自然酸化膜が形成されていてもよい。
【００２４】
また、支持基板２０には複数の貫通孔２０ｈが設けられている。図２（ｂ）には、複数の貫通孔２０ｈのそれぞれが支持基板２０と、接着層２１と、を貫通している状態が表されている。複数の貫通孔２０ｈは、例えば、ブラスト加工、ドライエッチング等によって形成される。複数の貫通孔２０ｈのそれぞれは、接着層２１が設けられている支持基板２０の上面２０ｕとは反対側の支持基板２０の下面２０ｄから接着層２１にまで達している。例えば、図２（ｂ）の右側には、支持基板２０の平面形状が表されている。
【００２５】
貫通孔２０ｈに関しては、複数の貫通孔２０ｈのそれぞれが支持基板２０のみを貫通していてもよく、複数の貫通孔２０ｈの少なくとも１つが支持基板２０および接着層２１を貫通してもよい。また、複数の貫通孔２０ｈの少なくとも１つが接着層２１の厚さ方向の途中まで延在されてもよい。複数の貫通孔２０ｈのそれぞれは、支持基板２０の上面２０ｕ（もしくは下面２０ｄ）に対して平行な方向において、碁盤の目のように縦横に周期的に配列されてもよく、縦横にランダムに配列されてもよい。
【００２６】
複数の貫通孔２０ｈのそれぞれが碁盤の目のように配列された場合は、支持基板２０の上面２０ｕ（もしくは下面２０ｄ）に対して平行な方向における貫通孔２０ｈのピッチは、例えば、２０μｍ（マイクロメートル）〜２０ｍｍ（ミリメートル）である。
【００２７】
なお、支持基板２０に複数の貫通孔２０ｈを設けない実施例も、実施形態に含まれる。この実施形態については後述する。
【００２８】
接着層２１と被処理体１０Ａの上面１０ｕとを対向させた後、支持基板２０を被処理体１０Ａの側へ降下させることによって、接着層２１とパッシベーション膜１３とを接触させる。接着層２１とパッシベーション膜１３とを接触させる前の雰囲気温度は、例えば、室温（２０℃）である。そして、接着層２１とパッシベーション膜１３との接触圧を外部から加圧しながら、７０℃〜１５０℃の加熱処理を施す。この後、被処理体１０Ａ、支持基板２０、および接着層２１に対してさらに加熱処理を施す。加熱温度は、例えば３００℃〜４００℃である。
【００２９】
この加熱処理によって、接着層２１とパッシベーション膜１３との密着力が増加する。これにより、支持基板２０が被処理体１０Ａの上面１０ｕに接着層２１を介して接着される。
【００３０】
次に、図２（ｃ）に表されるように、被処理体１０Ａの上面１０ｕとは反対側の被処理体１０Ａの下面１０ｄから被処理体１０Ａの一部を除去する。これにより、被処理体１０Ａの厚さがより薄くなる。
【００３１】
例えば、被処理体１０Ａの一部を除去する前の半導体基板１１の厚みは、０．７２５ｍｍであり、被処理体１０Ａの一部を除去した後の半導体基板１１の厚みは、０．０１ｍｍ以上、０．４ｍｍ以下である。半導体基板１１の一部を除去する手段としては、例えば、グラインド、エッチング等があげられる。
【００３２】
次に、図２（ｄ）に表されるように、被処理体１０Ａの下面１０ｄから被処理体１０Ａに不純物元素を導入する。例えば、被処理体１０Ａの下面１０ｄからホウ素（Ｂ）等の不純物元素をイオン注入により導入して、被処理体１０Ａの下面１０ｄの側にＩＧＢＴのｐ形コレクタ領域を形成する。この後、不純物元素を活性化するために、被処理体１０Ａにアニール処理を施す。例えば、被処理体１０Ａの温度が６００℃以上になるように、被処理体１０Ａに加熱処理を施す。
【００３３】
次に、図３（ａ）に表されるように、被処理体１０Ａの下面１０ｄの側にコレクタ電極１５を形成する。この後は、例えば、被処理体１０Ａの温度が４００℃以上になるように、被処理体１０Ａに加熱処理を施すことも可能である。
【００３４】
次に、図３（ｂ）に表されるように、コレクタ電極１５が付設された被処理体１０Ａと、支持基板２０と、をバックグラインド用テープ３０の上に設置する。この後、被処理体１０Ａおよび支持基板２０を液体もしくは気体に晒す。ここで、気体とは蒸気である。例えば、被処理体１０Ａおよび支持基板２０を液体中に浸漬したり、被処理体１０Ａおよび支持基板２０を蒸気雰囲気に晒す。浸漬もしくは晒す時間は、例えば３０分間とする。
【００３５】
液体もしくは蒸気は、水を含有する。液体もしくは蒸気は、例えば、純水でもよく、純水に、シュウ酸等の酸を混在させたものでもよい。液体を用いるときは、その温度を５０℃〜１００℃に調整する。
【００３６】
被処理体１０Ａおよび支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒すと、支持基板２０には複数の貫通孔２０ｈが設けられているので、液体もしくは蒸気は複数の貫通孔２０ｈのなかに侵入する。そして、液体または蒸気は複数の貫通孔２０ｈを通して接着層２１にまで到達する。すると、接着層２１に液体または蒸気が接触して接着層２１が膨潤する。
【００３７】
これにより、接着層２１の支持基板２０もしくは被処理体１０Ａに接触する接触面が粗面化する。その結果、接着層２１とパッシベーション膜１３との密着力が弱まり、支持基板２０を被処理体１０Ａの上面１０ｕから容易に剥離することができる。この後は、必要に応じて被処理体１０Ａを乾燥し、被処理体１０Ａにダイシング処理、後工程プロセス処理（例えば、パッケージング等）等を施す。これにより、個片化されたＩＧＢＴ素子が形成される。
【００３８】
図４は、膨潤前後の接着層のＳＥＭ断面像である。  
図４（ａ）には、支持基板２０上に膨潤前の接着層２１が形成された状態が表されている。図４（ｂ）には、支持基板２０上に膨潤後の接着層２１が設けられた状態が表されている。図４（ａ）、（ｂ）にはそれぞれの接着層の断面と表面が例示されている（tilt：１５°）。
【００３９】
ＳＥＭ像では、接着層２１としては、酸化アルミニウム膜が例示されている。図４（ａ）には、膨潤化前の酸化アルミニウム膜が例示されている。膨潤前の酸化アルミニウム膜の表面はおよそ平坦な状態にある。膨潤前の酸化アルミニウム膜の膜厚は、約５０ｎｍである。酸化アルミニウム膜はスパッタリング法によって支持基板２０上に形成される。酸化アルミニウム膜は非晶質成分を含む。酸化アルミニウム膜は支持基板２０に高い密着力をもって接着している。この酸化アルミニウム膜を純水（温度：５０℃〜１００℃）に浸漬する。
【００４０】
酸化アルミニウム膜を膨潤させた後の皮膜の膜厚は、図４（ｂ）に表されるように、およそ３００ｎｍである（符号２１Ｓで示された膜）。このように、非晶質酸化アルミニウム膜の膨潤では著しい膜厚増加（あるいは、体積増加）が生じる。膨潤化後の膜は、例えば、アルミニウム、アルミニウム酸化物、アルミニウム水酸化物、アルミニウム酸化物の水和物、およびアルミニウム水酸化物の水和物の少なくともいずれかを含む。
【００４１】
膨潤前の酸化アルミニウム膜は緻密な皮膜であるのに対して、膨潤化後の皮膜は例えば薄片が凝集した膜になり、その表面および裏面が膨潤前の酸化アルミニウム膜に比べて粗面（粗い表面）になっている。これにより、酸化アルミニウム膜と支持基板２０との密着力が低下する。あるいは、酸化アルミニウム膜に被処理体１０Ａを接着させた場合は、膨潤化後において酸化アルミニウム膜と被処理体１０Ａとの密着力が低下する。
【００４２】
第１実施形態においては、接着層２１の厚さを１００ｎｍ以下に調整してもよい。接着層２１の厚さが１００ｎｍより大きくなると、一部の接着層２１が膨潤し難くなり、接着層自体が残渣として支持基板２０の側もしくは被処理体１０Ａの側に残存する可能性がある。このため、接着層２１を除去する工程が増えてしまい好ましくない。
【００４３】
なお、接着層２１として、アルミニウム（Ａｌ）膜等の金属膜を選択した場合も、金属膜表面に自然酸化膜が形成されているので、自然酸化膜が膨潤化されることにより、酸化膜を接着層２１とした場合と同じ作用を示す。自然酸化膜の厚さは、例えば、１０ｎｍ以下である。自然酸化膜は非晶質自然酸化膜を含む。
【００４４】
また、支持基板２０を被処理体１０Ａから剥離した後において接着層２１を膨潤化させた皮膜の一部が支持基板２０の側もしくは被処理体１０Ａの側に残渣として残る場合がある。このような残渣は支持基板２０もしくは被処理体１０Ａへの密着力がもともと弱くなっているため、液体洗浄、超音波洗浄、および酸エッチング等によって簡単に除去することができる。
【００４５】
このように、第１実施形態によれば、半導体基板１１を薄化させた後、薄い被処理体１０Ａを接着層２１を介して支持基板２０によって固定支持しながら製造プロセスを進行させている。すなわち、図２（ｂ）のごとく、支持基板２０を被処理体１０Ａに接着させてから、図３（ｂ）のごとく、支持基板２０を被処理体１０Ａから剥がすまでの間（以下、支持期間とする。）は、薄化させた被処理体１０Ａの機械的強度が接着層２１を介して支持基板２０によって補強されている。このため、支持期間において被処理体１０Ａが反ったり、ねじれが生じたりすることがなく、さらに被処理体１０Ａに割れ、欠けが生じることもない。例えば、支持期間において被処理体１０Ａには、イオン注入、電極形成、加熱処理等の加工が施される。
【００４６】
支持基板２０と被処理体１０Ａとの接着剤として、有機物の接着剤を用いた場合は、およそ４００℃が支持期間における限界温度になる。このため、有機物の接着剤を用いた場合は、支持期間におけるプロセスマージンが拡張しない。また、有機物の接着剤を用いる場合、加熱温度が４００℃に近づくと、その密着力が急激に低下したり、接着剤の成分変化、変形等によって被処理体に割れ、欠けが発生したりする場合もある。このため、有機物の接着剤を用いた場合は、高温処理をする前毎に、支持基板から被処理体を剥がす処理が加わる。そして、剥離をする度に専用の薬液が用いられる。
【００４７】
これに対し、第１実施形態においては、支持基板２０と被処理体１０Ａとの接着剤として酸化膜を含む接着層２１を用いている。このため、接着層の耐熱性が有機物の接着剤に比べより高くなる。例えば、接着層２１を用いる場合は４００℃以上の加熱温度を施しても、接着層２１が劣化し難い。ここで、劣化とは、例えば、接着層２１の密着力低下、成分変化、および変形等である。このため、第１実施形態では、処理基板におけるプロセス条件のマージンがより拡張する。例えば、支持期間において、半導体基板１１を薄化させる前と同等の条件のプロセス処理を実施することもできる。
【００４８】
また、第１実施形態においては、支持基板２０と被処理体１０Ａとを剥がすときに、有機物の接着剤の剥離で用いたような専用の薬液を要しない。第１実施形態では、水を用いるだけで支持基板２０と被処理体１０Ａとの剥離処理が済む。このため、薬液による被処理体１０Ａへのダメージが起きない。
【００４９】
また、支持期間においては、被処理体１０Ａが耐熱性の高い接着層２１を介して支持基板２０によって補強されているので、有機物の接着剤を用いるときによりも半導体基板１１の厚さをさらに薄く加工できる。このため、デバイスの厚さの設計自由度が向上する。例えば、上下電極構造の半導体装置などでは、上下電極間の距離をさらに短くすることができるのでオン抵抗がより低い半導体装置を設計することができる。
【００５０】
また、半導体基板１１の主成分と支持基板２０の主成分とを同じにすることにより（例えば、シリコン）、半導体基板１１の熱膨張率と支持基板２０の熱膨張率とが略同じになる。このため、被処理体１０Ａを加熱したとき、支持基板２０に比べ被処理体１０Ａの方がより伸びたり縮んだりしない。これにより、支持期間において被処理体１０Ａに過剰な応力が印加されたり、被処理体１０Ａが反ったり、ねじれが生じたりすることはない。
【００５１】
（第２実施形態）  
第２実施形態では、デバイスの一例としてショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）を製造するプロセスが例示される。  
図５〜図７は、第２実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【００５２】
まず、図５（ａ）には、第２実施形態に係る被処理体１０Ｂの断面が表されている。被処理体１０Ｂは、例えば、半導体基板１１と、複数の素子領域１２ｂと、酸化膜１４と、を備える。半導体基板１１は個片化される前のウェーハ状態にある。第２実施形態では、半導体基板１１の材料として、ｎ形炭化シリコン結晶（ＳｉＣ結晶）を用いる。半導体基板１１の上面１０ｕの側では、リソグラフィー、イオン注入、アニール等のプロセス処理が繰り返され、その上面１０ｕの側には複数の素子領域１２ｂが形成されている。さらに、被処理体１０Ｂの上面１０ｕの側では、被処理体１０Ｂの上面１０ｕの側に形成された酸化膜１４が表出している。酸化膜１４は、例えば、酸化シリコン膜である。
【００５３】
図５（ａ）に表される段階では、半導体基板１１は個片化される前のウェーハ状態にある。被処理体１０Ｂの上面１０ｕの側においては、素子領域１２ｂの上、および素子領域以外の領域の上に、酸化膜１４が設けられている。
【００５４】
次に、図５（ｂ）に表されるように、支持基板２０の上面２０ｕを被処理体１０Ｂの上面１０ｕに対向させる。支持基板２０の平面形状は被処理体１０Ｂの平面形状と同じである。また、支持基板２０の上面２０ｕの上には接着層２１が設けられている。続いて、支持基板２０を被処理体１０Ｂの側へ降下させることによって、接着層２１と酸化膜１４とを接触させる。接着層２１と酸化膜１４とを接触させる前の雰囲気温度は、例えば、室温（２０℃）である。この後、接着層２１と酸化膜１４との接触圧を外部から加圧しながら、７０℃〜１５０℃の加熱処理を施してもよい。この後、被処理体１０Ｂ、支持基板２０、および接着層２１に対しさらに加熱処理を施す。加熱温度は、例えば３００℃〜４００℃である。
【００５５】
この加熱処理によって、接着層２１と酸化膜１４との密着力が増加する。これにより、支持基板２０が被処理体１０Ｂの上面１０ｕに接着層２１を介して接着される。
【００５６】
次に、図５（ｃ）に表されるように、被処理体１０Ｂの上面１０ｕとは反対側の被処理体１０Ｂの下面１０ｄから被処理体１０Ｂの一部を除去する。これにより、被処理体１０Ｂの厚さがより薄くなる。
【００５７】
半導体基板１１の一部を除去する手段としては、例えば、グラインド、エッチング等があげられる。
【００５８】
次に、図５（ｄ）に表されるように、被処理体１０Ｂの下面１０ｄの側にカソード電極１６を形成する。この後、カソード電極１６のシンタリングを行うため、被処理体１０Ｂに加熱処理を施す。例えば、被処理体１０Ｂの温度が５００℃以上になるように、被処理体１０Ｂに加熱処理を施す。
【００５９】
なお、カソード電極１６と半導体基板１１との間に不純物元素を導入して、ｎ＋形コンタクト層を形成してもよい。これにより、カソード電極１６と半導体基板１１とのオーミックコンタクトが良好になる。この際、不純物元素を活性化するために、被処理体１０Ｂにアニール処理を施す。例えば、被処理体１０Ｂの温度が１０００℃以上、２０００℃以下になるように、被処理体１０Ｂに加熱処理を施す。カソード電極１６をアノード電極よりも先に付設することにより、被処理体１０Ｂを薄化し、かつカソード側のシンタリング温度を高く設定することが可能になる。
【００６０】
次に、図６（ａ）に表されるように、カソード電極１６が付設された被処理体１０Ｂと、支持基板２０と、をバックグラインド用テープ３０上に設置する。この後、被処理体１０Ｂおよび支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒す。液体を用いるときは、その温度を５０℃〜１００℃に調整する。
【００６１】
被処理体１０Ｂおよび支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒すと、液体または蒸気が複数の貫通孔２０ｈを通して接着層２１にまで到達する。すると、接着層２１に液体または蒸気が接触して接着層２１が膨潤する。これにより、接着層２１の支持基板２０もしくは被処理体１０Ｂに接触する接触面が粗面化する。その結果、図６（ｂ）に示すように、接着層２１と酸化膜１４との密着力が弱まり、支持基板２０を被処理体１０Ｂの上面１０ｕから容易に剥離することができる。この後は、必要に応じて被処理体１０Ｂを乾燥する。
【００６２】
次に、図６（ｃ）に表されるように、被処理体１０Ｂの上面１０ｕを別のバックグラインド用テープ３１に貼り付ける。さらに、カソード電極１６の表出面に接着層２２を形成する。接着層２２は、カソード電極１６の上に、例えば、真空蒸着、スパッタリング法、ＣＶＤ等によって形成される。接着層２２の材料は接着層２１の材料と同じである。
【００６３】
次に、図６（ｄ）に表されるように、接着層２２と支持基板２５（第２支持基板）と対向させ、それらを接触する。支持基板２５の構成は支持基板２０の構成と同じである。例えば、支持基板２５は、上面２５ｕと下面２５ｄとを有し、複数の貫通孔２５ｈを有する。支持基板２５の材料については、半導体基板１１との熱膨張率とあわせるために炭化シリコンとしてもよい。支持基板２５の上面２５ｕの上には接着層２６（第２の層）が設けられている。接着層２６の材料は接着層２１の材料と同じである。支持基板２５の平面形状は被処理体１０Ｂの平面形状と同じである。接着層２２と接着層２６とを接触させる前の雰囲気温度は、例えば、室温（２０℃）である。
【００６４】
次に、図７（ａ）に表されるように、バックグラインド用テープ３１を被処理体１０Ｂから剥離した後、被処理体１０Ｂ、支持基板２５、および接着層２２、２６に対して加熱処理を施す。加熱温度は、例えば３００℃〜４００℃である。加熱処理の前には、接着層２２と接着層２６との接触圧を外部から加圧しながら、７０℃〜１５０℃の加熱処理を施してもよい。
【００６５】
この加熱処理によって、接着層２２と接着層２６との密着力が増加する。これにより、接着層２２、２６は一体になって接着層２７になる。また、支持基板２５がカソード電極１６に接着層２７を介して接着される。
【００６６】
続いて、素子領域１２ｂを酸化膜１４から開口させて、素子領域１２ｂの上にアノード電極１７を形成する。この後、アノード電極１７のシンタリングを行うため、被処理体１０Ｂに加熱処理を施す。例えば、被処理体１０Ｂの温度が５００℃以上になるように、被処理体１０Ｂに加熱処理を施す。さらに、必要に応じて、被処理体１０Ｂの上面１０ｕの側にパッシベーション膜を形成する。
【００６７】
このように、被処理体１０Ｂの上面１０ｕから支持基板２０を剥離した後、別の支持基板２５を被処理体１０Ｂの下面１０ｄの側に接着層２６を介して接着し、被処理体１０Ｂの上面１０ｕの側を加工する。
【００６８】
次に、図７（ｂ）に表されるように、被処理体１０Ｂの上面１０ｕの側を加工した後、被処理体１０Ｂおよび支持基板２５を液体もしくは蒸気に晒す。液体を用いるときは、その温度を５０℃〜１００℃に調整する。この段階では、薄化させた被処理体１０Ｂの上面１０ｕの側がバックグラインド用テープ３３によって支持されている。
【００６９】
被処理体１０Ｂおよび支持基板２５を液体もしくは蒸気に晒すと、液体または蒸気が複数の貫通孔２５ｈを通して接着層２７にまで到達する。すると、接着層２７に液体または蒸気が接触して接着層２７が膨潤する。これにより、接着層２７の支持基板２５もしくはカソード電極１６に接触する接触面が粗面化する。その結果、接着層２７とカソード電極１６との密着力が弱まり、支持基板２５を被処理体１０Ｂの下面１０ｄの側から剥離することができる。すなわち、支持基板２５とカソード電極１６とが剥がれる。この後は、必要に応じて被処理体１０Ｂを乾燥する。
【００７０】
次に、カソード電極１６の表出面にカソード側の金属層（図示しない）をスパッタ法により形成する。この後は、テープ部材３３からダイシング用テープ３２に被処理体１０Ｂを貼り替える。そして、図７（ｃ）に表されるように、被処理体１０Ｂにダイシング処理、後工程プロセス処理（例えば、パッケージング等）等を施す。これにより、個片化されたＳＢＤ素子が形成される。
【００７１】
第２実施形態においても第１実施形態と同じ効果が得られる。例えば、第２実施形態においては、支持基板２０、２５を被処理体１０Ｂに接着させてから、支持基板２０、２５を被処理体１０Ｂから剥がすまでの間（支持期間）は、薄化させた被処理体１０Ｂの機械的強度が接着層２１、２７を介して支持基板２０、２５によって補強されている。このため、支持期間において被処理体１０Ｂが反ったり、ねじれが生じたりすることがなく、さらに被処理体１０Ｂに割れ、欠けが生じることもない。また、薬液による被処理体１０Ｂへのダメージもおきない。
【００７２】
また、半導体基板１１として炭化シリコン結晶基板を用いた場合は、炭化シリコンがシリコンに比べ硬い材料であり、この硬さがかえって半導体基板の薄化処理、加熱処理を困難にする場合もある。これは硬度が高くなった分、脆さが増すからである。
【００７３】
第２実施形態においては、被処理体１０Ｂの上面１０ｕの側と下面１０ｄの側との両側を支持基板２０、２５によって固定支持する支持期間を設ける。これにより、炭化シリコンの半導体基板１１を用いたとしても、その薄化処理、加熱処理を容易にする。
【００７４】
（第３実施形態）  
第３実施形態では、デバイスの一例としてＧａＮ系青色ＬＥＤ（Light Emitting Diode）を製造するプロセスが例示される。  
図８および図９は、第３実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【００７５】
まず、図８（ａ）には、発光層４０の断面が表されている。発光層４０は、下からｎ形ＧａＮ含有層４１／ＭＱＷ層（多重量子井戸層）４２／ｐ形ＧａＮ含有層４３の順に積層された積層体を含む。発光層４０の厚さは例えば１０μｍ程度である。発光層４０の上には酸化膜４５が設けられている。酸化膜４５の材料は例えば酸化シリコンである。発光層４０はサファイヤ基板４４に固定支持されている。
【００７６】
発光層４０はサファイヤ基板４４の上にＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）によって形成された積層体である。サファイヤ基板４４の平面形状は発光層４０の平面形状と同じである。この段階では、発光層４０およびサファイヤ基板４４は個片化される前の状態にある。第３実施形態の被処理体１０Ｃは、発光層４０と、サファイヤ基板４４と、酸化膜４５と、を含む。
【００７７】
次に、図８（ｂ）に表されるように、発光層４０に設けられた酸化膜４５と支持基板２０の上面１０ｕとを対向させて、支持基板２０を酸化膜４５に接触させる。支持基板２０の平面形状は発光層４０の平面形状と同じである。支持基板２０の上面２０ｕの上には、接着層２１が設けられている。接着層２１は支持基板２０と発光層４０との間に位置している。
【００７８】
接着層２１と酸化膜４５とを接触させる前の雰囲気温度は、例えば、室温（２０℃）である。この後、発光層４０、サファイヤ基板４４、支持基板２０、および接着層２１に対して加熱処理を施す。加熱温度は、例えば３００℃〜４００℃である。加熱処理の前には、接着層２１と酸化膜４５との接触圧を外部から加圧しながら、７０℃〜１５０℃の加熱処理を施してもよい。
【００７９】
この加熱処理によって、接着層２１と酸化膜４５との密着力が増加する。これにより、支持基板２０が発光層４０に接着層２１および酸化膜４５を介して接着される。
【００８０】
次に、図８（ｃ）に表されるように、サファイヤ基板４４を発光層４０から剥離する。すなわち、被処理体１０Ｃから、その一部を除去する。この剥離は、例えば、レーザリフトオフ法による。これにより、厚さが１０μｍ程度の発光層４０が支持基板２０によって固定支持される。
【００８１】
次に、図９（ａ）に表されるように、ｎ形ＧａＮ含有層４１にｎ側電極５０を形成する。続いて、図９（ｂ）に表されるように、発光層４０の一部をエッチングしてｐ形ＧａＮ含有層４３の一部をｎ形ＧａＮ含有層４１の側に表出させる。すなわち、被処理体１０Ｃから、さらにその一部を除去する。そして、表出させたｐ形ＧａＮ含有層４３にｐ側電極５１を形成する。ｎ側電極５０およびｐ側電極５１については、それぞれのシンタリングを行うため、ｎ側電極５０およびｐ側電極５１に加熱処理を施してもよい。
【００８２】
次に、図９（ｃ）に表されるように、ｎ側電極５０およびｐ側電極５１が付設された発光層４０と、支持基板２０と、をダイシング用テープ３４上に設置した後、ブレード３５によって、発光層４０および支持基板２０を個片化する。
【００８３】
この後、個片化された発光層４０および支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒す。これにより、接着層２１が上述したように膨潤して、接着層２１の支持基板２０もしくは発光層４０（あるいは、酸化膜４５）に接触する接触面が粗面化する。第３実施形態では、発光層４０および支持基板２０を個片化した後に発光層４０および支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒すので、液体もしくは蒸気は、複数の貫通孔２０ｈのほか、接着層２１の側面２１ｗからも侵入する。その結果、接着層２１と発光層４０の密着力が弱まり、支持基板２０を発光層４０から容易に剥離することができる。
【００８４】
第３実施形態においても第１実施形態と同じ効果が得られる。例えば、第３実施形態においては、支持基板２０を発光層４０に接着してから、支持基板２０を発光層４０から剥がすまでの間（支持期間）は、１０μｍ程度の極薄の発光層４０の機械的強度が接着層２１を介して支持基板２０によって補強されている。このため、支持期間において発光層４０が反ったり、ねじれが生じたりすることがなく、さらに発光層４０に割れ、欠けが生じることもない。また、薬液による発光層４０へのダメージもおきない。
【００８５】
また、第３実施形態においては、発光層４０および支持基板２０を個片化した後に発光層４０および支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒している。これにより、液体もしくは蒸気は、複数の貫通孔２０ｈのほか、接着層２１の側面２１ｗからも侵入し易くなり、より膨潤化が促進する。
【００８６】
（第３実施形態の変形例）  
発光層４０および支持基板２０を個片化した後、個片化された発光層４０および支持基板２０をパッケージ基板に載置してから支持基板２０を発光層４０から剥離してもよい。  図１０は第３実施形態の変形例に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【００８７】
例えば、図１０（ａ）に表されるように、個片化された発光層４０および支持基板２０をパッケージ基板６０に実装する。パッケージ基板６０には、ｎ側電極５０に対応する位置に配線６１が設けられ、ｐ側電極５１に対応する位置に配線６２が設けられている。さらに、パッケージ基板６０には、配線６１、６２の以外の場所に反射層６３が設けられている。ｎ側電極５０と配線６１との接合、およびｐ側電極５１と配線６２との接合は、例えば、半田付け、超音波接合等で行う。
【００８８】
次に、図１０（ｂ）に表されるように、個片化された発光層４０および支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒す。これにより、接着層２１が粗面化して、支持基板２０を発光層４０から剥がすことができる。
【００８９】
第３実施形態の変形例においては、第３実施形態の効果と同じ効果が得られる。さらに、第３実施形態においては、パッケージ基板６０に予め反射層６３が形成されているので発光層４０に反射膜を形成する必要がなくなる。これにより、発光層４０を形成する製造プロセスがより簡略化する。
【００９０】
（第４実施形態）  
第４実施形態では、支持基板２０に上述した貫通孔２０ｈを設けないで製造プロセスを進行させる。  
図１１は第４実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【００９１】
例えば、図１１（ａ）には、ブレード３５によって、被処理体１０Ａおよび支持基板２０がダイシン用テープ３５の上で個片化された状態が表されている。個々の被処理体１０Ａの平面形状は、例えば矩形状になるように個片化される。この場合、平面の縦横の長さは３００μｍ〜４００μｍに調節される。支持基板２０は被処理体１０Ａに接着層２１を介して接着されている。第４実施形態に係る支持基板２０には、上述した貫通孔２０ｈが設けられていない。
【００９２】
次に、図１１（ｂ）に表されるように、被処理体１０Ａおよび支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒す。被処理体１０Ａおよび支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒すと、液体もしくは蒸気は接着層２１の側面２１ｗに到達する。
【００９３】
接着層２１は、被処理体１０Ａおよび支持基板２０とともに個片化されたので、個片化される前の状態に比べて、その幅がより短くなっている。ここで、幅とは支持基板２０の上面２０ｕに対して平行な方向の接着層２１の長さをいう。従って、液体もしくは蒸気が接着層２１の側面２１ｗに到達すると、液体（あるいは、蒸気から転移した液体）は容易に接着層２１の側面２１ｗから被処理体１０Ａの中央部上方の接着層２１にまで浸透する。
【００９４】
これにより、支持基板２０と被処理体１０Ａによって挟まれた接着層２１が膨潤する。その結果、接着層２１の支持基板２０もしくは被処理体１０Ａに接触する接触面が粗面化して、接着層２１とパッシベーション膜１３との密着力が弱まる。これ故、支持基板２０を被処理体１０Ａの上面１０ｕから容易に剥離することができる。
【００９５】
第４実施形態に係る支持基板２０には貫通孔２０ｈが設けられていないので、その機械的強度がさらに増加している。これにより、被処理体１０Ａの機械的強度が支持基板２０によってさらに強固に補強されるので、半導体基板１１の厚さをより薄く加工できる。このため、デバイスの厚さの設計自由度がさらに向上する。
【００９６】
例えば、上下電極構造の半導体装置などでは、上下電極間の距離をさらに短くすることができるのでオン抵抗がより低い半導体装置を設計することができる。さらに、第４実施形態では支持基板２０に複数の貫通孔２０ｈを形成する加工を省略することができる。
【００９７】
（第５実施形態）  
第５実施形態では、支持基板２０はダイシング処理をせず、被処理体１０Ａにダイシング処理を行った後に接着層２１の膨潤化を行う。  
図１２は第５実施形態に係るデバイスの製造方法を説明する断面模式図である。
【００９８】
例えば、図１２（ａ）には、カソード電極１６が付設された支持基板２０が接着層２１を介して被処理体１０Ａに固定支持された状態が表されている。第５実施形態では、支持基板２０の側をダイシング用テープ３６の上に設置する。
【００９９】
次に、図１２（ｂ）に表されるように、ブレード３５によって、被処理体１０Ａを個片化する。個々の被処理体１０Ａの平面形状は、例えば矩形状になるように個片化される。この場合、平面の縦横の長さは３００μｍ〜４００μｍに調節される。
【０１００】
次に、図１２（ｃ）に表されるように、被処理体１０Ａおよび支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒す。被処理体１０Ａおよび支持基板２０を液体もしくは蒸気に晒すと、液体もしくは蒸気は被処理体１０Ａの切断面１０ｗの下方に位置する接着層２１に到達する。
【０１０１】
液体もしくは蒸気が切断面１０ｗの下方の接着層２１の表面に到達すると、液体（あるいは、蒸気から転移した液体）は容易に切断面１０ｗの下方の接着層２１の表面から被処理体１０Ａの中央部下方の接着層２１にまで浸透する。これにより、支持基板２０と被処理体１０Ａによって挟まれた接着層２１が膨潤する。その結果、接着層２１の支持基板２０もしくは被処理体１０Ａに接触する接触面が粗面化して、接着層２１とパッシベーション膜１３との密着力が弱まる。これ故、支持基板２０を被処理体１０Ａの上面１０ｕから容易に剥離することができる。
【０１０２】
第５実施形態では、支持基板２０を個片化しないので、支持基板２０の再利用が可能になる。また、図１２では、支持基板２０に貫通孔２０ｈを設けない状態が例示されているが、支持基板２０には複数の貫通孔２０ｈを設けてもよい。この場合、複数の貫通孔２０ｈからも液体または蒸気が侵入するので膨潤化がより進行する。
【０１０３】
（第６実施形態）  
被処理体１０Ａの上面１０ｕと支持基板２０とを接着層２１を介して接着する前には、接着層２１の被処理体１０Ａに接する接触面（例えば、接着層２１の上面２１ｕ）の粗面化処理を行ってもよい。
【０１０４】
例えば、図２（ｂ）に表されるごとく、被処理体１０Ａの上面１０ｕと支持基板２０とを接着層２１を介して接着する前に、接着層２１の上面２１ｕに粗面化処理を施す。粗面化処理としては、例えば、膨潤化処理、プラズマ照射、レーザ照射等があげられる。
【０１０５】
この後は、第１実施形態で説明したように、支持基板２０を被処理体１０Ａに接着層２１を介して接着し、被処理体１０Ａの加工を行い、さらに接着層２１の膨潤化を行い、そして被処理体１０Ａから支持基板２０を剥離する。
【０１０６】
このような製造プロセスによれば、接着層２１の上面２１ｕのアンカー効果によって、被処理体１０Ａと支持基板２０とがさらに強固に接合する。例えば、パッシベーション膜１３が有機物層である場合は、その硬度が無機物層に比べ低いことからパッシベーション膜１３が接着層２１の粗面化表面に食い込み易い。これにより、薄化させた被処理体１０Ａの機械的強度が接着層２１を介して支持基板２０によってさらに補強される。その結果、支持期間におけるプロセスマージンがさらに拡張する。
【０１０７】
なお、上述した実施形態では、デバイスとして、ＩＧＢＴ、ＳＢＤ、およびＬＥＤ等の半導体素子を例示したが、これらの半導体素子に限られない。例えば、実施形態に係るデバイスの製造方法は、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）の製造にも適応可能である。
【０１０８】
以上、具体例を参照しつつ実施形態について説明した。しかし、実施形態はこれらの具体例に限定されるものではない。すなわち、これら具体例に、当業者が適宜設計変更を加えたものも、実施形態の特徴を備えている限り、実施形態の範囲に包含される。前述した各具体例が備える各要素およびその配置、材料、条件、形状、サイズなどは、例示したものに限定されるわけではなく適宜変更することができる。
【０１０９】
また、前述した各実施形態が備える各要素は、技術的に可能な限りにおいて複合させることができ、これらを組み合わせたものも実施形態の特徴を含む限り実施形態の範囲に包含される。その他、実施形態の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例および修正例に想到し得るものであり、それら変更例および修正例についても実施形態の範囲に属するものと了解される。
【０１１０】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１１１】
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ  被処理体
１０ｄ  下面
１０ｕ、２１ｕ  上面
１０ｗ  切断面
１１  半導体基板
１２ａ、１２ｂ  素子領域
１３  パッシベーション膜
１４、４５  酸化膜
１５  コレクタ電極
１６  カソード電極
１７  アノード電極
２０、２５  支持基板
２０ｄ、２５ｄ  下面
２０ｈ、２５ｈ  貫通孔
２０ｕ、２５ｕ  上面
２１、２２、２６、２７  接着層
２１ｗ  側面
３０、３１、３３  バックグラインド用テープ
３２、３４、３５、３６  ダイシング用テープ
３５  ブレード
４０  発光層
４１  ｎ形ＧａＮ含有層
４２  ＭＱＷ層（多重量子井戸層）
４３  ｐ形ＧａＮ含有層
４４  サファイヤ基板
５０  ｐ側電極
５１  ｎ側電極
６０  パッケージ基板
６１、６２  配線
６３  反射層
【図１】
2014017333.tif 000003
【図２】
2014017333.tif 000004
【図３】
2014017333.tif 000005
【図５】
2014017333.tif 000006
【図６】
2014017333.tif 000007
【図７】
2014017333.tif 000008
【図８】
2014017333.tif 000009
【図９】
2014017333.tif 000010
【図１０】
2014017333.tif 000011
【図１１】
2014017333.tif 000012
【図１２】
2014017333.tif 000013
【図４】
2014017333.tif 000014