(57)【要約】【課題】基板の端部が汚染することに起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】第１および第２の処理ブロック１２，１３にはそれぞれ搬送機構１２７，１３７が設けられる。各搬送機構１２７，１３７はハンドを有する。ハンドが基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの他面を保持する。ハンドが移動することにより密着強化処理ユニットＰＡＨＰまたは冷却ユニットＣＰと塗布処理ユニット１２９または現像処理ユニット１３９との間で基板Ｗが搬送される。密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの裏面が吸着保持された状態で、基板Ｗに温度処理が行われる。塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９においては、基板Ｗの裏面がスピンチャックにより吸着保持された状態で、基板Ｗの主面に処理液が供給される。【選択図】図１
2014049463.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面および他面を有する基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、
基板の前記一面に処理液を供給する１または複数の処理液供給ユニットと、
前記１または複数の処理液供給ユニットによる前記処理液の供給前または前記処理液の供給後の基板に温度処理を行う第１の温度処理ユニットと、
基板の端部に接触することなく基板の前記他面を保持する第１の保持部を有し、前記第１の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された第１の搬送装置と、
前記１または複数の処理液供給ユニットのいずれかと前記第１の温度処理ユニットとの間で基板が搬送されるように前記第１の搬送装置を制御する制御部とを備え、
前記１または複数の処理液供給ユニットの各々は、
基板の端部に接触することなく基板の前記他面を保持する第２の保持部と、
前記第２の保持部により保持された基板の前記一面に感光性膜の塗布液または現像液を前記処理液として供給する液供給機構とを含み、
前記第１の温度処理ユニットは、
基板の端部に接触することなく基板の前記他面を保持する第３の保持部と、
前記第３の保持部により保持された基板に温度処理を行う第１の温度処理装置とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記第１の保持部、前記第２の保持部および前記第３の保持部の各々は、
基板の前記他面を吸着する吸着保持機構を有する、請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記１または複数の処理液供給ユニットは、複数の処理液供給ユニットを含み、
前記複数の処理液供給ユニットのうち一の処理液供給ユニットの液供給機構は、基板の前記一面に感光性膜の塗布液を供給するように構成され、
前記複数の処理液供給ユニットのうち他の処理液供給ユニットの液供給機構は、基板の前記一面に現像液を供給するように構成される、請求項１または２記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記複数の処理液供給ユニット、前記第１の温度処理ユニットおよび前記第１の搬送装置を含む処理部と、
前記処理部の一端部に隣接するように設けられ、前記処理部に対して基板を搬入および基板を搬出するように構成された搬入搬出部と、
前記処理部の他端部と基板に露光処理を行う露光装置との間に配置され、前記処理部と前記露光装置との間で基板の受け渡しを行うように構成された受け渡し部とを備える、請求項３記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記処理部および前記受け渡し部の少なくとも一方は、基板の前記他面を洗浄する１または複数の洗浄ユニットを含み、
前記１または複数の洗浄ユニットの各々は、
基板の端部に接触することなく基板の前記他面を保持する第４の保持部と、
前記第４の保持部により保持された基板の前記他面を洗浄する洗浄機構とを含む、請求項４記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記第４の保持部は、
基板の前記他面における第１の部分を吸着する第１の吸着保持機構と、
基板の前記他面における前記第１の部分とは異なる第２の部分を吸着する第２の吸着保持機構とを含み、
前記洗浄機構は、
前記第１の吸着保持機構により基板が保持されかつ前記第２の吸着保持機構により基板が保持されない状態で基板の前記他面における前記第１の部分を除く領域を洗浄するように構成されるとともに、前記第２の吸着保持機構により基板が保持されかつ前記第１の吸着保持機構により基板が保持されない状態で基板の前記他面における前記第２の部分を除く領域を洗浄するように構成された、請求項５記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記１または複数の洗浄ユニットの各々は、
前記第１の吸着保持機構を前記第１の部分を吸着する吸着状態と前記第１の部分の吸着を解除する解除状態とに切り替えるとともに、前記第２の吸着保持機構を前記第２の部分を吸着する吸着状態と前記第２の部分の吸着を解除する解除状態とに切り替える切替機構をさらに含む、請求項６記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記洗浄機構は、
基板の前記他面に接触可能に構成された洗浄具と、
前記洗浄具を基板の前記他面に接触させるとともに、前記第１または第２の吸着保持機構により保持される基板に対して前記洗浄具を相対的に移動させる洗浄具移動機構を含む、請求項６または７記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記１または複数の洗浄ユニットの各々は、前記露光装置による露光処理前の基板の前記他面を洗浄するように構成された、請求項５〜８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記受け渡し部は、
基板の端部に接触することなく基板の前記他面を保持する第５の保持部を有し、前記第５の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された第２の搬送装置を含み、
前記制御部は、前記処理部と前記露光装置との間で基板が搬送されるように前記第２の搬送装置を制御する、請求項４〜９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１１】
前記第５の保持部は、基板の前記他面を吸着する吸着保持機構を有する、請求項１０記載の基板処理装置。
【請求項１２】
前記１または複数の処理液供給ユニットによる前記処理液の供給前または前記処理液の供給後の基板に温度処理を行う第２の温度処理ユニットをさらに備え、
前記第２の温度処理ユニットは、
基板に冷却処理を行う冷却部と、
基板に加熱処理を行う加熱部と、
基板の端部に接触することなく基板の前記他面を保持する第６の保持部を有し、前記第６の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された第３の搬送装置とを含み、
前記冷却部は、
前記第６の保持部に接触することにより前記第６の保持部により保持される基板に冷却処理を行う冷却装置を含み、
前記加熱部は、
基板の端部に接触することなく基板の前記他面を保持する第７の保持部と、
前記第７の保持部により保持される基板に加熱処理を行う加熱装置とを含み、
前記制御部は、
基板を保持する前記第６の保持部が前記冷却装置に接触するように前記第３の搬送装置を制御するとともに、前記第６の保持部により保持される基板を前記冷却部と前記加熱部との間で搬送し、前記第６の保持部と前記加熱部の前記第７の保持部との間で基板の受け渡しが行われるように前記第３の搬送装置を制御する、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項１３】
一面および他面を有する基板に所定の処理を行う基板処理装置を用いた基板処理方法であって、
第１の保持部により基板の端部に接触することなく基板の前記他面を保持するとともに、前記第１の保持部を移動させることにより１または複数の処理液供給ユニットのいずれかと温度処理ユニットとの間で基板を搬送するステップと、
前記１または複数の処理液供給ユニットの各々において、第２の保持部により基板の端部に接触することなく基板の前記他面を保持するとともに、前記第２の保持部により保持された基板の前記一面に感光性膜の塗布液または現像液を処理液として供給するステップと、
前記温度処理ユニットにおいて、第３の保持部により基板の端部に接触することなく基板の前記他面を保持するとともに、前記第３の保持部により保持された基板に温度処理を行うステップとを備える、基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に所定の処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等の各種基板に種々の処理を行うために、基板処理装置が用いられている。
【０００３】
このような基板処理装置では、一般に、一枚の基板に対して複数の異なる処理が連続的に行われる。特許文献１に記載された基板処理装置は、インデクサブロック、反射防止膜用処理ブロック、レジスト膜用処理ブロック、現像処理ブロックおよびインターフェイスブロックにより構成される。インターフェイスブロックに隣接するように、基板処理装置とは別体の外部装置である露光装置が配置される。
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにおいて反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われた後、インターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【０００５】
近年、デバイスの高密度化および高集積化に伴い、レジストパターンの微細化が重要な課題となっている。従来の一般的な露光装置においては、レチクルのパターンを投影レンズを介して基板上に縮小投影することによって露光処理が行われていた。しかし、このような従来の露光装置においては、露光パターンの線幅は露光装置の光源の波長によって決まるため、レジストパターンの微細化に限界があった。
【０００６】
そこで、露光パターンのさらなる微細化を可能にする投影露光方法として、液浸法が知られている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の投影露光装置においては、投影光学系と基板との間に液体が満たされており、基板表面における露光光を短波長化することができる。それにより、露光パターンのさらなる微細化が可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００３−３２４１３９号公報
【特許文献２】国際公開第９９／４９５０４号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献２の投影露光装置においては、基板と液体とが接触した状態で露光処理が行われるので、露光処理前に基板に汚染物質が付着すると、その汚染物質が液体中に混入する。
【０００９】
露光処理前においては、基板に対して種々の成膜処理が施されるが、この成膜処理の過程で、基板の端部が汚染する場合がある。このように、基板の端部が汚染された状態で基板の露光処理を行うと、露光パターンの寸法不良および形状不良が発生する可能性がある。
【００１０】
本発明の目的は、基板の端部が汚染することに起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能な基板処理装置および基板処理方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
（１）第１の発明に係る基板処理装置は、一面および他面を有する基板に所定の処理を行う基板処理装置であって、基板の一面に処理液を供給する１または複数の処理液供給ユニットと、１または複数の処理液供給ユニットによる処理液の供給前または処理液の供給後の基板に温度処理を行う第１の温度処理ユニットと、基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する第１の保持部を有し、第１の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された第１の搬送装置と、１または複数の処理液供給ユニットのいずれかと第１の温度処理ユニットとの間で基板が搬送されるように第１の搬送装置を制御する制御部とを備え、１または複数の処理液供給ユニットの各々は、基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する第２の保持部と、第２の保持部により保持された基板の一面に感光性膜の塗布液または現像液を処理液として供給する液供給機構とを含み、第１の温度処理ユニットは、基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する第３の保持部と、第３の保持部により保持された基板に温度処理を行う第１の温度処理装置とを含むものである。
【００１２】
その基板処理装置においては、１または複数の処理液供給ユニットのいずれかと第１の温度処理ユニットとの間で、第１の搬送装置により基板が搬送される。第１の搬送装置による基板の搬送時には、第１の保持部が基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する。１または複数の処理液供給ユニットの各々においては、第２の保持部が基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する状態で、基板の一面に処理液が供給される。第１の温度処理ユニットにおいては、第３の保持部が基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する状態で、基板に温度処理が行われる。
【００１３】
このように、第１の搬送装置による基板の搬送時、１または複数の処理液供給ユニットによる基板の一面への処理液の供給時、および第１の温度処理ユニットによる基板の温度処理時に、第１、第２および第３の保持部が基板の端部に接触しない。それにより、基板を保持するための部材が基板の端部に接触することに起因して汚染物質が発生することが防止される。また、第１、第２および第３の保持部から基板の端部への汚染物質の転写が防止される。その結果、基板の端部が汚染することに起因する基板の処理不良の発生が防止される。
【００１４】
（２）第１の保持部、第２の保持部および第３の保持部の各々は、基板の他面を吸着する吸着保持機構を有してもよい。
【００１５】
この場合、第１の保持部、第２の保持部および第３の保持部の各々は、単純な構成で基板の端部に接触することなく基板の他面を保持することが可能になる。
【００１６】
（３）１または複数の処理液供給ユニットは、複数の処理液供給ユニットを含み、複数の処理液供給ユニットのうち一の処理液供給ユニットの液供給機構は、基板の一面に感光性膜の塗布液を供給するように構成され、複数の処理液供給ユニットのうち他の処理液供給ユニットの液供給機構は、基板の一面に現像液を供給するように構成されてもよい。
【００１７】
この場合、一の処理液供給ユニットの液供給機構により基板の一面に感光性膜の塗布液が供給され、基板の一面上に感光性膜の形成処理が行われる。基板の一面上に形成された感光性膜が露光された後、他の処理液供給ユニットの液供給機構により基板の一面に現像液が供給される。それにより、基板に現像処理が行われる。
【００１８】
本発明の構成によれば、フォトリソグラフィにおける感光性膜の形成処理および基板の現像処理を、基板の端部の汚染を防止しつつ基板処理装置内で並行して行うことが可能になる。
【００１９】
（４）基板処理装置は、複数の処理液供給ユニット、第１の温度処理ユニットおよび第１の搬送装置を含む処理部と、処理部の一端部に隣接するように設けられ、処理部に対して基板を搬入および基板を搬出するように構成された搬入搬出部と、処理部の他端部と基板に露光処理を行う露光装置との間に配置され、処理部と露光装置との間で基板の受け渡しを行うように構成された受け渡し部とを備えてもよい。
【００２０】
この場合、搬入搬出部から処理部に基板が搬入される。処理部においては、一の処理液供給ユニットにより基板の一面上に感光性膜が形成される。感光性膜が形成された基板が受け渡し部により処理部から受け取られ、露光装置に渡される。露光装置においては、端部が清浄に保たれた基板の感光性膜に露光処理が行われる。露光処理後の基板が受け渡し部により露光装置から受け取られ、処理部に渡される。処理部においては、他の処理液供給ユニットにより露光処理後の基板の一面上に現像液が供給され、感光性膜が現像される。現像後の基板が処理部から搬入搬出部に搬出される。
【００２１】
このように、基板の端部が清浄に保たれた状態で露光処理前の感光性膜の形成および露光処理後の感光性膜の現像が円滑に行われる。
【００２２】
（５）処理部および受け渡し部の少なくとも一方は、基板の他面を洗浄する１または複数の洗浄ユニットを含み、１または複数の洗浄ユニットの各々は、基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する第４の保持部と、第４の保持部により保持された基板の他面を洗浄する洗浄機構とを含んでもよい。
【００２３】
この場合、１または複数の洗浄ユニットの各々においては、第４の保持部が基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する状態で、基板の他面が洗浄される。それにより、基板の他面の洗浄時に、基板を保持するための部材が基板の端部に接触することに起因して汚染物質が発生することが防止される。また、第４の保持部から基板の端部への汚染物質の転写が防止される。
【００２４】
（６）第４の保持部は、基板の他面における第１の部分を吸着する第１の吸着保持機構と、基板の他面における第１の部分とは異なる第２の部分を吸着する第２の吸着保持機構とを含み、洗浄機構は、第１の吸着保持機構により基板が保持されかつ第２の吸着保持機構により基板が保持されない状態で基板の他面における第１の部分を除く領域を洗浄するように構成されるとともに、第２の吸着保持機構により基板が保持されかつ第１の吸着保持機構により基板が保持されない状態で基板の他面における第２の部分を除く領域を洗浄するように構成されてもよい。
【００２５】
この場合、１または複数の洗浄ユニットの各々においては、第１の吸着保持機構により基板の他面の第１の部分が保持されかつ第２の吸着保持機構により基板が保持されない状態で基板の他面における第１の部分を除く領域が洗浄され、第２の吸着保持機構により基板の他面の第２の部分が保持されかつ第１の吸着保持機構により基板が保持されない状態で基板の他面における第２の部分を除く領域が洗浄される。
【００２６】
このように、基板の他面における第１の部分を除く領域と基板の他面における第２の部分を除く領域とを順に洗浄することにより、基板の他面を保持しつつ基板の他面全体を洗浄することが可能となる。
【００２７】
（７）１または複数の洗浄ユニットの各々は、第１の吸着保持機構を第１の部分を吸着する吸着状態と第１の部分の吸着を解除する解除状態とに切り替えるとともに、第２の吸着保持機構を第２の部分を吸着する吸着状態と第２の部分の吸着を解除する解除状態とに切り替える切替機構をさらに含んでもよい。
【００２８】
この場合、切替機構により、第１の吸着保持機構が吸着状態と解除状態とに切り替えられ、第２の吸着保持機構が吸着状態と解除状態とに切り替えられる。それにより、基板の他面における第１の部分を除く領域と基板の他面における第２の部分を除く領域とを円滑に洗浄することが可能になる。
【００２９】
（８）洗浄機構は、基板の他面に接触可能に構成された洗浄具と、洗浄具を基板の他面に接触させるとともに、第１または第２の吸着保持機構により保持される基板に対して洗浄具を相対的に移動させる洗浄具移動機構を含んでもよい。
【００３０】
この場合、第１または第２の吸着保持機構により基板の他面が保持された状態で、基板の他面に洗浄具が接触する。また、第１または第２の吸着保持機構に対して洗浄具が相対的に移動する。それにより、基板の端部を保持することなくかつ基板を移動させることなく基板の他面を洗浄具により物理的に洗浄することが可能になる。
【００３１】
（９）１または複数の洗浄ユニットの各々は、露光装置による露光処理前の基板の他面を洗浄するように構成されてもよい。
【００３２】
この場合、露光装置による露光処理前の基板の他面が洗浄されることにより、基板の他面に汚染物質が付着することに起因するデフォーカスの発生が防止される。
【００３３】
（１０）受け渡し部は、基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する第５の保持部を有し、第５の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された第２の搬送装置を含み、制御部は、処理部と露光装置との間で基板が搬送されるように第２の搬送装置を制御してもよい。
【００３４】
この場合、受け渡し部においては、処理部と露光装置との間で、第２の搬送装置により基板が搬送される。第２の搬送装置による基板の搬送時には、第５の保持部が基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する。
【００３５】
それにより、受け渡し部における基板の搬送時に、基板を保持するための部材が基板の端部に接触することに起因して汚染物質が発生することが防止される。また、第５の保持部から基板の端部への汚染物質の転写が防止される。
【００３６】
（１１）第５の保持部は、基板の他面を吸着する吸着保持機構を有してもよい。
【００３７】
この場合、第５の保持部は、単純な構成で基板の端部に接触することなく基板の他面を保持することが可能になる。
【００３８】
（１２）基板処理装置は、１または複数の処理液供給ユニットによる処理液の供給前または処理液の供給後の基板に温度処理を行う第２の温度処理ユニットをさらに備え、第２の温度処理ユニットは、基板に冷却処理を行う冷却部と、基板に加熱処理を行う加熱部と、基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する第６の保持部を有し、第６の保持部を移動させることにより基板を搬送するように構成された第３の搬送装置とを含み、冷却部は、第６の保持部に接触することにより第６の保持部により保持される基板に冷却処理を行う冷却装置を含み、加熱部は、基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する第７の保持部と、第７の保持部により保持される基板に加熱処理を行う加熱装置とを含み、制御部は、基板を保持する第６の保持部が冷却装置に接触するように第３の搬送装置を制御するとともに、第６の保持部により保持される基板を冷却部と加熱部との間で搬送し、第６の保持部と加熱部の第７の保持部との間で基板の受け渡しが行われるように第３の搬送装置を制御してもよい。
【００３９】
この場合、第２の温度処理ユニットにおいては、第３の搬送装置の第６の保持部が基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する。基板を保持する第６の保持部が移動することにより、冷却部と加熱部との間で基板が搬送される。
【００４０】
冷却部においては、基板を保持する第６の保持部が冷却部の冷却装置に接触することにより、基板に冷却処理が行われる。加熱部においては、第６の保持部と第７の保持部との間で基板の受け渡しが行われる。基板が第６の保持部から第７の保持部に渡されることにより、第７の保持部が基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する。第７の保持部が基板の他面を保持する状態で、基板に加熱処理が行われる。
【００４１】
このように、第２の温度処理ユニットにおいては、冷却部と加熱部との間で基板が搬送されることにより、基板の冷却処理および加熱処理を連続的に行うことができる。また、第３の搬送装置による基板の搬送時、冷却部による基板の冷却処理時および加熱部による加熱処理時に、第６および第７の保持部が基板の端部に接触しない。それにより、基板の端部における汚染物質の発生および基板の端部への汚染物質の転写を防止しつつ、基板の冷却処理および加熱処理を迅速に行うことが可能になる。
【００４２】
（１３）第２の発明に係る基板処理方法は、一面および他面を有する基板に所定の処理を行う基板処理装置を用いた基板処理方法であって、第１の保持部により基板の端部に接触することなく基板の他面を保持するとともに、第１の保持部を移動させることにより１または複数の処理液供給ユニットのいずれかと温度処理ユニットとの間で基板を搬送するステップと、１または複数の処理液供給ユニットの各々において、第２の保持部により基板の端部に接触することなく基板の他面を保持するとともに、第２の保持部により保持された基板の一面に感光性膜の塗布液または現像液を処理液として供給するステップと、温度処理ユニットにおいて、第３の保持部により基板の端部に接触することなく基板の他面を保持するとともに、第３の保持部により保持された基板に温度処理を行うステップとを備えるものである。
【００４３】
その基板処理方法においては、１または複数の処理液供給ユニットのいずれかと第１の温度処理ユニットとの間で、基板が搬送される。基板の搬送時には、第１の保持部が基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する。１または複数の処理液供給ユニットの各々においては、第２の保持部が基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する状態で、基板の一面に処理液が供給される。温度処理ユニットにおいては、第３の保持部が基板の端部に接触することなく基板の他面を保持する状態で、基板に温度処理が行われる。
【００４４】
このように、基板の搬送時、１または複数の処理液供給ユニットによる基板の一面への処理液の供給時、および温度処理ユニットによる基板の温度処理時に、第１、第２および第３の保持部が基板の端部に接触しない。それにより、基板を保持するための部材が基板の端部に接触することに起因して汚染物質が発生することが防止される。また、第１、第２および第３の保持部から基板の端部への汚染物質の転写が防止される。その結果、基板の端部が汚染することに起因する基板の処理不良の発生が防止される。
【発明の効果】
【００４５】
本発明によれば、基板の端部が汚染することに起因する基板の処理不良の発生を防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。
【図２】主として図１の塗布処理部、塗布現像処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理システムの一方側面図である。
【図３】主として図１の熱処理部および洗浄乾燥処理部を示す基板処理システムの他方側面図である。
【図４】主として図１の塗布処理部、搬送部および熱処理部を示す側面図である。
【図５】主として図１の搬送部を示す側面図である。
【図６】搬送機構を示す斜視図である。
【図７】洗浄乾燥処理ブロックの内部構成を示す図である。
【図８】図１、図５および図７のハンドの構成を示す模式的平面図である。
【図９】図６のハンドの構成を示す模式的平面図である。
【図１０】図３の密着強化処理ユニットおよび冷却ユニットの各々が含む基板吸着シートおよび温度処理装置を説明するための模式図である。
【図１１】図１０の基板載置プレートの平面図である。
【図１２】図３の熱処理ユニットの斜視図である。
【図１３】図３の熱処理ユニットの平面図である。
【図１４】図３の熱処理ユニットの側面図である。
【図１５】熱処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図１６】熱処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図１７】熱処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図１８】熱処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図１９】熱処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２０】熱処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２１】熱処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２２】熱処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２３】熱処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２４】熱処理ユニットの動作を示す模式的側面図である。
【図２５】図２の裏面洗浄ユニットの平面図である。
【図２６】図２の裏面洗浄ユニットの側面図である。
【図２７】裏面洗浄ユニットの動作を示す平面図および側面図である。
【図２８】裏面洗浄ユニットの動作を示す平面図および側面図である。
【図２９】裏面洗浄ユニットの動作を示す平面図および側面図である。
【図３０】裏面洗浄ユニットの動作を示す平面図および側面図である。
【図３１】裏面洗浄ユニットの動作を示す平面図および側面図である。
【図３２】裏面洗浄ユニットの動作を示す平面図および側面図である。
【図３３】裏面洗浄ユニットの動作を示す平面図および側面図である。
【図３４】本発明の一実施の形態において定義される基板の周縁部および端部を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
以下、本発明の一実施の形態に係る基板処理装置および基板処理方法について図面を用いて説明する。なお、以下の説明において、基板とは、半導体基板、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板等をいう。
【００４８】
（１）基板処理システムの構成
図１は、本発明の一実施の形態に係る基板処理システムの模式的平面図である。
【００４９】
図１および図２以降の所定の図には、位置関係を明確にするために互いに直交するＸ方向、Ｙ方向およびＺ方向を示す矢印を付している。Ｘ方向およびＹ方向は水平面内で互いに直交し、Ｚ方向は鉛直方向に相当する。なお、各方向において矢印が向かう方向を＋方向、その反対の方向を−方向とする。
【００５０】
図１に示すように、基板処理システム１０００は、基板処理装置１００およびホストコンピュータ８００を備える。
【００５１】
基板処理装置１００は、インデクサブロック１１、第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂを備える。洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂにより、インターフェイスブロック１４が構成される。搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように露光装置１５が配置される。
【００５２】
インデクサブロック１１に搬入された未処理の基板Ｗが第１の処理ブロック１２、第２の処理ブロック１３およびインターフェイスブロック１４を通して露光装置１５に搬送される。露光装置１５においては、液浸法により基板Ｗに露光処理が行われる。その後、露光装置１５による露光処理後の基板Ｗがインターフェイスブロック１４、第２の処理ブロック１３および第１の処理ブロック１２を通してインデクサブロック１１に搬送される。各ブロック１２，１３，１４では基板Ｗに所定の処理が行われる。各ブロック１２，１３，１４において基板Ｗに行われる処理の詳細は後述する。
【００５３】
この基板処理装置１００においては、基板Ｗが処理されつつインデクサブロック１１から露光装置１５まで搬送される間、および基板Ｗが処理されつつ露光装置１５からインデクサブロック１１まで搬送される間に、基板Ｗを保持する部材または基板Ｗを支持する部材が基板Ｗの端部に接触しない。それにより、基板Ｗの保持部材または支持部材が基板Ｗの端部に接触することに起因して汚染物質が発生することが防止される。また、基板Ｗの端部に汚染物質が転写することが防止される。本実施の形態における基板Ｗの端部の定義については後述する。
【００５４】
図１に示すように、インデクサブロック１１は、複数のキャリア載置部１１１および搬送部１１２を含む。各キャリア載置部１１１には、複数の基板Ｗを多段に収納するキャリア１１３が載置される。
【００５５】
搬送部１１２には、制御部１１４および搬送機構１１５が設けられる。制御部１１４は、基板処理装置１００内の各構成要素を制御する。また、制御部１１４は、有線通信または無線通信によりホストコンピュータ８００に接続されている。制御部１１４とホストコンピュータ８００との間で種々のデータの送受信が行われる。
【００５６】
搬送機構１１５は、基板Ｗを保持するためのハンド１１６を有する。ハンド１１６は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を吸着保持することが可能である。ハンド１１６の詳細は後述する。搬送機構１１５は、ハンド１１６により基板Ｗを保持しつつその基板Ｗを搬送する。また、後述の図５に示すように、搬送部１１２には、キャリア１１３と搬送機構１１５との間で基板Ｗを受け渡すための開口部１１７が形成される。
【００５７】
搬送部１１２の側面には、メインパネルＰＮが設けられる。メインパネルＰＮは、制御部１１４に接続されている。ユーザは、基板処理装置１００における基板Ｗの処理状況等をメインパネルＰＮで確認することができる。
【００５８】
メインパネルＰＮの近傍には、例えばキーボードからなる操作部（図示せず）が設けられている。ユーザは、操作部を操作することにより、基板処理装置１００の動作設定等を行うことができる。
【００５９】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図５参照）が設けられる。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの裏面に接触することなく基板Ｗの裏面を支持する複数の支持ピン（図示せず）が設けられている。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図５参照）が設けられる。
【００６０】
第２の処理ブロック１３は、塗布現像処理部１３１、搬送部１３２および熱処理部１３３を含む。塗布現像処理部１３１および熱処理部１３３は、搬送部１３２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１３２と搬送部１２２との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ５および後述する基板載置部ＰＡＳＳ６〜ＰＡＳＳ８（図５参照）が設けられる。基板載置部ＰＡＳＳ５〜ＰＡＳＳ８（図５参照）は、上記の基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図５参照）と同じ構成を有する。搬送部１３２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１３７および後述する搬送機構１３８（図５参照）が設けられる。第２の処理ブロック１３内において、熱処理部１３３とインターフェイスブロック１４との間にはパッキン１４５が設けられる。
【００６１】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａは、洗浄乾燥処理部１６１，１６２および搬送部１６３を含む。洗浄乾燥処理部１６１，１６２は、搬送部１６３を挟んで対向するように設けられる。搬送部１６３には、搬送機構１４１，１４２が設けられる。
【００６２】
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図５参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２においては、収容される複数の基板Ｗがそれぞれ図示しない支持部材により支持される。バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に設けられる支持部材は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を支持するように構成される。
【００６３】
また、搬送機構１４１，１４２の間において、搬入搬出ブロック１４Ｂに隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および後述の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５参照）が設けられる。基板載置部ＰＡＳＳ９は、上記の基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４（図５参照）と同じ構成を有する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、基板Ｗを冷却する機能（例えば、クーリングプレート）を備え、後述する冷却ユニットＣＰ（図３参照）と同様の構成を有する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいて、基板Ｗが露光処理に適した温度に冷却される。
【００６４】
搬入搬出ブロック１４Ｂには、搬送機構１４６が設けられる。搬送機構１４６は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ７，Ｈ８（図５参照）を有する。ハンドＨ７，Ｈ８は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を吸着保持することが可能である。ハンドＨ７，Ｈ８の詳細は後述する。
【００６５】
搬送機構１４６は、露光装置１５に対する基板Ｗの搬入および搬出を行う。露光装置１５には、基板Ｗを搬入するための基板搬入部１５ａおよび基板Ｗを搬出するための基板搬出部１５ｂが設けられる。なお、露光装置１５の基板搬入部１５ａおよび基板搬出部１５ｂは、水平方向に隣接するように配置されてもよく、または上下に配置されてもよい。
【００６６】
（２）塗布処理部および現像処理部の構成
図２は、主として図１の塗布処理部１２１、塗布現像処理部１３１および洗浄乾燥処理部１６１を示す基板処理システム１０００の一方側面図である。
【００６７】
図２に示すように、塗布処理部１２１には、塗布処理室２１，２２，２３，２４が階層的に設けられる。各塗布処理室２１〜２４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。塗布現像処理部１３１には、現像処理室３１，３３および塗布処理室３２，３４が階層的に設けられる。各現像処理室３１，３３には、現像処理ユニット１３９が設けられ、各塗布処理室３２，３４には、塗布処理ユニット１２９が設けられる。
【００６８】
各塗布処理ユニット１２９は、基板Ｗの裏面中央部を吸着保持するスピンチャック２５およびスピンチャック２５の周囲を覆うように設けられるカップ２７を備える。本実施の形態においては、スピンチャック２５およびカップ２７は、各塗布処理ユニット１２９に２つずつ設けられる。スピンチャック２５は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。
【００６９】
また、図１に示すように、各塗布処理ユニット１２９は、処理液を吐出する複数のノズル２８およびそのノズル２８を搬送するノズル搬送機構２９を備える。
【００７０】
塗布処理ユニット１２９においては、複数のノズル２８のうちのいずれかのノズル２８がノズル搬送機構２９により基板Ｗの上方に移動される。そして、そのノズル２８から処理液が吐出されることにより、スピンチャック２５により保持される基板Ｗの一面上に処理液が塗布される。なお、ノズル２８から基板Ｗに処理液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック２５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。
【００７１】
本例の塗布処理室２２，２４の塗布処理ユニット１２９においては、反射防止膜の塗布液が処理液としてノズル２８から基板Ｗの一面上に供給される。塗布処理室２１，２３の塗布処理ユニット１２９においては、レジスト膜の塗布液が処理液としてノズル２８から基板Ｗの一面上に供給される。塗布処理室３２，３４の塗布処理ユニット１２９においては、レジストカバー膜の塗布液が処理液としてノズル２８から基板Ｗの一面上に供給される。
【００７２】
以下の説明においては、レジスト膜の塗布液が供給される基板の一面を基板の主面と呼び、主面の反対側の基板の他面を基板の裏面と呼ぶ。
【００７３】
図２に示すように、現像処理ユニット１３９は、塗布処理ユニット１２９と同様に、スピンチャック３５およびカップ３７を備える。また、図１に示すように、現像処理ユニット１３９は、現像液を吐出する２つのスリットノズル３８およびそのスリットノズル３８をＸ方向に移動させる移動機構３９を備える。
【００７４】
現像処理ユニット１３９においては、まず、一方のスリットノズル３８がＸ方向に移動しつつ各基板Ｗの主面上に現像液を供給する。その後、他方のスリットノズル３８が移動しつつ各基板Ｗの主面上に現像液を供給する。なお、スリットノズル３８から基板Ｗに現像液が供給される際には、図示しない駆動装置によりスピンチャック３５が回転される。それにより、基板Ｗが回転される。
【００７５】
本実施の形態では、現像処理ユニット１３９において基板Ｗに現像液が供給されることにより、基板Ｗ上のレジストカバー膜が除去されるとともに、基板Ｗの現像処理が行われる。また、本実施の形態においては、２つのスリットノズル３８から互いに異なる現像液が吐出される。それにより、各基板Ｗに２種類の現像液を供給することができる。
【００７６】
図２の例では、塗布処理ユニット１２９が２つのスピンチャック２５および２つのカップ２７を有し、現像処理ユニット１３９が３つのスピンチャック３５および３つのカップ３７を有するが、スピンチャック２５，３５およびカップ２７，３７の数はこれに限らず、任意に変更してもよい。
【００７７】
洗浄乾燥処理部１６１には、複数（本例では２つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａおよび複数（本例では２つ）の裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂが設けられる。
【００７８】
各洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａは、基板Ｗの裏面中央部を吸着保持するスピンチャック４１およびスピンチャック４１の周囲を覆うように設けられるカップ４３を備える。スピンチャック４１は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。また、各洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａは、洗浄液を吐出するノズル４２を備える。
【００７９】
スピンチャック４１により基板Ｗが保持された状態で、図示しない駆動装置によりスピンチャック４１が回転され、基板Ｗが回転する。回転する基板Ｗの主面の中心部に向かってノズル４２から洗浄液が吐出され、基板Ｗの主面が洗浄される。その後、ノズル４２から基板Ｗへの洗浄液の供給が停止し、スピンチャック４１の回転速度が上昇する。それにより、基板Ｗに付着する洗浄液が振り切られ、基板Ｗが乾燥する。このように、各洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａにおいては、露光処理前の基板Ｗの主面の洗浄乾燥処理が行われる。
【００８０】
各裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂにおいては、露光処理前の基板Ｗの裏面の洗浄処理が行われる。各裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂの詳細は後述する。
【００８１】
図１および図２に示すように、塗布処理部１２１において塗布現像処理部１３１に隣接するように流体ボックス部５０が設けられる。同様に、塗布現像処理部１３１において洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接するように流体ボックス部６０が設けられる。流体ボックス部５０および流体ボックス部６０内には、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９への薬液の供給ならびに塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９からの排液および排気等に関する導管、継ぎ手、バルブ、流量計、レギュレータ、ポンプ、温度調節器等の流体関連機器が収納される。
【００８２】
（３）熱処理部の構成
図３は、主として図１の熱処理部１２３，１３３および洗浄乾燥処理部１６２を示す基板処理システム１０００の他方側面図である。
【００８３】
図３に示すように、熱処理部１２３は、上方に設けられる上段熱処理部３０１および下方に設けられる下段熱処理部３０２を有する。上段熱処理部３０１および下段熱処理部３０２の各々には、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび複数の冷却ユニットＣＰが設けられる。
【００８４】
熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が行われる。熱処理ユニットＰＨＰの詳細は後述する。密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、基板Ｗと反射防止膜との密着性を向上させるための密着強化処理が行われる。具体的には、密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいて、基板ＷにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラサン）等の密着強化剤が塗布されるとともに、基板Ｗに加熱処理が行われる。冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗの冷却処理が行われる。密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの各々は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗが横滑りしないように基板Ｗを保持可能な基板保持機構を含む。本実施の形態では、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの各々は、上記の基板保持機構の一例として基板Ｗの裏面を吸着保持する基板吸着シート２２０（図１０参照）を含む。また、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの各々は、基板吸着シート２２０により保持される基板Ｗに温度処理を行う温度処理装置２５０（図１０参照）を含む。
【００８５】
熱処理部１３３は、上方に設けられる上段熱処理部３０３および下方に設けられる下段熱処理部３０４を有する。上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の各々には、冷却ユニットＣＰ、複数の熱処理ユニットＰＨＰおよびエッジ露光部ＥＥＷが設けられる。
【００８６】
エッジ露光部ＥＥＷは、スピンチャック９８および光出射器９９を備える。スピンチャック９８は基板Ｗの裏面中央部を吸着保持可能に構成される。スピンチャック９８は、図示しない駆動装置（例えば、電動モータ）により回転駆動される。それにより、スピンチャック９８により保持される基板Ｗが回転する。スピンチャック９８により保持され、回転する基板Ｗの外周縁部に光出射器９９から光が出射される。このようにして、基板Ｗの主面における周縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。本実施の形態における基板Ｗの周縁部の定義については後述する。
【００８７】
基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部が他の部分と接触した場合に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
【００８８】
基板Ｗにエッジ露光処理が行われることにより、後の現像処理時に、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が除去される。それにより、現像処理後において、基板Ｗの周縁部上のレジスト膜が剥離してパーティクルとなることが防止される。
【００８９】
洗浄乾燥処理部１６２には、複数（本例では５つ）の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が設けられる。各洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２は、図２の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａと同じ構成を有する。各洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２においては、露光処理後の基板Ｗの主面の洗浄乾燥処理が行われる。
【００９０】
（４）搬送部の構成
（４−１）概略構成
図４は、主として図１の塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を示す側面図である。図５は、主として図１の搬送部１２２，１３２，１６３を示す側面図である。
【００９１】
図４および図５に示すように、搬送部１２２は、上段搬送室１２５および下段搬送室１２６を有する。搬送部１３２は、上段搬送室１３５および下段搬送室１３６を有する。
【００９２】
上段搬送室１２５には搬送機構１２７が設けられ、下段搬送室１２６には搬送機構１２８が設けられる。また、上段搬送室１３５には搬送機構１３７が設けられ、下段搬送室１３６には搬送機構１３８が設けられる。
【００９３】
図４に示すように、塗布処理室２１，２２と上段熱処理部３０１とは上段搬送室１２５を挟んで対向するように設けられ、塗布処理室２３，２４と下段熱処理部３０２とは下段搬送室１２６を挟んで対向するように設けられる。同様に、現像処理室３１および塗布処理室３２（図２）と上段熱処理部３０３（図３）とは上段搬送室１３５（図５）を挟んで対向するように設けられ、現像処理室３３および塗布処理室３４（図２）と下段熱処理部３０４（図３）とは下段搬送室１３６（図５）を挟んで対向するように設けられる。
【００９４】
図５に示すように、搬送部１１２と上段搬送室１２５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が設けられ、搬送部１１２と下段搬送室１２６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が設けられる。上段搬送室１２５と上段搬送室１３５との間には、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が設けられ、下段搬送室１２６と下段搬送室１３６との間には、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が設けられる。
【００９５】
上段搬送室１３５と搬送部１６３との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１が設けられ、下段搬送室１３６と搬送部１６３との間には載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２が設けられる。搬送部１６３において搬入搬出ブロック１４Ｂと隣接するように、基板載置部ＰＡＳＳ９および複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰが設けられる。
【００９６】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１は、搬送機構１３７および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２は、搬送機構１３８および搬送機構１４１，１４２（図１）による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。また、基板載置部ＰＡＳＳ９および載置兼冷却部Ｐ−ＣＰは、搬送機構１４１，１４２（図１）および搬送機構１４６による基板Ｗの搬入および搬出が可能に構成される。
【００９７】
図５の例では、基板載置部ＰＡＳＳ９が１つのみ設けられるが、複数の基板載置部ＰＡＳＳ９が上下に設けられてもよい。この場合、基板Ｗを一時的に載置するためのバッファ部として複数の基板載置部ＰＡＳＳ９を用いてもよい。
【００９８】
基板載置部ＰＡＳＳ１および基板載置部ＰＡＳＳ３には、インデクサブロック１１から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ２および基板載置部ＰＡＳＳ４には、第１の処理ブロック１２からインデクサブロック１１へ搬送される基板Ｗが載置される。
【００９９】
基板載置部ＰＡＳＳ５および基板載置部ＰＡＳＳ７には、第１の処理ブロック１２から第２の処理ブロック１３へ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６および基板載置部ＰＡＳＳ８には、第２の処理ブロック１３から第１の処理ブロック１２へ搬送される基板Ｗが載置される。
【０１００】
載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２には、第２の処理ブロック１３から洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰには、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから搬入搬出ブロック１４Ｂへ搬送される基板Ｗが載置される。基板載置部ＰＡＳＳ９には、搬入搬出ブロック１４Ｂから洗浄乾燥処理ブロック１４Ａへ搬送される基板Ｗが載置される。
【０１０１】
（４−２）搬送機構の構成
次に、搬送機構１２７について説明する。図６は、搬送機構１２７を示す斜視図である。
【０１０２】
図５および図６に示すように、搬送機構１２７は、長尺状のガイドレール３１１，３１２を備える。図５に示すように、ガイドレール３１１は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように搬送部１１２側に固定される。ガイドレール３１２は、上段搬送室１２５内において上下方向に延びるように上段搬送室１３５側に固定される。
【０１０３】
図５および図６に示すように、ガイドレール３１１とガイドレール３１２との間には、長尺状のガイドレール３１３が設けられる。ガイドレール３１３は、上下動可能にガイドレール３１１，３１２に取り付けられる。ガイドレール３１３に移動部材３１４が取り付けられる。移動部材３１４は、ガイドレール３１３の長手方向に移動可能に設けられる。
【０１０４】
移動部材３１４の上面には、長尺状の回転部材３１５が回転可能に設けられる。回転部材３１５には、基板Ｗを保持するためのハンドＨ１およびハンドＨ２が取り付けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、回転部材３１５の長手方向に移動可能に設けられる。ハンドＨ１，Ｈ２は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を吸着保持することが可能に構成されている。ハンドＨ１，Ｈ２の詳細は後述する。
【０１０５】
上記のような構成により、搬送機構１２７は、上段搬送室１２５内においてＸ方向およびＺ方向に自在に移動することができる。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１，Ｈ２を用いて塗布処理室２１，２２（図２）、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２，ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６（図５）および上段熱処理部３０１（図３）に対して基板Ｗの受け渡しを行うことができる。
【０１０６】
なお、図５に示すように、搬送機構１２８，１３７，１３８は搬送機構１２７と同様の構成を有する。
【０１０７】
（５）洗浄乾燥処理ブロックの構成
図７は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａの内部構成を示す図である。なお、図７は、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａを図１の露光装置１５側から見た図である。
【０１０８】
図７に示すように、搬送機構１４１は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ３，Ｈ４を有し、搬送機構１４２は、基板Ｗを保持するためのハンドＨ５，Ｈ６を有する。ハンドＨ３〜Ｈ６は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を吸着保持することが可能に構成されている。ハンドＨ３〜Ｈ６の詳細は後述する。
【０１０９】
搬送機構１４１の＋Ｙ側には複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａおよび複数の裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂが階層的に設けられ、搬送機構１４２の−Ｙ側には複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２が階層的に設けられる。搬送機構１４１，１４２の間において、−Ｘ側には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２が上下に設けられる。
【０１１０】
また、上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰは、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａからの基板Ｗの搬入が可能に構成される。
【０１１１】
（６）基板処理装置の各構成要素の動作
以下、本実施の形態に係る基板処理装置１００の各構成要素の動作について説明する。
【０１１２】
（６−１）インデクサブロック１１の動作
以下、図１および図５を主に用いてインデクサブロック１１の動作を説明する。
【０１１３】
本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、まず、インデクサブロック１１のキャリア載置部１１１に、未処理の基板Ｗが収容されたキャリア１１３が載置される。搬送機構１１５は、そのキャリア１１３から１枚の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１に搬送する。その後、搬送機構１１５はキャリア１１３から他の１枚の未処理の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ３（図５）に搬送する。
【０１１４】
なお、基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ２からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済みの基板Ｗをキャリア１１３に搬送する。同様に、基板載置部ＰＡＳＳ４に処理済みの基板Ｗが載置されている場合には、搬送機構１１５は、基板載置部ＰＡＳＳ３に未処理の基板Ｗを搬送した後、基板載置部ＰＡＳＳ４からその処理済みの基板Ｗを取り出す。そして、搬送機構１１５は、その処理済み基板Ｗをキャリア１１３へ搬送するとともにキャリア１１３に収容する。
【０１１５】
（６−２）第１の処理ブロック１２の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第１の処理ブロック１２の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１２７，１２８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。
【０１１６】
搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１２７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ２に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。
【０１１７】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ（図３）から密着強化処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている未処理の基板Ｗをその密着強化処理ユニットＰＡＨＰに搬入する。
【０１１８】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の冷却ユニットＣＰから冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている密着強化処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、反射防止膜形成に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１１９】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により塗布処理室２２（図２）のスピンチャック２５（図２）上から反射防止膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上に反射防止膜が形成される。
【０１２０】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている反射防止膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗの加熱処理および冷却処理が連続的に行われる。
【０１２１】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図４）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、レジスト膜形成処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１２２】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ１により塗布処理室２１（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジスト膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室２２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。
【０１２３】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により上段熱処理部３０１（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。
【０１２４】
次に、搬送機構１２７は、ハンドＨ２に保持されている熱処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置する。また、搬送機構１２７は、ハンドＨ２により基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。その後、搬送機構１２７は、基板載置部ＰＡＳＳ６から取り出した現像処理後の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２（図５）に搬送する。
【０１２５】
搬送機構１２７が上記の処理を繰り返すことにより、第１の処理ブロック１２内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。
【０１２６】
搬送機構１２８は、搬送機構１２７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４，ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８（図５）、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図４）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【０１２７】
このように、本実施の形態においては、搬送機構１２７によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１において処理され、搬送機構１２８によって搬送される基板Ｗは、塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（塗布処理室２１，２２および上段熱処理部３０１）および下方の処理部（塗布処理室２３，２４および下段熱処理部３０２）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１２７,１２８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第１の処理ブロック１２のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１２７,１２８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。
【０１２８】
なお、上記の例では、塗布処理室２２における反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われるが、適正に反射防止膜を形成することが可能であれば、反射防止膜の形成処理前に冷却ユニットＣＰにおいて基板Ｗの冷却処理が行われなくてもよい。
【０１２９】
（６−３）第２の処理ブロック１３の動作
以下、図１〜図３および図５を主に用いて第２の処理ブロック１３の動作について説明する。なお、以下においては、簡便のため、搬送機構１３７，１３８のＸ方向およびＺ方向の移動の説明は省略する。
【０１３０】
搬送機構１２７により基板載置部ＰＡＳＳ５（図５）に載置された基板Ｗは、搬送機構１３７（図５）のハンドＨ１により取り出される。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６に載置する。なお、ハンドＨ２から基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される基板Ｗは、現像処理後の基板Ｗである。
【０１３１】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により塗布処理室３２（図２）のスピンチャック２５（図２）からレジストカバー膜形成後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されているレジスト膜形成後の基板Ｗをそのスピンチャック２５上に載置する。塗布処理室３２においては、塗布処理ユニット１２９（図２）により、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成される。
【０１３２】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているレジストカバー膜形成後の基板Ｗをその熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。
【０１３３】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２によりエッジ露光部ＥＥＷ（図３）からエッジ露光処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている熱処理後の基板Ｗをエッジ露光部ＥＥＷに搬入する。上記のように、エッジ露光部ＥＥＷにおいては、基板Ｗのエッジ露光処理が行われる。
【０１３４】
搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されているエッジ露光処理後の基板Ｗを載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１（図５）に載置するとともに、そのハンドＨ２により搬入搬出ブロック１４Ａに隣接する上段熱処理部３０１（図４）の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。なお、搬入搬出ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰから取り出される基板Ｗは、露光装置１５における露光処理が終了した基板Ｗである。
【０１３５】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図３）の所定の冷却ユニットＣＰ（図３）から冷却処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている露光処理後の基板Ｗをその冷却ユニットＣＰに搬入する。冷却ユニットＣＰにおいては、現像処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１３６】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ２により現像処理室３１（図２）のスピンチャック３５（図２）から現像処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ１に保持されている冷却処理後の基板Ｗをそのスピンチャック３５上に載置する。現像処理室３１においては、現像処理ユニット１３９によりレジストカバー膜の除去処理および現像処理が行われる。
【０１３７】
次に、搬送機構１３７は、ハンドＨ１により上段熱処理部３０３（図４）の所定の熱処理ユニットＰＨＰから熱処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１３７は、ハンドＨ２に保持されている現像処理後の基板Ｗを熱処理ユニットＰＨＰに搬入する。その後、搬送機構１３７は、熱処理ユニットＰＨＰから取り出した基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ６（図５）に載置する。
【０１３８】
搬送機構１３７が上記の処理を繰り返すことにより、第２の処理ブロック１３内において複数の基板Ｗに所定の処理が連続的に行われる。
【０１３９】
搬送機構１３８は、搬送機構１３７と同様の動作により、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８，Ｐ−ＢＦ２（図５）、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４（図２）および下段熱処理部３０４（図３）に対して基板Ｗの搬入および搬出を行う。
【０１４０】
このように、本実施の形態においては、搬送機構１３７によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３において処理され、搬送機構１３８によって搬送される基板Ｗは、現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４において処理される。この場合、複数の基板Ｗの処理を上方の処理部（現像処理室３１、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３）および下方の処理部（現像処理室３３、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４）において同時に処理することができる。それにより、搬送機構１３７,１３８による基板Ｗの搬送速度を速くすることなく、第２の処理ブロック１３のスループットを向上させることができる。また、搬送機構１３７,１３８が上下に設けられているので、基板処理装置１００のフットプリントが増加することを防止することができる。
【０１４１】
（６−４）洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作
以下、図５および図７を主に用いて洗浄乾燥処理ブロック１４Ａおよび搬入搬出ブロック１４Ｂの動作について説明する。
【０１４２】
洗浄乾燥処理ブロック１４Ａにおいて、搬送機構１４１（図７）は、搬送機構１３７（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。
【０１４３】
次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａから主面の洗浄乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａに搬入する。
【０１４４】
次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ３により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の裏面洗浄処理ユニットＳＤ１ｂから裏面の洗浄処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する主面の洗浄乾燥処理後の基板Ｗをその裏面洗浄処理ユニットＳＤ１ｂに搬入する。
【０１４５】
次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持する主面の洗浄乾燥処理後かつ裏面の洗浄処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。載置兼冷却部Ｐ−ＣＰにおいては、露光装置１５（図１）における露光処理に適した温度に基板Ｗが冷却される。
【０１４６】
次に、搬送機構１４１は、搬送機構１３８（図５）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２に載置されたエッジ露光後の基板ＷをハンドＨ３により取り出す。
【０１４７】
次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ４により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａから主面の洗浄乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持するエッジ露光後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａに搬入する。
【０１４８】
次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ３により洗浄乾燥処理部１６１（図７）の所定の裏面洗浄処理ユニットＳＤ１ｂから裏面の洗浄処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４１は、ハンドＨ４に保持する主面の洗浄乾燥処理後の基板Ｗをその裏面洗浄処理ユニットＳＤ１ｂに搬入する。
【０１４９】
次に、搬送機構１４１は、ハンドＨ３に保持する主面の洗浄乾燥処理後かつ裏面の洗浄処理後の基板Ｗを載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に載置する。
【０１５０】
このように、搬送機構１４１は、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２から交互にエッジ露光後の基板Ｗを取り出し、その基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６１を経由して載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに搬送する。
【０１５１】
ここで、キャリア１１３（図５）に収容されている基板Ｗは、搬送機構１１５（図５）により基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ３（図５）に交互に搬送される。また、塗布処理室２１，２２（図２）および上段熱処理部３０１（図３）における基板Ｗの処理速度と、塗布処理室２３，２４（図２）および下段熱処理部３０２（図３）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。
【０１５２】
また、搬送機構１２７（図５）の動作速度と搬送機構１２８（図５）の動作速度とは略等しい。また、現像処理室３１（図２）、塗布処理室３２および上段熱処理部３０３（図３）における基板Ｗの処理速度と、現像処理室３３（図２）、塗布処理室３４および下段熱処理部３０４（図３）における基板Ｗの処理速度とは略等しい。また、搬送機構１３７（図５）の動作速度と搬送機構１３８（図５）の動作速度とは略等しい。
【０１５３】
したがって、上記のように、搬送機構１４１（図７）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ１（図５）から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。
【０１５４】
搬送機構１４２（図７）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。
【０１５５】
次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄乾燥処理後の基板Ｗを上段熱処理部３０３の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、露光後ベーク（ＰＥＢ）処理が行われる。
【０１５６】
次に、搬送機構１４２（図７）は、ハンドＨ５により基板載置部ＰＡＳＳ９（図５）に載置された露光処理後の基板Ｗを取り出す。次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６により、洗浄乾燥処理部１６２（図７）の所定の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２から洗浄乾燥処理後の基板Ｗを取り出す。また、搬送機構１４２は、ハンドＨ５に保持する露光処理後の基板Ｗをその洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２に搬入する。
【０１５７】
次に、搬送機構１４２は、ハンドＨ６に保持する洗浄乾燥処理後の基板Ｗを下段熱処理部３０４の熱処理ユニットＰＨＰ（図７）に搬送する。この熱処理ユニットＰＨＰにおいては、ＰＥＢ処理が行われる。
【０１５８】
このように、搬送機構１４２は、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された露光処理後の基板Ｗを洗浄乾燥処理部１６２を経由して上段熱処理部３０３および下段熱処理部３０４に交互に搬送する。
【０１５９】
搬入搬出ブロック１４Ｂにおいて、搬送機構１４６（図５）は、ハンドＨ７により、載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに載置された基板Ｗを取り出し、露光装置１５の基板搬入部１５ａに搬送する。また、搬送機構１４６は、ハンドＨ８により、露光装置１５の基板搬出部１５ｂから露光処理後の基板Ｗを取り出し、基板載置部ＰＡＳＳ９に搬送する。
【０１６０】
なお、露光装置１５が基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１４１（図７）により、洗浄乾燥処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【０１６１】
また、第２の処理ブロック１３の現像処理ユニット１３９（図２）が露光処理後の基板Ｗの受け入れをできない場合、搬送機構１３７，１３８（図５）により、ＰＥＢ処理後の基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に一時的に収容される。
【０１６２】
また、第１および第２の処理ブロック１２，１３の不具合等によって基板Ｗが載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２まで正常に搬送されない場合、基板Ｗの搬送が正常となるまで搬送機構１４１による載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２からの基板Ｗの搬送を一時的に停止してもよい。
【０１６３】
（７）ハンドの構成
図１の搬送機構１１５のハンド１１６、図７の搬送機構１４１のハンドＨ３，Ｈ４、図７の搬送機構１４２のハンドＨ５，Ｈ６および図５の搬送機構１４６のハンドＨ７，Ｈ８は、同じ構成を有する。
【０１６４】
図８は、図１、図５および図７のハンド１１６，Ｈ３〜Ｈ８の構成を示す模式的平面図である。図８に示すように、ハンド１１６，Ｈ３〜Ｈ８の各々は、前方が開放された略Ｃ字形状のガイドＨＧを有する。ガイドＨＧの内周部には、ガイドＨＧの内周部に沿って形成される円の中心に対して等角度間隔で、ガイドＨＧの内側に向かってそれぞれ延びるように複数（本例では３つ）の支持片ｐｒが設けられている。各支持片ｐｒの先端部に、吸着部ｓｍが設けられている。各吸着部ｓｍには、樹脂製のチューブＳＬの一端が接続されている。各チューブＳＬの他端は吸気装置ＨＳに接続されている。
【０１６５】
ハンド１１６，Ｈ３〜Ｈ８の各々においては、３つの吸着部ｓｍ上に基板Ｗが載置される。この状態で、吸気装置ＨＳが動作することにより３つの吸着部ｓｍ上に位置する基板Ｗの裏面の３つの部分がそれぞれ３つの吸着部ｓｍにより吸着される。このようにして、基板Ｗの裏面が吸着保持される。この状態で、基板Ｗが搬送される。図８では、ハンド１１６，Ｈ３〜Ｈ８により保持される基板Ｗが二点鎖線で示される。
【０１６６】
図９は図６のハンドＨ１，Ｈ２の構成を示す模式的平面図である。図９に示すように、ハンドＨ１は、前方が開放された略Ｃ字形状のガイドＨＧを有する。ガイドＨＧの内周部には、ガイドＨＧの内周部に沿って形成される円の中心に対して等角度間隔で、ガイドＨＧの内側に向かうように複数（本例では３つ）の支持片ｐｒが形成されている。各支持片ｐｒの先端部に、吸着部ｓｍが設けられている。各吸着部ｓｍには、樹脂製のチューブＳＬの一端が接続されている。各チューブＳＬの他端は吸気装置ＨＳに接続されている。ハンドＨ１は、ハンド支持部材３１８により回転部材３１５の一側部に取り付けられる。この状態で、ハンドＨ１は、回転部材３１５の長手方向に移動可能である。
【０１６７】
ハンドＨ２は、ハンドＨ１と同じ構成を有する。ハンドＨ２は、ハンドＨ１に対して回転部材３１５の長手方向に平行な軸を中心として反転した状態で、ハンド支持部材３１９により回転部材３１５の他側部に取り付けられる。
【０１６８】
ハンドＨ１，Ｈ２の各々においては、上記のハンド１１６，Ｈ３〜Ｈ８の例と同様に、吸気装置ＨＳが動作することにより基板Ｗの裏面が吸着保持される。図９では、ハンドＨ１により保持される基板Ｗが二点鎖線で示される。
【０１６９】
上記のように、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６のハンド１１６，Ｈ１〜Ｈ８の各々が、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を吸着保持することが可能である。
【０１７０】
（８）基板吸着シートおよび温度処理装置
図１０は、図３の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの各々が含む基板吸着シート２２０および温度処理装置２５０を説明するための模式図である。
【０１７１】
図１０に示すように、温度処理装置２５０は、基板載置プレート２１０、温度調整体２５１および温度調整部２５２を含む。図１０においては、基板載置プレート２１０が縦断面図で示される。
【０１７２】
図１１は、図１０の基板載置プレート２１０の平面図である。図１０に示される基板載置プレート２１０の縦断面図は、図１１のＡ−Ａ線における基板載置プレート２１０の縦断面図に相当する。
【０１７３】
図１０および図１１に示すように、基板載置プレート２１０は、円形状の上面を有する。基板載置プレート２１０の上面は、基板Ｗの直径よりも大きい直径を有する。基板載置プレート２１０の上面の中央部分に円形状の基板吸着シート２２０が取り付けられている。基板吸着シート２２０は例えば樹脂により形成される。基板吸着シート２２０の直径は基板Ｗの直径よりも小さい。
【０１７４】
基板載置プレート２１０には、複数（本例では３つ）の支持ピン挿入孔２１３ａおよび複数（本例では２つ）の気体吸引孔２１４ａが形成されている。基板吸着シート２２０には、複数（本例では３つ）の支持ピン挿入孔２１３ｂおよび複数（本例では２つ）の気体吸引孔２１４ｂが形成されている。
【０１７５】
基板載置プレート２１０の複数の支持ピン挿入孔２１３ａおよび複数の気体吸引孔２１４ａの位置と、基板吸着シート２２０の複数の支持ピン挿入孔２１３ｂおよび複数の気体吸引孔２１４ｂの位置とが互いに一致するように、基板載置プレート２１０の上面に基板吸着シート２２０が取り付けられている。
【０１７６】
基板吸着シート２２０の上面２２０ｕには、上方に突出するように複数（本例では１０個）の突起部２２１およびシール突起部２２２が形成されている。シール突起部２２２は、基板吸着シート２２０の外周部に沿うように形成されている。複数の突起部２２１は、シール突起部２２２の内側の領域で分散するように形成されている。複数の突起部２２１およびシール突起部２２２は同じ高さを有する。
【０１７７】
基板載置プレート２１０の下面における各気体吸引孔２１４ａの形成部分には、チューブＳＬの一端が接続されている。各チューブＳＬの他端は吸気装置２３０に接続されている。
【０１７８】
基板載置プレート２１０の内部に温度調整体２５１が設けられている。図３の密着強化処理ユニットＰＡＨＰにおいては、温度調整体２５１はマイカヒータ等の発熱体である。一方、図３の冷却ユニットＣＰにおいては、温度調整体２５１はペルチェ素子等の冷却体である。温度調整体２５１の温度が温度調整部２５２により調整される。温度調整部２５２は、例えば図１の制御部１１４により制御される。なお、図３の冷却ユニットＣＰにおいては、温度調整体２５１に代えて、基板載置プレート２１０の内部に冷却水の循環流路を設けてもよい。この場合、循環経路に冷却水を供給することにより、基板載置プレート２１０の温度を所定温度に調整することができる。
【０１７９】
図１０に示すように、図３の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰにおいては、基板吸着シート２２０および温度処理装置２５０とともに昇降装置２６０が設けられる。昇降装置２６０には、連結部材２６１が上下方向に移動可能に取り付けられる。昇降装置２６０に取り付けられた連結部材２６１が、基板載置プレート２１０の下方に配置される。
【０１８０】
連結部材２６１に複数（本例では３つ）の支持ピン２６２がそれぞれ上下方向に延びるように取り付けられている。各支持ピン２６２は円形状の断面を有する棒状部材である。
【０１８１】
複数の支持ピン２６２の各々の直径は、複数の支持ピン挿入孔２１３ａ，２１３ｂの内径よりも小さい。複数の支持ピン２６２は、上下方向に移動することにより複数の支持ピン挿入孔２１３ａ，２１３ｂにそれぞれ挿入可能に配置される。
【０１８２】
昇降装置２６０は、例えば図１の制御部１１４により制御される。昇降装置２６０が動作することにより連結部材２６１が上下方向に移動する。それにより、複数の支持ピン２６２の上端部がそれぞれ複数の支持ピン挿入孔２１３ａ，２１３ｂを通って基板載置プレート２１０の上方の位置と基板載置プレート２１０の上面よりも下方の位置との間で移動する。
【０１８３】
図１０および図１１の温度処理装置２５０においては、以下のようにして基板Ｗに温度処理が行われる。
【０１８４】
まず、昇降装置２６０が連結部材２６１を上昇させる。これにより、複数の支持ピン２６２のそれぞれの上端部が基板載置プレート２１０の上方の位置まで移動する。この状態で、複数の支持ピン２６２上に図示しない搬送機構から基板Ｗが渡される。
【０１８５】
次に、複数の支持ピン２６２の上端部が基板載置プレート２１０の上面よりも下方の位置まで移動するように、昇降装置２６０が連結部材２６１を下降させる。それにより、基板Ｗの裏面が基板吸着シート２２０の複数の突起部２２１およびシール突起部２２２の上端部に当接し、基板Ｗの裏面が基板吸着シート２２０により支持される。この場合、基板吸着シート２２０の直径は基板Ｗの直径よりも小さいので、基板Ｗの端部は基板吸着シート２２０に接触しない。
【０１８６】
続いて、吸気装置２３０が動作することにより、基板Ｗの裏面と基板吸着シート２２０の上面２２０ｕとの間の空間内の雰囲気が気体吸引孔２１４ａ，２１４ｂおよびチューブＳＬを通して吸気装置２３０に吸引される。それにより、基板Ｗの裏面と基板吸着シート２２０の上面２２０ｕとの間の空間が負圧となり、基板Ｗの裏面が基板吸着シート２２０により吸着保持される。この状態で、温度調整体２５１の温度が調整されることにより、基板Ｗに温度処理（加熱処理または冷却処理）が行われる。
【０１８７】
その後、吸気装置２３０が停止し、昇降装置２６０が連結部材２６１を上昇させる。これにより、基板Ｗの裏面が複数の支持ピン２６２により支持された状態で、基板Ｗが基板載置プレート２１０の上方の位置まで移動する。複数の支持ピン２６２上の基板Ｗが図示しない搬送機構により受け取られる。
【０１８８】
上記のように、基板吸着シート２２０が基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を吸着保持する。したがって、図３の密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰにおいては、基板Ｗを保持する部材または基板Ｗを支持する部材が基板Ｗの端部に接触しない。それにより、汚染物質の発生および基板Ｗの端部への汚染物質の転写を防止しつつ、基板Ｗに温度処理を行うことが可能である。
【０１８９】
また、基板吸着シート２２０により基板Ｗの裏面が吸着保持された状態で、基板Ｗに温度処理が行われる。この場合、基板Ｗが変形することを防止しつつ、基板Ｗに均一な温度処理を行うことができる。
【０１９０】
（９）熱処理ユニット
（９−１）熱処理ユニットの構成
図１２は図３の熱処理ユニットＰＨＰの斜視図であり、図１３は図３の熱処理ユニットＰＨＰの平面図であり、図１４は図３の熱処理ユニットＰＨＰの側面図である。
【０１９１】
図１２〜図１４に示すように、熱処理ユニットＰＨＰは、冷却部４００Ｃ、加熱部４００Ｈ、筐体４１０、搬送機構４２０およびシャッタ装置４７４を含む。冷却部４００Ｃ、加熱部４００Ｈおよび搬送機構４２０は、それぞれ筐体４１０内に収容される。図１２ではシャッタ装置４７４の図示を省略する。また、図１３および図１４では筐体４１０の図示を省略する。
【０１９２】
筐体４１０は直方体形状を有する。筐体４１０の一側面４１０ａ（図１２）には、筐体４１０の内部空間と搬送室（例えば、図５の上段搬送室１２５または下段搬送室１２６等）の内部空間とを連通する開口部４１１が形成されている。開口部４１１を通して熱処理ユニットＰＨＰに対する基板Ｗの搬入および基板Ｗの搬出が行われる。なお、図３の複数の熱処理ユニットＰＨＰのうち洗浄乾燥処理ブロック１４Ａに隣接する熱処理ユニットＰＨＰにおいては、筐体４１０の洗浄乾燥処理ブロック１４Ａ側の側面にも開口部（図示せず）が形成される。その開口部は、筐体４１０の内部空間と洗浄乾燥処理ブロック１４Ａとの間で基板Ｗの搬入および搬出を行うために用いられる。
【０１９３】
筐体４１０の内部では、筐体４１０の一側面４１０ａ（図１２）からその一側面４１０ａに対向する他側面４１０ｂ（図１２）に向かう方向に沿って並ぶように冷却部４００Ｃおよび加熱部４００Ｈがこの順で配置されている。
【０１９４】
図１４に示すように、冷却部４００Ｃは、基板載置プレート４７０、昇降装置４６０、連結部材４６１、複数（本例では３つ）の支持ピン４６２および熱伝導シート４９５を含む。基板載置プレート４７０内には、図示しない冷却水の循環流路が形成されている。昇降装置４６０、連結部材４６１および複数の支持ピン４６２の構成は、図１０の昇降装置２６０、連結部材２６１および複数の支持ピン２６２の構成とそれぞれ同じである。基板載置プレート４７０には、複数の支持ピン４６２を通すための複数の支持ピン挿入孔が形成されている。基板載置プレート４７０の上面に熱伝導シート４９５が貼り付けられている。
【０１９５】
加熱部４００Ｈは、図１０および図１１の基板吸着シート２２０、吸気装置２３０、温度処理装置２５０、昇降装置２６０、連結部材２６１および複数の支持ピン２６２を含む。図１２〜図１４では、図１０および図１１の温度処理装置２５０のうち基板載置プレート２１０のみが図示される。本例では、温度処理装置２５０の温度調整体２５１（図１０）はマイカヒータ等の発熱体である。
【０１９６】
搬送機構４２０は、上下方向に延びるように設けられた２本の長尺状のガイドレール４２１，４２２を備える。図１２に示すように、筐体４１０内において、一方のガイドレール４２１は筐体４１０の一側面４１０ａ側に固定され、他方のガイドレール４２２は筐体４１０の他側面４１０ｂ側に固定される。ガイドレール４２１とガイドレール４２２との間には、長尺状のガイドレール４２３が設けられる。ガイドレール４２３は、上下動可能にガイドレール４２１，４２２に取り付けられる。ガイドレール４２３に搬送アーム４３０が取り付けられる。搬送アーム４３０は、ガイドレール４２３の長手方向に移動可能に設けられる。
【０１９７】
搬送アーム４３０は、基板Ｗの外形よりも大きい外形を有する平板状部材である。搬送アーム４３０は、アルミニウム等の金属材料により構成される。搬送アーム４３０内には、複数の気体経路が形成されている。図１３に示すように、搬送アーム４３０の上面には、搬送アーム４３０の中央部に複数（本例では３つ）の開口部４３２ｂが形成され、搬送アーム４３０における一側辺近傍に複数（本例では３つ）の開口部４３２ａが形成されている。中央部に形成された３つの開口部４３２ｂと一側辺近傍に形成された３つの開口部４３２ａとが、それぞれ搬送アーム４３０内に形成された３つの気体経路を通して連通する。
【０１９８】
搬送機構４２０は、吸気装置４９０をさらに含む。図１２に示すように、搬送アーム４３０における一側辺近傍に形成された３つの開口部４３２ａには、３本のチューブＳＬの一端が接続されている。３本のチューブＳＬの他端はそれぞれ吸気装置４９０に接続されている。
【０１９９】
図１３に示すように、搬送アーム４３０の上面には、複数（本例では３つ）の部分にそれぞれ複数の基板吸着シート４４０が取り付けられている。各基板吸着シート４４０の上面２２０ｕには、上方に突出するように複数の突起部４４１およびシール突起部４４２が形成されている。シール突起部４４２は、基板吸着シート４４０の外周部に沿うように形成されている。複数の突起部４４１は、シール突起部４４２の内側の領域で分散するように形成されている。複数の突起部４４１およびシール突起部４４２は同じ高さを有する。各基板吸着シート４４０の中央部には貫通孔が形成されている。貫通孔の部分が搬送アーム４３０の中央部に形成された開口部４３２ｂのいずれかに重なるように、各基板吸着シート４４０が搬送アーム４３０に取り付けられる。
【０２００】
吸気装置４９０が動作することにより、搬送アーム４３０の中央部に形成された３つの開口部４３２ｂ上の雰囲気が、基板吸着シート４４０の貫通孔、搬送アーム４３０内の気体経路およびチューブＳＬを通して吸気装置４９０に吸引される。
【０２０１】
また、搬送アーム４３０には、冷却部４００Ｃの昇降装置４６０の複数の支持ピン４６２と干渉しないように切り込み（スリット）４３１が設けられている。
【０２０２】
熱処理ユニットＰＨＰにおいて、シャッタ装置４７４は、冷却部４００Ｃと加熱部４００Ｈとの間に設けられる。シャッタ装置４７４は、シャッタ４７５およびシャッタ駆動部４７６を含む。
【０２０３】
本例では、シャッタ駆動部４７６は、基板載置プレート４７０の上面および基板載置プレート２１０の上面よりも上方の位置（以下、閉位置と呼ぶ。）と基板載置プレート４７０の上面および基板載置プレート２１０の上面よりも下方の位置（以下、開位置と呼ぶ。）との間でシャッタ４７５を移動させる。シャッタ４７５が閉位置にある場合、筐体４１０内の冷却部４００Ｃを取り囲む空間と加熱部４００Ｈを取り囲む空間とがシャッタ４７５により遮断される。一方、シャッタ４７５が開位置にある場合、筐体４１０内の冷却部４００Ｃを取り囲む空間と加熱部４００Ｈを取り囲む空間とが連通する。
【０２０４】
（９−２）熱処理ユニットの動作
図１２〜図１４の熱処理ユニットＰＨＰの動作について説明する。図１５〜図２４は、熱処理ユニットＰＨＰの動作を示す模式的側面図である。図１５〜図２４においては、図１４に示される複数の構成要素のうち一部の構成要素が示される。
【０２０５】
図１５に示すように、初期状態で、冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２の上端部がそれぞれ基板載置プレート４７０の上方に位置し、搬送機構４２０の搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０上の熱伝導シート４９５に接触する。また、加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２の上端部がそれぞれ基板載置プレート２１０の上面よりも下方に位置する。さらに、シャッタ４７５が閉位置にある。この状態で、筐体４１０の開口部４１１（図１２）を通して熱処理ユニットＰＨＰに搬入された基板Ｗが冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２上に載置される。
【０２０６】
次に、図１６に示すように、搬送機構４２０の搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置まで上昇するとともに、冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２が基板載置プレート４７０の上面よりも下方の位置まで下降する。それにより、基板Ｗが冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２から搬送アーム４３０に渡され、基板Ｗが複数の基板吸着シート４４０上に載置される。この状態で、図１２の吸気装置４９０が動作することにより、基板Ｗの裏面が複数の基板吸着シート４４０により吸着保持される。また、加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２の上端部がそれぞれ基板載置プレート２１０の上面よりも上方の位置まで上昇する。さらに、シャッタ４７５が閉位置から開位置に移動する。
【０２０７】
次に、図１７に示すように、搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置から加熱部４００Ｈの基板載置プレート２１０の上方の位置まで移動し、図１２の吸気装置４９０の動作が停止する。続いて、搬送アーム４３０が複数の支持ピン２６２の上端部よりも下方の位置まで下降する。それにより、図１８に示すように、基板Ｗが加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２上に載置される。その後、搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置まで移動する。
【０２０８】
次に、図１９に示すように、加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２が基板載置プレート２１０の上面よりも下方の位置まで下降する。それにより、基板Ｗが基板吸着シート２２０上に載置される。この状態で、図１２の吸気装置２３０が動作することにより、基板Ｗの裏面が基板吸着シート２２０により吸着保持される。また、搬送アーム４３０が下降することにより、搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０上の熱伝導シート４９５に接触する。それにより、搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０上で冷却される。さらに、シャッタ４７５が開位置から閉位置に移動する。上記のように、基板Ｗが基板吸着シート２２０により吸着保持された状態で、図１０の温度調整体２５１が発熱することにより基板Ｗが加熱される。
【０２０９】
次に、図１２の吸気装置２３０の動作が停止した後、図２０に示すように、加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２の上端部が基板載置プレート２１０の上面よりも上方の位置まで上昇する。それにより、基板Ｗが加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２により支持される。また、搬送機構４２０の搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置まで上昇する。さらに、シャッタ４７５が閉位置から開位置に移動する。
【０２１０】
次に、図２１に示すように、搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置から加熱部４００Ｈの基板載置プレート２１０の上方の位置まで移動する。続いて、搬送アーム４３０が加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２の上端部よりも上方の位置まで上昇する。それにより、基板Ｗが搬送アーム４３０により受け取られる。このとき、基板Ｗが複数の基板吸着シート４４０上に載置される。図１２の吸気装置４９０が動作することにより、基板Ｗの裏面が基板吸着シート４４０により吸着保持される。その後、図２２に示すように、搬送アーム４３０が冷却部４００Ｃの基板載置プレート４７０の上方の位置まで移動する。
【０２１１】
次に、図２３に示すように、搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０上の熱伝導シート４９５に接触するまで下降し、シャッタ４７５が開位置から閉位置に移動し、加熱部４００Ｈの複数の支持ピン２６２が基板載置プレート２１０の上面よりも下方の位置まで下降する。この場合、搬送アーム４３０が基板載置プレート４７０上の熱伝導シート４９５に接触することにより、基板Ｗが搬送アーム４３０とともに基板載置プレート４７０上で冷却される。
【０２１２】
最後に、図１２の吸気装置４９０の動作が停止した後、図２４に示すように、冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２の上端部が基板載置プレート４７０の上面よりも上方の位置まで上昇する。それにより、基板Ｗが冷却部４００Ｃの複数の支持ピン４６２により支持される。この状態で、複数の支持ピン４６２上の基板Ｗが図示しない搬送機構により受け取られる。
【０２１３】
上記のように、基板吸着シート２２０，４４０が基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を吸着保持する。したがって、図３の熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板Ｗを保持する部材または基板Ｗを支持する部材が基板Ｗの端部に接触しない。それにより、汚染物質の発生および基板Ｗの端部への汚染物質の転写を防止しつつ、基板Ｗに温度処理を行うことが可能である。
【０２１４】
また、基板吸着シート２２０，４４０により基板Ｗの裏面が吸着保持された状態で、基板Ｗに加熱処理および冷却処理が行われる。この場合、基板Ｗが変形することを防止しつつ、基板Ｗに均一な温度処理を行うことができる。
【０２１５】
（１０）裏面洗浄ユニット
（１０−１）裏面洗浄ユニットの構成
図２５は図２の裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂの平面図であり、図２６は図２の裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂの側面図である。裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂは、筐体７０１を有する。筐体７０１の一側面には、裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂに基板Ｗを搬入および搬出するための開口部７０１ｓが形成されている。図２５および図２６では、筐体７０１が点線で示される。
【０２１６】
筐体７０１の内部には、基板洗浄用筐体７１０が設けられている。基板洗浄用筐体７１０は直方体形状を有する。基板洗浄用筐体７１０の上面７１１の中央部には、基板Ｗの外形よりも大きい円形開口部７１２が形成されている。円形開口部７１２を挟んで対向するように、基板洗浄用筐体７１０の上面７１１上に昇降装置７２０，７３０が設けられている。
【０２１７】
基板洗浄用筐体７１０内の下部に、モータ７５０が設けられている。モータ７５０の回転軸７５１は、モータ７５０から上方に向かって延びるように設けられている。回転軸７５１の軸心の延長線が基板洗浄用筐体７１０の円形開口部７１２の中心を通るように、モータ７５０が配置されている。回転軸７５１の上端部に略Ｙ字形の洗浄ブラシ７６０が水平姿勢で取り付けられる。洗浄ブラシ７６０の中心が回転軸７５１の軸心上に位置する。洗浄ブラシ７６０は、その中心部から等角度間隔で３方向に延びる３本の棒状ブラシ７６１を含む。
【０２１８】
また、基板洗浄用筐体７１０の内部には、回転軸７５１の軸心を中心とする仮想円ｃ１上で回転軸７５１を取り囲むようにかつ上下方向に延びるように、３本の第１支持ピン７２２が設けられている。３本の第１支持ピン７２２の下端部が連結部材７２１にそれぞれ接続されている。連結部材７２１は、昇降装置７２０に取り付けられている。昇降装置７２０が動作することにより、連結部材７２１が３本の第１支持ピン７２２とともに上下方向に移動する。３本の第１支持ピン７２２の上端部に、３つの吸着部ｓｍがそれぞれ設けられている。各吸着部ｓｍには、樹脂製のチューブＳＬの一端が接続されている。各チューブＳＬの他端は基板洗浄用筐体７１０内に設けられた吸気装置７４０ａに接続されている。
【０２１９】
また、基板洗浄用筐体７１０の内部には、回転軸７５１の軸心を中心とする仮想円ｃ２上で回転軸７５１を取り囲むようにかつ上下方向に延びるように、３本の第２支持ピン７３２が設けられている。図２５に示すように、仮想円ｃ２の直径は仮想円ｃ１の直径よりも大きく、基板Ｗの直径よりも小さい。３本の第２支持ピン７３２の下端部が連結部材７３１にそれぞれ接続されている。連結部材７３１は、昇降装置７３０に取り付けられている。昇降装置７３０が動作することにより、連結部材７３１が３本の第２支持ピン７３２とともに上下方向に移動する。３本の第２支持ピン７３２の上端部に、３つの吸着部ｓｍがそれぞれ設けられている。各吸着部ｓｍには、樹脂製のチューブＳＬの一端が接続されている。各チューブＳＬの他端は基板洗浄用筐体７１０内に設けられた吸気装置７４０ｂに接続されている。なお、図２６および後述する図２７以降の図面では、３本の第１支持ピン７２２および３本の第２支持ピン７３２を容易に識別できるように、連結部材７２１および３本の第１支持ピン７２２がハッチングで示される。
【０２２０】
さらに、基板洗浄用筐体７１０の内部には、下方から円形開口部７１２の中心に向かうように上下方向に対して傾斜して配置された３つの洗浄液噴射ノズル７７０が設けられている。３つの洗浄液噴射ノズル７７０は、回転軸７５１の軸心に対して等角度間隔で配置されている。３つの洗浄液噴射ノズル７７０は、図示しない洗浄液供給系にそれぞれ接続されている。本例では、洗浄液噴射ノズル７７０には、純水等の洗浄液が供給される。
【０２２１】
（１０−２）裏面洗浄ユニットの動作
図２５および図２６の裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂの動作について説明する。図２７〜図３３は、裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂの動作を示す平面図および側面図である。図２７〜図３３の各々においては、（ａ）に裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂの平面図が示され、（ｂ）に裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂの側面図が示される。
【０２２２】
図２７〜図３３では、図２５および図２６の筐体７０１の図示は省略する。裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂの側面図においては、図２５および図２６の昇降装置７２０，７３０および基板洗浄用筐体７１０を点線で示す。
【０２２３】
初期状態では、昇降装置７２０が動作することにより、連結部材７２１が上昇し、３本の第１支持ピン７２２の３つの吸着部ｓｍがそれぞれ洗浄ブラシ７６０の上方の位置まで上昇する。一方、３本の第２支持ピン７３２の３つの吸着部ｓｍはそれぞれ洗浄ブラシ７６０の下方の位置で保持される。この状態で、図２７（ａ），（ｂ）に示すように、筐体７０１の開口部７０１ｓ（図２６）を通して裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂに搬入された基板Ｗが３本の第１支持ピン７２２の３つの吸着部ｓｍ上に載置される。図２６の吸気装置７４０ａが動作すると、基板Ｗの裏面が３本の第１支持ピン７２２の３つの吸着部ｓｍにより吸着保持される。図２７（ａ）では、基板Ｗの裏面における３本の第１支持ピン７２２の３つの吸着部ｓｍとの接触部分が符号ｐ１で示される。
【０２２４】
次に、昇降装置７２０が動作することにより、図２８に示すように、基板Ｗの裏面が洗浄ブラシ７６０に接触する高さまで３本の第１支持ピン７２２が下降する。図２８（ａ）では、基板Ｗの裏面における洗浄ブラシ７６０との接触部分が符号ｃａで示される。
【０２２５】
次に、図２９に示すように、３つの洗浄液噴射ノズル７７０から基板Ｗの裏面に向かって洗浄液（本例では、純水）が噴射される。その後、モータ７５０が動作することにより、洗浄ブラシ７６０が回転軸７５１の軸心を中心として所定角度回転する。本例のように、洗浄ブラシ７６０が、等角度間隔で３方向に延びる３本の棒状ブラシ７６１を含む場合、所定角度は例えば６０°よりも大きい角度に設定される。このようにして、基板Ｗの裏面に洗浄液が供給されつつ、基板Ｗの裏面における一部領域が洗浄ブラシ７６０により物理的に洗浄される。
【０２２６】
次に、基板Ｗへの洗浄液の噴射が停止された後、昇降装置７３０が動作することにより、図３０に示すように、３本の第２支持ピン７３２の３つの吸着部ｓｍが基板Ｗの裏面に接触するまで３本の第２支持ピン７２２が上昇する。その後、図２６の吸気装置７４０ｂが動作すると、基板Ｗの裏面が３本の第２支持ピン７３２の３つの吸着部ｓｍにより吸着保持される。図３０（ａ）では、基板Ｗの裏面における３本の第２支持ピン７３２の３つの吸着部ｓｍとの接触部分が符号ｐ２で示される。
【０２２７】
次に、図２６の吸気装置７４０ａの動作が停止した後、昇降装置７２０が動作することにより、図３１に示すように、３本の第１支持ピン７２２の３つの吸着部ｓｍがそれぞれ洗浄ブラシ７６０の下方の位置まで下降する。
【０２２８】
次に、図３２に示すように、３つの洗浄液噴射ノズル７７０から基板Ｗの裏面に向かって洗浄液（本例では、純水）が噴射される。その後、モータ７５０が動作することにより、洗浄ブラシ７６０が回転軸７５１の軸心を中心として再度所定角度（本例では６０°よりも大きい角度）回転する。このようにして、基板Ｗの裏面に洗浄液が供給されつつ、基板Ｗの裏面における他の領域が洗浄ブラシ７６０により物理的に洗浄される。
【０２２９】
次に、基板Ｗへの洗浄液の噴射が停止された後、昇降装置７３０が動作することにより、図３３に示すように、３本の第２支持ピン７３２の３つの吸着部ｓｍが洗浄ブラシ７６０の上方の位置まで上昇する。続いて、図２６の吸気装置７４０ｂの動作が停止した後、３本の第２支持ピン７３２上で支持された基板Ｗが図示しない搬送機構により受け取られる。
【０２３０】
上記のように、３つの吸着部ｓｍにより基板Ｗの裏面が吸着保持された状態で、基板Ｗが回転することなく基板Ｗの裏面全体が洗浄される。したがって、裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂにおいては、基板Ｗを保持する部材または基板Ｗを支持する部材が基板Ｗの端部に接触しない。それにより、汚染物質の発生および基板Ｗの端部への汚染物質の転写を防止しつつ、基板Ｗの裏面を洗浄することが可能である。
【０２３１】
また、上記のように、本実施の形態では、レジスト膜およびレジストカバー膜が形成され、所定の熱処理が行われた後、露光装置１５による露光処理前に基板Ｗの裏面が洗浄される。それにより、基板Ｗの他面に汚染物質が付着することに起因するデフォーカスの発生が防止される。
【０２３２】
（１１）基板の周縁部および端部
図３４は、本発明の一実施の形態において定義される基板Ｗの周縁部および端部を説明するための図である。図３４（ａ），（ｂ），（ｃ）には、互いに異なる複数種類の基板Ｗの一部拡大側面図が示される。
【０２３３】
本実施の形態においては、基板Ｗの主面および裏面の端から内側に向かって一定幅ｄの領域を基板Ｗの周縁部と呼ぶ。また、基板Ｗの端部とは、図３４（ａ），（ｂ），（ｃ）に太い実線で示すように、基板Ｗの主面および裏面の周縁部を除く基板Ｗの端面をいう。
【０２３４】
図３４（ａ）の基板Ｗは、２つの傾斜端面を有する。一方の傾斜端面は基板Ｗの主面の端から下方に傾斜し、他方の傾斜端面は基板Ｗの裏面の端から上方に傾斜する。この場合、基板Ｗの端部は２つの傾斜端面からなる。
【０２３５】
図３４（ｂ）の基板Ｗは、２つの傾斜端面および１つの鉛直端面を有する。一方の傾斜端面は基板Ｗの主面の端から下方に傾斜し、他方の傾斜端面は基板Ｗの裏面の端から上方に傾斜する。２つの傾斜端面の間に基板Ｗの主面および裏面に直交する方向に延びる鉛直端面が形成されている。この場合、基板Ｗの端部は２つの傾斜端面および１つの鉛直端面からなる。
【０２３６】
図３４（ｃ）の基板Ｗは、基板Ｗの主面の端から裏面の端にかけて上下方向に湾曲する湾曲端面を含む。この場合、基板Ｗの端部は湾曲端面からなる。
【０２３７】
（１２）本実施の形態の効果
上記のように、基板処理装置１００が備える全ての搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６，４２０の各々は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を保持しつつ基板Ｗを搬送する。
【０２３８】
また、基板処理装置１００が備える複数の塗布処理ユニット１２９および複数の現像処理ユニット１３９の各々は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を保持しつつ基板Ｗの主面に処理液を供給する。
【０２３９】
また、基板処理装置１００が備える複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰおよび複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰの各々は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を保持しつつ基板Ｗに温度処理を行う。
【０２４０】
また、基板処理装置１００が備える複数のエッジ露光部ＥＥＷの各々は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を保持しつつ基板Ｗの主面にエッジ露光処理を行う。
【０２４１】
また、基板処理装置１００が備える基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９および載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２の各々は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を支持する。
【０２４２】
このように、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、基板Ｗを保持する部材または基板Ｗを支持する部材が基板Ｗの端部に接触しない。それにより、基板Ｗの保持部材または支持部材が基板Ｗの端部に接触することに起因して汚染物質が発生することが防止される。また、基板Ｗの端部に汚染物質が転写することが防止される。その結果、基板Ｗの端部が汚染することに起因する基板の処理不良の発生が防止される。
【０２４３】
（１３）他の実施の形態
（１３−１）上記実施の形態では、裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂに３本の第１支持ピン７２２および３本の第２支持ピン７３２が設けられる例を説明した。これに限らず、裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂには４本または５本の第１支持ピン７２２が設けられてもよい。また、裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂには４本または５本の第２支持ピン７３２が設けられてもよい。この場合、洗浄ブラシ７６０は第１支持ピン７２２および第２支持ピン７３２の数に対応する数の棒状ブラシ７６１を含むことが好ましい。
【０２４４】
（１３−２）上記実施の形態に係る裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂにおいては、洗浄ブラシ７６０が回転することにより、基板Ｗが回転することなく基板Ｗの裏面全体が洗浄される。これに限らず、３本の第１支持ピン７２２および３本の第２支持ピン７３２が円形開口部７１２の中心を通る鉛直軸の周りで回転可能に構成されてもよい。この場合、洗浄ブラシ７６０が回転する代わりに３本の第１支持ピン７２２および３本の第２支持ピン７３２を回転させることにより、基板Ｗを洗浄ブラシ７６０に対して相対的に移動させることができる。それにより、洗浄ブラシ７６０を回転させることなく基板Ｗを回転させることにより、基板Ｗの裏面を洗浄することができる。
【０２４５】
（１３−３）上記実施の形態に係る基板処理装置１００においては、複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａ、複数の裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂおよび複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２がインターフェイスブロック１４に設けられる。これに限らず、複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ１ａ、複数の裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂおよび複数の洗浄乾燥処理ユニットＳＤ２のうちの一部または全てが、第１の処理ブロック１２および第２の処理ブロック１３のうちの少なくとも一方に設けられてもよい。
【０２４６】
（１３−４）上記実施の形態に係る基板処理装置１００は、基板Ｗの端部を洗浄する端部洗浄機構を含まない。これに限らず、基板処理装置１００は、基板Ｗの端部を洗浄する端部洗浄機構を含んでもよい。さらに、端部洗浄機構は、基板Ｗの端部に接触することにより基板Ｗの端部を洗浄する洗浄具（例えば洗浄ブラシ）を有してもよい。この場合、基板処理装置１００においては、洗浄具による洗浄後の基板Ｗの端部に、基板Ｗを保持するための部材または基板Ｗを支持するための部材が接触しない。したがって、基板Ｗの端部がより清浄に保たれる。
【０２４７】
（１３−５）上記実施の形態では、塗布処理室３２，３４において、塗布処理ユニット１２９により基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されるが、塗布処理室２１，２３において、耐水性を有するレジスト膜が形成される場合には、塗布処理室３２，３４において、レジストカバー膜が形成されなくてもよい。
【０２４８】
その場合、エッジ露光部ＥＥＷにおいて、基板Ｗの表面状態としてレジスト膜の状態が検査される。
【０２４９】
なお、基板Ｗ上にレジストカバー膜が形成されない場合には、塗布処理室３２，３４が設けられなくてもよく、または、塗布処理室３２，３４において、レジスト膜の形成または現像処理等の他の処理が行われてもよい。
【０２５０】
（１３−６）上記実施の形態に係る基板処理装置１００においては、インデクサブロック１１に設けられる制御部１１４が、基板処理装置１００内の各構成要素を制御する。これに限らず、基板処理装置１００には、ブロック毎にそのブロック内の１または複数の搬送機構および複数のユニットの動作を制御するためのブロック制御部が設けられてもよい。この場合、複数の搬送機構１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６，４２０、複数の塗布処理ユニット１２９、複数の現像処理ユニット１３９、複数の熱処理ユニットＰＨＰ、複数の密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、複数の冷却ユニットＣＰ、複数の載置兼冷却部Ｐ−ＣＰおよび複数のエッジ露光部ＥＥＷの各々は、対応するブロック制御部により制御される。
【０２５１】
（１３−７）上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５が基板処理装置１００の外部装置として用いられるが、これに限らず、液体を用いずに基板Ｗの露光処置を行う露光装置が基板処理装置１００の外部装置として用いられてもよい。
【０２５２】
（１３−８）上記実施の形態では、密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび熱処理ユニットＰＨＰに、基板Ｗを保持する構成要素の一例として基板Ｗの裏面を吸着保持する基板吸着シート２２０が用いられる。これに限らず、密着強化処理ユニットＰＡＨＰ、冷却ユニットＣＰおよび熱処理ユニットＰＨＰにおいては、基板載置プレート２１０上に基板吸着シート２２０を設ける代わりに、基板載置プレート２１０上に複数の突起部材を設けてもよい。この場合、基板載置プレート２１０上の複数の突起部材により、基板Ｗの裏面が吸着されることなく基板Ｗが支持される。
【０２５３】
（１４）請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応
以下、請求項の各構成要素と実施の形態の各要素との対応の例について説明するが、本発明は下記の例に限定されない。
【０２５４】
上記の実施の形態では、基板Ｗが基板の例であり、基板Ｗの主面が一面の例であり、基板Ｗの裏面が他面の一例であり、基板処理装置１００が基板処理装置の例であり、レジスト膜の塗布液および現像液が処理液の例であり、塗布処理ユニット１２９および現像処理ユニット１３９の各々が処理液供給ユニットの例であり、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの各々が第１の温度処理ユニットの例である。
【０２５５】
また、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８のハンドＨ１，Ｈ２の各々が第１の保持部の例であり、搬送機構１２７，１２８，１３７，１３８の各々が第１の搬送装置の例であり、制御部１１４が制御部の例であり、スピンチャック２５，３５の各々が第２の保持部の例であり、ノズル２８およびスリットノズル３８の各々が液供給機構の例である。
【０２５６】
また、密着強化処理ユニットＰＡＨＰおよび冷却ユニットＣＰの基板吸着シート２２０が第３の保持部の例であり、温度処理装置２５０が第１の温度処理装置の例であり、ハンドＨ１〜Ｈ８の吸着部ｓｍ、スピンチャック２５，３５および基板吸着シート２２０の各々が吸着保持機構の例である。
【０２５７】
また、塗布処理ユニット１２９が一の処理液供給ユニットの例であり、現像処理ユニット１３９が他の処理液供給ユニットの例であり、第１の処理ブロック１２および第２の処理ブロック１３が処理部の例であり、インデクサブロック１１が搬入搬出部の例であり、インターフェイスブロック１４が受け渡し部の例であり、露光装置１５が露光装置の例であり、裏面洗浄ユニットＳＤ１ｂが洗浄ユニットの例であり、複数の第１支持ピン７２２、複数の第２支持ピン７３２およびそれらに設けられた複数の吸着部ｓｍが第４の保持部の例であり、モータ７５０、回転軸７５１および洗浄ブラシ７６０が洗浄機構の例である。
【０２５８】
また、図２７〜図３０に符号ｐ１で示される基板Ｗの裏面における第１支持ピン７２２の吸着部ｓｍとの接触部分が第１の部分の例であり、図３０〜図３３に符号ｐ２で示される基板Ｗの裏面における第２支持ピン７３２の吸着部ｓｍとの接触部分が第２の部分の例であり、複数の第１支持ピン７２２およびそれらに設けられた複数の吸着部ｓｍが第１の吸着保持機構の例であり、複数の第２支持ピン７３２およびそれらに設けられた複数の吸着部ｓｍが第２の吸着保持機構の例である。
【０２５９】
また、吸気装置７４０ａ，７４０ｂが切替機構の例であり、洗浄ブラシ７６０が洗浄具の例であり、モータ７５０および回転軸７５１が洗浄具移動機構の例であり、搬送機構１４１，１４２，１４６が第２の搬送装置の例であり、ハンドＨ３〜Ｈ８が第５の保持部の例であり、熱処理ユニットＰＨＰが第２の温度処理ユニットの例である。
【０２６０】
また、冷却部４００Ｃが冷却部の例であり、加熱部４００Ｈが加熱部の例であり、搬送アーム４３０および複数の基板吸着シート４４０が第６の保持部の例であり、搬送機構４２０が第３の搬送装置の例であり、基板載置プレート４７０が冷却装置の例であり、加熱部４００Ｈの基板吸着シート２２０が第７の保持部の例であり、加熱部４００Ｈの温度処理装置２５０が加熱装置の例である。
【０２６１】
請求項の各構成要素として、請求項に記載されている構成または機能を有する他の種々の要素を用いることもできる。
【産業上の利用可能性】
【０２６２】
本発明は、種々の基板の処理に有効に利用することができる。
【符号の説明】
【０２６３】
１１  インデクサブロック
１２  第１の処理ブロック
１３  第２の処理ブロック
１４  インターフェイスブロック
１５  露光装置
２５，３５，４１，９８  スピンチャック
２８，４２  ノズル
３８  スリットノズル
１００  基板処理装置
１１４  制御部
１１６，Ｈ１〜Ｈ８  ハンド
１１５，１２７，１２８，１３７，１３８，１４１，１４２，１４６，４２０  搬送機構
１２９  塗布処理ユニット
１３９  現像処理ユニット
２２０，４４０  基板吸着シート
２３０，４９０，７４０ａ，７４０ｂ，ＨＳ  吸気装置
２５０  温度処理装置
４００Ｃ  冷却部
４００Ｈ  加熱部
４１０，７０１  筐体
４３０  搬送アーム
４７０  基板載置プレート
２６０，４６０，７２０，７３０  昇降装置
７２２  第１支持ピン
７３２  第２支持ピン
７５０  モータ
７５１  回転軸
７６０  洗浄ブラシ
７７０  洗浄液噴射ノズル
ＣＰ  冷却ユニット
ＥＥＷ  エッジ露光部
Ｐ−ＣＰ  載置兼冷却部
Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２  載置兼バッファ部
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ９  基板載置部
ＰＡＨＰ  密着強化処理ユニット
ＰＨＰ  熱処理ユニット
ｓｍ  吸着部
ＳＤ１ａ，ＳＤ２  洗浄乾燥処理ユニット
ＳＤ１ｂ  裏面洗浄ユニット
Ｗ  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年10月11日(2013.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
上記の基板処理装置においては、インデクサブロックから搬入される基板は、反射防止膜用処理ブロックおよびレジスト膜用処理ブロックにより反射防止膜の形成およびレジスト膜の塗布処理が行われる。その後、基板はインターフェイスブロックを介して露光装置へと搬送される。露光装置において基板上のレジスト膜に露光処理が行われた後、基板はインターフェイスブロックを介して現像処理ブロックへ搬送される。現像処理ブロックにおいて基板上のレジスト膜に現像処理が行われることによりレジストパターンが形成された後、基板はインデクサブロックへと搬送される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この場合、１または複数の洗浄ユニットの各々においては、第１の吸着保持機構により基板の他面の第１の部分が保持されかつ第２の吸着保持機構により基板が保持されない状態で基板の他面における第１の部分を除く領域が洗浄される。また、第２の吸着保持機構により基板の他面の第２の部分が保持されかつ第１の吸着保持機構により基板が保持されない状態で基板の他面における第２の部分を除く領域が洗浄される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５９】
第１の処理ブロック１２は、塗布処理部１２１、搬送部１２２および熱処理部１２３を含む。塗布処理部１２１および熱処理部１２３は、搬送部１２２を挟んで対向するように設けられる。搬送部１２２とインデクサブロック１１との間には、基板Ｗが載置される基板載置部ＰＡＳＳ１および後述する基板載置部ＰＡＳＳ２〜ＰＡＳＳ４（図５参照）が設けられる。基板載置部ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を支持する複数の支持ピン（図示せず）が設けられている。搬送部１２２には、基板Ｗを搬送する搬送機構１２７および後述する搬送機構１２８（図５参照）が設けられる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
搬送部１６３と搬送部１３２との間には、載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１および後述の載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ２（図５参照）が設けられる。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２は、複数の基板Ｗを収容可能に構成される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２においては、収容される複数の基板Ｗがそれぞれ図示しない支持部材により支持される。載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２に設けられる支持部材は、基板Ｗの端部に接触することなく基板Ｗの裏面を支持するように構成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８７
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１５３】
したがって、上記のように、搬送機構１４１（図７）により載置兼バッファ部Ｐ−ＢＦ１，Ｐ−ＢＦ２（図５）から載置兼冷却部Ｐ−ＣＰに基板Ｗが交互に搬送されることにより、キャリア１１３から基板処理装置１００に搬入される基板Ｗの順序と、洗浄乾燥処理ブロック１４Ａから載置兼冷却部Ｐ−ＣＰ（図５）に搬送される基板Ｗの順序とが一致する。この場合、基板処理装置１００における各基板Ｗの処理履歴の管理が容易になる。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１９９】
図１３に示すように、搬送アーム４３０の上面には、複数（本例では３つ）の部分にそれぞれ複数の基板吸着シート４４０が取り付けられている。各基板吸着シート４４０の上面には、上方に突出するように複数の突起部４４１およびシール突起部４４２が形成されている。シール突起部４４２は、基板吸着シート４４０の外周部に沿うように形成されている。複数の突起部４４１は、シール突起部４４２の内側の領域で分散するように形成されている。複数の突起部４４１およびシール突起部４４２は同じ高さを有する。各基板吸着シート４４０の中央部には貫通孔が形成されている。貫通孔の部分が搬送アーム４３０の中央部に形成された開口部４３２ｂのいずれかに重なるように、各基板吸着シート４４０が搬送アーム４３０に取り付けられる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０２５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０２５１】
（１３−７）上記実施の形態では、液浸法により基板Ｗの露光処理を行う露光装置１５が基板処理装置１００の外部装置として用いられるが、これに限らず、液体を用いずに基板Ｗの露光処理を行う露光装置が基板処理装置１００の外部装置として用いられてもよい。