(57)【要約】      （修正有）【課題】コモンモードフィルタとしてのフィルタリング性能を維持しながら自己共振周波数を高めることができ寄生キャパシタンスを大幅に削減できる、薄膜型コモンモードフィルタを提供する。【解決手段】薄膜型コモンモードフィルタは、絶縁材質からなるベース基板１０と、ベース基板上に形成される第１絶縁層２０と、第１絶縁層上に一つの層に形成され、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成される内部電極３０と、内部電極上に形成され、コイル間の間隔より高く形成される第２絶縁層４０と、内部電極の側面で接続される垂直区間、及び垂直区間の上部端から水平方向に延長され、内部電極と所定距離離れた平行面を形成する水平区間からなる外部電極端子５０と、第１絶縁層、第２絶縁層、外部電極端子の水平区間の側壁の一部が収容されるように形成されるフェライト樹脂層６０と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
コイル電極形態に製作され、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成される内部電極（３０）を含む薄膜型コモンモードフィルタであって、内部電極（３０）上に形成される第２絶縁層（４０）の高さをコイル間の間隔より高く形成することにより、寄生キャパシタンス成分を減少させることを特徴とする薄膜型コモンモードフィルタ。
【請求項２】
絶縁材質からなるベース基板（１０）と、
前記ベース基板（１０）上に形成される第１絶縁層（２０）と、
前記第１絶縁層（２０）上に一つの層に形成され、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成される内部電極（３０）と、
前記内部電極（３０）上に形成され、コイル間の間隔より高く形成される第２絶縁層（４０）と、
前記内部電極（３０）の側面で接続される垂直区間、及び前記垂直区間の上部端から水平方向に延長され、内部電極（３０）と所定距離離れた平行面を形成する水平区間からなる外部電極端子（５０）と、
前記第１絶縁層（２０）、第２絶縁層（４０）、外部電極端子（５０）の水平区間の側壁の一部が収容されるように形成されるフェライト樹脂層（６０）と、を含むことを特徴とする薄膜型コモンモードフィルタ。
【請求項３】
前記ベース基板（１０）は、フェライトからなることを特徴とする請求項２に記載の薄膜型コモンモードフィルタ。
【請求項４】
前記第１絶縁層及び第２絶縁層は、ポリイミド、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）またはその他の高分子ポリマーから選択される一つからなることを特徴とする請求項２に記載の薄膜型コモンモードフィルタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜型コモンモードフィルタに関し、より詳細には、コモンモードフィルタの内部電極をコイル電極形態に製作するにあたり、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成し、内部電極上に形成される第２絶縁層の高さをコイル間の間隔より高く形成することにより、寄生キャパシタンス成分を減少させることができる薄膜型コモンモードフィルタに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話、家電製品、ＰＣ、ＰＤＡ、ＬＣＤ、ナビゲーションなどの電子機器が益々デジタル化及び高速化されている。このような電子機器は外部からの刺激に敏感であるため、外部から小さい異常電圧と高周波ノイズが電子機器の内部回路に流入される場合、回路の破損や信号の歪曲が発生する。
【０００３】
このような異常電圧とノイズの原因としては、回路内で発生するスイッチング電圧、電源電圧に含まれた電源ノイズ、不要な電磁気信号または電磁気ノイズなどが挙げられる。このような異常電圧と高周波ノイズが回路に流入されることを防止するための手段として、コモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｌｔｅｒ：ＣＭＦ）が用いられている。
【０００４】
一般的な差動信号送信システムでは、コモンモードノイズを除去するためのコモンモードノイズフィルタ（ＣＭＦ）とともに、入出力端子で発生し得る静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ：ＥＳＤ）を抑制するためのダイオード、バリスタなどの受動部品を別に用いている。
【０００５】
図１ａ及び図１ｂは従来技術によるコモンモードフィルタ構造を図示した概略図である。図１ａ及び図１ｂを参照すると、一般的なコモンモードフィルタは、ベース基板１と、前記ベース基板１上に形成される第１絶縁層２と、前記第１絶縁層２上に形成される内部電極３と、前記内部電極３が収容されるように第１絶縁層２上に形成される第２絶縁層４と、前記第２絶縁層４上に内部電極３の引き出し端と接続されるように形成される外部電極端子５と、前記第２絶縁層４上に形成されるフェライト樹脂層６と、で構成される。
【０００６】
しかし、上記のような従来技術によるコモンモードフィルタは、構造的特性によって寄生キャパシタンスが発生するという問題があった。
【０００７】
図１ａ及び図１ｂの「Ａ」で示された領域が寄生キャパシタンスの発生領域である。
【０００８】
図１ａに示されたように、通電する互いに異なる回路、即ち、内部電極３と外部電極端子５が互いに近接する上下付近、特に境界付近で寄生キャパシタンスが集中的に発生するという問題があった。
【０００９】
また、図１ｂに示されたように、各層に設けられた複数の内部電極３の層間でも寄生キャパシタンスが発生する。
【００１０】
このような従来技術の内部電極３はコイル形態に製作されており、このように一層に異なる形態のコイルが形成される従来技術の内部電極３の構造では、寄生キャパシタンスが発生するしかなかった。また、このような寄生キャパシタンスは、自己共振周波数（ＳＲＦ）を低下させる主な原因となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２００３−００６８５８７号公報
【特許文献２】韓国公開特許第１０−２００７−００６１７８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、従来技術の問題点を解決するために導き出されたものであって、本発明の目的は、コモンモードフィルタの内部電極をコイル電極形態に製作するにあたり、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成し、内部電極上に形成される第２絶縁層の高さをコイル間の間隔より高く形成することにより、寄生キャパシタンスの発生部位を根本的に遮断することができる薄膜型コモンモードフィルタを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一側面によると、コイル電極形態に製作され、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成される内部電極を含む薄膜型コモンモードフィルタであって、内部電極上に形成される第２絶縁層の高さをコイル間の間隔より高く形成することにより、寄生キャパシタンス成分を減少させる薄膜型コモンモードフィルタが提供される。
【００１４】
本発明の他の側面によると、絶縁材質からなるベース基板と、前記ベース基板上に形成される第１絶縁層と、前記第１絶縁層上に一つの層に形成され、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成される内部電極と、前記内部電極上に形成され、コイル間の間隔より高く形成される第２絶縁層と、前記内部電極の側面で接続される垂直区間、及び前記垂直区間の上部端から水平方向に延長され、内部電極と所定距離離れた平行面を形成する水平区間からなる外部電極端子と、前記第１絶縁層、第２絶縁層、外部電極端子の水平区間の側壁の一部が収容されるように形成されるフェライト樹脂層と、を含むことを特徴とする薄膜型コモンモードフィルタが提供される。
【００１５】
また、前記ベース基板は、フェライト材質からなることができる。
【００１６】
また、前記第１絶縁層及び第２絶縁層は、ポリイミド、エポキシ樹脂、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）またはその他の高分子ポリマーから選択される一つからなることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明は、コモンモードフィルタの内部電極をコイル電極形態に製作するにあたり、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成し、内部電極上に形成される第２絶縁層の高さをコイル間の間隔より高く形成することにより、寄生キャパシタンスの発生部位を根本的に遮断することができ、コモンモードフィルタとしてのフィルタリング（Ｆｉｌｔｅｒｉｎｇ）性能をそのまま維持しながらも、自己共振周波数（ＳＲＦ）を高めることができる効果を有する。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１ａ】従来技術によるコモンモードフィルタの構造を図示した概略図である。
【図１ｂ】従来技術によるコモンモードフィルタの構造を図示した概略図である。
【図２】本発明による薄膜型コモンモードフィルタの断面構造を図示した概念図である。
【図３ａ】本発明による薄膜型コモンモードフィルタの製造工程を順に図示した概念図である。
【図３ｂ】本発明による薄膜型コモンモードフィルタの製造工程を順に図示した概念図である。
【図３ｃ】本発明による薄膜型コモンモードフィルタの製造工程を順に図示した概念図である。
【図３ｄ】本発明による薄膜型コモンモードフィルタの製造工程を順に図示した概念図である。
【図４】（ａ）は従来の薄膜型コモンモードフィルタの内部電極の配置構造を図示した模式的な断面図であり、（ｂ）は本発明による薄膜型コモンモードフィルタの内部電極の配置構造を図示した模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の好ましい実施形態について添付図面を参照して詳細に説明すると、次のとおりである。
【００２０】
図２は本発明による薄膜型コモンモードフィルタの断面構造を図示した概念図である。
【００２１】
図２を参照すると、本発明は、コイル電極形態に製作され、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成される内部電極３０を含む薄膜型コモンモードフィルタであって、内部電極３０上に形成される第２絶縁層４０の高さをコイル間の間隔より高く形成することにより、寄生キャパシタンス成分を減少させるものである。
【００２２】
本発明の実施形態による薄膜型コモンモードフィルタは、絶縁材質からなるベース基板１０と、前記ベース基板１０上に形成される第１絶縁層２０と、前記第１絶縁層２０上に一つの層に形成され、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成される内部電極３０と、前記内部電極３０上に形成され、コイル間の間隔より高く形成される第２絶縁層４０と、前記内部電極３０の側面で接続される垂直区間、及び前記垂直区間の上部端から水平方向に延長され、内部電極３０と所定距離離れた平行面を形成する水平区間からなる外部電極端子５０と、前記第１絶縁層２０、第２絶縁層４０、外部電極端子５０の水平区間の側壁の一部が収容されるように形成されるフェライト樹脂層６０と、を含む。
【００２３】
図３ａから図３ｄは、本発明による薄膜型コモンモードフィルタの製造工程を順に図示した概念図である。
【００２４】
前記本発明の図３ａに示すように、ベース基板１０上に第１絶縁層２０が形成される。
【００２５】
この際、前記ベース基板１０は絶縁材質を用いて製作されることができ、例えば、フェライト（ｆｅｒｒｉｔｅ）材質が用いられることができる。
【００２６】
また、前記第１絶縁層２０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏ  ｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ＢＣＢ）、またはその他の高分子ポリマーから選択される一つを用いて形成されることができ、スピンコーティング層の厚さを調節することによりインピーダンスを調節することができる。
【００２７】
また、前記第１絶縁層２０上には、図３ｂに示すように、内部電極３０及び第２絶縁層４０が形成される。
【００２８】
前記内部電極３０はコイル形状に製作されることができる。ここで、コイル形状の一端は外部電極端子側に連結される引き出し端を形成し、他端は接地用の接続端を形成する。
【００２９】
図４において、（ａ）は従来の薄膜型コモンモードフィルタの内部電極の配置構造を図示した模式的な断面図であり、（ｂ）は本発明による薄膜型コモンモードフィルタの内部電極の配置構造を図示した模式的な断面図である。
【００３０】
図４（ｂ）を参照すると、前記内部電極３０は、前記第１絶縁層２０上に一つの層に形成され、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成される。
【００３１】
このような本発明は、同時コイルの差動モード信号（Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｍｏｄｅ  Ｓｉｇｎａｌ）の印加時、従来の上下に駆動される構造と同様に駆動されることができるため、フィルタリング（Ｆｉｌｔｅｒｉｎｇ）効果は従来と同様に得られながらも、自己共振周波数（ＳＲＦ）を高めることができる構造を確保することができる。
【００３２】
また、前記第２絶縁層４０は、内部電極３０上に形成され、コイル間の間隔より高く形成されることにより、内部電極３０と外部電極端子５０との間に離隔空間が形成される。
【００３３】
前記第２絶縁層４０は、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、エポキシ樹脂（ｅｐｏｘｙ  ｒｅｓｉｎ）、ベンゾシクロブテン（ｂｅｎｚｏ  ｃｙｃｌｏｂｕｔｅｎｅ ＢＣＢ）、またはその他の高分子ポリマーから選択される一つを用いて形成されることができ、フォトビア（Ｐｈｏｔｏ  ｖｉａ）法により形成されることができる。
【００３４】
ここで、フォトビア法は、絶縁樹脂が加えられた特殊な現像インクを絶縁層として使用及び積層する方法のことである。
【００３５】
この際、前記第２絶縁層４０は、内部電極３０上にのみ形成されるようにすることができる。
【００３６】
また、前記外部電極端子５０は、内部電極３０の側面で接続される垂直区間と、前記垂直区間の上部端から水平方向に延長され、内部電極３０と所定距離離れた平行面を形成する水平区間と、からなることができる。
【００３７】
また、図３ｃに図示されたように、第２絶縁層４０上に外部電極端子５０が形成される。この際、前記外部電極端子５０は、前記内部電極３０の側面で接続される垂直区間と、前記垂直区間の上部端から水平方向に延長され、内部電極３０と所定距離離れた平行面を形成する水平区間と、からなる。
【００３８】
また、図３ｄに図示されたように、前記第１絶縁層２０、第２絶縁層４０、外部電極端子５０の水平区間の側壁の一部が収容されるように、フェライト樹脂層６０が形成される。
【００３９】
この際、前記外部電極端子５０の垂直区間は所定高さで突出形成されており、前記外部電極端子５０の垂直区間が突出された高さだけ、外部電極端子５０と内部電極３０との間に離隔空間が形成される。
【００４０】
上述したように、本発明によると、コモンモードフィルタの内部電極をコイル電極形態に製作するにあたり、一つの層に２個のコイル電極がコイルが巻かれる方向に沿って並行する同時コイルパターンに形成し、内部電極上に形成される第２絶縁層の高さをコイル間の間隔より高く形成することにより、寄生キャパシタンスの発生部位を根本的に遮断することができ、コモンモードフィルタとしてのフィルタリング（Ｆｉｌｔｅｒｉｎｇ）性能をそのまま維持しながらも、自己共振周波数（ＳＲＦ）を高めることができる。
【００４１】
以上、添付図面を参照して本発明の実施形態を説明したが、本発明が属する技術分野において通常の知識を有する者であれば、本発明が、その技術的思想や必須の特徴を変更することなく、他の具体的な形態で実施可能であることを理解することができる。 例えば、当業者は、各構成要素の材質、大きさなどを適用分野によって変更したり実施形態を組合せまたは置換したりして、本発明の実施形態に明確に開示されていない形態で実施することができるが、これも本発明の範囲を外れるものではない。従って、以上で説明した実施形態は全ての面で例示的なものに過ぎないため、これを制限的に理解してはならず、このような変形された実施形態は、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想に含まれるといえる。
【符号の説明】
【００４２】
１０  ベース基板
２０  第１絶縁層
３０  内部電極
３１  第１コイル電極
３２  第２コイル電極
４０  第２絶縁層
５０  外部電極端子
６０  フェライト樹脂層
【図１ａ】
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【図１ｂ】
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【図２】
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【図３ａ】
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【図３ｂ】
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【図３ｃ】
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【図３ｄ】
2014049756.tif 000009
【図４】
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