(57)【要約】【課題】半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することを課題とする。【解決手段】上面中央部１ａに半導体素子Ｓが搭載される搭載部１ａを有する絶縁基板１と、搭載部１ａにおける外周部に、半導体素子Ｓの外周辺に沿って互いに離間して並列する内側列と外側列との２列の並びで配置された多数の半導体素子接続パッド２と、絶縁基板１の上面に被着されており、内側列の半導体素子接続パッド２から搭載部１ａの中央部側に延びるとともに外側列の半導体素子接続パッド２から搭載部１ａの外側に延びる配線導体３と、絶縁基板１の上面に、半導体素子接続パッド２を露出させるように被着されており、配線導体３を覆うとともに内側列と外側列との間にソルダーダム５ａを有するソルダーレジスト層５とを具備する配線基板Ａであって、ソルダーダム５ａの側端が、半導体素子接続パッド２から離隔して形設されている。【選択図】図１
2014192429.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部における外周部に、前記半導体素子の外周辺に沿って互いに離間して並列する内側列と外側列との２列の並びで配置された多数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記内側列の前記半導体素子接続パッドから前記搭載部の中央部側に延びるとともに前記外側列の前記半導体素子接続パッドから前記搭載部の外側に延びる配線導体と、前記絶縁基板の上面に、前記半導体素子接続パッドを露出させるように被着されており、前記配線導体を覆うとともに前記内側列と前記外側列との間にソルダーダムを有するソルダーレジスト層とを具備する配線基板であって、前記ソルダーダムの側端が、前記半導体素子接続パッドから離隔して形設されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記ソルダーダムの側端が、前記半導体素子接続パッドの外周辺に沿って凹凸状に形設されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等を搭載するための配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３（ａ）および（ｂ）に、半導体集積回路素子等の半導体素子Ｓを搭載するための従来の配線基板Ｃを示す。なお、図３（ａ）は、（ｂ）に示すＺ−Ｚ部における断面図である。
配線基板Ｃは、絶縁基板２１と、半導体素子接続パッド２２と、配線導体２３と、外部接続パッド２４と、ソルダーレジスト層２５とを備えている。
絶縁基板２１は、上面中央部に半導体素子Ｓを搭載するための搭載部２１ａを有するとともに、上下に貫通する複数のスルーホール２６を有している。
半導体素子接続パッド２２は、搭載部２１ａにおける外周部に、半導体素子Ｓの外周辺に沿って内側列と外側列との２列の並びで配置されている。また、半導体素子接続パッド２２において後述するソルダーダム２５ａ側の一端には、それぞれソルダーダム２５ａ下に延びる延長部２７が付加されている。
配線導体２３は、各半導体素子接続パッド２２から絶縁基板２１の上面をスルーホール２６に向けて延びるとともにスルーホール２６を介して外部接続パッド２４に導出されている。なお、内側列の半導体素子接続パッド２２に接続された配線導体２３は、搭載部２１ａの中央部側に延びており、外側列の半導体素子接続パッド２２に接続された配線導体２３は、搭載部２１ａの外側に延びている。
ソルダーレジスト層２５は、絶縁基板２１の上下面に被着されている。上面側のソルダーレジスト層２５は、半導体素子接続パッド２２を露出する第１開口部２８を有するとともに、配線導体２３を被覆している。また、内側列および外側列の半導体素子接続パッド２２の間には帯状のソルダーダム２５ａを有している。また、下面側のソルダーレジスト層２５は、外部接続パッド２４を露出する第２開口部２９を有している。
【０００３】
そして、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド２２に半田を介して接続するとともに、外部接続パッド２４を外部の電気回路基板の配線導体に半田を介して接続することにより、半導体素子Ｓが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Ｓと外部の電気回路基板との間で配線導体２３を介して信号を伝送することにより半導体素子Ｓが稼働する。
【０００４】
ところで、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド２２に接続するときには、周知のフリップチップ技術が好適に用いられる。具体的には、例えば各半導体素子接続パッド２２上にあらかじめ半田を溶着させておき、２３０〜２６０℃程度の高温に加熱した半導体素子Ｓの電極Ｔをそれぞれ対応する半田上に載置して半田を溶融させる。その後、冷却して半田を電極Ｔに固着させることで電極Ｔと半導体素子接続パッド２２とを接続する。
【０００５】
ところが、各半導体素子接続パッド２２上の半田を高温で溶融させる際に、半導体素子接続パッド２２に加わった熱が、延長部２７を介して延長部２７を被覆するソルダーダム２５ａに伝わり、ソルダーダム２５ａが高温になることがある。このとき、ソルダーダム２５ａ内に、例えばソルダーレジスト層２５を被着形成する際に噛み込んだ微小な気泡が熱により大きく膨張してしまう場合がある。このため、ソルダーダム２５ａ中において、互いに近接して配置された延長部２７同士の間に、膨張した気泡による大きな空隙が発生してしまうことがあり、そのような大きな空隙が発生すると、延長部２７と接続する半導体素子接続パッド２２間の電気的な絶縁性が不十分となる恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−９９６８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、半導体素子搭載時の高温処理の際に、半導体素子接続パッドが、例えばソルダーダムに生じる気泡から受ける影響を回避することで、互いに近接する半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、搭載部における外周部に、半導体素子の外周辺に沿って互いに離間して並列する内側列と外側列との２列の並びで配置された多数の半導体素子接続パッドと、絶縁基板の上面に被着されており、内側列の半導体素子接続パッドから搭載部の中央部側に延びるとともに外側列の半導体素子接続パッドから搭載部の外側に延びる配線導体と、絶縁基板の上面に、半導体素子接続パッドを露出させるように被着されており、配線導体を覆うとともに内側列と外側列との間にソルダーダムを有するソルダーレジスト層とを具備する配線基板であって、ソルダーダムの側端が、半導体素子接続パッドから離隔して形設されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板によれば、ソルダーダムの側端が、半導体素子接続パッドから離隔した状態で形設されている。このため、例えば半導体素子接続パッドが、従来のようにソルダーダムに生じる大きな空隙の影響を受けることを回避することができる。その結果、近接して配置された半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）および（ｂ）は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【図２】図２（ａ）および（ｂ）は、本発明の配線基板の別の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【図３】図３（ａ）および（ｂ）は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明の実施形態の一例を図１（ａ）および（ｂ）を基に説明する。図１（ａ）は、（ｂ）に示すＸ−Ｘ部における断面図である。
図１（ａ）に示すように本例の配線基板Ａは、絶縁基板１と、半導体素子接続パッド２と、配線導体３と、外部接続パッド４と、ソルダーレジスト層５とを具備する。
【００１２】
絶縁基板１は、その上面中央部に、半導体素子Ｓが搭載される搭載部１ａを有するとともに、上下に貫通する複数のスルーホール６を有している。搭載部１ａは半導体素子Ｓに対応する大きさおよび形状をしている。また、絶縁基板１の下面は、外部の電気回路基板と接続するための接続面となっている。
【００１３】
絶縁基板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁基板１は、この例では単層構造であるが、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層を多層に積層した多層構造であってもよい。
【００１４】
半導体素子接続パッド２は、搭載部１ａにおける外周部に、半導体素子Ｓの外周辺に沿って内側列と外側列との２列の並びで配置されている。そして、この半導体素子接続パッド２に、半導体素子Ｓの電極Ｔを半田バンプを介して接続することにより、配線基板Ａの上面に半導体素子Ｓが電気的に接続される。
【００１５】
半導体素子接続パッド２は、例えば、銅箔や銅めっき等の良導電性材料から形成されており、後述する配線導体３と一体的に形成されている。
【００１６】
配線導体３は、各半導体素子接続パッド２から絶縁基板１の上面をスルーホール６に向けて延びるとともにスルーホール６を介して外部接続パッド４に導出されている。なお、内側列の半導体素子接続パッド２に接続された配線導体３は、搭載部１ａの中央部側に延びるとともに、外側列の半導体素子接続パッド２に接続された配線導体３は、搭載部１ａの外側に延びている。これにより半導体素子Ｓが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Ｓと外部の電気回路基板との間で配線導体３を介して信号を伝送することにより半導体素子Ｓが稼働する。
【００１７】
配線導体３は、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法により、例えば銅箔や銅めっき等の良導電性材料から形成されている。
【００１８】
ソルダーレジスト層５は、絶縁基板１の上下面に被着されている。上面側のソルダーレジスト層５は、半導体素子接続パッド２を露出する第１開口部８を有するとともに、配線導体３を被覆している。また、下面側のソルダーレジスト層５は、外部接続パッド４を露出する第２開口部９を有している。さらに、内側列および外側列の半導体素子接続パッド２の間には帯状のソルダーダム５ａを有している。このソルダーダム５ａの側端は、半導体素子接続パッド２から離隔した状態で形設されている。
【００１９】
ソルダーレジスト層５は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る樹脂ペーストまたはフィルムを絶縁基板１の上に塗布または貼着して熱硬化させることにより形成される。
【００２０】
ところで、本発明においては、上述したようにソルダーダム５ａの側端が、半導体素子接続パッド２から離隔した状態で形設されている。これにより、半導体素子Ｓ搭載時に半導体素子接続パッド２に加わった高温の熱がソルダーダム５ａに伝わることを抑制することができる。このため、例えば半導体素子接続パッド２が、従来のようにソルダーダムに生じる大きな空隙の影響を受けることを回避することができる。その結果、近接して配置された半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することができる。
【００２１】
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施形態の一例では、図１（ｂ）に示したように、ソルダーダム５ａは帯状に形成しているが、図２（ｂ）に示すように半導体素子接続パッド１２に沿うような凹凸状に形成しても良い。
【符号の説明】
【００２２】
１            絶縁基板
１ａ          搭載部
２            半導体素子接続パッド
３            配線導体
５            ソルダーレジスト層
５ａ          ソルダーダム
Ａ            配線基板
Ｓ            半導体素子
【図１】
2014192429.tif 000003
【図２】
2014192429.tif 000004
【図３】
2014192429.tif 000005