(57)【要約】【課題】ガスの噴出量におけるばらつきを低減できる半導体製造用部品を提供すること。【解決手段】  本体部３と、前記本体部３の内部に設けられたトンネル５と、前記トンネル５における２以上の部分を短絡するバイパス７と、前記トンネル５から前記本体部３の表面３ａに至る複数のガス噴出孔９と、前記トンネル５又は前記バイパス７にガスを供給するガス供給経路１１と、を備えることを特徴とする半導体製造用部品１。前記複数のガス噴出孔の内径が０．３ｍｍ以下であることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部と、
前記本体部の内部に設けられたトンネルと、
前記トンネルにおける２以上の部分を短絡するバイパスと、
前記トンネルから前記本体部の表面に至る複数のガス噴出孔と、
前記トンネル又は前記バイパスにガスを供給するガス供給経路と、
を備えることを特徴とする半導体製造用部品。
【請求項２】
前記複数のガス噴出孔の内径が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の半導体製造用部品。
【請求項３】
前記複数のガス噴出孔のコンダクタンスは、前記トンネル上の経路において、前記バイパスと前記トンネルとの合流点、又は前記ガス供給経路と前記トンネルとの合流点から遠いガス噴出孔ほど、前記コンダクタンスが大きい傾向を有することを特徴とする請求項１又は２記載の半導体製造用部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、静電チャック、シャワーヘッド等の半導体製造用部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば半導体製造装置においては、半導体ウェハ（例えばシリコンウェハ）を固定してドライエッチング等の加工を行ったり、半導体ウェハを吸着固定して反りを矯正したり、半導体ウェハを吸着して搬送したり、半導体ウェハを効率良く冷却するなどの目的で、静電チャックが使用されている。
【０００３】
このうち、半導体ウェハの温度を均一化するために、半導体ウェハと静電チャックとの間に、熱伝導の良い例えばＨｅガス等のガスを充填させる技術が知られている。
そして、このガスを静電チャックの表面に供給するために、静電チャックを構成するセラミック絶縁体の内部に、ガスの通路となるトンネルを設けるとともに、そのトンネルから静電チャックの表面に至る複数のガス噴出孔を形成している（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−２１５８５号公報  （第３頁、図５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
トンネルに対し、ガス供給元からガスが供給される。ガス噴出孔には、ガス供給元に近いものと、遠いものとがある。ガス供給元から遠いガス噴出孔では、ガス供給元に近いガス噴出孔に比べ、ガスの供給圧力が低く、ガスの噴出量が小さくなってしまう。その結果、ガスの噴出量が場所によってばらつき、半導体ウェハの温度が不均一になってしまう。
【０００６】
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、ガスの噴出量におけるばらつきを低減できる半導体製造用部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体製造用部品は、
本体部と、前記本体部の内部に設けられたトンネルと、前記トンネルにおける２以上の部分を短絡するバイパスと、前記トンネルから前記本体部の表面に至る複数のガス噴出孔と、前記トンネル又は前記バイパスにガスを供給するガス供給経路と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体製造用部品は、バイパスにより、トンネル内におけるガス供給圧力の場所によるばらつきを低減できる。そのことにより、複数のガス噴出孔におけるガス噴出量のばらつきを低減できる。
【０００９】
本発明の半導体製造用部品では、例えば、前記複数のガス噴出孔の内径を０．３ｍｍ以下とすることができる。この場合、ガス噴出孔の内径が小さいため、ガス供給経路に近いガス噴出孔での圧力損失が小さくなり、ガス供給経路から遠いガス噴出孔に対しても比較的高い圧力のガスを供給できる。その結果、複数のガス噴出孔におけるガス噴出量のばらつきを一層低減できる。
【００１０】
本発明の半導体製造用部品において、例えば、前記複数のガス噴出孔のコンダクタンスは、前記トンネル上の経路において、前記バイパスと前記トンネルとの合流点、又は前記ガス供給経路と前記トンネルとの合流点から遠いガス噴出孔ほど、前記コンダクタンスが大きい傾向を有することができる。
【００１１】
この場合、前記バイパスと前記トンネルとの合流点、又は前記ガス供給経路と前記トンネルとの合流点から遠いガス噴出孔において、たとえ、ガス供給圧力が低くても、そのガス噴出孔のコンダクタンスが大きいので、ガス噴出量は減少しにくい。その結果、複数のガス噴出孔におけるガス噴出量のばらつきを一層低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】静電チャック１の構成を説明する平面図である。
【図２】図１におけるII−II断面を表す側断面図である。
【図３】静電チャック１の構成を説明する平面図である。
【図４】静電チャック１におけるガス噴出孔９近傍の構造を表す側断面図である。
【図５】シャワーヘッド１０１の構成を表す斜視図である。
【図６】シャワーヘッド１０１の構成を表す斜視図である。
【図７】シャワーヘッド１０１の構成を説明する平面図である。
【図８】図７におけるVIII−VIII断面を表す側断面図である。
【図９】シャワーヘッド１０１の構成を説明する平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明の実施形態を図面に基づき説明する。
＜第１の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
半導体製造用部品の一実施形態である静電チャック１の構成を図１、図２、及び図４に基づいて説明する。静電チャック１は、円盤状の本体部３と、その内部に設けられたトンネル５、バイパス７、ガス噴出孔９、及びガス供給経路１１を備える。
【００１４】
本体部３は、セラミックから成る層（グリーンシート）をその厚み方向（図２における上下方向）に複数積層して成る円盤状の部材である。
トンネル５は、本体部３の内部に設けられた円環状のトンネルである。図１に示すように、上方から見たとき、トンネル５の中心と本体部３の中心とは一致している。また、本体部３における上方の面である吸着面３ａとトンネル５との距離は、トンネル５のいずれにおいても一定である。
【００１５】
バイパス７は、トンネル５と同様に、本体部３の内部に設けられたトンネルである。バイパス７は、トンネル５の内周側に設けられた円環状の環状部７ａと、その環状部７ａからトンネル５に接続する３箇所の接続部７ｂと、環状部７ａからガス供給経路１１に接続する接続部７ｃとから成る。よって、トンネル５とバイパス７とは、接続部７ｂにより連通している。また、バイパス７とガス供給経路１１とは、接続部７ｃにより連通している。
【００１６】
ガス噴出孔９は、トンネル５から、吸着面３ａまで、本体部３を貫通する孔である。ガス噴出孔９は、トンネル５の全周にわたって、所定の間隔をおいて複数設けられている。ガス噴出孔９の径は、図４（ａ）に示すように、トンネル５側から吸着面３ａ側まで同一であり、０．３ｍｍより小さい径である。また、複数のガス噴出孔９は、それぞれ、同一の径を有する。
【００１７】
ガス供給経路１１は、本体部３における、吸着面３ａとは反対側の面（以下、反対面３ｂとする）から、本体部３の厚み方向に沿って穿たれた孔である。ガス供給経路１１は、その最奥部において、バイパス７の接続部７ｃに接続している。ガス供給経路１１のうち、反対面３ｂに臨む部分は、他の部分よりも径が大きい大径部１１ａとなっている。この大径部１１ａに、アルミベース１４を装着し、そのアルミベース１４の下面にガス供給配管１３の先端を差し込むことができる。
【００１８】
なお、静電チャック１は、その他に、周知の静電チャックと同様に、吸着電極、ヒータ、及びそれらの電力供給経路等を備えているが、本発明とは直接的には係わらないのでその記載を省略する。
【００１９】
２．静電チャック１の製造方法
静電チャック１は、以下の(i)〜(viii)の手順により製造することができる。
(i)セラミック、焼結助剤、有機バインダ等を原料とした周知の組成のグリーンシート（セラミックの層）を作成する。
(ii)作成したグリーンシートを所望のサイズに切断する。
(iii)グリーンシートにおいて、後にスルービアを形成する部分に貫通孔を穿孔する。なお、スルービアは、図１及び図２では記載を省略した電力供給経路を構成するものである。
(iv)貫通孔に、ＷやＭｏを主成分とするメタライズを充填し、スルービアを形成する。
(v)グリーンシートに、スクリーン印刷の手法を用いてＷやＭｏを主成分とするメタライズを塗布し、導電層を形成する。なお、導電層は、図１及び図２では記載を省略した電力供給経路を構成するものである。
(vi) グリーンシートにおいて、ドリル加工により、後にガス噴出孔９となる孔を形成する。また、グリーンシートにおいて、エンドミル加工により、後にトンネル５、バイパス７、及びガス供給経路１１となる部分を作成する。さらに、グリーンシートの外径を静電チャック１の形状に応じて整える。
(vii)セラミックグリーンシート同士を積層圧着し、積層体を作製する。
(viii)得られた積層体を焼成し、静電チャック１を完成する。
【００２０】
３．静電チャック１の作用効果
（１）静電チャック１の大径部１１ａにアルミベース１４を装着し、そのアルミベース１４の下面にガス供給配管１３を取り付け、ガス（例えばＨｅガス）をガス供給経路１１に供給することができる。供給されたガスは、ガス供給経路１１及びバイパス７を経て、トンネル５に流入する。さらに、トンネル５内のガスは、ガス噴出孔９を通り、静電チャック１の吸着面３ａ側に噴出する。噴出するガスにより、吸着面３ａに吸着されている半導体ウェハの温度が均一化される。
【００２１】
特に静電チャック１は、バイパス７を備えることにより、トンネル５内におけるガス供給圧力の場所によるばらつきを低減できる。そのことにより、複数のガス噴出孔９におけるガス噴出量のばらつきを低減できる。
（２）静電チャック１では、複数のガス噴出孔９の内径が０．３ｍｍ以下であるので、複数のガス噴出孔９におけるガス噴出量のばらつきを一層低減できる。
【００２２】
４．変形例
（１）静電チャック１は、複数のトンネル５を備えていてもよい。複数のトンネル５は、例えば、それぞれ、半径が異なる円環状のトンネルであり、本体部３の内部において、同心円状に配置することができる。この場合、複数のトンネル５のそれぞれにバイパス７を設けてもよいし、一部のトンネル５のみについてバイパス７を設けてもよい。
（２）ガス噴出孔９の径は、図４（ｂ）に示すように、吸着面３ａ側では小さく、トンネル５側では大きくすることができる。吸着面３ａ側での径を小さくすることで、外部からガス噴出孔９にプラズマが入り込み難くなる。また、トンネル５側の径を大きくすることで、ガス噴出孔９のコンダクタンスを適切な値に調整することができる。
（３）一部又は全部のガス噴出孔９の径は、０．３ｍｍを超えていてもよい。
＜第２の実施形態＞
１．静電チャック１の構成
静電チャック１の構成を図３及び図４に基づいて説明する。本実施形態の静電チャック１の構成は、基本的には、前記第１の実施形態と同様であるが、一部において相違する。以下ではこの相違点を中心に説明し、前記第１の実施形態と同様の記載は省略乃至簡略化する。
【００２３】
本実施形態では、図３に示すように、環状部７ａからトンネル５に接続する接続部７ｂは２箇所である。２箇所の接続部７ｂの位置は、トンネル５上において正反対となる位置である。
【００２４】
また、複数のガス噴出孔９は、トンネル５上における位置に基づき、Ｇ１〜Ｇ１２のグループに区分される。各グループには、複数のガス噴出孔９が属していてもよいし、１のみのガス噴出孔９が属していてもよい。
【００２５】
トンネル５と接続部７ｂとの合流点を１５としたとき、Ｇ１、Ｇ７は、トンネル５上の経路において、Ｇ１〜Ｇ１２の中で、合流点１５に最も近い位置にあるガス噴出孔９のグループであり、Ｇ２、Ｇ６、Ｇ８、Ｇ１２は、トンネル５上の経路において、Ｇ１〜Ｇ１２の中で、２番目に合流点１５に近い位置にあるガス噴出孔９のグループであり、Ｇ３、Ｇ５、Ｇ９、Ｇ１１は、トンネル５上の経路において、Ｇ１〜Ｇ１２の中で３番目に合流点１５に近い位置にあるガス噴出孔９のグループであり、Ｇ４、Ｇ１０は、トンネル５上の経路において、Ｇ１〜Ｇ１２の中で最も合流点１５から遠い位置にあるガス噴出孔９のグループである。
【００２６】
ガス噴出孔９のコンダクタンスは、グループごとに同一の値が設定されており、より詳しくは、合流点１５から遠いグループに属するものほど、コンダクタンスが大きい傾向を有する。すなわち、ガス噴出孔９のコンダクタンスは、Ｇ１、Ｇ７において最も小さく、Ｇ２、Ｇ６、Ｇ８、Ｇ１２において２番目に小さく、Ｇ３、Ｇ５、Ｇ９、Ｇ１１において３番目に小さく、Ｇ４、Ｇ１０において最も大きい。
【００２７】
ガス噴出孔９の径は、図４（ｂ）に示すように、吸着面３ａ側では小さく、トンネル５側では大きい。吸着面３ａ側の径は、どのグループに属するガス噴出孔９でも同一であり、トンネル５側の径を変えることで、ガス噴出孔９のコンダクタンスを変化させることができる。すなわち、コンダクタンスが異なるガス噴出孔９同士を対比した場合、吸着面３ａ側の径は同一であるが、トンネル５側の径が異なる。
【００２８】
３．静電チャック１の作用効果
静電チャック１は、バイパス７を備えることにより、前記第１の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００２９】
また、静電チャック１では、合流点１５から遠いガス噴出孔９において、たとえ、ガス供給圧力が低くても、そのガス噴出孔９のコンダクタンスが大きいので、ガス噴出量は減少しにくい。その結果、複数のガス噴出孔９におけるガス噴出量のばらつきを一層低減できる。
【００３０】
４．変形例
（１）ガス噴出孔９の径は、図４（ａ）に示すように、トンネル５側から吸着面３ａ側まで同一であってもよい。この場合、全体の径を変えることで、ガス噴出孔９のコンダクタンスをグループごとに異ならせることができる。
（２）Ｇ１〜Ｇ１２に属するガス噴出孔９は、全て１つずつであってもよい。すなわち、ガス噴出孔９のコンダクタンスは、個々のガス噴出孔９ごとに異なっていてもよい。
（３）ガス噴出孔９を区分するグループの数は、１２には限定されず、適宜設定できる。また、本実施形態では、合流点１５からの距離に応じて、ガス噴出孔９のコンダクタンスの大きさを４段階に分けたが、コンダクタンスの大きさを、２、３、５、６・・・段階に分けてもよい。
（４）ガス供給経路１１は、バイパス７を介さず、トンネル５に直接ガスを供給してもよい。この場合、ガス供給経路１１とトンネル５との合流点から遠いガス噴出孔９ほど、コンダクタンスが大きい傾向を有するようにすることができる。
（５）複数のガス噴出孔９のコンダクタンスは、全体として、合流点１５から遠いほど大きい傾向を有していればよく、例えば、一部のガス噴出孔９のコンダクタンスが上記の傾向に該当しなくてもよい。例えば、上記の傾向を失わない限度において、一部のガス噴出孔９のコンダクタンスは、それよりも合流点１５に近い他のガス噴出孔９のコンダクタンスより小さくてもよい。
＜第３の実施形態＞
１．シャワーヘッド１０１の構成
半導体製造用部品の一実施形態であるシャワーヘッド１０１の構成を図５〜図８に基づいて説明する。シャワーヘッド１０１は、円盤状のガス噴出部（本体部）１０３と、その片面に設けられた筒状のガス供給部１０５とから成る。
【００３１】
ガス噴出部１０３は、セラミックから成る層（グリーンシート）をその厚み方向（図８における上下方向）に複数積層して成る円盤状の部材であって、その内部に、内周トンネル１０７、第１の中周トンネル１０９、第２の中周トンネル１１１、第１の外周トンネル１１３、第２の外周トンネル１１５、内周用バイパス１１７、中周用バイパス１１９、外周用バイパス１２１、ガス噴出孔９、及びガス供給経路１１を備える。
【００３２】
内周トンネル１０７、第１の中周トンネル１０９、第２の中周トンネル１１１、第１の外周トンネル１１３、及び第２の外周トンネル１１５（以下、各トンネルとも称する）は、それぞれ、ガス噴出部１０３の内部に設けられた円環状のトンネルである。各トンネルの直径は、内周トンネル１０７が最も小さく、第１の中周トンネル１０９、第２の中周トンネル１１１、第１の外周トンネル１１３、及び第２の外周トンネル１１５の順に大きくなってゆく。各トンネルの中心とガス噴出部１０３の中心とは一致している（すなわち、各トンネルは同心円となるように配置されている）。また、ガス噴出部１０３の両面のうち、ガス供給部１０５とは反対側の面を吸着面１０３ａとすると、ガス噴出部１０３の厚み方向において、内周トンネル１０７は吸着面１０３ａ側に位置し、第１の中周トンネル１０９及び第２の中周トンネル１１１は中間に位置し、第１の外周トンネル１１３及び第２の外周トンネル１１５はガス供給部１０５側に位置する。
【００３３】
内周用バイパス１１７、中周用バイパス１１９、及び外周用バイパス１２１は、各トンネルと同様に、ガス噴出部１０３の内部に設けられたトンネルである。内周用バイパス１１７は、内周トンネル１０７の一部から、ガス供給経路１１を通り、内周トンネル１０７における反対側の部分に至る直線のトンネルである。中周用バイパス１１９は、第２の中周トンネル１１１の一部から、第１の中周トンネル１０９及びガス供給経路１１を通り、第２の中周トンネル１１１における反対側の部分に至る直線のトンネルである。外周用バイパス１２１は、第２の外周トンネル１１５の一部から、第１の外周トンネル１１３及びガス供給経路１１を通り、第２の外周トンネル１１５における反対側の部分に至る直線のトンネルである。
【００３４】
ガス噴出孔９は、各トンネルから、吸着面１０３ａまで、ガス噴出部１０３を貫通する孔である。ガス噴出孔９は、各トンネルの全周にわたって、所定の間隔をおいて複数設けられている。ガス噴出孔９の径は、一つのトンネル内では一定であり、トンネル間で比較すると、内周トンネル１０７における径が最も小さく、第１の中周トンネル１０９及び第２の中周トンネル１１１における径は中間の大きさであり、第１の外周トンネル１１３及び第２の外周トンネル１１５における径が最も大きい。
【００３５】
ガス供給経路１１は、ガス噴出部１０３における、吸着面３ａとは反対側の面から、ガス噴出部１０３の厚み方向に沿って穿たれた孔である。ガス供給経路１１は、ガス供給部１０５の内部の孔と連通し、連続した一つの孔を形成する。ガス供給経路１１は、上述したように、内周用バイパス１１７、中周用バイパス１１９、及び外周用バイパス１２１と接続している。
【００３６】
上記の構成により、ガス供給部１０５に供給されたガスは、ガス供給経路１１、内周用バイパス１１７、中周用バイパス１１９、及び外周用バイパス１２１を経て、各トンネルに供給される。そして、各トンネルのガス噴出孔９から、ガスが噴出される。
【００３７】
なお、静電チャック１は、その他に、周知の静電チャックと同様に、吸着電極、及びそのための電力供給経路等を備えているが、本発明とは直接的には係わらないのでその記載を省略する。
【００３８】
２．シャワーヘッド１０１の製造方法
シャワーヘッド１０１は、以下の手順により製造することができる。
（１）ガス噴出部１０３の製造
(i)セラミック、焼結助剤、有機バインダ等を原料とした周知の組成のグリーンシート（セラミックの層）を作成する。
(ii)作成したグリーンシートを所望のサイズに切断する。
(iii)グリーンシートにおいて、後にスルービアを形成する部分に貫通孔を穿孔する。なお、スルービアは、図７及び図８では記載を省略した電力供給経路を構成するものである。
(iv)貫通孔に、ＷやＭｏを主成分とするメタライズを充填し、スルービアを形成する。
(v)グリーンシートに、スクリーン印刷の手法を用いてＷやＭｏを主成分とするメタライズを塗布し、導電層を形成する。なお、導電層は、図７及び図８では記載を省略した電力供給経路を構成するものである。
(vi) グリーンシートにおいて、ドリル加工により、後にガス噴出孔９となる孔を形成する。また、グリーンシートにおいて、エンドミル加工により、後に各トンネル、内周用バイパス１１７、中周用バイパス１１９、外周用バイパス１２１、及びガス供給経路１１となる部分を作成する。さらに、グリーンシートの外径をシャワーヘッド１０１の形状に応じて整える。
(vii)セラミックグリーンシート同士を積層圧着し、積層体を作製する。
(viii)得られた積層体を焼成し、ガス噴出部１０３を完成する。
（２）ガス供給部１０５の製造
(i) セラミック、焼結助剤、有機バインダ等を混合した原料粉末を作成する。
(ii)原料粉末を所望の形状に圧縮成型する。
(iii)圧縮成型体を所望の形状に切削加工する。
(iv)焼成し、ガス供給部１０５を完成する。
（３）ガス噴出部１０３とガス供給部１０５との接着
ガス噴出部１０３とガス供給部１０５とをロウ付けにより接着し、シャワーヘッド１０１を完成する。
【００３９】
３．シャワーヘッド１０１の作用効果
シャワーヘッド１０１は、ガス供給部１０５に供給したガス（例えばプラズマにより生じる反応ガス）を、複数のガス噴出孔９から噴出することができる。
【００４０】
特に、シャワーヘッド１０１は、内周用バイパス１１７、中周用バイパス１１９、外周用バイパス１２１を備えることにより、各トンネル内におけるガス供給圧力の場所によるばらつきを低減できる。そのことにより、複数のガス噴出孔９におけるガス噴出量のばらつきを低減できる。
【００４１】
また、シャワーヘッド１０１は、ガス供給経路１１から遠いトンネルほど、ガス噴出孔９のコンダクタンスが大きい。そのため、ガス供給経路１１から遠いトンネルにおいて、ガス供給圧力が低くても、各トンネル間におけるガス噴出量のばらつきを低減できる。
＜第４の実施形態＞
１．シャワーヘッド１０１の構成
半導体製造用部品の一実施形態であるシャワーヘッド１０１の構成を図９に基づいて説明する。本実施形態のシャワーヘッド１０１の構成は、基本的には前記第３の実施形態と同様であるが、一部において相違する。以下では、その相違点を中心に説明する。
【００４２】
前記第３の実施形態では、内周用バイパス１１７、中周用バイパス１１９、及び外周用バイパス１２１（以下、バイパス群とする）は、ガス噴出部１０３における１つの直径に沿って設けられた１系統のみであったが、本実施形態では、４系統のバイパス群が設けられている。
【００４３】
また、ガス噴出孔９の密度（単位面積当りの数）は、ガス噴出部１０３の外周側にゆくほど大きくなっている。具体的には、各トンネルにおけるガス噴出孔９同士の間隔は、外周側のトンネルほど小さくなっており、また、トンネル同士の間隔も、外周側へゆくほど小さくなっている。従って、ガス噴出孔９のコンダクタンスは、外周側ほど大きい。
【００４４】
２．シャワーヘッド１０１の作用効果
本実施形態のシャワーヘッド１０１は、前記第３の実施形態と略同様の作用効果を奏することができる。また、本実施形態では、ガス噴出孔９の密度がガス噴出部１０３の外周側にゆくほど大きくなっているので、外周側のトンネルにおけるガス供給圧力が内周側に比べて低い場合でも、外周側のガス噴出孔９のガス噴射量が減少しにくい。また、本実施形態では、バイパス群の系統数が多いので、ガス噴出孔９間におけるガス噴射量のばらつきを低減できる。
【符号の説明】
【００４５】
１・・・静電チャック、３・・・本体部、３ａ・・・吸着面、３ｂ・・・反対面、
５・・・トンネル、７・・・バイパス、７ａ・・・環状部、７ｂ、７ｃ・・・接続部、
９・・・ガス噴出孔、１１・・・ガス供給経路、１１ａ・・・大径部、
１３・・・ガス供給配管、１４・・・アルミベース、
１５・・・合流点、１０１・・・シャワーヘッド、
１０３・・・ガス噴出部、１０３ａ・・・吸着面、１０５・・・ガス供給部、
１０７・・・内周トンネル、１０９・・・第１の中周トンネル、
１１１・・・第２の中周トンネル、１１３・・・第１の外周トンネル、
１１５・・・第２の外周トンネル、１１７・・・内周用バイパス、
１１９・・・中周用バイパス、１２１・・・外周用バイパス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図５】
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【図６】
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