(57)【要約】【課題】半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することを課題とする。【解決手段】上面中央部に半導体素子Ｓの搭載部１ａを有する絶縁基板１と、搭載部１ａにおける外周部に、並列する内側列と外側列との並びで配置された多数の半導体素子接続パッド２と、絶縁基板１の上面に被着されており、内側列の半導体素子接続パッド２から搭載部１ａの中央部側に延びるとともに外側列の半導体素子接続パッド２から搭載部１ａの外側に延びる配線導体３と、絶縁基板１の上面に半導体素子接続パッド２を露出させるように被着され、配線導体３を覆うとともに内側列と外側列との間に帯状のソルダーダム５ａを有するソルダーレジスト層５とを具備する配線基板Ａであって、半導体素子接続パッド２におけるソルダーダム５ａ側の一端には、ソルダーダム５ａ下に延びる延長部７が付加され、延長部７の間のソルダーダム５ａに小開口Ｈが形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、前記搭載部における外周部に、前記半導体素子の外周辺に沿って互いに離間して並列する内側列と外側列との２列の並びで配置された多数の半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記内側列の前記半導体素子接続パッドから前記搭載部の中央部側に延びるとともに前記外側列の前記半導体素子接続パッドから前記搭載部の外側に延びる配線導体と、前記絶縁基板の上面に、前記半導体素子接続パッドを露出させるように被着されており、前記配線導体を覆うとともに前記内側列と前記外側列との間に帯状のソルダーダムを有するソルダーレジスト層とを具備する配線基板であって、前記半導体素子接続パッドにおける前記ソルダーダム側の一端には、それぞれ前記ソルダーダム下に延びる延長部が付加されているとともに、該延長部の間の前記ソルダーダムに小開口が形成されていることを特徴とする配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等を搭載するための配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図２（ａ）および（ｂ）に、半導体集積回路素子等の半導体素子Ｓを搭載するための従来の配線基板Ｂを示す。なお、図２（ａ）は、（ｂ）に示すＹ−Ｙ部における断面図である。
配線基板Ｂは、絶縁基板１１と、半導体素子接続パッド１２と、配線導体１３と、外部接続パッド１４と、ソルダーレジスト層１５とを備えている。
絶縁基板１１は、上面中央部に半導体素子Ｓを搭載するための搭載部１１ａを有するとともに、上下に貫通する複数のスルーホール１６を有している。
半導体素子接続パッド１２は、搭載部１１ａにおける外周部に、半導体素子Ｓの外周辺に沿って内側列と外側列との２列の並びで配置されている。また、半導体素子接続パッド１２において後述するソルダーダム１５ａ側の一端には、それぞれソルダーダム１５ａ下に延びる延長部１７が付加されている。
配線導体１３は、各半導体素子接続パッド１２から絶縁基板１１の上面をスルーホール１６に向けて延びるとともに、スルーホール１６を介して外部接続パッド１４に導出されている。なお、内側列の半導体素子接続パッド１２に接続された配線導体１３は、搭載部１１ａの中央部側に延びており、外側列の半導体素子接続パッド１２に接続された配線導体１３は、搭載部１１ａの外側に延びている。
ソルダーレジスト層１５は、絶縁基板１１の上下面に被着されている。上面側のソルダーレジスト層１５は、半導体素子接続パッド１２を露出する第１開口部１８を有するとともに、配線導体１３を被覆している。また、内側列および外側列の半導体素子接続パッド１２の間には帯状のソルダーダム１５ａを有している。また、下面側のソルダーレジスト層１５は、外部接続パッド１４を露出する第２開口部１９を有している。
【０００３】
そして、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド１２に半田を介して接続するとともに、外部接続パッド１４を外部の電気回路基板の配線導体に半田を介して接続することにより、半導体素子Ｓが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Ｓと外部の電気回路基板との間で配線導体１３を介して信号を伝送することにより半導体素子Ｓが稼働する。
【０００４】
ところで、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド１２に接続するときには、周知のフリップチップ技術が好適に用いられる。具体的には、例えば各半導体素子接続パッド１２上にあらかじめ半田を溶着させておき、２３０〜２６０℃程度の高温に加熱した半導体素子Ｓの電極Ｔをそれぞれ対応する半田上に載置して半田を溶融させる。その後、冷却して半田を電極Ｔに固着させることで電極Ｔと半導体素子接続パッド１２とを接続する。
【０００５】
ところが、各半導体素子接続パッド１２上の半田を高温で溶融させる際に、半導体素子接続パッド１２に加わった熱が、延長部１７を介して延長部１７を被覆するソルダーダム１５ａに伝わり、ソルダーダム１５ａが高温になることがある。このとき、ソルダーダム１５ａ内に、例えばソルダーレジスト層１５を被着形成する際に噛み込んだ微小な気泡が熱により大きく膨張してしまう場合がある。このため、ソルダーダム１５ａ中において、互いに近接して配置された延長部１７同士の間に、膨張した気泡による大きな空隙が発生してしまうことがあり、そのような大きな空隙が発生すると、延長部１７と接続する半導体素子接続パッド１２間の電気的な絶縁性が不十分となる恐れがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１０５２１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、半導体素子搭載時の高温処理の際に、ソルダーダムに生じる気泡を低減することで、互いに近接する半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の配線基板は、上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、搭載部における外周部に、半導体素子の外周辺に沿って互いに離間して並列する内側列と外側列との２列の並びで配置された多数の半導体素子接続パッドと、絶縁基板の上面に被着されており、内側列の半導体素子接続パッドから搭載部の中央部側に延びるとともに外側列の半導体素子接続パッドから搭載部の外側に延びる配線導体と、絶縁基板の上面に、半導体素子接続パッドを露出させるように被着されており、配線導体を覆うとともに内側列と外側列との間に帯状のソルダーダムを有するソルダーレジスト層とを具備する配線基板であって、半導体素子接続パッドにおけるソルダーダム側の一端には、それぞれソルダーダム下に延びる延長部が付加されているとともに、延長部の間のソルダーダムに小開口が形成されていることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の配線基板によれば、延長部の間のソルダーダムに複数の小開口が形成されている。このため、半導体素子搭載時に延長部を介してソルダーダムに伝わる高温の熱により、ソルダーダム内の微小な気泡が膨張しても小開口から抜け出てしまう。その結果、ソルダーダムにおいて互いに近接して配置された延長部同士の間で、膨張した気泡による大きな空隙が発生することを抑制し、延長部と接続する半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１（ａ）および（ｂ）は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【図２】図２（ａ）および（ｂ）は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
次に、本発明の実施形態の一例を図１（ａ）および（ｂ）を基に説明する。図１（ａ）は、（ｂ）に示すＸ−Ｘ部における断面図である。
図１（ａ）に示すように本例の配線基板Ａは、絶縁基板１と、半導体素子接続パッド２と、配線導体３と、外部接続パッド４と、ソルダーレジスト層５とを具備する。
【００１２】
絶縁基板１は、その上面中央部に、半導体素子Ｓが搭載される搭載部１ａを有するとともに、上下に貫通する複数のスルーホール６を有している。搭載部１ａは半導体素子Ｓに対応する大きさおよび形状をしている。また、絶縁基板１の下面は、外部の電気回路基板と接続するための接続面となっている。
【００１３】
絶縁基板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁基板１は、この例では単層構造であるが、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層を多層に積層した多層構造であってもよい。
【００１４】
半導体素子接続パッド２は、搭載部１ａにおける外周部に、半導体素子Ｓの外周辺に沿って内側列と外側列との２列の並びで配置されている。そして、この半導体素子接続パッド２に、半導体素子Ｓの電極Ｔを半田バンプを介して接続することにより、配線基板Ａの上面に半導体素子Ｓが電気的に接続される。また、半導体素子接続パッド２において後述するソルダーダム５ａの側の一端には、それぞれソルダーダム５ａの下に延びる延長部７が付加されている。
【００１５】
半導体素子接続パッド２は、例えば、銅箔や銅めっき等の良導電性材料から形成されており、後述する配線導体３と一体的に形成されている。
【００１６】
配線導体３は、各半導体素子接続パッド２から絶縁基板１の上面をスルーホール６に向けて延びるとともにスルーホール６を介して外部接続パッド４に導出されている。なお、内側列の半導体素子接続パッド２に接続された配線導体３は、搭載部１ａの中央部側に延びるとともに、外側列の半導体素子接続パッド２に接続された配線導体３は、搭載部１ａの外側に延びている。これにより半導体素子Ｓが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Ｓと外部の電気回路基板との間で配線導体３を介して信号を伝送することにより半導体素子Ｓが稼働する。
【００１７】
配線導体３は、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法により、例えば銅箔や銅めっき等の良導電性材料から形成されている。
【００１８】
ソルダーレジスト層５は、絶縁基板１の上下面に被着されている。上面側のソルダーレジスト層５は、半導体素子接続パッド２を露出する第１開口部８を有するとともに、配線導体３を被覆している。また、下面側のソルダーレジスト層５は、外部接続パッド４を露出する第２開口部９を有している。さらに、内側列および外側列の半導体素子接続パッド２の間には帯状のソルダーダム５ａを有している。そして、延長部７の間のソルダーダム５ａには、複数の小開口Ｈが形成されている。小開口Hの直径は１０〜２０μmの範囲が好ましい。小開口Ｈの直径が１０μｍ未満では、そのような小径の小開口Ｈを形成することが困難となり、２０μｍを超えると、小開口Ｈ自体が半導体素子接続パッド２間の電気的絶縁信頼性を低下させてしまう危険がある。
【００１９】
ソルダーレジスト層５は、例えばエポキシ樹脂やポリイミド樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する電気絶縁材料から成る樹脂ペーストまたはフィルムを絶縁基板１の上に塗布または貼着して熱硬化させることにより形成される。
【００２０】
ところで、本発明においては、上述したように、延長部７の間のソルダーダム５ａに複数の小開口Ｈが形成されている。このため、半導体素子Ｓ搭載時に延長部７を介してソルダーダム５ａに伝わる高温の熱により、ソルダーダム５ａ内の微小な気泡が膨張しても小開口Ｈから抜け出てしまう。その結果、ソルダーダム５ａにおいて互いに近接して配置された延長部７同士の間で、膨張した気泡による大きな空隙が発生することを抑制し、延長部７と接続する半導体素子接続パッド２間の電気的な絶縁性が良好な配線基板Ａを提供することができる。
【００２１】
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施形態の一例では、図１（ｂ）に示したように、小開口Ｈを円形状に形成しているが、多角形状やスリット形状に形成しても良い。
【符号の説明】
【００２２】
１            絶縁基板
１ａ          搭載部
２            半導体素子接続パッド
３            配線導体
５            ソルダーレジスト層
５ａ          ソルダーダム
７            延長部
Ａ            配線基板
Ｈ            小開口
Ｓ            半導体素子
【図１】
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【図２】
2014192431.tif 000004