(57)【要約】【課題】第１の径を有する基板を収容する基板収容器において、第１の径よりも小径の第２の径を有する基板の位置ずれを抑制または防止する。【解決手段】大径のウエハを収容するポッドには、小径のウエハを収容するためのブリッジツールが設けられている。小径のウエハはウエハホルダ１００に保持された状態でブリッジツールに収容される。このブリッジツールの側板４０３ａにおいて、ウエハホルダ１００を支持する複数の第２の支持溝４０４の各々には、ウエハホルダ１００の位置を決める突起部４０９Ａが設けられている。これにより、ブリッジツール内でのウエハホルダ１００の位置ずれを抑制または防止することができる。したがって、ウエハホルダ１００の位置がポッドの蓋側にずれた場合に、その蓋を閉めた時にウエハホルダ１００にかかった応力によりウエハホルダ１００が破損してしまう不具合を回避することができる。【選択図】図１７
2014192294.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第1の径を有する基板を支持し得る第１の支持溝に支持される板状部材と、
前記板状部材に設けられ、前記第１の径よりも小さい第２の径を有する基板を支持し得る第２の支持溝を有する保持部材と、
前記第２の支持溝に設けられ、前記第２の径を有する基板の位置を決める突起部と、
を有する、基板収容器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板収容器に関し、例えば、半導体装置の製造に用いる基板を収容する基板収容器に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭化ケイ素（ＳｉＣ）は、ケイ素（Ｓｉ）に比して、絶縁耐圧や熱伝導性が高いこと等から、特にパワーデバイス用素子材料として注目されている。その一方でＳｉＣは、不純物拡散係数が小さいこと等から、Ｓｉに比して結晶基板や半導体装置（半導体デバイス）の製造が難しいことが知られている。例えば、Ｓｉのエピタキシャル成膜温度が９００℃〜１２００℃程度であるのに対し、ＳｉＣのエピタキシャル成膜温度は１５００℃〜１８００℃程度となっており、装置の耐熱構造や材料の分解抑制等に技術的な工夫が必要となる。このようなＳｉＣのエピタキシャル成膜を行う基板処理装置としては、例えば、特許文献１に記載された技術が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１９５５６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板処理装置のコストを削減するには、処理するウエハの直径等に関わらず、例えば、ウエハを搬送するための搬送系等、基板処理装置を形成する構成部品を可能な限り共通化することが望ましい。
【０００５】
このため、大径のウエハを搬送するためのフープ（ポッド、ウエハカセットともいう）で小径のウエハを搬送する場合には、フープ内に小径のウエハを収容するためのブリッジツールを設け、小径のウエハを保持したウエハホルダをブリッジツールに収容した状態で搬送している。
【０００６】
しかし、フープ内のウエハホルダは、ウエハホルダの挿入方向の停止位置を決める位置決め棒により位置が決められているだけで、ウエハホルダの挿入方向に交差する左右横方向、回転方向およびフープの入口の方向の位置が決められていない。
【０００７】
また、例えば成膜処理後のウエハは未成膜のウエハに交換されるが、上記ウエハホルダは使い回しであるため、ウエハホルダの表面に膜が堆積してウエハホルダの直径が大きくなってしまう。このため、上記した位置決め棒だけでは、フープ内のウエハホルダがフープの入口の蓋の方向にずれてしまう結果、蓋を閉めた場合にウエハホルダにかかった応力によってウエハホルダが破損してしまう問題が発生している。
【０００８】
そこで、本発明は、第１の径を有する基板を収容する基板収容器において、第１の径よりも小径の第２の径を有する基板の位置ずれを抑制または防止することが可能な基板収容器を提供することにある。
【０００９】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
すなわち、本発明に係る基板収容器は、第１の径を有する基板よりも小径の第２の径を有する基板を支持する支持部に、第２の径を有する基板の位置を決める突起部を設けたものである。
【発明の効果】
【００１２】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下の通りである。
【００１３】
すなわち、本発明によれば、第１の径を有する基板を収容する基板収容器において、第１の径よりも小径の第２の径を有する基板の位置ずれを抑制または防止することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に係る異径基板用アタッチメントを採用した基板処理装置の概要を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る処理炉の内部構造を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態に係る処理炉の横方向の断面を示す横断面図である。
【図４】（ａ），（ｂ）は、本発明の実施の形態に係るガス供給ユニットの内部構造を説明する図である。
【図５】本発明の実施の形態に係る処理炉周辺の構造を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係る基板処理装置の制御系統を説明するブロック図である。
【図７】本発明の実施の形態に係るウエハをウエハホルダに保持させた状態を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態に係るウエハおよびウエハホルダを示す斜視図である。
【図９】本発明の実施の形態に係るパンケーキ型の成膜処理用の半導体製造装置の説明図である。
【図１０】本発明の実施の形態に係るプラネタリ型の成膜処理用の半導体製造装置の説明図である。
【図１１】図９および図１０の矢印Ａ１の方向から見た図９および図１０の成膜処理用の半導体製造装置のサセプタの平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１に係るポッドを上面側から見た平面図である。
【図１３】図１２のＩ−Ｉ線の断面図である。
【図１４】図１３の破線で囲んだ領域Ｂ１の拡大断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態に係るポッドの一部を破断して内部を示した要部斜視図である。
【図１６】図１５の破線で囲んだ領域Ｂ２の拡大斜視図である。
【図１７】図１６の破線で囲んだ領域Ｂ３の拡大平面図である。
【図１８】図１７のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図１９】突起部の変形例であって図１７のＩＩ−ＩＩ線に相当する箇所の断面図である。
【図２０】突起部の変形例であって図１６の破線で囲んだ領域Ｂ３の拡大平面図である。
【図２１】図２０のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態２に係るポッドにおいて図１６の破線で囲んだ領域Ｂ３の拡大平面図である。
【図２３】図２２のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態３に係るポッドにおいて図１６の破線で囲んだ領域Ｂ３の拡大平面図である。
【図２５】図２４のＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。
【００１６】
また、実施の形態において、便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００１７】
また、実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でも良い。
【００１８】
さらに、実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。同様に、実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に明らかにそうでないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００１９】
（実施の形態１）
以下の実施の形態では、基板処理装置の一例であるＳｉＣエピタキシャル成長装置において、高さ方向（縦方向）にＳｉＣウエハを積層する、所謂バッチ式縦型ＳｉＣエピタキシャル成長装置を挙げている。これにより、一度に処理できるＳｉＣウエハの数を増やしてスループット（製造効率）を向上させている。
【００２０】
＜全体の構成＞
図１は本発明に係る基板収容器を用いる基板処理装置の概要を示す斜視図である。まず、図１を用いて、本発明の一実施の形態におけるＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する基板処理装置および半導体デバイスの製造工程の一つであるＳｉＣエピタキシャル膜の成膜方法について説明する。
【００２１】
基板処理装置（成膜装置）としての半導体製造装置１０は、バッチ式縦型成膜処理装置であり、種々の機能を備えた複数の装置を収容する筐体１２を有している。この半導体製造装置１０では、例えば、ＳｉＣ等で構成された基板としてのウエハ１４を収納する基板収容器であるポッド（フープ）１６をウエハキャリアとして使用している。
【００２２】
筐体１２の正面側には、半導体製造装置１０の外部から内部にポッド１６を導入するためのポッドステージ（容器導入部）１８が設けられている。このポッドステージ１８上には、他の生産ラインで準備した複数のポッド１６が、作業者により牽引される台車ＣＴによって搬送されるようになっている。ポッド１６の内部には、例えば、２５枚のウエハ１４が収納され、蓋１６ａが閉じられた状態（密閉状態）でポッドステージ１８上にセットされる。
【００２３】
筐体１２の正面側で、かつポッドステージ１８の背面側には、当該ポッドステージ１８と対向するようにしてポッド搬送装置（搬送機構）２０が設けられている。ポッド搬送装置２０は、ポッドステージ１８と筐体１２の背面側にある処理炉４０との間に設けられ、ポッドステージ１８から処理炉４０に向けてポッド１６を搬送するようになっている。また、ポッド搬送装置２０の近傍で、かつ背面側には、複数段（図示では、例えば３段）のポッド収納棚２２、ポッドオープナ２４および基板枚数検知器２６が設けられている。各ポッド収納棚２２は、ポッドオープナ２４および基板枚数検知器２６の上方側に設けられ、ポッド１６を複数個搭載（図示では、例えば５個）し、その状態を保持するよう構成されている。
【００２４】
そして、ポッド搬送装置２０は、ポッドステージ１８、各ポッド収納棚２２およびポッドオープナ２４間で、次々とポッド１６を搬送し、ポッドオープナ２４は、ポッド１６の蓋１６ａを開けるようになっている。また、ポッドオープナ２４に隣接して設けられた基板枚数検知器２６は、蓋１６ａが開けられた状態でポッド１６内のウエハ１４の枚数を検知するようになっている。
【００２５】
筐体１２の内部には、その他に、基板移載機２８と、基板保持具としてのボート３０とが設けられている。基板移載機２８は、例えば、６本のアーム（ツイーザ）３２を備え、各アーム３２は、図示しない駆動手段により昇降可能かつ回転可能な構造となっており、ポッド１６から６枚のウエハ１４を一度に取り出せるようになっている。そして、各アーム３２を正面側から背面側に反転移動させることで、ポッドオープナ２４の位置にあるポッド１６からボート３０に向けて、ウエハ１４を６枚ずつ搬送することができる。
【００２６】
ボート３０は、例えば、カーボングラファイトやＳｉＣ等の耐熱性材料で所定形状に形成され、複数枚のウエハ１４を水平姿勢で、かつ互いに中心を揃えた状態で、縦方向に積層保持するよう構成されている。なお、ボート３０の下方側には、例えば、石英やＳｉＣ等の耐熱性材料により円柱形状に形成された断熱部材としてのボート断熱部３４が設けられ、後述する加熱体４８からの熱が、処理炉４０の下方側に伝達し難くなっている（図２参照）。
【００２７】
筐体１２内の背面側で、かつ上方側には、処理炉４０が設けられている。処理炉４０の内部には、複数枚のウエハ１４を装填したボート３０が搬入され、これにより、複数積層したウエハ１４を一度に熱処理（バッチ処理）できるようになっている。
【００２８】
＜処理炉の構成＞
図２は処理炉の内部構造を示す断面図を、図３は処理炉の横方向（水平方向）の断面を示す横断面図を、図４（ａ），（ｂ）はガス供給ユニットの内部構造を説明する図を、図５は処理炉周辺の構造を示す断面図を、図６は基板処理装置の制御系統を説明するブロック図をそれぞれ示している。次に、これらの図２〜図６を参照して、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置１０の処理炉４０について説明する。
【００２９】
処理炉４０には、第１ガス供給口６８を有する第１ガス供給ノズル６０、第２ガス供給口７２を有する第２ガス供給ノズル７０および各ガス供給ノズル６０，７０からの反応ガスを外部に排気する第１ガス排気口９０が設けられている。また、不活性ガスを供給する第３ガス供給口３６０（図３参照）および当該不活性ガスを外部に排気する第２ガス排気口３９０（図３参照）が設けられている。
【００３０】
処理炉４０は反応管４２を備えている。反応管４２は、石英またはＳｉＣ等の耐熱性材料により形成されており、上方側が閉塞され下方側が開口した有底筒状に形成されている。反応管４２の開口側（下方側）には、反応管４２と同心円状にマニホールド３６が配設されている。マニホールド３６は、例えば、ステンレス材料により形成されており、上方側および下方側が開口した円筒形状に形成されている。マニホールド３６は反応管４２を支持し、マニホールド３６と反応管４２との間には、シール部材としてのＯリング（図示せず）が設けられている。これにより、反応管４２およびマニホールド３６の内部に充填された反応ガスが外部に漏洩するのを防止している。
【００３１】
マニホールド３６は、その下方側に設けられた保持体（図示せず）に支持されており、これにより反応管４２は、地面（図示せず）に対して垂直に据え付けられた状態となっている。ここで、反応管４２およびマニホールド３６により、反応容器を形成している。
【００３２】
処理炉４０は加熱体４８を備えている。加熱体４８は、上方側が閉塞され下方側が開口された有底筒状に形成されている。加熱体４８は反応管４２の内部に設けられ、加熱体４８の内部には反応室４４が形成されている。反応室４４には、ＳｉＣ等で構成されたウエハ１４を保持したボート３０が収納されるようになっている。
【００３３】
処理炉４０は、磁場発生部として機能する誘導コイル５０を備えている。誘導コイル５０は、円筒形状の支持部材５１の内周側に螺旋状に固定され、当該誘導コイル５０は外部電源（図示せず）により通電されるようになっている。誘導コイル５０を通電することにより当該誘導コイル５０は磁場を発生し、ひいては加熱体４８が誘導加熱される。このように加熱体４８を誘導加熱により発熱させることで、反応室４４内が加熱されるようになっている。
【００３４】
加熱体４８の近傍には、反応室４４内の温度を検出する温度検出体としての温度センサ（図示せず）が設けられており、当該温度センサおよび誘導コイル５０は、コントローラ１５２の温度制御部５２（図６参照）と電気的に接続されている。温度制御部５２は、温度センサにより検出された温度情報に基づいて、反応室４４内の温度が所望の温度分布となるよう、誘導コイル５０への通電具合を所定のタイミングで調節（制御）するようになっている。
【００３５】
反応管４２と加熱体４８との間には、例えば、誘導加熱され難いカーボンフェルト等で形成された断熱材５４が設けられている。断熱材５４は、反応管４２および加熱体４８と同様に、上方側が閉塞され下方側が開口された有底筒状に形成されている。このように、断熱材５４を設けることで、加熱体４８の熱が反応管４２あるいは反応管４２の外部に伝達されるのを抑制している。
【００３６】
また、誘導コイル５０の外周側には、反応室４４内の熱が外部に伝達されるのを抑制するために、例えば、水冷構造の外側断熱壁５５が設けられている。外側断熱壁５５は円筒形状に形成され、反応室４４（支持部材５１）を包囲するよう配置されている。さらに、外側断熱壁５５の外周側には、誘導コイル５０を通電することで発生する磁場が、外部に漏洩するのを防止するための磁気シール５８が設けられている。磁気シール５８においても、上方側が閉塞され下方側が開口された有底筒状に形成されている。
【００３７】
加熱体４８の内周側とウエハ１４の外周側との間には、第１ガス供給口６８を有する第１ガス供給ノズル６０が設けられている。また、加熱体４８の内周側とウエハ１４の外周側との間には、第２ガス供給口７２を有する第２ガス供給ノズル７０が設けられている。第１ガス供給ノズル６０および第２ガス供給ノズル７０は、それぞれウエハ１４の周方向に沿って所定間隔を持って設けられ、各ガス供給ノズル６０，７０の各ガス供給口６８，７２は、ウエハ１４に向けられている。また、第１ガス排気口９０においても、加熱体４８の内周側とウエハ１４の外周側との間に開口している。つまり、各ガス供給口６８，７２および第１ガス排気口９０は、それぞれ反応室４４と対向している。さらに、反応管４２の内周側と断熱材５４の外周側との間には、第３ガス供給口３６０および第２ガス排気口３９０が設けられている。
【００３８】
ここで、第１ガス供給ノズル６０および第２ガス供給ノズル７０は、図２に示すように、少なくともそれぞれ１本ずつ設ければ良いが、図３に示すように、２本の第１ガス供給ノズル６０と３本の第２ガス供給ノズル７０とを設けるようにしても良い。この場合、３本の第２ガス供給ノズル７０の間に、ウエハ１４の周方向に沿うよう交互に２本の第１ガス供給ノズル６０を並べて配置する。これにより、第１ガス供給ノズル６０および第２ガス供給ノズル７０から異なる種類の反応ガスを供給したときに、反応室４４内において効率良く反応ガスを混合させることができる。また、第１ガス供給ノズル６０および第２ガス供給ノズル７０を合計奇数本とすることで、中央部分に位置するガス供給ノズルを中心として、その両側（図３中上下側）にバランス良く反応ガスを供給することができる。よって、ウエハ１４の成膜面に対して反応ガスを均一に供給することができ、成膜精度を向上させることが可能となる。なお、第１ガス供給ノズル６０および第２ガス供給ノズル７０から供給される反応ガスの種類については後述する。
【００３９】
図２に示すように、第１ガス供給ノズル６０は、例えば、カーボングラファイト等の耐熱材料にて中空パイプ状に形成され、基端部６０ａおよび先端部６０ｂを備えている。第１ガス供給ノズル６０の基端部６０ａは、反応管４２およびマニホールド３６からなる反応容器の開口側、つまりマニホールド３６側に設けられ、マニホールド３６を貫通して当該マニホールド３６に固定されている。第１ガス供給ノズル６０は、反応室４４内にその長手方向に延在するよう、つまり各ウエハ１４の積層方向に延びるよう設けられ、第１ガス供給ノズル６０の先端部６０ｂは、反応管４２の底側（上方側）に設けられている。
【００４０】
第１ガス供給ノズル６０の基端部６０ａと先端部６０ｂとの間で、かつ第１ガス供給ノズル６０の長手方向に沿う先端部６０ｂ寄り、つまりウエハ１４に対応する部位には、基端部６０ａから先端部６０ｂに向けて複数並んで、ウエハ１４に向けて反応ガスを供給するための複数の第１ガス供給口６８が設けられている。各第１ガス供給口６８はそれぞれ等間隔に、好適には積層されたウエハ間に位置するように設けられ、これにより複数のウエハ１４のそれぞれに対して反応ガスを均一に供給できるようにしている。なお、第１ガス供給ノズル６０の基端部６０ａは、第１ガスライン２２２を介してガス供給ユニット２００に接続されている。
【００４１】
第２ガス供給ノズル７０は、例えば、カーボングラファイト等の耐熱材料にて中空パイプ状に形成され、基端部７０ａおよび先端部７０ｂを備えている。第２ガス供給ノズル７０の基端部７０ａは、反応管４２およびマニホールド３６からなる反応容器の開口側、つまりマニホールド３６側に設けられ、マニホールド３６を貫通して当該マニホールド３６に固定されている。第２ガス供給ノズル７０は、反応室４４内にその長手方向に延在するよう設けられ、第２ガス供給ノズル７０の先端部７０ｂは、反応管４２の底側に設けられている。
【００４２】
第２ガス供給ノズル７０の基端部７０ａと先端部７０ｂとの間で、かつ第２ガス供給ノズル７０の長手方向に沿う先端部７０ｂ寄り、つまりウエハ１４に対応する部位には、基端部７０ａから先端部７０ｂに向けて複数並んで、ウエハ１４に向けて反応ガスを供給するための複数の第２ガス供給口７２が設けられている。各第２ガス供給口７２はそれぞれ等間隔に、好適には積層されたウエハ間に位置するように設けられ、これにより複数のウエハ１４のそれぞれに対して反応ガスを均一に供給できるようにしている。なお、第２ガス供給ノズル７０の基端部７０ａは、第２ガスライン２６０を介してガス供給ユニット２００に接続されている。
【００４３】
ここで、図３に示すように、反応室４４の内部において、各ガス供給ノズル６０，７０と第１ガス排気口９０との間で、かつ加熱体４８とウエハ１４との間に、当該空間を埋めるよう反応室４４の長手方向に延在する断面円弧形状の構造物３００を設けるようにすると良い。例えば、図３に示すように、対向位置に構造物３００をそれぞれ設けることで、各ガス供給ノズル６０，７０から供給される反応ガスが、加熱体４８の内壁に沿って流れてウエハ１４を迂回してしまうのを防止できる。構造物３００としては、耐熱性およびパーティクルの発生を考慮すると、カーボングラファイト等で構成するのが望ましい。
【００４４】
図２に示すように、ボート３０を挟む各ガス供給口６８，７２との対向箇所で、かつボート３０の下方側には、第１ガス排気口９０が設けられ、マニホールド３６には、第１ガス排気口９０に接続されたガス排気管２３０が貫通して固定されている。ガス排気管２３０の下流側には、圧力検出器としての圧力センサ（図示せず）が設けられ、さらには圧力調整器としてのＡＰＣ（Auto Pressure Controller）バルブ２１４を介して真空ポンプ等の真空排気装置２２０が接続されている。圧力センサおよびＡＰＣバルブ２１４には、コントローラ１５２の圧力制御部９８（図６参照）が電気的に接続されている。圧力制御部９８は、圧力センサにより検出された圧力に基づき、所定のタイミングでＡＰＣバルブ２１４の開度を調節（制御）し、ひいては処理炉４０内の圧力を所定の圧力とするように調整するようになっている。
【００４５】
このように、第１ガス排気口９０を各ガス供給口６８，７２の対向箇所に配置することで、各ガス供給口６８，７２から供給された反応ガスを、ウエハ１４の側方から水平方向に流してウエハ１４の成膜面に満遍なく行き渡らせた後、第１ガス排気口９０から排気することができる。これにより、ウエハ１４の成膜面全体を効果的かつ均一となるよう反応ガスに曝して成膜精度を向上させている。
【００４６】
第３ガス供給口３６０は、各ガス供給口６８，７２側で、反応管４２と断熱材５４との間に配置されている。第３ガス供給口３６０は、マニホールド３６を貫通して当該マニホールド３６に固定された第３ガスライン２４０の一端側に設けられ、第３ガスライン２４０の他端側はガス供給ユニット２００に接続されている。また、第２ガス排気口３９０は、第１ガス排気口９０側で、反応管４２と断熱材５４との間、つまり断熱材５４を挟む第３ガス供給口３６０との対向箇所に配置されており、当該第２ガス排気口３９０は、ガス排気管２３０に接続されている。
【００４７】
第３ガスライン２４０は、図４に示すように、バルブ２１２ｆおよびＭＦＣ（Mass Flow Controller）２１１ｆを介して、第４ガス供給源２１０ｆに接続されている。第４ガス供給源２１０ｆからは、例えば不活性ガスとして、希ガスのアルゴン（Ａｒ）ガスが供給され、ＳｉＣエピタキシャル膜の成長に寄与する反応ガスが、反応管４２と断熱材５４との間に進入するのを防止している。これにより、反応管４２の内壁や断熱材５４の外壁に不要な生成物が付着せず、装置のメンテナンス周期を延ばせるようにしている。なお、反応管４２と断熱材５４との間に供給された不活性ガス（Ａｒガス等）は、第２ガス排気口３９０，ガス排気管２３０およびＡＰＣバルブ２１４を介して、真空排気装置２２０から外部に排気される。
【００４８】
＜反応ガス供給系の構成＞
次に、図４を参照して第１ガス供給系および第２ガス供給系について説明する。図４（ａ）は、Ｓｉ原子含有ガスと炭素（Ｃ）原子含有ガスとを異なるガス供給ノズルから供給するセパレート方式を示し、図４（ｂ）は、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスとを同じガス供給ノズルから供給するプレミックス方式を示している。
【００４９】
まず、セパレート方式について説明する。図４（ａ）に示すように、セパレート方式では、第１ガスライン２２２は、バルブ２１２ａ，２１２ｂ，２１２ｃおよびＭＦＣ（流量制御手段）２１１ａ，２１１ｂ，２１１ｃを介して、第１ガス供給源２１０ａ、第２ガス供給源２１０ｂ、第３ガス供給源２１０ｃに接続されている。第１ガス供給源２１０ａからはテトラクロロシラン（ＳｉＣｌ４）ガスが、第２ガス供給源２１０ｂからは塩素（Ｃｌ２）ガスが、第３ガス供給源２１０ｃからは不活性ガスがそれぞれ供給される。
【００５０】
これにより、ＳｉＣｌ４ガス，ＨＣｌガス，不活性ガスのそれぞれの供給流量、濃度、分圧、供給タイミングを、反応室４４内に対して制御可能となっている。バルブ２１２ａ〜２１２ｃおよびＭＦＣ２１１ａ〜２１１ｃは、コントローラ１５２のガス流量制御部７８（図６参照）に電気的に接続されている。ガス流量制御部７８は、供給すべきそれぞれのガスの流量を所定流量とするよう、所定のタイミングで制御するようになっている。ここで、ＳｉＣｌ４ガス（成膜ガス）、ＨＣｌガス（エッチングガス）、不活性ガスをそれぞれ供給するガス供給源２１０ａ〜２１０ｃ、バルブ２１２ａ〜２１２ｃ、ＭＦＣ２１１ａ〜２１１ｃ、第１ガスライン２２２、第１ガス供給ノズル６０および各第１ガス供給口６８によって、第１ガス供給系を構成している。
【００５１】
第２ガスライン２６０は、バルブ２１２ｄ，２１２ｅおよびＭＦＣ２１１ｄ，２１１ｅを介して、第５ガス供給源２１０ｄ、第６ガス供給源２１０ｅに接続されている。第５ガス供給源２１０ｄからは、Ｃ原子含有ガスとして、例えば炭化水素（Ｃ３Ｈ８）ガス（成膜ガス）が、第６ガス供給源２１０ｅからは、還元ガスとして、例えば水素（Ｈ２）ガスがそれぞれ供給される。
【００５２】
これにより、Ｃ３Ｈ８ガス，Ｈ２ガスのそれぞれの供給流量、濃度、分圧、供給タイミングを、反応室４４内に対して制御可能となっている。バルブ２１２ｄ，２１２ｅおよびＭＦＣ２１１ｄ，２１１ｅは、コントローラ１５２のガス流量制御部７８（図６参照）に電気的に接続されている。ガス流量制御部７８は、供給すべきそれぞれのガスの流量を所定流量とするよう、所定のタイミングで制御するようになっている。ここで、Ｃ３Ｈ８ガス、Ｈ２ガスをそれぞれ供給するガス供給源２１０ｄ，２１０ｅ，バルブ２１２ｄ，２１２ｅ，ＭＦＣ２１１ｄ，２１１ｅ、第２ガスライン２６０、第２ガス供給ノズル７０および第２ガス供給口７２によって、第２ガス供給系を構成している。
【００５３】
このようにセパレート方式においては、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスとを異なるガス供給ノズルから供給することにより、ガス供給ノズル内においてＳｉＣ膜が成膜されないよう（堆積しないよう）にしている。なお、Ｓｉ原子含有ガスおよびＣ原子含有ガスの濃度や流速を調整する場合には、それぞれ適切なキャリアガスを供給すれば良い。
【００５４】
また、Ｓｉ原子含有ガスをより効率的に使用するために、還元ガスとしてＨ２ガスを用い、当該Ｈ２ガスをＣ原子含有ガスとともに第２ガス供給ノズル７０から供給している。この場合、Ｈ２ガスをＣ原子含有ガスのキャリアガスとして用いることができる。なお、Ｓｉ原子含有ガスのキャリアガスとしては、Ａｒガスのような不活性ガス（特に希ガス）を用いることで、Ｓｉ膜の堆積を抑制することができる。
【００５５】
さらに、第１ガス供給ノズル６０からは、塩素原子含有ガスとしてＨＣｌガスを供給するようにしている。これにより、Ｓｉ原子含有ガスが熱により分解され、第１ガス供給ノズル６０内に堆積し得る状態となったとしても、ＨＣｌガスによりエッチングモードとなり、その結果、第１ガス供給ノズル６０内でのＳｉ膜の成膜（堆積）を抑制している。なお、ＨＣｌガスには堆積してしまったＳｉ膜をエッチングする効果もあるため、第１ガス供給口６８が閉塞するのを効果的に抑制することもできる。
【００５６】
次に、図４（ｂ）に示すプレミックス方式について説明する。プレミックス方式がセパレート方式と異なる点は、Ｃ原子含有ガスの第５ガス供給源２１０ｄを、ＭＦＣ２１１ｄ、バルブ２１２ｄを介して第１ガスライン２２２に接続した点である。これにより、Ｓｉ原子含有ガスとＣ原子含有ガスとを、第１ガスライン２２２内で予め混合しておくことができる。よって、上述したセパレート方式に比して反応ガスの混合効率を高めることができ、ひいては成膜時間の短縮等を図ることが可能となる。
【００５７】
この場合、第２ガスライン２６０を介して第２ガス供給ノズル７０から、Ｈ２ガスを単独で供給することができるので、ＨＣｌガスとＨ２ガスとの比（Ｃｌ／Ｈ）を大きくすることができ、ひいては第１ガス供給ノズル６０におけるエッチング効果の方を大きくして、Ｓｉ原子含有ガスの反応を抑制することができる。このように、プレミックス方式であっても、ある程度、第１ガス供給ノズル６０におけるＳｉＣ膜の成膜（堆積）を抑制することができる。
【００５８】
なお、上述においては、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する際に使用する塩素原子含有ガス（エッチングガス）として、ＨＣｌガスを使用しているが、これに限らず、塩素（Ｃｌ）ガス等を使用しても良い。
【００５９】
また、上述においては、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する際に、Ｓｉ原子含有ガスとして、ＳｉＣｌ４ガスを供給しているが、これに限らず、例えば、シラン（ＳｉＨ４）ガス、トリクロロシラン（ＳｉＨＣｌ３）ガス、ジクロロシラン（ＳｉＨ２Ｃｌ２）ガス等を供給しても良い。これらのＳｉ原子とＣｌ原子とを含むガスは、Ｓｉ原子含有ガス、または、Ｓｉ原子含有ガスおよびＣｌ原子含有ガスの混合ガスであるとも言える。特に、ＳｉＣｌ４ガスは、熱分解される温度が比較的高温であるため、第１ガス供給ノズル６０内でのＳｉ原子の消費を抑制するという観点から優れている。
【００６０】
さらに、上述においては、Ｃ原子含有ガスとして、Ｃ３Ｈ８ガスを使用しているが、これに限らず、エチレン（Ｃ２Ｈ４）ガス、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）ガス等を使用しても良い。
【００６１】
また、上述においては、還元ガスとして、Ｈ２ガスを使用しているが、これに限らず、他のＨ原子含有ガスを使用しても良い。さらに、キャリアガスとしては、Ａｒガス、ヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、クリプトン（Ｋｒ）ガス、キセノン（Ｘｅ）ガス等の希ガスのうちの少なくとも１つを使用しても良いし、これらの希ガスを任意に組み合わせた混合ガスを使用しても良い。
【００６２】
＜処理炉の周辺の構成＞
次に、図５を参照して、処理炉４０およびその周辺の構成について説明する。処理炉４０の下方側には、当該処理炉４０の開口部分である炉口１４４を気密に閉塞するシールキャップ（炉口蓋体）１０２が設けられている。シールキャップ１０２は、例えば、ステンレス等の金属材料により略円盤状に形成されている。シールキャップ１０２と後述するロードロック室ＬＲの天板１２６との間には、両者間をシールするシール部材としてのＯリング（図示せず）が設けられ、これにより処理炉４０内を気密に保持できるようにしている。
【００６３】
シールキャップ１０２には回転機構１０４が設けられ、当該回転機構１０４の回転軸１０６は、シールキャップ１０２を貫通してボート断熱部３４に連結されている。そして、回転機構１０４を回転駆動することにより、回転軸１０６を介して処理炉４０内でボート３０が回転し、これに伴いウエハ１４も回転するようになっている。
【００６４】
シールキャップ１０２は、処理炉４０の外側に設けられた昇降モータ（昇降機構）Ｍによって垂直方向（上下方向）に昇降されるよう構成され、これによりボート３０を処理炉４０に対して搬入搬出できるようになっている。回転機構１０４および昇降モータＭには、コントローラ１５２の駆動制御部１０８（図６参照）が電気的に接続されている。駆動制御部１０８は、回転機構１０４および昇降モータＭを、所定の動作をするよう所定のタイミングにて制御するようになっている。
【００６５】
処理炉４０の下方側には、予備室としてのロードロック室ＬＲが設けられ、当該ロードロック室ＬＲの外側には下基板ＬＰが設けられている。下基板ＬＰには、昇降台１１４を摺動自在に支持するガイドシャフト１１６の基端部が固定され、また、昇降台１１４と螺合するボール螺子１１８の基端部が回転自在に支持されている。また、ガイドシャフト１１６の先端部およびボール螺子１１８の先端部には、上基板ＵＰが装着されている。ボール螺子１１８は上基板ＵＰに搭載された昇降モータＭにより回転駆動され、昇降台１１４はボール螺子１１８の回転駆動により昇降するようになっている。
【００６６】
昇降台１１４には、中空パイプ状の昇降シャフト１２４が垂下するよう固定され、昇降台１１４と昇降シャフト１２４との連結部分は気密となっている。これにより、昇降シャフト１２４は、昇降台１１４とともに昇降するようになっている。昇降シャフト１２４は、ロードロック室ＬＲの上方側の天板１２６に設けられた貫通孔１２６ａを、所定の隙間を持って貫通している。つまり、昇降シャフト１２４が昇降する際に、当該昇降シャフト１２４は天板１２６に接触することが無い。
【００６７】
ロードロック室ＬＲと昇降台１１４との間には、昇降シャフト１２４の周囲を覆うよう伸縮性を有するベローズ（中空伸縮体）１２８が設けられ、当該ベローズ１２８によりロードロック室ＬＲは気密に保持されている。なお、ベローズ１２８は、昇降台１１４の昇降量に対応し得る充分な伸縮量を備え、ベローズ１２８の内径は昇降シャフト１２４の外径に比べて充分に大きくなっている。これにより、ベローズ１２８は、その伸縮時において、昇降シャフト１２４と接触すること無くスムーズに伸縮することができる。
【００６８】
昇降シャフト１２４の下方側には、昇降基板１３０が水平に固定され、当該昇降基板１３０の下方側には、Ｏリング等のシール部材（図示せず）を介して駆動部カバー１３２が気密に取り付けられている。昇降基板１３０および駆動部カバー１３２は、駆動部収納ケース１３４を構成しており、これにより、駆動部収納ケース１３４内の雰囲気とロードロック室ＬＲ内の雰囲気とを隔離している。
【００６９】
駆動部収納ケース１３４の内部には、ボート３０を回転駆動する回転機構１０４が設けられ、当該回転機構１０４の周辺は、水冷構造の冷却機構１３５により冷却されるようになっている。
【００７０】
回転機構１０４には電力ケーブル１３８が電気的に接続されており、当該電力ケーブル１３８は、昇降シャフト１２４の上方側から中空部を通って、回転機構１０４に導かれている。また、冷却機構１３５およびシールキャップ１０２には、冷却水流路１４０がそれぞれ形成されており、これらの冷却水流路１４０には、それぞれ冷却水配管１４２が接続されている。各冷却水配管１４２は、昇降シャフト１２４の上方側から中空部を通って、各冷却水流路１４０に導かれている。
【００７１】
コントローラ１５２の駆動制御部１０８により昇降モータＭを回転駆動させることで、ボール螺子１１８が回転し、これにより昇降台１１４および昇降シャフト１２４が昇降し、ひいては駆動部収納ケース１３４が昇降する。そして、駆動部収納ケース１３４を上昇させることで、昇降基板１３０に気密に設けたシールキャップ１０２が処理炉４０の開口部である炉口１４４を密閉し、これによりウエハ１４を熱処理できる状態となる。また、駆動部収納ケース１３４を下降させることで、シールキャップ１０２とともにボート３０が降下して、ウエハ１４を処理炉４０の外部に搬出できる状態となる。
【００７２】
図６に示すように、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する半導体製造装置１０を制御するコントローラ１５２は、温度制御部５２、ガス流量制御部７８、圧力制御部９８および駆動制御部１０８を備えている。これらの温度制御部５２、ガス流量制御部７８、圧力制御部９８および駆動制御部１０８は、操作部および入出力部を構成し、半導体製造装置１０の全体を制御する主制御部１５０に電気的に接続されている。
【００７３】
＜ウエハの積層構造＞
次に、ウエハ１４のボート３０への積層構造について、図面を参照して詳細に説明する。図７はウエハをウエハホルダに保持させた状態を示す断面図を、図８はウエハおよびウエハホルダを示す分解斜視図をそれぞれ示している。
【００７４】
ボート３０は、複数のウエハ１４を水平状態で支持する３本のボート柱、つまり第１ボート柱３１ａ、第２ボート柱（支持柱）３１ｂおよび第３ボート柱（支持柱）３１ｃを備えている。各ボート柱３１ａ〜３１ｃは、何れもＳｉＣ等の耐熱材料により形成され、これらは互いに上板部材および下板部材（何れも図示せず）を介して一体に組み付けられている。
【００７５】
各ボート柱３１ａ〜３１ｃは、何れも同じ形状に形成され、ボート３０を組み立てた状態のもとで、各ボート柱３１ａ〜３１ｃが対向する側には、切り欠きよりなる複数のホルダ保持部ＨＳが設けられている。各ホルダ保持部ＨＳは、ウエハ１４を搭載したウエハホルダ（基板保持治具）１００の外周側を取り外し可能に保持するもので、各ボート柱３１ａ〜３１ｃの長手方向に沿って所定間隔で、例えば３０段設けられている。つまり、ボート３０は、例えば３０枚のウエハ１４を、それぞれウエハホルダ１００を介して水平状態で、かつ互いに中心を揃えた状態のもとで、縦方向に積層保持するよう構成されている。
【００７６】
第１ボート柱３１ａおよび第２ボート柱３１ｂは、ウエハ１４の周方向に沿って９０度間隔となるよう配置されている。また、第２ボート柱３１ｂおよび第３ボート柱３１ｃは、ウエハ１４の周方向に沿って１８０度間隔となるよう配置されている。つまり、第１ボート柱３１ａと第２ボート柱３１ｂとの間隔は、第２ボート柱３１ｂと第３ボート柱３１ｃとの間隔よりも狭くなっている。なお、第１ボート柱３１ａおよび第３ボート柱３１ｃは、第１ボート柱３１ａおよび第２ボート柱３１ｂの関係と同様に、ウエハ１４の周方向に沿って９０度間隔となっている。各ボート柱３１ａ〜３１ｃの間隔のうちの最も広く開口した開口部分、つまり第２ボート柱３１ｂと第３ボート柱３１ｃとの間の開口部分は、ウエハ１４を保持したウエハホルダ１００を移載するための開口部（搬入搬出部）となっている。
【００７７】
ウエハ１４を搭載するウエハホルダ１００は、図８に示すように円盤状に形成され、当該ウエハホルダ１００は、円環状のホルダベース（基板ホルダ）１１０および円盤状のホルダカバー１２０を備えている。ここで、ホルダベース１１０およびホルダカバー１２０においても、何れもＳｉＣ等の耐熱材料によりそれぞれ形成されている。
【００７８】
ウエハホルダ１００を構成するホルダベース１１０の外径寸法は、ウエハ１４の外形寸法よりも大きい外径寸法に設定されている。ホルダベース１１０の中央部分には、ホルダベース１１０を軸方向に貫通する貫通穴１１０ａが設けられ、当該貫通穴１１０ａの内周縁には環状段差部１１１が形成されている。この環状段差部１１１は、ウエハ１４を保持するようになっている。
【００７９】
このように、ホルダベース１１０の環状段差部１１１にウエハ１４を保持させることで、ホルダベース１１０の中央部分にウエハ１４を精度良く位置決め（搭載）することができ、さらには図７に示すように、各ボート柱３１ａ〜３１ｃとウエハ１４とを遠ざけることができる。また、ウエハ１４を環状段差部１１１に保持させることで、ウエハ１４の成膜面となる下面１４ａを反応室４４内の雰囲気に曝すことができる。
【００８０】
ウエハホルダ１００をボート３０に移載した状態で、ホルダベース１１０の本体部１１２において、各ボート柱３１ａ〜３１ｃに対応する部分には、本体部１１２の厚み方向、つまりウエハホルダ１００の軸方向に沿うよう貫通した３つの連通穴、つまり第１連通穴１１２ａ、第２連通穴１１２ｂ、第３連通穴１１２ｃがそれぞれ設けられている。
【００８１】
また、ウエハホルダ１００の本体部１１２の周方向に沿う第１連通穴１１２ａの近傍には、円弧形状に形成されたノッチ部１１２ｅが形成されている。ノッチ部１１２ｅは、後述（図１２等参照）するブリッジツール（異径基板用アタッチメント）４００のホルダ位置決め棒４０６に突き合わせられるものであり、これにより、ブリッジツール４００に対するウエハホルダ１００の位置決めを精度良く行えるようにしている。よって、基板移載機２８のアーム３２（図１参照）を動作させて、ブリッジツール４００からボート３０にウエハホルダ１００（ウエハ１４）を移載する際に、各連通穴１１２ａ〜１１２ｃを各ボート柱３１ａ〜３１ｃに対して位置ズレすること無く確実に対向させることができる。
【００８２】
各連通穴１１２ａ〜１１２ｃは、いずれも各ボート柱３１ａ〜３１ｃによる反応ガスの消費を考慮して設けている。つまり、ウエハ１４に反応ガスを供給する際、ボート３０の回転に伴って各ボート柱３１ａ〜３１ｃにも反応ガスが供給されて、各ボート柱３１ａ〜３１ｃも成膜されることになる。したがって、ウエハ１４に到達する前に反応ガスが消費されるのを抑制するために、反応ガスを消費しない空間として各連通穴１１２ａ〜１１２ｃを設けている。これにより、ウエハ１４の下面１４ａに膜厚が均一となるよう成膜することができる。
【００８３】
ホルダカバー１２０は、大径本体部１２１と小径嵌合部１２２とを備えており、小径嵌合部１２２は、ホルダベース１１０の環状段差部１１１に入り込んで装着されるようになっている。これにより、ホルダベース１１０に対するホルダカバー１２０のがたつきを抑制している。小径嵌合部１２２は、環状段差部１１１との間でウエハ１４を挟み、ウエハ１４の成膜面である下面１４ａとは反対側の上面（非成膜面）１４ｂと接触している。このように、ホルダカバー１２０は、ウエハ１４の上面１４ｂを覆うことで上面１４ｂが成膜されないようにするとともに、ウエハ１４の上方側から落下してくるパーティクル（微細ゴミ）からウエハ１４を保護するようになっている。
【００８４】
なお、上記の例では、バッチ式縦型成膜処理装置に適用した場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えばパンケーキ型やプラネタリ型の成膜処理装置に適用しても良い。図９はパンケーキ型の成膜処理用の半導体製造装置の説明図、図１０はプラネタリ型の成膜処理用の半導体製造装置の説明図、図１１は図９および図１０の矢印Ａ１の方向から見た図９および図１０の成膜処理用の半導体製造装置のサセプタの平面図である。
【００８５】
図９および図１０のいずれの成膜処理用の半導体製造装置（基板処理装置）１０Ｌａ，１０Ｌｂにおいても反応管４２の内部には、平面円形状のサセプタＳＳが設置されている。図９の成膜処理用の半導体製造装置１０Ｌａでは、ウエハ１４がその成膜面を上に向けた状態でサセプタＳＳの上面に搭載されている。一方、図１０の成膜処理用の半導体製造装置１０Ｌｂでは、ウエハ１４がその成膜面を下に向けた状態でウエハホルダＷＨによりサセプタＳＳに保持されている。
【００８６】
いずれの成膜処理用の半導体製造装置１０Ｌａ，１０Ｌｂにおいても、上記した原料ガスやキャリアガス等のようなガスＧは、図１１の矢印Ａ２に示すように、サセプタＳＳの中央に配置されたガス供給口ＧＳＭからサセプタＳＳの外周に向かって流れ、さらにガス排気口ＧＤＭを通じて排出されるようになっている。
【００８７】
また、図１０の半導体製造装置１０Ｌｂでは、サセプタＳＳおよびウエハ１４が、ガスＧの濃度分布に起因する膜厚の変動を抑制または防止するために、図１１の矢印Ａ３，Ａ４に示すように、各々の面内に沿って回転可能な状態で支持されている。
【００８８】
＜ポッドおよびブリッジツールの構造＞
次に、ポッド１６および当該ポッド１６に用いられるブリッジツール４００の構造について、図面を参照して詳細に説明する。図１２は本発明の本実施の形態１に係るポッドを上面側から見た平面図、図１３は図１２のＩ−Ｉ線の断面図、図１４は図１３の破線で囲んだ領域Ｂ１の拡大断面図である。なお、図１３では、図面を見易くするためウエハホルダ１００における上記した第１連通穴１１２ａ、第２連通穴１１２ｂ、第３連通穴１１２ｃを省略している。
【００８９】
基板収容器としてのポッド１６は、例えば、８インチ（約２０ｃｍ）ウエハ（第１の径の基板）１４Ｗ（図１２参照）を格納し得る８インチウエハ専用のポッドである。このポッド１６は、例えばパーティクルを発生しないプラスチック材料等によって、側部１６ｂが開口した中空形状に形成されている。ポッド１６の側部１６ｂには、図１２に示すように開口段差部１６ｃが設けられ、この開口段差部１６ｃには、蓋１６ａに設けた嵌合凸部１６ｄが嵌合するようになっている。これにより、側部１６ｂは蓋１６ａにより開閉自在となっている。なお、開口段差部１６ｃと嵌合凸部１６ｄとの間には、Ｏリング等のシール部材（図示せず）が設けられ、これによりポッド１６の内部を真空状態等に密閉できるようにしている。
【００９０】
図１３に示すように、ポッド１６の内部の互いに対向する内壁面部には、開口側（紙面手前側）から底側（紙面奥側）に向かって延在する複数の第１の支持溝１６ｅが設けられている。各第１の支持溝１６ｅは、８インチウエハの外周部分を支持し得るもので、水平方向（図中前後方向）に延在し、垂直方向（図中上下方向）に等間隔で、例えば７つ設けられている。
【００９１】
ポッド１６の内部には、図１２および図１３に示すようなブリッジツール４００が格納されるようになっている。このブリッジツール４００は、８インチウエハ専用のポッド１６に、例えば、それよりも小さい２インチ（約５ｃｍ）ウエハ（第２の径の基板）１４を格納可能とするアタッチメントであり、本実施の形態においては、ウエハ１４が２インチウエハを用いて説明する。
【００９２】
ブリッジツール４００は、図１３に示すように、円盤状に形成された上部板４０１と下部板４０２とを備えており、これらの上部板４０１および下部板４０２は、何れもポッド１６と同じプラスチック材料等により形成されている。上部板４０１および下部板４０２は、何れも８インチサイズ（第１のサイズ、第１の寸法）となっており、ポッド１６の各第１の支持溝１６ｅに支持されるようになっている。ここで、上部板４０１および下部板４０２は、何れも本発明における板状部材を構成している。
【００９３】
上部板４０１と下部板４０２との間には、保持部材としての一対の側板４０３ａ，４０３ｂが設けられている。側板４０３ａ，４０３ｂは、何れもポッド１６と同じプラスチック材料等により板状に形成され、上端部が上部板４０１に、下端部が下部板４０２に、ネジ等の締結手段（図示せず）によりそれぞれ固定されている。各側板４０３ａ，４０３ｂの長さ寸法（図１３の上下方向の長さ寸法）は、上部板４０１が各第１の支持溝１６ｅのうちの最上段に、下部板４０２が各第１の支持溝１６ｅのうちの最下段にそれぞれ支持される長さ寸法に設定されている。
【００９４】
各側板４０３ａ，４０３ｂにおいて互いに向き合う壁面には、複数の第２の支持溝４０４が形成されている。各第２の支持溝４０４は、各側板４０３ａ，４０３ｂの長手方向（図１３の手前側から奥側に向かう方向）に沿って延在し、かつ、垂直方向（図１３の上下方向）に等間隔に、例えば６つ設けられている。各第２の支持溝４０４は、第２のサイズ（第２の寸法）のウエハ１４を搭載したウエハホルダ１００（図７，８参照）を支持するようになっている。すなわち、ブリッジツール４００は、例えば６枚のウエハ１４を格納可能となっている。
【００９５】
また、各側板４０３ａ，４０３ｂは、上部板４０１および下部板４０２の径方向に沿う各第１の支持溝１６ｅの内側に設けられている。このように、第１のサイズの上部板４０１および下部板４０２に、第１のサイズより小さい第２のサイズのウエハ１４（若しくはウエハホルダ１００）を格納可能なように各側板４０３ａ，４０３ｂを設けることにより、ポッド１６の各第１の支持溝１６ｅの間隔に依らず、ブリッジツール４００において保持可能なウエハ１４の枚数を設定できる。
【００９６】
また、ブリッジツール４００は、図１２および図１３に示すように、ホルダ位置決め棒４０６を備えている。ホルダ位置決め棒４０６は、その上下端が、ネジ等の締結手段（図示せず）によって、上部板４０１および下部板４０２（図１３参照）に固定されている。ホルダ位置決め棒４０６は、ウエハ１４を搭載したウエハホルダ１００の移載方向（図１２の矢印Ａ５参照）に沿うポッド１６の底側に設けられている。このようにホルダ位置決め棒４０６を有することにより、図８に示した回転位置を定める必要があるウエハホルダ１００を用いても、ポッド１６内で正確に回転位置を決めることができる。
【００９７】
ホルダ位置決め棒４０６は、ポッド１６内に格納される各ウエハホルダ１００の回転方向に対する位置を位置決めするもので、図１２に示すように、ホルダ位置決め棒４０６には、ウエハホルダ１００のホルダベース１１０に設けたノッチ部１１２ｅが突き合わされるようになっている。これにより、各ウエハホルダ１００を、ポッド１６内にセットしたブリッジツール４００に対して、それぞれ精度良く位置決めすることができる。
【００９８】
図１２〜図１４に示すように、ブリッジツール４００を形成する上部板４０１および下部板４０２には、両者を貫通するよう固定部材としての一対の伸縮自在な棒状部材４０７が設けられている。各棒状部材４０７はポッド１６の側部１６ｂ側に配置され、ブリッジツール４００をポッド１６内の所定位置にセットして固定するようになっている。つまり、各棒状部材４０７は、上部板４０１および下部板４０２を、ポッド１６の第１の支持溝１６ｅにそれぞれ固定するようになっている。図１４において符号４０７ａ，４０７ｂ，４０７ｃは、それぞれ棒状部材４０７を構成する本体部、移動部およびコイルばねである。
【００９９】
なお、固定部材としての棒状部材は、上述のような形態に限らず、例えば、端部に雌ねじ部を有する本体部と、端部に雄ねじ部を有する移動部とから構成して、両者をネジ結合させることで伸縮させるようにした棒状部材であっても良い。また、ポッド１６側に各棒状部材４０７が嵌合する嵌合穴（図示せず）を設けることにより、ブリッジツール４００をポッド１６内でより強固に固定できる。
【０１００】
また、ブリッジツール４００を固定する構造は、上記した構造に限定されるものではなく種々変更可能である。例えば、ブリッジツール４００の上部板４０１と下部板４０２の各々の厚さを、ポッド１６内のそれぞれ天井面と底面とに当たる程度に厚くし、第１の支持溝１６ｅと嵌合させることでブリッジツール４００を固定しても良い。これにより、ブリッジツール４００を固定する構造を簡単化することができるので、ポッド１６のコストを低減できる。また、ポッド１６を何度も移動させることに因る振動によって、ブリッジツール４００が振動することを防ぎ、ポッド１６内でのパーティクル等の発生を防止することができる。
【０１０１】
このようなブリッジツール４００は、ポッド１６の蓋１６ａ側に寄せられた状態（偏心された状態）で格納されるようになっている。すなわち、小径のウエハ１４の中心を大径のウエハ１４Ｗの中心よりも蓋１６ａ側に位置させ、蓋１６ａの位置で小径のウエハ１４を搭載するウエハホルダ１００の外周を大径のウエハ１４Ｗの外周に一致させるようにしている。これにより、小径のウエハ１４を搭載するウエハホルダ１００と大径のウエハ１４Ｗとを押さえるリテーナ４０８を共有化することができる。このため、ウエハホルダ１００と大径のウエハ１４Ｗとを押さえるリテーナを別々に設ける場合に比べてリテーナ４０８の構造を簡単にすることができる。したがって、ポッド１６を軽量化することができる上、ポッド１６のコストを低減することができる。
【０１０２】
このリテーナ４０８は、パーティクルを発生しない硬質プラスチック等の弾性材料によって、複数回屈曲された段付き板状に形成されて板ばねとしての機能を有するように構成されている。リテーナ４０８の一部は、ネジ等の締結手段（図示せず）を介して蓋１６ａの嵌合凸部１６ｄの略中央部分に固定されている。また、リテーナ４０８の先端は、ウエハホルダ１００またはウエハ１４Ｗを押さえ付けるようになっている。
【０１０３】
これにより、蓋１６ａを閉じた状態においては、リテーナ４０８の先端部がウエハホルダ１００またはウエハ１４Ｗに当接してウエハホルダ１００またはウエハ１４Ｗを押さえ付ける。リテーナ４０８によりウエハホルダ１００が押さえられると、ウエハホルダ１００のノッチ部１１２ｅがホルダ位置決め棒４０６に突き合わされる。これにより、ポッド１６の内部でウエハ１４を安定的に保持でき、さらにはウエハホルダ１００のポッド１６に対する回転方向への位置決め精度を向上させることができる。
【０１０４】
一方、蓋１６ａを開けた状態においては、リテーナ４０８の先端部がウエハホルダ１００から離間してウエハホルダ１００がリテーナ４０８の押圧力から解放さるので、ウエハ１４を保持したウエハホルダ１００を、図１２の矢印Ａ５に示すように、ブリッジツール４００に対して出し入れ可能、つまりウエハ１４をポッド１６に対して出し入れすることが可能な状態となる。
【０１０５】
次に、図１５はポッドの一部を破断して内部を示した要部斜視図、図１６は図１５の破線で囲んだ領域Ｂ２の拡大斜視図、図１７は図１６の破線で囲んだ領域Ｂ３の拡大平面図、図１８は図１７のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。なお、図１５および図１６では図面を見易くするために第１の支持溝１６ｅおよび第１連通穴１１２ａ、第２連通穴１１２ｂ、第３連通穴１１２ｃを省略している。
【０１０６】
本実施の形態においては、ブリッジツール４００を構成する側板４０３ａ，４０３ｂの第２の支持溝４０４においてウエハホルダ１００を支える支持部の上面に突起部４０９Ａが側板４０３ａと一体的に形成されている。
【０１０７】
なお、図１６および図１７においては、側板４０３ａの突起部４０９Ａのみを示しているが、この側板４０３ａの向かい側の側板４０３ｂの第２の支持溝４０４にも突起部４０９Ａが側板４０３ｂと一体的に形成されている。ポッド１６を正面から見た場合（図１３参照）に、側板４０３ｂの突起部４０９Ａは、側板４０３ａの突起部４０９Ａと対称になるように配置されている。
【０１０８】
この突起部４０９Ａは、ブリッジツール４００でのウエハホルダ１００の位置を決める部分である。突起部４０９Ａは、側板４０３ａ，４０３ｂに交差する方向、すなわち、ウエハホルダ１００の径方向内側に向かって突出されているとともに、第２の支持溝４０４のウエハホルダ１００を支える支持部の上面に交差する方向に向かって突出している。
【０１０９】
一方、ウエハホルダ１００（ホルダベース１１０）の外周には、突起部４０９Ａに係止される窪み部（切欠き部）１１０ｄが形成されている。窪み部１１０ｄは、ウエハホルダ１００の径方向内側に窪むようにウエハホルダ１００の外周一部を切り欠くことで形成されている。そして、ウエハホルダ１００は、その外周の窪み部１１０ｄが、側板４０３ａ，４０３ｂの第２の支持溝４０４の突起部４０９Ａに係止されることで位置決めされるようになっている。これにより、ブリッジツール４００においてウエハホルダ１００をしっかりと位置決め固定することができるので、ウエハホルダ１００の位置ずれを抑制または防止することができる。
【０１１０】
ウエハホルダ１００の径が成膜処理により大径になると、ウエハホルダ１００がポッド１６の蓋１６ａの方向にずれてしまい蓋１６ａを閉めた場合にウエハホルダ１００にかかった応力でウエハホルダ１００が破損してしまう問題がある。これに対して本実施の形態においては、ウエハホルダ１００をしっかりと位置決め固定することができるので、ポッド１６の蓋１６ａを閉じた場合にウエハホルダ１００が破損してしまう問題を回避することができる。
【０１１１】
また、ブリッジツール４００においてウエハホルダ１００を高い精度で位置決めすることができるので、累積膜に因るウエハホルダ１００の位置ずれに起因するウエハホルダ１００の搬送ミスを抑制または防止することができる。
【０１１２】
また、ウエハホルダ１００の窪み部１１０ｄは、ウエハホルダ１００がボート３０に支持されたときに、ウエハホルダ１００を支持する第２ボート柱３１ｂおよび第３ボート柱３１ｃ（図８参照）に向き合う位置に設けられている。ウエハホルダ１００において第２ボート柱３１ｂおよび第３ボート柱３１ｃに向き合う位置は、成膜処理時に第２ボート柱３１ｂおよび第３ボート柱３１ｃの影になり成膜ガス供給によるウエハホルダ１００への成膜の影響を最小限に留めることができる。このため、ウエハホルダ１００において第２ボート柱３１ｂおよび第３ボート柱３１ｃに向き合う位置に窪み部１１０ｄを設けることにより、窪み部１１０ｄに累積する膜厚を薄くすることができる。したがって、窪み部１１０ｄをウエハホルダ１００の外周の他の位置に設けた場合に比べて、ウエハホルダ１００の位置合わせを容易にすることができる。また、ウエハホルダ１００の高精度な位置合わせを長期化させることができる。なお、図８に示したように、ウエハホルダ１００の外周のノッチ部１１２ｅを反応室４４の第１ボート柱３１ａに位置合わせすると、ウエハホルダ１００の外周の２つの窪み部１１０ｄが第２ボート柱３１ｂおよび第３ボート柱３１ｃに向かい合うようになっている。
【０１１３】
また、図１８に示すように、突起部４０９Ａの厚さｄ１は、ウエハホルダ１００（ホルダベース１１０）の厚さｄ２の少なくとも半分以上の高さに設定されている。突起部４０９Ａの厚さｄ１がウエハホルダ１００の厚さｄ２の半分より小さいと、振動等でウエハホルダ１００の位置がずれてしまう虞がある。これに対して、本実施の形態によれば、突起部４０９Ａの厚さｄ１をウエハホルダ１００の厚さｄ２の少なくとも半分以上の高さとしたことにより、ウエハホルダ１００をしっかりと位置決め固定することができる。
【０１１４】
次に、図１９は突起部の変形例であって図１７のＩＩ−ＩＩ線に相当する箇所の断面図、図２０は突起部の変形例であって図１６の破線で囲んだ領域Ｂ３の拡大平面図、図２１は図２０のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【０１１５】
図１９においては、突起部４０９Ａの先端面にテーパ部４０９ｔが形成されている。すなわち、突起部４０９Ａにおいてウエハホルダ１００に対向する先端面には、ウエハホルダ１００の径方向内側に向かって次第に低くなるような傾斜が形成されている。これにより、突起部４０９Ａにおいてウエハホルダ１００が接触する側の角部が鈍角になるので、ウエハホルダ１００と突起部４０９Ａとの接触に起因する異物発生のリスクを低減することができる。また、成膜処理に起因してウエハホルダ１００の窪み部１１０ｄに膜が累積され径が若干増えたとしてもテーパ部４０９ｔにより、ウエハホルダ１００の径の増大に対応できる。このため、ウエハホルダ１００の高精度な位置合わせを長期化させることができる。なお、ここでは、直線状に傾斜するテーパ部４０９ｔを例示したが、これに限定されるものではなく、曲線状に傾斜する（湾曲部を有する形状の）テーパ部４０９ｔとしても良い。この場合も上記と同様の効果を得ることができる。
【０１１６】
また、図２０および図２１においては、突起部４０９Ａの平面形状が円形状の場合を例示している。この場合、突起部４０９Ａの外周の角部を減らすことができる。また、突起部４０９Ａを平面矩形状にした場合に比べて、突起部４０９Ａとウエハホルダ１００との接触面積を低減できる。これらにより、ウエハホルダ１００と突起部４０９Ａとの接触に起因する異物発生のリスクを低減することができる。なお、この図２０および図２１の場合も、図１９で示したように平面円形状の突起部４０９Ａの全外周部にテーパ部４０９ｔを形成しても良い。
【０１１７】
＜ＳｉＣエピタキシャル膜の成膜方法＞
次に、上述した半導体製造装置１０を用い、半導体デバイスの製造工程の一工程として、ＳｉＣ等で構成されるウエハ１４等の基板上に、例えば、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する基板の製造方法（処理方法）について説明する。なお、以下の説明における半導体製造装置１０を構成する各部分の動作は、コントローラ１５２によって制御される。
【０１１８】
まず、図１２および図１３に示したポッド１６およびブリッジツール４００を準備する。続いて、ポッド１６の側部１６ｂからその内部に、ブリッジツール４００を格納し固定する（アタッチメント固定工程）。このとき、上部板４０１を各第１の支持溝１６ｅのうちの最上段に、下部板４０２を各第１の支持溝１６ｅのうちの最下段にそれぞれ支持されるように格納する。なお、アタッチメント固定工程は、図示しない自動装置（ロボット等）により行っても良いし、作業者の手作業により行っても良い。
【０１１９】
次いで、ポッド１６内に固定されたブリッジツール４００に、ウエハ１４を搭載したウエハホルダ１００を順次移載していく。このとき、ウエハホルダ１００の外周のノッチ部１１２ｅを、ブリッジツール４００のホルダ位置決め棒４０６に突き合わせるとともに、ウエハホルダ１００の外周２箇所の窪み部１１０ｄをブリッジツール４００の側板４０３ａ，４０３ｂの各々の第２の支持溝４０４の突起部４０９Ａに合わせる。これにより、ウエハ１４を搭載したウエハホルダ１００のブリッジツール４００に対する回転位置、挿脱方向の位置および挿脱方向に交差する方向の位置が位置決めされる。本実施の形態においては、ブリッジツール４００においてウエハホルダ１００をしっかりと位置決め固定することができるので、ウエハホルダ１００の位置ずれを抑制または防止することができる。
【０１２０】
続いて、図１２に示すように、ポッド１６の側部１６ｂに向けて蓋１６ａを臨ませると、嵌合凸部１６ｄが開口段差部１６ｃに嵌合されていく。これに伴い、嵌合凸部１６ｄに設置されたリテーナ４０８がウエハホルダ１００を押さえる。
【０１２１】
上記のようにウエハホルダ１００の径が成膜処理により大径になると、ウエハホルダ１００がポッド１６の蓋１６ａの方向にずれてしまい蓋１６ａを閉めた場合にウエハホルダ１００が破損してしまう問題がある。これに対して、本実施の形態においては、ウエハホルダ１００をしっかりと位置決め固定することができるので、ポッド１６の蓋１６ａを閉じた場合にウエハホルダ１００が破損してしまう問題を回避することができる。
【０１２２】
このように蓋１６ａでポッド１６の側部１６ｂを閉じることで、ポッド１６内が密閉され、かつウエハホルダ１００が安定的に支持される。これにより、ポッド１６へのウエハ１４およびウエハホルダ１００の格納（セット）が完了する（基板セット工程）。なお、ポッド１６の密閉時には、例えば、図示しない真空ポンプ等によりポッド１６内を真空とし、かつポッド１６内にパーティクルが無い状態としている。また、当該基板セット工程においても、図示しない自動装置（ロボット等）により行っても良いし、作業者の手作業により行っても良い。
【０１２３】
次いで、基板セット工程を経た複数のポッド１６を、図１に示すように、作業者により牽引される台車ＣＴに搭載し、各ポッド１６を半導体製造装置１０のポッドステージ１８に搬送する。その後、作業者により各ポッド１６をそれぞれポッドステージ１８上にセットし、これにより第１基板搬送工程が完了する。なお、当該第１基板搬送工程においては、例えば、自走式の台車（自動搬送装置）に複数のポッド１６を搭載し、かつ自動的にポッドステージ１８上にセットされるようにしても良い。
【０１２４】
次いで、第１基板搬送工程が完了すると、ポッド搬送装置２０が動作し、ポッド１６がポッドステージ１８からポッド収納棚２２へ搬送されてストックされる。続いて、ポッド搬送装置２０により、ポッド収納棚２２にストックされたポッド１６をポッドオープナ２４に搬送してセットし、当該ポッドオープナ２４によりポッド１６の蓋１６ａが開かれて、基板枚数検知器２６によりポッド１６に収納されているウエハ１４（ウエハホルダ１００）の枚数を検知する。その後、基板移載機２８の動作により、ポッドオープナ２４の位置にあるポッド１６からウエハ１４を搭載したウエハホルダ１００を取り出し、次々とボート３０に移載していく（第２基板搬送工程）。この際、本実施の形態においては、ブリッジツール４００においてウエハホルダ１００を高い精度で位置決め固定することができるので、累積膜に因るウエハホルダ１００の位置ずれに起因するウエハホルダ１００の搬送ミスを抑制または防止することができる。
【０１２５】
複数枚のウエハ１４がボート３０に装填されて積層されると、各ウエハ１４を保持したボート３０は、昇降モータＭの回転駆動による昇降台１１４および昇降シャフト１２４の昇降動作により反応室（処理室）４４内に搬送、つまりボートローディングされる。ボート３０が反応室４４内に完全に搬送されると、シールキャップ１０２は反応室４４をシールした状態となり、これにより反応室４４の気密が保持されて第３基板搬送工程（ボートローディング工程）が完了する。
【０１２６】
ボート３０を反応室４４に搬入した後、ウエハ１４の温度および反応室４４の内部温度を所定の温度とするよう、誘導コイル５０が通電され、これにより加熱体４８が加熱される。その後、ＭＦＣ２１１ａ，２１１ｂおよびバルブ２１２ａ，２１２ｂを制御し、これにより、ＳｉＣエピタキシャル膜の成膜に寄与するＳｉ原子含有ガス（成膜ガス）およびＣｌ原子含有ガス（エッチングガス）を、各ガス供給源２１０ａ，２１０ｂから供給する。すると、第１ガス供給ノズル６０の各第１ガス供給口６８から、反応室４４内の各ウエハ１４に向けて反応ガスが噴射される。
【０１２７】
また、Ｃ原子含有ガスおよび還元ガスであるＨ２ガスを、所定の流量となるよう対応するＭＦＣ２１１ｄ，２１１ｅの開度を制御した後、バルブ２１２ｄ，２１２ｅを制御する。すると、それぞれの反応ガスが第２ガスライン２６０を流通するようになる。これにより、第２ガス供給ノズル７０の各第２ガス供給口７２から、反応室４４内の各ウエハ１４に向けて反応ガスが噴射される。
【０１２８】
各第１ガス供給口６８および各第２ガス供給口７２から噴射された反応ガスは、反応室４４内の加熱体４８の内周側を流れて、第１ガス排気口９０からガス排気管２３０を介して外部に排気される。各第１ガス供給口６８および第２ガス供給口７２より供給された反応ガスは、それぞれ噴射直後に混合され、反応室４４内を通過する際にＳｉＣ等で構成される各ウエハ１４と接触し、これにより各ウエハ１４の表面上に、ＳｉＣエピタキシャル膜が成膜される。
【０１２９】
ここまでの一連の工程、つまり反応ガスの供給により各ウエハ１４の表面上にＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する工程が、基板処理工程を構成している。
【０１３０】
基板上のＳｉＣエピタキシャル膜が所定の膜厚に成膜された後、昇降モータＭの回転駆動によりシールキャップ１０２が下降し、処理炉４０の炉口１４４が開口される。これに伴い、熱処理済み（成膜処理済み）の各ウエハ１４が、ウエハホルダ１００を介してボート３０に保持された状態でマニホールド３６の下方側から反応管４２の外部に搬出、つまりボートアンローディングされる。ボート３０に保持された各ウエハ１４は、冷えるまでロードロック室ＬＲの内部で待機状態となる。
【０１３１】
その後、各ウエハ１４が所定の温度にまで冷却されると、基板移載機２８の動作により、各ウエハ１４を搭載した各ウエハホルダ１００がボート３０から取り出される。続いて、ポッドオープナ２４にセットされている空のポッド１６内にあるブリッジツール４００に搬送されて移載される。その後、ポッド搬送装置２０の動作により、各ウエハ１４を格納したポッド１６が、ポッド収納棚２２またはポッドステージ１８に搬送される。このようにして、半導体製造装置１０の一連の動作が完了する。
【０１３２】
＜第１実施の形態の代表的効果＞
第１実施の形態で説明した技術的思想によれば、少なくとも、以下に記載する複数の効果のうち、１つ以上の効果を奏する。
【０１３３】
（１）ポッド１６内のブリッジツール４００を構成する側板４０３ａ，４０３ｂの第２の支持溝４０４に突起部４０９Ａを設けたことにより、ウエハ１４を搭載するウエハホルダ１００をしっかりと位置決め固定することができるので、ウエハホルダ１００の位置ずれを抑制または防止することができる。
【０１３４】
（２）上記（１）により、ポッド１６の蓋１６ａを閉じた場合にウエハホルダ１００が破損してしまう問題を回避することができる。
【０１３５】
（３）上記（１）により、ブリッジツール４００においてウエハホルダ１００を高い精度で位置決め固定することができるので、累積膜に因るウエハホルダ１００の位置ずれに起因するウエハホルダ１００の搬送ミスを抑制または防止することができる。
【０１３６】
（４）第１実施の形態で説明したブリッジツール４００を有する半導体製造装置１０を、半導体装置の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、半導体装置の製造方法において、上述した複数の効果のうち、１つ以上の効果を奏する。
【０１３７】
（５）第１実施の形態で説明したブリッジツール４００を有する半導体製造装置１０を、ＳｉＣエピタキシャル膜を形成する基板の製造方法における基板の処理工程において用いることにより、ＳｉＣエピタキシャル膜を形成する基板の製造方法において、上述した複数の効果のうち、１つ以上の効果を奏する。
【０１３８】
（実施の形態２）
図２２は本発明の本実施の形態２に係るポッドにおいて図１６の破線で囲んだ領域Ｂ３の拡大平面図、図２３は図２２のＩＩ−ＩＩ線の断面図である。
【０１３９】
本実施の形態２においては、突起部４０９Ｂが、例えば樹脂製のボルトによって形成されており、側板４０３ａ，４０３ｂに形成された、ねじ穴４０３ｈ１に螺合されている。すなわち、突起部４０９Ｂは、ウエハホルダ１００（ウエハ１４）の径方向Ｒ１に移動自在の状態で、また、着脱自在の状態で側板４０３ａ，４０３ｂの第２の支持溝４０４に設置されている。
【０１４０】
側板４０３ａ，４０３ｂと位置決め用の突起部とが一体の場合、ウエハホルダ１００の外形や寸法が変更されたり、ウエハホルダ１００の径が累積膜の影響で大きくなったりした場合、ブリッジツール４００全体を交換しなければならない。これに対して、本実施の形態２においては、ウエハホルダ１００の外形や寸法が変わったり、ウエハホルダ１００の径が累積膜により大きくなったりしても、第２の支持溝４０４側への突起部４０９Ｂの突出長さを変えたり、突起部４０９Ｂ自体を変えたりすることで柔軟に対応することができる。したがって、ブリッジツール４００の全体を変更しなくても済むので、ポッド１６のコストを低減できる。このため、半導体製造装置１０や半導体製造装置１０により製造される半導体装置のコストを低減することができる。
【０１４１】
また、図２３に示すように、突起部４０９Ｂにおいて、ねじ穴４０３ｈ１に対応する部分には雄ねじが形成されているが、突起部４０９Ｂの突出表面（側板４０３ａ，４０３ｂから露出する表面）には雄ねじが形成されていない。すなわち、ウエハホルダ１００が突起部４０９Ｂの雄ねじに触れないようになっている。これにより、ウエハホルダ１００が突起部４０９Ｂのねじ山に接触することに起因する異物発生のリスクを無くすことができる。
【０１４２】
これ以外の構成および効果は前記実施の形態１と同じなので説明を省略する。
【０１４３】
（実施の形態３）
図２４は本発明の本実施の形態３に係るポッドにおいて図１６の破線で囲んだ領域Ｂ３の拡大平面図、図２５は図２４のＩＩＩ−ＩＩＩ線の断面図である。なお、図２５においては図面を見易くするためウエハホルダを省略している。
【０１４４】
本実施の形態３においては、突起部４０９Ｃが、ウエハホルダ１００（ウエハ１４）の厚さ方向Ｚに移動自在の状態で側板４０３ａ，４０３ｂの第２の支持溝４０４に設置されている。すなわち、突起部４０９Ｃは、側板４０３ａ，４０３ｂにおいてウエハホルダ１００を支持する支持部の上下面を貫通する穴４０３ｈ２に挿入され、その支持部の下面側で板ばね部４１０の一端に接続されている。この板ばね部４１０の他端は、側板４０３ａ，４０３ｂの支持部の下面においてボルト（固定部材）４１１によって接続されている。なお、突起部４０９Ｃ、板ばね部４１０およびボルト４１１は、例えばポッド１６と同一の樹脂により形成されている。
【０１４５】
本実施の形態３において突起部４０９Ｃは、上方から力が加わらない場合（自然状態）、第２の支持溝４０４の支持部の上面から突出している。したがって、上記したようにウエハホルダ１００をしっかりと位置決め固定することができる。
【０１４６】
一方、突起部４０９Ｃは、上方から力が加わると板ばね部４１０が撓むことで下降するようになっている。側板４０３ａ，４０３ｂの第２の支持溝４０４に突起部が設けられている場合、ウエハホルダ１００が突起部に乗り上げてしまい、ウエハホルダ１００の姿勢が傾斜する結果、その乗り上げに起因してウエハホルダ１００を搬送する際に搬送ミスが生じる場合がある。これに対して、本実施の形態においては、ウエハホルダ１００が突起部４０９Ｃ上に乗り上げてしまっても、突起部４０９Ｃが下降することで、ウエハホルダ１００の姿勢を正常な状態に保つことができるので、その乗り上げに起因するウエハホルダ１００の搬送ミスの発生を低減または防止することができる。
【０１４７】
これ以外の構成および効果は前記実施の形態１，２と同じなので説明を省略する。
【０１４８】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１４９】
例えば、上記各実施の形態においては、本発明に係るブリッジツールを、ＳｉＣエピタキシャル膜を成膜する成膜装置（基板処理装置）に適用したものを例示したが、ポッドが格納できる径に対してその径が小さいウエハを処理する他の形式の基板処理装置にも本発明における技術的思想を適用することができる。
【０１５０】
また、上記各実施の形態においては、小径のウエハの中心を大径のウエハの中心よりもポッドの蓋側に位置させ、蓋の位置でウエハホルダの外周を大径のウエハの外周に一致させた場合について説明したが、これに限定されるものではなく、小径ウエハの中心と大径ウエハの中心とが一致するように配置する構造にしても良い。
【０１５１】
また、上記各実施の形態においては、ブリッジツールの上部板および下部板が円盤状とした場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば四角形状でも良い。また、ブリッジツールの上部板および下部板を、収容し易くするために、上部板および下部板の端部（外周部）に嵌合を案内するテーパを設けても良い。
【０１５２】
また、上記実施の形態３においては、ウエハホルダが突起部に乗り上げることによる搬送ミスを防ぐために突起部が下降する構造になっている場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、ポッドの内部に、ウエハホルダが突起部に乗り上げたことを検出するセンサを設けても良い。ウエハホルダの搬送時には、ウエハホルダが突起部に乗り上げていることを見越してウエハホルダを搬送するように搬送アームの動作を制御する。これにより、ウエハホルダが突起部に乗り上げたことに起因する搬送ミスを防止することができる。
【０１５３】
本発明は少なくとも以下の実施の形態を含む。
【０１５４】
〔付記１〕
第１のサイズの基板を支持し得る第１の支持溝に支持される板状部材と、
前記板状部材に設けられ、前記第１のサイズよりも小さい第２のサイズの基板を支持し得る第２の支持溝を有する保持部材と、
前記第２の支持溝に設けられ、前記第２のサイズの基板の位置を決める突起部と、
を有する、基板収容器。
【０１５５】
〔付記２〕
付記１に記載されている前記基板収容器の前記突起部は、前記第２のサイズの基板の厚さの少なくとも半分以上の高さを有する。
【０１５６】
〔付記３〕
付記１または２に記載されている前記基板収容器は、前記保持部材の前記第２の支持溝によって前記第２のサイズの基板を保持する基板保持治具が支持され、前記突起部は前記基板保持治具の径方向内側に向かってテーパを有する。
【０１５７】
〔付記４〕
付記３に記載されている前記基板保持治具は、前記突起部に係止される切欠部を有する。
【０１５８】
〔付記５〕
第１の径を有する基板を支持し得る第１の支持溝に支持される板状部材、前記板状部材に設けられて前記第１の径よりも小さい第２の径を有する基板を支持し得る第２の支持溝を有する保持部材および前記第２の支持溝に設けられ、前記第２の径を有する基板の位置を決める突起部を有する基板収容器と、
前記基板収容器を収容する収容室と、
前記基板収容器から搬送された基板を処理する処理室と、
を有する、基板処理装置。
【０１５９】
〔付記６〕
付記１〜５のいずれかに記載されている前記突起部は、前記第２のサイズの基板の径方向に移動自在の状態で設置されている。
【０１６０】
〔付記７〕
付記１〜５のいずれかに記載されている前記突起部は、着脱自在の状態で設置されている。
【０１６１】
〔付記８〕
付記６または７に記載されている前記突起部は、ボルトにより形成されている。
【０１６２】
〔付記９〕
付記１〜５のいずれかに記載されている前記突起部は、前記第２のサイズの基板の厚さ方向に移動自在の状態で設置されている。
【０１６３】
〔付記１０〕
付記９に記載されている前記突起部は、板ばねを介して前記保持部材に支持されている。
【０１６４】
〔付記１１〕
付記３に記載されている前記基板保持治具は、前記突起部に係止される窪み部を有する。
【０１６５】
〔付記１２〕
付記１１に記載されている前記窪み部は、前記基板に対して処理を施す処理室内において前記基板保持治具を支持する支持柱に向き合う位置に設けられている。
【符号の説明】
【０１６６】
１０…半導体製造装置(基板処理装置)、１４…ウエハ（第２の径の基板）、１４ａ…下面、１４ｂ…上面、１４Ｗ…ウエハ（第１の径の基板）、１６…ポッド（基板収容器）、１６ａ…蓋、１６ｂ…側部、１６ｃ…開口段差部、１６ｄ…嵌合凸部、１６ｅ…第１の支持溝、３６…マニホールド（反応容器）、４０…処理炉、４２…反応管（反応容器）、４４…反応室、１００…ウエハホルダ（基板保持治具）、１１０…ホルダベース、１１０ａ…貫通穴、１１０ｄ…窪み部、１１１…環状段差部、１１２…本体部、１１２ｅ…ノッチ部、１２０…ホルダカバー、１２１…大径本体部、１２２…小径嵌合部、４００…ブリッジツール、４０１…上部板（板状部材）、４０２…下部板（板状部材）、４０３ａ…側板（保持部材）、４０３ｂ…側板（保持部材）、４０４…第２の支持溝、４０６…ホルダ位置決め棒、４０８…リテーナ、４０９Ａ，４０９Ｂ，４０９Ｃ…突起部、４０９ｔ…テーパ部、４１０…板ばね部、４１１…ボルト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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