(57)【要約】【課題】転送トランジスタの転送特性を低下させることなく、より確実に半導体装置のＳ／Ｎ比を高める。【解決手段】主表面を有する半導体基板ＳＵＢと、受光素子ＰＤと、増幅トランジスタＡＭＩと、転送トランジスタＴＭＩと、受光素子上の絶縁膜ＤＧＩとを備える。受光素子ＰＤの絶縁膜ＤＧＩは、受光素子ＰＤの真上の主表面上に形成されている。転送トランジスタＴＭＩの絶縁膜ＴＧＩに比べて、増幅トランジスタＡＭＩの絶縁膜ＡＧＩおよび受光素子上の絶縁膜ＤＧＩの少なくともいずれかが薄い。【選択図】図４
2014049671.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主表面を有する半導体基板と、
前記半導体基板内に形成された、光電変換を行なうための受光素子と、
前記主表面上に形成された増幅トランジスタのゲート電極と前記増幅トランジスタのゲート電極および前記主表面の間に形成された増幅トランジスタの絶縁膜とを含む、信号電荷を増幅するための増幅トランジスタと、
前記受光素子の一部をソース領域として含み、かつ前記主表面上に形成された転送トランジスタのゲート電極と前記転送トランジスタのゲート電極および前記主表面の間に形成された転送トランジスタの絶縁膜とを含む、前記受光素子において蓄積された前記信号電荷を前記増幅トランジスタに転送するための転送トランジスタと、
前記受光素子の真上の前記主表面上に形成された受光素子上の絶縁膜とを備え、
前記転送トランジスタの絶縁膜に比べて、前記増幅トランジスタの絶縁膜および前記受光素子上の絶縁膜の少なくともいずれかが薄い、半導体装置。
【請求項２】
前記増幅トランジスタの絶縁膜および前記受光素子上の絶縁膜の少なくともいずれかは、前記転送トランジスタの絶縁膜の厚みの半分以下の厚みである、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記増幅トランジスタの絶縁膜は前記転送トランジスタの絶縁膜より薄い、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記受光素子上の絶縁膜は前記転送トランジスタの絶縁膜より薄く、
前記転送トランジスタの絶縁膜の上面と前記受光素子上の絶縁膜の上面とは前記転送トランジスタの絶縁膜と前記受光素子上の絶縁膜との間で段差を構成している、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記受光素子上の絶縁膜の前記転送トランジスタの絶縁膜に近い側の端部は、前記転送トランジスタのゲート電極の端部から前記主表面に沿う方向に離れている、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記転送トランジスタの絶縁膜と前記受光素子上の絶縁膜との間の前記主表面上に、前記転送トランジスタの絶縁膜より薄く、かつ前記受光素子上の絶縁膜よりも厚い厚みを有する中間厚みの絶縁膜をさらに備え、
前記受光素子上の絶縁膜と前記転送トランジスタの絶縁膜とは前記中間厚みの絶縁膜を介在してつながっており、
前記受光素子上の絶縁膜の上面と前記中間厚みの絶縁膜の上面とは前記受光素子上の絶縁膜と前記中間厚みの絶縁膜との間で第１の段差を構成し、前記中間厚みの絶縁膜の上面と前記転送トランジスタの絶縁膜の上面とは前記中間厚みの絶縁膜と前記転送トランジスタの絶縁膜との間で第２の段差を構成する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記受光素子上の絶縁膜は、前記半導体基板の主表面に形成された第１導電型の第１の不純物領域と、前記第１の不純物領域とｐｎ接合を構成しかつ前記転送トランジスタの前記ソースとして機能する第２導電型の第２の不純物領域とを含み、
前記中間厚みの絶縁膜の直下の前記第１の不純物領域の前記半導体基板の厚み方向におけるピーク濃度の位置は、前記受光素子上の絶縁膜の直下の前記第１の不純物領域の前記半導体基板の厚み方向におけるピーク濃度の位置よりも前記主表面から浅い位置にある、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
主表面を有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板内に、光電変換を行なうための受光素子を形成する工程と、
前記主表面上の増幅トランジスタのゲート電極と前記増幅トランジスタのゲート電極および前記主表面の間に形成された増幅トランジスタの絶縁膜とを含む、信号電荷を増幅するための増幅トランジスタを形成する工程と、
前記受光素子の一部をソース領域として含み、かつ前記主表面上の転送トランジスタのゲート電極と前記転送トランジスタのゲート電極および前記主表面の間に形成された転送トランジスタの絶縁膜とを含む、前記受光素子において蓄積された前記信号電荷を前記増幅トランジスタに転送するための転送トランジスタを形成する工程と、
前記受光素子の真上の前記主表面上に受光素子上の絶縁膜を形成する工程とを備え、
前記転送トランジスタの絶縁膜に比べて、前記増幅トランジスタの絶縁膜および前記受光素子上の絶縁膜の少なくともいずれかが薄くなるように形成される、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記受光素子上の絶縁膜および前記転送トランジスタの絶縁膜を形成する工程は、前記転送トランジスタが形成される領域の前記主表面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜を覆うように、前記受光素子が形成される領域と前記転送トランジスタが形成される領域との双方の前記主表面上に第２の絶縁膜を形成する工程とを含み、
前記受光素子上の絶縁膜は、前記受光素子が形成される領域における前記第２の絶縁膜により形成され、前記転送トランジスタの絶縁膜は、前記転送トランジスタが形成される領域における前記第１および第２の絶縁膜により形成され、前記受光素子上の絶縁膜は前記転送トランジスタの絶縁膜より薄くなるように形成される、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記受光素子上の絶縁膜および前記転送トランジスタの絶縁膜を形成する工程は、前記転送トランジスタが形成される領域、および前記受光素子が形成される領域の前記主表面に沿う方向に関する前記転送トランジスタが形成される領域側の一部の領域の前記主表面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜を覆うように、前記受光素子が形成される領域と前記転送トランジスタが形成される領域との双方の前記主表面上に第２の絶縁膜を形成する工程とを含み、
前記転送トランジスタのゲート電極は、前記第１および第２の絶縁膜の双方が形成される領域と前記第２の絶縁膜のみが形成される領域との境界部よりも、前記主表面に沿う方向に関する前記転送トランジスタが形成される領域側に端部を有するように形成される、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記受光素子を形成する工程には、前記転送トランジスタの絶縁膜と前記受光素子上の絶縁膜との間の前記主表面上に形成される前記転送トランジスタの絶縁膜より薄くかつ前記受光素子上の絶縁膜よりも厚い厚みを有する中間厚みの絶縁膜、および前記受光素子上の絶縁膜越しに第１導電型の不純物を前記半導体基板内に注入することにより、前記受光素子を構成する第１導電型の第１の不純物領域を形成する工程と、前記中間厚みの絶縁膜および前記受光素子上の絶縁膜越しに第２導電型の不純物を前記半導体基板内に注入することにより、前記第１の不純物領域とｐｎ接合を構成する第２導電型の第２の不純物領域を形成する工程とを含む、請求項１０に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記受光素子上の絶縁膜、前記転送トランジスタの絶縁膜および前記増幅トランジスタの絶縁膜を形成する工程は、前記受光素子が形成される領域および前記転送トランジスタが形成される領域の前記主表面上に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜を覆うように、前記受光素子が形成される領域と、前記転送トランジスタが形成される領域と、前記増幅トランジスタが形成される領域との前記主表面上のすべてに第２の絶縁膜を形成する工程とを含み、
前記受光素子上の絶縁膜は、前記受光素子が形成される領域における前記第１および第２の絶縁膜により形成され、前記転送トランジスタの絶縁膜は、前記転送トランジスタが形成される領域における前記第１および第２の絶縁膜により形成され、前記増幅トランジスタの絶縁膜は、前記増幅トランジスタが形成される領域における前記第２の絶縁膜により形成され、前記増幅トランジスタの絶縁膜は前記転送トランジスタの絶縁膜より薄くなるように形成される、請求項８に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法に関し、特に、固体撮像素子を有する半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）センサを搭載したデジタルカメラの需要が高まっている。一眼レフカメラ、コンパクトデジタルカメラおよび携帯電話のカメラ等には、高画素数化、高画質化、処理速度の高速化、連続撮影可能枚数の増加などの各種の性能向上が求められる。
【０００３】
上記各種の性能向上のなかでも高画質化に対する要請は多い。上記各種カメラの高画質化を実現するためには、いわゆるＳ／Ｎ比（感度／ノイズの比）を大きくする必要がある。高感度を実現するためには、主にシリコンからなる半導体基板内のＣＭＯＳセンサを構成するフォトダイオードに入射する光を減衰させないことが挙げられ、また低ノイズを実現するためには、主にフォトダイオードと増幅トランジスタとの１／ｆノイズを低減することが考えられる。
【０００４】
上記の高感度を実現するためには、たとえばフォトダイオードの上面に接するように形成されるシリコン酸化膜をより薄くすることが考えられる。このような技術は、たとえば特開２０１０−２０６１８０号公報（特許文献１）および特開２０１０−４５２９２号公報（特許文献２）に開示されている。また上記の各公報とは異なる観点に基づき、ノイズを減らすことにより感度を高める技術は、たとえば特開２００７−１５０３６１号公報（特許文献３）に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２０６１８０号公報
【特許文献２】特開２０１０−４５２９２号公報
【特許文献３】特開２００７−１５０３６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１，２においては、フォトダイオードの上面に接するように形成されるシリコン酸化膜が薄くされるが、これと連続するように形成された、フォトダイオードからの信号電荷を転送するための転送トランジスタのゲート絶縁膜は薄く形成されていない。これは、転送トランジスタのゲート電極に印加可能な電圧を低下させないための配慮である。
【０００７】
しかしながら、フォトダイオードから転送トランジスタに転送されたデータを増幅するためのいわゆる増幅トランジスタがＭＯＳ（Metal Oxide Semiconductor）トランジスタにより形成される場合、この増幅トランジスタのゲート絶縁膜の厚みを制御することによっても高感度を実現することが可能である。しかるに特許文献１，２においてはこのような技術について考慮されていない。
【０００８】
また特許文献３においては、フォトダイオードの上面に接する浮遊拡散層と、転送トランジスタの浮遊拡散層との厚みがほぼ同じであり、そもそもフォトダイオードと転送トランジスタとの間で絶縁膜の厚みを変化させるという発想自体が開示されていない。
【０００９】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
一実施の形態に係る半導体装置は、主表面を有する半導体基板と、受光素子と、増幅トランジスタと、転送トランジスタと、受光素子上の絶縁膜とを備える。受光素子上の絶縁膜は、半導体基板内に形成された、光電変換を行なうためのものである。増幅トランジスタは、主表面上に形成された増幅トランジスタのゲート電極と増幅トランジスタのゲート電極および主表面の間に形成された増幅トランジスタの絶縁膜とを含む、信号電荷を増幅するためのものである。転送トランジスタは、受光素子の一部をソース領域として含み、かつ主表面上に形成された転送トランジスタのゲート電極と転送トランジスタのゲート電極および主表面の間に形成された転送トランジスタの絶縁膜とを含む、受光素子において蓄積された信号電荷を増幅トランジスタに転送するためのものである。受光素子上の絶縁膜は、受光素子の真上の主表面上に形成されている。転送トランジスタの絶縁膜に比べて、増幅トランジスタの絶縁膜および受光素子上の絶縁膜の少なくともいずれかが薄い。
【００１１】
一実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、まず主表面を有する半導体基板が準備される。上記半導体基板内に、光電変換を行なうための受光素子が形成される。上記主表面上の増幅トランジスタのゲート電極と増幅トランジスタのゲート電極および主表面の間に形成された増幅トランジスタの絶縁膜とを含む、信号電荷を増幅するための増幅トランジスタが形成される。上記受光素子の一部をソース領域として含み、かつ主表面上の転送トランジスタのゲート電極と転送トランジスタのゲート電極および主表面の間に形成された転送トランジスタの絶縁膜とを含む、受光素子において蓄積された信号電荷を増幅トランジスタに転送するための転送トランジスタが形成される。上記受光素子の真上の主表面上に受光素子上の絶縁膜が形成される。上記転送トランジスタの絶縁膜に比べて、増幅トランジスタの絶縁膜および受光素子上の絶縁膜の少なくともいずれかが薄くなるように形成される。
【発明の効果】
【００１２】
一実施の形態によれば、転送トランジスタの転送特性を低下させることなく、より確実に半導体装置のＳ／Ｎ比を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】一実施の形態に係る半導体装置であってウェハの状態を示す概略平面図である。
【図２】図１の点線で囲まれた領域ＩＩの概略図である。
【図３】図２の画素部の構成を示す概略平面図である。
【図４】実施の形態１における画素部および周辺回路部の構成を示す概略断面図である。
【図５】実施の形態１における画素部に形成される絶縁膜の厚みの関係を説明するための概略断面図である。
【図６】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図７】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図８】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図９】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図１０】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第５工程を示す概略断面図である。
【図１１】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第６工程を示す概略断面図である。
【図１２】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第７工程を示す概略断面図である。
【図１３】実施の形態１における半導体装置の製造方法の第８工程を示す概略断面図である。
【図１４】実施の形態２における画素部および周辺回路部の構成を示す概略断面図である。
【図１５】実施の形態２における画素部に形成される絶縁膜の厚みの関係を説明するための概略断面図である。
【図１６】実施の形態２における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図１７】実施の形態２における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図１８】実施の形態２における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図１９】実施の形態２における半導体装置の製造方法の第４工程を示す概略断面図である。
【図２０】実施の形態３における画素部および周辺回路部の構成を示す概略断面図である。
【図２１】実施の形態３における画素部に形成される絶縁膜の厚みの関係を説明するための概略断面図である。
【図２２】実施の形態４における画素部および周辺回路部の構成を示す概略断面図である。
【図２３】実施の形態４における画素部に形成される絶縁膜の厚みの関係を説明するための概略断面図である。
【図２４】図２５および図２６を説明するための概略図である。
【図２５】図２４中の直線Ｓ１およびＳ２上の不純物濃度のシミュレーション結果を示すグラフである。
【図２６】図２５中の丸点線で囲まれた領域ＸＸＶＩの拡大図である。
【図２７】実施の形態４における半導体装置の製造方法の第１工程を示す概略断面図である。
【図２８】実施の形態４における半導体装置の製造方法の第２工程を示す概略断面図である。
【図２９】実施の形態４における半導体装置の製造方法の第３工程を示す概略断面図である。
【図３０】実施の形態４の比較例を説明する概略断面図である。
【図３１】実施の形態４の作用効果を説明する概略断面図である。
【図３２】実施の形態５における画素部および周辺回路部の構成を示す概略断面図である。
【図３３】実施の形態５における画素部に形成される絶縁膜の厚みの関係を説明するための概略断面図である。
【図３４】実施の形態６における画素部および周辺回路部の構成を示す概略断面図である。
【図３５】実施の形態７の画素部の構成を示す概略平面図である。
【図３６】図３５の画素部に形成される固体撮像素子の、フィルタの色別の配置の一例を示す概略平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、一実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
まず一実施の形態の半導体装置の半導体基板の主表面における各素子形成領域の配置について図１〜図３を用いて説明する。
【００１５】
図１を参照して、半導体装置は、半導体基板ＳＵＢをベースとする半導体ウェハＳＣＷに形成されている。半導体ウェハＳＣＷには、複数のＣＭＯＳセンサ用のチップ領域ＩＭＣが形成されている。複数のチップ領域ＩＭＣの各々は矩形の平面形状を有し、行列状に配置されている。また複数のチップ領域ＩＭＣの間には、ダイシングライン領域ＤＬＲが形成されている。
【００１６】
図２を参照して、各々のチップ領域ＩＭＣは画素部と周辺回路部とを有している。画素部はチップ領域ＩＭＣの中央部に形成され、周辺回路部は画素部の周囲を取り囲む領域に形成されている。
【００１７】
図３を参照して、画素部はフォトダイオードＰＤと、転送トランジスタＴＭＩと、増幅トランジスタＡＭＩと、選択トランジスタＳＭＩとを主に有しており、これらにより構成されるいわゆる固体撮像素子が複数、たとえば行列状に配置されている。なお図３においては複数のフォトダイオードＰＤが行列状に配置されているのに対し、増幅トランジスタＡＭＩおよび選択トランジスタＳＭＩは１つのみ示されているが、複数の増幅トランジスタＡＭＩおよび選択トランジスタＳＭＩが行列状に配置されていてもよい。転送トランジスタＴＭＩ、増幅トランジスタＡＭＩおよび選択トランジスタＳＭＩはいずれもソース領域およびドレイン領域を有するいわゆるＭＯＳトランジスタである。
【００１８】
フォトダイオードＰＤは、画素部が受けた光の信号を光電変換により信号電荷に変換するための受光素子である。増幅トランジスタＡＭＩは、フォトダイオードＰＤの光電変換による信号電荷を増幅するためのＭＯＳトランジスタである。転送トランジスタＴＭＩは、フォトダイオードＰＤにおいて変換され蓄積された信号電荷を増幅トランジスタＡＭＩに転送するためのＭＯＳトランジスタである。
【００１９】
選択トランジスタＳＭＩは、行列状に配置された画素が接続される行選択線のうち任意の１行を選択し、当該１行の行選択線に接続される画素を選択するためのＭＯＳトランジスタである。
【００２０】
図４を参照して、ここでは図３に示す画素部のフォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＭＩ、増幅トランジスタＡＭＩおよび図２に示す周辺回路部の周辺トランジスタＰＭＩが説明の便宜上横１列に並んで示されているが、実際にはこのようにこれらの各素子が１列に並んでいなくてもよい。
【００２１】
図４を参照して、図２および図３に示す画素部のフォトダイオードＰＤは、半導体基板ＳＵＢ内に形成されており、転送トランジスタＴＭＩ、増幅トランジスタＡＭＩ、および周辺回路部の周辺トランジスタＰＭＩなどはいずれも、半導体基板ＳＵＢの主表面上に形成されている。図４においてはフォトダイオードＰＤが形成される領域をフォトダイオード部、転送トランジスタＴＭＩが形成される領域を転送Ｔｒ部、増幅トランジスタＡＭＩが形成される領域を増幅Ｔｒ部、周辺トランジスタＰＭＩが形成される領域を周辺Ｔｒ部と表記している。
【００２２】
フォトダイオードＰＤは、表面ｐ型領域ＳＰＲ（第１の不純物領域）と、ｎ型領域ＮＲ（第２の不純物領域）とを有している。表面ｐ型領域ＳＰＲは半導体基板ＳＵＢの主表面に形成されたｐ型（第１導電型）の不純物領域であり、半導体基板ＳＵＢの主表面に沿うように広がっている。一方、ｎ型領域ＮＲは半導体基板ＳＵＢの主表面に形成されたｎ型（第２導電型）の不純物領域であり、表面ｐ型領域ＳＰＲの周囲を取り囲むことによりｎ型領域ＮＲと表面ｐ型領域ＳＰＲとがｐｎ接合を構成するように配置される。言い換えれば、表面ｐ型領域ＳＰＲはｎ型領域ＮＲ内の半導体基板ＳＵＢの主表面に形成されている。
【００２３】
フォトダイオードＰＤのｎ型領域ＮＲは、転送トランジスタＴＭＩのソース領域として機能する。このことについて以下にくわしく説明する。
【００２４】
転送トランジスタＴＭＩは、転送トランジスタの絶縁膜ＴＧＩと、転送トランジスタのゲート電極ＴＧと、側壁絶縁膜ＳＷとを主に有しており、反射防止膜ＡＲＦ、半導体基板ＳＵＢ内のフォトダイオードＰＤ、および半導体基板ＳＵＢ内のｎ型領域ＮＲをさらに含む構成となっている。
【００２５】
すなわち図４における転送トランジスタＴＭＩは、そのソース領域としてフォトダイオードＰＤ（のｎ型領域ＮＲ）を含んでいる。フォトダイオードＰＤの一部であるｎ型領域ＮＲがソース領域としてゲート電極ＴＧの左側に形成されているのに対し、ゲート電極ＴＧの右側には、転送トランジスタＴＭＩのドレイン領域としてのｎ型領域ＮＲが形成されている。フォトダイオードＰＤの一部であるソース領域としてのｎ型領域ＮＲと、ドレイン領域としてのｎ型領域ＮＲとにより、転送トランジスタＴＭＩはｎ型ＭＯＳトランジスタとして機能する。このため転送トランジスタＴＭＩが形成される領域は厳密にはフォトダイオード部を含むと考えられるが、図４およびそれ以降の各図においては転送Ｔｒ部はフォトダイオード部を除く転送トランジスタＴＭＩの形成される領域として示されている。
【００２６】
絶縁膜ＴＧＩは転送トランジスタＴＭＩのゲート絶縁膜として半導体基板ＳＵＢの主表面に形成され、ゲート電極ＴＧは、絶縁膜ＴＧＩの上面に接するように形成されている。すなわち半導体基板ＳＵＢの主表面上の転送Ｔｒ部には、絶縁膜ＴＧＩとゲート電極ＴＧとがこの順に積層されている。逆にいえば、半導体基板ＳＵＢの主表面上の転送Ｔｒ部には、ゲート電極ＴＧと、ゲート電極ＴＧと半導体基板ＳＵＢの主表面との間に形成された絶縁膜ＴＧＩとを含む転送トランジスタＴＭＩが形成されている。
【００２７】
転送トランジスタＴＭＩの側壁絶縁膜ＳＷは、絶縁膜ＴＧＩとその真上のゲート電極ＴＧとの積層構造の側壁の一部を覆うように形成されている。ただし後述するように、上記積層構造の側壁の一部は反射防止膜ＡＲＦに覆われている。
【００２８】
フォトダイオードＰＤの真上の、半導体基板ＳＵＢの主表面上には受光素子上の絶縁膜ＤＧＩが形成されている。半導体基板ＳＵＢの主表面に沿う方向に関して、絶縁膜ＤＧＩは絶縁膜ＴＧＩと互いにつながっている。
【００２９】
また絶縁膜ＤＧＩの上面、ゲート電極ＴＧの上面および絶縁膜ＴＧＩとゲート電極ＴＧとの積層構造の側壁の一部を覆うように反射防止膜ＡＲＦが形成されている。反射防止膜ＡＲＦは、後述するレンズＬＮＳからフォトダイオードＰＤに向けて図４の下方（図中の矢印の方向）に進行する光の反射を抑制するために形成される。
【００３０】
増幅トランジスタＡＭＩは、増幅トランジスタの絶縁膜ＡＧＩと、増幅トランジスタのゲート電極ＡＧと、側壁絶縁膜ＳＷとを主に有しており、半導体基板ＳＵＢ内の１対のｎ型領域ＮＲをさらに含む構成となっている。絶縁膜ＡＧＩは、上記の絶縁膜ＴＧＩと同様に、増幅トランジスタＡＭＩのゲート絶縁膜として半導体基板ＳＵＢの主表面に形成されており、ゲート電極ＡＧは、絶縁膜ＡＧＩの上面に接するように形成されている。
【００３１】
すなわち半導体基板ＳＵＢの主表面上の増幅Ｔｒ部には、絶縁膜ＡＧＩとゲート電極ＡＧとがこの順に積層されている。逆にいえば、半導体基板ＳＵＢの主表面上の増幅Ｔｒ部には、ゲート電極ＡＧと、ゲート電極ＡＧと半導体基板ＳＵＢの主表面との間に形成された絶縁膜ＡＧＩとを含む増幅トランジスタＡＭＩが形成されている。なお１対のｎ型領域ＮＲのうち一方は増幅トランジスタＡＭＩのソース領域として、他方は増幅トランジスタＡＭＩのドレイン領域として、それぞれ機能する。
【００３２】
同様に、周辺トランジスタＰＭＩは、周辺トランジスタの絶縁膜ＰＧＩと、周辺トランジスタのゲート電極ＰＧと、側壁絶縁膜ＳＷとを主に有しており、半導体基板ＳＵＢ内の１対のｎ型領域ＮＲをソース領域およびドレイン領域としてさらに含む構成となっている。絶縁膜ＰＧＩも、絶縁膜ＴＧＩなどと同様に、半導体基板ＳＵＢの主表面に形成されている。
【００３３】
半導体基板ＳＵＢの主表面において、転送トランジスタＴＭＩ、増幅トランジスタＡＭＩおよび周辺トランジスタＰＭＩのそれぞれは、素子分離膜ＳＰＴにより互いに電気的に分離されている。
【００３４】
以上の絶縁膜ＤＧＩ、絶縁膜ＴＧＩ、絶縁膜ＡＧＩおよび絶縁膜ＰＧＩは後述のように厚みの差はあるものの、基本的に同一の層として形成されている。またゲート電極ＴＧ、ゲート電極ＡＧおよびゲート電極ＰＧは、同一の層として形成されている。
【００３５】
フォトダイオードＰＤ、転送トランジスタＴＭＩ、増幅トランジスタＡＭＩおよび周辺トランジスタＰＭＩを覆うように層間絶縁膜ＩＩ１が形成され、層間絶縁膜ＩＩ１を覆うように層間絶縁膜ＩＩ２が、層間絶縁膜ＩＩ２を覆うように層間絶縁膜ＩＩ３が、層間絶縁膜ＩＩ３を覆うように層間絶縁膜ＩＩ４が形成されている。図４においては上記のように層間絶縁膜が４層積層されているが、層間絶縁膜の積層される数は任意である。
【００３６】
また層間絶縁膜ＩＩ１、層間絶縁膜ＩＩ２のそれぞれの上面の一部に接するように金属配線ＬＥが形成されており、層間絶縁膜ＩＩ２、ＩＩ３は金属配線ＬＥを覆うように形成されている。さらに、層間絶縁膜ＩＩ３の上面の一部に接するように遮光膜ＬＳＦが形成されており、層間絶縁膜ＩＩ４の上面にはカラーフィルタＦＬＴおよびレンズＬＮＳが形成されている。
【００３７】
レンズＬＮＳはフォトダイオードＰＤに入射する光を取り込む機能を有する。カラーフィルタＦＬＴはフォトダイオードＰＤに入射する光を赤、緑または青のいずれかの波長の光に変換するためのフィルタである。すなわち画素部に配列される複数の固体撮像素子の間で、赤、緑または青のそれぞれのカラーフィルタＦＬＴが一定の個数割合で配列される。また遮光膜ＬＳＦは、レンズＬＮＳ以外の領域からフォトダイオードＰＤへの光の入射を抑制するために、レンズＬＮＳの真下（フォトダイオードＰＤの真上）以外の領域に形成されている。遮光膜ＬＳＦは、レンズＬＮＳの真下（フォトダイオードＰＤの真上）において開口部ＣＶを形成している。
【００３８】
図５は、図４の画素部における絶縁膜ＤＧＩ，ＴＧＩ，ＡＧＩの厚みの関係を説明するために絶縁膜ＤＧＩおよびゲート電極ＴＧ，ＡＧの部分を抽出した概略図である。図５を参照して、フォトダイオードＰＤの絶縁膜ＤＧＩの厚みＴ１は、転送トランジスタＴＭＩの絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２よりも薄くなっている。ただし増幅トランジスタＡＭＩの絶縁膜ＡＧＩの厚みＴ２は、転送トランジスタＴＭＩの絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２とほぼ等しくなっている。なお上記厚みＴ１は、厚みＴ２の半分以下の厚みであることが好ましい。
【００３９】
なおここで絶縁膜ＤＧＩの厚みＴ１とは、フォトダイオードＰＤの主要部分、すなわちフォトダイオードＰＤの平面視における中央部分の真上の絶縁膜ＤＧＩの厚みの平均値をいうものとし、絶縁膜ＴＧＩ、絶縁膜ＡＧＩの厚みとは、それぞれゲート電極ＴＧ、ゲート電極ＡＧの真下の絶縁膜ＴＧＩ、絶縁膜ＡＧＩの厚みの平均値をいうものとする。たとえば転送Ｔｒ部のうちゲート電極ＴＧの真下より半導体基板ＳＵＢの主表面に沿う方向に関してやや離れた領域における絶縁膜の厚みは、ゲート電極ＴＧの真下の絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２に比べてやや薄くなっているが、この領域における絶縁膜の厚みは考慮しない。
【００４０】
また上記の各絶縁膜は概ね半導体基板ＳＵＢの主表面に沿った上面形状を有しており、厚みのばらつきは上記厚みの平均値の５％以内であるとする。
【００４１】
図５を再度参照して、一実施の形態においては、転送Ｔｒ部におけるゲート電極ＴＧの真下の絶縁膜ＴＧＩは、半導体基板ＳＵＢの主表面に関するフォトダイオード部側の端部においてその厚みがＴ２からフォトダイオード部における絶縁膜ＤＧＩの厚みＴ１へと薄くなっており、かつ絶縁膜ＴＧＩと絶縁膜ＤＧＩとは互いにつながっている。
【００４２】
次に、図６〜図１３を参照しながら、一実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。なお図６〜図１３においては、図４と同様に、フォトダイオード部、転送Ｔｒ部、増幅Ｔｒ部および周辺Ｔｒ部が横１列に並んで示される。
【００４３】
図６を参照して、まずたとえばシリコンの単結晶からなる半導体基板ＳＵＢが準備される。次に一般公知の方法により、半導体基板ＳＵＢの主表面を転送Ｔｒ部（フォトダイオード部を含む）、増幅Ｔｒ部および周辺Ｔｒ部のそれぞれに分けるための素子分離膜ＳＰＴが形成される。
【００４４】
その後、通常の写真製版技術およびイオン注入技術により、必要に応じて半導体基板ＳＵＢ内には、図６に示されないウェル領域が形成される。たとえば半導体基板ＳＵＢがｎ型不純物を含み、ｎ型ＭＯＳトランジスタとしての転送トランジスタを形成する場合などにｐ型のウェル領域が形成される。
【００４５】
さらに通常の写真製版技術およびイオン注入技術により、必要に応じて半導体基板ＳＵＢ内の主表面近傍には、図６に示されないチャネル領域が形成される。このチャネル領域は、たとえば転送トランジスタのゲート電極などが形成される領域の真下の領域に形成される、微量の不純物が注入された領域である。
【００４６】
次に、たとえば通常の熱酸化法により、半導体基板ＳＵＢの主表面（素子分離膜ＳＰＴの上面を除く）にはシリコン酸化膜からなる第１の絶縁膜ＧＩ１が形成される。
【００４７】
図７を参照して、第１の絶縁膜ＧＩ１および素子分離膜ＳＰＴの上面に感光体としてのフォトレジストＰＨＲが塗布される。通常の写真製版技術およびエッチング技術により、転送Ｔｒ部、および増幅Ｔｒ部のフォトレジストＰＨＲが残存するように、第１の絶縁膜ＧＩ１がパターニングされる。その結果、転送Ｔｒ部、および増幅Ｔｒ部の半導体基板ＳＵＢの主表面上に第１の絶縁膜ＧＩ１のパターンが形成される。
【００４８】
図８を参照して、たとえば通常のＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、第１の絶縁膜ＧＩ１を覆うように、フォトダイオード部と転送Ｔｒ部と増幅Ｔｒ部と周辺Ｔｒ部とのすべてに（素子分離膜ＳＰＴの上面を含む）シリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜ＧＩ２が形成される。
【００４９】
図９を参照して、たとえば通常のＣＶＤ法により、第２の絶縁膜ＧＩ２および素子分離膜ＳＰＴを覆うように多結晶シリコンの薄膜が形成され、通常の写真製版技術およびエッチング技術により、ゲート電極ＴＧ、ゲート電極ＡＧおよびゲート電極ＰＧが形成される領域において当該多結晶シリコンの薄膜が残存するようにパターニングされる。その結果、多結晶シリコンからなるゲート電極ＴＧ、ゲート電極ＡＧおよびゲート電極ＰＧが形成される。この写真製版技術の後のエッチングの際、多結晶シリコンの薄膜が除去されることにより露出される第２の絶縁膜ＧＩ２も少しエッチングされて厚みがやや薄くなる。
【００５０】
ゲート電極ＴＧは転送Ｔｒ部の一部、特に第１の絶縁膜ＧＩ１と第２の絶縁膜ＧＩ２とが積層された領域の真上の一部に形成される。特にゲート電極ＴＧは、図９の左側の端部が、第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２の双方が形成される領域（転送Ｔｒ部）と第２の絶縁膜ＧＩ２のみが形成される領域（フォトダイオード部）との境界部とほぼ一致するように形成されることが好ましい。すなわちゲート電極ＴＧの左側の側壁が、上記境界部における絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２がなす段差の側壁とほぼ同一平面（いわゆるツライチ）となるように形成される。
【００５１】
以上により、フォトダイオード部のフォトダイオードＰＤの真上の、半導体基板ＳＵＢの主表面上には第２の絶縁膜ＧＩ２からなる絶縁膜ＤＧＩが、周辺Ｔｒ部には第２の絶縁膜ＧＩ２からなる絶縁膜ＰＧＩが形成される。また転送Ｔｒ部には第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２からなる絶縁膜ＴＧＩが、増幅Ｔｒ部には第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２からなる絶縁膜ＡＧＩが、それぞれ形成される。その結果、絶縁膜ＤＧＩは絶縁膜ＴＧＩより薄くなるように形成される。
【００５２】
図１０を参照して、通常の写真製版技術およびイオン注入技術により、フォトダイオード部における半導体基板ＳＵＢ内には、ｎ型領域ＮＲおよび表面ｐ型領域ＳＰＲがこの順に形成され、これらによりフォトダイオードＰＤが形成される。また図示されないが、フォトダイオードＰＤのｎ型領域ＮＲが形成されるのと同時に、トランジスタＴＧＩ，ＡＧＩ，ＰＧＩのそれぞれが形成される領域においても、ソース領域およびドレイン領域が形成される領域にはｎ型領域ＮＲが形成される。転送トランジスタＴＭＩのドレイン領域が形成される領域にも同様にｎ型領域ＮＲが形成される。
【００５３】
図１１を参照して、たとえば通常のＣＶＤ法およびエッチバックにより、たとえばシリコン酸化膜とシリコン窒化膜とがこの順に積層された構成を有する側壁絶縁膜ＳＷおよび反射防止膜ＡＲＦが同時に形成される。
【００５４】
以上により、半導体基板ＳＵＢの主表面上には、ゲート電極ＡＧと、ゲート電極ＡＧおよび主表面の間に形成された絶縁膜ＡＧＩとを含む増幅トランジスタＡＭＩが形成される。同様にゲート電極ＰＧと、ゲート電極ＰＧおよび主表面の間に形成された絶縁膜ＰＧＩとを含む周辺トランジスタＰＭＩが形成される。さらに、フォトダイオードＰＤの一部であるｎ型領域ＮＲをソース領域として含み、かつ半導体基板ＳＵＢの主表面上のゲート電極ＴＧと、ゲート電極ＴＧおよび主表面の間に形成された絶縁膜ＴＧＩとを含む転送トランジスタＴＭＩが形成される。
【００５５】
図１２を参照して、たとえばＣＶＤ法を用いて、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜ＩＩ１が形成される。その後、当該層間絶縁膜ＩＩ１がＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）と呼ばれる化学機械的研磨法により上面が平坦となるように研磨される。さらに通常の写真製版技術およびエッチング技術により、ゲート電極ＴＧ、ゲート電極ＡＧおよびゲート電極ＰＧに達するように層間絶縁膜ＩＩ１にビアホールＶＡが形成される。層間絶縁膜ＩＩ１（シリコン酸化膜）とゲート電極ＴＧ，ＡＧ，ＰＧ（多結晶シリコン）とのエッチング選択比の差を利用して、ゲート電極ＴＧ，ＡＧ，ＰＧの上面に達したところでエッチングが終了することにより、ビアホールＶＡが形成される。
【００５６】
なおゲート電極ＴＧ上には反射防止膜ＡＲＦとしてのシリコン酸化膜およびシリコン窒化膜が形成されるが、ゲート電極ＴＧと上層とを導通するために、ゲート電極ＴＧ上のビアホールＶＡは反射防止膜ＡＲＦの一部を貫通するように形成される。
【００５７】
次に、ビアホールＶＡの内部にたとえばタングステンよりなる導電膜が充填されることにより、ビアホールＶＡの内部にはコンタクトＣＴが形成される。この処理においてはたとえばＣＶＤ法が用いられ、層間絶縁膜ＩＩ１上にもタングステンの薄膜が形成される。層間絶縁膜ＩＩ１上のタングステンの薄膜はＣＭＰにより除去される。
【００５８】
図１３を参照して、層間絶縁膜ＩＩ１上にはたとえばアルミニウムからなる薄膜が、たとえばスパッタリングにより形成される。そして通常の写真製版技術およびエッチング技術により、コンタクトＣＴの真上にはたとえばアルミニウムからなる金属配線ＬＥが形成される。
【００５９】
次に、層間絶縁膜ＩＩ１および金属配線ＬＥを覆うようにシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜ＩＩ２が形成され、所望の領域（金属配線ＬＥ上）に、金属配線ＬＥ上に達するように図１２のビアＶＡと同様のビアが形成される。次に図１２の工程と同様にそのビアの内部にたとえばタングステンよりなる導電膜が充填されることによりコンタクトＣＴが形成される。
【００６０】
さらに上記と同様の工程により、層間絶縁膜ＩＩ２のコンタクトＣＴの真上にはたとえばアルミニウムからなる金属配線ＬＥが形成され、層間絶縁膜ＩＩ２および金属配線ＬＥを覆うようにシリコン酸化膜からなる層間絶縁膜ＩＩ３が形成される。
【００６１】
層間絶縁膜ＩＩ３上にはたとえばアルミニウムやタングステンなどの光に対する透過性の低い金属材料の薄膜が、たとえばスパッタリングにより形成される。そして通常の写真製版技術およびエッチング技術により、フォトダイオードＰＤの真上以外の領域に残存するように当該金属材料の薄膜がパターニングされ、遮光膜ＬＳＦが形成される。
【００６２】
図４を参照して、その後、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜ＩＩ４が形成され、層間絶縁膜ＩＩ４上のフォトダイオードＰＤの真上にはカラーフィルタＦＬＴおよびレンズＬＮＳが形成される。以上の各工程により一実施の形態の固体撮像素子を有する半導体装置が形成される。
【００６３】
次に、一実施の形態の作用効果を説明する。
一実施の形態においては、絶縁膜ＤＧＩが第２の絶縁膜ＧＩ２により構成され、絶縁膜ＴＧＩが第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２により構成される。このため絶縁膜ＤＧＩが絶縁膜ＴＧＩよりも薄くなるように形成される。
【００６４】
上記一実施の形態の比較例として、たとえばフォトダイオードＰＤに入射する光の感度を高めるために絶縁膜ＤＧＩの厚みを薄くすることにより、絶縁膜ＴＧＩの厚みも併せて薄くなる場合がある。これは絶縁膜ＤＧＩと絶縁膜ＴＧＩとは通常同一の層として同時に形成されるためである。
【００６５】
転送トランジスタＴＭＩのゲート絶縁膜としての絶縁膜ＴＧＩの厚みが薄くなれば、ゲート電極ＴＧに印加できる電圧が小さくなるため、転送トランジスタＴＭＩが信号電荷を増幅トランジスタＡＭＩに転送する機能が低下する可能性がある。
【００６６】
そこで一実施の形態のように、絶縁膜ＴＧＩの厚みは薄くせずに絶縁膜ＤＧＩのみを薄くすることにより、転送トランジスタＴＭＩが信号電荷を増幅トランジスタＡＭＩに転送する機能を低下させることなく、フォトダイオードＰＤが光を取り込む感度を高めることができる。その結果、当該固体撮像素子のＳ／Ｎ比を大きくすることができる。
【００６７】
（実施の形態２）
本実施の形態は実施の形態１と比較して、絶縁膜の厚みの構成において異なっている。以下、図１４を参照しながら本実施の形態の半導体装置の構成について説明する。
【００６８】
図１４を参照して、本実施の形態は実施の形態１（図４）と基本的に同様の構成を備えている。また図１５は図５と同様に、図１４の画素部における絶縁膜ＤＧＩ，ＴＧＩ，ＡＧＩの厚みの関係を説明するために絶縁膜ＤＧＩなどおよびゲート電極ＴＧ，ＡＧの部分を抽出した概略図である。
【００６９】
図１５を参照して、本実施の形態においては、増幅トランジスタＡＭＩの絶縁膜ＡＧＩの厚みＴ１は、転送トランジスタＴＭＩの絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２よりも薄くなっている。なお上記厚みＴ１は、厚みＴ２の半分以下の厚みであることが好ましい。
【００７０】
フォトダイオードＰＤの絶縁膜ＤＧＩの厚みＴ２’は絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２よりも厳密にはやや薄いが、これは実施の形態１にて述べたようにゲート電極ＴＧをパターニングする際のエッチングにより絶縁膜ＤＧＩが同時に少しエッチングされることに基づく。しかし絶縁膜ＤＧＩの厚みＴ２’は絶縁膜ＡＧＩの厚みＴ１に比べて十分に厚く、以下本実施の形態においては絶縁膜ＤＧＩの厚みＴ２’は絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２に等しいものとする。
【００７１】
本実施の形態は実施の形態１に対して上記の点のみ異なっており、他の点においては実施の形態１と同様であるため、本実施の形態において実施の形態１と同一の構成要素に対しては同一の符号を付し、その説明を繰り返さない。
【００７２】
次に、図１６〜図１９を参照しながら、本実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。
【００７３】
図１６を参照して、図６と同様に半導体基板ＳＵＢが準備され、素子分離膜、ウェル領域およびチャネル領域が形成され、第１の絶縁膜ＧＩ１が形成される。第１の絶縁膜ＧＩ１および素子分離膜ＳＰＴの上面に感光体としてのフォトレジストＰＨＲが塗布される。
【００７４】
通常の写真製版技術およびエッチング技術により、フォトダイオード部および転送Ｔｒ部のフォトレジストＰＨＲが残存するように、第１の絶縁膜ＧＩ１がパターニングされる。その結果、フォトダイオード部および転送Ｔｒ部の半導体基板ＳＵＢの主表面上には第１の絶縁膜ＧＩ１のパターンが形成される。
【００７５】
図１７を参照して、たとえば通常のＣＶＤ法により、第１の絶縁膜ＧＩ１を覆うように、フォトダイオード部と転送Ｔｒ部と増幅Ｔｒ部と周辺Ｔｒ部とのすべてに（素子分離膜ＳＰＴの上面を含む）シリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜ＧＩ２が形成される。
【００７６】
図１８を参照して、図９の工程と同様に多結晶シリコンの薄膜が形成され、それがパターニングされることにより、ゲート電極ＴＧ、ゲート電極ＡＧおよびゲート電極ＰＧが形成される。上記のように、図１５の厚みＴ２’と厚みＴ２との差は、この工程におけるエッチングの際、多結晶シリコンの薄膜が除去されることにより露出される第２の絶縁膜ＧＩ２も少しエッチングされることに起因する。
【００７７】
以上により、フォトダイオード部のフォトダイオードＰＤの真上の、半導体基板ＳＵＢの主表面上には第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２からなる絶縁膜ＤＧＩが、転送Ｔｒ部には第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２からなる絶縁膜ＴＧＩが形成される。また増幅Ｔｒ部には第２の絶縁膜ＧＩ２からなる絶縁膜ＡＧＩが、周辺Ｔｒ部には第２の絶縁膜ＧＩ２からなる絶縁膜ＰＧＩが形成される。その結果、絶縁膜ＡＧＩは絶縁膜ＴＧＩよりも薄くなるように形成される。なおここでも半導体基板ＳＵＢの主表面に沿う方向に関して、絶縁膜ＤＧＩは絶縁膜ＴＧＩと互いにつながっている。
【００７８】
図１９を参照して、以下、実施の形態１の図１０〜図１３に示す各工程がなされ、さらにその後実施の形態１と同様に層間絶縁膜ＩＩ４、カラーフィルタＦＬＴおよびレンズＬＮＳが形成される。以上の各工程により、図１４に示す本実施の形態の固体撮像素子を有する半導体装置が形成される。
【００７９】
次に、本実施の形態の作用効果を説明する。
本実施の形態においては、絶縁膜ＡＧＩが第２の絶縁膜ＧＩ２により構成され、絶縁膜ＴＧＩが第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２により構成される。このため絶縁膜ＡＧＩが絶縁膜ＴＧＩよりも薄くなるように形成される。
【００８０】
絶縁膜ＡＧＩを薄くすることにより、増幅トランジスタＡＭＩのいわゆる１／ｆノイズを減少することができ、その結果として当該固体撮像素子のＳ／Ｎ比を大きくすることができる。これは１／ｆノイズは一般的にＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の界面準位で発生すると考えられているためであり、界面準位の影響を少なくする手段として、増幅トランジスタＡＭＩのゲート絶縁膜である絶縁膜ＡＧＩの厚みを薄くしてその体積を減少させることが考えられている。このようにすれば、１／ｆノイズを低減することができる。
【００８１】
ただし絶縁膜ＡＧＩの厚みを薄くする際に、同時に転送トランジスタＴＭＩの絶縁膜ＴＧＩの厚みを薄くすれば、上記のように転送特性が劣化する可能性がある。そこで絶縁膜ＴＧＩを薄くせずに絶縁膜ＡＧＩを薄くする、すなわち絶縁膜ＡＧＩが絶縁膜ＴＧＩより薄くなるように形成することにより、転送トランジスタＴＭＩが信号電荷を増幅トランジスタＡＭＩに転送する機能を低下させることなく、１／ｆノイズを低減することができる。その結果、当該固体撮像素子のＳ／Ｎ比を大きくすることができる。
【００８２】
以上の実施の形態１，２より、絶縁膜ＴＧＩに比べて、絶縁膜ＡＧＩおよび絶縁膜ＤＧＩの少なくともいずれかが薄くなれば、転送トランジスタＴＭＩの転送特性を確保しつつ固体撮像素子のＳ／Ｎ比を大きくすることができることがわかる。また絶縁膜ＡＧＩおよび絶縁膜ＤＧＩの少なくともいずれかの厚みを絶縁膜ＴＧＩの厚みの半分以下とすることにより、上記の効果をより高めることができる。
【００８３】
（実施の形態３）
図２０および図２１を参照して、本実施の形態は、実施の形態１の構成と実施の形態２の構成とを組み合わせたものである。すなわち、転送トランジスタＴＭＩの絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２に対して、絶縁膜ＤＧＩおよび絶縁膜ＡＧＩの双方の厚みＴ１が薄くなっている。
【００８４】
この場合、絶縁膜ＴＧＩに比べて薄い絶縁膜ＤＧＩによるフォトダイオードＰＤの光の感度の向上と、絶縁膜ＴＧＩに比べて薄い絶縁膜ＡＧＩによる１／ｆノイズの低減との双方の効果を、転送トランジスタＴＭＩの転送特性の劣化を伴わずに奏することができる。
【００８５】
（実施の形態４）
本実施の形態は実施の形態１と比較して、絶縁膜の厚みの構成において異なっている。以下、図２２を参照しながら本実施の形態の半導体装置の構成について説明する。
【００８６】
図２２を参照して、本実施の形態は実施の形態１（図４）と基本的に同様の構成を備えている。また図２３は図５と同様に、絶縁膜ＤＧＩなどおよびゲート電極ＴＧ，ＡＧの部分を抽出した概略図である。
【００８７】
図２３を参照して、本実施の形態においては、絶縁膜ＤＧＩの厚みＴ１は絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２よりも薄くなっている。ただしここでも絶縁膜ＤＧＩの厚みＴ１とは、フォトダイオードＰＤの主要部分、すなわちフォトダイオードＰＤの平面視における中央部分の真上の絶縁膜ＤＧＩの厚みをいうものとする。
【００８８】
図２２および図２３を参照して、絶縁膜ＴＧＩと絶縁膜ＤＧＩとの間の、半導体基板ＳＵＢの主表面上に、中間厚みの絶縁膜ＭＧＩを備えている。中間厚みの絶縁膜ＭＧＩとは絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２よりも薄く、絶縁膜ＤＧＩの厚みＴ１よりも厚い、すなわち厚みＴ１と厚みＴ２との中間の厚みＴ３を有している絶縁膜を意味する。絶縁膜ＭＧＩは、フォトダイオード部のうち転送Ｔｒ部に近い側の領域（平面視におけるフォトダイオードＰＤの転送トランジスタＴＭＩに近い周辺部）に、フォトダイオード部の中央部分の絶縁膜ＤＧＩと、転送Ｔｒ部の絶縁膜ＴＧＩとの橋渡しをするように介在する領域である。
【００８９】
絶縁膜ＭＧＩは絶縁膜ＴＧＩおよび絶縁膜ＤＧＩと互いにつながっている。言い換えれば絶縁膜ＤＧＩと絶縁膜ＴＧＩとは絶縁膜ＭＧＩを介在してつながっている。したがって絶縁膜ＭＧＩは、絶縁膜ＴＧＩおよび絶縁膜ＤＧＩと厚みが異なるものの、絶縁膜ＤＧＩ、および絶縁膜ＴＧＩの一部と同一の層として形成されている。
【００９０】
絶縁膜ＤＧＩの上面と絶縁膜ＭＧＩの上面とは、絶縁膜ＤＧＩと絶縁膜ＭＧＩとの間で段差（第１の段差）を構成しており、絶縁膜ＤＧＩと絶縁膜ＭＧＩとは階段状の断面形状を構成している。また絶縁膜ＭＧＩの上面と絶縁膜ＴＧＩの上面とは、絶縁膜ＭＧＩと絶縁膜ＴＧＩとの間で段差（第２の段差）を構成しており、絶縁膜ＭＧＩと絶縁膜ＴＧＩとは階段状の断面形状を構成している。したがって絶縁膜ＴＧＩと絶縁膜ＤＧＩとの間には絶縁膜ＭＧＩが介在するものの、絶縁膜ＴＧＩの上面と絶縁膜ＤＧＩの上面とは、段差を構成している。なおここでいう段差とは、各絶縁膜の厚みの誤差（ばらつき）に起因するラフネスではなく、半導体基板ＳＵＢの主表面に沿う厚み各絶縁膜の厚みが明らかに変化して、たとえば絶縁膜ＭＧＩの端部ＥＤ１のような側面を形成する程度の段差を意味するものとする。
【００９１】
本実施の形態においては、絶縁膜ＤＧＩの厚みＴ１は、絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２の半分以下であることが好ましい。また図２３においては、絶縁膜ＡＧＩの厚みは絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２と同じとなっている。
【００９２】
フォトダイオード部の中央部分の絶縁膜ＤＧＩと、転送Ｔｒ部の絶縁膜ＴＧＩとの間には、両者の橋渡しをするように絶縁膜ＭＧＩが介在する。このため絶縁膜ＤＧＩの転送絶縁膜に近い側の端部ＥＤ１（矢印Ａで示す箇所）は、ゲート電極ＴＧの端部ＥＤ２（図２３の左側の側壁であり、矢印Ｂで示す箇所）と一致せず、端部ＥＤ１は端部ＥＤ２から半導体基板ＳＵＢの主表面に沿う方向に距離Ｗだけ離れている。この距離Ｗは絶縁膜ＭＧＩの幅を示しており、幅Ｗは絶縁膜のエッチングに用いるフォトレジストＰＨＲの重ね精度により決まる値である。たとえば、いわゆる０．２５μｍデザインルール世代では上記幅Ｗは１００ｎｍ程度となるため、この場合は上記幅Ｗは１００ｎｍ以上形成されることが好ましい。
【００９３】
以上のように、絶縁膜ＤＧＩ、絶縁膜ＭＧＩおよび絶縁膜ＴＧＩのそれぞれが半導体基板ＳＵＢの主表面に沿う厚みが異なっており互いに段差を構成するようにつながっている。すなわち絶縁膜ＤＧＩ、絶縁膜ＭＧＩおよび絶縁膜ＴＧＩは合計３段の階段状の段差を構成している。
【００９４】
本実施の形態においてはフォトダイオードＰＤを構成する表面ｐ型領域ＳＰＲおよびｎ型領域ＮＲの断面形状が、実施の形態１のフォトダイオードＰＤと異なっている。本実施の形態のフォトダイオードＰＤは、フォトダイオード部のほぼ全体、すなわちフォトダイオード部の中央部分の絶縁膜ＤＧＩの直下、およびフォトダイオード部の縁部の絶縁膜ＭＧＩの直下の双方を跨ぐように形成されている。
【００９５】
図２２〜図２４を参照して、絶縁膜ＭＧＩの直下の表面ｐ型領域ＳＰＲの、半導体基板ＳＵＢの厚み方向（図２２〜図２４の上下方向）におけるピーク濃度の位置は、絶縁膜ＤＧＩの直下の表面ｐ型領域ＳＰＲの、半導体基板ＳＵＢの厚み方向におけるピーク濃度の位置よりも、半導体基板ＳＵＢの主表面から浅い位置にある。すなわち図２４において絶縁膜ＭＧＩの直下を延びる直線Ｓ２上における表面ｐ型領域ＳＰＲの厚みは、絶縁膜ＤＧＩの直下を延びる直線Ｓ１上における表面ｐ型領域ＳＰＲの厚みに比べて薄い。同様に、図２４において絶縁膜ＭＧＩの直下を延びる直線Ｓ２上におけるｎ型領域ＮＲ（上方の表面ｐ型領域ＳＰＲを含む）の厚みは、絶縁膜ＤＧＩの直下を延びる直線Ｓ１上におけるｎ型領域ＮＲの厚みに比べて薄い。
【００９６】
図２５を参照して、グラフの横軸は半導体基板ＳＵＢの主表面からの、図２４の下方向へのシリコンの半導体基板ＳＵＢの深さ（Ｓｉ深さ）を示しており、グラフの縦軸はｎ型またはｐ型の不純物の濃度を示している。すなわち図２５の横軸の座標が０の位置は図２４の絶縁膜ＤＧＩ，ＭＧＩと表面ｐ型領域ＳＰＲとの境界を示し、図２５の横軸の座標値が大きくなるにつれて半導体基板ＳＵＢの主表面から深い位置に進むことを意味する。また図２５中の曲線「ｎ型（Ｓ１）」は直線Ｓ１上におけるｎ型不純物の濃度を、図２５中の曲線「Ｓ１」は直線Ｓ１上におけるｐ型不純物の濃度を、図２５中の曲線「Ｓ２」は直線Ｓ２上におけるｐ型不純物の濃度を、それぞれ示している。
【００９７】
図２５および図２６を参照して、ｐ型不純物の濃度は、特に半導体基板ＳＵＢの表面近傍の比較的浅い領域において、絶縁膜ＤＧＩの真下（Ｓ１）と絶縁膜ＭＧＩの真下（Ｓ２）との間で差が顕れている。具体的には絶縁膜ＤＧＩの真下においては半導体基板ＳＵＢの表面よりもやや深い領域にｐ型不純物のピーク濃度が現れるのに対し、絶縁膜ＭＧＩの真下においては半導体基板ＳＵＢの表面においてｐ型不純物のピーク濃度が現れ、そこから深くなるにつれてｐ型不純物の濃度が単調に減少している。
【００９８】
一方、半導体基板ＳＵＢの主表面から十分に深い領域においては、絶縁膜ＤＧＩの真下（Ｓ１）と絶縁膜ＭＧＩの真下（Ｓ２）との間にｐ型不純物濃度の差はほとんど見られない。
【００９９】
次に、図２７〜図２８を参照しながら、一実施の形態の半導体装置の製造方法について説明する。
【０１００】
図２７を参照して、図６と同様に半導体基板ＳＵＢが準備され、素子分離膜、ウェル領域およびチャネル領域が形成され、第１の絶縁膜ＧＩ１が形成される。
【０１０１】
通常の写真製版技術およびエッチング技術により、転送Ｔｒ部、増幅Ｔｒ部、およびフォトダイオード部のうち主表面に沿う方向に関する転送Ｔｒ部側（図２７の右側）の一部の領域のフォトレジストＰＨＲが残存するように、第１の絶縁膜ＧＩ１がパターニングされる。その結果、転送Ｔｒ部、およびフォトダイオード部のうち主表面に沿う方向に関する転送Ｔｒ部側（図７の右側）の一部の領域の半導体基板ＳＵＢの主表面上に第１の絶縁膜ＧＩ１のパターンが形成される。
【０１０２】
次に、たとえば通常のＣＶＤ法により、第１の絶縁膜ＧＩ１を覆うように、フォトダイオード部と転送Ｔｒ部と増幅Ｔｒ部と周辺Ｔｒ部とのすべてに（素子分離膜ＳＰＴの上面を含む）シリコン酸化膜からなる第２の絶縁膜ＧＩ２が形成される。
【０１０３】
図２８を参照して、図９と同様に多結晶シリコンの薄膜が形成され、通常の写真製版技術およびエッチング技術により、多結晶シリコンからなるゲート電極ＴＧ、ゲート電極ＡＧおよびゲート電極ＰＧが形成される。
【０１０４】
ゲート電極ＴＧは転送Ｔｒ部の一部、特に第１の絶縁膜ＧＩ１と第２の絶縁膜ＧＩ２とが積層された領域の真上の一部に形成される。特にゲート電極ＴＧは、図２８の左側の端部が、第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２の双方が形成される領域と第２の絶縁膜ＧＩ２のみが形成される領域との境界部よりも、主表面に沿う方向に関する転送Ｔｒ部側（図２８の右側）に端部を有するように形成される。
【０１０５】
第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２の双方が形成される領域と第２の絶縁膜ＧＩ２のみが形成される領域との境界部は、図２７により、フォトダイオード部のうち比較的転送Ｔｒ部に近い箇所に形成され、当該境界部において絶縁膜ＧＩ２のみの領域と、絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２が積層された領域とが接合することにより絶縁膜の段差が形成されている。この段差が形成されている部分よりも図２８の右側に、ゲート電極ＴＧの左側の端部が形成される。
【０１０６】
上記の境界部（絶縁膜の段差が形成される箇所）と、ゲート電極ＴＧの左側の端部との間の領域においては、図９の工程と同様に、多結晶シリコンの薄膜のエッチングの際に、多結晶シリコンの薄膜が除去されることにより露出される第２の絶縁膜ＧＩ２も少しエッチングされて厚みがやや薄くなる。このため、ゲート電極ＴＧの直下の絶縁膜に比べて、上記境界部とゲート電極ＴＧの左側の端部との間の領域の絶縁膜は薄くなる。
【０１０７】
この結果、ゲート電極ＴＧの直下には第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２からなる絶縁膜ＴＧＩが形成され、上記境界部とゲート電極ＴＧの左側の端部との間の領域には第１および第２の絶縁膜ＧＩ１，ＧＩ２からなるが絶縁膜ＴＧＩより薄い絶縁膜ＭＧＩが形成される。またフォトダイオード部（絶縁膜ＭＧＩが形成される領域を除く）には、第２の絶縁膜ＧＩ２からなる絶縁膜ＤＧＩが形成される。したがって、絶縁膜ＤＧＩは絶縁膜ＭＧＩより薄く、絶縁膜ＭＧＩは絶縁膜ＴＧＩより薄くなるように形成され、これらの絶縁膜は合計３段の階段状の段差を構成するように、互いにつながっている。
【０１０８】
図２９を参照して、図１０と同様に、通常の写真製版技術およびイオン注入技術により、フォトダイオード部における半導体基板ＳＵＢ内には、ｎ型領域ＮＲおよび表面ｐ型領域ＳＰＲがこの順に形成され、これらによりフォトダイオードＰＤが形成される。
【０１０９】
ここで、フォトダイオード部には絶縁膜ＤＧＩと絶縁膜ＭＧＩとが形成されている。このため、イオン注入技術においては、絶縁膜ＭＧＩおよび絶縁膜ＤＧＩ越しにｐ型の不純物を半導体基板ＳＵＢ内に注入することにより表面ｐ型領域ＳＰＲが形成される。また絶縁膜ＭＧＩおよび絶縁膜ＤＧＩ越しにｎ型の不純物を半導体基板ＳＵＢ内に注入することにより、表面ｐ型領域ＳＰＲとｐｎ接合を構成するｎ型領域ＮＲが形成される。
【０１１０】
その後、実施の形態１の図１１〜図１３に示す各工程がなされ、さらにその後実施の形態１と同様に層間絶縁膜ＩＩ４、カラーフィルタＦＬＴおよびレンズＬＮＳが形成される。以上の各工程により、図２２に示す本実施の形態の固体撮像素子を有する半導体装置が形成される。
【０１１１】
次に、本実施の形態の作用効果を説明する。本実施の形態においては、実施の形態１の作用効果に加えて、以下の作用効果を有する。
【０１１２】
図３０の比較例を参照して、転送トランジスタのソース領域としてのフォトダイオードＰＤを構成する表面ｐ型領域ＳＰＲは、本来、フォトダイオードＰＤの暗電流を抑制するために、厚く形成することが好ましいといわれる。しかしながら、表面ｐ型領域ＳＰＲを厚くすると、ドレイン領域としてのｎ型領域ＮＲと図の上下方向の位置が等しい領域のうち、ソース領域としてのｎ型領域ＮＲ（フォトダイオードＰＤの一部）が配置される領域が狭くなる。このことは、転送トランジスタをＯＮにした際にソース領域としてのｎ型領域ＮＲからドレイン領域としてのｎ型領域ＮＲへ電子ｅ-が流れる間口が狭くなることを意味する。
【０１１３】
図３１を参照して、そこで本実施の形態のように、絶縁膜ＭＧＩの直下の表面ｐ型領域ＳＰＲの半導体基板ＳＵＢの厚み方向におけるピーク濃度の位置が、絶縁膜ＤＧＩの直下の表面ｐ型領域ＳＰＲの半導体基板ＳＵＢの厚み方向におけるピーク濃度の位置よりも、半導体基板ＳＵＢの主表面から浅い位置にあるようにすれば、上記間口を確保することができる。これは、たとえ絶縁膜ＤＧＩの直下の表面ｐ型領域ＳＰＲが厚くても、絶縁膜ＭＧＩの直下の表面ｐ型領域ＳＰＲが薄く形成されれば、絶縁膜ＭＧＩの真下のｎ型領域ＮＲはより上方に配置されるためである。
【０１１４】
絶縁膜ＭＧＩの真下のｎ型領域ＮＲがより上方に配置されれば、ドレイン領域としてのｎ型領域ＮＲと図の上下方向の位置が等しい領域にソース領域としてのｎ型領域ＮＲが配置される領域が広くなり、ソース領域としてのｎ型領域ＮＲからドレイン領域としてのｎ型領域ＮＲへ電子ｅ-が流れる間口を広くすることができる。したがって、たとえば絶縁膜ＤＧＩの直下の表面ｐ型領域ＳＰＲを厚く形成することによりフォトダイオードＰＤの暗電流を抑制しつつ、絶縁膜ＭＧＩの直下の表面ｐ型領域ＳＰＲをより薄くして、転送トランジスタの転送特性を確保することができる。
【０１１５】
上記のようなフォトダイオードＰＤの不純物濃度の分布を形成するためには、上記のように絶縁膜ＤＧＩと絶縁膜ＭＧＩとが段差を構成することが好ましい。このようにすれば、絶縁膜ＤＧＩは絶縁膜ＭＧＩよりも薄いために、絶縁膜ＤＧＩ越しに注入される不純物はより半導体基板ＳＵＢ内のより深い領域にピーク濃度を有するように形成される。それに対し絶縁膜ＭＧＩ越しに注入される不純物は、絶縁膜ＭＧＩが厚いためにたとえば絶縁膜ＭＧＩの内部に留まるなどする割合が増えるため、半導体基板ＳＵＢ内をあまり深く進行することなく、比較的浅い領域に分布するため、表面ｐ型領域ＳＰＲなどを比較的薄く形成することができる。
【０１１６】
（実施の形態５）
図３２および図３３を参照して、本実施の形態は、基本的に実施の形態４と同様の構成を備えているが、絶縁膜ＡＧＩが絶縁膜ＤＧＩと同じく、絶縁膜ＴＧＩの厚みＴ２に対して薄い厚みＴ１を有する構成となっている。このように絶縁膜ＡＧＩを薄く形成すれば、実施の形態４の作用効果に加え、実施の形態２と同様の効果をさらに奏することができる。
【０１１７】
（実施の形態６）
本実施の形態は実施の形態１と比較して、レンズの配置において異なっている。以下、図３４を参照しながら本実施の形態の半導体装置の構成について説明する。
【０１１８】
図３４を参照して、本実施の形態の半導体装置は、画素部の固体撮像素子を構成するカラーフィルタＦＬＴおよびレンズＬＮＳが、半導体基板ＳＵＢの、フォトダイオードＰＤなどが形成される側の主表面と反対側の主表面上に形成されている。すなわち図３４においては半導体基板ＳＵＢおよびその上部の層間絶縁膜ＩＩ１〜ＩＩ４などの積層構造が、実施の形態１〜５の当該積層構造と上下が反対になっており、光は層間絶縁膜ＩＩ４側からではなく半導体基板ＳＵＢ側から照射されるいわゆる裏面照射型の構成となっている。この点において、本実施の形態は、いわゆる表面照射型の構成となっている実施の形態１〜５の半導体装置の構成と異なっている。
【０１１９】
本実施の形態においては、たとえば実施の形態２と同様に、転送トランジスタＴＭＩの絶縁膜ＴＧＩの厚みよりも増幅トランジスタＡＭＩの絶縁膜ＡＧＩの厚みが薄くなっていることが好ましい。このようにすれば、実施の形態２と同様に、増幅トランジスタＡＭＩのいわゆる１／ｆノイズを減少することができ、その結果として当該固体撮像素子のＳ／Ｎ比を大きくすることができる。
【０１２０】
また図示されないが、本実施の形態においても、たとえば実施の形態４と同様に、絶縁膜ＭＧＩを備え、絶縁膜が合計３段の階段状の段差を構成していてもよい。このようにすれば、実施の形態４と同様に、たとえば絶縁膜ＤＧＩの直下の表面ｐ型領域ＳＰＲを厚く形成することによりフォトダイオードＰＤの暗電流を抑制しつつ、絶縁膜ＭＧＩの直下の表面ｐ型領域ＳＰＲをより薄くして、転送トランジスタの転送特性を確保することができる。
【０１２１】
（実施の形態７）
一実施の形態の画素部に複数配置される固体撮像素子の各々は、上記のように赤（Ｒ）、緑（Ｇ）または青（Ｂ）のいずれかの色のカラーフィルタを有している。図３５を参照して、たとえば横２行×縦２列に固体撮像素子が配置される場合、たとえば左上の固体撮像素子は赤のカラーフィルタ、右上および左下の固体撮像素子は緑のカラーフィルタ、右下の固体撮像素子は青のカラーフィルタを有することが考えられる。図３６を参照して、図３５に示すカラーフィルタの配色が繰り返されるように多数の固体撮像素子が行列状に配置されてもよい。
【０１２２】
なお、人間の目は緑色付近の波長を明るく感じやすい。このため一実施の形態の半導体装置を用いたＣＭＯＳセンサなどの高画質化を実現するためには、赤および青のカラーフィルタを有する固体撮像素子よりも緑のカラーフィルタを有する固体撮像素子の感度を高め、緑のカラーフィルタを有する固体撮像素子のＳ／Ｎ比を大きくすることが好ましい。
【０１２３】
比較例として、赤、緑または青のカラーフィルタＦＬＴ（図４参照）の厚みを調整することにより、当該カラーフィルタＦＬＴを有する固体撮像素子の感度を調整する方法がある。しかし本実施の形態においては、上記のように絶縁膜ＤＧＩおよび絶縁膜ＡＧＩが薄く形成されることにより固体撮像素子の感度が向上する。このため本実施の形態においてはカラーフィルタＦＬＴの膜厚による各固体撮像素子の感度の調整が不要になる。
【０１２４】
たとえば緑のカラーフィルタＦＬＴを有する固体撮像素子のみに対して本実施の形態のように絶縁膜ＤＧＩおよび絶縁膜ＡＧＩが薄く形成されてもよいし、赤、緑および青のすべてのカラーフィルタＦＬＴを有する固体撮像素子に対して本実施の形態のように絶縁膜ＤＧＩおよび絶縁膜ＡＧＩが薄く形成されてもよい。さらに、絶縁膜ＤＧＩおよび絶縁膜ＡＧＩが薄く形成され、さらにカラーフィルタＦＬＴの厚みが調整されることにより、各固体撮像素子の感度をさらに肌理細やかに向上することができる。
【０１２５】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１２６】
ＡＧ  増幅トランジスタのゲート電極、ＡＧＩ  増幅トランジスタの絶縁膜、ＡＭＩ  増幅トランジスタ、ＡＲＦ  反射防止膜、ＣＴ  コンタクト、ＤＧＩ  受光素子上の絶縁膜、ＤＬＲ  ダイシングライン領域、ＧＩ１  第１の絶縁膜、ＧＩ２  第２の絶縁膜、ＩＩ１，ＩＩ２，ＩＩ３，ＩＩ４  層間絶縁膜、ＩＭＣ  チップ領域、ＬＥ  金属配線、ＬＳＦ  遮光膜、ＭＧＩ  中間厚みの絶縁膜、ＮＲ  ｎ型領域、ＰＤ  フォトダイオード、ＰＧ  周辺トランジスタのゲート電極、ＰＧＩ  周辺トランジスタの絶縁膜、ＰＨＲ  フォトレジスト、ＰＭＩ  周辺トランジスタ、ＳＣＷ  半導体ウェハ、ＳＭＩ  選択トランジスタ、ＳＰＲ  表面ｐ型領域、ＳＰＴ  素子分離膜、ＳＵＢ  半導体基板、ＴＧ  転送トランジスタのゲート電極、ＴＧＩ  転送トランジスタの絶縁膜、ＴＭＩ  転送トランジスタ、ＶＡ  ビアホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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