(57)【要約】      （修正有）【課題】多層膜フィルタにより偏波分離を担う導波路デバイスにおいて多層膜フィルタを正しい位置に保持できる技術を提供する。【解決手段】光導波路デバイスの基板１０１に積層されたクラッド層の内部のコア層に、光導波路を形成するコア１０３Ａと同様の材料で構成された、偏波分離素子の位置を規定するための１対の位置決めコア１０３Ｂ、１０３Ｃが形成されている。保持溝１３０は、基板１０１の内部まで伸びるように形成され、偏波分離素子は、該保持溝１３０に挿入されることにより保持される。クラッド層から俯瞰するときに、位置決めコア１０３Ｂと１０３Ｃは、保持溝１３０の内部に露出している。【選択図】図４Ｈ
2014134593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に積層されたクラッド層と、
前記クラッド層の内部のコア層に設けられ、光導波路を形成する複数のコアと、
１つの前記コアにより導波された光に含まれるＴＥ偏光成分（ＴＥ：Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）とＴＭ偏光成分（ＴＭ：Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ）の片方の光を透過して他の２つの前記コアの片方に入射し、前記ＴＥ偏光成分とＴＭ偏光成分の他方の光を反射して前記２つのコアの他方に入射するように設けられた偏波分離素子とを有する光導波路デバイスであって、
前記偏波分離素子の位置を規定するために前記コア層に設けられ、前記複数のコアと同様の材料で構成された１対の位置決めコアと、
前記クラッド層の上表面から前記基板の内部まで伸びるように形成された溝とをさらに備え、
前記クラッド層から俯瞰するときに、前記１対の位置決めコアは、前記溝の内部に露出しており、
前記偏波分離素子は、前記溝に挿入されている、
光導波路デバイス。
【請求項２】
前記１対の位置決めコアの上表面は、クロム膜により覆われている、
請求項１に記載の光導波路デバイス。
【請求項３】
前記１対の位置決めコアは、前記光の通路以外の位置に設けられている、
請求項１または２に記載の光導波路デバイス。
【請求項４】
前記偏波分離素子は、複数の薄膜を積層してなる多層膜フィルタである、
請求項１から３のいずれか１項に記載の光導波路デバイス。
【請求項５】
基板上に積層されたクラッド層の内部のコア層に設けられ、光導波路を形成する複数のコアのうちの１つにより導波された光に含まれるＴＥ偏光成分（ＴＥ：Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）とＴＭ偏光成分（ＴＭ：Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ）の片方の光を透過して他の２つの前記コアの片方に入射し、前記ＴＥ偏光成分とＴＭ偏光成分の他方の光を反射して前記２つのコアの他方に入射するように設けられた偏波分離素子を備える光導波路デバイスの製造方法において、
前記コア層をパターニングして前記複数のコアを形成するパターニング工程と、
エッチングにより、前記クラッド層の上表面から前記基板の内部まで伸び、前記偏波分離素子を挿入するための溝を形成する溝形成工程とを有し、
前記パターニング工程において、
前記複数のコアの位置以外に、前記偏波分離素子の位置を規定するための一対の位置決めコアの位置もマスクすることにより前記１対の位置決めコアを形成し、
前記溝形成工程は、
前記クラッド層から前記基板の上表面までエッチングする第１のエッチング工程と、
前記基板の上表面から前記基板の内部までエッチングする第２のエッチング工程とを有し、
前記クラッド層から俯瞰するときに、前記１対の位置決めコアが、前記溝の内部に露出している、
光導波路デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、１００Ｇｂ／ｓを超える超高速通信において、波長利用効率、受信特性、分散補償能力に優れる偏波直交多重多値デジタル信号変調方式ＤＰ−ＱＰＳＫ（Ｄｕａｌ  Ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｄｉｆｆｅｒｅｎｔｉａｌ  Ｑｕａｄｒａｔｕｒｅ  Ｐｈａｓｅ  Ｓｈｉｆｔ  Ｋｅｙｉｎｇ）によるデジタルコヒーレント通信の検討が活発に行われている。ＤＰ−ＱＰＳＫ方式は、受信器において偏波分離する機能と、分離した光信号から位相情報を取り出すための９０°光ハイブリッド機能が必要とされる。このような機能を有する受信器について、高速データ通信を推進する業界団体であるＯＩＦ（Ｏｐｔｉｃａｌ  Ｉｎｔｅｒｎｅｔｗｏｒｋｉｎｇ  Ｆｏｒｕｍ）で標準化の検討が進んでおり、この仕様に則った受信器の開発が盛んに行われている。
【０００３】
このような受信器を実現するための回路として、光導波路技術を用いた平面光波回路が有力とされている。
【０００４】
図５は、非特許文献１における図１（ａ）に対して符号を追加したものであり、該文献に開示された光波回路１を示す。該光波回路１は、「ＰＢＳ」と記された部分が偏波分離機能を有する回路（偏光ビームスプリッター）であり、「９０°ＯＨ」と記された部分が位相情報を取り出す機能を有する回路（コヒーレントミキサー回路）である。また、光波回路１では、偏光ビームスプリッターＰＢＳは、マッハツェンダ干渉計で構成されており、偏波制御溝部１０と偏波制御溝部２０を備え、光導波路の複屈折率を制御して偏波分離機能を実現している。なお、図中ＴＭとＴＥは、夫々ＴＭモード（ＴＭ：Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ）とＴＥモード（ＴＥ：Ｔｒａｎｓｖｅｒｓｅ  Ｅｌｅｃｔｒｉｃ）を示す。これについて、以下の説明に用いられる各図においても同様である。尚、「ＰＢＳ」はＰｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ  Ｂｅａｍ  Ｓｐｌｉｔｔｅｒの略称であり、「ＯＨ」はＯｐｔｉｃａｌ  Ｈｙｂｒｉｄの略称である。
【０００５】
しかしながら、非特許文献１に開示されたように偏波分離機能を実現する方法では、複屈折率を高精度に制御することが求められ、生産性に問題がある。特に偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ）とコヒーレントミキサー回路（９０°ＯＨ）が集積されることを考慮すると、光波回路１全体の歩留りが、偏光ビームスプリッター（ＰＢＳ）とコヒーレントミキサー回路（９０°ＯＨ）の歩留りとの掛け算になるため、夫々の回路に対する歩留りの要求が高い。
【０００６】
また、紫外線や熱によって複屈折率をトリミングする方法もあるが、工程は繁雑であり、低コスト化が困難である。
【０００７】
上述した問題を回避する手法として、図６に示すように、エッジフィルタを積層して偏光分離素子を構成して、コヒーレントミキサー回路に集積する光導波路の構造が提案されている。
【０００８】
図６に示す構造では、薄膜を積層して得た多層膜フィルタにより偏波分離素子３０が構成され、干渉計４０と干渉計５０によりコヒーレントミキサー回路が構成される。なお、図６において、偏波分離素子３０から干渉計４０へ導かれる光導波路を表す２つの直線のうち、ＴＭ（Ｌ）は、局発光に含まれてＰＢＳで反射されるＴＭ偏光成分が伝搬する光導波路を示し、ＴＭ（Ｓ）は信号光に含まれてＰＢＳで反射されるＴＭ偏光成分が伝搬する光導波路を示す。また、偏波分離素子３０から干渉計５０へ導かれる光導波路を表す２つの直線のうち、ＴＥ（Ｌ）は、局発光に含まれてＰＢＳを透過するＴＥ偏光成分が伝搬する光導波路を示し、ＴＥ（Ｓ）は信号光に含まれてＰＢＳを透過するＴＥ偏光成分が伝搬する光導波路を示す。これらについて、以下の説明に用いられる各図においても同様である。
【０００９】
エッジフィルタは、ある光波長より長い波長帯域を透過するハイパスフィルタや、ある光波長より低い波長帯域を透過するローパスフィルタや、ある帯域のみ透過するバンドパスフィルタなどがある。異なる屈折率や膜厚のフィルタの薄膜を積層することで、所望の偏光機能を実現する。
【００１０】
このような多層膜フィルタは、積層面に対して垂直に光を入射して使用するのが一般的である。これは、薄膜が有する複屈折率により、入射した光の偏光状態によってフィルタ特性が変化してしまうからである。この偏光依存性はリタデーションと呼ばれ、光路長に比例する。従って、多層膜内での光の経路が最も短くなる垂直入射が、偏光状態に依存しない特性を実現する上で都合が良いことになる。
【００１１】
上述した多層膜フィルタの特徴を利用することにより偏波分離機能を実現することが可能となる。すなわち、積層面に対してある角度で光入射した場合、ある波長帯域において、ＴＭモードでは反射、ＴＥモードでは透過（またはその逆）とすることができる。図７はフィルタの透過スペクトルのイメージ例である。図示のように、該多層膜フィルタによれば、偏光分離帯域において、ＴＭモードでは反射し、ＴＥモードでは透過することが実現されている。
【００１２】
図６に示すように多層膜フィルタにより偏波分離機能回路を構成することにより、比較的安価な薄膜フィルタによって偏波分離機能を実現し、光導波路のコストダウンを図ることが可能である。また、多層膜フィルタにより偏波分離機能を担うため、コヒーレントミキサーと集積しても、歩留りはコヒーレントミキサーと独立して考えることができ、量産面でのメリットが高い。
【００１３】
なお、図６において、多層膜フィルタへの光の入射点と、多層膜フィルタからの、該光の反射光の出射点との間の距離Ｄが多層膜フィルタからの反射光をコアに効率良く結合させるための重要なパラメータであり、多層膜フィルタの群遅延特性で決定される。パラメータＤが設計値通りになるように多層膜フィルタを設置しないと、反射光とコアの間に結合損失が発生し、コヒーレントミキサーの挿入損失を増加させることになる。
【００１４】
特許文献１には、樹脂ブロックに光学部品を貼り付けてコアと共にクラッドにより覆われるようにして光導波回路の基板上に光学部品を固定する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００７−５８０９８号公報
【非特許文献】
【００１６】
【非特許文献１】平面光波回路を用いた偏波多重光ハイブリッドモジュール，２００９年電子情報通信学会エレクトロニクスソサイエティ大会，Ｃ−３−３９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１７】
図６に示す構成の光導波路における多層膜フィルタの保持に特許文献１に開示された技術を適用すると、樹脂ブロックに多層膜フィルタを貼り付けてコアと共にクラッドにより覆われるようにすることになる。
【００１８】
しかし、多層膜フィルタを構成する各膜が非常に薄いため、通常数μｍ程度であるコア層の厚みでは、多層膜フィルタを保持することが困難である。
【００１９】
そこで、例えば、基板の、干渉計４０と干渉計５０の間に当たる位置に細い溝を形成し、多層膜フィルタを挿入して接着剤により固定する方法が考えられる。
【００２０】
基板上に多層膜フィルタを挿入する溝を形成する方法としては、ダイサー加工、レーザ加工など、いくつかの方法が考えられるが、位置精度や加工形状の精密さの視点から、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）プロセスで使用されるボッシュプロセスを利用することが好適と言える。ボッシュプロセスはエッチングとデポジションを繰り返しながらフッ素系ガスでシリコンをエッチングする方法であり、光導波路の材料となる酸化膜（ＳｉＯ２）がマスクとなる。従って、溝を形成したい部分のシリコン基板を露出させたままボッシュプロセスを施せば、所望の溝が形成される。図８Ａ〜図８Ｇを参照して、ボッシュプロセスにより、多層膜フィルタを保持するための溝（以下「保持溝」という）を形成するまでのプロセス概略を説明する。
【００２１】
まず、図８Ａに示すように、基板（例えばシリコン基板）３１上にＣＶＤ法（ＣＶＤ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などにより下クラッド層３２を積層する。そして、図８Ｂに示すように、下クラッド層３２の上にコア層３３を積層し、コア層３３の上に、コアを形成する位置に合わせてレジスト３４を配置する。次いで、図８Ｃに示すように、エッチングによりコア３３Ａを形成する。そして、図８Ｄに示すように、下クラッド層３２と上クラッド層３５によりコア３３Ａを挟むように、上クラッド層３５を積層する。これにより、光導波路が形成される。
【００２２】
次いで、図８Ｅに示すように、レジスト３６により保持溝を形成するためのフォトマスクをしてフォトリソグラフィを行い、さらに、図８Ｆに示すように、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）などによりクラッド層（下クラッド層３２と上クラッド層３５）をエッチングする。
【００２３】
最後に、図８Ｇに示すように、ボッシュプロセス装置により、基板３１をエッチングして、保持溝の生成を完成する。
【００２４】
ところが、この手法の場合、コアと保持溝の相対位置がずれるケースが多い。これは、図９に示すように、光導波路を形成する過程で施す高温の熱処理により、ウェハが反り、ウェハ面内におけるコアのピッチが変化することで、保持溝を形成するためのマスク（溝形成用マスク）と一致しなくなるためである。なお、図９において、十字は、コアのパターンを示し、コアの周辺の短い線は、溝形成用マスクを示す。また、矢印対は、コアと保持溝の相対位置のずれを示す。
【００２５】
さらに、図１０に示すように、コンタクト露光などでパターニングする場合には、アライメント精度にも限界がある。
【００２６】
その結果、図８Ｅ〜図８Ｇに示すように、所望の溝位置（溝最適位置）からのズレΔＳが発生する。このズレΔＳは、図６に示すパラメータＤの変化を引き起こす（図１１）。その結果、パラメータＤが設計値ではなくなり、反射光とコアの間の結合損失の発生により、コヒーレントミキサーの挿入損失を増加させてしまう。
【００２７】
本発明は上記事情を鑑みてなされたものであり、多層膜フィルタにより偏波分離を担う光導波路デバイスにおいて、多層膜フィルタを正しい位置に保持できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００２８】
本発明の１つの態様は、光導波路デバイスである。該光導波路デバイスは、クラッド層と、コア層と、溝と、偏波分離素子を備える。
【００２９】
クラッド層は、基板の上に積層されている。コア層は、クラッド層の内部に設けられている。
【００３０】
コア層には、光導波路を形成する複数のコアが設けられている。
溝は、クラッド層の上表面から基板の内部まで伸びるように形成されている。
【００３１】
偏波分離素子は、溝に挿入されており、上記複数のコアのうちの１つにより導波された光に含まれるＴＥ偏光成分とＴＭ偏光成分の片方の光を透過して他の２つの前記コアの片方に入射し、前記ＴＥ偏光成分とＴＭ偏光成分の他方の光を反射して前記２つのコアの他方に入射するように設けられている。
【００３２】
コア層には、さらに、上記複数のコアと同様の材料で構成された、偏波分離素子の位置を規定するための１対の位置決めコアが設けられている。クラッド層から俯瞰するときに、該１対の位置決めコアは、上記溝の内部に露出している。
【００３３】
本発明の別の態様は、上述態様の光導波路デバイスの製造方法である。該製造方法は、コア層をパターニングして前記複数のコアを形成するパターニング工程と、エッチングにより、クラッド層の上表面から前記基板の内部まで伸び、前記偏波分離素子を挿入するための溝を形成する溝形成工程を有する。
【００３４】
該製造方法は、前記パターニング工程において、前記複数のコアの位置以外に、前記偏波分離素子の位置を規定するための一対の位置決めコアの位置もマスクすることにより前記１対の位置決めコアを形成する。前記溝形成工程は、クラッド層から基板の上表面までエッチングする第１のエッチング工程と、基板の上表面から基板の内部までエッチングする第２のエッチング工程とを有する。クラッド層から俯瞰するときに、前記１対の位置決めコアは、前記溝の内部に露出している。
【発明の効果】
【００３５】
本発明にかかる技術によれば、多層膜フィルタにより偏波分離を担う光導波路デバイスにおいて、多層膜フィルタを正しい位置に保持できる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明の実施の形態にかかる光導波路デバイスを示す図である。
【図２】図１に示す光導波路デバイスのＡ１−Ａ２断面を示す図である。
【図３】図１に示す光導波路デバイスのＢ１−Ｂ２断面を示す図である。
【図４Ａ】図１に示す光導波路デバイスの製造方法を説明するための図である（その１）。
【図４Ｂ】図１に示す光導波路デバイスの製造方法を説明するための図である（その２）。
【図４Ｃ】図１に示す光導波路デバイスの製造方法を説明するための図である（その３）。
【図４Ｄ】図１に示す光導波路デバイスの製造方法を説明するための図である（その４）。
【図４Ｅ】図１に示す光導波路デバイスの製造方法を説明するための図である（その５）。
【図４Ｆ】図１に示す光導波路デバイスの製造方法を説明するための図である（その６）。
【図４Ｇ】図１に示す光導波路デバイスの製造方法を説明するための図である（その７）。
【図４Ｈ】図１に示す光導波路デバイスの製造方法を説明するための図である（その８）。
【図５】非特許文献１に開示された光波回路を示す図である。
【図６】多層膜フィルタにより偏光分離機能を実現する光導波路の構造例を示す図である。
【図７】偏光分離機能を担う多層膜フィルタの透過スペクトルのイメージの例を示す図である。
【図８Ａ】ボッシュプロセスにより多層膜フィルタの保持溝の形成方法を説明するための図である（その１）。
【図８Ｂ】ボッシュプロセスにより多層膜フィルタの保持溝の形成方法を説明するための図である（その２）。
【図８Ｃ】ボッシュプロセスにより多層膜フィルタの保持溝の形成方法を説明するための図である（その３）。
【図８Ｄ】ボッシュプロセスにより多層膜フィルタの保持溝の形成方法を説明するための図である（その４）。
【図８Ｅ】ボッシュプロセスにより多層膜フィルタの保持溝の形成方法を説明するための図である（その５）。
【図８Ｆ】ボッシュプロセスにより多層膜フィルタの保持溝の形成方法を説明するための図である（その６）。
【図８Ｇ】ボッシュプロセスにより多層膜フィルタの保持溝の形成方法を説明するための図である（その７）。
【図９】コアと保持溝の相対位置のずれを説明するための図である（その１）。
【図１０】コアと保持溝の相対位置のずれを説明するための図である（その２）。
【図１１】コアと保持溝の相対位置のずれが光導波路に与える影響を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。説明の明確化のため、以下の記載及び図面は、適宜、省略、及び簡略化がなされているなお、各図面において、同一の要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略されている。
【００３８】
図１は、本発明にかかる光導波路デバイス１００の概略を示す俯瞰図である。該光導波路デバイス１００は、偏波分離素子１２０、干渉計１４０と１５０を備える。光導波路デバイス１００は、この種の光導波路デバイスと同様に、光導波路を形成する複数のコアが設けられており、偏波分離素子１２０は、上記複数のコアのうちの１つにより導波された光に含まれるＴＥ偏光成分を透過して他の２つのコアの片方に入射し、該光に含まれるＴＭ偏光成分を反射して上記他の２つのコアの他方に入射するように設けられている。図示のように、偏波分離素子１２０は、局発光を導波するコアにより導波された局発光に含まれるＴＥ偏光成分を透過して、光導波路ＴＥ（Ｌ）を形成するコアに入射し、局発光に含まれるＴＭ偏光成分を反射して光導波路ＴＭ（Ｌ）を形成するコアに入射する。また、偏波分離素子１２０は、信号光を導波するコアにより導波された信号光に含まれるＴＥ偏光成分を透過して、光導波路ＴＥ（Ｓ）を形成するコアに入射し、信号光に含まれるＴＭ偏光成分を反射して光導波路ＴＭ（Ｓ）を形成するコアに入射する。なお、ＴＥ偏光／ＴＭ偏光と、透過／反射の関係はＰＢＳ（ここでは偏波分離素子１２０に該当する）の設計によって逆となる場合もある。また、上記複数のコアは、クラッド層に覆われている。
【００３９】
干渉計１４０と干渉計１５０は、コヒーレントミキサー回路を構成する。
偏波分離素子１２０は、例えば複数の薄膜フィルタを積層してなる多層膜フィルタであり、基板の内部まで伸びる保持溝（図示せず）に挿入されることにより保持されている。
【００４０】
光導波路デバイス１００において、偏波分離素子１２０の位置を規定するための、偏波分離素子１２０の両側に位置する１対のコア１０３Ｂ、１０３Ｃが設けられている。クラッド層から俯瞰するときに、コア１０３Ｂと１０３Ｃは、保持溝の内部に露出している。前述した、光導波路を形成する複数のコアと区別するために、コア１０３Ｂと１０３Ｃを、以下［位置決めコア］という。
【００４１】
また、上記保持溝は、クラッド層の上表面から基板の内部まで伸びるが、コア層からは、位置決めコア１０３Ｂと１０３Ｃの互いに向い合う面を内側面にして伸びるように形成されている。なお、後述の説明で分かるが、位置決めコア１０３Ｂと１０３Ｃは、クロム層により覆われている。また、図１では、位置決めコア１０３Ｂと１０３Ｃについて、一部のみを示しており、クラッド層により覆われた部分を示してない。
【００４２】
位置決めコア１０３Ｂと１０３Ｃは、光の通路以外の位置に設けられており、光の通路上には、位置決めコアが無い。これについて、図２と図３を参照して説明する。
【００４３】
図２と図３は、図１に示す光導波路デバイス１００のＡ１−Ａ２断面とＢ１−Ｂ２断面を夫々示す図である。
【００４４】
図２に示すように、Ａ１−Ａ２断面では、基板１０１の上に積層されたクラッド層（下クラッド層１０２と上クラッド層１０６）の内部のコア層に、光導波路を形成する２つのコア１０３Ａ、位置決めコア１０３Ｂと１０３Ｃ（及びそれらの上のクロム膜１０４を含む）が設けられている。クラッド層から俯瞰するときに、コア１０３Ｂと１０３Ｃが保持溝１３０の内部に露出しているため、保持溝１３０は、コア層からは、位置決めコア１０３Ｂと１０３Ｃの互いに向い合う面を内側面にして伸びるように形成されている。
【００４５】
また、図３に示すように、光を妨げないように、Ｂ１−Ｂ２断面では、位置決めコア１０３Ｂが無い。
【００４６】
図４Ａ〜図４Ｈを参照して、光導波路デバイス１００の製造方法と共に、光導波路デバイス１００の内部構成を具体的に説明する。
【００４７】
光導波路デバイス１００の製造に当たり、まず、図４Ａに示すように、コア層１０３まで形成する。具体的には、基板（例えばシリコン基板）１０１の上に下クラッド層１０２を積層し、さらに下クラッド層１０２上にコア層１０３を積層する。
【００４８】
そして、図４Ｂに示すように、コア層１０３の上にクロム膜１０４を積層し、クロム膜１０４上に、コア１０３Ａと、位置決めコア１０３Ｂ及び１０３Ｃに対応する部位をレジスト１０５でマスクする。
【００４９】
次いで、図４Ｃに示すように、パターニングを行い、コア１０３Ａ、位置決めコア１０３Ｂ、位置決めコア１０３Ｃを形成する。
【００５０】
次に、図４Ｄに示すように、例えばフォトリソグラフィにより、コア１０３Ａに対してのみその上のクロム膜を除去し、図４Ｅに示すように、コア１０３Ａ、位置決めコア１０３Ｂ（その上のクロム膜を含む）、位置決めコア１０３Ｃ（その上のクロム膜を含む）を覆うように、下クラッド層１０２上に上クラッド層１０６を積層する。なお、下クラッド層１０２と上クラッド層１０６は、合わせてクラッド層という。
【００５１】
すなわち、このようにして、クラッド層の内部に、コア１０３Ａ、位置決めコア１０３Ｂ、位置決めコア１０３Ｃが同時に形成される。
【００５２】
そして、図４Ｆに示すように、保持溝を形成するためのフォトマスクをコア１０３Ａ、位置決めコア１０３Ｂ、位置決めコア１０３Ｃに合わせるようにアライメントし、レジスト１０７を現像する。レジスト１０７を配置する際に、位置決めコア１０３Ｂと位置決めコア１０３Ｃの互いに向い合う側の一部分が必ず露出するよう、「ＷＣ＜ＷＴ」となるように設計しておくことが肝要である。
【００５３】
次に、溝形成工程により、クラッド層の上表面から、基板１０１の内部まで伸び、多層膜フィルタを挿入するための保持溝を形成する。この溝形成工程は、図４Ｇに示す第１のエッチング工程と、図４Ｈに示す第２のエッチング工程を有する。
【００５４】
図４Ｇに示すように、ＲＩＥによりクラッド層（下クラッド層１０２、上クラッド層１０６）をエッチングする。この際、位置決めコア１０３Ｂと位置決めコア１０３Ｃ上のクロム膜がエッチングストップ層となるため、位置決めコア１０３Ｂと位置決めコア１０３Ｃにより、基板１０１の、露出される部位の位置と形状が決定される。この工程により、クラッド層の上表面（上クラッド層１０６の上表面）から基板１０１の上表面（下クラッド層１０２の下表面）までに伸びる溝が形成される。この溝は、保持溝の上部である。
【００５５】
最後に、図４Ｈに示すように、ボッシュプロセス装置で基板１０１をエッチングする。この工程により、基板１０１の上表面から内部までに伸びる溝が形成される。この溝は、保持溝の下部である。
【００５６】
その後、保持溝への多層膜フィルタの挿入および接着剤による固着などを経て、光導波路デバイス１００が形成される。なお、溝内部での光の反射や回折は過剰損失となるため、これらを抑制するために、導波路と屈折率整合した接着剤を使用することが望ましい。
【００５７】
このように、本実施の形態の光導波路デバイス１００の製造時に、コア１０３Ａと共に、位置決めコア１０３Ｂと位置決めコア１０３Ｃも同じマスクで同時に形成されるため、最終的に形成された保持溝と、コア１０３Ａとの相対位置のズレが発生せず（コア用のフォトマスクの描画精度で決まるが問題とならないほど小さい）、設計通りの位置に保持溝を形成することができる。また、ウェハの反りやフォトマスクのアライメントずれなども考慮する必要がなく、良好な損失特性と高い生産性で光導波路デバイスを製造することができる。
【００５８】
また、製造された光導波路デバイス１００における上述のパラメータＤが設計通りの値になるため、該光導波路デバイス１００が設けられた受信機等の装置の性能を保証することができる。
【００５９】
以上、実施の形態をもとに本発明を説明した。実施の形態は例示であり、本発明の主旨から逸脱しない限り、上述した各実施の形態に対してさまざまな変更、増減、組合せを行ってもよい。これらの変更、増減、組合せが行われた変形例も本発明の範囲にあることは、当業者に理解されるところである。
【符号の説明】
【００６０】
１  光波回路
１０  偏波制御溝部
２０  偏波制御溝部
３０  偏波分離素子
３１  基板
３２  下クラッド層
３３  コア層
３３Ａ  コア
３４  レジスト
３５  上クラッド層
３６  レジスト
４０  干渉計
５０  干渉計
１００  光導波路デバイス
１０１  基板
１０２  下クラッド層
１０３  コア層
１０３Ａ  コア
１０３Ｂ  位置決めコア
１０３Ｃ  位置決めコア
１０４  クロム膜
１０５  レジスト
１０６  上クラッド層
１０７  レジスト
１２０  偏波分離素子
１３０  保持溝
１４０  干渉計
１５０  干渉計
Ｄ  パラメータ
ＰＢＳ  偏光ビームスプリッター
９０°ＯＨ  コヒーレントミキサー回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図４Ｄ】
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【図４Ｅ】
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【図４Ｆ】
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【図４Ｇ】
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【図４Ｈ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図８Ｄ】
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【図８Ｅ】
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【図８Ｆ】
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【図８Ｇ】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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