(57)【要約】      （修正有）【課題】光電変換効率の高い光電変換装置を提供する。【解決手段】電極層２上に、有機化合物、Ｉ−Ｂ族元素およびIII−Ｂ族元素を含む皮膜Ｍが形成された基板１００を準備する準備工程と、基板１００を加熱して有機化合物を熱分解する熱分解工程と、水素および不活性ガスの少なくとも一方を含む第１雰囲気ガスで満たされた加熱炉１０１内で基板１００を加熱する第１加熱工程と、加熱炉１０１内の第１雰囲気ガスを排気する排気工程と、加熱炉１０１内をカルコゲン元素を含む第２雰囲気ガスで満たして基板１００を加熱することによって皮膜ＭをＩ−III−VI族化合物を含む半導体層にする第２加熱工程とを順次行なう。【選択図】図５
2014192338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極層上に、有機化合物、Ｉ−Ｂ族元素およびIII−Ｂ族元素を含む皮膜が形成された
基板を準備する準備工程と、
該基板を加熱して前記有機化合物を熱分解する熱分解工程と、
水素および不活性ガスの少なくとも一方を含む第１雰囲気ガスで満たされた加熱炉内で前記基板を加熱する第１加熱工程と、
前記加熱炉内の前記第１雰囲気ガスを排気する排気工程と、
前記加熱炉内をカルコゲン元素を含む第２雰囲気ガスで満たして前記基板を加熱することによって前記皮膜をＩ−III−VI族化合物を含む半導体層にする第２加熱工程と
を順次行なう光電変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記排気工程は、前記加熱炉内を真空にする工程を具備する、請求項１に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項３】
前記排気工程は、前記加熱炉内を水素および不活性ガスの少なくとも一方を含む第３雰囲気ガスで置換した後、前記加熱炉内を真空にする工程を具備する、請求項２に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記排気工程において、前記基板を冷却する、請求項１乃至３のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１加熱工程における前記基板の加熱温度を前記熱分解工程における前記基板の加熱温度よりも高くする、請求項１乃至４のいずれかに記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、Ｉ−III−VI族化合物を含む半導体層を用いた光電変換装置の製造方法に関
するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽光発電等に使用される光電変換装置として、ＣｕＩｎＳｅ２（ＣＩＳ）やＣｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（ＣＩＧＳ）等のＩ−III−VI族化合物を含む半導体層を光吸収層に用
い、この光吸収層上にII−VI族化合物等のバッファ層を形成したものがある（特許文献１参照）。
【０００３】
このようなＩ−III−VI族化合物を含む半導体層の作製方法として、半導体層を構成す
る元素の錯体化合物を用いて半導体層を作製する方法がある。例えば特許文献２には、１つの有機化合物内にＣｕと、Ｓｅと、ＩｎもしくはＧａとを存在させた錯体化合物である単一源前駆体（Single Source Precursor）を用いて、Ｉ−III−VI族化合物から成る半導体層を形成することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０８−３３０６１４号公報
【特許文献２】米国特許第６９９２２０２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、光電変換装置の需要は増加傾向にあり、光電変換装置の光電変換効率のさらなる向上が望まれている。光電変換装置の光電変換効率は半導体層の作製工程に依存しやすく、半導体層の結晶化を良好に促進させることが光電変換効率を向上する上での重要な要素の１つである。
【０００６】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、半導体層の結晶化を良好に行なうことによって、光電変換効率の高い光電変換装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様に係る光電変換装置の製造方法は、電極層上に、有機化合物、Ｉ−Ｂ族元素およびIII−Ｂ族元素を含む皮膜が形成された基板を準備する準備工程と、該基板を
加熱して前記有機化合物を熱分解する熱分解工程と、水素および不活性ガスの少なくとも一方を含む第１雰囲気ガスで満たされた加熱炉内で前記基板を加熱する第１加熱工程と、前記加熱炉内の前記第１雰囲気ガスを排気する排気工程と、前記加熱炉内をカルコゲン元素を含む第２雰囲気ガスで満たして前記基板を加熱することによって前記皮膜をＩ−III
−VI族化合物を含む半導体層にする第２加熱工程とを順次行なう。
【発明の効果】
【０００８】
本発明の上記態様によれば、光電変換効率の高い光電変換装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置の一例を示す斜視図である。
【図２】図１の光電変換装置の断面図である。
【図３】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図４】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図５】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図６】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図７】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図８】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図９】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法について、図面を参照しながら説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同一符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。
【００１１】
＜（１）光電変換装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置１１の一例を示す斜視図である。図２は、図１の光電変換装置１１のＸＺ断面図である。なお、図１から図９には、光電変換セル１０の配列方向（図１の図面視左右方向）をＸ軸方向とする右手系のＸＹＺ座標系が付されている。
【００１２】
光電変換装置１１は、支持体１の上に複数の光電変換セル１０が並設された構成を有している。図１では、図示の都合上、２つの光電変換セル１０のみが示されているが、実際の光電変換装置１１には、図面のＸ軸方向、或いは更に図面のＹ軸方向に、多数の光電変換セル１０が平面的に（二次元的に）配列されている。
【００１３】
各光電変換セル１０は、下部電極層２、Ｉ−III−VI族化合物半導体層３（以下では、
Ｉ−III−VI族化合物半導体層のことを第１の半導体層ともいう）、第２の半導体層４、
上部電極層５、および集電電極７を主に備えている。光電変換装置１１では、上部電極層５および集電電極７が設けられた側の主面が受光面となっている。また、光電変換装置１１には、第１〜３溝部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３といった３種類の溝部が設けられている。
【００１４】
支持体１は、複数の光電変換セル１０を支持するものであり、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂、または金属等の材料で構成されている。例えば、支持体１として、１〜３ｍｍ程度の厚さを有する青板ガラス（ソーダライムガラス）が用いられてもよい。
【００１５】
下部電極層２は、支持体１の一主面の上に設けられた導電層であり、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、または金（Ａｕ）等の金属、あるいはこれらの金属の積層構造体からなる。また、下部電極層２は、０．２〜１μｍ程度の厚さを有し、例えば、スパッタリング法または蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成される。
【００１６】
光吸収層としてのＩ−III−VI族化合物半導体層３（第１の半導体層３）は、下部電極
層２の＋Ｚ側の主面（一主面ともいう）の上に設けられた、第１の導電型（ここではｐ型の導電型）を有する半導体層であり、１〜３μｍ程度の厚さを有している。第１の半導体層３はＩ−III−VI族化合物を含む半導体層である。Ｉ−III−VI族化合物とは、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）と、III−Ｂ族元素（１３族元素ともいう）と、VI−Ｂ族元
素（１６族元素ともいう）とを含んだ化合物である。そして、第１の半導体層３は、VI−Ｂ族元素として硫黄元素（Ｓ）およびセレン元素（Ｓｅ）を含んでいる。このようなＩ−
III−VI族化合物としては、例えば、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２（二セレン・イ
オウ化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳＳともいう）、ＣｕＩｎ（Ｓｅ，Ｓ）２（二セレン・イオウ化銅インジウム、ＣＩＳＳともいう）、ＣｕＧａ（Ｓｅ，Ｓ）２（二セレン・イオウ化銅ガリウム、ＣＧＳＳともいう）等が挙げられる。
【００１７】
なお、第１の半導体層３は、厚み方向の前部において硫黄元素およびセレン元素が含まれていなくてもよい。例えば、第１の半導体層３の下部電極層２側の部位等において、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（二セレン化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳともいう）、ＣｕＩｎＳｅ２（二セレン化銅インジウム、ＣＩＳともいう）、ＣｕＧａＳｅ２（二セレン化銅ガリウム、ＣＧＳともいう）等となっている場合もあり得る。
【００１８】
第２の半導体層４は、第１の半導体層３の一主面の上に設けられた半導体層である。この第２の半導体層４は、第１の半導体層３の導電型とは異なる導電型（ここではｎ型の導電型）を有している。第１の半導体層３と第２の半導体層４との接合によって、第１の半導体層３で光電変換されて生じた正負キャリアが良好に電荷分離される。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体のことである。また、上記のように第１の半導体層３の導電型がｐ型である場合、第２の半導体層４の導電型は、ｎ型でなく、ｉ型であっても良い。更に、第１の半導体層３の導電型がｎ型またはｉ型であり、第２の半導体層４の導電型がｐ型である態様も有り得る。
【００１９】
第２の半導体層４は、例えば、硫化カドミウム（ＣｄＳ）、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、セレン化インジウム（Ｉｎ２Ｓｅ３）、Ｉｎ（ＯＨ，Ｓ）、（Ｚｎ，Ｉｎ）（Ｓｅ，ＯＨ）、および（Ｚｎ，Ｍｇ）Ｏ等の化合物半導体によって構成されている。そして、電流の損失が低減される観点から言えば、第２の半導体層４は、１Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有するものとすることができる。なお、第２の半導体層４は、例えばケミカルバスデポジション（ＣＢＤ）法等で形成される。
【００２０】
また、第２の半導体層４は、第１の半導体層３の一主面の法線方向に厚さを有する。この厚さは、例えば１０〜２００ｎｍに設定される。
【００２１】
上部電極層５は、第２の半導体層４の上に設けられた透明導電膜であり、第１の半導体層３において生じた電荷を取り出す電極である。上部電極層５は、第２の半導体層４よりも低い抵抗率を有する物質によって構成されている。上部電極層５には、いわゆる窓層と呼ばれるものも含まれ、この窓層に加えて更に透明導電膜が設けられる場合には、これらが一体の上部電極層５とみなされても良い。
【００２２】
上部電極層５は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３およびＳｎＯ２等の金属酸化物半導体等が採用され得る。これらの金属酸化物半導体には、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、ＩｎおよびＦ等のうちの何れかの元素が含まれても良い。このような元素が含まれた金属酸化物半導体の具体例としては、例えば、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＧＺＯ（Gallium Zinc Oxide）、
ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＦＴＯ（Fluorine tin Oxide）等がある。
【００２３】
上部電極層５は、スパッタリング法、蒸着法、または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって、０．０５〜３．０μｍの厚さを有するように形成される。ここで、第１の半導体層３から電荷が良好に取り出される観点から言えば、上部電極層５は、１Ω・ｃｍ未満の抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有するものとすることができる。
【００２４】
第２の半導体層４および上部電極層５は、第１の半導体層３が吸収する光の波長領域に
対して光を透過させ易い性質（光透過性ともいう）を有する素材によって構成され得る。これにより、第２の半導体層４と上部電極層５とが設けられることで生じる、第１の半導体層３における光の吸収効率の低下が低減される。
【００２５】
また、光透過性が高められると同時に、光反射のロスが防止される効果と光散乱効果とが高められ、更に光電変換によって生じた電流が良好に伝送される観点から言えば、上部電極層５は、０．０５〜０．５μｍの厚さとなるようにすることができる。更に、上部電極層５と第２の半導体層４との界面で光反射のロスが低減される観点から言えば、上部電極層５と第２の半導体層４との間で絶対屈折率が略同一となるようにすることができる。
【００２６】
集電電極７は、Ｙ軸方向に離間して設けられ、それぞれがＸ軸方向に延在している。集電電極７は、導電性を有する電極であり、例えば、銀（Ａｇ）等の金属からなる。
【００２７】
集電電極７は、第１の半導体層３において発生して上部電極層５において取り出された電荷を集電する役割を担う。集電電極７が設けられれば、上部電極層５の薄層化が可能となる。
【００２８】
集電電極７および上部電極層５によって集電された電荷は、第２溝部Ｐ２に設けられた接続導体６を通じて、隣の光電変換セル１０に伝達される。接続導体６は、例えば、図２に示されるように集電電極７のＹ軸方向への延在部分によって構成されている。これにより、光電変換装置１１においては、隣り合う光電変換セル１０の一方の下部電極層２と、他方の集電電極７とが、第２溝部Ｐ２に設けられた接続導体６を介して電気的に直列に接続されている。なお、接続導体６は、これに限定されず、上部電極層５の延在部分によって構成されていてもよい。
【００２９】
集電電極５は、良好な導電性が確保されつつ、第１の半導体層３への光の入射量を左右する受光面積の低下が最小限にとどめられるように、５０〜４００μｍの幅を有するものとすることができる。
【００３０】
＜（２）光電変換装置の製造方法＞
図３から図９は、光電変換装置１１の製造途中の様子をそれぞれ模式的に示す断面図である。なお、図３から図９で示される各断面図は、図２で示された断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。
【００３１】
まず、洗浄された支持体１の略全面に、スパッタリング法等を用いて、Ｍｏ等からなる下部電極層２を成膜する。そして、下部電極層２の上面のうちのＹ方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の支持体１の上面にかけて、第１溝部Ｐ１を形成する。第１溝部Ｐ１は、例えば、ＹＡＧレーザー等によるレーザー光を走査しつつ形成対象位置に照射することで溝加工を行なう、レーザースクライブ加工によって形成することができる。図３は、第１溝部Ｐ１を形成した後の状態を示す図である。
【００３２】
第１溝部Ｐ１を形成した後、下部電極層２の上に、有機化合物、Ｉ−Ｂ族元素およびIII−Ｂ族元素を含む皮膜Ｍを作製する。このような皮膜Ｍは、有機錯体の溶液を用いて以下のようにして作製することができる。
【００３３】
有機錯体としては、銅や銀等のＩ−Ｂ族元素に有機配位子が配位した有機錯体、インジウムやガリウム等のIII−Ｂ族元素に有機配位子が配位した有機錯体、あるいは、有機配
位子がＩ−Ｂ族元素およびIII−Ｂ族元素の両方に配位して１つの分子中にＩ−Ｂ族元素
とIII−Ｂ族元素と有機配位子とを具備する有機錯体等がある。
【００３４】
特に、Ｉ−III−VI族化合物を良好に生成するという観点からは、有機配位子として有
機カルコゲン化合物を用いてもよい。有機カルコゲン化合物とは、カルコゲン元素を含む有機化合物であり、炭素元素とカルコゲン元素との共有結合を有する有機化合物である。カルコゲン元素とは、VI−Ｂ族元素のうちのＳ、Ｓｅ、Ｔｅをいう。有機カルコゲン化合物としては、例えば、チオール、スルフィド、ジスルフィド、チオフェン、スルホキシド、スルホン、チオケトン、スルホン酸、スルホン酸エステル、スルホン酸アミド、セレノール、セレニド、ジセレニド、セレノキシド、セレノン、テルロール、テルリド、ジテルリド等がある。特に、配位力が高く金属元素と安定な錯体を形成しやすいという観点からは、チオール、スルフィド、ジスルフィド、セレノール、セレニド、ジセレニド、テルロール、テルリド、ジテルリドを用いてもよい。有機配位子として有機カルコゲン化合物を用いた有機錯体の例としては、フェニルセレノールやエタンセレノール等の有機カルコゲン化合物がＩ−Ｂ族元素に配位した有機錯体、フェニルセレノールやエタンセレノール等の有機カルコゲン化合物がIII−Ｂ族元素に配位した有機錯体、あるいは、フェニルセレノールやエタンセレノール等の有機カルコゲン化合物がＩ−Ｂ族元素およびIII−Ｂ族元素の両方に配位して１つの分子中にＩ−Ｂ族元素とIII−Ｂ族元素とセレン元素とを有する単一源有機錯体（特許文献２参照）等がある。
【００３５】
以上のような有機錯体をピリジンやアニリン等の有機溶媒に溶解して原料溶液を作製する。そして、この原料溶液を、例えば、スピンコータ、スクリーン印刷、ディッピング、スプレー、ダイコータ等によって下部電極層２上に膜状に被着して皮膜Ｍを作製する。
【００３６】
次に、この皮膜Ｍを、例えば５０〜３５０℃で加熱して皮膜Ｍ中の有機化合物を熱分解することによって、皮膜Ｍ中の有機成分を除去する。なお、以上のような原料溶液を用いて皮膜Ｍを形成し、この皮膜Ｍ中の有機化合物を熱分解する工程を繰り返して、複数層の積層体から成る皮膜Ｍとしてもよい。以上のようにして作製した、支持体１、下部電極層２および皮膜Ｍの積層体を以下では基板１００という。図４は、皮膜Ｍの熱分解工程までを行なった後の状態（基板１００の状態）を示す図である。
【００３７】
次に、この基板１００を加熱炉１０１内に設置する。加熱炉１０１は加熱装置を具備しており、加熱炉内１０１に設置された基板１００に対して加熱を行なうことができる。また、加熱炉１０１は、雰囲気ガスを加熱炉１０１内に注入するための注入口１０２と、加熱炉１０１内の雰囲気ガスを排出するための排出口１０３とを具備している。注入口１０２は雰囲気ガスを流すための配管が接続されており、バルブ１０２ａを開くことによって雰囲気ガスを加熱炉１０１内に注入することができる。また、排出口１０３は雰囲気ガスを排出させるための配管が接続されており、バルブ１０３ａを開くことによって雰囲気ガスを加熱炉１０１外に排出することができる。図５は、加熱炉１０１内に基板１００を設置した状態を示す図である。
【００３８】
そして、加熱炉１０１内を水素および不活性ガスの少なくとも一方を含む第１雰囲気ガスで満たし、基板１００を加熱する第１加熱工程を行なう。不活性ガスは皮膜Ｍと化学反応が生じないガスであり、例えば、窒素やアルゴン等である。第１雰囲気としては、水素と不活性ガスとの混合気体であってもよい。なお、第１加熱工程の際の基板１００の加熱温度としては、皮膜Ｍ中の有機成分をより良好に除去するという観点から、上記皮膜Ｍの熱分解工程の際の加熱温度よりも高くしてもよい。第１加熱工程の加熱条件としては、例えば、基板１００を３５０〜４５０℃で３０〜１８０分程度加熱する条件を採用することができる。
【００３９】
さらに、この第１加熱工程の後、加熱炉１０１内の上記第１雰囲気ガスを、排出口１０３から加熱炉１０１外へ排気する排気工程を行なう。排気工程では、図５のように真空ポンプで加熱炉１０１内を、例えば、１００Ｐａ以下に減圧することによって第１雰囲気ガスを排出してもよい。あるいは、排出口１０３から第１雰囲気ガスを排出しながら、注入口１０２から水素や不活性ガス等の新たなガス（以下、この新たなガスを第３雰囲気ガスという）を注入して加熱炉１０１内を第３雰囲気ガスで置換することによって第１雰囲気ガスを排出してもよい。第１雰囲気ガスをより良好に排出するという観点からは、加熱炉１０１内を第３雰囲気ガスで置換した後、加熱炉１０１内を減圧して真空にしてもよい。なお、上記排気工程において真空とは、１００Ｐａ以下の減圧状態をいう。
【００４０】
また、上記排気工程において、基板１００を２００℃以下に冷却してもよい。これによって、排気工程中に皮膜Ｍの化学反応が進行して欠陥を多く含む結晶体になるのを抑制することができる。
【００４１】
次に、加熱炉１０１内を、カルコゲン元素を含む第２雰囲気ガスで満たし、上記基板１００を第１加熱工程の加熱温度以上の温度で加熱して皮膜ＭをＩ−III−VI族化合物を含む第１の半導体層３にする第２加熱工程を行なう。第２雰囲気ガスは、カルコゲン元素を、例えば、硫黄蒸気、セレン蒸気、テルル蒸気、硫化水素、セレン化水素またはテルル化水素等として含んでいる。第２雰囲気ガスはこのようなカルコゲン元素のガスのみであってもよく、水素や不活性ガスとの混合気体であってもよい。加熱炉１０１内を第２雰囲気ガスで満たす方法としては、注入口１０２からカルコゲン元素を含んだ第２雰囲気ガスを注入してもよく、あるいは、図５のように、カルコゲン元素の金属１０４を予め加熱炉１０１内に載置しておくとともに、注入口１０２から水素や不活性ガスを注入し、基板１０１の加熱時にカルコゲン元素の金属１０４を気化させて加熱炉１０１内でカルコゲン元素が水素や不活性ガスと混合するようにしてもよい。第２加熱工程の加熱条件としては、例えば、基板１００を４５０〜６００℃で３０分〜１０時間程度加熱する条件を採用することができる。
【００４２】
以上のように第１加熱工程、排気工程および第２加熱工程を順次行なうことによって、結晶化反応を促進させることができ、光電変換効率の高めることができる。つまり、皮膜Ｍの熱分解工程では十分に有機成分を除去することが困難であるため、第１加熱工程および排気工程を行なわず、第２加熱工程のみを行なった場合、残存した有機成分が結晶化を阻害しやすくなる。これに対し、上記第１加熱工程および排気工程を行なうことによって、皮膜Ｍ中の有機成分をさらに良好に除去することができ、結晶化をより良好に行なうことが可能となる。つまり、第１加熱工程で皮膜Ｍ中から放出された有機成分を第１雰囲気とともに排気することで、有機成分が皮膜中に再度混入するのを抑制できる。図６は、皮膜Ｍを第１の半導体層３にした後の状態を示す図である。
【００４３】
第１の半導体層３を形成した後、第１の半導体層３の上に、第２の半導体層４および上部電極層５を順に形成する。
【００４４】
第２の半導体層４は、溶液成長法（ＣＢＤ法ともいう）によって形成することができる。例えば、酢酸カドミウムや塩化インジウム等の金属原料と、チオ尿素やチオアセトアミド等の硫黄原料とを水等の溶媒に溶解し、この溶液に第１の半導体層３の形成まで行なった基板１を浸漬することで、第１の半導体層３の上にＣｄＳやＩｎ２Ｓ３等を含む第２の半導体層４を形成することができる。
【００４５】
上部電極層５は、例えば、アルミニウムが含まれた酸化亜鉛（ＡＺＯ）等を主成分とする透明導電膜であり、スパッタリング法、蒸着法、またはＣＶＤ法等で形成することができる。図７は、第２の半導体層４および上部電極層５を形成した後の状態を示す図である。
【００４６】
上部電極層５を形成した後、上部電極層５の上面のうちのＹ方向に沿った直線状の形成
対象位置からその直下の下部電極層２の上面にかけて、第２溝部Ｐ２を形成する。第２溝部Ｐ２は、例えば、スクライブ針を用いたメカニカルスクライビング加工によって形成することができる。図８は、第２溝部Ｐ２を形成した後の状態を示す図である。第２溝部Ｐ２は、第１溝部Ｐ１よりも若干Ｘ方向（図中では＋Ｘ方向）にずれた位置に形成する。
【００４７】
第２溝部Ｐ２を形成した後、集電電極７および接続導体６を形成する。集電電極７および接続導体６については、例えば、Ａｇ等の金属粉を樹脂バインダー等に分散した導電性を有するペースト（導電ペーストともいう）を、所望のパターンを描くように印刷し、これを加熱することで形成できる。図９は、集電電極７および接続導体６を形成した後の状態を示す図である。
【００４８】
集電電極７および接続導体６を形成した後、上部電極層５の上面のうちの直線状の形成対象位置からその直下の下部電極層２の上面にかけて、第３溝部Ｐ３を形成する。第３溝部Ｐ３の幅は、例えば、４０〜１０００μｍ程度とすることができる。また、第３溝部Ｐ３は、第２溝部Ｐ２と同様に、メカニカルスクライビング加工によって形成することができる。このようにして、第３溝部Ｐ３の形成によって、図１および図２で示された光電変換装置１１を製作したことになる。
【００４９】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
【符号の説明】
【００５０】
１：支持体
２：下部電極層
３：第１の半導体層
４：第２の半導体層
５：上部電極層
１０：光電変換セル
１１：光電変換装置
１００：基板
１０１：加熱炉
１０２：雰囲気ガス供給口
１０３：雰囲気ガス排出口
Ｍ：皮膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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