(57)【要約】【課題】４９０ｎｍ以下の短波長領域において二色比が高い液晶調光素子を提供する。【解決手段】本発明の液晶調光素子１０は、バックライト３０と、バックライト３０からの光の偏光状態を制御する液晶層２３と、液晶層２３を挟む一対の偏光板と、を備え、バックライト３０は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、一対の偏光板は、第１偏光板２１と第２偏光板２５からなり、バックライト３０、第１偏光板２１、液晶層２３および第２偏光板２５がこの順に設けられ、偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、偏光板の少なくとも一方が、バックライト３０の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなることを特徴とする。【選択図】図１
2014134559.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、
前記光源は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、
前記一対の偏光板は、第１偏光板と第２偏光板からなり、
前記光源、前記第１偏光板、前記液晶素子および前記第２偏光板がこの順に設けられ、
前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、
前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、
波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなることを特徴とする液晶調光素子。
【請求項２】
光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子に設けられた一対の偏光板と、を備え、
前記光源は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、
前記一対の偏光板のうち、第１偏光板は前記光源と前記液晶素子の間に設けられ、第２偏光板は前記液晶素子を構成する基板の液晶層側に設けられ、
前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、
前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、
波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなることを特徴とする液晶調光素子。
【請求項３】
光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の発光を生じる蛍光体と、前記液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、
前記光源は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、
前記一対の偏光板は、第１偏光板と第２偏光板からなり、
前記光源、前記第１偏光板、前記液晶素子、前記第２偏光板および蛍光体がこの順に設けられ、
前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、
前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、
波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなることを特徴とする液晶調光素子。
【請求項４】
光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の発光を生じる蛍光体と、前記液晶素子に設けられた一対の偏光板と、を備え、
前記光源は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、
前記一対の偏光板のうち、第１偏光板は前記光源と前記液晶素子の間に設けられ、第２偏光板は前記液晶素子を構成する基板の液晶層側に設けられ、
前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、
前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、
波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなることを特徴とする液晶調光素子。
【請求項５】
前記液晶素子は、前記光源の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の液晶調光素子。
【請求項６】
前記第１偏光板および前記第２偏光板が、前記光源の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示し、かつ、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂを示し、
前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大波長±２５ｎｍの範囲に消光比のピーク領域を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の液晶調光素子。
【請求項７】
前記第１偏光板および前記第２偏光板が、前記光源の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示し、かつ、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂを示し、
前記第１偏光板および前記第２偏光板が、前記光源の極大波長±２５ｎｍの範囲に消光比のピーク領域を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の液晶調光素子。
【請求項８】
下記の式（１）〜（３）から求められるＣＲｚの値における下記の式（４）〜（６）から求められるＣＲｙの値に対する変化率が５％以下であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の液晶調光素子。
【数１】
2014134559.tif 000018
【数２】
2014134559.tif 000019
【数３】
2014134559.tif 000020
【数４】
2014134559.tif 000021
【数５】
2014134559.tif 000022
【数６】
2014134559.tif 000023
（但し、式（１）〜（６）中、Ｔｐ（λ）は平行透過率（第１偏光板と第２偏光板をパラレルニコル配置に設置して測定した分光透過率）を表す。Ｔｃ（λ）は直交透過率（第１偏光板と第２偏光板をクロスニコル配置に設置して測定した分光透過率）を表す。Ｙ（λ）は３刺激値のＹ成分を表す。Ｚ（λ）は３刺激値のＺ成分を表す。）
【請求項９】
光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を励起光として吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の光を生じる蛍光体と、前記液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、
前記光源は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、
前記偏光板は、平行透過率が３０％以上かつ下記の式（１）〜（３）から求められるＣＲｚの値が１００以上であることを特徴とする液晶調光素子。
【数７】
2014134559.tif 000024
【数８】
2014134559.tif 000025
【数９】
2014134559.tif 000026
（但し、式（１）〜（３）中、Ｔｐ（λ）は平行透過率（第１偏光板と第２偏光板をパラレルニコル配置に設置して測定した分光透過率）を表す。Ｔｃ（λ）は直交透過率（第１偏光板と第２偏光板をクロスニコル配置に設置して測定した分光透過率）を表す。Ｚ（λ）は３刺激値のＺ成分を表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶調光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶調光素子の一形態としては、バックライトとして青色発光ダイオード（ＬＥＤ）や近紫外発光ダイオード（ＬＥＤ）が用いられ、カラーフィルタに相当する部位に蛍光体が配置されたものが知られている。この蛍光体励起色変換方式の液晶調光素子は、バックライトから出射された光を蛍光体で波長変換し、所望の色（ＲＧＢなど）を表示する。この液晶調光素子は、カラーフィルタ方式のものと比較して、光の吸収による損失がなく、蛍光体によって波長変換するため、光利用効率が高いという特長がある。
【０００３】
蛍光体励起色変換方式の液晶調光素子は、所望の蛍光体を選択的に励起するために、液晶層と蛍光体の間に偏光板が設けられている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１３４２７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、液晶調光素子の光源として青色あるいは近紫外域の光源を用いる場合、該当する波長領域で透過率が最大となるように、液晶層の位相差値を最適化する必要がある。
一方、一般的な偏光板材料として知られるヨウ素を用いた偏光板は、４９０ｎｍ以下の短波長領域において、平行透過率が低下し、直交透過率が上昇するため、二色比（コントラスト）が急激に低下するという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであって、４９０ｎｍ以下の短波長領域において透過率や二色比が高い液晶調光素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の液晶調光素子は、光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、前記一対の偏光板は、第１偏光板と第２偏光板からなり、前記光源、前記第１偏光板、前記液晶素子および前記第２偏光板がこの順に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなることを特徴とする。
【０００８】
本発明の液晶調光素子は、光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子に設けられた一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、前記一対の偏光板のうち、第１偏光板は前記光源と前記液晶素子の間に設けられ、第２偏光板は前記液晶素子を構成する基板の液晶層側に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなることを特徴とする。
【０００９】
本発明の液晶調光素子は、光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の発光を生じる蛍光体と、前記液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、前記一対の偏光板は、第１偏光板と第２偏光板からなり、前記光源、前記第１偏光板、前記液晶素子、前記第２偏光板および蛍光体がこの順に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなることを特徴とする。
【００１０】
本発明の液晶調光素子は、光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の発光を生じる蛍光体と、前記液晶素子に設けられた一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、前記一対の偏光板のうち、第１偏光板は前記光源と前記液晶素子の間に設けられ、第２偏光板は前記液晶素子を構成する基板の液晶層側に設けられ、前記偏光板は、一軸光学異方性膜からなり、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなることを特徴とする。
【００１１】
前記液晶素子は、前記光源の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有することが好ましい。
【００１２】
前記第１偏光板および前記第２偏光板が、前記光源の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示し、かつ、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂを示し、前記偏光板の少なくとも一方が、前記光源の極大波長±２５ｎｍの範囲に消光比のピーク領域を有することが好ましい。
【００１３】
前記第１偏光板および前記第２偏光板が、前記光源の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示し、かつ、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂを示し、前記第１偏光板および前記第２偏光板が、前記光源の極大波長±２５ｎｍの範囲に消光比のピーク領域を有することが好ましい。
【００１４】
下記の式（１）〜（３）から求められるＣＲｚの値の下記の式（４）〜（６）から求められるＣＲｙの値に対する変化率が５％以下であることが好ましい。
【００１５】
【数１】
2014134559.tif 000003
【００１６】
【数２】
2014134559.tif 000004
【００１７】
【数３】
2014134559.tif 000005
【００１８】
【数４】
2014134559.tif 000006
【００１９】
【数５】
2014134559.tif 000007
【００２０】
【数６】
2014134559.tif 000008
【００２１】
（但し、式（１）〜（６）中、Ｔｐ（λ）は平行透過率（第１偏光板と第２偏光板をパラレルニコル配置に設置して測定した分光透過率）を表す。Ｔｃ（λ）は直交透過率（第１偏光板と第２偏光板をクロスニコル配置に設置して測定した分光透過率）を表す。Ｙ（λ）は３刺激値のＹ成分を表す。Ｚ（λ）は３刺激値のＺ成分を表す。）
【００２２】
本発明の液晶調光素子は、光源と、該光源からの光の偏光状態を制御する液晶素子と、該液晶素子を透過する光を励起光として吸収し、前記光源の波長域と異なる波長域の光を生じる蛍光体と、前記液晶素子を挟む一対の偏光板と、を備え、前記光源は、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有し、前記偏光板は、平行透過率が３０％以上かつ下記の式（１）〜（３）から求められるＣＲｚの値が１００以上であることを特徴とする。
【００２３】
【数７】
2014134559.tif 000009
【００２４】
【数８】
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【００２５】
【数９】
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【００２６】
（但し、式（１）〜（３）中、Ｔｐ（λ）は平行透過率（第１偏光板と第２偏光板をパラレルニコル配置に設置して測定した分光透過率）を表す。Ｔｃ（λ）は直交透過率（第１偏光板と第２偏光板をクロスニコル配置に設置して測定した分光透過率）を表す。Ｚ（λ）は３刺激値のＺ成分を表す。）
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、４９０ｎｍ以下の短波長領域において透過率や二色比が高い液晶調光素子が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】第１実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
【図２】ヨウ素偏光板と、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一面に設けられた、二色性色素の１つであるＢｅｎｚｏｐｕｒｐｕｒｉｎからなる偏光膜の偏光板透過軸方向の偏光透過率、および偏光板吸収軸方向の偏光透過率などを示すグラフである。
【図３】第２実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
【図４】第３実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
【図５】第４実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
【図６】第５実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
【図７】第６実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（１）第１実施形態
図１は、第１実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
本実施形態の液晶調光素子１０は、液晶パネル２０と、その表示画面２０ａとは反対側の面２０ｂ側に配置されたバックライト３０とから概略構成されている。
【００３０】
液晶パネル２０は、第１偏光板２１と、第１基板２２と、一対の透明電極（図示略）に挟持された液晶層２３と、第２基板２４と、第２偏光板２５と、を備えてなり、これらがバックライト３０側から順に積層された構造をなしている。
液晶層２３は、第１偏光板２１と第２偏光板２５に挟まれている。
第１偏光板２１は、バックライト３０と液晶層２３の間に設けられている。
第２偏光板２５は、第２基板２４の液晶層２３と接する面とは反対側の面に設けられている。
なお、液晶層２３は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。
【００３１】
バックライト３０としては、発光スペクトル内において、波長４００〜４９０ｎｍの範囲に少なくとも１つの極大値を有するもの、すなわち、波長４００〜４９０ｎｍの範囲で最大強度を示すものが用いられ、好ましくは波長４３０〜４７０ｎｍの範囲で最大強度を示すものが用いられる。
バックライト３０としては、例えば、波長４５５ｎｍ付近に極大値を有する青色発光ダイオード（青色ＬＥＤ）、波長４３０ｎｍおよび４９０ｎｍに極大値を有する青色蛍光管などが用いられる。
【００３２】
第１偏光板２１、第２偏光板２５としては、少なくとも一方が、バックライト３０の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、下記の式（α）を満たす二色性色素の偏光板である。
Ａ≧０．９５Ｂ    （α）
なお、バックライト３０の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１０００以上を示す波長領域があることが好ましく、消光比の値が１００００以上を示す波長領域があることがより好ましい。
また、上記の式（α）において、Ｂの係数は０．９５であるが、０．９７であることが好ましい。Ｂの係数が０．９５未満では、青色光の利用効率が低くなるため、明るさやコントラストの低い表示となり、好ましくない。
【００３３】
ここで、消光比とは、第１偏光板２１と第２偏光板２５のそれぞれに固有の性能として表され、以下のように定義される。
消光比＝（偏光板透過軸方向の偏光透過率）／（偏光板吸収軸方向の偏光透過率）
ここで、偏光透過率とは、グラントムソンプリズムを用いて、理想的な偏光光を入射したときの透過率を指す。
【００３４】
二色性色素としては、Ａｃｉｄ  ｒｅｄ  ２６６、Ｂｅｎｚｏｐｕｒｐｕｒｉｎ、Ｃ．Ｉ．Ｄｉｒｅｃｔ  Ｂｌｕｅ  ６７、Ｖｉｏｌｅｔ  ２０、Ｃｙａｎｉｎｅ  ｄｙｅ、Ｍｅｔｈｙｌ  Ｏｒａｎｇｅ、Ｐｅｒｙｌｅｎｅｂｉｓｃａｒｂｏｘｉｍｉｄｅｓ、ＲＵ  ３１．１５６、Ｓｉｒｉｕｓ  Ｓｕｐｒａ  Ｂｒｏｗｎ  ＲＬＬ、ＡＨ  ６５５６などが挙げられる。
【００３５】
図２は、ヨウ素偏光板と、ポリエチレンテレフタレートフィルムの一面に設けられた、二色性色素の１つであるＢｅｎｚｏｐｕｒｐｕｒｉｎからなる偏光膜の偏光板透過軸方向の偏光透過率、および偏光板吸収軸方向の偏光透過率などを示すグラフである。
図２において、符号ａは偏光板透過軸方向の偏光透過率、符号ｂは偏光板吸収軸方向の偏光透過率、符号ｃはこの偏光膜の消光比、符号ｄは青色発光ダイオード（青色ＬＥＤ）から発光される光の強度を示す。
【００３６】
図２に示したように、Ｂｅｎｚｏｐｕｒｐｕｒｉｎからなる偏光膜は、消光比が波長４３０〜４７０ｎｍ付近で極大値を示し、この消光比の極大値は、符号ｄで示す青色ＬＥＤの発光の極大値とほぼ一致している。すなわち、上記の式（α）（Ａ≧０．９５Ｂ）を満たしている。
【００３７】
第１偏光板２１および第２偏光板２５としては、塗布型の偏光膜、ワイヤーグリッド偏光板などからなる一軸光学異方性膜であり、支持基板を必要としないものが用いられる。
一軸光学異方性膜としては、青色の領域以外の波長領域においては、透過率について何ら制約のないものが用いられる。一軸光学異方性膜は、緑色から赤色の領域の光において二色比（消光比）がほとんどない二色性色素から構成されていてもよい。
【００３８】
第１偏光板２１をなす一軸光学異方性膜は、種々の有機溶媒に二色性色素を溶解して溶液を調製し、ダイコータ、スリットコータ、バーコータなどの塗布装置を用いて、第１基板２２の液晶層２３と接する面とは反対側の面に、その溶液を塗布し、乾燥することによって形成される。
同様に、第２偏光板２５をなす一軸光学異方性膜は、種々の有機溶媒に二色性色素を溶解して溶液を調製し、ダイコータ、スリットコータ、バーコータなどの塗布装置を用いて、第２基板２４の液晶層２３と接する面とは反対側の面に、その溶液を塗布し、乾燥することによって形成される。
二色性色素を配向させる方法としては、例えば、二色性色素を溶解した溶液を、剪断力を加えながら塗布する方法が挙げられる。この方法によれば、剪断力を加えた方向、すなわち、溶液の塗布方向が第２偏光板２５の透過軸となり、剪断力を加えた方向と直交する方向が第２偏光板２５の吸収軸となる。
【００３９】
また、二色性色素を配向させる方法としては、第２基板２４の液晶層２３と接する面とは反対側の面にラビングなどの配向処理を施し、その配向処理が施された面に、二色性色素を溶解した溶液を塗布することにより、二色性色素を配向させる方法が挙げられる。
さらに、二色性色素を配向させる方法としては、第２基板２４の液晶層２３と接する面とは反対側の面に配向膜を形成し、その配向膜に、ラビングなどの配向処理を施し、二色性色素を溶解した溶液を塗布することにより、二色性色素を配向させる方法が挙げられる。
このように、第２基板２４の液晶層２３と接する面とは反対側の面に配向処理を施した後、二色性色素を溶解した溶液を塗布した場合、配向処理方向に二色性色素が配向するので、第２偏光板２５の吸収軸が配向処理方向と一致する。
【００４０】
また、二色性色素を配向させる方法としては、第２基板２４の液晶層２３と接する面とは反対側の面に光配向膜を形成し、その光配向膜に対して斜め方向から紫外線あるいは偏光紫外線を照射することによって、二色性色素を配向させる方法が挙げられる。
【００４１】
また、上記と同様の手法によって、第１偏光板２１を第１基板２２の液晶層２３と接する面側に設置した構造を取ることも可能である。
【００４２】
液晶層２３としては、バックライト３０の波長４００〜４９０ｎｍ領域に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するものが用いられることが好ましい。換言すれば、液晶層２３の透過率が最大になる波長（ＷＬＣ）と、バックライト３０が最大強度を示す波長（ＷＢＬ）とが以下の関係式（β）を満たすことが好ましく、以下の関係式（γ）を満たすことがより好ましい。
ＷＢＬ−２５ｎｍ≦ＷＬＣ≦ＷＢＬ＋２５ｎｍ    （β）
ＷＢＬ−２５ｎｍ≦ＷＬＣ≦ＷＢＬ＋１０ｎｍ    （γ）
【００４３】
ここで、液晶層２３が最大透過率を示す位相差値について説明する。
液晶層２３が最大透過率を示す位相差値とは、液晶層２３の複屈折率（Δｎ）とセル厚（ｄ）を、各表示モードに併せて適宜設計する必要があるが、単に液晶層２３の複屈折率（Δｎ）とセル厚（ｄ）の積で求まるΔｎｄではなく、液晶層２３の駆動時に得られる実効的なΔｎｄの値のことである。
例えば、位相差値（Δｎｄ）について、下記のような設計が必要である。
ＶＡモードに用いられる液晶材料として、例えば、波長（λ）５５０ｎｍにおいて、Δｎ＝０．１を示すものを用いる場合、液晶層２３の最大透過率を得るための位相差は２７０ｎｍである。しかしながら、配向膜界面近傍の液晶分子は電界応答しないため、単純にセル厚（ｄ）を２．７μｍに設定するとΔｎｄの値が不足するため、セル厚（ｄ）を３．２μｍ程度に設定することが一般的である。
【００４４】
また、ＶＡ方式の液晶層は、ＲＧＢの各画素の電圧−透過率カーブ（ＶＴカーブ）、もしくは階調−輝度特性（ガンマカーブ）が色毎に異なっている。これは、液晶分子の屈折率が波長分散を有するからであり、ＲＧＢのガンマ特性を合わせるために、液晶分子が完全に倒れるまで電圧印加しない場合もある。すなわち、液晶層が最大透過率を示す位相差値を使用せず、ＲＧＢのバランスを考慮して色毎に最大透過率を設定し、実効的なΔｎｄの値を設定している。
【００４５】
本実施形態でＶＡモードに用いられる液晶材料を用いた場合の例を以下に示す。
液晶層２３では、波長（λ）４５５ｎｍにおいて、Δｎが増加し、Δｎ＝０．１１程度になるため、実効的な位相差がλ／２の条件を満たすようなセル厚は、ＶＡ方式の液晶層よりも１０％程度薄くなる。
そのため、波長５５０ｎｍに合わせて設計したセル厚３．２μｍに対して１０％程度薄くした、セル厚２．９μｍを最適値として設計することが可能である。
本実施形態では、青色領域についてのみ、Δｎｄを考慮すればよいため、液晶分子の応答が飽和する状態にまで電圧を印加することによって、最大透過率を得ることが可能となり、光利用効率を高めることができる。
一方、液晶分子の応答が飽和しない電圧で最大透過率を設定すれば、より応答速度を速くする効果があるため、そのような設計も可能である。
【００４６】
また、ＩＰＳモードにおいても、配向膜近傍の液晶分子は、電界駆動できない点や、液晶層の屈折率が波長分散を有することを考慮して、実効的なΔｎｄを適宜設計することが可能である。
また、同様に、透過率を優先した設計や、応答速度を優先した設計などが可能である。
【００４７】
さらに、ＴＮモードにおいても同様に、バックライト主波長における液晶層の実効的な位相差（Δｎ）およびセル厚の最適値を求めて、実効的なΔｎｄを適宜設計することが可能である。
【００４８】
また、液晶調光素子１０では、下記の式（１）〜（３）から求められるコントラスト（ＣＲｚ）の値における下記の式（４）〜（６）から求められるコントラスト（ＣＲｙ）の値に対する変化率が５％以下であることが好ましい。
【００４９】
【数１０】
2014134559.tif 000012
【００５０】
【数１１】
2014134559.tif 000013
【００５１】
【数１２】
2014134559.tif 000014
【００５２】
【数１３】
2014134559.tif 000015
【００５３】
【数１４】
2014134559.tif 000016
【００５４】
【数１５】
2014134559.tif 000017
【００５５】
但し、式（１）〜（６）中、Ｔｐ（λ）は平行透過率（第１偏光板２１と第２偏光板２５をパラレルニコル配置に設置して測定した分光透過率）を表す。Ｔｃ（λ）は直交透過率（第１偏光板２１と第２偏光板２５をクロスニコル配置に設置して測定した分光透過率）を表す。Ｙ（λ）は３刺激値のＹ成分を表す。Ｚ（λ）は３刺激値のＺ成分を表す。
【００５６】
このように、本実施形態において、コントラストは、第１偏光板２１と第２偏光板２５の組み合わせにおいて測定した値として定義される。
【００５７】
従来、用いられてきたヨウ素偏光板は、青色領域、特に波長４９０ｎｍ以下の領域で透過率が大幅に低下する特徴がある。また、第１偏光板２１と第２偏光板２５をクロスニコル配置に設置した場合の光漏れに関しても、波長４９０ｎｍ以下の領域で大きくなり、コントラストが低下することが知られている。ヨウ素偏光板の消光比（もしくはコントラスト）の最大値は６００〜６５０ｎｍ付近に現れる。
また、液晶調光素子の設計において、コントラストや透過率は主に５５０ｎｍの領域において最適設計することが一般的であるので、上記の式（４）〜（６）から求められるコントラスト（ＣＲｙ）の値が最も重要であった。
【００５８】
実際に、ヨウ素偏光板のコントラスト（ＣＲｚ）の値とコントラスト（ＣＲｙ）の値を比較すると、コントラスト（ＣＲｚ）の値がコントラスト（ＣＲｙ）の値に比べて１０％以上低下していることが分かった。
一方、本実施形態における第１偏光板２１と第２偏光板２５は、青色領域の透過率が高められ、かつ、消光比（コントラスト）の値が青色領域に最大値を有するので、コントラスト（ＣＲｙ）の値に対する、コントラスト（ＣＲｚ）の値の変化率が１％以下と小さく、液晶調光素子１０は青色領域においても高いコントラストを示す。
【００５９】
液晶調光素子１０によれば、バックライト３０と液晶層２３の間に設けられた第１偏光板２１と、第２基板２４の液晶層２３と接する面とは反対側の面に設けられた第２偏光板２５と、を備え、第１偏光板２１および第２偏光板２５の少なくとも一方が、バックライト３０の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、かつ、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長４９０ｎｍ以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層２３は、バックライト３０の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子１０における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。
【００６０】
（２）第２実施形態
図３は、第２実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
本実施形態の液晶調光素子４０は、液晶パネル５０と、その表示画面５０ａとは反対側の面５０ｂ側に配置されたバックライト６０とから概略構成されている。
【００６１】
液晶パネル５０は、第１偏光板５１と、第１基板５２と、一対の透明電極（図示略）に挟持された液晶層５３と、保護膜５４と、第２偏光板５５と、第２基板５６と、を備えてなり、これらがバックライト６０側から順に積層された構造をなしている。
液晶層５３は、第１偏光板５１と第２偏光板５５に挟まれている。
第１偏光板５１は、バックライト６０と液晶層５３の間に設けられている。
第２偏光板５５は、第２基板５６の液晶層５３と対向する面側に設けられている。
液晶層５３と第２偏光板５５の間には、保護膜５４が設けられている。
なお、液晶層５３は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。
【００６２】
第１偏光板５１としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
第２偏光板５５としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
液晶層５３としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
バックライト６０としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
【００６３】
液晶調光素子４０によれば、バックライト６０と液晶層５３の間に設けられた第１偏光板５１と、第２基板５６の液晶層５３と対向する面側に設けられた第２偏光板５５と、を備え、第１偏光板５１および第２偏光板５５の少なくとも一方が、バックライト６０の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、かつ、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長４９０ｎｍ以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層５３は、バックライト６０の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子４０における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。
【００６４】
（３）第３実施形態
図４は、第３実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
本実施形態の液晶調光素子７０は、液晶パネル８０と、その表示画面８０ａとは反対側の面８０ｂ側に配置されたバックライト９０とから概略構成されている。
【００６５】
液晶パネル８０は、第１基板８１と、第１偏光板８２と、第１保護膜８３と、一対の透明電極（図示略）に挟持された液晶層８４と、第２保護膜８５と、第２偏光板８６と、第２基板８７と、を備えてなり、これらがバックライト９０側から順に積層された構造をなしている。
液晶層８４は、第１偏光板８２と第２偏光板８６に挟まれている。
第１偏光板８２は、第１基板８１の液晶層８４と対向する面側に設けられている。
第２偏光板８６は、第２基板８７の液晶層８４と対向する面側に設けられている。
液晶層８４と第１偏光板８２の間には、第１保護膜８３が設けられている。
液晶層８４と第２偏光板８６の間には、第２保護膜８５が設けられている。
なお、液晶層８４は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。
【００６６】
第１偏光板８２としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
第２偏光板８６としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
液晶層８４としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
バックライト９０としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
【００６７】
液晶調光素子７０によれば、第１基板８１の液晶層８４と対向する面側に設けられた第１偏光板８２と、第２基板８７の液晶層８４と対向する面側に設けられた第２偏光板８６と、を備え、第１偏光板８２および第２偏光板８６の少なくとも一方が、バックライト９０の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、かつ、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長４９０ｎｍ以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層８４は、バックライト９０の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子７０における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。
【００６８】
（４）第４実施形態
図５は、第４実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
本実施形態の液晶調光素子１００は、液晶パネル１１０と、その表示画面１１０ａとは反対側の面１１０ｂ側に配置されたバックライト１２０とから概略構成されている。
【００６９】
液晶パネル１１０は、第１偏光板１１１と、第１基板１１２と、一対の透明電極（図示略）に挟持された液晶層１１３と、第２基板１１４と、第２偏光板１１５と、バンドパスフィルタ１１６と、蛍光体層１１７と、第３基板１１８と、外光フィルタ１１９と、を備えてなり、これらがバックライト１２０側から順に積層された構造をなしている。
液晶層１１３は、第１偏光板１１１と第２偏光板１１５に挟まれている。
第１偏光板１１１は、バックライト１２０と液晶層１１３の間に設けられている。
第２偏光板１１５は、第２基板１１４の液晶層１１３と対向する面とは反対側の面に設けられている。
なお、液晶層１１３は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。
【００７０】
第１偏光板１１１としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
第２偏光板１１５としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
液晶層１１３としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
【００７１】
バックライト１２０としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
また、液晶パネル１１０とバックライト１２０の間には、ルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよい。この線状のフィルムにより、バックライト１２０から出射された光がコリメートされて、そのコリメート光（平行光）が、液晶パネル１１０に照射される。あるいは、その線状のフィルムにより、バックライト１２０から出射された光が略コリメートされて、その略コリメート光（略平行光）が、液晶パネル１１０に照射される。
このように、液晶パネル１１０とバックライト１２０の間には、指向性を高める目的で、ルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよいが、指向性を高める方式はこれに限定されない。
【００７２】
バンドパスフィルタ１１６は、誘電体多層膜などの構造を有しており、バンドパスフィルタ１１６の厚さは、第２偏光板１１５を透過した光が蛍光体層１１７に入射するまでの間に、隣の画素領域に設置した蛍光体を励起する、光学的クロストークが生じない程度とすることが好ましい。具体的には、バンドパスフィルタ１１６の厚さは、画素間隔よりも小さいことが好ましい。
【００７３】
蛍光体層１１７は、散乱体層１１７Ｂ、赤色蛍光体層１１７Ｒおよび緑色蛍光体層１１７Ｇから構成されている。
【００７４】
外光フィルタ１１９としては、可視光領域の光を透過し、青色から近紫外の領域の光を吸収または反射するバンドパスフィルタなどが用いられる。
【００７５】
液晶調光素子１００によれば、バックライト１２０と液晶層１１３の間に設けられた第１偏光板１１１と、第２基板１１４の液晶層１１３と対向する面とは反対側の面に設けられた第２偏光板１１５と、を備え、第１偏光板１１１および第２偏光板１１５の少なくとも一方が、バックライト１２０の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、かつ、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長４９０ｎｍ以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層１１３は、バックライト１２０の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子１００における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。
【００７６】
なお、本実施形態では、蛍光体層１１７が、散乱体層１１７Ｂ、赤色蛍光体層１１７Ｒおよび緑色蛍光体層１１７Ｇから構成された３原色のものである場合を例示したが、本発明はこれに限定されない。本発明にあっては、蛍光体層が４原色や５原色のものであってもよく、所望の発光スペクトルを有する蛍光体層を用いることができる。
【００７７】
（５）第５実施形態
図６は、第５実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
本実施形態の液晶調光素子１３０は、液晶パネル１４０と、その表示画面１４０ａとは反対側の面１４０ｂ側に配置されたバックライト１５０とから概略構成されている。
【００７８】
液晶パネル１４０は、第１偏光板１４１と、第１基板１４２と、一対の透明電極（図示略）に挟持された液晶層１４３と、保護膜１４４と、第２偏光板１４５と、バンドパスフィルタ１４６と、蛍光体層１４７と、第２基板１４８と、外光フィルタ１４９と、を備えてなり、これらがバックライト１５０側から順に積層された構造をなしている。
液晶層１４３は、第１偏光板１４１と第２偏光板１４５に挟まれている。
第１偏光板１４１は、バックライト１５０と液晶層１４３の間に設けられている。
第２偏光板１４５は、第２基板１４８の液晶層１４３と対向する面側に設けられている。
液晶層１４３と第２偏光板１４５の間には、保護膜１４４が設けられている。
なお、液晶層１４３は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。
【００７９】
第１偏光板１４１としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
第２偏光板１４５としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
液晶層１４３としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
【００８０】
バックライト１５０としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
また、液晶パネル１４０とバックライト１５０の間には、上述の第４実施形態と同様にルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよい。
また、液晶パネル１４０とバックライト１５０の間には、指向性を高める目的で、ルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよいが、指向性を高める方式はこれに限定されない。
【００８１】
バンドパスフィルタ１４６としては、上述の第４実施形態と同様のものが用いられる。
【００８２】
蛍光体層１４７は、散乱体層１４７Ｂ、赤色蛍光体層１４７Ｒおよび緑色蛍光体層１４７Ｇから構成されている。
【００８３】
外光フィルタ１４９としては、上述の第４実施形態と同様のものが用いられる。
【００８４】
液晶調光素子１３０によれば、バックライト１５０と液晶層１４３の間に設けられた第１偏光板１４１と、第２基板１４８の液晶層１４３と対向する面側に設けられた第２偏光板１４５と、を備え、第１偏光板１４１および第２偏光板１４５の少なくとも一方が、バックライト１５０の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、かつ、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長４９０ｎｍ以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層１４３は、バックライト１５０の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子１００における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。
【００８５】
（６）第６実施形態
図７は、第６実施形態の液晶調光素子を示す概略断面図である。
本実施形態の液晶調光素子１６０は、液晶パネル１７０と、その表示画面１７０ａとは反対側の面１７０ｂ側に配置されたバックライト１９０とから概略構成されている。
【００８６】
液晶パネル１７０は、第１基板１７１と、第１偏光板１７２と、第１保護膜１７３と、一対の透明電極（図示略）に挟持された液晶層１７４と、第２保護膜１７５と、第２偏光板１７６と、バンドパスフィルタ１７７と、蛍光体層１７８と、第２基板１７９と、外光フィルタ１８０と、を備えてなり、これらがバックライト１９０側から順に積層された構造をなしている。
液晶層１７４は、第１偏光板１７２と第２偏光板１７６に挟まれている。
第１偏光板１７２は、第１基板１７１の液晶層１７４と対向する面側に設けられている。
第２偏光板１７６は、第２基板１７９の液晶層１７４と対向する面側に設けられている。
液晶層１７４と第１偏光板１７２の間には、第１保護膜１７３が設けられている。
液晶層１７４と第２偏光板１７６の間には、第２保護膜１７５が設けられている。
なお、液晶層１７４は、画素電極、駆動電極、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）、配向膜などが含まれるが、ここでは図示を省略した。
【００８７】
第１偏光板１７２としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
第２偏光板１７６としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
液晶層１７４としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
【００８８】
バックライト１９０としては、上述の第１実施形態と同様のものが用いられる。
また、液晶パネル１７０とバックライト１９０の間には、上述の第４実施形態と同様にルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよい。
また、液晶パネル１７０とバックライト１９０の間には、指向性を高める目的で、ルーバーと呼ばれるブラインド状に配置された線状のフィルムを配置してもよいが、指向性を高める方式はこれに限定されない。
【００８９】
バンドパスフィルタ１７７としては、上述の第４実施形態と同様のものが用いられる。
【００９０】
蛍光体層１７８は、散乱体層１７８Ｂ、赤色蛍光体層１７８Ｒおよび緑色蛍光体層１７８Ｇから構成されている。
【００９１】
外光フィルタ１８０としては、上述の第４実施形態と同様のものが用いられる。
【００９２】
液晶調光素子１６０によれば、第１基板１７１の液晶層１７４と対向する面側に設けられた第１偏光板１７２と、第２基板１７９の液晶層１７４と対向する面側に設けられた第２偏光板１７６と、を備え、第１偏光板１７２および第２偏光板１７６の少なくとも一方が、バックライト１９０の極大値±２５ｎｍの範囲において消光比の値が１００以上を示す波長領域があり、かつ、波長４００〜４９０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＡ、波長３８０〜７８０ｎｍの範囲における消光比の最大値をＢとしたとき、Ａ≧０．９５Ｂとなる一軸光学異方性膜からなるので、波長４９０ｎｍ以下の短波長領域において、透過率を高くすることが可能となるとともに、高コントラスト化が可能となる。また、液晶層１７４は、バックライト１９０の波長４００〜４９０ｎｍの範囲に存在する極大波長±２５ｎｍの範囲において透過率が最大となる実効的な位相差値を有するので、液晶調光素子１６０における光の利用効率を高めることができるとともに、セル厚変化による透過率の低下が小さくなるなど、プロセスマージンを高めることができる。
【産業上の利用可能性】
【００９３】
本発明は、液晶調光素子の分野に利用することができる。
【符号の説明】
【００９４】
１０，４０，７０，１００，１３０，１６０・・・液晶調光素子
２０，５０，８０，１１０，１４０，１７０・・・液晶パネル
２１，５１，８２，１１１，１４１，１７２・・・第１偏光板
２２，５２，８１，１１２，１４２，１７１・・・第１基板
２３，５３，８４，１１３，１４３，１７４・・・液晶層
２４，５６，８７，１１４，１４８，１７９・・・第２基板
２５，５５，８６，１１５，１４５，１７６・・・第２偏光板
３０，６０，９０，１２０，１５０，１９０・・・バックライト
５４，１４４，・・・保護膜
８３，１７３・・・第１保護膜
８５，１７５・・・第２保護膜
１１６，１４６，１７７・・・バンドパスフィルタ
１１７，１４７，１７８・・・蛍光体層
１１８・・・第３基板
１１９，１４９，１８０・・・外光フィルタ
【図１】
2014134559.tif 000027
【図２】
2014134559.tif 000028
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2014134559.tif 000032
【図７】
2014134559.tif 000033