(57)【要約】【課題】高光束の蛍光体を得ることのできる蛍光体の選別方法、及びその方法により選別された蛍光体を用いて形成される発光装置を提供する。【解決手段】本発明の一態様に係る蛍光体の選別方法は、蛍光体の発光スペクトルを測定する工程と、前記蛍光体から、前記発光スペクトルの発光重心波長λCが５３０ｎｍ以上かつ５７０ｎｍ以下であり、かつ半値幅が９０ｎｍ以下であるものを選別する工程と、を含む、蛍光体の選別方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
蛍光体の発光スペクトルを測定する工程と、
前記蛍光体から、前記発光スペクトルの下記数式（１）で表される発光重心波長λCが５３０ｎｍ以上かつ５７０ｎｍ以下であり、かつ半値幅が９０ｎｍ以下であるものを選別する工程と、
を含む、蛍光体の選別方法。
【数１】
2014167974.tif 000007
ただし、上記数式（１）において、λは波長を表し、P(λ)は波長の関数として表される前記蛍光体の発光強度を表す。
【請求項２】
基体上に搭載されたＬＥＤチップと、
前記ＬＥＤチップ上に設置される封止材と、
前記封止材に含まれる、請求項１に記載の蛍光体の選別方法により選別された蛍光体と、
を有する発光装置。
【請求項３】
前記ＬＥＤチップ、前記封止材、及び前記蛍光体を有する第１の蛍光部と、
第２の基体上に搭載された第２のＬＥＤチップ、前記第２のＬＥＤチップ上に設置される第２の封止材、及び前記第２の封止材に含まれる、前記蛍光体よりも発光波長の長い第２の蛍光体を有する第２の蛍光部と、
を有し、
前記第１の発光部と前記第２の発光部は、水平方向に並んで配置される、請求項２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記封止材下に設置される第２の封止材と、
前記第２の封止材に含まれる、前記蛍光体よりも発光波長の長い第２の蛍光体と、
をさらに有する、請求項２に記載の発光装置。
【請求項５】
前記ＬＥＤチップ、前記封止材、及び前記蛍光体を有する蛍光部と、
前記蛍光体よりも発光波長の長いランプと、
を有する、請求項２に記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蛍光体の選別方法及び発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の発光装置として、ＬＥＤチップと蛍光体を含み、蛍光体がＬＥＤチップから発せられる光を吸収して発する蛍光を利用した発光装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−９９８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の目的の一つは、より高光束の発光装置を形成するために、高光束の蛍光体を得ることのできる蛍光体の選別方法、及びその方法により選別された蛍光体を用いて形成される発光装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
上記目的を達成するため、本発明の一態様において、蛍光体の発光スペクトルを測定する工程と、前記蛍光体から、前記発光スペクトルの下記数式（１）で表される発光重心波長λCが５３０ｎｍ以上かつ５７０ｎｍ以下であり、かつ半値幅が９０ｎｍ以下であるものを選別する工程と、を含む、蛍光体の選別方法を提供する。
【数１】
2014167974.tif 000002
ただし、上記数式（１）において、λは波長を表し、P(λ)は波長の関数として表される前記蛍光体の発光強度を表す。
【０００６】
また、本発明の他の態様において、基体上に搭載されたＬＥＤチップと、前記ＬＥＤチップ上に設置される封止材と、前記封止材に含まれる、上記の蛍光体の選別方法により選別された蛍光体と、を有する発光装置を提供する。
【０００７】
上記発光装置において、前記ＬＥＤチップ、前記封止材、及び前記蛍光体を有する第１の蛍光部と、第２の基体上に搭載された第２のＬＥＤチップ、前記第２のＬＥＤチップ上に設置される第２の封止材、及び前記第２の封止材に含まれる、前記蛍光体よりも発光波長の長い第２の蛍光体を有する第２の蛍光部と、を有し、前記第１の発光部と前記第２の発光部は、水平方向に並んで配置されてもよい。
【０００８】
上記発光装置において、前記封止材下に設置される第２の封止材と、前記第２の封止材に含まれる、前記蛍光体よりも発光波長の長い第２の蛍光体と、をさらに有してもよい。
【０００９】
上記発光装置において、前記ＬＥＤチップ、前記封止材、及び前記蛍光体を有する蛍光部と、前記蛍光体よりも発光波長の長いランプと、を有してもよい。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、高光束の蛍光体を得ることのできる蛍光体の選別方法、及びその方法により選別された蛍光体を用いて形成される発光装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、第１の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。
【図２】図２（ａ）は表１に記載された蛍光体の発光重心波長λcと光束比の関係をグラフ化したものであり、図２（ｂ）は表１に記載された蛍光体の半値幅と光束比の関係をグラフ化したものであり、図２（ｃ）は表１に記載された蛍光体の発光重心波長λcと半値幅との関係をグラフ化したものである。
【図３】図３は、表２に記載された高光束装置及び低光束装置の発光スペクトルと、明所標準比視感度を表すグラフである。
【図４】図４は、第１の実施の形態の蛍光体の発光スペクトルと、赤色蛍光体（（Ｃａ、Ｓｒ）ＡｌＳＮ３：Ｅｕ）の励起スペクトルを示すグラフである。
【図５】図５（ａ）は第２の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図であり、図５（ｂ）、（ｃ）はその変形例の垂直断面図である。
【図６】図６は、第３の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。
【図７】図７（ａ）は第４の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図であり、図７（ｂ）はその変形例の垂直断面図である。
【図８】図８は、第５の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。
【図９】図９は、第６の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。
【図１０】図１０は、第６の実施の形態に係る発光部とランプの色度を表す色度図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
〔第１の実施の形態〕
図１は、第１の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。発光装置１０は、ケース１１と、ケース１１に含まれる基体１２と、ケース１１の凹部内の基体１２上に搭載されるＬＥＤチップ１３と、ケース１１の凹部内のＬＥＤチップ１３を封止する封止材１４を有する。
【００１３】
ＬＥＤチップ１３は、例えば、チップ基板と、発光層及びそれを挟むクラッド層を含む結晶層とを有する。ＬＥＤチップ１３は、結晶層が上方を向いたフェイスアップ型のＬＥＤチップであってもよいし、結晶層が下方を向いたフェイスダウン型のＬＥＤチップであってもよい。
【００１４】
ケース１１は、凹部の側壁を構成する環状の側壁部を有し、側壁部に囲まれた領域内に、ＬＥＤチップ１３が搭載される。ケース１１の内面は、ＬＥＤチップ１３から発せられた光を反射する反射部材として機能する。
【００１５】
ケース１１は、例えば、ポリフタルアミド樹脂、ＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer）、ＰＣＴ（Polycyclohexylene Dimethylene Terephalate）等の熱可塑性樹脂、シリコーン樹脂、変性シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂からなる。ケース１１は、光反射率を向上させるための、二酸化チタン等の光反射粒子を含んでもよい。
【００１６】
基体１２は、例えば、リードフレーム、配線基板、又は導体フレームを樹脂でモールド整形して絶縁したリードフレームインサート基板である。ＬＥＤチップ１３と基体１２は、図示しないワイヤー、導電バンプ等により電気的に接続される。
【００１７】
封止材１４は、例えば、シリコーン系樹脂やエポキシ系樹脂等の樹脂材料や、ガラスからなる。また、封止材１４は、粒子状の蛍光体１５を含む。例えば、ＬＥＤチップ１３の発光色が青色であり、蛍光体１５の蛍光色が黄色である場合は、発光装置１０の発光色は白色になる。蛍光体１５は、封止材１４中に分散配置されてもよく、沈降配置されてもよい。
【００１８】
なお、封止材１４は、ＬＥＤチップ１３の上方にＬＥＤチップ１３と離れて形成されてもよい。
【００１９】
（蛍光体の特性）
蛍光体１５は、発光スペクトルの発光重心波長λcが５３０ｎｍ以上かつ５７０ｎｍ以下であり、かつ半値幅が９０ｎｍ以下である。ここで、発光重心波長λcは、下記の数式（２）で表される波長である。
【００２０】
【数２】
2014167974.tif 000003
【００２１】
上記の数式（２）において、λは波長を表し、P(λ)は波長の関数として表される蛍光体１５の発光強度、すなわち蛍光体１５の発光スペクトルを表す。
【００２２】
複数種の蛍光体の発光スペクトルを測定し、得られた測定結果に基づいて、複数種の蛍光体から上記の発光重心波長λcと半値幅の条件を満たすものを選別することにより、蛍光体１５が得られる。
【００２３】
発光重心波長λcは、発光スペクトルにおけるその波長λcの長波長側のスペクトル面積と短波長側のスペクトル面積が等しくなるような波長である。この発光重心波長λcが、明所における標準比視感度V(λ)が最大値をとる波長５５５ｎｍに近いほど、発光スペクトルP(λ)と明所における標準比視感度V(λ)の重なりが大きくなり、発光スペクトルP(λ)と標準比視感度V(λ)の重なり積分値に比例する光束Φが大きくなる。なお、光束Φは、下記の数式（３）で表される。
【００２４】
【数３】
2014167974.tif 000004
【００２５】
上記の数式（３）において、Kmは最大視感度（６８３［ｌｍ／Ｗ］）を表し、Φe(λ)は放射束を表す。
【００２６】
また、蛍光体の発光スペクトルは、半値幅が小さい急峻なスペクトルの方が、半値幅の大きいなだらかなスペクトルよりも、明所における標準比視感度V(λ)との重なりが大きくなり、蛍光体の光束Φが大きくなる。
【００２７】
（蛍光体の評価）
以下の表１に、９種の蛍光体の発光ピーク波長λp、発光重心波長λc、半値幅、及び光束比を表す。ここで、発光ピーク波長λp、及び半値幅は、蛍光体の発光スペクトルの測定により得られたものであり、発光重心波長λcは、発光スペクトルから上記の式（２）を用いて計算されたものである。
【００２８】
表１の光束比とは、表１の最上段の蛍光体（Ｎｏ．１）の光束を基準としたときの、基準に対する光束の比である。光束は、出力２５ｍＷ、主波長４５０ｎｍの青色ＬＥＤチップから発せられた光の全てを蛍光体により色変換する（変換効率１００％）と仮定したシミュレーションにより求めたものである。
【００２９】
【表１】
2014167974.tif 000005
【００３０】
図２（ａ）は、表１に記載された蛍光体の発光重心波長λcと光束比の関係をグラフ化したものである。図２（ａ）において、表１のＮｏ．１〜６のＢＯＳ（バリウム・オルソシリケート）系蛍光体の値をマーク“◆”、Ｎｏ．７〜９のＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）系蛍光体の値をマーク“■”で表す。
【００３１】
図２（ａ）は、発光重心波長λcと光束に相関性があり、発光重心波長λcがおよそ５３０ｎｍ以上かつ５７０ｎｍ以下の範囲にあるときに光束が大きくなり、発光重心波長λcがおよそ５３５ｎｍ以上かつ５６５ｎｍ以下の範囲にあるときに特に光束が大きくなることを示している。これらの発光重心波長λcの数値範囲は、明所における標準比視感度V(λ)が最大値をとる波長５５５ｎｍを含んでいる。
【００３２】
図２（ｂ）は、表１に記載された蛍光体の半値幅と光束比の関係をグラフ化したものである。図２（ｂ）において、表１のＮｏ．１〜６のＢＯＳ系蛍光体の値をマーク“◆”、Ｎｏ．７〜９のＹＡＧ系蛍光体の値をマーク“■”で表す。
【００３３】
図２（ｂ）は、半値幅と光束に相関性があり、半値幅がおよそ９０ｎｍ以下の範囲にあるときに光束が大きくなり、半値幅がおよそ８０ｎｍ以下の範囲にあるときに特に光束が大きくなることを示している。
【００３４】
図２（ｃ）は、表１に記載された蛍光体の発光重心波長λcと半値幅との関係をグラフ化したものである。図２（ｃ）において、表１のＮｏ．１の基準となる蛍光体の値をマーク“●”、光束比が１．０以上の蛍光体の値をマーク“○”、光束比が１．０未満の蛍光体の値をマーク“×”で表す。
【００３５】
図２（ｃ）中の点線で区切られた領域は、表１のＮｏ．３〜６の光束比が１．０以上の蛍光体の値を含むように設定された高光束領域である。
【００３６】
以下の表２に、４種の蛍光体をそれぞれ用いて形成した発光装置の特性を示す。表２の“蛍光体特性”は、発光装置に用いられる蛍光体の特性を表し、“発光装置特性”は、発光装置の特性を表す。なお、蛍光体特性”の発光ピーク波長λpは、標準比視感度V(λ)が最大値をとる波長５５５ｎｍに最も近いピークの波長を表す。
【００３７】
表２のＮｏ．１、２の高光束装置１、２は、本実施の形態の条件を満たす蛍光体、すなわち発光スペクトルの発光重心波長λcが５３０ｎｍ以上かつ５７０ｎｍ以下であり、かつ半値幅が９０ｎｍ以下である蛍光体を含む発光装置である。また、Ｎｏ．３、４の低光束装置１、２は、本実施の形態の条件を満たさない蛍光体を含む発光装置である。
【００３８】
なお、高光束装置１、２、及び低光束装置１、２は、上記の本実施の形態に係る発光装置１０と同様の構成を有し、ＬＥＤチップとして青色ＬＥＤを備える。
【００３９】
表２の光束比とは、表２の低光束装置１（Ｎｏ．３）の光束を基準としたときの、基準に対する光束の比である。
【００４０】
【表２】
2014167974.tif 000006
【００４１】
図３は、表２に記載された高光束装置１、２、及び低光束装置１、２の発光スペクトルと、明所標準比視感度を表すグラフである。
【００４２】
表２は、本実施の形態の条件を満たす蛍光体を含む高光束装置１、２の光束が、本実施の形態の条件を満たさない蛍光体を含む低光束装置１、２の光束よりも大きいことを示している。
【００４３】
〔第２の実施の形態〕
第２の実施の形態は、発光装置の構成において第１の実施の形態と異なる。なお、第１の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
【００４４】
第１の実施の形態の蛍光体１５を含む発光装置においては、高い光束が得られるが、蛍光体１５よりも発光波長の長い蛍光体を混合する場合、蛍光体１５から発せられた光が発光波長の長い蛍光体により吸収されてしまい、光取出効率が低下する。
【００４５】
例えば、第１の実施の形態の表１に記載された蛍光体の評価結果によれば、第１の実施の形態に係る蛍光体１５の条件を満たす蛍光体の発光色は黄緑〜緑であり、発光色が黄色の蛍光体は条件を満たさない傾向がある。このため、蛍光体１５を用いて白色、特に赤みがかった暖色系白色の発光装置を形成する場合、青色ＬＥＤと蛍光体１５に加えて、赤色系蛍光体が用いられる。この場合、赤色系蛍光体は蛍光体１５よりも発光波長が大きいため、蛍光体１５から発せられた光を吸収する。
【００４６】
図４は、第１の実施の形態の蛍光体１５の発光スペクトルと、赤色蛍光体（（Ｃａ、Ｓｒ）ＡｌＳＮ３：Ｅｕ）の励起スペクトルを示すグラフである。
【００４７】
図４は、高光束装置１に用いられる蛍光体１５の発光スペクトルが赤色蛍光体の励起スペクトルに大きく重なっていることを示しており、このことから、蛍光体１５の発光が赤色蛍光体に吸収されることがわかる。
【００４８】
（発光装置の構成）
図５（ａ）は、第２の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。発光装置２０ａは、水平方向に並んで配置される発光部２０１と発光部２０２を有する。発光部２０１及び発光部２０２は、台座２６に設置される。
【００４９】
発光部２０１は、第１の実施の形態の発光装置１０と同じ構成を有する。すなわち、発光部２０１は、ケース１１と、ケース１１に含まれる基体１２と、ケース１１の凹部内の基体１２上に搭載されるＬＥＤチップ１３と、ケース１１の凹部内のＬＥＤチップ１３を封止する封止材１４を有し、封止材１４は蛍光体１５を含む。
【００５０】
発光部２０２は、封止材１４中に蛍光体１５の代わりに蛍光体２５を含む点で発光部２０１と異なる。
【００５１】
発光部２０１に含まれる蛍光体１５は、第１の実施の形態に係る蛍光体であり、発光スペクトルの発光重心波長λcが５３０ｎｍ以上かつ５７０ｎｍ以下であり、かつ半値幅が９０ｎｍ以下である。
【００５２】
発光部２０２に含まれる蛍光体２５は、蛍光体１５よりも発光波長の長い蛍光体である。例えば、蛍光体１５の発光色が緑色や黄緑色である場合、発光色が赤系の蛍光体を蛍光体２５として用いる。この場合、ＬＥＤチップ１３が青色ＬＥＤチップであれば、発光部２０１と発光部２０２の発光色の混色により、発光装置２０ａの発光色は白色となる。
【００５３】
発光装置２０ａにおいては、発光部２０１内の蛍光体１５から発せられた光が直接発光部２０２内へ入射することがない。このため、蛍光体１５から発せられた光が蛍光体２５に吸収されることによる発光装置の光取出効率の低下を抑えることができる。
【００５４】
図５（ｂ）は、第２の実施の形態に係る発光装置の変形例の垂直断面図である。発光装置２０ｂは、発光部２０１と発光部２０２のケース１１及び基体１２が一体になるように形成される。
【００５５】
発光装置２０ｂにおいても、発光部２０１内の蛍光体１５から発せられた光が直接発光部２０２内へ入射することがない。このため、蛍光体１５から発せられた光が蛍光体２５に吸収されることによる発光装置の光取出効率の低下を抑えることができる。
【００５６】
図５（ｃ）は、第２の実施の形態に係る発光装置の他の変形例の垂直断面図である。発光装置２０ｃは、ケース１１の代わりにケース２１を有する点で発光装置２０ｂと異なる。ケース２１は、ケース１１の発光部２０１と発光部２０２との境界における部分が除去された形状を有する。
【００５７】
発光装置２０ｃにおいては、発光部２０１内の蛍光体１５から発せられて発光部２０２内へ入射する光の方向が、水平方向の一部の方向に限定されている。このため、蛍光体１５から発せられた光が蛍光体２５に吸収されることによる発光装置の光取出効率の低下を抑えることができる。
【００５８】
〔第３の実施の形態〕
第３の実施の形態は、発光装置の構成において第１、第２の実施の形態と異なる。なお、第１、第２の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
【００５９】
（発光装置の構成）
図６は、第３の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。発光装置３０は、水平方向に並んで配置される発光部３０１と発光部３０２を有する。発光部３０１と発光部３０２は、図６に示されるように、交互に配置されることが好ましい。
【００６０】
発光部３０１は、基体３１に接続されるＬＥＤチップ１３と、ＬＥＤチップ１３を封止するドーム型の封止材３２を有する。封止材３２は蛍光体１５を含む。
【００６１】
発光部３０２は、封止材３２中に蛍光体１５の代わりに蛍光体２５を含む点で発光部３０１と異なる。
【００６２】
封止材３２は、第１の実施の形態の封止材１４と同様の材料からなる。
【００６３】
発光装置３０においては、発光部３０１内の蛍光体１５から上方及び斜め上方に発せられた光が直接発光部３０２内へ入射することがない。このため、蛍光体１５から発せられた光が蛍光体２５に吸収されることによる発光装置の光取出効率の低下を抑えることができる。
【００６４】
〔第４の実施の形態〕
第４の実施の形態は、発光装置の構成において第１、第２の実施の形態と異なる。なお、第１、第２の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
【００６５】
（発光装置の構成）
図７（ａ）は、第４の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。発光装置４０ａは、ケース１１と、ケース１１に含まれる基体１２と、ケース１１の凹部内の基体１２上に搭載されるＬＥＤチップ１３と、ケース１１の凹部内のＬＥＤチップ１３を封止する封止材１４ａと、ケース１１の凹部内の封止材１４ａ上の中間層４１と、ケース１１の凹部内の中間層４１上の封止材１４ｂと、を有する。封止材１４ａは蛍光体２５を含み、封止材１４ｂは蛍光体１５を含む。
【００６６】
発光装置４０ａにおいては、蛍光体２５を含む封止材１４ａと蛍光体１５を含む封止材１４ｂとが中間層４１により分離されており、蛍光体１５から上方及び側方に発せられた光が蛍光体２５へ直接向かうことがない。このため、蛍光体１５から発せられた光が蛍光体２５に吸収されることによる発光装置の光取出効率の低下を抑えることができる。
【００６７】
図７（ｂ）は、第４の実施の形態に係る発光装置の変形例の垂直断面図である。発光装置４０ｂにおいては、蛍光体１５を含むプレート４２がケース１１上、すなわちケース１１の凹部の外側に形成される。プレート４２は、ガラスや樹脂等からなる板状の部材である。
【００６８】
発光装置４０ｂにおいても、蛍光体２５を含む封止材１４ａと蛍光体１５を含むプレート４２とが中間層４１により分離されており、蛍光体１５から上方及び側方に発せられた光が蛍光体２５へ直接向かうことがない。このため、蛍光体１５から発せられた光が蛍光体２５に吸収されることによる発光装置の光取出効率の低下を抑えることができる。
【００６９】
〔第５の実施の形態〕
第５の実施の形態は、発光装置の構成において第１、第２の実施の形態と異なる。なお、第１、第２の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
【００７０】
（発光装置の構成）
図８は、第５の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。発光装置５０は、ケース１１と、ケース１１に含まれる基体１２と、ケース１１の凹部内の基体１２上に搭載されるＬＥＤチップ１３と、ケース１１の凹部内のＬＥＤチップ１３を封止する封止材１４ａと、ケース１１の凹部内の封止材１４ａ上の封止材１４ｂと、を有する。封止材１４ａは蛍光体２５を含み、封止材１４ｂは蛍光体１５を含む。
【００７１】
発光装置５０においては、蛍光体２５が封止材１４ａ中に沈降配置されているため、蛍光体１５と蛍光体２５とが分離されており、蛍光体１５から上方及び側方に発せられた光が蛍光体２５へ直接向かうことがない。このため、蛍光体１５から発せられた光が蛍光体２５に吸収されることによる発光装置の光取出効率の低下を抑えることができる。
【００７２】
〔第６の実施の形態〕
第６の実施の形態は、発光装置の構成において第１の実施の形態と異なる。なお、第１の実施の形態と同様の点については、説明を省略又は簡略化する。
【００７３】
（発光装置の構成）
図９は、第６の実施の形態に係る発光装置の垂直断面図である。発光装置６０は、ケース６１と、ケース６１の凹部内に搭載された発光部６２と、ケース６１の凹部内に搭載されたランプ６３を有する。
【００７４】
発光部６２は、第１の実施の形態の発光装置１０と同じ構成を有する。すなわち、発光部６２は、ケース１１と、ケース１１に含まれる基体１２と、ケース１１の凹部内の基体１２上に搭載されるＬＥＤチップ１３と、ケース１１の凹部内のＬＥＤチップ１３を封止する封止材１４を有し、封止材１４は蛍光体１５を含む。
【００７５】
ランプ６３は、発光部６２に含まれる蛍光体１５よりも発光波長の長いランプである。例えば、蛍光体１５の発光色が緑色や黄緑色である場合、ナトリウムランプ等の発光色が橙色系のランプをランプ６３として用いる。この場合、発光部６２のＬＥＤチップ１３が青色ＬＥＤチップであれば、発光部６２とランプ６３の発光色の混色により、発光装置６０の発光色は白色となる。
【００７６】
発光装置６０においては、蛍光体１５の発する光よりも波長の長い光を発するために、蛍光体ではなくランプ６３を用いるため、蛍光体１５から発せられた光が蛍光体１５よりも発光波長の長い蛍光体に吸収されることによる発光装置の光取出効率の低下を抑えることができる。
【００７７】
図１０は、第６の実施の形態に係る発光部とランプの色度を表す色度図である。図１０のマーク“△”は、発光重心波長λCが５５８ｎｍである蛍光体１５を含む発光部６２の色度を表し、マーク“◇”は、発光重心波長λCが５４５ｎｍである蛍光体１５を含む発光部６２の色度を表し、マーク“■”は、ナトリウムランプであるランプ６３の色度を表す。
【００７８】
また、図１０には、ＪＩＳＺ９１１２で規格された、昼光色、昼白色、及び電球色の色度範囲を示す。図１０において、発光部６２の色度とランプ６３の色度は、これらの色度範囲を挟む位置にプロットされている。このことは、発光部６２中の蛍光体１５の含有量等を調節することにより、発光部６２とランプ６３の発光による発光装置６０の発光の色度をこれらの色度範囲に収められることを示している。
【００７９】
（実施の形態の効果）
第１の実施の形態に記載された条件を満たす蛍光体を選別し、選別された蛍光体を用いて発光装置を製造することにより、高光束の発光装置が得られる。また、第２〜６の実施の形態に係る発光装置の形態によれば、選別した蛍光体から発せられた光が発光波長の長い蛍光体に吸収されることによる発光装置の光取出効率の低下を抑えることができる。
【００８０】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、本発明は、上記の実施の形態に限定されず、発明の主旨を逸脱しない範囲内において種々変形実施が可能である。
【００８１】
また、上記の実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【符号の説明】
【００８２】
１０、２０ａ、２０ｂ、２０ｃ、３０、４０ａ、４０ｂ、５０、６０  発光装置
１２、２２、３１                 基体
１３                             ＬＥＤチップ
１４、１４ａ、１４ｂ、３２       封止材
１５、２５                       蛍光体
４２                             プレート
６３                             ランプ
２０１、２０２、３０１、３０２   発光部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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