(57)【要約】      （修正有）【課題】分割により形成されたチップが十分な抗折強度を有するウエーハの加工方法を提供する。【解決手段】デバイス１５が形成されるとともに、表面から所定厚みに至る深さに複数の導体ポスト２５が埋設されたウエーハ１１の加工法であって、ウエーハ１１の表面側にサポートプレート２３を配設するステップと、ウエーハ１１が貼着されたサポートプレート２３側をチャックテーブルで保持し、レーザービームをウエーハ１１の裏面側から分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ１１内部に改質層２７を形成するステップと、ウエーハ１１の表面を研削して薄化するステップと、サポートプレート２３上に配設されたウエーハ１１の裏面側にエッチングを施して、導体ポスト２５の上面をウエーハ１１裏面から突出させるエッチングステップと、サポートプレート２３を取り外すとともにウエーハ１１の裏面にテープを貼着するテープ貼着ステップと、を備えた。【選択図】図７
2014017434.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されるとともに、表面から所定厚みに至る深さに複数の導体ポストが埋設されたウエーハの加工法であって、
ウエーハの表面側にサポートプレートを配設するサポートプレート配設ステップと、
該サポートプレート配設ステップを実施した後、ウエーハが貼着された該サポートプレート側をチャックテーブルで保持し、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、
該改質層形成ステップを実施した後、ウエーハの裏面を研削して薄化する研削ステップと、
該研削ステップを実施した後、該サポートプレート上に配設されたウエーハの裏面側にエッチングを施して、裏面に露出した該導体ポストの上面をウエーハ裏面から突出させるエッチングステップと、
該エッチングステップを実施した後、ウエーハの表面に配設された該サポートプレートを取り外すとともにウエーハの裏面にテープを貼着するテープ貼着ステップと、
を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
前記改質層形成ステップでは、ウエーハの裏面側からウエーハの仕上げ厚みに至らないウエーハ裏面側領域に前記レーザービームの集光点を位置づけてウエーハ内部に前記分轄予定ラインに沿った前記改質層を形成するとともに、該改質層からウエーハの表面に至るクラックを伸長させる請求項１記載のウエーハの加工方法。
【請求項３】
前記改質層形成ステップでは、ウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至るウエーハ表面側領域に前記レーザービームの集光点を位置付けてウエーハ内部に前記分割予定ラインに沿った前記改質層を形成し、
前記テープ貼着ステップを実施した後、該テープを拡張して外力を付与することで該改質層を分割起点にウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップを更に備えた請求項１記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導体ポストが埋設されたウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体デバイスの高集積化、高密度化、小型化、薄型化を達成するために、ＭＣＰ（マルチ・チップ・パッケージ）やＳＩＰ（システム・イン・パッケージ）といった複数の半導体チップを積層した積層型半導体パッケージが提案されている。このような積層型半導体パッケージは、インターポーザーとよばれるパッケージ基板上に複数の半導体チップを積層することで形成される。
【０００３】
一般的には、インターポーザーと半導体チップの電極同士、或いは複数積層した半導体チップの電極同士を、金線ワイヤーで電気的に結線した後、半導体チップをインターポーザーに樹脂でモールド封止することで積層型半導体パッケージが製造される。
【０００４】
ところがこの方法では、半導体チップの電極にボンディングされた金線ワイヤーは、半導体チップの外周余剰領域に張り出す形となるために、パッケージサイズが半導体チップよりも大きくなってしまうという問題があった。
【０００５】
また、樹脂でモールド封止する際に金線ワイヤーが変形して断線や短絡が生じたり、モールド樹脂中に残存した空気が過熱時に膨張して半導体パッケージの破損を招いたりするという問題があった。
【０００６】
そこで、半導体チップ内に、半導体チップを厚み方向に貫通して半導体チップの電極に接続する貫通電極を設け、半導体チップを積層するとともに貫通電極を接合させて電気的に結線する技術が提案されている（例えば、特開２００４−２４１４７９号公報及び特開２００８−１３０７０４号公報参照）。
【０００７】
貫通電極を有する半導体チップを形成する方法として、ビアファーストと呼ばれる方法やビアミドルと呼ばれる方法があり、広く採用されている。これらの方法では、ウエーハの表面から半導体チップの仕上げ厚みに至るビア（穴）を形成し、更に穴内に銅等の導体を充填して導体ポストを形成する。
【０００８】
導体ポストを形成する前又は後のウエーハ表面にはフォトリソグラフィーにより複数のデバイスが形成され、導体ポストを形成した後に表面側に配線を施すことで、複数のデバイスを有し導体ポストが埋設されたウエーハが製造される。
【０００９】
次いで、ウエーハの裏面を研削してウエーハを所定厚みへと薄化し、更にエッチングを施すことによりウエーハの裏面側に導体ポストを僅かに突出させた後、適宜裏面側に絶縁膜等を被覆する。その後、ウエーハを個々のチップへと分割することで貫通電極を有するチップが形成される。
【００１０】
従来、導体ポストが埋設されたウエーハを個々のチップに分割するには、例えば特開２０００−２７１８３４号公報に開示される切削ブレードを備えた切削装置が広く用いられていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−２４１４７９号公報
【特許文献２】特開２００８−１３０７０４号公報
【特許文献３】特開２０００−２７１８３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかし、切削ブレードで切削したチップには切削によって発生した微小なクラックが残存するため、チップの抗折強度が上がらず、チップの強度不足やチップのピックアップ不良を生じさせる等の問題があった。
【００１３】
そこで、チップの抗折強度を向上させるため、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームを用いてウエーハ内部に改質層を形成し、改質層を分割起点にしてウエーハを個々のチップに分割する方法が考えられる。
【００１４】
しかし、研削により薄化されたウエーハではウエーハ内部の所定位置に改質層を安定的に形成することが難しいという問題がある。ウエーハ内部の所定位置に均一な改質層が形成されないと、分割時に分割されない領域が発生する恐れがある。
【００１５】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、分割により形成されたチップが十分な抗折強度を有するとともに、ウエーハの全領域において個々のチップへと分割可能なウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項１記載の発明によると、交差する複数の分割予定ラインで区画された表面の各領域にそれぞれデバイスが形成されるとともに、表面から所定厚みに至る深さに複数の導体ポストが埋設されたウエーハの加工法であって、ウエーハの表面側にサポートプレートを配設するサポートプレート配設ステップと、該サポートプレート配設ステップを実施した後、ウエーハが貼着された該サポートプレート側をチャックテーブルで保持し、ウエーハに対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハの裏面側から該分割予定ラインに沿って照射して、ウエーハ内部に改質層を形成する改質層形成ステップと、該改質層形成ステップを実施した後、ウエーハの表面を研削して薄化する研削ステップと、該研削ステップを実施した後、該サポートプレート上に配設されたウエーハの裏面側にエッチングを施して、裏面に露出した該導体ポストの上面をウエーハ裏面から突出させるエッチングステップと、該エッチングステップを実施した後、ウエーハの表面に配設された該サポートプレートを取り外すとともにウエーハの裏面にテープを貼着するテープ貼着ステップと、を備えたことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１７】
請求項２記載の発明によると、請求項１記載の発明において、前記改質層形成ステップでは、ウエーハの裏面側からウエーハの仕上げ厚みに至らないウエーハ裏面側領域に前記レーザービームの集光点を位置づけてウエーハ内部に前記分轄予定ラインに沿った前記改質層を形成するとともに、該改質層からウエーハの表面に至るクラックを伸長させるウエーハの加工方法が提供される。
【００１８】
請求項３記載の発明によると、請求項１記載の発明において、前記改質層形成ステップでは、ウエーハの表面からウエーハの仕上げ厚みに至るウエーハ表面側領域に前記レーザービームの集光点を位置付けてウエーハ内部に前記分割予定ラインに沿った前記改質層を形成し、前記テープ貼着ステップを実施した後、該テープを拡張して外力を付与することで該改質層を分割起点にウエーハを該分割予定ラインに沿って分割する分割ステップを更に備えたウエーハの加工方法が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
請求項１記載の発明によると、ウエーハを研削により薄化する前にウエーハ内部に改質層を形成するため、ウエーハ内部の所定位置に安定して改質層を形成することができ、分割時に未分割領域を発生させることがない。また、切削ブレードによる切削を行わないため、形成されるチップは十分な抗折強度を有している。
【００２０】
請求項２記載の発明によると、改質層形成時に改質層からウエーハの表面に至るクラックを伸長させて実質上チップへと分割するため、導体ポストが埋設されたウエーハはチップへと分割された後に導体ポストが裏面から突出せしめられる。従って、未分割領域を発生させることがないとともに切削ブレードによる切削を行わないため、形成されるチップは十分な抗折強度を有している。
【００２１】
請求項３記載の発明によると、内部に改質層が形成されたウエーハは裏面側にテープが貼着されて、テープのエキスパンドによって個々のチップに分割される。研削前のウエーハに改質層を形成するため、ウエーハ内部の所定位置に均一な改質層を形成でき、分轄時に未分割領域を発生させることがないとともに、切削ブレードによる切削を行わないため、形成されるチップは十分な抗折強度を有している。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】導体ポストが埋設された半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図２】半導体ウエーハの断面図である。
【図３】表面にサポートウエーハが貼着された半導体ウエーハの裏面側斜視図である。
【図４】表面にサポートプレートが貼着された半導体ウエーハの断面図である。
【図５】改質層形成ステップを示す斜視図である。
【図６】レーザービームの照射ユニットのブロック図である。
【図７】改質層形成ステップ終了後の半導体ウエーハの断面図である。
【図８】研削ステップを示す斜視図である。
【図９】研削ステップ終了後の半導体ウエーハの断面図ある。
【図１０】エッチングステップ終了後の半導体ウエーハの断面図である。
【図１１】絶縁膜形成ステップ終了後の半導体ウエーハの断面図である。
【図１２】転写ステップ実施後の粘着テープを介して環状フレームで支持された半導体ウエーハの断面図である。
【図１３】ピックアップステップを示す断面図である。
【図１４】第２実施形態の加工方法における改質層形成ステップ実施後の半導体ウエーハの断面図である。
【図１５】研削ステップ実施後の半導体ウエーハの断面図である。
【図１６】エッチングステップ実施後の半導体ウエーハの断面図である。
【図１７】絶縁膜被覆ステップ実施後の半導体ウエーハの断面図である。
【図１８】転写ステップ実施後の粘着テープを介して環状フレームで支持された半導体ウエーハの断面図である。
【図１９】粘着テープを拡張する分割ステップを示す断面図である。
【図２０】ピックアップステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、所定の厚さに加工される前の半導体ウエーハ（以下単にウエーハと略称することがある）１１の斜視図が示されている。
【００２４】
図１に示す半導体ウエーハ１１は、例えば厚さが７００μｍのシリコンウエーハから成っており、表面１１ａに複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、該複数の分割予定ライン１３によって区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。
【００２５】
このように構成された半導体ウエーハ１１は、デバイス１５が形成されているデバイス領域１７と、デバイス領域１７を囲繞する外周余剰領域１９をその表面１１ａに備えている。また、半導体ウエーハ１１の外周には、シリコンウエーハの結晶方位を示すマークとしてのノッチ２１が形成されている。
【００２６】
図２を参照すると、半導体ウエーハ１１の模式的断面図が示されている。半導体ウエーハ１１に形成された各デバイス１５からはデバイスの仕上がり厚みｔ１以上の深さに埋設された複数の埋め込み電極（導体ポスト）２５が裏面１１ｂ側に伸長している。
【００２７】
本発明第１実施形態のウエーハの加工方法では、図３及び図４に示すように、ウエーハ１１の表面１１ａ側にサポートプレート２３を配設するサポートプレート配設ステップを実施する。好ましくは、サポートプレート２３は接着剤によりウエーハ１１の表面１１ａに貼着される。
【００２８】
ここで、サポートプレート２３としては、後のエッチングステップで付与される化学薬品やエッチングステップに続いて実施される絶縁膜被覆時の加熱に耐えうる部材から適宜選択する。好ましくは、サポートプレート２３はガラスやシリコンウエーハ等から形成される。本実施形態の説明では、サポートプレート２３はガラス製であるものとして図示してある。
【００２９】
サポートプレート配設ステップを実施した後、図５に示すように、ウエーハ１１が貼着されたサポートプレート２３側をレーザー加工装置１０のチャックテーブル３０で保持し、ウエーハ１１に対して透過性を有する波長のレーザービームをウエーハ１１の裏面側１１ｂから分割予定ライン１３に沿って照射して、ウエーハ１１内部に改質層２７を形成する改質層形成ステップを実施する。
【００３０】
図５はレーザー加工装置１０の要部斜視図を示している。１２はレーザービーム照射ユニットであり、ハウジング８中に収容された図６に示すレーザービーム発生ユニット１２と、ハウジング８の先端に取り付けられた集光器（レーザー照射ヘッド）１６とから構成される。
【００３１】
図６に示すように、レーザービーム発生ユニット１４は、ＹＡＧレーザー又はＹＶＯ４レーザーを発振するレーザー発振器１８と、繰り返し周波数設定手段２０と、パルス幅調整手段２２と、パワー調整手段２４とを含んでいる。
【００３２】
レーザービーム発生ユニット１４のパワー調整手段２４により所定パワーに調整されたパルスレーザービームは、集光器１６のミラー２６で反射され、更に集光用対物レンズ２８により集光されてレーザー加工装置１０のチャックテーブル３０に保持されている半導体ウエーハ１１に照射される。本実施形態の改質層形成ステップでは、図５に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂ側からパルスレーザービームが照射される。
【００３３】
この改質層形成ステップを実施する前に、集光器１６とウエーハ１１の分割予定ライン１３とを整列させるアライメントステップを実施するが、アライメントステップはよく知られたステップであるので本明細書ではその説明を省略する。
【００３４】
改質層形成ステップでは、集光器１６からウエーハ１１に対して透過性を有する波長のパルスレーザービームをウエーハ１１の内部に集光点を合わせて照射して、チャックテーブル３０を加工送りすることによりウエーハ１１の内部に分割予定ライン１３に沿った改質層２７を形成する。
【００３５】
本実施形態では、この改質層２７の形成は、研削仕上げ厚みｔ１よりウエーハ１１の裏面１１ｂ側に形成する。改質層形成ステップを実施すると、図７に示すように、改質層２７からウエーハ１１の表面１１ａ側に向かってクラック２９が伸長する。
【００３６】
即ち、クラック２９はウエーハ１１の表面１１ａに至り、研削仕上げ厚みは、例えば５０μｍに設定される。カセット７は研削仕上げ厚みより５〜２０μｍウエーハ１１の裏面１１ｂ側に形成される。
【００３７】
チャックテーブル３０を割り出し送りしながら、第１の方向に伸長する分割予定ライン１３に沿って次々と改質層２７を形成する。次いで、チャックテーブル３０を９０度回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する分割予定ライン１３に沿っても同様な改質層２７を形成する。この改質層２７は、溶融再硬化層として形成される。改質層２７は、密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲とは異なる状態になった領域をいう。
【００３８】
この改質層形成ステップにおける加工条件は、例えば次のように設定されている。
【００３９】
光源                    ：ＬＤ励起Ｑスイッチ  Ｎｄ：ＹＶＯ４パルスレーザー
波長                    ：１０６４ｎｍ
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
パルスエネルギー        ：１０μＪ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００４０】
改質層形成ステップを実施した後、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップを実施する。この研削ステップでは、図８に示すように、研削装置のチャックテーブル３４でウエーハ１１の表面１１ａに貼着されたサポートプレート２３側を吸引保持し、ウエーハ１１の裏面１１ｂを露出させる。
【００４１】
図８において、研削ユニット３６は、回転駆動されるスピンドル３８と、スピンドル３８の先端に固定されたホイールマウント４０と、ホイールマウント４０に複数のねじ４４により着脱可能に装着された研削ホイール４２とを含んでいる。研削ホイール４２は、環状基台４６の自由端部に複数の研削砥石４８が固着されて構成されている。
【００４２】
この研削ステップでは、チャックテーブル３４を矢印ａ方向に例えば３００ｒｐｍで回転しつつ、研削ホイール４２をチャックテーブル３４と同一方向に、即ち矢印ｂ方向に例えば６０００ｒｐｍで回転させるとともに、図示しない研削ユニット送り機構を作動して研削砥石４８をウエーハ１１の裏面１１ｂに圧接させる。
【００４３】
そして、切削ホイール４２を所定の研削送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハ１１の裏面１１ｂの研削を実施して、好ましくは、導体ポスト２５がウエーハ１１の裏面１１ｂに僅かに露出する仕上げ厚みｔ１にウエーハ１１を仕上げる。導体ポスト２５が裏面から露出しない厚みに研削しても良い。
【００４４】
ウエーハ１１は改質層２７から表面１１ａに至るクラック２９によって表面１１ａ側が分割予定ライン１７に沿って既に分割されているので、ウエーハ１１を仕上げ厚みｔ１へと研削すると、図９に示すように、ウエーハ１１は個々のデバイスチップ３１に分割される。
【００４５】
尚、改質層形成ステップにおけるレーザーの出力を調整して改質層２７から表面１１ａに伸長するクラック２９を制御して、クラック２９がウエーハ１１の表面１１ａに達しないようにしてもよい。この場合には、ウエーハ１１の研削時に研削送りによってウエーハ１１に掛かる所定の押圧力で改質層２７を分割起点にウエーハ１１は個々のデバイスチップ３１に分割される。
【００４６】
研削ステップを実施した後、サポートプレート２３上に配設されたウエーハ１１の裏面１１ｂ側にエッチングを施して、図１０に示すように、裏面１１ｂに露出した導体ポスト２５の上面をウエーハ裏面１１ｂから突出させるエッチングステップを実施する。このエッチングステップは、ウエットエッチング又はドライエッチングの何れのエッチング方法で実施してもよい。
【００４７】
エッチングステップを実施した後、図１１に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂ上に絶縁膜３３を被覆する絶縁膜被覆ステップを実施する。絶縁膜被覆ステップを実施した後、導体ポスト２５上の絶縁膜３３を除去して、導体ポスト２５上にバンプを形成するようにしてもよい。
【００４８】
次いで、図１２に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂ側にエキスパンド性を有する粘着テープＴを貼着し、ウエーハ１１の表面１１ａからサポートプレート２３を取り外し、更に粘着テープＴの外周部を環状フレームＦに貼着する転写ステップを実施する。この転写ステップを実施したことにより、ウエーハ１１は粘着テープＴを介して環状フレームＦに支持された状態となる。
【００４９】
次いで、図１４に示すように、ピックアップコレット５０によりチップ３１を粘着テープＴ上からピックアップするピックアップステップを実施して、ピックアップしたチップ３１をトレイ等の容器に収容する。
【００５０】
上述した第１実施形態のウエーハの加工方法によると、研削して薄化する前のウエーハ１１に改質層２７を形成するため、ウエーハ内部の所定位置に均一な改質層２７を形成でき、改質層２７の形成と同時に改質層２７からウエーハ１１の表面１１ａ側に伸長するクラック２９が形成されるため、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップを実施すると、ウエーハ１１を個々のチップ３１に確実に分割することができる。
【００５１】
よって、ウエーハ１１の分割時に未分割領域を発生させることがないとともに、切削ブレードによる切削を行わないため、十分な抗折強度を有するチップ３１を形成することができる。
【００５２】
次に、図１４乃至図２０を参照して、本発明第２実施形態のウエーハの加工方法について説明する。本実施形態では、サブストレート配設ステップは図３及び図４を参照して説明した第１実施形態のサブストレート配設ステップと同様である。
【００５３】
本実施形態の加工方法では、改質層形成ステップが第１実施形態の改質層形成ステップと相違する。本実施形態の改質層形成ステップでは、図１４に示すように、ウエーハ１１の表面１１ａからウエーハ１１の研削仕上げ厚みｔ２に至るウエーハ１１の表面側領域にレーザービームの集光点を位置づけて分割予定ライン１３に沿った改質層２７を形成する。
【００５４】
この改質層形成ステップの加工条件は、パルスエネルギーを除いて第１実施形態の改質層形成ステップと同様である。本実施形態では、パルスエネルギーを例えば５μＪ以下に抑えて改質層２７から表面１１ａ側に伸長するクラックが発生するのを防止する。本実施形態の研削仕上げ厚みｔ２は例えば８０μｍに設定され、改質層２７はウエーハ１１の表面１１ａから６０μｍの位置に形成される。
【００５５】
改質層形成ステップ実施後、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削する研削ステップを実施して、ウエーハ１１を図１５に示すように、仕上げ厚みｔ２に薄化する。本実施形態では、改質層形成時のパルス出力が弱いため、研削ステップを実施してもウエーハ１１が個々のチップに分割されることはない。
【００５６】
研削ステップを実施した後、第１実施形態と同様に、サポートプレート２３上に配設されたウエーハ１１の裏面１１ｂ側にエッチングを施して、裏面１１ｂに露出した導体ポスト２５の上面をウエーハ裏面１１ｂから突出させるエッチングステップを実施する。エッチングステップ実施後の状態が図１６に示されている。
【００５７】
次いで、図１７に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂ上に絶縁膜３３を被覆する絶縁膜被覆ステップを実施した後、図１８に示すように、ウエーハ１１の裏面１１ｂにエキスパンド性を有する粘着テープＴを貼着し、ウエーハ１１の表面１１ａからサポートプレート２３を取り外し、更に粘着テープＴの外周部を環状フレームＦに貼着する転写ステップを実施する。
【００５８】
次いで、例えば特開２００７−２１４４１７号公報に開示されたようなエキスパンド装置を使用して、図１９に示すように、粘着テープＴを矢印Ａ方向に拡張して、ウエーハ１１に外力を付与してウエーハ１１を改質層２７を分割起点に個々のチップ３１に分割する分割ステップを実施する。
【００５９】
分割ステップ実施後、図２０に示すように、ピックアップコレット５０によりチップ３１を粘着テープＴからピックアップし、ピックアップしたチップ３１をトレイ等の容器に収容するピックアップステップを実施する。
【００６０】
本実施形態でも上述した第１実施形態と同様に、ウエーハ１１の裏面１１ｂを研削して薄化する前のウエーハ１１に改質層２７を形成するため、ウエーハ内部の所定位置に均一な改質層２７を形成することができる。よって、分割時に未分割領域を発生させることがないとともに、切削ブレードによる切削を行わないため十分な抗折強度を有するチップを形成することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１１    半導体ウエーハ
１１ａ    表面
１１ｂ    裏面
１２    レーザービーム照射ユニット
１３    分割予定ライン
１４    レーザービーム発生ユニット
１５    デバイス
１６    集光器
２３    サポートプレート
２５    導体ポスト
２７    改質層
２９    クラック
３１    チップ
３６    研削ユニット
４２    研削ホイール
４８    研削砥石
５０    ピックアップコレット
【図１】
2014017434.tif 000003
【図２】
2014017434.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2014017434.tif 000011
【図１０】
2014017434.tif 000012
【図１１】
2014017434.tif 000013
【図１２】
2014017434.tif 000014
【図１３】
2014017434.tif 000015
【図１４】
2014017434.tif 000016
【図１５】
2014017434.tif 000017
【図１６】
2014017434.tif 000018
【図１７】
2014017434.tif 000019
【図１８】
2014017434.tif 000020
【図１９】
2014017434.tif 000021
【図２０】
2014017434.tif 000022
【手続補正書】
【提出日】平成24年7月17日(2012.7.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
即ち、クラック２９はウエーハ１１の表面１１ａに至り、研削仕上げ厚みは、例えば５０μｍに設定される。改質層２７は研削仕上げ厚みより５〜２０μｍウエーハ１１の裏面１１ｂ側に形成される。