(57)【要約】【課題】膜中へのナノ粒子の混入を抑制することを目的とする。【解決手段】高周波電力を出力する高周波電源２１と、基板２を支持する基板支持部材３と、基板２と平行に配置されるとともに、貫通する複数の隙間または複数の孔が設けられた第１電極４と、第１電極４に対して基板２と反対側に対向配置されるとともに、貫通する複数の隙間が設けられた第２電極５と、高周波電源２１の電力を前記第１電極４及び第２電極５へ供給する高周波電力供給部とを備える薄膜製造装置１において、第１電極４に印加する電圧と第２電極５に印加する電圧との位相差を約１６０°から約２００°の範囲内で変調させることとした。【選択図】図１
2014049541.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波電力を出力する高周波電源と、
基板を支持する基板支持部材と、
前記基板と平行に配置されるとともに、貫通する複数の隙間または複数の孔が設けられた第１電極と、
前記第１電極に対して前記基板と反対側に対向配置されるとともに、貫通する複数の隙間が設けられた第２電極と、
前記高周波電源の電力を前記第１電極及び前記第２電極へ供給する高周波電力供給手段と
を備え、
前記高周波電力供給手段は、第１電極に印加する電圧と前記第２電極に印加する電圧との位相差を約１６０°から約２００°の範囲内で変調する第１位相変調手段を具備する薄膜製造装置。
【請求項２】
前記位相差の変調周波数は、約１００Ｈｚ以上約１０ｋＨｚ以下の範囲内で設定されている請求項１に記載の薄膜製造装置。
【請求項３】
前記基板支持部材の電位に対して前記第１電極の電位を所定電位高くするためのバイアス電位印加手段を具備する請求項１または請求項２に記載の薄膜製造装置。
【請求項４】
高周波電力を出力する高周波電源と、
基板を支持する基板支持部材と、
前記基板と平行に配置されるとともに、貫通する複数の隙間または複数の孔が設けられた第１電極と、
前記第１電極に対して前記基板と反対側に対向配置されるとともに、貫通する複数の隙間が設けられた第２電極と、
前記高周波電源の電力を前記第１電極及び前記第２電極へ供給する高周波電力供給手段と、
前記基板支持部材の電位に対して前記第１電極の電位を所定電位高くするためのバイアス電位印加手段と
を具備する薄膜製造装置。
【請求項５】
前記バイアス電位は、約２０Ｖ以上約１００Ｖの範囲内で設定される請求項３または請求項４に記載の薄膜製造装置。
【請求項６】
前記第１電極は、平板状の電極に多数の貫通孔が設けられた構造とされる請求項１から請求項５のいずれかに記載の薄膜製造装置。
【請求項７】
前記第１電極は、二本の横電極と、二本の前記横電極間に互いに略平行となるように配置された複数の長尺電極とを含む少なくとも１つの電極ユニットを備える構成とされている請求項１から請求項５のいずれかに記載の薄膜製造装置。
【請求項８】
前記第２電極は、二本の横電極と、二本の前記横電極間に互いに略平行となるように配置された複数の長尺電極とを含む少なくとも１つの電極ユニットを備える構成とされている請求項１から請求項７のいずれかに記載の薄膜製造装置。
【請求項９】
前記基板支持部材、前記第１電極、及び前記第２電極は、製膜室内に収容され、
前記第１電極の外周面と前記製膜室の内壁面との間に絶縁部材が配置されている請求項１から請求項８のいずれかに記載の薄膜製造装置。
【請求項１０】
高周波電力を出力する高周波電源と、基板を支持する基板支持部材と、前記基板と平行に配置されるとともに、貫通する複数の隙間または複数の孔が設けられた第１電極と、前記第１電極に対して前記基板と反対側に対向配置されるとともに、貫通する複数の隙間が設けられた第２電極と、前記高周波電源の電力を前記第１電極及び前記第２電極へ供給する高周波電力供給手段とを備える薄膜製造装置の電極電圧調整方法であって、
前記第１電極に印加する電圧と前記第２電極に印加する電圧との位相差を約１６０°から約２００°の範囲内で変調する薄膜製造装置の電極電圧調整方法。
【請求項１１】
高周波電力を出力する高周波電源と、基板を支持する基板支持部材と、前記基板と平行に配置されるとともに、貫通する複数の隙間または複数の孔が設けられた第１電極と、前記第１電極に対して前記基板と反対側に対向配置されるとともに、貫通する複数の隙間が設けられた第２電極と、前記高周波電源の電力を前記第１電極及び前記第２電極へ供給する高周波電力供給手段とを備える薄膜製造装置の電極電圧調整方法であって、
前記基板支持部材の電位に対して前記第１電極の電位を所定電位高くする薄膜製造装置の電極電圧調整方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法に関し、例えば、アモルファスシリコン製膜に好適な薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、大面積（例えば縦１ｍ以上、横１ｍ以上の大きさ）を有する基板に対して、シリコン等の物質を製膜するのにプラズマ化学蒸着（Plasma  enhanced  Chemical  Vapor  Deposition：ＰＣＶＤ）法を用いたプラズマＣＶＤ装置が使用されている。
このようなプラズマＣＶＤ装置として、例えば、特許文献１−４に開示のものが知られている。
【０００３】
特許文献１には、基板に対向して配置されるとともに接地された第１はしご型電極と、第１はしご型電極に対して基板と反対側に、かつ、第１はしご型電極に対向して配置された第２はしご型電極とを有する表面処理装置が開示されている。この表面処理装置では、第１はしご型電極と第２はしご型電極との間にプラズマを生成させるので、基板が直接的にプラズマに曝されることがなく、基板へのイオン衝撃を低減させことが可能である。
【０００４】
特許文献２には、対向して配置された一対の電極に電力を供給するケーブルをそれぞれ接続し、互いの電極に印加される電圧の位相差を１８０°とする表面処理装置が開示されている。更に、特許文献３には、対向して配置された一対の電極に供給する電圧の位相差が実際に１８０°となるように、インピーダンス整合器を平衡不平衡変換装置よりも高周波電源側に設置することが開示されている。
【０００５】
特許文献４には、多孔高周波電極と多孔接地電極とを組み合わせ、孔部にホロー放電プラズマを発生させる製膜装置が開示されている。また、この装置では、原料ガスを基板側から孔部を介して電極裏面に排気させることで、孔部での流速を高め、クラスターの生成を抑制して劣化の少ないアモルファスシリコン層の製膜を可能としている。
【０００６】
また、アモルファスシリコン膜に特有の問題として、光劣化が生ずることが知られている。光劣化は膜中のＳｉ−Ｈｘ（ｘ＝２，３）結合の量と関係があることが分かってきている。このためこの解決策として、例えば、膜中のＳｉ−Ｈｘ（ｘ＝２，３）結合の主因となるプラズマ中のナノシリコン粒子を抑制するために、基板からプラズマを遠ざけることが提案されている。例えば、その一つとして、平行平板電極間にメッシュ状の第３電極を設置し、第３電極に負バイアス電圧を印加することで、カソード電極と第３電極との間にプラズマを閉じ込め、第３電極と基板との間をプラズマフリーにするトライオード法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３５１３５０３号公報
【特許文献２】特許第３８１０７４８号公報
【特許文献３】特許第３５９０９５５号公報
【特許文献４】国際公開第２００６／０２２１７９号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、上記のトライオード法では、プラズマをメッシュ状の第３電極で物理的に遮蔽するため、製膜速度が極端に低下するという問題があった。その上、第３電極はメッシュ状の構造をとるため、自重を支持できる機械的強度の保持ができないために、たわみ変形やゆがみ変形が生じやすく、大面積化が難しいという問題があった。
【０００９】
また、上記特許文献４には、高密度のホロー放電プラズマを利用して、ガスの分解効率を飛躍的に高めることでプラズマが基板から離れた状態でも高速製膜を実現している。しかしながら、通常の給電方法では、放電電極が大面積化すると均一なホロー放電プラズマを生成することができないという問題があった。
【００１０】
また、特許文献１に開示されている表面処理装置では、基板に近い方の第１はしご型電極は、基板と同じ接地電位とされるため、はしご状の電極のピッチが、生成されるプラズマのデバイ長（Ｄｅｂｙｅ  ｌｅｎｇｔｈ）程度の隙間（通常は数ｍｍ）以下でないと、はしご型電極間にプラズマを完全に局在化することができず、はしご状の電極の隙間から電子が漏れて、基板側にもプラズマが誘起・生成されてプラズマ中でナノシリコン粒子を発生する可能性があった。
【００１１】
更に、特許文献２、３では、一対の電極の片側が基板保持電極を兼ねている構造が一般的であり、基板へのプラズマからのイオン衝撃を抑制するために、基板保持電極を接地する必要があった。更に、はしご状の電極は、断面形状が円形のロッド状のため、その周囲に強い電界が発生することから、はしご状電極の周囲でナノシリコン粒子やこれらが結合したシリコン系粉が成長しやすく、アモルファスシリコン膜の光劣化を十分には抑制できないという問題があった。
【００１２】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、膜中へのナノ粒子の混入を抑制することのできる薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用する。
本発明の第一態様は、高周波電力を出力する高周波電源と、基板を支持する基板支持部材と、前記基板と平行に配置されるとともに、貫通する複数の隙間または複数の孔が設けられた第１電極と、前記第１電極に対して前記基板と反対側に対向配置されるとともに、貫通する複数の隙間が設けられた第２電極と、前記高周波電源の電力を前記第１電極及び前記第２電極へ供給する高周波電力供給手段とを備え、前記高周波電力供給手段は、第１電極に印加する電圧と前記第２電極に印加する電圧との位相差を約１６０°から約２００°の範囲内で変調する第１位相変調手段を具備する薄膜製造装置である。
【００１４】
このような構成によれば、基板と平行に第１電極が配置されるとともに、第１電極に対して基板と反対側に第２電極が対向配置される。これにより、基板と離れたところでプラズマを発生させるので、基板がプラズマに直接的に曝されることを回避することができる。更に、第１電極及び第２電極に供給される電圧の相互の位相差を、約１６０°から約２００°の範囲内で変調させるので、第１電極の周りに発生する強電界が変化し、ナノ粒子の電界による捕捉状態が変化することで、ナノ粒子の生成及び成長を抑制することができ、膜中へのナノ粒子の混入を抑制することができる。更に、上述した公知のトライオード法のように、第３電極を配置する必要がないので、製膜速度の大幅な低下も回避することができる。
【００１５】
上記の薄膜製造装置において、前記位相差の変調周波数は、約１００Ｈｚ以上約１０ｋＨｚ以下の範囲内で設定されることが好ましい。
【００１６】
位相差の変調周波数を約１００Ｈｚ以上約１０ｋＨｚ以下の範囲内で設定することにより、光電変換装置（特にｉ層）を製膜した場合に、変換効率及び光劣化率における特性を向上させることが可能となる。
【００１７】
本発明の第二態様は、高周波電力を出力する高周波電源と、基板を支持する基板支持部材と、前記基板と平行に配置されるとともに、貫通する複数の隙間または複数の孔が設けられた第１電極と、前記第１電極に対して前記基板と反対側に対向配置されるとともに、貫通する複数の隙間が設けられた第２電極と、前記高周波電源の電力を前記第１電極及び前記第２電極へ供給する高周波電力供給手段と、前記基板支持部材の電位に対して前記第１電極の電位を所定電位高くするためのバイアス電位印加手段とを具備する薄膜製造装置である。
【００１８】
このような構成によれば、バイアス電圧を第１電極に印加して、第１電極を基板支持部材に対して所定電位高くすることにより、プラズマ電位を相対的に制御することが可能となる。これにより、基板側への電子の漏れによるプラズマの生成及び負に帯電したナノ粒子の基板への輸送を抑制することが可能となる。
【００１９】
上記の薄膜製造装置において、前記バイアス電位は、約２０Ｖ以上約１００Ｖの範囲内で設定されることが好ましい。
【００２０】
バイアス電位を約２０Ｖ以上約１００Ｖの範囲内で設定することにより、光電変換装置（特にｉ層）を製膜した場合に、変換効率、曲線因子における特性を向上させることができる。
【００２１】
上記薄膜製造装置において、前記第１電極は、平板状の電極に多数の貫通孔が設けられた構造とされていてもよく、或いは、二本の横電極と、二本の前記横電極間に互いに略平行となるように配置された複数の長尺電極とを含む少なくとも１つの電極ユニットを備える構成とされてもよい。
更に、前記第２電極は、二本の横電極と、二本の前記横電極間に互いに略平行となるように配置された複数の長尺電極とを含む少なくとも１つの電極ユニットを備える構成とされてもよい。
【００２２】
特に、第１電極を、平板状の電極に多数の貫通孔が設けられた構造とすることにより、第１電極の孔部にホロー放電を発生させることができる。これにより、第１電極と第２電極との間に生成されたプラズマを物理的に遮蔽し、基板側へのプラズマの漏えいを効果的に抑制することが可能となる。この結果、膜中へのナノ粒子等の混入抑制効果を更に高めることができる。
【００２３】
上記の薄膜製造装置において、前記基板支持部材、前記第１電極、及び前記第２電極は、製膜室内に収容され、前記第１電極の外周面と前記製膜室の内壁面との間に絶縁部材が配置されていてもよい。
【００２４】
このような構成とすることで、第１電極よりも第２電極側の空間と、第１電極よりも基板側の空間とをほぼ分離することができる。これにより、基板が設けられた空間へのプラズマの漏えいを効果的に抑制することができる。
【００２５】
本発明の第三態様は、高周波電力を出力する高周波電源と、基板を支持する基板支持部材と、前記基板と平行に配置されるとともに、貫通する複数の隙間または複数の孔が設けられた第１電極と、前記第１電極に対して前記基板と反対側に対向配置されるとともに、貫通する複数の隙間が設けられた第２電極と、前記高周波電源の電力を前記第１電極及び前記第２電極へ供給する高周波電力供給手段とを備える薄膜製造装置の電極電圧調整方法であって、前記第１電極に印加する電圧と前記第２電極に印加する電圧との位相差を約１６０°から約２００°の範囲内で変調する薄膜製造装置の電極電圧調整方法である。
【００２６】
本発明の第四態様は、高周波電力を出力する高周波電源と、基板を支持する基板支持部材と、前記基板と平行に配置されるとともに、貫通する複数の隙間または複数の孔が設けられた第１電極と、前記第１電極に対して前記基板と反対側に対向配置されるとともに、貫通する複数の隙間が設けられた第２電極と、前記高周波電源の電力を前記第１電極及び前記第２電極へ供給する高周波電力供給手段とを備える薄膜製造装置の電極電圧調整方法であって、前記基板支持部材の電位に対して前記第１電極の電位を所定電位高くする薄膜製造装置の電極電圧調整方法である。
【００２７】
本発明の薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法は、特に、アモルファスシリコン（非晶質シリコン）膜の薄膜製造に適用されて好適なものであるが、適用例はこれに限られず、例えば、微結晶シリコン膜、窒化シリコン膜等の薄膜製造にも広く適用することができる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明によれば、膜中へのナノ粒子の混入を抑制することができるという効果を奏する。このため光電変換装置（特にｉ層）を製膜した場合に、変換効率、曲線因子における特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の概略構成を示した図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の概略断面構成を示した図である。
【図３】原料ガスの放出手法の他の例について説明するための図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の効果について説明する図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の効果について説明する図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の効果について説明する図である。
【図７】第１位相変調部における変調周波数を１０Ｈｚから１００ｋＨｚまで離散的に変化させたときの初期及び光照射後における変換効率を示した図である。
【図８】第１位相変調部における変調周波数を１０Ｈｚから１００ｋＨｚまで離散的に変化させたときの光照射前後における光劣化率を示した図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係る薄膜製造装置において、製膜室内の概略断面構成を主に示した図である。
【図１０】本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の効果について説明する図である。
【図１１】本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の効果について説明する図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に係る薄膜製造装置の効果について説明する図である。
【図１３】本発明の第２実施形態に係る薄膜製造装置において、バイアス電圧を０Ｖから２００Ｖまで離散的に変化させたときの初期及び光照射後における変換効率を示した図である。
【図１４】本発明の第２実施形態に係る薄膜製造装置において、バイアス電圧を０Ｖから２００Ｖまで離散的に変化させたときの光照射前後における光劣化率を示した図である。
【図１５】本発明の第３実施形態に係る薄膜製造装置の概略構成を示した図である。
【図１６】本発明の第３実施形態に係る薄膜製造装置において、製膜室内の概略断面構成を主に示した図である。
【図１７】本発明の第３実施形態に係る薄膜製造装置の効果について説明する図である。
【図１８】本発明の第３実施形態に係る薄膜製造装置の効果について説明する図である。
【図１９】本発明の第４実施形態に係る薄膜製造装置において、製膜室内の概略断面構成を主に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下に、本発明に係る薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法の各実施形態について、図面を参照して説明する。
【００３１】
〔第１実施形態〕
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。本実施形態では、薄膜製造装置の一例として、アモルファスシリコン膜の薄膜製造装置について説明する。
図１は、太陽電池パネル（光電変換装置）に用いられるアモルファスシリコン層の製膜に用いる薄膜製造装置の概略構成を示した概略構成図、図２は本実施形態に係る薄膜製造装置の概略断面構成を示した図である。ここで、図１及び図２において、構成を分かりやすく示すため、一部の構成の図示を省略している。
【００３２】
図１及び図２に示すように、薄膜製造装置１は、製膜室１０を備えている。製膜室１０内には、基板２を支持する基板支持部材３、第１電極４、第２電極５、防着板６、原料ガス噴出口８、及び補助噴出口９等が主な構成として配置されている。
【００３３】
製膜室１０は、真空容器である。製膜室１０は、図に示されるように、水平面上に配置されていてもよく、鉛直方向に対して所定の角度（例えば、７°〜１２°）を傾けて保持されていてもよい。製膜室１０が鉛直方向に対して所定の角度を傾けて保持される場合には、装置の設置スペースの増加を抑えながら基板２の自重を利用して少ない手間で基板２を保持することが可能となる。また、製膜室１０が水平面上に配置されている場合は、基板２と基板支持部材３との密着性を更に向上して基板２の温度分布と電位分布を一層均一化することが可能となる。
本実施形態では、基板２は面積が１ｍ２を越える大型の基板として、ガラス基板（例えば１．４ｍ×１．１ｍ×板厚：３．０ｍｍ〜４．５ｍｍ）が例示される。
【００３４】
基板支持部材３は、基板２を支持する他、基板２と接触する面を概ね均一な温度とするヒータ機能を有している。ヒータ機能は、例えば、内部に温度制御された熱媒体を循環したり、または温度制御されたヒータを組み込むことで具現化される。このような基板支持部材３により、支持された基板２の全面をほぼ均一な温度に加熱することができる。
上記熱媒体は、非導電性媒体であり、例えば、水素やヘリウムなどの高熱伝導性ガス、フッ素系不活性液体、不活性オイル、及び純水等が使用できる。中でも１５０℃〜２５０℃の範囲でも圧力が上がらずに制御が容易であることから、フッ素系不活性液体（例えば商品名：ガルデン、Ｆ０５など）の使用が好適である。
【００３５】
第１電極４は、基板支持部材３と平行に配置されるとともに、貫通する隙間が設けられている。具体的には、第１電極４は、平行に設けられた２本の横電極１１と、２本の横電極間接続され、互いに略平行となるように配置された複数の長尺電極１２とを有するマルチロッド型電極とされている。また、複数の長尺電極１２間の電位をそろえて大型電極全体のプラズマ分布の均一性を向上するために、複数の長尺電極１２を連結するように横電極１１と略平行に配置される１本または数本の図示しないグリッド電極を設けてもよい。
ここで、長尺電極１２の数、換言すると、各長尺電極１２の離間距離は、プラズマ生成時のプラズマ密度変化が製膜への影響を受けないように決定することが好ましい。
【００３６】
第２電極５は、第１電極４に対して、基板支持部材３と反対側に対向配置されている。第２電極５は、上述した第１電極４と同様に、マルチロッド型電極とされている。
本実施形態では、第１電極４及び第２電極５が、１つのマルチロッド型電極を備える場合を例示しているが、複数のマルチロッド型電極により構成されることとしてもよい。この場合、各マルチロッド型電極に対して後述する給電点がそれぞれ２つずつ設けられることが好ましい。
【００３７】
第１電極４には、同軸伝送線路３０ａを接続する給電点７ａが設けられている。第２電極５には、同軸伝送線路３０ｂを接続する給電点７ｂが設けられている。
また、第１電極４において、各長尺電極１２の近傍には、原料ガス噴出口８がそれぞれ設けられており、各原料ガス噴出口８には第１電極４に接続された図示しない原料ガス配管から略均等に原料ガスが供給されるようになっている。これにより、各原料ガス噴出口８からは図２中の矢印に示す方向（第２電極側）へ、ほぼ均一に原料ガスが放出される。
【００３８】
また、図２に示すように、基板支持部材３の近傍に、補助噴出口９を更に設け、第１基板側へ向けて原料ガスやキャリアガスを放出して、基板２の周辺での製膜の均一性を向上させるような構成としてもよい。また、補助噴出口９は必ずしも設ける必要はない。
なお、原料ガスの噴出位置については上記の例に限られることなく、例えば、第１電極４と第２電極５との間から原料ガスを供給してもよいし、基板支持部材３側から第１電極４に向けて原料ガスを供給するようにしてもよい。
また、図２では、各原料ガス噴出口８から左右斜め上方に向けて原料ガスを放出することにより、長尺電極１２の両側から原料ガスが供給されるようにしていたが、例えば、図３に示すように、各原料ガス噴出口８から長尺電極１２に向けて原料ガスを吹き付けることとし、長尺電極１２周りの原料ガスの流速を速めることとしてもよい。これにより、長尺電極１２の周辺のガス滞在時間を短くして、ナノ粒子への成長時間を与えないことで、ナノ粒子や粉の発生を抑制する効果を高めることが可能となる。
【００３９】
防着板６は、接地された状態で保持されており、プラズマの広がる範囲を抑えて、膜が製膜される範囲を制限する。防着板６は、第２電極５に対して第１電極４とは反対側の空間を覆うように支持部（図示略）で保持されている。更に、防着板６には、貫通孔（スリット）が設けられていて、防着板６内側のガスを略均一に排気する。
【００４０】
防着板６に対して第２電極５と反対側の製膜室１０の壁面には、排気口２０が設けられており、この排気口２０を介して防着板６内側を含む製膜室１０内の気体が真空ポンプ（図示略）により排気されるようになっている。
【００４１】
製膜室１０の外部には、高周波電源２１及び高周波電源２１の電力を第１電極４及び第２電極５へ供給する高周波電力供給部が設けられている。高周波電力供給部は、例えば、第２位相変調部２２、第１位相変調部２３、電力増幅器２４ａ、２４ｂ、インピーダンス整合器２５ａ、２５ｂ、同軸伝送線路３０ａ、３０ｂを備えている。なお、図２では、第１電極４、第２電極５の片側一端に接続される上記構成のみ示し、他端に接続される構成については同様として図示を省略している。
【００４２】
高周波電源２１は、例えば、ＶＨＦ（Ｖｅｒｙ  Ｈｉｇｈ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）発信器であり、高高周波帯（約３０ＭＨzから３００ＭＨz）の周波数の交流電圧を出力する。
第２位相変調部２２は、高周波電源２１からの交流電圧に対して、所定の給電側位相変調を加えるものであり、第１電極４および第２電極５の長尺電極１２に発生する定在波の電圧波形の腹と節の位置を移動させて時間平均的に均一な電圧分布を形成することに寄与する。例えば、第２位相変調部２２の変調周波数は１Ｈｚから１ｋＨｚの間で任意に設定され、給電側の位相変調角度は高周波波長と長尺電極１２の長さの関係によるが０°を中心に略±（プラスマイナス）１５０°から略±１８０°の間で選定される。
【００４３】
第１位相変調部２３は、第１電極４に印加される電圧と第２電極５に印加される電圧との位相差が、約１６０°から約２００°の範囲内、好ましくは、約１７０°から約１９０°の範囲内で変化するように、第２位相変調部２２から出力された電圧を更に変調することで、第１電極用電圧と第２電極用電圧とを生成するもので、電極間の電圧位相変調を行うものである。
位相差は、１８０°を中心として変調されることが好ましく、例えば、１８０°を中心に１７０°から１９０°の範囲、換言すると、１８０°±１０°で変調されるとよい。
【００４４】
また、第１位相変調部２３の変調周波数は、ナノ粒子や粉の成長速度が数ミリ秒から数十ミリ秒程度であることから、約１００Ｈｚ以上約１０ｋＨｚ以下の範囲内で設定されることが好ましい。
この第１位相変調部２３は、例えば、同軸ケーブルによる不平衡伝送を平衡伝送に変換する平衡不平衡変換器（バラン：Ｂａｌｕｎ）であり、電極間の電圧位相変調は、例えば、ＬＣブリッジ回路のＣ（コンデンサの静電容量）を変化させることで実現される。なお、第１位相変調部２３は、平衡不平衡変換器に限定されず、他の公知の回路により実現されてもよい。
【００４５】
電力増幅器２４ａには、第１位相変調部２３によって生成された第１電極用電圧が入力される。また、電力増幅器２４ｂには、第１位相変調部２３によって生成された第２電極用電圧が入力される。電力増幅器２４ａ、２４ｂは、入力電圧をそれぞれ増幅して出力する。インピーダンス整合器２５ａ、２５ｂは、出力側のインピーダンスを整合するために設けられている。インピーダンス整合器２５ａ，２５ｂから出力された電圧は、同軸伝送線路３０ａ、３０ｂにより製膜室１０内に導入されて各給電点７ａ、７ｂをそれぞれ介して第１電極４及び第２電極にそれぞれ印加される。
【００４６】
このような構成を備える薄膜製造装置１においては、基板２が製膜室１０に設置された状態において、排気口２０から真空ポンプにより室内の気体が排気され、高真空状態とされ、基板２が図示しない基板搬送機構により基板支持部材３の所定位置に設置される。この状態において、高周波電源２１からの高高周波帯の交流電圧が第２位相変調部２２に出力される。第２位相変調部２２では、交流電圧に所定の変調周波数で給電側位相変調が与えられ、給電側位相変調後の電圧が第１位相変調部２３に出力される。
【００４７】
第１位相変調部２３は、入力された電圧から第１電極用電圧と、第２電極用電圧とを生成する。このとき、第１電極用電圧と第２電極用電圧との位相差が、約１６０°から約２００°の範囲内、好ましくは、約１７０°から約１９０°の範囲内、すなわち１８０°±約１０°で変化するような電圧信号を生成する。
第１電極用電圧と第２電極用電圧との位相差が、電圧の腹位置と電圧の節位置がほぼ対面するので、大きな電界を発生することができる。これにより、第１電極４と第２電極５との間でプラズマが集中して発生し、原料ガスの分解を促進して製膜速度の向上を図れるとともに、製膜室１０における他の位置ではプラズマの発生を抑制できる。このため、防着板６内側以外でのプラズマ発生が抑制され、防着板６の外側でナノ粒子が成長した粉の発生を抑制されて、基板搬送中での基板２の製膜面への粉付着を抑制し歩留まりが向上する。
また、第１位相変調部２３により、第１電極用電圧と第２電極用電圧との位相差は±約１０°で変化するが、１８０°位相差の１０％程度と少ないために、第１電極４と第２電極５との間で発生する電界は、０°位相差に比較すると約２倍±５％の大きな電界が発生する。これにより、上述の製膜速度の向上と粉発生抑制の効果を確保することができる。
この場合において、第１位相変調部２３として平衡不平衡変換器を採用することにより、高周波同軸給電系における不平衡回路に、第１電極４及び第２電極５の平衡電流が流れることを回避することができ、電力損失の低下やノイズの発生を低減させることができる。
【００４８】
第１電極用電圧は、電力増幅器２４ａ、インピーダンス整合器２５ａを経由して同軸伝送線路３０ａにより給電点７ａに供給される。また、同様に、第２電極用電圧は、電力増幅器２４ｂ、インピーダンス整合器２５ｂを経由して同軸伝送線路３０ｂにより給電点７ｂに供給される。
【００４９】
そして、上記のような電圧が第１電極４及び第２電極５に与えられ、更に、各長尺電極１２の近傍に設けられた原料ガス噴出口８から原料ガスが供給されることにより、第１電極４と第２電極５との間にプラズマ（例えば、図２において点線で囲まれた範囲に発生）が発生し、このプラズマにより原料ガスが分解されて、基板２にアモルファスシリコン層が製膜される。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態に係る薄膜製造装置１及びその電極電圧調整方法によれば、基板２と離れた位置に第１電極４と第２電極５とを設置して該電極間にプラズマを発生させるので、基板２がプラズマに直接曝されることを回避することができる。更に、第１電極４及び第２電極５に供給される電圧の位相差を、１８０°を中心として最大２０°の範囲で変調させるので、長尺電極１２周りの強電界が変化し、ナノ粒子の電界による捕捉状態を変化させることができる。これにより、捕捉状態での滞在時間を短くし、ナノ粒子への成長時間を与えないようにして、ナノ粒子の生成及び成長を抑制することができ、膜中へのナノ粒子の混入を大幅に抑制することができる。更に、公知のトライオード法のように、製膜ラジカルが基板へ到達することを遮る第３電極を配置する必要がないので、製膜速度の大幅な低下も回避することができる。
【００５１】
更に、第１電極４に与えられる電圧及び第２電極５に与えられる電圧には、第２位相変調部２２による長尺電極１２の長手方向への給電側位相変調も加えられているので、電極単位で見ると、長尺電極１２を伝搬する電圧は所定の変調周波数で給電側位相変調が生じているとともに、横方向（長尺電極１２の長手方向に直交する方向）における位相は揃えられることとなる。これにより、電圧定在波を振動させることができるとともに、長尺電極１２間の干渉も抑制することができる。この結果、発生するプラズマを時間平均として均一化することができ、均一な製膜を実現することができ、基板の大面積化にも対応することが可能となる。
【００５２】
更に、排気口２０が第２電極５に対して基板２と反対側に設けられており、かつ、原料ガス噴出口８から原料ガスを基板２に向けて噴き付けないことにより、基板２から第１電極４、第２電極５を経由して排気口２０に向かうガス流れを作ることができる。これにより、基板２の製膜面近くに滞留するナノ粒子を低減させて、膜へのナノ粒子混入による膜質低下を抑制することが可能となる。
【００５３】
次に、本実施形態に係る薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法の効果について説明する。図４から図６は、後述する３つの異なる薄膜製造装置を用いて製膜したアモルファスシリコンを太陽電池パネル（光電変換装置）のｉ層に適用した単結合セル（シングルセル）の特性をそれぞれ比較して示した図であり、図４は曲線因子を、図５は変換効率を、図６は光劣化率及び製膜速度を示している。
また、比較に用いた３つの薄膜製造装置は、従来の薄膜製造装置Ａ（以下「装置Ａ」という。）、従来の薄膜製造装置Ｂ（以下「装置Ｂ」という。）、及び本実施形態に係る薄膜製造装置１（以下「装置Ｃ」という。）である。
【００５４】
装置Ａは、基板を支持する基板支持部材としての対向電極と、基板を挟んで対向電極と対向配置された放電電極とを有し、対向電極を接地するとともに、放電電極に高周波電圧を供給し、放電電極と対向電極との間にプラズマを発生させて製膜を行うものである。放電電極の構造は、本実施形態における第１電極と同じ構造である。この装置では、放電電極と対向電極との間に基板が配置されることから、基板がプラズマに直接的に曝されることとなる。
【００５５】
装置Ｂは、本実施形態における薄膜製造装置１の構成とほぼ同じであるが、第１位相変調部２３が、第１電極４と第２電極５との電圧位相差が１８０°で一定となるように電極間の位相変調を行う点で異なるものである。すなわち、従来装置Ｂでは、第１電極４に印加する電圧と第２電極５に印加する電圧との位相差が常に１８０°に設定されており、本実施形態に係る薄膜製造装置１のように、電極間の電圧位相差の変調は行っていない。
【００５６】
また、特性比較に用いた光電変換装置の単結合セルのセル面積は５ｍｍ×５ｍｍ、基板サイズは３０ｃｍ×４０ｃｍであり、セル構造は、ガラス基板の上に、透明電極、ｐ層、バッファー層、ｉ層、ｎ層、裏面電極がこの順に積層された構造とした。各層及び電極の詳細は以下の表１に示す通りである。
【００５７】
【表１】
2014049541.tif 000003
【００５８】
また、各装置Ａ，Ｂ，Ｃは、上記基板サイズ（３０ｃｍ×４０ｃｍ）に対応したものとし、電極等のサイズは以下の通りとした。
第２電極及び第１電極の外寸：３５ｃｍ×４５ｃｍ、第２電極及び第１電極の面間の間隔：２０ｍｍ，第１電極と基板との距離：２０ｍｍ、装置Ｃにおける第１位相変調部２３による給電側位相変調角度と変調周波数：１８０°±１０°、１ｋＨｚ（本実施形態に係る薄膜製造装置に限る）。
【００５９】
また、ｉ層製膜時の製膜条件は以下の表２に示される通りとした。
【００６０】
【表２】
2014049541.tif 000004
【００６１】
また、光劣化条件は以下の表３に示される通りとした。
【表３】
2014049541.tif 000005
【００６２】
図５に示すように、装置Ａ、装置Ｂ、及び装置Ｃにおける初期の変換効率は約１０％とほぼ同じであるが、光照射後の安定化特性に大きな差が生じている。
すなわち、装置Ａでは約２０％の光劣化が生じたのに対し、装置Ｂでは、装置Ａに比べて約１０％劣化率が改善している。これは、プラズマを基板から遠ざけたこと及び基板から排出口にかけてのガス流れを作ったことにより、基板近くのナノ粒子の発生を低減させることができたからであると考えられる。
【００６３】
更に、装置Ｃによれば、装置Ｂによる劣化率を更に半減しており、装置Ａに比べて劣化率を約１／４に低減している。これは、装置Ｂにおいて不十分であった電極周りのナノ粒子の発生を十分に抑制でき、かつ、基板側にプラズマが漏れることによるナノ粒子の成長や移動をより完全に抑制していることから得られた効果であると考えられる。すなわち、本実施形態に係る薄膜製造装置１（装置Ｃ）によれば、第１位相変調部２３により第１電極４と第２電極５とに供給する電圧の位相差に変調をかけているため、第１電極４および第２電極５における長尺電極１２周りの強電界によって発生するナノ粒子（負に帯電）が捕捉または成長する前に、変調電場により捕捉状態での滞在時間を短くして排出することでナノ粒子の生成及び成長を抑制することができ、これにより、膜中へのナノ粒子の混入を大幅に抑制して上記のような効果が得られたものと考えられる。
【００６４】
また、図６に示すように、製膜速度については、装置Ａに対して装置Ｂ及び装置Ｃは半減するものの、トライオード法（約０．０５ｎｍ／ｓ）に比べて十分高速であり、実用化に耐えうるレベルを維持できている。
更に、装置Ｂと装置Ｃの製膜速度の差はほとんど無く、電圧位相変調方法による効果的な特徴を確認することができる。
【００６５】
このように、本実施形態に係る薄膜製造装置１及びその電極電圧調整方法によれば、基板２と離れた位置に設置された第１電極４及び第２電極５の間にプラズマを発生させることで、プラズマから基板２を遠ざけ、かつ、第１位相変調部２３により電極間の電圧位相差に約±１０°の変調を与えるので、製膜速度の大幅な低下を引き起こすことなく、膜中へのナノ粒子の混入を大幅に抑制し、高光安定なアモルファスシリコン膜を製膜することができる。
【００６６】
次に、本実施形態に係る薄膜製造装置１における第１位相変調部２３の変調周波数について検討した結果を図７及び図８に示す。図７は、電極間の電圧変調周波数を１０Ｈｚから１００ｋＨｚまで離散的に変化させたときの初期及び光照射後における変換効率を示した図、図８は光照射前後における光劣化率を示した図である。また、図７及び図８に示された各実線は、変調を行わない場合、すなわち、上述した装置Ｂを用いたときの平均値を示している。なお、製膜条件等は、図４等と同様であるので説明は省略する。
【００６７】
図７に示される通り、初期における変換効率[％]にはさほど違いはないが、光照射後においては、電極間の電圧変調周波数が約１００Ｈｚ未満、１０ｋＨｚを超える範囲において変換効率の多少の低下が確認できた。また、図８に示すように、光劣化率[％]についても、変調周波数が約１００Ｈｚ以上１０ｋＨｚ以下の範囲における値に対して、約１００Ｈｚ未満、１０ｋＨｚを超える領域では、相対的に高い値を示すことがわかった。
【００６８】
以上のように、図７及び図８から、変調周波数は１００Ｈｚ以上１０ｋＨｚ以下の範囲が好ましく、更に、１ｋＨｚ以上５ｋＨｚ以下の範囲がより好ましいことがわかる。
【００６９】
なお、本実施形態では、第１電極及び第２電極における長尺電極の断面形状を円形としたが、形状は円形に限定されず、楕円、四角形、角を丸めた四角形など、任意の形状を採用することが可能である。
【００７０】
〔第２実施形態〕
次に、本発明の第２実施形態に係る薄膜製造装置について図を参照して説明する。
図９は、本実施形態に係る薄膜製造装置１ａの概略断面構成を示した図である。図９に示すように、本実施形態では、基板支持部材３の電位に対して第１電極４の電位を所定電位高くするためのバイアス電位印加部４０を備える点、および電極間の電圧位相変調を行わない点で、上述した第１実施形態と異なり、他の構成については同様である。すなわち、本実施形態では、電極間の電圧位相差は、１８０°で一定とされる。
以下、第１実施形態と共通する部分については説明を省略し、異なる部分について主に説明する。
【００７１】
バイアス電位印加部４０は、基板支持部材３と第１電極４との間に電気的に接続された交流電源４１と、交流電源４１の出力を半波整流する整流器４２とを主な構成として備えている。更に、整流器４２と第１電極４との間に、ローパスフィルタ４３を設けることとしてもよい。なお、交流電源４１の代わりに直流電源を用いることも可能であり、この場合には、整流器４２が省略される。
【００７２】
交流電源４１の電源周波数は、第１電極４への電圧印加に用いられる高周波電源２１の電源周波数よりも小さくする必要がある。
【００７３】
このような構成の薄膜製造装置１ａにおいて、交流電源４１から出力された交流電圧は、整流器４２により半波整流され、ローパスフィルタ４３を介して第１電極４に印加される。このように、バイアス電圧を第１電極４に印加して、第１電極４を接地に対して所定電位高くすることにより、プラズマ電位を相対的に制御することが可能となる。これにより、基板側への電子の漏れによるプラズマの生成及び負に帯電したナノ粒子の基板への輸送を抑制することができる。
【００７４】
図１０及び図１１は、本実施形態に係る薄膜製造装置１ａを用いて製膜したアモルファスシリコンを太陽電池パネル（光電変換装置）のｉ層に適用した単結合セル（シングルセル）の特性への効果について示した図であり、図１０は曲線因子について、図１１は変換効率について、図１２は光劣化率について示した図である。ここでは、バイアス電圧を印加しなかった場合、すなわち、上述した第１実施形態に係る薄膜製造装置１で電極間の電圧位相変調を行わない装置Ｂを用いて製膜されたアモルファスシリコンをｉ層に適用した単結合セルの特性と、本実施形態に係る薄膜製造装置１ｂを用いて製膜されたアモルファスシリコンをｉ層に適用した単結合セルの特性とが比較して示されている。なお、製膜条件等は、図４等と同様であるので説明は省略する。
【００７５】
図１０、図１１に示すように、バイアス電位を印加しない場合とした場合とで、初期における曲線因子、変換効率はさほど変わりはないが、光照射後においては、バイアスを印加した方が曲線因子、変換効率において値がともに高いことがわかる。そして、図１２に示すように、バイアスを印加した場合には、バイアスを印加しなかった場合の光劣化率を約半減することができ、高い効果を得ることができた。
バイアス印加を印加することで第１電極４を接地に対して所定電位高くすることにより、プラズマ電位を制御して第１電極４と基板２の間への電子の漏れを抑制することが可能となる。また、漏れ出た電子はエネルギーが高くなる傾向にあることもあり、ナノ粒子の発生と負に帯電したナノ粒子の基板への輸送を抑大幅に制することが可能となる。これにより、従来はわずかにでも生じていた第１電極４と基板２との間でのプラズマの生成と原料ガス分解とを大幅に低減することができる。
【００７６】
次に、本実施形態に係る薄膜製造装置１ａにおけるバイアス電圧値の適正範囲について検討した結果を図１３及び図１４に示す。図１３は、バイアス電圧を０Ｖから２００Ｖまで離散的に変化させたときの初期及び光照射後における変換効率を示した図、図１４は光照射前後における光劣化率を示した図である。なお、製膜条件等は、図４等と同様であるので説明は省略する。
【００７７】
図１３及び図１４に示される通り、バイアス電圧が１００Ｖを超える範囲において、変換効率及び光劣化率が大幅に悪化することが確認された。したがって、バイアス電圧は、０Ｖよりも大きく１００Ｖ以下が好ましく、更に、２０Ｖ以上１００Ｖ以下の範囲で設定されるのが、より好ましいことがわかる。
第２実施形態におけるバイアス電位印加に加えて、第１実施形態における電極間の電圧位相変調を実施すれば、さらに効果的に太陽電池パネル（光電変換装置）のｉ層の品質を向上して、光照射後における曲線因子と変換効率を改善できるのは言うまでもない。
【００７８】
〔第３実施形態〕
次に、本発明の第３実施形態に係る薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法について薄膜製造装置を例示して図を参照して説明する。
図１５は、本実施形態に係る薄膜製造装置１ｂの概略構成図、図１６は、本実施形態に係る薄膜製造装置１ｂにおける製膜室内の概略断面構成を主に示した図である。図１５及び図１６に示すように、本実施形態では、第１電極４´の構造を多孔板型の電極構造とした点で、上述した第１実施形態と異なり、他の構成については同様である。したがって、第１実施形態と共通する部分については説明を省略する。
【００７９】
本実施形態では、第１電極４´を平板状の基板に多数の貫通孔６０を設けた構造としている。貫通孔６０の数については特に限定されないが、基板２の表面付近に製膜ラジカルを均一に輸送できるよう数量と配置位置を選定するものである。また、貫通孔６０に代えて、複数のスリットを設けることとしても良く、貫通孔６０の直径またはスリットの幅は製膜雰囲気圧力でホロー放電が維持できるサイズを選定する。
【００８０】
このように、第１電極４´を複数の貫通孔が設けられた構造とすることで、孔部にホロー放電プラズマ（図１６参照）を発生させることができる。これにより、製膜速度を更に向上させることが可能となる。
従来は、例えば、特許文献４に開示されている発明のように、ホロー放電を利用したプラズマは定在波に起因する電極上の電圧分布により大面積化は困難であった。しかし、本実施形態に係る薄膜製造装置１ｂによれば、第１電極４´周囲への多点からの高周波電力給電と、第２位相変調部２２による電極の長手方向（図１５では第２電極の長尺電極１２の長手方向と平行な方向）への給電側位相変調法により、多孔板型の第１電極４´場に生じる電圧分布をほぼ均一にでき、第１電極４´の電極全体に渡って孔部である貫通孔６０に均一な強度を有するホロー放電プラズマを生成することが可能となる。これにより、基板の大面積化に対しても均一な膜厚分布を実現することが可能となる。
【００８１】
更に、複数の長尺電極１２を有する第２電極５と、第１電極４´間に印加される電圧の位相差に、例えば１８０°±約１０°で変化するような変調を与えることで、第１電極用電圧と第２電極用電圧との位相差を１８０°位相差付近とすることができる。この場合、第１電極４´と第２電極５との間で発生する電界は、位相差０°との場合と比較して約２倍の大きな電界となるので、貫通孔６０を通気性の良い孔部とすることができる。これにより、強いホロー放電プラズマを生成させることができ、ナノ粒子の発生・成長を抑制することができる。
【００８２】
更に、ホロー放電とすることで、第１電極４´と第２電極５との間に生成されたプラズマを物理的に遮蔽し、基板側へのプラズマの漏えいを効果的に抑制することができる。これにより、膜中へのナノ粒子の混入を大幅に抑制し、光劣化の少ない高い光安定なアモルファスシリコン膜を製膜することができる。
【００８３】
図１７及び図１８は、本実施形態に係る薄膜製造装置１ｂ及び電極電圧調整方法を用いて製膜したアモルファスシリコンを太陽電池パネル（光電変換装置）のｉ層に適用した単結合セル（シングルセル）の特性への効果について示した図であり、図１７は変換効率について、図１８は光劣化率及び製膜速度について示した図である。ここでは、第１実施形態に係る薄膜製造装置１で電極間の電圧位相変調を行わない装置Ｂを用いて製膜されたアモルファスシリコンをｉ層に適用した単結合セルの特性と、本実施形態に係る薄膜製造装置１ｂを用いて製膜されたアモルファスシリコンをｉ層に適用した単結合セルの特性とを比較して示している。なお、製膜条件等は、図４等と同様であるので説明は省略する。
【００８４】
図１７に示すように、初期における変換効率はさほどわかりはないが、光照射後においては、第１電極４´を多孔板型の電極構造とする方が、変換効率が高いことがわかる。この結果は、図１８に示された光劣化率の特性から明らかであり、第１電極４´を多孔板型の電極構造とすることで、光劣化率をほぼ半減できることがわかる。さらに、製膜速度についても、第１電極１´を多孔板型の電極構造とすることで、第１実施形態に比べてほぼ２倍の速度まで上げることが可能となる。
【００８５】
このように、本実施形態に係る薄膜製造装置１ｂによれば、図１７及び図１８に示すように、第１実施形態に係る薄膜製造装置１におけるマルチロッド型の第１電極４を、多孔板型の電極構造を有する第１電極４´に代えるだけで、光劣化率の低減と、製膜速度の向上の両方において顕著な効果が得られることがわかる。
【００８６】
第３実施形態において、貫通孔６０のホロー放電によるプラズマ発生は、第１実施形態における電極間の電圧位相変調と合わせて実施される形態を説明したが、電極間の電圧位相変調の代わりに、第２実施形態におけるバイアス電位印加を実施してもよい。
さらには、第３実施形態に加えて、第２実施形態におけるバイアス電位印加を実施してすれば、さらに効果的に太陽電池パネル（光電変換装置）のｉ層の品質を向上して、光照射後における曲性因子と変換効率を改善できるのは言うまでもない。
【００８７】
〔第４実施形態〕
次に、本発明の第４実施形態に係る薄膜製造装置１ｃ及びその電極電圧調整方法について図を参照して説明する。
図１９は、本実施形態に係る薄膜製造装置１ｃにおいて主に製膜室内における概略断面構成を示した図である。図１９に示すように、本実施形態では、図１５及び図１６に示した第３実施形態に係る薄膜製造装置１ｂにおいて、第１電極４´の外周面６１と製膜室の内壁面との隙間を絶縁部材６２で埋めることにより、第１電極４´よりも上方の空間、すなわち、プラズマが生成される空間と、第１電極４´よりも下方の空間、すなわち基板が配置される空間とを分離した構造としている。このような構成とすることで、基板側へのプラズマの漏えいを更に効果的に抑制することができる。
【００８８】
また、本実施形態において、必ずしも全ての隙間が絶縁部材６２で埋められる必要はない。すなわち、絶縁部材６２によって隙間が少しでも低減されるのであれば、プラズマの漏れ量を低減することができるという効果を得ることができる。絶縁部材６２としてはアルミナセラミックス、窒化アルミセラミックスなど絶縁耐電圧と内部損出の少ない材質を使用することが好ましい。
【００８９】
上記各実施形態で説明した薄膜製造装置及びその電極電圧調整方法は一例であり、本発明の主旨を逸脱しない範囲内において構成を削除したり、新たな構成を追加したり、構成を入れ替えたりすることが可能である。
更に、上述した各実施形態は、適宜組み合わせて採用することが可能である。例えば、図１５及び図１６に示した第３実施形態に係る薄膜製造装置１ｂに対して、第２実施形態におけるバイアス電位印加部４０を設けることとしてもよい。また、第１又は第２実施形態に係る薄膜製造装置１に対して第４実施形態に係る絶縁部材６２を配置することとしてもよい。
【符号の説明】
【００９０】
１、１ａ、１ｂ  薄膜製造装置
２  基板
３  基板支持部材
４  第１電極
５  第２電極
６  防着板
８  原料ガス噴出口
１０  製膜室
１１  横電極
１２  長尺電極
２０  排気口
２１  高周波電源
２３  第１位相変調部
４０  バイアス電位印加部
４１  交流電源
４２  整流器
４３  ローパスフィルタ
６０  貫通孔
６２  絶縁部材
【図１】
2014049541.tif 000006
【図２】
2014049541.tif 000007
【図３】
2014049541.tif 000008
【図４】
2014049541.tif 000009
【図５】
2014049541.tif 000010
【図６】
2014049541.tif 000011
【図７】
2014049541.tif 000012
【図８】
2014049541.tif 000013
【図９】
2014049541.tif 000014
【図１０】
2014049541.tif 000015
【図１１】
2014049541.tif 000016
【図１２】
2014049541.tif 000017
【図１３】
2014049541.tif 000018
【図１４】
2014049541.tif 000019
【図１５】
2014049541.tif 000020
【図１６】
2014049541.tif 000021
【図１７】
2014049541.tif 000022
【図１８】
2014049541.tif 000023
【図１９】
2014049541.tif 000024