(57)【要約】【課題】密着性に優れ、なおかつ低体積抵抗率を有し、低コストの金属薄膜並びに該金属薄膜を備える金属薄膜積層体、導電性パターン及びアンテナと、金属薄膜の形成方法を提供すること。【解決手段】金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する金属薄膜２であって、前記金属薄膜の垂直方向断面における前記バインダー樹脂の割合が異なる領域が存在することを特徴とする。【選択図】図１
2014017397.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する金属薄膜であって、
前記金属薄膜の垂直方向断面における前記バインダー樹脂の割合が異なる領域が存在することを特徴とする金属薄膜。
【請求項２】
基材上に前記金属微粒子と前記バインダー樹脂とを含有する前記金属薄膜が設けられ、
前記基材側において前記バインダー樹脂の割合が高いことを特徴とする請求項１に記載の金属薄膜。
【請求項３】
前記金属薄膜は、前記バインダー樹脂の密度が高い高密度バインダー樹脂領域と、前記バインダー樹脂の密度が低い低密度バインダー樹脂領域と、を有し、
前記高密度バインダー樹脂領域は、前記基材との界面に存在することを特徴とする請求項２に記載の金属薄膜。
【請求項４】
基材上に前記金属微粒子と前記バインダー樹脂とを含有する前記金属薄膜が設けられ、
前記金属薄膜は、前記バインダー樹脂の密度が高い高密度バインダー樹脂領域と、前記バインダー樹脂の密度が低い低密度バインダー樹脂領域と、を有し、
前記低密度バインダー樹脂領域は、前記基材上に設けられ、
前記高密度バインダー樹脂領域は、前記低密度バインダー樹脂領域を覆うように設けられていることを特徴とする請求項１に記載の金属薄膜。
【請求項５】
基材を備え、該基材上に請求項１乃至４のいずれかに記載の金属薄膜が形成されていることを特徴とする金属薄膜積層体。
【請求項６】
基材を備え、
該基材上に受容層が形成され、
該受容層上に請求項４に記載の金属薄膜が形成されていることを特徴とする金属薄膜積層体。
【請求項７】
請求項１乃至４のいずれかに記載の金属薄膜もしくは請求項５または６に記載の金属薄膜積層体を有することを特徴とする導電性パターン。
【請求項８】
請求項１乃至４のいずれかに記載の金属薄膜もしくは請求項５または６に記載の金属薄膜積層体を有することを特徴とするアンテナ。
【請求項９】
金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する分散体を基材上に付与する工程と、
前記基材上に付与された分散体を固着させ導電性を発現させる工程と、
当該固着させた分散体上に前記分散体を付与する工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の形成方法。
【請求項１０】
金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する分散体を基材上に付与する工程と、
前記基材上に付与された分散体を部分的に固着させ導電性を発現させる工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の形成方法。
【請求項１１】
前記導電性を発現させる工程は、前記基材と前記分散体との界面に未固着領域を残すように当該分散体の表面にエネルギー線を照射することを特徴とする請求項１０に記載の金属薄膜の形成方法。
【請求項１２】
前記導電性を発現させる工程は、前記基材と前記分散体との界面に未固着領域を残すように、当該分散体の表面に導電性発現促進溶媒を付与することを特徴とする請求項１０に記載の金属薄膜の形成方法。
【請求項１３】
基材上に受容層を形成する工程と、
金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する分散体を前記受容層上に付与し、当該分散体を部分的に固着させる工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の形成方法。
【請求項１４】
基材上に導電性発現促進溶媒を付与する工程と、
金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する分散体を基材上に付与し、前記導電性発現促進溶媒と接触させて当該分散体を部分的に固着させる工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属薄膜の形成方法、金属薄膜並びに該金属薄膜を備える金属薄膜積層体、導電性パターン及びアンテナに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体素子や電子回路等の微細な配線パターン形成方法としては、フォトリソグラフィー法が多く利用されてきた。しかし、フォトリソグラフィー法は、装置が高価であり、工程が複雑で長いために、製造コストを上昇させる原因となっている。また、フォトリソグラフィー法はトップダウン型のプロセスであり、材料の利用効率が低いことも製造コストの上昇につながっている。
【０００３】
そのため、近年ではボトムアップ型のプロセスである印刷法（オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷）によるデバイス製造方法に注目が集まっている。印刷法では、金属などの導電性微粒子を絶縁性基体（不導体基材）基材上に塗布し、焼成を行うことで配線パターン形成する。上記印刷法では、ナノサイズの金属微粒子が分散され流動性を持たせた分散体（インク・ペースト）が用いられる。
【０００４】
前記の印刷法の中で特にインクジェット法（ピエゾ方式・静電方式・バブルジェット（登録商標）方式）は、電極や絶縁体、半導体などを絶縁性基体上に直接描画することができマスクが不要であるため、安価なデバイス製造方法や少量多品種に対応した製造方法として注目が集まっている。
【０００５】
金属微粒子（導電性微粒子）は、その粒径が数百ナノのサイズになるとナノサイズ効果による融点の降下により、バルクの金属が持つ融点よりもかなり低温（１００〜２００℃）で焼成することで融着し、導電性を持つパターンを形成することができる。
【０００６】
しかし、ナノサイズの金属微粒子はきわめて凝集しやすく分散が困難である。金属微粒子の分散性は、バインダー樹脂や分散剤を金属微粒子に吸着することによって改善することができ、微粒子の凝集を防止して保存安定性を高め、分散体（インク・ペースト）の流動性を確保する効果が期待できる。
【０００７】
上記金属微粒子を微細化すればするほど、より低温で融着させることができる。そのため、プロセスの製造コストをさげるためには、金属微粒子をなるべく微細化することが望ましい。しかし、その一方で、微細化すればするほど単位堆積あたりの粒子の表面積が増え、インク・ペースト化（分散安定化）のためには多量のバインダー樹脂や分散剤が必要となるため、前記バインダー樹脂や分散剤が金属微粒子間の融着を阻害し導電性の低下が起こる傾向にある。そのため、融着できるだけバインダー樹脂の量を少なくすることが高い導電性を得るために必要である。しかし、塗布前の分散性を保つためにはバインダー樹脂や分散剤は多いほうが良い。
【０００８】
上記のような理由から、分散性を保ちつつ導電性を得るためには、塗布後にバインダー樹脂や分散体を除去する工程が必要となる。しかし、バインダー樹脂や分散剤の除去には長時間の焼成が必要となる。そして、量が増えるほど焼成時間が増加する。
【０００９】
これらの問題を解決するために焼成の温度を上げるという方法も考えられるが、基材はシート状の高分子樹脂材料であるために、熱による変形を考慮すると２００℃程度が上限であり、それ以上の温度にあげることは難しい。ポリイミドのように高耐熱性（４００℃程度）を持つ高分子樹脂基材もあるが、ポリイミド等の耐熱性樹脂の価格が相対的に高いことや、温度上昇することによる製造コストの上昇は好ましくない。
【００１０】
ここで、特許文献１（特表２０１１−５２１０５５号公報）のように、エネルギー線を与える方法などもある。しかし、急速に焼成が進むため、ひび割れやボイド等の発生がおきやすいという問題がある。
【００１１】
また、分散時においては金属微粒子の表面にはバインダー樹脂や分散剤が吸着しているために酸化が防がれているが、焼成時にはバインダー樹脂や分散剤の分解・除去を行うために非常に酸化しやすい状態となっている。一度酸化被膜が形成されると、金属微粒子同士の融着を阻害し導電性の低下をもたらす。そのため、酸化被膜の生成を防ぐために低酸化雰囲気、もしくは還元雰囲気中で焼成が行われている。また、分散剤に還元剤を含有させる方法がとられている。もしくは、導電性発現促進溶媒を付与し、分散剤の脱離と還元の両方を行う方法も示されている（特許文献２：特開２０１０−２２５６５９号公報）。
【００１２】
上記デバイス製造方法では、基材として可撓性を有する高分子樹脂材料を、シート状やフィルム状に成型したものが利用される。しかし、この高分子樹脂材料と上記印刷法により塗布された金属微粒子は、その界面に反応層を形成することはないため、密着性は乏しい。そのため、金属微粒子と基材の高分子樹脂材料との密着性は、主にバインダー樹脂によるアンカー効果によるものである。そのため焼成後のバインダー樹脂の残留は密着性の向上に寄与する。しかし、前述のように導電性を下げる要因となる。
【００１３】
特許文献３（特開２０１１−８２１４５号公報）では、金属薄膜に対するバインダー樹脂の割合が特定の範囲内にあり、導電性が良好でかつ基材との密着性に優れた金属薄膜について記載されているが、この金属薄膜ではバインダー樹脂が薄膜中に均一に分散しているので、バインダー樹脂が金属微粒子間に介在して金属微粒子の融着を阻害するために、バルクの金属に比べて体積抵抗率はかなり高い値（３桁）となっている。（図６（ａ）参照。なお、後述する本発明に係る金属薄膜の構成の一例は図６（ｂ）に図示するものである。）
【００１４】
特許文献４（特開２０１１−１４９４７号公報）では、金属微粒子とバインダー樹脂からなる接着層を形成した上に、メッキにより金属薄膜を形成する方法が記載されているが、工程が多く、使用する材料が増加するため、コストが高くなる。特許文献５（特開２００６−２２８８７８号公報）においても下地層の形成により工程数が増加する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、密着性に優れ、なおかつ低体積抵抗率を有し、低コストの金属薄膜並びに該金属薄膜を備える金属薄膜積層体、導電性パターン及びアンテナと、金属薄膜の形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するために本発明に係る金属薄膜は、金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する金属薄膜であって、前記金属薄膜の垂直方向断面における前記バインダー樹脂の割合が異なる領域が存在することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、密着性に優れ、なおかつ低体積抵抗率を有し、低コストの金属薄膜並びに該金属薄膜を備える金属薄膜積層体、導電性パターン及びアンテナと、金属薄膜の形成方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】（ａ）本発明に係る金属薄膜における第１の実施の形態における構成を表す概略模式図である。（ｂ）本発明に係る金属薄膜における第２の実施の形態における構成を表す概略模式図である。
【図２】図１（ｂ）に示す金属薄膜の他の形成方法における形成フローを示す図である。
【図３】本発明に係る金属薄膜の形成方法の第１の実施の形態における形成フローを示す図である。
【図４】本発明に係る金属薄膜の形成方法の第２の実施の形態における形成フローを示す図である。
【図５】（ａ）本発明に係る金属薄膜における第３の実施の形態における構成を表す概略模式図である。（ｂ）本発明に係る金属薄膜における第４の実施の形態における構成を表す概略模式図である。
【図６】（ａ）従来例おける金属薄膜の構成の一例を示す概略断面図である。（ｂ）本発明に係る金属薄膜の構成の一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明に係る金属薄膜は、金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する金属薄膜２であって、前記金属薄膜の垂直方向断面における前記バインダー樹脂の割合が異なる領域が存在することを特徴とする。
【００２０】
次に、本発明に係る金属薄膜並びに該金属薄膜を備える金属薄膜積層体、導電性パターン及びアンテナと、金属薄膜の形成方法についてさらに詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施の形態は、本発明の好適な実施の形態であるから技術的に好ましい種々の限定が付されているが、本発明の範囲は以下の説明において本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるものではない。
【００２１】
《第１の実施の形態》
先ず、図１（ａ）に示す本発明に係る金属薄膜における第１の実施の形態における構成を表す概略模式図に基づき説明する。
基材１上に金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する金属薄膜２が形成されている。金属薄膜２は、垂直方向断面におけるバインダー樹脂の割合が異なる領域が存在し、より詳しくは、バインダー樹脂の割合の高い高密度バインダー樹脂領域２ａと、バインダー樹種の割合の低い低密度バインダー樹脂領域２ｂとを有する。
なお、高密度バインダー樹脂領域２ａと低密度バインダー樹脂領域２ｂとの境界は明確である必要はなく、明確な境界を有さずに密度の勾配を持っていても良い。
【００２２】
高密度バインダー樹脂領域２ａは、基材１と金属薄膜２の界面に存在する。そして、低密度バインダー樹脂領域２ｂは、前記高密度バインダー樹脂領域２ａの上に存在する。低密度バインダー樹脂領域２ｂが導電性に、高密度バインダー樹脂領域２ａが基材１との密着性に寄与する。金属薄膜２と基材１の密着力は、アンカー効果によってもたらされる。そのため基材１界面の樹脂が密着力に大きく寄与する。密度の勾配を有しているときは、基材１界面に向かってバインダー樹脂が高くなっている。基材１と金属薄膜２との界面付近で大きく密度が上がるほうがより好ましい。
【００２３】
基材１の界面の高密度バインダー樹脂領域２ａの厚みは、電気抵抗や接着性を考慮し適宜設定することができる。具体的には、金属薄膜２の厚みに対する高密度バインダー樹脂領域２ａの厚みの割合が０．１％から３０％程度が好ましく、より好ましくは０．５％から２０％が、さらに好ましくは１％から１０％である。
【００２４】
低密度バインダー樹脂領域２ｂ断面に対するバインダー樹脂の断面積の割合は、電気抵抗や接着性を考慮し適宜選択することができる。具体的には、低密度バインダー樹脂領域２ｂ断面に対するバインダー樹脂の断面積の割合が、５％から５０％であることが好ましく、より好ましくは１０％から４０％、さらに好ましくは１５％から３０％である。
同様に、高密度バインダー樹脂領域２ａ断面に対するバインダー樹脂の断面積の割合は、電気抵抗や接着性を考慮し適宜選択することができる。具体的には、高密度バインダー樹脂領域２ａ断面に対するバインダー樹脂の断面積が、５０％から９５％であることが好ましく、より好ましくは６０％から９０％、さらに好ましくは７０から８５％である。
ただし、言うまでもなく高密度バインダー樹脂領域２ａのバインダー樹脂の断面積の割合は、低密度バインダー樹脂領域２ｂのバインダー樹脂の断面積の割合よりも高いものである。即ち、高密度バインダー樹脂領域２ａおよび低密度バインダー樹脂領域２ｂのバインダー樹脂の断面積の割合がいずれも５０％であるものは本発明の範囲には属しないものである。
【００２５】
（基材１）
基材１には、ガラス基板、樹脂基板、シリコン基板、紙、布などの周知慣用のものを用いることができる。また、電気回路配線基板に用いられる、ガラスエポキシ基板、紙エポキシ基板、紙フェノール基板等の複合品も用いられる。基材１は絶縁性であることが好ましく、この絶縁性の基材１は可撓性を有することが好ましい。
【００２６】
（金属薄膜２）
金属薄膜２は、金属微粒子とバインダー樹脂とを含有するものであり、さらにその他の成分を含有しても良い。
金属微粒子には、Ｐｄ，Ａｇ，Ｃｕ，Ａｕ，Ｐｔ，Ｚｎ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｎｉ，Ｓｎ，Ｐｂ等の金属種、またはこれら金属種の二種類以上からなる合金、これら金属種の化合物を用いる。平均粒径は、２μｍ以下であることが好ましく、よりこのましくは０．５μｍ以下、さらに好ましくは０．１μｍ以下、特に好ましくは０．０８μｍ以下である。
【００２７】
バインダー樹脂には、ポリエステル、ポリウレタン、ポリカーボネート、ポリエーテル、ポリアミド、ポリアミドイミド、ポリイミド、及びアクリル等があげられる。樹脂中にエステル結合、ウレタン結合、アミド結合、エーテル結合、イミド結合等を有するものが金属微粒子分散体の安定性から好ましい。
【００２８】
本発明における金属薄膜２の厚みは特に限定されない。電気抵抗や接着性等の必要特性にあわせて適宜設定することができる。分散体の組成や付与方法・印刷方法によって形成可能な範囲は異なるが、通常はインクジェット法では０．０５〜５μｍ、スクリーン印刷法では１〜１０００μｍである。
【００２９】
金属薄膜２は、基材１の一面もしくは大部分を覆うようなコーティング、線幅０．５ｍｍから５０ｍｍのアンテナパターン、１０μｍ〜５ｍｍの配線パターン等、その用途・形状に限定されない。
【００３０】
本発明における金属薄膜２は、少なくとも金属微粒子とバインダー樹脂を含有する分散体を基材１上に付与し、部分的に固着させる工程を行うことで形成される。
以下に具体的な方法を示す。
【００３１】
（金属薄膜２の形成方法）
図３（ａ）〜（ｃ）に示す本発明に係る金属薄膜の形成方法の第１の実施の形態における形成フローに従い説明する。
・第一工程
第一工程は、金属微粒子とバインダー樹脂とを含有する分散体２ａ’を基材１上に付与する工程である（図３ａ）。具体的には前記金属微粒子と前記バインダー樹脂からなる分散体２ａ’を印刷法によって基材上１に塗布する工程である。
【００３２】
印刷法としては、オフセット印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、インクジェット印刷などがあげられる。本実施の形態では、インクジェット印刷を用いる。
インクジェット法には、特に制限はなく、例えば、静電誘引力を利用してインクを吐出させる静電方式、ピエゾ素子を利用したピエゾ方式、電気信号を音響ビームに変えインクに照射して放射圧を利用してインクを吐出させる音響インクジェット方式、及びインクを加熱して気泡を形成し、生じた圧力を利用するサーマルインクジェット（バブルジェット（登録商標））方式等のいずれであってもよい。また、デポジション法などがある。
【００３３】
塗布後に、風乾・加熱・減圧等により分散媒の一部を蒸発させることにより流動性を下げ、分散体２ａ’を基材１上で安定させることが望ましい。分散媒を蒸発させることによって、後の焼成工程において、ボイドや割れの発生が抑制できる。
【００３４】
・第二工程
続いて第二工程は、基材１上の分散体２ａ’を部分的に固着させ導電性を発現させる工程である。固着させるとは、金属微粒子に吸着しているバインダー樹脂や分散剤を分解もしくは除去し、金属微粒子同士を融着させるということである。
【００３５】
部分的に固着させるために、固着させる部位のバインダー樹脂や分散剤を部分的に分解もしくは除去する。バインダー樹脂や分散剤の分解・除去方法には、エネルギー線を照射する方法や導電性発現促進溶媒３を付与する方法等を用いる。
【００３６】
エネルギー線としては、電子ビーム・イオンビーム・紫外光、レーザー光などがある。照射エネルギー量・分布を制御して、基材１と金属薄膜２との界面を残し（未固着領域を残すように）バインダー樹脂や分散剤を除去する。（図３（ｂ１））
エネルギー線を用いることで、表面のバインダー樹脂割合が低く、基材１の界面はバインダー樹脂割合の高い構成を備える金属薄膜２を、一つの工程で作成することが可能となる。エネルギー線を用いることで、短時間で焼成でき、エネルギーの制御も簡便となる。
【００３７】
また、導電性発現促進溶媒３を付与する場合には、分散剤と同様に印刷法を用いる。導電性発現促進溶媒３とは、主に、分散体の分散媒と極性の異なるものである。分散体の分散媒が極性溶媒に分類される溶媒の場合は無極性溶媒、分散体の分散媒が無極性溶媒に分類される溶媒の場合は極性溶媒が導電性発現促進溶媒に当てはまる。さらに、還元性のある溶媒、アルコール類や多価アルコール類が好ましい。導電性発現促進溶媒３を用いる場合には、溶媒の量などを制御することによって、基材１と金属薄膜２との界面を残し（未固着領域を残すように）バインダー樹脂や分散剤を除去する。（図３（ｂ２））
導電性発現促進溶媒３の付与は分散体２ａ’と同様に印刷法によって行えるので、装置の簡素化が可能となる。また、低温での焼成が可能となる。
【００３８】
その他の方法としては、加熱固着部材を押し当てるという方法により基材１と金属薄膜２との界面を残し（未固着領域を残すように）バインダー樹脂や分散剤を除去する方法もある。この方法によると、加熱・加圧により、金属微粒子の融着を促し低温での導電性発現が可能となる。また、加圧により基材との密着性を高めることができる。押付け力や押付け面積、加熱固着部材の温度等を制御することで部分的に固着させる。
焼成とともに、金属薄膜２を基材１に押し当てるため、更なる密着性の向上が可能である。また、加圧により低温での焼成が可能となる。
【００３９】
またさらにその他の方法として、還元雰囲気中での焼成がある。還元雰囲気とは、ＣＯ、Ｈ２Ｓ、ＳＯ２、Ｈ２、ＨＣＨＯ等の気体を含んだ雰囲気である。この方法によると、還元雰囲気に触れている外縁部が優先的に固着されるため、部分的に固着させる（即ち、部分的に未固着領域を残す）ことが可能となる。また金属微粒子表面の酸化被膜は金属微粒子同士の融着を阻害するが、還元雰囲気で焼成することにより、その影響を抑えることが可能となり、低温での固着が可能となる。
還元雰囲気に触れている領域が主に固着されるため、簡便に基材１の界面を残して焼成させることが可能である。また還元雰囲気中で焼成を行うため、銅等の酸化しやすい金属の焼成を行うことが可能である。
【００４０】
以上のような方法で図１（ａ）の金属薄膜は形成される（図３（ｃ））。図３（ｃ）で示される状態では、高密度バインダー樹脂領域２ａは未固着であり、低密度バインダー樹脂領域２ｂは固着された状態である。
そして、以上のような方法で形成することで、一つの工程で二つのバインダー樹脂密度を持つ層を作成することが可能となる。
【００４１】
なお、本発明の効果を高めるために第一工程前に下地層を形成してもよい。また、基材１を荒らす等の手段も用いてもよい。さらなる密着性向上のために、オーバーコート層、絶縁層などを該金属薄膜２の上に積層してもよい。
【００４２】
本実施の形態によれば、バインダー樹脂が偏在しており、近接した金属微粒子同士が接触する領域が広く存在し、導電性を有する実効的な断面積が大きくなるので、基材１との高い密着性を持ちながら低い体積抵抗率を示す。一方、図６（ａ）に示すような従来例では、均一にバインダー樹脂が存在しているために密着性はあるが、近接した金属微粒子同士が接触していない領域が存在するために、実効的な断面積が小さくなり体積抵抗率は高くなる。
【００４３】
また、本実施の形態によればバインダー樹脂の濃度をコントロールすることで基材１との密着性を持たせるため、ひとつの材料で金属薄膜２の作成と密着性の向上が可能であり、他材料による下地層やオーバーコート層などの密着性補助層の必要がなくなる。
【００４４】
さらに、本実施の形態によれば基材１との密着性に影響する界面に集中してバインダー樹脂が存在するので基材１との高い密着性を持たせることができる。さらに、近接した金属微粒子同士が接触する領域が広く存在し、導電性を持つ実効的な断面積が大きくなるので、低い体積低効率を示す。
【００４５】
《第２の実施の形態》
次に、図１（ｂ）に示す本発明に係る金属薄膜における第２の実施の形態における構成を表す概略模式図に基づき説明する。
第１の実施の形態と同様に、基材１上に金属微粒子とバインダー樹脂を含有する金属薄膜２が形成されている。金属薄膜２はバインダー樹脂の割合の高い高密度バインダー樹脂領域２ａと、バインダー樹種の割合の低い低密度バインダー樹脂領域２ｂとを有する。
なお、高密度バインダー樹脂領域２ａと低密度バインダー樹脂領域２ｂとの境界は明確である必要はなく、明確な境界を有さずに密度の勾配を持っていても良い。
【００４６】
低密度バインダー樹脂領域２ｂは、基材１上に設けられてなる。
また、高密度バインダー樹脂領域２ａは、金属薄膜２の基材１との界面を除く外縁部に存在する。そして、高密度バインダー樹脂領域２ａが低密度バインダー樹脂領域２ｂを覆うように存在する。
【００４７】
基材１、金属微粒子及びバインダー樹脂は、第１の実施の形態と同様である。
【００４８】
（金属薄膜２の形成方法）
図４（ａ）〜（ｃ）に示す本発明に係る金属薄膜の形成方法の第２の実施の形態における形成フローに従い説明する。
本実施の形態における金属薄膜２は、導電性発現促進溶媒３が付与された基材１上に、少なくとも金属微粒子とバインダー樹脂を含有する分散体２ａ’を付与することで形成される。以下に具体的な方法を示す。
【００４９】
・第一工程
第一工程は、基材１に導電性発現促進溶媒３を付与する工程である（図４（ａ））。付与手段としては印刷法を用いる。第１の実施の形態の分散剤付与手段と同様に印刷法である。
導電性発現促進溶媒３は第１の実施の形態と同様である。
【００５０】
・第二工程
第二工程は、導電性発現促進溶媒３が乾燥する前に、金属微粒子とバインダー樹脂からなる分散体２ａ’を導電性発現促進溶媒３上に付与する工程である（図４（ｂ））。導電性発現促進溶媒３の付与と同様に、印刷法を用いる。
【００５１】
分散体２ａ’と導電性発現促進溶媒３の反応量は一定のため、導電性発現促進溶媒３と分散体２ａ’の量を制御することで、バインダー樹脂密度が高い層（高密度バインダー樹脂領域２ａ）と低い層（低密度バインダー樹脂領域２ｂ）とを一度に形成することができる。
【００５２】
本実施の形態によれば外縁部がバインダー樹脂に覆われているため、基材１との高い密着性を持ち、かつ、耐スクラッチ性・耐マイグレーション性が高い。また、金属微粒子の飛散を抑止することができる。さらに、近接した金属微粒子同士が接触する領域が広く存在し、導電性を持つ実効的な断面積が大きくなるので、低い体積低効率を示す。またさらに、外縁部の分散体が乾燥・収縮する際に、金属微粒子を近接させるため抵抗率の低下効果も得られる。
また、上記した形成方法によれば、導電性発現促進溶媒３の付与は分散体２ａ’と同様に印刷法によって行えるので、装置の簡素化が可能となる導電性発現促進溶媒３を用いることで、分散剤を脱離させ低温での焼成が可能となる。
【００５３】
《第３の実施形態》
さらに、図５（ａ）および図５（ｂ）に示す本発明に係る金属薄膜における第３の実施の形態及び第４の実施の形態における構成を表す概略模式図に基づき説明する。
【００５４】
第３および第４の実施の形態では、受容層４上に樹脂バインダー密度の異なる領域（金属薄膜２）が存在する。高密度バインダー樹脂領域２ａは、金属薄膜２の基材１の界面を除く外縁部に存在する。そして、高密度バインダー樹脂領域２ａが低密度バインダー樹脂領域２ｂを覆うように存在する。
この受容層４を除くその他構成については、第２の実施の形態と同様であるため説明を省略する。
【００５５】
本実施の形態の場合、受容層４が形成された基材１に、もしくは基材１上に受容層４を形成した後に、分散体２ａ’を付与することで形成される。受容層４が分散体２ａ’の分散媒を吸収するため、低温で導電性が発現する（特開２００４−２０７５５８等参照）。吸収できる分散媒の量に限りがあるため、分散体２ａ’の塗布量を増やす、もしくは重ね塗りを行うことでバインダー樹脂密度が高い層（高密度バインダー樹脂領域２ａ）と低い層（低密度バインダー樹脂領域２ｂ）とを形成できる（分散体を部分的に固着させることができる）。受容層４は全面もしくは部分的に存在してもよい。図５（ｂ）に示す例が受容層４を部分的に形成した例である。
受容層４は、主に無機微粒子・ＰＶＡ等の多孔質受容層である。
受容層４により、低温での焼成とさらなる密着性の向上が可能となる。
【００５６】
《第４の実施形態》
図１（ｂ）の金属薄膜の別の形成方法を図２（ａ）および図２（ｂ）に示す。
基材１上に分散体２ａ’を付与し、固着手段を用いて分散体２ａ’の全領域にわたって固着させて低密度バインダー樹脂領域２ｂを形成する。次いで、低密度バインダー樹脂領域２ｂ上に分散体２ａ’を再付与し高密度バインダー樹脂領域２ａを形成する。再付与した分散体２ａ’は固着を行わない。
以上により図１（ｂ）に示す金属薄膜２を形成することができる。
【００５７】
本実施の形態によれば、１種類の材料で金属薄膜を作成できる。また、導電性を持たせるための低密度バインダー樹脂領域のバインダー樹脂密度を低くし、導電性を上げることが可能である。さらに、密着性を持たせるための高密度バインダー樹脂領域の厚さの制御が簡便である。
【００５８】
以上の第１〜第４の実施の形態によれば、密着性に優れ、なおかつ低体積抵抗率を有し、低コストの金属薄膜並びに該金属薄膜を備える金属薄膜積層体、導電性パターン及びアンテナと、金属薄膜の形成方法を提供することができることがわかった。
なお、導電性パターンおよびアンテナは、金属薄膜または金属薄膜積層体をそれぞれ備えるものであり、金属薄膜を除く構成については周知慣用の構成をそのまま用いることができる。
【符号の説明】
【００５９】
１      基材
２      金属薄膜
２ａ    高密度バインダー樹脂領域
２ｂ    低密度バインダー樹脂領域
２ａ’  分散体
３      導電性発現促進溶媒
４      受容層
【先行技術文献】
【特許文献】
【００６０】
【特許文献１】特表２０１１−５２１０５５号公報
【特許文献２】特開２０１０−２２５６５９号公報
【特許文献３】特開２０１１−８２１４５号公報
【特許文献４】特開２０１１−１４９４７号公報
【特許文献５】特開２００６−２２８８７８号公報
【図１】
2014017397.tif 000003
【図２】
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【図６】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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