(57)【要約】【課題】吐出口毎の液体の吐出量および飛翔速度が安定した液体吐出ヘッドを提供する。【解決手段】エネルギー発生素子が配置された基板と、該基板との間に流路を形成し、吐出口を有する吐出口形成部材と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、基板上に、吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍に凹部を有する型材を形成する工程と、前記型材を覆うように化学的気相蒸着法によって被覆層を形成する工程と、前記被覆層に吐出口を形成し、吐出口形成部材を得る工程と、を含む液体吐出ヘッドの製造方法。【選択図】図１
2014237230.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー発生素子が配置された基板と、該基板との間に流路を形成し、吐出口を有する吐出口形成部材と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
基板上に、吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍に凹部を有する型材を形成する工程と、
前記型材を覆うように化学的気相蒸着法によって被覆層を形成する工程と、
前記被覆層に吐出口を形成し、吐出口形成部材を得る工程と、を含む液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記吐出口形成部材が、ケイ素と、酸素、窒素および炭素からなる群から選択される少なくとも一つの元素とを含む化合物を含む請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記型材を形成する工程において、ドライエッチングにより前記凹部を形成する請求項１または２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項４】
前記型材を形成する工程において、基板上に第一の型材を形成した後、該第一の型材上であって吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍以外の位置に第二の型材を形成する請求項１または２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項５】
さらに前記型材を除去することで前記流路を形成する工程を含む請求項１から４のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項６】
さらに前記第一の型材を除去し、かつ前記第二の型材を残留させることで前記流路を形成する工程を含む請求項４に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項７】
前記凹部の断面形状が、基板側から型材表面へ向けて凹部の径が長くなる略テーパー形状である請求項１から６のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項８】
前記吐出口を形成する工程において、反応性イオンエッチングにより吐出口を形成する請求項１から７のいずれか１項に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液体吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
吐出口近傍の吐出口形成部材が吐出口形成部材の表面よりも凹んだ形状を有する液体吐出ヘッドが提案されている（特許文献１および２）。このような形状は、ヘッドの表面に付着した液体の拭き取りによるダメージや、紙の搬送エラーによるヘッドへの紙の衝突により発生する吐出口の損傷を軽減することができるため、該形状を有する液体吐出ヘッドは寿命が長い。一方、特許文献３には、液体の流路となる部分に型材を形成した後、該型材を覆うように液状の樹脂材料をスピンコート法で塗布することにより吐出口形成部材を形成し、型材を除去する液体吐出ヘッドの製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特公平７−２９４３７号公報
【特許文献２】特許第４４９８３６３号明細書
【特許文献３】特許第３１４３３０７号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
液体吐出ヘッドの吐出口形成部材には複数の吐出口が形成されており、該吐出口から液滴を飛翔させることで印刷物を得ることができる。該吐出口形成部材の厚みは、吐出口から飛翔させる液滴の体積や飛翔速度に影響を与える。そのため、吐出口形成部材の厚みのばらつきが大きい場合、印刷物の品位が低下する。したがって、吐出口形成部材の厚みのばらつきは少ないことが好ましい。一方、前記吐出口近傍の吐出口形成部材が吐出口形成部材の表面よりも凹んだ形状を有する液体吐出ヘッドの製造方法としては、電鋳法を用いる方法（特許文献１）、感光性樹脂に対して弱い露光と熱処理を組み合わせて施す方法（特許文献２）等が知られている。
【０００５】
しかしながら、これらの方法では、印字品位に影響を与える吐出口形成部材の厚みのばらつきが大きい。特許文献１に記載の方法では、電鋳処理を施す際に、基板の中央と外周とで通電される電流量に差が発生しやすいため、形成される金属膜の厚みが異なりやすい。また、特許文献２に記載の方法では、凹部を形成するための露光から熱処理を経て現像するまでの時間において露光領域の酸の拡散度合に変化が生じやすいため、凹みの深さにばらつきが生じやすい。また、特許文献３に記載の方法を応用して、型材にあらかじめ凹部を形成した後、スピンコート法により吐出口形成部材を形成する方法も考えられる。しかしながら、吐出口形成部材が液状の樹脂で形成されるため、凹部の段差を吸収してしまい、吐出口形成部材の表面に凹部を形成するのが困難である。また、吐出口形成部材の厚みのばらつきを少なくすることが困難である。
【０００６】
以上のように、吐出口近傍の吐出口形成部材が吐出口形成部材の表面よりも凹んだ形状を有する液体吐出ヘッドを製造する場合、吐出口形成部材の厚みのばらつきを少なくすることは困難である。このため、得られる液体吐出ヘッドは吐出口毎の液体の吐出量および飛翔速度が安定しない。本発明は、吐出口毎の液体の吐出量および飛翔速度が安定した液体吐出ヘッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法は、エネルギー発生素子が配置された基板と、該基板との間に流路を形成し、吐出口を有する吐出口形成部材と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、基板上に、吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍に凹部を有する型材を形成する工程と、前記型材を覆うように化学的気相蒸着法によって被覆層を形成する工程と、前記被覆層に吐出口を形成し、吐出口形成部材を得る工程と、を含む。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、吐出口毎の液体の吐出量および飛翔速度が安定した液体吐出ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法の一例を工程順に示した断面図である。
【図２】本発明に係る方法により製造される液体吐出ヘッドの一例の斜視断面図である。
【図３】撥水層を形成する実施形態を示した断面図である。
【図４】第一の型材および第二の型材を形成する実施形態を示した断面図である。
【図５】図１（ｅ）に示されるＸ破線部の拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法は、エネルギー発生素子が配置された基板と、該基板との間に流路を形成し、吐出口を有する吐出口形成部材と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、基板上に、吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍に凹部を有する型材を形成する工程と、前記型材を覆うように化学的気相蒸着法によって被覆層を形成する工程と、前記被覆層に吐出口を形成し、吐出口形成部材を得る工程と、を含む。
【００１１】
本発明に係る方法では、吐出口形成部材の表面が吐出口近傍において凹んだ形状をしている液体吐出ヘッドを製造する際に、化学的気相蒸着法（以下、ＣＶＤ法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）と示す）により吐出口形成部材となる被覆層を形成する。これにより、型材の凹部上であっても略コンフォーマルに被覆層が形成されるため、吐出口形成部材の厚みばらつきが少なくなり、吐出口毎の液体の吐出量および飛翔速度が安定した液体吐出ヘッドが得られる。該液体吐出ヘッドをインクジェット記録ヘッドとして用いた場合には、良好な印字品位を示す。以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態を説明する。但し、本発明はこれらの実施形態に限定されない。
【００１２】
本発明に係る方法により製造される液体吐出ヘッドの一例を図２に示す。図２に示される液体吐出ヘッド２０は、複数のエネルギー発生素子２が２列に配置された基板１を備える。基板１上には、基板１との間に流路１２を形成し、エネルギー発生素子２と対応する位置に吐出口１０を有する吐出口形成部材７が形成されている。吐出口形成部材７の表面は、吐出口１０の近傍において凹んでいる。また、基板１には基板１を貫通する供給口１１が形成されている。供給口１１を通じて流路１２に供給された液体は、エネルギー発生素子２が発生するエネルギーにより吐出口１０から吐出される。
【００１３】
以下、図１を用いて、本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法の一例を、工程を追って説明する。図１は、本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法の一例を工程順に示した、図２のＡ方向より見た断面図である。
【００１４】
まず、図１（ａ）に示すように、複数のエネルギー発生素子２が配置された基板１を用意する。基板１は、駆動回路や、駆動回路とエネルギー発生素子２とをつなぐ配線を形成しやすいシリコン単結晶基板であることが好ましい。エネルギー発生素子２としては、電気を発泡エネルギーに変換可能な素子であれば用いることができ、例えば抵抗体に電気を通して発熱させるヒータータイプを用いることができる。
【００１５】
次に、図１（ｂ）に示すように、基板１上に型材３を形成する。型材３の材料は、型材３の周辺に存在する他の部材の材料との関係で適宜選択される。例えば吐出口形成部材の材料が無機材料である場合、型材３の材料としては有機樹脂材料や金属材料を選択することができる。該有機樹脂材料としては、耐熱性の観点からポリイミドが好ましい。該有機樹脂材料はスピンコート法等により成膜することができる。該金属材料としては、除去性の観点からアルミニウムまたはアルミニウム合金が好ましい。該金属材料はスパッタリング等の物理的気相蒸着法（ＰＶＤ：Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）により成膜することができる。型材３の厚みは特に限定されないが、例えば２〜３０μｍとすることができる。
【００１６】
次に、図１（ｃ）および（ｄ）に示すように、型材３の、吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍に凹部５を形成する。具体的には、型材３上に凹部用マスク４を形成し（図１（ｃ））、凹部用マスク４を介したエッチングにより型材３の表面に凹部５を形成する（図１（ｄ））。凹部用マスク４は、フォトレジストを用いて形成することができる。型材３の材料が有機樹脂材料である場合には、酸素を主体とする反応性イオンエッチング（以下、ＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ  Ｉｏｎ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）と示す）等のドライエッチングにより凹部５を形成することができる。また、型材３の材料が金属材料である場合には、該金属材料に対応したガスを用いたＲＩＥや、該金属材料を溶解可能な酸によるウェットエッチングにより、凹部５を形成することができる。例えば、該金属材料がアルミニウムである場合には、ＲＩＥで加工する場合にはエッチングガスとして塩素を用いることができ、ウェットエッチングで加工する場合にはリン酸を主成分とするエッチング液を用いることができる。
【００１７】
なお、吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍の「近傍」とは、吐出口が形成される領域と対応する位置から少なくとも４０μｍまでの範囲を示す。基板１面に平行な凹部５の断面形状は特に限定されず、吐出口の断面形状が円形であっても必ずしも円形である必要はない。また、凹部５の深さは型材３の厚み、被覆層の厚みにもよるが、例えば０．１〜５μｍとすることができる。また、凹部５の径は吐出口の径にもよるが、例えば２０〜８０μｍとすることができる。なお、本明細書において「径」とは、その断面において差し渡しの長さが最大となる部分における長さを示す。
【００１８】
次に、図１（ｅ）に示すように、凹部５の形成された型材３を覆うように被覆層６を形成する。本発明では、被覆層６の形成をＣＶＤ法により行う。ＣＶＤ法では略コンフォーマルに膜を形成することができるため、型材３に凹部５が形成されている場合にも、その上に形成される被覆層６の厚みを十分に制御することができる。これにより、吐出口形成部材の厚みのばらつきが少なくなるため、吐出口毎の吐出量および飛翔速度が安定した液体吐出ヘッドが得られる。後に吐出口形成部材となる被覆層６の材料としては、例えば、ケイ素と、酸素、窒素および炭素からなる群から選択される少なくとも一つの元素とを含む化合物（以下、シリコン化合物と示す）、金属等が挙げられる。シリコン化合物としては、酸化シリコン、窒化シリコン等が挙げられる。金属としては、チタン、ジルコニウム、ハフニウム等が挙げられる。これらは一種を用いてもよく、二種以上を併用してもよい。これらの中でも、後の工程において被覆層６に吐出口を形成する際、吐出口を加工しやすい観点から、被覆層６の材料としてはシリコン化合物が好ましい。
【００１９】
ＣＶＤ法の方式は、被覆層６の材料によって適宜選択される。例えば被覆層６の材料がシリコン化合物である場合には、ＣＶＤ法の方式は、成膜レートおよび量産性の観点からＰＥ（Ｐｌａｓｍａ  Ｅｎｈａｎｃｅｄ）ＣＶＤが好ましい。また、被覆層６の材料が金属である場合には、ＣＶＤ法の方式はＭＯ（Ｍｅｔａｌ  Ｏｒｇａｎｉｃ）ＣＶＤが好ましい。材料ガスの励起方法としては、プラズマ励起式以外に、熱や光を用いた方法を用いてもよい。被覆層６の厚みとしては特に限定されないが、例えば１〜２０μｍとすることができる。また、凹部５に対応して被覆層６の表面に形成される凹部の径は、吐出口の径よりも大きい必要があり、凹部の径は吐出口の径よりも５〜４０μｍ大きいことが好ましい。
【００２０】
また、図３に示すように、吐出安定性をより向上させるために、被覆層６の表面に撥水膜８をさらに形成してもよい。撥水膜８は、例えばフッ化炭素化合物を溶媒で希釈した溶液を、スピンコート法やカーテンコート法により塗布することで形成することができる。また、撥水膜８は、真空引きや加熱により揮発させたフッ化炭素化合物の雰囲気に被覆層６をさらした後、乾燥させることで形成することもできる。
【００２１】
次に、図１（ｆ）に示すように、被覆層６に吐出口を形成するための吐出口用マスク９を形成する。吐出口用マスク９の材料には一般的なフォトレジストを用いることができる。吐出口用マスク９の材料としてフォトレジストを用いる場合、吐出口用マスク９の形成方法としては、該フォトレジストが液状である場合にはスピンコート法により塗布することができる。また、該フォトレジストがドライフィルムレジストである場合には、ラミネートにより形成することができる。特に、図３に示すように被覆層６の表面に撥水膜８を形成する場合、該フォトレジストがドライフィルムレジストである場合の方が、液状のレジストである場合よりも撥水による液の弾きが少なく、安定して吐出口用マスク９を形成することができる。
【００２２】
次に、図１（ｇ）に示すように、吐出口用マスク９を介してエッチングにより被覆層６に吐出口１０を形成し、吐出口形成部材７を得る。エッチングの方法としては、基板１面に対して垂直な吐出口１０の断面形状が、垂直になりやすいＲＩＥが好ましい。エッチングガスとしては、被覆層６の材料がシリコン化合物である場合には、フロン系のガス（ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ4Ｆ8等）を主成分として含み、その他添加ガスとしてＡｒ、Ｏ2等を含むガスを用いることができる。吐出口１０の径は特に限定されないが、例えば１０〜４０μｍとすることができる。
【００２３】
次に、図１（ｈ）に示すように、基板１に供給口１１を形成し、型材３を除去することで流路１２を形成する。供給口１１は、例えばボッシュプロセスにより形成することができる。具体的には、供給口１１が形成される領域をパターニングしたマスク材（不図示）を基板１の裏面に形成し、ＳＦ6ガスを用いたエッチングステップとＣ4Ｆ8ガスを用いたデポジションステップとを交互に繰り返すことで、供給口１１を形成することができる。型材３を除去する方法としては、型材３の材料に対応した方法を適宜用いることができる。例えば、型材３の材料として有機樹脂材料を用いた場合には、型材３はＯ2ガスを主成分とするＣＤＥ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｄｒｙ  Ｅｔｃｈｉｎｇ）により除去することができる。また、型材３の材料として金属材料を用いた場合には、該金属材料を溶解可能な酸やアルカリの溶液に基板１を浸漬させることで、型材３を除去することができる。例えば、型材３の材料がアルミニウムである場合には、型材３はリン酸を主成分とするエッチング液を用いることで除去することができる。
【００２４】
以上の工程により製造される液体吐出ヘッドは、ＣＶＤ法により略コンフォーマルに被覆層が形成されるため、吐出口近傍の吐出口形成部材が吐出口形成部材の表面よりも凹んでいる場合にも、吐出口近傍の吐出口形成部材の厚みのばらつきが少ない。これにより、それぞれの吐出口から飛翔される液滴の体積や飛翔速度のばらつきが低減され、高品質の液体吐出ヘッドが得られる。
【００２５】
また、本発明の他の実施形態として、図４に型材３に凹部５を形成する他の方法を示す。該方法によれば、基板１上に第一の型材３ａを形成した後、第一の型材上であって吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍以外の位置に第二の型材３ｂを形成することで、凹部５を形成する（図４（ａ））。該方法では、第二の型材３ｂの材料として第一の型材３ａの材料と同じ材料を用いることもできるが、第二の型材３ｂの材料として第一の型材３ａの材料と異なる材料を用いることが好ましい。例えば、第一の型材３ａの材料として有機樹脂材料を用い、第二の型材３ｂの材料として金属材料を用いることができる。第一の型材３ａは流路の高さを概ね決めることになるため、第一の型材３ａの材料としては、その膜厚を容易に制御可能なスピンコート法により塗布できる有機樹脂材料を用いることが好ましい。該有機樹脂材料としてはポリイミドが好ましい。また、第二の型材３ｂをパターニングする際に下地として存在する第一の型材３ａにダメージが発生しないことが好ましく、また耐熱性の観点から、第二の型材３ｂの材料としては金属材料が好ましい。該金属材料としては、加工のしやすさの観点からアルミニウムまたはアルミニウム合金が好ましい。該金属材料のパターニングは、例えば汎用のフォトレジストでマスクを形成した後、該マスクを介したエッチングにより行うことができる。エッチングとしては、ドライエッチング、ウェットエッチング等が挙げられるが、該金属材料に適したエッチングを適宜選択することができる。例えば該金属材料がアルミニウムまたはアルミニウム合金である場合には、Ｃｌ2ガスを主成分としたＲＩＥや、酸またはアルカリの溶液を用いたエッチングによりパターニングを行うことができる。
【００２６】
さらに、第一の型材３ａと第二の型材３ｂとで異なる材料を用いる場合、図４（ｂ）に示すように第二の型材３ｂを構造物として流路内に残留させることが好ましい。第二の型材３ｂを残留させることで吐出口形成部材の厚みが増し、吐出口形成部材の機械的強度を増加させることができる。第二の型材３ｂを流路内に残留させる場合には、第二の型材３ｂの材料としては、吐出されるインクなどの液体に溶出しない化学的に安定な材料が好ましく、例えば金、シリコン化合物等が好ましい。第二の型材３ｂの材料として金を用いる場合には、第二の型材３ｂはスパッタリング、イオンビーム蒸着、真空加熱蒸着等により形成することができる。また、適当なフォトレジストをマスクとして、ヨウ素ヨウ化カリウムによりパターニングすることができる。第二の型材３ｂの材料としてシリコン化合物を用いる場合には、第二の型材３ｂはＰＥＣＶＤにより形成することができる。また、適当なフォトレジストをマスクとして、フロン系のガス（ＣＦ4、ＣＨＦ3、Ｃ4Ｆ8等）を主成分として含み、その他添加ガスとしてＡｒ、Ｏ2等を含むガスを用いてドライエッチングを行うことができる。また、シリコン化合物が酸化シリコンである場合には、バッファードフッ酸を用いたウェットエッチングを行うこともできる。
【００２７】
また、本発明の他の実施形態を、図５を用いて説明する。図５は図１（ｅ）に示されるＸ破線部の拡大図である。図５（ａ）は、凹部近辺の型材および被覆層の段差１３の断面プロファイルが垂直である場合を示し、図５（ｂ）は段差１３の断面プロファイルが、基板側から型材表面へ向けて凹部の径が長くなる略テーパー形状である場合を示す。型材の除去性および吐出口形成部材の強度の観点から、凹部の断面形状としては略テーパー形状が好ましい。型材の除去性については、段差１３の断面プロファイルが垂直な場合、型材の除去の際に段差１３の角度が鋭角に近いため（図５（ａ）Ａの箇所）、エッチングするためのガスや液体の供給性および排出性が低く、エッチング残りが発生しやすい。一方、段差１３の断面プロファイルが略テーパー形状である場合には、段差１３の角度が大きいため（図５（ｂ）Ｂの箇所）、エッチングするためのガスや液体の供給性および排出性が向上し、エッチング残りが低減される。また、吐出口形成部材の強度については、段差１３の角度が鋭角に近い場合、仮に紙などの記録媒体の搬送エラーにより液体吐出ヘッドの吐出口形成部材面に外力が加わった場合に、その外力が集中しやすい。一方、段差１３の角度が大きい場合には、その外力の集中は低減され、吐出口形成部材の破損が抑制される。なお、この効果は図４で示した第二の型材３ｂを残存させる実施形態においても同様に得られる。略テーパー形状の角度は特に限定されないが、図５（ｂ）Ｂの箇所で示される角度が１００〜１４０°であることが好ましい。なお、略テーパー形状とは一部テーパー形状から外れる部分があっても、全体としてテーパー形状である形状を示す。
【００２８】
断面形状が略テーパー形状の凹部を形成する方法としては、平坦な型材に対して凹部を形成する際、または第二の型材をパターニングする際にＲＩＥを用いる場合には、マスクのパターン断面プロファイルをテーパー形状にすることで形成することができる。マスクのパターン断面プロファイルをテーパー形状にする方法としては、露光の結像位置をずらす方法や、パターニング後に熱処理を実施してパターンを寝かせる方法が挙げられる。また、エッチング方式としてＣＤＥ、ウェットエッチング等の等方的な方式を採用することでも断面形状が略テーパー形状の凹部を形成することができる。
【実施例】
【００２９】
以下、実施例により本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法を更に詳しく説明する。なお、本発明は本実施例に限定されない。
【００３０】
［実施例１］
まず、図１（ａ）に示すように、インゴットの引き出し方位が＜１００＞であるシリコン単結晶基板の片面に、エネルギー発生素子２およびそれを駆動するための配線（不図示）が配置された、厚さ３００μｍの基板１を用意した。次に、図１（ｂ）に示すように、基板１上に型材３を形成した。型材３の材料としては、ポリイミド（商品名：ＰＩ２６１１、日立化成デュポンマイクロシステムズ（株）製）を用いた。該材料を基板１上にスピンコート法により塗布し、ベークすることで溶媒を揮発させた後、４００℃に設定したオーブンに１時間投入することで、該材料を脱水縮合させた。これにより、型材３を形成した。型材３の膜厚は７μｍであった。
【００３１】
次に、図１（ｃ）に示すように、吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍に凹部を形成するために、型材３上に凹部用マスク４を形成した。凹部用マスク４は、型材３上にポジ型のフォトレジスト（商品名：ＺＲ８８００、東京応化工業（株）製）を塗布し、所望のパターンにパターニングすることで形成した。次に、図１（ｄ）に示すように、吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍に、凹部５を、凹部用マスク４をマスクとしてＲＩＥにより形成した。エッチング装置としては平行平板型ＲＩＥを用い、Ｏ2ガスを主成分として含むガスにより型材３を２μｍエッチングした。エッチング後、基板１をレジスト剥離液（商品名：マイクロポジットリムーバー１１１２Ａ、ローム・アンドハース電子材料（株）製）に浸漬することで凹部用マスク４を剥離し、十分に水洗および乾燥を行った。なお、形成された凹部５の断面形状は、基板に対して垂直な辺を有する形状であった。
【００３２】
次に、図１（ｅ）に示すように、ＰＥＣＶＤを用いて酸化シリコンにより被覆層６を形成した。被覆層６の膜厚は３μｍとした。この時、略コンフォーマルに膜が堆積するため、型材３の凹部５の部分においても被覆層６の膜厚は安定していた。次に、図１（ｆ）に示すように、吐出口を形成するために被覆層６上に吐出口用マスク９を形成した。吐出口用マスク９の材料としてはドライフィルムレジスト（商品名：オーディルＡＲ３２０、東京応化工業（株）製）を用いた。吐出口用マスク９は、該材料を用いてラミネートにより膜を形成し、該膜に対して露光および現像を行うことにより、吐出口が形成される位置をパターニングすることで形成した。
【００３３】
次に、図１（ｇ）に示すように、被覆層６に吐出口１０を形成し吐出口形成部材７とした。吐出口１０は、平行平板型のＲＩＥ装置を用い、吐出口用マスク９をマスクとして、ＣＦ4、ＣＨＦ3、ＡｒおよびＯ2の混合ガスで被覆層６をエッチングすることにより形成した。その後、吐出口用マスク９を剥離液（商品名：剥離液１０４、東京応化工業（株）製）を用いて剥離した。次に、基板１の裏面に供給口１１を形成するためのマスクを形成し、ボッシュプロセスにより基板１の裏面から基板１の表面に向かって供給口１１を形成した。その後、該マスクを剥離した。
【００３４】
最後に、図１（ｈ）に示すように、型材３を、Ｏ2ガスを主成分としたＣＤＥにより除去し、液体吐出ヘッドを完成させた。以上のように作製された液体吐出ヘッドを用い、吐出口毎の液体の吐出体積および飛翔速度を測定したころ、吐出口毎のばらつきが少ないことが確認された。
【００３５】
［実施例２］
図１（ｅ）に示す被覆層６の材料として、窒化炭化シリコン（ＳｉＣＮ）を用いた以外は実施例１と同様に液体吐出ヘッドを作製した。該液体吐出ヘッドについて吐出口毎の液体の吐出体積および飛翔速度を測定したところ、吐出口毎のばらつきが少ないことが確認された。
【００３６】
［実施例３］
図４（ａ）に示すように、実施例１と同様の基板１に対して第一の型材３ａを形成した。第一の型材３ａの材料としては、ポリイミド（商品名：ＰＩ２６１１、日立化成デュポンマイクロシステムズ（株）製）を用いた。該材料を基板１上にスピンコート法により塗布し、ベークすることで溶媒を揮発させた後、４００℃に設定したオーブンに１時間投入することで、該材料を脱水縮合させた。これにより、第一の型材３ａを形成した。第一の型材３ａの膜厚は５μｍであった。
【００３７】
続いて、図４（ａ）に示すように、第一の型材３ａ上であって吐出口が形成される領域と対応する位置およびその近傍以外の位置に第二の型材３ｂを形成した。第二の型材３ｂの材料には金を用いた。第二の型材３ｂの形成にはスパッタリング法を用い、第二の型材３ｂの厚さは２μｍとした。金のパターニング用のマスクとしてはポジレジスト（商品名：ｉＰ５７００、東京応化工業（株）製）を用い、エッチング液にはヨウ素ヨウ化カリウム溶液（商品名：ＡＵＲＡＭ、関東化学（株）製）を用いた。
【００３８】
以上の方法により形成した２段の型材に対して、実施例１と同様に被覆層６の形成以降の工程を行い、液体吐出ヘッドを作製した。なお、型材の除去工程において第一の型材３ａは除去されるが、第二の型材３ｂはＯ2ガスによりエッチングされないため、図４（ｂ）に示すように第二の型材３ｂは流路１２内に残留した。
【００３９】
以上のように作製された液体吐出ヘッドは吐出口形成部材の厚みが増し、吐出口形成部材の機械的強度を増加させることができ、かつ、吐出口毎の液体の吐出体積および飛翔速度を測定したところ、吐出口毎のばらつきが少ないことが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明に係る方法により作製される液体吐出ヘッドは、インクジェットプリンタの液体吐出ヘッドに好適に用いることができる。
【符号の説明】
【００４１】
１    基板
２    エネルギー発生素子
３    型材
３ａ  第一の型材
３ｂ  第二の型材
４    凹部用マスク
５    凹部
６    被覆層
７    吐出口形成部材
８    撥水膜
９    吐出口用マスク
１０  吐出口
１１  供給口
１２  流路
１３  段差
２０  液体吐出ヘッド
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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