(57)【要約】【課題】ワークがワークホルダから瞬間的に離れることをなくすとともに、ワークとワークホルダとの間の導電性を高めて、ワークとワークホルダとの間の異常放電を抑制でき、さらに、従来よりも均一な膜を形成することができるワークホルダおよび被膜形成装置を提供すること。【解決手段】自転および公転のうちの少なくともいずれかの回転をするように備えられ、凹部９ａにワークＷ１の一端部Ｗ１ａを収容保持しワークＷ１に電圧を印加し原料ガスに接触させ所要温度に加熱しワークＷ１の一端部Ｗ１ａ以外の部分に被膜を形成するワークホルダ９において、凹部９ａは、ワークＷ１の一端部Ｗ１ａの周囲に所定の隙間を有する大きさに形成され、隙間を埋めるようにスペーサ１０を備え、スペーサ１０は、導電性を有しかつ線膨張係数がワークホルダ９の線膨張係数よりも大きい材料を含んで構成されている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
自転および公転のうちの少なくともいずれかの回転をするように備えられ、凹部にワークの一端部を収容保持し前記ワークに電圧を印加し原料ガスに接触させ所要温度に加熱し前記ワークの一端部以外の部分に被膜を形成するワークホルダにおいて、
前記凹部は、前記ワークの一端部の周囲に所定の隙間を有する大きさに形成され、前記隙間を埋めるスペーサを備え、
前記スペーサは、導電性を有しかつ線膨張係数が前記ワークホルダの線膨張係数よりも大きい材料を含んで構成されている、ことを特徴とするワークホルダ。
【請求項２】
前記スペーサは、一側に母線方向に沿ってスリットを備えた、ことを特徴とする請求項１に記載のワークホルダ。
【請求項３】
チャンバ内に、自転および公転のうちの少なくともいずれかの回転をするように備えられ、凹部を有しこの凹部にワークの一端部を収容保持するワークホルダと、を備え、ワークを回転し、ワークに電圧を印加し、被膜形成を行う被膜形成装置において、
前記ワークホルダは、請求項１または２のいずれかに記載のワークホルダを備えた、ことを特徴とする被膜形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ワークホルダおよびこのワークホルダを用いた被膜形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、高硬度、高耐摩耗、低摩擦、耐焼きつき性および高絶縁性などに優れるＤＬＣ膜が形成された溶射用マスキング治具が開示されている。
【０００３】
特許文献２には、ＤＬＣ膜を形成する方法が開示されている。この成膜方法は、真空蒸着室内にプラズマを発生させ材料ガスを供給し、材料ガスの温度で被成膜体を高温にし、被成膜体にパルス電圧を印加しＤＬＣ膜を形成する。
【０００４】
このほか、従来の被膜形成技術では、様々な形状のワークにＤＬＣ膜を形成することが一般的に行われている。棒状のワークの一端部を除く残り部分にＤＬＣ膜を形成することを多量処理可能な方法が行われている。
【０００５】
この方法は、ホルダ支持軸に、短軸形状のワークホルダを載置接続し、このワークホルダの上面より陥没する凹部にワークの一端部を挿入し、ワークの下端面とワークホルダの凹部の底面との間で導電性を保持してワークに−５０〜１０００ｖの電圧を印加し、かつ自転および公転させてＤＬＣ膜を形成する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２４１４４２号公報
【特許文献２】特開２０１２−０３６４３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述した棒状のワークにＤＬＣ膜を形成する方法によれば、ワークの一端部と、ワークホルダの凹部の内周面との間には僅かながら隙間がある。このため、この成膜方法は、成膜中に、ワークに自転公転力が作用しワークがワークホルダに対してガタツキが生じると、ＤＬＣ膜を均一に形成できないおそれがある。詳述すると、ワークとワークホルダとの導電性を保持する接触領域は、点接触であるので、成膜中に、ワークがワークホルダに対してガタツキが生じると、ワークとワークホルダとの導電性を保持する接触領域が瞬間的に離れることがある。
【０００８】
このとき、ワークは０ｖになり、ワークホルダは−５０〜１０００ｖが印加されたままであるので、ワークホルダの凹部の開口端とワークの大径部下端との間で大きな電位差が誘因して異常放電が発生する。このため、ワークの大径部に形成されるＤＬＣ膜は、ワークの大径部下端付近で放電痕を生じるとともに、放電痕周辺で膜質が不均一になる。
【０００９】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、成膜中にワークがワークホルダから瞬間的に離れることをなくし異常放電を抑制して均一な膜を形成することができるワークホルダおよび被膜形成装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係るワークホルダは、上記目的を達成するため、（１）自転および公転のうちの少なくともいずれかの回転をするように備えられ、凹部にワークの一端部を収容保持し前記ワークに電圧を印加し原料ガスに接触させ所要温度に加熱し前記ワークの一端部以外の部分に被膜を形成するワークホルダにおいて、前記凹部は、前記ワークの一端部の周囲に所定の隙間を有する大きさに形成され、前記隙間を埋めるスペーサを備え、前記スペーサは、導電性を有しかつ線膨張係数が前記ワークホルダの線膨張係数よりも大きい材料を含んで構成されている。
【００１１】
この構成により、本発明に係るワークホルダは、スペーサをワークホルダの凹部に緩く挿入し、またスペーサの内側にワークを緩く挿入することができて、成膜中にスペーサが熱膨張してワークとスペーサとワークホルダとが強い密着状態になり、ワークとワークホルダとの間の導電性が向上する。
【００１２】
このため、ワークとワークホルダとの間の異常放電を抑制でき、ワークホルダに印加される電圧がスペーサを介してワークに伝わり、従来に比べてより均一な被膜を形成することができる。
【００１３】
本発明に係るワークホルダは、上記（１）に記載のワークホルダにおいて、（２）前記スペーサは、一側に母線方向に沿ってスリットを備えた構成を有する。
【００１４】
この構成により、本発明に係るワークホルダは、ペンチ等の挟圧具によりスペーサの外周面を挟圧することで縮径させてスペーサをワークホルダの凹部に挿入すると、スペーサが拡径してワークホルダの凹部に密着した状態になる。
【００１５】
スペーサは、成膜時における周方向の熱膨張が外径および内径を大きくする。スペーサは、外面が熱膨張によりワークホルダの凹部の内面に密着した後は、外径が大きくなることができず、スリットを狭める周方向の熱膨張変化と内径を縮径する方向の熱膨張変化を生じる。スペーサは、内径を縮径する方向の熱膨張変化によりワークに密着すると、シバリバメとなり密着力を高める。これにより、ワークとスペーサとワークホルダとが密着状態になる。スペーサは、周方向の熱膨張がスリットを狭める変化となるので応力の異常な増大を回避することができる。
【００１６】
スペーサにスリットを備えていると、スペーサの内径をワークの一端部の径よりも十分大きく取ることができるので、スペーサの内側空間へのワークの挿入作業を一層容易に行うことができ、ならびに成膜後のワークの取り出し作業をスペーサの抜出を伴わない状態で容易に行うことができて、多量処理を行う場合において一層有利である。そうして、スペーサの取り出しも容易に行うことができる。
【００１７】
また、本発明に係る被膜形成装置は、上記目的を達成するため、（３）チャンバ内に、自転および公転のうちの少なくともいずれかの回転をするように備えられ、凹部を有しこの凹部にワークの一端部を収容保持するワークホルダと、を備え、ワークを回転し、ワークに電圧を印加し、被膜形成を行う被膜形成装置において、前記ワークホルダは、上記（１）または（２）のいずれかに記載のワークホルダを備えた構成を有する。
【００１８】
この構成により、本発明に係る被膜形成装置は、成膜中にスペーサが熱膨張してワークとスペーサとワークホルダとが強い密着状態になり、ワークとワークホルダとの間の導電性が向上するので、従来において生じていたワークとワークホルダとの間の異常放電を抑制できる。
【００１９】
したがって、本発明に係る被膜形成装置は、従来に比べてより均一な被膜を形成することができ、また多量処理を行う場合において、スペーサの内側へのワークの挿入作業、成膜後のスペーサの抜出を伴わないワークの取り出し作業が容易に行うことができる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、成膜中にワークがワークホルダから瞬間的に離れることをなくし異常放電を抑制して均一な膜を形成することができるワークホルダおよび被膜形成装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態に係るワークホルダ及びこのワークホルダを用いた被膜形成装置の概略の原理図である。
【図２】本発明の実施の形態に係る被膜形成装置の室温時のワーク保持部分を拡大して示す縦断面図である。
【図３】図２の被膜形成装置のワークホルダに組込まれるスペーサを示し、（Ａ）はその正面図、（Ｂ）は端面図である。
【図４】本発明の実施の形態に係る被膜形成装置を用いたＡＩＰ−ＣＶＤ法により、ワークにＤＬＣコーティングが行われることを分子レベルで示す模式図である。
【図５】図２に示すワーク保持部分のスペーサが成膜中に熱膨張した状態を示す縦断面図である。
【図６】本発明の実施の形態に係るワークホルダを用いた被膜形成装置により製膜したＤＬＣ膜を示す写真のコピーである。
【図７】従来の被膜形成装置に係るワーク保持部分を示す縦断面図である。
【図８】従来の被膜形成装置により製膜したＤＬＣ膜を示す写真のコピーである。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明に係るワークホルダおよびワークホルダを用いた被膜形成装置に係る実施の形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
この実施の形態では、アークイオンプレーティング−化学蒸着法、いわゆるＡＩＰ−ＣＶＤ法を採用してＤＬＣコーティングを行う被膜形成装置を示している。
【００２４】
図１は、実施の形態にかかる被膜形成装置１００の概略の原理図である。被膜形成装置１００は、内部を真空とされ原料ガスを供給されターゲットを陰極とする真空アーク放電を行うチャンバ１と、チャンバ１内に設けられ複数のワークホルダ９を備えて各ワークホルダ９でワークＷ１を保持し回転させるワーク回転手段５を備えている。
【００２５】
チャンバ１は、一側面部の下部にガス入口２を備え、ガス入口２が外部設置される図示しないガス供給手段として例えばアセチレンガスボンベと接続され、上面部のガス入口２の対角側の位置に希薄ガスを排出するガス出口３を備え、ガス出口３が図示しない希薄ガス回収手段と接続されている。なお、希薄ガス回収手段は後処理装置を含んで構成されてもよい。
【００２６】
前述のように、チャンバ１は、ガス入口２とガス出口３とアセチレンガスボンベとを備えているので、チャンバ内部にアセチレンガスが一定流量で供給され、アセチレンガスがＤＬＣ膜の形成に消費されても常に一定濃度となるように補給される。
【００２７】
ガス出口３は、希薄ガス回収手段に替えて図示しない真空発生装置と切換接続される。これにより、チャンバ１は、ガス入口２から不活性ガスの導入に先行し、ガス出口３が真空発生装置と接続されることにより、真空とされるように構成され、真空度が高まった時点で、ガスボンベから被膜形成に関与する原料ガスが供給される。
【００２８】
チャンバ１のガス入口２と反対側の一側面には、ターゲット金属としての単数または複数のチタン基板４が備えられ、チタン基板４には例えば１００アンペアの電流が流れるように構成されている。
【００２９】
ワーク回転手段５は、チャンバ１内の底部に設けられ、図示しないモータにより回転される回転テーブル６と、下端部を回転テーブル６に回転可能に支持され回転テーブル６の上方に延びて設けられ、回転テーブル６の回転に伴いこの回転の動力の一部を伝達されて自転する複数の回転軸７を備えている。したがって、回転軸７は、自転するとともに回転テーブル６により公転される。
【００３０】
ワーク回転手段５は、さらに、各回転軸７にフランジ状に複数段に設けられた複数のワークホルダテーブル８と、各ワークホルダテーブル８上に立設された複数のワークホルダ９と、を備えている。
【００３１】
したがって、各ワークホルダ９は、対応する回転軸７を回転中心として小回りで公転されるとともに回転テーブル６により大回りで公転される。なお、最上段のワークホルダテーブル８の中心位置のワークホルダ９は、回転テーブル６により大回りで公転されるとともに、小回りの公転ではなく自転される。
【００３２】
図示しないが、回転テーブル６の軸部に対して摺動接触して軸部と導電接続する端子が設けられ、この端子が例えば−５０〜１０００ｖの間で所望の電圧に設定可能な電源１１の陰極に接続されている。回転テーブル６の軸部と回転軸７とワークホルダテーブル８とワークホルダ９とは導通するように一体に組み立てられ、回転テーブル６に対して導通状態に着脱自在に組み立てられている。したがって、ワーク回転手段５が、ワークホルダ９に保持されるワークＷ１に小回りと大回りの複合公転を行わせながら、例えば−５００ｖの電圧を印加しうるように構成されている。
【００３３】
図２に示すように、ワークホルダ９は、上端より円筒空間形状に陥没する凹部９ａを有し、この凹部９ａに、導電性を有しかつ線膨張係数がワークホルダ９の線膨張係数よりも大きい材料により構成されたスペーサ１０を備え、このスペーサ１０の内側にワークＷ１の小径な一端部Ｗ１ａを収容し保持するように構成されている。
【００３４】
したがって、各ワークホルダ９は、スペーサ１０を介してワークＷ１を保持し、対応する回転軸７を回転中心として公転されるとともに回転テーブル６により公転される。これにより、ワーク回転手段５は、ワークＷ１が、大きな公転と小さな公転を行い、アセチレンガスおよび真空アーク放電によるＴｉイオンの放射に対して万遍なく均一に接触するように構成されている。
【００３５】
スペーサ１０は、ワークホルダ９の凹部９ａに緩く挿入されうる外径を有しているとともに、自己の内側にワークＷ１の一端部Ｗ１ａを緩く挿入しうる内径を有している。したがって、回転軸７とワークホルダテーブル８とワークホルダ９のアセンブリをチャンバ１の外で立てた状態で、各ワークホルダ９にスペーサ１０を組み込み、さらに、ワークＷ１を差し込み、この状態でチャンバ１内に収容し、回転テーブル６に導通を確保して組付ける。
【００３６】
凹部９ａは、成膜時の加熱によりスペーサ１０の肉厚方向の熱膨張が凹部９ａとの隙間およびワークＷ１の一端部Ｗ１ａとの隙間を埋めることができるように、スペーサ１０においてこの熱膨張が生じうる一定の肉厚寸法が確保しうる空間を保有する大きさに形成されている。
【００３７】
これにより、スペーサ１０をワークホルダ９の凹部９ａに緩く挿入し、スペーサ１０の内側にワークＷ１を緩く挿入しても、スペーサ１０が成膜中に熱膨張してワークＷ１とスペーサ１０とワークホルダ９とが一体的になり、ワークＷ１とワークホルダ９との間の導電性が向上し、ワークホルダ９に印加される電圧がスペーサ１０を介してワークＷ１に確実に伝わる構成とされている。
【００３８】
図３に示すように、スペーサ１０は、一側にスリット１０ａを有している。スリット１０ａは、スペーサ１０が筒状の形状であり周方向の長さが大きいから、熱膨張による周方向の長さの変化が大きくなるので、熱膨張による周方向に長くなることに対する応力の増大を回避する手段として設けられている。
【００３９】
なお、スリット１０ａは、筒面の母線に対し斜めに傾けて設けられ、あるいは屈曲線となるように設けられていてもよい。また、スペーサ１０の内面および外面は、ワークホルダ９の凹部９ａまたはワークＷ１に対して全周密着となる円筒面ではなくて、周方向の少なくとも３ヶ所でスプラインのように母線方向に沿った接触が行われるように設けられていてもよい。
【００４０】
続いて、上記のように構成された被膜形成装置１００の機能を説明する。
【００４１】
図１に示すように、チャンバ１の図示しない扉を開扉し、ワーク回転手段５の各ワークホルダ９にスペーサ１０を挿入し、スペーサ１０の内側にワークＷ１を挿入し、チャンバ１の扉を閉扉する。
【００４２】
次に、ワーク回転手段５を起動して各ワークＷ１に大回りと小回りの公転を与え、チャンバ１内を真空としてから、チャンバ１内に例えば４００℃に加熱されたアセチレンガスを供給する。
【００４３】
次に、チタン基板４を陽極として例えば１００アンペアの電流を流すとともに電圧を発生させ、ワークＷ１に例えば−５００ｖの電圧を印加する。これにより、被膜形成装置１００は、各ワークＷ１に対し、アークイオンプレーティング−化学蒸着法、いわゆるＡＩＰ−ＣＶＤ法によるＤＬＣコーティングを行う機能を発揮する。
【００４４】
図４は、チャンバ１内においてアークイオンプレーティング−化学蒸着法により、ワークＷ１にＤＬＣコーティングを行われることを分子レベルで示す模式図である。
【００４５】
チャンバ１内が高温とされ、チタン基板４とワークＷ１との間に高電圧を印加されると、チタン基板４の表面より真空アーク放電が起こり、Ｔｉイオンがチタン基板４の表面より放出され陰極であるワークＷ１の方向に向かいワークＷ１の表面に導かれ、当該Ｔｉイオンの存在によりアセチレンガスがＣ２＋イオンとＨ２＋イオンとに分離し、Ｃ２＋イオンが陰極であるワークＷ１の表面に吸い寄せられＤＬＣ膜として成膜する。
【００４６】
このＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）膜は、ダイヤモンド結合とグラファイト結合を併せ持つ構造を有し、高硬度・高耐摩耗・低摩擦・低い相手攻撃性・耐焼きつき性・高絶縁性・赤外透過性・高ガスバリア性・生体適合性などの優れた特長を兼ね備えている。
【００４７】
各ワークＷ１は、ＤＬＣ膜の成膜中において、小回りと大回りの公転により複雑な遠心力を受ける。このため、ワークＷ１は、スペーサ１０との間に隙間があると、ガタツキが生じてしまうことになる。
【００４８】
しかしながら、この実施の形態では、図５に示すように、スペーサ１０は、成膜中に熱膨張してワークＷ１とスペーサ１０とワークホルダ９とが一体的になり、ワークＷ１とワークホルダ９との間の導電性が確保され、ワークホルダ９に印加される電圧がスペーサ１０を介してワークＷ１に確実に伝わる。このため、ワークとワークホルダとの間の異常放電を抑制でき、均一な膜を形成することができる。
【００４９】
ステンレスの線膨張係数は〜１２ｘ１０−６／℃であり、銅系合金の線膨張係数は〜２５ｘ１０−６／℃である。したがって、スペーサ１０は、ワークホルダ９とワークＷ１の材質がステンレスであるとき、銅合金、アルミ合金等を用いることができ、表面にクロムメッキして耐摩耗性を備えるようにしてもよい。
【００５０】
室温（２５℃）時におけるスペーサ１０とワークＷ１との隙間を例えば０．０５ｍｍにとると、成膜（〜４００℃）時には、スペーサ１０がワークホルダ９とワークＷ１よりも大きく熱膨張し、スペーサ１０とワークＷ１との隙間が０のシマリバメとなる。
【００５１】
以上のように、本実施の形態に係るワークホルダ９は、凹部９ａとワークＷ１との隙間に、凹部９ａとワークＷ１のいずれにもユルミバメで嵌合し得るスペーサ１０を備え、スペーサ１０が成膜中に直径方向に熱膨張し凹部９ａとワークＷ１のいずれにもシマリバメの嵌合状態になる。
【００５２】
すなわち、スペーサ１０は、成膜時の肉厚方向の熱膨張により内外径を拡径していくが、外面が凹部９ａに当接すると内径を縮径していきワークＷ１に当接する。これにより、ワークＷ１とスペーサ１０とワークホルダ９とが密着し、ワークＷ１とワークホルダ９との間の導電性が向上し、ワークホルダ９に印加される電圧がスペーサ１０を介してワークＷ１に確実に伝わり、従来に比べてより均一な被膜を形成することができる。なお、多量処理を行う場合において、スペーサ１０の内側へのワークＷ１の挿入作業、成膜後のスペーサ１０の抜出を伴わないワークＷ１の取り出し作業が容易に行うことができる。
【００５３】
また本実施の形態に係るワークホルダ９は、スリット１０ａを有するスペーサ１０を備えたので、ペンチ等の挟圧具によりスペーサ１０の外周面を挟圧することでスペーサ１０を縮径させてワークホルダ９の凹部９ａに挿入することができる。これにより、スペーサ１０の外径をワークホルダ９の凹部９ａに対し隙間ゼロとなる大きさにすることができる。
【００５４】
スペーサ１０は、成膜時の周方向の熱膨張がスリット１０ａを狭める変形として顕れ、スリット１０ａがあることで、周方向の応力の異常な増大を回避することができる。また本実施の形態に係るワークホルダ９は、スペーサ１０はスリット１０ａを有するから、スペーサ１０の内径をワークＷ１の一端部Ｗ１ａの径に対してシマリバメとなる大きさにして、予め、スペーサ１０をワークＷ１の一端部Ｗ１ａの一端部に嵌めておいて、ワークホルダ９の凹部９ａに挿入することもできる。
【００５５】
この場合は、成膜時におけるスペーサ１０の熱膨張はもっぱら外径を拡径する方向に行われる。このため、スペーサ１０の外径をワークホルダ９の凹部９ａの内径よりも十分小さく取ることができるので、スペーサが被嵌したワークＷ１のワークホルダ９の凹部９ａへの挿入作業を容易に行うことができ、成膜後に取り出して、別の同様の処理でスペーサを必要とする場合には、スペーサ１０の使い回しができる。
【００５６】
また、本実施の形態に係る被膜形成装置１００は、上記のワークホルダ９を用いているので、成膜中にスペーサ１０が熱膨張してワークＷ１とスペーサ１０とワークホルダ９とが強い密着状態になり、ワークＷ１とワークホルダ９との間の導電性が向上するので、従来において生じていたワークＷ１とワークホルダ９との間の異常放電を抑制でき、また従来に比べてより均一な被膜を形成することができる。また多量処理を行う場合において、スペーサ１０の内側へのワークＷ１の挿入作業、成膜後のスペーサの抜出を伴わないワークＷ１の取り出し作業が容易に行うことができる。
【実施例】
【００５７】
図６は、図２に示すスペーサ１０を配したワークホルダ９を備えた図１に示す被膜形成装置を用いてワークＷ１に製膜したＤＬＣ膜を示す写真のコピーである。この写真のコピーから明らかなように、放電痕を生じないのでＤＬＣ膜が均一に形成される。
【比較例】
【００５８】
図７は、従来のワークホルダ１２でワークＷ２を保持し成膜を行うところを示す縦断面図である。従来のワークホルダ１２は、スペーサを設けないので凹部１２ａの径を小さくしているが、凹部１２ａとワークＷ２の小径な一端部Ｗ２ａとの間に隙間が生じる。
【００５９】
このため、ワークＷ２は、小回りと大回りの公転により複雑な遠心力を受けてガタツキが生じ、ワークＷ２とワークホルダ１２との導電性を保持する接触領域が瞬間的に離れることがある。これに起因して、ワークホルダ１２の凹部の開口端とワークＷ２の大径部下端との間で大きな電位差が誘因して異常放電１３が発生し、ワークＷ２の大径部に形成されるＤＬＣ膜は、後述するように、ワークＷ２の大径部下端付近で放電痕を生じるとともに、放電痕周辺で膜質が不均一になる。
【００６０】
図８は、図７に示す従来のワークホルダ１２を備えた図１に示す被膜形成装置と同等の被膜形成装置を用いてワークＷ２に製膜したＤＬＣ膜を示す写真のコピーである。この写真のコピーから明らかなように、放電痕を生じＤＬＣ膜が形成された後に剥離したような表面性状になる。
【００６１】
〔その他の実施の形態〕
本発明は、上記の実施の形態に限定されるものでなく、特許請求の範囲の技術的範囲には、発明の要旨を逸脱しない範囲内で種々、設計変更した形態が含まれる。上記実施の形態では、ワークホルダ９が大きな公転と小さな公転を行うように、ワーク回転手段５を構成した例を示したが、ワークホルダ９が自転と公転を行うように、ワーク回転手段５を構成してもよい。
【００６２】
各ワークホルダテーブル８上に自転回転するワークホルダ支持軸を立設しこのワークホルダ支持軸の上方に延長軸線上に位置するように接続固定されたワークホルダ９を備える構成としてもよい。
【００６３】
本発明に係るワークホルダ９およびこのワークホルダ９を用いる被膜形成装置は、トライボコーティングとして、ＤＬＣに限定されず、ＴｉＣ，ＴｉＣＮ，ＣｒＣ，Ａｌ２Ｏ３，ＣｒＣ，ＳｉＣなどにも適用され、また他のＣＶＤ法、ＰＶＤ法、溶射法であるアーク溶射、ガスフレーム溶射などにも適用される。
【００６４】
本発明に係るワークホルダおよびこのワークホルダを用いる被膜形成装置は、成膜中にワークがワークホルダから瞬間的に離れることをなくし異常放電を抑制して均一な膜を形成することができるという効果を奏するものであり、ワークの一端部を収容保持しワークを所要温度に加熱しかつワークに電圧を印加し被膜を形成するワークホルダを用いる被膜形成装置に有用である。
【符号の説明】
【００６５】
１…チャンバ、５…ワーク回転手段、６…回転テーブル、９…ワークホルダ、９ａ…凹部、１０…スペーサ、１０ａ…スリット、１００…被膜形成装置、Ｗ１…ワーク
【図１】
2014118610.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2014118610.tif 000007
【図７】
2014118610.tif 000008
【図６】
2014118610.tif 000009
【図８】
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