(57)【要約】【課題】電子部品が外乱による影響を受けてしまうことをより確実に抑制することのできる電子部品の取付構造を得る。【解決手段】電子部品の取付構造１００は、電子部品１０を、固定材８０によって被取付体９０に取り付けることで形成されている。ここで、電子部品１０の被取付体９０への取付箇所が当該電子部品１０の重心に対して非対称な位置となるように、電子部品１０を被取付体９０に取り付けるようにして、電子部品が外乱による影響を受けてしまうことをより確実に抑制できるようにした。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を固定材を介して被取付体に取り付ける電子部品の取付構造であって、
前記電子部品は、前記被取付体への取付箇所が当該電子部品の重心に対して非対称な位置となるように前記被取付体に取り付けられていることを特徴とする電子部品の取付構造。
【請求項２】
前記電子部品がビーム部を介して前記被取付体に取り付けられていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品の取付構造。
【請求項３】
前記電子部品は、ダイヤフラム構造を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子部品の取付構造。
【請求項４】
前記電子部品は、梁構造を有することを特徴とする請求項１〜３のうちいずれか１項に記載の電子部品の取付構造。
【請求項５】
前記電子部品は、集積回路を有することを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の電子部品の取付構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の取付構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、電子部品の取付構造として、半導体素子等の電子部品を基体等の被取付体に取り付けるようにしたものが知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１では、電子部品としての半導体素子は、被取付体としての基体に設けられたリードに取り付けられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平０４−０９５７４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術では、半導体素子は、４本のリードによって表面の４箇所で基体に取り付けられており、４つの取付箇所は、半導体素子の中心（重心）に対して対称となるように配置されている。このように、取付箇所が半導体素子の中心（重心）に対して対称となるようにした状態で、半導体素子を基体に取り付けると、半導体素子の基体への取付剛性が比較的高くなってしまう。そのため、半導体素子を取り付けた基体が外乱等による振動を受けた際には、半導体素子も基体の振動に追従して振動してしまうおそれがある。
【０００６】
このように、上記従来の電子部品の取付構造は、電子部品が外乱等による影響を受けてしまうのを抑制することが難しい構造となっていた。
【０００７】
そこで、本発明は、電子部品が外乱による影響を受けてしまうことをより確実に抑制することのできる電子部品の取付構造を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の特徴は、電子部品を固定材を介して被取付体に取り付ける電子部品の取付構造であって、前記電子部品は、前記被取付体への取付箇所が当該電子部品の重心に対して非対称な位置となるように前記被取付体に取り付けられていることを要旨とする。
【０００９】
本発明の第２の特徴は、前記電子部品がビーム部を介して前記被取付体に取り付けられていることを要旨とする。
【００１０】
本発明の第３の特徴は、前記電子部品は、ダイヤフラム構造を有することを要旨とする。
【００１１】
本発明の第４の特徴は、前記電子部品は、梁構造を有することを要旨とする。
【００１２】
本発明の第５の特徴は、前記電子部品は、集積回路を有することを要旨とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、電子部品の被取付体への取付箇所が当該電子部品の重心に対して非対称な位置となるように、電子部品を被取付体に取り付けている。したがって、電子部品を被取付体に取り付けた状態において、外乱等による振動を受けた際に、電子部品が被取付体の振動に追従して振動してしまうのを抑制することができる。その結果、電子部品が外乱による影響を受けてしまうことをより確実に抑制することができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる電子部品の取付構造を模式的に示す側面図である。
【図２】本発明の第１実施形態にかかる電子部品の取付構造を模式的に示す正面図である。
【図３】本発明の第１実施形態にかかる電子部品の取付構造を模式的に示す平面図である。
【図４】比較例として示す電子部品の取付構造の模式的な断面図である。
【図５】比較例として示す電子部品の取付構造の模式的な平面図である。
【図６】本発明の第１実施形態にかかる電子部品の取付構造および比較例として示す電子部品の取付構造の周波数と振動振幅の関係を示すグラフである。
【図７】本発明の第２実施形態にかかる電子部品の取付構造を模式的に示す側面図である。
【図８】本発明の第２実施形態にかかる電子部品の取付構造を模式的に示す平面図である。
【図９】本発明の第３実施形態にかかる電子部品の取付構造を模式的に示す一部破断平面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態にかかる電子部品の取付構造を模式的に示す断面図である。
【図１１】電子部品の第１変形例を模式的に示す平面図である。
【図１２】電子部品の第２変形例を模式的に示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。以下では、電子部品として半導体微細加工プロセスにより形成された赤外線センサ（半導体物理量センサ）を例示する。
【００１６】
また、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。
【００１７】
（第１実施形態）
本実施形態にかかる電子部品の取付構造１００は、電子部品としての赤外線センサ１０を、接着剤やゲル等の固定材８０によって被取付体としての筐体９０に取り付けることで形成されている。
【００１８】
赤外線センサ１０は、図１から図３に示すように、キャビティ２１が形成された半導体基板（半導体基材）２０を備えている。また、赤外線センサ１０は、半導体基板２０のキャビティ２１上に配置される誘電体薄板部６１を有する誘電体６０を備えており、この誘電体６０は、半導体基板２０の表面２０ａ側（一側）に固定されている。そして、誘電体６０の誘電体薄板部６１上には、焦電体（受光素子）４０が配置されている。
【００１９】
半導体基板２０は、単結晶シリコンを用いて形成されており、平面視で輪郭形状が矩形状となるように形成されている。なお、単結晶シリコンで形成された半導体基板２０の任意の部位に、半導体基板２０の電位を取り出す電位取り出し部を設けるようにしてもよい。このとき、半導体基板２０の電位を取り出し易くするために、電位取り出し部が設けられている部位に高濃度不純物拡散部を形成するようにするのが好適である。
【００２０】
キャビティ２１は、本実施形態では略直方体状をしており、半導体基板２０を厚さ方向に貫通するように形成されている。
【００２１】
このキャビティ２１は、公知の半導体プロセス、例えば、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）などにより垂直エッチング加工をすることで形成することができる。反応性イオンエッチングとしては、例えば、誘導結合型プラズマ（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）を備えたエッチング装置によるＩＣＰ加工を利用することができる。
【００２２】
本実施形態では、矩形状の半導体基板２０の中央部に略直方体状のキャビティ２１を厚さ方向に貫通するように形成している。このようにキャビティ２１を形成することで、キャビティ２１の周囲に矩形枠状のフレーム部２２が形成されることとなる。本実施形態では、キャビティ２１は、平面視で一辺（幅）が０．５ｍｍ〜１．５ｍｍの矩形状となるように形成されている。
【００２３】
誘電体６０は、ガラス（ＳｉＯ２）や窒化珪素（Ｓｉ３Ｎ４）などの絶縁性材料によって薄板状（略矩形板状）に形成されており、この誘電体６０の中央部には、略矩形板状の誘電体薄板部（ダイヤフラム部）６１が形成されている。このように、本実施形態の赤外線センサ（電子部品）１０は、ダイヤフラム構造を有するものである。
【００２４】
この誘電体６０は、ＳｉＯ２膜およびＳｉ３Ｎ４膜を用いて多層構造となるように形成することができる。例えば、誘電体６０を、ＳｉＯ２膜の上方にＳｉ３Ｎ４膜を積層するとともにＳｉ３Ｎ４膜の上方にＳｉＯ２膜を積層することで３層構造となるように形成することができる。このとき、圧縮応力が生じるように上下のＳｉＯ２膜を成膜するとともに、引っ張り応力が生じるようにＳｉ３Ｎ４膜を成膜するのが好適である。こうすれば、誘電体６０の上下で応力差が生じてしまうのを抑制し、誘電体６０自体の内部応力によって誘電体６０が歪んでしまうのを抑制することが可能となる。なお、誘電体６０は、本実施形態では、全体の厚さが１μｍ〜１．５μｍとなるように形成されている。
【００２５】
そして、この誘電体６０の周辺部をフレーム部２２の表面２２ａ側（一側）に固定することで、誘電体６０の中央部に、キャビティ２１上に位置する誘電体薄板部６１が形成されることとなる。すなわち、半導体基板２０の表面２０ａ側（一側）に固定した誘電体６１のうちキャビティ２１上に位置する部分が誘電体薄板部６１となっている。したがって、本実施形態では、誘電体薄板部６１は、平面視で一辺（幅）が０．５ｍｍ〜１．５ｍｍの矩形状となるように形成されることとなる。このように、本実施形態では、誘電体薄板部６１が絶縁性薄膜で形成されている。
【００２６】
焦電体４０は、外力を受けない場合においても結晶部内部において自発分極を有する材料であり、結晶の温度が変化した場合に、自発分極の温度依存性に起因した電荷が結晶表面にあらわれる材料である。この焦電体４０の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの高誘電率材料が一般的に利用されるが、これ以外にも、例えば、ＡＩＮ、ＺｎＯおよびＦ−ＢＡＲなどの材料を用いることができる。なお、本実施形態では、焦電体４０は、厚さが１μｍ〜２．５μｍとなるように形成されている。
【００２７】
そして、下部電極部（第１電極部）３０の下部電極（第１電極）３１および上部電極部（第２電極部）５０の上部電極（第２電極）５１が焦電体４０の表裏面を挟むように設けられている。すなわち、下部電極部（第１電極部）３０が焦電体（受光素子）４０の裏面４０ａ側（一側）に配置される下部電極（第１電極）３１を有するとともに、上部電極部（第２電極部）５０が焦電体（受光素子）４０の表面４０ｂ側（他側）に配置される上部電極（第２電極）５１を有している。
【００２８】
さらに、本実施形態では、下部電極部（第１電極部）３０は、誘電体薄板部６１上に配置されるとともに上方に焦電体４０が配置される下部電極（第１電極）３１だけでなく、下部電極３１に電気的に接続される金属配線３３および当該金属配線３３に電気的に接続される電位取り出し部３２を備えている。
【００２９】
具体的には、下部電極３１は、例えば、Ｃｒ，Ａｕなどの導電性を有する金属材料を用いて厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍとなる矩形板状に形成されている。そして、図３に示すように、下部電極３１の１つの頂点部分（図３の左下の頂点部分）に線状の金属配線３３が連結されており、この金属配線３３が、誘電体６０を介してフレーム部２２の表面２２ａ（図３の左下部分）に配置された電位取り出し部３２に連結されている。
【００３０】
このように、本実施形態では、電位取り出し部３２が金属配線３３を介して下部電極３１に電気的に接続されるようにしている。なお、金属配線３３は、誘電体６０上（誘電体薄板部６１上およびフレーム部２２の表面２２ａに固定された誘電体６０上）に設けられている。
【００３１】
そして、この電位取り出し部３２は、Ｃｒ，Ａｕなどの導電性を有する金属材料で形成されており、図示せぬワイヤボンディングを介して、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などのＩＣチップ（図示せず）に電気的に接続されている。こうして、下部電極３１の電位がＩＣチップ（図示せず）に出力されるようにしている。
【００３２】
一方、上部電極部（第２電極部）５０も、焦電体４０上に配置される上部電極（第２電極）５１だけでなく、上部電極５１に電気的に接続される金属配線５３および当該金属配線５３に電気的に接続される電位取り出し部５２を備えている。
【００３３】
具体的には、上部電極５１は、Ｃｒ，Ａｕなどの導電性を有する金属材料を用いて厚さが１００ｎｍ〜５００ｎｍとなる矩形板状に形成されている。そして、図３に示すように、上部電極５１の１つの頂点部分（図３の右上の頂点部分）に線状の金属配線５３が連結されており、この金属配線５３が、誘電体６０を介してフレーム部２２の表面２２ａ（図３の右上部分）に配置された電位取り出し部５２に連結されている。
【００３４】
このように、本実施形態では、電位取り出し部５２が金属配線５３を介して上部電極５１に電気的に接続されるようにしている。なお、金属配線５３も、誘電体６０上（誘電体薄板部６１上およびフレーム部２２の表面２２ａに固定された誘電体６０上）に設けられている。
【００３５】
また、本実施形態では、図１から図３に示すように、誘電体６０側から下部電極３１、焦電体４０、上部電極５１の順に積層されており、この順に１辺の長さが短くなるように形成されている。そのため、上部電極５１から誘電体６０にかけて絶縁層７０を形成し、この絶縁層７０上に金属配線５３を配置することで、上部電極５１と下部電極３１との短絡を防止している。
【００３６】
そして、電位取り出し部５２も、Ｃｒ，Ａｕなどの導電性を有する金属材料で形成されており、図示せぬワイヤボンディングを介して、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などのＩＣチップ（図示せず）に電気的に接続されている。こうして、上部電極５１の電位がＩＣチップ（図示せず）に出力されるようにしている。
【００３７】
上述したように、本実施形態では、半導体基板２０が当接していない誘電体薄板部６１上に下部電極３１と上部電極５１とで挟持された焦電体４０を配置している。こうすることで、入射する赤外線等によって焦電体４０が加熱される際に、誘電体材料に比べて熱コンダクタンスが高い半導体基板２０による影響を低減することができるようになる。すなわち、焦電体４０が受ける熱が半導体基板２０を介して逃げてしまうのを抑制することができるようになる。そのため、より効率良く焦電体４０を加熱することができるようになって赤外線センサ１０の応答速度と感度を高めることができるようになる。
【００３８】
かかる構成の赤外線センサ１０を用いることで、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）が赤外線センサ１０の近傍に存在しているか否かを検知することができる。
【００３９】
例えば、赤外線センサ１０の上側（半導体基板２０の表面２０ａ側）に被検知物体が存在する場合、当該被検知物体から赤外線が照射され、被検知物体から照射された赤外線は、筐体９０の天壁９４に形成されたレンズ９５（図１０参照）等を透過して焦電体４０に入射する。
【００４０】
そして、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）からの赤外線が焦電体４０に入射、吸収されると、焦電体４０内の結晶の温度が変化する。このように、焦電体４０内の結晶の温度が変化すると、自発分極の温度依存性に起因した電荷が結晶表面にあらわれる。そして、結晶表面に電荷があらわれることで、上部電極５１と下部電極３１との電位差が変化し、この電位差の変化がＩＣチップ（図示せず）に出力されることで、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）が赤外線センサ１０の近傍に存在していることが、赤外線センサ１０によって検知される。
【００４１】
ここで、本実施形態では、赤外線センサ１０の筐体９０への取付箇所が当該赤外線センサ１０の重心に対して非対称な位置となるようにした状態で、赤外線センサ１０を筐体９０に取り付けている。
【００４２】
具体的には、筐体９０の側壁９１から略水平方向に延設された板状のビーム部９２の先端側（自由端側）下部に、赤外線センサ１０の表面１０ａの１箇所（本実施形態では隅部）が、固定材８０を介して取り付けられるようにしている。このように、本実施形態では、赤外線センサ１０の表面１０ａの隅部１箇所（赤外線センサ１０の重心から外れた部位の１箇所）で、赤外線センサ１０をビーム部９２に取り付けている。こうすることで、赤外線センサ１０の筐体９０への取付箇所は、赤外線センサ１０の重心に対して非対称な位置となる。
【００４３】
このとき、赤外線センサ１０は、ビーム部９２に吊り下げられた状態、すなわち、筐体９０の底壁９３から浮いた状態で筐体９０に取り付けられている。さらに、赤外線センサ１０は、固定材８０によって局所的に取り付けられている。したがって、赤外線センサ１０は、筐体９０への取付剛性が比較的低くなっており、筐体９０に取り付けた状態で、筐体９０に対して相対的に振動できるようになっている。
【００４４】
なお、ビーム部の形状は、板状に制限されるものではなく、円柱状等様々な形状とすることができる。また、筐体９０の側壁９１からビーム部９２を延設する必要はなく、例えば、筐体９０内部の底壁９３や天壁から壁部を突設し、当該壁部から延設させるようにしてもよい。
【００４５】
以上、説明したように、本実施形態では、赤外線センサ（電子部品）１０の筐体（被取付体）９０への取付箇所が当該赤外線センサ（電子部品）１０の重心に対して非対称な位置となるように、赤外線センサ（電子部品）１０を筐体（被取付体）９０に取り付けている。
【００４６】
ところで、図４および図５には、赤外線センサ（電子部品）１０の筐体（被取付体）９０への取付箇所が当該赤外線センサ（電子部品）１０の重心に対して対称な位置となるように、赤外線センサ（電子部品）１０を筐体（被取付体）９０に取り付けたものを示している。
【００４７】
具体的には、平面視矩形状をした赤外線センサ１０の表面１０ａの各片部の中央（４箇所）がビーム部９２に取り付けられるようにすることで、取付箇所が赤外線センサ１０の重心に対して対称となるようにしている。
【００４８】
このような状態で、赤外線センサ１０を固定すると、赤外線センサ１０の筐体９０への取付剛性が比較的高くなってしまう。
【００４９】
すなわち、図４および図５に示す電子部品の取付構造１００Ａでは、赤外線センサ１０の筐体９０への取付剛性が比較的高くなってしまう。したがって、電子部品の取付構造１００Ａでは、赤外線センサ１０の共振周波数も高くなってしまう（図６の実線参照）。
【００５０】
そのため、赤外線センサ１０を取り付けた筐体９０が外乱等による振動（周波数が高い振動：図６のａ点）を受けた際には、赤外線センサ１０の振動振幅（図６のｂ点）が高くなってしまう。すなわち、赤外線センサ１０が筐体９０の振動に追従して振動してしまうおそれがある。
【００５１】
このように、電子部品の取付構造１００Ａでは、赤外線センサ１０が外乱等による影響を受けてしまうのを抑制することが難しい構造となっていた。
【００５２】
しかしながら、本実施形態では、上述したように、赤外線センサ（電子部品）１０の筐体（被取付体）９０への取付箇所が当該赤外線センサ（電子部品）１０の重心に対して非対称な位置となるようにしている。その結果、赤外線センサ１０の筐体９０への取付剛性を比較的低くすることができ、赤外線センサ１０の共振周波数も低くすることができる（図６の破線参照）。
【００５３】
したがって、本実施形態の構造では、赤外線センサ（電子部品）１０を筐体（被取付体）９０に取り付けた状態において、外乱等による振動を受けた際には、赤外線センサ１０の振動振幅（図６のｃ点）が低くなる。そのため、赤外線センサ（電子部品）１０が筐体（被取付体）９０の振動に追従して振動してしまうのを抑制することができ、赤外線センサ（電子部品）１０が外乱による影響を受けてしまうことをより確実に抑制することができるようになる。
【００５４】
また、本実施形態によれば、赤外線センサ（電子部品）１０をビーム部９２を介して筐体（被取付体）９０に取り付けている。
【００５５】
このように、赤外線センサ（電子部品）１０をビーム部９２に固定することで、赤外線センサ（電子部品）１０、固定材８０の線膨張係数および吸湿性能などの体積変化に起因して生ずる応力が、赤外線センサ（電子部品）１０に影響してしまうのをビーム部９２の柔軟性により緩和することができるようになる。
【００５６】
特に、本実施形態では、一端が自由端となるビーム部９２を用い、赤外線センサ１０を片持ちで支持しているため、振動吸収特性をより向上させることができる。
【００５７】
また、固定材８０として接着剤やゲル等を用いることによっても、振動吸収特性をより向上させることができるという利点がある。
【００５８】
また、本実施形態の電子部品の取付構造１００とすることで、実装における応力の影響を顕著に受けるダイヤフラム構造を有する赤外線センサ（電子部品）１０を用いた場合であっても、ダイヤフラム部の変形が抑制されるため、センサ特性が劣化してしまうのをより確実に抑制することができる。
【００５９】
（第２実施形態）
本実施形態にかかる電子部品の取付構造１００Ｂも、電子部品としての赤外線センサ１０を、接着剤やゲル等の固定材８０によって被取付体としての筐体９０に取り付けることで形成されている。
【００６０】
そして、本実施形態においても、赤外線センサ（電子部品）１０の筐体（被取付体）９０への取付箇所が当該赤外線センサ（電子部品）１０の重心に対して非対称な位置となるように、赤外線センサ（電子部品）１０を筐体（被取付体）９０に取り付けている。
【００６１】
ここで、本実施形態では、図７および図８に示すように、筐体９０の側壁９１から略水平方向に延設された板状のビーム部９２の側部中央に、赤外線センサ１０の側面１０ｂの１箇所（本実施形態では中央部）が、固定材８０を介して取り付けられるようにしている。
【００６２】
以上の本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００６３】
（第３実施形態）
本実施形態にかかる電子部品の取付構造１００Ｃも、上記第１実施形態と同様に、電子部品としての赤外線センサ１０を、接着剤やゲル等の固定材８０によって被取付体としての筐体９０に取り付けることで形成されている。
【００６４】
そして、本実施形態においても、赤外線センサ（電子部品）１０の筐体（被取付体）９０への取付箇所が当該赤外線センサ（電子部品）１０の重心に対して非対称な位置となるように、赤外線センサ（電子部品）１０を筐体（被取付体）９０に取り付けている。
【００６５】
ここで、本実施形態では、図９および図１０に示すように、筐体９０の側壁９１内側に、赤外線センサ１０の側面１０ｂの１箇所（本実施形態では中央部）が、固定材８０を介して取り付けられるようにしている。
【００６６】
すなわち、本実施形態では、ビーム部を介さずに直接筐体９０の側壁９１に赤外線センサ（電子部品）１０を取り付けている。
【００６７】
以上の本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００６８】
なお、上記各実施形態で示した電子部品の取付構造で用いられる赤外線センサ（電子部品）１０の替わりに、図１１に示す赤外線センサ（電子部品）１０Ａや図１２に示す赤外線センサ（電子部品）１０Ｂを用いることも可能である。
【００６９】
赤外線センサ（電子部品）１０Ａは、基本的に上記第１から第３実施形態で示した赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０と同様の構成をしており、半導体基板２０が当接していない誘電体薄板部６１上に下部電極３１と上部電極５１とで挟持された焦電体４０を４つ配置している点が赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０と異なっている。
【００７０】
このような赤外線センサ（電子部品）１０Ａを用いても上記第１から第３実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００７１】
また、赤外線センサ（電子部品）１０Ｂは、基本的に赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０Ａと同様の構成をしており、半導体基板２０が当接していない誘電体薄板部６１上に下部電極３１と上部電極５１とで挟持された焦電体４０を４つ配置している。
【００７２】
赤外線センサ（電子部品）１０Ｂが赤外線センサ（電子部品）１０Ａと異なる点は、赤外線センサ（電子部品）１０Ｂが梁部２３を有している（梁構造を有している）点にある。
【００７３】
このような赤外線センサ（電子部品）１０Ｂを用いても上記第１から第３実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００７４】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。
【００７５】
例えば、上記各実施形態では、電子部品として赤外線センサを例示したが、これに限ることなく、その他の電子部品であっても本発明を適用することができる。
【００７６】
具体的には、電子部品として、集積回路を有する電子部品を用いることが可能である。このような電子部品としては、半導体プロセスにより製作した集積回路であるＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）を用いることができる。
【００７７】
このＡＳＩＣは、半導体プロセスによって製作されるため、信号処理回路のみならず、センサ検出部をも同時に形成することができるものである。
【００７８】
すなわち、センサ複合型のＡＳＩＣを電子部品として用い、上記第１から第３実施形態で示した、電子部品の取付構造を適用することでも、上記第１から第３実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００７９】
また、センサを付属させていないＡＳＩＣを電子部品として用いることも可能である。
【００８０】
また、上記各実施形態では、略直方体状のキャビティが形成されたものを例示したが、キャビティの形状を略円錐台状とすることもできる。この場合、半導体基材の一面側から異方性エッチングを施すことでキャビティを形成するのが好ましい。
【００８１】
また、上記各実施形態では、電子部品を１箇所で被取付体に取り付けたものを例示したが、電子部品を複数箇所で取り付けるようにしてもよい。この場合、各取付箇所における水平状態にした電子部品の重心を通り水平な軸周りのモーメントの総和がゼロとならないようにすればよい。こうすれば、電子部品の被取付体への取付箇所が当該電子部品の重心に対して非対称な位置となるようにすることができる。
【００８２】
また、キャビティや誘電体薄板部、その他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１０，１０Ａ，１０Ｂ  赤外線センサ（電子部品）
８０  固定材
９０  筐体（被取付体）
９２  ビーム部
１００，１００Ｂ，１００Ｃ  電子部品の取付構造
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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