(57)【要約】【課題】裏面に別途樹脂を成型して該樹脂を研削することなく、半導体ウエハ表面の凹凸が転写されて形成された凹凸を平坦化することができ、厚さ精度が良好となるように半導体ウエハの裏面を研磨でき、半導体ウエハからの剥離性もよい半導体ウエハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウエハの加工方法を提供する。【解決手段】基材フィルムと前記基材フィルムの一方の面側に形成された粘着剤層とを有し、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、前記粘着剤層とは反対側の最外層に、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって研削される研削層を有しており、前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムと前記基材フィルムの一方の面側に形成された粘着剤層とを有し、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、
前記粘着剤層とは反対側の最外層に、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって研削される研削層を有しており、
前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、
前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなることを特徴とする半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
【請求項２】
前記研削層は、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、およびこれらの混合物から選ばれる一または複数の層からなることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
【請求項３】
前記研削層は、厚さが１５〜２５０μｍであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ。
【請求項４】
基材フィルムと前記基材フィルムの一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いて半導体ウエハの裏面を研磨する半導体ウエハの加工方法であって、
前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され、前記粘着剤層とは反対側の最外層に研削層が設けられた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって、前記研削層を研削し、前記研削層の表面を平坦化する工程を含み、
前記研削層は、前記半導体ウエハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層とは反対側の最外層に、予め形成されており、
前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、
前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなるあることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【請求項５】
基材フィルムと前記基材フィルムの一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いて半導体ウエハの裏面を研磨する半導体ウエハの加工方法であって、
前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され、前記粘着剤層とは反対側の最外層に研削層が設けられた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって、前記研削層を研削し、前記研削層の表面を平坦化する工程を含み、
前記研削層は、フィルム化されており、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合された後、前記半導体ウエハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層とは反対側の最外層に、接着剤を介して貼り合わされ、
前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、
前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなるあることを特徴とする半導体ウエハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ及び半導体ウエハの加工方法に関する。さらに詳しくは、半導体ウエハを薄膜に研削する際に半導体ウエハの破損、汚染を防止するために、半導体ウエハの集積回路が組み込まれた側の面に使用され、さらにはウエハ厚さ精度を向上のためにテープに含まれる基材層を研削することに使用される半導体ウエハ表面保護用粘着テープ、及び半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた半導体ウエハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体パッケージは、高純度シリコン単結晶等をスライスして半導体ウエハとした後、イオン注入、エッチング等により該ウエハ表面に集積回路を形成して製造される。集積回路が形成された半導体ウエハの裏面を研削、研磨等することにより、半導体ウエハは所望の厚さにされる。この際、半導体ウエハ表面に形成された集積回路を保護するために、半導体ウエハ表面保護用粘着テープが用いられる。裏面研削された半導体ウエハは、裏面研削が終了した後にウエハカセットへ収納され、ダイシング工程へ運搬され、半導体チップに加工される。
【０００３】
半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、一般的に、基材フィルムに粘着剤層が積層されてなり、半導体ウエハ表面に粘着剤層を介して貼着してウエハ表面を保護し、半導体ウエハの裏面を機械的に研削した後、半導体ウエハ表面から剥離される。
【０００４】
従来、半導体ウエハ表面保護用粘着テープに求められる重要な性能として、研削後の半導体ウエハ仕上げ厚の精度（Total Thickness Variation、以下、ＴＴＶという）が挙げられる。ＴＴＶは加工品質性の向上につながり、半導体チップの歩留まりや動作信頼性の観点から求められるものである。通常、半導体ウエハ表面には組み込まれた集積回路デバイスや集積回路上に形成された保護膜に起因する凹凸が存在する。
【０００５】
従来の半導体ウエハ表面に形成された集積回路の表面段差は低く、半導体ウエハ表面に従来の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを貼着してウエハ表面を保護し、半導体ウエハの裏面を機械的に研削した場合には、ウエハの破損、ＴＴＶの精度が問題になることはなかった。
【０００６】
しかし、近年、高密度実装技術の進歩に伴い、半導体チップの小型化が図られるにつれ集積回路デバイスの高段差化あるいはピッチ幅の狭い高密化の必要が生じており、従来の半導体ウエハ表面保護用粘着テープでは適応困難な表面形状を有する半導体ウエハが出現してきた。
【０００７】
このように、高段差の集積回路や狭ピッチの集積回路が形成された半導体ウエハの裏面を研削する際には、回路パターン等に半導体ウエハ表面保護用粘着テープが追従するように、粘着剤層あるいは基材フィルムを軟らかくした半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いることが行われている。ところが、軟質の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた場合、研削時に半導体ウエハの変動が起こり、ＴＴＶが悪化してしまうことがあった。一方、硬質の基材フィルムもしくは硬質の粘着剤層からなる半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた場合は、半導体ウエハへの追従性が悪化し、半導体ウエハ表面保護用粘着テープと半導体ウエハとの間に隙間が生じる部分があるため、半導体ウエハの凹凸が転写され、ＴＴＶが悪化してしまうことがあった。
【０００８】
この問題を解決するために、半導体ウエハに貼合された半導体ウエハ表面保護用粘着テープの半導体ウエハが貼合されていない側の面に、樹脂を成型し、その樹脂によりウエハ裏面を基準に平坦に研削した後に、半導体ウエハ裏面の研磨を行うことが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−１４０３０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、特許文献１に記載のように、半導体ウエハを半導体ウエハ表面保護用粘着テープに貼合した後に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの半導体ウエハが貼合されていない側の面に樹脂を成型した場合、工程が煩雑になるという問題があった。また、樹脂の成型時の熱や圧力により半導体表面保護用粘着テープと半導体ウエハの密着性が上がり、半導体ウエハの裏面研削後における半導体表面保護用粘着テープとの剥離性が悪化するという問題があった。
【００１１】
このような問題を解決するために、樹脂を成型することなく、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ自体を研削して半導体ウエハ表面の凹凸が転写された凹凸を平坦にすることも考えられる。しかし、半導体ウエハ表面保護用粘着テープは一般に柔軟性があり、その裏面を研削しようとすると、研削機に巻き込まれ半導体ウエハ表面保護用粘着テープが剥離してしまうという問題がある。また、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの裏面を研削できたとしても、研削性が悪いため研削面の平坦性が損なわれ、半導体ウエハの裏面研削においてＴＴＶを良くする効果が得られないという問題がある。さらに、半導体ウエハ表面保護用テープが研磨されることにより、半導体ウエハの裏面研削時に、本来求められる半導体ウエハ表面保護用粘着テープの性能が出ないといった問題もある。
【００１２】
そこで、本発明は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの裏面に別途樹脂を成型して該樹脂を研削することなく、半導体ウエハ表面の凹凸が転写されて半導体ウエハ表面保護用粘着テープ面に形成された凹凸を平坦化することができ、半導体ウエハの裏面をＴＴＶが良好となるように研磨でき、半導体ウエハからの剥離性もよい半導体ウエハ表面保護用粘着テープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムと前記基材フィルムの一方の面側に形成された粘着剤層とを有し、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に用いられる半導体ウエハ表面保護用粘着テープであって、前記粘着剤層とは反対側の最外層に、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって研削される研削層を有しており、前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなることを特徴とする。
【００１４】
上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記研削層が、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、およびこれらの混合物から選ばれる一または複数の層からなることが好ましい。
【００１５】
また、上記半導体ウエハ表面保護用粘着テープは、前記研削層の厚さが１５〜２５０μｍであることが好ましい。
【００１６】
上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ加工方法は、基材フィルムと前記基材フィルムの一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いて半導体ウエハの裏面を研磨する半導体ウエハの加工方法であって、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され、前記粘着剤層とは反対側の最外層に研削層が設けられた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって、前記研削層を研削し、前記研削層の表面を平坦化する工程を含み、前記研削層は、前記半導体ウエハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層とは反対側の最外層に、予め形成されており、前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなることを特徴とする。
【００１７】
また、上記課題を解決するために、本願発明による半導体ウエハ加工方法は、基材フィルムと前記基材フィルムの一方の面側に形成された粘着剤層とを有する半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いて半導体ウエハの裏面を研磨する半導体ウエハの加工方法であって、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合され、前記粘着剤層とは反対側の最外層に研削層が設けられた状態で、前記半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって、前記研削層を研削し、前記研削層の表面を平坦化する工程を含み、前記研削層は、フィルム化されており、前記粘着剤層の表面に半導体ウエハが貼合された後、前記半導体ウエハ表面保護用粘着テープの前記粘着剤層とは反対側の最外層に、接着剤を介して貼り合わされ、前記研削層は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、前記基材フィルムは、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、半導体ウエハが貼合される面とは反対側の最外層に研削層が設けられているか、半導体ウエハが貼合される面とは反対側の最外層にフィルム化された研削層を接着剤を介して貼り合わせればよく、別途樹脂を成型してから該樹脂を研削する必要がないため、工程が煩雑になることがない。また、半導体ウエハ裏面の研削加工後に、半導体ウエハ表面保護用粘着テープを半導体ウエハから容易に剥離することができる。
【００１９】
また、基材フィルムは２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなるため、半導体ウエハへの追従性がよく、半導体ウエハ表面保護用粘着テープと半導体ウエハとの間に隙間が生じるのを低減することができる。また、研削層は２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなるため、半導体ウエハ表面保護用粘着テープの裏面を研削して良好に平坦化することができる。その結果、半導体ウエハの裏面を研磨した際のＴＴＶが向上する。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用例を模式的に説明するための説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００２２】
本発明の実施形態に係る半導体表面保護用粘着テープは、基材フィルムと、該基材フィルムの一方の面側に形成され少なくとも1種類の粘着剤からなる粘着剤層と、基材フィルムの他方の面側の最外層に設けられ半導体ウエハが貼合されることにより半導体ウエハ表面の凹凸が転写されて形成された凹凸を研削して平坦化するための研削層とを有する。
【００２３】
図１は、本発明の半導体表面保護用粘着テープ１の好ましい実施態様を示す概略断面図である。図１に示すように、半導体表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２を有しており、基材フィルム２上には粘着剤層３が形成されている。また、基材フィルム２の粘着剤層とは反対側の面には研削層４が設けられている。また、半導体表面保護用粘着テープ１は、粘着剤層３上に、粘着剤層３を保護するための剥離フィルム５をさらに備えている。半導体表面保護用粘着テープ１は、基材フィルム２、粘着剤層３、研削層４および剥離フィルム５の積層体をロール状に巻いても良い。
【００２４】
以下、本実施形態の半導体表面保護用粘着テープ１の各構成要素について詳細に説明する。
【００２５】
（基材フィルム２）
本実施の形態の半導体ウエハ表面保護粘着テープ１の基材フィルム２は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０であれば特に限定されることはなく、公知のプラスチック、ゴム等を用いることができる。例えば、ポリオレフィン；酢酸ビニル含有量の多いエチレン−酢酸ビニル共重合体、（メタ）アクリル酸含有量の多いエチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体；軟質ポリ塩化ビニル、およびこれらの混合物が挙げられる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。特に、酢酸ビニルの含有量を変更することによって任意に弾性率をコントロールすることができるため、エチレン−酢酸ビニル共重合体が好ましい。弾性率をコントロールによって、研削時のクッション性と剛性の両立が可能になる。
【００２６】
基材フィルム２は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなり、より好ましくは３０〜３７の樹脂組成物からなる。デュロメータＤ硬さが２１未満であると、研削層４を研削する際に生じる熱で基材フィルム２が軟化し、研削界面の厚みのバラつきが大きくなり、その後の半導体ウエハの裏面の研削の際にＴＴＶが悪化する。デュロメータＤ硬さが４０を超えると、半導体ウエハ全体の追従性だけでなくウエハエッジ部の追従性も悪く、半導体ウエハの裏面研削の際にダストの浸入が起こりやすくなるため、ＴＴＶが悪化する。
【００２７】
本願発明においてデュロメータＤ硬さは、ＪＩＳ Ｋ７２１５に基づき、樹脂を１０ｍｍの厚さに製膜したものを幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍにして平らな面に置き、両手でしっかりとデュロメータの加圧面（押針面）を保持し、真上から一定速度で垂直に押しつけ、密着後ただちに（1秒以内）指示した最大値を読み取ることにより得られる値で、測定は市販の「デュロメータＤタイプ」を用いて行うことができる。なお、温度２３±２℃、湿度５０±５％で行う。
【００２８】
２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０となるようにするには、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体であれば酢酸ビニル含有率が２０〜３４％の範囲となるようにすると良い。
【００２９】
基材フィルム２の厚さは、１０〜５００μｍが好ましく、５０〜２００μｍがより好ましい。
【００３０】
基材フィルム２の粘着剤層が設けられる側の表面には、粘着剤層３との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。
【００３１】
（研削層４）
研削層４は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５であれば材質は特に限定されず、例えば、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂、およびこれらの混合物を用いることができる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。本発明において、研削層４は、ポリエチレン、ポリプロピレンおよびポリブテンのようなポリオレフィン；酢酸ビニル含有量の少ないエチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体およびエチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体のようなエチレン共重合体；硬質ポリ塩化ビニル、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴムなどの高分子材料が好ましい。
【００３２】
研削層４は、２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、より好ましくは５０〜７０の樹脂組成物からなる。デュロメータＤ硬さが４１未満であると、研削層４を研削する際に生じる熱で基材フィルム２が軟化し、研削界面の厚みのバラつきが大きくなり、その後の半導体ウエハの裏面の研削の際にＴＴＶが悪化する。デュロメータＤ硬さが８５を超えると、研削層４の研削屑によってウエハエッジ部の破損が起こりやすくなり、ＴＴＶが悪化する。更には、半導体ウエハの割れにつながり歩留まりが低下する場合がある。
【００３３】
２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５となるようにするには、例えば、エチレン−酢酸ビニル共重合体であれば酢酸ビニル含有率が２０％未満の範囲となるようにすると良い。
【００３４】
研削層４の厚さは、好ましくは１５〜２５０μｍ、更に好ましくは２０〜１００μｍであり、研削される厚さよりも厚く、より好ましくは研削される厚さよりも１０μｍ以上厚くすることでより簡易に、研削層４を研削することができる。研削厚さよりも１０μｍ以上厚くすることで、基材フィルム２や研削層４自体の厚さバラつきや半導体ウエハの凹凸により研削層に凹凸が生じた場合にも安定的に研削層を研削することができる。
【００３５】
基材フィルム２と研削層４とを積層して一体化するには、例えば、共押し出し法により同時に製膜する方法や、接着剤層を介して張り合わせることによって基材フィルム２と積層するとよい。例えば接着剤としてアクリル樹脂やエポキシ樹脂などを用いるとよい。
【００３６】
（粘着剤層３）
粘着剤層３を構成する粘着剤組成物は、研削層４の研削時および半導体ウエハ６（図２参照）のバックグラインディング（研磨）時に半導体ウエハ６との密着性を十分保持できるものであれば特に限定されないが、半導体ウエハ６表面の凹凸６１（図２参照）に追従させたい場合、粘着剤層３の弾性率の低くなるような粘着剤組成物を用いることが好ましい。また、主成分のポリマー（粘着剤ベース樹脂）は、（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。主成分のポリマーとして（メタ）アクリル樹脂を用いることにより、粘着力の制御が容易になり、弾性率等をコントロールできるため、半導体ウエハ６が有機物によって汚染されることや、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剥離後に半導体ウエハ６に粘着剤が残存するのを低減することができる。
【００３７】
放射線の照射で硬化させるには、粘着剤ベース樹脂等の樹脂がエチレン性不飽和基（非芳香族性の炭素−炭素二重結合）を有するか、粘着剤ベース樹脂にエチレン性不飽和基を有する化合物を併用する。本発明においては、エチレン性不飽和基を有する粘着剤ベース樹脂等の樹脂が側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂を使用することも剥離性の観点から好ましい。また、粘着剤組成物に光重合開始剤および架橋剤を含有することが好ましく、粘着剤層の弾性率や粘着力を調整するのに架橋剤を含有することが好ましい。
【００３８】
［エチレン性不飽和基を有する樹脂］
エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようなものでも構わないが、（メタ）アクリル樹脂が好ましい。樹脂中に含有する二重結合の量の指標であるヨウ素価は０．５〜２０であるものが好ましい。このヨウ素価はより好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、過度の放射線硬化を防ぐことができ、硬化収縮を抑制できる。また、エチレン性不飽和基を有する樹脂は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃〜０℃であることが好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃以上であれば、半導体ウエハ６の加工工程に伴う熱に対する耐熱性が増す。
【００３９】
エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようにして製造されたものでもよいが、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させ、（メタ）アクリル樹脂の側鎖にエチレン性不飽和基を導入する方法が好ましい。
【００４０】
エチレン性不飽和基としては、とのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１−プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。官能基（α）と反応する官能基（β）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【００４１】
ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。
【００４２】
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂は、官能基（α）を有する、（メタ）アクリル酸エステル、アクリル酸または（メタ）アクリルアミドを重合させることで得られる。官能基（α）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられ、カルボキシル基、水酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。
【００４３】
このようなモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を挙げられる。これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。
【００４４】
エチレン性不飽和基を有する樹脂、特に、エチレン性不飽和基を有する樹脂は、上記のモノマーとともに、（メタ）アクリル酸エステル等の他のモノマーとの共重合体が好ましい。（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは１種でも２種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６〜１２のものを併用することが好ましい。エチレン性不飽和基を有する樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに加えて、（メタ）アクリル酸をさらに共重合したものが好ましい。
【００４５】
エチレン性不飽和基を有する樹脂、特に、エチレン性不飽和基を有する樹脂の重合反応は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合のいずれであってもよい。側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させる場合、一方を過剰にして、反応させ、未反応の官能基を残すことにより、所望の粘着物性および弾性率に調整することができる。
【００４６】
重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の樹脂を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。
【００４７】
エチレン性不飽和基を有する樹脂の平均分子量は、２０万〜１５０万程度が好ましく、７０万〜１２０万がより好ましい。低分子量成分を少なくすることで、半導体ウエハ表面汚染を抑制することができ、例えば分子量１０万以下の分子が全体の１０％以下とすることなどが好ましい。分子量が１５０万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、エチレン性不飽和基を有する樹脂が、水酸基価５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇとなるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりテープ剥離不良の危険性を更に低減することができるので好ましい。
【００４８】
エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を説明する。エチレン性不飽和基は先に説明した基が好ましく、好ましい範囲も同じである。官能基（α）と反応する官能基（β）は先に説明した基が挙げられる。官能基（β）としては、イソシアネート基が得に好ましい。
【００４９】
エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物としては、官能基（α）を有するモノマーの化合物、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、アルコール部の末端にイソシアネート基を有するものが好ましく、アルコール部のイソシアネート基以外の炭素数は２〜８が好ましく、アルコール部は直鎖アルキルのものが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−イソシアナトエチルアクリレート、２−イソシアナトエチルメタクリレートが好ましく挙げられる。
【００５０】
［架橋剤］
架橋剤としては、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂または２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物が好ましく、ポリイソシアネート類が特に好ましい。架橋剤は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。架橋剤は樹脂ポリマーを架橋することにより、粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。
【００５１】
ポリイソシアネート類としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン株式会社製）等を用いることができる。
【００５２】
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂は、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（株式会社三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業株式会社製）等を用いることができる。更に、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製）等を用いることができる。
【００５３】
架橋剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１〜２０質量部とすることが好ましく、１．０〜１０質量部とすることが更に好ましく、エチレン性不飽和基を有する樹脂の官能基数に合わせて、また、所望の粘着物性や弾性率を得るために適宜その量が調整される。架橋剤の量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、２０質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成される傾向があるため、作業性が損なわれるおそれがある。
【００５４】
［光重合開始剤］
放射線硬化型粘着剤層には、必要に応じて光重合開始剤を含むことができる。光重合開始剤には基材を透過する放射線により反応するものであれば、特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド類、等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。 光重合開始剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましい。
【００５５】
［その他の添加物］
放射線硬化型粘着剤層には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００５６】
粘着剤層３は、粘着剤組成物を剥離フィルム上に塗布、乾燥させて基材フィルム２に転写することで形成することができる。粘着剤層３の厚さは、１〜２００μｍであるものが好ましく、半導体ウエハ６表面の凹凸６１（図２参照）の大きさや得たい粘着性に応じて適宜選択される。粘着剤層３は複数の粘着剤層が積層された構成であってもよい。
【００５７】
（剥離フィルム５）
剥離フィルム５は、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、放射線硬化型粘着剤層を保護する目的のため、また放射線硬化型粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。剥離フィルム５の構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルム５の表面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着剤層３が環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。剥離フィルム５の厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
【００５８】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１は、貼合する半導体ウエハ６の貼合面側の表面に存在する凹凸６１の底部と頂部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウエハ６に使用するのが好ましく、高さの最大差が８０〜３００μｍである半導体ウエハ６に使用することが更に好ましい。
【００５９】
＜使用方法＞
次に、本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープの使用方法、すなわち半導体ウエハの加工方法について、説明する。
【００６０】
本発明の半導体ウエハ表面保護用粘着テープを用いた半導体ウエハの加工方法は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１で、半導体ウエハ６の表面を保護し、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の背面（研削層４）を研削加工し平坦化したあと、半導体ウエハ６の裏面を研削して半導体ウエハ６を加工する工程を含む。半導体ウエハ６は、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を貼合する半導体ウエハ６の貼合面側の表面に存在する凹凸の底部と頂部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウエハ６に使用するのが好ましい。半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の背面を研削すること以外は、通常の半導体ウエハ６の加工工程が適用できる。
【００６１】
具体的には、まず、図２（Ａ）に示すように、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の剥離フィルム５を粘着剤層３から剥離し、図２（Ｂ）に示すように、半導体ウエハ６の回路パターン面（表面）に、粘着剤層３が貼合面となるように、半導体ウエハ表面保護テープ１を貼合する。このとき、半導体ウエハ表面保護テープ１の裏面すなわち研削層５の表面には、半導体ウエハ６表面の凹凸６１が転写されて凹凸１１が形成される。
【００６２】
次に、図２（Ｃ）に示すように、貼合された半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の研削層５側の面を、研削層５が存在する範囲、例えば１０〜５０μｍまで、研削機７により研削し、半導体ウエハ表面保護テープ１の裏面の凹凸１１を平坦化する。その後、図２（Ｄ）に示すように、半導体ウエハ６の裏面すなわち回路パターンのない面側を半導体ウエハ６の厚さが所定の厚さ、例えば１０〜２００μｍになるまで、研磨機８により研磨する。このとき、半導体ウエハ表面保護テープ１の裏面が平坦であるため、半導体ウエハ６の裏面には研磨機８からの力が均一にかかり、半導体ウエハ６が厚み精度よく研磨される。
【００６３】
その後、この半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の貼合された面を下側にして加熱吸着台（図示しない）に載せ、その状態で、半導体ウエハ６の回路パターンのない研削した面側に、ダイシング・ダイボンディングフィルム（図示しない）を貼合してもよい。その後、半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１の基材フィルム５の背面に、ヒートシールタイプ（熱融着タイプ）もしくは粘着タイプの剥離テープを接着して半導体ウエハ６から半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を剥離する。
【００６４】
なお、上記半導体ウエハの加工方法においては、粘着剤層３とは反対側の最外層（上記実施形態においては基材フィルム２の粘着剤層３と反対側の面）に研削層４が予め形成され半導体ウエハ表面保護用粘着テープ１を用いるようにしたが、研削層４が予め形成されていない半導体ウエハ表面保護用粘着テープの粘着剤層に半導体ウエハを貼合し、その後、半導体ウエハの裏面を研磨する工程に先だって、粘着剤層とは反対側の最外層に研削層を接着剤を介して貼り合わせてもよい。この時、研削層としては、上述の研削層４と同じものを用いる。
【００６５】
＜実施例＞
以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００６６】
下記のように粘着剤組成物を調製し、以下の方法で半導体ウエハ表面保護用粘着テープを作製し、その性能を評価した。
【００６７】
〔粘着剤層組成物の調製〕
２−エチルヘキシルアクリレートを６２重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレートを２５重量部、メタクリル酸を２重量部、酢酸エチル中で重合し、アクリル系共重合体を得た。重合したアクリル系共重合体にアダクト系イソシアネート系架橋剤であるコロネートＬ（商品名、日本ポリウレタン社製）を１質量部配合し、塗工し易い粘度に調整するため酢酸エチルで調整を行い、粘着剤組成物を得た。
【００６８】
＜実施例１＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが４３のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率１８％）からなる４０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが４０のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２０％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１４５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが４０のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、実施例１に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００６９】
＜実施例２＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが８５のポリエステル樹脂からなる１００μｍ厚ののフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが３７のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２３％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み２０５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが３７のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、実施例２に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００７０】
＜実施例３＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが４１のアクリル樹脂からなる１５０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが３８のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２２％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み２５５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが３８のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、実施例３に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００７１】
＜実施例４＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが７１の高密度ポリエチレンからなる８０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが２１のエチレン−（メタ）アクリル酸メチル共重合体（アクリル酸メチル３２％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１８５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが２１のアクリル酸メチル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、実施例４に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００７２】
＜実施例５＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが６１のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率３％）からなる１２μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが３７のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２３％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１１７μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが３７のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、実施例５に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００７３】
＜比較例１＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが４２のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率１９％）からなる２０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが１７のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率３７％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１２５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが１７のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率３７％）からなるフィルムと貼りあわせ、比較例１に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００７４】
＜比較例２＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが３２のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２８％）からなる１５０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが３２のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率２８％）からなる１００μｍ厚のフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み２５５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが３２のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、比較例２に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００７５】
＜比較例３＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが４３のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率１８％）からなる５０μｍのフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが６０のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率４％）からなる１００μｍのフィルムとを接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１５５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが６０のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率４％）からなるフィルムと貼りあわせ、比較例３に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００７６】
＜比較例４＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが３３のアクリル樹脂からなる５０μｍ厚のフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが４３のエチレン−酢酸ビニル共重合体（酢酸ビニル含有率１８％）からなる１００μｍのフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１５５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが４３のエチレン−酢酸ビニル共重合体からなるフィルムと貼りあわせ、比較例４に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００７７】
＜比較例５＞
研削層としてのデュロメータＤ硬さが９０のエポキシ樹脂からなる５０μｍのフィルムと、基材フィルムとしてのデュロメータＤ硬さが３１のアクリル樹脂からなる１００μｍのフィルムとを、接着剤層（アクリル樹脂）５μｍを介して貼り合わせ、積層フィルム（合計厚み１５５μｍ）を作製した。厚み２５μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ（剥離フィルム）上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように上記粘着剤組成物を塗布し、乾燥させた後、上記積層フィルムのデュロメータＤ硬さが３１のアクリル樹脂からなるフィルムと貼りあわせ、比較例５に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープを得た。
【００７８】
［特性評価試験］
上記の実施例及び比較例に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープについて、以下の試験を行い、その性能を評価した。
【００７９】
デバイス表面に２０μｍの段差を有し、デバイスエッジ部から隣接するデバイスエッジ部までの距離が２０μｍ、厚さ７２５μｍの８インチ径の半導体ウエハ２５枚に、貼り付け機として日東精機株式会社製のＤＲ８５００ＩＩ（商品名）を用いて、実施例・比較例に係る半導体ウエハ表面保護用粘着テープをそれぞれ貼合し、研削層をダイヤモンドバイトにて１０μｍ研削した。その後、インライン機構を持つグラインダー（株式会社ディスコ製、ＤＦＧ８７６０（商品名））を使用して、各半導体ウエハを厚さ７５μｍ厚みまで研磨した。また、ウエハの強度向上のため、ドライポリッシュにて最終仕上げを行った。
【００８０】
（ＴＴＶ測定評価）
上記方法で研削した半導体ウエハについて、それぞれ任意点にて、ＴＴＶ測定装置Ｓｅｍｄｅｘ３００（ＩＳＩＳ社、商品名）により厚さを測定し評価した。その結果を表１及び表２に示す。２５枚すべての半導体ウエハで厚さのばらつきが４μｍ未満であったものを優良品として◎、２５枚の内、最も大きいばらつきが４μｍ以上５μｍ未満であったものを良品として○、２５枚中の半導体ウエハの内、１枚以上で厚さのばらつきが５μｍ以上を示したものを不良品として×で示した。
【００８１】
【表１】
2014192204.tif 000003
【００８２】
【表２】
2014192204.tif 000004
【００８３】
表１に示すように、実施例１〜５は、研削層が２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の樹脂組成物からなり、基材フィルムが２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の樹脂組成物からなるため、ＴＴＶにおいて良好な結果であった。特に、実施例１，２，５は、オレフィン樹脂、ポリエステル樹脂のいずれかを含み、さらには研削層の厚みが１５〜２５０μｍであるため、ＴＴＶが特に優れる結果であった。
【００８４】
一方、比較例１〜５は、表２に示すように、研削層を構成する樹脂組成物が２３℃におけるデュロメータＤ硬さが４１〜８５の範囲にないか、基材フィルムを構成する樹脂組成物が２３℃におけるデュロメータＤ硬さが２１〜４０の範囲にないか、研削層・基材フィルムを構成する樹脂組成物ともデュロメータＤ硬さが上記範囲にないため、熱による基材の変動やダスト浸入による影響を受け、ＴＴＶが悪い結果となった。
【符号の説明】
【００８５】
１：半導体ウエハ表面保護用粘着テープ
２：基材フィルム
３：粘着剤層
４：研削層
５：剥離フィルム
６：半導体ウエハ
７：研削機
８：研磨機
１１：凹凸
６１：凹凸
【図１】
2014192204.tif 000005
【図２】
2014192204.tif 000006