(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳシャッタを有する表示装置のスティクションを回避する。【解決手段】第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及びスイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素を含む表示装置であって、式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を備える。2014178513.tif 000006  （ここで、式（Ｉ）におけるＲ１は一価の有機基、Ｘ１は加水分解性基、Ｘ２は一価の有機基または加水分解性基。）【選択図】図５Ａ
2014178513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と、
前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、
前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、
前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、
を含む表示装置であって、
前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された
第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、
前記表示装置は、下記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を備える、
ことを特徴とする表示装置。
【化１】
2014178513.tif 000005
（ここで、上記式（Ｉ）におけるＲ１は一価の有機基であり、Ｘ１は加水分解性基であり、Ｘ２は一価の有機基または加水分解性基である。）
【請求項２】
前記アンチスティクション被膜は、前記ＭＥＭＳシャッタ表面のうちの、前記第１バネの前記第２バネと対向する面と、前記第２バネの前記第１バネと対向する面と、を含んで形成される、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記アンチスティクション被膜は、前記ＭＥＭＳシャッタ表面のうちの、開口部を有する前記シャッタの、前記第２基板に対向する面を、含んで形成され、
前記表示装置は、前記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、前記第２基板の、前記第１基板と対向する面と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を更に備える、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記アンチスティクション被膜は、前記ＭＥＭＳシャッタ表面のうちの、開口部を有する前記シャッタの、前記第１基板に対向する面を、含んで形成され、
前記表示装置は、前記式（Ｉ）にて示される化合物同志が縮合し、前記第１基板の、前記第２基板と対向する面と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を更に備える、
ことを特徴とする請求項１乃至３いずれか一項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置に関する。特に、メカニカルシャッタを用いた表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Ｍｉｃｒｏ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｓｙｓｔｅｍｓ）技術を応用したメカニカルシャッタ（以下「ＭＥＭＳシャッタ」という。）を用いた表示装置が注目されてきている。
【０００３】
ＭＥＭＳシャッタを用いた表示装置（以下「ＭＥＭＳ表示装置」という。）とは、画素ごとに設けたＭＥＭＳシャッタを、ＴＦＴを用いて高速で開閉することによってシャッタを透過する光の量を制御し、画像の明暗の調整を行う表示装置である（例えば、特許文献１）。
【０００４】
ＭＥＭＳ表示装置においては時間階調方式が採用されており、赤色、緑色及び青色のＬＥＤバックライトからの光を順次切り替えることにより画像の表示を行う。
【０００５】
ＭＥＭＳ表示装置は、液晶表示装置に用いられる偏光フィルムやカラーフィルタなどを必要とせず、液晶表示装置と比較してバックライトの光の利用効率は約１０倍、消費電力は２／１以下になり、また、色再現性が優れている点に特徴がある。
【０００６】
また、特許文献２には、アクチュエータと変調器とを備えるディスプレイ装置であって、前記アクチュエータは、第１のコンプライアント電極と、第２のコンプライアント電極と、を含み、前記第２のコンプライアント電極は、前記第１のコンプライアント電極に隣接して配置され、前記第１および第２のコンプライアント電極の間に印加される電圧に応じて、前記第１および第２のコンプライアント電極を相互に引き寄せ、前記変調器は、前記ディスプレイ装置上で画像を形成するために前記アクチュエータに結合される、ディスプレイ装置について開示がされている。
【０００７】
さらに特許文献２には、シャッタ組立体の１つ以上の表面が絶縁されてもよく、絶縁された表面は、接触している表面間のスティクションなどの問題を防ぐために、絶縁された表面のフッ素化、シラン化、または水素化などの化学転化プロセスによって、化学的に保護されることが記載されている。
【０００８】
また、特許文献３には、コンプライアントビームによって支持されたシャッタを含む空間光変調器を形成する方法であって、下水平面と、上水平面と、壁とを含むモールドを、基板上に形成するステップと、前記モールドの前記下水平面および前記壁上にビーム材料を蒸着するステップと、前記モールドの前記下水平面上に蒸着された前記ビーム材料を除去し、前記モールドの前記壁上に蒸着された前記ビーム材料の大部分を、前記コンプライアントビームを形成するために、所定の位置に残すステップと、前記コンプライアントビームに結合された前記シャッタを形成するステップと、前記モールドを除去することにより、前記シャッタと残りのビーム材料とを解放するステップと、を含む方法について開示がされている。
【０００９】
さらに特許文献３には、アンチスティクションコーティング（ａｎｔｉ−ｓｔｉｃｔｉｏｎ  ｃｏａｔｉｎｇ）について記載がされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００８−１９７６６８号公報
【特許文献２】特開２０１１−３９５３４号公報
【特許文献３】特表２００８−５３３５１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ここで、ＭＥＭＳシャッタを用いた表示装置において、当該ＭＥＭＳシャッタの動作中に可動部が固着して動作不良を起こす、所謂スティクションが問題となる。そして、ＭＥＭＳシャッタの構造は多種多様であり、各々のＭＥＭＳ構造においてスティクションを回避する方法は、当該ＭＥＭＳ構造に基づいて、それぞれ決定される必要がある。
【００１２】
たとえば、上記特許文献２にて開示がされているように、シャッタ組立体の１つ以上の表面をフッ素化、シラン化、または水素化などの化学転化プロセスによって、化学的に保護することによって、スティクションなどの問題を防ぐ方法をとったとしても、シャッタ組立体の構造がひとたび変わると、当該方法はスティクションを回避する方法とはなり得ない。なぜならば、スティクションの原因は様々であり、当該原因によっては既知のスティクションなどの問題を防ぐ方法は、逆にスティクションを増大させることも起こり得るからである。
【００１３】
発明者らは、第１の基板と、前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、を含む表示装置であって、前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有している場合の、当該ＭＥＭＳシャッタにおけるスティクションの回避について鋭利検討を行った。
【００１４】
本発明の目的は、第１の基板と、前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、を含む表示装置に用いられるＭＥＭＳシャッタであって、前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有している場合の、当該ＭＥＭＳシャッタにおけるスティクションが回避された表示装置の提供にある。
【００１５】
また、本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面によって明らかにする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
上記課題を解決するための本発明にかかる表示装置は、第１の基板と、前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、を含む表示装置であって、前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、前記表示装置は、下記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を備える、ことを特徴とする。
【００１７】
【化１】
2014178513.tif 000003
【００１８】
ここで、上記式（Ｉ）におけるＲ１は一価の有機基であり、Ｘ１は加水分解性基であり、Ｘ２は一価の有機基または加水分解性基である。
【００１９】
また、前記アンチスティクション被膜は、前記ＭＥＭＳシャッタ表面のうちの、前記第１バネの前記第２バネと対向する面と、前記第２バネの前記第１バネと対向する面と、を含んで形成されることとしてもよい。
【００２０】
また、前記アンチスティクション被膜は、前記ＭＥＭＳシャッタ表面のうちの、開口部を有する前記シャッタの、前記第２基板に対向する面を、含んで形成され、前記表示装置は、前記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、前記第２基板の、前記第１基板と対向する面と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を更に備えることとしてもよい。
【００２１】
また、前記アンチスティクション被膜は、前記ＭＥＭＳシャッタ表面のうちの、開口部を有する前記シャッタの、前記第１基板に対向する面を、含んで形成され、前記表示装置は、前記式（Ｉ）にて示される化合物同志が縮合し、前記第１基板の、前記第２基板と対向する面と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を更に備えることとしてもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によって、第１の基板と、前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、を含む表示装置に用いられるＭＥＭＳシャッタであって、前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有している場合の、当該ＭＥＭＳシャッタにおけるスティクションが回避された表示装置の提供がされる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１Ａ】本発明の一実施形態に係る表示装置１００の斜視図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態に係る表示装置１００の平面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る表示装置１００の回路ブロック図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッタ２０２の構成を示す図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッタ２０２の構成を示す図である。
【図５Ａ】図４の切断線Ｖ−Ｖ’における断面図であり、本発明の第一の実施形態に係るＭＥＭＳシャッタの構成を示す図である。
【図５Ｂ】図４の切断線Ｖ−Ｖ’における断面図であり、本発明の第二の実施形態に係るＭＥＭＳシャッタの構成を示す図である。
【図５Ｃ】図４の切断線Ｖ−Ｖ’における断面図であり、本発明の第三の実施形態に係るＭＥＭＳシャッタの構成を示す図である。
【図６】式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部と化学的に結合する様子を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
図面を参照しながら、本発明の表示装置の実施形態について説明する。以下に、第一、第二、第三の実施形態について説明を行うが、それぞれの実施形態は、表示装置の回路構成や、ＭＥＭＳシャッタの基本構成は共通しており、アンチスティクション被膜が形成される場所や当該アンチスティクション被膜を形成するための材料が異なるものである。
【００２５】
したがって、はじめに、第一、第二、第三の実施形態、それぞれに共通する説明として、図１Ａ、図１Ｂ、図２、図３、図４、を参照して、本発明の表示装置について説明を行う。なお、本発明の表示装置は、以下の実施形態に限定されることはなく、種々の変形を行ない実施することが可能である。
【００２６】
図１Ａ及び図１Ｂに本発明の一実施形態に係る表示装置１００を示す。図１Ａは、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の斜視図である。図１Ｂは、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の平面図である。本発明の一実施形態に係る表示装置１００は、第１基板１０２及び、第１基板１０２と対向する第２基板１０６を有している。なお、図１Ｂでは、第２基板１０６の記載を省略する。第１基板１０２は、表示部１０２ａ、駆動回路１０２ｂ、１０２ｃ及び１０２ｄ、並びに端子部１０２ｅを有している。
【００２７】
第１基板１０２上には、複数のＭＥＭＳシャッタがマトリクス状に配置されており、第２基板１０６は、それぞれのＭＥＭＳシャッタと離間して備えられている。すなわち、複数のＭＥＭＳシャッタのそれぞれは、第１基板１０２と第２基板１０６との間に存在している。
【００２８】
また、第１基板１０２と第２基板１０６とは、それぞれの外縁部にてシーリング材等を用いてシールされている。第１基板１０２と第２基板１０６とによって閉じられた空間は、オイル（例えば、低粘度のシリコーンオイルあるいは石油系オイル）が充填されていることとしてもよく、また、窒素ガス等の不活性ガスによって充填されていることとしてもよい。
【００２９】
図２は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００の回路ブロック図である。図２に示す本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、コントローラ１２０から画像信号及び制御信号が供給される。また、図２に示す本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、コントローラ１２０によって制御されるバックライト１２２から光が供給される。なお、コントローラ１２０及びバックライト１２２を含んで本発明の表示装置１００を構成するようにしてもよい。
【００３０】
図２に示すとおり、表示部１０２ａは、マトリクス状に配置されたメカニカルシャッタ（ＭＥＭＳシャッタ）２０２、スイッチング素子２０４及び保持容量２０６を有する画素２００を有している。駆動回路１０２ｂ及び１０２ｃは、データドライバであり、スイッチング素子２０４へデータ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）を介してデータ信号を供給する。スイッチング素子駆動回路１０２ｃは、ゲートドライバであり、スイッチング素子２０４へゲート線（Ｇ１、Ｇ２、・・・、Ｇｎ）を介してゲート信号を供給する。なお、本実施形態においては、データドライバである駆動回路１０２ｂ及び１０２ｄが、表示部１０２ａを挟むように配置されているが、これに限定されるわけではない。スイッチング素子２０４は、データ線（Ｄ１、Ｄ２、・・・、Ｄｍ）から供給されるデータ信号に基づきＭＥＭＳシャッタ２０２を駆動する。
【００３１】
ここで、図３及び図４に本発明の一実施形態に係る表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッタ２０２の構成を示す。図３は本発明の一実施形態に係る表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッタ２０２の構成を示す図である。図４は、本発明の一実施形態に係る表示装置１００に用いるＭＥＭＳシャッタ２０２の構成を示す図である。
【００３２】
説明の便宜上、図３には、一つのＭＥＭＳシャッタ２０２を示すが、本発明の一実施形態に係る表示装置１００には、図３に示すＭＥＭＳシャッタ２０２がマトリクス状に配置されている。
【００３３】
なお、図３、図４に示されるＭＥＭＳシャッタ２０２の上方には、当該ＭＥＭＳシャッタ２０２と離間して備えられる第２基板１０６が存在するが、ここでは第２基板１０６の図示を省略することとする。また、ＭＥＭＳシャッタ２０２の表面の少なくとも一部には、化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜２５０が備えられる。図３、図４においては、当該アンチスティクション被膜２５０については図示を省略し、当該アンチスティクション被膜２５０が形成される場所については、図５等を参照して各実施例ごとに後に詳細に説明を行うこととする。
【００３４】
ＭＥＭＳシャッタ２０２は、シャッタ２１０、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０、並びにアンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２を有している。シャッタ２１０は、開口部２１１及び２１２を有しており、シャッタ２１０本体は遮光部となる。
【００３５】
また、第１基板１０２には、開口部が形成されている（図示せず）。シャッタ２１０の開口部２１１及び２１２と第１基板１０２の開口部とは平面方向に概略重なり合うように配置されており、第１基板１０２の背面から供給され、第１基板１０２の開口部を透過する光が、シャッタ２１０の開口部２１１及び２１２を透過するようになっている。
【００３６】
なお、上記にて説明されたＭＥＭＳシャッタ２０２は、本発明の表示装置１００に用いることのできるＭＥＭＳシャッタの一例に過ぎず、スイッチング素子で駆動することができるＭＥＭＳシャッタであれば如何なる態様のものでも用いることができる。なお、バックライト１２２を用いず且つ第１基板１０２の開口部を設けず、シャッタ２１０の開口部２１１及び２１２の下部に反射部を設け、反射型の表示装置としてもよい。
【００３７】
シャッタ２１０の一方の側は、第１バネ２１６及び２１８を介してアンカー部２３２及
び２３４に接続されている。アンカー部２３２及び２３４は、第１バネ２１６及び２１８とともに、シャッタ２１０を第１基板１０２の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。
【００３８】
アンカー部２３２は第１バネ２１６と電気的に接続されており、且つ、アンカー部２３４は第１バネ２１８と電気的に接続されている。アンカー部２３２及び２３４には、スイッチング素子２０４からバイアス電位が供給され、第１バネ２１６及び２１８にバイアス電位が供給される。
【００３９】
また、第２バネ２２４及び２２６は、アンカー部２３６に接続されている。アンカー部２３６は、第２バネ２２４及び２２６を支持する機能を有する。アンカー部２３６は第２バネ２２４及び２２６と電気的に接続されている。アンカー部２３６には、グランド電位が供給され、第２バネ２２４及び２２６にグランド電位が供給される。
【００４０】
また、シャッタ２１０の他方の側は、第１バネ２２０及び２２２を介してアンカー部２３８及び２４０に接続されている。アンカー部２３８及び２４０は、第１バネ２２０及び２２２とともに、シャッタ２１０を第１基板１０２の表面から浮遊した状態に支持する機能を有する。
【００４１】
アンカー部２３８は第１バネ２２０と電気的に接続されており、且つ、アンカー部２４０は第１バネ２２２と電気的に接続されている。アンカー部２３８及び２４０には、スイッチング素子２０４からバイアス電位が供給され、第１バネ２２０及び２２２にバイアス電位が供給される。
【００４２】
また、第２バネ２２８及び２３０は、アンカー部２４２に接続されている。アンカー部２４２は、第２バネ２２８及び２３０を支持する機能を有する。アンカー部２４２は第２バネ２２８及び２３０と電気的に接続されている。アンカー部２４２には、グランド電位が供給され、第２バネ２２８及び２３０にグランド電位が供給される。
【００４３】
上述したように、本実施形態においては、スイッチング素子２０４からアンカー部２３２及び２３４にバイアス電位が供給され、第１バネ２１６及び２１８にバイアス電位が供給され、且つ、アンカー部２３６には、グランド電位が供給され、第２バネ２２４及び２２６にグランド電位が供給される。第１バネ２１６及び２１８と第２バネ２２４及び２２６との間の電位差により、第１バネ２１６と第２バネ２２４とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ２１８と第２バネ２３４とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、シャッタ２１０が移動する。
【００４４】
また、同様に、スイッチング素子２０４からアンカー部２３８及び２４０にバイアス電位が供給され、第１バネ２２０及び２２２にバイアス電位が供給され、且つ、アンカー部２４２には、グランド電位が供給され、第２バネ２２８及び２３０にグランド電位が供給される。第１バネ２２０及び２２２と第２バネ２２８及び２３０との間の電位差により、第１バネ２２０と第２バネ２２８とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ２２２と第２バネ２３０とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、シャッタ２１０が移動する。
【００４５】
なお、シャッタ２１０の両側に第１バネ、第２バネ及びアンカー部を接続し配置した例について説明したが、本発明の表示装置はこれに限定されるわけではない。例えば、シャッタ２１０の一方側に第１バネ、第２バネ及びアンカー部を接続し配置し、シャッタ部２１０の他方側には第１バネ及びアンカー部のみを接続し配置し、他方側の第１バネ及びアンカー部はシャッタを基板から浮遊した状態に支持する機能を持たせ、シャッタ２１０の一方側の第１バネ及び第２バネを静電駆動し、シャッタ２１０を動作させるようにしてもよい。
【００４６】
以上のように、本発明に係る表示装置は、第１の基板と、前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、を含む表示装置であって、前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーをするものである。
【００４７】
［第一の実施形態］
以下、図５Ａを参照して本発明の第一の実施形態について説明を行う。図５Ａは、図４の切断線Ｖ−Ｖ’における断面図であり、本発明の第一の実施形態に係るＭＥＭＳシャッタの構成を示す図である。
【００４８】
図５Ａに示すとおり、第一の実施形態に係る表示装置１００においては、シャッタ２１０は、ａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体を有している。なお、本実施形態においては、シャッタ２１０にはａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体を用いたが、これに限定されず、他の構造及び材料でも用いることとしてもよい。
【００４９】
また、図５Ａに示すとおり、第一の実施形態に係る表示装置１００においては、アンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２は、それぞれ、ａ−Ｓｉ及びＡｌＳｉの積層体を有している。図５Ａに示すように、アンカー部２３４を例にとって説明すると、アンカー部２３４は、ａ−Ｓｉ（２３４ａ）及びＡｌＳｉ（２３４ｂ）の積層体を有している。アンカー部２３４は、第１基板１０２を構成するＴＦＴ基板３００上に形成された絶縁膜３０２（パッシベーション膜）上に形成されている。
【００５０】
なお、第一の実施形態においては、アンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２にはａ−Ｓｉ及びＡｌＳｉの積層体を用いたが、これに限定されず、他の構造及び材料を用いることとしてもよい。
【００５１】
また、図５Ａに示すとおり、第一の実施形態に係る本発明の表示装置１００においては、端子部１０２ｅの端子１０４は、ＭｏＷ（１０４ａ）、Ａｌ（１０４ｂ）、ＭｏＷ（１０４ｂ）及びＩＴＯ（１０４ｃ）によって構成されている。なお、端子１０４の構成及び材料はこれに限定されず、スイッチング素子（第一の実施形態においてはＴＦＴ）の構成に応じて適宜変更することとしてもよい、また、Ａｌ（１０４ｂ）は、スイッチング素子２０４のドレイン配線と同層の配線を用いることとしてもよい。
【００５２】
端子部１０２ｅは、基板１０２を構成するＴＦＴ基板３００の一部に形成されている。第一の実施形態においては、ＴＦＴ基板の表示部１０２ａ、データドライバ１０２ｂ及び１０２ｃ並びにゲートドライバ１０２ｄ上は絶縁膜（パッシベーション膜）３０２で覆われているが、端子１０４の表面には絶縁膜（パッシベーション膜）は存在せず、端子１０４は露出されている。
【００５３】
本発明の表示装置は、下記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成されるアンチスティクション被膜２５０を備える。
【００５４】
図５Ａに示されるように、第一の実施形態においては、アンチスティクション被膜２５０（２５０ａ、２５０ｂ）が、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面のうちの、第１バネ２２６の第２バネ２１８と対向する面と、第２バネ２１８の第１バネ２２６と対向する面と、を含んで形成されている。
【００５５】
【化２】
2014178513.tif 000004
【００５６】
ここで、式（Ｉ）におけるＲ１は一価の有機基であり、Ｘ１は加水分解性基であり、Ｘ２は一価の有機基または加水分解性基である。
【００５７】
すなわち、図５Ａに示すように、第一の実施形態の表示装置１００においては、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０は、それぞれ、ａ−Ｓｉの側部（第１基板１０２の表面の法線方向に対して側方となる面）にアンチスティクション被膜２５０が形成されている。
【００５８】
図５Ａに示すように、第１バネ２２６及び第２バネ２１８を例にとって説明すると、第１バネ２２６のａ−Ｓｉ（２２６ａ）の側部にはアンチスティクション被膜２５０ａが形成されており、第２バネ２１８のａ−Ｓｉ（２１８ａ）の側部にはアンチスティクション被膜２５０ｂが形成されている。
【００５９】
上述のように、第１バネ２２６と第２バネ２１８とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動し、且つ、第１バネ２２２と第２バネ２３０とが静電駆動され、互いが引き寄せあうように移動した場合、第１バネ２２６及び第２バネ２１８の表面には、電荷が溜まることとなる。第１バネ２２６及び第２バネ２１８の表面に電荷が溜まった場合、互いに接触して保持される状態となり易く、結果スティクションを引き起こすこととなる。
【００６０】
ここで、第１バネ２２２と第２バネ２３０とが接触する領域、すなわち、第１バネ２２６の第２バネ２１８と対向する面と、第２バネ２１８の第１バネ２２６と対向する面と、に、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜２５０が存在することによって、第１バネ２２６及び第２バネ２１８の表面には、電荷が溜まることを抑制することとなり、スティクションを回避することとなる。
【００６１】
ここで、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０等によって構成されるＭＥＭＳシャッタ２０２は、上述のようにａ−Ｓｉ等の無機材料によって形成されている。そして、ＭＥＭＳシャッタ２０２の表面には、水酸基（―ＯＨ）が存在している。上記式（Ｉ）における加水分解性基であるＸ１は、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面に存在する水酸基と化学結合する反応基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、塩素等のハロゲン基等があげられるが、これらに限定されるものではない。
【００６２】
また、上記式（Ｉ）におけるＸ２が加水分解性基である場合、Ｘ２はＭＥＭＳシャッタ２０２表面に存在する水酸基と化学結合する反応基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、塩素等のハロゲン基等であることとしてもよい。また、Ｘ２もＸ１と同様、これらに限定されるものではない。
【００６３】
次に、表面に水酸基を有するＭＥＭＳシャッタ２０２の表面に、アンチスティクション被膜２５０を形成する方法について説明を行う。
【００６４】
はじめに、アンチスティクション被膜２５０が形成されるＭＥＭＳシャッタ２０２の表面は、アンチスティクション被膜２５０が形成される前に予めＵＶ洗浄をおこなうことが好ましい。ＵＶ洗浄を行うことによって、ＭＥＭＳシャッタ２０２の表面に付着した有機物等を除去することができ、均一なアンチスティクション被膜２５０を形成することが容易となるからである。
【００６５】
そして、ＭＥＭＳシャッタ２０２の表面に、上記式（Ｉ）にて示される化合物を付着させる。ＭＥＭＳシャッタ２０２の表面に、上記式（Ｉ）にて示される化合物を付着させるために、上記式（Ｉ）にて示される化合物を含有する溶液中にＭＥＭＳシャッタ２０２を浸漬させることによって行ってもよいし、スプレー塗布によって行うこととしてもよい。
【００６６】
あるいは、ＭＥＭＳシャッタ２０２を密閉した空間内に置き、当該空間の真空度を高めたのち、上記式（Ｉ）にて示される化合物を含有する溶液を投入し、上記式（Ｉ）にて示される化合物を揮散させることによって、ＭＥＭＳシャッタ２０２の表面に、上記式（Ｉ）にて示される化合物を付着させることとしてもよい。また、ＭＥＭＳシャッタ２０２の表面に、上記式（Ｉ）にて示される化合物を付着させる方法は、上記方法に限られるものではない。
【００６７】
次に、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部と化学的に結合する方法について説明を行う。
【００６８】
図６は、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部と化学的に結合する様子を説明する図である。図６で示されるように、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面と化学的に結合し形成されるアンチスティクション被膜２５０は構造中に、上記式（Ｉ）にて示される化合物の構造に由来する酸化ケイ素骨格（−Ｓｉ−Ｏ−）と、有機基（Ｒ１）とを有するものである。
【００６９】
上記式（Ｉ）にて示される化合物の分子中に含まれる反応基（式（１）におけるＸ１）は、空気中の水と反応して水酸基（シラノール基）を形成する。上記式（Ｉ）にて示される化合物の分子中に形成された水酸基の一部は、他の上記式（Ｉ）にて示される化合物の分子中に形成された水酸基と部分的に縮合反応をする。また、上記式（Ｉ）にて示される化合物の分子中に形成された水酸基の他の一部は、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面に存在する水酸基の位置に吸着および水素結合をし、脱水縮合を行い化学的に結合する。
【００７０】
アンチスティクション被膜２５０を形成する工程は、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面に上記式（Ｉ）にて示される化合物が付着した状態で風乾することによって行うこととしてもよい。この場合、風乾することによってＭＥＭＳシャッタ２０２表面と上記式（Ｉ）にて示される化合物とが化学的に結合する反応が進行する。
【００７１】
また、アンチスティクション被膜２５０を形成する工程は、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面に上記式（Ｉ）にて示される化合物が付着した状態で加熱処理を行うことによって行うこととしてもよい。加熱処理を行うことによってＭＥＭＳシャッタ２０２表面と上記式（Ｉ）にて示される化合物とが化学的に結合する反応を促進されることとなり好ましい。例えば当該加熱処理は、１４０℃〜５０℃／１分〜５分の条件で行われることとしてもよい。また、１１０℃〜６０℃／１分〜５分の条件で行われることは、反応が更に促進され好ましい。
【００７２】
なお、上記では、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面にて、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合する反応と、上記式（Ｉ）にて示される化合物とＭＥＭＳシャッタ２０２表面とが化学的に結合する反応と、が同じタイミングで行われる。しかしながら、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面にて、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合する反応と、上記式（Ｉ）にて示される化合物とＭＥＭＳシャッタ２０２表面とが化学的に結合する反応と、が同じタイミングで行われることは必ずしも必要ではなく、予め上記式（Ｉ）にて示される化合物同士を縮合させた縮合体を準備して、当該縮合体とＭＥＭＳシャッタ２０２表面とが化学的に結合する反応させることとしてもよい。
【００７３】
上記のように、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成された、アンチスティクション被膜２５０は、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合していないものと比較して、被膜の耐久性が向上することとなる。
【００７４】
すなわち、例えば、加水分解性基を一つしか持たないシラン化合物を用いてアンチスティクション被膜を形成した場合、化合物同士の縮合反応は行われないこととなる。このような、当該シラン化合物にて形成されたアンチスティクション被膜は、本発明に用いられる上記式（Ｉ）にて示される化合物を用いて形成されたアンチスティクション被膜２５０と比較して、被膜の耐久性が劣るものである。
【００７５】
このような、化合物同士が縮合せずにＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成されたアンチスティクション被膜は、ＭＥＭＳシャッタの稼働とともに被膜が劣化し、スティクションを回避する機能を維持する期間は、本発明のアンチスティクション被膜のスティクションを回避する機能を維持する期間の１／５０以下程度であった。
【００７６】
次に、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１について説明を行う。ここで、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は加水分解反応性を有さない一価の有機基である。本実施形態において、スティクションを回避するためには、第１バネ、第２バネの表面に電荷を溜めないことが本来的に必要である。よって、たとえば、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、構造中にπ電子を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、構造中に不飽和結合を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、構造中に芳香環を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、構造中に非共有電子対を有する官能基を有する一価の有機基であることとしてもよい。非共有電子対を有する官能基とは、たとえば、アミノ基、アミド基等が挙げられる。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、構造中にＳ、Ｏ、Ｎ、Ｐを含有する一価の有機基であることとしてもよい。
【００７７】
また、上記式（Ｉ）におけるＸ２が一価の有機基（Ｘ２が加水分解反応性を有さない一価の有機基）である場合、たとえば、構造中にπ電子を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＸ２は、構造中に不飽和結合を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）におけるＸ２は、構造中に芳香環を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）におけるＸ２は、構造中に非共有電子対を有する官能基を有する一価の有機基であることとしてもよい。非共有電子対を有する官能基とは、たとえば、アミノ基、アミド基等が挙げられる。あるいは、上記式（Ｉ）におけるＸ２は、構造中にＳ、Ｏ、Ｎ、Ｐを含有する一価の有機基であることとしてもよい。
【００７８】
［第二の実施形態］
第二の実施系形態に係る表示装置について、以下に説明を行う。第二の実施形態に係る表示装置は、第一の実施形態に係る表示装置とアンチスティクション被膜２５０が形成される場所等が異なるものである。すなわち、第二の実施形態に係る表示装置の、回路構成や、ＭＥＭＳシャッタの基本構成等は、第一の実施形態に係る表示装置のそれらと同じものである。したがって、本発明に係る第二の表示装置の説明においては、アンチスティクション被膜２５０に関する以外の説明は省略する。
【００７９】
図５Ｂは、図４の切断線Ｖ−Ｖ’における断面図であり、本発明の第二の実施形態に係るＭＥＭＳシャッタの構成を示す図である。
【００８０】
図５Ｂに示すように、第二の実施形態の表示装置１００においては、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０は、それぞれ、ａ−Ｓｉによって形成されている。なお、第１、第２バネは、他の材料によって形成されることとしてもよいし、他の構造を有するものであることとしてもよい。
【００８１】
また、図５Ｂに示すとおり、第二の実施形態に係る表示装置１００においては、アンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２は、それぞれ、ａ−Ｓｉ及びＡｌＳｉの積層体を有している。図５Ｂに示すように、アンカー部２３４を例にとって説明すると、アンカー部２３４は、ａ−Ｓｉ（２３４ａ）及びＡｌＳｉ（２３４ｂ）の積層体を有している。アンカー部２３４は、第１基板１０２を構成するＴＦＴ基板３００上に形成された絶縁膜３０２（パッシベーション膜）上に形成されている。
【００８２】
なお、第二の実施形態においては、アンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２にはａ−Ｓｉ及びＡｌＳｉの積層体を用いたが、これに限定されず、他の構造及び材料を用いることとしてもよい。
【００８３】
また、図５Ｂに示すとおり、第二の実施形態に係る本発明の表示装置１００においては、端子部１０２ｅの端子１０４は、ＭｏＷ（１０４ａ）、Ａｌ（１０４ｂ）、ＭｏＷ（１０４ｂ）及びＩＴＯ（１０４ｃ）によって構成されている。なお、端子１０４の構成及び材料はこれに限定されず、スイッチング素子（第二の実施形態においてはＴＦＴ）の構成に応じて適宜変更することとしてもよい。また、Ａｌ（１０４ｂ）は、スイッチング素子２０４のドレイン配線と同層の配線を用いることとしてもよい。
【００８４】
端子部１０２ｅは、基板１０２を構成するＴＦＴ基板３００の一部に形成されている。第二の実施形態においては、ＴＦＴ基板の表示部１０２ａ、データドライバ１０２ｂ及び１０２ｃ並びにゲートドライバ１０２ｄ上は絶縁膜（パッシベーション膜）３０２で覆われているが、端子１０４の表面には絶縁膜（パッシベーション膜）は存在せず、端子１０４は露出されている。
【００８５】
図５Ｂに示すとおり、第二の実施形態に係る表示装置１００においては、シャッタ２１０は、ａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体を有している。なお、本実施形態においては、シャッタ２１０にはａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体を用いたが、これに限定されず、他の構造及び材料でも用いることとしてもよい。
【００８６】
本発明の表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜２５０を備える。
【００８７】
図５Ｂに示されるように、第二の実施形態においては、アンチスティクション被膜２５０（２５０ｃ）が、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面のうちの、開口部を有するシャッタ２１０の、第２基板１０６に対向する面を、含んで形成されている。そして、第二の実施形態に係る表示装置１００は、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、第２基板１０６の、第１基板１０２と対向する面と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜２５０（２５０ｄ）を更に備えている。
【００８８】
本実施形態に係る表示装置においては、シャッタ２１０と第２基板１０６との間の間隔は、１μｍ〜５μｍ程度（本実施形態においては３．５μｍ）である。すなわち、シャッタ２１０と第２基板１０６とは、非常に狭い間隔が維持されながら離間して備えられている。ここで、シャッタ２１０と第２基板１０６との間隙に水分等が付着すると、表面張力によってシャッタ２１０と第２基板１０６とは互いに引き付け合い両者がスティクション（固着）を引き起こすことがある。
【００８９】
ここで、シャッタ２１０と第２基板１０６とが接触し得る領域、すなわち、シャッタ２１０の、第２基板１０６に対向する面と、第２基板１０６の、第１基板１０２と対向する面と、に上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、それぞれの面に化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜２５０（２５０ｃ、２５０ｄ）が形成されることによって、シャッタ２１０と第２基板１０６とが互いに引き付け合うことを抑制することとなり、スティクションを回避することとなる。
【００９０】
シャッタ２１０の表面及び第２基板１０６の表面には、水酸基（―ＯＨ）が存在している。上記式（Ｉ）における加水分解性基であるＸ１は、シャッタ２１０及び第２基板１０６の表面に存在する水酸基と化学結合する反応基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、塩素等のハロゲン基等があげられるが、これらに限定されるものではない。
【００９１】
また、上記式（Ｉ）におけるＸ２が加水分解性基である場合、Ｘ２はＭＥＭＳシャッタ２０２表面に存在する水酸基と化学結合する反応基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、塩素等のハロゲン基等であることとしてもよい。また、Ｘ２もＸ１と同様、これらに限定されるものではない。
【００９２】
シャッタ２１０の表面及び第２基板１０６の表面に、アンチスティクション被膜２５０（２５０ｃ、２５０ｄ）を形成する方法は、前述の第一の実施形態と同様の方法と同様である。
【００９３】
上記のように、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部及び第２基板１０６と化学的に結合して形成された、アンチスティクション被膜２５０は、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合していないものと比較して、被膜の耐久性が向上する。すなわち、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合せずに、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部及び第２基板１０６と化学的に結合して形成された被膜は、ＭＥＭＳシャッタの稼働とともに被膜が劣化し、スティクションを回避する機能が維持される期間は、本発明のアンチスティクション被膜のスティクションを回避する機能が維持される期間の１／５０以下であった。
【００９４】
次に、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１について説明を行う。本実施形態において、スティクションを回避するためには、シャッタ２１０と第２基板１０６との間隙に水分等の付着を回避することが必要である。よって、アンチスティクション被膜２５０ｃ、２５０ｄは、撥水性を有することとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、炭素数８以上のアルキル基であることとしてもよい。上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１が炭素数８以上のアルキル基である場合、形成されるアンチスティクション被膜は、接触角（ＪＩＳ  Ｒ３２５７に準拠）が１００°以上の被膜となり、良好な撥水性を有することとなる。すなわち、アンチスティクション被膜２５０ｃ、２５０ｄは、接触角が１００°以上の撥水性を有することとしてもよい。
【００９５】
また、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１が炭素数８以上、２０以下のアルキル基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１が炭素数８以上、１５以下のアルキル基であることとしてもよい。炭素数が２０を超えるものであると、ＭＥＭＳシャッタ２０２の動作が遅くなり好ましくなく、炭素数が１５以下であることはＭＥＭＳシャッタ２０２の動作が遅くならないという観点から特に好ましい。
【００９６】
また、シャッタ２１０と第２基板１０６とが接触し得る領域は広範囲なものである。本実施形態において、スティクションを回避するために、シャッタ２１０の表面と第２基板１０６の表面の、一方及び／又は両方が、凹凸を有する場合、両者がスティクション（固着）を引き起こすリスクを軽減することができる。
【００９７】
また、シャッタ２１０の表面と第２基板１０６の表面の、一方及び／又は両方と化学的に結合して形成されるアンチスティクション被膜２５０（２５０ｃ、２５０ｄ）の、一方及び／又は両方は、凹凸を有することとしてもよい。シャッタ２１０の表面と化学的に結合して形成されるアンチスティクション被膜２５０ｃと、第２基板１０６の表面と化学的に結合して形成されるアンチスティクション被膜２５０ｄの、一方及び／又は両方が、凹凸を有するようにするためには、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数の化合物同士を縮合し、シャッタ２１０と第２基板１０６との表面の一方及び／又は両方と化学的に結合してアンチスティクション被膜を形成することによって実現されることとなる。
【００９８】
したがって、本実施形態に係る表示装置は、第１の基板と、前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、を含む表示装置であって、前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、前記表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を備えることとしてもよい。
【００９９】
また、上記の場合、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１は、炭素数１〜２０のアルキル基であることとしてもよい。また、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜７のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜２０のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜５のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜１５のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜３のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜１５のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。アルキル鎖の長さの差が大きい複数種の化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜の表面の凹凸は大きいものとなるため好ましい。
【０１００】
また、本実施形態に係る表示装置は、第１の基板と、前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、を含む表示装置であって、前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、前記表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を備え、前記アンチスティクション被膜は、前記ＭＥＭＳシャッタ表面のうちの、開口部を有する前記シャッタの、前記第２基板に対向する面を、含んで形成され、前記表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物同士が縮合し、前記第２基板の、前記第１基板と対向する面と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を更に備えることとしてもよい。
【０１０１】
また、上記の場合、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１は、炭素数１〜２０のアルキル基であることとしてもよい。また、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜７のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜２０のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜５のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜１５のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜３のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜１５のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。アルキル鎖の長さの差が大きい複数種の化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜の表面の凹凸は大きいものとなるため好ましい。
【０１０２】
また、本実施形態に係る表示装置は、第１の基板と、前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、を含む表示装置であって、前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、前記表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を備え備え、前記アンチスティクション被膜は、前記ＭＥＭＳシャッタ表面のうちの、開口部を有する前記シャッタの、前記第２基板に対向する面を、含んで形成され、前記表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物同士が縮合し、前記第２基板の、前記第１基板と対向する面と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を更に備えることとしてもよい。
【０１０３】
また、上記の場合、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１は、炭素数１〜２０のアルキル基であることとしてもよい。また、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜７のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜２０のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜５のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜１５のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜３のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜１５のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。アルキル鎖の長さの差が大きい複数種の化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜の表面の凹凸は大きいものとなるため好ましい。
【０１０４】
また、上記式（Ｉ）におけるＸ２が一価の有機基（Ｘ２が加水分解反応性を有さない一価の有機基）である場合についても、上記Ｒ１の説明と同様、炭素数８以上のアルキル基であることとしてもよい。上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＸ２が炭素数８以上のアルキル基である場合、形成されるアンチスティクション被膜は、接触角（ＪＩＳ  Ｒ３２５７に準拠）が１００°以上の被膜となり、良好な撥水性を有することとなる。
【０１０５】
また、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＸ２が炭素数８以上、２０以下のアルキル基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＸ２が炭素数８以上、１５以下のアルキル基であることとしてもよい。炭素数が２０を超えるものであると、ＭＥＭＳシャッタ２０２の動作が遅くなり好ましくなく、炭素数が１５以下であることはＭＥＭＳシャッタ２０２の動作が遅くならないという観点から特に好ましい。
【０１０６】
［第三の実施形態］
第三の実施系形態に係る表示装置について、以下に説明を行う。第三の実施形態に係る表示装置は、第一の実施形態に係る表示装置とアンチスティクション被膜２５０が形成される場所等が異なるものである。すなわち、第三の実施形態に係る表示装置の、回路構成や、ＭＥＭＳシャッタの基本構成等は、第一の実施形態に係る表示装置のそれらと同じものである。したがって、本発明に係る第三の表示装置の説明においては、アンチスティクション被膜２５０に関する以外の説明は省略する。
【０１０７】
図５Ｃは、図４の切断線Ｖ−Ｖ’における断面図であり、本発明の第三の実施形態に係るＭＥＭＳシャッタの構成を示す図である。
【０１０８】
図５Ｃに示すように、第三の実施形態の表示装置１００においては、第１バネ２１６、２１８、２２０及び２２２、並びに第２バネ２２４、２２６、２２８及び２３０は、それぞれ、ａ−Ｓｉによって形成されている。なお、第１、第２バネは、他の材料によって形成されることとしてもよいし、他の構造を有するものであることとしてもよい。
【０１０９】
また、図５Ｃに示すとおり、第三の実施形態に係る表示装置１００においては、アンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２は、それぞれ、ａ−Ｓｉ及びＡｌＳｉの積層体を有している。図５Ｃに示すように、アンカー部２３４を例にとって説明すると、アンカー部２３４は、ａ−Ｓｉ（２３４ａ）及びＡｌＳｉ（２３４ｂ）の積層体を有している。アンカー部２３４は、第１基板１０２を構成するＴＦＴ基板３００上に形成された絶縁膜３０２（パッシベーション膜）上に形成されている。
【０１１０】
なお、第三の実施形態においては、アンカー部２３２、２３４、２３６、２３８、２４０及び２４２にはａ−Ｓｉ及びＡｌＳｉの積層体を用いたが、これに限定されず、他の構造及び材料を用いることとしてもよい。
【０１１１】
また、図５Ｃに示すとおり、第三の実施形態に係る本発明の表示装置１００においては、端子部１０２ｅの端子１０４は、ＭｏＷ（１０４ａ）、Ａｌ（１０４ｂ）、ＭｏＷ（１０４ｂ）及びＩＴＯ（１０４ｃ）によって構成されている。なお、端子１０４の構成及び材料はこれに限定されず、スイッチング素子（第三の実施形態においてはＴＦＴ）の構成に応じて適宜変更することとしてもよく、また、Ａｌ（１０４ｂ）は、スイッチング素子２０４のドレイン配線と同層の配線を用いることとしてもよい。
【０１１２】
端子部１０２ｅは、基板１０２を構成するＴＦＴ基板３００の一部に形成されている。第三の実施形態においては、ＴＦＴ基板の表示部１０２ａ、データドライバ１０２ｂ及び１０２ｃ並びにゲートドライバ１０２ｄ上は絶縁膜（パッシベーション膜）３０２で覆われているが、端子１０４の表面には絶縁膜（パッシベーション膜）は存在せず、端子１０４は露出されている。
【０１１３】
図５Ｃに示すとおり、第三の実施形態に係る表示装置１００においては、シャッタ２１０は、ａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体を有している。なお、本実施形態においては、シャッタ２１０にはａ−Ｓｉ（２１０ａ）及び遮光用のＡｌＳｉ（２１０ｂ）の積層体を用いたが、これに限定されず、他の構造及び材料でも用いることとしてもよい。
【０１１４】
本発明の表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜２５０を備える。
【０１１５】
図５Ｃに示されるように、第三の実施形態においては、アンチスティクション被膜２５０（２５０ｅ）が、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面のうちの、開口部を有するシャッタ２１０の、第１基板１０２に対向する面を、含んで形成されている。そして、第三の実施形態に係る表示装置１００は、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、第１基板１０２の、第２基板１０６と対向する面と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜２５０（２５０ｆ）を更に備えている。
【０１１６】
本実施形態に係る表示装置においては、シャッタ２１０と第１基板１０２との間の間隔は、５μｍ〜１５μｍ程度（本実施形態においては７．５μｍ）である。そして、前述のようにシャッタ２１０の一方の側は、第１バネ２１６及び２１８を介してアンカー部２３２及び２３４に接続されており、シャッタ２１０は、アンカー部２３２、アンカー部２３４、第１バネ２１６及び第１バネ２１８によって、第１基板１０２の表面から浮遊した状態に支持されているにすぎない。
【０１１７】
たとえば、外部から何らかの衝撃が、表示装置１００に加えられた場合、シャッタ２１０は容易に第２基板１０６に接近し、スティクションを引き起こすことが考えられる。
【０１１８】
このような場合において、シャッタ２１０と第１基板１０２とが接触し得る領域、すなわち、シャッタ２１０の、第１基板１０２に対向する面と、第１基板１０２の、第２基板１０６と対向する面と、に上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、それぞれの面に化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜２５０（２５０ｃ、２５０ｄ）が形成されることによって、シャッタ２１０と第１基板１０２とのスティクションを回避することに有効なものとなる。
【０１１９】
シャッタ２１０の表面及び第１基板１０２の表面には、水酸基（―ＯＨ）が存在している。上記式（Ｉ）における加水分解性基であるＸ１は、シャッタ２１０及び第１基板１０２の表面に存在する水酸基と化学結合する反応基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、塩素等のハロゲン基等があげられるが、これらに限定されるものではない。
【０１２０】
また、上記式（Ｉ）におけるＸ２が加水分解性基である場合、Ｘ２はＭＥＭＳシャッタ２０２表面に存在する水酸基と化学結合する反応基であり、例えば、メトキシ基、エトキシ基、塩素等のハロゲン基等であることとしてもよい。また、Ｘ２もＸ１と同様、これらに限定されるものではない。
【０１２１】
シャッタ２１０の表面及び第２基板１０６の表面に、アンチスティクション被膜２５０（２５０ｃ、２５０ｄ）を形成する方法は、前述の第一の実施形態と同様の方法と同様である。
【０１２２】
シャッタ２１０の表面及び第１基板１０２の表面に、アンチスティクション被膜２５０（２５０ｅ、２５０ｆ）を形成する方法は、前述の第一の実施形態と同様の方法と同様である。
【０１２３】
上記のように、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部及び第１基板１０２と化学的に結合して形成された、アンチスティクション被膜２５０は、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合していないものと比較して、被膜の耐久性が向上する。すなわち、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合せずに、ＭＥＭＳシャッタ２０２表面の少なくとも一部及び第２基板１０６と化学的に結合して形成された被膜は、ＭＥＭＳシャッタの稼働とともに被膜が劣化し、スティクションを回避する機能が維持される期間は、本発明のアンチスティクション被膜のスティクションを回避する機能が維持される期間の１／５０以下であった。
【０１２４】
次に、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１について説明を行う。本実施形態において、スティクションを回避するためには、シャッタ２１０と第１基板１０２との間隙に水分等の付着を回避すること、あるいは、シャッタ２１０と第１基板１０２との表面に何らかの外的要因によって電荷が溜まった状態に置かれないことが必要となる。
【０１２５】
したがって、アンチスティクション被膜２５０ｅ、２５０ｆは、撥水性を有することとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、炭素数８以上のアルキル基であることとしてもよい。上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１が炭素数８以上のアルキル基である場合、形成されるアンチスティクション被膜は、接触角（ＪＩＳ  Ｒ３２５７に準拠）が１００°以上の被膜となり、良好な撥水性を有することとなる。すなわち、アンチスティクション被膜２５０ｅ、２５０ｆは、接触角が１００°以上の撥水性を有することとしてもよい。
【０１２６】
また、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１が炭素数８以上、２０以下のアルキル基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１が炭素数８以上、１５以下のアルキル基であることとしてもよい。炭素数が１５以下であることによって、形成されるアンチスティクション被膜の耐久性が向上するため、更に好ましい。
【０１２７】
また、シャッタ２１０と第１基板１０２とが接触し得る領域は広範囲なものである。本実施形態において、スティクションを回避するために、シャッタ２１０の表面と第１基板１０２の表面の、一方及び／又は両方が、凹凸を有する場合、両者がスティクション（固着）を引き起こすリスクを軽減することができる。
【０１２８】
また、シャッタ２１０の表面と第１基板１０２の表面の、一方及び／又は両方と化学的に結合して形成されるアンチスティクション被膜２５０（２５０ｅ、２５０ｆ）の、一方及び／又は両方は、凹凸を有することとしてもよい。シャッタ２１０の表面と化学的に結合して形成されるアンチスティクション被膜２５０ｅと、第１基板１０２の表面と化学的に結合して形成されるアンチスティクション被膜２５０ｆの、一方及び／又は両方が、凹凸を有するようにするためには、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数の化合物同士を縮合し、シャッタ２１０と第１基板１０２との表面の一方及び／又は両方と化学的に結合してアンチスティクション被膜を形成することによって実現されることとなる。
【０１２９】
したがって、本実施形態に係る表示装置は、第１の基板と、前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、を含む表示装置であって、前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、前記表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を備え、前記アンチスティクション被膜は、前記ＭＥＭＳシャッタ表面のうちの、開口部を有する前記シャッタの、前記第１基板に対向する面を、含んで形成され、前記表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物同士が縮合し、前記第１基板の、前記第２基板と対向する面と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を更に備えることとしてもよい。
【０１３０】
また、上記の場合、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１は、炭素数１〜２０のアルキル基であることとしてもよい。また、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜７のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜２０のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜５のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜１５のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜３のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜１５のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。アルキル鎖の長さの差が大きい複数種の化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜の表面の凹凸は大きいものとなるため好ましい。
【０１３１】
また、本実施形態に係る表示装置は、第１の基板と、前記第１基板上にマトリクス状に配置され、スイッチング素子及び前記スイッチング素子によって駆動されるＭＥＭＳシャッタをそれぞれ有する複数の画素と、前記第１基板上に配置され、外部端子と接続される複数の端子と、前記第1基板と対向し、前記ＭＥＭＳシャッタと離間して備えられる、第２基板と、を含む表示装置であって、前記ＭＥＭＳシャッタは、開口部を有するシャッタ、前記シャッタに接続された第１バネ、前記第１バネに接続された第１アンカー、第２バネ、及び前記第２バネに接続された第２アンカーを有し、前記表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を備え備え、前記アンチスティクション被膜は、前記ＭＥＭＳシャッタ表面のうちの、開口部を有する前記シャッタの、前記第１基板に対向する面を、含んで形成され、前記表示装置は、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物同士が縮合し、前記第１基板の、前記第２基板と対向する面と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜を更に備えることとしてもよい。
【０１３２】
また、上記の場合、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１は、炭素数１〜２０のアルキル基であることとしてもよい。また、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜７のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜２０のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜５のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜１５のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）にて示される化合物のＲ１が異なる複数種の化合物は、Ｒ１が炭素数１〜３のアルキル基である化合物と、Ｒ１が炭素数８〜１５のアルキル基である化合物と、を含むこととしてもよい。アルキル鎖の長さの差が大きい複数種の化合物同士が縮合し、前記ＭＥＭＳシャッタ表面の少なくとも一部と化学的に結合して形成される、アンチスティクション被膜の表面の凹凸は大きいものとなるため好ましい。
【０１３３】
また、本実施形態において、スティクションを回避するためには、たとえば、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、構造中にπ電子を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、構造中に不飽和結合を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、構造中に芳香環を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、構造中に非共有電子対を有する官能基を有する一価の有機基であることとしてもよい。非共有電子対を有する官能基とは、たとえば、アミノ基、アミド基等が挙げられる。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＲ１は、構造中にＳ、Ｏ、Ｎ、Ｐを含有する一価の有機基であることとしてもよい。
【０１３４】
また、上記式（Ｉ）におけるＸ２が一価の有機基（Ｘ２が加水分解反応性を有さない一価の有機基）である場合についても、上記Ｒ１の説明と同様、炭素数８以上のアルキル基であることとしてもよい。上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＸ２が炭素数８以上のアルキル基である場合、形成されるアンチスティクション被膜は、接触角（ＪＩＳ  Ｒ３２５７に準拠）が１００°以上の被膜となり、良好な撥水性を有することとなる。
【０１３５】
また、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＸ２が炭素数８以上、２０以下のアルキル基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＸ２が炭素数８以上、１５以下のアルキル基であることとしてもよい。炭素数が２０を超えるものであると、ＭＥＭＳシャッタ２０２の動作が遅くなり好ましくなく、炭素数が１５以下であることはＭＥＭＳシャッタ２０２の動作が遅くならないという観点から特に好ましい。
【０１３６】
また、上記式（Ｉ）におけるＸ２が一価の有機基（Ｘ２が加水分解反応性を有さない一価の有機基）である場合、たとえば、構造中にπ電子を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）における一価の有機基であるＸ２は、構造中に不飽和結合を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）におけるＸ２は、構造中に芳香環を有する一価の有機基であることとしてもよい。あるいは、上記式（Ｉ）におけるＸ２は、構造中に非共有電子対を有する官能基を有する一価の有機基であることとしてもよい。非共有電子対を有する官能基とは、たとえば、アミノ基、アミド基等が挙げられる。あるいは、上記式（Ｉ）におけるＸ２は、構造中にＳ、Ｏ、Ｎ、Ｐを含有する一価の有機基であることとしてもよい。
【０１３７】
以上、本発明に係る表示装置について、第一、第二、第三の実施形態を例示して説明を行った。また、本発明に係る表示装置は、第一、第二、第三の実施形態にて説明されたアンチスティクション被膜が形成される場所を、それぞれ組み合わせて構成することとしてもよい。
【符号の説明】
【０１３８】
１００  表示装置、１０２  第１基板、１０６  第２基板、１０２ａ  表示部、１０２ｂ、１０２ａ  表示部、１０２ｂ    データドライバ、１０２ｃ  データドライバ、１０２ｅ  端子部、１２０  コントローラ、１２２  バックライト、２００  画素、２０２  ＭＥＭＳシャッタ、２０４  スイッチング素子、２０６  保持容量、２１０  シャッタ、２１１  開口部、２１２  開口部、２１６  第１バネ、２１８  第１バネ、２２０  第１バネ、２２２  第１バネ、２２４  第２バネ、２２６  第２バネ、２２８  第２バネ、２３０  第２バネ、２３２  アンカー部、２３４  アンカー部、２３６  アンカー部、２３８  アンカー部、２４０  アンカー部、２４２  アンカー部、２５０  アンチスティクション被膜。
【図１Ａ】
2014178513.tif 000007
【図１Ｂ】
2014178513.tif 000008
【図２】
2014178513.tif 000009
【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
2014178513.tif 000013
【図５Ｃ】
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【図６】
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