(57)【要約】【課題】表示装置を提供する。【解決手段】本発明による液晶表示装置は複数の画素行と複数の画素列を含む絶縁基板、絶縁基板の上に位置し複数の画素行のうちの互いに隣接した第１対の画素行と第２対の画素行の間に位置する第１ゲート線及び第２ゲート線、複数の画素列のうちの互いに隣接した二つの画素列の間に位置するデータ線、複数の画素行と複数の画素列に位置する複数の画素電極、複数の画素電極の上に位置し、複数の液晶注入口を有し複数の領域を含むマイクロキャビティ層、マイクロキャビティ層の上に位置する共通電極、共通電極の上に位置する支持部材、そして支持部材の上に位置し、液晶注入口を覆うキャッピング膜を含み、複数の液晶注入口は第１対の画素行と第２対の画素行の間に位置する。【選択図】図２
2014134800.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素行と複数の画素列を含む絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に位置し、前記複数の画素行のうちの互いに隣接した第１対の画素行と第２対の画素行の間に位置する第１ゲート線及び第２ゲート線と、
前記複数の画素列のうちの互いに隣接した二つの前記画素列の間に位置するデータ線と、
前記複数の画素行及び前記複数の画素列に位置する複数の画素電極と、
前記複数の画素電極の上に位置し、複数の液晶注入口を有し複数の領域を含むマイクロキャビティ層と、
前記マイクロキャビティ層の上に位置する共通電極と、
前記共通電極の上に位置する支持部材と、
前記支持部材の上に位置し、前記液晶注入口を覆うキャッピング膜と、を含み、
前記複数の液晶注入口は前記第１対の画素行と前記第２対の画素行の間に位置する表示装置。
【請求項２】
前記支持部材は溝を有し、前記液晶注入口は前記支持部材の前記溝によって定義され、
前記溝は前記第１ゲート線及び第２ゲート線と重畳することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記絶縁基板の上に形成されている遮光部材をさらに含み、
前記遮光部材は前記溝と重畳することを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記溝は前記複数の画素行の左側端と前記画素行の右側端まで延在していることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁基板の上に形成され、前記複数の画素行と前記複数の画素列を囲むダムをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記マイクロキャビティ層の下に位置するカラーフィルタをさらに含み、
前記ダムは前記支持部材、前記カラーフィルタ、そして前記遮光部材のうちの少なくとも一つと同一の層に形成されることを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記マイクロキャビティ層は前記第１対の画素行と重畳する第１マイクロキャビティ層と、
前記第１マイクロキャビティ層と分離され、前記第２対の画素行と重畳する第２マイクロキャビティ層と、を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第１マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離され、
前記第２マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離されることを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記支持部材は溝を有し、前記液晶注入口は前記支持部材の前記溝によって定義され、
前記溝は前記複数の画素行の左側端と前記画素行の右側端まで延在していることを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記絶縁基板の上に形成され、前記複数の画素行と前記複数の画素列を囲むダムをさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記マイクロキャビティ層の下に位置するカラーフィルタ及び遮光部材をさらに含み、
前記ダムは前記支持部材、前記カラーフィルタ、そして前記遮光部材のうちの少なくとも一つと同一の層に形成されることを特徴とする請求項１０に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記マイクロキャビティ層は前記第１対の画素行と重畳する第１マイクロキャビティ層と、
前記第１マイクロキャビティ層と分離されており、前記第２対の画素行と重畳する第２マイクロキャビティ層と、を含むことを特徴とする請求項１１に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第１マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離され、
前記第２マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離されることを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記絶縁基板の上に形成され、前記複数の画素行のうちの互いに隣接した第１対の画素行と第２対の画素行の間に位置する遮光部材をさらに含み、
前記第１対の画素行は第１画素行と第２画素行を含み、
前記第２対の画素行は第３画素行と第４画素行を含み、
前記第１画素行と前記第２画素行は、観察者の左側目で認識する左側映像を表示し、前記第３画素行と前記第４画素行は、観察者の右側目で認識する右側映像を表示することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記マイクロキャビティ層は前記第１対の画素行と重畳する第１マイクロキャビティ層と、
前記第１マイクロキャビティ層と分離されており、前記第２対の画素行と重畳する第２マイクロキャビティ層と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
【請求項１６】
前記第１マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離され、
前記第２マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離されることを特徴とする請求項１５に記載の表示装置。
【請求項１７】
前記マイクロキャビティ層は前記第１対の画素行と重畳する第１マイクロキャビティ層と、
前記第１マイクロキャビティ層と分離されており、前記第２対の画素行と重畳する第２マイクロキャビティ層と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項１８】
前記第１マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離され、
前記第２マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離されることを特徴とする請求項１７に記載の表示装置。
【請求項１９】
複数の画素行と複数の画素列を含む画素領域と前記画素領域周辺の周辺領域を含む絶縁基板と、
前記絶縁基板の上に形成され、前記周辺領域に位置するダムと、を含み、
前記画素領域はゲート線、データ線、画素電極、液晶注入口を有するマイクロキャビティ層、前記マイクロキャビティ層の上に位置する共通電極、前記共通電極の上に位置する支持部材、そして前記支持部材の上に位置し、前記液晶注入口を覆うキャッピング膜を含み、
前記支持部材は溝を有し、
前記液晶注入口は前記支持部材の前記溝によって定義され、
前記溝は前記複数の画素行の左側端と前記画素行の右側端まで延在している表示装置。
【請求項２０】
前記マイクロキャビティ層の下に位置するカラーフィルタ及び遮光部材をさらに含み、
前記ダムは前記支持部材、前記カラーフィルタ、そして前記遮光部材のうちの少なくとも一つと同一の層に形成されることを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２１】
前記遮光部材は前記溝と重畳することを特徴とする請求項２０に記載の表示装置。
【請求項２２】
前記複数の画素行は第１対の画素行と前記第１対の画素行に隣接した第２対の画素行を含み、
前記複数の液晶注入口は前記第１対の画素行と前記第２対の画素行の間に位置することを特徴とする請求項２１に記載の表示装置。
【請求項２３】
前記マイクロキャビティ層は前記第１対の画素行と重畳する第１マイクロキャビティ層と、
前記第２対の画素行と重畳し、前記第１マイクロキャビティ層と離隔している第２マイクロキャビティ層と、を含むことを特徴とする請求項２２に記載の表示装置。
【請求項２４】
前記第１マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離され、
前記第２マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離されることを特徴とする請求項２３に記載の表示装置。
【請求項２５】
前記複数の画素行は第１対の画素行と前記第１対の画素行に隣接した第２対の画素行を含み、
前記複数の液晶注入口は前記第１対の画素行と前記第２対の画素行の間に位置することを特徴とする請求項１９に記載の表示装置。
【請求項２６】
前記マイクロキャビティ層は前記第１対の画素行と重畳する第１マイクロキャビティ層と、
前記第２対の画素行と重畳し、前記第１マイクロキャビティ層と離隔している第２マイクロキャビティ層と、を含むことを特徴とする請求項２５に記載の表示装置。
【請求項２７】
前記第１マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離され、
前記第２マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離されることを特徴とする請求項２６に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は現在最も幅広く使用されている平板表示装置の一つであって、画素電極と共通電極など電場生成電極が形成されている二枚の表示板とその間に入っている液晶層を有する。
【０００３】
電場生成電極に電圧を印加して液晶層に電場を生成し、これを通じて液晶層の液晶分子の配向を決定し、入射光の偏光を制御することによって映像を表示する。
【０００４】
ピクセル単位でキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）を形成し、ここに液晶を満たしてディスプレイを実現する技術が開発されている。この技術は、複数の膜を積層させることで形成する代わりに、有機物質などで犠牲層を形成し、その犠牲層の上部に支持部材を形成した後に犠牲層を除去し、犠牲層の除去によって形成された空いた空間に液晶注入口を通じて液晶を満たしてディスプレイを作る技術である。
【０００５】
このとき、それぞれの画素領域に液晶を注入する液晶注入口が互いに分離され、連結されない場合、それぞれの画素領域に注入される液晶の量を調節して各画素領域の液晶注入口に滴下しなければならない。しかし、液晶の量を正確に調節することは難しく、最外周画素の周辺に液晶注入口を通じて注入され残った液晶物質が流れ出すことがある。
【０００６】
また、犠牲層を除去して、液晶を注入するための液晶注入口と空間を形成し、液晶を注入するために、犠牲層の除去部分は一定の値以上の幅を有しなければならない。
【０００７】
犠牲層の除去部分の幅が過度に狭い場合、液晶滴下時に液晶注入口隣接部に液晶を滴下しにくく、そのために犠牲層が除去された空いた空間に液晶層が満たされなくなる。
【０００８】
犠牲層を除去する部分の幅を過度に広く形成すると、液晶物質を液晶注入口付近に滴下しやすく、液晶層を容易に満たされるが、液晶層が満たされる表示領域の面積が狭くなる。
【０００９】
一方、一つの液晶表示装置を用いて、２次元映像と３次元映像が実現できる様々な技術が開発されている。
【００１０】
このうち、パターン化リターダ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｒｅｔａｒｄｅｒ）を用いる３次元ディスプレイの場合、空間分割方式で表示装置の画素行別に左側映像と右側映像を交互に表示する。ここで左側映像は観察者の左側目で認識する映像であり、右側映像は観察者の右側目で認識する映像を称する。このような、画素行によって左側映像と右側映像が交互に表示される３次元ディスプレイの場合、観察者の位置によって左側映像と右側映像が互いに影響を与えることがある。
【００１１】
このような問題を解決するために、左側映像を表示する画素行と右側映像を表示する画素行の間に行方向に長く伸びており、映像の干渉を減らすことができるように広い幅を有するブラックマトリックスを形成する。
【００１２】
しかし、画素行間に広い幅を有するブラックマトリックスを形成する場合、表示装置の全体開口率が減少し、表示装置の解像度も減少する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明が解決しようとする課題は、表示装置の開口率を減少させずに液晶物質を液晶注入口に高い精度で滴下することができる表示装置を提供することである。
【００１４】
また、本発明が解決しようとする課題は、各空間に液晶層を充填するとき、液晶物質の量を調節することが容易で、液晶注入口を通じて注入され残った液晶物質が最外周画素の周辺に流れ出すのを防止することができる表示装置を提供することである。
【００１５】
また、本発明が解決しようとする課題は、ブラックマトリックスによる開口率低下を防止しながらもパターン化リターダ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｒｅｔａｒｄｅｒ）を用いる３次元ディスプレイが可能な表示装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一実施形態による表示装置は複数の画素行と複数の画素列を含む絶縁基板、前記絶縁基板の上に位置し前記複数の画素行のうちの互いに隣接した第１対の画素行と第２対の画素行の間に位置する第１ゲート線及び第２ゲート線、前記複数の画素列のうちの互いに隣接した二つの前記画素列の間に位置するデータ線、前記複数の画素行と前記複数の画素列に位置する複数の画素電極、前記複数の画素電極の上に位置し、複数の液晶注入口を有し複数の領域を含むマイクロキャビティ層、前記マイクロキャビティ層の上に位置する共通電極、前記共通電極の上に位置する支持部材、そして前記支持部材の上に位置し、前記液晶注入口を覆うキャッピング膜を含み、前記複数の液晶注入口は前記第１対の画素行と前記第２対の画素行の間に位置する。
【００１７】
前記支持部材は溝を有し、前記液晶注入口は前記支持部材の前記溝によって定義され、前記溝は前記第１ゲート線及び第２ゲート線と重畳する。
【００１８】
前記絶縁基板の上に形成されている遮光部材をさらに含み、前記遮光部材は前記溝と重畳する。
【００１９】
前記溝は前記複数の画素行の左側端と前記画素行の右側端まで延在する。
【００２０】
前記絶縁基板の上に形成され、前記複数の画素行と前記複数の画素列を囲むダムをさらに含むことができる。
【００２１】
前記マイクロキャビティ層の下に位置するカラーフィルタをさらに含み、前記ダムは前記支持部材、前記カラーフィルタ、そして前記遮光部材のうちの少なくとも一つと同一の層に形成することができる。
【００２２】
前記マイクロキャビティ層は前記第１対の画素行と重畳する第１マイクロキャビティ層と、前記第１マイクロキャビティ層と分離され、前記第２対の画素行と重畳する第２マイクロキャビティ層と、を含むことができる。
【００２３】
前記第１マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離され、前記第２マイクロキャビティ層は前記データ線を中心に分離される。
【００２４】
前記絶縁基板の上に形成されており、前記複数の画素行のうちの互いに隣接した第１対の画素行と第２対の画素行の間に位置する遮光部材をさらに含み、前記第１対の画素行は第１画素行と第２画素行を含み、前記第２対の画素行は第３画素行と第４画素行を含み、前記第１画素行と前記第２画素行は、観察者の左側目で認識する左側映像を表示し、前記第３画素行と前記第４画素行は、観察者の右側目で認識する右側映像を表示することができる。
【００２５】
本発明の他の一実施形態による表示装置は複数の画素行と複数の画素列を含む画素領域と前記画素領域の周辺の周辺領域を含む絶縁基板、前記絶縁基板の上に形成され、前記周辺領域に位置するダムを含み、前記画素領域はゲート線、データ線、画素電極、液晶注入口を有するマイクロキャビティ層、前記マイクロキャビティ層の上に位置する共通電極、前記共通電極の上に位置する支持部材、そして前記支持部材の上に位置し、前記液晶注入口を覆うキャッピング膜を含み、前記支持部材は溝を有し、前記液晶注入口は前記支持部材の前記溝によって定義され、前記溝は前記複数の画素行の左側端と前記画素行の右側端まで延在している。
【００２６】
前記表示装置は前記マイクロキャビティ層の下に位置するカラーフィルタ及び遮光部材をさらに含み、前記ダムは前記支持部材、前記カラーフィルタ、そして前記遮光部材のうちの少なくとも一つと同一の層に形成することができる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明の実施形態による表示装置は二つずつ対をなして位置する二対のゲート線の間に一つの溝（ｇｒｏｏｖｅ）を形成することによって、表示装置の開口率を減少させずに溝の幅を広く形成することができ、液晶物質を液晶注入口に高い精度で滴下することができる。
【００２８】
本発明の実施形態による表示装置は液晶注入口を定義する溝（ｇｒｏｏｖｅ）を一列に形成して、複数の液晶注入口に注入される液晶物質が溝を通じて移動可能にして液晶物質の量を調節することが容易である。また、溝を最外周画素まで延在し、表示領域の周辺にダム（ｄａｍ）を形成して、液晶注入口を通じて注入され残った液晶物質が最外周画素の周辺に流れ出すのを防止することができる。
【００２９】
本発明の実施形態による表示装置は二つずつ対をなして位置する二対のゲート線の間に位置する溝と重畳する遮光部材を形成し、遮光部材を挟んで位置する二対の画素行のうちのいずれか一対の画素行は左側映像を表示し、残り一対の画素行は右側の映像を表示することによって、ブラックマトリックスによる開口率低下を防止しながらもパターン化リターダ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｒｅｔａｒｄｅｒ）を用いる３次元ディスプレイが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置の信号線と画素の配置を示した配置図である。
【図２】本発明の一実施形態による表示装置の画素の一部を示した配置図である。
【図３】図２の表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面図である。
【図４】図２の表示装置のＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面図である。
【図５】図２の表示装置のＶ−Ｖ’線に沿った断面図である。
【図６】本発明の他の一実施形態による表示装置を簡略に示した配置図である。
【図７】本発明の実施形態による表示装置の製造方法中の表示装置の一部を示した断面図である。
【図８】本発明の実施形態による表示装置の製造方法中の表示装置の一部を示した断面図である。
【図９】本発明の実施形態による表示装置の製造方法中の表示装置の一部を示した断面図である。
【図１０】本発明の実施形態による表示装置の製造方法中の表示装置の一部を示した断面図である。
【図１１】本発明の実施形態による表示装置の製造方法中の表示装置の一部を示した断面図である。
【図１２】本発明の実施形態による表示装置の製造方法中の表示装置の一部を示した断面図である。
【図１３】本発明の実施形態による表示装置の製造方法中の表示装置の一部を示した断面図である。
【図１４】本発明の実施形態による表示装置の製造方法中の表示装置の一部を示した断面図である。
【図１５】本発明の実施形態による表示装置の製造方法中の表示装置の一部を示した断面図である。
【図１６】本発明の実施形態による表示装置の製造方法中の表示装置の一部を示した断面図である。
【図１７】本発明の他の一実施形態による表示装置を簡略に示した配置図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、添付した図面を参照して本発明の実施形態について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明には様々な実施形態があり得、ここで説明する実施形態に限定されない。
【００３２】
図面では、複数の層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似の部分については同一の図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるというとき、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなく、その中間に他の部分がある場合も含む。逆に、ある部分が他の部分の“直上”にあるというときは中間に他の部分がないことを意味する。
【００３３】
以下、図１を参照して、本発明の一実施形態による表示装置について説明する。図１は本発明の一実施形態による表示装置の信号線と画素の配置を示した配置図である。
【００３４】
図１に示すように、本発明の一実施形態による表示装置は第１方向に伸びている複数のゲート線Ｇｎ−１ａ、Ｇｎ−１ｂ、Ｇｎａ、Ｇｎｂ、・・・、Ｇｍａ、Ｇｍｂ、第２方向に伸びている複数のデータ線Ｄ１、Ｄ２、Ｄ３、Ｄ４、Ｄ５、・・・、Ｄｋ、ゲート線とデータ線に接続されている複数の画素ＰＸを含む。
【００３５】
複数のゲート線Ｇｎ−１ａ、Ｇｎ−１ｂ、Ｇｎａ、Ｇｎｂ、・・・、Ｇｍａ、Ｇｍｂは第１対のゲート線Ｇｎ−１ａ及びＧｎ−１ｂ、第２対のゲート線Ｇｎａ及びＧｎｂ、そして第３対のゲート線Ｇｎ＋１ａ及びＧｎ＋１ｂを含む。各対のゲート線Ｇｎ−１ａ及びＧｎ−１ｂ、Ｇｎａ及びＧｎｂ、Ｇｎ＋１ａ及びＧｎ＋１ｂは二つの画素行ごとに位置する。
【００３６】
つまり、各対のゲート線Ｇｎ−１ａ及びＧｎ−１ｂ、Ｇｎａ及びＧｎｂ、Ｇｎ＋１ａ及びＧｎ＋１ｂは二つの画素行と隣接した二つの画素行の間に位置する。
【００３７】
本発明の実施形態による表示装置は各対のゲート線Ｇｎ−１ａ及びＧｎ−１ｂ、Ｇｎａ及びＧｎｂ、Ｇｎ＋１ａ及びＧｎ＋１ｂと重畳する位置に溝（ｇｒｏｏｖｅ）ＧＲＶが形成されている。溝ＧＲＶは液晶層が注入される液晶注入口を定義する。これについては、後でより詳細に説明する。
【００３８】
溝ＧＲＶはゲート線Ｇｎ−１ａ、Ｇｎ−１ｂ、Ｇｎａ、Ｇｎｂ、・・・、Ｇｍａ、Ｇｍｂが伸びている方向に伸びている。また、溝ＧＲＶは各対のゲート線Ｇｎ−１ａ及びＧｎ−１ｂ、Ｇｎａ及びＧｎｂ、Ｇｎ＋１ａ及びＧｎ＋１ｂと重畳するように形成されていて、一つのゲート線と重畳する位置に形成する場合に比べて、表示装置の開口率を低下させずに広い幅を有することができる。
【００３９】
以下、図２乃至図５を参照して、本発明の一実施形態による表示装置の具体的な構造について説明する。図２は本発明の一実施形態による表示装置の画素の一部を示した配置図である。図３は図２の表示装置のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿った断面図であり、図４は図２の表示装置のＩＶ−ＩＶ’線に沿った断面図であり、図５は図２の表示装置のＶ−Ｖ’線に沿った断面図である。
【００４０】
図２乃至図５に示すように、透明なガラスまたはプラスチックなどで作られた基板１１０の上に第１ゲート線１２１ａ及び第２ゲート線１２１ｂ、そして維持電極線１３１が位置する。第１ゲート線１２１ａ及び第２ゲート線１２１ｂは互いに対をなして二対の画素ＰＸ１及びＰＸ２と、ＰＸ３及びＰＸ４との間に位置する。
【００４１】
第１ゲート線１２１ａ及び第２ゲート線１２１ｂはゲート信号を伝達し、主に横方向に伸びており、第１ゲート線１２１ａは第１ゲート電極１２４ａを含み、第２ゲート線１２１ｂは第２ゲート電極１２４ｂを含む。
【００４２】
維持電極線１３１は共通電圧Ｖｃｏｍなどの予め設定された電圧を伝達し、第１ゲート線１２１ａ及び第２ゲート線１２１ｂと実質的に垂直に伸びた縦部１３１ｂと縦部１３１ｂの端を互いに接続する横部１３１ａを含む。
【００４３】
ゲート線１２１ａ、１２１ｂ及び維持電極線１３１の上には窒化ケイ素などで形成されたゲート絶縁膜１４０が位置する。ゲート絶縁膜１４０の上には非晶質または結晶質ケイ素、または酸化物半導体などで作られる半導体層１５１、１５４ａ、１５４ｂが形成されている。半導体層１５１、１５４ａ、１５４ｂは主に縦方向に伸びている複数の線状半導体１５１と、各線状半導体１５１からゲート電極１２４ａ、１２４ｂに向かって伸びた第１チャンネル部１５４ａと第２チャンネル部１５４ｂを含む。
【００４４】
半導体層１５１、１５４ａ、１５４ｂ及びゲート絶縁膜１４０の上にはデータ線１７１、データ線１７１と接続されたソース電極１７３ａ、１７３ｂ、ソース電極１７３ａ、１７３ｂと離隔しているドレイン電極１７５ａ、１７５ｂが形成されている。半導体層の第１チャンネル部１５４ａ及び第２チャンネル部１５４ｂとソース電極１７３ａ、１７３ｂの間及び半導体層の第１チャンネル部１５４ａ及び第２チャンネル部１５４ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間には抵抗性接触部材（図示せず）を形成することができる。抵抗性接触部材はシリサイド（ｓｉｌｉｃｉｄｅ）またはｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成することができる。
【００４５】
データ線１７１はデータ信号を伝達し、主に縦方向に伸びてゲート線１２１ａ、１２１ｂと交差する。データ線１７１は第１ゲート電極１２４ａに向かって伸びている第１ソース電極１７３ａ、第２ゲート電極１２４ｂに向かって伸びている第２ソース電極１７３ｂと接続されている。第１ドレイン電極１７５ａと第２ドレイン電極１７５ｂはデータ線１７１と分離されている。第１ドレイン電極１７５ａは第１ゲート電極１２４ａの上で第１ソース電極１７３ａと対向し、第２ドレイン電極１７５ｂは第２ゲート電極１２４ｂの上で第２ソース電極１７３ｂと対向する。
【００４６】
図示した実施形態で、第１ドレイン電極１７５ａと第２ドレイン電極１７５ｂはデータ線１７１と並んだ方向に長く延長された棒部を含む。ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂはドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの棒部の端部で幅が広くなった拡張部分を有してもよい。棒部という用語は一つの実施形態によるドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの形状を示したものに過ぎず、本発明の実施形態が棒状のドレイン電極１７５ａ、１７５ｂに限定されるのではない。
【００４７】
各ゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、各ソース電極１７３ａ、１７３ｂ、そして各ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂは半導体層の第１チャンネル部１５４ａ及び第２チャンネル部１５４ｂと共に薄膜トランジスタを形成する。
【００４８】
第１ゲート線１２１ａに接続されている第１ゲート電極１２４ａ、第１ソース電極１７３ａ、第１ドレイン電極１７５ａ、そして第１チャンネル部１５４ａを含む薄膜トランジスタは第２画素ＰＸ２の画素電極１９１と接続される。これと類似して、第２ゲート線１２１ｂに接続されている第２ゲート電極１２４ｂ、第２ソース電極１７３ｂ、第２ドレイン電極１７５ｂ、そして第２チャンネル部１５４ｂを含む薄膜トランジスタは第３画素ＰＸ３の画素電極１９１と接続される。
【００４９】
半導体層１５１、１５４ａ、１５４ｂはソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間のチャンネル領域を除いてはデータ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７５ａ、１７５ｂ及びその下部の抵抗性接触部材と実質的に同一な平面形状を有し得る。これは一例に、データ線１７１、ソース電極１７３ａ、１７３ｂ及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂを含むデータ配線層がその下に位置する抵抗性接触部材（図示せず）及び半導体層１５１、１５４ａ、１５４ｂと一つのマスクを使用して形成することによって得られる構造である。
【００５０】
半導体層の第１チャンネル部１５４ａ及び第２チャンネル部１５４ｂには、ソース電極１７３ａ、１７３ｂとドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの間でソース電極１７３ａ、１７３ｂ及びドレイン電極１７５ａ、１７５ｂによって覆われずに露出した部分がある。
【００５１】
データ配線層１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７５ａ、１７５ｂ及び露出した半導体層の第１チャンネル部１５４ａ及び第２チャンネル部１５４ｂの上には保護膜１８０（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）が形成されている。保護膜１８０は窒化ケイ素と酸化ケイ素などの無機絶縁物で形成されてもよい。また、保護膜１８０は、表面が平坦な有機絶縁物で形成されてもよい。また、保護膜１８０は、無機絶縁物と有機絶縁物とを組み合わせて形成されてもよい。
【００５２】
保護膜１８０の上には有機膜２３０が位置する。有機膜２３０は、薄膜トランジスタが形成された位置以外の領域に配置される。本実施形態で、有機膜２３０は画素電極１９１の列方向に沿って長く伸びている。有機膜２３０はカラーフィルタであってもよく、カラーフィルタは赤色、緑色及び青色の三原色など基本色（ｐｒｉｍａｒｙ  ｃｏｌｏｒ）のうちの一つを表示することができる。しかし、赤色、緑色、及び青色の三原色に制限されず、青緑色（ｃｙａｎ）、赤紫色（ｍａｇｅｎｔａ）、イエロー（ｙｅｌｌｏｗ）、ホワイト系の色のうちの一つを表示することもできる。
【００５３】
隣接する有機膜２３０は、図２で示した横方向Ｄ及びこれと交差する縦方向に沿って離隔されてもよい。図３では横方向Ｄに沿って互いに離隔された有機膜２３０を示し、図４では縦方向に沿って互いに離隔された有機膜２３０を示す。
【００５４】
図３に示すように、横方向Ｄに沿って離隔された有機膜２３０の間に縦遮光部材２２０ｂが位置する。縦遮光部材２２０ｂは隣接する有機膜２３０それぞれの縁と重畳しており、縦遮光部材２２０ｂが有機膜２３０の両側縁と重畳する幅は実質的に同一である。
【００５５】
図４に示すように、縦方向に沿って離隔された有機膜２３０の間に横遮光部材２２０ａが位置する。横遮光部材２２０ａは隣接する有機膜２３０それぞれの縁と重畳しており、横遮光部材２２０ａが有機膜２３０の両側縁と重畳する幅は実質的に同一である。
【００５６】
横遮光部材２２０ａ及び縦遮光部材２２０ｂはブラックマトリックス（ｂｌａｃｋ  ｍａｔｒｉｘ）とも言い、光漏れを防止する。横遮光部材２２０ａ及び縦遮光部材２２０ｂと有機膜２３０の上に平坦化膜１８２を配置することができる。平坦化膜１８２は有機物質で形成され、下部に形成された様々な膜を平坦化する役割を果たすことができる。
【００５７】
平坦化膜１８２の上には画素電極１９１が位置する。画素電極１９１は接触孔１８５を通じて薄膜トランジスタの一端子であるドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと電気的に接続される。具体的に、第２画素ＰＸ２の画素電極１９１は第１ドレイン電極１７５ａと接続され、第３画素ＰＸ３の画素電極１９１は第２ドレイン電極１７５ｂと接続される。
【００５８】
各画素電極１９１は微細スリット電極で形成することができ、微細スリット電極の全体的な形態は四角形であり、横幹部１９１ａ及びこれと交差する縦幹部１９１ｂを含む十字型幹部を含む。また、横幹部１９１ａと縦幹部１９１ｂによって四つの副領域に分けられ、各副領域は複数の微細枝部１９１ｃを含む。
【００５９】
微細スリット電極の微細枝部１９１ｃのうちの一つは横幹部１９１ａまたは縦幹部１９１ｂから左側上方向に斜めに伸びており、他の一つの微細枝部１９１ｃは横幹部１９１ａまたは縦幹部１９１ｂから右側上方向に斜めに伸びている。また他の一つの微細枝部１９１ｃは横幹部１９１ａまたは縦幹部１９１ｂから左側下方向に伸びており、残り一つの微細枝部１９１ｃは横幹部１９１ａまたは縦幹部１９１ｂから右側下方向に斜めに伸びている。隣接する二つの副領域の微細枝部１９１ｃは互いに直交してもよい。図示していないが、微細枝部１９１ｃの幅は漸進的に広くなってもよい。
【００６０】
前述したドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの棒部は画素電極１９１の縦幹部１９１ｂに沿って長く形成されている。
【００６１】
本実施形態では保護膜１８０、有機膜２３０、平坦化膜１８２を貫通する接触孔１８５が形成されており、接触孔１８５を通じてドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと画素電極１９１が接続されている。本実施形態のように、接触孔１８５は画素電極１９１の横幹部１９１ａと縦幹部１９１ｂが交差する交差地点に形成してもよい。図２に示したように、ドレイン電極１７５ａ、１７５ｂの広い端部は横幹部１９１ａと縦幹部１９１ｂの交差地点と重畳し、この部分に接触孔１８５が形成されている。
【００６２】
隣接する副領域で液晶分子が傾く方向は互いに異なる。横幹部１９１ａと縦幹部１９１ｂは隣接する副領域が接する境界領域であり、このような境界領域は液晶分子が傾く方向が決定されない非透過部に該当する。したがって、本発明の実施形態によってドレイン電極１７５ａ、１７５ｂと接触孔１８５が画素領域ＰＸ内に形成されていても開口率減少を最少化することができる。
【００６３】
画素電極１９１の上にはマイクロキャビティ層４００が位置する。マイクロキャビティ層４００には液晶分子３１０を含む液晶物質が注入されており、マイクロキャビティ層４００は液晶注入口Ａを有する。マイクロキャビティ層４００は画素電極１９１の列方向、言い換えると縦方向に沿って形成されてもよい。液晶注入口Ａは第１ゲート線１２１ａに接続されている第２画素ＰＸ２のマイクロキャビティ層４００を露出させる第１液晶注入口Ａ１と第２ゲート線１２１ｂに接続されている第３画素ＰＸ３のマイクロキャビティ層４００を露出させる第２液晶注入口Ａ２を含む。
【００６４】
画素電極１９１の上には下部配向膜１１を形成することができ、マイクロキャビティ層４００の上に上部配向膜２２が位置する。
【００６５】
本実施形態で配向膜１１、２２を形成する配向物質と液晶分子３１０を含む液晶物質とは、例えば毛管力（ｃａｐｉｌｌａｒｙ  ｆｏｒｃｅ）などの安定した手法を利用してマイクロキャビティ層４００に注入されてもよい。
【００６６】
マイクロキャビティ層４００の上に共通電極２７０及び蓋膜２５０が位置する。共通電極２７０は共通電圧が印加され、データ電圧が印加された画素電極１９１と共に電場を生成し、二つの電極の間のマイクロキャビティ層４００に位置する液晶分子３１０が傾く方向を決定する。共通電極２７０は画素電極１９１とキャパシタを形成し、薄膜トランジスタがターンオフ（ｔｕｒｎ−ｏｆｆ）された後にも印加された電圧を維持する。蓋膜２５０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成することができる。
【００６７】
蓋膜２５０の上に支持部材（ｓｕｐｐｏｒｔｉｎｇ  ｍｅｍｂｅｒ）２６０が位置する。支持部材２６０はシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）またはフォトレジストまたはその他の有機物質を含むことができる。支持部材２６０がシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）を含む場合には化学気相蒸着法で形成することができ、フォトレジストを含む場合にはコーティング法で形成することができる。シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）は化学気相蒸着法で形成することができる膜の中で透過率が高く、膜ストレスも少なくて変形もしない長所がある。したがって、本実施形態で支持部材２６０をシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）で形成することによって光がよく透過し、安定な膜を形成することができる。
【００６８】
横遮光部材２２０ａの上にはマイクロキャビティ層４００、上部配向膜２１、共通電極２７０、蓋膜２５０及び支持部材２６０を貫通する溝ＧＲＶが形成されている。
【００６９】
図１乃至図５に示すように、マイクロキャビティ層４００はゲート線１２１ａ、１２１ｂと重畳する部分に位置する複数の溝ＧＲＶによって分けられ、ゲート線１２１ａが伸びている方向Ｄに沿って複数個形成されている。複数個形成された微細空間層４００それぞれは列方向に隣接した二つの画素領域ＰＸ１とＰＸ２、及び、ＰＸ３とＰＸ４に対応してもよく、二つの画素領域ＰＸ１とＰＸ２、及び、ＰＸ３とＰＸ４に対応するマイクロキャビティ層４００が列方向に複数個形成されてもよい。このとき、マイクロキャビティ層４００の間に形成された溝ＧＲＶは、互いに異なる画素行に接続された二つのゲート線１２１ａ、１２１ｂと重畳し、二つのゲート線１２１ａ、１２１ｂが伸びている方向Ｄに沿って位置する。
【００７０】
マイクロキャビティ層４００の液晶注入口Ａ１、Ａ２は溝ＧＲＶとマイクロキャビティ層４００の境界部分に対応する領域を形成する。液晶注入口Ａ１、Ａ２は溝ＧＲＶが伸びている方向に沿って形成されている。そして、ゲート線１２１ａ、１２１ｂが伸びている方向Ｄに隣接するマイクロキャビティ層４００の間に形成されたオープン部ＯＰＮは図３に示したように支持部材２６０によって覆われる。
【００７１】
マイクロキャビティ層４００に含まれている液晶注入口Ａ１、Ａ２は広くは上部配向膜２１と横遮光部材２２０ａの間に配置し、狭くは上部配向膜２１と下部配向膜１１の間に配置することができる。
【００７２】
本実施形態で溝ＧＲＶによって定義される液晶注入口Ａ１、Ａ２のうちの第１液晶注入口Ａ１は、第１ゲート線１２１ａに接続された第２画素ＰＸ２に対応するマイクロキャビティ層４００を露出させるように形成され、第２液晶注入口Ａ２は、第２ゲート線１２１ｂに接続された第３画素ＰＸ３に対応するマイクロキャビティ層４００を露出させるように形成されている。しかし、第１液晶注入口Ａ１及び第２液晶注入口Ａ２のうちのいずれか一つは省略されてもよい。
【００７３】
支持部材２６０の上に保護層２４０（ｐｒｏｔｅｃｔｉｎｇ  ｌａｙｅｒ）が位置する。保護膜２４０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成することができる。保護膜２４０の上にキャッピング膜２８０が位置する。キャッピング膜２８０は支持部材２６０の上部面及び側壁を覆い、キャッピング膜２８０は溝ＧＲＶによって露出されたマイクロキャビティ層４００の液晶注入口Ａ１、Ａ２を覆う。キャッピング膜２８０は熱硬化性樹脂、シリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）またはグラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）で形成することができる。
【００７４】
キャッピング膜２８０がグラフェンで形成される場合、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）はヘリウムなどを含むガスに対する耐透過性が強い特性を有するため、液晶注入口Ａ１、Ａ２を覆うキャッピング膜の役割を果たすことができ、炭素結合で形成された物質であるため液晶物質と接触しても液晶物質が汚染しない。さらに、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）は外部の酸素及び水分に対して液晶物質を保護する役割も果たすことができる。
【００７５】
本実施形態では、マイクロキャビティ層４００の液晶注入口Ａ１、Ａ２を通じて液晶物質を注入するため、別途上部基板を形成せず表示装置を形成することができる。
【００７６】
キャッピング膜２８０の上に無機膜または有機膜で形成されたオーバーコート膜（図示せず）を配置することができる。オーバーコート膜は外部衝撃からマイクロキャビティ層４００に注入された液晶分子３１０を保護し膜を平坦化させる役割を果たす。
【００７７】
以下、図１乃至図５と共に図６を参照して、本発明の他の一実施形態による表示装置について説明する。図６は本発明の他の一実施形態による表示装置を簡略に示した配置図である。
【００７８】
図６に示すように、本実施形態による表示装置は複数の画素ＰＸを含む画素領域と画素領域の周辺に形成されているダム（ｄａｍ）ＤＡＭを含む。また、液晶物質層が注入されるマイクロキャビティ層４００の間に形成されたオープン部ＯＰＮは、隣接した画素ＰＸ列の間に形成される。オープン部ＯＰＮは図３に示したように支持部材２６０によって覆われる。
【００７９】
本実施形態による表示装置の溝ＧＲＶは画素ＰＸ行の左側端Ｅ１と右側端Ｅ２とを接続するように延在している。したがって、製造工程中に溝ＧＲＶに滴下された液晶物質は溝ＧＲＶを通じて移動可能であり、液晶物質が複数の液晶注入口Ａを通じて注入される場合、複数の液晶注入口Ａに均一な量で注入できる。また、溝ＧＲＶに滴下された液晶物質が複数の液晶注入口Ａに注入された場合、液晶物質は溝ＧＲＶを通じて移動でき、ダムＤＡＭは液晶物質が周辺領域に流失するのを防止することができる。
【００８０】
また、図１乃至図５を参照して説明した実施形態による表示装置のように、本実施形態による表示装置の溝ＧＲＶは二つの画素ＰＸ行と隣接した二つの画素ＰＸ行との間、つまり、互いに隣接した二対の画素ＰＸ行の間に形成されている。また、本発明の実施形態による表示装置の液晶注入口Ａを定義する溝ＧＲＶは、二つのゲート線１２１ａ、１２１ｂと重畳するように形成されるため、表示装置の開口率を低下させずに、溝ＧＲＶの幅を広く形成することができる。したがって、表示装置の製造工程中の液晶物質を滴下する工程で、液晶物質を溝ＧＲＶ内に正確に滴下することができる。
【００８１】
ダムＤＡＭは図１乃至図５を参照して説明した実施形態による表示装置で説明した有機膜２３０、横遮光部材２２０ａ及び縦遮光部材２２０ｂ、支持部材２６０のうちの少なくとも一つを用いて形成することができる。
【００８２】
以下、図２乃至図５と共に、図７乃至図１６を参照して、本発明の一実施形態による表示装置の製造方法について説明する。図７乃至図１６は本発明の実施形態による表示装置の製造方法を示した断面図である。
【００８３】
図７及び図９は、本実施形態による表示装置の製造方法を示す、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿って切断した断面図であり、図８、図１０乃至図１２は、本実施形態による表示装置の製造方法を示す、図２のＩＶ−ＩＶ’線に沿って切断した断面図である。図１３乃至図１６は、本実施形態による表示装置の製造方法を示す、画素ＰＸ領域とダムＤＡＭ領域の一部を示した断面図である。
【００８４】
まず、図７及び図８に示すように、基板１１０の上にゲート電極１２４ａ、１２４ｂ、維持電極線１３１を形成し、その上にゲート絶縁膜１４０を形成し、半導体１５１、１５４ａ、１５４ｂを形成し、データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７５ａ、１７５ｂを形成する。データ導電体１７１、１７３ａ、１７３ｂ、１７５ａ、１７５ｂの上に保護膜１８０、有機膜２３０、遮光部材２２０ａ、２２０ｂ、そして平坦化膜１８２を形成する。
【００８５】
平坦化膜１８２の上に画素電極１９１を形成する。画素電極１９１の上にシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）またはフォトレジストを含む犠牲膜３００を形成する。犠牲膜３００はシリコンオキシカーバイド（ＳｉＯＣ）またはフォトレジストを除いた有機物質で形成することもできる。
【００８６】
図７に示したように、犠牲膜３００は隣接した二つの画素ＰＸ列の間に位置するオープン部ＯＰＮでは除去されている。
【００８７】
その後、図９及び図１０に示したように、犠牲膜３００の上に共通電極２７０、蓋膜２５０及び支持部材２６０を順次に形成する。共通電極２７０はＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明導電体で形成することができ、蓋膜２５０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成することができる。このとき、図１０に示したように、支持部材２６０をパターニングして遮光部材２２０ａと対応する部分の蓋膜２５０を露出させる溝ＧＲＶを形成する。支持部材２６０は、前で形成した犠牲膜３００と異なる物質で形成することができる。支持部材２６０の上に保護膜２４０を形成する。保護膜２４０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）で形成することができる。
【００８８】
その次に、図１１に示すように、溝ＧＲＶに対応する部分に位置する保護膜２４０、蓋膜２５０及び共通電極２７０を順次パターニングして犠牲膜３００を露出させる。このとき、溝ＧＲＶに対応する部分の犠牲膜３００の一部を除去することができる。
【００８９】
図１２に示すように、溝ＧＲＶを通じて犠牲膜３００をＯ２アッシング（Ａｓｈｉｎｇ）処理または湿式エッチング法などで除去する。このようにして、液晶注入口Ａ１、Ａ２を有するマイクロキャビティ層４００が形成される。ここで、マイクロキャビティ層４００は犠牲膜３００が除去されて空いた空間を指す。液晶注入口Ａ１、Ａ２はゲート線１２１ａ、１２１ｂと平行な方向に沿って形成することができる。
【００９０】
このとき、図１３に示すように、画素ＰＸ領域の周辺にダム用有機膜２３０Ｄ、ダム用遮光部材２２０Ｄ、ダム用支持部材層２６０Ｄを積層して、ダムＤＡＭを形成することができる。また、図１４に示すように、画素ＰＸ領域の周辺にダム用遮光部材２２０Ｄ、ダム用支持部材層２６０Ｄを積層して、ダムＤＡＭを形成することができる。また、図１５に示すように、画素ＰＸ領域の周辺にダム用有機膜２３０Ｄ及びダム用遮光部材２２０Ｄを積層して、ダムＤＡＭを形成することができる。また、図１６に示すように、画素ＰＸ領域の周辺にダム用支持部材層２６０Ｄを堆積して、ダムＤＡＭを形成することができる。
【００９１】
このように、ダムＤＡＭは画素ＰＸ領域に形成されている有機膜２３０、横遮光部材２２０ａ及び縦遮光部材２２０ｂ、支持部材２６０のうちの少なくとも一つを用いて形成することができる。
【００９２】
その後、溝ＧＲＶと液晶注入口Ａを通じて配向物質を注入して画素電極１９１及び共通電極２７０の上に配向膜１１、２１を形成する。液晶注入口Ａを通じて固形分と溶媒を含む配向物質を注入した後にベーク処理を行う。
【００９３】
その次に、溝ＧＲＶ及び液晶注入口Ａを通じてマイクロキャビティ層４００にインクジェット方法などを用いて液晶分子３１０を含む液晶物質を注入する。ここで、液晶注入口Ａは配向膜１１、２１が形成されているため最初に形成された液晶注入口に比べて若干大きさが縮小することがある。
【００９４】
このとき、本発明の実施形態による表示装置の溝ＧＲＶは画素ＰＸ行の左側端Ｅ１と右側端Ｅ２とを接続するように伸びていて、製造工程中に溝ＧＲＶに滴下された液晶物質は溝ＧＲＶを通じて移動可能である。したがって、液晶物質が複数の液晶注入口Ａを通じて注入される場合、液晶物質は複数の液晶注入口Ａに均一に分散される。また、溝ＧＲＶに滴下された液晶物質が複数の液晶注入口Ａに注入された場合、液晶物質は溝ＧＲＶを通じて移動でき、ダムＤＡＭは残った液晶物質が周辺領域に流失するのを防止することができる。
【００９５】
また、本実施形態による表示装置の溝ＧＲＶは、二つの画素ＰＸ行と隣接した二つの画素ＰＸ行との間、つまり、互いに隣接した二対の画素ＰＸ行の間に形成されている。また、本発明の実施形態による表示装置の液晶注入口Ａを定義する溝ＧＲＶは二つのゲート線１２１ａ、１２１ｂと重畳するように形成される。したがって、表示装置の開口率を低下させずに、溝ＧＲＶの幅を広く形成することができる。したがって、表示装置の製造工程中の液晶物質を滴下する工程で、液晶物質を溝ＧＲＶ内に正確に滴下することができる。
【００９６】
その後、図３乃至図５に図示したように、支持部材２６０の上部面及び側壁を覆うようにキャッピング膜２８０を形成する。このとき、キャッピング膜２８０は溝ＧＲＶによって露出したマイクロキャビティ層４００の第１及び第２液晶注入口Ａ１、Ａ２を覆う。
【００９７】
以下、図１７を参照して、本発明の他の一実施形態による表示装置について説明する。図１７は本発明の他の一実施形態による表示装置を簡略に示し配置図である。
【００９８】
本実施形態による表示装置によれば、溝ＧＲＶを挟んで隣接する二対の画素行、例えば、第１画素ＰＸ１及び第２画素ＰＸ２を含む第１対の画素行と、第３画素ＰＸ３及び第４画素ＰＸ４を含む第２対の画素行とを含む。前述したように、溝ＧＲＶは横遮光部材２２０ａである遮光部材ＢＭと重畳する。
【００９９】
図示してはいないが、遮光部材ＢＭは第１対の画素行の第２画素ＰＸ２と第２対の画素行の第３画素ＰＸ３を駆動するための、ゲート線、データ線、ゲート線及びデータ線に接続された薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタと画素電極を接続させるための接触孔と重畳していてもよい。
【０１００】
本実施形態による表示装置は３次元映像表現が可能である。３次元映像を表現する場合、信号制御部（図示せず）から３次元映像の入力を受ける。具体的に、３次元映像は画素行方向に交互に出力される左側映像と右側映像を含む。
【０１０１】
第１対の画素行のうちの前端画素行、つまり、第１画素ＰＸ１を含む画素行は第ｎ行の左側映像Ｌｎを表示し、第２対の画素行のうちの前端画素行、つまり、第３画素ＰＸ３を含む画素行は第ｎ行の右側映像Ｒｎを表示する。また、第１対の画素行のうちの後端画素行、つまり、第２画素ＰＸ２を含む画素行は第ｎ＋１行の左側映像Ｌｎ＋１を表示し、第２対の画素行のうちの後端画素行、つまり、第４画素ＰＸ４を含む画素行は第ｎ＋１行の右側映像Ｒｎ＋１を表示する。
【０１０２】
このように、空間分割方式で表示装置の画素行別に左側映像と右側映像を交互に表示する３次元映像表示方法において、左側映像は観察者の左側目で認識する映像であり、右側映像は観察者の右側目で認識する映像である。左側映像と右側映像が互いに影響を与えないように、左側映像が表示される画素行と右側映像が表示される画素行の間に遮光部材を形成する。
【０１０３】
各画素行に左側映像と右側映像が交互に表示される場合、遮光部材を各画素行の間に形成しなければならないため、表示装置の全体開口率が減少し、表示装置の解像度も低下する。
【０１０４】
しかし、本発明の実施形態による表示装置の場合、遮光部材ＢＭと重畳する溝ＧＲＶが二対の画素行の間に位置する。これによって、ブラックマトリックスによる開口率低下を防止しつつ、二対の画素行のうちの一対の画素行は左側映像を順次表示し、残り一対の画素行は右側映像を順次表示するパターン化リターダ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｒｅｔａｒｄｅｒ）を用いる３次元ディスプレイを実現することが可能である。
【０１０５】
前述したように、本発明の実施形態による表示装置は、二つずつ対をなして位置する二対のゲート線の間に一つの溝（ｇｒｏｏｖｅ）を形成することによって、表示装置の開口率を減少させずに溝の幅を広く形成することができ、液晶物質を液晶注入口に滴下するときの正確度を高めることができる。
【０１０６】
また、本発明の実施形態による表示装置は液晶注入口を定義する溝（ｇｒｏｏｖｅ）を一列に形成して、複数の液晶注入口に注入される液晶物質が溝を通じて移動可能にして液晶物質の量を調節することが容易である。また、溝が最外周画素まで接続し、表示領域の周辺にダム（ｄａｍ）を形成して、液晶注入口を通じて注入され残った液晶物質が最外周画素の周辺に流れ出すのを防止することができる。
【０１０７】
また、本発明の実施形態による表示装置は二つずつ対をなして位置する二対のゲート線の間に位置する溝と重畳する遮光部材を形成し、遮光部材を挟んで位置する二対の画素行のうちのいずれか一対の画素行は左側映像を表示し、残り一対の画素行は右側の映像を表示することによって、ブラックマトリックスによる開口率低下を防止しながらもパターン化リターダ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｒｅｔａｒｄｅｒ）を用いる３次元ディスプレイを実現することが可能である。
【０１０８】
以上、本発明の好ましい実施形態について詳細に説明したが、本発明の権利範囲はこれに限定されるのではなく、次の請求範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者の様々な変形及び改良形態も本発明の権利範囲に属するのである。
【符号の説明】
【０１０９】
１１０：基板
１９１：画素電極
２３０：有機膜
２２０ａ、２２０ｂ、ＢＭ：遮光部材
２４０：保護層
２５０：蓋膜
２６０：支持部材
２７０：共通電極
２８０：キャッピング膜
３００：犠牲膜
３１０：液晶分子
４００：マイクロキャビティ層
【図１】
2014134800.tif 000003
【図２】
2014134800.tif 000004
【図３】
2014134800.tif 000005
【図４】
2014134800.tif 000006
【図５】
2014134800.tif 000007
【図６】
2014134800.tif 000008
【図７】
2014134800.tif 000009
【図８】
2014134800.tif 000010
【図９】
2014134800.tif 000011
【図１０】
2014134800.tif 000012
【図１１】
2014134800.tif 000013
【図１２】
2014134800.tif 000014
【図１３】
2014134800.tif 000015
【図１４】
2014134800.tif 000016
【図１５】
2014134800.tif 000017
【図１６】
2014134800.tif 000018
【図１７】
2014134800.tif 000019