(57)【要約】【課題】ウィスカの発生が抑制され、高温環境下に曝されても良好なはんだ付け性及び低接触抵抗を保持し、且つ、端子・コネクタの挿入力が低い表面処理めっき材を提供する【解決手段】金属基材に、ＮｉまたはＮｉ合金めっき層、ＡｇまたはＡｇ合金めっき層、及び、ＳｎまたはＳｎ合金めっき層が順次形成されためっき材であって、前記ＳｎまたはＳｎ合金めっきの表面に付着するＳｉ元素の量が、Ｓｉ：１×１０-8〜６×１０-5mol/cm2である表面処理めっき材。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属基材に、ＮｉまたはＮｉ合金めっき層、ＡｇまたはＡｇ合金めっき層、及び、ＳｎまたはＳｎ合金めっき層が順次形成されためっき材であって、
前記ＳｎまたはＳｎ合金めっきの表面に付着するＳｉ元素の量が、
Ｓｉ：１×１０-8〜６×１０-5mol/cm2
である表面処理めっき材。
【請求項２】
ＮｉまたはＮｉ合金めっき層の硬さが１５０〜９００Ｈｖである請求項１に記載の表面処理めっき材。
【請求項３】
ＡｇまたはＡｇ合金めっき層の厚さが０．０３〜０．５μｍである請求項１または２に記載の表面処理めっき材。
【請求項４】
ＳｎまたはＳｎ合金めっき層の厚さが０．０２〜０．５μｍである請求項１〜３のいずれかに記載の表面処理めっき材。
【請求項５】
金属基材に、ＮｉまたはＮｉ合金めっき層、ＡｇまたはＡｇ合金めっき層、及び、ＳｎまたはＳｎ合金めっき層が順次形成されためっき材の前記ＳｎまたはＳｎ合金めっきの表面に、エポキシ系シランカップリング剤およびアミノ系シランカップリング剤の少なくとも１種を含有するシランカップリング液で表面処理する請求項１〜４のいずれかに記載の表面処理めっき材の製造方法。
【請求項６】
前記シランカップリング液による表面処理を、ＳｎまたはＳｎ合金めっきの表面にシランカップリング液を塗布することで行う請求項５に記載の表面処理めっき材の製造方法。
【請求項７】
請求項１〜４に記載の表面処理めっき材を用いた電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅又は銅合金あるいはステンレス等の金属基材の表面にめっきを施して作製された表面処理めっき材およびその製造方法に関する。また、本発明は当該表面処理めっき材を用いたコネクタ、端子、スイッチ及びリードフレーム等の電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、自動車、家電、ＯＡ機器等の各種電子機器に使用されるコネクタ・端子等の電子部品には、銅又は銅合金が母材として使用され、これらは防錆、耐食性向上、電気的特性向上といった機能向上を目的としてめっき処理がなされている。めっきにはＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｎ、Ｎｉ、半田及びＰｄ等の種類があるが、特にＳｎまたはＳｎ合金めっきを施したＳｎめっき材はコスト面、接触信頼性およびはんだ付け性等の観点からコネクタ、端子、スイッチ及びリードフレームのアウターリード部等に多用されている。
一方、ＳｎまたはＳｎ合金などのいわゆるＳｎ系めっき材では、ウィスカ発生の問題がある。ウィスカとはＳｎの針状結晶が成長したものであり、ＳｎやＺｎなど比較的低融点の金属に発生する。ウィスカは数十〜数百μｍの長さまで髭状に成長し、電気的な短絡を起こすことがあるため、その発生、成長の防止が望まれている。
さらに、Ｓｎ系めっきでは、高温環境下で接触抵抗が上昇し、またはんだ付け性が劣化するという問題がある。この問題を回避する方法としてＳｎ系めっきの厚さを厚くするという方法もあるが、この方法では後述の端子、コネクタの挿入力が増大するという問題が新たに発生する。
近年では、コネクタのピンの数が増え、これに伴うコネクタ挿入力の増加も問題になっている。自動車等のコネクタの組み立て作業は人手に頼ることが多く、挿入力の増大は作業者の手にかかる負担が大きくなるため、コネクタの低挿入力化が望まれているが、Ｓｎは端子の嵌合接続時の摩擦が大きく、コネクタの芯数が著しく増大すると強大な挿抜力が必要になる。
【０００３】
例えば、特許文献１には、Ｃｕ合金素材の表面にＮｉ、Ｃｏまたはこれらの合金からなる第１被覆層、ＡｇまたはＡｇ合金からなる第２被覆層、およびＳｎまたはＳｎ合金からなる被覆層を設ける発明が記載されている。
この発明では高温環境下での接触抵抗の劣化は少ないものの、ＳｎまたはＳｎ合金めっきからウィスカが発生する可能性がある。また、Ｓｎ系めっきが厚い場合にはコネクタ挿入力が高くなるという問題がある。
【０００４】
また、特許文献２には、銅合金等の端子の表面にＳｎめっきを施す際に、その膜厚を０．１〜０．３μｍと薄くすることによってみかけの硬度を高め、その結果としてＳｎめっきの凝着を抑制すると共に挿入力を低減する発明が記載されている。
この発明のようにＳｎめっきを薄くすることにより挿入力が低減され、またウィスカの発生も少なくなるが、一方、高温環境下あるいは室温で長時間めっきが放置されると、Ｓｎめっきの下地金属がＳｎの方に拡散して表面で酸化し、接触抵抗の上昇やはんだ付け性の劣化が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１−３０６５７４号公報
【特許文献２】特開平１１−１２１０７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
従来の、Ｎｉ下地またはＣｕ下地めっきの上にＳｎめっきを施しためっき材、あるいは、３層めっきにおいて、耐ウィスカ性を向上させさらに挿抜力を低減するには、Ｓｎめっき厚を薄くすればよいが、Ｓｎめっきの厚みが薄くなると今度は高温環境下で表層のＳｎが素材のＣｕ又は下地めっきのＮｉ及びＣｕと合金化して表層にＳｎが残存しなくなり、はんだ付け性や接触抵抗が劣化し、特に高温雰囲気中での劣化が顕著になるという問題がある。
そこで、本発明は、ウィスカの発生が抑制され、しかも高温環境下に曝されても良好なはんだ付け性及び低接触抵抗を保持し、且つ、端子・コネクタの挿入力が低い表面処理めっき材を提供することを課題とする。本発明は当該表面処理めっき材の製造方法を提供することを別の課題とする。本発明は当該表面処理めっき材を用いた電子部品を提供することを更に別の課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決すべく鋭意検討を重ねたところ、意外にも、Ｎｉ下地めっきの上にＡｇまたはＡｇ合金めっき、次にその上にＳｎまたはＳｎ合金めっきを施し、さらにその上に特定の液を用いて表面処理することにより、ウィスカの発生がなく、且つ、Ｓｎめっきが薄くても良好なはんだ付け性及び低接触抵抗を示す表面処理めっき材が得られることを見出した。しかも、該表面処理めっき材は表層ＳｎまたはＳｎ合金めっきを薄くすることができるため、端子として使用する場合の挿入力が低い。このような現象が生じることは従来の知見からは予想できないものである。
【０００８】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、金属基材に、ＮｉまたはＮｉ合金めっき層、ＡｇまたはＡｇ合金めっき層、及び、ＳｎまたはＳｎ合金めっき層が順次形成されためっき材であって、前記ＳｎまたはＳｎ合金めっきの表面に付着するＳｉ元素の量が、Ｓｉ：１×１０-8〜６×１０-5mol/cm2である表面処理めっき材である。
【０００９】
本発明の表面処理めっき材は一実施形態において、ＮｉまたはＮｉ合金めっき層の硬さが１５０〜９００Ｈｖである。
【００１０】
本発明の表面処理めっき材は別の一実施形態において、ＡｇまたはＡｇ合金めっき層の厚さが０．０３〜０．５μｍである。
【００１１】
本発明の表面処理めっき材は更に別の一実施形態において、ＳｎまたはＳｎ合金めっき層の厚さが０．０２〜０．５μｍである。
【００１２】
本発明は別の一側面において、金属基材に、ＮｉまたはＮｉ合金めっき層、ＡｇまたはＡｇ合金めっき層、及び、ＳｎまたはＳｎ合金めっき層が順次形成されためっき材の前記ＳｎまたはＳｎ合金めっきの表面に、エポキシ系シランカップリング剤およびアミノ系シランカップリング剤の少なくとも１種を含有するシランカップリング液で表面処理する請求項１〜４のいずれかに記載の表面処理めっき材の製造方法である。
【００１３】
本発明の表面処理めっき材の製造方法は一実施形態において、前記シランカップリング液による表面処理を、ＳｎまたはＳｎ合金めっきの表面にシランカップリング液を塗布することで行う。
【００１４】
本発明は更に別の一側面において、本発明の表面処理めっき材を用いた電子部品である。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、ウィスカの発生が抑制され、しかも高温環境下に曝されても良好なはんだ付け性及び低接触抵抗を保持し、且つ、端子・コネクタの挿入力が低い表面処理めっき材を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】実施例８に係る試料のＸＰＳ（Ｘ線光電子分光）のＳｕｒｖｅｙ測定結果である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態に係る表面処理めっき材について説明する。
＜めっき素材＞
めっき素材（金属基材）として銅又は銅合金を使用することができる。当該銅又は銅合金は、コネクタや端子等の電子部品に使われる母材として公知である任意の銅又は銅合金としてよいが、電気・電子機器の接続端子等に用いられることを考慮すれば、電気伝導率の高いもの（例えば、ＩＡＣＳ（Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ  Ａｎｎｅｉｌｄ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｓｔａｎｄｅｒｄ：国際標準軟銅の導電率を１００としたときの値）が１５〜８０％程度）を用いるのが好ましく、例えばＣｕ−Ｓｎ−Ｐ系（例えば燐青銅）、Ｃｕ−Ｚｎ系（例えば黄銅、丹銅）、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｚｎ系（例えば洋白）、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ系（コルソン合金）、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｐ系合金などが挙げられる。一方、銅または銅合金以外のめっき素材としてＳＵＳ３０１、ＳＵＳ３０４、ＳＵＳ３１６のようなステンレス鋼も使用することができる。また、母材の形状には特に制限はないが、一般には板、条、プレス品などの形態として提供され、前めっき及び後めっきの何れでも構わない。
【００１８】
＜下地ＮｉまたはＮｉ合金めっき＞
下地めっき層は、めっき素材表面に形成され、本発明ではＮｉまたはＮｉ合金めっきが下地めっき層として施される。下地めっき層のＮｉまたはＮｉ合金めっきは、素材から上層のＡｇまたはＡｇ合金めっき、さらにその上のＳｎまたはＳｎ合金めっきへのＣｕや合金元素の拡散を防止するバリアとなる。素材成分のＣｕは上層ＡｇやＳｎと相互拡散し、経時的にＣｕ−ＡｇやＣｕ−Ｓｎ合金を生成するが、これらがめっき最表面にまで達して酸化すると、はんだ付け性や接触抵抗が劣化する。
Ｎｉめっきとしては、例えばワット浴やスルファミン酸浴を用いた無光沢Ｎｉめっき、無光沢めっき浴に光沢剤を添加した半光沢、光沢Ｎｉめっきを用いることができる。一方、Ｎｉ合金めっきとしては、Ｎｉ−Ｐ、Ｎｉ−Ｃｏ、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｃｒ、Ｎｉ−Ｂめっきなどが利用できる。Ｎｉ合金めっきは、ワット浴やスルファミン酸浴に亜リン酸や硫酸コバルトなどを添加して電気めっきすればよい。
下地めっき層の厚さは、通常０．１μｍ〜５μｍ、好ましくは０．５〜２．５μｍになるように形成する。下地めっき層の厚さが０．１μｍ未満だと拡散防止効果が充分に得られず、５μｍを超えると曲げ加工性の劣化が顕著となるからである。
ＮｉまたはＮｉ合金めっき層の硬さは、好ましくは１５０〜９００Ｈｖ、より好ましくは２００〜６００Ｈｖになるようにめっきする。硬さが１５０Ｈｖ未満ではコネクタ挿入時に接点がめっき素材の方に食込みやすくなり、挿入力が大きくなる。一方、硬さが９００Ｈｖを超えると、めっき材を曲げ加工した際にめっきが割れるなどの不具合が生じやすくなる。めっき硬さの調整法は、例えばＮｉめっきの場合には有機系光沢剤添加量を変えて行い、Ｎｉ合金めっきの場合には合金元素の添加量を変えて電気めっきすればよい。
【００１９】
＜中間ＡｇまたはＡｇ合金めっき＞
本発明では中間層のめっきとして下地めっきの上にＡｇまたはＡｇ合金めっきが施される。このめっきの役割は、下地のＮｉめっきが表層のＳｎまたはＳｎ合金めっきに拡散することを防止し、はんだ付け性や接触抵抗の劣化を抑えることである。Ａｇ自体ははんだ付け性や接触抵抗が良好なため、後述するようにＡｇまたはＡｇ合金めっき層は、表層のＳｎまたはＳｎ合金めっき層とともに、本めっき材のはんだ付け性等を向上させることを目的として形成する。
ＡｇまたはＡｇめっきの厚さは好ましくは０．０３〜０．５μｍ、より好ましくは０．０５〜０．３μｍである。めっき厚さが０．０３μｍ未満では下地のＮｉが表層のＳｎまたはＳｎ合金めっき層に拡散してはんだ濡れ性などを劣化させる。一方、めっき厚さが０．５μｍを超える場合には、Ｎｉ拡散防止効果が飽和する一方で製造コストが上昇し不経済である。
Ａｇめっきは、工業的に一般的に用いられているシアン浴などを用いた電気めっきにより形成される。Ａｇめっき浴には光沢剤としてＳｅ（セレン）やＳｂ（アンチモン）化合物を添加し、半光沢Ａｇめっき、光沢Ａｇめっきを形成してもよい。
Ａｇ合金めっきとしては、Ａｇ−Ａｕ、Ａｇ−Ｐｔ、Ａｇ−Ｐｄ、Ａｇ−Ｓｎめっきなどが利用できる。これらのめっきは、Ａｇめっき浴に合金元素のシアン化物などを添加して電気めっきし、めっき層を形成する。
【００２０】
＜表層ＳｎまたはＳｎ合金めっき＞
ＡｇまたはＡｇ合金めっきの上に、表層めっきとしてＳｎまたはＳｎ合金めっきを施す。ウィスカの発生と成長はＳｎまたはＳｎ合金めっきの厚さに依存し、めっきが薄いほどウィスカは発生しにくくなる。さらに、ＳｎまたはＳｎ合金めっき厚を薄くすると、コネクタの挿入力が低くなるという利点もある。ただし、ＳｎまたはＳｎ合金めっきを薄くするとはんだ付け性や接触抵抗が悪くなるため、単純にめっき厚を薄くするとはできない。耐ウィスカ性とはんだ付け性等を両立させるために、本発明ではＳｎまたはＳｎ合金めっきの下にＡｇまたはＡｇ合金めっきを所定の厚さで形成する。ＳｎまたはＳｎ合金めっきの役割は、はんだ付け性と低接触抵抗を材料に付与することと、中間層のＡｇまたはＡｇ合金めっきの硫化を防止することである。
ＳｎまたはＳｎ合金めっきの厚さは好ましくは０．０２〜０．５μｍであり、より好ましくは０．０３〜０．３μｍである。ＳｎまたはＳｎ合金めっきの厚さが０．０２μｍ未満では中間層のＡｇまたはＡｇ合金めっきが硫化しやすく、一方、ＳｎまたはＳｎ合金めっきの厚さが０．５μｍを超えるとウィスカが発生し、またコネクタ挿入力が高くなる。
Ｓｎめっきは、それ自体公知の方法により行うことができるが、例えば有機酸浴（例えば、フェノールスルホン酸浴、アルカンスルホン酸浴及びアルカノールスルホン酸浴）、硫酸浴、ピロリン酸浴等の酸性浴、或いはカリウム浴やナトリウム浴等のアルカリ浴を用いて電気めっきすることができる。
Ｓｎ合金めっきとしては、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｉｎ、Ｓｎ−Ｂｉ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｐｂなどが利用できる。これらの合金めっきは、上記のＳｎめっき浴にＡｇやＩｎ、Ｂｉなどの塩を添加した浴を用い、電気めっきを行ってめっき層を形成する。
本発明では、ＳｎまたはＳｎ合金めっきを施した後にリフロー処理を行うこともできる。リフロー処理とは、めっき材をＳｎの融点（２３２℃）以上に加熱してＳｎまたはＳｎ合金を溶融させ、短時間加熱（３〜２０秒）後にめっき材を冷却する方法である。リフロー処理を行うことにより、例えば中間層のＡｇと表層のＳｎの一部または全部が合金化し、表層にＳｎ−Ａｇ合金層が形成される。Ｓｎ−Ａｇ合金層は、Ｓｎ層と同等以上の良好なはんだ付け性、低接触抵抗を有する。
【００２１】
本発明では、ＳｎまたはＳｎ合金めっきを行った後に、めっき材の表面処理を行い、めっき表面に付着するＳｉ元素の量が特定の範囲をみたすように処理を行う。この範囲は、Ｓｉ：１×１０-8〜６×１０-5mol/cm2である。当該表面処理に使用する処理液および方法については特に規定がないが、後述のようにシランカップリング液を使用した処理が望ましい。
【００２２】
＜後処理工程（シランカップリング液）＞
本発明に係るめっき後処理（表面処理）は、めっき材のＳｎまたはＳｎ合金めっき層表面を、シランカップリング剤を含有する水溶液またはアルコール溶液（シランカップリング液とよぶ）で処理することが望ましい。本発明に係るシランカップリング剤の種類としては特に規定はないが、有機官能基にエポキシ基またはアミノ基をもつものは金属材料への吸着性が高く、より高い潤滑性などが得られる。このため、当該表面処理液としては、エポキシ系シランカップリング剤およびアミノ系シランカップリング剤の少なくとも１種を含有するシランカップリング液を用いるのが好ましい。
【００２３】
上記シランカップリング剤成分はめっき表面に付着して潤滑性を付与し、また高温環境下での接触抵抗の上昇を抑えるという機能を果たす。
本発明ではめっき材を後処理後に最表層のＳｎまたはＳｎ合金めっき表面に付着するＳｉ元素の量を、Ｓｉ：１×１０-8〜６×１０-5mol/cm2と規定する。Ｓｉ元素の付着量が下限未満であると潤滑性が悪くなり、Ｓｉ元素の付着量が上限を超えると接触抵抗の上昇などの不具合が発生する。
表面処理液中の前記シランカップリング剤の濃度は、特に制限されるものではないが、潤滑性付与とコストの観点から表面処理液全体の体積に対して、０．１ｇ〜１０ｇ／Ｌ好ましくは０．３〜７ｇ／Ｌの濃度である。
処理の方法としては、エポキシ系シランカップリング剤およびアミノ系シランカップリング剤の少なくとも１種を含有するシランカップリング液を用い、スプレーコーティング、フローコーティング、ディップコーティング、ロールコーティング等の方法でめっき材に塗布する。シランカップリング液の温度は処理後の乾燥処理の観点から、３０〜８０℃、好ましくは５０〜７０℃である。
当該シランカップリング液による表面処理は、ＳｎまたはＳｎ合金めっきを施した後、あるいはＳｎまたはＳｎ合金めっき後のリフロー処理の後のどちらで実施しても構わない。また表面処理に時間的制約は特にないが、工業的観点からは一連の工程で行うのが好ましい。
【００２４】
本発明に係る表面処理めっき材は、コネクタ、オス端子、メス端子、プレスフィット端子、圧着端子、スイッチ及びリードフレーム等の電子部品への利用に適している。先述したように、プレス加工等によって所望の形状に銅又は銅合金を加工した後に本発明に係るＳｎめっきを施してもよいし、加工前に本発明に係るめっきを施してもよい。本発明に係る表面処理めっき材を利用した電子部品ではウィスカの発生が抑制され、またはんだ付け性が良好で高温環境下での接触抵抗の劣化が少なく、且つ端子等の嵌合部材へ適用すると挿入力がより低くなるという優れた特性を示す。
【実施例】
【００２５】
以下、本発明の実施例を示すが、これらは本発明をより良く理解するために提供するものであり、本発明が限定されることを意図するものではない。
【００２６】
（表面処理めっき材の作製）
幅５０ｍｍ、長さ１００ｍｍ、厚み０．６４ｍｍの黄銅板をめっき素材（金属基材）として用い、まず市販の脱脂液を用いて電解脱脂を行い、続いて硫酸水溶液を用いて酸洗を行った。
次に、下地めっきとして、ＮｉまたはＮｉ合金めっきを行った。めっき液としてスルファミン酸をベースとして液を使用し、めっき液に光沢剤（サッカリン、ブチンジオール）を添加してめっき皮膜の硬さを調整した。
中間層のＡｇまたはＡｇ合金めっきは、シアン化カリウムにシアン化銀カリウムを添加した液をベースに、各種合金元素のシアン化化合物を添加してめっき処理を行った。
表層のＳｎまたはＳｎ合金めっきは、メタンスルホン酸、メタンスルホン酸錫、非イオン系界面活性剤をベールとしためっき液を使用し、各種元素の硫酸塩を添加してＳｎ合金めっきを作製した。
続いて、表面処理液としてシランカップリング液を用いて、浸漬による塗布を行い、めっき表面に表面処理を行った。この処理の後に、試料を温風により乾燥した。めっき表面に付着するＳｉの量は、まず付着量既知の試料を数種類準備してＸＰＳで測定し、定性分析を実施する。分析結果例（実施例８）を図１に示す。この結果からＳｉの検出強度を読み取って、付着量と検出強度の関係を得る。この関係を元に未知の試料の表面に付着したＳｉ付着量を得ることができる。
【００２７】
（各特性の測定方法）
各特性は以下の方法によって測定した。
（１）各めっき層の厚み
下地ＮｉまたはＮｉ合金めっき、中間ＡｇまたはＡｇ合金めっき、表層ＳｎまたはＳｎ合金めっき層の厚みは、蛍光Ｘ線膜厚計（セイコー電子工業製ＳＦＴ−５１００）を使用して測定した。分析は各試料片につき３箇所に対して行い、その平均値を測定値とした。
【００２８】
（２）めっき皮膜硬さ測定
下地ＮｉまたはＮｉ合金めっき層の硬さは微小硬度計（松沢精機製ＭＸＴ５０）を用い、圧子荷重１０ｇの条件で硬さ測定を行った。
【００２９】
（３）接触抵抗
山崎精機製接点シミュレーターＣＲＳ−１を使用し、接点荷重５０ｇ、電流２００ｍＡの条件で４端子法にて測定した。評価は１５５℃、１６時間大気加熱前後で行った。
【００３０】
（４）はんだ付け性
ソルダーチェッカ（レスカ社製ＳＡＴ−５０００）を使用し、フラックスとしてロジン−アルコール溶液フラックスを用い、メニスコグラフ法にてはんだ濡れ時間を測定した。はんだ浴としてＳｎ−３Ａｇ−０．５Ｃｕ（浴温度２５０℃）を用いた。評価は１５５℃、１６時間大気加熱前後で行った。
【００３１】
（５）ウィスカ評価方法
ウィスカの評価は、Ｓｎめっき表面に圧子（直径１ｍｍのジルコニア球）を接触させ、１．５Ｎの荷重をかけて１６８時間室温で、空気雰囲気中に放置させ、試料を取り出しＳＥＭでその表面を観察し、ウィスカの最大長さを測定した。
【００３２】
（６）動摩擦係数
測定装置として薪東科学株式会社製ＨＥＩＤＥＮ−１４型を使用し、圧子荷重５００ｇの条件で測定した。動摩擦係数を測定することにより、端子、コネクタの挿入力を見積ることができる。
【００３３】
（７）耐硫化試験
試験装置として山崎精機製ガス腐食試験機ＧＡ１８０を用い、Ｈ2Ｓ濃度３ｐｐｍ、４０℃、８０％、９６時間の条件で試験を実施し、めっき表面を観察し変色の有無を確認した。
本実施例および比較例で作製しためっき試料の仕様、および、評価結果を表１〜２に示す。
【００３４】
【表１】
2014084476.tif 000003
＊）Ｓｎめっき後に２８０℃で５秒間リフロー処理し、続いてシランカップリング液処理（実施例５）
Ｃ１：３−（２−アミノエチル）アミノプロピルトリエトキシシラン
Ｃ２：３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン
【００３５】
【表２】
2014084476.tif 000004
【００３６】
表から明らかなように、本発明の実施例１〜８の表面処理めっき材は、いずれもウィスカの発生が無いか、発生したとしてもごく短い（長さ１０μｍ）ものであった。接触抵抗は初期および高温加熱後でその値が低く、同様にはんだ付け性も加熱前後で良好であった。さらに、動摩擦係数も小さい値となっており、コネクタ挿入力が低くなることが確認された。
これに対し、比較例１〜３では、接触抵抗が高い、はんだ付け性が悪い、ウィスカが発生しその長さが長い、動摩擦係数が高い、硫化試験後に変色する、などの不具合が確認された。
【図１】
2014084476.tif 000005