(57)【要約】【課題】複数のマイクロ波放射部からマイクロ波を放射して表面波プラズマを生成する際に、プラズマの広がりを確保して均一な表面波プラズマを形成することができるプラズマ処理装置を提供すること。【解決手段】プラズマ処理装置は、被処理基板を収容するチャンバ１と、チャンバ１内にガスを供給するガス供給機構２５，２７と、それぞれ、チャンバ１の天壁１２の一部を構成するように設けられたマイクロ波透過窓として機能する誘電体部材１１０を有し、誘電体部材１１０を透過してチャンバ１内へマイクロ波を放射する複数のマイクロ波放射部４１と、天壁１２の下面側に、複数のマイクロ波放射部４１の配置領域を包含して天壁１２を覆うように設けられた誘電体板１１１とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被処理基板を収容するチャンバと、
前記チャンバ内にガスを供給するガス供給機構と、
それぞれ、前記チャンバの天壁の一部を構成するように設けられたマイクロ波透過窓として機能する誘電体部材を有し、該誘電体部材を透過して前記チャンバ内へマイクロ波を放射する複数のマイクロ波放射部と、
前記天壁の下面側に、前記複数のマイクロ波放射部の配置領域を包含して前記天壁を覆うように設けられた誘電体板と、
前記チャンバ内を排気する排気機構と
を具備することを特徴とするプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記天壁は、前記マイクロ波放射部の誘電体部材と、誘電体部材が嵌め込まれる金属部材とを有することを特徴とする請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記誘電体板は、前記複数のマイクロ波放射部の配置領域の全体を覆う一枚板として構成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
前記誘電体板は、前記誘電体部材に対応する位置に、前記誘電体部材の下面が前記チャンバに露出するように誘電体部材挿入孔が形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
前記誘電体板内のマイクロ波の実効波長をλｇとしたとき、前記マイクロ波放射部の中心どうしの間隔がλｇ／２の整数倍であり、前記マイクロ波放射部の中心と前記誘電体板の端部との距離がλｇ／２またはそれ以上であることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記誘電体板内のマイクロ波の実効波長をλｇとしたとき、前記マイクロ波放射部が、それらの中心どうしの間隔がλｇ／２の整数倍の位置にあり、かつ、前記マイクロ波放射部のうち前記誘電体板の端部近傍にあるものの中心と前記誘電体板の端部との距離がλｇ／２より小さい場合に、前記誘電体板の端部に、その下端と、前記マイクロ波放射部のうち前記誘電体板の端部近傍にあるものの中心との距離がλｇ／２またはそれ以上となるように下方へ折り曲げてなる折り曲げ部を形成することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記誘電体板内のマイクロ波の実効波長をλｇとしたとき、前記誘電体板の厚さは、λｇ／２００〜λｇ／２０であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波による表面波プラズマにより処理を行うプラズマ処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理は、半導体デバイスの製造に不可欠な技術であるが、近時、ＬＳＩの高集積化、高速化の要請からＬＳＩを構成する半導体素子のデザインルールが益々微細化され、また、半導体ウエハが大型化されており、それにともなって、プラズマ処理装置においてもこのような微細化および大型化に対応するものが求められている。
【０００３】
ところが、従来から多用されてきた平行平板型や誘導結合型のプラズマ処理装置では、生成されるプラズマの電子温度が高いため微細素子にプラズマダメージが生じてしまい、また、プラズマ密度の高い領域が限定されるため、大型の半導体ウエハを均一かつ高速にプラズマ処理することは困難である。
【０００４】
そこで、高密度で低電子温度の表面波プラズマを均一に形成することができるＲＬＳＡ（Radial  Line  Slot  Antenna）マイクロ波プラズマ処理装置が注目されている（例えば特許文献１）。
【０００５】
ＲＬＳＡマイクロ波プラズマ処理装置は、表面波プラズマ発生用のアンテナとしてチャンバの上部に所定のパターンで複数のスロットが形成された平面スロットアンテナであるラジアルラインスロットアンテナ（Radial  Line  Slot  Antenna）を設け、マイクロ波発生源から導かれたマイクロ波を、アンテナのスロットから放射させるとともに、その下に設けられた誘電体からなるマイクロ波透過板を介して真空に保持されたチャンバ内に放射し、このマイクロ波電界によりチャンバ内で表面波プラズマを生成し、これにより半導体ウエハ等の被処理体を処理するものである。
【０００６】
しかし、このようなＲＬＳＡマイクロ波プラズマ装置において、プラズマ分布を調整する場合、スロット形状およびパターン等が異なる複数のアンテナを用意しておき、アンテナを交換する必要があり、極めて煩雑である。
【０００７】
これに対し、特許文献２には、マイクロ波を複数に分配し、複数のマイクロ波放射部を介してマイクロ波をチャンバ内に放射し、チャンバ内空間でマイクロ波を合成するマイクロ波プラズマ源が開示されている。
【０００８】
このように複数のマイクロ波放射部を用いてマイクロ波を空間合成することにより、各マイクロ波放射部のアンテナから放射されるマイクロ波の位相や強度を独立して制御してプラズマ分布を調整することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０００−２９４５５０号公報
【特許文献２】国際公開第２００８／０１３１１２号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ところで、特許文献２では、チャンバの天壁に各マイクロ波放射部毎に誘電体からなるマイクロ波透過窓を設け、このマイクロ波透過窓を介してチャンバ内にマイクロ波を放射しているが、このような構成の場合、プラズマが十分に広がらず、プラズマの均一性が不十分になる可能性があることが判明した。
【００１１】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものであって、複数のマイクロ波放射部からマイクロ波を放射して表面波プラズマを生成する際に、プラズマの広がりを確保して均一な表面波プラズマを形成することができるプラズマ処理装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため、本発明は、被処理基板を収容するチャンバと、前記チャンバ内にガスを供給するガス供給機構と、それぞれ、前記チャンバの天壁の一部を構成するように設けられたマイクロ波透過窓として機能する誘電体部材を有し、該誘電体部材を透過して前記チャンバ内へマイクロ波を放射する複数のマイクロ波放射部と、前記天壁の下面側に、前記複数のマイクロ波放射部の配置領域を包含して前記天壁を覆うように設けられた誘電体板と、前記チャンバ内を排気する排気機構とを具備することを特徴とするプラズマ処理装置を提供する。
【００１３】
本発明において、前記天壁は、前記マイクロ波放射部の誘電体部材と、誘電体部材が嵌め込まれる金属部材とを有する構成とすることができる。また、前記誘電体板は、前記複数のマイクロ波放射部の配置領域の全体を覆う一枚板として構成されていてもよいし、前記誘電体部材に対応する位置に、前記誘電体部材の下面が前記チャンバに露出するように誘電体部材挿入孔が形成されていてもよい。
【００１４】
また、前記誘電体板内のマイクロ波の実効波長をλｇとしたとき、前記マイクロ波放射部の中心どうしの間隔がλｇ／２の整数倍であり、前記マイクロ波放射部の中心と前記誘電体板の端部との距離がλｇ／２またはそれ以上である構成とすることが好ましい。また、前記誘電体板内のマイクロ波の実効波長をλｇとしたとき、前記マイクロ波放射部が、それらの中心どうしの間隔がλｇ／２の整数倍の位置にあり、かつ、前記マイクロ波放射部のうち前記誘電体板の端部近傍にあるものの中心と前記誘電体板の端部との距離がλｇ／２より小さい場合に、前記誘電体板の端部に、その下端と、前記マイクロ波放射部のうち前記誘電体板の端部近傍にあるものの中心との距離がλｇ／２またはそれ以上となるように下方へ折り曲げてなる折り曲げ部を形成する構成とすることができる。
【００１５】
さらに、前記誘電体板内のマイクロ波の実効波長をλｇとしたとき、前記誘電体板の厚さは、λｇ／２００〜λｇ／２０であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、チャンバの天壁の一部を構成するように設けられたマイクロ波透過窓として機能する誘電体部材を有する複数のマイクロ波放射部の配置領域を包含して前記天壁を覆うように誘電体板を設けるので、天壁の金属部分に相当する領域へも表面波プラズマを広げることができ、均一なプラズマを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】図１のプラズマ処理装置に用いられるマイクロ波プラズマ源の構成を示す構成図である。
【図３】マイクロ波プラズマ源におけるマイクロ波供給部を模式的に示す平面図である。
【図４】マイクロ波プラズマ源に用いられるマイクロ波放射機構を示す縦断面図である。
【図５】マイクロ波放射機構の給電機構を示す図４のＡＡ′線による横断面図である。
【図６】チューナにおけるスラグと滑り部材を示す図４のＢＢ′線による横断面図である。
【図７】誘電体部材と蓋体（金属）とでのプラズマのシース厚さの違いを示す図である。
【図８】蓋体の対応部分に誘電体板を設けた場合のプラズマのシース厚を示す図である。
【図９】干渉を生じないマイクロ波放射機構の配置を示す図である。
【図１０】干渉の有無を把握するための電磁波解析を用いたシミュレーションを説明するためのマイクロ波照射機構の配置Ｐ１〜Ｐ７を示す図である。
【図１１】隣接するマイクロ波放射機構どうしの距離およびマイクロ波放射機構の中心と誘電体板の端部との距離の両方が同時にはｎ×λｇ／２とならない大きさの誘電体板を用いた場合のＰ１とＰ７の中心間の距離Ｘｍｍを説明する図、およびＸと｜Ｓ２１｜、｜Ｓ２３｜の値との関係を示す図である。
【図１２】図１１の誘電体板を拡大した場合の拡大した半径ΔＬ１（ｍｍ）を説明する図、およびΔＬ１と｜Ｓ２１｜、｜Ｓ２３｜の値との関係を示す図である。
【図１３】誘電体板１１１に折り曲げ部を形成した例を示す断面図である。
【図１４】図１１の誘電体板に折り曲げ部を形成した場合の折り曲げ部の長さΔＬ２（ｍｍ）と｜Ｓ２１｜、｜Ｓ２３｜の値との関係を示す図である。
【図１５】誘電体板の他の例を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、添付図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１９】
＜プラズマ処理装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係るプラズマ処理装置の概略構成を示す断面図であり、図２は図１のプラズマ処理装置に用いられるマイクロ波プラズマ源の構成を示す構成図、図３はマイクロ波プラズマ源におけるマイクロ波供給部を模式的に示す平面図、図４はマイクロ波プラズマ源におけるマイクロ波放射機構を示す断面図、図５はマイクロ波放射機構の給電機構を示す図４のＡＡ′線による横断面図、図６はチューナにおけるスラグと滑り部材を示す図４のＢＢ′線による横断面図である。
【００２０】
プラズマ処理装置１００は、ウエハに対してプラズマ処理、例えばプラズマエッチング処理を施すものである。プラズマ処理としては他に、プラズマ酸化処理やプラズマ窒化処理、さらにはプラズマＣＶＤや改質処理を挙げることができる。
【００２１】
プラズマ処理装置１００は、気密に構成されたアルミニウムまたはステンレス鋼等の金属材料からなる略円筒状をなす接地されたチャンバ１と、チャンバ１内にマイクロ波プラズマを形成するためのマイクロ波プラズマ源２とを有している。チャンバ１の上部には開口部１ａが形成されており、この開口部１ａには円板状をなす蓋体１０を介してチャンバ１の内部に臨むようにマイクロ波プラズマ源２が設けられている。蓋体１０は、アルミニウム等の金属製であり、チャンバ１の上部に設けられた支持リング２９により支持されており、支持リング２９と蓋体１０との間はシールリング（図示せず）により気密にシールされている。
【００２２】
チャンバ１内には被処理体である半導体ウエハＷ（以下ウエハＷと記述する）を水平に支持するためのサセプタ１１が、チャンバ１の底部中央に絶縁部材１２ａを介して立設された筒状の支持部材１２により支持された状態で設けられている。サセプタ１１および支持部材１２を構成する材料としては、表面をアルマイト処理（陽極酸化処理）したアルミニウム等が例示される。
【００２３】
また、図示はしていないが、サセプタ１１には、ウエハＷを静電吸着するための静電チャック、温度制御機構、ウエハＷの裏面に熱伝達用のガスを供給するガス流路、およびウエハＷを搬送するために昇降する昇降ピン等が設けられている。さらに、サセプタ１１には、整合器１３を介して高周波バイアス電源１４が電気的に接続されている。この高周波バイアス電源１４からサセプタ１１に高周波電力が供給されることにより、ウエハＷ側にプラズマ中のイオンが引き込まれる。
【００２４】
チャンバ１の底部には排気管１５が接続されており、この排気管１５には真空ポンプを含む排気装置１６が接続されている。そしてこの排気装置１６を作動させることによりチャンバ１内が排気され、チャンバ１内が所定の真空度まで高速に減圧することが可能となっている。また、チャンバ１の側壁には、ウエハＷの搬入出を行うための搬入出口１７と、この搬入出口１７を開閉するゲートバルブ１８とが設けられている。
【００２５】
チャンバ１内のサセプタ１１の上方位置には、プラズマエッチングのための処理ガスをウエハＷに向けて吐出するシャワープレート２０が水平に設けられている。このシャワープレート２０は、格子状に形成されたガス流路２１と、このガス流路２１に形成された多数のガス吐出孔２２とを有しており、格子状のガス流路２１の間は空間部２３となっている。このシャワープレート２０のガス流路２１にはチャンバ１の外側に延びる配管２４が接続されており、この配管２４には処理ガス供給源２５が接続されており、シャワープレート２０、配管２４、および処理ガス供給源２５は処理ガス用のガス供給機構を構成している。
【００２６】
一方、チャンバ１のシャワープレート２０の上方位置には、リング状のプラズマガス導入部材２６がチャンバ壁に沿って設けられており、このプラズマガス導入部材２６には内周に多数のガス吐出孔が設けられている。このプラズマガス導入部材２６には、プラズマガスを供給するプラズマガス供給源２７が配管２８を介して接続されており、プラズマガス導入部材２６、配管２８、およびプラズマガス供給源２７はプラズマガス用のガス供給機構を構成している。プラズマ生成ガスとしてはＡｒガスなどが好適に用いられる。処理ガスとしては、通常用いられるエッチングガス、例えばＣｌ２ガス等を用いることができる。
【００２７】
プラズマガス導入部材２６からチャンバ１内に導入されたプラズマガスは、マイクロ波プラズマ源２からチャンバ１内に導入されたマイクロ波によりプラズマ化され、このプラズマがシャワープレート２０の空間部２３を通過しシャワープレート２０のガス吐出孔２２から吐出された処理ガスを励起し、処理ガスのプラズマを形成する。なお、プラズマガスと処理ガスとを同一の供給部材で供給してもよい。また、処理ガスにプラズマガスの機能をもたせてもよい。
【００２８】
マイクロ波プラズマ源２は、図２に示すように、複数経路に分配してマイクロ波を出力するマイクロ波出力部３０と、マイクロ波出力部３０から出力されたマイクロ波を伝送しチャンバ１内に放射するためのマイクロ波供給部４０とを有している。
【００２９】
マイクロ波出力部３０は、マイクロ波電源３１と、マイクロ波発振器３２と、発振されたマイクロ波を増幅するアンプ３３と、増幅されたマイクロ波を複数に分配する分配器３４とを有している。
【００３０】
マイクロ波発振器３２は、所定周波数（例えば、９１５ＭＨｚ）のマイクロ波を例えばＰＬＬ発振させる。分配器３４では、マイクロ波の損失ができるだけ起こらないように、入力側と出力側のインピーダンス整合を取りながらアンプ３３で増幅されたマイクロ波を分配する。なお、マイクロ波の周波数としては、９１５ＭＨｚの他に、７００ＭＨｚから３ＧＨｚを用いることができる。
【００３１】
マイクロ波供給部４０は、分配器３４にて分配されたマイクロ波を主に増幅する複数のアンプ部４２と、各アンプ部４２で増幅されたマイクロ波をそれぞれチャンバ１内へ導く複数のマイクロ波放射機構４１とを有している。また、マイクロ波放射機構４１は、インピーダンスを整合させるためのチューナ６０と、増幅されたマイクロ波をチャンバ１内に放射するアンテナ部４５とを有している。そして、各マイクロ波放射機構４１のアンテナ部４５からチャンバ１内へマイクロ波が放射されるようになっている。
【００３２】
マイクロ波供給部４０のアンプ部４２は、位相器４６と、可変ゲインアンプ４７と、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４８と、アイソレータ４９とを有している。
【００３３】
位相器４６は、マイクロ波の位相を変化させることができるように構成されており、これを調整することにより放射特性を変調させることができる。例えば、各アンテナモジュール毎に位相を調整することにより指向性を制御してプラズマ分布を変化させることができる。また、隣り合うアンテナモジュールにおいて９０°ずつ位相をずらすようにして円偏波を得ることができる。また、位相器４６は、アンプ内の部品間の遅延特性を調整し、チューナ内での空間合成を目的として使用することができる。ただし、このような放射特性の変調やアンプ内の部品間の遅延特性の調整が不要な場合には位相器４６は設ける必要はない。
【００３４】
可変ゲインアンプ４７は、メインアンプ４８へ入力するマイクロ波の電力レベルを調整し、個々のアンテナモジュールのばらつきを調整またはプラズマ強度調整のためのアンプである。可変ゲインアンプ４７を各アンテナモジュール毎に変化させることによって、発生するプラズマに分布を生じさせることもできる。
【００３５】
ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４８は、例えば、入力整合回路と、半導体増幅素子と、出力整合回路と、高Ｑ共振回路とを有する構成とすることができる。
【００３６】
アイソレータ４９は、アンテナ部４５で反射してメインアンプ４８に向かう反射マイクロ波を分離するものであり、サーキュレータとダミーロード（同軸終端器）とを有している。サーキュレータは、アンテナ部４５で反射したマイクロ波をダミーロードへ導き、ダミーロードはサーキュレータによって導かれた反射マイクロ波を熱に変換する。
【００３７】
図１に示すように、蓋体１０のマイクロ波放射機構４１に対応する部分には孔１０ａが形成されており、孔１０ａには、マイクロ波放射機構４１の一部をなす、マイクロ波を透過させるマイクロ波透過窓として機能する誘電体部材１１０が嵌め込まれている。したがって、蓋体１０および誘電体部材１１０によりチャンバ１の天壁１１２が形成されている。また、天壁１１２の下面には、マイクロ波放射機構４１の配置領域を包含し天壁１１２を覆うように薄い誘電体板１１１が設けられている。誘電体板１１１は誘電体部材１１０および蓋体１０の両方を覆う一枚板として構成されている。
【００３８】
本例では、マイクロ波供給部４０は、アンプ部４２およびマイクロ波照射機構４１を７個ずつ有しており、図３に示すように、マイクロ波放射機構４１は、円板状の蓋体１０に対し、円周状に６個および中心に１個配置されている。
【００３９】
次に、マイクロ波放射機構４１について説明する。
図４に示すように、マイクロ波放射機構４１は、マイクロ波を伝送する同軸構造の導波路（マイクロ波伝送路）４４と、導波路４４を伝送されたマイクロ波をチャンバ１内に放射するアンテナ部４５とを有している。そして、複数のマイクロ波放射機構４１からチャンバ１内に放射されたマイクロ波がチャンバ１内の空間で合成され、チャンバ１内で表面波プラズマが形成されるようになっている。
【００４０】
導波路４４は、筒状の外側導体５２およびその中心に設けられた棒状の内側導体５３が同軸状に配置されて構成されており、導波路４４の先端にアンテナ部４５が設けられている。導波路４４は、内側導体５３が給電側、外側導体５２が接地側となっている。外側導体５２および内側導体５３の上端は反射板５８となっている。
【００４１】
導波路４４の基端側にはマイクロ波（電磁波）を給電する給電機構５４が設けられている。給電機構５４は、導波路４４（外側導体５２）の側面に設けられたマイクロ波電力を導入するためのマイクロ波電力導入ポート５５を有している。マイクロ波電力導入ポート５５には、アンプ部４２から増幅されたマイクロ波を供給するための給電線として、内側導体５６ａおよび外側導体５６ｂからなる同軸線路５６が接続されている。そして、同軸線路５６の内側導体５６ａの先端には、外側導体５２の内部に向けて水平に伸びる給電アンテナ９０が接続されている。
【００４２】
給電アンテナ９０は、例えば、アルミニウム等の金属板を削り出し加工した後、テフロン（登録商標）等の誘電体部材の型にはめて形成される。反射板５８から給電アンテナ９０までの間には、反射波の実効波長を短くするためのテフロン（登録商標）等の誘電体からなる遅波材５９が設けられている。なお、２．４５ＧＨｚ等の周波数の高いマイクロ波を用いた場合には、遅波材５９は設けなくてもよい。このとき、給電アンテナ９０から反射板５８までの距離を最適化し、給電アンテナ９０から放射される電磁波を反射板５８で反射させることで、最大の電磁波を同軸構造の導波路４４内に伝送させる。
【００４３】
給電アンテナ９０は、図５に示すように、マイクロ波電力導入ポート５５において同軸線路５６の内側導体５６ａに接続され、電磁波が供給される第１の極９２および供給された電磁波を放射する第２の極９３を有するアンテナ本体９１と、アンテナ本体９１の両側から、内側導体５３の外側に沿って延び、リング状をなす反射部９４とを有し、アンテナ本体９１に入射された電磁波と反射部９４で反射された電磁波とで定在波を形成するように構成されている。アンテナ本体９１の第２の極９３は内側導体５３に接触している。
【００４４】
給電アンテナ９０がマイクロ波（電磁波）を放射することにより、外側導体５２と内側導体５３との間の空間にマイクロ波電力が給電される。そして、給電機構５４に供給されたマイクロ波電力がアンテナ部４５に向かって伝播する。
【００４５】
また、導波路４４にはチューナ６０が設けられている。チューナ６０は、チャンバ１内の負荷（プラズマ）のインピーダンスをマイクロ波出力部３０におけるマイクロ波電源の特性インピーダンスに整合させるものであり、外側導体５２と内側導体５３との間を上下に移動する２つのスラグ６１ａ，６１ｂと、反射板５８の外側（上側）に設けられたスラグ駆動部７０とを有している。
【００４６】
これらスラグのうち、スラグ６１ａはスラグ駆動部７０側に設けられ、スラグ６１ｂはアンテナ部４５側に設けられている。また、内側導体５３の内部空間には、その長手方向に沿って例えば台形ネジが形成された螺棒からなるスラグ移動用の２本のスラグ移動軸６４ａ，６４ｂが設けられている。
【００４７】
図６に示すように、スラグ６１ａは、誘電体からなる円環状をなし、その内側に滑り性を有する樹脂からなる滑り部材６３が嵌め込まれている。滑り部材６３にはスラグ移動軸６４ａが螺合するねじ穴６５ａとスラグ移動軸６４ｂが挿通される通し穴６５ｂが設けられている。一方、スラグ６１ｂは、スラグ６１ａと同様、ねじ穴６５ａと通し穴６５ｂとを有しているが、スラグ６１ａとは逆に、ねじ穴６５ａはスラグ移動軸６４ｂに螺合され、通し穴６５ｂにはスラグ移動軸６４ａが挿通されるようになっている。これによりスラグ移動軸６４ａを回転させることによりスラグ６１ａが昇降移動し、スラグ移動軸６４ｂを回転させることによりスラグ６１ｂが昇降移動する。すなわち、スラグ移動軸６４ａ，６４ｂと滑り部材６３とからなるねじ機構によりスラグ６１ａ，６１ｂが昇降移動される。
【００４８】
内側導体５３には長手方向に沿って等間隔に３つのスリット５３ａが形成されている。一方、滑り部材６３は、これらスリット５３ａに対応するように３つの突出部６３ａが等間隔に設けられている。そして、これら突出部６３ａがスラグ６１ａ，６１ｂの内周に当接した状態で滑り部材６３がスラグ６１ａ，６１ｂの内部に嵌め込まれる。滑り部材６３の外周面は、内側導体５３の内周面と遊びなく接触するようになっており、スラグ移動軸６４ａ，６４ｂが回転されることにより、滑り部材６３が内側導体５３を滑って昇降するようになっている。すなわち内側導体５３の内周面がスラグ６１ａ，６１ｂの滑りガイドとして機能する。
【００４９】
滑り部材６３を構成する樹脂材料としては、良好な滑り性を有し、加工が比較的容易な樹脂、例えばポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂を好適なものとして挙げることができる。
【００５０】
上記スラグ移動軸６４ａ，６４ｂは、反射板５８を貫通してスラグ駆動部７０に延びている。スラグ移動軸６４ａ，６４ｂと反射板５８との間にはベアリング（図示せず）が設けられている。また、内側導体５３の下端には、導体からなる底板６７が設けられている。スラグ移動軸６４ａ，６４ｂの下端は、駆動時の振動を吸収するために、通常は開放端となっており、これらスラグ移動軸６４ａ，６４ｂの下端から２〜５ｍｍ程度離隔して底板６７が設けられている。なお、この底板６７を軸受け部としてスラグ移動軸６４ａ，６４ｂの下端をこの軸受け部にて軸支させてもよい。
【００５１】
スラグ駆動部７０は筐体７１を有し、スラグ移動軸６４ａおよび６４ｂは筐体７１内に延びており、スラグ移動軸６４ａおよび６４ｂの上端には、それぞれ歯車７２ａおよび７２ｂが取り付けられている。また、スラグ駆動部７０には、スラグ移動軸６４ａを回転させるモータ７３ａと、スラグ移動軸６４ｂを回転させるモータ７３ｂが設けられている。モータ７３ａの軸には歯車７４ａが取り付けられ、モータ７３ｂの軸には歯車７４ｂが取り付けられており、歯車７４ａが歯車７２ａに噛合し、歯車７４ｂが歯車７２ｂに噛合するようになっている。したがって、モータ７３ａにより歯車７４ａおよび７２ａを介してスラグ移動軸６４ａが回転され、モータ７３ｂにより歯車７４ｂおよび７２ｂを介してスラグ移動軸６４ｂが回転される。なお、モータ７３ａ，７３ｂは例えばステッピングモータである。
【００５２】
なお、スラグ移動軸６４ｂはスラグ移動軸６４ａよりも長く、より上方に達しており、したがって、歯車７２ａおよび７２ｂの位置が上下にオフセットしており、モータ７３ａおよび７３ｂも上下にオフセットしているので、モータおよび歯車等の動力伝達機構のスペースが小さく、筐体７１が外側導体５２と同じ径となっている。
【００５３】
モータ７３ａおよび７３ｂの上には、これらの出力軸に直結するように、それぞれスラグ６１ａおよび６１ｂの位置を検出するためのインクリメント型のエンコーダ７５ａおよび７５ｂが設けられている。
【００５４】
スラグ６１ａおよび６１ｂの位置は、スラグコントローラ６８により制御される。具体的には、図示しないインピーダンス検出器により検出された入力端のインピーダンス値と、エンコーダ７５ａおよび７５ｂにより検知されたスラグ６１ａおよび６１ｂの位置情報に基づいて、スラグコントローラ６８がモータ７３ａおよび７３ｂに制御信号を送り、スラグ６１ａおよび６１ｂの位置を制御することにより、インピーダンスを調整するようになっている。スラグコントローラ６８は、終端が例えば５０Ωになるようにインピーダンス整合を実行させる。２つのスラグのうち一方のみを動かすと、スミスチャートの原点を通る軌跡を描き、両方同時に動かすと位相のみが回転する。
【００５５】
図４に示すように、アンテナ部４５は、マイクロ波放射アンテナとして機能する、平面状をなしスロット１３１を有する平面スロットアンテナ８１と、平面スロットアンテナ８１の上面に設けられた遅波材８２と、平面スロットアンテナ８１の先端側に設けられたマイクロ波透過窓となる誘電体部材１１０とを有している。遅波材８２の中心には導体からなる円柱部材８２ａが貫通しており、底板６７と平面スロットアンテナ８１とを接続している。したがって、内側導体５３が底板６７および円柱部材８２ａを介して平面スロットアンテナ８１に接続されている。なお、外側導体５２の下端は平面スロットアンテナ８１まで延びており、遅波材８２の周囲は外側導体５２で覆われている。また、平面スロットアンテナ８１の周囲は被覆導体８４により覆われている。マイクロ波は平面スロットアンテナ８１のスロット１３１から放射される。スロット１３１は、マイクロ波が均一に放射されるように、その形状、個数および配置が設定される。スロット１３１は空間であってもよいし、真空より大きい誘電率を有する誘電体が充填されていてもよい。スロット１３１に誘電体を充填することにより、マイクロ波の実効波長が短くなり、スロット全体の厚さ（平面スロットアンテナ８１の厚さ）を薄くすることができる。
【００５６】
遅波材８２および誘電体部材１１０は、平面スロットアンテナ８１の面に接するように設けられ、真空よりも大きい誘電率を有する材料、例えば、石英、セラミックス、ポリテトラフルオロエチレン等のフッ素系樹脂やポリイミド系樹脂により構成されており、真空中ではマイクロ波の波長が長くなることから、マイクロ波の波長を短くしてアンテナを小さくする機能を有している。遅波材８２は、その厚さによりマイクロ波の位相を調整することができ、誘電体部材１１０と平面スロットアンテナ８１の接合部が定在波の「はら」になるようにその厚さを調整する。これにより、反射が最小で、平面スロットアンテナ８１の放射エネルギーが最大となるようにすることができる。
【００５７】
上述したように、誘電体部材１１０は蓋体１０の孔１０ａに嵌め込まれるが、孔１０ａは段付き形状となっており、誘電体部材１１０の上部にはフランジ部１１０ａが形成されていて、誘電体部材１１０が孔１０ａに嵌め込まれた際に、フランジ部１１０ａが段部１０ｂに支持されるようになっている。
【００５８】
このようなアンテナ部４５では、メインアンプ４８で増幅され内側導体５３と外側導体５２の周壁の間の導波路４４を通って到達したマイクロ波が表面波として遅波材８２を透過し、平面スロットアンテナ８１のスロット１３１を伝送され、さらに誘電体部材１１０を透過し、さらに誘電体板１１１を透過して、プラズマに接する誘電体板１１１の表面を伝送され、この表面波によりチャンバ１内の空間に表面波プラズマを生成する。
【００５９】
本実施形態において、メインアンプ４８と、チューナ６０と、平面スロットアンテナ８１とは近接配置している。そして、チューナ６０と平面スロットアンテナ８１とは１／２波長内に存在する集中定数回路を構成しており、かつ平面スロットアンテナ８１、遅波材８２、誘電体部材１１０、誘電体板１１１は合成抵抗が５０Ωに設定されているので、チューナ６０はプラズマ負荷に対して直接チューニングしていることになり、効率良くプラズマへエネルギーを伝達することができる。
【００６０】
上記誘電体板１１１は、上述したように天壁１１２を覆うように設けられており、耐プラズマ性の良好な誘電体、例えば石英で構成されている。この誘電体板１１１は、誘電体部材１１０を透過してきたマイクロ波を透過し、その表面を伝送させて、表面波を広げる機能を有する。これにより表面波プラズマが均一に広がる。
【００６１】
本実施形態では、マイクロ波放射機構４１を複数（本例では７本）配置してプラズマの均一化を図っているが、金属製の蓋体１０が露出してプラズマと接していると、平面スロットアンテナ８１のスロット１３１から放射して誘電体部材１１０を透過したマイクロ波によって生成される表面波プラズマが蓋体１０の部分では広がりにくくなる。このため、より高いプラズマの均一性を確保するために、天壁１１２下面のマイクロ波放射機構４１の配置領域を包含して天壁１１２を覆うように誘電体板１１１を設けてプラズマの広がりを確保する。
【００６２】
誘電体板１１１は薄板として形成され、その厚さは、照射されるマイクロ波のその中での実効波長をλｇとすると、λｇ／２００〜λｇ／２０の範囲であることが好ましい。誘電体板１１１の厚さがλｇ／２００より小さいとプラズマを広げる効果が不十分になるおそれがあり、一方、λｇ／２０を超えるとプラズマのモードが多くなりすぎて好ましくない。
【００６３】
また、このように誘電体板１１１を、複数のマイクロ波放射機構４１の配置領域を包含するように設けると、複数のマイクロ波放射機構４１から放射されたマイクロ波は、共通の誘電体板１１１の表面に表面波を形成するためこれらが干渉する場合があり、各マイクロ波放射機構４１からのマイクロ波の位相や強度の独立制御性が低下してプラズマの安定性が悪化するおそれがある。そして、このような干渉は、誘電体板１１１が厚くなるほど顕著になる傾向にある。したがって、本実施形態では、このような干渉の問題を解消するため、隣接するマイクロ波放射機構４１の中心（平面スロットアンテナ８１の中心）間の距離をｎ×λｇ／２（ただし、λｇは誘電体板１１１内のマイクロ波の実効波長、ｎは正の整数である）とし、マイクロ波放射機構４１の中心と誘電体板１１１の端部との距離をλｇ／２またはそれ以上とする。なお、部品加工の際には必ず誤差が存在し、０．５ｍｍ程度の公差内の精度で加工されるが、上記ｎ×λｇ／２にはこのような加工誤差は含まれるものとする。
【００６４】
表面波プラズマ処理装置１００における各構成部は、マイクロプロセッサを備えた制御部１２０により制御されるようになっている。制御部１２０は表面波プラズマ処理装置１００のプロセスシーケンスおよび制御パラメータであるプロセスレシピを記憶した記憶部や、入力手段およびディスプレイ等を備えており、選択されたプロセスレシピに従ってプラズマ処理装置を制御するようになっている。
【００６５】
＜表面波プラズマ処理装置の動作＞
次に、以上のように構成される表面波プラズマ処理装置１００における動作について説明する。
まず、ウエハＷをチャンバ１内に搬入し、サセプタ１１上に載置する。そして、プラズマガス供給源２７から配管２８およびプラズマガス導入部材２６を介してチャンバ１内にプラズマガス、例えばＡｒガスを導入しつつ、マイクロ波プラズマ源２からマイクロ波をチャンバ１内に伝送して表面波プラズマを生成する。
【００６６】
そして、処理ガス供給源２５から配管２４およびシャワープレート２０を介してチャンバ１内に処理ガス、例えばＣｌ２ガス等のエッチングガスが吐出される。吐出された処理ガスは、シャワープレート２０の空間部２３を通過してきたプラズマにより励起されてプラズマ化し、この処理ガスのプラズマによりウエハＷにプラズマ処理、例えばエッチング処理が施される。
【００６７】
上記表面波プラズマを生成するに際し、マイクロ波プラズマ源２では、マイクロ波出力部３０のマイクロ波発振器３２から発振されたマイクロ波電力はアンプ３３で増幅された後、分配器３４により複数に分配され、分配されたマイクロ波電力はマイクロ波供給部４０へ導かれる。マイクロ波供給部４０においては、このように複数に分配されたマイクロ波電力が、ソリッドステートアンプを構成するメインアンプ４８で個別に増幅され、マイクロ波放射機構４１の導波路４４に給電され、導波路４４を通ってアンテナ部に至る。アンテナ部４５では、マイクロ波が表面波として遅波材８２を透過し、平面スロットアンテナ８１のスロット１３１を伝送され、さらに誘電体透過窓である誘電体部材１１０、誘電体板１１１を透過し、プラズマに接する誘電体板１１１の表面を伝送され、この表面波によりチャンバ１内の空間に表面波プラズマを生成する。
【００６８】
従来は、誘電体板１１１を用いておらず、金属製の蓋体１０が露出して直接プラズマと接するようになっていた。金属表面では誘電体表面に比較してプラズマシースが薄いため、このように金属製の蓋体１０がプラズマと接していると、平面スロットアンテナ８１のスロット１３１から放射して誘電体部材１１０を透過したマイクロ波によって生成される表面波プラズマが蓋体１０の部分では広がりにくくなる。すなわち、図７（ａ）に示すように、誘電体部材１１０は誘電体であり、浮遊電位となるため、誘電体部材１１０とプラズマとの電位差は大きくなり、シースの厚さはプラズマ状態に応じた厚さ（自己バイアス電圧Ｖｄｃの１／２乗に比例）となるが、図７（ｂ）に示すように、蓋体１０は金属であり、接地されているため、プラズマとの電位差が小さくなり、シースが薄くなる。このようにシースが薄くなった領域では、マイクロ波の反射および減衰が生じ、表面波は遮断される。このため金属製の蓋体１０の表面では表面波プラズマが十分に生成されず発光が弱くなる。したがって、誘電体板１１１を設けない場合には、蓋体１０の直下位置への表面波プラズマの広がりが不十分になる可能性がある。
【００６９】
そこで、本実施形態では、マイクロ波放射機構４１の配置領域を包含して天壁１１２を覆うように誘電体板１１１を設け、プラズマと接する面の全面をプラズマに対して浮遊電位となるようにする。これにより、図８に示すように、蓋体１０に対応する部分のシースも厚くなり、プラズマを径方向に広げてプラズマの径方向の均一性を高めることができる。
【００７０】
ところで、このように誘電体板１１１を、複数のマイクロ波放射機構４１の配置領域を包含するように設けると、複数のマイクロ波放射機構４１から放射されたマイクロ波は、共通の誘電体板１１１の表面に表面波を形成するためこれらが干渉する場合がある。マイクロ波の干渉が生じると、一つのマイクロ波放射機構４１の平面スロットアンテナ８１から放射されてプラズマで反射された反射波が、隣接するマイクロ波放射機構４１にも入ることとなり、隣接するマイクロ波放射機構４１からの反射波は調整することが困難であるため、各マイクロ波放射機構４１からのマイクロ波の位相や強度の独立制御性が低下してプラズマの安定性が悪化するおそれがある。
【００７１】
このような干渉は、マイクロ波放射機構４１の配置と密接に関係している。すなわち、本実施形態では一つのマイクロ波電源３１からマイクロ波を分岐していることから、位相は完全に同期しているため、隣接するマイクロ波放射機構４１の中心どうしの距離Ｄ１がｎ×λｇ／２（ｎは正の整数）であれば、隣接するマイクロ波放射機構４１の一方から放射されたマイクロ波の山と、他方から放射されたマイクロ波の谷とが重なってマイクロ波は弱め合うことになる。逆に、λｇ／４＋ｎ×λｇ／２であればマイクロ波は強め合うことになる。すなわち、Ｄ１がλｇ／４＋ｎ×λｇ／２のときに干渉が最大となり、Ｄ１がｎ×λｇ／２のときに干渉が起こらないことになる。また、Ｄ１がｎ×λｇ／２とλｇ／４＋ｎ×λｇ／２の間でも干渉が生じる。したがって、干渉が起こらないようにするためには、隣接するマイクロ波放射機構４１どうしの距離Ｄ１をｎ×λｇ／２とする必要がある。また、マイクロ波放射機構４１の中心と誘電体板１１１の端部との距離Ｄ２については、λｇ／２またはそれ以上であれば干渉が起こらないが、λｇ／２よりも小さい範囲では干渉が起こる。
【００７２】
このため、本実施形態では、図９に示すように、隣接するマイクロ波放射機構４１の中心（平面スロットアンテナ８１の中心）間の距離Ｄ１をｎ×λｇ／２とし、マイクロ波放射機構４１の中心と誘電体板１１１の端部との距離Ｄ２をＤ２≧λｇ／２とする。このように距離を設定することにより、各マイクロ波放射機構４１から放射されたマイクロ波が弱め合い、干渉を実質的になくすことができる。
【００７３】
例えば、誘電体板１１１として石英を用い、マイクロ波の周波数を８６０ＭＨｚとすると、真空中のマイクロ波の波長λは３４８．６ｍｍであり、石英の誘電率εは３．８であるから、誘電体板１１１中でのマイクロ波の実効波長λｇは、λｇ＝λ／εｓ１／２＝１７８．８ｍｍとなり、λｇ／２は８９．４ｍｍとなる。したがって、この場合には、マイクロ波放射機構４１の中心間の距離Ｄ１を８９．４ｍｍの整数倍とし、マイクロ波放射機構４１の中心と誘電体板１１１の端部との距離Ｄ２を８９．４ｍｍまたはそれよりも大きくすればよい。
【００７４】
干渉の有無は、有限要素法を用いた電磁波解析を用いたシミュレーションにおいて、Ｓパラメータを用いることにより把握することができる。具体的には、図１０に示すように、中央のマイクロ波放射機構をＰ１とし、その周囲のマイクロ波放射機構をＰ２〜Ｐ７としたとき、Ｐ１〜Ｐ７に入力する電力の電力波ベクトルをそれぞれａ１，ａ２，・・・ａ７とし、出力する電力の出力波ベクトルをｂ１，ｂ２，・・・ｂ７とすると、
ｂ１＝Ｓ１１ａ１＋Ｓ１２ａ２・・・Ｓ１７ａ７
ｂ２＝Ｓ２１ａ１＋Ｓ２２ａ２・・・Ｓ２７ａ７
・                    ・
・                    ・
・                    ・
ｂ７＝Ｓ７１ａ１＋Ｓ７２ａ２・・・Ｓ７７ａ７
となり、これらの式を行列を用いて表すと、
【数１】
2014017129.tif 000003
となる。
【００７５】
なお、入力波ベクトル、出力波ベクトルは、
【数２】
2014017129.tif 000004
のように定義され、入力電力、出力電力は、
【数３】
2014017129.tif 000005
のように表される。
【００７６】
このＳ１１・・・Ｓ７７を要素とする行列が散乱行列であり、これら要素Ｓ１１・・・Ｓ７７がＳパラメータである。ここで、Ｓｍｎは、ｍが出力ポートの信号、ｎが入力ポートの信号であり、例えばＳ１２は、Ｐ２からマイクロ波を放射した場合に、Ｐ１へ透過するマイクロ波の割合（透過係数）を表す。したがって、この値が大きいほど干渉が大きいことになり、ここでは、透過係数（Ｓパラメータの値の絶対値）が０．１０以上のときに干渉が生じているとする。逆に透過係数（Ｓパラメータの値の絶対値）が０．１０より小さいときには干渉が生じていないとする。
【００７７】
実際に、隣接するマイクロ波放射機構４１どうしの距離Ｄ１およびマイクロ波放射機構４１の中心と誘電体板１１１の端部との距離Ｄ２がいずれもｎ×λｇ／２の場合には、中心のマイクロ波放射機構Ｐ１と周囲のマイクロ波放射機構Ｐ２〜Ｐ７との間の干渉を示す、例えばＳ１２，Ｓ１３・・・Ｓ１７や、Ｓ２１，Ｓ３１，・・・Ｓ７１も、周囲のマイクロ波放射機構Ｐ２〜Ｐ７間の干渉を示す、例えばＳ２３，Ｓ３４、Ｓ４５等も、絶対値はいずれも０．１０よりも小さいことが確認された。
【００７８】
誘電体板１１１の大きさによっては、隣接するマイクロ波放射機構４１どうしの距離Ｄ１およびマイクロ波放射機構４１の中心と誘電体板１１１の端部との距離Ｄ２の両方が同時にはｎ×λｇ／２とならない場合があるが、この場合には、全てのマイクロ波放射機構の間で干渉がなくなるマイクロ波放射機構の配置が存在しないこととなる。例えば、マイクロ波の周波数を８６０ＭＨｚ（λｇ＝１７８．８ｍｍ）で、図１１（ａ）のように誘電体板１１１の半径を２４２ｍｍ、Ｐ１とＰ７の中心間の距離をＸｍｍとした場合には、図１１（ｂ）のように｜Ｓ２１｜、｜Ｓ２３｜の値がともに０．１０より小さくなることはなく、どの範囲でも０．１０以上となっているため、マイクロ波放射機構の配置を変えても干渉をなくすことができない。
【００７９】
このような場合には、誘電体板１１１の大きさを拡大することにより、対応することが可能である。例えば、マイクロ波の周波数を８６０ＭＨｚ（λｇ＝１７８．８ｍｍ）の場合、図１２（ａ）のように誘電体板１１１の半径を２４２＋ΔＬ１（ｍｍ）とし、Ｐ１とＰ７の中心間の距離を２×λｇ／２≒１７５ｍｍとすると、図１２（ｂ）のように、ΔＬ１＝１９ｍｍ以上で｜Ｓ２１｜、｜Ｓ２３｜のいずれもが０．１０より小さくなり、干渉をなくすことが可能である。
【００８０】
チャンバ１の大きさに制限がある場合には誘電体板１１１を拡大できないが、そのような場合には、図１３に示すように、誘電体板１１１の端部を折り曲げて、折り曲げ部１１１ａを形成することにより誘電体板１１１を拡大させたのと同じ効果を得ることができる。
【００８１】
例えば、マイクロ波の周波数を８６０ＭＨｚ（λｇ＝１７８．８ｍｍ）、誘電体板の半径を２４２ｍｍ、折り曲げ部１１１ａの長さをΔＬ２（ｍｍ）、隣接するマイクロ波放射機構４１の中心間の距離を２×λｇ／２≒１７５ｍｍとすると、図１４のように、ΔＬ２＝１７．５ｍｍ以上で｜Ｓ２１｜、｜Ｓ２３｜のいずれもが０．１０より小さくなり、干渉をなくすことが可能である。
【００８２】
＜誘電体板の他の例＞
次に、誘電体板の他の例について説明する。
上記実施形態ではマイクロ波放射機構４１の誘電体部材１１０および蓋体１０を覆う一枚板として構成される誘電体板１１１を用いたが、本例では、図１５に示すように、誘電体部材１１０に対応する部分に孔１１１ｂを有する誘電体板１１１′を用いる。
【００８３】
上記例では、一枚板の誘電体板１１１を設けたが、その場合には、誘電体部材１１０と誘電体板１１１が重なり、これらの間には不可避的に隙間が生じるため、これらの間で異常放電が生じる可能性がある。そこで、誘電体板１１１の代わりに誘電体部材１１０を挿入する孔１１１ｂを有する誘電体板１１１′を用い、誘電体部材１１０の下面をチャンバ１内に露出するようにしている。このようにしても、プラズマに接触するのが誘電体部材１１０および誘電体板１１１′であり、いずれも誘電体であるため、プラズマに対して浮遊電位となり、一枚板の誘電体板１１１を設けた場合と同じ効果を奏する。また、表面波が均一に広がるように誘電体部材１１０の下面と誘電体板１１１の下面の高さを一致させている。
【００８４】
蓋体１０と誘電体部材１１０との間の電界は高いため、これらの間にプラズマが入り込んで異常放電を生じさせないように、誘電体板１１１′に蓋体１０から誘電体部材１１０側に突出する突出部１１１ｃを形成し、誘電体部材１１０の周縁部に突出部１１１ｃとオーバーラップする段部１１０ｂを形成する。このとき、蓋体１０の下面と段部１１０ｂの下面との高さが一致すると、その部分で電界が高くなって異常放電のリスクが高まるので、図１５に示すように、突出部１１１ｃを段差形状とし、段部１１０ｂの下面位置を蓋体１０の下面位置よりも低い位置になるようにしている。これにより、この部分での異常放電のリスクを低下させることができる。
【００８５】
＜本発明の他の適用＞
なお、本発明は上記実施形態に限定されることなく、本発明の思想の範囲内において種々変形可能である。例えば、マイクロ波出力部３０やマイクロ波供給部４０の構成等は、上記実施形態に限定されるものではなく、例えば、マイクロ波出力部３０から出力されたマイクロ波を、アンプ部４２で増幅し、スラグチューナ６０と平面スロットアンテナ８１を有するアンテナ部４５とを備えた７本のマイクロ波放射機構４１から放射するようにしたが、マイクロ波放射部の構造はこのようなマイクロ波放射機構４１に限るものではなく、また、その数も７本に限定されるものではない。
【００８６】
さらに、上記実施形態においては、プラズマ処理装置としてエッチング処理装置を例示したが、これに限らず、上述したように、プラズマ酸化処理やプラズマ窒化処理、さらにはプラズマＣＶＤや改質処理等、他の種々のプラズマ処理に適用することができる。さらに、被処理基板は半導体ウエハＷに限定されず、ＬＣＤ（液晶ディスプレイ）用基板に代表されるＦＰＤ（フラットパネルディスプレイ）基板や、セラミックス基板等の他の基板であってもよい。
【符号の説明】
【００８７】
１；チャンバ
２；マイクロ波プラズマ源
１０；蓋体
１１；サセプタ
１２；支持部材
１５；排気管
１６；排気装置
１７；搬入出口
２０；シャワープレート
３０；マイクロ波出力部
３１；マイクロ波電源
３２；マイクロ波発振器
４０；マイクロ波供給部
４１；マイクロ波放射機構
４２；アンプ部
４４；導波路
４５；アンテナ部
６０；チューナ
８１；平面スロットアンテナ
８２；遅波材
１００；プラズマ処理装置
１１０；誘電体部材
１１１、１１１′；誘電体板
１１１ａ；折り曲げ部
１２０；制御部
１３１；スロット
Ｗ；半導体ウエハ
【図１】
2014017129.tif 000006
【図２】
2014017129.tif 000007
【図３】
2014017129.tif 000008
【図４】
2014017129.tif 000009
【図５】
2014017129.tif 000010
【図６】
2014017129.tif 000011
【図７】
2014017129.tif 000012
【図８】
2014017129.tif 000013
【図９】
2014017129.tif 000014
【図１０】
2014017129.tif 000015
【図１１】
2014017129.tif 000016
【図１２】
2014017129.tif 000017
【図１３】
2014017129.tif 000018
【図１４】
2014017129.tif 000019
【図１５】
2014017129.tif 000020