(57)【要約】【課題】切削ブレードの偏磨耗を抑制する。【解決手段】切削ブレード１０を、切除方向ＤＲ１（−Ｙ方向）と直交する移動方向Ａ（Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎだけ移動させる毎に、切削加工を行う。切削加工は、切削ブレードが半導体ウェハＷ１の表面を切除方向ＤＲ１へ移動する加工である。また、切削ブレード１０を、移動方向Ａ（Ｘ方向）と反対の方向である移動方向Ｂ（−Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎだけ移動させる毎に、切削加工を行う。【選択図】図１０
2014192276.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
切削ブレードが被加工物の表面を第１方向へ移動する切削加工を行うことにより該被加工物の切削を行う被加工物の切削方法であって、
前記切削ブレードを、前記第１方向と直交する第２方向へ、第１固定距離だけ移動させる毎に、前記切削加工を行うステップと、
前記切削加工がＫ（２以上の自然数）回行われた後、前記切削加工により前記被加工物に形成された切削加工ラインが、前記第１方向と直交するように前記被加工物を回転させるステップと、
前記被加工物を回転させるステップの後、前記切削ブレードを、前記第２方向と反対の方向である逆方向へ、前記第１固定距離または第２固定距離だけ移動させる毎に、前記切削加工を行うステップと、を含む
被加工物の切削方法。
【請求項２】
前記被加工物を回転させるステップの後の前記切削加工を行うステップでは、前記切削ブレードを、前記逆方向へ、前記第１固定距離だけ移動させる毎に、前記切削加工を行う
請求項１に記載の被加工物の切削方法。
【請求項３】
前記被加工物を回転させるステップの後の前記切削加工を行うステップでは、前記切削ブレードを、前記逆方向へ、前記第２固定距離だけ移動させる毎に、前記切削加工を行う
請求項１に記載の被加工物の切削方法。
【請求項４】
前記被加工物の切削方法が行われる前記被加工物の数は複数であり、
奇数番目の前記被加工物に対し行われる前記被加工物の切削方法において、前記第１固定距離は、前記第２固定距離より短く、
偶数番目の前記被加工物に対し行われる前記被加工物の切削方法において、前記第１固定距離は、前記第２固定距離より長い
請求項３に記載の被加工物の切削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、切削ブレードにより被加工物を切削する被加工物の切削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン基板に複数のデバイスが形成された半導体ウェハである被加工物は、ダイシング装置（切削装置）によって個々のチップに分割される。ここで、上記のデバイスは、ＩＣ（Integrated Circuit）、ＬＳＩ（Large Scale Integration)）等である。また、上記の被加工物は、例えば、電子部品に使用される各種セラミック基板、樹脂基板、ガラス基板、サファイア基板等である。分割されたチップは各種電子機器に広く利用されている。
【０００３】
分割された各チップのハンドリングを容易にするために、分割の際、被加工物はダイシングテープ（粘着テープ）に貼着されて、環状のダイシングフレームに固定される。これにより、被加工物とダイシングフレームとが一体化される。
【０００４】
ダイシング装置は、チャックテーブルと、切削ブレードを含む切削機構とを備える。チャックテーブルは、ダイシングテープに貼着された被加工物を保持する。切削ブレードは、チャックテーブルに保持された被加工物を切削する。ダイシング装置において、切削ブレードが高速回転しながらダイシングテープまで切り込むことで被加工物が分割される。
【０００５】
一般に、ダイシングテープは、基材と、粘着材層とで構成される。当該基材は、ポリ塩化ビニル、ポリオレフィン、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）等である。粘着材層は、基材上に形成されたアクリル系やゴム系の層である。被加工物は、粘着材層上に貼着される。
【０００６】
特許文献１では、切削ブレードにより被加工物を切除する技術（以下、関連技術Ａともいう）が開示されている。関連技術Ａでは、被加工物の所定インデックス量の２のｎ（自然数）乗倍のインデックス量だけ、切削ブレードを割り出し送りして、切削ブレードにより当該被加工物を切削して複数の分割片を形成する。インデックス量とは、切削ブレードを移動させる距離である。切削ブレードを割り出し送りするとは、被加工物を切除する位置を変更するために、切削ブレードを移動させることである。
【０００７】
次に、当該分割片の中央に切削ブレードを位置付けて同一のインデックス量で切削ブレードを割り出し送りして各分割片の中央を切削する処理を行う。当該処理は、各分割片が、所定インデックス量で切除されたチップサイズになるまで繰り返される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−０５０２９５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、関連技術Ａでは、以下のような問題点がある。具体的には、関連技術Ａでは、被加工物を切除する処理が行われる毎に、切削ブレードが移動する方向は、常に、同一の所定方向であった。
【００１０】
そのため、関連技術Ａにおいても、被加工物の端部の分割片を切除する場合と、被加工物の中央部の分割片を切除する場合とでは、切削ブレードに対し所定方向へ加わる力の大きさがわずかに異なる。そのため、関連技術Ａでは、切除が行われた回数が非常に多くなり、切削ブレードが移動した距離が長くなった場合、切削ブレードの偏磨耗が発生するという問題がある。
【００１１】
本発明は、このような問題を解決するためになされたものであり、切削ブレードの偏磨耗を抑制することが可能な被加工物の切削方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る被加工物の切削方法は、切削ブレードが被加工物の表面を第１方向へ移動する切削加工を行うことにより該被加工物の切削を行う。前記被加工物の切削方法は、前記切削ブレードを、前記第１方向と直交する第２方向へ、第１固定距離だけ移動させる毎に、前記切削加工を行うステップと、前記切削加工がＫ（２以上の自然数）回行われた後、前記切削加工により前記被加工物に形成された切削加工ラインが、前記第１方向と直交するように前記被加工物を回転させるステップと、前記被加工物を回転させるステップの後、前記切削ブレードを、前記第２方向と反対の方向である逆方向へ、前記第１固定距離または第２固定距離だけ移動させる毎に、前記切削加工を行うステップと、を含む。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、前記切削ブレードを、前記第１方向と直交する第２方向へ、第１固定距離だけ移動させる毎に、前記切削加工を行う。切削加工は、切削ブレードが被加工物の表面を第１方向へ移動する加工である。また、前記切削ブレードを、前記第２方向と反対の方向である逆方向へ、前記第１固定距離または第２固定距離だけ移動させる毎に、前記切削加工を行う。
【００１４】
すなわち、１番目の前記切削加工を行うステップでは、切削ブレードが移動する方向は、第２方向である。また、２番目の前記切削加工を行うステップでは、切削ブレードが移動する方向は、第２方向と反対の逆方向である。
【００１５】
これにより、切削加工が行われた回数が非常に多くなり、切削ブレードが移動した距離が長くなった場合でも、切削ブレードに対し第２方向へ加わる力により生じる磨耗量と、切削ブレードに対し逆方向へ加わる力により生じる磨耗量とは、ほぼ等しくなる。したがって、切削ブレードの偏磨耗を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の実施の形態１に係る切削方法において切除加工を行う対象となる半導体ウェハの斜視図である。
【図２】半導体ウェハを固定した状態を示す図である。
【図３】半導体ウェハに形成された各デバイスの一部を示す平面図である。
【図４】切削部の側面図である。
【図５】切削ブレードの動きを説明するための図である。
【図６】偏磨耗を説明するための図である。
【図７】関連技術に係る関連切除処理を説明するための図である。
【図８】関連技術に係る関連切除処理を説明するための図である。
【図９】本発明の実施の形態１に係る切削処理Ｎのフローチャートである。
【図１０】本発明の実施の形態１に係る切削処理Ｎを説明するための図である。
【図１１】本発明の実施の形態１に係る切削処理Ｎを説明するための図である。
【図１２】本発明の実施の形態１に係る切削処理Ｎを説明するための図である。
【図１３】半導体ウェハに形成された各デバイスの一部を示す平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２に係る切削処理Ａのフローチャートである。
【図１５】本発明の実施の形態２に係る切削処理Ａを説明するための図である。
【図１６】切削処理Ｂのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について詳細に説明する。以下の説明では、同一の構成要素には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明を省略する場合がある。
【００１８】
なお、実施の形態において例示される各構成要素の寸法、材質、形状、それらの相対配置などは、本発明が適用される装置の構成や各種条件により適宜変更されるものであり、本発明はそれらの例示に限定されるものではない。また、各図における各構成要素の寸法は、実際の寸法と異なる場合がある。
【００１９】
＜実施の形態１＞
図１は、本発明の実施の形態１に係る切削方法において切除加工を行う対象となる半導体ウェハＷ１の斜視図である。半導体ウェハＷ１の形状は、円形であるとする。以下においては、実施の形態１に係る切削方法を、切削処理Ｎともいう。半導体ウェハＷ１は、切除加工が行われる被加工物である。半導体ウェハＷ１の表面には、複数のストリートＳ１，Ｓ２が設けられる。ストリートとは、後述の切削ブレード１０が通る経路である。
【００２０】
なお、図１において、Ｘ，Ｙ，Ｚ方向の各々は、互いに直交する。以下の図に示されるＸ，Ｙ，Ｚ方向の各々も、互いに直交する。以下においては、Ｘ方向と、当該Ｘ方向の反対の方向（−Ｘ方向）とを含む方向をＸ軸方向ともいう。また、以下においては、Ｙ方向と、当該Ｙ方向の反対の方向（−Ｙ方向）とを含む方向をＹ軸方向ともいう。また、以下においては、Ｚ方向と、当該Ｚ方向の反対の方向（−Ｚ方向）とを含む方向をＺ軸方向ともいう。
【００２１】
各ストリートＳ１と、各ストリートＳ２とは直交する。具体的には、各ストリートＳ１は、Ｙ軸方向に平行に設けられる。各ストリートＳ２は、Ｘ軸方向に平行に設けられる。各ストリートＳ１と各ストリートＳ２とにより区画された各領域には、デバイスＤ１が形成される。すなわち、半導体ウェハＷ１の表面には、複数のデバイスＤ１がマトリックス状に形成されている。デバイスＤ１は、例えば、半導体チップである。なお、半導体ウェハＷ１は、ダイシングフレームＦ１に固定される。
【００２２】
図２は、半導体ウェハＷ１を固定した状態を示す図である。図２に示すように、半導体ウェハＷ１は、ダイシングテープＴ１に貼着される。ダイシングテープＴ１は、粘着テープである。さらに、ダイシングフレームＦ１にダイシングテープＴ１の周縁部が貼着される。このため、半導体ウェハＷ１は、ダイシングテープＴ１により、ダイシングフレームＦ１に固定される。この構成により、分割された各デバイスＤ１の取り扱いが容易となる。
【００２３】
図３は、半導体ウェハＷ１に形成された各デバイスＤ１の一部を示す平面図である。前述したように、各ストリートＳ１と各ストリートＳ２とは直交する。また、各ストリートＳ１と各ストリートＳ２とにより区画された各領域には、デバイスＤ１が形成される。
【００２４】
なお、隣接する２つのストリートＳ１の間隔が固定距離Ｘｎとなるように、複数のストリートＳ１は設けられる。固定距離Ｘｎは、所定のインデックス量である。また、隣接する２つのストリートＳ２の間隔が固定距離Ｘｎとなるように、複数のストリートＳ２は設けられる。各デバイスＤ１には、キーパターン２が形成されている。キーパターン２は、後述の切削ブレード１０の位置を、ストリートＳ１またはストリートＳ２の位置にあわせる場合に利用される。以下においては、ストリートＳ１，Ｓ２の各々を、単に、ストリートＳともいう。
【００２５】
なお、ＣＣＤカメラ等の撮像手段によりキーパターン２を撮像することにより、予め記憶されているキーパターンの画像と、実際に撮像されたキーパターン２の画像とをパターンマッチングすることにより、後述の切削ブレード１０の位置合わせが行われる。以下においては、切削ブレード１０を含む構成部品を、切削部５０ともいう。切削部５０は、図示しないダイシング装置の構成要素の一部である。
【００２６】
図４は、切削部５０の側面図である。
【００２７】
切削部５０は、ナット１４により、回転自在なスピンドル６の先端部に設けられる。スピンドル６は、図示しないサーボモータ等により回転駆動される。
【００２８】
切削部５０は、後面フランジ８と、前面フランジ１２と、切削ブレード１０とを含む。
【００２９】
切削ブレード１０の形状は、リング状、ワッシャー状である。切削ブレード１０は、半導体ウェハＷ１を切除するために使用される。切削ブレード１０の周縁部には、電気鋳造により切刃（電鋳砥石）が形成される。切削ブレード１０は、後面フランジ８と前面フランジ１２とで挟持される。
【００３０】
次に、半導体ウェハＷ１の切断の際に生じる切削ブレードの偏磨耗について説明する。図５は、切削ブレード１０の動きを説明するための図である。図５において、矢印ＤＲ１は、被加工物（半導体ウェハＷ１）の切除を行う際に、切削ブレード１０（切削部５０）が移動する方向（以下、切除方向ともいう）である。
【００３１】
切除方向は、一例として、−Ｙ方向であるとする。以下においては、切削ブレード１０により被加工物を切除する加工を、切除加工ともいう。切除加工は、切削ブレードが被加工物（半導体ウェハＷ１）の表面を切除方向（−Ｙ方向）へ移動する加工である。また、切除加工は、切削ブレード１０が半導体ウェハＷ１の一本のストリートＳに沿って移動することにより半導体ウェハＷ１を切除する加工でもある。
【００３２】
切削ブレード１０は、切除加工を行う毎に、移動方向Ａ（Ｘ方向）へ固定距離Ｘｎだけ移動する。当該移動方向Ａは、切除方向と直交する方向である。切除加工は、隣接する各ストリートＳに対し、順次行われる。
【００３３】
ここで、１番目の切除加工、２番目の切除加工が行われたとする。この場合、図５に示すように、切削溝Ｌ１１，Ｌ１２が形成される。これにより、図５に示す形状を有する分割片ＷＤ１，ＷＤ２が形成される。分割片ＷＤ１は、切削溝Ｌ１１，Ｌ１２により半導体ウェハＷ１のうち当該半導体ウェハＷ１から切り離された部分である。分割片ＷＤ２は、切除加工が行われることにより切削溝Ｌ１２が形成された後の半導体ウェハＷ１である。
【００３４】
この場合、分割片ＷＤ１とダイシングテープＴ１との接着面積は、分割片ＷＤ２とダイシングテープＴ１との接着面積より小さい。そのため、分割片ＷＤ１には、移動方向Ａ（Ｘ方向）と反対の方向に負荷がかかる。その結果、分割片ＷＤ１の位置は移動方向Ａと反対の方向へずれる。
【００３５】
図６は、偏磨耗を説明するための図である。図６（ａ）は、切削ブレード１０の端部付近の拡大図である。図６（ｂ）は、偏磨耗を有する切削ブレード１０の側面図である。
【００３６】
分割片ＷＤ１の位置が移動方向Ａ（Ｘ方向）と反対の方向へずれるのに伴い、切削溝Ｌ１２を形成するための切除加工を行っている切削ブレード１０には、図６（ａ）に示すように、移動方向Ａ（Ｘ方向）へ傾く。この場合、分割片ＷＤ１が切削ブレード１０に与える負荷よりも、分割片ＷＤ２が切削ブレード１０に与える負荷の方が大きくなる。このような状態での切除加工が、後述の本実施の形態の切削処理Ｎが行われることなく、多く繰り返された場合、図６（ａ），（ｂ）に示すように、切削ブレード１０には、偏磨耗Ｚ１が発生する。偏磨耗とは、磨耗量が左右で不均一な場合に生じる磨耗である。
【００３７】
なお、磨耗のない新品の切削ブレード１０を用いて行われる１回目の切除加工により生じる偏磨耗は、図６の偏磨耗Ｚ１のような形状ではない。偏磨耗は、切削ブレード１０を利用した切除加工が行われた回数が増えるとともに、徐々に進行する。すなわち、切除加工において切削ブレード１０が移動した距離が長くなるとともに、偏磨耗は徐々に進行する。
【００３８】
上記のような偏磨耗の問題を解決する技術として、前述の関連技術Ａがある。関連技術Ａでは、前述したように、被加工物の所定インデックス量の２のｎ乗倍のインデックス量だけ、切削ブレードを割り出し送りして、切削ブレードにより当該被加工物を切削する。前述したように、インデックス量とは、切削ブレードを移動させる距離である。
【００３９】
以下においては、関連技術Ａにより行われる処理を、関連切除処理ともいう。図７および図８は、関連切除処理を説明するための図である。関連切除処理は、図示しないダイシング装置により行われる。
【００４０】
関連切除処理では、まず、第１ステップが行われる。第１ステップでは、ダイシング装置が、切除加工を行う毎に、切削ブレード１０を、インデックス量Ｉｎ２だけ移動方向Ａ（Ｘ方向）へ移動させる。インデックス量Ｉｎ２は、固定距離Ｘｎと等しいインデックス量Ｉｎの２倍のインデックス量である。第１ステップにより、複数の切削溝Ｌ１ａが形成される。これにより、半導体ウェハＷ１から、複数の分割片ＷＤが形成される。以下においては、１番目の切削溝Ｌ１ａを、切削溝Ｌ１ａ１とも表記する。また、以下においては、２番目の切削溝Ｌ１ａを、切削溝Ｌ１ａ２とも表記する。
【００４１】
次に、第２ステップでは、ダイシング装置が、各分割片ＷＤの幅方向の中心を通る線に沿って、切削ブレード１０により切除加工を行う。具体的には、まず、ダイシング装置が、切削ブレード１０の位置を、位置ＬＣ１１とする。位置ＬＣ１１は、切削溝Ｌ１ａ１に沿った線と切削溝Ｌ１ａ２に沿った線との中心の位置である。そして、ダイシング装置が、切削ブレード１０を切除方向（−Ｙ方向）へ移動させることにより切除加工を行う。
【００４２】
そして、ダイシング装置が、切除加工が行われる毎に、切削ブレード１０を、インデックス量Ｉｎ２だけ移動方向Ａ（Ｘ方向）へ移動させる。これにより、第２ステップは終了する。第２ステップにより、各分割片ＷＤの中央が切除される。これにより、各分割片ＷＤの中央に切削溝Ｌ１ｂが形成される。
【００４３】
次に、ダイシング装置が、切削溝Ｌ１ｂが移動方向Ａと直交するように、半導体ウェハＷ１を９０度回転させる。その後、前述の各ストリートＳ２に対し、前述の第１ステップ及び第２ステップが順に行われる。これにより、関連切除処理は終了する。すなわち、ｎ＝１の場合、第１ステップ及び第２ステップが、半導体ウェハＷ１が回転する前の状態と、半導体ウェハＷ１が回転した後の状態とにおいて、１回ずつ行われる。
【００４４】
なお、ｎ＝２以上の場合、ｎ＝１の場合における前述の関連切除処理が、各分割片の一辺のサイズが、前述の固定距離Ｘｎと等しいインデックス量Ｉｎと同じになるまで、繰り返し行われる。
【００４５】
以上の関連切除処理では、第１ステップにより、半導体ウェハＷ１は、インデックス量Ｉｎの２倍のインデックス量のサイズに分割される。これにより、分割片２５とダイシングテープＴとの接着面積を稼ぐことができる。その結果、分割片ＷＤのずれ（シフト）を防止することができる。
【００４６】
また、第２ステップでは、分割片ＷＤの中央から切削を行ことで、切り残された分割片のサイズと、半導体ウェハＷ１から切り離された分割片のサイズとを同一にする。これにより、切削ブレード１０の偏磨耗を防ぐとしている。
【００４７】
また、第２ステップ以降で、分割片ＷＤの中央から切削を行ことで、切り残された分割片のサイズと、半導体ウェハＷ１から切り離された分割片のサイズを同一にする。これにより、関連技術Ａでは、切削ブレード１０の偏磨耗を防ぐとしている。
【００４８】
しかしながら、被加工物である半導体ウェハＷ１を構成する材料の硬度、ダイシングテープＴ１の粘着強度等の加工条件よっては、切削抵抗、保持力等は変わる。ここで、当該切削抵抗とは、分割片をシフトさせようとする切削ブレード１０と被加工物との間で生じる抵抗（力）である。また、当該保持力は、分割片がずれない（シフトしない）ように当該分割片を保持する力である。
【００４９】
そのため、関連技術Ａでは、分割片ＷＤのずれ（シフト）は皆無とはならない。また、さらに、被加工物が円形の半導体ウェハである場合、インデックス量（ピッチ）が同じであっても、以下の状況が生じる。当該状況は、切り残された分割片とダイシングテープＴ１との接着面積と、切り離された分割片とダイシングテープＴ１との接着面積とが、半導体ウェハの中央部以外では常に異なるという状況である。そのため、切り残された分割片、および、切り離された分割片では、切削によるシフト量にも違いがあり。その結果、関連技術Ａでも、切削ブレードの偏磨耗は起こり得る。
【００５０】
また、関連切除処理では、第１ステップの切削において、前述のような分割片のシフトが発生した分割片に対し、第２ステップ以降で更に中央から分割する。そのため、分割片のシフトにより発生したストリートの位置ずれ及びインデックス量のずれにより、分割されたチップの位置の精度が悪化する。
【００５１】
関連切除処理では、更に、所定のインデックス量に達するまで、切断ブレードは半導体ウェハ上を繰り返し移動する。そのため、加工の際の移動距離が長くなるという問題、切断開始位置を何度も割り出すことになり加工時間が長くなると言った問題等も生じる。
【００５２】
そこで、本実施の形態では、関連技術Ａが有する上記問題を解決するために、以下の切削処理Ｎを行う。切削処理Ｎは、詳細は後述するが、切削加工を行うことにより該被加工物の切削を行う処理である。
【００５３】
図９は、本発明の実施の形態１に係る切削処理Ｎのフローチャートである。切削処理Ｎは、図示しないダイシング装置により行われる。
【００５４】
ここで、図１および図２で説明したように、被加工物である半導体ウェハＷ１は、ダイシングテープＴ１により、ダイシングフレームＦ１に固定される。半導体ウェハＷ１が固定されたダイシングフレームＦ１は、図示しないチャックテーブルに固定される。チャックテーブルは、真空吸着及び回転機構を有する。なお、前述したように、半導体ウェハＷ１の表面には、複数のデバイスＤ１がマトリックス状に形成されている。
【００５５】
以下においては、前述の切除方向を、切除方向ＤＲ１とも表記する。切除方向ＤＲ１は、切削ブレード１０が移動する方向である。また、以下においては、切削加工により形成される切削溝を、切削加工ラインともいう。
【００５６】
ステップＳ１０１では、初期処理が行われる。初期処理では、各デバイスＤ１のキーパターン２（図３参照）がＣＣＤカメラにより参照された状態で、切削加工ライン（切除方向ＤＲ１）と、ストリートＳ１とが平行になるように、チャックテーブルが回転調整される。すなわち、アライメントが実施される。また、切削ブレード１０の位置は、図１０の位置ＬＣ０とされる。すなわち、切削ブレード１０の位置が、一番端のストリートＳ１の位置となる。
【００５７】
ステップＳ１１０では、切削加工処理Ｎ１が行われる。切削加工処理Ｎ１では、ダイシング装置により切除加工が行われる。当該切除加工は、前述したように、切削ブレード１０が被加工物（半導体ウェハＷ１）の表面を切除方向ＤＲ１（−Ｙ方向）へ移動する加工である。
【００５８】
なお、切削加工により形成される切削溝の深さは、３０〜５０μｍ程度である。すなわち、ダイシングテープＴ１の表面から、３０〜５０μｍ程度切除されることにより、切削溝が形成される。なお、切削溝の底が、切削ブレード１０の下端となるように、切削部５０の高さは制御される。
【００５９】
１番目のストリートＳ１に対する切除加工が終了した後、切削ブレード１０の下端が、半導体ウェハＷ１に形成されたデバイスＤ１に接触しないように、切削部５０は上昇する。そして、切削部５０は、１番目のストリートＳ１に対する加工開始位置（位置ＬＣ０）まで移動した後、移動方向Ａ（Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎだけ移動する。これにより、切削部５０（切削ブレード１０）の位置は、２番目のストリートＳ１において、切除加工を開始する位置となる。
【００６０】
以上の処理が、各ストリートＳ１に対して繰り返し行われる。以下においては、複数のストリートＳ１のうち、最後に切除加工の対象となるストリートＳ１を、ストリートＳ１ｅとも表記する。また、以下においては、後述の回転処理が行われる前におけるストリートＳ１ｅのＸ軸方向の位置を、ＬＣ１ｅとも表記する。
【００６１】
ストリートＳ１ｅに対する切除加工が終了することにより、切削加工処理Ｎ１は終了する。これにより、複数の切削溝Ｌ１１ａが形成される。これにより、半導体ウェハＷ１から、複数の分割片ＷＤが形成される。すなわち、複数の分離片ＷＤが得られる。
【００６２】
すなわち、切削加工処理Ｎ１は、切削加工を行う毎に、切削ブレード１０を、移動方向Ａ（Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎだけ移動させる処理である。言い換えれば、切削加工処理Ｎ１は、切削ブレード１０を、移動方向Ａ（Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎだけ移動させる毎に、切削加工を行う処理である。なお、移動方向Ａは、切除方向ＤＲ１と直交する。以下においては、切除加工により半導体ウェハＷ１に形成される、切除方向ＤＲ１に沿ったラインを、切削加工ラインともいう。
【００６３】
次に、ステップＳ１１１の処理が行われる。ステップＳ１１１では、被加工物（半導体ウェハＷ１）を回転させるための回転処理が行われる。ここで、各ストリートＳ１の数は、Ｋ（２以上の自然数）本であるとする。この場合、回転処理は、切削加工処理Ｎ１における切削加工が予め定められたＫ回行われた後に行われることになる。
【００６４】
回転処理では、要約すれば、切削加工により被加工物（半導体ウェハＷ１）に形成された切削加工ラインが、切除方向ＤＲ１と直交するように被加工物を回転させる処理である。
【００６５】
具体的には、回転処理では、ダイシング装置が、図１１に示すように、切削加工ラインが、ストリートＳ２と直交するように、半導体ウェハＷ１が固定されたチャックテーブル（図示せず）を、反時計回りの方向に９０度回転させる。すなわち、回転処理では、ダイシング装置が、半導体ウェハＷ１に形成された切削加工ラインが、切除方向ＤＲ１と直交するように被加工物（半導体ウェハＷ１）を回転させる。
【００６６】
なお、回転処理において、チャックテーブルを回転させる方向は、反時計回りの方向に限定されず、時計回りの方向であってもよい。
【００６７】
以下においては、複数のストリートＳ２のうち、最初に切除加工の対象となるストリートＳ２を、ストリートＳ２ｆとも表記する。
【００６８】
その後、切削部５０は、切除加工を開始する位置を、ストリートＳ２ｆにおける、図１１の位置ＬＣ０１まで移動する。すなわち、アライメントが実施される。次に、ステップＳ１２０の処理が行われる。以下においては、移動方向Ａと反対の方向を、移動方向Ｂともいう。
【００６９】
ステップＳ１２０では、切削加工処理Ｎ２が行われる。切削加工処理Ｎ２は、切削加工処理Ｎ１と同様に、各ストリートＳ２に対して切削加工が行われる。具体的には、切削加工処理Ｎ２では、ダイシング装置が、切除加工が行われる毎に、切削ブレード１０を、移動方向Ｂ（−Ｘ方向）へ移動させる。
【００７０】
すなわち、切削加工処理Ｎ２は、切除加工が行われる毎に、切削ブレード１０を、移動方向Ｂ（−Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎだけ移動させる処理である。言い換えれば、切削加工処理Ｎ２は、切削ブレード１０を、移動方向Ａと反対の方向である移動方向Ｂへ、固定距離Ｘｎだけ移動させる毎に、切削加工を行う処理である。
【００７１】
ストリートＳ２に対して切削加工が行われると、切削加工処理Ｎ２は終了し、切削処理Ｎは終了する。これにより、複数の切削溝Ｌ１２ａが形成される。これにより、半導体ウェハＷ１から、正方形の複数の分割片ＷＤが形成される。
【００７２】
以下においては、複数のストリートＳ２のうち、最後に切除加工の対象となるストリートＳ２を、ストリートＳ２ｅとも表記する。また、以下においては、ストリートＳ２ｅのＸ軸方向の位置を、ＬＣ２ｅとも表記する。
【００７３】
以上の切削加工処理Ｎ２により、図１２に示すように、ストリートＳ２ｅの位置ＬＣ２ｅまで、切削加工が行われることにより、半導体ウェハＷ１に形成された各デバイスＤ１は全て切断分離される。これにより、複数のデバイスＤ１が得られる。
【００７４】
以上説明したように、本実施の形態によれば、切削ブレード１０を、切除方向ＤＲ１（−Ｙ方向）と直交する移動方向Ａ（Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎだけ移動させる毎に、切削加工を行う。切削加工は、切削ブレードが被加工物（半導体ウェハＷ１）の表面を切除方向ＤＲ１（−Ｙ方向）へ移動する加工である。また、切削ブレード１０を、移動方向Ａ（Ｘ方向）と反対の方向である移動方向Ｂ（−Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎだけ移動させる毎に、切削加工を行う。
【００７５】
すなわち、１番目の切削加工を行うステップＳ１１０では、切削ブレードが移動する方向は、移動方向Ａ（Ｘ方向）である。また、２番目の切削加工を行うステップＳ１２０では、切削ブレードが移動する方向は、移動方向Ａと反対の移動方向Ｂ（−Ｘ方向）である。
【００７６】
これにより、切削加工が行われた回数が非常に多くなり、切削ブレードが移動した距離が長くなった場合でも、切削ブレードに対し移動方向Ａの反対方向へ加わる力により生じる磨耗量と、切削ブレードに対し移動方向Ｂの反対方向へ加わる力により生じる磨耗量とは、ほぼ等しくなる。したがって、切削ブレードの偏磨耗を抑制することができる。
【００７７】
また、切削処理Ｎにより、半導体ウェハＷ１に形成された各デバイスＤ１が形成された分割片の形状は、正方形である。なお、半導体ウェハＷ１の形状は、円形である。そのため、ステップＳ１１０，Ｓ１２０ともに、切削加工ラインの数は同じである。また、ステップＳ１１０において、切除加工が行われる毎に切削ブレード１０が移動する方向（移動方向Ａ）は、ステップＳ１２０において、切除加工が行われる毎に切削ブレード１０の移動する方向（移動方向Ｂ）の反対の方向となるようにされる。そのため、図６を用いて説明した、切削ブレード１０における左右の磨耗量は均等となる。したがって、図６のような偏磨耗Ｚ１の発生を防止することが可能となる。
【００７８】
また、本実施の形態では、ステップＳ１１０が終了したときの切削部５０の位置は、ステップＳ１２０の処理が開始される際の加工開始位置と、ほぼ同じライン上となる。そのため、ステップＳ１２０からステップＳ１２０に移行する際における、切削部５０の移動距離を非常に少なくすることができる。したがって、効率的な加工を実現することが可能となる。
【００７９】
また、本実施の形態では、関連技術Ａのように、一度加工を行った分割片を更に中央から分割する加工は実施しない。そのため、分割片のずれ（シフト）により発生したストリートの位置ずれ、及び、固定距離Ｘｎ（インデックス量）のずれにより、分割されたチップの位置精度が悪化するようなことはない。したがって、切断位置のずれのない高品質のチップを得ることが可能となる。
【００８０】
また、本実施の形態では、被加工物は、端から順に、所定の固定距離の間隔で切除加工される。そのため、切除加工の際における分割片のずれは、半導体ウェハＷ１から切り離された分割片のみに生じるだけで、切り残された分割片には発生しない。そのため、切断位置のずれのない精度の高い分割片を得ることが可能となる。
【００８１】
また、本実施の形態では、ストリートＳ１に対して切除加工が行われる毎に切削ブレード１０が移動する方向は、ストリートＳ２に対して切除加工が行われる毎に切削ブレード１０が移動する方向の逆方向である。そのため、分割片のずれによる切削ブレードの磨耗を、切削ブレード１０の左右において均等にすることができる。
【００８２】
また、本実施の形態では、各ストリートＳ１に対する切除加工が終了した状態から、各ストリートＳ２に対する切除加工を開始するまでにおいて、切削ブレード１０の移動距離が少ない。そのため、切削ブレード１０の移動ロスも少なくすることができる。その結果、加工時間の短縮が可能となる。
【００８３】
本実施の形態では、以上のように構成されるため、切断位置のずれによる切り出し位置精度の劣化を防止することができる。また、切断ブレードの偏磨耗の発生を抑制することができる。また、切削ブレードの移動ロスを少なくすることができる。
【００８４】
なお、関連技術Ａでは、前述したように、被加工物の所定インデックス量の２のｎ（自然数）乗倍のインデックス量だけ、切削ブレードを移動させて、切削ブレードにより当該被加工物を切削して複数の分割片を形成する。インデックス量とは、切削ブレードを移動させる距離である。
【００８５】
次に、関連技術Ａでは、該分割片の中央に切削ブレードを位置付けて同一のインデックス量で切削ブレードを割り出し送りして各分割片の中央を切削する処理を行う。当該処理は、各分割片が、所定インデックス量で切除されたチップサイズになるまで繰り返される。
【００８６】
すなわち、関連技術Ａでは、被加工物を分割片に分離したものを、更に分離切断する必要がある。そのため、最初の分割片の切断加工の際に発生した分割片の位置ずれが、更なる分離切断の際における、切断位置の精度に影響を及ぼす。その為、最終的に得られる分割片の切り出し位置の精度の劣化が問題となる。
【００８７】
また、関連技術Ａでは、所定インデックス量に達するまで、切断ブレードは被加工物上を繰り返し移動する。そのため、切断ブレードの移動距離が長くなるという問題点、切断開始位置を何度も割り出すことになり加工時間が長くなるという問題点等もある。
【００８８】
そこで、本実施の形態では、上記のように処理が行われる。これにより、関連技術Ａにおける問題を解決することができる。
【００８９】
なお、本実施の形態では、デバイスＤ１が半導体ウェハＷ１の表面に形成されるとしたがこれに限定されない。デバイスＤ１は、例えば、半導体ウェハＷ１の内部に形成されてもよい。
【００９０】
＜実施の形態２＞
実施の形態１では、切削加工により形成された分割片（デバイスＤ１）の形状は、正方形である。本実施の形態は、分割片の形状（デバイスＤ１）が、長方形である場合の処理について説明する。
【００９１】
図１３は、半導体ウェハＷ１に形成された各デバイスＤ１の一部を示す平面図である。図１３において、図３と同じ符号の部分は、図３と同様なので詳細な説明は繰り返さない。
【００９２】
図１３に示すように、隣接する２つのストリートＳ１の間隔が固定距離Ｘｎ１となるように、複数のストリートＳ１は設けられる。また、隣接する２つのストリートＳ２の間隔が固定距離Ｘｎ２となるように、複数のストリートＳ２は設けられる。なお、分割片の形状（デバイスＤ１）が、長方形である場合、ストリートＳ１の数と、ストリートＳ２の数は異なる。以下においては、実施の形態２に係る切削方法を、切削処理Ａともいう。
【００９３】
図１４は、本発明の実施の形態２に係る切削処理Ａのフローチャートである。図１４において、図９のステップ番号と同じステップ番号の処理は、実施の形態１で説明した処理と同様な処理が行われるので詳細な説明は繰り返さない。以下、実施の形態１と異なる点を中心に説明する。
【００９４】
図１５は、切削処理Ａを説明するための図である。図１５（ａ）および図１５（ｂ）は、切削処理Ａによる各状態を示す図である。
【００９５】
図１４および図１５を参照して、まず、実施の形態１と同様、ステップＳ１０１の処理が行われる。これにより、切削ブレード１０の位置は、図１５（ａ）に示す位置となる。
【００９６】
ステップＳ１１０Ａでは、切削加工処理Ａ１が行われる。切削加工処理Ａ１は、切削加工処理Ｎ１において、固定距離Ｘｎを固定距離Ｘｎ１に置き換えた処理と同様であるので詳細な説明は繰り返さない。
【００９７】
すなわち、切削加工処理Ａ１は、切削加工を行う毎に、切削ブレード１０を、移動方向Ａ（Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎ１だけ移動させる処理である。言い換えれば、切削加工処理Ａ１は、切削ブレード１０を、移動方向Ａ（Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎ１だけ移動させる毎に、切削加工を行う処理である。切削加工処理Ａ１により、複数の切削溝Ｌ１１ａが形成される。これにより、半導体ウェハＷ１から、複数の分割片ＷＤが形成される。
【００９８】
次に、実施の形態１と同様、ステップＳ１１１の回転処理が行われる。ここで、各ストリートＳ１の数は、Ｋ（２以上の自然数）本であるとする。この場合、回転処理は、実施の形態１と同様、切削加工処理Ａ１における切削加工が予め定められたＫ回行われた後に行われる。回転処理の後、切削部５０の位置は、図１５（ｂ）に示される位置となる。
【００９９】
ステップＳ１２０Ａでは、切削加工処理Ａ２が行われる。切削加工処理Ａ２は、切削加工処理Ｎ２において、固定距離Ｘｎを固定距離Ｘｎ２に置き換えた処理と同様であるので詳細な説明は繰り返さない。
【０１００】
すなわち、切削加工処理Ａ２は、切除加工が行われる毎に、切削ブレード１０を、移動方向Ｂ（−Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎ２だけ移動させる処理である。言い換えれば、切削加工処理Ａ２は、切削ブレード１０を、移動方向Ａと反対の方向である移動方向Ｂへ、固定距離Ｘｎ２だけ移動させる毎に、切削加工を行う処理である。切削加工処理Ａ２が終了すると、切削処理Ａは終了する。これにより、複数の切削溝Ｌ１２ａが形成される。これにより、半導体ウェハＷ１から、長方形の複数の分割片ＷＤが形成される。
【０１０１】
以上の切削処理Ａにより、切削ブレード１０が移動方向Ａへ移動する毎に行われる切削加工の回数と、切削ブレード１０が移動方向Ｂへ移動する毎に行われる切削加工の回数とを同じにする。
【０１０２】
これにより、分割片の形状（デバイスＤ１）が、長方形である場合であっても、切削ブレード１０における左右の磨耗量のバランスを取ることが可能となる。すなわち、切削ブレード１０における左右の磨耗量は均等となる。これにより、実施の形態１と同様に、図６のような偏磨耗Ｚ１の発生を防止することが可能となる。
【０１０３】
次に、実施の形態２に係る切削方法が行われる被加工物（半導体ウェハＷ１）の数が複数である場合について説明する。この場合、奇数番目（例えば、１番目）の半導体ウェハＷ１に対しては、前述の切削処理Ａが行われる。すなわち、奇数番目の被加工物に対し行われる切削処理Ａにおいて、ステップＳ１１０Ａにおける固定距離（Ｘｎ１）は、ステップＳ１２０Ａにおける固定距離（Ｘｎ２）より短い。具体的には、ステップＳ１１０Ａにおいて１回の切削加工に対して切削ブレード１０が移動する固定距離（Ｘｎ１）は、ステップＳ１２０Ａにおいて１回の切削加工に対して切削ブレード１０が移動する固定距離（Ｘｎ２）より短い。
【０１０４】
一方、偶数番目（例えば、２番目）の半導体ウェハＷ１に対しては、以下の切削処理Ｂが行われる。図１５（ｃ）および図１５（ｄ）は、切削処理Ｂによる各状態を示す図である。
【０１０５】
図１６は、切削処理Ｂのフローチャートである。図１６において、図１４のステップ番号と同じステップ番号の処理は、前述した切削処理Ａと同様な処理が行われるので詳細な説明は繰り返さない。以下、切削処理Ａと異なる点を中心に説明する。
【０１０６】
ステップＳ１１０Ｂでは、切削加工処理Ｂ２が行われる。なお、切削加工処理Ｂ２が行われる直前の切削部５０の位置は、図１５（ｃ）に示される位置である。
【０１０７】
切削加工処理Ｂ２は、切削加工処理Ｎ１において、固定距離Ｘｎを固定距離Ｘｎ２に置き換えた処理と同様であるので詳細な説明は繰り返さない。すなわち、切削加工処理Ｂ２は、切削加工を行う毎に、切削ブレード１０を、移動方向Ａ（Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎ２だけ移動させる処理である。言い換えれば、切削加工処理Ｂ２は、切削ブレード１０を、移動方向Ａ（Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎ２だけ移動させる毎に、切削加工を行う処理である。
【０１０８】
次に、ステップＳ１１１の回転処理が行われた後、ステップＳ１２０Ｂの処理が行われる。
【０１０９】
ステップＳ１２０Ｂでは、切削加工処理Ｂ１が行われる。なお、切削加工処理Ｂ１が行われる直前の切削部５０の位置は、図１５（ｄ）に示される位置である。
【０１１０】
切削加工処理Ｂ１は、切削加工処理Ｎ２において、固定距離Ｘｎを固定距離Ｘｎ１に置き換えた処理と同様であるので詳細な説明は繰り返さない。すなわち、切削加工処理Ｂ１は、切除加工が行われる毎に、切削ブレード１０を、移動方向Ｂ（−Ｘ方向）へ、固定距離Ｘｎ１だけ移動させる処理である。
【０１１１】
言い換えれば、切削加工処理Ｂ１は、切削ブレード１０を、移動方向Ａと反対の方向である移動方向Ｂへ、固定距離Ｘｎ１だけ移動させる毎に、切削加工を行う処理である。すなわち、偶数番目の被加工物に対し行われる切削処理Ｂにおいて、ステップＳ１１０Ｂにおける固定距離（Ｘｎ２）は、ステップＳ１２０Ｂにおける固定距離（Ｘｎ１）より長い。具体的には、ステップＳ１１０Ｂにおいて１回の切削加工に対して切削ブレード１０が移動する固定距離（Ｘｎ２）は、ステップＳ１２０Ｂにおいて１回の切削加工に対して切削ブレード１０が移動する固定距離（Ｘｎ１）より長い。
【０１１２】
すなわち、奇数番目の半導体ウェハＷ１に対して行われる切削処理Ａと、偶数番目の半導体ウェハＷ１に対して行われる切削処理Ｂとでは、回転処理の前後において切削ブレード１０を移動させる固定距離が逆になる。例えば、切削処理ＢのステップＳ１１０Ｂにおける固定距離は、切削処理ＡのステップＳ１２０Ａにおける固定距離Ｘｎ２である。また、切削処理ＢのステップＳ１２０Ｂにおける固定距離は、切削処理ＡのステップＳ１１０Ａにおける固定距離Ｘｎ１である。
【０１１３】
以上のように、切削処理Ａおよび切削処理Ｂが行われることにより、切削方法が行われる被加工物（半導体ウェハＷ１）の数が複数である場合においても、実施の形態１と同様に、図６のような偏磨耗Ｚ１の発生を防止することが可能となる。
【０１１４】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略することが可能である。
【０１１５】
例えば、実施の形態１，２に係る切削方法の対象は、半導体ウェハとしたがこれに限定されず、切削ブレードを用いて加工される部材であれば、他の部材であってもよい。
【符号の説明】
【０１１６】
１０  切削ブレード、５０  切削部、Ｄ１  デバイス、Ｆ１  ダイシングフレーム、Ｗ１  半導体ウェハ。
【図１】
2014192276.tif 000003
【図２】
2014192276.tif 000004
【図３】
2014192276.tif 000005
【図４】
2014192276.tif 000006
【図５】
2014192276.tif 000007
【図６】
2014192276.tif 000008
【図７】
2014192276.tif 000009
【図８】
2014192276.tif 000010
【図９】
2014192276.tif 000011
【図１０】
2014192276.tif 000012
【図１１】
2014192276.tif 000013
【図１２】
2014192276.tif 000014
【図１３】
2014192276.tif 000015
【図１４】
2014192276.tif 000016
【図１５】
2014192276.tif 000017
【図１６】
2014192276.tif 000018