(57)【要約】【課題】実施形態は、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であり、反りや歪みを抑制できる部材の接合構造、接合方法およびそれを用いたパッケージを提供する。【解決手段】実施形態は、電子部品を収容または載置する部材の接合構造であって、第１の部材と、前記第１の部材に接合された第２の部材と、前記第１の部材の接合面と、前記第２の部材の接合面と、の間に介在する接合部であって、融点が４００℃以上の１つの金属元素を９８重量％以上含有する接合部と、を備える。【選択図】図１
2014049700.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子部品を収容または載置する部材の接合構造であって、
第１の部材と、
前記第１の部材に接合された第２の部材と、
前記第１の部材の接合面と、前記第２の部材の接合面と、の間に介在する接合部であって、融点が４００℃以上の１つの金属元素を９８重量％以上含有する接合部と、
を備えた部材の接合構造。
【請求項２】
前記金属元素は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）のいずれかである請求項１記載の部材の接合構造。
【請求項３】
前記第１の部材は、銅または銅合金からなり、
前記第２の部材は、鉄（Ｆｅ）を含む合金からなる請求項１または２に記載の部材の接合構造。
【請求項４】
前記第１の部材および前記第２の部材の少なくともいずれかは、セラミック材を含む請求項１または２に記載の部材の接合構造。
【請求項５】
電子部品を収容または載置する部材の接合方法であって、
融点が４００℃以上の金属元素を含み、粒径が５００ｎｍ以下の微粒子を含む接合材を介して、第１の部材と、第２の部材と、を接触させ、
前記第１の部材と前記第２の部材とを接触させた状態で加熱し、前記第１の部材と前記第２の部材とを接合させる部材の接合方法。
【請求項６】
前記第１の部材の表面に、前記接合材を塗布する請求項５記載の部材の接合方法。
【請求項７】
前記加熱の温度は、４００℃以下である請求項５または６に記載の部材の接合方法。
【請求項８】
前記接合材は、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）のいずれかの微粒子を含む請求項５〜７のいずれか１つに記載の部材の接合方法。
【請求項９】
電子部品が固着される基板と、
前記電子部品が固着される部分を囲む枠体であって、融点が４００℃以上の１つの金属元素を９８％以上含有する接合部を介して前記基板に接合された枠体と、
を備えたパッケージ。
【請求項１０】
前記電子部品に信号を入力し、また、信号を出力させるためのフィードスルー端子をさらに備え、
前記基板と前記フィードスルー端子との間、および、前記枠体と前記フィードスルー端子との間は、前記接合部を介して接合された請求項９記載のパッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、部材の接合構造およびその接合方法、パッケージに関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子に代表される電子部品は、それを支持する基板上にボンディングされ、実装基板などに装着される。また、電子部品の多くは、その信頼性を向上させるために、基板を含むパッケージの内部に気密封止される。そして、基板およびパッケージには、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であることが求められる。このため、基板やパッケージを構成する複数の部材は、例えば、電子部品のボンディング温度よりも融点が高い銀ロウを用いて接合される。
【０００３】
しかしながら、基板やパッケージは、信号の入出力や電源の供給に用いられる回路要素や、電子部品の熱を外部に放出する放熱要素などを含む複合体である。そして、銀ロウを用いた高温下の組み立てにより、素材の異なる部材の線膨張係数の違いに起因する反りや歪みを生じる。これらの反りや歪みは、電子部品の特性を劣化させ、信頼度を低下させる要因となる。そこで、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であり、反りや歪みを抑制できる部材の接合構造およびその接合方法が必要とされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１３２４１号公報
【特許文献２】特開２０１１−４６７７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
実施形態は、電子部品のボンディングや動作時の温度に対して安定であり、反りや歪みを抑制できる部材の接合構造、接合方法およびそれを用いたパッケージを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態は、電子部品を収容または載置する部材の接合構造であって、第１の部材と、前記第１の部材に接合された第２の部材と、前記第１の部材の接合面と、前記第２の部材の接合面と、の間に介在する接合部であって、融点が４００℃以上の１つの金属元素を９８重量％以上含有する接合部と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係るパッケージを表す模式図である。
【図２】第１の実施形態に係るパッケージ部材の接合過程を表す模式図である。
【図３】第１の実施形態に係るパッケージの別の側面を表す模式図である。
【図４】第１の実施形態に係るパッケージの製造過程を表す模式図である。
【図５】第２の実施形態に係る半導体装置を表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について図面を参照しながら説明する。なお、図面中の同一部分には同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について適宜説明する。
【０００９】
〔第１の実施形態〕  
図１は、第１の実施形態に係るパッケージ１０を示す模式図である。図１（ａ）は、パッケージ１０の平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）におけるＩｂ−Ｉｂ線に沿った断面図である。パッケージ１０は、例えば、半導体素子、光半導体素子、圧電素子などの電子部品をその内部に収容する。
【００１０】
図１（ａ）に示すパッケージ１０は、基板３と、枠体５と、フィードスルー（Feed through terminal）端子７と、を備える。基板３は、電子部品およびその周辺の回路要素を固着する部品載置部１２と、実装基板にネジ固定するためのフランジ部１４と、を有する。枠体５は、部品載置部１２を囲み、フランジ部１４と部品載置部１２との境界を画する。
【００１１】
フィードスルー端子７は、基板３と枠体５との間に設けられ、パッケージ内部に気密封止された電子部品と外部回路とを電気的に接続するために設けられる。パッケージ１０では、２つのフィードスルー端子７が設けられ、それぞれに外部回路に接続するリード９が接続される。
【００１２】
図１（ｂ）に示すように、基板３と枠体５とは、接合部１３を介して接続される。例えば、電力増幅用のパワーＦＥＴ(Field Effect Transistor)を収容するパッケージでは、放熱性が重視される。このため、基板３には、銅（Ｃｕ）、もしくは、銅とモリブデン（Ｍｏ）の合金など、熱伝導の高い金属が用いられる。一方、枠体５には剛性が求められ、例えば、鉄（Ｆｅ）、ニッケル（Ｎｉ）およびコバルト（Ｃｏ）を配合した合金であるコバール（KOVAL）材を用いる。
【００１３】
半導体素子などの電子部品は、例えば、金錫（ＡｕＳｎ）半田を用いて基板３の上面３ａ（部品載置部１２）にボンディングされる。この工程において、パッケージ１０は、概ね２８０〜３００℃に加熱される。また、金ゲルマニウム（ＡｕＧｅ）、金シリコン（ＡｕＳｉ）を用いてボンディングしても良い。これらの接合材を用いる場合、パッケージ１０は、３５０〜３７０℃に加熱される。したがって、接合部１３の再溶融温度は、４００℃以上であることが望ましい。また、これらボンディング温度と、接合部１３の再溶融温度（融点）と、の間の温度差が大きいほど、パッケージ１０は安定である。
【００１４】
例えば、銀ロウの融点は、７８０℃以上であり、電子部品のボンディング温度に対して安定である。このため、接合材２３として銀ロウが広く用いられてきた。しかしながら、基板３と枠体５とを銀ロウを用いて接合する場合、銀ロウの融点が高温であるがゆえに、その冷却過程において、例えば、銅合金からなる基板３と、コバールからなる枠体５と、の間の線熱膨張率の違いに起因する反りまたは歪みが大きくなる。
【００１５】
これにより、例えば、半導体素子を収容したパッケージ１０を実装基板に装着した場合、基板３の下面３ｂと、実装基板と、の間に隙間が生じ放熱性が低下する。また、基板３および枠体５のいずれかにセラミックを用いた場合には、その部分に割れが生じることもある。
【００１６】
これに対し、本実施形態では、接合部１３は、融点が４００℃以上の１つの金属元素を９８重量％以上含有する。また、接合部１３は、その形成過程において、融点が４００℃以上の金属元素からなる微粒子、所謂ナノ粒子を含む。金属元素は、例えば、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）のいずれかである。ナノ粒子は、これらの金属元素以外の物質を含む保護層をその表面に有しても良い。
【００１７】
ナノ粒子は、それを構成する金属元素の融点に比べて数１００度低い温度において、焼結もしくは溶融することが可能である。このため、ナノ粒子を含む接合部１３を用いることにより、例えば、４００度以下の低温で基板３と枠体５とを接合することができる。そして、基板３と枠体５とを接合した後の接合部１３は、ナノ粒子が一体となったバルク金属を含む。バルク金属の融点は、その材料の本来の融点となるため、接合部１３は、接合時の温度よりも数１００度高い温度まで安定となる。このように、基板３と枠体５とを低温で接合して反りや歪みを抑制し、且つ、電子部品のボンディング温度やその動作温度よりも高温に耐えるパッケージを実現することができる。
【００１８】
次に、図２を参照して、基板３と枠体５の接合過程について説明する。図２（ａ）および図２（ｂ）は、パッケージ１０の製造過程を表す模式断面図である。  
パッケージ１０の製造過程では、まず、第１の部材である基板３と、第２の部材である枠体５と、を準備する。
【００１９】
図２（ａ）に示すように、基板３の上面３ａに、例えば、銀（Ａｇ）を主成分とするナノ粒子を含む接合材２３を塗布する。接合材２３は、例えば、有機溶媒にＡｇナノ粒子を分散したペースト状である。Ａｇナノ粒子の粒径は、例えば、１０〜１００ナノメートル（ｎｍ）である。また、Ａｇナノ粒子は、その表面に保護膜を有していても良い。有機溶媒には、例えば、テルペンアルコールを用いる。接合材２３は、例えば、ディスペンサまたは印刷法を用いて塗布することができる。
【００２０】
続いて、図２（ｂ）に示すように、枠体５の接合面５ａを、基板３の接合面（上面３ａ）に、接合材２３を介して接触させる。そして、基板３と枠体５との間に荷重を加えて密着させた状態で加熱し、３００℃〜４００℃の温度範囲に保持する。これにより、接合材２３の有機溶媒を蒸散させ、Ａｇナノ粒子を残す。さらに、Ａｇナノ粒子を焼結させてバルクＡｇを含む接合部１３を形成する。
【００２１】
バルクＡｇの融点は、約９６０℃である。これに対し、粒子径が数１０ｎｍのＡｇナノ粒子の融点は、１５０℃〜３００℃に低下する。すなわち、Ａｇナノ粒子を含む接合材２３を３００℃〜４００℃の温度範囲で保持することにより、バルクＡｇを含む接合部１３を形成することができる。そして、基板３と枠体５の接合は、９００℃以上の温度に対して安定である。また、３００℃〜４００℃の低温で接合されたパッケージでは、基板３と枠体５との間の反りや歪みが抑制される。
【００２２】
例えば、銅（Ｃｕ）を２８重量％含む銀ロウ（ＡｇＣｕ）の融点は７８０℃である。したがって、接合部１３に含まれるＡｇの濃度を、例えば、９０重量％以上とすることにより、銀ロウよりも高融点化することが可能である。すなわち、電子部品のボンディング温度やその動作温度に対して、銀ロウを用いて部材を接合したパッケージよりも安定なパッケージを実現できる。
【００２３】
一方、金属元素としてＡｕを選択する場合、バルクＡｕの融点は、１０６４℃である。これに対し、粒子径１０〜１００ｎｍのＡｕナノ粒子の融点は、５０℃〜５００℃である。また、粒子径５０ｎｍ〜５００ｎｍのＡｕナノ粒子を用いても良い。このサイズのＡｕ粒子は、約１５０℃の温度で焼結させることが可能である。しかしながら、Ａｕに他の元素を混ぜた合金の融点は、バルクＡｕの融点に比べて大幅に低温化される。例えば、６重量％のシリコンを混ぜたＡｕＳｉの融点は、３７０℃である。また、１２重量％のゲルマニウムを混ぜたＡｕＧｅの融点は３５６℃である。したがって、Ａｕナノ粒子を用いる場合、接合部１３は、例えば、９８重量％以上のＡｕを含むことが望ましい。
【００２４】
Ｃｕナノ粒子を用いる場合、その粒子径は、好ましくは１０〜１００ｎｍである。バルクＣｕの融点１０８０℃に対して、このサイズのＣｕナノ粒子の融点は、３００〜４００℃である。
【００２５】
Ｎｉナノ粒子の場合、粒子径１００ｎｍにおいて、約７５０℃の焼結が可能である。バルクＮｉの融点は１４５０℃であり、微粒子化することにより焼結温度の大幅な低温化ができる。例えば、Ｎｉナノ粒子は、その粒子径を数１０ｎｍ程度、好ましくは１０ｎｍ以下とすることにより、さらなる焼結温度の低温化が可能となる。
【００２６】
なお、本明細書における粒子径は、例えば、各ナノ粒子のＴＥＭ（Transmission Electron Microscope）像を解析して得られる平均粒子径を言う。
【００２７】
図３は、第１の実施形態に係るパッケージ１０の別の側面を示す模式図である。図３（ａ）は、パッケージ１０の平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）におけるIIIｂ−IIIｂ線に沿った断面図である。すなわち、図３（ｂ）は、フィードスルー端子７を含む断面を示している。フィードスルー端子７は、部品載置部１２に固着された電子部品に信号を入力し、また、信号を出力させる。
【００２８】
図３（ａ）に示すように、フィードスルー端子７では、第１の絶縁材７ａの上にストリップライン７ｂが設けられ、そのストリップライン７ｂにリード９が接続される。第１の絶縁材７ａは、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などのセラミックを用いて形成される。また、ストリップライン７ｂの特性インピーダンスを５０Ωとして外部回路に整合させる。これにより、電子部品と外部回路との間における高周波信号の伝送損失を低減することができる。
【００２９】
さらに、図３（ｂ）に示すように、フィードスルー端子７は、第１の絶縁材７ａの上に、ストリップライン７ｂを挟んで設けられた第２の絶縁材７ｃを有する。第２の絶縁材７ｃは、ストリップライン７ｂと枠体５との間を電気的に絶縁する。
【００３０】
そして、上記の構造のフィードスルー端子７を、基板３と枠体５との間に固定するため、基板３とフィードスルー端子７との間を接合部１３ａを介して接続し、枠体５とフィードスルー端子７との間を接合部１３ｂを介して接合する。すなわち、図３（ｂ）に示すように、フィードスルー端子７の第１の絶縁材７ａと、基板３と、の間は、接合部１３ａを介して接合され、第２の絶縁材７ｃと、枠体５と、の間は、接合部１３ｂを介して接合される。
【００３１】
さらに、フィードスルー端子７におけるストリップライン７ｂと、リード９と、の接続においても、同じ接続構造を用いることができる。
【００３２】
図４は、第１の実施形態に係るパッケージ１０の製造過程を表す模式図である。図４（ａ）〜図４（ｄ）は、各工程におけるパッケージを表す模式断面図である。
【００３３】
図４（ａ）に示すように、基板３の上面に接合材２３ａを塗布する。接合材２３ａは、例えば、Ａｇナノ粒子を含む。接合材２３ａは、例えば、印刷法を用いて塗布する。
【００３４】
次に、図４（ｂ）に示すように、接合材２３ａを介してフィードスルー端子７を基板３に接着する。すなわち、接合材２３ａの粘性を利用してフィードスルー端子７を基板３の上に仮止めする。フィードスルー端子７は、第１の絶縁材７ａと、ストリップライン７ｂと、第２の絶縁材７ｃとを含む。
【００３５】
次に、図４（ｃ）に示すように、ストリップライン７ｂの端と、第２の絶縁材７ｃの上に、接合材２３ｂを塗布する。接合材２３ｂは、例えば、Ａｇナノ粒子を含み、ディスペンサを用いて塗布する。
【００３６】
次に、図４（ｄ）に示すように、ストリップライン７ｂの上にリード９を載せ、第２の絶縁材７ｃの上に枠体５を載せる。続いて、枠体５およびリード９に圧力を加えながら、基板３およびフィードスルー端子７を３００℃〜４００℃の温度範囲で加熱する。これにより、接合材２３ａおよび２３ｂから有機溶媒が蒸散し、Ａｇナノ粒子が焼結されて接合部１３ａおよび１３ｂが形成される。
【００３７】
上記の過程で形成されたパッケージ１０では、基板３の反り、基板３と枠体５との間の歪み、フィードスルー端子７と枠体５との間の歪み、および、基板３とフィードスルー端子７との間の歪みを抑制することができる。また、バルクＡｇを含む接合部１３ａおよび１３ｂは９００℃以上の温度まで安定であり、電子部品のボンディングおよびその動作環境に対して高い耐性を有するパッケージが実現される。
【００３８】
また、上記の実施形態では、電子部品を収容するパッケージを例に説明したが、これに限られる訳ではない。例えば、ストリップラインを有する部材等を基板の上に接合した構造の所謂キャリアなどにも適用することができる。
【００３９】
さらに、第１の部材および第２の部材の少なくともいずれかは、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）または窒化アルミ（ＡｌＮ）などのセラミック材を含む部材であっても良い。
【００４０】
また、上記の製造方法では、１種類のナノ粒子を含む接合材２３を用いる例を示したが、２種類以上のナノ粒子を含んでも良い。その場合、焼結または溶融後の接合部１３に含まれるバルク金属（合金）の融点が所望の温度よりも高温となる元素およびその配合比を選択する。
【００４１】
〔第２の実施形態〕  
図５は、第２の実施形態に係る半導体装置１００を示す模式図である。図８（ａ）は、半導体装置１００の平面図であり、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示すＶｂ‐Ｖｂ線に沿った断面図である。
【００４２】
半導体装置１００は、前述のパッケージ１０に、高周波信号を増幅するパワートランジスタ４１を収容した例である。このようなパワートランジスタには、例えば、ＧａＮまたはＳｉＣなどを材料とするＨＦＥＴ（Hetero Junction Field Effect Transistor）、シリコンを材料とするＬＤＭＯＳＦＥＴ（Lateral Double Diffuse MOS Transistor）などがある。いずれも電力増幅素子であり、大量の発熱を伴って動作する。したがって、これらを収容するパッケージ１０の基板３には、放熱性の良い銅板もしくは銅合金が用いられる。
【００４３】
図５（ａ）に示すように、パッケージ１０の部品載置部１２には、トランジスタ４１と、２つの回路基板４３と、が載置される。回路基板４３の表面には導電パターン４３ａが形成され、それぞれトランジスタ４１の複数のゲート電極、および、複数ドレイン電極（もしくはソース電極）と、ストリップライン７ｂと、の間を電気的に接続する。回路基板４３には、例えば、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）を用いる。
【００４４】
図５（ｂ）に示すように、トランジスタ４１と、回路基板４３とは、基板３の上にボンディングされる。これらのボンディングには、例えば、ＡｕＳｎ半田を用いる。これにより、トランジスタ４１と基板３との間を電気的に接続し放熱性を向上させる。例えば、トランジスタ４１は、基板３を介して接地される。
【００４５】
さらに、枠体５の上に蓋４９が固着され、トランジスタ４１を気密封止する。パッケージ１０の内部には、例えば、窒素ガスが封入されトランジスタ４１の動作を安定させ、信頼性を向上させる。蓋４９は、例えば、ＡｕＳｎを用いて枠体５に半田付けされる。
【００４６】
前述したように、パッケージ１０では、基板３と枠体５との間、および、フィードスルー端子７と、基板３および枠体５と、の間が、例えば、接合部１３ａおよび１３ｂにより接合されている。接合部１３ａおよび１３ｂは、例えば、銀ロウ付けよりも低温で形成されるので、基板３、フィードスルー端子７および枠体５の反りもしくは歪みが抑制される。そして、接合部１３ａおよび１３ｂは、９００℃以上の温度まで安定して各部材を接合する。これにより、基板３の下面を実装基板もしくはヒートシンクに密着させ、トランジスタ４１の発熱を効率よく放散させることができる。また、トランジスタの動作を安定させ、信頼度を向上させることができる。
【００４７】
さらに、ＧａＮやＳｉＣなどのワイドギャップ半導体を材料とするトランジスタでは、その動作温度は６００℃に達する。このような場合でも、接合部１３ａおよび１３ｂの融点は動作温度を上回り、半導体装置を安定して動作させることが可能である。
【００４８】
本実施形態に係るパッケージ１０は、上記のトランジスタに限らず、ＬＥＤやレーザなどの光半導体素子、および、ＳＡＷフィルターなどの圧電素子を収容、または、載置することができる。
【００４９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５０】
３・・・基板、  ３ａ・・・上面、  ３ｂ・・・下面、  ５・・・枠体、  ５ａ・・・接合面、  ７・・・フィードスルー端子、  ７ａ・・・第１の絶縁材、  ７ｂ・・・ストリップライン、  ７ｃ・・・第２の絶縁材、  ９・・・リード、  １０・・・パッケージ、  １２・・・部品載置部、  １３、１３ａ、１３ｂ・・・接合部、  １４・・・フランジ部、  ２３、２３ａ、２３ｂ・・・接合材、  ４１・・・トランジスタ、  ４３・・・回路基板、  ４３ａ・・・導電パターン、  ４９・・・蓋、  １００・・・半導体装置
【図１】
2014049700.tif 000003
【図２】
2014049700.tif 000004
【図３】
2014049700.tif 000005
【図４】
2014049700.tif 000006
【図５】
2014049700.tif 000007