(57)【要約】【課題】ＣｌＦ３ガスを用いた、大気圧下での気相エッチングにおいて、スライスによるダメージ層の除去と表面のテクスチャー形成を同時に実現することで工程削減による製造コスト低減と材料コスト低減を可能にする。【解決手段】ＣｌＦ３ガスエッチングにおいて高速条件による深掘り（１０〜２０μｍ）と第二ステップ以降の低速エッチング条件の浅掘り（約５μｍ）の同一装置による単一処理でダメージ層除去（含ゲッタ層除去）と凹凸形状制御によりテクスチャーまで一気に形成させる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコンインゴットがスライスされたシリコンウエハを表面処理することによってシリコン基板表面にテクスチャー構造を形成する方法であって、
前記シリコンウエハの表面に、大気圧以下の減圧環境で１０％以上の濃度に希釈されたエッチングガスを導入し１５０℃以上で複数回ノンプラズマエッチングを行い、
上記シリコンウエハの加工変質層を除去した後、連続して５％以下に希釈されたエッチングガスを導入し、１３０℃以下の温度でノンプラズマエッチングを行い、前記シリコンウエハの表面にテクスチャー構造を形成すること、
を特徴とする太陽電池基板の表面処理方法。
【請求項２】
前記エッチングガスは、ＣｌＦ3，ＸｅＦ2，ＢｒＦ3およびＢｒＦ5からなる群から選ばれる一以上のガスを含む、請求項１に記載の太陽電池基板の表面処理方法。
【請求項３】
前記エッチングガスを希釈するガスは、分子中に酸素原子を含有するガスをさらに含む、請求項１又は２に記載の太陽電池基板の表面処理方法。
【請求項４】
前記エッチングガスを希釈するガスは分子中に窒素原子を含有するガスをさらに含む、請求項１〜３の何れか一項に記載の太陽電池基板の表面処理方法。
【請求項５】
前記シリコンウエハの表面処理によるＳｉウエハのエッチング量は、２０μｍ以下である請求項１記載の太陽電池基板の表面処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばシリコン基板の表面を処理する技術に関し、特に太陽電池用のシリコン基板の表面にテクスチャーを形成する技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、太陽電池においてセルとなるシリコン基板に太陽光が到達した場合、基板内部に進入する光と基板表面で反射する光とに分離する。
【０００３】
これらの光のうち基板内部に進入する光のみが光起電力効果に寄与することから、基板表面における反射率を低減するため基板表面において多数の凹凸部分が連続するテクスチャー形状に形成するようにしている。
【０００４】
しかし、太陽電池用シリコン基板にはインゴットからスライスした時に生じる加工変質層となる機械加工によるダメージ層が表面に残っている。シリコン基板にこのようなダメージ層が残ったままでは、十分な電流取り出しができず太陽電池として十分な変換効率が得られない。このダメージ層は基板表面近傍に存在しており、この層を除去した上で基板表面に凹凸が連続するテクスチャー構造を形成することが必要である。
【０００５】
従来のシリコン基板表面のテクスチャー化としては、特許文献１および特許文献２に開示されている如く、アルカリ水溶液を使った異方性エッチングにより形成される（図５参照）。
【０００６】
異方性エッチングとは、シリコンの面方位によるエッチング速度の差を利用するものである。具体的にはスライス時のワイヤーソー等によって生じた表面から深さ１０〜２０μｍ程度のダメージ層をエッチングした後、連続してアルカリ溶液中に３０分程度浸漬することにより加工される。
【０００７】
水酸化カリウム、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液あるいはフッ酸と硝酸の混合液などを用いて、２０μｍ程度シリコン基板をエッチングしてダメージ層を除去する。その後、アルカリ水溶液に３０重量％のイソプロピルアルコールを添加した溶液や炭酸ナトリウム水溶液を用いたウエットエッチングによってシリコン基板表面の凹凸加工を実施することによりテクスチャーを形成する方法である。
【０００８】
一方で、近年半導体や液晶分野がそうであったように、ドライ化技術として反応性イオンエッチングによる方法（例えば、特許文献３及び４）などのドライエッチングの研究が試みられている（装置としては、図３に示す態様である。）。
【０００９】
更に、反応性イオンエッチングを用いないドライエッチングによるテクスチャーの形成方法として、三フッ化塩素ガス（ＣｌＦ３）を用いたドライエッチング方法もある。
【００１０】
このドライエッチングの方法は、大気圧下のチャンバー内に、ステージを設けシリコン基板を載置し、ガスボンベからマスフローコントローラーを介して、所定の流量のＣＬＦ３ガスを導入しシリコン基板にＣｌＦ３ガスを暴露させることで、気層中の化学反応のみでシリコンと反応させテクスチャーを形成する方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００６−３４４７６５号公報
【特許文献２】特開２００５−３１１０６０号公報
【特許文献３】特開２０００−１２５１７号公報
【特許文献４】特開２００２−１６４５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
現在、太陽電池に要求されているのは高効率および製造コストの低減である。上記テクスチャー構造は、太陽電池の高効率化には必須である。しかし、基板面内に均一なテクスチャー構造を形成するためには、従来テクスチャーを形成する異方性エッチングはスライス時に生ずるダメージ層を薬品で除去されるまで深いエッチングが必要であった。
【００１３】
しかし、スライス時に生じる加工ダメージ層は１０〜２０μｍ程度と深く、このように深い加工ダメージ層が形成されているとアルカリ溶液でのエッチング速度の低い処理では生産能力が下がってしまい、複数台の装置が必要となる課題があった。
【００１４】
さらに、ダメージ層除去（粗エッチング）するウエットエッチング装置とは別にテクスチャー処理を実施する装置で複数台の製造装置を必要とし初期コストが上昇する課題を有していた。さらに薬品中に長時間浸漬しておく必要がある。また一定の濃度を維持するため薬品の消耗量が大きくなり、薬液交換コストなどに関わるランニングコストが高くなることで製造コストの上昇する要因となっている。
【００１５】
一方で、反応性イオンエッチングによるテクスチャーを形成する方法も知られるが、真空ポンプやプラズマを発生させるための高周波電源などの高コスト部材が必要となる課題を有していた。また、プラズマプロセスによるシリコン基板面内へのイオンダメージにより、十分な電流取り出しができないことで効率低下を招くという課題を有していた。
【００１６】
また、ＣｌＦ３ガスを用いた大気圧下でのドライエッチング方法は化学的反応のみでエッチング加工形状や大きさを面方位に沿って制御するためエッチングマスクとなる材料を事前に形成しておく必要があるという課題を有していた。
【００１７】
そこで本発明は、１台の装置でスライスされたシリコン基板に存在している加工ダメージ層をＣｌＦ３ガスでエッチングして除去し、エッチングマスクを必要とせずＣｌＦ３ガスに添加する希釈ガスとの反応によってセルフマスクを形成しながらシリコン表面に異方性のエッチングによって凹凸状のテクスチャー形状を形成させることで、生産能力を下げずに製造コスト低減と効率向上を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
上記目的を達成するために、本発明の太陽電池の製造方法はシリコン単結晶インゴットのスライスにより得られるシリコン単結晶基板の表面に形成されているスライス時のダメージ層を化学的に除去するとともに加工表面にテクスチャーを形成することである。
【００１９】
本発明のテクスチャー形成方法は、ＣｌＦ３ガスを用いた大気圧を含む減圧下でのドライエッチング方法であって、ＣｌＦ３ガスとシリコンとの発熱反応による反応速度を利用し、シリコン表面から約２０μｍ程度の深いスライス時の加工ダメージ層を短時間でエッチングする条件で加工した後、連続して被加工面凹凸形状のテクスチャーを加工する。その際、ＣｌＦ３ガスとＮ２ガスにさらにＯ２ガスを添加することで、シリコン基板の被加工部表面に原子状のシリコン酸化物となるセルフマスクを形成させる。これによって、それを起点とする異方性エッチングにより基板表面にピラミッド状の凹凸形状を有するテクスチャーを形成することが可能となる。
【発明の効果】
【００２０】
以上のように、本発明のＣｌＦ３ガスを用いた大気圧を含む減圧でのドライエッチング方法を用いれば、反応性ドライエッチングのような高コストの設備を導入することなく工程数を削減するとともに表面に凹凸形状を有するテクスチャーを形成することができ、製造コストの低減を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態におけるエッチングフローを示す図
【図２】本発明の実施の形態を示す装置図
【図３】従来の形態を示す装置図
【図４】本発明の量産の形態を示す装置図
【図５】特許文献１に記載されたテクスチャーを形成する従来の方法を示す図
【図６】本発明の表面処理工程を実施した表面を示す電子顕微鏡写真
【発明を実施するための形態】
【００２２】
（実施の形態１）
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
【００２３】
図１は、本発明の実施の形態におけるエッチングフローを示す図である。図２は、図１を実施するための装置構成の図である。図１のプロセスフローに基づき、図２を用いて説明する。
【００２４】
エッチングを行う単結晶シリコンには、シリコンインゴットより１２５ｍｍ□、厚み１５０μｍにカットおよびスライスされたものを使用した。基板の面方位は（１１１）面方位の基板を使用した。スライスされたウエハはスライス工程後に不純物拡散工程（熱処理）を通した基板を使用した。
【００２５】
太陽電池の製造に際し、図１に示すように、まず引き上げ法により製造される単結晶シリコンのインゴットをスライスし、厚さ数２００μｍ程度のシリコンウエハを製造する工程（１）である。
【００２６】
太陽電池用シリコン基板の引き上げには、ＣＺ法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ＝チョクラルスキー法）と呼ばれる金属不純物が濃度数ｐｐｂ以下（１ｐｐｂ＝１０億分の１）に高純度化された多結晶シリコンを、高純度石英るつぼ内に抵抗率調整用のホウ素（Ｂ）やリン（Ｐ）とともに入れて約１４００℃で溶融し回転させながら引き上げる。
【００２７】
本工程は、種結晶と同じ原子配列をした単結晶インゴットを製造する製造方法やＣＺ法に強力な磁場を発生させるＭＣＺ法（Ｍａｇｎｅｔｉｃ  ｆｉｅｌｄ  ａｐｐｌｉｅｄ  Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ法）などを用いて製造する工程である。
【００２８】
次に、スライス工程を実施する。１本のインゴットから約１，０００枚のウエハを得るために、マルチワイヤーソーが用いられる。
【００２９】
この工程（２）は、スライス方式として主流である遊離砥と粒方式では、砥粒を分散させたクーラントを効率よくワイヤーに付着させることによってスムーズにスライス加工される。一般に、砥粒には平均粒径：１０μｍ程度の炭化ケイ素（ＳｉＣ）をクーラントに配合したスラリー状のものが使用される。
【００３０】
この工程によって、基板表面から約１０〜２０μｍ程度の深さまでワイヤーソーによって生じた機械的ダメージ層が発生することが知られている。
【００３１】
次に、不純物拡散工程３を実施する。この工程３は、例えばＰ型シリコン基板ならば、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ３）による熱拡散法を用い、シリコン基板内にＮ型のＰ（リン）を拡散させる。その他の方法としては、例えば、ＳＯＤ、ＰＳＧなどを拡散源として適切な方法でシリコン基板内にリンを含む不純物を拡散させる方法もある。
【００３２】
次に、不純物拡散工程を処理したシリコン基板表面に付着する自然酸化膜除去工程を実施した後に、リンをシリコン基板内に拡散する工程でシリコン基板内に生じたリン酸化物や潜在的に存在する金属成分、有機物などの不純物成分を除去する。そして、シリコン基板表面にピラミッド状の凹凸形状を有するテクスチャー形状を形成する。
【００３３】
この工程は、Ｎ２ガスで希釈されたＣｌＦ３ガスとの混合ガスを照射するステップを複数回繰り返し照射させることで、シリコン基板表面を１５０℃以下の温度でエッチングし、前記リン酸化物や金属成分、有機物などの不純物を除去する表面処理ステップ後に、連続してシリコン基板表面に凹凸形状のテクスチャーを形成するテクスチャー形成ステップを目的とする。
【００３４】
不純物拡散工程３の後に実施した自然酸化物除去工程まで実施したシリコン基板を常圧若しくは減圧可能な反応容器内の温度調節機構のついたステージ２上にシリコン基板を載置し、基板表面を常温から１５０℃以下の基板温度において、Ｎ２ガスで希釈されたＣｌＦ３ガスとの混合プロセスガスを噴射する。
【００３５】
なお、この温度調節機構を備えたステージ２は加熱機構を備えたＥＳＣ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  ｃｈｕｃｋ：電気的静電吸着）ステージ２を使用した。ＣｌＦ３ガスは、上述のように、シリコン基板と発熱反応によりエッチングが進行することで基板表面温度が上昇して行くため、モニターにより１５０℃以上の温度領域を超えないプロセス照射時間を設定し、この照射ステップを２回以上の複数回実施することで前記ダメージ層（約２０μｍ）をエッチングする。そして、上記金属成分や有機物などの不純物を除去する。
【００３６】
なお、この表面処理ステップはＮ２ガスのみのステップを間に挟んでも効果がある。
【００３７】
このエッチングによる反応は等方性エッチングであり、表面にピラミッド状の凹凸形状は形成さらず、蟻の巣状の凹凸形状が形成される。
【００３８】
次に、連続して同じ処理室内に酸素ガスを導入し、ＣｌＦ３ガスとＮ２ガスとＯ２ガスの混合ガスによるプロセスガスで被加工表面に原子状のシリコン酸化物を形成させながら、そのシリコン酸化物自体がエッチングマスクとなり異方性エッチングを進行させるための起点となり、異方性エッチングを促進し、表面にピラミッド状の凹凸形状を有するテクスチャーを形成させる。
【００３９】
次にシリコン基板洗浄工程（６）を実施する。このシリコン基板洗浄工程は、ＣｌＦ３ガスとのエッチングによってシリコン表面に残留するフッ素や塩素成分を除去することで、大気中の水分と反応することを防止するためである。除去方法は純水に数十分浸漬する程度でよい。
【００４０】
また、大気放置によって表面に自然酸化膜を形成するが、前洗浄として工程（７）でフッ化水素酸水溶液に浸漬し、自然酸化膜を除去場合、室温程度の水溶液温度で約６０秒表面が疎水性を呈してくることで自然酸化膜は除去される。
【００４１】
（実施の形態２）
本実施の形態は、上記実施の形態１で説明した工程フローで、自然酸化物除去工程まで行ったシリコン基板を、常圧もしくは減圧可能な反応容器内の温度調節機構のついたステージ２上に載置し、基板表面を常温から１５０℃以上に加熱保持し、基板表面にＮ２ガスで希釈されたＣｌＦ３ガスと混合されたプロセスガスを噴射するものである。
【００４２】
ＣｌＦ３ガスは、沸点が１２℃と低いため、大気中で分解しシリコンとは発熱反応することがわかっているが、より発熱反応を促進させるため１５０℃以上の温度領域で前記ダメージ層（約２０μｍ）をエッチングする表面処理ステップでより短時間で前記不純物を除去する。
【００４３】
なお、本実施の形態での表面処理ステップは１回で可能である。
【００４４】
このときのエッチングは、等方性エッチングであり表面に凹凸形状は形成されない。さらに連続して同じ処理室内に酸素ガスを適量導入し、ＣｌＦ３ガスとＮ２ガスとＯ２ガスの混合ガスによるプロセスガスで、被加工表面に原子状のシリコン酸化物を形成させる。このことで、それ自体がエッチングマスクとなり異方性エッチングを進行させるための起点となり異方性エッチングを促進し、表面に凹凸形状のテクスチャーを形成させるステップである。
【００４５】
（実施の形態３）
本発明の形態は上記実施の形態１において実施した自然酸化膜除去工程（４）を実施せず、テクスチャー工程にて、不純物拡散工程後のシリコン基板表面に存在するリン酸化物やメタル成分および有機物などの不純物を除去し、大気中に長時間暴露することで付着した自然酸化膜をもガスエッチングにて除去するものである。
【００４６】
次に、連続して異方性エッチングによりシリコン基板表面にピラミッド状の凹凸を有するテクスチャーを形成することである。
【００４７】
不純物拡散工程３まで実施したシリコン基板を常圧もしくは減圧可能な反応容器内の温度調節機構のついたステージ２上にシリコン基板を載置し、ＣｌＦ３ガスとＮ２ガスの混合ガスを１５０℃以上の温度領域に加熱保持されたシリコン基板に照射し、大気暴露によって表面に形成された自然酸化膜を除去する。
【００４８】
次に連続して前記加工ダメージ層（約２０μｍ）をエッチングする条件で前記不純物を除去する。このときのエッチングは等方性エッチングであり、表面に凹凸形状は形成されない。
【００４９】
さらに連続して同じ処理室内に酸素ガスを適量導入し、ＣｌＦ３ガスとＮ２ガスとＯ２ガスの混合ガスによるプロセスガスで被加工表面に原子状のシリコン酸化物を形成させることによって、それ自体がエッチングマスクとなり異方性エッチングを進行させるための起点となり異方性エッチングを促進し、表面にピラミッド状を有する凹凸形状のテクスチャーを形成させる。
【００５０】
ただし、これは、ＣｌＦ３ガスとシリコン基板との発熱反応を利用して強固な結合エネルギーをもつ自然酸化膜を除去するに当って、ＣｌＦ３ガスの濃度の高いガス流量条件で１５０℃以上の基板温度確保した状態でシリコンをエッチングしながら自然酸化膜を除去しながら前記リン酸化物や金属成分、有機物などの不純物を除去する。
【００５１】
（実施例）
本発明の表面エッチング装置を用いて、前記スライス工程で生じた機械的ダメージや不純物をＮ２ガスで希釈したＣｌＦ３ガスとの混合ガスを基板に照射することでエッチング除去する表面処理ステップを実施した後、同一の容器内で連続して、前記混合ガスにさらにＯ２ガスを添加した混合ガスによりシリコン基板表面にピラミッド状の凹凸形状を有するテクスチャー形成ステップによりピラミッド状の凹凸を有するテクスチャーを形成した。
【００５２】
使用した基板は面方位面（１１１）の単結晶シリコンウエハ（基板表面の面積：１２５ｍｍ×１２５ｍｍ、厚み２００μｍ）を使用した。シリコン表面には不純物拡散工程（Ｃ）後に生じた自然酸化膜を除去するため、あらかじめフッ化水素濃度（％）のフッ化水素酸水溶液に浸漬し、自然酸化膜を除去する。
【００５３】
この場合、室温程度の水溶液中に数十秒で表面が疎水性を呈してくると自然酸化膜は除去されている。
【００５４】
自然酸化膜除去を実施したシリコン基板を反応容器に載置したのち圧力計８をモニターしながら、真空ポンプ１０を操作して、窒素ガスで９０ＫＰａの圧力保持を行った後、図２には記述していないが、別途、移載室などから、シリコン基板４の搬送を行いチャンバー１内の温度調節可能なステージ２上に載置する。
【００５５】
このとき、移載室もあらかじめ不活性ガスで保持されていることが望ましい。
【００５６】
なお、不活性ガスであれば何を選んでもよいが、コストを考えて窒素ガスを選択することが最も望ましいと考えられる。このとき、ステージ２内に備えた加熱機構により１００℃にシリコン基板を温度保持したが、１５０℃を越えない温度であることが好ましい。
【００５７】
この反応室内で不活性ガスと十分に空気との置換ができた場合には、チャンバー１の内部の水分が存在しないため、チャンバー１のステージ２上にシリコン基板４を載置したのち、ガスボンベ５から、マスフローコントローラー６を通してＮ２０：１０ＳＬＭ、ＣｌＦ３ガス０．５ＳＬＭで流量制御を行い、チャンバー１内のガス導入用のノズル７よりシリコン基板４に導入し圧力調整弁９で反応容器内の圧力を９０ＫＰａに制御する。
【００５８】
ここで、Ｎ２ガスに希釈されたＣｌＦ３ガスとの混合は、ノズル７から導入され、９０ＫＰａの圧力を維持しながら真空ポンプ１０より排気されている。ガスボンベ５が複数記載しているのは、プロセスガスを複数種類、想定しているためである。ノズル７は、チャンバー１の中にさらに設置されたインナー容器１４の中で拡散する２重構造になっており、シリコン基板４全面にプロセスガスを均一に接触させるための構造になっている。
【００５９】
Ｎ２ガスに希釈されたＣｌＦ３との混合ガスに暴露されたシリコンは、直ちに化学反応しながらシリコンのフッ素化合物となってシリコン基板のエッチングが進行するが、１００℃に加熱されたシリコンはシリコンのフッ素化合物（ＳｉＦ４）として１０μｍ／分以上の高速でエッチング反応が進む。この反応は等方性エッチングが支配的なメカニズムで高速エッチングが進行し、インゴットのスライス工程で入った機械的ダメージ層：約１０〜２０μｍ程度の深さを基板表面から均等に除去した結果が図６である。
【００６０】
図６において、（ａ）は上面図、（ｂ）は断面図である。
【００６１】
この表面処理ステップを導入することで、前記機械的ダメージ層を除去するとともに、前記リン酸化物やメタル成分、有機物などの不純物を除去する。
【００６２】
次に、温度調節機構つきのステージ２上でシリコン基板を１３０℃に温度保持をした後、同一反応室内にＯ２ガス２ＳＬＭを導入し、前記表面処理ステップで使用したＮ２ガス：１０ＳＬＭとＣｌＦ３ガス：０．５ＳＬＭに添加した混合ガスで９０ＫＰａの圧力を保持し、２分間エッチングすることで、シリコン基板表面にピラミッド状の凹凸を有するテクスチャーを形成する。
【００６３】
ＣｌＦ３ガスを含むテクスチャーを形成するメカニズムについては、次のように推測される。
【００６４】
ＣｌＦ３ガスはシリコンと非常に反応性が高く、化学反応してＳｉＦ４になり気層中に拡散していく、このとき面方位のエッチング速度比によって異方性エッチングが起こると考えられるが、我々は添加ガスである酸素ガスが、ＣｌＦ３ガスがシリコンとの発熱反応時に被加工面上で形成されるシリコン原子の酸化物となり、これがエッチングマスクとなることと前記面方位のエッチングレート差でテクスチャーが形成される。
【００６５】
また反応は、発熱反応であるため適度な温度以上になると反応速度が爆発的に速くなるため、テクスチャーの形状や大きさを制御するためにはある程度のエッチング速度以下に抑えるためには基板表面温度を制御するためＣｌＦ３に添加するＮ２ガスの混合比を最適化することで、前記工程（Ｃ）でシリコン基板表面に残ったリン酸化物などを除去することができる。
【００６６】
このようにＣｌＦ３ガスに添加するＮ２ガス流量を最適化しながらある程度シリコン基板表面をエッチングし、不純物を除去した後，連続してＯ２ガスを添加することで、シリコン被加工面に原子状の酸化物を形成させながらエッチングが進行する。そのため、そのシリコン酸化物がエッチングマスクとなって面方位のエッチングレート差を利用し、異方性エッチングをすることが可能となる。
【００６７】
なお、添加ガスとして導入する酸素ガスはシリコン酸化物（ＳｉＯ２）は、形状の最適化を実施する上でもエッチング速度を制御させるためにも必要である。
【００６８】
ここで、ＣｌＦ３ガスと添加する酸素ガスの流量比は、最適にコントロールされなければならない。チャンバー１内を空気で大気圧保持されている場合、空気中の酸素量が不安定なため、見かけの流量比と実際の流量比が異なるため、所望のテクスチャーが形成できない可能性がある。
【００６９】
この意味でも、チャンバー１内をあらかじめ不活性ガスで保持することは重要である。もし、このプロセス中にＣｌＦ３と空気中の水分Ｈ２Ｏが化学反応した場合、ＣｌＦ３と爆発的に反応することで基板表面温度が上がり、最適なテクスチャー形状の制御が困難になる。また、人体に有害なフッ酸（ＨＦ）が生成されチャンバー１の内部材に付着し装置メンテナンス時に人体に害を及ぼすことも考えられる。
【００７０】
図４は、図２の構成の装置から、連続処理を可能にさせた実施の形態を示す図である。シリコン基板４は複数枚処理させるため、搬送トレイ１６上に、複数枚載置されており、搬送トレイ１６が搬送ローラー１５上を走行する仕組みになっている。ノズル７はチャンバー１に固定される。
【００７１】
なお、チャンバーは複数個設けてもよい。チャンバーは、チャンバー１の構成と同様に、エッチングが可能なチャンバーでもよいし、そうでなくてもよいが、あらかじめ不活性ガスで大気圧の保持を行うことは言うまでもない。この構成の場合でも、このプロセス中にＣｌＦ３と空気中の水分Ｈ２Ｏが化学反応した場合、有害なフッ酸（ＨＦ）が生成され、チャンバー内部材だけでなく搬送トレイ１６にも付着する可能性があるので危険度はより高くなる。
【００７２】
なお、前記実施の形態を示す方法で、大気圧での保持は、チャンバー１からのガス漏えいを防止するために、大気圧より弱減圧下で実施してもよい。
【産業上の利用可能性】
【００７３】
本発明のＣｌＦ３ガスを用いた大気圧下でのドライエッチングによるテクスチャー形成方法は、フッ酸などの人体に有害な物質を生成するだけでなく、ＣｌＦ３ガスと酸素なとの混合ガスでエッチングする場合には、ガス比のコントロールを容易にさせる効果も期待できる。この技術は、テクスチャー形成方法だけでなく、ＣｌＦ３を用いた加工用途すべてに応用できる。
【符号の説明】
【００７４】
１  チャンバー
２  ステージ
４  シリコン基板
５  ガスボンベ
６  マスフローコントローラー
７  ノズル
８  圧力計
９  圧力調整弁
１０  真空ポンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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