(57)【要約】【課題】半導体ウェハ加工時には半導体ウェハに強固に密着するとともに、剥離時に半導体ウェハの破損や糊残りすることなく剥離可能な半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法を提供する。【解決手段】基材フィルム上に少なくとも１層の放射線硬化型粘着剤層を有し、下記の硬化収縮値Ｓが２．０以下であり、ステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍであって、かつ放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープよび半導体ウェハの製造方法。          硬化収縮値Ｓ＝｛（Ｂ／Ａ）／（Ｄ／Ｃ）｝  Ａはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力を表し、Ｂはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射後の粘着力を表し、Ｃは粘着テープ面における放射線照射前タック力を表し、Ｄは粘着テープ面における放射線照射後タック力を表す。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに貼合され裏面研削する際に用いる表面保護用粘着テープであって、
基材フィルム上に少なくとも１層の放射線硬化型粘着剤層を有し、下記の硬化収縮値Ｓが２．０以下であり、ステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍであって、かつ放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
硬化収縮値Ｓ＝｛（Ｂ／Ａ）／（Ｄ／Ｃ）｝
（上記において、Ａはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力を表し、Ｂはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射後の粘着力を表し、Ｃは粘着テープ面における放射線照射前タック力を表し、Ｄは粘着テープ面における放射線照射後タック力を表す。）
【請求項２】
前記基材フィルムと前記放射線照射型粘着剤層の間に、ラミネータでの２５℃もしくは６０℃における貯蔵弾性率が１×１０４〜１×１０６Ｐａである、放射線非硬化型粘着剤層または樹脂で構成される中間層を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【請求項３】
前記半導体ウェハの半導体ウェハ表面保護用粘着テープの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍであって、前記放射線硬化型粘着剤層の厚さが１〜３０μｍであり、かつ該放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上に存在する層の合計の厚さが該半導体ウェハ面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの該最大差以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【請求項４】
半導体ウェハのウェハ表面を、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護用粘着テープで保護し、該ウェハの裏面を研削して半導体ウェハを加工する工程を含む半導体ウェハの製造方法であって、
表面保護用粘着テープが、基材フィルム上に少なくとも１層の放射線硬化型粘着剤層を有し、下記の硬化収縮値Ｓが２．０以下であり、ステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍであって、かつ放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
硬化収縮値Ｓ＝｛（Ｂ／Ａ）／（Ｄ／Ｃ）｝
（上記において、Ａはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力を表し、Ｂはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射後の粘着力を表し、Ｃは粘着テープ面における放射線照射前タック力を表し、Ｄは粘着テープ面における放射線照射後タック力を表す。）
【請求項５】
前記表面保護用粘着テープが、前記基材フィルムと前記放射線照射型粘着剤層の間に、ラミネータでの２５℃もしくは６０℃における貯蔵弾性率が１×１０４〜１×１０６Ｐａである、放射線非硬化型粘着剤層または樹脂で構成される中間層を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項６】
前記半導体ウェハが、該半導体ウェハ表面保護用粘着テープの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウェハであり、貼合する表面保護用粘着テープが、前記放射線硬化型粘着剤層の厚さが１〜３０μｍであり、かつ該放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上に存在する層の合計の厚さが該半導体ウェハ面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの該最大差以上であることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体ウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法に関する。さらに詳しくは、その表面に凹凸を有する半導体ウェハのバックグラインディング工程へ適用できる半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェハの製造工程においては、パターン形成後のウェハは、通常、その厚さを薄くするため、ウェハ裏面にバックグラインディング、エッチング等の処理を施す。この際、半導体ウェハ表面のパターンを保護する目的で、該パターン面に半導体ウェハ表面保護用粘着テープが貼り付けられる。半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、一般的に、基材フィルムに粘着剤層が積層されてなり、半導体ウェハの表面に粘着剤層を貼付して用いるようになっている。
【０００３】
近年、携帯電話やパソコンなどの小型化、高機能化に伴い、ワイヤーボンディングに比べて省スペースで実装可能なフリップチップ実装が開発されている。フリップチップ実装は、チップ表面と基板を電気的に接続する際、半導体ウェハ表面に形成されたボール状や円柱状のバンプによって接続する。このようにバンプが形成された半導体ウェハのバックグラインディング工程においては、その半導体ウェハ形状により、切削水が半導体ウェハと粘着テープの間に入り込み半導体ウェハを汚染してしまうシーページが発生するリスクが高まるため、半導体ウェハと粘着テープのより強い密着性が求められるが、密着性を高めると粘着テープの剥離性が悪化してしまう。特に、半導体ウェハの厚さはより薄くなる傾向にあり、１００μｍ以下となるような厚さに加工することも珍しくなく、剥離性の悪化により半導体ウェハ破損に繋がりやすい。
【０００４】
この問題を解決するために、放射線硬化型の粘着剤を用い、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離する際に粘着力を低下させることが提案されてきた（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−２１５７６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の放射線硬化型の粘着テープでは、放射線硬化させると、バンプなどの半導体ウェハ表面の凹凸に粘着剤が噛み込み、アンカー効果が強くなり、剥離しにくくなることがあり、この場合、バンプ部の破損や、剥離後に半導体ウェハの表面に粘着剤が残るという問題が発生していた。この問題は半導体の信頼性向上を目的としたバンプの高バンプ化やバンプ間距離の狭ピッチ化に伴いより顕著である。
【０００７】
従って、本発明は、半導体ウェハ加工時には半導体ウェハに強固に密着するとともに、剥離時に、半導体ウェハの破損や糊残りすることなく剥離することができる半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよびそれを用いた半導体ウェハの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題に鑑み、本発明者らは鋭意検討を行った結果、放射線照射前後の粘着力と硬化収縮値が重要であることを見出し、さらなる検討を積み重ね、本発明を完成させるに至ったものである。
すなわち、上記課題は以下の手段により達成された。
（１）半導体ウェハに貼合され裏面研削する際に用いる表面保護用粘着テープであって、
基材フィルム上に少なくとも１層の放射線硬化型粘着剤層を有し、下記の硬化収縮値Ｓが２．０以下であり、ステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍであって、かつ放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【０００９】
硬化収縮値Ｓ＝｛（Ｂ／Ａ）／（Ｄ／Ｃ）｝
【００１０】
（上記において、Ａはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力を表し、Ｂはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射後の粘着力を表し、Ｃは粘着テープ面における放射線照射前タック力（ピーク値）を表し、Ｄは粘着テープ面における放射線照射後タック力（ピーク値）を表す。）
（２）前記基材フィルムと前記放射線照射型粘着剤層の間に、ラミネータでの２５℃もしくは６０℃における貯蔵弾性率が１×１０４〜１×１０６Ｐａである、放射線非硬化型粘着剤層または樹脂で構成される中間層を有することを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（３）前記半導体ウェハの半導体ウェハ表面保護用粘着テープの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍであって、前記放射線硬化型粘着剤層の厚さが１〜３０μｍであり、かつ該放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上に存在する層の合計の厚さが該半導体ウェハ面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの該最大差以上であることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（４）半導体ウェハのウェハ表面を、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護用粘着テープで保護し、該ウェハの裏面を研削して半導体ウェハを加工する工程を含む半導体ウェハの製造方法であって、
表面保護用粘着テープが、基材フィルム上に少なくとも１層の放射線硬化型粘着剤層を有し、下記の硬化収縮値Ｓが２．０以下であり、ステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍであって、かつ放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍであることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【００１１】
硬化収縮値Ｓ＝｛（Ｂ／Ａ）／（Ｄ／Ｃ）｝
【００１２】
（上記において、Ａはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力を表し、Ｂはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射後の粘着力を表し、Ｃは粘着テープ面における放射線照射前タック力を表し、Ｄは粘着テープ面における放射線照射後タック力を表す。）
（５）前記表面保護用粘着テープが、前記基材フィルムと前記放射線照射型粘着剤層の間に、ラミネータでの２５℃もしくは６０℃における貯蔵弾性率が１×１０４〜１×１０６Ｐａである、放射線非硬化型粘着剤層または樹脂で構成される中間層を有することを特徴とする（４）に記載の半導体ウェハの製造方法。
（６）前記半導体ウェハが、該半導体ウェハ表面保護用粘着テープの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウェハであり、貼合する表面保護用粘着テープが、前記放射線硬化型粘着剤層の厚さが１〜３０μｍであり、かつ該放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上に存在する層の合計の厚さが該半導体ウェハ面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの該最大差以上であることを特徴とする（４）または（５）に記載の半導体ウェハの製造方法。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、半導体ウェハ加工時には半導体ウェハに強固に密着することでシーページ等の発生が大幅に低減され、半導体ウェハの破損や糊残りすることなく剥離可能な半導体ウェハ表面保護用粘着テープおよび半導体ウェハの製造方法が提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１５】
＜＜半導体ウェハ表面保護用粘着テープ＞＞
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、基材フィルムの少なくとも片面に、放射線硬化型粘着剤層が形成されている。
ここで放射線硬化型粘着剤層は、放射線〔例えば、紫外線のような光線（レーザー光線も含む）、電子線などの電離性放射線〕の照射で硬化するが、照射する放射線は紫外線が好ましい。
【００１６】
＜硬化収縮値＞
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、硬化収縮値Ｓが２．０以下である。この硬化収縮値Ｓを２．０以下とすることで、半導体ウェハ表面への粘着剤の噛み込みによるアンカー効果の発生が押さえられ、剥離性への悪影響が押さえられる。
ここで、硬化収縮値Ｓは下記式で求められる。
【００１７】
硬化収縮値Ｓ＝｛（Ｂ／Ａ）／（Ｄ／Ｃ）｝
【００１８】
式中、Ａはステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ  Ｕｓｅ  Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）の研磨面に対する放射線照射前の粘着力を表し、Ｂはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射後の粘着力を表し、Ｃは粘着テープ面における放射線照射前タック力を表し、Ｄは粘着テープ面における放射線照射後タック力を表す。
【００１９】
本発明においては、硬化収縮値Ｓは、１．８以下が好ましく、１．５以下がより好ましく、１．０以下がさらに好ましい。
【００２０】
粘着力とタック力は以下の測定で得られる。
なお、ステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ  Ｕｓｅ  Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）は、ＪＩＳ  Ｇ  ４３０５に規定されているＳＵＳ３０４鋼板であり、鏡面仕上げのもの、または研磨紙で磨いたものである。磨き方についてはＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に基づき仕上げられており、研磨紙は２８０番の粗さのものを用いる。
【００２１】
［粘着力の測定］
半導体ウェハ加工用粘着テープから幅２５ｍｍ、長さ３００ｍｍの試験片を切り出す。ＪＩＳ  Ｒ  ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ  Ｇ  ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍのステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ  Ｕｓｅ  Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）板上に、上記試験片を２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に適合する引張試験機〔例えば、インストロン社製の引張試験機（ツインコラム卓上モデル５５６７）〕を用いて放射線照射前の粘着力Ａを測定する。同様に、粘着テープを圧着後１時間経過したものを粘着テープ貼合面の基材フィルム背面より１０００ｍＪ／ｃｍ２（照度４０ｍＷ／ｃｍ２）の紫外線を照射し、１時間放置後、放射線照射後の粘着力Ｂを測定する。測定は１８０°引き剥がし法で、引張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、２５℃、相対湿度５０％の条件で行い、各粘着テープそれぞれに対して３回実施し、その算術平均値を求め、これを粘着力とする。
【００２２】
［タック力の測定］
半導体ウェハ加工用粘着テープから幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍを試験片として切り出す。タッキング試験機（例えば、商品名：ＴＡＣＩＩ、レスカ製）を用いて、半導体ウェハ表面に貼合する粘着剤層側に、３ｍｍφ円柱状プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、停止荷重１００ｇｆで１秒間保持した後に６００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げる際のピーク荷重を放射線照射前のタック力Ｃとする。試験片切り出し後に、基材フィルム背面より１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線（照度４０ｍＷ／ｃｍ２）を照射し、１時間放置したものを試験片とし、同様の方法で放射線照射後のタック力Ｄを求める。測定は２５℃、相対湿度５０％の条件で行い、各粘着テープの各試験片において異なる５点を測定し、その算術平均値を求め、これをタック力とする。
【００２３】
ＳＵＳ鋼板と粘着テープとの接着は主に、物理的作用（ファンデルワールス力等）、化学的作用（界面同士の化学的結合）および機械的作用（アンカー効果）が寄与している。
粘着テープを放射線で硬化させると、放射線硬化型粘着剤が高弾性化、低極性化し、上記の作用が低下するため、粘着テープの剥離がスムーズに行えるようになる。しかし、アンカー効果については粘着テープが放射線硬化時に収縮するため、研磨されたＳＵＳ鋼板の細かな凹凸に粘着剤が噛み込むことで増加することがある。
一方、タック力は瞬間的な接着しやすさを表しており、アンカー効果の影響を受けにくい。
従って、硬化収縮値Ｓが２．０以下であると、バンプのような凹凸を有する面に対してもよりスムーズに剥離することが可能となる。
【００２４】
＜粘着力＞
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、上記で測定した放射線硬化後の粘着力Ｂが、２５℃において０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍである。
なお、放射線硬化後の粘着力Ｂは、後述する放射線硬化前の粘着力Ａより低いことが、硬化の目的からして好ましい。
放射線硬化後の粘着力Ｂは、好ましくは０．０１〜１．０Ｎ／２５ｍｍである。
ここで、近年、粘着テープの剥離時に、例えば５０℃程度の加温を行うことがあるが、そのような場合、剥離時の温度でも上記範囲を満たすことが望ましい。
【００２５】
放射線硬化後の粘着力Ｂを０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍとすることで、半導体ウェハ表面に粘着剤が残存することや、半導体ウェハ表面のバンプを引き剥がしてしまうリスクが低減できる。放射線硬化後の粘着力Ｂが１．５Ｎ／２５ｍｍを超えるとこのような効果が得られない。逆に０．０１Ｎ／２５ｍｍ未満であると、剥離する前にテープが浮いてしまい、場合によってはテープがカールし、剥離エラーが発生する可能性がある。
このように、放射線硬化後の粘着力Ｂを０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍとすることで、半導体ウェハ剥離時には半導体ウェハの破損や粘着剤残りを抑制するという効果を有する。
【００２６】
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、上記で測定した放射線硬化前の粘着力Ａが、２５℃において１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍである。
放射線硬化前の粘着力Ａが１．５Ｎ／２５ｍｍ未満であると、半導体ウェハ表面凹凸への密着性が低下し、半導体ウェハ研削時のダスト浸入や、粘着テープの半導体ウェハ表面からの浮きが発生する可能性があり、逆に２０Ｎ／２５ｍｍを超えると密着性が強すぎるため放射線硬化においても粘着力を低下させることが難しく、放射線硬化を強めると、その硬化収縮によりアンカー効果が大きくなってしまう。
【００２７】
本発明においては、放射線硬化前の粘着力Ａは、１．５〜１５Ｎ／２５ｍｍが好ましく、２〜１５Ｎ／２５ｍｍがより好ましく、２〜１０Ｎ／２５ｍｍがさらに好ましい。また、放射線硬化後の粘着力Ｂは、０．０１〜１．０Ｎ／２５ｍｍが好ましく、０．０５〜１．０Ｎ／２５ｍｍがより好ましく、０．１〜１．０Ｎ／２５ｍｍがさらに好ましい。
【００２８】
＜タック力＞
本発明においては、半導体ウェハへの貼合性時の作業性のため、放射線硬化前のタック力Ｃは、５０〜６００ｋＰａが好ましく、１００〜３００ｋＰａがより好ましい。また、放射線硬化後のタック力Ｄは、３〜１００ｋＰａが好ましい。
【００２９】
硬化収縮値Ｓは後述するように粘着剤組成物の分子量、添加剤の種類や量、放射線硬化型粘着財層の厚さ等を適宜調節することで本発明の範囲できる。
【００３０】
以下に、上記硬化収縮値、粘着力、タック力を満たす半導体ウェハ表面保護用粘着テープの各構成要素について詳細に説明する。
【００３１】
＜基材フィルム＞
基材フィルムは、樹脂フィルムからなるものが好ましく、公知のプラスチック、ゴム等を用いることができる。例えば、ポリオレフィン樹脂（ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、ポリブテン−１、ポリ−４−メチルペンテン−１、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体もしくは共重合体、またはこれらの混合物）、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート）、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、エンジニアリングプラスチック（ポリメチルメタクリレート等）、合成ゴム類（スチレン−エチレン−ブテンもしくはペンテン系共重合体）、熱可塑性エラストマー（ポリアミド−ポリオール共重合体等）、およびこれらの混合物が挙げられる。また、これらを複層にしたものを使用してもよい。
本発明において、基材フィルムは、ポリオレフィン樹脂が好ましく、なかでもエチレン−酢酸ビニル共重合体フィルムが好ましい。
【００３２】
基材フィルムの厚みは、強伸度特性、表面保護テープの剥離性、貼合機におけるカット性の観点から、ポリエチレンなどの柔軟性を有する基材ならば５０〜３００μｍ、ポリエステルなどの剛性を有する基材ならば１０〜１００μｍが適当である。
本発明においては、５０〜３００μｍが好ましい。
【００３３】
＜中間層＞
表面に凹凸を有する半導体ウェハのバックグラインディングを行う場合の研削ダスト浸入等を防止する方法としては、ウェハ全面の凹凸に粘着テープを追従させる方法と、半導体ウェハ周辺部のみ粘着テープを密着させる方法が考えられる。前者の方法では、放射線硬化型の粘着剤に凹凸追従の機能を持たせようとすると半導体ウェハ表面の凹凸と同等かそれ以上の粘着剤厚が必要となるため硬化収縮が大きくなってしまい剥離不良の原因となってしまう。一方、粘着剤層の厚さを薄くし、１層の基材フィルムにて凹凸に追従させようとすると、貯蔵弾性率が１×１０６Ｐａを下回るような低弾性の基材フィルムにする必要があり、このような低弾性のフィルムを用いると、バックグラインディング後の薄くなった半導体ウェハの平坦保持力が劣ることや、粘着テープの製造性への悪化が懸念される。
本発明においては、このような問題を解決するために、基材フィルムと放射線硬化型粘着剤層の間に凹凸追従性のある中間層を有することが望ましい。
ここで、中間層は、基材フィルムと放射線硬化型粘着剤層の間に有する層であり、この中間層は単なる樹脂層もしくは樹脂フィルム（非粘着性の樹脂層もしくは樹脂フィルム）であっても放射線非硬化型の粘着剤層であっても構わない。また、中間層を複数有してもよい。
中間層が樹脂層もしくは樹脂フィルムである場合、公知の樹脂フィルムを用いることができる。また、中間層が放射線非硬化型の粘着剤層である場合、従来の放射線非硬化型の粘着剤層を用いても構わない。
【００３４】
本発明においては、凹凸追従性を実現するために、中間層の貯蔵弾性率は１×１０４〜１×１０６Ｐａであることが好ましく、３×１０４〜５×１０５Ｐａが更に好ましい。１×１０４Ｐａ以下では剛性が低すぎるため、外層の紫外線硬化型粘着剤の硬化収縮により半導体ウェハへの噛み込みやすくなることや、凝集力が不足し糊残り等の原因となる可能性があり、１×１０６Ｐａ以上では半導体ウェハへの凹凸追従性に不十分である。半導体ウェハと粘着テープの密着性の向上等のため、粘着テープの貼合時に加熱されることがある。このような場合は、例えば６０℃等の加熱温度において上記貯蔵弾性率となることが好ましい。
【００３５】
（放射線非硬化型粘着剤の中間層）
中間層として用いる放射線非硬化型の粘着剤（粘着剤樹脂、ベース樹脂）としては、例えばアクリル系粘着剤を用いることができる。アクリル系粘着剤としては、（メタ）アクリル酸エステルモノマーまたは（メタ）アクリル酸エステルモノマーおよび（メタ）アクリル酸から導かれる構成単位とからなる（メタ）アクリル酸エステル共重合体が挙げられる。ここで（メタ）アクリル酸エステルモノマーとしては、例えば、（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル、（メタ）アクリル酸ベンジルエステル、アルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸アルキルエステル、アルコール部に水酸基を有する（メタ）アクリル酸エステル（例えば、ヒドロキシエチルアクリレート）が挙げられる。
【００３６】
粘着成分以外の他成分としては、粘着成分と相溶性がよいものが好ましく、粘着性に問題が生じないものであれば、必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤またはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。本発明において中間層は放射線非硬化型である必要があるが、硬化収縮に影響を与えない範囲において、剥離性の向上、凝集力の向上、中間層上の放射線硬化型粘着剤層との層間密着性向上等を目的として、放射線硬化型のオリゴマー等を少量（例えば、中間層の上記粘着剤樹脂（ベース樹脂）１００質量部に対して、１〜５０質量部）添加しても構わない。
なお、中間層を放射線非硬化型とする主な目的は硬化収縮の抑制であるため、中間層が放射線硬化型であっても、半導体ウェハに貼合する前に放射線硬化させ弾性率や粘着物性を調整して用いても構わない。
【００３７】
粘着剤組成物は、必要に応じて架橋剤を含有することができる。架橋剤は、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂、およびエポキシ樹脂から選ばれる化合物であり、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。（メタ）アクリル系共重合体と反応した結果できる架橋構造により、粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。ポリイソシアネート類としては、特に制限がなく、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン（株）製）等を用いることができる。また、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂としては、具体的には、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業株式会社製）等を用いることができる。更に、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製）等を用いることができる。
【００３８】
架橋剤の添加量としては、前記粘着剤樹脂（ベース樹脂）１００質量部に対して０．１〜２０質量部とすることが好ましく、粘着剤樹脂（ベース樹脂）の架橋剤と反応しうる官能基（例えば、水酸基、カルボキシル基、アミノ基、メルカプト基）数に合わせて、また、所望の粘着物性や弾性率を得るために適宜その量が調整される。添加量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、２０質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成される傾向があるため、作業性が損なわれるおそれがある。架橋剤の添加量は、上記のような貯蔵弾性率とするため、０．１〜５質量部であることが好ましい。
【００３９】
中間層は、上記の粘着剤組成物を、基材フィルム上に塗布して乾燥させるか、または後述の剥離フィルム上に塗布、乾燥させ基材フィルムに転写することで形成することができる。また、中間層上に設ける放射線硬化型粘着剤層と一度に積層で、塗布して乾燥させる方法で形成してもよく、この方法は中間層と放射線硬化型粘着剤層間の層間密着性向上や作業の効率化の点で有用である。
【００４０】
（樹脂層もしくは樹脂フィルムの中間層）
中間層は、樹脂層もしくは樹脂フィルムであってもよい。樹脂層もしくは樹脂フィルムは、単なる樹脂層もしくは樹脂フィルムであり、粘着を目的とするものでないため、非粘着性が好ましい。
このような樹脂層もしくは樹脂フィルムは、例えば、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−アクリル酸エチル共重合体、エチレン−アクリル酸メチル共重合体、エチレン−アクリル酸共重合体、アイオノマー等のα−オレフィンの単独重合体または共重合体あるいはこれらの混合物が挙げられる。これらの樹脂層もしくは樹脂フィルムを２層以上有してもよい。
中間層に使用する樹脂層もしくは樹脂フィルムは、製造性や弾性率の調整の容易さよりエチレン−酢酸ビニル共重合体が好ましく使用され、エチレン−酢酸ビニル共重合体中の酢酸ビニル含有率が２０〜５０質量％であると、貯蔵弾性率、耐熱性、および製造取扱いの点で適している。
樹脂層もしくは樹脂フィルムの積層方法は、樹脂層もしくは樹脂フィルムの厚みの精度や、該樹脂層もしくは樹脂フィルムに欠陥に影響を及ぼさない範囲であれば、特に制限されるものではないが、例えば、共押出による製膜や接着剤による貼り合わせなどが挙げられる。
【００４１】
放射線硬化型粘着剤層（または複数の中間層を有する場合は放射線非硬化型粘着剤層）が設けられる側の樹脂層もしくは樹脂フィルム表面上には、放射線硬化型粘着剤層（または複数の中間層を有する場合は放射線非硬化型粘着剤層）との密着性を向上させるために、コロナ処理やプライマー層を設ける等の処理を適宜施してもよい。
【００４２】
中間層の厚みは３０〜５００μｍが好ましく、８０〜３００μｍがさらに好ましい。
【００４３】
＜射線硬化型粘着剤層＞
本発明は、基材フィルム上、好ましくは中間層上に放射線照射により硬化し粘着力が低下する射線線硬化型粘着剤層を少なくとも１層有する。ここで、少なくとも１層の射線硬化型粘着剤層は、貼合時に半導体ウェハ面と接する。
【００４４】
射線線硬化型粘着剤層を構成する粘着剤組成物は、粘着剤層が表面に凹凸を有するウェハに貼合された際に該凹凸に追従するとともに、硬化収縮値の小さいものであれば、特に限定されるものではないが、主成分のポリマー（粘着剤ベース樹脂）は、（メタ）アクリル樹脂であることが好ましい。主成分のポリマーとして（メタ）アクリル樹脂を用いることにより、粘着力の制御が容易になり、弾性率等をコントロールできるため、半導体ウェハが有機物によって汚染されることや、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの剥離後に半導体ウェハに粘着剤が残存するのを低減することができる。
【００４５】
粘着剤層を構成する粘着剤組成物は、特に限定されるものではないが、バックグラインディング工程時にウェハ割れを起こさない、パターン表面が研削時のダスト浸入で汚染されない程度の密着性をもっているものが好ましい。半導体ウェハの薄厚化に伴って粘着剤の放射線硬化収縮によりウェハ割れが発生する危険もあるため、放射線硬化後の収縮が小さいもの、加熱工程により発生するガスが少ないもの、加熱工程を経た後でも放射線照射により十分に粘着力が低下するものがよい。
【００４６】
放射線の照射で硬化させるには、粘着剤ベース樹脂等の樹脂がエチレン性不飽和基（非芳香族性の炭素−炭素二重結合）を有するか、粘着剤ベース樹脂にエチレン性不飽和基を有する化合物を併用する。
本発明においては、エチレン性不飽和基を有する粘着剤ベース樹脂等の樹脂が側鎖にエチレン性不飽和基を有する樹脂を使用するのが好ましい。エチレン性不飽和基が粘着剤ベース樹脂等の側鎖に固定されることで、エチレン性不飽和基の放射線架橋点間の距離が収縮することによる硬化収縮を抑制することが容易になる。
粘着剤ベース樹脂にエチレン性不飽和基を有する化合物を併用する場合、硬化収縮を抑制するためには、実施例にあるように、エチレン性不飽和基の官能基数が例えば５官能以下のように少なくすること、添加する量を過剰ではなく、適度に（例えば、粘着剤ベース樹脂１００質量部に対して５０〜１００質量部）添加することなどが挙げられる。
また、粘着剤組成物に光重合開始剤を含有することが好ましく、放射線硬化後の収縮を調整するのに架橋剤を含有することが好ましい。
【００４７】
（エチレン性不飽和基を有する樹脂）
エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようなものでも構わないが、（メタ）アクリル樹脂が好ましい。
樹脂中に含有する二重結合の量の指標であるヨウ素価は０．５〜２０であるものが好ましい。このヨウ素価はより好ましくは０．８〜１０である。ヨウ素価が０．５以上であると、放射線照射後の粘着力の低減効果を得ることができ、ヨウ素価が２０以下であれば、過度の放射線硬化を防ぐことができ、硬化収縮を抑制できる。二重結合の量を調整することで、特に放射線硬化後の粘着力を調整することが可能である。
また、エチレン性不飽和基を有する樹脂は、ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃〜０℃であることが好ましい。ガラス転移温度（Ｔｇ）が−７０℃以上であれば、放射線照射等に伴う熱に対する耐熱性が増す。
【００４８】
エチレン性不飽和基を有する樹脂はどのようにして製造されたものでもよいが、側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させ、（メタ）アクリル樹脂の側鎖にエチレン性不飽和基を導入する方法が好ましい。
【００４９】
エチレン性不飽和基としては、とのような基でも構わないが、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基、（メタ）アクリロイルアミノ基、アリル基、１−プロペニル基、ビニル基（スチレンもしくは置換スチレンを含む）が好ましく、（メタ）アクリロイル基、（メタ）アクリロイルオキシ基がより好ましい。
官能基（α）と反応する官能基（β）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられる。
【００５０】
ここで、官能基（α）と官能基（β）のうちの一方の官能基が、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、または環状酸無水基である場合には、他方の官能基は、エポキシ基、イソシアネート基が挙げられ、一方の官能基が環状酸無水基の場合、他方の官能基はカルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基が挙げられる。なお、一方の官能基が、エポキシ基である場合は、他方の官能基はエポキシ基であってもよい。
【００５１】
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂は、官能基（α）を有する、（メタ）アクリル酸エステル、アクリル酸または（メタ）アクリルアミドを重合させることで得られる。
官能基（α）としては、カルボキシル基、水酸基、アミノ基、メルカプト基、環状酸無水基、エポキシ基、イソシアネート基等が挙げられ、カルボキシル基、水酸基が好ましく、水酸基が特に好ましい。
【００５２】
このようなモノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、ケイ皮酸、イタコン酸、フマル酸、フタル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリコールモノアクリレート類、グリコールモノメタクリレート類、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−メチロールメタクリルアミド、アリルアルコール、Ｎ−アルキルアミノエチルアクリレート類、Ｎ−アルキルアミノエチルメタクリレート類、アクリルアミド類、メタクリルアミド類、無水マレイン酸、無水イタコン酸、無水フマル酸、無水フタル酸、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレート、アリルグリシジルエーテル、ポリイソシアネート化合物のイソシアネート基の一部を水酸基またはカルボキシル基および放射線硬化性炭素−炭素二重結合を有する単量体でウレタン化したもの等を挙げられる。
これらの中でも、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートが好ましく、アクリル酸、メタクリル酸、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がより好ましく、２−ヒドロキシアルキルアクリレート類、２−ヒドロキシアルキルメタクリレート類がさらに好ましい。
【００５３】
チレン性不飽和基を有する樹脂、特に、エチレン性不飽和基を有する樹脂は、上記のモノマーとともに、（メタ）アクリル酸エステル等の他のモノマーとの共重合体が好ましい。
（メタ）アクリル酸エステルとしては、メチルアクリレート、エチルアクリレート、ｎ−プロピルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、イソブチルアクリレート、ｎ−ペンチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、ドデシルアクリレート、デシルアクリレートヘキシルアクリレート、およびこれらに対応するメタクリレートが挙げられる。
（メタ）アクリル酸エステルは１種でも２種以上でも構わないが、アルコール部の炭素数が５以下のものと炭素数が６〜１２のものを併用することが好ましい。
エチレン性不飽和基を有する樹脂は、（メタ）アクリル酸エステルに加えて、（メタ）アクリル酸をさらに共重合したものが好ましい。
【００５４】
上記（メタ）アクリル樹脂は、例えば特開２００３−８２３０７号公報に記載のように（メタ）アクリル酸アルキルエステルを主成分とするモノマー混合物と、ラジカル重合性官能基を含みエチレンあるいはプロピレンオキサイド平均付加モル数が１５以下のノニオンアニオン系反応性乳化剤と、レドックス系重合開始剤による乳化重合により得られるアクリルエマルジョン系重合体を主成分とすることができる。
【００５５】
また、アクリルエマルジョン系重合体を主成分とするものであって、主モノマーとしての（メタ）アクリル酸アルキルエステルと必要に応じてこれら主モノマーと共重合可能な他のモノマーを乳化重合して得られる重合体を用いることができる。
【００５６】
エチレン性不飽和基を有する樹脂、特に、エチレン性不飽和基を有する樹脂の重合反応は、溶液重合、乳化重合、塊状重合、懸濁重合のいずれであってもよい。
側鎖に官能基（α）を有する（メタ）アクリル樹脂に、エチレン性不飽和基と前記樹脂中の官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を反応させる場合、一方を過剰にして、反応させ、未反応の官能基を残すことにより、所望の粘着物性および弾性率に調整することができる。
【００５７】
溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系のものを使用することができるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン等の、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、乳化重合であれば、水または、水と混合する水溶性溶剤を使用し、界面活性剤を使用するのが好ましい。
【００５８】
重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾイルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節することにより、所望の分子量の樹脂を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。
【００５９】
エチレン性不飽和基を有する樹脂の質量平均分子量は、２０万〜１５０万程度が好ましく、７０万〜１２０万がより好ましい。高分子とすることで、放射線硬化による架橋密度を過度に上げることなく凝集力を保つことができるようになるため、硬化収縮の抑制に優位である。また、低分子量成分を少なくすることで、半導体ウェハ表面汚染を抑制することができ、例えば分子量１０万以下の分子が全体の１０％以下とすることなどが好ましい。分子量が１５０万を越えると、合成時および塗工時にゲル化する可能性がある。なお、エチレン性不飽和基を有する樹脂が、水酸基価５〜１００ｍｇＫＯＨ／ｇとなるＯＨ基を有すると、放射線照射後の粘着力を減少することによりテープ剥離不良の危険性を更に低減することができるので好ましい。
【００６０】
エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物を説明する。
エチレン性不飽和基は先に説明した基が好ましく、好ましい範囲も同じである。
官能基（α）と反応する官能基（β）は先に説明した基が挙げられる。官能基（β）としては、イソシアネート基が得に好ましい。
【００６１】
エチレン性不飽和基と官能基（α）と反応する官能基（β）を有する化合物としては、官能基（α）を有するモノマーの化合物、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが挙げられ、アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、アルコール部の末端にイソシアネート基を有するものが好ましく、アルコール部のイソシアネート基以外の炭素数は２〜８が好ましく、アルコール部は直鎖アルキルのものが好ましい。アルコール部にイソシアネート基を有する（メタ）アクリレートとしては、例えば、２−イソシアナトエチルアクリレート、２−イソシアナトエチルメタクリレートが好ましく挙げられる。
【００６２】
（架橋剤）
架橋剤としては、ポリイソシアネート類、メラミン・ホルムアルデヒド樹脂または２個以上のエポキシ基を有するエポキシ化合物が好ましく、ポリイソシアネート類が特に好ましい。
架橋剤は、単独でまたは２種類以上を組み合わせて使用することができる。架橋剤は樹脂ポリマーを架橋することにより、粘着剤の凝集力を、粘着剤塗布後に向上することができる。また、その添加量を調整することで、特に放射線架橋前の粘着力を調整することができる。
【００６３】
ポリイソシアネート類としては、例えば、ヘキサメチレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチル−ヘキサメチレンジイソシアネート、イソフォロンジイソシアネート、４，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、２，４’−ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、リジンジイソシアネート、リジントリイソシアネート、４，４’−ジフェニルメタンジイソシアネート、トリレンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、４，４’−ジフェニルエーテルジイソシアネート、４，４’−〔２，２−ビス（４−フェノキシフェニル）プロパン〕ジイソシアネート等を挙げることができ、具体的には、市販品として、コロネートＬ（日本ポリウレタン（株）製）等を用いることができる。
【００６４】
メラミン・ホルムアルデヒド樹脂は、市販品として、ニカラックＭＸ−４５（三和ケミカル社製）、メラン（日立化成工業株式会社製）等を用いることができる。更に、エポキシ樹脂としては、ＴＥＴＲＡＤ−Ｘ（三菱化学株式会社製）等を用いることができる。
【００６５】
架橋剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１〜２０質量部とすることが好ましく、１．０〜１０質量部とすることが更に好ましく、エチレン性不飽和基を有する樹脂の官能基数に合わせて、また、所望の粘着物性や弾性率を得るために適宜その量が調整される。架橋剤の量が０．１質量部未満では凝集力向上効果が十分でない傾向があり、２０質量部を越えると粘着剤の配合および塗布作業中に硬化反応が急速に進行し、架橋構造が形成される傾向があるため、作業性が損なわれるおそれがある。架橋剤で架橋させることにより、放射線硬化による急激な架橋を防ぎ、硬化収縮を抑制することができる。
【００６６】
（光重合開始剤）
放射線硬化型粘着剤層には、必要に応じて光重合開始剤を含むことができる。光重合開始剤には基材を透過する放射線により反応するものであれば、特に制限はなく、従来知られているものを用いることができる。例えば、ベンゾフェノン、４，４’−ジメチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジエチルアミノベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノン等のベンゾフェノン類、アセトフェノン、ジエトキシアセトフェノン等のアセトフェノン類、２−エチルアントラキノン、ｔ−ブチルアントラキノン等のアントラキノン類、２−クロロチオキサントン、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジル、２，４，５−トリアリ−ルイミダゾール二量体（ロフィン二量体）、アクリジン系化合物、アシルフォスフィンオキサイド類、等を挙げることができ、これらは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
光重合開始剤の添加量は、エチレン性不飽和基を有する樹脂１００質量部に対して０．１〜１０質量部とすることが好ましく、０．５〜５質量部とすることがより好ましく、０．５部〜３質量部とすることがより好ましい。光重合開始剤の添加量が多いと放射線硬化が多地点で、かつ、急激に発生するため、硬化収縮が大きくなってしまうため、従来の放射線硬化型の表面保護用粘着テープに比べ光重合開始剤の量を少なくすることも硬化収縮の抑制の点から有用である。
【００６７】
（その他の添加物）
放射線硬化型粘着剤層には必要に応じて粘着付与剤、粘着調整剤、界面活性剤等、あるいはその他の改質剤等を配合することができる。また、無機化合物フィラーを適宜加えてもよい。
【００６８】
放射線硬化型粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤組成物を、基材フィルム上（中間層を設けた場合は中間層上）に塗布し、乾燥させること、もしくは後述の剥離フィルム上に塗布、乾燥させて基材フィルム（中間層を設けた場合には中間層上）に転写することで形成することができる。
放射線硬化型粘着剤層があることで半導体ウェハからの剥離が軽くなるが、その効果を発揮するには一定以上の厚さがあればよく、厚くなりすぎると硬化収縮が大きくなってしまうため好ましくない。具体的には、厚さ１〜３０μｍであるものが好ましく、５〜２０μｍであるものがより好ましい。放射線硬化型粘着剤層は複数の放射線硬化型粘着剤層が積層された構成であってもよい。
本発明では、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上の層の合計の厚みは、保護する半導体ウェハの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差以上であることが好ましく、該最大差の１２０％以上であることがより好ましい。
【００６９】
すなわち、中間層を有する場合、中間層および放射線硬化型粘着剤層を足した合計厚さが、加工する半導体ウェハ面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差以上であることが好ましく、該最大差の１２０％以上であることがより好ましい。
なお、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、貼合する半導体ウェハの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウェハに使用するのが好ましく、８０〜２００μｍである半導体ウェハに使用することが更に好ましい。
【００７０】
（剥離フィルム）
剥離フィルムは、セパレータや剥離層、剥離ライナーとも呼ばれ、放射線硬化型粘着剤層を保護する目的のため、また放射線硬化型粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。剥離フィルムの構成材料としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルムや紙などが挙げられる。剥離フィルムの表面には放射線硬化型粘着剤層からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着剤層が環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。剥離フィルムの厚みは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
【００７１】
＜＜半導体ウェハの製造方法＞＞
本発明における半導体ウェハの製造方法では、半導体ウェハ表面保護用粘着テープで、半導体ウェハのウェハ表面を保護し、該ウェハの裏面を研削して半導体ウェハを加工する工程を含む。
本発明の半導体ウェハは、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼合する半導体ウェハの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウェハに使用するのが好ましい。
半導体ウェハのウェハ表面を保護する際に使用する半導体ウェハ表面保護用粘着テープの放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上の層の合計の厚みは、保護する半導体ウェハの表面凹凸の高低さに合わせて、半導体ウェハ表面保護用粘着テープを使用するのが好ましく、半導体ウェハの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差以上の表面保護用粘着テープを使用する。
【００７２】
このように、保護する半導体ウェハの表面凹凸を事前に調査し、表面保護用粘着テープの放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上の層の合計の厚みを調整するか、または、複数の異なった厚みの表面保護用粘着テープを作製しておき、これから選択して使用することで、対応することができる。
半導体ウェハ表面保護用粘着テープと保護する半導体ウェハの表面凹凸の関係を考慮して半導体ウェハ表面保護用粘着テープを使用する以外は、通常の半導体ウェハの製造工程が適用できる。
【００７３】
具体的には、まず、半導体ウェハの回路パターン面（表面）に、放射線硬化型粘着剤層が貼合面となるように、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープを貼合する。次に、半導体ウェハの回路パターンのない面側を半導体ウェハの厚さが所定の厚さ、例えば１０〜２００μｍになるまで研削する。その後、この半導体ウェハ表面保護用粘着テープの貼合された面を下側にして加熱吸着台に載せ、その状態で、半導体ウェハの回路パターンのない研削した面側に、ダイシング・ダイボンディングフィルムを貼合してもよい。その後、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの基材フィルムの背面に、ヒートシールタイプ（熱融着タイプ）もしくは粘着タイプの剥離テープを接着して半導体ウェハから半導体ウェハ表面保護用粘着テープを剥離する。
【実施例】
【００７４】
以下、本発明を実施例に基づき、さらに詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００７５】
下記のように粘着剤組成物を調製し、以下の方法で半導体ウェハ表面保護用粘着テープを作製し、その性能を評価した。
【００７６】
〔粘着剤組成物の調製〕
［粘着剤組成物２Ａ］
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシアクリレート１９質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対してポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）０．５質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ａを得た。貯蔵弾性率を測定したところ、４×１０４Ｐａであった。
【００７７】
［粘着剤組成物２Ｂ］
２−エチルヘキシルアクリレート８５質量部、２−ヒドロキシアクリレート１４質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、放射線反応基としてメタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０質量部を反応させ、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ０．３質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＢＫＬ５．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ａを得た。貯蔵弾性率を測定したところ、３×１０４Ｐａであった。
【００７８】
［粘着剤組成物２Ｃ］
コロネートＬ（日本ポリウレタン社製）の配合量を０．３質量部に変更した以外は２Ａと同様の方法で粘着剤組成物２Ｃを得た。貯蔵弾性率を測定したところ、３×１０４Ｐａであった。
【００７９】
［粘着剤組成物２Ｄ］
コロネートＬ（日本ポリウレタン社製）１．０質量部を、ＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＢＫＬ２．０を質量部に変更した以外は２Ｂと同様の方法で粘着剤組成物２Ｄを得た。貯蔵弾性率を測定したところ、６×１０４Ｐａであった。
【００８０】
［粘着剤組成物２Ｅ］
２−エチルヘキシルアクリレート６９質量部、２−ヒドロキシアクリレート２０質量部、メタクリル酸メチル１０質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、放射線反応基としてメタクリロイルオキシエチルイソシアネート１０質量部を反応させ、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）１．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＢＫＬ３．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｅを得た。貯蔵弾性率を測定したところ、４×１０４Ｐａであった。
【００８１】
［粘着剤組成物２Ｆ］
２−エチルヘキシルアクリレート８０質量部、２−ヒドロキシアクリレート１９質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、５官能のウレタンアクリレートオリゴマー７０質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）３．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＢＫＬ３．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｆを得た。貯蔵弾性率を測定したところ、５×１０４Ｐａであった。
【００８２】
［粘着剤組成物２Ｇ］
２−エチルヘキシルアクリレート８５質量部、２−ヒドロキシアクリレート１４質量部、メタクリル酸１質量部からなる共重合体１００質量部に対して、５官能のウレタンアクリレートオリゴマー１００質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）２．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＢＫＬ３．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｇを得た。貯蔵弾性率を測定したところ、４×１０４Ｐａであった。
【００８３】
［粘着剤組成物２Ｈ］
２−エチルヘキシルアクリレート６０質量部、２−ヒドロキシアクリレート２０質量部、ブチルアクリレート１７質量部、メタクリル酸３質量部からなる共重合体１００質量部に対して、６官能のウレタンアクリレートオリゴマー１００質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）３．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＢＫＬ５．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｈを得た。貯蔵弾性率を測定したところ、４×１０４Ｐａであった。
【００８４】
［粘着剤組成物２Ｉ］
２−エチルヘキシルアクリレート６０質量部、２−ヒドロキシアクリレート２０質量部、ブチルアクリレート１５質量部、メタクリル酸５質量部からなる共重合体１００質量部に対して、６官能のウレタンアクリレートオリゴマー７０質量部、ポリイソシアネートとしてコロネートＬ（日本ポリウレタン社製）２．０質量部、光重合開始剤としてＳＰＥＥＤＣＵＲＥ  ＢＫＬ５．０質量部を加えて混合して、粘着剤組成物２Ｉを得た。貯蔵弾性率を測定したところ、４×１０４Ｐａであった。
【００８５】
［粘着剤組成物２Ｊ］
コロネートＬ（日本ポリウレタン社製）の配合量を２．０質量部に変更した以外は２Ｂと同様の方法で粘着剤組成物２Ｊを得た。貯蔵弾性率を測定したところ、８×１０４Ｐａであった。
【００８６】
ここで、貯蔵弾性率は、以下のようにして測定した。
［貯蔵弾性率］
貯蔵弾性率は動的粘弾性測定装置（例えば、ＴＡインスツルメンツ社製のＡＲＥＳ）を使用し、周波数０．６ｒａｄ／ｓｅｃにより測定した。温度については０〜１００℃まで昇温させ、２５℃および６０℃の貯蔵弾性率の値を確認した。なお、実施例については６０℃の値を示している。
サンプルが粘着剤組成物の場合、離型処理されたセパレータ上に塗布、乾燥させた粘着剤を積層し約２ｍｍの厚さにしたものをペレット状に打ち抜いたものを用いた。サンプルが樹脂層の場合、離型処理されたＰＥＴフィルム上に樹脂層を製膜し、５０ｍｍ×５０ｍｍに切り出したものから、ＰＥＴフィルムを剥離し約２ｍｍの厚さになるまで重ね合わせ、加熱炉中１５０℃で３時間の加熱実施後、ペレット状に打ち抜きサンプルとした。
【００８７】
［放射線硬化性半導体ウェハ表面保護用粘着テープの作製］
＜実施例１＞
厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が９５μｍとなるように中間層として粘着剤組成物２Ａを塗布し、乾燥させた後、厚さ２００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルムからなる基材フィルムと貼りあわせた。更に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が５μｍとなるように粘着剤組成物２Ｄを塗布し、乾燥させた後、セパレータを剥離した中間層面と貼り合わせ、厚さ３００μｍの半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００８８】
＜実施例２＞
厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が９０μｍとなるように中間層として粘着剤組成物２Ａを塗布し、乾燥させた後、厚さ２００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルムからなる基材フィルムと貼りあわせた。更に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｅを塗布し、乾燥させた後、セパレータを剥離した中間層面と貼り合わせ厚さ３２０μｍの半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００８９】
＜実施例３＞
共押し出し製膜により、ポリプロピレン樹脂（ＰＰ）５０μｍと６０℃における貯蔵弾性率９×１０４Ｐａのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）１５０μｍの積層基材フィルム（合計厚み２００μｍ）を作製した。厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が２０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｆを塗布し、乾燥させた後、上記積層基材フィルムのＥＶＡフィルム面と貼りあわせ厚さ２２０μｍの半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００９０】
＜実施例４＞
共押し出し製膜により、低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）５０μｍと６０℃における貯蔵弾性率１×１０５Ｐａのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）２００μｍの積層基材フィルム（合計厚み２５０μｍ）を作製した。厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が１０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｄを塗布し、乾燥させた後、上記積層基材フィルムのＥＶＡフィルム面と貼りあわせ厚さ２６０μｍの半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００９１】
＜実施例５＞
厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｇを塗布し、乾燥させた後、厚さ１００μｍの低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）フィルムからなる基材フィルムと貼りあわせ、厚さ１３０μｍの半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００９２】
＜比較例１＞
中間層として粘着剤組成物２Ａの代わりに２Ｂを用いたこと以外は実施例１と同様の方法で半導体ウェハ保護用粘着テープを得た。
【００９３】
＜比較例２＞
厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が６０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｈを塗布し、乾燥させた後、厚さ２００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルムからなる基材フィルムと貼りあわせた。更に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が６０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｈを塗布し、乾燥させた後、セパレータを剥離した後、先に塗布・乾燥させた２Ｈ面と貼り合わせ厚さ３２０μｍの半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００９４】
＜比較例３＞
厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が９０μｍとなるように中間層として粘着剤組成物２Ｃを塗布し、乾燥させた後、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムからなる基材フィルムと貼りあわせた。更に、厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｉを塗布し、乾燥させた後、セパレータを剥離した中間層面と貼り合わせ厚さ２２０μｍの半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００９５】
＜比較例４＞
厚み３８μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のセパレータ上に、乾燥後の膜厚が３０μｍとなるように粘着剤組成物２Ｊを塗布し、乾燥させた後、厚さ１００μｍのエチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）フィルムからなる基材フィルムと貼りあわせ、厚さ１３０μｍの半導体ウェハ表面保護用粘着テープを得た。
【００９６】
このようにして作製した各半導体ウェハ加工用粘着テープの粘着力およびタック力を測定した。
【００９７】
［粘着力］
半導体ウェハ加工用粘着テープから幅２５ｍｍ、長さ３００ｍｍの試験片を切り出した。ＪＩＳ  Ｒ  ６２５３に規定する２８０番の耐水研磨紙で仕上げたＪＩＳ  Ｇ  ４３０５に規定する厚さ１．５ｍｍのステンレス鋼（Ｓｔｅｅｌ  Ｕｓｅ  Ｓｔａｉｎｌｅｓｓ、ＳＵＳ）板上に、上記試験片を２ｋｇのゴムローラを３往復かけ圧着し、１時間放置後、測定値がその容量の１５〜８５％の範囲に入るＪＩＳ  Ｂ  ７７２１に適合するインストロン社製の引張試験機（ツインコラム卓上モデル５５６７）を用いて放射線照射前の粘着力Ａを測定した。同様に、粘着テープを圧着後１時間経過したものを粘着テープ貼合面の基材フィルム背面より１０００ｍＪ／ｃｍ２（照度４０ｍＷ／ｃｍ２）の紫外線を照射し、１時間放置後、放射線照射後の粘着力Ｂを測定した。測定は１８０°引き剥がし法で、引張り速度３００ｍｍ／ｍｉｎ、２５℃、相対湿度５０％の条件で行い、各粘着テープそれぞれに対して３回実施し、その平均値を求め、これを粘着力とした。
【００９８】
［タック力］
半導体ウェハ加工用粘着テープから幅２５ｍｍ、長さ１５０ｍｍを試験片として切り出した。タッキング試験機（商品名：ＴＡＣＩＩ、レスカ製）を用いて、半導体ウェハ表面に貼合する粘着剤層側に、３ｍｍφ円柱状プローブを３０ｍｍ／ｍｉｎの速度で押し込み、停止荷重１００ｇｆで１秒間保持した後に６００ｍｍ／ｍｉｎの速度で引き上げる際のピーク荷重を放射線照射前のタック力Ｃとした。試験片切り出し後に、基材フィルム背面より１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線（照度４０ｍＷ／ｃｍ２）を照射し、１時間放置したものを試験片とし、同様の方法で放射線照射後のタック力Ｄを得た。測定は２５℃、相対湿度５０％の条件で行い、各粘着テープの各試験片において異なる５点を測定し、その算術平均値を求め、これをタック力とした。
【００９９】
［性能評価］
実施例１〜５、比較例１〜４の各半導体ウェハ加工用粘着テーに対して、下記の評価を行った。
【０１００】
（ウェハ研削後のウェハ裏面状態）
表面に高さ１００μｍバンプを有する８インチ径の半導体ウェハに、貼合温度６０℃で半導体ウェハ加工用粘着テープを貼合した。その後、株式会社ディスコ製ＤＦＧ８７６０（商品名）を用いて、バンプ付半導体ウェハを２枚ずつ、７５μｍの厚さまで研削加工し、半導体ウェハ裏面の観察を目視にて実施した。半導体ウェハ裏面状態の評価は、２枚の半導体ウェハで破損やディンプルが１箇所も発生しなかったものを良品として◎、破損が発生せず部分的に薄いディンプルが発生したものを良品として○、２枚全ての半導体ウェハにおいて破損もしくは半導体ウェハに全面的にディンプルが発生したものを不良品として×で示した。また、研削後のウェハ外周部からの切削水浸入を調査した。浸入が見られなかったものを○、浸入が見られたものを×とした。
【０１０１】
（粘着剤残存評価）
研削後の半導体ウェハに１０００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線を照射し、リンテック株式会社製ＲＡＤ２７００（商品名）を用いて剥離温度２５℃にて剥離した。剥離後において半導体ウェハの破損や粘着剤残りを目視にて観察した。２枚全ての半導体ウェハで破損や粘着剤残りが１箇所も発生しなかったものを良品として○、１枚でも１箇所以上の破損や粘着剤残りが発生したものを不良品として×で示した。
【０１０２】
【表１】
2014017336.tif 000002
【０１０３】
表１に示すように、硬化収縮値Ｓが２．０以下であって、かつ、放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍ、放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍを満たす実施例１〜５では、研削時には半導体ウェハに良好に密着し、研削水の浸入を防ぎ、また、半導体ウェハ加工用粘着テープ剥離後の半導体ウェハ表面への粘着剤残りや半導体ウェハの破損が発生することがなかった。一方、表１に示すように、硬化収縮値Ｓの大きい比較例１、２、３では、その硬化収縮Ｓが大きいことより、主にバンプの接合部に糊残りが確認された。また、放射線照射前の粘着力Ａが低い比較例４では、糊残りは発生しなかったが密着性不足により研削水浸入による半導体ウェハ表面への汚染が確認された。
【０１０４】
このように、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、表面に凹凸を有する半導体ウェハであっても放射線硬化による硬化収縮が小さく、剥離時には半導体ウェハの破損や粘着剤残りが生じない。
【手続補正書】
【提出日】平成24年12月27日(2012.12.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハに貼合され裏面研削する際に用いる表面保護用粘着テープであって、
基材フィルム上に少なくとも１層の放射線硬化型粘着剤層を有し、下記の硬化収縮値Ｓが０.３〜１.８であり、ステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍであって、かつ放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍであり、
前記半導体ウェハの半導体ウェハ表面保護用粘着テープの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍであって、前記放射線硬化型粘着剤層の厚さが１〜３０μｍであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
硬化収縮値Ｓ＝｛（Ｂ／Ａ）／（Ｄ／Ｃ）｝
（上記において、Ａはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力を表し、Ｂはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射後の粘着力を表し、Ｃは粘着テープ面における放射線照射前タック力を表し、Ｄは粘着テープ面における放射線照射後タック力を表す。）
【請求項２】
前記基材フィルムと前記放射線照射型粘着剤層の間に、ラミネータでの２５℃もしくは６０℃における貯蔵弾性率が１×１０４〜１×１０６Ｐａである、放射線非硬化型粘着剤層または樹脂で構成される中間層を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【請求項３】
前記放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上に存在する層の合計の厚さが、前記半導体ウェハ面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの前記最大差以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【請求項４】
半導体ウェハのウェハ表面を、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護用粘着テープで保護し、該ウェハの裏面を研削して半導体ウェハを加工する工程を含む半導体ウェハの製造方法であって、
表面保護用粘着テープが、基材フィルム上に少なくとも１層の放射線硬化型粘着剤層を有し、下記の硬化収縮値Ｓが０.３〜１.８であり、ステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍであって、かつ放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍであり、
前記半導体ウェハの半導体ウェハ表面保護用粘着テープの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍであって、前記放射線硬化型粘着剤層の厚さが１〜３０μｍであることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
硬化収縮値Ｓ＝｛（Ｂ／Ａ）／（Ｄ／Ｃ）｝
（上記において、Ａはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力を表し、Ｂはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射後の粘着力を表し、Ｃは粘着テープ面における放射線照射前タック力を表し、Ｄは粘着テープ面における放射線照射後タック力を表す。）
【請求項５】
前記表面保護用粘着テープが、前記基材フィルムと前記放射線照射型粘着剤層の間に、ラミネータでの２５℃もしくは６０℃における貯蔵弾性率が１×１０４〜１×１０６Ｐａである、放射線非硬化型粘着剤層または樹脂で構成される中間層を有することを特徴とする請求項４に記載の半導体ウェハの製造方法。
【請求項６】
前記放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上に存在する層の合計の厚さが、前記半導体ウェハ面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの前記最大差以上であることを特徴とする請求項４または５に記載の半導体ウェハの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記課題に鑑み、本発明者らは鋭意検討を行った結果、放射線照射前後の粘着力と硬化収縮値が重要であることを見出し、さらなる検討を積み重ね、本発明を完成させるに至ったものである。
すなわち、上記課題は以下の手段により達成された。
（１）半導体ウェハに貼合され裏面研削する際に用いる表面保護用粘着テープであって、
基材フィルム上に少なくとも１層の放射線硬化型粘着剤層を有し、下記の硬化収縮値Ｓが０.３〜１.８であり、ステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍであって、かつ放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍであり、前記半導体ウェハの半導体ウェハ表面保護用粘着テープの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍであって、前記放射線硬化型粘着剤層の厚さが１〜３０μｍであることを特徴とする半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
（上記において、Ａはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力を表し、Ｂはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射後の粘着力を表し、Ｃは粘着テープ面における放射線照射前タック力（ピーク値）を表し、Ｄは粘着テープ面における放射線照射後タック力（ピーク値）を表す。）
（２）前記基材フィルムと前記放射線照射型粘着剤層の間に、ラミネータでの２５℃もしくは６０℃における貯蔵弾性率が１×１０４〜１×１０６Ｐａである、放射線非硬化型粘着剤層または樹脂で構成される中間層を有することを特徴とする（１）に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（３）前記放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上に存在する層の合計の厚さが、前記半導体ウェハ面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの前記最大差以上であることを特徴とする（１）または（２）に記載の半導体ウェハ表面保護用粘着テープ。
（４）半導体ウェハのウェハ表面を、基材フィルム上に粘着剤層を有する表面保護用粘着テープで保護し、該ウェハの裏面を研削して半導体ウェハを加工する工程を含む半導体ウェハの製造方法であって、
表面保護用粘着テープが、基材フィルム上に少なくとも１層の放射線硬化型粘着剤層を有し、下記の硬化収縮値Ｓが０.３〜１.８であり、ステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍであって、かつ放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍであり、半導体ウェハの半導体ウェハ表面保護用粘着テープの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍであって、放射線硬化型粘着剤層の厚さが１〜３０μｍであることを特徴とする半導体ウェハの製造方法。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
（上記において、Ａはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射前の粘着力を表し、Ｂはステンレス鋼の研磨面に対する放射線照射後の粘着力を表し、Ｃは粘着テープ面における放射線照射前タック力を表し、Ｄは粘着テープ面における放射線照射後タック力を表す。）
（５）前記表面保護用粘着テープが、前記基材フィルムと前記放射線照射型粘着剤層の間に、ラミネータでの２５℃もしくは６０℃における貯蔵弾性率が１×１０４〜１×１０６Ｐａである、放射線非硬化型粘着剤層または樹脂で構成される中間層を有することを特徴とする（４）に記載の半導体ウェハの製造方法。
（６）前記放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上に存在する層の合計の厚さが、前記半導体ウェハ面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの前記最大差以上であることを特徴とする（４）または（５）に記載の半導体ウェハの製造方法。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
＜硬化収縮値＞
本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、硬化収縮値Ｓが０.３〜１.８である。この硬化収縮値Ｓを０.３〜１.８とすることで、半導体ウェハ表面への粘着剤の噛み込みによるアンカー効果の発生が押さえられ、剥離性への悪影響が押さえられる。
ここで、硬化収縮値Ｓは下記式で求められる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
本発明においては、硬化収縮値Ｓは、１．５以下がより好ましく、１．０以下がさらに好ましい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
ＳＵＳ鋼板と粘着テープとの接着は主に、物理的作用（ファンデルワールス力等）、化学的作用（界面同士の化学的結合）および機械的作用（アンカー効果）が寄与している。
粘着テープを放射線で硬化させると、放射線硬化型粘着剤が高弾性化、低極性化し、上記の作用が低下するため、粘着テープの剥離がスムーズに行えるようになる。しかし、アンカー効果については粘着テープが放射線硬化時に収縮するため、研磨されたＳＵＳ鋼板の細かな凹凸に粘着剤が噛み込むことで増加することがある。
一方、タック力は瞬間的な接着しやすさを表しており、アンカー効果の影響を受けにくい。
従って、硬化収縮値Ｓが０.３〜１.８であると、バンプのような凹凸を有する面に対してもよりスムーズに剥離することが可能となる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
放射線硬化型粘着剤層は、放射線硬化型粘着剤組成物を、基材フィルム上（中間層を設けた場合は中間層上）に塗布し、乾燥させること、もしくは後述の剥離フィルム上に塗布、乾燥させて基材フィルム（中間層を設けた場合には中間層上）に転写することで形成することができる。
放射線硬化型粘着剤層があることで半導体ウェハからの剥離が軽くなるが、その効果を発揮するには一定以上の厚さがあればよく、厚くなりすぎると硬化収縮が大きくなってしまうため好ましくない。具体的には、厚さ１〜３０μｍであり、５〜２０μｍであるものがより好ましい。放射線硬化型粘着剤層は複数の放射線硬化型粘着剤層が積層された構成であってもよい。
本発明では、半導体ウェハ表面保護用粘着テープの放射線硬化型粘着剤層を有する側の基材フィルム上の層の合計の厚みは、保護する半導体ウェハの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差以上であることが好ましく、該最大差の１２０％以上であることがより好ましい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６９】
すなわち、中間層を有する場合、中間層および放射線硬化型粘着剤層を足した合計厚さが、加工する半導体ウェハ面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差以上であることが好ましく、該最大差の１２０％以上であることがより好ましい。
なお、本発明の半導体ウェハ表面保護用粘着テープは、貼合する半導体ウェハの貼合面側の表面に存在する凹凸の頂部の高さと底部の高さの最大差が１０〜３００μｍである半導体ウェハに使用し、８０〜２００μｍである半導体ウェハに使用することが更に好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
表１に示すように、硬化収縮値Ｓが０.３〜１.８であって、かつ、放射線照射前の粘着力Ａが１．５〜２０Ｎ／２５ｍｍ、放射線照射後の粘着力Ｂが０．０１〜１．５Ｎ／２５ｍｍを満たす実施例１〜５では、研削時には半導体ウェハに良好に密着し、研削水の浸入を防ぎ、また、半導体ウェハ加工用粘着テープ剥離後の半導体ウェハ表面への粘着剤残りや半導体ウェハの破損が発生することがなかった。一方、表１に示すように、硬化収縮値Ｓの大きい比較例１、２、３では、その硬化収縮Ｓが大きいことより、主にバンプの接合部に糊残りが確認された。また、放射線照射前の粘着力Ａが低い比較例４では、糊残りは発生しなかったが密着性不足により研削水浸入による半導体ウェハ表面への汚染が確認された。