(57)【要約】【課題】与えられたベクトルパターンデータの変更を介さずに近接効果補正を簡易に行うのに有利な描画装置を提供する。【解決手段】この描画装置は、ベクトルパターンデータ３０をビットマップデータ３４に変換し、ビットマップデータ３４に基づいて荷電粒子線で基板に描画を行う。ここで、描画装置は、表示部９と、ビットマップデータ３４に対応する画像を表示部９に表示させ、グラフィカルユーザーインターフェースを介して、表示部９に表示された画像の画素値、寸法および形状の少なくとも一つの変更を行ってビットマップデータ３４を更新する処理を行う処理部２５とを有する。【選択図】図２
2014049467.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベクトルパターンデータをビットマップデータに変換し、該ビットマップデータに基づいて荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、
表示部と、
前記ビットマップデータに対応する画像を前記表示部に表示させ、グラフィカルユーザーインターフェースを介して、前記表示部に表示された画像の画素値、寸法および形状の少なくとも一つの変更を行って前記ビットマップデータを更新する処理を行う処理部と、
を有することを特徴とする描画装置。
【請求項２】
前記処理部は、前記グラフィカルユーザーインターフェースを介して、前記表示部に表示された画像に対して領域によって異なる画素値の変更を行う、ことを特徴とする請求項１に記載の描画装置。
【請求項３】
前記処理部は、前記グラフィカルユーザーインターフェースを介して、前記表示部に表示された画像に対して領域によって異なる寸法および形状の少なくとも一方の変更を行う、ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の描画装置。
【請求項４】
前記処理部は、前記表示部に表示された画像が同一の分離した複数の画像要素を含む場合、該複数の画像要素のうちの１つに対して行われた変更を該複数の画像要素のうちの他の少なくとも１つに対して行って前記ビットマップデータを更新する処理を行う、ことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項５】
前記処理部が更新した前記ビットマップデータをベクトルパターンデータに変換する変換部を有する、ことを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の描画装置。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか１項に記載の描画装置を用いて基板に描画を行う工程と、
前記工程で描画を行われた前記基板を現像する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置、および物品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子ビームなどの荷電粒子線の偏向走査およびブランキングを制御することで基板に描画を行う描画装置が知られている。この描画装置は、線幅が０．１μｍ以下の４ＧＤＲＡＭ以降のメモリデバイスの生産などにおいて、光露光方式に代わるパターン形成技術の１つとして採用され得る。また、描画装置の一例として、高スループットの要求に応えるべく、複数の荷電粒子線を用いて描画を行うマルチビーム方式の描画装置もある。このような描画装置は、描画データに基づいて、具体的には、与えられたベクトルパターンデータ（矩形もしくは台形の集合であるパターンデータ）をビットマップデータに変換し、この変換されたビットマップデータに基づいて描画を実施する。ここで、描画処理時の電子ビームの前方散乱や後方散乱に起因して、描画されたパターン（描画結果）が所望の形状とならない場合がある。そこで、最初に設定されるパターンデータには、パターン図形の角を強調したり、パターン図形を分割したりして描画配分を変えるなどの、いわゆる近接効果補正処理が予め施される。この補正処理では、被処理体に対するパターンデータ全体を補正すると想定した場合、現在、数時間レベルの時間がかかる。そして、補正処理がなされたパターンデータ（補正済みデータ）は、シミュレーションによって検証された後に保存される。描画装置は、この補正済みデータを受け取ってビットマップデータに変換し、そのデータの位置や倍率を変換した後、さらにブランキング偏向器へ送信する描画のＯＮ／ＯＦＦに対応した２値のデータに変換して、最終的に描画を実施する。特許文献１は、近接効果補正処理に関連し、補正の精度を上げるために、描画データに含まれる一部の微小図形を編集対象として抽出し、編集後にもとの描画データに反映させる電子線描画データ編集方法を開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−７９１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に示すような近接効果補正処理がパターンデータに施されていても、描画結果は、レジストや反射防止膜などの材料やレジストの塗布／現像処理などの変化により近接効果補正の誤差要因を含むことで、所望の結果とならない場合がある。このように実際の描画結果が所望の結果とならなかった場合には、最初のパターンデータに戻ってパターン図形の再編集を行う必要がある。すなわち、この場合、最初のパターンデータの変更に伴って、近接効果補正処理やデータの変換処理を繰り返す必要性が生じ、データの転送時間やビットマップ化のためのレンダリング処理時間なども増加する。
【０００５】
本発明は、このような状況に鑑みてなされたものであり、例えば、与えられたベクトルパターンデータの変更を介さずに近接効果補正を簡易に行うのに有利な描画装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本発明は、ベクトルパターンデータをビットマップデータに変換し、ビットマップデータに基づいて荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、表示部と、ビットマップデータに対応する画像を表示部に表示させ、グラフィカルユーザーインターフェースを介して、表示部に表示された画像の画素値、寸法および形状の少なくとも一つの変更を行ってビットマップデータを更新する処理を行う処理部と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、例えば、与えられたベクトルパターンデータの変更を介さずに近接効果補正を簡易に行うのに有利な描画装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る描画装置の構成を示す図である。
【図２】描画データを生成する流れを示すブロック図である。
【図３】第１実施形態にて想定するベクトルパターンデータの一例を示す図である。
【図４】第１実施形態での回路パターンを計測した結果を示す図である。
【図５】第１実施形態での画素値を変更する際の画面を示す図である。
【図６】第２実施形態にて想定するベクトルパターンデータなどを示す図である。
【図７】第２実施形態での回路パターンを計測した結果を示す図である。
【図８】第２実施形態での画素値を変更する際の画面を示す図である。
【図９】第２実施形態での図形を直接変形する際の画面を示す図である。
【図１０】第２実施形態での図形の一部を変形する際の画面を示す図である。
【図１１】第２実施形態での図形状態を他に反映させる際の画面を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態について図面などを参照して説明する。
【００１０】
（第１実施形態）
まず、本発明の第１実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態において説明する描画装置は、複数の電子ビーム（荷電粒子線）を偏向させ、かつ、電子ビームのブランキング（照射のＯＦＦ）を個別に制御することで、所定のパターンをウエハ（基板）の所定の位置に描画するマルチビーム方式の描画装置とする。ここで、荷電粒子線は、電子ビーム（電子線）に限らず、例えばイオンビーム（イオン線）でもよい。さらに、描画装置は、マルチビーム方式のものに限らず、単数の電子ビームを用いるものであってもよい。図１は、本実施形態に係る描画装置１の構成を示す概略図である。なお、図１では、ウエハに対する電子ビームのノミナルの照射方向にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面内に互いに直交するＸ軸およびＹ軸を取っている。さらに、以下の各図では、図１と同一構成のものには同一の符号を付す。描画装置１は、電子銃２と、クロスオーバー３から発散した電子ビーム４を複数本に分割し、それぞれ偏向および結像させる光学系５と、ウエハ６を保持する基板ステージ７と、描画装置１の各構成要素の動作などを制御する制御部８と、表示部９とを備える。ここで、電子ビーム４は、大気圧雰囲気ではすぐに減衰するため、また高電圧による放電を防止するため、電子銃２や光学系５などの各構成要素は、真空排気系により内部圧力が調整された不図示の真空容器の内部に設置される。また、ウエハ（基板）６は、例えば単結晶シリコンからなる被処理体であり、表面上には感光性のレジスト（感光剤）が塗布されている。
【００１１】
電子銃２は、熱や電界の印加により電子（電子ビーム４）を放出する。なお、図１ではクロスオーバー３から発散された電子ビーム４の軌道を点線で示している。光学系５は、電子銃２側から、まず、コリメーターレンズ１０、アパーチャアレイ１１、第１静電レンズアレイ１２、ブランキング偏向器アレイ１３、およびストッピングアパーチャアレイ１４を含む。さらに、光学系５は、その下流側に、第２静電レンズアレイ１５、偏向器アレイ１６、および第３静電レンズアレイ１７を含む。まず、コリメーターレンズ１０は、クロスオーバー３で発散した電子ビーム４を集束（平行化）させて、所望の大きさを持った面積ビームとする電子レンズである。アパーチャアレイ１１は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有し、コリメーターレンズ１０から入射した電子ビーム４を複数に分割する。第１静電レンズアレイ１２は、マトリクス状に配列された複数の円形状の開口を有する３枚の電極板で構成される電子レンズであり、ストッピングアパーチャアレイ１４に対して電子ビーム４を結像させる。ブランキング偏向器アレイ１３およびストッピングアパーチャアレイ１４は、電子ビーム４の照射のＯＮ（非ブランキング状態）／ＯＦＦ（ブランキング状態）動作を実施する。特に、ブランキング偏向器アレイ１３は、マトリクス状に配置された複数のブランキング偏向器（ブランカー）を有し、電子ビーム４を個別に遮蔽可能とする。また、ストッピングアパーチャアレイ１４は、第１静電レンズアレイ１２が最初に電子ビーム４のクロスオーバ−を形成する位置に配置される。偏向器アレイ１６（単一の偏向器を含むものであってもよい）は、基板ステージ７に載置されたウエハ６の表面上において電子ビームをＸ軸方向に偏向（走査）する。さらに、第２静電レンズアレイ１５および第３静電レンズアレイ１７は、第１静電レンズアレイ１２と同様に３枚の電極板で構成される電子レンズであり、ストッピングアパーチャアレイ１４を通過した電子ビーム４をウエハ６に結像させる。さらに、基板ステージ７は、ウエハ６を、例えば静電気力により保持しつつ、少なくともＸＹ軸方向に可動であり、その位置は、不図示の干渉計（レーザー測長器）などにより実時間で計測される。
【００１２】
制御部８は、主制御部２０と、ブランキング制御回路２１と、偏向器制御回路２２と、ステージ制御回路２３と、変換／記憶部２４と、描画データ処理部２５とを含む。主制御部２０は、描画装置１の各構成要素（各制御回路）に回線を介して接続され、各構成要素を統括的に制御し得る。ブランキング制御回路２１は、最終的な描画データとしてのビットマップデータに基づいて、ブランキング偏向器アレイ１３に含まれる複数のブランキング偏向器を個別に制御する。偏向器制御回路２２は、偏向器アレイ１６に含まれる複数の偏向器を個別に制御する。ステージ制御回路２３は、レーザー干渉計による位置計測を参照して基板ステージ７の位置決めを制御する。変換／記憶部２４は、描画装置の外部（例えば外部記憶装置）に存在する補正／記憶部２６から近接効果補正処理が施されたベクトルパターンデータを受け取り、ビットマップ化のためのレンダリング処理などの変換処理を実行し、かつ処理後のデータを保存する。この変換／記憶部２４に保存されている変換処理後のビットマップデータは、主制御部２０の指示のもと、ブランキング制御回路２１に送信される。主制御部２０は、このブランキング制御回路２１へのビットマップデータの送信と合わせ、各種位置情報を偏向器制御回路２２とステージ制御回路２３とへ送信することで、描画処理が実施される。描画データ処理部（処理部）２５は、ウエハ情報の管理、描画装置１のシーケンス全体の管理、描画レシピ情報の管理、または描画装置１の動作状態のモニターなどを実行する。
【００１３】
表示部９は、主制御部２０を介して変換／記憶部２４に保存されているビットマップデータに対応する画像を表示する。さらに、この表示部９は、グラフィカルユーザーインターフェースとしての機能、例えばタッチパネル機能を有し、表示されている画像に変更を加えられた場合には、その変更情報を描画データ処理部２５へ送信する。以下、表示部９は、描画装置１自体に設置されているものとして説明するが、例えば、タッチパネル機能を有するタブレット型の端末装置とし、描画データ処理部２５と無線通信するものとしてもよい。なお、表示部９の編集画面、および編集画面上の操作については後述する。
【００１４】
次に、描画装置１における描画データの生成（変換、補正）の流れについて説明する。図２は、描画データを生成する流れを示すブロック図である。半導体デバイスの製造において、描画装置１がウエハ６上に回路パターンを描画する場合、外部の補正／記憶部２６には、所望の回路パターンを描画するための設計パターンがベクトルパターンデータ（以下「パターンデータ」という）３０として保存されている。このパターンデータ３０は、多角形で表現されるフォーマット、または矩形もしくは台形のデータの集合であり、デバイスチップや描画工程ごとに準備されている。図３は、一例として本実施形態にて適用するパターンデータ３０を示す図である。描画装置１内の変換／記憶部２４は、描画データとして、このようなパターンデータを取得し、ビットマップデータに変換した後、ブランキング偏向器アレイ１３に対する指令値とする。ただし、描画装置１は、最初に設定されたパターンデータ３０をそのまま利用してブランキング制御回路２１に対する指令値を生成するとは限らない。これは、パターンデータ３０をそのまま利用すると、描画処理時の電子ビーム４の前方散乱や後方散乱に起因して、ウエハ６上に描画された回路パターンが所望の形状とならない近接効果が生じる場合があるからである。この近接効果の具体例としては、パターン密度の違いによって部分的に線量（ドーズ）の多寡が生じ、例えば回路パターンの孤立した部分や端の部分などが細る現象である。そこで、最初に設定されるパターンデータ３０には、描画装置１に送信される前に、補正／記憶部２６にてパターン図形の角を強調したり、パターン図形を分割したりして描画配分を変えるなどの近接効果補正処理３１が施される。この近接効果補正処理３１にて実施される補正処理としては、例えば、以下の２つの方法がある。第１の方法は、光近接効果補正（ＯＰＣ：Optical Proximity Effect Correction）と同じように、パターン図形を変形するものである。具体的には、ルールベース（図形演算に基づくもの）や、モデルベース（前方散乱や後方散乱による影響を式で表し、図形とのコンボリューションをとる）などで補正する方法が挙げられる。さらに、第２の方法は、パターン図形を分割することによって、ウエハに入射する線量分布を変化させるものである。このような補正がなされたパターンデータ（以下「補正済みデータ」という）３２は、この時点ではベクトルフォーマットのままである。
【００１５】
次に、変換／記憶部２４は、補正／記憶部２６から補正済みデータ３２を受け取り、まず第１データ変換処理３３として、補正済みデータ３２をピクセルに分解し、レンダリング処理によりビットマップ化される。ここでビットマップ化されたビットマップデータ３４は、変換／記憶部２４内に保存される。次に、ビットマップデータ３４は、データを一時的に記憶するメモリー３５に転送される。次に、変換／記憶部２４は、第２データ変換処理３６として、転送されたビットマップデータ３４に対して、幾何学的変換（並進・回転・変倍等）などを実施する。次に、変換／記憶部２４は、再サンプリングされたビットマップデータを、ブランキング制御回路２１に送信する指令値としてのブランカーデータフォーマット３７（ＯＮ／ＯＦＦ（２値）のビットマップデータ）に変換する。そして、主制御部２０は、最終的にブランカーデータフォーマット３７をブランキング制御回路２１へ送信し、描画を実施させる。
【００１６】
図４は、図３に示すような形状のパターンデータ３０に基づいてウエハ６上に描画された回路パターン（レジストパターン）をＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）により計測した結果を示す図である。特に、図４（ａ）は、上記説明した流れで生成されたブランカーデータフォーマット３７によりブランキング偏向器アレイ１３の動作が制御され、描画された場合の結果を示す図である。図４（ａ）に示す描画結果を見ると、端の領域に存在するパターンの幅ＣＤ１は、その隣に存在するパターンの幅ＣＤ２よりも狭くなっていることがわかる。このように、パターンデータ３０に近接効果補正処理３１が施されていても、レジストや反射防止膜などの材料やレジストの塗布／現像処理などの変化により近接効果補正の誤差要因を含み、所望の結果とならない場合がある。ここで、所望の結果とならないとは、例えば、許容範囲内にパターンの寸法や形状が収まらないことをいう。そこで、描画装置１は、このような場合にはさらに以下のような処理を実施することで、描画データの補正を実施する。以下、図４（ａ）に示す幅ＣＤ１を幅ＣＤ２に近づける補正を行うことを想定して説明する。
【００１７】
まず、主制御部２０は、メモリー３５から現状のビットマップデータ３４を取得して描画データ処理部２５へ転送する。次に、描画データ処理部２５は、表示部９に、このビットマップデータ３４の画像を表示させる。図５は、編集前、編集中、または編集後のビットマップデータ３４がそれぞれ表示されている表示部９の編集画面４０を示す概略図である。図５（ａ）は、編集（変更）前のビットマップデータ３４が表示されている編集画面４０を示す図である。編集画面４０は、ベクトルパターンデータの形状に対応したビットマップデータ３４が表示される編集領域と、この編集領域の例えば下部の領域に表示されるファンクションボタンＦ１〜Ｆ５とを含む。ファンクションボタンＦ１は、「ＬＯＡＤ」であり、変換／記憶部２４内に保存されているビットマップデータ３４を呼び出し、そのうち任意の位置にあるビットマップデータを編集領域に表示させるためのボタン（アイコン）である。ファンクションボタンＦ２は、「ＳＡＶＥ」であり、編集領域上で編集した新たなビットマップデータ３４をメモリー３５に保存させるためのボタンである。ファンクションボタンＦ３は、「ＡＰＰＬＹ」であり、ビットマップデータ内に同一形状のパターン図形（画像要素）が複数存在する場合、ある１つのパターン図形を変更した際に他のパターン図形にもその変更内容を適用（反映）させるためのボタンである。ファンクションボタンＦ４は、「ＵＮＤＯ」であり、編集中の内容を元に戻す際に使用されるボタンである。そして、ファンクションボタンＦ５は、「ＥＸＩＴ」であり、編集を終了する際に使用されるボタンである。なお、これらのファンクションボタンＦ１〜Ｆ５の機能、配置、または数などは、任意であり、適宜ユーザー側の使用に合わせて変更可能である。
【００１８】
まず、図５（ａ）の編集領域に表示されているビットマップデータ３４は、図形Ａ〜Ｅの５つのパターン図形を含む。このとき、５つの図形Ａ〜Ｅのビットマップの画素値は、すべて７０％（最大値の７０％）で同一であると想定する。なお、ビットマップの画素値は、例えば、ビットマップの濃度、階調、または密度（density）とも表現できる。描画装置１のユーザーは、図４（ａ）に示す描画結果を確認し、端の領域に存在する左右のパターンの幅ＣＤ１を、その隣に存在するパターンの幅ＣＤ２の値に近づけることが望ましいと判断する。次に、ユーザーは、幅ＣＤ１を大きくするために、２つの領域、すなわち図形ＡおよびＥの画素値を、編集領域上で異なる値、例えば７０％から８０％に変更する。ここで、望ましい画素値の変更量（％）は、ユーザーがこれまでの編集結果と実際の描画結果とを鑑みて任意で決定してよい。または、これまでの編集結果と実際の描画結果との相関を、予め表として変換／記憶部２４などに保存しておき、描画データ処理部２５がその相関を適宜参照することで、自動で望ましい画素値の変更量を求めてもよい。図５（ｂ）は、編集中のビットマップデータが表示されている編集画面４０を示す図である。ユーザーは、編集領域に表示されているパターン図形を指やタッチペン４１などで直接触れることで、その部分の画素値を所望の値に変更することができる。例えば、ユーザーが、画素値を変更したい領域（ここでは図形ＡおよびＥ）において、図５（ｂ）中の矢印で示すように下から上へなぞることで、画素値を増やすことができる。このとき、表示部９（または描画データ処理部２５）では、１度なぞる操作ごとに画素値が例えば５％増えるように設定しておくことが望ましい。さらに、編集画面４０では、画素値の増加を、例えばパターン図形の濃淡や色により区別（認識）できるように設定しておくことが望ましい。この例では、ユーザーは、編集領域に表示されている図形ＡおよびＥの表面を、２回下から上へなぞることで、画素値を１０％増やし、８０％に変更することができる。なお、これとは反対に、ユーザーが画素値を減らしたい場合もある。この場合には、編集領域にて、画素値を減らしたい図形の表面を上から下へなぞればよい。図５（ｃ）は、編集後のビットマップデータが表示されている編集画面４０を示す図である。編集画面４０では、ユーザーにより画素値が変更された図形ＡおよびＥは、他の図形よりも濃く表示されるため、ユーザーは、画素値の変更を認識しやすい。そして、ユーザーがファンクションボタンＦ２の「ＳＡＶＥ」に触れることで、編集後のビットマップデータ３４は、描画データ処理部２５および主制御部２０を介してメモリー３５に保存、反映され、新たなビットマップデータ３４として更新される。
【００１９】
そして、主制御部２０は、変換／記憶部２４に対して、上記と同様に、更新されたビットマップデータ３４に第２データ変換処理３６を施させてブランカーデータフォーマット３７に変換した後、ブランキング制御回路２１へ送信して描画を実施させる。図４（ｂ）は、更新後のビットマップデータ３４に基づいて生成されたブランカーデータフォーマット３７によりブランキング偏向器アレイ１３の動作が制御され、描画された場合の結果を示す図である。図４（ｂ）に示す描画結果を見ると、端の領域に存在するパターンの幅ＣＤ３は、その隣に存在するパターンの幅ＣＤ４とほぼ同じ幅に調整されたことがわかる。
【００２０】
このように、描画装置１では、近接効果補正処理３１を施したパターンデータ３０に基づいて描画を行ったにもかかわらず、描画される回路パターンの形状を変更したい場合、描画装置１内で描画データ（ビットマップデータ３４）を編集することができる。すなわち、従来であれば、描画される回路パターンの形状を変更したい場合には、外部の補正／記憶部２６にてパターンデータ３０に別の近接効果補正処理３１を施こして得られたデータを描画装置が再取得する必要があったが、本実施形態では不要である。したがって、描画装置１は、ビットマップデータ３４を更新した後、すぐに描画を再開することができるため、描画データの編集から再描画までの時間を大幅に短縮させることが可能となる。
【００２１】
なお、ビットマップデータ３４を更新した結果が許容範囲内であると認められた場合、主制御部２０は、メモリー３５に一時的に保存されている新たなビットマップデータ３４を、変換／記憶部２４内に蓄えられたビットマップデータに反映させる。これにより、描画装置１は、新たなビットマップデータ３４を利用して同様の描画結果を再度迅速に得ることができ、再編集の時間を省略することができる。さらに、更新されたビットマップデータ３４は、もとのパターンデータ３０に反映させてもよい。その場合、変換／記憶部２４は、更新後の新たなビットマップデータ３４に、逆変換、すなわちベクトルパターンデータ化する第３データ変換処理（変換部）３８を施した上で、補正／記憶部２６に変換後のパターンデータを記憶させる。これにより、描画装置１内で更新されたビットマップデータ３４に対応したパターンデータ３０を、描画装置１と、その他の装置（システム）とで共有することができる。なお、この第３データ変換処理３８を施してデータを保存する処理は、任意のタイミングで実施され得るものであり、上記の描画データの編集から再描画までの時間への影響は軽減し得る。
【００２２】
以上のように、本実施形態によれば、与えられたベクトルパターンデータの変更を介さずに近接効果補正を簡易に行うのに有利な描画装置を提供することができる。
【００２３】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態に係る描画装置について説明する。本実施形態に係る描画装置の特徴は、１つのパターン図形を分割して操作する点にある。図６は、本実施形態におけるパターンデータ５０（第１実施形態のパターンデータ３０に対応）と、このパターンデータ５０に対応したビットマップデータ５１（第１実施形態のビットマップデータ３４に対応）とを示す図である。なお、本実施形態では、第１実施形態に係る描画装置１に対応する部分には同一の符号を付し、説明を省略する。まず、図６（ａ）は、一例として本実施形態で適用するパターンデータ５０を示す図である。このパターンデータ５０は、矩形のパターン図形の集合であり、同一形状の複数のパターン図形が千鳥格子状に配列されている。図６（ｂ）は、図２における近接効果補正処理３１や第１データ変換処理３３が施され、メモリー３５内に保存されているビットマップデータ５１を示す図である。このビットマップデータ５１における１つのパターン図形は、長手方向に３つの領域、すなわち図形Ｆ、Ｇ、Ｈに分割され、それぞれの図形に対して近接効果補正処理３１が施されている。この場合、各図形Ｆ、Ｇ、Ｈのビットマップの画素値は、図形Ｆが８０％、図形Ｇが７０％、さらに図形Ｈが８０％に設定されている。図６（ｃ）は、以下の編集により目標とされる画素値と形状とが反映されたビットマップデータ５１を示す図である。
【００２４】
図７は、図６（ａ）に示すような形状のパターンデータ５０に基づいてウエハ６上に描画された回路パターンを、ＳＥＭにより計測した結果を示す図である。特に、図７（ａ）は、描画装置１内にてビットマップデータの更新を行っておらず、ブランカーデータフォーマット３７によりブランキング偏向器アレイ１３の動作が制御され、描画された場合の結果を示す図である。描画装置１のユーザーは、図７（ａ）に示す描画結果を確認し、各パターン間の間隔ＣＤ５を狭くし、かつ、パターンの端部の幅ＣＤ６を広くすることが望ましいと判断する。次に、ユーザーは、上記のような所望の形状にパターンを変形させるために、２つの図形ＦおよびＨの画素値を、以下のように編集領域上で異なる値、例えば８０％から１００％に変更する。一方、ユーザーは、残りの図形Ｇの画素値は、変更しない。
【００２５】
図８は、本実施形態における、編集中または編集後のビットマップデータ５１の画像が表示されている表示部９の編集画面４０を示す概略図である。特に、図８（ａ）は、編集開始時にビットマップデータ５１の全体が表示されている編集画面４０を示す図である。ユーザーは、まず、編集画面４０の編集領域に表示されているビットマップデータ５１のうち、変更したいパターン図形を選択し、表示を拡大させる。編集領域上で特定の図形のみを拡大表示させるには、図８（ａ）に示すように、ユーザーが、編集領域上でその図形を拡大範囲内に入れるように、例えば、始点Ｐ１と終点Ｐ２との間をタッチペン４１などによりなぞればよい。図８（ｂ）は、図８（ａ）の拡大範囲選択によって拡大されたパターン図形が表示されている編集画面４０を示す図である。図８（ｃ）は、ビットマップデータ５１のうち、編集中のパターン図形が表示されている編集画面４０を示す図である。ユーザーは、第１実施形態と同様の手法で編集領域に表示されているパターン図形を指やタッチペン４１などで直接触れることで、その部分の画素値を所望の値に変更することができる。例えば、ユーザーが、画素値を変更したい図形（ここでは図形ＦおよびＨ）において図８（ｃ）中の矢印で示すように下から上へなぞることで、画素数を増やすことができる。この場合も、表示部９では１度なぞる操作ごとに画素値が例えば５％増えるように設定されていれば、ユーザーは、編集領域に表示されている図形ＦおよびＨの表面を、４回下から上へなぞることで、画素値を２０％増やし、１００％に変更することができる。図８（ｄ）は、ビットマップデータ５１のうち、編集後のパターン図形が表示されている編集画面４０を示す図である。この場合も、編集画面４０では、ユーザーにより画素値が変更された図形ＦおよびＨは、他の図形よりも濃く表示される。
【００２６】
ここまでは、パターン図形の画素値を変更することについて説明した。これに対して、表示部９の編集画面４０では、パターン図形の画素値を変更するだけでなく、パターン図形（ビットマップデータ５１）の寸法および形状の少なくとも一方を変更（総じて変形ともいう）することも可能である。以下、編集画面４０にて、ユーザーがパターン図形を変形させる編集について説明する。図９は、本実施形態においてパターン図形を直接変形する際の、編集中または編集後のパターン図形が表示されている編集画面４０を示す概略図である。特に、図９（ａ）は、図８を用いて説明したように画素値が変更されたパターン図形に、さらに編集を加えている状態の編集画面４０を示す図である。ここで、ユーザーは、例えば、図形Ｇの短手方向の幅を狭くしたい場合には、編集領域に表示されている図形Ｇの「辺」を指やタッチペン４１などで指定しつつ図９（ａ）の矢印方向に移動させることで、図形Ｇを所望の形状に変形させることができる。図９（ｂ）は、図９（ａ）に示すように編集された後のパターン図形が表示されている編集画面４０を示す図である。なお、ここでの変形においては、画素値は、そのまま維持されるものとしている。さらに、パターン図形の変形は、上記のように、あるパターン図形全体を変形させるだけでなく、パターン図形の一部の領域のみを変形させてもよい。図１０は、本実施形態においてパターン図形の一部の領域を変形する際の、編集中または編集後のパターン図形が表示されている編集画面４０を示す概略図である。特に、図１０（ａ）は、図８を用いて説明したように画素値が変更されたパターン図形に、さらに編集を加えている状態の編集画面４０を示す図である。ここで、ユーザーは、例えば、図形Ｇのうち中央部分の幅のみを狭くしたい場合には、まず、編集領域上でその特定の領域が変形範囲内に入るように、例えば、始点Ｐ１と終点Ｐ２との間をタッチペン４１などによりなぞる。そして、ユーザーは、選択した変形範囲内にて図１０（ａ）の矢印方向に辺を移動させることで、図形Ｇの特定部分を所望の形状に変形させることができる。図１０（ｂ）は、図１０（ａ）に示すように編集された後のパターン図形が表示されている編集画面４０を示す図である。
【００２７】
図８から図１０までの説明では、ビットマップデータ５１を構成する１つのパターン図形に対する編集を実施した。次に、この編集されたパターン図形の画素値や形状などを、複数に分離した同一の形状の他のパターン図形に反映させる手法について説明する。図１１は、同一形状の他のパターン図形に、編集されたパターン図形の状態を反映させる際の編集画面４０を示す概略図である。特に、図１１（ａ）は、図形状態を反映させている途中の編集画面４０を示す図である。まず、図８（ｄ）、図９（ｂ）、または図１０（ｂ）に示すような編集後、ユーザーが編集領域で画面を縮小することで、もとのビットマップデータ５１全体が編集領域上に現れる。この状態においては、右上のパターン図形のみが変更済みの状態にある。次に、ユーザーは、編集領域上で同じパターン図形が繰り返されている部分が選択範囲内に入るように、例えば、始点Ｐ１と終点Ｐ２との間をタッチペン４１などによりなぞる。編集画面４０は、選択範囲内にあるパターン図形を、選択されているという意味でハイライトなどで表示する。そして、ユーザーが、ファンクションボタンＦ３の「ＡＰＰＬＹ」に触れることで、編集された１つのパターン図形の状態が、同一形状の他のパターン図形に一括で適用される。図１１（ｂ）は、この一括適用を受けたパターン図形（ビットマップデータ５１）が表示されている編集画面４０を示す図である。そして、ユーザーがファンクションボタンＦ２の「ＳＡＶＥ」に触れることで、編集後のビットマップデータ５１は、描画データ処理部２５および主制御部２０を介してメモリー３５に保存、反映され、新たなビットマップデータ５１として更新される。
【００２８】
図７（ｂ）は、本実施形態において更新後のビットマップデータ５１に基づいて生成されたブランカーデータフォーマット３７によりブランキング偏向器アレイ１３の動作が制御され、描画された場合の結果を示す図である。図７（ｂ）に示す描画結果を見ると、各パターン間の間隔ＣＤ５は、間隔ＣＤ７となって狭くなり、かつ、パターンの端部の幅ＣＤ６も、幅ＣＤ８となって広くなる。すなわち、各パターン間の当初の間隔ＣＤ５とパターンの端部の当初の幅ＣＤ６とは、所望のとおり（許容範囲内に）調整されたことがわかる。このように、本実施形態によれば、与えられたベクトルパターンデータの変更を介さずに近接効果補正を簡易に行うのに有利な描画装置を提供することができる。
【００２９】
（物品の製造方法）
本発明の実施形態に係る物品の製造方法は、例えば、半導体デバイスなどのマイクロデバイスや微細構造を有する素子などの物品を製造するのに好適である。該製造方法は、感光剤が塗布された基板の該感光剤に上記の描画装置を用いて潜像パターンを形成する工程（基板に描画を行う工程）と、該工程で潜像パターンが形成された基板を現像する工程とを含み得る。さらに、該製造方法は、他の周知の工程（酸化、成膜、蒸着、ドーピング、平坦化、エッチング、レジスト剥離、ダイシング、ボンディング、パッケージングなど）を含み得る。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【００３０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は、これらの実施形態に限定されず、その要旨の範囲内で種々の変形および変更が可能である。
【符号の説明】
【００３１】
１    描画装置
４    電子ビーム
６    ウエハ
９    表示部
２５  描画データ処理部
３０  ベクトルパターンデータ
３４  ビットマップデータ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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