(57)【要約】【課題】製造品質の向上を図ることができる有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法の提供。【解決手段】素子基板を、素子基板本体２に陽極層３を形成してなる陽極層形成状態から、陽極層３に有機層４を形成してなる有機層形成状態とし、さらに、有機層４に陰極層５を形成してなる陰極層形成状態とする第１のラインと、封止基板本体に充填材を搭載して封止基板とする第２のラインと、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）と封止基板とを貼り合わせる第３のラインとを備え、第１のラインには、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）にマイクロ波を照射して加熱を行う第１の乾燥手段４１が設けられ、第２のラインには、封止基板にマイクロ波を照射して加熱を行う第２の乾燥手段が設けられている。【選択図】図６
2014132533.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板を、素子基板本体に陽極層を形成してなる陽極層形成状態から、前記陽極層に有機層を形成してなる有機層形成状態とし、さらに、前記有機層に陰極層を形成してなる陰極層形成状態とする第１のラインと、
封止基板本体に充填材を搭載して封止基板とする第２のラインと、
前記第１のラインで形成された前記陰極層形成状態にある素子基板と、前記第２のラインで形成された前記封止基板とを貼り合わせる第３のラインとを備える有機ＥＬパネルの製造装置であって、
前記第１のラインには、前記陽極層形成状態、前記有機層形成状態および前記陰極層形成状態のうちの少なくともいずれか一の状態にある素子基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第１の乾燥手段が設けられ、
前記第２のラインには、前記封止基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第２の乾燥手段が設けられていることを特徴とする有機ＥＬパネルの製造装置。
【請求項２】
前記第１の乾燥手段および前記第２の乾燥手段のうちの少なくともいずれか一方が、
前記乾燥対象物の放射熱から該乾燥対象物の温度を検出する温度検出部と、
該温度検出部の検出結果に基づいてマイクロ波の強度を制御する制御部とを備えることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬパネルの製造装置。
【請求項３】
前記第１の乾燥手段が、前記陰極層形成状態にある素子基板を前記乾燥対象物としてマイクロ波を照射する場合に、前記素子基板本体の前記陰極層とは反対側からマイクロ波を照射することを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬパネルの製造装置。
【請求項４】
素子基板本体に陽極層を形成してなる陽極層形成状態にある素子基板を、前記陽極層に有機層を形成して有機層形成状態とする有機層形成工程と、
前記有機層形成状態にある素子基板を、前記有機層に陰極層を形成して陰極層形成状態とする陰極層形成工程と、
封止基板本体に充填材を搭載して封止基板とする充填材搭載工程と、
前記陰極層形成工程後の前記陰極層形成状態にある素子基板と、前記充填材搭載工程後の前記封止基板とを貼り合わせる貼合工程とを有する有機ＥＬパネルの製造方法であって、
前記有機層形成工程の前、前記有機層形成工程の後および前記陰極層形成工程の後のうちの少なくともいずれか一のタイミングで、前記素子基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第１の乾燥工程を有し、
前記充填材搭載工程の後に、前記封止基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第２の乾燥工程を有することを特徴とする有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項５】
前記第１の乾燥工程および前記第２の乾燥工程のうちの少なくともいずれか一方において、前記乾燥対象物の放射熱から該乾燥対象物の温度を検出し、この検出結果に基づいてマイクロ波の強度を制御することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【請求項６】
前記第１の乾燥工程を前記陰極層形成工程の後に行う場合に、前記素子基板本体の前記陰極層とは反対側からマイクロ波を照射することを特徴とする請求項４または５に記載の有機ＥＬパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子（有機エレクトロルミネッセンス素子）は、水分の影響を受けやすく、製造時に内部に水分が残存していると、ダークスポットと呼ばれる非発光箇所が発生してしまう。このため、基板上に陽極層、発光媒体層、陰極層をこの順に形成し、封止材上に樹脂層を積層して、これらを貼り合わせることにより製造される有機ＥＬ素子において、封止材上に積層された樹脂層にマイクロ波、遠赤外線を同時に照射して乾燥させる技術がある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許第４６０９１３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記技術を用いても水分の除去が十分ではない場合がある。例えば、基板や、短絡防止用に陽極層に塗布されるレジスト等に水分が含まれている可能性があり、これらに水分が含まれていると非発光箇所が発生し、製造品質が低下してしまう。
【０００５】
したがって、本発明は、製造品質の向上を図ることができる有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、素子基板を、素子基板本体に陽極層を形成してなる陽極層形成状態から、前記陽極層に有機層を形成してなる有機層形成状態とし、さらに、前記有機層に陰極層を形成してなる陰極層形成状態とする第１のラインと、封止基板本体に充填材を搭載して封止基板とする第２のラインと、前記第１のラインで形成された前記陰極層形成状態にある素子基板と、前記第２のラインで形成された前記封止基板とを貼り合わせる第３のラインとを備える有機ＥＬパネルの製造装置であって、前記第１のラインには、前記陽極層形成状態、前記有機層形成状態および前記陰極層形成状態のうちの少なくともいずれか一の状態にある素子基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第１の乾燥手段が設けられ、前記第２のラインには、前記封止基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第２の乾燥手段が設けられていることを特徴とする。
【０００７】
これにより、第１のラインにおいて、第１の乾燥手段が、陽極層形成状態、有機層形成状態および陰極層形成状態のうちの少なくともいずれか一の状態にある素子基板にマイクロ波を照射して加熱を行うことによりこれを乾燥させることになる。また、第２のラインにおいても、第２の乾燥手段が、封止基板にマイクロ波を照射して加熱を行うことによりこれを乾燥させることになる。したがって、素子基板および封止基板の両方について水分の残存量を減らしてから、これらを貼り合わせることができる。
【０００８】
また、上記発明において、前記第１の乾燥手段および前記第２の乾燥手段のうちの少なくともいずれか一方が、前記乾燥対象物の放射熱から該乾燥対象物の温度を検出する温度検出部と、該温度検出部の検出結果に基づいてマイクロ波の強度を制御する制御部とを備えるのが好ましい。
【０００９】
これにより、温度検出部が乾燥対象物の放射熱からその温度を検出し、この検出結果に基づいて制御部がマイクロ波の強度を制御することになる。よって、乾燥対象物を適正に乾燥させることができる。
【００１０】
また、上記発明において、前記第１の乾燥手段が、前記陰極層形成状態にある素子基板を前記乾燥対象物としてマイクロ波を照射する場合に、前記素子基板本体の前記陰極層とは反対側からマイクロ波を照射するのが好ましい。
【００１１】
このように、素子基板本体の陰極層とは反対側からマイクロ波を照射するため、陰極層の影響を低減しつつ素子基板にマイクロ波を照射することができる。よって、乾燥対象物を効率良く乾燥させることができる。
【００１２】
本発明は、素子基板本体に陽極層を形成してなる陽極層形成状態にある素子基板を、前記陽極層に有機層を形成して有機層形成状態とする有機層形成工程と、前記有機層形成状態にある素子基板を、前記有機層に陰極層を形成して陰極層形成状態とする陰極層形成工程と、封止基板本体に充填材を搭載して封止基板とする充填材搭載工程と、前記陰極層形成工程後の前記陰極層形成状態にある素子基板と、前記充填材搭載工程後の前記封止基板とを貼り合わせる貼合工程とを有する有機ＥＬパネルの製造方法であって、前記有機層形成工程の前、前記有機層形成工程の後および前記陰極層形成工程の後のうちの少なくともいずれか一のタイミングで、前記素子基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第１の乾燥工程を有し、前記充填材搭載工程の後に、前記封止基板を乾燥対象物とし該乾燥対象物にマイクロ波を照射して加熱を行う第２の乾燥工程を有することを特徴とする。
【００１３】
これにより、第１の乾燥工程において、有機層形成工程の前、有機層形成工程の後および陰極層形成工程の後のうちの少なくともいずれか一のタイミングで、陽極層形成状態、有機層形成状態および陰極層形成状態のうちの少なくともいずれか一の状態にある素子基板にマイクロ波を照射して加熱を行うことによりこれを乾燥させることになる。また、充填材搭載工程の後の第２の乾燥工程によって、封止基板にマイクロ波を照射して加熱を行うことによりこれを乾燥させることになる。したがって、素子基板および封止基板の両方について水分の残存量を減らしてから、これらを貼り合わせることができる。
【００１４】
また、上記発明において、前記第１の乾燥工程および前記第２の乾燥工程のうちの少なくともいずれか一方において、前記乾燥対象物の放射熱から該乾燥対象物の温度を検出し、この検出結果に基づいてマイクロ波の強度を制御するのが好ましい。
【００１５】
このように、乾燥対象物の放射熱からその温度を検出し、この検出結果に基づいてマイクロ波の強度を制御するため、乾燥対象物を適正に乾燥させることができる。
【００１６】
また、上記発明において、前記第１の乾燥工程を前記陰極層形成工程の後に行う場合に、前記素子基板本体の前記陰極層とは反対側からマイクロ波を照射するのが好ましい。
【００１７】
このように、素子基板本体の陰極層とは反対側からマイクロ波を照射するため、陰極層の影響を低減しつつ素子基板にマイクロ波を照射することができる。よって、乾燥対象物を効率良く乾燥させることができる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、有機ＥＬパネルの製造品質の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明に係る第１実施形態によって製造される有機ＥＬパネルを示す断面図である。
【図２】本発明に係る第１実施形態の製造装置を概略的に示すブロック図である。
【図３】本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの第１の洗浄装置を概略的に示す側断面図である。
【図４】本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの有機層形成装置を概略的に示す側断面図である。
【図５】本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの陰極層形成装置を概略的に示す側断面図である。
【図６】本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの第１の乾燥装置を概略的に示す側断面図である。
【図７】本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの第２の洗浄装置を概略的に示す側断面図である。
【図８】本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの塗布装置を概略的に示す側断面図である。
【図９】本発明に係る第１実施形態の製造装置のうちの第２の乾燥装置を概略的に示す側断面図である。
【図１０】本発明に係る第２実施形態の製造装置を概略的に示すブロック図である。
【図１１】本発明に係る第２実施形態の製造装置のうちの前段の乾燥装置を概略的に示す側断面図である。
【図１２】本発明に係る第３実施形態の製造装置を概略的に示すブロック図である。
【図１３】本発明に係る第３実施形態の製造装置のうちの中段の乾燥装置を概略的に示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
「第１実施形態」
本発明に係る第１実施形態の有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法を図１〜図９を参照して以下に説明する。
【００２１】
第１実施形態の製造装置および製造方法で製造される有機ＥＬパネル（有機エレクトロルミネッセンスパネル）１は、図１に示すように、素子基板本体２に、陽極層３、有機層４、陰極層５がこの順に積層されるように形成されている。陽極層３のエッジ部分には陽極層３と陰極層５との短絡を防止するための短絡防止部６が形成されている。また、有機ＥＬパネル１は、陽極層３、有機層４および陰極層５を間に介在させるようにして素子基板本体２に対向配置される封止基板本体７と、陽極層３、有機層４および陰極層５の周囲を囲むように配されて素子基板本体２と封止基板本体７とを接着する接着層８と、接着層８の内側の素子基板本体２と封止基板本体７との間の空間に充填される充填層９とを有している。
【００２２】
図２に示すように、第１実施形態の製造装置２０は、第１のライン２１と第２のライン２２と第３のライン２３とを備えている。
【００２３】
第１のライン２１は、図１に示す素子基板本体２に陽極層３が形成された状態から、陽極層３に有機層４が形成された状態、さらには、有機層４に陰極層５が形成された状態へと、素子基板１１を変化させるものである。
【００２４】
図２に示すように、第１のライン２１は第１の搬送装置２５を有している。この第１の搬送装置２５には、素子基板本体２に陽極層３を形成し陽極層３のエッジ部分に短絡防止部６を形成してなる陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）が搬入されることになり、第１の搬送装置２５はこれを搬送する。第１の搬送装置２５は、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を陽極層３が下向きになる姿勢で搬送する。ここで、素子基板本体２は、例えばガラス等からなっており、陽極層３は、例えばＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）からなっていて、短絡防止部６はレジストからなっている。
【００２５】
第１のライン２１は、第１の搬送装置２５における上流側に設けられて、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を洗浄する第１の洗浄工程を行う第１の洗浄装置２８を有している。図３に示すように、第１の洗浄装置２８は、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を収容可能な真空チャンバ２９を有しており、第１の洗浄工程として、真空チャンバ２９内において真空状態で、ウエット洗浄である洗剤による洗浄を陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）の特に陽極層３側の下面に対して行う。なお、洗剤による洗浄以外にも、同様のウエット洗浄として超音波洗浄を行ったり、酸素プラズマ洗浄やＵＶオゾン洗浄等のドライ洗浄を行っても良い。また、真空状態で洗浄を行うのではなく大気状態で洗浄を行っても良い。
【００２６】
図２に示すように、第１のライン２１には、第１の搬送装置２５における第１の洗浄装置２８の下流側に有機層形成装置３１が設けられており、第１の搬送装置２５における有機層形成装置３１の下流側に陰極層形成装置３２が設けられている。
【００２７】
有機層形成装置３１は、図３に示す第１の洗浄装置２８から搬送されてきた陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を収容可能な図４に示す真空チャンバ３４を有しており、真空チャンバ３４内での真空蒸着により陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）の陽極層３上に有機層４を形成して有機層形成状態の素子基板１１（Ｂ）とする有機層形成工程を行う。有機層４は、例えばＡｌｑ３(tris(8-hydroxyquinolinato)aluminium）、α−ＮＰＤ(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenyl-(1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine）、ＴＰＤ(N, N'-Bis(3-methylphenyl)-N,N'-bis(phenyl)-benzidine）、ＣＢＰ(4,4'-Bis(carbazol-9-yl)biphenyl) 等からなっている。
【００２８】
陰極層形成装置３２は、図４に示す有機層形成装置３１から搬送されてきた有機層形成状態にある素子基板１１（Ｂ）を収容可能な図５に示す真空チャンバ３７を有しており、真空チャンバ３７内での真空蒸着により有機層形成状態にある素子基板１１（Ｂ）の有機層４上に陰極層５を形成して陰極層形成状態の素子基板１１（Ｃ）とする陰極層形成工程を行う。陰極層５は、例えばアルミニウムや銀からなっている。
【００２９】
図２に示すように、第１のライン２１は、第１の搬送装置２５における陰極層形成装置３２の下流側に設けられ、陰極層５を形成した後の陰極層形成状態にある図５に示す素子基板１１（Ｃ）を保管する保管工程を行う保管装置４０と、第１の搬送装置２５における保管装置４０の下流側に設けられ、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）を乾燥させる第１の乾燥工程を行う第１の乾燥装置（第１の乾燥手段）４１とを有している。
【００３０】
以上により、図２に示す第１のライン２１は、図１に示す素子基板１１を、図３に示す素子基板本体２に陽極層３を形成してなる陽極層形成状態から、図４に示す陽極層３に有機層４を形成してなる有機層形成状態とし、さらに、図５に示す有機層４に陰極層５を形成してなる陰極層形成状態とするものである。よって、陽極層形成状態の図３に示す素子基板１１（Ａ）には、陽極層３、有機層４および陰極層５のうち陽極層３のみが形成されており、図４に示す有機層形成状態の素子基板１１（Ｂ）には、陽極層３、有機層４および陰極層５のうち陽極層３および有機層４のみが形成されていて、図５に示す陰極層形成状態の素子基板１１（Ｃ）には、陽極層３、有機層４および陰極層５のすべてが形成されている。また、図２に示す第１のライン２１には、陰極層形成状態にある図６に示す素子基板１１（Ｃ）を乾燥対象物として乾燥させる第１の乾燥装置４１が設けられている。言い変えれば、第１のライン２１で行われる製造工程には、陰極層形成工程の後のタイミングで、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）を乾燥対象物として乾燥させる第１の乾燥工程を有している。
【００３１】
図２に示す第１のライン２１の保管装置４０は、陰極層形成装置３２から搬送されてきた陰極層形成状態にある図５に示す素子基板１１（Ｃ）を複数収容可能なボックス状をなしており、その内部には窒素が充填されている。
【００３２】
図２に示す第１のライン２１の第１の乾燥装置４１は、保管装置４０から搬送されてきた陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）を収容可能な図６に示す真空チャンバ４２を有している。第１の乾燥装置４１は、真空チャンバ４２内において真空状態で、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）に、第１の乾燥工程としてマイクロ波発生源４３からマイクロ波を照射して加熱を行うことにより、この素子基板１１（Ｃ）を乾燥させる。マイクロ波発生源４３は、真空チャンバ４２内にセットされた素子基板１１（Ｃ）に対して、素子基板本体２の陽極層３、有機層４および陰極層５とは反対側からマイクロ波を照射する。これは、陰極層５がアルミニウムからなる場合に、この陰極層５によってマイクロ波が遮断されることで乾燥効率が低下することを防止するためである。なお、遠赤外線等による加熱がなく、マイクロ波の照射のみであっても、水分や素子基板１１（Ｃ）の誘電物により水分の気化熱まで素子基板１１（Ｃ）の温度を上昇させることができる
【００３３】
真空チャンバ４２には、セットされた陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）の陰極層５の可視位置に窓部４５が形成されている。そして、第１の乾燥装置４１は、この窓部４５を介して、乾燥対象物である素子基板１１（Ｃ）の放射熱からその特に陰極層５の温度を検出する放射温度計（温度検出部）４６と、放射温度計４６の検出結果に基づいてマイクロ波の強度を、例えば放射温度計４６の検出温度が所定範囲内となるように制御する制御部４７とを有している。つまり、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）にマイクロ波を当てると、アルミニウムや銀からなる陰極層５の誘電率の方が水より高いため、陰極層５の温度が上がりやすい。このため、制御部４７は、陰極層５の温度が陰極層５や有機層４に影響を及ばさない範囲となるように温度を制御する。例えば、有機層４が１５０〜３００℃で蒸着されている場合に、その再蒸発を防ぐため、第１の乾燥工程における陰極層５の温度が１００℃以下となるようにマイクロ波の強度を制御する。ここで、窓部４５は、真空チャンバ４２の外側に設けられた放射温度計４６の検出波の波長が通過可能な材料で形成されており、例えば、フッ化バリウムガラスやフッ化カルシウムガラス等で形成されている。
【００３４】
なお、予め放射温度計４６と真空チャンバ４２内の対象物温度とのキャリブレーションを行い、対象物の放射率を確認しておく。窓部４５の汚れや放射温度計４６の劣化等により測定値がずれる可能性があるため、製造装置２０を稼働する都度、キャリブレーションを行うのが好ましい。また、真空チャンバ４２内に温度センサを設けて素子基板１１（Ｃ）の温度を検出するようにしても良いが、この場合、温度センサがマイクロ波によって温度上昇しないように適宜の位置にマイクロ波を反射させる反射板等を設けることになる。
【００３５】
図２に示すように、第２のライン２２には、第２の搬送装置５１が設けられている。この第２の搬送装置５１には、何も塗布されていない封止基板本体７が搬入されることになり、第２の搬送装置５１はこれを搬送する。
【００３６】
第２のライン２２には、第２の搬送装置５１における上流側に、封止基板本体７を洗浄する第２の洗浄工程を行う第２の洗浄装置５２が設けられている。第２の洗浄装置５２は、第２の搬送装置５１で搬送されてきた封止基板本体７を収容可能な図７に示す真空チャンバ５３を有しており、第２の洗浄工程として、真空チャンバ５３内において真空状態で、ウエット洗浄である洗剤による洗浄を封止基板本体７の特に下面に対して行う。なお、第１の洗浄工程と同様、洗剤による洗浄以外にも、ウエット洗浄として超音波洗浄を行ったり、酸素プラズマ洗浄やＵＶオゾン洗浄等のドライ洗浄を行っても良い。また、真空状態で洗浄を行うのではなく大気状態で洗浄を行っても良い。ここで、封止基板本体７は、例えばガラス等からなっている。
【００３７】
図２に示すように、第２のライン２２には、第２の搬送装置５１における第２の洗浄装置５２の下流側に塗布装置５５が設けられている。ここで、第２の搬送装置５１は、第２の洗浄装置５２で洗浄された封止基板本体７の上下を反転させ、洗浄した下面を上面にして塗布装置５５に搬送する。塗布装置５５は、第２の洗浄装置５２から搬送されてきた封止基板本体７を収容可能な図８に示すボックス５６を有しており、このボックス５６内には窒素が充填されている。塗布装置５５は、封止基板本体７の上面（第２の洗浄工程での下面）に、ディスペンサやスクリーン印刷機により、図１の接着層８を形成する接着材８（Ａ）および図１の充填層９を形成する充填材９（Ａ）を図８に示すように搭載して封止基板５７とする接着材搭載工程および充填材搭載工程を行う。なお、接着材８（Ａ）は、充填材９（Ａ）の周囲を囲むように封止基板本体７に塗布される。
【００３８】
図２に示すように、第２のライン２２は、第２の搬送装置５１における塗布装置５５の下流側に第２の乾燥装置（第２の乾燥手段）５９を有している。第２の乾燥装置５９は、第１の乾燥装置４１と略同様となっている。第２の乾燥装置５９は、塗布装置５５から搬送されてきた図８に示す封止基板５７を収容可能な図９に示す真空チャンバ６０を有している。第２の乾燥装置５９は、この真空チャンバ６０内において真空状態で、封止基板５７に、マイクロ波発生源６１からマイクロ波を照射して加熱を行うことにより、封止基板５７を乾燥させる第２の乾燥工程を行う。マイクロ波発生源６１は、真空チャンバ６０内にセットされた封止基板５７に対して、接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）とは反対側からマイクロ波を照射するようになっている。なお、接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）側からマイクロ波を照射するようにしても良い。これは、封止基板５７には、基本的にマイクロ波をカットするものがないためである。
【００３９】
第２の乾燥装置５９は、セットされた封止基板５７の接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）の可視位置に窓部６３が形成されている。第２の乾燥装置５９は、この窓部６３を介して乾燥対象物である封止基板５７の放射熱から封止基板５７の特に接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）の温度を検出する放射温度計（温度検出部）６４と、放射温度計６４の検出結果に基づいてマイクロ波の強度を、例えば放射温度計６４の検出温度が所定範囲内となるように制御する制御部６５とを有している。つまり、封止基板５７にマイクロ波を当てると、接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）の少なくともいずれか一方が熱硬化する場合に、熱硬化を開始してしまう可能性がある。このため、制御部６５は、熱硬化するものの温度が熱硬化開始温度まで上昇しないように制御する。例えば、第２の乾燥工程における接着材８（Ａ）および充填材９（Ａ）の温度が４０℃以下となるようにマイクロ波の強度を制御する。ここで、窓部６３は、第１の乾燥装置４１と同様、放射温度計６４の検出波の波長が透過可能な材料で形成されている。また、第２の乾燥装置５９は、第１の乾燥装置４１と同様に、放射温度計６４と真空チャンバ６０内の対象物温度とのキャリブレーションを行う。
【００４０】
以上により、図２に示す第２のライン２２は、図１に示す封止基板本体７に接着層８および充填層９を形成する図８に示す接着材８（Ａ）充填材９（Ａ）をそれぞれ搭載して封止基板５７とするものであり、第２のライン２２には、封止基板５７を乾燥対象物としこの乾燥対象物を乾燥させる図９に示す第２の乾燥装置５９が設けられている。言い換えれば、第２のライン２２による製造工程には、充填材搭載工程の後に、封止基板５７を乾燥対象物として乾燥させる第２の乾燥工程を有している。
【００４１】
図２に示すように、第３のライン２３には、第１のライン２１の図６に示す第１の乾燥装置４１で乾燥させられた陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）と、第２のライン２２の図９に示す第２の乾燥装置５９で乾燥させられた封止基板５７とを、内部を封止するように貼り合わせる貼合工程を行って図１に示す有機ＥＬパネル１とする貼合装置６７と、貼合装置６７で形成された有機ＥＬパネル１を搬送する第３の搬送装置６８と、第３の搬送装置６８における貼合装置６７の下流側に設けられて有機ＥＬパネル１の図９に示す接着材８（Ａ）を硬化させて図１に示す接着層８を形成する接着材硬化装置６９と、第３の搬送装置６８における接着材硬化装置６９の下流側に設けられて有機ＥＬパネル１に電極等を貼り付ける部品装着装置７０とを有している。
【００４２】
第３のライン２３の接着材硬化装置６９は、図９に示す接着材８（Ａ）が例えば紫外線硬化性エポキシ樹脂からなる場合に、これを硬化させるべく有機ＥＬパネル１に紫外線を照射する。なお、接着材硬化装置６９は、接着材８（Ａ）が熱硬化性樹脂からなる場合には、これを硬化させるべく有機ＥＬパネル１を加熱する。
【００４３】
つまり、第３のライン２３は、第１のライン２１で形成された陰極層形成状態にある図６に示す素子基板１１（Ｃ）と、第２のライン２２で形成された図９に示す封止基板５７とを貼り合わせる。言い換えれば、貼合工程は、陰極層形成工程後の陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）と、充填材搭載工程後の封止基板５７とを貼り合わせる。
【００４４】
以上に述べた第１実施形態によれば、第１のライン２１において、有機層形成工程の後に行われる第１の乾燥工程によって、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）に第１の乾燥装置４１によってマイクロ波を照射して加熱を行うことにより、この素子基板１１（Ｃ）を乾燥させることになる。また、第２のライン２２において、充填材搭載工程の後の第２の乾燥工程によって、封止基板５７に、第２の乾燥装置５９によってマイクロ波を照射して加熱を行うことにより、封止基板５７を乾燥させることになる。よって、陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）および封止基板５７の両方について水分の残存量を減らしてからこれらを貼り合わせて封止することができる。したがって、有機ＥＬパネル１の製造品質の向上を図ることができる。具体的には、例えば、素子基板本体２や、短絡防止用に陽極層３に塗布される短絡防止部６を構成するレジスト等に水分が含まれている可能性があり、これらに水分が含まれていると有機ＥＬパネル１に非発光箇所が発生し、製造品質が低下してしまうことになるが、陰極層形成工程後の陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）を乾燥させることで、素子基板本体２やレジスト等に含まれている水分に起因した製造品質が低下を抑制できる。
【００４５】
しかも、保管装置４０から繰り出された陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）に、第１の乾燥装置４１によってマイクロ波を照射して加熱を行うことから、仮に保管装置４０での保管中に水分の付着があったとしても、これを除去することができる。
【００４６】
また、貼合工程の直前（つまり封止直前）の陰極層形成状態にある素子基板１１（Ｃ）に第１の乾燥装置４１によってマイクロ波を照射して加熱を行うとともに、貼合工程の直前（つまり封止直前）の封止基板５７に第２の乾燥装置５９によってマイクロ波を照射して加熱を行うことから、乾燥状態の劣化が進む前に素子基板１１（Ｃ）と封止基板５７とを貼り合わせて封止することができる。
【００４７】
また、第１の乾燥装置４１では、放射温度計４６が乾燥対象物である素子基板１１（Ｃ）の放射熱からその温度を検出すると、この検出結果に基づいて制御部４７がマイクロ波の強度を制御することになり、第２の乾燥装置５９では、放射温度計６４が乾燥対象物である封止基板５７の放射熱からその温度を検出すると、この検出結果に基づいて制御部６５がマイクロ波の強度を制御することになる。よって、乾燥対象物である素子基板１１（Ｃ）および封止基板５７を、適正に乾燥させることができる。
【００４８】
また、第１の乾燥装置４１では、素子基板本体２の陰極層５とは反対側から素子基板１１（Ｃ）にマイクロ波を照射するため、陰極層５の影響を低減しつつ素子基板１１（Ｃ）にマイクロ波を照射することができる。よって、素子基板１１（Ｃ）を効率良く乾燥させることができる。
【００４９】
また、特に温度管理が必要な素子基板１１（Ｃ）に対しては、第１の乾燥装置４１によって真空チャンバ４２内でマイクロ波を照射するのみ、つまり遠赤外線等の他の手段による加熱がないので、素子基板１１（Ｃ）の温度制御が容易となる。
【００５０】
なお、第１実施形態において、第１の乾燥装置４１に放射温度計４６および制御部４７を設け、第２の乾燥装置５９に放射温度計６４および制御部６５を設けたが、第１の乾燥装置４１および第２の乾燥装置５９のうちの少なくともいずれか一方に、放射温度計および制御部を設けるようにしても良い。
【００５１】
「第２実施形態」
本発明に係る第２実施形態の有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法を主に図１０，図１１を参照して第１実施形態との相違部分を中心に説明する。
【００５２】
第２実施形態では、図１０に示すように、第１のライン２１における第１の洗浄装置２８と有機層形成装置３１との間に前段の乾燥装置（第１の乾燥手段）８０が追加で設けられている。この前段の乾燥装置８０は、図１１に示すように、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を乾燥対象物として乾燥させる前段の乾燥工程（第１の乾燥工程）を行う。言い変えれば、第２実施形態においては、有機層形成工程の前のタイミングで、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を乾燥対象物として乾燥させる前段の乾燥工程（第１の乾燥工程）を有している。
【００５３】
前段の乾燥装置８０は、図２に示す第１の洗浄装置２８から搬送されてきた陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を収容可能な真空チャンバ８１を有している。前段の乾燥装置８０は、真空チャンバ８１内において真空状態で、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）に、前段の乾燥工程としてマイクロ波発生源８２からマイクロ波を照射して加熱を行うことにより、素子基板１１（Ａ）を乾燥させる。マイクロ波発生源８２は、真空チャンバ８１内にセットされた陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）に対して、陽極層３側からマイクロ波を照射する。なお、陽極層３とは反対側からマイクロ波を照射するようにしても良い。これは、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）には、基本的にマイクロ波をカットするものがないためである。なお、真空チャンバ８１には目視用の窓部８３が設けられているが、この窓部８３をなくしても良い。
【００５４】
陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）は、有機層４がないため、特に精密な温度制御が不要であり、よって、前段の乾燥装置８０には、放射温度計および制御部は設けられておらず、マイクロ波発生源８２は、予め設定された強度および時間でマイクロ波を照射するようになっている。
【００５５】
以上に述べた第２実施形態によれば、有機層形成工程の前のタイミングで、陽極層形成状態にある素子基板１１（Ａ）を乾燥させる前段の乾燥工程を追加しているため、有機層４が形成された後では有機層４で閉じ込められて後段の第１の乾燥工程では乾燥しにくい部分の水分を事前に除去することができる。
【００５６】
なお、第２実施形態において、第１の乾燥装置４１およびこれによる第１の乾燥工程を廃止して、前段の乾燥装置８０による前段の乾燥工程のみを行うようにしても良い。
【００５７】
「第３実施形態」
本発明に係る第３実施形態の有機ＥＬパネルの製造装置および製造方法を主に図１２，図１３を参照して第２実施形態との相違部分を中心に説明する。
【００５８】
第３実施形態では、図１２に示すように、第１のライン２１における有機層形成装置３１と陰極層形成装置３２との間に中段の乾燥装置（第１の乾燥手段）９０が追加で設けられている。この中段の乾燥装置９０は、図１３に示すように、有機層形成状態にある素子基板１１（Ｂ）を乾燥対象物として乾燥させる中段の乾燥工程（第１の乾燥工程）を行う。言い変えれば、第３実施形態においては、有機層形成工程の後のタイミングで、有機層形成状態にある素子基板１１（Ｂ）を乾燥対象物として乾燥させる中段の乾燥工程（第１の乾燥工程）を有している。中段の乾燥装置９０は、第１の乾燥装置４１と同様の構成となっているが、基本的にマイクロ波をカットするものがないため、有機層形成状態にある素子基板１１（Ｂ）に有機層４側からマイクロ波を照射するようにしてもよい。
【００５９】
なお、第３実施形態において、第１の乾燥装置４１およびこれによる第１の乾燥工程を廃止し前段の乾燥装置８０およびこれによる前段の乾燥工程を廃止して、中段の乾燥装置９０による中段の乾燥工程のみを行うようにしても良い。また、第１の乾燥装置４１およびこれによる第１の乾燥工程を廃止して、前段の乾燥装置８０による前段の乾燥工程および中段の乾燥装置９０による中段の乾燥工程のみを行うようにしても良い。さらに、前段の乾燥装置８０およびこれによる前段の乾燥工程を廃止して、中段の乾燥装置９０による中段の乾燥工程および第１の乾燥装置４１による第１の乾燥工程のみを行うようにしても良い。
【００６０】
つまり、第１〜第３実施形態により、第１のライン２１には、第１の乾燥装置４１、前段の乾燥装置８０および中段の乾燥装置９０のうちの少なくともいずれか一つを設けて、陽極層形成状態、有機層形成状態および陰極層形成状態のうちの少なくともいずれか一の状態にある素子基板１１にマイクロ波を照射し加熱を行えば良い。言い換えれば、有機層形成工程の前と、有機層形成工程の後且つ陰極層形成工程の前と、陰極層形成工程の後とのうちの少なくともいずれか一のタイミングで、素子基板１１にマイクロ波を照射し加熱を行えば良い。
【符号の説明】
【００６１】
１  有機ＥＬパネル
２  素子基板本体
３  陽極層
４  有機層
５  陰極層
７  封止基板本体
９  充填層
９（Ａ）  充填材
１１  素子基板
１１（Ａ）  陽極層形成状態の素子基板
１１（Ｂ）  有機層形成状態の素子基板
１１（Ｃ）  陰極層形成状態の素子基板
２０  製造装置
２１  第１のライン
２２  第２のライン
２３  第３のライン
３１  有機層形成装置
３２  陰極層形成装置
４１  第１の乾燥装置
４６，６４  放射温度計（温度検出部）
４７，６５  制御部
５７  封止基板
５９  第２の乾燥装置（第２の乾燥手段）
６７  貼合装置
８０  前段の乾燥装置（第１の乾燥手段）
９０  中段の乾燥装置（第１の乾燥手段）
【図１】
2014132533.tif 000003
【図２】
2014132533.tif 000004
【図３】
2014132533.tif 000005
【図４】
2014132533.tif 000006
【図５】
2014132533.tif 000007
【図６】
2014132533.tif 000008
【図７】
2014132533.tif 000009
【図８】
2014132533.tif 000010
【図９】
2014132533.tif 000011
【図１０】
2014132533.tif 000012
【図１１】
2014132533.tif 000013
【図１２】
2014132533.tif 000014
【図１３】
2014132533.tif 000015