(57)【要約】【課題】記憶機構への書換回数の増加を抑制しつつ、その記憶機構のデータの保護を可能とする画像生成機器を提供する。【解決手段】全体を制御する制御機構（１１）と、制御機構の二次記憶装置としての記憶機構（１３）と、を備える画像生成機器（１０）である。記憶機構は、書換回数の制限のある不揮発デバイス（４１）と、不揮発デバイスを制御するデバイスコントローラ（４２）と、を有し、デバイスコントローラは、不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じているか否かを判断し、エラーが生じている場合に当該データを訂正するエラー訂正機能を有し、制御機構は、データリフレッシュ制御処理として、データを保存した不揮発デバイスに所定の期間アクセスしていない場合、デバイスコントローラにデータの読み込みの指令を出し、デバイスコントローラは、不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じている場合、データの再書き換えを行う。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
全体を制御する制御機構と、
前記制御機構の二次記憶装置としての記憶機構と、を備え、
前記記憶機構は、書換回数の制限のある不揮発デバイスと、前記不揮発デバイスを制御するデバイスコントローラと、を有し、
前記デバイスコントローラは、前記不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じているか否かを判断し、エラーが生じている場合に当該データを訂正するエラー訂正機能を有し、
前記制御機構は、データリフレッシュ制御処理として、データを保存した前記不揮発デバイスに所定の期間アクセスしていない場合、前記デバイスコントローラにデータの読み込みの指令を出し、
前記デバイスコントローラは、前記不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じている場合、データの再書き換えを行うことを特徴とする画像生成機器。
【請求項２】
前記制御機構は、前記不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じていたか否かを判断し、エラーが生じていた場合に前記デバイスコントローラにデータの再書き換えの指令を出し、
前記デバイスコントローラは、前記制御機構から前記再書き換えの指令が出されると、訂正したデータを用いてデータの再書き換えを行うことを特徴とする請求項１に記載の画像生成機器。
【請求項３】
前記デバイスコントローラは、前記エラー訂正機能において、前記不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じていると判断して当該データを訂正すると、訂正したデータを用いてデータの再書き換えを行うことを特徴とする請求項１に記載の画像生成機器。
【請求項４】
前記制御機構は、前記データリフレッシュ制御処理において、前記デバイスコントローラによるデータの再書き換えが実行されると、前記読み込みの指令により前記デバイスコントローラから得た訂正したデータを消去することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の画像生成機器。
【請求項５】
前記制御機構は、前記データリフレッシュ制御処理において、前記不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じていない場合、前記読み込みの指令により前記デバイスコントローラから得たデータを消去することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の画像生成機器。
【請求項６】
前記制御機構は、前記データリフレッシュ制御処理において、前記デバイスコントローラによるデータの再書き換えが実行されると前記読み込みの指令により前記デバイスコントローラから得た訂正したデータを消去するとともに、前記不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じていない場合は前記読み込みの指令により前記デバイスコントローラから得たデータを消去し、訂正したデータもしくはデータを消去すると、その消去した時点を前記所定の期間の始点とすることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の画像生成機器。
【請求項７】
前記制御機構は、前記デバイスコントローラにより前記不揮発デバイスを書き換えた書換回数の情報を取得し、前記書換回数が前記不揮発デバイスにおける書換上限回数の１０％を超えるまでは、前記データリフレッシュ制御処理を実行しないことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の画像生成機器。
【請求項８】
前記不揮発デバイスでは、少なくとも１つのパーティションが設定され、
前記制御機構は、前記不揮発デバイスにおいて前記パーティションにより区画された領域のうち、データが書き込まれた領域に前記データリフレッシュ制御処理を実行することを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の画像生成機器。
【請求項９】
前記制御機構は、前記不揮発デバイスにおいて前記パーティションにより区画された領域のうち、前記データリフレッシュ制御処理を実行しない領域を設定していることを特徴とする請求項８に記載の画像生成機器。
【請求項１０】
前記制御機構は、使用者が使うことのない時間である非使用時間帯に前記データリフレッシュ制御処理を実行することを特徴とする請求項１から請求項９のいずれか１項に記載の画像生成機器。
【請求項１１】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の画像生成機器であって、画像データに基づく画像を被転写材上に形成する画像形成装置であることを特徴とする画像生成機器。
【請求項１２】
請求項１から請求項１０のいずれか１項に記載の画像生成機器であって、撮影光学系を通して被写体像を撮像素子に受光させ、前記撮像素子からの画像信号に基づいて被写体像に対応した画像データを生成する撮像装置であることを特徴とする画像生成機器。
【請求項１３】
前記記憶機構は、前記画像生成機器の本体部に対して着脱可能とされたＳＤカードであることを特徴とする請求項１２に記載の画像生成機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、書換回数に制限のある記憶機構を備える画像生成機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像生成機器として、複写機、プリンタ、ファクシミリまたはそれらの複合機等の画像形成装置や、デジタルカメラ（デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラ）等の撮像装置が、知られている。そのような画像生成機器では、その制御機構の二次記憶装置として、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリのような書換回数（書き換えを実行した回数）に制限のある不揮発デバイスを有する記憶機構を用いることが考えられている。そのＮＡＮＤ型フラッシュメモリを用いる記憶機構としては、ＳＳＤやＳＤカード等がある。そのＮＡＮＤ型フラッシュメモリのような不揮発デバイスでは、時間の経過に伴って、保存するデータの読み出しが困難となることが知られている。このため、上記したような記憶機構を用いる画像生成機器では、所定の時間が経過すると保存するデータの更新を行うことにより、保存するデータのリフレッシュを実行して当該データを保護することが考えられている。ところが、その画像生成機器では、保存するデータを新たに書き込む（書き換える）ことによりデータを更新するものであることから、当該データの更新の度に不揮発デバイスにおける書換回数の増加を招いてしまう。このことから、当該画像生成機器では、保存するデータのリフレッシュを実行する度に、不揮発デバイス（記憶機構）の寿命を縮めてしまう。
【０００３】
そこで、所定の時間が経過すると、単に保存するデータのリフレッシュを実行するのではなく、当該データのうちの重要なマークとしてマークされたデータのリフレッシュを実行する画像生成機器が考えられている（特許文献１参照）。この画像生成機器では、マークされたデータのみをリフレッシュすなわち更新することから、保存する全てのデータを更新することと比較して、全体として書換回数の増加を抑制することができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上記した従来の画像生成機器では、マークされたデータのみではあるが、所定の時間が経過する度にデータのリフレッシュを実行するものであることから、その実行の度に不揮発デバイス（記憶機構）の寿命を縮めてしまう。
【０００５】
本発明は、上記の事情に鑑みて為されたもので、記憶機構への書換回数の増加を抑制しつつ、その記憶機構のデータの保護を可能とする画像生成機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の画像生成機器は、全体を制御する制御機構と、前記制御機構の二次記憶装置としての記憶機構と、を備え、前記記憶機構は、書換回数の制限のある不揮発デバイスと、前記不揮発デバイスを制御するデバイスコントローラと、を有し、前記デバイスコントローラは、前記不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じているか否かを判断し、エラーが生じている場合に当該データを訂正するエラー訂正機能を有し、前記制御機構は、データリフレッシュ制御処理として、データを保存した前記不揮発デバイスに所定の期間アクセスしていない場合、前記デバイスコントローラにデータの読み込みの指令を出し、前記デバイスコントローラは、前記不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じている場合、データの再書き換えを行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る画像生成機器では、記憶機構への書換回数の増加を抑制しつつ、その記憶機構のデータの保護を可能とする。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】画像生成機器の一実施例としての画像形成装置１０の全体構成を機能ブロックで示す説明図である。
【図２】ＣＰＵ２１にて実行されるデータリフレッシュ制御処理内容を示すフローチャートである。
【図３】データリフレッシュ制御処理におけるフラッシュメモリ４１、ＮＡＮＤコントローラ４２およびＣＰＵ２１（本体制御機構１１）での動作を示すシーケンス図である。
【図４】従来の技術の課題を説明するために、再書換制御処理におけるＳＳＤ１３および本体制御機構１１（ＣＰＵ２１）での動作を示すシーケンス図である。
【図５】画像生成機器の他の一例としての撮像装置５０の全体構成を機能ブロックで示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、本発明に係る画像生成機器の実施例について図面を参照しつつ説明する。なお、各図中、同一または相当する部分には同一の符号を付しており、その重複説明は適宜に簡略化ないし省略する。
【実施例】
【００１０】
本発明に係る画像生成機器の一実施例としての画像形成装置１０の構成を説明する。この実施例の画像形成装置１０は、複写機およびプリンタとして機能する複合型の画像形成装置であり、図１に示すように、本体制御機構１１と、本体駆動機構１２と、ＳＳＤ（Ｓｏｌｉｄ  Ｓｔａｔｅ  Ｄｒｉｖｅ）１３と、を備える。
【００１１】
その本体制御機構１１には、ＣＰＵ２１と、ＢＩＯＳＲＯＭ２２と、ＲＡＭ２３と、ＳＡＴＡ（Ｓｅｒｉａｌ  Ａｄｖａｎｃｅｄ  Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ  Ａｔｔａｃｈｍｅｎｔ）コントローラ２４と、画像処理部２５と、がバス接続されて設けられている。ＣＰＵ２１は、所定のプログラム（後述するデータリフレッシュ制御処理を含む）の実行や演算を行い、画像形成装置１０全体を制御する。このため、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）は、画像形成装置１０における制御機構として機能する。また、ＣＰＵ２１は、リアルタイムクロックで計時した日時の情報を取得することが可能とされている。ＢＩＯＳＲＯＭ２２には、起動用のプログラムであるブートローダ等が保存（格納）されている。ＲＡＭ２３は、システムメモリとして、ロードされたプログラムの格納や、画像データのラスタライズ時のワークエリアとして、またデータの一時保存等に使用される。ＳＡＴＡコントローラ２４は、ＳＳＤ１３（その後述するＮＡＮＤコントローラ４２）と、本体制御機構１１の内部バスと、のインタフェース変換を行うＩＣである。
【００１２】
画像処理部２５は、本体駆動機構１２から出力された画像データに適宜加工処理を施すものである。この画像処理部２５では、後述するスキャナ３１や図示を略す外部機器から画像データが入力されると、その画像データに色変換やスムージングや変倍や集約処理等の画像処理を施す。なお、外部機器からの画像データは、本体制御機構１１において外部インタフェースを経てネットワーク経由で取得することが可能とされている。画像処理部２５は、その画像処理を施した画像データを、画像メモリとして機能するＲＡＭ２３に一旦格納（保存）する。また、画像処理部２５では、後述するプロッタ３２により画像形成させるべく、画像処理を施した画像データをそのプロッタ３２へと適宜出力する。
【００１３】
この本体制御機構１１では、ＣＰＵ２１がＢＩＯＳＲＯＭ２２から随時プログラムデータを読み出し、解読・実行する。そのＣＰＵ２１は、ＢＩＯＳＲＯＭ２２からプログラムを読み出して実行し、動作に必要な一次記憶用メモリとしてＲＡＭ２３を使用する。また、動作に必要なデータは、ＲＡＭ２３に一時的に記憶させ、ＣＰＵ２１により適宜アクセスされる。本体制御機構１１（ＣＰＵ２１）は、本体駆動機構１２を適宜駆動する。
【００１４】
その本体駆動機構１２は、スキャナ３１とプロッタ３２とを有する。そのスキャナ３１は、紙媒体等の原稿からの画像データの読み取りを行う。スキャナ３１は、図示は略すが、原稿台上に置かれた原稿に露光光を照射し、その反射光をミラーおよびレンズ等の光学素子を介して画像センサに結像させる。その画像センサは、ＣＣＤ（電荷結合素子）イメージセンサやＣＭＯＳイメージセンサ等の固体撮像素子で構成することができる。このスキャナ３１では、画像センサが光電変換により反射光の強弱に応じた電気信号を出力することで、原稿に基づく画像データを生成する。そして、スキャナ３１では、生成した画像データを本体制御機構１１の画像処理部２５に出力する。なお、スキャナ３１は、紙媒体等の原稿からの画像データの読み取りを行うものであれば、他の構成であってもよく、本実施例に限定されるものではない。
【００１５】
プロッタ３２は、入力された画像データに基づく画像を、紙媒体である被転写材に印刷する。このプロッタ３２は、図示は略すが、本実施例では、電子写真方式とされており、露光部からのレーザ光（露光光）で画像データに応じて感光体ドラムを露光走査することにより、その感光体ドラムに静電潜像を生成する。そして、プロッタ３２は、感光体ドラムに生成した静電潜像をトナーにより現像（可視像化）し、その現像したトナー像を被転写材に転写して、当該被転写材に所望の画像を形成する。その後、プロッタ３２は、定着部において、加圧ローラおよび加熱ローラによる熱と圧力とにより、転写された画像を被転写材上に定着させることで、画像データに基づく画像を被転写材に印刷する。なお、プロッタ３２は、入力された画像データに基づく画像を紙媒体である被転写材に印刷するものであれば、他の方式のものであってもよく、本実施例に限定されるものではない。
【００１６】
このため、画像形成装置１０は、複写機として機能する場合には、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）の制御下で、スキャナ３１から読み込まれた画像データに対して種々の画像処理を施して、その画像データに基づいてプロッタ３２で被転写材に印刷する。また、画像形成装置１０は、プリンタとして機能する場合には、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）の制御下で、コンピュータ等の外部機器から送信されるページ記述言語やビットマップ等の形式の画像データに対して画像処理を施して、その画像データに基づいてプロッタ３２で被転写材に印刷する。
【００１７】
ＳＳＤ１３は、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ４１（以下では単にフラッシュメモリ４１とも言う）と、ＮＡＮＤコントローラ４２と、を有する。フラッシュメモリ４１は、書換回数に制限のある大容量の不揮発性デバイス（不揮発性メモリ（半導体記憶媒体））であり、電源の供給が断たれた状態であっても保持する必要のあるデータを保存（記憶）することができる。このフラッシュメモリ４１は、入力された画像データや、他のデータを記憶するための記憶手段として設けられている。フラッシュメモリ４１は、本実施例では、ＯＳ（Ｏｐｅｒａｔｉｎｇ  Ｓｙｓｔｅｍ）や管理データを格納（保存）している。
【００１８】
ＮＡＮＤコントローラ４２は、フラッシュメモリ４１を制御するコントローラであり、フラッシュメモリ４１との間でデータ信号の遣り取りが可能とされている。このＮＡＮＤコントローラ４２は、フラッシュメモリ４１に対するデータの書換制御、フラッシュメモリ４１に保存したデータの読込制御、後述するＥＣＣ（エラー訂正機能）のための制御、を行う。また、ＮＡＮＤコントローラ４２は、フラッシュメモリ４１への書き換えを行った回数（書換回数）の情報を、適宜フラッシュメモリ４１に格納（保存）する。
【００１９】
ＳＳＤ１３では、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）が、ＮＡＮＤコントローラ４２を介してフラッシュメモリ４１への書換制御や読込制御等を行うこととなる。このため、ＳＳＤ１３は、データの書換回数に制限のある不揮発性の不揮発デバイスとしてのフラッシュメモリ４１を有し、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）がＮＡＮＤコントローラ４２を介してアクセスする二次記憶装置（補助記憶装置）としての記憶機構となる。また、ＮＡＮＤコントローラ４２は、記憶機構（ＳＳＤ１３）において、不揮発デバイス（フラッシュメモリ４１）をコントロールするデバイスコントローラとして機能する。
【００２０】
この画像形成装置１０では、電源が供給される（電源がＯＮ状態とされる）と、ＣＰＵ２１がＢＩＯＳＲＯＭ２２で立ち上がる。その後、ＣＰＵ２１は、ＯＳの立ち上げのためにＳＡＴＡコントローラ２４およびＮＡＮＤコントローラ４２を経由して、フラッシュメモリ４１に書かれているデータを読み始める。また、ＣＰＵ２１は、画像データ等のデータや、アドレス帳等のユーザーデータを、ＳＡＴＡコントローラ２４およびＮＡＮＤコントローラ４２を経由して、適宜フラッシュメモリ４１に書き込む（書き換えを行う）。
【００２１】
ここで、フラッシュメモリ４１では、ＳＬＣ（Ｓｉｎｇｌｅ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ）型とＭＬＣ（Ｍｕｌｔｉ  Ｌｅｖｅｌ  Ｃｅｌｌ）型との２つの種類が存在する。そのＳＬＣ型とは、１つの記録素子（メモリセル）に１ビットのデータを保持するものであり、各記録素子に蓄積された正の電荷量の検出をＨｉ（「１」とする）とＬｏｗ（「０」とする）との２値で判断する。ＭＬＣ型は、１つの記録素子に２ビット以上のデータを保持するものであり、各記録素子に蓄積された正の電荷量の検出をＨｉおよびＬｏｗに加えてそれらの間に１つ以上の中間値を設定した多値（４値や８値や１６値等）で判断する。本願発明は、いずれのタイプであっても適用することができて同等の効果を得ることができるが、本実施例では説明を容易とするために、ＳＬＣ型のフラッシュメモリ４１を用いているものとする。すなわち、本実施例のフラッシュメモリ４１（ＳＳＤ１３）では、各記録素子を「０」と「１」とのいずれかとした状態を維持することにより、データを記憶する。
【００２２】
このフラッシュメモリ４１は、複数のブロックを有し、そのそれぞれのブロックが複数の記録素子を有する。フラッシュメモリ４１では、複数の記録素子を有するブロック単位でイレース（消去）することが可能とされている。このイレース（消去）は、対象とするブロックの全ての記録素子に正の電荷を注入（全ての記録素子の電子を浮遊ゲートから放出）することにより、当該ブロックの全ての記録素子を「１」とする。また、フラッシュメモリ４１では、ブロック内においてさらに複数の記録素子を有する素子群（ページ）単位で書き換え（プログラム）が可能とされている。この書き換えは、当該素子群における任意の記録素子に注入された正の電荷を抜く（当該記録素子の浮遊ゲートに電子を格納）することにより、当該ブロックの任意の記録素子を「０」とする。
【００２３】
このＳＳＤ１３では、次のようにデータが書き換えられる（ＮＡＮＤコントローラ４２による書換制御）。先ず、ＳＳＤ１３では、ＮＡＮＤコントローラ４２の制御下で、フラッシュメモリ４１の当該データを格納するためのブロックに対してイレースを実施し、当該ブロックの全ての記録素子を「１」とする。その後、ＳＳＤ１３では、ＮＡＮＤコントローラ４２の制御下で、フラッシュメモリ４１のイレースを実施したブロックの各素子群に対して書き換えを実施し、当該ブロックの各素子群の任意の記録素子を「０」とする。これにより、ＳＳＤ１３では、任意のデータが書き込まれる（書き換えられる）。そして、ＳＳＤ１３では、ＮＡＮＤコントローラ４２の制御下で、フラッシュメモリ４１に書き込まれたデータを読み出すことが可能とされている（ＮＡＮＤコントローラ４２による読込制御）。
【００２４】
ここで、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、時間の経過に伴って、各記録素子のデータを正しく読み込むこと、すなわち「０」と「１」とを正しく判別することが困難となることが知られている。これは、注入された正の電荷が各記憶素子からリークしたり、正の電荷が抜かれた任意の記録素子において浮遊ゲートに格納した電子が減っていったりすることに起因する。すると、フラッシュメモリ４１では、保持するデータにエラー（データ化け）が生じてしまう。
【００２５】
このため、ＮＡＮＤコントローラ４２は、エラー訂正機能として、ＥＣＣ（Ｅｒｒｏｒ  Ｃｈｅｃｋｉｎｇ  ａｎｄ  Ｃｏｒｒｅｃｔｉｏｎ）を有している。このＥＣＣについて説明する。ＮＡＮＤコントローラ４２は、書き換える（書き込む）ためのデータがＳＡＴＡコントローラ２４を経由してＣＰＵ２１から送信されると、当該データにおけるＥＣＣコード（以下では、書換ＥＣＣコードとする）を計算する。そして、ＮＡＮＤコントローラ４２は、その書換ＥＣＣコード（その情報）を当該データに関連付けてフラッシュメモリ４１におけるスペアエリア（スペア領域）に書き込む（書き換える）。
【００２６】
そのＮＡＮＤコントローラ４２は、フラッシュメモリ４１に書き込まれたデータを読み出す際、そのデータに関連付けた書換ＥＣＣコード（その情報）も併せて読み出す。ＮＡＮＤコントローラ４２は、データの読み出す旨の信号がＳＡＴＡコントローラ２４を経由してＣＰＵ２１から送信されることにより、この読み出しを行う。そのＮＡＮＤコントローラ４２は、読み出したデータにおけるＥＣＣコード（以下では、読取ＥＣＣコードとする）を計算し、その読取ＥＣＣコードと書換ＥＣＣコードとを比較する。ＮＡＮＤコントローラ４２は、読取ＥＣＣコードと書換ＥＣＣコードとの値が同じ場合には、当該データを正しく（エラーなしで）読み込めたものと判断する。そして、ＮＡＮＤコントローラ４２は、読み出したデータを、ＳＡＴＡコントローラ２４を経由してＣＰＵ２１へと送る。
【００２７】
また、ＮＡＮＤコントローラ４２は、読取ＥＣＣコードと書換ＥＣＣコードとの値が異なる場合には、読み込んだデータにエラー（所謂データ化け）が生じているものと判断する。そのＮＡＮＤコントローラ４２は、エラーと判断した場合、読取ＥＣＣコードから正しいデータを算出することで、読み込んだデータを訂正する。そして、ＮＡＮＤコントローラ４２は、訂正したデータを、ＳＡＴＡコントローラ２４を経由してＣＰＵ２１へと送る。このため、ＮＡＮＤコントローラ４２は、ＥＣＣを有することにより、フラッシュメモリ４１に書き込まれたデータにエラーが生じた場合であっても、当該データを訂正してＣＰＵ２１へと送ることができる。
【００２８】
次に、本願発明の本実施例のＣＰＵ２１における特徴的な動作について説明する。ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、上述したように、データを保持することが可能な期間が予め設定されている。換言すると、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、時間の経過により、保持するデータにエラー（データ化け）が生じてしまい、当該データの読み出しが困難となる虞がある。また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、書換回数に制限がある。これらのことを鑑みて、本願発明のＣＰＵ２１（本体制御機構１１）は、データリフレッシュ制御処理を実行する。図２は、本実施例におけるＣＰＵ２１にて実行されるデータリフレッシュ制御処理内容を示すフローチャートである。なお、このフローチャートでは、各ステップにおいて単にデータと称しているが、このデータは同一のものであってもよく異なるものであってもよい。以下、図２のフローチャートの各ステップについて説明する。このデータリフレッシュ制御処理は、非使用時間帯に行われ、本実施例では夜間に行われる。すなわち、ＣＰＵ２１は、リアルタイムクロックで計時した日時の情報を取得することにより、非使用時間帯（夜間）であることを確認した後に、このデータリフレッシュ制御処理を実行する。その非使用時間帯とは、画像形成装置１０の使用者が使うことのない時間のことを言い、予め設定されているものであってもよく、操作等により使用者が設定するものであってもよい。なお、以下の説明および図２では、理解容易のためにステップＳ１を含めるものとしているが、このステップＳ１は、通常の動作時に行われるものであって、非使用時間帯に行われるものではない。
【００２９】
ステップＳ１では、ＮＡＮＤコントローラ４２にデータの書換指令を出して、ステップＳ２へ進む。このステップＳ１では、ＮＡＮＤコントローラ４２に、データと当該データを書き込む（書き換える）旨の信号とを送信する。また、ステップＳ１では、リアルタイムクロックで計時した日時の情報を取得することにより、データおよびその信号を送信した時点の時刻（書換時刻ｔｗ）のデータを保存する。この書換時刻ｔｗ（その情報）は、本体制御機構１１内における不揮発性のメモリ（記憶部）に保存する。書換時刻ｔｗは、後述するように、データおよびその信号を送信した時点からの経過時間ｔｐをカウントすることに用いる。
【００３０】
ステップＳ２では、ステップＳ１でのＮＡＮＤコントローラ４２にデータの書換指令を出すことに続き、フラッシュメモリ４１への書換回数が書換上限回数の１０％を超えたか否かを判断し、Ｙｅｓの場合はステップＳ３へ進み、Ｎｏの場合はデータリフレッシュ制御処理を終了する。このステップＳ２では、ＮＡＮＤコントローラ４２を介して、フラッシュメモリ４１への書き換えを実行した回数である書換回数の情報を取得する。そして、フラッシュメモリ４１において実行された書換回数が、そのフラッシュメモリ４１における書き換えることが保証もしくは確認されている回数の上限値（書換上限回数）の１０％を超えたか否かを判断する。ここで、後述するように、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、書換上限回数の１０％を超えるまでは、長期間（一般的な例では１０年間）データを良好に保存できることが、保証もしくは確認されている。このため、本実施例では、上限値の１０％を超えていない場合には、データリフレッシュ制御処理を終了する。
【００３１】
ステップＳ３では、ステップＳ２でのフラッシュメモリ４１の書換回数が書換上限回数の１０％を超えているとの判断、あるいは、ステップＳ４での書換時刻ｔｗ以降にＳＳＤ１３にアクセスしていないとの判断、あるいは、ステップＳ５での書換時刻ｔｗの現在時刻ｔｎへの書き換えに続き、経過時間ｔｐが所定の時間ｔｓを超えたか否かを判断し、Ｙｅｓの場合はステップＳ６へ進み、Ｎｏの場合はステップＳ４へ進む。このステップＳ３では、書換時刻ｔｗを用いて、経過時間ｔｐが所定の時間ｔｓを超えたか否かを判断する。ステップＳ３では、データをＳＳＤ１３（フラッシュメモリ４１）に書き込んでから、あるいは、後述するようにＳＳＤ１３（フラッシュメモリ４１）にアクセスをしてから、所定の時間ｔｓが経過したか否かを判断する。すなわち、ステップＳ３では、ＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１に最後にアクセスした時点から所定の時間ｔｓが経過するまでの間（所定の期間）、ＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１にアクセスしなかったか否かを判断する。このため、ステップＳ３では、書換回数が書換上限回数の１０％を超えており（ステップＳ２）、かつ最後にフラッシュメモリ４１に最後にアクセスした時点から所定の時間ｔｓが経過している場合に、Ｙｅｓと判断することとなる。このステップＳ３では、リアルタイムクロックで計時した日時の情報から現在時刻ｔｎを取得し、その現在時刻ｔｎと書換時刻ｔｗとの差分から経過時間ｔｐを算出し、その経過時間ｔｐが所定の時間ｔｓを超えた（ｔｐ＞ｔｓ）か否かを判断する。なお、その所定の時間ｔｓは、フラッシュメモリ４１（ＳＳＤ１３）の仕様に合わせて、当該フラッシュメモリ４１に保存したデータを良好な状態を維持すること可能とする観点から設定する。そして、設定した所定の時間ｔｓ（その情報）は、本体制御機構１１内における不揮発性のメモリ（記憶部）に保存しておく。
【００３２】
ステップＳ４では、ステップＳ３での経過時間ｔｐが所定の時間ｔｓを超えていないとの判断に続き、書換時刻ｔｗ以降にＳＳＤ１３にアクセスしたか否かを判断し、Ｙｅｓの場合はステップＳ５へ進み、Ｎｏの場合はステップＳ３へ戻る。このステップＳ４では、書換時刻ｔｗ以降にＳＳＤ１３にアクセス（読み込みもしくは書き換え等）したか否かを判断する。このＳＳＤ１３へのアクセスは、フラッシュメモリ４１にパーティションが設定されていない場合には、フラッシュメモリ４１へのアクセスをいう。また、ＳＳＤ１３へのアクセスとは、フラッシュメモリ４１にパーティションが設定されている場合には、フラッシュメモリ４１におけるデータが保存（格納（書き込まれた））された領域へのアクセスをいう。換言すると、ＣＰＵ２１は、フラッシュメモリ４１にパーティションが設定されている場合、データが保存（格納）された領域のみにデータリフレッシュ制御処理を実行し、他の領域に対してはデータリフレッシュ制御処理を実行しないものとする。
【００３３】
ステップＳ５では、ステップＳ４での書換時刻ｔｗ以降にＳＳＤ１３にアクセスしたとの判断に続き、書換時刻ｔｗをアクセス時刻ｔａに書き換えて、ステップＳ３へ戻る。このステップＳ５では、書換時刻ｔｗ以降にＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１（そのデータが保存（格納）された領域）にアクセスしたことから、経過時間ｔｐをカウントすることに用いる書換時刻ｔｗを、そのアクセスした時点のうち最も遅い時点であるアクセス時刻ｔａに書き換える。換言すると、ステップＳ５では、最後にアクセスした時点（アクセス時刻ｔａ）を、新たな経過時間ｔｐのカウントの起点（所定の時間ｔｓの始点）とすべく書換時刻ｔｗを書き換える。
【００３４】
ステップＳ６では、ステップＳ３での経過時間ｔｐが所定の時間ｔｓを超えたとの判断に続き、ＮＡＮＤコントローラ４２にデータを読み込む指令を出してステップＳ７へ進む。このステップＳ６では、ＮＡＮＤコントローラ４２に、データを読み込む旨の信号を送信する。
【００３５】
ステップＳ７では、ステップＳ６でのＮＡＮＤコントローラ４２にデータを読み込む指令を出すことに続き、読み込んだデータにエラーが生じているか否かを判断し、Ｙｅｓの場合はステップＳ８へ進み、Ｎｏの場合はステップＳ９へ進む。このステップＳ７では、ステップＳ６での読み込む指令を出したことによりＮＡＮＤコントローラ４２から送信されたデータもしくは訂正されたデータを受信する。そして、ステップＳ７では、ＮＡＮＤコントローラ４２におけるＥＣＣにより読み出したデータにエラー（データ化け）が生じていたか否かの判断結果を取得することにより、読み込んだデータにエラーが生じているか否かを判断する。この判断結果の取得は、ＮＡＮＤコントローラ４２から送信されたデータが訂正されたものであるか否かを判断することにより行うことができる。また、判断結果の取得は、データもしくは訂正されたデータの受信とともに、ＮＡＮＤコントローラ４２から判断結果を示す情報を取得するものであってもよい。
【００３６】
ステップＳ８では、ステップＳ７での読み込んだデータにエラーが生じているとの判断に続き、ＮＡＮＤコントローラ４２にデータの再書換指令を出して、ステップＳ９へ進む。このステップＳ８では、ＮＡＮＤコントローラ４２に、ステップＳ７で受信した訂正されたデータと、と当該訂正されたデータを書き込む（書き換える）旨の信号とを送信するとともに、読み出したデータを消去する旨の信号を送信する。これは、次のことによる。ＳＳＤ１３（フラッシュメモリ４１）から読み込んだデータにエラー（データ化け）が生じているということは、フラッシュメモリ４１において当該データを保存する各記録素子から正の電荷が抜け始めていることを意味する。このため、このデータは、フラッシュメモリ４１において、今後エラー（データ化け）が進行することが考えられるので、このデータを再度書き換えることにより、書き換えた当初の状態に戻すこととする。ここで、フラッシュメモリ４１（ＳＳＤ１３）では、上書き動作をすることができず、かつ今あるデータをそのまま書き換えた当初の状態に戻すこともできない。このため、訂正されたデータと、と当該訂正されたデータを書き込む旨の信号とを送信することにより、新たに訂正されたデータに書き換えることで、当該データの再書き込み（再書き換え）を行うことができ、このデータを書き換えた当初の状態に戻すことができる。また、そのままでは、エラー（データ化け）が進行するかもしれない元のデータが存在することから、同じデータが２つ存在することとなるので、元のデータを消去させる。
【００３７】
ステップＳ９では、ステップＳ７での読み込んだデータにエラーが生じていないとの判断、あるいは、ステップＳ８でのＮＡＮＤコントローラ４２にデータの再書換指令を出すことに続き、書換時刻ｔｗを現在時刻ｔｎに書き換えて、データリフレッシュ制御処理を終了する。このステップＳ９では、リアルタイムクロックで計時した日時の情報を取得することにより、経過時間ｔｐをカウントすることに用いる書換時刻ｔｗを、ステップＳ９へと進行した時点に書き換える。これは次のことによる。ステップＳ９に進行していることは、ステップＳ８において、データにエラー（データ化け）が生じていたことから、新たに訂正されたデータに書き換えることで、このデータを書き換えた当初の状態に戻している。あるいは、ステップＳ９に進行していることは、ステップＳ７において、データにエラー（データ化け）が生じていないことを確認している。このため、ステップＳ９に進行した時点において、フラッシュメモリ４１（ＳＳＤ１３）には、適切に読み出すことが可能な状態（良好な状態）でデータが保存されていることの確認が完了したこととなる。このことから、良好な状態でデータが保存されていることを確認した時点（現在時刻ｔｎ）を、新たな経過時間ｔｐのカウントと起点（所定の時間ｔｓの始点）とすべく書換時刻ｔｗを書き換える。このため、ステップＳ９を経てデータリフレッシュ制御処理を終了した後は、書き換えた書換時刻ｔｗを用いて、ステップＳ３以降の動作を繰り返すことにより、上記したデータリフレッシュ制御処理を繰り返すことが可能となる。このことから、ステップＳ９では、適切に読み出すことが可能な状態（良好な状態）でデータが保存されていることの確認が完了した時点での現在時刻ｔｎに書換時刻ｔｗを書き換える。また、ステップＳ９では、読み込んだ、データまたは訂正されたデータを、保存することなく消去する。これは、このデータリフレッシュ制御処理では、データを良好な状態でフラッシュメモリ４１（ＳＳＤ１３）に保存させるべくリフレッシュすることが目的であることによる。すなわち、データリフレッシュ制御処理では、フラッシュメモリ４１（ＳＳＤ１３）に保存したデータを良好な状態とするために、もしくは当該データが良好な状態であることを確認するために、データの読み出しを行っている。このため、データリフレッシュ制御処理（ステップＳ９）では、読み出したデータをこの後に利用しないことによる。
【００３８】
このＣＰＵ２１（本体制御機構１１）では、図２のフローチャートにおいてステップＳ１へと進むことにより、図３に示すように、データをフラッシュメモリ４１（ＳＳＤ１３）に書き込ませるべく、ＮＡＮＤコントローラ４２にデータおよび当該データを書き込む（書き換える）旨の信号を送信する（シーケンスｓ１）。このとき、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）では、書換時刻ｔｗを保存する（シーケンスｓ２）。すると、ＮＡＮＤコントローラ４２では、データのフラッシュメモリ４１への書き換えを行うとともに（シーケンスｓ３）、そのデータのＥＣＣコード（書換ＥＣＣコード）を計算する（シーケンスｓ４）。そして、ＮＡＮＤコントローラ４２では、その計算した書換ＥＣＣコードを当該データに関連付けてフラッシュメモリ４１（そのスペアエリア）に書き換える（シーケンスｓ５）。ここで、フラッシュメモリ４１では、上述したように、当該データを格納するためのブロックに対してイレースを実施して当該ブロックの全ての記録素子を「１」とし、その後にイレースを実施したブロックの任意の記録素子を「０」とする。このため、フラッシュメモリ４１では、一度全ての記録素子に正の電荷が注入されるとともに、そのうちの任意の記録素子の正の電荷が抜かれた状態でこのデータが書き込まれているので、極めて良好な状態で当該データを保存している。
【００３９】
そして、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）は、そのデータを書き換えた（最後にアクセスした）時点から所定の時間ｔｓが経過するまでの間（所定の期間）、ＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１（そのデータが保存（格納）された領域）にアクセスしなかったものとする（シーケンスｓ６）。また、ＳＳＤ１３では、フラッシュメモリ４１への書換回数が書換上限回数の１０％を超えているものとする。すると、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）では、図２のフローチャートにおいてステップＳ２→ステップＳ３→ステップＳ６へと進むことにより、データを読み込む旨の信号をＮＡＮＤコントローラ４２に送信する（シーケンスｓ７）。すると、ＮＡＮＤコントローラ４２では、フラッシュメモリ４１にデータを読み込む旨の信号を送信して（シーケンスｓ８）、フラッシュメモリ４１に書き込まれたデータを読み出す（シーケンスｓ９）。そして、ＮＡＮＤコントローラ４２は、読み出したデータのＥＣＣコード（読取ＥＣＣコード）を計算する（シーケンスｓ１０）。また、ＮＡＮＤコントローラ４２は、読み出したデータに関連付けてフラッシュメモリ４１（そのスペアエリア）に保存した書換ＥＣＣコードを読み出す（シーケンスｓ１１）。そして、ＮＡＮＤコントローラ４２は、計算した読取ＥＣＣコードと、読み出した書換ＥＣＣコードと、を比較する（シーケンスｓ１２）。
【００４０】
ここで、読取ＥＣＣコードと書換ＥＣＣコードとの値が異なったものとする。すると、ＮＡＮＤコントローラ４２は、ＥＣＣを有することにより、読取ＥＣＣコードから正しいデータを算出することで、読み込んだデータを訂正する（シーケンスｓ１３）。そして、ＮＡＮＤコントローラ４２は、訂正したデータをＣＰＵ２１へと送る（シーケンスｓ１４）。ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）では、図２のフローチャートにおいてステップＳ７へと進むことにより、読み込んだデータにエラーが生じていると判断し、図２のフローチャートにおいてステップＳ８へと進む。すると、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）では、訂正されたデータをフラッシュメモリ４１（ＳＳＤ１３）に書き込ませる（再書き換え）べく、ＮＡＮＤコントローラ４２に訂正されたデータおよび当該データを書き込む（書き換える）旨の信号を送信する（シーケンスｓ１５）。すると、ＮＡＮＤコントローラ４２は、訂正されたデータの書き込み（訂正されたデータへの書き換え）を行う（シーケンスｓ１６）。このとき、ＮＡＮＤコントローラ４２は、図示は略すが、その訂正されたデータのＥＣＣコード（書換ＥＣＣコード）を計算し、その計算した書換ＥＣＣコードを当該データに関連付けてフラッシュメモリ４１に書き込む（書き換える）。
【００４１】
この後、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）では、図２のフローチャートにおいてステップＳ９へと進むことにより、書換時刻ｔｗを現在時刻ｔｎに書き換えるとともに、読み込んだ訂正されたデータを消去して、データリフレッシュ制御処理を終了する。これにより、フラッシュメモリ４１では、一度全ての記録素子に正の電荷が注入されるとともに、そのうちの任意の記録素子の正の電荷が抜かれた状態で訂正されたデータが書き込まれているので、極めて良好な状態で当該データを保存している。このため、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）は、フラッシュメモリ４１に保存したデータを良好な状態とする（リフレッシュする）ことができる。
【００４２】
なお、上記した例（図３に示すシーケンス）では、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）が、データを書き換えた時点から所定の時間ｔｓが経過するまでの間（所定の期間）、ＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１にアクセスしなかったものとしていた（シーケンスｓ６）。これを、データを書き換えた時点から所定の時間ｔｓが経過する前に、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）が、ＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１にアクセスしたものとする。すると、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）では、図２のフローチャートにおいてステップＳ２→ステップＳ３→ステップＳ４→ステップＳ５へと進んで、ステップＳ３に戻ることとなり、書換時刻ｔｗをアクセス時刻ｔａに書き換える。この場合、シーケンスｓ６が、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）が、ＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１に最後にアクセスした時点（アクセス時刻ｔａ）から所定の時間ｔｓが経過するまでの間（所定の期間）、ＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１にアクセスしなかったもの、に変わる。そのことを除くと、このような場合であっても、上記した例（図３に示すシーケンス）と同様の動作が行われることとなる。換言すると、データを書き換えることもＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１にアクセスすることの一形態であることから、データリフレッシュ制御処理（そのステップＳ３）では、最後にＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１にアクセスした時点から所定の時間ｔｓが経過したか否かを判断している。そして、データリフレッシュ制御処理では、最後にＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１にアクセスした時点（アクセス時刻ｔａ）からアクセスすることなく所定の時間ｔｓが経過した場合に、データの読み込みを行う。これにより、データリフレッシュ制御処理では、フラッシュメモリ４１に保存したデータを良好な状態とする（リフレッシュする）ことができる。
【００４３】
また、上記した例（図３に示すシーケンス）では、読取ＥＣＣコードと書換ＥＣＣコードとの値が異なったものとしていた。これを、読取ＥＣＣコードと書換ＥＣＣコードとの値が同じであったものとする。すると、ＮＡＮＤコントローラ４２は、シーケンスｓ１３を行うことなく、シーケンスｓ１４に変えて読み出したデータをＣＰＵ２１へと送る。そして、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）では、図２のフローチャートにおいてステップＳ７へと進むことにより、読み込んだデータにエラーが生じていないと判断し、図２のフローチャートにおいてステップＳ８へと進むことなくステップＳ９へと進む。そして、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）では、シーケンスｓ１５を行うことなく、書換時刻ｔｗを現在時刻ｔｎに書き換えるとともに、読み込んだデータを消去して、データリフレッシュ制御処理を終了する。このため、ＮＡＮＤコントローラ４２は、シーケンスｓ１６を行うこともない。この場合であっても、フラッシュメモリ４１では、良好な状態で当該データを保存している。このため、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）は、フラッシュメモリ４１に保存したデータを良好な状態とする（リフレッシュする）ことができる。
【００４４】
次に、従来の技術の課題について、図４を用いて説明する。この従来の技術の課題は、本実施例の画像形成装置１０のＣＰＵ２１（本体制御機構１１）であっても、データリフレッシュ制御処理に変えて後述する再書換制御処理を行えば同様であることから、本実施例の画像形成装置１０と同様の符号を用いて説明する。なお、この図４では、説明を簡略化するために、図３とは異なり、左側にフラッシュメモリ４１とＮＡＮＤコントローラ４２とに分けずに単にＳＳＤ１３で示している。
【００４５】
ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、データを良好に保存できる、すなわち適切に読み出すことが可能な状態（良好な状態）でデータを保存することのできる期間（保持期間）に制限があることが知られている。また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、データの書換回数に制限がある、すなわち実行された書換回数が書換上限回数を超えると、良好な状態でデータを保存することが困難となる虞が生じることが知られている。ここで、保持期間に関しては、所定の時間が経過する前に、データを再書き換えする再書換制御処理を実行することで、問題を解決することができる。
【００４６】
すなわち、図４に示すように、本体制御機構１１（ＣＰＵ２１）がＳＳＤ１３（そのＮＡＮＤコントローラ４２）にデータの書き換えを指令し（シーケンスｓ４１）、その時刻である書換時刻ｔｗを保存する（シーケンスｓ４２）。すると、ＳＳＤ１３では、データの書き換えを行う（シーケンスｓ４３）。このとき、ＳＳＤ１３では、そのデータのＥＣＣコード（書換ＥＣＣコード）を計算し、その計算した書換ＥＣＣコードを当該データに関連付けてフラッシュメモリ４１（そのスペアエリア）に書き込む（書き換える）。そして、本体制御機構１１（ＣＰＵ２１）は、そのデータを書き換えた時点から所定の時間ｔｓが経過するまでの間、ＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスしなかったものとする（シーケンスｓ４４）。すると、本体制御機構１１（ＣＰＵ２１）では、ＳＳＤ１３（そのＮＡＮＤコントローラ４２）に、データの再書き換えの指令を出す（シーケンスｓ４５）。
【００４７】
すると、ＳＳＤ１３では、ＮＡＮＤコントローラ４２が、フラッシュメモリ４１に保存されているデータを読み込み、ＥＣＣにより当該データのエラーの有無を判断する。そして、ＮＡＮＤコントローラ４２は、エラーがない場合には読み込んだデータを本体制御機構１１（ＣＰＵ２１）に送信し、エラーが生じている場合には訂正したデータを本体制御機構１１（ＣＰＵ２１）に送信する。そして、本体制御機構１１（ＣＰＵ２１）は、送信されたデータもしくは訂正されたデータを、フラッシュメモリ４１に書き込む（書き換え）指令をＮＡＮＤコントローラ４２に出す。このため、ＳＳＤ１３では、ＮＡＮＤコントローラ４２がデータもしくは訂正されたデータをフラッシュメモリ４１に書き換えることとなり、フラッシュメモリ４１に保存したデータが良好な状態となる（リフレッシュする）。このように、所定の時間の経過する前にデータを再書き換えする再書換制御処理を実行することで、保持期間に関する問題を解決することができる。
【００４８】
しかしながら、この方法では、所定の時間が経過すると、単に再書き換えを行うものであることから、フラッシュメモリ４１における制限のある書換回数を減らしてしまう。すなわち、この方法では、保持期間に関する問題の解決のために、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）の寿命を短くしてしまうこととなる。
【００４９】
ここで、上記した保持期間は、書換回数の上限値に対する、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）に対して書き換えが実行された書換回数により、変化することが知られている。すなわち、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、一般的に、実行された書換回数が書換上限回数に対して１０％以内であれば保持期間は１０年といわれている。また、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、一般的に、実行された書換回数が書換上限回数に対して１００％となると保持期間は１年といわれている。これに対し、上記した方法では、実行された書換回数に関係なくデータを再書き換えしてしまうので、保持期間に至るまでに十分な時間が残っていてリフレッシュする必要がない場面であっても、データを再書き換えしてしまう虞がある。このことは、保持期間に関する問題が生じていないにも関わらず、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）の寿命を短くしてしまうこととなる。
【００５０】
さらに、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、データを格納するブロックに対してイレースを実施して当該ブロックの全ての記録素子を「１」とし、その後にイレースを実施したブロックの任意の記録素子を「０」とすることで、再書き換えを行う。このため、ＮＡＮＤ型フラッシュメモリ（フラッシュメモリ４１）では、再書き換えのための動作に時間を要してしまう。加えて、画像形成装置１０では、上記した方法を実行している間はＳｔａｎｄｂｙ状態になってしまい、使用者が使用できない状態となってしまう。このため、上記した方法では、しばらくの間、使用者が使用できない状態となってしまう虞がある。
【００５１】
これに対し、本発明に係る画像生成機器の一実施例としての画像形成装置１０では、データリフレッシュ制御処理において、所定の期間ＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスしなかった場合、データを読み込む指令をＳＳＤ１３のＮＡＮＤコントローラ４２に出す。すなわち、データリフレッシュ制御処理では、上記した再書換制御処理が再書き換えの指令を出していたのに対して、ＮＡＮＤコントローラ４２にデータの読み込みの指令を出す。このため、画像形成装置１０では、所定の期間ＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスしなかっただけでは、直ちにデータの再書き換えを行うことはないので、不必要にフラッシュメモリ４１の書換回数を増加させることを防止することができる。
【００５２】
また、画像形成装置１０では、データリフレッシュ制御処理において、読み込んだデータにエラー（データ化け）が生じていた場合、ＮＡＮＤコントローラ４２にデータの再書き換えの指令を出す。このため、画像形成装置１０では、必要な場面ではデータの再書き換えを行うので、フラッシュメモリ４１に保存したデータを良好な状態とする（リフレッシュする）ことができる。
【００５３】
さらに、画像形成装置１０では、データリフレッシュ制御処理において、読み込んだデータにエラー（データ化け）が生じていた場合のみ、ＮＡＮＤコントローラ４２にデータの再書き換えの指令を出す。このため、画像形成装置１０では、必要な場面でのみデータの再書き換えを行うので、フラッシュメモリ４１の書換回数を制限しつつフラッシュメモリ４１に保存したデータを良好な状態とする（リフレッシュする）ことができる。
【００５４】
画像形成装置１０では、データリフレッシュ制御処理において、読み込んだデータにエラー（データ化け）が生じていない場合、ＮＡＮＤコントローラ４２にデータの再書き換えの指令を出すことなく終了する。このため、画像形成装置１０では、不必要な場面での再書き換えを防止することができ、フラッシュメモリ４１の書換回数を制限しつつデータリフレッシュ制御処理に要する時間を極めて短いものとすることができる。
【００５５】
画像形成装置１０では、データリフレッシュ制御処理において、フラッシュメモリ４１の書換回数が書換上限回数の１０％を超えていない場合、このデータリフレッシュ制御処理を終了する。これは、上述したように、フラッシュメモリ４１では、一般的に、実行された書換回数が書換上限回数に対して１０％以内であれば保持期間は１０年と言われていることによる。すなわち、書換回数が書換上限回数の１０％以内である場合、フラッシュメモリ４１に保存したデータにエラー（データ化け）が生じる状態となる可能性が極めて低いことによる。このため、画像形成装置１０では、不必要にデータの再書き換えを行うことを防止することができる。
【００５６】
画像形成装置１０では、データリフレッシュ制御処理において、フラッシュメモリ４１の書換回数が書換上限回数の１０％を超えていない場合、所定の期間ＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスしなかった否かを判断することも、データを読み込む指令をＮＡＮＤコントローラ４２に送信することもない。このため、画像形成装置１０では、必要のない場面であると判断すると、データリフレッシュ制御処理を直ちに止めることとなり、データリフレッシュ制御処理に要する時間を極めて短いものとすることができる。
【００５７】
画像形成装置１０では、データリフレッシュ制御処理において、フラッシュメモリ４１の書換回数が書換上限回数の１０％を超えている場合、所定の期間ＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスしなかったか否かを判断して適宜データの再書き換えを実行する。換言すると、フラッシュメモリ４１の書換回数が書換上限回数の１０％を超えているとともに、所定の期間ＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスしなかった場合に、データの再書き換えを実行する。これは、上述したように、フラッシュメモリ４１では、一般的に、実行された書換回数が書換上限回数に対して１０％以内であれば保持期間は１０年、書換上限回数に対して１００％であれば保持期間は１年、といわれていることによる。すなわち、書換上限回数の１０％を超えている場合、フラッシュメモリ４１に保存したデータにエラー（データ化け）が生じる状態となる可能性が出てくることによる。このため、画像形成装置１０では、データにエラー（データ化け）が生じ得る場面では、再書き換えの必要の有無を判断して適宜再書き換えを行うので、データにエラー（データ化け）が生じている場合には、確実に当該データを良好な状態とする（リフレッシュする）ことができる。
【００５８】
画像形成装置１０では、使用者が使うことのない時間である非使用時間帯にデータリフレッシュ制御処理を行うので、当該データリフレッシュ制御処理を実行することに起因して使用者が使用できない状態となってしまうことを防止することができる。
【００５９】
画像形成装置１０では、書換時刻ｔｗ以降にＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスした場合、経過時間ｔｐをカウントすることに用いる書換時刻ｔｗをアクセス時刻ｔａに書き換える。そのアクセス時刻ｔａは、書換時刻ｔｗ以降にアクセスした時点のうち最も遅い時点であることから、最後にＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスした時点を経過時間ｔｐのカウントに用いることができる。このため、画像形成装置１０では、最後にＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスした時点から所定の時間ｔｓが経過したか否かで、データの再書き換えを実行するか否かを判断することができる。よって、画像形成装置１０では、より適切に必要な場面でのみデータの再書き換えを行うので、フラッシュメモリ４１の書換回数を制限しつつフラッシュメモリ４１に保存したデータを良好な状態とする（リフレッシュする）ことができる。
【００６０】
画像形成装置１０では、データの再書き換えを実行した場合、または適切に読み出すことが可能な状態（良好な状態）でデータが保存されていることを確認した場合、書換時刻ｔｗをその時点である現在時刻ｔｎに書き換える。その時点（現在時刻ｔｎ）は、その状況では最後にＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスした時点となることから、新たな経過時間ｔｐのカウントと起点（所定の時間ｔｓの始点）とすることができる。このため、画像形成装置１０では、再度データリフレッシュ制御処理（そのステップＳ３以降）を行うことにより、最後にＳＳＤ１３（そのフラッシュメモリ４１）にアクセスした時点から所定の時間ｔｓが経過したか否かで、データの再書き換えを実行するか否かを判断することができる。よって、画像形成装置１０では、より適切に必要な場面でのみデータの再書き換えを行うので、フラッシュメモリ４１の書換回数を制限しつつフラッシュメモリ４１に保存したデータを良好な状態とする（リフレッシュする）ことができる。
【００６１】
画像形成装置１０では、フラッシュメモリ４１にパーティションが設定されている場合には、書換時刻ｔｗ以降のＳＳＤ１３へのアクセスの有無の判断を、フラッシュメモリ４１におけるデータが保存（格納（書き込まれた））された領域とする。換言すると、ＣＰＵ２１は、フラッシュメモリ４１にパーティションが設定されている場合、データが保存（格納）された領域にデータリフレッシュ制御処理を実行する。このため、画像形成装置１０では、フラッシュメモリ４１における必要のある領域にデータリフレッシュ制御処理を実行することができる。よって、画像形成装置１０では、フラッシュメモリ４１の書換回数を制限しつつフラッシュメモリ４１に保存したデータをより適切に良好な状態とする（リフレッシュする）ことができる。
【００６２】
画像形成装置１０では、フラッシュメモリ４１にパーティションが設定されている場合には、書換時刻ｔｗ以降のＳＳＤ１３へのアクセスの有無の判断を、フラッシュメモリ４１におけるデータが保存（格納（書き込まれた））された領域に限定する。換言すると、ＣＰＵ２１は、フラッシュメモリ４１にパーティションが設定されている場合、データが保存（格納）された領域のみにデータリフレッシュ制御処理を実行し、他の領域に対してはデータリフレッシュ制御処理を実行しないものとする。このため、画像形成装置１０では、フラッシュメモリ４１における必要のある領域のみにデータリフレッシュ制御処理を実行することができる。よって、画像形成装置１０では、データリフレッシュ制御処理に要する時間を短いものとしつつ、フラッシュメモリ４１に保存したデータを良好な状態とする（リフレッシュする）ことができる。
【００６３】
したがって、本発明に係る実施例の画像生成機器としての画像形成装置１０では、記憶機構としてのＳＳＤ１３のフラッシュメモリ４１への書換回数の増加を抑制しつつ、そのＳＳＤ１３（フラッシュメモリ４１）のデータの保護を可能とすることができる。
【００６４】
なお、上記した実施例では、本発明に係る画像生成機器としての画像形成装置１０について説明したが、全体を制御する制御機構と、前記制御機構の二次記憶装置としての記憶機構と、を備え、前記記憶機構は、書換回数の制限のある不揮発デバイスと、前記不揮発デバイスを制御するデバイスコントローラと、を有し、前記デバイスコントローラは、前記不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じているか否かを判断し、エラーが生じている場合に当該データを訂正するエラー訂正機能を有し、前記制御機構は、データリフレッシュ制御処理として、データを保存した前記不揮発デバイスに所定の期間アクセスしていない場合、前記デバイスコントローラにデータの読み込みの指令を出し、前記デバイスコントローラは、前記不揮発デバイスから読み出したデータにエラーが生じている場合、データの再書き換えを行う画像生成機器であればよく、上記した実施例に限定されるものではない。
【００６５】
また、上記した実施例では、図２のフローチャートにおいて、読み込んだデータにエラーが生じているか否かを判断（ステップＳ７）し、エラーが生じている場合にＮＡＮＤコントローラ４２にデータの再書き換えの指令を出して（ステップＳ８）いたが、次の場合にこの２つのステップをなくすことができる。それは、ＳＳＤ１３（そのＮＡＮＤコントローラ４２）のＥＣＣが、読み出したデータにエラー（データ化け）が生じていた場合、何らの指令を受けることなく訂正したデータの再書き換えを行う仕様とされている場合である。この場合、上記した２つのステップをなくしても、２つのステップがある場合と同様の動作が行われることとなる。このことから、データリフレッシュ制御処理において、ステップＳ７とステップＳ８とをなくすものとしてもよい。
【００６６】
さらに、上記した実施例では、画像生成機器として複合機である画像形成装置１０を示していたが、書換回数に制限のある不揮発デバイスを用いた二次記憶装置としての記憶機構を備える画像生成機器であれば、複写機、プリンタまたはファクシミリ等の画像形成装置であってもよく、撮像装置であってもよく、上記した実施例に限定されるものではない。その画像生成機器としての撮像装置の一例としての撮像装置５０を図５に示す。その撮像装置５０は、基本的な構成は上記した実施例の画像形成装置１０と同様であることから、等しい構成の個所には同じ符号を付し、その詳細な説明は省略する。撮像装置５０は、記憶機構として、ＳＳＤ１３に替えてＳＤカード５１を用いている。そのＳＤカード５１の構成は、ＳＳＤ１３（図１参照）と同様であり、撮像装置５０（その本体部）に対して着脱可能とされている。これに伴い、本体制御機構１１では、ＳＡＴＡコントローラ２４に替えてＳＤコントローラ２６を有している。このＳＤコントローラ２６の機能は、対象がＳＤカード５１に変わったことを除くと、ＳＡＴＡコントローラ２４と同様である。そして、撮像装置５０は、本体駆動機構１２に替えて画像取得機構５２を有している。その画像取得機構５２は、撮像装置５０において画像データを取得するための機構であり、撮影光学系としての撮影レンズ部５３と撮像素子５４とを有する。画像取得機構５２では、撮影レンズ部５３を通して被写体像を撮像素子５４に受光させ、その撮像素子５４が受光による画像信号（画像データ）を本体制御機構１１の画像処理部２５へと出力する。その画像処理部２５は、画像データが入力されると、その画像データに相関二重サンプリング、利得調整、アナログデジタル変換等の画像処理を適宜施して、被写体像に対応したデジタル画像（画像データ）を生成する。この撮像装置５０では、ＣＰＵ２１（本体制御機構１１）が上記した実施例と同様のデータリフレッシュ制御処理を行うことが可能とされている。このため、撮像装置５０は、上記した実施例の画像形成装置１０と同様の効果を得ることができる。なお、画像形成装置１０がＳＤカード５１を用いるものとしてもよく、撮像装置５０がＳＳＤ１３を用いるものとしてもよい。
【００６７】
以上、本発明の画像生成機器を実施例に基づき説明してきたが、具体的な構成については実施例に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない限り、設計の変更や追加等は許容される。また、前記構成部材の数、位置、形状等は実施例に限定されず、本発明を実施する上で好適な数、位置、形状等にすることができる。
【符号の説明】
【００６８】
１０  （画像生成機器の一例としての）画像形成装置
１１  （制御機構の一例としての）本体制御機構
１３  （記憶機構の一例としての）ＳＳＤ
２１  （制御機構の一例としての）ＣＰＵ
４１  （不揮発デバイスの一例としての）フラッシュメモリ
４２  （デバイスコントローラの一例としての）ＮＡＮＤコントローラ
５０  （画像生成機器の一例としての）撮像装置
５１  （記憶機構の一例としての）ＳＤカード
５３  （撮影光学系の一例としての）撮影レンズ部
５４  撮像素子
ｔｓ  （所定の期間の一例としての）所定の時間
【先行技術文献】
【特許文献】
【００６９】
【特許文献１】特許第３７４１６９１号公報
【図１】
2014178811.tif 000003
【図２】
2014178811.tif 000004
【図３】
2014178811.tif 000005
【図４】
2014178811.tif 000006
【図５】
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