(57)【要約】【課題】厚さの増大を招くことなく、外界からの衝撃力によってＩＣチップが破壊される可能性を低減する。【解決手段】リードフレーム１１上に実装されたＩＣチップ１０が封止樹脂１４で封止されている。封止樹脂１４のリードフレーム１１とは反対側の面に、接着剤層１６を介して補強層１５が設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リードフレームと、前記リードフレーム上に実装されたＩＣチップと、前記ＩＣチップを封止する封止樹脂とを備えたＩＣパッケージであって、
前記封止樹脂の前記リードフレームとは反対側の面に、接着剤層を介して補強層が設けられていることを特徴とするＩＣパッケージ。
【請求項２】
前記補強層が、２００以上のビッカース硬度、または、５ＧＰａ以上の弾性率を有している請求項１に記載のＩＣパッケージ。
【請求項３】
前記補強層の厚さが０．０５ｍｍ以下である請求項１又は２に記載のＩＣパッケージ。
【請求項４】
前記接着剤層が、０．８ＧＰａ以上の弾性率、または、８０以上の硬度（ＪＩＳ  ＤまたはショアーＤ）を有している請求項１〜３のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
【請求項５】
前記ＩＣチップは前記リードフレームにダイボンド剤を介して固定されている請求項１〜４のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
【請求項６】
前記ダイボンド剤が、５５以下の硬度（ＪＩＳ  ＡまたはショアーＡ）、または、１ＧＰａ以上の弾性率を有している請求項５に記載のＩＣパッケージ。
【請求項７】
前記リードフレームのビッカース硬度は１３５以上である請求項１〜６のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
【請求項８】
厚さが０．４ｍｍ以下である請求項１〜７のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
【請求項９】
前記ＩＣチップの厚さが０．１ｍｍ以下である請求項１〜８のいずれかに記載のＩＣパッケージ。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のＩＣパッケージと、前記リードフレームの端子部に接続されたアンテナ回路とを備えたＩＣモジュール。
【請求項１１】
前記アンテナ回路が、絶縁性シートの片面に配置された金属細線からなる請求項１０に記載のＩＣモジュール。
【請求項１２】
前記アンテナ回路が、絶縁性基材の片面に形成された導電性パターンからなる請求項１０に記載のＩＣモジュール。
【請求項１３】
請求項１０〜１２のいずれかのＩＣモジュールを備えた非接触ＩＣカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩＣチップを内蔵したＩＣパッケージに関する。また、本発明は、当該ＩＣパッケージを搭載したＩＣモジュールに関する。更に、本発明は、当該ＩＣモジュールを備えた非接触ＩＣカードに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＤカードやクレジットカード等の情報記録カードとして、偽造防止や記録情報の増大化及び暗号化に有利であるために、ＩＣチップを内蔵したＩＣカードが用いられている。更に、ＩＣカードに対する情報の授受とＩＣチップへの電力供給とを電磁波を介して行う非接触ＩＣカードが実用されつつある。非接触ＩＣカードは、リーダライタが発する電磁波によって誘導起電力が発生するアンテナ回路を内蔵している。
【０００３】
このような非接触ＩＣカードでは、外界から印加される衝撃力によってＩＣチップが破壊されないような構造を有することが望まれる。
【０００４】
特許文献１には、ポリエチレンテレフタレート等の柔軟な樹脂シートからなる絶縁性基板上に実装したＩＣチップを封止樹脂で封止し、封止樹脂を挟んでＩＣチップと対向するように金属製の補強板を設けた非接触ＩＣカードが記載されている。特許文献１には、１枚の補強板をＩＣチップに対して絶縁性基板とは反対側にのみ配置した構造と、２枚の補強板をＩＣチップ及び絶縁性基板を挟んでこの両側に配置した構造とが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３６６９２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１のように、補強板をＩＣチップに対向して配置することによって、補強板が衝撃力を緩和するので、ＩＣチップが衝撃力によって破壊される可能性を低減することができる。
【０００７】
しかしながら、１枚の補強板をＩＣチップの片側のみに配置した構造では、補強板が設けられていない側から加えられた衝撃力によってＩＣチップが破壊される可能性がある。一方、２枚の補強板をＩＣチップ及び絶縁性基板を挟んで配置した構造は、厚さが厚くなるので、ＩＣカードの外表面のうち補強板を設けた部分のみが盛り上がる。これは、ＩＣカードの外観品位を低下させ、また、ＩＣカードの外表面に対する印刷性を低下させる。
【０００８】
本発明は、厚さの増大を招くことなく、外界からの衝撃力によってＩＣチップが破壊される可能性が低減したＩＣパッケージを提供することを目的とする。更に、本発明は、薄く、且つ、耐衝撃力性に優れたＩＣモジュール及び非接触ＩＣカードを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のＩＣパッケージは、リードフレームと、前記リードフレーム上に実装されたＩＣチップと、前記ＩＣチップを封止する封止樹脂とを備えたＩＣパッケージであって、前記封止樹脂の前記リードフレームとは反対側の面に、接着剤層を介して補強層が設けられている。
【００１０】
本発明のＩＣモジュールは、上記の本発明のＩＣパッケージと、前記リードフレームの端子部に接続されたアンテナ回路とを備える。
【００１１】
本発明の非接触ＩＣカードは、上記の本発明のＩＣモジュールを備える。
【発明の効果】
【００１２】
ＩＣパッケージに印加された衝撃力は、衝撃力が印加された面が凹曲面になり、これと反対側の面が凸曲面になるように、ＩＣパッケージを曲げ変形させるように作用する。このとき、衝撃力が印加された面とは反対側の面には、引っ張り力が作用する。
【００１３】
本発明のＩＣパッケージにおいては、補強層側の面に衝撃力を受けた場合には、衝撃力を受けた側とは反対側のリードフレームは伸び変形しても破壊されにくいこと、及び、ダイボンド剤がリードフレームの伸び変形や曲げ変形を吸収することによって、ＩＣチップが破壊されるのが防止される。
【００１４】
一方、リードフレーム側の面に衝撃力を受けた場合には、衝撃力を受けた側とは反対側に伸び変形しにくい補強層が設けられていること、補強層が封止樹脂に対して位置ずれするのを接着剤層が防止することによって、衝撃時のＩＣパッケージの曲げ変形が抑えられる。このため、ＩＣチップが破壊されるのが防止される。
【００１５】
従って、本発明のＩＣパッケージでは、外界からの衝撃力によってＩＣチップが破壊される可能性が低減される。
【００１６】
また、補強層が、ＩＣチップに対してリードフレームとは反対側のみに設けられているので、本発明のＩＣパッケージは、耐衝撃力性を有しているにも関わらず、厚さの増大を回避することができる。
【００１７】
本発明のＩＣモジュール及び非接触ＩＣカードは、上記の本発明のＩＣパッケージを備えているので、薄く、且つ、耐衝撃力性に優れている。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】図１Ａは、本発明の一実施形態にかかるＩＣパッケージの断面図、図１Ｂは、その下面図である。
【図２】図２Ａ及び図２Ｂは、本発明のＩＣチップを製造するための一工程を示した断面図である。
【図３】図３Ａ〜図３Ｃは、接着剤ペーストを用いて本発明のＩＣチップを製造する工程を示した断面図である。
【図４】図４Ａ〜図４Ｃは、接着剤シートを用いて本発明のＩＣチップを製造する工程を示した断面図である。
【図５】図５Ａは、本発明の一実施形態にかかるＩＣモジュールの断面図である。図５Ｂは、本発明の別の実施形態にかかるＩＣモジュールの断面図である。
【図６】図６は、本発明のＩＣチップを用いた非接触ＩＣカードの一実施形態の概略構成を示した断面図である。
【図７】図７は、比較例にかかるＩＣパッケージの断面図である。
【図８】図８は、衝撃試験において不良と判断された比較例にかかるサンプルの厚さ方向の切断面を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明のＩＣパッケージは、リードフレームと、前記リードフレーム上に実装されたＩＣチップと、前記ＩＣチップを封止する封止樹脂とを備えたＩＣパッケージであって、前記封止樹脂の前記リードフレームとは反対側の面に、接着剤層を介して補強層が設けられている。
【００２０】
上記の本発明のＩＣパッケージにおいて、前記補強層が、２００以上のビッカース硬度、または、５ＧＰａ以上の弾性率を有していることが好ましい。これにより、リードフレーム側からＩＣパッケージに加えられる衝撃力によってＩＣチップや封止樹脂が破壊される可能性を更に低減することができる。
【００２１】
前記補強層の厚さが０．０５ｍｍ以下であることが好ましい。これは、本発明のＩＣパッケージを用いた非接触ＩＣカードの薄型化に有利である。
【００２２】
前記接着剤層が、０．８ＧＰａ以上の弾性率、または、８０以上の硬度（ＪＩＳ  ＤまたはショアーＤ）を有していることが好ましい。これにより、リードフレーム側からＩＣパッケージに加えられる衝撃力によってＩＣチップや封止樹脂が破壊される可能性を更に低減することができる。
【００２３】
前記ＩＣチップは前記リードフレームにダイボンド剤を介して固定されていることが好ましい。これにより、ＩＣチップのリードフレームへの実装を、汎用の設備を用いて容易に行うことができる。
【００２４】
この場合において、前記ダイボンド剤は、硬度（ＪＩＳ  ＡまたはショアーＡ）が５５以下の柔軟性を有していること、または、弾性率が１ＧＰａ以上の高剛性（頑丈性）を有していることことが好ましい。ダイボンド剤が上記の柔軟性を有していると、衝撃力やそれによって生じるリードフレームの変形をダイボンド剤が吸収するので、衝撃力によってＩＣチップが破壊される可能性を更に低減することができる。ダイボンド剤が上記の高剛性を有していると、リードフレームの変形をダイボンド剤が抑えるので、衝撃力によってＩＣチップが破壊される可能性を更に低減することができる。
【００２５】
前記リードフレームのビッカース硬度は１３５以上であることが好ましい。これにより、補強層側からＩＣパッケージに加えられる衝撃力によってＩＣチップが破壊される可能性を更に低減することができる。
【００２６】
本発明のＩＣパッケージの厚さは０．４ｍｍ以下であることが好ましい。これは、本発明のＩＣパッケージを用いた非接触ＩＣカードの薄型化に有利である。
【００２７】
前記ＩＣチップの厚さが０．１ｍｍ以下であることが好ましい。これは、本発明のＩＣパッケージを用いた非接触ＩＣカードの薄型化に有利である。
【００２８】
本発明のＩＣモジュールは、上記の本発明のＩＣパッケージと、前記リードフレームの端子部に接続されたアンテナ回路とを備える。
【００２９】
上記の本発明のＩＣモジュールにおいて、前記アンテナ回路が、絶縁性シートの片面に配置された金属細線（アンテナワイヤ）で構成されていてもよい。これにより、アンテナ回路の位置精度が向上するので、高精度のアンテナ回路を形成することができる。
【００３０】
あるいは、前記アンテナ回路が、絶縁性基材の片面に形成された導電性パターンで構成されていてもよい。これにより、アンテナ回路をエッチングや印刷などの方法で安価に形成することができる。
【００３１】
以下に、本発明を好適な実施形態及び実施例を示しながら詳細に説明する。但し、本発明は以下の実施形態及び実施例に限定されないことはいうまでもない。以下の説明において参照する各図は、説明の便宜上、本発明の実施形態を構成する部材のうち、本発明を説明するために必要な主要部材のみを簡略化して示したものである。従って、本発明は以下の各図に示されていない任意の部材を備え得る。また、以下の各図では、実際の部材の寸法および各部材の寸法比率等は忠実に表されていない。
【００３２】
（ＩＣパッケージの構成）
図１Ａは、本発明の一実施形態にかかるＩＣパッケージ１の断面図、図１ＢはＩＣパッケージ１の下面図である。このＩＣパッケージ１においては、ＩＣチップ１０が、リードフレーム１１のダイパッド部１１ａ上にダイボンド剤１２を介して実装されている。ＩＣチップ１０の端子（Ｉ／Ｏパッド）１０ａは、リードフレーム１１とは反対側（上側）を向いている。ＩＣチップ１０の端子１０ａは、ボンディングワイヤ１３を介してリードフレーム１１の端子部１１ｂに電気的に接続されている。端子部１１ｂは、ダイパッド部１１ａを挟んでその両側に一対配置されている。ＩＣチップ１０及びボンディングワイヤ１３は、これらが外界に露出しないように、封止樹脂１４で封止されている。リードフレーム１１の下面は、封止樹脂１４で封止されることなく、ＩＣパッケージ１の下面に露出している。封止樹脂１４のリードフレーム１１とは反対側の面（上面）に、接着剤層１６を介して補強層１５が設けられている。以下の説明の便宜のため、図１Ａの上側をＩＣパッケージ１の「上」側、図１Ａの下側をＩＣパッケージ１の「下」側という。また、図１Ａの上下方向寸法を「厚さ」という。
【００３３】
ＩＣチップ１０は、特に制限はなく、例えばＩＣカードなどに使用される公知のＩＣチップを用いることができる。ＩＣチップ１０は、例えばシリコン等のウエハーの片面に回路を形成し、ダイシングにより個片に分離して製造することができる。回路形成面には、電気接続用の端子１０ａが設けられている。回路形成面とは反対側の面を研削（バックグラインド）することにより、ＩＣチップ１０の厚さを調整してもよい。ＩＣカードを作製する場合、ＩＣチップ１０の厚さは、０．０５ｍｍ以上であることが好ましく、また０．１０ｍｍ以下、更には０．０７ｍｍ以下であることが好ましい。ＩＣチップ１０がこの数値範囲より薄いと、ＩＣチップ１０の機械的強度が低下し、わずかな衝撃力によってＩＣチップ１０が破壊されやすくなる。ＩＣチップ１０がこの数値範囲より厚いと、ＩＣパッケージ１が厚くなり、所望する厚さのＩＣカードを作製することが困難になる。
【００３４】
リードフレーム１１は、ＩＣチップ１０を搭載可能な任意のリードフレームを用いることができる。図１に示すリードフレーム１１は、ＩＣチップ１０が搭載されたダイパッド部１１ａと、その両側の、ボンディングワイヤ１３が接続される端子部１１ｂとの３部分から構成されているが、リードフレーム１１の構成はこれに限定されない。リードフレーム１１は、補強層１５側から印加される衝撃力によってＩＣチップ１０が破壊されるのを低減するために、硬質であることが好ましく、具体的にはそのビッカース硬度は１３５以上であることが好ましい。リードフレーム１１の材料は、特に制限はないが、導電性の金属材料が好ましく、具体的には、Ｃｕ−Ｆｅ，Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ，Ｃｕ−Ｃｒ−Ｓｎ−Ｚｎ，Ｃｕ−Ｂｅ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ｆｅ，Ｃｕ−Ｂｅ−Ｎｉ，Ｃｕ−Ｂｅ−Ｎｉ−Ｃｏ−Ａｌ等のＣｕ系材料、Ｎｉ−Ｆｅ等のＦｅ系材料、ＳＵＳ３０１，ＳＵＳ３０４，ＳＵＳ３１６，ＳＵＳ４２０，ＳＵＳ４３０，ＳＵＳ６３１等のステンレス鋼系材料、ＳＫ材等の炭素鋼系材料を用いることができる。ＩＣカードを作製する場合、リードフレーム１１の厚さは、０．１ｍｍ以上、更には０．１２５ｍｍ以上であることが好ましく、また、０．２ｍｍ以下、更には０．１５ｍｍ以下であることが好ましい。リードフレーム１１がこの数値範囲より薄いと、リードフレーム１１の機械的強度が低下するので、リードフレーム１１の取り扱い性が低下し、ＩＣパッケージ１の作製が困難になる。また、外界から衝撃力が加えられたときに、ＩＣチップ１０が破壊される可能性が高くなる。リードフレーム１１がこの数値範囲より厚いと、ＩＣパッケージ１が厚くなり、所望する厚さのＩＣカードを作製することが困難になる。
【００３５】
ダイボンド剤１２は、ＩＣチップ１０をリードフレーム１１に固定するためのものである。また、ダイボンド剤１２は、衝撃力やそれによって生じるリードフレーム１１の変形を吸収することにより、または、衝撃力が印加されたときのリードフレーム１１の変形を抑えることにより、ＩＣチップ１０が破壊されるのを防止する。このために、ダイボンド剤１２は、衝撃吸収性（あるいは柔軟性）または高剛性（頑丈性）を有していることが好ましい。具体的には、その硬度（ＪＩＳ  ＡまたはショアーＡ）が５５以下の柔軟性、または、その弾性率が１ＧＰａ以上の高剛性（頑丈性）を有していることが好ましい。ダイボンド剤１２の材料は、特に制限はないが、硬化後に上記の柔軟性を有する材料として、例えば熱硬化性エポキシ樹脂、熱硬化性シリコーン樹脂を用いることができる。また、硬化後に上記の高剛性を有する材料として、例えば導電性Ａｇペースト樹脂、異方性導電接着剤、エポキシ樹脂を用いることができる。異方性導電接着剤としては、熱硬化性エポキシ樹脂をベースとしＮｉ等の金属粒子を含有するペーストタイプ（ＡＣＰ）及びフィルムタイプ（ＡＣＦ）のいずれであってもよい。エポキシ樹脂としては、金属粒子を含まないペーストタイプ（ＮＣＰ）及びフィルムタイプ（ＮＣＦ）のいずれであってもよい。ＩＣカードを作製する場合、ダイボンド剤１２の厚さは、０．０１ｍｍ以上であることが好ましく、また０．０３ｍｍ以下であることが好ましい。ダイボンド剤１２がこの数値範囲より薄いと、ダイボンド剤１２の衝撃吸収性または剛性が低下するので、ＩＣパッケージ１に加えられる衝撃力によってＩＣチップ１０が破壊される可能性が高くなる。ダイボンド剤１２がこの数値範囲より厚いと、ＩＣパッケージ１が厚くなり、所望する厚さのＩＣカードを作製することが困難になる。
【００３６】
ボンディングワイヤ１３は、ＩＣチップ１０の端子１０ａとリードフレーム１１の端子部とをワイヤボンディング法により電気的に接続する。ボンディングワイヤ１３としては、ワイヤボンディングに使用される任意の導電性ワイヤを用いることができる。その材料は、金、銅、アルミニウム等であってもよく、その径は１０μｍ以上５００μｍ以下であることが好ましい。
【００３７】
封止樹脂１４は、ＩＣチップ１０を外界の空気や水（湿度）に晒されないように封止するとともに、ＩＣチップ１０を覆うことによりＩＣチップ１０の耐衝撃力性を向上させる。また、ＩＣチップ１０及びリードフレーム１１に一体化されることにより、ＩＣパッケージ１の実装性を向上させる。封止樹脂１４としては、特に制限はないが、エポキシ系、シリコン系、フェノール系などの熱硬化性樹脂を用いることができる。ボンディングワイヤ１３が封止樹脂１４で完全に封止されるようにするために、ＩＣチップ１０の上面から封止樹脂１４の上面までの封止樹脂１４の厚さは０．１０ｍｍ以上であることが好ましい。
【００３８】
補強層１５は、封止樹脂１４のリードフレーム１１とは反対側に設けられることにより、ＩＣパッケージ１の下面側（リードフレーム１１側）と上面側（補強層１１側）との機械的強度の不均一（アンバランス）を少なくする。これにより、リードフレーム１１側の面に加えられる衝撃力によってＩＣパッケージ１が曲げ変形して封止樹脂１４やＩＣチップ１０が破壊される（割れる）のを防止する。従って、補強層１５は、ビッカース硬度が２００以上の高硬度を有していること、及び／又は、弾性率が５ＧＰａ以上の高剛性（頑丈性）を有していることが好ましい。補強層１５の材料は、特に制限はなく、例えば金属材料や樹脂材料を用いることができる。金属材料としてはＳＵＳ３０１，ＳＵＳ３０４，ＳＵＳ３１６，ＳＵＳ４２０，ＳＵＳ４３０，ＳＵＳ６３１等のステンレス鋼系材料、ＳＫ材等の炭素鋼系材料などを用いることができ、樹脂材料としてはポリイミド等を用いることができる。ＩＣカードを作製する場合、補強層１５は、箔状又はシート状（またはフィルム状）であることが好ましく、その厚さは、０．０１ｍｍ以上であることが好ましく、また０．０５ｍｍ以下であることが好ましい。補強層１５がこの数値範囲より薄いと、リードフレーム１１側の面に加えられた衝撃力によってＩＣチップ１０や封止樹脂１４が破壊される可能性が高くなる。補強層１５がこの数値範囲より厚いと、ＩＣパッケージ１が厚くなり、所望する厚さのＩＣカードを作製することが困難になる。
【００３９】
接着剤層１６は、補強層１５を封止樹脂１４の上面にしっかりと固定させる。また、リードフレーム１１側の面に衝撃力が加えられたときに、リードフレーム１１側の面が凹曲面になるようにＩＣパッケージ１が曲げ変形することがないように、接着剤層１６は、変形（例えばずり変形、せん断変形、伸び変形など）したり、封止樹脂１４に対して補強層１５が位置ずれするのを防止したりすることが望まれる。従って、接着剤層１６は、弾性率が０．８ＧＰａ以上の高剛性（頑丈性）を有していること、及び／又は、硬度（ＪＩＳ  ＤまたはショアーＤ）が８０以上の高硬度を有していることが好ましい。接着剤層１６を形成するための接着剤は、ペースト状であってもよいし、シート状であってもよい。接着剤層１６としては、特に制限はないが、例えば熱硬化性エポキシ樹脂、フィラー含有熱硬化性エポキシ樹脂、熱接着性シートなどを用いることができる。ＩＣカードを作製する場合、接着剤層１６の厚さは、０．００５ｍｍ以上であることが好ましく、また０．０３ｍｍ以下であることが好ましい。接着剤層１６がこの数値範囲より薄いと、接着剤層１６が所望する接着強度を発揮できなくなったり、接着剤層１６の機械的強度が低下したりするために、衝撃力によってＩＣチップ１０や封止樹脂１４が破壊される可能性が高くなる。接着剤層１６がこの数値範囲より厚いと、ＩＣパッケージ１が厚くなり、所望する厚さのＩＣカードを作製することが困難になる。
【００４０】
上記のＩＣパッケージ１では、ＩＣチップ１０はその端子１０ａをリードフレーム１１とは反対側を向けてリードフレーム１１に実装されていたが、端子１０ａをリードフレーム１１側に向けて実装する、いわゆるフリップチップ実装されていてもよい。この場合、ボンディングワイヤ１３は不要となり、ＩＣパッケージ１のさらなる薄型化が可能である。
【００４１】
（ＩＣパッケージの製造方法）
図１Ａ及び図１Ｂに示したＩＣパッケージ１の製造方法を説明する。但し、以下の製造方法は例示にすぎず、本発明のＩＣパッケージ１は、以下の方法以外の方法によっても製造することが可能である。
【００４２】
最初に、図２Ａに示すように、リードフレーム２１上に、ＩＣチップ１０を封止樹脂で封止した封止パッケージ２４を作製する。図２Ａでは、図面を簡単化するために、封止パッケージ２４内のＩＣチップ等の図示を省略しており、また、実際にはダイパッド部１１ａと端子部１１ｂとに分割されているリードフレーム２１を連続した板状に示している。図２Ａでは、共通するリードフレーム２１上に３つの封止パッケージ２４が形成されているが、リードフレーム２１上に形成される封止パッケージ２４の数はこれに限定されず、これより多くても少なくてもよい。図２Ａの紙面に垂直な方向に、複数の封止パッケージ２４が形成されていてもよい。
【００４３】
リードフレーム２１上に封止パッケージ２４を形成する方法は任意であるが、例えばＳＬＰ（Small sized Lead frame Package）法を用いることができる。ＳＬＰ法による封止パッケージ２４の形成方法は概略以下のとおりである。
【００４４】
まず、リードフレーム２１となる金属薄板を準備する。この金属薄板に、ＩＣチップが搭載されるダイパッド部と、ボンディングワイヤが接続される端子部とをエッチング法により作製して、リードフレーム２１を得る。例えば、ダイパッド部と複数の端子部とからなるセットを、金属薄板状にマトリクス状に配置されるように形成することができる。
【００４５】
次いで、リードフレーム２１の各ダイパッド部に、ダイボンド剤を介してＩＣチップを搭載する。その後、必要により、ダイボンド剤を熱キュアして硬化させる。
【００４６】
次いで、ＩＣチップの端子とリードフレーム２１の端子部とをボンディングワイヤで電気的に接続する。
【００４７】
次いで、リードフレーム２１のＩＣチップが搭載された面とは反対側の面（下側面）に、封止樹脂が付着するのを防止するための保護シートを貼り付ける。保護シートの貼り付けは、ボンディングワイヤによる電気接続の後に行う必要はなく、リードフレーム２１を作製した後の任意の段階で行うことができる。
【００４８】
リードフレーム２１のＩＣチップを搭載した側の面（上側面）にモールド金型をかぶせて、リードフレーム２１とモールド金型との間の空間に封止樹脂を注入する。モールド金型としては、特別に作製した専用金型ではなく、規格化された汎用金型を使用してもよい。
【００４９】
次いで，封止樹脂を熱キュアして硬化させる。ＩＣチップは封止樹脂で封止される。
【００５０】
かくして、図２Ａに示したように、リードフレーム２１上に複数の封止パッケージ２４を形成することができる。
【００５１】
その後、図３Ａに示すように、図２Ａで形成した各封止パッケージ２４の上面に、接着剤層１６（図１Ａ参照）を形成するための接着剤ペースト２６を付与する。接着剤ペースト２６を付与する方法は任意であり、例えばスクリーン印刷、オフセット印刷、グラビア印刷、タンポ印刷、インクジェット印刷などの印刷方法、ディスペンサを用いる方法、スプレーコート、スピンコートなどのコーティング方法などを用いることができる。接着剤ペースト２６の種類や、リードフレーム２１のサイズなどを考慮して、任意の方法を選択しうる。
【００５２】
次いで、図３Ｂに示すように、接着剤ペース２６上に、補強層１５になる補強シート２５を積層する。図３Ｂでは、複数の封止パッケージ２４に対して連続する１枚の補強シート２５を積層しているが、補強シート２５は封止パッケージ２４ごとに分割されていてもよい。封止パッケージ２４と補強シート２５との間の接着剤ペースト２６内の空気を除去するために、リードフレーム２１から補強シート２５までの積層物を真空チャンバに投入して減圧又は真空下で脱気する。これに加えて、または、これに代えて、当該積層物をラミネータ等の平行な２本のロール間を通過させて、脱気とともに接着剤ペースト２６を平坦化及び薄肉化してもよい。
【００５３】
次いで、図３Ｃに示すように、上記の積層物を、実質的に剛体とみなしうる２枚の金属板２７ａ，２７ｂで上下方向に挟む。ボルト２８を用いて金属板２７ａ，２７ｂを介して当該積層物に上下方向の圧縮力を印加する。圧縮力は、各種条件によって異なるが、一般には１ＭＰａ以上であることが好ましく、また５０Ｍｐａ以下であることが好ましい。上側の金属板２７ａの補強シート２５側の面には、シリコンゴム等からなる、ゴム弾性を有する弾性シート２９が貼着されている。弾性シート２９は、封止パッケージ２４の上面の高さのバラツキを吸収する。
【００５４】
次いで、金属板２７ａ，２７ｂで挟持された積層物を所定温度に加熱して、接着剤ペースト２６を熱キュアする。
【００５５】
その後、金属板２７ａ，２７ｂを取り外し、積層物をダイシングして個片に分割して、図１Ａ及び図１Ｂに示したＩＣパッケージ１を得る。
【００５６】
図３Ａ〜図３Ｃでは、接着剤ペースト２６を用いて接着剤層１６を形成した。接着剤層１６は、接着剤ペースト２６ではなく、シート状の接着剤シートを用いて形成することもできる。接着剤シートを用いたＩＣパッケージ１の製造方法を以下に説明する。
【００５７】
最初に、上記と同様にして、図２Ａに示すように、リードフレーム２１上に、複数の封止パッケージ２４を作製する。
【００５８】
次いで、図４Ａに示すように、離型シート（図示せず）等に設けられた接着剤シート３６を補強層１５になる補強シート２５に転写して、接着剤シート３６と補強シート２５とが積層された複合シート３７を作製する。
【００５９】
次いで、図４Ｂに示すように、上記の複合シート３７を、接着剤シート３６を封止パッケージ２４側にして、封止パーケージ２４の上面に積層する。図４Ａ及び図４Ｂでは、複数の封止パッケージ２４に対して連続する１枚の複合シート３７を積層しているが、当該複合シート３７は封止パッケージ２４ごとに分割されていてもよい。封止パッケージ２４と接着剤シート３６との間の空気、及び、接着剤シート３６と補強シート２５との間の空気を除去するために、図３Ｂで説明したのと同様に、リードフレーム２１から補強シート２５までの積層物を真空チャンバに投入して減圧又は真空下で脱気する。これに加えて、または、これに代えて、当該積層物をラミネータ等の平行な２本のロール間を通過させて、脱気とともに接着剤シート３６を平坦化及び薄肉化してもよい。
【００６０】
次いで、図４Ｃに示すように、上記の積層物を、実質的に剛体とみなしうる２枚の金属板２７ａ，２７ｂで上下方向に挟む。ボルト２８を用いて金属板２７ａ，２７ｂを介して当該積層物に上下方向の圧縮力を印加する。圧縮力は、各種条件によって異なるが、一般には１ＭＰａ以上であることが好ましく、また５０Ｍｐａ以下であることが好ましい。上側の金属板２７ａの補強シート２５側の面には、シリコンゴム等のゴム弾性を有する弾性シート２９が貼着されている。弾性シート２９は、封止パッケージ２４の上面の高さのバラツキを吸収する。
【００６１】
次いで、金属板２７ａ，２７ｂで挟持された積層物を所定温度に加熱して、接着剤シート３６を熱キュアする。
【００６２】
その後、金属板２７ａ，２７ｂを取り外し、積層物をダイシングして個片に分割して、図１Ａ及び図１Ｂに示したＩＣパッケージ１を得る。
【００６３】
上記の製造方法において、接着剤シート３６を、上記図４Ａ及び図４Ｂのように補強シート２５上に転写するのではなく、封止パッケージ２４上に転写してもよい。この場合、補強シート２５は接着剤シート３６上に積層される。
【００６４】
図２Ａでは、リードフレーム２１上に搭載した複数のＩＣチップのそれぞれを別個に封止樹脂で封止して複数の封止パッケージ２４を形成したが、本発明はこれに限定されない。図２Ｂに示すように、リードフレーム２１上に搭載した複数のＩＣチップ１０を連続する封止樹脂で一括して封止して一つの封止パッケージ２４’を形成してもよい。この方法は、封止パッケージ２４'を形成するためのモールド金型の構成を簡単化すること、及び、封止パッケージ２４’の成形を効率化することに有利である。また、封止パッケージ２４’を形成した場合には、当該封止パッケージ２４’に対して接着剤層１６及び補強層１５を形成すればよいので、これらの形成作業も効率的に行うことができる。
【００６５】
以上のように、本発明のＩＣパッケージ１の製造において、リードフレーム２１上に封止パッケージ２４，２４’を作製するまでの工程（図２Ａ、図２Ｂ参照）は汎用されているＳＬＰ法を用いて行うことができる。その後は、封止パッケージ２４，２４’上に、接着剤ペースト２６又は接着剤シート３６を介して補強シート２５を設けるだけで本発明のＩＣパッケージ１が得られる。従って、本発明のＩＣパッケージ１は、複雑で高価な製造設備（例えば、専用金型）を必要とせず、汎用されている設備で容易に製造することができる。従って、安価で量産性に優れる。
【００６６】
（ＩＣモジュール）
本発明のＩＣパッケージ１を用いた、非接触ＩＣカード用のＩＣモジュールについて説明する。
【００６７】
図５Ａは、本発明の一実施形態にかかるＩＣモジュール２ａの断面図である。ＩＣパッケージ１と略同一厚さの絶縁性シート４０に形成された貫通穴４１内に、ＩＣパッケージ１が嵌め込まれている。ＩＣパッケージ１のリードフレーム１１の端子部１１ｂの下面に、アンテナ回路を構成するアンテナワイヤ４５が電気的に接続されている。
【００６８】
絶縁性シート４０は、ＩＣカードと略同一サイズの略矩形状を有している。絶縁性シート４０の材料は、特に制限はないが、例えばポリエステル系樹脂（例えばＰＥＴ−Ｇ）や塩化ビニル等からなる絶縁性を有する樹脂を用いることができる。ＩＣパッケージ１は、粘着剤又は接着剤の付与、熱溶着などの方法で絶縁性シート４０に固定される。
【００６９】
アンテナワイヤ４５は、例えば銅、金、アルミニウム等の導電性の金属細線からなる。図示を省略するが、アンテナワイヤ４５は、絶縁性シート４０の下面に、絶縁性シート４０の外周端縁に沿うように略矩形状のコイル状に形成され固定されている。連続する１本のアンテナワイヤ４５の両端がリードフレーム１１の２つの端子部１１ｂにそれぞれ接続される。アンテナワイヤ４５と端子部１１ｂとの接続方法は、特に制限はないが、例えば超音波溶着、熱圧着などの方法を用いることができる。
【００７０】
図５Ｂは、本発明の別の実施形態にかかるＩＣモジュール２ｂの断面図である。絶縁性基材５０の片面に、アンテナ回路を構成するアンテナパターン５５が形成されている。アンテナパターン５５上に、異方性導電接着剤５６を介してＩＣパッケージ１が実装されている。
【００７１】
絶縁性基材５０は、ＩＣカードと略同一サイズの略矩形状を有している。絶縁性基剤５０の材料は、特に制限はないが、例えばポリエステル系樹脂（例えばＰＥＴ）や塩化ビニル等からなる絶縁性を有する樹脂を用いることができる。
【００７２】
アンテナパターン５５は、絶縁性基材５０の上面に所定のパターン（図示を省略）で形成された導電性パターンである。その形成方法は、特に制限はなく、例えば、アルミニウム、銅などの導電性金属をエッチングする方法、導電性樹脂を印刷する方法など、任意の方法を採用しうる。
【００７３】
アンテナパターン５５の上方にリードフレーム１１の端子部１１ｂが配置されるように、絶縁性基材５０上に異方性導電接着剤５６を介してＩＣパッケージ１を搭載する。これにより、アンテナパターン５５とリードフレーム１１の端子部とを、異方性導電接着剤５６を介して電気的に接続することができる。
【００７４】
本発明のＩＣパッケージ１は、下面にリードフレーム１１の端子部１１ｂが露出しているので、図５Ａに示すようにＩＣモジュール２ａのアンテナワイヤ４５や、図５Ｂに示すようにＩＣモジュール２ｂのアンテナパターン５５と容易に接続することができる。特に、端子部１１ｂはバンプを有していないので、ＩＣパッケージ１を図５ＡのＩＣモジュール２ａに適用した場合には、端子部１１ｂとアンテナワイヤ４５との接続性やＩＣモジュール２ａの薄型化に有利である。
【００７５】
（非接触ＩＣカード）
図６は、図５Ａに示したＩＣモジュール２ａを用いた非接触ＩＣカード３の概略構成を示した断面図である。図６では、図面を簡単化するために、ＩＣパッケージ１の内部構造を省略している。ＩＣモジュール２ａの両面に、化粧用のオーバーレイシート４７が積層されている。オーバーレイシート４７としては、ポリエステル等の絶縁性の樹脂シートを用いることができる。オーバーレイシート４７は、単一の層で構成されていてもよく、複数の層が積層された複合シートであってもよい。オーバーレイシート４７には、必要に応じて印刷が施される。印刷は、オーバーレイシート４７の外表面に施すことができる。オーバーレイシート４７が複合シートである場合には、複数の層のうちの任意の層に印刷を施してもよい。
【００７６】
一般に、ＩＣカード３の厚さＴ３は、０．６ｍｍ以上であることが好ましく、また０．８ｍｍ以下、更には０．７ｍｍ以下であることが好ましい。オーバーレイシート４７の厚さを考慮すると、ＩＣパッケージ１の厚さＴ（図１Ａ参照）は、０．４ｍｍ以下であることが望まれる。本発明のＩＣパッケージ１では、補強層１５が、リードフレーム１１とは反対側のみに設けられており、しかも、シート状又は箔状の薄層であるので、厚さＴが０．４ｍｍ以下の薄いＩＣパッケージ１を容易に実現することができる。
【００７７】
絶縁性シート４０及びオーバーレイシート４７の厚さは、ＩＣカード３の厚さＴ３が上記の数値範囲内になるように設定される。ＩＣパッケージ１の厚さＴを薄くすることができない場合には、ＩＣパッケージ１と絶縁性シート４０との間の厚み差によって、オーバーレイシート４７の外表面において、ＩＣパッケージ１の部分が盛り上がってしまう。本発明では、ＩＣパッケージ１を薄くすることができるので、ＩＣパッケージ１の部分でのＩＣカード３の厚さを、絶縁性シート４０の部分でのＩＣカード３の厚さとほぼ同じにしながら、上記の厚さＴ３の範囲を満足するＩＣカード３を実現できる。従って、オーバーレイシート４７の外表面において、ＩＣパッケージ１の部分が盛り上がるようなことはない。このため、本発明のＩＣカード３は、外観品位に優れ、また、オーバーレイシート４７に対する印刷性は良好である。
【００７８】
また、ＩＣパッケージ１が薄いので、オーバーレイシート４７の厚さを十分に確保することができる。このために、オーバーレイシート４７の構成の選択の余地が広がる。
【００７９】
更に、ＩＣパッケージ３は耐衝撃力性に優れるので、表裏のいずれのオーバーレイシート４７の外表面に衝撃力が印加されても、内蔵されたＩＣチップ１が破壊される可能性は低い。従って、ＩＣカード３は、耐衝撃力性に優れ、高信頼性を有している。
【００８０】
なお、本発明のＩＣパッケージ１は、非接触ＩＣカードのみならず、リーダライタとの接続端子が設けられた接触式のＩＣカードに利用することもできる。
【００８１】
図６では、非接触ＩＣカードとして、図５Ａに示したＩＣモジュール２ａを用いた例を示したが、本発明の非接触ＩＣカードはこれに限定されない。例えば、図５Ｂに示したＩＣモジュール２ｂを用いて本発明の非接触ＩＣカードを構成することもできる。この場合、絶縁性基材５０の上面のうちＩＣパッケージ１が存在しない領域には、ＩＣパッケージ１の上面と略同一平面を構成するような厚さを有する平坦化層を設けることができる。
【実施例】
【００８２】
製造条件を種々に変更して、図１Ａ及び図１Ｂに示した本発明に対応する実施例にかかるＩＣパッケージ１を作製した。平面視したときのＩＣパッケージ１は略矩形形状を有しており、その長軸方向寸法Ｌ１は６ｍｍ、その短軸方向寸法Ｌ２は３ｍｍであった（図１Ｂ参照）。また、ＩＣパッケージ１の厚さＴは０．４ｍｍであった（図１Ａ参照）。当該ＩＣパッケージ１を用いて図５Ａに示すＩＣモジュール２ｂを作製した。
【００８３】
本発明にかかるＩＣパッケージ１の効果を確認するために、図７に示すような比較例にかかるＩＣパッケージ９を作製した。このＩＣパッケージ９は、接着剤層１６及び補強層１５を有しない以外は本発明のＩＣチップ１と同一構造を有していた。図７において、図１ＡのＩＣパッケージ１と同じ部材には同じ符号が付されており、それらについての詳細な説明を省略する。ＩＣパッケージ９の厚さＴ９は０．３７ｍｍであった（図７参照）。比較例のＩＣパッケージ９を用いて、実施例と同様にしてＩＣモジュールを作製した。
【００８４】
実施例のＩＣチップ１及び比較例のＩＣチップ９を構成する各部材の詳細は下記のとおりである。
【００８５】
ＩＣチップ１０の平面視形状は一辺が約３ｍｍの略正方形であり、その厚さは０．０９ｍｍであった。
【００８６】
リードフレーム１１として、Ｃｕ−Ｆｅ系金属材料（Ｃ１９４Ａ）を用いた。その厚さは０．１２５ｍｍ、ビッカース硬度は１３５であった。
【００８７】
ダイボンド剤１２として、（１）熱硬化性シリコーン樹脂（東レ・ダウコーニング株式会社製ＤＡ６５０１、硬化後の硬度（ＪＩＳ  Ａ）は３１）、（２）熱硬化性エポキシ樹脂（パナソニック株式会社製ＣＶ５１５１Ｂ、硬化後の硬度（ショアーＡ）は５５）、（３）導電性Ａｇペースト樹脂（住友ベークライト株式会社製ＣＲＭ−１０７６ＤＨ、硬化後の弾性率は４．９ＧＰａ）の３種類の樹脂を用いた。
【００８８】
封止樹脂１４として、住友ベークライト株式会社製ＥＭＥ−Ｇ７７０Ｄを用いた。
【００８９】
補強層１５になる補強シート２５として、（１）ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）からなる厚さ０．０１ｍｍの金属箔（ビッカース硬度は３７０）、（２）ステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）からなる厚さ０．０２ｍｍの金属箔（ビッカース硬度は３７０）、（３）ポリイミドからなる厚さ０．０２５ｍｍのＰＩシート（東レ・デュポン株式会社製カプトン１００ＥＮ、弾性率は５．３ＧＰａ）の３種類を用いた。
【００９０】
接着剤層１６になる接着剤ペースト２６又は接着剤シート３６として、以下の７種類を用いた。
【００９１】
（１）エポキシ樹脂（コニシ株式会社製クイック３０、硬化後の硬度（ショアーＤ）は８０）。熱キュア条件は、１５ＭＰａの圧縮力を印加しながら、室温にて２４時間とした。
【００９２】
（２）熱硬化性エポキシ樹脂Ａ（スリーボンド株式会社製２２１２、硬化後の硬度（ＪＩＳ  Ｄ）は９２）。熱キュア条件は、１５ＭＰａの圧縮力を印加しながら、１２０℃にて２０分とした。
【００９３】
（３）熱硬化性エポキシ樹脂Ｂ（京セラケミカル株式会社製ＴＮＰ０４００、硬化後の弾性率は３．９ＧＰａ。熱キュア条件は、１５ＭＰａの圧縮力を印加しながら、１５０℃にて１分とした。
【００９４】
（４）フィラー入熱硬化性エポキシ樹脂（京セラケミカル株式会社製ＴＡＰ０４０２Ｅ、硬化後の弾性率は３．９ＧＰａ）。熱キュア条件は、１５ＭＰａの圧縮力を印加しながら、１５０℃にて１分とした。
【００９５】
（５）熱接着剤シートＡ（株式会社巴川製紙所製ＳＪ４１、厚さ０．０２ｍｍ、硬化後の弾性率は０．８ＧＰａ）。熱キュア条件は、１ＭＰａの圧縮力を印加しながら、１７０℃にて６０分とした。
【００９６】
（６）熱接着剤シートＢ（共同技研化学株式会社製ＳＢＮ１３、厚さ０．０１３ｍｍ）。熱キュア条件は、１ＭＰａの圧縮力を印加しながら、１７０℃にて６０分とした。
【００９７】
（７）熱接着剤シートＣ（ＤＩＣ株式会社製ＬＴ６００３Ｗ、厚さ０．０３ｍｍ）。熱キュア条件は、１ＭＰａの圧縮力を印加しながら、１７０℃にて６０分とした。
【００９８】
（衝撃試験）
金属製の硬質の定盤上に、複数枚の上質紙を厚さ１．５ｍｍになるように積層した。上質紙の上に、被試験サンプルであるＩＣモジュールを載置した。ＩＣパッケージ内のＩＣチップ１０の中央位置を狙って、上方から衝撃力をＩＣパッケージの微小領域に印加した。衝撃力を印加した後に、ＩＣモジュールとリーダライタとの間で通信を行うことができるか否かを判定した。通信ができた場合を「○」（良好）、通信ができない場合を「×」（不良）と判断した。衝撃力のエネルギーを、５．９ｍＪ、７．８ｍＪ、９．８ｍＪ、１１．８ｍＪ、１３．７ｍＪ、１９．６ｍＪの６通りに変えた。
【００９９】
（比較例１〜３）
ダイボンド剤１２として上記の３種類を用いた比較例１〜３にかかるＩＣモジュールを作製した。比較例１〜３のそれぞれについて、６つのサンプルを作製した。６つのサンプルのうち、３つにはＩＣパッケージ９の下面（リードフレーム１１側の面）に衝撃を印加する衝撃試験を行い、残りの３つにはＩＣパッケージ９の上面（封止樹脂１４側の面）に衝撃を印加する衝撃試験を行った。衝撃エネルギーを段階的に増加していき、衝撃力を印加するたびにＩＣモジュールとリーダライタとの間の通信の可否を判定した。リーダライタとの間で通信ができなくなった段階（「×」（不良）の判定がされた段階）で、試験を中止した。
【０１００】
試験結果を表１にまとめる。
【０１０１】
【表１】
2014178875.tif 000003
【０１０２】
表１より、上面（封止樹脂１４側の面）に衝撃力を印加した場合には、ダイボンド剤１２の組成に関わらず、衝撃エネルギーが最大の１９．６ｍＪの衝撃力に対しても衝撃試験の結果は良好であった。しかしながら、下面（リードフレーム１１側の面）に衝撃力を印加した場合には、衝撃エネルギーが７．８ｍＪ以上では大半のサンプルで衝撃試験の結果は不良であった。これらより、下面に衝撃力を印加した場合には、ＩＣパッケージ９のＩＣチップ１０が破壊されないための衝撃エネルギーの上限値は、安全に対するマージンを考慮すると、５．９ｍＪであると判断された。
【０１０３】
衝撃試験において「×」（不良）と判断されたサンプルのＩＣパッケージ９を厚さ方向に切断し、切断面を顕微鏡で観察した。その結果、図８に示すように、衝撃力Ｆが印加された位置に対応する位置に、ＩＣチップ１０及び封止樹脂１４に亀裂６０，６４が形成されていた。これは、衝撃力Ｆの印加によって、リードフレーム１１側の面が凹曲面になるようにＩＣパッケージ９が曲げ変形することによって、リードフレーム１１とは反対側の封止樹脂１４が伸ばされて封止樹脂１４に亀裂６４が発生し、この亀裂６４によってＩＣパッケージ９の曲げ変形量が更に増大するためＩＣチップ１０にも亀裂６０が発生したものと考えられる。
【０１０４】
一方、上面（封止樹脂１４側の面）に衝撃力を印加した場合には、衝撃力が印加された側とは反対側のリードフレーム１１は伸び変形しても封止樹脂１４に比べて破壊されにくいこと、ダイボンド剤１２がリードフレーム１１の伸び変形や曲げ変形を吸収することによって、ＩＣチップ１０に亀裂が生じなかったものと考えられる。
【０１０５】
（実施例１〜１５）
ダイボンド剤１２として上記の３種類、補強層１５になる補強シート２５として上記の３種類、接着剤層１６になる接着剤ペースト２６又は接着剤シート３６として上記の７種類を適宜組み合わせて用いて実施例１〜１５にかかるＩＣモジュール２ｂを作製した。実施例１〜１５のそれぞれについて、３つのサンプルを作製した。３つのサンプルについてＩＣパッケージ１の下面（リードフレーム１１側の面）に衝撃を印加する衝撃試験を行った。衝撃エネルギーを段階的に増加していき、衝撃力を印加するたびにＩＣモジュールとリーダライタとの間の通信の可否を判定した。リーダライタとの間で通信ができなくなった段階（「×」（不良）の判定がされた段階）で、試験を中止した。
【０１０６】
試験結果を表２，３にまとめる。
【０１０７】
【表２】
2014178875.tif 000004
【０１０８】
【表３】
2014178875.tif 000005
【０１０９】
表２，３より、本発明のＩＣパッケージ１は、ダイボンド剤１２、補強層１５、接着剤層１６の組成に関わらず、下面（リードフレーム１１側の面）に衝撃力を印加した場合に、９．８ｍＪの衝撃エネルギーの衝撃力に耐えうることが確認された。更に、ダイボンド剤１２、補強層１５、接着剤増１６の組成を適切に選択すれば、下面側（リードフレーム１１側）からの１９．６ｍＪの衝撃エネルギーの衝撃力にも耐えうるＩＣパッケージ１を実現できることが確認された。
【０１１０】
従って、封止樹脂１４の上面に接着剤層１６を介して補強層１５を設けた場合には、これらを設けない場合に比べて、下面（リードフレーム１１側の面）に２倍以上の衝撃エネルギーの衝撃力を印加してもＩＣチップ１０が破壊されないＩＣパッケージを実現しうることが分かった。
【０１１１】
これは、衝撃力が印加された側とは反対側に伸び変形しにくい補強層１５が設けられていること、補強層１５と封止樹脂１４との間にずり変形しにくい接着剤層１６が設けられていることにより、衝撃時のＩＣパッケージ１の曲げ変形が抑えられるためであると考えられる。
【０１１２】
なお、ＩＣパッケージ９の上面（補強層１５側の面）に衝撃を印加する衝撃試験を行ったところ、実施例１〜１５の全てのサンプルは、衝撃エネルギーが最大の１９．６ｍＪの衝撃力に対しても衝撃試験の結果は良好であった。これは、比較例１〜３と同様に、上面（補強層１５側の面）に衝撃力を印加した場合には、衝撃力が印加された側とは反対側のリードフレーム１１は伸び変形しても封止樹脂１４に比べて破壊されにくいこと、ダイボンド剤１２がリードフレーム１１の伸び変形や曲げ変形を吸収することによって、ＩＣチップ１０に亀裂が生じなかったものと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【０１１３】
本発明の利用分野は特に制限はないが、ＩＣカード、特に非接触ＩＣカードの分野に好ましく利用することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１  ＩＣパッケージ
２ａ，２ｂ  ＩＣモジュール
３  非接触ＩＣカード
１０  ＩＣチップ
１１  リードフレーム
１１ａ  リードフレームのダイパッド部
１１ｂ  リードフレームの端子部
１２  ダイボンド剤
１３  ボンディングワイヤ
１４  封止樹脂
１５  補強層
１６  接着剤層
４０  絶縁性シート
４５  アンテナワイヤ（金属細線）
５０  絶縁性基材
５５  アンテナパターン
【図１】
2014178875.tif 000006
【図２】
2014178875.tif 000007
【図３】
2014178875.tif 000008
【図４】
2014178875.tif 000009
【図５】
2014178875.tif 000010
【図６】
2014178875.tif 000011
【図７】
2014178875.tif 000012
【図８】
2014178875.tif 000013