(57)【要約】      （修正有）【課題】封止樹脂として、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート樹脂）に代わる新たな封止樹脂である熱可塑性を有しかつ熱硬化性を有さない樹脂を用いた場合に、封止樹脂と裏面保護部材との間で、より高い接着力が得られる光電変換モジュールの製造方法を提供する。【解決手段】光電変換装置と封止樹脂と裏面保護部材を封止した後に、熱処理を行うことで、封止樹脂と裏面保護部材との間の接着力を上げる。【選択図】図２
2014017297.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光電変換層が形成された透光性基板の前記光電変換層側に配置された封止樹脂であって、熱可塑性を有しかつ熱硬化性を有さない前記封止樹脂の上に、裏面保護部材を載置する載置工程と、
前記光電変換層を前記封止樹脂で封止する封止工程と、
前記封止工程の後の熱処理工程とを有する光電変換モジュールの製造方法。
【請求項２】
前記熱処理工程は１５０℃〜１９０℃の温度範囲で行う請求項１に記載の光電変換モジュールの製造方法。
【請求項３】
前記熱処理工程は２０分〜６０分の処理時間である請求項１または２に記載の光電変換モジュールの製造方法。
【請求項４】
前記封止樹脂として、アイオノマー樹脂またはポリオレフィン系樹脂を用いる請求項１〜３のいずれかに記載の光電変換モジュールの製造方法。
【請求項５】
前記光電変換層として、非晶質シリコンと微結晶シリコンの積層構造の半導体層を用いる請求項１〜４のいずれかに記載の光電変換モジュールの製造方法。
【請求項６】
前記裏面保護部材としてガラスを用いる請求項１〜５のいずれかに記載の光電変換モジュールの製造方法。
【請求項７】
透光性基板と光電変換層と封止樹脂と裏面保護部材とをこの順に配した光電変換モジュールであって、
前記封止樹脂は、熱可塑性を有しかつ熱硬化性を有さない樹脂であり、
前記封止樹脂の端面が、前記裏面保護部材の外周端より前記光電変換モジュールの中心側にある光電変換モジュール。
【請求項８】
前記封止樹脂は、アイオノマー樹脂またはポリオレフィン系樹脂である請求項７に記載の光電変換モジュール。
【請求項９】
前記封止樹脂は、シランカップリング剤が添加されている請求項７または８に記載の光電変換モジュール。
【請求項１０】
前記裏面保護部材の長辺と短辺の交点と、前記封止部材の端面との間の距離が、１ｍｍ以上１２ｍｍ以下である請求項７〜９のいずれかに記載の光電変換モジュール。
【請求項１１】
前記光電変換モジュールは、前記封止樹脂と前記裏面保護部材との接着力が５０Ｎ/１０ｍｍ以上の箇所を有する請求項７〜１０のいずれかに記載の光電変換モジュール。
【請求項１２】
前記光電変換モジュールの角部における前記封止樹脂と前記裏面保護部材の接着力をＦａ、前記光電変換モジュールの中心部における前記封止樹脂と前記裏面保護部材の接着力をＦｂとしたとき、Ｆａ／Ｆｂは０．７以上１．０以下である請求項７〜１１のいずれかに記載の光電変換モジュール。
【請求項１３】
前記光電変換モジュールの面積は、０．６ｍ２以上１．５ｍ２以下である請求項７〜１２のいずれかに記載の光電変換モジュール。
【請求項１４】
前記裏面保護部材はガラスである請求項７〜１３のいずれかに記載の光電変換モジュール。
【請求項１５】
前記光電変換層は、実質的に真性な非晶質シリコン半導体層を有する請求項７〜１４のいずれかに記載の光電変換モジュール。
【請求項１６】
前記光電変換層は、実質的に真性な非晶質シリコン半導体層を光活性層とする光電変換層と実質的に真性な結晶質シリコン半導体層を光活性層とする光電変換層とが積層されている請求項７〜１５のいずれかに記載の光電変換モジュール。
【請求項１７】
前記光電変換層は、透明電極層を分離する第１分離ラインと半導体層を分離する第２分離ラインと裏面電極層を分離する第３分離ラインとを有する集積型光電変換層であり、該第３分離ラインに前記封止樹脂が充填されている請求項７〜１６のいずれかに記載の光電変換モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法に関し、より詳しくは、熱可塑性を有しかつ熱硬化性を有さない封止樹脂を用いた光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽光エネルギを直接電気エネルギに変換する光電変換装置は、近年、特に地球環境問題の観点から、エネルギ源としての期待が急速に高まっている。光電変換装置は、屋外で使用することが多く、強度、耐湿性等を確保するために封止し、光電変換モジュールとすることが多い。
【０００３】
図１２は、特許文献１に開示された集積型薄膜太陽電池モジュールの構造を示す図である。透光性基板１１１上に、集積型薄膜太陽電池デバイス１１６が形成されている。集積型薄膜太陽電池デバイスの端部に形成されたＰ型電極端子部およびＮ型電極端子部に、正極集電部１２０、負極集電部１２１が、電気的かつ機械的に接合されている。Ｐ型電極端子部の中央部付近とＮ型電極端子部の中央部付近との間にわたる状態で、集積型薄膜太陽電池デバイス１１６の上に絶縁膜１１９が敷設される。正極集電部１２０及び負極集電部１２１に対して、それぞれ正極リード線１２２及び負極リード線１２３が接続され、近接したところで、立ち上がり端子部を形成する。その後、立ち上がり端子部が貫通する状態で、集積型薄膜太陽電池デバイス１１６の裏面電極膜側に封止絶縁フィルム１２４と裏面保護材としてのバックフィルム１２５が載置されている。封止絶縁フィルム１２４としては、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート樹脂）が最適である旨が開示されている。集積型薄膜太陽電池デバイス１１６全体に対して、封止絶縁フィルム１２４とバックフィルム１２５はラミネート封止される。ラミネート封止後、端子ボックス１２６が接続される旨が開示されている。
【０００４】
近年では架橋反応を必要とするＥＶＡに代わる新たな封止樹脂として、熱可塑性を有しかつ熱硬化性を有さない封止樹脂の検討がすすんでいる。
【０００５】
また、特許文献２に、封止樹脂として、エチレン・極性モノマー共重合体を用いた太陽電池モジュールが示されており、エチレン共重合体組成物からなる太陽電池モジュールを用いれば、架橋反応が不要である旨が開示されている。
【０００６】
特許文献３に、封止樹脂として、エチレン・不飽和カルボン酸共重合体もしくはそのアイオノマーを用いた太陽電池モジュールが示されており、ＥＶＡと比較して、高い接着性が得られることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０００−６８５４２号公報
【特許文献２】特開２００９−１７７０８９号公報
【特許文献３】特開２０００−１８６１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
光電変換モジュールは、近年、砂漠等の過酷な環境への設置が検討されていることもあり、より高い信頼性が求められている。ＥＶＡに代わる新たな封止樹脂を用いた場合についても、封止樹脂と裏面保護部材との間で、より高い接着力が求められている。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は封止樹脂として、ＥＶＡに代わる新たな封止樹脂である熱可塑性を有しかつ熱硬化性を有さない樹脂を用いた場合に、封止樹脂と裏面保護部材との間で、より高い接着力が得られる光電変換モジュールの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明に係る光電変換モジュールの製造方法は、光電変換層が形成された透光性基板の光電変換層側に配置された封止樹脂であって、熱可塑性を有しかつ熱硬化性を有さない封止樹脂の上に、裏面保護部材を載置する載置工程と、光電変換層を封止樹脂で封止する封止工程と、封止工程の後の熱処理工程とを有することを特徴としている。
【００１１】
本発明に係る光電変換モジュールの製造方法における熱処理工程は、１５０℃〜１９０℃の温度範囲で行うことを特徴としている。
【００１２】
本発明に係る光電変換モジュールの製造方法における熱処理工程は、２０分〜６０分の処理時間であることを特徴としている。
【００１３】
本発明に係る光電変換モジュールの製造方法は、封止樹脂として、アイオノマー樹脂またはポリオレフィン系樹脂を用いることを特徴としている。
【００１４】
本発明に係る光電変換モジュールの製造方法は、光電変換層として、非晶質シリコンと微結晶シリコンの積層構造の半導体層を用いることを特徴としている。
【００１５】
本発明に係る光電変換モジュールの製造方法は、裏面保護部材としてガラスを用いることを特徴としている。
【００１６】
本発明に係る光電変換モジュールは、透光性基板と光電変換層と封止樹脂と裏面保護部材とをこの順に配した光電変換モジュールであって、封止樹脂は、熱可塑性を有しかつ熱硬化性を有さない樹脂であり、封止樹脂の端面が、裏面保護部材の外周端より光電変換モジュールの中心側にあることを特徴としている。
【００１７】
本発明に係る光電変換モジュールの封止樹脂は、アイオノマー樹脂またはポリオレフィン系樹脂であることを特徴としている。
【００１８】
本発明に係る光電変換モジュールの封止樹脂は、シランカップリング剤が添加されていることを特徴としている。
【００１９】
本発明に係る光電変換モジュールは裏面保護部材の長辺と短辺の交点と、封止部材の端面との間の距離が、１ｍｍ以上１２ｍｍ以下であることを特徴としている。
【００２０】
本発明に係る光電変換モジュールは、封止樹脂と裏面保護部材との接着力が５０Ｎ/１０ｍｍ以上の箇所を有することを特徴としている。
【００２１】
本発明に係る光電変換モジュールの角部における封止樹脂と裏面保護部材の接着力をＦａ、前記光電変換モジュールの中心部における封止樹脂と裏面保護部材の接着力をＦｂとしたとき、Ｆａ／Ｆｂは０．７以上１．０以下であることを特徴としている。
【００２２】
本発明に係る光電変換モジュールの面積は、０．６ｍ２以上１．５ｍ２以下であることを特徴としている。
【００２３】
本発明に係る光電変換モジュールの裏面保護部材はガラスであることを特徴としている。
【００２４】
本発明に係る光電変換モジュールの光電変換層は、実質的に真性な非晶質シリコン半導体層を有することを特徴としている。
【００２５】
本発明に係る光電変換モジュールの光電変換層は、実質的に真性な非晶質シリコン半導体層を光活性層とする光電変換層と実質的に真性な結晶質シリコン半導体層を光活性層とする光電変換層とが積層されていることを特徴としている。
【００２６】
本発明に係る光電変換モジュールの光電変換層は、透明電極層を分離する第１分離ラインと半導体層を分離する第２分離ラインと裏面電極層を分離する第３分離ラインとを有する集積型光電変換層であり、該第３分離ラインに封止樹脂が充填されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００２７】
本発明に係る光電変換モジュール、及び光電変換モジュールの製造方法を用いることにより、封止樹脂と裏面保護部材との間で、より高い接着力が得られる光電変換モジュール及び光電変換モジュールの製造方法を提供することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施形態１で製造される光電変換モジュールを示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１で製造される光電変換モジュールの製造工程のフロー図である。
【図３】本発明の実施形態１で用いた引張り試験機を示す図である。
【図４】本発明の実施形態１を示すものであって、裏面保護部材と封止樹脂を表す図である。
【図５】本発明の実施形態１を示すものであって、熱処理と接着力の関係等を示す図である。
【図６】本発明の実施形態２を示すものであって、異なる半導体層の光電変換層を用いた場合の、熱処理による接着力等の違いを示す図である。
【図７】本発明の実施形態３を示すものであって、熱処理温度を変えた場合の接着力等の違いを示す図である。
【図８】本発明の実施形態３を示すものであって、熱処理温度を変えた場合のＦａ／Ｆｂと端面間距離を示す図である。
【図９】本発明の実施形態４を示すものであって、熱処理時間を変えた場合の接着力等の違いを示す図である。
【図１０】本発明の実施形態４を示すものであって、熱処理時間を変えた場合のＦａ／Ｆｂと端面間距離を示す図である。
【図１１】本発明の実施形態４を示すものであって、熱処理時間を変えた場合の裏面保護部材と封止樹脂との端面間距離と光電変換モジュールの絶縁耐性を示す図である。
【図１２】従来技術を示すものであって、光電変換モジュールの構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明に係る光電変換モジュール、及び光電変換モジュールの製造方法について、図面を参照しながら以下に説明する。
【００３０】
〔実施形態１〕
図１は、実施形態１により製造される光電変換モジュールの構造を示す断面図である。光電変換モジュール１００は、少なくとも、透光性基板１上に形成された光電変換層２と封止樹脂３と裏面保護部材４とが積層されてなる。光電変換層２は、少なくとも、透光性基板１側から、透明電極層５と半導体層６と裏面電極層７とを有する。さらに、透光性基板１の周縁部には、トリミング領域１４が形成されている。図１に示した光電変換層２は、透明電極層を分離する第１分離ライン１１、半導体層を分離する第２分離ライン１２、裏面電極層を分離する第３分離ライン１３からなる。隣接する光電変換層において、一方の透明電極層と他方の裏面電極層を、第２分離ラインを通して互いに電気的に接続することで直列に接続された集積型光電変換装置である。裏面電極層７の両端には、それぞれ正極、負極の端子部が設けられており、端子部には正極、負極の集電部８が接合されている。
【００３１】
図１中では記載を省略しているが、正極、負極の集電部８に、引出し電極の一端が取り付けられている。引出し電極の他端は、光電変換層２の受光面に対して垂直に折り曲げられた立ち上がり端子部となっている。正極、負極とも同様である。引出し電極に接続する状態で端子ボックスが取付けられている。
【００３２】
図２に、実施形態１の光電変換モジュールの製造方法のフロー図を示す。
【００３３】
まず、光電変換装置形成工程Ｓ１（Ｓはステップを表す。以下同様）で、透光性基板１上に透明電極層５、半導体層６、裏面電極層７を積層し、光電変換層２を形成した。光電変換層２は、各層を分離することで集積型光電変換装置としている。透光性基板１としては、長辺の長さ１．２ｍ、短辺の長さ０．６ｍの該長方形の受光面を有する厚さ３．９ｍｍの未強化ガラスを用いた。ポリイミド等の耐熱性樹脂を用いてもよい。
【００３４】
透明電極層５として、ＳｎＯ２（酸化スズ）を用いた。ＺｎＯ（酸化亜鉛）、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）等を用いてもよい。製膜方法としては、蒸着法、スパッタリング法、熱ＣＶＤ法などが用いられる。
【００３５】
透明電極層５を製膜した後、レーザスクライブにより、透明電極層５を分離する第１分離ライン１１を形成した。レーザスクライブに用いるレーザ光としては、ＹＡＧレーザ光の基本波を用いた。第１分離ライン１１の幅は約６０ｎｍである。
【００３６】
半導体層６として、非晶質シリコンからなるｐ層、ｉ層及びｎ層が順次積層されたシングル構造の光電変換層を、プラズマＣＶＤ法で形成した。半導体層６の厚さは、約５００ｎｍとした。非晶質シリコンからなるi層とは、実質的に真性な非晶質シリコン半導体層を示す。
【００３７】
半導体層６は、非晶質シリコンからなるシングル構造に限定されるものではなく、非単結晶シリコン薄膜からなる半導体層であればよい。非単結晶シリコン薄膜とは、非晶質シリコン、微結晶シリコン等の単結晶ではない５００ｎｍ〜４μｍ程度の薄膜を指す。例えば、微結晶シリコンからなるｐｉｎ層が順次積層された単層型の構造、非晶質シリコンからなるｐｉｎ層が順次積層された構造と微結晶シリコンからなるｐｉｎ層が順次積層された構造を組み合わせた積層型の構造、またはｐｉｎ層が順次積層された構造を３つ組み合わせたトリプル型の構造としてもよい。あるいは、非晶質シリコンからなるｐｉｎ層が順次積層された構造と微結晶シリコンからなるｐｉｎ層が順次積層された構造との間にＺｎＯ等からなる中間層が挿入された構造も用いることができる。あるいは、非晶質シリコンからなるｐ層と、微結晶シリコンからなるi層とｎ層を組み合わせた構造のように、ｐｉｎ層のうち少なくとも１層を非晶質シリコンから構成し、残りの層を微結晶シリコンから構成して、ｐｉｎ層非晶質シリコンと微結晶シリコンを混在させてもよい。ここで、微結晶シリコンからなるi層とは、実質的に真性な結晶質シリコン半導体層を示す。
【００３８】
半導体層６を形成した後、レーザスクライブにより、半導体層６を分離する第２分離ライン１２を形成した。レーザスクライブに用いるレーザ光としては、ＹＡＧレーザ光の第２高調波を用いた。第２分離ラインの幅は約６０ｎｍ、第１分離ラインと第２分離ラインの間隔は、約４０ｎｍである。
【００３９】
裏面電極層７として、透明導電膜であるＺｎＯを半導体層６に接するように形成し、その上に金属膜としてＡｇを形成した積層膜を用いた。透明導電膜として、ＺｎＯの他にＳｎＯ２、ＩＴＯ等を用いて、透明導電膜と金属膜の積層膜を形成してもよく、Ａｇ、Ａｌ、Ｔi等の金属膜単膜や金属膜の積層膜としてもよい。製膜法としては、蒸着法、スパッタリング法等が用いられる。
【００４０】
裏面電極層７を製膜した後、レーザスクライブで半導体層６と裏面電極層７を同時に分離することにより、第３分離ライン１３を形成した。レーザスクライブに用いるレーザ光としては、ＹＡＧレーザ光の第２高調波を用いた。第３分離ラインの幅は約６０ｎｍ、第２分離ラインと第３分離ラインの間隔は、約４０ｎｍである。
【００４１】
隣接する光電変換層において、第２分離ラインを通して互いに接続することで直列に接続されているが、この直列接続数は４５段である。また、ＹＡＧのレーザ光の第２高調波を用いて、透光性基板周縁部の透明電極層５、半導体層６、裏面電極層７をなくすことにより、トリミング領域１４を形成した。トリミング領域１４の幅は、透光性基板１の端面から約１２ｍｍとした。透光性基板１の端面から光電変換層２までの距離を十分に取ることで、光電変換モジュールに十分な絶縁性能を持たせることが可能となる。
【００４２】
レーザスクライブにはＹＡＧレーザ光を用いたが、ＹＶＯ４レーザ光の基本波、第２高調波等を用いてもよい。また、ウオータージェット、エッチング等のレーザスクライブ以外の方法によって各層の分離を行ってもよい。
【００４３】
次に、変換効率の第１の測定工程Ｓ２で、モジュール化前の状態で、光電変換層２の変換効率を測定した。２５℃の温度でＡＭ１．５（１００ｍＷ／ｃｍ２）の擬似太陽光を光電変換層２の、透光性基板側から照射して電気的特性を測定し、擬似太陽光の照射直後の最大出力電力を面積で除算して変換効率を求めた。この段階で特性が低ければ、この後の集電部および引出し電極取付工程Ｓ３以降は、この光電変換装置は除外するという判断を行ってもよい。また必要に応じて、変換効率の低い光電変換装置に対して変換効率を向上させる対応を行い、Ｓ３以降の工程を行ってもよい。変換効率の第１の測定工程Ｓ２は、必ず必要な工程ではないが、生産効率の向上という観点からは、存在するほうが望ましい工程である。光電変換モジュール製造の早い段階で、モジュール完成時に十分な特性の得られないものを除くことが可能となるからである。
【００４４】
次に、集電部および引出し電極取付工程Ｓ３で、正極端子部に正極集電部を接合し、負極端子部に負極集電部を接合した。各集電部は、各電極端子部と同形・同大であることが好ましく、材料としては銅が好ましい。接合は、電気的かつ機械的に行われ、接合の手段としては、半田付けまたは導電性ペースト等を用いる。
【００４５】
次に、正極の引出し電極の一端を正極集電部と接続し、他端は立ち上がり端子部を形成した。同様に、負極の引出し電極の一端を負極集電部と接続し、他端は正極の引出し電極の立ち上がり端子部に近接して立ち上がり端子部を形成した。正極の引出し電極及び負極の引出し電極は、正極集電部、負極集電部と同一材料すなわち銅で作られており、各集電部と各引出し電極は、半田付けにより接合した。ここでは、集電部と引出し電極が別の部品となっている場合について説明したが、Ｔ字型の集電部と引出し電極があらかじめ一体となっている部品を用いてもよい。
【００４６】
尚、正極の引出し電極及び負極の引出し電極は、絶縁被膜で覆われているものを用いた。正極の引出し電極及び負極の引出し電極は、複数の光電変換装置の単位セルにまたがっているが、絶縁被膜の存在により、隣接する光電変換装置の単位セルが引出し電極を介して短絡することはない。正極端子部の中央部付近と負極端子部の中央部付近との間にわたる状態で、光電変換装置上に絶縁膜を敷設してもよい。絶縁膜の材料としては、例えばイミド系の高分子樹脂、エポキシ系の高分子樹脂、または封止樹脂３と同じ材料が用いられる。接着力や低コスト化の観点からは、封止樹脂３と同じ材料が好ましい。絶縁膜を敷設する場合は、この後で述べる載置工程Ｓ４で行うことが、作業性の観点から望ましい。
【００４７】
次に、載置工程Ｓ４で、立ち上がり端子部が封止樹脂３、裏面保護部材４に設けられた貫通孔に通線する状態で、光電変換層２の裏面全体に、封止樹脂３、裏面保護部材４を載置する。
【００４８】
封止樹脂３として、熱可塑性樹脂を用いた。熱硬化性は有さないため、従来用いてきたＥＶＡ（エチレンビニルアセテート樹脂）のように架橋反応は必要としない樹脂である。熱可塑性を有しかつ熱硬化性は有さない樹脂の中でも特に、ＥＶＡと比較して、光電変換装置の裏面電極層として用いられる金属膜への接着力が高く、水蒸気バリア性も高いアイオノマー樹脂またはポリオレフィン系樹脂が好ましい。また封止樹脂３には、接着力を高めるために、シランカップリング剤を添加することが好ましい。
【００４９】
封止樹脂３として、厚さ３００μｍのフィルム状の樹脂を用いた。粉末状、液状のものでも、使用することは可能であるが、作業性、生産効率を考慮すると、フィルム状が望ましい。フィルムの厚さとしては、２５０〜７００μｍ程度が望ましい。正極の引出し電極、負極の引出し電極を確実に埋没させることができるからである。
【００５０】
裏面保護部材４として、厚さ３．２ｍｍの強化ガラスを用いた。長辺の長さ１．２ｍ、短辺の長さ０．６ｍの該長方形の受光面を有しており、透光性基板１と該同じ形状である。裏面保護部材４として、ガラスを用いることにより、光電変換モジュールとして十分な強度を確保できるとともに、高い耐候性、絶縁性を確保することができる。透明保護部材とは、厚さの異なるガラスを用いてもよい。倍強化ガラス、未強化ガラスを用いても良い。また、金属箔を樹脂ではさみこんだＰＥＴ／Ａｌ／ＰＥＴ（ＰＥＴ：ポリエチレンテレフタレート）の３層構造からなるフィルムを用いても良い。フィルムを用いることで軽量化が可能となる。裏面保護部材４と封止樹脂３の大きさは概ね同じである。
【００５１】
次に、封止工程Ｓ５で、封止装置であるラミネータ装置を用いて、圧力をかけながら光電変換モジュール１００を加熱し、封止した。ラミネータ装置のヒータ−板上に、透光性基板１上の光電変換層２、封止樹脂３、裏面保護部材４を載置した後、ラミネータ装置の上部室と下部室を同じ圧力で減圧した。この操作により、各接合面から空気が除去されるとともに、封止樹脂３に含まれる気泡が除去される。その後、上部室を大気に戻すことで１気圧に加圧し、加圧状態を保持した。減圧、加圧、加圧状態の保持を合わせて約６分間の工程である。
【００５２】
加熱温度は１０５℃〜１２０℃が好ましい。１０５℃より低い温度では、封止樹脂の融点より低く封止樹脂が融解しないため光電変換モジュールの封止ができない。また、１２０℃より高い温度では、封止樹脂の粘度が低くなりすぎて、光電変換モジュールの端面からはみ出し、封止樹脂が透光性基板１の受光面を汚す可能性があるからである。
【００５３】
次に、熱処理工程Ｓ６で、封止した光電変換モジュールの熱処理を行った。熱処理装置は、ＩＲ両面輻射のＩＲ炉を用いた。ＩＲ炉に限定されるものではなく、熱風を用いる熱風炉を用いても良い。
【００５４】
また、熱処理装置は、複数の光電変換モジュールを収容して一括で加熱できるバッチ処理装置とした。一度の加熱で多数の光電変換モジュールを処理できる装置を使用することで、熱処理装置の単位時間あたりの処理能力を向上できる。
【００５５】
加熱は大気雰囲気中で行なった。光電変換装置は封止され光電変換モジュールとなっているため、大気中に含まれる酸素の影響で、光電変換層の裏面電極層が酸化することは、ほとんどないためである。よって、真空引きのためのポンプや、注入ガスは不要となる。また、昇温、降温というプロセスを用いず、予め設定した加熱温度まで昇温した加熱装置に光電変換モジュールを入れ、加熱した。昇温、降温という加熱プロセスを用いないため、加熱装置にプロセス制御機能をつける必要がなく、熱処理装置の低コスト化が可能となった。
【００５６】
熱処理工程Ｓ６については、後で、詳細に説明する。
【００５７】
次に、変換効率の第２の測定工程Ｓ７で、端子ボックス１１を取り付けた後、光電変換モジュールとしての変換効率を測定した。光電変換モジュールとしての変換効率を測定することで、変換効率の低い光電変換モジュールを排除することが可能となり、製品の変換効率の安定性を向上させることができる。
【００５８】
次に、熱処理工程Ｓ６において行った光電変換モジュールへの熱処理の効果を確認するために、封止樹脂３と裏面保護部材４との間の接着力測定、および端面間距離の測定、高温高湿試験後の評価を行った。
【００５９】
実施例１として、ＩＲ炉を用いて、非晶質シリコンからなるｐｉｎ層を有する単層型の構造の光電変換装置からなる光電変換モジュールを、設定温度１６０℃で４０分間、大気中で加熱した。封止樹脂３として、アイオノマー樹脂を用いた。
【００６０】
まずは、接着力測定について説明する。引張り試験機を用いて、１８０度引っ張り試験を行い、接着力測定を行った。引張り速度は３００ｍｍ／ｍｉｎであり、試験幅は１０ｍｍとした。図３に、本実施形態において用いた引張り試験機の模式図を示す。一方がたわみ性被着材、他方が剛性被着材である２つの被着材からなる接着組立物の剥離抵抗を測定する試験機である。剛性被着材は、裏面保護部材４であるガラスである。たわみ性被着材は、封止樹脂３であるアイオノマー樹脂である。裏面保護部材４を固定具２２で固定し、封止樹脂３を引張試験機２３に固定する。引張試験機２１を引張速度制御機２３に取り付け、矢印の方向に引っ張ることにより、引張試験機２１で接着力を計測することができる。
【００６１】
該長方形の光電変換モジュールの中心部と、４箇所の角部の計５箇所で測定を行った。角部の測定は、裏面保護部材４として用いたガラスの受光側面の、長辺と短辺の交点から中心部へ向かって約５ｍｍの箇所で行った。４箇所の角部の測定で得られた最小値を、角部の接着力とした。
【００６２】
次に、裏面保護材４と封止樹脂３との間の端面間距離の測定について説明する。図４に、裏面保護部材と封止樹脂を表す図を示す。封止工程Ｓ５または熱処理工程Ｓ６後の、裏面保護部材４と封止樹脂３を封止樹脂側からみた図である。載置工程Ｓ４での、裏面保護部材と封止樹脂の大きさは概ね同じであり、端面もそろっているが、封止工程Ｓ５、熱処理工程Ｓ６の後には、封止樹脂３の大きさは、裏面保護部材の大きさより小さくなることがわかった。裏面保護部材４であるガラスの受光側面の短辺３１と長辺３２の交点３３から、封止樹脂３の端面までの距離をＬとした。封止樹脂３の端面は、光電変換モジュールの中心に最も近い箇所である。測定は、裏面保護部材の側から定規を用いて行った。
【００６３】
封止工程Ｓ５の後では、封止樹脂３の端面は、透光性基板１の端面と裏面保護部材４の端面とほぼそろっており、裏面保護部材４であるガラスの受光側面の短辺３１と長辺３２の交点３３から、封止樹脂３の端面までの距離Ｌはほぼ０ｍｍであった。これに対し、熱処理工程Ｓ６の後では、封止樹脂層３の端面は、透光性基板１の端面と裏面保護部材４の端面よりも、中心部に入り込んでいた。
【００６４】
この封止樹脂３の端面の位置の変化は、熱処理工程Ｓ６において加熱により融解した封止樹脂３であるアイオノマー樹脂が冷却過程において硬化する際に、透光性基板１と裏面保護部材４に対し垂直方向に引っ張り応力がかかると同時に、封止樹脂３そのものに平面方向の収縮力が働き、封止樹脂３が空気と接する端面を内側に引っ張ることにより生じるものと考えられる。ここで内側とは、光電変換モジュールの中心に向かう側である。このように、封止樹脂３の平面方向の収縮力により封止樹脂の端面の位置が内側に移動しない場合は、透光性基板１と裏面保護部材４のそれぞれが、もともと有する平面度を維持しようとする力が強いため、封止樹脂３の垂直方向の収縮により封止樹脂３が透光性基板１と裏面保護部材３から剥れてしまうと考えられる。換言すると、上記のような封止樹脂３の端面の位置の内側への収縮という変化により、透光性基板１と裏面保護部材４の間の接着力を強固にしているということができる。
【００６５】
さらに、モジュールの周縁部については、基板面に垂直な方向の透光性基板１と裏面保護部材４の距離が互いに近づく方向にたわみが生じ、透光性基板１と裏面保護部材４との間の距離が、中心部に比べて短くなっていた。
【００６６】
次に、光電変換モジュールに対して行った高温高湿試験について説明する。光電変換モジュールを、８５℃、８５％の環境で１０００時間保持した。本実施の形態において行った高温高湿試験は、光電変換モジュールの国際規格の１つであるＩＥＣ６１６４６を満たすものである。
【００６７】
高温高湿試験後に、裏面保護部材４と封止樹脂３との間の剥離が発生しているかどうかの確認を行った。剥離の有無については、目視、及び光学顕微鏡を用いて行った。さらに、剥離していた場合は、剥離箇所の画像データから、剥離面積を求めた。
【００６８】
高温高湿試験後に光電変換モジュールの変換効率を測定し、高温高湿試験前の変換効率と比較した。高温高湿試験前の変換効率は、変換効率の第２の測定工程Ｓ７で得られた値に該当する。
【００６９】
図５に、実施例１、比較例１、２について行った接着力測定、端面間距離測定、高温高湿試験後の評価結果について示す。比較例１は、熱処理工程Ｓ６を行っていない光電変換モジュールであり、それ以外の条件は実施例１と同じである。比較例２は、封止樹脂３として、ＥＶＡを用いており、それ以外の条件は実施例１と同じである。
【００７０】
実施例１と比較例１を比較すると、封止工程の後に熱処理を行うことで、中心部、角部ともに接着力の向上がみられた。これは封止樹脂３であるアイオノマー樹脂の親水基と、裏面封止材４であるガラス表面の親水基との水素結合が、加熱による脱水反応により共有結合となり、より強固な結合となったため、接着力が高くなったためと考えられる。特に角部においての、接着力の向上が顕著であった。これは封止樹脂３の端面の位置の内側への収縮という変化により、透光性基板１と裏面保護部材４の間の接着力を強固にしている効果との相乗効果であると推測される。
【００７１】
実施例１と比較例１を比較すると、高温高湿試験による変換効率の低下は、実施例１の方が小さかった。アイオノマー樹脂は、架橋反応が不要な樹脂であるが、加熱処理を施すことにより、接着力の向上に加えて高温高湿耐性の向上という効果を得ることができることがわかった。実施例１と比較例２を比較しても、変換効率の低下は、実施例１の方が小さかった。封止材料３としてアイオノマー樹脂を用いた方が、ＥＶＡを用いた場合と比較して、高い高温高湿耐性が得られるということがわかった。これは、アイオノマー樹脂がＥＶＡよりも透湿性が小さいためと考えられる。
【００７２】
実施例１においては、端面間距離は２．４ｍｍであり、比較例１の場合と比較して大きい。熱処理工程を行うことにより、端面間距離が大きくなっていることがわかる。端面間距離に関しては、実施形態３及び４で詳しく述べる。
【００７３】
本実施形態においては、封止樹脂３として、アイオノマー樹脂を用いた場合について述べたが、ポリオレフィン樹脂を用いた場合も同様の効果が得ることができる。
【００７４】
本実施形態においては、裏面保護部材４としてガラスを用いた場合について述べたが、フィルムを用いてもよい。フィルムの封止樹脂と接する面には、親水基があり、ガラスの場合と同様の効果を得ることができる。コロナ処理等を行うことにより、親水基を増やしたフィルムを用いれば、さらに高い接着力を得ることができる。
【００７５】
〔実施形態２〕
本発明の別の例を、実施形態２を用いて示す。実施例２の実施例１と異なる点は、半導体層が単層型ではなく、積層型である点である。積層型は、非晶質シリコンからなるｐｉｎ層が順次積層された構造と、微結晶シリコンからなるｐｉｎ層が順次積層された構造を組み合わせた構造を有している。半導体層の膜厚は、２μｍとした。半導体層の膜厚としては、６００ｎｍ〜４μｍが望ましい。
【００７６】
図６に、実施例２、比較例３、４について行った接着力測定、端面間距離測定、高温高湿試験後の評価結果について示す。比較例３は、熱処理工程Ｓ６を行っていない光電変換モジュールであり、それ以外の条件は実施例１と同じである。比較例４は、封止樹脂３として、ＥＶＡを用いており、それ以外の条件は実施例２と同じである。尚、説明のため、実施例１と比較例１も記載した。
【００７７】
まず、比較例１と比較例３を比較する。比較例１と比較例３は、半導体層が非晶質の単層型か非晶質と結晶質との積層型かの違いだけであり、他の条件は同じである。熱処理は行っていない。積層型の比較例３の方が、単層型の比較例１よりも接着力が小さかった。さらに、高温高湿試験後に、単層型では剥離が起きていなかったが、積層型では剥離が起きた。これらのことより、半導体層を積層型とした場合、単層型の場合と比較して、封止樹脂３と裏面保護材４との間で剥離が起こりやすいといえる。これは、積層型の方が半導体層の膜厚が厚く、膜応力が大きいことに起因すると考えられる。また、わずかではあるが、封止樹脂３と透光性基板１との間でも剥離が起きた。これは第三分離ラインからの剥離であり、これも積層型の方が半導体層の膜厚が厚く、膜応力が大きいことに起因すると考えられる。
【００７８】
次に、実施例２と実施例１を比較すると、積層型と単層型の違いがあっても、同程度の接着力が得られていることがわかる。また、実施例２は、高温高湿試験後の剥離が発生しておらず、変換効率も低下していない。
【００７９】
実施例１、２及び比較例１、３より、半導体層を積層型とすると剥離が発生しやすいが、熱処理を行うことで、単層型と同程度の接着力が得られるようになったことがわかった。言い換えると、熱処理の効果は、積層型の方が大きいことがわかった。
【００８０】
熱処理による封止樹脂の接着力の向上は、封止樹脂３と裏面保護部材４の間の接着面だけでなく、封止樹脂３と透明電極層５の間の接触面においてもおきていると考えられる。透明電極層５は、酸化物からなる電極層である。封止樹脂の親水基と透明電極層の親水基との水素結合が、加熱による脱水反応により共有結合となり、より強固な結合となり接着力が高くなるからである。封止樹脂３と透明電極層５の間の接触面は、第３分離ラインにより構成されており、熱処理時に十分に融解した封止樹脂が、第３分離ラインに隙間なく充填されることにより、第三分離ラインの接着力が強固になったと考えられる。第三分離ラインは光電変換モジュール全体に等間隔で配置されており、接着力が大きくなった箇所が分布していることにより、応力による剥がれを抑える働きがあると考えられる。そのため、単層型より応力の強い積層型での効果が大きいと考えられる。この効果によりわずかにあった第三分離ラインからの剥離もなくなったと考えられる。
【００８１】
また、積層型のほうが、単層型と比較して高い変換効率を得ることができる。熱処理により、高温高湿試験による剥離や、変換効率の低下という問題を解決することができ、光電変換モジュールを長期間使用した際にも、高い信頼性と高い変換効率を得ることが可能となった。
【００８２】
比較例３において、光電変換モジュール全体の面積０．７２ｍ２に対して、剥離箇所の面積は２００００ｍｍ２であり、面積全体の２．８％が剥離していることになる。この剥離面積の割合２．８％に対して、高温高湿試験後の変換効率は、４．３％低下している。剥離箇所があると受光面積が減るため、短絡電流値は小さくなる。
【００８３】
隣合う光電変換層が直列に接続された集積型構造であるため、光電変換モジュールの短絡電流値は、各光電変換層の中に小さい短絡電流値の光電変換層があると、その影響を受けて、短絡電流値が小さくなる。
【００８４】
つまり、集積型構造を用いているため、剥離箇所の影響が大きくなる。光電変換モジュールの面積が大きくなればなるほど、同面積の剥離が光電変換モジュール１枚全体の出力全体に与える影響が大きくなる。実施例２で示したように、熱処理を行うことにより、剥離はなくなる。よって、光電変換モジュールの面積が大きくなればなるほど、熱処理による剥離抑制効果が光電変換モジュール１枚全体の出力向上により大きく寄与することになる。したがって、熱処理による出力向上効果は光電変換モジュールの面積が大きいほど高くなり、かつ、光電変換モジュールの生産性の観点でも、１回の熱処理工程で処理できる光電変換モジュールの面積は大きいほど望ましいが、光電変換モジュールの太陽電池としての設置・施工性の観点では、人が運搬できる寸法・重量によって上限が存在する。上記の観点から、光電変換モジュール面積は０．６ｍ２以上１．５m2以下が好ましい。
【００８５】
〔実施形態３〕
本発明の別の例を、実施形態３を用いて示す。実施形態３の実施形態１と異なる点は、熱処理温度を変えた点である。
【００８６】
図７に、熱処理工程Ｓ６における熱処理温度を変えた場合の、接着力測定、端面間距離測定、絶縁耐性、高温高湿試験後の評価結果について示す。接着力と、高温高湿試験前後の変換効率比等について、実施例２〜実施例８を用いて示す。熱処理時間はいずれも４０分とし、熱処理温度を１４０℃から２００℃の範囲で変えた。半導体層としては、積層型の光電変換装置を用いていた。比較例３は、熱処理を行っていない場合である。
【００８７】
また、光電変換モジュールに枠体をつけたあとに、絶縁試験を行った。１０００Ｖの耐電圧を保証するためである。光電変換モジュールの絶縁耐性が得られた場合は○、得られなかった場合は×で示した。
【００８８】
実施例２〜実施例８を比較すると、１４０℃で熱処理を行った実施例３でのみ、高温高湿試験後の剥離が発生しており、１５０℃以上では発生していないことがわかった。さらに、接着力も１５０℃以上で大きくなっている。また、熱処理温度１９０℃以上で熱処理を行った実施例７及び実施例８においては、絶縁試験を行った結果、絶縁耐性が得られないことがわかった。よって、熱処理温度は、１５０℃以上１９０℃以下が望ましい。
【００８９】
この結果について、図８に基づいて考察する。図８に、角部の接着力Ｆａの中心部の接着力Ｆｂに対する割合Ｆａ／Ｆｂの熱処理温度依存性、および端面間距離の熱処理温度依存性を示す。図８より、熱処理温度が増加するにつれて、Ｆａ／Ｆｂが1に近づき、また端面間距離が大きくなっていることがわかる。Ｆａ／Ｆｂが1に近づくとは、言い換えると角部の接着力が中心部の接着力同等まで大きくなることである。これらは、下記の理由によると考えられる。
【００９０】
大面積の光電変換装置の熱処理装置において不可避な面内温度分布が存在するが、熱処理温度の上昇に伴い、面内温度分布は低減される。その結果として、角部と中心部の処理温度の差がなくなり、角部と中心部の接着力の差がなくなったものと考えられる。それに伴い、角部の収縮力増加に伴う端面間距離の増加、すなわち封止樹脂の端面の位置の内側への収縮が生じていると推測される。
【００９１】
上記の１５０℃以上１９０℃以下の熱処理による剥離抑制効果は、図８にて熱処理温度が１５０℃以上のときにＦａ／Ｆｂが８０％よりも大きくなっていることが一因であると考えられ、この場合に光電変換モジュールの角部の接着力が向上していることは、端面間距離が１ｍｍ以上となっていることからも明らかである。したがって、Ｆａ／Ｆｂは８０％以上１００％以下が好ましいといえ、端面間距離は１ｍｍ以上１２ｍｍ以下が好ましいといえる。
【００９２】
実施例２〜実施例８、及び比較例３の高温高湿試験前の変換効率を比較すると、熱処理を行っていない比較例３の変換効率と比べて、１５０℃以上１９０℃以下の温度で熱処理を行った場合に、高い変換効率が得られていることがわかった。熱処理工程Ｓ６の副次的な効果として、変換効率が向上することがわかった。
【００９３】
１５０℃以上の熱処理により変換効率が向上する理由の１つは、半導体層のｐ層、ｎ層に含まれるドーパントが活性化し、内部電界が大きくなることによってキャリア収集率が向上したことであると考えられる。また、裏面電極層７として、透明導電膜であるＺｎＯと裏面金属膜であるＡｇの積層膜を用いた場合、熱処理により変換効率が向上した理由として、裏面電極層７の透明導電膜の屈折率が変化し、半導体層６と裏面電極層７の透明導電膜の間、又は、裏面電極層７の、透明導電膜と裏面金属膜との間の界面での反射率が上がったこと、裏面金属膜の凝集によって反射率があがったこと、透明導電膜の吸収率が小さくなることによって透明導電膜での光損失が低減したこと、透明導電膜のキャリア濃度が増加し、半導体層と透明導電膜との界面抵抗、透明導電膜と金属膜との界面抵抗が減少したことが考えられる。２００℃以上で出力電力の低下がみられるのは、実質的に真性な非晶質シリコンの半導体層に過剰な熱が加わったことによる欠陥の増加に起因するものと考えられる。
【００９４】
変換効率の向上が特に大きいのは、熱処理温度１６０℃〜１８０℃であった。１６０℃〜１８０℃の温度領域において、先述の効果が大きくあらわれたものと考えられる。
【００９５】
よって、光電変換装置を用いた場合、光電変換モジュールの熱処理工程Ｓ６における熱処理温度は、１５０℃〜１９０℃が望ましい。十分な接着力が得られるとともに、変換効率が低下しない温度範囲であるからである。さらに望ましいのは、１６０℃〜１８０℃である。熱処理により、顕著な変換効率の向上がみられるからである。
【００９６】
〔実施形態４〕
本発明の別の例を、実施形態４を用いて示す。実施形態４の実施形態１と異なる点は、熱処理時間を変えた点である。
【００９７】
図９に、熱処理工程Ｓ６における熱処理時間を変えた場合の、接着力測定、端面間距離測定、絶縁耐性、高温高湿試験後の評価結果について、実施例２と、実施例９〜実施例１５を用いて示す。熱処理温度はいずれも１６０℃とし、熱処理時間を５分から７０分の範囲で変えた。
【００９８】
熱処理時間が５分、１０分の場合の実施例９、実施例１０においては、高温高湿試験後に剥離が発生しているが、熱処理時間を２０分以上とした場合には、剥離は発生していない。また、中心部及び角部の接着力も、大きくなっている。よって、熱処理時間を２０分以上とすることで、十分な接着力が得られたことがわかる。２０分以上、熱処理を行うことで、封止樹脂に十分な脱水反応がおこったと推測される。
【００９９】
熱処理時間が６０分以内の場合は、絶縁耐性に問題は生じなかったが、熱処理時間を７０分とした実施例１５では、絶縁耐性に問題が発生している。実施例１５においては１２．６ｍｍの収縮がおきており、端面での絶縁機能が不十分になったためと考えられる。よって、熱処理時間は６０分以内が好ましい。
【０１００】
比較例３と比べると、いずれの実施例も、高温高湿試験後にも高い変換効率が得られていることがわかる。変換効率は４０分以上で、特に高くなっている。これは、先に述べた半導体層の膜質の変化や裏面電極層の膜質の変化により変換効率が顕著にあがったことが考えられる。変換効率の顕著な向上がみられるのは、４０分以上である。また、生産効率の観点から考えると熱処理時間は短いほうが好ましく、５０分以下が好ましい。よって、光電変換装置を用いた場合、加熱時間は、４０分以上５０分以下がさらに好ましいといえる。
【０１０１】
図１０に、角部の接着力Ｆａの中心部の接着力Ｆｂに対する割合Ｆａ／Ｆｂの熱処理時間依存性、および端面間距離の熱処理時間依存性を示す。図１０より、熱処理時間が増加するにつれて、Ｆａ／Ｆｂが1に近づき、また端面間距離が大きくなっていることがわかる。Ｆａ／Ｆｂが1に近づくとは、言い換えると角部の接着力が中心部の接着力同等まで大きくなったことである。これらは、図８を用いて説明した場合と同様に、熱処理時間が増加するにつれて、面内温度分布が低減されたことに起因すると考えられる。
【０１０２】
上記の２０分以上の熱処理による剥離抑制効果は、図１０にて熱処理時間が２０分以上のときにＦａ／Ｆｂが７０％よりも大きくなっていることが一因であると考えられ、この場合に光電変換モジュールの角部の接着力が向上していることは、端面間距離が１ｍｍ以上となっていることからも明らかである。したがって、Ｆａ／Ｆｂは７０％以上１００％以下が好ましいといえ、端面間距離は１ｍｍ以上１２ｍｍ以下が好ましいといえる。
【０１０３】
図８および図１０ともに、Ｆａ／Ｆｂが約７０％以上の範囲において、端面間距離が１ｍｍ以上となっている。さらに、図７および図９より、この範囲において、高温高湿試験での試験後剥離面積が小さく抑えられている。よって、角部と中心部の接着力の差がなくなることにより、信頼性の向上を達成しているといえる。また、絶縁耐性の観点から、端面間距離は１２ｍｍ以下がのぞましい。
【０１０４】
図１１に、熱処理工程Ｓ６における熱処理時間をさらに細かく変えた場合の、端面間距離測定、絶縁耐性、高温高湿試験後の評価結果について、実施例１０、１１と、実施例１４〜実施例２１を用いて示す。熱処理温度はいずれも１６０℃とした。
【０１０５】
端面間距離が０．２ｍｍ、０．４ｍｍ、０．６ｍｍ、０．７ｍｍ、０．９ｍｍである実施例９、１０、１６、１７、１８においては、高温高湿試験後に剥離が発生しているが、熱処理時間が２０分以上、端面間距離が１．０ｍｍ以上である場合、剥離は発生していない。つまり、１ｍｍ以上の端面間距離の大きさがない場合、十分な接着力が得られていないといえる。よって、端面間距離と接着力との間には相関関係があり、端面間距離１．０ｍｍ以上が望ましいといえる。
【０１０６】
熱処理時間が７０分以上の場合は、十分な絶縁耐性が得られていない。このときの、端面間距離は１２．１ｍｍである。封止樹脂は絶縁物であるので、光電変換モジュールの絶縁耐性に寄与している。端面間距離が大きくなった場合、周縁部の絶縁物の絶対量が減ることになるため、光電変換モジュールの周縁部で十分な絶縁性能が確保できなくなったためと考えられる。
【０１０７】
以上の理由からも、端面間距離は、１．０ｍｍ以上１２．０ｍｍ以下が望ましいといえる。
【０１０８】
〔実施形態５〕
本発明の別の例を、実施形態５を用いて示す。実施形態５の実施形態１と異なる点は、熱処理工程Ｓ６において、封止工程Ｓ５で用いたラミネータ装置をそのまま用いて熱処理を行った点である。ラミネータ装置を用いて、減圧、加熱を行い、そのままラミネータ装置からはださず、熱処理を行った場合も、同様の効果が得られた。封止工程Ｓ５と熱処理工程Ｓ６を、同じラミネータ装置で行うことで、製造プロセスを簡便にできる。
【０１０９】
以上、実施形態１から実施形態５について具体的に説明を行ったが、本発明はそれらに限定されるものではない。上述した４つの実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【０１１０】
さらに、ここで開示された実施形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明は、光電変換モジュール、及び光電変換モジュールの製造方法全般に広く適用することができる。
【符号の説明】
【０１１２】
１００  光電変換モジュール
１  透光性基板
２  光電変換層
３  封止樹脂
４  裏面保護部材
５  透明電極層
６  半導体層
７  裏面電極層
８  集電部
１１  第１分離ライン
１２  第２分離ライン
１３  第３分離ライン
１４  トリミング領域
２１  引張試験機
２２  固定具
２３  引張速度制御機
３１  短辺
３２  長辺
３３  交点
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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