(57)【要約】【課題】従来に比べてプローブ装置における電気的な経路を短くすることができ、電気的な抵抗等を減少させて、精度良く検査を実施することのできるプローブ装置を提供する。【解決手段】載置台と、載置台の半導体ウエハの載置面に形成された載置台電極と、複数のプローブを有するプローブカードと、載置台を駆動する駆動機構と、載置台の上方に配設され環状に形成された電極板と、上面に凹凸が形成され電極板に当接される当接部と、当接部の下側に当接部と一体に構成され載置台電極と電気的に接続されたケーブルを接続するためのケーブル接続部とを有し、ケーブル接続部の下方に配設された付勢部材によって当接部とケーブル接続部とが上下動自在に構成され、載置台の側方に配設されたコンタクトプローブとを具備し、載置台を上昇させて半導体デバイスの電極にプローブを接触させた際に、コンタクトプローブの当接部と電極板とを当接可能とされている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハに形成された半導体デバイスと電気的な接続を形成し、テスタにより電気的な検査を行うプローブ装置であって、
前記半導体ウエハを載置するための載置台と、
前記載置台の前記半導体ウエハの載置面に形成され、前記半導体デバイスの裏面側に形成された裏面側電極と接触される載置台電極と、
前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続される複数のプローブを有するプローブカードと、
前記載置台を駆動し、当該載置台に載置された前記半導体ウエハの前記半導体デバイスの電極に前記プローブを接触させる駆動機構と、
前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続される電極板と、
上面に凹凸が形成され前記電極板に当接される当接部と、前記当接部の下側に当該当接部と一体に構成され前記載置台電極と電気的に接続されたケーブルを接続するためのケーブル接続部とを有し、前記ケーブル接続部の下方に配設された付勢部材によって前記当接部と前記ケーブル接続部とが上下動自在に構成され、前記載置台の側方に配設されたコンタクトプローブとを具備し、
前記載置台を上昇させて前記半導体デバイスの電極に前記プローブを接触させた際に、前記コンタクトプローブの前記当接部と前記電極板とを当接させ、前記裏面側電極と前記テスタとの電気的な接続を行う
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項２】
請求項１記載のプローブ装置であって、
前記コンタクトプローブが、前記載置台の周方向に間隔を設けて複数配設されている
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載のプローブ装置であって、
前記コンタクトプローブを上下動させる昇降機構を具備した
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項４】
請求項３記載のプローブ装置であって、
昇降機構は、前記コンタクトプローブの高さを多段階で調整可能とされている
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項５】
請求項１〜４いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記当接部が円板状に形成され前記当接部の直下に直方体形状の前記ケーブル接続部が配設され、前記ケーブル接続部の側面に前記ケーブルを接続するためのねじ部が配設されている
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項６】
請求項１〜５いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記当接部及び前記ケーブル接続部の表面に金メッキ層が形成されている
ことを特徴とするプローブ装置。
【請求項７】
請求項１〜６いずれか１項記載のプローブ装置であって、
前記当接部の側面と前記ケーブル接続部の側面との間の抵抗値が０．１ｍΩ以下である
ことを特徴とするプローブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プローブ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では、半導体ウエハに形成された半導体デバイスの電気的な検査を行うためのプローブ装置が用いられている。このようなプローブ装置では、載置台（チャックトップ）に半導体ウエハを載置し、載置台を駆動すること等により、半導体ウエハの半導体デバイスの電極にプローブを接触させて電気的な導通を得る構成となっている。そして、測定器（テスタ）からプローブを介して半導体デバイスに所定の検査信号を印加し、半導体デバイスからの出力信号を検出して半導体デバイスの検査を行うようになっている。
【０００３】
また、半導体ウエハの裏面側に電極を有する半導体デバイス、例えば、裏面側にコレクタ電極が形成されたパワーデバイス等の電気的な検査を行うプローブ装置では、載置台（チャックトップ）の載置面に載置台電極として金等の導電性金属からなる導体膜電極等を形成し、この導体膜電極と半導体ウエハの裏面側の電極とを接触させて電気的な導通を得るものが知られている。パワーデバイスは、通常の半導体デバイスと比べて高耐圧化、大電流化され、また用途に応じて高速、高周波化されている。パワーデバイスとしては、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、ダイオード、パワートランジスタ、パワーＭＯＳ−ＦＥＴ、サイリスタ等がある。これらのパワーデバイスは、それぞれの電気的特性（静特性、動特性）の測定により良品が選別される。
【０００４】
また、上記のパワーデバイス等の電気的な検査を行うプローブ装置では、導体膜電極とテスタとをケーブル等で電気的に接続すると、載置台が駆動される都合上ケーブルの長さが長くなりその抵抗やインダクタンスが増えるという問題がある。このため、導体膜電極と電気的に接続されたポゴピンを載置台の側面に配設し、ポゴピンを上方に配設した環状の電極板に接触させて電気的な導通を得る構成のプローブ装置も知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１３８８６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記のように従来から、パワーデバイス等の電気的な検査を行うプローブ装置では、載置台の載置面に形成された導体膜電極と電気的に接続されたポゴピン等を介して電気的な接続を得ることが行われている。
【０００７】
しかしながら、パワーデバイス等の電気的な検査を行う場合、大電流を流す必要等があるため、プローブ装置における電気的な経路が長く、その抵抗やインダクタンスが大きいと、電流に対する負荷が大きくなる。また、高周波信号を印加した場合に出力波形が鈍り、正確な検査が行えなくなる。このため、プローブ装置における電気的な経路をできる限り減少させ、電気的な抵抗等を減少させることが好ましい。
【０００８】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたものであり、従来に比べてプローブ装置における電気的な経路を短くすることができ、電気的な抵抗等を減少させて、精度良く検査を実施することのできるプローブ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のプローブ装置の一態様は、半導体ウエハに形成された半導体デバイスと電気的な接続を形成し、テスタにより電気的な検査を行うプローブ装置であって、前記半導体ウエハを載置するための載置台と、前記載置台の前記半導体ウエハの載置面に形成され、前記半導体デバイスの裏面側に形成された裏面側電極と接触される載置台電極と、前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続される複数のプローブを有するプローブカードと、前記載置台を駆動し、当該載置台に載置された前記半導体ウエハの前記半導体デバイスの電極に前記プローブを接触させる駆動機構と、前記載置台の上方に配設され、前記テスタと電気的に接続される電極板と、上面に凹凸が形成され前記電極板に当接される当接部と、前記当接部の下側に当該当接部と一体に構成され前記載置台電極と電気的に接続されたケーブルを接続するためのケーブル接続部とを有し、前記ケーブル接続部の下方に配設された付勢部材によって前記当接部と前記ケーブル接続部とが上下動自在に構成され、前記載置台の側方に配設されたコンタクトプローブとを具備し、前記載置台を上昇させて前記半導体デバイスの電極に前記プローブを接触させた際に、前記コンタクトプローブの前記当接部と前記電極板とを当接させ、前記裏面側電極と前記テスタとの電気的な接続を行うことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、従来に比べてプローブ装置における電気的な経路を短くすることができ、電気的な抵抗等を減少させて、精度良く検査を実施することのできるプローブ装置を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係るプローブ装置の全体構成を模式的に示す図。
【図２】図１のプローブ装置の要部構成を模式的に示す図。
【図３】図１のプローブ装置の要部構成を模式的に示す図。
【図４】図１のプローブ装置の要部構成を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１３】
図１は、本発明の一実施形態に係るプローブ装置１００の全体構成を模式的に示す図であり、図２はプローブ装置１００の要部構成を模式的に示す図である。図１に示すように、プローブ装置１００は、測定部１１０と、搬送ユニットであるローダー部１５０とからその主要部が構成されている。測定部１１０には、ｘ−ｙ−ｚ-θ方向に移動可能とされ、半導体ウエハＷが載置される載置台１１１が設けられており、載置台１１１を駆動機構１１２により駆動することによって、プローブカード２１０に配設されたプローブ２１１（図２参照。）と、半導体ウエハＷに複数形成された半導体デバイスの電極とを接触させて、半導体デバイスの電気的特性を測定するよう構成されている。
【００１４】
ローダー部１５０には、その前方側（図１中下側）に、半導体ウエハＷを収容するウエハキャリア（ウエハカセット又はフープ）１５１が載置されるロードポート１５２が配設されており、このロードポート１５２に隣接してウエハ搬送機構１６０が配設されている。また、ローダー部１５０の後方側（図１中上側）には、位置合わせ機構１７０が配設されている。位置合わせ機構１７０は、半導体ウエハＷを回転させてノッチの位置と半導体ウエハＷの偏芯の状態を検出するよう構成されている。
【００１５】
ウエハ搬送機構１６０は、半導体ウエハＷを真空吸着して搬送するためのウエハ搬送アーム１６１を具備している。このウエハ搬送アーム１６１には、半導体ウエハＷを真空吸着するための吸着部（吸着パッド）１６２が複数（本実施形態では２つ）配設されている。これらの吸着部１６２には、真空ポンプ等の吸引源に接続された真空ライン（図１には図示せず。）が接続されている。なお、ウエハ搬送アーム１６１は、必要に応じて例えば上下に重ねて複数配設される。
【００１６】
ウエハ搬送機構１６０は、ウエハ搬送アーム１６１を進退及び旋回させることによって、ロードポート１５２に載置されたウエハキャリア１５１と、位置合わせ機構１７０と、測定部１１０の載置台１１１との間で半導体ウエハＷを搬送する。
【００１７】
ロードポート１５２は、上下動機構によって上下動自在とされており、ロードポート１５２とウエハ搬送機構１６０との間には、支持フレーム１５３が配設されている。この支持フレーム１５３には図示しない光学検出器が配設されている。そして、ロードポート１５２に載置されたウエハキャリア１５１を上下動させながら、この光学検出器で半導体ウエハＷの有無を検出することにより、ウエハキャリア１５１内のどのスロットに半導体ウエハＷが配置されているかを検出できるようになっている。
【００１８】
図２に示すように、プローブカード２１０は、載置台１１１の上方に位置するように、クランプ機構（図示せず。）を介して測定部１１０の上面を構成するヘッドプレート１１０Ａに固定されている。プローブカード２１０には複数のプローブ２１１が配設されており、これらのプローブ２１１は、テスタ３００と電気的に接続される。
【００１９】
また、載置台１１１の半導体ウエハＷの載置面及び載置台１１１の側面の上側部分には、載置台電極として金等の導電体金属からなる導体膜電極２２０（図２には太線で示してある。）が形成されている。また、載置台１１１には、図示しないバキュームチャック及び温度調節機構が配設されており、載置台１１１に載置された半導体ウエハＷを吸着し、所望の温度に温調できる構成となっている。
【００２０】
プローブカード２１０と載置台１１１との間には、電極板２２１が配設されている。この電極板２２１は、テスタ３００と電気的に接続される。また、載置台１１１の側壁部分にはコンタクトプローブ２２２が複数（本実施形態では１８０°離間した位置に合計２つ）配設されている。このコンタクトプローブ２２２は、導体膜電極２２０と電気的に接続されており、載置台１１１を上昇させた際に、コンタクトプローブ２２２と電極板２２１が当接することによって、導体膜電極２２０とテスタ３００とが電気的に接続された状態となるように構成されている。なお、電極板２２１は、載置台１１１を駆動して半導体ウエハＷの表面側の電極にプローブ２１１を接触させた際に、いずれの位置においてもコンタクトプローブ２２２が電極板２２１に当接可能な形状とされており、例えば、環状あるいは２つのコンタクトプローブ２２２が夫々当接されるように２つに分割された形状等とすることができる。
【００２１】
図３に示すように、コンタクトプローブ２２２には、その頂部に円板状の当接部２２２ａが配設されており、当接部２２２ａの上面には、凹凸が形成されている。当接部２２２ａの直下には、直方体形状とされたケーブル接続部２２２ｂが配設されており、これらの当接部２２２ａとケーブル接続部２２２ｂは、例えば、真鍮等の金属から一体に構成されている。すなわち、１つの金属材料から切削加工等によって当接部２２２ａとケーブル接続部２２２ｂが形成されている。
【００２２】
また、当接部２２２ａとケーブル接続部２２２ｂの表面には、厚さが例えば０．３μｍ〜０．５μｍ程度の金メッキ層が形成されている。なお、金メッキ層の下層には、厚さが例えば３μｍ程度の無電解ニッケルメッキ等からなる中間メッキ層が形成されている。
【００２３】
図４に示すように、ケーブル接続部２２２ｂの側壁部には、長手方向の両側端部に位置するように２つのネジ穴２２２ｃが形成されている。そして、これらのネジ穴２２２ｃにネジ２２３（図３参照。）を螺合させるとともに、載置台１１１の導体膜電極２２０の部分に形成されたネジ穴（図示せず。）にネジ２２４を螺合させ、これらのネジ２２３、ネジ２２４によってケーブル２２５の導体を固定することによって、導体膜電極２２０とコンタクトプローブ２２２とが電気的に接続されている。
【００２４】
ケーブル接続部２２２ｂの下側には、円柱部２２２ｄが形成されており、この円柱部２２２ｄは、円筒部材２２２ｅ内に収容されている。そして、この円筒部材２２２ｅ内に配設されたコイルスプリング等の付勢部材（図示せず。）によって、円筒部材２２２ｅに対して当接部２２２ａ及びケーブル接続部２２２ｂ等が上側に向けて付勢された状態となっている。そして、図４中矢印で示すように、当接部２２２ａ及びケーブル接続部２２２ｂ等が円筒部材２２２ｅに対して上下方向に移動可能となっている。これによって、当接部２２２ａを電極板２２１当接させた際に、当接部２２２ａが電極板２２１に対して弾性的に押圧された状態で当接するように構成されている。
【００２５】
上記のように、本実施形態のプローブ装置１００では、コンタクトプローブ２２２の当接部２２２ａの直下にケーブル接続部２２２ｂが配設されている。また、当接部２２２ａとケーブル接続部２２２ｂとは、一体に構成されており、これらの間に当接部２２２ａを弾性的に電極板２２１に接触させるための摺動部等が介在しない構成となっている。さらに、これらの当接部２２２ａとケーブル接続部２２２ｂの表面には金メッキ層が形成されている。
【００２６】
これによって、当接部２２２ａとケーブル接続部２２２ｂとの間の電気経路を短くすることができ、電気抵抗が増大すること及びインダクタンスが増大することを抑制することができる。例えば、当接部２２２ａの側壁部とケーブル接続部２２２ｂのねじ穴２２２ｃが形成された側壁部との間の電気抵抗を測定した結果、０．０６ｍΩであった。これに対して、当接部とケーブル接続部とが別部品で構成され、当接部とケーブル接続部との間に当接部を可動とするための摺動部が介在する構成とした場合には、電気抵抗は、２．２０ｍΩであった。
【００２７】
そして、ケーブル接続部２２２ｂと導体膜電極２２０とが電気抵抗の少ない長さの短いケーブル２２５によって電気的に接続されているので、導体膜電極２２０とテスタ３００との間の電気抵抗を従来に比べて大幅に低減することができる。また、電気経路が短いのでインダクタンス成分も少なくすることができる。このため、本実施形態のプローブ装置１００を用いて、例えばダイオードの逆電流を測定した際に、パッケージ後のパワーデバイスよりも、ウエハ状態において波形の鈍りの少ない測定結果を得ることができた。
【００２８】
図３に示すように、載置台１１１の側壁部には、アルミニウム等から構成されたストッパアンドガイドブロック２２６が固定されている。また、載置台１１１の下部には、ステンレス鋼等からなるベースブロック２２７が配設されており、コンタクトプローブ２２２は、このベースブロック２２７上に、例えば、ＰＥＥＫ等の樹脂からなるプローブガイドブロック２２８、例えば、アルミニウム等からなるプローブ押え２２９等を介して係止されている。
【００２９】
さらに、ベースブロック２２７の下部には、コンタクトプローブ２２２を上下動させるための昇降機構２３０が配設されている。この昇降機構２３０は、コンタクトプローブ２２２を上下動させて、載置台１１１を上昇させて半導体ウエハＷの表面側の電極にプローブ２１１を接触させた際に、当接部２２２ａが電極板２２１に接触する上昇位置と、当接部２２２ａが電極板２２１に接触しない下降位置との間で移動させる。
【００３０】
また、昇降機構２３０は、上記した上昇位置と下降位置との間で、多段階にコンタクトプローブ２２２の上下方向の位置を変更可能とされている。これによって、当接部２２２ａと電極板２２１との当接状態を、最適な状態に調整可能となっている。
【００３１】
次に、上記構成のプローブ装置１００による半導体ウエハＷの検査手順について説明する。ローダー部１５０のロードポート１５２に半導体ウエハＷを収容したウエハキャリア１５１が載置されると、まず、上下動機構によってウエハキャリア１５１上下動させ、光学検出器によって半導体ウエハＷがどのスロットに収容されているかを検出する。
【００３２】
次に、半導体ウエハＷをウエハ搬送機構１６０のウエハ搬送アーム１６１に吸着して、位置合わせ機構１７０に搬送する。そして、位置合わせ機構１７０によって半導体ウエハＷのノッチを検出して半導体ウエハＷの位置を検知する。
【００３３】
次に、位置合わせ機構１７０による位置検出の終了した半導体ウエハＷを、ウエハ搬送機構１６０のウエハ搬送アーム１６１によって、位置合わせ機構１７０から取り出し、測定部１１０の載置台１１１上に半導体ウエハＷを載置する。
【００３４】
そして、載置台１１１上の半導体ウエハＷの半導体デバイスにプローブ２１１を当接させて、テスタ３００と半導体ウエハＷの表面側の電極との電気的な導通を得るとともに、コンタクトプローブ２２２の当接部２２２ａを電極板２２１に接触させてテスタ３００と半導体ウエハＷの裏面側の電極との電気的な導通を得る。この状態で、テスタ３００から半導体デバイスにテスト信号を供給するとともに、半導体デバイスからの出力信号を測定することによって、半導体デバイスの電気的な特性の検査を行う。
【００３５】
半導体ウエハＷの半導体デバイスの電気的な状態の検査が終了すると、載置台１１１上の半導体ウエハＷを、ウエハ搬送機構１６０のウエハ搬送アーム１６１によって取り出し、ウエハキャリア１５１に収容する。
【００３６】
以上本発明を実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、各種の変形が可能であることは勿論である。
【符号の説明】
【００３７】
１００……プローブ装置、１１０……測定部、１１１……載置台、１５０……ローダー部、１５１……ウエハキャリア、１５２……ロードポート、１５３……支持フレーム、１６０……ウエハ搬送機構、１６１……ウエハ搬送アーム、１６２……吸着部、１７０……位置合わせ機構、２２０……導体膜電極、２２１……電極板、２２２……コンタクトプローブ、２２２ａ……当接部、２２２ｂ……ケーブル接続部、２２２ｃ……ネジ穴、２２２ｄ……円柱部、２２２ｅ……円筒部材、２２３，２２４……ネジ、２２５……ケーブル、２２６……ストッパアンドガイドブロック、２２７……ベースブロック、２２８……プローブガイドブロック、２２９……プローブ押え、２３０……昇降機構、３００……テスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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