(57)【要約】【課題】  半導体レーザに関し、位相シフト領域を設けることなく発振モードを安定にして、光取り出し効率を向上する。【解決手段】  一定の周期の回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザ領域の少なくとも一方の端面側に、実効的な回折格子周期及び結合係数が共振器方向に沿って変化している回折格子を備えた分布反射鏡領域を設ける。【選択図】        図１
2014017347.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一定の周期の回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザ領域と
前記分布帰還型半導体レーザ領域の少なくとも一方の端面側に設けられ、実効的な回折格子周期及び結合係数が共振器方向に沿って変化している回折格子を備えた分布反射鏡領域と
を有することを特徴とする半導体レーザ。
【請求項２】
前記分布反射鏡領域の実効的な回折格子周期が前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って長くなるように、且つ、前記回折格子の結合係数が前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って大きくなるように変化していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。 
【請求項３】
前記分布反射鏡領域の導波路が共振器方向に沿って湾曲していることで、前記分布反射鏡領域の回折格子周期が実効的に変化していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項４】
前記分布反射鏡領域の回折格子形成層の屈折率が、前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って大きくなるように変化していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項５】
前記分布反射鏡領域の回折格子の高さが、前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って高くなるように変化していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【請求項６】
前記分布反射鏡領域の回折格子が埋込型回折格子であり、前記埋込型回折格子の屈折率が前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って大きくなるように変化していることを特徴とする請求項１に記載の半導体レーザ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は半導体レーザに関するものであり、例えば、分布帰還型（ＤＦＢ）レーザと分布ブラッグ反射器（ＤＢＲ）とを組み合わせた半導体レーザに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のインターネット需要の爆発的な増加に伴い、光通信／光伝送において超高速化と大容量化への取り組みが活発化している。なかでも、４０Ｇｂ／ｓ以上の超高速光ファイバ伝送システムやデータコム、例えば、２５Ｇｂ／ｓの信号を波長多重で４波長束ねた１００ギガビット・イーサネット（登録商標）向けに２５Ｇｂ／ｓ以上の直接変調が可能な半導体レーザが求められている。この高速な直接変調が可能な半導体レーザとして分布帰還型（ＤＦＢ）レーザが期待されている。
【０００３】
基本的に、半導体レーザにおいては、活性層の体積をできるだけ小さくすることによって緩和振動周波数の値が大きくなり、直接変調可能なビット・レートが上昇する。実際、ＮａｋａｈａｒａらはＤＦＢレーザの共振器長を１００μｍと短くすることで室温にて４０Ｇｂ／ｓ変調が可能となることを示している（例えば、非特許文献１参照）。
【０００４】
図５７は、従来のＤＦＢレーザの概念的断面図であり、ｎ型基板５０１の表面に回折格子５０２を形成し、この回折格子５０２を埋め込むように埋込層５０３を形成し、その上に活性層５０４、ｐ型クラッド層５０５及びｐ型コンタクト層５０６を堆積する。ｐ型コンタクト層５０６にｐ側電極５０７を形成するとともに、ｎ型基板５０１の裏面にｎ側電極５０８を形成する。また、前端面には反射防止膜５０９を形成するとともに、後端面には反射率が９０％程度の高反射膜５１０を形成する。
【０００５】
しかしながら、このＤＦＢレーザの共振器構造は位相シフトのない回折格子を用いているため、その単一縦モード発振歩留まりは、後端面での回折格子５０２の位相に強く依存する。そして、回折格子５０２の周期が約２００ｎｍと微細であり、レーザを素子に劈開するときの端面の位置を精密に制御することはほぼ不可能であるため、後端面での位相はランダムにならざるを得ない。したがって、良好な単一縦モード発振が得られる素子の歩留まりを高くすることができない。
【０００６】
この問題を解決する手段として、後端面の反射鏡を高反射膜ではなく、活性領域の回折格子と同じ周期で位相が同期した回折格子を装荷し、電流を注入しない分布反射鏡を用いて活性領域への光帰還を行なうことが提案されている。また、同時に、回折格子にλ／４位相シフトを配置することで単一縦モード発振歩留まりを向上させた分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザがある（特許文献１或いは特許文献２参照）。
【０００７】
図５８は、従来の分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザの概念的断面図であり、ｎ型基板５１１に位相シフト領域５１３を備えた回折格子５１２を形成し、この回折格子５１２を埋込層５１４で埋め込む。ＤＦＢ部を形成する活性領域には活性層５１５を形成するとともに、ＤＢＲ部には光ガイド層５１６を形成し、その上に、ｐ型クラッド層５１７を形成し、ＤＦＢ部にはｐ型コンタクト層５１８を形成する。
【０００８】
ｐ型コンタクト層５１８にｐ側電極５１９を形成するとともに、ｎ型基板５１１の裏面にｎ側電極５２０を形成し、両方の端面に反射防止膜５２１，５２２を形成する。この場合、位相シフト領域５１３は、ＤＦＢ部とＤＢＲ部の境界に形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特公平０７−０７０７８５号公報
【特許文献２】特開２００２−３５３５５９号公報
【非特許文献】
【００１０】
【非特許文献１】ＯＦＣ／ＮＦＯＥＣ， ２００６ 講演番号 ＯＷＣ５
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
そこで、本発明者は、図５８に示す構造と同等の分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザを作製して特性を検討した。図５９は、本発明者が作製した構造と同等の分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザの概念的断面図であり、図５８の分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザとの違いは、位相シフト領域５１３の位置をＤＦＢ部側に設けた点である。
【００１２】
図６０は、作製した分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザの発振特性の説明図であり、しきい値近傍でマルチモード発振するとともに、電流注入を増加していくとマルチモード発振、或いはモード跳びが生じてしまうという現象が見られた。そこで、この単一縦モード発振歩留まりの劣化の原因について鋭意検討した。
【００１３】
図６１は、しきい値近傍でのモードホップの説明図である。図６１（ａ）に示すように、注入電流なしの状態では、ブラッグ波長がＤＢＲ部の反射スペクトルの範囲内にあるとする。図６１（ｂ）に示すように、活性領域への電子の注入に伴うプラズマ効果のため活性領域の屈折率が低下し活性領域のブラッグ波長は短波側にシフトする。しかし、ＤＢＲ領域には電流が注入されないので反射スペクトル（反射波長帯域）は変化せず、ブラッグ波長がＤＢＲの有効反射帯域から外れる。
【００１４】
その結果、ブラッグモードの発振しきい値が増大し、一方、活性領域のストップバンドの長波側のモードがＤＢＲの有効反射帯域に侵入して発振しきい値が低下し、マルチモード発振が生じてしまうことが判った。
【００１５】
図６２は、注入電流をしきい値からさらに増加させた場合のモードホップの説明図である。図６２（ａ）に示すように、発振しきい値において活性領域のストップバンドの長波側のモードで発振しているとする。図６２（ｂ）に示すように、活性領域への電流注入に伴い活性領域の温度が上昇するので活性領域のブラッグ波長は長波側にシフトする。しかし、ＤＢＲ領域には電流が注入されないので反射スペクトルは変化せず、ブラッグ波長がＤＢＲの有効反射帯域から外れる。
【００１６】
その結果、ブラッグモードの発振しきい値が増大し、一方、活性領域のストップバンドの短波側のモードが分布反射鏡の有効反射帯域に侵入して発振しきい値が低下し、マルチモード発振が生じてしまうことが判った。
【００１７】
したがって、単一縦モード発振歩留まりの向上のためには、活性領域への電流注入に伴う活性領域の屈折率の低下が生じたとしても、副モードの発振しきい値が低下して発振に至らないようにする必要がある。また、さらに、活性領域への電流注入に伴う活性領域の温度上昇による活性領域のブラッグ波長の長波化が生じてもＤＢＲの有効反射帯域から外れない、即ち、ＤＢＲの有効反射帯域を拡大する必要がある。
【００１８】
ＤＢＲの有効反射帯域はほぼＤＢＲ領域の長さに反比例するため、ＤＢＲ領域長を短くすれば有効反射帯域は拡大する。しかし、図６３に示すように、ＤＢＲ領域の長さを半分にすると反射率が半分以下に低下するため、レーザの発振しきい値の上昇を招くことになる。
【００１９】
この問題を解決するために、本発明者は図６４に示す構造を特許出願している。図６４は、本発明者の先行発明による分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザの概念的断面図であり、図５９に示した分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザに比べてＤＢＲ領域における回折格子５２３の周期を共振器方向に沿って変化させている。即ち、チャープしている回折格子５２３を用いている。
【００２０】
図６５は、先行発明の発振特性の説明図である。図６５（ａ）はＤＢＲ部の反射スペクトルの説明図であり、チャープ回折格子を用いることにより、回折格子周期以外は従来の回折格子構造を用いたままで、大幅な反射率の低下なしに分布反射鏡領域の有効反射帯域を拡大することが可能となる。
【００２１】
図６５（ｂ）は発振モードの説明図であり、活性領域への電流注入に伴う活性領域の温度上昇による活性領域のブラッグ波長の長波化やしきい値までのプラズマ効果による活性領域のブラッグ波長の短波化が生じても分布反射鏡の有効反射帯域から外れない。その結果、マルチモード発振およびモード跳びを抑制し良好な単一縦モード発振を維持することが可能となる。
【００２２】
しかしながら、活性領域の中央付近に位相シフト領域５２４が存在することで共振器内を伝搬する光が位相シフト領域５２４の周囲に集中することになる。より高速な動作を目指して活性領域の長さを短くして行くと、活性領域長が短くなるほど同一駆動電流時の電流密度が大きくなる。その結果、キャリア密度上昇に伴う軸方向ホールバーニングの影響により主副モード発振しきい値利得差が減少し単一モード性が劣化する確率が高くなる。
【００２３】
また、活性領域の長さを短くして行くことによるしきい値上昇を抑制するために、光取り出し側の前側分布反射鏡領域を長くすると、活性領域への光帰還量は大きくなるが、このことにより光取り出し効率が低下するという問題がある。
【００２４】
また、位相シフト領域があることは共振器内を伝搬する光が位相シフト領域の周囲に集中し端面からの光取り出し効率が減少することをも意味し、光ファイバ伝送に必要な光出力が得られにくくなるという欠点がある。
【００２５】
したがって、半導体レーザにおいて、位相シフト領域を設けることなく発振モードを安定にして、光取り出し効率を向上することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２６】
開示する一観点からは、一定の周期の回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザ領域と前記分布帰還型半導体レーザ領域の少なくとも一方の端面側に設けられ、実効的な回折格子周期及び結合係数が共振器方向に沿って変化している回折格子を備えた分布反射鏡領域とを有することを特徴とする半導体レーザが提供される。
【発明の効果】
【００２７】
開示の半導体レーザによれば、位相シフト領域を設けることなく発振モードを安定にして、光取り出し効率を向上することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の実施の形態の半導体レーザの説明図である。
【図２】本発明の実施の形態の半導体レーザの分布反射鏡領域の反射特性の説明図である。
【図３】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の途中までの説明図である。
【図４】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図３以降の途中までの説明図である。
【図５】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図４以降の途中までの説明図である。
【図６】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図５以降の途中までの説明図である。
【図７】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図６以降の途中までの説明図である。
【図８】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図７以降の途中までの説明図である。
【図９】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図８以降の途中までの説明図である。
【図１０】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図９以降の途中までの説明図である。
【図１１】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図１０以降の途中までの説明図である。
【図１２】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図１１以降の途中までの説明図である。
【図１３】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図１２以降の途中までの説明図である。
【図１４】本発明の実施例１の半導体レーザの製造工程の図１３以降の説明図である。
【図１５】本発明の実施例１の半導体レーザの特性の説明図である。
【図１６】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の途中までの説明図である。
【図１７】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図１６以降の途中までの説明図である。
【図１８】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図１７以降の途中までの説明図である。
【図１９】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図１８以降の途中までの説明図である。
【図２０】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図１９以降の途中までの説明図である。
【図２１】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図２０以降の途中までの説明図である。
【図２２】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図２１以降の途中までの説明図である。
【図２３】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図２２以降の途中までの説明図である。
【図２４】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図２３以降の途中までの説明図である。
【図２５】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図２４以降の途中までの説明図である。
【図２６】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図２５以降の途中までの説明図である。
【図２７】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図２６以降の途中までの説明図である。
【図２８】本発明の実施例２の半導体レーザの製造工程の図２７以降の説明図である。
【図２９】本発明の実施例２の半導体レーザの特性の説明図である。
【図３０】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の途中までの説明図である。
【図３１】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図３０以降の途中までの説明図である。
【図３２】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図３１以降の途中までの説明図である。
【図３３】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図３２以降の途中までの説明図である。
【図３４】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図３３以降の途中までの説明図である。
【図３５】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図３４以降の途中までの説明図である。
【図３６】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図３５以降の途中までの説明図である。
【図３７】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図３６以降の途中までの説明図である。
【図３８】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図３７以降の途中までの説明図である。
【図３９】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図３８以降の途中までの説明図である。
【図４０】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図３９以降の途中までの説明図である。
【図４１】本発明の実施例３の半導体レーザの製造工程の図４０以降の説明図である。
【図４２】本発明の実施例３の半導体レーザの特性の説明図である。
【図４３】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の途中までの説明図である。
【図４４】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図４３以降の途中までの説明図である。
【図４５】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図４４以降の途中までの説明図である。
【図４６】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図４５以降の途中までの説明図である。
【図４７】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図４６以降の途中までの説明図である。
【図４８】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図４７以降の途中までの説明図である。
【図４９】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図４８以降の途中までの説明図である。
【図５０】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図４９以降の途中までの説明図である。
【図５１】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図５０以降の途中までの説明図である。
【図５２】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図５１以降の途中までの説明図である。
【図５３】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図５２以降の途中までの説明図である。
【図５４】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図５３以降の途中までの説明図である。
【図５５】本発明の実施例４の半導体レーザの製造工程の図５４以降の説明図である。
【図５６】本発明の実施例４の半導体レーザの特性の説明図である。
【図５７】従来のＤＦＢレーザの概念的断面図である。
【図５８】従来の分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザの概念的断面図である。
【図５９】本発明者が作製した構造と同等の分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザの概念的断面図である。
【図６０】作製した分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザの発振特性の説明図である。
【図６１】しきい値近傍でのモードホップの説明図である。
【図６２】注入電流をしきい値からさらに増加させた場合のモードホップの説明図である。
【図６３】ＤＢＲの有効反射帯域の説明図である。
【図６４】本発明者の先行発明による分布反射鏡集積型分布帰還型半導体レーザの概念的断面図である。
【図６５】先行発明の発振特性の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
ここで、図１及び図２を参照して、本発明の実施の形態の半導体レーザを説明する。図１は、本発明の実施の形態の半導体レーザの説明図であり、図１（ａ）は概念的断面図であり、図１（ｂ）は回折格子周期の分布の説明図であり、図１（ｃ）は回折格子の結合係数の分布の説明図である。
【００３０】
図１（ａ）に示すように、本発明の実施の形態の半導体レーザは、第１導電型の半導体基板１１に一定の周期の回折格子１２と周期が共振器方向に沿って変化している、即ち、チャープしている回折格子１３を設ける。この場合のチャープしている回折格子１３は、物理的に周期を変化させたものでも良いし、実効的に周期が変化したものでも良い。実効的に周期を変化させる場合には、回折格子１３を設ける半導体層の屈折率を徐々に変化させても良いし、或いは、一定に周期の回折格子に対して屈曲した導波路を用いても良い。
【００３１】
この回折格子を埋め込むように、埋込層１４を設けた後、一定周期の回折格子１２の上に活性層１５を設けるとともに、チャープしている回折格子１３の上に光ガイド層１６を設ける。次いで、全面に反対導電型のクラッド層１７を設け、活性層１５に対応する領域にのみ反対導電型のコンタクト層１８を設け、コンタクト層１８に一方の極性の電極１９を形成するとともに、半導体基板の裏面に逆極性の電極２０を形成する。また、両方の出射端面には無反射コーティング２１，２２を設ける。
【００３２】
この場合、一定の周期の回折格子１２を設けた領域が分布帰還型半導体レーザ領域となり、チャープした回折格子１３を設けた領域が分布反射鏡領域となり、分布反射鏡領域には電流が流れない構造となる。
【００３３】
図１（ｂ）に示すように、回折格子の周期は分布帰還型半導体レーザ領域では一定の周期となり、分布反射鏡領域では、チャープした周期になっている。なお、ここでは、直線的な変化ではなく、分布帰還型半導体レーザ領域と分布反射鏡領域との界面からの距離の平方根的な変化をするように形成している。
【００３４】
図１（ｃ）に示すように、回折格子の結合係数は、分布帰還型半導体レーザ領域では一定となり、分布反射鏡領域では、分布帰還型半導体レーザ領域と分布反射鏡領域との界面からの距離の平方根的な変化をするように形成している。このような関数形を採用することにより、計算的に非対称構造にすることが容易であり、マージンを大きくすることができる。
【００３５】
図２は、本発明の実施の形態の半導体レーザの分布反射鏡領域の反射特性の説明図であり、図２（ａ）は、本発明の実施の形態の半導体レーザの分布反射鏡領域の反射特性であり、図２（ｂ）は先行発明の分布反射鏡領域の反射特性である。図２（ａ）に示すように、本発明の実施の形態においては、常に長波長側のモードがより大きな反射を受ける。その結果、活性領域に位相シフトがない場合においても、活性領域への電流注入に伴う活性領域の温度上昇による活性領域のブラッグ波長の長波化が生じても常にストップバンドの長波側のモードが大きな反射帰還を得ることになる。よって、マルチモード発振およびモードホップを抑制し良好な単一縦モード発振を維持することが可能となる。一方、図２（ｂ）に示した先行発明の場合にはチャープ回折格子により反射スペクトルの帯域は広がるが反射率がほぼ同じであるので、モードが競合することになる。
【００３６】
また、同様に、しきい値までのプラズマ効果による短波化が生じても長波側のモードが常に大きな反射帰還を得るため、良好な単一縦モード発振を維持することが可能となる。さらに、位相シフトがある場合に比べて活性領域を短くして活性領域内のキャリア密度が増大しても軸方向ホールバーニングが生じにくいため、発振モード安定性が確保される。また、位相シフトがある場合に比べて光取り出し効率が増大するため、伝送距離の延伸を図ることができる。
【実施例１】
【００３７】
次に、図３乃至図１５を参照して、本発明の実施例１の半導体レーザを説明する。図３（ａ）に示すように、まず（１００）面を主面とするｎ型ＩｎＰ基板１０１上に、プラズマＣＶＤ法を用いて厚さが１２０ｎｍのＳｉＯ２膜１０２を堆積したのち、全面に電子ビームレジスト（日本ゼオン製商品型番ＺＥＰ５２０）を塗布する。次いで、電子ビーム露光法により回折格子パターンを露光し、現像することによってレジストパターン１０３を形成する。
【００３８】
この回折格子パターンにおいては、個々の素子の活性領域長は７５μｍで、それに連続して前端面側に領域長５０μｍ、後端面側に領域長１２５μｍの分布反射鏡領域の回折格子がパターニングされている。ここで、活性領域と前側分布反射鏡領域の回折格子周期は１９９．０ｎｍで一定である。一方、後側分布反射鏡領域の回折格子周期は活性領域との界面で１９９．０ｎｍ、後端面では回折格子周期が２０１．８７ｎｍの値をとるように、活性領域との界面からの距離の平方根に比例して回折格子周期が変化している。
【００３９】
次いで、図３（ｂ）に示すように、レジストパターン１０３をマスクとしてＣＦ４ガスによるリアクティブ・イオン・エッチングを行うことにより、ＳｉＯ２膜１０２に回折格子パターンを転写する。次いで、図４（ｃ）に示すように、レジストパターン１０３を除去するとＳｉＯ２パターン１０４が表われる。
【００４０】
次いで、図４（ｄ）に示すように、ＳｉＯ２パターン１０４をマスクとしてエタン／水素混合ガスによるリアクティブ・イオン・エッチングを行うことによって、ｎ型ＩｎＰ基板１０１の表面に回折格子パターンを転写して回折格子１０５を形成する。この時の回折格子１０５の深さは１１８ｎｍである。
【００４１】
次いで、図５（ｅ）に示すように、全面にポジ型のフォトレジスト（東京応化製商品型番ＯＦＰＲ８６００）１０６１を厚さが７００ｎｍになるように塗布する。次いで、図５（ｆ）に示すように、通常のフォトリソ工程により後端面側の１２．５μｍ幅に亘って回折格子１０５と平行に開口部１０７１を形成する。
【００４２】
次いで、図６（ｇ）に示すように、露出したＳｉＯ２パターン１０４をマスクとしてエタン／水素混合ガスによるリアクティブ・イオン・エッチング（ＲＩＥ）を行うことによって、回折格子１０５を追加で４.５ｎｍエッチングして掘り下げる。次いで、図６（ｈ）に示すように、フォトレジスト１０６１を除去することによって再びＳｉＯ２パターン１０４が表われる。
【００４３】
次いで、図７（ｉ）に示すように、再び、全面にポジ型のフォトレジスト（東京応化製商品型番ＯＦＰＲ８６００）１０６２を厚さが７００ｎｍになるように塗布する。次いで、図７（ｊ）に示すように、通常のフォトリソ工程により後端面側の２５μｍ幅に亘って回折格子１０５と平行に開口部１０７２を形成する。
【００４４】
次いで、図８（ｋ）に示すように、露出したＳｉＯ２パターン１０４をマスクとしてエタン／水素混合ガスによるリアクティブ・イオン・エッチングを行うことによって、露出している回折格子１０５を追加で４.５ｎｍエッチングして掘り下げる。次いで、図８（ｌ）に示すように、フォトレジスト１０６２を除去することによって再びＳｉＯ２パターン１０４が表われる。
【００４５】
次いで、図９（ｍ）に示すように、図５（ｅ）乃至図６（ｈ）の工程を、開口部の幅が随時１２．５μm づつ広くなるように繰り返し行う。この時、活性領域との境界から後端面側に向かって、回折格子１０５の深さが活性領域との境界からの距離の平方根に比例して深くなるように形成する。なお、図８（ｋ）までとそれに続く２回の計４回の追加エッチング深さは夫々４．５ｎｍで、それ以降の追加エッチング深さは２ｎｍとする。そして、ＳｉＯ２パターン１０４を除去することによって、図９（ｎ）に示す構造が得られる。
【００４６】
次いで、図１０（ｏ）に示すように、有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）を用いて、組成波長１．２０μｍ、厚さ２００ｎｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層１０８を堆積する。引き続いて、厚さが２０ｎｍのｎ型ＩｎＰ層１０９、量子井戸活性層１１０及び厚さが２５０ｎｍのｐ型ＩｎＰクラッド層１１１を順次堆積する。この場合の量子井戸活性層１１０は、厚さ６ｎｍ、圧縮歪量１．２％のｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓ井戸層と組成波長１．０５μｍ、厚さが１０ｎｍのｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓバリア層をｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓ井戸層の層数が１５層になるように交互に堆積する。
【００４７】
これらの井戸層／バリア層は波長１．０５μｍ、厚さが２０ｎｍのｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓＳＣＨ（Ｓｅｐａｒａｔｅ  Ｃｏｎｆｉｎｅｍｅｎｔ  Ｈｅｔｅｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ）層で挟まれており、その発光波長は１３１０ｎｍである。
【００４８】
次いで、図１０（ｐ）に示すように、通常の化学気相堆積法（ＣＶＤ法）を用いて、全面に厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜１１２を堆積する。
【００４９】
次いで、図１１（ｑ）に示すように、通常のフォトリソグラフィを用いて、活性領域となるべき部分を覆うようにエッチングしてＳｉＯ２マスク１１３を形成する。次いで、図１１（ｒ）に示すように、ＳｉＯ２マスク１１３をマスクとして、エッチングによりｐ型ＩｎＰクラッド層１１１及び量子井戸活性層１１０を除去してｎ型ＩｎＰ層１０９を露出させる。
【００５０】
次いで、図１２（ｓ）に示すように、ＳｉＯ２マスク１１３を選択成長マスクとして、ＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．２μｍ、厚さが２４０ｎｍのｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層１１４及び厚さが２５０ｎｍのｉ型ＩｎＰ層１１５を順次堆積する。
【００５１】
次いで、図１２（ｔ）に示すように、ＳｉＯ２マスク１１３を除去したのち、再び、ＭＯＶＰＥ法を用いて全面に、厚さが２．５μｍでＺｎドープのｐ型ＩｎＰクラッド層１１６及び厚さが３００ｎｍでＺｎドープのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１７を堆積する。
【００５２】
次いで、図１３（ｕ）に示すように、通常のＣＶＤ法を用いて厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させた後、通常のフォトリソグラフィを用いて幅が１.３μｍのストライプ状のＳｉＯ２マスク１１８を形成する。
【００５３】
次いで、図１３（ｖ）に示すように、ＳｉＯ２マスク１１８をマスクとして、ドライエッチング法を用いて半導体表面をエッチングし、ｎ型ＩｎＰ基板１０１を０．７μｍだけ掘り込んでストライプ状メサを形成する。
【００５４】
次いで、図１４（ｗ）に示すように、ＳｉＯ２マスク１１８を選択成長マスクとして用いて、ＭＯＶＰＥ法によってストライプ状メサの両脇に、Ｆｅドープｉ型ＩｎＰ埋込層１１９を形成する。
【００５５】
次いで、図１４（ｘ）に示すように、ＳｉＯ２マスク１１８をふっ酸で除去したのち、活性領域となる領域以外のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層１１７を通常のフォトリソグラフィとエッチングを用いて除去する。次いで、ＳｉＯ２膜からなるパッシベーション膜１２０を形成し、活性領域のコンタクト層の部分のみに窓を開けるように通常のフォトリソグラフィとエッチングを用いて開口部を形成する。
【００５６】
次いで、開口部を覆うようにｐ側電極１２１を形成するとともに、ｎ型ＩｎＰ基板１０１の裏面にｎ側電極１２２を形成する。最後に、素子の両端面に無反射コート１２３，１２４を形成することで、本発明の実施例１の半導体レーザが完成する。
【００５７】
図１５は、本発明の実施例１の半導体レーザの特性の説明図であり、図１５（ａ）は、図１４（ｘ）におけるＡ―Ａ’および Ｂ―Ｂ’に沿った断面図である。図１５（ｂ）は、共振器方向の回折格子周期ならびに結合係数の説明図であり、図１５（ｃ）は後側分布反射領域の反射スペクトルの説明図である。
【００５８】
図１５（ｂ）に示すように、回折格子周期は大きくなるにしたがって、結合係数が大きくなっている。また、図１５（ｃ）に示すように、波長が１３０３ｎｍから１３１５ｎｍに亘って長波になるほど反射率が高くなっていることがわかる。
【００５９】
この本発明の実施例１の半導体レーザにおいては、しきい値でのモード跳びもなく、安定した単一縦モード動作が可能になる。
【実施例２】
【００６０】
次に、図１６乃至図２９を参照して、本発明の実施例２の半導体レーザを説明する。図１６（ａ）に示すように、まず（１００）面を主面とするｎ型ＩｎＰ基板２０１上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて組成波長１．３０５μｍ、厚さ１００ｎｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０２１を堆積する。次いで、プラズマＣＶＤ法を用いて基板全面に厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜２０３１を堆積する。
【００６１】
次いで、図１６（ｂ）に示すように、通常のフォトリソ工程により後端面側９０μｍ幅に亘ってＳｉＯ２膜２０３１を除去してＳｉＯ２マスク２０４１を形成する。次いで、図１７（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２０４１をマスクとしてｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０２１の露出部をエッチングしてｎ型ＩｎＰ基板２０１を露出させる。
【００６２】
次いで、図１７（ｄ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２０４１を選択成長マスクとして再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．３２μｍ、厚さが１００ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０２２を堆積する。
【００６３】
次いで、図１８（ｅ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２０４１を除去したのち、再び基板表面全面にプラズマＣＶＤ法を用いて厚さが、４００ｎｍのＳｉＯ２膜２０３２を堆積する。次いで、図１８（ｆ）に示すように、通常のフォトリソ工程により後端面側８０μｍ幅に亘ってＳｉＯ２膜２０３２を除去してＳｉＯ２マスク２０４２を形成する。
【００６４】
次いで、図１９（ｇ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２０４２をマスクとしてｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０２２の露出部をエッチングしてｎ型ＩｎＰ基板２０１を露出させる。次いで、図１９（ｈ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２０４２を選択成長マスクとして再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．３３３μｍ、厚さが１００ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０２３を堆積する。
【００６５】
次いで、図２０（ｉ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２０４２を除去したのち、再び基板表面全面にプラズマＣＶＤ法を用いて厚さが、４００ｎｍのＳｉＯ２膜２０３３を堆積する。次いで、図２０（ｊ）に示すように、通常のフォトリソ工程により後端面側７０μｍ幅に亘ってＳｉＯ２膜２０３３を除去してＳｉＯ２マスク２０４３を形成する。
【００６６】
次いで、図２１（ｋ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２０４３をマスクとしてｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０２３の露出部をエッチングしてｎ型ＩｎＰ基板２０１を露出させる。次いで、図２１（ｌ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２０４３を選択成長マスクとして再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．３４５μｍ、厚さが１００ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０２４を堆積する。
【００６７】
これらの工程を除去部の幅を１０μｍづつ狭め、且つ、選択成長で埋め込まれるｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０２５〜２０２１０の組成波長を順次長波化することで図２２（ｍ）に示す構造が得られる。ここで、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０２５〜２０２１０の組成波長はそれぞれ１．３５８μｍ、１．３６５μｍ、１．３７２μｍ、１．３７８μｍ、１．３８４μｍ及び１．３９２μｍである。
【００６８】
次いで、図２２（ｎ）に示すように、再び、ＭＯＶＰＥ法を用いて、全面に厚さが２０ｎｍのｎ型ＩｎＰ層２０５を堆積する。次いで、全面に電子ビームレジスト（日本ゼオン製商品型番ＺＥＰ５２０）を塗布し、電子ビーム露光法により回折格子パターンを露光したのち、現像することによってレジストパターン２０６を形成する。
【００６９】
この回折格子においては、個々の素子の活性領域長は１２５μｍで、それに連続して前端面となる位置側には領域長２５μｍの分布反射鏡領域の回折格子が、後端面となる位置側には領域長１００μｍの分布反射鏡領域の回折格子がパターニングされている。ここで、活性領域と前端面側の分布反射領域の回折格子周期は２３９．０ｎｍで一定である。一方、後側の分布反射鏡領域の回折格子周期は活性領域との界面からの距離の平方根に比例する形で活性領域との界面で２３９．０ｎｍ、後端面では回折格子周期が２４２．５８ｎｍの値をとるように回折格子周期が変化している。
【００７０】
次いで、図２３（ｐ）に示すように、レジストパターン２０６をマスクとしてエタン／水素混合ガスによるＲＩＥ法を用いて、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層２０２１〜２０２１０を貫通し、ｎ型ＩｎＰ基板２０１の表面を１５ｎｍ掘る深さまで回折格子パターンを転写する。このときのトータルのエッチングの深さは１３５ｎｍとなる。
【００７１】
次いで、レジストパターン２０６を除去することによって、図２４（ｑ）に示す回折格子２０７が表われる。次いで、図２４（ｒ）に示すように、ＭＯＶＰＥ法を用いて、ｎ型ＩｎＰ層２０８によって回折格子２０７を被覆する。引き続いて、量子井戸活性層２０９及び厚さが２５０ｎｍのｐ型ＩｎＰクラッド層２１０を順次堆積する。この場合の量子井戸活性層２０９は、厚さ５.１ｎｍ、圧縮歪量１．２％のｉ型ＩｎＧａＡｓＰ井戸層と組成波長１．２０μｍ、厚さが１０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰバリア層をｉ型ＩｎＧａＡｓＰ井戸層の層数が１５層になるように交互に堆積する。
【００７２】
これらの井戸層／バリア層は波長１．１５μｍ、厚さが２０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層で挟まれており、その発光波長は１５５０ｎｍである。次いで、再び、プラズマＣＶＤ法を用いて、全面に厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜２１１を堆積する。
【００７３】
次いで、図２５（ｓ）に示すように、通常のフォトリソグラフィを用いて、活性領域となるべき部分を覆うようにエッチングしてＳｉＯ２マスク２１２を形成する。次いで、図２５（ｔ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２１２をマスクとして、エッチングによりｐ型ＩｎＰクラッド層２１０及び量子井戸活性層２０９を除去してｎ型ＩｎＰ層２０８を露出させる。
【００７４】
次いで、図２６（ｕ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２１２を選択成長マスクとして、ＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．３５μｍ、厚さが２３０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層２１３及び厚さが２５０ｎｍのｉ型ＩｎＰ層２１４を順次堆積する。
【００７５】
次いで、図２６（ｖ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２１２を除去したのち、ＭＯＶＰＥ法を用いて全面に、厚さが２．５μｍのＺｎドープのｐ型ＩｎＰクラッド層２１５及び厚さが３００ｎｍのＺｎドープのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１６を堆積する。次いで、再び、通常のＣＶＤ法を用いて厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させた後、通常のフォトリソグラフィを用いて幅が１．３μｍのストライプ状のＳｉＯ２マスク２１７を形成する。
【００７６】
次いで、図２７（ｗ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２１７をマスクとして、ドライエッチング法を用いて半導体表面をエッチングし、ｎ型ＩｎＰ基板２０１を０．７μｍだけ掘り込んでストライプ状メサを形成する。
【００７７】
次いで、図２７（ｘ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２１７を選択成長マスクとして用いて、ＭＯＶＰＥ法によってストライプ状メサの両脇に、Ｆｅドープｉ型ＩｎＰ埋込層２１８を形成する。
【００７８】
次いで、図２８（ｙ）に示すように、ＳｉＯ２マスク２１７をふっ酸で除去したのち、活性領域となる領域以外のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層２１６を通常のフォトリソグラフィとエッチングを用いて除去する。次いで、ＳｉＯ２膜からなるパッシベーション膜２１９を形成し、活性領域のコンタクト層の部分のみに窓を開けるように通常のフォトリソグラフィとエッチングを用いて開口部を形成する。
【００７９】
次いで、開口部を覆うようにｐ側電極２２０を形成するとともに、ｎ型ＩｎＰ基板２０１の裏面にｎ側電極２２１を形成する。最後に、素子の両端面に無反射コート２２２，２２３を形成することで、本発明の実施例２の半導体レーザが完成する。
【００８０】
図２９は、本発明の実施例２の半導体レーザの特性の説明図であり、図２９（ａ）は、図２８（ｙ）におけるＡ―Ａ’および Ｂ―Ｂ’に沿った断面図である。図２９（ｂ）は、共振器方向の回折格子周期ならびに結合係数の説明図であり、図２９（ｃ）は後側分布反射領域の反射スペクトルの説明図である。
【００８１】
図２９（ｂ）に示すように、回折格子周期は大きくなるにしたがって、結合係数が大きくなっている。また、図２９（ｃ）に示すように、波長が１５４３ｎｍから１５５５ｎｍに亘って長波になるほど反射率が高くなっていることがわかる。
【００８２】
この本発明の実施例２の半導体レーザにおいては、しきい値でのモード跳びもなく、安定した単一縦モード動作が可能になる。
【実施例３】
【００８３】
次に、図３０乃至図４２を参照して、本発明の実施例３の半導体レーザを説明する。図３０（ａ）に示すように、まず（１００）面を主面とするｎ型ＩｎＰ基板３０１上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて組成波長１．１５μｍ、厚さ１５０ｎｍのｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層３０２１を堆積する。次いで、プラズマＣＶＤ法を用いて基板全面に厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜３０３１を堆積する。
【００８４】
次いで、図３０（ｂ）に示すように、通常のフォトリソ工程により後端面側９０μｍ幅に亘ってＳｉＯ２膜３０３１を除去してＳｉＯ２マスク３０４１を形成する。次いで、図３１（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３０４１をマスクとしてｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層３０２１の露出部をエッチングしてｎ型ＩｎＰ基板３０１を露出させる。
【００８５】
次いで、図３１（ｄ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３０４１を選択成長マスクとして再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．１５５μｍ、厚さが１５０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層３０２２を堆積する。
【００８６】
次いで、図３２（ｅ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３０４１を除去したのち、再び基板表面全面にプラズマＣＶＤ法を用いて厚さが、４００ｎｍのＳｉＯ２膜３０３２を堆積する。次いで、図３２（ｆ）に示すように、通常のフォトリソ工程により後端面側８０μｍ幅に亘ってＳｉＯ２膜３０３２を除去してＳｉＯ２マスク３０４２を形成する。
【００８７】
次いで、図３３（ｇ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３０４２をマスクとしてｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層３０２２の露出部をエッチングしてｎ型ＩｎＰ基板３０１を露出させる。次いで、図３３（ｈ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３０４２を選択成長マスクとして再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．１６μｍ、厚さが１５０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層３０２３を堆積する。
【００８８】
次いで、図３４（ｉ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３０４２を除去したのち、再び基板表面全面にプラズマＣＶＤ法を用いて厚さが、１２０ｎｍのＳｉＯ２膜３０３３を堆積する。次いで、図３４（ｊ）に示すように、通常のフォトリソ工程により後端面側７０μｍ幅に亘ってＳｉＯ２膜３０３３を除去してＳｉＯ２マスク３０４３を形成する。
【００８９】
次いで、図３５（ｋ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３０４３をマスクとしてｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層３０２３の露出部をエッチングしてｎ型ＩｎＰ基板３０１を露出させる。次いで、図３５（ｌ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３０４３を選択成長マスクとして再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．１６５μｍ、厚さが１５０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層３０２４を堆積する。
【００９０】
これらの工程を除去部の幅を１０μｍづつ狭め、且つ、選択成長で埋め込まれるｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層３０２５〜３０２１０の組成波長を順次長波化することで図３６（ｍ）に示す構造が得られる。ここで、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層３０２５〜３０２１０の組成波長はそれぞれ１．１７μｍ、１．１７３μｍ、１．１７６μｍ、１．１７９μｍ、１．１８２μｍ及び１．１８５μｍである。
【００９１】
次いで、図３６（ｎ）に示すように、全面に電子ビームレジスト（日本ゼオン製商品型番ＺＥＰ５２０）を塗布し、電子ビーム露光法により回折格子パターンを露光したのち、現像することによってレジストパターン３０５を形成する。
【００９２】
この回折格子においては、個々の素子の活性領域長は１２５μｍで、それに連続して前端面となる位置側には領域長２５μｍの分布反射鏡領域の回折格子が、後端面となる位置側には領域長１００μｍの分布反射鏡領域の回折格子がパターニングされている。ここで、活性領域と前端面側の分布反射領域の回折格子周期は１９９．０ｎｍで一定である。一方、後側の分布反射鏡領域の回折格子周期は活性領域との界面からの距離の平方根に比例する形で活性領域との界面で１９９．０ｎｍ、後端面では回折格子周期が２０１．８７ｎｍの値をとるように回折格子周期が変化している。
【００９３】
次いで、図３７（ｏ）に示すように、レジストパターン３０５をマスクとしてエタン／水素混合ガスによるＲＩＥ法を用いて、ｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層３０２１〜３０２１０を１２５ｎｍ掘る深さまで回折格子パターンを転写する。
【００９４】
次いで、図３７（ｐ）に示すように、レジストパターン３０５を除去したのち、ＭＯＶＰＥ法を用いて、ｎ型ＩｎＰ層３０７によって回折格子３０６を被覆する。引き続いて、量子井戸活性層３０８及び厚さが２５０ｎｍのｐ型ＩｎＰクラッド層３０９を順次堆積する。この場合の量子井戸活性層３０８は、厚さ４．８ｎｍ、圧縮歪量１．２％のｉ型ＩｎＧａＡｓＰ井戸層と組成波長１．１０μｍ、厚さが１０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰバリア層をｉ型ＩｎＧａＡｓＰ井戸層の層数が１２層になるように交互に堆積する。
【００９５】
これらの井戸層／バリア層は波長１．１μｍ、厚さが２０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰＳＣＨ層で挟まれており、その発光波長は１３０５ｎｍである。次いで、再び、プラズマＣＶＤ法を用いて、全面に厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜３１０を堆積する。
【００９６】
次いで、図３８（ｑ）に示すように、通常のフォトリソグラフィを用いて、活性領域となるべき部分を覆うようにエッチングしてＳｉＯ２マスク３１１を形成する。次いで、図３８（ｒ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３１１をマスクとして、エッチングによりｐ型ＩｎＰクラッド層３０９及び量子井戸活性層３０８を除去してｎ型ＩｎＰ層３０７を露出させる。
【００９７】
次いで、図３９（ｓ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３１１を選択成長マスクとして、ＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．１５μｍ、厚さが２００ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層３１２及び厚さが２００ｎｍのｉ型ＩｎＰ層３１３を順次堆積する。
【００９８】
次いで、図３９（ｔ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３１１を除去したのち、ＭＯＶＰＥ法を用いて全面に、厚さが２．５μｍのＺｎドープのｐ型ＩｎＰクラッド層３１４及び厚さが３００ｎｍのＺｎドープのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１５を堆積する。次いで、再び、通常のＣＶＤ法を用いて厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させた後、通常のフォトリソグラフィを用いて幅が１．３μｍのストライプ状のＳｉＯ２マスク３１６を形成する。
【００９９】
次いで、図４０（ｕ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３１６をマスクとして、ドライエッチング法を用いて半導体表面をエッチングし、ｎ型ＩｎＰ基板３０１を０．７μｍだけ掘り込んでストライプ状メサを形成する。
【０１００】
次いで、図４０（ｖ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３１６を選択成長マスクとして用いて、ＭＯＶＰＥ法によってストライプ状メサの両脇に、Ｆｅドープｉ型ＩｎＰ埋込層３１７を形成する。
【０１０１】
次いで、図４１（ｗ）に示すように、ＳｉＯ２マスク３１６をふっ酸で除去したのち、活性領域となる領域以外のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層３１５を通常のフォトリソグラフィとエッチングを用いて除去する。次いで、ＳｉＯ２膜からなるパッシベーション膜３１８を形成し、活性領域のコンタクト層の部分のみに窓を開けるように通常のフォトリソグラフィとエッチングを用いて開口部を形成する。
【０１０２】
次いで、開口部を覆うようにｐ側電極３１９を形成するとともに、ｎ型ＩｎＰ基板３０１の裏面にｎ側電極３２０を形成する。最後に、素子の両端面に無反射コート３２１，３２２を形成することで、本発明の実施例３の半導体レーザが完成する。
【０１０３】
図４２は、本発明の実施例３の半導体レーザの特性の説明図であり、図４２（ａ）は、図４１（ｗ）におけるＡ―Ａ’および Ｂ―Ｂ’に沿った断面図である。図４２（ｂ）は、共振器方向の回折格子周期ならびに結合係数の説明図であり、図４２（ｃ）は後側分布反射領域の反射スペクトルの説明図である。
【０１０４】
図４２（ｂ）に示すように、回折格子周期が大きくなるにしたがって、結合係数は大きくなっている。また、図４２（ｃ）に示すように、波長が１３０３ｎｍから１３１５ｎｍに亘って長波になるほど反射率が高くなっていることがわかる。
【０１０５】
この本発明の実施例３の半導体レーザにおいては、しきい値でのモード跳びもなく、安定した単一縦モード動作が可能になる。
【実施例４】
【０１０６】
次に、図４３乃至図５５を参照して、本発明の実施例４の半導体レーザを説明する。図４３（ａ）に示すように、まず（１００）面を主面とするｎ型ＩｎＰ基板４０１上に、ＭＯＶＰＥ法を用いて量子井戸活性層４０２及び厚さが２０ｎｍのｐ型ＩｎＰ層４０３を順次堆積する。この場合の量子井戸活性層４０２は、厚さ５．１ｎｍ、圧縮歪量１．２％のｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓ井戸層と組成波長１．２０μｍ、厚さが１０ｎｍのｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓバリア層をｉ型ＩｎＧａＡｓＰ井戸層の層数が１２層になるように交互に堆積する。
【０１０７】
これらの井戸層／バリア層は波長１．１５μｍ、厚さが２０ｎｍのｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓＳＣＨ層で挟まれており、その発光波長は１５５５ｎｍである。次いで、再び、プラズマＣＶＤ法を用いて、全面に厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜４０４を堆積する。
【０１０８】
次いで、図４３（ｂ）に示すように、通常のフォトリソ工程により活性領域を覆うように、ＳｉＯ２膜４０４を除去してＳｉＯ２マスク４０５を形成する。次いで、図４４（ｃ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４０５をマスクとしてｐ型ＩｎＰ層４０３及び量子井戸活性層４０２の露出部をエッチングしてｎ型ＩｎＰ基板４０１を露出させる。
【０１０９】
次いで、図４４（ｄ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４０５を選択成長マスクとして再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．３５μｍ、厚さが２００ｎｍのｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層４０６及び厚さが２０ｎｍのｉ型ＩｎＰ層４０７を順次堆積する。
【０１１０】
次いで、図４５（ｅ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４０５を除去したのち、再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．２５μｍ、厚さが１５０ｎｍのｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０８１を堆積する。次いで、通常のＣＶＤ法を用いて厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜４０９１を堆積する。
【０１１１】
次いで、図４５（ｆ）に示すように、通常のフォトリソ工程により後端面側９０μｍ幅に亘ってＳｉＯ２膜４０９１を除去してＳｉＯ２マスク４１０１を形成する。
【０１１２】
次いで、図４６（ｇ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１０１をマスクとしてｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０８１の露出部をエッチングしてｉ型ＩｎＰ層４０７を露出させる。次いで、図４６（ｈ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１０１を選択成長マスクとして再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．２６μｍ、厚さが１５０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０８２を堆積する。
【０１１３】
次いで、図４７（ｉ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１０１を除去したのち、再び、プラズマＣＶＤ法を用いて厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積し、通常のフォトリソ工程により後端面側８０μｍ幅に亘ってＳｉＯ２膜を除去してＳｉＯ２マスク４１０２を形成する。
【０１１４】
次いで、図４７（ｊ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１０２をマスクとしてｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０８２の露出部をエッチングしてｉ型ＩｎＰ層４０７を露出させる。次いで、図４８（ｋ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１０２を選択成長マスクとして再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．２７μｍ、厚さが１５０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０８３を堆積する。
【０１１５】
次いで、図４８（ｌ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１０２を除去したのち、再び、プラズマＣＶＤ法を用いて厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積し、通常のフォトリソ工程により後端面側７０μｍ幅に亘ってＳｉＯ２膜を除去してＳｉＯ２マスク４１０３を形成する。
【０１１６】
次いで、図４９（ｍ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１０３をマスクとしてｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０８３の露出部をエッチングしてｉ型ＩｎＰ層４０７を露出させる。次いで、図４９（ｎ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１０３を選択成長マスクとして再びＭＯＶＰＥ法により、組成波長１．２８μｍ、厚さが１５０ｎｍのｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０８４を堆積する。
【０１１７】
これらの工程を除去部の幅を１０μｍづつ狭め、且つ、選択成長で埋め込まれるｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０８５〜４０８１０の組成波長を順次長波化することで図５０（ｏ）に示す構造が得られる。ここで、ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０８５〜４０８１０の組成波長はそれぞれ１．２９μｍ、１．２９５μｍ、１．３μｍ、１．３０５μｍ、１．３１μｍ及び１．３１５μｍである。
【０１１８】
次いで、図５０（ｐ）に示すように、全面に電子ビームレジスト（日本ゼオン製商品型番ＺＥＰ５２０）を塗布し、電子ビーム露光法により回折格子パターンを露光したのち、現像することによってレジストパターン４１１を形成する。回折格子パターンの周期は２３９．０ｎｍで一定である。
【０１１９】
次いで、図５１（ｑ）に示すように、レジストパターン４１１をマスクとしてエタン／水素混合ガスによるＲＩＥ法を用いて、ｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層４０８１〜４０８１０を１２５ｎｍ掘る深さまで回折格子パターンを転写する。
【０１２０】
次いで、図５１（ｒ）に示すように、レジストパターン４１１を除去したのち、ＭＯＶＰＥ法を用いて、厚さが３μのＺｎドープのｐ型ＩｎＰクラッド層４１３で回折格子４１２を埋め込む。引き続いて、厚さが３００ｎｍのＺｎドープのｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４１４を堆積する。
【０１２１】
次いで、図５２（ｓ）に示すように、再び、通常のＣＶＤ法を用いて厚さが４００ｎｍのＳｉＯ２膜を堆積させた後、通常のフォトリソグラフィを用いて幅が１．５μｍのストライプ状の屈曲したＳｉＯ２マスク４１５を形成する。
【０１２２】
ここで、ＳｉＯ２マスク４１５の形状は、図５３（ｔ）乃至図５３（ｖ）に示すように活性領域と後ろ側分布反射領域の境界の位置から緩やかに曲線を描く。その接線角度をθとするとき、位置ｘにおける回折格子周期Λ（ｘ）は元々の回折格子周期Λ０とθを用いて、等価的にΛ（ｘ）＝Λ０／ｃｏｓθと表わされる。ここでは、位置ｘに対して２３９．０ｎｍから２４２．５８ｎｍへと、活性領域との境界位置からｘの増大に伴い（ｘ−１５０）１／２にほぼ比例して変化するように導波路の曲率が設計されている。なお、図５３（ｕ）は、図５３（ｔ）に示す円内の拡大図であり、図５３（ｖ）は、光の導波方向に沿った回折格子の周期の分布の説明図である。
【０１２３】
次いで、図５４（ｗ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１５をマスクとして、ドライエッチング法を用いて半導体表面をエッチングし、ｎ型ＩｎＰ基板４０１を０．７μｍだけ掘り込んでストライプ状メサを形成する。
【０１２４】
次いで、図５４（ｘ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１５を選択成長マスクとして用いて、ＭＯＶＰＥ法によってストライプ状メサの両脇に、Ｆｅドープｉ型ＩｎＰ埋込層４１６を形成する。
【０１２５】
次いで、図５５（ｙ）に示すように、ＳｉＯ２マスク４１５をふっ酸で除去したのち、活性領域となる領域以外のｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層４１４を通常のフォトリソグラフィとエッチングを用いて除去する。次いで、ＳｉＯ２膜からなるパッシベーション膜４１７を形成し、活性領域のコンタクト層の部分のみに窓を開けるように通常のフォトリソグラフィとエッチングを用いて開口部を形成する。
【０１２６】
次いで、開口部を覆うようにｐ側電極４１８を形成するとともに、ｎ型ＩｎＰ基板４０１の裏面にｎ側電極４１９を形成する。最後に、素子の両端面に無反射コート４２０，４２１を形成することで、本発明の実施例４の半導体レーザが完成する。
【０１２７】
図５６は、本発明の実施例４の半導体レーザの特性の説明図であり、図５６（ａ）は、図５５（ｙ）におけるＡ―Ａ’および Ｂ―Ｂ’に沿った断面図である。図５６（ｂ）は、共振器方向の回折格子周期ならびに結合係数の説明図であり、図５６（ｃ）は後側分布反射領域の反射スペクトルの説明図である。
【０１２８】
図５５（ｂ）に示すように、回折格子周期が大きくなるにしたがって、結合係数は大きくなっている。また、図５５（ｃ）に示すように、波長が１５４３ｎｍから１５５５ｎｍに亘って長波になるほど反射率が高くなっていることがわかる。
【０１２９】
この本発明の実施例４の半導体レーザにおいては、しきい値でのモード跳びもなく、安定した単一縦モード動作が可能になる。
【０１３０】
以上、本発明の各実施例を説明してきたが、本発明は実施例に示した材料、形状、数値等の各種条件に限定されるものではなく、各種の変更が可能である。例えば、上記の各実施例においては、量子井戸活性層を構成する材料系として、実施例１及び実施例４ではＡｌＧａＩｎＡｓ系を用い、実施例２及び実施例３ではＩｎＧａＡｓＰ系を用いているが、それぞれの実施例において互いに逆の材料系を用いても良い。
【０１３１】
また、上記の各実施例においては、活性層を量子井戸活性層で形成しているが、バルク半導体で形成しても良い。また、上記の各実施例においては、ＤＦＢ領域の両側にＤＢＲ部を設けているが、図１（ａ）の実施の形態に示したように、前方端面側のＤＢＲ部はなくても良いものである。
【０１３２】
また、上記の各実施例に示した回折格子周期や結合係数の値の光導波方向に沿った変化の度合は単なる一例であり、分布反射鏡の反射率が５０％以上となる波長領域において、５０％となる長短両方の波長の中心波長に対して、その反射率の変化が波長に対して非対称であるとともに、最大反射率をとる波長が長波側にあり、且つ、前記最大反射率をとる波長から短波側へと緩やかに反射率が小さくなる値をとるという条件を満たしていれば良い。
【０１３３】
また、上記の各実施例においては、基板としてｎ型基板を用いているが、ｐ型基板を用いても良いものであり、その場合には、実施例で示した導電型を全て反転させれば良い。さらには、半絶縁性の基板、例えば、シリコン基板の上に貼り合わせの方法で作製したIII-Ｖ族化合物半導体基板を用いても良いものである。
【０１３４】
また、上記の各実施例においては、素子構造としてＦｅドープ半絶縁性埋込層を用いた電流狭窄埋込構造を採用しているが、埋込層としてｐｎｐｎサイリスタ構造の電流狭窄構造を適用しても良い。さらには、電流狭窄構造は埋込構造に限られるものではなく、リッジ型導波路など、他の導波路構造を採用しても良い。
【０１３５】
また、回折格子の構造に関しても実施例１、実施例２及び実施例４では表面回折格子構造を採用しているが、実施例２と同様に埋め込み型の回折格子構造を適用しても良いし、その逆でも構わない。また、さらに、実施例１乃至実施例３では活性層に対して基板側に回折格子構造を装荷しているが、実施例４のように基板と反対側に回折格子を装荷しても良いし、その逆の場合でも良い。
【０１３６】
また、上記の各実施例においては、活性領域と分布反射鏡領域の結合係数の値は同じとしているが、素子設計によっては異なっていても何ら構わない。また、上記の各実施例においては、回折格子周期が変化している分布反射鏡領域の回折格子周期の活性領域側の回折格子周期は活性領域の回折格子の周期と同じ値から始まっているが、活性領域の回折格子周期よりも若干短いか長い値から始まっていても良い。但し、その場合には、若干発振しきい値が上昇することになる。
【０１３７】
また、回折格子周期が変化している分布反射領域の実効的な回折格子周期の周期変化の関数については、素子の設計によっては実施例で示した関数形状と異なっていても、分布反射鏡の反射率が長波ほど高くなるような関数になっていれば何ら構わない。同様に、実施例４における導波路の曲率変化を示す関数の形状に設計上の自由度があることは明白である。また、実施例においては回折格子の山谷比が５０％ の構造を示しているが、素子の設計によってはその山谷比が変化していても構わない。
【０１３８】
ここで、実施例１乃至実施例４を含む本発明の実施の形態に関して、以下の付記を付す。
（付記１）一定の周期の回折格子を備えた分布帰還型半導体レーザ領域と前記分布帰還型半導体レーザ領域の少なくとも一方の端面側に設けられ、実効的な回折格子周期及び結合係数が共振器方向に沿って変化している回折格子を備えた分布反射鏡領域とを有することを特徴とする半導体レーザ。
（付記２）前記分布反射鏡領域の実効的な回折格子周期が前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って長くなるように、且つ、前記回折格子の結合係数が前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って大きくなるように変化していることを特徴とする付記１に記載の半導体レーザ。
（付記３）前記分布反射鏡領域の実効的な回折格子周期が、前記分布帰還型半導体レーザ領域に接している位置において前記分布帰還型半導体レーザ領域に設けた回折格子と同じ周期かそれより長い周期から始まっていることを特徴とする付記２に記載の半導体レーザ。 
（付記４）前記分布反射鏡領域の回折格子周期が、共振器方向に沿って実際の周期が変化していることを特徴とする付記１に記載の半導体レーザ。
（付記５）前記分布反射鏡領域の導波路が共振器方向に沿って湾曲していることで、前記分布反射鏡領域の回折格子周期が実効的に変化していることを特徴とする付記１に記載の半導体レーザ。
（付記６）前記分布反射鏡領域の導波路の湾曲に伴う接線角度が、前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って大きく変化していることを特徴とする付記５に記載の半導体レーザ。
（付記７）前記分布反射鏡領域の反射率が５０％以上となる波長領域において、５０％となる長短両方の波長の中心波長に対して、その反射率の変化が波長に対して非対称であるとともに、最大反射率をとる波長が長波側にあり、且つ、前記最大反射率をとる波長から短波側へと緩やかに反射率が小さくなる値をとることを特徴とする付記１に記載の半導体レーザ。
（付記８）前記分布反射鏡領域の回折格子形成層の屈折率が、前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って大きくなるように変化していることを特徴とする付記１に記載の半導体レーザ。
（付記９）前記分布反射鏡領域の回折格子の高さが、前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って高くなるように変化していることを特徴とする付記１に記載の半導体レーザ。
（付記１０）前記分布反射鏡領域の回折格子が埋込型回折格子であり、前記埋込型回折格子の屈折率が前記分布帰還型半導体レーザ領域から遠ざかるに従って大きくなるように変化していることを特徴とする付記１に記載の半導体レーザ。
（付記１１）前記分布帰還型半導体レーザ領域の他方の端面側にも第２の分布反射鏡領域が設けられていることを特徴とする付記１乃至付記１０のいずれか１に記載の半導体レーザ。
（付記１２）前記第２の分布反射鏡領域の回折格子の実効的な回折格子周期及び結合係数が共振器方向に沿って変化していることを特徴とする付記１２に記載の半導体レーザ。
（付記１３）
前記第２の分布反射鏡領域の回折格子の周期が、前記分布帰還型半導体レーザ領域に設けた回折格子の周期と同じであることを特徴とする付記１２に記載の半導体レーザ。
（付記１４）両側の出射端面に無反射コーティングが施されていることを特徴とする付記１乃至付記１３のいずれか１に記載の半導体レーザ。
【符号の説明】
【０１３９】
１１  半導体基板
１２，１３  回折格子
１４  埋込層
１５  活性層
１６  光ガイド層
１７  クラッド層
１８  コンタクト層
１９，２０  電極
２１，２２  無反射コーティング
１０１  ｎ型ＩｎＰ基板
１０２  ＳｉＯ２膜
１０３  レジストパターン
１０４  ＳｉＯ２パターン
１０５  回折格子
１０６１、１０６２  フォトレジスト
１０７１，１０７２  開口部
１０８  ｎ型ＩｎＧａＡｓＰガイド層
１０９  ｎ型ＩｎＰ層
１１０  量子井戸活性層
１１１  ｐ型ＩｎＰクラッド層
１１２  ＳｉＯ２膜
１１３  ＳｉＯ２マスク
１１４  ｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層
１１５  ｉ型ＩｎＰ層
１１６  ｐ型ＩｎＰクラッド層
１１７  ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
１１８  ＳｉＯ２マスク
１１９  Ｆｅドープｉ型ＩｎＰ埋込層
１２０  パッシベーション膜
１２１  ｐ側電極
１２２  ｎ側電極
１２３，１２４  無反射コート
２０１  ｎ型ＩｎＰ基板
２０２１〜２０２１０  ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層
２０３１〜２０３３  ＳｉＯ２膜
２０４１〜２０４３  ＳｉＯ２マスク
２０５  ｎ型ＩｎＰ層
２０６  レジストパターン
２０７  回折格子
２０８  ｎ型ＩｎＰ層
２０９  量子井戸活性層
２１０  ｐ型ＩｎＰクラッド層
２１１  ＳｉＯ２膜
２１２  ＳｉＯ２マスク
２１３  ｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層
２１４  ｉ型ＩｎＰ層
２１５  ｐ型ＩｎＰクラッド層
２１６  ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
２１７  ＳｉＯ２マスク
２１８  Ｆｅドープｉ型ＩｎＰ埋込層
２１９  パッシベーション膜
２２０  ｐ側電極
２２１  ｎ側電極
２２２，２２３  無反射コート
３０１  ｎ型ＩｎＰ基板
３０２１〜３０２１０  ｎ型ＩｎＧａＡｓＰ層
３０３１〜３０３３  ＳｉＯ２膜
３０４１〜３０４３  ＳｉＯ２マスク
３０５  レジストパターン
３０６  回折格子
３０７  ｎ型ＩｎＰ層
３０８  量子井戸活性層
３０９  ｐ型ＩｎＰクラッド層
３１０  ＳｉＯ２膜
３１１  ＳｉＯ２マスク
３１２  ｉ型ＩｎＧａＡｓＰ層
３１３  ｉ型ＩｎＰ層
３１４  ｐ型ＩｎＰクラッド層
３１５  ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
３１６  ＳｉＯ２マスク
３１７  Ｆｅドープｉ型ＩｎＰ埋込層
３１８  パッシベーション膜
３１９  ｐ側電極
３２０  ｎ側電極
３２１，３２２  無反射コート
４０１  ｎ型ＩｎＰ基板
４０２  量子井戸活性層
４０３  ｐ型ＩｎＰ層
４０４  ＳｉＯ２膜
４０５  ＳｉＯ２マスク
４０６  ｉ型ＡｌＧａＩｎＡｓ層
４０７  ｉ型ＩｎＰ層
４０８１〜４０８１０  ｐ型ＩｎＧａＡｓＰ層
４０９１  ＳｉＯ２膜
４１０１〜４１０３  ＳｉＯ２マスク
４１１  レジストパターン
４１２  回折格子
４１３  ｐ型ＩｎＰクラッド層
４１４  ｐ型ＩｎＧａＡｓコンタクト層
４１５  ＳｉＯ２マスク
４１６  Ｆｅドープｉ型ＩｎＰ埋込層
４１７  パッシベーション膜
４１８  ｐ側電極
４１９  ｎ側電極
４２０，４２１  無反射コート
５０１，５１１  ｎ型基板
５０２，５１２，５２３  回折格子
５０３，５１４  埋込層
５０４，５１５  活性層
５０５，５１７  ｐ型クラッド層
５０６，５１８  ｐ型コンタクト層
５０７，５１９  ｐ側電極
５０８，５２０  ｎ側電極
５０９，５２１，５２２  反射防止膜
５１０  高反射膜
５１３，５２４  位相シフト領域
５１６  光ガイド層
【図１】
2014017347.tif 000003
【図２】
2014017347.tif 000004
【図３】
2014017347.tif 000005
【図４】
2014017347.tif 000006
【図５】
2014017347.tif 000007
【図６】
2014017347.tif 000008
【図７】
2014017347.tif 000009
【図８】
2014017347.tif 000010
【図９】
2014017347.tif 000011
【図１０】
2014017347.tif 000012
【図１１】
2014017347.tif 000013
【図１２】
2014017347.tif 000014
【図１３】
2014017347.tif 000015
【図１４】
2014017347.tif 000016
【図１５】
2014017347.tif 000017
【図１６】
2014017347.tif 000018
【図１７】
2014017347.tif 000019
【図１８】
2014017347.tif 000020
【図１９】
2014017347.tif 000021
【図２０】
2014017347.tif 000022
【図２１】
2014017347.tif 000023
【図２２】
2014017347.tif 000024
【図２３】
2014017347.tif 000025
【図２４】
2014017347.tif 000026
【図２５】
2014017347.tif 000027
【図２６】
2014017347.tif 000028
【図２７】
2014017347.tif 000029
【図２８】
2014017347.tif 000030
【図２９】
2014017347.tif 000031
【図３０】
2014017347.tif 000032
【図３１】
2014017347.tif 000033
【図３２】
2014017347.tif 000034
【図３３】
2014017347.tif 000035
【図３４】
2014017347.tif 000036
【図３５】
2014017347.tif 000037
【図３６】
2014017347.tif 000038
【図３７】
2014017347.tif 000039
【図３８】
2014017347.tif 000040
【図３９】
2014017347.tif 000041
【図４０】
2014017347.tif 000042
【図４１】
2014017347.tif 000043
【図４２】
2014017347.tif 000044
【図４３】
2014017347.tif 000045
【図４４】
2014017347.tif 000046
【図４５】
2014017347.tif 000047
【図４６】
2014017347.tif 000048
【図４７】
2014017347.tif 000049
【図４８】
2014017347.tif 000050
【図４９】
2014017347.tif 000051
【図５０】
2014017347.tif 000052
【図５１】
2014017347.tif 000053
【図５２】
2014017347.tif 000054
【図５３】
2014017347.tif 000055
【図５４】
2014017347.tif 000056
【図５５】
2014017347.tif 000057
【図５６】
2014017347.tif 000058
【図５７】
2014017347.tif 000059
【図５８】
2014017347.tif 000060
【図５９】
2014017347.tif 000061
【図６０】
2014017347.tif 000062
【図６１】
2014017347.tif 000063
【図６２】
2014017347.tif 000064
【図６３】
2014017347.tif 000065
【図６４】
2014017347.tif 000066
【図６５】
2014017347.tif 000067