(57)【要約】      （修正有）【課題】高熱伝導性かつ低熱膨張係数を有するプリプレグを提供する。【解決手段】セラミック繊維を含むアルミナ含有織布と、アルミナ含有織布に含浸された熱伝導率１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱硬化性樹脂組成物とを含むコンポジット層を含むプリプレグ。前記セラミック繊維がアルミナを９９質量％以上含有するプリプレグ。前記セラミック繊維のアルミナの結晶構造がα型であるプリプレグ。前記熱硬化性樹脂組成物の熱伝導率が２．０Ｗ／ｍＫ以上であるプリプレグ。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック繊維を含むアルミナ含有織布と、前記アルミナ含有織布に含浸された熱伝導率１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱硬化性樹脂組成物とを含むコンポジット層を含むプリプレグ。
【請求項２】
前記セラミック繊維がアルミナを９９質量％以上含有する、請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
前記セラミック繊維のアルミナの結晶構造がα型である、請求項１または２のいずれかに記載のプリプレグ。
【請求項４】
前記熱硬化性樹脂組成物の熱伝導率が２．０Ｗ／ｍＫ以上である、請求項１〜３のいずれか一項に記載のプリプレグ。
【請求項５】
前記熱硬化性樹脂組成物がエポキシ樹脂組成物である、請求項１〜４のいずれか一項に記載のプリプレグ。
【請求項６】
前記熱硬化性樹脂組成物が平均粒径３μｍ以下のアルミナフィラーを含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載のプリプレグ。
【請求項７】
前記熱硬化性樹脂組成物がアルミナフィラーを８０質量％以上含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載のプリプレグ。
【請求項８】
前記アルミナ含有織布の坪量が４０〜２０００ｇ／ｍ２である、請求項１〜７のいずれか一項に記載のプリプレグ。
【請求項９】
熱伝導率１．０Ｗ／ｍＫ以上の第２の熱硬化性樹脂組成物を含む接着促進層をさらに含む、請求項１〜８のいずれか一項に記載のプリプレグ。
【請求項１０】
前記接着促進層がコアシェル粒子を含む、請求項１〜９のいずれか一項に記載のプリプレグ。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載のプリプレグの硬化物と、前記硬化物の少なくとも一部の上に積層された少なくとも１つの導電層とを含む配線板。
【請求項１２】
請求項１１に記載の配線板と、層間絶縁層および第２の導電層からなり前記配線板の上に積層された少なくとも１つの配線パターン層とを含む多層配線板であって、前記第２の導電層の少なくとも１つが、層間絶縁層を貫通するスルーホールまたはビア接続を介して前記配線板の前記少なくとも１つの導電層と導通している、多層配線板。
【請求項１３】
請求項１２に記載の多層配線板と、前記多層配線板に埋め込まれた半導体チップとを含み、前記半導体チップが、前記配線板の前記少なくとも１つの導電層と、または前記配線板の前記少なくとも１つの導電層と導通している前記第２の導電層の少なくとも１つと導通している、半導体装置。
【請求項１４】
請求項１２に記載の多層配線板と、最も外側の配線パターン層の第２の導電層に半田付けされた半導体チップとを含む、半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は高熱伝導性プリプレグ、当該プリプレグを用いた配線板および多層配線板、ならびに当該多層配線板を用いた半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳｉＣなどの基板を含むパワー半導体デバイスは、パワー電子回路においてスイッチまたは整流器として用いられる。これらのデバイスは、一般に半導体チップを取り付けるためのセラミック製のプリント配線板（ＰＷＢ（printing wiring board））を必要とする。このような半導体チップは大量の熱を発生するため、ＰＷＢは半導体チップからヒートシンクへと熱を伝えるために高い熱伝導性を有していなければならない。
【０００３】
図１に従来のパワー半導体モジュールの典型的構造の概略断面図を示す。半導体チップ１３０は半田接合１３４を用いてセラミック基板１１４および導電層１２２の積層体であるセラミック配線板１２０の上に取り付けられ、セラミック配線板１２０の反対側に放熱オイル１３８を用いてセラミック配線板１２０がヒートシンク１３６の上に取り付けられる。放熱オイル１３８は、セラミック基板１１４（熱膨張係数４〜６ｐｐｍ）と金属製のヒートシンク１３６（熱膨張係数１５〜２０ｐｐｍ）の間の熱膨張係数のミスマッチを補償するために必要である。この構造において、熱伝導のボトルネックとなるのが放熱オイル１３８である。図１に示す構造に用いられる材料の代表的な熱伝導率は次のとおりである：半田約５０Ｗ／ｍＫ、セラミック基板２０〜１７０Ｗ／ｍＫ、金属製のヒートシンク約３９０Ｗ／ｍＫ、放熱オイル１〜３Ｗ／ｍＫ。
【０００４】
高い熱伝導性が求められる別の用途としてＬＥＤモジュールが挙げられる。ＬＥＤの発光効率において接合温度は重要であり、ＬＥＤの信頼性および性能は接合温度の変化に直接影響される。したがって、ＬＥＤモジュールを実装する基板の熱伝導率を高めることが望まれている。
【０００５】
特許文献１（特開２０１０−２６０９９０号公報）は、「硬化後の熱伝導率が０．５Ｗ／（ｍＫ）以上３０．０Ｗ／（ｍＫ）以下となるプリプレグであって、このプリプレグは芯材と、この芯材に含浸されたコンポジット材とからなり、コンポジット材は半硬化状態の樹脂体とその樹脂体中に分散された無機フィラーと１種類以上の湿潤分散材とからなり、前記コンポジット材のプリプレグ中の割合が５５体積％以上９５体積％以下であり、かつ、前記コンポジット材中の無機フィラーの割合が３５体積％以上６５体積％以下であり、前記無機フィラーが、酸化マグネシウムと炭酸マグネシウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、酸化カルシウム、水酸化アルミニウム、アルミナ、窒化アルミ、窒化ホウ素、炭化ケイ素、窒化ケイ素、シリカ、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化錫、炭素、ジルコン珪酸塩から選ばれた少なくとも１種類以上であって、メディアン径が１μｍ以上１０μｍ以下、ＢＥＴ比表面積が０．１ｍ２／ｇ以上２．０ｍ２／ｇ以下であるプリプレグ」を記載している。
【０００６】
特許文献２（特開２０１０−２２９３６８号公報）は、「エポキシ樹脂（Ａ）と、フェノール類ノボラック樹脂（Ｂ）と、無機充填材（Ｃ）と、アミノ基を有するシランカップリング剤（Ｄ）とを含み、前記無機充填材（Ｃ）が、樹脂固形分１００質量部に対して、１５０〜９５０質量部であり、且つ、前記アミノ基を有するシランカップリング剤（Ｄ）が、樹脂固形分１００質量部に対して、０．３〜１．５質量部であることを特徴とするエポキシ樹脂組成物」を記載している。
【０００７】
特許文献３（特開２００９−１０１６９６号公報）は、「プリプレグシート、銅箔シート及び支持シート板を接着し一体とした構造を有することを特徴とする銅箔積層体」を記載している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１０−２６０９９０号公報
【特許文献２】特開２０１０−２２９３６８号公報
【特許文献３】特開２００９−１０１６９６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本開示の目的は、高い熱伝導性を有しかつ低い熱膨張係数を有するプリプレグを提供することにある。本開示の別の目的は、上記プリプレグを用いた配線板および多層配線板、ならびに当該多層配線板を用いた半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の一実施態様によれば、セラミック繊維を含むアルミナ含有織布と、前記アルミナ含有織布に含浸された熱伝導率１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱硬化性樹脂組成物とを含むコンポジット層を含むプリプレグが提供される。
【００１１】
本開示の別の実施態様によれば、上記プリプレグの硬化物と、前記硬化物の少なくとも一部の上に積層された少なくとも１つの導電層とを含む配線板が提供される。
【００１２】
本開示のさらに別の実施態様によれば、上記配線板と、層間絶縁層および第２の導電層からなり前記配線板の上に積層された少なくとも１つの配線パターン層とを含む多層配線板であって、前記第２の導電層の少なくとも１つが、層間絶縁層を貫通するスルーホールまたはビア接続を介して前記配線板の前記少なくとも１つの導電層と導通している、多層配線板が提供される。
【００１３】
本開示のさらに別の実施態様によれば、上記多層配線板と、前記多層配線板に埋め込まれた半導体チップとを含み、前記半導体チップが、前記配線板の前記少なくとも１つの導電層と、または前記配線板の前記少なくとも１つの導電層と導通している前記第２の導電層の少なくとも１つと導通している、半導体装置が提供される。また、本開示のさらに別の実施態様によれば、上記多層配線板と、最も外側の配線パターン層の第２の導電層に半田付けされた半導体チップとを含む、半導体装置が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本開示の一実施態様のプリプレグを構成するアルミナ含有織布は、当該織布に含まれるアルミナ自体の熱伝導性が高いことに加えて、当該織布を構成する繊維を通じて効率的に熱を織布全体に伝達することができるため、織布の面内全体で高い熱伝導性を有する。また、アルミナ含有織布は、その織構造に起因した高い寸法安定性を有する。そのため、アルミナ含有織布と所定の熱伝導性を有する熱硬化性樹脂組成物を含浸マトリクスとして組み合わせた本開示の一実施態様のプリプレグは、高い熱伝導性と低い熱膨張係数を併せ持つ点で独特である。本開示の一実施態様のプリプレグは、半導体チップのヒートシンクへの取り付け、多層配線板への半導体チップの埋め込みまたは取り付けなど、放熱に優れた様々な半導体装置またはモジュールを作製するために好適に使用することができる。
【００１５】
なお、上述の記載は、本発明の全ての実施態様および本発明に関する全ての利点を開示したものとみなしてはならない。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来のパワー半導体モジュールの典型的構造を示す概略断面図である。
【図２】本開示の一実施態様のプリプレグの断面図である。
【図３】本開示の別の実施態様のプリプレグの断面図である。
【図４】本開示の一実施態様の配線板の断面図である。
【図５】本開示の一実施態様の配線板を用いたパワー半導体モジュールの構造を示す概略断面図である。
【図６】本開示の一実施態様の多層配線板の断面図である。
【図７】埋め込まれた半導体チップを有する、本開示の一実施態様の半導体装置の断面図である。
【図８】半田で接合された半導体チップを有する、本開示の一実施態様の半導体装置の断面図である。
【図９】例３のプリプレグの硬化物の切断面のＳＥＭ画像である。
【図１０】例３および比較例１のプリプレグの硬化物の動的機械分析のデータである。
【図１１】例３および比較例１のプリプレグの硬化物の熱機械分析のデータである。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の代表的な実施態様を例示する目的でより詳細に説明するが、本発明はこれらの実施態様に限定されない。
【００１８】
本開示の一実施態様のプリプレグは、セラミック繊維を含むアルミナ含有織布と、前記アルミナ含有織布に含浸された熱硬化性樹脂組成物とを含むコンポジット層を含む。熱硬化性樹脂組成物は約１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有し、アルミナ含有織布とともにプリプレグに高い熱伝導性を付与することに寄与する。
【００１９】
図２に本開示の一実施態様のプリプレグの断面図を示す。プリプレグ１０のコンポジット層１６は、アルミナ含有織布１２およびアルミナ含有織布１２に含浸された熱硬化性樹脂組成物１４を含む。
【００２０】
アルミナ含有織布は、アルミナを含有するセラミック繊維から作られる、平織り、綾織り、太綾織り、朱子織りなどの織布である。アルミナ含有織布は、織機を用いて縦糸（ワープ）を横糸（フィリング）と交差させて形成することができる。アルミナ含有織布を作成するのに用いられるセラミック繊維は、一般に、ロービング（撚りのないセラミック繊維の１以上のストランドの集合体）またはヤーンと呼ばれる連続トウの形状で入手できる。アルミナ含有織布の有する織構造は、プリプレグおよびその硬化物に高い寸法安定性を付与する。また、アルミナ含有織布を構成する繊維の連続性によって、プリプレグおよびその硬化物はそれらの面内全体で高い熱伝導性を有する。アルミナ含有織布は、レーザ加工性、強度、ビアホールの層間絶縁信頼性などに優れるため、平織りであることが有利である。
【００２１】
セラミック繊維として、アルミナ繊維、アルミノシリケート繊維、アルミノボロシリケート繊維、およびこれらの組み合わせが挙げられる。アルミナ繊維、アルミノシリケート繊維、およびアルミノボロシリケート繊維を作成する方法は本技術分野で公知であり、米国特許第３，７９５，５２４号、第４，０４７，９６５号、第４，９５４，４６２号などに開示された方法が例示される。アルミナ繊維は、好ましくは、理論的な酸化物を基準として、約９９質量％以上のアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）および０〜約０．５質量％のシリカ（ＳｉＯ２）を含む。アルミナ繊維は、例えば、スリーエム社より「ＮＥＸＴＥＬ（登録商標）６１０」という商品名で市販されている。アルミノシリケート繊維は、好ましくは、理論的な酸化物を基準として、約６７〜約７７質量％のアルミナおよび約３３〜約２３質量％のシリカを含む。アルミノシリケート繊維は、例えば、スリーエム社より「ＮＥＸＴＥＬ（登録商標）５５０」および「ＮＥＸＴＥＬ（登録商標）７２０」という入手可能である。アルミノシリケート繊維から作られた織布は、例えば、株式会社ニチビより「ニチビアルフ（登録商標）３０３０Ｐ」という商品名で入手可能である。アルミノボロシリケート繊維は、好ましくは、理論的な酸化物を基準として、約５５〜約７５質量％のアルミナ、約４５質量％未満〜０質量％超（好ましくは４４質量％未満〜０質量％超）のシリカ、および２５質量％未満〜０質量％超（好ましくは約１〜約５質量％％）のＢ２Ｏ３を含む。アルミノボロシリケート繊維の好ましくは５０質量％以上、より好ましくは７５質量％以上、さらに好ましくは１００質量％が結晶構造を有する。アルミノボロシリケート繊維は、例えば、スリーエム社より「ＮＥＸＴＥＬ（登録商標）３１２」および「ＮＥＸＴＥＬ（登録商標）４４０」という商品名で入手可能である。
【００２２】
アルミナが高い熱伝導率を有することから、セラミック繊維は、アルミナ繊維、アルミノシリケート繊維、またはこれらの組み合わせであることが有利であり、アルミナを約９９質量％以上、約９９．５質量％以上、または約９９．８質量％以上含有するアルミナ繊維であることが特に有利である。
【００２３】
セラミック繊維は、結晶性セラミック、および／または結晶性セラミックとガラスとの混合物（結晶性セラミックとガラス相の両方を含有する繊維）であってよい。アルミナ含有織布に含まれるアルミナは、α型、γ型、δ型、θ型など様々な結晶型を有していてよいが、熱伝導率、耐熱性、機械的強度および電気絶縁抵抗が高いことから、α型（α−アルミナ）であることが有利である。
【００２４】
セラミック繊維の繊維径は、一般に約３μｍ以上、約１００μｍ以下であり、強度、加工性などの点で約５μｍ以上または約１０μｍ以上、約５０μｍ以下または約１５μｍ以下であることが有利である。
【００２５】
アルミナ含有織布の坪量（１ｍ２当たりの質量）は、約４０ｇ／ｍ２以上、約６０ｇ／ｍ２以上、または約１００ｇ／ｍ２以上、約２０００ｇ／ｍ２以下、約１０００ｇ／ｍ２以下、または約５００ｇ／ｍ２以下とすることができる。セラミック繊維の坪量を上記範囲とすることにより、プリプレグに十分な強度および寸法安定性を付与しつつ、熱硬化性樹脂組成物の成分を織布の開口部およびセラミック繊維間に有効に充填することができる。アルミナ含有織布の引張強度は、縦糸方向および横糸方向の少なくとも１方向について、約１００ＭＰａ以上、約５００ＭＰａ以上、または約１０００ＭＰａ以上であることが有利である。アルミナ含有織布の引張強度は、引っ張り試験機で織布を０．０５ｍｍ／分の速度で引っ張って破断した際の荷重を測定することにより決定することができる。アルミナ含有織布の熱膨張係数は、縦糸方向および横糸方向の少なくとも１方向について、約２０ｐｐｍ／℃以下、約１５ｐｐｍ／℃以下、または約１０ｐｐｍ／℃以下であることが有利である。アルミナ含有織布の熱膨張係数が、縦糸方向および横糸方向の両方について上記範囲であることが好ましい。アルミナ含有織布の熱膨張係数は、熱機械分析（ＴＭＡ）装置を用いて荷重１０グラムを印加した状態で１０℃／分で昇温して測定することにより決定することができる。
【００２６】
アルミナ含有織布をエポキシ変性シランカップリング剤などの表面処理剤で予め処理して、熱硬化性樹脂組成物との濡れ性、接着性などを高めることもできる。
【００２７】
アルミナ含有織布に含浸されてプリプレグのマトリクス樹脂となる熱硬化性樹脂組成物は、一般に、熱硬化性樹脂および熱伝導性フィラーを含み、必要に応じて硬化剤などを含む。
【００２８】
熱硬化性樹脂として、エポキシ樹脂、シアネート樹脂、ビスマレイミド樹脂、フェノール樹脂、ベンゾオキサジン樹脂、ビニルベンジルエーテル樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ポリビニルアセタールなどを用いることができる。本開示の一実施態様では、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂組成物を熱硬化性樹脂組成物として使用する。
【００２９】
エポキシ樹脂として、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などのビスフェノールエポキシ樹脂；フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラックエポキシ樹脂；ｐ−アミノフェノールトリグリシジルエーテルなどのグリシジルアミン型エポキシ樹脂；ジシクロペンタジエンエポキシ樹脂、ノルボルネンエポキシ樹脂、アダマンタンエポキシ樹脂などの脂環式エポキシ樹脂；キシリレンエポキシ樹脂、フェノールアラルキルエポキシ樹脂、ビフェニルアラルキルエポキシ樹脂、ビフェニルジメチレンエポキシ樹脂、１，１，２，２−（テトラフェノール）エタンのグリシジルエーテルなどのアリールアルキレンエポキシ樹脂；ナフタレン骨格変性エポキシ樹脂、メトキシナフタレン変性クレゾールノボラックエポキシ樹脂、メトキシナフタレンジメチレンエポキシ樹脂などのナフタレンエポキシ樹脂；ビフェニルエポキシ樹脂、テトラメチルビフェニルエポキシ樹脂などのビフェニルエポキシ樹脂；アントラセンエポキシ樹脂、フルオレンエポキシ樹脂、フェノキシエポキシ樹脂、上記エポキシ樹脂をハロゲン化した難燃化エポキシ樹脂など、およびこれらの組み合わせが挙げられる。
【００３０】
プリプレグに要求される特性に応じてエポキシ樹脂を適宜選択することができる。例えば、高い耐熱性を要求される用途では、エポキシ樹脂として、フェノールノボラックエポキシ樹脂、クレゾールノボラックエポキシ樹脂などのノボラックエポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、ナフタレン骨格変性エポキシ樹脂、またはこれらの組み合わせを使用することが有利である。エポキシ樹脂として、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂などのビスフェノールエポキシ樹脂、ゴム変性ビスフェノールエポキシ樹脂などを用いると、銅箔などの導電層またはヒートシンクなどの他の基材との接着性を高めることができる。
【００３１】
エポキシ樹脂のエポキシ当量は、一般に、約１００ｇ／当量以上、約１２０ｇ／当量以上、または約１５０ｇ／当量以上、約１０００ｇ／当量以下、約８００ｇ／当量以下、または約５００ｇ／当量以下とすることができる。２種以上のエポキシ樹脂の混合物を使用する場合、上記エポキシ当量は混合物の値を意味する。
【００３２】
エポキシ樹脂の数平均分子量は、標準ポリスチレン換算で、一般に、約１００以上、または約２００以上であり、約２０００以下、約１０００以下、または約７００以下とすることができる。エポキシ樹脂の平均エポキシ官能性、すなわち一分子あたりの重合性エポキシ基の平均数は、一般に少なくとも２であり、好ましくは２〜４である。
【００３３】
エポキシ樹脂には、合成過程で使用されるエピクロルヒドリン由来の塩素が少量含まれる場合がある。半導体素子への汚染、導電層、半田などの腐食または錆などを防ぐため、エポキシ樹脂の塩素含有量は約１５００ｐｐｍ以下であることが有利であり、約１０００ｐｐｍ以下であることが特に有利である。
【００３４】
熱硬化性樹脂組成物中のエポキシ樹脂の含有量は、熱硬化性樹脂組成物の固形分基準で約２質量％以上、約５質量％以上、または約８質量％以上、約３０質量％以下、約２０質量％以下、または約１５質量％以下とすることができる。エポキシ樹脂の含有量を上記範囲とすることにより、アルミナ含有織布の有する高い熱伝導性を過度に損なわずに、熱伝導性フィラーをプリプレグ中に良好に分散することができ、またプリプレグの硬化物に必要な剛直性を付与することができる。
【００３５】
熱伝導性フィラーとして、例えば、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素、酸化マグネシウムなどが挙げられる。熱伝導性および耐湿性に優れることからアルミナフィラーが有利に使用される。アルミナフィラーは、α型、γ型、δ型、θ型など様々な結晶型を有していてよいが、熱伝導率、耐熱性、機械的強度および電気絶縁抵抗が高いことから、α型（α−アルミナ）であることが有利である。熱伝導率が特に高いことから窒化アルミニウム、窒化ホウ素、窒化ケイ素などの窒化物フィラーも好適に使用でき、窒化物フィラーとアルミナフィラーを組み合わせて使用することもできる。
【００３６】
熱伝導性フィラーの平均粒径は、織布の開口部およびセラミック繊維間に熱伝導性フィラーが充填されるように決定される。熱伝導性フィラーの平均粒径は約０．０５μｍ以上、約０．１μｍ以上、または約０．２μｍ以上、約３μｍ以下、約２．５μｍ以下、または約２μｍ以下とすることが有利である。熱伝導性フィラーの平均粒径を上記範囲とすることにより、アルミナ含有織布に多量の熱伝導性フィラーを担持させることができ、プリプレグの熱伝導性を高めることができる。熱伝導性フィラーとして、単一の粒度分布を有するフィラーを使用してもよいが、フィラーの充填率を高めるために異なる粒度分布を有する２種以上のフィラーを組み合わせて使用してもよい。例えば、平均粒径が１．５μｍの熱伝導性フィラーＡと平均粒径が０．４μｍの熱伝導性フィラーＢを組み合わせて使用することにより、熱伝導性フィラーＡの粒子間の隙間を熱伝導性フィラーＢで充填することができ、熱伝導性フィラーＡを単独で用いたときよりも熱伝導性フィラーの充填率を高めることができる。
【００３７】
熱硬化性樹脂組成物中の熱伝導性フィラーの含有量は、熱硬化性樹脂組成物の固形分基準で約８０質量％以上、約８２質量％以上、または約８４質量％以上、約９８質量％以下、約９５質量％以下、または約９０質量％以下とすることができる。熱伝導性フィラーの含有量を上記範囲とすることにより、アルミナ含有織布の有する高い熱伝導性を過度に損なわずに、熱伝導性フィラーをプリプレグ中に良好に分散することができる。
【００３８】
熱硬化性樹脂組成物は硬化剤または硬化促進剤を含んでもよい。硬化剤として、例えば、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いる場合は、エポキシ樹脂の硬化剤として公知のフェノール系硬化剤、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、酸無水物など、およびこれらの組み合わせが挙げられ、硬化促進剤として、有機金属塩、３級アミン類、イミダゾール類、有機酸、オニウム塩化合物など、およびこれらの組み合わせが挙げられる。硬化剤および硬化促進剤は、エポキシ樹脂１００質量部に対して、一般に約１質量部以上または約５質量部以上、約２０質量部以下または約１０質量部以下で用いられる。
【００３９】
熱硬化性樹脂組成物に、必要に応じて、有機ホスフェートなどの分散剤、変性シラン、有機チタネートなどのカップリング剤、消泡剤、レベリング剤、酸化防止剤、難燃剤などを添加することもできる。
【００４０】
熱硬化性樹脂組成物の熱伝導率は約１．０Ｗ／ｍＫ以上であり、約１．５Ｗ／ｍＫ以上、または約２．０Ｗ／ｍＫ以上、約１５Ｗ／ｍＫ以下、または約１０Ｗ／ｍＫ以下であることが望ましい。熱硬化性樹脂組成物の熱伝導率が上記範囲であることにより、熱硬化性樹脂組成物の硬化性を損なわずに、アルミナ含有織布の本来有する熱伝導性を利用した高い熱伝導性を有するプリプレグを提供することができる。熱硬化性樹脂組成物の熱伝導率は、ＡＳＴＭ  Ｅ１５３０に準拠して決定することができる。
【００４１】
コンポジット層のみからなるプリプレグは、熱硬化性樹脂組成物を溶剤に分散した分散液をアルミナ含有織布に適用した後、溶剤を除去することによって作製することができる。熱硬化性樹脂が液状の場合は、溶剤を用いずに調製した熱硬化性樹脂組成物を直接アルミナ含有織布に適用してプリプレグを作製することができる。熱硬化性樹脂組成物またはその分散液は、公知の混合方法を用いて調製することができる。溶液を調製する場合、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキサノン（ＣＨＮ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、シクロペンタノン、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルピロリドンなどの溶媒を用いることができる。例えば、熱硬化性樹脂組成物の固形分１００質量部に対して溶媒を１〜１００質量部の範囲で使用することができる。熱硬化性樹脂組成物をアルミナ含有織布に含浸させる方法として、浸漬、コーティング、スプレーなどが挙げられる。熱硬化性樹脂組成物が良好に含浸するため浸漬が好ましい。溶剤の除去時に、例えば９０〜１８０℃で、１〜１０分間加熱することにより、半硬化のプリプレグを作製することもできる。
【００４２】
コンポジット層の厚さは、特に限定されないが、約１０μｍ以上、約２０μｍ以上、または約３０μｍ以上、約２５０μｍ以下、約２００μｍ以下、または約１５０μｍ以下とすることができる。
【００４３】
プリプレグはコンポジット層の上に接着促進層をさらに有してもよい。接着促進層を用いると、プリプレグと、銅箔などの導電層またはヒートシンクなどの他の基材との接着性を向上させることができる。接着促進層はコンポジット層の片面のみに配置してもよく、両面に配置してもよい。図３にこの実施態様のプリプレグの断面図を例示的に示す。図３に示すプリプレグ１０では、コンポジット層１６の両面に接着促進層１８が積層されている。
【００４４】
接着促進層は約１．０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導率を有する第２の熱硬化性樹脂組成物を含む。第２の熱硬化性樹脂組成物として、上記熱硬化性樹脂組成物と同様の組成物を使用できる。第２の熱硬化性樹脂組成物の熱導電性フィラーの含有量（質量％）を、コンポジット層の熱硬化性樹脂組成物の熱導電性フィラーの含有量（質量％）よりも少なくすることによって、接着促進層の接着力を高めることができる。一般に、第２の熱硬化性樹脂組成物は、通常コンポジット層の熱硬化性樹脂組成物よりも高い接着力および低い熱伝導率を有する。第２の熱硬化性樹脂組成物の熱伝導率は約１．０Ｗ／ｍＫ以上であり、約１．５Ｗ／ｍＫ以上、または約２．０Ｗ／ｍＫ以上、約４Ｗ／ｍＫ以下、または約３Ｗ／ｍＫ以下とすることができる。
【００４５】
接着促進層はコアシェル粒子を含んでもよい。コアシェル粒子を用いることによって接着促進層の接着力を高めることができる。そのため、熱伝導性フィラーを大量に使用すると低下したであろう接着力を、コアシェル粒子の添加によって補償することができ、コアシェル粒子を用いなかった場合と比べて、接着促進層の熱伝導性をより高めることができる。
【００４６】
コアシェル粒子は、内側のコア部分と外側のシェル部分にそれぞれ異なる材料を含む複合材料である。本開示において、シェル部分のガラス転移温度（Ｔｇ）がコア部分のＴｇよりも高いコアシェルゴムを使用することができ、例えば、コア部分のＴｇが約−１１０℃以上、約−３０℃以下であり、かつシェル部分のＴｇが約０℃以上、約２００℃以下となるように、コア部分およびシェル部分の材料を選択することができる。本開示において、コア部分の材料およびシェル部分の材料のＴｇは、動的粘弾性測定におけるｔａｎδのピーク値の温度として定義される。
【００４７】
コアシェル粒子は、ブタジエン、イソプレン、１，３−ペンタジエン、シクロペンタジエン、ジシクロペンタジエンなどの共役ジエン、１，４−ヘキサジエン、エチリデンノルボルネンなどの非共役ジエンの重合体；これらの共役または非共役ジエンと、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレンなどの芳香族ビニル化合物、アクリロニトリル、メタクリロニトリルなどの不飽和ニトリル化合物、２−ヒドロキシエチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルメタクリレート、３−ヒドロキシブチルアクリレート、グリシジルメタクリレート、ブトキシエチルメタクリレートなどの（メタ）アクリレートなどとの共重合体；ポリブチルアクリレートなどのアクリルゴム；シリコーンゴム；シリコーンとポリアルキルアクリレートとからなるＩＰＮ型複合ゴムなどのゴム成分を含むコア部分と、コア部分の周囲に（メタ）アクリル酸エステルを共重合して形成されたシェル部分とを有する、コアシェル型のグラフト共重合体であってよい。コア部分として、ポリブタジエン、ブタジエン−スチレン共重合体およびアクリル・ブタジエンゴム−スチレン共重合体が有利に使用でき、シェル部分としてメチル（メタ）アクリレートをグラフト共重合して形成したものが有利に使用できる。シェル部分は層状であってよく、一層または複数の層からシェル部分が構成されていてもよい。コアシェル粒子として、２種以上のコアシェル粒子を組み合わせて使用してもよい。
【００４８】
このようなコアシェル粒子として、例えば、メチルメタクリレート−ブタジエン共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体、メチルメタクリレート−アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、メチルメタクリレート−アクリルゴム共重合体、メチルメタクリレート−アクリルゴム−スチレン共重合体、メチルメタクリレート−アクリル・ブタジエンゴム共重合体、メチルメタクリレート−アクリル・ブタジエンゴム−スチレン共重合体、メチルメタクリレート−（アクリル・シリコーンＩＰＮゴム）共重合体などが挙げられるが、これらに限定されない。コアシェル粒子として、メチルメタクリレート−ブタジエン共重合体、メチルメタクリレート−ブタジエン−スチレン共重合体、メチルメタクリレート−アクリル・ブタジエンゴム−スチレン共重合体が有利に使用できる。
【００４９】
コアシェル粒子の１次粒径の平均値（質量平均粒径）は、一般に約０．０５μｍ以上または約０．１μｍ以上、約５μｍ以下または約１μｍ以下である。本開示において、コアシェル粒子の１次粒径の平均値は、ゼータ電位粒度分布測定によって得られた値から決定される。
【００５０】
第２の熱硬化性樹脂組成物中のコアシェル粒子の含有量は、第２の熱硬化性樹脂組成物の固形分基準で約０．１質量％以上、約０．２質量％以上、または約０．５質量％以上、約５質量％以下、約３質量％以下、または約２質量％以下とすることができる。
【００５１】
接着促進層の厚さは、特に限定されないが、約１μｍ以上、約２μｍ以上、または約５μｍ以上、約５０μｍ以下、約３０μｍ以下、または約２０μｍ以下とすることができる。
【００５２】
以上のようにして得られる本開示のプリプレグの硬化物は、硬化促進層を用いた場合も含めて、一般に、約２Ｗ／ｍＫ以上、約３Ｗ／ｍＫ以上、または約５Ｗ／ｍＫ以上、約１５Ｗ／ｍＫ以下、約１２Ｗ／ｍＫ以下、または約１０Ｗ／ｍＫ以下と、従来のプリント配線板用プリプレグと比較して非常に高い熱伝導率を有すると同時に、約１ｐｐｍ／℃以上、または約２ｐｐｍ／℃以上、約１０ｐｐｍ／℃以下、または約７ｐｐｍ／℃以下と非常に低い熱膨張係数を有する点で独特である。
【００５３】
本開示のプリプレグを用いて配線板を作製することができる。配線板はプリプレグの硬化物と、硬化物の少なくとも一部の上に積層された少なくとも１つの導電層とを含む。図４に本開示の一実施態様の配線板の断面図を示す。配線板２０は、プリプレグの硬化物１０’と、その上に積層された導電層２２とを有する。複数のプリプレグの積層体を硬化したものに導電層が積層されていてもよい。導電層はプリプレグの硬化物の片面のみに積層されていてもよく（片面プリント配線板）、両面に積層されていてもよい（両面プリント配線板）。両面に積層されている場合、これらの導電層がスルーホールを介して導通していてもよい。
【００５４】
配線板は、例えば、プリプレグまたは複数のプリプレグの積層体の上に、導電層として金属箔を積層し、この積層体を例えば１２０〜２２０℃に加熱しながら０．５〜５ＭＰａの圧力で圧着することによって得ることができる。このとき加熱によってプリプレグは硬化する。金属箔として、例えば、銅、銅系合金、アルミ、アルミ系合金、銀、銀系合金、金、金系合金、亜鉛、亜鉛系合金、ニッケル、ニッケル系合金、スズ、スズ系合金、鉄、鉄系合金などの金属箔が挙げられる。スクリーン印刷またはフォトリソグラフィを利用したエッチング、レーザなど公知の手法を用いて、積層された金属箔を所望の回路パターンを有する導電層に形成してもよい（サブトラクティブ法）。金属箔を積層する代わりに、プリプレグまたは複数のプリプレグの積層体を硬化し、その後、銅、ニッケルなどのめっき、導電性ペーストなどを用いて、回路パターンを有する導電層を形成してもよい（アディティブ法またはセミアディティブ法）。
【００５５】
配線板の厚さは、一般に約５０μｍ以上または約１００μｍ以上、約１ｍｍ以下または約０．５ｍｍ以下であり、導電層の厚さは、一般に約５μｍ以上または約１８μｍ以上、約２０００μｍ以下または約１０００μｍ以下である。
【００５６】
図５に本開示の配線板の使用態様の一例を示す。図５ではパワー半導体モジュールの構造の断面が模式的に示されており、半導体チップ３０が配線板２０を介してヒートシンク３６に実装されている。半導体チップ３０はボンディングワイヤ３２および半田接合３４によって配線板２０の導電層２２にそれぞれ接続されている。この構造では、図１に示す従来の構造と異なり、例えば、プリプレグに銅箔を貼り付けるときに反対側にヒートシンクを配置して、銅箔／プリプレグの硬化物／ヒートシンクという積層構造を予め作ることによって、放熱オイルを用いずに配線板２０を直接ヒートシンク３６に取り付けることができる。そのため、半導体チップからヒートシンクへと熱を効率的に散逸させることができる。また、プリプレグの硬化物の熱膨張係数と半導体チップの熱膨張係数が近いことから、実装された半導体チップに加わる熱応力を低減することができる。
【００５７】
本開示の配線板を用いて多層配線板を作製することができる。例えば、配線板をコア基板とし、その上に層間絶縁層および第２の導電層からなる少なくとも１つの配線パターン層を積層することによって多層配線板を作製することができる。第２の導電層の少なくとも１つは、層間絶縁層を貫通するスルーホールまたはビア接続を介して、配線板（コア基板）上の少なくとも１つの導電層と導通している。本開示の多層配線板は、熱変形が小さくかつ熱伝導性の高い半導体実装用基板（インターポーザー）として好適に使用することができる。
【００５８】
図６に本開示の一実施態様の多層配線板の断面図を示す。多層配線板４０は、配線板２０（コア基板）と、その上に積層された配線パターン層４２を有し、配線パターン層４２は層間絶縁層４３および第２の導電層４４とからなる。図６ではスルーホール４６とビア接続４８の両方が示されているが、多層配線板がスルーホールまたはビア接続のいずれか一方のみを有していてもよい。図６に示すとおり、第２の導電層４４は、スルーホール４６およびビア接続４８を介して配線板２０の導電層２２と導通している。
【００５９】
層間絶縁層は、例えば、コア基板の上または第２の導電層の上に、硬化性エポキシ樹脂組成物をコーティングし加熱硬化することによって形成してもよく、ポリイミド系フィルムまたは本開示のプリプレグをコア基板の上または第２の導電層の上に積層して加熱硬化することによって形成してもよい。第２の導電層は、例えば、上記導電層と同様の方法で形成することができる。回路パターンが形成されたまたは形成されていない金属箔をポリイミド系フィルムまたは本開示のプリプレグに積層したものを用いて、層間絶縁層および第２の導電層を同時に形成することもできる。本開示のプリプレグを層間絶縁層として用いることにより、より熱伝導性の高い多層配線板を得ることができる。
【００６０】
スルーホールは、例えば、ドリル、レーザなどを用いて多層配線板に貫通孔を開け、めっきなどによって貫通孔の内壁を導電性材料で被覆することによって、あるいは貫通孔全体に導電性材料を充填することによって、形成することができる。ビア接続は、コア基板上に層間絶縁層を形成した後、層間絶縁層にレーザを照射してビアホールを形成し、デスミア処理（層間絶縁層を構成する樹脂残渣の除去）を過マンガン酸塩、重クロム酸塩などの酸化剤を用いて行い、ビアホールおよび層間絶縁層の表面を例えば銅などでめっき処理することによって形成することができる。めっきとして無電解めっき単独、または無電解めっきと電解めっきの組み合わせなどが使用できる。ビアホールの形成にフォトリソグラフィを用いることもできる。ビアホールは銅などの金属で完全に満たされていてもよい（フィルドビア）。
【００６１】
多層配線板は最外層にソルダーレジストを有していてもよい。ソルダーレジストは、例えば、ソルダーレジストのフィルムを積層した後、または液状レジストを印刷した後、露光および現像を行って形成することができる。必要に応じて、露光および現像の後に、後硬化（ポストキュア）を行ってもよい。多層配線板の最も外側の配線パターン層の第２の導電層に、半導体デバイスを実装するための接続用電極部を設けてもよい。接続用電極部は金、ニッケル、または半田などのめっきによる金属膜によって形成することができる。
【００６２】
多層配線板の厚さは、一般に約５０μｍ以上または約１００μｍ以上、約２ｍｍ以下または約０．５ｍｍ以下である。多層配線板のコア基板の厚さは、一般に約３０μｍ以上または約５０μｍ以上、約５００μｍ以下または約３００μｍ以下であり、層間絶縁層の厚さは、一般に約１５μｍ以上または約３０μｍ以上、約５０μｍ以下または約１００μｍ以下であり、第２の導電層の厚さは、一般に約５μｍ以上または約８μｍ以上、約５０μｍ以下または約３５μｍ以下である。
【００６３】
本開示の多層配線板および半導体チップを用いて半導体装置を作製することができる。半導体チップは、多層配線板に埋め込まれて、コア基板の導電層と、またはコア基板の導電層と導通している第２の導電層の少なくとも１つと導通していてもよく、多層配線板の最も外側の配線パターン層の第２の導電層に半田付けされていてもよい。このような半導体装置の例を図７および図８に示す。図７に示す半導体装置５０では、半導体チップ５２が多層配線板の中に埋め込まれており、第２の導電層４４と導通している。図７では半導体チップ５２はスルーホール４６と接触しているが導通はしていない。この実施態様では、埋め込まれた半導体チップから発生した熱を、第２の導電層を介してコア基板に散逸させることができる。図７に示されているように、半導体チップが、コア基板の導電層と導通しているスルーホールまたは別の第２の導電層と接触していると、より効率的に熱をコア基板に散逸させることができる。図８に示す半導体装置５０では、半導体チップ５２が半田接合５４を介して最も外側の配線パターン層の第２の導電層４４に接続されている。この実施態様では、コア基板の熱膨張率が低いことから半導体チップに加わる熱応力を軽減することができる。
【００６４】
半導体チップの多層配線板への埋め込みは、本技術分野で公知の方法によっておこなうことができる。例えば、多層配線板を形成するときに、コア基板の導電層または第２の導電層の上に半導体チップを配置し、半導体チップの周囲に硬化性エポキシ樹脂組成物を印刷などによって適用し、硬化性エポキシ樹脂を加熱硬化することによって半導体チップの電極パッドが露出した状態で層間絶縁層を形成し、その上に回路パターンを有する第２の導電層を形成することによって、多層配線板に半導体チップが埋め込まれた半導体装置を作製することができる。半導体チップの多層配線板上への実装は、本技術分野で公知の方法によっておこなうことができる。例えば、スズ、鉛、銀、銅、ビスマスなどからなる合金から構成される半田バンプを有する半導体チップを多層配線板上に配置し、加熱して半田バンプを溶融させるリフロー法によって、半導体チップを多層配線板上に実装することができる。
【００６５】
本開示のプリプレグは、様々なタイプの配線板および多層配線板、ならびに半導体装置に使用することができ、特に、熱が大量に発生する半導体装置、例えばパワー半導体モジュール、ＬＥＤモジュールなどの製造に好適に使用することができる。
【実施例】
【００６６】
以下の実施例において、本開示の具体的な実施態様を例示するが、本発明はこれに限定されるものではない。部およびパーセントは全て、特に明記しない限り質量による。
【００６７】
本実施例で使用した試薬、原料などを以下の表１に示す。
【００６８】
【表１】
2014167053.tif 000003
【００６９】
ダックミキサーを用いて以下の表２の組成の熱硬化性樹脂組成物１および２のシクロヘキサノン溶液、または熱硬化性樹脂組成物３（無溶媒）を調製した。１５０℃／２時間＋１８０℃／１時間で硬化した熱硬化性樹脂組成物１、２および３の熱伝導率はそれぞれ２．４Ｗ／ｍＫ、２．４Ｗ／ｍＫおよび１．２Ｗ／ｍＫであった。熱伝導率はＡＮＴＥＲ社製  ＵＮＩＴＨＥＲＭ  ２０２１を使用して測定した。
【００７０】
【表２】
2014167053.tif 000004
【００７１】
＜例１＞
アルミナ含有織布として３Ｍ  Ｎｅｘｔｅｌ（登録商標）６１０（スタイルＤＦ−１１）を、ＫＢＭ−４０３の１０％ＭＥＫ溶液で処理して乾燥した。次に、アルミナ含有織布を熱硬化性樹脂組成物１のシクロヘキサノン溶液に浸漬し、ニップロールを通して１５０℃のオーブンで１０分間乾燥して、例１のプリプレグを作製した。得られたプリプレグの厚さは２４０μｍであった。
【００７２】
＜例２＞
熱硬化性樹脂組成物１のシクロヘキサノン溶液の代わりに熱硬化性樹脂組成物２を用い、アルミナ含有織布として３Ｍ  Ｎｅｘｔｅｌ（登録商標）６１０（スタイルＤＦ−１１）の代わりにニチビアルフ（登録商標）３０３０Ｐを使用した以外は、例１と同様にして例２のプリプレグを作製した。得られたプリプレグの厚さは１６０μｍであった。
【００７３】
＜例３＞
熱硬化性樹脂組成物３のシクロヘキサノン溶液をＴＰＸフィルム（三井化学東セロ株式会社製）の上にコーティングし、１５０℃で１０分間乾燥して、１５μｍ厚の接着促進層をＴＰＸフィルム上に作製した。その後、例１のプリプレグを上記接着促進層にヒートラミネーターを用いて積層し、ＴＰＸフィルムを取り除いて例３のプリプレグを作製した。得られたプリプレグの厚さは２７０μｍであった。
【００７４】
＜比較例１＞
比較例１としてＦＲ−４（パナソニック株式会社製両面基板Ｒ−１７０５  銅箔なし、０．５ｍｍ厚さ）を用いた。
【００７５】
＜評価方法＞
本開示のプリプレグの特性を以下の方法にしたがって評価した。
【００７６】
＜熱伝導率＞
表３に記載の条件で硬化したプリプレグの熱伝導率を、レーザフラッシュ分析法により、プリプレグの一方の表面にレーザを当てて反対側の温度を測定することにより算出した。具体的には、熱定数測定装置  ＴＣ−７０００（アルバック理工株式会社製）を使用し、１０ｍｍΦ、厚さ０．２５ｍｍのサンプルにレーザを照射し、裏面の温度を測定して求めた熱拡散率より熱伝導率を算出した。
【００７７】
＜接着力＞
１０ｍｍ×１５ｍｍの長方形に切り出したプリプレグを１ｍｍ厚のアルミニウム板の上に置き、１０ｍｍ×５０ｍｍの長方形で１８μｍ厚の銅箔をプリプレグの上に置いた。得られた積層物をヒートプレスによって１５０℃、５０ｋｇｆで２時間圧着した。さらに１８０℃のオーブンで１時間加熱してポストキュアを行った。テンシロン試験機（株式会社エー・アンド・ディ製）を用いて１８０度、５０ｍｍ／分で銅箔をプリプレグから剥がしたときの剥離力を測定し接着力とした。
【００７８】
＜動的機械分析（ＤＭＡ）＞
表３に記載の条件で硬化したプリプレグの動的機械特性（ＤＭＡ）（貯蔵弾性率Ｅ’および損失弾性率Ｅ”）を、Ｓｏｌｉｄ  Ａｎａｌｙｚｅｒ  ＲＳＡ−ＩＩＩ（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃ  Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ社製）を用いて２５〜２６０℃の温度範囲にて１Ｈｚで測定した。温度は３℃ずつ段階的に上昇させ、３分間各温度を保持した。使用した試料の寸法は３５ｍｍ×１０ｍｍ×０．５ｍｍであった。３点曲げ測定を歪み０．０５％で加えて行った。Ｔｇは損失弾性率Ｅ”の最大値として定義した。
【００７９】
＜熱機械分析（ＴＭＡ）＞
表３に記載の条件で硬化したプリプレグの熱膨張係数を、熱機械分析（ＴＭＡ）装置としてＴＭＡ  Ｑ４００（ＴＡ  Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）を用い、窒素ガス中１５〜２５０℃の温度範囲で測定した（昇温速度１０℃／分）。ＴＭＡの荷重は１０ｇであった。
【００８０】
例１〜３および比較例１のプリプレグを評価した結果を表３に示す。
【００８１】
【表３】
2014167053.tif 000005
【００８２】
例３のプリプレグを１５０℃／２時間＋１８０℃／１時間で硬化して作成したサンプルを、スコッチキャストレジン  ＮＸ−０４８（スリーエム社製）の中に抱埋し室温で２４時間硬化してブロックを作製した。得られたブロックをダイヤモンドブレードで切断し研磨して切断面を観察した。図９にＳＥＭで観察した切断面を示す。
【００８３】
図１０および１１に、例３および比較例１のＤＭＡおよびＴＭＡのデータをそれぞれ示す。
【符号の説明】
【００８４】
１０    プリプレグ
１０’    プリプレグの硬化物
１２    アルミナ含有織布
１４    熱硬化性樹脂
１６    コンポジット層
１８    接着促進層
２０    配線板
２２、１２２    導電層
３０、１３０    半導体チップ
３２、１３２    ボンディングワイヤ
３４、１３４    半田接合
３６、１３６    ヒートシンク
４０    多層配線板
４２    配線パターン層
４３    層間絶縁層
４４    第２の導電層
４６    スルーホール
４８    ビア接続
５０    半導体装置
５２    半導体チップ
５４    半田接合
１１４    セラミック基板
１２０    セラミック配線板
１３８    放熱オイル
【図１】
2014167053.tif 000006
【図２】
2014167053.tif 000007
【図３】
2014167053.tif 000008
【図４】
2014167053.tif 000009
【図５】
2014167053.tif 000010
【図６】
2014167053.tif 000011
【図７】
2014167053.tif 000012
【図８】
2014167053.tif 000013
【図１０】
2014167053.tif 000014
【図１１】
2014167053.tif 000015
【図９】
2014167053.tif 000016