(57)【要約】【課題】最表面にスズめっき層を有し、さらにニッケル下地層を有するコネクタ用めっき端子において、板状のスズ−ニッケル合金の成長による最表面の接触抵抗の上昇が抑制されたコネクタ用めっき端子を提供すること、及びその製造方法を提供すること。【解決手段】他の導電部材と電気的に接触する接点部を含む領域の母材表面に形成されたニッケルめっき層と前記ニッケルめっき層の表面に接触して最表面に形成されたスズめっき層とをスズの融点以上の温度でリフロー処理することにより、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層との界面にスズ−ニッケル合金を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
他の導電部材と電気的に接触する接点部を含む領域の母材表面に形成されたニッケルめっき層と前記ニッケルめっき層の表面に接触して最表面に形成されたスズめっき層とをスズの融点以上の温度でリフロー処理することによって、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層との界面にスズ−ニッケル合金が形成されていることを特徴とするコネクタ用めっき端子。
【請求項２】
前記母材はアルミニウム又はアルミニウム合金よりなることを特徴とする請求項１に記載のコネクタ用めっき端子。
【請求項３】
前記スズ−ニッケル合金は、粒状体を形成していることを特徴とする請求項１又は２に記載のコネクタ用めっき端子。
【請求項４】
他の導電部材と電気的に接触する接点部を含む領域の母材表面に、ニッケルめっき層を形成し、前記ニッケルめっき層の表面に接触させてスズめっき層を形成し、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層とをスズの融点以上の温度でリフロー処理することで、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層との界面にスズ−ニッケル合金を形成することを特徴とするコネクタ用めっき端子の製造方法。
【請求項５】
前記母材としてアルミニウム又はアルミニウム合金よりなる母材を使用することを特徴とする請求項４に記載のコネクタ用めっき端子の製造方法。
【請求項６】
前記スズ−ニッケル合金を粒状体として形成することを特徴とする請求項４又は５に記載のコネクタ用めっき端子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コネクタ用めっき端子及びその製造方法に関し、さらに詳しくは表面にニッケルめっき層とスズめっき層を有するコネクタ用めっき端子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、自動車用配線に使用されるコネクタ端子の母材としては、銅や銅合金が広く利用されてきた。また近年では、軽量化等を目的として、アルミニウム又はアルミニウム合金も用いられるようになってきている。これらの母材の表面に形成された酸化物等の絶縁性の被膜が、他の導体との接点部において接触抵抗を上昇させることを避けるため、コネクタ端子の接点部には従来からスズめっきが施されることが一般的である。そして、母材表面とスズめっき層の間には、母材へのスズめっき層の密着性を高めることなどを目的として、ニッケルや銅よりなる下地層が形成されることも多い。
【０００３】
特に、母材がアルミニウム又はアルミニウム合金よりなる場合に、スズはアルミニウムと合金を形成しないため、スズめっき層を母材表面に直接形成すると、スズめっき層が非常に剥離しやすくなる。銅及びニッケルは、アルミニウムと界面で合金を形成するため、これらを下地層として使用することで、スズめっき層の母材への密着性が高くなる。このようなコネクタ端子は、例えば特許文献１に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２７２４１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ニッケルとスズは、室温付近において、非常にゆっくりとではあるが、合金化を起こす。よって、コネクタ端子において、ニッケルを下地層として用いてその上にスズめっき層を形成した場合、ニッケル／スズ界面から徐々に合金化が進行する。この合金相は異方的に成長する。つまり、ニッケル／スズ界面からスズめっき層内部の結晶粒界に沿って合金が成長し、さらには最表面に向かって板状の合金が形成される。図５（ａ）に断面像を示したアルミニウム母材表面にニッケル下地層、スズめっき層をこの順に形成しためっき試料片を、室温で長時間（１８０日間）放置した後の断面の収束イオンビーム−走査イオン顕微鏡（ＦＩＢ−ＳＩＭ）像を図５（ｂ）に示す。また、図５（ｃ）に、純スズ剥離液（ｐ−ニトロフェノール＋水酸化ナトリウム水溶液）を用いてスズ成分のみを溶出させた状態の表面像を示す。これらによると、ニッケル下地層とスズめっき層の界面から、板状に合金相が成長しているのが確認される。
【０００６】
このようにニッケル／スズ界面からスズ−ニッケル合金がスズめっき層中に板状に成長すると、図５（ｂ）、（ｃ）のＦＩＢ−ＳＩＭ像及び図６の模式図に示すように、合金相が最表面に達し、部分的にスズ−ニッケル合金が最表面に露出するようになる。スズ−ニッケル合金は、スズよりも高い電気抵抗率を有するため、表面に露出されることで、コネクタ端子接点部において、接触抵抗の上昇が引き起こされる。また、最表面にスズが露出した箇所とスズ−ニッケル合金が露出した箇所が混在するため、接触抵抗値が不安定化する。
【０００７】
本発明が解決しようとする課題は、最表面にスズめっき層を有し、さらにニッケル下地層を有するコネクタ用めっき端子において、板状のスズ−ニッケル合金の成長による最表面の接触抵抗の上昇が抑制されたコネクタ用めっき端子を提供すること、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明にかかるコネクタ用めっき端子は、他の導電部材と電気的に接触する接点部を含む領域の母材表面に形成されたニッケルめっき層と前記ニッケルめっき層の表面に接触して最表面に形成されたスズめっき層とをスズの融点以上の温度でリフロー処理することによって、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層との界面にスズ−ニッケル合金が形成されていることを要旨とする。
【０００９】
ここで、前記母材はアルミニウム又はアルミニウム合金よりなるとよい。
【００１０】
また、前記スズ−ニッケル合金は、粒状体で緻密に形成されていることが好適である。
【００１１】
本発明にかかるコネクタ用めっき端子の製造方法は、他の導電部材と電気的に接触する接点部を含む領域の母材表面に、ニッケルめっき層を形成し、前記ニッケルめっき層の表面に接触させてスズめっき層を形成し、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層とをスズの融点以上の温度でリフロー処理することで、前記ニッケルめっき層と前記スズめっき層との界面にスズ−ニッケル合金を形成することを要旨とする。
【発明の効果】
【００１２】
上記発明にかかるコネクタ用めっき端子によると、リフロー処理により、ニッケル層とスズ層の界面にスズ−ニッケル合金が形成される。すると、室温で放置しても、さらに板状のスズ−ニッケル合金が最表面に向かって成長することが抑制される。これにより、室温付近で長時間放置しても、板状のスズ−ニッケル合金が最表面に露出し、表面の接触抵抗を上昇させることが回避される。
【００１３】
また、スズ−ニッケル合金の形成により、ニッケルめっき層とスズめっき層の間の密着性が向上するので、スズめっき層が母材表面に強固に密着するようになる。さらに、リフロー処理によってニッケルめっき層及びスズめっき層の内部応力が解放され、ウィスカーの発生が防止されるという効果も有する。
【００１４】
ここで、母材がアルミニウム又はアルミニウム合金よりなる場合には、ニッケルめっき層の存在なしには相互間の密着性が低いスズめっき層と母材表面の間に、ニッケルめっき層が介在することで、高い密着性が付与されるが、上記のように、リフロー処理を経ることで板状のスズ−ニッケル合金が成長することが抑制されるので、接触抵抗を上昇させることなく、スズめっき層の密着性の向上というニッケルめっき層の効果を享受することができる。
【００１５】
また、粒状体が集合してなるスズ−ニッケル合金は、積層されたニッケルめっき層とスズめっき層をリフロー処理した場合に形成されやすいものであり、これが形成されることで、板状のスズ−ニッケル合金のスズめっき層内部への成長が効果的に抑制される。
【００１６】
上記発明にかかるコネクタ用めっき端子の製造方法によると、リフロー処理という簡便な方法で、ニッケル下地を有するスズめっき端子において、板状のスズ−ニッケル合金の成長による接触抵抗の増大を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明にかかるコネクタ用めっき端子について表面の構成の一例を示す断面の模式図である。
【図２】本発明にかかるコネクタ用めっき端子の構造の一例を示す断面図である。
【図３】（ａ）及び（ｂ）は本発明の実施例１にかかるリフロー処理を経たニッケル下地層を有するスズめっき試料片のＦＩＢ−ＳＩＭ像であり、（ｃ）及び（ｄ）は比較例１にかかるリフロー処理を経ていないニッケル下地層を有するスズめっき試料片のＦＩＢ−ＳＩＭ像である。（ａ）及び（ｃ）は断面像であり、（ｂ）及び（ｄ）は表面像である。
【図４】図３のめっき試料片からスズを溶出させた状態の表面についてのＦＩＢ−ＳＩＭ像であり、（ａ）及び（ｂ）は実施例１のリフロー処理を経たもの、（ｃ）及び（ｄ）は比較例１のリフロー処理を経ていないものである。（ｂ）及び（ｄ）はそれぞれ（ａ）及び（ｃ）の拡大像である。
【図５】一般的なニッケル下地層を有するスズめっき試料片のＦＩＢ−ＳＩＭ像であり、（ａ）は初期状態の断面像、（ｂ）は室温放置後の断面像、（ｃ）は室温放置後にスズを溶出させた時の表面像である。
【図６】一般的なニッケル下地層を有するスズめっき部材について、室温放置後の断面を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施形態について、図面を用いて詳細に説明する。
【００１９】
本発明にかかるコネクタ用めっき端子（以下、単にめっき端子と称する場合がある）は、母材表面に、ニッケルめっき層とスズめっき層をこの順に積層したものをスズの融点以上の温度でリフロー処理することによって形成される。
【００２０】
母材は、コネクタ用端子の基材となるものであり、銅又は銅合金、アルミニウム又はアルミニウム合金など、どのような金属材料より形成されていてもよい。好ましくは、スズめっき層を直接表面に形成すると剥離が生じやすく、ニッケルめっき層を介在させることでスズめっき層の母材表面に対する密着性が高められるという点において、アルミニウム又はアルミニウム合金よりなる場合が好適である。
【００２１】
母材がアルミニウム又はアルミニウム合金よりなる場合、母材表面には非常に硬くて化学的にも安定な厚い酸化物被膜が形成されており、電場が形成されにくいので、そのままの状態で電解めっき法によってニッケルめっき層を形成することはできない。そこで、母材表面に、ニッケルめっき層の形成に先立ち、無電解めっきによって薄い亜鉛層を形成しておくとよい（ジンケート処理）。亜鉛層の表面にはそれほど厚い酸化被膜は形成されず、表面に電場が形成されうるので、その上にニッケルめっき層を電解めっきによって形成することが可能となる。この過程で、亜鉛の大部分はニッケルに置換され、最終的には亜鉛は少量しか母材とニッケル層の界面に残存しない。ジンケート処理によって形成する亜鉛層の厚さは、０．１μｍ以下であることが好適であり、さらに好ましくは０．０５μｍ程度であるとよい。すると、ニッケルめっきに必要な電場が十分に表面に形成されるとともに、多量の亜鉛が最終的なめっき端子に残存することによる腐食等の影響を回避することができる。なお、ニッケルめっき層が亜鉛の拡散を阻止することにより、リフロー処理を行っても、亜鉛がスズめっき層に拡散して表面の接触抵抗の上昇などに寄与することが防止される。
【００２２】
スズめっき層は、端子接点部において、別の導電部材との良好な電気的接触を確保するために形成される。スズめっき層の最表面には比較的硬いスズ酸化膜が形成されるが、荷重を印加することで容易に破壊され、軟らかい金属スズが露出して別の導電部材と密着し、良好な電気的接触が形成される。
【００２３】
ニッケルめっき層は、母材とスズめっき層の間の密着性を高める役割を果たす。ニッケルは銅系又はアルミニウム系等の母材に対してもスズに対しても高い密着性を有するからである。
【００２４】
ニッケルめっき層及びスズめっき層は、いかなる方法で形成されてもよいが、生産性等の観点から、電解めっき法によって形成することが好適である。これらの厚さは、特に限定されるものではないが、ニッケルめっき層の厚さは、０．２〜０．６μｍの範囲にあることが好適である。この範囲の厚みを有していれば、後述するリフロー処理を施してスズと合金化した後にも十分にニッケルめっき層が残存するとともに、厚すぎることによって、めっき部材の加工性が低下することもない。また、スズめっき層の厚さは、１〜２．５μｍの範囲にあることが好適である。後述するリフロー処理によってニッケルと合金を形成した後にも、最表面において十分に良好な接触特性が確保されるだけの厚さのスズめっき層が残るからである。
【００２５】
上記のようにニッケルめっき層とスズめっき層を順に積層した状態で、スズの融点つまり２３２℃よりも高い温度でリフロー処理を行うと、図１に示すように、ニッケルめっき層２とスズめっき層４の界面にスズ−ニッケル合金３が形成される。スズ−ニッケル合金３は、ニッケルめっき層２とスズめっき層４を積層して室温付近で長時間放置した場合に形成される板状の合金６（図６）とは異なり、成長方向についての異方性が小さく、ニッケルめっき層とスズめっき層の界面に、比較的平坦な層として形成される。より具体的には、粒状の合金の集合体としてスズ−ニッケル合金３が形成される傾向がある。この粒状のスズ−ニッケル合金３について、めっき層の断面において観察した際の長径（粒子を横切る最長の直線の長さ）は０．０１〜０．６μｍ程度であり、粒子の短径（粒子断面の中心を通る最短の直線の長さ）に対する長径の比として規定されるアスペクト比はおおむね２以下である。つまり、図５（ｂ）、（ｃ）に示されるような板状の合金とは明らかに異なる、異方性の小さい粒子形状をとる。スズ−ニッケル合金３が形成する層の平均の厚さとしては、０．１〜０．４μｍ程度である。
【００２６】
また、リフロー処理後に合金化せずに残るニッケルめっき層２の厚さとしては、０．５μｍ以下であることが望ましい。また、同様に合金化せずに残るスズめっき層４の厚さとしては、０．５〜２μｍの範囲にあることが望ましい。
【００２７】
リフロー処理においては、スズを溶融させてニッケルと合金を形成させるために、スズの融点以上に加熱を行う必要があるが、高温にしすぎても、母材１の最結晶や軟化を起こすおそれがある。特に、軟化温度の低いアルミニウム系の母材を採用する場合は、このようなことが起こりやすい。そこで、スズの融点から０〜５０℃高い温度の範囲でリフロー処理を行うことが望ましい。また、スズめっき層及び／又はニッケルめっき層の全部が合金形成に費やされてしまうことや、形成された合金が最表面に露出することは好ましくない。特に、スズめっき層が全て合金化に費やされてしまうと、端子接点部の最表面がスズによって被覆されないことになり、スズによる接点特性向上の効果が得られなくなるので、好ましくない。長時間リフロー処理を行いすぎると、このような事態が発生する可能性があるので、上記温度範囲を採用した場合、リフロー処理は１０〜１２０秒の範囲の時間だけ行うことが望ましい。所望される量のスズ−ニッケル合金が形成されるように、この時間範囲の中でリフロー処理の時間を適宜設定すればよい。
【００２８】
リフロー処理は、ニッケルめっき層及びスズめっき層を所定の温度に加熱することができれば、どのような加熱手段を用いて行ってもよい。例えば、熱風による加熱、火炎による加熱を例示することができる。
【００２９】
上記のように、リフロー処理によってスズ−ニッケル合金３をスズめっき層４とニッケルめっき層２の界面に形成しておけば、めっき端子を室温近傍の温度で長時間放置したとしても、図５及び図６に示す、従来のリフロー処理を施されないニッケル下地層を有するスズめっき端子の場合のように、スズ−ニッケル合金が板状の構造をとって、それ以上に成長することが抑制される。つまり、板状に成長して最表面に露出したスズ−ニッケル合金が接触抵抗を上昇させることが抑制される。これは、リフロー処理によって粒状のスズ−ニッケル合金３が緻密に配列された構造がニッケルめっき層２とスズめっき層４の界面に形成されることで、このスズ−ニッケル合金３の層を通ってスズ及び／又はニッケルが拡散することが阻止され、それ以上に合金化が進行しないためであると考えられる。
【００３０】
また、リフロー処理によってスズ−ニッケル合金３がニッケルめっき層２とスズめっき層３の界面に形成されることで、リフロー処理を施す前よりもさらに、スズめっき層４のニッケルめっき層２及び母材１表面への密着性が高められるという効果も発揮される。
【００３１】
加えて、リフロー処理を行うと、合金の形成と同時に、スズめっき層４及びニッケルめっき層２を形成する際に層内に蓄積された内部応力が解放される。また、合金化に費やされないスズの結晶粒の粗大化が起こる。これらにより、スズめっき層４におけるウィスカーの発生が抑制される。典型的にはリフロー処理を行う前のスズの粒径は３〜５μｍ程度であるが、リフロー処理を行うと、５０μｍ以上となる。
【００３２】
本発明にかかるコネクタ用めっき端子は、少なくとも他の導電部材と電気的に接触する接点部に、上記のようなリフロー処理によって形成されたニッケルめっき層２とスズめっき層４の界面にスズ−ニッケル合金３を有する積層構造５を備えていれば、いかなる形状を有していてもよい。一例として図２のような公知のメス型コネクタ端子と同様の形状を有するメス型コネクタ用めっき端子２０とすることができる。メス型コネクタ用めっき端子２０の挟圧部２３は、前方が開口した四角筒状に形成され、挟圧部２３内に相手方接続部材であるオス型端子２９が挿入される。挟圧部２３の底面の内側には、内側後方へ折り返された形状の弾性接触片２１が形成されている。弾性接触片２１はオス型端子２９と突出したエンボス部２１ａにおいて接触し、オス型端子２９に上向きの力を加える。弾性接触片１２と相対する挟圧部２３の天井部の表面が内部対向接触面２２とされ、オス型端子２９が弾性接触片２１によって内部対向接触面２２に押し付けられることにより、オス型端子２９が挟圧部２３内において挟圧保持される。
【００３３】
メス型コネクタ用めっき端子２０は、アルミニウム又はアルミニウム合金を母材１として形成されている。このうち、弾性接触片２１と内部対向接触面２２の挟圧部２３の内側に露出される表面に、積層構造５が形成されている。積層構造５の存在により、弾性接触片２１及び内部対向接触面２２と、オス型端子２９との接点部において、低い摩擦係数と高い耐熱性が実現されている。ここで、積層構造５は、弾性接触片２１の表面全体に形成されていなくても、弾性接触片２１のうち、エンボス部２１ａにのみ形成されていれば、十分である。逆に、さらに広い領域にわたって積層構造５が形成されていてもよく、メス型コネクタ用めっき端子２０を構成する母材１の表面全体を被覆していてもよい。また、オス型端子２９の表面にも、積層構造５が形成されていれば、両端子の接点部において、さらに良好な電気的接続が形成される。
【実施例】
【００３４】
以下、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【００３５】
［実施例１］
清浄なアルミニウム基板の表面に、無電解めっきにより、厚さ０．０５μｍの亜鉛めっき層を形成した。その上に、電解めっきにより、厚さ０．８μｍのニッケルめっき層を形成した。さらにその上に、電解めっきにより、厚さ１．０μｍのスズめっき層を形成した。この状態で、２６０℃で３０秒間リフロー処理を行うことにより、実施例１にかかる試験片を作成した。
【００３６】
［実施例２］
清浄な銅基板の表面に、実施例１の場合と同様にニッケルめっき層とスズめっき層を形成し、リフロー処理を行ったものを実施例２にかかる試料片とした。
【００３７】
［比較例１、２］
実施例１及び２にかかる試料片と同様に形成しためっき層構造に対し、リフロー処理を行わないものをそれぞれ比較例１及び２にかかる試料片とした。
【００３８】
［試験方法］
（めっき層の構造の評価）
収束イオンビーム−走査イオン顕微鏡（ＦＩＢ−ＳＩＭ）を用いて、各実施例及び比較例にかかる試料片の断面及び表面を観察した。とりわけスズ−ニッケル界面に形成される合金相の構造に着目して、めっき層の構造の評価を行った。
【００３９】
また、各実施例及び比較例にかかる試料片について、純スズ剥離液を用いてスズ（合金を形成していない純スズ層）のみを溶出させ、残った構造の表面をＦＩＢ−ＳＩＭを用いて観察した。
【００４０】
（接触抵抗値の測定）
実施例２及び比較例２にかかる試験片について、初期状態と５０℃で１８０時間放置した後の状態において、表面の接触抵抗値を計測した。接触抵抗値は四端子法によって測定した。この際、電極は一方を平板とし、一方を半径３ｍｍのエンボス形状とした。また、開放電圧を２０ｍＶ、通電電流を１０ｍＡとし、６Ｎの荷重を印加して測定を行った。
【００４１】
［試験結果及び考察］
（めっき層の構造評価）
図３（ｃ）に比較例１にかかる試料片の断面構造を示す。最下層の最も暗く観測される部分がアルミニウム母材であり、その上に形成された中間の明るさで観察されている層がニッケルめっき層である。また、最上層に最も明るく観察されているのが、スズめっき層である。ニッケルめっき層とスズめっき層の界面には、それら以外の層は観察されていない。
【００４２】
図３（ｃ）の状態は、実施例１において、リフロー処理を施す前の状態でもあるが、リフロー処理を施すことで、図３（ａ）のように、ニッケルめっき層とスズめっき層の界面において、両者の中間の明るさを有する構造が観測されるようになっている。これは、リフロー処理を経ることで形成されたスズ−ニッケル合金に対応する。スズ−ニッケル合金は、長径０．３〜０．６μｍ程度の粒状の構造をとって、スズ／ニッケル界面に緻密に形成されている。
【００４３】
また、図３（ｄ）に示す比較例１の試料片の表面においては、スズが粒径５μｍ以下の小さな結晶粒を形成しているのが観察されている。これに対し、図３（ｂ）に示す実施例１の試料片においては、このような小さな結晶粒は観察されない。さらに大きなスケールで観察すると、粒径５０μｍ以上の粗大な結晶粒が形成されているのが見られた。これは、リフロー処理によって、粒径の小さいスズが一旦溶融して最結晶化したためである。
【００４４】
実施例２、比較例２の試料片についても、同様にＦＩＢ−ＳＩＭ観察を行ったところ、画像の表示は省略するが、上記と同様に、リフロー処理によってニッケル層とスズ層の間に粒状の合金が形成されること及びスズの結晶粒が粗大化することが観測された。
【００４５】
次に、図４（ａ）、（ｂ）に実施例１にかかる試料片について、スズを選択的に溶出させ、スズ層の下に形成されている構造を観測したＦＩＢ−ＳＩＭ像を示す。図３（ａ）においてニッケル層とスズ層の界面において観察された粒状のスズ−ニッケル合金に対応する粒径２μｍ以下の小さな粒状の構造が緻密に配列されているのが分かる。
【００４６】
一方、図４（ｃ）、（ｄ）に比較例１にかかる試料片について、同様にスズを溶出させた時のＦＩＢ−ＳＩＭ像を示す。これを見ると、図４（ａ）、（ｂ）のリフロー処理を経た場合とは異なり、長軸が１〜５μｍ程度の細長い構造がランダムな配置で形成されている。これは、図５（ｃ）に示した同様のめっき部材を長時間放置した場合に観測される構造と類似しており、ニッケル／スズ界面に形成された板状のスズ−ニッケル合金に対応していると考えられる。しかしながら、比較例１にかかるめっき試料片を形成した直後に観測しているので、この構造の成長があまり進行しておらず、図３（ｃ）の断面像には、対応する構造は観察されていない。長時間放置すれば、板状構造がさらに成長し、図５（ｃ）のようにスズ層中に筋状に観察されるようになると考えられる。
【００４７】
実施例２、比較例２の試料片についてもスズ層を溶出させてＦＩＢ−ＳＩＭ観察を行ったところ、上記と同様の結果が得られた。
【００４８】
以上より、ニッケルめっき層とスズめっき層を母材上にこの順に積層し、リフロー処理を行うことで、ニッケル層とスズ層の界面に、板状のスズ−ニッケル合金が形成されず、粒状構造を有するスズ−ニッケル合金が形成されることが明らかになった。この現象は、ニッケルめっき層とスズめっき層のみが関与するものであり、アルミニウムや銅など、母材の種類にはよらないと考えられる。
【００４９】
（接触抵抗値の測定）
実施例２及び比較例２の試料片について、初期状態と、５０℃にて１８０日間放置した後の状態について測定した接触抵抗の値を下の表１に示す。誤差は、複数の試料片に対して測定した値のばらつきを示すものである。
【００５０】
【表１】
2014040649.tif 000003
【００５１】
実施例２のリフロー処理を施した場合と、比較例２のリフロー処理を施さない場合で、初期の接触抵抗値は一致している。つまり、最表面の状態はほぼ同じであると考えられる。
【００５２】
しかし、５０℃で長時間放置した後では、それらの接触抵抗値は大きく異なっている。実施例２においては、接触抵抗が初期値の２倍強にしか増加していないのに対し、比較例２においては、初期値の１５倍にまで増大している。また、試料片ごとの接触抵抗値のばらつきも比較例２の場合の方が大きい。
【００５３】
つまり、比較例にかかるリフロー処理を施していない試料片においては、室温付近で長時間放置することにより、ニッケルめっき層とスズめっき層の界面からスズ層最表面に向かって板状のスズ−ニッケル合金が成長し、最表面に部分的に露出して、接触抵抗を上昇させるとともに、不安定化させていると考えられる。これに対し、実施例にかかるリフロー処理を施した試料片においては、リフロー処理によってニッケルめっき層とスズめっき層の界面に粒状のスズ−ニッケル合金が形成されており、それ以上にスズ−ニッケル合金がスズ層最表面に向かって成長するのを阻止している。これによって、実施例にかかるめっき試料片においては、長時間放置されても、接触抵抗値が大きくは増加せず、安定した値を示すものと解釈される。
【００５４】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【符号の説明】
【００５５】
１          母材
２          ニッケルめっき層
３、６      スズ−ニッケル合金
４          スズめっき層
５          積層構造
【図１】
2014040649.tif 000004
【図２】
2014040649.tif 000005
【図６】
2014040649.tif 000006
【図３】
2014040649.tif 000007
【図４】
2014040649.tif 000008
【図５】
2014040649.tif 000009