(57)【要約】【課題】３０μｍ以下の極めて薄い半導体ウエハの研削工程において、研削・研磨時には研削機の真空チャックテーブルの溝や孔による段差を吸収して、半導体ウエハ表面を均一に研削・研磨できるバックグラインドテープを提供する。【解決手段】基材フィルムの片面にシリコーン樹脂からなる吸着層が設けられ、反対面にメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（ＢＡ）のブロック共重合体からなる段差吸収層が設けられたバックグラインドテープ。【選択図】          なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材フィルムの片面にシリコーン樹脂からなる吸着層が設けられ、反対面にメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（ＢＡ）のブロック共重合体からなる段差吸収層が設けられたことを特徴とするバックグラインドテープ。
【請求項２】
前記メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（ＢＡ）のブロック共重合体の重量比が２５：７５〜４５：５５である請求項１記載のバックグラインドテープ。
【請求項３】
前記吸着層の厚みが５〜５０μｍであり、前記段差吸収層の厚みが５〜４５μｍであることを特徴とする請求項１又は請求項２記載のバックグラインドテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコンウエハ等の半導体ウエハを研削・研磨する際に、研削機の真空チャックテーブル（回路形成面）に半導体ウエハを固定する用途に用いられるバックグラインドテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣチップ、ＬＳＩ等の半導体装置の製造工程において、回路パターン形成後の半導体ウエハは、通常その厚さを薄くするため、研削・研磨、エッチング等の処理が施され、研削・研磨の際には半導体ウエハ表面の回路パターンを保護したり、半導体ウエハの破損を防止する目的で、回路パターン面に粘着シート類（バックグラインドテープ）を貼り付けている。
【０００３】
また、近年、ＩＣチップの用途が広がるにつれて、ＩＣカード類に用いたり、積層して使用したりすることができる厚さ３０μｍ以下の極めて薄い半導体ウエハが要求されるようになってきた。しかしながら、厚さが３０μｍ以下の半導体ウエハは、従来の厚さが１００〜６００μｍ程度の半導体ウエハに比べて反りが大きく、衝撃により割れやすくなるので取扱性に劣り、また、研削・研磨後の半導体ウエハからバックグラインドテープを剥離する際には、半導体ウエハが破損する場合があった。
【０００４】
これに対して、特許文献１では、半導体ウエハの回路パターン面と貼り合わせる密着シートとして、粘着剤を用いた粘着層の代わりに、半導体ウエハからの剥離が容易となるような特定のシリコーン材料からなる密着層が提案されている。
【０００５】
しかしながら、これら従来のバックグラインドテープは、３０μｍ以下の極めて薄い半導体ウエハを研削・研磨する際に、研削機の真空チャックテーブルの溝や孔による段差が半導体ウエハ表面に影響を与えて、均一な表面研削ができない。具体的には、ＴＴＶ値（ウエハ裏面を基準面として厚み方向に測定した高さのウエハ全面における最大値と最小値の差）が３μｍ以下にできないといった問題や研削・研磨後に研削機の真空チャックテーブルから半導体ウエハをバックグラインドテープとともに剥がす際に、半導体ウエハが破損するといった問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−２６９５０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、上記現状に鑑み、３０μｍ以下の極めて薄い半導体ウエハの研削・研磨工程において、研削・研磨時には研削機の真空チャックテーブルの溝や孔による段差を吸収して、半導体ウエハ表面を均一に研削・研磨できるバックグラインドテープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
第１発明は、基材フィルムの片面にシリコーン樹脂からなる吸着層が設けられ、反対面にメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（ＢＡ）のブロック共重合体からなる段差吸収層が設けられたことを特徴とするバックグラインドテープである。
【０００９】
第２発明は、前記メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（ＢＡ）のブロック共重合体の重量比が２５：７５〜４５：５５である第１発明記載のバックグラインドテープである。
【００１０】
第３発明は、前記吸着層の厚みが５〜５０μｍであり、前記段差吸収層の厚みが５〜４５μｍであることを特徴とする第１発明又は第２発明記載のバックグラインドテープである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、３０μｍ以下の極めて薄い半導体ウエハの研削・研磨工程において、研削・研磨時には研削機の真空チャックテーブルの溝や孔による段差を吸収して、半導体ウエハ表面を均一に研削・研磨できるバックグラインドテープを提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のバックグラインドテープは、基材フィルムの片面に吸着層、もう一方の面に段差吸収層が形成されてなるものである。吸着層は半導体ウエハ表面の回路パターンと貼合され、段差吸収層は研削機の真空チャックテーブル面と貼合される。
【００１３】
基材フィルムとしては、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリプロピレン、ナイロン、ウレタン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ塩化ビニル等からなる１層または多層構造のフィルムを使用することができる。基材フィルムの厚みは、通常１２〜２００μｍであり、好ましくは２５〜１００μｍである。
【００１４】
基材フィルムの表面には吸着層、段差吸収層との密着性を向上させるため、コロナ放電処理、プラズマ処理、ブラスト処理、ケミカルエッチング処理、プライマー層塗工等を施してもよい。
【００１５】
吸着層に使用されるシリコーン樹脂としては、例えば、ラジカル重合型、縮合型、付加型、架橋型、又は開環重合型反応系シリコーン樹脂から選ばれる少なくとも１種のシリコーン樹脂を架橋させてなるものが挙げられ、特に付加型反応系シリコーン樹脂が好ましい。また、吸着層に使用されるシリコーン樹脂中には、吸着層表面の吸着性を向上させる目的で、ＭＱレジン類を含有してもよい。
【００１６】
ここで架橋反応に用いる架橋剤は公知のものでよい。架橋剤の例としては、オルガノハイドロジェンポリシロキサンが挙げられる。
【００１７】
架橋反応に用いる白金系触媒は公知のものでよく、これには塩化第一白金酸、塩化第二白金酸などの塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール化合物、アルデヒド化合物あるいは塩化白金酸と各種オレフィンとの鎖塩などが挙げられる。
【００１８】
吸着層の厚みは、５〜５０μｍが好ましい。さらに好ましくは、１５〜３５μｍであるとよい。吸着層の厚みが、５μｍ未満であると、半導体ウエハ表面の回路パターンに吸着しにくくなり、半導体ウエハに対するバックグラインドテープの剪断力が小さくなり、半導体ウエハの研削・研磨時にズレが発生する可能性が出てくる。吸着層の厚みが５０μｍを超えると、シリコーン樹脂の使用量が多くなりコスト上不経済となる。
【００１９】
次に、段差吸収層に使用されるメタクリル酸メチル（以下、ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（以下、ＢＡ）のブロック共重合体としては、重量平均分子量（Ｍｗ）が４万〜１０万であり、ＭＭＡとＢＡの重量比が２５：７５〜４５：５５であるブロック共重合体が好ましい。重量平均分子量（Ｍｗ）が４万未満であると段差吸収層の粘性が強すぎて、研削・研磨後に研削機の真空チャックテーブルから半導体ウエハをバックグラインドテープとともに剥がしにくくなり、１０万を超えると段差吸収層の弾性が強すぎて、研削機の真空チャックテーブルの溝や孔による段差の吸収が不充分となる。又、ＭＭＡの重量比が２５：７５未満であると段差吸収層の粘性が強すぎて、段差吸収層が研削・研磨後に研削機の真空チャックテーブルから半導体ウエハをバックグラインドテープとともに剥がしにくくなり、４５：５５を超えると段差吸収層の弾性が強すぎて、研削機の真空チャックテーブルの溝や孔による段差の吸収が不充分となる。
【００２０】
段差吸収層の厚みは、５〜４５μｍが好ましい。さらに好ましくは、１０〜３０μｍであるとよい。段差吸収層の厚みが、５μｍ未満であると、研削機の真空チャックテーブルの溝や孔による段差の吸収が不充分となり、吸着層の厚みが４５μｍを超えると、段差吸収層が研削・研磨後に研削機の真空チャックテーブルから半導体ウエハをバックグラインドテープとともに剥がしにくくなるといった不具合を生じる。
【実施例】
【００２１】
以下、本発明を下記実施例によってさらに具体的に説明するが、勿論本発明の範囲はこれらによって限定されるものではない。なお、各実施例中「部」は特に断らない限り、「重量部」を示すものである。
【００２２】
実施例１：
＜吸着層の作製＞５０μｍＰＥＴに、付加型反応系シリコーン樹脂（商品名「８５００」荒川化学工業（株）製）６０部、ＭＱレジン（商品名「ＳＱＴ−２２１」Ｇｅｌｅｓｔ社製）１０部、架橋剤（商品名「１２０３１」荒川化学工業（株）製）１．４部、白金触媒 （商品名「１２０７０」荒川化学工業（株）製）３部、トルオール３０部からなる塗工液を、グラビアコーターにて塗工後の硬化膜厚が２０μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１５０℃、滞留時間１００秒で熱硬化し、吸着層を形成した。
【００２３】
＜段差吸収層の作製＞
次いで吸着層と反対面に、メタクリル酸メチル（ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（ＢＡ）のブロック共重合体（商品名「クラリティＬＡ２２５０」（株）クラレ製）、ＭＭＡ：ＢＡ＝３２：６８（重量比）、Ｍｗ＝６．８万）３０部、メチルエチルケトン７０部からなる塗工液を、グラビアコーターにて塗工後の乾燥膜厚が５μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１００℃で乾燥し、段差吸収層を形成した。
【００２４】
実施例２： 
実施例１で使用した吸着層の反対面に、実施例１で使用した段差吸収層塗工液をグラビアコーターにて塗工後の乾燥膜厚が１０μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１００℃で乾燥し、段差吸収層を形成した。
【００２５】
実施例３： 
実施例１で使用した吸着層の反対面に、実施例１で使用した段差吸収層塗工液をグラビアコーターにて塗工後の乾燥膜厚が３０μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１００℃で乾燥し、段差吸収層を形成した。
【００２６】
実施例４： 
実施例１で使用した吸着層の反対面に、実施例１で使用した段差吸収層塗工液をグラビアコーターにて塗工後の乾燥膜厚が４５μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１００℃で乾燥し、段差吸収層を形成した。
【００２７】
実施例５：
実施例１で使用した吸着層の反対面に、段差吸収層としてメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（ＢＡ）のブロック共重合体（商品名「クラリティＬＡ２１４０ｅ」（株）クラレ製）、ＭＭＡ：ＢＡ＝２２：７８（重量比）、Ｍｗ＝７．９万）３０部、メチルエチルケトン７０部からなる塗工液をグラビアコーターにて塗工後の乾燥膜厚が１０μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１００℃で乾燥し、段差吸収層を形成した。
【００２８】
実施例６：
実施例１で使用した吸着層の反対面に、段差吸収層としてメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（ＢＡ）のブロック共重合体（商品名「クラリティＬＡ２２５０」（株）クラレ製）、ＭＭＡ：ＢＡ＝３２：６８（重量比）、Ｍｗ＝６．８万）１５部、（商品名「クラリティＬＡ２１４０ｅ」（株）クラレ製）、ＭＭＡ：ＢＡ＝２２：７８（重量比）、Ｍｗ＝７．９万）１５部、メチルエチルケトン７０部からなる塗工液をグラビアコーターにて塗工後の乾燥膜厚が１０μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１００℃で乾燥し、段差吸収層を形成した。
【００２９】
実施例７：
実施例１で使用した吸着層の反対面に、段差吸収層としてメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（ＢＡ）のブロック共重合体（商品名「クラリティＬＡ２２５０」（株）クラレ製）、ＭＭＡ：ＢＡ＝３２：６８（重量比）、Ｍｗ＝６．８万）１０部、（商品名「クラリティＬＡ４２８５」（株）クラレ製）、ＭＭＡ：ＢＡ＝５０：５０（重量比）、Ｍｗ＝６．７万）２０部、メチルエチルケトン７０部からなる塗工液をグラビアコーターにて塗工後の乾燥膜厚が１０μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１００℃で乾燥し、段差吸収層を形成した。
【００３０】
実施例８：
実施例１で使用した吸着層の反対面に、段差吸収層としてメタクリル酸メチル（ＭＭＡ）とアクリル酸ブチル（ＢＡ）のブロック共重合体（商品名「クラリティＬＡ４２８５」（株）クラレ製）、ＭＭＡ：ＢＡ＝５０：５０（重量比）、Ｍｗ＝６．７万）３０部、メチルエチルケトン７０部からなる塗工液をグラビアコーターにて塗工後の乾燥膜厚が１０μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１００℃で乾燥し、段差吸収層を形成した。
【００３１】
比較例１：
実施例１で使用した吸着層の反対面に、段差吸収層を設けていないバックグラインドテープ。
【００３２】
比較例２：
実施例１で使用した吸着層の反対面に、同じく実施例１で使用した吸着層塗工液をグラビアコーターにて塗工後の硬化膜厚が１０μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１５０℃、滞留時間１００秒で熱硬化し、段差吸収層を形成した。
【００３３】
比較例３：
実施例１で使用した吸着層の反対面に、段差吸収層としてアクリル粘着剤（アクリル酸ブチル：アクリル酸＝９７：３，Ｍｗ＝９０万）５９部、架橋剤（トリレンジイソシアネート）１部、トルオール４０部からなる塗工液をグラビアコーターにて塗工後の硬化膜厚が１０μｍとなるよう塗工し、ドライヤー温度１００℃、滞留時間１００秒で熱硬化し、段差吸収層を形成した。
【００３４】
＜評価方法＞
実施例１〜８、比較例１〜３のバックグラインドテープを使用し、下記の評価方法に基づいて、評価を実施した。
段差吸収性：
ウエハ研削機に（株）岡本工作機械製作所製「バックグラインダーＧＮＸ２００」を使用し、直径２００ｍｍの半導体ウエハを粗削り用研削材と仕上げ用研削材により、３０μｍ厚みまで研削・研磨した際のウエハ表面凹凸（ＴＴＶ値）をＦＩＬＭＥＴＲＩＣＳ製「Ｆ５０」により測定した。
○：ウエハの表面凹凸（ＴＴＶ値）  １．５μｍ未満
△：ウエハの表面凹凸（ＴＴＶ値）  １．５〜３．０μｍ  
×：ウエハの表面凹凸（ＴＴＶ値）  ３．０μｍを超える。
真空チャックテーブルからの剥離性：
上記研削機による研削・研磨作業後、真空チャックテーブルの真空解除を行い、テーブル面からエアーを噴出して、真空チャックテーブルから半導体ウエハを剥がす際のウエハ破損状態を確認した。                                                            
○：ウエハの破損なし
△：ウエハの端部破損
×：ウエハの全面破損
【００３５】
【表１】
2014049525.tif 000002