(57)【要約】【課題】ターゲットの進行速度を向上する。【解決手段】このターゲット供給装置は、液体のターゲット物質を内部に収容するための容器と、容器内に設置された第１電極と、容器に設けられたノズル部と、ノズル部に対向して配置され、第１通路が設けられた第２電極と、ノズル部から放出された液体のターゲット物質が通過する軌道を第１通路と共に画定する第２通路が設けられた第３電極と、第１電極に共通電位より高い第１の電位を印加する第１の電源と、第３電極に共通電位より低い第２の電位を印加する第２の電源と、第２電極に第１の電位以下であり且つ第２の電位以上である第３の電位を印加する第３の電源と、を備えてもよい。【選択図】図２
2014049233.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体のターゲット物質を内部に収容するための容器と、
前記容器内に設置された第１電極と、
前記容器に設けられたノズル部と、
前記ノズル部に対向して配置され、第１通路が設けられた第２電極と、
前記ノズル部から放出された液体のターゲット物質が通過する軌道を前記第１通路と共に画定する第２通路が設けられた第３電極と、
共通電位を基準とする第１の電源であって、前記第１電極に前記共通電位より高い第１の電位を印加するように構成された前記第１の電源と、
前記共通電位を基準とする第２の電源であって、前記第３電極に前記共通電位より低い第２の電位を印加するように構成された前記第２の電源と、
前記共通電位を基準とする第３の電源であって、前記第２電極に前記第１の電位以下であり且つ前記第２の電位以上である第３の電位を印加するように構成された前記第３の電源と、
を備えるターゲット供給装置。
【請求項２】
前記第２電極と前記第３電極との間に配置され、前記第１通路及び前記第２通路と共に前記軌道を画定する第３通路が設けられ、前記共通電位に電気的に接続された中間電極をさらに備え、
前記第３の電源は、前記第２電極に前記第１の電位以下であり且つ前記共通電位以上である前記第３の電位を印加するように構成された、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項３】
前記第２電極と前記第３電極との間に配置され、前記第１通路及び前記第２通路と共に前記軌道を画定する第３通路が設けられた中間電極と、
前記中間電極に前記第１の電位より低く且つ前記第２の電位より高い第４の電位を印加するように構成された第４の電源と、
をさらに備え、
前記第３の電源は、前記第２電極に前記第１の電位以下であり且つ前記第４の電位以上である前記第３の電位を印加するように構成された、請求項１記載のターゲット供給装置。
【請求項４】
液体のターゲット物質を内部に収容するための容器と、
前記容器内に設置された第１電極と、
前記容器に設けられたノズル部と、
前記ノズル部に対向して配置され、第１通路が設けられた第２電極と、
前記ノズル部から放出された液体のターゲット物質が通過する軌道を前記第１通路と共に画定する第２通路が設けられた第３電極と、
共通電位を基準とする第１の電源であって、前記第１電極に前記共通電位より低い第１の電位を印加するように構成された前記第１の電源と、
前記共通電位を基準とする第２の電源であって、前記第３電極に前記共通電位より高い第２の電位を印加するように構成された前記第２の電源と、
前記共通電位を基準とする第３の電源であって、前記第２電極に前記第１の電位以上であり且つ前記第２の電位以下である第３の電位を印加するように構成された前記第３の電源と、
を備えるターゲット供給装置。
【請求項５】
液体のターゲット物質にパルスレーザ光を照射して液体のターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成するように構成された極端紫外光生成装置であって、
少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、
前記少なくとも１つの貫通孔を通して前記チャンバ内の所定領域に前記パルスレーザ光を導入するように構成された光学系と、
液体のターゲット物質を内部に収容するための容器と、
前記容器内に設置された第１電極と、
前記容器に設けられたノズル部と、
前記ノズル部に対向して配置され、第１通路が設けられた第２電極と、
前記ノズル部から前記所定領域に向けて放出された液体のターゲット物質が通過する軌道を前記第１通路と共に画定する第２通路が設けられた第３電極と、
共通電位を基準とする第１の電源であって、前記第１電極に前記共通電位より高い第１の電位を印加するように構成された前記第１の電源と、
前記共通電位を基準とする第２の電源であって、前記第３電極に前記共通電位より低い第２の電位を印加するように構成された前記第２の電源と、
前記共通電位を基準とする第３の電源であって、前記第２電極に前記第１の電位以下であり且つ前記第２の電位以上である第３の電位を印加するように構成された前記第３の電源と、
を備える極端紫外光生成装置。
【請求項６】
前記軌道の前記所定領域より下流側に配置された第４電極をさらに備え、
前記第２の電源は、前記第３電極及び前記第４電極に、前記第２の電位を印加するように構成された、
請求項５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項７】
前記チャンバは導電性部材を含み、
前記チャンバの前記導電性部材は、前記共通電位に電気的に接続された、請求項５記載の極端紫外光生成装置。
【請求項８】
液体のターゲット物質にパルスレーザ光を照射して液体のターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成するように構成された極端紫外光生成装置であって、
少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、
前記少なくとも１つの貫通孔を通して前記チャンバ内の所定領域に前記パルスレーザ光を導入するように構成された光学系と、
液体のターゲット物質を内部に収容するための容器と、
前記容器内に設置された第１電極と、
前記容器に設けられたノズル部と、
前記ノズル部に対向して配置され、第１通路が設けられた第２電極と、
前記ノズル部から前記所定領域に向けて放出された液体のターゲット物質が通過する軌道を前記第１通路と共に画定する第２通路が設けられた第３電極と、
共通電位を基準とする第１の電源であって、前記第１電極に前記共通電位より低い第１の電位を印加するように構成された前記第１の電源と、
前記共通電位を基準とする第２の電源であって、前記第３電極に前記共通電位より高い第２の電位を印加するように構成された前記第２の電源と、
前記共通電位を基準とする第３の電源であって、前記第２電極に前記第１の電位以上であり且つ前記第２の電位以下である第３の電位を印加するように構成された前記第３の電源と、
を備える極端紫外光生成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ターゲット供給装置及び極端紫外光生成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７４４９７０３号明細書
【特許文献２】米国特許第７１２２８１６号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１０／０１４３２０２号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係るターゲット供給装置は、液体のターゲット物質を内部に収容するための容器と、容器内に設置された第１電極と、容器に設けられたノズル部と、ノズル部に対向して配置され、第１通路が設けられた第２電極と、ノズル部から放出された液体のターゲット物質が通過する軌道を第１通路と共に画定する第２通路が設けられた第３電極と、共通電位を基準とする第１の電源であって、第１電極に共通電位より高い第１の電位を印加するように構成された第１の電源と、共通電位を基準とする第２の電源であって、第３電極に共通電位より低い第２の電位を印加するように構成された第２の電源と、共通電位を基準とする第３の電源であって、第２電極に第１の電位以下であり且つ第２の電位以上である第３の電位を印加するように構成された第３の電源と、を備えてもよい。
【０００６】
本開示の他の１つの観点に係るターゲット供給装置は、液体のターゲット物質を内部に収容するための容器と、容器内に設置された第１電極と、容器に設けられたノズル部と、ノズル部に対向して配置され、第１通路が設けられた第２電極と、ノズル部から放出された液体のターゲット物質が通過する軌道を第１通路と共に画定する第２通路が設けられた第３電極と、共通電位を基準とする第１の電源であって、第１電極に共通電位より低い第１の電位を印加するように構成された第１の電源と、共通電位を基準とする第２の電源であって、第３電極に共通電位より高い第２の電位を印加するように構成された第２の電源と、共通電位を基準とする第３の電源であって、第２電極に第１の電位以下であり且つ第２の電位以上である第３の電位を印加するように構成された第３の電源と、を備えてもよい。
【０００７】
本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、液体のターゲット物質にパルスレーザ光を照射して液体のターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成するように構成された極端紫外光生成装置であって、少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、少なくとも１つの貫通孔を通してチャンバ内の所定領域にパルスレーザ光を導入するように構成された光学系と、液体のターゲット物質を内部に収容するための容器と、容器内に設置された第１電極と、容器に設けられたノズル部と、ノズル部に対向して配置され、第１通路が設けられた第２電極と、ノズル部から上記所定領域に向けて放出された液体のターゲット物質が通過する軌道を第１通路と共に画定する第２通路が設けられた第３電極と、共通電位を基準とする第１の電源であって、第１電極に共通電位より高い第１の電位を印加するように構成された第１の電源と、共通電位を基準とする第２の電源であって、第３電極に共通電位より低い第２の電位を印加するように構成された第２の電源と、共通電位を基準とする第３の電源であって、第２電極に第１の電位以下であり且つ第２の電位以上である第３の電位を印加するように構成された第３の電源と、を備えてもよい。
【０００８】
本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成装置は、液体のターゲット物質にパルスレーザ光を照射して液体のターゲット物質をプラズマ化することにより極端紫外光を生成するように構成された極端紫外光生成装置であって、少なくとも１つの貫通孔が設けられたチャンバと、少なくとも１つの貫通孔を通してチャンバ内の所定領域にパルスレーザ光を導入するように構成された光学系と、液体のターゲット物質を内部に収容するための容器と、容器内に設置された第１電極と、容器に設けられたノズル部と、ノズル部に対向して配置され、第１通路が設けられた第２電極と、ノズル部から上記所定領域に向けて放出された液体のターゲット物質が通過する軌道を第１通路と共に画定する第２通路が設けられた第３電極と、共通電位を基準とする第１の電源であって、第１電極に共通電位より低い第１の電位を印加するように構成された第１の電源と、共通電位を基準とする第２の電源であって、第３電極に共通電位より高い第２の電位を印加するように構成された第２の電源と、共通電位を基準とする第３の電源であって、第２電極に第１の電位以上であり且つ第２の電位以下である第３の電位を印加するように構成された第３の電源と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２】図２は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。
【図３Ａ】図３Ａは、図２に示されるターゲット供給装置のノズル部及びその周辺部を示す一部断面図である。
【図３Ｂ】図３Ｂは、図２に示されるターゲット供給装置において電極に印加される電位を示す波形図である。
【図４】図４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の一部を示す断面図である。
【図５】図５は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の一部を示す断面図である。
【実施形態】
【００１０】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１  構成
３．２  動作
４．第１〜第３電極を有するターゲット供給装置
４．１  構成
４．２  動作
４．３  変形例
５．ターゲット回収部を第４電極とするＥＵＶ光生成装置
６．ターゲット回収部とは別の第４電極を有するＥＵＶ光生成装置
【００１１】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１２】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成装置においては、ターゲット供給装置がターゲットを出力し、プラズマ生成領域に到達させてもよい。ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時点で、ターゲットにパルスレーザ光を照射することで、ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。
【００１３】
ターゲット供給装置は、ターゲットの材料となるターゲット物質を溶融させて保持するリザーバと、溶融したターゲット物質に電気的に接続された第１電極と、第１電極に第１の電位を印加する第１の電源と、を含んでもよい。さらに、ターゲット供給装置は、ノズル部の貫通孔に対向して配置された第２電極と、第２電極を通過したターゲットの軌道の近傍に配置された第３電極と、を含んでもよい。また、ターゲット供給装置は、第３電極に第１の電位より低い第２の電位を印加する第２の電源と、第２電極に第１の電位以下であり且つ第２の電位以上である第３の電位を印加する第３の電源と、を含んでもよい。
【００１４】
第１電極と第２電極との電位差によってノズル部の貫通孔から出力されるターゲットは、帯電したドロップレットの状態であってもよい。そして、第２電極と第３電極との電位差によって、ターゲットの軌道に電位勾配が形成されることにより、ターゲットが加速されてもよい。
【００１５】
ＥＵＶ光生成装置においては、ＥＵＶ光生成の繰り返し周波数を向上することが求められ得る。ＥＵＶ光生成の繰り返し周波数を高くするには、ターゲット生成の繰り返し周波数を高くする必要があり得る。ターゲット生成の繰り返し周波数を高くする場合に、もし、ターゲット供給装置からプラズマ生成領域までのターゲットの進行速度を速くしないとすれば、前後のターゲット同士の間隔が狭くなり得る。ターゲット同士の間隔が狭いと、先行するターゲットがプラズマ化されたときに、そのプラズマによって後続のターゲットの進行が影響を受ける可能性がある。従って、ターゲットの進行速度を速くする必要があり得る。
【００１６】
上述の第１〜第３電極を用いたターゲット供給装置において、ターゲットの進行速度を速くするには、第１電極と第３電極との電位差を高くする必要があり得る。電極間の電位差を高くする場合には、各種電源と電極とを繋ぐケーブルや導入端子などの絶縁耐圧を高くする必要があり得るため、装置を大型化する必要があり得る。
【００１７】
本開示の１つの観点によれば、第１電極には共通電位より高い第１の電位が印加され、第３電極には共通電位より低い第２の電位が印加され、第２電極には第１の電位以下であり且つ第２の電位以上である第３の電位が印加されてもよい。これにより、共通電位と第１の電位との電位差や、共通電位と第２の電位との電位差よりも、第１の電位と第２の電位との電位差が大きくなり得る。従って、共通電位と第１の電位との電位差や、共通電位と第２の電位との電位差を抑制することによって絶縁破壊を抑制しつつ、第１の電位と第２の電位との電位差を大きくすることによってターゲットの進行速度を向上し得る。これにより、ＥＵＶ光生成の繰り返し周波数を向上し得る。
【００１８】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。
ターゲットの「軌道」は、ターゲット供給装置から出力されるターゲットの理想的な経路、あるいは、ターゲット供給装置の設計に従ったターゲットの経路であってもよい。
ターゲットの「軌跡」は、ターゲット供給装置から出力されたターゲットの実際の経路であってもよい。
「高電圧電源５５」は、「第１の電源」に相当し得る。
「高電圧電源５８」は、「第２の電源」に相当し得る。
「高電圧パルス生成器５６」は、「第３の電源」に相当し得る。
「高電圧電源５７」は、「第４の電源」に相当し得る。
「ターゲット回収部２８ａ」又は「下流電極６９」は、「第４電極」に相当し得る。
【００１９】
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１  構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザ装置３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザ装置３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給装置２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給装置２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００２０】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザ装置３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００２１】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７（ターゲット物質のドロップレット）の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
【００２２】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００２３】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００２４】
３．２  動作
図１を参照に、レーザ装置３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００２５】
ターゲット供給装置２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００２６】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が出力されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザ装置３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２７】
４．第１〜第３電極を有するターゲット供給装置
４．１  構成
図２は、第１の実施形態に係るターゲット供給装置を含むＥＵＶ光生成装置の構成を示す一部断面図である。図３Ａは、図２に示されるターゲット供給装置のノズル部及びその周辺部を示す一部断面図である。図３Ｂは、図２に示されるターゲット供給装置において電極に印加される電位を示す波形図である。
【００２８】
図２に示されるように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１と、プレート４２及び４３と、ビームダンプ４４と、ビームダンプ支持部材４５とが設けられてもよい。
【００２９】
チャンバ２は、導電性を有する材料（例えば、金属材料）からなる部材（導電性部材）を含んでもよい。また、チャンバ２は、導電性部材と、電気絶縁性を有する部材とを含んでもよい。チャンバ２には、プレート４２が固定され、プレート４２には、プレート４３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ４１を介してプレート４２に固定されてもよい。
【００３０】
レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２と、ホルダ２２３及び２２４とを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれ、ホルダ２２３及び２２４によって保持されてもよい。ホルダ２２３及び２２４は、プレート４３に固定されてもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれのミラーで反射されたパルスレーザ光がプラズマ生成領域２５で集光するような位置及び姿勢となるように保持されていてもよい。
【００３１】
ビームダンプ４４は、平面ミラー２２２により反射されたパルスレーザ光の光路の延長線上に位置するように、ビームダンプ支持部材４５を介してチャンバ２に固定されてもよい。ターゲット回収部２８は、ターゲット２７の軌道の延長線上に配置されてもよい。
【００３２】
チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４ａと、ＥＵＶ光生成制御部５とが設けられてもよい。レーザ光進行方向制御部３４ａは、高反射ミラー３４１及び３４２と、ホルダ３４３及び３４４とを含んでもよい。高反射ミラー３４１及び３４２は、それぞれ、ホルダ３４３及び３４４によって保持されてもよい。
【００３３】
チャンバ２には、ターゲット供給装置２６が取り付けられてもよい。ターゲット供給装置２６は、リザーバ６１と、ターゲット制御部５２と、圧力調節器５３と、不活性ガスボンベ５４と、高電圧電源５５（第１の電源）と、高電圧パルス生成器５６（第３の電源）と、高電圧電源５８（第２の電源）と、を含んでもよい。ターゲット供給装置２６は、さらに、ノズル板６２と、電気絶縁部材６４と、第１電極６５と、第２電極（引出電極）６６と、中間電極６７と、第３電極（加速電極）６８と、を含んでもよい。
【００３４】
リザーバ６１は、ターゲット物質を溶融した状態で内部に貯蔵してもよい。ターゲット物質を溶融させるために、図示しないヒーター及びヒーター電源が用いられてもよい。チャンバ２の壁には、貫通孔が形成されてもよく、この貫通孔を覆うように、リザーバ６１のフランジ部６１ａが固定されてもよい。リザーバ６１は、ターゲット物質と反応しにくい材料で構成されてもよい。さらに、リザーバ６１は、電気絶縁性を有する材料で構成されてもよい。例えば、ターゲット物質としてスズを用いる場合に、リザーバ６１は、ターゲット物質と反応しにくく、電気絶縁性を有する石英（ＳｉＯ２）、アルミナセラミックス（Ａｌ２Ｏ３）等の材料で構成されてもよい。或いは、リザーバは、導電性を有する材料で構成されてもよい。例えば、ターゲット物質としてスズを用いる場合に、ターゲット物質と反応しにくく、導電性を有する材料としては、モリブデン（Ｍｏ）、タングステン（Ｗ）等が挙げられる。導電性を有する材料で構成されたリザーバは、電気絶縁性を有する部材（図示せず）を介してチャンバ２の導電性部材に取り付けられてもよい。
【００３５】
ノズル板６２は、リザーバ６１の出力側の端部付近に固定されていてもよい。ノズル板６２は、導電性を有する材料で構成されてもよいし、電気絶縁性を有する材料で構成されてもよい。ノズル板６２には、貫通孔が形成されていてもよい。また、ノズル板６２は、出力側に突き出た先端部６２ｂ（図３Ａ）を有してもよい。上記貫通孔はこの先端部６２ｂに開口していてもよい。液体のターゲット物質は、先端部６２ｂに開口した貫通孔を通過し、ターゲット２７として放出され得る。
【００３６】
電気絶縁部材６４は、円筒形状を有し、その内側にリザーバ６１の出力側の端部を収容するようにして、リザーバ６１に固定されてもよい。電気絶縁部材６４には、その内側にノズル板６２、第２電極６６、中間電極６７、及び第３電極６８が保持されていてもよい。電気絶縁部材６４によって、ノズル板６２、第２電極６６、中間電極６７、及び第３電極６８の相互間が電気的に絶縁されてもよい。電気絶縁部材６４の内側には、複数の溝が形成されていてもよい。これらの複数の溝は、電気絶縁部材６４の内側に保持された電極間の放電を抑制し得る。
【００３７】
第２電極６６は、ノズル板６２の出力側の面に対向して配置されてもよい。第２電極６６には、貫通孔６６ａ（第１通路）が形成されていてもよい。第２電極６６は、貫通孔６６ａを介してターゲット２７を通過させてもよい。貫通孔６６ａは、ターゲット２７の軌道を画定してもよい。但し、第２電極６６は、貫通孔６６ａが形成されているものには限定されない。例えば、第２電極６６は、ターゲット２７の軌道の近傍においてターゲット２７の軌道を囲むように配置された複数の部材（図示せず）を含んでもよい。そのような複数の部材に囲まれた領域が、ターゲット２７を通過させるための通路（第１通路）となってもよい。
【００３８】
中間電極６７は、第２電極６６の貫通孔６６ａを通過したターゲット２７の軌道の近傍に配置されてもよい。中間電極６７には、貫通孔６７ａ（第３通路）が形成されていてもよい。中間電極６７は、貫通孔６７ａを介してターゲット２７を通過させてもよい。貫通孔６７ａは、ターゲット２７の軌道を画定してもよい。但し、中間電極６７は、貫通孔６７ａが形成されているものには限定されない。例えば、中間電極６７は、ターゲット２７の軌道の近傍においてターゲット２７の軌道を囲むように配置された複数の部材（図示せず）を含んでもよい。そのような複数の部材に囲まれた領域が、ターゲット２７を通過させるための通路（第３通路）となってもよい。
【００３９】
第３電極６８は、中間電極６７の貫通孔６７ａを通過したターゲット２７の軌道の近傍に配置されてもよい。第３電極６８には、貫通孔６８ａ（第２通路）が形成されていてもよい。第３電極６８は、貫通孔６８ａを介してターゲット２７を通過させてもよい。貫通孔６８ａは、ターゲット２７の軌道を画定してもよい。但し、第３電極６８は、貫通孔６８ａが形成されているものには限定されない。例えば、第３電極６８は、ターゲット２７の軌道の近傍においてターゲット２７の軌道を囲むように配置された複数の部材（図示せず）を含んでもよい。そのような複数の部材に囲まれた領域が、ターゲット２７を通過させるための通路（第２通路）となってもよい。
【００４０】
ターゲット制御部５２は、ＥＵＶ光生成制御部５からのＥＵＶ制御信号に従って、圧力調節器５３、高電圧電源５５、高電圧電源５８に、それぞれターゲット制御信号を出力するよう構成されてもよい。また、ターゲット制御部５２は、ＥＵＶ光生成制御部５からのＥＵＶ制御信号に従って、高電圧パルス生成器５６にトリガ信号を出力するよう構成されてもよい。
不活性ガスボンベ５４は、配管によって圧力調節器５３に接続されていてもよい。圧力調節器５３は、別の配管によってリザーバ６１の内部と連通してもよい。これらの配管を介して、不活性ガスボンベ５４からリザーバ６１の内部に不活性ガスが供給されてもよい。
【００４１】
高電圧電源５５の出力端子は、高電圧ケーブルに電気的に接続されていてもよい。この高電圧ケーブルは、リザーバ６１に設けられたフィードスルー５５ａ（導入端子）を介してリザーバ６１内の第１電極６５に電気的に接続されていてもよい。第１電極６５は、リザーバ６１に貯蔵されたターゲット物質に接触することにより、リザーバ６１内のターゲット物質に電気的に接続されていてもよい。或いは、リザーバ６１又はノズル板６２が導電性を有する場合には、高電圧電源５５の出力端子は、高電圧ケーブルを介して、導電性を有するリザーバ６１又はノズル板６２に電気的に接続されてもよい。そのような導電性を有するリザーバ６１又はノズル板６２が、リザーバ６１内のターゲット物質に電気的に接続された電極として機能してもよい。
【００４２】
高電圧電源５５は、例えば、共通電位より高い第１の電位を第１電極６５に印加してもよい。ここで、共通電位は、高電圧電源５５と、高電圧パルス生成器５６と、高電圧電源５８とが基準とする電位でもよい。その電位は、例えば、接地電位であり得る。なお、高電圧電源５５と、高電圧パルス生成器５６と、高電圧電源５８とを含むターゲット供給装置２６が、接地電位から絶縁された状態で使用される場合には、共通電位は、接地電位と異なる電位であり得る。
【００４３】
高電圧電源５８の出力端子は、高電圧ケーブルに電気的に接続されていてもよい。この高電圧ケーブルは、チャンバ２の壁に設けられたフィードスルー５８ａ（導入端子）と電気絶縁部材６４の側面に設けられた貫通孔６８ｂとを介して、第３電極６８に電気的に接続されてもよい。高電圧電源５８は、第２の電位を第３電極６８に印加してもよい。ここで、第１の電位が共通電位より高い電位である場合には、第２の電位は、共通電位より低い電位でもよい。逆に、第１の電位が共通電位より低い電位である場合には、第２の電位は、共通電位より高い電位でもよい。
【００４４】
高電圧パルス生成器５６の出力端子は、高電圧ケーブルに電気的に接続されていてもよい。この高電圧ケーブルは、チャンバ２の壁に設けられたフィードスルー５６ａ（導入端子）と電気絶縁部材６４の側面に設けられた貫通孔６６ｂとを介して、第２電極６６に電気的に接続されてもよい。高電圧パルス生成器５６は、第１の電位と共通電位との間の電位である第３の電位を第２電極６６に印加してもよい。例えば、第１の電位が共通電位より高い電位である場合には、第３の電位は、第１の電位以下であり且つ共通電位以上の電位であってもよい。逆に、第１の電位が共通電位より低い電位である場合には、第３の電位は、第１の電位以上であり且つ共通電位以下の電位であってもよい。第３の電位は、第１の電位と共通電位との間の電位である電位Ｖ１及びＶ２（後述）の間で、パルス状に変化する電位でもよい。
【００４５】
中間電極６７は、電気絶縁部材６４の側面に設けられた貫通孔６７ｂとチャンバ２の壁に設けられたフィードスルー５７ａ（導入端子）とを介して、共通電位（例えば、接地電位）に電気的に接続されてもよい。
【００４６】
４．２  動作
圧力調節器５３は、ターゲット制御部５２から出力されるターゲット制御信号に応じて、不活性ガスボンベ５４からリザーバ６１内部に供給される不活性ガスの圧力を調整してもよい。リザーバ６１内部へ導入された不活性ガスは、リザーバ６１内の溶融したターゲット物質を加圧してもよい。不活性ガスがターゲット物質を加圧することにより、ノズル板６２の貫通孔が開口する先端部６２ｂからターゲット物質を僅かに突出させてもよい。
【００４７】
高電圧電源５５は、ターゲット制御部５２から出力されるターゲット制御信号に応じて、リザーバ６１内の第１電極６５を介してターゲット物質に第１の電位ＶＨ（図３Ｂ）を印加し、この電位を維持してもよい。
中間電極６７の電位は、共通電位Ｖｃ（例えば、接地電位）に維持されてもよい。
高電圧電源５８は、ターゲット制御部５２から出力されるターゲット制御信号に応じて、第３電極６８に第２の電位ＶＬを印加し、この電位を維持してもよい。共通電位Ｖｃが接地電位（０Ｖ）である場合、第２の電位ＶＬは、第１の電位ＶＨと逆極性の電位でもよい。第２の電位ＶＬは、第１の電位ＶＨと絶対値が略同じ電位（ＶＬ＝−ＶＨ）でもよい。
【００４８】
高電圧パルス生成器５６は、ターゲット制御部５２から出力されるトリガ信号に従って、パルス状に変化する第３の電位を第２電極６６に印加してもよい。第３の電位は、高電圧パルス生成器５６がトリガ信号を受信していない状態における電位Ｖ１と、高電圧パルス生成器５６がトリガ信号を受信した場合に、所定の時間維持される電位Ｖ２との間で変化する電位であってもよい。電位ＶＨ、Ｖ１、Ｖ２、Ｖｃ及びＶＬは、ＶＨ≧Ｖ１＞Ｖ２≧Ｖｃ＞ＶＬの関係であってもよい。或いはこれと逆に、第１の電位が共通電位より低い電位である場合には、ＶＨ≦Ｖ１＜Ｖ２≦Ｖｃ＜ＶＬの関係であってもよい。
【００４９】
第１電極６５と第２電極６６との電位差によって、リザーバ６１内のターゲット物質と第２電極６６との間に電界が発生し、このターゲット物質と第２電極６６との間にクーロン力が発生し得る。
特に、上記したように不活性ガスによって加圧されて先端部６２ｂから突出したターゲット物質の周囲には電界が集中するので、先端部６２ｂから突出したターゲット物質と第２電極６６との間には、より強力なクーロン力が発生し得る。このクーロン力により、ターゲット２７が、帯電したドロップレットの状態で先端部６２ｂから放出され得る。第１の電位ＶＨが共通電位Ｖｃより高い場合、すなわちＶＨ≧Ｖ１＞Ｖ２≧Ｖｃである場合には、ターゲット２７は正に帯電した状態となり得る。逆に、第１の電位ＶＨが共通電位Ｖｃより低い場合には、ターゲット２７は負に帯電した状態となり得る。
【００５０】
帯電して先端部６２ｂから放出されたターゲット２７は、第２電極６６の貫通孔６６ａを通過し、第２電極６６と中間電極６７との電位差によるクーロン力によってさらに加速され、中間電極６７の貫通孔６７ａを通過し得る。先端部６２ｂから放出されたターゲット２７の、貫通孔６７ａからみたポテンシャルエネルギーＥ１は、ターゲット２７の電荷をｅとし、共通電位Ｖｃを０Ｖとすると、以下の式で表され得る。
Ｅ１＝ｅＶＨ
なお、ＶＨは、第１電極６５と中間電極６７との電位差である。
【００５１】
また、ターゲット２７の質量をｍとし、中間電極６７の貫通孔６７ａを通過するときのターゲット２７の速度をｖ１とすると、貫通孔６７ａを通過するときのターゲット２７の運動エネルギーＥ２は、以下の式で表され得る。
Ｅ２＝ｍｖ１２／２
【００５２】
エネルギー保存の法則から、Ｅ１＝Ｅ２であり得る。従って、中間電極６７の貫通孔６７ａを通過するときのターゲット２７の速度ｖ１は、以下の式で表され得る。
ｖ１＝（２ｅＶＨ／ｍ）１／２
【００５３】
中間電極６７の貫通孔６７ａを通過したターゲット２７は、中間電極６７と第３電極６８との電位差によるクーロン力によってさらに加速され、第３電極６８の貫通孔６８ａを通過し得る。貫通孔６７ａを通過したターゲット２７の、貫通孔６８ａからみたポテンシャルエネルギーＥ３は、第３電極６８の電位ＶＬが−ＶＨに略等しいとすると、以下の式で表され得る。
Ｅ３＝ｅＶＨ
なお、ＶＨは、中間電極６７と第３電極６８との電位差である。
【００５４】
また、第３電極６８の貫通孔６８ａを通過するときのターゲット２７の速度をｖ２とすると、貫通孔６８ａを通過するときのターゲット２７の運動エネルギーＥ４は、以下の式で表され得る。
Ｅ４＝ｍｖ２２／２
【００５５】
エネルギー保存の法則から、Ｅ１＋Ｅ３＝Ｅ４であり得る。従って、第３電極６８の貫通孔６８ａを通過するときのターゲット２７の速度ｖ２は、以下の式で表され得る。
ｖ２＝（２・２ｅＶＨ／ｍ）１／２
＝２１／２・ｖ１
なお、Ｘ１／２は、Ｘの正の平方根である。
【００５６】
以上のように、第１電極６５に第１の電位ＶＨが印加され、第３電極６８に第２の電位ＶＬ（但し、ＶＬ＝−ＶＨ）が印加された場合には、第１電極６５と第３電極６８との間に２ＶＨの電位差が与えられ得る。この場合、各種電源と電極とを繋ぐケーブルや導入端子などの絶縁耐圧は、共通電位Ｖｃ（但し、Ｖｃ＝０）と第１の電位ＶＨ又は第２の電位ＶＬとの電位差であるＶＨでもよい。これによれば、第１電極６５と第３電極６８との間にＶＨの電位差しか与えられない場合に比べて、ターゲットには約２１／２倍（約１．４倍）の速度が与えられ得る。
【００５７】
ターゲット制御部５２は、ＥＵＶ光生成制御部５から与えられるタイミングでターゲット２７が出力されるように、圧力調節器５３及び高電圧パルス生成器５６を制御してもよい。チャンバ２内に出力されたターゲット２７は、チャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給されてもよい。
【００５８】
レーザ装置３から出力されるパルスレーザ光は、高反射ミラー３４１及び３４２によって反射されて、ウインドウ２１を介してレーザ光集光光学系２２ａに入射してもよい。レーザ光集光光学系２２ａに入射したパルスレーザ光は、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって反射されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲット供給装置２６から出力されたターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングに合わせて、ターゲット２７にパルスレーザ光が照射されるように、制御を行ってもよい。
【００５９】
一時的にターゲットの出力を停止する場合には、第２電極６６の電位はＶ１に維持されてもよい。さらに、より長い時間にわたってターゲットの出力を停止する場合に、第１電極６５、第２電極６６及び第３電極６８の電位は共通電位Ｖｃ（例えば、接地電位）に制御されてもよい。
【００６０】
４．３  変形例
図２及び図３を参照しながら説明した第１の実施形態においては、中間電極６７が設けられている。第２電極６６の電位がパルス状に変動しても、中間電極６７が設けられていることによって、中間電極６７と第３電極６８との間での電位勾配の変動が抑制され得る。例えば、ターゲットが出力されて中間電極６７の貫通孔６７ａを通過したときに、次のターゲットを出力するためのパルスが第２電極６６に印加されても、中間電極６７の貫通孔６７ａを通過したターゲットへの当該パルスによる影響が抑制され得る。
【００６１】
但し、本開示は、中間電極６７が設けられている場合には限定されない。中間電極６７が設けられていない場合でも、共通電位Ｖｃより高い電位が第１電極６５に印加され、共通電位Ｖｃより低い電位が第３電極６８に印加される場合に、絶縁破壊を抑制しつつターゲットの進行速度を向上し得る。同様に、中間電極６７が設けられていない場合でも、共通電位Ｖｃより低い電位が第１電極６５に印加され、共通電位Ｖｃより高い電位が第３電極６８に印加される場合に、絶縁破壊を抑制しつつターゲットの進行速度を向上し得る。
中間電極６７が設けられていない場合に、第２電極６６に印加される第３の電位は、電位Ｖ１及びＶ２の間で変化する電位であってもよい。ここで、電位ＶＨ、Ｖ１、Ｖ２、Ｖｃ及びＶＬは、ＶＨ≧Ｖ１＞Ｖ２≧ＶＬであり、且つ、ＶＨ＞Ｖｃ＞ＶＬの関係であってもよい。或いはこれと逆に、第１の電位が共通電位より低い電位である場合には、ＶＨ≦Ｖ１＜Ｖ２≦ＶＬであり、且つ、ＶＨ＜Ｖｃ＜ＶＬの関係であってもよい。
【００６２】
また、第１の実施形態においては、中間電極６７が共通電位Ｖｃに電気的に接続されている場合について説明したが、本開示はこれに限定されない。中間電極６７には、第１の電位ＶＨと第２の電位ＶＬとの間の第４の電位Ｖ４が印加されてもよい。この場合、電位ＶＨ、Ｖ１、Ｖ２、Ｖ４、Ｖｃ及びＶＬは、ＶＨ≧Ｖ１＞Ｖ２≧Ｖ４＞ＶＬであり、且つ、ＶＨ＞Ｖｃ＞ＶＬの関係であってもよい。或いはこれと逆に、第１の電位が共通電位より低い電位である場合には、ＶＨ≦Ｖ１＜Ｖ２≦Ｖ４＜ＶＬであり、且つ、ＶＨ＜Ｖｃ＜ＶＬの関係であってもよい。このような第４の電位Ｖ４を中間電極６７に印加するように構成された第４の電源（後述）がさらに設けられていてもよい。
【００６３】
５．ターゲット回収部を第４電極とするＥＵＶ光生成装置
図４は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の一部を示す断面図である。第２の実施形態においては、ターゲット回収部２８ａが導電性を有する材料で構成され、このターゲット回収部２８ａ（第４電極）に高電圧電源５８の出力端子が電気的に接続されていてもよい。
【００６４】
上述の第１の実施形態において、チャンバ２を共通電位Ｖｃに接続した場合には、ノズル板６２の先端部６２ｂから第３電極６８までの電位勾配と、第３電極６８からプラズマ生成領域２５までの電位勾配とは逆向きの電位勾配となり得る。従って、第１電極６５から第３電極６８までの間でターゲット２７が加速されても、第３電極６８からプラズマ生成領域２５までの間でターゲット２７はある程度減速され得る。
【００６５】
そこで、第２の実施形態においては、高電圧電源５８により、第３電極６８に印加される電位と同じ第２の電位ＶＬがターゲット回収部２８ａに印加されてもよい。これにより、第３電極６８からプラズマ生成領域２５までの電位勾配が低減され、ターゲット２７の減速が抑制され得る。
【００６６】
ターゲット回収部２８ａは、底が塞がれた筒状の容器であってもよい。ターゲット回収部２８ａとチャンバ２の導電性部材との間には、電気絶縁部材７０が配置されていてもよい。チャンバ２の導電性部材は、共通電位Ｖｃ（例えば、接地電位）に接続されていてもよい。電気絶縁部材７０の外周には、複数の溝が形成されていてもよい。これらの複数の溝は、ターゲット回収部２８ａとチャンバ２の導電性部材との間での絶縁破壊を抑制し得る。
その他の点に関しては、第１の実施形態と同様でよい。
【００６７】
第２の実施形態によれば、第３電極６８の貫通孔６８ａを通過したターゲット２７は、第３電極６８とチャンバ２の導電性部材との電位差による減速を抑制されつつ、プラズマ生成領域２５に到達し得る。プラズマ生成領域２５に到達したターゲット２７にパルスレーザ光が照射された場合に、ＥＵＶ光が生成され得る。プラズマ生成領域２５に到達したときにパルスレーザ光が照射されなかったターゲット２７は、プラズマ生成領域２５を通過し、ターゲット回収部２８ａによって回収され得る。
【００６８】
なお、ターゲット回収部２８ａには、第２の電位ＶＬと異なる第５の電位が印加されてもよい。ここで、第１の電位ＶＨがチャンバ２の導電性部材に印加された電位（例えば共通電位Ｖｃ）より高い電位である場合に、第５の電位は、チャンバ２の導電性部材に印加された電位より低い電位でもよい。或いは、第１の電位ＶＨがチャンバ２の導電性部材に印加された電位（例えば共通電位Ｖｃ）より低い電位である場合に、第５の電位は、チャンバ２の導電性部材に印加された電位より高い電位でもよい。このような第５の電位をターゲット回収部２８ａに印加するように構成された第５の電源（図示せず）がさらに設けられていてもよい。
【００６９】
６．ターゲット回収部とは別の第４電極を有するＥＵＶ光生成装置
図５は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成装置の一部を示す断面図である。第３の実施形態においては、ターゲット回収部２８ａとは別に、ターゲット２７の軌道のプラズマ生成領域２５より下流の近傍に、下流電極６９が配置されてもよい。下流電極６９（第４電極）には、高電圧電源５８の出力端子が電気的に接続されてもよい。これにより、第３電極６８に印加される電位と同じ第２の電位ＶＬが下流電極６９にも印加され得る。従って、第３電極６８からプラズマ生成領域２５までの電位勾配が低減され、ターゲット２７の減速が抑制され得る。下流電極６９は、電気絶縁部材（図示せず）を介してチャンバ２の導電性部材に固定されていてもよい。
【００７０】
なお、下流電極６９には、第２の電位ＶＬと異なる第５の電位が印加されてもよい。第５の電位の高さは、上述の第２の実施形態における説明の通りでもよい。このような第５の電位を下流電極６９に印加するように構成された第５の電源（図示せず）がさらに設けられてもよい。
【００７１】
第３の実施形態において、ターゲット回収部２８ａには、第２の電位ＶＬ又は第５の電位が印加されてもよい。また、ターゲット回収部２８ａは、共通電位Ｖｃに接続されてもよい。
【００７２】
また、第３の実施形態においては、中間電極６７に、第１の電位ＶＨと第２の電位ＶＬとの間の第４の電位Ｖ４が印加されてもよい。第４の電位Ｖ４の高さは、上述の第１の実施形態における説明の通りでもよい。このような第４の電位Ｖ４を中間電極６７に印加するように構成された第４の電源（高電圧電源５７）がさらに設けられていてもよい。
【００７３】
本開示は、中間電極６７に第４の電位Ｖ４が印加されている場合に限定されない。第１の実施形態において説明したように、中間電極６７は、共通電位Ｖｃに接続されてもよい。
その他の点に関しては、第２の実施形態と同様でよい。
【００７４】
また、本開示は、ターゲット回収部２８ａ又は下流電極６９（いずれも第４電極に相当）が設けられた場合に限定されない。第４電極が設けられず、チャンバ２の導電性部材が共通電位に接続されている場合でも、絶縁破壊を抑制しつつプラズマ生成領域２５におけるターゲットの進行速度を向上し得る。なぜなら、プラズマ生成領域２５を通過する時点でのターゲット２７の速度は、共通電位に接続された中間電極６７の近傍を通過する時点でのターゲット２７の速度より、速い速度であり得るからである。
【００７５】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【００７６】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【００７７】
１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、３…レーザ装置、４…ターゲットセンサ、５…ＥＵＶ光生成制御部、６…露光装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、２１…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６…ターゲット供給装置、２７…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２８ａ…ターゲット回収部（第４電極）、２９…接続部、３１、３２、３３…パルスレーザ光、３４、３４ａ…レーザ光進行方向制御部、４１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、４２、４３…プレート、４４…ビームダンプ、４５…ビームダンプ支持部材、５２…ターゲット制御部、５３…圧力調節器、５４…不活性ガスボンベ、５５…高電圧電源（第１の電源）、５５ａ…フィードスルー、５６…高電圧パルス生成器（第３の電源）、５６ａ…フィードスルー、５７…高電圧電源（第４の電源）、５７ａ…フィードスルー、５８…高電圧電源（第２の電源）、５８ａ…フィードスルー、６１…リザーバ、６１ａ…フランジ部、６２…ノズル板、６２ｂ…先端部、６４…電気絶縁部材、６５…第１電極、６６…第２電極、６６ａ、６６ｂ…貫通孔、６７…中間電極、６７ａ、６７ｂ…貫通孔、６８…第３電極、６８ａ、６８ｂ…貫通孔、６９…下流電極（第４電極）、７０…電気絶縁部材、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２２３、２２４…ホルダ、２５１…放射光、２５２…ＥＵＶ光、２９１…壁、２９２…中間集光点、３４１、３４２…高反射ミラー、３４３、３４４…ホルダ
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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