(57)【要約】【課題】アンダーフィルの余剰分が配線パッドを覆うことを未然に防止できるようにした光電変換サブマウント基板を提供する。【解決手段】基板１と、コア層２及びクラッド層３からなる光導波路４と、光導波路４と光学的に結合する光素子５と、光素子５と光導波路４との間の隙間に充填されたアンダーフィル６と、基板１の表面に形成された配線パッド１０とを備える。基板１の表面に、光素子５と光導波路４の間の隙間から流れ出したアンダーフィル６が配線パッド１０に到達するのを防止する流出防止部（凸部２３）２２が形成されている。凸部２３に囲まれた空間には、アンダーフィル６の滴下スペース１４と、アンダーフィル６の充填スペース１５と、アンダーフィル６が流れる第１の流路１６Ａとが設けられている。【選択図】図１
2014145947.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の表面に形成されたコア層、及び前記コア層を被覆して形成されたクラッド層からなる光導波路と、前記光導波路と光学的に結合する光素子と、前記光素子と前記光導波路との間の隙間に充填されたアンダーフィルと、前記基板の表面に形成された配線パッドとを備え、
前記光素子と前記配線パッドとの間の前記基板の表面に、前記光素子と前記光導波路の間の隙間から流れ出したアンダーフィルが前記配線パッドに到達するのを防止する流出防止部が形成され、
前記流出防止部は、前記基板の表面に形成された凸部であり、
前記凸部に囲まれた空間には、アンダーフィルの滴下位置に設けた滴下スペースと、前記光素子と前記光導波路の間に位置するアンダーフィルの充填スペースと、前記滴下スペースから前記充填スペースの間までアンダーフィルが流れる第１の流路とが設けられていることを特徴とする光電変換サブマウント基板。
【請求項２】
前記凸部に囲まれた空間に、過剰なアンダーフィルが溜まる溜まりスペースがさらに設けられ、
前記充填スペースから前記溜まりスペースに、過剰なアンダーフィルが流れる第２の流路が設けられていることを特徴とする請求項１に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項３】
前記滴下スペースと前記溜まりスペースの少なくとも一方の前記基板の表面に、凹部が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項４】
前記基板に複数組の光素子と光導波路が設けられ、前記滴下スペースは、複数組の前記充填スペース毎に形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項５】
前記基板に複数組の光素子と光導波路が設けられ、前記滴下スペースは、前記複数組の充填スペースよりも少ない個数で形成されていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項６】
前記滴下スペースから複数の前記充填スペースまでの流路は、略等距離に形成されていることを特徴とする請求項５に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項７】
前記流出防止部の凸部は、前記コア層と同材料、または前記クラッド層と同材料であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項８】
前記流出防止部の凸部は、前記コア層と同材料と、前記クラッド層と同材料との組み合わせであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光電変換サブマウント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光と電気の信号を相互に変換する光電変換サブマウント基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信インフラの急速な広帯域化、コンピュータ等の情報処理能力の飛躍的な増大等に伴って、非常に高速な情報伝送路を有する情報処理回路へのニーズが高まっている。このような背景のもと、電気信号の伝送速度限界を突破する一つの手段として、光信号による伝送が考えられており、電気回路に光回路を混載することが種々検討されている。そして、光信号を電気信号に、またはその逆に変換するユニットとして光電変換サブマウント基板が知られている。
【０００３】
図８（ａ）（ｂ）は、従来の光電変換サブマウント基板の斜視図である。この光電変換サブマウント基板は、基板１と、基板１の基材３１の表面に形成されたコア層２、及びコア層２を被覆して形成されたクラッド層３からなる光導波路４を備えている。また、光導波路４と光学的に結合する光素子５と、光導波路４のコア層２と光学的に結合する光ファイバー（外部導波路）２０を備えている（特許文献１参照）。
【０００４】
この光電変換サブマウント基板では、基材３１のコア溝３１ｄにコア層２を形成するために、コア溝３１ｄの近傍のコア樹脂滴下部３１ｅにコア樹脂を滴下し、連結溝３１ｆを介してコア溝３１ｄにコア樹脂を充填するようになっている。これにより、コア樹脂をコア溝３１ｄに均一な高さで充填できるとするものである。
【０００５】
ところで、光導波路４のコア層２の上方に光素子５を配置して、光反射層を介してコア層２と光素子５とを光学的に結合するようにした光電変換サブマウント基板がある。
【０００６】
このような光電変換サブマウント基板では、光素子５と光導波路４との間の隙間にアンダーフィルを充填することで、光素子５がアンダーフィルによって基板１に固定され、丈夫で光電変換性能のよいものとすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−８１２９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、光素子５の位置と近い距離に配線パッドが設けられている場合、光素子５と光導波路４との間の隙間に充填されたアンダーフィルの余剰分が流れ出て、配線パッドを覆ってしまうおそれがあった。このように、配線パッドがアンダーフィルの余剰分で覆われると、配線パッドにワイヤーボンドができないから、基板１が不良品となって、歩留まり率が低下するという問題がある。
【０００９】
本発明は前記問題を解消するためにされたもので、アンダーフィルの余剰分が配線パッドを覆うことを未然に防止できるようにした光電変換サブマウント基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するために、本発明は、基板と、前記基板の表面に形成されたコア層、及び前記コア層を被覆して形成されたクラッド層からなる光導波路と、前記光導波路と光学的に結合する光素子と、前記光素子と前記光導波路との間の隙間に充填されたアンダーフィルと、前記基板の表面に形成された配線パッドとを備え、前記光素子と前記配線パッドとの間の前記基板の表面に、前記光素子と前記光導波路の間の隙間から流れ出したアンダーフィルが前記配線パッドに到達するのを防止する流出防止部が形成され、前記流出防止部は、前記基板の表面に形成された凸部であり、前記凸部に囲まれた空間には、アンダーフィルの滴下位置に設けた滴下スペースと、前記光素子と前記光導波路の間に位置するアンダーフィルの充填スペースと、前記滴下スペースから前記充填スペースの間までアンダーフィルが流れる第１の流路とが設けられていることを特徴とする光電変換サブマウント基板を提供するものである。
【００１１】
本発明によれば、光素子と光導波路の間の隙間から流れ出したアンダーフィルが配線パッドに到達するのを防止する凸部の流出防止部に加えて、充填スペースに対して、滴下スペースと第１の流路とを設けたものである。したがって、アンダーフィルは、滴下スペースから第１の流路を介して充填スペースにスムーズに充填され、無駄に広がらなくなることから、滴下量が少量で足り、そのために広がり高さが低くなって、流出防止部から溢れ出なくなる。これにより、アンダーフィルの余剰分が配線パッドに到達して、配線パッドを覆ってしまうおそれがなくなるから、基板の歩留まりが向上するようになる。
【００１２】
前記凸部に囲まれた空間に、過剰なアンダーフィルが溜まる溜まりスペースがさらに設けられ、前記充填スペースから前記溜まりスペースに、過剰なアンダーフィルが流れる第２の流路が設けられている構成とすることができる。
【００１３】
これによれば、アンダーフィルの溜まりスペースを設けることで、アンダーフィルの滴下量が多くなっても、充填スペースから第２の流路を介して溜まりスペースにアンダーフィルの余剰分を溜めることができる。したがって、アンダーフィルの余剰分が流出防止部から溢れ出なくなるから、配線パッドに、より到達しなくなる。
【００１４】
前記滴下スペースと前記溜まりスペースの少なくとも一方の前記基板の表面に、凹部が形成されている構成とすることができる。
【００１５】
これによれば、滴下スペースと溜まりスペースの少なくとも一方に凹部を形成することで、アンダーフィルの滴下量が多くなっても、この凹部でアンダーフィルの余剰分を余分に溜めることができる。したがって、アンダーフィルの余剰分が流出防止部からより溢れ出なくなるから、配線パッドに、より到達しなくなる。
【００１６】
前記基板に複数組の光素子と光導波路が設けられ、前記滴下スペースは、複数組の前記充填スペース毎に形成されている構成とすることができる。
【００１７】
これによれば、基板に複数組の光素子と光導波路が設けられている多チャンネルタイプにあっては、滴下スペースを充填スペース毎、つまり光素子に対して１個ずつ形成することで、その光素子に対して適切な量のアンダーフィルの充填が可能になる。したがって、アンダーフィルの余剰分を少なくできで、流出防止部から溢れ出なくなるから、配線パッドに、より到達しなくなる。
【００１８】
前記基板に複数組の光素子と光導波路が設けられ、前記滴下スペースは、前記複数組の充填スペースよりも少ない個数で形成されている構成とすることができる。
【００１９】
これによれば、基板に複数組の光素子と光導波路が設けられている多チャンネルタイプにあっては、滴下スペースを複数の充填スペースよりも少ない個数、例えば複数の光素子に対して１個だけ形成する。これにより、１回の滴下工程で複数の充填スペースにアンダーフィルの充填が可能になるから、滴下工程を簡素化することができる。
【００２０】
前記滴下スペースから複数の前記充填スペースまでの流路は、略等距離に形成されている構成とすることができる。
【００２１】
これによれば、滴下スペースから複数の充填スペースまでの流路を略等距離にすることで、アンダーフィルの滴下量を減らすことが可能になる。
【００２２】
前記流出防止部の凸部は、前記コア層と同材料、または前記クラッド層と同材料である構成とすることができる。
【００２３】
これによれば、コア層（またはクラッド層）と同材料で凸部を形成することで、コア層（またはクラッド層）と同時に凸部を形成できるから、凸部を形成する工程が増加しなくなる。また、コア層（またはクラッド層）と同様にして、凸部の高さを容易に制御できるから、最小限の材料量で、アンダーフィルの余剰分の乗り越えを確実に防止できるようになる。さらに、凸部がクラッド層と同材料であれば、光結合損失に影響しないように、凸部を形成することができる。すなわち、コア層が高くなると光結合損失が発生するおそれがあるが、クラッド層は光が伝搬しないので、層が厚くなっても光結合損失に影響しない。したがって、コア層で形成する場合よりも流出防止部の厚みを厚くすることが可能である。
【００２４】
前記流出防止部の凸部は、前記コア層と同材料と、前記クラッド層と同材料との組み合わせである構成とすることができる。
【００２５】
これによれば、コア層と同材料の凸部に、クラッド層と同材料の凸部を上乗せできるから、凸部を高くできるので、アンダーフィルの余剰分が凸部を、より乗り越えにくくなる。
【発明の効果】
【００２６】
本発明によれば、アンダーフィルの余剰分が流出防止部を乗り越えて溢れ出さないから、光素子の位置と近い距離にある配線パッドを覆うことを未然に防止できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明に係る多チャンネル形式の光電変換サブマウント基板であり、（ａ）は光素子と半田ボールとクラッド層と流出防止部を省略した斜視図、（ｂ）は第１実施形態の光素子と流出防止部を加えた平面図である。
【図２】図１の光電変換サブマウント基板であり、（ａ）は模式断面図、（ｂ）は滴下スペースの要部模式斜視図である。
【図３】（ａ）は流出防止部の第２実施形態の平面図、（ｂ）は流出防止部の第３実施形態の平面図である。
【図４】（ａ）は流出防止部の第４実施形態の平面図、（ｂ）は流出防止部の第５実施形態の平面図である。
【図５】（ａ）は流出防止部の第６実施形態の平面図、（ｂ）は流出防止部の第７実施形態の模式断面図、（ｃ）は流出防止部の変形例の模式断面図である。である。
【図６】（ａ）は流出防止部の変形例の模式断面図、（ｂ）は流出防止部の変形例の平面図である。
【図７】本発明に係る単チャンネル形式の光電変換サブマウント基板の流出防止部の平面図である。
【図８】従来の光電変換サブマウント基板であり、（ａ）は斜視図、（ｂ）は要部拡大斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、背景技術と同一構成・作用の箇所は、同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００２９】
図１は本発明の多チャンネル形式の光電変換サブマウント基板であり、（ａ）は光素子５と半田ボール５ａとクラッド層３と流出防止部２２を省略した斜視図、（ｂ）は第１実施形態の光素子５と流出防止部２２を加えた平面図である。図２は図１の光電変換サブマウント基板であり、（ａ）は模式断面図、（ｂ）は滴下スペース１４の要部模式斜視図である。
【００３０】
光電変換サブマウント基板は、基板１と、基板１の表面に形成されたコア層２、及びコア層２を被覆して形成されたクラッド層３からなる光導波路（内部導波路）４と、光導波路４と光学的に結合する光素子５を備えている。
【００３１】
また、光素子５と光導波路４との間の隙間に充填されたアンダーフィル６〔図２（ａ）参照〕と、基板１の表面に形成された配線パッド１０と、基板１の表面に形成された深いＶ字状の溝１ａに固定される光ファイバー（外部導波路）２０を備えている。
【００３２】
本実施形態では、基板１に光導波路４と光素子５とが複数組（本例では２組）で設けられた多チャンネル形式となっているが、図７のように、光導波路４と光素子５とが１組で設けられている単チャンネル形式であっても可能である。以下では、組数と関係の無い箇所は、１組の光導波路４と光素子５だけの説明とする。
【００３３】
基板１は、例えばシリコン（Ｓｉ）基板であり、基板１の表面には、光導波路４を設けるための浅いＶ字状の溝１ｂが形成されている。なお、基板１の表面と裏面には、薄い酸化膜（ＳｉＯ２）１ｃがそれぞれ形成されており、基板１の表面や裏面と言うときは、酸化膜１ｃの表面や裏面の意味であると理解されたい。
【００３４】
光導波路４は、光信号を伝送するためのものであり、コア層２及びクラッド層３により構成される。コア層２及びクラッド層３としては、例えば、屈折率の高い樹脂組成物をコア層２の材料とし、屈折率の低い樹脂組成物をクラッド層３の材料とすることができる。具体的には、コア層２及びクラッド層３の材料として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素化樹脂、ポリイミド等を挙げることができる。例えばエポキシ樹脂を用いる場合には、コア層２の材料として高屈折率のビスフェノール型エポキシ化合物の配合割合を高めたものを用い、クラッド層３の材料として低屈折率の脂環式エポキシ化合物の配合割合を高めたものを用いることができる。
【００３５】
コア層２は、Ｖ字状の溝１ｂの内部に、光ファイバー２０のコアと同芯となるように直線状に形成されている。クラッド層３は、溝１ｂ内のコア層２の周囲を取り囲んで封止してあり、その上端面は基板１の表面よりも突出して形成されている。
【００３６】
光素子５と光学的に結合する側のコア層２の一端部には、光を反射させるために、４５°ミラーの光反射層１１が設けられている。コア層２の他端部には、基板１のＶ字状の溝１ａの光ファイバー２０のコアが光学的に結合されている。
【００３７】
光素子５は、光信号と電気信号とを相互に変換する素子である。この光素子５は、コア層２の光反射層１１の上方で光導波路４のコア層２と光学的に結合するように、クラッド層３と僅かの隙間を開けた状態で、基板１に実装されている。この光素子５は、基板１の表面に設けられた金属製の配線パッド１０に、半田ボール５ａを介して電気的に接続されている。
【００３８】
光素子５と光導波路４のクラッド層３との間の隙間には、この隙間を埋めるようにアンダーフィル６が充填されている。
【００３９】
アンダーフィル６は、光素子５を基板１に接着して実装するためのものである。アンダーフィル６としては、例えば、樹脂溶液等が用いられ、樹脂溶液中の溶媒が蒸発して乾燥することにより樹脂が固化し、光素子５が基板１に固定されるものである。アンダーフィル６の材料としては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーンゴム、シリコーンゲル等を用いることができる。
【００４０】
ここで、溶液状態のアンダーフィル６を、光素子５と光導波路４のクラッド層３との間の隙間に充填する際に、この隙間からアンダーフィル６の余剰分が基板１の表面に流れ出すことがある。
【００４１】
この流れ出したアンダーフィル６の余剰分が光素子５の位置と近い距離にある配線パッド１０に到達して、配線パッド１０を覆ってしまうと、配線パッド１０にワイヤーボンドができない。そのため、基板１が不良品となって、歩留まり率が低下するという問題が生じる。
【００４２】
そこで、光素子５と配線パッド１０との間の基板１の表面に、光素子５と光導波路４の間の隙間から流れ出したアンダーフィル６の余剰分が配線パッド１０に到達するのを防止する流出防止部２２を形成している。
【００４３】
この流出防止部２２は、基板１の表面に形成された凸部２３である。第１実施形態では、凸部２３に囲まれた空間に、アンダーフィル６の滴下位置に設けた滴下スペース１４と、光素子５と光導波路４の間に位置するアンダーフィルの充填スペース１５が設けられている。また、滴下スペース１４から充填スペース１５の間までアンダーフィル６が流れる第１の流路１６Ａが設けられている。凸部２３は、永久レジストのパターニングで形成することができる。滴下スペース１４、充填スペース１５、第１の流路１６Ａ、後述する溜まりスペース１７、第２の流路１６Ｂは、凸部２３の表面から彫り込まれた凹部である。この凹部は、例えばウェットエッチング、ドライエッチング、機械加工等で形成することができる。
【００４４】
第１実施形態（以下の実施形態も同様。）では、凸部２３は、基板１の略２／３の広い領域を覆う面形状に設定されているが、図６（ｂ）のように、各スペース１４，１５と第１の流路１６Ａを枠形状で覆う形状に設定してもよい。
【００４５】
凸部２３の高さは、１〜２０μｍであることが好ましい。凸部２３の高さが１μｍ未満であると、アンダーフィル６の流出を防止できなくなるおそれがある。凸部２３の高さが２０μｍあれば十分な防止効果があり、その高さを超えれば嵩高くなるおそれがある。
【００４６】
第１実施形態では、光素子５と光導波路４の間の隙間から流れ出したアンダーフィル６が配線パッド１０に到達するのを防止する凸部２３の流出防止部２２に加えて、充填スペース１５に対して、滴下スペース１４と第１の流路１６Ａとを設けたものである。
【００４７】
したがって、滴下ノズル１３〔図２（ａ）参照〕から滴下されたアンダーフィル６は、図１（ｂ）の矢印のように、滴下スペース１４から第１の流路１６Ａを介して充填スペース１５にスムーズに充填され、無駄に広がらなくなる。このことから、滴下量が少量で足り、そのために広がり高さが低くなって、流出防止部２２から溢れ出なくなる。これにより、アンダーフィル６の余剰分が配線パッド１０に到達して、配線パッド１０を覆ってしまうおそれがなくなるから、基板１の歩留まりが向上するようになる。
【００４８】
図３（ａ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第２実施形態の平面図である。
【００４９】
第２実施形態の流出防止部２２は、凸部２３に囲まれた空間に、過剰なアンダーフィル６が溜まる溜まりスペース１７がさらに設けられ、充填スペース１５から溜まりスペース１７に、過剰なアンダーフィルが流れる第２の流路１６Ｂが設けられている。
【００５０】
第２実施形態の流出防止部２２であれば、アンダーフィル６の溜まりスペース１７を設けることで、アンダーフィル６の滴下量が多くなっても、図３（ａ）の矢印のように、充填スペース１５から第２の流路１６Ｂを介して溜まりスペース１７にアンダーフィル６の余剰分を溜めることができる。したがって、アンダーフィル６の余剰分が流出防止部２２から溢れ出なくなるから、配線パッド１０に、より到達しなくなる。
【００５１】
図３（ｂ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第３実施形態の平面図である。
【００５２】
第３実施形態の流出防止部２２は、滴下スペース１４と溜まりスペース１７の双方の基板１の表面に、凹部２４が形成されている。なお、滴下スペース１４と溜まりスペース１７のいずれか一方のみに凹部２４を形成することも可能である。
【００５３】
第３実施形態の流出防止部２２であれば、滴下スペース１４と溜まりスペース１７の少なくとも一方に凹部２４を形成することで、アンダーフィル６の滴下量が多くなっても、この凹部２４でアンダーフィル６の余剰分を余分に溜めることができる。したがって、アンダーフィル６の余剰分が流出防止部２２から、より溢れ出なくなるから、配線パッド１０に、より到達しなくなる。
【００５４】
図４（ａ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第４実施形態の平面図である。
【００５５】
第４実施形態の流出防止部２２は、基板１に複数組の光素子５と光導波路４が設けられ、滴下スペース１４は、複数組の充填スペース１５毎に形成されている。
【００５６】
第４実施形態の流出防止部２２であれば、基板１に複数組の光素子５と光導波路４が設けられている多チャンネルタイプにあっては、滴下スペース１４を充填スペース１５毎、つまり光素子５に対して１個ずつ形成する。これにより、その光素子５に対して適切な量のアンダーフィル６の充填が可能になる。したがって、アンダーフィル６の余剰分を少なくできで、流出防止部２２から溢れ出なくなるから、配線パッド１０に、より到達しなくなる。
【００５７】
図４（ｂ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第５実施形態の平面図である。
【００５８】
第５実施形態の流出防止部２２は、基板１に複数組の光素子５と光導波路４が設けられ、滴下スペース１４は、前記複数組の充填スペース１５よりも少ない個数で形成されている。本例では、２組の光素子５と光導波路４に対する２個の充填スペース１５に対して、１個の滴下スペース１４が形成されている。
【００５９】
第５実施形態の流出防止部２２であれば、基板１に複数組の光素子５と光導波路４が設けられている多チャンネルタイプにあっては、滴下スペース１４を複数の充填スペース１５よりも少ない個数、例えば複数の光素子５に対して１個だけ形成する。これにより、１回の滴下工程で複数の充填スペース１５にアンダーフィル６の充填が可能になるから、滴下工程を簡素化することができる。
【００６０】
図５（ａ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第６実施形態の平面図である。
【００６１】
第５実施形態の流出防止部２２は、基板１に複数組の光素子５と光導波路４が設けられ、滴下スペース１４から複数の充填スペース１５までの流路は、略等距離に形成されている。本例では、２組の光素子５と光導波路４に対する２個の充填スペース１５に対して、１個の滴下スペース１４が形成されている。
【００６２】
第５実施形態の流出防止部２２であれば、基板１に複数組の光素子５と光導波路４が設けられている多チャンネルタイプにあっては、滴下スペース１４から複数の充填スペース１５までの流路を略等距離にする。これにより、アンダーフィル６の滴下量を減らすことが可能になる。
【００６３】
各実施形態（以下の実施形態も同様。）において、流出防止部２２の凸部２３は、クラッド層３と同材料で形成することができる。
【００６４】
このように、クラッド層３と同材料で凸部２３を形成することで、クラッド層３と同時に凸部２３を形成できるから、凸部２３を形成する工程が増加しなくなる。また、クラッド層３と同様にして、凸部２３の高さを容易に制御できるから、最小限の材料量で、アンダーフィル６の余剰分の乗り越えを確実に防止できるようになる。さらに、凸部２３がクラッド層３と同材料であれば、光結合損失に影響しないように、凸部２３を形成することができる。すなわち、コア層２が高くなると光結合損失が発生するおそれがあるが、クラッド層３は光が伝搬しないので、層が厚くなっても光結合損失に影響しない。したがって、コア層２で形成する場合よりも流出防止部２２の厚みを厚くすることが可能である。
【００６５】
また、図示しないが、流出防止部２２の凸部２３は、コア層２と同材料で形成することができる。
【００６６】
このように、コア層２と同材料で凸部２３を形成することで、コア層２と同時に凸部２３を形成できるから、凸部２３を形成する工程が増加しなくなる。また、コア層２と同様にして、凸部２３の高さを容易に制御できるから、最小限の材料量で、アンダーフィル６の余剰分の乗り越えを確実に防止できるようになる。
【００６７】
図５（ｂ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第７実施形態の模式断面図である。
【００６８】
第７実施形態の流出防止部２２は、流出防止部２２の凸部２３は、コア層２と同材料と、クラッド層３と同材料との組み合わせで形成したものである。
【００６９】
第７実施形態の流出防止部２２であれば、コア層２を他の実施形態よりもやや高く設定して、このコア層２と同材料の凸部に、クラッド層３と同材料の凸部を上乗せできる。したがって、凸部２３を高くできるので、アンダーフィル６の余剰分が凸部２３を、より乗り越えにくくなる。
【００７０】
図５（ｃ）の模式断面図のように、流出防止部２２の凸部２３は、流れ出したアンダーフィル６の厚さよりも高く設定すれば、アンダーフィル６の余剰分が凸部２３を、より乗り越えにくくなる。
【００７１】
また、図６（ａ）の模式断面図のように、流出防止部２２の凸部２３の表面に、撥水部２５ａまたは親水部２５ｂを有する構成とすることができる。そして、凸部２３の表面に撥水処理（例えばフッ素コーティング等）をすれば、アンダーフィル６の余剰分は凸部２３の表面に触れにくくなって、凸部２３を乗り越えにくくなる。また、凸部２３の表面に親水処理〔例えばプラズマ処理等（ＯＨ基を付ける。表面を荒らす等）〕をすれば、アンダーフィル６の余剰分は凸部２３に乗り上げても、凸部２３の表面で捉えられて、凸部２３を乗り越えにくくなる。
【符号の説明】
【００７２】
１    基板
２    コア層
３    クラッド層
５    光素子
６    アンダーフィル
１０  配線パッド
１４  滴下スペース
１５  充填スペース
１６Ａ  第１の流路
１６Ｂ  第２の流路
１７  溜まりスペース
２０  光ファイバー
２２  流出防止部
２３  凸部
２４  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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