(57)【要約】【課題】微細なパターニングを容易に行うことができる金属薄膜により引き出し電極を形成しつつ、接合部位においては低融点ガラスとの接合安定性を高めることのできる振動デバイスを提供する。【解決手段】振動片１８と振動片１８に一体化されている枠部２０とを含む中間基板１６と、中間基板１６の枠部２０と接合する接合部を有する第１基板１２と、枠部２０と前記接合部とを接合する低融点ガラス４０と、振動片１８に設けられている励振電極２６と、励振電極２６に接続されると共に、枠部２０に延在されている引き出し電極２８を構成するＡｕの電極層３４と、を備え、引き出し電極２８を構成する金属パターンのうち、枠部２０に延在されている部分の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＣｒＯ２、ＮｉＯ２のいずれかで構成される接合層を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
振動片と前記振動片に一体化されている枠部とを含む中間基板と、
前記中間基板の枠部と接合されている接合部を含む第１基板と、
前記枠部と前記接合部とを接合している低融点ガラスと、
前記振動片に設けられている励振電極と、当該励振電極に接続されると共に、前記枠部に延在され、Ａｕの電極層を含む引き出し電極と、
を備え、
前記引き出し電極のうち、前記枠部に延在されている部分の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＣｒＯ２、ＮｉＯ２のいずれかで構成される接合層が設けられていることを特徴とする振動デバイス。
【請求項２】
前記電極層と前記中間基板との間に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＣｒＯ２、ＮｉＯ２のいずれかにより構成されている下地層を含むことを特徴とする請求項１に記載の振動デバイス。
【請求項３】
前記接合層は、前記電極層の表面を覆う被覆層であることを特徴とする請求項１または２に記載の振動デバイス。
【請求項４】
前記枠部における前記下地層のパターン幅が前記電極層のパターン幅よりも広く、
前記下地層と前記被覆層とが接続されていることを特徴とする請求項３に記載の振動デバイス。
【請求項５】
前記接合層は、前記下地層を露出させて構成されていることを特徴とする請求項２に記載の振動デバイス。
【請求項６】
前記接合層が、前記枠部の全周に亘って設けられていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の振動デバイス。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の振動デバイスを備えていることを特徴とする電子デバイス。
【請求項８】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の振動デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の振動デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
【請求項１０】
振動片と前記振動片に一体化されている枠部とを含む中間基板と、前記中間基板の枠部と接合する接合部を有する第１基板と、を備える振動デバイスの製造方法であって、
前記中間基板に対して、Ａｕの電極層により、励振電極と、当該励振電極に接続されると共に前記枠部に延在される引き出し電極を形成する工程と、
前記引き出し電極における前記枠部に延在されている部分の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＣｒＯ２、ＮｉＯ２のいずれかにより構成される、接合層を形成する工程と、
前記接合層を含む枠部と、前記接合部とを低融点ガラスにより接合する工程と、
を含むことを特徴とする振動デバイスの製造方法。
【請求項１１】
前記電極層を構成する工程よりも前に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＣｒＯ２、ＮｉＯ２のいずれかにより構成される下地層を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１０に記載の振動デバイスの製造方法。
【請求項１２】
前記接合層の形成は、前記電極層の表面を覆う被覆層を形成することにより成すことを特徴とする請求項１０または１１に記載の振動デバイスの製造方法。
【請求項１３】
前記枠部における前記下地層のパターン幅を前記電極層のパターン幅よりも広く形成し、
前記被覆層形成工程において、前記下地層と前記被覆層とを接続することを特徴とする請求項１２に記載の振動デバイスの製造方法。
【請求項１４】
前記接合層の形成は、前記下地層を露出させることにより成すことを特徴とする請求項１１に記載の振動デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動デバイスに係り、特に、いわゆるＣＳＰ（Chip Size Package）型の振動デバイスに適用することが好適な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣＳＰ型の振動デバイスとは、振動片を構成する基板（中間基板）を平面視した際の外形サイズと、振動デバイスを平面視した際の外形サイズが同一、あるいはほぼ同一となるタイプの振動デバイスである。このようなタイプの振動デバイスは、振動片の外周側に、当該振動片を支持する枠部を設けることで中間基板を構成する。そして、この中間基板を、その厚み方向から他の基板で挟み込み、中間基板の枠部と、中間基板を挟み込んでいる基板とを接合することで構成される。
【０００３】
このような構成の振動デバイスとしては、例えば特許文献１に開示されているようなものが知られている。特許文献１に開示されている振動デバイスは、振動片に、振動を励起するための励振電極を備えている。そして、励振電極は、振動片を支持する枠部に形成された引き出し電極を介して実装用の電極にまで引き回される。ここで、振動片が構成された中間基板を水晶等の圧電材料により構成した場合、これを挟み込む基板も、中間基板と同じ部材で構成することが多い。このような場合、中間基板と、これを挟み込む基板との接合には、低融点ガラスが用いられることが多い。
【０００４】
しかし、励振電極や引き出し電極を構成するＡｕは、低融点ガラスとの接合安定性が良くない。このため、枠部における引き出し電極形成部では、接合部の剥離等が生じ、振動デバイスとして、気密不良が生じる虞がある。
【０００５】
これに対し、特許文献２には、接合部に配置される引き出し電極を金属粒子により構成し、２種類の絶縁材を用いて封止を図る事が開示されている。具体的には、第１の絶縁材は、部材間の接合を図るためのものとし、第２の絶縁材は、金属粒子間に含浸させ、金属粒子間の隙間を埋めるためのものとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１２−２４４５０３号公報
【特許文献２】特開２０００−２５１７７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に開示されている振動デバイスにおける問題点は、特許文献２に開示されている技術を適用すれば、解決可能であると考えられる。しかし、金属パターンにより形成されていた引き出し電極を金属粒子を用いて形成することは、理論的には容易であるが、技術的には種々の問題が生じる。特に、微細なパターニングが困難となる。また、金属粒子間に絶縁部材が含浸したか否かの判断も難しい。
【０００８】
本発明では、微細なパターニングを容易に行うことができる金属薄膜により引き出し電極を形成しつつ、接合部位においては低融点ガラスとの接合安定性を高めることのできる振動デバイスを提供することを目的とする。また、本発明では、この振動デバイスを用いた電子デバイス、電子機器、および移動体を提供すると共に、振動デバイスの製造方法を提供することも目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態もしくは適用例として実現することが可能である。
【００１０】
［適用例１］振動片と前記振動片に一体化されている枠部とを含む中間基板と、前記中間基板の枠部と接合されている接合部を含む第１基板と、前記枠部と前記接合部とを接合している低融点ガラスと、前記振動片に設けられている励振電極と、当該励振電極に接続されると共に、前記枠部に延在され、Ａｕの電極層を含む引き出し電極と、を備え、前記引き出し電極のうち、前記枠部に延在されている部分の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＣｒＯ２、ＮｉＯ２のいずれかで構成される接合層が設けられていることを特徴とする振動デバイス。
このような特徴を有する振動デバイスによれば、金属薄膜により引き出し電極を形成しつつ、接合部位においては低融点ガラスとの接合安定性を高めることができる。
【００１１】
［適用例２］前記電極層と前記中間基板との間に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＣｒＯ２、ＮｉＯ２のいずれかにより構成されている下地層を含むことを特徴とする適用例１に記載の振動デバイス。
このような特徴を有する振動デバイスによれば、中間基板と励振電極、および引出電極の密着性を向上させることができる。
【００１２】
［適用例３］前記接合層は、前記電極層の表面を覆う被覆層であることを特徴とする適用例１または２に記載の振動デバイス。
接合層をこのようにして形成することによれば、高い導電性を確保しつつ、低融点ガラスとの接合安定性を高めることができる。また、電極層の側面を含む表面を覆うことにより、低融点ガラスとの接合安定性を接合部位全体で確保することが可能となる。
【００１３】
［適用例４］前記枠部における前記下地層のパターン幅が前記電極層のパターン幅よりも広く、前記下地層と前記被覆層とが接続されていることを特徴とする適用例３に記載の振動デバイス。
このような構成とすることにより、電極層における接合部位の周囲全体が、下地層と被覆層で覆われることとなる。また、このような構成とした場合には、被覆層形成部位においても、引き出し電極のパターン幅を、他の部位のパターン幅よりも広くすることなく電極層の側面を含む表面を覆うことが可能となる。よって、下地層、電極層、および被覆層を形成した後、１度のエッチングで金属パターンを形成することができる。
【００１４】
［適用例５］前記接合層は、前記下地層を露出させて構成されていることを特徴とする適用例２に記載の振動デバイス。
接合層をこのようにして形成することによれば、下地層、電極層の他に、別途被覆層を形成するという工程が不要となる。よって、振動デバイスの生産性を向上させることが可能となる。
【００１５】
［適用例６］前記接合層が、前記枠部の全周に亘って設けられていることを特徴とする適用例１乃至５のいずれか１項に記載の振動デバイス。
このような特徴を有することによれば、接合材となる低融点ガラスの厚みを均等化することができる。よって、接合部にかかる応力の均等化を図ることができる。
【００１６】
［適用例７］適用例１乃至６のいずれか１項に記載の振動デバイスを備えていることを特徴とする電子デバイス。
このような特徴を有することにより、振動デバイスにおける振動片を収容するキャビティの機密性が良好で、信頼性の高い電子デバイスを構成することができる。
【００１７】
［適用例８］適用例１乃至６のいずれか１項に記載の振動デバイスを備えていることを特徴とする電子機器。
このような特徴を有することにより、振動デバイスにおける振動片を収容するキャビティの機密性が良好で、信頼性の高い電子機器を構成することができる。
【００１８】
［適用例９］適用例１乃至６のいずれか１項に記載の振動デバイスを備えていることを特徴とする移動体。
このような特徴を有することにより、振動デバイスにおける振動片を収容するキャビティの機密性が良好で、信頼性の高い移動体を構成することができる。
【００１９】
［適用例１０］振動片と前記振動片に一体化されている枠部とを含む中間基板と、前記中間基板の枠部と接合する接合部を有する第１基板と、を備える振動デバイスの製造方法であって、前記中間基板に対して、Ａｕの電極層により、励振電極と、当該励振電極に接続されると共に前記枠部に延在される引き出し電極を形成する工程と、前記引き出し電極における前記枠部に延在されている部分の表面に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＣｒＯ２、ＮｉＯ２のいずれかにより構成される、接合層を形成する工程と、前記接合層を含む枠部と、前記接合部とを低融点ガラスにより接合する工程と、を含むことを特徴とする振動デバイスの製造方法。
このような特徴を有する振動デバイスの製造方法によれば、製造された振動デバイスにおける引き出し電極が形成されている接合部では、低融点ガラスと接合層が密接していることとなる。よって、金属薄膜により引き出し電極を形成しつつ、接合部位においては低融点ガラスとの接合安定性を高めることができる。
【００２０】
［適用例１１］前記電極層を構成する工程よりも前に、Ｃｒ、Ｎｉ、ＣｒＯ２、ＮｉＯ２のいずれかにより構成される下地層を形成する工程を含むことを特徴とする適用例１０に記載の振動デバイスの製造方法。
このような特徴を有することによれば、製造された振動デバイスでは、振動片と枠部を含む中間基板と電極層との間に、中間基板との密着性が良好な下地層が形成されることとなる。また、下地層と電極層との密着性も良好となるため、電極層の密着性も良好となる。
【００２１】
［適用例１２］前記接合層の形成は、前記電極層の表面を覆う被覆層を形成することにより成すことを特徴とする適用例１０または１１に記載の振動デバイスの製造方法。
このような特徴を有することによれば、製造された振動デバイスの引き出し電極における接合部は、導電性の良好な電極層の上に、接合部材である低融点ガラスとの密着性が良好な被覆層を配する形態となる。よって、接合部位においては、低融点ガラスとの接合安定性を高めることができる。
【００２２】
［適用例１３］前記枠部における前記下地層のパターン幅を前記電極層のパターン幅よりも広く形成し、前記被覆層形成工程において、前記下地層と前記被覆層とを接続することを特徴とする適用例１２に記載の振動デバイスの製造方法。
このような特徴を有することによれば、製造された振動デバイスの引き出し電極における接合部は、下地層、電極層、および被覆層により構成されることとなり、かる下地層と被覆層とが接続されることにより、電極層は、その全周が、中間層、および低融点ガラスとの密着性が良好な部材により覆われることとなる。
【００２３】
［適用例１４］前記接合層の形成は、前記下地層を露出させることにより成すことを特徴とする適用例１１に記載の振動デバイスの製造方法。
このような特徴を有することによれば、被覆層を形成する形態に比べ、金属薄膜を形成する工程を少なくすることができる。よって、振動デバイスの生産性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１の実施形態に係る振動デバイスにおける中間基板の平面構成を示す図である。
【図２】図１におけるＡ−Ａ断面を示す図である。
【図３】図１におけるＢ−Ｂ部を概略的に示す部分断面拡大図である。
【図４】実施形態に係る振動デバイスに含まれる製造工程を示すフロー図である。
【図５】実施形態に係る振動デバイスの第１の変形例を示す断面図である。
【図６】第２の実施形態に係る振動デバイスにおける中間基板の平面構成を示す図である。
【図７】図６におけるＣ−Ｃ部を概略的に示す部分断面拡大図である。
【図８】実施形態に係る振動デバイスの第２の変形例としての中間基板の平面構成を示す図である。
【図９】実施形態に係る振動デバイスの第３の変形例としての中間基板の平面構成を示す図である。
【図１０】図９におけるＤ−Ｄ断面を示す図である。
【図１１】実施形態に係る振動デバイスの第４の変形例としての中間基板の平面構成であり、ＡＴカット振動片を片持ち支持する場合の例を示す図である。
【図１２】実施形態に係る振動デバイスの第４の変形例としての中間基板の平面構成であり、ＡＴカット振動片を両端支持する場合の例を示す図である。
【図１３】実施形態に係る振動デバイスの第４の変形例としての中間基板の平面構成であり、逆メサ型のＡＴカット振動片を採用した場合の例を示す図である。
【図１４】第４の変形例に係る振動デバイスにおいて、引き出し電極を枠部の全周に亘って配設する場合の例を示す図である。
【図１５】引き出し電極を枠部の全周に亘って配設する場合における枠部断面の概略構成を示す部分断面拡大図である。
【図１６】本発明の電子デバイスの構成の一例を示す断面図である。
【図１７】本発明の電子機器の一例としての高機能携帯電話を示す図である。
【図１８】本発明の移動体の一例としての自動車を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の振動デバイスと、この振動デバイスを用いた電子デバイス、電子機器、並びに移動体、およびこの振動デバイスの製造方法について、図面を参照しつつ詳細に説明する。
【００２６】
（第１実施形態）
まず、図１から図３を参照して、第１の実施形態に係る振動デバイスについて説明する。なお、図１は、実施形態に係る振動デバイスにおける中間基板の平面構成を示す図である。また、図２は、図１におけるＡ−Ａ断面を示す図である。さらに、図３は、図１におけるＢ−Ｂ部を概略的に示す部分断面拡大図である。
【００２７】
本実施形態に係る振動デバイス１０は、中間基板１６と第１基板１２、および第２基板１４を基本として構成されている。中間基板１６は、振動片１８と、この振動片１８を支持する枠部２０とを備える基板である。図１、図２に示す形態では、振動片１８は、枠部２０よりも肉厚が薄くなるように構成されている。また、本実施形態では、振動片１８と枠部２０とは、接続部２２、および支持梁２４を介して接続する構成を採っている。
【００２８】
本実施形態における振動片１８は、基部１８ａと、この基部１８ａを基端として平行に延設される一対の振動腕１８ｂを備える、いわゆる音叉型の振動片である。支持梁２４は、中間基板１６の長手方向であって、振動片１８の基部１８ａと枠部２０との間に、長手方向（振動腕１８ｂの延設方向）と直交する方向に、枠部２０間を結ぶように架け渡らされている。接続部２２は、基部１８ａにおける支持梁２４側端部と、支持梁２４とを接続するように設けられている。
【００２９】
中間基板１６の構成材料は、水晶、タンタル酸リチウム、ニオブ酸リチウム、リチウムテトラボート、ニオブ酸カリウム、リン酸カリウム、ランガサイト等の圧電材料とすると良い。また、中間基板１６の外形形成には、公知のフォトエッチング技術を用いることができる。
【００３０】
振動片１８には、各振動腕１８ｂに励振電極２６が配置されている。各励振電極２６には、引き出し電極２８が接続されている。引き出し電極２８は、基部１８ａ、接続部２２を介して支持梁２４へと引き回され、枠部２０に延在される。枠部２０に延在された引き出し電極２８は、中間基板１６の枠部２０、第１基板１２、および第２基板１４で構成されるパッケージ３０の外部へと引き出され、第１基板１２、あるいは第２基板１４（本実施形態では第２基板１４）に配設された実装用電極３８に接続される。なお、引き出し電極２８は、支持梁２４において、電位の異なる電極毎に、互いに反対方向へと引き回すようにし、短絡の防止が図られている。
【００３１】
励振電極２６、および引き出し電極２８は、下地層３２と電極層３４を基本として構成されている。下地層３２としては、ＣｒやＮｉ、ＣｒＯ２、およびＮｉＯ２などを用いることができる。中間基板１６の構成材料との相性が良く、密着性を良好に保つことができるからである。
【００３２】
電極層３４は、下地層３２との密着性が良好で、導電性が高い部材を採用することが望ましく、例えばＡｕとすると良い。
引き出し電極２８の枠部２０を跨ぐ箇所には、被覆層３６が設けられている。被覆層３６は、第１基板１２、および第２基板１４との接合部となる枠部２０に配置される接合部材との密着性が良好な部材により構成されると良い。接合部材として低融点ガラスを使用する場合には、接合層としての被覆層３６は、下地層３２と同様な、ＣｒやＮｉ、ＣｒＯ２、およびＮｉＯ２などを用いるようにすれば良い。
【００３３】
本実施形態では、図３に示すように、枠部２０に延在されている電極層３４は、下地層３２よりもそのパターン幅が狭くなるように形成されている。そして、被覆層３６は、電極層３４の側面を含む表面を覆い、下地層３２と被覆層３６が接続されるように形成されている。
【００３４】
中間基板１６に対する下地層３２、電極層３４、および被覆層３６の形成は、それぞれ、スパッタリングや蒸着といった成膜技術と公知のフォトエッチング技術を用いるようにすれば良い。微細なパターンであっても、容易に形成することができるからである。
【００３５】
第１基板１２と第２基板１４は、中間基板１６を積層方向に挟み込み、枠部２０に接合される接合部を備えた基板である。中間基板１６の枠部２０に、第１基板１２と第２基板１４を接合することにより、振動デバイス１０としてのパッケージ３０が構成されると共に、振動片１８を収容する気密空間としてのキャビティが構成されることとなる。
【００３６】
第１基板１２と第２基板１４は、中間基板１６と同じ部材、あるいは熱膨張率が近似する部材により構成すると良い。例えば、中間基板１６を水晶により構成した場合には、第１基板１２、および第２基板１４も、水晶により構成することが望ましい。また、熱膨張率が近い部材として、ガラスなどにより、第１基板１２と第２基板１４を構成するようにしても良い。なお、本実施形態では、第２基板１４に実装用電極３８が形成されており、振動片１８に形成された励振電極２６に接続された引き出し電極２８が接続されている。
【００３７】
本実施形態では、中間基板１６と、第１基板１２、および第２基板１４の接合には、接合部材として、低融点ガラス４０を採用する。接合部材として導電性部材を採用した場合には、引き出し電極２８の短絡が生じてしまうからである。また、低融点ガラス４０には、その熱膨張率が中間基板１６や第１基板１２、および第２基板１４を構成する部材としての水晶に近似し、熱膨張による接合部分の剥離が生じる虞が少ないという利点がある。
【００３８】
このような構成の振動デバイス１０によれば、微細なパターニングを容易に行うことができる金属薄膜により引き出し電極を形成しつつ、接合部位においては低融点ガラス４０と引き出し電極２８との接合安定性を高めることができる。よって、引き出し電極２８形成部位に起因したキャビティの気密不良が生じにくい。
【００３９】
（製造方法）
次に、上記のような構成の振動デバイスの製造方法の一例について、図４を参照しつつ説明する。
まず、中間基板１６の外形形成を行う。中間基板１６の外形形成工程は、フォトエッチングの技法により、振動片１８、接続部２２、支持梁２４、および枠部２０の外形を形成する工程である。外形形成工程は、ウエハー上に複数の中間基板１６を形成するバッチ処理でも良いし、個片化された中間基板１６を個別にフォトエッチングする個別処理でも良い（ステップ１０）。
【００４０】
次に、金属薄膜により、下地層３２を形成する。下地層形成工程では、中間基板１６の表面に、下地層３２構成するＣｒやＮｉ、ＣｒＯ２、およびＮｉＯ２などの金属薄膜を形成する。金属薄膜の形成は、スパッタリングや蒸着といった技法によれば良い（ステップ２０）。
【００４１】
下地層３２形成後、下地層３２の表面に電極層３４を構成する。実施形態に係る振動デバイス１０では、枠部２０に延在されている引き出し電極の電極層３４は、当該部分に形成されている下地層３２よりもパターン幅が狭くなるように構成されている。よって、少なくとも、パターン幅が狭くなるように構成されている部分には、マスクを配置し、Ａｕによる電極層３４となる金属薄膜が部分的に形成されないようにして、スパッタリングや蒸着を行うようにすると良い（ステップ３０）。
【００４２】
電極層３４を形成した後、被覆層３６を形成する部位に開口部を有するマスクを用い、スパッタリングや蒸着により被覆層３６を形成する（ステップ４０）。
【００４３】
下地層３２、電極層３４、および被覆層３６の形成を終えた後、これらの金属薄膜を所望する形態にパターニングする。パターニングは、公知のフォトエッチングの技術を用いるようにすれば良い（ステップ５０）。
【００４４】
金属パターンの形成を終えた後、低融点ガラス４０を接合部材として、枠部２０に対して第１基板１２と第２基板１４をそれぞれ接合する（ステップ５０）。
【００４５】
このような工程を含む方法により振動デバイス１０を製造することによれば、励振電極２６や引き出し電極２８を構成する金属薄膜の微細なパターニングを容易に行うことができる。また、接合部位においては、低融点ガラス４０と引き出し電極２８との接合安定性を高めることができる。よって、製造された振動デバイス１０は、引き出し電極形成部位に起因したキャビティの気密不良が生じにくいものとすることができる。
【００４６】
（第１変形例）
上記実施形態では、中間基板１６において、枠部２０と、振動片１８および支持梁２４等との間には、枠部２０に対して振動片１８の肉厚が薄くなるような段差が設けられる旨記載した。しかしながら、このような構成は、振動片１８と、第１基板１２および第２基板１４との間に隙間を構成するためのものである。よって、本発明に係る振動デバイス１０では、図５に示すように、枠部２０と、振動片１８および支持梁２４の肉厚を同じとし、第１基板１２と第２基板１４における振動片１８との対向部分に、凹部１２ａ，１４ａを構成するようにしても良い。このような構成とした場合であっても、振動片１８と、第１基板１２および第２基板１４との間に、隙間を構成することができるからである。また、支持梁２４と枠部２０との間に段差が無いため、段差部において引き出し電極が断線することを防ぐことができる。
【００４７】
（第２実施形態）
次に、本実施形態に係る振動デバイスの第２の実施形態について、図６、図７を参照しつつ詳細に説明する。なお、本実施形態に係る振動デバイス１０Ａの殆どの構成は、上述した実施形態に係る振動デバイス１０と同様である。よって、その構成を同一とする箇所には、図面に同一符号を附して、その詳細な説明は省略することとする。ここで、図６は、実施形態に係る振動デバイスにおける中間基板の平面構成を示す図である。また、図７は、図６におけるＣ−Ｃ部を概略的に示す部分断面拡大図である。
【００４８】
本実施形態に係る振動デバイス１０Ａと、上述した第１の実施形態に係る振動デバイス１０との相違点は、中間基板１６の枠部２０に配置された引き出し電極２８の構成にある。第１実施形態に係る振動デバイス１０では、電極層３４の上面に、接合部材である低融点ガラス４０との密着性が良好な部材により、被覆層を構成し、これを接合層とする旨記載した。これに対し、本実施形態に係る振動デバイス１０Ａでは、引き出し電極２８における枠部２０への配置部位について、電極層２４を構成せず、下地層３２のみにより引き出し電極２６を構成することとしている。すなわち、接合部において引き出し電極２８の表面に下地層３２を露出させ、これを接合層とするのである。
【００４９】
このような構成とした場合、電極層３４を設けた場合に比べて導電性は低下するものの、接合部材である低融点ガラス４０との密着安定性は確保されることとなる。このため、気密安定性を高く保つことができる。また、引き出し電極２８に被覆層２４を設ける場合に比べ、金属薄膜の形成工程を減らすことができ、生産性を向上させることができる。
【００５０】
（第２変形例）
上記実施形態に係る振動デバイス１０，１０Ａでは、振動片１８における基部１８ａと、振動腕１８ｂの延設方向と直交する辺にあたる枠部２２との間に支持梁２４を設け、支持梁２４と基部１８ａとの間に接続部２２を設けるように構成している。しかしながら、本発明に係る振動デバイス１０，１０Ａとしては、振動片１８と支持梁２４、および接続部２２の配置構成を図８に示すようなものとすることもできる。
【００５１】
すなわち、支持梁２４の配置位置を、振動腕１８ｂの先端と、振動腕１８ｂの延設方向と直交する辺を成す枠部２０との間としている。そして、基部１８ａから対を成して延設されている振動腕１８ｂの間に、支持梁２４と基部１８ａとを接続する接続部２２を設ける構成としているのである。このような構成とした場合であっても、枠部２０における引き出し電極２８の形成パターンが実施形態に沿う限り、本発明の一部とみなすことができる。また、このような構成とした場合には、基部１８ａから枠部２０までの距離が長くなる。このため、振動漏れの抑制効果を高めることができる。
【００５２】
（第３変形例）
また、上記実施形態では、振動片１８の形態として、音叉型のものを採用している。しかしながら、本発明に係る振動デバイスでは、振動片の形態を変えた場合であっても、発明の一部とみなすことができる。
【００５３】
例えば、図９に示すように、振動片１８Ａを双音叉型とすることもできる。この場合、振動腕１８ｂの延設方向両端部に、一対の基部１８ａが設けられることとなる。図９に示す形態では、振動腕１８ｂの両端に設けられた一対の基部１８ａのそれぞれから、振動腕１８ｂの延設方向と平行な辺を成す枠部に向けて、それぞれ対を成す支持梁２４を設けるようにしている。振動片１８の安定性を確保するためである。また、このような構成とする場合、引き出し電極２８は、いずれか一方の基部１８ａを介して、支持梁２４、および枠部２０へと引き回すようにすれば良い。
【００５４】
このような構成の振動デバイス１０Ｂでは、図１０に示すように、中間基板１６に対して積層方向に接合される第１基板１２と第２基板１４のいずれか一方、あるいは双方にダイアフラム１２ｂを構成すると良い（図１０に示す形態では、第１基板１２のみにダイアフラム１２ｂを設けている）。ダイアフラム１２ｂに一対の支持部１２ｃを設け、当該支持部１２ｃに振動片１８Ａの基部１８ａを接合する。このような構成とすることにより、ダイアフラム１２ｂの変形に応じて基部１８ａの配置間隔が変化する。この作用により振動腕１８ｂの共振周波数が変化することとなり、圧力センサーを構成することが可能となる。
【００５５】
（第４変形例）
また、振動片の形態としては、音叉型や双音叉型に限らず、いわゆるＡＴカット型の振動片とすることもできる。振動片としてＡＴカット振動片を採用する場合には、さらに種々の形態とすることができる。例えば、図１１に示すように、１つの接続部２２により、振動片１８Ｂと枠部２０とを接続し、励振電極２６や引き出し電極２８を形成する形態とすることができる。また、図１２に示すように、振動片１８Ｂの両端部に、枠部２０と振動片１８Ｂを接続する一対の接続部２２を設ける構成とすることもできる。
【００５６】
さらに、図１３に示すように、支持梁２２を設けることなく、枠部２０に対して振動片１８Ｃを構成する薄肉部を構成し、この薄肉部に励振電極２６を形成し、いわゆる逆メサ型の振動片を構成するようにしても良い。
【００５７】
さらに、図１１から図１３に示したように、引き出し電極２８を中間基板の一方の面と他方の面の双方に引き回す形態では、図１４に示すように、枠部の全周に亘って引き出し電極２８を配設するようにしても良い。このような配設形態とすることによれば、接合部材である低融点ガラス４０の厚みを均等化することができる。よって、接合部にかかる圧力バランスを均等化することが可能となる。
【００５８】
このような形態を採る場合には、図１５に、枠部２０近傍の概略断面を示すように、枠部２０の幅よりも、引き出し電極２８の幅が狭くなるように構成すると共に、引き出し電極２８を枠部２０の内周寄りに配設する構成とすると良い。このような構成とすることにより、枠部２０の外周側には、絶縁部材である低融点ガラス４０が配設されることとなる。このため、引き出し電極２８が基板や接合部を跨いで引き回される場合でも、短絡の発生を防ぐことができる。
【００５９】
（電子デバイス）
図１６に、本実施形態の振動デバイスを搭載した電子デバイスの断面図を示す。図１６は、本発明に係る電子デバイスの一例としての発振器１００である。本実施形態の発振器１００は、例えば第１実施形態（他の実施形態でもよい）の振動デバイス１０を集積回路１０２に接続したものである。振動デバイス１０の実装用電極３８と集積回路１０２のパッド電極１０４とが互いに接合している。集積回路１０２には、振動デバイス１０を発振源とする発振回路が内蔵され、集積回路１０２に設けられた他のパッド電極（不図示）から発振信号を取り出すことができるように構成されている。また集積回路１０２には、振動片３０の温度変化による共振周波数の変化に対応して発振信号の温度補償を行う温度補償回路を内蔵することができ、これによりＴＣＸＯ（温度補償水晶発振器：Temperature Compensated Crystal Oscillator）を構築することができる。また、振動デバイス１０に、ヒータ（不図示）やサーミスタ（不図示）を取り付け、これを集積回路１０２内の制御回路に接続できるようにすれば、ＯＣＸＯ（恒温槽付水晶発振器：Oven Controlled Crystal Oscillator）を構築することができる。
【００６０】
（電子機器、移動体）
図１７に、本実施形態の振動デバイス１０，１０Ａ，１０Ｂを内蔵した発振器１００を搭載した電子機器の一例である高機能携帯電話２００の模式図、図１８に、本実施形態の発振器１００を搭載した移動体の一例である自動車３００の模式図を示す。図１７に示すように、高機能携帯電話２００には、例えば、高機能携帯電話２００の姿勢を検知する角速度センサー（不図示）が内蔵されているが、この角速度センサーの制御機構を動かすためのクロック源として本実施形態の発振器１００を用いることができる。本実施形態の発振器１００は、このほかにも、デジタルスチルカメラ、携帯電話機、携帯型ゲーム機、ゲームコントローラー、カーナビゲーションシステム、ポインティングデバイス、ヘッドマウンティングディスプレイ、タブレットパソコン等の電子機器のクロック源として利用することができる。図１８に示すように、自動車３００には、例えば、車体の姿勢を安定化させるための制御機構（不図示）を有するが、この制御機構を動かすためのクロック源として本実施形態の発振器１００を利用することができる。
【符号の説明】
【００６１】
１０，１０Ａ，１０Ｂ………振動デバイス、１２………第１基板、１２ａ………凹部、１２ｂ………ダイアフラム、１２ｃ………支持部、１４………第２基板、１４ａ………凹部、１６………中間基板、１８，１８Ａ………振動片、１８ａ………基部、１８ｂ………振動腕、２０………枠部、２２………接続部、２４………支持梁、２６………励振電極、２８………引き出し電極、３０………パッケージ、３２………下地層、３４………電極層、３６………被覆層、３８………実装用電極、４０………低融点ガラス、１００………発振器、２００………高機能携帯電話、３００………自動車。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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