(57)【要約】【課題】基板の汚染や位置ずれを抑制または防止し、基板の搬送時間を短縮すること。【解決手段】複数の処理ユニット４のいずれか一つが制御装置５によって選択される。その後、中継装置３の高さとセンターロボットＣＲのハンドＨの高さとが調整され、中継装置３およびハンドＨの基板保持位置と選択された処理ユニット４の基板保持位置との高低差が低減される。そして、中継装置３がその高さに位置している状態で、センターロボットＣＲが、選択された処理ユニット４の基板保持位置と中継装置３の基板保持位置との間で基板を搬送する。【選択図】図６
2014049488.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高さの異なる複数の基板保持位置で複数枚の基板をそれぞれ保持し、保持した複数枚の基板を処理する複数の処理ユニットと、
基板を保持する保持部材と、前記保持部材の基板保持位置の上方に配置された上壁と、前記保持部材の基板保持位置の下方に配置された下壁と、前記保持部材を鉛直方向に移動させる保持部材鉛直移動機構とを含む保持装置と、
基板を保持する第１ハンドと、前記第１ハンドを鉛直方向および水平方向に移動させることにより、前記複数の処理ユニットと前記保持装置との間で基板を搬送する第１ハンド移動機構とを含む第１搬送ロボットと、
前記複数の処理ユニットのいずれか一つを選択する選択工程と、前記保持部材鉛直移動機構および第１ハンド移動機構によって前記保持部材および第１ハンドの高さを調整することにより、前記保持部材および第１ハンドの基板保持位置と前記選択工程で選択された前記処理ユニットの基板保持位置との高低差を減少させる第１高さ調整工程と、前記保持部材が前記第１高さ調整工程で調整された高さに位置している状態で、前記選択工程で選択された前記処理ユニットと前記保持装置との間で前記第１搬送ロボットに基板を搬送させる第１搬送工程とを実行する制御装置とを含む、基板処理装置。
【請求項２】
前記上壁および下壁の少なくとも一方は、前記保持部材に保持される基板全体と平面視において重なる大きさを有している、請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記制御装置は、前記第１ハンドが基板を保持している状態で、前記第１ハンドを前記選択工程で選択された前記処理ユニットと前記保持装置との間で一定の高さで移動させる工程を含む前記第１搬送工程を実行する、請求項１または２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記保持装置は、前記保持部材を回転させることにより、前記保持部材に保持されている基板を反転させる保持部材回転機構をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記制御装置は、前記第１高さ調整工程と並行して、前記保持部材に保持されている基板を反転させる反転工程をさらに実行する、請求項４に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記保持装置は、前記保持部材を水平方向に移動させることにより、前記保持部材と前記複数の処理ユニットとの間の距離を変更する保持部材水平移動機構をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項７】
基板を内部で保持する容器を支持する支持台と、前記支持台を鉛直方向に移動させる支持台移動機構とを含む容器保持装置と、
基板を保持する第２ハンドと、前記第２ハンドを鉛直方向および水平方向に移動させることにより、前記容器保持装置に保持されている前記容器と前記保持装置との間で基板を搬送する第２ハンド移動機構とを含む第２搬送ロボットとをさらに含み、
前記制御装置は、前記支持台移動機構および第２ハンド移動機構によって前記支持台および第２ハンドの高さを調整することにより、前記支持台に支持されている前記容器の基板保持位置と前記選択工程で選択された前記処理ユニットの基板保持位置との高低差を減少させ、前記第２ハンドの基板保持位置と前記選択工程で選択された前記処理ユニットの基板保持位置との高低差を減少させる第２高さ調整工程と、前記容器が前記第２高さ調整工程で調整された高さに位置している状態で、前記第２搬送ロボットに前記容器と前記保持装置との間で基板を搬送させる第２搬送工程とをさらに実行する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記制御装置は、前記第２ハンドが基板を保持している状態で、前記第２ハンドを前記容器と前記保持装置との間で一定の高さで移動させる工程を含む前記第２搬送工程を実行する、請求項７に記載の基板処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する基板処理装置に関する。処理対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板を処理する基板処理装置が用いられる。
特許文献１に記載の枚葉式の基板処理装置は、複数枚の基板を収容するキャリアが載置されたキャリア載置部と、鉛直方向に積層された２つの基板載置部と、鉛直方向に積層された複数の洗浄ユニットとを備えている。さらに、この基板処理装置は、キャリア載置部と基板載置部との間で基板を搬送するインデクサロボットと、基板載置部と洗浄ユニットとの間で基板を搬送するメインロボットとを備えている。各ロボットは、基板を保持するハンドを含む。各ロボットは、基板がハンドに支持されている状態で、ハンドを水平方向および鉛直方向に移動させることにより基板を搬送する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１９８８８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のインデクサロボットおよびメインロボットは、基板がハンドに支持されている状態で、このハンドを鉛直方向に移動させる。このとき、パーティクルがロボットから発生し、ハンド上の基板に付着してしまう場合がある。さらに、基板がハンドに支持されている状態でハンドが上昇または下降すると、ハンドおよび基板の移動により気流の乱れが発生する場合がある。そのため、パーティクルが気流によって巻き上げられ、ハンド上の基板に付着してしまう場合がある。
【０００５】
さらに、ハンドおよび基板が下降すると、ハンド上の基板に浮力が加わる。基板に加わる浮力が大きいと、搬送中に基板がハンドに対してずれてしまうおそれがある。基板に加わる浮力は、ハンドの移動速度が高まるほど大きくなる。そのため、ハンドを高速で下降させることにより、基板の搬送時間を短縮することができない。さらに、基板に加わる浮力は、基板が大きくなるほど大きくなる。たとえば、現在主流の直径３００ｍｍの半導体ウエハが、直径４５０ｍｍに大型化すると、ハンド上の基板に加わる浮力がさらに大きくなる。
【０００６】
そこで、本発明の目的は、基板の汚染や位置ずれを抑制または防止でき、基板の搬送時間を短縮できる基板処理装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、高さの異なる複数の基板保持位置で複数枚の基板（Ｗ）をそれぞれ保持し、保持した複数枚の基板を処理する複数の処理ユニット（４）と、基板を保持する保持部材（２２、２３）と、前記保持部材の基板保持位置の上方に配置された上壁（２６）と、前記保持部材の基板保持位置の下方に配置された下壁（２７）と、前記保持部材を鉛直方向に移動させる保持部材鉛直移動機構（２１）とを含む保持装置（３）と、基板を保持する第１ハンド（Ｈ）と、前記第１ハンドを鉛直方向および水平方向に移動させることにより、前記複数の処理ユニットと前記保持装置との間で基板を搬送する第１ハンド移動機構（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３）とを含む第１搬送ロボット（ＣＲ）と、前記複数の処理ユニットのいずれか一つを選択する選択工程と、前記保持部材鉛直移動機構および第１ハンド移動機構によって前記保持部材および第１ハンドの高さを調整することにより、前記保持部材および第１ハンドの基板保持位置と前記選択工程で選択された前記処理ユニットの基板保持位置との高低差を減少させる第１高さ調整工程と、前記保持部材が前記第１高さ調整工程で調整された高さに位置している状態で、前記選択工程で選択された前記処理ユニットと前記保持装置との間で前記第１搬送ロボットに基板を搬送させる第１搬送工程とを実行する制御装置（５）とを含む、基板処理装置（１）である。
【０００８】
この構成によれば、第１搬送ロボットが、処理ユニットから保持装置、または保持装置から処理ユニットに基板を搬送する。具体的には、複数の処理ユニットのいずれか一つが制御装置によって選択される。その後、保持装置の保持部材の高さが、保持部材鉛直移動機構によって調整され、保持部材の基板保持位置と選択された処理ユニット（以下では、「選択処理ユニット」という。）の基板保持位置との高低差が低減される。同様に、第１搬送ロボットの第１ハンドの高さが、第１ハンド移動機構によって調整され、第１ハンドの基板保持位置と選択処理ユニットの基板保持位置との高低差が低減される。そして、保持部材がその高さに位置している状態で、第１搬送ロボットが、選択処理ユニットの基板保持位置と保持部材の基板保持位置との間で基板を搬送する。
【０００９】
このように、第１搬送ロボットが基板を搬送する２つの基板保持位置の高低差が低減されるので、第１搬送ロボットの第１ハンドが基板を鉛直方向に搬送する距離（鉛直方向への搬送距離）を短くしたり、搬送時（第１ハンドが基板を置いたり、第１ハンドが基板を取ったりする期間を除いた期間）における鉛直方向への搬送距離を零にしたりできる。したがって、基板の上昇または下降に伴う気流の乱れの発生を抑制または防止でき、これによって、基板の汚染や位置ずれを抑制または防止できる。さらに、鉛直方向への搬送距離を短縮できるので、基板の搬送時間を減少させることができる。しかも、第１搬送ロボットの第１ハンドの高さが、選択処理ユニットの基板保持位置の高さに予め近づけられ、第１ハンドと基板との間の距離が短縮されるので、第１搬送ロボットが基板を保持するまでの時間を減少させることができる。
【００１０】
また、保持装置は、保持部材に保持される基板の上方および下方にそれぞれ配置された上壁および下壁を備えているので、保持部材鉛直移動機構が保持部材を鉛直方向に移動させたときに、乱れた気流（乱流）が発生したとしても、この気流は、上壁および下壁によって遮られる。したがって、保持部材の移動に伴って発生する気流が基板に当たり難い。そのため、基板の汚染や位置ずれが抑制または防止される。よって、基板の汚染や位置ずれを抑制または防止しながら、基板の搬送時間を短縮できる。これにより、基板処理装置のスループット（単位時間あたりの基板の処理枚数）を増加させることができる。
【００１１】
平面視における上壁の面積は、平面視における基板の面積未満であってもよいし、平面視における基板の面積以上であってもよい。下壁についても同様である。また、平面視における上壁の面積は、平面視における下壁の面積と等しくてもよいし、異なっていてもよい。たとえば、請求項２に記載の発明のように、前記上壁および下壁の少なくとも一方は、前記保持部材に保持される基板全体と平面視において重なる大きさを有していてもよい。この場合、基板全体が、上壁および下壁によって保護されるので、基板の汚染や位置ずれが確実に抑制または防止される。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、前記制御装置は、前記第１ハンドが基板を保持している状態で、前記第１ハンドを前記選択工程で選択された前記処理ユニットと前記保持装置との間で一定の高さで移動させる工程を含む前記第１搬送工程を実行する、請求項１または２に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第１ハンドによる基板の搬出が完了してから第１ハンドによる基板の搬入が開始されるまでの間、すなわち、第１ハンドが処理ユニットおよび保持装置の外に位置している間、第１ハンドの高さが一定に維持される。したがって、基板は、一定の高さで処理ユニットおよび保持装置の一方から他方に搬送される。そのため、基板の上昇または下降に伴う気流の乱れが発生しない。さらに、搬送時における第１ハンドによる鉛直方向への基板の搬送が不要であるので、基板の搬送時間をさらに短縮できる。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記保持装置は、前記保持部材を回転させることにより、前記保持部材に保持されている基板を反転させる保持部材回転機構（２５）をさらに含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、保持部材が基板を保持している状態で、保持部材回転機構が保持部材を１８０度回転させる。これにより、基板の姿勢が変化し、基板の表面および裏面が反転する。したがって、制御装置は、保持装置を制御することにより、処理ユニットに搬送される基板の姿勢を２つの姿勢の間で変化させることができる。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、前記制御装置は、前記第１高さ調整工程と並行して、前記保持部材に保持されている基板を反転させる反転工程をさらに実行する、請求項４に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、基板の反転と保持部材の高さ調整とが並行して行われる。したがって、基板の反転と保持部材の高さ調整とを別々の期間に行う場合よりも基板の搬送時間を短縮できる。さらに、保持部材に保持される基板は、上壁および下壁によって気流から保護されるので、基板の反転に伴う気流が基板に当たり難い。そのため、基板の汚染や位置ずれが抑制または防止される。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、前記保持装置は、前記保持部材を水平方向に移動させることにより、前記保持部材と前記複数の処理ユニットとの間の距離を変更する保持部材水平移動機構（２９）をさらに含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、鉛直移動機構が、保持部材を鉛直方向に移動させることにより、保持部材の高さを調整する。これにより、保持部材の基板保持位置と処理ユニットの基板保持位置との高低差が低減される。さらに、水平移動機構は、保持部材を水平方向に移動させることにより、保持部材と複数の処理ユニットとの間の距離を変更する。したがって、保持装置は、基板を水平方向に搬送できる。そのため、保持装置は、第１搬送ロボットが基板を水平方向に搬送する距離を短縮できる。これにより、第１搬送ロボットの搬送負荷を低減できる。
【００１６】
請求項７に記載の発明は、基板を内部で保持する容器（Ｃ）を支持する支持台（１４）と、前記支持台を鉛直方向に移動させる支持台移動機構（１７）とを含む容器保持装置（２）と、基板を保持する第２ハンド（Ｈ）と、前記第２ハンドを鉛直方向および水平方向に移動させることにより、前記容器保持装置に保持されている前記容器と前記保持装置との間で基板を搬送する第２ハンド移動機構（Ｍ１、Ｍ２、Ｍ３、Ｍ４）とを含む第２搬送ロボット（ＩＲ）とをさらに含み、前記制御装置は、前記支持台移動機構および第２ハンド移動機構によって前記支持台および第２ハンドの高さを調整することにより、前記支持台に支持されている前記容器の基板保持位置と前記選択工程で選択された前記処理ユニットの基板保持位置との高低差を減少させ、前記第２ハンドの基板保持位置と前記選択工程で選択された前記処理ユニットの基板保持位置との高低差を減少させる第２高さ調整工程と、前記容器が前記第２高さ調整工程で調整された高さに位置している状態で、前記第２搬送ロボットに前記容器と前記保持装置との間で基板を搬送させる第２搬送工程とをさらに実行する、請求項１〜６のいずれか一項に記載の基板処理装置である。
【００１７】
この構成によれば、第１搬送ロボットが、処理ユニットから保持装置、または保持装置から処理ユニットに基板を搬送し、第２搬送ロボットが、容器から保持装置、または保持装置から容器に基板を搬送する。たとえば、第２搬送ロボットが、容器保持装置の支持台に支持されている容器内の基板を搬出し、第１搬送ロボットが、第２搬送ロボットによって保持装置に搬入された基板をいずれかの処理ユニットに搬入する。また、第１搬送ロボットが、処理ユニット内の基板を搬出し、第２搬送ロボットが、第１搬送ロボットによって保持装置に搬入された基板を容器に搬入する。
【００１８】
制御装置は、複数の処理ユニットのいずれか一つを選択する。その後、保持部材および第１ハンドの高さが調整され、保持部材および第１ハンドの基板保持位置と選択処理ユニットの基板保持位置との高低差が低減される。同様に、支持台および第２ハンドの高さが調整され、容器および第２ハンドの基板保持位置と選択処理ユニットの基板保持位置との高低差が低減される。そして、保持部材および容器がその高さに位置している状態で、第１搬送ロボットおよび第２搬送ロボットが、前述のように基板を搬送する。
【００１９】
このように、第１搬送ロボットが基板を搬送する２つの基板保持位置の高低差が低減され、第２搬送ロボットが基板を搬送する２つの基板保持位置の高低差が低減されるので、第１搬送ロボットおよび第２搬送ロボットが基板を鉛直方向に搬送する距離（鉛直方向への搬送距離）を短くしたり、搬送時における鉛直方向への搬送距離を零にしたりできる。したがって、基板の上昇または下降に伴う気流の乱れの発生を抑制または防止でき、これによって、基板の汚染や位置ずれを抑制または防止できる。さらに、鉛直方向への搬送距離を短縮できるので、基板の搬送時間を減少させることができる。
【００２０】
また、支持台によって支持される容器は、基板をその内部で保持するので、支持台移動機構が支持台を鉛直方向に移動させたときに、乱れた気流が発生したとしても、この気流は、容器の外壁によって遮られる。したがって、容器が基板を保持している状態で、支持台移動機構が支持台を鉛直方向に移動させたとしても、気流が基板に当たり難い。そのため、基板の汚染や位置ずれが抑制または防止される。よって、基板の汚染や位置ずれを抑制または防止しながら、基板の搬送時間を短縮できる。
【００２１】
請求項８に記載の発明は、前記制御装置は、前記第２ハンドが基板を保持している状態で、前記第２ハンドを前記容器と前記保持装置との間で一定の高さで移動させる工程を含む前記第２搬送工程を実行する、請求項７に記載の基板処理装置である。
この構成によれば、第２ハンドによる基板の搬出が完了してから第２ハンドによる基板の搬入が開始されるまでの間、すなわち、第２ハンドが容器および保持装置の外に位置している間、第２ハンドの高さが一定に維持される。したがって、基板は、一定の高さで容器および保持装置の一方から他方に搬送される。そのため、基板の上昇または下降に伴う乱流が発生しない。さらに、第２ハンドによる鉛直方向への基板の搬送が不要であるので、基板の搬送時間をさらに短縮できる。
【００２２】
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の内部を水平に見た模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板処理装置の模式的な平面図である。
【図３】処理ユニットの内部を水平に見た模式図である。
【図４】ロードポートを水平に見た模式図である。
【図５】中継装置を水平に見た模式図である。
【図６】表面が処理される基板をキャリアから処理ユニットに搬送するときの搬送の一例について説明するための模式図である。
【図７】表面が処理される基板をキャリアから処理ユニットに搬送するときの搬送の一例について説明するためのフローチャートである。
【図８】表面が処理された基板を処理ユニットからキャリアに搬送するときの搬送の一例について説明するためのフローチャートである。
【図９】裏面が処理される基板をキャリアから処理ユニットに搬送するときの搬送の一例について説明するためのフローチャートである。
【図１０】表面および裏面が処理される基板をキャリアから処理ユニットに搬送するときの搬送の一例について説明するためのフローチャートである。
【図１１】本発明の他の実施形態に係る基板処理装置の内部を水平に見た模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下では、この発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の内部を水平に見た模式図である。図２は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の模式的な平面図である。
基板処理装置１は、半導体ウエハなどの円板状の基板Ｗを一枚ずつ処理する枚葉式の装置である。図１に示すように、基板処理装置１は、複数のキャリアＣを保持するロードポート２と、基板Ｗを中継する中継装置３と、基板Ｗを処理する複数の処理ユニット４とを含む。基板処理装置１は、さらに、ロードポート２と中継装置３との間で基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲと、中継装置３と処理ユニット４との間で基板Ｗを搬送するセンターロボットＣＲと、基板処理装置１に備えられた装置の動作やバルブの開閉を制御する制御装置５とを含む。
【００２５】
図２に示すように、複数のキャリアＣは、水平な幅方向Ｄ１に配列された状態でロードポート２に保持されている。ロードポート２および処理ユニット４は、幅方向Ｄ１に直交する水平な奥行方向Ｄ２に間隔を空けて配置されている。中継装置３は、奥行方向Ｄ２に関して、ロードポート２と処理ユニット４との間に配置されている。インデクサロボットＩＲは、ロードポート２と中継装置３と間で搬送される基板Ｗの搬送経路上に配置されており、センターロボットＣＲは、中継装置３と処理ユニット４と間で搬送される基板Ｗの搬送経路上に配置されている。中継装置３は、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲの間に配置されており、インデクサロボットＩＲおよびセンターロボットＣＲは、中継装置３に奥行方向Ｄ２に対向している。
【００２６】
インデクサロボットＩＲは、ロードポート２に保持されているキャリアＣに基板Ｗを搬入し、ロードポート２に保持されているキャリアＣから基板Ｗを搬出する。さらに、インデクサロボットＩＲは、中継装置３に基板Ｗを搬入し、中継装置３から基板Ｗを搬出する。センターロボットＣＲは、インデクサロボットＩＲとは反対側で中継装置３に基板Ｗを搬入し、インデクサロボットＩＲとは反対側で中継装置３から基板Ｗを搬出する。さらに、センターロボットＣＲは、処理ユニット４に基板Ｗを搬入し、処理ユニット４から基板Ｗを搬出する。センターロボットＣＲは、中継装置３と処理ユニット４との間で基板Ｗを搬送できると共に、複数の処理ユニット４の間で基板Ｗを搬送できる。
【００２７】
図２に示すように、複数の処理ユニット４は、センターロボットＣＲの周囲に配置されている。複数の処理ユニット４は、たとえば、幅方向Ｄ１に離れた２つの位置で鉛直方向に延びる２つの列Ｌ１を構成している。図１に示すように、各列Ｌ１は、鉛直方向に積層された複数の処理ユニット４によって構成されている。処理ユニット４は、たとえば、基板Ｗを洗浄する洗浄ユニットである。処理ユニット４は、洗浄に限らず、エッチングなどの他の処理を行うユニットであってもよい。複数の処理ユニット４は、基板Ｗの表面（デバイス形成面）をスクラブ洗浄する表面処理ユニットＳＳと、基板Ｗの裏面をスクラブ洗浄する裏面処理ユニットＳＳＲとを含む。一方の列Ｌ１は、複数の表面処理ユニットＳＳによって構成されており、他方の列Ｌ１は、複数の裏面処理ユニットＳＳＲによって構成されている。各列Ｌ１は、表面処理ユニットＳＳおよび裏面処理ユニットＳＳＲを積層することによって構成されてもよい。
【００２８】
図１および図２に示すように、インデクサロボットＩＲは、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを備えている。各ハンドＨは、基板Ｗの下面周縁部を支持することにより、当該基板Ｗを水平な姿勢で保持する。図１に示すように、インデクサロボットＩＲは、各ハンドＨを水平方向に個別に移動させる水平移動機構Ｍ１と、各ハンドＨを鉛直方向に個別に移動させる鉛直移動機構Ｍ２と、全てのハンドＨを鉛直線まわりに回転させることによりハンドＨの向きを変更する旋回機構Ｍ３とを含む。さらに、インデクサロボットＩＲは、インデクサロボットＩＲを幅方向Ｄ１に移動させることにより、全てのハンドＨを幅方向Ｄ１に移動させる位置調整機構Ｍ４とを含む。
【００２９】
インデクサロボットＩＲは、対向位置（図１に示す位置）を通る移動経路に沿って幅方向Ｄ１に移動可能である。対向位置は、インデクサロボットＩＲが平面視において中継装置３に奥行方向Ｄ２に対向する位置である。インデクサロボットＩＲは、任意のキャリアＣおよび中継装置３にハンドＨを対向させることができる。インデクサロボットＩＲは、水平方向および鉛直方向のハンドＨの移動によって、キャリアＣおよび中継装置３に基板Ｗを搬入する搬入動作、およびキャリアＣおよび中継装置３から基板Ｗを搬出する搬出動作を行う。
【００３０】
インデクサロボットＩＲと同様に、センターロボットＣＲは、平面視Ｕ字状の２つのハンドＨを備えている。各ハンドＨは、基板Ｗの下面周縁部を支持することにより、当該基板Ｗを水平な姿勢で保持する。図１に示すように、センターロボットＣＲは、各ハンドＨを水平方向に個別に移動させる水平移動機構Ｍ１と、各ハンドＨを鉛直方向に個別に移動させる鉛直移動機構Ｍ２と、全てのハンドＨを鉛直線まわりに回転させることによりハンドＨの向きを変更する旋回機構Ｍ３とを含む。
【００３１】
図１に示すように、センターロボットＣＲは、平面視において中継装置３に奥行方向Ｄ２に対向している。センターロボットＣＲは、任意の処理ユニット４および中継装置３にハンドＨを対向させることができる。センターロボットＣＲは、水平方向および鉛直方向のハンドＨの移動によって、処理ユニット４および中継装置３に基板Ｗを搬入する搬入動作、および処理ユニット４および中継装置３から基板Ｗを搬出する搬出動作を行う。
【００３２】
図３は、処理ユニット４の内部を水平に見た模式図である。
各処理ユニット４は、シャッター６によって開閉される箱形のチャンバー７と、チャンバー７内で基板Ｗを水平に保持して基板Ｗの中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに基板Ｗを回転させるスピンチャック８と、スピンチャック８に保持されている基板Ｗに押し付けられるブラシ９と、薬液やリンス液などの処理液をスピンチャック８に保持されている基板Ｗに向けて吐出する処理液ノズル１０とを含む。
【００３３】
スピンチャック８は、基板Ｗを水平な姿勢で保持した状態で回転軸線Ａ１まわりに回転可能なスピンベース１１と、スピンベース１１を回転軸線Ａ１まわりに回転させるスピンモータ１２とを含む。スピンチャック８は、スピンベース１１の上方に設けられた基板保持位置で基板Ｗの下面周縁部を支持する。表面処理ユニットＳＳのスピンチャック８は、基板Ｗの下面（裏面）を吸着することにより基板Ｗを保持するバキューム式のチャックであり、裏面処理ユニットＳＳＲのスピンチャック８は、水平方向に挟むことにより基板Ｗを保持する挟持式のチャックである。表面処理ユニットＳＳのスピンチャック８は、挟持式のチャックであってもよい。図３は、挟持式のチャックを示している。
【００３４】
基板Ｗがスピンチャック８上に搬送されるときには、センターロボットＣＲのハンドＨが、基板Ｗを支持している状態でスピンベース１１の上方に配置される。その後、センターロボットＣＲのハンドＨが降ろされる。この過程で、ハンドＨ上の基板Ｗがスピンベース１１上に置かれる。また、基板Ｗがスピンチャック８上から搬送されるときには、センターロボットＣＲのハンドＨが、スピンベース１１上の基板Ｗの周縁部の下方に配置される。その後、センターロボットＣＲのハンドＨが持ち上げられる。この過程で、スピンベース１１上の基板Ｗが、ハンドＨにすくい取られる。
【００３５】
表面処理ユニットＳＳでは、基板Ｗの表面が上に向けられた状態で、当該基板Ｗがスピンチャック８に水平に保持される。ブラシ９は、スピンチャック８が基板Ｗを回転させている状態で、基板Ｗの上面（表面）に押し付けられる。また、処理液ノズル１０から吐出された処理液は、スピンチャック８が基板Ｗを回転させている状態で、基板Ｗの上面に供給される。これにより、パーティクルなどの異物が基板Ｗから除去され、基板Ｗが洗浄される。これとは反対に、裏面処理ユニットＳＳＲでは、基板Ｗの裏面が上に向けられた状態で、当該基板Ｗがスピンチャック８に水平に保持される。そして、表面処理ユニットＳＳと同様に、スピンチャック８に保持されている基板Ｗの上面（裏面）がブラシ９および処理液によって洗浄される。
【００３６】
図４は、ロードポート２を水平に見た模式図である。
キャリアＣは、基板Ｗの表面が上に向けられた状態で複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、平面視において重なり合うように鉛直方向に間隔を空けて配置された複数の支持棚１３を含む。各支持棚１３は、基板Ｗの下面周縁部を支持することにより、当該基板Ｗを水平な姿勢で保持する。したがって、キャリアＣは、複数枚の基板Ｗが水平な姿勢で間隔を空けて鉛直方向に積層された状態、すなわち、積層状態で、複数枚の基板Ｗを保持可能である。そのため、複数枚の基板Ｗは、それぞれ異なる高さでキャリアＣに保持される。インデクサロボットＩＲは、ハンドＨによってキャリアＣの内部から基板Ｗを搬出し、ハンドＨによって基板ＷをキャリアＣの内部に搬入する。
【００３７】
ロードポート２は、キャリアＣを支持する支持台１４と、支持台１４上のキャリアＣのドアを開閉する開閉機構（図示せず）とを含む。ロードポート２は、さらに、基板処理装置１の内部とその外部とを繋ぐ開口１５ａを支持台１４上のキャリアＣに対向する位置に形成するゲート１５と、基板処理装置１の内部とその外部とを仕切ると共に、ゲート１５を鉛直方向に移動可能に支持するベローズ１６と、支持台１４を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構１７とを含む。鉛直移動機構１７は、たとえば、ボールネジと、ボールネジに取り付けられたボールナットと、ボールネジとボールナットとを相対回転させるモータとを含む。鉛直移動機構１７は、ボールネジ機構に限らず、ボールネジ機構以外の機構を含む構成であってもよい。たとえば、鉛直移動機構１７は、ボールネジ機構の代わりに、エアシリンダおよびリニアモータの少なくとも一つを備えていてもよい。
【００３８】
ゲート１５は、基板処理装置１の外壁１ａに設けられた鉛直方向に延びる開口部１ｂに配置されている。ベローズ１６は、基板処理装置１の外壁１ａとゲート１５とに連結されている。鉛直移動機構１７は、支持台１４に連結されている。鉛直移動機構１７は、基板処理装置１が設置されるクリーンルームの床面に対して支持台１４を鉛直方向に移動させることにより、支持台１４上のキャリアＣを昇降させる。鉛直移動機構１７が支持台１４上のキャリアＣを昇降させると、キャリアＣと共にゲート１５が昇降し、ゲート１５に追従するようにベローズ１６が伸縮する。これにより、基板処理装置１内への外気の進入が抑制または防止される。
【００３９】
図５は、中継装置３を水平に見た模式図である。
中継装置３は、基板Ｗの表面および裏面を反転させずにインデクサロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを中継する中継ユニット１８と、インデクサロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で基板Ｗを中継すると共に、基板Ｗの表面および裏面を反転させる２つの反転中継ユニット１９とを含む。中継装置３は、さらに、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９を保持するフレーム２０と、フレーム２０を鉛直方向に移動させる鉛直移動機構２１とを含む。２つの反転中継ユニット１９は、２つの反転中継ユニット１９が平面視において重なり合うように鉛直方向に間隔を空けて配置されている。中継ユニット１８は、２つの反転中継ユニット１９の間に配置されている。
【００４０】
中継ユニット１８は、異なる高さで複数枚の基板Ｗを水平に保持する２つの支持部材２２を含む。支持部材２２の数は、２つに限らず、１つまたは３つ以上であってもよい。中継ユニット１８が複数の支持部材２２を備えている場合、支持部材２２は、他の支持部材２２の上方または下方に配置されている。２つの支持部材２２は、平面視において重なり合うように鉛直方向に間隔を空けて設けられた２つの基板保持位置でそれぞれ基板Ｗを水平に保持する。支持部材２２は、基板Ｗの下面周縁部を複数の位置で支持する。支持部材２２は、基板Ｗの周端面に接することにより、基板Ｗを水平に挟持する構成であってもよい。図５は、支持部材２２が、基板Ｗの外径よりも小さい円周上で間隔を空けて配置された３つ以上の支持ピンによって構成されている例を示している。支持ピンは、上方に凸の球面状の先端部を含む。共通の支持部材２２を構成する複数の支持ピンの先端部は、同じ高さに配置されている。基板Ｗは、基板Ｗの下面周縁部と支持ピンの先端部との点接触によって水平な姿勢で下から支持される。基板Ｗは、インデクサロボットＩＲまたはセンターロボットＣＲのハンドＨによって支持部材２２上に置かれる。また、支持部材２２上の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲまたはセンターロボットＣＲのハンドＨによってすくい上げられる。
【００４１】
反転中継ユニット１９は、基板Ｗを水平方向に挟む一対の挟持部材２３と、一対の挟持部材２３の間隔を増減させる開閉アクチュエータ２４と、一対の挟持部材２３を水平な軸線まわりに回転させる回転アクチュエータ２５とを含む。反転中継ユニット１９は、それぞれ異なる高さで複数枚の基板Ｗを保持する複数対の挟持部材２３を備えていてもよい。さらに、反転中継ユニット１９は、ハンドＨと一対の挟持部材２３との間で基板Ｗを中継するガイドを備えていてもよい。一対の挟持部材２３は、間隔を空けて幅方向Ｄ１に対向している。各挟持部材２３は、フレーム２０に保持されている。各挟持部材２３は、フレーム２０に対して幅方向Ｄ１に移動可能である。開閉アクチュエータ２４は、一対の挟持部材２３の間隔が基板Ｗの直径よりも広い開位置（下側の一対の挟持部材２３の位置）と、一対の挟持部材２３の間隔が基板Ｗの直径よりも狭い閉位置（上側の一対の挟持部材２３の位置）との間で一対の挟持部材２３を水平に移動させる。閉位置は、基板Ｗが一対の挟持部材２３によって挟持される位置であり、開位置は、一対の挟持部材２３による基板Ｗの挟持が解除される位置である。
【００４２】
基板Ｗは、一対の挟持部材２３が開位置に配置されている状態で、インデクサロボットＩＲまたはセンターロボットＣＲのハンドＨによって一対の挟持部材２３の間に配置される。基板Ｗが一対の挟持部材２３の間に位置している状態で、開閉アクチュエータ２４が一対の挟持部材２３を開位置から閉位置に移動させると、各挟持部材２３が基板Ｗの周縁部に接触し、基板Ｗが一対の挟持部材２３に保持される。基板Ｗが一対の挟持部材２３に保持される前、基板Ｗは、ハンドＨによって支持されていてもよい。もしくは、基板Ｗの周端面が、図示しないガイドによって支持されていてもよい。基板Ｗが一対の挟持部材２３に保持されている状態で、回転アクチュエータ２５が一対の挟持部材２３を１８０度回転させると、基板Ｗの表面および裏面が反転する。また、基板Ｗが一対の挟持部材２３に保持されている状態で、開閉アクチュエータ２４が一対の挟持部材２３を閉位置から開位置に移動させると、一対の挟持部材２３が基板Ｗから離れ、基板Ｗの保持が解除される。
【００４３】
フレーム２０は、平面視において重なり合うように鉛直方向に間隔を空けて配置された上壁２６および下壁２７と、上壁２６および下壁２７に連結された２つの側壁２８とを含む。上壁２６および下壁２７のそれぞれは、水平な姿勢に保持されたプレートによって構成されている。上壁２６および下壁２７は、鉛直方向に間隔を空けて平行に対向している。各側壁２８は、上壁２６および下壁２７に連結されている。側壁２８は、鉛直な姿勢に保持されたプレートによって構成されている（図１および図５を合わせて参照）。側壁２８は、鉛直方向に延びる複数のシャフトによって構成されていてもよい。２つの側壁２８は、水平方向（幅方向Ｄ１）に間隔を空けて平行に対向している。
【００４４】
上壁２６、下壁２７、および側壁２８は、水平方向に対向する２つの開口（基板Ｗの出入口２０ａ）を形成している。一方の出入口２０ａは、対向位置に位置するインデクサロボットＩＲに対向しており、他方の出入口２０ａは、センターロボットＣＲに対向している（図２参照）。インデクサロボットＩＲのハンドＨは、一方の出入口２０ａを通じてフレーム２０内を出入りし、センターロボットＣＲのハンドＨは、他方の出入口２０ａを通じてフレーム２０内を出入りする。したがって、インデクサロボットＩＲによって搬入または搬出される基板Ｗは、一方の出入口２０ａを通じてフレーム２０内を出入りし、センターロボットＣＲによって搬入または搬出される基板Ｗは、他方の出入口２０ａを通じてフレーム２０内を出入りする。
【００４５】
中継ユニット１８および反転中継ユニット１９は、上壁２６および下壁２７の間に配置されている。したがって、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９は、上壁２６および下壁２７の間で上下に積層されている。中継ユニット１８および反転中継ユニット１９は、上壁２６によって上から覆われており、下壁２７によって下から覆われている。中継装置３を上から見ると、上壁２６は、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９に保持される基板Ｗ全体に重なり合う（図１参照）。同様に、中継装置３を下から見ると、下壁２７は、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９に保持される基板Ｗ全体に重なり合う。
【００４６】
鉛直移動機構２１は、フレーム２０に連結されている。同様に、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９は、フレーム２０に連結されている。鉛直移動機構２１は、フレーム２０を鉛直方向に移動させることにより、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９を昇降させる。前述のように、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９は、上壁２６および下壁２７によって覆われている。したがって、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９の上昇または下降に伴って発生する気流は、上壁２６または下壁２７に遮られる。そのため、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９の上昇または下降に伴って発生する気流が、フレーム２０内に配置されている基板Ｗ、すなわち、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９の少なくとも一方に保持されている基板Ｗに当たり難い。
【００４７】
図６は、表面が処理される基板ＷをキャリアＣから処理ユニット４に搬送するときの搬送の一例について説明するための模式図である。図７は、表面が処理される基板ＷをキャリアＣから処理ユニット４に搬送するときの搬送の一例について説明するためのフローチャートである。以下では、図６を参照する。図７については適宜参照する。
基板Ｗの表面だけが処理されるときには、制御装置５は、インデクサロボットＩＲがキャリアＣから基板Ｗを搬出する前に、その基板Ｗを処理する表面処理ユニットＳＳを複数の表面処理ユニットＳＳのうちから選択する選択工程（図７のステップＳ１０１）を実行する。その後、制御装置５は、ロードポート２、インデクサロボットＩＲ、中継装置３、およびセンターロボットＣＲの高さを選択された表面処理ユニットＳＳ（選択表面処理ユニットＳＳ）に近づけて、ロードポート２、インデクサロボットＩＲ、中継装置３、およびセンターロボットＣＲと選択表面処理ユニットＳＳとの高低差を減少させる高さ調整工程（図７のステップＳ１０２）を実行する。
【００４８】
具体的には、制御装置５は、キャリアＣ内での基板Ｗの高さが、選択表面処理ユニットＳＳの基板保持位置の高さ（スピンチャック８の基板保持位置の高さ）と一致するように、ロードポート２の支持台１４の高さを調整する。たとえば基板Ｗの高さと基板保持位置の高さとが異なる場合には、制御装置５は、支持台１４を上昇または下降させて、キャリアＣ内の基板Ｗと、選択表面処理ユニットＳＳの基板保持位置との高低差を零にする。基板Ｗの高さと基板保持位置の高さとが一致している場合には、制御装置５は、支持台１４の高さを維持する。同様に、制御装置５は、中継ユニット１８の基板保持位置、すなわち、支持部材２２（図５参照）によって支持される基板Ｗの高さが、選択表面処理ユニットＳＳの基板保持位置の高さと一致するように、中継ユニット１８の高さを調整する。
【００４９】
さらに、制御装置５は、処理される基板Ｗを搬送するインデクサロボットＩＲの一方のハンドＨの高さを調整することにより、このハンドＨの高さを選択表面処理ユニットＳＳの基板保持位置の高さに近づける。具体的には、制御装置５は、選択表面処理ユニットＳＳの基板保持位置よりも僅かに低い位置にインデクサロボットＩＲの一方のハンドＨを移動させる。同様に、制御装置５は、処理される基板Ｗを搬送するセンターロボットＣＲの一方のハンドＨの高さを調整することにより、このハンドＨの高さを選択表面処理ユニットＳＳの基板保持位置の高さに近づける。
【００５０】
高さ調整工程の後は、キャリアＣ内から基板Ｗを搬出する搬出工程（図７のステップＳ１０３）が行われる。具体的には、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨをキャリアＣ内に進入させて、このハンドＨを基板Ｗの下方に移動させる。その後、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨを上昇させる。インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨが下位置から上位置に移動する過程で、キャリアＣ内の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨにすくい取られる。制御装置５は、インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨに基板Ｗが保持された後、このハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨをキャリアＣの外に移動させる。これにより、キャリアＣ内の基板Ｗが搬出される。
【００５１】
次に、キャリアＣから中継ユニット１８に基板Ｗを搬送する搬送工程（図７のステップＳ１０４）が行われる。具体的には、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの水平移動機構Ｍ１によってインデクサロボットＩＲの一方のハンドＨを水平方向（Ｄ１方向）に移動させる。さらに、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの旋回機構Ｍ３によってインデクサロボットＩＲの一方のハンドＨを水平面内で１８０度回転させることにより、このハンドＨの向きを変更する。必要な場合（インデクサロボットＩＲが対向位置にいない場合）には、制御装置５は、位置調整機構Ｍ４によってインデクサロボットＩＲの一方のハンドＨを水平に移動させる。これにより、インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨが中継ユニット１８の近傍に移動し、インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨが中継ユニット１８に水平に対向する。このように、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨをキャリアＣと中継ユニット１８との間で移動させて、キャリアＣから中継ユニット１８に基板Ｗを搬送する。
【００５２】
次に、中継ユニット１８内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図７のステップＳ１０５）が行われる。具体的には、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨを中継ユニット１８内に進入させ、支持部材２２の上方に移動させる。その後、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨを下降させる。インデクサロボットＩＲの一方のハンドＨが上位置から下位置に移動する過程で、ハンドＨ上の基板Ｗは、支持部材２２上に置かれる。制御装置５は、ハンドＨ上の基板Ｗが支持部材２２上に置かれた後、このハンドＨを中継ユニット１８の外に移動させる。これにより、ハンドＨ上の基板Ｗが中継ユニット１８に搬入される。
【００５３】
次に、中継ユニット１８内の基板Ｗを搬出する搬出工程（図７のステップＳ１０６）が行われる。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨを中継ユニット１８内に進入させ、このハンドＨをインデクサロボットＩＲによって搬入された基板Ｗの下方に移動させる。その後、制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨを上昇させる。センターロボットＣＲの一方のハンドＨが下位置から上位置に移動する過程で、支持部材２２上の基板Ｗは、センターロボットＣＲの一方のハンドＨにすくい取られる。制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨに基板Ｗが保持された後、このハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨを中継ユニット１８の外に移動させる。これにより、中継ユニット１８内の基板Ｗが搬出される。
【００５４】
次に、中継ユニット１８から選択表面処理ユニットＳＳに基板Ｗを搬送する搬送工程（図７のステップＳ１０７）が行われる。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲの水平移動機構Ｍ１によってセンターロボットＣＲの一方のハンドＨを水平に移動させる。さらに、制御装置５は、センターロボットＣＲの旋回機構Ｍ３によってセンターロボットＣＲの一方のハンドＨを水平面内で回転させることにより、このハンドＨの向きを変更する。これにより、センターロボットＣＲの一方のハンドＨが選択表面処理ユニットＳＳの近傍に移動し、センターロボットＣＲの一方のハンドＨが選択表面処理ユニットＳＳに水平に対向する。このように、制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨを選択表面処理ユニットＳＳと中継ユニット１８との間で移動させ、中継ユニット１８から選択表面処理ユニットＳＳに基板Ｗを搬送する。
【００５５】
次に、選択表面処理ユニットＳＳ内に未処理の基板Ｗを搬入する搬入工程（図７のステップＳ１０８）が行われる。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨ（未処理の基板Ｗを保持しているハンドＨ）を選択表面処理ユニットＳＳ内に進入させて、スピンチャック８の上方に移動させる。その後、制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨを下降させる。センターロボットＣＲの一方のハンドＨが上位置から下位置に移動する過程で、ハンドＨ上の基板Ｗは、スピンチャック８上に置かれる。制御装置５は、ハンドＨ上の基板Ｗがスピンチャック８上に置かれた後、このハンドＨを選択表面処理ユニットＳＳの外に移動させる。これにより、ハンドＨ上の基板Ｗが選択表面処理ユニットＳＳに搬入される。そして、制御装置５は、選択表面処理ユニットＳＳに基板Ｗの表面を処理させる処理工程（図７のステップＳ１０９）を実行する。
【００５６】
図８は、表面が処理された基板Ｗを処理ユニット４からキャリアＣに搬送するときの搬送の一例について説明するためのフローチャートである。以下では、図１を参照する。図８については適宜参照する。
選択表面処理ユニットＳＳ（図７のステップＳ１０１で選択された表面処理ユニットＳＳ）で表面が処理された基板Ｗが、選択表面処理ユニットＳＳからキャリアＣに搬送されるときには、ロードポート２、インデクサロボットＩＲ、および中継装置３と選択表面処理ユニットＳＳとの高低差を減少させる高さ調整工程（図８のステップＳ１１０）が行われる。具体的には、制御装置５は、処理済みの基板Ｗを中継する支持部材２２（図５参照）の高さと、処理済みの基板Ｗを収容するキャリアＣを支持する支持台１４の高さを選択表面処理ユニットＳＳに近づけて、支持部材２２およびキャリアＣの基板保持位置と選択表面処理ユニットＳＳとの高低差を減少させる（好ましくは、零にする）。
【００５７】
次に、選択表面処理ユニットＳＳから処理済みの基板Ｗを搬出する搬出工程（図８のステップＳ１１１）が行われる。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲの他方のハンドＨ（基板Ｗを保持していないハンドＨ）を選択表面処理ユニットＳＳ内に進入させて、スピンチャック８に保持されている処理済みの基板Ｗの下方に移動させる。その後、制御装置５は、センターロボットＣＲの他方のハンドＨを上昇させる。センターロボットＣＲの他方のハンドＨが下位置から上位置に移動する過程で、スピンチャック８上の基板Ｗは、センターロボットＣＲの他方のハンドＨにすくい取られる。制御装置５は、センターロボットＣＲの他方のハンドＨに基板Ｗが保持された後、このハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨを選択表面処理ユニットＳＳの外に移動させる。これにより、表面処理ユニットＳＳ内の基板Ｗが搬出される。
【００５８】
次に、選択表面処理ユニットＳＳから中継ユニット１８に基板Ｗを搬送する搬送工程（図８のステップＳ１１２）が行われる。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲの水平移動機構Ｍ１によってセンターロボットＣＲの他方のハンドＨを水平に移動させる。さらに、制御装置５は、センターロボットＣＲの旋回機構Ｍ３によってセンターロボットＣＲの他方のハンドＨを水平面内で回転させることにより、このハンドＨの向きを変更する。これにより、センターロボットＣＲの他方のハンドＨが中継ユニット１８の近傍に移動し、センターロボットＣＲの他方のハンドＨが中継ユニット１８に水平に対向する。このように、制御装置５は、センターロボットＣＲの他方のハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨを選択表面処理ユニットＳＳと中継ユニット１８との間で移動させ、選択表面処理ユニットＳＳから中継ユニット１８に基板Ｗを搬送する。
【００５９】
次に、中継ユニット１８内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図８のステップＳ１１３）が行われる。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲの他方のハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨを中継ユニット１８内に進入させ、支持部材２２の上方に移動させる。その後、制御装置５は、センターロボットＣＲの他方のハンドＨを下降させる。センターロボットＣＲの他方のハンドＨが上位置から下位置に移動する過程で、ハンドＨ上の基板Ｗは、支持部材２２上に置かれる。制御装置５は、ハンドＨ上の基板Ｗが支持部材２２上に置かれた後、このハンドＨを中継ユニット１８の外に移動させる。これにより、ハンドＨ上の基板Ｗが中継ユニット１８に搬入される。
【００６０】
次に、中継ユニット１８内の基板Ｗを搬出する搬出工程（図８のステップＳ１１４）が行われる。具体的には、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨを中継ユニット１８内に進入させ、このハンドＨをセンターロボットＣＲによって搬入された基板Ｗの下方に移動させる。その後、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨを上昇させる。インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨが下位置から上位置に移動する過程で、支持部材２２上の基板Ｗは、インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨにすくい取られる。制御装置５は、インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨに基板Ｗが保持された後、このハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨを中継ユニット１８の外に移動させる。これにより、中継ユニット１８内の基板Ｗが搬出される。
【００６１】
次に、中継ユニット１８からキャリアＣに基板Ｗを搬送する搬送工程（図８のステップＳ１１５）が行われる。具体的には、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの水平移動機構Ｍ１によってインデクサロボットＩＲの他方のハンドＨを水平に移動させる。さらに、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの旋回機構Ｍ３によってインデクサロボットＩＲの他方のハンドＨを水平面内で１８０度回転させることにより、このハンドＨの向きを変更する。必要な場合は、制御装置５は、位置調整機構Ｍ４によってインデクサロボットＩＲの他方のハンドＨを水平に移動させる。これにより、インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨがキャリアＣの近傍に移動し、インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨがキャリアＣに水平に対向する。このように、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨをキャリアＣと中継ユニット１８との間で移動させて、中継ユニット１８からキャリアＣに基板Ｗを搬送する。
【００６２】
次に、キャリアＣ内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図８のステップＳ１１６）が行われる。具体的には、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨをキャリアＣ内に進入させる。その後、制御装置５は、インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨを下降させる。インデクサロボットＩＲの他方のハンドＨが上位置から下位置に移動する過程で、ハンドＨ上の基板Ｗは、キャリアＣの内部に設けられた支持棚１３（図４参照）上に置かれる。制御装置５は、ハンドＨ上の基板Ｗが支持棚１３上に置かれた後、このハンドＨをキャリアＣの外に移動させる。これにより、ハンドＨ上の基板ＷがキャリアＣに搬入される。
【００６３】
図９は、裏面が処理される基板ＷをキャリアＣから処理ユニット４に搬送するときの搬送の一例について説明するためのフローチャートである。以下では、図１を参照する。図９については適宜参照する。
基板Ｗの裏面だけが処理されるときには、中継ユニット１８に代えて反転中継ユニット１９が用いられることを除き、基板Ｗの表面だけが処理されるときと同様に基板Ｗが搬送される。
【００６４】
具体的には、キャリアＣ内の基板Ｗが裏面処理ユニットＳＳＲ（図２参照）に搬送されるときには、制御装置５は、基板Ｗの表面が上に向けられた状態で、インデクサロボットＩＲによって下側の反転中継ユニット１９に未処理の基板Ｗを搬入させる（図９のステップＳ１０５）。そして、制御装置５は、下側の反転中継ユニット１９によって基板Ｗを反転させる反転工程（図９のステップＳ１１７）を実行する。これにより、基板Ｗの裏面が上に向けられる。その後、制御装置５は、基板Ｗの裏面が上に向けられた状態で、センターロボットＣＲによって選択裏面処理ユニットＳＳＲ（図９のステップＳ１０１で選択された裏面処理ユニットＳＳＲ）に基板Ｗを搬入させる（図９のステップＳ１０８）。
【００６５】
図示はしないが、選択裏面処理ユニットＳＳＲで裏面が処理された基板Ｗが、選択裏面処理ユニットＳＳＲからキャリアＣに搬送されるときには、制御装置５は、基板Ｗの裏面が上に向けられた状態で、センターロボットＣＲによって上側の反転中継ユニット１９に処理済みの基板Ｗを搬入させる。そして、制御装置５は、上側の反転中継ユニット１９によって基板Ｗを反転させる反転工程を実行する。これにより、基板Ｗの表面が上に向けられる。制御装置５は、基板Ｗの表面が上に向けられた状態で、インデクサロボットＩＲによって上側の反転中継ユニット１９から基板Ｗを搬出させる。その後、制御装置５は、インデクサロボットＩＲによってキャリアＣに基板Ｗを搬入させる。
【００６６】
図１０は、表面および裏面が処理される基板ＷをキャリアＣから処理ユニット４に搬送するときの搬送の一例について説明するためのフローチャートである。以下では、図１を参照する。図１０については適宜参照する。
基板Ｗの表面および裏面が処理されるときには、基板Ｗの裏面だけが処理されるときと同様に、キャリアＣから選択裏面処理ユニットＳＳＲに基板Ｗが搬送され、基板Ｗの裏面が処理される（図１０のステップＳ１０９）。
【００６７】
次に、選択裏面処理ユニットＳＳＲから基板Ｗを搬出する搬出工程（図１０のステップＳ１１８）が行われる。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨを選択裏面処理ユニットＳＳＲ内に進入させて、スピンチャック８に保持されている基板Ｗの下方に移動させる。その後、制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨを上昇させる。センターロボットＣＲの一方のハンドＨが下位置から上位置に移動する過程で、スピンチャック８上の基板Ｗは、センターロボットＣＲの一方のハンドＨにすくい取られる。制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨに基板Ｗが保持された後、このハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨを選択裏面処理ユニットＳＳＲの外に移動させる。これにより、裏面処理ユニットＳＳＲ内の基板Ｗが搬出される。さらに、制御装置５は、基板Ｗの搬出が完了するまでに、上側の反転中継ユニット１９の高さを選択裏面処理ユニットＳＳＲに近づけて、上側の反転中継ユニット１９の基板保持位置と選択裏面処理ユニットＳＳＲとの高低差を減少させる（好ましくは、零にする）。
【００６８】
次に、選択裏面処理ユニットＳＳＲから上側の反転中継ユニット１９に基板Ｗを搬送する搬送工程（図１０ステップＳ１１９）が行われる。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲの水平移動機構Ｍ１によってセンターロボットＣＲの一方のハンドＨを水平に移動させる。さらに、制御装置５は、センターロボットＣＲの旋回機構Ｍ３によってセンターロボットＣＲの一方のハンドＨを水平面内で回転させることにより、このハンドＨの向きを変更する。これにより、センターロボットＣＲの一方のハンドＨが上側の反転中継ユニット１９の近傍に移動し、センターロボットＣＲの一方のハンドＨが上側の反転中継ユニット１９に水平に対向する。このように、制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨを選択裏面処理ユニットＳＳＲと上側の反転中継ユニット１９との間で移動させ、選択裏面処理ユニットＳＳＲから上側の反転中継ユニット１９に基板Ｗを搬送する。
【００６９】
次に、上側の反転中継ユニット１９内に基板Ｗを搬入する搬入工程（図１０のステップＳ１２０）が行われる。具体的には、制御装置５は、センターロボットＣＲの一方のハンドＨの高さを一定に維持した状態で、このハンドＨを上側の反転中継ユニット１９内に進入させる。ハンドＨ上の基板Ｗは、一対の挟持部材２３（図５参照）に挟持される。もしくは、ハンドＨから図示しないガイドに基板Ｗが渡された後、基板Ｗが一対の挟持部材２３に挟持される。制御装置５は、センターロボットＣＲのハンドＨが一対の挟持部材２３またはガイドに基板Ｗを渡した後、このハンドＨを上側の反転中継ユニット１９の外に移動させる。これにより、ハンドＨ上の基板Ｗが上側の反転中継ユニット１９に搬入される。
【００７０】
次に、制御装置５は、裏面が処理された基板Ｗ（上側の反転中継ユニット１９に搬入された基板Ｗ）の表面を処理する表面処理ユニットＳＳを複数の表面処理ユニットＳＳのうちから選択する選択工程（図１０のステップＳ１２１）を実行する。その後、制御装置５は、中継装置３およびセンターロボットＣＲと選択表面処理ユニットＳＳとの高低差を減少させる高さ調整工程と、基板Ｗを反転させる反転工程とを並行して実行する（図１０のステップＳ１２２）。
【００７１】
具体的には、制御装置５は、上側の反転中継ユニット１９の基板保持位置、すなわち、一対の挟持部材２３（図５参照）によって保持されている基板Ｗの高さが、選択表面処理ユニットＳＳの基板保持位置の高さと一致するように、上側の反転中継ユニット１９の高さを調整する。さらに、制御装置５は、反転中継ユニット１９の高さ調整と並行して、センターロボットＣＲの一方のハンドＨの高さを調整する。さらに、制御装置５は、反転中継ユニット１９の高さ調整と並行して、反転中継ユニット１９に基板Ｗを反転させる。すなわち、制御装置５は、上側の反転中継ユニット１９によって基板Ｗを反転させながら、上側の反転中継ユニット１９を上昇または下降させる。これにより、上側の反転中継ユニット１９の基板保持位置の高さが、選択表面処理ユニットＳＳの基板保持位置の高さに一致する。
【００７２】
上側の反転中継ユニット１９とセンターロボットＣＲの高さが調整された後は、基板Ｗの表面だけが処理されるときと同様に、上側の反転中継ユニット１９から選択表面処理ユニットＳＳに基板Ｗが搬送され、基板Ｗの表面が処理される（図１０のステップＳ１２３〜ステップＳ１２６）。これにより、基板Ｗの表面および裏面が処理される。そして、処理済みの基板Ｗは、基板Ｗの表面だけが処理されたときと同様に、選択表面処理ユニットＳＳからキャリアＣに搬送される。
【００７３】
以上のように本実施形態では、センターロボットＣＲが基板Ｗを搬送する２つの基板保持位置の高低差が低減され、インデクサロボットＩＲが基板Ｗを搬送する２つの基板保持位置の高低差が低減される。したがって、センターロボットＣＲおよびインデクサロボットＩＲが基板Ｗを鉛直方向に搬送する距離（鉛直方向への搬送距離）を短くしたり、鉛直方向への搬送距離を零にしたりできる。そのため、基板Ｗの搬送時間を短縮でき、これによって、基板処理装置１のスループット（単位時間当たりの基板Ｗの処理枚数）を増加させることができる。
【００７４】
さらに、鉛直方向への搬送距離を短縮できるので、センターロボットＣＲおよびインデクサロボットＩＲから発生したパーティクルが、ハンドＨ上の基板Ｗに付着することを抑制または防止できる。さらに、ハンドＨおよび基板Ｗの上昇または下降に伴う気流の乱れの発生を抑制または防止できるので、気流によって巻き上げられたパーティクルがハンドＨ上の基板Ｗに付着することを抑制または防止できる。これにより、基板Ｗの清浄度を高めることができる。さらに、ハンドＨおよび基板Ｗが下降する距離を短縮できるので、下降中の基板Ｗに加わる浮力によって基板ＷがハンドＨに対してずれることを抑制または防止できる。
【００７５】
また、中継装置３は、中継装置３に保持される基板Ｗの上方および下方にそれぞれ配置された上壁２６および下壁２７を備えているので、鉛直移動機構２１が中継装置３を鉛直方向に移動させたときに、乱れた気流が発生したとしても、この気流は、上壁２６および下壁２７によって遮られる。したがって、基板Ｗの昇降に伴って発生する気流が基板Ｗに当たり難い。そのため、基板Ｗの汚染や位置ずれが抑制または防止される。よって、基板Ｗの汚染や位置ずれを抑制または防止しながら、基板Ｗの搬送時間を短縮できる。
【００７６】
同様に、支持台１４によって支持されるキャリアＣは、基板Ｗをその内部で保持するので、鉛直移動機構１７が支持台１４を鉛直方向に移動させたときに、乱れた気流が発生したとしても、この気流は、キャリアＣの外壁によって遮られる。したがって、キャリアＣが基板Ｗを保持している状態で、鉛直移動機構１７が支持台１４を鉛直方向に移動させたとしても、気流が基板Ｗに当たり難い。そのため、基板Ｗの汚染や位置ずれが抑制または防止される。よって、基板Ｗの汚染や位置ずれを抑制または防止しながら、基板Ｗの搬送時間を短縮できる。
【００７７】
本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、前述の実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、中継装置３の基板保持位置の高さを、選択工程で選択された処理ユニット４の基板保持位置に一致させる場合について説明したが、中継装置３の基板保持位置と処理ユニット４の基板保持位置との高低差が減少するのであれば、２つの基板保持位置の高さは一致していなくてもよい。同様に、キャリアＣの基板保持位置と処理ユニット４の基板保持位置との高低差が減少するのであれば、２つの基板保持位置の高さは一致していなくてもよい。
【００７８】
また、前述の実施形態では、ロードポート２に保持されているキャリアＣと中継装置３との間での基板Ｗの搬送高さ（搬送時の基板Ｗの高さ）と、中継装置３と処理ユニット４との間での基板Ｗの搬送高さとを一致させる場合について説明したが、中継装置３と処理ユニット４との間での基板Ｗの搬送高さは、キャリアＣと中継装置３との間での基板Ｗの搬送高さとは異なっていてもよい。
【００７９】
また、前述の実施形態では、中継装置３のフレーム２０が、鉛直方向に移動する場合について説明したが、図１１に示すように、中継装置３は、前述に実施形態に係る構成に加えて、フレーム２０を水平方向に移動させることにより、中継装置３とセンターロボットＣＲとの間の水平方向の距離を変更する水平移動機構２９を備えていてもよい。すなわち、中継装置３は、基板Ｗを保持した状態でインデクサロボットＩＲとセンターロボットＣＲとの間で水平方向に往復移動するシャトルであってもよい。
【００８０】
また、前述の実施形態では、中継装置３のフレーム２０を移動させることにより、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９を一括して移動させる場合について説明したが、中継装置３は、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９を個別に移動させる複数の鉛直移動機構を備えていてもよい。
また、前述の実施形態では、中継装置３が、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９の両方を備えている場合について説明したが、中継装置３は、中継ユニット１８および反転中継ユニット１９の一方のみを備えていてもよい。
【００８１】
また、前述の実施形態では、反転中継ユニット１９が基板Ｗを水平方向に挟む場合について説明したが、反転中継ユニット１９は、基板Ｗを鉛直方向に挟んでもよい。
また、前述の実施形態では、基板Ｗの上下移動中に基板Ｗの反転を行うことが処理効率の面からは有効であるため、制御装置５が、高さ調整工程と反転工程とを並行して実行する場合について説明した（図１０のステップＳ１２２参照）。しかし、高さ調整工程と反転工程とは別々の期間に行われてもよい。たとえば、制御装置５は、基板Ｗを反転させた後に基板Ｗを上下方向に移動させてもよいし、基板Ｗを上下方向に移動させた後に、基板Ｗを反転させてもよい。
【００８２】
また、前述の実施形態では、平面視における上壁２６の面積が、平面視における基板Ｗの面積以上である場合について説明したが、平面視における上壁２６の面積は、平面視における基板Ｗの面積未満であってもよい。たとえば基板Ｗの半分以上の領域が、平面視において上壁２６と重なっていればよい。同様に、平面視における下壁２７の面積は、平面視における基板Ｗの面積未満であってもよい。
【００８３】
また、前述の実施形態では、基板処理装置１が、円板状の基板Ｗを処理する装置である場合について説明したが、基板処理装置１は、液晶表示装置用基板などの多角形の基板を処理する装置であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００８４】
１        ：基板処理装置
２        ：ロードポート（容器保持装置）
３        ：中継装置（保持装置）
４        ：処理ユニット
５        ：制御装置
１４      ：支持台
１７      ：鉛直移動機構（支持台移動機構）
２１      ：鉛直移動機構（保持部材鉛直移動機構）
２２      ：支持部材（保持部材）
２３      ：挟持部材（保持部材）
２５      ：回転アクチュエータ（保持部材回転機構）
２６      ：上壁
２７      ：下壁
２９      ：水平移動機構（保持部材水平移動機構）
Ｃ        ：キャリア（容器）
ＣＲ      ：センターロボット（第１搬送ロボット）
Ｈ        ：ハンド（第１ハンド、第２ハンド）
ＩＲ      ：インデクサロボット（第２搬送ロボット）
Ｍ１      ：水平移動機構（第２ハンド移動機構）
Ｍ２      ：鉛直移動機構（第１ハンド移動機構、第２ハンド移動機構）
Ｍ３      ：旋回機構（第１ハンド移動機構、第２ハンド移動機構）
Ｍ４      ：位置調整機構（第１ハンド移動機構、第２ハンド移動機構）
Ｗ        ：基板
【図１】
2014049488.tif 000003
【図２】
2014049488.tif 000004
【図３】
2014049488.tif 000005
【図４】
2014049488.tif 000006
【図５】
2014049488.tif 000007
【図６】
2014049488.tif 000008
【図７】
2014049488.tif 000009
【図８】
2014049488.tif 000010
【図９】
2014049488.tif 000011
【図１０】
2014049488.tif 000012
【図１１】
2014049488.tif 000013