(57)【要約】【課題】光半導体装置に適合する被覆シートを、光半導体装置の製造工場において簡易かつ確実に製造することのできるシステム、製造条件決定装置および製造管理装置を提供すること。【解決手段】システム１は、製造条件決定装置２と、シート製造管理装置３とを備え、製造条件決定装置２は、光半導体素子１３および光半導体装置２０に関連する第１情報１５を格納する第１メモリ６と、ワニス１１に関連する第２情報１６を格納する第２メモリ７と、第１メモリ６に格納される第１情報１５、および、第２メモリ７に格納される第２情報１６に基づいて製造条件を決定する第１ＣＰＵ８とを備え、シート製造管理装置３は、第１ＣＰＵ８によって決定される製造条件に関連する第３情報１７を格納する第３メモリ２３と、第３メモリ２３に格納される第３情報７に基づいて、シート製造工程Ｓ２の製造条件を管理する第２ＣＰＵ２５とを備える。【選択図】図１
2014192503.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからＢステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を決定および管理するシステムであって、
前記システムは、製造条件決定装置と、製造管理装置とを備え、
前記製造条件決定装置は、
前記光半導体素子および前記光半導体装置に関連する第１情報を格納する第１情報格納領域と、
前記ワニスに関連する第２情報を格納する第２情報格納領域と、
前記第１情報格納領域に格納される前記第１情報、および、前記第２情報格納領域に格納される前記第２情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備え、
前記製造管理装置は、
前記決定手段によって決定される前記製造条件に関連する第３情報を格納する第３情報格納領域と、
前記第３情報格納領域に格納される前記第３情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を管理する管理手段と
を備えることを特徴とする、システム。
【請求項２】
前記システムは、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに決定および管理し、
前記決定手段は、前記第１情報格納領域に格納される前記第１情報、および、前記第２情報格納領域に格納される前記第２情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定し、
前記管理手段は、前記第３情報格納領域に格納される前記第３情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することを特徴とする、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第１情報は、前記光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むことを特徴とする、請求項１または２に記載のシステム。
【請求項４】
前記製造管理装置は、
粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも１種のロット情報、および／または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第４情報を格納する第４情報格納領域と、
前記第４情報格納領域に格納される前記第４情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を修正する修正手段と
を備えることを特徴とする、請求項１〜３のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項５】
前記製造条件決定装置は、
前記被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第５情報を格納する第５情報格納領域を備え、
前記第５情報格納領域に格納される前記第５情報に基づいて、前記被覆シートを今回製造するための製造条件を決定する
ことを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項６】
粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからＢステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を決定するための製造条件決定装置であって、
前記光半導体素子に関連する第１情報を格納する第１情報格納領域と、
前記ワニスに関連する第２情報を格納する第２情報格納領域と、
前記第１情報格納領域に格納される前記第１情報、および、前記第２情報格納領域に格納される前記第２情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備える
ことを特徴とする、製造条件決定装置。
【請求項７】
前記製造条件決定装置は、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに決定し、
前記決定手段は、前記第１情報格納領域に格納される前記第１情報、および、前記第２情報格納領域に格納される前記第２情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定することを特徴とする、請求項６に記載の製造条件決定装置。
【請求項８】
前記第１情報は、前記光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むことを特徴とする、請求項６または７に記載の製造条件決定装置。
【請求項９】
前記被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第５情報を格納する第５情報格納領域を備え、
前記第５情報格納領域に格納される前記第５情報に基づいて、前記被覆シートを今回製造するための製造条件を決定することを特徴とする、請求項６〜８いずれか一項に記載の製造条件決定装置。
【請求項１０】
粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからＢステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を管理するための製造管理装置であって、
前記製造条件に関連する第３情報を格納する第３情報格納領域と、
前記第３情報格納領域に格納される前記第３情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を管理する管理手段と
を備えることを特徴とする、製造管理装置。
【請求項１１】
前記製造管理装置は、前記ワニス製造工程の製造条件を管理し、
前記管理手段は、前記第３情報格納領域に格納される前記第３情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することを特徴とする、請求項１０に記載の製造管理装置。
【請求項１２】
粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも１種のロット情報、および／または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第４情報を格納する第４情報格納領域と、
前記第４情報格納領域に格納される前記第４情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を修正する修正手段と
を備えることを特徴とする、請求項１０または１１に記載の製造管理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、システム、製造条件決定装置および製造管理装置、詳しくは、光半導体装置の製造方法における製造条件を決定および管理するシステム、製造条件決定装置および製造管理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、光半導体装置の製造方法として、粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造し、そのワニスからＢステージの封止シートなどの被覆シートを製造し、その被覆シートによって、光半導体素子を被覆する方法が検討されている。
【０００３】
例えば、Ｂステージの熱硬化性樹脂からなる蛍光体層により、基板に実装される発光ダイオードを被覆し、その後、蛍光体層をＣステージ化し、これによって、ＬＥＤ装置を製造する方法が提案されている（例えば、下記特許文献１参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−０６００３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、蛍光体層を含む封止シートは、封止シート製造工場で製造されており、そこで製造された封止シートを、ＬＥＤ装置製造工場に出荷している。なお、封止シート製造工場では、ＬＥＤ装置製造工場から、発光ダイオードおよびＬＥＤ装置に関連する情報が提供され、その情報およびワニスに関連する情報に基づき、目的とするＬＥＤ装置に適合する封止シートの製造条件を決定する。
【０００６】
しかしながら、ＬＥＤ装置製造工場において、半導体素子および／または光半導体装置に変動がある場合には、封止シート製造工場において、それらの変動に対応して、封止シートを再製造したり、さらには、再製造した異なる種類の封止シートを、ＬＥＤ装置製造工場に搬送する必要がある。そのため、手間や時間がかかるという不具合がある。
【０００７】
一方、ＬＥＤ装置製造工場内に、封止シート製造工場を設けて、上記した手間や時間を省略することも試案される。
【０００８】
しかしながら、ＬＥＤ装置製造工場は、ワニスに関連する情報が十分でなく、封止シートの製造条件を適確に決定できないという不具合がある。
【０００９】
本発明の目的は、光半導体装置に適合する被覆シートを、光半導体装置の製造工場において簡易かつ確実に製造することのできるシステム、製造条件決定装置および製造管理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明のシステムは、粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからＢステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を決定および管理するシステムであって、前記システムは、製造条件決定装置と、製造管理装置とを備え、前記製造条件決定装置は、前記光半導体素子および前記光半導体装置に関連する第１情報を格納する第１情報格納領域と、前記ワニスに関連する第２情報を格納する第２情報格納領域と、前記第１情報格納領域に格納される前記第１情報、および、前記第２情報格納領域に格納される前記第２情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備え、前記製造管理装置は、前記決定手段によって決定される前記製造条件に関連する第３情報を格納する第３情報格納領域と、前記第３情報格納領域に格納される前記第３情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を管理する管理手段とを備えることを特徴としている。
【００１１】
このシステムでは、製造条件決定装置が、第１情報格納領域と、第２情報格納領域と、決定手段とを備える一方、製造管理装置が、第３情報格納領域と、管理手段とを備える。
【００１２】
そして、製造条件決定装置が、第１情報および第２情報のそれぞれを、第１情報格納領域および第２情報格納領域のそれぞれに格納しており、決定手段によって、シート製造工程の製造条件を決定し、これを、製造管理装置に提供することができる。
【００１３】
そして、製造管理装置では、製造条件決定装置から提供された製造条件に関連する第３情報を、第３情報格納領域に格納して、かかる第３情報に基づいて、管理手段によって、シート製造工程の製造条件を管理する。
【００１４】
そのため、シート製造工程の製造条件を、製造管理装置とは、別途、製造条件決定装置において決定することができるとともに、製造管理装置が、管理することができる。
【００１５】
また、製造条件決定装置から提供されるシート製造工程の製造条件に関連する第３情報は、第１情報および第２情報に基づいている。そのため、製造管理装置は、製造条件決定装置から提供される第３情報に基づいて、管理手段によって、シート製造工程の製造条件を精度よく管理することができる。その結果、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。
【００１６】
また、本発明のシステムは、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに決定および管理し、前記決定手段は、前記第１情報格納領域に格納される前記第１情報、および、前記第２情報格納領域に格納される前記第２情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定し、前記管理手段は、前記第３情報格納領域に格納される前記第３情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することが好適である。
【００１７】
このシステムでは、決定手段が、第１情報格納領域に格納される第１情報、および、第２情報格納領域に格納される第２情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに決定し、管理手段が、第３情報格納領域に格納される第３情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに管理する。そのため、目的とする光半導体装置に適合する被覆シートを高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。
【００１８】
また、本発明のシステムでは、第１情報は、光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むことが好適である。
【００１９】
このシステムによれば、第１情報は、光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むので、製造条件決定装置が、光半導体素子が実装される基板に関連する情報も、上記した各情報と併せて備えることができる。
【００２０】
そのため、第１情報に基づいて決定された製造条件に関連する精度の高い第３情報に基づいて、製造管理装置は、シート製造工程の製造条件をより一層精度よく管理することができる。
【００２１】
また、本発明のシステムでは、前記製造管理装置は、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも１種のロット情報、および／または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第４情報を格納する第４情報格納領域と、前記第４情報格納領域に格納される前記第４情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を修正する修正手段とを備えることが好適である。
【００２２】
粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子のロット情報は、ロット毎に、変動する。また、単位期間当たりの光半導体装置の製造量は、単位期間毎に、変動する。そのため、ロットおよび／または単位期間毎に、製造される光半導体装置の物性が変動する場合がある。そのような場合には、製造条件決定装置が、毎回、第４情報に基づいて、製造条件を決定するのは煩雑である。
【００２３】
しかし、このシステムでは、製造管理装置において、修正手段によって、第４情報格納領域に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも１種のロット情報、および／または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第４情報に基づいて、シート製造工程の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および／または光半導体装置の製造量の変動に容易に対応して、シート製造工程の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。
【００２４】
また、本発明のシステムでは、前記製造条件決定装置は、前記被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第５情報を格納する第５情報格納領域を備え、前記第５情報格納領域に格納される前記第５情報に基づいて、前記被覆シートを今回製造するための製造条件を決定することが好適である。
【００２５】
このシステムによれば、製造条件決定装置が、被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第５情報を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置に適合する被覆シートを今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を精度よく今回製造することができる。
【００２６】
本発明の製造条件決定装置は、粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからＢステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を決定するための製造条件決定装置であって、前記光半導体素子に関連する第１情報を格納する第１情報格納領域と、前記ワニスに関連する第２情報を格納する第２情報格納領域と、前記第１情報格納領域に格納される前記第１情報、および、前記第２情報格納領域に格納される前記第２情報に基づいて前記製造条件を決定する決定手段とを備えることを特徴としている。
【００２７】
この製造条件決定装置は、第１情報格納領域と、第２情報格納領域と、決定手段とを備える。
【００２８】
そのため、この製造条件決定装置によれば、第１情報および第２情報のそれぞれを、第１情報格納領域および第２情報格納領域のそれぞれに格納して、決定手段によって、シート製造工程の製造条件を決定することができる。
【００２９】
その結果、かかるシート製造工程の製造条件に基づけば、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。
【００３０】
また、本発明の製造条件決定装置は、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに決定し、前記決定手段は、前記第１情報格納領域に格納される前記第１情報、および、前記第２情報格納領域に格納される前記第２情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに決定することが好適である。
【００３１】
この製造条件決定装置では、決定手段が、第１情報格納領域に格納される第１情報、および、第２情報格納領域に格納される第２情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに決定する。そのため、目的とする光半導体装置に適合する被覆シートを高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。
【００３２】
また、本発明の製造条件決定装置では、前記第１情報は、前記光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むことが好適である。
【００３３】
この製造条件決定装置によれば、第１情報は、光半導体素子が実装される基板に関連する情報を含むので、製造条件決定装置が、光半導体素子が実装される基板に関連する情報も、上記した各情報と併せて備えることができる。
【００３４】
そのため、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。
【００３５】
また、本発明の製造条件決定装置は、前記被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第５情報を格納する第５情報格納領域を備え、前記第５情報格納領域に格納される前記第５情報に基づいて、前記被覆シートを今回製造するための製造条件を決定することが好適である。
【００３６】
この製造条件決定装置によれば、被覆シートを今回以前に製造した製造条件に関連する第５情報を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置に適合する被覆シートを今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を精度よく今回製造することができる。
【００３７】
本発明の製造管理装置は、粒子および硬化性樹脂を含むワニスを製造するワニス製造工程、前記ワニスからＢステージの被覆シートを製造するシート製造工程、および、前記被覆シートによって光半導体素子を被覆する被覆工程を備える光半導体装置の製造方法における前記シート製造工程の製造条件を管理するための製造管理装置であって、前記製造条件に関連する第３情報を格納する第３情報格納領域と、前記第３情報格納領域に格納される前記第３情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を管理する管理手段とを備えることを特徴としている。
【００３８】
この製造管理装置によれば、シート製造工程の製造条件に関連する第３情報を、第３情報格納領域に格納して、かかる第３情報に基づいて、管理手段によって、シート製造工程の製造条件を精度よく管理することができる。
【００３９】
そのため、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。
【００４０】
また、本発明の製造管理装置は、前記ワニス製造工程の製造条件をさらに管理し、前記管理手段は、前記第３情報格納領域に格納される前記第３情報に基づいて、前記ワニス製造工程の前記製造条件をさらに管理することが好適である。
【００４１】
この製造管理装置によれば、管理手段が、第３情報格納領域に格納される第３情報に基づいて、ワニス製造工程の製造条件をさらに管理するので、目的とする光半導体装置に適合する被覆シートを高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置を高い精度で製造することができる。
【００４２】
また、本発明の製造管理装置は、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも１種のロット情報、および／または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第４情報を格納する第４情報格納領域と、前記第４情報格納領域に格納される前記第４情報に基づいて、前記シート製造工程の前記製造条件を修正する修正手段とを備えることが好適である。
【００４３】
粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子のロット情報は、ロット毎に、変動する。また、単位期間当たりの光半導体装置の製造量は、単位期間毎に、変動する。そのため、ロットおよび／または単位期間毎に、製造される光半導体装置の物性が変動する場合がある。そのような場合には、製造条件決定装置が、毎回、第４情報に基づいて、製造条件を決定するのは煩雑である。
【００４４】
しかし、この製造管理装置では、修正手段によって、第４情報格納領域に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも１種のロット情報、および／または、単位期間当たりの光半導体装置の製造量を含む第４情報に基づいて、シート製造工程の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および／または光半導体装置の製造量の変動に容易に対応して、シート製造工程の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。
【発明の効果】
【００４５】
本発明の製造条件決定装置および製造管理装置を備える、本発明のシステムによれば、製造管理装置とは、別途、製造条件決定装置において決定することができるとともに、製造管理装置が、管理することができる。また、目的とする光半導体装置を精度よく製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４６】
【図１】図１は、本発明のシステムの一実施形態の概略構成図を示す。
【図２】図２は、図１に示される封止シートの拡大断面図であり、図２Ａは、蛍光体層のみからなる封止シート、図２Ｂは、蛍光体の濃度が異なる複数の蛍光体層を備える封止シート、図２Ｃは、下方に向かって開放される凹部を有する樹脂層と、凹部に充填される蛍光体層とを備える封止シート、図２Ｄは、断面略台形状の蛍光体層と、その周囲に形成される樹脂層とを備える封止シート、図２Ｅは、断面略矩形状の蛍光体層と、その周囲に形成される樹脂層とを備える封止シートを示す。
【図３】図３は、図１に示される封止シートの拡大断面図であり、図３Ｆは、樹脂層と、樹脂層の上側に形成される蛍光体層とを備える封止シート図３Ｇは、樹脂層と、樹脂層の上側に形成される蛍光体層と、樹脂層の下側において、光半導体素子が形成される部分を囲むように形成される機能層とを備える封止シートを示す。
【図４】図１の変形例のシステムの概略構成図を示す。
【図５】図５は、図２Ａの封止シートの変形例の拡大断面図であり、図５Ａは、被覆シートを、光半導体素子を被覆する封止層の上側に対向配置する状態、図５Ｂは、被覆シートを、封止層の上面に積層する状態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００４７】
［システムの構成］
本発明の一実施形態であるシステム１は、封止シート製造工場の制御部門５と、その封止シート製造工場とは別途設けられる光半導体装置製造工場４とに設けられるシステムである。システム１は、粒子および硬化性樹脂を含むワニス１１を製造するワニス製造工程Ｓ１、ワニス１１からＢステージの被覆シートとしての封止シート１２を製造するシート製造工程Ｓ２、および、封止シート１２によって光半導体素子１３を封止する封止工程Ｓ３（被覆工程の一例）を備える光半導体装置２０の製造方法におけるワニス製造工程Ｓ１およびシート製造工程Ｓ２の製造条件を決定および管理する。システム１は、製造条件決定装置２と、製造管理装置としてのシート製造管理装置３とを備える。
【００４８】
制御部門５は、例えば、光半導体装置製造工場４のシート製造装置３４（後述）で製造する封止シート１２と同様の封止シート１２を製造可能な封止シート製造工場内に設けられている。
【００４９】
制御部門５は、製造条件決定装置２を備える。
【００５０】
製造条件決定装置２は、第１情報格納領域としての第１メモリ６と、第２情報格納領域としての第２メモリ７と、決定手段としての第１ＣＰＵ８と、第５情報格納領域としての第５メモリ１０とを備える。
【００５１】
第１メモリ６は、光半導体素子１３、光半導体素子１３が実装される基板１４、光半導体装置２０に関連する第１情報１５を格納する。
【００５２】
第１情報１５としては、具体的には、光半導体素子１３に関連する情報として、例えば、光半導体素子１３の形状、光半導体素子１３の寸法、光半導体素子１３の発光ピーク波長、基板１４の単位面積当たりの光半導体素子１３の実装数、１つの基板１４当たりの光半導体素子１３の実装数などが挙げられる。
【００５３】
また、第１情報１５としては、具体的には、基板１４に関連する情報として、例えば、基板１４の外形形状、基板１４の寸法、基板１４の表面形状（凹部の有無など）などが挙げられる。
【００５４】
さらに、第１情報１５としては、具体的には、光半導体装置２０に関連する情報として、例えば、光半導体装置２０の色温度、光半導体装置２０の全光束、光半導体装置２０の配光特性などが挙げられる。具体的には、目標となる色温度は、目標とする光の色が昼白色である場合には、例えば、４６００Ｋ以上であり、また、例えば、５５００Ｋ以下である。また、目標となる色温度は、目標とする光の色が温白色である場合には、例えば、３２５０Ｋ以上であり、また、例えば、３８００Ｋ以下である。目標となる色温度は、上記温度範囲から選択される。
【００５５】
第１メモリ６は、光半導体装置製造工場４が有する第１情報源２１から入力されるように構成されている。
【００５６】
第２メモリ７は、ワニス１１に関連する第２情報１６を格納する。
【００５７】
第２情報１６としては、具体的には、粒子に関連する情報として、例えば、粒子の種類、粒子の配合割合、粒子の最大長さの平均値（粒子が球形状である場合には、平均粒子径）などが挙げられる。なお、粒子が後述する蛍光体を含む場合には、粒子に関連する情報として、蛍光体の吸収ピーク波長も挙げられる。また、第２情報１６としては、具体的には、硬化性樹脂に関連する情報として、例えば、硬化性樹脂の種類、硬化性樹脂の粘度、硬化性樹脂の配合割合、硬化性樹脂の硬化速度などが挙げられる。さらに、第２情報１６としては、具体的には、ワニスに関連する情報として、例えば、ワニスの粘度が挙げられる。さらにまた、第２情報１６として、離型シート２８（後述）に位置決めマーク（図示せず）が設けられている場合には、塗布後の複数のワニス１１の相対位置情報なども挙げられる。
【００５８】
第２情報１６は、封止シート製造工場の制御部門５が有する第２情報源２２から入力されるように構成されている。
【００５９】
第１ＣＰＵ８は、第１メモリ６に格納される第１情報１５、および、第２メモリ７に格納される第２情報１６に基づいて、封止シート１２の製造条件を決定する決定装置である。
【００６０】
第１ＣＰＵ８には、所定のプログラム処理が予め格納されており、第１ＣＰＵ８は、プログラム処理に従って、封止シート１２の製造条件を決定する。
【００６１】
封止シート１２の製造条件としては、例えば、封止シート１２の層構造の種類、ワニス１１の塗布条件などが挙げられる。なお、封止シート１２が後述するＢステージである場合には、Ａステージのワニス１１をＢステージ化する際のワニス１１の加熱条件、活性エネルギー線の照射条件なども挙げられる。また、Ｂステージの封止シート１２の圧縮弾性率も挙げられる。
【００６２】
封止シート１２は、図２および図３が参照されるように、例えば、蛍光体を含有する蛍光体層２６を備える蛍光体含有封止シート、すなわち、蛍光体シートとして構成されている。封止シート１２の層構造として、例えば、図２Ａ〜図２Ｅに示すように、蛍光体層２６が光半導体素子１３（仮想線）に直接接触できる接触構造、また、例えば、図３Ａおよび図３Ｂに示すように、蛍光体層２６が光半導体素子１３を被覆できる一方、蛍光体層２６と光半導体素子１３（仮想線）とに間隔が隔てられている離間構造などが挙げられる。
【００６３】
図２および図３において、仮想線は、封止シート１２に埋設される光半導体素子１３を示す。
【００６４】
接触構造の封止シート１２としては、例えば、図２Ａに示すように、蛍光体層２６のみからなる封止シート１２Ａ、図２Ｂに示すように、蛍光体の濃度が異なり、厚み方向に積層される複数の蛍光体層２６Ａおよび２６Ｂを備える封止シート１２Ｂ、図２Ｃに示すように、下方に向かって開放される凹部を有する樹脂層２７と、凹部に充填される蛍光体層２６とを備える封止シート１２Ｃ、図２Ｄおよび図２Ｅが参照されるように、平面視略円形状または平面視略矩形状の蛍光体層２６と、その周囲に形成される樹脂層２７とを備える封止シート１２であって、図２Ｄに示すように、蛍光体層２６が上側に向かうに従って幅広となる断面視略台形状に形成される封止シート１２Ｄ、また、図２Ｅに示すように、蛍光体層２６が断面視略矩形状に形成される封止シート１２Ｅなどから選択される。
【００６５】
また、離間構造の封止シート１２としては、例えば、図３Ｆに示すように、樹脂層２７と、樹脂層２７の上側に形成される蛍光体層２６とを備える封止シート１２Ｆ、また、例えば、図３Ｇに示すように、樹脂層２７と、樹脂層２７の上側に形成される蛍光体層２６と、樹脂層２７の下側において、底面視において、光半導体素子１３が形成される部分を囲むように形成される機能層２９とを備える封止シート１２Ｆなどから選択される。なお、図３Ｇにおいて、樹脂に、蛍光体などの波長変換機能や、白色顔料（具体的には、チタニアなど）などの光反射機能を備える機能材料を配合することにより、機能層２９から選択される。
【００６６】
具体的には、上記各種構造を有する封止シート１２としては、公知の封止シートが挙げられ、具体的には、接触構造の封止シート１２として、例えば、特開２０１０−０６７６４１号公報、特開２００９−２３１７５０号公報、特開２００９−１８８２０７号公報、特開２００９−１８２１４９号公報、特開２００９−０９９７８４号公報、特開２００９−０６００３１号公報などに記載の封止シート（蛍光体シート）から選択（決定）され、また、離間構造の封止シート１２として、例えば、特開２０１１−２５８６３４号公報、特開２０１１−２２８５２５号公報、特開２０１１−１５９８７４号公報、特開２０１１−０８２３４０号公報、特開２０１０−１９２８４４号公報、特開２０１０−１５３５００号公報、特開２０１０−１２３８０２号公報などに記載の封止シート（蛍光体シート）から選択（決定）される。
【００６７】
接触構造を有する蛍光体層２６、蛍光体の濃度が異なる２つの蛍光体層２６Ａおよび蛍光体層２６Ｂ、樹脂層２７（凹部を含む）の寸法は、適宜選択され、上記した公開公報に記載される範囲から選択される。
【００６８】
ワニス１１の塗布条件としては、例えば、塗布直後のワニス１１の形状、塗布直後のワニス１１の厚みなどが挙げられる。なお、上記した形状には、ワニス１１が互いに間隔を隔てられた形状を含む。
【００６９】
図１に示すように、第１ＣＰＵ８は、第１メモリ６に格納される第１情報１５と、第２メモリ７に格納される第２情報１６とを、読み出し可能に構成されている。
【００７０】
図１に示すように、第５メモリ１０は、第１ＣＰＵ８によって決定された封止シート１２の製造条件を格納する領域である。
【００７１】
なお、第５メモリ１０には、封止シート１２を今回以前に製造した製造条件に関連する第５情報１９を記録可能な記録領域（図示せず）が設けられている。なお、記録領域に記録されて蓄積される第５情報１９は、今回の製造において第１ＣＰＵ８によって読み出され、再度、第１ＣＰＵ８によって、封止シート１２の製造条件を決定するように、構成されている。
【００７２】
光半導体装置製造工場４は、シート製造装置３４と、封止装置３２とを備える。
【００７３】
シート製造装置３４は、ワニス製造装置３３と、シート化装置３１と、シート製造管理装置３とを備える。
【００７４】
ワニス製造装置３３は、例えば、攪拌機５１を装備する容器５２を備える。
【００７５】
シート化装置３１は、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置５３を備える。塗布装置５３としては、好ましくは、ディスペンサが挙げられる。また、シート化装置３１は、上下方向に互いに間隔を隔てて配置されるヒータ５４を有するオーブン５５を備えることもできる。
【００７６】
シート製造管理装置３は、第３情報格納領域としての第３メモリ２３と、第４情報格納領域としての第４メモリ２４と、管理手段である修正手段としての第２ＣＰＵ２５とを備える。
【００７７】
第３メモリ２３は、第１ＣＰＵ８によって決定される封止シート１２の製造条件に関連する第３情報１７を格納する。
【００７８】
第３情報１７は、第１ＣＰＵ８によって決定される封止シート１２の製造条件を含む。
【００７９】
第３メモリ２３は、第５メモリ１０において決定される第３情報１７が、第５メモリ１０から入力されるように構成されている。
【００８０】
第４メモリ２４は、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子１３の少なくとも１種のロット情報、および／または、単位期間当たりの光半導体装置２０の製造量を含む第４情報１８を格納する。
【００８１】
ロット情報は、ロットの変更に伴って変動する情報であって、具体的には、ロットによって異なる粒子の最大長さの平均値（粒子が球形状である場合には、平均粒子径）、などが挙げられ、また、ロットによって異なる硬化性樹脂の粘度などが挙げられる。なお、粒子が、蛍光体を含む場合には、蛍光体のロット情報として、ロットによって異なる蛍光体の吸収ピーク波長が挙げられる。さらに、ロットによって異なるワニスに関連する情報として、上記粒子および／または硬化性樹脂のロットが異なることに起因する、ワニスの粘度が挙げられる。
【００８２】
単位期間当たりの光半導体装置２０の製造量としては、１月間当たりの光半導体装置２０の製造量として、例えば、１０００個以上、好ましくは、５０００個以上であり、また、例えば、２００，０００個以下の範囲から選択される。
【００８３】
第４メモリ２４は、光半導体装置製造工場４における第１情報源２１、および、制御部門５における第２情報源２２から、第４情報１８が入力されるように構成されている。
【００８４】
第４情報１８のうち、第１情報源２１から入力される第４情報１８Ｂとしては、例えば、光半導体素子１３のロット情報、単位期間当たりの光半導体装置２０の製造量が挙げられ、また、第２情報源２２から入力される第４情報１８Ａとしては、例えば、粒子のロット情報、硬化性樹脂のロット情報、ワニスのロット情報が挙げられる。
【００８５】
第２ＣＰＵ２５には、所定のプログラム処理が予め格納されており、第２ＣＰＵ２５は、第３メモリ２３に格納される第３情報１７に基づいて、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件を管理する。また、第２ＣＰＵ２５は、第４メモリ２４に格納される第４情報１８に基づいて、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件を修正することもできる。
【００８６】
第２ＣＰＵ２５は、第３メモリ２３に格納される第３情報１７、および、第４メモリ２４に格納される第４情報１８を、読み出し可能に構成されている。
【００８７】
第２ＣＰＵ２５は、ワニス製造装置３３およびシート化装置３１のそれぞれに、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件のそれぞれを管理可能かつ修正可能に構成されている。
【００８８】
封止装置３２は、プレス装置３５と、封止制御装置３６とを備える。
【００８９】
プレス装置３５は、例えば、上下方向に間隔を隔てて対向配置され、封止シート１２および基板１４を上下方向に押圧可能な２枚の平板４１を有するプレス機などが選択される。
【００９０】
封止制御装置３６は、封止工程Ｓ３の封止条件を制御できるように構成されている。なお、封止制御装置３６には、図示しないメモリが設けられ、第１情報源２１から封止工程Ｓ３の封止条件が入力され、そして、封止工程Ｓ３の封止条件を制御するように、構成されている。
【００９１】
次に、このシステム１を利用して、光半導体装置製造工場４において光半導体装置２０を製造する方法について、説明する。
【００９２】
１．製造条件決定工程
この方法では、まず、第１情報１５を、第１情報源２１から第１メモリ６に入力する。第１情報１５を第１メモリ６へ入力するには、特に限定されず、例えば、第１情報源２１と第１メモリ６とを接続するネットワークなどの回線を通じて、第１情報１５を入力したり、あるいは、例えば、第１情報源２１から、ファクス、メール、郵便などの通信手段を介した後、第１情報１５を第２メモリ７に入力することもできる。
【００９３】
別途、第２情報１６を、第２情報源２２から第２メモリ７に入力する。第２情報１６を第２メモリ７に入力する方法は、第１情報１５の第１メモリ６への入力方法と同様である。
【００９４】
次に、第１ＣＰＵ８が、第１メモリ６に格納される第１情報１５と、第２メモリ７に格納される第２情報１６とを読み出し、続いて、所定のプログラム処理に従い、これら第１情報１５および第２情報１６に基づいて、封止シート１２の製造条件を第３情報１７（次に詳述される）として決定する。
【００９５】
２．製造管理工程
その後、第１ＣＰＵ８によって決定された第３情報１７は、第５メモリ１０に記録され、続いて、第５メモリ１０に記録された第３情報１７は、第３メモリ２３に入力される。
【００９６】
第３情報１７を第３メモリ２３に入力する方法は、第１情報１５の第１メモリ６への入力方法と同様である。
【００９７】
別途、第４情報１８を、第１情報源２１および第２情報源２２から第４メモリ２４に入力する。第４情報１８を第４メモリ２４に入力する方法は、第１情報１５の第１メモリ６への入力方法と同様である。
【００９８】
その後、第２ＣＰＵ２５が、第３メモリ２３に格納される第３情報１７を読み出し、続いて、所定のプログラム処理に従い、第３情報１７に基づいて、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件を管理する。
【００９９】
そして、シート製造装置３４では、第２ＣＰＵ２５によって管理される製造条件に基づいて、ワニス製造工程Ｓ１およびシート製造工程Ｓ２を順次実施する。
【０１００】
３．ワニス製造工程Ｓ１
ワニス製造装置３３では、まず、ワニス製造工程Ｓ１を、第２ＣＰＵ２５によって管理される製造条件に従って、実施する。
【０１０１】
具体的には、ワニス製造工程Ｓ１では、まず、粒子および硬化性樹脂のそれぞれを用意し、これらを混合して、ワニス１１を粒子含有硬化性樹脂組成物として調製する。
【０１０２】
粒子としては、例えば、蛍光体、充填剤などから選択される。
【０１０３】
蛍光体は、波長変換機能を有しており、例えば、青色光を黄色光に変換することのできる黄色蛍光体、青色光を赤色光に変換することのできる赤色蛍光体などから選択される。
【０１０４】
黄色蛍光体としては、例えば、（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）２ＳｉＯ４；Ｅｕ、（Ｓｒ，Ｂａ）２ＳｉＯ４：Ｅｕ（バリウムオルソシリケート（ＢＯＳ））などのシリケート蛍光体、例えば、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ（ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）、Ｔｂ３Ａｌ３Ｏ１２：Ｃｅ（ＴＡＧ（テルビウム・アルミニウム・ガーネット）：Ｃｅ）などのガーネット型結晶構造を有するガーネット型蛍光体、例えば、Ｃａ−α−ＳｉＡｌＯＮなどの酸窒化物蛍光体などから選択される。
【０１０５】
赤色蛍光体としては、例えば、ＣａＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ、ＣａＳｉＮ２：Ｅｕなどの窒化物蛍光体などから選択される。
【０１０６】
蛍光体の形状としては、例えば、球状、板状、針状などから選択される。
【０１０７】
蛍光体の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下の範囲から選択される。
【０１０８】
蛍光体の吸収ピーク波長は、例えば、３００ｎｍ以上、好ましくは、４３０ｎｍ以上であり、また、例えば、５５０ｎｍ以下、好ましくは、４７０ｎｍ以下の範囲から選択される。
【０１０９】
蛍光体は、単独使用または併用するように、選択される。
【０１１０】
蛍光体の配合割合は、硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、例えば、８０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下の範囲から選択される。
【０１１１】
充填剤としては、例えば、シリコーン粒子（具体的には、シリコーンゴム粒子を含む）などの有機微粒子、例えば、シリカ（例えば、煙霧シリカなど）、タルク、アルミナ、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの無機微粒子から選択される。また、充填剤の最大長さの平均値（球状である場合には、平均粒子径）は、例えば、０．１μｍ以上、好ましくは、１μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１００μｍ以下の範囲から選択される。充填剤は、単独使用または併用するように、選択される。充填剤の配合割合は、硬化性樹脂１００質量部に対して、例えば、０．１質量部以上、好ましくは、０．５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下、好ましくは、５０質量部以下の範囲から選択される。
【０１１２】
硬化性樹脂としては、例えば、２段階の反応機構を有しており、１段階目の反応でＢステージ化（半硬化）し、２段階目の反応でＣステージ化（完全硬化）する２段階硬化型樹脂から選択される。
【０１１３】
２段階硬化型樹脂としては、例えば、加熱により硬化する２段階硬化型熱硬化性樹脂、例えば、活性エネルギー線（例えば、紫外線、電子線など）の照射により硬化する２段階硬化型活性エネルギー線硬化性樹脂などから選択される。好ましくは、２段階硬化型熱硬化性樹脂が選択される。
【０１１４】
具体的には、２段階硬化型熱硬化性樹脂として、例えば、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂などから選択される。好ましくは、透光性および耐久性の観点から、２段階硬化型シリコーン樹脂から選択される。
【０１１５】
２段階硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、縮合反応と付加反応との２つの反応系を有する縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などから選択される。
【０１１６】
このような縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂としては、例えば、シラノール両末端ポリシロキサン、アルケニル基含有トリアルコキシシラン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第１の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、シラノール基両末端ポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物、エチレン系不飽和炭化水素基含有ケイ素化合物、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第２の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、両末端シラノール型シリコーンオイル、アルケニル基含有ジアルコキシアルキルシラン、オルガノハイドロジェンポリシロキサン、縮合触媒およびヒドロシリル化触媒を含有する第３の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、１分子中に少なくとも２個のアルケニルシリル基を有するオルガノポリシロキサン、１分子中に少なくとも２個のヒドロシリル基を有するオルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒および硬化遅延剤を含有する第４の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのヒドロシリル基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化触媒およびヒドロシリル化抑制剤を含有する第５の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、少なくとも２つのエチレン系不飽和炭化水素基と少なくとも２つのシラノール基とを１分子中に併有する第１オルガノポリシロキサン、エチレン系不飽和炭化水素基を含まず、少なくとも２つのヒドロシリル基を１分子中に有する第２オルガノポリシロキサン、ヒドロシリル化抑制剤、および、ヒドロシリル化触媒を含有する第６の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、ケイ素化合物、および、ホウ素化合物またはアルミニウム化合物を含有する第７の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂、例えば、ポリアルミノシロキサンおよびシランカップリング剤を含有する第８の縮合反応・付加反応硬化型シリコーン樹脂などから選択される。
【０１１７】
Ａステージの２段階硬化型樹脂の粘度は、例えば、３０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、５０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、２００００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、１５０００ｍＰａ・ｓ以下の範囲から選択される。なお、Ａステージの２段階硬化型樹脂の粘度は、Ａステージの２段階硬化型樹脂を２５℃に温度調節し、Ｅ型コーンを用いて、回転数９９ｓ−１で測定される。以下の粘度は、上記と同様の方法によって、測定される。
【０１１８】
硬化性樹脂の配合割合は、粒子含有硬化性樹脂組成物（ワニス）に対して、例えば、３０質量％以上、好ましくは、４０質量％以上、より好ましくは、５０質量％以上であり、また、例えば、９８質量％以下、好ましくは、９５質量％以下、より好ましくは、９０質量％以下の範囲から選択される。
【０１１９】
また、粒子含有硬化性樹脂組成物には、必要により、溶媒を含有させることもできる。
【０１２０】
溶媒としては、例えば、ヘキサンなどの脂肪族炭化水素、例えば、キシレンなどの芳香族炭化水素、例えば、ビニルメチル環状シロキサン、両末端ビニルポリジメチルシロキサンなどのシロキサンなどから選択される。溶媒は、粒子含有硬化性樹脂組成物が後述する粘度となるような配合割合で、粒子含有硬化性樹脂組成物に配合される。
【０１２１】
粒子含有硬化性樹脂組成物を調製するには、具体的には、図１に示すように、ワニス製造装置３３において、容器５２内に上記した各成分を、第２ＣＰＵ２５によって管理された、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、例えば、第２ＣＰＵ２５によって管理され、封止シート１２の層構造に対応するワニス１１の種類、より具体的には、第２ＣＰＵ２５によって管理された、粒子の種類、粒子の配合割合、粒子の最大長さの平均値（粒子が球形状である場合には、平均粒子径）、硬化性樹脂の種類、硬化性樹脂の粘度、硬化性樹脂の配合割合、粒子が蛍光体を含む場合には、蛍光体の吸収ピーク波長、ワニス１１の粘度などに基づいて、配合する。続いて、攪拌機５１を用いてそれらを混合する。
【０１２２】
これによって、ワニス１１を調製する。
【０１２３】
なお、硬化性樹脂が２段階硬化型樹脂である場合には、ワニス１１をＡステージの粒子含有硬化性樹脂組成物として調製する。
【０１２４】
ワニス１１の２５℃、１気圧の条件下における粘度は、例えば、１，０００ｍＰａ・ｓ以上、好ましくは、４，０００ｍＰａ・ｓ以上であり、また、例えば、１，０００，０００ｍＰａ・ｓ以下、好ましくは、１００，０００ｍＰａ・ｓ以下の範囲内となるように、調整される。
【０１２５】
４．シート製造工程Ｓ２
シート化装置３１では、ワニス製造工程Ｓ１の後に、シート製造工程Ｓ２を、第２ＣＰＵ２５によって管理される製造条件に従って、実施する。
【０１２６】
すなわち、ワニス１１から封止シート１２を形成する。
【０１２７】
封止シート１２を形成するには、例えば、まず、ワニス１１を、離型シート２８の表面に塗布する。
【０１２８】
離型シート２８としては、例えば、ポリエチレンフィルム、ポリエステルフィルム（ＰＥＴなど）などのポリマーフィルム、例えば、セラミクスシート、例えば、金属箔などから選択される。好ましくは、ポリマーフィルムから選択される。また、離型シート２８の表面には、フッ素処理などの剥離処理を施すこともできる。また、離型シート２８の形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状（短冊状、長尺状を含む）などから選択される。さらに、離型シート２８としては、位置決めマーク（図示せず）の形成の有無、さらには、位置決めマークの位置情報、寸法などが選択される。マークは、ワニス１１が塗布される領域が確保されるように、形成される。
【０１２９】
ワニス１１を離型シート２８の表面に塗布するには、例えば、ディスペンサ、アプリケータ、スリットダイコータなどの塗布装置５３から選択される。好ましくは、ディスペンサから選択される。
【０１３０】
封止シート１２の厚みが、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、２０００μｍ以下、好ましくは、１０００μｍ以下となるように、ワニス１１の塗布条件から選択される。
【０１３１】
つまり、ワニス１１を、第２ＣＰＵ２５によって管理される製造条件、具体的には、第２ＣＰＵ２５によって管理される、塗布直後のワニス１１の形状、塗布直後のワニス１１の厚みに調節されるように、塗布装置５３の塗布条件から選択される。
【０１３２】
なお、離型シート２８に位置決めマーク（図示せず）が形成されている場合には、塗布装置５３に装備されるセンサ（図示せず）によって、位置決めマークに対する塗布位置を確認しながら、位置決めマークに対するワニス１１の相対位置が調節される。
【０１３３】
その後、ワニス１１が２段階硬化型樹脂を含有する場合には、ワニス１１をＢステージ化する。具体的には、２段階硬化型樹脂として熱硬化型から選択されれば、ワニス１１をオーブン５５内に投入して、ワニス１１を加熱する。
【０１３４】
加熱条件は、加熱温度が、例えば、４０℃以上、好ましくは、８０℃以上、より好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１５０℃以下、より好ましくは、１４０℃以下の範囲から選択される。加熱時間は、例えば、１分間以上、好ましくは、５分間以上、より好ましくは、１０分間以上であり、また、例えば、２４時間以下、好ましくは、１時間以下、より好ましくは、０．５時間以下の範囲から選択される。
【０１３５】
一方、２段階硬化型樹脂として活性エネルギー硬化型から選択されれば、ワニス１１に、紫外線ランプ（図示せず）を用いて紫外線を照射する。
【０１３６】
これによって、離型シート２８の表面に積層される封止シート１２を製造する。
【０１３７】
封止シート１２の２５℃における圧縮弾性率は、例えば、０．０４０ＭＰａ以上、好ましくは、０．０５０ＭＰａ以上、より好ましくは、０．０７５ＭＰａ以上、さらに好ましくは、０．１００ＭＰａ以上であり、また、例えば、０．１４５ＭＰａ以下、好ましくは、０．１４０ＭＰａ以下、より好ましくは、０．１３５ＭＰａ以下、さらに好ましくは、０．１２５ＭＰａ以下の範囲となるように、調節される。
【０１３８】
５．封止工程Ｓ３
封止装置３２のプレス装置３５において、シート製造工程Ｓ２の後に、封止工程Ｓ３を、封止制御装置３６によって制御される条件に従って、実施する。
【０１３９】
具体的には、封止工程Ｓ３では、まず、光半導体素子１３が実装された基板１４を用意する。
【０１４０】
基板１４は、例えば、シリコン基板、セラミック基板、ポリイミド樹脂基板、金属基板に絶縁層が積層された積層基板などの絶縁基板から選択される。
【０１４１】
また、基板１４の表面には、次に説明する光半導体素子１３の端子（図示せず）と電気的に接続するための電極（図示せず）と、それに連続する配線とを備える導体パターン（図示せず）が形成されている。導体パターンは、例えば、金、銅、銀、ニッケルなどの導体から選択される。
【０１４２】
また、基板１４の表面は、平坦状に形成されている。あるいは、図示しないが、基板１４における光半導体素子１３が実装される表面に、下方に向かって凹む凹部が形成されていてもよい。
【０１４３】
基板１４の外形形状は、特に限定されず、例えば、平面視略矩形状、平面視略円形状などから選択される。基板５の寸法は適宜選択され、例えば、最大長さが、例えば、２ｍｍ以上、好ましくは、１０ｍｍ以上であり、また、例えば、３００ｍｍ以下、好ましくは、１００ｍｍ以下の範囲から選択される。
【０１４４】
光半導体素子１３は、電気エネルギーを光エネルギーに変換するＬＥＤ（発光ダイオード素子）やＬＤ（レーザーダイオード）などであり、例えば、厚みが面方向長さ（厚み方向に対する直交方向長さ）より短い断面視略矩形状から選択される。光半導体素子１３として、好ましくは、青色光を発光する青色ＬＥＤから選択される。光半導体素子１３の寸法は、用途および目的に応じて適宜選択され、具体的には、厚みが、例えば、１０μｍ以上、１０００μｍ以下であり、最大長さが、例えば、０．０５ｍｍ以上、好ましくは、０．１ｍｍ以上であり、また、例えば、５ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下の範囲から選択される。
【０１４５】
光半導体素子１３の発光ピーク波長は、例えば、４００ｎｍ以上、好ましくは、４３０ｎｍ以上であり、また、例えば、５００ｎｍ以下、好ましくは、４７０ｎｍ以下の範囲から選択される。
【０１４６】
光半導体素子１３は、基板１４に対して、例えば、フリップチップ実装され、あるいは、ワイヤボンディング接続されている。
【０１４７】
また、光半導体素子１３を、１つの基板１４に対して、複数（図１では３つ）実装することができる。１つの基板１４当たりの光半導体素子１３の実装数は、例えば、１以上、好ましくは、４以上であり、また、例えば、２０００以下、好ましくは、４００以下の範囲から選択される。
【０１４８】
次いで、この方法では、光半導体素子１３が実装された基板１４を、プレス装置３５に設置する。
【０１４９】
光半導体素子１３が実装された基板１４を、プレス装置３５に設置するには、具体的には、光半導体素子１３が実装された基板１４を、下側の平板４１に設置する。
【０１５０】
続いて、離型シート２８の上面に積層される封止シート１２を、上下反転させて、光半導体素子１３の上側に対向配置させる。つまり、封止シート１２を、光半導体素子１３に向かうように、配置する。
【０１５１】
次いで、封止シート１２によって光半導体素子１３を被覆する。封止シート１２によって光半導体素子１３を埋設する。
【０１５２】
具体的には、封止制御装置３６によって制御されたプレス条件に基づいて、封止シート１２によって光半導体素子１３を被覆する。
【０１５３】
具体的には、図１の矢印で示すように、封止シート１２を降下させる（押し下げる）。詳しくは、封止シート１２を光半導体素子１３が実装される基板１４に対してプレスする。
【０１５４】
これによって、封止シート１２によって光半導体素子１３を被覆する。
【０１５５】
つまり、封止シート１２によって光半導体素子１３を埋設しつつ、封止シート１２が蛍光体層２６を備える場合には、蛍光体層２６によって、光半導体素子１３を被覆する。
【０１５６】
詳しくは、図２Ａ〜図２Ｇに示すように、封止シート１２の蛍光体層２６の層構造として接触構造から選択される場合には、蛍光体層２６が光半導体素子１３（図２の仮想線）の表面に直接接触して、蛍光体層２６によって光半導体素子１３を被覆する。つまり、蛍光体層２６が光半導体素子１３を封止する。換言すれば、蛍光体層２６が、封止層を兼用する。
【０１５７】
一方、図３Ｆおよび図３Ｇに示すように、封止シート１２の蛍光体層２６の層構造として離間構造から選択される場合には、蛍光体層２６が光半導体素子１３（図３の仮想線）と樹脂層２７を隔てて配置されながら、光半導体素子１３の上側を被覆する。他方、樹脂層２７が、光半導体素子１３（図２の仮想線）の表面に直接接触して光半導体素子１３を被覆する。つまり、樹脂層２７が光半導体素子１３を封止して、封止層となる。
【０１５８】
その後、封止シート１２が、Ｂステージであれば、封止シート１２をＣステージ化する。
【０１５９】
例えば、封止制御装置３６によって制御された、Ｃステージ化における封止シート１２の加熱条件、活性エネルギー線の照射条件に基づいて、封止シート１２をＣステージ化する。
【０１６０】
具体的には、２段階硬化型樹脂として熱硬化型から選択される場合には、Ｂステージの封止シート１２を加熱する。
【０１６１】
詳しくは、具体的には、平板４１による封止シート１２に対するプレス状態を維持しながら、オーブン内に投入する。これによって、Ｂステージの封止シート１２を加熱する。
【０１６２】
加熱温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１８０℃以下の範囲から選択される。また、加熱時間は、例えば、１０分間以上、好ましくは、３０分間以上であり、また、例えば、１０時間以下、好ましくは、５時間以下の範囲から選択される。
【０１６３】
封止シート１２の加熱によって、Ｂステージの封止シート１２がＣステージ化（完全硬化）する。
【０１６４】
一方、２段階硬化型樹脂として活性エネルギー線硬化性から選択される場合には、封止シート１２に活性エネルギー線を照射することによって、Ｂステージの封止シート１２をＣステージ化（完全硬化）させる。具体的には、紫外線ランプなどを用いてＢステージの封止シート１２に紫外線を照射する。
【０１６５】
これによって、封止シート１２と、封止シート１２によって封止される光半導体素子１３と、光半導体素子１３が実装された基板１４とを備える光半導体装置２０が製造される。
【０１６６】
図１では、１つの光半導体装置２０において、複数（３つ）の光半導体素子１３が設けられている。
【０１６７】
その後、離型シート２８を、矢印で示すように、封止シート１２から引き剥がす。
【０１６８】
なお、その後、必要により、複数の光半導体素子１３が１つの基板１４に実装される場合には、各光半導体素子１３に対応して、封止シート１２を切断して個片化することもできる。
【０１６９】
６．製造条件の蓄積、ロット変更および単位期間当たりの製造量
今回以前の封止シート１２の製造において、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件は、第５メモリ１０の記録領域（図示せず）に記録され蓄積される。
【０１７０】
つまり、第５メモリ１０は、第３情報１７を第３メモリ２３に入力するとともに、第３情報１７を過去の情報である第５情報１９として、第５メモリ１０の記録領域にそのまま蓄積する。
【０１７１】
そして、今回の封止シート１２の製造によって、第１ＣＰＵ８は、第５メモリ１０に蓄積される、封止シート１２を今回以前に製造した、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件を読み出し、これに基づいて、今回のワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、今回のシート製造工程Ｓ２の製造条件を決定する。
【０１７２】
また、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも１種のロット情報、および／または、単位期間当たりの光半導体装置２０の製造量は、変動する。その変動に対応して、それらの第４情報１８が、第１情報源２１および第２情報源２２から第４メモリ２４に入力され、続いて、第２ＣＰＵ２５が、第４メモリ２４に格納される第４情報１８を読み出して、所定のプログラム処理に従い、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および／または、シート製造工程Ｓ２の製造条件を修正する。
【０１７３】
［作用効果］
そして、このシステム１では、製造条件決定装置２が、第１メモリ６と、第２メモリ７と、第１ＣＰＵ８とを備える一方、シート製造管理装置３が、第３メモリ２３と、第２ＣＰＵ２５とを備える。
【０１７４】
そして、製造条件決定装置２が、第１情報１５および第２情報１６のそれぞれを、第１メモリ６および第２メモリ７のそれぞれに格納しており、第１ＣＰＵ８によって、シート製造工程Ｓ２の製造条件を決定し、これを、シート製造管理装置３に提供することができる。
【０１７５】
そして、シート製造管理装置３では、製造条件決定装置２から提供された製造条件に関連する第３情報１７を、第３メモリ２３に格納して、かかる第３情報１７に基づいて、第２ＣＰＵ２５によって、シート製造工程Ｓ２の製造条件を管理する。
【０１７６】
そのため、シート製造工程Ｓ２の製造条件を、シート製造管理装置３とは、別途、製造条件決定装置２において決定することができるとともに、シート製造管理装置３が、管理することができる。
【０１７７】
また、製造条件決定装置２から提供されるシート製造工程Ｓ２の製造条件に関連する第３情報１７は、第１情報１５および第２情報１６に基づいている。そのため、シート製造管理装置３は、製造条件決定装置２から提供される第３情報１７に基づいて、第２ＣＰＵ２５によって、シート製造工程Ｓ２の製造条件を精度よく管理することができる。その結果、目的とする光半導体装置２０を精度よく製造することができる。
【０１７８】
また、このシステム１では、第１ＣＰＵ８が、第１メモリ６に格納される第１情報１５、および、第２メモリ７に格納される第２情報１６に基づいて、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件をさらに決定し、第２ＣＰＵ２５が、第３メモリ２３に格納される第３情報１７に基づいて、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件をさらに管理する。そのため、目的とする光半導体装置２０に適合する封止シート１２を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置２０を高い精度で製造することができる。
【０１７９】
さらに、このシステム１によれば、第１情報１５は、光半導体素子１３が実装される基板１４に関連する情報を含むので、製造条件決定装置２が、光半導体素子１３が実装される基板１４に関連する情報も、光半導体素子１３に関連する情報、および、光半導体装置２０に関連する情報と併せて備えることができる。
【０１８０】
そのため、第１情報１５に基づいて決定されたシート製造工程Ｓ２の製造条件に関連する精度の高い第３情報１７に基づいて、シート製造管理装置３は、シート製造工程Ｓ２の製造条件をより一層精度よく管理することができる。
【０１８１】
また、このシステム１では、シート製造管理装置３において、第２ＣＰＵ２５によって、第４メモリ２４に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子１３の少なくとも１種のロット情報、および／または、単位期間当たりの光半導体装置２０の製造量を含む第４情報１８に基づいて、シート製造工程Ｓ２の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および／または光半導体装置２０の製造量の変動に容易に対応して、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置２０を精度よく製造することができる。
【０１８２】
さらに、このシステム１によれば、製造条件決定装置２の第５メモリ１０が、封止シート１２を今回以前に製造した製造条件に関連する第５情報１９を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置２０に適合する封止シート１２を今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置２０を精度よく今回製造することができる。
【０１８３】
この製造条件決定装置２は、第１メモリ６と、第２メモリ７と、第１ＣＰＵ８とを備える。
【０１８４】
そのため、この製造条件決定装置２によれば、第１情報１５および第２情報１６のそれぞれを、第１メモリ６および第２メモリ７のそれぞれに格納して、第１ＣＰＵ８によって、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件を決定することができる。
【０１８５】
その結果、かかるワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件に基づけば、目的とする光半導体装置２０を精度よく製造することができる。
【０１８６】
また、この製造条件決定装置２では、第２ＣＰＵ２５が、第１メモリ６に格納される第１情報１５、および、第２メモリ７に格納される第２情報１６に基づいて、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件をさらに決定する。そのため、目的とする光半導体装置２０に適合する封止シート１２を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置２０を高い精度で製造することができる。
【０１８７】
また、この製造条件決定装置２によれば、第１情報１５は、光半導体素子１３が実装される基板１４に関連する情報を含むので、製造条件決定装置２が、光半導体素子１３が実装される基板１４に関連する情報も、光半導体素子１３に関連する情報、および、光半導体装置２０に関連する情報と併せて備えることができる。
【０１８８】
そのため、目的とする光半導体装置２０を高い精度で製造することができる。
【０１８９】
この製造条件決定装置２によれば、封止シート１２を今回以前に製造した製造条件に関連する第５情報１９を蓄積することができる。そのため、過去に蓄積した製造条件に基づいて、目的とする光半導体装置２０に適合する封止シート１２を今回製造でき、さらには、目的とする光半導体装置２０を精度よく今回製造することができる。
【０１９０】
このシート製造管理装置３によれば、ワニス製造工程Ｓ１に関連する製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件に関連する製造条件を含む第３情報１７を、第３メモリ２３に格納して、かかる第３情報１７に基づいて、第２ＣＰＵ２５によって、ワニス製造工程Ｓ１に関連する製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件を精度よく管理することができる。
【０１９１】
そのため、目的とする光半導体装置２０を精度よく製造することができる。
【０１９２】
また、このシート製造管理装置３によれば、第２ＣＰＵ２５が、第３メモリ２３に格納される第３情報１７に基づいて、ワニス製造工程Ｓ１に関連する製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件をさらに管理するので、目的とする光半導体装置２０に適合する封止シート１２を高い精度で製造でき、さらには、目的とする光半導体装置２０を高い精度で製造することができる。
【０１９３】
また、このシート製造管理装置３では、第２ＣＰＵ２５によって、第４メモリ２４に格納される、粒子、硬化性樹脂、ワニスおよび光半導体素子の少なくとも１種のロット情報、および／または、単位期間当たりの光半導体装置２０の製造量を含む第４情報１８に基づいて、ワニス製造工程Ｓ１に関連する製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件を修正できる。そのため、ロット情報および／または光半導体装置２０の製造量の変動に容易に対応して、ワニス製造工程Ｓ１に関連する製造条件、および、シート製造工程Ｓ２の製造条件を修正して、目的とする光半導体装置２０を精度よく製造することができる。
【０１９４】
［変形例］
図４以降の説明において、図１と同様の部材については、同一の参照符号を付し、その詳細な説明を省略する。
【０１９５】
図１の実施形態では、製造条件決定装置２とシート製造管理装置３とが１対１の関係、つまり、１つの製造条件決定装置２に対して、１つのシート製造管理装置３を設けている。しかし、製造条件決定装置２およびシート製造管理装置３の対応関係は、これに限定されず、例えば、図４に示すように、１つの製造条件決定装置２に対して、複数のシート製造管理装置３を設けることもできる。
【０１９６】
具体的には、互いに独立して設けられる複数の光半導体装置製造工場４のそれぞれに、シート製造管理装置３が設置されている。製造条件決定装置２および複数のシート製造管理装置３は、複数のシート製造管理装置３のそれぞれが有する第１情報源２１から複数の第１情報１５を第１メモリ６に入力可能となり、かつ、第１ＣＰＵ８によって決定された第３情報１７を第５メモリ１０から複数の第３メモリ２３に入力可能となるように、構成されている。
【０１９７】
図４の実施形態では、１つの製造条件決定装置２が、一のシート製造管理装置３Ａ（３)に、第３情報１７を提供し、かつ、一のシート製造管理装置３Ａ（３)の第１情報源２１から第１情報１５を取得して第１メモリ６に格納し、この第１情報１５を第５メモリ１０で蓄積して、そして、他のシート製造管理装置３Ｂ（あるいは、他の複数のシート製造管理装置３Ｂおよび３Ｃ）（３）に提供することもできる。
【０１９８】
つまり、１つの製造条件決定装置２が、複数のシート製造管理装置３から提供される複数の第１情報１５（第１メモリ６に格納されるべき第１情報１５、具体的には、光半導体素子１３に関連する情報、基板１４に関連する情報、光半導体装置２０に関連する情報）を一元化することができる。すなわち、１つの製造条件決定装置２が、複数のシート製造管理装置３の第１情報１５を集約して、複数のシート製造管理装置３に、それらに対応する第３情報１７を提供できる集約型の製造条件決定装置２として機能することができる。
【０１９９】
そのため、１つの製造条件決定装置２でありながら、各シート製造管理装置３に、精度の高い第３情報１７を提供することができる。
【０２００】
また、図１の実施形態では、システム１がワニス製造工程Ｓ１の製造工程を決定および管理している。つまり、シート製造管理装置３によって、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件を管理している。しかし、システム１がワニス製造工程Ｓ１の製造工程を決定および管理しないように、システム１を構成することもできる。具体的には、ワニス製造工程Ｓ１の製造条件を管理することなく、シート製造工程Ｓ２の製造条件のみを管理することもできる。
【０２０１】
この実施形態によれば、第２ＣＰＵ２５がワニス製造工程Ｓ１の製造条件を管理する必要がないので、第２ＣＰＵ２５の構成を簡易にすることができる。
【０２０２】
また、図１の実施形態では、本発明の製造管理装置として、シート製造管理装置３に、シート製造工程Ｓ２の製造条件を管理させ、封止制御装置３６が、封止工程Ｓ３の封止条件を管理させているが、例えば、シート製造管理装置３が封止制御装置３６を兼用して、１つの製造管理装置を構成して、シート製造工程Ｓ２の製造条件と、封止工程Ｓ３の封止条件との両方を管理させることもできる。
【０２０３】
また、図２および図３の実施形態では、本発明の被覆シートを、光半導体素子１３を封止する封止シート１２として説明しているが、これに限定されず、例えば、図５に示すように、光半導体素子１３を予め封止する樹脂層（封止層）２７（図５Ａ参照）に積層される被覆シート６０（図５Ａの矢印および図５Ｂ参照）として選択することもできる。
【０２０４】
図５Ａにおいて、被覆シート６０は、図１の封止シート１２と同一の材料から選択される。
【０２０５】
図５Ｂにおいて、被覆シート６０は、光半導体素子１３の上側を被覆しており、具体的には、樹脂層２７を介して光半導体素子１３の上側に間隔を隔てて配置されている。
【０２０６】
さらに、図２および図３の実施形態では、封止シート１２を、蛍光体シート（蛍光体含有封止シート）として選択しているが、例えば、図示しないが、蛍光体を含有せず、封止層（樹脂層）を含有する封止シート１２として選択することもできる。
【０２０７】
また、図１の説明では、第１情報１５は、光半導体素子１３が実装される基板１４に関連する情報を含んでいるが、これを含まず、第１情報１５を構成することもできる。
【符号の説明】
【０２０８】
１     システム
２     製造条件決定装置
３     シート製造管理装置
６     第１メモリ
８     第１ＣＰＵ
１１   ワニス
１２   封止シート
１３   光半導体素子
１４   基板
１５   第１情報
１６   第２情報
１７   第３情報
２０   光半導体装置
２３   第３メモリ
２４   第４メモリ
６０   被覆シート
Ｓ１   ワニス製造工程
Ｓ２   シート製造工程
Ｓ３   封止工程
【図１】
2014192503.tif 000003
【図２】
2014192503.tif 000004
【図３】
2014192503.tif 000005
【図４】
2014192503.tif 000006
【図５】
2014192503.tif 000007