(57)【要約】【課題】リーク電流の発生をより確実に防止することができる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供する。【解決手段】複数の第１電極と、電極間領域に設けられたキャリア捕獲部と、前記第１電極およびキャリア捕獲部を覆うと共にキャリア通過機能を有する機能層とを備えた表示装置。【選択図】図１
2014049405.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１電極と、
電極間領域に設けられたキャリア捕獲部と、
前記第１電極およびキャリア捕獲部を覆うと共にキャリア通過機能を有する機能層と
を備えた表示装置。
【請求項２】
前記機能層は前記キャリア捕獲部に接している
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記機能層としての正孔注入層と、
前記正孔注入層を間にして前記第１電極と対をなす第２電極と、
前記第２電極と前記正孔注入層との間の発光層とを含み、
前記正孔注入層を介して移動する正孔を前記キャリア捕獲部で捕獲する
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記キャリア捕獲部は、前記電極間領域に設けられた絶縁膜の少なくとも一部である
請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
前記絶縁膜全体により前記キャリア捕獲部を構成する
請求項４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記絶縁膜の一部に前記キャリア捕獲部を含む
請求項４に記載の表示装置。
【請求項７】
前記電極間領域に設けられた絶縁膜の表面に前記キャリア捕獲部を有する
請求項３に記載の表示装置。
【請求項８】
前記電極間領域にも前記第２電極および発光層を有する
請求項３に記載の表示装置。
【請求項９】
前記正孔注入層はエネルギー線が照射された被照射部を電極間領域に有する
請求項３に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記キャリア捕獲部はシリコン（Ｓｉ）を含む化合物からなる
請求項１に記載の表示装置。
【請求項１１】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
複数の第１電極と、
電極間領域に設けられたキャリア捕獲部と、
前記第１電極およびキャリア捕獲部を覆うと共にキャリア通過機能を有する機能層とを含む
電子機器。
【請求項１２】
複数の第１電極を形成する工程と、
電極間領域にキャリア捕獲部を形成する工程と、
キャリア通過機能を有する機能層を、前記第１電極および前記キャリア捕獲部を覆うように形成する工程と
を含む表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記機能層として正孔注入層を形成した後、
前記正孔注入層を覆う発光層と前記発光層および正孔注入層を間にして前記第１電極と対をなす第２電極とを形成する工程を含み、
前記正孔注入層を介して移動する正孔を前記キャリア捕獲部で捕獲する
請求項１２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１４】
前記電極間領域に絶縁膜を形成する
請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１５】
前記絶縁膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成して前記キャリア捕獲部を構成する
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁膜に表面処理を施すことにより前記キャリア捕獲部を形成する
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１７】
前記表面処理としてエネルギー線を用いる
請求項１６に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１８】
前記エネルギー線を前記第１電極の表面に対して９０度未満の角度で照射する
請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１９】
前記正孔注入層を形成した後、前記エネルギー線を照射し、
前記正孔注入層から前記第２電極までを不活性ガス雰囲気下または真空中で連続して形成する
請求項１７に記載の表示装置の製造方法。
【請求項２０】
前記絶縁膜の表面に前記キャリア捕獲部を形成する
請求項１４に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、正孔などのキャリアが通過する層（例えば正孔注入層）を有する表示装置およびその製造方法、並びに電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、フラットパネルディスプレイの一つとして、有機ＥＬ（Electroluminescence）素子を用いたディスプレイが注目されている。このディスプレイは、自発光型であるので視野角が広く、消費電力が低いという特性を有している。また、有機ＥＬ素子は高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有している。
【０００３】
有機ＥＬ素子は、例えば第１電極，正孔注入層と発光層とを含む有機層および第２電極を順に有しており、例えばこのような有機ＥＬ素子とトランジスタとにより表示装置が構成される。隣り合う第１電極の間の領域（電極間領域）には絶縁膜（隔壁）が設けられる。有機層の形成方法としては主に２つの方法があり、例えば薄膜金属からなるマスクを用いて真空蒸着により赤，緑および青の各色の発光層を素子毎に別々に形成する方法と、マスクを用いず、素子に共通の赤，緑および青の各色の発光層を積層して形成する方法とがある。この他、インクジェット法やレーザ転写法等により、赤，緑および青の各色の発光層を素子毎に形成することも可能であるが、高解像度や開口率の向上のためには、素子に共通して有機層を形成する方法が有利となる。
【０００４】
しかしこの方法では、隣接する素子間で有機層（特に、正孔注入層や正孔輸送層）を介した駆動電流のリークが発生し易くなる。通常の有機ＥＬ素子はトランジスタで制御された電流量に応じて発光するが、リーク電流によりこれ以外の素子が発光してしまい、混色等の表示画質の低下を引き起こすおそれがある。
【０００５】
これに対し、特許文献１では電極間領域の絶縁膜を逆テーパ形状にして、素子間で正孔注入層を薄膜化、あるいは断線する方法が提案されている。一方、特許文献２には正孔注入層に局所的に紫外線を照射して、素子間の正孔注入層を一部変質させる方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−４３４７号公報
【特許文献２】特開２００８−１１２７４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１，２のいずれの方法でも素子間で正孔注入層の高抵抗化を十分に行うことができなかったため、より確実にリーク電流を防ぐ方法の開発が望まれていた。
【０００８】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、リーク電流の発生をより確実に防止することができる表示装置およびその製造方法、並びに電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本技術による表示装置は、複数の第１電極と、電極間領域に設けられたキャリア捕獲部と、第１電極およびキャリア捕獲部を覆うと共にキャリア通過機能を有する機能層とを備えたものである。
【００１０】
本技術による表示装置の製造方法は、上記表示装置を製造するための方法であり、複数の第１電極を形成する工程と、電極間領域にキャリア捕獲部を形成する工程と、キャリア通過機能を有する機能層を、第１電極およびキャリア捕獲部を覆うように形成する工程とを含むものである。
【００１１】
本技術の表示装置は、各素子において第１電極および機能層の積層方向で一方のキャリアと他方のキャリアとが再結合して発光するものである。この表示装置では、電極間領域に設けられたキャリア捕獲部により、機能層を介して素子間を移動するキャリアが捕らえられる。例えば、正孔注入層を介して素子間を移動する正孔がキャリア捕獲部に取り込まれ、消滅する。
【００１２】
本技術による電子機器は、上記表示装置を備えたものである。
【発明の効果】
【００１３】
本技術の表示装置およびその製造方法、並びに電子機器によれば、電極間領域にキャリア捕獲部を設けるようにしたので、機能層を介した素子間のキャリアの移動を抑えることができる。よって、リーク電流の発生をより確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本技術の第１の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２】図１に示した表示装置の全体構成を表す図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図４Ａ】図１に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図４Ｂ】図４Ａに続く工程を表す断面図である。
【図４Ｃ】図４Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図５Ａ】図４Ｃに続く工程を表す断面図である。
【図５Ｂ】図５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図６】比較例１に係る表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図７】変形例１に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図８Ａ】図７に示した表示装置の製造工程の一例を表す断面図である。
【図８Ｂ】図８Ａに続く工程を表す断面図である。
【図８Ｃ】図８Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図９】比較例２に係る表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図１０Ａ】図７に示した表示装置の製造工程の他の例を表す断面図である。
【図１０Ｂ】図１０Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１０Ｃ】図１０Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１１】変形例２に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１２Ａ】図１１に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図１２Ｂ】図１２Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１２Ｃ】図１２Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１３】本技術の第２の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１４】図１３に示した表示装置の他の例を表す断面図である。
【図１５Ａ】図１３に示した表示装置の製造工程の一例を表す断面図である。
【図１５Ｂ】図１５Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１５Ｃ】図１５Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１６Ａ】図１３に示した表示装置の製造工程の他の例を表す断面図である。
【図１６Ｂ】図１６Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１６Ｃ】図１６Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１７】本技術の第３の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図１８Ａ】図１７に示した表示装置の製造工程を表す断面図である。
【図１８Ｂ】図１８Ａに続く工程を表す断面図である。
【図１８Ｃ】図１８Ｂに続く工程を表す断面図である。
【図１９Ａ】図１８Ｃに示した表示装置の製造工程の一例を表す断面図である。
【図１９Ｂ】図１９Ａに続く工程を表す断面図である。
【図２０】本技術の第４の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２１】本技術の第５の実施の形態に係る表示装置の構成を表す断面図である。
【図２２】図１等に示した表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図２３】適用例１の外観を表す斜視図である。
【図２４Ａ】適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図２４Ｂ】適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図２５】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図２６】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図２７Ａ】適用例５の閉じた状態を表す図である。
【図２７Ｂ】適用例５の開いた状態を表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（電極間領域の絶縁膜全体で正孔捕獲部が構成された例：素子に共通の有機層を有する表示装置）
２．変形例１（絶縁膜の一部（上面側）で正孔捕獲部が構成された例）
３．変形例２（絶縁膜の一部（側面側）で正孔捕獲部が構成された例）
４．第２の実施の形態（絶縁膜の表面に膜状の正孔捕獲部を有する例）
５．第３の実施の形態（正孔注入層の一部に被照射部を有する例）
６．第４の実施の携帯（正孔注入層の一部に被照射部を有し、かつ、絶縁膜の一部で正孔捕獲部が構成された例）
７．第５の実施の形態（素子毎に有機層を有する表示装置）
【００１６】
＜第１の実施の形態＞
［表示装置の全体構成］
図１は、本技術の第１の実施の形態に係る表示装置（表示装置１）の要部断面構成を表したものである。この表示装置１は、複数の有機ＥＬ素子１０を備えた自発光型の表示装置であり、支持基板１１の上に、画素駆動回路形成層Ｌ１、有機ＥＬ素子１０を含む発光素子形成層Ｌ２および対向基板２１をこの順に有している。表示装置１は対向基板２１側に光取り出し方向を有する、所謂トップエミッション型の表示装置であり、画素駆動回路形成層Ｌ１には、例えば映像表示用の信号線駆動回路や走査線駆動回路（図示せず）が含まれている。各構成要素の詳細については後述する。
【００１７】
図２は、表示装置１の全体構成を表すものである。表示装置１は、支持基板１１の上に表示領域１１０を有し、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。支持基板１１上の表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が設けられている。
【００１８】
表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）と、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、それぞれ、赤色、緑色、青色を発光する有機ＥＬ素子１０を意味する。画素駆動回路１５０において、列方向（Ｙ方向）には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）、行方向（Ｘ方向）には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）がそれぞれ配置されている。信号線１２０Ａと走査線１３０Ａとの交差点毎に、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つが設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に、各電源供給線１４０Ａは電源供給線駆動回路１４０にそれぞれ接続されている。
【００１９】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。
【００２０】
走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。
【００２１】
電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、信号線駆動回路１２０による列単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し、互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
【００２２】
画素駆動回路１５０は、支持基板１１と有機ＥＬ素子１０との間の階層、すなわち画素駆動回路形成層Ｌ１（後述のＴＦＴ層１２）に設けられている。図３に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。画素駆動回路１５０は、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機ＥＬ素子１０とを有するアクティブ型の駆動回路である。有機ＥＬ素子１０は、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、例えば逆スタガ構造（いわゆるボトムゲート型）あるいはスタガ構造（トップゲート型）のどちらであってもよい。
【００２３】
書込トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書込トランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。
【００２４】
駆動トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機ＥＬ素子１０と接続されている。
【００２５】
保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極（書込トランジスタＴｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＴｒ１のドレイン電極との間に形成されるものである。
【００２６】
[表示装置の要部構成]
次に、再び図１を参照して、支持基板１１、画素駆動回路形成層Ｌ１、発光素子形成層Ｌ２および対向基板２１などの詳細な構成について説明する。有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは互いに共通の構成であるので、以下では、まとめて説明する。
【００２７】
支持基板１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハ、樹脂あるいは導電性基板などにより構成されている。トップエミッション型では対向基板２１から光が取り出されるため、支持基板１１は、透過性材料または非透過性材料のいずれにより形成されていてもよい。導電性基板を使用する場合は、表面を酸化シリコン（ＳｉＯ2）や樹脂で絶縁化しておく。
【００２８】
画素駆動回路形成層Ｌ１は、ＴＦＴ層１２と平坦化層１３との積層構造を有している。画素駆動回路形成層Ｌ１には、画素駆動回路１５０を構成する駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２が形成されており、さらに、信号線１２０Ａ、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａ（図示せず）も埋設されている。
【００２９】
ＴＦＴ層１２のＴＦＴ（駆動トランジスタＴｒ１，書込トランジスタＴｒ２）の構成は特に限定されず、例えば半導体層にはａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン），酸化物半導体あるいは有機半導体等のいずれを用いるようにしてもよい。また、駆動トランジスタＴｒ１，書込トランジスタＴｒ２がＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）により構成されていてもよい。
【００３０】
平坦化層１３は、画素駆動回路１５０が形成された支持基板１１の表面を平坦化するためのものであり、微細な接続孔１３Ｈが設けられるためパターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。ＴＦＴ層１２の駆動トランジスタＴｒ１は、平坦化層１３に設けられた接続孔１３Ｈを介して有機ＥＬ素子１０（後述の第１電極１４）に電気的に接続されている。接続孔１３Ｈには、導電性金属よりなるプラグが設けられている。平坦化層１３の構成材料としては、例えば、ポリイミド等の有機材料、あるいは酸化シリコン（ＳｉＯ2），窒化シリコン（ＳｉＮｘ）または酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）などの無機材料が挙げられる。
【００３１】
発光素子形成層Ｌ２には、有機ＥＬ素子１０および絶縁膜（隔壁）１９と、それらを覆う保護層１８とが設けられている。
【００３２】
有機ＥＬ素子１０は、支持基板１１の側から、アノード電極としての第１電極１４、正孔注入層１５と発光層１６とを含む有機層、およびカソード電極としての第２電極１７が各々順に積層されたものである。有機層は、有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）の発光色にかかわらず同一の構造を有しており、例えば、第１電極１４側から、正孔注入層１５（機能層），正孔輸送層（図示せず），発光層１６，電子輸送層（図示せず）および電子注入層（図示せず）がこの順に積層されている。電界をかけることにより、第１電極１４から正孔注入層１５および正孔輸送層を介して注入された正孔の一部と、第２電極１７から電子注入層および電子輸送層を介して注入された電子の一部とが発光層１６で再結合して、光が発生する。
【００３３】
第１電極１４は有機ＥＬ素子１０毎に設けられており、複数の第１電極１４が平坦化層１３上に互いに離間して配置されている。この第１電極１４は陽極としての機能および反射層としての機能を備えたものであり、反射率が高く、かつ、正孔注入性も高い材料により構成されていることが望ましい。このような第１電極１４としては、例えば、積層方向の厚み（以下、単に厚みと言う）が３０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、クロム（Ｃｒ），金（Ａｕ），白金（Ｐｔ），ニッケル（Ｎｉ），銅（Ｃｕ），モリブデン（Ｍｏ），タングステン（Ｗ），チタン（Ｔｉ），タンタル（Ｔａ），アルミニウム（Ａｌ）あるいは銀（Ａｇ）などの金属元素の単体または合金が挙げられる。これらを積層させて第１電極１４を構成するようにしてもよい。
【００３４】
本実施の形態では、隣り合う第１電極１４の間（電極間領域Ｈ）に正孔捕獲部１９Ｃが設けられている。これにより、正孔注入層１５を介した正孔の移動を抑えて、リーク電流の発生を防ぐことができる。ここでは、隔壁としての絶縁膜１９が正孔捕獲部１９Ｃを兼ねている。即ち、絶縁膜１９全体により正孔捕獲部１９Ｃが構成されている。
【００３５】
絶縁膜１９は、第１電極１４と第２電極１７との間の絶縁性および隣接する有機ＥＬ素子１０間の絶縁性を確保するためのものである。また、絶縁膜１９の開口により発光領域を正確に所望の形状に制御することができる。絶縁膜１９の断面（ＸＺ断面）形状は、順テーパ状であってもよく（図１）、矩形状等であってもよい（図示せず）。この絶縁膜１９は、正孔捕獲準位を有する材料、例えば不対電子やマイナスの電荷を有する材料からなる。例えば、１３０℃程度の低温でシリコン（Ｓｉ）を含む膜をプラズマCVD(Chemical Vapor Deposition)法により成膜すると、正孔捕獲準位を有する絶縁膜１９が形成される。シリコンを含む膜としては、例えば窒化シリコン（ＳｉＮX），酸化シリコン（ＳｉＯX），酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ），炭化ケイ素（ＳｉＣ）およびＳｉＯＣ等が挙げられる。絶縁膜１９の厚みは例えば１ｎｍ以上１００ｎｍ以下程度である。
【００３６】
有機層は全ての有機ＥＬ素子１０に共通しており、電極間領域Ｈにも設けられている。正孔注入層１５は、正孔（キャリア）を通過させて正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。この正孔通過機能を有する正孔注入層１５は第１電極１４から電極間領域Ｈの絶縁膜１９を覆い、絶縁膜１９に接している。このため、正孔注入層１５を介して有機ＥＬ素子１０間を移動する正孔は正孔捕獲部１９Ｃ（絶縁膜１９）に取り込まれて消滅する。正孔注入層１５は、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、化１または化２に示したヘキサアザトリフェニレン誘導体により構成されている。
【００３７】
【化１】
2014049405.tif 000003
（化１において、Ｒ１〜Ｒ６それぞれ独立に、水素、ハロゲン、ヒドロキシル基、アミノ基、アルールアミノ基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のカルボニルエステル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルキル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルケニル基、炭素数２０以下の置換あるいは無置換のアルコキシル基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換のアリール基、炭素数３０以下の置換あるいは無置換の複素環基、ニトリル基、シアノ基、ニトロ基、またはシリル基から選ばれる置換基であり、隣接するＲｍ（ｍ＝１〜６）は環状構造を通じて互いに結合してもよい。また、Ｘ１〜Ｘ６はそれぞれ独立に炭素もしくは窒素原子である。）
【００３８】
【化２】
2014049405.tif 000004
【００３９】
正孔輸送層は、発光層１６への正孔輸送効率を高めるためのものである。正孔輸送層は、例えば、厚みが４０ｎｍ程度であり、４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）またはα−ナフチルフェニルジアミン（αＮＰＤ）により構成されている。正孔輸送機能を有する材料を正孔注入層として選択してもよい。
【００４０】
発光層１６は白色発光用の発光層であり、例えば第１電極１４と第２電極１７との間に互いに積層して設けられた赤色発光層，緑色発光層および青色発光層（いずれも図示せず）を有している。赤色発光層，緑色発光層および青色発光層は、正孔と電子との再結合により、それぞれ赤色，緑色および青色の光を発生するものである。
【００４１】
赤色発光層は、例えば、赤色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。赤色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。赤色発光層は、例えば、厚みが５ｎｍ程度であり、４，４−ビス（２，２−ジフェニルビニン）ビフェニル（ＤＰＶＢｉ）に２，６−ビス［（４’−メトキシジフェニルアミノ）スチリル］−１，５−ジシアノナフタレン（ＢＳＮ）を３０重量％混合したものにより構成されている。
【００４２】
緑色発光層は、例えば、緑色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。緑色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。緑色発光層は、例えば、厚みが１０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉにクマリン６を５重量％混合したものにより構成されている。
【００４３】
青色発光層は、例えば、青色発光材料，正孔輸送性材料，電子輸送性材料および両電荷輸送性材料のうち少なくとも１種を含んでいる。青色発光材料は、蛍光性のものでも燐光性のものでもよい。青色発光層は、例えば、厚みが３０ｎｍ程度であり、ＤＰＶＢｉに４，４’−ビス［２−｛４−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）フェニル｝ビニル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）を２．５重量％混合したものにより構成されている。
【００４４】
電子輸送層は、発光層１６への電子輸送効率を高めるためのものであり、例えば厚みが２０ｎｍ程度の８−ヒドロキシキノリンアルミニウム（Ａｌｑ３）により構成されている。
電子注入層は、発光層１６への電子注入効率を高めるためのものであり、例えば厚みが０．３ｎｍ程度のＬｉＦあるいはＬｉ2Ｏ等により構成されている。
【００４５】
第２電極１７は、有機層を間にして第１電極１４と対をなし、第１電極１４と絶縁された状態で電子注入層の上に有機ＥＬ素子１０に共通して設けられている。この第２電極１７は例えば支持基板１１の全面に設けられ、電極間領域Ｈにも存在している。第２電極１７は、光透過性の透明材料からなり、例えば、アルミニウム（Ａｌ），マグネシウム（Ｍｇ），銀（Ａｇ），カルシウム（Ｃａ）またはナトリウム（Ｎａ）の合金により構成されている。中でも、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ−Ａｇ合金）は、薄膜での導電性と吸収の小ささとを兼ね備えているので好ましい。Ｍｇ−Ａｇ合金におけるマグネシウムと銀との比率は特に限定されないが、膜厚比でＭｇ：Ａｇ＝２０：１〜１：１の範囲であることが望ましい。また、第２電極１７の材料には、アルミニウム（Ａｌ）とリチウム（Ｌｉ）との合金（Ａｌ−Ｌｉ合金）を用いるようにしてもよく、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ），酸化亜鉛（ＺｎＯ），アルミナドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ），ガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ），インジウム亜鉛酸化物（ＩＺＯ），インジウムチタン酸化物（ＩＴｉＯ）またはインジウムタングステン酸化物（ＩＷＯ）等を用いてもよい。
【００４６】
保護膜１８は、例えば平坦化層１３と同様に、例えば、ポリイミドなどの絶縁性樹脂材料により形成されている。
【００４７】
対向基板２１は、熱硬化型樹脂などの接着層（図示せず）などと共に有機ＥＬ素子１０を封止するものであり、発光層１６において発生した光を透過する透明なガラスまたはプラスチック材料により構成されている。対向基板２１の一方の面には、カラーフィルタ（図示せず）が設けられている。このカラーフィルタは、赤色フィルタ，緑色フィルタおよび青色フィルタを有しており、有機ＥＬ素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに対応して順に配置されている。カラーフィルタは、対向基板２１のどちら側の面に設けられてもよいが、有機ＥＬ素子１０の側に設けられることが好ましい。カラーフィルタが表面に露出せず、保護層１８（または接着層）により保護することができるからである。また、発光層１６とカラーフィルタとの間の距離が狭くなることにより、発光層１６から出射した光が隣接する他の色のカラーフィルタに入射して混色を生じることを避けることができるからである。
【００４８】
このような表示装置１は、例えば次のようにして製造することができる（図４Ａ〜図５Ｂ）。
【００４９】
まず、上述した材料よりなる支持基板１１の上に駆動トランジスタＴｒ１を含む画素駆動回路１５０（ＴＦＴ層１２）を形成したのち、支持基板１１の全面に例えば感光性樹脂を塗布する。ＴＦＴ層１２として、例えば低温ポリシリコンプロセスを用いて半導体層を形成すると共にアルミニウム配線を形成する。次いで、塗布した感光性樹脂に露光および現像を行い、所定の形状にパターニングして平坦化層１３を形成する。平坦化層１３のパターニングと同時に接続孔１３Ｈおよびプラグを形成する。続いて、平坦化層１３上に例えばスパッタ法により金属膜１４Ｍを成膜する（図４Ａ）。次いで、この金属膜１４Ｍを例えばフォトリソグラフィ、エッチングおよび洗浄等の工程を経てパターニングすることにより複数の第１電極１４を形成する（図４Ｂ）。
【００５０】
そののち、図４Ｃに示したように、支持基板１１の全面にわたり正孔捕獲準位を有する絶縁材料膜１９Ｍを成膜する。この絶縁材料膜１９Ｍは、例えば窒化シリコンをプラズマＣＶＤ法により１３０℃で成膜することにより形成される。例えば、プラズマ発生のＲＦパワー０．５ｋＷ、圧力２５０Ｐａ、シラン（ＳｉＨ4）ガス流量２．０ｓｌｍ（Ｌ／ｍｉｎ）、アンモニア（ＮＨ3）ガス流量０．５ｓｌｍに調整して、シランとアンモニアとをプラズマ照射により反応させることにより、窒化シリコンからなる絶縁材料膜１９Ｍを形成することができる。通常の成膜温度が７００〜８００℃であるのに対し、より低温、例えば８０〜４００℃で成膜することにより絶縁材料膜１９に正孔捕獲準位が形成される。また、ＴＦＴ層１２への影響を防ぐため４００℃以下で成膜することが好ましい。ＴＦＴ層１２を、有機半導体材料を用いて形成した場合にはより低温、例えば１００℃以下で絶縁材料膜１９を成膜することが好ましい。例えば、上記プラズマＣＶＤ法の条件により、成膜温度を１３０℃から室温まで下げた場合にも絶縁材料膜１９Ｍを形成することが可能である。
【００５１】
絶縁材料膜１９Ｍを成膜した後、例えばフォトリソグラフィおよびエッチングを行って、絶縁材料膜１９Ｍに開口を設け、第１電極１４の表面を露出させる。これにより、絶縁膜１９（正孔捕獲部１９Ｃ）が形成される（図５Ａ）。
【００５２】
続いて、図５Ｂに示したように、例えば蒸着法により支持基板１１の全面に正孔注入層１５を成膜し、第１電極１４および電極間領域Ｈの絶縁膜１９を覆う正孔注入層１５を設ける。引き続き、例えば蒸着法により正孔輸送層（図示せず）、発光層１６、電子輸送層（図示せず）、電子注入層（図示せず）および第２電極１７をこの順に支持基板１１の全面に成膜する。これにより、有機ＥＬ素子１０が形成される。
【００５３】
次いで、例えばＣＶＤ法またはスパッタ法により、有機ＥＬ素子１０上に保護層１８を形成する。最後に、この保護層１８の上に、接着層（図示せず）を間にしてカラーフィルタを設けた対向基板２１を貼り合わせて表示装置１を完成させる。
【００５４】
この表示装置１では、各有機ＥＬ素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）に対して走査線駆動回路１３０から書き込みトランジスタＴｒ２のゲート電極を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。すなわち、この保持容量Ｃｓに保持された信号に応じて駆動トランジスタＴｒ１がオンオフ制御される。これにより、各有機ＥＬ素子１０に駆動電流Ｉｄが注入され、第１電極１４、正孔注入層１５、発光層１６および第２電極１７の積層方向で正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第２電極１７，カラーフィルタ（図示せず）および対向基板２１を透過して取り出される。
【００５５】
ここでは、電極間領域Ｈに正孔捕獲部１９Ｃを兼ねた絶縁膜１９が設けられているので、正孔注入層１５を介して有機ＥＬ素子１０間を移動する正孔が正孔捕獲部１９Ｃ（絶縁膜１９）に取り込まれる。よって、リーク電流の発生を防ぐことができる。
【００５６】
図６は比較例１に係る表示装置（表示装置１００）の製造工程を表したものである。この表示装置１００は、電極間領域Ｈの絶縁膜（絶縁膜１１９）を逆テーパ形状に設け（図６）、絶縁膜１１９により正孔注入層１５を素子間で薄膜化あるいは断線することにより形成される。このような表示装置１００では、以下の理由により正孔注入層の高抵抗化が不十分となり、リークを防止することができないおそれがある。まず、素子間で正孔注入層が高抵抗化されるように精確に絶縁膜１１９の形状を制御することが困難である。また、蒸着るつぼから正孔注入層の非垂直成分が蒸着されることにより正孔注入層が薄膜化できない場合や、薄膜化されても正孔注入層を形成した後の工程、例えば有機層の蒸着等の熱プロセスにより正孔注入層の抵抗値が戻る場合もある。更に、絶縁膜１１９により正孔注入層以外の有機層や第２電極１７が薄膜化された部分では、その他の部分に比べて低い電流ストレスで発光する。即ち、正孔注入層１５を介したリーク電流とは別の要因で不要な発光が生じるおそれがある。
【００５７】
これに対し表示装置１では、電極間領域Ｈに正孔捕獲部１９Ｃが設けられているので、隣り合う有機ＥＬ素子１０間を移動する正孔を捕らえて消滅させ、正孔注入層１５を介したリーク電流の発生を抑えることができる。表示装置１では、絶縁膜１９の形状や正孔注入層１５の厚みの精確な制御は不要であり、また、製造工程において熱プロセスを行っても絶縁膜１９による正孔捕獲の効果が低下することはない。更に、有機層および第２電極１７の局所的な薄膜化を防ぐことができる。
【００５８】
以上のように本実施の形態の表示装置１では、電極間領域Ｈに正孔捕獲部１９Ｃを設けるようにしたので、正孔注入層１５を介したリーク電流の発生をより確実に防ぐことができる。よって、混色等を抑えて表示画質を向上させることができる。
【００５９】
以下、上記実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降の説明において上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００６０】
＜変形例１＞
図７は、変形例１に係る表示装置（表示装置１Ａ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ａは、絶縁膜１９の一部により正孔捕獲部１９Ｃが構成されたものである。表示装置１Ａでは、絶縁膜１９のうち対向基板２１（上面）側に正孔捕獲部１９Ｃが設けられている。この点を除き、表示装置１Ａは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００６１】
絶縁膜１９に含まれる正孔捕獲部１９Ｃは、上記実施の形態の絶縁膜１９と同様に正孔捕獲準位を有する材料からなり、正孔注入層１５に接している。これにより、正孔注入層１５を介したリーク電流の発生を抑えることができる。
【００６２】
このような正孔捕獲部１９Ｃを一部に含む絶縁膜１９は、例えば以下のようにして形成することが可能である。
【００６３】
まず、上記実施の形態で説明したのと同様にして第１電極１４までを形成した後、図８Ａに示したように、電極間領域Ｈに前駆体１９Ａを形成する。前駆体１９Ａは、表面処理を行うことにより正孔捕獲準位が生じる絶縁材料により構成されている。表面処理として、例えばエネルギー線（後述のエネルギー線Ｅ）を用いる方法が挙げられる。この前駆体１９Ａは、例えば化３に示したシリコンを含むポリマーからなる。前駆体１９Ａは、エネルギー線照射により結合が切断され、正孔捕獲準位が形成されるものであれば、化３に示したポリマー以外のものであってもよい。
【化３】
2014049405.tif 000005
（化３において、Ｒ７は炭化水素基、Ｒ８は炭化水素基またはポリマー結合を構成する無機元素である。Ｒ７，Ｒ８の炭化水素基には無機元素が含まれていてもよく、Ｒ７，Ｒ８の炭化水素基がポリマーであってもよい。）
【００６４】
例えば、化３に示したポリマー（例えばＲ７，Ｒ８がＣnＨ2n+1）はＣＶＤ法により形成することが可能である。例えばトリメチルシラン（３ＭＳ：[ＳｉＨ（ＣＨ3）3]）等の炭化水素基を有するシラン系ガス、酸素（Ｏ2）およびヘリウム（Ｈｅ）を流し、プラズマＣＶＤ装置を用いて成膜する。成膜条件として、例えばシラン系ガス、酸素（Ｏ2）およびヘリウム（Ｈｅ）それぞれの流量を１０００ｃｍ3／ｍｉｎ、成膜雰囲気の圧力を６００Ｐａ、ＣＶＤ装置のＲＦ（Radio Frequency）電力を７００Ｗに設定する。これにより、Ｒ７，Ｒ８がメチル基（ＣＨ3）のポリマー（化３）を成膜することができ、このようなポリマーはＦＴ−ＩＲの強度比で、例えば−ＯＨ基（３６００ｃｍ-1）がＳｉ−Ｏ結合（１０３９ｃｍ-1）に対して０．３以上となる。炭化水素基を有するシラン系ガスとしては、上記トリメチルシランの他、テトラメチルシラン（４ＭＳ），ヘキサメチルジシラン（ＨＭＤＳ），オクタメチルシクロテトラシロキサン（ＯＭＣＴＳ），テトラメチルシクロテトラシロキサン（ＴＭＣＴＳ），ジメチルフェニルシラン（ＤＭＰＳ），ジエトキシメチルシラン（ＤＥＭＳ）およびジメチルジメトキシシラン（ＤＭＤＭＯＳ）などを用いるようにしてもよい。また、シラン系以外のガス、例えばメタン（ＣＨ4）やエチレン（Ｃ2Ｈ4）等のカーボン系ガスを用いることも可能である。
【００６５】
化３に示したポリマーを、塗布法を用いて形成するようにしてもよい。例えば、メチルシルセスキオキサン（ＭＳＱ）を塗布して前駆体１９Ａを形成することができる。前駆体１９Ａ中の有機成分含有量は、塗布材料や熱処理条件を選択することにより調整可能である。
【００６６】
前駆体１９Ａを設けた後、図８Ｂに示したように、例えば第１電極１４の表面に対して垂直方向からエネルギー線Ｅとして紫外光を照射することにより、絶縁膜１９の上面に正孔捕獲部１９Ｃを形成する（図８Ｃ）。半導体デバイスの分野ではよく知られているように、このとき、絶縁膜１９が例えば化３に示した材料により構成されているとエネルギー線Ｅの照射によりＳｉ−Ｒ７またはＳｉ−Ｒ８の結合が切断され、ＳｉＯ2中に欠陥が生じる。即ち、不対電子が生じ、絶縁膜１９に正孔捕獲準位が形成される。Ｒ７，Ｒ８が酸素を含み、化３中に、Ｓｉ−Ｏ−Ｃ結合がある場合には、Ｏ−Ｃの結合を切断して正孔捕獲準位を形成するようにしてもよい。切断する結合および第１電極１４への影響（侵入長）を考慮して、エネルギー線Ｅを選択すると共にそのエネルギーを調整する。エネルギー線Ｅの照射時にマスクを使用するようにしてもよい。エネルギー線Ｅとしては、紫外光の他、イオンまたはプラズマ等を用いることができる。エネルギー線Ｅを照射した後に開口を設けて、正孔捕獲部１９Ｃを形成するようにしてもよい。また、正孔捕獲準位が既に設けられた材料に、更にエネルギー線Ｅを照射するようにしてもよい。有機層の成膜途中で、正孔注入層１５や発光層１６等が外気にふれることのないよう、例えば成膜装置中にエネルギー線Ｅの照射部を設け、正孔注入層１５から第２電極１７または保護層１８までを不活性ガス雰囲気下または真空中で連続して形成する。正孔注入層１５から保護層１８までを連続して成膜することが好ましい。
【００６７】
図９は、比較例２に係る表示装置（表示装置１０１）の製造工程を表したものである。この表示装置１０１では、電極間領域の絶縁膜１２９には正孔捕獲部は設けられていない。表示装置１０１は、マスク１２２を用いることにより局所的に紫外線ＵＶを照射し、素子間の正孔注入層１５を一部変質させてリーク電流を防いでいる。この表示装置１０１においても、上記表示装置１００と同様に正孔注入層１５形成後の工程によって、その抵抗値が戻るおそれがある。また、紫外線ＵＶ照射の効果は正孔注入層１５の材料に依存するため、リーク電流を確実に防止することが難しい。更に、正孔注入層１５を変質させるためには長時間の紫外線ＵＶの照射が必要であるため、紫外線ＵＶがマスク１２２の端部から回り込み、第１電極１４上（発光領域）の正孔注入層１５を劣化させるおそれもある。
【００６８】
これに対し、表示装置１Ａは表示装置１と同様に、正孔注入層１５形成以降の熱プロセスにより、正孔捕獲部１９Ｃによる効果が低下することはない。また、正孔注入層１５とは別に正孔捕獲部１９Ｃを設けるため、正孔注入層１５の材料によらずにリーク電流を防止することができる。従って、正孔注入層１５を介したリーク電流の発生をより確実に防止することができる。更に、エネルギー線Ｅを正孔注入層１５等の有機層を形成する前に照射するため、エネルギー線Ｅの照射に起因した有機層の劣化は生じない。加えて、絶縁膜１９の一部の正孔捕獲部１９Ｃは、絶縁膜１９全体により構成される正孔捕獲部１９Ｃ（表示装置１）に比べて容易に形成することができる。
【００６９】
正孔捕獲部１９Ｃを含む絶縁膜１９は、ＣＶＤの成膜条件を変化させて形成することも可能である。具体的には、まず図１０Ａに示したように、例えば２００℃で絶縁材料膜１９ＭＡを成膜した後、温度を下げ、例えば１３０℃で絶縁材料膜１９ＭＢを成膜する（図１０Ｂ）。絶縁材料膜１９ＭＡ，１９ＭＢには例えば窒化シリコンを用いる。低温で成膜された絶縁材料膜１９ＭＢは正孔捕獲準位を有している。この積層された絶縁材料膜１９ＭＡ，１９ＭＢをパターニングにして開口を設けることにより、正孔捕獲部１９Ｃを含む絶縁膜１９が形成される（図１０Ｃ）。
【００７０】
＜変形例２＞
図１１は、変形例２に係る表示装置（表示装置１Ｂ）の断面構成を表したものである。この表示装置１Ｂは、表示装置１Ａと同様に絶縁膜１９の一部により正孔捕獲部１９Ｃが構成されたものであるが、絶縁膜１９のうち開口（第１電極１４）側に正孔捕獲部１９Ｃが設けられている。この点を除き、表示装置１Ｂは表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７１】
この表示装置１Ｂの正孔捕獲部１９Ｃは、絶縁膜１９のうち対向基板２１側（上面）から開口側（側面）にかけて設けられ、正孔注入層１５に接している。即ち、絶縁膜１９のテーパにより薄膜化された部分の正孔注入層１５が正孔捕獲部１９Ｃに接するため、より効率的にリーク電流の発生を防ぐことができる。
【００７２】
このような正孔捕獲部１９Ｃは、例えばエネルギー線Ｅの照射により形成することができる。具体的には、まず、図１２Ａに示したように、化３に示したポリマー等により前駆体１９Ａを形成する。前駆体１９Ａには上記表示装置１と同様に予め正孔捕獲準位が形成された材料を用いるようにしてもよい。次いで、図１２Ｂに示したように、第１電極１４の表面に対して９０度未満の角度（低角度）で絶縁膜１９に例えばイオン注入（エネルギー線Ｅ）を行う。これにより、絶縁膜１９の上面から側面にかけて正孔捕獲部１９Ｃが形成される（図１２Ｃ）。イオン注入を行う角度は、第１電極１４への影響を考慮して調整する。エネルギー線Ｅとしてはイオン注入の他、紫外光の照射、プラズマ照射等を用いるようにしてもよく、エネルギー線Ｅを用いる際にマスクを使用するようにしてもよい。また、第１電極１４の表面に対して垂直方向からのエネルギー線Ｅ（図８Ｂ）と低角度でのエネルギー線Ｅとを組み合わせて用いるようにしてもよい。
【００７３】
＜第２の実施の形態＞
図１３は、第２の実施の形態に係る表示装置（表示装置２）の断面構成を表したものである。この表示装置２は、絶縁膜（絶縁膜２９）の表面に膜状の正孔捕獲部２２Ｃを設けたものである。この点を除き、表示装置２は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７４】
この膜状の正孔捕獲部２２Ｃは正孔捕獲準位を有する材料からなり、電極間領域Ｈの絶縁膜２９の表面に設けられている。この正孔捕獲部２２Ｃに正孔注入層１５が接し、正孔注入層１５を介して移動する正孔が正孔捕獲部２２Ｃに取り込まれる。絶縁膜２９には、正孔捕獲準位を有する材料または所定の処理を施すことにより正孔捕獲準位が形成される材料以外のものを用いることも可能である。あるいは、絶縁膜２９を上記表示装置１と同様に正孔捕獲準位を有する材料により構成し（絶縁膜１９）、膜状の正孔捕獲部２２Ｃと絶縁膜１９による正孔捕獲部１９Ｃとを両方設けるようにしてもよい（図１４）。
【００７５】
正孔捕獲部２２Ｃは、絶縁膜２９上に（図１５Ａ）例えば１３０℃程度の温度でプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン等を成膜した後、これをフォトリソグラフィ、エッチングおよび洗浄等の工程を経てパターニングすることにより形成する（図１５Ｂ）。この正孔捕獲部２２Ｃ上に、正孔注入層１５が成膜される（図１５Ｃ）。
【００７６】
正孔捕獲部２２Ｃは、エネルギー線Ｅの照射により正孔捕獲準位を生じる材料（前駆体２２Ａ）を用いて形成するようにしてもよい。図１６Ａに示したように、まず、絶縁膜２９上に例えば化３に示したポリマーからなる前駆体２２Ａをパターニングして設けた後、これに例えばエネルギー線Ｅとして紫外光を照射する（図１６Ｂ）。これにより、前駆体２２Ａから正孔捕獲準位を有する正孔捕獲部２２Ｃが形成される（図１６Ｃ）。
【００７７】
＜第３の実施の形態＞
図１７は、第３の実施の形態に係る表示装置（表示装置３）の断面構成を表したものである。この表示装置３では、電極間領域Ｈに膜状の正孔捕獲部２２Ｃと共に正孔注入層１５の被照射部（被照射部１５Ｒ）が設けられている。この点を除き、表示装置３は表示装置２と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００７８】
正孔注入層１５の被照射部１５Ｒは、正孔注入層１５にエネルギー線（図１９Ａ  エネルギー線Ｅ）が照射された部分である。この被照射部１５Ｒは、エネルギー線Ｅの照射により変質し、照射を受けていない他の部分と比較して抵抗値が高くなっている。これにより、正孔注入層１５を介したリーク電流の発生を更に高い確率で防止することができる。
【００７９】
この正孔注入層１５の被照射部１５Ｒは、例えば以下のようにして形成する。まず、電極間領域Ｈの絶縁膜２９の表面に（図１８Ａ）前駆体２２Ａをパターニングして設けた後（図１８Ｂ）、前駆体２２Ａ上および第１電極１４上に正孔注入層１５を成膜する（図１８Ｃ）。次いで、マスク２３を用いて、電極間領域Ｈに例えばエネルギー線Ｅとして紫外光を照射する（図１９Ａ）。これにより、正孔捕獲部２２Ｃと共に正孔注入層１５の被照射部１５Ｒが形成される（図１９Ｂ）。エネルギー線Ｅの照射が、発光領域に影響を及ぼすことを防ぐため、マスク２３にはマージンを設けて発光領域よりも広い領域を覆うようにすることが好ましい。正孔捕獲部２２Ｃを設けるためのエネルギー線Ｅの照射時間は、正孔注入層１５を変質させるための照射時間よりも短いため、発光領域の正孔注入層１５を劣化させずに、リーク電流を防ぐことができる（図９）。
【００８０】
＜第４の実施の形態＞
図２０は、第４の実施の形態に係る表示装置（表示装置４）の断面構成を表したものである。この表示装置４は、表示装置３と同様に正孔注入層１５の被照射部１５Ｒが設けられたものであるが、絶縁膜１９の一部に正孔捕獲部１９Ｃが設けられている。この点を除き、表示装置４は表示装置３と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００８１】
この正孔注入層１５の被照射部１５Ｒは、例えば以下のようにして形成する。まず、エネルギー線Ｅの照射により正孔捕獲準位を生じる材料により前駆体１９Ａを形成した後（図８Ａ）、前駆体１９Ａ上および第１電極１４上に正孔注入層１５を成膜する。次いで、マスクを用いてエネルギー線Ｅを照射することにより絶縁膜１９の正孔捕獲部１９Ｃと共に正孔注入層１５の被照射部１５Ｒが形成される。正孔輸送層（図示せず）まで形成した後、エネルギー線Ｅを照射するようにしてもよい。絶縁膜１９の一部の正孔捕獲部１９Ｃ
は容易に形成することができ、また、抵抗の高い被照射部１５Ｒは、正孔注入層１５を介したリーク電流の発生を更に高い確率で防止することができる。
【００８２】
＜第５の実施の形態＞
図２１は、第５の実施の形態に係る表示装置（表示装置５）の断面構成を表したものである。この表示装置５は、有機ＥＬ素子１０毎に分離された有機層を有するものである。この点を除き、表示装置５は表示装置１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００８３】
正孔注入層４５および発光層４６を含む有機層は、例えばインクジェット法や、マスクを用いた蒸着法により形成することができる。インクジェット法では噴射された溶液が拡散することにより、また、蒸着法ではマスク端からの染み出しにより隣り合う有機ＥＬ素子の有機層（特に、正孔注入層）を介してリーク電流が発生するおそれがある。このため、正孔捕獲部１９Ｃ（または正孔捕獲部２２Ｃ）を設けることにより、表示装置４においてもより確実にリーク電流の発生を防止することができる。図２１では、表示装置１（図１）の有機層が有機ＥＬ素子１０毎に分離された場合について図示したが、表示装置１Ａ（図７）、表示装置１Ｂ（図１１）、表示装置２（図１３）、表示装置３（図１７）および表示装置４（図２０）についても同様である。
【００８４】
（モジュール）
上記実施の形態および変形例の表示装置１，１Ａ，１Ｂ，２，３，４，５（以下、単に表示装置１と表す）は、例えば、図２２に示したようなモジュールとして、後述する適用例１〜５などの種々の電子機器に組み込まれる。特にビデオカメラや一眼レフカメラのビューファインダーあるいはヘッドマウント型ディスプレイなど高解像度が要求されるマイクロディスプレイ等にも適する。このモジュールは、例えば、支持基板１１の一辺に、対向基板２１から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００８５】
（適用例１）
図２３は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８６】
（適用例２）
図２４Ａ，２４Ｂは、上記実施の形態の表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８７】
（適用例３）
図２５は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８８】
（適用例４）
図２６は、上記実施の形態の表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８９】
（適用例５）
図２７Ａ，２７Ｂは、上記実施の形態の表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記各実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００９０】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件等は限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００９１】
また、上記実施の形態等においては、発光層１６として赤色発光層，緑色発光層および青色発光層の３層を含む白色発光用の発光層を形成した場合について説明したが、白色発光用の発光層１６の構成は特に限定されず、橙色発光層および青色発光層、あるいは、青緑色発光層および赤色発光層など、互いに補色関係にある２色の発光層を積層した構造としてもよい。更に、発光層１６は、白色発光用の発光層に限らず、例えば緑色発光層のみを形成した単色の表示装置にも適用可能である。
【００９２】
加えて、例えば上記実施の形態等では、第１電極１４を陽極、第２電極１７を陰極とする場合について説明したが、陽極および陰極を逆にして、第１電極１４を陰極、第２電極１７を陽極としてもよい。加えてまた、表示装置３，４がボトムエミッション型の表示装置であってもよい。更に、上記実施の形態ではキャリア捕獲部として正孔捕獲部を有する場合について説明したが、電子捕獲部を設けることも可能である。
【００９３】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）複数の第１電極と、電極間領域に設けられたキャリア捕獲部と、前記第１電極およびキャリア捕獲部を覆うと共にキャリア通過機能を有する機能層とを備えた表示装置。
（２）前記機能層は前記キャリア捕獲部に接している前記（１）に記載の表示装置。
（３）前記機能層としての正孔注入層と、前記正孔注入層を間にして前記第１電極と対をなす第２電極と、前記第２電極と前記正孔注入層との間の発光層とを含み、
前記正孔注入層を介して移動する正孔を前記キャリア捕獲部で捕獲する前記（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）前記キャリア捕獲部は、前記電極間領域に設けられた絶縁膜の少なくとも一部である前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（５）前記絶縁膜全体により前記キャリア捕獲部を構成する前記（４）に記載の表示装置。
（６）前記絶縁膜の一部に前記キャリア捕獲部を含む前記（４）に記載の表示装置。
（７）前記電極間領域に設けられた絶縁膜の表面に前記キャリア捕獲部を有する前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（８）前記電極間領域にも前記第２電極および発光層を有する前記（３）に記載の表示装置。
（９）前記正孔注入層はエネルギー線が照射された被照射部を電極間領域に有する前記（３）に記載の表示装置。
（１０）前記キャリア捕獲部はシリコン（Ｓｉ）を含む化合物からなる前記（１）乃至（９）のうちいずれか１つに記載の表示装置。
（１１）表示装置を備え、前記表示装置は、複数の第１電極と、電極間領域に設けられたキャリア捕獲部と、前記第１電極およびキャリア捕獲部を覆うと共にキャリア通過機能を有する機能層とを含む電子機器。
（１２）複数の第１電極を形成する工程と、電極間領域にキャリア捕獲部を形成する工程と、キャリア通過機能を有する機能層を、前記第１電極および前記キャリア捕獲部を覆うように形成する工程とを含む表示装置の製造方法。
（１３）前記機能層として正孔注入層を形成した後、前記正孔注入層を覆う発光層と前記発光層および正孔注入層を間にして前記第１電極と対をなす第２電極とを形成する工程を含み、前記正孔注入層を介して移動する正孔を前記キャリア捕獲部で捕獲する前記（１２）に記載の表示装置の製造方法。
（１４）前記電極間領域に絶縁膜を形成する前記（１３）に記載の表示装置の製造方法。
（１５）前記絶縁膜をＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成して前記キャリア捕獲部を構成する前記（１４）に記載の表示装置の製造方法。
（１６）前記絶縁膜に表面処理を施すことにより前記キャリア捕獲部を形成する前記（１４）に記載の表示装置の製造方法。
（１７）前記表面処理としてエネルギー線を用いる前記（１６）に記載の表示装置の製造方法。
（１８）前記エネルギー線を前記第１電極の表面に対して９０度未満の角度で照射する前記（１７）に記載の表示装置の製造方法。
（１９）前記正孔注入層を形成した後、前記エネルギー線を照射し、前記正孔注入層から前記第２電極までを不活性ガス雰囲気下または真空中で連続して形成する前記（１７）または（１８）に記載の表示装置の製造方法。
（２０）前記絶縁膜の表面に前記キャリア捕獲部を形成する前記（１４）に記載の表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００９４】
１，１Ａ，１Ｂ，２，３，４，５・・・表示装置、１０，１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ・・・有機ＥＬ素子、Ｌ１・・・画素駆動回路形成層、Ｌ２・・・発光素子形成層、１１・・・支持基板、１２・・・ＴＦＴ層、１３・・・平坦化層、１３Ｈ・・・接続孔、１４・・・第１電極、１５・・・正孔注入層、１５Ｒ・・・被照射部、１６・・・発光層、１７・・・第２電極、１８・・・保護膜、１９，２９・・・絶縁膜、１９Ｃ，２２Ｃ・・・正孔捕獲部、２１・・・封止用基板、２２・・・正孔捕獲膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図４Ｃ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図６】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図８Ｃ】
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【図９】
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【図１０Ａ】
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【図１０Ｂ】
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【図１０Ｃ】
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【図１１】
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【図１２Ａ】
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【図１２Ｂ】
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【図１２Ｃ】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５Ａ】
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【図１５Ｂ】
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【図１５Ｃ】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１６Ｃ】
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【図１７】
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【図１８Ａ】
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【図１８Ｂ】
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【図１８Ｃ】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４Ａ】
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【図２４Ｂ】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７Ａ】
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【図２７Ｂ】
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