(57)【要約】【課題】剥離技術を伴う物体の製造方法および製造装置を提供する。【解決手段】物体の形成された第１の基板に第２の基板を張り合わせて、部分的に吸着能力に差のある吸着チャック（吸着ステージ、真空チャックともいう）あるいはそれと同等な機能を有するもので吸着固定し、第２の基板を第１の基板からはがすことで、物体を第１の基板から剥離し、第２の基板に物体を転載する。また、そのための装置である。吸着チャックあるいはそれと同等な機能を有するものの基板固定面には、吸着用のマイクロ孔の設けられている部分と、孔の設けられていない部分があり、吸着用のマイクロ孔の設けられている部分を複数個所とすることで、１枚の第１の基板から複数個の物体を第２の基板に転載できる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の基板と第２の基板が間に剥離層を有して接合された基板を、前記第１の基板が基板固定面に接するように固定する工程と、
前記第２の基板を前記第１の基板からはがす工程と、を有し、
前記基板固定面には吸着力の大きな複数の部分と、吸着力の小さな部分を有し、かつ、前記吸着力の大きな複数の部分は、前記吸着力の小さな部分によって取り囲まれており、
前記第１の基板は、前記吸着力の強い複数の部分の外周部と略一致する溝で分離されていることを特徴とする剥離方法。
【請求項２】
前記第１の基板と前記剥離層の間に有機材料層を有することを特徴とする請求項１記載の剥離方法。
【請求項３】
前記第１の基板と前記有機材料層がフレキシブルな材料よりなることを特徴とする請求項２記載の剥離方法。
【請求項４】
前記吸着力の大きな複数の部分には、複数の孔が設けられ、前記吸着力の小さな部分には孔が設けられていないことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一に記載の剥離方法。
【請求項５】
第１の部分、第２の部分、第３の部分を一表面に有し、
前記第１の部分および前記第２の部分には複数の孔が設けられており、
前記第３の部分には孔が設けられておらず、
前記第１の部分と前記第２の部分は前記第３の部分により分離されており、
排気手段により前記複数の孔より空気を吸引することで、前記第１の部分と前記第２の部分を覆う物体を固定する剥離装置。
【請求項６】
前記一表面の裏面には凹部が設けられていることを特徴とする請求項５記載の剥離装置。
【請求項７】
前記一表面の裏面には溝が設けられ、前記複数の孔は、溝と重なることを特徴とする請求項５記載の剥離装置。
【請求項８】
前記第１の部分および前記第２の部分では、一辺の長さがＬの正方形中に少なくとも４つの孔を有する場合において、前記第３の部分の面積は、一辺の長さがＬの正方形より大きいことを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一に記載の剥離装置。
【請求項９】
第１の基板と第２の基板が間に剥離層を有して接合され、かつ、第１の基板を分断するように溝が設けられた基板を、前記第１の基板が基板固定面に接するように固定する工程と、
前記第２の基板を前記第１の基板からはがす工程と、を有し、
前記基板固定面は前記第１の基板を吸着することができることを特徴とする剥離方法。
【請求項１０】
前記第１の基板と前記剥離層の間に有機材料層を有することを特徴とする請求項９記載の剥離方法。
【請求項１１】
前記第１の基板と前記有機材料層がフレキシブルな材料よりなることを特徴とする請求項１０記載の剥離方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、剥離技術を伴う物体の製造方法および製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一基板上に形成した膜状の物体を他の基板に剥離・転載する技術が知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
また、特に、半導体や絶縁体の薄膜を用いた電子機器の製造においては、基板を大型化することにより製造コストが低減できるので、大型基板に形成することが求められる一方、個々の電子機器は基板の大きさよりもはるかに小さいため、基板に形成された物体を、いずれかの段階で必要とする大きさに裁断することが求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７０６７３９２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本開示物では、剥離技術を伴う物体の製造方法および製造装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
被剥離物の形成された第１の基板に第２の基板を張り合わせて、第１の基板を必要とする大きさ・形状に分断し、さらに、第１の基板を、部分的に吸着能力に差のある吸着チャック（吸着ステージ、真空チャックともいう）あるいはそれと同等な機能を有するもので吸着固定し、第２の基板を第１の基板からはがすことで、物体を第１の基板から剥離し、第２の基板に転載する。
【発明の効果】
【０００７】
歩留まり向上、および／または、生産性向上を達成できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】吸着チャックと基板ホルダーの例を示す図。
【図２】基板ホルダーの例を示す図。
【図３】基板ホルダーの例を示す図。
【図４】基板ホルダーの例を示す図。
【図５】電子機器の製造例を示す図。
【図６】電子機器の製造例を示す図。
【図７】電子機器の製造例を示す図。
【図８】電子機器の製造例を示す図。
【図９】電子機器の製造例を示す図。
【図１０】電子機器の製造例を示す図。
【図１１】電子機器の製造例を示す図。
【図１２】電子機器の製造例を示す図。
【図１３】電子機器の製造例を示す図。
【図１４】電子機器の製造例を示す図。
【図１５】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図１６】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図１７】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【図１８】本発明の一態様の発光装置の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、その形態および詳細を様々に変更しうることは当業者であれば容易に理解される。また、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。なお、図面を用いて発明の構成を説明するにあたり、同じものを指す符号は異なる図面間でも共通して用いる。なお、同様のものを指す際にはハッチパターンを同じくし、特に符号を付さない場合がある。
【００１０】
なお、第１、第２として付される序数詞は便宜上用いるものであり、工程順または積層順を示すものではない。そのため、例えば、「第１の」を「第２の」又は「第３の」などと適宜置き換えて説明することができる。また、本明細書等に記載されている序数詞と、本発明の一態様を特定するために用いられる序数詞は一致しない場合がある。
【００１１】
（実施の形態１）
図１に基板を固定するための装置の例を示す。ここでは、吸着チャック１０１に加工用の基板ホルダー１０３を固定する例を示す。吸着チャック１０１は市販されているものでもよい。
【００１２】
図１（Ａ）に示されるように、吸着チャック１０１は、多数の吸着用孔１０２を有し、吸着用孔１０２より吸引された空気が真空ポンプ等の排気手段により排気される構造を有し、吸着用孔１０２に近接した物体が吸引固定される。
【００１３】
また、基板ホルダー１０３は、吸着用マイクロ孔１０４が形成された基板固定面を有する。吸着用マイクロ孔１０４は十分に小さく、例えば、２０μｍ以上２００μｍ以下とできる。また、基板固定面は、孔の設けられていない部分１０５を有する。例えば、孔の設けられている部分が少なくとも４個の吸着用マイクロ孔１０４を有する一辺の長さＬの正方形を有するとき、孔の設けられていない部分１０５は一辺の長さＬの正方形の領域の集合である。例えば、孔の設けられていない部分１０５には、一辺の長さＬの正方形が４つ以上収まることがあり、別の例では、例えば、孔の設けられていない部分１０５には、一辺の長さＬの正方形が１００以上収まることがある。
【００１４】
図１（Ｂ）に示されるように、基板ホルダー１０３は吸着チャック１０１に固定される。固定方法は、固定具、ねじ等によって機械的に固定してもよいし、吸着チャック１０１の吸引力を用いて固定してもよい。
【００１５】
基板ホルダー１０３の基板固定面の裏側は、例えば、図２（Ａ）に示される。この例では、基板固定面の裏側は凹部１０６になっている。そのため、吸着チャック１０１に固定した際に、間に空間ができる。また、その際に、基板ホルダー１０３と吸着チャック１０１との間の空間は密閉され、吸着用マイクロ孔１０４からは、空気が吸着チャック１０１に向かって吸引される。
【００１６】
また、別の例では、基板ホルダー１０３の基板固定面の裏側は、図２（Ｂ）に示されるように、溝１０７が縦横に走る構造となっている。図２（Ｂ）に示される基板ホルダー１０３を上面より見た様子を図２（Ｃ）に示す。溝１０７に重ねて吸着用マイクロ孔１０４が設けられる。この場合も、図２（Ａ）の場合と同様に、基板ホルダー１０３と吸着チャック１０１との間の空間は密閉され、吸着用マイクロ孔１０４からは、空気が吸着チャック１０１に向かって吸引される。
【００１７】
なお、基板ホルダー１０３の基板固定面には、吸着用マイクロ孔１０４が設けられた部分と、孔の設けられていない部分１０５があり、吸着用マイクロ孔１０４が設けられた部分では、吸着力がより大きくなる。
【００１８】
後述するように、吸着用マイクロ孔１０４が設けられた部分の形状は、処理して得られる物体の形状に応じて決定される。図３（Ａ）は、図２（Ｂ）および図２（Ｃ）で示した基板ホルダーの基板固定面を上面より見た様子を示すが、吸着用マイクロ孔１０４が設けられた部分を４つ有する。また、図３（Ｂ）に示すように、吸着用マイクロ孔１０４が設けられた部分を６つ有してもよい。いずれの場合も、これらの吸着用マイクロ孔１０４が設けられた部分は、孔の設けられていない部分１０５によって分離される。
【００１９】
図４（Ａ）には、図２（Ｂ）で示す基板ホルダー１０３の吸着用マイクロ孔１０４と溝１０７の位置関係を示す。また、図４（Ａ）の一点鎖線Ａ−Ｂの断面、一点鎖線Ｃ−Ｄの断面を、図４（Ｂ）に示す。この例では、溝１０７の交点に１つの吸着用マイクロ孔１０４が形成されるが、これに限らない。溝１０７の交点以外の部分に吸着用マイクロ孔１０４が形成されてもよいし、１つの交点に複数の吸着用マイクロ孔１０４が形成されてもよい。また、基板ホルダー１０３を吸着チャック１０１に固定した場合の断面の模式図を図４（Ｃ）に示す。
【００２０】
一般に吸着チャックは、使用後に吸着孔の目詰まりを解消するために洗浄が必要であるが、その際には、溶剤をいったん吸着孔から吸収させたうえで、空気を逆噴射させるという方法をとることが多い。このような方法では洗浄効果も限定的である。
【００２１】
また、吸着孔が微細になるほど、目詰まりの可能性が大きくなるため洗浄工程は頻繁におこなわれる必要があり、そのために装置を利用できない時間が増加し、生産性が低下する。
【００２２】
これに対し、基板ホルダー１０３のように取り外しのできる基板固定面を利用すれば、より効率的に作業をおこなうことができる。例えば、取り外しができるので、複数の基板ホルダー１０３を用意しておき、一の基板ホルダーを洗浄中には、他を使用することができる。
【００２３】
取り外して洗浄できるので、例えば、洗浄漕等で洗浄することで、より効果的に洗浄をおこなうこともできる。また、一度に多くの基板ホルダー１０３を洗浄できるので、生産性も向上する。
【００２４】
また、基板固定面の吸着用マイクロ孔１０４に比較すると、吸着チャック１０１の吸着用孔１０２の径は十分に大きくてよいので、洗浄の頻度はより低くてもよい。極端な例では、いわゆる吸着用孔１０２は、１つでもよく、その径も基板ホルダー１０３と同じ程度でもよい。
【００２５】
このような基板ホルダー１０３を用いた、剥離技術を伴う電子機器の製造方法について説明する。
【００２６】
図５（Ａ）に示すように、第１の基板２０１の上に第１の剥離層２０２を形成し、その上に第１の素子層２０３を形成する。第１の素子層２０３には、薄膜トランジスタ等の能動素子や発光ダイオード等の表示素子、画素電極、カラーフィルタ、遮光層等を有する素子層が形成されてもよい。また、第１の素子層２０３の上にも何らかの層や膜が設けられてもよい。
【００２７】
第１の基板２０１としては、ガラス基板、石英基板、サファイア基板、セラミック基板、金属基板などを用いることができる。ガラス基板には、例えば、アルミノシリケートガラス、アルミノホウケイ酸ガラス、バリウムホウケイ酸ガラス等のガラス材料を用いることができる。
【００２８】
第１の基板２０１にガラス基板を用いる場合、第１の基板２０１と第１の剥離層２０２との間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、第１の基板２０１からの汚染を防止できる。
【００２９】
第１の剥離層２０２としては、タングステン、モリブデン、チタン、タンタル、ニオブ、ニッケル、コバルト、ジルコニウム、亜鉛、ルテニウム、ロジウム、パラジウム、オスミウム、イリジウム、シリコンから選択された元素、該元素を含む合金材料、又は該元素を含む化合物材料からなり、単層又は積層された層である。シリコンを含む層の結晶構造は、非晶質、微結晶、多結晶のいずれでもよい。
【００３０】
第１の剥離層２０２は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等により形成できる。なお、塗布法は、スピンコーティング法、液滴吐出法、ディスペンス法を含む。
【００３１】
第１の剥離層２０２が単層構造の場合、タングステン層、モリブデン層、又はタングステンとモリブデンの混合物を含む層を形成することが好ましい。また、タングステンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、モリブデンの酸化物もしくは酸化窒化物を含む層、又はタングステンとモリブデンの混合物の酸化物もしくは酸化窒化物を含む層を形成してもよい。なお、タングステンとモリブデンの混合物とは、例えば、タングステンとモリブデンの合金に相当する。
【００３２】
また、第１の剥離層２０２として、タングステンを含む層とタングステンの酸化物を含む層の積層構造を形成する場合、タングステンを含む層を形成し、その上層に酸化物で形成される絶縁膜を形成することで、タングステン層と絶縁膜との界面に、タングステンの酸化物を含む層が形成されることを活用してもよい。また、タングステンを含む層の表面を、熱酸化処理、酸素プラズマ処理、オゾン水等の酸化力の強い溶液での処理等を行ってタングステンの酸化物を含む層を形成してもよい。またプラズマ処理や加熱処理は、酸素、窒素、亜酸化窒素、あるいは該ガスとその他のガスとの混合気体雰囲気下で行ってもよい。上記プラズマ処理や加熱処理により、第１の剥離層２０２の表面状態を変えることにより、第１の剥離層２０２とその上に形成される第１の素子層２０３等との密着性を制御することが可能である。
【００３３】
なお、第１の素子層２０３と第１の剥離層２０２との間に無機絶縁層を設けてもよい。無機絶縁層としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を、単層又は多層で形成することが好ましい。無機絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
【００３４】
一方、第２の基板２０５の一表面に第２の剥離層２０７を形成し、さらに、第２の素子層２０６を形成する。第２の基板２０５としては、第１の基板２０１と同様なものを用いればよいが、第２の素子層２０６形成の際の処理温度が高い場合には、処理温度に耐えられるものを用いるとよい。なお、酸化バリウム（ＢａＯ）を多く含ませることで、より実用的な耐熱性が得られる。他にも、結晶化ガラスなどを用いることができる。第２の剥離層２０７としては、第１の剥離層２０２と同様な材料を用いることができる。
【００３５】
第２の基板２０５にガラス基板を用いる場合、第２の基板２０５と第２の剥離層２０７との間に、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、窒化シリコン膜、窒化酸化シリコン膜等の絶縁膜を形成すると、第２の基板２０５からの汚染を防止できる。
【００３６】
なお、第２の素子層２０６と第２の剥離層２０７との間に無機絶縁層を設けてもよい。無機絶縁層としては、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、又は窒化酸化シリコン膜等を、単層又は多層で形成することが好ましい。無機絶縁層は、スパッタリング法、プラズマＣＶＤ法、塗布法、印刷法等を用いて形成することが可能であり、例えば、プラズマＣＶＤ法によって成膜温度を２５０℃以上４００℃以下として形成することで、緻密で非常に透水性の低い膜とすることができる。
【００３７】
第２の素子層２０６には、薄膜トランジスタ等の能動素子や発光ダイオード等の表示素子、画素電極、カラーフィルタ、遮光層等を形成してもよい。第２の素子層２０６の上には第１の接着層２０４を形成し、図５（Ｂ）のように、第１の基板２０１の第１の素子層２０３に張り付ける。なお、第１の素子層２０３の上に何らかの素子を有する層が形成されている場合には、その層に張り付ける。
【００３８】
第１の接着層２０４には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、フェノール樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂等の透湿性が低い材料が好ましい。なお、水分や大気にさらされると劣化する材料等が第２の素子層２０６に含まれている場合には第１の接着層２０４で封止できる。
【００３９】
以上の結果、図５（Ｃ）に示すように、第１の基板２０１と第２の基板２０５が間に第２の素子層２０６を挟んで接合される。
【００４０】
その後、図５（Ｄ）に示すように、第２の剥離層２０７で、第２の基板２０５を第１の基板２０１から剥離する（第１の剥離工程）。
【００４１】
剥離工程は、様々な方法を適宜用いることができる。例えば、第２の剥離層２０７として、第２の素子層２０６と接する側に金属酸化膜を含む層を形成した場合は、当該金属酸化膜を結晶化により脆弱化して、第２の素子層２０６を第２の基板２０５から剥離することができる。あるいは、さらに剥離層の一部を溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスを用いたエッチングで除去した後、脆弱化された金属酸化膜において剥離することもできる。
【００４２】
また、第２の基板２０５と第２の素子層２０６の間に、第２の剥離層２０７として水素を含む非晶質珪素膜を形成した場合は、エッチングにより当該非晶質珪素膜を除去することで、第２の素子層２０６を第２の基板２０５から剥離することができる。
【００４３】
さらには、第２の剥離層２０７として窒素、酸素や水素等を含む膜（例えば、水素を含む非晶質珪素膜、水素含有合金膜、酸素含有合金膜など）を用い、第２の剥離層２０７にレーザ光を照射して第２の剥離層２０７に含有される窒素、酸素や水素をガスとして放出させ第２の素子層２０６と第２の基板２０５との剥離を促進する方法を用いてもよい。
【００４４】
また、第２の素子層２０６が形成された第２の基板２０５を機械的に削除する方法や溶液やＮＦ３、ＢｒＦ３、ＣｌＦ３等のフッ化ガスによるエッチングで除去する方法等を用いることができる。この場合、第２の剥離層２０７を設けなくともよい。
【００４５】
また、上記剥離方法を複数組み合わせることでより容易に剥離を行うことができる。例えば、レーザ光の照射、ガスや溶液などによる第２の剥離層２０７へのエッチング、鋭いナイフやメスなどによる第２の剥離層２０７の機械的な削除を行い、第２の剥離層２０７と第２の素子層２０６とを剥離しやすい状態にしてから、機械等による物理的な力によって剥離を行うこともできる。
【００４６】
また、第２の剥離層２０７と第２の素子層２０６との界面に液体を浸透させて第２の基板２０５から第２の素子層２０６を剥離してもよい。また、剥離を行う際に水などの液体をかけながら剥離してもよい。
【００４７】
その他の剥離方法としては、第２の剥離層２０７をタングステンで形成した場合は、アンモニア水と過酸化水素水の混合溶液により第２の剥離層２０７をエッチングしながら剥離を行うとよい。
【００４８】
なお、第２の基板２０５と第２の素子層２０６の界面で剥離が可能な場合には、第２の剥離層２０７を設けなくてもよい。例えば、第２の基板２０５としてガラスを用い、ガラスに接してポリイミド等の有機樹脂を形成し、有機樹脂上に第２の素子層２０６を形成する。この場合、有機樹脂を加熱することにより、第２の基板２０５と有機樹脂の界面で剥離することができる。または、第２の基板２０５と有機樹脂の間に金属層を設け、該金属層に電流を流すことで該金属層を加熱し、金属層と有機樹脂の界面で剥離を行ってもよい。
【００４９】
図６（Ａ）に示すように、フィルム基板２０９の一表面に第２の接着層２０８を形成する。一方、第２の基板２０５から剥離された第２の素子層２０６の表面を洗浄し、第２の剥離層２０７の残渣等を除去してから、フィルム基板２０９を接合する。第２の接着層２０８は、第１の接着層２０４と同様な材料を用いればよい。フィルム基板２０９は、各種の有機樹脂材料を用いればよい。
【００５０】
第１の基板２０１とフィルム基板２０９が接合されたものを接合基板２００と呼ぶ。接合基板２００は、第１の基板２０１、第１の剥離層２０２、第１の素子層２０３、第１の接着層２０４、第２の素子層２０６、第２の接着層２０８、フィルム基板２０９を有する。
【００５１】
図６（Ｂ）に示すように、例えば、レーザースクライブ法などにより、第１の剥離層２０２、第１の素子層２０３、第１の接着層２０４、第２の素子層２０６、第２の接着層２０８、フィルム基板２０９にスクライブ溝２１１を形成する。スクライブ溝２１１のパターンは、例えば、図８（Ａ）に示すように、矩形型で、基板ホルダー１０３の基板固定面に設けられた吸着用マイクロ孔１０４が設けられた部分の外周部分と略同一とする。
【００５２】
図６（Ｃ）あるいは図８（Ｂ）に示すように、基板ホルダー１０３を吸着チャック１０１に固定し、フィルム基板２０９が基板ホルダー１０３の基板固定面に接するように接合基板２００を配置し、これを吸着固定させる。
【００５３】
図７（Ａ）に示すように、第１の基板２０１の一端を持ち上げると、基板ホルダー１０３のうち、吸着用マイクロ孔１０４の設けられている部分は吸着力が大きいため、フィルム基板２０９が基板ホルダー１０３から離れにくく、第１の基板２０１とフィルム基板２０９が、第１の剥離層２０２付近で分離する。一方、孔の設けられていない部分１０５では、フィルム基板２０９が吸着しないので、第１の基板２０１と接合したまま、持ち上げられる。
【００５４】
結果として、図７（Ｂ）に示されるように、接合基板２００のうち、図８（Ａ）に示されるスクライブ溝２１１で囲まれた矩形状の部分は、第１の基板２０１から剥離され、基板ホルダー１０３上に、第１の素子基板２１２、第２の素子基板２１３として残される（第２の剥離工程）。
【００５５】
第１の素子基板２１２、第２の素子基板２１３の表面の第１の剥離層２０２の残渣を除去し、さらに、第１の素子層２０３、第１の接着層２０４の一部を除去し、図７（Ｃ）に示されるように、フレキシブル印刷回路２１４、フレキシブル印刷回路２１５を圧着し、電子機器が完成する。なお、フレキシブル印刷回路２１４、フレキシブル印刷回路２１５を圧着する前あるいは後に、第１の素子層２０３の上に、他のフィルム基板を設けてもよい。
【００５６】
吸着チャックの真空を解除すると、基板ホルダー１０３が、第１の素子基板２１２、第２の素子基板２１３を吸引する力が失われるので、これらを取り出すことができる。その後、さらに、第１の素子基板２１２、第２の素子基板２１３に加工を施してもよい。
【００５７】
このように、剥離工程と裁断工程を同時におこなうことができるため、生産性が向上し、また、剥離や裁断に伴う不良や特性劣化を防止することができる。
【００５８】
上記の例で、第１の素子層２０３とフィルム基板２０９がともにフレキシブルな材料であると、得られる第１の素子基板２１２、第２の素子基板２１３より得られる電子機器はフレキシブルな電子機器となる。
【００５９】
特に、フレキシブルな電子機器の裁断は不良が発生することが多い。一般的な工程では、間に素子層を有する２枚の基板を裁断することにより、必要とする大きさの素子基板を形成するが、２枚の基板ともにフレキシブルであると裁断が困難である。
【００６０】
これに対し、上記に示した方法では、第２の素子層２０６をフレキシブルでない基板（第１の基板２０１）の上に設けることで、裁断の際の安定度が増し、不良品の発生を抑制できる。
【００６１】
ここで、第１および第２の剥離工程で使用できる剥離方法の例を示す。
【００６２】
図９（Ａ）では、上記の第２の剥離工程において、第１の基板２０１を持ち上げるのに際し、第１の基板２０１の一端に吸盤１０８を吸着させて、ここから第１の基板を持ちあげる様子を示す。図では、吸盤１０８のある左端から剥離が始まり、図の右方向に進行するが、その際、第１の基板２０１をローラー１０９で抑えることにより剥離の進行を制御してもよい。ローラー１０９は、剥離の進行とともに右側に移動する。
【００６３】
図９（Ｂ）では、上記の第２の剥離工程において、第１の基板２０１を持ち上げるのに際し、第１の基板２０１（あるいは、第１の剥離層２０２、第１の素子層２０３、第１の接着層２０４、第２の素子層２０６、第２の接着層２０８、フィルム基板２０９のいずれか、あるいはそれらの境界）の一端に鋭利な歯を有するフック１１０の歯を差し込み、フック１１０を持ち上げて、第１の基板を持ちあげる様子を示す。
【００６４】
図１０（Ａ）では、上記の第２の剥離工程において、第１の基板２０１を持ち上げるのに際し、第１の基板２０１の一端に、第１の剥離層２０２、第１の素子層２０３、第１の接着層２０４、第２の素子層２０６、第２の接着層２０８、フィルム基板２０９を除去した部分（切欠き部２１０）を設け、ここにフック１１０の歯をあてて、フック１１０を持ち上げて、第１の基板を持ちあげる様子を示す。
【００６５】
切欠き部２１０は、図１０（Ｂ）に示すように、接合基板２００の一角に設けるとよく、スクライブ溝２１１を形成する際に同時に形成できる。
【００６６】
これらの方法は、第１の剥離工程にも適用できる。なお、図１０（Ａ）に示す方法を第１の剥離工程に適用する場合には、図１１（Ａ）に示すように、予め第１の基板２０１の一端に切欠き部２１６を設けておくとよい。切欠き部２１６として、オリエンテーションフラットを利用してもよい。図１１（Ｂ）に示すように、第１の基板２０１と第２の基板２０５を接合した後、例えば、フック１１０の歯を差し込んで、フック１１０を引き上げることにより、第１の基板と第２の基板を分離できる。
【００６７】
この際、第１の基板２０１と第２の基板２０５の双方に、それぞれ、第１の剥離層２０２と第２の剥離層２０７があるので、意図したほうで剥離が始まるようにする必要がある。第１の剥離工程では、第２の剥離層２０７で剥離するようにする必要がある。そのために、フック１１０の歯で、第２の基板２０５の表面にある第１の接着層２０４、第２の素子層２０６、第２の剥離層２０７に切り込みを入れるとよい。
【００６８】
あるいは、第２の基板２０５に切欠き部２１６を設けてもよい。この場合には、図１１（Ｃ）に示すように、切欠き部２１６から、第１の基板２０１と第２の基板２０５の接合部分にフック１１０の歯を差し込み、フック１１０を持ち上げることで、第２の基板２０５を持ち上げ、第１の基板２０１と分離できる。この際、第１の基板２０１上で切欠き部２１６に露出している、第１の剥離層２０２のすべてあるいは一部を除去してから、フック１１０の歯を差し込んでもよい。
【００６９】
（実施の形態２）
本実施の形態では、特に、マイクロ孔の設けられていない領域を有さない基板ホルダー、あるいは、マイクロ孔が均等（あるいは実質的に均等）に設けられている基板ホルダーを用いる加工方法について説明する。詳細については、実施の形態１を参酌すればよい。
【００７０】
図１４（Ｂ）に示すように、本実施の形態で用いる基板ホルダー１１１には吸着用マイクロ孔１０４が均等に設けられている。この例では、吸着チャック１０１に固定されている基板ホルダー１１１で基板を保持するが、吸着チャック１０１のみで基板を保持してもよい。すなわち、基板を保持でき、かつ、分割する領域の数に相当する吸着用の孔を有する吸着チャック１０１であればよい。
【００７１】
実施の形態１および図５（Ａ）乃至図５（Ｄ）で説明した方法によって、第１の基板２０１の上に第１の剥離層２０２、第１の素子層２０３、第１の接着層２０４、第２の素子層２０６を形成する。また、図１２（Ａ）に示すように、フィルム基板２０９の一表面に第２の接着層２０８を形成し、第２の素子層２０６を第２の接着層２０８でフィルム基板２０９と接合し、接合基板２００を得る。
【００７２】
図１２（Ｂ）に示すように、第１の剥離層２０２、第１の素子層２０３、第１の接着層２０４、第２の素子層２０６、第２の接着層２０８、フィルム基板２０９にスクライブ溝２１１を形成する。スクライブ溝２１１のパターンは、例えば、図１４（Ａ）に示すように、矩形型である。なお、スクライブ溝２１１の形状は、十字型でもよい。
【００７３】
図１２（Ｃ）に示すように、基板ホルダー１１１を吸着チャック１０１に固定し、フィルム基板２０９が基板ホルダー１１１の基板固定面に接するように接合基板２００を配置し、これを吸着固定させる。
【００７４】
図１３（Ａ）に示すように、第１の基板２０１の一端を持ち上げると、第１の基板２０１とフィルム基板２０９が、第１の剥離層２０２付近で分離する。第１の剥離層２０２、第１の素子層２０３、第１の接着層２０４、第２の素子層２０６、第２の接着層２０８、フィルム基板２０９にスクライブ溝２１１が設けられているため、第１の素子層２０３、第１の接着層２０４、第２の素子層２０６、第２の接着層２０８、フィルム基板２０９は、スクライブ溝２１１で分離され、第１の素子基板２１２、第２の素子基板２１３が得られる。
【００７５】
第１の素子基板２１２、第２の素子基板２１３の第１の剥離層２０２の残渣を除去し、さらに、第１の素子層２０３、第１の接着層２０４の一部を除去し、図１３（Ｂ）に示されるように、フレキシブル印刷回路２１４、フレキシブル印刷回路２１５を圧着し、電子機器が完成する。なお、フレキシブル印刷回路２１４、フレキシブル印刷回路２１５を圧着する前あるいは後に、第１の素子層２０３の上に、他のフィルム基板を設けてもよい。
【００７６】
吸着チャックの真空を解除すると、基板ホルダー１１１が、第１の素子基板２１２、第２の素子基板２１３を吸引する力が失われるので、これらを取り出す。その後、さらに、第１の素子基板２１２、第２の素子基板２１３に加工を施してもよい。
【００７７】
（実施の形態３）
本実施の形態では、実施の形態１あるいは２で説明した電子機器の一例である発光装置について図１５乃至図１８を用いて説明する。
【００７８】
＜具体例１＞
図１５（Ａ）に発光装置の平面図を示し、図１５（Ａ）における一点鎖線Ａ１−Ａ２間の断面模式図の一例を図１５（Ｂ）に示す。
【００７９】
図１５（Ｂ）に示す発光装置は、素子層３０１、有機材料層３０２、基板３０８、接着層３１０、封止層３１７、絶縁層３２５、遮光層３２６、着色層３２７及び絶縁層３２８を有する。素子層３０１は、導電層３０７、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１４、絶縁層３１５、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタを有する。
【００８０】
導電層３０７は、接続体３１８を介してフレキシブル印刷回路３０５と電気的に接続する。
【００８１】
発光素子３２０は、下部電極３２１、ＥＬ層３２２、及び上部電極３２３を有する。下部電極３２１は、トランジスタ３２４のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極３２１の端部は、絶縁層３１５で覆われている。発光素子３２０はトップエミッション構造である。上部電極３２３は透光性を有し、ＥＬ層３２２が発する光を透過する。
【００８２】
発光素子３２０と重なる位置に、着色層３２７が設けられ、絶縁層３１５と重なる位置に遮光層３２６が設けられている。着色層３２７及び遮光層３２６は絶縁層３２８で覆われている。発光素子３２０と絶縁層３２８の間は封止層３１７で充填されている。
【００８３】
発光装置は、光取り出し部３０３及び駆動回路部３０４に、複数のトランジスタを有する。トランジスタは、絶縁層３１１上に設けられている。絶縁層３１１と基板３０８は接着層３１０によって貼り合わされている。絶縁層３１１や絶縁層３２５に透水性の低い膜を用いると、発光素子３２０やトランジスタ３２４に水等の不純物が侵入することを抑制でき、発光装置の信頼性が高くなるため好ましい。
【００８４】
具体例１では、第１の作製基板上で有機材料層３０２、絶縁層３２５、着色層３２７及び遮光層３２６を作製し、また、第２の作製基板上で、絶縁層３１１やトランジスタ３２４、発光素子３２０を作製し、これら２つの作製基板を、封止層３１７を接着層として貼り合わせた後、第２の作製基板から絶縁層３１１、トランジスタ３２４、発光素子３２０、有機材料層３０２、絶縁層３２５、着色層３２７及び遮光層３２６を分離し、接着層３１０を用いて、絶縁層３１１と基板３０８を張り合わせて作製できる発光装置を示している。
【００８５】
基板に、耐熱性が低い材料（樹脂など）を用いる場合、作製工程で基板を高温にすることができないため、該基板上にトランジスタや絶縁膜を作製する条件に制限がある。そのような場合、本実施の形態の作製方法では、耐熱性の高い作製基板上でトランジスタ等の作製を行った後、トランジスタ等を該基板に転載することができる。また、作製基板の透水性が高くても、基板３０８、有機材料層３０２等およびそれらの設けられる基板の透水性が十分低ければ、発光装置の信頼性を高めることができる。
【００８６】
有機材料層３０２及び基板３０８には、それぞれ、靱性が高い材料を用いることが好ましい。これにより、耐衝撃性に優れ、破損しにくい発光装置を実現できる。例えば、有機材料層３０２を有機樹脂基板とし、基板３０８を薄い金属材料や合金材料を用いた基板とすることで、基板にガラス基板を用いる場合に比べて、軽量であり、破損しにくい発光装置を実現できる。
【００８７】
金属材料や合金材料は熱伝導性が高く、基板全体に熱を容易に伝導できるため、発光装置の局所的な温度上昇を抑制することができ、好ましい。金属材料や合金材料を用いた基板の厚さは、１０μｍ以上２００μｍ以下が好ましく、２０μｍ以上５０μｍ以下であることがより好ましい。
【００８８】
また、基板３０８に、熱放射率が高い材料を用いると発光装置の表面あるいは内部の温度が高くなることを抑制でき、発光装置の破壊や信頼性の低下を抑制できる。例えば、基板３０８を金属基板と熱放射率の高い層（例えば、金属酸化物やセラミック材料を用いることができる）の積層構造としてもよい。
【００８９】
＜具体例２＞
図１６（Ａ）に発光装置における光取り出し部３０３の別の例を示す。図１６（Ａ）の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。なお、以下の各具体例では、具体例１と同様の構成については説明を省略する。
【００９０】
図１６（Ａ）に示す発光装置は、素子層３０１、有機材料層３０２、基板３０８、接着層３１０、封止層３１７、絶縁層３２５、遮光層３２６、着色層３２７、絶縁層３２８、複数の受光素子、導電層３３８、導電層３３９、絶縁層３４０、絶縁層３４２及び絶縁層３４４を有する。素子層３０１は、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１４、絶縁層３１５、スペーサー３１９、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタを有する。
【００９１】
具体例２では、絶縁層３１５上にスペーサー３１９を有する。スペーサー３１９を設けることで、有機材料層３０２と基板３０８の間隔を調整することができる。
【００９２】
図１６（Ａ）では、絶縁層３２５及び封止層３１７の間に受光素子を有する例を示す。基板３０８側の非発光領域（例えばトランジスタ３２４や配線が設けられた領域）に重ねて受光素子を配置することができるため、画素（発光素子）の開口率を低下させることなく発光装置にタッチセンサを設けることができる。
【００９３】
本発明の一態様の発光装置が有する受光素子には、例えば、ｐｎ型又はｐｉｎ型のフォトダイオードを用いることができる。本実施の形態では、受光素子として、ｐ型半導体層３３０、ｉ型半導体層３３２、及びｎ型半導体層３３４を有するｐｉｎ型のフォトダイオードを用いる。
【００９４】
なお、ｉ型半導体層３３２は、含まれるｐ型を付与する不純物及びｎ型を付与する不純物がそれぞれ１×１０２０ｃｍ−３以下の濃度であり、暗伝導度に対して光伝導度が１００倍以上である。ｉ型半導体層３３２には、周期表第１３族もしくは第１５族の不純物元素を有するものもその範疇に含む。すなわち、ｉ型の半導体は、価電子制御を目的とした不純物元素を意図的に添加しないときに弱いｎ型の電気伝導性を示すので、ｉ型半導体層３３２は、ｐ型を付与する不純物元素を、成膜時或いは成膜後に、意図的もしくは非意図的に添加されたものをその範疇に含む。
【００９５】
遮光層３２６は、受光素子よりも基板３０８側に位置しており、受光素子と重なる。受光素子と封止層３１７との間に位置する遮光層３２６によって、発光素子３２０の発する光が受光素子に照射されることを抑制できる。
【００９６】
導電層３３８及び導電層３３９は、それぞれ受光素子と電気的に接続する。導電層３３８は、受光素子に入射する光を透過する導電層を用いることが好ましい。導電層３３９は、受光素子に入射する光を遮光する導電層を用いることが好ましい。
【００９７】
光学式タッチセンサを有機材料層３０２と封止層３１７の間に有すると、発光素子３２０の発光の影響を受けにくく、Ｓ／Ｎ比を向上させることができるため、好ましい。
【００９８】
＜具体例３＞
図１６（Ｂ）に本発光装置における光取り出し部３０３の別の例を示す。図１６（Ｂ）の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。
【００９９】
図１６（Ｂ）に示す発光装置は、素子層３０１、有機材料層３０２、基板３０８、接着層３１０、封止層３１７、絶縁層３２５、遮光層３２６、着色層３２７を有する。素子層３０１は、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１４ａ、絶縁層３１４ｂ、絶縁層３１５、スペーサー３１９、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタ、複数の受光素子、導電層３３７及び導電層３３８を有する。
【０１００】
図１６（Ｂ）では、絶縁層３１１及び封止層３１７の間に受光素子を有する例を示す。受光素子を絶縁層３１１及び封止層３１７の間に設けることで、トランジスタ３２４を構成する導電層や半導体層と同一の材料、同一の工程で、受光素子と電気的に接続する導電層や受光素子を構成する光電変換層を作製できる。したがって、作製工程を大きく増加させることなく、タッチ操作が可能な発光装置を作製できる。
【０１０１】
＜具体例４＞
図１７（Ａ）に発光装置の別の例を示す。図１７（Ａ）の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。
【０１０２】
図１７（Ａ）に示す発光装置は、素子層３０１、有機材料層３０２、基板３０８、接着層３１０、封止層３１７、絶縁層３２５、遮光層３２６、着色層３２７、導電層３３１、導電層３３３、絶縁層３３５、絶縁層３３６を有する。素子層３０１は、導電層３０６、導電層３０７、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１４、絶縁層３１５、スペーサー３１９、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタ、導電層３４３及び導電層３４５を有する。
【０１０３】
図１７（Ａ）では、絶縁層３２５及び封止層３１７の間に静電容量式のタッチセンサを有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層３３１及び導電層３３３を有する。
【０１０４】
導電層３０６及び導電層３０７は、接続体３１８を介してフレキシブル印刷回路３０５と電気的に接続する。導電層３４３及び導電層３４５は、導電性粒子３４１を介して導電層３３３と電気的に接続する。したがって、フレキシブル印刷回路３０５を介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
【０１０５】
＜具体例５＞
図１７（Ｂ）に発光装置の別の例を示す。図１７（Ｂ）の発光装置は、タッチ操作が可能な発光装置である。
【０１０６】
図１７（Ｂ）に示す発光装置は、素子層３０１、有機材料層３０２、基板３０８、接着層３１０、封止層３１７、絶縁層３２５、遮光層３２６、着色層３２７、導電層３２９、導電層３３１、導電層３３３、絶縁層３３５、及び絶縁層３３６を有する。素子層３０１は、導電層３０６、導電層３０７、絶縁層３１１、絶縁層３１２、絶縁層３１４、絶縁層３１５、スペーサー３１９、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタを有する。
【０１０７】
図１７（Ｂ）では、絶縁層３２５及び封止層３１７の間に静電容量式のタッチセンサを有する例を示す。静電容量式のタッチセンサは、導電層３３１及び導電層３３３を有する。
【０１０８】
導電層３０６及び導電層３０７は、接続体３１８ａを介してフレキシブル印刷回路３０５ａと電気的に接続する。導電層３２９は、接続体３１８ｂを介してフレキシブル印刷回路３０５ｂと電気的に接続する。したがって、フレキシブル印刷回路３０５ａを介して発光素子３２０やトランジスタ３２４を駆動し、フレキシブル印刷回路３０５ｂを介して静電容量式のタッチセンサを駆動することができる。
【０１０９】
＜具体例６＞
図１８（Ａ）に発光装置における光取り出し部３０３の別の例を示す。
【０１１０】
図１８（Ａ）に示す光取り出し部３０３は、素子層３０１、有機材料層３０２、基板３０９、封止層３１７よりなり、素子層３０１は、絶縁層３１１、絶縁層３１２、導電層３１３、絶縁層３１４ａ、絶縁層３１４ｂ、絶縁層３１５、発光素子３２０を含む複数の発光素子、トランジスタ３２４を含む複数のトランジスタ、及び着色層３２７を有する。
【０１１１】
発光素子３２０は、下部電極３２１、ＥＬ層３２２、及び上部電極３２３を有する。下部電極３２１は、導電層３１３を介してトランジスタ３２４のソース電極又はドレイン電極と電気的に接続する。下部電極３２１の端部は、絶縁層３１５で覆われている。発光素子３２０はボトムエミッション構造である。下部電極３２１は透光性を有し、ＥＬ層３２２が発する光を透過する。
【０１１２】
発光素子３２０と重なる位置に、着色層３２７が設けられ、発光素子３２０が発する光は、着色層３２７を介して有機材料層３０２側に取り出される。発光素子３２０と基板３０９の間は封止層３１７で充填されている。基板３０９は、前述の基板３０８と同様の材料を用いて作製できる。
【０１１３】
＜具体例７＞
図１８（Ｂ）に発光装置の別の例を示す。
【０１１４】
図１８（Ｂ）に示す発光装置は、素子層３０１、有機材料層３０２、基板３０９、封止層３１７を有する。素子層３０１は、絶縁層３１１、絶縁層３１５、導電層３１６、発光素子３２０を含む複数の発光素子、導電層３４６ａ及び導電層３４６ｂを有する。
【０１１５】
導電層３４６ａ及び導電層３４６ｂは、発光装置の外部接続電極であり、フレキシブル印刷回路等と電気的に接続させることができる。
【０１１６】
発光素子３２０は、下部電極３２１、ＥＬ層３２２、及び上部電極３２３を有する。下部電極３２１の端部は、絶縁層３１５で覆われている。発光素子３２０はボトムエミッション構造である。下部電極３２１は透光性を有し、ＥＬ層３２２が発する光を透過する。導電層３１６は、下部電極３２１と電気的に接続する。
【０１１７】
有機材料層３０２は、光取り出し構造として、半球レンズ、マイクロレンズアレイ、凹凸構造が施されたフィルム、光拡散フィルム等を接合してもよい。例えば、有機材料層３０２上に上記レンズやフィルムを、有機材料層３０２又は上記レンズもしくはフィルムと同程度の屈折率を有する接着剤等を用いて接着することで、光取り出し構造を形成することができる。
【０１１８】
導電層３１６は必ずしも設ける必要は無いが、下部電極３２１の抵抗に起因する電圧降下を抑制できるため、設けることが好ましい。また、同様の目的で、上部電極３２３と電気的に接続する導電層を絶縁層３１５上に設けてもよい。
【０１１９】
導電層３１６は、銅、チタン、タンタル、タングステン、モリブデン、クロム、ネオジム、スカンジウム、ニッケル、アルミニウムから選ばれた材料又はこれらを主成分とする合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。導電層３１６の膜厚は、０．１μｍ以上３μｍ以下とすることができ、代表的には、０．１μｍ以上０．５μｍ以下である。
【０１２０】
上部電極３２３と電気的に接続する導電層の材料にペースト（銀ペーストなど）を用いると、該導電層を構成する金属が粒状になって凝集する。そのため、該導電層の表面が粗く隙間の多い構成となり、ＥＬ層３２２が該導電層を完全に覆うことが難しく、例えば、絶縁層３１５上に該導電層を形成しても、上部電極と該導電層との電気的な接続をとることが容易になり好ましい。
【０１２１】
＜材料の一例＞
次に、本発明の一態様の発光装置に用いることができる材料等を説明する。基板３０８、基板３０９及び接着層３１０については実施の形態１の第１の接着層２０４、第２の接着層２０８、フィルム基板２０９等の記載を参酌できるため説明を省略する。
【０１２２】
発光装置が有するトランジスタの構造は特に限定されない。例えば、スタガ型のトランジスタとしてもよいし、逆スタガ型のトランジスタとしてもよい。また、トップゲート型又はボトムゲート型のいずれのトランジスタ構造としてもよい。トランジスタに用いる半導体材料は特に限定されず、例えば、シリコン、ゲルマニウム等が挙げられる。または、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ系金属酸化物などの、インジウム、ガリウム、亜鉛のうち少なくとも一つを含む酸化物半導体を用いてもよい。
【０１２３】
トランジスタに用いる半導体材料の結晶性についても特に限定されず、非晶質半導体、結晶性を有する半導体（微結晶半導体、多結晶半導体、単結晶半導体、又は一部に結晶領域を有する半導体）のいずれを用いてもよい。結晶性を有する半導体を用いると、トランジスタ特性の劣化を抑制できるため好ましい。
【０１２４】
発光装置が有する発光素子は、下部電極３２１、上部電極３２３とそれらの間に設けられたＥＬ層３２２とを有する。下部電極３２１、上部電極３２３の一方は陽極として機能し、他方は陰極として機能する。
【０１２５】
発光素子は、トップエミッション構造、ボトムエミッション構造、デュアルエミッション構造のいずれであってもよい。光を取り出す側の電極には、可視光を透過する導電膜を用いる。また、光を取り出さない側の電極には、可視光を反射する導電膜を用いることが好ましい。
【０１２６】
可視光を透過する導電膜は、例えば、酸化インジウム、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛などを用いて形成することができる。また、金、銀、白金、マグネシウム、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、パラジウム、もしくはチタン等の金属材料、これら金属材料を含む合金、又はこれら金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン）等も、透光性を有する程度に薄く形成することで用いることができる。また、上記材料の積層膜を導電層として用いることができる。例えば、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いると、導電性を高めることができるため好ましい。また、グラフェン等を用いてもよい。
【０１２７】
可視光を反射する導電膜は、例えば、アルミニウム、金、白金、銀、ニッケル、タングステン、クロム、モリブデン、鉄、コバルト、銅、もしくはパラジウム等の金属材料、又はこれら金属材料を含む合金を用いることができる。また、上記金属材料や合金に、ランタン、ネオジム、又はゲルマニウム等が添加されていてもよい。また、アルミニウムとチタンの合金、アルミニウムとニッケルの合金、アルミニウムとネオジムの合金等のアルミニウムを含む合金（アルミニウム合金）や、銀と銅の合金、銀とパラジウムと銅の合金、銀とマグネシウムの合金等の銀を含む合金を用いて形成することができる。銀と銅を含む合金は、耐熱性が高いため好ましい。さらに、アルミニウム合金膜に接する金属膜又は金属酸化物膜を積層することで、アルミニウム合金膜の酸化を抑制することができる。該金属膜、金属酸化物膜の材料としては、チタン、酸化チタンなどが挙げられる。また、上記可視光を透過する導電膜と金属材料からなる膜とを積層してもよい。例えば、銀とＩＴＯの積層膜、銀とマグネシウムの合金とＩＴＯの積層膜などを用いることができる。
【０１２８】
電極は、それぞれ、蒸着法やスパッタリング法を用いて形成すればよい。そのほか、インクジェット法などの吐出法、スクリーン印刷法などの印刷法、又はメッキ法を用いて形成することができる。
【０１２９】
下部電極３２１及び上部電極３２３の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層３２２に陽極側から正孔が注入され、陰極側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層３２２において再結合し、ＥＬ層３２２に含まれる発光物質が発光する。
【０１３０】
ＥＬ層３２２は少なくとも発光層を有する。ＥＬ層３２２は、発光層以外の層として、正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔ブロック材料、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、又はバイポーラ性の物質（電子輸送性及び正孔輸送性が高い物質）等を含む層をさらに有していてもよい。
【０１３１】
ＥＬ層３２２には低分子系化合物及び高分子系化合物のいずれを用いることもでき、無機化合物を含んでいてもよい。ＥＬ層３２２を構成する層は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、転写法、印刷法、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０１３２】
絶縁層３１１、絶縁層３２５には、無機絶縁材料を用いることができる。特に、前述の透水性の低い絶縁膜を用いると、信頼性の高い発光装置を実現できるため好ましい。
【０１３３】
絶縁層３１２は、トランジスタを構成する半導体への不純物の拡散を抑制する効果を奏する。絶縁層３１２としては、酸化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜、酸化アルミニウム膜などの無機絶縁膜を用いることができる。
【０１３４】
絶縁層３１４、絶縁層３１４ａ、及び絶縁層３１４ｂとしては、それぞれ、トランジスタ起因等の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁膜を選択するのが好適である。例えば、ポリイミド、アクリル、ベンゾシクロブテン系樹脂等の有機材料を用いることができる。また、上記有機材料の他に、低誘電率材料（ｌｏｗ−ｋ材料）等を用いることができる。なお、これらの材料で形成される絶縁膜や無機絶縁膜を複数積層させてもよい。
【０１３５】
絶縁層３１５は、下部電極３２１の端部を覆って設けられている。絶縁層３１５の上層に形成されるＥＬ層３２２や上部電極３２３の被覆性を良好なものとするため、絶縁層３１５の側壁が連続した曲率を持って形成される傾斜面となることが好ましい。
【０１３６】
絶縁層３１５の材料としては、樹脂又は無機絶縁材料を用いることができる。樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、シロキサン樹脂、エポキシ樹脂、又はフェノール樹脂等を用いることができる。特に、絶縁層３１５の作製が容易となるため、ネガ型の感光性樹脂、あるいはポジ型の感光性樹脂を用いることが好ましい。
【０１３７】
絶縁層３１５の形成方法は、特に限定されないが、フォトリソグラフィ法、スパッタ法、蒸着法、液滴吐出法（インクジェット法等）、印刷法（スクリーン印刷、オフセット印刷等）等を用いればよい。
【０１３８】
スペーサー３１９は、無機絶縁材料、有機絶縁材料、又は金属材料等を用いて形成することができる。例えば、有機絶縁材料としては、ネガ型やポジ型の感光性樹脂、非感光性樹脂などを用いることができる。また、金属材料としては、チタン、アルミニウムなどを用いることができる。スペーサー３１９に導電材料を用い、スペーサー３１９と上部電極３２３とを電気的に接続させる構成とすることで、上部電極３２３の抵抗に起因した電位降下を抑制できる。また、スペーサー３１９は、順テーパ形状であっても逆テーパ形状であってもよい。
【０１３９】
絶縁層３３５、絶縁層３３６、絶縁層３４０、絶縁層３４２、絶縁層３４４は、それぞれ、無機絶縁材料又は有機絶縁材料を用いて形成できる。特に絶縁層３３６や絶縁層３４４は、センサ素子起因の表面凹凸を低減するために平坦化機能を有する絶縁層を用いることが好ましい。
【０１４０】
封止層３１７には、二液混合型の樹脂などの常温で硬化する硬化樹脂、光硬化性の樹脂、熱硬化性の樹脂などの樹脂を用いることができる。例えば、ＰＶＣ（ポリビニルクロライド）樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラル）樹脂、ＥＶＡ（エチレンビニルアセテート）樹脂等を用いることができる。封止層３１７に乾燥剤が含まれていてもよい。また、封止層３１７を通過して発光素子３２０の光が発光装置の外に取り出される場合は、封止層３１７に屈折率の高いフィラーや散乱部材を含むことが好ましい。乾燥剤、屈折率の高いフィラー、散乱部材については、接着層３１０に用いることができる材料と同様の材料が挙げられる。
【０１４１】
導電層３０６、導電層３０７、導電層３４３、及び導電層３４５は、それぞれ、トランジスタ又は発光素子を構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。また、導電層３３７は、トランジスタを構成する導電層と同一の材料、同一の工程で形成できる。
【０１４２】
例えば、上記導電層は、それぞれ、モリブデン、チタン、クロム、タンタル、タングステン、アルミニウム、銅、ネオジム、スカンジウム等の金属材料又はこれらの元素を含む合金材料を用いて、単層で又は積層して形成することができる。また、上記導電層は、それぞれ、導電性の金属酸化物を用いて形成しても良い。導電性の金属酸化物としては酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３等）、酸化スズ（ＳｎＯ２等）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎ２Ｏ３−ＺｎＯ等）又はこれらの金属酸化物材料に酸化シリコンを含ませたものを用いることができる。
【０１４３】
また、導電層３１３、導電層３１６、導電層３４６ａ及び導電層３４６ｂも、それぞれ、上記金属材料、合金材料、又は導電性の金属酸化物等を用いて形成できる。
【０１４４】
導電層３３１及び導電層３３３、並びに、導電層３３８及び導電層３３９は、透光性を有する導電層である。例えば、酸化インジウム、ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、酸化亜鉛、ガリウムを添加した酸化亜鉛等を用いることができる。また、導電層３２９は導電層３３１と同一の材料、同一の工程で形成できる。
【０１４５】
導電性粒子３４１は、有機樹脂またはシリカなどの粒子の表面を金属材料で被覆したものを用いる。金属材料としてニッケルや金を用いると接触抵抗を低減できるため好ましい。またニッケルをさらに金で被覆するなど、２種類以上の金属材料を層状に被覆させた粒子を用いることが好ましい。
【０１４６】
接続体３１８としては、熱硬化性の樹脂に金属粒子を混ぜ合わせたペースト状又はシート状の材料を用い、熱圧着によって異方性の導電性を示す材料を用いることができる。金属粒子としては、例えばニッケル粒子を金で被覆したものなど、２種類以上の金属が層状となった粒子を用いることが好ましい。
【０１４７】
着色層３２７は特定の波長帯域の光を透過する有色層である。例えば、赤色の波長帯域の光を透過する赤色（Ｒ）のカラーフィルタ、緑色の波長帯域の光を透過する緑色（Ｇ）のカラーフィルタ、青色の波長帯域の光を透過する青色（Ｂ）のカラーフィルタなどを用いることができる。各着色層は、様々な材料を用いて、印刷法、インクジェット法、フォトリソグラフィ法を用いたエッチング方法などでそれぞれ所望の位置に形成する。
【０１４８】
また、隣接する着色層３２７の間に、遮光層３２６が設けられている。遮光層３２６は隣接する発光素子から回り込む光を遮光し、隣接画素間における混色を抑制する。ここで、着色層３２７の端部を、遮光層３２６と重なるように設けることにより、光漏れを抑制することができる。遮光層３２６は、発光素子の発光を遮光する材料を用いることができ、金属材料や顔料や染料を含む樹脂材料などを用いて形成することができる。なお、遮光層３２６を駆動回路部３０４などの光取り出し部３０３以外の領域にも設けると、導波光などによる意図しない光漏れを抑制できるため好ましい。
【０１４９】
また、着色層３２７と遮光層３２６を覆う絶縁層３２８を設けると、着色層３２７や遮光層３２６に含まれる顔料などの不純物が発光素子等に拡散することを抑制できるため好ましい。絶縁層３２８は透光性の材料を用い、無機絶縁材料や有機絶縁材料を用いることができる。絶縁層３２８に前述の透水性の低い絶縁膜を用いてもよい。
【０１５０】
本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１５１】
１０１      吸着チャック
１０２      吸着用孔
１０３      基板ホルダー
１０４      吸着用マイクロ孔
１０５      孔の設けられていない部分
１０６      凹部
１０７      溝
１０８      吸盤
１０９    ローラー
１１０    フック
１１１    基板ホルダー
２００      接合基板
２０１      第１の基板
２０２      第１の剥離層
２０３      第１の素子層
２０４      第１の接着層
２０５      第２の基板
２０６      第２の素子層
２０７      第２の剥離層
２０８      第２の接着層
２０９      フィルム基板
２１０      切欠き部
２１１      スクライブ溝
２１２      第１の素子基板
２１３      第２の素子基板
２１４      フレキシブル印刷回路
２１５      フレキシブル印刷回路
２１６      切欠き部
３０１    素子層
３０２    有機材料層
３０３    光取り出し部
３０４    駆動回路部
３０５    フレキシブル印刷回路
３０５ａ    フレキシブル印刷回路
３０５ｂ    フレキシブル印刷回路
３０６    導電層
３０７    導電層
３０８    基板
３０９    基板
３１０    接着層
３１１    絶縁層
３１２    絶縁層
３１３    導電層
３１４    絶縁層
３１４ａ    絶縁層
３１４ｂ    絶縁層
３１５    絶縁層
３１６    導電層
３１７    封止層
３１８    接続体
３１８ａ    接続体
３１８ｂ    接続体
３１９    スペーサー
３２０    発光素子
３２１    下部電極
３２２    ＥＬ層
３２３    上部電極
３２４    トランジスタ
３２５    絶縁層
３２６    遮光層
３２７    着色層
３２８    絶縁層
３２９    導電層
３３０    ｐ型半導体層
３３１    導電層
３３２    ｉ型半導体層
３３３    導電層
３３４    ｎ型半導体層
３３５    絶縁層
３３６    絶縁層
３３７    導電層
３３８    導電層
３３９    導電層
３４０    絶縁層
３４１    導電性粒子
３４２    絶縁層
３４３    導電層
３４４    絶縁層
３４５    導電層
３４６ａ    導電層
３４６ｂ    導電層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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