(57)【要約】【課題】はんだバンプでのクラックの進行を確実に防止することにより、信頼性を向上させることが可能な配線基板を提供すること。【解決手段】本発明の配線基板１０は、基板本体１１、パッド６１及びソルダーレジスト８１を備える。パッド６１は、基板裏面１３上に配置され、母基板９１との接続に用いられるはんだバンプ８４が表面６２上に形成可能である。ソルダーレジスト８１は、基板裏面１３を覆うとともに、パッド６１を露出させる開口部８２が形成される。パッド６１の表面６２の一部には凸部７１が形成される。凸部７１は、パッド６１の表面６２から先端面７２までの高さＡ４が開口部８２の深さよりも小さく設定され、外側面７３が開口部８２の内側面と向かい合うように開口部８２内に配置され、平面視の形状が開口部８２の平面視の形状と相似形をなしている。【選択図】図３
2014192176.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面及び基板裏面を有する基板本体と、
前記基板裏面上に配置され、母基板との接続に用いられるはんだバンプが表面上に形成可能な複数のパッドと、
前記基板裏面を覆うとともに、前記複数のパッドを露出させる複数の開口部が形成されたソルダーレジストと
を備える配線基板であって、
前記パッドの表面の一部に、先端面及び外側面を有する凸部が形成され、
前記凸部は、
前記パッドの表面から前記先端面までの高さが前記開口部の深さよりも小さく設定され、
前記外側面が前記開口部の内側面と向かい合うように前記開口部内に配置され、
平面視の形状が前記開口部の平面視の形状と相似形をなしている
ことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記凸部は、前記外側面が前記開口部の内側面に接近するように前記開口部内に配置されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記凸部は、前記外側面と前記開口部の内側面との隙間の大きさが均一であることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記凸部は、前記先端面と前記外側面との境界部分が丸みを帯びた形状をなしていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項５】
前記パッドの表面の少なくとも一部、前記先端面及び前記外側面は、めっき層によって連続的に覆われていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項６】
前記凸部は前記基板裏面側において複数存在しており、複数の前記凸部の少なくとも一部は位置合わせ用マークであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の配線基板。
【請求項７】
前記位置合わせ用マークの平面視の形状は、母基板接続用の前記凸部の平面視の形状とは異なることを特徴とする請求項６に記載の配線基板。
【請求項８】
前記複数の開口部のうち少なくとも１つの前記開口部内に配置された前記凸部の表面上に、前記はんだバンプが形成されていることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、母基板との接続に用いられるはんだバンプが形成可能な複数のパッドが基板裏面上に配置された配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。但し、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップを配線基板上に搭載してなるいわゆる半導体パッケージを作製し、その半導体パッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される（例えば特許文献１，２参照）。ここで、マザーボードとの電気的な接続を図るための構造としては、配線基板の基板裏面上に配置された複数のパッド上に、はんだバンプ（いわゆるＢＧＡバンプ）を形成したものが提案されている。
【０００３】
上記従来の配線基板の一例を以下に説明する。図８に示されるように、この種の配線基板１０１では、基板裏面１０２を覆うようにソルダーレジスト１０３が形成され、そのソルダーレジスト１０３には、パッド１０４を露出させる複数の開口部１０５が設けられている。そして、１０５内には、はんだバンプ１０６が形成されるようになっている。なお、はんだバンプ１０６は、例えば印刷法やはんだボール法（マイクロボール法）などにより形成される。印刷法とは、配線基板１０１の基板裏面１０２上に形成された複数のパッド１０４上にメタルマスクを用いてはんだペーストを印刷した後、加熱溶融（リフロー）することにより、はんだバンプ１０６を形成する方法である。はんだボール法とは、複数のパッド１０４上にはんだボールを配置してリフローすることにより、はんだバンプ１０６を形成する方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−９５８６４号公報（図１等）
【特許文献２】特許４５０２６９０号公報（図４等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところが、配線基板１０１をマザーボードに搭載する場合、はんだボールのリフローに伴って加熱⇔冷却の熱サイクル等を起因とする応力が発生すると、開口部１０５の開口端部に応力が集中してしまい、はんだバンプ１０６にクラック１０７が発生する可能性がある。このクラック１０７は、はんだバンプ１０６とパッド１０４との界面に沿って進行しやすいため、はんだバンプ１０６によって構成される電気経路を断線させる要因となってしまう。その結果、製造される配線基板１０１が不良品となるため、配線基板１０１の信頼性が低下するおそれがある。
【０００６】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、はんだバンプでのクラックの進行を確実に防止することにより、信頼性を向上させることが可能な配線基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、基板主面及び基板裏面を有する基板本体と、前記基板裏面上に配置され、母基板との接続に用いられるはんだバンプが表面上に形成可能な複数のパッドと、前記基板裏面を覆うとともに、前記複数のパッドを露出させる複数の開口部が形成されたソルダーレジストとを備える配線基板であって、前記パッドの表面の一部に、先端面及び外側面を有する凸部が形成され、前記凸部は、前記パッドの表面から前記先端面までの高さが前記開口部の深さよりも小さく設定され、前記外側面が前記開口部の内側面と向かい合うように前記開口部内に配置され、平面視の形状が前記開口部の平面視の形状と相似形をなしていることを特徴とする配線基板がある。
【０００８】
従って、手段１の配線基板によると、はんだバンプにクラックが発生し、発生したクラックがはんだバンプとパッドとの界面に沿って進行したとしても、クラックが凸部に到達することによってその進行が確実に抑えられる。その結果、はんだバンプによって構成される電気経路の断線を防止できるため、製造される配線基板の信頼性を向上させることが可能となる。
【０００９】
上記配線基板を構成する基板本体の種類は特に限定されず任意であるが、例えば、樹脂製の基板本体などが用いられる。樹脂製の基板本体としては、ＥＰ樹脂（エポキシ樹脂）、ＰＩ樹脂（ポリイミド樹脂）、ＢＴ樹脂（ビスマレイミド−トリアジン樹脂）、ＰＰＥ樹脂（ポリフェニレンエーテル樹脂）等からなる基板本体が挙げられる。その他、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）との複合材料からなる基板本体を使用してもよい。また、これらの樹脂とポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料からなる基板本体を使用してもよい。あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料からなる基板本体等を使用してもよい。他の材料として、例えば各種のセラミックなどを選択することもできる。なお、配線基板の構造としては特に限定されないが、例えばコア基板の片面または両面にビルドアップ層を有するビルドアップ多層配線基板や、コア基板を有さないコアレス配線基板などを挙げることができる。
【００１０】
上記配線基板を構成するパッドは、基板裏面上に複数配置される。パッドは、導電性の金属材料などによって形成することが可能である。パッドを構成する金属材料としては、例えば、金、銀、銅、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられる。特に、パッドは、銅を主体として形成されていてもよい。このようにした場合、パッドを他の材料を主体として形成する場合よりも、パッドの低抵抗化が図られるとともに、パッドの導電性が向上する。また、パッドは、めっきによって形成されることがよい。このようにすれば、パッドを高精度かつ均一に形成することができる。仮に、パッドを金属ペーストのリフローによって形成すると、パッドを高精度かつ均一に形成することが困難になるため、個々のパッドの高さにバラツキが生じてしまうおそれがある。
【００１１】
上記配線基板を構成するソルダーレジストは、絶縁性及び耐熱性を有する樹脂からなり、基板裏面を覆い隠すことによりその基板裏面を保護する保護膜として機能する。ソルダーレジストの具体例としては、エポキシ樹脂やポリイミド樹脂などからなるソルダーレジストがある。なお、ソルダーレジストに形成された複数の開口部の平面視の形状としては、平面視円形状、平面視楕円形状、平面視三角形状、平面視長方形状、平面視正方形状などを挙げることができる。
【００１２】
さらに、上記配線基板を構成する凸部は、パッドの表面の一部に形成される。凸部を構成する材料としては、例えば、銅、銀、鉄、コバルト、ニッケルなどが挙げられるが、特には、銅を主体として形成されていてもよい。このようにすれば、凸部を他の材料を主体として形成する場合よりも、凸部の低抵抗化が図られるとともに、凸部の導電性が向上する。なお、凸部は、パッドと同じ導電性材料を主体として形成されていてもよい。このようにすれば、凸部の形成に際してパッドとは別の材料を準備しなくても済む。よって、配線基板の製造に必要な材料が少なくなるため、配線基板の低コスト化を図ることが可能となる。
【００１３】
また、凸部は、パッドの表面から先端面までの高さが開口部の深さよりも小さく設定され、外側面が開口部の内側面と向かい合うように開口部内に配置され、平面視の形状が開口部の平面視の形状と相似形をなしている。ここで、凸部の形状としては、円柱状、楕円形状、円柱状、三角柱状、三角錘状、四角柱状、四角錘状、球状などを挙げることができる。さらに、凸部の平面視の形状としては、平面視円形状、平面視楕円形状、平面視三角形状、平面視矩形状などを挙げることができる。そして、凸部の平面視の形状が開口部の平面視の形状と相似形をなす態様としては、凸部及び開口部がともに平面視円形状、平面視楕円形状、平面視三角形状、平面視矩形状をなすことなどが挙げられる。ここで、凸部及び開口部がともに角を有する形状（平面視三角形状、平面視矩形状など）をなす場合、即ち、凸部が複数の外側面を有するとともに、開口部が外側面と同数の内側面を有する場合、それぞれの外側面とそれぞれの内側面とが互いに向かい合うように配置され、かつ、互いに平行に配置されることがよい。
【００１４】
なお、凸部は、外側面が開口部の内側面に接近するように開口部内に配置されていることがよい。このようにすれば、クラックが進行するとすぐに凸部に到達するようになるため、クラックの進行を素早く止めることができる。また、凸部は、外側面と開口部の内側面との隙間の大きさが均一であることがよい。このようにすれば、クラックがはんだバンプの外周部のどの部分から進行したとしても、すぐに凸部に到達するため、クラックの進行をより確実に止めることができる。さらに、凸部は、先端面と外側面との境界部分が丸みを帯びた形状をなしていてもよい。このようにすれば、はんだバンプに応力が加わったとしても、凸部の先端面と外側面との境界部分への応力集中が、境界部分を丸みを帯びた形状とすることによって緩和される。その結果、境界部分を起点とするクラックの発生を確実に防止することができる。
【００１５】
また、凸部の形成方法としては、めっきによって凸部を形成する方法などが挙げられる。この場合、凸部が柱状をなしていれば、めっきによって凸部を容易に形成することができる。また、凸部が例えば銅を主体として形成される場合、凸部は、銅めっきによって形成されていてもよい。このようにすれば、凸部を例えば導電性ペーストなどによって形成する場合に比べて、凸部の導電性が向上する。また、凸部の他の形成方法としては、パッド上に導電性ペーストを印刷して凸部を形成する方法や、パッド上に導電性部材を貼付する工程のみを行って凸部を形成する方法や、パッド上に凸部よりも大きい導電性を有する板材を貼付した後、板材に対するエッチングを行って凸部を形成する方法などが挙げられる。
【００１６】
さらに、パッドの表面の少なくとも一部、先端面及び外側面は、めっき層によって連続的に覆われていてもよい。このようにすれば、パッドの表面及び凸部の表面（先端面及び外側面）にはんだが密着しやすくなるため、はんだバンプを確実に形成することができる。
【００１７】
また、凸部は基板裏面側において複数存在しており、複数の凸部の少なくとも一部は位置合わせ用マークであってもよい。このようにすれば、凸部の少なくとも一部を、部品等の位置合わせに用いられる位置合わせ用マークとして有効に利用することができる。さらに、この場合、ソルダーレジストの開口部の開口端を基準とした位置合わせや、凸部の外周縁（先端面と外側面との境界部分）を基準とした位置合わせを行うことが可能となる。また、位置合わせ用マークとなる凸部と位置合わせ用マークとはならない凸部とを同じ工程で形成できるため、配線基板の製造コストを低く抑えることができる。さらに、位置合わせ用マークの平面視の形状は、母基板接続用の凸部の平面視の形状とは異なるものであってもよい。このようにすれば、位置合わせを行う際に、位置合わせ用マークを容易に認識することができる。
【００１８】
そして、パッドの表面上には、母基板との接続に用いられるはんだバンプが形成可能である。はんだバンプに使用されるはんだ材料としては特に限定されないが、例えば錫鉛共晶はんだ（Ｓｎ／３７Ｐｂ：融点１８３℃）が使用される。錫鉛共晶はんだ以外のＳｎ／Ｐｂ系はんだ、例えばＳｎ／３６Ｐｂ／２Ａｇという組成のはんだ（融点１９０℃）などを使用してもよい。また、上記のような鉛入りはんだ以外にも、Ｓｎ−Ａｇ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ系はんだ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｂｉ−Ｃｕ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ系はんだ、Ｓｎ−Ｚｎ−Ｂｉ系はんだ等の鉛フリーはんだを選択することも可能である。
【００１９】
なお、複数の開口部のうち少なくとも１つの開口部内に配置された凸部の表面上に、はんだバンプが形成されていてもよい。このようにすれば、はんだバンプにクラックが発生し、発生したクラックがはんだバンプとパッドとの界面に沿って進行したとしても、クラックが凸部に到達することによってその進行が確実に抑えられる。その結果、はんだバンプによって構成される電気経路の断線を防止できるため、製造される配線基板の信頼性を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明を具体化した一実施形態の配線基板を示す概略断面図。
【図２】配線基板を示す概略平面図。
【図３】第１パッド及び第１凸部を示す要部断面図。
【図４】第２パッド及び第２凸部を示す要部断面図。
【図５】配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】従来技術における問題点を示す要部断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２２】
図１に示されるように、本実施形態の配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。配線基板１０を構成する基板本体１１は、基板主面１２（図１では上面）及び基板裏面１３（図１では下面）を有する略矩形板状をなしている。基板本体１１は、略矩形板状のコア基板２１と、コア基板２１のコア主面２２上に形成される主面側ビルドアップ層３１と、コア基板２１のコア裏面２３上に形成される裏面側ビルドアップ層３２とからなる。
【００２３】
本実施形態のコア基板２１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ１．０ｍｍの平面視略矩形板状である。コア基板２１は、平面方向（ＸＹ方向）における熱膨張係数が１０〜３０ｐｐｍ／℃（具体的には１８ｐｐｍ／℃）となっている。なお、コア基板２１の熱膨張係数は、０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。このコア基板２１における複数箇所にはスルーホール導体２４が形成されている。かかるスルーホール導体２４は、コア基板２１のコア主面２２側とコア裏面２３側とを接続導通している。なおスルーホール導体２４の内部は、例えばエポキシ樹脂などの閉塞体２５で埋められている。また、コア基板２１のコア主面２２及びコア裏面２３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体２４に電気的に接続されている。
【００２４】
図１に示されるように、主面側ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。本実施形態において、樹脂絶縁層３３，３５の熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には３０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂絶縁層３３，３５の熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。また、第２層の樹脂絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ５１の面接続端子５２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５からなる領域は、ＩＣチップ５１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域５３である。ＩＣチップ搭載領域５３は、主面側ビルドアップ層３１の表面に設定されている。また、樹脂絶縁層３３，３５内には、それぞれビア導体４３，４７が設けられている。これらのビア導体４３，４７は、導体層４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。
【００２５】
図１に示されるように、裏面側ビルドアップ層３２は、上述した主面側ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、裏面側ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有しており、樹脂絶縁層３４，３６の熱膨張係数が１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には３０ｐｐｍ／℃程度）となっている。
【００２６】
図１〜図３に示されるように、配線基板１０の基板裏面１３上（第２層の樹脂絶縁層３６の下面上）には、平面視円形状をなす第１パッド６１が基板裏面１３の面方向に沿って縦横に複数配列されている。各第１パッド６１は、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるようになっている。なお、図３に示されるように、各第１パッド６１の外径Ａ１は、ビア導体４３の外径（本実施形態では５０μｍ以上１００μｍ以下）よりも大きく（本実施形態では３００μｍ以上７００μｍ以下）設定されている。また、本実施形態における各第１パッド６１の厚さＡ２は、１０μｍ以上３０μｍ以下に設定されている。
【００２７】
図１〜図３に示されるように、各第１パッド６１の下面６２（表面）の中央部分には、平面視円形状をなす第１凸部７１が固定されている。第１凸部７１は第１パッド６１とは別体に形成されている。また、第１凸部７１は、基板裏面１３側において複数存在しており、１つの第１パッド６１に対して１箇所ずつ配置されている。よって、第１凸部７１の数は、第１パッド６１の数と等しくなっている。なお、第１凸部７１は、第１パッド６１と同じ導電性材料である銅を主体として形成された銅ポストである。
【００２８】
また、図３に示されるように、各第１凸部７１は、先端面７２及び外側面７３を有する断面略矩形状をなしている。そして、第１凸部７１は、先端面７２と外側面７３との境界部分が丸みを帯びた形状をなしている。なお、各第１凸部７１の外径Ａ３は、第１パッド６１の外径Ａ１（３００μｍ以上７００μｍ以下）よりも小さく設定され、本実施形態では２００μｍ以上６００μｍ以下に設定されている。また、第１凸部７１は、第１パッド６１の下面６２から先端面７２までの高さＡ４が、第１パッド６１の厚さＡ２（１０μｍ以上３０μｍ以下）よりも大きく設定されており、本実施形態では１５μｍ以上３５μｍ以下に設定されている。そして、第１凸部７１の中心軸は、第１パッド６１の中心軸Ｃ１と一致している。なお、「中心軸Ｃ１」とは、平面視で第１パッド６１の中心となる箇所を通る軸線のことをいう。
【００２９】
さらに、第１パッド６１の表面（下面６２）の一部、及び、第１凸部７１の表面（先端面７２及び外側面７３）は、めっき層７４によって連続的に覆われている。めっき層７４は、ニッケル層、パラジウム層及び金層によって構成されている。ニッケル層は、第１パッド６１の表面の一部、及び、第１凸部７１の表面を無電解ニッケルめっきで被覆することによって形成されためっき層である。パラジウム層は、ニッケル層の表面を無電解パラジウムめっきで被覆することによって形成されためっき層である。金層は、ニッケル層の表面を無電解金めっきで被覆することによって形成されためっき層である。また、第１パッド６１及び第１凸部７１は、めっき層などの介在物を介することなく直接接続されている。なお、本実施形態のめっき層７４は、ニッケル層、パラジウム層及び金層からなる構造を有しているが、層構造は適宜変更することが可能である。
【００３０】
図２，図４に示されるように、配線基板１０の基板裏面１３上における外周部（四隅）には、平面視三角形状をなす第２パッド６３がそれぞれ配置されている。なお、図４に示されるように、各第２パッド６３の外径Ｂ１（最大径）は、各第１パッド６１の外径Ａ１（３００μｍ以上７００μｍ以下）よりも大きく設定され、本実施形態では４００μｍ以上８００μｍ以下に設定されている。また、本実施形態における各第２パッド６３の厚さＢ２は、１０μｍ以上３０μｍ以下に設定されている。
【００３１】
図２，図４に示されるように、各第２パッド６３の下面６４（表面）の中央部分には、平面視三角形状をなす第２凸部７５が固定されている。第２凸部７５は第２パッド６３とは別体に形成されている。また、第２凸部７５は、基板裏面１３側において複数存在しており、１つの第２パッド６３に対して１箇所ずつ配置されている。よって、第２凸部７５の数は、第２パッド６３の数と等しくなっている。なお、第２凸部７５は、第２パッド６３と同じ導電性材料である銅を主体として形成された銅ポストである。
【００３２】
また、図４に示されるように、各第２凸部７５は、先端面７６及び外側面７７を有する断面略矩形状をなしている。そして、第２凸部７５は、先端面７６と外側面７７との境界部分が丸みを帯びた形状をなしている。なお、各第２凸部７５の外径Ｂ３（最大径）は、第２パッド６３の外径Ｂ１（４００μｍ以上８００μｍ以下）よりも小さく設定され、本実施形態では２００μｍ以上６００μｍ以下に設定されている。また、第２凸部７５は、第２パッド６３の下面６４から先端面７６までの高さＢ４が、第２パッド６３の厚さＢ２（１０μｍ以上３０μｍ以下）よりも大きく、かつ、第１凸部７１の高さＡ４と等しく設定されており、本実施形態では１５μｍ以上３５μｍ以下に設定されている。そして、第２凸部７５の中心軸は、第２パッド６３の中心軸Ｃ２と一致している。なお、「中心軸Ｃ２」とは、平面視で第２パッド６３の中心となる箇所を通る軸線のことをいう。
【００３３】
さらに、第２パッド６３の表面（下面６４）の一部、及び、第２凸部７５の表面（先端面７６及び外側面７７）は、めっき層７８によって連続的に覆われている。めっき層７８は、ニッケル層、パラジウム層及び金層によって構成され、めっき層７４と同じ層構造を有している。また、第２パッド６３及び第２凸部７５は、めっき層などの介在物を介することなく直接接続されている。なお、本実施形態のめっき層７８は、ニッケル層、パラジウム層及び金層からなる構造を有しているが、層構造は適宜変更することが可能である。
【００３４】
図１〜図４に示されるように、配線基板１０の基板裏面１３（樹脂絶縁層３６の下面）は、ソルダーレジスト８１によってほぼ全体的に覆われている。このソルダーレジスト８１には、第１パッド６１及び第１凸部７１を露出させる複数の第１開口部８２と、第２パッド６３及び第２凸部７５を露出させる複数の第２開口部８３とが形成されている。
【００３５】
なお、第１開口部８２は、平面視円形状をなし、内径が３００μｍ以上７００μｍ以下に設定されている。従って、第１開口部８２の平面視の形状は、第１凸部７１の平面視の形状と相似形をなしている。また、第１凸部７１は、外側面７３が第１開口部８２の内側面と向かい合うように第１開口部８２内に配置されるとともに、外側面７３が第１開口部８２の内側面に接近するように第１開口部８２内に配置されている。そして、第１凸部７１は、外側面７３と第１開口部８２の内側面との隙間Ｓ１の大きさ（本実施形態では５０μｍ程度）が均一となっている。また、第１凸部７１の高さＡ４（１５μｍ以上３５μｍ以下）は、第１開口部８２の深さ（本実施形態では２０μｍ以上４０μｍ以下）よりも小さく設定されている。
【００３６】
図２，図４に示されるように、第２開口部８３は、平面視三角形状をなし、内径（最大径）が４００μｍ以上８００μｍ以下に設定されている。従って、第２開口部８３の平面視の形状は、第２凸部７５の平面視の形状と相似形をなしている。また、第２凸部７５は、外側面７７が第２開口部８３の内側面と向かい合うように第２開口部８３内に配置されるとともに、外側面７７が第２開口部８３の内側面に接近するように第２開口部８３内に配置されている。そして、第２凸部７５は、外側面７７と第２開口部８３の内側面との隙間Ｓ２の大きさ（本実施形態では５０μｍ程度）が均一となっている。また、第２凸部７５の高さＢ４（１５μｍ以上３５μｍ以下）は、第２開口部８３の深さ（本実施形態では２０μｍ以上４０μｍ以下）よりも小さく設定されている。
【００３７】
なお、各凸部７１，７５のうち、各第１凸部７１はマザーボード９１接続用の凸部であり、各第２凸部７５は位置合わせ用マークとなる凸部である。第２凸部７５の平面視の形状（本実施形態では平面視三角形状）は、第１凸部７１の平面視の形状（本実施形態では平面視円形状）とは異なっている。この位置合わせ用マークは、第２凸部７５の先端面７２の外周縁や、第１開口部８２の開口端縁を図示しない検出装置で検出することより認識される。
【００３８】
図１，図３に示されるように、第１パッド６１の表面上には、マザーボード９１（母基板）との接続に用いられるはんだバンプ８４が形成されている。詳述すると、各開口部８２，８３のうち、第１開口部８２内に配置された第１凸部７１の表面（先端面７２及び外側面７３）上に、はんだバンプ８４が形成されている。はんだバンプ８４は、第１パッド６１の下面６２において第１開口部８２内に露出した領域を覆うとともに、第１凸部７１の表面全体を覆っている。このため、第１パッド６１及び第１凸部７１は、はんだバンプ８４に覆われて見えなくなっている。はんだバンプ８４の高さは、第１凸部７１の高さＡ４（１５μｍ以上３５μｍ以下）よりも高く、本実施形態では３００μｍ以上７００μｍ以下に設定されている。なお、本実施形態のはんだバンプ８４は、鉛フリーはんだであるＳｎ−Ａｇ系はんだからなっている。そして、図３に示されるように、各第１パッド６１は、はんだバンプ８４を介してマザーボード９１側の端子９２に接続されるようになっている。即ち、はんだバンプ８４は、マザーボード９１側の端子９２との電気的な接続に用いられる、いわゆるＢＧＡバンプである。
【００３９】
次に、配線基板１０の製造方法について説明する。
【００４０】
まず、基板本体１１を準備する基板準備工程を行う。具体的には、まず、ガラスエポキシからなる基材の両面に銅箔が貼付された銅張積層板を準備する。そして、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板の表裏面を貫通する貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、貫通孔の内面に対して無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことにより、貫通孔内にスルーホール導体２４を形成する。その後、スルーホール導体２４の空洞部を絶縁樹脂材料（エポキシ樹脂）で穴埋めし、閉塞体２５を形成する。
【００４１】
さらに、無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことにより、閉塞体２５の露出部分を含む銅張積層板の表面に銅めっき層を形成した後、その銅めっき銅及び銅箔を例えばサブトラクティブ法によってパターニングする。その結果、導体層４１及びスルーホール導体２４が形成されたコア基板２１の中間製品を得る。なお、コア基板２１の中間製品とは、コア基板２１となるべき領域が平面方向に沿って縦横に複数配置された多数個取り用コア基板である。
【００４２】
次に、コア基板２１のコア主面２２上に主面側ビルドアップ層３１を形成するとともに、コア基板２１のコア裏面２３上に裏面側ビルドアップ層３２を形成する。具体的に言うと、まず、コア主面２２上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、樹脂絶縁層３３を形成する。また、コア裏面２３上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着（貼付）することにより、樹脂絶縁層３４を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマー（ＬＣＰ：Liquid Crystalline Polymer）を被着してもよい。
【００４３】
さらに、ＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いてレーザー孔あけ加工を行い、ビア導体４７が形成されるべき位置にビア孔を形成する。具体的には、樹脂絶縁層３３を貫通するビア孔を形成し、導体層４１の表面を露出させる。また、樹脂絶縁層３４を貫通するビア孔を形成し、導体層４１の表面を露出させる。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、ビア孔の内部にビア導体４７を形成するとともに、樹脂絶縁層３３，３４上に導体層４２を形成する。
【００４４】
次に、樹脂絶縁層３３，３４上に熱硬化性エポキシ樹脂を被着して、樹脂絶縁層３５，３６を形成する。なお、熱硬化性エポキシ樹脂を被着する代わりに、感光性エポキシ樹脂や絶縁樹脂や液晶ポリマーを被着してもよい。この場合、レーザー加工機などにより、樹脂絶縁層３５においてビア導体４３が形成されるべき位置にビア孔が形成される。次に、従来公知の手法に従って電解銅めっきを行い、樹脂絶縁層３５のビア孔内にビア導体４３を形成するとともに、樹脂絶縁層３５上に端子パッド４４を形成する。なお、この時点で、基板本体１１が完成する。
【００４５】
続くパッド形成工程では、基板裏面１３を有する最外層の樹脂絶縁層３６上に対してめっきを行うことにより、基板裏面１３上にパッド６１，６３を形成する（図５参照）。本実施形態では、セミアディティブ法を行うことにより、樹脂絶縁層３６上にパッド６１，６３をパターン形成する。具体的に言うと、まず、レーザー加工を施すことによって樹脂絶縁層３６の所定の位置にビア孔を形成し、次いで各ビア孔内のスミアを処理するデスミア処理を行う。次に、樹脂絶縁層３６の表面に対して無電解銅めっきを行った後、樹脂絶縁層３６上にドライフィルムをラミネートして、第１めっきレジスト（図示略）を形成する。さらに、第１めっきレジストに対してレーザー加工機を用いてレーザー加工を行う。その結果、樹脂絶縁層３６においてビア孔と連通する位置に、内径がビア孔の外径よりも大きく設定された第１開口部が形成されるとともに、樹脂絶縁層３６においてビア孔と連通しない位置に第２開口部が形成される。そして、電解銅めっきを行い、各ビア孔内にビア導体４３を形成するとともに、第１開口部を介して露出した樹脂絶縁層３６の上面（基板裏面１３）、及び、第１開口部を介して露出したビア導体４３の上面に対して、銅（銅層）を主体とする第１パッド６１を形成する。また、第２開口部を介して露出した樹脂絶縁層３６の上面（基板裏面１３）に対して、銅（銅層）を主体とする第２パッド６３を形成する。その後、第１めっきレジストを剥離するとともに、不要な無電解銅めっき層を除去する。なお、本実施形態における銅層の厚さは、１０μｍ以上３０μｍ以下に設定されている。本実施形態の銅層は、めっきによって形成されているが、スパッタ法、ＣＶＤ等の他の方法により形成することも可能である。しかし、特に銅層において必要な高さ（１０μｍ以上３０μｍ以下）を得るためには、めっきによって形成されることが好ましい。
【００４６】
続くソルダーレジスト形成工程では、パッド６１，６３が形成された樹脂絶縁層３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、基板裏面１３を覆うようにソルダーレジスト８１を形成する（図６参照）。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト８１に開口部８２，８３をパターニングする（図６参照）。
【００４７】
続く凸部形成工程では、各パッド６１，６３に対してめっきを行うことにより、各パッド６１，６３の下面６２，６４に凸部７１，７５を形成する（図７参照）。具体的に言うと、まず、ソルダーレジスト８１の表面にドライフィルムをラミネートして、第２めっきレジスト（図示略）を形成する。次に、第２めっきレジストに対してレーザー加工機を用いたレーザー加工を行う。その結果、パッド６１，６３の下面６２，６４の中央部を露出させる開口部が形成される。そして、開口部を介して露出した下面６２，６４の中央部に対して電解銅めっきを行う。この時点で、銅（銅層）を主体とする凸部７１，７５が形成される。その後、第２めっきレジストを剥離する。ここで、凸部７１，７５を構成する銅層の厚さは、１５μｍ以上３５μｍ以下に設定されている。なお、本実施形態では、銅層を電解めっきによって形成しているが、無電解めっき、スパッタ法、ＣＶＤ等の他の方法により形成することも可能である。しかし、特に銅層において必要な高さ（１５μｍ以上３５μｍ以下）を得るためには、めっきによって形成されることが好ましい。
【００４８】
その後、無電解ニッケルめっきを行い、パッド６１，６３の表面（下面６２，６４）と凸部７１，７５の表面（先端面７２，７６及び外側面７３，７７）とに対してニッケル層を形成する。さらに、無電解パラジウムめっきを行い、ニッケル層上にパラジウム層を形成する。そして、無電解金めっきを行い、パラジウム層上に金層を形成する。ここで、ニッケル層、パラジウム層及び金層の厚さは０．０１μｍ以上１５μｍ以下に設定されている。なお、本実施形態のニッケル層、パラジウム層及び金層は、めっきによって形成されているが、スパッタ法、ＣＶＤ等の他の方法により形成することも可能である。
【００４９】
続くはんだバンプ形成工程では、配線基板１０の基板裏面１３側に形成されている複数の第１パッド６１上にはんだバンプ８４を形成する。具体的には、図示しないはんだボール搭載装置を用いて各第１パッド６１上にはんだボールを配置した後、はんだボールを所定の温度に加熱して加熱溶融（リフロー）することにより、各第１パッド６１上にはんだバンプ８４を形成する。また、配線基板１０の基板主面１２側に形成されている複数の端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成する。具体的には、はんだボール搭載装置を用いて各端子パッド４４上にはんだボールを配置した後、はんだボールを所定の温度に加熱して加熱溶融（リフロー）することにより、各端子パッド４４上にはんだバンプ４５を形成する。なお、この時点で、配線基板１０の中間製品が完成する。
【００５０】
その後、従来周知の切断装置などを用いて配線基板１０の中間製品を分割する。その結果、製品部同士が分割され、個々の製品である配線基板１０が多数個同時に得られる（図１参照）。
【００５１】
さらに、ＩＣチップ搭載工程を実施する。具体的に言うと、まず、配線基板１０の基板主面１２側にＩＣチップ５１を載置する。このとき、ＩＣチップ５１の底面側に配置された面接続端子５２を、配線基板１０側に配置されたはんだバンプ４５上に載置するようにする。そして、２３０℃〜２６０℃程度の温度に加熱して各はんだバンプ４５を加熱溶融（リフロー）することにより、端子パッド４４が面接続端子５２に対してフリップチップ接続され、配線基板１０にＩＣチップ５１が搭載される（図１参照）。
【００５２】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００５３】
（１）本実施形態の配線基板１０では、はんだバンプ８４にクラック１００（図３参照）が発生し、発生したクラック１００がはんだバンプ８４と第１パッド６１との界面に沿って進行したとしても、クラック１００が第１凸部７１に到達することによってその進行が確実に抑えられる。その結果、はんだバンプ８４によって構成される電気経路の断線を防止できるため、製造される配線基板１０の信頼性を向上させることが可能となる。
【００５４】
（２）本実施形態では、第１パッド６１の下面６２の一部に第１凸部７１が固定され、全体として凸状をなしている。ゆえに、第１パッド６１の表面（下面６２）及び第１凸部７１の表面（先端面７２及び外側面７３）を覆うはんだバンプ８４を形成すれば、はんだバンプ８４内に第１凸部７１が嵌り込んだ状態となる。その結果、第１パッド６１及び第１凸部７１とはんだバンプ８４との接触面積が確保される。従って、第１パッド６１の表面とはんだバンプ８４との密着強度や、第１凸部７１の表面とはんだバンプ８４との密着強度を高くすることができ、ひいては、個々の第１パッド６１とマザーボード９１との接続不良を防止することができる。即ち、マザーボード９１との接続に適した第１パッド６１及び第１凸部７１を備えることにより、配線基板１０の信頼性をよりいっそう向上させることができる。
【００５５】
（３）本実施形態では、第１凸部７１における第１パッド６１の下面６２から先端面７２までの高さＡ４が、第１開口部８２の深さよりも小さく設定されている。その結果、はんだバンプ形成工程において、はんだバンプ８４となるはんだボールを第１開口部８２内に確実に配置することができる。
【００５６】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００５７】
・上記実施形態では、マザーボード９１接続用の第１凸部７１の平面視の形状（平面視円形状）と、位置合わせ用マークとなる第２凸部７５の平面視の形状（平面視三角形状）とが、互いに異なっていたが、凸部７１，７５の平面視の形状を互いに等しい形状にしてもよい。
【００５８】
・上記実施形態では、１つのパッド６１，６３について、１つの凸部７１，７５を形成していたが、これに限定されるものではなく、２つ以上の凸部を形成してもよい。
【００５９】
・上記実施形態の凸部７１，７５は、銅めっきによって形成された導体（銅ポスト）であったが、銅ペーストを印刷することによって形成された導体であってもよい。
【００６０】
・上記実施形態では、パッド６１，６３及び凸部７１，７５を被覆するめっき層７４，７８が、ニッケル層、パラジウム層及び金層からなるめっき層であったが、銅層以外のめっき層であればよく、例えば、ニッケル層及び金層などからなる他のめっき層に変更してもよい。
【００６１】
・上記実施形態のはんだバンプ形成工程では、第１パッド６１上に配置したはんだボールを加熱溶融（リフロー）させることにより、はんだバンプ８４を形成していた。しかし、第１パッド６１上に印刷されたはんだペーストを加熱溶融させることにより、はんだバンプを形成するようにしてもよい。
【００６２】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６３】
（１）上記手段１において、前記パッドの表面の少なくとも一部、前記先端面及び前記外側面は、めっき層によって連続的に覆われており、前記凸部は、前記めっき層を介することなく、前記パッドの表面に直接接続されていることを特徴とする配線基板。
【００６４】
（２）上記手段１において、前記凸部は前記基板裏面側において複数存在しており、複数の前記凸部の少なくとも一部は位置合わせ用マークであり、前記位置合わせ用マークとなる前記凸部は、前記基板裏面側における外周部に位置していることを特徴とする配線基板。
【００６５】
（３）上記手段１に記載の配線基板を製造する方法であって、前記基板本体を準備する基板準備工程と、前記基板裏面上に前記複数のパッドを形成するパッド形成工程と、前記基板裏面を覆うように前記ソルダーレジストを形成するソルダーレジスト形成工程と、前記複数のパッドの表面の一部に前記凸部を形成する凸部形成工程とを含むことを特徴とする配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００６６】
１０…配線基板
１１…基板本体
１２…基板主面
１３…基板裏面
６１…パッドとしての第１パッド
６２，６４…パッドの表面としての下面
６３…パッドとしての第２パッド
７１…凸部としての第１凸部
７２，７６…凸部の表面としての先端面
７３，７７…凸部の表面としての外側面
７４，７８…めっき層
７５…凸部としての第２凸部
８１…ソルダーレジスト
８２…開口部としての第１開口部
８３…開口部としての第２開口部
８４…はんだバンプ
９１…母基板としてのマザーボード
Ａ４，Ｂ４…パッドの表面から先端面までの高さ
Ｓ１，Ｓ２…凸部の外側面と開口部の内側面との隙間
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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