(57)【要約】【課題】  光通信の高信頼性を確保することができるとともに、装置の小型化および光学調整に要する時間の短縮化を図ることができる光通信装置を提供する。【解決手段】  光通信装置１００は、光信号を送信または受信する光半導体素子２と、光信号が伝送される光伝送路１とを備える。光伝送路１は、コア部１１とクラッド部１２とからなり、コア部１１内を伝送する光信号の伝送方向一端部の端面から内方側に凹んだ凹所１３が形成されている。光半導体素子２は、光軸Ｓが前記光信号の伝送方向に沿って延びるように、前記凹所１３内に配置される。【選択図】      図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光信号が伝送されるコア部と、該コア部の外周を覆う、該コア部とは屈折率が異なるクラッド部とからなり、該コア部内を伝送する光信号の伝送方向一端部の端面から内方側に凹んだ凹所が形成される光伝送路と、
光信号を送信または受信する１または複数の光半導体素子であって、光軸が前記光信号の伝送方向に沿って延びるように、前記凹所内に配置される光半導体素子と、を備えることを特徴とする光通信装置。
【請求項２】
前記光伝送路は、樹脂からなることを特徴とする請求項１に記載の光通信装置。
【請求項３】
前記光伝送路には、前記光信号の伝送方向一端部の表面に、前記光半導体素子に電気信号を伝達するための電極パターンが設けられていることを特徴とする請求項１または２に記載の光通信装置。
【請求項４】
前記光伝送路は、モードフィールド径が１０μｍ以下のシングルモードファイバであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光通信装置。
【請求項５】
前記光伝送路は、グレーデッドインデックス型のマルチモードファイバであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の光通信装置。
【請求項６】
前記光半導体素子の光軸と前記光伝送路の光軸とは、同一直線上にあることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の光通信装置。
【請求項７】
前記光半導体素子は、端面発光レーザ素子であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載の光通信装置。
【請求項８】
前記光伝送路には、前記光信号の伝送方向一端部に、前記光半導体素子を覆う樹脂からなる封止部材が設けられていることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１つに記載の光通信装置。
【請求項９】
前記光伝送路は、
外周面が光軸を中心とする円筒状に形成される第１光伝送部と、
前記第１光伝送部の、前記光信号の伝送方向一端部に連なり、光軸を中心とする仮想円筒面よりも光軸に近づく方向に退避した、光軸に平行な平坦面が形成された第２光伝送部と、を有することを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の光通信装置。
【請求項１０】
前記凹所には、複数の光半導体素子が配置されていることを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の光通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光信号を送信または受信する光半導体素子と、光信号が伝送される光伝送路とを備えた光通信装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体レーザ素子、発光素子、および受光素子などの光半導体素子と、光信号が伝送される伝送路となる、光ファイバや光導波路などの光伝送路と、を備えた光通信装置が知られている（特許文献１，２参照）。
【０００３】
図８は、従来技術に係る光通信装置の構成を示す図である。図８（ａ）は、第１の従来技術に係る光通信装置６００の構成を示し、図８（ｂ）は、第２の従来技術に係る光通信装置７００の構成を示す。
【０００４】
第１の従来技術に係る光通信装置６００は、光伝送路６０１と、プリント基板６０３に実装された光半導体素子６０２と、レンズ６０５とを含んで構成される。光伝送路６０１は、光信号が伝送されるコア部６０１１と、該コア部６０１１の外周を覆うように形成されるクラッド部６０１２とを有する。
【０００５】
光通信装置６００では、光半導体素子６０２が発光素子である場合、光半導体素子６０２から送信された光信号は、光半導体素子６０２と光伝送路６０１との間に配置されるレンズ６０５を介して光伝送路６０１のコア部６０１１内を伝送される。
【０００６】
また、光半導体素子６０２が受光素子である場合、光伝送路６０１のコア部６０１１内を伝送された光信号は、レンズ６０５を介して光半導体素子６０２によって受信される。このようにして、光通信装置６００は、光通信を行うことができる。
【０００７】
また、光通信装置６００において、プリント基板６０３に実装された光半導体素子６０２は、樹脂からなる封止部材６０４によって気密封止されており、これによって、光半導体素子６０２によって送信または受信される光信号が外部に洩れるのを防止することができ、光通信の高信頼性を確保することができる。
【０００８】
第２の従来技術に係る光通信装置７００は、光伝送路７０１と、プリント基板７０３に実装された光半導体素子７０２とを含んで構成される。光伝送路７０１は、光信号が伝送されるコア部７０１１と、該コア部７０１１の外周を覆うように形成されるクラッド部７０１２とを有し、光伝送路７０１においてコア部７０１１の光軸方向一端部の端面にはミラー部７０１３が形成されている。
【０００９】
光通信装置７００では、光半導体素子７０２が発光素子である場合、光半導体素子７０２から送信された光信号は、ミラー部７０１３を介して光伝送路７０１のコア部７０１１内を伝送される。
【００１０】
また、光半導体素子７０２が受光素子である場合、光伝送路７０１のコア部７０１１内を伝送された光信号は、ミラー部７０１３を介して光半導体素子７０２によって受信される。このようにして、光通信装置７００は、光通信を行うことができる。また、光通信装置７００において、プリント基板７０３に実装された光半導体素子７０２は、封止部材によって気密封止されておらず、その分、光伝送路７０１に近接して配置されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−２３６２３９号公報
【特許文献２】特表２００４−５３７１６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
第１の従来技術に係る光通信装置６００では、光通信の高信頼性を確保することができるが、光伝送路６０１と光半導体素子６０２との間にレンズ６０５が配置されているので、装置が大型化されてしまう。さらに、光通信装置６００では、良好な光通信を実現するためには、光伝送路６０１、光半導体素子６０２、およびレンズ６０５の、３点の光学部品間の光学調整が必要であり、その光学調整に長時間を要することになる。
【００１３】
第２の従来技術に係る光通信装置７００では、光半導体素子７０２が封止部材によって気密封止されていない分、光半導体素子７０２を光伝送路７０１に近接して配置することが可能であるので、レンズを省略しても、光伝送路７０１と光半導体素子７０２との良好な光結合効率を確保することができる。そのため、光通信装置７００は、第１の従来技術に係る光通信装置６００に比較して、レンズを省略することができる分、装置の小型化が可能であり、さらに、光学調整に要する時間も短縮化することができる。しかしながら、第２の従来技術に係る光通信装置７００は、第１の従来技術に係る光通信装置６００に比較して、光半導体素子７０２が封止部材によって気密封止されていない分、光半導体素子７０２によって送信または受信される光信号が外部に洩れるのを防止する機能に劣る。
【００１４】
したがって本発明の目的は、光通信の高信頼性を確保することができるとともに、装置の小型化および光学調整に要する時間の短縮化を図ることができる光通信装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、光信号が伝送されるコア部と、該コア部の外周を覆う、該コア部とは屈折率が異なるクラッド部とからなり、該コア部内を伝送する光信号の伝送方向一端部の端面から内方側に凹んだ凹所が形成される光伝送路と、
光信号を送信または受信する１または複数の光半導体素子であって、光軸が前記光信号の伝送方向に沿って延びるように、前記凹所内に配置される光半導体素子と、を備えることを特徴とする光通信装置である。
【００１６】
また本発明の光通信装置において、前記光伝送路は、樹脂からなることを特徴とする。
また本発明の光通信装置において、前記光伝送路には、前記光信号の伝送方向一端部の表面に、前記光半導体素子に電気信号を伝達するための電極パターンが設けられていることを特徴とする。
【００１７】
また本発明の光通信装置において、前記光伝送路は、モードフィールド径が１０μｍ以下のシングルモードファイバであることを特徴とする。
【００１８】
また本発明の光通信装置において、前記光伝送路は、グレーデッドインデックス型のマルチモードファイバであることを特徴とする。
【００１９】
また本発明の光通信装置において、前記光半導体素子の光軸と前記光伝送路の光軸とは、同一直線上にあることを特徴とする。
【００２０】
また本発明の光通信装置において、前記光半導体素子は、端面発光レーザ素子であることを特徴とする。
【００２１】
また本発明の光通信装置において、前記光伝送路には、前記光信号の伝送方向一端部に、前記光半導体素子を覆う樹脂からなる封止部材が設けられていることを特徴とする。
【００２２】
また本発明の光通信装置において、前記光伝送路は、
外周面が光軸を中心とする円筒状に形成される第１光伝送部と、
前記第１光伝送部の、前記光信号の伝送方向一端部に連なり、光軸を中心とする仮想円筒面よりも光軸に近づく方向に退避した、光軸に平行な平坦面が形成された第２光伝送部と、を有することを特徴とする。
【００２３】
また本発明の光通信装置において、前記凹所には、複数の光半導体素子が配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、光通信装置は、光信号を送信または受信する光半導体素子と、光信号が伝送される光伝送路とを備える。光伝送路は、コア部とクラッド部とからなり、コア部内を伝送する光信号の伝送方向一端部の端面から内方側に凹んだ凹所が形成されている。光半導体素子は、光軸が前記光信号の伝送方向に沿って延びるように、前記凹所内に配置される。
【００２５】
本発明の光通信装置では、光半導体素子が光伝送路の端面に形成される凹所内に配置されているので、光半導体素子によって送信または受信される光信号が外部に洩れるのを抑制することができ、光通信の高信頼性を確保することができる。さらに、光伝送路の凹所内に光半導体素子を配置することによって、レンズなどの光学部品を介しなくても、光伝送路と光半導体素子との良好な光結合効率を確保することができる。したがって、光通信装置は、レンズなどの光学部品を省略することができる分、装置の小型化が可能であり、さらに、光学調整に要する時間も短縮化することができる。
【００２６】
また本発明によれば、光伝送路は、樹脂からなることが好ましい。本発明の光通信装置に備えられる光伝送路には、光信号の伝送方向一端部の端面から内方側に凹んだ凹所が形成されているが、この凹所は、金型を用いた成形加工などにより形成される。光伝送路を樹脂で構成することによって、ガラス材料などで構成する場合に比べて、前記凹所を形成するときの成形加工時の成形温度を低温化することができるので、光伝送路における凹所近傍に発生する内部応力を緩和することができる。これによって、光伝送路の凹所内に配置される光半導体素子が、光伝送路における凹所近傍に発生する内部応力によって劣化するのを抑制することができる。また、光伝送路の凹所を形成するときの成形加工時の成形温度を低温化することができることによって、金型の長寿命化および省エネ化を図ることができる。
【００２７】
また本発明によれば、光伝送路には、光信号の伝送方向一端部の表面に電極パターンが設けられている。光伝送路の表面（光伝送路の外周面および凹所の内周面）を利用して設けられた電極パターンを介して電気信号を、光半導体素子に伝達することができる。
【００２８】
また本発明によれば、光伝送路は、モードフィールド径が１０μｍ以下のシングルモードファイバであることが好ましい。本発明の光通信装置では、光半導体素子が光伝送路の凹所内に配置されているので、光伝送路がモードフィールド径の小さいシングルモードファイバであっても、光伝送路と光半導体素子との良好な光結合効率を確保することができる。また、光伝送路がシングルモードファイバであることによって、長距離にわたって光信号の伝送損失を小さくすることができる。
【００２９】
また本発明によれば、光伝送路は、グレーデッドインデックス型のマルチモードファイバであることが好ましい。グレーデッドインデックス型のマルチモードファイバは、光信号が伝送されるコア部の径が大きい光伝送路であるので、光学調整に要する時間を短縮化することができる。また、光伝送路がグレーデッドインデックス型のマルチモードファイバであることによって、光信号の高速伝送が可能である。
【００３０】
また本発明によれば、光半導体素子の光軸と光伝送路の光軸とが、同一直線上にあることが好ましい。これによって、光伝送路と光半導体素子との良好な光結合効率を確保することができる。
【００３１】
また本発明によれば、光半導体素子が端面発光レーザ素子であっても、光伝送路と光半導体素子との良好な光結合効率を確保することができる。
【００３２】
また本発明によれば、光伝送路には、光信号の伝送方向一端部に、光半導体素子を覆う樹脂からなる封止部材が設けられている。光半導体素子が封止部材で気密封止されることで、光半導体素子によって送信または受信される光信号が外部に洩れるのをより確実に防止することができ、光通信の高信頼性を確保することができる。
【００３３】
また本発明によれば、光伝送路は、第１光伝送部と第２光伝送部とを有する。第１光伝送部は、外周面が光軸を中心とする円筒状に形成される。第２光伝送部は、第１光伝送部の、光信号の伝送方向一端部に連なり、光軸を中心とする仮想円筒面よりも光軸に近づく方向に退避した、光軸に平行な平坦面が形成されている。これによって、光半導体素子が凹所に配置された光伝送路をコネクタに挿入して固定する場合に、前記平坦面がコネクタに対する位置決め面として機能し、コネクタに挿入された状態で光伝送路が光軸まわりに回転することを防止することができる。
【００３４】
また本発明によれば、光通信装置を、複数の光半導体素子を備える構成とした場合であっても、複数の光半導体素子を光伝送路の凹所に配置することによって、光伝送路との良好な光結合効率を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る光通信装置１００の構成を示す図である。
【図２】光通信装置１００がコネクタ８に挿入されて固定された状態を示す図である。
【図３Ａ】光通信装置１００の製造方法を説明するための図である。
【図３Ｂ】光通信装置１００の製造方法を説明するための図である。
【図４】本発明の第２実施形態に係る光通信装置２００の構成を示す図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る光通信装置３００の構成を示す図である。
【図６】本発明の第４実施形態に係る光通信装置４００の構成を示す図である。
【図７】本発明の第５実施形態に係る光通信装置５００の構成を示す図である。
【図８】従来技術に係る光通信装置の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
図１は、本発明の第１実施形態に係る光通信装置１００の構成を示す図である。本実施形態の光通信装置１００は、たとえば、デジタルＴＶ、デジタルＢＳチューナ、ＣＳチューナ、ＤＶＤ(デジタル・バーサタイル・ディスク)プレーヤー、ＤＶＤレコーダー、ハイビジョンレコーダー、ＨＤＤレコーダー、スーパーオーディオＣＤプレーヤー、ＡＶアンプ、オーディオ機器、パーソナルコンピュータ、パソコン周辺機器などの電子機器に使用される光通信システムに利用される。
【００３７】
本実施形態の光通信装置１００は、光伝送路１と光半導体素子２とを備える。光半導体素子２は、光信号を送信する発光素子、または、光信号を受信する受光素子である。
【００３８】
発光素子としては、ファブリペロ型レーザダイオード、ＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER：垂直共振器面発光レーザ）、端面発光レーザ、ＲＣ−ＬＥＤ（Resonant Cavity Light Emitting Diode）などを挙げることができる。また、受光素子としては、ＰＩＮ型フォトダイオード、ＧａＡｓフォトダイオードなどを挙げることができる。本実施形態では、光半導体素子２は、ＶＣＳＥＬである。
【００３９】
光伝送路１は、光信号が伝送されるコア部１１と、コア部１１の外周を覆う、コア部１１とは屈折率が異なるクラッド部１２とからなる。ここで、コア部１１の屈折率は、クラッド部１２の屈折率よりも高い。
【００４０】
光伝送路１としては、光に対して高い透過率を有するエポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリスチレンなどの樹脂、およびガラス（石英を含む）の少なくともいずれか１つによって構成される、円柱形状の光ファイバおよび光導波管などを挙げることができる。なお、光伝送路１を構成するコア部１１とクラッド部１２とは、同じ材料によって形成されていてもよいし、異なる材料によって形成されていてもよい。
【００４１】
光伝送路１を構成する光ファイバとしては、光が単一のモードで伝送される、モードフィールド径が１０μｍ以下のシングルモードファイバ、光が複数のモードに分散して伝送されるマルチモードファイバを挙げることができる。
【００４２】
シングルモードファイバとしては、１３１０ｎｍ帯に零分散波長がある汎用シングルモード型、１３１０ｎｍ帯よりも伝送損失が低い１５５０ｎｍ帯を零分散波長とした分散シフトシングルモード型、１５５０ｎｍ帯から少しずれた帯域に零分散波長がある非零分散シフトシングルモード型が挙げられる。
【００４３】
マルチモードファイバとしては、コア部１１の屈折率が半径方向に対して二次関数的に連続変化する（中心から離れるにつれて屈折率が小さい）グレーデッドインデックス型、コア部１１の屈折率が半径方向に対して段階的に変化するマルチステップインデックス型、コア部１１とクラッド部１２との界面のみで屈折率が変化するステップインデックス型が挙げられる。
【００４４】
そして、光伝送路１には、コア部１１内を伝送する光信号の伝送方向一端部の端面から内方側に凹んだ凹所１３が形成されている。この凹所１３は、基壁面１３１が光信号の伝送方向（コア部１１の光軸方向）に垂直な平面で、基壁面１３１に連なる周壁面１３２がコア部１１の光軸に平行となるように形成され、基壁面１３１および周壁面１３２で囲まれた凹所１３内の空間が、立方体形状に形成される。
【００４５】
本実施形態の光通信装置１００では、光半導体素子２は、光軸Ｓが前記光信号の伝送方向（コア部１１の光軸方向）に沿って延びるように、光伝送路１の一端面に形成される凹所１３内に配置される。具体的には、光半導体素子２は、受発光面が凹所１３の前記基壁面１３１に面接触するように接着部材５（光硬化接着剤など）を介して凹所１３内に固定される。
【００４６】
本実施形態の光通信装置１００では、光半導体素子２が光伝送路１の端面に形成される凹所１３内に配置されているので、光半導体素子２によって送信または受信される光信号が外部に洩れるのを抑制することができ、光通信の高信頼性を確保することができる。さらに、光伝送路１の凹所１３内に光半導体素子２を配置することによって、レンズなどの光学部品を介しなくても、光伝送路１と光半導体素子２との良好な光結合効率を確保することができる。したがって、光通信装置１００は、レンズなどの光学部品を省略することができる分、装置の小型化が可能であり、さらに、光学調整に要する時間も短縮化することができる。
【００４７】
また、本実施形態の光通信装置１００では、光半導体素子２が光伝送路１の凹所１３内に配置された状態で、光半導体素子２の光軸Ｓと光伝送路１の光軸（コア部１１の光軸）とが、同一直線上にあることが好ましい。これによって、光伝送路１と光半導体素子２との良好な光結合効率を確保することができる。
【００４８】
さらにまた、光伝送路１は、樹脂からなることが好ましい。本実施形態の光通信装置１００に備えられる光伝送路１には、光信号の伝送方向一端部の端面から内方側に凹んだ凹所１３が形成されているが、この凹所１３は、詳細については後述するが、金型を用いた成形加工などにより形成される。
【００４９】
光伝送路１を樹脂で構成することによって、ガラス材料などで構成する場合に比べて、前記凹所１３を形成するときの成形加工時の成形温度を低温化することができるので、光伝送路１における凹所１３近傍に発生する内部応力を緩和することができる。これによって、光伝送路１の凹所１３内に配置される光半導体素子２が、光伝送路１における凹所１３近傍に発生する内部応力によって劣化するのを抑制することができる。また、光伝送路１の凹所１３を形成するときの成形加工時の成形温度を低温化することができることによって、金型の長寿命化および省エネ化を図ることができる。
【００５０】
また、光通信装置１００において光伝送路１には、光信号の伝送方向一端部の表面、具体的には、光伝送路１の一端部における外周面、端面および凹所１３の内周面の一部に、電極パターン３が設けられている。光伝送路１の表面を利用して設けられた電極パターン３は、光半導体素子２に電気信号を伝達するための導電体である。
【００５１】
また、光通信装置１００において光伝送路１には、光信号の伝送方向一端部に、光半導体素子２を外方から覆う樹脂からなる封止部材４が設けられている。封止部材４としては、エポキシ樹脂などの光硬化樹脂が挙げられる。光半導体素子２が封止部材４で気密封止されることで、光半導体素子２によって送信または受信される光信号が外部に洩れるのをより確実に防止することができ、光通信の高信頼性を確保することができる。
【００５２】
また、光通信装置１００において、光伝送路１の凹所１３内には、複数の光半導体素子２を配置することもできる。複数の光半導体素子２を凹所１３内に配置した場合には、一つの光で複数の波長の光を並列に伝送するＷＤＭ（波長多重通信）に利用することが可能である。
【００５３】
図２は、光通信装置１００がコネクタ８に挿入されて固定された状態を示す図である。光通信装置１００が筐体状のコネクタ８に挿入されると、光通信装置１００の電極パターン３と、コネクタ８のリード端子６１，６２とが電気的に接続される。なお、リード端子６１，６２は、プリント基板７に実装されており、プリント基板７の内部回路に電気的に接続されている。
【００５４】
光通信装置１００は、コネクタ８に挿入されることで電極パターン３とリード端子６１，６２とが電気的に接続されると、光通信可能状態となる。光半導体素子２が発光素子である場合、光半導体素子２から送信された光信号は、凹所１３内において光半導体素子２の発光面と接着部材５を介して面接触する、光伝送路１のコア部１１内を伝送される。また、光半導体素子２が受光素子である場合、光伝送路１のコア部１１内を伝送された光信号は、凹所１３内においてコア部１１の一端面と接着部材５を介して面接触する光半導体素子２によって受信される。このようにして、光通信装置１００は、光通信を行うことができる。
【００５５】
図３Ａおよび図３Ｂは、光通信装置１００の製造方法を説明するための図である。本実施形態の光通信装置１００を製造する場合、まず、図３Ａ（ａ）に示すように、金型１０Ａを用いて、円柱状の光伝送路１の一端部に凹所１３を形成する成形加工を行う。金型１０Ａは、形成すべき凹所１３の形状、大きさに応じた凸部１０ＡＡを有する。この凸部１０ＡＡを円柱状の光伝送路１の一端部に押圧接触させることで、一端部に凹所１３が形成された光伝送路１を成形加工することができる。なお、成形加工時には、光伝送路１のコア部１１を画像認識して、金型１０Ａと光伝送路１との位置合わせが実施される。また、光伝送路１が樹脂によって構成されている場合、金型１０Ａを用いた成形加工時の成形温度は、たとえば３００℃程度である。
【００５６】
次に、図３Ａ（ｂ）に示すように、金型１０Ａを光伝送路１から離反させることで、成形加工によって高温状態となっていた光伝送路１が冷却され、一端部に凹所１３が形成された光伝送路１を得ることができる。
【００５７】
次に、図３Ａ（ｃ）に示すように、インクジェット印刷法により、光伝送路１の一端部表面に電極パターン３を形成する。凹所１３が形成された光伝送路１の一端部の端面に対向するように配置されたノズル１０Ｂから、電極パターン３を構成する材料からなるインクを噴射することで、光伝送路１の一端部表面に電極パターン３を形成することができる。
【００５８】
次に、図３Ｂ（ｄ）に示すように、接着部材５を形成するための光硬化接着剤をノズル１０Ｃなどから噴射させて、凹所１３内において露出するコア部１１の端面に光硬化接着剤を付着させる。
【００５９】
次に、図３Ｂ（ｅ）に示すように、光半導体素子２を凹所１３内に配置する。次に、図３Ｂ（ｆ）に示すように、凹所１３内に配置された光半導体素子２を外方から覆うように、封止部材４を形成するための光硬化樹脂をトランスファーモールド成形により付着させる。そして、光を照射することによって、光硬化接着剤および光硬化樹脂を硬化させて、光通信装置１００の製造を完了する。このようにして、本実施形態の光通信装置１００を製造することができる。
【００６０】
図４は、本発明の第２実施形態に係る光通信装置２００の構成を示す図である。本実施形態の光通信装置２００は、前述の光通信装置１００に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。光通信装置２００は、光伝送路１Ａの構成が、前述の光伝送路１と異なる以外は、光通信装置１００と同様である。
【００６１】
光通信装置２００に備えられる光伝送路１Ａは、コア部１１Ａと、コア部１１Ａの外周を覆うクラッド部１２Ａとからなり、コア部１１Ａ内を伝送する光信号の伝送方向一端部の端面から内方側に凹んだ凹所１３が形成されている。本実施形態の光通信装置２００に備えられる光伝送路１Ａは、モードフィールド径が１０μｍ以下のシングルモードファイバである。
【００６２】
本実施形態の光通信装置２００では、光半導体素子２が光伝送路１Ａの凹所１３内に配置されているので、光伝送路１Ａがモードフィールド径の小さいシングルモードファイバであっても、光伝送路１Ａと光半導体素子２との良好な光結合効率を確保することができる。また、光伝送路１Ａがシングルモードファイバであることによって、長距離にわたって光信号の伝送損失を小さくすることができる。
【００６３】
図５は、本発明の第３実施形態に係る光通信装置３００の構成を示す図である。本実施形態の光通信装置３００は、前述の光通信装置１００に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。光通信装置３００は、光伝送路１Ｂの構成が、前述の光伝送路１と異なる以外は、光通信装置１００と同様である。
【００６４】
光通信装置３００に備えられる光伝送路１Ｂは、コア部１１Ｂと、コア部１１Ｂの外周を覆うクラッド部１２Ｂとからなり、コア部１１Ｂ内を伝送する光信号の伝送方向一端部の端面から内方側に凹んだ凹所１３が形成されている。本実施形態の光通信装置３００に備えられる光伝送路１Ｂは、コア部１１Ｂの屈折率が半径方向に対して二次関数的に連続変化する（中心から離れるにつれて屈折率が小さい）グレーデッドインデックス型のマルチモードファイバである。
【００６５】
グレーデッドインデックス型のマルチモードファイバは、光信号が伝送されるコア部１１Ｂの径が大きい（たとえば、コア部１１Ｂの径は、５０〜１２０μｍである）光伝送路１Ｂであるので、光学調整に要する時間を短縮化することができる。また、光伝送路１Ｂがグレーデッドインデックス型のマルチモードファイバであることによって、光信号の高速伝送が可能である。
【００６６】
図６は、本発明の第４実施形態に係る光通信装置４００の構成を示す図である。本実施形態の光通信装置４００は、前述の光通信装置１００に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。光通信装置４００は、光半導体素子２Ａの構成が前述の光半導体素子２と異なる以外は、光通信装置１００と同様である。
【００６７】
光通信装置４００に備えられる光半導体素子２Ａは、端面発光レーザ素子である。端面発光レーザ素子から光半導体素子２Ａでは、半導体基板のへき開面２１Ａから光を発光する。光半導体素子２Ａは、へき開面２１Ａが光伝送路１のコア部１１の光軸上に位置するように、光伝送路１の凹所１３内に配置される。本実施形態の光通信装置４００では、光半導体素子２Ａが端面発光レーザ素子であっても、光伝送路１と光半導体素子２Ａとの良好な光結合効率を確保することができる。
【００６８】
図７は、本発明の第５実施形態に係る光通信装置５００の構成を示す図である。本実施形態の光通信装置５００は、前述の光通信装置１００に類似し、対応する部分については同一の参照符号を付して説明を省略する。光通信装置５００は、光伝送路１Ｃの構成が、前述の光伝送路１と異なる以外は、光通信装置１００と同様である。
【００６９】
光通信装置５００に備えられる光伝送路１Ｃは、コア部１１Ｃと、コア部１１Ｃの外周を覆うクラッド部１２Ｃとからなり、コア部１１Ｃ内を伝送する光信号の伝送方向一端部の端面から内方側に凹んだ凹所１３が形成されている。この凹所１３内に光半導体素子２が配置されている。
【００７０】
そして、光伝送路１Ｃは、第１光伝送部１ＣＡと第２光伝送部１ＣＢとを有する。第１光伝送部１ＣＡは、外周面が光軸（コア部１１Ｃの光軸）を中心とする円筒状に形成される。
【００７１】
第２光伝送部１ＣＢは、第１光伝送部１ＣＡの、光信号の伝送方向一端部に連なり、光軸（コア部１１Ｃの光軸）を中心とする仮想円筒面よりも光軸に近づく方向に退避した、光軸に平行な平坦面１１１ＣＢが形成されている。
【００７２】
これによって、光半導体素子２が凹所１３に配置された光伝送路１Ｃをコネクタ８（図２に示す）に挿入して固定する場合に、前記平坦面１１１ＣＢがコネクタ８に対する位置決め面として機能し、コネクタ８に挿入された状態で光伝送路１Ｃが光軸まわりに回転することを防止することができる。
【符号の説明】
【００７３】
１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ  光伝送路
１ＣＡ  第１光伝送部
１ＣＢ  第２光伝送部
２，２Ａ，６０２，７０２  光半導体素子
３  電極パターン
４  封止部材
５  接着部材
８  コネクタ
１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，６０１１，７０１１  コア部
１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ、６０１２，７０１２  クラッド部
１３  凹所
６１，６２  リード端子
１００，２００，３００，４００，５００，６００，７００  光通信装置
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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