(57)【要約】【課題】簡易な工程でありながら、層間の位置精度に優れ、高密度化を実現可能なキャビティ付きの多層配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層Ａの表裏に設けた導体パターン（Ｌ１）及び導体パターン（Ｌ２）を備えるコア基板Ａと、絶縁層Ｂの表裏に設けた導体パターン（Ｌ３）及び導体パターン（Ｌ４）を備えるコア基板Ｂと、前記コア基板Ａの絶縁層Ａの導体パターン（Ｌ２）側と前記コア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）側の間に配置される接着材と、前記コア基板Ａの絶縁層Ａ及び接着材を貫通してコア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）に到るキャビティ用開口と、を有する多層配線基板であって、前記導体パターン（Ｌ１）から絶縁層Ａを貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＡと、前記導体パターン（Ｌ４）から絶縁層Ｂ及び接着材を貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＢと、を有する多層配線基板及びその製造方法。【選択図】図１
2014017410.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層Ａと、この絶縁層Ａの表裏に設けた導体パターン（Ｌ１）及び導体パターン（Ｌ２）とを備えるコア基板Ａと、
絶縁層Ｂと、この絶縁層Ｂの表裏に設けた導体パターン（Ｌ３）及び導体パターン（Ｌ４）とを備えるコア基板Ｂと、
前記コア基板Ａの絶縁層Ａの導体パターン（Ｌ２）側と前記コア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）側の間に配置される接着材と、
前記コア基板Ａの絶縁層Ａ及び接着材を貫通してコア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）に到るキャビティ用開口と、を有する多層配線基板であって、
前記導体パターン（Ｌ１）から絶縁層Ａを貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＡと、前記導体パターン（Ｌ４）から絶縁層Ｂ及び接着材を貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＢと、を有する多層配線基板。
【請求項２】
請求項１において、キャビティ用開口の底部に、コア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）により形成される部品搭載部が配置される多層配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２において、絶縁層Ａの導体パターン（Ｌ１）が、この導体パターン（Ｌ１）から絶縁層Ａを貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＡをレーザ加工するためのコンフォーマルマスクと、このコンフォーマルマスク上に形成される凸状めっきとを有する多層配線基板。
【請求項４】
絶縁層Ａと、この絶縁層Ａの表裏に設けた導体パターン（Ｌ１）及び導体パターン（Ｌ２）とを備えるコア基板Ａを形成する工程（Ｐ１）と、
前記コア基板Ａの絶縁層Ａの導体パターン（Ｌ２）側に接着材を配置する工程（Ｐ２）と、
前記コア基板Ａの絶縁層Ａ及び接着材を貫通してコア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）に到るキャビティ用開口を形成する工程（Ｐ３）と、
絶縁層Ｂと、この絶縁層Ｂの表裏に設けた導体パターン（Ｌ３）及び金属箔とを備えるコア基板Ｂを形成する工程（Ｐ４）と、
前記コア基板Ａの導体パターン（Ｌ２）側とコア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）側とを前記接着材を介して接着する工程（Ｐ５）と、
前記コア基板Ａの導体パターン（Ｌ１）側をマスキングし、前記コア基板Ｂの絶縁層Ｂの一方の金属箔をパターン形成して導体パターン（Ｌ４）を形成する工程（Ｐ６）と、
前記導体パターン（Ｌ１）から絶縁層Ａを貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＡ及び前記導体パターン（Ｌ４）から絶縁層Ｂ及び接着材を貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＢを形成する工程（Ｐ７）と、を有する多層配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、コア基板Ｂを形成する工程（Ｐ４）では、コア基板Ａのキャビティ用開口の底部に対応する位置に、前記コア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）により形成される部品搭載部が配置される多層配線基板の製造方法。
【請求項６】
請求項４又は５において、導体パターン（Ｌ４）を形成する工程（Ｐ６）では、絶縁層Ｂの導体パターン（Ｌ４）が、絶縁層Ａの導体パターン（Ｌ２）を基準とした位置に形成される多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項４から６の何れかにおいて、非貫通ビアＡ及び非貫通ビアＢを形成する工程（Ｐ７）では、絶縁層Ｂの導体パターン（Ｌ４）が、この導体パターン（Ｌ４）から絶縁層Ｂ及び接着材を貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通孔Ｂをレーザ加工する際のコンフォーマルマスクとされる多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層配線基板及びその製造方法に関し、特には、キャビティ付きの多層配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多層配線基板に搭載される対象物としては、ＭＥＭＳ素子、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）素子、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）素子、ＰＡ（パワーアンプ）素子、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子等の電子部品素子が挙げられ、また、このような電子部品素子の他にも、放熱やフィルタリング等を目的として用いられる冷間圧延鋼板等の各種部材が挙げられる。これらの電子部品素子や部材を搭載する多層配線板として、キャビティと、このキャビティの底部に表面端子を設け、この表面端子上に素子を搭載する基板が広く用いられている。
【０００３】
このような多層配線基板として、多層配線基板にザグリ加工やルーター加工、金型パンチング等でキャビティとなる開口を形成して、この開口内に素子を搭載したものが開示されている（特許文献１）。また、多層配線基板の上に、キャビティ用の開口を形成した多層配線基板を貼り合わせて、キャビティ付きの多層配線板を形成するものが開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２０９５８５号公報
【特許文献２】特開２００７−１９４５１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１のように、多層配線基板にザグリ加工でキャビティとなる開口を形成する場合は、厚みが薄い基板ではザグリ加工が困難であり、さらに加工による異物（加工くず）を除去する工程も必要になり、工程が複雑化する問題がある。また、特許文献２のように、多層配線基板と、キャビティ用の開口を形成した多層配線基板とを貼り合わせるものは、層間の位置合せが難しく、位置ずれを生じ易い問題がある。
【０００６】
本願発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、簡易な工程でありながら、層間の位置精度に優れ、高密度化を実現可能なキャビティ付きの多層配線基板及びその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は以下を特徴とする。
１．  絶縁層Ａと、この絶縁層Ａの表裏に設けた導体パターン（Ｌ１）及び導体パターン（Ｌ２）とを備えるコア基板Ａと、絶縁層Ｂと、この絶縁層Ｂの表裏に設けた導体パターン（Ｌ３）及び導体パターン（Ｌ４）を備えるコア基板Ｂと、前記コア基板Ａの絶縁層Ａの導体パターン（Ｌ２）側と前記コア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）側の間に配置される接着材と、前記コア基板Ａの絶縁層Ａ及び接着材を貫通してコア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）に到るキャビティ用開口と、を有する多層配線基板であって、前記導体パターン（Ｌ１）から絶縁層Ａを貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＡと、前記導体パターン（Ｌ４）から絶縁層Ｂ及び接着材を貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＢと、を有する多層配線基板。
２．  項１において、キャビティ用開口の底部に、コア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）により形成される部品搭載部が配置される多層配線基板。
３．  項１又は２において、絶縁層Ａの導体パターン（Ｌ１）が、この導体パターン（Ｌ１）から絶縁層Ａを貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＡをレーザ加工するためのコンフォーマルマスクと、このコンフォーマルマスク上に形成される凸状めっきとを有する多層配線基板。
４．  絶縁層Ａと、この絶縁層Ａの表裏に設けた導体パターン（Ｌ１）及び導体パターン（Ｌ２）とを備えるコア基板Ａを形成する工程（Ｐ１）と、前記コア基板Ａの絶縁層Ａの導体パターン（Ｌ２）側に接着材を配置する工程（Ｐ２）と、前記コア基板Ａの絶縁層Ａ及び接着材を貫通してコア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）に到るキャビティ用開口を形成する工程（Ｐ３）と、絶縁層Ｂと、この絶縁層Ｂの表裏に設けた導体パターン（Ｌ３）及び金属箔とを備えるコア基板Ｂを形成する工程（Ｐ４）と、前記コア基板Ａの導体パターン（Ｌ２）側とコア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）側とを前記接着材を介して接着する工程（Ｐ５）と、前記コア基板Ａの導体パターン（Ｌ１）側をマスキングし、前記コア基板Ｂの絶縁層Ｂの一方の金属箔をパターン形成して導体パターン（Ｌ４）を形成する工程（Ｐ６）と、前記導体パターン（Ｌ１）から絶縁層Ａを貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＡ及び前記導体パターン（Ｌ４）から絶縁層Ｂ及び接着材を貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＢを形成する工程（Ｐ７）と、を有する多層配線基板の製造方法。
５．  項４において、コア基板Ｂを形成する工程（Ｐ４）では、コア基板Ａのキャビティ用開口の底部に対応する位置に、前記コア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）により形成される部品搭載部が配置される多層配線基板の製造方法。
６．  項４又は５において、導体パターン（Ｌ４）を形成する工程（Ｐ６）では、絶縁層Ｂの導体パターン（Ｌ４）が、絶縁層Ａの導体パターン（Ｌ２）を基準とした位置に形成される多層配線基板の製造方法。
７．  項４から６の何れかにおいて、非貫通ビアＡ及び非貫通ビアＢを形成する工程（Ｐ７）では、絶縁層Ｂの導体パターン（Ｌ４）が、この導体パターン（Ｌ４）から絶縁層Ｂ及び接着材を貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通孔Ｂをレーザ加工する際のコンフォーマルマスクとされる多層配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、簡易な工程でありながら、層間の位置精度に優れ、高密度化を実現可能なキャビティ付きの多層配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の多層配線基板（実施例１）の断面図である。
【図２】本発明の多層配線基板（実施例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図３】本発明の多層配線基板（実施例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図４】本発明の多層配線基板（実施例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図５】本発明の多層配線基板（実施例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図６】本発明の多層配線基板（実施例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図７】本発明の多層配線基板（実施例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図８】本発明の多層配線基板（実施例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図９】本発明の多層配線基板（実施例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図１０】本発明の多層配線基板（実施例２）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図１１】本発明の多層配線基板（実施例２）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図１２】本発明の多層配線基板（実施例２）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図１３】従来の多層配線基板（比較例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図１４】従来の多層配線基板（比較例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図１５】従来の多層配線基板（比較例１）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図１６】従来の多層配線基板（比較例２）の製造方法の一部を示す断面図である。
【図１７】従来の多層配線基板（比較例２）の製造方法の一部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の多層配線基板は、電子部品素子や各種部材を搭載するための基板である。本発明において、電子部品素子とは、ＭＥＭＳ素子、ＩＣ（Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）素子、ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ  Ａｃｏｕｓｔｉｃ  Ｗａｖｅ）素子、ＰＡ（パワーアンプ）素子、ＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｄｉｏｄｅ）素子等が挙げられる。また、部材としては、放熱やフィルタリングを目的として用いられる冷間圧延鋼板や銅板等が挙げられる。特に、携帯電話等の通信機器においては、電波エネルギーが筐体内で干渉するのを抑制する目的で、筐体構造を細分化するための仕切り板となる冷間圧延鋼板や銅板等で形成した部材を、電子部品素子が搭載される多層配線基板に配置する対策が採られている。さらに、ＰＡ素子を搭載する多層配線基板では、発熱量が大きいので、放熱し易い構造とするため、筐体内部に冷間圧延鋼板や銅板等で形成した部材を、多層配線基板に配置する対策が採られている。本発明の多層配線基板は、電子部品素子を初めとして、これらの放熱やフィルタリングを目的とした部材を搭載する目的にも使用することができる。
【００１１】
本発明の電子部品搭載用基板の一実施形態としては、図１に示すように、絶縁層Ａ２と、この絶縁層Ａ２の表裏に設けた導体パターン（Ｌ１）３及び導体パターン（Ｌ２）４とを備えるコア基板Ａ５と、絶縁層Ｂ７と、この絶縁層Ｂ７の表裏に設けた導体パターン（Ｌ３）及び導体パターン（Ｌ４）９を備えるコア基板Ｂ１０と、前記コア基板Ａ５の絶縁層Ａ２の導体パターン（Ｌ２）４側と前記コア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ３）８側の間に配置される接着材６と、前記コア基板Ａ５の絶縁層Ａ２及び接着材６を貫通してコア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ３）８に到るキャビティ用開口１１と、を有する多層配線基板１であって、前記導体パターン（Ｌ１）から絶縁層Ａ２を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通ビアＡ１２と、前記導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７及び接着材６を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通ビアＢ１３と、を有する多層配線基板１が挙げられる。
【００１２】
また、本発明の電子部品搭載用基板の他の実施形態としては、図１２（Ｙ）に示すように、図１の実施形態の構成に加えて、更に、導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７を貫通して導体パターン（Ｌ３）８に到る非貫通ビアＣ２９を有する多層配線基板１が挙げられる。以下、導体パターン（Ｌ１）３、導体パターン（Ｌ２）４、導体パターン（Ｌ３）８、導体パターン（Ｌ４）９を、それぞれ、（Ｌ１）３、（Ｌ２）４、（Ｌ３）８、（Ｌ４）９ということがある。
【００１３】
つまり、これらの実施形態の多層配線基板においては、キャビティ用開口を有するコア基板Ａに設けられる非貫通ビアＡは、コア基板Ａの絶縁層のみを貫通して、コア基板Ａの（Ｌ１）から同じコア基板Ａの（Ｌ２）に到るように形成される。ここで、（Ｌ１）と（Ｌ２）は、同じコア基板Ａの表裏に配置されるため、共通の基準穴等を用いることにより、高精度な位置合せが容易である。このため、（Ｌ１）がコンフォーマルマスクであり、（Ｌ２）がこの（Ｌ１）をコンフォーマルマスクとして形成される非貫通ビアの受けパッドである場合に、コア基板Ａの表裏の導体パターン（Ｌ１）及び（Ｌ２）を予め形成しておき、コア基板ＡとＢとを貼り合わせた後で、（Ｌ１）から（Ｌ２）に到る非貫通ビアＡを形成しても、コア基板ＡとＢとの貼り合わせ自体による（Ｌ１）と（Ｌ２）のずれは生じないため、位置ずれの問題を抑制できる。なお、コンフォーマルマスクとは、レーザによる非貫通孔の加工の際にマスクとなるものである。
【００１４】
一方、キャビティ用開口を有しないコア基板Ｂに設けられる非貫通ビアＢは、コア基板Ｂの絶縁層と接着材の両者を貫通して、コア基板Ｂの（Ｌ４）からコア基板Ａの（Ｌ２）に到るように形成される。ここで、コア基板ＡとＢとは接着材を介して貼り合わせられるが、コア基板Ｂの（Ｌ４）と異なるコア基板Ａの（Ｌ１）との位置合せ自体がずれを生じ易いうえ、コア基板ＡとＢとの貼り合わせの際の接着材の動きもあるため、高精度な位置合せは難しい。このため、コア基板Ｂの表裏の導体パターン（Ｌ３）及び（Ｌ４）を予め形成した場合には、コア基板ＡとＢとを貼り合わせた後で、コア基板Ａの（Ｌ４）からコア基板Ａの（Ｌ２）に到る非貫通ビアＢを形成すると、位置ずれの問題が生じることが考えられる。
【００１５】
しかし、コア基板Ｂについては、内層側となる（Ｌ３）のみを、コア基板ＡとＢとの貼り合わせ前に形成しておき、外層側の（Ｌ４）は、コア基板ＡとＢとを貼り合わせた後で、コア基板Ａの（Ｌ２）の位置を基準として形成することで、コア基板Ｂの（Ｌ４）とコア基板Ａの（Ｌ２）との高精度な位置合せが可能となる。したがって、コア基板ＡとＢとを貼り合わせるという簡易な工程でも、（Ｌ１）と（Ｌ２）、（Ｌ４）と（Ｌ２）の高精度な位置合せが可能になり、その結果、高密度化を実現可能なキャビティ付きの多層配線基板を提供できる。
【００１６】
なお、図１２（Ｙ）に示すように、図１の実施形態の構成に加えて、更に、導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７を貫通して導体パターン（Ｌ３）８に到る非貫通ビアＣ２９を有する場合、（Ｌ４）９は、コア基板Ａ５の（Ｌ２）４の位置を基準として形成されるため、コア基板Ｂ１０の（Ｌ４）９と（Ｌ３）８との位置精度は低下する。このため、費貫通ビアＣを形成する際に、（Ｌ３）８との位置ずれが懸念される。しかし、一般に、部品搭載部１９と非貫通ビアＣ２９との位置精度に対する要求は、非貫通ビアＡ１２と受けパッド１８（（Ｌ２）４）との位置精度や、非貫通ビアＢ１３と受けパッド１８（（Ｌ２）４）との位置精度に対する要求に比べて裕度が大きいため、ずれに対する許容範囲が大きい。
【００１７】
本発明で用いる絶縁層とは、導体パターンの支持体となるとともに、導体パターン間の絶縁を保つものである。絶縁層としては、一般の多層配線基板に用いられるものを使用することが可能であり、このようなものとして、ガラスエポキシやガラスポリイミド等の多層配線基板に用いられる公知の材料を用い、公知の製法で形成することができる。
【００１８】
導体パターンとは、絶縁層の表面に設けられるパターン形成された導体をいい、電子部品素子や部材を搭載したり、電子部品素子同士や部材同士を電気的に接続して電気回路を構成したり、アンテナ等を構成するものである。一般の多層配線基板で用いられるものを使用することが可能であり、このようなものとして、銅箔やアルミニウム箔をエッチング等で回路加工して得られる導体パターンが挙げられる。
【００１９】
コア基板とは、絶縁層と、この絶縁層Ａの表裏に設けた導体パターンとを備えるものであり、一般の多層配線基板で用いられるものを使用することが可能であり、このようなものとして、銅箔張り積層板の銅箔をエッチング等で回路加工して得られる導体パターンを備えたものが挙げられる。必要に応じて、内層となる導体パターンを有していてもよい。
【００２０】
接着材とは、コア基板ＡとＢとを貼り合せるものである。接着材を形成する材料としては、一般の多層配線基板において、多層化接着等に使用されているものを使用することができるが、コア基板ＡとＢとを貼り合せた後に、絶縁層Ｂと接着材とを貫通する非貫通ビアＢをレーザ加工で形成することを考慮すると、補強材を有しないものが好ましい。例えば、高分子量エポキシ樹脂を主成分とする接着シート等を使用することができ、このような接着シートとしては、ＡＳ−３０００、ＡＳ−２６００（何れも日立化成工業株式会社製、商品名）等が例示できる。
【００２１】
接着材は、コア基板Ａの（Ｌ２）側に仮接着した後、コア基板Ａと接着材を貫通するようにキャビティ用の開口を形成するのが好ましい。キャビティ用開口の形成は、ドリルやルータ、レーザ等を用いて行うことができる。キャビティ用開口を形成した後、コア基板ＡとＢとを本接着して貼り合わせることで、キャビティ用開口の底部に、コア基板Ｂの（Ｌ３）側の表面を露出させることができる。ここで、仮接着とは、接着材が半硬化状態で接着し、まだ接着機能を有している状態をいう。例えば、ＡＳ−３０００、ＡＳ−２６００（何れも日立化成工業株式会社製、商品名）のような高分子量エポキシ樹脂を主成分とする接着シートを用いた場合、熱プレス装置を用い、例えば、１２０℃、２．０ＭＰａ、３０分の条件で、仮接着することができる。本硬化とは、接着材が完全に硬化した状態で接着した状態をいう。上記接着シートを用いた場合、熱プレス装置を用いて、例えば、１８０℃、３．０ＭＰａ、６０分の条件で、本接着することができる。接着材の厚みは、特に限定はないが、一般に、１０〜１５０μｍ程度のものが用いられる。
【００２２】
キャビティ用開口とは、コア基板ＡとＢとを貼り合わせた際に、キャビティを形成するものである。コア基板Ａの（Ｌ２）側に仮接着した後、コア基板Ａと接着材を貫通するようにキャビティ用の開口を形成するのが好ましい。開口の大きさや形状は、限定されるものではなく、キャビティ内に搭載する電子部品素子や部材のサイズや形状、電子部品素子や部材の搭載形態、その他の設計条件に応じて形成することができる。例えば、開口の形状が円形の場合、開口の大きさは、直径０．０５〜５０．０ｍｍ程度とすることができる。開口の形状が四角形の場合、開口の大きさは、縦・横ともに、０．０５〜５０．０ｍｍ程度とすることができる。
【００２３】
非貫通ビアとは、非貫通孔による層間接続のことをいい、層間接続とは、多層配線基板の異なる層の導体パターンを電気的に接続するものである。一般の多層配線基板と同様の方法で形成することができ、例えば、いわゆるコンフォーマル工法によりレーザで非貫通孔を形成した後、非貫通孔内に無電解めっきや電気めっきを形成することにより形成することができる。非貫通孔内に形成する電気めっきとしては、銅めっきが導電性や接続信頼性の面から望ましく、非貫通孔内がめっきで充填されるフィルドめっきであると、非貫通ビアを直上に積み重ねるスタックビア構造が形成できる点でより望ましい。
【００２４】
キャビティ用開口の底部に、コア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）により形成される部品搭載部が配置されるのが望ましい。これにより、キャビティ用開口を有するコア基板Ａ及び接着材と、（Ｌ３）を形成したコア基板Ｂとを貼り合わせるだけで、キャビティ付きの多層配線基板を容易に形成できる。また、キャビティ用開口の底部に、部品搭載部が配置されることにより、電子部品素子や部材を搭載しても、全体としての薄型化を図ることができる。さらに、部品搭載部がコア基板Ｂの導体パターン（Ｌ３）により形成されることによって、電子部品や部材をコア基板Ｂ上により、しっかりと支持することができる。
【００２５】
絶縁層Ａの導体パターン（Ｌ１）が、この導体パターン（Ｌ１）から絶縁層Ａを貫通して導体パターン（Ｌ２）に到る非貫通ビアＡをレーザ加工するためのコンフォーマルマスクと、このコンフォーマルマスク上に形成される凸状めっきとを有するのが望ましい。ここで、コンフォーマルマスク上の凸状めっきとは、コンフォーマルマスクを含む導体パターン（Ｌ１）を形成した後で非貫通ビアＡによる層間接続を形成する際、コンフォーマルマスク上の一部を覆うようにめっきレジストを形成し、コンフォーマルマスク上及び非貫通ビアＡ内にパターンめっきを行うことにより形成されるものである。つまり、コンファーマルマスク上には、めっきレジストが形成された境界部分に、パターンめっきの厚み分の段差が生じ、パターンめっき部分が凸状めっきとなる。このように、コンフォーマルマスク上に凸状めっきを有するということは、非貫通ビアがパターンめっきで形成されることを意味しており、この場合には、コンフォーマルマスクを含む導体パターン（Ｌ１）及び受けパッドを含む（Ｌ２）を、コア基板ＡとＢとを接着材を介して貼り合わせる前に形成することができる。このため、コア基板ＡとＢとを貼り合わせるという簡易な工程でも、高精度な位置合せが可能になり、その結果、高密度化を実現可能なキャビティ付きの多層配線基板を提供できる。
【００２６】
本発明の電子部品搭載用基板の製造方法の一実施形態としては、図２〜図９に示すように、絶縁層Ａ２と、この絶縁層Ａ２の表裏に設けた導体パターン（Ｌ１）３及び導体パターン（Ｌ２）４とを備えるコア基板Ａ５を形成する工程（Ｐ１）（図２）と、前記コア基板Ａ５の絶縁層Ａ２の導体パターン（Ｌ２）４側に接着材６を配置する工程（Ｐ２）（図３）と、前記コア基板Ａ５の絶縁層Ａ２及び接着材６を貫通してコア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ３）８に到るキャビティ用開口１１を形成する工程（Ｐ３）（図４）と、絶縁層Ｂ７と、この絶縁層Ｂ７の表裏に設けた導体パターン（Ｌ３）８及び金属箔１５とを備えるコア基板Ｂ１０を形成する工程（Ｐ４）（図５）と、前記コア基板Ａ５の導体パターン（Ｌ２）４側とコア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ３）８側とを前記接着材６を介して接着する工程（Ｐ５）（図６）と、前記コア基板Ａ５の導体パターン（Ｌ１）３側をマスキングし、前記コア基板Ｂ１０の絶縁層Ｂ７の一方の金属箔１５をパターン形成して導体パターン（Ｌ４）９を形成する工程（Ｐ６）（図７）と、前記導体パターン（Ｌ１）３から絶縁層Ａ２を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通ビアＡ１２及び前記導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７及び接着材６を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通ビアＢ１３を形成する工程（Ｐ７）（図８及び図９）と、を有する多層配線基板１の製造方法が挙げられる。
【００２７】
本発明の電子部品搭載用基板の製造方法の他の実施形態としては、図２〜図６及び図１０〜図１２に示すように、上述した図２〜図９の実施形態に示した構成に加えて、導体パターン（Ｌ１）３から絶縁層Ａ２を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通ビアＡ１２及び導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７及び接着材６を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通ビアＢ１３を形成する工程（Ｐ７）の際に、さらに導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７を貫通して導体パターン（Ｌ３）８に到る非貫通ビアＣ２９を形成する多層配線基板１の製造方法が挙げられる。
【００２８】
これらの実施形態（図２〜図９、図２〜図６及び図１０〜図１２）のように、コア基板Ａについては、（Ｌ１）及び（Ｌ２）をコア基板ＡとＢとの貼り合わせ前に形成しておき、コア基板Ｂについては、内層側となる（Ｌ３）のみをコア基板ＡとＢとの貼り合わせ前に形成しておき、外層側の（Ｌ４）は、コア基板ＡとＢとを貼り合わせた後で、コア基板Ａの（Ｌ２）の位置を基準として形成することで、コア基板Ｂの（Ｌ４）とコア基板Ａの（Ｌ２）との高精度な位置合せが可能となる。したがって、コア基板ＡとＢとを貼り合わせるという簡易な工程でも、（Ｌ１）と（Ｌ２）、（Ｌ４）と（Ｌ２）の高精度な位置合せが可能になり、その結果、高密度化を実現可能なキャビティ付きの多層配線基板を提供できる。
【００２９】
コア基板Ｂ１０を形成する工程（Ｐ４）（図５）では、コア基板Ａ５のキャビティ用開口１１の底部に対応する位置に、前記コア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ３）８により形成される部品搭載部１９が配置されるのが望ましい。これにより、キャビティ用開口１１を有するコア基板Ａ５及び接着材６と、（Ｌ３）８を形成したコア基板Ｂ１０とを貼り合わせるだけで、キャビティ付きの多層配線基板を容易に形成できる。また、キャビティ用開口１１の底部に、部品搭載部１９が配置されることにより、電子部品素子や部材を搭載しても、全体としての薄型化を図ることができる。さらに、部品搭載部１９がコア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ３）８により形成されることによって、電子部品や部材をコア基板Ｂ１０上により、しっかりと支持することができる。
【００３０】
導体パターン（Ｌ４）９を形成する工程（Ｐ６）（図７又は図１０）では、絶縁層Ｂ７の導体パターン（Ｌ４）９が、絶縁層Ａ２の導体パターン（Ｌ２）４を基準とした位置に形成されるのが望ましい。コア基板Ａ５とＢとは接着材６を介して貼り合わせられるが、コア基板Ｂ１０の（Ｌ４）９と異なるコア基板Ａ５の（Ｌ１）３との位置合せ自体がずれを生じ易いうえ、コア基板Ａ５とＢとの貼り合わせの際の接着材６の動き（流動）もあるため、高精度な位置合せは難しい。このため、コア基板Ｂ１０の外層側の（Ｌ４）９は、コア基板Ａ５とＢとを貼り合わせた後で、コア基板Ａ５の（Ｌ２）４の位置を基準として形成することで、コア基板Ｂ１０の（Ｌ４）９とコア基板Ａ５の（Ｌ２）４との高精度な位置合せが可能となる。
【００３１】
非貫通ビアＡ１２及び非貫通ビアＢ１３を形成する工程（Ｐ７）（図８及び図９又は図１１及び図１２）では、絶縁層Ｂ７の導体パターン（Ｌ４）９が、この導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７及び接着材６を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通孔Ｂ２２、又は導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７を貫通して導体パターン（Ｌ３）８に到る非貫通孔Ｃ２８、をレーザ加工する際のコンフォーマルマスク１７とするのが望ましい。コア基板Ｂ１０の外層側の（Ｌ４）９は、コア基板Ａ５とＢとを貼り合わせた後で、コア基板Ａ５の（Ｌ２）４の位置を基準として形成されるので、（Ｌ４）９をコンフォーマルマスク１７として、非貫通ビアＢ１３をレーザ加工することで、（Ｌ４）９と（Ｌ２）４との高精度な位置合せが可能になる。
【実施例】
【００３２】
以下、本発明の実施例を説明するが、本発明は、本実施例に限定されない。
【００３３】
（実施例１）
＜コア基板Ａの作製：工程（Ｐ１）＞
コア基板Ａ５用の銅箔張り積層板１６として、ガラスエポキシ製の絶縁層Ａ２の両側に、銅箔１５（１８μｍ）を積層一体化した、厚さ０．０５ｍｍで、長さ５００ｍｍ、幅４００ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製、商品名）を準備した（図２（Ａ））。
【００３４】
次に、この銅箔張り積層板１６の両側の銅箔１５を、サブトラクト法によりパターン形成し、導体パターン（Ｌ１）３及び（Ｌ２）４を形成し、コア基板Ａ５を作製した（図２（Ｂ））。サブトラクト法によるパターン形成では、エッチングレジスト２０として、ドライフィルムＮＩＴ２２５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、フィルム状のフォトマスクマスクを貼り合わせて露光量１４０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で両面に、導体パターンを焼付け、０．９質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像してエッチングレジスト２０を形成し、その後、エッチングレジスト２０のない部分を塩化銅エッチング液でエッチング除去した。このとき、導体パターン（Ｌ１）３のコンフォーマルマスク１７の開口は直径１００μｍであり、導体パターン（Ｌ２）４の受けパッド１８の直径は１３０μｍであった。
【００３５】
＜コア基板Ａへの接着材の仮接着：工程（Ｐ２）＞
次に、コア基板Ａ５の（Ｌ２）４側に、接着材６として、ＡＳ−２６００（日立化成工業株式会社製、商品名）を仮接着した（図３（Ｃ））。仮接着は、熱プレス装置を用いて、１２０℃、２．０ＭＰａ、３０分の条件で行った。
【００３６】
＜キャビティ用開口の形成：工程（Ｐ３）＞
次に、コア基板Ａ５の絶縁層Ａ２及び接着材６を貫通してコア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ３）８に到るキャビティ用開口１１を形成した（図４（Ｄ））。キャビティ用開口１１は、ルーター加工によって行った。
【００３７】
＜コア基板Ｂの作製：工程（Ｐ４）＞
次に、コア基板Ｂ１０用の銅箔張り積層板１６として、ガラスエポキシ製の絶縁層Ａ２の両側に、銅箔１５（１８μｍ）を積層一体化した、厚さ０．０３ｍｍで、長さ５００ｍｍ、幅４００ｍｍのＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ（日立化成工業株式会社製、商品名）を準備した（図５（Ｅ））。
【００３８】
次に、この銅箔張り積層板１６の一方の銅箔１５のみを、サブトラクト法によりパターン形成して導体パターン（Ｌ３）８を形成し、他方の銅箔１５はそのままとしたコア基板Ｂ１０を作製した（図５（Ｆ））。サブトラクト法によるパターン形成では、エッチングレジスト２０として、ドライフィルムＮＩＴ２２５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、フィルム状のフォトマスクを貼り合わせて露光量１４０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で、一方の面には導体パターンを焼き付け、他方の面には全面焼き付けして、０．９質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像してエッチングレジスト２０を形成し、その後、エッチングレジスト２０のない部分を塩化銅エッチング液でエッチング除去した。
【００３９】
＜コア基板ＡとＢとの貼り合わせ：工程（Ｐ５）＞
次に、コア基板Ａ５の導体パターン（Ｌ２）４側とコア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ３）８側とを接着材６を介して接着（本硬化）した（図６（Ｇ）、（Ｈ）、（Ｉ））。接着（本接着）は、熱プレス装置を用いて、１８０℃、３．０ＭＰａ、６０分の条件で行った。
【００４０】
＜導体パターン（Ｌ４）の形成：工程（Ｐ６）＞
次に、コア基板Ａ５の導体パターン（Ｌ１）３側をマスキングし、コア基板Ｂ１０の絶縁層Ｂ７の一方の金属箔１５をサブトラクト法でパターン形成して導体パターン（Ｌ４）９を形成した（図７（Ｊ）、（Ｋ）、（Ｌ））。マスキング及びサブトラクト法によるパターン形成では、エッチングレジスト２０として、ドライフィルムＮＩＴ２２５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、フィルム状のフォトマスクマスクを貼り合わせて露光量１４０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で（Ｌ４）９側には導体パターンを焼付け、（Ｌ１）３側には全面焼き付けした。このとき、（Ｌ４）９側の導体パターンの焼付けは、エッチングレジスト２０の形成前に、予め、導体パターン（Ｌ２）４を基準として、Ｘ線穴あけ装置を用いて形成した基準穴（図示しない。）を用いて位置合せを行った。ここで、Ｘ線穴あけ装置とは、Ｘ線照射手段及び撮像手段等を有し、Ｘ線の透過像を画像認識することにより、穴を開けるべき位置に設けられているマーク（ここでは内層となる導体パターン（Ｌ２）４）を検出して穴明けを行う装置をいう。その後、０．９質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像してエッチングレジスト２０を形成し、次に、エッチングレジスト２０のない部分を塩化銅エッチング液でエッチング除去した。
【００４１】
＜非貫通ビアＡ及びＢの形成：工程（Ｐ７）＞
次に、導体パターン（Ｌ１）３から絶縁層Ａ２を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通ビアＡ１２及び導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７及び接着材６を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通ビアＢ１３を形成した（図８（Ｍ）、（Ｎ）、（Ｏ）及び図９（Ｐ）、（Ｑ））。
【００４２】
非貫通ビアＡ１２及びＢの形成方法について、詳細を以下に説明する。まず、（Ｌ１）３及び（Ｌ４）９をコンフォーマルマスク１７として、炭酸ガスレーザを用いたレーザ加工により、非貫通孔Ａ２１及びＢ２２を形成した（図８（Ｍ））。このとき、非貫通孔Ａ２１と受けパッド１８との位置、及び非貫通孔Ｂ２２と受けパッド１８との位置は、何れも非貫通孔が受けパッド１８から外れることはなく、位置精度は良好であった。
【００４３】
次に、薄付け用の無電解銅めっきであるＣＵＳＴ−２０１（日立化成工業株式会社製、商品名）を用いて、全面に０．７μｍの下地めっき２３を形成した（図８（Ｎ））。
【００４４】
次に、めっきレジスト２４として、ドライフィルムＮＩＴ２２５（ニチゴー・モートン株式会社製、商品名）をラミネータで仮圧着し、フィルム状のフォトマスクマスクを貼り合わせて露光量１４０ｍＪ／ｃｍ２の紫外線で、（Ｌ１）３側及び（Ｌ４）９側に導体パターンを焼付け、０．９質量％炭酸ナトリウム水溶液で現像してめっきレジスト２４を形成した（図８（Ｏ））。
【００４５】
次に、硫酸銅電気めっき液を用いて電気銅めっきを行い、コンフォーマルマスク１７を含む（Ｌ１）３上と（Ｌ４）９上及び非貫通孔Ａ２１内と非貫通孔Ｂ２２内に、パターンめっき２５（凸状めっき２５）を形成し、めっきレジスト２４を剥離した（図９（Ｐ））。
【００４６】
次に、全面にソフトエッチング（エッチング量：１〜３μｍ）を行い、下地めっき２３を除去して多層配線基板１を作製した（図９（Ｑ））。
【００４７】
（実施例２）
コア基板Ａの作製：工程（Ｐ１）（図２）、コア基板Ａ５への接着材６の仮接着：工程（Ｐ２）（図３）、キャビティ用開口１１の形成：工程（Ｐ３）（図４）、コア基板Ｂ１０の作製：工程（Ｐ４）（図５）、コア基板Ａ５とＢとの貼り合わせ：工程（Ｐ５）（図６）までを、実施例１と同様に行った。
【００４８】
導体パターン（Ｌ４）９の形成：工程（Ｐ６）についても、実施例１と同様に行ったが、実施例１との違いは、エッチングレジスト２０を形成し、部品搭載部１９に対応する箇所に、非貫通孔Ｃ（図示しない。）を形成するためのコンフォーマルマスク１７を形成するようにしたことである（図１０（Ｓ）、（Ｔ））。
【００４９】
非貫通ビアＡ１２及びＢ１３の形成：工程（Ｐ７）についても、実施例１と同様に行ったが、実施例１との違いは、導体パターン（Ｌ１）３から絶縁層Ａ２を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通ビアＡ１２及び導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７及び接着材６を貫通して導体パターン（Ｌ２）４に到る非貫通ビアＢ１３を形成する工程（Ｐ７）の際に、さらに導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７を貫通して導体パターン（Ｌ３）８に到る非貫通ビアＣ２９を形成したことである（図１１、図１２）。
【００５０】
非貫通ビアＡ１２、Ｂ１３及びＣ２９の形成方法について、詳細を以下に説明する。まず、（Ｌ１）３及び（Ｌ４）９をコンフォーマルマスク１７として、炭酸ガスレーザを用いたレーザ加工により、非貫通孔Ａ２１、Ｂ２２及びＣ２８を形成した（図１１（Ｕ））。このとき、非貫通孔Ａ２１と受けパッド１８との位置、非貫通孔Ｂ２２と受けパッド１８との位置、及び非貫通孔Ｃ２８と部品搭載部１９との位置は、何れも非貫通孔が受けパッド１８や部品搭載部１９から外れることはなく、位置精度は良好であった。
【００５１】
この後は、実施例１と同様に、下地めっき２３を形成し（図１１（Ｖ））、めっきレジスト２４を形成し（図１１（Ｗ））、パターンめっき２５後にめっきレジスト２４を剥離し（図１２（Ｘ））、ソフトエッチングにより下地めっき２３を除去して多層配線基板１を作製した（図１２（Ｙ））。
【００５２】
（比較例１）
＜コア基板Ａの作製＞
実施例１と同様の両面銅箔張り積層板１６を準備し、実施例１と同様にサブトラクト法で（Ｌ１）を形成し、（Ｌ２）側の銅箔１５は全面除去した（図示しない。）。
【００５３】
＜コア基板Ａへの接着材の仮接着＞
銅箔１５を全面除去した（Ｌ２）側の面に、接着材を仮接着した（図示しない。）。使用した接着材及び条件は、実施例１と同様である。
【００５４】
＜キャビティ用開口の形成＞
実施例と同様にして、ルーター加工によって、キャビティ用開口１１を形成した（図１３（イ））。
【００５５】
＜コア基板Ｂの作製＞
実施例と同様の両面銅箔張り積層板１６を準備し、実施例と同様にサブトラクト法で（Ｌ３）８を形成し、（Ｌ４）９側の銅箔１５はそのままとした（図１３（ロ））。
【００５６】
＜コア基板ＡとＢとの貼り合わせ＞
実施例と同様にして、コア基板Ａ５の銅箔１５を全面除去した側とコア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ３）８側とを接着材６を介して接着（本硬化）した（図１３（ハ））。
【００５７】
＜導体パターン（Ｌ４）の形成＞
実施例と同様にして、コア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ４）９を形成した。このとき、導体パターン（Ｌ４）９は、Ｘ線観察装置を用い、（Ｌ３）８の導体パターンを基準として位置合せを行い、形成した（図１４（ニ）〜（ヘ））。
【００５８】
＜非貫通ビアＡ及びＢの形成＞
実施例と同様にして、導体パターン（Ｌ１）３から絶縁層Ａ２及び接着材６を貫通して導体パターン（Ｌ３）８に到る非貫通ビアＡ１２及び導体パターン（Ｌ４）９から絶縁層Ｂ７を貫通して導体パターン（Ｌ３）８に到る非貫通ビアＢ１３を形成した（図１５（ト））。このとき、非貫通孔Ａ２１と受けパッド１８との位置に、コンファーマルマスクと受けパッドとのずれ２７が生じた。非貫通孔Ｂ２２と受けパッド１８との位置は、非貫通孔が受けパッド１８から外れることはなく、位置精度は良好であった。
【００５９】
（比較例２）
＜コア基板Ａの作製＞
実施例と同様の両面銅箔張り積層板１６を準備し、（Ｌ１）側の銅箔１５をそのまま残し、（Ｌ２）側の銅箔１５をサブトラクト法で全面除去した（図示しない。）。
【００６０】
＜コア基板Ａへの接着材の仮接着＞
銅箔１５を全面除去した（Ｌ２）側の面に、接着材を仮接着した（図示しない。）。使用した接着材及び条件は、実施例と同様である。
【００６１】
＜キャビティ用開口の形成＞
実施例と同様にして、ルーター加工によって、キャビティ用開口１１を形成した（図１６（チ））。
【００６２】
＜コア基板Ｂの作製＞
実施例と同様の両面銅箔張り積層板１６を準備し、実施例と同様にサブトラクト法で（Ｌ３）８を形成し、（Ｌ４）９側の銅箔１５はそのままとした（図１６（リ））。
【００６３】
＜コア基板ＡとＢとの貼り合わせ＞
実施例と同様にして、コア基板Ａ５の銅箔１５を全面除去した側とコア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ３）８側とを接着材６を介して接着（本硬化）した（図１６（ヌ））。
【００６４】
＜導体パターン（Ｌ４）の形成＞
実施例と同様にして、コア基板の導体パターン（Ｌ１）３及びコア基板Ｂ１０の導体パターン（Ｌ４）９を形成した。このとき、導体パターン（Ｌ１）３及び導体パターン（Ｌ４）９は、Ｘ線観察装置を用い、（Ｌ３）８の導体パターンを基準として位置合せを行い、形成した（図１７（ル）〜（ワ））。このとき、キャビティ用開口１１の周囲の導体パターン（Ｌ１）３の端部には、キャビティ用開口１１を塞ぐように形成するエッチングレジスト２０のテントを固定するスペースが足りないため、エッチングレジスト２０のテントが形成できない。このため、サブトラクト法で（Ｌ１）３及び（Ｌ４）９を形成する際、部品搭載部１９がエッチング除去されてしまい、形成が困難であった。
【符号の説明】
【００６５】
１．多層配線基板
２．絶縁層Ａ
３．導体パターン（Ｌ１）又は（Ｌ１）
４．導体パターン（Ｌ２）又は（Ｌ２）
５．コア基板Ａ
６．接着材
７．絶縁層Ｂ
８．導体パターン（Ｌ３）又は（Ｌ３）
９．導体パターン（Ｌ４）又は（Ｌ４）
１０．コア基板Ｂ
１１．キャビティ用開口
１２．非貫通ビアＡ
１３．非貫通ビアＢ
１４．電子部品素子
１５．金属箔又は銅箔
１６．金属箔張り積層板又は銅箔張り積層板
１７．コンフォーマルマスク
１８．受けパッド
１９．部品搭載部
２０．エッチングレジスト
２１．非貫通孔Ａ
２２．非貫通孔Ｂ
２３．下地めっき
２４．めっきレジスト
２５．パターンめっき又は凸状めっき
２７．（コンファーマルマスクと受けパッドとの）ずれ
２８．非貫通孔Ｃ
２９．非貫通ビアＣ
【図１】
2014017410.tif 000003
【図２】
2014017410.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014017410.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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