(57)【要約】【課題】  基板上にカバーを搭載する際に位置決めができ、低融点ガラスが液状化したときにカバー内部に流れ込むことを防止できる電子デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】  基板１表面の外周内側で、カバー４が接触する部分に溝部６を形成し、金属又はセラミックのカバー４の基板１との接触面に低融点ガラス層５を形成し、当該低融点ガラス層５の厚みより溝部６の深さを深くし、低融点ガラス層５が溝部６に納まるように、カバー４が基板１に搭載されるものであり、基板１上にカバー４を搭載する際に位置決めができ、低融点ガラスが液状化したときにカバー４の内部に流れ込むことを防止できる電子デバイス及びその製造方法である。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミックの基板に電子部品が搭載され、カバーをガラスで封止する電子デバイスであって、
前記カバーにおいて前記基板に接触する部分には、低融点ガラス層が形成され、
前記カバーが前記基板に搭載された場合に前記低融点ガラス層が前記基板に接触する位置に、前記低融点ガラス層の厚みより深い溝部を形成したことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
カバーは、セラミックで形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
【請求項３】
カバーは、金属で形成されていることを特徴とする請求項１記載の電子デバイス。
【請求項４】
セラミックの基板を焼成した場合に発生する縮みに対して、当該縮みの割合に応じて溝部を大きく形成したことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の電子デバイス。
【請求項５】
セラミックの基板に電子部品が搭載され、カバーをガラスで封止する電子デバイスの製造方法であって、
前記カバーにおいて前記基板に接触する部分に、低融点ガラス層を形成して仮焼成し、
前記カバーが前記基板に搭載された場合に前記低融点ガラス層が前記基板に接触する位置に、前記低融点ガラス層の厚みより深い溝部を形成し、
前記低融点ガラス層が前記溝部に納まるよう前記カバーを前記基板に搭載することを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子等の電子デバイスに係り、特に、低融点ガラス封止による高気密を得ることができる電子デバイス及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
［従来の技術］
従来の電子デバイスには、基板上に金属又はセラミックのカバーを搭載し、当該カバーを低融点ガラスで封止して高気密を実現するものがある。
【０００３】
［関連技術］
尚、関連する先行技術として、特開平０９−２８３６４８号公報「表面実装型気密パッケージ」（松下電器産業株式会社）［特許文献１］、特開２００７−１７３９７５号公報「水晶デバイス」（日本電波工業株式会社）［特許文献２］がある。
【０００４】
特許文献１には、表面実装型のパッケージにおいて、ステム上面にステムの周端から突出してステムの全周に溶接用フランジを設け、溶接用フランジには全周に凸部を設けたことが示されている。
特許文献２には、水晶デバイスにおいて、基板外周に形成された金属膜の内側に金属カバーの位置決め用の段差を設けたことが示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平０９−２８３６４８号公報
【特許文献２】特開２００７−１７３９７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、従来の電子デバイスでは、カバーを低融点ガラスで封止する場合に、アウトガスをなくすために、低融点ガラスを仮焼成する必要があるが、仮焼成後の低融点ガラスは粘度がなく、基板にカバーを搭載する際に位置決めができないという問題点があった。
【０００７】
本発明は上記実情に鑑みて為されたもので、基板上にカバーを搭載する際に位置決めができ、低融点ガラスが液状化したときにカバー内部に流れ込むことを防止できる電子デバイス及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、セラミックの基板に電子部品が搭載され、カバーをガラスで封止する電子デバイスであって、カバーにおいて基板に接触する部分には、低融点ガラス層が形成され、カバーが基板に搭載された場合に低融点ガラス層が基板に接触する位置に、低融点ガラス層の厚みより深い溝部を形成したことを特徴とする。
【０００９】
本発明は、上記電子デバイスにおいて、カバーが、セラミックで形成されていることを特徴とする。
【００１０】
本発明は、上記電子デバイスにおいて、カバーが、金属で形成されていることを特徴とする。
【００１１】
本発明は、上記電子デバイスにおいて、セラミックの基板を焼成した場合に発生する縮みに対して、当該縮みの割合に応じて溝部を大きく形成したことを特徴とする。
【００１２】
本発明は、セラミックの基板に電子部品が搭載され、カバーをガラスで封止する電子デバイスの製造方法であって、カバーにおいて基板に接触する部分に、低融点ガラス層を形成して仮焼成し、カバーが基板に搭載された場合に低融点ガラス層が基板に接触する位置に、低融点ガラス層の厚みより深い溝部を形成し、低融点ガラス層が溝部に納まるようカバーを基板に搭載することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、カバーにおいて基板に接触する部分には、低融点ガラス層が形成され、カバーが基板に搭載された場合に低融点ガラス層が基板に接触する位置に、低融点ガラス層の厚みより深い溝部を形成した電子デバイスとしているので、基板上にカバーを搭載する際に位置決めができ、低融点ガラスが液状化したときにカバー内部に流れ込むことを防止できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施の形態に係る電子デバイスの平面説明図である。
【図２】本電子デバイスの断面説明図である。
【図３】本電子デバイスのシート状態のイメージ図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
［実施の形態の概要］
本発明の実施の形態に係る電子デバイスは、基板表面の外周内側で、カバーが接触する部分に溝部を形成し、金属又はセラミックのカバーの基板との接触面に低融点ガラス層を形成し、当該低融点ガラス層の厚みより溝部の深さを深くし、低融点ガラス層が溝部に納まるように、カバーが基板に搭載されるものであり、基板上にカバーを搭載する際に位置決めができ、低融点ガラスが液状化したときにカバー内部に流れ込むことを防止できるものである。
【００１６】
［本電子デバイス：図１］
本発明の実施の形態に係る電子デバイス（本電子デバイス）について図１を参照しながら説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る電子デバイスの平面説明図である。
本電子デバイスは、図１に示すように、セラミックの基板１上であって、外周の内側に沿って溝部６が形成され、その上に電極等が形成され、金属又はセラミックのカバーの基板１への接触部分が溝部６に納まるよう搭載される構成である。
【００１７】
図１では、電子デバイスとして、水晶振動子の例を示しているが、カバーをガラス層で封止する構造の電子デバイスであれば、本実施の形態は応用可能である。
図１の水晶振動子について具体的に説明すると、溝部６が形成された基板１に対して、角部分にスルーホール８が形成され、そのスルーホール８の内壁と基板１のスルーホール８の開口部周辺に金属電極２が形成される。
【００１８】
金属電極２の内で、対角にある一組の金属電極２ａは、搭載される水晶片に形成された電極に接続するものであり、対極にある他の組の金属電極２ｂは、水晶片の電極には接続されていない。
金属電極２ａは、基板１の中央に向けて延びて引き出され、水晶片を支持する支持電極３の下側にも形成されている。
【００１９】
尚、金属電極２ａは、基板１に形成された溝部６を横断して溝部６上に形成されるものであるが、金属電極２ａの金属膜が溝部６の深さに対して薄いため、カバーの接触面を溝部６に差し込んでも、カバーの接触面は溝部６内に納まり、位置決めの効果は損なわれない。
支持電極３は、金属電極２ａの引出部分の上に形成され、水晶片の両端を支持する。
尚、水晶片の搭載については省略する。
【００２０】
［本電子デバイスの構成：図２］
次に、本電子デバイスの構成について図２を参照しながら説明する。図２は、本電子デバイスの断面説明図である。
本電子デバイスは、図２に示すように、カバー４の基板１への接触面には、低融点ガラス層５が形成され、仮焼成してある。
そして、基板１に形成された溝部６に、カバー４に形成された低融点ガラス層５が納まるようにカバー４が基板１に搭載される。
【００２１】
図２に示すように、溝部６の深さは、低融点ガラス層５の厚みより深いものとなっている。従って、カバー４の一部（基板１に接触する水平面に隣接する垂直方向の側面部分）も、溝部６に収納されるようになっている。これにより、カバー４が溝部６からはみ出すことがなく、位置決め効果を備えている。
【００２２】
本電子デバイスでは、溝部６がカバー４の位置決めすることができ、カバー４の搭載後に加熱した場合に、低融点ガラス層５が液状化しても、溝部６内に留まって、スルーホール、ブレイクライン、水晶片の搭載位置への流れ込みを防止できる効果がある。
また、本電子デバイスでは、溝部６の窪みでカバー４の位置決めできるので、生産性が高く、安価で気密性の高い低融点ガラス封止を実現できる効果がある。
【００２３】
［シート状態のイメージ：図３］
本電子デバイスのシート状態について図３を参照しながら説明する。図３は、本電子デバイスのシート状態のイメージ図である。
本電子デバイスは、図３に示すように、セラミックのシートにスルーホール８、ブレイクライン７、溝部６が形成される。
【００２４】
スルーホール８は、個別の基板１の四隅に形成され、スルーホール８を縦横に結ぶ線上にブレイクライン７が形成され、ブレイクライン７の内側に堀状の溝部６が形成される。
そして、金属電極２ａ，２ｂが形成され、更に支持電極３が形成される。
尚、図３では、一つの基板１にカバー４を搭載した状態も示している。
【００２５】
［本電子デバイスの製造方法］
次に、本電子デバイスの製造方法について説明する。
カバー４の基板１への接触面に低融点ガラス層５を塗布して仮焼成して形成しておく。低融点ガラス層５の厚みは、例えば、約１０μｍ程度である。
基板１の集合体となるセラミックシートにスルーホール８、ブレイクライン７、溝部６を形成する。
セラミックシートの厚みは、約０．２５ｍｍ程度で、溝部６の深さは、例えば、約５０μｍ程度である。
【００２６】
更に、セラミックシート上に約１０μｍ程度の金属電極２ａ，２ｂを形成し、更に水晶片を支持するための支持電極３を形成する。
そして、水晶片を導電性接着剤で支持電極３に接着して固定する。
次に、カバー４に形成した低融点ガラス層５を溝部６に納まるようにカバー４を搭載し、焼成して低融点ガラス封止を行う。
その後、ブレイクライン７で切断して個別の電子デバイスに分割する。
【００２７】
尚、セラミックシートは、製造工程で収縮するため、収縮の割合を考慮してカバー４の搭載位置に対して大きめに形成しておく。つまり、収縮後の溝部６に低融点ガラス層５が納まるよう、収縮前の溝部６の形成位置を予め設計しておく必要がある。
【００２８】
［実施の形態の効果］
本電子デバイスでは、溝部６がカバー４の位置決めすることができ、カバー４の搭載後に加熱した場合に、低融点ガラス層５が液状化しても、溝部６内に留まって、スルーホール、ブレイクライン、水晶片の搭載位置への流れ込みを防止でき、更に、生産性が高く、安価で気密性の高い低融点ガラス封止を実現できる効果がある。
【産業上の利用可能性】
【００２９】
本発明は、基板上にカバーを搭載する際に位置決めができ、低融点ガラスが液状化したときにカバー内部に流れ込むことを防止できる電子デバイス及びその製造方法に好適である。
【符号の説明】
【００３０】
１...基板、  ２...金属電極、  ３...支持電極、  ４...カバー、  ５...低融点ガラス層、  ６...溝部、  ７...ブレイクライン、  ８...スルーホール
【図１】
2014192665.tif 000003
【図２】
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【図３】
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