(57)【要約】      （修正有）【課題】プラズマＣＶＤ装置において、シールド部材の交換のために大気開放する必要が無く、装置稼働率を上げることを提供する。【解決手段】プラズマ発生室２と、前記プラズマ発生室と連通する成膜処理室３と、前記プラズマ発生室と前記成膜処理室の間にプラズマ分離用のシールド部材４と、プラズマ発生室にプラズマ発生用原料ガスを供給するプラズマ発生用原料ガス導入部２１と、成膜処理室に成膜用原料ガスを供給する成膜用原料ガス導入部３１とを備え、未使用のシールド部材４を予め収容し必要に応じて供給するシールド部材供給部４１と、使用済みのシールド部材を回収して収容するシールド部材回収部４５とを備えた、プラズマＣＶＤ装置である。【選択図】図１
2014084516.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ発生室と、
前記プラズマ発生室と連通する成膜処理室と、
前記プラズマ発生室と前記成膜処理室の間にプラズマ分離用のシールド部材と、
プラズマ発生室にプラズマ発生用原料ガスを供給するプラズマ発生用原料ガス導入部と、
成膜処理室に成膜用原料ガスを供給する成膜用原料ガス導入部とを備え、
未使用のシールド部材を予め収容し必要に応じて供給するシールド部材供給部と、
使用済みのシールド部材を回収して収容するシールド部材回収部とを備えた、
プラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
前記シールド部材供給部は前記成膜処理室内若しくはプラズマ生成室内に配置されており、
前記シールド部材供給部を覆う隔離板が配置されている
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
前記シールド部材供給部は前記成膜処理室内若しくはプラズマ生成室内に配置されており、
前記シールド部材供給部を覆う箱体を備え、
当該箱体には未使用のシールド部材を通過させる開口部が設けられている、
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
前記シールド部材供給部を覆う箱体には与圧ガス導入部が備えられ、
当該箱体内の圧力が当該箱体の外側の圧力よりも高く設定されている、
請求項３に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
前記シールド部材回収部を覆う箱体を備え、
当該箱体には使用済みのシールド部材を通過させる開口部が設けられ、
当該箱体内にクリーニング用ガスを供給するクリーニング用ガス導入部を備え、
当該箱体内に前記使用済みのシールド部材と所定の間隔を隔てた位置に放電用電極を備え
前記放電用電極には高周波が印加されており、
当該箱体には、排気用ポートが備えられ、
当該箱体内の圧力が、当該箱体の外側の圧力と同じ又は当該箱体の外側の圧力よりも低く設定されている、
請求項３又は請求項４に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
前記シールド部材供給部を覆う箱体にクリーニング用ガスを供給するクリーニング用ガス導入部を備え、
当該箱体内には、前記未使用のシールド部材と所定の間隔を隔てた位置に放電用電極を備え、
当該放電用電極が高周波印加部に接続されており、
当該箱体内部には、排気用ポートが備えられ、
当該箱体内の圧力が、当該箱体の外側の圧力と同じ又は当該箱体の外側の圧力よりも低く設定されている、
請求項５に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
前記プラズマ発生室と前記成膜処理室との間には、開口部を有する隔壁が備えられ、
前記開口部の外側には、前記開口部を跨ぐ位置に一対で配置された搬送ローラを備え、
前記シールド部材は、前記一対の搬送ローラに押し当てられることでアース接地される、
請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】
前記シールド部材が、導電性材料を複数列に並べて配置されており、
前記複数列に並べられたシールド部材の未使用部分を前記シールド部材供給部から繰り出しながら、
前記複数列に並べられたシールド部材の使用済み部分を前記シールド部材回収部で回収する、
請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項９】
前記シールド部材が、導電性材料を網状の平板で構成されている、
請求項８に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１０】
前記シールド部材が、１本のワイヤーを複数回、折り返し配置して構成されており、
前記シールド部材供給部からは前記１本のワイヤーの未使用部分が繰り出され、前記シールド部材回収部では前記１本のワイヤーの使用済み部分が回収される、
請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置。
【請求項１１】
前記シールド部材が、ワイヤーを交差させて格子状にしたもので構成されている、
請求項１０に記載のプラズマＣＶＤ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
プラズマＣＶＤ装置に用いられるシールド部材の交換機構に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ガラス基板やプラスチックフィルムなどの成膜対象物の表面に半導体化合物やシリコン化合物などの薄膜を形成するために、プラズマＣＶＤ装置が用いられている。さらに、プラズマダメージを低減するために、リモートプラズマＣＶＤと呼ばれる技術が用いられている。リモートプラズマＣＶＤ装置では、プラズマ発生室で発生した反応ガスの内、ラジカル成分のみを通過させ、それ以外の電子やイオンをプラズマチャンバー内に封じ込めるために、シールド部材（メッシュプレートとも呼ぶ）が用いられている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
また、チャンバ内壁全体をドライクリーニング可能にした、リモートプラズマＣＶＤ装置も提案されている（例えば、特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平６２１３９３号公報
【特許文献２】特開平１１−１６２９６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＣＶＤ装置では、成膜対象物に成膜物質による薄膜が形成されるのと同様に、シールド部材の表面にも成膜物質が徐々に蓄積される。そして、プラズマＣＶＤ装置を長時間稼働し続け、シールド部材に薄膜形成用材料が蓄積し続けると、シールド部材の開口部面積が減少し、ラジカル成分のガスの通過レートが低下し、所定時間当たりに成膜できる膜厚が薄くなる。
【０００６】
そのため、シールド部材を定期的に交換する必要があるが、シールド部材を交換する時は、チャンバーを大気開放し、成膜作業を中断しなければならず、シールド部材の交換頻度が多いことから、装置稼働率が上がらない要因となっていた。
【０００７】
そこで本発明は、プラズマＣＶＤ装置において、シールド部材の交換のために大気開放する頻度を少なくし、装置稼働率を上げることを提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
以上の課題を解決するために、請求項１に記載の発明は、
プラズマ発生室と、
前記プラズマ発生室と連通する成膜処理室と、
前記プラズマ発生室と前記成膜処理室の間にプラズマ分離用のシールド部材と、
プラズマ発生室にプラズマ発生用原料ガスを供給するプラズマ発生用原料ガス導入部と、
成膜処理室に成膜用原料ガスを供給する成膜用原料ガス導入部とを備え、
未使用のシールド部材を予め収容し必要に応じて供給するシールド部材供給部と、
使用済みのシールド部材を回収して収容するシールド部材回収部とを備えた、
プラズマＣＶＤ装置である。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、
前記シールド部材供給部は前記成膜処理室内若しくはプラズマ生成室内に配置されており、
前記シールド部材供給部を覆う隔離板が配置されている
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置である。
【００１０】
請求項３に記載の発明は、
前記シールド部材供給部は前記成膜処理室内若しくはプラズマ生成室内に配置されており、
前記シールド部材供給部を覆う箱体を備え、
当該箱体には未使用のシールド部材を通過させる開口部が設けられている、
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置である。
【００１１】
請求項４に記載の発明は、
前記シールド部材供給部を覆う箱体には与圧ガス導入部が備えられ、
当該箱体内の圧力が当該箱体の外側の圧力よりも高く設定されている、
請求項３に記載のプラズマＣＶＤ装置である。
【００１２】
請求項５に記載の発明は、
前記シールド部材回収部を覆う箱体を備え、
当該箱体には使用済みのシールド部材を通過させる開口部が設けられ、
当該箱体内にクリーニング用ガスを供給するクリーニング用ガス導入部を備え、
当該箱体内に前記使用済みのシールド部材と所定の間隔を隔てた位置に放電用電極を備え
前記放電用電極には高周波が印加されており、
当該箱体には、排気用ポートが備えられ、
当該箱体内の圧力が、当該箱体の外側の圧力と同じ又は当該箱体の外側の圧力よりも低く設定されている、
請求項３又は請求項４に記載のプラズマＣＶＤ装置である。
【００１３】
請求項６に記載の発明は、
前記シールド部材供給部を覆う箱体にクリーニング用ガスを供給するクリーニング用ガス導入部を備え、
当該箱体内には、前記未使用のシールド部材と所定の間隔を隔てた位置に放電用電極を備え、
当該放電用電極が高周波印加部に接続されており、
当該箱体内部には、排気用ポートが備えられ、
当該箱体内の圧力が、当該箱体の外側の圧力と同じ又は当該箱体の外側の圧力よりも低く設定されている、
請求項５に記載のプラズマＣＶＤ装置である。
【００１４】
請求項７に記載の発明は、
前記プラズマ発生室と前記成膜処理室との間には、開口部を有する隔壁が備えられ、
前記開口部の外側には、前記開口部を跨ぐ位置に一対で配置された搬送ローラを備え、
前記シールド部材は、前記一対の搬送ローラに押し当てられることでアース接地される、
請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置である。
【００１５】
請求項８に記載の発明は、
前記シールド部材が、導電性材料を複数列に並べて配置されており、
前記複数列に並べられたシールド部材の未使用部分を前記シールド部材供給部から繰り出しながら、
前記複数列に並べられたシールド部材の使用済み部分を前記シールド部材回収部で回収する、
請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置である。
【００１６】
請求項９に記載の発明は、
前記シールド部材が、導電性材料を網状の平板で構成されている、
請求項８に記載のプラズマＣＶＤ装置である。
【００１７】
請求項１０に記載の発明は、
前記シールド部材が、１本のワイヤーを複数回、折り返し配置して構成されており、
前記シールド部材供給部からは前記１本のワイヤーの未使用部分が繰り出され、前記シールド部材回収部では前記１本のワイヤーの使用済み部分が回収される、
請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ装置である。
【００１８】
請求項１１に記載の発明は、
前記シールド部材が、ワイヤーを交差させて格子状にしたもので構成されている、
請求項１０に記載のプラズマＣＶＤ装置である。
【発明の効果】
【００１９】
プラズマＣＶＤ装置において、シールド部材の交換のために大気開放する頻度を少なくし、装置稼働率を上げることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明を具現化する形態の一例を示す側面図である。
【図２】本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図である。
【図３】本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図である。
【図４】本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図である。
【図５】本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図である。
【図６】本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図である。
【図７】本発明に用いられるシールド部材を具現化する一例を示す平面図である。
【図８】本発明に用いられるシールド部材を具現化する別の一例を示す平面図である。
【図９】本発明に用いられるシールド部材を具現化する別の一例を示す平面図である。
【図１０】本発明に用いられるシールド部材を具現化する別の一例を示す平面図である。
【図１１】本発明に用いられるシールド部材を具現化する別の一例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
図１は、本発明を具現化する形態の一例を示す側面図である。
本発明にかかるプラズマＣＶＤ装置１は、プラズマ発生室２と、成膜処理室３と、シールド部材４と、プラズマ発生用原料ガス導入部２１と、成膜用原料ガス導入部３１と、シールド部材供給部４１と、シールド部材回収部４５とを備えている。
【００２２】
プラズマ発生室２は、内部にプラズマ状態のガスＧ２を発生させるものである。
プラズマ発生室２の内部を減圧状態にし、内部に高周波を印可し、外部からプラズマ発生用原料ガスＧ１を導入することで、内部にプラズマ状態のガスＧ２を発生させている。
具体的には、プラズマ発生室２は、堅牢な箱体２０で構成され、箱体２０の上部には開口部Ｈが設けられている。
【００２３】
さらに、プラズマ発生室２には、プラズマ発生用原料ガス導入部２１と、高周波発生部２２とを備えている。
プラズマ発生用原料ガス導入部２１は、プラズマ発生室２の箱体２０内にプラズマ発生用原料ガスＧ１を供給するものである。
【００２４】
高周波発生部２２は、プラズマ発生室２の箱体２０内にプラズマを発生させるものである。このため、プラズマ発生室２では、プラズマ発生用原料ガスＧ１として、例えば酸素ガスを外部から導入することで、箱体２０内部がプラズマ状態となり、酸素分子が活性化しラジカル成分が発生する。また、酸素イオンが発生すると共に、電子が放出される。
【００２５】
成膜処理室３は、プラズマ発生室２で発生させたガスの内、詳細を後述するラジカル成分のガスＧ３と、成膜用原料ガスＧ４とを反応させて、成膜対象物となる基板Ｋに成膜Ａを行うものである。
具体的には、成膜処理室３は、堅牢な箱体３０で構成され、箱体３０の下部には開口部Ｈが設けられている。さらに、成膜処理室３の箱体３０には、成膜用原料ガス導入部３１と、基板保持台３２と、ロードロックゲート３３と、真空ポンプ３５とを備えている。
【００２６】
成膜用原料ガス導入部３１は、成膜処理室３の箱体３０内に成膜用原料ガスを供給するものである。
基板保持台３２は、基板Ｋを保持するものである。
ロードロックゲート３３は、基板Ｋの出し入れのために開閉を行うものである。矢印３４に示す方向に基板Ｋが移動し、受け渡しされる。
【００２７】
なお、プラズマ発生室２と成膜処理室３とは連通しており、成膜処理室３には真空ポンプ３５が接続されている。真空ポンプ３５は、成膜処理室３並びにプラズマ発生室２の内部を減圧状態にするものである。
【００２８】
シールド部材４は、プラズマ分離用として用いられるものであり、プラズマ発生室２で発生したプラズマ状態のガスＧ２が、直接、成膜処理室３側に流出しないようにするものである。具体的には、シールド部材４は、細い金属ワイヤーが複数並べられたものや、金網状のもので構成され、連通するプラズマ発生室２と成膜処理室３の間、つまり開口部Ｈ付近に配置されている。さらに、シールド部材４は、シールド部材供給部４１の巻出用ローラ４２や、シールド部材回収部４５の巻取用ローラ４６を通じてアース接地されている。そのため、イオン化したガスや電子はメッシュを通り抜けることができず、一方、電気的に中性なラジカル成分のガスＧ３が、シールド部材４を通過し、成膜処理室３内に流入する。
【００２９】
成膜処理室３内では、ラジカル成分のガスＧ３と、成膜用原料ガス導入部３１から導入されたガスＧ４とが反応し、所望の成膜Ａが基板Ｋに堆積される。
【００３０】
このとき、プラズマ発生用原料ガスＧ１を酸素とし、成膜用原料ガスＧ４をＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）とすれば、成膜Ａとして酸化シリコン（ＳｉＯ２）が生成される。
【００３１】
［巻出・巻取機構］
シールド部材４は、シールド部材供給部４１から供給され、シールド部材回収部４５にて回収される。
シールド部材供給部４１は、未使用のシールド部材を予め収容し必要に応じて供給するものである。具体的には、巻出用ローラ４２に予め未使用のシールド部材を巻き付けて収容し、必要に応じて未使用のシールド部材を巻き出して供給するようにしておく。
シールド部材回収部４５は、使用済みのシールド部材を回収して収容するものである。
具体的には、巻取用ローラ４６に使用済みのシールド部材を巻き付けて収容し、必要に応じて使用済みのシールド部材を巻き取って回収するようにしておく。
【００３２】
なお、図１ではシールド部材４、シールド部材供給部４１、シールド部材回収部４５が成膜処理室３の箱体３０内に配置されている形態を例示したが、上述の形態においては、シールド部材４等が、プラズマ発生室２の箱体２０内に配置されていても良い。
【００３３】
［別の一例］
図２は、本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図であり、上述の形態とは異なる別の一例を示している。図２に示す形態のプラズマＣＶＤ装置１ｂは、上述したプラズマＣＶＤ装置１をベースとしつつ、シールド部材供給部４１が成膜処理室３の箱体３０内に配置されている例である。さらに、シールド部材供給部４１を覆う隔離板が、シールド部材供給部４１と基板Ｋとの間に配置されている。この形態あれば、隔離板４３が、成膜Ａによる堆積物が基板Ｋのみならず未使用のシールド部材にも付着することを防止する。そのため、シールド部材４の交換頻度を減らすことができるので、装置稼働率を上げることができる。
【００３４】
なお、本発明を具現化するにあたって、シールド部材供給部４１とシールド部材回収部４５とをプラズマ発生室２の箱体２０側に配置した形態としても良い。この形態の場合、図２に示した様な、シールド部材供給部４１が成膜処理室３の箱体３０内に配置されている例と比べて、未使用のシールド部材４に成膜Ａが付着する量は少ない。しかし、成膜用原料ガスＧ４が僅かではあるが、シールド部材４を通過することもあり、シールド部材供給部４１をプラズマ発生室２の箱体２０側に配置した場合であっても、未使用のシールド部材４に成膜Ａが付着する可能性がある。そのため、さらにシールド部材供給部４１を覆う隔離板を配置しておくことが好ましい。そうすることで、未使用のシールド部材４に成膜Ａが付着するのを防ぐことができる。
【００３５】
［別の一例］
図３は、本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図であり、上述の形態とは異なる別の一例を示している。図３に示す形態のプラズマＣＶＤ装置１ｃは、上述したプラズマＣＶＤ装置１をベースとしつつ、シールド部材供給部４１が成膜処理室３の箱体３０内に配置されている例である。さらに、シールド部材供給部４１を覆う箱体４４を備え、箱体４４には、未使用のシールド部材を通過させる開口部４４ｈが設けられている。この形態であれば、箱体４４が、シールド部材供給部４を全体的に覆うため、ラジカル成分のガスＧ３と成膜用原料ガスＧ４の回り込みによって未使用のシールド部材に成膜Ａが付着することを防止する。そのため、シールド部材４の交換頻度をさらに減らすことができるので、装置稼働率をさらに上げることができる。
【００３６】
なお、箱体４４の開口部４４ｈの形状は、未使用のシールド部材が通過するのに十分であって、極力狭いこと、例えば、未使用のシールド部材の幅と厚み分の開口部寸法であることが好ましい。そうすれば、箱体４４内部に成膜Ａが堆積するのを防ぐこともできる。さらに、この形態において、箱体４４の内部に搬送ローラ４８ａを、巻取用ローラ４６側に搬送ローラ４８ｂを配置し、シールド部材４と、開口部４４ｈとの隙間を所定間隔に規制できるようにしても良い。そうすれば、開口部４４ｈと未使用のシールド部材との擦れがなく、開口部の摩耗を防ぐことができる。そのため、開口部４４ｈからラジカル成分のガスＧ３と成膜用原料ガスＧ４の流入を防ぎ、未使用のシールド部材４に成膜Ａが付着するのを防ぐ効果を長く維持することができる。
【００３７】
また、本発明を具現化するにあたって、シールド部材供給部４１，箱体４４，搬送ローラ４８及びシールド部材回収部４５をプラズマ発生室２の箱体２０側に配置した形態としても良い。
【００３８】
［別の一例］
図４は、本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図であり、上述の形態とは異なる別の一例を示している。図４に示す形態のプラズマＣＶＤ装置１ｄは、上述したプラズマＣＶＤ装置１ｃをベースとしつつ、シールド部材供給部４１を覆う箱体４４には、与圧ガス導入部２４が備えられている。さらに箱体４４内の圧力が、箱体４４の外側の圧力（図４の形態であれば、成膜処理室３内の圧力）よりも高く設定されている。
【００３９】
なお、箱体４４内の圧力を、箱体４４の外側の圧力よりも高く設定する具体的手段として、下記が例示できる。
１）与圧ガス導入部２４は、プラズマ発生用原料ガス導入部２１から分岐させ、プラズマ発生用原料ガスＧ１を供給する。箱体４４は開口部４４ｈのみが出口であり、箱体４４の外側は、真空ポンプ３５で減圧されている。そのため、箱体４４内の圧力は、箱体４４の外側よりも高く設定できる。
２）与圧ガス導入部２４は、プラズマ発生用原料ガス導入部２１とは独立したものとし、箱体４４内に導入するガスの圧力を、箱体４４の外側よりも高く設定して導入する。
【００４０】
上述の形態であれば、シールド部材供給部４１を覆う箱体４４内部の圧力が、箱体４４の外側よりも高く設定しておけば、箱体４４内部に成膜Ａが堆積するのことを防止できる。そのため、未使用のシールド部材に堆積物が付着することを防止し、シールド部材４の交換頻度をさらに減らすことができるので、装置稼働率をさらに上げることができる。なお、与圧ガス導入部２４から箱体４４内に導入するガスは、不活性状態のプラズマ発生用原料ガスＧ１とすれば、成膜用原料ガスＧ４が箱体４４内に流入することを防止しつつ、成膜処理室３で生成される成膜Ａの品質にも影響を及ぼさないので好ましい。
【００４１】
［クリーニング機能］
図５は、本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図であり、上述の形態とは異なる別の一例を示している。図５に示す形態のプラズマＣＶＤ装置１ｅは、上述したプラズマＣＶＤ装置１ｃをベースとしつつ、シールド部材回収部４５を覆う箱体５１を備え、箱体５１には使用済みのシールド部材を通過させる開口部５１ｈが設けられている。さらに、箱体５１にクリーニング用ガスＧ６を供給するクリーニング用ガス導入部５２を備え、箱体５１内に使用済みのシールド部材と所定の間隔を隔てた位置に放電用電極５３を備え、放電用電極５３には高周波が印加されている。放電用電極５３は、高周波容量結合型プラズマ（いわゆるＣＣＰ：Ｃａｐａｃｉｔｉｖｅｒｙ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｐｌａｓｍａ）を発生させるものを例示しているが、他のプラズマ方式を用いたものでも良い。
【００４２】
さらに、箱体５１には排気用ポート５４が備えられており、箱体５１内で使用済みシールド部材に付着した堆積物は、クリーニング用ガスＧ６との反応により生成された生成物として箱体５１に漂い、排気ポート５４から外部へ排気される。そのため、使用済みのシールド部材を、再び未使用状態に戻すことができる。
【００４３】
このとき、クリーニング用ガスＧ６としては、ＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，ＮＦ３等のフッ素系ガスを使用することが好ましい。そうすることで、堆積物が分解され、外部へ排気可能となる。
【００４４】
また、箱体５１内の圧力は、導入するクリーニング用ガスＧ６と、排気ポート５４から外部へ排気させるガスの圧力や流量を調節し、箱体５１の外側の圧力と同じか、箱体５１の外側の圧力よりも低く設定されている。より具体的には、箱体５１の外側や箱体５１内部の圧力変動があっても、箱体５１内部の圧力は、箱体５１の外側の圧力よりも高くならず、箱体５１の外側と同じか、箱体５１内部の方がやや低い状態で維持されるように、設定しておく。そうすることで、ラジカル成分のガスＧ３と成膜用原料ガスＧ４が流入して、箱体５１内部やシールド部材４に成膜Ａが堆積することを防ぎ、クリーニング用ガスＧ６や除去された堆積物が成膜処理室３へ流出することを防ぐことができる。
【００４５】
このため、一度使用済みとなったシールド部材を、矢印とは逆の方向に巻出・巻取を行って（つまり、図示したシールド部材回収部４５側から、未使用状態に戻したシールド部材を供給し、シールド部材供給部４１側で使用済みのシールド部材を回収するようにして）、シールド部材４を再度使用することができる。
【００４６】
［別の一例］
図６は、本発明を具現化する形態の別の一例を示す側面図であり、上述の形態とは異なる別の一例を示している。図６に示す形態のプラズマＣＶＤ装置１ｆは、上述したプラズマＣＶＤ装置１ｅをベースとしつつ、シールド部材供給部４１を覆う箱体５６を備え、箱体５６には未使用のシールド部材を通過させる開口部５６ｈが設けられている。さらに箱体５６にクリーニング用ガスＧ６を供給するクリーニング用ガス導入部５７を備え、箱体５６内に未使用のシールド部材と所定の間隔を隔てた位置に放電用電極５８を備え、放電用電極５８には高周波が印加されている。さらに、箱体５６には、排気用ポート５９が備えられいる。また、箱体５６内の圧力は、導入するクリーニング用ガスＧ６と、排気ポート５９から外部へ排気させるガスの圧力や流量を調節し、箱体５６の外側の圧力と同じか、箱体５６の外側の圧力よりも低く設定しておく。より具体的には、箱体５６の外側や箱体５６内部の圧力変動があっても、箱体５６内部の圧力は、箱体５６の外側の圧力よりも高くならず、箱体５６の外側と同じか、箱体５６内部の方がやや低い状態で維持されるように、設定しておく。そうすることで、ラジカル成分のガスＧ３と成膜用原料ガスＧ４が流入して、箱体５６内部やシールド部材４に成膜Ａが堆積することを防ぎ、クリーニング用ガスＧ６や除去された堆積物が成膜処理室３へ流出することを防ぐことができる。
【００４７】
そのため、使用済みのシールド部材を、シールド部材回収部４１側に回収された場合だけでなく、シールド部材供給部４１側に回収された場合でも、未使用状態に戻すことができる。そうすることで、シールド部材を交換する頻度が極めて少なくなり、装置稼働率をより一層上げることができる。
【００４８】
［搬送ローラー・アース接地］
上述の各プラズマＣＶＤ装置１〜１ｆにおいて、シールド部材４は、
プラズマ発生室２と成膜処理室３との間には、開口部Ｈを有する隔壁が備えられ、開口部Ｈの外側には、開口部Ｈを跨ぐ位置に一対で配置された搬送ローラ４８（４８ａ，４８ｂ）を備え、シールド部材４は、一対の搬送ローラ４８（４８ａ，４８ｂ）に押し当てられることでアース接地されることが好ましい。そうすることで、シールド部材４のアース接地が、巻出用ローラ４２や巻取用ローラ４６を通じてアース接地するよりも、確実となる。
【００４９】
［シールド部材］
図７は、本発明に用いられるシールド部材を具現化した一例を示す側面図である。
本発明に用いられるシールド部材４を具現化する一例として、図７に示すような、複数のワイヤＷが所定の間隔で平行に並べられている、ストライプ状のシールド部材４ａが例示できる。
【００５０】
開口部Ｈの両側の開口部Ｈを跨ぐ位置に、シールド部材供給部４１の巻出用ローラ４２と、シールド部材回収部４５の巻取用ローラ４６が配置されている。巻出用ローラ４２と、巻取用ローラ４６には、ストライプ状のシールド部材４ａが巻き付けられている。
【００５１】
［別の一例］
図８は、本発明に用いられるシールド部材を具現化した別の一例を示す側面図である。
本発明に用いられるシールド部材４を具現化する別の一例として、図８に示すような、複数のワイヤＷが所定の間隔で格子状に並べられている、メッシュ状のシールド部材４ｂが例示できる。メッシュ状のシールド部材４ｂは、いわゆる金網のように複数のワイヤーを格子状に編んだものが例示できる。
【００５２】
開口部Ｈの両側の開口部Ｈを跨ぐ位置に、シールド部材供給部４１の巻出用ローラ４２と、シールド部材回収部４５の巻取用ローラ４６が配置されており、巻出用ローラ４２と、巻取用ローラ４６には、メッシュ状のシールド部材４ｂが巻き付けられている。
【００５３】
［別の一例］
図９は、本発明に用いられるシールド部材を具現化した別の一例を示す側面図である。
本発明に用いられるシールド部材４を具現化する別の一例として、図９に示すような、複数の開口部を有する打ち抜きの金属シート４ｃが例示できる。複数の開口部を有する打ち抜きの金属板４ｃは、いわゆるパンチングメタル（Ｐｅｒｆｏｒａｔｅｄ  ｓｈｅｅｔｓ、Ｐｅｒｆｏｒａｔｅｄ  ｍｅｔａｌ等とも呼ばれるもの）を箔状にしたものが例示できる。
【００５４】
開口部Ｈの両側の開口部Ｈを跨ぐ位置に、シールド部材供給部４１の巻出用ローラ４２と、シールド部材回収部４５の巻取用ローラ４６が配置されており、巻出用ローラ４２と、巻取用ローラ４６には、複数の開口部を有する打ち抜きの金属シート４ｃが巻き付けられている。
【００５５】
［別の一例］
図１０は、本発明に用いられるシールド部材を具現化した別の一例を示す側面図である。
本発明に用いられるシールド部材４を具現化する別の一例として、図１０に示すような、１本のワイヤＷｓを複数折り返し、それぞれのワイヤＷｓが所定の間隔でストライプ状に並べられている、１本のワイヤをストライプ状にしたシールド部材４ｄが例示できる。
【００５６】
１本のワイヤＷｓをストライプ状にしたシールド部材４ｄは、巻出側リール６１に予め未使用のワイヤを巻き付けておき、巻き出された１本のワイヤＷｓを複数の折返しローラ６２を経由させて張り巡らせ、巻取側リール６３に巻き付けた状態で、シールド部材として機能する。そして、ワイヤ表面に堆積物が溜まれば、巻出側リール６１から未使用部分のワイヤーを巻出ながら、使用済み部分のワイヤーを巻取側リール６３にて回収する。なお、折返しローラ６２は、自由に回転する形態のフリーローラとしても良いし、巻出側リール６１や巻取側リール６３の回転と同調するようにしても良い。
【００５７】
［別の一例］
図１１は、本発明に用いられるシールド部材を具現化した別の一例を示す側面図である。
本発明に用いられるシールド部材４を具現化する別の一例として、図１１に示すような、１本のワイヤを複数折り返し、さらにワイヤーを２方向に交差し、それぞれのワイヤーが所定の間隔でメッシュ状に並べられ、１本のワイヤを格子状にしたシールド部材４ｅが例示できる。
【００５８】
１本のワイヤＷｓを格子状にしたシールド部材４ｅは、巻出側リール６５に予め未使用のワイヤーを巻き付けておき、巻き出されたワイヤーを複数の折返しローラ６６（６６ａ，６６ｂ）を経由させて張り巡らせ、交差折返し用ローラ６７にて９０度向きを変え、再び複数の折返しローラ６８（６８ａ，６８ｂ）を経由させて張り巡らせ、巻取側リール６９に巻き付けた状態で、シールド部材として機能する。そして、ワイヤー表面に堆積物が溜まれば、巻出側リール６５から未使用部分のワイヤーを巻出ながら、使用済み部分のワイヤーを巻取側リール６９にて回収する。なお、折返しローラ６６，６８や、交差折返し用ローラ６７は、自由に回転する形態のフリーローラとしても良いし、巻出側リール６５や巻取側リール６９と協調して回転するようにしても良い。
【００５９】
［他の実施形態］
上述の説明では、本発明に係るプラズマＣＶＤ装置において、成膜対象物となる基板Ｋが、いわゆる枚葉方式で入れ替えて成膜を行う形態を図示した。しかし、この形態には限定されず、例えば、ロール・トゥ・ロール方式による連続成膜形態であっても、本発明を適用することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１    プラズマＣＶＤ装置
２    プラズマ発生室
３    成膜処理室
４    シールド部材
４ａ  ストライプ状のシールド部材
４ｂ  メッシュ状のシールド部材
４ｃ  開口板のシールド部材
４ｄ  １本のワイヤをストライプ状にしたシールド部材
４ｅ  １本のワイヤを格子状にしたシールド部材
２０    箱体
２１    プラズマ発生用原料ガス導入部
２２    高周波発生部
２４    与圧ガス導入部
３０    箱体
３１    成膜用原料ガス導入部
３２    基板保持台
３３    ロードロックゲート
３４    矢印
３５    真空ポンプ
４１    シールド部材供給部
４２    巻出用ローラ
４３    隔離板
４４    箱体
４４ｈ  開口部
４５    シールド部材回収部
４６    巻取用ローラ
４８ａ  搬送ローラ
４８ｂ  搬送ローラ
５１    箱体
５１ｈ  開口部
５２    クリーニングガス導入部
５３    放電用電極
５４    排気ポート
５６    箱体
５６ｈ  開口部
５７    クリーニングガス導入部
５８    放電用電極
５９    排気ポート
６１    巻出側リール
６２    折返しローラ
６３    巻取側リール
６５    巻出側リール
６６    折返しローラ
６７    交差折返し用ローラ
６８    折返しローラ
６９    巻取側リール
Ｇ１    プラズマ発生用原料ガス
Ｇ２    プラズマ状態のガス
Ｇ３    ラジカル成分のガス
Ｇ４    成膜用原料ガス
Ｇ６    クリーニング用ガス
Ａ      成膜（堆積物）
Ｈ      開口部
Ｋ      基板（成膜対象物）
Ｗ      ワイヤー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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