(57)【要約】【課題】基板内蔵部品の強度を高め、製品歩留まりを向上させることができる部品内蔵配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】レジスト形成工程では、外部電極１１１，１１２上にポスト形成用開口部を有するとともにプレーン状表面電極１１４上にスティフナ形成用開口部を有するめっきレジストが形成される。めっき工程では、めっきレジストにおけるポスト形成用開口部及びスティフナ形成用開口部を介して各電極１１１，１１２，１１４上にめっきを施すことで、導体ポスト５０とスティフナ５２とを同時に形成する。樹脂充填工程にて収容穴部９０とコンデンサ１０１との隙間に樹脂充填剤９２を充填した後、表面研磨工程により、樹脂充填剤９２とともに導体ポスト５０及びスティフナ５２の表面を研磨する。【選択図】図１５
2014049531.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、
部品主面と、前記部品主面上に形成される複数の第１表面電極と、前記部品主面上において前記複数の第１表面電極よりも外縁側に形成される第２表面電極と、前記第１表面電極上に突設される複数の導体ポストと、前記第２表面電極上に周設されるスティフナとを有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容される基板内蔵部品と、
前記コア主面及び前記部品主面の上にて層間絶縁層及び導体層を交互に積層した構造を有するビルドアップ層と
を備えた部品内蔵配線基板の製造方法であって、
前記第１表面電極上にポスト形成用開口部を有するとともに前記第２表面電極上にスティフナ形成用開口部を有するめっきレジストを前記部品主面上に形成するレジスト形成工程と、
前記めっきレジストにおける前記ポスト形成用開口部及び前記スティフナ形成用開口部を介して前記各表面電極上にめっきを施すことで、前記導体ポストと前記スティフナとを同時に形成するめっき工程と、
前記コア基板の前記収容穴部に前記基板内蔵部品を収容し、前記収容穴部の内面と前記基板内蔵部品の側面との隙間に樹脂充填剤を埋めて前記基板内蔵部品を固定する樹脂充填工程と、
前記樹脂充填工程の後、前記コア基板の前記コア主面に対して前記導体ポストの高さを調整すべく前記樹脂充填剤とともに前記導体ポスト及び前記スティフナの表面を研磨する表面研磨工程と
を含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂充填工程の前に、前記導体ポストの表面に加えて前記スティフナの表面を粗化するための粗化工程をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記めっき工程では、前記導体ポストと同じ高さとなるよう前記スティフナが形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記基板内蔵部品は、複数のセラミック誘電体層と複数の内部電極層とを積層してなるコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の積層方向に延びて前記複数の内部電極層に接続されるとともに前記第１表面電極に接続されるビア電極とを有するセラミックコンデンサであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の部品内蔵配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、セラミックコンデンサなどの部品が内蔵される部品内蔵配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。ただし、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなるパッケージを作製し、そのパッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板においては、ＩＣチップのスイッチングノイズの低減や電源電圧の安定化を図るために、コンデンサ（「キャパシタ」とも言う）を設けることが提案されている。例えば、コア基板内にコンデンサを埋め込んだ配線基板（特許文献１参照）が従来提案されている。
【０００３】
特許文献１において、配線基板に内蔵されるコンデンサとしては、ビアアレイタイプのセラミックコンデンサが開示されている。このセラミックコンデンサは、複数のセラミック誘電体層と複数の内部電極層とが交互に積層配置されたコンデンサ本体を備える。そして、このコンデンサ本体において、各セラミック誘電体層を貫通して各内部電極層と電気的に接続される複数のビア電極がアレイ状に配置されている。さらに、コンデンサ本体の表面及び裏面には、ビア電極の端部を覆うような状態で表面電極が設けられている。また、配線基板との接続信頼性を高めるために、表面電極上に銅からなる突起状導体（銅ポスト）が突設されている。具体的には、表面電極を形成したコンデンサ本体の主面上に感光性を有するドライフィルムを設け、露光・現像を行うことで、開口部を有するめっきレジストを形成する。その後、めっきレジストの開口部を介して露出した表面電極に対して電解銅めっきを施すことで突起状導体を形成し、めっきレジストをコンデンサ本体の主面上から剥離する。このようにして表面電極上に突起状導体が設けられる。
【０００４】
突起状導体のないセラミックコンデンサを配線基板に内蔵する場合において、コア基板とセラミックコンデンサとの高さに差があると、接続信頼性が悪化することがある。具体的には、例えばセラミックコンデンサの表面電極の高さが低くなる場合、セラミックコンデンサの表面電極上に形成される接続ビアは、コア基板上に形成される接続ビアと比較して深ビアとなる（ビアの深さが深くなる）ため、接続信頼性が悪くなる。これに対して、上述した突起状導体を形成し、研磨工程を行って突起状導体の高さをコア基板の高さに調整することにより、深ビアが形成されることがなくなり、接続信頼性が高められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２７１２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、従来の配線基板に内蔵されるセラミックコンデンサとしては、０．８ｍｍ〜１．０ｍｍ程度の厚さのコンデンサが用いられていた。本発明者らは、配線基板の薄型化を図るために、厚さ０．４ｍｍ以下と従来のものより薄いセラミックコンデンサを作製し、薄型コア基板にそのコンデンサを内蔵した配線基板の製造を試みた。この場合、セラミックコンデンサは、薄くなることで強度が不足して応力への耐性が低下するため、基板内蔵時におけるクラックの発生確率が増加してしまう。
【０００７】
また、セラミックコンデンサは、焼成時において反り等が発生することがあり、厚さバラツキが生じてしまうことがある。このため、突起状導体を比較的高く形成しておき、研磨工程で突起状導体を削ることでコンデンサの高さバラツキを解消している。具体的には、例えば、１５０μｍ程度の高さとなるよう突起状導体を形成し、研磨工程による高さ調整後には、突起状導体の高さが２０μｍ程度になる場合がある。この場合、研磨工程において比較的高い突起状導体の一部に応力が集中すると、その突起状導体が折れるといった問題が生じることがある。この結果、部品内蔵配線基板において接続不良が生じ、製品歩留まりが悪化してしまう。
【０００８】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板内蔵部品の強度を高め、製品歩留まりを向上させることができる部品内蔵配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
そして上記課題を解決するための手段（手段１）としては、コア主面及びコア裏面を有し、少なくとも前記コア主面にて開口する収容穴部を有するコア基板と、部品主面と、前記部品主面上に形成される複数の第１表面電極と、前記部品主面上において前記複数の第１表面電極よりも外縁側に形成される第２表面電極と、前記第１表面電極上に突設される複数の導体ポストと、前記第２表面電極上に周設されるスティフナとを有し、前記コア主面と前記部品主面とを同じ側に向けた状態で前記収容穴部に収容される基板内蔵部品と、前記コア主面及び前記部品主面の上にて層間絶縁層及び導体層を交互に積層した構造を有するビルドアップ層とを備えた部品内蔵配線基板の製造方法であって、前記第１表面電極上にポスト形成用開口部を有するとともに前記第２表面電極上にスティフナ形成用開口部を有するめっきレジストを前記部品主面上に形成するレジスト形成工程と、前記めっきレジストにおける前記ポスト形成用開口部及び前記スティフナ形成用開口部を介して前記各表面電極上にめっきを施すことで、前記導体ポストと前記スティフナとを同時に形成するめっき工程と、前記コア基板の前記収容穴部に前記基板内蔵部品を収容し、前記収容穴部の内面と前記基板内蔵部品の側面との隙間に樹脂充填剤を埋めて前記基板内蔵部品を固定する樹脂充填工程と、前記樹脂充填工程の後、前記コア基板の前記コア主面に対して前記導体ポストの高さを調整すべく前記樹脂充填剤とともに前記導体ポスト及び前記スティフナの表面を研磨する表面研磨工程とを含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法がある。
【００１０】
手段１に記載の発明によると、レジスト形成工程後にめっき工程を行うことで、めっきレジストにおけるポスト形成用開口部及びスティフナ形成用開口部を介して基板内蔵部品の各表面電極上にめっきが施される。この結果、基板内蔵部品において、第１表面電極上に複数の導体ポストが形成されるとともに、各導体ポストの周囲に形成された第２表面電極上にスティフナが周設される。樹脂充填工程では、その基板内蔵部品がコア基板における収容穴部に収容された後、収容穴部の内面と基板内蔵部品の側面との隙間に樹脂充填剤が埋められることで基板内蔵部品がコア基板に固定される。このとき、基板内蔵部品は、表面電極上に形成されたスティフナによってその強度が高められているので、従来技術のようにクラックが発生するといった問題を回避することができる。また、スティフナは、めっき工程で導体ポストと同時に形成される。このため、新たな工程を増やすことなく、スティフナを形成することができ、基板内蔵部品の製造コストを抑えることができる。さらに、表面研磨工程では、樹脂充填剤とともに導体ポスト及びスティフナの表面が研磨されるので、従来では導体ポストに加わっていた力がスティフナにも分散される。このため、表面研磨工程での導体ポストの折れを回避することができ、導体ポストの高さを確実に調整することができる。
【００１１】
樹脂充填工程の前に粗化工程を行い、導体ポストの表面に加えてスティフナの表面を粗化してもよい。このように、導体ポスト及びスティフナの表面が粗化されることで、樹脂充填剤との密着性が増し、基板内蔵部品を確実に固定することができる。
【００１２】
また、表面研磨工程の後に端面粗化工程を行い、樹脂充填剤の表面から露出している導体ポスト及びスティフナの上端面を粗化するようにしてもよい。この場合、導体ポスト及びスティフナと層間絶縁層との密着性が高められるため、部品内蔵配線基板の信頼性が向上する。
【００１３】
めっき工程では、例えば銅めっきにより、導体ポストと同じ高さとなるようスティフナが形成される。この場合、表面研磨工程では、導体ポストとスティフナとの表面研磨が同時に開始され、その表面研磨時の応力が導体ポストとスティフナとに均一に加わる。このため、表面研磨工程での導体ポストの折れを確実に回避することができる。
【００１４】
また、めっき工程では、導体ポストとスティフナとが例えば１００μｍ以上の高さとなるよう形成されていてもよい。この場合、表面研磨工程では、導体ポストとスティフナとが例えば５０μｍ以下の高さとなるよう研磨される。このように、比較的高い導体ポストを半分以下の高さとなるよう研磨する場合、従来では導体ポストの折れの発生頻度が高くなってしまう。これに対して、本発明では、スティフナを導体ポストと同じ高さで形成することにより、研磨工程での応力が分散され、導体ポストの折れを確実に回避することができる。
【００１５】
さらに、めっき工程では、基板内蔵部品において部品主面の反対側にある部品裏面にもスティフナを形成してもよい。このようにすると、基板内蔵部品の強度をより高めることができ、基板内蔵時におけるクラックの発生を確実に回避することができる。
【００１６】
基板内蔵部品としては、複数のセラミック誘電体層と複数の内部電極層とを積層してなるコンデンサ本体と、コンデンサ本体の積層方向に延びて複数の内部電極層に接続されるとともに第１表面電極に接続されるビア電極とを有するセラミックコンデンサを挙げることができる。また、好適なセラミックコンデンサとしては、コンデンサ本体内において複数のビア電極がアレイ状に配置されたビアアレイタイプのセラミックコンデンサを挙げることができる。このビアアレイタイプのセラミックコンデンサではビア電極の直上となる位置に導体ポストが設けられる。また、セラミックコンデンサが０．５ｍｍ以下の厚さを有する薄型コンデンサである場合、コンデンサ本体の強度が弱くなるが、上述したスティフナを設けることにより、基板内蔵時の応力に耐え得る強度を確保することができる。
【００１７】
セラミックコンデンサは、製品領域が平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用基板をブレイク溝に沿って分割することで形成されるコンデンサであってもよい。このようにすると、セラミックコンデンサを効率よく製造することができる。またこの場合、隣り合う製品領域のスティフナ同士が非接続状態となるよう、ブレイク溝の近傍にてそのブレイク溝に重ならないように各スティフナが形成される。この場合、コンデンサを個片化するブレイク工程において、スティフナが邪魔になることなく、多数個取り用基板を各コンデンサに確実に分割することができる。
【００１８】
なお、基板内蔵部品としては、上述したセラミックコンデンサ以外に、チップコンデンサやチップインダクタなどの部品であってもよい。
【００１９】
基板内蔵部品の第１表面電極上に形成される複数の導体ポストは円柱状導体であり、第２表面電極に形成されるスティフナは、複数の導体ポストを囲むように枠状に設けられた補強用導体であってもよい。このように、スティフナを枠状に形成することで、基板内蔵部品の強度を確実に高めることができる。また、表面研磨工程において複数の導体ポストにおける特定のポストに力が集中することがなく、枠状のスティフナによって導体ポストに加わる応力を確実に分散することができる。従って、導体ポストの折れを確実に回避することができ、製品歩留まりを高めることができる。
【００２０】
ビルドアップ層を構成する層間絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。層間絶縁層の形成材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。そのほか、これらの樹脂とガラス繊維（ガラス織布やガラス不織布）やポリアミド繊維等の有機繊維との複合材料、あるいは、連続多孔質ＰＴＦＥ等の三次元網目状フッ素系樹脂基材にエポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂を含浸させた樹脂−樹脂複合材料等を使用してもよい。
【００２１】
ビルドアップ層を構成する導体層は、主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきあるいは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで導体層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層を形成したりすることも可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明を具体化した一実施の形態の部品内蔵配線基板を示す概略断面図。
【図２】一実施の形態のセラミックコンデンサを示す概略断面図。
【図３】一実施の形態のセラミックコンデンサを示す斜視図。
【図４】電源用内部電極部が形成されたグリーンシートの平面図。
【図５】グランド用内部電極部が形成されたグリーンシートの平面図。
【図６】グリーンシート積層体を示す断面図。
【図７】未焼成ビア導体部の形成工程を示す断面図。
【図８】未焼成導体部の形成工程を示す断面図。
【図９】ブレイク溝の形成工程を示す断面図。
【図１０】レジスト形成工程を示す断面図。
【図１１】めっき工程を示す断面図。
【図１２】コア基板準備工程を示す断面図。
【図１３】セラミックコンデンサの収容工程を示す断面図。
【図１４】樹脂充填工程を示す断面図。
【図１５】表面研磨工程を示す断面図。
【図１６】ビア穴形成工程を示す断面図。
【図１７】導体形成工程を示す断面図。
【図１８】比較例のセラミックコンデンサを示す斜視図。
【図１９】別の実施の形態のセラミックコンデンサを示す斜視図。
【図２０】別の実施の形態のセラミックコンデンサを示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した一実施の形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００２４】
図１に示されるように、本実施の形態の部品内蔵配線基板１０は、ＩＣチップ搭載用の配線基板である。部品内蔵配線基板１０は、ガラスエポキシ樹脂からなるコア基板１１と、コア基板１１の第１主面１２（図１では上面）上に形成される第１ビルドアップ層３１と、コア基板１１の第２主面１３（図１では下面）上に形成される第２ビルドアップ層３２とからなる。
【００２５】
コア基板１１における複数箇所には厚さ方向に貫通するスルーホール用孔１５が形成されており、スルーホール用孔１５内にはスルーホール導体１６が形成されている。スルーホール導体１６は、コア基板１１の第１主面１２側と第２主面１３側とを接続している。また、コア基板１１の第１主面１２及び第２主面１３には、銅からなる導体層４１がパターン形成されており、各導体層４１は、スルーホール導体１６に電気的に接続されている。
【００２６】
コア基板１１の第１主面１２上に形成された第１ビルドアップ層３１は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３３，３５と、銅からなる導体層４２とを交互に積層した構造を有している。第２層の樹脂層間絶縁層３５の表面上における複数箇所には、端子パッド４４がアレイ状に形成されている。さらに、樹脂層間絶縁層３５の表面は、ソルダーレジスト３７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３７の所定箇所には、端子パッド４４を露出させる開口部４６が形成されている。端子パッド４４の表面上には、複数のはんだバンプ４５が配設されている。各はんだバンプ４５は、矩形平板状をなすＩＣチップ２１の面接続端子２２に電気的に接続されている。なお、各端子パッド４４及び各はんだバンプ４５が形成される領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。また、樹脂層間絶縁層３３内には複数のビア導体４３が形成され、樹脂層間絶縁層３５内にも複数のビア導体４３が形成されている。各ビア導体４３は、導体層４１，４２及び端子パッド４４を相互に電気的に接続している。
【００２７】
コア基板１１の第２主面１３上に形成された第２ビルドアップ層３２は、上述した第１ビルドアップ層３１とほぼ同じ構造を有している。即ち、第２ビルドアップ層３２は、熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂）からなる２層の樹脂層間絶縁層３４，３６と、導体層４２とを交互に積層した構造を有している。樹脂層間絶縁層３４内には複数のビア導体４３が形成され、樹脂層間絶縁層３６内にも複数のビア導体４３が形成されている。樹脂層間絶縁層３６の下面上における複数箇所には、ビア導体４３を介して導体層４２に電気的に接続されるＢＧＡ用パッド４８がアレイ状に形成されている。また、樹脂層間絶縁層３６の下面は、ソルダーレジスト３８によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト３８の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド４８を露出させる開口部４０が形成されている。ＢＧＡ用パッド４８の表面上には、図示しないマザーボードに対して電気的に接続可能な複数のはんだバンプ４９が配設されている。そして、各はんだバンプ４９により、図１に示される部品内蔵配線基板１０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００２８】
コア基板１１は、縦２５ｍｍ×横２５ｍｍ×厚さ０．４ｍｍの平面視略矩形板状であり、第１主面１２の中央部及び第２主面１３の中央部にて開口する平面視で矩形状の収容穴部９０を１つ有している。即ち、収容穴部９０は貫通穴である。そして、収容穴部９０内には、基板内蔵部品としてのセラミックコンデンサ１０１が、埋め込まれた状態で収容されている。なお、セラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ主面１０２（部品主面）をコア基板１１の第２主面１３（コア主面）と同じ側（図１の下側）に向け、かつ、コンデンサ裏面１０３（部品裏面）をコア基板１１の第１主面１２（コア裏面）と同じ側（図１の上側）に向けた状態で収容されている。
【００２９】
本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、縦１２．０ｍｍ×横１２．０ｍｍ×厚さ０．４ｍｍの平面視略矩形板状である。セラミックコンデンサ１０１は、コア基板１１において前記ＩＣチップ搭載領域２３の真下の領域に配置されている。なお、ＩＣチップ搭載領域２３の面積（ＩＣチップ２１において面接続端子２２が形成される面の面積）は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３の面積よりも小さくなるように設定されている。セラミックコンデンサ１０１の厚さ方向から見た場合、ＩＣチップ搭載領域２３は、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ裏面１０３内に位置している。
【００３０】
収容穴部９０の内面と、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ側面１０６との隙間は、樹脂充填剤９２（本実施の形態ではエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂）によって埋められている。この樹脂充填剤９２は、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定する機能を有している。樹脂充填剤９２は、セラミックコンデンサ１０１との熱膨張差を緩和するために、シリカ等のセラミック粉が添加されていてもよい。また、放熱性を向上させるために、Ｃｕ等の金属粉が添加されてもよい。
【００３１】
以下、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１の構成について詳述する。図２はセラミックコンデンサ１０１の断面図であり、図３はそのセラミックコンデンサ１０１の斜視図である。
【００３２】
図２及び図３に示されるセラミックコンデンサ１０１は、いわゆるビアアレイタイプのセラミックコンデンサである。セラミックコンデンサ１０１は、複数の内部電極層１４１，１４２及び複数のセラミック誘電体層１０５を積層してなるコンデンサ本体１０４を備えている。より詳しくは、コンデンサ本体１０４は、１つのコンデンサ主面１０２（図２では上面）、１つのコンデンサ裏面１０３（図２では下面）及び４つのコンデンサ側面１０６を有している。また、セラミック誘電体層１０５は、高誘電率セラミックの一種であるチタン酸バリウムの焼結体からなり、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２間の誘電体として機能する。つまり、電源用内部電極層１４１とグランド用内部電極層１４２とは、セラミック誘電体層１０５を介して電気的に絶縁されている。また、電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、セラミック誘電体層１０５の積層方向においてセラミック誘電体層１０５を介して交互に配置されている。電源用内部電極層１４１及びグランド用内部電極層１４２は、いずれもニッケルを主成分として形成されたメタライズ導体である。なお、内部電極層１４１，１４２の層数は約５０層程度となっている。
【００３３】
コンデンサ本体１０４には、多数の貫通ビア１３０が形成されている。これらの貫通ビア１３０は、コンデンサ本体１０４をその厚さ方向（積層方向）に貫通するとともに、コンデンサ本体１０４の全面にわたって格子状（アレイ状）に配置されている。そして、各貫通ビア１３０内には、コンデンサ本体１０４のコンデンサ主面１０２及びコンデンサ裏面１０３間を連通する複数のコンデンサ内ビア導体１３１，１３２（ビア電極）が充填されている。コンデンサ内ビア導体１３１，１３２は、ニッケルを主成分とするメタライズ導体により形成されている。なお本実施の形態において、貫通ビア１３０の直径は約１００μｍに設定されているため、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径も約１００μｍに設定されている。
【００３４】
各電源用コンデンサ内ビア導体１３１は、コンデンサ本体１０４の積層方向に延びて各電源用内部電極層１４１を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、コンデンサ本体１０４の積層方向に延びて各グランド用内部電極層１４２を貫通しており、それら同士を互いに電気的に接続している。各電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び各グランド用コンデンサ内ビア導体１３２は、全体としてアレイ状に配置されている。
【００３５】
そして、コンデンサ本体１０４のコンデンサ主面１０２上には、第１表面電極として複数の主面側電源用外部電極１１１と複数の主面側グランド用外部電極１１２とが設けられている。各外部電極１１１，１１２は、コンデンサ主面１０２に垂直な方向（部品厚さ方向）から見たときの形状が略円形状であり、３００μｍの直径を有している（図３参照）。主面側電源用外部電極１１１は、電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されており、主面側グランド用外部電極１１２は、グランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ主面１０２側の端面に対して直接接続されている。さらに、コンデンサ主面１０２上において、各外部電極１１１，１１２の周囲を囲むようにプレーン状表面電極１１４（第２表面電極）が形成されている。このプレーン状表面電極１１４は、コンデンサ主面１０２における外縁側にも形成されている。
【００３６】
また、コンデンサ本体１０４のコンデンサ裏面１０３上には、複数の裏面側電源用外部電極１２１と複数の裏面側グランド用外部電極１２２とが設けられている。各外部電極１２１，１２２は、コンデンサ裏面１０３に垂直な方向から見たときの形状が略円形状であり、３００μｍの直径を有している。裏面側電源用外部電極１２１は、電源用コンデンサ内ビア導体１３１におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されており、裏面側グランド用外部電極１２２は、グランド用コンデンサ内ビア導体１３２におけるコンデンサ裏面１０３側の端面に対して直接接続されている。さらに、コンデンサ裏面１０３上において、各外部電極１２１，１２２の周囲を囲むようにプレーン状表面電極１１５が形成されている。この表面電極１１５は、コンデンサ裏面１０３における外縁側にも形成されている。
【００３７】
上述したように、本実施の形態では、電源用外部電極１１１，１２１は電源用コンデンサ内ビア導体１３１及び電源用内部電極層１４１に導通しており、グランド用外部電極１１２，１２２はグランド用コンデンサ内ビア導体１３２及びグランド用内部電極層１４２に導通している。
【００３８】
外部電極１１１，１１２，１２１，１２２は、ニッケルを主体として構成されたメタライズ金属層１５１及びそのメタライズ金属層１５１を覆うように設けられた銅めっき層１５２とにより構成されている。また、プレーン状表面電極１１４，１１５も、ニッケルを主体として構成されたメタライズ金属層１５１及びそのメタライズ金属層１５１を覆うように設けられた銅めっき層１５２とにより構成されている。さらに、各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２及びプレーン状表面電極１１４，１１５の銅めっき層１５２の表面は粗化されており、銅めっき層１５２の表面の算術平均粗さＲａは０．４μｍに設定されている。なお、「算術平均粗さＲａ」とは、ＪＩＳ  Ｂ０６０１で定義されている算術平均粗さＲａである。算術平均粗さＲａの測定方法はＪＩＳ  Ｂ０６５１に準じるものとする。
【００３９】
コンデンサ主面１０２側において、各外部電極１１１，１１２上には、それぞれ導体ポスト５０が突設されている。これら導体ポスト５０は、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２と対応する位置に設けられている。各導体ポスト５０は、銅めっきによって形成された円柱状導体（銅ポスト）である。即ち、導体ポスト５０は、各外部電極１１１，１１２の銅めっき層１５２と同じ金属材料である銅を主体として円柱状に形成されている。各導体ポスト５０の直径は、各外部電極１１１，１１２の直径（約３００μｍ）よりも小さく、かつ、コンデンサ内ビア導体１３１，１３２の直径（約１００μｍ）よりも大きく設定されており、本実施の形態では約２５０μｍに設定されている。また、導体ポスト５０の高さは、約１５０μｍに設定されている。さらに、各導体ポスト５０の表面は粗化されている。導体ポスト５０の表面の算術平均粗さＲａは、銅めっき層１５２の表面の算術平均粗さＲａと等しく、具体的には０．４μｍに設定されている。
【００４０】
コンデンサ主面１０２側において、プレーン状表面電極１１４上には、複数の導体ポスト５０を囲むように枠状のスティフナ５２が周設されている。スティフナ５２は、銅めっきによって形成された補強用導体である。スティフナ５２の幅は、例えば３００μｍ程度である。スティフナ５２の高さは、約１５０μｍであり導体ポスト５０と同じ高さとなっている。スティフナ５２の表面も粗化されており、その算術平均粗さＲａは、導体ポスト５０と等しく、０．４μｍに設定されている。
【００４１】
図１に示されるように、コンデンサ主面１０２側にある外部電極１１１，１１２は、導体ポスト５０、ビア導体４３、導体層４２、ＢＧＡ用パッド４８及びはんだバンプ４９を介して、図示しないマザーボードが有する電極に対して電気的に接続される。一方、コンデンサ裏面１０３側にある外部電極１２１，１２２は、ビア導体４３、導体層４２、端子パッド４４、はんだバンプ４５及びＩＣチップの面接続端子２２を介して、ＩＣチップ２１に電気的に接続される。
【００４２】
例えば、マザーボード側から外部電極１１１，１１２を介して通電を行い、電源用内部電極層１４１−グランド用内部電極層１４２間に電圧を加えると、電源用内部電極層１４１に例えばプラスの電荷が蓄積し、グランド用内部電極層１４２に例えばマイナスの電荷が蓄積する。また、セラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置され、かつ、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。これにより、インダクタンス成分の低減化が図られている。
【００４３】
次に、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１の製造方法について述べる。
【００４４】
先ず、チタン酸バリウムを主成分とする誘電体材料のグリーンシートを形成し、このグリーンシートに内部電極層用ニッケルペーストをスクリーン印刷して乾燥させる。これにより、後に電源用内部電極層１４１となる電源用内部電極部１５３が形成されたグリーンシート１５４（図４参照）と、グランド用内部電極層１４２となるグランド用内部電極部１５５が形成されたグリーンシート１５６（図５参照）とを複数枚準備する。電源用内部電極部１５３とグランド用内部電極部１５５とは、それぞれコンデンサ製品領域Ｒ１内に形成されている。コンデンサ製品領域Ｒ１とは、セラミックコンデンサ１０１を形成するための製品領域であり、グリーンシート１５４，１５６に複数存在している。なお、図４及び図５においては、コンデンサ製品領域Ｒ１の境界は二点鎖線で示されている。
【００４５】
次に、電源用内部電極部１５３が形成されたグリーンシート１５４とグランド用内部電極部１５５が形成されたグリーンシート１５６とを交互に積層する。そして、シート積層方向に押圧力を付与することにより、各グリーンシート１５４，１５６を一体化してグリーンシート積層体１５７を形成する（図６参照）。なお、グリーンシート積層体１５７の表層部（図６において上部及び下部に設けられるカバー層部）には内部電極部１５３，１５５が形成されていないグリーンシートが複数積層されている。
【００４６】
さらに、レーザ加工機を用いてグリーンシート積層体１５７に貫通ビア１３０を多数個貫通形成する。そして、図示しないインク圧入充填装置を用い、ニッケルペーストからなるビアインクを各貫通ビア１３０内に圧入して未焼成ビア導体部１５８を形成する（図７参照）。なお、貫通ビア１３０及び未焼成ビア導体部１５８は、セラミック焼成後に直径が５０μｍ〜２００μｍとなるサイズ（本実施の形態では、１００μｍ）で形成される。ここで、直径を５０μｍ未満とすると、ビアインクの圧入が難しくなる。また、直径が２００μｍを超えると、圧入後に未焼成ビア導体部１５８のインクが貫通ビア１３０内から漏れるおそれがある。従って、貫通ビア１３０の直径を５０μｍ〜２００μｍとすることで、ビアインクの充填不良の発生を防止することができる。
【００４７】
次に、グリーンシート積層体１５７の上面上に電極用ニッケルペーストを印刷する。この印刷によって、グリーンシート積層体１５７の上面側には、外部電極１１１，１１２のメタライズ金属層１５１となる未焼成導体部１５９を形成するとともにプレーン状表面電極１１４のメタライズ金属層１５１となる未焼成導体部１５９を形成する（図８参照）。なお、プレーン状表面電極１１４のメタライズ金属層１５１となる未焼成導体部１５９は、複数のコンデンサ製品領域Ｒ１に跨るように形成される。
【００４８】
また、グリーンシート積層体１５７の下面上に電極用ニッケルペーストを印刷する。この印刷によって、グリーンシート積層体１５７の下面側には、外部電極１２１，１２２のメタライズ金属層１５１となる未焼成導体部１５９を形成するとともにプレーン状表面電極１１５のメタライズ金属層１５１となる未焼成導体部１５９を形成する。なお、プレーン状表面電極１１５のメタライズ金属層１５１となる未焼成導体部１５９は、複数のコンデンサ製品領域Ｒ１に跨るように形成される。また、上記電極用ニッケルペーストやビアインクは、導体材料としてニッケルのみを含む導体ペーストを用いてもよいし、ニッケルに加えてチタン酸バリウムなどの誘電体セラミックスの粉末を共素地材料として含む導体ペーストを用いてもよい。
【００４９】
この後、グリーンシート積層体１５７の乾燥を行い、各未焼成ビア導体部１５８や各未焼成導体部１５９をある程度固化させる。そして、レーザ加工を施すことによって、グリーンシート積層体１５７を所定のサイズ（焼成後に１１０ｍｍ×５５ｍｍとなるサイズ）のパネル状に切断する。さらに、図９に示されるように、レーザ加工を施すことで、未焼成導体部１５９上にあるコンデンサ製品領域Ｒ１の境界に沿って、ミシン目状のブレイク溝１６１や連続線状のブレイク溝１６２を形成する。これらブレイク溝１６１，１６２を形成することにより、コンデンサ製品領域Ｒ１を平面方向に沿って縦横に区分する。
【００５０】
次に、グリーンシート積層体１５７を脱脂し、さらに所定温度で所定時間焼成を行う（焼成工程）。その結果、チタン酸バリウム及びペースト中のニッケルが同時焼結し、セラミック焼結体となる。具体的には、この焼成工程において、グリーンシート積層体１５７における各内部電極部１５３，１５５、各グリーンシート１５４，１５６、未焼成ビア導体部１５８、未焼成導体部１５９が焼成されて、内部電極層１４１，１４２、セラミック誘電体層１０５、ビア導体１３１，１３２、外部電極１１１，１１２，１２１，１２２及びプレーン状表面電極１１４，１１５のメタライズ金属層１５１が形成される。なお、セラミック焼結体は、コンデンサ本体１０４となるべきコンデンサ製品領域が平面方向に沿って縦横に複数配列された多数個取り用セラミック基板である。
【００５１】
その後、得られたセラミック焼結体のコンデンサ主面１０２上及びコンデンサ裏面１０３上において、各電極１１１，１１２，１１４，１１５，１２１，１２２のメタライズ金属層１５１に対して電解ピロリン酸銅めっきを行う。この結果、メタライズ金属層１５１の上に銅めっき層１５２（厚さ２０μｍ程度）を形成する。
【００５２】
さらに、セラミック焼結体のコンデンサ主面１０２上に、めっきレジスト形成用のドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行う。この結果、図１０に示されるように、セラミック焼結体１０４Ａのコンデンサ主面１０２において、外部電極１１１，１１２上にポスト形成用開口部１７１を有するとともに、プレーン状表面電極１１４上にスティフナ形成用開口部１７２を有するめっきレジスト１７３を形成する（レジスト形成工程）。またこのとき、セラミック焼結体１０４Ａのコンデンサ裏面１０３の全面にめっきレジスト１７４を形成する。なお、めっきレジスト１７３，１７４の厚さは２００μｍ程度である。
【００５３】
そして、めっきレジスト１７３におけるポスト形成用開口部１７１及びスティフナ形成用開口部１７２を介して外部電極１１１，１１２上及び表面電極１１４上に電解銅めっきを施す（めっき工程）。その後、めっきレジスト１７３，１７４を除去する。なお、電解めっきの具体的な手法としては、脱脂、エッチング、酸洗、硫酸銅めっき、防錆処理、必要に応じて水洗い及び乾燥等の順番で各処理を行う。
【００５４】
その結果、図１１に示されるように、外部電極１１１，１１２上に導体ポスト５０が形成されるとともにプレーン状表面電極１１４上にスティフナ５２が形成される。なお、ここで形成される導体ポスト５０及びスティフナ５２の高さは１５０μｍ程度である。また、スティフナ５２は、プレーン状表面電極１１４上においてブレイク溝１６１の近傍であってそのブレイク溝１６１に重ならないように形成されている。つまり、隣り合うコンデンサ製品領域Ｒ１のスティフナ５２同士は、非接続状態となっている。さらに、セラミック焼結体１０４Ａのブレイク溝１６１，１６２で各製品領域Ｒ１を分割することにより、複数個のセラミックコンデンサ１０１（図２参照）が完成する。
【００５５】
次に、本実施の形態の部品内蔵配線基板１０の製造方法について述べる。
【００５６】
先ず、基材の両面に銅箔（厚さ５０μｍ程度）が貼付された銅張積層板を準備する。そして、ドリル機を用いて孔あけ加工を行い、銅張積層板の表裏面を貫通する貫通孔１５（スルーホール用孔）を所定位置にあらかじめ形成しておく。なお、銅張積層板の基材は、後にコア基板１１となる部分であり、ガラスエポキシ樹脂にて形成されている。そして、銅張積層板の貫通孔１５の内面に対する無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、貫通孔１５内にスルーホール導体１６を形成する。次に、銅張積層板の両面上にドライフィルムをラミネートし、同ドライフィルムに対して露光及び現像を行う。これにより、銅張積層板の両面に所定のパターンのエッチングレジストを形成する。この状態で、銅張積層板上の銅箔及び銅めっき層に対してエッチングによるパターニングを行うことにより、コア基板１１となる基材の両面にスルーホール導体１６に繋がる導体層４１を形成する。その後、エッチングレジストを除去する。さらに、図１２に示されるように、コア基板１１に対して、ルータ加工を行うことにより、第１主面１２及び第２主面１３にて開口する収容穴部９０を形成する。以上のコア基板準備工程を行うことで、収容穴部９０、スルーホール導体１６及び導体層４１を有するコア基板１１を準備する。
【００５７】
そして、図１３に示されるように、剥離可能な粘着テープ１８０をコア基板１１の第１主面１２側に貼り付け、収容穴部９０のコア主面側開口をシールする。その後、マウント装置を用いて、コア基板１１の第１主面１２とコンデンサ裏面１０３とを同じ側に向け、かつ、コア基板１１の第２主面１３とコンデンサ主面１０２とを同じ側に向けた状態で収容穴部９０内にセラミックコンデンサ１０１を収容する。このとき、粘着テープ１８０の粘着面に、セラミックコンデンサ１０１が貼り付けられて仮固定される。さらに、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２側の外部電極１１１，１１２、プレーン状表面電極１１４、導体ポスト５０、スティフナ５２、及びコア基板１１の第２主面１３側の導体層４１の表面を粗化する粗化工程を行う。
【００５８】
その後、コア基板１１の第２主面１３及びセラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２にエポキシ樹脂を主成分とするシート状のビルドアップ材を重ね合わせるようにして配置する。そして、真空圧着熱プレス機（図示略）を用いて真空下にて加圧加熱する。このとき、図１４に示されるように、収容穴部９０の内壁面とセラミックコンデンサ１０１の側面１０６との隙間にビルドアップ材１８１の一部を落とし込んで、その隙間を埋める（樹脂充填工程）。なおここで、収容穴部９０とセラミックコンデンサ１０１との隙間を埋めるビルドアップ材１８１の一部が樹脂充填剤９２となる。
【００５９】
このようにして、セラミックコンデンサ１０１をコア基板１１に固定した後、例えばベルトサンダー装置を用いてビルドアップ材１８１の表面を研磨する（表面研磨工程）。この研磨を行うことで、コア基板１１の第２主面１３に対してセラミックコンデンサ１０１の導体ポスト５０の高さを調整する。また、この研磨により、コア基板１１の第２主面１３の導体層４１表面と、セラミックコンデンサ１０１のコンデンサ主面１０２の導体ポスト５０表面と、スティフナ５２表面とを露出させる（図１５参照）。なおここで、表面研磨後の各導体ポスト５０の高さは、コンデンサ１０１の厚さバラツキ等により異なるが、低いもので２０μｍ程度となる。その後、コア基板１１の第１主面１２側及びコンデンサ裏面１０３側から粘着テープ１８０を剥離する。
【００６０】
さらに、端面粗化工程を行い、ビルドアップ材１８１（樹脂充填剤９２）の表面から露出している第２主面１３の導体層４１表面や、コンデンサ主面１０２の導体ポスト５０及びスティフナ５２の表面（上端面）を粗化する。またこれと同時に、第１主面１２側の導体層４１、コンデンサ裏面１０３の各外部電極１２１，１２２及び表面電極１１５の表面を粗化する。そして、コア基板１１の第１主面１２側と第２主面１３側とに、エポキシ樹脂を主成分とするシート状の樹脂層間絶縁層３３，３４を貼り付け、樹脂層間絶縁層３３，３４をある程度硬化させる。
【００６１】
そして、例えばエキシマレーザやＵＶレーザやＣＯ２レーザなどを用いてレーザ加工を施すことによって、樹脂層間絶縁層３３，３４の所定の位置にビア穴１８３を形成する（図１６参照）。次いで、過マンガン酸カリウム溶液などのエッチング液を用いて各ビア穴１８３内のスミアを除去するデスミア工程を行う。なお、デスミア工程としては、エッチング液を用いた処理以外に、例えばＯ２プラズマによるプラズマアッシングの処理を行ってもよい。
【００６２】
デスミア工程の後、従来公知の手法に従って無電解銅めっきや電解銅めっきを行う。この結果、樹脂層間絶縁層３３，３４にビア導体４３が形成されるとともに、そのビア導体４３に繋がる導体層４２が樹脂層間絶縁層３３，３４の上に形成される（図１７参照）。
【００６３】
また、他の樹脂層間絶縁層３５，３６、導体層４２、及び各端子パッド４４，４８についても、上述した樹脂層間絶縁層３３，３４及び導体層４２と同様の手法によって形成し、樹脂層間絶縁層３３，３４上に積層する。次に、樹脂層間絶縁層３５，３６上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト３７，３８を形成する。その後、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト３７，３８に開口部４６，４０をパターニングする。以上の工程を経ることで部品内蔵配線基板１０（図１参照）が製造される。
【００６４】
本発明者らは、上記製造方法で作製したセラミックコンデンサ１０１のスティフナ５２の効果を確認するため、セラミックコンデンサ１０１の基板内蔵時の歩留まりを評価した。また、比較例として、図１８に示されるようにスティフナ５２を形成していないセラミックコンデンサ２０１を作製し、その基板内蔵時の歩留まりを確認した。比較例のセラミックコンデンサ２０１を内蔵した場合では、コンデンサ割れが発生し、製品歩留まりが５０％と低い値を示した。これに対して、本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１を内蔵する場合、割れは殆ど発生することなく、歩留まりが向上して９０％以上の高い値を確保することができた。
【００６５】
また、実施の形態及び比較例のセラミックコンデンサ１０１,２０１を内蔵した部品内蔵配線基板１０に対して、低温−６５℃から高温＋１５０℃への昇温及び降温を１００サイクル分繰り返す熱衝撃試験（環境試験規格ＭＩＬ−ＳＴＤ−８８３Ｄ，試験条件Ｃ）を実施しその信頼性を評価した。ここでは、熱衝撃試験後の配線基板１０について、セラミックコンデンサ１０１における外部電極１１１，１１２及び導体ポスト５０の断面を観察した。実施の形態のセラミックコンデンサ１０１を内蔵した配線基板１０では、クラックが見られず、セラミックコンデンサ１０１が十分な強度を有することが確認された。一方、比較例のセラミックコンデンサ２０１を内蔵した配線基板では、クラックが見られ、セラミックコンデンサ２０１の強度に問題があることが確認された。
【００６６】
従って、本実施の形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００６７】
（１）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、０．５ｍｍ以下の厚さを有する薄型のセラミックコンデンサ１０１が内蔵されている。このセラミックコンデンサ１０１において、外部電極１１１，１１２上に複数の導体ポスト５０が形成されるとともに、各導体ポスト５０の周囲に形成されたプレーン状表面電極１１４上に枠状のスティフナ５２が周設されている。このスティフナ５２を形成することでセラミックコンデンサ１０１の強度が増すため、基板内蔵時においてクラックが発生するといった問題を回避することができる。また、スティフナ５２は、めっき工程で導体ポスト５０と同時に形成される。このため、新たな工程を増やすことなく、スティフナ５２を形成することができ、セラミックコンデンサ１０１の製造コストを抑えることができる。さらに、表面研磨工程では、樹脂充填剤９２とともに導体ポスト５０及びスティフナ５２の表面が研磨されるので、従来では導体ポスト５０に加わっていた力がスティフナ５２にも分散される。このため、表面研磨工程での導体ポスト５０の折れを回避することができ、導体ポスト５０の高さを確実に調整することができる。また、導体ポスト５０の高さを調整することにより、深ビアが形成されることがなくなり、接続信頼性が高められる。以上のことから、セラミックコンデンサ１０１を内蔵した部品内蔵配線基板１０において、製品歩留まりを向上させることができる。
【００６８】
（２）本実施の形態では、樹脂充填工程の前に粗化工程が行われることで、導体ポスト５０の表面に加えてスティフナ５２の表面が粗化されている。このように、導体ポスト５０及びスティフナ５２の表面が粗化されることで、樹脂充填剤９２との密着性が増すため、コア基板１１の収容穴部９０内にてセラミックコンデンサ１０１を確実に固定することができる。また、導体ポスト５０の表面と同時にスティフナ５２の表面が粗化されるため、スティフナ５２を粗化するための新たな粗化工程を追加する必要がない。
【００６９】
（３）本実施の形態では、表面研磨工程の後に端面粗化工程が行われ、樹脂充填剤９２の表面から露出している導体ポスト５０及びスティフナ５２の上端面が粗化されている。この場合、導体ポスト５０及びスティフナ５２と層間絶縁層３４との密着性が高められるため、部品内蔵配線基板１０の信頼性が向上する。
【００７０】
（４）本実施の形態では、表面研磨工程において、導体ポスト５０が、例えば１５０μｍの高さから５０μｍ以下の高さとなるよう研磨される。このように、比較的高い導体ポスト５０を半分以下の高さとなるよう研磨する場合、従来では導体ポスト５０の折れの発生頻度が高くなってしまう。これに対して、本実施の形態では、めっき工程において、導体ポスト５０と同じ高さとなるようスティフナ５２が形成されている。この場合、導体ポスト５０とスティフナ５２との表面研磨が同時に開始され、その表面研磨時の応力が導体ポスト５０とスティフナ５２とに均一に加わる。このため、表面研磨工程での導体ポスト５０の折れを確実に回避することができる。
【００７１】
（５）本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１において、スティフナ５２はフォトリソグラフィの技術を利用して形成されており、パターニング精度良くスティフナ５２を形成することができる。また、スティフナ５２のサイズや形状変更をする際の設計自由度が高く、導体ポスト５０の形成領域に応じた適切な形状のスティフナを容易に形成することができる。
【００７２】
（６）本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１は、コンデンサ製品領域Ｒ１が平面方向に沿って縦横に複数配列したセラミック焼結体１０４Ａ（多数個取り用基板）をブレイク溝１６１，１６２に沿って分割することで形成されている。このようにすると、セラミックコンデンサ１０１を効率よく製造することができる。また、隣り合うコンデンサ製品領域Ｒ１のスティフナ５２同士が非接続状態となるよう、ブレイク溝１６１の近傍にてそのブレイク溝１６１に重ならないように各スティフナ５２が形成されている。この場合、ブレイク工程において、スティフナ５２が邪魔になることなく、セラミック焼結体１０４Ａを各コンデンサ１０１に確実に分割することができる。
【００７３】
（７）本実施の形態のセラミックコンデンサ１０１では、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２がそれぞれ交互に隣接して配置されている。また、電源用コンデンサ内ビア導体１３１及びグランド用コンデンサ内ビア導体１３２を流れる電流の方向が互いに逆向きになるように設定されている。このようにすると、コンデンサ１０１におけるインダクタンス成分の低減化が図られ、ノイズ吸収や電源変動平滑化のための高速電源供給が可能となる。また、コンデンサ全体の小型化が図りやすい。さらに、小さい割りに高静電容量が達成しやすく、より安定した電源供給が可能となる。
【００７４】
（８）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、セラミックコンデンサ１０１がＩＣチップ搭載領域２３に搭載されたＩＣチップ２１の直下に配置されるため、セラミックコンデンサ１０１とＩＣチップ２１とをつなぐ配線が短くなり、配線のインダクタンス成分の増加が防止される。従って、セラミックコンデンサ１０１によるＩＣチップ２１のスイッチングノイズを確実に低減できるとともに、電源電圧の確実な安定化を図ることができる。また、ＩＣチップ２１とセラミックコンデンサ１０１との間で侵入するノイズを極めて小さく抑えることができるため、誤動作等の不具合を生じることもなく高い信頼性を得ることができる。
【００７５】
（９）本実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、ＩＣチップ搭載領域２３がセラミックコンデンサ１０１の真上の領域内に位置しているため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１は高剛性で熱膨張率が小さいセラミックコンデンサ１０１によって支持される。よって、ＩＣチップ搭載領域２３においては、第１ビルドアップ層３１が変形しにくくなるため、ＩＣチップ搭載領域２３に搭載されるＩＣチップ２１をより安定的に支持できる。従って、大きな熱応力に起因するＩＣチップ２１のクラックや接続不良を防止することができる。ゆえに、ＩＣチップ２１として、熱膨張差による応力（歪）が大きくなり熱応力の影響が大きく、かつ発熱量が大きく使用時の熱衝撃が厳しい１０ｍｍ角以上の大型のＩＣチップや、脆いとされるＬｏｗ−ｋ（低誘電率）のＩＣチップを用いることができる。
【００７６】
なお、本発明の実施の形態は以下のように変更してもよい。
【００７７】
・上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１では、コンデンサ主面１０２のみにスティフナ５２が形成されるものであったが、これに限定されるものではない。セラミックコンデンサ１０１には、コンデンサ主面１０２側だけではなく、コンデンサ裏面１０３側にも複数の導体ポスト５０が形成される場合がある。この場合、図１９に示されるセラミックコンデンサ１０１Ａのように、コンデンサ主面１０２のスティフナ５２に加えて、コンデンサ裏面１０３側にもスティフナ５２を形成してもよい。なお、セラミックコンデンサ１０１Ａの製造時には、めっき工程を行うことにより、コンデンサ裏面１０３における外部電極１２１，１２２（第１表面電極）上に銅ポスト５０を形成するとともに、プレーン状表面電極１１５（第２表面電極）上にスティフナ５２を形成する。このようにすると、セラミックコンデンサ１０１Ａの強度が増すため、部品内蔵時におけるクラックの発生を確実に防止することができる。さらに、表面研磨工程での導体ポスト５０の折れを確実に回避することができる。なお、コンデンサ主面１０２側のみに導体ポスト５０を形成したセラミックコンデンサ１０１において、コンデンサ裏面１０３側にスティフナ５２を形成してその強度を高めてもよい。また、セラミックコンデンサ１０１,１０１Ａでは、枠状のスティフナ５２が形成されていたが、これに限定されるものではない。例えば、図２０に示されるセラミックコンデンサ１０１Ｂのように、矩形状のスティフナ５２を複数本（図では２本）形成してもよい。このようにしても、セラミックコンデンサ１０１Ｂの強度が増すため、部品内蔵時におけるクラックの発生を防止することができる。
【００７８】
・上記実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、収容穴部９０の内壁面とセラミックコンデンサ１０１の側面１０６との隙間にビルドアップ材１８１の一部を落とし込んで、セラミックコンデンサ１０１を固定していたが、これに限定されるものではない。例えば、収容穴部９０の内壁面とセラミックコンデンサ１０１の側面１０６との隙間にディスペンサ装置を用いて樹脂充填剤を充填してセラミックコンデンサ１０１を固定してもよい。
【００７９】
・上記実施の形態のセラミックコンデンサ１０１において、各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２は、円形の島状電極であったが、各外部電極１１１，１１２，１２１，１２２の形状は適宜変更することができる。例えば、電源用外部電極１１１を円形の島状電極として形成し、グランド用外部電極１１２を島状電極よりも面積が大きいプレーン電極として形成してもよい。
【００８０】
・上記実施の形態の部品内蔵配線基板１０では、セラミックコンデンサ１０１を収容するコア基板１１の収容穴部９０は、第１主面１２及び第２主面１３の両面に開口する貫通穴であったが、これに限定されるものではない。例えば、コア基板１１において一方の主面のみに開口する収容穴部を形成し、その収容穴部にセラミックコンデンサ１０１を収容した部品内蔵配線基板に本発明を具体化してもよい。
【００８１】
・上記実施の形態の部品内蔵配線基板１０のパッケージ形態は、ＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）であるが、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。
【００８２】
次に、特許請求の範囲に記載された技術的思想のほかに、前述した実施の形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００８３】
（１）手段１において、前記めっき工程では、銅めっきにて前記導体ポストと前記スティフナとを形成することを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００８４】
（２）手段１において、前記めっき工程では、前記導体ポストと前記スティフナとが１００μｍ以上の高さとなるよう形成され、前記表面研磨工程では、前記導体ポストと前記スティフナとが５０μｍ以下の高さとなるよう研磨されることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００８５】
（３）手段１において、前記基板内蔵部品において前記部品主面の反対側にある部品裏面上に、複数の第１表面電極と、前記複数の第１表面電極よりも外縁側に形成される第２表面電極と、前記第１表面電極上に突設される複数の導体ポストと、前記第２表面電極上に周設されるスティフナとを有し、前記めっき工程では、前記部品裏面にも前記導体ポストと前記スティフナとを形成することを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００８６】
（４）手段１において、前記表面研磨工程の後、前記樹脂充填剤の表面から露出している前記導体ポスト及び前記スティフナの上端面を粗化するための端面粗化工程をさらに含むことを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００８７】
（５）手段１において、前記複数の導体ポストは円柱状導体であり、前記スティフナは前記複数の導体ポストを囲むように枠状に設けられた補強用導体であることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００８８】
（６）手段１において、前記基板内蔵部品は、複数のセラミック誘電体層と複数の内部電極層とを積層してなるコンデンサ本体と、前記コンデンサ本体の積層方向に延びて前記複数の内部電極層に接続されるとともに前記第１表面電極に接続されるビア電極とを有し、前記コンデンサ本体内において複数の前記ビア電極がアレイ状に配置された前記ビアアレイタイプのセラミックコンデンサであり、前記導体ポストは、前記ビア電極の直上となる位置に設けられることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００８９】
（７）技術的思想（６）において、前記セラミックコンデンサの厚さが０．５ｍｍ以下であることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【００９０】
（８）技術的思想（６）または（７）において、前記セラミックコンデンサは、製品領域が平面方向に沿って縦横に複数配列した多数個取り用基板をブレイク溝に沿って分割することで形成されるコンデンサであり、隣り合う前記製品領域の前記スティフナ同士が非接続状態となるよう、前記ブレイク溝の近傍にてそのブレイク溝に重ならないように前記スティフナが形成されることを特徴とする部品内蔵配線基板の製造方法。
【符号の説明】
【００９１】
１０…部品内蔵配線基板
１１…コア基板
１２…コア裏面としての第１主面
１３…コア主面としての第２主面
３２…ビルドアップ層としての第２ビルドアップ層
３４，３６…層間絶縁層としての樹脂層間絶縁層
４２…導体層
５０…導体ポスト
５２，５２Ａ…スティフナ
９０…収容穴部
９２…樹脂充填剤
１０１，１０１Ａ，１０１Ｂ…基板内蔵部品としてのセラミックコンデンサ
１０２…部品主面としてのコンデンサ主面
１０３…部品裏面としてのコンデンサ裏面
１０４…コンデンサ本体
１０５…セラミック誘電体層
１０６…側面
１１１…第１表面電極としての主面側電源用外部電極
１１２…第１表面電極としての主面側グランド用外部電極
１１４…第２表面電極としてのプレーン状表面電極
１３１…ビア電極としての電源用コンデンサ内ビア導体
１３２…ビア電極としてのグランド用コンデンサ内ビア導体
１４１…内部電極層としての電源用内部電極層
１４２…内部電極層としてのグランド用内部電極層
１７１…ポスト形成用開口部
１７２…スティフナ形成用開口部
１７３…めっきレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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