(57)【要約】【課題】スパッタ時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生を良好に抑制することが可能な新規なインジウムターゲット及びその製造方法を提供する。【解決手段】粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を５００個／ｇ以下含むインジウムターゲット。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を５００個／ｇ以下含むインジウムターゲット。
【請求項２】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上５００個／ｇ以下含み、
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．６０倍以下である請求項１に記載のインジウムターゲット。
【請求項３】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上４５０個／ｇ以下含み、
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．５５倍以下である請求項２に記載のインジウムターゲット。
【請求項４】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上４００個／ｇ以下含み、
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．５０倍以下である請求項３に記載のインジウムターゲット。
【請求項５】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．０１倍以上０．５０倍以下である請求項１〜４のいずれかに記載のインジウムターゲット。
【請求項６】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を含まず、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物を１個／ｇ以上１０００個／ｇ以下含むインジウムターゲット。
【請求項７】
平均結晶粒径が０．１ｍｍ以上４０ｍｍ以下である請求項１〜６のいずれかに記載のインジウムターゲット。
【請求項８】
平均結晶粒径が０．１ｍｍ以上３０ｍｍ以下である請求項７に記載のインジウムターゲット。
【請求項９】
前記介在物が、金属、金属酸化物、炭素、炭素化合物、塩素化合物からなる群から選択された１種以上である請求項１〜８のいずれかに記載のインジウムターゲット。
【請求項１０】
前記介在物が、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｏからなる群から選択された１種以上の金属又はその酸化物である請求項９に記載のインジウムターゲット。
【請求項１１】
インジウム原料を容器内で溶解し、溶解したインジウム原料を鋳型に供給し、鋳型内で冷却することで鋳造するインジウムの製造方法であり、インジウム原料溶解時に、前記溶解したインジウム原料を１時間以上撹拌するインジウムターゲットの製造方法。
【請求項１２】
インジウム原料溶解時に、前記溶解したインジウム原料をバブリングしながら１時間以上撹拌する請求項１１に記載のインジウムターゲットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はインジウムターゲット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インジウムターゲットは、従来、バッキングプレート上にインジウム合金等を付着させた後、金型にインジウムを流し込み鋳造することで作製されている。このようなインジウムターゲットの溶解鋳造法においては、鋳型に供給されたインジウム原料が空気中の酸素と反応して酸化物を形成することがあるが、このような絶縁性の酸化物がインジウムターゲット中に存在していると、スパッタリングによる薄膜形成の際の異常放電や、形成した薄膜中へのパーティクルの発生等の問題が生じる。
【０００３】
このような問題に対し、本発明者らによる特許文献１では、インジウムターゲット中に存在する微量の介在物について問題視し、これらを除去又は低減する検討を行なっている。そして、特許文献１では、スパッタ時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生を良好に抑制することが可能な新規なインジウムターゲット及びその製造方法を提供することを課題とし、粒径が０．５〜２０μｍの介在物を１５００個／ｇ以下、さらに好ましくは５００個／ｇ以下であるインジウムターゲットを提案している。また、その製造方法として、インジウム原料を容器内で溶解し、配管を通して鋳型に供給し、鋳型内で冷却することで鋳造するインジウムの製造方法であって、容器、配管及び鋳型において、インジウム原料と接する部分の表面粗さ（Ｒａ）を５μｍ以下とする方法を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４８８４５６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、特許文献１に対して、異なる手段によって、さらにスパッタ時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生を良好に抑制することが可能な新規なインジウムターゲット及びその製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは上記課題を解決するためにさらに鋭意検討したところ、スパッタリング時に問題となる粒子は、Ｆｅ，Ｃｒ，Ｎｉ，Ｓｉ，Ａｌ，Ｃｏの化合物の粒子であり、これら粒子がスパッタリング時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生の原因となることが判明した。特に５．０μｍ以上の粒径の異物がスパッタ時の異常放電の主な原因であることが判明した。そこで、この５．０μｍ以上の粒子の個数密度を所定の範囲に制御することで、スパッタ時の異常放電の発生等が起きないことを見出した。これによって、本発明者らは、特許文献１に対して、異なる手段によって、さらにスパッタ時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生を良好に抑制することが可能な新規なインジウムターゲットが提供できることを見出した。
【０００７】
以上の知見を基礎として完成した本発明は一側面において、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を５００個／ｇ以下含むインジウムターゲットである。
【０００８】
本発明に係るインジウムターゲットは一実施形態において、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上５００個／ｇ以下含み、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．６０倍以下である。
【０００９】
本発明に係るインジウムターゲットは別の一実施形態において、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上４５０個／ｇ以下含み、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．５５倍以下である。
【００１０】
本発明に係るインジウムターゲットは更に別の一実施形態において、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上４００個／ｇ以下含み、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．５０倍以下である。
【００１１】
本発明に係るインジウムターゲットは更に別の一実施形態において、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．０１倍以上０．５０倍以下である。
【００１２】
本発明に係るインジウムターゲットは更に別の一実施形態において、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を含まず、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物を１個／ｇ以上１０００個／ｇ以下含む。
【００１３】
本発明に係るインジウムターゲットは更に別の一実施形態において、平均結晶粒径が０．１ｍｍ以上４０ｍｍ以下である。
【００１４】
本発明に係るインジウムターゲットは更に別の一実施形態において、平均結晶粒径が０．１ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。
【００１５】
本発明に係るインジウムターゲットは更に別の一実施形態において、前記介在物が、金属、金属酸化物、炭素、炭素化合物、塩素化合物からなる群から選択された１種以上である。
【００１６】
本発明に係るインジウムターゲットは更に別の一実施形態において、前記介在物が、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｏからなる群から選択された１種以上の金属又はその酸化物である。
【００１７】
本発明は別の一側面において、インジウム原料を容器内で溶解し、溶解したインジウム原料を鋳型に供給し、鋳型内で冷却することで鋳造するインジウムターゲットの製造方法であり、インジウム原料溶解時に、前記溶解したインジウム原料を１時間以上撹拌するインジウムターゲットの製造方法である。
【００１８】
本発明に係るインジウムターゲットの製造方法は一実施形態において、インジウム原料溶解時に、前記溶解したインジウム原料をバブリングしながら１時間以上撹拌する。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、スパッタ時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生を良好に抑制することが可能な新規なインジウムターゲット及びその製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明のインジウムターゲットは、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を５００個／ｇ以下含む。介在物は、インジウム原料に含まれていた不純物や、主に製造工程で混入した不純物又は生成物に起因するものであり、インジウムターゲットの組織の中に存在する固形物を意味する。介在物は、例えば、金属、金属酸化物、炭素、炭素化合物、塩素化合物からなる群から選択された１種以上である。また、介在物は、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｏからなる群から選択された１種以上の金属又はその酸化物であってもよい。
【００２１】
インジウムターゲット中の介在物は、スパッタ時の異常放電や、形成した膜中のパーティクルの発生等の問題を引き起こす。本発明者は、特に、粒径が５．０μｍ以上の介在物が異常放電等に影響し、このような粒径の介在物の個数密度を制御することで、スパッタ時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生を極めて良好に抑制することできることを見出した。一方、特許文献１のような技術では、粒径が５．０μｍ以上の介在物の制御という思想がなく、このような特徴的な介在物制御が行われていない。これに対し、本発明のインジウムターゲットは、上記のように粒径が５．０μｍ以上の介在物の個数密度が５００個／ｇ以下に制御されているため、特許文献１に記載の発明と比較して、スパッタ時の異常放電や形成する膜中のパーティクルの発生をより良好に抑制することできる。
【００２２】
本発明のインジウムターゲットは、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上５００個／ｇ以下含み、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．６０倍以下であってもよい。ここで、介在物の粒径を２０μｍ以下としているのは、粒径が２０μｍを超える介在物が混入することは少ないこと、さらに、２０μｍを超える介在物が混入していてもその量は粒径が２０μｍ以下の介在物の量と相関があるために、２０μｍ以下の介在物の密度を考慮すれば充分であるからである。また、本発明のインジウムターゲットは、小粒径の介在物の個数密度に対する大粒径の介在物の個数密度が制御されていてもよい。上記のように、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．６０倍以下であると、より良好な異常放電抑制効果を有する。
なお、介在物の粒径を２．０μｍ以上としているのは、粒径が２．０μｍ以下の介在物は、非常に小さい為に、異常放電への影響が殆どないからである。
本発明において、「個数密度（個／ｇ）の０．６０倍」等のような、個数密度に所定値を掛けた値については、小数点以下は切り捨てることとする。例えば、個数密度が３３３（個／ｇ）である場合の「個数密度の０．６０倍」は、３３３×０．６０＝１９９．８、すなわち、１９９（個／ｇ）とする。
【００２３】
また、より良好にスパッタ時の異常放電や、形成した膜中のパーティクルの発生等を抑制するためには、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上４５０個／ｇ以下含み、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．５５倍以下であってもよい。また、形成した膜中のパーティクルの発生等を抑制するためには、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上４００個／ｇ以下含み、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．５０倍以下であるのがさらに好ましい。なお、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）の、２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）に対する比の下限値は特に限定されないが、本発明においては典型的には０．０１倍以上である。
【００２４】
また、さらにより良好にスパッタ時の異常放電や、形成した膜中のパーティクルの発生等を抑制するためには、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を含まず、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物を１個／ｇ以上１０００個／ｇ以下含むのが好ましい。
【００２５】
介在物等の異物は結晶粒界に多く析出する傾向がある。また、粒子径が小さいほど粒界の数は多くなり、存在する異物の分散が良くなる。そのため、粒子径が大きい場合には、粒界が少なくなり、一箇所に異物が多く集まって異常放電を誘発する。一方、結晶粒が小さい場合には異物が広く分散しているため、異常放電を低減させることができる。このような観点から、インジウムターゲットの平均結晶粒径が０．１ｍｍ以上４０ｍｍ以下であると、より厳しいスパッタリング条件下においても、良好にスパッタ時の異常放電や、形成した膜中のパーティクルの発生等を抑制することができるため好ましい。このような構成によれば、許容されるスパッタリングの条件をより広げることができる。インジウムターゲットの平均結晶粒径は、より好ましくは０．１ｍｍ以上３０ｍｍ以下である。
【００２６】
上記介在物のサイズは、「液体用光散乱式自動粒子計数器」（九州リオン株式会社製）で測定されて得られる。この測定法は、液中で粒子のサイズを選別し、その粒子濃度や粒子数を測定するもので、「液中パーティクルカウンター」とも言われており、ＪＩＳ Ｂ ９９２５に基づくものである（以下、この測定を「液中パーティクルカウンター」とも称する）。
この測定方法を具体的に説明すると、５ｇをサンプリングし、介在物が溶解しないように、ゆっくりと２００ｍｌの濃塩酸（塩化水素の３５．０〜３７．０％水溶液）で溶解し、４８時間放置後、さらにこれを５００ｍｌになるように、純水で希釈し、この１０ｍｌを取り、希釈した当日中に前記液中パーティクルカウンターで測定するものである。例えば、介在物の個数が１０００個／ｍｌの場合では、１０ｍｌの中には０．１ｇのサンプルが測定されることになるので、介在物は１００００個／ｇとなる。
なお、本発明において、介在物の個数は、液中パーティクルカウンターによる測定に限られず、同様の個数の測定が可能であれば、他の手段を用いて測定しても良い。
【００２７】
本発明のインジウムターゲットは、例えば、ＣＩＧＳ系薄膜太陽電池用光吸収層のスパッタリングターゲット等、各種のスパッタリングターゲットとして好適に使用することができる。
【００２８】
本発明に係るインジウムターゲットの製造方法の好適な例を順を追って説明する。まず、原料であるインジウムを所定の容器内で溶解する。使用するインジウム原料は、不純物が含まれていると、その原料によって作製される太陽電池の変換効率が低下してしまうという理由により高い純度を有していることが望ましく、例えば、純度９９．９９質量％（純度４Ｎ）以上のインジウムを使用することができる。
本発明に係るインジウムターゲットの製造方法は、このインジウム原料溶解時に、溶解したインジウム原料を１時間以上撹拌することを特徴としている。上述のように、スパッタリング時に問題となる粒子は、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｏの化合物の粒子であり、これら粒子がスパッタリング時の欠陥の原因となる。これらの粒子の制御は、特許文献１に開示されているような、容器、配管及び鋳型において、インジウム原料と接する部分の表面粗さ（Ｒａ）を制御するものでは不十分である。特に、粒径が５．０μｍ以上の介在物の制御には効果が不十分である。そこで、本発明では、Ｆｅ、Ｃｒ等の化合物等の不純物はスラグ側に浮きやすいという知見から、そこで溶湯の撹拌時間を多くすることで、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｏの化合物の粒径５．０μｍを超える粒子をスラグ側へ分配させる。そして、具体的には、インジウム原料溶解時に、溶解したインジウム原料を１時間以上撹拌することが好ましいことを見出している。また、このとき、バブリングを使用して攪拌することで、より良好に上記Ｆｅ、Ｃｒ等の元素の化合物をスラグ側へ分配することができる。一般的に、液体中の粒子の沈降速度は、密度が同じ場合、粒子径の２乗に比例して速くなる。すなわち、粗大な粒子ほど速く沈降し、スラグ側への分配の機会が少なくなる。本発明に係る製造方法では、撹拌時間の増加及びバブリングにより、大きな粒子の再浮上の機会を増やし、５．０μｍ以上の粒子のスラグ側への分配割合を大きく向上させている。
【００２９】
次に、溶解したインジウム原料をバッキングプレート上に設置した鋳型に供給する。
その後、室温まで冷却して、インジウムターゲット部材を形成する。冷却速度は空気の送風による強制冷却とする。続いて、表面の切削加工を行うことにより、インジウムターゲットを作製する。
【実施例】
【００３０】
以下に本発明の実施例を比較例と共に示すが、これらの実施例は本発明及びその利点をよりよく理解するために提供するものであり、発明が限定されることを意図するものではない。
【００３１】
（実施例１）
まず、純度４Ｎのインジウムを原料として使用し、このインジウム原料を容器内で１８０℃にて１時間攪拌しながら溶解させた。次に、この溶体を、ホットプレート上で１８０℃加熱しておいたバッキングプレート上に設置した鋳型に流し込み、ホットプレートの電源を切り、空気を送風し、強制冷却した。この際の冷却凝固時間（溶湯を注いでから凝固が完了するまでの時間）は１００秒であった。この操作により、バッキングプレートと一体化したインジウムターゲットを作製した。続いて、直径２０４ｍｍ、厚さ５ｍｍの円板状に旋盤加工して、スパッタリングターゲットとした。
【００３２】
（実施例２〜７）
実施例２〜７は、実施例１に対して、撹拌時間のみ変更した以外は同様にしてターゲットを作製した。
【００３３】
（実施例８）
実施例８は、実施例１に対して、撹拌中に溶解槽下部から空気を加えバブリングした以外は同様にしてターゲットを作製した。
【００３４】
（実施例９）
実施例９は、実施例７に対して、撹拌中に溶解槽下部から空気を加えバブリングした以外は同様にしてターゲットを作製した。
【００３５】
（実施例１０）
実施例１０は、実施例３に対して、インジウムを鋳型に流し込んだ後、放冷し、冷却凝固時間を３００秒と長くした以外は同様にしてターゲットを作製した。
【００３６】
（実施例１１）
実施例１１は、実施例３に対して、インジウムを鋳型に流し込んだ後、氷水を利用して急冷し、冷却凝固時間を１０秒と短くした以外は同様にしてターゲットを作製した。
【００３７】
（実施例１２）
実施例１２は、実施例８に対して、撹拌及びバブリングの時間を８時間とした以外は同様にしてターゲットを作製した。
【００３８】
（実施例１３）
実施例１３は、実施例３に対して、インジウムを鋳型に流し込んだ後、ホットプレートの温度制御によりバッキングプレート及び鋳型の温度を制御し、実施例１０よりも冷却凝固時間を５００秒と長くした以外は同様にしてターゲットを作製した。
【００３９】
（比較例１〜４）
比較例１〜４は、実施例１に対して、攪拌時間のみ変更した以外は同様にしてターゲットを作製した。
【００４０】
（介在物、異常放電及び平均結晶粒径の測定）
実施例及び比較例で得られたインジウムターゲットについて、それぞれ５．０ｇだけ採取し、２００ｍｌ原液塩酸で溶解した後、４８時間放置し、超純水で５００ｍｌまで希釈した。続いて、当該希釈液を１０ｍｌ取り、九州リオン株式会社製の液体用光散乱式自動粒子計数器（液中パーティクルカウンター）で液中の介在物個数を測定した。この測定を３回繰り返し、平均値を算出した。
また、これら実施例及び比較例のインジウムターゲットを、ＡＮＥＬＶＡ製ＳＰＦ−３１３Ｈスパッタ装置で、スパッタ開始前のチャンバー内の到達真空度圧力を１×１０-4Ｐａ、スパッタ時の圧力を０．５Ｐａ、アルゴンスパッタガス流量を５ＳＣＣＭ、スパッタパワーを６５０Ｗで３０分間スパッタし、目視により観察されたスパッタ中の異常放電の回数を計測した。
さらに、これら実施例及び比較例のインジウムターゲットの平均結晶粒径を以下のように測定した。
まず、測定対象となるターゲット部材の表面をデジタルカメラにより撮影し、その画像の表面の任意の領域内（当該領域の面積Ｓ1を１００００ｍｍ2とした）に存在する結晶粒の個数（Ｎ）を数えた。なお、表面を見やすくするため、研磨、電解研磨、エッチングを利用しても良い。領域の境界に跨って存在する結晶粒は０．５個とし、全体が領域内に存在する結晶粒は０．２５個とした。測定対象領域の面積（Ｓ1）をＮで割ることによって、結晶粒の平均面積（Ｓ2）を算出した。結晶粒を球と仮定して、平均結晶粒径（Ａ）を以下の式で算出した。
Ａ＝２（Ｓ2／π）1/2
各測定条件及び評価結果を表１に示す。
【００４１】
【表１】
2014084511.tif 000002
【００４２】
（評価）
実施例１〜１３は、いずれも、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を５００個／ｇ以下含み、スパッタ時の異常放電を良好に抑制することができた。
比較例１〜４は、いずれも、粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を５００個／ｇを超えて含み、スパッタ時の異常放電回数が実施例に比べて多かった。
【手続補正書】
【提出日】平成25年2月6日(2013.2.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上５００個／ｇ以下含み、
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．６０倍以下であるインジウムターゲット。
【請求項２】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上４５０個／ｇ以下含み、
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．５５倍以下である請求項１に記載のインジウムターゲット。
【請求項３】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を１個／ｇ以上４００個／ｇ以下含み、
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．５０倍以下である請求項２に記載のインジウムターゲット。
【請求項４】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物の個数密度（個／ｇ）が、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物の個数密度（個／ｇ）の０．０１倍以上０．５０倍以下である請求項１〜３のいずれかに記載のインジウムターゲット。
【請求項５】
粒径が５．０μｍ以上２０μｍ以下の介在物を含まず、粒径が２．０μｍ以上５．０μｍ未満の介在物を１個／ｇ以上１０００個／ｇ以下含むインジウムターゲット。
【請求項６】
平均結晶粒径が０．１ｍｍ以上４０ｍｍ以下である請求項１〜５のいずれかに記載のインジウムターゲット。
【請求項７】
平均結晶粒径が０．１ｍｍ以上３０ｍｍ以下である請求項６に記載のインジウムターゲット。
【請求項８】
前記介在物が、金属、金属酸化物、炭素、炭素化合物、塩素化合物からなる群から選択された１種以上である請求項１〜７のいずれかに記載のインジウムターゲット。
【請求項９】
前記介在物が、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｃｏからなる群から選択された１種以上の金属又はその酸化物である請求項８に記載のインジウムターゲット。
【請求項１０】
インジウム原料を容器内で溶解し、溶解したインジウム原料を鋳型に供給し、鋳型内で冷却することで鋳造するインジウムの製造方法であり、インジウム原料溶解時に、前記溶解したインジウム原料を１時間以上撹拌するインジウムターゲットの製造方法。
【請求項１１】
インジウム原料溶解時に、前記溶解したインジウム原料をバブリングしながら１時間以上撹拌する請求項１０に記載のインジウムターゲットの製造方法。