(57)【要約】【課題】透光性基板の歪みの問題を解消し、透光性基板上に形成する有機ＥＬ等の発光素子の光取出効率に優れる透光性基板とその製造方法、及び該基板上に形成した有機ＥＬなどの面発光素子を提供する。【解決手段】無アルカリガラス基板と、無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数（ＣＴＥｇｌａｓｓ）より大きい少なくとも１種のガラス材料を含有し、かつ前記ＣＴＥｇｌａｓｓより小さい少なくとも１種のガラス材料を含む高屈折材料層を有する透光性基板とその製造方法を提供する。【選択図】図１
2014118308.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
無アルカリガラス基板と、
前記無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数ＣＴＥglassより大きい少なくとも1種のガラス材料を含有し、かつ前記ＣＴＥglassより小さい少なくとも1種のガラス材料を含む高屈折材料層を有することを特徴とする透光性基板。
【請求項２】
前記無アルカリガラス基板と前記高屈折材料層との界面が凹凸であることを特徴とする請求項１に記載の透光性基板。
【請求項３】
前記高屈折材料層は、前記ガラス材料と前記ガラス材料の屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質からなることを特徴とする請求項１又は２に記載の透光性基板。
【請求項４】
無アルカリガラス基板と、
前記ＣＴＥglassより大きい少なくとも１種のガラス材料からなる層と、前記ＣＴＥglassより小さい少なくとも１種のガラス材料からなる層を含む２層以上で構成された高屈折材料層を有することを特徴とする透光性基板。
【請求項５】
前記無アルカリガラス基板と前記高屈折材料層との界面が凹凸であることを特徴とする請求項４に記載の透光性基板。
【請求項６】
前記高屈折材料層の前記２層中の少なくとも１層は、ガラス材料と前記ガラス材料の屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質からなることを特徴とする請求項４又は５に記載の透光性基板。
【請求項７】
前記ＣＴＥglassより小さいＣＴＥを有するガラス材料を含有する高屈折材料層中に、結晶化ガラスが含まれることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項に記載の透光性基板。
【請求項８】
前記高屈折材料層の膜厚が４０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項に記載の透光性基板。
【請求項９】
請求項１乃至８のうちいずれか１項に記載の透光性基板を用いたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項１０】
無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数ＣＴＥglassより大きい少なくとも１種のガラスフリット材料及び前記ＣＴＥglassより小さい少なくとも１種のガラスフリット材料を混合してペーストを調製し、
前記ペーストを塗布、乾燥して乾燥膜を形成し、
前記乾燥膜を焼成して高屈折材料層を形成することを特徴とする透光性基板の製造方法。
【請求項１１】
無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数ＣＴＥglassより大きい少なくとも１種のガラスフリット材料を含むペーストＡ若しくは前記ＣＴＥｇｌａｓｓよりも小さい少なくとも１種のガラスフリット材料を含むペーストＢのいずれか一方のペーストを塗布し、該ペーストを乾燥して乾燥膜を形成し、前記乾燥膜を焼成して第一の高屈折率層を形成する第一塗布・乾燥・焼成工程と、
前記第一塗布・乾燥・焼成工程によって形成された高屈折材料層上に、前記ペーストＡ及び前記ペーストＢのうち、前記第一塗布・乾燥・焼成工程において塗布されていないペーストを前記第一の高屈折率層上に塗布し、該ペーストを乾燥して乾燥膜を形成し、前記乾燥膜を焼成する工程によって積層型高屈折材料層を形成することを特徴とする透光性基板の製造方法。
【請求項１２】
無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数ＣＴＥglassより大きい少なくとも１種のガラスフリット材料を含むペーストＡ若しくは前記ＣＴＥglassより小さい少なくとも１種のガラスフリット材料を含むペーストＢのうちいずれか一方のペーストを塗布して第一の乾燥膜を得る第一塗布・乾燥工程と、
前記第一塗布・乾燥工程によって形成された第一の乾燥膜上に、前記ペーストＡ及び前記ペーストＢのうち、前記第一塗布・乾燥工程において塗布されていないペーストを塗布して第二の乾燥膜を得る第二塗布・乾燥工程と、
前記第二塗布・乾燥工程後に形成された積層型乾燥膜を焼成することにより、積層型高屈折材料層を形成することを特徴とする透光性基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透光性基板上に形成する有機ＥＬなどの発光素子の光取出効率に優れる透光性基板とその製造方法、および該基板上に形成した有機ＥＬなどの面発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子を応用したディスプレイに用いられる基板としては、特にＴＦＴ型(薄膜トランジスタ)のアクティブ駆動方式などにおいて、基板中にアルカリ金属酸化物などが含有されていると、基板表面に金属または酸化物薄膜などを形成する薄膜形成工程にて、アルカリ金属イオンが薄膜中に拡散し、膜特性を著しく劣化させてしまう問題が存在する。そのため、優れた耐薬品性・耐熱性・高電気絶縁性・高弾性率を有するアルカリ酸化物を含まない無アルカリガラス基板が好ましく用いられる。
【０００３】
さらに近年、ディスプレイが著しく普及し大面積化の要求が高まりつつあるなか、使用される無アルカリガラス基板も大面積化が求められている。
【０００４】
特許文献１では、ベースとなる透光性ガラス基板表面に凹凸を設け、該凹凸面上にガラスフリット材料を溶融して得られる高屈折材料層を形成することで取り出し効率を向上させている。このようにして形成された透光性基板は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子における薄膜導波光および基板導波光の両者を効率的に取り出すことが可能であるとともに、工業的な量産性も優れているためメリットが大きいことが報告されている。
【０００５】
特許文献２では、ベースとなる透光性ガラス基板上に、ガラスフリット材料を溶融して得られる高屈折材料層を形成し、且つ該高屈折材料層中に異なる屈折率を有する散乱物質を透光性ガラス基板から電極に至る深さ方向に含有率分布を変化させた高屈折材料層を形成し、光散乱機能を付与することで、薄膜導波光および基板導波光の両者を効率的に取り出し、光取り出し効率を向上させた報告がされている。
【０００６】
特許文献１では、用いられるガラスフリット材料の線膨張係数（ＣＴＥ）と透光性ガラス基板のＣＴＥの差が大きいと歪みが発生し高屈折率材料層にクラック等の破壊が生じる場合があるため、両者のＣＴＥ差は１０×１０−７よりも小さくすることが好ましいとの記載がある。しかし、本発明者らの検討の結果、大面積の無アルカリガラス基板(ＣＴＥ＝３２×１０−７/℃)上に高屈折率材料層を形成した場合、１０×１０−７程度のＣＴＥ差を有するガラスフリットを用いても、充分な歪みレベルが確保されないことが分かった(歪みレベルの目標は、基板サイズ５００ｍｍとしたときの反り量が１ｍｍ以下)。また、一般的に無アルカリガラス基板と同等レベルのＣＴＥを有するガラスフリット材料がなく、大面積ディスプレイへの適用に向け大きな課題がある。
【０００７】
特許文献２では、用いるガラスフリット材料のＣＴＥは、歪みの問題から５０×１０−７/℃以上、好ましくは７０×１０−７/℃以上、より好ましくは９５×１０−７/℃以上と記載されている。しかしながら、大面積ディスプレイ用途の無アルカリガラス基板を前提とした場合、ＣＴＥ差が大きくなるため基板歪みが生じ、高屈折材料層へのクラック発生が予想されるため、大面積ディスプレイへの適用に向け大きな課題がある。
【０００８】
無アルカリガラス基板上にガラスフリット材料を溶融して得られる高屈折材料層を形成した構造の透光性基板は、無アルカリガラス基板と高屈折材料層の原料となるガラスフリット材料が、一般的にその材料組成の違いのためＣＴＥを併せることは難しいため、図９（ａ）のような凹状または図９（ｂ）のように凸状の基板反りが発生する。図９（ｃ）は、無アルカリガラス基板上に高屈折材料層を形成した透光性基板の反り量と、高屈折材料層に用いたガラスフリット材料のＣＴＥとの関係を示したグラフである。グラフ中の反り量は、該透光性基板上を１０ｍｍ走査し得られた表面形状プロファイルから図９（ａ）または（ｂ）に記載の反り量を求めたものである。
【０００９】
図１０は、前述の反り量と大面積化したときの反り量をシミュレーションした結果を示すグラフであり、大面積化により基板反り量が大きくなるという問題があることが分かる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１２−１３３９４４号公報
【特許文献２】国際公開第２００９／０６０９１６号
【００１１】
上記いずれの方法でも、無アルカリガラス基板上に高屈折材料層を形成した透光性基板において、面発光素子の光取り出し効率改善とともに、大面積化に対応できるように基板歪み(基板反り量)を解消する方法は未だ提案されていない。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
本発明は、上述の課題を鑑み、透光性基板の歪みの問題を解消し、光取り出し効率の優れた透光性基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の一実施形態による透光性基板は、無アルカリガラス基板と、前記無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数ＣＴＥglassより大きい少なくとも1種のガラス材料を含有し、かつ前記ＣＴＥglassより小さい少なくとも1種のガラス材料を含む高屈折材料層を有することを特徴としている。
【００１４】
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、無アルカリガラス基板と高屈折材料層との界面が凹凸であることを特徴としている。
【００１５】
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、前記高屈折材料層が、前記ガラス材料と前記ガラス材料の屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質からなることを特徴としている。
【００１６】
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、無アルカリガラス基板と、前記ＣＴＥglassより大きい少なくとも１種のガラス材料からなる層と、前記ＣＴＥglassより小さい少なくとも１種のガラス材料からなる層を含む２層以上で構成された高屈折材料層を有することを特徴としている。
【００１７】
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、無アルカリガラス基板と高屈折材料層との界面が凹凸であることを特徴としている
【００１８】
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、前記高屈折材料層の前記２層中の少なくとも１層が、ガラス材料と前記ガラス材料の屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質からなることを特徴としている。
【００１９】
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、前記ＣＴＥglassより小さいＣＴＥを有するガラス材料を含有する高屈折材料層中に、結晶化ガラスが含まれることを特徴としている。
【００２０】
また、本発明の一実施形態による透光性基板は、前記構成において、前記高屈折材料層の膜厚が４０μｍ以下であることを特徴としている。
【００２１】
また、本発明の一実施形態による有機エレクトロルミネッセンス素子は、前記構成を有するいずれかに記載の透光性基板を用いたことを特徴としている。
【００２２】
また、本発明の一実施形態による透光性基板の製造方法は、無アルカリガラス基板上に、前記ＣＴＥglassより大きい少なくとも１種のガラスフリット材料及び前記ＣＴＥglassより小さい少なくとも１種のガラスフリット材料を混合してペーストを調製し、前記ペーストを塗布し、前記ペーストを乾燥し、前記乾燥したペーストを焼成して高屈折材料層を形成することを特徴としている。
【００２３】
また、本発明の一実施形態による透光性基板の製造方法は、無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数ＣＴＥglassより大きい少なくとも１種のガラスフリット材料を含むペーストＡ若しくは前記ＣＴＥｇｌａｓｓよりも小さい少なくとも１種のガラスフリット材料を含むペーストＢのいずれか一方のペーストを塗布し、前記ペーストを乾燥し、前記乾燥したペーストにより得られた乾燥膜を焼成して第一の焼成膜(高屈折率材料層)を形成する工程と、前記第一塗布・乾燥・焼成工程によって形成された高屈折材料層上に、前記ペーストＡ及び前記ペーストＢのうち、前記第一塗布・乾燥・焼成工程において塗布されていないペーストを前記第一の焼成膜(高屈折率材料層)上に塗布し、前記ペーストを乾燥し、前記乾燥したペーストにより得られた乾燥膜を焼成する工程によって積層型高屈折材料層を形成することを特徴としている。
【００２４】
また、本発明の一実施形態による透光性基板の製造方法は、無アルカリガラス基板上に、前記無アルカリガラス基板の線膨張係数ＣＴＥglassより大きい少なくとも１種のガラスフリット材料を含むペーストＡ若しくは前記ＣＴＥglassより小さい少なくとも１種のガラスフリット材料を含むペーストＢのうちいずれか一方のペーストを塗布して乾燥する第一塗布・乾燥工程と、前記第一塗布・乾燥工程によって形成された乾燥膜上に、前記ペーストＡ及び前記ペーストＢのうち、前記第一塗布・乾燥工程において塗布されていないペーストを塗布する第二塗布・乾燥工程と、前記第二塗布・乾燥工程によって形成された積層型乾燥膜を焼成することにより、積層型高屈折材料層を形成することを特徴としている。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、高屈折材料層に用いるガラスフリット材料と無アルカリガラス基板のＣＴＥ差により生じる基板反り量を改善することが可能となるため基板歪みが少なく大面積化が可能であり、かつ光取り出し効率の優れた透光性基板が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】（ａ）は実施形態１に係る有機ＥＬ素子１００の概略図であり、（ｂ）は実施形態２に係る有機ＥＬ素子２００の概略図であり、（ｃ）は実施形態３に係る有機ＥＬ素子３００の概略図である。
【図２】（ａ）は実施形態４に係る有機ＥＬ素子４００の概略図であり、（ｂ）は実施形態５に係る有機ＥＬ素子５００の概略図であり、（ｃ）は実施形態６に係る有機ＥＬ素子６００の概略図であり、（ｄ）は実施形態７に係る有機ＥＬ素子７００の概略図である。
【図３】（ａ）は実施形態８に係る有機ＥＬ素子８００の概略図であり、（ｂ）は実施形態９に係る有機ＥＬ素子９００の概略図であり、（ｃ）は実施形態１０に係る有機ＥＬ素子１０００の概略図である。
【図４】（ａ）は実施例１１に係る有機ＥＬ素子１１００の概略図であり、（ｂ）は実施例１２に係る有機ＥＬ素子１２００の概略図である。
【図５】（ａ）乃至（ｈ）は、第４及至第１０実施形態、実施例１１及び実施例１２の高屈折材料層１２０の製造工程を順次に示す概略図である。
【図６】（ａ）乃至（ｆ）は、第4及至第１０実施形態、実施例１１及び実施例１２の高屈折材料層１２０の製造工程を順次に示す概略図である。
【図７】（ａ）は、第１乃至第３実施形態の高屈折材料層１２０の形成に用いられる２種のガラスフリット材料（無アルカリガラス基板のＣＴＥより低いＣＴＥ（ＣＴＥＬｏｗ）を有するガラスフリット材料Ａ、および無アルカリガラス基板のＣＴＥより高いＣＴＥ（ＣＴＥＨｉｇｈ）を有するガラスフリット材料Ｂからなる）の配合比率から下記式（１）にて定義される値（ＣＴＥ計算値）と、反り量との関係を示すグラフである。ＣＴＥ計算値＝ＣＴＥＬｏｗ×配合比率Ａ（％）＋ＣＴＥＨｉｇｈ×  配合比率（１００−Ａ）（％）  ・・（１）（ｂ）は第４乃至第１２実施形態の高屈折材料層において、前記ガラスフリット材料Ａを溶融して形成された高屈折材料層１２０Ａと前記ガラスフリット材料Ｂを溶融して形成された高屈折材料層１２０Ｂの膜厚比率を下記式（２）にて定義した値と、反り量との関係を示すグラフである。膜厚比率（％）＝１２０Ａ膜厚（μｍ）／１２０Ｂ膜厚（μｍ）×１００  ・・（２）
【図８】（ａ）はボトムエミッション型有機ＥＬ素子の一般的な構造を示す概略断面図であり、（ｂ）はトップエミッション型有機ＥＬ素子の一般的な構造を示す概略断面図である。
【図９】（ａ）及び（ｂ）は、無アルカリガラス基板上にガラスフリット材料を溶融して得られる高屈折材料層を形成した透光性基板に発生する凹状及び凸状の基板反りの概略図であって、（ｃ）は、無アルカリガラス基板（ＣＴＥ＝３２×１０−７）上に高屈折材料層を形成した透光性基板の反り量と、高屈折材料層に用いたガラスフリット材料のＣＴＥとの関係を示したグラフである。グラフ中の反り量は、該透光性基板上を１０ｍｍ走査し得られた表面形状プロファイルから図９（ａ）または（ｂ）に記載の反り量を求めたものである。
【図１０】前述の反り量と大面積化したときの反り量との関係をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下に添付図面を参照しながら、本発明の好適な実施の形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。
【００２８】
（ＯＬＥＤの一般的な構成）
まず、図８（ａ）、（ｂ）を参照しながら、ＯＬＥＤの一般的な構成について説明する。図８（ａ）はボトムエミッション型ＯＬＥＤの一般的な断面構成を示す説明図であり、（ｂ）はトップエミッション型ＯＬＥＤの一般的な断面構成を示す説明図である。
【００２９】
図８（ａ）に示すように、ボトムエミッション型ＯＬＥＤ１０は、ガラス等で構成される基板１１上に、スパッタリング法や抵抗加熱蒸着法等により形成されたＩＴＯ等の透明な導電性膜からなる第１電極１２と、前記第１電極１２上に同じく抵抗加熱蒸着法等により形成されたＮ，Ｎ’−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジン（以下、ＮＰＤと略称する。）等からなる正孔輸送層１３と、正孔輸送層１３上に抵抗加熱蒸着法等により形成された８−Ｈｙｄｒｏｘｙｑｕｉｎｏｌｉｎｅ  Ａｌμｍｉｎμｍ（以下、Ａｌｑ３と略称する。）等からなる発光層１４と、発光層１４上に形成されたトリス（８−キノリノラート）アルミニウム、トリス（４-メチル-８-キノリノラート）アルミニウム、ビス（２-メチル−８−キノリノラート）−４−フェニルフェノラート−アルミニウム、ビス[２-[２-ヒドロキシフェニル]ベンゾオキサゾラート]亜鉛などの金属錯体等からなる電子輸送層１５と、電子輸送層１５上に抵抗加熱蒸着法等により形成されたアルミニウムなどの反射金属膜からなる第２電極１６とを備えている。上記構成を有するボトムエミッション型ＯＬＥＤ  １０の第１電極１２をプラス極として、また第２電極１６をマイナス極として、直流電圧又は直流電流を印加すると、第１電極１２から正孔輸送層１３を介して発光層１４に正孔が注入され、第２電極１６から電子輸送層１５を介して発光層１４に電子が注入される。発光層１４では正孔と電子の再結合が生じ、これに伴って生成される励起子が励起状態から基底状態へ移行する際に発光現象が生じる。
【００３０】
図８（ｂ）はトップエミッション型ＯＬＥＤ  ２０の構造を示す断面図である。トップエミッション型ＯＬＥＤ  ２０の場合、第１電極１２がアルミニウムなどの反射性の高い金属層で構成され、第２電極１６がＩＴＯ等の透明な導電性膜からなる点で、前記ボトムエミッション型ＯＬＥＤ  １０の構造と相違する。このように、トップエミッション型ＯＬＥＤの場合、第１電極１２は反射性金属、第２電極１６は薄膜金属或いは透明な導電性物質で構成されることが一般的である。
【００３１】
前記の透明な導電性物質として、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、酸化錫、酸化亜鉛、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＡＺＯ（Ａｌｕｍｉｎｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、またはＧＺＯ（Ｇａｌｌｉｕｍ−ｄｏｐｅｄ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）を例示することができる。前記無機導電膜以外に、前記の透明電極を構成する導電性物質として、ポリパラフェニレンビニレン誘導体、ポリフルオレン誘導体、ポリチオフェン誘導体等の有機導電膜を用いることができ、或いは、前記無機導電膜及び前記有機導電膜を多層化した複合膜を用いることができる。
【００３２】
本発明は、前記ボトムエミッション型ＯＬＥＤ或いはトップエミッション型ＯＬＥＤのいずれに対しても適用可能である。
【００３３】
［第１実施形態］
初めに、図１（ａ）を参照しながら、本発明の第１の実施形態に係るＯＬＥＤの構成について説明する。図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係るＯＬＥＤ１００の断面構成を示す説明図である。
【００３４】
図１（ａ）に示すように、本発明の第１の実施形態に係るＯＬＥＤ１００はボトムエミッション型であって、無アルカリガラス基板１１０と、高屈折材料層１２０と、正極としての透明電極１３０と、有機発光層１５０と、陰極１８０とを主に備える。
【００３５】
前記ＯＬＥＤ１００は、無アルカリガラス基板１１０の表面に凹凸面１１１が形成されており、この凹凸面１１１が高屈折材料層１２０により表面（透明電極１３０と接触する面）が平坦化された構造を有している。無アルカリガラス基板１１０と高屈折材料層１２０の界面に形成されている凹凸面１１１は、透明電極１３０側から入射した光を散乱させる機能を有する。以下、前記ＯＬＥＤ１００の各構成要素について詳細に説明する。
【００３６】
＜無アルカリガラス基板１１０＞
一般的にＯＬＥＤに適用可能な基板として、例えば、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、高歪点ガラス（ＰＤ２００など）等のガラス材料や、例えば、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリアクリレート（ＰＡＲ）、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）、ポリアリレート、ポリイミド（ＰＩ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）等に代表される絶縁性を有する透明なプラスチック材料が挙げられる。近年、ＯＬＥＤを応用したディスプレイに用いられる基板として、特にＴＦＴ型（薄膜トランジスタ）のアクティブ駆動方式などにおいて、基板中にアルカリ金属酸化物などが含有されていると、基板表面に金属または酸化物薄膜などを形成する薄膜形成工程にて、アルカリ金属イオンが薄膜中に拡散し、膜特性を著しく劣化させてしまう問題が存在する。
【００３７】
また、アルカリ金属などの可動イオンの透過性を防ぐことを目的とし、基板表面に窒化シリコンや酸化シリコンなどのパッシベーション膜にて保護し信頼性を確保する手段も知られているが、パッシベーション膜形成プロセスが増えることによるコスト負担の問題が存在する。そのため、本発明では、優れた耐薬品性・耐熱性・高電機絶縁性・高弾性率を有するアルカリ酸化物を含まない無アルカリガラス基板が用いられる。
【００３８】
＜凹凸面１１１＞
凹凸面１１１は、有機発光層１５０で発生した光が透明電極１３０を通過して無アルカリガラス基板１１０に入射する際の入射光の屈折角に乱れを生じさせるようなランダムな凹凸を有する面である。なお、本発明では、凹凸面１１１上にガラスフリット材料と樹脂からなる乾燥膜を形成した後、焼成工程にて樹脂が除去されガラスフリットが溶融されることにより高屈折材料層１２０を形成する。このため用いられるガラスフリット材料は、無アルカリガラス基板の融点よりも低い融点を有するガラスフリット材料を用いることが好ましい。
【００３９】
この凹凸面１１１の凹凸の度合いは特に限定はされないが、ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１で規定されている平均表面粗さＲａで０．７μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。Ｒａが０．７μｍより小さい場合には、光取り出しの効果が十分ではない場合がある。また、Ｒａが５μｍを超えると、取り出し効率が低下する傾向にある。この理由としては、以下のように考えられる。本実施形態のように、光の散乱を利用して取り出し効率を高めようとする場合には、光は、前記ＯＬＥＤ１００内で散乱層（凹凸面１１１の存在する領域）を通るたびに、何度も反射を繰り返して、結果的に、前記ＯＬＥＤ１００の外部へ光を取り出すことができる。このような機構を考えた場合、Ｒａが大きいと高屈折材料層１２０の表面（透明電極１３０と接触する面）を平坦化する為には必然的に高屈折材料層１２０は厚くなる。高屈折材料層１２０の厚みが厚すぎる場合、高屈折材料層１２０内での光の吸収による損失が無視できなくなるためである。この点、本発明で使用される高屈折材料層１２０の材料となるガラスフリットは、金属酸化物からなり、可視光領域の消衰係数ｋは非常に小さいため、少ない回数の反射や散乱による光の減衰は無視できるほど小さい。
【００４０】
＜凹凸面１１１の凹凸の形状＞
本実施形態における凹凸面１１１の凹凸の形状は、上述したランダムな形状であってもよいし、例えば、レンズ形状またはピラミッド形状のような均一な構造単位を有する規則的な形状であってもよい。このようなレンズ構造やピラミッド構造の具体的な形状や大きさについては特に制限はなく、発生する光の波長範囲に対して十分大きく、集光効果を発現できるサイズであって、画素サイズよりも小さな構造単位を有していればよい。一般的なディスプレイの画素サイズ（ピクセルサイズ）は、１００〜６００μｍ程度であり、ＲＧＢの各サイズがその１／３であることから、概ね３０〜２００μｍである。従って、本変形例における凹凸面１１１の具体的な形状としては、数μｍから数十μｍの大きさ（凹凸の高さ）の構造単位を有するレンズ形状（略半球形状）やピラミッド形状（略四角錐形状）等が挙げられる。
【００４１】
また、高屈折材料層１２０の膜厚は、無アルカリガラス基板１１０の凹凸面１１１を平坦化するのに十分な厚みであれば特に限定されないが、本発明者らの検討によれば、概ね、無アルカリガラス基板１１０の凹凸面１１１の最大高さの１．３倍以上であることが好ましい。すなわち、凹凸面１１１がレンズ構造を有しており、そのレンズの構造単位が直径１０μｍの半球形状であれば、無アルカリガラス基板１１０の凹凸面１１１の最大高さは５μｍとなるので、高屈折材料層１２０の好適な厚みは６．５μｍ以上となり、レンズの構造単位が直径８０μｍの半球形状であれば、高屈折材料層１２０の好適な厚みは５２μｍ以上となる。
【００４２】
＜高屈折材料層１２０＞
高屈折材料層１２０は、上述した無アルカリガラス基板１１０と透明電極１３０との間に配置され、無アルカリガラス基板１１０の屈折率以上の屈折率を有する層であり、透明電極１３０側から入射した光を散乱させる凹凸面１１１を有しており、かつ透明電極１３０と接する面は平坦であることを特徴とする。
【００４３】
ＯＬＥＤなどの面発光素子を作成する場合、基板には高い平滑性が求められる。多くの面発光素子が、薄膜（数十ｎｍ〜数μｍ）で構成されており、基板の表面に凹凸があると電流のリークが発生して素子の安定駆動ができないためである。そこで、本実施形態においては、無アルカリガラス基板１１０上に形成した凹凸面１１１を平坦化するために、ガラスフリットを含むガラスペーストを使用し、無アルカリガラス基板１１０の表面に形成された凹凸面１１１上にガラスフリット材料と樹脂からなる乾燥膜を形成した後、焼成工程にて樹脂を除去しガラスフリットを溶融した高屈折材料層１２０を設けることにより、透明電極１３０と接する面を平坦とした。基板表面の凹凸を平坦化するための材料は、例えば、ＳＯＧ材料やＣＶＤ膜など、種々提案されているが、大きな粗さを有する凹凸を平坦化できるような膜厚を形成することができなかったり、製膜に非常に高価で高度な設備が必要で時間がかかったりするなど、実用上多くの問題を抱えている。本発明者らの検討によれば、ＳＯＧ材料を用いた場合には、製膜できる最大膜厚は高々１〜２μｍ程度、ＣＶＤ法を用いて製膜したＳｉＮの膜でも実用的に製膜できる膜厚は数μｍである。光の散乱や集光など、基板への入射光の屈折角を調整するための構造（凹凸）は、その入射光の波長よりも大きな構造物（入射光の波長よりも大きな粗さを有する凹凸面）である必要があり、ＳＯＧ材料やＣＶＤ法を用いた場合には、凹凸面の平坦化を達成することは不可能である。
【００４４】
これに対して、本実施形態のガラスフリットを用いて高屈折材料層を形成する方法では、ガラスフリットを、テルピネオールやブチルカルビトールアセテートなどの高沸点溶剤と、エチルセルロースやアクリル樹脂などの増粘性のバインダー樹脂と混合することにより作成されるガラスペーストを無アルカリガラス基板１１０上に塗布し、乾燥及び焼成するだけで、容易に凹凸面１１１の平坦化が可能であり、かつ、十分な膜厚の高屈折材料層１２０を形成することが可能である。この高屈折材料層１２０を形成するためのガラスペーストは、ガラスフリットと、溶剤と、樹脂とを含むペースト状の組成物であるが、以下、本実施形態に係るガラスペーストの各成分について説明する。
【００４５】
＜ガラスフリット＞
まず、本実施形態で用いられるガラスフリットは、無アルカリガラス基板１１０の歪みやひずみがおきない温度で透明なガラス層（高屈折材料層１２０）を形成することができるような熱特性を有している必要がある。無アルカリガラス基板１１０は、６５０℃以上の温度をかけると、歪みやひずみが発生するため好ましくない。６５０℃以下で高屈折材料層１２０を形成するためには、ガラスフリットのガラス転移温度（Ｔｇ）は好ましくは６３０℃以下である。
【００４６】
高屈折材料層１２０を形成する材料、すなわち、ガラスフリットの屈折率は、無アルカリガラス基板１１０の屈折率以上の屈折率を有する必要がある。また、ガラスフリットの屈折率は、透明電極１３０（例えば、ＩＴＯなどで形成される。）と同等程度であることが好ましい。一般的なＯＬＥＤ等の面発光素子の基板の屈折率は１．５程度であり、透明導電膜（透明電極）の屈折率は２程度である。仮に、高屈折材料層１２０の屈折率が、無アルカリガラス基板１１０と同程度では、透明電極１３０との界面での反射は、凹凸面１１１及び高屈折材料層１２０が無い場合と同様になり、光の取り出し効率の向上を望むことはできない。具体的には、本実施形態に係るＯＬＥＤ１００では、高屈折材料層１２０の屈折率は、１．７〜２．５程度であることが好ましい。
【００４７】
以上のような低いガラス転移温度や高い屈折率を有するガラスフリットの成分としては、例えば、ネットワークフォーマとして、Ｐ２Ｏ５、ＳｉＯ２、Ｂ２Ｏ３、Ｇｅ２Ｏ、ＴｅＯ２から選ばれる１種または２種以上の成分を含有し、高屈折率成分として、ＴｉＯ２、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｂｉ２Ｏ３、Ｌａ２Ｏ３、Ｇｄ２Ｏ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｒＯ２、ＺｎＯ、ＢａＯ、ＰｂＯ、Ｓｂ２Ｏ３から選ばれる１種または２種以上の成分を含有する高屈折率ガラスを使用することができる。
【００４８】
実施形態１において、前記高屈折材料層１２０は、無アルカリガラス基板１１０のＣＴＥｇｌａｓｓより小さい少なくとも１種のガラスフリット材料Ａと、ＣＴＥｇｌａｓｓより大きい少なくとも１種のガラスフリット材料Ｂからなる２種以上のガラスフリット材料が混合溶融されることにより、所望の高屈折材料層が形成される。
【００４９】
実施形態１における前記高屈折材料層１２０は、使用する前記ガラスフリット材料Ａ及びＢのそれぞれのＣＴＥ(ＣＴＥlow，ＣＴＥhigh)と配合比率（Ａ％，Ｂ％）が以下のように規定されている。
ＣＴＥglass ≧ ＣＴＥlow× ガラスフリット材料Ａの配合比率Ａ(%) + ＣＴＥhigh × ガラスフリット材料Ｂの配合比率Ｂ（＝１００−Ａ)（％） ≧ ＣＴＥglass − １０×１０−７・・（１）
【００５０】
また、本実施形態におけるガラスフリットの成分として、上記の成分の他に、ガラスの特性を調整する意味で、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、フッ化物などを屈折率に対して要求される物性を損なわない範囲で使用してもよい。具体的なガラスフリットの成分系としては、例えば、Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ−Ｌａ２Ｏ３系、Ｐ２Ｏ５−Ｂ２Ｏ３−Ｒ’２Ｏ−Ｒ”Ｏ−ＴｉＯ２−Ｎｂ２Ｏ５−ＷＯ３−Ｂｉ２Ｏ３系、ＴｅＯ２−ＺｎＯ系、Ｂ２Ｏ３−Ｂｉ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−Ｂｉ２Ｏ３系、ＳｉＯ２−ＺｎＯ系、Ｂ２Ｏ３−ＺｎＯ系、Ｐ２Ｏ５−ＺｎＯ系、などが挙げられる。ここで、Ｒ’はアルカリ金属元素、Ｒ”はアルカリ土類金属元素を示す。
【００５１】
＜溶剤＞
本実施形態のガラスペーストに用いる溶剤としては、有機溶剤であれば特に限定されない。ただし、製造工程を考慮すると、乾燥速度が早すぎる場合には、製造中に有機溶剤が乾燥してしまい、固形分の析出などが起こるため好ましくない。このような観点から、本実施形態のガラスペーストに用いる有機溶剤としては、沸点が１５０℃以上、より好ましくは１８０℃以上の溶剤が好ましく、このような溶剤として、例えば、テルペン系の溶剤（テルピネオールなど）やカルビトール系溶剤（ブチルカルビトール、ブチルカルビトールアセテート）等を使用することができる。
【００５２】
＜樹脂＞
本実施形態のガラスペーストに用いる樹脂としては、ペーストを塗工するために適正な粘度を発現させるものであれば特に限定はされないが、ガラスフリットのガラス転移温度よりも低い温度で消失される樹脂が好ましい。ガラスフリットが流動性を発現する温度よりも低い温度で樹脂を焼成除去しておかないと、ガラスが焼成されている温度で樹脂がガス化し、ガラス内部の気泡の原因となるためである。このような樹脂として好適に用いることができる具体例を挙げると、セルロース系の樹脂として、エチルセルロースやニトロセルロース、アクリル系の樹脂として、アクリル樹脂とメタクリル樹脂などが挙げられる。
【００５３】
＜その他の添加剤＞
本実施形態のガラスペーストには、必要に応じて、ガラスフリット及び樹脂の分散性の向上やレオロジーの調整等を目的とした添加剤を添加してもよい。このような添加剤としては、例えば、スリットコーティング等の工程に適正な粘度の調整や、ガラスフリットの分散性の向上を目的として添加されるポリマー、レオロジー調整の目的で添加される増粘剤、分散性の良いガラスペーストの調製を目的として添加される分散剤等が挙げられる。ポリマーとしては、例えば、アクリル系ポリマーが挙げられる。また、増粘剤としては、例えば、エチルセルロース等のセルロース系樹脂、ポリエチレングリコール等のポリオキシアルキレン樹脂などが挙げられる。また、分散剤としては、多価カルボン酸やそのアンモニウム塩等の分散剤を挙げることができる。多価カルボン酸は、例えば、低級〜高級脂肪族系の多価カルボン酸等が挙げられ、これらは、テトラブチルアンモニウム塩等のアンモニウム塩を形成していても良い。具体的には、例えば、楠本化成社製のＨＩＰＬＡＡＤシリーズやビックケミー社製のＤｉｓｐｅｒｂｙｋシリーズ等が挙げられる。なお、上記のような添加剤の含有量は、例えば、ガラスペースト１００質量部に対して３質量部以下であることが好ましい。
【００５４】
＜膜厚＞
高屈折材料層１２０の膜厚は、無アルカリガラス基板１１０の凹凸面１１１を平坦化するのに十分な厚みであれば特に限定されないが、本発明者らの検討によれば、概ね、無アルカリガラス基板１１０の平均粗さＲａの３０倍以上４０倍以下の厚みがあることが好ましい。高屈折材料層１２０の膜厚の絶対的な範囲としては、３μｍ以上１００μｍ以下程度であることが好ましく、更に好ましくは３μｍ以上４０μｍ以下である。これは、サンドブラストやウェットエッチングにより形成した凹凸面１１１の最大高さＲｚが、Ｒａの概ね１０倍〜２０倍であるためである。
【００５５】
また、上記と同様の意味から、高屈折材料層１２０の厚みは、無アルカリガラス基板１１０の凹凸面１１１の最大粗さＲｚ（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１に記載）の１．３倍以上であることが好ましい。Ｒｚの１．３倍未満では、前述した駆動安定性に対して十分な信頼性となるような高屈折材料層１２０が得られないためである。
【００５６】
上述した繰り返しになるが、上記のような厚みの平坦化膜を容易に形成することは、ＳＯＧ材料（ゾルゲル材料）や真空プロセス（ＣＶＤなど）では到底成しえない。一方で、厚膜の平坦化膜をポリマーなどの有機材料で得る方法が考えられるが、これらの方法では、ＩＴＯなどの透明導電膜（透明電極）を形成するための十分な耐熱性（３００℃以上）を確保することが困難であり、さらに、上述したように、高屈折材料層１２０には高屈折率（好ましくは２以上）が要求されるが、有機材料でこのような屈折率を実現できる材料は存在し得ない。すなわち、本実施形態におけるガラスフリットを含有するガラスペーストを用いなければ、上記のような厚みの高屈折材料層１２０を容易に形成することはできない。
【００５７】
高屈折材料層１２０の膜厚については、焼成後の膜厚を測定することで確認が可能であるが、無アルカリガラス基板１１０は、凹凸面１１１（凹凸構造）を有しているため、測定位置によって異なる膜厚となる。そこで、本実施形態における高屈折材料層１２０の膜厚としては、凹凸面１１１の最深部から高屈折材料層１２０の最上部までの高さを膜厚とするが、凹凸面１１１がランダムな凹凸形状である場合には、断面形状の分析をしても最深部を決定することが難しい場合もあるので、このような場合は、任意に選んだ１０点以上の部位について膜厚を測定し、そのうちの最大の厚みの部分を膜厚として考えても問題はない。
【００５８】
＜高屈折材料層１２０と透明電極１３０との界面の平滑性＞
上述した繰り返しになるが、ＯＬＥＤなどの面発光素子を作成する場合、基板には高い平滑性が求められる。多くの面発光素子が、薄膜（数十ｎｍ〜数μｍ）で構成されており、基板の表面に凹凸があると電流のリークが発生して素子の安定駆動ができないためである。本発明において、高屈折材料層１２０と透明電極１３０との界面の平滑性は特に限定はされないが、本発明者らの検討によれば、Ｒａで３０ｎｍ以下であり、好ましくは１ｎｍ以下である。
【００５９】
＜透明電極１３０＞
透明電極１３０は、ＯＬＥＤ１００の陽極として機能する層であり、導電性を有するとともに、光をＯＬＥＤ１００の外部に取り出すために透明な材料が使用される。具体的には、透明電極１３０を形成する材料としては、透明な酸化物半導体、特に、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３等が好適に使用される。
【００６０】
＜有機発光層１５０＞
有機発光層１５０は、少なくとも発光層（略して「ＥＬ層」ともいう。）を含む。また、有機発光層１５０は、正孔注入層及び電子注入層を含んでいてもよい。また、有機発光層１５０が、正孔輸送層及び正孔注入層のいずれをも含む場合には、正孔注入層が正孔輸送層よりも透明電極１３０に近い側に配置される。また、有機発光層１５０に含まれるＥＬ層は、正孔輸送層よりも透明電極１３０から遠い側に配置される。
【００６１】
正孔輸送層を形成する正孔輸送材料としては、例えば、α−ＮＰＤ（ＮＰＢ）、ＴＰＤ、ＴＡＣＰ、トリフェニル四量体などの公知の材料を使用することができる。また、正孔注入層を形成する正孔注入材料としては、例えば、ポリアニリン、ポリピロール、銅フタロシアニン（ＣｕＰｃ）、ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳなどの公知の材料を使用することができる。
【００６２】
有機発光層１５０としては、赤色発光層、緑色発光層及び青色発光層のうち、１種または２種以上を含むことができる。
【００６３】
赤色発光層を形成する材料としては、例えば、テトラフェニルナフタセン（ルブレン：Ｒｕｂｒｅｎｅ）、トリス（１−フェニルイソキノリン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｉｑ）３）、ビス（２−ベンゾ［ｂ］チオフェン−２−イル−ピリジン）（アセチルアセトネート）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、トリス（ジベンゾイルメタン）フェナントロリンユウロピウム（ＩＩＩ）（Ｅｕ（ｄｂｍ）３（ｐｈｅｎ））、トリス［４，４’−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−（２，２’）−ビピリジン］ルテニウム（ＩＩＩ）錯体（Ｒｕ（ｄｔｂ−ｂｐｙ）３＊２（ＰＦ６））、ＤＣＭ１、ＤＣＭ２、Ｅｕ（テノイルトリフルオロアセトン）３（Ｅｕ（ＴＴＡ）３，ブチル−６−（１，１，７，７−テトラメチルジュロリジル−９−エニル）−４Ｈ−ピラン）（ＤＣＪＴＢ）などを使用することができ、その他にも、ポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を使用することができる。
【００６４】
また、緑色発光層を形成する材料としては、例えば、Ａｌｑ３、３−（２−ベンゾチアゾリル）−７−（ジエチルアミノ）クマリン（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）、２，３，６，７−テトラヒドロ−１，１，７，７，−テトラメチル−１Ｈ，５Ｈ，１１Ｈ−１０−（２−ベンゾチアゾリル）キノリジン−［９，９ａ，１ｇｈ］クマリン（Ｃ５４５Ｔ）、Ｎ，Ｎ’−ジメチル−キナクリドン（ＤＭＱＡ）、トリス（２−フェニルピリジン）イリジウム（ＩＩＩ）（Ｉｒ（ｐｐｙ）３）などを使用することができ、その他にも、ポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を使用することもできる。
【００６５】
また、青色発光層を形成する材料としては、例えば、オキサジアゾールダイマー染料（Ｂｉｓ−ＤＡＰＯＸＰ）、スピロ化合物（Ｓｐｉｒｏ−ＤＰＶＢｉ、Ｓｐｉｒｏ−６Ｐ）、トリアリールアミン化合物、ビス（スチリル）アミン（ＤＰＶＢｉ、ＤＳＡ）、４，４’−ビス（９−エチル−３−カルバゾビニレン）−１，１’−ビフェニル（ＢＣｚＶＢｉ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（ＴＰＢｅ）、９Ｈ−カルバゾール−３，３’−（１，４−フェニレン−ジ−２，１−エテン−ジイル）ビス［９−エチル−（９Ｃ）］（ＢＣｚＶＢ）、４，４−ビス［４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４’−［（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル］スチルベン（ＤＰＡＶＢ）、４，４’−ビス［４−（ジフェニルアミノ）スチリル］ビフェニル（ＢＤＡＶＢｉ）、ビス（３，５−ジフルオロ−２−（２−ピリジル）フェニル−（２−カルボキシピリジル）イリジウムＩＩＩ（ＦＩｒＰｉｃ）などを使用することができ、その他にも、ポリフルオレン系高分子、ポリビニル系高分子などの高分子発光物質を使用することができる。
【００６６】
前述したように、有機発光層１５０は、陰極１８０に近い側から順に、電子輸送層や電子注入層を含んでいてもよい。電子輸送層を形成する電子輸送材料としては、オキサゾール誘導体（ＰＢＤ、ＯＸＯ−７）、トリアゾール誘導体、ボロン誘導体、シロール誘導体、Ａｌｑ３などの公知の材料を使用することができる。また、電子注入材料としては、例えば、ＬｉＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＣａＯ、ＣｓＯ、ＣｓＦ２などの公知の材料を使用することができる。
【００６７】
＜陰極１８０＞
陰極１８０を形成する材料としては、金属、特に、仕事関数の小さな金属である。Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒ、Ｌｉ、Ｃａ及びこれらの化合物などを使用することができる。
【００６８】
〔第１実施形態（ＯＬＥＤ１００）の製造方法〕
以上、本実施形態に係るＯＬＥＤ１００の構成について詳細に説明したが、続いて、上述した構成を有する本実施形態に係るＯＬＥＤ１００の製造方法について詳細に説明する。
【００６９】
ＯＬＥＤ１００の基板となる本実施形態に係る透光性基板の製造方法は、表面粗化工程と、塗布工程と、乾燥工程と、焼成工程と、を含む。表面粗化工程は、無アルカリガラス基板１１０の表面に凹凸面１１１を形成する工程である。塗布工程は、凹凸面１１１が形成された無アルカリガラス基板１１０の表面に、無アルカリガラス基板１１０以上の屈折率を有し、無アルカリガラス基板１１０のＣＴＥｇｌａｓｓより小さい少なくとも１種のガラスフリット材料Ａと、ＣＴＥｇｌａｓｓより大きい少なくとも１種のガラスフリット材料Ｂからなる２種以上のガラスフリット材料と、溶剤と、樹脂とを含有するガラスペーストを塗布する工程である。乾燥工程は、無アルカリガラス基板１１０に塗布されたガラスペーストを乾燥し、溶剤を揮発させ乾燥膜を形成する工程である。焼成工程は、乾燥工程にて得られた乾燥膜を焼成し、樹脂を消失除去するとともにガラスフリットを溶融させ、無アルカリガラス基板１１０上に高屈折材料層１２０を形成する工程である。以下、これらの工程を含むＯＬＥＤ１００の製造方法について述べる。
【００７０】
（表面粗化工程）
表面粗化工程は、無アルカリガラス基板１１０の表面に、サンドブラスト法、ウェットエッチング法（フロスト法）またはプレス法等の方法により、有機発光層１５０で発生した光が透明電極１３０を通過して無アルカリガラス基板１１０に入射する際の入射光の屈折角に乱れを生じさせるようなランダムな凹凸面１１１を形成する。このときに形成する凹凸面１１１の凹凸の度合いは、上述したように、特に限定されないが、平均表面粗さＲａで０．７μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【００７１】
また、前記した均一な構造単位を有する凹凸面１１１を形成する場合には、無アルカリガラス基板１１０の表面の凹凸面１１１の形状が、レンズ構造やピラミッド構造などのような均一な構造単位を有する凹凸となるように形成する。このようなレンズ構造やピラミッド構造は、例えば、モールドの熱転写法、フォトリソグラフィ/ウェットエッチング法、レーザー加工、砥石による研磨などを用いて形成することができる。
【００７２】
（ガラスペーストの調製）
次に、上述したようなガラスフリットと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペーストを調製する。このガラスペーストの調製方法としては、ガラスフリット、（バインダー）樹脂、及びその他の成分を溶剤中に溶解混合した後、ロールミル等で混練し、ガラスフリットが分散したペーストを作製すればよい。ガラスフリットと溶剤と樹脂との配合比は、例えば、ガラスフリットを５０〜８０質量％、溶剤を１０〜４０質量％、樹脂を１〜１０質量％程度とすればよい。なお、上述したように、無アルカリガラス基板１１０の融点を考慮し、後述する乾燥工程及び焼成工程を６５０℃以下の温度で実施することが好ましいが、そのためには、ガラスフリットのガラス転移温度は６３０℃以下であることが好ましい。
【００７３】
（塗布工程）
次に、調製したガラスペーストを、無アルカリガラス基板１１０の凹凸面１１１の表面にコーティング（塗布）する。ガラスペーストの塗布方法としては特に限定はされず、例えば、バーコート法、ドクターブレード、スリットコート、ダイコートによる塗布等の公知の方法を用いることができる。
【００７４】
（乾燥工程）
次いで、凹凸面１１１にガラスペーストが塗布された無アルカリガラス基板１１０を熱風乾燥機等に移して溶媒を除去し乾燥膜を形成する。このときの乾燥温度は、上述したように、無アルカリガラス基板１１０が溶融しないように、６５０℃以下の温度であることが好ましい。より好ましくは、１００℃以上２００℃以下である。
【００７５】
（焼成工程）
上記乾燥工程の後、溶媒が除去された乾燥膜を有する無アルカリガラス基板１１０を焼成炉に移し、ガラスフリットのガラス転移温度Ｔｇ以上、軟化温度Ｔｓ以下の温度で焼成することにより（バインダー）樹脂を焼失除去するとともに、ガラスフリットを溶融させる。さらに、焼成炉にて、ガラスフリットの軟化温度Ｔｓ以上（６５０℃以下であることが好ましい。）の温度で焼成することにより、高屈折材料層１２０を無アルカリガラス基板１１０表面に形成する。
【００７６】
（透明電極１３０、有機発光層１５０を含む有機薄膜層、陰極１８０の形成）
次に、高屈折材料層１２０により表面が平坦化された無アルカリガラス基板１１０上に、スピンコート、スパッタリング等の方法を用いてＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３等を製膜して、透明電極１３０を形成する。さらに、透明電極１３０上に正孔輸送材料や発光材料等を蒸着することにより正孔輸送層及び有機発光層を形成した後に、電子輸送層を形成して有機発光層１５０を形成し、前記電子輸送層上に、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ等の金属を蒸着して陰極１８０を形成し、ＯＬＥＤ１００を製造することができる（図１（ａ）を参照）。なお、前記有機発光層１５０を構成する正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層や陰極１８０の形成方法としては、真空蒸着、キャスト法（スピンキャスト法、ディッピング法等）、インクジェット法、印刷法（活版印刷、グラビア印刷、オフセット印刷、スクリーン印刷等）などの公知の方法を用いることができる。
【００７７】
〔第１実施形態ＯＬＥＤ１００の用途〕
本実施形態のＯＬＥＤ１００に用いる透光性基板は、波長オーダー以上の凹凸（表面粗さ）を有しており、これにより透光性基板内に入射した光を散乱させ、全ての波長の光を効率良く取り出すことが可能である。従って、ＯＬＥＤ１００を白色のＯＬＥＤなどにも好適に用いることができ、高効率が要求される照明器具や表示装置用のバックライトなどにも適用できる。
【００７８】
［第２実施形態］
〔ＯＬＥＤ２００の構成〕
図１（ｂ）は、本発明の第２の実施形態に係るＯＬＥＤ２００の断面構成を示す説明図である。
【００７９】
図１（ｂ）に示すように、本発明の第２の実施形態に係るＯＬＥＤ２００はボトムエミッション型であって、無アルカリガラス基板１１０と、高屈折材料層１２０と、正極としての透明電極１３０と、有機発光層１５０と、陰極１８０とを主に備える構造において、第１実施形態と共通する。
【００８０】
第２実施形態は、高屈折材料層１２０中に高屈折材料層の母材であるガラスフリットの屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質としてフィラー１２５が混合されている点と、無アルカリガラス基板１１０に凹凸面が形成されておらず、無アルカリガラス基板１１０及び高屈折材料層１２０との界面が平坦である点において、第１実施形態と相違する。
【００８１】
［第３実施形態］
〔ＯＬＥＤ３００の構成〕
図１（ｃ）は、本発明の第３の実施形態に係るＯＬＥＤ３００の断面構成を示す説明図である。
【００８２】
図１（ｃ）に示すように、本発明の第３の実施形態に係るＯＬＥＤ２００はボトムエミッション型であって、無アルカリガラス基板１１０と、高屈折材料層１２０と、正極としての透明電極１３０と、有機発光層１５０と、陰極と１８０とを主に備える構造において、第１実施形態と共通する。
【００８３】
第３実施形態は、高屈折材料層１２０中に高屈折材料層の母材であるガラスフリットの屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質としてフィラー１２５が混合されている点において、第１実施形態と相違する。尚、第３実施形態は、第１実施形態と同様に、無アルカリガラス基板１１０に凹凸面が形成されている。
【００８４】
尚、第１乃至第３実施形態の高屈折材料層１２０形成に用いられる２種のガラスフリット材料（無アルカリガラス基板のＣＴＥより低いＣＴＥ（ＣＴＥＬｏｗ）を有するガラスフリット材料Ａ、および無アルカリガラス基板のＣＴＥより高いＣＴＥ（ＣＴＥＨｉｇｈ）を有するガラスフリット材料Ｂからなる）の配合比率から前記式（１）にて定義される値（ＣＴＥ計算値）と、反り量との関係を示す実験結果を図７（ａ）に示す。
【００８５】
［第４実施形態］
〔ＯＬＥＤ４００の構成〕
図２（ａ）は、本発明の第４の実施形態に係るＯＬＥＤ４００の断面構成を示す説明図である。
【００８６】
図２（ａ）に示すように、本発明の第４の実施形態に係るＯＬＥＤ４００はボトムエミッション型であって、無アルカリガラス基板１１０と、高屈折材料層１２０と、正極としての透明電極１３０と、有機発光層１５０と、１８０とを主に備える構造において、第１実施形態と共通する。
【００８７】
第４実施形態は、高屈折材料層１２０がガラスフリット材料Ａを含む高屈折材料層１２０Ａ及びガラスフリット材料Ｂを含む高屈折材料層１２０Ｂの２層で構成されている点において、第１実施形態と相違する。前記高屈折材料層１２０Ａ及び前記高屈折材料層１２０Ｂは、図５（ａ）乃至図５（ｈ）または図６（ａ）乃至図６（ｆ）に示される工程を順次行うことによって製造することができる。
【００８８】
尚、ガラスフリット材料Ａ及びＢのいずれか一方は、無アルカリガラス基板１１０のＣＴＥｇｌａｓｓより小さいＣＴＥ（ＣＴＥｌｏｗ）を有するガラスフリット材料であり、もう一方は無アルカリガラス基板１１０のＣＴＥｇｌａｓｓより大きいＣＴＥ（ＣＴＥｈｉｇｈ）を有するガラスフリット材料からなる。
【００８９】
また図５の製造方法において、第１層目の高屈折材料層を形成した際に、基板反りに起因するクラックが発生しないことが求められる。このため、母材となるガラスフリット材料のＣＴＥ（ＣＴＥｌｏｗ若しくはＣＴＥｈｉｇｈ）と無アルカリガラス基板のＣＴＥｇｌａｓｓとの差は、５０×１０−７以下が好ましく、より好ましくは３０×１０−７以下である。
【００９０】
実施形態４における前記高屈折材料層１２０Ａおよび前記高屈折材料層１２０Ｂの膜厚比率は、（２）式によって規定される。
０．５≦高屈折材料層膜厚（ＣＴＥｌｏｗ）／高屈折材料層膜厚（ＣＴＥｈｉｇｈ）≦２．０  ・・（２）
【００９１】
［第５実施形態］
〔ＯＬＥＤ５００の構成〕
図２（ｂ）は、本発明の第５実施形態に係るＯＬＥＤ５００の断面構成を示す説明図である。
【００９２】
図２（ｂ）に示すように、本発明の第５実施形態に係るＯＬＥＤ５００はボトムエミッション型であって、無アルカリガラス基板１１０と、ガラスフリット材料Ａを含む高屈折材料層１２０Ａ及びガラスフリット材料Ｂを含む高屈折材料層１２０Ｂの２層で構成されている高屈折材料層１２０と、正極としての透明電極１３０と、有機発光層１５０と、陰極１８０とを主に備える構造において、第４実施形態と共通する。
【００９３】
第５実施形態は、前記高屈折材料層１２０Ｂ中に、高屈折材料層の母材であるガラスフリットの屈折率と異なる屈折率を有する散乱物質としてフィラー１２５が混合されている点において、第４実施形態に対して相違する。
【００９４】
［第６実施形態］
〔ＯＬＥＤ６００の構成〕
図２（ｃ）は、本発明の第６の実施形態に係るＯＬＥＤ６００の断面構成を示す説明図である。
【００９５】
第６実施形態は、前記高屈折材料層１２０Ａ中にフィラー１２５が混合される一方、前記高屈折材料層１２０Ｂ中にフィラー１２５が混合されていない点を除き、第４実施形態及び第５実施形態と同様の構成を有する。
［第７実施形態］
〔ＯＬＥＤ７００の構成〕
図２（ｄ）は、本発明の第７の実施形態に係るＯＬＥＤ７００の断面構成を示す説明図である。
【００９６】
第７実施形態は、前記高屈折材料層１２０Ａ及び前記高屈折材料層１２０Ｂのいずれにおいてもフィラー１２５が混合されている点を除き、第４実施形態乃至第６実施形態と同様の構成を有する。
【００９７】
［第８実施形態］
〔ＯＬＥＤ８００の構成〕
図３（ａ）は、本発明の第８実施形態に係るＯＬＥＤ８００の断面構成を示す説明図である。第８実施形態に係るＯＬＥＤ８００は、第５実施形態に係るＯＬＥＤ５００に対応しており、無アルカリガラス基板１１０に凹凸面が形成されていない点を除き、前記ＯＬＥＤ５００と同じ構造を有する。
【００９８】
［第９実施形態］
〔ＯＬＥＤ９００の構成〕
図３（ｂ）は、本発明の第９実施形態に係るＯＬＥＤ９００の断面構成を示す説明図であり、前記ＯＬＥＤ９００は、無アルカリガラス基板１１０に凹凸面が形成されていない点を除き、前記ＯＬＥＤ６００と同じ構造を有する。
【００９９】
［第１０実施形態］
〔ＯＬＥＤ１０００の構成〕
図３（ｃ）は、本発明の第１０実施形態に係るＯＬＥＤ１０００の断面構成を示す説明図であり、前記ＯＬＥＤ１０００は、無アルカリガラス基板１１０に凹凸面が形成されていない点を除き、前記ＯＬＥＤ７００と同じ構造を有する。
【０１００】
［結晶化ガラス］
また、第１形態乃至第１０形態において、無アルカリガラス基板のＣＴＥｇｌａｓｓより小さいＣＴＥ（ＣＴＥｌｏｗ）を有するガラスフリット材料を母材とする高屈折材料層の代わりに、結晶化ガラスからなる高屈折材料層を用いることができる。
【０１０１】
前記結晶化ガラスとは、ガラスを制御された条件のもとで再加熱して、多数の微小な結晶を均一に析出成長させて得られる陶磁器様の多結晶体である。まずガラス中に多数の核を均一に形成させ、その核をもとに多数の微小な結晶を均一に成長させることで、多結晶体が形成される。代表的な結晶化ガラスは、Ｌｉ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｎａ２Ｏ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、ＭｇＯ−Ａｌ２Ｏ３−ＳｉＯ２、Ｎａ２Ｏ−ＣａＯ−ＭｇＯ−ＳｉＯ２、ＰｂＯ−ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３、ＺｎＯ−Ｂ２Ｏ３―ＳｉＯ２系などが挙げられる。
【０１０２】
〔第４実施形態乃至第１０実施形態の製造方法〕
第４実施形態乃至第１０実施形態に係る前記高屈折材料層１２０Ａ及び前記高屈折材料層１２０Ｂは、図５（ａ）乃至（ｆ）または図６（ａ）乃至（ｆ）に示される工程を順次行なうことによって製造することができる。
【０１０３】
まず第１の製造方法（図５）について説明する。まず無アルカリガラス基板１１０上に、ガラスフリット材料Ａと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペーストＡを調製し、前記ガラスペーストＡを所定の膜厚になるように塗布し、乾燥工程にて溶媒を除去することで乾燥膜を得る。次に得られた乾燥膜を焼成し、樹脂を焼失除去するとともにガラスペーストＡを溶融し、第１の高屈折材料層を得る。その後、ガラスフリット材料Ｂと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペーストＢを調製し、前記第１の高屈折材料層上に、前記ガラスペーストＢを所定の膜厚になるように塗布し、乾燥工程にて溶媒を除去することで、乾燥膜を得る。これを焼成し、樹脂を焼失除去するとともにガラスペーストＢを溶融し、第２の高屈折材料層を第１の高屈折材料層上に形成することで、高屈折材料層１２０Ａ上に高屈折材料層１２０Ｂが積層された構造の高屈折材料層１２０が製造される。
【０１０４】
次いで第２の製造方法（図６）について説明する。まず無アルカリガラス基板１１０上に、ガラスフリット材料Ａと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペーストＡを調製し、前記ガラスペーストＡを所定の膜厚になるように塗布し、乾燥工程にて溶媒を除去することで乾燥膜を得る。次にガラスフリット材料Ｂと、溶剤と、樹脂とを含むガラスペーストＢを調製し、前記乾燥膜上に、前記ガラスペーストＢを所定の膜厚になるように塗布し、乾燥工程にて溶媒を除去することで、無アルカリガラス基板１１０上に積層された乾燥膜を得る。これを焼成し、樹脂を焼失除去するとともにガラスペーストＡ及びガラスペーストＢを溶融することで、高屈折材料層１２０Ａ上に高屈折材料層１２０Ｂが積層された構造の高屈折材料層１２０が製造される。
【０１０５】
尚、実施形態４乃至実施形態１０における前記高屈折材料層１２０Ａおよび前記高屈折材料層１２０Ｂの膜厚比率（３）式と、反り量との関係を示す実験結果を図７（ｂ）に示す。
膜厚比率（％）＝高屈折材料層膜厚（ＣＴＥｌｏｗ）／高屈折材料層膜厚（ＣＴＥｈｉｇｈ）  ・・（３）
【０１０６】
第４乃至第１０実施形態における高屈折材料層１２０は、反り量（μｍ）が±１．０μｍの範囲において、第１乃至第３実施形態における高屈折材料層１２０に比べて緩やかに変化していることから、反り量の制御がより容易であるため好ましい構造である。
【０１０７】
［実施例］
以下、本発明の実施例１乃至１２を説明する。なお実施例１乃至１０は、前記の実施形態１乃至１０にそれぞれ相当する構成を有する。また実施例１１乃至１２は、結晶化ガラスを用いて構成された透光性基板に相当する。以下の実施例１乃至１２の「透光性基板」は、図１乃至図３における高屈折材料層１２０及び無アルカリガラス基板１１０からなる基板を意味する。
【０１０８】
（実施例１）
ＣＴＥ＝１０．５×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリットとＣＴＥ＝４１×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリットを任意の比率で混合したガラスフリット材料；４５ｇ、エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してガラスペーストを作成した。
【０１０９】
上記ガラスペーストを、厚み０．７ｍｍ、サイズ５０×５０ｍｍの無アルカリガラス基板（ＥａｇｌｅＸＧ；コーニング社製）に♯８００のアルミナ粉を０．５ｋＰａの条件で噴射して得られた凹凸付き無アルカリガラス基板上にドクターブレードを用いて塗布し、１２０℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、４００℃で２０ｍｉｎ焼成し樹脂を除去後、６３０℃で３０ｍｉｎ焼成して、透光性基板を作成した。
【０１１０】
（実施例２）
ＣＴＥ＝１０．５×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリットとＣＴＥ＝４１×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリットを任意の比率で混合したガラスフリット材料；４５ｇ、フィラー材料としてユークリプタイト結晶（Ｄ５０＝２μｍ）；６．８ｇ、Ｄ５０エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してフィラー含有ガラスペーストを作成した。
【０１１１】
上記のフィラー含有ガラスペーストを、厚み０．７ｍｍ、サイズ５０×５０ｍｍの無アルカリガラス基板（ＥａｇｌｅＸＧ；コーニング社製）上にドクターブレードを用いて塗布し、１２０℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、４００℃で２０ｍｉｎ焼成し樹脂を除去後、６３０℃で３０ｍｉｎ焼成して、透光性基板を作成した。
【０１１２】
（実施例３）
実施例２と同様にして、フィラー含有ガラスペーストを作成した。その後実施例１と同様の凹凸付き無アルカリガラス基板上に、実施例１と同様にして高屈折材料層を形成し、透光性基板を作成した。
【０１１３】
（実施例４）
ＣＴＥ＝１０．５×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリット材料；４５ｇ、エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してガラスペーストＡを作成した。
【０１１４】
また、ＣＴＥ＝４１×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリット材料；４５ｇを用いた以外は、上記と同様にしてガラスペーストＢを作成した。
【０１１５】
上記のガラスペーストＡを、厚み０．７ｍｍ、サイズ５０×５０ｍｍの無アルカリガラス基板（ＥａｇｌｅＸＧ；コーニング社製）に♯８００のアルミナ粉を０．５ｋＰａの条件で噴射して得られた凹凸付き無アルカリガラス基板上にドクターブレードを用いて塗布し、１２０℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、４００℃で２０ｍｉｎ焼成し樹脂を除去後、６３０℃で３０ｍｉｎ焼成した。そのようにして形成された高屈折材料層上に、同様にしてガラスペーストＢをドクターブレードを用いて塗布し、１２０℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、４００℃で２０ｍｉｎ焼成し樹脂を除去後、６３０℃で３０ｍｉｎ焼成して、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。
【０１１６】
（実施例５）
ＣＴＥ＝１０．５×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリット材料；４５ｇ、フィラー材料としてユークリプタイト結晶（Ｄ５０＝２μｍ）；６．８ｇ、エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してフィラー含有ガラスペーストＡを作成した。
【０１１７】
また、ＣＴＥ＝４１×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリット材料；４５ｇ、エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してガラスペーストＢを作成した。
【０１１８】
これらのガラスフリット分散ペーストを実施例４と同様にして、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。
【０１１９】
（実施例６）
ＣＴＥ＝１０．５×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリット材料；４５ｇ、エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してガラスペーストＡを作成した。
【０１２０】
また、ＣＴＥ＝４１×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリット材料；４５ｇ、フィラー材料としてユークリプタイト結晶（Ｄ５０＝２μｍ）；６．８ｇ、エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してフィラー含有ガラスペーストＢを作成した。
【０１２１】
これらのガラスフリット分散ペーストを実施例４と同様にして、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。
【０１２２】
（実施例７）
実施例５と同様にして、フィラー含有ガラスペーストＡを作成した。また実施例６と同様にしてフィラー含有ガラスペーストＢを作成した。
これらのガラスペーストを実施例４と同様にして、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。
【０１２３】
（実施例８）
実施例５と同様にして、フィラー含有ガラスペーストＡおよびガラスペーストＢを作成した。
【０１２４】
上記のフィラー含有ガラスペーストＡを、厚み０．７ｍｍ、サイズ５０×５０ｍｍの無アルカリガラス基板（ＥａｇｌｅＸＧ；コーニング社製）上にドクターブレードを用いて塗布し、１２０℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、４００℃で２０ｍｉｎ焼成して樹脂を除去後、６３０℃で３０ｍｉｎ焼成した。そのようにして形成された高屈折材料層上に、同様にしてガラスペーストＢをドクターブレードを用いて塗布し、１２０℃の熱風乾燥機で溶媒を除去後、焼成炉に移し、４００℃で２０ｍｉｎ焼成して樹脂を除去後、６３０℃で３０ｍｉｎ焼成して、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。
【０１２５】
（実施例９）
実施例６と同様にして、ガラスペーストＡおよびフィラー含有ガラスペーストＢを作成した。これらのガラスペーストを実施例８と同様にして、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。
【０１２６】
（実施例１０）
実施例７と同様にして、フィラー含有ガラスペーストＡおよびフィラー含有ガラスペーストＢを作成した。
これらのガラスペーストを実施例８と同様にして、高屈折材料層が積層された透光性基板を作成した。
【０１２７】
（実施例１１）
結晶化ガラスからなるＺｎＯ系ガラスフリット材料；４５ｇ、エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してガラスペーストＡを作成した。
【０１２８】
また、ＣＴＥ＝４１×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリット材料；４５ｇ、エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してガラスペーストＢを作成した。
【０１２９】
これらのガラスペーストを実施例８と同様にして、高屈折材料層１２０が積層された透光性基板１１００を作成した（図４（ａ））。
【０１３０】
（実施例１２）
ＣＴＥ＝４１×１０−７／℃のＺｎＯ系ガラスフリット材料；４５ｇ、エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してガラスペーストＡを作成した。
【０１３１】
また、結晶化ガラスからなるＺｎＯ系ガラスフリット材料；４５ｇ、エチルセルロースＳＴＤ４５（ダウケミカル社製）；３ｇ、テルピネオール；３６．４ｇ、ブチルカルビトールアセテート；１５．６ｇを溶解混合した後、３本ロールミルで混練してガラスペーストＢを作成した。
【０１３２】
これらのガラスペーストを実施例８と同様にして、高屈折材料層１２０が積層された透光性基板１２００を作成した（図４（ｂ））。
【０１３３】
［反り量の測定方法］
実施例１乃至１２の透光性基板のそれぞれについて、反り量測定を行った。前記反り量測定は、触針式表面粗さ測定機サーフコーダ（（株）小坂研究所製）を用い、基板の両端を固定した状態で透光性基板上を１０ｍｍ走査し、得られた表面形状プロファイルから図９（ａ）または（ｂ）に記載のように反り量を規定した。
【０１３４】
その結果を表１に示す。本発明の透光性基板は反り量が改善することが分かる。
【０１３５】
［大面積透光性基板の観察結果］
厚み０．７ｍｍ、Ｇ５サイズ(幅１１００×長さ１２５０ｍｍ)の無アルカリガラス基板上に、実施例１乃至実施例１２に記載の高屈折材料層が形成された透光性基板を作成し、その表面状態を観察した。その結果を表１に示す。本発明の透光性基板は高屈折材料層にクラックや剥離が認められず良好であることが分かる。
【０１３６】
【表１】
2014118308.tif 000003
【０１３７】
［有機ＥＬ素子の実施例］
本発明の透光性基板を用いて有機ＥＬ素子を作成した（素子面積は０．０４ｃｍ２）。本発明の透光性基板上に、透明電極としてＩＴＯを１５０ｎｍスパッタ法にて形成した。その後、前処理として、ＩＴＯ透明電極を有する透光性基板をＩＰＡと純粋で洗浄した後、ＵＶオゾンクリーナーにて処理した。正孔注入層としてＰＥＤＯＴを２０ｎｍ、正孔輸送層としてＮＰＤを６０ｎｍ、緑色発光層としてＡｌｑ３を４０ｎｍ真空蒸着法により形成した。更に電子注入層としてＬｉＦを０．４ｎｍ、陰極としてＡｌを１００ｎｍ蒸着して有機ＥＬ素子を作成した。上記のように作成した有機ＥＬ素子を、周囲大気に暴露することなしに、乾燥窒素雰囲気のグローブボックス中に搬送し、有機ＥＬ素子を、酸化バリウム粉末を含有する吸水材を貼付された封止板と紫外線硬化樹脂シール剤を用いて貼り合わせ、紫外線照射によりシール剤を硬化させて、有機ＥＬ素子を封止した。
【０１３８】
上記のようにして得られた有機ＥＬ素子を、ＫＥＩＴＨＬＥＹ社ソースメータ２４００、積分球および照度計を組み合わせた測定系で電流-電圧-全光束特性を測定し、電流輝度効率（ｃｄ／Ａ）を算出した。なお、無アルカリガラス基板を用いて作成した有機ＥＬ素子の電流輝度効率を１．０とし、相対評価とした。結果を以下表２に示した。
本発明の透光性基板を用いた有機ＥＬ素子ではいずれも１．５倍以上の電流輝度効率が得られ、光取出効率が大幅に改善することが認められた。
【０１３９】
【表２】
2014118308.tif 000004
【０１４０】
以上のことから、無アルカリガラス基板のＣＴＥｇｌａｓｓより大きい少なくとも１種のガラス材料を含有し、かつ前記ＣＴＥｇｌａｓｓより小さい少なくとも１種のガラス材料を用いて高屈折材料層を形成することにより、高屈折ガラス材料と無アルカリガラス基板とのＣＴＥ差により生じる基板歪みを解消することが可能となり、光取出効率改善とともに、大面積化が可能な透光性基板が提供できる。
【符号の説明】
【０１４１】
１００、２００、３００、４００、５００、６００、７００、８００、９００、１０００、１１００、１２００    発光素子
１１０    無アルカリガラス基板
１１１    凹凸面
１２０    高屈折率材料層
１３０    透明電極
１５０    有機発光層（有機薄膜層）
１８０    陰極
１９１    高屈折材料層
１９２    無アルカリガラス基板
【図１】
2014118308.tif 000005
【図２】
2014118308.tif 000006
【図３】
2014118308.tif 000007
【図４】
2014118308.tif 000008
【図５】
2014118308.tif 000009
【図６】
2014118308.tif 000010
【図７】
2014118308.tif 000011
【図８】
2014118308.tif 000012
【図９】
2014118308.tif 000013
【図１０】
2014118308.tif 000014