(57)【要約】【課題】半導体ウエハの電気的検査工程を効率的に実施する。【解決手段】プローブカードに保持された複数の接触端子の先端をウエハＷＨの複数のチップ電極に接触させて半導体集積回路の電気的検査を行う工程では、複数の検査範囲１０ｔに区画されたウエハＷＨの主面１２ａにおいて、プローブカードとウエハＷＨの相対位置を移動させながら複数の検査範囲１０ｔのそれぞれについて電気的検査が順番に実施される。また、複数の検査範囲１０ｔについて検査する順番は、ウエハＷＨの主面１２ａを、互いに重ならない半円ＨＭ１および半円ＨＭ２に区画すると、半円ＨＭ１における複数の検査範囲１０ｔの検査が完了する前に、半円ＨＭ２における複数の検査範囲１０ｔの一部の検査を行う。【選択図】図２２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）複数のチップ領域を含む主面、前記複数のチップ領域の各々に形成された半導体集積回路、および前記複数のチップ領域の各々に形成され、前記半導体集積回路と電気的に接続されている複数のチップ電極を有する半導体ウエハを、ウエハ保持台上に固定させる工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が保持された接触端子配置面、および前記接触端子配置面の反対側に位置する裏面を有している第１カードを、前記接触端子配置面が前記半導体ウエハの前記主面と対向するように配置する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハを加熱した状態で、前記第１カードの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記（ｃ）工程では、複数の検査範囲に区画された前記半導体ウエハの前記主面において、前記第１カードと前記半導体ウエハの相対位置を移動させながら前記複数の検査範囲のそれぞれについて前記電気的検査が順番に実施され、
前記半導体ウエハの前記主面を、互いに重ならない第１半円および第２半円に区画すると、
前記（ｃ）工程には、
（ｃ１）前記主面の中心を含む第１検査領域から、前記第１半円の一部であって、前記第２半円とは重ならず、かつ、前記主面の周縁部を含んでいる第２検査領域の端部に位置する第１検査範囲に向かって、前記相対位置を移動させながら、前記複数の検査範囲のそれぞれについて順番に検査する工程、
（ｃ２）前記（ｃ１）工程の後、前記第２検査領域の前記第１検査範囲から、前記第１検査範囲の反対側に位置する前記第２検査領域の第２検査範囲に向かって、前記主面の外周に沿って前記相対位置を移動させながら、前記第２検査領域における前記複数の検査範囲のそれぞれについて順番に検査する工程、
（ｃ３）前記（ｃ２）工程の後、前記第２検査範囲から、前記第２半円の一部であって、前記第１および第２検査領域とは重ならず、かつ、前記主面の周縁部を含んでいる第３検査領域の第３検査範囲に向かって前記相対位置を移動させる工程、
（ｃ４）前記（ｃ３）工程の後、前記第３検査領域の前記第３検査範囲から、前記第３検査範囲の反対側に位置する前記第３検査領域の第４検査範囲に向かって前記主面の外周に沿って前記相対位置を移動させながら、前記第３検査領域における前記複数の検査範囲のそれぞれについて順番に検査する工程、
が含まれている、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１において、
前記（ｃ）工程で、前記半導体ウエハを加熱する熱源は、前記ウエハ保持台であって、
前記（ｃ２）工程では、平面視において、前記第１カードの一部である第１部分が、前記ウエハ保持台と重ならず、
前記（ｃ３）工程では、平面視において、前記第１カードの前記第１部分が、前記ウエハ保持台と重なる、半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２において、
前記（ｃ）工程には、
（ｃ５）前記（ｃ４）工程の後、前記第４検査範囲から、前記第１、第２、および第３検査領域とは重ならず、かつ、前記主面の周縁部を含んでいる第４検査領域の第５検査範囲に向かって前記相対位置を移動させる工程、
（ｃ６）前記（ｃ５）工程の後、前記第４検査領域の前記第５検査範囲から、前記第５検査範囲の反対側に位置する前記第４検査領域の第６検査範囲に向かって前記主面の外周に沿って前記相対位置を移動させながら、前記第４検査領域における前記複数の検査範囲のそれぞれについて順番に検査する工程、
が含まれている、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３において、
前記（ｃ）工程には、
（ｃ７）前記（ｃ６）工程の後、前記第６検査範囲から、前記第１、第２、第３、および第４検査領域とは重ならず、かつ、前記主面の周縁部を含んでいる第５検査領域の第７検査範囲に向かって前記相対位置を移動させる工程、
（ｃ８）前記（ｃ７）工程の後、前記第５検査領域の前記第７検査範囲から、前記第７検査範囲の反対側に位置する前記第５検査領域の第８検査範囲に向かって前記主面の外周に沿って前記相対位置を移動させながら、前記第５検査領域における前記複数の検査範囲のそれぞれについて順番に検査する工程、
が含まれている、半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１において、
前記第３検査範囲と前記第１検査範囲とは、隣り合っていない、半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１において、
前記第３検査領域と前記第２検査領域とは、隣り合っていない、半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１において、
前記（ｃ２）工程では、前記第２検査領域に含まれる検査範囲の検査が２時間以内に完了し、
前記（ｃ４）工程では、前記第３検査領域に含まれる検査範囲の検査が２時間以内に完了する、半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１において、
前記（ｃ３）工程では、前記第１カードの前記複数の接触端子のそれぞれが、前記第１検査範囲を跨ぐように前記相対位置を移動させる、半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項１において、
前記（ｃ３）工程では、前記第２検査範囲から前記第３検査範囲に向かって移動させながら、前記第２検査範囲と前記第３検査範囲の間の未検査の検査範囲を順番に検査する、半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１において、
前記（ｃ）工程では、前記ウエハ保持台を駆動することにより、前記相対位置を移動させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
（ａ）複数のチップ領域を含む主面を有する半導体ウエハを準備して、前記複数のチップ領域の各々の主面上に、半導体集積回路、および前記半導体集積回路と電気的に接続されている複数のチップ電極を形成する工程、
（ｂ）複数の第１配線が形成された配線基板、前記複数のチップ電極に接触させるための複数の接触端子、前記複数の接触端子が保持された接触端子配置面、および前記接触端子配置面の反対側に位置する裏面を有している第１カードを準備する工程、
（ｃ）前記半導体ウエハを加熱した状態で、前記第１カードの前記複数の接触端子の先端を前記半導体ウエハの前記複数のチップ電極に接触させて前記半導体集積回路の電気的検査を行う工程、
を含み、
前記（ｃ）工程では、複数の検査範囲に区画された前記半導体ウエハの前記主面において、前記第１カードと前記半導体ウエハの相対位置を移動させながら前記複数の検査範囲のそれぞれについて前記電気的検査が順番に実施され、
前記半導体ウエハの前記主面を、互いに重ならない第１半円および第２半円に区画すると、
前記（ｃ）工程には、
（ｃ１）前記主面の中心を含む第１検査領域から、前記第１半円の一部であって、前記第２半円とは重ならず、かつ、前記主面の周縁部を含んでいる第２検査領域の端部に位置する第１検査範囲に向かって、前記相対位置を移動させながら、前記複数の検査範囲のそれぞれについて順番に検査する工程、
（ｃ２）前記（ｃ１）工程の後、前記第２検査領域の前記第１検査範囲から、前記第１検査範囲の反対側に位置する前記第２検査領域の第２検査範囲に向かって、前記主面の外周に沿って前記相対位置を移動させながら、前記第２検査領域における前記複数の検査範囲のそれぞれについて順番に検査する工程、
（ｃ３）前記（ｃ２）工程の後、前記第２検査範囲から、前記第２半円の一部であって、前記第１および第２検査領域とは重ならず、かつ、前記主面の周縁部を含んでいる第３検査領域の第３検査範囲に向かって前記相対位置を移動させる工程、
（ｃ４）前記（ｃ３）工程の後、前記第３検査領域の前記第３検査範囲から、前記第３検査範囲の反対側に位置する前記第３検査領域の第４検査範囲に向かって前記主面の外周に沿って前記相対位置を移動させながら、前記第３検査領域における前記複数の検査範囲のそれぞれについて順番に検査する工程、
が含まれている、半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記（ｃ）工程で、前記半導体ウエハを加熱する熱源は、前記半導体ウエハが固定されたウエハ保持台であって、
前記（ｃ２）工程では、平面視において、前記第１カードの一部である第１部分が、前記ウエハ保持台と重ならず、
前記（ｃ３）工程では、平面視において、前記第１カードの前記第１部分が、前記ウエハ保持台と重なる、半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記（ｃ）工程には、
（ｃ５）前記（ｃ４）工程の後、前記第４検査範囲から、前記第１、第２、および第３検査領域とは重ならず、かつ、前記主面の周縁部を含んでいる第４検査領域の第５検査範囲に向かって前記相対位置を移動させる工程、
（ｃ６）前記（ｃ５）工程の後、前記第４検査領域の前記第５検査範囲から、前記第５検査範囲の反対側に位置する前記第４検査領域の第６検査範囲に向かって前記主面の外周に沿って前記相対位置を移動させながら、前記第４検査領域における前記複数の検査範囲のそれぞれについて順番に検査する工程、
が含まれている、半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記（ｃ）工程には、
（ｃ７）前記（ｃ６）工程の後、前記第６検査範囲から、前記第１、第２、第３、および第４検査領域とは重ならず、かつ、前記主面の周縁部を含んでいる第５検査領域の第７検査範囲に向かって前記相対位置を移動させる工程、
（ｃ８）前記（ｃ７）工程の後、前記第５検査領域の前記第７検査範囲から、前記第７検査範囲の反対側に位置する前記第５検査領域の第８検査範囲に向かって前記主面の外周に沿って前記相対位置を移動させながら、前記第５検査領域における前記複数の検査範囲のそれぞれについて順番に検査する工程、
が含まれている、半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１１において、
前記第３検査範囲と前記第１検査範囲とは、隣り合っていない、半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１１において、
前記第３検査領域と前記第２検査領域とは、隣り合っていない、半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１１において、
前記（ｃ２）工程では、前記第２検査領域に含まれる検査範囲の検査が２時間以内に完了し、
前記（ｃ４）工程では、前記第３検査領域に含まれる検査範囲の検査が２時間以内に完了する、半導体装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１１において、
前記（ｃ３）工程では、前記第１カードの前記複数の接触端子のそれぞれが、前記第１検査範囲を跨ぐように前記相対位置を移動させる、半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１１において、
前記（ｃ３）工程では、前記第２検査範囲から前記第３検査範囲に向かって移動させながら、前記第２検査範囲と前記第３検査範囲の間の未検査の検査範囲を順番に検査する、半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術に関し、例えば高温環境において、半導体ウエハに形成された集積回路の電気的特性を確認する電気的検査を行う工程を含む半導体装置の製造方法に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
特開２００９−２１３９７号公報（特許文献１）には、半導体ウエハ（ウェーハ）に形成された複数の回路素子に、複数のプローブ針を一度に接触させて電気的検査を行う方法が記載されている。特許文献１には、複数のプローブ針が形成されたプローブカード（マルチカード）と半導体ウエハの間で生じた位置ずれを補正する方法が記載されている。
【０００３】
また、特開２００９−９９６９３号公報（特許文献２）には、プローブカードによる高温検査時に、プローブカードのプローブが部分的にウエハチャックからはみ出してもその部分のプローブが冷却されることを防ぐ目的で、ウエハチャックの周囲に、プローブカードを加熱する加熱体を設けた検査装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２１３９７号公報
【特許文献２】特開２００９−９９６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
半導体チップの電気的特性を確認する電気的検査を行う場合、検査対象品に要求される温度範囲において、電気的特性を確認する必要があるので、例えば１００℃を越えるような高温環境下で電気的検査を行う場合がある。また、電気的検査の方法として、検査対象品の複数の電極に複数のプローブ針を一括して接触させることにより、検査回路と検査対象品に形成された回路と、を電気的に接続する方法がある。
【０００６】
しかしながら高温環境下で、上記した電気的検査を行うと、プローブ針の長さが熱影響により伸縮し、複数の電極に複数のプローブ針を正しく接触させられない場合がある。この場合、電気的検査のやり直しになるので、製造効率が低下する。また、複数のプローブ針の温度を一定に保つため、プローブ針を加熱するヒータの平面サイズを大きくすると、検査装置が大型化してしまう。また、プローブ針の集積度の関係により、一枚の半導体ウエハの全範囲に対して一括して電気的検査を行うことは難しいので、電気的検査は、一枚の半導体ウエハを複数の検査範囲に区画して順次実施する。このため、各検査範囲の検査が終了する度にプローブ針を再加熱する場合には、検査時間が増大し、製造効率が低下する。
【０００７】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、半導体ウエハを加熱した状態で、第１カードに保持された複数の接触端子の先端を上記半導体ウエハの複数のチップ電極に接触させて半導体集積回路の電気的検査を行う工程を有している。また、電気的検査を行う工程では、複数の検査範囲に区画された上記半導体ウエハの主面において、上記第１カードと上記半導体ウエハの相対位置を移動させながら上記複数の検査範囲のそれぞれについて上記電気的検査が順番に実施される。また、上記複数の検査範囲について検査する順番は、上記半導体ウエハの前記主面を、互いに重ならない第１半円および第２半円に区画すると、上記第１半円における前記複数の検査範囲の検査が完了する前に、前記第２半円における前記複数の検査範囲の一部の検査を行うものである。
【発明の効果】
【０００９】
上記一実施の形態によれば、電気的検査工程を効率的に実施することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】一実施の形態である半導体装置の製造フローの概要を示す説明図である。
【図２】図１に示すウエハ準備工程で準備する半導体ウエハの主面側を示す平面図である。
【図３】図２に示す半導体ウエハの一部の拡大断面図である。
【図４】図１に示す個片化工程で取得する複数の半導体チップのうちの一つの主面側を示す平面図である。
【図５】図１に示すプローブ検査工程で使用する検査装置の概要構成を模式的に示す説明図である。
【図６】図５に示すプローブカードの構造を模式的に示す断面図である。
【図７】図５に示すプローブカードのウエハとの対向面（主面）側を模式的に示す平面図である。
【図８】図５に示す検査装置内で、図６に示すプローブカードと、図２に示す半導体ウエハとを対向配置した状態を示す拡大断面図である。
【図９】図２に示す半導体ウエハの主面を、複数の検査範囲に区画した例を示す平面図である。
【図１０】図９に示す複数の検査範囲のうち、半導体ウエハの主面の周縁部の検査範囲の電気的検査を実施している状態を示す拡大断面図である。
【図１１】図９に示す半導体ウエハの主面を、それぞれが複数の検査範囲を有する複数の検査領域に区画した状態を示す拡大平面図である。
【図１２】図１に示す電気的検査工程において、検査開始直後の検査順序を示す平面図である。
【図１３】図１０に示すプローブカードのはみ出し部分をプローブカードの接触端子配置面側からの視点で示す平面図である。
【図１４】図１２に続く、検査順序を示す平面図である。
【図１５】図１４に示す検査順序の完了における、プローブカードのはみ出し部分をプローブカードの接触端子配置面側からの視点で示す平面図である。
【図１６】図１４に続く、検査順序を示す平面図である。
【図１７】図１６に続く、検査順序を示す平面図である。
【図１８】図１７に続く、検査順序を示す平面図である。
【図１９】図１８に続く、検査順序を示す平面図である。
【図２０】図１９に続く、検査順序を示す平面図である。
【図２１】図２０に続く、検査順序を示す平面図である。
【図２２】図１２〜図２１に示す検査順序を一括して示す平面図である。
【図２３】図２２に対する変形例を示す平面図である。
【図２４】図２２に対する他の変形例を示す平面図である。
【図２５】図２２に対する他の変形例を示す平面図である。
【図２６】実施の形態に対する比較例である電気的検査工程における検査順序を示す平面図である。
【図２７】実施の形態に対する他の比較例である電気的検査工程における検査順序を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
（本願における記載形式の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。
【００１２】
また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００１３】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００１４】
＜半導体装置の製造方法＞
まず、図１〜図４を用いて本実施の形態の半導体装置の製造方法の全体の流れを説明する。図１は、本実施の形態の半導体装置の製造フローの概要を示す説明図である。また、図２は、図１に示すウエハ準備工程で準備する半導体ウエハの主面側を示す平面図、図３は、図２に示す半導体ウエハの一部の拡大断面図、図４は図１に示す個片化工程で取得する複数の半導体チップのうちの一つの主面側を示す平面図である。
【００１５】
まず、図１に示すウエハ準備工程として、図２に示すように、複数のチップ領域１０ａに区画されたウエハ（半導体ウエハ）ＷＨを準備する。ウエハＷＨは平面形状が略円形（詳しくは、周縁部に結晶方位を認識するため、ノッチやオリエンタルフラットなどの切り欠き部が形成されている）を成す。図２に示す例では、ウエハＷＨの主面の直径は、例えば３００ｍｍである。
【００１６】
また、ウエハＷＨの主面上には、各々が半導体チップ一個分に相当する、チップ領域１０ａを備えている。図２では、見易さのためチップ領域１０ａの平面サイズを大きく示しているので、４４個のチップ領域１０ａが設けられているが、図２に示すよりもチップ領域１０ａの数が多い場合にも適用できる。一枚のウエハＷＨが備えるチップ領域１０ａの数は、チップ領域１０ａの平面サイズに応じて変化するが、例えば、１，０００個〜２，０００個程度のチップ領域１０ａを備えている場合が多い。ウエハＷＨの複数のチップ領域１０ａの各々には半導体集積回路が形成され、主面上において半導体集積回路と電気的に接続する複数のパッド（電極、チップ電極、電極パッド）１１（図４参照）が形成されている。
【００１７】
図２に示すウエハＷＨの形成方法の一例について図３を用いて簡単に説明すると、例えば、以下のように形成される。まず、半導体基板準備工程（図１参照）で、主面（デバイス形成面）１２ａを有する半導体基板１２を準備する。その後、半導体素子形成工程（図１参照）で、半導体基板１２の主面１２ａにトランジスタやダイオードなどの複数の半導体素子（図示は省略）を形成する。その後、チップ配線層形成工程（図１参照）で、半導体基板１２の主面１２ａ上に配線層１３を積層する。図３では、主面１２ａ上に複数の配線層１３を積層した例を示している。
【００１８】
このチップ配線層形成工程では、最上層に複数のパッド１１を形成し、各パッド１１は配線層１３が備える複数の配線１３ａを介して主面１２ａの複数の半導体素子と電気的に接続される。複数の配線１３ａは、配線層１３が備える絶縁膜１３ｂにより絶縁されている。これらの工程により、ウエハＷＨの主面１２ａ側には、複数の半導体集積回路が形成される。その後、保護膜形成工程（図１参照）で、配線層１３およびパッド１１を覆うように、保護膜（パッシベーション膜、絶縁膜）１４を形成する。そして、保護膜１４の一部に開口部１４ａを形成し、開口部１４ａにおいてパッド１１を、保護膜１４から露出させる。
【００１９】
以上の工程により、ウエハＷＨの複数のチップ領域１０ａのそれぞれには、図４に示す半導体チップ１０に相当する集積回路および複数のパッド１１が形成され、図２に示すウエハＷＨが得られる。なお、保護膜（パッシベーション膜、絶縁膜）１４は、例えば、窒化シリコン膜、シリコン酸化膜、または窒化シリコン膜とシリコン酸化膜との積層膜で構成される。また、図４に示すように、本実施の形態では、平面視において四角形を成す半導体チップ１０（チップ領域１０ａ）の各辺に沿って、それぞれ複数のパッド１１が配置されている。
【００２０】
なお、図４に示す例では、半導体チップ１０の各辺に沿って、それぞれ複数のパッド１１が一列で配列されている実施態様を示しているが、パッド１１の配列には、種々の変形例を適用できる。例えば、半導体チップ１０の各辺に沿って、それぞれ複数列でパッド１１を配列することができる。また、例えば、半導体チップ１０の周縁部に加え、周縁部よりも内側の中央部にパッド１１を配置する実施態様に適用することができる。
【００２１】
次に、図１に示すプローブ検査工程として、図２に示すウエハＷＨの電気的検査を行う。プローブ検査工程には、図１に示すように、プローブカード準備工程と、電気的検査工程が含まれる。なお、図１では、説明の便宜上、ウエハ準備工程と、プローブ検査工程を分けて示しているが、ウエハ準備工程をプローブ検査工程に含めて考えることもできる。このプローブ検査工程の詳細は、後述する。
【００２２】
次に、図１に示す個片化工程として、図２に示すウエハＷＨをチップ領域１０ａ毎に分割し、図４に示す半導体チップ（半導体装置）１０を複数個取得する。本工程では、例えば、図２に示す複数のチップ領域１０ａそれぞれの間に配置されたスクライブ領域１０ｂに沿ってウエハＷＨを切断し、チップ領域１０ａ毎に個片化する。以上の工程により、本実施の形態の半導体装置である半導体チップ１０が得られる。なお、上記は、半導体チップを製造する工程のうち、主要工程の概要を説明したものであり、種々の変形例を適用することができる。
【００２３】
＜検査装置＞
次に、図１に示すプローブ検査工程で使用する検査装置の概要を説明する。図５は、図１に示すプローブ検査工程で使用する検査装置の概要構成を模式的に示す説明図、図６は、図５に示すプローブカードの構造を模式的に示す断面図である。また、図７は、図５に示すプローブカードのウエハとの対向面（主面）側を模式的に示す平面図である。なお、図６および図７に示す例では、見易さのため、複数のプローブ針２の数を減らして示している。しかし、プローブ針２は、図１に示す電気的検査工程において、一括して検査するパッド１１の数に対応して設けられているので、図６や図７に示す数よりも多い。
【００２４】
図５に示すように、本実施の形態１のプローバ（検査装置）ＰＲは、プローブカードＰＲＣ、テスタヘッドＴＨＤ、インタフェースリングＩＦＲ、カードホルダＣＨＤ、ウエハステージＷＳＴ、およびウエハチャック（ウエハ保持台）ＷＣＨなどから形成されている。テスタヘッドＴＨＤとインタフェースリングＩＦＲとの間、およびインタフェースリングＩＦＲとプローブカードＰＲＣとの間は、それぞれ複数の配線ＩＦｗを介して電気的に接続され、それによりテスタヘッドＴＨＤとプローブカードＰＲＣとの間が電気的に接続されている。複数の配線ＩＦｗとしては、例えばポゴピン（ＰＯＧＯ ｐｉｎ）またはスプリングプローブと呼ばれる導電性部材を用いることができる。ポゴピンやスプリングプローブは、接触ピン（プランジャ（接触針））をばね（コイルスプリング）の弾性力で電極（端子）に押し当てる構造を有し、必要に応じてその電極への電気的接続を行うようにした接触針であって、たとえば金属製の管（保持部材）内に配置されたばねが金属ボールを介して接触ピンへ弾性力を伝える構成となっている。また、テスタヘッドＴＨＤは、テスタＴに電気的に接続され、テスタＴからプローブ検査に必要な電圧や信号電流が供給される。
【００２５】
カードホルダＣＨＤは、プローブカードＰＲＣをプローバＰＲに機械的に接続するもので、かつ、電気的検査時の圧力によってプローブカードＰＲＣに反りが生じてしまうことを防ぐ機械的強度を持つ。また、プローバＰＲの筐体内には、ウエハステージＷＳＴが配置され、ウエハステージＷＳＴ上には、ウエハ保持台であるウエハチャックＷＣＨが配置され、固定されている。
【００２６】
被検査対象であるウエハＷＨは、複数のパッド１１（図４参照）が形成された主面１２ａ（図３参照）側をプローブカードＰＲＣと対向させた状態でウエハチャックＷＣＨに保持される。ウエハチャックＷＣＨは、例えば、吸着方式により、ウエハＷＨを保持することができる。また、ウエハチャックＷＣＨには、加熱源であるヒータＨＴが内蔵されており、ヒータＨＴを発熱させることで、ウエハチャックＷＣＨを加熱することができる。図１に示す電気的検査工程では、ウエハチャックＷＣＨを介してウエハＷＨを加熱した状態で、ウエハＷＨの電気的特性を検査する。
【００２７】
また、ウエハＷＨには、上記したように、多くのチップ領域１０ａ（図２参照）が形成されているので、全てのチップ領域１０ａについて一括して検査することは難しい。したがって、図１に示す電気的検査工程では、ウエハＷＨの主面を、複数の検査範囲に区画して、プローブカードＰＲＣとウエハＷＨの相対位置を移動させながら複数の検査範囲のそれぞれについて電気的検査を実施する。
【００２８】
プローブカードＰＲＣとウエハＷＨの相対位置を移動させる方法としては、プローブカードＰＲＣとウエハＷＨのいずれか一方、あるいは両方を動かす方法がある。本実施の形態の例では、ウエハステージＷＳＴに取り付けられた駆動部（図示は省略）を動作させることにより、ウエハＷＨを固定するウエハチャックＷＣＨが、ウエハステージＷＳＴとともに、平面方向（図５に示すＸ−Ｙ平面方向）に動作する構造になっている。プローブカードＰＲＣを動かすことにより、ずれが生じることを抑制する観点からは、本実施の形態のように、ウエハチャックＷＣＨを動かす構造が好ましい。
【００２９】
なお、上記した検査範囲は、必ずしもチップ領域１０ａ一個分でなくても良く、例えば、一つの検査範囲内に複数のチップ領域１０ａが含まれていても良い。また、上記ではウエハチャックＷＣＨとともに、ウエハステージＷＳＴが移動する実施態様について説明したが、変形例としては、ウエハステージＷＳＴは移動せず、ウエハチャックＷＣＨがウエハステージＷＳＴからは独立して移動する構造にすることもできる。
【００３０】
次に、図５に示すプローブカードＰＲＣの構造について説明する。図６に示すようにプローブカードＰＲＣは、上面１ａおよび上面１ａの反対側に位置する下面１ｂ、および上面１ａと下面１ｂとを電気的に接続するように形成された複数の配線１ｗを有する配線基板１を有している。配線基板１の下面１ｂは、プローブカードＰＲＣの接触端子配置面になっており、下面１ｂの中央部には、複数のパッド１１（図４参照）のそれぞれに接触させるための接触端子である、複数のプローブ針（接触端子、コンタクタ）２が形成されている。また、配線基板１の上面１ａは、プローブカードＰＲＣの接触端子配置面とは反対側に位置する裏面になっている。
【００３１】
また、配線基板１に形成された複数の配線１ｗは、配線基板１の下面１ｂ側において、複数のプローブ針２と電気的に接続されている。一方、配線基板１の上面１ａには、図５に示す複数の配線ＩＦｗと電気的に接続される端子である、複数の端子１ｄが形成され、複数の配線１ｗと電気的に接続されている。この端子１ｄは、テスタヘッドＴＨＤ（図５参照）とプローブカードＰＲＣとの間で、信号を入力、あるいは出力する配線ＩＦｗ（図５参照）と接続される端子となっている。つまり、端子１ｄはプローブカードＰＲＣの外部端子となっており、図６に示す複数のプローブ針２のそれぞれは、配線基板１に形成された複数の配線１ｗを介して、図５に示すテスタヘッドＴＨＤに形成された電気的検査用の回路（図示は省略）と電気的に接続されている。
【００３２】
また、図７に示すように、配線基板１の下面１ｂの中央部には、複数のプローブ針２の根元部分を固定する、針押さえ部（接触端子固定部）３が設けられている。針押さえ部３は、例えば樹脂からなる部材であって、図６に示すように、プローブ針２の一部分が針押さえ部３により、封止されている。詳しくは、プローブ針２の一方の端部に設けられた配線接続部２ａは、配線１ｗと接続され、他方の端部に設けられたコンタクト部（接触部、先端部）２ｃは、針押さえ部３から露出している。また、プローブ針２は、配線接続部２ａとコンタクト部２ｃの間に折れ曲がり部２ｂを有し、コンタクト部２ｃの延在方向が、図５に示すウエハＷＨを向くように曲げ加工が施されている。針押さえ部３は、プローブ針２の折れ曲がり部２ｂを封止することで、コンタクト部２ｃの先端位置がずれることを防止する機能を有している。図１に示す電気的検査工程では、このプローブ針２の先端部分であるコンタクト部２ｃを図４に示すパッド１１と接触させることで、プローブ針２とパッド１１とを電気的に接続する。
【００３３】
＜電気的検査工程の詳細＞
次に、図５に示すプローバＰＲを用いて行う、図１に示す電気的検査工程の詳細について説明する。図８は、図５に示す検査装置内で、図６に示すプローブカードと、図２に示す半導体ウエハとを対向配置した状態を示す拡大断面図である。また、図９は、図２に示す半導体ウエハの主面を、複数の検査範囲に区画した例を示す平面図である。また、図１０は図９に示す複数の検査範囲のうち、半導体ウエハの主面の周縁部の検査範囲の電気的検査を実施している状態を示す拡大断面図である。また、図２６は、本実施の形態に対する比較例である電気的検査工程における検査順序を示す平面図である。また、図２７は、本実施の形態に対する他の比較例である電気的検査工程における検査順序を示す平面図である。
【００３４】
図１に示す電気的検査工程では、図８に示すように、図２〜図４を用いて説明したウエハＷＨをウエハチャックＷＣＨ上に固定させる。ウエハチャックＷＣＨは、吸着機能を備えており、ウエハＷＨの主面１２ａの反対側に位置する裏面１２ｂを、ウエハチャックＷＣＨのウエハ保持面ＷＣＨａと対向させた状態で、ウエハＷＨを吸着保持する。
【００３５】
また、図１に示す電気的検査工程では、図８に示すように、図６および図７を用いて説明したプローブカードＰＲＣの下面１ｂがウエハＷＨの主面１２ａと対向するように配置する。図８に示す例では、プローバＰＲが有するカードホルダＣＨＤと、プローブカードＰＲＣとを、例えばネジ止め固定することによりプローブカードＰＲＣは下面１ｂがウエハＷＨと対向した状態で保持される。
【００３６】
なお、ウエハＷＨをウエハチャックＷＣＨ上に固定させる工程と、プローブカードＰＲＣをカードホルダＣＨＤに保持させる工程との順序は、特に限定されない。例えば、ウエハＷＨを順次交換して連続的に電気的検査を行う場合には、プローブカードＰＲＣは、カードホルダＣＨＤに保持された状態でウエハＷＨを交換する。
【００３７】
次に、プローブカードＰＲＣの接触端子配置面である下面１ｂと、被検査対象物であるウエハＷＨの主面１２ａ側とが対向配置された状態で、複数のプローブ針２と、複数のパッド１１（図４参照）とを接触させることで、ウエハＷＨに形成された集積回路の電気的特性を検査する。本実施の形態では、本工程は、ウエハＷＨの高温環境下における電気的特性を検査するため、ウエハチャックＷＣＨに内蔵されたヒータＨＴにより、ウエハＷＨを加熱した状態で検査を行う。ウエハＷＨの設定温度は、製品により異なるが、例えば、１００℃を越えるような温度に加熱する。本実施の形態では、ウエハＷＨの温度が例えば１４０℃〜１６０℃程度の温度帯になるように加熱して、電気的検査を行う。
【００３８】
ここで、電気的検査工程に要する時間を短縮する観点からは、ウエハＷＨの主面１２ａ側に形成された複数のチップ領域１０ａ（図２参照）について、一括して検査することが好ましい。しかし、複数のプローブ針２と電気的に接続される配線１ｗの引き回しスペースを考慮すると、一枚のウエハＷＨに形成された、全てのチップ領域１０ａを一括して検査することは難しい。このため、電気的検査工程では、図９に示すように、ウエハＷＨの主面１２ａ上を、複数の検査範囲１０ｔに区画して、図８に示すプローブカードＰＲＣとウエハＷＨの相対位置を移動させながら、図９に示す複数の検査範囲１０ｔのそれぞれについて電気的検査が順番に実施される。
【００３９】
ここで、図８に示すプローブカードＰＲＣとウエハＷＨの相対位置を移動させる場合、検査効率の観点、あるいは位置ずれの発生を抑制して、検査の信頼性を向上させる観点からは、一枚のウエハＷＨの検査を開始してから完了するまでの間の、相対位置の総移動距離を出来るだけ小さくすることが好ましい。
【００４０】
例えば図２６に矢印を付して模式的に示す検査順序ＴＦＨ１のように、主面１２ａ上の中央部から周縁部に向かって螺旋状に移動させる方法、あるいは図２７に示す検査順序ＴＦＨ２のように、主面１２ａ上の周縁部から中央部に向かって螺旋状に移動させる方法であれば、相対位置の移動距離を最小化できる。
【００４１】
ところが、本願発明者が、ウエハＷＨを加熱した状態、言い換えれば、高温環境下で実施する電気的検査において、図２６に示す検査順序ＴＦＨ１や図２７に示す検査順序ＴＦＨ２を適用して電気的検査を行った所、検査範囲１０ｔの一部で、正しい検査結果が得られないことが判った。言い換えれば、高温環境下において、図２６に示す検査順序ＴＦＨ１や図２７に示す検査順序ＴＦＨ２を適用して電気的検査を行うと、測定エラーが発生し易くなり、電気的検査の信頼性が低下することが判った。
【００４２】
例えば、一部の検査範囲１０ｔにおいて、プローブ針２（図６参照）とパッド１１（図４参照）とが、接触しない、所謂、オープン不良が発生した。また、オープン不良を抑制するため、図８に示すプローブカードＰＲＣとウエハＷＨとの距離を近づけるように設定を変更すると、上記した一部の検査範囲とは別の検査範囲１０ｔにおいて、プローブ針２（図６参照）とパッド１１（図４参照）の接触圧力が上昇した。プローブ針２とパッド１１との接触圧力が過剰に大きくなると、パッド１１が損傷する原因になる。また、上記接触圧力が過剰に大きくなると、プローブ針２とパッド１１の位置ずれが発生する原因になる。
【００４３】
また、本願発明者の検討によれば、上記のような測定エラーが発生するのは、高温環境下で試験を行う場合に特に発生し易いことが判った。高温環境下で電気的検査を行った後、ウエハＷＨに形成された複数のパッド１１に残留する接触痕を確認すると、図９に示す複数の検査範囲１０ｔのうち、主面１２ａの周縁部に位置する検査範囲１０ｔｏでは、接触痕が浅いパッド１１が多く、接触痕が確認できないパッド１１も存在する。一方、主面１２ａにおいて、検査範囲１０ｔｏよりも内側に存在する検査範囲１０ｔｉでは、接触痕が深いパッド１１が多く存在する。
【００４４】
以上の検討結果より、高温環境下で電気的検査を行う場合、図６に示すプローブ針２が熱膨張または熱収縮することにより長さが変わり、コンタクト部２ｃの先端の高さが変化することが原因と考えられる。
【００４５】
詳しくは、図９に示す主面１２ａの中央部に配置される検査範囲１０ｔｉの電気的検査をする場合、図８に示すように、プローブカードＰＲＣのほぼ全体が、熱源であるウエハチャックＷＣＨと厚さ方向（図８に示すＺ方向）に重なっている。ウエハチャックＷＣＨは、ウエハＷＨを加熱する熱源であるが、電気的検査を行っている時には、ウエハチャックＷＣＨとプローブカードＰＲＣの距離が近いので、プローブカードＰＲＣも加熱される。したがって、プローブカードＰＲＣのほぼ全体がウエハチャックＷＣＨと厚さ方向に重なっていれば、プローブカードＰＲＣに形成されている複数のプローブ針２の温度は安定する。言い換えれば、プローブ針２の長さは、熱膨張した状態で維持される。
【００４６】
しかし、図９に示す主面１２ａの周縁部に配置される検査範囲１０ｔｏの電気的検査をする場合、図１０に示すように、プローブカードＰＲＣの一部分である部分ＰＲＣｆが、熱源であるウエハチャックＷＣＨと厚さ方向（図１０に示すＺ方向）に重なっていない。言い換えれば、周縁部に配置される検査範囲１０ｔｏの電気的検査をする場合、平面視において、プローブカードＰＲＣの一部分である部分ＰＲＣｆは、ウエハチャックＷＣＨからはみ出した状態になる。したがって、プローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆは、プローブカードＰＲＣの他の部分と比較して温度が低下する。
【００４７】
この時、プローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆには、図１０に示すようにプローブ針２と電気的に接続される配線１ｗが形成されている。このため、部分ＰＲＣｆの温度が低下すれば、プローブ針２の熱が、部分ＰＲＣｆの配線１ｗを介して外部に伝達され易くなるので、プローブ針２の温度が低下し易くなる。また、プローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆにプローブ針２が形成されている場合には、プローブ針２の温度は、特に低下し易くなる。
【００４８】
つまり、図９に示す主面１２ａの周縁部に配置される検査範囲１０ｔｏの電気的検査をする場合、複数のプローブ針２（図８参照）のうちの一部において、温度低下が発生し易くなる。このため、温度が低下したプローブ針２では熱収縮が発生し、コンタクト部２ｃ（図６参照）の先端の高さが高くなった（配線基板１の下面１ｂ側に近づいた）と考えられる。
【００４９】
本願発明者は、上記した検討結果を踏まえ、高温環境下における電気的試験において、プローブ針２の温度低下を抑制できる技術についてさらに検討を行った。
【００５０】
まず、本願発明者は、図８に示すウエハチャックＷＣＨのプローブカードＰＲＣとの対向面の平面積を大きくして、図９に示す複数の検査範囲１０ｔのどこを検査しても、プローブカードＰＲＣのほぼ全体がウエハチャックＷＣＨと厚さ方向に重なっているようにする実施態様について検討した。しかし、ウエハチャックＷＣＨの平面積を大きくすると、装置が大型化してしまう。特に、プローブカードＰＲＣとウエハＷＨの相対位置を移動させる方法としてウエハチャックＷＣＨを移動させる方法を適用した場合には、大型化したウエハチャックＷＣＨを駆動する必要があるので装置全体が非常に大きくなる。また、エネルギー効率の観点からは、ウエハチャックＷＣＨのウエハ搭載面のうち、ウエハＷＨと重ならない部分も加熱する必要があるため、加熱エネルギーのロスが大きい。
【００５１】
次に、本願発明者は、図９に示す複数の検査範囲１０ｔのうち、主面１２ａの周縁部に配置される検査範囲１０ｔｏの検査を行う際には、各検査範囲１０ｔｏの検査が終了する度にプローブカードＰＲＣの全体がウエハチャックＷＣＨと重なる位置に移動させて、プローブ針２を再加熱する方法について検討した。この場合、プローブ針２を安定的に加熱することができるので、接触痕の深さは安定化させることができる。
【００５２】
しかし、プローブ針２を再加熱する時間を要するので、検査時間が増大し、製造効率が低下する。また、図２６に示す検査順序ＴＦＨ１や図２７に示す検査順序ＴＦＨ２と比較して、相対位置の総移動距離が大幅に増加するので、プローブカードＰＲＣとウエハＷＨの位置ずれが生じる可能性が増加する。
【００５３】
次に、本願発明者は、電気的検査を行う前、あるいは一枚のウエハＷＨの電気的検査が終わった後、次のウエハＷＨの検査を開始する前に、ウエハチャックＷＣＨによりプローブカードＰＲＣを加熱する方法を検討した。しかし、上記したように、図９に示す検査範囲１０ｔの一部で、正しい検査結果が得られない現象は、図６に示すプローブ針２が熱膨張または熱収縮することにより長さが変わり、コンタクト部２ｃの先端の高さが変化することに起因して発生すると考えられる。したがって、ウエハチャックＷＣＨによりプローブカードＰＲＣを加熱する時間を延長すれば、測定エラーの数は減少するが、十分ではないことが判った。
【００５４】
次に、本願発明者は、図９に示す複数の検査範囲１０ｔのうち、主面１２ａの周縁部に配置される検査範囲１０ｔｏの検査を行う際には、検査開始の度に、プローブ針２の先端の高さを確認し、高さ合わせを行う実施態様について検討した。しかし、プローブ針２を高さ合わせに時間を要するので、検査時間が増大し、製造効率が低下する。また、複数のプローブ針２の温度にバラツキが生じると、高さ合わせでは対応が難しい。
【００５５】
そこで、本願発明者は、電気的検査工程を効率的に実施する技術について更に検討を行い、本実施の形態で説明する技術を見出した。すなわち、電気的検査を行う際に、図１０に示すように、プローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆが、ウエハチャックＷＣＨからはみ出した状態になった場合、この部分ＰＲＣｆの温度低下に起因する測定エラーが発生する前に、部分ＰＲＣｆがウエハチャックＷＣＨと厚さ方向に重なる位置に移動して、電気的検査を継続して行うものである。
【００５６】
本願発明者の検討によれば、プローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆが、ウエハチャックＷＣＨからはみ出した状態になると、直ちに測定エラーが発生する訳ではない。例えば、ウエハＷＨの加熱設定温度を１４０℃〜１６０℃程度にした場合、プローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆが、ウエハチャックＷＣＨからはみ出した状態で２時間程度以上経過すると、上記した測定エラーが発生し易くなることが判った。
【００５７】
したがって、部分ＰＲＣｆが、ウエハチャックＷＣＨからはみ出した状態になってから２時間以内に部分ＰＲＣｆがウエハチャックＷＣＨと重なる位置に配置される検査範囲１０ｔ（図９参照）の電気的検査に移行すれば、測定エラーの発生を抑制することができる。
【００５８】
また、この時、部分ＰＲＣｆとは別の部分がウエハチャックＷＣＨからはみ出した状態になっていても、２時間以内にその部分がウエハチャックＷＣＨと重なる位置に配置される検査範囲１０ｔの電気的検査に移行すれば、測定エラーの発生を抑制することができる。
【００５９】
上記した本実施の形態の検査順序について図を用いて説明すると、以下の通りである。本実施の形態では、電気的検査工程における検査順序を判り易く説明するため、図１１に示すように、ウエハＷＨの主面１２ａを、それぞれが複数の検査範囲１０ｔを有する仮想領域である複数の検査領域に区画して説明する。図１１は、図９に示す半導体ウエハの主面を、それぞれが複数の検査範囲を有する複数の検査領域に区画した状態を示す拡大平面図である。また、図１２は、図１に示す電気的検査工程において、検査開始直後の検査順序を示す平面図である。また、図１３は、図１０に示すプローブカードのはみ出し部分をプローブカードの接触端子配置面側からの視点で示す平面図である。また、図１４は、図１２に続く、検査順序を示す平面図である。また、図１５は、図１４に示す検査順序の完了における、プローブカードのはみ出し部分をプローブカードの接触端子配置面側からの視点で示す平面図である。また、図１６は、図１４に続く、検査順序を示す平面図である。また、図１７は、図１６に続く、検査順序を示す平面図である。また、図１８は、図１７に続く、検査順序を示す平面図である。また、図１９は、図１８に続く、検査順序を示す平面図である。また、図２０は、図１９に続く、検査順序を示す平面図である。また、図２１は、図２０に続く、検査順序を示す平面図である。また、図２２は、図１２〜図２１に示す検査順序を一括して示す平面図である。
【００６０】
なお、図１１、図１２、図１４、図１６〜図２２は、平面図であるが、検査領域の範囲を明確に示すため、検査領域ＴＲ１、ＴＲ２、ＴＲ３、ＴＲ４、ＴＲ５のそれぞれについて、異なる模様を付して示している。また、図１３および図１５では、プローブカードＰＲＣのうち、ウエハチャックＷＣＨからはみ出す部分ＰＲＣｆの範囲を明確にするため、部分ＰＲＣｆにドットパターンを付して示している。
【００６１】
まず、図１１を用いて、ウエハＷＨの主面１２ａの区画の定義について詳細に説明する。図１１に示すようにウエハＷＨの主面１２ａを、互いに重ならない仮想領域である、半円ＨＭ１および半円ＨＭ２に区画する。また、半円ＨＭ１、ＨＭ２の区画とは別に、ウエハＷＨの主面１２ａを、それぞれが複数の検査範囲１０ｔを有する複数の検査領域に区画する。検査領域の数は図１１に示す例の他に多数の変形例が存在するが、図１１に示す例では、検査領域ＴＲ１、ＴＲ２、ＴＲ３、ＴＲ４、ＴＲ５の五つの検査領域に区画された例を示している。
【００６２】
図１１に示す検査領域ＴＲ１は、主面１２ａの中心を含む検査領域であって、かつ、主面１２ａの周縁部は含まない仮想領域である。言い換えれば、検査領域ＴＲ１に含まれる複数の（図１１では４個の）検査範囲１０ｔの周囲には、他の検査範囲１０ｔが配置されている。さらに言い換えれば、検査領域ＴＲ１が有する複数の検査範囲１０ｔは、いずれも、主面１２ａの中央部に配置された検査範囲１０ｔｉである。検査領域ＴＲ１は、半円ＨＭ１と半円ＨＭ２の境界を跨ぐように配置されている。
【００６３】
また、図１１に示す検査領域ＴＲ２は、半円ＨＭ１の一部であって、半円ＨＭ２とは重ならず、かつ、主面１２ａの周縁部を含んでいる仮想領域である。検査領域ＴＲ２は、主面１２ａの周縁部に沿って、複数の（図１１では４個の）検査範囲１０ｔを有している。検査領域ＴＲ２に配置された複数の検査範囲１０ｔのうち、検査領域ＴＲ２の一方の端部には、検査範囲１０ｔ１が配置されている。また、検査領域ＴＲ２に配置された複数の検査範囲１０ｔのうち、検査範囲１０ｔ１とは反対側の端部には、検査範囲１０ｔ２が配置されている。
【００６４】
また、図１１に示す検査領域ＴＲ３は、半円ＨＭ２の一部であって、検査領域ＴＲ１、および検査領域ＴＲ２とは重ならず、かつ、主面１２ａの周縁部を含んでいる仮想領域である。図１１に示す例では、検査領域ＴＲ３は検査領域ＴＲ１、検査領域ＴＲ２、および検査領域ＴＲ５と隣り合うように配置されている。なお、図１１に示すように、複数の検査範囲１０ｔのそれぞれは、平面視において四角形を成すので、検査領域ＴＲ３の端部に配置される検査範囲１０ｔの一部（図１１では検査範囲１０ｔ４の一部）が、半円ＨＭ１と半円ＨＭ２の境界を跨ぐように配置されている場合もある。ただし、検査領域ＴＲ３の大部分（例えば半分以上）が半円ＨＭ２に含まれている。
【００６５】
検査領域ＴＲ３は、主面１２ａの周縁部に沿って、複数の（図１１では３個の）検査範囲１０ｔを有している。検査領域ＴＲ３に配置された複数の検査範囲１０ｔのうち、検査領域ＴＲ３の一方の端部には、検査範囲１０ｔ３が配置されている。また、検査領域ＴＲ３に配置された複数の検査範囲１０ｔのうち、検査範囲１０ｔ３とは反対側の端部には、検査範囲１０ｔ４が配置されている。
【００６６】
また、図１１に示す検査領域ＴＲ４は、半円ＨＭ１の一部であって、検査領域ＴＲ１、検査領域ＴＲ２、および検査領域ＴＲ３とは重ならず、かつ、主面１２ａの周縁部を含んでいる仮想領域である。図１１に示す例では、検査領域ＴＲ４は検査領域ＴＲ１、検査領域ＴＲ２、および検査領域ＴＲ５と隣り合うように配置されている。また、図１１に示す例では、検査領域ＴＲ４は検査領域ＴＲ１を挟んで、検査領域ＴＲ３の反対側に設けられている。
【００６７】
なお、図１１に示すように、複数の検査範囲１０ｔのそれぞれは、平面視において四角形を成すので、検査領域ＴＲ４の端部に配置される検査範囲１０ｔの一部（図１１では検査範囲１０ｔ５の一部）が、半円ＨＭ１と半円ＨＭ２の境界を跨ぐように配置されている場合もある。ただし、検査領域ＴＲ４の大部分（例えば半分以上）が半円ＨＭ１に含まれている。検査領域ＴＲ４は、主面１２ａの周縁部に沿って、複数の（図１１では３個の）検査範囲１０ｔを有している。
【００６８】
検査領域ＴＲ４に配置された複数の検査範囲１０ｔのうち、検査領域ＴＲ４の一方の端部には、検査範囲１０ｔ５が配置されている。また、検査領域ＴＲ４に配置された複数の検査範囲１０ｔのうち、検査範囲１０ｔ５とは反対側の端部には、検査範囲１０ｔ６が配置されている。
【００６９】
また、図１１に示す検査領域ＴＲ５は、半円ＨＭ２の一部であって、検査領域ＴＲ１、検査領域ＴＲ２、検査領域ＴＲ３、および検査領域ＴＲ４とは重ならず、かつ、主面１２ａの周縁部を含んでいる仮想領域である。図１１に示す例では、検査領域ＴＲ５は検査領域ＴＲ１、検査領域ＴＲ３、および検査領域ＴＲ４と隣り合うように配置されている。また、図１１に示す例では、検査領域ＴＲ５は検査領域ＴＲ１を挟んで、検査領域ＴＲ２の反対側に設けられている。
【００７０】
図１１に示す例では、検査領域ＴＲ５に含まれる検査範囲１０ｔは、全てが半円ＨＭ１とは重ならない位置に配置されている。しかし、変形例としては、上記した検査範囲１０ｔ４や検査範囲１０ｔ５と同様に、検査領域ＴＲ５の端部に配置される検査範囲１０ｔの一部が、半円ＨＭ１と半円ＨＭ２の境界を跨ぐように配置されている場合もある。ただし、検査領域ＴＲ５の大部分（例えば半分以上）が半円ＨＭ２に含まれている。
【００７１】
検査領域ＴＲ５は、主面１２ａの周縁部に沿って、複数の（図１１では４個の）検査範囲１０ｔを有している。検査領域ＴＲ５に配置された複数の検査範囲１０ｔのうち、検査領域ＴＲ５の一方の端部には、検査範囲１０ｔ７が配置されている。また、検査領域ＴＲ５に配置された複数の検査範囲１０ｔのうち、検査範囲１０ｔ７とは反対側の端部には、検査範囲１０ｔ８が配置されている。
【００７２】
上記のように定義したウエハＷＨの主面１２ａの区画を用いて説明すると、本実施の形態の電気的工程は、以下の工程を含んでいる。
【００７３】
まず、図１２に矢印を付して模式的に示す検査順序ＴＦ１のように、検査領域ＴＲ１から、検査領域ＴＲ２の端部に位置する検査範囲１０ｔ１向かって、図８に示すウエハＷＨとプローブカードＰＲＣの相対位置を移動させながら、検査領域ＴＲ１に含まれる複数の検査範囲１０ｔのそれぞれについて順番に検査する。
【００７４】
本工程では、検査領域ＴＲ１の端部に設けられた検査範囲１０ｔから電気的検査を開始する事もできるが、図１２に示す例では、主面１２ａの中心に隣接している（または、主面１２ａの中心を含んでいる）検査範囲１０ｔから電気的検査を開始している。主面１２ａの中心付近の電気的検査を行う場合には、図８に示すように、プローブカードＰＲＣの全体が、ウエハチャックＷＣＨと厚さ方向に重なっている。したがって、プローブカードＰＲＣ全体の温度を揃えてから電気液検査を開始する観点から、図１２に示す例のように、主面１２ａの中心に隣接している（または、主面１２ａの中心を含んでいる）検査範囲１０ｔから電気的検査を開始することが好ましい。
【００７５】
この場合、検査領域ＴＲ１に含まれる検査範囲１０ｔの一部が本工程では未検査の状態で残ることがある。しかし、後述するように、検査領域ＴＲ１は、主面１２ａの中央部に配置されているので、本工程の後でも検査することができる。
【００７６】
また、本工程において、図１２に示す検査範囲１０ｔ１の検査を行う際には、図１０に示すように、プローブカードＰＲＣの一部分である部分ＰＲＣｆが、熱源であるウエハチャックＷＣＨと厚さ方向（図８に示すＺ方向）に重なっていない状態になる。言い換えれば、図１２に示す検査範囲１０ｔ１の検査を行う際には、図１３に示すように、平面視において、プローブカードＰＲＣの一部分である部分ＰＲＣｆ（図１３において、ドットパターンを付した部分）は、ウエハチャックＷＣＨからはみ出した状態になる。したがって、プローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆは、プローブカードＰＲＣの他の部分と比較して温度が低下し始める。ただし、上記したように部分ＰＲＣｆが温度低下し始めても、直ちに測定エラーが生じる訳ではない。
【００７７】
次に、図１４に矢印を付して模式的に示す検査順序ＴＦ２のように、検査領域ＴＲ２の検査範囲１０ｔ１から検査範囲１０ｔ２に向かって、図８に示すウエハＷＨとプローブカードＰＲＣの相対位置を移動させながら、検査領域ＴＲ１に含まれる複数の検査範囲１０ｔのそれぞれについて順番に検査する。本工程では、図１４に示すように、主面１２ａの外周に沿って、上記相対位置を移動させる。
【００７８】
この時、検査領域ＴＲ２は、半円ＨＭ１の全部ではなく、一部なので、検査範囲１０ｔ２の検査が完了した時点では、半円ＨＭ１の周縁部に、未検査の状態の検査範囲１０ｔが残っている。例えば、図１４に示す例では、検査領域ＴＲ４の検査範囲１０ｔ６がこの未検査の検査範囲１０ｔに相当する。
【００７９】
また、図１３に示した状態でウエハチャックＷＣＨからはみ出したプローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆのうち、図１４に示す検査範囲１０ｔ２の検査が完了するまでの間、継続してウエハチャックＷＣＨからはみ出しているのは、図１５に示す、部分ＰＲＣｆ１である。この部分ＰＲＣｆ１は、他の部分と比較すると、温度低下が進んでいると考えられ、この部分ＰＲＣｆ１に形成された配線１ｗ（図６参照）と電気的に接続されているプローブ針２（図６参照）の温度も低下していると考えられる。
【００８０】
このため、検査範囲１０ｔ２の検査が完了した後、引き続き主面１２ａの外周に沿って、上記相対位置を移動させると、プローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆ１の温度低下がさらに進み、測定エラーが発生する原因になる。一方、本実施の形態では、検査範囲１０ｔ２が検査を完了した後、検査範囲１０ｔ２の隣の検査範囲１０ｔ６の検査は行わず、図１６に示すように、検査領域ＴＲ３の検査範囲１０ｔ３に向かって移動させる。この時、図１５に示す部分ＰＲＣｆ１は、ウエハチャックＷＣＨと厚さ方向に重なるので、少なくとも部分ＰＲＣｆ１の温度低下を停止させることができる。
【００８１】
上記したように、本願発明者の検討によれば、ウエハチャックＷＣＨからはみ出した状態で２時間程度以上経過すると、上記した測定エラーが発生し易くなることが判っている。したがって、測定エラーを防止する観点からは、図１４に示す検査範囲１０ｔ１の検査を開始してから、検査範囲１０ｔ２の検査が完了するまでの時間は、２時間以内であることが好ましい。言い換えれば、図１４に示す検査領域ＴＲ２に含まれる全ての検査範囲１０ｔの検査を２時間以内に完了することが好ましい。
【００８２】
一つの検査範囲１０ｔを検査するために要する検査時間、および上記相対位置の移動時間は、容易に測定することができる。したがって、検査領域ＴＲ２に含まれる検査範囲１０ｔの数を、一つの検査範囲１０ｔを検査するために要する検査時間、および上記相対位置の移動時間から算出することで、図１４に示す検査領域ＴＲ２に含まれる全ての検査範囲１０ｔの検査を２時間以内に完了させることができる。
【００８３】
次に、図１６に矢印を付して模式的に示す検査順序ＴＦ３のように、検査範囲１０ｔ２から、検査領域ＴＲ３の検査範囲１０ｔ３に向かって、図８に示すウエハＷＨとプローブカードＰＲＣの相対位置を移動させる。この時、図１５に示すプローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆ１の全体が、ウエハチャックＷＣＨと重なるように上記相対位置を移動させる。例えば、図８に示すプローブカードＰＲＣの複数のプローブ針２のそれぞれが、図１６に示す検査領域ＴＲ１を跨ぐように前記相対位置を移動させることで、図１５に示すプローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆ１をウエハチャックＷＣＨと厚さ方向に重ねることができる。
【００８４】
本工程では、図１６に示す検査範囲１０ｔ２から検査範囲１０ｔ３に至る経路中に未検査の検査範囲１０ｔが存在すれば、その未検査の検査範囲１０ｔの検査を順番に行いながら上記相対位置を移動させることができる。この場合、検査順序ＴＦ３の途中に電気的検査を実施することになるので、移動時間が長くなり、その分、図１５に示すプローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆ１の加熱時間が長くなる。つまり、部分ＰＲＣｆ１の温度が上昇し易くなる。
【００８５】
また、図１６に示すように、検査範囲１０ｔ２から検査範囲１０ｔ３に至る経路中に未検査の検査範囲１０ｔが存在しない場合、図８に示すプローブカードＰＲＣの複数のプローブ針２のそれぞれが、図１６に示す検査領域ＴＲ１を通過するように移動させるだけでも良い。この場合でも、部分ＰＲＣｆ１の温度低下を停止させることはできる。
【００８６】
また、複数のプローブ針２のコンタクト部２ｃ（図６参照）が図１６に示す検査範囲１０ｔ３と対向する位置に配置された時には、図１５に示すプローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆ１の大部分は、ウエハチャックＷＣＨと重なっている。なお、プローブカードＰＲＣの部分ＰＲＣｆ１のうち、ウエハチャックＷＣＨとの境界近傍の一部分は、図１６に示す検査範囲１０ｔ３の検査をする際にウエハチャックＷＣＨと重なっていない場合もある。しかし、当該部分は、部分ＰＲＣｆ１のうちの僅かな範囲であり、かつ、ウエハチャックＷＣＨとの境界近傍に配置されている。このため、図１６に示す検査順序ＴＦ３において、部分ＰＲＣｆ１の全体が、ウエハチャックＷＣＨの全体と重なるようにすれば、部分ＰＲＣｆ１の温度低下を停止させることはできる。
【００８７】
次に、図１７に矢印を付して模式的に示す検査順序ＴＦ４のように、検査領域ＴＲ３の検査範囲１０ｔ３から検査範囲１０ｔ４に向かって、図８に示すウエハＷＨとプローブカードＰＲＣの相対位置を移動させながら、検査領域ＴＲ３に含まれる複数の検査範囲１０ｔのそれぞれについて順番に検査する。本工程では、図１７に示すように、主面１２ａの外周に沿って、上記相対位置を移動させる。
【００８８】
この時、検査領域ＴＲ３は、半円ＨＭ２の全部ではなく、一部なので、検査範囲１０ｔ２の検査が完了した時点では、半円ＨＭ２の周縁部に、未検査の状態の検査範囲１０ｔが残っている。例えば、図１７に示す例では、検査領域ＴＲ５の検査範囲１０ｔ８や検査範囲１０ｔ７がこの未検査の検査範囲１０ｔに相当する。
【００８９】
また、図示は省略するが、検査範囲１０ｔ３を検査する時に、ウエハチャックＷＣＨ（図８参照）からはみ出したプローブカードＰＲＣ（図８参照）の部分のうち、図１７に示す検査範囲１０ｔ４の検査が完了するまでの間、継続してウエハチャックＷＣＨからはみ出た部分が存在する。したがって、測定エラーを防止する観点からは、図１７に示す検査範囲１０ｔ３の検査を開始してから、検査範囲１０ｔ４の検査が完了するまでの時間は、２時間以内であることが好ましい。言い換えれば、図１７に示す検査領域ＴＲ３に含まれる全ての検査範囲１０ｔの検査を２時間以内に完了することが好ましい。
【００９０】
次に、図１８に矢印を付して模式的に示す検査順序ＴＦ５のように、検査範囲１０ｔ４から、検査領域ＴＲ４の検査範囲１０ｔ５に向かって、図８に示すウエハＷＨとプローブカードＰＲＣの相対位置を移動させる。本工程では、検査領域ＴＲ３の検査を行う際に継続的にウエハチャックＷＣＨ（図８参照）からはみ出していた部分の全体が、ウエハチャックＷＣＨと重なるように上記相対位置を移動させる。例えば、図８に示すプローブカードＰＲＣの複数のプローブ針２のそれぞれが、図１８に示す検査領域ＴＲ１を跨ぐように前記相対位置を移動させることで、検査領域ＴＲ３の検査を行う際に継続的にウエハチャックＷＣＨからはみ出していた部分をウエハチャックＷＣＨと厚さ方向に重ねることができる。
【００９１】
本工程では、図１８に示す検査範囲１０ｔ４から検査範囲１０ｔ５に至る経路中に未検査の検査範囲１０ｔが存在すれば、その未検査の検査範囲１０ｔの検査を順番に行いながら上記相対位置を移動させることができる。また、検査範囲１０ｔ４から検査範囲１０ｔ５に至る経路中に未検査の検査範囲１０ｔが存在しない場合、図８に示すプローブカードＰＲＣの複数のプローブ針２のそれぞれが、図１８に示す検査領域ＴＲ１を通過するように移動させるだけでも良い。また、図１８に示す検査範囲１０ｔ４から検査範囲１０ｔ５に至る経路中に未検査の検査範囲１０ｔが存在する場合でも、本工程では検査せず、図８に示すプローブカードＰＲＣの複数のプローブ針２のそれぞれが、図１８に示す検査領域ＴＲ１を通過するように移動させるだけでも良い。
【００９２】
次に、図１９に矢印を付して模式的に示す検査順序ＴＦ６のように、検査領域ＴＲ４の検査範囲１０ｔ５から検査範囲１０ｔ６に向かって、図８に示すウエハＷＨとプローブカードＰＲＣの相対位置を移動させながら、検査領域ＴＲ４に含まれる複数の検査範囲１０ｔのそれぞれについて順番に検査する。本工程では、図１９に示すように、主面１２ａの外周に沿って、上記相対位置を移動させる。
【００９３】
この時、検査領域ＴＲ４は、半円ＨＭ１の全部ではなく、一部なので、本工程では、半円ＨＭ１に含まれる複数の検査範囲１０ｔのうち、検査領域ＴＲ２に含まれない検査範囲１０ｔについて検査を実施する。したがって、本工程では、検査領域ＴＲ２に含まれている検査範囲１０ｔの検査は行わない。
【００９４】
また、図示は省略するが、検査範囲１０ｔ５を検査する時に、ウエハチャックＷＣＨ（図８参照）からはみ出したプローブカードＰＲＣ（図８参照）の部分のうち、図１９に示す検査範囲１０ｔ６の検査が完了するまでの間、継続してウエハチャックＷＣＨからはみ出た部分が存在する。したがって、測定エラーを防止する観点からは、図１９に示す検査範囲１０ｔ５の検査を開始してから、検査範囲１０ｔ６の検査が完了するまでの時間は、２時間以内であることが好ましい。言い換えれば、図１９に示す検査領域ＴＲ４に含まれる全ての検査範囲１０ｔの検査を２時間以内に完了することが好ましい。
【００９５】
次に、図２０に矢印を付して模式的に示す検査順序ＴＦ７のように、検査範囲１０ｔ６から、検査領域ＴＲ５の検査範囲１０ｔ７に向かって、図８に示すウエハＷＨとプローブカードＰＲＣの相対位置を移動させる。本工程では、検査領域ＴＲ４の検査を行う際に継続的にウエハチャックＷＣＨ（図８参照）からはみ出していた部分の全体が、ウエハチャックＷＣＨと重なるように上記相対位置を移動させる。例えば、図８に示すプローブカードＰＲＣの複数のプローブ針２のそれぞれが、図２０に示す検査領域ＴＲ１を跨ぐように前記相対位置を移動させることで、検査領域ＴＲ４の検査を行う際に継続的にウエハチャックＷＣＨからはみ出していた部分をウエハチャックＷＣＨと厚さ方向に重ねることができる。
【００９６】
本工程では、図２０に示す検査範囲１０ｔ６から検査範囲１０ｔ７に至る経路中に未検査の検査範囲１０ｔが存在すれば、その未検査の検査範囲１０ｔの検査を順番に行いながら上記相対位置を移動させることができる。図２０に示す例では、検査領域ＴＲ１に含まれる複数の検査範囲１０ｔｉの内の一部を検査する例を示している。また、検査範囲１０ｔ６から検査範囲１０ｔ７に至る経路中に未検査の検査範囲１０ｔが存在しない場合、図８に示すプローブカードＰＲＣの複数のプローブ針２のそれぞれが、図２０に示す検査領域ＴＲ１を通過するように移動させるだけでも良い。例えば、図１８を用いて説明した検査順序ＴＦ５において、検査領域ＴＲ１に含まれる複数の検査範囲１０ｔｉの検査が完了した場合には、本工程では、検査は省略される。
【００９７】
次に、図２１に矢印を付して模式的に示す検査順序ＴＦ８のように、検査領域ＴＲ５の検査範囲１０ｔ７から検査範囲１０ｔ８に向かって、図８に示すウエハＷＨとプローブカードＰＲＣの相対位置を移動させながら、検査領域ＴＲ５に含まれる複数の検査範囲１０ｔのそれぞれについて順番に検査する。本工程では、図２１に示すように、主面１２ａの外周に沿って、上記相対位置を移動させる。
【００９８】
この時、検査領域ＴＲ５は、半円ＨＭ２の全部ではなく、一部なので、本工程では、半円ＨＭ２に含まれる複数の検査範囲１０ｔのうち、検査領域ＴＲ３に含まれない検査範囲１０ｔについて検査を実施する。したがって、本工程では、検査領域ＴＲ３に含まれている検査範囲１０ｔの検査は行わない。
【００９９】
また、図示は省略するが、検査範囲１０ｔ７を検査する時に、ウエハチャックＷＣＨ（図８参照）からはみ出したプローブカードＰＲＣ（図８参照）の部分のうち、図２１に示す検査範囲１０ｔ８の検査が完了するまでの間、継続してウエハチャックＷＣＨからはみ出た部分が存在する。したがって、測定エラーを防止する観点からは、図２１に示す検査範囲１０ｔ７の検査を開始してから、検査範囲１０ｔ８の検査が完了するまでの時間は、２時間以内であることが好ましい。言い換えれば、図２１に示す検査領域ＴＲ５に含まれる全ての検査範囲１０ｔの検査を２時間以内に完了することが好ましい。
【０１００】
図１１〜図２１を用いて順次説明した検査順序ＴＦ１〜検査順序ＴＦ８を組み合わせて成る、本実施の形態の検査順序ＴＦａを図２２に示す。図２２に示すように、検査順序ＴＦａの場合、検査領域ＴＲ５に含まれる検査範囲１０ｔの検査が完了すれば、ウエハＷＨの全ての検査範囲の電気的検査が完了する。したがって、検査範囲１０ｔ８の検査が完了した後は、プローブカードＰＲＣが温度低下をしても測定エラーは発生しない。
【０１０１】
しかし、ウエハＷＨの次のウエハ（図示は省略）の電気的検査を開始するまでの時間を短縮する観点からは、検査範囲１０ｔ８の検査が完了した後に、図８に示すようにプローブカードＰＲＣの全体がウエハチャックＷＣＨと重なる位置に上記相対位置を移動させて、プローブカードＰＲＣの温度を安定化させることが好ましい。
【０１０２】
以上説明したように、本実施の形態の電気的検査工程によれば、ウエハチャックＷＣＨからはみ出ることによりプローブカードＰＲＣの温度が低下した場合、温度低下に起因する測定エラーが生じる前に、はみ出た部分がウエハチャックＷＣＨと重なるように、ウエハチャックＷＣＨを移動させる。これにより、プローブカードＰＲＣの温度低下に起因するプローブ針２の収縮を抑制できる。この結果、測定エラーの発生を抑制し、電気的検査の信頼性を向上させることができる。
【０１０３】
また、本実施の形態によれば、図２２に示す検査順序ＴＦａのように、ウエハチャックＷＣＨ（図８参照）とプローブカードＰＲＣ（図８参照）の相対的位置を移動させる移動順序を工夫することにより、測定エラーの発生を抑制するので、検査装置の大型化を抑制できる。
【０１０４】
また、本実施の形態によれば、プローブカードＰＲＣの冷えた部分を検査しながら加熱するので、検査範囲１０ｔ毎に、プローブカードＰＲＣを加熱し直す方法と比較して、検査時間を大幅に短縮することができる。なお、図２２に示す検査順序ＴＦ３や、検査順序ＴＦ５のように、電気的検査に寄与しない工程はあるが、この場合でも、トータルの検査時間は短縮できる。
【０１０５】
＜変形例＞
以上、本願発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１０６】
（変形例１）
例えば、図２３に示す変形例の検査順序ＴＦｂのように検査順序ＴＦ３において、検査範囲１０ｔ３の位置を検査範囲１０ｔ１の隣に配置された領域としても良い。図２３は、図２２に対する変形例を示す平面図である。図２３に示す検査順序ＴＦｂは、検査領域ＴＲ３に含まれる検査範囲１０ｔ３と検査範囲１０ｔ４の位置が、図２２に示す検査順序ＴＦａとは反対になっている。検査順序ＴＦｂの場合、検査順序ＴＦ４の検査開始位置になる検査範囲１０ｔ３は、検査領域ＴＲ２の検査範囲１０ｔ１と隣り合って配置されている。また、検査順序ＴＦｂの場合、検査範囲１０ｔ３が検査範囲１０ｔ１と隣り合って配置されているので、検査順序ＴＦ４では、検査領域ＴＲ１から遠ざかる方向に順に検査を行うことになる。
【０１０７】
ただし、検査開始位置である検査範囲１０ｔ３が検査範囲１０ｔ１と隣り合って配置されている場合、検査順序ＴＦ４の開始時に、図１５に示す、部分ＰＲＣｆ１の露出面積が大きくなる。したがって、部分ＰＲＣｆ１の露出面積を低減し、プローブカードＰＲＣ（図１５参照）の温度低下を抑制する観点からは、図２２に示す検査順序ＴＦａのように、検査範囲１０ｔ３と検査範囲１０ｔ１とが隣り合っていないことが好ましい。また、検査順序ＴＦａのように、検査順序ＴＦ４では、検査領域ＴＲ２に向かって近づく方向に、順に検査を行うことが好ましい。図２３に示す変形例は、上記以外の点は、図２２に示す検査順序ＴＦａと同様なので重複する説明は省略する。
【０１０８】
（変形例２）
また例えば、図２４に示す変形例の検査順序ＴＦｃのように、検査順序ＴＦ３において、検査領域ＴＲ３と検査領域ＴＲ５の境界に隣接する検査範囲１０ｔ３から、検査領域ＴＲ３と検査領域ＴＲ４の境界に隣接する検査範囲１０ｔ４に向かって順番に検査を行う方法にしても良い。図２４は、図２２に対する他の変形例を示す平面図である。図２４に示す検査順序ＴＦｃは、半円ＨＭ２に含まれる検査領域ＴＲ３と検査領域ＴＲ５の位置が、図２２に示す検査順序ＴＦａとは反対になっている。言い換えれば、検査領域ＴＲ３と検査領域ＴＲ２とは隣り合っていない。
【０１０９】
この場合、図２４に示すように、検査順序ＴＦ３と検査順序ＴＦ７では、半円ＨＭ１、ＨＭ２の中心を跨ぐように移動させることになる。したがって、図１５に示す、部分ＰＲＣｆ１の露出面積を低減し、プローブカードＰＲＣ（図１５参照）の温度低下を抑制する観点からは、特に好ましい。図２４に示す変形例は上記以外の点は、図２２に示す検査順序ＴＦａと同様なので重複する説明は省略する。
【０１１０】
（変形例３）
また例えば、図２５に示す変形例の検査順序ＴＦｄのように、検査領域ＴＲ４の端部に位置する検査範囲１０ｔ５が、半円ＨＭ２内で、かつ、半円ＨＭ１と重ならない位置に設けられていても良い。図２５は、図２２に対する他の変形例を示す平面図である。図２５に示すように、検査範囲１０ｔ５が半円ＨＭ２に設けられている場合には、検査範囲１０ｔ６は半円ＨＭ１側に設け、半円ＨＭ１に向かって移動させることが好ましい。図２５に示す変形例は上記以外の点は、図２２に示す検査順序ＴＦａと同様なので重複する説明は省略する。
【０１１１】
（変形例４）
また例えば、上記実施の形態では、ウエハＷＨの主面１２ａの周縁部を、四つの検査領域ＴＲ２、ＴＲ３、ＴＲ４、ＴＲ５に区画して検査を行う実施態様について説明したが、上記したように、区画する検査領域の数は、一つの検査範囲１０ｔを検査するために要する検査時間、および上記相対位置の移動時間に応じて、種々の変形例を適用できる。例えば、検査範囲１０ｔの数が少ない場合には、ウエハＷＨの主面１２ａの周縁部を三つの検査領域に区画することができる。
【０１１２】
また、検査範囲１０ｔの数が増加して、周縁部の検査範囲１０ｔｏの検査に要する時間が増加する時は、ウエハＷＨの主面１２ａの周縁部を四つよりも多い検査領域に区画して検査を行っても良い。
【０１１３】
（変形例５）
さらに、上記実施の形態で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１  配線基板
１ａ  上面
１ｂ  下面
１ｄ  端子
１ｗ  配線
２  プローブ針（接触端子、コンタクタ）
２ａ  配線接続部
２ｂ  折れ曲がり部
２ｃ  コンタクト部（接触部、先端部）
３  針押さえ部（接触端子固定部）
１０  半導体チップ（半導体装置）
１０ａ  チップ領域
１０ｂ  スクライブ領域
１０ｔ、１０ｔ１、１０ｔ２、１０ｔ３、１０ｔ４、１０ｔ５、１０ｔ６、１０ｔ７、１０ｔ８、１０ｔｉ、１０ｔｏ  検査範囲
１１  パッド（電極、チップ電極、電極パッド）
１２  半導体基板
１２ａ  主面（デバイス形成面）
１２ｂ  裏面
１３  配線層
１３ａ  配線
１３ｂ  絶縁膜
１４  保護膜（パッシベーション膜、絶縁膜）
１４ａ  開口部
ＣＨＤ  カードホルダ
ＨＭ１、ＨＭ２  半円
ＨＴ  ヒータ
ＩＦＲ  インタフェースリング
ＩＦｗ  配線
ＰＲ  プローバ（検査装置）
ＰＲＣ  プローブカード
ＰＲＣｆ、ＰＲＣｆ１  部分
Ｔ  テスタ
ＴＦ１、ＴＦ２、ＴＦ３、ＴＦ４、ＴＦ５、ＴＦ６、ＴＦ７、ＴＦ８、ＴＦａ、ＴＦｂ、ＴＦｃ、ＴＦｄ、ＴＦＨ１、ＴＦＨ２  検査順序
ＴＨＤ  テスタヘッド
ＴＲ１、ＴＲ２、ＴＲ３、ＴＲ４、ＴＲ５  検査領域
ＷＣＨ  ウエハチャック（ウエハ保持台）
ＷＣＨａ  ウエハ保持面
ＷＨ  ウエハ（半導体ウエハ）
ＷＳＴ  ウエハステージ
【図１】
2014192374.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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