(57)【要約】【課題】環境面に配慮しながら、低コストで信頼性を向上させることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】この半導体装置１は、配線基板１０と、配線基板１０上に実装される第１実装部品２および第２実装部品３と、を備える。配線基板１０は、第１実装部品２および第２実装部品３が実装される配線層１１を含み、第１実装部品２の陽極側と第２実装部品３の陰極側との間には、第１実装部品２の陽極端子２ａと同極性のダミー配線部１１ｉが設けられている。【選択図】図１
2014049519.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配線基板と、
前記配線基板上に実装される第１実装部品および第２実装部品と、
を備え、
前記配線基板は、前記第１実装部品および前記第２実装部品が実装される配線層を含み、
前記第１実装部品の陽極側と前記第２実装部品の陰極側とは、互いに隣接しており、
前記第１実装部品の陽極側と前記第２実装部品の陰極側との間には、前記第１実装部品の陽極端子と同極性のダミー配線部が設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記配線層は、前記第１実装部品の陽極端子が電気的に接続される第１陽極端子接続部を有し、
前記第１陽極端子接続部および前記ダミー配線部は、前記配線基板の配線パターンにより、互いに電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ダミー配線部は前記第１実装部品の陽極端子よりも高い電位を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記ダミー配線部は前記第１実装部品および前記第２実装部品が実装された表面の側から１層目の前記配線層に設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記配線層は、前記第１実装部品の陽極端子が電気的に接続される第１陽極端子接続部と、前記第１実装部品の陰極端子が電気的に接続される第１陰極端子接続部と、前記第２実装部品の陽極端子が電気的に接続される第２陽極端子接続部と、前記第２実装部品の陰極端子が電気的に接続される第２陰極端子接続部とを有し、
前記第１陽極端子接続部と前記第２陰極端子接続部との間の距離は、前記第１陽極端子接続部と前記第１陰極端子接続部との間の距離よりも短いことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記配線基板は樹脂基板からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１実装部品および前記第２実装部品の少なくとも一方は、コンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、ダイオードまたはサージアブソーバからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１実装部品および前記第２実装部品を封止する封止樹脂を備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の半導体装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、半導体装置およびそれを備えた電子機器に関し、特に、配線基板とその上に実装される複数の実装部品とを含む半導体装置およびそれを備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板とその上に実装されるコンデンサ、コイル、抵抗等の複数の実装部品とを備えた半導体装置が知られている。図９は、従来の半導体装置の一例を示した断面図である。半導体装置１００１は図９に示すように、配線基板１０１０と、配線基板１０１０上に実装される第１実装部品１００２および第２実装部品１００３と、第１実装部品１００２および第２実装部品１００３を封止する封止樹脂１００４とを備えている。
【０００３】
配線基板１０１０は、第１実装部品１００２および第２実装部品１００３が実装される配線層１０１１と、配線層１０１１下に配置される絶縁樹脂層１０１２とを備える。配線層１０１１および絶縁樹脂層１０１２上の所定領域にはレジスト層１０１３が設けられており、絶縁樹脂層１０１２下の所定領域にはレジスト層１０１４が設けられている。
【０００４】
第１実装部品１００２の陽極端子１００２ａおよび陰極端子１００２ｂは、銀ペースト１００５を用いて配線層１０１１に電気的に接続されている。第２実装部品１００３の陽極端子１００３ａおよび陰極端子１００３ｂは、銀ペースト１００５を用いて配線層１０１１に電気的に接続されている。
【０００５】
ここで、従来の半導体装置１００１のように、実装部品（第１実装部品１００２および第２実装部品１００３）を銀ペースト１００５を用いて実装すると、銀マイグレーション（エレクトロケミカルマイグレーション（イオンマイグレーションとも言う））により電気的短絡が発生する場合がある。具体的には、高湿度の環境下で実装部品（第１実装部品１００２および第２実装部品１００３）に電圧を印加すると、銀ペースト１００５に含有される銀が電気分解され、陽極側ではシミ状の成長が起きる。また、銀イオンが陰極側に引き寄せられ、陰極側では樹枝状結晶（デンドライト）成長が起きる。このため、第１実装部品１００２と第２実装部品１００３とが近くに配置されていると、第１実装部品１００２の陽極側と第２実装部品１００３の陰極側との間で経時変化により短絡やリークが生じる場合があり、信頼性が低下する。
【０００６】
そこで、銀マイグレーションによる不都合を改善するために、銀ペーストにパラジウムを含有させたり、封止樹脂にイオントラップ剤を添加する等の対策が行われてきた。また、特許文献１では、耐湿性を向上させた樹脂により銀ペーストを封止することによって、銀マイグレーションを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−８０１５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、銀ペーストにパラジウムを含有させたり、封止樹脂にイオントラップ剤を添加したり、樹脂の耐湿性を向上させる場合、特別な材料が必要となりコストが高くなるとともに、環境負荷物質が増加するという問題点がある。
【０００９】
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の目的は、環境面に配慮しながら、低コストで信頼性を向上させることが可能な半導体装置およびそれを備えた電子機器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、この発明の半導体装置は、配線基板と、配線基板上に実装される第１実装部品および第２実装部品と、を備え、配線基板は、第１実装部品および第２実装部品が実装される配線層を含み、第１実装部品の陽極側と第２実装部品の陰極側とは、互いに隣接しており、第１実装部品の陽極側と第２実装部品の陰極側との間には、第１実装部品の陽極端子と同極性のダミー配線部が設けられている。
【００１１】
上記半導体装置において、好ましくは、配線層は、第１実装部品の陽極端子が電気的に接続される第１陽極端子接続部を有し、第１陽極端子接続部およびダミー配線部は、配線基板の配線パターンにより、互いに電気的に接続されている。
【００１２】
上記半導体装置において、好ましくは、ダミー配線部は第１実装部品の陽極端子よりも高い電位を有する。
【００１３】
上記半導体装置において、好ましくは、ダミー配線部は第１実装部品および第２実装部品が実装された表面の側から１層目の配線層に設けられている。
【００１４】
上記半導体装置において、好ましくは、配線層は、第１実装部品の陽極端子が電気的に接続される第１陽極端子接続部と、第１実装部品の陰極端子が電気的に接続される第１陰極端子接続部と、第２実装部品の陽極端子が電気的に接続される第２陽極端子接続部と、第２実装部品の陰極端子が電気的に接続される第２陰極端子接続部とを有し、第１陽極端子接続部と第２陰極端子接続部との間の距離は、第１陽極端子接続部と第１陰極端子接続部との間の距離よりも短い。
【００１５】
上記半導体装置において、好ましくは、配線基板は樹脂基板からなる。
【００１６】
上記半導体装置において、好ましくは、第１実装部品および第２実装部品の少なくとも一方は、コンデンサ、チップインダクタ、チップ抵抗、ダイオードまたはサージアブソーバからなる。
【００１７】
上記半導体装置において、好ましくは、第１実装部品および第２実装部品を封止する封止樹脂を備える。
【００１８】
この発明の電子機器は、上記の構成の半導体装置を備える。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、第１実装部品の陽極側と第２実装部品の陰極側との間には、第１実装部品の陽極端子と同極性のダミー配線部が設けられている。これにより、第１実装部品の陽極側から第２実装部品の陰極側に向かう電界を小さくすることができる。このため、第１実装部品の陽極側で電気分解された金属イオン（例えば銀イオン）が第２実装部品の陰極側に引き寄せられるのを抑制することができるので、第２実装部品の陰極側で樹枝状結晶成長が生じるのを抑制することができる。すなわち、エレクトロケミカルマイグレーションを抑制することができる。その結果、第１実装部品の陽極側と第２実装部品の陰極側との間で短絡やリークが生じるのを抑制することができるので、信頼性を向上させることができる。
【００２０】
また、ダミー配線部を設けるだけなので、コストが高くなるのを抑制することができるとともに、環境負荷物質が増加するのを防止することができる。また、半導体装置の構造が複雑になることも抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１実施形態の半導体装置の構造を示した断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態の半導体装置の構造を示した平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態の半導体装置の構造を示した平面図である。
【図４】本発明の第２実施形態の半導体装置の構造を示した平面図である。
【図５】本発明の第３実施形態の半導体装置の構造を示した平面図である。
【図６】本発明の第３実施形態の半導体装置の半導体パッケージの構造を示した平面図である。
【図７】本発明の第３実施形態の半導体装置の配線基板の構造を示した平面図である。
【図８】本発明の変形例の半導体装置の構造を示した断面図である。
【図９】従来の半導体装置の一例を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
【００２３】
＜第１実施形態＞
図１〜図３を参照して、本発明の第１実施形態による半導体装置１の構造について説明する。
【００２４】
本発明の第１実施形態の半導体装置１は電子機器に搭載されるものである。半導体装置１は図１に示すように、配線基板１０と、配線基板１０上に実装される第１実装部品２および第２実装部品３と、第１実装部品２および第２実装部品３を封止する封止樹脂４とを備えている。
【００２５】
第１実装部品２は例えばコンデンサであり、陽極端子２ａおよび陰極端子２ｂを有する。陽極端子２ａおよび陰極端子２ｂは、銀ペースト５を用いて配線基板１０に電気的に接続されている。同様に、第２実装部品３は例えばコンデンサであり、陽極端子３ａおよび陰極端子３ｂを有する。陽極端子３ａおよび陰極端子３ｂは、銀ペースト５を用いて配線基板１０に電気的に接続されている。第１実装部品２の陽極側と第２実装部品３の陰極側とは、互いに隣接している。なお、銀ペースト５は一般的に用いられる銀ペーストであり、パラジウムを含有していない。
【００２６】
配線基板１０は樹脂基板からなり、第１実装部品２および第２実装部品３が実装される配線層１１と、配線層１１下に配置される絶縁樹脂層１２とを備える。配線層１１および絶縁樹脂層１２上の所定領域にはレジスト層１３が設けられており、絶縁樹脂層１２下の所定領域にはレジスト層１４が設けられている。なお、絶縁樹脂層１２下に、さらに配線層や絶縁樹脂層を設け、配線基板１０を２層以上の配線層を有する多層配線基板としてもよい。なお、配線基板１０は、図１では配線層および絶縁樹脂層が上下方向に積層された状態で描かれている。
【００２７】
配線層１１は、銅配線により形成されており、パラジウムなどの環境負荷物質を含有していない。配線層１１は最上層（第１実装部品２および第２実装部品３が実装された表面の側（上側）から１層目）の配線層である。配線層１１は、第１実装部品２の陽極側と第２実装部品３の陰極側との間において、第１実装部品２の陽極端子２ａと同極性のダミー配線部１１ｉを有する。
【００２８】
具体的には、配線層１１は図２に示すように、第１実装部品２の陽極端子２ａが配置されるとともに電気的に接続される第１陽極端子接続部１１ａと、第１実装部品２の陰極端子２ｂが配置されるとともに電気的に接続される第１陰極端子接続部１１ｂと、第２実装部品３の陽極端子３ａが配置されるとともに電気的に接続される第２陽極端子接続部１１ｃと、第２実装部品３の陰極端子３ｂが配置されるとともに電気的に接続される第２陰極端子接続部１１ｄとを有する。本実施形態では、第１陽極端子接続部１１ａと第２陰極端子接続部１１ｄとの間の距離は、第１陽極端子接続部１１ａと第１陰極端子接続部１１ｂとの間の距離よりも短い。
【００２９】
第１陽極端子接続部１１ａ、第１陰極端子接続部１１ｂ、第２陽極端子接続部１１ｃおよび第２陰極端子接続部１１ｄには、銀メッキ以外のメッキが施されていることが好ましく、例えば金メッキが施されている。なお、第１陽極端子接続部１１ａ、第１陰極端子接続部１１ｂ、第２陽極端子接続部１１ｃおよび第２陰極端子接続部１１ｄは、メッキが施されていなくてもよい。また、図２では、理解を容易にするために、封止樹脂４および配線基板１０のレジスト層１３を省略して描いている。このことは、図３も同様である。
【００３０】
第１陽極端子接続部１１ａには、外部との電気的接続を行うための陽極配線部１１ｅが繋がって設けられており、第１陰極端子接続部１１ｂには、外部との電気的接続を行うための陰極配線部１１ｆが繋がって設けられている。また、第２陽極端子接続部１１ｃには、外部との電気的接続を行うための陽極配線部１１ｇが繋がって設けられており、第２陰極端子接続部１１ｄには、外部との電気的接続を行うための陰極配線部１１ｈが繋がって設けられている。なお、陽極配線部１１ｅ、陰極配線部１１ｆ、陽極配線部１１ｇおよび陰極配線部１１ｈは、外部との電気的接続を行うために、図示しないが絶縁樹脂層１２と共に封止樹脂４の外側まで延設されていてもよいし、図示しないスルーホールを介して配線基板１０の裏面側の配線層に電気的に接続されていてもよい。
【００３１】
ここで、本実施形態では、第１陽極端子接続部１１ａと第２陰極端子接続部１１ｄとの間において、配線層１１にダミー配線部１１ｉが設けられている。ダミー配線部１１ｉは陽極配線部１１ｅに電気的に接続されている。これにより、第１陽極端子接続部１１ａおよびダミー配線部１１ｉは、陽極配線部１１ｅを介して互いに電気的に接続されている。このため、ダミー配線部１１ｉの電位は、第１陽極端子接続部１１ａの電位および第１実装部品２の陽極端子２ａの電位と等しくなっている。なお、ダミー配線部１１ｉは、第１実装部品２に電力を供給するものではなく、半導体装置１の動作に寄与しない。
【００３２】
また、配線基板１０は図３に示すように構成されていてもよい。すなわち、ダミー配線部１１ｉは第１陽極端子接続部１１ａに電気的に接続されていなくてもよい。そして、ダミー配線部１１ｉには、第１実装部品２の陽極側に電力を供給する電源とは別の電源から電圧が印加されてもよい。この場合、例えば、第１陽極端子接続部１１ａ、第１陰極端子接続部１１ｂ、第２陽極端子接続部１１ｃ、第２陰極端子接続部１１ｄおよびダミー配線部１１ｉの電位をそれぞれ３．３Ｖ、０Ｖ、３．３Ｖ、０Ｖおよび５Ｖとしてもよい。すなわち、ダミー配線部１１ｉは第１実装部品２の陽極端子２ａよりも高い電位を有するように構成されていてもよい。
【００３３】
また、ダミー配線部１１ｉは、外部との電気的接続を行うために、図示しないが絶縁樹脂層１２と共に封止樹脂４の外側まで延設されていてもよいし、図示しないスルーホールを介して配線基板１０の裏面側の配線層に電気的に接続されていてもよい。なお、図３のその他の構造は図２と同様であるので、その説明を省略する。
【００３４】
図１に示すように、絶縁樹脂層１２は例えばガラスエポキシ樹脂などにより形成されている。レジスト層１３は、例えば、端子接続部（第１陽極端子接続部１１ａ、第１陰極端子接続部１１ｂ、第２陽極端子接続部１１ｃおよび第２陰極端子接続部１１ｄ）を除く配線層１１上と絶縁樹脂層１２上とを覆うように設けられている。このため、ダミー配線部１１ｉ上はレジスト層１３で覆われている。レジスト層１４は、例えば絶縁樹脂層１２下を覆うように設けられている。
【００３５】
本実施形態では、上記のように、第１実装部品２の陽極側と第２実装部品３の陰極側との間には、第１実装部品２の陽極端子２ａと同極性のダミー配線部１１ｉが設けられている。これにより、第１実装部品２の陽極側から第２実装部品３の陰極側に向かう電界を小さくすることができる。このため、第１実装部品２の陽極側で電気分解された銀イオンが第２実装部品３の陰極側に引き寄せられるのを抑制することができるので、第２実装部品３の陰極側で樹枝状結晶成長が生じるのを抑制することができる。すなわち、エレクトロケミカルマイグレーションを抑制することができる。その結果、第１実装部品２の陽極側と第２実装部品３の陰極側との間で短絡やリークが生じるのを抑制することができるので、信頼性を向上させることができる。
【００３６】
また、配線層１１にダミー配線部１１ｉを設けるだけなので、コストが高くなるのを抑制することができるとともに、環境負荷物質が増加するのを防止することができる。また、半導体装置１の構造が複雑になることも抑制することができる。
【００３７】
また、ダミー配線部１１ｉの上にレジスト層１３が設けられているので、ダミー配線部１１ｉと第２実装部品３の陰極側との間で短絡やリークが生じるのを容易に防止することができる。
【００３８】
また、上記のように、第１陽極端子接続部１１ａおよびダミー配線部１１ｉは、配線基板１０の配線パターンにより、互いに電気的に接続されていてもよい。この場合、ダミー配線部１１ｉの電位を第１陽極端子接続部１１ａの電位と等しくすることができるので、第１実装部品２の陽極側から第２実装部品３の陰極側に向かう電界を容易に小さくすることができる。これにより、エレクトロケミカルマイグレーションを容易に抑制することができる。
【００３９】
また、上記のように、ダミー配線部１１ｉは第１実装部品２の陽極端子２ａよりも高い電位を有してもよい。この場合、ダミー配線部１１ｉの電位を例えば第１実装部品２の陽極端子２ａの電位（第１陽極端子接続部１１ａの電位）と等しくする場合に比べて、エレクトロケミカルマイグレーションをより効果的に抑制することができる。
【００４０】
また、上記のように、ダミー配線部１１ｉは、最上層（第１実装部品２および第２実装部品３が実装された表面の側から１層目）の配線層に設けられている。これにより、例えばダミー配線部１１ｉが第１実装部品２および第２実装部品３が実装された表面の側から２層目以降の配線層に設けられている場合に比べて、ダミー配線部１１ｉを第１陽極端子接続部１１ａに、より近づけることができるので、第１実装部品２の陽極側から第２実装部品３の陰極側に向かう電界をより小さくすることができる。これにより、エレクトロケミカルマイグレーションをより抑制することができる。
【００４１】
また、上記のように、第１陽極端子接続部１１ａと第２陰極端子接続部１１ｄとの間の距離は、第１陽極端子接続部１１ａと第１陰極端子接続部１１ｂとの間の距離よりも短い。このように、第１陽極端子接続部１１ａが第１陰極端子接続部１１ｂよりも第２陰極端子接続部１１ｄに近い場合に、第１陽極端子接続部１１ａと第２陰極端子接続部１１ｄとの間で、エレクトロケミカルマイグレーションが起こりやすい。このため、第１陽極端子接続部１１ａが第１陰極端子接続部１１ｂよりも第２陰極端子接続部１１ｄに近い場合に本発明を適用することは、特に有効である。
【００４２】
また、上記のように、配線基板１０は樹脂基板からなる。樹脂基板は空気中の水分を吸湿するので、配線基板１０に樹脂基板を用いた場合、第１実装部品２および第２実装部品３の周辺を低湿度状態に保持することが困難である。このため、エレクトロケミカルマイグレーションが起こりやすい。これにより、配線基板１０に樹脂基板を用いる場合に本発明を適用することは、特に有効である。
【００４３】
なお、半導体装置１は、高電圧が印加される電子機器（例えば、ＤＣＤＣコンバータモジュールの電源系の電子機器）に用いられる場合に特に有効である。
【００４４】
＜第２実施形態＞
次に、図４を参照して、上記第１実施形態とは異なり、配線基板１１０に第１実装部品２および第２実装部品３と半導体チップ１０２とが搭載される場合について説明する。
【００４５】
本発明の第２実施形態の半導体装置１０１は図４に示すように、配線基板１１０と、配線基板１１０上に実装される第１実装部品２、第２実装部品３および半導体チップ１０２と、第１実装部品２、第２実装部品３および半導体チップ１０２を封止する封止樹脂４とを備えている。なお、図４では、理解を容易にするために、封止樹脂４および配線基板１１０のレジスト層１３を省略して描いている。
【００４６】
半導体チップ１０２は、配線基板１１０に銀ペーストを用いてダイボンドされている。半導体チップ１０２と半導体チップ１０２の外付け部品としての第１実装部品２および第２実装部品３とは、封止樹脂４により一括で封止されている。これにより、半導体チップ１０２、第１実装部品２および第２実装部品３を１パッケージ化して小型化を図っている。
【００４７】
配線層１１は、第１陽極端子接続部１１ａと、第１陰極端子接続部１１ｂと、第２陽極端子接続部１１ｃと、第２陰極端子接続部１１ｄと、陽極配線部１１ｅと、陰極配線部１１ｆと、陽極配線部１１ｇと、陰極配線部１１ｈと、ダミー配線部１１ｉと、例えば９個のボンディングパッド部１１ｊとを含んでいる。ボンディングパッド部１１ｊは、金メッキが施されているとともに、金ワイヤー１０３を用いて半導体チップ１０２に電気的に接続されている。９個のボンディングパッド部１１ｊのうちの４個は、陽極配線部１１ｅ、陰極配線部１１ｆ、陽極配線部１１ｇおよび陰極配線部１１ｈにそれぞれ繋がって形成されている。なお、ボンディングパッド部１１ｊは、外部との電気的接続を行うために、図示しないが絶縁樹脂層１２と共に封止樹脂４の外側まで延設されていてもよいし、図示しないスルーホールを介して配線基板１１０の裏面側の配線層に電気的に接続されていてもよい。
【００４８】
第２実施形態のその他の構造は、上記第１実施形態と同様である。
【００４９】
本実施形態では上記第１実施形態と同様、第１実装部品２の陽極側と第２実装部品３の陰極側との間には、第１実装部品２の陽極端子２ａと同極性のダミー配線部１１ｉが設けられている。これにより、第１実装部品２の陽極側から第２実装部品３の陰極側に向かう電界を小さくすることができる。このため、第１実装部品２の陽極側で電気分解された銀イオンが第２実装部品３の陰極側に引き寄せられるのを抑制することができるので、第２実装部品３の陰極側で樹枝状結晶成長が生じるのを抑制することができる。すなわち、エレクトロケミカルマイグレーションを抑制することができる。その結果、第１実装部品２の陽極側と第２実装部品３の陰極側との間で短絡やリークが生じるのを抑制することができるので、信頼性を向上させることができる。
【００５０】
第２実施形態のその他の効果は、上記第１実施形態と同様である。
【００５１】
＜第３実施形態＞
次に、図５〜図７を参照して、上記第２実施形態とは異なり、配線基板２１０に第１実装部品２および第２実装部品３と半導体パッケージ２０２とが搭載される場合について説明する。
【００５２】
本発明の第３実施形態の半導体装置２０１は図５に示すように、配線基板２１０と、配線基板２１０上に実装される第１実装部品２、第２実装部品３および半導体パッケージ２０２と、第１実装部品２、第２実装部品３および半導体パッケージ２０２を封止する封止樹脂４とを備えている。なお、理解を容易にするために、図５では封止樹脂４および配線基板２１０のレジスト層１３を省略し、図７ではレジスト層１３を省略して描いている。
【００５３】
半導体パッケージ２０２は図５および図６に示すように、複数の陽極端子２０２ａと、複数の陰極端子２０２ｂとを含んでいる。半導体パッケージ２０２は、配線基板２１０に銀ペーストを用いて実装されている。
【００５４】
配線層１１は図５および図７に示すように、第１陽極端子接続部１１ａと、第１陰極端子接続部１１ｂと、第２陽極端子接続部１１ｃと、第２陰極端子接続部１１ｄと、陽極配線部１１ｅと、陰極配線部１１ｆと、陽極配線部１１ｇと、陰極配線部１１ｈと、ダミー配線部１１ｉと、半導体パッケージ２０２に電気的に接続される例えば８個の端子接続部１１ｋとを含んでいる。８個の端子接続部１１ｋには、外部との電気的接続を行うための配線部がそれぞれ繋がって設けられている。８個の端子接続部１１ｋのうちの４個は、第１陽極端子接続部１１ａ、第１陰極端子接続部１１ｂ、第２陽極端子接続部１１ｃおよび第２陰極端子接続部１１ｄにそれぞれ電気的に接続されている。
【００５５】
なお、本実施形態では、第１陽極端子接続部１１ａは、スルーホール１５と、上側（第１実装部品２および第２実装部品３が実装された表面の側）から２層目以降の配線層１６とを介して端子接続部１１ｋに電気的に接続されている。同様に、第２陰極端子接続部１１ｄは、スルーホール１５と、配線層１６とを介して端子接続部１１ｋに電気的に接続されている。
【００５６】
第３実施形態のその他の構造は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００５７】
本実施形態では上記第１および第２実施形態と同様、第１実装部品２の陽極側と第２実装部品３の陰極側との間には、第１実装部品２の陽極端子２ａと同極性のダミー配線部１１ｉが設けられている。これにより、第１実装部品２の陽極側から第２実装部品３の陰極側に向かう電界を小さくすることができる。このため、第１実装部品２の陽極側で電気分解された銀イオンが第２実装部品３の陰極側に引き寄せられるのを抑制することができるので、第２実装部品３の陰極側で樹枝状結晶成長が生じるのを抑制することができる。すなわち、エレクトロケミカルマイグレーションを抑制することができる。その結果、第１実装部品２の陽極側と第２実装部品３の陰極側との間で短絡やリークが生じるのを抑制することができるので、信頼性を向上させることができる。
【００５８】
第３実施形態のその他の効果は、上記第１および第２実施形態と同様である。
【００５９】
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
【００６０】
例えば、上記実施形態では、エレクトロケミカルマイグレーションが問題となる実装部品として代表的なコンデンサについて説明したが、言うまでもなく、実装部品として、チップインダクタ、チップ抵抗、ダイオード、サージアブソーバ等を用いてもよい。
【００６１】
また、上記実施形態では、ダミー配線部の電位を第１陽極端子接続部の電位と同じまたはそれより高くした例について示したが、本発明はこれに限らない。ダミー配線部の電位は、第２陰極端子接続部の電位よりも高ければ、第１陽極端子接続部の電位より低くてもよい。ただし、ダミー配線部の電位は、第１陽極端子接続部の電位と同じまたはそれ以上であることが好ましい。
【００６２】
また、上記実施形態では、銀ペーストを用いて実装部品を実装する場合に、エレクトロケミカルマイグレーションを抑制する例について示したが、本発明はこれに限らない。本発明は、銀以外の金属（例えば銅、錫、鉛、ニッケル、金、ハンダ）のエレクトロケミカルマイグレーションにも効果がある。
【００６３】
また、上述したように、配線基板は２層以上の配線層を有してもよい。この場合、図８に示した本発明の変形例の半導体装置のように、上側（第１実装部品２および第２実装部品３が実装された表面の側）から２層目以降の配線層１６にダミー配線部１６ａを設けてもよい。このように構成すれば、ダミー配線部１６ａと第２陰極端子接続部１１ｄとの間で短絡やリークが生じるのを容易に防止することができる。このため、第１陽極端子接続部１１ａと第２陰極端子接続部１１ｄとの間の距離が極端に狭く、その間にレジスト層１３を設けることができない場合には、上側から２層目（または２層目よりも下層）の配線層１６にダミー配線部１６ａを設けることは有効である。ただし、ダミー配線部が第１陽極端子接続部に近いほどエレクトロケミカルマイグレーションを抑制できるので、ダミー配線部上にレジスト層を設けることが可能な場合は、最上層の配線層にダミー配線部を設けることが好ましい。
【００６４】
また、上記実施形態では、第１陽極端子接続部と第２陰極端子接続部との間の距離が、第１陽極端子接続部と第１陰極端子接続部との間の距離よりも短い場合に、第１陽極端子接続部と第２陰極端子接続部との間にダミー配線部を設ける例について示したが、本発明はこれに限らない。第１陽極端子接続部と第２陰極端子接続部との間の距離が、第１陽極端子接続部と第１陰極端子接続部との間の距離よりも長い場合であっても、第１陽極端子接続部と第２陰極端子接続部との間にダミー配線部を設けることにより、第１実装部品の陽極側と第２実装部品の陰極側との間で短絡やリークが生じるのを抑制することができる。
【００６５】
また、上述した実施形態の構成を適宜組み合わせて得られる構成についても、本発明の技術的範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００６６】
１、１０１、２０１  半導体装置
２  第１実装部品
２ａ  陽極端子
２ｂ  陰極端子
３  第２実装部品
３ａ  陽極端子
３ｂ  陰極端子
４  封止樹脂
１０、１１０、２１０  配線基板
１１  配線層
１１ａ  第１陽極端子接続部
１１ｂ  第１陰極端子接続部
１１ｃ  第２陽極端子接続部
１１ｄ  第２陰極端子接続部
１１ｉ、１６ａ  ダミー配線部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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