(57)【要約】【課題】半導体チップの特性の変化及び半導体基板と実装基板との接続不良を防止すること。【解決手段】バンプ付き電子部品は、回路基板１と、回路基板１の基板主面上に形成される、基板主面に対して平行な方向の断面積が異なる複数のバンプＢ１，Ｂ２とを備える。また、バンプＢ１，Ｂ２のうち断面積が小さいバンプＢ１は鉛直方向に高さ調整層５を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板と、
前記回路基板の主面上に形成される、前記主面に対して平行な方向の断面積が互いに異なる第１及び第２のバンプと、
を備え、
前記第１及び第２のバンプのうち断面積が小さいバンプは前記鉛直方向に高さ調整層を有する、
ことを特徴とするバンプ付き電子部品。
【請求項２】
前記高さ調整層は、当該調整層が設けられるバンプの先端に配置される、ことを特徴とする請求項１に記載のバンプ付き電子部品。
【請求項３】
前記高さ調整層は、当該高さ調整層が設けられるバンプの前記鉛直方向の中間に配置される、ことを特徴とする請求項１に記載のバンプ付き電子部品。
【請求項４】
前記高さ調整層の前記主面に対して平行な方向の断面積は、当該高さ調整層を有するバンプの鉛直方向の断面積と同一である、ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のバンプ付き電子部品。
【請求項５】
前記高さ調整層の抵抗率は、当該高さ調整層が設けられるバンプの主材料の抵抗率と異なる、ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のバンプ付き電子部品。
【請求項６】
前記第１及び第２のバンプの先端にそれぞれハンダ層を有し、
前記第１及び第２のバンプのうち前記主面に対して平行な方向の断面積が大きいバンプのハンダ層の融点が前記主面に対して平行な方向の断面積の小さいバンプのハンダ層の融点より高い、ことを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載のバンプ付き電子部品。
【請求項７】
回路基板と、
前記回路基板の主面上に形成される、前記主面に対して平行な方向の断面積が異なる第１及び第２のバンプと、
を備え、
前記第１及び第２のバンプは、前記基板主面上からの高さを基準の高さにする高さ調整層をそれぞれ有する、ことを特徴とするバンプ付き電子部品。
【請求項８】
バンプ付き電子部品の製造方法であって、
回路基板の主面に対して平行な方向の断面積が互いに異なる第１及び第２のバンプを前記主面上に形成する工程を備え、
前記形成する工程は、前記第１及び第２のバンプのうち断面積が小さいバンプを形成するときに、前記鉛直方向に高さ調整層を形成する工程を含む、ことを特徴とするバンプ付き電子部品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、バンプ付き電子部品及びバンプ付き電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
バンプ付き電子部品、例えばバンプを有する半導体基板において、当該半導体基板の主面に対して平行な方向の断面積が異なるバンプを複数備えたものが知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−２２３３２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のように、半導体基板の主面に対して平行な方向の断面積が互いに異なるバンプをメッキ膜で形成する場合、メッキ膜の成長速度が断面積の異なるバンプで相違するため、メッキ膜の形成後に、断面積の異なるバンプ毎に基板主面からの高さが異なってしまうという事態が生じる。より詳細には、バンプの断面積（径）が大きいほどメッキ膜の成長速度が速いため、断面積の大きいバンプほど基板主面からの高さが高くなる。
【０００５】
このように高さの異なるバンプが形成された半導体基板を実装基板に実装した場合、半導体基板が実装基板に傾いて実装される。このため半導体基板上の回路と実装基板との間で不要な容量が発生し、半導体チップの特性が変化するという事態が生じる。
【０００６】
また、半導体基板が傾いて実装される場合、断面積の小さいバンプの半導体基板との接続部、つまり、主面からの高さが低いバンプの半導体基板との接続部に応力が集中し、半導体基板と実装基板との接続不良が発生するという事態が生じる。
【０００７】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、半導体チップの特性の変化及び半導体基板と実装基板との接続不良を防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために本発明のバンプ付き電子部品は、回路基板と、回路基板の主面上に形成される、前記主面に対して平行な方向の断面積が異なる第１及び第２のバンプとを備え、第１及び第２のバンプのうち断面積が小さいバンプは前記主面に対して鉛直な方向に高さ調整層を有することを特徴とする。
【０００９】
更に、本発明のバンプ付き電子部品の製造方法は、回路基板の主面上に当該主面に対して平行な方向の断面積が互いに異なる第１及び第２のバンプを形成する工程を備え、当該バンプを形成する工程は、第１及び第２のバンプのうち断面積が小さいバンプを形成するときに、前記主面に対して鉛直な方向に高さ調整層を形成する工程を含むものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、半導体チップの特性の変化及び半導体基板と実装基板との接続不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係るバンプ付き電子部品の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係るバンプ付き電子部品の断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るバンプ付き電子部品を製造する工程を示す図である。
【図４】本発明の第２の実施形態に係るバンプ付き電子部品を製造する工程を示す図である。
【図５】第１及び第２の実施形態に係るバンプ付き電子部品を製造する工程の一工程の説明図である。
【図６】本発明の第４の実施形態に係る電力増幅器のブロック構成図である。
【図７】本発明の第４の実施形態に係る電力増幅器を構成する電力増幅器モジュールの実装形態を示す平面図である。
【図８】図７のＩ−Ｉ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（第１の実施形態：構成）
図１は、第１の実施形態に係る、例えば半導体チップ等のバンプ付き電子部品（以下、電子部品という）の断面図である。
【００１３】
電子部品１００の回路基板１は、半導体基板やＳＡＷ（Surface Acoustic Wave）フィルタ等を作製する圧電基板である。半導体基板は例えばＧａＡｓ基板やＳｉ基板等であり、圧電基板は例えば水晶基板、ＬｉＴａＯ3基板、ＬｉＮｂＯ3基板である。この回路基板１の基板主面１ａ上に半導体回路（図示せず）が形成される。
【００１４】
また、回路基板１上には基板主面１ａに対して平行な方向の断面積（以下、断面積という）が互いに異なる円柱形状のバンプＢ１及びＢ２を備えており、バンプＢ１の断面積Ｓ１がバンプＢ２の断面積Ｓ２よりも小さくなっている。また、バンプＢ１及びＢ２共に基板主面１ａからの高さは５０μｍ程度である。ここで、バンプＢ１，Ｂ２の主材料は、Ｃｕであるが、Ｃｕの他にＡｕも使用可能であり、例えば電解メッキで形成される。回路基板１上のバンプＢ１及びＢ２以外の領域は保護膜（例えばＳｉＮX：膜厚０．５μｍ）８が形成されている。なお、バンプＢ１及びＢ２の形状は円柱状に限るものではなく、角柱状などでも構わない。
【００１５】
バンプＢ１は、Ａｕパッド２１、金属層３１、Ｃｕピラー４１及び調整層５を有し、回路基板１上からＡｕパッド２１、金属層３１、Ｃｕピラー４１及び調整層５を順次積層してなる。また、バンプＢ２は、Ａｕパッド２２、金属層３２及びＣｕピラー４２を有し、回路基板１上からＡｕパッド２２、金属層３２及びＣｕピラー４２を順次積層してなる。
【００１６】
Ａｕパッド２１，２２は、回路基板１上に形成され、電気信号の入出力電極として用いられる。金属層３１，３２は、例えばＴｉ（膜厚０．１μｍ）及びＣｕ（膜厚０．１μｍ）からなるメッキ用種電極層である。Ｃｕピラー４１，４２は、電解メッキにより形成される層である。高さ調整層５は、基板主面１ａ上のバンプＢ１の高さをバンプＢ２と同じ高さに調整するためのＣｕからなる電極層であり、例えば後述するインクジェット法により形成される。高さ調整層５の断面積はＳ１であり、バンプＢ１の断面積Ｓ１と同一である。
【００１７】
以上のように構成される電子部品１００によると、断面積が異なるバンプＢ１及びＢ２が２つ存在しても、回路基板１の基板主面１ａ上の高さ、言い換えれば電子部品１００の高さを均一化することができる。この結果、当該電子部品１００を実装基板の主面上にバンプＢ１及びＢ２を介して実装するときに、当該電子部品１００の傾きを無くすことができ電子部品１００と実装基板との接続不良（未接続バンプ）の発生を防止することができる。これにより、電子部品１００の実装歩留まりを改善することができる。また、電子部品１００が実装基板に傾いて実装されないため、電子部品１００の半導体回路と実装基板との間で不要な容量が発生せず、半導体回路の特性の変化を防止することができる。
【００１８】
また、上記の実施形態では、高さ調整層５の材料がバンプＢ１の主材料（Ｃｕ）と同一の場合で説明したが、異なる材料にしても良い。例えば、高さ調整層５の材料として金、銀、アルミニウム、白金、タンタル、チタン等を使用することができる。金、銀、アルミニウムを使用した場合、主材料である銅と同程度の機械的特性を有しているため、バンプ実装時の加熱による熱応力や加圧時の機械的応力を緩和できる。また、白金、タンタル、チタンを使用した場合、バンプ実装時のハンダ付け性を向上することができる。
【００１９】
また、高さ調整層５をバンプＢ１の先端に配置するため、基板主面１ａに対する鉛直方向のバンプＢ１の高さ調整を容易にすることができる。
【００２０】
さらに、高さ調整層５の断面積Ｓ１は、バンプＢ１の断面積Ｓ１と同一である。このため、バンプＢ１が回路基板１の基板主面１ａに対して平行方向に大きくならないため、電子部品１００の実装面積を小さくできる。
【００２１】
さらに、高さ調整層５の抵抗率を高さ調整層５が設けられるバンプＢ１の主材料（Ｃｕ）の抵抗率と異なるようにしても良い。高さ調整層５の材料として、バンプＢ１の主材料と異なる金属材料、例えば抵抗値の大きい金属材料を使用した場合、バンプＢ１で抵抗を形成することが可能になる。このため、バンプＢ１を電子部品１００内の１つの回路として使用することができ、電子部品１００の設計自由度を向上させることができる。
【００２２】
（第２の実施形態：構成）
次に、第２の実施形態について説明する。この第２の実施形態は、高さ調整層５をバンプＢ１の中間に配置すること、言い換えれば、高さ調整層５にさらにバリアメタル層、ハンダ層を積層している点が既述の第１の実施形態と異なっている。なお、第１の実施形態と同一の構成には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。
【００２３】
図２に示すように、電子部品１０１のバンプＢ１は高さ調整層５にバリアメタル層６１、ハンダ層７１を順次積層し、バンプＢ２はＣｕピラー４２にバリアメタル層６２、ハンダ層７２を順次積層している。バリアメタル層６１及びハンダ層７１の断面積はＳ１であり、バリアメタル層６２及びハンダ層７２の断面積はＳ２である。
【００２４】
バリアメタル層６１，６２はそれぞれ、例えばＮｉ（膜厚０．５μｍ）を材料とした層である。また、ハンダ層７１，７２はそれぞれ、例えばＡｇ−Ｓｎを材料とするハンダで構成される層である。
【００２５】
この第２の実施形態の電子部品１０１によると、高さ調整層５をバンプＢ１の中間（バンプＢ１の先端の層及び基板主面側ではない層）に配置しているため、バンプＢ１の先端に他のバンプＢ２と同じ金属材料（本第２の実施形態ではハンダ：Ａｇ−Ｓｎ）等を配置することができ、各バンプＢ１，Ｂ２における電気的特性及び電気的な接続信頼性を同等にすることができる。
【００２６】
なお、高さ調整層５の材料として、ＳｉＮX，ＳｉＯ2等の絶縁膜を構成する材料を用いても良い。このように構成すると、Ｃｕピラー４１−高さ調整層５−バリアメタル層６１（金属−絶縁体−金属）がＭＩＭ（Metal Insulation Metal）容量となり、電子部品１０１内にコンデンサを形成することができる。このようなバンプＢ１を別に用意した実装基板などに実装する場合、バンプＢ１が端子電極として機能するが、その端子電極にＭＩＭ容量を形成することができ、高周波信号だけを通過させ、電源からの信号や制御信号などの直流信号を遮断することができる。
【００２７】
（第３の実施形態：構成）
次に、第３の実施形態について図２を用いて説明する。この第３の実施形態は、ハンダ層７１，７２の各材料をバンプの断面積に応じて異ならせる点が上記の第２の実施形態と異なっている。なお、第２の実施形態と同一の構成には同一の符号を付して図示及び詳細な説明は省略する。
【００２８】
図２に示すハンダ層７１の材料としてＳｎ−Ｂｉを用い、ハンダ層７２の材料としてＡｇ−Ｓｎを用いる。言い換えれば、断面積の小さいバンプＢ１ではＡｇ−Ｓｎ系ハンダより融点の低いＳｎ−Ｂｉ系ハンダを用い、断面積の大きなバンプＢ２では融点の高いＡｇ−Ｓｎ系ハンダを用いる。
【００２９】
この第３の実施形態の電子部品１０１によると、ハンダリフロ工程等においてバンプＢ１，Ｂ２のハンダ層７１、７２を溶融し、硬化させる場合（例えば当該電子部品１０１を実装基板に実装する場合）に、断面積の大きいバンプＢ２のハンダ層７２が最初に高温で硬化し、続いて低温で断面積の小さなバンプＢ１のハンダ層７１が硬化する。ハンダ層が硬化する際、ハンダ層に含まれる溶剤などが蒸発するため収縮応力が発生する。バンプの断面積が大きいほどその収縮応力は大きくなるため、先に断面積の大きなバンプＢ２を硬化させることで、断面積が小さいバンプＢ１が硬化する際に加わる収縮応力を低減できる。そのため、バンプＢ１及びＢ２の実装基板への接続信頼性を向上させることができる。
【００３０】
（第１の実施形態：製造方法）
次に、第１の実施形態の電子部品１００の製造方法について図３を参照しながら詳細に説明する。
【００３１】
先ず、回路基板１上に通常の半導体プロセスを用いて半導体回路（図示せず）を形成した後に、ＳｉＮX保護膜８をフォトリソ技術等により開口してＡｕパッド（電気信号入出力パッド）２１，２２を露呈させる（図３（ａ））。
【００３２】
次に、当該半導体回路の全面にメッキ用種電極となるＴｉ（膜厚０．１μｍ）とＣｕ（膜厚０．１μｍ）を例えばスパッタリング法により順に堆積させる（図３（ｂ））。これにより金属層３が形成される。
【００３３】
次に、フォトレジスト９を金属層３上にコーテイングして、フォトマスクを用いて露光、現像を行い、Ｃｕピラー４１、４２を形成する部分に開口を設ける（図３（ｃ））。
【００３４】
次に、電解メッキにより上記フォトレジスト開口部にＣｕを析出させＣｕピラー４１，４２を形成する（図３（ｄ））。このとき、電解メッキによる成長速度が断面積に応じて異なるため、断面積Ｓ１のＣｕピラー４１と断面積Ｓ２（＞Ｓ１）のＣｕピラー４２とで高さが異なる。図示のように、回路基板１の基板主面１ａ上からの高さは、Ｃｕピラー４２の方がＣｕピラー４１より高くなる。
【００３５】
次に、フォトレジスト除去、及び、Ｃｕピラー４１，４２以外のメッキ用種電極のエッチング除去を行う（図３（ｅ））。
【００３６】
次に、所望のＣｕピラー上にのみＣｕを含む導電性ペーストをインクジェット法により調整用として堆積させる。なおこ製造方法においては、バンプＢ１のＣｕピラー４１の上にＣｕ原料を堆積させる（図３（ｆ））。
【００３７】
次に、インクジェット法により堆積させたＣｕ原料を加熱処理により固化させる（図３（ｇ））。これにより、バンプＢ１に既述の高さ調整層５が形成される。
【００３８】
以上の工程（図３（ａ）〜（ｇ））を経ることにより上記第１の実施形態の電子部品１００を製造することができる。なお、高さ調整層５はインクジェット法以外にフォトリソ技術を使用したり、厚膜印刷などでも形成できるが、インクジェット法では液滴状の導電性ペーストで形成することができるため、高さ調整層５を高精度に形成することができる。
【００３９】
（第２及び第３の実施形態：製造方法）
次に、第２の実施形態の電子部品１０１を製造する方法について図４を参照して詳細に説明する。なお、工程（ａ）〜（ｇ）は図３を用いて既述した工程（ａ）〜（ｇ）と同様であるため図示及び説明を省略し、工程（ｇ）より後の工程（ｈ）〜（ｋ）について詳細に説明する。
【００４０】
加熱硬化工程（図３（ｇ））を経た後、バリア金属原料（例えばＮｉを含む導電性ペースト）を全てのＣｕピラー４１，４２上にインクジェット法により堆積させ（図４（ｈ））、加熱処理を施して堆積させたＮｉ原料を固化させる（図４（ｉ））。これにより、バンプＢ１の高さ調整層５とバンプＢ２のＣｕピラー４２にそれぞれバリアメタル層６１，６２が形成される。
【００４１】
次に、ハンダ原料（例えばＡｇ−Ｓｎ）を全てのバリアメタル層６１，６２上にインクジェット法で堆積させ（図４（ｊ））、加熱処理を施して堆積させたハンダ原料を固化させる（図４（ｋ））。これにより、バリアメタル層６１，６２にそれぞれハンダ層７１，７２が積層される。
【００４２】
以上の工程（図３（ａ）〜（ｇ）及び図４（ｈ）〜（ｋ））を経ることにより上記第２の実施形態の電子部品１０１を製造することができる。なお、第３の実施形態の電子部品１０１は、バリアメタル層６１，６２上に堆積させるハンダ材料を異ならせることにより製造することができる。
【００４３】
なお、上記第１〜第３の実施形態においては、回路基板１の基板主面１ａ上にバンプＢ１及びＢ２が形成される場合で説明したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、本発明の電子部品１００又は１０１は、基板主面１ａに対して平行な断面積が異なるバンプを３つ以上設けるように構成し、そのバンプのうち少なくとも１つに高さ調整層５を設けるように構成しても良い。
【００４４】
また、上記第１〜第３の実施形態においては、バンプＢ１の基板主面１ａからの高さを高さ調整層５によりバンプＢ２の基板主面１ａからの高さと同じにする場合を説明したが、本発明はこれに限るものではない。例えば、基板主面１ａからの高さが所定の高さになるように、バンプＢ１及びバンプＢ２にそれぞれ高さ調整層５を有するように構成しても良い。
【００４５】
（高さ調整層の形成工程）
次に、図３を用いて説明した複数の工程のうちの１つの工程である高さ調整層５を形成する工程（図３（ｆ））について詳細に説明する。
【００４６】
図５は、高さ調整層５を形成する構成を示す図である。図５に示すように、高さ調整層５を形成するインクジェットシステム１１０は、電子部品１００のバンプＢ１等の高さを計測するバンプ高さ計測装置１２０、ウェハＷを移動させるステージ１３０、導電性ペーストを用いたインクジェット法により高さ調整層５を形成するインクジェット装置１４０、及びバンプ高さ計測装置１２０、ステージ１３０並びにインクジェット装置１４０を制御する制御装置１５０を有している。また、ウェハＷは、複数の電子部品１００（以下、この説明では、電子部品１００を電子部品Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄともいう。）を有している。
【００４７】
先ず、制御装置１５０の制御に基づいて、ステージ１３０はウェハＷを所定の位置に従って移動させる。例えば、カメラ等により予めウェハＷを撮像し、当該撮像画像を処理することによりＣｕピラー４１の位置を検出し、この検出結果に基づいてウェハＷを移動させても良い。或いは、ウェハＷ内のＣｕピラー４１の位置等の情報を予め制御装置１５０内の所定のメモリに格納しておき、このメモリに格納された情報に従ってウェハＷを移動させても良い。
【００４８】
ウェハＷが移動され、バンプ高さ計測装置１２０の鉛直下方にＣｕピラー４１が位置したときに、バンプ高さ計測装置１２０はレーザなどを用いて当該Ｃｕピラー４１の基板主面１ａ上からの高さを計測し、当該計測したピラー４１の高さ及びＣｕピラー４１の位置（ウェハＷ内の座標）を示す制御情報を制御装置１５０へ送信する。バンプ高さ計測装置１２０はウェハＷが移動され、各電子部品１００のＣｕピラー４１が鉛直下方に位置する毎に当該処理を実行する。
【００４９】
次に、ステージ１３０によりウェハＷが移動され、上記のバンプ高さを計測したＣｕピラー４１がインクジェット装置１４０の鉛直下方に位置した場合、制御装置１５０は当該制御情報に含まれるＣｕピラー４１の基板主面１ａ上からの高さに基づいて、Ｃｕピラー４１（バンプＢ１）の高さがＣｕピラー４２（バンプＢ２）と同じ高さとなるように、インクジェット噴射量を調整し、インクジェット装置１４０は、Ｃｕ原料をＣｕピラー４１上に吐出する。ここで、インクジェット噴射量は、予め設定しておくようにしても良いし、又はＣｕピラー４２の高さとＣｕピラー４１の高さとの差分に応じた量を算出し、当該算出量を噴射量としても良い。このようにＣｕ原料がＣｕピラー４１上に堆積され、加熱処理されることにより、高さ調整層５が形成される。
【００５０】
この高さ調整層５を形成する工程によれば、高さ調整層５を有するＣｕピラー４１が複数あっても1回のプロセスでウェハＷ内の全ての電子部品Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄ等のＣｕピラー４１に高さ調整層５を形成することができ、複雑なプロセスを必要としない。
【００５１】
なお、基板主面１ａに対して平行な方向の断面積が異なるバンプを３つ以上設けるように構成された電子部品１００の場合には、基板主面１ａから最も高さのあるバンプと同じ高さになるように、他のバンプのＣｕピラーのうち少なくとも１つに高さ調整層５を形成すれば良い。また、基板主面１ａからの高さが所定の高さになるように、バンプＢ１及びバンプＢ２にそれぞれ高さ調整層５を形成するように構成された電子部品１００の場合には、当該所定の高さになるように各バンプＢ１及びＢ２にそれぞれ高さ調整層５を形成すれば良い。これらの場合であっても、1回のプロセスでウェハＷ内の対象となる全てのＣｕピラー（バンプ）に高さ調整層５を形成することができ、複雑なプロセスを必要としない。
【００５２】
（第４の実施形態：構成）
次に、第４の実施形態について説明する。この第４の実施形態は、本発明の電子部品１００をフリップチップ実装してなる電力増幅器２００について説明する。
【００５３】
図６は電力増幅器２００のブロック構成を示す図である。図６に示すように、電力増幅器２００は、高周波信号の入力端子である高周波入力端子２１０、高周波入力端子２１０からの入力信号を増幅する第１の増幅回路２３０および第２の増幅回路２５０、高周波信号の出力端子である高周波出力端子２７０を備え、高周波入力端子２１０と第１の増幅回２３０の入力端子との間のインピーダンスを整合する入力整合回路２２０、第１の増幅回路２３０の出力端子と第２の増幅回路２５０との間のインピーダンスを整合する段間整合回路２４０、第２の増幅回路２５０の出力端子と高周波出力端子２７０との間のインピーダンスを整合する出力整合回路２６０を有している。
【００５４】
図７は電力増幅器２００を構成する電力増幅器モジュール３００の実装形態を示す平面図であり、図８は図７のＩ−Ｉ断面図である。
【００５５】
図８に示すように、電力増幅器モジュール３００は、３つの絶縁体層３１１〜３１３と４つの導体層３２１〜３２４が交互に積層されて構成され、導体層３２２上に電子部品１００がフリップチップ実装されている。また、図７及び図８に示すように、電力増幅器モジュール３００の絶縁体層３１１上の複数の導体層３２１上には、複数の受動素子３０１が各導体層３２１を接続するように配置されている。
【００５６】
この第４の実施形態の電力増幅器モジュール３００によれば、バンプＢ１が高さ調整層５で調整された電子部品１００又は１０１をフリップチップ実装してなるため、実装基板の導体層３２２と接続する場合に、接続不良（未接続バンプ）の発生を防止することができ電力増幅器の製造歩留まりを防止することができる。また、電子部品１００の半導体回路の特性の変化を防止することができる。さらに、電子部品１００又は１０１の機械的特性及び電気的特性を調整することが可能になる。
【００５７】
なお、上記第１〜第４の実施形態は、本発明の理解を容易にするためのものであり、本発明を限定して解釈するためのものではない。本発明は、その趣旨を逸脱することなく、変更／改良され得るととともに、本発明にはその等価物も含まれる。
【符号の説明】
【００５８】
１・・・回路基板、１ａ・・・基板主面、２，２１，２２・・・Ａｕパッド、３，３１，３２・・・金属層、４，４１，４２・・・Ｃｕピラー、５・・・調整層、６１，６２・・・バリアメタル層、７１，７２・・・ハンダ層、８・・・保護膜、１００，１０１・・・バンプ付き電子部品、１１０・・・インクジェットシステム、２００・・・電力増幅器、３００・・・電力増幅器モジュール、Ｂ１，Ｂ２・・・バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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