(57)【要約】【課題】断裁性に優れ、断裁処理に供してもシンチレータ層の剥離などを生じることがなく、感度および鮮鋭性に優れるＸ線画像などの放射線画像を提供できるシンチレータパネルを提供する。【解決手段】基板１上に反射層３及び蒸着により形成されたシンチレータ層２を有するシンチレータパネル１０であって、該反射層が光散乱粒子及び特定のバインダー樹脂からなり、特定の膜厚を有することを特徴とするシンチレータパネル。反射層の表面はカレンダー処理により平滑化されていることが好ましく、光散乱粒子はアルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムおよび酸化チタンから選ばれる少なくとも一種の光散乱粒子であることが好ましい。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、該支持体上に設けられた反射層とを有する蒸着用基板であって、
該反射層が、光散乱粒子と、ガラス転移温度が−１００〜６０℃のバインダー樹脂を含み、かつ該反射層の膜厚が５〜３００μｍであることを特徴とする蒸着用基板。
【請求項２】
前記光散乱粒子が、アルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、二酸化チタン、硫酸バリウム、シリカ、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、ガラスおよび樹脂から選ばれる少なくとも一種からなることを特徴とする請求項１に記載の蒸着用基板。
【請求項３】
前記光散乱粒子が、粒子内に中空部が存在する中空粒子、粒子内に中空部が多数存在する多中空粒子、および多孔質粒子から選ばれる少なくとも一種からなることを特徴とする請求項１または２に記載の蒸着用基板。
【請求項４】
前記光散乱粒子が、少なくとも二酸化チタンを含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の蒸着用基板。
【請求項５】
前記反射層に含まれる揮発物の含有量が、０．５ｍｇ／ｍ2以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の蒸着用基板。
【請求項６】
前記反射層が、樹脂を主成分とする支持体上に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の蒸着用基板。
【請求項７】
前記樹脂がポリイミドであることを特徴とする請求項６に記載の蒸着用基板。
【請求項８】
該反射層の蒸着面とは反対側の面に、光吸収層を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか１項に記載の蒸着用基板。
【請求項９】
支持体に、バインダー樹脂を有する反射層を設ける蒸着用基板の製造方法であって、
該反射層が形成された後、断裁されることを特徴とする蒸着用基板の製造方法。
【請求項１０】
支持体と、該支持体上に設けられた反射層と、該反射層上に蒸着により設けられたシンチレータ層とを有するシンチレータパネルであって、
該反射層が、光散乱粒子と、ガラス転移温度が−１００℃〜６０℃のバインダー樹脂を含み、かつ該反射層の膜厚が５〜３００μｍであることを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項１１】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の蒸着用基板の反射層の、支持体とは反対側の面に、蒸着により形成されたシンチレータ層を有することを特徴とするシンチレータパネル。
【請求項１２】
前記光散乱粒子が、アルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、二酸化チタン、硫酸バリウム、シリカ、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、ガラスおよび樹脂から選ばれる少なくとも一種からなることを特徴とする請求項１０または１１に記載のシンチレータパネル。
【請求項１３】
前記光散乱粒子が、粒子内に中空部が存在する中空粒子、粒子内に中空部が多数存在する多中空粒子、および多孔質粒子から選ばれる少なくとも一種からなることを特徴とする請求項１０〜１２のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項１４】
前記光散乱粒子が、少なくとも二酸化チタンを含むことを特徴とする請求項１０〜１３のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項１５】
前記反射層が、樹脂を主成分とする支持体上に形成されていることを特徴とする請求項１０〜１４のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項１６】
前記樹脂が、ポリイミドであることを特徴とする請求項１５に記載のシンチレータパネル。
【請求項１７】
前記反射層に形成されたシンチレータ層とは反対側の面に、光吸収層を有することを特徴とする請求項１０〜１６のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項１８】
前記シンチレータ層が、ヨウ化セシウムと、少なくともタリウムを含む１種以上の添加剤とを原材料として蒸着により形成された柱状結晶構造を有することを特徴とする請求項１０〜１７のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項１９】
前記シンチレータ層の表面が、保護膜により覆われていることを特徴とする請求項１０〜１８のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項２０】
前記保護膜が、ポリパラキシリレン膜であることを特徴とする請求項１９に記載のシンチレータパネル。
【請求項２１】
前記シンチレータ層が、該シンチレータ層と反射層との界面から成長した柱状結晶で形成されていることを特徴とする請求項１０〜２０のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項２２】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の蒸着用基板よりも剛性の高いサポート板に保持されていることを特徴とする請求項１０〜２１のいずれか１項に記載のシンチレータパネル。
【請求項２３】
支持体に、バインダー樹脂を有する反射層を設け、該反射層に蒸着によりシンチレータ層を設けるシンチレータパネルの製造方法であって、
該シンチレータパネルの表面に、該バインダー樹脂のガラス転移温度以上の温度環境において１，０００〜１０，０００，０００Ｐａの圧力をかけて、柱状結晶の高さを均一にすることを特徴とするシンチレータパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着用基板および被写体の放射線画像を形成する際に用いられるシンチレータパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、Ｘ線画像のような放射線画像は医療現場において病状の診断に広く用いられている。特に、増感紙−フィルム系による放射線画像は、長い歴史のなかで高感度化と高画質化が図られた結果、高い信頼性と優れたコストパフォーマンスを併せ持った撮像システムとして、今なお、世界中の医療現場で用いられている。しかしながら、これら画像情報は、いわゆるアナログ画像情報であって、現在発展を続けているデジタル画像情報のような、自由な画像処理や瞬時の電送が出来ない。
【０００３】
近年、コンピューテッドラジオグラフィ（computed radiography：ＣＲ）やフラットパネル型の放射線ディテクタ（flat panel detector：ＦＰＤ）等に代表されるデジタル方式の放射線画像検出装置が登場している。これら放射線画像検出装置では、デジタルの放射線画像が直接得られ、陰極管を利用したパネルや液晶パネル等の画像表示装置に画像を直接表示することが可能なので、写真フィルム上への画像形成が必要ない。その結果、これらのデジタル方式のＸ線画像検出装置は、銀塩写真方式による画像形成の必要性を低減させ、病院や診療所での診断作業の利便性を大幅に向上させている。
【０００４】
Ｘ線画像に関するデジタル技術の一つとしてコンピューテッドラジオグラフィ（ＣＲ）が現在医療現場で受け入れられている。しかしながら、ＣＲで得られるＸ線画像は、銀塩写真方式などのスクリーン・フィルムシステムによる画像と比べて鮮鋭性が十分でなく空間分解能も不十分であり、その画質レベルはスクリーン・フィルムシステムの画質レベルには到達していない。そこで、更に新たなデジタルＸ線画像技術として、例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いた平板Ｘ線検出装置（Ｆｌａｔ ｐａｎｅｌ ｄｉｔｅｃｔｏｒ、ＦＰＤ）が開発されている（例えば、非特許文献１、２参照）。
【０００５】
上記ＦＰＤでは、その原理上、Ｘ線を可視光に変換するために、照射されたＸ線を可視光に変換して発光する特性を有するＸ線蛍光体で作られたシンチレータ層を有するシンチレータパネルが使用されるが、低線量のＸ線源を用いたＸ線撮影において、シンチレータパネルから検出されるシグナルとノイズとの比（ＳＮ比）を向上するためには、発光効率（Ｘ線の可視光への変換率）の高いシンチレータパネルを使用することが必要になってくる。一般にシンチレータパネルの発光効率は、シンチレータ層（蛍光体層）の厚さ、蛍光体のＸ線吸収係数によって決まるが、蛍光体層の厚さは厚くすればするほど、Ｘ線照射により蛍光体層内で発生した発光光がシンチレータ層内で散乱しやすくなり、シンチレータパネルを介して得られるＸ線画像の鮮鋭性が低下する。そのため、Ｘ線画像の画質に必要な鮮鋭性を設定すると、シンチレータパネルにおける蛍光体層の膜厚の限度が自ずと定まる。
【０００６】
その一方で、蛍光体の種類によっては、シンチレータパネルにおける蛍光体層の膜厚の限度を向上させられる場合がある。蛍光体の中でも、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）は、Ｘ線から可視光への変換率が比較的高く、また、蒸着によって容易に柱状結晶構造の蛍光体層を形成出来るため、光ガイド効果により、蛍光体結晶内での発光光の散乱（すなわちシンチレータ層内での散乱）を抑えられることができ、該散乱が抑えられる分だけ蛍光体層の膜厚を厚くすることが可能である。
【０００７】
しかしながらＣｓＩのみでは発光効率が低いために、例えば、（１）ＣｓＩ結晶および賦活剤であるナトリウム化合物、（２）ＣｓＩ結晶および賦活剤であるタリウム化合物、（３）ＣｓＩ結晶および賦活剤であるインジウム化合物を、蒸着により基板上に堆積してシンチレータ層を形成し、後工程としてシンチレータ層のアニールを行うことで、シンチレータ層の可視変換効率を向上させる方法などが一般的に採用される。
【０００８】
また、シンチレータパネルの光出力を増大する方法としては、上記の方法の他にも、シンチレータ層を形成する基板として反射性の基板を用いる方法（例えば特許文献１参照）、基板上に金属蒸着膜からなる反射層を設ける方法（例えば、特許文献２参照）、基板上に反射性金属薄膜を設け、該反射性金属薄膜を透明有機膜で覆い、該透明有機膜上にシンチレータ層を形成する方法（例えば、特許文献３参照）などが提案されている。しかし、これらの方法により得られるシンチレータパネルでは、得られる光量は増加するが、反射層として機能する層とシンチレータ層との界面においてシンチレータ層で生じた発光光の光散乱が起こり、シンチレータパネルを介して得られるＸ線画像データ情報に乱れが生じるので、得られるＸ線画像の鮮鋭性が著しく低下するという欠点がある。
【０００９】
また、シンチレータパネルを平面受光素子面上に配置してＸ線画像検出器を製造する方法があるが（例えば、特許文献４、５参照）、各種平面受光素子ごとにサイズなどの異なるシンチレータパネルを別途製造する必要があることから該検出器の生産効率が悪く、しかも、上述のような、反射層とシンチレータ層との界面における光散乱に起因してＸ線画像の鮮鋭性が低下するという問題を解決するものではなかった。
【００１０】
また、従来の気相法によるシンチレータパネルの製造方法では、一般的に、アルミニウムやアモルファスカーボンなどの材料からなる剛直な基板上にシンチレータ層を形成し、シンチレータの表面全体を保護膜で被覆する（例えば、特許文献６参照）。しかしながら、このように、変形し難い剛直な基板上にシンチレータ層を形成してシンチレータパネルを製造した場合、該シンチレータパネルと平面受光素子とを貼り合せる際に、シンチレータパネルと平面受光素子とを均一に接触させることは難しい。すなわち、上記シンチレータパネルには、基板自体の凹凸やシンチレータ層に形成されている柱状蛍光体結晶の各々の高さの違いに起因する凹凸などが存在するが、基板が変形し難いことからその凹凸の影響は大きく、シンチレータパネルと平面受光素子とを均一に密着させることが難しい。この問題を解決するために、生産効率が悪いが上記シンチレータパネルと平面受光素子との密着に関する問題の解決を優先させて、シンチレータパネルと平面受光素子との接触面にスペーサーを使用する方法などが提案されているが（例えば、特許文献４、５参照）、この方法ではシンチレータパネルと平面受光素子との間隙が増加し、この間隙内におけるシンチレータパネルのシンチレータ層で生じた発光光の光散乱を招くため、得られるＸ線画像の鮮鋭性の劣化は避けられない。この問題は、近年のフラットパネルディテクタの大型化に伴い、さらに深刻化してきている。
【００１１】
上記のようなシンチレータパネルと平面受光素子との密着性の問題やスペーサーの使用に伴う問題を回避するために、蒸着によりシンチレータ層を撮像素子上に直接形成する方法や、鮮鋭性は低いが可とう性を有する医用増感紙などをシンチレータパネルの代用として用いる方法が一般的に採用されている。また、シンチレータパネルにおいて、シンチレータ層などを保護する保護層としてポリパラキシレン等から形成される柔軟な保護層を使用する方法も採用されている（例えば、特許文献７参照）。
【００１２】
しかしながら、基板にはアルミニウムやアモルファスカーボンなどの剛直な材料が使用されており、１０μｍの程度の厚さの保護層をシンチレータ層上や基板上に設けたとしても、保護層の表面には、基板自体の凹凸やシンチレータ層の各柱状蛍光体結晶の高さの違いに起因する凹凸などを反映した凹凸が形成される。従って、そのような厚みの保護層を採用したからといって、基板やシンチレータ層の凹凸の影響を取り除けるものではなく、シンチレータパネルの面と平面受光素子の面とを均一に密着させることはやはり達成し難い。その一方で、柔軟な保護層を厚くすると、シンチレータパネルと平面受光素子との間隙が大きくなることから、得られるＸ線画像の鮮鋭性の劣化に繋がる。
【００１３】
この様な状況から、シンチレータパネルの発光効率に優れ、シンチレータパネルと平面受光素子面と間隙の大きさなどに起因するＸ線画像の鮮鋭性の劣化が少ない放射線フラットパネルディテクタを開発することが望まれている。
【００１４】
特許文献８には、基板上に反射層および蒸着により形成されたシンチレータ層を有するシンチレータパネルであって、該反射層が白色顔料およびバインダー樹脂からなるシンチレータパネルが開示されている。また、特許文献８には、このようなシンチレータパネルは、反射層が白色顔料及びバインダー樹脂で形成されているので、発光取り出し効率が高く、得られるＸ線画像の鮮鋭性が高いことが開示されている。このシンチレータパネルは、平面受光素子と貼り合せて使用しても、シンチレータパネル面−平面受光素子面におけるシンチレータパネルで生じた発光光の光散乱などに起因する、Ｘ線画像の鮮鋭性の低下が少なく、上述の課題を解決できる。
【００１５】
しかしながら、特許文献８に開示されているシンチレータパネルにおいては、該シンチレータパネルの断裁時に生じるシンチレータ層の剥離等を防止するという点で、十分改善の余地があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１６】
【特許文献１】特公平７−２１５６０号公報
【特許文献２】特開平１−２４０８８７号公報
【特許文献３】特開２０００−３５６６７９号公報
【特許文献４】特開平５−３１２９６１号公報
【特許文献５】特開平６−３３１７４９号公報
【特許文献６】特許第３５６６９２６号公報
【特許文献７】特開２００２−１１６２５８号公報
【特許文献８】特開２００８−２０９１２４号公報
【非特許文献】
【００１７】
【非特許文献１】Physics Today,１９９７年１１月号２４頁のジョン・ローラーンズ論文"Amorphous Semiconductor Usher in Digital Ｘ-ray Imaging"
【非特許文献２】SPIEの１９９７年３２巻２頁のエル・イ−・アントヌクの論文"Development of a High Resolutio Nactive Matrix,Flat−Panel Imager with Enhanced Fill Factor"
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
本発明の目的は、上記課題を解決することにあり、より詳しくは、断裁性に優れ、断裁処理に供してもシンチレータ層の剥離などを生じることがなく、感度および鮮鋭性に優れるＸ線画像などの放射線画像を提供できるシンチレータパネル、およびそのようなシンチレータパネルを提供でき、しかも断裁性に優れ、断裁処理に供しても反射層の剥離などを生じることがない蒸着用基板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
本発明者らは、上記課題を達成するために鋭意検討した結果、支持体と、該支持体上に設けられた反射層とを有する蒸着用基板であって、該反射層が、光散乱粒子と特定のガラス転移温度（Ｔｇ）を有するバインダー樹脂を含み、かつ、該反射層が特定の膜厚を有する蒸着用基板が、断裁性に優れ、かつ、感度および鮮鋭性に優れたＸ線画像などの放射線画像が得られ、断裁性にも優れるシンチレータパネルを提供できることを見出した。
【００２０】
より具体的には、次の通りである。
上記蒸着用基板において、バインダー樹脂が特定のＴｇを有するものであると、支持体との密着性、および断裁の際に受ける変形に対する追従性に優れるため、蒸着用基板や該蒸着用基板を含むシンチレータパネルは、断裁に供しても反射層の剥離などを生じず、該シンチレータパネルは断裁に供してもシンチレータ層の剥離等を生じないことを見出した。
【００２１】
また、上記蒸着用基板において、反射層の膜厚が特定の範囲にあると、膜厚が薄すぎて断裁時の衝撃に耐えきれずに反射層が支持体から剥離したり、膜厚が厚すぎて成膜時にクラックが発生し、蒸着時に蛍光体結晶が異常成長したりすることがなく、それゆえ、該蒸着用基板を含むシンチレータパネルを介して得られる放射線画像は鮮鋭性に優れることを見出した。
【００２２】
さらに、上記蒸着用基板において、反射層中の揮発物の量が特定の範囲内であると、該蒸着基板を含むシンチレータパネルを介して、より鮮鋭性に優れる放射線画像が得られることも見出した。
【００２３】
また、上記蒸着用基板の反射層上（反射層の、支持体側と反対面上）にシンチレータ層が形成されたシンチレータパネルに、上記バインダー樹脂のＴｇ以上の温度環境において特定の圧力をかけると、シンチレータ層を構成する結晶の高さを該結晶の性質を損なうことなく均一にでき、該シンチレータパネルを介して得られる放射線画像の鮮鋭性を向上させられることも見出した。
【００２４】
すなわち、上記課題を解決するための本発明に係る蒸着用基板は、支持体と、該支持体上に設けられた反射層とを有する蒸着用基板であって、該反射層が、光散乱粒子と、ガラス転移温度が−１００℃〜６０℃のバインダー樹脂を含み、かつ該反射層の膜厚が５〜３００μｍであることを特徴とする。
【００２５】
本発明に係る蒸着用基板は、前記光散乱粒子が、アルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、二酸化チタン、硫酸バリウム、シリカ、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、ガラスおよび樹脂から選ばれる少なくとも一種からなることが好ましい。
【００２６】
本発明に係る蒸着用基板は、前記光散乱粒子が、粒子内に中空部が存在する中空粒子、粒子内に中空部が多数存在する多中空粒子、および多孔質粒子から選ばれる少なくとも一種からなることが好ましい。
【００２７】
本発明に係る蒸着用基板は、前記光散乱粒子が、少なくとも二酸化チタンを含むことが好ましい。
本発明に係る蒸着用基板は、前記反射層に含まれる揮発物の含有量が、０．５ｍｇ／ｍ2以下であることが好ましい。
【００２８】
本発明に係る蒸着用基板は、前記反射層が、樹脂を主成分とする支持体上に形成されていることが好ましい。
本発明に係る蒸着用基板は、前記樹脂がポリイミドであることが好ましい。
【００２９】
本発明に係る蒸着用基板は、前記反射層の蒸着面とは反対側の面に、光吸収層を有することが好ましい。
上記課題を解決するための本発明に係る蒸着用基板の製造方法は、支持体に、バインダー樹脂を有する反射層を設ける蒸着用基板の製造方法であって、該反射層が形成された後、断裁されることを特徴とする。
【００３０】
上記課題を解決するための本発明に係るシンチレータパネルは、支持体と、該支持体上に設けられた反射層と、該反射層上に蒸着により設けられたシンチレータ層とを有するであって、該反射層が、光散乱粒子と、ガラス転移温度が−１００℃〜６０℃のバインダー樹脂を含み、かつ該反射層の膜厚が５〜３００μｍであることを特徴とする。
【００３１】
本発明に係るシンチレータパネルは、上記記載の蒸着用基板の反射層の、支持体とは反対側の面に、蒸着により形成されたシンチレータ層を有することが好ましい。
本発明に係るシンチレータパネルは、前記光散乱粒子が、アルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、二酸化チタン、硫酸バリウム、シリカ、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、ガラスおよび樹脂から選ばれる少なくとも一種からなることが好ましい。
【００３２】
本発明に係るシンチレータパネルは、前記光散乱粒子が、粒子内に中空部が存在する中空粒子、粒子内に中空部が多数存在する多中空粒子、および多孔質粒子から選ばれる少なくとも一種からなることが好ましい。
【００３３】
本発明に係るシンチレータパネルは、前記光散乱粒子が、少なくとも二酸化チタンを含むことが好ましい。
本発明に係るシンチレータパネルは、前記反射層が、樹脂を主成分とする支持体上に形成されていることが好ましい。
【００３４】
本発明に係るシンチレータパネルは、前記樹脂が、ポリイミドであることが好ましい。
本発明に係るシンチレータパネルは、前記反射層に形成されたシンチレータ層とは反対側の面に、光吸収層を有することが好ましい。
【００３５】
本発明に係るシンチレータパネルは、前記シンチレータ層が、ヨウ化セシウムと、少なくともタリウムを含む１種以上の添加剤とを原材料として蒸着により形成された柱状結晶構造を有することが好ましい。
【００３６】
本発明に係るシンチレータパネルは、前記シンチレータ層の表面が、保護膜により覆われていることが好ましい。
本発明に係るシンチレータパネルは、前記保護膜が、ポリパラキシリレン膜であることが好ましい。
【００３７】
本発明に係るシンチレータパネルは、前記シンチレータ層が、該シンチレータ層と反射層との界面から成長した柱状結晶で形成されていることが好ましい。
本発明に係るシンチレータパネルは、上記記載の蒸着用基板よりも剛性の高いサポート板に保持されていることが好ましい。
【００３８】
上記課題を解決するための本発明に係るシンチレータパネルの製造方法は、支持体に、バインダー樹脂を有する反射層を設け、該反射層に蒸着によりシンチレータ層を設けるシンチレータパネルの製造方法であって、該シンチレータパネルの表面に、該バインダー樹脂のガラス転移温度以上の温度環境において１，０００〜１０，０００，０００Ｐａの圧力をかけて、柱状結晶の高さを均一にすることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３９】
本発明に係る蒸着用基板は、断裁性に優れ、断裁時に反射層の剥離が生じない。また、本発明に係る蒸着用基板は、断裁性に優れ、断裁時にシンチレータ層の剥離が生じず、かつ、感度および鮮鋭性に優れるＸ線画像などの放射線画像を提供できるシンチレータパネルを提供できる。
【００４０】
本発明に係るシンチレータパネルは、断裁時にシンチレータ層の剥離が生じない。また、本発明に係るシンチレータパネルは、感度に優れ、かつ、鮮鋭性に優れるＸ線画像などの放射線画像が提供できる。
【００４１】
本発明に係るシンチレータパネルの製造方法では、特定条件下で柱状結晶の高さを均一にするので、得られる放射線画像の鮮鋭性により優れるシンチレータパネルを製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００４２】
【図１】図１は、シンチレータパネルの一例である放射線用シンチレータパネル１０の構成の概略を示す断面図である。
【図２】図２は、放射線用シンチレータパネル１０の拡大断面図である。
【図３】図３は、蒸着装置の一例である蒸着装置６１の構成の概略を示す図である。
【図４】図４は、放射線画像検出器の一例である放射線画像検出器１００の構成の概略を示す一部破断斜視図である。
【図５】図５は、撮像パネルの一例である撮像パネル５１の拡大断面図である。
【図６】図６は、本発明に係る蒸着用基板の一例を示す断面図であり、各種材料や反射層のシンチレータ形成予定面（反射層の、支持体と接している面とは反対側の面）の表面の粗さの中心線（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１）を説明するものである。
【図７】図７は、本発明に係る蒸着用基板の製造方法の典型例を説明するための模式図である。
【図８】図８は、シンチレータパネルを断裁する断裁工程に用いられる方法の典型的例を説明するための模式図である。
【図９】図９は、シンチレータパネルをレーザーにより断裁するレーザー断裁の典型的例を説明するための模式図である。
【図１０】図１０は、シンチレータパネルのシンチレータ層の表面にポリパラキシレン膜からなる保護層を形成する方法の典型的例を説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００４３】
以下に、本発明に係る蒸着用基板およびシンチレータパネルについて詳細に説明する。本発明は以下の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨の範囲内で種々変形して実施することができる。
【００４４】
本発明に係る蒸着用基板は、少なくとも、支持体と、該支持体に設けられた特定の反射層とを含む。
本発明のシンチレータパネルは、少なくとも、支持体と、反射層と、蒸着により形成されたシンチレータ層とを含む。
【００４５】
以下、各構成について順に説明する。
なお、本発明に係る「蛍光体（シンチレータ）」とは、入射された非可視光線であるＸ線等の放射線のエネルギー（通常、波長が１０ｎｍ以下）を吸収して、波長が３００ｎｍ〜８００ｎｍの電磁波、すなわち、可視光線を中心に紫外光から赤外光にわたる電磁波（光）を発光する蛍光体をいう。
【００４６】
１．蒸着用基板
本発明に係る蒸着用基板は、支持体と、該支持体に設けられた反射層を有し、該反射層は、光散乱粒子と、ガラス転移温度が−１００℃〜６０℃のバインダー樹脂を含み、かつ反射層の膜厚が５〜３００μｍである。
【００４７】
バインダー樹脂のガラス転移温度および反射層の膜厚が上記範囲にあると、蒸着用基板は断裁性に優れ、断裁時に反射層の剥離が生じない。
蒸着用基板全体の厚さは、ハンドリング性、断裁性の観点から、１０〜１，０００μｍであることが好ましい。
【００４８】
１−１．反射層
本発明に係る蒸着用基板では、反射層は、支持体上に設けられ、光散乱粒子及び特定のバインダー樹脂からなる。
【００４９】
本発明に係る蒸着用基板において、支持体や反射層は１層で形成されていても、２層以上で形成されていてもよい。
反射層の膜厚は、蒸着用基板や該蒸着用基板を含むシンチレータパネルの断裁性を優れたものとする観点、及び放射線画像を得るために該シンチレータパネルとともに用いられる受光素子面との密着性の観点から、通常５〜３００μｍ、好ましくは１５〜１５０μｍ、より好ましくは３０〜１００μｍである。
【００５０】
反射層の膜厚が５μｍを下回ると、反射層が断裁の際に受ける変形に追従する事が出来ず、支持体と反射層との界面で剥離を生じる傾向にある。また、上記蒸着用基板の反射層のシンチレータ形成予定面上にシンチレータ層を形成したシンチレータパネルにおいては、同じく反射層が断裁の際に受ける変形に追従する事が出来ず、支持体と反射層との界面、あるいは、シンチレータ層と反射層との界面で剥離を生じる傾向にある。一方、反射層の膜厚が３００μｍを上回ると、成膜後の残留応力により蒸着用基板の反りが大きくなる傾向にある。このような基板にシンチレータ層を蒸着すると、シンチレータ層にヒビワレが発生し、得られる放射線画像の画質（特に鮮鋭性）が劣化する傾向にある。
【００５１】
反射層に含有される揮発物の量は、蒸着用基板の反射層上（支持体と接触している面の反対面上）に結晶性（結晶状態）に優れた蛍光体が形成される観点から０．５ｍｇ／ｍ2以下であることが好ましい（測定方法は後述の通り）。
【００５２】
上記揮発物としては、例えば、残留溶剤、水分などが挙げられる。
反射層は、樹脂を主成分とする支持体上に形成されていることが、蒸着用基板の断裁性に優れるという観点から好ましい。樹脂については後述するが、中でも、ポリイミドを主成分とする支持体上に反射層が形成されていることが、蒸着用基板や該蒸着用基板を含むシンチレータパネルの断裁性の観点より特に好ましい。
【００５３】
なお、ここでいう「主成分」とは、基板を構成する成分の合計を１００重量％としたときに、５０〜１００重量％の範囲にあることをいう。
本発明に係る蒸着用基板においては、反射層の支持体と接触している面の反対面を、シンチレータ層形成予定面とする。
【００５４】
本発明に係る蒸着用基板は、特定のＴｇを有するバインダー樹脂を含み、特定の厚みを有する反射層が支持体上に形成されているので、断裁性に優れ、かつ、鮮鋭性に優れた放射線画像を提供できるシンチレータパネルなどを提供できる。
【００５５】
上記反射層は、後述する蛍光増白剤や反射率調整の為の色材（カーボンブラック、チタンブラック等）、紫外線吸収剤などを含んでいてもよい。
本発明に係る蒸着用基板の反射層は、Ｘ線などの放射線透過性の観点より、後述の反射層中に空隙を設ける方法により形成された空隙を有していてもよい。
【００５６】
この場合、反射層中の空隙容量（反射層の体積に対する空隙の体積の割合）が、５％〜３０％であることが上記観点より好ましい。空隙容量は反射層の理論密度（空隙ない場合）と実密度の差から容易に算出できる。
【００５７】
また、本発明に係る蒸着用基板の反射層の反射率は、得られる放射線画像の輝度、鮮鋭性などの観点より、５％〜９８％であることが好ましい。
本明細書において、上記反射層の反射率は、分光式色差計ＳＥ−２０００型（日本電色工業社製）を用い、ＪＩＳ  Ｚ−８７２２に基づいて、４００〜７００ｎｍの範囲の分光反射率から算出される。特に反射波長の指定がない場合は、波長５５０ｎｍでの反射率を意味する。
【００５８】
１−１−１．光散乱粒子
本発明の蒸着用基板における反射層に含有される光散乱粒子は、シンチレータ層で生じた発光光の反射層内の光拡散を防止するとともに、反射層に到達した発光光をシンチレータ層の柱状結晶内に効果的に戻す機能を有する。
【００５９】
これらの光散乱粒子は、後述するように、市販のものを用いてもよいし、既知の方法に従って製造してもよい。
光散乱粒子は、反射層を構成するバインダー樹脂と異なる屈折率を有する粒子状材料であれば特に限定されるものではなく、その材料としては、アルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、二酸化チタン、硫酸バリウム、シリカ、酸化亜鉛、炭酸カルシウム、ガラスおよび樹脂などを挙げることができる。これらは１種単独で用いてもよいし、２種以上を混合して用いてもよい（上記において、ガラス、樹脂のように別カテゴリーのものを２種以上用いてもよいし、例えば樹脂におけるアクリル樹脂やポリエステル樹脂のように、同じカテゴリー内で２種以上のものを用いてもよいし、ガラス、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂のように別カテゴリーのものと同じカテゴリーのものがそれぞれ１種または２種以上混在していてもよい）。
【００６０】
これらの中では、例えば、ガラスビーズ、樹脂ビーズ等、特にガラスビーズは、金属酸化物と比べて、屈折率を任意に設定できるため、光拡散性を制御し易い特徴があり、このましい。
【００６１】
ガラスビーズはより高屈折率のものが好ましく、例えばＢＫ７（ｎ＝約１.５、ｎは相対屈折率、以下同じ）；ＬａＳＦＮ９（ｎ＝約１.９）；ＳＦ１１（ｎ＝約１.８）；Ｆ２（ｎ＝約１.６）；ＢａＫ１（ｎ＝約１.６）；チタン酸バリウム（ｎ＝約１.９）；高屈折率青ガラス（ｎ＝約１.６〜１.７）；ＴｉＯ2−ＢａＯ（ｎ＝約１.９〜２.２）；ホウケイ酸塩（ｎ＝約１.６）；またはカルコゲナイドガラス（ｎ＝約２またはそれよりも高い）；などがあげられる。また樹脂ビーズとしてはアクリル粒子、ポリエステル樹脂粒子、ポリオレフィン粒子、シリコン粒子等が挙げられ、具体的にはケミスノー（登録商標）（綜研化学（株）製）、シリコンレジンＫＲシリーズ他（信越化学工業（株）製）、テクポリマー（登録商標）（積水化成品工業（株）製）等を好適に用いることができる。
【００６２】
二酸化チタン（ＴｉＯ2）などの白色顔料は隠蔽力が強く、屈折率が大きいため、光を反射し、屈折させることによりシンチレータの発光を容易に散乱し、本発明に係る蒸着基板にシンチレータ層が形成されたシンチレータパネルを含む放射線画像変換パネルなどの感度を顕著に向上させることができる。
【００６３】
光散乱粒子としては、入手の容易性及び高い屈折率を有する点から、二酸化チタン（ＴｉＯ2）が特に好ましい。
光散乱粒子として二酸化チタンを使用する場合は、二酸化チタンは、分散性および作業性を改良するために、無機化合物や有機化合物で表面処理を施したものであってもよい。上記表面処理した二酸化チタンやその表面処理方法は、例えば、特開昭５２−３５６２５号、特開５５−１０８６５号、特開５７−３５８５５号、特開６２−２５７５３号、特開６２−１０３６３５号および特開平９−０５００９３号等に開示されているものを採用することができる。上記表面処理には、酸化アルミニウム水和物、含水酸化亜鉛、二酸化珪素などの無機化合物や、２〜４価のアルコール、トリメチロールアミン、チタネートカップリング剤やシランカップリング剤などの有機化合物を表面処理剤として好ましく用いることができる。これら表面処理剤の使用量は、上記特許文献などに示されているように、それぞれの目的に応じて選択できる。
【００６４】
二酸化チタンとしては、ルチル型、ブルッカイト型、および、アナターゼ型のいずれの結晶構造を有するものであってもよいが、樹脂の屈折率との比率が大きく、高輝度を達成できることや可視光の反射率などの観点からルチル型のものが特に好ましい。
【００６５】
酸化チタンとしては、具体的には、例えば塩酸法で製造されたＣＲ−５０、ＣＲ−５０−２、ＣＲ−５７、ＣＲ−８０、ＣＲ−９０、ＣＲ−９３、ＣＲ−９５、ＣＲ−９７、ＣＲ−６０−２、ＣＲ−６３、ＣＲ−６７、ＣＲ−５８、ＣＲ−５８−２、ＣＲ−８５、
硫酸法で製造されたＲ−８２０、Ｒ−８３０、Ｒ−９３０、Ｒ−５５０、Ｒ−６３０、Ｒ−６８０、Ｒ−６７０、Ｒ−５８０、Ｒ−７８０、Ｒ−７８０−２、Ｒ−８５０、Ｒ−８５５、Ａ−１００、Ａ−２２０、Ｗ−１０（以上商品名：石原産業（株）社製）などが挙げられる。
【００６６】
酸化チタンの面積平均粒子径は、反射率の観点から、０.１〜５.０μｍが好ましく、０.２〜３．０μｍがさらに好ましい。また、酸化チタンとしては、ポリマーとの親和性、分散性を向上させるためやポリマーの劣化を抑えるためのＡｌ、Ｓｉ、Ｚｒ、Ｚｎなどの酸化物で表面処理されたものが特に好ましい。
【００６７】
但し、光散乱粒子として酸化チタンを使用する場合は、４００ｎｍ以下の光の反射率が低くなる、また酸化チタンの光触媒作用によりバインダーが劣化する傾向があるなどの観点から、少なくとも４００ｎｍ以下の波長でも高い反射率を有する硫酸バリウム、アルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムの中から選ばれる少なくとも１種類の光散乱粒子と併用すること好ましい。特に４００ｎｍ以下の波長域での反射率が高いという観点から、硫酸バリウムがより好ましい。硫化バリウムの質量と二酸化チタンの質量の割合は、好ましくは９５：５〜５：９５、より好ましくは２０：８０〜５：９５であることが、同観点より好ましい。
【００６８】
また、光散乱粒子は、中実粒子および空隙粒子から選ばれる少なくとも一種からなることが好ましい。
空隙粒子としては、空隙を有している限り特に制限はなく、例えば、中空部が粒子内に一つ存在する単一中空粒子、中空部が粒子内に多数存在する多中空粒子、多孔質粒子、などが挙げられ、これらは目的に応じて適宜選択することができる。
【００６９】
これら空隙粒子の中では、バインダー樹脂で空隙部が埋まってしまうことがない単一中空粒子及び多中空粒子が好ましい。
ここで、空隙粒子とは、中空部や細孔などの空隙を有する粒子をいう。
【００７０】
「中空部」とは、粒子内部の空孔（空気層）のことをいう。
中空粒子は、空孔（空気層）と外殻部（樹脂層等）との屈折率差によって中実粒子にはない光の反射特性、拡散特性を反射層に付与することができる。
【００７１】
多中空粒子とは、粒子内部にこのような空孔を複数有する粒子である。また多孔質粒子とは粒子に細孔を有するものであり、細孔とは粒子の表面から粒子の内部へ向かって凹状に窪んだ部分のことである。細孔の形状としては、例えば、空洞形状であったり、針や曲線のように粒子内部や中心へ向かって窪んだ形状、またそれらが粒子を貫通した形状等が挙げられる。細孔の大きさや容積は大小様々でよく、特にこれらに限定されるものではない。
【００７２】
前記空隙粒子の材料としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、前述の材料が挙げられ、中でもスチレン・アクリル共重合体等の熱可塑性樹脂などが好適に挙げられる。
【００７３】
前記空隙粒子は、適宜製造したものであってもよいし、市販品であってもよい。市販品としては、例えば、ローペイクＨＰ１０５５、ローペイクＨＰ４３３J（いずれも日本ゼオン株式会社製）、SＸ８６６（ＪＳＲ株式会社製）などが挙げられる。
【００７４】
多中空粒子としては、富士シリシア社製のサイロスフエアー（登録商標）やサイロホービック（登録商標）などが好適に使用できる。
これらの空隙粒子のなかでも、空隙率の大きさの点から単一中空粒子が特に好ましい。
【００７５】
光散乱粒子として空隙粒子を使用する場合は、光散乱粒子が、これら形状の粒子うち、１種の形状の粒子のみで構成されていてもよいし、２種以上の空隙粒子を含んでいてもよい。また中実粒子と空隙粒子を併用してもよい。
【００７６】
また、これら空隙粒子と白色顔料を併用することで、二酸化チタン、アルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、硫酸バリウムなどの白色顔料が、その表面に水分（Ｈ2Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ2）を吸着し、これらを、熱やＸ線などのエネルギーにより放出しシンチレータ特性を劣化させることを防止できる。すなわち、空隙粒子と白色顔料とを併用することで、白色顔料からの水分（Ｈ2Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ2）等の不純ガスの放出が抑制され、シンチレータ特性の劣化が防止される。
【００７７】
また、白色顔料表面からの水分（Ｈ2Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ2）の脱離に起因するシンチレータ劣化防止の別の方法として、白色顔料とバインダー樹脂からなる反射層内に多数の気泡を形成しておく方法も有効である。この方法を採用すると、反射層内において屈折率差の大きい白色顔料と、気泡とが接触するため、反射層を構成する材料間の反射率の差がより大きくなり、反射層の反射率も向上する。その詳細については、蒸着用基板の製造方法の項目で述べるので、ここでは省略する。
【００７８】
光散乱粒子の面積平均粒子径は、反射層の反射率や表面のひび割れ、反射層を形成するために作製する塗布液（以下、「反射層形成用塗布液」ともいう。他の用途の塗布液も同様。）の安定性等を考慮すると、０.１μｍ〜５.０μｍが好ましい。光散乱粒子の面積平均粒子径がこのような範囲にあると、反射層の光散乱が効率的に生じ、反射率が向上し、また、反射層の塗布液の経時安定性が増加し、塗布後の乾燥により反射層にひび割れが発生しない。
【００７９】
光散乱粒子の粒度分布は、光散乱粒子の反射層への分散性の観点から、０.０５μｍ〜１０.０μｍの範囲にあることが好ましい。
光散乱粒子は、反射層を構成する成分の合計体積１００体積％中、３〜７０体積％となる量で含まれていることが好ましく、１０〜５０体積％となる量で含まれていることがさらに好ましい。光散乱粒子がこのような範囲で反射層に含まれていると、反射層の反射率や上記蒸着用基板上にシンチレータ層を形成したシンチレータパネルの感度が向上するだけでなく、支持体もしくは蛍光体層との接着性が向上するため断裁時に反射層の剥離が生じない。
【００８０】
反射層中の光散乱粒子の含有比率が７０体積％以下であると、反射層が、断裁の際に受ける変形に追従する事が出来、支持体と反射層との界面で剥離を生じることがなく、また、上記蒸着用基板の反射層のシンチレータ形成予定面上にシンチレータ層を形成したシンチレータパネルにおいても、同じく反射層が断裁の際に受ける変形に追従する事が出来、支持体と反射層との界面、あるいは、シンチレータ層と反射層との界面で剥離を生じない点で好ましい。
また、本発明に係る蒸着用基材における反射層には、空隙が５ 〜３０体積％の量で含まれることが好ましい。
【００８１】
１−１−２．バインダー樹脂
バインダー樹脂は、本発明の目的を損なわない限り特に制限されず、適宜入手した市販のものであってもよいし、適宜製造したものであってもよい。
【００８２】
バインダー樹脂は、蒸着用基板の断裁性の観点から、ＪＩＳ Ｋ７１２１−１９８７の方法に従って測定したガラス転移温度（Ｔｇ）が、−１００℃〜６０℃、好ましくは−５０℃〜５０℃、さらに好ましくは−２０℃〜４０℃である。
【００８３】
バインダー樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）が−１００℃を下回ると、反射層表面のべたつきが大きくなり、製造中に異物が付着しやすくなって、上記蒸着用基板のシンチレータ形成予定面にシンチレータ層が形成されてなるシンチレータパネルを介して得られる放射線画像の画像欠陥が増加する傾向にある。また、反射層のシンチレータ層形成予定面にシンチレータ層を蒸着する際の熱（通常150℃以上）に反射層が耐えられずに該反射層に亀裂が発生し、蛍光体結晶が異常成長するため、上記蒸着用基板のシンチレータ形成予定面にシンチレータ層が形成されてなるシンチレータパネルを介して得られる放射線画像の画質（特に鮮鋭性）が劣化する傾向にある。一方、樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）が６０℃を上回ると、反射層が、断裁の際に受ける変形に追従する事が出来ず、支持体と反射層との界面で剥離を生じる傾向にある。また、上記蒸着用基板の反射層のシンチレータ形成予定面上にシンチレータ層を形成したシンチレータパネルにおいても、同じく反射層が断裁の際に受ける変形に追従する事が出来ず、支持体と反射層との界面、あるいは、シンチレータ層と反射層との界面で剥離を生じる傾向にある。
【００８４】
バインダー樹脂としては、例えば、ポリウレタン樹脂、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニルアクリロニトリル共重合体、ブタジエンアクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル樹脂、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレンブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等が挙げられる。これらの中では、蒸着により形成される蛍光体の柱状結晶および支持体に対する膜付性に優れる点で、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂等の疎水性樹脂であることが好ましい。
蒸着用基板の断裁性の観点からは、上記ガラス転移温度を有するポリエステル樹脂が特に好ましい。
【００８５】
本発明において、反射層中に含まれる全バインダー樹脂に対する、ガラス転移温度（Ｔｇ）が−１００℃〜６０℃のバインダー樹脂の含有比率は、５~１００重量％、好ましくは３０~１００重量％、さらに好ましくは５０~１００重量％、特に好ましくは１００重量％である。
【００８６】
１−２．支持体
支持体の材料としては、Ｘ線等の放射線を透過させることが可能な、各種のガラス、セラミック材料、高分子材料、金属等が挙げられる。より具体的には、例えば、石英、ホウ珪酸ガラス、化学的強化ガラスなどの板ガラス；アモルファスカーボン、サファイア、チッ化珪素、炭化珪素などのセラミック；シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、ガリウム燐、ガリウム窒素など半導体；又、セルロースアセテートフィルム、ポリエステル樹脂フィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセテートフィルム、ポリカーボネートフィルム、炭素繊維強化樹脂シート等の高分子フィルム（プラスチックフィルム）；アルミニウムシート、鉄シート、銅シート等の金属シート或いは該金属酸化物の被覆層を有する金属シート；バイオナノファイバーフィルムなどを用いることができる。これらは単独で用いても積層して用いてもよい。
【００８７】
本発明の支持体材料としては、加工性の観点より可とう性を有する事が好ましい。ここで言う「可とう性を有する」とは、Ｒｏｌｌ  ｔｏ  Ｒｏｌｌで加工可能であることを指し、好ましくは膜厚１〜１，０００μｍ、弾性率０．１〜１００ＧＰａ、さらに好ましくは、膜厚５０〜５００μｍ、弾性率１〜３０ＧＰａの材料である。
【００８８】
なお、本発明において「弾性率」とは、ＪＩＳ  Ｋ  ７１６１に準拠して、引張試験機を用い、ＪＩＳ−Ｃ２３１８に準拠したサンプルの標線が示すひずみと、それに対応する応力が直線的な関係を示す領域において、ひずみ量に対する応力の傾きを求めた値である。これがヤング率と呼ばれる値であり、本明細書においては、かかるヤング率を弾性率と定義する。
【００８９】
本発明において支持体の材料は、可とう性を有する高分子フィルムであることが好ましい。
可とう性を有する高分子フィルムとしては、例えば、ポリエチレンナフタレート（７ＧＰａ）、ポリエチレンテレフタレート（４ＧＰａ）、ポリカーボネート（２ＧＰａ）、ポリイミド（７ＧＰａ）、ポリエーテルイミド（３ＧＰａ）、アラミド（１２ＧＰａ）、ポリスルホン（２ＧＰａ）、ポリエーテルスルホン（２ＧＰａ）等が挙げられる（カッコ内は弾性率を示す）。中でも、蒸着時の耐熱性の観点からポリイミドが特に好ましい。なお、弾性率の値は、同種の高分子フィルムでも変動しうるので、必ずしも弾性率が括弧内の値になるわけではないが、目安として一例を示したものである。
【００９０】
可とう性を有する高分子フィルムは１種単独であってもよいし、上記高分子の混合物のフィルムであってもよいし、同種または異種の２層以上の積層体であってもよい。  特に、ポリイミド又はポリエチレンナフタレートを含有する高分子フィルム等が、ヨウ化セシウムを原材料として気相法にて蛍光体（シンチレータ）の柱状結晶を反射層上に形成する場合に好適である。
【００９１】
また支持体がバイオナノファイバーフィルムである場合は、バイオナノファイバーフィルムが、（ｉ）軽い、（ｉｉ）鉄の５倍以上の強度がある（高強度）、（ｉｉｉ）熱で膨張しにくい（低熱膨張性）、（ｉｖ）フレーキシブルである（可とう性に優れる）、（ｖ）混ぜる、塗る、フィルム状にするなど様々な処理ができる、（ｖｉ）植物繊維が材料で燃やす事が出来るなど、既存のガラスやプラスチックでは得られない特性を有することから、支持体の特性や環境上のメリットが享受できる。
【００９２】
また、蒸着用基板の支持体が、厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下の高分子フィルムであると、該蒸着用基板の支持体を含むシンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せる際に、シンチレータパネルが平面受光素子面形状に合った形状に変形することから、蒸着用基板の変形や蒸着時の反りなどがあっても、シンチレータパネルと平面受光素子面とが均一に密着するので、フラットパネルディテクタの受光面全体において、均一な放射線画像の鮮鋭性が得られる（シンチレータパネルと平面受光素子面とが不均一に密着して、フラットパネルディテクタの受光面全体で、得られる放射線画像の鮮鋭性が不均一とならない）。
【００９３】
支持体は、上記材料からなる層の他に、例えばその反射率を調整する目的で、遮光層および／または光吸収層を含んでいてもよい。また、支持体自体が、遮光性もしくは光吸収性を有していてもよいし、着色されていてもよい。
【００９４】
遮光性を有する支持体としては、例えば、各種金属板が挙げられ、光吸収性を有する支持体としては、例えば、アモルファスカーボン板や、ポリイミド、ポリエーテルイミド、アラミド等の高分子フィルムが挙げられる。
【００９５】
また、着色された支持体としては、顔料や染料などの色材（顔料がより好ましい）が混入された樹脂フィルムであることが、蒸着用基板の反射率を調製する観点より好ましい。
該樹脂としては、一般的な熱可塑性樹脂が挙げられ、該顔料としては、アゾ基を有する難溶性（２０℃の水１００ｇに溶ける質量が通常１ｇ未満）アゾ顔料やフタロシアニンブルー、チタンブラック等、一般に使用される有機系又は無機系着色顔料を使用できる。
【００９６】
より具体的には、例えば、ファーストエロー、ジスアゾエロー、ピラゾロンオレンジ、レーキレッド４Ｒ、ナフトールレッドなどの不溶性アゾ顔料；クロモフタルエロー、クロモフタルレッドなどの縮合アゾ顔料；リソールレッド、レーキレッドＣ、ウオッチングレッド、ブリリアントカーミン６Ｂ、ボルドー１０Bなどのアゾレーキ顔料；ナフトールグリーンＢなどのニトロソ顔料；ナフトールエローＳなどのニトロ顔料；フタロシアニンブルー、ファーストスカイブルー、フタロシアニングリーンなどのフタロシアニン顔料；アントラピリミジンエロー、ペリノンオレンジ、ペリレンレッド、チオインジゴレッド、インダントロンブルーなどのスレン顔料；キナクリドンレッドキナクリドンバイオレットなどのキナクリドン顔料；ジオキサジンバイオレットなどのジオキサジン顔料；イソインドリノンエローなどのイソインドリノン顔料；ピーコックブルーレーキ、アルカリブルーレーキなどの酸性染料レーキ；ローダミンレーキ、メチルバイオレットレーキ、マラカイトグリーンレーキなどの塩基性染料レーキ；等が挙げられる。
【００９７】
該顔料は、バインダー樹脂１００重量部に対して０.０１ 〜１０重量部であることが好ましい。顔料の量が上記範囲にあると、十分な塗膜色が得られ、それ以上着色度が変化しないにもかかわらず過剰に顔料を添加してしまい支持体の樹脂の伸びや強度等の機械的物性が劣化することを防止できる。
【００９８】
１−３．その他の層
蒸着用基板は、必要に応じて、上記反射層および支持体の他に、別途の層を含んでいてもよい。
【００９９】
蒸着用基板にシンチレータ層を形成して得られるシンチレータパネルにおいては、シンチレータの発光効率と得られる放射線画像の鮮鋭性とは、一般に、放射線画像検出装置の用途に応じて、所望の値に調整することが好ましい。例えば口腔内撮影用では、細かで複雑な構造を有する歯神経も撮影対象となる為、鮮鋭性の高い放射線画像を提供できることが要求される。また小児撮影用では、放射線の影響を受けやすい小児の放射線被ばくを極力抑えるという観点から、シンチレータが高い発光効率を有することが要求される。
【０１００】
本発明に係る蒸着用基板においては、以下のようにして、蒸着用基板の反射率を調整することで、該蒸着用基板にシンチレータ層を形成して得られるシンチレータパネルのシンチレータの発光効率と得られる放射線画像の鮮鋭性とを所望の値に調整できる。
【０１０１】
蒸着用基板の反射層の反射率の調整は、例えば、反射層と支持体以外に遮光層や光吸収性の顔料等を含有する光吸収層のうち少なくとも１層を設けて、蒸着用基板の反射率を調節したり、蒸着用基板の反射層や支持体層自体を着色して、反射率を適切に調整したりして達成される。
【０１０２】
蒸着用基板に遮光層や光吸収層が設けられている態様では、該遮光層や光吸収層は、反射層の蒸着面とは反対側の面に設けられている。
上記遮光層や光吸収層は、遮光層または光吸収層が設けられたフィルムにより、形成されていてもよい。
【０１０３】
支持体自体が遮光性又は光吸収性である蒸着用基板、反射層自体が色材で着色されている蒸着用基板の詳細については、支持体や反射層を説明する項目で述べた通りである。
これらの中でも、特に、反射層自体を色材で着色して反射率を調整する方法が、白色顔料およびバインダー樹脂の分散液に色材を配合して支持体上に塗布するという簡易な方法を採用できる観点からより好ましい。
【０１０４】
上記反射層の反射率を調整する手法は、１種単独で採用されてもよいが、少なくとも２種を組み合わせて採用することが、蒸着用基板の反射層の反射率を所望の値により精度よく調整しやすいことなどから好ましい。遮光層と顔料層を併用する場合は、支持体側から遮光層、顔料層の順に設けることが、同観点より好ましい。
【０１０５】
以下、遮光層及び光吸収層について説明する。
光吸収層は、光吸収性で、着色されていれば特に制限されず、例えば、顔料およびバインダー樹脂を含む層である。光吸収層に用いられる顔料としては、従来公知の顔料も使用可能である。顔料は、より光散乱しやすい赤色の長波光成分を吸収するものの方がよく、青色の着色材が好ましい。そのような青色の着色材としては、例えば、ウルトラマリン青、プロシア青（フエローシアン化鉄）等が好ましい。また、有機青色顔料としては、フタロシアニン、アントラキノン、インジゴイド、カルボニウム等を用いることができる。これらの中でも、光吸収層の放射線耐久性、紫外線耐久性などの観点から、フタロシアニンが好ましい。またチタン系黒色顔料のチタンブラックなども好適に使用することができる。チタンブラックとは二酸化チタンから酸素の一部を取り除くことで黒色化したものであり、特に光散乱粒子として二酸化チタン使用する場合には、二酸化チタンと比重が同じであるため反射層形成用塗布液の安定性が高く、二酸化チタンとチタンブラックの混合比を調整することで、容易に蒸着用基板の反射率を調整することができるメリットがある。
光吸収層のバインダー樹脂は、上記反射層の項目で述べたものなどが挙げられる。顔料は、バインダー樹脂１００重量部に対して０．０１〜３０重量部であることが、光吸収層の光吸収性の観点から好ましい。
【０１０６】
上記光吸収層の厚さは、光吸収性発現の観点から、１〜５００μｍが好ましい。
遮光層は、遮光性を有する材料を含む。
遮光層は、遮光性を有する材料として、アルミニウム、銀、白金、パラジウム、金、銅、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、ステンレス等のうち１種または２種以上の元素を含む金属材料により形成されたものであることが、支持体の反射率を調製する観点より好ましい。中でも、遮光層に優れた遮光性、耐食性を付与できる観点から、アルミニウムもしくは銀を主成分とする金属材料が特に好ましい。また、遮蔽層は、１層の上記金属薄膜からなっていてもよいし、２層以上の上記金属薄膜からなっていてもよい。
【０１０７】
支持体と遮光層の密着性を向上させる観点より、支持体と反射層の間に中間層を設けることが好ましい。中間層を構成する材料としては、一般的な易接着性のポリマー（例えばポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、アクリル樹脂等）の他、遮光層の金属とは異なる金属（異種金属）が挙げられる。異種金属としては、例えば、ニッケル、コバルト、クロム、パラジウム、チタン、ジルコニウム、モリブデンおよびタングステンが挙げられる。中間層は、これら異種金属を１種単独で含んでいても２種以上を含んでいてもよく、中でもニッケル、クロムを単独、もしくは双方を含んでいることが、遮光層の遮光性の観点より好ましい。遮光層の厚さは、遮光性発現の観点から、１〜５００μｍが好ましい。
【０１０８】
このような金属材料による遮光層は、帯電防止層としても機能する為、帯電防止目的でも好適に使用することができ、帯電防止層を形成する方法として、前述の反射層内に帯電防止剤を添加する方法に替えてあるいは共に採用することもできる。この場合、反射層の、支持体と接している面とは反対側の表面で測定した表面抵抗値は、蒸着用基板の帯電防止の観点から、１.０×１０12Ω／□以下が好ましく、１.０×１０11Ω／□以下がさらに好ましく、１.０×１０10Ω／□以下が最も好ましい（Ω／□の□は平方の意味で無次元。以下同じ。）。
【０１０９】
以上説明したように、本発明に係る蒸着用基板によれば、支持体と、該支持体上に設けられた反射層とを有する蒸着用基板であって、該反射層が、光散乱粒子と特定のガラス転移温度（Ｔｇ）を有するバインダー樹脂を含み、かつ、特定の膜厚を有するので、断裁性に優れ、かつ、感度および鮮鋭性に優れたＸ線画像などの放射線画像が得られ、断裁性にも優れるシンチレータパネルを提供できる。
【０１１０】
すなわち、本発明に係る蒸着用基板は、バインダー樹脂が特定のＴｇを有するものであり、支持体との密着性、および断裁の際に受ける変形に対する追従性に優れるため、蒸着用基板や該蒸着用基板を含むシンチレータパネルは断裁性に優れ、該蒸着用基板は断裁に供しても反射層の剥離などを生じず、該シンチレータパネルは断裁に供してもシンチレータ層の剥離等を生じない。
【０１１１】
また、本発明に係る蒸着用基板は、反射層の膜厚が特定の範囲にあり、膜厚が薄すぎて断裁時の衝撃に耐えきれずに反射層が支持体から剥離したり、膜厚が厚すぎて成膜時にクラックが発生し蒸着結晶が異常成長することなく、該蒸着用基板を含むシンチレータパネルを介して得られる放射線画像の鮮鋭性に優れる。
【０１１２】
さらに、上記蒸着用基板において、反射層中の揮発物の量が特定の範囲内であると、該蒸着基板を含むシンチレータパネルを介して、より鮮鋭性に優れる放射線画像が得られる。
【０１１３】
また、目的のサイズの蒸着用基板やそれを含むシンチレータパネルを製造する際に、該サイズの蒸着用基板を一つ一つ作成する必要がなく、目的のサイズよりも大きなサイズの蒸着用基板やそれを含むシンチレータパネルを製造し、次いで、該蒸着基板やそれを含むシンチレータパネルを目的のサイズに断裁するということも可能であるので、ロット内やロット間で品質の均一な蒸着用基板やそれを含むシンチレータパネルを提供することができる。
【０１１４】
本発明に係る蒸着用基板は、シンチレータ層を形成した場合、支持体、反射層、シンチレータ層の順の層構成である。このような層構成であると、平面受光素子に対してシンチレータパネルを自在に脱着可能であり（デタッチ式）、仮に、平面受光素子もしくはシンチレータパネルに不具合が生じたとしてもロスを最小限にとどめることが出来る。
【０１１５】
２．シンチレータパネル
本発明に係るシンチレータパネルは、支持体と、支持体上に設けられた反射層と、反射層上に蒸着により設けられたシンチレータ層を有し、反射層は、光散乱粒子と、ガラス転移温度が−１００℃〜６０℃のバインダー樹脂を含み、かつ反射層の厚みが５〜３００μｍである。
【０１１６】
本発明に係るシンチレータパネルにおいては、反射層、及びシンチレータ層の他に後述する保護層を設けることが好ましい。また、本発明のシンチレータパネルにおいては、反射層のシンチレータ層が形成された面とは反対側の面に光吸収層が形成されていてもよい。さらに、本発明のシンチレータパネルは、支持体よりも剛性の高いサポート板に保持されていてもよい。
以下、本発明に係るシンチレータパネルの各構成層及び構成要素等について順に説明する。
【０１１７】
２−１．支持体、反射層
支持体、反射層は、配列順序は上記蒸着用基板とは異なり、目的に応じて適宜変更することができるが、支持体、反射層自体については、蒸着用基板と同様であるので、ここでは説明を省略する。
【０１１８】
本発明のシンチレータパネルにおける反射層は、支持体とシンチレータ層の間に存在し、光散乱粒子及びバインダー樹脂を含むことが、シンチレータパネルの発光取り出し効率が向上する観点から好ましい。
【０１１９】
２−２．シンチレータ層
本発明に係るシンチレータパネルのシンチレータ層は、前記反射層表面より柱状結晶が成長して形成されていることが好ましい。
【０１２０】
シンチレータ層を形成する材料としては、従来公知の蛍光体、例えばＮａＦ、ＮａＣｌ、ＮａＢｒ、ＮａＩ、ＫＦ、ＫＣｌ、ＫＢｒ、ＫＩ、ＲｂＦ、ＲｂＣｌ、ＲｂＢｒ、ＲｂＩ、ＣｓＦ、ＣｓＣｌ、ＣｓＢｒ、ＣｓＩなどが挙げられるが、その中でも、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）が、Ｘ線から可視光に対する変更率が比較的高く、蒸着によって容易に柱状結晶を形成し、該結晶構造に起因する光ガイド効果により結晶内での発光光の散乱が抑えられ、その分蛍光体層の厚さを厚くすることが可能である観点から好ましい。
【０１２１】
但し、ＣｓＩのみでは発光効率が低いことから、シンチレータ層は、ＣｓＩと共に各種の賦活剤を含むことが好ましい。そのようなシンチレータ層としては、例えば、特公昭５４−３５０６０号公報に開示されているような、ＣｓＩとヨウ化ナトリウム（ＮａI）とが任意のモル比で存在するシンチレータ層が挙げられる。また、例えば特開２００１−５９８９９号公報に開示されているような、ＣｓＩとタリウム（Ｔｌ）、ユーロピウム（Ｅｕ）、インジウム（Ｉｎ）、リチウム（Ｌｉ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（Ｒｂ）、ナトリウム（Ｎａ）などの賦活物質とが任意のモル比で存在するシンチレータ層が好ましい。
【０１２２】
本発明に係るシンチレータパネルにおいては、特に、１種類以上のタリウム化合物を含む賦活剤とヨウ化セシウムとを原材料とするシンチレータ層が好ましく、中でもタリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）が、３００ｎｍ〜７５０ｎｍまでの広い発光波長をもつことから好ましい。
【０１２３】
上記タリウム化合物としては種々のタリウム化合物（＋Ｉと＋ＩＩＩの酸化数の化合物）を使用することができる。例えば、沃化タリウム（ＴｌＩ）、臭化タリウム（ＴｌＢｒ）、塩化タリウム（ＴｌＣｌ）、フッ化タリウム（ＴｌＦ、ＴｌＦ3）等が挙げられ、中でもＣｓＩの賦活度に優れる観点から、沃化タリウム（ＴｌＩ）が好ましい。
【０１２４】
また、タリウム化合物の融点は、４００〜７００℃の範囲内にあることが好ましい。タリウム化合物の融点が上記範囲内であると、蒸着により形成されたシンチレータ層において、賦活剤が柱状結晶内に均一に分布し、発光効率が向上する。なお、本明細書において、融点とは、常圧下（通常約０．１０１ＭＰａ）における融点である。
【０１２５】
本発明に係るシンチレータパネルのシンチレータ層において、賦活剤のシンチレータ層における相対含有量は０.１〜５モル％が好ましい。
ここで、本明細書において、賦活剤の相対含有量とは、蛍光体母体化合物１モルを１００モル％としたときの賦活剤のモル％で示される。
【０１２６】
また、蛍光体母体化合物とは、賦活剤によって賦活されていないＣｓＩなどの蛍光体そのものをいう。なお、蛍光体母体化合物や賦活剤などシンチレータ層を形成する原料となるものを総じて蛍光体原材料という。
【０１２７】
シンチレータ層は、１層からなっていてもよいし、シンチレータ層本層と空隙率が該シンチレータ本層よりも低いシンチレータ下地層とからなってもよい（シンチレータ下地層は、シンチレータ本層と反射層の間に設けられる）。
【０１２８】
ここで、本明細書において、空隙率とは、シンチレータ下地層を含む柱状蛍光体結晶の任意の位置で、シンチレータ層を支持体の平面に平行に切断した断面において、柱状蛍光体結晶の断面積および空隙の総和面積に対する、空隙の総和面積の比率をいう。
【０１２９】
空隙率は、シンチレータパネルの蛍光体層を支持体平面に平行に切除し、断面の走査型電子顕微鏡写真を、画像処理ソフトを使用して蛍光体部分および空隙部を２値化することにより求めることができる。
【０１３０】
シンチレータ下地層における賦活剤の相対含有量は０.０１〜１モル％が好ましく、０.１〜０.７モル％が更に好ましい。
特に、下地層の賦活剤の相対含有量が０.０１モル％以上であることが、シンチレータパネルの発光輝度向上及び保存性の点で非常に好ましい。
【０１３１】
本発明においては、シンチレータ下地層における賦活剤の相対含有量がシンチレータ本層における相対含有量よりも低いことが非常に好ましく、シンチレータ本層における賦活剤の相対含有量に対するシンチレータ下地層における賦活剤の相対含有量の比（（シンチレータ下地層における賦活剤の相対含有量）／（シンチレータ本層における相対含有量））は、０.１〜０.７であることが好ましい。
【０１３２】
シンチレータ層における蛍光体の一定の面指数を有する面のＸ線回折スペクトルに基づく配向度は、層厚み方向の位置に係わらず、８０〜１００％の範囲内であることが、シンチレータ層の発光効率などの観点から好ましい。例えば、タリウム賦活ヨウ化セシウム（ＣｓＩ：Ｔｌ）の柱状結晶における面指数は、（１００）、（１１０）、（１１１）、（２００）、（２１１）、（２２０）、（３１１）等のうちのいずれかであり得るが、（２００）であることが好ましい（面指数については、Ｘ線解析入門（東京化学同人）、４２〜４６頁参照）。
【０１３３】
ここで、本明細書における「一定の面指数の面のＸ線回折スペクトルに基づく配向度」とは、ある面指数の強度Iｘが他の面指数の面を含めた全体の総強度Iに占める割合のことを指す。例えば、Ｘ線回折スペクトルにおける（２００）面の強度I２００の配向度は、「配向度＝I２００／I」である。
【０１３４】
配向度決定のための面指数の測定方法としては、例えばＸ線回折（ＸＲＤ）が挙げられる（結晶Ｘ線回折でも粉末Ｘ線回折でもよい）。Ｘ線回折は、特定波長の固有Ｘ線を結晶性物質に照射し、Ｂｒａｇｇの式を満足する回折が起こることを利用して、物質の同定、結晶相の構造などに関する知見を得ることのできる汎用性の高い分析手法である。照射系のターゲットにはＣｕ、Ｆｅ、Ｃｏなどが用いられ、装置能力によるが、一般的に照射時の出力は０〜５０ｍＡ、０〜５０Ｋｖ程度である。
【０１３５】
柱状蛍光体結晶を形成する方法としては、気相堆積法が挙げられる。気相堆積法としては、蒸着法、スパッタリング法などを用いることができ、これら方法を併用することもできる。例えば、本発明では蛍光体母体（ＣｓＩ）を蒸着法、賦活剤原材料をスパッタリング法でそれぞれ気化し堆積さることができる。賦活剤原材料をスパッタリング法で気化することで融点が高い賦活剤原材料（融点が１０００℃以上で蒸着法では気化困難な化合物）も利用することができる。
【０１３６】
なお、シンチレータ層の厚さは、シンチレータパネルの輝度と得られる放射線画像の鮮鋭性とのバランスがよい点から、１００〜８００μｍであることが好ましく、１２０〜７００μｍであることがより好ましい。
【０１３７】
シンチレータ下地層の膜厚は、シンチレータパネルの輝度の高さ、得られる放射線画像の鮮鋭性の維持の点から、０.１μｍ〜５０μｍであることが好ましく、５μｍ〜４０μｍであることがより好ましい。
【０１３８】
２−２．保護層
本発明に係るシンチレータパネルには、必要に応じて、物理的にあるいは化学的に前記蛍光体層を保護するための保護層を設けてもよい。この場合、後述のシンチレータ層のシンチレータの潮解を防止するなどの観点より、シンチレータパネルのシンチレータ層全面及び反射層の一部が、連続した保護層により覆われていることが好ましい。
【０１３９】
ここで、「シンチレータの全面」とは、柱状蛍光体結晶から形成されるシンチレータ層において、基板と接触している面とは反対側の面及び側面（換言すれば、基板と接触していない面）の全領域をいう。また「反射層の一部」とは、反射層において、シンチレータ層や支持体と接触しておらず、大気中に露出した部分（換言すれば、反射層側面）の全領域をいう。「連続した保護層」、とは保護層形成領域に保護層のない部分が存在しないことをいう。
【０１４０】
保護層は、単一材料から形成されていてもよいし、混合材料から形成されていてもよいし、材料の異なる複数の膜などが併用されて形成されていてもよい。
前述の通り、本発明に係る保護層は、主に、シンチレータ層の保護を目的とするものである。具体的には、例えば、蛍光体がヨウ化セシウム（ＣｓＩ）である場合、ＣｓＩは、吸湿性が高く露出したままにしておくと空気中の水蒸気を吸湿して潮解してしまうため、これを防止することを目的として、シンチレータパネルに上記保護層が設けられる。
【０１４１】
この保護層は、シンチレータパネルの蛍光体から放出される物質（例えばハロゲンイオン）などを遮断し、シンチレータ層と受光素子の接触により生じる受光素子側の腐食を防止する機能も有する。
【０１４２】
また、上記保護層は、シンチレータパネルの柱状蛍光体結晶から形成されるシンチレータ層と光電受光素子とを例えば接着剤や光学オイルなどにて接合する態様においては、接着剤や光学オイルが柱状蛍光体結晶間に浸透することを防止する浸透防止層の役割も担う。
【０１４３】
上記保護層は、後述のように、ＣＶＤ法や塗布法によりシンチレータ層に直接形成された保護層であってもよいし、予め用意した高分子フィルム（保護フィルムともいう）をシンチレータ層上に設けることで形成された保護層であってもよい。
【０１４４】
ＣＶＤ法や塗布法によりシンチレータ層に直接保護層を形成する場合、保護層を形成する材料としては、ポリオレフィン系、ポリアセタール系、エポキシ系、ポリイミド系、シリコン系、ポリパラキシレン系樹脂が好ましい。ポリパラキシレン系はＣＶＤ法により形成し、その他の材料は塗布法により形成することができる。ここでいうポリパラキシレン系樹脂としては、ポリパラキシレンの他、ポリモノクロロパラキシリレン、ポリジクロロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリテトラクロロパラキシリレン、ポリフルオロパラキシリレン、ポリジメチルパラキシリレン、ポリジエチルパラキシリレン等が挙げられる。
【０１４５】
これらの保護層の層厚は、シンチレータ層を適度に保護する観点やシンチレータパネルの強度や可とう性の観点より、０.１μｍ〜２０００μｍが好ましい。
保護層がポリパラキシレン系樹脂を含む膜である場合、その膜厚は、上記放射線画像の鮮鋭性、保護層の防湿性の観点より、２μｍ以上１５μｍ以下が好ましく、保護層を受光素子と接着する場合は、接着剤層の厚みは接着力確保の観点から１０μｍ以上が好ましく、さらに保護層の膜厚と接着剤層の厚みがトータルで２０μｍ以下であることが好ましい。ポリパラキシレン膜厚と接着剤層の厚みとがトータルで２０μｍ以下であると、保護層を受光素子と接着する場合に、平面受光素子とシンチレータパネルとの間隙での発光光の広がりが抑制され、鮮鋭性の低下を好適に防止できる。
【０１４６】
また、高分子フィルムをシンチレータ層上に設ける場合、高分子フィルムとしては、ポリエステルフィルム、ポリメタクリレートフィルム、ニトロセルロースフィルム、セルロースアセテートフィルム、ポリプロプレンフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等が挙げられ、これら高分子フィルムは市販されており容易に入手可能である。これら高分子フィルムは、透明性、強さの面で本発明に係るシンチレータパネルにおける保護層として、好適に使用することができる。
【０１４７】
高分子フィルムをシンチレータ層上（反射層などに接しておらず大気に触れている面の一部または全面）に設ける方法は、シンチレータ表面に接着層を介して貼り合わせる方法や、シンチレータパネルの上下にシンチレータパネルより大きいサイズの高分子フィルムをそれぞれ配置し、真空下でシンチレータパネルの周縁部より外側の領域で上下の高分子フィルムを融着あるいは接着する方法などが好ましい。上記高分子フィルムの厚さは、シンチレータ層の保護性、防湿性、得られる放射線画像の鮮鋭性、シンチレータパネル製造における作業性等の観点から、１２μｍ以上、１２０μｍ以下が好ましく、更には２０μｍ以上、８０μｍ以下が好ましい。
【０１４８】
また、別の態様としては、蛍光体層上にホットメルト樹脂の層が形成され、該ホットメルト樹脂の層が保護層の機能を果たしている態様も挙げられる。この場合、ホットメルト樹脂は、シンチレータパネルのシンチレータ層面と受光素子面とを接着させる機能も保護層の機能と併せて果たすことができる。
【０１４９】
本明細書において、ホットメルト樹脂とは、水や溶剤を含まず室温（通常約２５℃）で固体であり、不揮発性の熱可塑性材料からなる接着性樹脂である。ホットメルト樹脂は、加熱されるなどして樹脂温度が上昇して溶融開始温度以上になると溶融し、樹脂温度が固化温度以下に低下すると固化する。また、ホットメルト樹脂は、加熱溶融状態では接着性を有し、樹脂温度が固化温度以下（例えば常温）に低下すると固体状態となり接着性を有さない（有さなくなる）性質を有する樹脂である。
【０１５０】
ホットメルト樹脂としては、ポリオレフィン系、ポリエステル系又はポリアミド系樹脂を主成分とするものが好適であるが、これらに限定されない。これらのうち、光透過性の点からは、ポリオレフィン系樹脂がより好ましい。
【０１５１】
またホットメルト樹脂の溶融開始温度は、ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）などの平面受光素子における連続使用特性、接着剥がれ防止性などの点から、６０℃以上、１５０℃以下が好ましい。ホットメルト樹脂の溶融開始温度は、可塑剤添加により調整可能である。
【０１５２】
ホットメルト樹脂の厚みは、５０μｍ以下が好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましい。
上記態様の中では、高い防湿性が得られる観点より、ポリパラキシレンによりシンチレータ層の上部、側面及び支持体のシンチレータ層外周部の全面を覆うことが好ましい。
【０１５３】
また、保護層のヘイズ率は、得られる放射線画像の鮮鋭性、放射線画像ムラ、シンチレータパネル製造における製造安定性、作業性等を考慮し、３％以上４０％以下が好ましく、更には３％以上、１０％以下が好ましい（ヘイズ率は、日本電色工業株式会社ＮＤＨ５０００Ｗにより測定した値を示す）。ヘイズ率が上記範囲の材料は、例えば、市販されている高分子フィルムから適宜選択し、容易に入手することが可能であるし、それらの製法に準じて作成することもできる。
【０１５４】
保護層の光透過率は、シンチレータパネルの光電変換効率、蛍光体（シンチレータ）発光波長等を考慮し、５５０ｎｍの光に対して７０％以上あることが好ましいが、光透過率が９９％以上の材料（フィルムなど）は工業的に入手が困難であるため、実質的に９９％〜７０％が好ましい。
【０１５５】
保護層のＪＩＳ  Ｚ０２０８に準じて４０℃、９０％ＲＨの条件下で測定した透湿度は、シンチレータ層の保護性、潮解性等の観点から、５０ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下が好ましく、更には１０ｇ／ｍ2・ｄａｙ以下が好ましいが、０.０１g／ｍ2・ｄａｙ以下の透湿度のフィルムは工業的に入手が困難であるため、実質的に、０.０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ以上、５０g／ｍ2・ｄａｙ以下が好ましく、更には０.１g／ｍ2・ｄａｙ以上、１０g／ｍ2・ｄａｙ以下が好ましい。
【０１５６】
２−３．サポート板
本発明に係るシンチレータパネルは、使用目的などによって、可とう性を有さないことが好ましい場合には、蒸着用基板よりも剛性の高いサポート板に保持されていてもよい。
【０１５７】
ここで、剛性とは、曲げやねじりの力に対する、寸法変化（変形）のしづらさの度合いのことであり、力に対して変形が小さい時は剛性が高い（大きい）、変形が大きい時は剛性が低い（小さい））性質をいう。材料選択の面からいえば、弾性率が大きい材料を使うことによって剛性は高くなる。
【０１５８】
シンチレータパネルが可とう性を有さないようにする観点から、シンチレータパネルを保持するサポート板の弾性率は、好ましくは１０ＧＰａ以上、さらに好ましくは、３０ＧＰａ以上の材料であり、具体的には、金属、ガラス、カーボン、複合材料など、特に制約無く好適に使用することが出来る。
【０１５９】
サポート板の厚さは、放射線、例えば、Ｘ線の透過性の観点から、管電圧８０Ｋｖの条件で発生したＸ線を照射したときに、Ｘ線透過率が８０％以上となるように調整することが好ましく、具体的には、アモルファスカーボン板は０.３ｍｍ〜２.０ｍｍ、ガラス板は０.３ｍｍ〜１.０ｍｍ程度の厚さであることが好ましい。
【０１６０】
以上説明したように、本発明に係るシンチレータパネルは、断裁時にシンチレータ層の剥離が生じず、かつ、鮮鋭性、感度に優れるＸ線画像などの放射線画像が提供できる。
すなわち、本発明に係るシンチレータパネルは、バインダー樹脂が特定のＴｇを有するものであり、支持体との密着性、および断裁の際に受ける変形に対する追従性に優れるため、断裁に供してもシンチレータ層の剥離等を生じない。
【０１６１】
また、本発明に係るシンチレータパネルは、反射層の膜厚が特定の範囲にあり、膜厚が薄すぎて断裁時の衝撃に耐えきれずに反射層が支持体から剥離したり、膜厚が厚すぎて成膜時にクラックが発生し蒸着結晶が異常成長したりすることなく、鮮鋭性に優れる放射線画像を提供できる。
【０１６２】
さらに、上記シンチレータパネルは、反射層中の揮発物の量が特定の範囲内であると、より鮮鋭性に優れる放射線画像を提供できる。
さらに、本発明に係るシンチレータパネルは、目的のサイズのシンチレータパネルを製造する際に、該サイズの蒸着用基板を一つ一つ作成する必要がなく、目的のサイズよりも大きなサイズのシンチレータパネルを製造し、次いで、該シンチレータパネルを目的のサイズに断裁するということも可能であるので、ロット内やロット間で品質の均一なシンチレータパネルを得ることができる。
【０１６３】
本発明に係る蒸着用基板は、シンチレータ層を形成した場合、支持体、反射層、シンチレータ層の順の層構成である。このような層構成であると、平面受光素子に対してシンチレータパネルを自在に脱着可能であり（デタッチ式）、仮に、平面受光素子もしくはシンチレータパネルに不具合が生じたとしてもロスを最小限にとどめることが出来る。
【０１６４】
３．蒸着用基板の製造方法
３−１. 蒸着用基板の製造方法の手順
次に、本発明に係る蒸着用基板の製造方法について説明する。
【０１６５】
本発明に係る蒸着用基板を製造する方法は、目的に応じて、従来の各種方法を採用すればよいが、ここでは、典型例について、図７を参照しながら説明する。
図７は、本発明に係る蒸着用基板の製造方法の典型例を説明するための模式図である。
【０１６６】
本発明の蒸着用基板の製造方法の典型例では、図７に模式的に示す蒸着用基板の製造装置１０９が用いられる。この製造装置１０９を用いた蒸着用基板の製造方法は、好適には、被塗布物である支持体の供給工程２９と、塗布工程３９と、乾燥工程４９及び８９と、熱処理工程５９と回収工程６９とを含む。
【０１６７】
供給工程２９では、繰り出し装置（不図示）が用いられる。
供給工程２９では、該繰り出し装置により、巻き芯に巻かれたロール状の支持体を繰り出して、次の塗布工程３９に支持体を供給する。
【０１６８】
塗布工程３９では、バックアップロール３０１と、塗布ヘッド３０２と、塗布ヘッド３０２の上流側に設けられた減圧室３０３とを有する塗布装置３０４が用いられる。
塗布工程３９では、供給工程２９で用いられる繰り出し装置から連続搬送され、バックアップロール３０１によって保持された支持体２０１に、光散乱粒子、バインダー樹脂、添加剤および溶媒などを含む反射層形成用塗布液を塗布ヘッド３０２により塗布する。支持体２０１に反射層形成用塗布液を塗布する際には、塗布ヘッド３０２の上流側に設けられた減圧室３０３により、該塗布時に塗布ヘッド３０２から供給される塗布液と支持体２０１との間に形成されるビード（塗布液の溜まり）を安定化する。
【０１６９】
減圧室３０３は減圧度を調整することが可能となっている。減圧室３０３は、減圧ブロワ（不図示）に接続されており、内部が減圧状態になる。減圧室３０３は、空気漏れがない状態になっており、かつ、バックアップロールとの間隙も狭く調整され、ビードの上流（塗布ヘッドに対して繰り出し装置側）が適度な減圧度まで減圧され、安定した塗布液のビードが形成される。
【０１７０】
また、塗布ヘッド３０２から吐出する塗布液の流量は、必要に応じて、不図示のポンプにより調整される。
上記説明では、塗布方法として押し出しコートを例に挙げているが、その他既知の任意の方法を採用することもできる、例えば、グラビアコート、ロールコート、スピンコート、リバースコート、バーコート、スクリーンコート、ブレードコート、エアーナイフコート及びディッピングなどの各種塗布方法を用いることができる。
【０１７１】
乾燥工程４９では、乾燥装置４０１を用いる。
乾燥工程４９では、塗布工程３９で支持体２０１の上に反射層形成用塗布液を塗布することで形成された反射層塗布膜を、乾燥装置４０１により乾燥する。乾燥工程４９は、通常、反射層塗布膜の表面温度が、８０〜２００℃の温度になるように行われる。乾燥工程４９では、反射層塗布膜を乾燥用気体により乾燥する。乾燥用気体は、乾燥用気体の導入口４０２から導入され、排出口４０３から排出される。乾燥用気体からなる乾燥風の温度及び風量は適宜決めることが可能な構成となっている。
【０１７２】
乾燥工程８９は、乾燥工程４９と同じ構成となっており、詳細な説明は省略するが、乾燥工程４９と合わせて使用することで、反射層塗布膜の乾燥速度を調整できるようになっている。
【０１７３】
熱処理工程５９では、熱処理用加熱装置５０１により反射層塗布膜を有する支持体２０１が熱処理され、反射層塗布膜内の揮発成分が除去される。熱処理は、通常、反射層塗布膜の表面温度が、１５０℃〜２５０℃の温度になるように行われる。熱処理工程では、反射層塗布膜を熱処理気体により熱処理する。熱処理用気体は、熱処理用気体の導入口５０２から導入され、排出口５０３から排出される。乾燥用気体からなる熱処理風の温度及び風量は適宜決めることが可能な構成となっている。
【０１７４】
図７の模式図には図示していないが、熱処理工程５９のあとに、反射層の形成された支持体（蒸着用基板）を冷却する冷却工程を設けてもよい。
回収工程６９では、反射層塗布膜が形成された支持体２０１が巻き取り装置（不図示）に巻き取られる。図７中の６０１は、巻き芯に巻き取られ回収されたロール状の支持体を示す。
【０１７５】
なお、上記工程を通じて、上記塗布膜を有する支持体２０１は搬送する搬送ロールａ〜ｄにより搬送される。
反射層を多層構造にする場合や上記以外の層を塗装により形成する場合などには、反射層の形成された支持体を製造後、回収工程６９にてロール状に巻き取とられた支持体６０１を、再度、供給工程２９の支持体２０１にセットし、再度、反射層形成用塗布液を反射層上に塗布、乾燥、加熱処理して、２層以上の反射層を形成する方法が挙げられる。必要に応じて、得られた蒸着用基板を加熱処理して、反射層中の２つの層の界面の接着性を強固にするなどしてもよい。
【０１７６】
本発明に係る蒸着用基板の製造方法では、反射層塗布膜の表面温度を乾燥工程４９および８９においては８０〜２００℃とし、熱処理工程においては１５０℃〜２５０℃とすることで、蒸着用基板（得られた反射層の形成された支持体）の揮発物の量（以下、「揮発成分量」ともいう）を５％未満とすることができる。本発明に係る蒸着用基板の製造方法では、乾燥工程の後に揮発成分除去の為の熱処理工程を行うことが特徴の一つである。
【０１７７】
支持体２０１上に形成された反射層塗布膜の表面の温度は、レーザー方式・赤外線方式などの一般に公知な非接触温度計により測定できる。
乾燥工程４９及び８９、熱処理工程５９における各種気体の温度及び風量は、特に限定されず、非接触温度系による測定結果をもとに、塗布膜面の温度が上記設定温度になるように調整すればよい。
【０１７８】
乾燥工程４９および８９における支持体２０１の塗布膜面上５ｍｍの位置における気流は、支持体面と平行な方向に、支持体２０１に対して１〜３ｍ／秒の相対速度で移動することが好ましい。塗布膜面上５ｍｍの位置における気流が、支持体２０１に対して上記範囲内の相対速度で移動すると、乾燥後の反射層表面が粗くなるなどせずに乾燥できる。
【０１７９】
また熱処理工程５９において、塗布膜の膜面を加熱する手段として、赤外線ヒータによる熱処理を熱処理用気体による熱処理と併用することにより、支持体上の反射層の熱処理の効果を高めることができる。
以上説明した本発明に係る蒸着用基板の製造方法により、残留溶媒や光散乱粒子へのガス吸着の少ない蒸着用基板が得られる。
【０１８０】
３−２. 蒸着用基板の製造方法に用いられる材料
以下、本発明に係る蒸着用基板の製造方法に用いられる支持体と反射層形成用塗布液について説明する。
【０１８１】
３−２−１．支持体
本発明の蒸着用基板に使用される支持体の材料は前述した通りであるが、中でも、高分子フィルムが、図７に示したような製造装置１０９が好適に使用でき、ロール・ツー・ロール（ｒｏｌｌ  ｔｏ  ｒｏｌｌ）で容易に加工できる点、および平面受光素子をカップリングする際、柔軟性があるため平面受光素子との密着性に優れる点等のメリットなどの観点から好ましい。また、高分子フィルムのガラス転移温度は、高分子フィルム上に蛍光体を蒸着する際の熱による支持体の変形を防止できるという観点より、１００℃以上であることが好ましい。上記のような高分子フィルムとして、具体的には、ポリイミドフィルムが好適である。
【０１８２】
支持体には、必要に応じて適宜、前述の遮光層、光吸収層などを設けることができる。また、支持体自体が、必要に応じて、遮光性であったり光吸収性であったりしてもよい。
遮光層を支持体上に被覆する方法としては、蒸着、スパッタ、あるいは、金属箔の貼り合わせ等、特に制約は無いが、遮光層の支持体への密着性の観点からスパッタが最も好ましい。
光吸収層を支持体上に被覆する方法としては、光吸収性の顔料等を含む塗布液を支持体上に塗布、乾燥などする方法などが挙げられる。
【０１８３】
３−２−２．反射層形成用塗布液
反射層形成用塗布液は、光散乱粒子、バインダー樹脂、及び必要に応じて、顔料などの色材、紫外線吸収剤、蛍光増白剤、帯電防止剤、分散剤などの添加剤を、混合してからもしくは個々に、溶媒に分散または溶解して調製する。各成分の混合順序などは、本発明の目的を損なわない限り、特に制限されない。
【０１８４】
光散乱粒子、バインダー樹脂及び添加剤などは、公知の分散または溶解方法で分散または溶解すればよい。例えば、分散機としては、サンドミル、アトライター、パールミル、スーパーミル、ボールミル、インペラー、デスパーサー、ＫＤミル、コロイドミル、ダイナトロン、３本ロールミル、加圧ニーダー等が好適に使用される。
【０１８５】
光散乱粒子、バインダー樹脂、顔料などの色材、紫外線吸収剤、蛍光増白剤の詳細は前述の通りである。
上記分散剤は、上記光散乱粒子をバインダー樹脂中に分散される目的で、配合される。分散剤としては、用いるバインダー樹脂と光散乱粒子とに合わせて種々のものを用いることができ、例えば、多価アルコール、アミン類、シリコン、フタル酸、ステアリン酸、カプロン酸、親油性界面活性剤などを用いることができる。分散剤は、反射層形成後、反射層に残存していても、反射層から除去されていてもよい。
【０１８６】
分散剤は、バインダー樹脂１００重量部に対して、０.０５〜１０重量部となる量で用いることが好ましく、１〜５重量部となる量で用いることがより好ましい。
上記光散乱粒子、バインダー樹脂及び添加剤などを分散または溶解する溶媒としては、特に限定されないが、例えば、メタノール、エタノール、n−プロパノール、nブタノールなどの低級アルコール（炭素数１〜６のアルコールが好ましい）、メチレンクロライド、エチレンクロライドなどの塩素系炭化水素、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトンなどのケトン、トルエン、ベンゼン、シクロヘキサン、シクロヘキサノン、キシレンなどの芳香族化合物、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチルなどの低級脂肪酸と低級アルコールとのエステル、ジオキサン、エチレングリコールモノエチルエステル、エチレングリコールモノメチルエステル、プロプレングリコールモノメチルエーテルアセテ−トなどのエーテル及びそれらの混合物を挙げることができる。
【０１８７】
また、溶媒が一種のみでは、光散乱粒子、バインダー樹脂及び添加剤などの溶媒への分散性が不十分であったり、乾燥工程での溶媒蒸発速度の調整が困難となり反射層表面が粗面化したりする傾向があり、これを防止する観点から、溶媒としては、気化熱の異なる相溶性のよい複数種の溶媒を混合した混合溶媒を使用することが好ましい。特にトルエン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、シクロヘキサノンなどの混合溶媒が好ましい。
【０１８８】
本発明に係る蒸着用基板の反射層中に空隙を設ける場合、その方法は特に制限されず、目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、（Ｉ）反射層に空隙粒子を添加する方法、（ＩＩ）反射層を塗布により形成する際に泡を混入させた塗布液を支持体に塗布することで反射層を形成するか、塗布液に発泡剤を添加して多孔質構造を有する反射層を形成する方法などが挙げられる。これらの中でも、塗布膜形成の容易さの観点からは上記（Ｉ）の空隙粒子を添加する方法が好ましく、空隙容量の観点からは上記（ＩＩ）の泡を利用した方法が好ましい。
【０１８９】
上記（ＩＩ）の泡を利用した方法において、発泡剤としては、公知の発泡剤の中から目的に応じて適宜選択することができるが、例えば、炭酸ガス発生化合物、窒素ガス発生化合物、酸素ガス発生化合物、マイクロカプセル型発泡剤などが好適に挙げられる。前記炭酸ガス発生化合物としては、例えば、炭酸水素ナトリウム等の重炭酸塩などが挙げられる。 窒素ガス発生化合物としては、例えば、ＮａＮＯ2とＮＨ4Ｃｌの混合物；アゾビスイロブチロニトリル、ジアゾアミノベンゼン等のアゾ化合物；ｐ−ジアゾジメチルアニリンクロライドジンククロライド、モルフォリノベンゼンジアゾニウムクロライドジンククロライド、モルフォリノベンゼンジアゾニウムクロライド、フルオロボレート、ｐ−ジアゾエチルアニリンクロライドジンククロライド、４−（ｐ−メチルベンゾイルアミノ）−２,５−ジエトキシベンゼンジアゾニウムジンククロライド、１,２−ジアゾナフトール５−スルホン酸ソジウム塩等のジアゾニウム塩などが挙げられる。 酸素ガス発生化合物としては、例えば、過酸化物、などが挙げられる。マイクロカプセル型発泡剤としては、低温で気化する低沸点物質（常温で液体状態であっても固体状態であってもよい）を内包するマイクロカプセル粒子の発泡剤が挙げられる。該マイクロカプセル型発泡剤としては、例えば、ポリスチレン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリ酢酸ビニル、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリブタジエン、又はこれらの共重合体からなるマイクロカプセル壁材の内部にプロパン、ブタン、ネオペンタン、ネオヘキサン、イソペンタン、イソブチレン等の低沸点の気化性物質を封入して直径１０〜２０μｍのマイクロカプセル化したもの、などが挙げられる。これら発泡剤の樹脂バインダーへの含有量は、発泡剤の種類に応じて異なり一概には規定できないが、通常は、１〜５０重量％が好ましい。
【０１９０】
（Ｉ）の空隙粒子を添加する方法では、反射層全体を１００体積％とした時に、５〜３０体積％の量の空隙粒子が反射層に添加されるような量で、空隙粒子を例えば反射層形成用塗布液に配合することで、反射層中の空隙容量を調整できる。（ＩＩ）の泡を利用した方法では、同じく樹脂バインダーを１００重量％とした時に、１〜５０重量％の量の発泡剤が反射層に添加されるような量で、空隙粒子を例えば反射層形成用塗布液に配合することで、反射層中の空隙容量を調整できる。このような方法により、前述の反射層の体積に対する空隙の体積の割合で、反射層に空隙を形成することができる。
上記空隙は、一部または全部が中空粒子により形成することが、蒸着基板のＸ線透過性 の観点から好ましい。
【０１９１】
蒸着用基板の反射率は、例えば、下記の方法により調整することができる。
（１）アルミニウム、銀、白金、パラジウム、金、銅、鉄、ニッケル、クロム、コバルト、ステンレスのうち１種または２種以上の元素を含む材料により形成された遮光層を支持体に設ける。
（２）光吸収層を支持体に設ける。
（３）遮光層、光吸収層またはそれらの少なくとも１つが設けられたフィルムを支持体に積層する。
（４）支持体に光吸収性を付与する。
（５）支持体に光反射性を付与する。
（６）反射層を着色する。
（７）反射層中の光散乱粒子の含有比率、あるいは反射層の膜厚を調整する。
（８）上記（１）〜（７）の方法のうち、少なくとも２種の方法を組み合わせる。
【０１９２】
上記（１）〜（７）の方法を組み合わせることで、本発明に係る蒸着用基板の（シンチレータ層で生じた）発光光の反射率、吸収率を任意に調整することができる。また、上記基板の光反射率を高めることで放射線検出装置の感度を高めることができる。上記基板の光吸収率を高めることで、本発明に係る蒸着用基板にシンチレータ層が形成されたシンチレータパネルを含む放射線検出装置から得られる放射線画像の鮮鋭性を高めることができる。また、上記遮光層として、例えば、金属遮光層を設けて蒸着用基板をシンチレータパネルの用途に供した場合、蒸着用基板の光透過率が低下することで蒸着用基板の反射層と接している面とは反対面からの外光や電磁波の侵入が防止されるとともに、シンチレータ層で生じた発光光のシンチレータパネル外部への漏えいを防止できる。特に、上記遮光層として、アルミニウム、銀などの反射性の高い金属を使用した場合は、光散乱粒子と樹脂バインダーからなる反射層の反射率をより高めることができる。
【０１９３】
前述の金属材料を含む遮光層を支持体上などに形成する方法としては、蒸着、スパッタ、あるいは、金属箔の貼り合わせ等、特に制約は無いが、密着性の観点からスパッタが最も好ましい。
【０１９４】
反射層自体を色材で着色する方法は、特に制限されないが、反射層形成用塗布液に前述の色材を添加して、反射層形成用塗布液を支持体に塗布することで、支持体上に着色した反射層を形成する方法が、簡便である点などからより好ましい。
【０１９５】
また反射層形成用塗布液に添加する顔料としてはチタン系黒色顔料のチタンブラックなども好ましい。本発明に好適に使用されるチタンブラックとしては三菱マテリアル社製チタンブラックＳタイプ、Ｍタイプ、Ｍ−Ｃタイプなどが挙げられる。
【０１９６】
支持体あるいは後に支持体に積層するフィルム上に光吸層を設ける場合も、前記と同様の色材を使用し、色材と樹脂バインダーなどを分散または溶解した塗布液を、上記支持体あるいはフィルム上に塗布し乾燥することで、容易に光吸収層を設けることができる。
【０１９７】
蒸着により、本発明の蒸着用基板にシンチレータ層の形成を開始する時点で、反射層に含有される揮発成分量は、柱状蛍光体結晶の異常成長を防止できる観点から、反射層の全質量に対して、５％未満であることが好ましく、１％未満であることがより好ましい。
【０１９８】
本明細書において、揮発成分量とは下記式で定義される。
揮発成分量（質量％）＝[（Ｍ−Ｎ）／Ｎ]×１００
Ｍは加熱処理前の反射層の全質量で、Ｎは２００℃で３分間の条件で加熱処理後の反射層の全質量である。
【０１９９】
揮発成分量が上記範囲にあると、蒸着における高温高真空条件下での柱状蛍光体結晶の成長過程において、反射層から揮発ガスの流出が発生して、揮発ガスが流出した部分で柱状蛍光体結晶の異常成長が発生し、得られる放射線画像の鮮鋭性やその鮮鋭性の均一性が悪化することを防止できる。
【０２００】
蒸着用基板の反射層の揮発成分量が上記範囲にない場合は、該蒸着用基板を揮発成分除去工程に供することで、反射層の揮発成分量が上記範囲の蒸着用基板を得ることができる。
【０２０１】
揮発成分除去工程とは、真空下および／または高温化で蒸着用基板上の反射層の揮発成分を除去する工程であり、該工程では、該揮発成分の除去を達成できる方法であれば、既知のいかなる方法も採用できる。それら方法の中でも、作業の容易性から、蒸着装置内の基板ホルダに本発明に係る蒸着用基板をセットした後、前記基板ホルダを１００℃以上に加熱すると同時に、蒸着装置内を１００Ｐａ以下の真空下とし、数分から数時間蒸着用基板の反射層を加熱処理する方法がより好ましい。
【０２０２】
上記揮発成分は、主に、反射層形成用塗布液を塗布、乾燥して反射層を形成した時の残留溶媒や原料として用いた白色顔料に吸着していたガスである。特に、水分（Ｈ2Ｏ）や二酸化炭素（ＣＯ2）などのガスは、低湿度環境化でも白色顔料に容易に吸着する。従って、上記揮発成分除去工程は、蒸着によりシンチレータ層を形成する直前に実施することがより好ましい。
【０２０３】
３−３.蒸着用基板の断裁
本発明に係る蒸着用基板は、必要に応じて、蒸着装置の基板ホルダのサイズに合わせて断裁された後、該基板ホルダに設置され、反射層上にシンチレータ層が蒸着される。蒸着用基板の断裁は特に限定されず、従来公知の裁断方法のいずれも適用できるが、作業性・断裁精度等の面から、押切カッター、化粧裁断機、打ち抜き機、レーザ等を用いて断裁する方法が好ましい。
【０２０４】
そして、本発明に係る蒸着用基板は、断裁性に優れるので、断裁時の環境温度が室温（通常２５℃）付近の温度である条件下において、該蒸着用基板を反射層の剥離など生じずに断裁できる。そのため、本発明に係る蒸着用基板を断裁する工程を伴う蒸着用基板の製造方法は、断裁に供する熱エネルギーが小さくて済み、製造コスト、製造効率、作業安全性、作業効率などの点で優れ、しかも、特定条件下で柱状結晶の高さを均一にするので、得られる放射線画像の鮮鋭性により優れるシンチレータパネルを製造できる。
【０２０５】
断裁温度は、上記観点から、２０℃〜４０℃が好ましい。
また、本発明に係る蒸着用基板を上記方法により断裁することで、該蒸着用基板に欠陥部が存在していたとしても、該欠陥部を避けて断裁できるため、上記蒸着用基板の断裁方法を利用した蒸着用基板の製造方法は、生産性に優れる。
【０２０６】
４.シンチレータパネルの製造方法
本発明に係るシンチレータパネルの製造方法は、本発明の目的を損なわない限り特に制限されないが、真空容器内に蒸発源及び支持体回転機構を有する蒸着装置を用い、蒸着用基板の支持体面が支持体回転機構の設置面に接するように蒸着用基板を該支持体回転機構に設置して、当該支持体を有する蒸着用基板を回転しながら蛍光体材料を蒸着用基板のシンチレータ形成予定面に蒸着する工程を含む蒸着法により、シンチレータパネルを製造する方法であることが好ましい。
【０２０７】
本発明に係るシンチレータパネルの製造方法の典型的例について、図１〜３を参照しながら説明する。なお、図１は、本発明に係るシンチレータパネルの一例であるシンチレータパネル１０の概略構成を示す断面図である。図２は、図１のシンチレータパネル１０の拡大断面図である。図３は、蒸着装置の一例である蒸着装置８１の概略構成を示す図面である。
【０２０８】
本発明に係るシンチレータパネルの製造方法においては、以下で詳述する蒸発装置１を好適に用いることができる。以下、蒸発装置８１を用いて放射線用シンチレータパネル１０を作製する方法について説明する。
【０２０９】
４−１．蒸着装置
図３に示す通り、蒸着装置８１は箱状の真空容器８２を有しており、真空容器８２の内部の底面付近には、蒸着用基板８４に垂直な中心線を中心とした円の円周上の互いに向かい合う位置に真空蒸着用の蒸着源８８ａ、８８ｂが配されている。蒸着源８a、８bは蒸着源の被充填部材であり、当該蒸着源８８ａ、８８ｂには電極が接続されている。この場合において、支持体８４と蒸発源８８ａ、８８ｂとの間隔は１００〜１５００ｍｍが好ましく、より好ましくは２００〜１０００ｍｍである。また、支持体８４に垂直な中心線と蒸発源８８ａ、８８ｂとの間隔は１００〜１５００ｍｍが好ましく、より好ましくは２００〜１０００ｍｍである。当該電極を通じて蒸着源８８ａ、８８ｂに電流が流れると、蒸着源８８a、８８bがジュール熱で発熱するようになっている。放射線用シンチレータパネル８４の製造時においては、ヨウ化セシウムと賦活剤化合物とを含む混合物が蒸着源８８a、８８bに充填され、その蒸着源８８ａ、８８ｂに電流が流れることで、上記混合物を加熱・蒸発させることができるようになっている。なお、蒸着源８８は、３個以上（８個、１６個、２４個等）設けることも可能であり、各々の蒸発源は等間隔に配置してもよく、間隔を変えて配置してもよい。また、支持体８４に垂直な中心線を中心とした円の半径は任意に定めることができる。
【０２１０】
蒸着源８８a、８８bは、前記蛍光体を収容して抵抗加熱法で加熱するために、ヒータを巻いたアルミニウムナ製のルツボから構成されていてもよいし、ボート、高融点金属などからなるヒータから構成されていてもよい。また、前記蛍光体を加熱する方法は、抵抗加熱法以外に電子ビームによる加熱や、高周波誘導による加熱等の方法でもよいが、比較的簡単な構成で取り扱いが容易、安価、かつ、非常に多くの物質に適用可能である点から、直接電流を流して抵抗加熱する方法や、周りのヒータでルツボを間接的に抵抗加熱する方法が好ましい。また、蒸着源８８a、８８bは分子源エピタキシャル法による分子線源を利用して構成されていてもよい。
【０２１１】
真空容器２の内部であって蒸着源８８ａ、８８ｂの上方には蒸着用基板８４を保持するホルダ８５が配されている。ホルダ８５にはヒータ（図示略）が配されており、当該ヒータを作動させることでホルダ８５に装着した蒸着用基板８４を加熱することができるようになっている。蒸着用基板８４を加熱した場合には、蒸着用基板８４の表面の吸着物を離脱・除去したり、蒸着用基板８４とその表面に形成されるシンチレータ層（蛍光体層）との間に不純物層が形成されるのを防止したり、蒸着用基板８４とその表面に形成されるシンチレータ層との密着性を強化したり、蒸着用基板８４の表面に形成されるシンチレータ層の膜質の調整をおこなったりすることができるようになっている。
【０２１２】
ホルダ８５は、蒸着用基板８４の前記シンチレータ層を形成する面が真空容器２の底面に対向し、かつ、真空容器２の底面と平行になるように支持体８４を保持する構成となっている。ホルダ８５には、当該ホルダ８５と共に蒸着用基板８４を水平方向に回転させる回転機構８６が設けられている。回転機構８６は、ホルダ８５を支持すると共に蒸着用基板８４を回転させる回転軸８７及び真空容器８２の外部に配置されて回転軸８７の駆動源となるモ−タ（図示せず）から構成されている。当該モ−タを駆動させると、回転軸８７が回転してホルダ８５を蒸着源８８a、８８bに対向させた状態で回転させることができるようになっている。
【０２１３】
ホルダ８５は、蒸着用基板８４を加熱する加熱ヒータ（図示せず）を備えることが好ましい。この加熱ヒータで蒸着用基板８４を加熱することによって、蒸着用基板８４の支持体ホルダ８５に対する密着性の強化や、前記蛍光体層の膜質の調整を行うことができる。また、蒸着用基板８４の表面の吸着物を離脱・除去し、蒸着用基板８４の表面と前記蛍光体との間に不純物層が発生することを防止することもできる。また、ホルダ８５は、蒸着用基板８４の加熱手段として温媒又は熱媒を循環させるための機構（図示せず）を有していてもよい。この加熱手段は蛍光体の蒸着時における蒸着用基板８４の温度を５０〜１５０℃といった比較的低温に保持して蒸着する場合に適している。また、ホルダ８５は、蒸着用基板８４の加熱手段としてハロゲンランプ（図示せず）を有していてもよい。この手段は蛍光体の蒸着時における蒸着用基板８４の温度を１５０℃以上といった比較的高温に保持して蒸着する場合に適している。
【０２１４】
蒸着装置８１には、上記構成の他に、真空容器８２に真空ポンプ８３が配されている。真空ポンプ８３は、真空容器８２の内部の排気と真空容器８２の内部へのガスの導入とを行うもので、当該真空ポンプ８３を作動させることにより、真空容器８２の内部を一定圧力のガス雰囲気下に維持することができるようになっている。高真空領域まで排気するために、作動圧力領域の異なる真空ポンプを２種類もしくはそれ以上配置してもよい。真空ポンプとしては、ロータリーポンプ、ターボ分子ポンプ、クライオポンプ、ディフュージョンポンプ、メカニカルブースタ等が挙げられる。
【０２１５】
蒸着装置８１には、チャンバー内の圧力を調整するために、真空容器８１内にガスを導入できる機構が設けられている。導入するガスは、一般的には、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ等の不活性ガスが用いられる。真空容器８１内の圧力は、真空容器８１内を真空ポンプ８３で排気しながら、所望の圧力となるようにガスを導入することにより調整してもよいし、所望の圧力よりも高真空となるまで真空排気を行った後に真空排気を停止して、その後所望の圧力となるまでガスを導入することにより調整してもよい。また、真空容器８１と真空ポンプ８３の間に圧力制御弁を設ける等することにより、ポンプの排気量を調整して真空容器８１内の圧力を制御してもよい。
【０２１６】
また、蒸発源８８ａ、８８ｂと蒸着用基板８４との間には、蒸発源８８ａ、８８ｂから蒸着用基板８４に至る空間を遮断するシャッタ８９が水平方向に開閉自在に設けられている。このシャッタ８９を蒸着の初期段階に閉じることによって、蒸発源８８ａ、８８ｂに収められた前記蛍光体の表面に付着した目的物以外の物質が蒸着の初期段階に蒸発しても、それらが蒸着用基板８４に付着するのを防ぐことができる。そして、上記目的を達した後にシャッタ８９を開いて蛍光体原材料の蒸着を行えば、上記のような目的物を蒸着用基板に蒸着させることなくシンチレータ層を形成することができる。
【０２１７】
４−２．シンチレータ層の形成
上記のように反射層３を設けた支持体を含む蒸着用基板１をホルダ８５に取り付けるとともに、真空容器８２の底面付近において、支持体８４に垂直な中心線を中心とした円の円周上に蒸発源８８ａ、８８ｂを配置する。次に、ルツボやボート等に、ヨウ化セシウムなどの蛍光体母体化合物とヨウ化タリウムなどの賦活剤とを含む粉末状の混合物などの蛍光体原材料を充填したものを蒸発源の数だけ用意し（この場合は２つ）、蒸着源８８ａ、８８ｂに充填する（準備工程）。反射層上にシンチレータ下地層を形成してからシンチレータ本層を形成する場合は、ヨウ化セシウムなどの蛍光体母体化合物とヨウ化タリウムなどの賦活剤とを蒸発源にそれぞれ別々に充填してもよい。これらの場合、蒸着源８８a、８８bと蒸着用基板８４の反射層表面との間隔を１００〜１５００ｍｍに設定し、その設定値の範囲内のままで後述の蒸着工程をおこなうのが好ましい。
【０２１８】
充填した蛍光体母材および賦活剤の中の不純物を蒸着前に除去するため、必要に応じて、予備加熱を行ってもよい。予備加熱は使用する材料の融点以下であることが望ましい。例えばＣｓＩの場合、予備加熱温度は５０〜５５０℃が好ましく、１００〜５００℃がより好ましい。ＴｌIの場合、５０〜５００℃が好ましく、１００〜５００℃がより好ましい。
【０２１９】
予備加熱は、シャッタ８９を閉じて行うことが、上記不純物が蒸着用基板に蒸着しない観点より好ましい。
準備工程の処理を終えたら、真空ポンプ８３を作動させて真空容器８２の内部を排気し、真空容器８２の内部を０.１Ｐａ以下の真空雰囲気下にする（真空雰囲気形成工程）。ここでいう「真空雰囲気下」とは、１００Ｐａ以下の圧力雰囲気下のことを意味し、０.１Ｐａ以下の圧力雰囲気下であるのが好適である。その後、アルゴン等の不活性ガスを真空容器８２の内部に導入し、当該真空容器８２の内部を０.１Ｐａ以下の真空雰囲気下に維持する。次に、ホルダ８５のヒータと回転機構のモ−タとを駆動させ、ホルダ８５に取付け済みの蒸着用基板８４を蒸着源８８a、８８bに対向させた状態で加熱しながら回転させる（回転速度（ｒｐｍ）は、装置の大きさにもよるが２〜１５ｒｐｍが好ましく、４〜１０ｒｐｍがより好ましい）。
【０２２０】
次いで、蛍光体の蒸着を行うが、ＣｓＩなどの蛍光体を賦活方法するとしては、蒸着装置内で、ＣｓＩなどの蛍光体およびナトリウム化合物、タリウム化合物、インジウム化合物、ユーロピウム化合物などの賦活剤を同時に気化させて基板上に堆積させる方法などが挙げられる。特に、このように蛍光体および賦活剤を同時に気化させて蒸着を行う方法を採用する場合は、柱状結晶構造による光ガイド効果が得られるなどの観点から蛍光体はＣｓＩであることが好ましく、賦活剤として用いる化合物は、ＣｓＩの柱状結晶成長を阻害しないなどの観点から、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）、ヨウ化タリウム（ＴｌＩ）、ヨウ化インジウム（ＩｎＩ）などのヨウ化物であることが好ましい。
【０２２１】
また、蛍光体を賦活する方法としては、その他にも、蒸着により、基板上にＣｓＩの柱状結晶などの蛍光体からなる賦活剤を含まないシンチレータ層を形成した後に、ナトリウム化合物、タリウム化合物、インジウム化合物などの賦活剤化合物と共にシンチレータ層の形成された基板を蒸着装置などの密閉空間に配置し、賦活剤化合物をその昇華温度以上に加熱し、ＣｓＩなどの蛍光体の賦活を行い、シンチレータ層を賦活する方法などを採用することも可能である。このようにシンチレータ層が形成された基材および賦活剤を共に加熱処理する場合は、密閉空間に配置される基板上に形成されたＣｓＩなどの蛍光体からなるシンチレータ層を１００〜３５０℃の温度に加温しておくことが好ましい。蛍光体としては、柱状結晶構造による光ガイド効果が得られるなどの観点から蛍光体はＣｓＩであることが好ましく、賦活剤として用いる化合物は、特に限定されないが、昇華温度が低いものが取扱上好ましい。また蒸着時に特定の化合物（例えばヨウ化タリウム（ＴｌI）など）で賦活をしたＣｓＩを用いると、ＣｓＩの柱状結晶の内部と表面とで賦活剤の種類が異なるシンチレータ層を形成することができ、特に賦活剤としてユーロピウム化合物を用いた場合は、シンチレータ層における放射線による発光の減衰時間を短縮することができる。
【０２２２】
反射層上にシンチレータ下地層を形成しない場合は、上記の蒸着用基板８４を加熱しながら回転させている状態において、電極から蒸着源８８a、８８bに電流を流し、ヨウ化セシウムとヨウ化タリウムとを含む混合物などの蛍光体原料を７００℃〜８００℃程度で所定時間加熱してその混合物を蒸発させる。その結果、蒸着用基板８４の表面に無数の柱状蛍光体結晶２aが順次成長して所望の厚さのシンチレータ層２が形成される（蒸着工程）。シンチレータ層の厚さは、用途によって異なるが、１２０ 〜７００μｍであることが好ましい。
【０２２３】
反射層上にシンチレータ下地層を形成する場合は、蛍光体母体化合物（ＣｓＩなど：賦活剤なし（ｐｕｒｅ））のルツボを加熱して蛍光体を蒸着し、シンチレータ下地層（第１の蛍光体層）を形成する。
【０２２４】
この時の蒸着用基板８４の温度は５〜１００℃が好ましく、１５〜５０℃がより好ましい。シンチレータ下地層の厚さは、結晶径や蛍光体層の厚さにもよるが、０.１〜５０μｍであることが好ましい。次に蒸着用基板８４の加熱を開始し、蒸着用基板８４の基板温度を１５０〜２５０℃に加熱し、残りの蛍光体母体化合物（ＣｓＩなど：賦活剤なし（ｐｕｒｅ））と賦活剤（ＴｌIなど）の蛍光体原材料の蒸発を開始し、シンチレータ本層（第２の蛍光体層）を形成する。この際、シンチレータ本層からシンチレータ下地層への賦活剤の熱移動が発生し、シンチレータ下地層の賦活剤の相対含有量が０.０１〜１モル％に調整される。
【０２２５】
この時、蛍光体母体化合物は、生産性を考慮して、下地層を形成する際の蒸着速度よりも早い蒸着速度で蒸発をすることが好ましい。シンチレータ下地層やシンチレータ蛍光体本層の厚さにもよるが、シンチレータ下地層蒸着時よりも５〜１００倍の速度で蒸着することが好ましく、１０〜５０倍で蒸着することがより好ましい。賦活剤の蒸発方法は、賦活剤単体を蒸発させてもよいが、ＣｓＩとＴｌIを混合した蒸発源を作成し、ＣｓＩは蒸発せずＴｌIのみが蒸発する温度（例えば５００℃）に加熱して蒸発させてもよい。
【０２２６】
蒸着時に加熱した蒸着用基板８４は、高温のため、取り出すために冷却を行う必要がある。シンチレータ層を８０℃まで冷却する工程での平均冷却速度を０.５℃〜１０℃／分の範囲内とすることで、蒸着用基板８４に急冷による支持体の熱収縮によるダメージを与えることなく冷却することができる。この条件での蒸着用基板８４の冷却は、例えば蒸着用基板８４の支持体に厚さ５０μｍ以上５００μｍ以下の高分子フィルム等の比較的薄い基板を用いた場合に特に有効である。この冷却工程は、真空度１×１０-5Ｐａ〜０.１Ｐａの雰囲気下で行われることが、シンチレータ層の着色回避の観点より特に好ましい。また、冷却工程時に、蒸着装置の真空容器内にＡｒやＨｅ等不活性ガスを導入する手段を講じてもよい。なお、ここでいう平均冷却速度とは、冷却開始（蒸着終了時）から８０℃まで冷却する間の時間と温度を連続的に測定し、この間の１分間あたりの冷却速度を求めたものである。
【０２２７】
上記蒸着法において、必要に応じてＯ2、Ｈ2などのガスを導入して蒸着する反応性蒸着を行ってもよい。
上記柱状蛍光体結晶の形成方法の中では、上記面指数についての要件を満たすために、基板の表面に、空隙率が蛍光体層よりも低い値を示すシンチレータ下地層を形成する工程、及びシンチレータ下地層の表面に蛍光体を気相堆積法により形成してシンチレータ本層を形成する工程を含む態様の製造方法であることが好ましい。
【０２２８】
以上の通り、本発明に係るシンチレータパネルを製造することができる。
上記のような蒸着条件で、反射層にシンチレータ層を形成すると、反射層界面に成長した柱状蛍光体結晶で形成されるシンチレータ層が得られることから好ましい。
【０２２９】
また、上記製造装置８１を用いたシンチレータパネルの製造方法によれば、複数の蒸発源８８ａ、８８ｂを設けることによって蒸発源８８ａ、８８ｂの蒸気流が重なり合う部分が整流化され、蒸着用基板８４の表面に蒸着する前記蛍光体の結晶性を均一にすることができる。このとき、多数の蒸発源を設けるほど多くの箇所で蒸気流が整流化されるため、より広範囲において前記蛍光体の結晶性を均一にすることができる。また、蒸発源８８ａ、８８ｂを蒸着用基板８４に垂直な中心線を中心とした円の円周上に配置することによって、蒸気流の整流化によって結晶性が均一になるという作用を、蒸着用基板８４の表面において等方的に得ることができる。
得られたシンチレータパネルは、下記熱処理工程、加圧処理工程などに供することが後述の観点より好ましい。
【０２３０】
４−３．シンチレータ層の加熱処理
蒸着用基板の反射層上に形成されたシンチレータ層を、ナトリウム化合物、タリウム化合物、ユーロピウム化合物、インジウム化合物のうちのいずれか１つ以上の賦活剤と共に１.０Ｐａ以下に減圧された密閉空間に配置し、賦活化合物を昇華温度以上に加熱気化し、追加賦活を行うことがシンチレータ層の発光特性を調整できる観点から好ましい。この場合、蒸着用基板上に形成されたＣｓＩなどの蛍光体は２５０℃の温度に加温しておく。この追加賦活を１時間実施後、追加賦活されたシンチレータ層の形成された蒸着用基板を５０℃以下まで冷却し、シンチレータパネルを蒸着装置内の密閉空間から取り出すことで、シンチレータ層が追加賦活されたシンチレータパネルが得られる。 あるいは賦活剤化合物を用いない以外は同様の手順で１時間の熱処理のみ実施することで、蒸着時に添加された賦活剤が活性化され、発光強度の高いシンチレータパネルを得ることができる。
【０２３１】
４−４．シンチレータ層の加圧処理
本発明に係る蒸着用基板の反射層上に蒸着によりシンチレータ層を形成すれば、通常は、反射層界面からの高さが揃った柱状蛍光体結晶の集合体が得られるが、一部で蛍光体の結晶の異常成長などが生じ、柱状蛍光体結晶の高さの均一性が損なわれたシンチレータ層が得られることもある（但し、本発明の目的を損なうほどのものではない）。柱状蛍光体結晶の異常成長の原因としては、ゴミ、蒸着時のスプラッシュ、傷や異物付着などの基板欠陥などが挙げられる。蒸着時のスプラッシュとは、「気化する前のＣｓＩ固形物が飛び出し蒸着用基板に付着すること」である（特開２００６−３３５８８７号公報などを参照）。
【０２３２】
このような異常成長した柱状蛍光体結晶は、シンチレータパネルを介して得られる放射線画像の鮮鋭性などを低下させる要因となるため（但し、本発明の目的を損なうほどのものではない）、上記のような異常成長した柱状蛍光体結晶をそのままにしておかず、以下の加圧処理をすることが望ましい。また柱状蛍光体結晶の異常成長がなくても、より反射層界面からの高さが均一な柱状結晶からなるシンチレータパネルを得る目的で以下の加圧処理をした方がより好ましいことはいうまでもない。
【０２３３】
上記のようにして得られたシンチレータパネルのシンチレータ層の表面を加圧処理し、該シンチレータ層の柱状蛍光体結晶の反射層界面からの高さを均一にする処理をすることで、より均一な柱状蛍光体結晶の集合体からなるシンチレータ層を有するシンチレータパネルを得ることができる。
【０２３４】
ここで、「反射層界面からの高さ」とは、反射層表面の粗さの中心線（ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−２００１）からの高さである。
また、「高さが均一」とは、シンチレータ層を形成する各柱状結晶の反射層界面からの高さの差が２０μｍ以内のこと）をいう。
【０２３５】
なお、シンチレータ層を形成する柱状結晶の高さは、反射層界面からの高さを以って規定するが、柱状結晶は、反射層界面上以外に、反射層内部に存在する部分を有していても（柱状結晶の一部が反射層のバインダー樹脂に埋め込まれてもよい）。
【０２３６】
シンチレータパネルのシンチレータ層と受光素子とを密着（あるいは接着）させた場合、シンチレータパネルの柔軟性のある反射層がシンチレータ層表面の凹凸を吸収し（受光素子をシンチレータパネルに密着させる際に加わる力により、シンチレータ層の凹凸が平滑化され、それに合わせて反射層が変形する）、受光面全面における解像度の均一性が向上する。よりシンチレータと受光素子の密着の均一性を向上するためには、本発明のシンチレータを受光素子と密着（或いは接着）させる前に、予めシンチレータ表面をローラーや平滑なガラス面などで加圧し、柱状結晶の高さを揃えておくことが好ましい。
【０２３７】
上記加圧処理は、シンチレータ層を形成する各柱状結晶の高さの差の最大で２０μｍ程度となるように行うことが、上記観点より好ましい。
上記加圧処理は、具体的には、シンチレータパネルのシンチレータ層の表面を、ローラーや平滑なガラス面などで加圧し、異常突起を潰すなどして柱状蛍光体結晶の高さを揃える方法や、大気圧を利用する方法などがあるが、均一な加圧であれば、特に方法は限定されない（圧力は、本処理も目的が達成されるように、適宜調整すればよい）。
【０２３８】
中でも、シンチレータ表面をローラーや平滑なガラス板などで圧迫し柱状蛍光体結晶の高さを揃える方法としては、一定の加圧力が与えられたローラーやガラス板などで圧迫する方法が、後述の観点より、他方法に比して好ましい。ローラーやガラス板は８０℃〜２００℃に加熱しておいてもよい。さらに、超音波振動子などで微細振動する平滑なガラス板を使用することでより少ない加圧力で柱状蛍光体結晶の先端部の高さを揃えることができる。
【０２３９】
柱状蛍光体結晶の高さを揃える為のより具体的な方法の例としては、シンチレータパネルのシンチレータ層の表面に平滑なガラス面を密着させた状態で、真空下で、ガラスが密着したシンチレータパネルの上下に樹脂フィルムを配置して該樹脂フィルムの周縁部を融着して封止し、ガラスが密着したシンチレータパネルを樹脂フィルム内で密封した後に、そのままの状態でシンチレータパネルを５０℃〜２００℃の環境で０．５時間〜１００時間程度の熱処理をする方法などが、加圧処理の容易性の観点から好ましい。
【０２４０】
上記のようにシンチレータ層をガラス転移点以上の温度環境において加圧処理すると、異常成長した柱状蛍光体結晶が反射層にめり込むことで柱状蛍光体結晶の高さが均一（高さの相違が２０μｍ以内）のシンチレータ層が得られる。すなわち、本願発明の反射層は特定のガラス転移温度を有するバインダー樹脂を含み、特定の厚みを有することにより、圧力によって容易に塑性変形し、異常成長した柱状蛍光体結晶をめり込ませることができる。
【０２４１】
上記加圧処理により上記柱状蛍光体結晶の高さを均一にする方法は、異常成長した柱状蛍光体結晶を削って高さを調節する方法などに比べて、柱状蛍光体結晶の損壊に伴う粉などの発生やその除去の必要性などが生じず、生産性が高く、品質管理にも優位である。
【０２４２】
本発明に係るシンチレータパネルの製造方法によれば、断裁性に優れ、断裁処理に供しても反射層やシンチレータ層の剥離などを生じることがなく、シンチレータ層の蛍光体の結晶状態が均一であるシンチレータパネルを提供でき、該シンチレータパネルは、受光面内での画質が均一で、鮮鋭性とその均一性および感度に優れる放射線画像を提供できるフラットパネルディテクタなどを提供できる。さらには、本発明に係るシンチレータパネルの製造方法によれば、製造されたシンチレータパネルは断裁処理に供しても反射層やシンチレータ層の剥離などを生じることがないので、蒸着装置で作製可能な任意のサイズ（最大サイズが後述のメリットの点で好ましい）で蒸着を実施し、必要に応じて、所望されるサイズに断裁すればよく、生産効率などに優れる。
【０２４３】
本発明に係るシンチレータパネルの製造方法によれば平面受光素子に対してシンチレータパネルを自在に脱着可能であり（デタッチ式）、仮に、平面受光素子もしくはシンチレータパネルに不具合が生じたとしてもロスを最小限にとどめることが出来る。
【０２４４】
４−５．シンチレータパネルの断裁
本発明に係るシンチレータパネルは、必要に応じて、例えば、光電素子面の面積より大である面積を有するシンチレータパネルから、用いる受光素子面に応じた面積に対応したシンチレータパネルを製造する場合などに、断裁を行う。この場合、シンチレータ層を蒸着用基板の反射層上に形成した後に断裁するため、放射線検出装置の受光素子サイズに合わせて各種大きさの蒸着用基板を複数用意し、該蒸着用基板を別途各々蛍光体の蒸着を行うなどの操作は不要である。即ち、蒸着装置で作製可能な任意のサイズ（最大サイズが後述のメリットの点で好ましい）で蒸着を実施し、必要に応じて、所望されるサイズに断裁すればよく、生産効率、出荷納期、ロット間やロット内の品質の均一性などにおけるメリットがある。
【０２４５】
そして、本発明に係るシンチレータパネルは、断裁性に優れるので、断裁時の環境温度が室温（通常２５℃）付近の温度である条件下において、蒸着用基板における反射層の剥離や蒸着用基板からのシンチレータ層の剥離など生じずに断裁できる。そのため、本発明に係るシンチレータパネルを断裁する工程を伴うシンチレータパネルの製造方法は、断裁に供する熱エネルギーが小さくて済み、製造コスト、製造効率、作業安全性、作業効率などの点で優れる。
【０２４６】
断裁温度は、上記観点から、２０〜４０℃が好ましい。
本発明に関わるシンチレータパネルを断裁する断裁工程に用いられる方法の典型的例について示す（押切カッターを用いる方法は、後述の実施例に示したので、ここでは省略する）。
【０２４７】
図８（ａ）、図８（ｂ）は、シンチレータパネル１０をブレードダイシングにより断裁する例である。シンチレータパネル１０は、ダイシング装置３２のダイシング台３２２に、シンチレータ層２側が下側を向いた状態でダイシング台３２２に接触するように配置される。シンチレータパネル１０は、支持体１側（シンチレータ層２側の反対側）より導入されたブレード３２１により断裁される。 ブレード３２１は回転軸３２１aを中心にして回転してシンチレータパネル１０を切断する。ダイシング台３２２には、シンチレータパネル１０を切断した後のブレード３２１が侵入する溝２２１が設けられている。またブレード３２１の両側には、ブレード３２１を固定する目的で支持部材３２４が設けられている。ブレード３２１によるシンチレータパネルの切断時に生じる摩擦熱の冷却の為、ブレード３２１の両側のノズル３２３から冷却風が断裁部に吹き付けられる。冷却風の温度は通常４℃以下であり、結露防止の為、室内の湿度は通常２０％以下になっている。ブレードダイシングは、シンチレータパネルを構成する支持体が、カーボン、アルミニウム、ガラスを主成分とするものである場合に好ましく適用できる。
【０２４８】
図９は、シンチレータパネル１０をレーザーにより断裁するレーザー断裁の例である。
レーザー断裁装置３３は、箱型に形成されたパージ室３３３を備えている。パージ室３３３は、外部の空間中に浮遊する塵等が内部に侵入しないように、内部がほぼ密閉された空間となっている。なお、パージ室３３３内は、低湿環境であることが好ましい。また、パージ室３３３の上面には、レーザー光を透過させる透光窓３３５が設けられている。また塵等の浮遊物をパージ室３３３の外に導く排出管３３４が設けられている。
【０２４９】
シンチレータパネル１０は、レーザー断裁装置３３の支持台３３２上に搭載する。この場合、シンチレータパネル１２は、シンチレータ層１０が上側となるように搭載しても、下側となるように搭載してもよい。シンチレータパネル１０は、該支持台３３３上に吸着保持される。支持台３３２上に載置されたシンチレータパネル１０は、支持台移動手段（図示しない）によってレーザー発生装置３３１のレーザー照射部直下の位置に誘導される。シンチレータパネル１０は、レーザー発生装置３３１から出射したレーザー光が照射されることで断裁される。レーザー光の照射条件は、通常、ＹＡＧ−ＵＶ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット結晶：波長２６６ｎｍ）パルスレーザー光で、発振周波数５０００Ｈｚ、ビーム径２０μｍ、出力３００ｍＷである。シンチレータパネル１０のレーザー光が照射された部分が断裁されたら、支持台移動手段（図示しない）によって、シンチレータパネル１０を移動して、レーザー照射位置をずらしてシンチレータパネル１０の新たな部分を断裁し、この操作を繰り返すことで、シンチレータパネル全体を所望の形状に断裁する。
【０２５０】
本発明に係るシンチレータパネルの断裁方法で使用されるレーザーは、上述のような波長２６６ｎｍ程度の紫外レーザー光が望ましい。波長２６６ｎｍ程度のレーザーでは、熱作用により加工対象物を加工すると同時に、有機材料でＣ−Ｈ結合やＣ−Ｃ結合等の分子結合を解離させることも可能である。すなわち、例えば、支持体がポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムであるシンチレータパネルを断裁する場合、シンチレータ層は熱作用により断裁され、ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムである支持体は分子結合が解離することで断裁されることとなる。このため、支持体である樹脂フィルムが熱変形などしてシンチレータ層との接合面に応力が加わるなどしないため、切断部の結晶割れを防止することができる。レーザー断裁はシンチレータパネルの支持体が樹脂フィルムの場合に特に好ましく適用できる。
【０２５１】
４−６．シンチレータパネルへの保護層の形成方法
シンチレータパネルに保護層を設ける場合、保護層は、前記保護層を形成する材料を含む保護層形成用の塗布液を前記シンチレータ層の表面に直接塗布して形成してもよく、また、予め別途形成した保護層を前記蛍光体層に積層、あるいは接着剤により接着してもよい。また、保護層を形成する材料をシンチレータパネルに蒸着して保護層を形成してもよい。
【０２５２】
但し、歯科分野で口腔内に入れて撮影する小型ディテクタなどは、その用途から小型ディテクタ筐体ごと水洗いやアルコール消毒などをする必要性があり、筐体自体が高い防湿性を有している。このような場合、シンチレータパネルの保護層は必ずしも必要とはならない。
【０２５３】
本発明に係るシンチレータパネルに保護層を設ける場合、該保護層は、シンチレータ層全面及び反射層の一部が、連続した保護層により覆われるように形成することが好ましい。特に、膜として形成が容易であったり加工が容易であったりする観点より、ポリパラキシレンをＣＶＤ法（気相化学成長法）に供して、シンチレータパネルにポリパラキシレン膜の保護層を形成することがより好ましい。
【０２５４】
さらに、シンチレータパネル上に、表面粗さ（Ｒａ）が０.５μｍ以上、５.０μｍ以下となるようにポリパラキシレン膜の保護層を形成することで、シンチレータパネルと受光素子とを接合する態様における、シンチレータ面と受光素子面の正反射及び全反射による発光光の光拡散を効果的に防止できる。
【０２５５】
図１０は、シンチレータパネル１０の蛍光体層２の表面にポリパラキシレン膜からなる保護層を形成する例である。
ＣＶＤ蒸着装置５０は、ポリパラキシレンの原料であるジパラキシリレンを挿入し気化させる気化室５５１、気化したジパラキシリレンを加熱昇温してラジカル化する熱分解室５５２、ラジカル化された状態のジパラキシリレンをシンチレータが形成されたシンチレータパネル１０に蒸着させる蒸着室５５３、防臭、冷却を行う冷却室５５４及び真空ポンプを有する排気系５５５を備える。ここで、蒸着室５５３は、図５に示すように熱分解室５５２においてラジカル化されたポリパラキシレンを導入する導入口５５３ａ及び余分なポリパラキシレンを排出する排出口５５３ｂを有すると共に、ポリパラキシレン膜の蒸着を行う試料を支持するターンテーブル（蒸着台）５５３ｃを有する。
【０２５６】
蒸着室５５３のターンテーブル５５３ｃ上にシンチレータパネル１０のシンチレータ層２を上向きにして設置する。次に、気化室５１において１７５℃に加熱して気化させ、熱分解室５５２において６９０℃に加熱昇温してラジカル化したジパラキシリレンを、導入口５３aから蒸着室５５３に導入して、シンチレータ層２の保護層（ポリパラキシレン膜）１２２を２〜１５μｍの厚さで蒸着する。ここで、蒸着室５５３内は真空度が、例えば１〜１００Ｐａ（好ましくは１３Ｐａ）に維持されている。又、ターンテーブル５５３ｃは、例えば０．５〜２０ｒｐｍ（好ましくは４ｒｐｍ）の速度で回転させる。また、余分なポリパラキシレンは、排出口５５３bから排出され、防臭、冷却を行う冷却室５５４及び真空ポンプを有する排気系５５５に導かれる。
【０２５７】
また、別の態様では、保護層の材料として、ホットメルト樹脂も使用できる。ホットメルト樹脂はシンチレータパネルと平面受光素子面との接着も兼ねることができる。
ホットメルト樹脂を材料とした保護層の作成方法としては、以下に示す方法が挙げられる。
【０２５８】
例えば、剥離剤がコーティングされた剥離シートを準備し、ホットメルト樹脂をこの剥離シートに塗設し、このホットメルト樹脂面をシンチレータパネルの蛍光体層面に配置し、加熱したローラーで加圧しながら張り合わせ、冷却後に剥離シートを取り除く方法が挙げられる。その他にも、上記ホットメルト樹脂が塗設されたシートをシンチレータ層面に配置した後、ホットメルト樹脂が塗設されたシートおよびシンチレータ層の互いに接触していない面のそれぞれの上に、樹脂フィルムを設置し、減圧下で設置した樹脂フィルムの周縁部をシール（密封）した後、大気圧下で加熱する方法が挙げられる。
【０２５９】
後者の方法の樹脂フィルムとしては、シーラントフィルムやポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）のドライラミネートフィルムなどが好適であり、ホットメルト樹脂とシンチレータ層との接触面全面において大気圧による均一な接着圧が得られる点で、より好ましい。
【０２６０】
シンチレータパネルに保護層を設ける場合は、蒸着法、スパッタリング法などにより、ＳｉＣｓＩＯ2、ＳｉＮＡｌ2Ｏ3などの無機物質を含む層を該保護層上に積層されるように形成してもよい。
【０２６１】
なお、上述のシンチレータパネルの各種性能の評価は、該シンチレータパネルと後述の受光素子とをカップリングして、放射線画像像装置に組み込んでから行うため、放射線画像装置について述べた後、詳述することとする。
【０２６２】
５．蒸着用基板およびシンチレータパネルの評価と用途
本発明に係る蒸着用基板は、反射層が特定のＴｇを有するバインダー樹脂を含み、特定の膜厚を有し、断裁性に優れ、また、感度および鮮鋭性に優れた放射線画像を提供できると共に断裁性に優れるシンチレータパネルが提供できる。従って、（放射線用）シンチレータパネルなどにおける蒸着用基板の用途に好適である。
【０２６３】
本発明に係るシンチレータパネルは、感度および鮮鋭性に優れるＸ線画像などの放射線画像を提供でき、断裁性に優れるので、例えば、受光素子とカップリングして、放射線画像検出器などの用途に好適に供することができる。
【０２６４】
本発明に係る蒸着用基板をシンチレータパネルの用途に供することができる点については、既に述べたので、以下、本発明に係るシンチレータパネルを受光素子とカップリングして放射線画像検出器の用途に供することができる点について述べ、次に該放射線画像検出器を用いたシンチレータパネルの各種性能の評価方法について述べる。
【０２６５】
５−１．放射線画像検出器
５−１−１．シンチレータパネルと受光素子とのカップリング
本発明に係るシンチレータパネルは、２次元状に複数の受光画素が配置され、該シンチレータパネルで生じた光を光電変換する受光素子とカップリングして用いることができる。
【０２６６】
受光素子上には、受光素子とシンチレータパネルとを隔てる膜が形成されていてもよい。以下、上記膜が形成されている受光素子も上記膜が形成されていない受光素子も、総括的に「受光素子」という。
【０２６７】
本発明のシンチレータパネルと平面受光素子面を貼り合せるにあたっては、それらの接合面での光拡散によって得られる放射線画像の鮮鋭性が劣化することを抑制するような貼り合せ方法を選択することが好ましい。シンチレータパネルと平面受光素子の接合にあたっては一般に、シンチレータパネルのシンチレータ面と受光素子面とを何らかの加圧手段によって密着させる方法やシンチレータパネルのシンチレータの屈折率と平面受光素子の受光素子の屈折率の中間の値を持つ接合剤、例えば接着剤や光学オイルなどにて接合する方法などがある（シンチレータパネルのシンチレータ層に保護層が形成されている場合は、特に断りがない場合は「シンチレータ面」を「保護層面」と読み替えればよい。以下同じ。）。
【０２６８】
シンチレータパネルのシンチレータ面と受光素子面を接合する接着剤としては、例えば、アクリル系、エポキシ系、シリコン系などの常温硬化型（ＲＴＶ型）の接着剤が挙げられる。特に、弾力性を有する接着樹脂としては、ゴム系の接着剤が挙げられる。ゴム系の接着剤の樹脂としては、スチレンイソプレンスチレン等のブロックコポリマー系や、ポリブタジエン、ポリブチレン等の合成ゴム系接着剤、及び天然ゴム等が挙げられる。市販されているゴム系接着剤の例としては、一液型ＲＴＶゴムＫＥ４２０（信越化学工業社製）などが好適に挙げられる。シリコン接着剤としては、過酸化物架橋タイプや付加縮合タイプのシリコン接着剤が挙げられ、これらを単体でまたは混合して使用してもよい。さらに、上記接着剤としては、アクリル系やゴム系粘着剤と混合して使用することもできるし、アクリル系接着剤のポリマー主鎖や側鎖にシリコン成分をペンダントした接着剤を使用してもよい。
【０２６９】
また、その他に、光学グリースも使用できる。またシンチレータパネルと受光素子に対して粘着性を有する光学オイル等も使用できる。透明性が高く粘着性があれば公知のいかなるものも使用できる。市販されている光学オイルの例としてはＫＦ９６Ｈ（１００万ＣＳ：信越化学工業社製）、ＣＡｒｇｉｌｌｅ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｏｉｌ Ｔｙｐｅ  ３７（ＣＡｒｇｉｌｌｅ社製・屈折液）などが好適に使用される。光学グリースは、透明性が高く粘着性があれば公知のいかなるものでもよい。市販されている光学グリースの例としては、シリコンオイルＫＦ９６Ｈ（１００万ＣＳ：信越化学工業社製）などが好適に挙げられる。
【０２７０】
シンチレータパネルと受光素子を接着剤で張り合わせる場合、通常、接着剤が固化するまで１０〜１０，０００ｇｆ／ｃｍ2の圧力で加圧する。加圧により接着剤層から気泡が除去される。保護層としてホットメルト樹脂を使用した場合は１０，０００ｇｆ／ｃｍ2の圧力で加圧しながら、ホットメルト樹脂の溶融開始温度より１０℃以上高い温度まで加熱し１〜２時間静置後、徐々に冷却する。急冷するとホットメルト樹脂の収縮応力により受光素子の画素にダメージを与える傾向がある。好ましくは２０℃／ｈｏｕｒ以下の速度で５０℃以下まで冷却する。
【０２７１】
しかしながら、上記方法のうち、加圧手段によって密着させる方法は、シンチレータパネルのシンチレータ面と受光素子面との接合部の空隙（空気層）において生じる、シンチレータパネルから生じた発光光の光散乱の影響は避けられない。
【０２７２】
また、シンチレータパネルのシンチレータ屈折率と受光素子の屈折率との中間の値を持つ接合剤によって密着させる方法であっても、シンチレータパネルのシンチレータの屈折率、接合剤の屈折率及び受光素子の屈折率を全て同一にすることは困難であり、シンチレータと接合剤との界面、及び接合剤と受光素子との界面で光散乱が生じる、シンチレータパネルから生じた発光光の光散乱により、得られる放射線画像の鮮鋭性が劣化する（但し、本発明の目的を損なわない程度のものである）。
【０２７３】
これらの放射線画像の鮮鋭性の劣化に関する問題は、シンチレータパネルのシンチレータ面上に光拡散防止層を設ける、シンチレータパネルのシンチレータ面上か受光素子面上の少なくとも一方に反射防止層を設ける、互いに対向するシンチレータ面および受光素子面のいずれかまたは双方の表面粗さ（Ｒａ）を０.５μｍ以上、５.０μｍ以下にするなど、シンチレータパネルのシンチレータ面および受光素子面に散乱防止加工を実施することで解決することができる。これら散乱防止加工と、上記既知の接合方法を組み合わせることで、上述の光散乱を効果的に防止でき、鮮鋭性やその均一性に優れた放射線画像を得ることができる。
【０２７４】
ここで、光拡散防止層とは、波長５５０ｎｍの光に対して、６０％以上９９％以下の光透過率を有し、シンチレータパネル上に設けられ、保護層としても機能する層であり、（光拡散防止層でもある）保護層中を伝搬する光の強度を減衰させる機能を有する。シンチレータから受光素子に向かう発光光は光拡散防止層での光路が短いため強度低下は殆どないが、光拡散防止層内を受光素子面と平行に近い角度で進行する光路が長い散乱光を効果的に除去する効果がある。
【０２７５】
また、反射防止層とは、シンチレータパネルのシンチレータで生じた発光光が、シンチレータパネルのシンチレータ面−受光素子面間において反射を繰り返し、シンチレータ面−受光素子面間を伝播するといった現象を防止し、受光素子で検出されない光が生じることを防止するものである。反射防止層は、シンチレータ面上に設けられる場合は、屈折率がシンチレータの屈折率よりも小さい樹脂層であり、受光素子面上に設けられる場合は、屈折率が受光素子の屈折率より小さい樹脂層である。このような反射防止層をシンチレータパネルのシンチレータ面上か受光素子面上の少なくとも一方に設けることで、発光光がシンチレータ側からの入射角よりも小さな角度で反射防止層を伝播し、該角度よりも大きな角度で受光素子へ伝播するようになり、シンチレータ面−受光素子面間のおける繰り返し反射を防止することができる。反射防止層は、上記光拡散防止層を有する保護層の効果も得られるという観点から、波長５５０ｎｍの光に対する光透過率が、６０％以上９９％以下となるように設計することが、より好ましい。
【０２７６】
また、互いに対向するシンチレータ面および受光素子面のいずれかまたは双方の表面粗さ（Ｒａ）を０.５μｍ以上、５.０μｍ以下にすることで、光の入射面における凹凸による正反射及び全反射を抑制できるので、シンチレータで生じた発光光のシンチレータ面−受光素子面間における光拡散を効果的に防止できる。
【０２７７】
また、シンチレータ面上や受光素子面上に設ける光拡散防止層や反射防止層についても、それぞれ、シンチレータパネル面や受光素子面と接触させる面（表面）の算術表面粗さを０.５μｍ以上、５.０μｍ以下とすることが、上記光拡散防止に関して複合効果が得られより好ましい。
【０２７８】
上記光拡散防止層及び反射防止層としては、例えば、ポリパラキシレン、ポリウレタン、塩化ビニル共重合体、塩化ビニル酢酸ビニル共重合体、塩化ビニル塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニルアクリロニトリル共重合体、ブタジエンアクリロニトリル共重合体、ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、ポリエステル樹脂、セルロース誘導体（ニトロセルロース等）、スチレンブタジエン共重合体、各種の合成ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、メラミン樹脂、フェノキシ樹脂、シリコン樹脂、アクリル系樹脂、尿素ホルムアミド樹脂等を含むものが挙げられる。これらは１種単独でも２種以上が混合されていてもよい。上記光拡散防止層及び反射防止層は、シンチレータパネルのシンチレータ面あるいは受光素子面への形成が容易であり、該シンチレータの保護層としての機能も有するなどの観点から、特にＣＶＤ法（気相化学成長法）により形成されるポリパラキシレン膜であることが好ましい（この場合、ポリパラキシレン膜が保護層、光拡散層、反射防止層としての役割を果たすので、必ずしも別途保護層を設ける必要はない）。
【０２７９】
光拡散防止層に色材を含有させて光透過率を調整する場合、色材としては、各波長の光の中でもより光散乱しやすい赤色の長波光を吸収するという観点から、赤色の長波光を吸収する青色の着色材が好ましく、例えば、ウルトラマリン青、プロシア青（フエローシアン化鉄）、フタロシアニン、アントラキノン、インジゴイド、カルボニウム等が挙げられる。
【０２８０】
５−１−２．受光素子とカップリングしたシンチレータパネルが組み込まれた撮像パネルを含む放射線画像検出器
以下に、本発明に係るシンチレータパネルの一適用例として、図４及び図５を参照しながら、放射線用シンチレータプレート１０を具備した放射線画像検出器１００の構成について説明する。
【０２８１】
放射線画像検出器１００において、受光素子とカップリングしたシンチレータパネルは、撮像パネル中に組み込まれる。
なお、図４は放射線画像検出器１００の概略構成を示す一部破断斜視図である。また、図５は撮像パネル５１の拡大断面図である。
【０２８２】
図４に示す通り、放射線画像検出器１００には、撮像パネル５１、放射線画像検出器１００の動作を制御する制御部５２、書き換え可能な専用メモリ（例えばフラッシュメモリ）等を用いて撮像パネル５１から出力された画像信号を記憶する記憶手段であるメモリ部５３、撮像パネル５１を駆動して画像信号を得るために必要とされる電力を供給する電力供給手段である電源部５４等が筐体５５の内部に設けられている。筐体５５には必要に応じて放射線画像検出器１００から外部に通信を行うための通信用のコネクタ５６、放射線画像検出器１００の動作を切り換えるための操作部５７、放射線画像の撮影準備の完了やメモリ部５３に所定量の画像信号が書き込まれたことを示す表示部５８等が設けられている。
【０２８３】
ここで、放射線画像検出器１００に電源部５４を設けるとともに放射線画像の画像信号を記憶するメモリ部５３を設け、コネクタ５６を介して放射線画像検出器１００を画像転送先ＰＣから着脱自在にすれば、放射線画像検出器１００をＰＣ設置場所に固定する必要がなくなり、持ち運びできる可搬構造とすることができる。
【０２８４】
図５に示すように、撮像パネル５１は、放射線用シンチレータパネル１０と、放射線用シンチレータパネル１０からの電磁波を吸収して画像信号を出力する出力基板２０とから構成されている。
【０２８５】
撮像パネル５１において、放射線用シンチレータパネル１０は、シンチレータ層が受光素子と接触するよう配置されており、入射した放射線の強度に応じた電磁波を発光するように構成されている。
【０２８６】
出力基板２０は、放射線用シンチレータパネル１０の放射線照射面と反対側の面に設けられており、放射線用シンチレータパネル１０側から順に、隔膜２０ａ、受光素子２０ｂ、画像信号出力層２０ｃ及び基板２０ｄを備えている。
【０２８７】
隔膜２０aは、放射線用シンチレータパネル１０と他の層（撮像パネル５１では出力基板２０）とを分離するためのものである。
受光素子２０ｂは、透明電極２１と、透明電極２１を透過して入光した電磁波により励起されて電荷を発生する電荷発生層２２と、透明電極２１に対しての対極になる対電極２３とから構成されており、それらは隔膜２０a側から透明電極２１、電荷発生層２２、対電極２３の順で配置される。
【０２８８】
透明電極２１とは、光電変換される電磁波を透過させる電極であり、例えばインジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳＮＯ2、ＺｎＯなどの導電性透明材料からなる。
電荷発生層２２は、透明電極２１の隔膜２０aと接触している面とは反対側の表面上に薄膜状に形成されている。電荷発生層２２は、光電変換可能な化合物として光によって電荷分離する有機化合物を含有する。電荷を分離する有機化合物は、電荷を発生し得る電子供与体及び電子受容体としての導電性化合物である。電荷発生層２２に放射線のような電磁波が入射されると、電子供与体が励起して電子を放出し、放出した電子が電子受容体に移動して、電荷発生層２２内に電荷、すなわち、正孔と電子のキャリアが発生する。
【０２８９】
ここで、電子供与体としての導電性化合物としては、ｐ型導電性高分子化合物が挙げられ、ｐ型導電性高分子化合物としては、ポリフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリ（チオフェンビニレン）、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリフルオレン、ポリ（ｐ−フェニレン）又はポリアニリンの基本骨格を持つ化合物が好ましい。
【０２９０】
また、電子受容体としての導電性化合物としては、ｎ型導電性高分子化合物が挙げられ、ｎ型導電性高分子化合物としては、ポリピリジンの基本骨格を持つ化合物が好ましく、特にポリ（ｐ−ピリジルビニレン）の基本骨格を持つ化合物が好ましい。
【０２９１】
電荷発生層２２の膜厚は、光吸収量を確保する観点から、１０ｎｍ以上（特に１００ｎｍ以上）が好ましく、また電気抵抗が大きくなりすぎることを防止する観点から、１μｍ以下（特に３００ｎｍ以下）が好ましい。
【０２９２】
対電極２３は、電荷発生層２２の電磁波（放射線用シンチレータパネル１０のシンチレータ層２から生じた発光光）が入光される側の面と反対側に配置されている。対電極２３は、例えば、金、銀、アルミニウム、クロムなどの一般の金属電極や、透明電極２１と同様の透明電極の中から選択できるが、良好な特性を得る観点より、仕事関数の小さい（４．５ｅＶ以下）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物から選択される材料から形成される電極が好ましい。
【０２９３】
また、電荷発生層２２と各電極（透明電極２１及び対電極２３）との間には、電荷発生層２２とこれら電極が反応しないように、緩衝地帯として作用させるためのバッファー層を設けてもよい。バッファー層は、例えば、フッ化リチウム及びポリ（３,４−エチレンジオキシチオフェン）：ポリ（４−スチレンスルホナート）、２,９−ジメチル４,７−ジフェニル[１,１０]フェナントロリンなどを用いて形成される。
【０２９４】
画像信号出力層２０ｃは、光電変換素子２０ｂで得られた電荷の蓄積および蓄積された電荷に基づく信号の出力を行うものであり、光電変換素子２０bで生成された電荷を画素毎に蓄積する電荷蓄積素子であるコンデンサ２４と、蓄積された電荷を信号として出力する画像信号出力素子であるトランジスタ２５から構成される。
【０２９５】
トランジスタ２５としては、例えばＴＦＴ（薄膜トランジスタ）が挙げられる。このＴＦＴは、液晶ディスプレイ等に使用されている無機半導体系ＴＦＴでも、有機半導体系ＴＦＴでもよく、プラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴが好ましい。プラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴとしては、プラスチックフィルム上に形成されたアモルファスシリコン系半導体のＴＦＴが挙げられる。その他にも、米国Ａｌｉｅｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ社が開発しているＦＳＡ（Ｆｌｕｉｄｉｃ Ｓｅｌｆ Ａｓｓｅｍｂｌｙ）技術を応用して得られるＴＦＴ、即ち、エンボス加工したプラスチックフィルム上に単結晶シリコンで形成される微小ＣＭＯＳ（Ｎａｎｏｂｌｏｃｋｓ）を配列させることで得られる、フレーキシブルなプラスチックフィルム上に形成されたＴＦＴなどが挙げられる。さらに、Ｓｃｉｅｎｃｅ，２８３,８２２（１９９９）やＡｐｐｌ.Ｐｈｙｓ.Ｌｅｔｔ，７７１４８８（１９９８）、Ｎａｔｕｒｅ，４０３,５２１（２０００）等の文献に記載されているような有機半導体を用いたＴＦＴであってもよい。
【０２９６】
本発明に用いられるトランジスタ２５としては、上記ＦＳＡ技術を応用して作製したＴＦＴ及び有機半導体を用いたＴＦＴが好ましく、特に好ましくは有機半導体を用いたＴＦＴである。有機半導体を用いてＴＦＴを構成すれば、シリコンを用いてＴＦＴを構成する場合のように真空蒸着装置等の設備が不要となり、印刷技術やインクジェット技術を活用してＴＦＴを形成できるので、製造コストが安価となる。さらに、有機半導体を用いたＴＦＴを用いる場合は、その加工温度を低く設定できるので、熱に弱いプラスチック基板上にも形成できる。
【０２９７】
トランジスタ２５には、光電変換素子２０bで発生した電荷を蓄積するコンデンサ２４とともに、コンデンサ２４の一方の電極となる収集電極（図示せず）が電気的に接続されている。コンデンサ２４には光電変換素子２０bで生成された電荷が蓄積されるとともに、この蓄積された電荷はトランジスタ２５を駆動することで読み出される。すなわちトランジスタ２５を駆動させることで放射線画像の画素毎の信号を出力させることができる。
【０２９８】
基板２０ｄは、撮像パネル５１の支持体として機能するものであり、蒸着用基板１と同様の素材で構成することが可能である。
次に、放射線画像検出器１００の放射線画像を検出する機構について説明する。
【０２９９】
まず、放射線画像検出器１００に、Ｘ線などの放射線が、撮像パネル５１の放射線用シンチレータパネル１０側から基板２０ｄ側に向けて入射される。
放射線画像検出器１００に入射された放射線は、放射線画像検出器１００内の放射線用シンチレータパネル１０のシンチレータ層２に放射線エネルギーとして吸収され、シンチレータ層２内で放射線が可視光に変換されて、シンチレータ層２から放射線の強度に応じた可視光（電磁波）が発光される。発光された可視光（電磁波）のうちの一部が、出力基板２０に入光され、出力基板２０の隔膜２０a、透明電極２１を透過し、電荷発生層２２に到達する。そして、電荷発生層２２において、可視光（電磁波）は吸収され、吸収された可視光（電磁波）の強度に応じて、正孔と電子のペア（電荷分離状態）が形成される。
【０３００】
電荷発生層２２において発生した正孔と電子は、電源部５４によるバイアス電圧の印加により生じる内部電界の作用により、それぞれ異なる電極（透明電極２１及び対電極２３）へ運ばれ、光電流が流れる。
【０３０１】
対電極２３側に運ばれた正孔は、画像信号出力層２０cのコンデンサ２４に蓄積される。蓄積された正孔は、コンデンサ２４に接続されているトランジスタ２５を駆動させると、画像信号を出力すると共に、出力された画像信号はメモリ部５３に記憶される。
【０３０２】
上記放射線画像検出器１００は、上記放射線用シンチレータパネル１０を備えているので、光電変換効率が高く、放射線画像における低線量撮影時のＳＮ比が向上しており、画像ムラや線状ノイズが発生しない（もしくは発生し難い）。
【０３０３】
５−３．蒸着用基板およびシンチレータパネルの各種性能の評価方法
５−３−１．蒸着用基板の断裁性の評価方法
蒸着用基板の断裁性の評価方法は、後述の実施例に記載した評価方法に準ずる。
【０３０４】
まず、蒸着用基板を、押し切りカッターを用いて断裁し、反射層が支持体より剥離した長さを光学顕微鏡を用いて測定し、蒸着用基板の断裁性を下記基準に従って評価する。なお、反射層が剥離した長さが１００μｍ以下であれば、製品性能上問題無いと判断する。
【０３０５】
【表１】
2014167405.tif 000003
【０３０６】
５−３−２．シンチレータパネルの断裁性の評価方法
シンチレータパネルの断裁性の評価方法は、後述の実施例に記載した評価方法に準ずる。
まず、シンチレータパネルを、押し切りカッターを用いて断裁し、シンチレータ層が反射層より剥離した長さを光学顕微鏡を用いて測定し、シンチレータパネルの断裁性を下記基準に従って評価する。なお、シンチレータ層が剥離した長さが１００μｍ以下であれば、製品性能上問題無いと判断する。
【０３０７】
【表２】
2014167405.tif 000004
【０３０８】
５−４−３．シンチレータパネルの感度（輝度）の評価方法
シンチレータパネルの感度（輝度）の評価方法は、後述の実施例に記載した評価方法に準ずる。
管電圧を８０Ｋｖｐに設定したＸ線照射装置を用いて、Ｘ線を放射線画像検出器を具備したＦＰＤの受光面に照射し、得られたＸ線画像データから、該Ｘ線画像全面の平均シグナル値を求めてシンチレータパネルの感度とする。このとき、後述のシンチレータパネル１を搭載した放射線画像検出器の平均シグナル値を１００とする。
【０３０９】
５−３−４．シンチレータパネルの鮮鋭性の評価方法
管電圧を８０Ｋｖｐに設定したＸ線照射装置を用いて、Ｘ線を、鉛製のＭＴＦチャートを通して上記シンチレータパネルの裏面（シンチレータ層が形成されていない面）から照射し、ＣＭＯＳフラットパネルで検出された画像データをハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の画像データの記録をコンピュータで分析して、当該ハードディスクに記録されたＸ線画像の変調伝達関数ＭＴＦ（空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値）を鮮鋭性の指標とした。ＭＴＦはModulation Transfer Functionの略号であり、ＭＴＦ値が高いほど得られたＸ線画像の鮮鋭性が優れていることを示す。
【実施例】
【０３１０】
以下、実施例を挙げて本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されない。
なお、以下において、「平均粒子径」は「面積平均粒子径」である。
１．蒸着用基板の作製
[実施例１：蒸着用基板１]
光散乱粒子としてルチル型二酸化チタン（石原産業製ＣＲ９３、平均粒子径０．２８μｍ）、バインダー樹脂としてポリエステル樹脂（東洋紡社製バイロン５５０、Ｔｇ：−１５℃）を合わせて４０質量部、溶剤としてシクロヘキサノン３０質量部およびメチルエチルケトン（ＭＥＫ）３０質量部とを混合し、サンドミルで分散処理して第１の樹脂層用塗料（反射層形成用塗料１）を作製した。なお、光散乱粒子とバインダー樹脂は、固形分比率（体積％）が２０／８０になるようにした。この第１の樹脂層用塗料を、コンマコーターで５００ｍｍ幅のポリイミドフィルム支持体（宇部興産社製ユーピレックスＳ、125μｍ厚）上に塗工後、第１の樹脂層用塗料を１８０℃で３分間乾燥して、樹脂層を支持体上に形成して、表５に示した支持体、反射層からなる蒸着用基板１を作製した。
【０３１１】
［実施例２〜４、比較例１：蒸着用基板２〜５の作製］
実施例１において、バインダーの種類を表５のように変えた以外は実施例１と同様にして、表５に示した厚さの蒸着用基板２〜５を作製した。
【０３１２】
［比較例２、実施例５、６、比較例３：蒸着用基板６〜９の作製］
実施例２において、反射層の厚さを表５のように変えた以外は実施例２と同様にして、表５に示した厚さの蒸着用基板６〜９を作製した。
【０３１３】
［実施例７：蒸着用基板１０の作製］
実施例２において、光散乱粒子の種類を中空粒子（ＪＳＲ社製ＳＸ８６６、平均粒子径０.３μｍ）に変えた以外は実施例２と同様にして、表５に示した厚さの蒸着用基板１０を作製した。
【０３１４】
［実施例８：蒸着用基板１１の作製］
実施例２において、光散乱粒子/バインダー樹脂の比率を、表５のように変えた以外は実施例２と同様にして、表５に示した厚さの蒸着用基板１１を作製した。
【０３１５】
［比較例４：蒸着用基板１２の作製］
実施例２において、光散乱粒子/バインダー樹脂の比率を表５のように変えた以外は実施例２と同様にして、表５に示した厚さの蒸着用基板１２を作製した。
【０３１６】
［実施例９：蒸着用基板１３の作製］
実施例２において、塗工後の乾燥時間を２分間に短縮した以外は実施例６と同様にして、表５に示した厚さの蒸着用基板１３を作製した。
【０３１７】
［実施例１０：蒸着用基板１４の作製］
実施例２において、反射層用塗料を、スピンコーターで、５００ｍｍ角のアルミ支持体上に塗工後、１８０℃で５分間乾燥した以外は実施例２と同様にして、表５に示した厚さの蒸着用基板１４を作製した。
【０３１８】
［実施例１１、１２：蒸着用基板１５、１６の作製］
実施例１０において、支持体の材料を表５のように変えた以外は実施例１０と同様にして、表５に示した厚さの蒸着用基板１５、１６を作製した。
【０３１９】
［実施例１３、１４：蒸着用基板１７、１８の作製］
実施例１において、反射層の樹脂を表５のように変えた以外は実施例１と同様にして、表５に示した厚さの蒸着用基板１７、１８を作製した。
なお、上記蒸着用基板１〜４、７、８、１０、１１、１３〜１８は実施例用であり、上記蒸着用基板５、６、９、１２は比較例用である。
【０３２０】
２．蒸着用基板の評価
蒸着用基板１〜１３、１７〜１８については押し切りカッターを用いて、蒸着用基板１４〜１６についてはブレードダイシングを用いて断裁した。反射層が支持体より剥離した長さを光学顕微鏡を用いて測定し、蒸着用基板の断裁性を下記基準に従って評価した。なお、反射層が剥離した長さが１００μｍ以下であれば、製品性能上問題無いと判断した。
【０３２１】
【表３】
2014167405.tif 000005
【０３２２】
３．シンチレータパネルの作製
［実施例１５〜２８：順にシンチレータパネル１〜４、７、８、１０、１１、１３〜１８、比較例５〜８：順にシンチレータパネル５、６、９、１２］
（シンチレータ層の形成）
押し切りカッター、もしくはブレードダイシングを用いて４００ｍｍ角に断裁した上記蒸着用基板１〜１８について、図３に示す蒸着装置の基板ホルダ５にセットし、下記の通り蛍光体を反射層試料のシンチレータ形成予定面に蒸着することで、反射層試料にシンチレータ（蛍光体）層が形成されたシンチレータパネル１〜１８を作製した（シンチレータパネル１〜４、７、８、１０、１１、１３〜１８は実施例用であり、シンチレータパネル５、６、９、１２は比較例用である）。
【０３２３】
まず、蛍光体原料（ＣｓＩ）を蒸着材料として抵抗加熱ルツボに充填し、蒸着源８８とした。また、回転可能なホルダ８５に反射層試料（蒸着用基板）を、ホルダ８５に該反射層試料の支持体面が接触するように設置した。反射層試料（蒸着用基板）と蒸発源８８との間隔を４００ｍｍに調節した。
【０３２４】
次いで、蒸着装置内を一旦排気し、Ａｒガスを導入して蒸着装置内の真空度を０.５Ｐａに調整した後、１０ｒｐｍの速度でホルダ５と共に反射層試料（蒸着用基板）を回転させながら、ホルダ８５を加熱して、反射層試料（蒸着用基板）の温度を２００℃に保持した。
【０３２５】
次いで、抵抗加熱ルツボ（蒸着源８８）を加熱して蛍光体を反射層試料（蒸着用基板）のシンチレータ形成予定面に蒸着してシンチレータ層を形成し、シンチレータ層の膜厚が５００μｍとなったところで蒸着を終了させ、反射層試料（蒸着用基板）のシンチレータ形成予定面上に所定膜厚のシンチレータ層が形成されたシンチレータパネルを得た。
【０３２６】
次いで、押し切りカッター、もしくはブレードダイシングを用いて、上記シンチレータパネルを１３０ｍｍ角、４枚ずつに断裁した。
次いで、断裁されたシンチレータパネルをＣＶＤ装置の蒸着室に入れ、ポリパラキシリレンの原料が昇華して発生した蒸気中に露出させておくことにより、蛍光体層表面が１０μｍの厚さのポリパラキシリレン樹脂膜で被服されたシンチレータパネル１〜１８を得た。
【０３２７】
シンチレータパネル４については、下記の通り加圧処理を行った。
シンチレータパネルのシンチレータ層の表面に平滑なガラス面を密着させた状態で、真空下で、ガラスが密着したシンチレータパネルの上下に樹脂フィルムを配置して該樹脂フィルムの周縁部を融着して封止し、ガラスが密着したシンチレータパネルを樹脂フィルム内で密封した後に、そのままの状態でシンチレータパネルを１００℃の環境で１時間の熱処理を行った。
【０３２８】
４．シンチレータパネルの評価
得られた各試料をＣＭＯＳフラットパネル（ラドアイコン社製Ｘ線ＣＭＯＳカメラシステムＳｈａｄ−ｏ−Ｂｏｘ４ＫＥＶ）にセットし、得られた１２ｂｉｔの出力データより、シンチレータフラットパネルを介して得られたＸ線画像の鮮鋭性を以下に示す方法で測定し、該鮮鋭性を以下に示す方法により評価した。
【０３２９】
尚、ＣＭＯＳフラットパネルの放射線入射窓のカーボン板とシンチレータパネルの放射線入射側（シンチレータ層が形成されていない側）にスポンジシートを配置し、シンチレータパネル面とＣＭＯＳフラットパネル内に設置されている平面受光素子面とを軽く押し付けることでシンチレータパネルを平面受光素子に固定した。
【０３３０】
（シンチレータパネルの感度の評価方法）
管電圧を８０Ｋｖｐに設定したＸ線照射装置を用いて、Ｘ線を放射線画像検出器を具備したＦＰＤの受光面に照射し、得られたＸ線画像データから、該Ｘ線画像全面の平均シグナル値を求めてシンチレータパネルの感度とした。このときシンチレータパネル１を搭載した放射線画像検出器の平均シグナル値を１００とした。
【０３３１】
（シンチレータパネルの鮮鋭性の評価方法）
管電圧を８０Ｋｖｐに設定したＸ線照射装置を用いて、Ｘ線を、鉛製のＭＴＦチャートを通して上記シンチレータパネルの裏面（シンチレータ層が形成されていない面）から照射し、ＣＭＯＳフラットパネルで検出された画像データをハードディスクに記録した。その後、ハードディスク上の画像データの記録をコンピュータで分析して、当該ハードディスクに記録されたＸ線画像の変調伝達関数ＭＴＦ（空間周波数１サイクル／ｍｍにおけるＭＴＦ値）を鮮鋭性の指標とした。ＭＴＦはModulation Transfer Functionの略号であり、ＭＴＦ値が高いほど得られたＸ線画像の鮮鋭性が優れていることを示す。
【０３３２】
（シンチレータパネルの断裁性の評価）
シンチレータパネル１〜１８を、押し切りカッター、もしくはブレードダイシングを用いて断裁し、シンチレータ層が反射層より剥離した長さを光学顕微鏡を用いて測定し、蒸着用基板の断裁性を下記基準に従って評価した。なお、反射層が剥離した長さが１００μｍ以下であれば、製品性能上問題無いと判断した。
【０３３３】
【表４】
2014167405.tif 000006
上記評価結果を表５に示す。
【０３３４】
【表５】
2014167405.tif 000007
表５に示した結果から明らかなように、本発明に係る実施例は比較例に比べ鮮鋭性、感度を損なうことなく断裁性に優れていることが分かる。
【符号の説明】
【０３３５】
１０：シンチレータパネル
１：支持体
２：シンチレータ層
２ａ：柱状蛍光体結晶
３：反射層
６１：中心線
６２：光散乱粒子
６３：バインダー樹脂
８１：蒸着装置
８２：真空容器
８３：真空ポンプ
８４：蒸着用基板
８５：ホルダ
８６：回転機構
８７：回転軸
８８（８８ａ、８８ｂ）：蒸着源
８９：シャッタ
２９：供給工程
３９：塗布工程
４９：乾燥工程
５９：熱処理工程
６９：回収工程
８９：乾燥工程
１０９：製造装置
２０１：支持体
２０２：巻き芯に巻かれたロール状の支持体
３０１：バックアップロール
３０２：塗布ヘッド
３０３：減圧室
３０４：塗布装置
４０１：乾燥装置
４０２：導入口
４０３：排出口
８０１：乾燥装置
８０２：導入口
８０３：排出口
５０１：熱処理用加熱装置
５０２：熱処理用気体の導入口
５０３：排出口
６０１：巻き芯に巻き取られ回収されたロール状の支持体
ａ：搬送ロール
ｂ：搬送ロール
ｃ：搬送ロール
ｄ：搬送ロール
３２：ダイシング装置
２２１：溝
３２１：ブレード
３２１a：回転軸
３２２：ダイシング台
３２３：ノズル
３２４：支持部材
３３：レーザー断裁装置
３３１：レーザー発生装置
３３２：支持台
３３３：パージ室
３３４：排出管
３３５：透光窓
５０：蒸着装置
５５１：気化室
５５２：熱分解室
５５３：蒸着室
５５３ａ：導入口
５５３ｂ：排出口
５５３ｃ:タ−ンテ−ブル（蒸着台）
５５４：冷却室
５５５：排気系
５１２：保護層（ポリパラキシレン膜）の蒸着
１００：放射線画像検出器
５１：撮像パネル
５２：制御部
５３：メモリ部
５４：電源部
５５：筐体
５６：コネクタ
５７：操作部
５８：表示部
２０：出力基板
２０ａ：隔膜
２０ｂ：受光素子
２０ｃ：画像信号出力層
２０ｄ：基板
２１：透明電極
２２：電荷発生層
２３：対電極
２４：コンデンサ
２５：トランジスタ
【図１】
2014167405.tif 000008
【図２】
2014167405.tif 000009
【図３】
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【図４】
2014167405.tif 000011
【図５】
2014167405.tif 000012
【図６】
2014167405.tif 000013
【図７】
2014167405.tif 000014
【図８】
2014167405.tif 000015
【図９】
2014167405.tif 000016
【図１０】
2014167405.tif 000017