(57)【要約】【課題】複数の処理領域を回転させて処理する際に、原料ガスを短時間で十分に供給し反応させる。【解決手段】基板を処理するための処理室であって、分割構造体により、第１のガスが導入される第１のガス導入領域を含む複数のガス導入領域に分割される処理室と、前記処理室内に設けられた基板載置台であって、複数の基板が同心円状に載置される載置面を有する基板載置台と、前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転機構と、前記第１のガス導入領域に前記第１のガスを供給する第１のガス供給管と、前記第１のガスを加熱するためのガス加熱部とを有する第１のガス供給部と、前記第１のガス供給部から供給されたガスを前記処理室内から排気する排気部と、を有するように基板処理装置を構成する。【選択図】図４
2014192304.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理するための処理室であって、分割構造体により、第１のガスが導入される第１のガス導入領域を含む複数のガス導入領域に分割される処理室と、
前記処理室内に設けられた基板載置台であって、複数の基板が同心円状に載置される載置面を有する基板載置台と、
前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転機構と、
前記第１のガス導入領域に前記第１のガスを供給する第１のガス供給管と、前記第１のガスを加熱するためのガス加熱部とを有する第１のガス供給部と、
前記第１のガス供給部から供給されたガスを前記処理室内から排気する排気部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記第１のガス供給部は、前記第１のガス供給管に接続され前記第１のガス供給管に第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給管と、前記第１のガス供給管に接続され前記第１のガス供給管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給管とを有し、
前記ガス加熱部は、前記不活性ガス供給管に設けられ該不活性ガス供給管内の不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱部を含む請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記第１の処理ガス供給管に、該第１の処理ガス供給管内の前記第１の処理ガスを加熱する処理ガス加熱部が設けられ、前記第１のガス供給管に、該第１のガス供給管内の前記第１のガスを加熱する第１のガス加熱部が設けられ、
前記ガス加熱部は、前記第１のガス加熱部と前記不活性ガス加熱部とを含み、
前記第１のガス加熱部は、前記処理ガス加熱部よりも高い温度で前記第１のガスを加熱する請求項２記載の基板処理装置。
【請求項４】
基板を処理するための処理室内を、第１のガスが導入される第１のガス導入領域を含む複数のガス導入領域に分割する処理室分割工程と、
前記処理室内に設けられ、複数の基板が同心円状に載置される載置面を有する基板載置台に、複数の基板を載置する基板載置工程と、
前記複数の基板が載置された基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させつつ、前記第１のガスを加熱して前記第１のガス導入領域に導入し、前記基板載置台に載置された複数の基板を処理する基板処理工程と、
前記基板処理工程で処理された基板を前記処理室から搬出する基板搬出工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する工程を有する半導体装置の製造方法や基板処理方法、及び該半導体装置の製造方法や基板処理方法に係る工程を実施する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばフラッシュメモリやＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体装置の製造工程の一工程として、基板上に薄膜を形成する基板処理工程が実施されることがある。係る工程を実施する基板処理装置として、サセプタ上に複数の処理領域（反応セル）を設け、該処理領域に各処理ガスを区画し収容して滞留させ、各処理領域にそれぞれ載置された複数の基板上に同時に薄膜を形成する処理室を備えた薄膜蒸着装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００８−５２４８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記のような薄膜蒸着装置では、例えば、複数の処理ガスを反応させることで膜を形成している。この際、処理領域毎に異なる処理ガスを供給し、基板を複数枚載せたサセプタを回転させて基板処理をする。このような装置の場合、サセプタ回転速度を上昇させると、各処理ガス間の反応時間が短くなるため均一な反応が進まず、堆積膜の良好な面内均一性を維持することが困難となる。これに対して、面内均一性を向上させるために、処理ガスを大流量で供給する方法や、高圧条件として基板上に処理ガスを供給方法がある。
【０００５】
しかしながら、処理室内に複数の処理領域をもち、複数種類の処理ガスを流す装置では、大流量、高圧条件で原料ガスを流すことは困難である。大流量で一の処理ガスを流した場合は、過剰な一の処理ガスが一のガスを供給する領域から他の処理領域に流れ込む。一のガスがその処理領域に供給された他の処理ガスと反応し、副生成物の問題が発生する。また、過剰に一の処理ガスを流すと大量にその処理ガスを排気することになりガスの消費量が多くなってしまう。また、処理室を高圧状態として第一の処理領域に一の処理ガスを供給した場合は、他の処理領域も高圧となるので、他の処理領域での圧力とのバランスを取れる圧力制御が難しくなる。
【０００６】
このように、上記のような薄膜蒸着装置では、サセプタが回転して各処理領域を通過するので、各処理ガス種との反応時間は処理領域を通過する時間で決まり、処理領域の大きさに比例する。各処理領域間に仕切りはあるものの、各処理領域間は連通しているので、処理室内は一定圧力となる。このため、各処理ガスの反応に関して制約がかかることになる。すなわち、複数種の処理ガスをそれぞれ各処理領域に供給するよう構成された処理において、各処理領域が同圧、同じガス流量という条件下で、十分かつ均一に反応させることが必要となる。
【０００７】
以上のことから、複数の処理領域を有し、処理領域毎に処理ガスを供給し、基板を複数枚載せたサセプタを回転させて基板処理する基板処理装置にて、大流量、高圧条件で原料ガスを流さなくても、原料ガスを短時間で十分かつ均一に供給し反応させることのできる処理技術が必要とされている。
本発明の目的は、複数の処理領域を回転させて処理する際に、原料ガスを短時間で十分かつ均一に供給し反応させることのできる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するための、本発明に係る基板処理装置の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
基板を処理するための処理室であって、分割構造体により、第１のガスが導入される第１のガス導入領域を含む複数のガス導入領域に分割される処理室と、
前記処理室内に設けられた基板載置台であって、複数の基板が同心円状に載置される載置面を有する基板載置台と、
前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転機構と、
前記第１のガス導入領域に前記第１のガスを供給する第１のガス供給管と、前記第１のガスを加熱するためのガス加熱部とを有する第１のガス供給部と、
前記第１のガス供給部から供給されたガスを前記処理室内から排気する排気部と、
を有する基板処理装置。
【０００９】
また、本発明に係る半導体装置の製造方法の他の代表的な構成は、次のとおりである。すなわち、
基板を処理するための処理室内を、第１のガスが導入される第１のガス導入領域を含む複数のガス導入領域に分割する処理室分割工程と、
前記処理室内に設けられ、複数の基板が同心円状に載置される載置面を有する基板載置台に、複数の基板を載置する基板載置工程と、
前記複数の基板が載置された基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させつつ、前記第１のガスを加熱して前記第１のガス導入領域に導入し、前記基板載置台に載置された複数の基板を処理する基板処理工程と、
前記基板処理工程で処理された基板を前記処理室から搬出する基板搬出工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
上記の構成によれば、複数の処理領域を回転させて処理する際に、原料ガスを短時間で十分に供給し反応させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略上面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る基板処理装置の概略垂直断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係る基板処理室の概略水平断面図である。
【図４】本発明の実施形態に係る基板処理室の概略垂直断面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る基板処理工程を説明するフローチャートである。
【図６】本発明の実施形態に係る成膜工程を説明するフローチャートである。
【図７】本発明の実施形態に係る原料希釈ガスの温度と膜厚均一性の関係を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
（１）基板処理装置の構成
まずは、本発明の実施形態に係る基板処理装置の構成について、図１と図２を参照しながら説明する。図１は、本実施形態に係る多枚葉式の基板処理装置１０の概略上面図である。図２は、本実施形態に係る基板処理装置１０の概略垂直断面図である。
【００１３】
なお、本実施形態に係る基板処理装置１０においては、製品としての処理基板２００などの基板を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ 。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１に示されているＸ１の方向を右、Ｘ２方向を左、Ｙ１方向を前、Ｙ２方向を後ろとする。
【００１４】
図１および図２に示されているように、基板処理装置１０は真空状態などの大気圧未満の圧力（負圧）に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備えている。第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が五角形で上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下で二枚の基板２００を同時に移載出来る第一の基板移載機１１２が設置されている。ここで、第一の基板移載機１１２は、一枚の基板２００を移載出来る物でも良い。第一の基板移載機１１２は、第一の基板移載機エレベータ１１５によって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
【００１５】
筐体１０１の五枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室と搬出用の予備室とを併用可能な予備室１２２と１２３がそれぞれゲートバルブ１２６，１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得る構造で構成されている。さらに、予備室（ロードロック室）１２２，１２３には基板支持台１４０により２枚の基板２００を積み重ねるように置くことが可能である。
【００１６】
予備室１２２，１２３には、基板の間に隔壁板（中間プレート）１４１が設置される。複数枚の処理済基板が予備室１２２または１２３に入る場合、先に入った処理済の冷却途中の基板が、次に入った処理済基板の熱影響で温度の下がり具合が遅くなるような熱干渉を、隔壁板を設けることで防止できる。
【００１７】
ここで、一般的な冷却効率を上げるための手法を説明する。予備室１２２および１２３、隔壁板１４１には冷却水やチラーなどを流す。このような構造とすることで、壁面温度を低く抑え、どのスロットに入った処理済基板であっても冷却効率を上げることができる。負圧においては、基板と隔壁板の距離が離れすぎていると熱交換による冷却効率が低下するため、冷却効率を向上させる手法として、基板支持台（ピン）に置いたあと、基板支持台を上下させ、予備室壁面に近づけるための駆動機構を設ける場合もある。
【００１８】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１２１がゲートバルブ１２８、１２９を介して連結されている。第二の搬送室１２１には基板２００を移載する第二の基板移載機１２４が設置されている。第二の基板移載機１２４は第二の搬送室１２１に設置された第二の基板移載機エレベータ１３１によって昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１９】
図１に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはノッチまたはオリフラ合わせ装置１０６を設置させることも出来る。また、図２に示されているように、第二の搬送室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００２０】
図１および図２に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５の前側には、基板２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１３４と、ポッドオープナ１０８が設置されている。基板搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはロードポート（ＩＯステージ）１０５が設置されている。ポッドオープナ１０８は、ポッド１００のキャップ１００ａを開閉すると共に基板搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２と、クロージャ１４２を駆動する駆動機構１３６とを備えており、ロードポート１０５に載置されたポッド１００のキャップ１００ａを開閉することにより、ポッド１００に対する基板２００の出し入れを可能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＯＨＴなど）によって、ロードポート１０５に対して、供給および排出されるようになっている。
【００２１】
図１に示されているように、第一の搬送室筐体１０１の五枚の側壁のうち後ろ側（背面側）に位置する四枚の側壁には、基板に所望の処理を行う第一の処理室２０２ａと、第二の処理室２０２ｂ、第三の処理室２０２ｃ、第四の処理室２０２ｄがゲートバルブ１５０、１５１、１５２、１５３を介してそれぞれ隣接して連結されている。
【００２２】
以下、前記構成を有する基板処理装置を使用した処理工程を説明する。以下の制御は、図１および図２に示されているように、制御部（コントローラ）３００によって制御される。コントローラ３００は、前記構成において、装置全体を制御している。
【００２３】
基板２００は最大２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１および図２に示されているように、搬送されて来たポッド１００はロードポート１０５の上に工程内搬送装置から受け渡されて載置される。ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取り外され、ポッド１００の基板出し入れ口が開放される。
【００２４】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放された後、第二の搬送室１２１に設置された第二の基板移載機１２４は、ポッド１００から基板２００をピックアップする。更に、第二の基板移載機１２４は、基板２００を予備室１２２に搬入し、基板２００を基板支持台１４０に移載する。この移載作業の間、予備室１２２の第一の搬送室１０３側のゲートバルブ１２６は閉じられており、第一の搬送室１０３内の負圧は維持されている。ポッド１００に収納されていた基板２００を基板支持台１４０への移載が完了すると、ゲートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排気される。
【００２５】
予備室１２２内が予め設定された圧力値となると、ゲートバルブ１２６が開かれ、予備室１２２と第一の搬送室１０３とが連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一の基板移載機１１２は基板支持台１４０から基板２００を第一の搬送室１０３に搬入する。ゲートバルブ１２６が閉じられた後、ゲートバルブ１５１が開かれ、第一の搬送室１０３と第二の処理室２０２ｂとが連通される。ゲートバルブ１５１が閉じられた後、第二の処理室２０２内に処理ガスが供給され、基板２００に対して所望の処理が施される。
【００２６】
第二の処理室２０２ｂで基板２００に対する処理が完了すると、ゲートバルブ１５１が開かれ、基板２００は第一の基板移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される。搬出後、ゲートバルブ１５１は閉じられる。
続いて、ゲートバルブ１２７が開かれ、第一の基板移載機１１２は第二の処理室２０２ｂから搬出した基板２００を予備室１２３の基板支持台１４０へ搬送し、処理済みの基板２００は冷却される。
【００２７】
予備室１２３に処理済み基板２００を搬送し、予め設定された冷却時間が経過すると、予備室１２３が不活性ガスにより略大気圧に戻される。予備室１２３内が略大気圧に戻されると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ロードポート１０５に載置された空のポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。
【００２８】
続いて、第二の搬送室１２１の第二の基板移載機１２４は基板支持台１４０から基板２００を第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１の基板搬入搬出口１３４を通してポッド１００に収納して行く。
ここで、ポッド１００のキャップ１００aは、最大２５枚の基板が戻されるまでずっと空け続けていても良く、空きのポッド１００に収納せずに基板を搬出してきたポッドに戻しても良い。
【００２９】
以上の動作が繰り返されることによって２５枚の処理済み基板２００がポッド１００への収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって閉じられる。閉じられたポッド１００はロードポート１０５の上から次の工程へ工程内搬送装置によって搬送されて行く。
【００３０】
以上の動作は第二の処理室２０２ｂおよび予備室１２２、１２３が使用される場合を例にして説明したが、第一の処理室２０２ａおよび第三の処理室２０２ｃ、第四の処理室２０２ｄが使用される場合についても同様の動作が実施される。
【００３１】
また、ここでは４つの処理室で説明したが、それに限らず、対応する基板や形成する膜の種類によって、処理室数を決定しても良い。
【００３２】
また、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用としたが、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としても良いし、予備室１２２または予備室１２３を搬入用と搬出用として併用しても良い。
【００３３】
予備室１２２または予備室１２３を搬入用と搬出用を専用とすることによって、クロスコンタミネーションを低減することができ、併用とすることによって基板の搬送効率を向上させることができる。
【００３４】
また、全ての処理室で同じ処理を行っても良いし、各処理室で別の処理を行っても良い。例えば、第一の処理室２０２ａと第二の処理室２０２ｂで別の処理を行う場合、第一の処理室２０２ａで基板２００にある処理を行った後、続けて第二の処理室２０２ｂで別の処理を行わせてもよい。第一の処理室２０２ａで基板２００にある処理を行った後、第二の処理室２０２ｂで別の処理を行わせる場合、予備室１２２または予備室１２３を経由するようにしてもよい。
【００３５】
また、処理室は少なくとも、処理室２０２ａ〜２０２ｂのいずれか1箇所の連結が成されていれば良く、処理室２０２ｃと２０２ｄの２箇所など、処理室２０２ａから２０２ｄの最大４箇所の範囲において可能な組合せであればいくつ連結しても良い。
【００３６】
また、処理室で処理する基板の枚数は、一枚でも良く、複数枚でも良い。同様に予備室１２２または１２３において、クーリングする基板についても一枚でも良く、複数枚でも良い。処理済基板をクーリング出来る枚数は、予備室１２２および１２３のスロットに投入可能な最大５枚の範囲内であれば、どのような組合せでも良い。
【００３７】
また、予備室１２２内で処理済みの基板を搬入して冷却を行っている途中で予備室１２２のゲートバルブを開閉し処理室に基板を搬入し、基板の処理を行っても良い。同様に、予備室１２３内で処理済みの基板を搬入して冷却を行っている途中で予備室１２３のゲートバルブを開閉し処理室に基板を搬入し、基板の処理を行っても良い。
【００３８】
ここで、十分な冷却時間を経ずに略大気側のゲートバルブ１２８，１２９を開くと、基板２００の輻射熱によって予備室１２２または１２３または予備室の周りに接続されている電気部品に損害を与える可能性がある。そのため、高温な基板をクーリングする場合は、予備室１２２内に処理済みの大きな輻射熱を持つ基板を搬入して冷却を行っている途中で、予備室１２３のゲートバルブを開閉し処理室に基板を搬入し、基板の処理を行うことが出来る。同様に、予備室１２３内に処理済みの基板を搬入して冷却を行っている途中で、予備室１２２のゲートバルブを開閉し処理室に基板を搬入し、基板の処理を行うことも出来る。
【００３９】
（２）処理室の構成
続いて、本実施形態に係る処理室２０２の構成について、主に図３〜図４を用いて説明する。この処理室２０２は、例えば上述した第一の処理室２０２ｂである。図３は、本実施形態に係る処理室の水平断面（横断面）概略図である。図４は、本実施形態に係る処理室の垂直断面（縦断面）概略図であり、図３に示す処理室のＡ−Ａ’線断面図である。
【００４０】
（反応容器）
図３〜図４に示すように、処理室２０２は、筒状の気密容器である反応容器２０３を備えている。反応容器２０３内には、基板２００の処理空間２０７が形成されている。反応容器２０３内の処理空間２０７の上側には、中心部から放射状に延びる４枚の仕切板２０５が設けられている。仕切板２０５は、反応容器天井２０３ａに取り付けられている。４枚の仕切板２０５は、処理空間２０７を４つの領域、すなわち、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂに仕切るように構成されている。言い換えれば、処理領域とパージ領域が隣接した状態で配置されている。なお、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂは、後述するサセプタ（基板載置台）２１７の回転方向（図３の矢印Ｂの方向）に沿って、この順番に配列するように構成されている。
【００４１】
後述するように、サセプタ２１７を回転させることで、サセプタ２１７上に載置された基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動することとなる。また、後述するように、第一の処理領域２０１ａ内には第一のガスとしての第一の処理ガスが供給され、第二の処理領域２０１ｂ内には第二のガスとしての第二の処理ガスが供給され、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内には不活性ガスが供給されるように構成されている。そのため、サセプタ２１７を回転させることで、基板２００上には、第一の処理ガス、不活性ガス、第二の処理ガス、不活性ガスが、この順に供給されることとなる。サセプタ２１７及びガス供給系の構成については後述する。
このように、仕切板２０５は、処理室２０２内を、複数のガス導入領域に分割、詳しくは、処理ガスが導入される処理ガス導入領域と不活性ガスが導入される不活性ガス導入領域とに分割する分割構造体である。仕切板２０５は、例えばアルミニウムや石英等の材料で形成される。
【００４２】
仕切板２０５の端部と反応容器２０３の側壁との間には、所定の幅の隙間が設けられており、この隙間をガスが通過できるように構成されている。この隙間を介し、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内から第一の処理領域２０１ａ内及び第二の処理領域２０１ｂ内に向けて不活性ガスを噴出させるようにする。このようにすることで、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内への処理ガスの侵入を抑制することができ、処理ガスの反応を防止することができるように構成されている。
【００４３】
なお、本実施形態では、各仕切板２０５の間の角度をそれぞれ９０度としたが、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、基板２００への各種ガスの供給時間等を考慮して、例えば第二の処理領域２０１ｂを形成する２枚の仕切板２０５の間の角度を大きくしたりする等、適宜変更してもよい。
【００４４】
また、各処理領域を仕切板２０５で仕切ったが、それに限るものではなく、処理領域２０１ａと２０１ｂそれぞれに供給されるガスを混合させないようにできる構成であればよい。
【００４５】
（サセプタ：基板載置台）
図３〜図４に示すように、仕切板２０５の下側、すなわち反応容器２０３内の底側中央には、反応容器２０３の中心に回転軸の中心を有し、回転自在に構成された基板載置台としてのサセプタ２１７が設けられている。サセプタ２１７は、基板２００の金属汚染を低減することができるように、例えば、カーボン（Ｃ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラミックス、石英等の非金属材料で形成されている。金属汚染を考慮しない基板処理である場合は、アルミニウム（Ａｌ）で形成しても良い。なお、サセプタ２１７は、反応容器２０３とは電気的に絶縁されている。
【００４６】
サセプタ２１７は、反応容器２０３内にて、複数枚（本実施形態では例えば５枚）の基板２００を同一面上に、かつ同一円周上に並べて支持するように構成されている。ここで、同一面上とは、完全な同一面に限られるものではなく、サセプタ２１７を上面から見たときに、図３及び図４に示すように、複数枚の基板２００が互いに重ならないように並べられていればよい。このように、サセプタ２１７は、複数の基板２００を同心円状に載置する載置面を有し、該載置面が反応容器２０３の天井と対向するように構成されている。
【００４７】
なお、サセプタ２１７表面における基板２００の支持位置には、基板載置部２１７ｂを、処理する基板２００の枚数に対応して設けることが好ましい。基板載置部２１７ｂは、例えば上面から見て円形状であり、側面から見て凹形状としてもよい。この場合、基板載置部の直径は基板２００の直径よりもわずかに大きくなるように構成することが好ましい。この基板載置部２１７ｂ内に基板２００を載置することにより、基板２００の位置決めを容易に行うことができる。更には、サセプタ２１７の回転に伴う遠心力により基板２００がサセプタ２１７から飛び出してしまう場合等で発生する位置ズレを防止できるようになる。
【００４８】
図４に示すように、サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させる昇降機構２６８が設けられている。サセプタ２１７には、貫通孔２１７ａが複数設けられている。上述の反応容器２０３の底面には、反応容器２０３内への基板２００の搬入・搬出時に、基板２００を突き上げて、基板２００の裏面を支持する基板突き上げピン２６６が複数設けられている。貫通孔２１７ａ及び基板突き上げピン２６６は、基板突き上げピン２６６が上昇した時、又は昇降機構２６８によりサセプタ２１７が下降した時に、基板突き上げピン２６６がサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔２１７ａを突き抜けるように、互いに配置されている。
【００４９】
昇降機構２６８には、サセプタ２１７を回転させる回転機構２６７が設けられている。回転機構２６７の図示しない回転軸は、サセプタ２１７に接続されている。回転機構２６７を作動させることで、サセプタ２１７は、サセプタ２１７の載置面と平行な方向に回転するように構成されている。回転機構２６７には、制御部３００が、カップリング部２６７ａを介して接続されている。カップリング部２６７ａは、回転側と固定側との間を金属ブラシ等により電気的に接続するスリップリング機構として構成されている。これにより、サセプタ２１７の回転が妨げられないようになっている。制御部３００は、サセプタ２１７を所定の速度で所定時間回転させるように、回転機構２６７への通電具合を制御するように構成されている。上述したように、サセプタ２１７を回転させることにより、サセプタ２１７上に載置された基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ及び第二のパージ領域２０４ｂをこの順番に移動することとなる。
【００５０】
（サセプタ加熱部）
サセプタ２１７の内部には、サセプタ加熱部としてのヒータ２１８が一体的に埋め込まれている。ヒータ２１８に電力が供給されると、基板載置部２１７ｂに載置された基板２００を加熱する。例えば、基板２００の表面が所定温度（例えば室温〜１０００℃程度）にまで加熱されるようになっている。なお、ヒータ２１８は、サセプタ２１７に載置されたそれぞれの基板２００を個別に加熱するように、同一面上に複数（例えば５つ）設けてもよい。
【００５１】
サセプタ２１７には温度センサ２７４が設けられている。ヒータ２１８及び温度センサ２７４には、電力供給線２２２を介して、温度調整器２２３、電力調整器２２４及びヒータ電源２２５が電気的に接続されている。温度センサ２７４により検出された温度情報に基づいて、ヒータ２１８への通電具合が制御されるように構成されている。
【００５２】
（ガス導入部）
反応容器２０３の上側には、第一の処理ガス導入部２５１と、第二の処理ガス導入部２５２と、不活性ガス導入部２５３と、を備えるガス導入部２５０が設けられている。ガス導入部２５０は、サセプタ２１７の中心部の上方であって、反応容器２０３の上側に開設された開口に気密に設けられている。第一の処理ガス導入部２５１の側壁には、第一のガス噴出口２５４が設けられている。第二の処理ガス導入部２５２の側壁には、第二のガス噴出口２５５が設けられている。不活性ガス導入部２５３の側壁には、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７がそれぞれ対向するように設けられている。
【００５３】
ガス導入部２５０は、第一の処理ガス導入部２５１から第一の処理領域２０１ａ内に第一の処理ガスを導入し、第二の処理ガス導入部２５２から第二の処理領域２０１ｂ内に第二の処理ガスを導入し、不活性ガス導入部２５３から第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内に不活性ガスを導入するように構成されている。ガス導入部２５０は、各処理ガス及び不活性ガス導入部２５３からの不活性ガスを混合させずに個別に各領域に導入することができ、更には、各処理ガス及び不活性ガスを併行して各領域に導入することができるように構成されている。
【００５４】
（処理ガス供給部）
第一の処理ガス導入部２５１の上流側には、第一のガス供給管２３２ａが接続されている。第一のガス供給管２３２ａには、第一加熱部２３２ａｈが設けられている。
第一のガス供給管２３２ａの上流側には、第一の処理ガス供給管２３２ｆが接続されている。第一の処理ガス供給管２３２ｆには、上流方向から順に、原料ガス供給源２３２ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３２ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３２ｄが設けられている。また、第一の処理ガス供給管２３２ｆには、第二加熱部２３２ｆｈが設けられている。第一加熱部２３２ａｈ、第二加熱部２３２ｆｈについては後述する。
【００５５】
原料ガス供給源２３２ｂからは、第一の処理ガスとして、例えば、シリコン含有ガスが、マスフローコントローラ２３２ｃ、バルブ２３２ｄ、第一のガス供給管２３２ａ、第一の処理ガス導入部２５１及び第一のガス噴出口２５４を介して、第一の処理領域２０１ａ内に供給される。シリコン含有ガスとしては、例えばプリカーサーとして、ビスターシャリブチルアミノシラン（ＳｉＨ２（ＮＨ（Ｃ４Ｈ９））２、略称：ＢＴＢＡＳ）ガスを用いることができる。なお、第一の処理ガスは、常温常圧で固体、液体、及び気体のいずれであっても良い。第一の処理ガスがＢＴＢＡＳのように常温常圧で液体の場合は、原料ガス供給源２３２ｂは、液体のＢＴＢＡＳを収容した恒温槽と気化装置で構成される。気化装置として、バブラーや気化器等を用いる。気化装置においては、例えば５０℃で気化するように設定される。
【００５６】
なお、シリコン含有ガスとしては、ＢＴＢＡＳの他に、例えば有機シリコン材料であるヘキサメチルジシラザン（Ｃ６Ｈ１９ＮＳｉ２、略称：ＨＭＤＳ）、トリスジメチルアミノシラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）、トリシリルアミン（（ＳｉＨ３）３Ｎ、略称：ＴＳＡ）等を用いることができる。
これら、第一の処理ガスは、後述する第二の処理ガスより粘着度の高い材料が用いられる。
【００５７】
第二の処理ガス導入部２５２の上流側には、第二のガス供給管２３３ａが接続されている。第二のガス供給管２３３ａには、上流方向から順に、反応ガス供給源２３３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３３ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３３ｄが設けられている。
【００５８】
反応ガス供給源２３３ｂからは、第二の処理ガス（反応ガス）として、例えば酸素含有ガスである酸素（Ｏ２）ガスが、マスフローコントローラ２３３ｃ、バルブ２３３ｄ、第二の処理ガス導入部２５２及び第二のガス噴出口２５５を介して、第二の処理領域２０１ｂ内に供給される。第二の処理ガスである酸素ガスは、プラズマ生成部２０６によりプラズマ状態とされ、基板２００上に晒される。なお、第二の処理ガスである酸素ガスは、ヒータ２１８の温度及び反応容器２０３内の圧力を所定の範囲に調整し、熱で活性化させてもよい。なお、酸素含有ガスとしては、オゾン（Ｏ３）ガスや水蒸気（Ｈ２Ｏ）を用いてもよい。
これら第二の処理ガスは、第一の処理ガスより粘着度の低い材料が用いられる。
【００５９】
主に、第一のガス供給管２３２ａ、第一の処理ガス供給管２３２ｆ及びバルブ２３２ｄにより、第一の処理ガス供給部（シリコン含有ガス供給系ともいう）２３２が構成される。なお、原料ガス供給源２３２ｂ、マスフローコントローラ２３２ｃ、第一加熱部２３２ａｈ、第二加熱部２３２ｆｈ、第一の処理ガス導入部２５１及び第一のガス噴出口２５４を、第一の処理ガス供給部に含めて考えてもよい。
また、主に、第二のガス供給管２３３ａ、マスフローコントローラ２３３ｃ及びバルブ２３３ｄにより、第二の処理ガス供給部（酸素含有ガス供給系ともいう）２３３が構成される。なお、反応ガス供給源２３３ｂ、第二の処理ガス導入部２５２及び第二のガス噴出口２５５を、第二の処理ガス供給部に含めて考えてもよい。そして、主に、第一の処理ガス供給部及び第二の処理ガス供給部により、処理ガス供給部が構成される。
【００６０】
（不活性ガス供給部）
第一のガス供給管２３２ａのバルブ２３２ｄよりも下流側には、第一の不活性ガス供給管２３５ａの下流端が接続されている。第一の不活性ガス供給管２３５ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２３５ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３５ｃ、第三加熱部としての熱交換器２３５ｇ、及び開閉弁であるバルブ２３５ｄが設けられている。熱交換器２３５ｇの機能については後述する。
【００６１】
不活性ガス供給源２３５ｂからは、不活性ガスとして、例えばＮ２ガスが、マスフローコントローラ２３５ｃ、熱交換器２３５ｇ、バルブ２３５ｄを介して、第一のガス供給管２３２ａに供給され、さらに、第一の処理ガス導入部２５１及び第一のガス噴出口２５４を介して、第一の処理領域２０１ａ内に供給される。第一の処理領域２０１ａ内に供給される不活性ガスは、成膜工程（Ｓ１０６）ではキャリアガス或いは希釈ガスとして作用する。
【００６２】
主に、第一の不活性ガス供給管２３５ａ、マスフローコントローラ２３５ｃ及びバルブ２３５ｄにより第一の不活性ガス供給部２３５が構成される。なお、不活性ガス供給源２３５ｂ、第一のガス供給管２３２ａ、熱交換器２３５ｇ、第一の処理ガス導入部２５１及び第一のガス噴出口２５４を、第一の不活性ガス供給部２３５に含めて考えてもよい。
【００６３】
また、第二のガス供給管２３３ａのバルブ２３３ｄよりも下流側には、第二の不活性ガス供給管２３６ａの下流端が接続されている。第二の不活性ガス供給管２３６ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２３６ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３６ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３６ｄが設けられている。
【００６４】
不活性ガス供給源２３６ｂからは、不活性ガスとして、例えばＮ２ガスが、マスフローコントローラ２３６ｃ、バルブ２３６ｄを介して、第二のガス供給管２３３ａに供給され、さらに、第二の処理ガス導入部２５２及び第二のガス噴出口２５５を介して、第二の処理領域２０１ｂ内に供給される。第二の処理領域２０１ｂ内に供給される不活性ガスは、第一の処理領域２０１ａ内に供給される不活性ガスと同様に、成膜工程（Ｓ１０６）ではキャリアガス或いは希釈ガスとして作用する。
【００６５】
主に、第二の不活性ガス供給管２３６ａ、マスフローコントローラ２３６ｃ及びバルブ２３６ｄにより第二の不活性ガス供給部２３６が構成される。なお、不活性ガス供給源２３６ｂ、第二のガス供給管２３３ａ、第二の処理ガス導入部２５２及び第二のガス噴出口２５５を、第二の不活性ガス供給部２３６に含めて考えてもよい。
【００６６】
不活性ガス導入部２５３の上流側には、第三の不活性ガス供給管２３４ａが接続されている。第三の不活性ガス供給管２３４ａには、上流方向から順に、不活性ガス供給源２３４ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３４ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３４ｄが設けられている。
【００６７】
不活性ガス供給源２３４ｂからは、例えば窒素（Ｎ２）ガスで構成される不活性ガスが、マスフローコントローラ２３４ｃ、バルブ２３４ｄ、不活性ガス導入部２５３、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７を介して、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内にそれぞれ供給される。第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内に供給される不活性ガスは、後述する成膜工程（Ｓ１０６）ではパージガスとして作用する。
【００６８】
主に、第三の不活性ガス供給管２３４ａ、マスフローコントローラ２３４ｃ及びバルブ２３４ｄにより第三の不活性ガス供給部２３４が構成される。なお、不活性ガス供給源２３４ｂ、不活性ガス導入部２５３、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７を、第三の不活性ガス供給部２３４に含めて考えてもよい。そして、主に、第一〜第三の不活性ガス供給部により、不活性ガス供給部が構成される。
なお、不活性ガス供給部から供給する不活性ガスとして、Ｎ２ガスのほか、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスを用いることができる。
【００６９】
（ガス供給部）
処理ガス供給部と不活性ガス供給部とにより、ガス供給部が構成される。
【００７０】
次に、第一加熱部２３２ａｈ、第二加熱部２３２ｆｈ、第三加熱部（熱交換器）２３５ｇについて説明する。
第一加熱部２３２ａｈは、第一のガス供給管２３２ａ内を流れる第一のガスを、所定温度、例えば１００℃以上、好ましくは１２０℃以上に加熱する。加熱することにより、第一の不活性ガス供給管２３５ａからの希釈ガス及びキャリアガスとしてのＮ２ガスが、第一の処理ガス供給管２３２ｆからのＢＴＢＡＳガスと混合したときに、ＢＴＢＡＳガスが冷却されて再液化することを防止する。
【００７１】
なお、ＢＴＢＡＳガス等のシリコン含有ガスは、温度が低い方が基板等に付着し易い傾向にある。そのため、低温では、形成されたシリコン含有層の膜厚にむらが発生し易く、膜厚の面内均一性が低下する。逆に、高温にすると、エネルギーの高い状態とすることができるので、基板表面上で拡散し易くなり、均一に基板に付着するようになる。その結果、膜厚の面内均一性が向上する。
そこで、第一のガスを加熱することにより、液化を防止するだけでなく、第一の処理領域２０１ａにおいて基板２００表面のシリコン含有層の膜厚均一性を向上させる。つまり、ＢＴＢＡＳガスを基板２００表面へ均一に供給させる。その結果、基板２００表面におけるシリコン含有層の膜厚むらを抑制でき、膜厚の面内均一性を向上することができる。
そのため、第一加熱部２３２ａｈは、第一のガス供給管２３２ａ内において、第一の処理ガスが液化することを防止できる温度であって、ガス供給源２３２ｂの気化装置で生成されるガスの温度（本実施形態の場合は５０℃）や後述する第一のガス供給管２３２ｆの温度よりも高く、ＢＴＢＡＳガスが熱分解する温度（本実施形態の場合は１７０℃）よりも低い温度で、第一のガスを加熱する。具体的には、例えば、１２０℃以上に加熱する。なお、第一のガス供給管２３２ａ内の圧力は、第一の処理ガス供給管２３２ｆ内よりも低いので、第一のガス供給管２３２ａ内において第一の処理ガスが液化することを防止できる温度は、第一の処理ガス供給管２３２ｆ内において第一の処理ガスが液化することを防止できる温度よりも低い。
第一加熱部２３２ａｈは、例えば、第一のガス供給管２３２ａの外周をテープヒータ等で覆うことにより構成される。
【００７２】
第二加熱部２３２ｆｈは、第一の処理ガス供給管２３２ｆ内を流れる第一の処理ガスを加熱する。第二加熱部２３２ｆｈは、原料ガス供給源２３２ｂから供給される原料ガスの再液化を防止するためのもので、第一の処理ガス供給管２３２ｆ内において原料ガスの再液化を防止できる温度に加熱できればよい。例えば、原料ガスがＢＴＢＡＳガスの場合は、第一の処理ガス供給管２３２ｆ内においてＢＴＢＡＳガスの再液化を防止できる温度以上であって、ガス供給源２３２ｂの気化装置で生成されるガスの温度（本実施形態の場合は５０℃）よりも高く、ＢＴＢＡＳガスが熱分解する温度よりも低い温度で、例えば６０℃に加熱する。ガス供給源２３２ｂの恒温槽よりも高い温度とすることで、ガス供給源２３２ｂで気化された原料ガスが再液化され、第一の処理ガス供給管２３２ｆ内に原料ガスが付着し、それが異物となってパーティクルとなることを抑制することができる。言いえれば、原料の気化状態を維持することができる。
第二加熱部２３２ｆｈは、例えば、第一の処理ガス供給管２３２ｆの外周をテープヒータ等で覆うことにより構成される。
【００７３】
第一の処理ガスであるＢＴＢＡＳガスは、ガス管中をスムーズに流すために、多量のキャリアガス（例えばＮ２ガス）が必要である。しかしながら、加熱されていない多量のキャリアガスが原料ガスであるＢＴＢＡＳガスに混合されると、原料ガスが冷却され、再液化する恐れがある。
そこで、第三加熱部としての熱交換器２３５ｇにより、第一の不活性ガス供給管２３５ａ内を流れるキャリアガスとしての第一の不活性ガス（Ｎ２ガス）を、第一の処理ガス供給管２３２ｆよりも高い温度、例えば１００℃以上、好ましくは１２０℃以上に加熱する。加熱することにより、第一の不活性ガス（Ｎ２ガス）がＢＴＢＡＳガスと混合したときに、ＢＴＢＡＳガスが冷却されて再液化することを防止する。
【００７４】
また、第一の不活性ガスを加熱することにより、第一のガスを加熱することができるので、上述した第一加熱部２３２ａｈと同様に、基板上に形成されるシリコン含有層の膜厚むらを抑制することができる。
熱交換器２３５ｇは、第一加熱部２３２ａｈ以上の温度で第一の不活性ガスを加熱することが好ましい。第一加熱部２３２ａｈ以上の温度で加熱すると、第一のガス供給管２３２ａ内を流れる第一のガスを所定温度以上に加熱することが容易になる。
【００７５】
なお、熱交換器２３５ｇにより第一の不活性ガス（Ｎ２ガス）を、第一加熱部２３２ａｈによる加熱温度以上の高温に加熱するように構成した場合は、第一のガス供給管２３２ａ内を流れる第一のガスを所定温度以上に加熱できる限り、第一加熱部２３２ａｈによる加熱度合いを低くすることや、第一加熱部２３２ａｈを省略することが可能である。例えば、第一のガス供給管２３２ａの長さが極めて短いようなときは、第一加熱部２３２ａｈを省略可能な場合がある。
【００７６】
（排気部）
図４に示すように、反応容器２０３には、処理領域２０１ａ，２０１ｂ内及びパージ領域２０４ａ，２０４ｂ内の雰囲気を排気する排気管２３１が設けられている。排気管２３１には、ガス流量を制御する流量制御器（流量制御部）としての流量制御バルブ２４５、及び圧力調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｒ）バルブ２４３を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており、反応容器２０３内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成されている。なお、ＡＰＣバルブ２４３は、弁を開閉して反応容器２０３内の真空排気や真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４３及び流量制御バルブ２４５により排気部が構成される。なお、排気部には、真空ポンプ２４６を含めても良い。
【００７７】
（サセプタの周辺構造）
図３に示すように、反応容器２０３には、第一の搬送室筐体１０１がゲートバルブ１５０から１５３のいずれかを介して隣接するように設けられている。例えば、ゲートバルブ１５１が開かれることで、反応容器２０３内と第一の搬送室筐体１０１とが連通するようになっている。第一の基板移載機１１２はポッドから第二の基板移載機１２４を介して、サセプタ２１７の載置部２１７ｂとの間で、基板２００を搬送する。
前述したように、サセプタ２１７には、基板２００を載置する載置部２１７ｂが複数、形成されている。本実施形態においては、載置部２１７ｂはそれぞれが順時計方向に対して等間隔（例えば７２度の間隔）となるように、五つ設けられ、サセプタ２１７が回転することで、五つの載置部２１７ｂが一括して回転される。
【００７８】
（制御部）
制御手段である制御部３００は、以上説明した各構成の制御を行うものである。すなわち、制御部３００は、ゲートバルブの開閉、基板移載機による基板搬送、サセプタ上への基板載置、サセプタの回転動作、サセプタ上の基板加熱、処理室内へのガス供給及び排出制御、プラズマ供給の開始及び停止等を制御する。また、制御部３００は、第一加熱部２３２ａｈ、第二加熱部２３２ｆｈ、第三加熱部（熱交換器）２３５ｇの加熱度合いを制御するように構成してもよい。
【００７９】
（３）基板処理工程
続いて、本実施形態にかかる半導体製造工程の一工程として、上述した反応容器２０３を備える処理室２０２ｂを用いて実施される基板処理工程について、図５及び図６を用いて説明する。図５は、本実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図であり、図６は、本実施形態に係る基板処理工程における成膜工程での基板への処理を示すフロー図である。なお、以下の説明において、基板処理装置１０の処理室２０２の構成各部の動作は、制御部３００により制御される。
【００８０】
ここでは、第一のガスとして、シリコン含有ガスであるビスターシャリブチルアミノシラン（ＢＴＢＡＳ）を用い、第二の処理ガスとして、酸素含有ガスである酸素ガスを用い、基板２００上に絶縁膜として酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜、以下、単にＳｉＯ膜ともいう）を形成する例について説明する。
【００８１】
（基板搬入・載置工程（Ｓ１０２））
まず、基板２００の搬送位置まで基板突き上げピン２６６を上昇させ、サセプタ２１７の貫通孔２１７ａに基板突き上げピン２６６を貫通させる。その結果、基板突き上げピン２６６が、サセプタ２１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ１５１を開き、第一の基板移載機１１２を用いて、反応容器２０３内に所定枚数（例えば５枚）の基板２００（処理基板）を搬入する。そして、サセプタ２１７の図示しない回転軸を中心として、各基板２００が重ならないように、サセプタ２１７の同一面上に載置する。これにより、基板２００は、サセプタ２１７の表面から突出した基板突き上げピン２６６上に水平姿勢で支持される。
【００８２】
反応容器２０３内に基板２００を搬入したら、第一の基板移載機１１２を反応容器２０３外へ退避させ、ゲートバルブ１５１を閉じて反応容器２０３内を密閉する。その後、基板突き上げピン２６６を下降させて、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの各底面のサセプタ２１７に設けられた載置部２１７ｂ上に基板２００を載置する。
【００８３】
なお、基板２００を反応容器２０３内に搬入する際には、排気部により反応容器２０３内を排気しつつ、不活性ガス供給部から反応容器２０３内にパージガスとしてのＮ２ガスを供給することが好ましい。すなわち、真空ポンプ２４６を作動させ、ＡＰＣバルブ２４３を開けることにより、反応容器２０３内を排気しつつ、少なくとも第三の不活性ガス供給部２３４のバルブ２３４ｄを開けることにより、反応容器２０３内にＮ２ガスを供給することが好ましい。これにより、処理領域２０１内へのパーティクルの侵入や、基板２００上へのパーティクルの付着を抑制することが可能となる。併行して、さらに第一の不活性ガス供給部２３５及び第二の不活性ガス供給部２３６から不活性ガスを供給してもよい。なお、真空ポンプ２４６は、少なくとも基板搬入・載置工程（Ｓ１０２）から後述する基板搬出工程（Ｓ１０８）が終了するまでの間は、常に作動させた状態とする。
【００８４】
（温度・圧力調整工程（Ｓ１０４））
続いて、サセプタ２１７の内部に埋め込まれたヒータ２１８に電力を供給し、基板２００の表面が所定の温度（例えば室温〜４００℃以下）となるように加熱する。この際、ヒータ２１８の温度は、温度センサ２７４により検出された温度情報に基づいてヒータ２１８への通電具合を制御することによって調整される。
【００８５】
なお、シリコンで構成される基板２００の加熱処理では、表面温度を７５０℃以上にまで加熱すると、基板２００の表面に形成されたソース領域やドレイン領域等に不純物の拡散が生じ、回路特性が劣化し、半導体デバイスの性能が低下してしまう場合がある。基板２００の温度を上述のように制限することにより、基板２００の表面に形成されたソース領域やドレイン領域における不純物の拡散、回路特性の劣化、半導体デバイスの性能の低下を抑制できる。
【００８６】
また、反応容器２０３内が所望の圧力（例えば０．１Ｐａ〜１０００Ｐａ、好ましくは１００〜５００Ｐａ）となるように、反応容器２０３内を真空ポンプ２４６によって真空排気する。この際、反応容器２０３内の圧力は図中省略の圧力センサで測定され、この測定された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４３の開度をフィードバック制御する。
【００８７】
また、基板２００を加熱しつつ、回転機構２６７を作動して、サセプタ２１７の回転を開始させる。この際、サセプタ２１７の回転速度は制御部３００によって制御される。サセプタ２１７の回転速度は条件によって変更し例えば１〜６０回転／秒である。サセプタ２１７を回転させることにより、基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動を開始し、各領域を基板２００が通過する。
【００８８】
（成膜工程（Ｓ１０６））
次に、第一の処理領域２０１ａ内に第一の処理ガスとしてのＢＴＢＡＳガスを供給し、第二の処理領域２０１ｂ内に第二の処理ガスとしての酸素ガスを供給して、基板２００上にＳｉＯ膜を成膜する工程を例に成膜工程を説明する。なお、以下の説明では、ＢＴＢＡＳガス、酸素ガス、不活性ガスを併行してそれぞれの領域に供給する。
【００８９】
基板２００を加熱して所望とする温度に達し、サセプタ２１７が所望とする回転速度に到達したら、少なくともバルブ２３２ｄ，２３３ｄ，２３４ｄ及び２３５ｄを同時に開け、処理ガス及び不活性ガスの処理領域２０１及びパージ領域２０４への供給を開始する。すなわち、バルブ２３２ｄと２３５ｄを開けて、第一の処理領域２０１ａ内に、加熱されたＮ２ガスで希釈されたＢＴＢＡＳガスを供給し、バルブ２３３ｄを開けて第二の処理領域２０１ｂ内に酸素ガスを供給することで、処理ガス供給部から処理ガスを供給する。さらにバルブ２３４ｄを開けて第一のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域２０４ｂ内に不活性ガスであるＮ２ガスを供給することで、不活性ガス供給部から不活性ガスを供給する。このとき、ＡＰＣバルブ２４３を適正に調整して反応容器２０３内の圧力を、例えば１００〜５００Ｐａの範囲内の圧力とする。このときヒータ２１８の温度は、基板２００の温度が、例えば２００℃〜４００℃の範囲内の温度となるような温度に設定する。
【００９０】
具体的には、バルブ２３２ｄを開け、第一の処理ガス供給管２３２ｆから、第一のガス供給管２３２ａと第一の処理ガス導入部２５１及び第一のガス噴出口２５４とを介して、第一の処理領域２０１ａにＢＴＢＡＳガスを供給しつつ、排気管２３１から排気する。このとき、ＢＴＢＡＳガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３２ｃを調整する。なお、マスフローコントローラ２３２ｃで制御する。ＢＴＢＡＳガスの供給流量は、例えば１００ｓｃｃｍ〜５０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。
また、このとき、第一の処理ガス供給管２３２ｆ内を流れる第一の処理ガスを、第二加熱部２３２ｆｈにより、例えば６０℃に加熱する。また、第一のガス供給管２３２ａを流れる第一のガスを、第一加熱部２３２ａｈにより、例えば１２０℃に加熱する。
【００９１】
ＢＴＢＡＳガスを第一の処理領域２０１ａ内に供給する際には、上述したように、バルブ２３５ｄを開け、第一の不活性ガス供給管２３５ａからキャリアガス或いは希釈ガスとしてのＮ２ガスを第一の処理領域２０１ａ内に供給する。これにより、第一の処理領域２０１ａ内へのＢＴＢＡＳガスの供給を促進させることができる。このようにして、基板上にシリコン含有層を形成する。このとき、上述したように、第一の不活性ガス供給管２３５ａ内のＮ２ガスを熱交換器２３５ｇにより、例えば１２０℃に加熱して供給する。これにより、Ｎ２ガスが、第一の処理ガス供給管２３２ｆからのＢＴＢＡＳガスと混合したときに、ＢＴＢＡＳガスが冷却されて液化することを防止し、さらに、シリコン含有層の膜厚むらを抑制する。
【００９２】
また、バルブ２３３ｄを開け、第二のガス供給管２３３ａから第二の処理ガス導入部２５２及び第二のガス噴出口２５５を介して第二の処理領域２０１ｂに酸素ガスを供給しつつ、排気管２３１から排気する。このとき、酸素ガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３３ｃを調整する。なお、マスフローコントローラ２３３ｃで制御する酸素ガスの供給流量は、例えば１０００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。
【００９３】
酸素ガスを第二の処理領域２０１ｂ内に供給する際には、バルブ２３６ｄを開け、第二の不活性ガス供給管２３６ａからキャリアガス或いは希釈ガスとしてのＮ２ガスを第二の処理領域２０１ｂ内に供給することが好ましい。これにより、第二の処理領域２０１ｂ内への酸素ガスの供給を促進することができる。
【００９４】
また、バルブ２３４ｄを開け、パージガスとしての不活性ガスであるＮ２ガスを、第三の不活性ガス供給管２３４ａから不活性ガス導入部２５３、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７を介して第一のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域２０４ｂにそれぞれ供給しつつ排気する。このとき、Ｎ２ガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３４ｃを調整する。なお、仕切板２０５の端部と反応容器２０３の側壁との隙間を介し、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内から第一の処理領域２０１ａ内及び第二の処理領域２０１ｂ内に向けて不活性ガスを噴出させることで、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内への処理ガスの侵入を抑制することができる。
【００９５】
ガスの供給開始と共に、第二の処理領域２０１ｂの上方に設けられたプラズマ生成部２０６に図示しない高周波電源から高周波電力を供給する。第二の処理領域２０１ｂ内に供給され、プラズマ生成部２０６の下方を通過した酸素ガスは、第二の処理領域２０１ｂ内でプラズマ状態となり、これに含まれる活性種が基板２００に供給される。
【００９６】
酸素ガスは反応温度が高く、上述のような基板２００の処理温度、反応容器２０３内の圧力では反応しづらいが、本実施形態のように酸素ガスをプラズマ状態とし、これに含まれる活性種を基板２００に供給するようにすると、例えば４００℃以下の温度帯でも成膜処理を行うことができる。
なお、第一の処理ガスと第二の処理ガスとで要求する処理温度が異なる場合、処理温度が低い方の処理ガスの温度に合わせてヒータ２１８を制御し、処理温度を高くする必要のある他方の処理ガスを、プラズマ状態として供給するとよい。このようにプラズマを利用することにより基板２００を低温で処理することができ、例えばアルミニウム等の熱に弱い配線等を有する基板２００に対する熱ダメージを抑制することが可能となる。また、処理ガスの不完全反応による生成物等の異物の発生を抑制することができ、基板２００上に形成する薄膜の均質性や耐電圧特性等を向上させることができる。また、プラズマ状態とした酸素ガスの高い酸化力によって、酸化処理時間を短縮することができる等、基板処理の生産性を向上させることができる。
また、第一の処理ガスの温度を第二の処理ガスよりも高くする場合は、第一加熱部２３２ａｈ、第二加熱部２３２ｆｈ、第三加熱部（熱交換器）２３５ｇのうち、少なくとも１つの加熱部の加熱温度を調整するように構成してもよい。
【００９７】
上述したように、サセプタ２１７を回転させることにより、基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動を繰り返す。そのため、図６に示すように、基板２００には、ＢＴＢＡＳガスの供給、Ｎ２ガスの供給（パージ）、プラズマ状態とされた酸素ガスの供給、Ｎ２ガスの供給（パージ）が交互に所定回数実施されることになる。ここで、成膜処理シーケンスの詳細について、図６を用いて説明する。
【００９８】
（第一の処理ガス領域通過（Ｓ２０２））
まず、第一の処理領域２０１ａを通過した基板２００表面に、加熱されたＮ２ガスと共にＢＴＢＡＳガスが供給され、基板２００上にシリコン含有層が形成される。
【００９９】
（第一のパージ領域通過（Ｓ２０４））
次に、シリコン含有層が形成された基板２００が第一のパージ領域２０４ａを通過する。このとき、第一のパージ領域２０４ａを通過する基板２００に対して不活性ガスであるＮ２ガスが供給される。
【０１００】
（第二の処理ガス領域通過（Ｓ２０６））
次に、第二の処理領域２０１ｂを通過した基板２００に酸素ガスが供給され、基板２００上にはシリコン酸化層（ＳｉＯ層）が形成される。すなわち、酸素ガスは、第一の処理領域２０１ａで基板２００上に形成されたシリコン含有層の少なくとも一部と反応する。これにより、シリコン含有層は酸化されて、シリコン及び酸素を含むＳｉＯ層へと改質される。
【０１０１】
（第二のパージ領域通過（Ｓ２０８））
そして、第二の処理領域２０１ｂでＳｉＯ層が形成された基板２００が第二のパージ領域２０４ｂを通過する。このとき、第二のパージ領域２０４ｂを通過する基板２００に対して不活性ガスであるＮ２ガスが供給される。
【０１０２】
（サイクル数の確認（Ｓ２１０））
このように、サセプタ２１７の１回転を１サイクルとし、すなわち第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ及び第二のパージ領域２０４ｂの基板２００の通過を１サイクルとし、このサイクルを少なくとも１回以上行うことにより、基板２００上に所定膜厚のＳｉＯ膜を成膜することができる。
ここでは、前述のサイクルを所定回数実施したか否かを確認する。
サイクルを所定の回数実施した場合、所望の膜厚に到達できたと判断し、成膜処理を終了する。サイクルを所定の回数実施しなかった場合、即ち所望の膜厚に到達できなかったと判断し、Ｓ２０２に戻りサイクル処理を継続する。
【０１０３】
Ｓ２１０にて、前述のサイクルを所定回数実施し、基板２００上に所望の膜厚のＳｉＯ膜が形成されたと判断した後、少なくともバルブ２３２ｄ及びバルブ２３３ｄを閉じ、ＢＴＢＡＳガス及び酸素ガスの第一の処理領域２０１ａ及び第二の処理領域２０１ｂへの供給を停止する。このとき、プラズマ生成部２０６への電力供給も停止する。さらに、ヒータ２１８の通電量を制御して温度を低くするか、ヒータ２１８への通電を停止する。あるいは、ヒータ温度を維持するよう制御する。更に、サセプタ２１７の回転を停止する。
【０１０４】
（基板搬出工程（Ｓ１０８））
成膜工程１０６が終了したら、次のように基板を搬出する。
まず、基板突き上げピン２６６を上昇させ、サセプタ２１７の表面から突出させた基板突き上げピン２６６上に基板２００を支持させる。そして、ゲートバルブ１５１を開き、第一の基板移載機１１２を用いて基板２００を反応容器２０３の外へ搬出し、本実施形態に係る基板処理工程を終了する。なお、上記において、基板２００の温度、反応容器２０３内の圧力、各ガスの流量、プラズマ生成部２０６に印加する電力、処理時間、第一加熱部２３２ａｈの加熱温度、第二加熱部２３２ｆｈの加熱温度、第三加熱部（熱交換器）２３５ｇの加熱温度等の条件等は、改質対象の膜の材料や膜厚等によって任意に調整する。
【０１０５】
図７は、本実施形態に係る原料希釈ガスの温度と膜厚均一性の関係を示す図である。つまり、第一の不活性ガス供給管２３５ａ内を流れる希釈ガスの温度と膜厚均一性の関係を示す図である。具体的には、酸化膜成膜において、熱交換器２３５ｇによって希釈ガスの温度を変更した際の、基板２００上の膜厚と膜厚面内均一性の変化を示す。
図７において、左縦軸は、基板２００に堆積した酸化膜の膜厚である。右縦軸は、膜厚の基板面内均一性の相対比率である。横軸は、原料希釈ガスの温度である。
【０１０６】
図７の例では、原料ガス（第一の処理ガス）としてＢＴＢＡＳを使用し、原料希釈ガスあるいはキャリアガスとしてＮ２ガスを使用した。その際、第一の処理ガス供給管２３２ｆ内のＢＴＢＡＳガスの温度は４０℃とし、第一の不活性ガス供給管２３５ａ内のＮ２ガスの温度は、４０℃から熱交換器２３５ｇの耐熱温度である２００℃まで変化させた。また、活性種ガス（第二の処理ガス）としては、プラズマ励起したＯ２ガスを使用し、パージ領域にはＮ２ガスを使用して成膜を行った。なお、この場合の原料希釈ガスの流量は、原料ガスの流量に比べてはるかに大量としているので、原料希釈ガスの温度と第一のガス供給管２３２ａ内を流れる第一のガスの温度は、ほぼ同じである。
【０１０７】
図７に示すように、他の条件を変えずに、熱交換器２３５ｇにより原料希釈ガス温度のみを変更した場合、膜厚に関してはほぼ同値を示している。しかし、膜厚面内均一性に関しては、原料希釈ガス温度４０℃の場合（このときの均一性を１．０とする）と比較して、原料希釈ガス温度１２０℃以上とすることにより、均一性が０．４４となり大幅に改善することを確認できた。なお、この場合の膜厚面内均一性は、基板面内における膜厚のばらつきの大きさを示すものである。つまり、膜厚面内均一性の数値が小さいほど、均一性が良好である。
【０１０８】
膜厚面内均一性を大幅に改善できた理由は、次のように考えられる。すなわち、原料ガスのキャリアガス温度を高くすることにより、第一のガス供給管２３２ａ内を流れる第一のガスの温度を高くできる。その結果、第一の処理領域２０１ａにおいて基板表面におけるシリコン含有層の膜厚のむらを抑制、つまり、基板表面へのＢＴＢＡＳガスの供給量（付着した量）の均一性を向上させることができたものと考えられる。一般的に、本実施形態における基板処理方法においては、基板上に形成される膜の膜厚均一性は、原料ガスを主とした膜（ここではシリコン含有層）の膜厚均一性に依存する。そのため、本実施形態では、基板上に形成される膜の面内均一性を向上させることができる。
【０１０９】
（４）本実施形態に係る効果
本実施形態によれば、少なくとも以下に示す効果を奏する。
（ａ）原料ガス導入領域に原料ガスを供給する第１のガス供給管内を流れる第１のガスを加熱するためのガス加熱部を設けたので、基板に形成される原料ガスを主とした層の膜厚むらを抑制でき、その結果基板上に形成される膜の膜厚面内均一性を向上させることができる。
（ｂ）第１のガス供給管に繋がる不活性ガス供給管に不活性ガス加熱部（第三加熱部）を設けたので、不活性ガス供給管から第１のガス供給管に流れる不活性ガスの温度を高くすることができる。その結果、不活性ガスと合流したときの原料ガスの液化を防止することができ、また、基板に形成される原料ガスを主とした層の膜厚むらを抑制することができる。
（ｃ）第１のガス供給管の上流に繋がる原料ガス供給管に処理ガス加熱部（第二加熱部）を設け、第１のガス供給管に第１のガス加熱部（第一加熱部）を設け、圧力のより低い第１のガス供給管内のガスを加熱する第１のガス加熱部が、圧力のより高い原料ガス供給管内のガスを加熱する処理ガス加熱部よりも高い温度で加熱するので、処理ガス加熱部で必要以上に温度を高くせずに済む。また、処理ガス加熱部により原料ガスの液化を防止し、第１のガス加熱部により、原料ガスの液化を防止するとともに基板に形成される原料ガスを主とした層の膜厚むらを抑制することができる。
（ｄ）原料ガス導入領域に供給される原料ガスの温度を高くすることで、サセプタ上の基板温度を高温にすることなく、基板表面でのエネルギー状態を高くすることが可能となる。したがって、基板のサーマルバジェットを低減することができる。
（ｅ）不活性ガス加熱部の加熱温度変更をすることのみで、原料ガス導入領域に供給される原料ガスの温度を変更することができる。したがって、原料供給温度や供給量を変更することなく、また、処理室内の圧力やサセプタ温度などの基板処理環境を変化させることなく、不活性ガス加熱部の加熱温度変更をすることのみで、膜厚面内均一性の改善が可能となる。
（ｆ）複数の処理領域を有し、処理領域毎に処理ガスを供給し、基板を複数枚載せたサセプタを回転させて基板処理する基板処理装置にて、原料ガス導入領域に原料ガスを供給する第１のガス供給管内を流れる第１のガスを加熱するためのガス加熱部を設けたので、各処理領域毎に個別に圧力を調整することが困難な装置において、基板に形成する膜における膜厚のむらを抑制でき、膜厚面内均一性を向上させることができる。
【０１１０】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１１１】
例えば、上述の実施形態では、第一加熱部、第二加熱部としてヒータを用い、第三加熱部として熱交換器を用いたが、これに限られるものではない。ガスを所定の温度に加熱できるものであればよい。
【０１１２】
また、上述の実施形態では、第一加熱部は第一のガス供給管２３２ａの全体を覆うようにカバーし、第二加熱部は第一の処理ガス供給管２３２ｆの全体を覆うようにカバーしたが、状況に応じ、第一加熱部は第一のガス供給管２３２ａの一部を覆うようにカバーし、第二加熱部は第一の処理ガス供給管２３２ｆの一部を覆うようにカバーするよう構成することもできる。
【０１１３】
また、上述の実施形態では、酸素ガスを処理室に供給し、プラズマ生成部２０６でプラズマを生成していたが、それに限るものではなく、処理室の外でプラズマを生成するリモートプラズマ方法や、エネルギーレベルの高いオゾンを用いても良い。
【０１１４】
また、上述の実施形態では、ガス導入部２５０の不活性ガス導入部２５３を、第一のパージ領域２０４ａと第二のパージ領域２０４ｂとで共通としたが、不活性ガス導入部は個別に設けてもよい。
【０１１５】
また、上述の実施形態では、基板突き上げピン２６６が昇降することで基板２００を処理位置や搬送位置に移動させたが、昇降機構２６８を用い、サセプタ２１７を昇降させることで、基板２００を処理位置や搬送位置に移動させてもよい。
【０１１６】
また、上述の実施形態では、処理ガスとしてシリコン含有ガス及び酸素含有ガスを用い、基板２００上にＳｉＯ膜を形成しているが、これに限られるものではない。すなわち、処理ガスとして、例えばハフニウム（Ｈｆ）含有ガス及び酸素含有ガス、ジルコニウム（Ｚｒ）含有ガス及び酸素含有ガス、チタン（Ｔｉ）含有ガス及び酸素含有ガスを用いて、酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ膜）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ膜）、酸化チタン膜（ＴｉＯ膜）等のＨｉｇｈ−ｋ膜等を基板２００上に形成してもよい。また、プラズマ化する処理ガスとして、酸素含有ガスのほかに、窒素（Ｎ）含有ガスであるアンモニア（ＮＨ３）ガス等を用いてもよい。
【０１１７】
以下に、付記として本発明の態様を記す。
＜付記１＞
基板を処理するための処理室であって、分割構造体により、第１のガスが導入される第１のガス導入領域を含む複数のガス導入領域に分割される処理室と、
前記処理室内に設けられた基板載置台であって、複数の基板が同心円状に載置される載置面を有する基板載置台と、
前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転機構と、
前記第１のガス導入領域に前記第１のガスを供給する第１のガス供給管と、前記第１のガスを加熱するためのガス加熱部とを有する第１のガス供給部と、
前記第１のガス供給部から供給されたガスを前記処理室内から排気する排気部と、
を有する基板処理装置。
【０１１８】
＜付記２＞
前記第１のガス供給部は、前記第１のガス供給管に接続され前記第１のガス供給管に第１の処理ガスを供給する第１の処理ガス供給管と、前記第１のガス供給管に接続され前記第１のガス供給管に不活性ガスを供給する不活性ガス供給管とを有し、
前記ガス加熱部は、前記不活性ガス供給管に設けられ該不活性ガス供給管内の不活性ガスを加熱する不活性ガス加熱部を含む付記１記載の基板処理装置。
【０１１９】
＜付記３＞
前記第１の処理ガス供給管に、該第１の処理ガス供給管内の前記第１の処理ガスを加熱する処理ガス加熱部が設けられ、前記第１のガス供給管に、該第１のガス供給管内の前記第１のガスを加熱する第１のガス加熱部が設けられ、
前記ガス加熱部は、前記第１のガス加熱部と前記不活性ガス加熱部とを含み、
前記第１のガス加熱部は、前記処理ガス加熱部よりも高い温度で前記第１のガスを加熱する付記２記載の基板処理装置。
【０１２０】
＜付記４＞
酸化膜成膜の際には、前記第１の処理ガスとして、Ｓｉソースのガス種である、ＴＳＡ(トリシリルアミン)を含むＳｉ系ガスと、ＢＴＢＡＳ（ビスターシャリブチルアミノシラン）又は３ＤＭＡＳ（トリスジメチルアミノシラン)を含む有機アミノシラン系ガスと、ＤＣＳ（ジクロルシラン)又はＨＣＤＳ（ヘキサクロロジシラン)を含むシラン塩素化物とのいずれかを使用する付記２又は付記３記載の基板処理装置。
【０１２１】
＜付記５＞
基板を処理するための処理室であって、分割構造体により、第１のガスが導入される第１のガス導入領域を含む複数のガス導入領域に分割される処理室と、
前記処理室内に設けられた基板載置台であって、複数の基板が同心円状に載置される載置面を有する基板載置台と、
前記第１のガス導入領域に前記第１のガスを供給する第１のガス供給管と、前記第１のガスを加熱するためのガス加熱部とを有する第１のガス供給部と、を有する基板処理装置を用いた半導体装置の製造方法であって、
前記基板載置台に複数の基板を同心円状に載置する基板載置工程と、
前記複数の基板が載置された基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させつつ、前記ガス加熱部により前記第１のガスを加熱して前記第１のガス供給管から前記第１のガス導入領域に供給し、前記基板載置台に載置された複数の基板を処理する基板処理工程と、
前記基板処理工程で処理された基板を前記処理室から搬出する基板搬出工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【０１２２】
＜付記６＞
基板を処理するための処理室内を、第１のガスが導入される第１のガス導入領域を含む複数のガス導入領域に分割する処理室分割工程と、
前記処理室内に設けられ、複数の基板が同心円状に載置される載置面を有する基板載置台に、複数の基板を載置する基板載置工程と、
前記複数の基板が載置された基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させつつ、前記第１のガスを加熱して前記第１のガス導入領域に導入し、前記基板載置台に載置された複数の基板を処理する基板処理工程と、
前記基板処理工程で処理された基板を前記処理室から搬出する基板搬出工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１２３】
１０・・基板処理装置、１００・・ポッド、１００ａ・・キャップ、１０１・・第一の搬送室筐体、１０３・・第一の搬送室、１０５・・ロードポート（Ｉ／Ｏステージ）、１０６・・ノッチ合わせ装置、１０８・・ポッドオープナ、１１２・・第一の基板移載機、１１５・・第一の基板移載機エレベータ、１１８・・クリーンユニット、１２１・・第二の搬送室、１２２，１２３・・予備室、１２４・・第二の基板移載機、１２５・・第二の搬送室筐体、１２６，１２７・・ゲートバルブ、１２８，１２９・・ゲートバルブ、１３１・・第二の基板移載機エレベータ、１３２・・リニアアクチュエータ、１３４・・基板搬入搬出口、１３６・・駆動機構、１４０・・基板支持台、１４１・・隔壁板、１４２・・クロージャ、１５０，１５１，１５２，１５３・・ゲートバルブ、２００・・基板、２０１ａ・・第一の処理領域、２０１ｂ・・第二の処理領域、２０２ａ・・第一の処理室、２０２ｂ・・第二の処理室、２０２ｃ・・第三の処理室、２０２ｄ・・第四の処理室、２０３・・反応容器、２０３ａ・・反応容器天井、２０４ａ・・第一のパージ領域、２０４ｂ・・第二のパージ領域、２０５・・仕切板、２０６・・プラズマ生成部、２０７・・処理空間、２１７・・サセプタ（基板載置台）、２１７ａ・・貫通孔、２１７ｂ・・基板載置部、２１８・・ヒータ、２２２・・電力供給線、２２３・・温度調整器、２２４・・電力調整器、２２５・・ヒータ電源、２３１・・排気管、２３２・・第一の処理ガス供給部、２３２ａ・・第一のガス供給管、２３２ａｈ・・第一加熱部（第１のガス加熱部）、２３２ｂ・・原料ガス供給源、２３２ｃ・・ＭＦＣ、２３２ｄ・・バルブ、２３２ｆ・・第一の処理ガス供給管、２３２ｆｈ・・第二加熱部（処理ガス加熱部）、２３３・・第二の処理ガス供給部、２３３ａ・・第二のガス供給管、２３３ｂ・・反応ガス供給源、２３３ｃ・・ＭＦＣ、２３３ｄ・・バルブ、２３４・・第三の不活性ガス供給部、２３４ａ・・第三の不活性ガス供給管、２３４ｂ・・不活性ガス供給源、２３４ｃ・・ＭＦＣ、２３４ｄ・・バルブ、２３５・・第一の不活性ガス供給部、２３５ａ・・第一の不活性ガス供給管、２３５ｂ・・不活性ガス供給源、２３５ｃ・・ＭＦＣ、２３５ｄ・・バルブ、２３５ｇ・・熱交換器（第三加熱部、不活性ガス加熱部）、２３６・・第二の不活性ガス供給部、２３６ａ・・第二の不活性ガス供給管、２３６ｂ・・不活性ガス供給源、２３６ｃ・・ＭＦＣ、２３６ｄ・・バルブ、２４３・・ＡＰＣバルブ、２４５・・流量制御バルブ、２４６・・真空ポンプ、２５０・・ガス導入部、２５１・・第一の処理ガス導入部、２５２・・第二の処理ガス導入部、２５３・・不活性ガス導入部、２５４・・第一のガス噴出口、２５５・・第二のガス噴出口、２５６・・第一の不活性ガス噴出口、２５７・・第二の不活性ガス噴出口、２６６・・基板突き上げピン、２６７・・回転機構、２６７ａ・・カップリング部、２６８・・昇降機構、２７４・・温度センサ、３００・・制御部（コントローラ）。
【図１】
2014192304.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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