(57)【要約】    【課題】  最外層において、導体パターンの密度が高くなった場合でもバンプとその周囲の導体パターンとの絶縁信頼性を確保することが可能なプリント配線板及びその製造方法を提供する。    【解決手段】  層間絶縁層５０Ｆと、該層間絶縁層５０Ｆ上に形成される導体パターン５８Ｆと、前記導体パターン５８Ｆの少なくとも一部及び該導体パターン５８Ｆの周囲に位置する前記層間絶縁層５０Ｆを露出させる開口７１Ｆを有するソルダーレジスト層７０Ｆとを備えるプリント配線板であって、前記開口７１Ｆから露出される前記導体パターン５８Ｆ上に金属層８０が形成され、該金属層８０上にはバンプ７６Ｆが設けられ、前記開口７１Ｆ内には、前記バンプ７６Ｆの側面と前記ソルダーレジスト層７０Ｆの内壁と前記開口７１Ｆから露出される前記層間絶縁層５０Ｆの表面とで構成される空隙７０ｖが設けられる。【選択図】  図９
2014049608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間絶縁層と、該層間絶縁層上に形成される導体パターンと、前記導体パターンの少なくとも一部及び該導体パターンの周囲に位置する前記層間絶縁層を露出させる開口を有するソルダーレジスト層とを備えるプリント配線板であって：
前記開口から露出される前記導体パターン上に金属層が形成され、
該金属層上にはバンプが設けられ、
前記開口内には、前記バンプの側面と前記ソルダーレジスト層の内壁と前記開口から露出される前記層間絶縁層の表面とで構成される空隙が設けられる。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって：
前記開口から露出される前記層間絶縁層の表面上には、前記導体パターンに沿って前記金属層が形成されている。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって：
前記導体パターン上に形成される前記金属層は、湾曲面を有する。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって：
前記導体パターンには、前記バンプが形成されるパッド部が設けられ、該パッド部は平面視略方形を呈する。
【請求項５】
請求項４のプリント配線板であって：
前記パッド部の角部は断面略弧状に形成されている。
【請求項６】
請求項４のプリント配線板であって：
前記パッド部の軸方向の中心は、前記開口の中心に位置する。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって：
前記開口は、底部へ向かうに連れて径が大きくなる。
【請求項８】
層間絶縁層を形成することと；
前記層間絶縁層上に触媒を設けることと；
前記層間絶縁層上に無電解めっき膜を形成することと；
前記無電解めっき膜上に所定パターンのめっきレジストを形成することと；
前記めっきレジストの非形成部に位置する無電解めっき膜上に電解めっき膜を設けることと；
前記めっきレジストを剥離し、前記電解めっき膜から露出する前記無電解めっき膜を除去して導体パターンを形成することと；
記導体パターンの少なくとも一部及び該導体パターンの周囲に位置する前記層間絶縁層を露出させる開口を有するソルダーレジスト層を形成することと、
を有するプリント配線板の製造方法であって、
前記開口から露出される前記導体パターン上に金属層を形成し、次いで該金属層上にバンプを設け、
前記開口内において、前記バンプの側面と前記ソルダーレジスト層の内壁と前記開口から露出される前記層間絶縁層の表面とで構成される空隙を設ける。
【請求項９】
請求項８のプリント配線板の製造方法であって：
前記ソルダーレジスト層を形成する前に、前記触媒を除去する。
【請求項１０】
請求項９のプリント配線板の製造方法であって：
前記触媒をレーザーにより除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層間絶縁層と導体パターンとが交互に積層されて成るビルドアップ層を有するプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、薄型化に伴い、実装されるプリント配線板も薄型化の要求が強い。プリント配線板の薄型化の要求を満たすため、ビルドアッププリント配線板において、ビルドアップ層の層数を少なくし、より少ない層数で導体パターンを引き回す必要がある。特許文献１には、ランドを設けないことで、導体パターンを配置できるスペースを拡大し、導体パターンの本数を増やす構成が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１０３４３５公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の従来技術においては、単位面積あたりでの導体パターンの本数が増大することで、隣接する導体パターン同士の間隔も縮小される。この場合、仮に、ランドを設けない導体パターン（パッド）上にバンプを設けたとき、バンプと、該バンプが設けられている導体パターン（パッド）に隣接する導体パターンとの距離も縮小される。その結果、双方の絶縁信頼性が低下する可能性が生じると推測される。
【０００５】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、最外層において、導体パターンの密度が高くなった場合でもバンプとその周囲の導体パターンとの絶縁信頼性を確保することが可能なプリント配線板、及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
請求項１に記載の発明は、層間絶縁層と、該層間絶縁層上に形成される導体パターンと、前記導体パターンの少なくとも一部及び該導体パターンの周囲に位置する前記層間絶縁層を露出させる開口を有するソルダーレジスト層とを備えるプリント配線板であって：
前記開口から露出される前記導体パターン上に金属層が形成され、
該金属層上にはバンプが設けられ、
前記開口内には、前記バンプの側面と前記ソルダーレジスト層の内壁と前記開口から露出される前記層間絶縁層の表面とで構成される空隙が設けられることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
請求項１のプリント配線板では、導体パターンの少なくとも一部と導体パターンの周囲に位置する層間絶縁層とがソルダーレジスト層の開口から露出される。すなわち、導体パターン（パッド）の幅がソルダーレジスト層の開口の径よりも小さく設定されている。このため、ソルダーレジスト層の開口の径がパッドの径よりも小さい場合と比較して、パッドの占有領域が小さくなり、その分、導体パターンの高密度な引き回しが可能になる。
さらに、ソルダーレジスト層の開口内においては、バンプの側面と、ソルダーレジスト層の内壁と開口から露出される前記層間絶縁層の表面とで構成される空隙が設けられる。これにより、バンプとその近傍の導体パターンとの間隔が空隙を介して大きくなる。その結果、バンプとその周囲の導体パターンとの絶縁信頼性を確保することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図２】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造工程図である。
【図６】第１実施形態に係るプリント配線板の断面図である。
【図７】最外層の導体パターンの平面図である。
【図８】図８（Ａ）はランド部と開口との位置関係を示す断面図であり、図８（Ｂ）は平面図である。図８（Ｃ）は、ランド部と開口との許容誤差を示す説明図である。
【図９】図９（Ａ）は図４（Ｄ）のサークルＣａの拡大図であり、図９（Ｂ）は図５（Ａ）のサークルＣｂの拡大図であり、図９（Ｃ）は図５（Ｂ）のサークルＣｃの拡大図であり、図９（Ｄ）は図６中のサークルＣｄの拡大図である。
【図１０】バンプの顕微鏡写真である。
【図１１】第１実施形態の改変例に係るプリント配線板の導体パターンの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板１０の構成が図６に示される。プリント配線板１０は、第１面Ｆ（上面：半導体素子が搭載される側）と、第２面Ｓ（下面：マザーボードが実装される側）とを有するコア基板３０を有している。
コア基板３０の第１面Ｆ上には第１導体パターン３４Ｆが、第２面Ｓ上には第２導体パターン３４Ｓが形成されている。コア基板３０の内部にはスルーホール導体３６が設けられ、このスルーホール導体３６を介して第１導体パターン３４Ｆと第２導体パターン３４Ｓとが接続されている。
スルーホール導体３６の端部のうち、第１面Ｆ側には第１導体ランド３６ｆが、第２面Ｓ側には第２導体ランド３６ｓが形成されている。コア基板３０の第１面Ｆと第１導体パターン３４Ｆとを覆うように第１層間絶縁層５０Ｆが形成されている。第１層間絶縁層５０Ｆ上には導体パターン５８Ｆが形成されており、この導体パターン５８Ｆと第１導体パターン３４Ｆとがバイアホール６０Ｆにより接続されている。
第１層間絶縁層５０Ｆ及び第１導体パターン３４Ｆを覆うようにソルダーレジスト層７０Ｆが設けられている。このソルダーレジスト層７０Ｆは開口７１Ｆを有している。そして、開口７１Ｆの内部には半田バンプ７６Ｆが形成されている。
また、コア基板３０の第２面Ｓと第２導体パターン３４Ｓとを覆うように第２層間絶縁層５０Ｓが形成されている。第２層間絶縁層５０Ｓ上には導体パターン５８Ｓが形成されており、この導体パターン５８Ｓと第１導体パターン３４Ｓとがバイアホール６０Ｓにより接続されている。第２層間絶縁層５０Ｓ及び第２導体パターン３４Ｓを覆うようにソルダーレジスト層７０Ｓが設けられている。このソルダーレジスト層７０Ｓは開口７１Ｓを有している。そして、開口７１Ｓの内部には半田バンプ７６Ｓが形成されている。
【００１０】
図７（Ａ）は、第１層間絶縁層５０Ｆ上に設けられている導体パターン５８Ｆの平面図を示す。図７（Ａ）における鎖線は、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆを示している。導体パターン５８Ｆにおいて、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出される箇所がパッド部５８ＦＰとして機能する。このパッド部５８ＦＰには、半導体素子を接続するための半田バンプ７６Ｆが設けられる。さらに、導体パターン５８Ｆは、パッド部５８ＦＰから延びる配線部５８ＦＬを有している。
第１実施形態では、開口７１Ｆの直径は約５０μｍである。そして、パッド部５８ＦＰの幅Ｗ１は約１５μｍである。このとき、パッド部５８ＦＰの幅Ｗ１は、配線部５８ＦＬの幅Ｗ２と略同一に設定されている。なお、一部のパッド部５８ＦＰ１の幅Ｗ３は約３０μｍとなっている。これらのパッド部５８ＦＰは、平面視略方形を呈している。
導体パターン５８Ｆの端部５８ＦＰＰは、ソルダーレジスト層７０Ｆに被覆されている。これにより、第１層間絶縁層５０Ｆに対する導体パターン５８Ｆの密着性が確保される。なお、一部の導体パターン５８Ｆにおいては、パッド部５８ＦＰ１と配線部５８ＦＬ１との境界部Ｋがソルダーレジスト層７０Ｆに被覆されている。これにより、境界部Ｋと半田バンプ７６Ｆとの接触が避けられ、境界部Ｋを起点とした半田バンプ７６Ｆ内部へのクラックの発生が抑制される。
【００１１】
さらに、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆからは、パッド部５８ＦＰの周囲に位置する第１層間絶縁層５０Ｆの表面Ｈが露出される。
ここで、図９（Ｄ）は、図６中のサークルＣｄ内において、第１面Ｆ側のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆにより露出される箇所の拡大図であり、図１０は該部分の顕微鏡写真である。
上述したように、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから層間絶縁層５０Ｆ及びパッド部５８ＦＰが露出されている。開口７１Ｆから露出される層間絶縁層５０Ｆの表面は粗化されている。
パッド部５８ＦＰの角部は断面略弧状に形成されている。これにより、仮にプリント配線板に熱履歴が生じた際、パッド部５８ＦＰの角部へ加わる応力が緩和される。その結果、パッド部５８ＦＰの角部を起点とした、半田バンプ７６Ｆ内部へのクラックの発生が抑制されると考えられる。
そして、図９（Ｄ）に示すように、開口７１Ｆから露出される箇所のうち、パッド部５８ＦＰ上とそのパッド部５８ＦＰの近傍に位置する層間絶縁層５０Ｆ上とには、ニッケルめっき層７２、金めっき層７４からなる金属層８０が設けられている。開口７１Ｆから露出される層間絶縁層５０Ｆにおいては、金属層８０が設けられる箇所と、金属層８０が設けられていない箇所とが存在する。
【００１２】
金属層８０の表面は、パッド部５８ＦＰ上で断面形状が略半円状になり湾曲されて形成されている。該金属層８０の表面が半田バンプの形成されるパッド部７１Ｆｐを構成する。
また、金属層８０は、パッド部５８ＦＰの角部で厚みが薄くなり、パッド部５８ＦＰの上面において厚みが相対的に厚くなるように形成されている。
金属層８０上には半田バンプ７６Ｓが形成されている。開口内７１Ｆには、半田バンプ７６Ｓの側面とソルダーレジスト層７０Ｆの内壁と開口７１Ｆから露出される層間絶縁層５０Ｆの表面Ｈとで構成される空隙７０ｖが設けられる。
ここで、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆは、底部（下方）へ向かうに連れて径が大きくなる。
これによれば、底部（下方）へ向かうに連れて径が小さくなる開口と比較して空隙７０ｖの体積を確保することが容易となり、バンプ７６Ｓとその周囲の導体パターンとの絶縁信頼性を高めることが可能となる。
【００１３】
図８（Ａ）はパッド部５８ＦＰと開口７１Ｆとの位置関係を示す断面図であり、図８（Ｂ）は平面図である。開口７１Ｆの中心Ｃ１と、パッド部５８ＦＰの幅方向における中心を通り長さ方向に延びる仮想線Ｃ２とが交差するように位置決めされている。このため、パッド部の軸方向の中心Ｃ２から左側のバンプ７６Ｆ左部分と、右側のバンプ７６Ｆ右部分とが対称になり、応力が局所的に集中せず、バンプ７６Ｆの接続信頼性が確保されやすくなる。
【００１４】
図８（Ｃ）は、パッド部５８ＦＰと開口７１Ｆとの許容誤差を示している。開口７１Ｆは、誤差の無い開口を示している。開口７１Ｆと、パッド部５８ＦＰの側壁との間に距離Ｔ（（５０−１５）÷２＝１７．５μｍ）が設けられている。７１Ｆ’は、最大許容誤差ｔを有する開口を示している。第１実施形態では、距離Ｔよりも最大許容誤差ｔが小さいように形成される。
【００１５】
第１実施形態のプリント配線板では、図７（Ｂ）に示す従来技術の円形パッド１５８Ｐを用いることなく、パッドとして機能する箇所（パッド部５８ＦＰ：幅ｗ１）と、それ以外の配線ライン５８ＦＬ（幅Ｗ１）の箇所とを略同一幅に形成している。ここで、従来技術においては、円形パッド１５８Ｐと導体パターン１５８との絶縁距離ｄ２（ｄ２≒ｄ１）を保つために、必然的に導体パターン間のスペースＤ２は大きくなる（Ｄ２＞Ｄ１）。
【００１６】
一方、図７（Ａ）に示すように、第１実施形態では、パッド部５８ＦＰＰが矩形状をなし、その幅は配線部の幅と略同一であるため、パッド部５８ＦＰＰ同士の距離ｄ１が上記ｄ２と同じ場合、導体パターン間のスペースＤ１は上記Ｄ２よりも小さくなる。すなわち、第１実施形態においては、従来技術と比較して単位面積当たりの導体パターンの本数を増加させることができ、導体パターンの高密度な引き回しが可能になる。
通常、半導体素子を搭載するプリント配線板は、半導体素子の微細な電極をマザーボード側の電極へ接続させるため、半導体素子直下の最外層（最上層の層間絶縁層上）から徐々にファンアウトして、マザーボード側の最外層（最下層の層間絶縁層上）に向けて導体パターンの間隔が広がっていく。従って、最上層の導体パターンの密度が一番高くなり、この一番高い密度が要求される最上層の導体パターンの密度をさらに高めることが可能となる。
また、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆの径を導体パターン５８Ｆの幅よりも大きくすることで、開口７１Ｆを形成する際に、仮に導体パターンに対して精度誤差があっても、導体パターン５８Ｆ（パッド部）を露出させることが容易となる。その結果、導体パターン５８Ｆ（パッド部）に対する半田バンプ７６Ｆの接続が確保されやすく、双方の充分な接続信頼性を得ることが可能となる。
【００１７】
さらに、ソルダーレジスト層７０Ｆの開口内７１Ｆには、半田バンプ７６Ｓの側面とソルダーレジスト層７０Ｆの内壁と開口７１Ｆから露出される層間絶縁層５０Ｆの表面Ｈとで構成される空隙７０ｖが設けられる。これにより、図９（Ｄ）に示すように、半田バンプ７６Ｓとその近傍の導体パターン５８ＦＮとの間隔が空隙７０ｖを介して大きくなる。その結果、半田バンプ７６Ｓとその周囲の導体パターン５８ＦＮとの絶縁信頼性を確保することが可能となる。
【００１８】
図６中のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図６に示される。
（１）ガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂をガラスクロス等の芯材に含浸させた厚さ０．２ｍｍの絶縁性基板３０を出発材料とする（図１（Ａ））。上面（第１面Ｆ）側及び下面（第２面Ｓ）側から例えばレーザーによりスルーホール導体用の貫通孔３１が形成される（図１（Ｂ））。
【００１９】
（２）絶縁性基板３０上面に、パラジウム触媒（アトテック製）が付与され、無電解銅めっきが施されることにより、基板上面及びスルーホール用貫通孔３１側壁に厚さ０．６μｍの無電解銅めっき膜（シールド層）３２が形成される（図１（Ｃ））。
【００２０】
（３）そして、絶縁性基板３０の両面に、市販のドライフィルムが張り付けられ、露光・現像を経てめっきレジスト３５が形成される（図２（Ａ））。
【００２１】
（４）電解めっきが施され、貫通孔３１内、及び、基板３０のめっきレジスト３５非形成部に電解銅めっき膜３３が形成される（図２（Ｂ））。
【００２２】
（５）そして、めっきレジスト３５がアミン溶液を用いて剥離された後、めっきレジストを形成していた部分の無電解めっき膜３２が、塩化第２銅を主成分とするエッチング液にて溶解除去され、第１導体ランド３６ｆ、第２導体ランド３６ｓを含む第１導体パターン３４Ｆ、第２導体パターン３４Ｓが形成される（図２（Ｃ））。
【００２３】
（６）基板３０の上面（第１面）及び下面（第２面）に、芯材を備えず基板より少し小さめの層間絶縁層用樹脂フィルム（味の素社製：商品名；ＡＢＦ−４５ＳＨ）が載置され、仮圧着され裁断された後、さらに、真空ラミネーター装置を用いて貼り付けられることにより、第１層間絶縁層５０Ｆ、第２層間絶縁層５０Ｓが形成される（図２（Ｄ））。
【００２４】
（７）次に、ＣＯ２ ガスレーザにて、層間絶縁層５０Ｆ、５０Ｓにバイアホール用開口５１Ｆ、５１Ｓが形成される（図３（Ａ））。
【００２５】
（８）バイアホール用開口５１Ｆ、５１Ｓを形成した基板が、６０ｇ／ｌの過マンガン酸を含む８０℃の溶液に１０分間浸漬され、層間絶縁層５０Ｆ、５０Ｓの上面に存在する粒子が除去されることにより、バイアホール用開口５１の内壁を含む層間絶縁層５０Ｆ、５０Ｓの上面が粗化され粗化面が形成される（図示せず）。
【００２６】
（９）次に、上記処理を終えた基板が、中和溶液（シプレイ社製）に浸漬されてから水洗いされる。さらに、粗面化処理した該基板の上面に、パラジウム触媒が付与されることにより、層間絶縁層の上面およびバイアホール用開口の内壁面に触媒核が付着される。
【００２７】
（１０）次に、上村工業社製の無電解銅めっき水溶液（スルカップＰＥＡ）中に、触媒を付与した基板が浸漬され、粗面全体に厚さ０．３〜３．０μｍの無電解銅めっき膜が形成され、バイアホール用開口５１Ｆ、５１Ｓの内壁を含む第１層間絶縁層５０Ｆ、第２層間絶縁層５０Ｓの上面に無電解銅めっき膜５２の形成された基板が得られる（図３（Ｂ））。
【００２８】
（１１）無電解銅めっき膜５２の形成された基板に市販の感光性ドライフィルムが張り付けられ、マスクが載置され、露光・現像処理されることにより、めっきレジスト５４が設けられる（図３（Ｃ））。
【００２９】
（１２）基板が５０℃の水で洗浄されて脱脂され、水洗された後、さらに硫酸で洗浄されてから、電解めっきが施され、めっきレジスト５４非形成部に、厚さ１５μｍの電解銅めっき膜５６が形成される（図４（Ａ））。
【００３０】
（１３）さらに、めっきレジスト５４が５％ＫＯＨで剥離除去された後、そのめっきレジスト下の無電解めっき膜が硫酸と過酸化水素との混合液でエッチング溶解除去され、導体パターン５８Ｆ、５８Ｓ及びバイアホール６０Ｆ、６０Ｓが形成される（図４（Ｂ））。ついで、導体パターン５８Ｆ、５８Ｓ及びバイアホール６０Ｆ、６０Ｓの上面が粗化される。
その後、層間絶縁層５０Ｆ上に残留するパラジウム触媒を除去する。パラジウム触媒を除去する方法としては、液処理、ＣＯ２レーザー、プラズマ等が挙げられるが、これらのなかでも、除去のしやすさといった観点からＣＯ２レーザーを用いることが好ましい。
さらに、パラジウム触媒を除去する際には、パッド部５８ＦＰの近傍の箇所のパラジウム触媒を残留させるようにすることが好ましい。
【００３１】
（１４）次に、多層配線基板の両面に、市販のソルダーレジスト組成物が２０μｍの厚さで塗布され、乾燥処理が行われた後、ソルダーレジスト開口部のパターンが描画された厚さ５ｍｍのフォトマスクがソルダーレジスト層に密着されて紫外線で露光され、ＤＭＴＧ溶液で現像処理され、上面側に小径の開口７１Ｆ、下面側に大径の開口７１Ｓが形成される（図４（Ｃ））。開口７１Ｆにより露出された導体パターン５８Ｆがパッド部５８ＦＰを構成する。さらに、加熱処理によりソルダーレジスト層が硬化され、開口を有し、その厚さが１５〜２５μｍのソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓが形成される。
【００３２】
（１５）ソルダーレジスト層７１Ｆの開口７１Ｆ内に酸素プラズマ処理が施され、該開口内で露出された層間絶縁層５０Ｆの表面が粗化される（図５（Ａ））。図５（Ａ）中のサークルＣａ内が拡大され図９（Ａ）に示される。
【００３３】
（１６）次に、ソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓを形成した基板が無電解ニッケルめっき液に浸漬されて、開口部７１Ｆ、７１Ｓに厚さ５μｍのニッケルめっき層７２が形成される。さらに、その基板が無電解金めっき液に浸漬されて、ニッケルめっき層７２上に、厚さ０．０３μｍの金めっき層７４が形成される（図５（Ｂ））。このとき、開口部７１Ｆから露出される箇所の全体に亘ってパラジウム触媒が残留しているため、ニッケルめっき層７２及び金めっき層７４からなる金属層は、開口部７１Ｆから露出される箇所の全体に亘って形成される。
図５（Ｂ）中のサークルＣｃ内が拡大され図９（Ｂ）に示される。上述したように、パッド部５８ＦＰの近傍の箇所にはパラジウム触媒が残留している。このため、開口７１Ｆの内部において、金属層８０はパッド部５８ＦＰの近傍の層間絶縁層５０Ｆ上にも形成される。これにより、パッド部５８ＦＰ上のみに金属層８０が形成される場合と比較して、本願発明では半田バンプの体積が大きくなり、半導体素子を実装する際の応力を効果的に緩和することが可能となる。
なお、金属層としてニッケル−金層以外にも、ニッケル−パラジウム−金層の３層、スズ、貴金属層（金、銀、パラジウム、白金など）の単層を形成してもよい。上述したように金属層８０の表面は、パッド部５８ＦＰ上で断面形状が半円状になり湾曲されている。また、金めっき層７４の表面は、パッド部５８ＦＰの端部で厚みが薄くなり湾曲状に形成されている。
【００３４】
（１７）開口７１Ｆ、７１Ｓ内にフラックス（図示せず）が塗布された後、上面側ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆに半田ボール７７Ｆｂが搭載され、下面側ソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓに半田ボール７７Ｓｂが搭載される（図５（Ｃ））。次いで、リフローにより上面に半田バンプ７６Ｆが、下面側に半田バンプ７６Ｓが形成される（図６）。このとき、開口内７１Ｆには、半田バンプ７６Ｓの側面とソルダーレジスト層７０Ｆの内壁と開口７１Ｆから露出される層間絶縁層５０Ｆの表面Ｈとで構成される空隙７０ｖが設けられる。
【００３５】
プリント配線板１０に半導体素子が搭載され、リフローにより、半田バンプ７６Ｆを介してプリント配線板のパッド部と半導体素子の電極とが接続される（図示せず）。
【００３６】
第１実施形態のプリント配線板の製造方法では、ソルダーレジスト層７０Ｆを形成した後、開口７１Ｆにより露出される層間絶縁層５０Ｆの表面を粗化している。そして、この粗化された層間絶縁層の表面に金属層が設けられ、金属層上にバンプが形成される。このため、開口７１Ｆにより露出される箇所（層間絶縁層）に対するバンプの接続信頼性を高めることが可能となる。
【００３７】
[第１実施形態の第１改変例]
図１１（Ａ）は、第１実施形態の第１改変例に係るプリント配線板の導体パターン５８Ｆの平面図である。第１実施形態の第１改変例では、パッド部５８ＦＰは、矩形状のパッド部５８ＦＰＰに設けられる。第１実施形態の第１改変例では、パッド部５８ＦＰの幅が広い分、該パッド部５８ＦＰとバンプとの接続信頼性が高まる。
【００３８】
[第１実施形態の第２改変例]
図１１（Ｂ）は、第１実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の導体パターン５８Ｆの平面図である。第１実施形態の第２改変例では、矩形状のパッド部が設けられない。第１実施形態の第２改変例では、導体パターンの密度を更に高めることができる。
【符号の説明】
【００３９】
３０  コア基板
３４Ｆ、３４Ｓ  導体パターン
５０Ｆ、５０Ｓ  層間絶縁層
５８Ｆ、５８Ｓ  導体パターン
５８ＦＰ  配線部
６０Ｆ、６０Ｓ  ビア導体
７０Ｆ、７０Ｓ  ソルダーレジスト層
７０ｖ  空隙
７１Ｆ  開口
７１Ｆｐ  パッド部
８０  金属層
７６Ｆ  バンプ
【図１】
2014049608.tif 000003
【図２】
2014049608.tif 000004
【図３】
2014049608.tif 000005
【図４】
2014049608.tif 000006
【図５】
2014049608.tif 000007
【図６】
2014049608.tif 000008
【図７】
2014049608.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１１】
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【図１０】
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