(57)【要約】【課題】蒸着工程を効率的に進め、かつ蒸着膜特性を容易に向上させる気相蒸着装置及び有機発光表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板に蒸着膜を形成するための気相蒸着装置であって、第１原料ガスを供給されるように形成された供給部と、供給部と連結される反応空間と、反応空間内に配されるプラズマ発生器と、第１原料ガスを含む蒸着原料物質を基板に注入する第１注入部と、反応空間に配されて電源に連結されたフィラメント部と、を備える気相蒸着装置。【選択図】図１
2014122424.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に蒸着膜を形成するための気相蒸着装置であって、
第１原料ガスを供給されるように形成された供給部と、
前記供給部と連結される反応空間と、
前記反応空間内に配されるプラズマ発生器と、
前記第１原料ガスを含む蒸着原料物質を前記基板に注入する第１注入部と、
前記反応空間に配されて電源に連結されたフィラメント部と、を備える気相蒸着装置。
【請求項２】
前記フィラメント部を支持するように形成された支持棒をさらに備え、
前記フィラメント部は、前記支持棒に巻き取られた形態に配された請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項３】
前記フィラメント部は、金属材またはセラミックス材からなる請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項４】
前記フィラメント部は、タングステン、タンタル、チタン、ＬａＢ６、ＢａＯまたはＳｒＯを含む請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項５】
前記プラズマ発生器は、中空柱状を持ち、
前記フィラメント部は、前記プラズマ発生器で取り囲まれるように前記プラズマ発生器の内部に配された請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項６】
前記プラズマ発生器は、前記供給部に向かうように配された複数の第１ホール、及び前記第１注入部に向かうように配された複数の第２ホールを備える請求項５に記載の気相蒸着装置。
【請求項７】
前記プラズマ発生器と前記フィラメント部との間に配され、中空柱状を持つ中間部をさらに備える請求項５に記載の気相蒸着装置。
【請求項８】
前記中間部は、前記供給部に向かうように配された複数の第１ホール、及び前記第１注入部に向かうように配された複数の第２ホールを備える請求項７に記載の気相蒸着装置。
【請求項９】
前記反応空間の内側面の領域のうち、前記プラズマ発生器と対応する対応面と前記プラズマ発生器との間の空間にプラズマが発生する請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１０】
前記プラズマ発生器は、電極状になっている請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１１】
前記反応空間と前記第１注入部との間に配され、前記反応空間及び前記第１注入部より小さな幅を持つ連結部が形成された請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１２】
前記基板は、前記気相蒸着装置より地面に近く配され、前記第１注入部は地面に向かうように配された請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１３】
前記基板は、前記気相蒸着装置より地面から遠く配され、前記第１注入部は、地面と逆方向に向かうように配された請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１４】
前記基板と前記気相蒸着装置とは、相対的に移動するように形成された請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１５】
前記第１注入部と隣接し、かつ前記第１注入部と離隔して形成された第２注入部をさらに備える請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１６】
前記第２注入部は、前記基板方向に蒸着膜を形成する第２原料物質またはパージガスを注入する請求項１５に記載の気相蒸着装置。
【請求項１７】
前記第１注入部と隣接し、かつ前記第１注入部と離隔して形成され、前記第１注入部の両方にそれぞれ配された第２注入部及び第３注入部をさらに備える請求項１に記載の気相蒸着装置。
【請求項１８】
前記第２注入部及び前記第３注入部それぞれは、パージガス、第２原料物質及び第３原料物質からなる群から選択されたいずれか一つを基板方向に注入する請求項１７に記載の気相蒸着装置。
【請求項１９】
前記第１注入部、第２注入部及び前記第３注入部それぞれに隣接して配された複数の排気部をさらに備える請求項１７に記載の気相蒸着装置。
【請求項２０】
前記複数の排気部は、少なくとも前記第１注入部と前記第２注入部との間に配された排気部、及び前記第１注入部と前記第３注入部との間に配された排気部を備える請求項１９に記載の気相蒸着装置。
【請求項２１】
基板に蒸着膜を形成するための気相蒸着装置であって、
複数の第１領域、複数の第２領域及び複数のパージ部を備え、
前記複数の第１領域それぞれは、
第１原料ガスを供給されるように形成された供給部と、
前記供給部と連結される反応空間と、
前記反応空間内に配されるプラズマ発生器と、
前記第１原料ガスを含む蒸着原料物質を前記基板に注入する第１注入部と、
前記反応空間に配されて電源に連結されたフィラメント部と、を備え、
前記複数の第２領域それぞれは、第２原料物質を前記基板方向に注入し、
前記パージ部は、前記基板方向にパージガスを注入する気相蒸着装置。
【請求項２２】
前記複数のパージ部のうちそれぞれのパージ部は、前記第１領域と前記第２領域との間に配された請求項２１に記載の気相蒸着装置。
【請求項２３】
前記第１領域、第２領域及びパージ部に隣接して配された複数の排気部をさらに備える請求項２１に記載の気相蒸着装置。
【請求項２４】
基板に蒸着膜を形成するための蒸着方法であって、
供給部から反応空間に第１原料ガスを供給する段階と、
前記反応空間内に配されたプラズマ発生器を用いてプラズマを発生させ、前記第１原料ガスのうち少なくとも一部をラジカル形態に変換する段階と、
前記ラジカル形態を含む第１原料蒸着物質を前記基板に注入する段階と、を含み、
前記第１原料ガスのうち少なくとも一部をラジカル形態に変換する段階は、前記反応空間に配されて電源に連結されたフィラメント部を用いて前記第１原料ガスを活性化する段階を含む蒸着方法。
【請求項２５】
前記フィラメント部は、熱及び熱電子を放出して前記第１原料ガスを活性化する段階を含む請求項２４に記載の蒸着方法。
【請求項２６】
前記基板は、気相蒸着装置に対して相対的に移動しつつ蒸着工程を行う請求項２４に記載の蒸着方法。
【請求項２７】
気相蒸着装置を用いて有機発光表示装置を製造する方法であって、
前記有機発光表示装置は、第１電極、有機発光層を備える中間層、第２電極及び封止層を備え、
前記有機発光表示装置の少なくとも一つの薄膜を形成する段階は、
前記気相蒸着装置に対応するように基板を配する段階と、
前記気相蒸着装置の供給部から反応空間に第１原料ガスを供給する段階と、
前記反応空間内に配されたプラズマ発生器を用いてプラズマを発生させ、前記第１原料ガスのうち少なくとも一部をラジカル形態に変換する段階と、
前記ラジカル形態を含む第１原料蒸着物質を前記基板に注入する段階と、を含み、
前記第１原料ガスのうち少なくとも一部をラジカル形態に変換する段階は、前記反応空間に配され、かつ電源に連結されたフィラメント部を用いて前記第１原料ガスを活性化する段階を含む有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２８】
前記有機発光表示装置の薄膜を形成する段階は、前記第２電極上に配される前記封止層を形成する段階である請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項２９】
前記有機発光表示装置の薄膜を形成する段階は、絶縁膜を形成する段階である請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【請求項３０】
前記有機発光表示装置の薄膜を形成する段階は、導電膜を形成する段階である請求項２７に記載の有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、気相蒸着装置及び有機発光表示装置の製造方法に係り、さらに詳細には、蒸着工程を効率的に進め、かつ蒸着膜特性を容易に向上させる気相蒸着装置及び有機発光表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、表示装置及びその他の装置は、複数の薄膜を備える。このような複数の薄膜を形成する方法は多様であるが、気相蒸着方法がその方法の一つである。
【０００３】
気相蒸着方法は、薄膜を形成する原料として一つ以上のガスを使う。このような気相蒸着方法は、化学的気相蒸着（ＣＶＤ：ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）、原子層蒸着（ＡＬＤ：ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの多様な方法がある。
【０００４】
このうち、原子層蒸着方法は、一つの原料物質を注入した後、パージ／ポンピング後に単一分子層またはそれ以上の層を基板に吸着した後、さらに他の原料物質の注入後にパージ／ポンピングして最終的に所望の単一原子層または複数原子層を形成する。
【０００５】
一方、表示装置のうち、有機発光表示装置は、視野角が広くてコントラストに優れるだけではなく、回答速度が速いという長所を持っていて次世代ディスプレイ装置として注目されている。
【０００６】
有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極と第２電極との間に有機発光層を備える中間層を含み、その他に一つ以上の多様な薄膜を備える。この時、有機発光表示装置の薄膜を形成するために蒸着工程を用いることもある。
【０００７】
しかし、有機発光表示装置が大型化して高解像度を要求するにつれて、大面積の薄膜を所望の特性で蒸着し難い。また、かかる薄膜の形成工程の効率性を向上させるには限界がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明が解決しようとする課題は、蒸着工程を効率的に進め、かつ蒸着膜特性を容易に向上させる気相蒸着装置、蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、基板に蒸着膜を形成するための気相蒸着装置であって、第１原料ガスを供給されるように形成された供給部と、前記供給部と連結される反応空間と、前記反応空間内に配されるプラズマ発生器と、前記第１原料ガスを含む蒸着原料物質を前記基板に注入する第１注入部と、前記反応空間に配されて電源に連結されたフィラメント部と、を備える気相蒸着装置を開示する。
【００１０】
本発明において、前記フィラメント部を支持するように形成された支持棒をさらに備え、前記フィラメント部は、前記支持棒に巻き取られた形態に配される。
【００１１】
本発明において、前記フィラメント部は、金属材またはセラミックス材からなる。
【００１２】
本発明において、前記フィラメント部は、タングステン、タンタル、チタン、ＬａＢ６、ＢａＯまたはＳｒＯを含む。
【００１３】
本発明において、前記プラズマ発生器は、中空柱状を持ち、前記フィラメント部は、前記プラズマ発生器で取り囲まれるように前記プラズマ発生器の内部に配される。
【００１４】
本発明において、前記プラズマ発生器は、前記供給部に向かうように配された複数の第１ホール、及び前記第１注入部に向かうように配された複数の第２ホールを備える。
【００１５】
本発明において、前記プラズマ発生器と前記フィラメント部との間に配され、中空柱状を持つ中間部をさらに備える。
【００１６】
本発明において、前記中間部は、前記供給部に向かうように配された複数の第１ホール、及び前記第１注入部に向かうように配された複数の第２ホールを備える。
【００１７】
本発明において、前記反応空間の内側面の領域のうち、前記プラズマ発生器と対応する対応面と前記プラズマ発生器との間の空間にプラズマが発生する。
【００１８】
本発明において、前記プラズマ発生器は、電極状になっている。
【００１９】
本発明において、前記反応空間と前記第１注入部との間に配され、前記反応空間及び前記第１注入部より小さな幅を持つ連結部が形成される。
【００２０】
本発明において、前記基板は、前記気相蒸着装置より地面に近く配され、前記第１注入部は地面に向かうように配される。
【００２１】
本発明において、前記基板は、前記気相蒸着装置より地面から遠く配され、前記第１注入部は、地面と逆方向に向かうように配される。
【００２２】
本発明において、前記基板と前記気相蒸着装置とは、相対的に移動するように形成される。
【００２３】
本発明において、前記第１注入部と隣接し、かつ前記第１注入部と離隔して形成された第２注入部をさらに備える。
【００２４】
本発明において、前記第２注入部は、前記基板方向に蒸着膜を形成する第２原料物質またはパージガスを注入する。
【００２５】
本発明において、前記第１注入部と隣接し、かつ前記第１注入部と離隔して形成され、前記第１注入部の両方にそれぞれ配された第２注入部及び第３注入部をさらに備える。
【００２６】
本発明において、前記第２注入部及び前記第３注入部それぞれは、パージガス、第２原料物質及び第３原料物質からなる群から選択されたいずれか一つを基板方向に注入する。
【００２７】
本発明において、前記第１注入部、第２注入部及び前記第３注入部それぞれに隣接して配された複数の排気部をさらに備える。
【００２８】
本発明において、前記複数の排気部は、少なくとも前記第１注入部と前記第２注入部との間に配された排気部、及び前記第１注入部と前記第３注入部との間に配された排気部を備える。
【００２９】
本発明の他の側面によれば、基板に蒸着膜を形成するための気相蒸着装置であって、複数の第１領域、複数の第２領域及び複数のパージ部を備え、前記複数の第１領域それぞれは、第１原料ガスを供給されるように形成された供給部と、前記供給部と連結される反応空間と、前記反応空間内に配されるプラズマ発生器と、前記第１原料ガスを含む蒸着原料物質を前記基板に注入する第１注入部と、前記反応空間に配されて電源に連結されたフィラメント部と、を備え、前記複数の第２領域それぞれは、第２原料物質を前記基板方向に注入し、前記パージ部は、前記基板方向にパージガスを注入する気相蒸着装置を開示する。
【００３０】
本発明において、前記複数のパージ部のうちそれぞれのパージ部は、前記第１領域と前記第２領域との間に配される。
【００３１】
本発明において、前記第１領域、第２領域及びパージ部に隣接して配された複数の排気部をさらに備える。
【００３２】
本発明のさらに他の側面によれば、基板に蒸着膜を形成するための蒸着方法であって、供給部から反応空間に第１原料ガスを供給する段階と、前記反応空間内に配されたプラズマ発生器を用いてプラズマを発生させ、前記第１原料ガスのうち少なくとも一部をラジカル形態に変換する段階と、前記ラジカル形態を含む第１原料蒸着物質を前記基板に注入する段階と、を含み、前記第１原料ガスのうち少なくとも一部をラジカル形態に変換する段階は、前記反応空間に配されて電源に連結されたフィラメント部を用いて前記第１原料ガスを活性化する段階を含む蒸着方法を開示する。
【００３３】
本発明において、前記フィラメント部は、熱及び熱電子を放出して前記第１原料ガスを活性化する段階を含む。
【００３４】
本発明において、前記基板は、気相蒸着装置に対して相対的に移動しつつ蒸着工程を行う。
【００３５】
本発明のさらに他の側面によれば、気相蒸着装置を用いて有機発光表示装置を製造する方法であって、前記有機発光表示装置は、第１電極、有機発光層を備える中間層、第２電極及び封止層を備え、前記有機発光表示装置の少なくとも一つの薄膜を形成する段階は、前記気相蒸着装置に対応するように基板を配する段階と、前記気相蒸着装置の供給部から反応空間に第１原料ガスを供給する段階と、前記反応空間内に配されたプラズマ発生器を用いてプラズマを発生させ、前記第１原料ガスのうち少なくとも一部をラジカル形態に変換する段階と、前記ラジカル形態を含む第１原料蒸着物質を前記基板に注入する段階と、を含み、前記第１原料ガスのうち少なくとも一部をラジカル形態に変換する段階は、前記反応空間に配され、かつ電源に連結されたフィラメント部を用いて前記第１原料ガスを活性化する段階を含む有機発光表示装置の製造方法を開示する。
【００３６】
本発明において、前記有機発光表示装置の薄膜を形成する段階は、前記第２電極上に配される前記封止層を形成する段階である。
【００３７】
本発明において、前記有機発光表示装置の薄膜を形成する段階は、絶縁膜を形成する段階である。
【００３８】
本発明において、前記有機発光表示装置の薄膜を形成する段階は、導電膜を形成する段階である。
【発明の効果】
【００３９】
本発明に関する気相蒸着装置、蒸着方法及び有機発光表示装置の製造方法は、蒸着工程を効率的に進め、かつ蒸着膜特性を容易に向上させる。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態に関する気相蒸着装置を概略的に示す斜視図である。
【図２】図１の分解斜視図である。
【図３】図１の正面図である。
【図４】本発明の他の実施形態に関する気相蒸着装置を概略的に示す平面図である。
【図５】本発明のさらに他の実施形態に関する気相蒸着装置を概略的に示す平面図である。
【図６】本発明のさらに他の実施形態に関する気相蒸着装置を概略的に示す平面図である。
【図７】本発明のさらに他の実施形態に関する気相蒸着装置を概略的に示す平面図である。
【図８】本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法によって製造された有機発光表示装置を概略的に示す断面図である。
【図９】図８のＦ部分の拡大図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００４１】
以下、添付した図面に示された本発明に関する実施形態を参照して本発明の構成及び作用を詳細に説明する。
【００４２】
図１は、本発明の一実施形態に関する気相蒸着装置を概略的に示す斜視図であり、図２は、図１の分解斜視図であり、図３は、図１の正面図である。
【００４３】
図１ないし図３を参照すれば、気相蒸着装置１００は、ハウジング１０１、供給部１０５、反応空間１０３、プラズマ発生器１１１、注入部１４２及びフィラメント部１３０を備える。
【００４４】
ハウジング１０１は、気相蒸着装置１００の全体形態及び外観を保持するように耐久性のある材質で形成される。図１などには、直方体と類似した形態にハウジング１０１が図示されているが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４５】
供給部１０５は、ハウジング１０１の上部に配されるが、一つ以上の原料ガスを供給するように貫通孔を持つ。供給部１０５の数は、蒸着工程を進める被蒸着材のサイズによって多様に定められる。
【００４６】
反応空間１０３は、供給部１０５と連結されるように形成され、ハウジング１０１内に所定の空間に定義される。具体的に反応空間１０３は、円柱と類似した形態を持つ。
【００４７】
注入部１４２は、反応空間１０３と連結されるように形成される。すなわち、反応空間１０３は、供給部１０５と注入部１４２との間に位置する。注入部１４２は、供給部１０５を通じて流れ込んだ原料ガスが反応空間１０３で所望の状態に変換された後で注入部１４２に伝達され、注入部１４２で被蒸着材と反応し、被蒸着材の表面に蒸着工程が進む。注入部１４２は、連結部１４１によって反応空間１０３と連結されるが、連結部１４１は、注入部１４２及び反応空間１０３より狭い幅を持つことが望ましい。
【００４８】
これを通じて反応空間１０３で原料ガスが十分にラジカル形態に変化した後、ラジカル形態の蒸着原料が効果的に注入部１４２に伝達される。
【００４９】
プラズマ発生器１１１は、反応空間１０３内に配される。具体的に、プラズマ発生器１１１は、電圧を印加される電極の形態を持つ。またプラズマ発生器１１１は、中空柱状を持つように形成される。特に曲面の外面を持つように、プラズマ発生器１１１は中空の円柱形態を持つことが望ましい。
【００５０】
そして反応空間１０３の内周面と定義される対応面１１５は、プラズマ発生器１１１に対応する部材であり、電極の形態、例えば、グラウンド電極である。これを通じて、プラズマ発生器１１１と対応面１１５との間の空間でプラズマが発生する。供給部１０５を通じて流れ込んだ原料ガスは、プラズマ発生器１１１と対応面１１５との間の空間でラジカル形態に変換されて蒸着特性を向上させる。
【００５１】
プラズマ発生器１１１は、第１ホール１１１ａ及び第２ホール１１１ｂを備える。具体的にプラズマ発生器１１１は、複数の第１ホール１１１ａ及び第２ホール１１１ｂを備えるが、第１ホール１１１ａは供給部１０５に近い方向、すなわち、プラズマ発生器１１１の上面に形成され、第２ホール１１１ｂは注入部１４２に近い方向、すなわち、プラズマ発生器１１１の下面に形成される。
【００５２】
フィラメント部１３０は、反応空間１０３に配される。具体的にフィラメント部１３０は、プラズマ発生器１１１内に配される。すなわち、前述した中空の円柱形態のフィラメント部１３０の中央に形成された空間にフィラメント部１３０が配される。フィラメント部１３０には電圧を印加するように電源（図示せず）が連結される。これを通じて、フィラメント部１３０からは熱及び熱電子が放出される。またこれらの熱及び熱電子は、フィラメント部１３０周辺のガスと衝突して２次電子を発生させる。
【００５３】
フィラメント部１３０は、多様な材質で形成できるが、電子放出係数の高い材質、例えば、金属材料またはセラミックス材料を含む。金属材料の例としては、タングステン、タンタルまたはチタンを含み、セラミックス材料の例としては、ＬａＢ６、ＢａＯまたはＳｒＯを含む。
【００５４】
フィラメント部１３０は、支持棒１２０によって支持される。図３には、フィラメント部１３０と支持棒１２０とが離隔しているが、少なくとも一領域で互いに当接することが望ましい。これを通じて、フィラメント部１３０は支持棒１２０に安定して配されるが、例えば、フィラメント部１３０は、支持棒１２０に複数回巻き取られている形態で配される。
【００５５】
中間部１１２は、プラズマ発生器１１１とフィラメント部１３０との間に配される。すなわち、中間部１１２も、プラズマ発生器１１１と類似して中空柱状を持つ。また中間部１１２は、第１ホール１１２ａ及び第２ホール１１２ｂを備える。具体的に中間部１１２は、複数の第１ホール１１２ａ及び第２ホール１１２ｂを備えるが、第１ホール１１２ａは、供給部１０５に近い方向、すなわち、中間部１１２の上面に形成され、第２ホール１１２ｂは、注入部１４２に近い方向、すなわち、中間部１１２の下面に形成される。
【００５６】
また中間部１１２の第１ホール１１２ａは、プラズマ発生器１１１の第１ホール１１１ａと対応するように形成され、中間部１１２の第２ホール１１２ｂは、プラズマ発生器１１１の第２ホール１１１ｂと対応するように形成されることが望ましい。
【００５７】
図３を参照して、本実施形態の気相蒸着装置１００を用いる蒸着方法について簡略に説明する。
【００５８】
被蒸着材である基板Ｓが、気相蒸着装置１００の注入部１４２に対応して配されれば、基板Ｓに対して蒸着工程が進む。この時、基板Ｓと気相蒸着装置１００とは相対的に移動しつつ蒸着工程を行える。すなわち、図３に示したように、基板Ｓが図３のＸ軸方向に移動しつつ連続して蒸着工程が行われ、これと逆に気相蒸着装置１００が移動してもよい。また本発明はこれに限定されず、基板Ｓが気相蒸着装置１００に対して固定されたまま蒸着工程が行われてもよい。
【００５９】
先ず、供給部１０５を通じて一つ以上の原料ガスが反応空間１０３に流れ込む。この時反応空間１０３のプラズマ発生器１１１と対応面１１５の間にプラズマが発生して反応空間１０３に流れ込んだ原料ガスの少なくとも一部は、ラジカル形態に変わる。
【００６０】
この時、フィラメント部１３０には、電源（図示せず）を通じて電圧が印加されてフィラメント部１３０から熱が発生する。また、フィラメント部１３０は、電子放出係数の高い材質で形成されて熱電子を放出する。これらの熱及び熱電子は、反応空間１０３に流れ込んだ原料ガスがラジカル形態に変化する過程を容易にする。すなわち、原料ガスのラジカル形態への変化量が多くなり、変化する速度も加速される。
【００６１】
特に、フィラメント部１３０の表面の温度を１５００℃以上にして、フィラメント部１３０から放射される放射熱が、原料ガスのラジカル形態への変化効率を高める。
【００６２】
また、フィラメント部１３０から放出された熱及び熱電子は、隣接する領域でのガス、すなわち、原料ガス及びプラズマ発生のための不活性ガスと衝突して２次電子を発生させ、このような２次電子も、原料ガスのラジカル形態への変化効率を高める。
【００６３】
原料ガスがフィラメント部１３０から放出された熱及び熱電子と効果的に反応するように、プラズマ発生器１１１に第１ホール１１１ａ及び第２ホール１１１ｂが形成される。すなわち、原料ガスは、プラズマ発生器１１１の第１ホール１１１ａ及び第２ホール１１１ｂを通じてフィラメント部１３０と容易に近接する。
【００６４】
フィラメント部１３０とプラズマ発生器１１１との間に配された中間部１１２は、これらの原料ガスが均一に供給されるようにする。特に、中間部１１２の第１ホール１１２ａ及び第２ホール１１２ｂは、原料ガスが局所的に集中せずに均一にフィラメント部１３０と対応するように移動することを容易にする。また、中間部１１２の第１ホール１１２ａ及び第２ホール１１２ｂを通じてラジカル形態の原料が容易に排出され、注入部１４２に均一に伝達される。
【００６５】
このようなラジカル形態の原料が基板Ｓの表面に到達して、所望の蒸着膜が形成される。
【００６６】
本実施形態の気相蒸着装置１００は、プラズマ発生器１１１を通じて原料ガスをラジカル形態に変化させる時、フィラメント部１３０を用いて原料ガスが容易に活性化される。これによって、原料ガスのラジカル形態への効率を高めて蒸着膜特性を容易に向上させる。
【００６７】
図４は、本発明の他の実施形態に関する気相蒸着装置を概略的に示す平面図である。説明の便宜のために、前述した実施形態と異なる点を中心として説明する。
【００６８】
図４を参照すれば、気相蒸着装置１００’は、ハウジング１０１、供給部１０５、反応空間１０３、プラズマ発生器１１１、注入部１４２及びフィラメント部１３０を備える。
【００６９】
前述した実施形態で、気相蒸着装置１００の下部に基板Ｓが配されたまま蒸着工程が進む。すなわち、気相蒸着装置１００は、基板Ｓより地面と遠く配される。したがって、気相蒸着装置１００の注入部１４２が地面方向にラジカル形態の原料を注入する。
【００７０】
しかし、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、図４に示したように気相蒸着装置１００’の上部に基板Ｓが配されたまま蒸着工程が進む。すなわち、気相蒸着装置１００’は、基板Ｓより地面と近く配される。したがって、気相蒸着装置１００’の注入部１４２が地面の逆方向にラジカル形態の原料を注入する。
【００７１】
図５は、本発明のさらに他の実施形態に関する気相蒸着装置を概略的に示す平面図である。
【００７２】
図５を参照すれば、気相蒸着装置２００は、ハウジング２０１、供給部（図示せず）、反応空間２０３、プラズマ発生器２１１、第１注入部２４２、フィラメント部２３０及び第２注入部２５０を備える。
【００７３】
ハウジング２０１は、気相蒸着装置２００の全体形態及び外観を保持するように、耐久性のある材質で形成される。
【００７４】
供給部（図示せず）は、ハウジング２０１に配されるが、例えば、ハウジング２０１の上部に配され、反応空間２０３に第１原料ガスを供給し、第２注入部２５０に第２原料ガスを供給するように複数の貫通孔を備える。反応空間２０３は、供給部（図示せず）と連結されるように形成され、ハウジング２０１内に所定の空間と定義される。具体的に、反応空間２０３は円柱と類似した形態を持つ。
【００７５】
第１注入部２４２は、反応空間２０３と連結されるように形成される。すなわち、反応空間２０３は、供給部（図示せず）と第１注入部２４２との間に位置する。第１注入部２４２は、供給部（図示せず）を通じて流れ込んだ第１原料ガスが反応空間２０３で所望の状態に変換された後、第１注入部２４２に伝達され、第１注入部２４２で被蒸着材と反応して被蒸着材の表面に蒸着工程が進む。第１注入部２４２は、連結部２４１によって反応空間２０３と連結されるが、連結部２４１は、第１注入部２４２及び反応空間２０３より狭い幅を持つことが望ましい。
【００７６】
プラズマ発生器２１１は、反応空間２０３内に配される。具体的にプラズマ発生器２１１は、電圧を印加される電極の形態を持つ。またプラズマ発生器２１１は、中空柱状を持つように形成される。特に曲面の外面を持つように、プラズマ発生器２１１は中空の円柱形態を持つことが望ましい。
【００７７】
そして反応空間２０３の内周面と定義される対応面２１５は、プラズマ発生器２１１に対応する部材であり、電極の形態、例えば、グラウンド電極である。これを通じてプラズマ発生器２１１と対応面２１５との間の空間にプラズマが発生する。供給部（図示せず）を通じて流れ込んだ原料ガスは、プラズマ発生器２１１と対応面２１５との間の空間でラジカル形態に変換されて蒸着特性を向上させる。
【００７８】
プラズマ発生器２１１は、第１ホール（図示せず）及び第２ホール（図示せず）を備えるが、前述した実施形態と同一であるため、具体的な説明は略する。
【００７９】
フィラメント部２３０は、反応空間２０３に配される。具体的にフィラメント部２３０は、プラズマ発生器２１１内に配される。すなわち、前述した中空の円柱形態のフィラメント部２３０の中央に形成された空間にフィラメント部２３０が配される。フィラメント部２３０には電圧を印加するように電源（図示せず）が連結される。これを通じてフィラメント部２３０からは熱及び熱電子が放出される。またこれらの熱及び熱電子は、フィラメント部２３０周辺のガスと衝突して２次電子を発生させる。
【００８０】
フィラメント部２３０は、多様な材質で形成できるが、電子放出係数の高い材質、例えば、金属材料またはセラミックス材料を含む。金属材料の例としては、タングステン、タンタルまたはチタンを含み、セラミックス材料の例としては、ＬａＢ６、ＢａＯまたはＳｒＯを含む。
【００８１】
フィラメント部２３０は、支持棒２２０によって支持される。フィラメント部２３０の具体的な内容は前述した実施形態と同一であるため、具体的な説明は略する。
【００８２】
中間部２１２は、プラズマ発生器２１１とフィラメント部２３０との間に配される。すなわち、中間部２１２も、プラズマ発生器２１１と類似して中空柱状を持つ。また中間部２１２は、第１ホール（図示せず）及び第２ホール（図示せず）を備えるが、前述した実施形態と同一であるため、具体的な説明は略する。
【００８３】
第２注入部２５０は、第１注入部２４２と隣接して形成される。また第２注入部２５０は、第１注入部２４２とは離隔されることが望ましい。第２注入部２５０は、基板Ｓに蒸着するための第２原料物質を基板Ｓ方向に注入する。第２注入部２５０は、第２原料物質を供給されるために供給部（図示せず）と連結されるが、反応空間２０３に流れ込む第１原料物質を供給する供給部（図示せず）とは別途に形成されることが望ましい。
【００８４】
本実施形態の気相蒸着装置２００を用いる蒸着方法について簡略に説明する。
【００８５】
被蒸着材である基板Ｓが気相蒸着装置２００の第２注入部２５０に対応するように配されれば、第２注入部２５０は、基板Ｓ方向に第２原料物質、例えば、ガス状態の第２原料物質を注入する。
【００８６】
次いで、被蒸着材である基板Ｓが図５のＸ軸方向、すなわち、矢印方向に移動して気相蒸着装置２００の第１注入部２４２に対応するように配されれば、第１原料ガスが反応空間２０３に流れ込む。この時、反応空間２０３のプラズマ発生器２１１と対応面２１５との間にプラズマが発生し、反応空間２０３に流れ込んだ第１原料ガスの少なくとも一部はラジカル形態に変わる。
【００８７】
この時、フィラメント部２３０には電源（図示せず）を通じて電圧が印加され、フィラメント部２３０で熱が発生する。また、フィラメント部２３０は、電子放出係数の高い材質で形成されて熱電子を放出する。これらの熱及び熱電子は、反応空間２０３に流れ込んだ第１原料ガスがラジカル形態に変化する過程を容易にする。すなわち、原料ガスのラジカル形態への変化量が多くなり、変化速度も加速化する。
【００８８】
特に、フィラメント部２３０表面の温度が１５００℃以上になるようにして、フィラメント部２３０から放射される放射熱によって、原料ガスのラジカル形態への変化効率を高める。
【００８９】
また、フィラメント部２３０から放出された熱及び熱電子は、隣接する領域でのガス、すなわち、原料ガス及びプラズマ発生のための不活性ガスと衝突して２次電子を発生させ、このような２次電子も、第１原料ガスのラジカル形態への変化効率を高める。
【００９０】
フィラメント部２３０とプラズマ発生器２１１との間に配された中間部２１２は、これらの原料ガスを均一に供給させる。このようなラジカル形態の原料が基板Ｓの表面に到達し、所望の蒸着膜が形成される。
【００９１】
結果的に基板Ｓ上には、第１原料物質及び第２原料物質を含む蒸着膜が形成される。例えば、第１原料物質及び第２原料物質を含む一層の蒸着膜が基板Ｓ上に形成される。
【００９２】
しかし、本実施形態はこれに限定されるものではない。すなわち、第２注入部２５０で蒸着のための第２原料物質ではなく、蒸着に関与しないパージガスを注入することももちろん可能である。
【００９３】
本実施形態の気相蒸着装置２００は、プラズマ発生器２１１を通じて原料ガスをラジカル形態に変化させる時、フィラメント部２３０を用いて原料ガスを容易に活性化する。これによって、原料ガスのラジカル形態への効率を高めて蒸着膜特性を容易に向上させる。
【００９４】
この時、基板Ｓと気相蒸着装置２００とは、相対的に移動しつつ蒸着工程を行える。すなわち、図５に示したように、基板Ｓが図５のＸ軸方向に移動しつつ連続して蒸着工程が行われ、これと逆に、気相蒸着装置２００が移動してもよい。また本発明はこれに限定されず、基板Ｓが気相蒸着装置２００に対して固定されたまま蒸着工程が行われてもよい。
【００９５】
また前述した図４の実施形態と同様に、基板Ｓと気相蒸着装置２００とが反転された状態の配置を適用できるということはいうまでもない。
【００９６】
図６は、本発明のさらに他の実施形態に関する気相蒸着装置を概略的に示す平面図である。
【００９７】
図６を参照すれば、気相蒸着装置３００は、ハウジング３０１、供給部（図示せず）、反応空間３０３、プラズマ発生器３１１、第１注入部３４２、フィラメント部３３０、第２注入部３５０−１及び第３注入部３５０−２を備える。また気相蒸着装置３００は、排気部３７０−１、３７０−２、３７０−３、３７０−４を備える。
【００９８】
ハウジング３０１は、気相蒸着装置３００の全体形態及び外観を保持するように耐久性のある材質で形成される。
【００９９】
供給部（図示せず）は、ハウジング３０１に配されるが、例えば、ハウジング３０１の上部に配され、反応空間３０３に第１原料ガスを供給し、第２注入部３５０−１及び第３注入部３５０−２に複数のガスを供給するように複数の貫通孔を持つ。反応空間３０３は、供給部（図示せず）と連結されるように形成され、ハウジング３０１内に所定の空間と定義される。具体的に反応空間３０３は、円柱と類似した形態を持つ。
【０１００】
第１注入部３４２は、反応空間３０３と連結されるように形成される。すなわち、反応空間３０３は、供給部（図示せず）と第１注入部３４２との間に位置する。第１注入部３４２は、供給部（図示せず）を通じて流れ込んだ第１原料ガスが反応空間３０３で所望の状態に変換された後、第１注入部３４２に伝達され、第１注入部３４２で被蒸着材と反応して被蒸着材の表面に蒸着工程が進む。第１注入部３４２は、連結部３４１によって反応空間３０３と連結されるが、連結部３４１は、第１注入部３４２及び反応空間３０３より狭い幅を持つことが望ましい。
【０１０１】
プラズマ発生器３１１は、反応空間３０３内に配される。具体的にプラズマ発生器３１１は、電圧を印加される電極の形態を持つ。またプラズマ発生器３１１は、中空柱状を持つように形成される。特に曲面の外面を持つように、プラズマ発生器３１１は中空の円柱形態を持つことが望ましい。
【０１０２】
そして反応空間３０３の内周面と定義される対応面３１５は、プラズマ発生器３１１に対応する部材であり、電極の形態、例えば、グラウンド電極である。これを通じてプラズマ発生器３１１と対応面３１５との間の空間にプラズマが発生する。供給部（図示せず）を通じて流れ込んだ原料ガスは、プラズマ発生器３１１と対応面３１５との間の空間でラジカル形態に変換して蒸着特性を向上させる。
【０１０３】
プラズマ発生器３１１は、第１ホール（図示せず）及び第２ホール（図示せず）を備えるが、前述した実施形態と同一であるため、具体的な説明は略する。
【０１０４】
フィラメント部３３０は、反応空間３０３に配される。具体的に、フィラメント部３３０は、プラズマ発生器３１１内に配される。すなわち、前述した中空の円柱形態のフィラメント部３３０の中央に形成された空間にフィラメント部３３０が配される。フィラメント部３３０には、電圧を印加するように電源（図示せず）が連結される。これを通じてフィラメント部３３０からは、熱及び熱電子が放出される。またこれらの熱及び熱電子は、フィラメント部３３０周辺のガスと衝突して２次電子を発生させる。
【０１０５】
フィラメント部３３０は、多様な材質で形成できるが、電子放出係数の高い材質、例えば、金属材料またはセラミックス材料を含む。金属材料の例としては、タングステン、タンタルまたはチタンを含み、セラミックス材料の例としては、ＬａＢ６、ＢａＯまたはＳｒＯを含む。
【０１０６】
フィラメント部３３０は、支持棒３２０によって支持される。フィラメント部３３０の具体的な内容は、前述した実施形態と同一であるため、具体的な説明は略する。
【０１０７】
中間部３１２は、プラズマ発生器３１１とフィラメント部３３０との間に配される。すなわち、中間部３１２も、プラズマ発生器３１１と類似して中空柱状を持つ。また中間部３１２は、第１ホール（図示せず）及び第２ホール（図示せず）を備えるが、前述した実施形態と同一であるため、具体的な説明は略する。
【０１０８】
第２注入部３５０−１は、第１注入部３４２と隣接して形成される。また第２注入部３５０−１は、第１注入部３４２とは離隔されることが望ましい。第２注入部３５０−１は、基板Ｓにパージガスを基板Ｓ方向に注入する。パージガスは、不活性ガスを含む。また、本発明はこれに限定されるものではなく、第２注入部３５０−１は、基板Ｓに蒸着するための第２原料物質を基板Ｓ方向に注入してもよい。第２注入部３５０−１は、パージガスまたは第２原料物質を供給されるために供給部（図示せず）と連結されるが、反応空間３０３に流れ込む第１原料物質を供給する供給部（図示せず）とは別途に形成されることが望ましい。
【０１０９】
第３注入部３５０−２は、第１注入部３４２と隣接して形成される。また第３注入部３５０−２は、第１注入部３４２とは離隔されることが望ましい。具体的に第１注入部３４２は、第２注入部３５０−１と第３注入部３５０−２との間に配される。
【０１１０】
第３注入部３５０−２は、基板Ｓにパージガスを基板Ｓ方向に注入する。パージガスは不活性ガスを含む。また、本発明はこれに限定されるものではなく、第３注入部３５０−２は、基板Ｓに蒸着するための前記第２原料物質を基板Ｓ方向に注入してもよい。また、第３注入部３５０−２は、基板Ｓに蒸着するための第３原料物質を基板Ｓ方向に注入してもよい。
【０１１１】
また、第１注入部３４２と第２注入部３５０−１との間には排気部３７０−２が配され、第１注入部３４２と第３注入部３５０−２との間には排気部３７０−３が配される。また、第２注入部３５０−１及び第３注入部３５０−２のエッジに隣接して、それぞれ排気部３７０−１及び排気部３７０−４が配される。
【０１１２】
これらの排気部３７０−１、３７０−２、３７０−３、３７０−４は、第１注入部３４２、第２注入部３５０−１及び第３注入部３５０−２に隣接して配され、第１注入部３４２、第２注入部３５０−１及び第３注入部３５０−２を通じて蒸着工程を行う時に残余物質を容易に排気し、蒸着膜特性を向上させる。
【０１１３】
本実施形態の気相蒸着装置３００は、プラズマ発生器３１１を通じて原料ガスをラジカル形態に変化させる時、フィラメント部３３０を用いて原料ガスが容易に活性化する。これによって、原料ガスのラジカル形態への効率を高めて蒸着膜特性を容易に向上させる。
【０１１４】
この時、基板Ｓと気相蒸着装置３００とは相対的に移動しつつ蒸着工程を行える。すなわち、図６に示したように、基板Ｓが図６のＸ軸方向に移動しつつ連続して蒸着工程が行われ、これと逆に、気相蒸着装置３００が移動してもよい。また本発明は、これに限定されるものではなく、基板Ｓが気相蒸着装置３００に対して固定されたまま蒸着工程が行われてもよい。
【０１１５】
また、本実施形態では、パージガスを注入する第２及び第３注入部３５０−１、３５０−２を備え、第１注入部３４２を通じる蒸着工程時に、異物または不純ガスの蒸着工程領域への流れ込みを容易に防止する。
【０１１６】
前述した図４の実施形態と同様に、基板Ｓと気相蒸着装置３００とが反転された状態の配置を適用できるということはいうまでもない。
【０１１７】
図７は、本発明のさらに他の実施形態に関する気相蒸着装置を概略的に示す平面図である。
【０１１８】
図７を参照すれば、気相蒸着装置４００は、複数の第１領域４１０−１、４１０−２、複数の第２領域４５０−１、４５０−２、複数のパージ部４６０−１、４６０−２、４６０−３、４６０−４及び複数の排気部４７０−１、４７０−２、４７０−３・・・４７０−８、４７０−９、４７０−１０を備える。
【０１１９】
第１領域４１０−１及び第１領域４１０−２は、それぞれハウジング４０１、供給部（図示せず）、反応空間４０３、プラズマ発生器４１１、第１注入部４４２、フィラメント部４３０及び第２注入部４５０を備える。
【０１２０】
ハウジング４０１は、第１領域４１０−１の全体形態及び外観を保持するだけではなく、気相蒸着装置４００の全体形態及び外観を保持するように耐久性のある材質で形成されることが望ましい。
【０１２１】
すなわち、ハウジング４０１は、第１領域４１０−１及び第１領域４１０−２に対してそれぞれ対応するように形成されてもよいが、気相蒸着装置４００全体に対応するように形成されることが望ましい。
【０１２２】
第１領域４１０−１及び第１領域４１０−２は互いに同じ構成を持つため、第１領域４１０−１の構成について説明する。
【０１２３】
供給部（図示せず）は、ハウジング４０１に配されるが、例えば、ハウジング４０１の上部に配され、反応空間４０３に第１原料ガスを供給する。反応空間４０３は、供給部（図示せず）と連結されるように形成され、ハウジング４０１内に所定の空間と定義される。具体的に反応空間４０３は、円柱と類似した形態を持つ。
【０１２４】
第１注入部４４２は、反応空間４０３と連結されるように形成される。すなわち、反応空間４０３は、供給部（図示せず）と第１注入部４４２との間に位置する。第１注入部４４２は、供給部（図示せず）を通じて流れ込んだ第１原料ガスが反応空間４０３で所望の状態に変換された後、第１注入部４４２に伝達され、第１注入部４４２で被蒸着材と反応しつつ被蒸着材の表面に蒸着工程が進む。第１注入部４４２は、連結部４４１によって反応空間４０３と連結されるが、連結部４４１は、第１注入部４４２及び反応空間４０３より狭い幅を持つことが望ましい。
【０１２５】
プラズマ発生器４１１は、反応空間４０３内に配される。具体的にプラズマ発生器４１１は、電圧を印加される電極の形態を持つ。またプラズマ発生器４１１は、中空柱状を持つように形成される。特に曲面の外面を持つように、プラズマ発生器４１１は、中空の円柱形態を持つことが望ましい。
【０１２６】
そして、反応空間４０３の内周面と定義される対応面４１５は、プラズマ発生器４１１に対応する部材であり、電極の形態、例えば、グラウンド電極である。これを通じてプラズマ発生器４１１と対応面４１５の間の空間にプラズマが発生する。供給部（図示せず）を通じて流れ込んだ原料ガスは、プラズマ発生器４１１と対応面４１５との間の空間でラジカル形態に変換されて蒸着特性を向上させる。
【０１２７】
プラズマ発生器４１１は、第１ホール（図示せず）及び第２ホール（図示せず）を備えるが、前述した実施形態と同一であるため、具体的な説明は略する。
【０１２８】
フィラメント部４３０は、反応空間４０３に配される。具体的にフィラメント部４３０は、プラズマ発生器４１１内に配される。すなわち、前述した中空の円柱形態のフィラメント部４３０の中央に形成された空間にフィラメント部４３０が配される。フィラメント部４３０には、電圧を印加するように電源（図示せず）が連結される。これを通じてフィラメント部４３０からは、熱及び熱電子が放出される。またこれらの熱及び熱電子は、フィラメント部４３０周辺のガスと衝突して２次電子を発生させる。
【０１２９】
フィラメント部４３０は、多様な材質で形成できるが、電子放出係数の高い材質、例えば、金属材料またはセラミックス材料を含む。金属材料の例としては、タングステン、タンタルまたはチタンを含み、セラミックス材料の例としては、ＬａＢ６、ＢａＯまたはＳｒＯを含む。
【０１３０】
フィラメント部４３０は、支持棒４２０によって支持される。フィラメント部４３０の具体的な内容は、前述した実施形態と同一であるため、具体的な説明は略する。
【０１３１】
中間部４１２は、プラズマ発生器４１１とフィラメント部４３０との間に配される。すなわち、中間部４１２も、プラズマ発生器４１１と類似して中空柱状を持つ。また中間部４１２は、第１ホール（図示せず）及び第２ホール（図示せず）を備えるが、前述した実施形態と同一であるため、具体的な説明は略する。
【０１３２】
複数の第２領域４５０−１、４５０−２は、それぞれ第１領域４１０−１、４１０−２と離隔して配される。また第２領域４５０−１、４５０−２は、それぞれ基板Ｓに蒸着するための第２原料物質を基板Ｓ方向に注入する。
【０１３３】
複数のパージ部４６０−１、４６０−２、４６０−３、４６０−４は、それぞれ第１領域４１０−１、４１０−２及び第２領域４５０−１、４５０−２それぞれに隣接して配される。
【０１３４】
具体的にパージ部４６０−２は、第１領域４１０−１と第２領域４５０−１との間に配され、パージ部４６０−３は、第１領域４１０−１と第２領域４５０−２との間に配され、パージ部４６０−４は、第１領域４１０−２と第２領域４５０−２との間に配される。
【０１３５】
また、パージ部４６０−１は、第２領域４５０−１に隣接して配される。複数のパージ部４６０−１、４６０−２、４６０−３、４６０−４は、不活性ガスを含むパージガスを基板Ｓ方向に注入する。
【０１３６】
複数の排気部４７０−１、４７０−２、４７０−３・・・４７０−８、４７０−９、４７０−１０それぞれは、複数の第１領域４１０−１、４１０−２、複数の第２領域４５０−１、４５０−２、複数のパージ部４６０−１、４６０−２、４６０−３、４６０−４それぞれに隣接して配される。
【０１３７】
すなわち、複数の第１領域４１０−１、４１０−２、複数の第２領域４５０−１、４５０−２それぞれのの間には、複数の排気部４７０−１、４７０−２、４７０−３・・・４７０−８、４７０−９、４７０−１０が配される。図７には、第１領域４１０−１とパージ部４６０−３との間に２つの排気部４７０−５、４７０−６が配されたと図示されているが、本発明はこれに限定されるものではなく、２つの排気部４７０−５、４７０−６のうち一つは略することができる。
【０１３８】
本実施形態の気相蒸着装置４００を用いる蒸着方法について簡略に説明する。具体的な例として、気相蒸着装置４００を用いてＡｌｘＯｙを基板Ｓ上に形成する方法を説明する。
【０１３９】
被蒸着材である基板Ｓが、気相蒸着装置４００の第２領域４５０−１に対応するように配されれば、第２領域４５０−１から基板Ｓ方向に第２原料物質、例えば、ガス状態のトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）のようなアルミニウム（Ａｌ）原子を含むガスが注入される。これにより、基板Ｓの上面にはＡｌを含む吸着層が形成される。具体的に、基板３の上面には化学的吸着層及び物理的吸着層が形成される。
【０１４０】
基板Ｓの上面に形成された吸着層のうち分子間結合力の弱い物理的吸着層は、パージ部４６０−１またはパージ部４６０−２から注入されたパージガスによって基板Ｓから分離され、排気部４７０−２、４７０−３のポンピングにより効果的に基板Ｓから除去され、最終的に基板Ｓに形成される蒸着膜の純度を向上させる。
【０１４１】
次いで、被蒸着材である基板Ｓが図７のＸ軸方向、すなわち、矢印方向に移動して気相蒸着装置４００の第１領域４１０−１の第１注入部４４２に対応するように配されれば、第１原料ガスが反応空間４０３に流れ込む。具体的に、第１原料ガスは酸素を含むが、Ｈ２Ｏ、Ｏ２、Ｎ２Ｏなどでありうる。
【０１４２】
この時、反応空間４０３のプラズマ発生器４１１と対応面４１５との間にプラズマが発生し、反応空間４０３に流れ込んだ第１原料ガスの酸素成分の少なくとも一部はラジカル形態に変わる。
【０１４３】
この時、フィラメント部４３０には、電源（図示せず）を通じて電圧が印加されてフィラメント部４３０で熱が発生する。また、フィラメント部４３０は、電子放出係数の高い材質で形成されて熱電子を放出する。これらの熱及び熱電子は、反応空間４０３に流れ込んだ第１原料ガスがラジカル形態に変化する過程を容易にする。すなわち、原料ガスのラジカル形態への変化量が多くなり、変化速度も加速化する。
【０１４４】
特に、フィラメント部４３０表面の温度を１３００℃以上にし、フィラメント部４３０から放射される放射熱によって、原料ガスのラジカル形態への変化効率を高める。
【０１４５】
また、フィラメント部４３０から放出された熱及び熱電子は、隣接する領域でのガス、すなわち、原料ガス及びプラズマ発生のための不活性ガスと衝突して２次電子を発生させ、このような２次電子も、第１原料ガスのラジカル形態への変化効率を高める。
【０１４６】
フィラメント部４３０とプラズマ発生器４１１との間に配された中間部４１２は、これらの原料ガスが均一に供給されるようにする。これらのラジカル形態の原料が基板Ｓの表面に到達して所望の蒸着膜が形成される。
【０１４７】
すなわち、第１原料ガスラジカル物質は、基板Ｓに既に吸着されている第２原料物質で形成された化学的吸着層と反応するか、または化学的吸着層の一部を切り替え、最終的に所望の蒸着層であるＡｌｘＯｙが基板Ｓ上に形成される。この時、過剰の第１原料物質は物理的吸着層をなし、基板Ｓ上に残存する。
【０１４８】
パージ部４６０−２またはパージ部４６０−３から、パージガスが基板Ｓ方向に注入され、基板Ｓに残存する第１原料物質の物理的吸着層を基板Ｓから分離し、排気部４７０−４、４７０−５のポンピングにより効果的に基板Ｓから除去され、最終的に基板Ｓに形成される蒸着膜の純度を向上させる。
【０１４９】
結果的に基板Ｓ上には、第１原料物質及び第２原料物質を含む蒸着膜が形成される。すなわち、具体的に基板Ｓには、ＡｌｘＯｙを含む単一の原子層が形成される。
【０１５０】
そして、順次に基板Ｓが移動して第２領域４５０−２及び第１領域４１０−２に対応し、順次に所望の程度の位蒸着膜をさらに形成できる。
【０１５１】
本実施形態の気相蒸着装置４００は、プラズマ発生器４１１を通じて原料ガスをラジカル形態に変化させる時、フィラメント部４３０を用いて原料ガスが容易に活性化される。これによって、原料ガスのラジカル形態への効率を高めて蒸着膜特性を容易に向上させる。
【０１５２】
この時、基板Ｓと気相蒸着装置４００とは、相対的に移動しつつ蒸着工程を行える。すなわち、図７に示したように、基板Ｓが図７のＸ軸方向に移動しつつ連続して蒸着工程が行われ、これと逆に、気相蒸着装置４００が移動してもよい。また本発明は、これに限定されるものではなく、基板Ｓが気相蒸着装置４００に対して固定されたまま蒸着工程が行われてもよい。
【０１５３】
また前述した図４の実施形態と同様に、基板Ｓと気相蒸着装置４００とが反転された状態の配置を適用できるということはいうまでもない。
【０１５４】
図８は、本発明の一実施形態に関する有機発光表示装置の製造方法によって製造された有機発光表示装置を概略的に示す断面図であり、図９は、図８のＦの拡大図である。
【０１５５】
具体的に図８及び図９は、前述した気相蒸着装置１００、２００、３００、４００のうちいずれか一つを用いて製造された有機発光表示装置を示す。
【０１５６】
有機発光表示装置１０は、基板３０上に形成される。基板３０は、ガラス材、プラスチック材、または金属材で形成される。
【０１５７】
基板３０上には、基板３０の上部に平坦面を提供し、基板３０方向に水分及び異物の侵透を防止するように、絶縁物を含むバッファ層３１が形成されている。
【０１５８】
バッファ層３１上には、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）４０と、キャパシタ５０と、有機発光素子６０が形成される。ＴＦＴ４０は大きく、活性層４１、ゲート電極４２、ソース／ドレイン電極４３を含む。有機発光素子６０は、第１電極６１、第２電極６２及び中間層６３を含む。
【０１５９】
キャパシタ５０は、第１キャパシタ電極５１及び第２キャパシタ電極５２を含む。
【０１６０】
具体的に、バッファ層３１の上面には、所定パターンで形成された活性層４１が配される。活性層４１は、シリコンのような無機半導体物質、有機半導体物質または酸化物半導体物質を含み、ｐ型またはｎ型のドープ剤を注入して形成される。活性層４１と同じ層に第１キャパシタ電極５１が形成されるが、活性層４１と同じ材質で形成される。
【０１６１】
活性層４１の上部にはゲート絶縁膜３２が形成される。ゲート絶縁膜３２の上部には活性層４１と対応するようにゲート電極４２が形成される。ゲート電極４２を覆うように層間絶縁膜３３が形成され、層間絶縁膜３３上にソース／ドレイン電極４３が形成されるが、活性層４１の所定の領域と接触して形成される。ソース／ドレイン電極４３と同じ層に第２キャパシタ電極５２が形成されるが、ソース／ドレイン電極４３と同じ材質で形成される。
【０１６２】
ソース／ドレイン電極４３を覆うようにパッシベーション層３４が形成され、パッシベーション層３４の上部にはＴＦＴ４０の平坦化のために別途の絶縁膜をさらに形成してもよい。
【０１６３】
パッシベーション層３４上に第１電極６１を形成する。第１電極６１は、ソース／ドレイン電極４３のうちいずれか一つと電気的に連結されるように形成する。そして、第１電極６１を覆うように画素定義膜３５が形成される。この画素定義膜３５に所定の開口６４を形成した後、この開口６４で限定された領域内に有機発光層を備える中間層６３を形成する。中間層６３上に第２電極６２を形成する。
【０１６４】
第２電極６２上に封止層７０を形成する。封止層７０は、有機物または無機物を含み、有機物と無機物とを交互に積層した構造である。
【０１６５】
封止層７０は、本発明の前述した気相蒸着装置のうちいずれか一つを用いて形成する。即ち、第２電極６２が形成された基板３０を本発明の前述した気相蒸着装置のうちいずれか一つに通過させつつ所望の層を形成する。
【０１６６】
特に、封止層７０は、無機層７１及び有機層７２を備え、無機層７１は、複数の層７１ａ、７１ｂ、７１ｃを備え、有機層７２は、複数の層７２ａ、７２ｂ、７２ｃを備える。この時、本発明の気相蒸着装置を用いて無機層７１の複数の層７１ａ、７１ｂ、７１ｃを形成する。
【０１６７】
しかし、本発明はこれに限定されるものではない。すなわち、有機発光表示装置１０のバッファ層３１、ゲート絶縁膜３２、層間絶縁膜３３、パッシベーション層３４及び画素定義膜３５など、その他の絶縁膜を本発明の気相蒸着装置で形成することもできる。
【０１６８】
また活性層４１、ゲート電極４２、ソース／ドレイン電極４３、第１電極６１、中間層６３及び第２電極６２など、その他の多様な薄膜を本発明の気相蒸着装置で形成することもできる。
【０１６９】
前述したように本発明の気相蒸着装置を用いる場合、有機発光表示装置１０に形成される蒸着膜特性を向上させ、結果的に有機発光表示装置１０の電気的特性及び画質特性を向上させる。
【０１７０】
本発明は、図面に示された実施形態を参照して説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当業者ならば、これより多様な変形及び均等な他の実施形態が可能であるという点を理解できるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は特許請求の範囲の技術的思想によって定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【０１７１】
本発明は、気相蒸着装置及び有機発光表示装置の製造方法に関する技術分野に好適に用いられる。
【符号の説明】
【０１７２】
Ｓ、３０：基板
１０：有機発光表示装置
６０：有機発光素子
１００、２００、３００、４００：気相蒸着装置
１１１、２１１、３１１、４１１：プラズマ発生器
１２０、２２０、３２０、４２０：支持棒
１３０、２３０、３３０、４３０：フィラメント部
１０３、２０３、３０３、４０３：反応空間
【図１】
2014122424.tif 000003
【図２】
2014122424.tif 000004
【図３】
2014122424.tif 000005
【図４】
2014122424.tif 000006
【図５】
2014122424.tif 000007
【図６】
2014122424.tif 000008
【図７】
2014122424.tif 000009
【図８】
2014122424.tif 000010
【図９】
2014122424.tif 000011