(57)【要約】      （修正有）【課題】光近接効果補正を十分に行うことを可能とするフォトマスクの設計方法を提供する。【解決手段】複数の第１辺ＦＥ１と、複数の第１辺ＦＥ１のうち互いに対向する二つの第１辺ＦＥ１の一端に接続し、かつ接続する二つの第１辺ＦＥ１とともにコの字形状を構成する第２辺ＳＥ１と、をパターンの外形線から抽出するとともに、複数の第１辺ＦＥ１のそれぞれについて長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１を切り取る工程と、第２辺ＳＥ１から予め定められた範囲内に位置する第３辺ＴＥ１をパターンの外形線から抽出する工程と、第２辺ＳＥ１のうちの一端から長さＬ１よりも短い長さＬ２の部分である分割辺ＳＤ１１と、第２辺ＳＥ１のうちの残部である分割辺ＳＤ１２と、を切り取る工程と、複数の分割辺ＦＤ１と分割辺ＳＤ１２をパターンの外側へ移動させる工程と、を備える。【選択図】図２
2014132297.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスクに形成されるパターンを含むレイアウトデータを読み込む工程と、
長さＬ１よりも長く、かつ一端側において隣接する他の辺との間でＬ字形状を構成する複数の第１辺と、前記複数の第１辺のうち互いに対向する二つの前記第１辺の一端に接続し、かつ接続する前記二つの第１辺とともにコの字形状を構成する第２辺と、を前記パターンの外形線から抽出するとともに、前記複数の第１辺のそれぞれについて、前記第１辺の一端から長さＬ１の部分である第１分割辺を切り取る工程と、
前記第２辺のうちの一端から長さＬ１よりも短い長さＬ２に位置する点を通る前記第２辺の垂線よりも、前記第２辺の一端側に位置し、かつ前記第２辺から予め定められた範囲内に位置する第３辺を、前記パターンの外形線から抽出する工程と、
前記第３辺が抽出された場合に、前記第２辺のうちの一端から長さＬ２の部分である第２分割辺と、前記第２辺のうちの残部である第３分割辺と、を切り取る工程と、
複数の前記第１分割辺と前記第３分割辺を前記パターンの外側へ移動させる工程と、
を備えるフォトマスクの設計方法。
【請求項２】
請求項１に記載のフォトマスクの設計方法において、
前記第２辺の長さは、前記フォトマスクに形成される配線用パターンの幅の最小設計寸法と等しいフォトマスクの設計方法。
【請求項３】
請求項１に記載のフォトマスクの設計方法において、
前記第２分割辺および前記第３分割辺を切り取る工程において、前記第３分割辺は長さＬ２を有するフォトマスクの設計方法。
【請求項４】
請求項１に記載のフォトマスクの設計方法において、
前記第１分割辺と前記第３分割辺を移動させる前記工程における前記第３分割辺の移動距離をｄとした場合、前記第３辺を抽出する前記工程は、前記第２辺から前記第２辺に垂直な方向に距離２ｄの範囲内に位置する前記第３辺を抽出するフォトマスクの設計方法。
【請求項５】
請求項１に記載のフォトマスクの設計方法において、
前記第３辺を抽出する前記工程において、前記複数の第１辺のいずれかが前記第３辺として抽出されるフォトマスクの設計方法。
【請求項６】
請求項１に記載のフォトマスクの設計方法において、
前記第３辺は、前記垂線よりも前記第２辺の一端側に位置する他の辺とともにＬ字形状を構成し、かつ長さＬ１よりも長いフォトマスクの設計方法。
【請求項７】
請求項１に記載のフォトマスクの設計方法において、
前記第３辺は、前記垂線よりも前記第２辺の一端側に位置する他の二辺とともにコの字形状を構成し、かつ長さＬ１よりも長いフォトマスクの設計方法。
【請求項８】
請求項１に記載のフォトマスクの設計方法において、
前記パターンは、前記第２辺と、当該第２辺に接続する二つの前記第１辺と、により囲まれた遮光パターンを含むフォトマスクの設計方法。
【請求項９】
請求項１に記載のフォトマスクの設計方法において、
前記パターンは、前記第２辺と、当該第２辺に接続する二つの前記第１辺と、により囲まれた開口パターンを含むフォトマスクの設計方法。
【請求項１０】
請求項１に記載のフォトマスクの設計方法により設計されたフォトマスクを準備する工程と、
前記フォトマスクを用いてレジスト膜を露光する工程と、
露光された前記レジスト膜を現像する工程と、
を備える半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの設計方法および半導体装置の製造方法に関し、たとえば光近接効果補正を行うフォトマスクの設計方法および半導体装置の製造方法に適用可能な技術である。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法においては、フォトマスクを用いてレジスト膜等の対象膜にパターンを転写するリソグラフィ工程が行われる。このリソグラフィ工程において、半導体装置の微細化に伴い、光近接効果の影響による転写パターンの変形が問題となっていた。このため、レイアウトデータのパターン形状を補正することにより、この光近接効果による転写パターンの変形を補正する場合がある。光近接効果補正に関する技術としては、たとえば特許文献１〜５に記載のものが挙げられる。
【０００３】
特許文献１に記載の技術は、パターンの末端部分を包囲する補正領域を決定し、これをパターンに付加するステップを含む光近接効果補正方法に関する。特許文献２に記載の技術は、各分割辺の中点を中心とする円内のフォトマスクパターンの占める面積率と、面積率判断基準と、を比較して各分割辺の光近接効果補正が必要か否かの判断を行うというものである。特許文献３に記載の技術は、近傍に位置するマスクパターンとの位置関係により、各マスクパターンを分類するというものである。
【０００４】
特許文献４に記載の技術は、検証対象のマスクパターンの各辺を光近接効果補正時よりも細かく分割し、分割された各セグメント上に指定した方式でシミュレーションポイントを設置するというものである。特許文献５に記載の技術は、光近接効果補正の危険個所を、致命的な問題が生じる可能性があるエラーと、歩留まりに影響を及ぼす可能性があるエラーに分類するというものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−２５８４５９号公報
【特許文献２】特開平１０−１０４８１８号公報
【特許文献３】特開２０００−１６２７５８号公報
【特許文献４】特開２００５−２５０３６０号公報
【特許文献５】特開２００４−３５４９１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
光近接効果補正においては、例えばレイアウトデータから抽出されたパターンの外形線から切り取られた分割辺を移動させることにより、対象膜へ転写されるパターンの変形を補正する。ラインエンド等のコの字形状を構成する辺については、光近接効果による変形が大きいことから、光近接効果補正時における移動量が大きくなる場合がある。
しかしながら、この場合、移動した辺と、他の辺と、の間隔が製造上の制約を満たさないという問題が生じるおそれがあった。このため、コの字形状を構成する辺について、製造上の制約を満たしつつ十分な光近接効果補正を行うことが困難となっていた。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態によれば、第１辺のうち長さＬ１の部分である第１分割辺を切り取った後、第１辺とともにコの字形状を構成する第２辺のうち長さＬ１よりも短い長さＬ２の部分である第２分割辺を切り取る。
【発明の効果】
【０００８】
前記一実施の形態によれば、光近接効果補正を十分に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態に係るマスクの設計方法を示す平面図である。
【図２】第１の実施形態に係るマスクの設計方法を示す平面図である。
【図３】第１の実施形態において設計されるマスクを用いて製造される半導体装置を示す断面図である。
【図４】第１の実施形態に係るマスクの設計方法を示すフロー図である。
【図５】第１の実施形態に係るマスクの設計方法を示すフロー図である。
【図６】第２の実施形態に係るマスクの設計方法を示す平面図である。
【図７】第３の実施形態に係るマスクの設計方法を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１および図２は、第１の実施形態に係るフォトマスクＰＭ１の設計方法を示す平面図である。図１および図２では、特に光近接効果補正を行う工程が示される。
図３は、本実施形態において設計されるフォトマスクＰＭ１を用いて製造される半導体装置ＳＭ１を示す断面図である。
【００１２】
本実施形態に係るフォトマスクＰＭ１の設計方法は、たとえば次のように行われる。
まず、フォトマスクＰＭ１に形成されるパターンを含むレイアウトデータを読み込む。次に、長さＬ１よりも長く、かつ一端側において隣接する他の辺との間でＬ字形状を構成する複数の第１辺ＦＥ１と、複数の第１辺ＦＥ１のうち互いに対向する二つの第１辺ＦＥ１の一端に接続し、かつ接続する二つの第１辺ＦＥ１とともにコの字形状を構成する第２辺ＳＥ１と、を上記パターンの外形線から抽出するとともに、複数の第１辺ＦＥ１のそれぞれについて、第１辺ＦＥ１の一端から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１を切り取る。
【００１３】
次に、第２辺ＳＥ１のうちの一端から長さＬ１よりも短いＬ２に位置する点を通る第２辺ＳＥ１の垂線よりも、第２辺ＳＥ１の一端側に位置し、かつ第２辺ＳＥ１から予め定められた範囲内に位置する第３辺ＴＥ１を、上記パターンの外形線から抽出する。次に、第３辺ＴＥ１が抽出された場合に、第２辺ＳＥ１のうちの一端から長さＬ２の部分である分割辺ＳＤ１１と、第２辺ＳＥ１のうちの残部である分割辺ＳＤ１２と、を切り取る。次に、複数の分割辺ＦＤ１と、分割辺ＳＤ１２と、を上記パターンの外側へ移動させる。
このようにして、本実施形態に係るフォトマスクＰＭ１の設計方法が行われる。
【００１４】
また、本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１の製造方法は、たとえば次のように行われる。
まず、上記のフォトマスクＰＭ１の設計方法により設計されたフォトマスクＰＭ１を準備する。次に、フォトマスクＰＭ１を用いてレジスト膜を露光する。次に、露光された上記レジスト膜を現像する。
このようにして、本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１の製造方法が行われる。
【００１５】
本実施形態によれば、フォトマスクＰＭ１のレイアウトデータに含まれるパターンは、隣接する他の辺との間でＬ字形状を構成する複数の第１辺ＦＥ１と、二つの第１辺ＦＥ１とともにコの字形状を構成する第２辺ＳＥ１と、を有する。そして、第１辺ＦＥ１から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１を切り取った後、第２辺ＳＥ１から長さＬ１よりも短い長さＬ２の部分である分割辺ＳＤ１１と残部である分割辺ＳＤ１２とを切り取る。
このように、本実施形態によれば、コの字形状を構成する第２辺ＳＥ１について、長さＬ１よりも短い長さＬ２の分割辺ＳＤ１１が切り取られる。すなわち、第２辺ＳＥ１については、短い長さＬ２を有する分割辺ＳＤ１１を移動させないことにより、近接する第３辺ＴＥ１との間隔を製造上の制約を満たすことができる。一方で、分割辺ＳＤ１２を移動させることにより、第２辺ＳＥ１に対し光近接効果補正を行うことができる。
したがって、第２辺ＳＥ１に近接して位置する第３辺ＴＥ１が存在する場合であっても、第２辺ＳＥ１と第３辺ＴＥ１との間隔につき製造上の制約を満たしつつ、第２辺ＳＥ１に対し光近接効果補正を十分に行うことができる。
【００１６】
以下、本実施形態に係るフォトマスクＰＭ１の設計方法、半導体装置ＳＭ１の構成、および半導体装置ＳＭ１の製造方法について、詳細に説明する。
【００１７】
まず、本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１の構成について詳細に説明する。
図３に示すように、半導体装置ＳＭ１は、たとえば半導体基板ＳＢ１と、半導体基板ＳＢ１に設けられたトランジスタＴＲ１と、トランジスタＴＲ１上に設けられた多層配線層と、を備えている。多層配線層は、たとえば配線ＩＣ１および配線ＩＣ２を含む。
半導体基板ＳＢ１には、たとえば素子分離膜ＥＬ１が設けられている。素子分離膜ＥＬ１は、トランジスタＴＲ１を他の半導体素子から分離する機能を有する。また、素子分離膜ＥＬ１は、たとえばＳｉＯ２により構成される。
【００１８】
トランジスタＴＲ１は、たとえばゲート絶縁膜ＧＩ１と、ゲート電極ＧＥ１と、サイドウォールＳＷ１と、ソース・ドレイン領域ＤＲ１と、を有する。ゲート絶縁膜ＧＩ１は、半導体基板ＳＢ１上に設けられている。また、ゲート絶縁膜ＧＩ１は、たとえばＳｉＯ２等の絶縁膜により構成される。ゲート電極ＧＥ１は、ゲート絶縁膜ＧＩ１上に設けられている。ゲート電極ＧＥ１は、たとえば多結晶シリコン膜または金属膜により構成される。サイドウォールＳＷ１は、ゲート電極ＧＥ１の側面上に設けられている。ソース・ドレイン領域ＤＲ１は、ゲート電極ＧＥ１を挟むよう半導体基板ＳＢ１に設けられている。
【００１９】
半導体基板ＳＢ１上には、トランジスタＴＲ１を覆うよう層間絶縁膜ＩＩ１が設けられている。層間絶縁膜ＩＩ１には、ソース・ドレイン領域ＤＲ１に接続するコンタクトプラグＣＯ１が埋め込まれている。コンタクトプラグＣＯ１は、たとえばＷにより構成される。
層間絶縁膜ＩＩ１上には、エッチングストッパ膜ＥＳ１および層間絶縁膜ＩＩ２が順に積層されている。エッチングストッパ膜ＥＳ１および層間絶縁膜ＩＩ２には、配線ＩＣ１が埋め込まれている。配線ＩＣ１は、たとえばコンタクトプラグＣＯ１と接続する。また、配線ＩＣ１は、たとえばＣｕを主成分とした金属材料により構成される。
【００２０】
層間絶縁膜ＩＩ２上には、エッチングストッパ膜ＥＳ２および層間絶縁膜ＩＩ３が順に積層される。エッチングストッパ膜ＥＳ２および層間絶縁膜ＩＩ３には、配線ＩＣ２が埋め込まれている。配線ＩＣ２は、たとえば配線ＩＣ１と接続するように設けられる。また、配線ＩＣ２は、たとえばＣｕを主成分とした金属材料により構成される。
層間絶縁膜ＩＩ３上には、配線ＩＣ１および配線ＩＣ２を含む配線層とともに多層配線層を構成する複数の他の配線層がさらに設けられていてもよい。
【００２１】
本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１の製造方法は、後述するフォトマスクＰＭ１の設計方法により設計されたフォトマスクＰＭ１を準備する工程と、フォトマスクＰＭ１を用いてレジスト膜を露光する工程と、露光されたレジスト膜を現像する工程と、を備える。
このようにフォトマスクＰＭ１を用いてパターニングされたレジスト膜は、たとえばゲート電極ＧＥ１をエッチングする工程や、配線ＩＣ１および配線ＩＣ２を含むメタル配線をエッチングする工程等において、マスクとして使用される。これらの各工程においては、たとえば互いに異なるパターンを有するフォトマスクＰＭ１がそれぞれ用いられる。
以下、本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１の製造方法を詳細に説明する。
【００２２】
まず、半導体基板ＳＢ１に素子分離膜ＥＬ１を形成する。素子分離膜ＥＬ１は、たとえばＬＯＣＯＳ（Ｌｏｃａｌ  Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ  ｏｆ  Ｓｉｌｉｃｏｎ）法またはＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ  Ｔｒｅｎｃｈ  Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）により形成される。
素子分離膜ＥＬ１をＳＴＩにより形成する場合、たとえば半導体基板ＳＢ１上に設けられたレジスト膜をマスクとして半導体基板ＳＢ１をエッチングすることによりトレンチが形成される。このレジスト膜は、たとえばフォトマスクを用いたリソグラフィ工程により所定の形状にパターニングされる。また、素子分離膜ＥＬ１をＬＯＣＯＳ法により形成する場合、たとえばレジスト膜をマスクとして、半導体基板ＳＢ１を保護するためのシリコン窒化膜をエッチングによりパターニングする。このレジスト膜は、たとえばフォトマスクを用いたリソグラフィ工程により所定の形状にパターニングされる。
【００２３】
次に、半導体基板ＳＢ１上に、ゲート絶縁膜ＧＩ１およびゲート電極ＧＥ１を形成する。ゲート絶縁膜ＧＩ１およびゲート電極ＧＥ１は、たとえば次のように形成される。まず、半導体基板ＳＢ１上に、ＳｉＯ２等からなる絶縁膜、および多結晶シリコンまたは金属材料等からなる導電膜を順に形成する。次いで、これらの絶縁膜および導電膜を、レジスト膜をマスクとしたエッチングによりパターニングする。これにより、ゲート絶縁膜ＧＩ１およびゲート電極ＧＥ１が形成される。
本実施形態においては、たとえば上記導電膜上に形成されたレジスト膜を、フォトマスクＰＭ１を用いた露光、および現像によりパターニングする。これにより、ゲート電極ＧＥ１を構成する導電膜のエッチングに用いられるレジスト膜が形成される。
【００２４】
次いで、ゲート電極ＧＥ１の側面上にサイドウォールＳＷ１を形成する。サイドウォールＳＷ１は、たとえばゲート電極ＧＥ１を覆うように半導体基板ＳＢ１上に形成された絶縁膜をエッチバックすることにより形成される。
次に、ゲート電極ＧＥ１および素子分離膜ＥＬ１をマスクとしたイオン注入により、半導体基板ＳＢ１にソース・ドレイン領域ＤＲ１を形成する。このとき、半導体基板ＳＢ１上にマスクとしてレジスト膜を形成することにより、ｎ型トランジスタを構成するソース・ドレイン領域ＤＲ１と、ｐ型トランジスタを構成するソース・ドレイン領域ＤＲ１と、を作り分けることができる。レジスト膜は、たとえばフォトマスクを用いたリソグラフィ工程により所定の形状にパターニングされる。
これにより、トランジスタＴＲ１が形成される。
【００２５】
次に、半導体基板ＳＢ１上に、トランジスタＴＲ１を覆うように層間絶縁膜ＩＩ１を形成する。次いで、層間絶縁膜ＩＩ１中にコンタクトプラグＣＯ１を埋め込む。コンタクトプラグＣＯ１は、たとえばソース・ドレイン領域ＤＲ１と接続するように設けられる。
次に、層間絶縁膜ＩＩ１上に、エッチングストッパ膜ＥＳ１および層間絶縁膜ＩＩ２を順に積層する。次いで、エッチングストッパ膜ＥＳ１および層間絶縁膜ＩＩ２に、配線ＩＣ１を埋め込む。配線ＩＣ１は、たとえばダマシン法により形成される。
配線ＩＣ１を埋め込むための開口は、たとえばレジスト膜をマスクとして層間絶縁膜ＩＩ２をエッチングすることにより形成される。本実施形態においては、たとえば層間絶縁膜ＩＩ２上に形成されたレジスト膜を、フォトマスクＰＭ１を用いた露光、および現像によりパターニングする。これにより、層間絶縁膜ＩＩ２のエッチングに用いられるレジスト膜が形成される。
【００２６】
次に、層間絶縁膜ＩＩ２上に、エッチングストッパ膜ＥＳ２および層間絶縁膜ＩＩ３を順に積層する。次いで、エッチングストッパ膜ＥＳ２および層間絶縁膜ＩＩ３に、配線ＩＣ２を埋め込む。配線ＩＣ２は、たとえばダマシン法により形成される。
配線ＩＣ２を埋め込むための開口は、たとえばレジスト膜をマスクとして層間絶縁膜ＩＩ３をエッチングすることにより形成される。本実施形態においては、たとえば層間絶縁膜ＩＩ３上に形成されたレジスト膜を、フォトマスクＰＭ１を用いた露光、および現像によりパターニングする。これにより、層間絶縁膜ＩＩ３のエッチングに用いられるレジスト膜が形成される。
【００２７】
その後、層間絶縁膜ＩＩ３上に複数の配線層が形成される。複数の配線層のうち少なくとも一部の配線層は、たとえばＡｌを主成分として含む導電膜からなるアルミ配線を有する。アルミ配線は、たとえばレジスト膜をマスクとしたエッチングによりパターニングされる。本実施形態においては、たとえばアルミ配線を構成する導電膜上に形成されたレジスト膜を、フォトマスクＰＭ１を用いた露光、および現像によりパターニングする。これにより、アルミ配線を構成する導電膜のエッチングに用いられるレジスト膜が形成される。
これにより、半導体基板ＳＢ１上に多層配線層が形成される。
本実施形態においては、このようにして半導体装置ＳＭ１が製造される。
【００２８】
次に、本実施形態に係るフォトマスクの設計方法を説明する。
図４および図５は、本実施形態に係るフォトマスクＰＭ１の設計方法を示すフロー図である。図５は、特に図４におけるレイアウトデータ中のパターンの外形線を構成する各辺から分割辺を切り取る工程（Ｓ０２）の詳細を示すものである。
【００２９】
まず、フォトマスクＰＭ１に形成されるパターンを含むレイアウトデータを読み込む（Ｓ０１）。このレイアウトデータに含まれるパターンが、フォトマスクＰＭ１に形成されることとなる。また、このレイアウトデータは、図１（ａ）に示すパターンを含んでいる。
【００３０】
図１（ａ）に示すように、フォトマスクＰＭ１に形成されるパターンを含むレイアウトデータは、遮光パターンＳＰ１および遮光パターンＳＰ２を有している。これらの遮光パターンは、露光光を遮る部分である。このため、リソグラフィ工程においては、フォトマスクＰＭ１のうち遮光パターンが形成された部分以外の開口部分を透過した露光光が、レジスト膜等の露光対象膜に照射されることとなる。以下、本明細書において同様である。
【００３１】
遮光パターンＳＰ１は、たとえばフォトマスクＰＭ１に形成される配線用パターンの端部（ラインエンド）に対応している。この場合、遮光パターンＳＰ１は、たとえば配線用パターンの幅の最小設計寸法と等しい幅を有する。本実施形態において、遮光パターンＳＰ１は、たとえば後述するように、互いに平行に延伸する二つの第１辺ＦＥ１と、これらに挟まれた第２辺ＳＥ１と、を外形線として有する。すなわち、遮光パターンＳＰ１は、第２辺ＳＥ１と、第２辺ＳＥ１に接続する二つの第１辺ＦＥ１と、により囲まれることとなる。なお、フォトマスクＰＭ１を用いて製造される半導体装置ＳＭ１において、配線のうち遮光パターンＳＰ１に対応して形成される部分には、たとえばビアが接続される。
【００３２】
遮光パターンＳＰ２は、たとえばフォトマスクＰＭ１に形成される配線用パターンの角部に対応している。また、遮光パターンＳＰ２は、遮光パターンＳＰ１に近接して位置する。本実施形態において、遮光パターンＳＰ２は、たとえば後述するように、互いに直角をなす二つの第３辺ＴＥ１を外形線として有する。
【００３３】
次に、レイアウトデータに含まれるパターンの外形線を構成する各辺から分割辺を切り取る（Ｓ０２）。本実施形態では、切り取られた各分割辺を移動させることにより、光近接効果補正を行う。特にレイアウトデータに含まれるパターンのうち、Ｌ字形状を構成する辺、およびコの字形状を構成する辺においては、パターンの内側へ後退するよう光近接効果による変形が生じる。このため、切り取られた各分割辺をパターンの外側へ移動させることにより、光近接効果補正が行われることとなる。
分割辺を切り取る工程（Ｓ０２）は、たとえば以下のように行われる。
【００３４】
まず、長さＬ１よりも長く、かつ一端側において隣接する他の辺との間でＬ字形状を構成する複数の第１辺ＦＥ１を、レイアウトデータのパターンの外形線から抽出する（Ｓ１１）。第１辺ＦＥ１は、一端側において隣接する他の辺と互いに直角をなし、かつ長さＬ１を有する辺である。
【００３５】
本実施形態において、遮光パターンＳＰ１の外形線は、遮光パターンＳＰ１の長辺を構成し、かつ互いに平行に延伸する二辺として、第１辺ＦＥ１１（第１辺ＦＥ１）および第１辺ＦＥ１２（第１辺ＦＥ１）を有する。このとき、遮光パターンＳＰ１の短辺であって、かつ遮光パターンＳＰ１の端部に位置する第２辺ＳＥ１が、第１辺ＦＥ１１および第１辺ＦＥ１２のそれぞれとＬ字形状を構成することとなる。このため、当該工程（Ｓ１１）においては、遮光パターンＳＰ１の外形線を構成する第１辺ＦＥ１１および第１辺ＦＥ１２が、複数の第１辺ＦＥ１のうちの一部として抽出されることとなる。
また、本実施形態において、遮光パターンＳＰ２の外形線を構成する第３辺ＴＥ１１（第３辺ＴＥ１）および第３辺ＴＥ１２（第３辺ＴＥ１）は、たとえばＬ字形状を構成するよう互いに直角をなしている。また、第３辺ＴＥ１１および第３辺ＴＥ１２の長さは、たとえば長さＬ１よりも長い。このため、本実施形態においては、たとえば遮光パターンＳＰ２を構成する第３辺ＴＥ１１および第３辺ＴＥ１２についても、複数の第１辺ＦＥ１のうちの一部として抽出されることとなる。
【００３６】
次に、複数の第１辺ＦＥ１のそれぞれについて、第１辺ＦＥ１の一端から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１を切り取る（Ｓ１２）。すなわち、第１辺ＦＥ１のうち、第１辺ＦＥ１とともにＬ字形状をなす他の辺に接する一端側から長さＬ１の部分を、分割辺ＦＤ１として切り取ることとなる。これにより、光近接効果による変形が大きいパターンの角部において、分割辺ＦＤ１を移動させることによる光近接効果補正を行うことが可能となる。
【００３７】
本実施形態において、遮光パターンＳＰ１の外形線は、それぞれ第２辺ＳＥ１とともにＬ字形状を構成する第１辺ＦＥ１１（第１辺ＦＥ１）および第１辺ＦＥ１２（第１辺ＦＥ１）を有する。このため、第１辺ＦＥ１１のうち、第２辺ＳＥ１に接する一端から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１１（分割辺ＦＤ１）を切り取ることとなる。また、第１辺ＦＥ１２のうち、第２辺ＳＥ１に接する一端から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１２（分割辺ＦＤ１）を切り取ることとなる。
また、本実施形態において、遮光パターンＳＰ２の外形線を構成する第３辺ＴＥ１１（第３辺ＴＥ１）および第３辺ＴＥ１２（第３辺ＴＥ１）は、上記工程（Ｓ１１）において、たとえば第１辺ＦＥ１として抽出される。この場合、第３辺ＴＥ１１のうち、第３辺ＴＥ１２と接する一端から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１３（分割辺ＦＤ１）を切り取ることとなる。また、第３辺ＴＥ１２のうち、第３辺ＴＥ１１と接する一端から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１４（分割辺ＦＤ１）を切り取ることとなる。
【００３８】
本実施形態において、長さＬ１とは、たとえばデザインルールの最小設計寸法よりも短い長さである。最小設計寸法８０ｎｍである場合、長さＬ１は、たとえば４０ｎｍ以上６０ｎｍ以下である。これにより、第１辺ＦＥ１が短くなることによるデータサイズの増大を抑制しつつ、光近接効果補正を精度良く行うことが可能となる。
【００３９】
次に、複数の第１辺ＦＥ１のうち互いに対向する二つの第１辺ＦＥ１の一端に接続し、かつこれら二つの第１辺ＦＥ１とともにコの字形状を構成する第２辺ＳＥ１を、レイアウトデータのパターンの外形線から抽出する（Ｓ１３）。すなわち、第２辺ＳＥ１は、両端側において隣接する辺となす角度が９０度であるため、９０度の角部に挟まれることとなる。
本実施形態において、第２辺ＳＥ１は、たとえば遮光パターンＳＰ１の端部に位置し、かつ遮光パターンＳＰ１の短辺を構成する。そして、遮光パターンＳＰ１の長辺を構成する第１辺ＦＥ１１および第１辺ＦＥ１２とともに、コの字形状を構成する。
【００４０】
第２辺ＳＥ１の長さは、たとえばフォトマスクＰＭ１に形成される配線用パターンの幅の最小設計寸法と等しい。これにより、既存のプロセスを用いた配線用パターンの設計が可能となる。一方で、このようにパターンの幅が狭い場合、遮光パターンＳＰ１のようなパターン端部において光近接効果による変形が大きくなる。ここで、パターン端部における変形とは、たとえばパターンの外形線がパターンの内側へ後退するような変形である。本実施形態によれば、このような場合であっても、コの字形状を構成する第２辺ＳＥ１について、十分な光近接効果補正を行うことができる。
【００４１】
第２辺ＳＥ１は、たとえば長さＬ１の２倍未満の長さを有する。この場合、第２辺ＳＥ１については、第１辺ＦＥ１１と接する端部から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１と、第１辺ＦＥ１２と接する端部から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１と、を切り取ることができない。すなわち、第２辺ＳＥ１について、上記工程（Ｓ１２）を適用することができないこととなる。
本実施形態によれば、後述するように、長さＬ１よりも短い長さＬ２を有する分割辺ＳＤ１を、第２辺ＳＥ１から切り取る。このため、第２辺ＳＥ１の長さが長さＬ１の２倍未満であっても、光近接効果補正を十分に行うことが可能となる。
【００４２】
なお、工程（Ｓ１１）、工程（Ｓ１２）および工程（Ｓ１３）を行う順番は、上述したものに限られない。たとえば、工程（Ｓ１１）および工程（Ｓ１３）を行い第１辺ＦＥ１と第２辺ＳＥ１の抽出を行った後、工程（Ｓ１２）により分割辺ＦＤ１を切り取ってもよい。
【００４３】
次に、図１（ｂ）に示すように、第２辺ＳＥ１のうちの一端から長さＬ２に位置する点ＣＰ１を通る第２辺ＳＥ１の垂線ＰＬ１よりも、第２辺ＳＥ１の上記一端側に位置し、かつ第２辺ＳＥ１から予め定められた範囲内に位置する第３辺ＴＥ１を、レイアウトデータのパターンの外形線から抽出する（Ｓ１４）。
ここで、第２辺ＳＥ１の一端とは、第２辺ＳＥ１のうち第１辺ＦＥ１１と接する端部、または第１辺ＦＥ１２と接する端部のいずれかである。また、第２辺ＳＥ１の他端とは、一端とは反対側に位置する端部をさす。本実施形態においては、点ＣＰ１を通る垂線ＰＬ１よりも第２辺ＳＥ１の一端側に位置し、かつ点ＣＰ１を通る垂線ＰＬ１よりも第２辺ＳＥ１の他端側に位置しない、第３辺ＴＥ１が工程（Ｓ１４）において抽出される。
なお、図１（ｂ）において、垂線ＰＬ１は、一点鎖線により示される。
【００４４】
当該工程（Ｓ１４）においては、たとえば遮光パターンＳＰ１の外形線である第２辺ＳＥ１に近接して位置する、遮光パターンＳＰ２の外形線である第３辺ＴＥ１が抽出される。本実施形態においては、遮光パターンＳＰ２のうち第３辺ＴＥ１１および第３辺ＴＥ１２が抽出されることとなる。
第３辺ＴＥ１は、たとえば上記工程（Ｓ１１）において第１辺ＦＥ１として抽出される。すなわち、第３辺ＴＥ１は、垂線ＰＬ１よりも第２辺ＳＥ１の一端側に位置する他の辺とともにＬ字形状を構成し、かつ長さＬ１よりも長い。本実施形態では、第３辺ＴＥ１１は、たとえば垂線ＰＬ１よりも第２辺ＳＥ１の一端側に位置する第３辺ＴＥ１２とともにＬ字形状を構成し、かつ長さＬ１よりも長い。また、第３辺ＴＥ１２は、たとえば垂線ＰＬ１よりも第２辺ＳＥ１の一端側に位置する第３辺ＴＥ１１とともにＬ字形状を構成し、かつ長さＬ１よりも長い。このように、本実施形態においては、たとえば複数の第１辺ＦＥ１のうちいずれかが、第３辺ＴＥ１として抽出されることとなる。
【００４５】
また、本実施形態において、第２辺ＳＥ１のうちの一端から長さＬ２に位置する点ＣＰ１とは、たとえば第２辺ＳＥ１が分割辺ＳＤ１１と分割辺ＳＤ１２により分割される際の分割点である。このため、第３辺ＴＥ１が点ＣＰ１を通る垂線ＰＬ１よりも第２辺ＳＥ１の一端側に位置する場合には、第２辺ＳＥ１の一端側に位置する分割辺ＳＤ１１を移動させないことにより、各分割辺を移動させた後の第２辺ＳＥ１と第３辺ＴＥ１との間隔を製造上の制約を満たすものとすることができる。また、第２辺ＳＥ１の他端側に位置する分割辺ＳＤ１２を移動させることにより、第２辺ＳＥ１に対し十分に光近接効果補正を行うことができる。
本実施形態において、第２辺ＳＥ１は、後述する工程（Ｓ１５）により、たとえば二等分に分割される。このため、第２辺ＳＥ１のうちの一端から長さＬ２に位置する点ＣＰ１とは、第２辺ＳＥ１の中心点となる。
【００４６】
また、当該工程（Ｓ１４）における予め定められた範囲とは、図１（ｂ）において破線で示される検索範囲ＳＲ１である。この検索範囲ＳＲ１内に位置する他の辺が、当該工程（Ｓ１４）において第３辺ＴＥ１として抽出されることとなる。
ここで、後述する工程（Ｓ０３）における分割辺ＳＤ１２の移動距離をｄとする。このとき、第３辺ＴＥ１を抽出する工程は、第２辺ＳＥ１から第２辺ＳＥ１に垂直な方向に距離２ｄの範囲内に位置する第３辺ＴＥ１を抽出するよう行われることが好ましい。この場合、第２辺ＳＥ１に近接して位置する第３辺ＴＥ１に対しても光近接効果補正が行われる場合を考慮して、製造上の制約を満たすように補正を行うことができる。
なお、遮光パターンＳＰ１の延伸方向と垂直な方向における検索範囲ＳＲ１の距離は、特に限定されないが、たとえば遮光パターンＳＰ１の延伸方向における検索範囲ＳＲ１の距離と等しくすることができる。本実施形態においては、検索範囲ＳＲ１を、たとえば一辺が距離２ｄの正方形とすることができる。
【００４７】
次に、図２（ａ）に示すように、第３辺ＴＥ１が抽出された場合に、第２辺ＳＥ１のうちの一端から長さＬ２の部分である分割辺ＳＤ１１（分割辺ＳＤ１）と、第２辺ＳＥ１のうちの残部である分割辺ＳＤ１２（分割辺ＳＤ１）と、を切り取る（Ｓ１５）。
本明細書においては、第２辺ＳＥ１のうち一端側に位置する分割辺ＳＤ１を分割辺ＳＤ１１とし、他端側に位置する分割辺ＳＤ１を分割辺ＳＤ１２とする。このため、分割辺ＳＤ１１は、分割辺ＳＤ１２よりも第３辺ＴＥ１に近接して位置することとなる。なお、第２辺ＳＥ１の一端とは、第２辺ＳＥ１のうち第１辺ＦＥ１１と接する端部、または第１辺ＦＥ１２と接する端部のいずれかである。
分割辺ＳＤ１１と分割辺ＳＤ１２の位置関係は、近接して位置する第３辺ＴＥ１の位置により決められるものであり、図２（ａ）に示すものと反対であってもよい。
【００４８】
本実施形態においては、分割辺ＳＤ１２は、たとえば長さＬ２を有している。すなわち、本実施形態においては、第２辺ＳＥ１を二等分に分割することにより、長さＬ２の分割辺ＳＤ１１と、長さＬ２の分割辺ＳＤ１２と、が切り取られることとなる。このため、フォトマスクＰＭ１の設計が容易となる。
なお、分割辺ＳＤ１１と分割辺ＳＤ１２は、互いに異なる長さを有していてもよい。
【００４９】
本実施形態において、長さＬ２とは、たとえば検査装置により擬似欠陥として検知されない長さであることが求められる。このため、長さＬ２は、たとえば３０ｎｍ以上であることが好ましい。一方、第２辺ＳＥ１に対し精度良く光近接効果補正を行うため、長さＬ２は、長さＬ１よりも短く、たとえば４０ｎｍ以下であることが好ましい。
本実施形態においては、このようにして分割辺を切り取る工程（Ｓ０２）が行われる。
【００５０】
次に、図２（ｂ）に示すように、複数の分割辺ＦＤ１と、分割辺ＳＤ１２と、をパターンの外側へ移動させる（Ｓ０３）。複数の第１辺ＦＥ１と、分割辺ＳＤ１２と、の移動方法や移動量は、たとえば既存のプロセスと同様に行うことができる。
【００５１】
本実施形態においては、第１辺ＦＥ１１、第１辺ＦＥ１２、および分割辺ＳＤ１２を、遮光パターンＳＰ１の外側へ移動させる。一方、分割辺ＳＤ１１は移動させない。これにより、第２辺ＳＥ１に近接する第３辺ＴＥ１が存在する場合であっても、第２辺ＳＥ１と第３辺ＴＥ１との間隔につき製造上の制約を満たしつつ、第２辺ＳＥ１に対し光近接効果補正を十分に行うことができる。
また、本実施形態においては、分割辺ＦＤ１３および分割辺ＦＤ１４を、遮光パターンＳＰ２の外側へ移動させる。その他、レイアウトデータに含まれるパターンの外形線を構成する各第１辺ＦＥ１のうち分割辺ＦＤ１を、パターンの外側へ移動させる。これにより、パターン角部を構成する各辺に対しても、光近接効果補正を行うことができる。
【００５２】
本実施形態においては、このようにしてフォトマスクＰＭ１の設計方法が行われる。
【００５３】
次に、本実施形態の効果を説明する。
本実施形態によれば、フォトマスクＰＭ１のレイアウトデータに含まれるパターンは、隣接する他の辺との間でＬ字形状を構成する複数の第１辺ＦＥ１と、二つの第１辺ＦＥ１とともにコの字形状を構成する第２辺ＳＥ１と、を有する。そして、第１辺ＦＥ１から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１を切り取った後、第２辺ＳＥ１から長さＬ１よりも短い長さＬ２の部分である分割辺ＳＤ１１と残部である分割辺ＳＤ１２とを切り取る。
このように、本実施形態によれば、コの字形状を構成する第２辺ＳＥ１について、長さＬ１よりも短い長さＬ２の分割辺ＳＤ１１が切り取られる。すなわち、第２辺ＳＥ１については、短い長さＬ２を有する分割辺ＳＤ１１を移動させないことにより、近接する第３辺ＴＥ１との間隔につき製造上の制約を満たすことができる。一方で、分割辺ＳＤ１２を移動させることにより、第２辺ＳＥ１に対し光近接効果補正を行うことができる。
したがって、近接する第３辺ＴＥ１が存在する場合であっても、第２辺ＳＥ１と第３辺ＴＥ１との間隔につき製造上の制約を満たしつつ、第２辺ＳＥ１に対し光近接効果補正を十分に行うことができる。
【００５４】
（第２の実施形態）
図６は、第２の実施形態に係るフォトマスクＰＭ２の設計方法を示す平面図であり、第１の実施形態における図２に対応している。
本実施形態に係るフォトマスクＰＭ２の設計方法において、遮光パターンＳＰ１の外形線を構成する第２辺ＳＥ１から予め定められた範囲に位置する第３辺ＴＥ１は、他の二つの辺とともにコの字形状を構成する。そして、この第３辺ＴＥ１と、第３辺ＴＥ１とともにコの字形状を構成する二つの辺と、により囲まれたパターンが遮光パターンＳＰ２となる。本実施形態に係るフォトマスクＰＭ２の設計方法は、この点を除いて第１の実施形態に係るフォトマスクＰＭ１の設計方法と同様に行うことができる。また、本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１の製造方法は、第１の実施形態と同様に行うことができる。
【００５５】
以下、本実施形態のマスクの設計方法について詳細に説明する。
まず、フォトマスクＰＭ２に形成されるパターンを含むレイアウトデータを読み込む（Ｓ０１）。図６（ａ）に示すように、フォトマスクＰＭ２に形成されるパターンを含むレイアウトデータは、遮光パターンＳＰ１および遮光パターンＳＰ２を有している。遮光パターンＳＰ１の構成は、第１の実施形態と同様とすることができる。
【００５６】
本実施形態において、遮光パターンＳＰ１は、たとえば互いに平行に延伸する二つの第１辺ＦＥ１（第１辺ＦＥ１１および第１辺ＦＥ１２）と、これらに挟まれた第２辺ＳＥ１（第２辺ＳＥ１１）と、を外形線として有する。すなわち、遮光パターンＳＰ１は、第２辺ＳＥ１１と、第２辺ＳＥ１１に接続する第１辺ＦＥ１１および第１辺ＦＥ１２と、により囲まれることとなる。
本実施形態に係る遮光パターンＳＰ２は、たとえばフォトマスクＰＭ２に形成される配線用パターンの端部（ラインエンド）に対応している。この場合、遮光パターンＳＰ２は、たとえば配線用パターンの幅の最小設計寸法と等しい幅を有する。本実施形態において、遮光パターンＳＰ２は、たとえば互いに平行に延伸する二つの第１辺ＦＥ１（第１辺ＦＥ２１および第１辺ＦＥ２２）と、これらに挟まれた第２辺ＳＥ１（第２辺ＳＥ２１）と、を外形線として有する。すなわち、遮光パターンＳＰ２は、第２辺ＳＥ２１と、第２辺ＳＥ２１に接続する第１辺ＦＥ２１および第１辺ＦＥ２２と、により囲まれることとなる。
【００５７】
次に、レイアウトデータに含まれるパターンの外形線を構成する各辺から分割辺を切り取る（Ｓ０２）。分割辺を切り取る工程（Ｓ０２）は、たとえば以下のように行われる。
【００５８】
まず、長さＬ１よりも長く、かつ一端側において隣接する他の辺との間でＬ字形状を構成する複数の第１辺ＦＥ１を、レイアウトデータのパターンの外形線から抽出する（Ｓ１１）。第１辺ＦＥ１は、一端側において隣接する他の辺と互いに直角をなし、かつ長さＬ１を有する辺である。
本実施形態においては、遮光パターンＳＰ１の外形線を構成する第１辺ＦＥ１１および第１辺ＦＥ１２が、複数の第１辺ＦＥ１のうちの一部として抽出されることとなる。
また、遮光パターンＳＰ２の外形線は、遮光パターンＳＰ２の長辺を構成し、かつ互いに平行に延伸する二辺として、長さＬ１よりも長い第１辺ＦＥ２１および第１辺ＦＥ２２を有する。このとき、第１辺ＦＥ２１および第１辺ＦＥ２２は、それぞれ第２辺ＳＥ２１とＬ字形状を構成する。このため、第１辺ＦＥ２１および第１辺ＦＥ２２は、複数の第１辺ＦＥ１のうちの一部として抽出されることとなる。
【００５９】
次に、複数の第１辺ＦＥ１のそれぞれについて、第１辺ＦＥ１の一端から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ１を切り取る（Ｓ１２）。すなわち、第１辺ＦＥ１のうち、第１辺ＦＥ１とともにＬ字形状をなす他の辺に接する一端側から長さＬ１の部分を、分割辺ＦＤ１として切り取ることとなる。
本実施形態においては、遮光パターンＳＰ１の外形線を構成する第１辺ＦＥ１１から分割辺ＦＤ１１が、第１辺ＦＥ１２から分割辺ＦＤ１２が、それぞれ切り取られる。
また、本実施形態において、遮光パターンＳＰ２の外形線は、それぞれ第２辺ＳＥ２１とともにＬ字形状を構成する第１辺ＦＥ２１（第１辺ＦＥ１）および第１辺ＦＥ２２（第１辺ＦＥ１）を有する。このため、第１辺ＦＥ２１のうち、第２辺ＳＥ２１に接する一端から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ２１（分割辺ＦＤ１）を切り取ることとなる。また、第１辺ＦＥ２２のうち、第２辺ＳＥ２１に接する一端から長さＬ１の部分である分割辺ＦＤ２２（分割辺ＦＤ１）を切り取ることとなる。
【００６０】
次に、複数の第１辺ＦＥ１のうち互いに対向する二つの第１辺ＦＥ１の一端に接続し、かつこれら二つの第１辺ＦＥ１とともにコの字形状を構成する第２辺ＳＥ１を、レイアウトデータのパターンの外形線から抽出する（Ｓ１３）。
本実施形態においては、遮光パターンＳＰ１の外形線を構成する第２辺ＳＥ１１（第２辺ＳＥ１）が、当該工程（Ｓ１３）において抽出される。
また、本実施形態において、遮光パターンＳＰ２の外形線を構成する第２辺ＳＥ２１は、互いに対向する二つの第１辺ＦＥ１（第１辺ＦＥ２１および第１辺ＦＥ２２）に接続し、かつこれら二つの第１辺ＦＥ１とともにコの字形状を構成する。このため、遮光パターンＳＰ２の外形線を構成する第２辺ＳＥ２１（第２辺ＳＥ１）についても、当該工程（Ｓ１３）において抽出されることとなる。なお、第２辺ＳＥ２１は、たとえば第２辺ＳＥ１１と同様の長さを有する。
【００６１】
次に、第２辺ＳＥ１のうちの一端から長さＬ２に位置する点ＣＰ１を通る第２辺ＳＥ１の垂線ＰＬ１よりも、第２辺ＳＥ１の上記一端側に位置し、かつ第２辺ＳＥ１から予め定められた範囲内に位置する第３辺ＴＥ１を、レイアウトデータのパターンの外形線から抽出する（Ｓ１４）。当該工程（Ｓ１４）は、第１の実施形態における、図１（ｂ）に示す工程と同様に行うことができる。
本実施形態においては、たとえば遮光パターンＳＰ２の外形線を構成する第１辺ＦＥ２１は、点ＣＰ１を通る第２辺ＳＥ１１の垂線ＰＬ１よりも第２辺ＳＥ１１の一端側に位置し、かつ第２辺ＳＥ１１から予め定められた範囲内に位置する。このため、第１辺ＦＥ２１は、当該工程（Ｓ１４）において、第３辺ＴＥ１として抽出される。すなわち、本実施形態において、第３辺ＴＥ１として抽出される第１辺ＦＥ２１は、垂線ＰＬ１よりも第２辺ＳＥ１の一端側に位置する他の二辺である第２辺ＳＥ２１と第１辺ＦＥ２２とともにコの字形状を構成することとなる。
このように、本実施形態においては、第２辺ＳＥ１から予め定められた範囲内に、コの字形状を構成する第３辺ＴＥ１が位置する場合において、後述する工程（Ｓ１５）が行われることとなる。上述したように、コの字形状を構成する辺については、光近接効果補正時における移動量が大きくなる。このため、本実施形態によれば、光近接効果補正による移動量が多い第３辺ＴＥ１が近接して位置する第２辺ＳＥ１に対してのみ、短い長さＬ２による分割が行われることとなる。これにより、光近接効果補正を十分に行いつつ、データサイズの増大をさらに抑制することが可能となる。
【００６２】
また、本実施形態において、遮光パターンＳＰ１の外形線を構成する第１辺ＦＥ１１は、たとえば第２辺ＳＥ２１のうちの一端から長さＬ２に位置する点を通る第２辺ＳＥ２１の垂線よりも第２辺ＳＥ２１の一端側に位置し、かつ第２辺ＳＥ２１から予め定められた範囲内に位置する。このため、第１辺ＦＥ１１は、当該工程（Ｓ１４）において、第３辺ＴＥ１として抽出されることとなる。
【００６３】
次に、図６（ａ）に示すように、第２辺ＳＥ１１のうちの一端から長さＬ２の部分である分割辺ＳＤ１１（分割辺ＳＤ１）と、第２辺ＳＥ１１のうちの残部である分割辺ＳＤ１２（分割辺ＳＤ１）と、を切り取る（Ｓ１５）。
また、本実施形態においては、第２辺ＳＥ２１のうちの一端から長さＬ２の部分である分割辺ＳＤ２１（分割辺ＳＤ１）と、第２辺ＳＥ２１のうちの残部である分割辺ＳＤ２２（分割辺ＳＤ１）と、を切り取る。本明細書においては、第２辺ＳＥ２１のうち一端側に位置する分割辺ＳＤ１を分割辺ＳＤ２１とし、他端側に位置する分割辺ＳＤ１を分割辺ＳＤ２２とする。本実施形態においては、たとえば第２辺ＳＥ２１を二等分に分割することにより、長さＬ２の分割辺ＳＤ２１と、長さＬ２の分割辺ＳＤ２２と、が切り取られる。
【００６４】
次に、図６（ｂ）に示すように、複数の分割辺ＦＤ１と、分割辺ＳＤ１２と、をパターンの外側へ移動させる（Ｓ０３）。また、このとき、分割辺ＳＤ２２についても、パターンの外側へ移動させる。複数の第１辺ＦＥ１と、分割辺ＳＤ１２と、分割辺ＳＤ２２と、の移動方法や移動量は、たとえば既存のプロセスと同様に行うことができる。
【００６５】
本実施形態においては、このようにしてフォトマスクＰＭ２の設計方法が行われる。
【００６６】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６７】
（第３の実施形態）
図７は、第２の実施形態に係るフォトマスクＰＭ３の設計方法を示す平面図であり、第１の実施形態における図２に対応している。
本実施形態において、フォトマスクＰＭ３に形成されるパターンを含むレイアウトデータは、開口パターンＯＰ１および開口パターンＯＰ２を有している。この点を除いて、本実施形態に係るフォトマスクＰＭ３の設計方法は、第１の実施形態に係るフォトマスクＰＭ１の設計方法と同様に行うことができる。また、本実施形態に係る半導体装置ＳＭ１の製造方法は、第１の実施形態と同様に行うことができる。
【００６８】
図７に示すように、フォトマスクＰＭ３は、開口パターンＯＰ１および開口パターンＯＰ２を有している。なお、これらの開口パターンは、露光光を透過させる部分である。このため、リソグラフィ工程においては、フォトマスクＰＭ３のうち開口パターンを透過した露光光が、露光対象膜に照射されることとなる。なお、フォトマスクＰＭ３のうち開口パターン以外の部分は、露光光の透過を遮る遮光部分である。
【００６９】
開口パターンＯＰ１は、たとえばフォトマスクＰＭ３に形成される開口パターンの端部（スペースエンド）に対応している。本実施形態において、開口パターンＯＰ１は、たとえば互いに平行に延伸する二つの第１辺ＦＥ１と、これらに挟まれた第２辺ＳＥ１と、を外形線として有する。すなわち、開口パターンＯＰ１は、第２辺ＳＥ１と、第２辺ＳＥ１に接続する二つの第１辺ＦＥ１と、により囲まれることとなる。
また、開口パターンＯＰ２は、たとえばフォトマスクＰＭ３に形成される開口パターンの角部に対応している。また、開口パターンＯＰ２は、開口パターンＯＰ１に近接して位置する。本実施形態において、開口パターンＯＰ２は、たとえば後述するように、互いに直角をなす二つの第３辺ＴＥ１を外形線として有する。
【００７０】
本実施形態に係る設計方法により設計されたフォトマスクＰＭ３を用いてパターニングされたレジスト膜は、たとえば素子分離膜ＥＬ１を形成する工程や、半導体基板ＳＢ１へ不純物をイオン注入する工程等においてマスクとして使用される。これらの各工程においては、たとえば互いに異なるパターンを有するフォトマスクＰＭ３がそれぞれ用いられる。
【００７１】
開口パターンについても遮光パターンと同様に、Ｌ字形状を構成する辺、およびコの字形状を構成する辺において、パターンの内側へ後退するよう光近接効果による変形が生じる。このため、各開口パターンの外形線から切り取られた各分割辺をパターンの外側へ移動させることにより、光近接効果補正が行われることとなる。
このため、開口パターンＯＰ１および開口パターンＯＰ２を構成する第１辺ＦＥ１、第２辺ＳＥ１および第３辺ＴＥ１に対する光近接効果補正は、たとえば第１の実施形態において第１辺ＦＥ１、第２辺ＳＥ１および第３辺ＴＥ１に対して行われた図１および図２に示す光近接効果補正と同様に行うことができる。
【００７２】
本実施形態においても、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００７３】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００７４】
ＰＭ１、ＰＭ２、ＰＭ３  フォトマスク
ＦＥ１、ＦＥ１１、ＦＥ１２、ＦＥ２１、ＦＥ２２  第１辺
ＳＥ１、ＳＥ１１、ＳＥ２１  第２辺
ＴＥ１、ＴＥ１１、ＴＥ１２  第３辺
ＦＤ１、ＦＤ１１、ＦＤ１２、ＦＤ１３、ＦＤ１４、ＦＤ２１、ＦＤ２２、ＳＤ１、ＳＤ１１、ＳＤ１２、ＳＤ２１、ＳＤ２２  分割辺
ＳＰ１、ＳＰ２  遮光パターン
ＯＰ１、ＯＰ２  開口パターン
ＳＲ１  検索範囲
ＣＰ１  点
ＴＲ１  トランジスタ
ＳＢ１  半導体基板
ＧＩ１  ゲート絶縁膜
ＧＥ１  ゲート電極
ＳＷ１  サイドウォール
ＤＲ１  ソース・ドレイン領域
ＥＬ１  素子分離膜
ＣＯ１  コンタクトプラグ
ＩＩ１、ＩＩ２、ＩＩ３  層間絶縁膜
ＥＳ１、ＥＳ２  エッチングストッパ膜
ＩＣ１、ＩＣ２  配線
ＳＭ１  半導体装置
ＰＬ１  垂線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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