(57)【要約】【課題】液晶層５０に混入したイオン性不純物の移動や偏在を抑制し、表示ムラや焼き付きなどのイオン性不純物に起因する表示上の不具合の発生を抑制する。【解決手段】液晶装置１００は、表示領域Ｅに配置された画素電極９ａと前記画素電極９ａを覆う配向膜１８とを有する素子基板１０と、表示領域Ｅに亘って配置された対向電極２１と対向電極２１を覆う配向膜２５とを有する対向基板２０との間に液晶層５０が挟持され、表示領域Ｅに光を透過する透過領域と光を遮る遮光領域とを有し、前記遮光領域の少なくとも一部には、絶縁膜２６が前記対向電極２１と前記配向膜２５との間に配置されていることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に配置された画素電極と前記画素電極を覆う第１の配向膜とを有する素子基板と、前記表示領域に亘って配置された対向電極と前記対向電極を覆う第２の配向膜とを有する対向基板と、の間に液晶が挟持され、前記表示領域に光を透過する透過領域と光を遮る遮光領域とを有する液晶装置であって、
前記遮光領域の少なくとも一部には、絶縁膜が前記対向電極と前記第２の配向膜との間に配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記画素電極は、第１の方向、及び前記第１の方向と交差する第２の方向に配列され、
前記絶縁膜は、前記第１の方向、及び前記第２の方向のうち少なくとも一つの方向に伸びていることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記第１の方向に伸びている第１部分と、前記第２の方向に伸びている第２部分と、前記第１部分と前記第２部分とが交差した交差部分と、を有していることを特徴とする請求項２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記第１の方向における前記交差部分の巾は、前記第１の方向における前記第２部分の巾よりも大きく、前記第２の方向における前記交差部分の巾は、前記第２の方向における前記第１部分の巾よりも大きいことを特徴とする請求項３に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記表示領域は、第１の画素電極と、前記第１の画素電極に対し前記第１の方向に隣り合う第２の画素電極と、前記第１の画素電極に対し前記第２の方向に隣り合う第３の画素電極と、を含み、
前記絶縁膜は、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極との間の領域、及び前記第１の画素電極と前記第３の画素電極との間の領域のうち少なくとも一方に対向配置されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記第１の配向膜及び前記第２の配向膜は、前記液晶を垂直配向させるための無機配向膜であり、前記液晶は負の誘電異方性を有し、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜とに対してプレチルトが与えられて１軸垂直配向していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び当該液晶装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素電極がマトリックス状に配置された画素領域（表示領域）を有する液晶装置は、例えばプロジェクターなどの光変調装置（ライトバルブ）に使用されている。当該液晶装置では、一対の基板がシール材によって所定の間隙を有するように貼り合わされ、シール材で囲まれた領域に液晶が充填されている。液晶を充填する工程や、シール材などから、液晶の中にイオン性不純物が混入した場合に、その後の液晶装置の駆動によってイオン性不純物が、表示領域に拡散、凝集（偏在）し、表示特性の劣化を招くことが知られている。また、イオン性不純物の拡散、偏在は、駆動時の液晶の微小な揺らぎによる液晶の流れ（フロー）が原因とされている。
【０００３】
イオン性不純物の拡散、偏在を抑制するために、例えば特許文献１の方法が提案されている。特許文献１では、表示領域の周辺に複数の電極を隣接して設け、隣接する電極の電位を変化させ、横方向の電界を発生させる。当該横方向の電界は、上述した液晶のフローに加えて、イオン性不純物を移動させる力となり、イオン性不純物を表示領域内から表示領域の外にすばやく移動させることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−５８４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の方法では、液晶装置の駆動条件によってはイオン性不純物が表示領域内の光透過領域（光変調領域）に滞留し、表示上の不具合が発生する場合があった。具体的には、液晶装置を長時間同じパターンで表示した場合、例えば白表示と黒表示との帯状パターンを長時間表示した場合、白表示と黒表示との境界付近にイオン性不純物が滞留し、焼き付きなどの表示不良が発生する場合があった。さらに、表示領域と非表示領域との境界付近においても、イオン性不純物の滞留による同様の表示不良が発生する場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、表示領域に配置された画素電極と前記画素電極を覆う第１の配向膜とを有する素子基板と、前記表示領域に亘って配置された対向電極と前記対向電極を覆う第２の配向膜とを有する対向基板との間に液晶が挟持され、前記表示領域に光を透過する透過領域と光を遮る遮光領域とを有する液晶装置であって、前記遮光領域の少なくとも一部には、絶縁膜が前記対向電極と前記第２の配向膜との間に配置されていることを特徴とする。
【０００８】
上記適用例に記載の液晶装置では、対向電極と第２の配向膜との間に対向電極の少なくとも一部を覆う絶縁膜が配置されている。液晶装置を駆動すると、対向電極と画素電極との間に発生する電界の変化に対応して液晶（液晶分子）が揺動し、当該液晶分子の揺動によって、液晶に微小なフロー（流れ）が発生する。液晶中に混入したイオン性不純物は、当該フローによって移動（拡散）し、特定箇所に偏在するようになる。そして、特定箇所にイオン性不純物が偏在すると、表示ムラや焼き付きなどの表示上の不具合が発生する場合がある。
対向電極の絶縁膜で覆われた部分では、対向電極と画素電極との間の電界が弱くなっている。対向電極と画素電極との間の電界が弱くなると、液晶に微小なフローを発生させる液晶分子の揺動が抑制され、液晶に微小なフローが生じにくくなる。その結果、対向電極の絶縁膜で覆われた部分では、イオン性不純物の移動が抑制される。また、絶縁膜は遮光領域に配置されているので、対向電極と画素電極との間で電界が弱くなったことの表示への悪影響は、遮光領域によって隠される。従って、イオン性不純物の移動、偏在による表示上の不具合（表示ムラ、焼き付き）が抑制され、優れた表示品位及び高い信頼性の液晶装置を提供することができる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に記載の液晶装置において、前記画素電極は、第１の方向及び前記第１の方向と交差する第２の方向に配列され、前記絶縁膜は、前記第１の方向及び前記第２の方向のうち少なくとも一つの方向に伸びていることが好ましい。
【００１０】
対向電極の一部を覆う絶縁膜は、第１の方向及び第２の方向のうち少なくとも一方の方向に伸びた形状を有している。一方、画素電極が配置されていない領域は、光を遮る遮光領域に対応し、表示に影響を及ぼさないようになっている。よって、遮光領域は、第１の方向及び第２の方向に伸びた形状を有している。対向電極の一部を覆う絶縁膜と遮光領域とは、略同じ形状であるので、絶縁膜を遮光領域に配置し、第１の方向及び第２の方向のうち少なくとも一方の方向にイオン性不純物の移動を抑制できる。すなわち、遮光領域の全般に亘って液晶のフローを抑制し、イオン性不純物の移動、偏在を抑制することができる。従って、イオン性不純物の偏在による表示上の不具合（表示ムラ、焼き付き）が抑制され、優れた表示品位及び高い信頼性の液晶装置を提供することができる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例に記載の液晶装置において、前記絶縁膜は、前記第１の方向に伸びている第１部分と、前記第２の方向に伸びている第２部分と、前記第１部分と前記第２部分とが交差した交差部分と、を有していることが好ましい。
【００１２】
対向電極を覆う絶縁膜は、第１の方向に伸びている第１部分と、第２の方向に伸びている第２部分と、第１部分と前記第２部分とが交差した交差部分と、を有している。一方、画素電極が配置されていない領域は、光を遮る遮光領域に対応し、表示に影響を及ぼさないようになっている。よって、遮光領域も、第１の方向に伸びている部分と、第２の方向に伸びている部分と、第１の方向に伸びている部分と第２の方に伸びている部分とが交差した部分と、を有している。絶縁膜と遮光領域とは略同じ形状であるので、絶縁膜を遮光領域に配置し、第１の方向、第２の方向、及び第１の方向と第２の方向とが交差する方向にイオン性不純物の移動を抑制できる。すなわち、遮光領域の全般に亘って液晶のフローを抑制し、イオン性不純物の移動、偏在を抑制することができる。従って、イオン性不純物の偏在による表示上の不具合（表示ムラ、焼き付き）が抑制され、優れた表示品位及び高い信頼性の液晶装置を提供することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第１の方向における前記交差部分の巾は、前記第１の方向における前記第２部分の巾よりも大きく、前記第２の方向における前記交差部分の巾は、前記第２の方向における前記第１部分の巾よりも大きいことが好ましい。
【００１４】
絶縁膜の交差部分は、絶縁膜の第１部分及び絶縁膜の第２部分よりも、大きな巾で形成されている。すなわち、絶縁膜は、交差部分で広くなっている。絶縁膜を、第１部分と前記第２部分とが交差した交差部分で広くすることによって、液晶のフローをより強く抑制することができる。
【００１５】
［適用例５］上記適用例に記載の液晶装置において、前記表示領域は、第１の画素電極と、前記第１の画素電極に対し前記第１の方向に隣り合う第２の画素電極と、前記第１の画素電極に対し前記第２の方向に隣り合う第３の画素電極と、を含み、前記絶縁膜は、前記第１の画素電極と前記第２の画素電極との間の領域、及び前記第１の画素電極と前記第３の画素電極との間の領域のうち少なくとも一方に対向配置されていることが好ましい。
【００１６】
絶縁膜は、第１の画素電極と第２の画素電極との間の領域、及び第１の画素電極と第３の画素電極との間の領域のうち少なくとも一方に対向配置されている。すなわち、画素電極が配置された領域の全般に亘って、絶縁膜が画素電極と隣り合う画素電極との間（遮光領域）に対向配置されている。よって、画素電極が配置された領域の全般に亘って液晶のフローを抑制し、イオン性不純物の移動及びイオン不純物の偏在を抑制することができる。従って、イオン性不純物の偏在による表示上の不具合（表示ムラ、焼き付き）が抑制され、優れた表示品位及び高い信頼性の液晶装置を提供することができる。
【００１７】
［適用例６］上記適用例に記載の液晶装置において、前記第１の配向膜及び前記第２の配向膜は、前記液晶を垂直配向させるための無機配向膜であり、前記液晶は負の誘電異方性を有し、前記第１の配向膜と前記第２の配向膜とに対してプレチルトが与えられて１軸垂直配向していることが好ましい。
【００１８】
対向電極の絶縁膜が配置された部分では、対向電極と画素電極との間の電界が弱くなり、液晶（液晶分子）は当該電界の影響を受けにくく、初期の配向状態を維持する。すなわち、液晶は第１の配向膜と前記第２の配向膜とに対してプレチルトが与えられて１軸垂直配向の状態を維持する。よって、対向電極の絶縁膜が配置された部分では、液晶分子は、液晶のフローを阻害する方向、すなわち液晶のフローに交差する方向に配向（垂直配向）しているので、液晶分子が水平配向している場合と比べて、液晶のフローを効果的に抑制することができる。換言すれば、垂直配向モードの液晶装置に本発明を適用すれば、より効果的に液晶のフローを抑制して、優れた表示品位及び高い信頼性を実現できる。
【００１９】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする。
【００２０】
本適用例に係る電子機器は上記適用例に記載の液晶装置を備えているので、優れた表示品質及び高い信頼性の表示機能を有する電子機器、例えば、プロジェクター、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）は実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿った概略断面図。
【図２】実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】実施形態１に係る液晶の配向状態を示す模式図。
【図４】実施形態１に係る液晶装置において相隣接する複数の画素の概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図。
【図６】実施形態１に係る対向基板に設けられた絶縁膜の形状と配置位置とを示す概略平面図。
【図７】対向基板の近傍におけるイオン性不純物の移動の状態を模式的に示す、図６のＭ−Ｍ’線に沿った模式断面図。
【図８】実施形態２に係る絶縁膜の形状と配置位置とを示す概略平面図。
【図９】実施形態３に係る絶縁膜の形状と配置位置とを示す概略平面図。
【図１０】実施形態４に係る絶縁膜の形状と配置位置とを示す概略平面図。
【図１１】実施形態４に係る絶縁膜の形状と配置位置とを示す概略平面図。
【図１２】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００２３】
（実施形態１）
「液晶装置の概要」
実施形態１に係る液晶装置１００は、薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型液晶装置であり、例えば後述する液晶プロジェクターの光変調素子として好適に用いることができるものである。
【００２４】
まず、本実施形態に係る液晶装置１００の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の概略断面図である。図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２５】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０と対向基板２０、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０などを有している
【００２６】
素子基板１０は、対向基板２０よりも大きい。また、素子基板１０は、対向基板２０の外周に沿って切れ目なく配置されたシール材５２を介して、対向基板２０と接着されている。シール材５２としては、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が使用されている。シール材５２には、素子基板１０と対向基板２０とを一定の間隔（ギャップ）に保持するスペーサー（図示省略）が混入されている。シール材５２によって囲まれた領域に負の誘電異方性を有する液晶５１が封入され、光変調層としての液晶層５０を構成している。
【００２７】
素子基板１０と対向基板２０との間隙への液晶５１の封入（充填）では、一対の基板のうちの一方の基板の外周に沿ってシール材５２を配置し、シール材５２の内側に所定量の液晶５１を滴下し、液晶５１が滴下された一方の基板と他方の基板とを減圧下で貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）方式が採用されている。
なお、液晶５１の充填法としては、シール材５２に注入孔を設け、当該注入孔を介して素子基板１０と対向基板２０との間隙に液晶５１を充填する方法、例えば真空注入法や毛細管現象を利用した注入法などであっても良い。
【００２８】
シール材５２の内側には、表示領域Ｅを取り囲むように配置された見切り部５３が設けられている。すなわち、見切り部５３で囲まれた領域が、表示領域Ｅとなる。表示領域Ｅには、複数の画素Ｐがマトリックス状に配置されている。表示領域Ｅは、光を透過する透過領域８（図４参照）と、光を遮る遮光領域７（図４参照）とを有している。
【００２９】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材５２と該１辺部との間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、２つの走査線駆動回路１０４を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０２に接続されている。
【００３０】
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向、当該Ｘ方向と当該Ｙ方向とに直交し素子基板１０から対向基板２０に向かう方向をＺ方向として説明する。
なお、Ｘ方向は本発明における「第１の方向」の一例であり、Ｙ方向は本発明における「第２の方向」の一例である。
【００３１】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１０ａ、並びに素子基板本体１０ａの液晶層５０側の面に形成された薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；以降ＴＦＴと称す）３０や画素電極９ａ、及び画素電極９ａを覆う配向膜１８などを有している。素子基板本体１０ａは、例えば石英やガラスなどの透明材料で構成されている。ＴＦＴ３０や画素電極９ａは画素Ｐの構成要素であり、画素ＰはＸ方向及びＹ方向にマトリックス状に配列されている。
画素Ｐにおける素子基板１０の詳細は、後述する。
【００３２】
対向基板２０は、対向基板本体２０ａ、並びに対向基板本体２０ａの液晶層５０側の面に順に積層された見切り部５３、誘電体膜２２、対向電極２１、絶縁膜２６及び配向膜２５などを有している。
【００３３】
対向基板本体２０ａは、例えば石英やガラスなどの透明材料で構成されている。
見切り部５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、図１（ａ）に示すように平面的に走査線駆動回路１０４、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮り、これらの駆動回路などの誤動作を防止する役割を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３４】
誘電体膜２２は、透光性の無機絶縁材料からなり、例えば常圧または減圧ＣＶＤ法などを用いて形成された酸化シリコンを使用することができる。誘電体膜２２は、対向基板本体２０ａの上に見切り部５３が形成されることで生ずる表面の凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。
【００３５】
対向電極２１は、誘電体膜２２の上に形成され、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料で構成される。また、対向電極２１は、表示領域Ｅに亘って形成される。対向電極２１は、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の引き回し配線（図示省略）に電気的に接続されている。
【００３６】
絶縁膜２６は、絶縁材料からなり、例えば常圧または減圧ＣＶＤ法などを用いて形成された酸化シリコンを使用することができる。絶縁膜２６は、対向電極２１と配向膜２５との間に配置されている。
絶縁膜２６は、本発明の特徴をなす構成要素である。絶縁膜２６の詳細は、後述する。
【００３７】
素子基板１０側の配向膜１８及び対向基板２０側の配向膜２５は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、酸化シリコンなどの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）で構成されている。また、配向膜１８，２５は、ポリイミドなどの有機配向膜を使用してもよい。
なお、配向膜１８は、本は発明における「第１の配向膜」の一例であり、配向膜２５は、本は発明における「第２の配向膜」の一例である。
【００３８】
図１（ａ）における実線の矢印５５は、電圧無印加時に素子基板１０に対して液晶５１が傾斜する方位（液晶配向方位）を示している。図１（ａ）における破線の矢印５６は、電圧無印加時に対向基板２０に対して液晶５１が傾斜する方向の方位を示している。
液晶５１は、負の誘電異方性を有し、配向膜１８と配向膜２５とに対してプレチルトが与えられた１軸垂直配向となっている。以降、電圧無印加時に液晶５１が傾斜する方向の方位５５，５６を、プレチルト方向５５，５６と称す。
【００３９】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線１１及び複数のデータ線６ａと、走査線１１に対して平行に延在する容量線３００とを有する。なお、容量線３００の配置はこれに限定されず、データ線６ａに対して平行に延在するように配置してもよい。
【００４０】
走査線１１とデータ線６ａとにより区分された領域に、画素電極９ａと、ＴＦＴ３０と、蓄積容量７０とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４１】
走査線１１はＴＦＴ３０のゲート（ゲート電極３ａ、図４参照）に電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソース（データ線側ソースドレイン領域１ｄ、図４参照）に電気的に接続されている。画素電極９ａはＴＦＴ３０のドレイン（画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、図４参照）に電気的に接続されている。
【００４２】
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎが各画素Ｐに供給される。走査線１１は走査線駆動回路１０４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍが各画素Ｐに供給される。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。
【００４３】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極９ａに書き込まれる構成となっている。そして、画素電極９ａを介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極９ａと液晶層５０を介して対向配置された共通電極として機能する対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００４４】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリーク（劣化）するのを防止するため、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が接続されている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３００との間に設けられている。
【００４５】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では図示を省略している。
【００４６】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子（図示省略）が配置されて用いられる。
【００４７】
「液晶層のフロー」
次に、上述の駆動によって生じる液晶層５０のフロー（流動）に関して、図３を参照して説明する。図３は、液晶の配向状態を示す模式図であり、図１（ｂ）の破線で囲まれた領域Ｃに対応している。また、液晶５１の配向状態を分かりやすくするために、図３では液晶５１及び配向膜１８，２５以外の構成要素の図示が省略されている。また、電圧無印加時の液晶５１は実線で、電圧印加時の液晶５１は２点鎖線で図示されている。
【００４８】
電圧無印加時には、液晶５１は、配向膜１８，２５の膜面に対して略垂直方向に、詳しくはＺ方向に対して所定のプレチルトを有して配向している。電圧印加時には、液晶５１は、プレチルト方向５５，５６（図１（ａ）参照）に沿って、配向膜１８，２５の膜面に対して平行となる方向に、配向が変化する。液晶５１に印加される電圧は交流であり、１フレーム期間内に極性が正負逆転する。この交流波形に応じて、図中の矢印で示すように液晶５１の配向の方向が微小に揺らぐ。
すると、液晶層５０の中に、微小なフローが生じる。液晶層５０の中間の部分では、液晶分子（液晶５１）の重心を回転軸とした揺らぎとなるため、微小な流動（図中の＋γ、−γ）は相殺される。
【００４９】
一方、素子基板１０の液晶層５０と接する面（配向膜１８）及び対向基板２０の液晶層５０と接する面（配向膜２５）では、液晶分子の分子鎖の一方が配向膜１８，２５に固定されているため、配向膜１８，２５の界面を接点とした液晶５１の揺らぎが生じ、微小なフローが液晶５１の配向方向に現れる（図中の＋β、−β）。
【００５０】
具体的には、素子基板１０側ではプレチルト方向５５（図１（ａ）参照）に沿った液晶層５０のフロー（＋β）が生じ、対向基板２０側ではプレチルト方向５６（図１（ａ）参照）に沿った液晶層５０のフロー（−β）が生じる。この液晶層５０のフローは、素子基板１０側と対向基板２０側で逆方向となり、全体として相殺される。
このような現象は、特許文献１に記載されている。
【００５１】
液晶層５０には、液晶５１を充填する工程やシール材５２からの溶出などによって、どうしてもイオン性不純物５７（図７参照）が混入する。上述した液晶層５０のフローは、液晶層５０に混入したイオン性不純物５７を動かす力となる。すなわち、液晶層５０に混入したイオン性不純物５７は、素子基板１０の近傍ではプレチルト方向５５に沿って移動し、対向基板２０の近傍ではプレチルト方向５６に沿って移動する。その結果、イオン性不純物５７が、図１（ａ）に示す表示領域Ｅの右上コーナー部や左下コーナー部などに偏在（蓄積）するようになる。液晶層５０の中にイオン性不純物５７が多く混入し、通電によって表示領域Ｅの当該コーナー部へのイオン性不純物５７の蓄積が多くなると、表示領域Ｅの当該コーナー部に表示ムラが発生する。
【００５２】
「画素における素子基板の概要」
図４は相隣接する複数の画素の概略平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。図４では、図面を見やすくするために、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示が省略され、複数配置されている画素電極９ａの１つが図示され、他の画素電極９ａの図示が省略されている。
以下、図４及び図５を参照して、素子基板１０における画素Ｐの具体的な構成について説明する。
【００５３】
最初に、素子基板１０側における画素Ｐの概略構成を説明する。
図４において、Ｘ方向に沿って走査線１１が設けられ、Ｘ方向に延設された遮光領域７の一部が形成される。Ｙ方向に沿ってデータ線６ａが設けられ、Ｙ方向に延設された遮光領域７の一部が形成される。このように、走査線１１はＸ方向に沿って伸びており、データ線６ａは、走査線１１と交差するように、Ｙ方向に沿って伸びている。走査線１１は、下側遮光膜を兼ねる第１の走査線１１ａと、ゲート電極３ａ（ゲート）と一体的に形成された第２の走査線１１ｂとを含み、Ｘ方向に沿って二重配線されている。第１の走査線１１ａ及び第２の走査線１１ｂが二重配線されているため、走査線１１の電気的な抵抗を全体的に低くすることが可能となる。また、第１の走査線１１ａ及び第２の走査線１１ｂの一方に断線などの不具合が生じても、他方を冗長的に機能させることができるため、液晶装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００５４】
ＴＦＴ３０の少なくとも一部は、走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する領域に設けられている。ＴＦＴ３０への遮光性を確保するために、ＴＦＴ３０が設けられた領域（走査線１１とデータ線６ａとが交差した領域）で、遮光領域７の面積が他の部分と比べて大きくなっている。
【００５５】
画素電極９ａの周縁部は、遮光領域７と平面的に重なっている。すなわち、画素電極９ａの周縁部は、Ｙ方向において走査線１１と平面的に重なり、Ｘ方向においてデータ線６ａと平面的に重なっている。なお、遮光領域７と平面的に重なっていない画素電極９ａの領域、すなわち遮光領域７で囲まれた領域が、光を透過する透過領域８（光の変調領域）となる。
【００５６】
次に、素子基板１０の基材（素子基板本体１０ａ）に設けられた画素Ｐの積層構造について第１層から順に、説明する。
第１層には、導電性ポリシリコン、高融点金属、高融点金属シリサイドなどにより、例えば２００ｎｍの膜厚で第１の走査線１１ａが設けられている。第１の走査線１１ａは、図３に示すようにＸ方向に沿って伸びる部分と、該部分からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’と重なるようにＹ方向に沿って伸びる部分とを有している。
【００５７】
第１の走査線１１ａは、図４に示すように、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ（ソース）及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ（ドレイン）に対向する領域を含むように形成される。第１の走査線１１ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’を遮光しており、ＴＦＴ３０の下側に配置された遮光膜である。
第１の走査線１１ａは、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００５８】
図５において、第１層の第１の走査線１１ａと第２層のＴＦＴ３０とは、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁膜１２は、第１の走査線１１ａからＴＦＴ３０を絶縁する機能の他、素子基板１０の全面に形成されることにより、素子基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れなどでＴＦＴ３０の特性が劣化することを防止する機能を有する。なお、下地絶縁膜１２は、例えばＴＥＯＳ（珪酸エチル）膜を膜厚３００ｎｍ及びＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜を膜厚５０ｎｍで積層してなる２層構造を有する。
【００５９】
第２層には、ＴＦＴ３０の半導体膜１ａが設けられ、半導体膜１ａの上方にゲート絶縁膜２を介してゲート電極３ａが設けられている。
【００６０】
図４及び図５に示すように、半導体膜１ａは、例えばポリシリコンからなり、膜厚が５５ｎｍとして形成され、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。すなわち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。
【００６１】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法などによって半導体膜１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。なお、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよい。
【００６２】
図４及び図５において、ゲート電極３ａと一体的に第２の走査線１１ｂが、例えば導電性ポリシリコンとタングステンシリサイド（ＷＳｉ）とを夫々膜厚が６０ｎｍとして積層することにより形成される。第２の走査線１１ｂは、図３に示すように、平面的に見てチャネル領域１ａ’に重なってＹ方向に沿って伸びる部分がゲート電極３ａとして機能すると共に、Ｙ方向に沿って伸びる部分から第１の走査線１１ａに並走してＸ方向に伸びる部分を有している。
ゲート電極３ａ及び第２の走査線１１ｂは、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００６３】
第２の走査線１１ｂにおいて、第２の走査線１１ｂと一体的に形成されたゲート電極３ａは、ゲート絶縁膜２によって半導体膜１ａと絶縁される。本実施形態では、図４及び図５に示すように、下地絶縁膜１２において、半導体膜１ａの脇にはコンタクトホール８１０が開口される。ゲート電極３ａ（第２の走査線１１ｂ）は、コンタクトホール８１０内にまで連続的に形成されて第１の走査線１１ａと電気的に接続される。
【００６４】
図５において、ＴＦＴ３０より上層側には、第２層と第３層との間を層間絶縁する、層間絶縁膜４１が設けられる。層間絶縁膜４１は、例えば膜厚３００ｎｍのＴＥＯＳ膜により形成される。層間絶縁膜４１には、画素電極側ソースドレイン領域１ｅと蓄積容量７０の下部容量電極７１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８３が開口される。また、データ線側ソースドレイン領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８１も、開口される。
【００６５】
層間絶縁膜４１より上層側の第３層には、下部容量電極７１、下部容量電極７１と対向する上部容量電極３００ａ、及び下部容量電極７１と上部容量電極３００ａとで挟まれた誘電体膜７５が配置され、蓄積容量７０が形成される。
【００６６】
上部容量電極３００ａは、容量線３００と一体的に形成される。容量線３００は、例えば、膜厚が５０ｎｍ及び１００ｎｍの各々の窒化チタン（ＴｉＮ）膜で、膜厚が１５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜を挟持してなる３層構造を有する。容量線３００は、その詳細な構成については図示を省略してあるが、画素電極９ａが配置された表示領域Ｅからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持される。容量線３００は、図４において、半導体膜１ａ上において、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃと、画素電極側ソースドレイン領域１ｅとに重なるように、Ｙ方向に沿って伸びる部分と、該部分からＸ方向に沿って伸びる部分とを有し、下部容量電極７１と重なる領域が、上部容量電極３００ａとなる。よって、上部容量電極３００ａは固定電位に維持される、固定電位側容量電極として機能する。
容量線３００及び上部容量電極３００ａは、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００６７】
下部容量電極７１は、例えば膜厚が１００ｎｍとして導電性ポリシリコンにより形成される。下部容量電極７１は、図４において、Ｙ方向及びＸ方向の各々に、上部容量電極３００ａと重なるように伸びる部分を有する。そして、下部容量電極７１のＹ方向に伸びる部分は、画素電極側ソースドレイン領域１ｅと重なると共に、コンタクトホール８３を介して画素電極側ソースドレイン領域１ｅと電気的に接続される。また、下部容量電極７１のＸ方向に伸びる部分は、コンタクトホール８４を介して第４層の中継層９３と電気的に接続される。中継層９３は、コンタクトホール８５を介して第５層の中継層４０２と電気的に接続される。さらに、中継層４０２は、コンタクトホール８６を介して画素電極９ａと電気的に接続される。従って、下部容量電極７１は、画素電位に維持される画素電位側容量電極として機能する。
【００６８】
誘電体膜７５は、例えば膜厚が４ｎｍのＨＴＯ膜及び膜厚が１５ｎｍ窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を積層してなる２層構造を有している。
【００６９】
図５において、蓄積容量７０より上層側には、第３層と第４層との間を層間絶縁する層間絶縁膜４２が、例えば膜厚が４００ｎｍのＴＥＯＳ膜により形成される。コンタクトホール８４は、層間絶縁膜４２を貫通して、下部容量電極７１の表面に達するように開口され、コンタクトホール８１は、層間絶縁膜４２及び４１、さらにはゲート絶縁膜２を貫通して開口され、半導体膜１ａの表面に達する。
【００７０】
図４及び図５において、第４層には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられる。図５において、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、半導体膜１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄと電気的に接続される。また、中継層９３は、コンタクトホール８４を介して下部容量電極７１と電気的に接続される。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚が３５０ｎｍのＡｌ膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜がこの順に積層された４層構造を有する。
データ線６ａ及び中継層９３は、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００７１】
図５において、データ線６ａ及び中継層９３より上層側には、第４層と第５層との間を層間絶縁する層間絶縁膜４３が、例えば膜厚が６００ｎｍのＴＥＯＳ膜により形成される。コンタクトホール８５は、層間絶縁膜４３を貫通して開口され、中継層９３の表面に達する。なお、好ましくは、層間絶縁膜４３の表面に対して、例えばＣＭＰ（化学的機械的研磨）法などによる平坦化処理が行われる。
【００７２】
第５層には、シールド層４００及び中継層４０２が設けられる。図４において、シールド層４００は、データ線６ａと同方向即ちＹ方向に沿って延設され、データ線６ａを覆うように形成されている。半導体膜１ａにおいてチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに対向する領域に、データ線６ａ及びシールド層４００が形成されている。よって、半導体膜１ａに対して上層側から進入する光を、データ線６ａ及びシールド層４００によって遮光することが可能となる。
【００７３】
このシールド層４００は、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。シールド層４００には、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源が接続されている。すなわち対向電極２１と同じ電位が供給されている。なお、定電位源としては、データ線駆動回路１０１に供給される正電源や負電源の定電位源でもよい。このように、データ線６ａを覆うように形成され、固定電位とされたシールド層４００によって、データ線６ａと画素電極９ａとの間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。
シールド層４００は、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００７４】
また、図５において、中継層４０２は好ましくはシールド層４００と同一膜により形成され、既に説明したように、画素電極９ａと電気的に接続され、画素電極９ａ及び中継層９３間の電気的接続を中継する。シールド層４００及び中継層４０２は、例えば膜厚が３５０ｎｍのＡｌ膜及び膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜を積層してなる２層構造を有する。
中継層４０２は、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００７５】
図５において、シールド層４００及び中継層４０２より上層側には、第５層及び第６層間を層間絶縁する層間絶縁膜４４が、例えば膜厚が６００ｎｍのＴＥＯＳ膜及び膜厚が７５ｎｍのＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）膜よりなる２層構造により、形成される。コンタクトホール８６は、層間絶縁膜４４を貫通して開口され、中継層４０２の表面に達する。層間絶縁膜４４には、平坦な表面を有するように平坦化処理が施されている。
【００７６】
図４及び図５において、第６層には、画素電極９ａ及び配向膜１８が形成される。画素電極９ａは、層間絶縁膜４４に接して形成され、ＩＴＯなどの透明導電材料で構成されている。配向膜１８は、表示領域Ｅの全域を覆い、上述した酸化シリコンなどの無機配向膜で構成されている。図５に示すように、画素電極９ａは、中継層４０２及び中継層９３と、下部容量電極７１とによって、コンタクトホール８３，８４，８５，８６を介して中継されつつ、半導体膜１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００７７】
「遮光領域」
上述したように、遮光領域７は、素子基板１０側に形成された遮光材料によって形成される。具体的には、遮光領域７は、第１の走査線１１ａと、ゲート電極３ａと、第２の走査線１１ｂと、容量線３００と、上部容量電極３００ａと、データ線６ａと、中継層９３と、中継層４０２と、シールド層４００とを構成要素として形成される。
【００７８】
図４に示すように、遮光領域７のＸ方向に伸びた部分は、主に走査線１１（第１の走査線１１ａ、第２の走査線１１ｂ）と容量線３００とで構成され、遮光領域７のＹ方向に伸びた部分は、主にデータ線６ａとシールド層４００とで構成される。
遮光領域７のＸ方向に伸びた部分と遮光領域７のＹ方向に伸びた部分とが交差した部分には、ＴＦＴ３０が配置され、ＴＦＴ３０への光の入射を遮るために、遮光領域７が広くなっている。以降、遮光領域７のＸ方向に伸びた部分と遮光領域７のＹ方向に伸びた部分とが交差した部分の広くなった遮光領域７を、「ＴＦＴ３０が配置された部分の遮光領域７」と称す。さらに、遮光領域７のＸ方向に伸びた部分は、データ線６ａと隣り合うデータ線６ａとの間の中間付近に配置された中継層９３と中継層４０２とによってＹ方向に突出し、遮光領域７が広くなっている。以降、中継層９３と中継層４０２とによって広くなった遮光領域７を、「中継層９３と中継層４０２とが配置された部分の遮光領域７」と称す。
【００７９】
このように、Ｘ方向において、ＴＦＴ３０が配置された部分の遮光領域７と、中継層９３と中継層４０２とが配置された部分の遮光領域７とで、遮光領域７の巾（Ｙ方向の長さ）が大きくなっている。また、Ｙ方向において、ＴＦＴ３０が配置された部分の遮光領域７で、遮光領域７の巾（Ｘ方向の長さ）が大きくなっている。
【００８０】
なお、遮光領域７は、対向基板２０側に形成された遮光層を含んでいてもよい。例えば、見切り部５３を形成する工程と同じ工程で、対向基板２０側からＴＦＴ３０に入射する光を遮る遮光層を対向基板２０の表示領域Ｅに形成し、当該遮光層を遮光領域７の構成要素の一つとしてもよい。
【００８１】
「絶縁膜の概要」
図６は、対向基板に設けられた絶縁膜の形状と配置位置とを示す概略平面図である。図６は、図４に対応しており、絶縁膜２６と遮光領域７とが図示され、他の構成要素の図示は省略されている。
次に、図５及び図６を参照して、対向基板２０の特徴点である絶縁膜２６の概要を説明する。
【００８２】
図５に示すように、対向基板２０の基材（対向基板本体２０ａ）には、誘電体膜２２、対向電極２１、絶縁膜２６及び配向膜２５が順に積層されている。上述したように、本発明の特徴をなす絶縁膜２６は、酸化シリコンなどの透光性の無機絶縁材料からなり、公知技術を用いてパターニングされ、対向電極２１と配向膜２５との間の遮光領域７に配置される。
【００８３】
図６に示すように、絶縁膜２６は、Ｘ方向に伸びた部分とＹ方向に伸びた部分とを有し、Ｘ方向に伸びた部分とＹ方向に伸びた部分とは、互いに交差している。すなわち、絶縁膜２６は、格子形状を有し、遮光領域７における対向電極２１の少なくとも一部を覆うように配置されている。
【００８４】
「イオン性不純物の挙動」
図７は、図６のＭ−Ｍ’線に沿った模式断面図である。図７は、対向電極２１と画素電極９ａとの間に電圧を印加した時の、対向基板２０の近傍におけるイオン性不純物５７の移動の状態を模式的に示している。
図７では、対向基板２０の近傍におけるイオン性不純物５７の動き及び液晶層５０のフローを分かりやすくするために、対向電極２１の下地膜（誘電体膜２２）と画素電極９ａの下地膜（層間絶縁膜４４）との間の構成要素が図示され、他の構成要素の図示は省略されている。
【００８５】
上述したように、液晶装置１００を駆動すると、対向電極２１の近傍においてプレチルト方向５６に沿った液晶層５０のフロー（−β）が生じる。この液晶層５０のフロー（−β）によって、対向基板２０の近傍で液晶層５０の中に混入したイオン性不純物５７が移動する。以下、図７を参照して、対向基板２０の近傍におけるイオン性不純物５７の挙動（移動）を説明する。
【００８６】
対向電極２１の絶縁膜２６が配置されていない部分では、対向電極２１と画素電極９ａとの間に電圧が印加されると、対向電極２１と画素電極９ａとの間で発生する電界の方向に対応して、配向膜２５の膜面に対して平行方向に倒れるように、液晶５１の配向方向が変化する。すなわち、液晶５１は、液晶層５０のフロー（−β）の方向（プレチルト方向５６（図１（ａ）参照））に傾斜する。
【００８７】
液晶５１が、液晶層５０のフロー（−β）の方向に傾斜した領域では、液晶層５０のフロー（−β）が抑制（阻害）されにくく、液晶層５０のフロー（−β）の方向にイオン性不純物５７が移動する。従って、対向電極２１の絶縁膜２６が配置されていない部分では、液晶５１が液晶層５０のフロー（−β）の方向に傾斜しているので、液晶層５０のフロー（−β）の方向にイオン性不純物５７が移動する。
【００８８】
対向電極２１の絶縁膜２６が配置されている部分では、対向電極２１が絶縁膜２６で覆われているため、対向電極２１と画素電極９ａとの間で発生する電界の影響が弱くなっている。このため、液晶５１は、対向電極２１と画素電極９ａとの間の電界の影響を受けにくく、対向電極２１と画素電極９ａとの間に電圧が印加されていないときの配向状態、すなわち配向膜２５に対して略垂直な方向の配向（初期配向状態）となる。換言すれば、対向電極２１の絶縁膜２６が配置されている部分の近傍では、液晶５１（液晶分子）が液晶層５０のフロー（−β）の方向に対して交差する方向、すなわち液晶層５０のフロー（−β）を抑制する方向に配向しているので、液晶層５０のフロー（−β）が抑制され、イオン性不純物５７が移動しにくくなっている。
【００８９】
本実施形態に係る液晶装置１００では、絶縁膜２６によって、対向基板２０の近傍における液晶層５０のフロー（−β）が抑制され、液晶層５０のフロー（−β）の方向、すなわちプレチルト方向５６に沿った方向へのイオン性不純物５７の移動が抑制される。イオン性不純物５７の移動や特定箇所への偏在が抑制されるので、イオン性不純物５７による表示上の不具合（表示ムラ、焼き付きなど）が発生しにくくなる。
【００９０】
対向電極２１の絶縁膜２６が配置されている部分の近傍の液晶５１は、対向電極２１の絶縁膜２６が配置されてない部分の近傍の液晶５１と異なる配向状態を有するが、遮光領域７によって隠されているので、表示に悪影響を及ぶすことはない。すなわち、遮光領域７に絶縁膜２６を配置することによって、絶縁膜２６の表示への悪影響を回避しつつ、イオン性不純物５７による表示上の不具合（表示ムラ、焼き付きなど）を抑制することができる。
【００９１】
以上述べたように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、以下の効果を得ることができる。
【００９２】
（１）遮光領域７において、対向電極２１の少なくとも一部は絶縁膜２６で覆われ、対向電極２１と画素電極９ａとの間の電界が弱くなる。このため、対向電極２１の絶縁膜２６が配置されている部分の近傍の液晶５１は、対向電極２１と画素電極９ａとの間に電圧が印加されていないときの配向状態、すなわち液晶層５０のフロー（−β）の方向に対して交差する方向の配向状態を有し、液晶層５０のフロー（−β）を抑制（阻害）する。対向電極２１の絶縁膜２６が配置されている部分の近傍では、液晶層５０のフロー（−β）が抑制されているので、イオン性不純物５７が移動しにくくなる。その結果、イオン性不純物５７の移動や特定箇所への偏在が抑制され、イオン性不純物５７による表示上の不具合（表示ムラ、焼き付きなど）が発生しにくくなる。従って、通電（駆動）による表示品位の劣化が抑制され、高い信頼性の液晶装置１００を提供することができる。
【００９３】
（２）対向電極２１の絶縁膜２６が配置されている部分の近傍の液晶５１は、対向電極２１の絶縁膜２６が配置されてない部分の近傍の液晶５１と異なる配向状態を有するが、遮光領域７によって隠されているので、表示に悪影響を及ぶすことが抑制される。
【００９４】
（実施形態２）
図８は、実施形態２に係る絶縁膜の形状と配置位置とを示す概略平面図である。図８は、図６に対応しており、絶縁膜２６と遮光領域７とが図示され、他の構成要素の図示は省略されている。
以下、図８を参照して、本実施形態に係る液晶装置を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【００９５】
本実施形態に係る液晶装置では、絶縁膜２６の形状が、実施形態１に係る絶縁膜２６の形状と異なっている。具体的には、ＴＦＴ３０が配置された部分の遮光領域７で、絶縁膜２６が広くなっている点が実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
【００９６】
「絶縁膜の概要」
図８に示すように、絶縁膜２６は、絶縁膜２６ａと、絶縁膜２６ｂと、絶縁膜２６ｃとで構成される。
絶縁膜２６ｂは、主にデータ線６ａやシール層４００など構成されたＹ方向に伸びた部分の遮光領域７に配置される。絶縁膜２６ｂの巾（Ｘ方向の長さ）は、データ線６ａの巾（Ｘ方向の長さ）よりも小さくなっている。
絶縁膜２６ｃは、主に走査線１１や容量線３００などで構成されたＸ方向に伸びた部分の遮光領域７に配置される。絶縁膜２６ｃの巾（Ｙ方向の長さ）は、走査線１１の巾（Ｙ方向の長さ）よりも小さくなっている。
絶縁膜２６ａは、ＴＦＴ３０が配置された部分の遮光領域７に配置される。絶縁膜２６ａのＸ方向の長さは、絶縁膜２６ｂのＸ方向の長さよりも大きい。絶縁膜２６ａのＹ方向の長さは、絶縁膜２６ｃのＹ方向の長さよりも大きい。このように、絶縁膜２６は、ＴＦＴ３０が配置された部分の遮光領域７で広くなっている。
【００９７】
なお、絶縁膜２６ｃは本発明における「第１の方向に伸びている第１部分」の一例であり、絶縁膜２６ｂは本発明における「第２の方向に伸びている第２部分」の一例であり、絶縁膜２６ａは本発明における「第１部分と第２部分とが交差した交差部分」の一例である。
【００９８】
本実施形態では、ＴＦＴ３０が配置された部分の遮光領域７で絶縁膜２６が広くなっているので、絶縁膜２６の面積は、実施形態１と比べて本実施形態の方が大きい。すなわち、液晶層５０のフロー（−β）を抑制する部分の面積は、実施形態１と比べて本実施形態の方が大きい。従って、本実施形態では、実施形態１と比べて、液晶層５０のフロー（−β）とイオン性不純物５７の移動とをより強く抑制することができる。
【００９９】
（実施形態３）
図９は、実施形態３に係る絶縁膜の形状と配置位置とを示す概略平面図である。図９は、図８に対応しており、絶縁膜２６と遮光領域７とが図示され、他の構成要素の図示が省略されている。
以下、図９を参照して、本実施形態に係る液晶装置を、実施形態２との相違点を中心に説明する。また、実施形態２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【０１００】
本実施形態に係る液晶装置では、絶縁膜２６の形状が、実施形態２に係る絶縁膜２６の形状と異なっている。具体的には、中継層９３と中継層４０２とが配置された部分の遮光領域７で、絶縁膜２６が広くなっている点が実施形態２と異なり、他の構成は実施形態２と同じである。
【０１０１】
「絶縁膜の概要」
図９に示すように、本実施形態の係る絶縁膜２６は、絶縁膜２６ａと、絶縁膜２６ｂと、絶縁膜２６ｃとで構成される。さらに、絶縁膜２６ｃは、絶縁膜２６ｃ−１と絶縁膜２６ｃ−２とで構成される。
【０１０２】
上述したように、絶縁膜２６ｃは、主に走査線１１や容量線３００などで構成されたＸ方向に伸びた部分の遮光領域７に配置される。さらに、Ｘ方向に伸びた部分の遮光領域７は、走査線１１とデータ線６ａとが交差した部分と、中継層９３と中継層４０２とが配置された部分とで広くなっている。
【０１０３】
絶縁膜２６ｃ−１は、走査線１１や容量線３００などで構成された部分の遮光領域７に配置される。絶縁膜２６ｃ−２は、中継層９３と中継層４０２とが配置された部分の遮光領域７に配置される。Ｘ方向において、絶縁膜２６ｃ−２の巾（Ｙ方向の長さ）は、絶縁膜２６ｃ−１の巾（Ｙ方向の長さ）よりも大きくなっている。このように、絶縁膜２６ｃは、中継層９３と中継層４０２とが配置された部分の遮光領域７で広くなっている。
【０１０４】
本実施形態では、中継層９３と中継層４０２とが配置された部分の遮光領域７で絶縁膜２６が広くなっているので、絶縁膜２６の面積は、実施形態２と比べて本実施形態の方が大きい。すなわち、液晶層５０のフロー（−β）を抑制する部分の面積は、実施形態２と比べて本実施形態の方が大きい。従って、本実施形態では、実施形態２と比べて、液晶層５０のフロー（−β）とイオン性不純物５７の移動とをより強く抑制することができる。
このように、遮光領域７の形状に対応して、絶縁膜２６の形状を変化させ、絶縁膜２６、すなわち液晶層のフロー（−β）を抑制する部分を、より大面積化することが好ましい。
【０１０５】
（実施形態４）
図１０及び図１１は、実施形態４に係る絶縁膜の形状と配置位置とを示す概略平面図である。図１０及び図１１では、絶縁膜の構成を分かりやすくするために、絶縁膜と画素電極９ａとが図示され、他の構成要素の図示は省略されている。また、図１０及び図１１は、複数配置された画素電極９ａの中の４つの画素電極９ａ１，９ａ２，９ａ３，９ａ４が図示され、他の画素電極９ａの図示は省略されている。
【０１０６】
本実施形態に係る液晶装置では、対向電極２１と配向膜２５との間に配置された絶縁膜の形状が、実施形態１と異なり、他の構成は実施形態１と同じである。
まず、図１０を参照して、液晶層５０のフロー（−β）を抑制する構成要素である絶縁膜の好適例を説明する。
【０１０７】
複数配置された画素電極９ａは、第１の画素電極９ａ１と、第１の画素電極９ａ１に対してＸ方向に隣り合う第２の画素電極９ａ２と、第１の画素電極９ａ１に対してＹ方向に隣り合う第３の画素電極９ａ３と、第２の画素電極９ａ２に対してＹ方向に隣り合う第４の画素電極９ａ４とで構成される。すなわち、表示領域Ｅには、第１の画素電極９ａ１と、第２の画素電極９ａ２と、第３の画素電極９ａ３と、第４の画素電極９ａ４とが配置されている。
【０１０８】
図１０（ａ）では、絶縁膜は、Ｘ方向に伸びた絶縁膜２８ａがＹ方向に配列された横ストライプ形状となっている。絶縁膜２８ａの少なくとも一部は、第１の画素電極９ａ１と第３の画素電極９ａ３との間の領域、及び第２の画素電極９ａ２と第４の画素電極９ａ４との間の領域に対向して配置される。なお、第１の画素電極９ａ１と第３の画素電極９ａ３との間の領域、及び第２の画素電極９ａ２と第４の画素電極９ａ４との間の領域は、Ｘ方向に伸びた遮光領域７（図４参照）に対応する。換言すれば、絶縁膜２８ａは、Ｘ方向に伸びた遮光領域７に配置される。
【０１０９】
図１０（ｂ）では、絶縁膜は、Ｙ方向に伸びた絶縁膜２８ｂがＸ方向に配列された縦ストライプ形状となっている。絶縁膜２８ｂの少なくとも一部は、第１の画素電極９ａ１と第２の画素電極９ａ２との間の領域、及び第３の画素電極９ａ３と第４の画素電極９ａ４との間の領域に対向して配置される。なお、第１の画素電極９ａ１と第２の画素電極９ａ２との間の領域、及び第３の画素電極９ａ３と第４の画素電極９ａ４との間の領域は、Ｙ方向に伸びた遮光領域７（図４参照）に対応する。換言すれば、絶縁膜２８ｂは、Ｙ方向に伸びた遮光領域７に配置される。
【０１１０】
なお、実施形態１に係る絶縁膜２６は、Ｘ方向に伸びた部分とＹ方向に伸びた部分とが交差した格子形状となっている（図６参照）。実施形態１に係る絶縁膜２６の少なくとも一部は、第１の画素電極９ａ１と第３の画素電極９ａ３との間の領域及び第２の画素電極９ａ２と第４の画素電極９ａ４との間の領域、並びに第１の画素電極９ａ１と第２の画素電極９ａ２との間の領域及び第３の画素電極９ａ３と第４の画素電極９ａ４との間の領域に、対向して配置されている。換言すれば、実施形態１に係る絶縁膜２６は、Ｘ方向に伸びた遮光領域７とＹ方向に伸びた遮光領域７とに配置される。
このように、絶縁膜２６，２８ａ，２８ｂは、Ｘ方向及びＹ方向のうち少なくとも一方の方向に伸びている構成を有している。そして、絶縁膜２６，２８ａ，２８ｂは、Ｘ方向に伸びた遮光領域７及びＹ方向に伸びた遮光領域７の内少なくとも一方に配置されていれる。
【０１１１】
絶縁膜２８ａと絶縁膜２８ｂとは、実施形態１と比べて、絶縁膜の面積が小さく、液晶層５０のフロー（−β）を抑制する力が弱くなっているが、イオン性不純物５７の移動や偏在などを抑制し、イオン性不純物５７による表示上の不具合を発生しにくくするという効果を有している。液晶層５０に含まれるイオン性不純物５７の量が少なければ、このような絶縁膜２８ａ，２８ｂの配置であっても十分に効果を奏する。
【０１１２】
次に、図１１を参照して、液晶層５０のフロー（−β）を抑制する構成要素である絶縁膜の他の好適例を説明する。
図１１に示す絶縁膜２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄは、遮光領域７においてそれぞれ島状に配置される。
【０１１３】
図１１（ａ）に示すように、絶縁膜２９ａは、Ｘ方向に伸びた部分とＹ方向に伸びた部分とが交差した十字形状となっている。絶縁膜２９ａのＸ方向に伸びた部分とＹ方向に伸びた部分とが交差した部分の少なくとも一部は、第１の画素電極９ａ１と第４の画素電極９ａ４との間の領域に対向して配置される。
【０１１４】
図１１（ｂ）に示すように、絶縁膜２９ｂは、Ｘ方向に伸びた矩形状となっている。絶縁膜２９ｂの少なくとも一部は、第１の画素電極９ａ１と第３の画素電極９ａ３との間の領域、及び第２の画素電極９ａ２と第４の画素電極９ａ４との間の領域に対向して配置される。
【０１１５】
図１１（ｃ）に示すように、絶縁膜２９ｃは、Ｙ方向に伸びた矩形状となっている。絶縁膜２９ｃの少なくとも一部は、第１の画素電極９ａ１と第２の画素電極９ａ２との間の領域、及び第３の画素電極９ａ３と第４の画素電極９ａ４との間の領域に対向して配置される。
【０１１６】
図１１（ｄ）に示すように、絶縁膜２９ｄは、Ｘ方向に伸びた部分とＹ方向に伸びた部分とが交差したＬ字形状となっている。絶縁膜２９ｄのＸ方向に伸びた部分の少なくとも一部は、第１の画素電極９ａ１と第３の画素電極９ａ３との間の領域、及び第２の画素電極９ａ２と第４の画素電極９ａ４との間の領域に対向して配置される。絶縁膜２９ｄのＹ方向に伸びた部分少なくとも一部は、第１の画素電極９ａ１と第２の画素電極９ａ２との間の領域、及び第３の画素電極９ａ３と第４の画素電極９ａ４との間の領域に、対向して配置される。絶縁膜２９ｄのＸ方向に伸びた部分とＹ方向に伸びた部分とが交差した部分の少なくとも一部は、第１の画素電極９ａ１と第４の画素電極９ａ４との間の領域に対向して配置される。
【０１１７】
絶縁膜２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄは、実施形態１と比べて絶縁膜の面積が小さいが、イオン性不純物５７の移動や偏在などを抑制し、イオン性不純物５７による表示上の不具合を発生しにくくするという効果を有している。液晶層５０に含まれるイオン性不純物５７の量が少なければ、このような絶縁膜２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄの配置であっても十分に効果を奏する。
【０１１８】
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について図１２を参照して説明する。図１２は電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の構成を示す概略図である。
【０１１９】
図１１に示すように、電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１２０】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１２１】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１２２】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１２３】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１２４】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した実施形態１乃至実施形態４の液晶装置のうちのいずれかが適用されたものである。液晶ライトバルブ１２１０は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１２５】
このような投射型表示装置１０００は、実施形態１乃至実施形態４のいずれかの液晶装置を備え、通電による表示ムラが低減され、優れた表示品位と高い信頼性とが実現されている。
【０１２６】
また、電子機器としては、投射型表示装置１０００の他に、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器に、本発明に係る液晶装置を適用させることができる。
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置および該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１２７】
（変形例１）例えば、図８で示した絶縁膜２６のうち、絶縁膜２６ａの対向基板２０における高さを他の絶縁膜２６ｂ，２６ｃの高さよりも高くしてもよい。これにより、プレチルト方向５６へのイオン性不純物５７の移動をより抑制可能である。また、絶縁膜２６ａの対向基板２０における高さを他の絶縁膜２６ｂ，２６ｃの高さよりも低くしてもよい。
【符号の説明】
【０１２８】
１ａ…半導体膜、１ａ’…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、２…ゲート絶縁膜、３ａ…ゲート電極、６ａ…データ線、７…遮光領域、８…透過領域、９ａ…画素電極、１０…素子基板、１０ａ…素子基板本体、１１…走査線、１１ａ…第１の走査線、１１ｂ…第２の走査線、１２…下地絶縁膜、１８，２５…配向膜、２０…対向基板、２０ａ…対向基板本体、２１…対向電極、２２…誘電体膜、２６，２６ａ，２６ｂ，２６ｃ，２６ｃ−１，２６ｃ−２、２８ａ，２８ｂ，２９ａ，２９ｂ，２９ｃ，２９ｄ…絶縁膜、３０…ＴＦＴ、４１，４２，４３，４４…層間絶縁膜、５０…液晶層、５１…液晶、５２…シール材、５３…見切り部、５５，５６…プレチルト方向、５７…イオン性不純物、７０…蓄積容量、７１…下部容量電極、７５…誘電体膜、８１，８３，８４，８５，８６…コンタクトホール、９３，４０２…中継層，１００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部接続用端子、１０３…検査回路、１０４…走査線駆動回路、１０５…配線、１０６…上下導通部、３００…容量線、３００ａ…上部容量電極、４００…シールド層、８１０…コンタクトホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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