(57)【要約】  【課題】  焼き付きの発生を低減し、表示品位の低下を抑制できる液晶表示装置を提供することである。  【解決手段】  液晶表示装置は、第１基板および第２基板と、複数のゲート配線および複数のソース配線を覆うように第２基板の主面上に配置された平坦化膜と、複数のゲート配線および複数のソース配線によって囲まれた画素に対応する平坦化膜上に配置された共通電極と、共通電極上に層間絶縁膜を介して配置された信号電極227と、信号電極227を覆うように層間絶縁膜上に配置された、Ｘ方向に配向処理された第２配向膜と、第１配向膜および第２配向膜の間に配置された液晶層とを備え、層間絶縁膜上に、信号電極227に接続されて信号電極227の延在方向に沿って配列した、Ｘ方向と直交するＹ方向へ信号電極227よりも突出する複数の凸状電極227ａが配置されていることを特徴とする。【選択図】  図５
2014122936.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板の前記主面上に配置された第１配向膜と、前記第２基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に配置された第１絶縁膜と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた画素に対応する前記第１絶縁膜上に配置された第１表示電極と、該第１表示電極上に第２絶縁膜を介して配置された第２表示電極と、該第２表示電極を覆うように前記第２絶縁膜上に配置された、第１方向に配向処理された第２配向膜と、前記第１配向膜および前記第２配向膜の間に配置された液晶層とを備え、
前記第２表示電極は、前記第１方向に延在または前記第１方向に対し斜めに延在しており、
前記第２絶縁膜上に、前記第２表示電極に接続されて該第２表示電極の延在方向に沿って配列した、前記第１方向と直交する第２方向へ前記第２表示電極よりも突出する複数の凸状電極が配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
複数の前記第２表示電極は前記第２方向に沿って配列しており、
複数の前記凸状電極の配列ピッチは、複数の前記第２表示電極の配列ピッチに比べて小さい請求項１に記載の液晶表示装置。
【請求項３】
複数の前記凸状電極の前記第１方向における幅は、複数の前記第２表示電極の前記第２方向における幅に比べて小さい請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、携帯電話、デジタルカメラ、携帯ゲーム機または携帯情報端末などの様々な用途に用いられる液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置は、互いに対向配置させた一対の基板と、これら一対の基板間に設けられた液晶層とを備える。
【０００３】
このような液晶表示装置では、一対の基板のうち一方の基板上には複数のゲート配線および複数のソース配線が互いに交差するように設けられており、複数のゲート配線および複数のソース配線を覆うように平坦化膜が設けられている。また、この平坦化膜上であって、複数のゲート配線および複数のソース配線によって囲まれた画素には共通電極が設けられており、この共通電極上には絶縁膜を介して複数の信号電極が設けられている。さらに、この絶縁膜上には複数の信号電極を覆うように配向膜が設けられている。（例えば、特許文献１参照）。また、配向膜にはラビング処理などの配向処理が行なわれており、この配向処理によって配向膜の表面近傍に位置する液晶分子の初期配向方向が設定される。
【０００４】
このような液晶表示装置では、一方の基板上に設けられた信号電極および共通電極に対し電圧を印加することで、信号電極と共通電極との間で電界を発生させ、この電界によって液晶層中の液晶分子の配向を制御して、広視野角化を実現させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００７−２２６１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記の液晶表示装置では、同じ画像を長時間表示すると、次の画像へ切り替えても前の画像が薄らと表示される（いわゆる焼き付きと呼ばれる）現象が発生し、表示品位が低下する可能性があるという問題点があった。
【０００７】
なお、この焼き付きの原因としては、信号電極と共通電極との間で繰り返し電界を発生させることによって配向膜と液晶層との間に電荷が溜まってしまうこと、および液晶分子に対する配向膜の配向規制力が低下してしまうことが考えられている。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、焼き付きの発生を低減し、表示品位の低下を抑制することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る液晶表示装置は、主面同士を対向させて配置された第１基板および第２基板と、前記第１基板の前記主面上に配置された第１配向膜と、前記第２基板の前記主面上に配置された複数のゲート配線と、複数の該ゲート配線に交差するように前記第２基板の前記主面上に配置された複数のソース配線と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線を覆うように前記第２基板の前記主面上に配置された第１絶縁膜と、複数の前記ゲート配線および複数の前記ソース配線によって囲まれた画素に対応する前記第１絶縁膜上に配置された第１表示電極と、該第１表示電極上に第２絶縁膜を介して配置された第２表示電極と、該第２表示電極を覆うように前記第２絶縁膜上に配置された、第１方向に配向処理された第２配向膜と、前記第１配向膜および前記第２配向膜の間に配置された液晶層とを備え、前記第２表示電極は、前記第１方向に延在または前記第１方向に対し斜めに延在しており、前記第２絶縁膜上に、前記第２表示電極に接続されて該第２表示電極の延在方向に沿って配列した、前記第１方向と直交する第２方向へ前記第２表示電極よりも突出する複数の凸状電極が配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る液晶表示装置によれば、焼き付きの発生を低減し、表示品位の低下を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態における液晶表示装置を表す平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿った断面図である。
【図３】第２基板上の配線、電極および薄膜トランジスタを表す平面図である。
【図４】図３のII−II線に沿った液晶表示装置の断面図である。
【図５】信号電極および凸状電極を示した拡大平面図である。
【図６】図５のIII−III線に沿った断面図である。
【図７】本発明の第２の実施形態における液晶表示装置を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［第１の実施形態］
本発明の第１の実施形態における液晶表示装置１について、図１〜図６を参照しながら説明する。
【００１３】
液晶表示装置１は、液晶パネル２と、液晶パネル２に向けて光を出射する光源装置３と、液晶パネル２上に配置される第１偏光板４と、液晶パネル２と光源装置３との間に配置される第２偏光板５とを備えている。
【００１４】
液晶パネル２では、第１基板21と第２基板22とが対向配置され、第１基板21と第２基板22との間に液晶層23が設けられているとともに、この液晶層23を取り囲むように第１基板21と第２基板22とを接合するシール材24が設けられている。
【００１５】
第１基板21は、画像表示の際に表示面として用いられる第１主面21ａと、第１主面21ａとは反対側に位置する第２主面21ｂとを有している。第１基板21は、例えばガラス、プラスチックなどの透光性を有する材料によって形成される。
【００１６】
第１基板21の第２主面21ｂ上には、遮光膜211、カラーフィルタ212および第１配向膜213が設けられている。
【００１７】
遮光膜211は光を遮る機能を有する。遮光膜211は、第１基板21の第２主面21ｂ上に設けられている。また。遮光膜211は、画素Ｐの外周に沿って格子状に設けられており、すな
わち、ゲート配線221およびソース配線223に平面視して重なるように設けられている。なお、本実施形態における遮光膜211は第２主面21ｂ上に格子状に形成されているが、これ
には限られない。遮光膜211の材料は、例えば、遮光性の高い色（例えば黒色）の染料も
しくは顔料が添加された樹脂、またはクロムなどの金属が挙げられる。
【００１８】
カラーフィルタ212は、可視光のうち特定の波長光のみを透過させる機能を有する。複
数のカラーフィルタ212は、第１基板21の第２主面21ｂ上に位置しており、画素Ｐ毎に設
けられている。各カラーフィルタ212は、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）および青（Ｂ）のいずれか
の色を有している。また、カラーフィルタ212は、上記の色に限られず、例えば、黄色（
Ｙ）、白（Ｗ）などの色を有してもよい。カラーフィルタ212の材料としては、例えば染
料または顔料を添加した樹脂が挙げられる。
【００１９】
第１配向膜213は液晶層23中の液晶分子の配向を制御する機能を有する。第１配向膜213は、遮光膜211およびカラーフィルタ212を覆うように第１基板21の第２主面21ｂ上に設けられている。第１配向膜213の材料はポリイミド樹脂などの樹脂が挙げられる。
【００２０】
また、第１配向膜213には配向処理が行なわれている。この配向処理によって、第１配
向膜213の表面近傍に位置する液晶分子の初期配向方向（電界の非印加状態での配向方向
）を設定できる。なお、本実施形態における第１配向膜213の初期配向方向は、第２配向
膜229の初期配向方向と同じ方向（Ｘ方向）に設定されているが、これには限られない。
【００２１】
配向処理としては、例えばラビング布を用いたラビング処理が挙げられるが、これには限定されず、例えば紫外光を用いた光配向処理などでもよい。
【００２２】
第２基板22は、第１基板21の第２主面21ｂに対向する第１主面22ａと、第１主面22ａの反対側に位置する第２主面22ｂとを有している。第２基板22は第１基板21と同様の材料で形成できる。
【００２３】
第２基板22の第１主面22ａ上には、複数のゲート配線221が設けられており、複数のゲ
ート配線221を覆うようにゲート絶縁膜222が設けられている。このゲート絶縁膜222上に
は複数のソース配線223が設けられているとともに、複数のソース配線223を覆うように平坦化膜224が設けられている。また、平坦化膜224上には共通電極225が設けられている。
この共通電極225を覆うように平坦化膜224上には層間絶縁膜226が設けられており、この
層間絶縁膜226上には複数の信号電極227が設けられている。また、複数の信号電極227を
覆うように層間絶縁膜226上には第２配向膜229が設けられている。
【００２４】
ゲート配線221は、駆動ＩＣ（図示せず）から供給される電圧を薄膜トランジスタTFTに印加する機能を有する。図３に示すように、複数のゲート配線221はＹ方向に沿って配列
されている。また、ゲート配線221は線状であって、Ｘ方向に沿って延在している。
【００２５】
ゲート配線221は、導電性を有する材料によって形成され、例えば、アルミニウム、モ
リブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金によって形成される。
【００２６】
なお、ゲート配線221は例えば下記方法によって形成される。
【００２７】
まず、スパッタリング法、蒸着法または化学気相成長法によって、金属材料を第２基板22の第１主面22ａ上に金属膜として形成する。この金属膜の表面に対して感光性樹脂を塗布し、塗布した感光性樹脂に対して露光処理および現像処理を行なうことで、感光性樹脂に所望の形状のパターンを形成する。次いで、金属膜をエッチング液でエッチングして、金属膜を所望の形状にした後、塗布した感光性樹脂を剥離する。このように、金属材料を成膜およびパターニングすることでゲート配線221を形成できる。
【００２８】
ゲート絶縁膜222はゲート配線221を覆うように第１主面22ａ上に設けられている。ゲート絶縁膜222は、窒化シリコン、酸化シリコンなどの絶縁性を有する材料によって形成さ
れる。なお、ゲート絶縁膜222は、上記のスパッタリング法、蒸着法または化学気相成長
法などによって第２基板22の第１主面22ａ上に形成できる。
【００２９】
ソース配線223は、駆動ＩＣから供給される信号電圧を薄膜トランジスタTFTを介して信号電極227に印加する機能を有する。ソース配線223はゲート絶縁膜222上に設けられてい
る。図３に示すように、複数のソース配線223は線状に形成されているとともに、Ｙ方向
に延在している。また、複数のソース配線223はＸ方向に沿って配列されている。ソース
配線223はゲート配線221と同様の材料で形成してもよい。なお、ソース配線223はゲート
配線221と同様の方法によって形成できる。
【００３０】
薄膜トランジスタTFTは、非晶質シリコン、多結晶シリコンまたは酸化物半導体などの
半導体層と、この半導体層上に設けられるとともに、ソース配線223に接続されたソース
電極と、ドレイン電極とを有する。薄膜トランジスタTFTはゲート配線221に隣接して設けられている。また、薄膜トランジスタTFTのドレイン電極はコンタクトホール（図示せず
）を介して信号電極227に接続されている。なお、図３に示すように、ソース電極はソー
ス配線223からＸ方向に延在している。
【００３１】
薄膜トランジスタTFTでは、ゲート配線221を介して半導体層に印加される電圧に応じてソース電極およびドレイン電極間の半導体層の抵抗が変化することで、信号電極227への
画像信号の書き込みまたは非書き込みが制御される。
【００３２】
平坦化膜224は、有機材料によって形成され、例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹
脂またはポリイミド系樹脂などの樹脂で形成される。なお、平坦化膜224の膜厚は例えば
１μｍ〜５μｍの範囲で設定されている。
【００３３】
共通電極225は、駆動ＩＣから印加された電圧によって信号電極227との間で電界を発生させる機能を有する。共通電極225は平坦化膜224上に設けられている。共通電極225は、
透光性および導電性を有する材料によって形成され、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＡＴＯ（Antimony Tin Oxide）、ＡＺＯ（Al-Doped Zinc Oxide）、酸化錫、酸化亜鉛または導電性高分子によって形成される。
【００３４】
層間絶縁膜226は信号電極227と共通電極225とを電気的に絶縁する機能を有する。層間
絶縁膜226はゲート絶縁膜222と同様の材料で形成してもよい。
【００３５】
信号電極227は、駆動ＩＣから印加された電圧によって共通電極225との間で電界を発生させる機能を有する。複数の信号電極227は層間絶縁膜226上に設けられている。また、各画素Ｐには複数の信号電極227がＹ方向に沿って配列している。
【００３６】
信号電極227はＸ方向に対し斜めに延在している。本実施形態では、図３に示すように
、画素Ｐ内に位置する複数の信号電極227のうち図面上方に位置する信号電極227と、図面下方に位置する信号電極227とは異なる方向に延在している。なお、Ｘ方向と信号電極227の延在方向との成す角度は、例えば１°〜２０°の範囲で設定できる。また、本実施形態では、複数の信号電極227はＸ方向に対し斜めに延在しているが、これには限られず、例
えば、Ｘ方向（第２配向膜229の配向処理方向）に延在していてもよい。
【００３７】
信号電極227は、導電性を有する透光性材料によって形成され、共通電極225と同様の材料で形成してもよい。
【００３８】
なお、画素Ｐ内でＹ方向に配列する複数の信号電極227は、Ｘ方向における両端部で、
Ｙ方向に延在する第１接続電極228によって互いに電気的に接続されている。なお、第１
接続電極228は信号電極227のＹ方向における両端部に位置しているが、複数の信号電極227が互いに接続されていれば、これには限られない。例えば、第１接続電極228が信号電極227の一端部または中央部に位置していてもよい。
【００３９】
また、信号電極227の配列方向（Ｙ方向）における信号電極227の幅は例えば１μｍ〜５
μｍの範囲で設定できる。また、画素Ｐ内における複数の信号電極227の配列ピッチは例
えば１μｍ〜６μｍの範囲で設定できる。なお、信号電極227の幅および信号電極227の配列ピッチは、第１基板21と第２基板22との間の液晶層23の厚み（いわゆるセルギャップと呼ばれる）と同程度に設定される。
【００４０】
図５および図６に示すように、信号電極227には複数の凸状電極227ａが形成されている。複数の凸状電極227ａは信号電極227に接続されている。また、複数の凸状電極227ａは層間絶縁膜226上に位置している。複数の凸状電極227ａは信号電極227の端よりもＹ方向に突出している。
【００４１】
凸状電極227ａは、Ｙ方向（突出方向）における幅が１μｍ以下の範囲で設定でき、Ｘ
方向（配列方向）における幅が１μｍ以下の範囲で設定できる。すなわち、凸状電極227
ａの幅は信号電極227の幅および液晶層23の厚みに比べて小さい。ここで、凸状電極227ａの幅は信号電極227の幅および液晶層23の厚みに対して20％以下に設定されることが好ま
しく、10％以下に設定されるとより好ましい。
【００４２】
また、本実施形態では、Ｙ方向において、各信号電極227の一方端よりも突出する凸状
電極227ａと他方端よりも突出する凸状電極227ａとが、信号電極227上に位置する第２接
続電極227ｂを介して接続されている。なお、第２接続電極227ｂは設けなくてもよい。
【００４３】
また、複数の凸状電極227ａは信号電極227の延在方向に沿って配列している。複数の凸状電極227ａの配列ピッチは例えば１μｍ以下に設定できる。すなわち、凸状電極227ａの配列ピッチは信号電極227の配列ピッチおよび液晶層23の厚みに比べて小さく、複数の凸
状電極227ａの配列ピッチは、複数の信号電極227の配列ピッチおよび液晶層23の厚みに対して20％以下に設定されることが好ましく、10％以下に設定されるのがより好ましい。
【００４４】
凸状電極227ａは導電性材料によって形成され、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＡＴＯ、Ａ
ＺＯ、酸化錫、酸化亜鉛、アルミニウム、モリブデン、チタン、ネオジム、クロム、銅またはこれらを含む合金などによって形成される。また、凸状電極227ａをＩＴＯなどの透
光性材料で形成すれば、画素Ｐの透過率の低下を抑制できる。なお、凸状電極227ａが不
透光性材料で形成された場合でも、上述のように凸状電極227ａは極めて小さいので、画
素Ｐの透過率へ与える影響は小さい。
【００４５】
凸状電極227ａの形成方法としては、例えば斜方蒸着法が挙げられる。信号電極227が形成された第２基板22に対して斜めの方向から導電性材料を蒸着させる。この際、第２基板22に対する蒸着角度を調整し、導電性材料の堆積領域を制御することで、第２基板22上に間隔を空けて所望の方向（信号電極227の延在方向）に配列した複数の導電体を形成でき
る。そして、第２基板22に形成された導電体のうち凸状電極227ａおよび第２接続電極227ｂとなる導電体以外を除去することで、本実施形態の凸状電極227ａおよび第２接続電極227ｂを形成することができる。
【００４６】
なお、凸状電極227ａおよび第２接続電極227ｂの形成方法はこれに限定されない。
【００４７】
第２配向膜229は液晶層23中の液晶分子の配向を制御する機能を有する。第２配向膜229は、複数の信号電極227を覆うように層間絶縁膜226上に設けられている。第２配向膜229
の材料はポリイミド樹脂などの樹脂が挙げられる。
【００４８】
また、第２配向膜229には配向処理が行なわれている。この配向処理によって、第２配
向膜229の表面近傍に位置する液晶分子の初期配向方向を所望の方向に揃えることができ
る。本実施形態における第２配向膜229はＸ方向に配向処理が行なわれている。すなわち
、第２配向膜229上における液晶層23中の液晶分子の初期配向方向はＸ方向である。なお
、配向処理としては、第１配向膜213で説明したものと同様である。
【００４９】
液晶層23は、第１基板21と第２基板22との間に設けられている。液晶層23は、ネマティック液晶などを含んでいる。なお、本実施形態における液晶層23には、正の誘電率異方性を有するいわゆるポジ型の液晶分子を採用しているので、第２配向膜229に対してＸ方向に配向処理を行っているがこれには限定されない。すなわち、第２配向膜229に対してＹ方向に配向処理を行うことで、液晶層23に負の誘電率異方性を有するいわゆるネガ型の液晶分子を採用してもよい。
【００５０】
液晶表示装置１では、信号電極227に接続されて信号電極227の延在方向に沿って配列し、信号電極227よりもＹ方向へ突出する複数の凸状電極227ａが設けられている。共通電極225との間で強い電界が発生しやすい信号電極227ａの端に沿って、第２配向膜229の配向処理方向（Ｘ方向）と直交するＹ方向へ突出する微小な凸状電極227ａが配列していることで、凸状電極227ａと共通電極225との間で液晶分子の初期配向方向（Ｘ方向）に平行な電界Eaを発生させることができる。すなわち、凸状電極227ａと共通電極225との間で発生するＸ方向の電界Eaによって第２配向膜229の表面近傍の液晶分子の配向方向を初期配向方向に維持できるので、同じ画像表示を長時間続けた場合でも、液晶分子の配向が初期配向方向となり、焼き付きの発生を低減し、表示品位の低下を抑制することができる。
【００５１】
また、凸状電極227ａの大きさは信号電極227の大きさに比べて小さいので、凸状電極227ａと共通電極225との間で発生する電界Eaは第２配向膜229の表面近傍に位置する液晶分子に対してのみ作用する。すなわち、凸状電極227ａと共通電極225との間で電界Eaによって液晶層23中の第２配向膜229近傍に位置する液晶分子の配向方向を初期配向方向に維持しつつ、信号電極227と共通電極225との間で発生する電界Ebによって液晶層23中の他の液晶分子の方向を制御できる。
【００５２】
また、液晶表示装置１では、斜方蒸着法を用いて凸状電極227ａを形成している。ここ
で、斜方蒸着法は排除体積効果に基づく配向膜の配向処理方法の１つとして知られている。この斜方蒸着法によって配向膜の表面に微細なうねを形成することで、このうねに沿うように液晶分子を配向させることができる。
【００５３】
液晶表示装置１では、斜方蒸着法を用いて凸状電極227ａおよび第２接続電極227ｂ（うね）が形成されている。凸状電極227ａおよび第２接続電極227ｂの形成方向（Ｙ方向）に対して液晶層23の誘電率異方性が正の場合には、電界を印加した時の液晶分子の配向方向とうね（凸状電極227ａおよび第２接続電極227ｂ）の方向が９０度の角度をなす。これに対して、液晶層23の誘電率異方性が負の場合には、電界を印加した時の液晶分子の配向方向とうねの方向が一致するので、負の誘電率異方性を有する液晶層23であれば、さらに液晶分子の配向方向を強固に維持できる。
【００５４】
シール材24は、第１基板21と第２基板22とを貼り合わせる機能を有する。シール材24は第１基板21と第２基板22との間に設けられている。このシール材24は、エポキシ樹脂などによって形成される。
【００５５】
光源装置３は、液晶パネル２に向けて光を出射する機能を有する。光源装置３は、光源31と、導光板32とを有している。なお、本実施形態における光源装置３では、光源31にＬＥＤなどの点光源を採用しているが、冷陰極管などの線光源を採用してもよい。
【００５６】
第１偏光板４は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第１偏光板４は、液晶パネル２の第１基板21の第１主面21ａに対向するように配置されている。
【００５７】
第２偏光板５は、所定の振動方向の光を選択的に透過させる機能を有する。この第２偏光板５は、第２基板22の第２主面22ｂに対向するように配置されている。
【００５８】
［第２の実施形態］
図７は、第２の実施形態における液晶表示装置１Ａの要部を示す平面図である。
【００５９】
液晶表示装置１Ａは、液晶表示装置１に比べて、凸状電極227ａと層間絶縁膜226との間に絶縁膜2210が介在している点で異なる。
【００６０】
凸状電極227ａは絶縁膜2210に位置している。すなわち、凸状電極227ａは絶縁膜2210を介して層間絶縁膜226上に位置している。また、第２接続電極227ｂは信号電極227に位置
して信号電極227に接続されているので、凸状電極227ａは第２接続電極227ｂを介して信
号電極227と接続されている。
【００６１】
液晶表示装置１では、信号電極227に接続された凸状電極227ａが絶縁膜2210に位置しているので、第１の実施形態で説明した効果と同様な効果を奏する。
【００６２】
本発明は第１および第２の実施形態に特に限定されるものではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変更および改良が可能である。
【００６３】
上記実施形態では、信号電極227は層間絶縁膜226を介して共通電極225上に設けられて
いるが、これには限られない。すなわち、共通電極225が層間絶縁膜226を介して信号電極227に設けられていてもよい。なお、その場合、共通電極225に凸状電極227ａを形成すれ
ばよい。
【符号の説明】
【００６４】
１  液晶表示装置
２  液晶パネル
Ｐ  画素
21  第１基板
21ａ  第１主面
21ｂ  第２主面（主面）
211  遮光膜
212  カラーフィルタ
213  第１配向膜
22  第２基板
22ａ  第１主面（主面）
22ｂ  第２主面
221  ゲート配線
222  ゲート絶縁膜
223  ソース配線
224  平坦化膜（第１絶縁膜）
225  共通電極（第１表示電極）
226  層間絶縁膜（第２絶縁膜）
227  信号電極（第２表示電極）
228  第１接続電極
229  第１配向膜
2210  絶縁膜
227ａ  凸状電極
227ｂ  第２接続電極
TFT  薄膜トランジスタ
23  液晶層
24  シール材
３  光源装置
31  光源
32  導光板
４  第１偏光板
５  第２偏光板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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