(57)【要約】【課題】透明樹脂層を備える回路基板において、光学式自動外観検査装置（ＡＯＩ）による検査精度が高められた回路基板を提供すること。【解決手段】透明樹脂層１０と、前記透明樹脂層１０の一方の面に所定パターンを有する第１金属層２０と、前記透明樹脂層１０の他方の面に形成された第２金属層３０とを備え、前記透明樹脂層１０の第１金属層２０が形成されている面の表面粗さＲｚが１．５μｍ超であることを特徴とする回路基板を提供する。本発明においては、前記第２金属層３０が、前記透明樹脂層１０と当接する面が粗面化処理された金属箔を用いて形成されたものであることが好ましい。【選択図】図１
2014192422.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明樹脂層と、前記透明樹脂層の一方の面に形成された第１金属層と、前記透明樹脂層の他方の面に形成された第２金属層とを備える回路基板であって、
前記第１金属層は、パターン状に形成された所定パターンを有し、
前記透明樹脂層における前記一方の面の表面粗さＲｚが１．５μｍ超であることを特徴とする回路基板。
【請求項２】
前記第１金属層は、前記透明樹脂層と当接する面が粗面化処理された金属箔を用いて形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の回路基板。
【請求項３】
前記第２金属層は、パターン状に形成された所定パターンを有し、
前記透明樹脂層における前記他方の面の表面粗さＲｚが１．５μｍ超である、請求項１または２に記載の回路基板。
【請求項４】
前記第２金属層は、前記透明樹脂層と当接する面が粗面化処理された金属箔を用いて形成されたものである請求項３に記載の回路基板。
【請求項５】
透明樹脂層と、前記透明樹脂層の一方の面に形成された第１金属層と、前記透明樹脂層の他方の面に形成された第２金属層とを備える回路基板の製造方法であって、
表面粗さＲｚが１．５μｍ超である粗面を有する金属箔を、該粗面が前記透明樹脂層の一方の面に当接するように積層して、前記第１金属層を形成する工程と、
表面粗さＲｚが１．５μｍ超である粗面を有する金属箔を、該粗面が前記透明樹脂層の他方の面に当接するように積層して、前記第２金属層を形成する工程と、
前記第１金属層をパターン加工して所定パターンを有する第１金属層を形成する工程と、
前記第２金属層をパターン加工して所定パターンを有する第２金属層を形成する工程と、
を備える回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路基板及び回路基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報伝送は高周波化や高密度化などの要求が高まり、高精度化、多層化、微細化された高性能回路基板の開発が進んでいる。高周波領域での情報伝送に用いられる回路基板には、伝送損失が小さい材料が求められており、このような材料として、誘電正接が小さく、これにより、伝送損失が小さくできるという点より、シクロオレフィンモノマーを重合したシクロオレフィンポリマーが注目されている。
【０００３】
たとえば、特許文献１では、このような回路基板を構成するための材料として、シクロオレフィンモノマー、メタセシス重合触媒、架橋剤、連鎖移動剤及びジメタクリレート化合物を含む重合性組成物を用いて得られる成形体が提案されている。
【０００４】
ここで、このような回路基板は、通常、光学式自動外観検査装置（ＡＯＩ）などを用い、配線パターンが所定の設計に従って形成されているか否かの検査が行われる（たとえば、特許文献２，３参照）。光学式自動外観検査装置による検査は、得られた回路基板に、ＬＥＤ光源などの光を照射し、その反射光をＣＣＤなどにより撮像し、反射強度ヒストグラム（輝度ヒストグラム）を得て、反射強度ヒストグラムより、パターン形成部に対応する反射強度と、パターン非形成部に対応する反射強度とを決定し、これを用いて、配線パターンの検査を行うものである。具体的には、反射強度が相対的に大きいピークを、パターン形成部（金属パターンが形成された部分）とし、反射強度が相対的に小さいピークを、パターン非形成部とするものである。
【０００５】
一方で、上述したシクロオレフィンポリマーを用いた成形体は、透明性の高いシクロオレフィンポリマーを用いるものであるため、光学式自動外観検査装置による検査において、次のような問題を生じる場合があった。すなわち、上述した回路基板は、通常、シクロオレフィンポリマー成形体の一方の表面に、検査対象となる配線パターン層を備える一方で、裏側の面にも、金属層、あるいは金属からなる配線パターン層を備えるのが一般的である。そのため、光学式自動外観検査装置による検査を行う際に、ＬＥＤ光源などから光を照射した際に、照射光が、裏側の面に形成された金属層や金属からなる配線パターン層で反射してしまう場合があった。特に、このような裏側の面に形成された金属層や金属からなる配線パターン層からの反射光は、検査対象となる配線パターン層からの反射光と、反射強度が比較的近く、そのため、誤検出の原因となるという問題が生じていた。なお、このような問題を解決するために、たとえば、シクロオレフィンポリマー成形体中に、着色用の添加剤を添加する方法も考えられるが、このような添加剤を入れると、電気特性や物理特性などが低下してしまうという不具合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−２４２５６８号公報
【特許文献２】特開平５−２０４４５号公報
【特許文献１】特開平８−２２００１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、透明樹脂層を備える回路基板において、光学式自動外観検査装置（ＡＯＩ）による検査精度が高められた回路基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者等は、上記目的を達成するために鋭意研究した結果、透明樹脂層と、前記透明樹脂層の一方の面に所定パターンを有する第１金属層と、前記透明樹脂層の他方の面に形成された第２金属層とを備える回路基板において、前記透明樹脂層の第１金属層が形成されている面の表面粗さＲｚを１．５μｍ超とすることにより、上記課題を解決できることを見出し、本発明を完成させるに至った。
【０００９】
すなわち、本発明によれば、
〔１〕透明樹脂層と、前記透明樹脂層の一方の面に形成された第１金属層と、前記透明樹脂層の他方の面に形成された第２金属層とを備える回路基板であって、前記第１金属層は、パターン状に形成された所定パターンを有し、前記透明樹脂層における前記一方の面の表面粗さＲｚが１．５μｍ超であることを特徴とする回路基板、
〔２〕前記第１金属層は、前記透明樹脂層と当接する面が粗面化処理された金属箔を用いて形成されたものであることを特徴とする前記〔１〕に記載の回路基板、
〔３〕前記第２金属層は、パターン状に形成された所定パターンを有し、前記透明樹脂層における前記他方の面の表面粗さＲｚが１．５μｍ超である、前記〔１〕または〔２〕に記載の回路基板、
〔４〕前記第２金属層は、前記透明樹脂層と当接する面が粗面化処理された金属箔を用いて形成されたものである前記〔３〕に記載の回路基板、ならびに、
〔５〕透明樹脂層と、前記透明樹脂層の一方の面に形成された第１金属層と、前記透明樹脂層の他方の面に形成された第２金属層とを備える回路基板の製造方法であって、表面粗さＲｚが１．５μｍ超である粗面を有する金属箔を、該粗面が前記透明樹脂層の一方の面に当接するように積層して、前記第１金属層を形成する工程と、表面粗さＲｚが１．５μｍ超である粗面を有する金属箔を、該粗面が前記透明樹脂層の他方の面に当接するように積層して、前記第２金属層を形成する工程と、前記第１金属層をパターン加工して所定パターンを有する第１金属層を形成する工程と、前記第２金属層をパターン加工して所定パターンを有する第２金属層を形成する工程と、を備える回路基板、
が提供される。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、光学式自動外観検査装置（ＡＯＩ）による検査精度が適切に高められた透明樹脂層を備える回路基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本発明の回路基板の一例を示す断面図である。
【図２】図２は、光学式自動外観検査装置（ＡＯＩ）による、配線パターンの検査方法を説明するための図である。
【図３】図３は、従来の回路基板の問題点を説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）は、実施例１に係る回路基板の反射強度のヒストグラムを示す図、図４（Ｂ）は、比較例１に係る回路基板の反射強度のヒストグラムを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の回路基板は、透明樹脂層と、前記透明樹脂層の一方の面に形成された第１金属層と、前記透明樹脂層の他方の面に形成された第２金属層とを備える回路基板であって、前記第１金属層は、パターン状に形成された所定パターンを有し、前記透明樹脂層における前記一方の面（第１金属層が形成されていない部分）の表面粗さＲｚが１．５μｍ超である。
以下においては、本発明の回路基板を、図１に基づいて説明する。
【００１３】
（回路基板１）
図１は、本発明の一例に係る回路基板１を示す断面図である。図１に示すように、本発明の一例に係る回路基板１は、透明樹脂層１０と、透明樹脂層１０の一方の面に形成された第１金属層２０と、透明樹脂層１０の他方の面に形成された第２金属層３０とを備える。
【００１４】
透明樹脂層１０は、樹脂を主成分として含有する透明性を有する材料から構成される層である。透明樹脂層１０は、透明樹脂層１０における前記一方の面（第１金属層２０が形成されていない部分）の表面粗さＲｚが１．５μｍ超であり、かつ、前記他方の面（第２金属層３０が形成されていない部分）の表面粗さＲｚが１．５μｍ超である層である。
【００１５】
本発明において、透明性を有する材料とは、該材料を、その表面における、表面粗さＲｚが１．５μｍ以下、厚み０．１ｍｍの成形体とした場合に、Ｄ６５光源を用いて測定される厚み方向における全光線透過率が９０％以上となる材料を意味する。また、透明樹脂層１０が、樹脂組成物を、ガラス繊維などの無機繊維状支持体に含浸させてなるものである場合には、樹脂組成物を無機繊維状支持体に含浸させ、これを成形することにより、厚み０．１ｍｍの成形体とした際における、全光線透過率が９０％以上となるような材料であればよい。
【００１６】
このような透明樹脂層１０としては、特に限定されないが、たとえば、本発明においては、透明樹脂層１０を、シクロオレフィンモノマー、メタセシス重合触媒、架橋剤及び無機充填剤を含有する重合性組成物を、無機繊維状支持体に含浸させた後、塊状重合させることにより架橋性樹脂成形体を得て、これを架橋して得られる架橋樹脂成形体で形成することができる。
【００１７】
また、第１金属層２０は、所定の配線パターンに応じて形成されたパターン状の金属層であり、たとえば、鉄、ステンレス、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、金、及び銀などの金属材料からなる第１金属箔を、透明樹脂層１０の表面（前記一方の面）に積層し、次いで、エッチングすることにより所定のパターン状とすることにより形成される。
【００１８】
第２金属層３０は、所定の配線パターンに応じて形成されたパターン状の金属層であり、たとえば、鉄、ステンレス、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、金、及び銀などの金属材料からなる第２金属箔を、透明樹脂層１０の裏面（前記他方の面）に積層し、次いで、エッチングすることにより所定のパターン状とすることにより形成される。
【００１９】
なお、前記実施形態では、第２金属層３０を、パターンを有する金属層として形成したが、パターンを有しない金属層としてもよい。この場合には、第２金属層３０は、前述した金属材料からなる第２金属箔を、透明樹脂層１０の第１金属層２０が形成された面と反対側の面（前記他方の面）に積層することにより形成される。
【００２０】
（回路基板１の製造方法）
次いで、本発明の一例に係る回路基板１の製造方法について、透明樹脂層１０を、シクロオレフィンモノマー及び重合触媒を含有する重合性組成物を、無機繊維状支持体に含浸させた後、塊状重合させることにより架橋性樹脂成形体を得て、次いで、これを架橋して得られる架橋樹脂成形体で形成する場合を例示して説明する。
以下においては、まず、透明樹脂層１０を形成するための重合性組成物について、説明する。
【００２１】
（重合性組成物）
本発明で用いられる重合性組成物としては、特に限定されないが、たとえば、シクロオレフィンモノマー及び重合触媒を含有する重合性の樹脂組成物を用いることができる。
【００２２】
シクロオレフィンモノマーは、炭素原子で構成される脂環式構造を有し、かつ該脂環式構造中に重合性の炭素−炭素二重結合を少なくとも１つ有する化合物である。本明細書において、「重合性の炭素−炭素二重結合」とは、重合反応（メタセシス開環重合、付加重合等）に関与する炭素−炭素二重結合をいう。
【００２３】
シクロオレフィンモノマーが有する脂環式構造としては、単環、多環、縮合多環、橋かけ環及びこれらの組み合わせ多環などが挙げられる。各脂環式構造を構成する炭素数に特に限定はないが、通常、４〜３０個、好ましくは５〜２０個、より好ましくは５〜１５個である。なかでも、得られる架橋樹脂成形体や積層体の誘電特性と耐熱性とを高度にバランスさせる観点から、多環構造が好ましい。多環構造のシクロオレフィンモノマーとしては、特にノルボルネン系モノマーが好ましい。ここで、「ノルボルネン系モノマー」とは、ノルボルネン環構造を分子内に有するシクロオレフィンモノマーをいう。例えば、ノルボルネン類、ジシクロペンタジエン類、及びテトラシクロドデセン類等が挙げられる。
【００２４】
シクロオレフィンモノマーは、任意の位置に置換基を有していてもよい。置換基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキリデン基、及びアリール基等の炭素数１〜３０の炭化水素基；カルボキシル基、酸無水物基等の極性基；等が挙げられる。
シクロオレフィンモノマーは、一種単独で、あるいは二種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２５】
本発明において、シクロオレフィンモノマーとしては、回路基板とした場合における械的強度を向上させる観点から、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するものが好適に用いられる。本明細書において「架橋性炭素−炭素不飽和結合」とは、重合反応にはほとんど関与せず、主として架橋反応に関与する炭素−炭素不飽和結合をいう。「架橋反応」とは橋架け構造を形成する反応をいう。また、「架橋反応」とは、通常、ラジカル架橋反応又はメタセシス架橋反応、特にラジカル架橋反応をいう。
【００２６】
架橋性炭素−炭素不飽和結合としては、芳香族炭素−炭素不飽和結合を除く炭素−炭素不飽和結合、すなわち、脂肪族炭素−炭素二重結合又は三重結合が挙げられ、本発明においては、通常、脂肪族炭素−炭素二重結合をいう。架橋性炭素−炭素不飽和結合を有するシクロオレフィンモノマー中、該不飽和結合の位置は特に限定されるものではなく、炭素原子で形成される脂環構造内の他、該脂環構造以外の任意の位置、例えば、側鎖の末端や内部に存在していてもよい。例えば、前記脂肪族炭素−炭素二重結合は、ビニル基（ＣＨ２＝ＣＨ−）、ビニリデン基（ＣＨ２＝Ｃ＜）、又はビニレン基（−ＣＨ＝ＣＨ−）として存在し得、良好にラジカル架橋性を発揮することから、ビニル基及び／又はビニリデン基として存在するのが好ましく、ビニリデン基として存在するのがより好ましい。
【００２７】
また、本発明で用いる重合性組成物は、シクロオレフィンモノマーとして、下記一般式（１）で表されるシクロオレフィンモノマーと、架橋性炭素−炭素不飽和結合を少なくとも１つ有するシクロオレフィンモノマー（ただし、下記式（１）で示される化合物を除く。以下、「シクロオレフィンモノマー（α）」ということがある。）とを含有することが好ましい。これらの化合物を用いることで、比較的低い粘度のまま、無機充填剤を多く含有させることができ、これにより、得られる透明樹脂層１０を、高い弾性率を有し、かつ、耐熱性及び難燃性に優れるものとすることができる。
【化１】
2014192422.tif 000003
【００２８】
上記一般式（１）中、Ｒ１〜Ｒ３は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表す。Ｒ１〜Ｒ３の炭化水素基の炭素数は、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５である。Ｒ１〜Ｒ３の炭素数１〜２０の炭化水素基としては、メチル基、エチル基、プロピル基等の炭素数１〜２０のアルキル基；ビニル基、プロペニル基、クロチル基等の炭素数２〜２０のアルケニル基；エチニル基、プロパルギル基、３−ブチニル基等の炭素数２〜２０のアルキニル基；フェニル基、２−ナフチル基等の炭素数６〜２０のアリール基；シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基等の炭素数３〜２０のシクロアルキル基；等が挙げられる。これらの中でも、重合反応性が良好であることから、Ｒ１〜Ｒ３は、水素原子又は炭素数１〜２０のアルキル基が好ましく、水素原子がより好ましい。
【００２９】
上記一般式（１）中、Ｒ４は、水素原子又はメチル基を表し、なかでもメチル基が好ましい。
【００３０】
上記一般式（１）中、Ａは、化学的な単結合、炭素数１〜２０のアルキレン基、又は、下記一般式（２）で表される２価の基を表す。
【化２】
2014192422.tif 000004
Ａが、「化学的な単結合」である場合とは、上記一般式（１）中において、−Ｏ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（Ｒ４）＝ＣＨ２で表される基が、脂環式構造を構成する炭素原子と直接結合している状態を表す。
また、Ａが、炭素数１〜２０のアルキレン基である場合には、その炭素数は、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５であり、たとえば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基等が挙げられる。
さらに、Ａが、上記一般式（２）で表される２価の基を表である場合において、上記一般式（２）中、Ａ１は、炭素数１〜１９のアルキレン基を表し、＊は、上記一般式（１）中の脂環式構造を構成する炭素原子との結合部位を表す。また、Ａ１で表されるアルキレン基の炭素数は、好ましくは１〜９であり、より好ましくは１〜４であり、たとえば、メチレン基、エチレン基、プロピレン基、トリメチレン基等が挙げられる。
【００３１】
また、上記一般式（１）中、ｐは、０、１又は２を表し、好ましくは０又は１である。
【００３２】
上記一般式（１）で表されるシクロオレフィンモノマーの具体例としては、ｐが０である化合物として、アクリル酸５−ノルボルネン−２−イル、メタクリル酸５−ノルボルネン−２−イル、アクリル酸（５−ノルボルネン−２−イル）メチル、メタクリル酸（５−ノルボルネン−２−イル）メチル、アクリル酸−１−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル、アクリル酸−２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル、メタクリル酸−１−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル、メタクリル酸−２−（５−ノルボルネン−２−イル）エチル、アクリル酸−１−（５−ノルボルネン−２−イル）プロピル、アクリル酸−２−（５−ノルボルネン−２−イル）プロピル、アクリル酸−３−（５−ノルボルネン−２−イル）プロピル、メタクリル酸−１−（５−ノルボルネン−２−イル）プロピル、メタクリル酸−２−（５−ノルボルネン−２−イル）プロピル、メタクリル酸−３−（５−ノルボルネン−２−イル）プロピル、アクリル酸−ｎ−４−（５−ノルボルネン−２−イル）ブチル、メタクリル酸−ｎ−４−（５−ノルボルネン−２−イル）ブチル、アクリル酸（５−ノルボルネン−２−イル）ヘキシル、メタクリル酸（５−ノルボルネン−２−イル）ヘキシル、アクリル酸（５−ノルボルネン−２−イル）オクチル、メタクリル酸（５−ノルボルネン−２−イル）オクチル、アクリル酸（５−ノルボルネン−２−イル）デシル、メタクリル酸（５−ノルボルネン−２−イル）デシル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸（アクリロイルオキシ）メチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸（メタクリロイルオキシ）メチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−２−（アクリロイルオキシ）エチル、５−ノルボルネン−２−カルボン酸−２−（メタクリロイルオキシ）エチル等が挙げられる。
【００３３】
また、ｐである１の化合物として、アクリル酸テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル、メタクリル酸テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル、アクリル酸（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）メチル、メタクリル酸（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）メチル、アクリル酸−１−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）エチル、アクリル酸−２−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）エチル、メタクリル酸−１−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）エチル、メタクリル酸−２−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）エチル、アクリル酸−１−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）プロピル、アクリル酸−２−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）プロピル、アクリル酸−３−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）プロピル、メタクリル酸−１−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）プロピル、メタクリル酸−２１−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）プロピル、メタクリル酸−３−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）プロピル、アクリル酸−１−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）ブチル、アクリル酸−２−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）ブチル、アクリル酸−３−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）ブチル、アクリル酸−４−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）ブチル、メタクリル酸−１−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）ブチル、メタクリル酸−２−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）ブチル、メタクリル酸−３−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）ブチル、メタクリル酸−４−（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）ブチル、アクリル酸（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）ヘキシル、メタクリル酸（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）ヘキシル、アクリル酸（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）オクチル、メタクリル酸（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）オクチル、アクリル酸（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）デシル、メタクリル酸（テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−イル）デシル、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−カルボン酸（アクリロイルオキシ）メチル、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−カルボン酸（メタクリロイルオキシ）メチル、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−カルボン酸−２−（アクリロイルオキシ）エチル、テトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−９−エン−４−カルボン酸−２−（メタクリロイルオキシ）エチル等が挙げられる。
これらの一般式（１）で表されるシクロオレフィンモノマーは、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３４】
シクロオレフィンモノマー（α）は、ラジカル架橋反応性に優れることから、架橋性の炭素−炭素二重結合が側鎖に存在するものが好ましく、ビニル基、ビニリデン基又は１−プロペニリデン基を有するものがより好ましい。
シクロオレフィンモノマー（α）としては、下記一般式（３）又は一般式（４）で表される化合物が挙げられる。
【化３】
2014192422.tif 000005
【００３５】
上記一般式（３）及び一般式（４）中、Ｒ５、Ｒ６、Ｒ７、Ｒ８、Ｒ９及びＲ１０は、それぞれ独立して、水素原子又は炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、Ｒ５又はＲ６と、Ｒ７又はＲ８とは互いに結合して環構造を形成してもよい。Ｒ５〜Ｒ１０が炭化水素基である場合、その炭素数は、好ましくは１〜１０、より好ましくは１〜５である。炭素数１〜２０の炭化水素基としては、上述した一般式（１）中のＲ１〜Ｒ３として例示したものが挙げられる。
また、上記一般式（３）及び一般式（４）中、Ｒ５〜Ｒ８のうち少なくとも１つは炭素数１〜２０の炭化水素基であり、Ｒ５〜Ｒ８で表される炭化水素基、及び、Ｒ５又はＲ６とＲ７又はＲ８とが互いに結合して形成する環構造のいずれかは脂肪族炭素−炭素二重結合を有する。なお、このような脂肪族炭素−炭素二重結合は架橋性の炭素−炭素二重結合である。
ｑは、０、１又は２であり、好ましくは０又は１である。
【００３６】
本発明で用いられるシクロオレフィンモノマー（α）としては、上記一般式（３）又は一般式（４）で表される化合物のうち、上記一般式（４）で表される化合物が好ましい。
【００３７】
シクロオレフィンモノマー（α）の具体例としては、３−ビニルシクロヘキセン、４−ビニルシクロヘキセン、１，３−シクロペンタジエン、１，３−シクロへキサジエン、１，４−シクロへキサジエン、５−エチル−１，３−シクロへキサジエン、１，３−シクロへプタジエン、及び１，３−シクロオクタジエンなどの単環シクロオレフィンモノマー；５−メチリデン−２−ノルボルネン、５−エチリデン−２−ノルボルネン、５−ｎ−プロピリデン−２−ノルボルネン、５−イソプロピリデン−２−ノルボルネン、５−ビニル−２−ノルボルネン、５−アリル−２−ノルボルネン、５，６−ジエチリデン−２−ノルボルネン、２，５−ノルボルナジエンなどの二環シクロオレフィンモノマー；ジシクロペンタジエンなどの三環シクロオレフィンモノマー；
【００３８】
９−メチリデンテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−メチリデン−１０−メチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−メチリデン−１０−エチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−メチリデン−１０−イソプロピルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−メチリデン−１０−ブチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−エチリデンテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−エチリデン−１０−メチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−エチリデン−１０−エチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−エチリデン−１０−イソプロピルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−エチリデン−１０−ブチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−ｎ−プロピリデンテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−ｎ−プロピリデン−１０−メチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−ｎ−プロピリデン−１０−エチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−ｎ−プロピリデン−１０−イソプロピルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−ｎ−プロピリデン−１０−ブチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−イソプロピリデンテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−イソプロピリデン−１０−メチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−イソプロピリデン−１０−エチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−イソプロピリデン−１０−イソプロピルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−イソプロピリデン−１０−ブチルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−ビニルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン、９−プロペニルテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エンなどのテトラシクロドデセン構造を有する四環シクロオレフィンモノマー；などが挙げられる。
シクロオレフィンモノマー（α）は、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３９】
上記一般式（１）で表されるシクロオレフィンモノマーとシクロオレフィンモノマー（α）とを組み合わせて用いる場合、その重量比〔上記一般式（１）で表されるシクロオレフィンモノマー：シクロオレフィンモノマー（α）〕は、好ましくは１０：９０〜６０：４０、より好ましくは１５：８５〜５５：４５、さらに好ましくは２０：８０〜５０：５０である。
【００４０】
また、シクロオレフィンモノマーとしては、上記一般式（１）で表されるシクロオレフィンモノマー、及びシクロオレフィンモノマー（α）以外のその他のモノマー（以下、「シクロオレフィンモノマー（β）」ということがある。）を組み合わせて用いることができる。
【００４１】
シクロオレフィンモノマー（β）の具体例としては、シクロペンテン、３−メチルシクロペンテン、４−メチルシクロペンテン、３，４−ジメチルシクロペンテン、３，５−ジメチルシクロペンテン、３−クロロシクロペンテン、シクロへキセン、３−メチルシクロへキセン、４−メチルシクロヘキセン、３，４−ジメチルシクロヘキセン、３−クロロシクロヘキセン、及びシクロへプテンなどの単環シクロオレフィンモノマー；
【００４２】
ノルボルネン、１−メチル−２−ノルボルネン、５−メチル−２−ノルボルネン、７−メチル−２−ノルボルネン、５−エチル−２−ノルボルネン、５−プロピル−２−ノルボルネン、５−フェニル−２−ノルボルネン、５，６−ジメチル−２−ノルボルネン、５，５，６−トリメチル−２−ノルボルネン、５−クロロ−２−ノルボルネン、５，５−ジクロロ−２−ノルボルネン、５−フルオロ−２−ノルボルネン、５，５，６−トリフルオロ−６−トリフルオロメチル−２−ノルボルネン、５−クロロメチル−２−ノルボルネン、５−メトキシ−２−ノルボルネン、５，６−ジカルボキシル−２−ノルボルネンアンハイドレート、５−ジメチルアミノ−２−ノルボルネン、及び５−シアノ−２−ノルボルネンなどの二環シクロオレフィンモノマー；１，２−ジヒドロジシクロペンタジエン、５，６−ジヒドロジシクロペンタジエンなどの三環シクロオレフィンモノマー；
【００４３】
１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン（ＴＣＤ）、２−メチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−エチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２，３−ジメチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−ヘキシル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−エチリデン−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−フルオロ−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、１，５−ジメチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−シクロへキシル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２，３−ジクロロ−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレン、２−イソブチル−１，４，５，８−ジメタノ−１，２，３，４，４ａ，５，８，８ａ−オクタヒドロナフタレンなどのテトラシクロドデセン構造を有する四環シクロオレフィンモノマー；などが挙げられる。
【００４４】
シクロオレフィンモノマー（β）を用いる場合、その含有量は、上記一般式（１）で表されるシクロオレフィンモノマーとシクロオレフィンモノマー（α）との合計１００重量部に対して、通常、３０重量部以下、好ましくは、０．５〜２０重量部である。
【００４５】
本発明で用いられる重合性組成物に含有させる前記重合触媒としては、シクロオレフィンモノマーを重合させ得るものであれば特に限定されず、付加重合触媒や開環重合触媒を用いることができる。
【００４６】
付加重合触媒としては、例えば、チタン、ジルコニウム又はバナジウム化合物と有機アルミニウム化合物とからなる触媒など公知の触媒を用いることができる。開環重合触媒としては、シクロオレフィンモノマーを開環重合させ得るものであればよく、たとえばメタセシス重合触媒を用いることができる。メタセシス重合触媒としては、遷移金属原子を中心原子として、複数のイオン、原子、多原子イオン及び／又は化合物が結合してなる遷移金属錯体が挙げられる。遷移金属原子としては、５族、６族及び８族（長周期型周期表による。以下、同じ。）の原子が使用される。それぞれの族の原子は特に限定されないが、５族の原子としては、たとえばタンタルが挙げられ、６族の原子としては、たとえばモリブデンやタングステンが挙げられ、８族の原子としては、たとえばルテニウムやオスミウムが挙げられる。これらの中でも、メタセシス触媒としては、８族のルテニウムやオスミウムを中心原子とする錯体をメタセシス重合触媒として用いることが好ましく、ルテニウムを中心原子とする錯体を用いることがより好ましく、ルテニウムカルベン錯体を用いることが特に好ましい。ルテニウムカルベン錯体は、ルテニウム原子にカルベン炭素が二重結合した構造（Ｒｕ＝Ｃ）を有する錯体であり、重合時の触媒活性に優れるものである。そのため、メタセシス重合触媒としてルテニウムカルベン錯体を含む重合性組成物を重合して樹脂成形体を製造した場合、得られる樹脂成形体中における未反応のモノマーの含有割合を低減することができ、未反応のモノマーに由来する臭気を低減することができる。そして、これにより、生産性良く良質な成形体が得られる。また、ルテニウムカルベン錯体は、酸素や空気中の水分に対して比較的安定であって、失活しにくいので、大気下でも使用可能である。これらのメタセシス重合触媒は、それぞれ単独で、あるいは、２種以上を組み合わせて用いてもよい。なお、メタセシス重合触媒の配合量は、たとえば特開２００９−２４２５６８号公報に記載された量とすることができる。
【００４７】
なお、メタセシス重合触媒は、必要に応じて、少量の不活性溶媒に溶解又は懸濁させた状態で使用することができる。このような溶媒としては、ｎ−ペンタン、ｎ−ヘキサン、ｎ−ヘプタン、流動パラフィン、ミネラルスピリットなどの鎖状脂肪族炭化水素；シクロペンタン、シクロヘキサン、メチルシクロヘキサン、ジメチルシクロヘキサン、トリメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ジシクロヘプタン、トリシクロデカン、ヘキサヒドロインデン、シクロオクタンなどの脂環式炭化水素；ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素；インデン、テトラヒドロナフタレンなどの脂環と芳香環とを有する炭化水素；ニトロメタン、ニトロベンゼン、アセトニトリルなどの含窒素炭化水素；ジエチルエーテル、テトラヒドロフランなどの含酸素炭化水素；などが挙げられる。
【００４８】
また、本発明で用いられる重合性組成物は、シクロオレフィンモノマー及び重合触媒に加えて、架橋剤を含有していてもよい。架橋剤は、重合性組成物の重合反応で生成する架橋性樹脂の架橋反応を誘起しうる化合物として作用する。したがって、本発明で用いる重合性組成物を塊状重合してなる樹脂成形体は、後架橋可能な樹脂成形体（すなわち、架橋性樹脂成形体）となり得る。ここで「後架橋可能な」とは、その樹脂成形体を加熱して架橋させることで架橋樹脂成形体にし得ることを意味する。
【００４９】
架橋剤としては、特に限定されないが、通常、ラジカル発生剤が好適に用いられる。ラジカル発生剤としては、例えば、有機過酸化物、ジアゾ化合物、及び非極性ラジカル発生剤などが挙げられ、好ましくは有機過酸化物、及び非極性ラジカル発生剤である。
【００５０】
有機過酸化物としては、ｔ−ブチルヒドロペルオキシド、ｐ−メンタンヒドロペルオキシド、クメンヒドロペルオキシド等のヒドロペルオキシド類；ジクミルペルオキシド、ｔ−ブチルクミルペルオキシド、α，α’−ビス（ｔ−ブチルペルオキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼン、ジ−ｔ−ブチルペルオキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）−３−ヘキシン、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ヘキサン等のジアルキルペルオキシド類；ジプロピオニルペルオキシド、ベンゾイルペルオキシド等のジアシルペルオキシド類；２，２−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）ブタン、１，１−ジ（ｔ−ヘキシルペルオキシ）シクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）−２−メチルシクロヘキサン、１，１−ジ（ｔ−ブチルペルオキシ）シクロヘキサン等のペルオキシケタール類；ｔ−ブチルペルオキシアセテート、ｔ−ブチルペルオキシベンゾエート等のペルオキシエステル類；ｔ−ブチルペルオキシイソプロピルカルボナート、ジ（イソプロピルペルオキシ）ジカルボナート等のペルオキシカルボナート類；ｔ−ブチルトリメチルシリルペルオキシド等のアルキルシリルペルオキシド類；３，３，５，７，７−ペンタメチル−１，２，４−トリオキセパン、３，６，９−トリエチル−３，６，９−トリメチル−１，４，７−トリパーオキソナン、３，６−ジエチル−３，６−ジメチル−１，２，４，５−テトロキサン等の環状パーオキサイド類；が挙げられる。これらのなかでも、重合反応に対する障害が少ない点で、ジアルキルペルオキシド類、ペルオキシケタール類、及び環状パーオキサイド類が好ましい。
【００５１】
ジアゾ化合物としては、４，４’−ビスアジドベンザル（４−メチル）シクロヘキサノン、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）シクロヘキサノン等が挙げられる。
【００５２】
非極性ラジカル発生剤としては、２，３−ジメチル−２，３−ジフェニルブタン、３，４−ジメチル−３，４−ジフェニルヘキサン、１，１，２−トリフェニルエタン、１，１，１−トリフェニル−２−フェニルエタン等が挙げられる。
【００５３】
ラジカル発生剤を架橋剤として使用する場合、１分間半減期温度は、硬化（架橋性樹脂成形体の架橋）の条件により適宜選択されるが、通常、１００〜３００℃、好ましくは１５０〜２５０℃、より好ましくは１６０〜２３０℃の範囲である。１００℃以上であることで、加熱溶融特性に優れる架橋性樹脂が得られやすくなる。また、３００℃以下であることで、過度の高温条件を用いなくても架橋反応を行うことができる。ここで１分間半減期温度は、ラジカル発生剤の半量が１分間で分解する温度である。
【００５４】
架橋剤は、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。
架橋剤の配合量は特に限定はないが、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、０．０１〜１０重量部、好ましくは０．１〜１０重量部、より好ましくは０．５〜５重量部である。
【００５５】
さらに、本発明で用いられる重合性組成物は、シクロオレフィンモノマー及び重合触媒、ならびに必要に応じて配合される架橋剤に加えて、無機充填剤を含有していてもよい。無機充填剤としては、透明性を有する充填剤であれば特に限定されず、たとえば、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、水酸化アルミニウムなどの金属水酸化物系充填剤；酸化マグネシウム、二酸化チタン、酸化亜鉛、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素（シリカ）などの金属酸化物系充填剤；塩化ナトリウム、塩化カルシウムなどの金属塩化物系充填剤；硫酸ナトリウム、硫酸水素ナトリウムなどの金属硫酸塩系充填剤；硝酸ナトリウム、硝酸カルシウムなどの金属硝酸塩系充填剤；リン酸水素ナトリウム、リン酸二水素ナトリウムなどの金属リン酸塩系充填剤；チタン酸カルシウム、チタン酸ストロンチウム、チタン酸バリウムなどの金属チタン酸塩系充填剤；炭酸ナトリウム、炭酸カルシウムなどの金属炭酸塩系充填剤；炭化硼素、炭化ケイ素などの炭化物系充填剤；窒化ホウ素、窒化アルミニウム、窒化ケイ素などの窒化物系充填剤；マイカ、カオリン、フライアッシュ、タルク、雲母などのケイ酸塩系充填剤；ガラス粉末；などが挙げられる。無機充填剤は、１種単独で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができる。また、無機充填剤は、公知の、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤等で表面処理されたものであってもよい。
【００５６】
無機充填剤の配合量は特に限定はないが、シクロオレフィンモノマー１００重量部に対して、通常、１００〜６００重量部、好ましくは１５０〜５５０重量部、より好ましくは２００〜５００重量部である。
【００５７】
また、本発明で用いる重合性組成物には、上述したシクロオレフィンモノマー、及びメタセシス重合触媒、ならびに、必要に応じて配合される架橋剤及び無機充填剤に加えて、所望により、架橋助剤、連鎖移動剤、重合調整剤、重合反応遅延剤、反応性流動化剤、充填剤、難燃剤、老化防止剤、着色料などのその他の配合剤を任意の配合量で配合することができる。なお、架橋助剤、連鎖移動剤、重合調整剤、重合反応遅延剤、反応性流動化剤、充填剤、難燃剤、老化防止剤、着色料としては、一般に使用されている化合物、たとえば特開２００９−２４２５６８号公報に記載の化合物や、特開２０１０−１００６８３号公報に記載の化合物などを用いることができる。
【００５８】
（架橋性樹脂成形体）
次いで、図１に示す回路基板１の透明樹脂層１０を形成するための架橋性樹脂成形体を製造する方法について、説明する。
【００５９】
本発明で用いる架橋性樹脂成形体は、上述した重合性組成物を無機繊維状支持体に含浸させた後、重合（塊状重合）することにより製造される。
【００６０】
無機繊維状支持体としては、透明性を有する無機繊維材料から構成されるシート状の支持体であればよいが、たとえば、ガラス繊維、炭素繊維、アルミナ繊維、タングステン繊維、モリブデン繊維、ブデン繊維、チタン繊維、スチール繊維、ボロン繊維、シリコンカーバイド繊維、及びシリカ繊維などが挙げられる。これらの中でも、石英ガラス、Ｔガラス、Ｅガラス、ＮＥガラス、Ｓガラス、Ｄガラス、及びＨガラス等からなるガラス繊維が好ましく、このようなガラス繊維としては、プリント配線基板用のガラスクロスとして公知のものを用いることができる。
【００６１】
重合性組成物を無機繊維状支持体に含浸させる方法としては、無機繊維状支持体上に重合性組成物を塗布し、次いで、塗布面をローラーなどで押圧する方法等が挙げられる。なお、この場合においては、ローラーと無機繊維状支持体との間に保護フィルムを挟んでもよい。
【００６２】
あるいは、重合性組成物を無機繊維状支持体に含浸させる方法として、シート状支持体上に重合性組成物を流延し、その上に無機繊維状支持体を重ね、その上に、重合性組成物を塗布し、次いで塗布面を押圧する方法を採用してもよい。
【００６３】
重合性組成物を塗布（流延）する方法としては特に限定されず、スプレーコート法、ディップコート法、ロールコート法、カーテンコート法、ダイコート法、及びスリットコート法などを用いることができる。
【００６４】
シート状支持体を用いる場合において、支持体としては、ポリテトラフルオロエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリプロピレン、ポリエチレン、ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレート、ポリアリレート、及びナイロンなどからなる樹脂フィルム；鉄、ステンレス、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、金、及び銀などの金属材料からなる金属箔；などが挙げられる。
シート状支持体の厚みは、作業性などの観点から、通常、１〜１５０μｍ、好ましくは２〜１００μｍ、より好ましくは３〜７５μｍである。
【００６５】
そして、無機繊維状支持体に含浸させた重合性組成物を所望により乾燥させ、次いで塊状重合させる。塊状重合は、通常、重合性組成物を所定の温度に加熱することで行われる。重合性組成物の加熱方法としては特に制約されず、加熱プレート上に載せて加熱する方法、プレス機を用いて加圧しながら加熱（熱プレス）する方法、加熱したローラーで押圧する方法、加熱炉内で加熱する方法などが挙げられる。
【００６６】
重合性組成物を塊状重合させるための温度は、通常、３０〜２５０℃、好ましくは５０〜２００℃、より好ましくは９０〜１５０℃の範囲であって、かつ架橋剤、通常、ラジカル発生剤の１分間半減期温度以下、好ましくは１分間半減期温度の１０℃以下、より好ましくは１分間半減期温度の２０℃以下である。また、重合時間は適宜選択すればよいが、通常、１秒間から２０分間、好ましくは１０秒間から５分間である。重合性組成物をかかる条件で加熱することにより未反応モノマーの少ない架橋性樹脂成形体を得ることができる。
【００６７】
このようにして得られる架橋性樹脂成形体を構成する架橋性樹脂（シクロオレフィンモノマーの重合体）は、実質的に架橋構造を有さず、例えば、トルエンに可溶である。当該架橋性樹脂の分子量は、ゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（溶離液：テトラヒドロフラン）で測定されるポリスチレン換算の重量平均分子量で、通常、１，０００〜１，０００，０００、好ましくは５，０００〜５００，０００、より好ましくは１０，０００〜１００，０００の範囲である。
【００６８】
また、架橋性樹脂成形体は、後架橋可能な樹脂成形体であるが、架橋性樹脂の一部分が架橋されたものであってもよい。例えば、重合性組成物を塊状重合させたときに、重合反応熱が発散しにくい部分においては、温度が高くなりすぎる場合がある。高温部では架橋反応が起き、部分的に架橋構造が生成することがある。しかし、熱を発散しやすい部分（通常は、表面部）が後架橋可能な架橋性の樹脂で形成された構成であればよい。
【００６９】
（架橋積層体の製造）
次いで、上記にて得られた架橋性樹脂成形体の一方の面に、図１に示す第１金属層２０を形成するための第１金属箔を積層し、反対側の面に、図１に示す第２金属層３０を形成するための第２金属箔を積層することで、架橋前積層体を得て、次いで、架橋性樹脂成形体を架橋させることで、第１金属箔、架橋樹脂成形体、及び第２金属箔からなる架橋積層体を得る。
【００７０】
ここで、本発明においては、第１金属層２０を形成するための第１金属箔としては、架橋性樹脂成形体の表面に当接させる面が粗面化処理されており、その表面粗さＲｚが１．５μｍ超、好ましくは２．０μｍ以上、より好ましくは３．０μｍ以上である金属箔を用いる。なお、表面粗さＲｚは、伝送損失を小さくできる観点から、１４μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下である。
【００７１】
本発明においては、第１金属層２０を形成するための第１金属箔として、表面粗さＲｚが上記範囲にある金属箔を用いることにより、該金属箔表面に形成されている凹凸を、架橋前の架橋性樹脂成形体の表面に転写することができ、これにより、架橋前の架橋性樹脂成形体の表面の凹凸形状を、使用した第１金属箔の凹凸形状に応じたものとすることができる。すなわち、架橋前の架橋性樹脂成形体の第１金属箔が積層された面の表面粗さＲｚを、１．５μｍ超、好ましくは２．０μｍ以上、より好ましくは３．０μｍ以上とすることができる。そして、本発明によれば、第１金属層２０を形成するための第１金属箔として、このような表面粗さＲｚを備えるものを用いることにより、架橋前の架橋性樹脂成形体の第１金属層２０の形成された面の表面粗さＲｚを上記範囲とすることができ、さらには、これを架橋させて、図１に示すように透明絶縁層１０とした場合に、第１金属箔をパターン化した際に露出する表面（すなわち、図１において、第１金属層２０の形成されていない部分）の表面粗さＲｚを上記範囲とすることができる。
【００７２】
なお、第１金属層２０を形成するための第１金属箔を構成する金属材料としては、鉄、ステンレス、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、金、及び銀などが挙げられる。また、上述した架橋性樹脂成形体を製造する際に、支持体として、金属箔を用いた場合（具体的には、架橋性樹脂成形体の表面に当接させる面の表面粗さＲｚが１．５μｍ超である金属箔を用いた場合）には、該金属箔を、第１金属層２０を形成するための第１金属箔としてそのまま用いてもよい。
【００７３】
また、第２金属層３０を形成するための第２金属箔としては、特に限定されないが、架橋性樹脂成形体の表面に当接させる面が粗面化処理されたものを用いることが好ましい。なお、第２金属層３０を形成するための第２金属箔の、架橋性樹脂成形体の表面に当接させる面における表面粗さＲｚは、好ましくは１．５μｍ超、より好ましくは２．０μｍ以上、さらに好ましくは３．０μｍ以上である。なお、表面粗さＲｚは、伝送損失を小さくできる観点から、１４μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下、より好ましくは５．０μｍ以下である。また、第２金属層３０を形成するための第２金属箔を構成する金属材料としては、鉄、ステンレス、銅、アルミニウム、ニッケル、クロム、金、及び銀などが挙げられる。
【００７４】
本発明においては、第２金属層３０を形成するための第２金属箔として、表面粗さＲｚが上記範囲にある金属箔を用いることにより、上述した第１金属層２０と同様に、該金属箔表面に形成されている凹凸を、架橋前の架橋性樹脂成形体の表面に転写することができ、これにより、架橋前の架橋性樹脂成形体の表面の凹凸形状を、使用した第２金属箔の凹凸形状に応じたものとすることができる。すなわち、架橋前の架橋性樹脂成形体の第２金属箔が積層された面の表面粗さＲｚを、好ましくは１．５μｍ超、より好ましくは２．０μｍ以上、より好ましくは３．０ｍ以上とすることができる。そして、本発明によれば、第２金属層３０を形成するための第２金属箔として、このような表面粗さＲｚを備えるものを用いることにより、架橋前の架橋性樹脂成形体の第２金属層３０の形成された面の表面粗さＲｚを上記範囲とすることができ、さらには、これを架橋させて、図１に示すように透明絶縁層１０とした場合に、第２金属箔をパターン化した際に露出する表面（すなわち、図１において、第１金属層３０の形成されていない部分）の表面粗さＲｚを上記範囲とすることができる。
【００７５】
本発明において、架橋性樹脂成形体に、第１金属層２０を形成するための第１金属箔、及び第２金属層３０を形成するための第２金属箔を積層する方法としては、特に限定されないが、架橋性樹脂成形体を、第１金属箔及び第２金属箔で挟んだ状態とし、熱プレスする方法が好ましい。熱プレスする際の温度としては、特に限定されないが、好ましくは１８０〜２２０℃、より好ましくは１９０〜２１０℃である。また、熱プレスの温度を、架橋剤が反応する温度、具体的には、架橋剤としての、ラジカル発生剤の１分間半減期温度より高い温度とすることにより、積層と同時に架橋を行うことができる。熱プレスする際の圧力は、通常、０．５〜２０ＭＰａ、好ましくは３〜１０ＭＰａである。熱プレスは、真空又は減圧雰囲気下で行ってもよい。熱プレスは、平板成形用のプレス枠型を有する公知のプレス機、シートモールドコンパウンド（ＳＭＣ）やバルクモールドコンパウンド（ＢＭＣ）などのプレス成形機を用いて行なうことができる。そして、熱プレスを行った後、熱プレスと架橋とを同時に行っていない場合には、架橋を行うことで、第１金属箔、架橋樹脂成形体、及び第２金属箔からなる架橋積層体を得ることができる。
【００７６】
（第１金属箔のパターン化、第２金属箔のパターン化）
そして、上記にて得られた架橋積層体について、第１金属箔および第２金属箔の一部を除去することでパターン化し、これにより、パターン状の第１金属層２０、及び同じくパターン状の第２金属層３０を形成することで、図１に示す、第１金属層２０、透明樹脂層１０及び第２金属層３０を備える回路基板１を得ることができる。
【００７７】
パターン状の第１金属層２０、第２金属層３０を形成する方法としては、たとえば、第１金属層２０、第２金属層３０として残したい部分（配線パターンとして残したい部分）に、エッチングレジスト液を塗布してレジスト膜を形成した後、エッチング液に浸漬することにより不要な金属を除去し、その後、レジスト膜を剥離する方法が挙げられる。
【００７８】
本発明によれば、上述したように、第１金属層２０を形成するための第１金属箔として、表面粗さＲｚが１．５μｍ超、好ましくは２．０μｍ以上、より好ましくは３．０μｍ以上であるものを用い、透明樹脂層１０の第１金属層２０が形成された面の表面に（架橋前の架橋性樹脂成形体の表面に）凹凸形状を転写したものであるため、第１金属箔が除去されることで露出する透明樹脂層１０表面も、表面粗さＲｚが１．５μｍ超、好ましくは２．０μｍ以上、より好ましくは３．０μｍ以上に制御されたものとなる。
【００７９】
そして、このようにして得られる本発明の一例に係る回路基板１は、第１金属層２０形成面において、透明樹脂層１０の第１金属層２０が形成されていない部分の表面粗さＲｚが１．５μｍ超、好ましくは２．０μｍ以上、より好ましくは３．０μｍ以上に制御されたものである。そのため、本発明の一例に係る回路基板１によれば、パターン状に形成された第１金属層２０が所定の設計に従って形成されているか否かを、光学式自動外観検査装置（ＡＯＩ）により検査を行う際に、透明樹脂層１０の表面粗さにより、透明樹脂層１０表面において、透明樹脂層１０内に進入する入射光、及び、第２金属層３０からの反射光を乱反射させ、適切に減衰させることができる。そして、これにより、反対側の面に形成されている第２金属層３０による反射光の影響による検査精度の低下を有効に防止することができ、結果として、検査精度を適切に高めることができるものである。
【００８０】
ここで、パターン状に形成された第１金属層２０が所定の設計に従って形成されているか否かを、光学式自動外観検査装置を用いて検査する際においては、測定に先立って、回路基板に光を照射し、その反射光をＣＣＤなどにより撮像し、図２に示すような反射強度ヒストグラム（輝度ヒストグラム）を得て、反射強度ヒストグラムより、配線パターン（第１金属層１０形成部）に対応する反射強度と、樹脂層（透明樹脂層１０の露出部）に対応する反射強度とを決定し、該決定に基づいて、配線パターンに該当するか、あるいは、樹脂層に該当するかを判定するための判定閾値の設定が行われる。なお、図２中に示す反射強度ヒストグラムは、回路基板のうち、一部について、光を照射し、その反射光をＣＣＤなどにより撮像した場合における、ＣＣＤの撮像画素ごとの検出強度の度数分布を示すヒストグラムであり、図２に示すように、樹脂層は光の反射能が比較的低いため、検出強度（反射強度）が比較的低い部分に集中することとなり、一方、配線パターンは、通常、金属で形成されるため、光の反射能が比較的高く、そのため、検出強度（反射強度）は比較的高い部分に集中することとなる。
【００８１】
そして、光学式自動外観検査装置による検査においては、このようにして決定した判定閾値を用いて、回路基板全体について測定を行い、反射強度ヒストグラムに基づいて決定された判定閾値に基づいて、配線パターンに該当するか、樹脂層に該当するかの判定を行うものである。そのため、光学式自動外観検査装置による検査においては、その測定精度を良好なものとするためには、配線パターン（第１金属層１０形成部）からの反射光の反射強度と、樹脂層（透明樹脂層１０の露出部）からの反射光の反射強度とが明確に分離できるものである必要がある。
【００８２】
これに対し、透明樹脂を用いた従来の回路基板１ａにおいては、次のような問題があった。ここで、図３は、透明樹脂を用いた従来の回路基板１ａの問題点を説明するための図である。すなわち、図３に示すように、図示しない黒色のステージ上に載置した従来の回路基板１ａにおいては、第１金属層２０が所定の設計に従って形成されているか否かを、光学式自動外観検査装置を用いて検査した場合に、入射光の一部については、透明樹脂層１０ａの表面で反射するものの、残部は、図３中において一点鎖線の矢印で示すように、透明樹脂層１０ａ内部まで進入することとなる。そして、図３に示すように、透明樹脂層１０ａ内部まで進入した光が、図３中において一点鎖線の矢印で示すように、反対側の面に形成されている第２金属層３０または前記ステージ（以降、適宜、「第２金属層３０等」と言う）で反射し、反射光が、光学式自動外観検査装置に備えられたＣＣＤにより検出されてしまうこととなる。
【００８３】
そのため、従来の回路基板１ａにおいては、光学式自動外観検査装置による検査において、測定に先立って、回路基板１ａに第１金属層２０側より光を照射し、その反射光をＣＣＤなどにより撮像し、反射強度ヒストグラムを得た場合に、図４（Ｂ）に示すように、第１金属層２０による反射光の反射強度と、第２金属層３０等による反射光の反射強度とが比較的近い位置に出てしまい、これらを適切に分離できないという問題が生じてしまう。すなわち、図３に示すように、第２金属層３０による反射光は、透明樹脂層１０ａが露出した部分において検出されることになるが、透明樹脂層１０ａからの反射光に重ねて検出されてしまうことになる。しかし、透明樹脂層１０ａが露出した部分において検出されるべきなのは、透明樹脂層１０ａからの反射光のみであり、それが本来であれば、透明樹脂層１０ａとして検出されるべきものであるが、このような部分が適切に検出できないという問題が生じてしまう。
【００８４】
これに対し、本発明の一例に係る回路基板１によれば、透明樹脂層１０の、第１金属層２０形成面において、第１金属層２０が形成されていない部分の表面粗さＲｚが１．５μｍ超、好ましくは２．０μｍ以上、より好ましくは３．０μｍ以上に制御されているため、透明樹脂層１０の表面粗さにより、透明樹脂層１０表面において、透明樹脂層１０内に進入する入射光、及び、第２金属層３０等からの反射光を乱反射させ、適切に減衰させることができ、これにより、第２金属層３０等による反射光の影響による検査精度の低下を有効に防止することができるものである。加えて、本発明の一例に係る回路基板１によれば、第２金属層３０を形成するための第２金属箔として、架橋性樹脂成形体の表面に当接させる面における表面粗さＲｚが、好ましくは１．５μｍ超、より好ましくは２．０μｍ以上、特に３．０μｍ以上であるものを用いているため、透明樹脂層１０表面に加えて、第２金属層３０等による反射時においても、反射光を乱反射させることができ、これにより、第２金属層３０等からの反射光のさらなる減衰が可能となる。特に、本発明のように、各種電気特性や物理特性を向上させるために、樹脂層を構成する材料として、透明樹脂材料を用いた場合でも、透明樹脂材料を用いた場合における不具合を適切に解消するものである。
【００８５】
加えて、本発明の一例に係る回路基板１においては、上述した第１金属層２０と同様に、第２金属層３０を形成するための第２金属箔として、表面粗さＲｚが１．５μｍ超、好ましくは２．０μｍ以上、より好ましくは３．０μｍ以上であるものを用い、透明樹脂層１０の第２金属層３０が形成された面の表面に（架橋前の架橋性樹脂成形体の表面に）凹凸形状を転写したものであるため、第２金属箔が除去されることで露出する透明樹脂層１０表面についても、表面粗さＲｚが１．５μｍ超、好ましくは２．０μｍ以上、より好ましくは３．０μｍ以上に制御されたものとなっている。
【００８６】
そのため、得られた回路基板１をひっくり返して、上記した第１金属層２０と同様に、パターン状に形成された第２金属層３０が所定の設計に従って形成されているか否かを、光学式自動外観検査装置により同様に検査を行った際においても、上記と同様に、透明樹脂層１０の表面粗さにより、透明樹脂層１０表面において、透明樹脂層１０内に進入する入射光、及び、第１金属層２０及び回路基板１を載置するための黒色のステージ（以降、適宜、「第１金属層２０等」と言う）からの反射光を乱反射させ、適切に減衰させることができ、これにより、第１金属層２０等による反射光の影響による検査精度の低下を有効に防止することができるものである。また、この際においても、第１金属層２０を形成するための第１金属箔として、架橋性樹脂成形体の表面に当接させる面における表面粗さＲｚが、好ましくは１．５μｍ超、より好ましくは２．０μｍ以上、特に３．０μｍ以上であるものを用いているため、透明樹脂層１０表面に加えて、第１金属層２０等による反射時においても、反射光を乱反射させることができ、これにより、第１金属層２０等からの反射光のさらなる減衰が可能となる。
【００８７】
本発明は前記実施形態に限定されない。
上記においては、本発明の回路基板及びその製造方法を、図１に示す回路基板１に基づいて説明したが、このような態様に特に限定されるものではない。たとえば、図１に示す例においては、第２金属層３０として、パターン化されたものを例示したが、第２金属層３０をパターン化しないものとしてもよい。なお、この場合においても、第２金属層３０を形成するための第２金属箔として、架橋性樹脂成形体の表面に当接させる面における表面粗さＲｚが、好ましくは１．５μｍ超、より好ましくは２．０μｍ以上、特に３．０μｍ以上であるものを用いていることが好ましく、このような金属箔を用いることにより、透明樹脂層１０表面に加えて、第２金属層３０等による反射時においても、反射光を乱反射させることができ、これにより、第２金属層３０等からの反射光のさらなる減衰を可能となる。
【００８８】
また、上記においては、透明樹脂層１０の、第１金属層２０形成面における第１金属層２０が形成されていない部分の表面粗さＲｚを１．５μｍ超とする方法として、第１金属層２０を形成するための第１金属箔として、表面粗さＲｚが１．５μｍ超であるものを用い、凹凸形状を転写する方法を例示して説明したが、透明樹脂層１０の表面粗さＲｚを１．５μｍ超とする方法としては、特に限定されず、たとえばエッチング法等の任意の方法を採用すればよい。同様に、第２金属層３０形成面における第２金属層３０が形成されていない部分の表面粗さＲｚを１．５μｍ超とする方法として、第２金属層３０を形成するための第２金属箔として、表面粗さＲｚが１．５μｍ超であるものを用いる方法を例示したが、特に限定されず、たとえばエッチング法等の任意の方法を採用すればよい。
【実施例】
【００８９】
以下に、実施例及び比較例を挙げて、本発明についてより具体的に説明する。各例中の「部」は、特に断りのない限り、重量基準である。
【００９０】
（実施例１）
メタセシス重合触媒としてのベンジリデン（１，３−ジメシチルイミダゾリジン−２−イリデン）（トリシクロヘキシルホスフィン）ルテニウムジクロリド０．０５部及びトリフェニルホスフィン０．０１部を、インデン１．５１部に溶解させて触媒液を調製した。
【００９１】
これとは別に、シクロオレフィンモノマーとして、テトラシクロ［４．４．０．１２，５．１７，１０］ドデカ−８−エン−３−カルボン酸２−メタクリロイルオキシエチルエステル（ＴＣＤＭＡ）３０部、及びエチリデンテトラシクロ［６．２．１．１３，６．０２，７］ドデカ−４−エン（ＥＴＤ）７０部、連鎖移動剤としてスチレン０．８５部、架橋剤としてのジ−ｔ−ブチルパーオキサイド（１分間半減期温度１８６℃）１．１４部、ならびに、架橋助剤としてのトリメチロールプロパントリメタクリレート２０部をガラス容器に入れ、得られた混合物に、水酸化アルミニウム３００部を加え、均一になるまで混合することで、モノマー液を調製した。
【００９２】
次いで、得られたモノマー液に触媒液を混合することで重合性組成物を得て、得られた重合性組成物を、ポリエチレンナフタレートフィルム（厚み７５μｍ）の上に流延し、その上にガラスクロス（Ｅガラス、ＩＰＣスペック１０７８）を敷き、その上に、さらに重合性組成物を流延し、さらにその上にポリエチレンナフタレートフィルムを被せた。そして、これをローラーを用いて加圧することで、重合性組成物をガラスクロスに含浸させ、次いで、１２０℃、３．５分間の条件で重合反応を行い、厚み０．１３ｍｍの架橋性樹脂成形体を得た。
【００９３】
そして、このようにして得られた架橋性樹脂成形体を７枚作製し、ポリエチレンナフタレートフィルムを剥がしてから、積層することで、７枚の架橋性樹脂成形体からなる架橋性樹脂成形体積層物を得た。そして、得られた架橋性樹脂成形体積層物の上下面を２枚の電解銅箔（福田金属箔粉工業社製、電解箔ＨＤの超微細粗化処理（Ｔ４Ｘ）品、粗面の表面粗さＲｚ＝２．０μｍ）の粗面が、架橋性樹脂成形体表面側となるように、挟んだ。そして、得られた架橋前積層体について、２００℃、３ＭＰａ、１５分間の条件で熱プレスを行い、厚み０．１ｍｍの架橋積層体を得た。
【００９４】
次いで、得られた架橋積層体について、上下面に積層された電解銅箔のうち一方について、エッチング液として塩化銅エッチング液を用いてエッチングを行い、一方の面に所定の配線パターンを形成することで、図１に示す回路基板１を得た。なお、得られた回路基板について、配線パターンが形成された面における、透明樹脂層の露出部分の表面粗さＲｚを表面粗さ測定器（キーエンス社製、レーザー顕微鏡ＶＫ−８５００）により測定したところ、Ｒｚ＝２．０μｍであった。
【００９５】
そして、このようにして得られた回路基板１について、光学式自動外観検査装置（大日本スクリーン製造株式会社製、製品名「ＰＩ−９５００」）を用いて測定を行い、反射強度ヒストグラムを得た。図４（Ａ）に得られた反射強度ヒストグラムを示す。
【００９６】
（比較例１）
表面粗さＲｚが２．０μｍの電解銅箔の代わりに、表面粗さＲｚが１．５μｍである電解銅箔（古河電気工業社製、Ｔｙｐｅ  Ｆ０−ＷＳ）を使用した以外は、実施例１と同様にして、図３に示す回路基板１ａを得た。なお、得られた回路基板について、配線パターンが形成された面における、透明樹脂層の露出部分の表面粗さＲｚを表面粗さ測定器により測定したところ、Ｒｚ＝１．５μｍであった。
【００９７】
そして、このようにして得られた回路基板１ａについて、実施例１と同様にして、光学式自動外観検査装置を用いて測定を行い、反射強度ヒストグラムを得た。図４（Ｂ）に得られた反射強度ヒストグラムを示す。
【００９８】
（評価）
図４（Ａ）に示すように、配線パターンが形成された面における、透明樹脂層１０の露出部分の表面粗さＲｚを１．５μｍ超に制御した実施例１においては、反対側の面に位置する第２金属箔３０の反射強度を、透明樹脂層１０の反射強度と同程度まで、低く抑えることができ、この結果より、実施例１によれば、光学式自動外観検査装置を用いた検査を高精度に行うことができるものであった。
一方、図４（Ｂ）に示すように、配線パターンが形成された面における、透明樹脂層１０ａの露出部分の表面粗さＲｚを１．５μｍ以下とした比較例１においては、反対側の面に位置する第２金属箔３０の反射強度が高くなり、第１金属層２０の反射強度と同程度となってしまい、本来であれば、透明樹脂層１０ａとして検出されるべき部分を適切に検出することができないものであった。
【符号の説明】
【００９９】
１…回路基板
１０…透明樹脂層
２０…第１金属層
３０…第２金属層
【図１】
2014192422.tif 000006
【図２】
2014192422.tif 000007
【図３】
2014192422.tif 000008
【図４】
2014192422.tif 000009