(57)【要約】【課題】抵抗値が低減され感度が高い導電パターン電極および静電容量センサーシートを提供すること。【解決手段】電極基板１０および静電容量センサーシート１は、光透過性を有する基材と１１、基材１１上に形成された光透過性を有する電極１２と、電極１２に接続された導電ライン１３と、電極１２の一部および導電ライン１３の一部に接続された光透過性の導電抵抗低減部材１４とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基材と、
前記基材上に形成された光透過性を有する電極と、
前記電極に接続された導電ラインと、
前記電極の一部および前記導電ラインの一部に接続された光透過性の導電抵抗低減部材と、
を備えることを特徴とする電極基板。
【請求項２】
前記導電抵抗低減部材が、網状部材であることを特徴とする請求項１に記載の電極基板。
【請求項３】
前記導電抵抗低減部材が、前記電極よりも小さい面積を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電極基板。
【請求項４】
全光線透過率が、７０から９３％の範囲にあることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電極基板。
【請求項５】
光透過性を有する基材と、
前記基材上に形成された導電ラインと、
前記導電ラインに接続した光透過性を有する第一電極と、
前記第一電極に直交して前記第一電極との交差部分で分割された光透過性を有する第二電極と、
前記第一電極および前記第二電極の分割部分を覆って形成された透明絶縁膜と、
前記各電極よりも高い導電性を有するとともに光透過性を有して前記透明絶縁膜上に形成され、前記第二電極の分割部分を電気的に接続する導電抵抗低減部材と、
を備えることを特徴とする電極基板。
【請求項６】
前記導電抵抗低減部材は、前記透明絶縁膜上において、前記各電極よりも狭い幅を有し、且つ、前記透明絶縁膜よりも狭い幅を有することを特徴とする請求項５に記載の電極基板。
【請求項７】
請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の電極基板を適用したことを特徴とする静電容量センサーシート。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極基板、および、電極基板を有する静電容量センサーシートに関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯電話やパーソナルコンピュータなどの電子機器において、画面上に表示された情報を入力するための手段としてタッチパネルやタッチパッドが利用されている。タッチパネルとして、人の指などが接触することによる静電容量の変化を検出し、人の指が接触した位置を検知する静電容量センサーシートが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
特許文献１に記載の静電容量センサーシートでは、電極基板において、第一配線電極と第二配線電極との電気抵抗は第一検出電極と第二検出電極との電気抵抗よりも低い。そのため、特許文献１に記載の静電容量センサーシートでは、第一配線電極と第二配線電極との一端から他端へ行くに従って検出感度の低下を抑制することができ、検出感度のむらを低減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−７９１６９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
通常、静電容量センサーシートの電極基板は、抵抗値が、その距離に比例し、その幅に反比例して高くなる。そのため、電極基板は、長い距離または細い幅において抵抗値が大きくなって感度等の特性上で不利になりうる。特許文献１に記載の静電容量センサシートでは、電極基板において、電極と導電ラインとの間に形成される細幅部の幅寸法を、導電ラインよりも大きく必要とする。そのため、特許文献１に記載の静電容量センサシートでは、大型化が困難であった。また、長さの長い複数の電極を交差して配置した静電容量センサシートでは、細幅部も電極と同様に長くなって抵抗値が増大するために大型化が困難であった。さらに、菱形形状の複数の電極を配置した静電容量センサシートでは、長さの長い電極を用いた場合と同様に、抵抗値が増大するために大型化が困難であった。加えて、有機導電膜を用いた静電容量センサシートでは、高温化、高湿化等により、緩やかな抵抗値の上昇を避けられないために、細幅部が長い距離や細い幅を有するものとなって、抵抗値の上昇を、より一層助長させることになる。
【０００５】
本発明は、上記の問題を鑑みてなされたもので、抵抗値が低減され感度が高い電極基板および静電容量センサーシートを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、この発明は以下の手段を提案している。
本発明の一態様は、光透過性を有する基材と、前記基材上に形成された光透過性を有する電極と、前記電極に接続された導電ラインと、前記電極の一部および前記導電ラインの一部に接続された光透過性の導電抵抗低減部材と、を備えることを特徴とする電極基板である。
【０００７】
なお、上記の電極基板において、前記導電抵抗低減部材が、網状部材であってもよい。
【０００８】
また、上記の電極基板において、前記導電抵抗低減部材が、前記電極よりも小さい面積を有してもよい。
【０００９】
さらに、上記の電極基板において、全光線透過率が、７０から９３％の範囲に設定されていてもよい。
【００１０】
そして、本発明の一態様は、光透過性を有する基材と、前記基材上に形成された導電ラインと、前記導電ラインに接続した光透過性を有する第一電極と、前記第一電極に直交して前記第一電極との交差部分で分割された光透過性を有する第二電極と、前記第一電極および前記第二電極の分割部分を覆って形成された透明絶縁膜と、前記各電極よりも高い導電性を有するとともに光透過性を有して前記透明絶縁膜上に形成され、前記第二電極の分割部分を電気的に接続する導電抵抗低減部材と、を備えることを特徴とする電極基板である。
【００１１】
また、上記の電極基板において、前記導電抵抗低減部材は、前記透明絶縁膜上において、前記各電極よりも狭い幅を有し、且つ、前記透明絶縁膜よりも狭い幅を有してもよい。
【００１２】
そして、本発明の一態様は、電極基板を適用したことを特徴とする静電容量センサーシートである。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、抵抗値が低減され感度が高い電極基板および静電容量センサーシートを提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態の静電容量センサーシートに適用される電極基板の平面図である。
【図２】同電極基板の断面図である。
【図３】同電極基板の製造手順を説明するフローチャートである。
【図４】同実施形態の電極基板の第１変形例の平面図である。
【図５】同実施形態の電極基板の第２変形例の平面図である。
【図６】同実施形態の電極基板の第３変形例の平面図である。
【図７】同実施形態の電極基板の第４変形例の平面図である。
【図８】本発明の第２実施形態の静電容量センサーシートに適用される電極基板の平面図である。
【図９】同電極基板の製造手順を説明するフローチャートである。
【図１０】同電極基板の製造手順を説明する第１段階の工程図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。
【図１１】同電極基板の製造手順を説明する第２段階の工程図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１２】同電極基板の製造手順を説明する第３段階の工程図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。
【図１３】同実施形態の電極基板の第１変形例の平面図である。
【図１４】同実施形態の電極基板の第２変形例の構成図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。
【図１５】同実施形態の電極基板の第３変形例の構成図であり、（ａ）は平面図であり、（ｂ）は（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１実施形態）
以下、本発明に係る電極基板および静電容量センサーシートの第１実施形態を、図１から図７を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１実施形態の静電容量センサーシートに適用される電極基板の平面図である。
図１に示すように、静電容量センサーシート１に適用される電極基板１０は、基材１１、電極１２、導電ライン１３、及び導電抵抗低減部材１４を備える。
【００１６】
基材１１は、光透過性を有し、且つ、絶縁性を有する部材である。基材１１は、矩形に形成された基材本体１５の表面に電極形成面１６を有し、基材本体１５の端部に突出部１７を有する。基材１１の材質としては、例えば、ポリアクリル、ポリアリレート、ポリエチレン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリ塩化ビニル、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリビニルアルコール、ポリフッ化ビニリデン、ポリブチレンテレフタレート、ポリプロピレン、スチレン系エラストマー、ポリエステル系エラストマー、ＡＢＳ樹脂、環状ポリオレフィン・コポリマー、及びガラスなどを適宜選択して採用することができる。
【００１７】
電極１２は、光透過性を有し、且つ、導電性を有して基材１１上に形成されている。電極１２は、例えば、銅、白金、金、銀、ニッケル等からなる金属ナノワイヤや金属ナノチューブ、シリコンナノワイヤやシリコンナノチューブ、金属酸化物ナノチューブ、カーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、グラファイトフィブリル等の繊維状部材又は酸化インジウム錫（ＩＴＯ）などの金属酸化膜又は水分散ポリチオフェン誘導体（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）を素材として３００ｎｍの厚み寸法を有する。電極１２は、Ｙ軸方向が高さ寸法Ｌ１で、Ｘ軸方向が幅寸法Ｌ２の外観が矩形の板形状に形成されている。なお、本明細書において、Ｙ軸方向とは、図１中の上方向を意味し、Ｘ軸方向とは図１中の横方向を意味する。電極１２は、基材１１のＹ軸方向に等間隔で２個形成されている。電極１２は、導電性を有する材料であれば、公知の材料を適宜選択して用いることができる。
【００１８】
導電ライン１３は、導電性を有しており、電極１２に電気的に接続されている。導電ライン１３としては、樹脂バインダ中に微小な金属粒子、カーボンを含有したペースト、蒸着またはスパッタリング等から形成される金属薄膜などを採用することができる。導電ライン１３は、電極１２の端面から基材１１の突出部１７までを繋ぐ。導電ライン１３は、電極１２に接続される側の端部に補助電極１８を有する。補助電極１８は、例えば導電ライン１３からＴ字形状に分岐した形状を有して電極１２上に形成されている。
【００１９】
図２は、電極基板１０の断面図である。図２に示すように、導電ライン１３は、電極１２上にスクリーン印刷等の公知の印刷方法や蒸着により形成される。そのため、補助電極１８を電極１２に対して大きな面積で面接触させることができる。
【００２０】
図１に示す導電抵抗低減部材１４は、幅の狭い板形状の幹線をなして形成されている。導電抵抗低減部材１４は、基材１１の厚さ方向から見たときの面積が電極１２よりも小さい。例えば、導電抵抗低減部材１４は、２００μｍのＹ軸方向の高さ寸法Ｌ３を有して電極１２よりも小さい面積を有する。導電抵抗低減部材１４は、電極１２に比べてわずかに大きいＸ軸方向の幅寸法Ｌ４を有する。そして、導電抵抗低減部材１４は、電極１２のＹ軸方向の中央の一部および導電ライン１３の一部である補助電極１８の中央部にスクリーン印刷等によってパターンとして重ねて形成されている。
また、導電抵抗低減部材１４は、導電性高分子や導電性の網状部材を含む。導電抵抗低減部材１４を構成する網状部材は、導電性の２次元ネットワークを構成する金属極細繊維によって形成されている。導電抵抗低減部材１４に含まれる金属極細繊維の具体例としては、銅、白金、金、銀、ニッケル等からなる金属ナノワイヤや金属ナノチューブが挙げられる。導電抵抗低減部材１４は、これらの金属極細繊維が樹脂によって網状に保持された構造であり、金属極細繊維の一部は電極１２に接している。
本実施形態においては、銀を主成分とする金属ナノワイヤ（銀ナノワイヤ）が抵抗値、環境安定性、コストの面で、導電抵抗低減部材１４を構成する網状部材の材料として好ましい。金属極細繊維４は、例えばその直径が１ｎｍ〜７０ｎｍ程度、長さが１μｍ〜１００μｍ程度に形成されている。
なお、網状部材３として、前述した金属極細繊維以外の、シリコンナノワイヤやシリコンナノチューブ、金属酸化物ナノチューブ、単層または複数層のカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバー、グラファイトフィブリル等の繊維状部材（金属極細繊維）が用いられるとともに、これらが分散・連結されて構成されていても構わない。また、導電性の網状部材３の他、金属コロイドや微小な金属粒子の焼成体、又は水分散ポリチオフェン誘導体（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）からなる導電性高分子によって導電抵抗低減部材１４が構成されていてもよい。
導電抵抗低減部材１４は、電極１２および導電ライン１３の全体の導電抵抗を下げる作用を有する。
【００２１】
図３は、電極基板１０の製造手順を説明するフローチャートである。図３に示すように、まず、基材１１上に電極１２を形成する（ステップＳ１０１）。次に、電極１２上に導電ライン１３を形成する（ステップＳ１０２）。そして、電極１２の一部と導電ライン１３の一部とに導電抵抗低減部材１４を重ねて形成する（ステップＳ１０３）。
【００２２】
電極基板１０は、基材１１、電極１２、および導電抵抗低減部材１４を含んだ全体としての全光線透過率が、７０から９３％の範囲に設定されている。
【００２３】
電極基板１０を適用した静電容量センサーシート１は、導電ライン１３が不図示の検出回路に接続されて使用される。検出回路は、電極１２に対して基準信号を出力する。すると、電極１２に出力された基準信号により、電極１２に電荷が蓄積される。そこで、基材１１に対して不図示の入力体が接近すると、電極１２と入力体とが静電結合されることにより、電極１２と入力体との間にキャパシタが構成される。そして、電極１２と入力体との間の距離によって電極１２と入力体との間の静電容量が変化し、検出回路は、この静電容量の変化を検出する。このとき、静電容量センサーシート１は、導電抵抗低減部材１４によって電極１２および導電ライン１３の全体の導電抵抗が低減されているために、感度を向上させることができる。
【００２４】
以上説明したように、第１実施形態の電極基板１０によれば、導電抵抗低減部材１４により、電極１２および導電ライン１３の全体の導電抵抗を低減できるために、信号経路内のインピーダンスを積極的に低減して、感度を向上させることができる。
【００２５】
また、電極基板１０によれば、導電抵抗低減部材１４が、金属ナノワイヤーであるために、電極１２上および導電ライン１３上への形成を容易に行うことができる。
【００２６】
そして、電極基板１０によれば、導電抵抗低減部材１４が、電極１２よりも小さい面積を有しているために、比較的高価な金属ナノワイヤーの使用量を最小限に抑えて、コスト面で有利に製造することができる。
【００２７】
さらに、電極基板１０によれば、基材１１、電極１２および導電抵抗低減部材１４の全光線透過率が、７２から９５％の範囲に設定されている。そのため、電極基板１０によれば、電極１２の着色を発生させることなく、且つ、抵抗値を低減できる。
【００２８】
さらにまた、電極基板１０によれば、光透過性のある導電抵抗低減部材１４を有しているので、全光線透過率を低下させることなく、且つ、電極１２の着色を発生させることなく、抵抗値を低減できる。
【００２９】
そして、電極基板１０によれば、光透過性のある導電抵抗低減部材１４を有しているので、光透過性を有する電極１２を含むアクティブエリアの拡大を図ることができるとともに形状の自由度を改善することができる。
【００３０】
さらに、静電容量センサーシート１によれば、電極１２および導電ライン１３の全体の導電抵抗を低減できる電極基板１０が適用されているので、感度を向上させることができる。
【００３１】
（変形例１−１）
図４は、第１実施形態の静電容量センサーシートに適用される電極基板の第１変形例の平面図である。図４に示すように、本変形例の電極基板２０は、Ｘ軸方向に３列で、Ｙ軸方向に３列の９個の電極１２を不図示の基材上に形成している。そして、電極基板２０は、アクティブエリアに配置されている一つの電極１２のエッジ部２１から導電ライン１３に向けて延長するように幅の狭い導電抵抗低減部材２２を形成している。
【００３２】
本変形例の電極基板２０によれば、アクティブエリア内の電極１２に導電抵抗低減部材２２を形成した。そのため、電極基板２０によれば、複数の電極の回りに大きな面積の隙間を形成していたものと比べて、アクティブエリアの隙間を削減して有効的に利用することができる。また、本変形例の電極基板２０によれば、アクティブエリア内の電極１２からの接続においても、透明性が高く、且つ、低い抵抗値で導電ライン１３への接続を行うことができる。
【００３３】
（変形例１−２）
図５は、第１実施形態の静電容量センサーシートに適用される電極基板の第２変形例の平面図である。図５に示すように、本変形例の電極基板３０は、Ｘ軸方向に６列で、Ｙ軸方向に４列の２４個の電極１２を備えている。そして、電極基板３０は、アクティブエリアに配置されている複数の電極１２のエッジ部３１から導電ライン１３までの間に幅の狭い導電抵抗低減部材３２を形成している。
【００３４】
本変形例の電極基板３０によれば、アクティブエリア内の電極１２に導電抵抗低減部材３２を形成した。そのため、電極基板３０によれば、複数の電極の回りに大きな面積の隙間を形成していたものと比べて、アクティブエリアの隙間を削減して有効的に利用することができる。また、本変形例の電極基板３０によれば、アクティブエリア内の電極１２からの接続においても、透明性が高く、且つ、低い抵抗値で導電ライン１３への接続を行うことができる。
【００３５】
（変形例１−３）
図６は、第１実施形態の静電容量センサーシートに適用される電極基板の第３変形例の平面図である。図６に示すように、本変形例の電極基板４０は、Ｘ軸方向に長く、Ｙ軸方向に２列の２個の第一電極４１を不図示の基材の表面に形成している。また、電極基板４０は、これら第一電極４１に直交してＹ軸方向に長く、Ｘ軸方向に６列の第二電極４２を基材の裏面に形成して十字形状としている。そして、電極基板４０は、第一電極４１のＸ軸方向に幅の狭い導電抵抗低減部材４３を形成している。
【００３６】
本変形例の電極基板４０によれば、第一電極４１に導電抵抗低減部材４３を形成した。そのため、電極基板４０によれば、第一電極４１から導電ライン１３への接続ラインの導電抵抗を低減できるために、信号経路内のインピーダンスを積極的に低減して、感度を向上させることができる。
【００３７】
（変形例１−４）
図７は、第１実施形態の静電容量センサーシートに適用される電極基板の第４変形例の平面図である。図７に示すように、本変形例の電極基板５０は、Ｘ軸方向に繋がった菱形形状を有して導電ライン１３に接続された第一電極５１が不図示の基材の表面に形成されている。また、基材の表面には、第一電極５１にＹ軸方向に直交して第一電極５１との交差部分で分割された第二電極５２が形成されている。そして、第一電極５１上のＸ軸方向には、幅の狭い導電抵抗低減部材５３が形成されている。
【００３８】
本変形例の電極基板５０によれば、第一電極５１上のＸ軸方向に導電抵抗低減部材５３が形成されている。そのため、電極基板５０によれば、第一電極５１から導電ライン１３への接続ラインの導電抵抗を低減できるので、信号経路内のインピーダンスを積極的に低減して、感度を向上させることができる。
【００３９】
（第２実施形態）
次に、本発明の第２実施形態について図８から図１６を参照しながら説明する。なお、本実施形態では、第１実施形態と同一の部位には同一の符号を付してその説明は省略し、異なる点についてのみ説明する。図８は、本発明に係る第２実施形態の静電容量センサーシートに適用される電極基板の平面図である。図８に示すように、静電容量センサーシート２に適用される電極基板１００は、基材１１と、導電ライン１３とを備えている。基材１１の表面には、第一電極１０１と、第二電極１０２と、透明絶縁膜１０３と、導電抵抗低減部材１０４とが形成されている。
【００４０】
第一電極１０１は、Ｘ軸方向に繋がった菱形形状を有して導電ライン１３に接続されている。
【００４１】
第二電極１０２は、第一電極１０１にＹ軸方向に直交されて形成されており、第一電極１０１との交差部分で分割されている。
【００４２】
透明絶縁膜１０３は、Ｙ軸方向に配置された各第二電極１０２の各分割部分を覆って形成されている。透明絶縁膜１０３の全光線透過率は、第一電極１０１および第二電極１０２の全光線透過率よりも高い。
【００４３】
導電抵抗低減部材１０４は、透明絶縁膜１０３上において、第二電極１０２の分割部分に電気的に接続されている。導電抵抗低減部材１０４は、透明絶縁膜１０３上において、各電極１０１、１０２よりも狭い幅寸法を有する。導電抵抗低減部材１０４は、光透過性を有しており、透明絶縁膜１０３よりも狭い幅寸法を有し、各電極１０１、１０２よりも高い導電性を有する細線に形成されている。
【００４４】
図９は、電極基板１００の製造手順を説明するフローチャートである。図９に示すように、まず、基材１１の表面に第一電極１０１を形成する（ステップＳ２０１）。次に、基材１１の表面に第二電極１０２を形成する（ステップＳ２０２）。尚、電極１０１と電極１０２が同一素材の場合はステップＳ２０１とＳ２０２は同じステップとして、または同時に形成されても良い。そして、導電ライン１３を第一電極１０１に接続して基材１１上に形成する（ステップＳ２０３）。続いて、第二電極１０２の分割部分を覆って透明絶縁膜１０３を形成する（ステップＳ２０４）。さらに、透明絶縁膜１０３上において第二電極１０２の分割部分に導電抵抗低減部材１０４を形成する（ステップＳ２０５）。
【００４５】
図１０は、電極基板１００の具体的な製造手順を説明する第１段階の工程図であり、図１０（ａ）は平面図であり、図１０（ｂ）は図１０（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。図１０（ａ）に示すように、基材１１の表面に第一電極１０１および第二電極１０２を形成する第１段階の処理を行う。このとき、図１０（ｂ）に示すように、Ｙ軸方向に配置された各第二電極１０２の分割部１０５の間に第一電極１０１の細幅部１０６が配置されている。
【００４６】
図１１は、電極基板１００の具体的な製造手順を説明する第２段階の工程図であり、図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）は図１１（ａ）のＢ−Ｂ線断面図である。図１１（ａ）に示すように、各第二電極１０２の分割部１０５と、第一電極１０１の細幅部１０６とを覆って透明絶縁膜１０３を形成する第２段階の処理を行う。このとき、図１１（ｂ）に示すように、透明絶縁膜１０３は、各第二電極１０２の分割部１０５と第一電極１０１の細幅部１０６とに架橋するように絶縁被膜を形成する。
【００４７】
図１２は、電極基板１００の具体的な製造手順を説明する第３段階の工程図であり、図１２（ａ）は平面図であり、図１２（ｂ）は図１２（ａ）のＣ−Ｃ線断面図である。図１２（ａ）に示すように、Ｙ軸方向に配置されている一対の第二電極１０２の分割部１０５に導電抵抗低減部材１０４を電気的に接続する。このとき、図１２（ｂ）に示すように、導電抵抗低減部材１０４は、第一電極１０１の細幅部１０６に対しては絶縁されて、各第二電極１０２の分割部１０５に電気的に接続される。これにより、図８に示した電極基板１００を形成することができる。
【００４８】
第２実施形態の電極基板１００によれば、透明絶縁膜１０３よりも狭い幅寸法で、各電極１０１、１０２よりも高い導電性を有する細線の導電抵抗低減部材１０４を各第二電極１０２の分割部１０５に接続した。そのため、電極基板１００によれば、全光線透過率を低下させることなく、且つ、各電極１０１、１０２の着色を発生させることなく、導電抵抗を低減できる。
【００４９】
また、電極基板１００によれば、２層の基材を用いないために材料のコストを削減でき、構造が簡素になるために組み立て工程を簡略化でき、生産効率を向上できる。
【００５０】
そして、電極基板１００によれば、２層の基材を用いないために厚み方向を薄型化形状の自由度を改善することができる。
【００５１】
（変形例２−１）
図１３は、第２実施形態の静電容量センサーシートに適用される電極基板の第１変形例の平面図である。図１３に示すように、本変形例の電極基板１２０は、基材１１と、導電ライン１３とを備えている。
【００５２】
基材１１の表面には、第一電極１２１と、第二電極１２２と、透明絶縁膜１２３と、導電抵抗低減部材１２４とが形成されている。
【００５３】
第一電極１２１は、Ｘ軸方向に長く形成されている。第二電極１２２は、第一電極１２１にＹ軸方向に直交されて第一電極１２１との交差部分で分割され、導電ライン１３に接続されている。
【００５４】
透明絶縁膜１２３は、第二電極１２２の分割部分を覆って形成されている。導電抵抗低減部材１２４は、透明絶縁膜１２３上において、第二電極１２２の分割部分を電気的に接続して形成されている。
【００５５】
本変形例の電極基板１２０によれば、全光線透過率を低下させることなく、且つ、各電極１２１、１２２の着色を発生させることなく、導電抵抗を低減できる。
【００５６】
（変形例２−２）
図１４は、第２実施形態の静電容量センサシートに適用される電極基板の第２変形例の平面図であり、図１４（ａ）は平面図であり、図１４（ｂ）は図１４（ａ）のＥ−Ｅ線断面図である。図１４（ａ）、（ｂ）に示すように、本変形例の電極基板１３０は、基材１１と導電ライン１３とを備えている点では上記第２実施形態と同様である。
【００５７】
基材１１の表面には、第一電極１３１と、第二電極１３２と、透明絶縁膜１３３と、第一導電抵抗低減部材１３４ａと第二導電抵抗低減部材１３４ｂとが形成されている。
【００５８】
第一電極１３１は、Ｘ軸方向に繋がった菱形形状を有して導電ライン１３に接続されている。第二電極１３２は、第一電極１３１にＹ軸方向に直交して第一電極１３１との交差部分で分割されている。
第一導電抵抗低減部材１３４ａは、第一透明電極１３１上に積層されている。第一導電抵抗低減部材１３４ａは、図１４におけるＸ方向に長い線状に形成されている。
【００５９】
透明絶縁膜１３３は、Ｙ軸方向に配置された一対の第二電極１３２の分割部分を覆って形成されている。第二導電抵抗低減部材１３４ｂは、透明絶縁膜１３３上において、Ｙ軸方向に配置された各第二電極１３２の分割部分を電気的に接続して形成されている。
本実施形態では、第一電極１３１、第二電極１３２、透明絶縁膜１３３、第一導電抵抗低減部材１３４ａ、及び第二導電抵抗低減部材１３４ｂは、光透過性を有する。
【００６０】
本変形例の電極基板１３０によれば、各電極１３１、１３２から導電ライン１３までの通電経路を短くできるとともに導電抵抗を低減できるので、感度を向上させることができる。
【００６１】
（変形例２−３）
図１５は、第２実施形態の静電容量センサーシートに適用される電極基板の第３変形例の平面図であり、図１５（ａ）は平面図であり、図１５（ｂ）は図１５（ａ）のＦ−Ｆ線断面図である。図１５（ａ）、（ｂ）に示すように、本変形例の電極基板１４０は、基材１１と導電ライン１３とを備えている点では上記第２実施形態と同様である。
【００６２】
基材１１の表面には、第一電極１４１と、第二電極１４２と、透明絶縁膜１４３と、第一導電抵抗低減部材１４４ａと第二導電抵抗低減部材１４４ｂとが形成されている。
【００６３】
第一電極１４１は、Ｘ軸方向に繋がった菱形形状を有して導電ライン１３に接続されている。
第一導電抵抗低減部材１４４ａは、第一電極１４１上に積層されている。第一導電抵抗低減部材１３４ａは、図１５におけるＸ方向に長い線状に形成されている。
【００６４】
第二電極１４２は、第一電極１４１に図１５におけるＹ軸方向に直交して第一電極１４１との交差部分で分割されている。
【００６５】
透明絶縁膜１４３は、図１５におけるＹ軸方向に配置された一対の第二電極１４２の分割部分を覆って形成されている。
【００６６】
第二導電抵抗低減部材１４４ｂは、Ｙ軸方向に長く形成されて、Ｙ軸方向の各透明絶縁膜１４３上において、Ｙ軸方向の各第二電極１４２の分割部分に電気的に接続されている。
【００６７】
本変形例の電極基板１４０によれば、各電極１４１、１４２から導電ライン１３までの通電経路を短くできるとともに導電抵抗を低減できるので、感度を向上させることができる。
【００６８】
以上、本発明の実施形態について図面を参照して詳述したが、具体的な構成はこの実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計変更等も含まれる。  例えば、上述した各実施形態において、各透明電極の数は一例であって、適宜選択設定することができるので、何ら限定されるものではない。
また、上記各実施形態及びそれらの変形例に記載の技術事項を適宜組み合わせることもできる。
【符号の説明】
【００６９】
１、２  静電容量センサーシート
１０、２０、３０、４０、５０、１００、１１０、１２０、１３０、１４０  電極基板
１１  基材
１２  電極
１３  導電ライン
１４、２２、３２、４３、５３、１０４，１２４  導電抵抗低減部材
１３４ａ，１４４ａ  第一導電抵抗低減部材（導電抵抗低減部材）
１３４ｂ，１４４ｂ  第二導電抵抗低減部材（導電抵抗低減部材）
１５  基材本体
１６  電極形成面
１７  突出部
１８  補助電極
２１、３１  エッジ部
４１、５１、１０１、１１１、１２１、１３１、１４１  第一電極
４２、５２、１０２、１１２、１２２、１３２、１４２  第二電極
１０３、１１３、１２３、１３３、１４３  透明絶縁膜
１０５  分割部
１０６  細幅部
１１４  孔部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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