(57)【要約】【課題】より小型化が可能で、振動もれや熱ストレスによる振動特性の劣化がより抑制され、製造工程において、可動電極がスティッキングをおこすことがなく安定して製造される振動子を提供する。【解決手段】ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１と、支持部２２と、支持部２２によって基板１の主面上に遊離して支えられた上部電極２１（振動体）と、を備え、支持部２２は、基板１の主面と、基板１の主面と対向する上部電極２１の主面との間の領域において、一方の端部が上部電極２１の振動の節４０に連接し、他方の端部が基板１の主面上に固定されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
支持部と、
前記支持部によって前記基板の主面上に遊離して支えられた振動体と、を備え、
前記支持部は、
前記基板の主面と、前記基板の主面と対向する前記振動体の主面との間の領域において、一方の端部が前記振動体の振動の節に連接し、他方の端部が前記基板の主面上に固定されている、ことを特徴とする振動子。
【請求項２】
前記振動体が、回転対称の形状を呈する板状体であり、
前記振動の節が、前記振動体の周縁部と前記振動体の中央部とが前記振動体の厚み方向において逆位相で振動することで、前記周縁部と前記中央部との間に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の振動子。
【請求項３】
前記振動体が、上部電極であり、
前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって囲まれた領域との間に第１の下部電極を備えることを特徴とする請求項２に記載の振動子。
【請求項４】
前記振動体が、上部電極であり、
前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって囲まれた領域の外側の領域との間に第２の下部電極を備えることを特徴とする請求項２に記載の振動子。
【請求項５】
前記振動体が、上部電極であり、
前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって囲まれた領域との間に第１の下部電極を備え、
前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって囲まれた領域の外側の領域との間に第２の下部電極を備えることを特徴とする請求項２に記載の振動子。
【請求項６】
前記振動体が、円形を呈する板状体であることを特徴とする請求項２ないし請求項５のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項７】
前記振動体が、矩形の板状体であり、
前記振動の節が、前記振動体の対向する２つの側面部と、前記振動体の中央部とが、前記振動体の厚み方向に逆位相で振動することで、前記２つの側面部と、前記振動体の中央部との間に形成されてなることを特徴とする請求項１に記載の振動子。
【請求項８】
前記振動体が、上部電極であり、
前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって挟まれた領域との間に第１の下部電極を備えることを特徴とする請求項７に記載の振動子。
【請求項９】
前記振動体が、上部電極であり、
前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって挟まれた領域の外側の領域との間に第２の下部電極を備えることを特徴とする請求項７に記載の振動子。
【請求項１０】
前記振動体が、上部電極であり、
前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって挟まれた領域との間に第１の下部電極を備え、
前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって挟まれた領域の外側の領域との間に第２の下部電極を備えることを特徴とする請求項７に記載の振動子。
【請求項１１】
前記振動体が、
前記上部電極と前記第１の下部電極との間に印加される第１の交流電圧と、
前記上部電極と前記第２の下部電極との間に前記第１の交流電圧と逆位相で印加される第２の交流電圧と、によって振動することを特徴とする請求項５または請求項１０に記載の振動子。
【請求項１２】
前記支持部が、前記基板の主面と交差する方向に延在する柱状体であることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項１３】
前記支持部が、前記基板の主面と交差する方向に延在する板状体であることを特徴とする請求項１ないし請求項１１のいずれか一項に記載の振動子。
【請求項１４】
請求項１ないし請求項１３のいずれか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項１５】
請求項１ないし請求項１３のいずれか一項に記載の振動子を備えていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子、電子機器および移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）は加速度センサー、映像デバイスなどで順調にその成長を見せている。ＭＥＭＳは、マイクロマシン、ＭＳＴ（Micro System Technology）と呼ばれる場合もあるが、通常、「半導体製造技術を用いて作製された微小な機能素子」を意味するものとされる。それらは、従来の半導体で培われた微細加工技術をベースとして製造されている。
ところで、ＭＥＭＳは、表面ＭＥＭＳとバルクＭＥＭＳに大別される。前者はシリコン基板上に複数の薄膜を形成し、犠牲層エッチング（リリースエッチング）技術を使ってＭＥＭＳ構造体を作る。特長として、半導体製造技術との親和性が高くＣＭＯＳ（Complementary Metal Oxide Semiconductor）回路との集積化に適している。一方後者は、ＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板など基板自体を深く掘り込むなどの加工を施しＭＥＭＳ構造体を作る。特長として自由度の高い３次元構造体が実現できる。現在はどちらにおいても開発、製品化が進められているが、特に、表面ＭＥＭＳ技術を用いてＩＣ（Integrated Circuit）と同じチップ内にＭＥＭＳ振動子を作成したワンチップＭＥＭＳ振動子が知られている。
【０００３】
従来のＭＥＭＳ振動子の代表例としては、基板面と平行な方向に振動する櫛型振動子と、基板の厚さ方向に振動する梁型振動子とが知られている。梁型振動子は、基板上に形成された下部電極（固定電極）と、この下部電極の上方に間隙を介して配置された上部電極（可動電極）などからなる振動子で、上部電極の支持の仕方により、片持ち梁型（clamped‐free beam）、両持ち梁型（clamped‐clamped beam）、両端自由梁型（free‐free beam）などが知られている。
【０００４】
例えば、両端自由梁型のＭＥＭＳ振動子は、振動する上部電極の振動の節の部分が支持部材によって支持されるため、基板への振動もれが少なく振動の効率が高い。特許文献１には、この支持部材の長さを振動の周波数に対して適切な長さとすることにより振動特性を改善する技術が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第ＵＳ６９３０５６９Ｂ２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のＭＥＭＳ振動子を含め、上述した従来の技術による梁型振動子は、小型化、薄型化、省電力化、高周波数化などのニーズに充分に応えられないという課題があった。具体的には、小型化、薄型化、省電力化、高周波数化などに対応するためには、両端自由梁型のＭＥＭＳ振動子を用いて、その上部電極や支持部のスティフネスを小さくしたり、電極間の間隙を小さくしたりすることが有効であったが、その結果、製造工程における上部電極のスティッキングを誘発し、充分な製造歩留まりが得られなくなってしまうという課題があった。スティッキングとは、ＭＥＭＳ構造体を形成するために、犠牲層をエッチング除去したときに、微細な構造体が基板や他の構造体に付着してしまう現象である。つまり、従来技術では、製造工程において、上部電極が下部電極にスティッキングしてしまうという課題が、上述のニーズへの対応と共に顕在化してきた。
【０００７】
また、更に小型化、微細化を進めた場合に、安定した振動特性が得られなくなるという課題があった。具体的には、梁型振動子は、基板上に形成された固定電極と、この固定電極に対して僅かな間隙を介して配置された可動電極からなる振動子であるため、小型化、微細化を進めた場合に、これら電極が配置される下地層との間に生ずる残留応力（熱応力などを含む内部応力）の影響を受けて、振動特性が変動してしまうという課題であった。振動特性の変動は、応力を受けることによって生ずる電極間の間隙の変動や、可動電極のスティフネスの変動などによるものであり、熱履歴によって、振動特性に温度ヒステリシスを示してしまうなどの課題もあった。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の適用例または形態として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］  本適用例に係る振動子は、基板と、支持部と、前記支持部によって前記基板の主面上に遊離して支えられた振動体と、を備え、前記支持部は、前記基板の主面と、前記基板の主面と対向する前記振動体の主面との間の領域において、一方の端部が前記振動体の振動の節に連接し、他方の端部が前記基板の主面上に固定されている、ことを特徴とする。
【００１０】
本適用例によれば、支持部は、基板の主面と、基板の主面と対向する振動体の主面との間の領域において、一方の端部が振動体の振動の節に連接し、他方の端部が基板の主面上に固定されている。つまり、支持部は、基板と振動体との間に位置しており、スペーサーとして機能する。そのため、例えば、基板の主面上に遊離した振動体を形成する製造工程において、エッチング液や洗浄液の表面張力などが働いた場合であっても、振動体が基板の主面上に付着してしまうスティッキング現象が起こりにくくなる。その結果、スティッキングによる歩留まり低下を抑制することができる。
【００１１】
また、支持部が基板と振動体との間に位置する構成であっても、支持部は、振動体の振動の節に連接しているため、振動体の振動もれが抑制され、振動効率をより高めることができる。振動子から基板に伝達される振動もれが抑制されることは、すなわち、支持部からのもれ振動に対する基板からの応力が抑制されることになる。その結果、例えば、振動子が熱ストレスを受け、基板と支持部との間に残留応力（熱応力などを含む内部応力による残留応力）が発生した場合であっても、この残留応力が、振動体の振動に与える影響の度合いが軽減され、振動特性に温度ヒステリシスを示す度合いが軽減される。
【００１２】
［適用例２］  上記適用例に係る振動子において、前記振動体が、回転対称の形状を呈する板状体であり、前記振動の節が、前記振動体の周縁部と前記振動体の中央部とが前記振動体の厚み方向において逆位相で振動することで、前記周縁部と前記中央部との間に形成されてなることを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、振動体は、回転対称の形状を呈する板状体であることにより、振動体をよりバランス良く振動させることができる。その結果、振動もれがより少なく、また安定した振動特性を示す振動子を得ることができる。
また、振動体の周縁部と振動体の中央部とが振動体の厚み方向において逆位相で振動することで形成される振動の節が、振動体の周縁部と中央部との間に位置している。支持部を、この振動の節に沿って複数配置したり、振動の節に沿って延在するように構成したりすることができる（つまり、支持部を振動体の外側に配置することなく構成できる）ため、振動子をよりコンパクトに構成することができると共に、より剛性の高い支持構造により支えられた振動子を構成することができる。また、支持部を振動体と基板との間に、振動の節に沿って配置させられるため、上述したようにスティッキングをより有効に抑制するスペーサーとして機能させることができる。
【００１４】
［適用例３］  上記適用例に係る振動子において、前記振動体が、上部電極であり、前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって囲まれた領域との間に第１の下部電極を備えることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、振動子は、上部電極と、上部電極の中央部（振動の節によって囲まれた領域）と重なる位置に配置された第１の下部電極とで構成される。この構成により、振動体（上部電極）の周縁部と中央部とが振動の腹として振動する静電振動子として構成することができる。
【００１６】
［適用例４］  上記適用例に係る振動子において、前記振動体が、上部電極であり、前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって囲まれた領域の外側の領域との間に第２の下部電極を備えることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、振動子は、上部電極と、上部電極の周縁領域（振動の節によって囲まれた領域の外側の領域）と重なる位置に配置された第２の下部電極とで構成される。この構成により、振動体（上部電極）の周縁部と中央部とが振動の腹として振動する静電振動子として構成することができる。
【００１８】
［適用例５］  上記適用例に係る振動子において、前記振動体が、上部電極であり、前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって囲まれた領域との間に第１の下部電極を備え、前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって囲まれた領域の外側の領域との間に第２の下部電極を備えることを特徴とする。
【００１９】
本適用例によれば、振動子は、上部電極と、上部電極の中央部（振動の節によって囲まれた領域）と重なる位置に配置された第１の下部電極と、上部電極の周縁領域（振動の節によって囲まれた領域の外側の領域）と重なる位置に配置された第２の下部電極とで構成される。この構成により、振動体（上部電極）の周縁部と中央部とが振動の腹として振動する静電振動子として構成することができる。
【００２０】
［適用例６］  上記適用例に係る振動子において、前記振動体が、円形を呈する板状体であることが好ましい。
【００２１】
本適用例のように、振動体が円形の板状体で構成されることにより、振動体の周縁部と中心部とが振動の腹として振動する振動子を構成することができる。振動体を円形で構成するため、振動の節の位置や振動特性をより容易に設計することができるばかりでなく、振動体をよりバランス良く振動させることができる。その結果、振動もれがより少なく、また安定した振動特性を示す振動子を得ることができる。
【００２２】
［適用例７］  上記適用例に係る振動子において、前記振動体が、矩形の板状体であり、前記振動の節が、前記振動体の対向する２つの側面部と、前記振動体の中央部とが、前記振動体の厚み方向に逆位相で振動することで、前記２つの側面部と、前記振動体の中央部との間に形成されてなることを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、振動体は、矩形の板状体であり、振動体の対向する２つの側面部と振動体の中央部とが振動体の厚み方向に逆位相で振動し、振動の節が２つの側面部と振動体の中央部との間に形成されるいわゆる両端自由梁型振動子（free‐free beam）を構成している。両端自由梁型振動子として構成することで、振動もれがより少なく、また安定した振動特性を示す振動子を得ることができる。
【００２４】
また、振動体の対向する２つの側面部と振動体の中央部とが振動体の厚み方向において逆位相で振動することで形成される振動の節が、２つの側面部と振動体の中央部との間に位置している。支持部を、この振動の節に沿って複数配置したり、振動の節に沿って延在するように構成したりすることができる（つまり、支持部を振動体の外側に配置することなく構成できる）ため、振動子をよりコンパクトに構成することができると共に、より剛性の高い支持構造により支えられた振動子を構成することができる。また、支持部を振動体と基板との間に、振動の節に沿って配置させられるため、上述したようにスティッキングをより有効に抑制するスペーサーとして機能させることができる。
【００２５】
［適用例８］  上記適用例に係る振動子において、前記振動体が、上部電極であり、前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって挟まれた領域との間に第１の下部電極を備えることを特徴とする。
【００２６】
本適用例によれば、振動子は、上部電極と、上部電極の中央部（振動の節によって挟まれた領域）と重なる位置に配置された第１の下部電極とで構成される。この構成により、振動体（上部電極）の２つの側面部と中央部とが振動の腹として振動する静電振動子として構成することができる。
【００２７】
［適用例９］  上記適用例に係る振動子において、前記振動体が、上部電極であり、前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって挟まれた領域の外側の領域との間に第２の下部電極を備えることを特徴とする。
【００２８】
本適用例によれば、振動子は、上部電極と、上部電極の周縁領域（振動の節によって挟まれた領域の外側の領域）と重なる位置に配置された第２の下部電極とで構成される。この構成により、振動体（上部電極）の２つの側面部と中央部とが振動の腹として振動する静電振動子として構成することができる。
【００２９】
［適用例１０］  上記適用例に係る振動子において、前記振動体が、上部電極であり、前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって挟まれた領域との間に第１の下部電極を備え、前記基板と、前記振動体の前記振動の節によって挟まれた領域の外側の領域との間に第２の下部電極を備えることを特徴とする。
【００３０】
本適用例によれば、振動子は、上部電極と、上部電極の中央部（振動の節によって挟まれた領域）と重なる位置に配置された第１の下部電極と、上部電極の周縁領域（振動の節によって挟まれた領域の外側の領域）と重なる位置に配置された第２の下部電極とで構成される。この構成により、振動体（上部電極）の２つの側面部と中央部とが振動の腹として振動する静電振動子として構成することができる。
【００３１】
［適用例１１］  上記適用例に係る振動子において、前記振動体が、前記上部電極と前記第１の下部電極との間に印加される第１の交流電圧と、前記上部電極と前記第２の下部電極との間に前記第１の交流電圧と逆位相で印加される第２の交流電圧と、によって振動することを特徴とする。
【００３２】
本適用例によれば、上部電極の中央部と重なる位置に配置された第１の下部電極と、上部電極の周縁領域と重なる位置に配置された第２の下部電極とにおいて、上部電極との間で逆位相の交流電圧を印加することで、より振動エネルギーの高い振動子を構成することができる。また、第１の交流電圧と第２の交流電圧とで分離されたる印加を可能とすることで、振動の特性を変えるなど、制御仕様の自由度を増やすことが可能となる。
【００３３】
［適用例１２］  上記適用例に係る振動子において、前記支持部が、前記基板の主面と交差する方向に延在する柱状体であることを特徴とする。
【００３４】
本適用例によれば、支持部は、基板の主面と交差する方向に延在する柱状体である。つまり、振動子は、振動体の振動の節の部分を基板から延出する柱状体によって支えられる構成となり、振動もれがより抑制されより振動効率の高い振動子を構成することができる。
具体的には、支持部は、基板の主面と、基板の主面と対向する振動体の主面との間の領域において、基板の主面と交差する方向に延在する柱状体構造で振動体を支えている。振動体が基板の主面上にスティッキングすることを防ぐ応力の方向、および、振動体が振動体の厚み方向で振動する場合のもれ振動の方向は、基板の主面と交差する方向であるため、支持部は、柱状体の延在方向で支える構成となる。つまり柱状体の圧縮方向で支える構成とすることができるため、より剛性の高い支持構造とすることができる。従って、支持部のたわみ剛性などで支える場合と異なり、支持部の数を少なくしたり、支持部の太さを細くしたりすることができる。その結果、例えば、振動体の振動の節の部分をピンポイントで支える構成などが可能となるため、振動体の振動もれが抑制され、振動効率をより高めることができる。また、例えば、振動子が熱ストレスを受け、基板と支持部との間に残留応力（熱応力などを含む内部応力による残留応力）が発生した場合であっても、この残留応力が、振動体の振動に与える影響の度合いが軽減され、振動特性に温度ヒステリシスを示す度合いが軽減される。
【００３５】
［適用例１３］  上記適用例に係る振動子において、前記支持部が、前記基板の主面と交差する方向に延在する板状体であることを特徴とする。
【００３６】
本適用例によれば、支持部は、基板の主面と交差する方向に延在する板状体である。つまり、振動子は、振動体の振動の節に沿って延在する板状体によって基板に支えられる構成となる。つまり、面で支える構造となるため、より剛性の高い支持構造により支えられた振動子を構成することができる。また、振動の節に沿って延在する支持部としての板状体は、基板と振動体との間に位置するより有効なスペーサーとして機能するため、例えば、基板の主面上に遊離した振動体を形成する製造工程において、エッチング液や洗浄液の表面張力などが働いた場合であっても、振動体が基板の主面上に付着してしまうスティッキング現象が起こりにくくなる。その結果、スティッキングによる歩留まり低下を抑制することができる。
【００３７】
［適用例１４］  本適用例に係る電子機器は、上記適用例に係る振動子を備えていることを特徴とする。
【００３８】
本適用例によれば、電子機器として、より高性能な特性を劣化させることなく、また、より小型化され、製造歩留まりを高く安定させた振動子が活用されることにより、より高性能で安価な電子機器を提供することができる。
【００３９】
［適用例１５］  本適用例に係る移動体は、上記適用例に係る振動子を備えていることを特徴とする。
【００４０】
本適用例によれば、移動体として、より高性能な特性を劣化させることなく、また、より小型化され、製造歩留まりを高く安定させた振動子が活用されることにより、より高性能で安価な移動体を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４１】
【図１】（ａ）実施形態１に係るＭＥＭＳ振動子の平面図、（ｂ）同、Ａ−Ａ断面図。
【図２】（ａ）〜（ｆ）円板形状の可動電極を有する振動子の主な振動モードを示す概念図。
【図３】（ａ）実施形態２に係るＭＥＭＳ振動子の平面図、（ｂ）同、Ｂ−Ｂ断面図、（ｃ）同、振動モードを示す平面図。
【図４】（ａ）電子機器の一例としてのモバイル型のパーソナルコンピューターの構成を示す斜視図、（ｂ）電子機器の一例としての携帯電話機の構成を示す斜視図。
【図５】電子機器の一例としてのデジタルスチールカメラの構成を示す斜視図。
【図６】ＭＥＭＳ振動子を備える移動体としての自動車を概略的に示す斜視図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）変形例１に係るＭＥＭＳ振動子として、下部電極のバリエーションの例を示す平面図。
【図８】（ａ）〜（ｃ）変形例２に係るＭＥＭＳ振動子として、下部電極のバリエーションの例を示す平面図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）変形例３に係るＭＥＭＳ振動子として、支持部のバリエーションの例を示す斜視図。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）変形例４に係るＭＥＭＳ振動子として、上部電極のバリエーションの例を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００４２】
以下に本発明を具体化した実施形態について、図面を参照して説明する。以下は、本発明の一実施形態であって、本発明を限定するものではない。なお、以下の各図においては、説明を分かりやすくするため、実際とは異なる尺度で記載している場合がある。
【００４３】
（実施形態１）
まず、実施形態１に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子１００について説明する。
図１（ａ）は、ＭＥＭＳ振動子１００の平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ断面図である。
ＭＥＭＳ振動子１００は、基板の主面に積層された犠牲層がエッチングされることにより基板から遊離して形成される可動電極が備えられたＭＥＭＳ振動子（静電振動子）である。
なお、犠牲層とは、酸化膜などで一旦形成される層であり、その上下や周囲に必要な層を形成した後にエッチングにより除去される。犠牲層が除去されることによって、上下や周囲の各層間に必要な間隙や空洞が形成されたり、必要な構造体が遊離して形成されたりする。
【００４４】
ＭＥＭＳ振動子１００は、基板１、第１の下部電極１１、第２の下部電極１２、振動体としての上部電極２１、支持部２２などを含み構成されている。上部電極２１は、円板形状の可動電極であり、支持部２２によって基板１に遊離して支えられている。
図２（ａ）〜（ｆ）に円板形状の可動電極を有する振動子の主な振動モードを示す。
図において、破線は振動の節を表し、＋−の記号は振動の腹として上下方向（基板１の厚み方向）に振動する部分を、その位相の関係を含めて示している。例えば、＋が上方向への動きの場合に、振動の節を境にした隣の領域が−の下方向への動きになっていることを示している。
ＭＥＭＳ振動子１００は、図２（ｄ）に示す振動モードの振動子であり、第１の下部電極１１および第２の下部電極１２の配置、および外部回路（図示および説明省略）からこれらの電極と上部電極２１との間に印加する交流電圧によりこの振動モードを実現している。
【００４５】
図１（ａ），（ｂ）を参照し、具体的にＭＥＭＳ振動子１００の構成を説明する。
ＭＥＭＳ振動子１００は、上部電極２１の周縁部３０と上部電極２１の中央部３１とが振動の腹として逆の位相で上下方向に振動する振動子であり、振動の節は、周縁部３０と中央部３１との間に環状の振動の節４０として形成される。
【００４６】
基板１には、好適例としてシリコンウェハーを用いている。なお、基板１は、シリコンウェハーに限定するものではなく、例えば、他の半導体基板やガラス基板などであっても良い。
第１の下部電極１１、第２の下部電極１２、上部電極２１、支持部２２は、基板１の主面に形成された第１酸化膜２、窒化膜３の上部に形成されている。
なお、ここでは、基板１の厚み方向において、基板１の主面に順に第１酸化膜２および窒化膜３が積層される方向を上方向として説明している。
【００４７】
第１の下部電極１１および第２の下部電極１２は、窒化膜３の上部に積層された下部導電層をフォトリソグラフィーによりパターニングすることで形成される。
第１の下部電極１１は、円形の固定電極であり、基板１の主面上（窒化膜３の上面）に形成されている。第１の下部電極１１は、基板１を平面視したときに、その周縁部において、円形を呈する振動の節４０と重なり、円形の上部電極２１と同心となるように配置されている。
第２の下部電極１２は、ドーナツ状の固定電極であり、基板１の主面上（窒化膜３の上面）に形成されている。第２の下部電極１２は、基板１を平面視したときに、上部電極２１と同心となるように配置されており、第１の下部電極１１と絶縁され、第１の下部電極１１の周囲から第１の下部電極１１を取り囲むように形成されている。
【００４８】
上部電極２１は、４つの支持部２２によって基板１から遊離し、基板１の主面と上部電極２１の主面とが対向するように支えられている。
支持部２２は、基板１の主面と交差する方向（ほぼ垂直）に延在する柱状体であり、基板１の主面と上部電極２１の主面との間の領域において、一方の端部が上部電極２１の振動の節４０の位置に連接し、他方の端部が、第１の下部電極１１の周縁部の上面に固定されている。
【００４９】
上部電極２１、支持部２２は、下部導電層（第１の下部電極１１および第２の下部電極１２）の上部に犠牲層を介して積層された上部導電層をフォトリソグラフィーによりパターニングして形成される。具体的には、下部導電層（第１の下部電極１１および第２の下部電極１２）の上部に犠牲層を積層させた後、フォトリソグラフィーにより、犠牲層に支持部２２の形状および位置に合わせた孔を形成して第１の下部電極１１を露出させる。次に、上部電極２１、支持部２２を構成する上部導電層を積層させ、フォトリソグラフィーによりパターニングして上部電極２１を形成する。この結果、第１の下部電極１１が露出する犠牲層の孔の位置に形成される支持部２２と、支持部２２が支える上部電極２１とが一体で形成される。
ここで、犠牲層の厚みは、犠牲層がリリースエッチングされることで形成される上部電極２１と第１の下部電極１１（および第２の下部電極１２）との間隙の大きさとなる。
また、上部電極２１は、支持部２２を介して第１の下部電極１１と電気的に接続されている。
【００５０】
下部導電層および上部導電層には、それぞれ好適例として導電性のポリシリコンを用いているが、これに限定するものではなく、半導体回路で用いられるその他の導電層を用いることができる。なお、下部導電層および上部導電層には、静電振動子として必要な導電率を有する必要があり、上部導電層の場合には、振動体としての必要な剛性（スティフネス）を有する必要がある。
【００５１】
なお、図示において、上部電極２１および第１の下部電極１１、第２の下部電極１２に接続する電気配線を省略している。
上部電極２１および第１の下部電極１１には、ＭＥＭＳ振動子１００の周囲から、第２の下部電極１２と絶縁され第１の下部電極１１に接続される配線により外部回路（図示省略）との接続を行なう。第２の下部電極１２には、ＭＥＭＳ振動子１００の周囲からの配線により外部回路との接続を行なう。
【００５２】
このような構成において、ＭＥＭＳ振動子１００は静電振動子として構成され、外部回路から上部電極２１と第２の下部電極１２との間に印加される交流電圧によって、上部電極２１の周縁部と中央部とが振動の腹として逆の位相で振動する。
【００５３】
以上述べたように、本実施形態による振動子としてのＭＥＭＳ振動子１００によれば、以下の効果を得ることができる。
【００５４】
ＭＥＭＳ振動子１００は、上部電極２１と、上部電極２１の中央部（振動の節４０によって囲まれた領域）と重なる位置に配置された第１の下部電極１１と、上部電極２１の周縁領域（振動の節４０によって囲まれた領域の外側の領域）と重なる位置に配置された第２の下部電極１２とで構成される。この構成により、振動体（上部電極２１）の周縁部と中央部とが振動の腹として振動する静電振動子として構成することができる。
【００５５】
また、支持部２２は、基板１の主面と、基板１の主面と対向する上部電極２１の主面との間の領域において、一方の端部が上部電極２１の振動の節４０に連接し、他方の端部が基板１の主面上に固定されている。支持部２２を上部電極２１の外側に配置することなく構成できるため、振動子をよりコンパクトに構成することができる。
【００５６】
また、支持部２２は、基板１の主面と、基板１の主面と対向する上部電極２１の主面との間の領域において、一方の端部が上部電極２１の振動の節４０に連接し、他方の端部が基板１の主面上に固定されている。つまり、支持部２２は、基板１と上部電極２１との間に位置し、スペーサーとして機能する。そのため、例えば、基板１の主面上に遊離した上部電極２１を形成する製造工程において、エッチング液や洗浄液の表面張力などが働いた場合であっても、上部電極２１が基板１の主面上に付着してしまうスティッキング現象が起こりにくくなる。その結果、スティッキングによる歩留まり低下を抑制することができる。
【００５７】
また、支持部２２は、上部電極２１の振動の節４０に連接しているため、上部電極２１の振動もれが抑制され、振動効率をより高めることができる。上部電極２１から基板１に伝達される振動もれが抑制されることは、すなわち、支持部２２からのもれ振動に対する基板１からの応力が抑制されることになる。その結果、例えば、ＭＥＭＳ振動子１００が熱ストレスを受け、基板１と支持部２２との間に残留応力（熱応力などを含む内部応力による残留応力）が発生した場合であっても、この残留応力が、上部電極２１の振動に与える影響の度合いが軽減される。
【００５８】
また、振動体（上部電極２１）が円形の板状体で構成されることにより、振動体の周縁部と中心部とが振動の腹として振動する振動子を構成することができる。振動体を円形で構成するため、振動の節の位置や振動特性をより容易に設計することができるばかりでなく、振動体をよりバランス良く振動させることができる。その結果、振動もれがより少なく、また安定した振動特性を示す振動子を得ることができる。
【００５９】
また、支持部２２は、基板１の主面と交差する方向に延在する柱状体である。つまり、ＭＥＭＳ振動子１００は、上部電極２１の振動の節４０の部分を基板１から延出する柱状体によって支えられる構成となり、振動もれがより抑制されより振動効率および振動安定性の高い振動子を構成することができる。
具体的には、支持部２２は、基板１の主面と、基板１の主面と対向する上部電極２１の主面との間の領域において、基板１の主面と交差する方向に延在する柱状体構造で上部電極２１を支えている。上部電極２１が基板の主面上にスティッキングしてしまうことを防ぐ応力の方向、および、上部電極２１のもれ振動の方向は、基板１の主面と交差する方向であるため、支持部２２は、これらの力や振動を、柱状体の延在方向で支える構成となる。つまり柱状体の圧縮方向で支える構成とすることができるため、より剛性の高い支持構造とすることができる。従って、従来の支持部のたわみ剛性などで支える場合と異なり、支持部２２の柱状体の太さをより細くすることができる。その結果、上部電極２１の振動もれが抑制され、振動効率をより高めることができる。また、例えば、振動子が熱ストレスを受け、基板１と支持部２２との間に残留応力（熱応力などを含む内部応力による残留応力）が発生した場合であっても、この残留応力が、上部電極２１の振動に与える影響の度合いが軽減され、振動特性に温度ヒステリシスを示す度合いが軽減される。
【００６０】
（実施形態２）
次に、実施形態２に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子１０１について説明する。なお、説明にあたり、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
図３（ａ）は、ＭＥＭＳ振動子１０１の平面図、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＢ−Ｂ断面図、図３（ｃ）は、ＭＥＭＳ振動子１０１の振動モードを示す平面図である。
【００６１】
実施形態１（ＭＥＭＳ振動子１００）では、図１（ａ）に示すように、振動体（上部電極２１）が円形の板状体で構成されていたが、本実施形態は、振動体（上部電極２１ｓ）が、矩形の板状体である。すなわち、ＭＥＭＳ振動子１０１は、両端自由梁型振動子（free‐free beam）である。ＭＥＭＳ振動子１０１は、基板１、第１の下部電極１１ｓ、第２の下部電極１２ｓ、振動体としての上部電極２１ｓ、支持部２２ｓなどを含み構成されている。
【００６２】
ＭＥＭＳ振動子１０１は、図３（ｃ）に示すように、上部電極２１ｓの対向する２つの側面部３０ｓと上部電極２１ｓの中央部３１ｓとが振動の腹として逆の位相で上下方向に振動する振動子であり、振動の節は、２つの側面部３０ａと中央部３１ｓとの間に２つの振動の節４０ｓとして形成される。
第１の下部電極１１ｓは、矩形の固定電極であり、基板１と、上部電極２１ｓの２つの振動の節４０ｓによって挟まれた領域との間の基板１の主面上（窒化膜３の上面）に形成されている。つまり、基板１を平面視したときに、第１の下部電極１１ｓは、２つの振動の節４０ｓを含む上部電極２１ｓの中央領域と重なる領域に形成されている。
第２の下部電極１２ｓは、矩形の固定電極であり、基板１と、上部電極２１ｓの振動の節４０ｓによって挟まれた領域の外側の領域との間の基板１の主面上（窒化膜３の上面）に形成されている。つまり、基板１を平面視したときに、第２の下部電極１２ｓは、第１の下部電極１１ｓの両側の上部電極２１ｓと重なる位置に、第１の下部電極１１ｓと絶縁されて配置されている。
【００６３】
上部電極２１ｓは、４つの支持部２２ｓによって基板１から遊離し、基板１の主面と上部電極２１ｓの主面とが対向するように支えられている。
支持部２２ｓは、基板１の主面と交差する方向（ほぼ垂直）に延在する柱状体であり、基板１の主面と上部電極２１ｓの主面との間の領域において、一方の端部が上部電極２１ｓの振動の節４０ｓの位置に連接し、他方の端部が、第１の下部電極１１ｓの周縁部（基板１を平面視したときに振動の節４０ｓと重なる対向する２辺の領域）の上面に固定されている。また、それぞれの振動の節４０ｓに対して２つの支持部２２ｓが配置されている。
【００６４】
なお、図示において、上部電極２１ｓおよび第１の下部電極１１ｓ、第２の下部電極１２ｓに接続する電気配線を省略している。
上部電極２１ｓおよび第１の下部電極１１ｓには、ＭＥＭＳ振動子１０１の周囲から、第１の下部電極１１ｓに接続される配線により外部回路（図示省略）との接続を行なう。第２の下部電極１２ｓには、ＭＥＭＳ振動子１０１の周囲からの配線により外部回路との接続を行なう。
【００６５】
このような構成において、ＭＥＭＳ振動子１０１は両端自由梁型の静電振動子として構成され、外部回路から上部電極２１ｓと第２の下部電極１２ｓとの間に印加される交流電圧によって、上部電極２１ｓの対向する２つの側面部３０ｓと上部電極２１ｓの中央部３１ｓとが振動の腹として逆の位相で上下方向に振動する。
【００６６】
以上述べたように、本実施形態による振動子としてのＭＥＭＳ振動子１０１によれば、以下の効果を得ることができる。
【００６７】
上部電極２１ｓ（振動体）は、矩形の板状体であり、上部電極２１ｓの対向する２つの側面部３０ｓと上部電極２１ｓの中央部３１ｓとが上部電極２１ｓの厚み方向に逆位相で振動し、振動の節４０ｓが２つの側面部３０ｓと上部電極２１ｓの中央部３１ｓとの間に形成されるいわゆる両端自由梁型振動子を構成している。両端自由梁型振動子として構成することで、振動もれがより少なく、また安定した振動特性を示す振動子を得ることができる。
【００６８】
また、支持部２２ｓは、基板１の主面と、基板１の主面と対向する上部電極２１ｓの主面との間の領域において、一方の端部が上部電極２１ｓの振動の節４０ｓに連接し、他方の端部が基板１の主面上に固定されている。振動の節４０ｓは、上部電極２１ｓの２つの側面部３０ｓと中央部３１ｓとの間に線状に形成されている。支持部２２ｓを上部電極２１ｓの外側に配置することなく構成できるため、振動子をよりコンパクトに構成することができる。
【００６９】
また、支持部２２ｓを上部電極２１ｓと基板１との間に、振動の節４０ｓに沿って配置させられるため、上述したようにスティッキングをより有効に抑制するスペーサーとして機能させることができる。
【００７０】
［電子機器］
次いで、本発明の一実施形態に係る電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００を適用した電子機器について、図４（ａ），（ｂ）、図５に基づき説明する。
【００７１】
図４（ａ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としてのモバイル型（またはノート型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１０００を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。このようなパーソナルコンピューター１１００には、フィルター、共振器、基準クロック等として機能する電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００７２】
図４（ｂ）は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４および送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１０００が配置されている。このような携帯電話機１２００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子部品（タイミングデバイス）としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００７３】
図５は、本発明の一実施形態に係る電子部品を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge Coupled Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１０００が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行なう構成になっており、表示部１０００は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１０００に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３０８に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示されるように、ビデオ信号出力端子１３１２にはテレビモニター１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３０８に格納された撮像信号が、テレビモニター１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。このようなデジタルスチールカメラ１３００には、フィルター、共振器、角速度センサー等として機能する電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００が内蔵されている。
【００７４】
上述したように、電子機器として、より高性能な特性を劣化させることなく、また、製造歩留まりを高く安定させたＭＥＭＳ振動子１００が活用されることにより、より高性能で安価な電子機器を提供することができる。
【００７５】
なお、本発明の一実施形態に係る電子部品としてのＭＥＭＳ振動子１００は、図４（ａ）のパーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図４（ｂ）の携帯電話機、図５のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、ラップトップ型パーソナルコンピューター、テレビ、ビデオカメラ、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００７６】
［移動体］
次いで、本発明の一実施形態に係る振動子としてのＭＥＭＳ振動子１００を適用した移動体について、図６に基づき説明する。
図６は、ＭＥＭＳ振動子１００を備える移動体としての自動車１４００を概略的に示す斜視図である。自動車１４００には本発明に係るＭＥＭＳ振動子１００を含んで構成されたジャイロセンサーが搭載されている。例えば、同図に示すように、移動体としての自動車１４００には、タイヤ１４０１を制御する該ジャイロセンサーを内蔵した電子制御ユニット１４０２が搭載されている。また、他の例としては、ＭＥＭＳ振動子１００は、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム(ＴＰＭＳ：Tire Pressure Monitoring System)、エンジンコントロール、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、等の電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic control unit）に広く適用できる。
【００７７】
移動体として、より高性能な特性を劣化させることなく、また、より小型化され、製造歩留まりを高く安定させたＭＥＭＳ振動子１００が活用されることにより、より高性能で安価な移動体を提供することができる。
【００７８】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。ここで、上述した実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略している。
また、上述した電子機器や移動体は、ＭＥＭＳ振動子１００を適用した例で説明したが、ＭＥＭＳ振動子１０１や、以下に述べる変形例を適用することもできる。
【００７９】
（変形例１）
図７（ａ）〜（ｃ）は、変形例１に係るＭＥＭＳ振動子として、下部電極のバリエーションの例を示す平面図である。
実施形態１では、図１（ａ）に示すように、下部電極は、第１の下部電極１１と第２の下部電極１２とで構成するとして説明したが、この構成に限定するものではない。
【００８０】
図７（ａ）に示す変形例は、下部電極を第１の下部電極１１ａだけで構成している例である。なお、上部電極２１と第１の下部電極１１ａとの間に印加される交流電圧によって、上部電極２１の周縁部と中央部とが振動の腹として逆の位相で振動するＭＥＭＳ振動子を構成するために、上部電極２１と第１の下部電極１１ａとを絶縁する必要がある。そのため、実施形態１における第１の下部電極１１を、第１の下部電極１１ａと、上部電極２１と電気的に接続する上部電極固定部１３ａと、に分割している。支持部２２は、支持部２２の他方の端部が上部電極固定部１３ａに固定されている。
上部電極２１には、上部電極固定部１３ａに接続される配線により外部回路との接続を行なう。第１の下部電極１１ａには、上部電極固定部１３ａと絶縁され第１の下部電極１１ａに接続される配線により外部回路との接続を行なう。
【００８１】
図７（ｂ）に示す変形例は、下部電極を第２の下部電極１２だけで構成している例である。なお、上部電極２１と第２の下部電極１２との間に印加される交流電圧によって、上部電極２１の周縁部と中央部とが振動の腹として逆の位相で振動するＭＥＭＳ振動子を構成するために、上部電極２１に配線するための電極として上述した上部電極固定部１３ａも備えている。支持部２２は、支持部２２の他方の端部が上部電極固定部１３ａに固定されている。
上部電極２１には、第２の下部電極１２と絶縁され上部電極固定部１３ａに接続される配線により外部回路との接続を行なう。第２の下部電極１２には、第２の下部電極１２に接続される配線により外部回路との接続を行なう。
【００８２】
図７（ｃ）に示す変形例は、下部電極を第１の下部電極１１ａおよび第２の下部電極１２で構成している例である。
第１の下部電極１１ａは、上述したように、上部電極２１と絶縁されており、上部電極２１は、上部電極固定部１３ａと支持部２２を介して接続されている。つまり、上部電極２１は、第１の下部電極１１ａおよび第２の下部電極１２いずれとも絶縁されている。上部電極２１、第１の下部電極１１ａおよび第２の下部電極１２は、それぞれ独立して外部回路と接続される。このように構成することで、外部回路から印加する交流電圧の印加の方法を選択できるようになり、振動の特性を変えるなど、制御仕様の自由度を増やすことが可能となる。
【００８３】
以上、図７（ａ）〜（ｃ）に示すような構成においても、振動エネルギーや振動特性は異なるものの、上述した実施形態と同様の振動モードの静電振動子を構成することができる。
【００８４】
（変形例２）
図８（ａ）〜（ｃ）は、変形例２に係るＭＥＭＳ振動子として、下部電極のバリエーションの例を示す平面図である。
実施形態２では、図３（ａ）に示すように、下部電極は、第１の下部電極１１ｓと第２の下部電極１２ｓとで構成するとして説明したが、この構成に限定するものではない。
【００８５】
図８（ａ）に示す変形例は、下部電極を第１の下部電極１１ｓａだけで構成している例である。なお、上部電極２１と第１の下部電極１１ｓａとの間に印加される交流電圧によって、上部電極２１ｓの対向する２つの側面部３０ｓと上部電極２１ｓの中央部３１ｓ（図３（ｃ））とが振動の腹として逆の位相で振動するＭＥＭＳ振動子とするために、上部電極２１と第１の下部電極１１ｓａとを絶縁する必要がある。そのため、実施形態２における第１の下部電極１１ｓを、上部電極２１ｓと電気的に接続する上部電極固定部１３ｓと第１の下部電極１１ｓａとに分割している。支持部２２ｓは、支持部２２ｓの他方の端部が上部電極固定部１３ｓに固定されている。
上部電極２１には、上部電極固定部１３ｓに接続される配線により外部回路との接続を行なう。第１の下部電極１１ｓａには、上部電極固定部１３ｓと絶縁され第１の下部電極１１ｓａに接続される配線により外部回路との接続を行なう。
【００８６】
図８（ｂ）に示す変形例は、下部電極を第２の下部電極１２ｓａだけで構成している例である。なお、上部電極２１と第２の下部電極１２ｓａとの間に印加される交流電圧によって、上部電極２１ｓの対向する２つの側面部３０ｓと上部電極２１ｓの中央部３１ｓとが振動の腹として逆の位相で振動するＭＥＭＳ振動子を構成するために、上部電極２１に配線するための電極として上述した上部電極固定部１３ｓも備えている。支持部２２ｓは、支持部２２ｓの他方の端部が上部電極固定部１３ｓに固定されている。
上部電極２１ｓは、第２の下部電極１２ｓａと絶縁され上部電極固定部１３ｓに接続される配線により外部回路との接続を行なう。第２の下部電極１２ｓａには、第２の下部電極１２ｓａに接続される配線により外部回路との接続を行なう。
【００８７】
図８（ｃ）に示す変形例は、下部電極を第１の下部電極１１ｓａおよび第２の下部電極１２ｓａで構成している例である。
第１の下部電極１１ｓａは、上述したように、上部電極２１ｓと絶縁されており、上部電極２１ｓは、上部電極固定部１３ｓと支持部２２ｓを介して接続されている。つまり、上部電極２１ｓは、第１の下部電極１１ｓａおよび第２の下部電極１２ｓａいずれとも絶縁されている。上部電極２１ｓ、第１の下部電極１１ｓａおよび第２の下部電極１２ｓａは、それぞれ独立して外部回路と接続される。このように構成することで、外部回路から印加する交流電圧の印加の方法を選択できるようになり、振動の特性を変えるなど、制御仕様の自由度を増やすことが可能となる。
【００８８】
以上、図８（ａ）〜（ｃ）に示すような構成においても、振動エネルギーや振動特性は異なるものの、上述した実施形態と同様の振動モードの静電振動子を構成することができる。
【００８９】
（変形例３）
図９（ａ）〜（ｄ）は、変形例３に係るＭＥＭＳ振動子として、支持部のバリエーションの例を示す斜視図である。
実施形態１，２では、上部電極２１，２１ｓは、それぞれ４つの支持部２２，２２ｓによって基板１から遊離し、基板１の主面と上部電極２１，２１ｓの主面とが対向するように支えられているとして説明したが、この構成に限定するものではない。支持部２２，２２ｓは、それぞれ４つに限定するものではなく、必要に応じ、振動の節４０，４０ｓの位置に沿って複数設置する構成や、振動の節４０，４０ｓの位置に沿って延在する板状体で構成するであっても良い。
【００９０】
図９（ａ）に示す変形例は、振動の節４０の位置に沿って支持部２２を８つ設置している例である。
図９（ｂ）に示す変形例は、支持部２２ｖを板状体で構成している例である。支持部２２ｖは、振動の節４０の位置に沿い、基板１の主面の延在方向と交差する方向に延在する板状体である。振動の節４０は、円形になるため、支持部２２ｖは円筒として構成される。円筒とすることで、支持部２２ｖの剛性は飛躍的に向上するため、円筒側面としての板状体をより薄く構成することが可能となる。その結果、振動もれのより少ない、効率的な振動子を得ることができる。
図９（ｃ）に示す変形例は、支持部２２をそれぞれの振動の節４０ｓの位置に沿って４つずつ、合計８つ設置している例である。
図９（ｄ）に示す変形例は、支持部２２ｓｖを板状体で構成している例である。支持部２２ｓｖは、振動の節４０ｓの位置に沿い、基板１の主面の延在方向と交差する方向に延在する板状体である。
【００９１】
このように、支持部を振動の節に沿って複数配置したり、振動の節に沿って延在する板状体で構成したりすることで、より剛性の高い支持構造により支えることができる。その結果、例えば、基板の主面上に遊離した振動体を形成する製造工程において、エッチング液や洗浄液の表面張力などが働いた場合であっても、振動体が基板の主面上に付着してしまうスティッキング現象が起こりにくくなる。その結果、スティッキングによる歩留まり低下を抑制することができる。
【００９２】
（変形例４）
図１０（ａ）〜（ｃ）は、変形例４に係るＭＥＭＳ振動子として、上部電極のバリエーションの例を示す平面図である。
【００９３】
図１０（ａ）に示す変形例は、実施形態１に対する変形例であり、基板１を平面視したときに、上部電極２１ｖが、回転対称の８角形の形状を呈している。このように、必ずしも円形である必要はなく、また必ずしも８角形である必要も無いが、多角形の形状とする場合には回転対称であることが好ましい。
図１０（ｂ）に示す変形例は、実施形態１に対する変形例であり、基板１を平面視したときに、上部電極２１ｗが、楕円の形状を呈している。このように、必ずしも円形である必要はないが、回転対称であることが好ましい。
上部電極が、回転対称の形状を呈する板状体であることにより、振動体をよりバランス良く振動させることができる。その結果、振動もれがより少なく、また安定した振動特性を示す振動子を得ることができる。
図１０（ｃ）に示す変形例は、実施形態２に対する変形例であり、基板１を平面視したときに、上部電極２１ｘが、楕円の形状を呈している。このように、必ずしも矩形である必要はないが、線対称であることが好ましい。
【符号の説明】
【００９４】
１…基板、２…第１酸化膜、３…窒化膜、１１，１１ａ，１１ｓ，１１ｓａ…第１の下部電極、１２，１２ｓ，１２ｓａ…第２の下部電極、１３ａ，１３ｓ…上部電極固定部、２１，２１ｓ，２１ｖ，２１ｗ…上部電極、２２，２２ｓ，２２ｓｖ，２２ｖ…支持部、３０…周縁部、３０ａ，３０ｓ…側面部、３１，３１ｓ…中央部、４０，４０ｓ…振動の節、１００，１０１…ＭＥＭＳ振動子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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