(57)【要約】【課題】アライメントマークの近傍に気泡が入り込むこと自体を阻止することで、アライメントマークの検出を適切に行うことができる技術を提供する。【解決手段】本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、膜形成工程と、アライメントマーク成形工程と、シート部材貼着工程を有する。膜形成工程では、半導体ウエハ２の一方の面の少なくとも一部に膜を形成する。アライメントマーク成形工程では、形成された膜に凹部を設けることでアライメントマーク６を成形する。シート部材貼着工程では、アライメントマーク６が形成された半導体ウエハの一方の面にシート部材を貼着する。【選択図】図５
2014017407.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置を製造する方法であって、
半導体ウエハの一方の面の少なくとも一部に膜を形成する工程と、
形成された膜に凹部を設けることでアライメントマークを成形する工程と、
アライメントマークが形成された半導体ウエハの一方の面にシート部材を貼着する工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
シート部材越しに検出されるアライメントマークの位置に基づいて、半導体ウエハの他方の面を加工する工程をさらに有する請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書に開示する技術は、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法では、半導体ウエハの表面にアライメントマークを形成し、そのアライメントマークを検出することで半導体ウエハの位置合わせを行うことが行われている（例えば、特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２００９５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
半導体装置を製造する際に、半導体ウエハの表面にシート部材を貼着することがある。例えば、薄板化した半導体ウエハを備える半導体装置を製造する場合、半導体ウエハの一方の表面（アライメントマークが形成された表面）にシート部材を貼着し、半導体ウエハの他方の表面を加工（例えば、研磨、拡散層や電極の形成等）することがある。このような場合、アライメントマークが形成された表面（すなわち、半導体ウエハの一方の表面）にシート部材が貼着されることになる。ここで、半導体ウエハの表面に形成されるアライメントマークは、通常、半導体ウエハの表面から突出するように形成されている。このため、シート部材を半導体ウエハの表面に貼着する際に、シート部材とアライメントマークとの間に隙間が形成され、その隙間に気泡が入り込むことがある。この場合、気泡の存在により、アライメントマークを誤検出する虞がある。
【０００５】
本明細書では、アライメントマークの近傍に気泡が入り込むこと自体を抑制することで、アライメントマークの検出を適切に行うことができる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、膜形成工程と、アライメントマーク成形工程と、シート部材貼着工程を有する。膜形成工程では、半導体ウエハの一方の面の少なくとも一部に膜を形成する。アライメントマーク成形工程では、形成された膜に凹部を設けることでアライメントマークを成形する。シート部材貼着工程では、アライメントマークが形成された半導体ウエハの一方の面にシート部材を貼着する。
【０００７】
本明細書が開示する技術では、アライメントマークは、半導体ウエハの一方の面に形成された膜に凹状に形成される。このため、アライメントマークが形成された半導体ウエハの一方の面にシート部材を貼着する場合に、シート部材がアライメントマーク上を平らに覆うため、アライメントマーク近傍に気泡が入り込むことを抑制することができる。そのため、アライメントマークを適切に検出することができる。
【０００８】
本明細書が開示する技術の詳細、及び、さらなる改良は、発明を実施するための形態、及び、実施例にて詳しく説明する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】半導体ウエハの断面図を表す。
【図２】表面にＡｌ膜が形成された半導体ウエハの断面図を示す。
【図３】Ａｌ膜にアライメントマークが成形された半導体ウエハの断面図（アライメントマークが形成された部分の近傍の断面図）を示す。
【図４】Ａｌ膜にアライメントマークが成形された半導体ウエハの平面図（アライメントマークが形成された部分の近傍の平面図）を示す。
【図５】Ａｌ膜の上に保護テープが貼着された半導体ウエハの断面図（アライメントマークが形成された部分の近傍の断面図）を示す。
【図６】Ａｌ膜の上に保護テープが貼着された半導体ウエハの平面図（アライメントマークが形成された部分の近傍の平面図）を示す。
【図７】半導体ウエハの裏面を露光する処理において、半導体ウエハとフォトマスクとの位置決めをする様子を示す。
【図８】凸状のアライメントマークが形成された従来の半導体ウエハの表面に保護テープが貼着された状態を示す断面図。
【図９】凸状のアライメントマークが形成された従来の半導体ウエハの表面に保護テープが貼着された状態を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に説明する実施例の主要な特徴を列記しておく。なお、以下に記載する技術要素は、それぞれ独立した技術要素であって、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。
【００１１】
（特徴１）  本明細書に開示する半導体装置の製造方法は、シート部材越しに検出されるアライメントマークの位置に基づいて、半導体ウエハの他方の面を加工する工程をさらに有していてもよい。アライメントマークを適切に検出できるため、半導体ウエハを正確に位置合わせすることができ、半導体ウエハの他方の面を適切に加工することができる。
【実施例１】
【００１２】
本発明の半導体装置の製造方法の実施例について説明する。図１は、半導体ウエハ２の断面図を示している。図示していないが、半導体ウエハ２の表面２ａ側には、拡散層、絶縁膜等の半導体素子構造が形成されている。表面２ａ側の半導体素子構造は従来公知の方法によって形成されているので、その形成方法については説明を省略する。なお、図１に示す段階では、半導体ウエハ２の裏面２ｂ側には半導体素子構造は形成されていない。表面２ａは「半導体ウエハの一方の面」の一例に相当し、裏面２ｂは「半導体ウエハの他方の面」の一例に相当する。本実施例では、図１に示す半導体ウエハ２に対して、膜形成工程、アライメントマーク成形工程、シート部材貼着工程、裏面加工工程を実施することによって、半導体装置を製造する。
【００１３】
（膜形成工程）
膜形成工程では、半導体ウエハ２の表面２ａの少なくとも一部にＡｌ膜４を形成する。Ａｌ膜４の形成には、例えばスパッタ法を用いることができる。具体的には、プラズマ中でイオン化したアルゴンを電界で加速させてＡｌ板に衝突させる。そして、衝突時の衝撃ではじき飛ばされたＡｌ原子を、半導体ウエハ２の表面２ａ上に付着させて、図２に示すようなＡｌ膜４を形成する。Ａｌ膜４は、「膜」の一例に相当する。なお、半導体ウエハ２の表面２ａ上に形成される膜（アライメントマーク形成に利用される膜）は、Ａｌ膜に限られない。例えば、Ｃｕが含有される膜、或いはその他の金属膜でもよいし、Ｓｉが含有される膜でもよい。また、膜の形成には、スパッタ法以外の方法が用いられてもよい。例えば蒸着法やめっきによって膜を形成してもよい。さらに、上述したように、膜は半導体ウエハ２の表面２ａの全面を覆う膜ではなく、一部を覆う膜でもよい。
【００１４】
（アライメントマーク成形工程）
アライメントマーク成形工程では、Ａｌ膜４に凹部を設けることでアライメントマーク６を成形する。本実施例では、フォトリソグラフィでＡｌ膜４の表面にマスクを形成し、マスク越しにＡｌ膜４にエッチングを施す。Ａｌ膜４にエッチングを施すと、図３に示すようにＡｌ膜４上にパターンに沿った凹部が形成される。その凹部又は凹部の一部をアライメントマーク６とする。本実施例では、図４に示すような十字型の凹部をアライメントマーク６とする。なお、図３は、図４のIII―III線における半導体ウエハ２の断面図である。
【００１５】
（シート部材貼着工程）
シート部材貼着工程では、アライメントマーク６が形成された半導体ウエハ２の表面２ａに保護テープ８を貼着する。保護テープ８は、「シート部材」の一例に相当する。保護テープ８には、その後の製造工程で貼着面から半導体ウエハ２が剥離することがないように、高剛性、高粘着力を有するテープを使用する。図５は、アライメントマーク６が形成されたＡｌ膜４の上に保護テープ８を貼着した半導体ウエハ２の断面図を示す。図５に示すように、保護テープ８を貼着する際は、保護テープ８がアライメントマーク６を形成する凹部に入り込むことがないように、Ａｌ膜４上に平らに貼着する。こうすることで、アライメントマーク６には、半導体ウエハ２の表面２ａ、Ａｌ膜４、及び保護テープ８で囲まれた空間が形成される。図６は、図５の半導体ウエハ２の平面図を示す。保護テープ８には透明な保護テープが用いられるため、保護テープ８をＡｌ膜４上に貼着すると、保護テープ８越しに十字型のアライメントマーク６を認識することができる。なお、保護テープ８は、例えば、半導体ウエハ２の裏面２ｂを加工する際に、加工工程で生じる屑が表面２ａに付着することがないように、表面２ａに貼着される。保護テープ８の役割はこれに限られず、半導体ウエハ２を薄型化するために裏面２ｂを研削する場合に、研削工程で生じる研削屑が表面２ａに付着するのを防ぐために貼着してもよい。また、研削することによって薄くなった半導体ウエハ２が割れることを防ぐために貼着してもよい。なお、図５は、図６のV―V線における半導体ウエハ２の断面図である。
【００１６】
（裏面加工工程）
裏面加工工程では、保護テープ８越しに検出されるアライメントマーク６の位置に基づいて、半導体ウエハ２の裏面２ｂを加工する。図７は、裏面２ｂの加工工程において実施される露光処理にて、半導体ウエハ２とフォトマスク１４とを位置決めする様子を示す。図７を参照して裏面加工工程の一例について説明する。まず、半導体ウエハ２の裏面２ｂにフォトレジスト１０を塗布する。次に、半導体ウエハ２とフォトマスク１４とを位置決めする。位置決めは、半導体ウエハ２の表面２ａに形成されたアライメントマーク６と、フォトマスク１４に形成されたアライメントマーク１６とを位置合わせすることによって行われる。具体的には、まず、半導体ウエハ２は、裏面２ｂを上方にして図示しないステージに載置される。次に、半導体ウエハ２の表面２ａ側に設置されているアライメントカメラ１２が、アライメントマーク６を、保護テープ８越しに画像認識する。アライメントカメラ１２は、取得した画像データを、予めアライメントカメラ１２に登録されているマスターパターンと照合して、基準点（例えばマスターパターンのセンター）からのずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいてステージを移動させる。こうして、半導体ウエハ２は、所定の位置にセッティングされる。フォトマスク１４のセッティングについても、基本的には上記の方法と同じ方法で行われる。即ち、フォトマスク１４に対して半導体ウエハ２が配置されている側と反対側に設置されているアライメントカメラ１８が、フォトマスク１４に形成されたアライメントマーク１６を画像認識し、取得した画像データを、予めアライメントカメラ１８に登録されているマスターパターンと照合してずれ量を算出し、算出したずれ量に基づいてフォトマスク１４を移動する。なお、アライメントマーク６とアライメントマーク１６の形状は同一でもよいし、異なっていてもよい。続いて、図示しない露光装置がフォトマスク１４越しにフォトレジスト１０に光を照射して、フォトマスク１４のパターンをフォトレジスト１０に転写する。そして、フォトレジスト１０を現像してマスクを形成し、そのマスクを利用して拡散層の形成等を行う。裏面２ｂの加工が終了したら、保護テープ８を剥離する。保護テープ８は、図示しない剥離テープによって剥離される。保護テープ８を剥離したら、半導体ウエハ２にダイシングテープを貼りつける。そして、半導体ウエハ２をダイシングして、半導体ウエハ２を所定のチップサイズの半導体装置に分割する。これによって、半導体装置が完成する。
【００１７】
本実施例における半導体装置の製造方法の利点を、従来技術と比較して説明する。図８は、従来の半導体ウエハ３２の断面図を示し、図９は、従来の半導体ウエハ３２の平面図を示す。図８に示すように、従来のアライメントマーク３６は、半導体ウエハ３２の表面３２ａから突出するように成形される。別言すれば、半導体ウエハ３２に形成された膜にフォトリソグラフィなどによってパターンを形成することでできた凹部と凸部の内、凸部又は凸部の一部をアライメントマーク３６として用いる。この場合、アライメントマーク３６が形成された表面３２ａに保護テープ３８を貼着すると、保護テープ３８と半導体ウエハ３２の間に隙間が形成され、その隙間に気泡３９が入り込むことがある。すると、図９に示すように、アライメントマーク３６の近傍に入り込んだ気泡の存在により、アライメントマーク３６の輪郭が不鮮明となる。従って、アライメントカメラがアライメントマーク３６を画像認識し難くなり、アライメントマークを誤検出する場合がある。この場合、半導体ウエハ３２を所定の位置にセッティングすることができない。一方、本実施例における半導体装置の製造方法では、図５に示すように、半導体ウエハ２に形成されたＡｌ膜４にパターンを形成することでできた凹部と凸部の内、凹部または凹部の一部をアライメントマーク６として用いる。この場合、半導体ウエハ２の表面２ａ（Ａｌ膜４）に保護テープ８を貼着する際に、アライメントマーク６の近傍は保護テープ８と密着しているため、アライメントマーク６の近傍に気泡が入り込むことが抑制される。従って、図６に示すようにアライメントマーク６の輪郭が鮮明となり、アライメントカメラ１２はアライメントマーク６を正確に検出することができる。その結果、半導体ウエハ２を、所定の位置に適切にセッティングすることができる。また、アライメントマーク３６を画像認識できないために位置決め処理が滞ることが起こらないため、生産効率の低下を抑制できる。
【００１８】
以上、本明細書が開示する技術の実施例について詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、本明細書が開示する半導体装置の製造方法は、上記の実施例を様々に変形、変更したものが含まれる。例えば、実施例１では、アライメントマーク６の成形はフォトリソグラフィによって行われたが、アライメントマークの成形は他の方法を用いて行われてもよい。また、アライメントマーク６及びアライメントマーク１６が形成される個数は２箇所に限られず、例えば、半導体ウエハ２及びフォトマスク１４の前後左右に複数個形成されていてもよい。また、実施例１では、半導体ウエハ２の裏面２ｂにフォトレジスト１０を塗布したが、フォトレジスト１０を塗布する前に、膜が形成されてもよい。
【００１９】
以上、本発明の具体例を詳細に説明したが、これらは例示にすぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。また、本明細書または図面に説明した技術要素は、単独であるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時請求項記載の組合せに限定されるものではない。また、本明細書または図面に例示した技術は複数目的を同時に達成するものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。
【符号の説明】
【００２０】
２：半導体ウエハ
２ａ：表面
２ｂ：裏面
４：Ａｌ膜
６：アライメントマーク
８：保護テープ
１０：フォトレジスト
１２：アライメントカメラ
１４：フォトマスク
１６：アライメントマーク
１８：アライメントカメラ
３２：半導体ウエハ
３２ａ：表面
３２ｂ：裏面
３６：アライメントマーク
３８：保護テープ
３９：気泡
【図１】
2014017407.tif 000003
【図２】
2014017407.tif 000004
【図３】
2014017407.tif 000005
【図４】
2014017407.tif 000006
【図５】
2014017407.tif 000007
【図６】
2014017407.tif 000008
【図７】
2014017407.tif 000009
【図８】
2014017407.tif 000010
【図９】
2014017407.tif 000011