(57)【要約】【課題】センサ部と接合部材との間に形成される気密室の体積を増加させることができる半導体装置を提供する。【解決手段】一面を有し、物理量に応じてセンサ信号を出力するセンシング部１５ａが形成されたセンサ部１０と、センサ部１０の一面と接合される一面を有する接合部材２０とを備える半導体装置において、センサ部１０および接合部材２０にそれぞれ窪み部１７、２４を形成し、気密室３０をセンサ部１０に形成された窪み部１７および接合部材２０に形成された窪み部２４を含んで形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面を有し、物理量に応じてセンサ信号を出力するセンシング部（１５ａ）が形成されたセンサ部（１０）と、
前記センサ部の一面と接合される一面を有する接合部材（２０）と、を備え、
前記センサ部と前記接合部材との間に気密室（３０）が形成される半導体装置において、
前記センサ部および前記接合部材には、それぞれ窪み部（１７、２４）が形成されており、
前記気密室は、前記センサ部に形成された前記窪み部および前記接合部材に形成された前記窪み部を含んで形成されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記センサ部は、支持基板（１１）、埋込絶縁膜（１２）、半導体層（１３）が順に積層された半導体基板を用いて構成され、
前記半導体層には前記センシング部が形成されていると共に前記絶縁膜には前記センシング部を浮遊させる開口部（１６）が形成され、前記支持基板のうち前記センシング部と対向する部分には前記センサ部における前記窪み部が形成されており、
前記センシング部は、前記気密室に封止されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記接合部材に形成された窪み部の体積は、前記センサ部に形成された窪み部の体積より小さくされていることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記センサ部は、前記センサ部における一面に前記窪み部が形成されることによって構成される薄肉のダイヤフラムを有し、前記ダイヤフラムにゲージ抵抗が形成されて前記センシング部が構成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記接合部材に形成された窪み部の体積は、前記センサ部に形成された窪み部の体積より大きくされていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記センサ部に形成された前記窪み部は、前記センサ部における一面側から前記窪み部の深さ方向において幅が広くなるテーパ状とされていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記接合部材に形成された前記窪み部は、前記接合部材における一面側から前記窪み部の深さ方向において幅が広くなるテーパ状とされていることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１つに記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、センシング部が形成されたセンサ部に接合部材が接合され、センサ部と接合部材との間に気密室が形成された半導体装置およびその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の半導体装置として、例えば、特許文献１には、加速度を検出するセンシング部が形成されたセンサ部に、センシング部を封止するように接合部材としてのキャップ部が接合された半導体装置が提案されている。具体的には、この半導体装置では、キャップ部のうちセンシング部と対向する部分に窪み部が形成されており、窪み部は、センサ部側（窪み部の開口部側）から窪み部の深さ方向において幅が広くなるテーパ状とされている。そして、センシング部は、センサ部と窪み部で形成される気密室に封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２７６１５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記特許文献１の半導体装置では、窪み部がセンサ部側から窪み部の深さ方向において幅が一定とされている半導体装置に対して、気密室の体積を増加させることができるため、以下の効果を得ることができる。
【０００５】
すなわち、窪み部がセンサ部側から窪み部の深さ方向において幅が一定とされている半導体装置に対して、許容圧力変動が等しく、かつ保証年数が等しくなるように半導体装置を構成した場合、気密室のリークレートを大きくすることができる。つまり、気密室の気密性を低くすることができる。このため、センサ部とキャップ部との接合面積を小さくして気密室の気密性を低くすることができ、半導体装置を小型化することができる。
【０００６】
また、窪み部がセンサ部側から窪み部の深さ方向において幅が一定とされている半導体装置に対して、許容圧力変動が等しく、センサ部とキャップ部との接合面積が等しくなるように半導体装置を構成した場合には、気密室のリークレートを小さくできる。このため、半導体装置の保証年数を長くすることができる。なお、許容圧力変動とは、半導体装置の品質が保証される気密室の圧力変動のことである。
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１のように窪み部をテーパ状としても気密室の体積を増加させるには限界があり、現状では気密室の体積をさらに増加させたいという要望がある。
【０００８】
なお、このような要望は、加速度を検出するセンシング部が形成されたセンサ部を用いる半導体装置にのみ限定されるものではない。例えば、基板の裏面に窪み部を形成することによって構成されるダイヤフラムを有し、このダイヤフラムを用いて圧力を検出するセンシング部が形成されたセンサ部を備える半導体装置を構成する場合、センサ部の裏面に接合部材としての台座が接合されて気密室が形成される。このため、このような半導体装置においても、気密室の体積を増加させることにより、用途に応じて、半導体装置の小型化を図ったり、保証年数を長くしたいという要望がある。
【０００９】
本発明は上記点に鑑みて、センサ部と接合部材との間に形成される気密室の体積を増加させることができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面を有し、物理量に応じてセンサ信号を出力するセンシング部（１５ａ）が形成されたセンサ部（１０）と、センサ部の一面と接合される一面を有する接合部材（２０）と、を備え、センサ部と接合部材との間に気密室（３０）が形成される半導体装置において、以下の点を特徴としている。
【００１１】
すなわち、センサ部および接合部材には、それぞれ窪み部（１７、２４）が形成されており、気密室は、センサ部に形成された窪み部および接合部材に形成された窪み部を含んで形成されていることを特徴としている。
【００１２】
これによれば、気密室がセンサ部に形成された窪み部および接合部材に形成された窪み部を含んで形成されているため、以下の効果を得ることができる。
【００１３】
すなわち、センサ部および接合部材のうち一方にのみ窪み部が形成されている半導体装置に対して、許容圧力変動が等しく、かつ保証年数が等しくなるように半導体装置を構成する場合には、気密室のリークレートを大きくすることができる（図４参照）。つまり、気密室の気密性を低くすることができる。このため、センサ部と接合部材との接合面積を小さくすることができ、半導体装置の小型化を図ることができる。
【００１４】
また、センサ部および接合部材のうち一方にのみ窪み部が形成されている半導体装置に対して、許容圧力変動が等しく、かつセンサ部と接合部材との接合面積が等しくなるように半導体装置を構成する場合には、気密室のリークレートを小さくできる。このため、保証年数を長くすることができる。
【００１５】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態における半導体装置の断面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】図２に続く半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】気密室の体積とリークレートとの関係を示す図である。
【図５】本発明の第２実施形態における半導体装置の断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態における半導体装置の断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態における半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１８】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、本実施形態では、加速度を検出するセンシング部が形成されたセンサ部を備える半導体装置を例に挙げて説明する。
【００１９】
図１に示されるように、半導体装置は、センサ部１０に接合部材２０が接合され、センサ部１０と接合部材２０との間に気密室３０が形成されて構成されている。まず、本実施形態のセンサ部１０の構成について説明する。
【００２０】
センサ部１０は、本実施形態では、支持基板１１、埋込絶縁膜１２、半導体層１３が順に積層されたＳＯＩ（Silicon on Insulator）基板１４を用いて構成されている。そして、半導体層１３には、物理量としての加速度に応じたセンサ信号を出力するセンシング部１５ａが形成されている。
【００２１】
なお、本実施形態では、ＳＯＩ基板１４が本発明の半導体基板に相当している。また、支持基板１１および半導体層１３は、例えば、シリコン基板等が用いられ、埋込絶縁膜１２は、例えば、ＳｉＯ２等の絶縁材料が用いられる。
【００２２】
センシング部１５ａは、溝部１５ｂが形成されることによって構成される可動部および固定部を有する周知のものである。簡単に説明すると、可動部は、矩形状の錘部を有し、錘部の両端が梁部を介してアンカー部に一体に連結されている。そして、錘部の側面には可動電極が形成されている。固定部は、可動電極の側面と所定の検出間隔を有するように可動電極と平行に配置された固定電極を有している。
【００２３】
また、埋込絶縁膜１２のうちセンシング部１５ａと対向する部分には、犠牲層エッチング等によって開口部１６が形成されている。これにより、可動電極および固定電極は、支持基板１１に対して浮遊状態とされ、可動部が錘部の長手方向に変位可能となる。
【００２４】
このようなセンシング部１５ａは、加速度が印加されると、可動電極が加速度に応じて変位することで可動電極と固定電極との間隔が変化するため、加速度に応じたセンサ信号（容量変化）を出力する。
【００２５】
そして、支持基板１１には、センシング部１５ａと対向する部分（センシング部１５ａの直下に位置する部分）を含む領域に断面矩形状の窪み部１７が形成されている。この窪み部１７は、可動電極および固定電極を浮遊状態にするためのものではなく、気密室３０の体積（容積）を増加させるために形成されたものである。
【００２６】
以上が本実施形態におけるセンサ部１０の構成である。次に、接合部材２０の構成について説明する。本実施形態の接合部材２０は、上記センシング部１５ａへの水や異物の混入等を防止するキャップとしての機能を果すものであり、センサ部１０との間に気密室３０を形成するものである。
【００２７】
接合部材２０は、本実施形態では、シリコン基板２１と、第１絶縁膜２２と、第２絶縁膜２３とを有する構成とされている。
【００２８】
シリコン基板２１は、センサ部１０のセンシング部１５ａと対向する部分に断面矩形状の窪み部２４が形成されている。本実施形態では、窪み部２４の体積は、窪み部１７の体積より小さくされている。
【００２９】
第１絶縁膜２２は、シリコン基板２１においてセンサ部１０と対向する一面全体に形成されており、窪み部２４を構成する壁面にも形成されている。この第１絶縁膜２２はセンサ部１０とシリコン基板２１とを絶縁するためのものである。
【００３０】
第２絶縁膜２３は、シリコン基板２１のうち第１絶縁膜２２が形成される一面と反対側の他面に形成されている。これら第１絶縁膜２２および第２絶縁膜２３としては、ＳｉＯ２等の絶縁材料が用いられる。
【００３１】
なお、本実施形態では、接合部材２０のうち第１絶縁膜２２の表面（第１絶縁膜２２のうちシリコン基板２１側と反対側の面）が本発明の接合部材の一面に相当する。
【００３２】
そして、接合部材２０は、接合部材２０をセンサ部１０と接合部材２０との積層方向に貫通する複数の貫通電極部２５を有している。各貫通電極部２５は、第２絶縁膜２３、シリコン基板２１、第１絶縁膜２２を貫通する孔部２５ａと、この孔部２５ａの壁面に形成された絶縁膜２５ｂと、この絶縁膜２５ｂの上に埋め込まれ、一端がセンシング部１５ａ等に接続される貫通電極２５ｃと、貫通電極２５ｃの他端に接続され、接合部材２０の裏面に形成されたパッド部２５ｄとにより構成されている。
【００３３】
なお、絶縁膜２５ｂとしては、例えば、ＴＥＯＳ等の絶縁材料が用いられ、貫通電極２５ｃおよびパッド部２５ｄとしては、例えば、Ａｌ等が用いられる。
【００３４】
以上が本実施形態における接合部材２０の構成である。そして、センサ部１０の半導体層１３に接合部材２０の第１絶縁膜２２が接合されることにより、センサ部１０に形成された窪み部１７と接合部材２０に形成された窪み部２４とを含んで気密室３０が形成されており、センシング部１５ａは気密室３０に封止されている。
【００３５】
次に、上記半導体装置の製造方法について図２および図３を参照しつつ説明する。なお、図２および図３ではウェハ中の１チップ分の断面を示しているが、図２および図３に示す各工程は実際にはウェハ状態で行われている。
【００３６】
まず、図２（ａ）に示されるように、ウェハ状の支持基板１１ａを用意し、支持基板１１ａの各チップ形成領域に一面１１ｂからドライエッチング等で断面矩形状の窪み部１７を形成する。
【００３７】
続いて、図２（ｂ）に示されるように、ウェハ状の支持基板１１ａと同じサイズであるウェハ上の半導体層１３ａを用意し、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法や熱酸化等によって半導体層１３ａの一面１３ｂに埋込絶縁膜１２ａを形成する。
【００３８】
そして、図２（ｃ）に示されるように、支持基板１１ａの一面１１ｂと半導体層１３ａ上に形成された埋込絶縁膜１２ａとを接合し、内部に窪み部１７が形成されたＳＯＩウェハ１４ａを製造する。
【００３９】
なお、支持基板１１ａと埋込絶縁膜１２ａとの接合は、例えば、表面活性化接合によって行うことができる。すなわち、まず、支持基板１１ａおよび埋込絶縁膜１２ａが形成された半導体層１３ａを真空装置内に配置する。そして、支持基板１１ａの一面１１ｂ（接合面）および埋込絶縁膜１２ａの表面（接合面）にＡｒイオンビームを照射し、支持基板１１ａの一面１１ｂおよび埋込絶縁膜１２ａの表面を活性化させる。その後、支持基板１１ａおよび半導体層１３ａに設けられたアライメントマーク等を用いて赤外顕微鏡等によるアライメントを行い、室温〜５５０°の低温で支持基板１１ａの一面１１ｂと埋込絶縁膜１２ａの表面とを直接接合により接合する。
【００４０】
なお、支持基板１１ａの一面１１ｂおよび埋込絶縁膜１２ａの表面の活性化は、プラズマ処理によって行ってもよい。
【００４１】
その後は、図２（ｄ）に示されるように、従来と同様に、半導体層１３ａ上に図示しないマスクを形成し、このマスクを用いて半導体層１３ａに溝部１５ｂを形成することにより、センシング部１５ａを形成する。
【００４２】
そして、図２（ｅ）に示されるように、埋込絶縁膜１２ａのうちセンシング部１５ａと対向する部分を犠牲層エッチングで除去して開口部１６を形成する。以上の工程を行うことにより、各チップ形成領域にセンシング部１５ａや窪み部１７が形成されたＳＯＩウェハ１４ａが製造される。
【００４３】
また、図３（ａ）に示されるように、ＳＯＩウェハ１４ａと同じサイズであり、接合部材２０を構成するシリコンウェハ２１ａを用意する。そして、図３（ｂ）に示されるように、シリコンウェハ２１ａのうち各チップ形成領域に形成されたセンシング部１５ａと対向する部分をエッチングすることにより、窪み部２４を形成する。
【００４４】
続いて、図３（ｃ）に示されるように、シリコンウェハ２１ａの表裏面にＣＶＤ法等によってＳｉＯ２等で構成される第１絶縁膜２２ａおよび第２絶縁膜２３ａを形成して接合部材ウェハ２０ａを形成する。
【００４５】
なお、図２の工程および図３（ａ）〜（ｃ）の工程は、別工程で行われるものであるため、いずれの工程を先に行ってもよい。
【００４６】
そして、図３（ｄ）に示されるように、ＳＯＩウェハ１４ａと接合部材ウェハ２０ａとを接合する。この接合は、上記図２（ｃ）の工程と同様に、例えば、表面活性化接合によって行うことができる。すなわち、まず、ＳＯＩウェハ１４ａと接合部材ウェハ２０ａとを真空装置内に配置する。そして、ＳＯＩウェハ１４ａの表面（半導体層１３ａの表面）および接合部材ウェハ２０ａの表面（第１絶縁膜２２ａの表面）にＡｒイオンビームを照射し、ＳＯＩウェハ１４ａの表面（半導体層１３ａの表面）および接合部材ウェハ２０ａの表面（第１絶縁膜２２ａの表面）を活性化させる。その後、ＳＯＩウェハ１４ａおよび接合部材ウェハ２０ａに設けられたアライメントマーク等を用いて赤外顕微鏡等によるアライメントを行い、室温〜５５０°の低温でＳＯＩウェハ１４ａと接合部材ウェハ２０ａとを直接接合により接合する。
【００４７】
なお、支持基板１１ａの一面１１ｂおよび埋込絶縁膜１２ａの表面の活性化は、プラズマ処理によって行ってもよい。
【００４８】
これにより、各チップ形成領域では、ＳＯＩウェハ１４ａに形成された窪み部１７と接合部材ウェハ２０ａに形成された窪み部２４を含んで構成される真空の気密室３０が形成され、この気密室３０内にセンシング部１５ａが封止された状態となる。
【００４９】
その後、図４（ｅ）に示されるように、接合部材ウェハ２０ａに対して、貫通電極部２５を形成する。具体的には、接合部材ウェハ２０ａの所定箇所における第２絶縁膜２３ａ、シリコン基板２１、第１絶縁膜２２ａをエッチングして除去することにより、複数の孔部２５ａを形成する。続いて、各孔部２５ａの壁面にＴＥＯＳ等の絶縁膜２５ｂを成膜した後、各孔部２５ａの底部に形成された絶縁膜２５ｂを除去して半導体層１３ａを各孔部２５ａから露出させる。次に、各孔部２５ａにスパッタ法や蒸着法等によりＡｌやＡｌ−Ｓｉ等の金属を埋め込んで貫通電極２５ｃを形成し、各貫通電極２５ｃとセンシング部１５ａ等とを電気的に接続する。そして、接合部材ウェハ２０ａの裏面（第２絶縁膜２３ａの表面）に形成された金属をパターニングしてパッド部２５ｄを形成することにより、各チップ形成領域に貫通電極部２５を形成する。
【００５０】
その後は、特に図示しないが、ＳＯＩウェハ１４ａおよび接合部材ウェハ２０ａをチップ形成領域の境界に沿ってダイシングすることでチップ単位に分割することにより、上記図１に示す半導体装置が製造される。
【００５１】
以上説明したように、本実施形態では、支持基板１１にも窪み部１７が形成されており、気密室３０はセンサ部１０に形成された窪み部１７および接合部材２０に形成された窪み部２４を含んで構成されている。このため、接合部材２０にのみ窪み部２４が形成された半導体装置と比較して、気密室３０の体積（容積）を増加させることができ、次の効果を得ることができる。
【００５２】
すなわち、気密室３０のリークレートをＲ、気密室３０の体積をＶ、気密室３０の許容圧力変動をＰ、保証年数をＴとしたとき、これらの関係は、次式
（数１）Ｒ＝Ｖ×（Ｐ／Ｔ）
で示される。
【００５３】
したがって、接合部材２０にのみ窪み部２４が形成されている半導体装置に対して、許容圧力変動Ｐが等しく、かつ保証年数が等しくなるように半導体装置を構成する場合には、上記数式１より、気密室３０のリークレートを大きくすることができる（図４参照）。つまり、気密室３０の気密性を低くすることができる。このため、センサ部１０と接合部材２０との接合面積を小さくすることができ、半導体装置の小型化することができる。
【００５４】
また、接合部材２０にのみ窪み部２４が形成されている半導体装置に対して、許容圧力変動Ｐが等しく、かつセンサ部１０と接合部材２０との接合面積が等しくなるように半導体装置を構成する場合には、気密室３０のリークレートを小さくできる。このため、上記数式１より、保証年数を長くすることができる。
【００５５】
さらに、本実施形態では、接合部材２０に形成された窪み部２４の体積をセンサ部１０に形成された窪み部１７の体積より小さくしている。このため、窪み部２４の体積を窪み部１７の体積より大きくして気密室３０の体積を増加させる場合と比較して、窪み部２４によって貫通電極部２５の設計場所等が限定されることを抑制できる。すなわち、コストが高くなることを抑制しつつ、気密室３０の体積を増加させることができる。
【００５６】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対してセンシング部１５ａを変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００５７】
図５に示されるように、本実施形態の半導体装置は、センサ部１０がシリコン基板１４を用いて構成されており、シリコン基板１４に物理量としての圧力に応じたセンサ信号を出力するセンシング部１５ａが形成されている。なお、本実施形態では、シリコン基板１４が本発明の半導体基板に相当する。
【００５８】
センシング部１５ａの構成について簡単に説明すると、シリコン基板１４には、裏面に窪み部１７が形成されることによって構成される薄肉のダイヤフラム１８が形成されている。そして、このダイヤフラム１８にブリッジ回路を構成するように４個のゲージ抵抗（図５中では２個のみ図示）１９ａが形成されてセンシング部１５ａが構成されている。つまり、本実施形態のセンサ部１０は、ダイヤフラム１８に圧力が印加されるとゲージ抵抗１９ａの抵抗値が変化してブリッジ回路の電圧が変化し、この電圧の変化に応じてセンサ信号を出力する半導体ダイヤフラム式のものである。
【００５９】
また、シリコン基板１４には、表面にゲージ抵抗１９ａと電気的に接続されるパッド１９ｂが形成されている。
【００６０】
接合部材２０は、本実施形態では、センサ部１０との間に基準室としての気密室３０を形成する台座としての機能を果すものであり、シリコン基板２１と、絶縁膜２２とを有する構成とされている。
【００６１】
シリコン基板２１は、センシング部１５ａと対向する部分に窪み部２４が形成され、絶縁膜２２は、シリコン基板２１においてセンサ部１０と対向する一面に形成されている。本実施形態では、窪み部２４の体積は、窪み部１７の体積より大きくされている。
【００６２】
なお、本実施形態では、絶縁膜２２は窪み部２４を構成する壁面には形成されていないが、窪み部２４を構成する壁面に形成されていてもよい。この絶縁膜２２はセンサ部１０とシリコン基板２１とを絶縁するためのものである。
【００６３】
そして、センサ部１０の裏面に接合部材２０の絶縁膜２２が接合され、センサ部１０に形成された窪み部１７と接合部材２０に形成された窪み部２４とを含んで気密室３０が形成されている。
【００６４】
このような半導体装置は、ダイヤフラム１８のうち気密室３０側と反対側の面が外部圧力を検出する面となり、ダイヤフラム１８のうち気密室３０側の面が基準圧力を検出する面となる。そして、気密室３０内の圧力と気密室３０外の圧力との差圧に応じたセンサ信号を出力する。
【００６５】
このため、このような半導体装置においても、気密室３０の圧力変動が保証年数等に影響するため、センサ部１０にも窪み部１７を形成して気密室３０の体積を増加させることにより、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００６６】
また、本実施形態では、接合部材２０に形成された窪み部２４の体積をセンサ部１０に形成された窪み部１７の体積より大きくしている。このため、窪み部１７の体積を窪み部２４の体積より大きくして気密室３０の体積を増加させる場合と比較して、ダイヤフラム１８の大きさに関わらず窪み部２４を容易に大きくすることができる。すなわち、コストが高くなることを抑制しつつ、気密室３０の体積を増加することができる。
【００６７】
なお、このような半導体装置は、特に図示しないが、センサ部１０に窪み部１７を形成すると共に接合部材（台座）２０に窪み部２４を形成し、これらセンサ部１０と接合部材２０とを接合することにより、製造される。
【００６８】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００６９】
例えば、上記第１実施形態では、加速度を検出するセンシング部１５ａが形成されたセンサ部１０を備え、上記第２実施形態では、圧力を検出するセンシング部１５ａが形成されたセンサ部１０を備える半導体装置について説明した。しかしながら、本発明はこれらに限定されるものではなく、センサ部１０と接合部材２０との間に気密室３０が形成される半導体装置に適用することが可能である。すなわち、例えば、角速度を検出するセンシング部１５ａが形成されたセンサ部１０に接合部材２０を接合してなる半導体装置に本発明を適用することも可能である。
【００７０】
また、上記第１実施形態において、窪み部２４の体積を窪み部１７の体積より大きくしてもよいし、上記第２実施形態において、窪み部１７の体積を窪み部２４の体積より大きくしてもよい。
【００７１】
さらに、上記各実施形態において、窪み部１７、２４の形状は適宜変更可能である。例えば、上記第１実施形態において、図６に示されるように、窪み部１７は、支持基板１１のうち埋込絶縁膜１２側（窪み部１７の開口部）から窪み部１７の深さ方向において幅が広くなるテーパ状とされていてもよい。このような窪み部１７は、例えば、ドライエッチング時の圧力やエッチングガスを構成するガスの混合比等を制御することによって形成される。具体的には、エッチングが進むにつれて側面のエッチングが大きくなるエッチングガスの比率を大きくすることにより形成される。
【００７２】
また、図７に示されるように、窪み部１７は、開口部と底面との間の部分において、幅が最も長くなる形状とされていてもよい。このような窪み部１７は、例えば、支持基板１１ａをウェットエッチングすることにより形成される。
【００７３】
これら図６および図７に示す半導体装置では、センサ部１０と接合部材２０との接合面積を変化させることなく、気密室３０の体積をさらに増加させることができる。なお、ここでは、支持基板１１に形成された窪み部１７の形状を例に挙げて説明したが、接合部材２０に形成される窪み部２４においても同様である。つまり、窪み部２４をテーパ状としてもよいし、窪み部２４を開口部と底部との間の部分の幅が最も長くなるようにしてもよい。
【符号の説明】
【００７４】
１０    センサ部
１５ａ  センシング部
１７    窪み部
２０    接合部材
２４    窪み部
３０    気密室
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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