(57)【要約】【課題】小型で、共振周波数が低く、かつミラーが並進運動しにくいマイクロミラーデバイスを歩留まりよく提供する。【解決手段】反射面（12B）を有するミラー部（12）を特定の回転軸を中心に回転可能に支持する支持可動部（14，16）と、支持可動部（14，16）に連結され、圧電体の変形によって屈曲変位を行う圧電アクチュエータ部（20，22）と、圧電アクチュエータ部（20，22）を屈曲変位可能に支持する固定フレーム部（26）と、を備える。支持可動部（14，16）は金属ガラス材料で構成される。金属ガラスは過冷却液体領域の温度に加熱処理することで残留応力を開放することができる。シリコンよりもヤング率の低い金属ガラス材料が好ましい。応力開放リフローによる圧電性能の劣化を回避するために、Ｎｂを６〜２０％ドープしたＰＺＴ膜を用いることが好ましい。【選択図】図１
2014134642.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光を反射する反射面を有するミラー部と、
前記ミラー部を特定の回転軸を中心に回転可能に支持する支持可動部と、
前記支持可動部に連結され、圧電体の変形によって屈曲変位を行う圧電アクチュエータ部と、
前記圧電アクチュエータ部の一端が接続され、前記圧電アクチュエータ部を屈曲変位可能に支持する固定フレーム部と、を備え、
前記支持可動部は金属ガラス材料で構成されており、
前記圧電アクチュエータ部に電圧を印加して前記屈曲変位させることによって前記支持可動部を変形させ、前記ミラー部を回転させるマイクロミラーデバイス。
【請求項２】
前記支持可動部を構成する金属ガラス材料は、シリコンよりもヤング率が小さい材料である請求項１に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項３】
前記支持可動部を構成する金属ガラス材料は、Ｚｒを含む材料である請求項１又は２に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項４】
前記支持可動部を構成する金属ガラス材料は、Ｚｒ-Ｃｕ-Ａl-Ｎｉ系である請求項３に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項５】
前記支持可動部を構成する金属ガラス材料は、ガラス転移温度Ｔｇが150℃以上の材料である請求項１から４のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項６】
前記支持可動部を構成する金属ガラス材料は、ガラス転移温度Ｔｇが300℃以上の材料である請求項５に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項７】
前記支持可動部を構成する金属ガラス材料は、気相成膜によって成膜された薄膜である請求項１から６のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項８】
前記ミラー部が前記回転軸を中心に回転運動を行う共振モードの共振周波数の付近で前記ミラー部を共振駆動させる請求項１から７のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項９】
前記圧電アクチュエータ部は、振動板、下部電極、圧電体、上部電極の順に積層された圧電ユニモルフカンチレバーで構成されることを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項１０】
前記圧電アクチュエータ部に用いられる圧電体は１〜１０μｍ厚の薄膜であり、振動板となる基板上に直接成膜された薄膜である請求項１から９のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項１１】
前記圧電体は、スパッタリング法で成膜された薄膜であることを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項１２】
前記圧電アクチュエータ部に用いられる圧電体は、下記式（Ｐ）で表される１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイス。
一般式ＡＢＯ３・・・（Ｐ）
（式中、Ａ：Ａサイトの元素であり、Ｐｂを含む少なくとも１種の元素。
Ｂ：Ｂサイトの元素であり、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｍｇ,Ｓｃ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｆｅ，及びＮｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素。
Ｏ：酸素元素。
Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素元素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。）
【請求項１３】
前記圧電アクチュエータ部に用いられる圧電体は、下記式（ＰＸ）で表される１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物であることを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイス。
Ａａ（Ｚｒｘ，Ｔｉｙ，Ｍｂ−ｘ−ｙ）ｂＯｃ・・・（ＰＸ）
（式中、Ａ：Ａサイトの元素であり、Ｐｂを含む少なくとも１種の元素。
Ｍが、Ｍｇ, Ｖ, Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。
０＜ｘ＜ｂ、０＜ｙ＜ｂ、０≦ｂ−ｘ−ｙ。
ａ：ｂ：ｃ＝１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。）
【請求項１４】
前記ペロブスカイト型酸化物（ＰＸ）は、Ｎｂを含むと共に、Ｎｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ＋Ｎｂ）モル比が０．０６以上０．２０以下であることを特徴とする請求項１３に記載のマイクロミラーデバイス。
【請求項１５】
請求項１から１４のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイスを製造する方法であって、
基板上に下部電極を形成する下部電極形成工程と、
前記基板上の前記下部電極の上に圧電体膜を積層して形成する圧電体膜形成工程と、
前記基板上の前記圧電体膜の上に上部電極を積層して形成する上部電極形成工程と、
前記基板上に金属ガラス膜を形成する金属ガラス膜形成工程と、
前記金属ガラス膜形成工程の後に、前記金属ガラス膜の結晶化温度Ｔｘとガラス転移温度Ｔｇとの間の過冷却液体領域の温度で加熱処理し、前記金属ガラス膜の残留応力を開放する応力開放リフロー工程と、
前記基板の一部を除去する加工を行う加工工程と、
を含むマイクロミラーデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロミラーデバイス及びその製造方法に係り、特に、光走査などに用いる光偏向器に好適なマイクロミラーデバイスの構造及びその製造技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
シリコン（Ｓｉ）の微細加工技術を用いて作製されたマイクロスキャナ（以下、「ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical System）スキャナ」という。）は、従来の光走査モジュールであるポリゴンミラーなどと比べて小型かつ低消費電力であることが特徴である（特許文献１）。このためＭＥＭＳスキャナは、レーザープロジェクタから光干渉断層計（ＯＣＴ；Optical Coherence Tomography）のような光診断用スキャナなど、幅広い応用が期待されている。
【０００３】
特に、ＯＣＴなどの光による測定を行いながらスキャンする用途では、５０Ｈｚから１００Ｈｚ程度の比較的低速でのスキャンに適したものであること、並びに、内視鏡の内部での使用を想定した小型サイズ（例えば、デバイス全体で３ｍｍ四方以内が望ましい）であることの両特性を満たすことが要求される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１８０２４９号公報
【特許文献２】特開２００７−２９０１２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ＭＥＭＳスキャナで大きなスキャン角度を得るためには、共振駆動をするのが一般的である。このため、ＯＣＴ用など低速用途のＭＥＭＳスキャナで大きなスキャン角を実現するためには、デバイス構造の共振周波数を低くする必要がある。デバイスの共振周波数を低くするには、傾き運動するミラーを支える変形部（ヒンジ部）のバネ定数を下げる必要があるため、ヒンジ部が非常に脆弱にならざるを得ない。
【０００６】
一例として、ＭＥＭＳスキャナのヒンジ部として一般的なトーションバーを用いた構造における駆動振動モード（「第１モード」という。）の動きを図１０に示す。
【０００７】
同図において、符号４１２はミラー部、符号４１４と４１６はミラー部を支持するヒンジ部（トーションバー）である。この場合、トーションバーのねじり剛性で共振周波数が決定する。図１１はヒンジ部４１４（及び４１６）の拡大図である。ヒンジ部の長さl、幅ｗ、厚みtとすると、ヒンジ部が十分薄い場合、ねじりのバネ定数ｋ１は、次式（式１）で表される。
【０００８】
【数１】
2014134642.tif 000003
【０００９】
（式１）中の「Ｇ」はヒンジ部を構成しているシリコンの剛性率である。（式１）に示したとおり、トーションバーの厚みtを減少させることで効果的に共振周波数を下げることができる。なお、長さlを増加させることでも共振周波数を下げることができるが、長さｌを増加させると、［１］素子の大型化を招くこと、［２］ミラーが垂直方向に並進運動しやすくなること、の２点からあまり好ましくない。
【００１０】
以下に［２］の並進運動の問題について説明する。
【００１１】
図１２はミラーの垂直方向の並進運動モード（「第２モード」という。）の動きを示す図である。並進運動モード（第２モード）の共振周波数が低いと、外乱振動などによってミラー部４１２が垂直方向（図１２の上下方向）に動きやすくなる。このような垂直方向の並進運動は実用時に光路長の誤差などをもたらすために望ましくない。したがって、ミラーの回転駆動に必要な第１モードの共振周波数を低く抑えつつ、第２モードの共振周波数をできるだけ高くするのが望ましい。図１２に示した第２モードのバネ定数ｋ２は、次式（式２）で表される。
【００１２】
【数２】
2014134642.tif 000004
【００１３】
（式２）中の「Ｅ」はヒンジ部のヤング率である。
【００１４】
式１、式２から、２つのモードの共振周波数の比は、次のように表される。
【００１５】
【数３】
2014134642.tif 000005
【００１６】
つまり、ヒンジ部の長さｌをより短くし、厚みｔをより薄くすれば、第１モードの周波数fr1を設計値に固定しながらモード２の共振周波数fr２を上げることができ、第１モードのみが安定的に励起されるＭＥＭＳスキャナが設計できる。
【００１７】
式１によると、例えば、１ｍｍ（ミリメートル）四方、厚み300μｍ（マイクロメートル）のミラー部４１２の中心を２本のトーションバーで支える場合、トーションバーの寸法例としては厚みt＝3μｍ（マイクロメートル）、幅ｗ＝5μｍ（マイクロメートル）、長さl＝100μｍ（マイクロメートル）となる。
【００１８】
しかしながら、従来のＭＥＭＳスキャナの構造主材料として用いられてきたシリコン（Ｓｉ）は脆性材料であるため、上記のような寸法の脆い構造は作成できない。具体的には、厚みtが5μｍ（マイクロメートル）um未満のトーションバー構造はＳiでは作成が極端に難しい。また、作成できたとしても、持ち運び時に振動や衝撃などによって破壊されてしまい、実用に耐える共振スキャナは実現できない。
【００１９】
特許文献２では、ミラー部を支持するヒンジ（弾性力のある接続部材）としてアモルファスアルミニウム合金膜を用いている。アモルファスアルミニウム合金膜を用いることにより、ヒンジ部の剛性を高めることができるが、アモルファス金属膜の残留応力によって初期の撓みが発生するという問題がある。このような撓みがあると、ミラーの初期位置が設計位置からずれてしまい、光学系においてはその位置のシフト量が大きな問題になる場合がある。
【００２０】
本発明はこのような事情に鑑みてなされたもので、上記課題の少なくとも一つを解決し、小型で共振周波数が低く、かつミラーが並進運動しにくいマイクロミラーデバイスを歩留まりよく提供することができるマイクロミラーデバイスの構造及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
前記目的を達成するために、次の発明を提供する。
【００２２】
（第１態様）：第１態様に係るマイクロミラーデバイスは、光を反射する反射面を有するミラー部と、ミラー部を特定の回転軸を中心に回転可能に支持する支持可動部と、支持可動部に連結され、圧電体の変形によって屈曲変位を行う圧電アクチュエータ部と、圧電アクチュエータ部の一端が接続され、圧電アクチュエータ部を屈曲変位可能に支持する固定フレーム部と、を備え、支持可動部は金属ガラス材料で構成されており、圧電アクチュエータ部に電圧を印加して屈曲変位させることによって支持可動部を変形させ、ミラー部を回転させる。
【００２３】
この態様によれば、破壊強度が強い金属ガラスを支持可動部の材料として用いたことで、バネ定数（第１モード）の低い支持可動部（長さが短く、厚さが極めて薄い支持可動部）を実現できる。これにより、低い共振周波数で安定駆動するミラーデバイスを実現することができ、共振駆動によって大きな変位量（ミラー部の傾き角）を得ることができる。また、この態様は、圧電体の変形を利用した駆動方式であるため、例えば、磁力を利用して駆動する方式と比較して、コイル（電磁石）等の外付け部品が不要であり、素子全体のサイズを小型化することができる。
【００２４】
さらに、この態様は、圧電駆動を行うため、磁性材料を用いる必要がなく、適用可能な金属ガラス材料の選択の自由度が高い。金属ガラスは、金属ガラス以外のアモルファス金属と比較して、薄膜の製造が容易である。また、金属ガラスは、ガラス転移温度Ｔｇ以上結晶化温度Ｔｘ以下の温度範囲（過冷却液体領域）の温度で加熱処理を行うことにより、残留応力を開放できるため、かかる処理（応力開放リフロー）を行うことにより、残留応力による撓みを解消することが可能である。
【００２５】
なお、ここでいう「回転」は、支持可動部が可動（変形）できる範囲で規制された角度範囲で回転（回動）することを意味しており、必ずしも３６０度回転（１回転）することを要求するものではない。
【００２６】
（第２態様）：第１態様に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、支持可動部を構成する金属ガラス材料は、シリコンよりもヤング率が小さい材料とすることが好ましい。
【００２７】
一般的なＭＥＭＳデバイスの主材料であるシリコンよりもヤング率が小さい金属ガラス材料を用いることにより、低周波の共振駆動（例えば、５０〜１００Ｈｚ程度）に好適なデバイスを歩留まりよく作製することができる。
【００２８】
（第３態様）：第１態様又は第２態様に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、支持可動部を構成する金属ガラス材料は、Ｚｒを含む材料とすることができる。
【００２９】
Ｚｒ基金属ガラスは過冷却液体領域における安定性が高いため、比較的容易に作製でき、応力開放リフローも容易である。さらに、Ｚｒ基金属ガラスは、ヤング率、ガラス転移温度Ｔｇの観点からも好ましい材料である。
【００３０】
（第４態様）：第３態様に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、支持可動部を構成する金属ガラス材料は、Ｚr-Ｃu-Ａl-Ｎi系の材料とすることができる。
【００３１】
（第５態様）：第１態様から第４態様のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、支持可動部を構成する金属ガラス材料は、ガラス転移温度Ｔｇが150℃以上の材料であることが好ましい。
【００３２】
使用する金属ガラスのガラス転移温度Ｔｇが高ければ、デバイス駆動中の発熱によってリフローが起こりにくいため、駆動の耐久性が高まる。
【００３３】
（第６態様）：第５態様に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、支持可動部を構成する金属ガラス材料は、ガラス転移温度Ｔgが300℃以上の材料であることが好ましい。
【００３４】
（第７態様）：第１態様から第６態様のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、支持可動部を構成する金属ガラス材料は、気相成膜によって成膜された薄膜とすることができる。
【００３５】
金属ガラスの薄膜を基板に直接成膜し、半導体プロセスによってパターニングすることでデバイスの作製プロセスを簡便化できる。気相成膜法には、物理的気相法（ＰＶＤ：Physical VaporDeposition）と化学的気相法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）がある。気相成膜法を用いることで、極薄な構造を作製可能である。
【００３６】
（第８態様）：第１態様から第７態様のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、ミラー部が回転軸を中心に回転運動を行う共振モードの共振周波数の付近でミラー部を共振駆動させる構成とすることができる。
【００３７】
共振を利用した駆動を行うことにより、非常に大きなミラー回転角を得ることができる。共振周波数の「付近」とは、共振を励起するという目的の作用が得られる範囲内であることを意味する。圧電アクチュエータ部に対して、共振周波数の付近でミラー部を共振駆動させる駆動電圧を供給する駆動電圧供給回路を備える構成とすることができる。
【００３８】
（第９態様）：第１態様から第８態様のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、圧電アクチュエータ部は、振動板、下部電極、圧電体、上部電極の順に積層された圧電ユニモルフカンチレバーで構成されるものとすることができる。
【００３９】
圧電カンチレバーは、ユニモルフ構造に限らず、バイモルフ構造も可能であるが、ユニモルフ構造が最も簡単な構成である。圧電駆動方式は、電極間に電圧を印加するだけで駆動できるため、構成が単純で小型化に有益である。
【００４０】
（第１０態様）：第１態様から第９態様のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、圧電アクチュエータ部に用いられる圧電体は１〜１０μｍ厚の薄膜であり、振動板となる基板上に直接成膜された薄膜とすることができる。
【００４１】
圧電体薄膜を用いて圧電アクチュエータを構成することが好ましい。スパッタリング法に代表される気相成長法やゾルゲル法などの直接成膜法を用いることにより、所要の圧電性能を持つ圧電体薄膜を得ることができる。
【００４２】
また、基板に圧電体の薄膜を直接成膜し、ドライエッチング若しくはウエットエッチングなどの半導体プロセスで加工することで、デバイスの作製プロセスを簡便にできる。
【００４３】
（第１１態様）：第１態様から第１０態様のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、圧電体は、スパッタリング法で成膜された薄膜であるものとすることができる。
【００４４】
（第１２態様）：第１態様から第１１態様のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、圧電アクチュエータ部に用いられる圧電体は、下記式（Ｐ）で表される１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物とすることができる。
【００４５】
一般式ＡＢＯ３・・・（Ｐ）
（式中、Ａ：Ａサイトの元素であり、Ｐｂを含む少なくとも１種の元素。
Ｂ：Ｂサイトの元素であり、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｍｇ,Ｓｃ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｆｅ，及びＮｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素。
Ｏ：酸素元素。
Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素元素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。）
圧電アクチュエータ部に用いる圧電材料をＰｂ含有系にすることで高い駆動変位をデバイスに与えることができる。
【００４６】
（第１３態様）：第１態様から第１１態様のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、圧電アクチュエータ部に用いられる圧電体は、下記式（ＰＸ）で表される１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物とすることができる。
【００４７】
一般式Ａａ（Ｚｒｘ，Ｔｉｙ，Ｍｂ−ｘ−ｙ）ｂＯｃ・・・（ＰＸ）
（式中、Ａ：Ａサイトの元素であり、Ｐｂを含む少なくとも１種の元素。
Ｍが、Ｍｇ, Ｖ, Ｎｂ，Ｔａ，及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。
【００４８】
０＜ｘ＜ｂ、０＜ｙ＜ｂ、０≦ｂ−ｘ−ｙ。
【００４９】
ａ：ｂ：ｃ＝１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。）
Ｎｂ等の元素をドープしたＰＺＴは圧電定数が高いため、小型で大きな変位が得られるデバイスの作製に好適である。
【００５０】
（第１４態様）：第１３態様に記載のマイクロミラーデバイスにおいて、ペロブスカイト型酸化物（ＰＸ）は、Ｎｂを含むと共に、Ｎｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ＋Ｎｂ）モル比が０．０６以上０．２０以下であることが好ましい。
【００５１】
Ｎｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ＋Ｎｂ）モル比が０．０６以上０．２０以下の範囲でＰＺＴにＮｂをドープすることによって、加熱しても容易には脱分極しなくなる。これにより、応力開放リフローを行っても、圧電変形の性能が劣化しにくい。また、ＮｂドープＰＺＴは、真性ＰＺＴと比べて圧電定数が高いため、小型かつ大変位のデバイスが作製できる。
【００５２】
（第１５態様）：第１態様から第１４態様のいずれか１項に記載のマイクロミラーデバイスを製造する方法であって、基板上に下部電極を形成する下部電極形成工程と、基板上の下部電極の上に圧電体膜を積層して形成する圧電体膜形成工程と、基板上の圧電体膜の上に上部電極を積層して形成する上部電極形成工程と、基板上に金属ガラス膜を形成する金属ガラス膜形成工程と、金属ガラス膜形成工程の後に、金属ガラス膜の結晶化温度Ｔｘとガラス転移温度Ｔｇとの間の過冷却液体領域の温度で加熱処理し、金属ガラス膜の残留応力を開放する応力開放リフロー工程と、基板の一部を除去する加工を行う加工工程と、を含むマイクロミラーデバイスの製造方法。
【００５３】
金属ガラス膜を形成後、ガラス転移温度Ｔｇ以上結晶化温度Ｔｘ以下の温度で加熱処理を行うことによって残留応力が開放され、支持可動部の撓み（残留応力に起因する初期の歪み）が解消される。これにより、設計通りのデバイス寸法に仕上げることができる。
【００５４】
なお、積層構造に関してＡの上にＢを積層するというときの「上」とは、基板の厚み方向について、基板面から遠ざかる方向が「上」の方向であることを意味する。また、用語の解釈に際し、「Ａの上にＢを積層する」という表現は、Ａに接してＢをＡ上に直接積層する場合に限らず、ＡとＢの間に他の１又は複数の層を介在させ、Ａの上に１又は複数の層を介してＢを積層する場合も有りうる。
【発明の効果】
【００５５】
本発明によれば、小型で、共振周波数が低く、共振駆動による安定駆動が可能で、かつミラー部が並進運動しにくいマイクロミラーデバイスを実現することができる。金属ガラスは、シリコンに比べて破壊強度が強く、歩留まりのよいデバイス製造が可能であるとともに、耐久性に優れたマイクロミラーデバイスが得られる。
【００５６】
また、金属ガラスは、ガラス転移温度以上結晶化温度以下の温度による加熱処理によって残留応力を開放することができ、残留応力に起因する支持可動部の歪みを取り去ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】実施形態に係るＭＥＭＳスキャナデバイスの斜視図
【図２】実施形態に係るＭＥＭＳスキャナデバイスの平面図
【図３】図１の３−３切断線に沿った断面図
【図４】実施例１で作製したＭＥＭＳスキャナデバイスの各デザイン（サンプル番号１〜４）の共振周波数を示した図表
【図５】圧電アクチュエータ部に駆動電圧を供給する駆動回路の構成例を示した説明図
【図６】金属ガラス材料の例を示す図表
【図７】実施例２の製造方法を示すフローチャート
【図８】Ｎｂの添加量と応力開放リフロー後の変位変化率との関係を調べた実験結果をまとめた図表
【図９】比較例として作製を試みたＭＥＭＳスキャナデバイスの斜視図
【図１０】トーションバーを用いたＭＥＭＳスキャナデバイスの構造における駆動振動モード（第1モード）の動きを示す説明図
【図１１】図１０のトーションバー部分の拡大図
【図１２】トーションバーを用いたＭＥＭＳスキャナデバイスの構造における並進運動モード（第２モード）の動きを示す説明図
【発明を実施するための形態】
【００５８】
以下、添付図面に従って本発明の好ましい実施形態について詳説する。
【００５９】
図１は実施形態に係るＭＥＭＳスキャナデバイスの斜視図、図２は平面図、図３は図１の３−３切断線による断面図である。これらの図面に示したように、本実施形態に係るＭＥＭＳスキャナデバイス１０（「マイクロミラーデバイス」に相当）は、ミラー部１２と、ミラー部１２を回動可能に支持する支持可動部１４、１６と、支持可動部１４、１６に連結された圧電アクチュエータ部２０、２２と、圧電アクチュエータ部２０、２２の一端（基端部）が接続されている固定フレーム部２６と、を備える。
【００６０】
ミラー部１２は光を反射する反射面１２Ｂを有する。ミラー部１２の反射面１２Ｂ（図１においてミラー部１２の上面）には、入射光の反射率を高めるための金属薄膜コーティング（ミラーコーティング）が施されている。ミラーコーティングに用いる材料や膜厚は特に限定されず、公知のミラー材料（高反射率材料）を用いて様々な設計が可能である。なお、本実施形態では、ミラーコーティングとして支持可動部１４、１６を構成する金属ガラス材料と同一材料の金属ガラス薄膜が形成されている。もちろん、反射面１２Ｂには、金属ガラス薄膜に代えて、Ａｕ（金）やＡｌ（アルミ）等の金属薄膜を用いることも可能である。
【００６１】
本例では平面視で正方形のミラー部１２を例示し、非駆動時における反射面１２Ｂの法線方向をｚ軸方向、ミラー部１２の互いに直交する２辺の方向のうち一方をｘ軸方向、他方をｙ軸方向とする直交ｘｙｚ軸を導入して説明する（図１及び図２のｘｙｚ軸の記載を参照）。
【００６２】
ただし、本発明の実施に際して、ミラー部１２の形状は図示の例に限定されない。矩形以外の多角形、円形、楕円形など様々な形態があり得る。なお、ここでいう「矩形」とは厳密な意味での四角形に限らず、全体的な基本形状として概ね矩形と把握できる形状である（略矩形を含む）ことを意味する。例えば、四角形の角部が面取りされたもの、角部が丸められたもの、辺の一部又は全部が曲線や折れ線で構成されるもの、ミラー部１２と圧電アクチュエータ部２０、２２との接続部分（符号１４，１６で示す支持可動部）に連結上必要な付加的形状が追加されたものなども含まれる。多角形、円形、楕円形などの用語についても同様に、それぞれ概ね多角形、概ね円形、概ね楕円形と把握できる形状を含むことを意味する。
【００６３】
また、ミラー部１２の平面視形状と反射面１２Ｂの形状は一致してもいいし、異なっていてもよい。反射面１２Ｂの領域は、ミラー部１２における上面の面積範囲内で適宜の形状、サイズに形成することができる。
【００６４】
ミラー部１２には、１組の対辺の両側面部（ｚ軸方向と平行な対辺の各辺部）にそれぞれ角柱棒状の支持可動部１４、１６が連結されている。ミラー部１２は、一対の支持可動部１４、１６を介して圧電アクチュエータ部２０、２２に連結されている。
【００６５】
すなわち、支持可動部１４の一端はミラー部１２における１組の対辺のうち、第１の辺部（図２の符号３１）の一部に連結され、支持可動部１４の他方の端部は圧電アクチュエータ部２０の先端部（非拘束端側の端部）に連結されている。圧電アクチュエータ部２０の他方の端部（拘束端側の端部となる基端部２０Ｂ）は固定フレーム部２６に連結されている。
【００６６】
同様に、支持可動部１６の一端は、ミラー部１２における１組の対辺のうち、第２の辺部（図２の符号３２）の一部に連結され、支持可動部１６の他方の端部は圧電アクチュエータ部２２の先端部（非拘束側の端部）に連結されている。圧電アクチュエータ部２２の他方の端部（拘束側の端部となる基端部２２Ｂ）は固定フレーム部２６に連結されている。固定フレーム部２６は、圧電アクチュエータ部２０、２２の基端部２０Ｂ、２２Ｂを固定支持する固定端（固定部）として機能する。
【００６７】
ミラー部１２を対辺の両側面部から支持する支持可動部１４、１６は、トーションバー（ねじりヒンジ部）として機能する。一対の支持可動部１４、１６を結んだ軸線がミラー部１２の回転軸４０となり、ミラー部１２はこの回転軸４０の回りに傾斜回転する。本例の場合、回転軸４０はｙ軸と平行な方向の軸線である。
【００６８】
支持可動部１４、１６は、金属ガラス薄膜によって構成されている。なお、本例の支持可動部１４、１６は、ミラー部１２の反射面１２Ｂとして機能する金属ガラス薄膜と一体的に繋がっている構成となっているが、反射面１２Ｂと支持可動部１４、１６とは分離された構成であってもよい。支持可動部１４，１６を構成する金属ガラス薄膜の膜厚は４μm以下、好ましくは３μm以下、さらに好ましくは１μm以上２μm以下とする。
【００６９】
＜金属ガラスについて＞
金属ガラスはガラス転移点（「ガラス転移温度」と同義）を持つ非晶質の金属である。金属ガラスは、従来の多結晶合金に比べて格段に優れた機械的特性・耐食性を示し、組成によっては電磁特性などの機能を発現させることもできる。特に金属ガラスは、弾性特性に優れており、例えば、2%にも及ぶ弾性歪限界を呈する。金属ガラスは、結晶化温度Ｔｘとガラス転移温度Ｔｇの間（Ｔｇ＜Ｔｘ）の過冷却液体温度領域において、酸化物ガラスと同様に温度に比例して粘性が低下するため、この温度範囲においては樹脂と同様な成形性で容易に変形させることができる。
【００７０】
また、金属ガラスは、スパッタリング法に代表される気相成長法などの成膜法によって基板上に金属ガラス薄膜を直接形成することができ、この場合はリフトオフ法などのフォトリソグラフィ技術によってパターニングを行うことができる。金属ガラスは、他のアモルファス金属よりもランダム構造の安定性が高く、成膜時の温度管理などが容易であり、薄膜の製造が容易である。
【００７１】
＜低共振周波数ＭＥＭＳスキャナに関する問題＞
図１０から図１２で説明したとおり、従来ＭＥＭＳスキャナの構造主材料として用いられてきたシリコン（Ｓｉ）は脆性材料であり、小型で実用に耐える共振スキャナは実現できていなかった。このような問題を解決する一つの手段として、トーションバー部を構成する材料として、シリコンよりも破壊強度の強い材料を用いる方法を検討した。
【００７２】
非特許文献１（J. Lee et al., ‘Development of the micro-mirror withlarge scaning angle using FE-based metallic glass thin film’ Solid-State Sensors, Actuators and Microsystems Conference (TRANSDUCERS) 16th International, (2011) pp. 2912 -2915.）では、トーションバーの材料として磁性金属ガラス薄膜を用い、磁力によってミラーを回転駆動させるＭＥＭＳスキャナが提案されている。
【００７３】
しかしながら、非特許文献１に記載の構造では、磁性金属ガラスは軟磁性であるため、駆動のためには金属ガラスを磁化させるための外付け永久磁石に加え、駆動用の外付けコイルを配置して磁力によってミラーを回転駆動する必要があり、素子が大型になってしまうという欠点がある。さらに、磁性金属ガラスであるＦｅ基金属ガラスはヤング率が200GPa（ギガパスカル）程度と高く、低周波で駆動するＭＥＭＳスキャナには適当な材料ではない。
【００７４】
低周波の駆動安定性、耐久性の観点から、シリコンのヤング率（概ね130GPa程度）と同等、好ましくは、シリコンのヤング率よりも小さい金属ガラス材料を用いることが望ましい。本実施形態では、金属ガラスの中でも降伏応力が高いＺｒ系金属ガラスを用いている。Ｚｒ系金属ガラスのヤング率は90〜100GPa程度である。ただし、Ｚｒ系金属ガラスに限らず、この他にも様々な物性を持つ金属ガラス組成が存在しており、必要なＭＥＭＳスキャナの特性に合わせて材料を選定することができる。
【００７５】
＜圧電アクチュエータ部＞
次に、圧電アクチュエータ部２０、２２の構造について説明する。本例のＭＥＭＳスキャナデバイス１０は、ミラー部１２をｙ方向の両側から挟むように一対の圧電アクチュエータ部２０、２２が配置される。圧電アクチュエータ部２０、２２は、長手方向がｘ軸の方向に向いたカンチレバー（片持ち梁）構造のアクチュエータであり（図３参照）、圧電体の変形によって屈曲変位を行う。圧電アクチュエータ部２０、２２は、ｘ軸方向の一方の端部が固定フレーム部２６に固定支持され、反対側の端部は、カンチレバー構造によって変位できる非拘束端となっている。
【００７６】
図３では圧電アクチュエータ部２０の構造を図示したが、もう一方の圧電アクチュエータ部２２の構造も同様である。図３に示したように、本例の圧電アクチュエータ部２０、２２は、圧電ユニモルフカンチレバー構造からなる。圧電アクチュエータ部２０、２２は、振動板４２として機能するシリコン（Ｓｉ）の平板棒状の支持基板に下部電極４４、圧電体４６、上部電極４８が積層して形成された積層構造を有している。このような積層構造体は、シリコン（Ｓｉ）の基板５０上に、下部電極４４、圧電体４６、上部電極４８の各層を順次に成膜することによって得られる。なお、下部電極４４、上部電極４８の各電極層は、それぞれ複数種類の導電性材料を組み合わせて（例えば、複数の材料による積層構造により）構成することができる。
【００７７】
図３に示す各層の膜厚やそれらの比率、長さ寸法等は、説明の都合上、適宜変更して描いており、必ずしも実際の膜厚や比率等を反映したものではない。また、本明細書では、積層構造を表現するにあたり、基板５０の表面から基板厚み方向に離れる方向を「上」として表現する。図３では基板５０の厚み方向を重力方向と一致させて基板５０を水平に保持した状態で基板５０の厚み方向の上面に、下部電極４４等の各層（４４〜４８）が順次重ねられている構成となっているため、重力の方向（図３の下方）を下方向としたときの上下の関係と一致している。
【００７８】
ただし、基板５０の姿勢を傾けたり、反転させたりすることも可能である。基板５０の姿勢に依存する積層構造の積み重ね方向が必ずしも重力の方向を基準とする上下方向と一致しない場合についても、積層構造の上下関係を混乱なく表現するために、基板５０の面を基準にして、その面から厚み方向に離れる方向を「上」と表現する。例えば、図３の上下を反転させた場合であっても、基板５０上に下部電極４４が形成され、その上に圧電体４６が積層されるという表現で記述される。
【００７９】
圧電体４６を挟む上下の電極（４４，４８）間に駆動電圧が印加されることで圧電体４６が変形し、この変形に伴い、振動板４２が撓んで、カンチレバーが図３の上下方向に動く。なお、本発明の実施に際して、ユニモルフカンチレバー以外の構造を用いても良い。例えば、電極を挟んで圧電体を２層積層したバイモルフカンチレバーを用いても良い。
【００８０】
＜実施例１＞
実施例１に係るＭＥＭＳデバイスの製造方法を説明する。実施例１として以下の手順によりＭＥＭＳスキャナデバイス１０（図１から図３参照）を作製した。
【００８１】
（工程１）：まず、厚み300μｍのＳｉ基板の上に、スパッタ法で基板温度350℃にてＴｉ層を30ｎｍ、Ｉｒの下部電極を150ｎｍ形成した（下部電極形成工程）。Ｓｉ基板に近い側からＴｉ層（30ｎｍ）、その上にＩｒ層（150ｎｍ）を重ねて成る２層構造の導電性薄膜積層体が全体として下部電極４４として機能する。Ｓｉの基板は、単結晶のバルクシリコン基板（Ｓｉウエハ）を用いてもよいし、ＳＯＩ（Silicon OnInsulator）基板を用いてもよい。
【００８２】
なお、本明細書において、膜の積層構造を表現するにあたり、下層から上層に向かって、Ａ材料層、Ｂ材料層、Ｃ材料層の順に積層されている構成を「Ａ／Ｂ／Ｃ」という表記によって表す。つまり、「／」の前に記載された材料が下層を構成し、「／」の後ろに記載された材料が上層を構成するものとして表記する。Ｓｉ基板に積層形成される下部電極は、「Ｔｉ／Ｉｒ」と表される。
【００８３】
（工程２）：工程１によって下部電極（Ｔｉ／Ｉｒ）を形成して得られた基板上に、高周波（Ｒｆ；radio frequency）スパッタ装置を用いてＰＺＴ層（図３の圧電体４６に相当）を２μｍ成膜した。成膜ガスは97．5％Ａｒと2．5％Ｏ２の混合ガスを用い、ターゲット材料としてはPb1.3((Zr0.52 Ti0.48)0.88 Nb0.12)O3の組成のものを用いた。成膜圧力は2.2mTorr（約0.293Ｐａ）、成膜温度は450℃とした。得られたＰＺＴ層は、Ｎｂが原子組成比で１２％添加されたＮｂドープＰＺＴ薄膜である。
【００８４】
（工程３）：工程２でＰＺＴ層を形成した後、この上にリフトオフ法によってＴiとＡｕの積層構造からなる上部電極（Ｔｉ／Ａｕ）をパターン形成した（上部電極形成工程）。
【００８５】
（工程４）：その後、ＩＣＰ（inductively coupled plasma；誘導結合プラズマ）ドライエッチングによってＰＺＴ薄膜をパターンエッチした（圧電体膜のパターン加工工程）。
【００８６】
（工程５）：その後、Ｚｒ系金属ガラス（本例では、Ｚｒ55Ｃｕ30Ａｌ10Ｎｉ5）をスパッタリング法にて室温で2um成膜した（金属ガラス膜形成工程）。Ｚｒ基金属ガラスは、過冷却液体状態の安定性が高いため、作成しやすいという利点がある。Ｚｒ基金属ガラスの他に、設計に応じてＮｉ基、Ｆｅ基、Ｃｏ基、Ｔｉ基、Ａｕ基、Ｐｔ基、Ａｇ基、Ｐｄ基、Ｃｕ基、Ａｌ基などの金属ガラスを用いても良い。金属ガラス薄膜のパターニングはリフトオフ法で行った。
【００８７】
以上のプロセスによって、厚み2μm、幅12μm、長さ350μmの金属ガラス支持可動部（トーションバー）を形成した。
【００８８】
（工程６）：その後、シリコンのドライエッチプロセスによってシリコン基板の一部を除去する加工を行い（加工工程）、図１〜図３に示した構成の圧電ＭＥＭＳスキャナデバイスを作成した。このシリコン加工プロセスによって、支持可動部（１４、１６）の裏面側のシリコン層が完全に除去され、金属ガラス材料の自立膜による支持可動部（１４、１６）が形成される。また、ミラー部１２や圧電アクチュエータ部２０、２２、固定フレーム部２６について、それぞれ所望の厚みと寸法形状に加工される。シリコン加工プロセスは、ドライエッチングに限らず、ウエットエッチングでもよい。
【００８９】
実施例１によって得られたデバイス全体のサイズは平面視で縦2.8mm×横2.4mmである。圧電アクチュエータ部２０、２２の駆動により支持可動部１４、１６がねじれることによって回転軸４０を中心とするミラー部１２の傾き運動を誘起する。
【００９０】
なお、図２中のｄで示した距離と、ミラー部１２の厚みｔＭ（図３参照）を変化させることでＭＥＭＳスキャナデバイス１０の共振周波数を調整することができる。図２中のｄは、ｙ軸と平行で、かつミラー部１２の中心を通る中心線５４から支持可動部１４、１６までのｘ軸方向の距離を示している。
【００９１】
＜作製したデバイスのサンプルについて＞
図４には、ｄの距離を変えた設計によるＭＥＭＳスキャナデバイスの各デザイン（サンプル番号１〜４）の共振周波数を示した。各デザイン（サンプル番号１〜４）について、圧電アクチュエータ部（圧電アクチュエータ部）２０、２２の上部−下部電極間に交流電圧を印加することで、駆動の確認を行った。共振周波数に対応する周波数の交流電圧を印加したとき（駆動周波数が共振周波数と一致するとき）、ミラーが大きく傾き運動することを確認できた。
【００９２】
＜駆動電圧の供給手段（駆動制御部）について＞
図５は圧電アクチュエータ部２０、２２に駆動電圧を供給する駆動回路の構成例を示した図である。本実施形態のＭＥＭＳスキャナデバイス１０（図１〜図３参照）は、一対の圧電アクチュエータ部２０、２２に対して、同時に同じ駆動電圧を印加することよって、ミラー部１２の両側の圧電アクチュエータ部２０、２２を同方向に変位させる。このため、一対の圧電アクチュエータ部２０、２２に駆動用の電力を供給する電力供給源として、共通の（同じ）駆動回路及び制御回路を用いることができる。圧電アクチュエータ部２０、２２に供給する駆動波形として、共振を励起する周波数の交流信号やパルス波形信号を用いることができる。ミラー部１２が回転軸４０（図２参照）を中心に回転運動を行う共振モードの共振周波数の付近でミラー部１２を共振駆動させることができる。
【００９３】
図５に示したように、圧電アクチュエータ部２０、２２の下部電極４４はドライバ回路７２の共通端子（Ｖ０端子、例えば、ＧＮＤ端子）に接続される。また、圧電アクチュエータ部２２の上部電極４８はドライバ回路７２の出力端子（Ｖ１端子）に接続される。
【００９４】
制御回路７４は、ドライバ回路７２に対して制御信号を送り、圧電アクチュエータ部２０、２２への駆動電圧の印加を制御する。電極（４４、４８）間に電圧が印加されることによって、圧電体４６（図３参照）が圧電変形し、カンチレバーが屈曲変位する。
【００９５】
各圧電アクチュエータ部２０、２２に供給する駆動波形は特に限定されない。例えば、正弦波の駆動電圧を供給してもよし、パルス波形信号を用いることもできる。
【００９６】
図５に示したドライバ回路７２、又は、ドライバ回路７２と制御回路７４の組み合わせが駆動電圧供給回路として機能する。なお、図５では、圧電アクチュエータ部２０、２２に対して、同じ駆動電圧を印加しているが、それぞれ別々に駆動電圧を印加する形態も可能である。
【００９７】
＜金属ガラスの残留応力を開放するリフロー処理及びその問題点について＞
トーションバー材料として金属ガラス薄膜を用いると、残留応力の開放が可能であるという利点がある。通常、成膜直後の薄膜には遍く残留応力が内包されており、このような薄膜を自立させてトーションバーとして用いると、撓みによって設計通りの構造が作成できない場合がある。
【００９８】
しかし、金属ガラス薄膜は、通常のアモルファス金属（金属ガラス以外のアモルファス金属）とは異なり、ガラス転移温度Ｔｇを有しているため、成膜後にＴｇ以上に加熱することで残留応力を開放し、自立膜のたわみを消去することができる（非特許文献２：Seiichi Hata et al., ‘Fabrication of Thin FilmMetallic Glass and its Application to Microactuator’ Part of the Conference on Device andProcess Technologies for MEMS and Microelectronics Royal Pines Resort,Queensland, Australia October 1999SPIE Vol. 3892）。以後、このプロセスを「応力開放リフロー」と呼ぶ。
【００９９】
金属ガラスのガラス転移温度Ｔｇは、組成によって100℃以下のもの（例えば、Ａｕ基金属ガラス：非特許文献３，４、及び特開２０１１−１６１８号公報参照）から450℃程度のもの（例えば、Ｚr基金属ガラス：非特許文献５）まで様々である。
【０１００】
［非特許文献３］W. Klement, R. H. Willens, P. Duwez, Nature.187(1960) 869
［非特許文献４］J. Schroers, B. Lohwongwatana, W. L. Johnson, A. Peker, Appl. Phys. Lett. 87 (2005) 061912.
［非特許文献５］J. Schroers et al., Journalof Microelectromechanical Systems, Vol.16, No.2 (2007) 1057
ただし、アクチュエータ用途の場合は、駆動時のデバイス発熱に対する安定性などを考慮すると、ガラス転移温度Ｔｇが150℃以上、好ましくは200℃以上、より好ましくは300℃以上であることが望ましい。
【０１０１】
その一方で、ガラス転移温度Ｔｇが高くなると応力開放リフロー時にＭＥＭＳデバイスを構成する他の材料がダメージを受けやすいというトレードオフがある。例えば、圧電材料として広く用いられているチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）を含む圧電アクチュエータは、加熱処理によって圧電材の脱分極が起こり、圧電性能が劣化する問題が指摘されている（特開２００９−１２３９７４号公報、段落０００５−０００６参照）。
【０１０２】
つまり、金属ガラスのガラス転移温度Ｔｇが圧電材料（ＰＺＴ）のキュリー点に近いほど高い場合、応力開放リフローによってＰＺＴが脱分極し、圧電変位が劣化してしまうといった問題が生じる。このような理由から、従来のＰＺＴ材料と金属ガラスとを集積化しようとすると、ガラス転移温度Ｔｇの低い、限られた金属ガラスしか用いることができず、設計の自由度が低いという問題がある。
【０１０３】
したがって、圧電体の特性、金属ガラスの特性、応力開放リフロー条件などを考慮した適切な条件の組み合わせによる設計を行うことが望ましい。
【０１０４】
＜圧電材料について＞
本実施形態に好適な圧電体としては、下記式で表される１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物（Ｐ）を含むもの（不可避不純物を含んでいてもよい）が挙げられる。
【０１０５】
一般式ＡＢＯ３・・・（Ｐ）
（式中、Ａ：Ａサイトの元素であり、Ｐｂを含む少なくとも１種の元素。 
Ｂ：Ｂサイトの元素であり、Ｔｉ，Ｚｒ，Ｖ，Ｎｂ，Ｔａ，Ｓｂ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｍｎ，Ｓｃ，Ｃｏ，Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｎ，Ｇａ，Ｚｎ，Ｃｄ，Ｆｅ，及びＮｉからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素。 
Ｏ：酸素元素。 
Ａサイト元素とＢサイト元素と酸素元素のモル比は１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。）
上記一般式で表されるペロブスカイト型酸化物としては、チタン酸鉛、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）、ジルコニウム酸鉛、チタン酸鉛ランタン、ジルコン酸チタン酸鉛ランタン、マグネシウムニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛、ニッケルニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛、亜鉛ニオブ酸ジルコニウムチタン酸鉛等の鉛含有化合物、及びこれらの混晶系；チタン酸バリウム、チタン酸ストロンチウムバリウム、チタン酸ビスマスナトリウム、チタン酸ビスマスカリウム、ニオブ酸ナトリウム、ニオブ酸カリウム、ニオブ酸リチウム、ビスマスフェライト等の非鉛含有化合物、及びこれらの混晶系が挙げられる。
【０１０６】
また、本実施形態の圧電体膜は、下記式で表される１種又は２種以上のペロブスカイト型酸化物（ＰＸ）を含むことが好ましい（不可避不純物を含んでいてもよい）。 
【０１０７】
Ａａ（Ｚｒｘ，Ｔｉｙ，Ｍｂ−ｘ−ｙ）ｂＯｃ・・・（ＰＸ）
（式中、Ａ：Ａサイトの元素であり、Ｐｂを含む少なくとも１種の元素。 
Ｍが、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、及びＳｂからなる群より選ばれた少なくとも１種の元素である。
０＜ｘ＜ｂ、０＜ｙ＜ｂ、０＜ｂ−ｘ−ｙ。 
ａ：ｂ：ｃ＝１：１：３が標準であるが、これらのモル比はペロブスカイト構造を取り得る範囲内で基準モル比からずれてもよい。）
ペロブスカイト型酸化物（ＰＸ）は、真性ＰＺＴ、あるいはＰＺＴのＢサイトの一部がＭで置換されたものである。被置換イオンの価数よりも高い価数を有する各種ドナーイオンを添加したＰＺＴでは、真性ＰＺＴよりも圧電性能等の特性が向上することが知られている。Ｍは、４価のＺｒ，Ｔｉよりも価数の大きい１種又は２種以上のドナーイオンであることが好ましい。かかるドナーイオンとしては、Ｖ５＋，Ｎｂ５＋，Ｔａ５＋，Ｓｂ５＋，Ｍｏ６＋，及びＷ６＋等が挙げられる。
【０１０８】
ｂ−ｘ−ｙは、ペロブスカイト構造を取り得る範囲であれば特に制限されない。例えば、ＭがＮｂである場合、Ｎｂ／（Ｚｒ＋Ｔｉ＋Ｎｂ）モル比が０．０５以上０．２５以下であることが好ましく、０．０６以上０．２０以下であることがより好ましい。
【０１０９】
上述の一般式（Ｐ）及び（ＰＸ）で表されるペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜は、高い圧電歪定数（ｄ３１定数）を有するため、かかる圧電体膜を備えた圧電アクチュエータは、変位特性の優れたものとなる。
【０１１０】
また、一般式（Ｐ）及び（ＰＸ）で表されるペロブスカイト型酸化物からなる圧電体膜を備えた圧電アクチュエータは、駆動電圧範囲において、リニアリティの優れた電圧―変位特性を有している。これらの圧電材料は、本発明を実施する上で良好な圧電特性を示すものである。
【０１１１】
本実施形態における圧電体４６の一具体例として、例えば、Ｎｂを原子組成百分率で１２％ドープしたチタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）薄膜を用いることができる。スパッタリング法等によってＮｂを１２％ドープしたＰＺＴを成膜することにより、圧電定数ｄ３１＝２５０ｐｍ／Ｖという高い圧電特性を持つ薄膜を安定的に作製できる。なお、バルクの圧電体を基板に接合し、研磨してもよいが、この方法では圧電体を薄膜化するのが難しい（研磨では限界15μｍ程度である）ために変位量が小さくなる上に、研磨中における破壊などによる歩留まりが小さいといった問題がある。このようなことを鑑みると、気相成長法やゾルゲル法などにより基板上に圧電薄膜を直接成膜する構成が好ましい。特に、本実施形態の圧電体４６としては、１μｍ以上１０μｍ以下の厚さの薄膜であることが好ましい。既述した実施例１では圧電体４６として、スパッタリング法によって成膜された２μｍ厚のＰＺＴ薄膜を使用しているが、これに限定されるものではない。
【０１１２】
＜好ましい金属ガラスの材料について＞
図６に各種金属ガラス材料のヤング率とガラス転移点（ガラス転移温度）を示す。本発明の実施に際しては、図６に例示したいずれの組成の金属ガラス材料も用いることが可能である。しかし、以下の観点から、発明の実施に際して用いるのに好ましい金属ガラス材料が選定される。
【０１１３】
（１）駆動源である圧電体の成膜温度が450℃〜500℃であり、ＰＺＴ成膜後に500℃を超える温度で再び熱処理（応力開放リフロー）するのは材料劣化の原因となる。したがって、応力開放リフローする金属ガラスのガラス転移温度Ｔｇが圧電体の成膜温度以下（例えば、500℃以下）であることが望ましい。
【０１１４】
（２）ＭＥＭＳミラーデバイスの駆動安定性の観点から考えると、駆動時の発熱によって金属ガラスのリフロー（応力開放）が起こらないことが望ましい。一般的にＭＥＭＳデバイスの駆動時には最大100℃程度まで温度上昇が起こると考えられるため、この温度で長期的にリフローが起こらない金属ガラス材料の条件としてはガラス転移温度Ｔｇが150℃以上であることが好ましい。
【０１１５】
（３）さらに好ましくは、デバイス実装時のはんだリフロー温度によって金属ガラスのリフロー（応力開放）が起こらないことが望まれる。はんだリフローの温度は一般的に250℃周辺なので、ガラス転移温度Ｔｇが300℃以上の金属ガラスが適している。
【０１１６】
以上の観点（１）〜（３）を考慮すると、本発明の実施に際して用いる金属ガラス材料として、特に好ましいのは、Ｚｒ基、Ｐｄ基、Ｐｔ基の金属ガラスであり、その中でもより好ましくはＺｒ基の金属ガラスである。図６では、Ｚr-Ｃu-Ａl-Ｎi系の金属ガラスとしてＺｒ55Ｃｕ30Ａｌ10Ｎｉ5を例示し、Ｚr-Ｃu-Ａl系の金属ガラスとしてＺｒ75Ｃｕ19Ａｌ6を例示した。こられは概ね同等の性質を有しており、どちらの材料も好ましい材料である。
【０１１７】
＜実施例２＞
実施例２では、実施例１と同様のプロセス（工程１〜工程５）により、Ｚｒ55Ｃｕ30Ａｌ10Ｎｉ5金属ガラス薄膜を成膜後に、加熱による残留応力開放リフローを行うプロセスを追加した。
【０１１８】
図７に実施例２における製造プロセスのフローチャートを示した。図７のステップＳ１１〜Ｓ１５で示した各工程は、実施例１で説明した工程１〜工程５に対応している。
【０１１９】
ステップＳ１５で金属ガラス膜を形成後、応力開放リフローが行われる（ステップＳ１６、「応力開放リフロー工程」）。応力開放リフローの処理は、金属ガラスの結晶化温度Ｔｘとガラス転移温度Ｔｇの間の過冷却液体領域の温度において一定時間保持することで、金属ガラス薄膜の残留応力を解法する処理である。
【０１２０】
本例の場合、示差走査熱量測定（ＤＳＣ：Differential scanning calorimetry）にてＺｒ55Ｃｕ30Ａｌ10Ｎｉ5金属ガラスのガラス転移温度Ｔｇを測定したところ、400℃と見積もられたため、応力開放リフローは430℃（10−3Ｐaの真空中）で60秒保持することで行われた。430℃で60秒間の加熱処理を行った後は、温度を下げて室温に戻す。
【０１２１】
応力開放リフローの条件（温度、時間など）は、使用する圧電体材料、金属ガラス材料に応じて適切な条件が選択される。
【０１２２】
応力開放リフロー工程(ステップＳ１６)の後、シリコンのドライエッチプロセスによってシリコン基板の一部を除去する加工を行い（ステップＳ１７、「加工工程」）、デバイスを完成させた。ステップＳ１７の加工工程は、実施例１で説明した工程６に対応している。
【０１２３】
第２実施例によるデバイス完成後に金属ガラス薄膜の自立膜によるトーションバー部（支持可動部１４、１６）を観察したところ、残留応力による金属ガラス薄膜の撓みがないことが確認された。
【０１２４】
なお、図７には示されていないが、ステップＳ１７の後に、必要に応じて、ドライバ回路７２等との電気的な接続を行うための配線接続処理（はんだリフロー工程）が実施される。はんだリフロー工程は、金属ガラスのガラス転移温度Ｔｇよりも低い温度で実施されることが望ましい。
【０１２５】
＜応力開放リフローと圧電アクチュエータの性能について＞
次に、応力開放リフローのプロセスが圧電アクチュエータの性能に及ぼす影響を見積もった。
【０１２６】
ＰＺＴ中のＮｂ量を変化させ、応力開放リフロー後の圧電アクチュエータ部の変位量を測定することで、ＰＺＴの圧電性能劣化の有無を判定した。応力開放リフローの前と後で圧電アクチュエータ部の変位をそれぞれ測定し、変位劣化率を調べた。応力開放リフロー前後の圧電アクチュエータ部の変位劣化率は、次式、
（リフロー前の変位量−リフロー後の変位量）÷（リフロー前の変位量）×１００
で求めた。
【０１２７】
図８に、Ｎｂ量とリフロー後の変位劣化率の関係をまとめた。なお、同図では、成膜直後のカンチレバーの電圧変位応答から算出した圧電定数ｄ３１も併記する。
【０１２８】
図８に示したように、ＰＺＴ中にＮｂを６％（原子組成比：ａｔ％）以上ドープすることによって、圧電変位の劣化を伴うこことなく、金属ガラスの残留応力を開放できる。なお、Ｎｂのドープ量を増やすと圧電性能も向上するが、過剰にドープすると応力が増加し、クラックが発生しやすい傾向にあるため、Ｎbドープ量は6%以上20%以下が望ましい。
【０１２９】
＜比較例＞
ハンドル層300um、ボックス層1um、デバイス層2umのＳＯＩ基板上に、スパッタ法で基板温度350℃にてTiを30nm、Ir電極を150nm形成した。
【０１３０】
得られた基板上に、Rfスパッタ装置を用いてPZTを4μm成膜した。成膜ガスは97．5％Ａｒと2．5％Ｏ２の混合ガスを用い、ターゲット材料としてはPb1.3((Zr0.52 Ti0.48)0.88 Nb0.12)O3の組成のものを用いた。成膜圧力は2.2mTorr（約0.293Ｐａ）、成膜温度は450℃とした。得られたＰＺＴ層は、Ｎｂが原子組成比で１２％添加されたＮｂドープＰＺＴ薄膜である。
【０１３１】
ＰＺＴ層の上にリフトオフ法によってＴｉ／Ａｕの上部電極をパターン形成し、ＩＣＰドライエッチングによってＰＺＴ薄膜をパターンエッチした。その後、シリコンのドライエッチプロセスによって加工を行い、実施例１の金属ガラス支持可動部と同様のディメンジョン（厚み、長さの寸法）で、材料をＳｉとするようなＭＥＭＳスキャナの作成を試みた。
【０１３２】
図９は比較例によって作製を試みたＭＥＭＳスキャナデバイスの斜視図である。図９において、図１の構成と同一又は類似する要素には同一の符号を付した。図９に示した比較例のＭＥＭＳスキャナデバイス３１０において、図１との相違点は、支持可動部３１４、３１６をシリコン（Ｓｉ）で構成する点である。
【０１３３】
しかし、この比較例は、プロセス中にＳｉのヒンジ部（支持可動部３１４、３１６）が破壊してしまい、デバイスとして作成できなかった。
【０１３４】
＜実施形態の利点＞
（１）実施例１，２で例示したように、本発明の実施形態によれば、シリコンに比べて壊れ難く、かつ、柔らかい（ヤング率が小さい）材料の金属ガラスを用いて、支持可動部１４，１６を構成したので、小型で、低周波の共振駆動に適したミラーデバイスを歩留まりよく作製することができる。ここでいう低周波とは、例えば、ＯＣＴ装置などに好適な５０Ｈｚから１００Ｈｚ程度の範囲の周波数である。
【０１３５】
（２）支持可動部が非晶質の金属ガラスで構成されているため、繰り返し動作に対して劣化が少なく、耐久性が高い。また、大きな変位角度を出しても破壊されない。
【０１３６】
（３）金属ガラスは、成膜後にガラス転移温度Ｔｇ以上（結晶化温度Ｔｘ以下）の温度で加熱処理（応力開放リフロー）を行うことにより、残留応力を開放することができ、残留応力に起因する初期の撓み（歪み）を取り去ることが可能である。なお、残留応力による撓み量（歪み）が実用上問題のないレベルの許容範囲内であれば、応力開放リフロー処理を省略することが可能である。
【０１３７】
（４）金属ガラス以外のアモルファス金属の薄膜を形成するには、高温で成膜して急冷する（冷却速度を急峻に変化させる）必要があるのに対し、金属ガラスは他のアモルファス金属よりも安定性が高いため、膜形成の際に厳格な温度管理をしなくても容易に薄膜を形成することができ、製造が容易である。
【０１３８】
（５）共振駆動の振動励起源としてＰＺＴ薄膜の圧電アクチュエータ部２０、２２を用いているため、非特許文献１のような磁性金属ガラスを用いる構造と比較して、デバイスサイズを非常に小型化できる。
【０１３９】
（６）Ｎｂ等の元素を６％以上ドープしたＰＺＴは、真性ＰＺＴと比較して圧電性能が高く、また、高温に加熱しても容易には脱分極しない。したがって、Ｎｂ等の元素を６％以上ドープしたＰＺＴを用いることが特に好ましい。このように、加熱に対する分極安定性が極めて高い圧電体を用いることにより、さらに小型で、大きな変位が得られるデバイスを作製することができ、かつ、応力開放リフローを行っても脱分極せず、圧電変位の性能が劣化しにくいという利点がある。
【０１４０】
これによって、駆動中にデバイスが発熱しても安定な高Ｔｇ（ガラス転移温度）金属ガラスをトーションバー材料として用いることができ、設計の幅が拡がる。
【０１４１】
（７）ミラー部１２と圧電アクチュエータ部２０、２２との接続部（連結部）に金属ガラス材料によるヒンジ部（支持可動部１４，１６）を採用し、共振駆動によってミラー部１２を回転させる構造としたため、大きな回転角が得られる。
【０１４２】
（８）固定フレーム部２６、圧電アクチュエータ部２０、２２の振動板４２、ミラー部１２をシリコン加工（半導体プロセス）により一体的に形成することができる。
【０１４３】
（９）従来のポリゴンミラーやガルバノミラーと比べて小型化が可能であり、耐久性も高い。
【０１４４】
本発明の実施に際しては、上記の実施例１、２に限定されず、基板の材料、電極材料、圧電材料、膜厚、成膜条件、リフロー条件、デバイスの形態などは、目的に応じて適宜設計することができる。
【０１４５】
＜変形例１＞
上述の実施形態では、ミラー部１２の両側にそれぞれ一本のトーションバー（支持可動部１４、１６）を接続し、このトーションバーによってミラーの回転中心を支持しているが、ミラー回転軸を安定に支持する方法はこれに限ったものではなく、例えば回転軸に軸対称に配置された複数のバー（支持可動部材）でミラーを支持する構成を採用してもよい。
【０１４６】
＜変形例２＞
上述の実施形態では、ミラー部１２を挟んでその両側にそれぞれ圧電アクチュエータ部２０、２２を配置し、各圧電アクチュエータ部２０、２２はそれぞれ１つの圧電カンチレバーで構成されるものを例示した。
【０１４７】
本発明の実施に際して、圧電アクチュエータ部の構成は上記の例に限らず、様々な形態があり得る。圧電アクチュエータ部は少なくとも１つ設けられていればよい。また、圧電アクチュエータ部は、複数の圧電カンチレバーを組み合わせた構造とすることができる。例えば、圧電アクチュエータ部として、複数の圧電カンチレバーを蛇行状（ミアンダ状）に繋ぎ合わせた折り返し構造を持つ構成とすることができる。カンチレバーの折り返し構造の採否や、折り返し回数（折り畳み数）については、特に限定されない。カンチレバーの折り畳み数やレバー部の幅等は全体の共振周波数に影響する。折り畳み数を増やすほど、共振周波数は低下する傾向にある。また、レバー部の幅を細くするほど、共振周波数は低下する傾向にある。折り畳み数やレバー部の幅などを設計することによって、所望の共振周波数を実現できる。
【０１４８】
＜変形例３＞
図１から図３で説明した形態は、ｘ軸と平行で、かつミラー部１２の中心を通る中心線に対して左右対称の構造を有しているが、かかる対称構造に代えて、矩形のミラー部１２の対角部分に支持可動部を設ける形態も可能である。
【０１４９】
＜変形例４＞
上述の実施形態では、ｙ軸と平行な回転軸４０の周りにミラー部１２を回転させる例を説明したが、ｘ軸と平行な回転軸の周りにミラー部を回転させる形態も可能であり、ｘ軸、ｙ軸の２軸で回転可能な構成とすることもできる。
【０１５０】
＜応用例＞
本発明は、レーザー光等の光を反射して光の進行方向を変える光学装置として様々な用途に利用できる。例えば、光偏向器、光走査装置、レーザープリンタ、バーコード読取機、表示装置、各種の光学センサ（測距センサ、形状測定センサ）、光通信装置、レーザープロジェクタ、ＯＣＴ画像診断装置などに広く適用することができる。
【０１５１】
なお、本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当該分野の通常の知識を有するものにより、多くの変形が可能である。
【符号の説明】
【０１５２】
１０…ＭＥＭＳスキャナデバイス、１２…ミラー部、１２Ｂ…反射面、１４…支持可動部、１６…支持可動部、２０…圧電アクチュエータ部、２２…アクチュエータ部、２６…固定フレーム部、４０…回転軸、４２…振動板、４４…下部電極、４６…圧電体、４８…上部電極、７２…ドライバ回路、７４…制御回路
【図１】
2014134642.tif 000006
【図２】
2014134642.tif 000007
【図３】
2014134642.tif 000008
【図４】
2014134642.tif 000009
【図５】
2014134642.tif 000010
【図６】
2014134642.tif 000011
【図７】
2014134642.tif 000012
【図８】
2014134642.tif 000013
【図９】
2014134642.tif 000014
【図１０】
2014134642.tif 000015
【図１１】
2014134642.tif 000016
【図１２】
2014134642.tif 000017