(57)【要約】【課題】本発明は、アレイ基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板と、前記基板に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層と、データ線と、保護層と、透明電極とを備える静電気放電防止領域を有する周辺配線領域、を含むアレイ基板を提供する。前記ゲート絶縁層に第１ビアホールが形成され、前記保護層における前記第１ビアホールに対応する位置に第２ビアホールが形成され、前記ゲート線と、データ線と、透明電極とが前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールを介して接続される。【選択図】図３
2014134801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層と、データ線と、保護層と、透明電極とを備える静電気放電防止領域を有する周辺配線領域、を含むアレイ基板において、
前記ゲート絶縁層に第１ビアホールが形成され、前記保護層における前記第１ビアホールに対応する位置に第２ビアホールが形成され、前記ゲート線と、データ線と、透明電極とが前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールを介して接続されることを特徴とするアレイ基板。
【請求項２】
前記透明電極が、第１透明電極と第２透明電極とを備え、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間にパッシベーション層が形成され、前記パッシベーション層における前記第１ビアホールに対応する位置に第３ビアホールが形成されることを特徴とする請求項１に記載されたアレイ基板。
【請求項３】
前記第１透明電極と前記第２透明電極のうち、上層に位置する透明電極がスリット電極であることを特徴とする請求項２に記載されたアレイ基板。
【請求項４】
前記保護層として採用される材料が、有機樹脂であることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載されたアレイ基板。
【請求項５】
前記有機樹脂が、Ｓｉ−ＣやＳｉＯを主鎖とした有機樹脂中の１種または２種の混合であることを特徴とする請求項４に記載されたアレイ基板。
【請求項６】
前記基板に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層と、ゲート線保護層と、保護層と、透明電極とを有する共通電極ビアホール領域をさらに備え、
前記ゲート絶縁層に第４ビアホールが形成され、前記保護層における前記第４ビアホールに対応する位置に第５ビアホールが形成され、前記ゲート線と、前記ゲート線保護層と、前記透明電極とが、前記第４ビアホール及び前記第５ビアホールを介して接続されることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載されたアレイ基板。
【請求項７】
前記基板に形成されたゲート絶縁層と、データ線と、保護層と、透明電極とを有するチップボンディング領域をさらに備え、
前記保護層に第７ビアホールが形成され、前記データ線と、前記透明電極とが、前記第７ビアホールを介して接続されることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載されたアレイ基板。
【請求項８】
静電気放電防止領域を有する周辺配線領域を含む、アレイ基板の製造方法において、前記静電気放電防止領域を形成するステップが、アレイ基板に、ゲート線と、ゲート絶縁層と、データ線と、保護層と、透明電極とを形成するステップを備え、
前記方法が、前記ゲート絶縁層に第１ビアホールをエッチングし、前記保護層における前記第１ビアホールに対応する位置に第２ビアホールをエッチングすることで、前記ゲート線と、前記データ線と、前記透明電極とが、前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールを介して接続されるステップを、さらに備えることを特徴とするアレイ基板の製造方法。
【請求項９】
前記透明電極が、第１透明電極と、第２透明電極と、を備え、
前記方法が、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間にパッシベーション層を形成し、前記パッシベーション層における前記第１ビアホールに対応する位置に第３ビアホールをエッチングするステップをさらに備えることを特徴とする請求項８に記載されたアレイ基板の製造方法。
【請求項１０】
前記保護層として採用される材料が、有機樹脂であることを特徴とする請求項８または請求項９に記載されたアレイ基板の製造方法。
【請求項１１】
前記有機樹脂が、Ｓｉ−ＣやＳｉＯを主鎖とした有機樹脂中の１種または２種の混合であることを特徴とする請求項１０に記載されたアレイ基板の製造方法。
【請求項１２】
前記有機樹脂を堆積するステップが前記有機樹脂の硬化成形するステップを備え、前記有機樹脂の硬化成形条件が、前記有機樹脂を２５０℃以上の温度で焼いて硬化成形することであることを特徴とする請求項１０または請求項１１に記載されたアレイ基板の製造方法。
【請求項１３】
ドライエッチング方法で、有機樹脂に対してエッチングし、前記ドライエッチング方法が、
ＳＦ６と、Ｏ２と、Ｈｅとの混合ガスを用いて、パワー７０００Ｗ以上でエッチングを行うステップａ１と、
有機樹脂が部分的にエッチングされた後、ＳＦ６と、Ｏ２との混合ガスを用いて、パワー５０００Ｗ〜１２０００Ｗでエッチングを行うステップａ２と、
を備えること特徴とする請求項１０から請求項１２のいずれか一項に記載されたアレイ基板の製造方法。
【請求項１４】
前記アレイ基板が、共通電極ビアホール領域を更に備え、前記共通電極ビアホール領域を形成するステップが、前記基板にゲート線と、ゲート絶縁層と、ゲート線保護層と、保護層と、透明電極とを形成するステップを備え、
前記ゲート絶縁層に、第４ビアホールを形成し、前記保護層における前記第４ビアホールと対応する位置に第５ビアホールをエッチングし、前記ゲート線と、前記ゲート線保護層と、前記透明電極層が、前記第４ビアホール及び前記第５ビアホールを介して接続されることを特徴とする請求項８から請求項１３のいずれか一項に記載されたアレイ基板の製造方法。
【請求項１５】
前記アレイ基板が、チップボンディング領域を更に備え、前記チップボンディング領域を形成するステップが、前記基板にゲート絶縁層、データ線と、保護層と、透明電極とを形成するステップを備え、
前記保護層に、第７ビアホールを形成し、前記データ線と、前記透明電極とが、前記第７ビアホールを介して接続されることを特徴とする請求項８から請求項１４のいずれか一項に記載されたアレイ基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、アレイ基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、ＴＦＴ−ＬＣＤに代表される液晶ディスプレイは、重要なフラットパネルディスプレイ形態となっている。液晶を駆動する電界の方向からみると、ＴＦＴ−ＬＣＤは、垂直電界型と水平電界型とに分類される。垂直電界型ＴＦＴ−ＬＣＤは、ツイストネマチック（Ｔｗｉｓｔ  Ｎｅｍａｔｉｃ，ＴＮ）型ＴＦＴ−ＬＣＤを含む。水平電界型ＴＦＴ−ＬＣＤは、ＦＦＳ型ＴＦＴ−ＬＣＤ、インプレインスイッチング（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ，ＩＰＳ）型ＴＦＴ−ＬＣＤを含む。
【０００３】
ＴＦＴ−ＬＣＤアレイ基板の製造工程において、図１に示すように、データ線を形成した後に保護層７を塗布する。保護層７は、表示領域（即ち、ｄ領域）の全てを覆い、共通電極ビアホール領域（即ち、ａ領域）に樹脂ビアホールを形成する必要がある他に、周辺における静電気放電（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｓｔａｔｉｃ  Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ，ＥＳＤ）防止領域（即ち、ｂ領域）、チップボンディング（ＩＣ  ｂｏｎｄｉｎｇ）領域（即ち、ｃ領域）にも樹脂ビアホールを形成する必要がある。樹脂が平坦化材料であるので、塗布及び硬化された後に、全体的に平坦化された形状となる。樹脂の下地層の構成での起伏が大きくなると、図１におけるａ、ｂ、ｃ、ｄの四つの領域に示すように、樹脂の厚さの差異が生じてしまう。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
樹脂は、ドライエッチングが必要とされ、ｂ領域の樹脂が最も薄いから、最も短い時間でエッチングされる。しかし、ａ領域及びｃ領域は、長い時間のエッチングが必要とされる。樹脂のエッチング速度をｘとし、ａ領域、ｂ領域、ｃ領域の厚さを、それぞれＴａ、Ｔｂ、Ｔｃとすると、三つの領域のエッチング時間は、Ｔａ／ｘ≒Ｔｃ／ｘ＞Ｔｂ／ｘとなる。ｂ領域のエッチングが終わった際に、ａ領域及びｃ領域の樹脂のエッチングがまだ続いている。これによって、ｂ領域の下地層のデータ線４が大きくダメージされる。データ線のエッチング速度をｙとすると、データ線のオーバーエッチング量が、（Ｔａ／ｘ−Ｔｂ／ｘ）＊ｙで表されることができる。データ線自身が比較的に薄いから、オーバーエッチングによるデータ線の損失という不良結果が生じ易くなり、さらに製品の良品率が低下される。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施例は、基板と、前記基板に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層と、データ線と、保護層と、透明電極とを備える静電気放電防止領域を有する周辺配線領域、を含むアレイ基板において、
前記ゲート絶縁層に第１ビアホールが形成され、前記保護層における前記第１ビアホールに対応する位置に第２ビアホールが形成され、前記ゲート線と、データ線と、透明電極とが前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールを介して接続されるアレイ基板を提供する。
【０００６】
好ましくは、前記透明電極が、第１透明電極と第２透明電極とを備え、前記第１透明電極と前記第２透明電極との間にパッシベーション層が形成され、前記パッシベーション層における前記第１ビアホールに対応する位置に第３ビアホールが形成される。
【０００７】
好ましくは、前記第１透明電極及び前記第２透明電極のうち、上層に位置する透明電極がスリット電極である。
【０００８】
好ましくは、前記保護層として採用される材料が、有機樹脂である。
【０００９】
好ましくは、前記有機樹脂が、Ｓｉ−ＣやＳｉＯを主鎖とした有機樹脂中の１種または２種の混合である。
【００１０】
好ましくは、前記アレイ基板が、前記基板に形成されたゲート線と、ゲート絶縁層と、ゲート線保護層と、保護層と、透明電極とを有する共通電極ビアホール領域をさらに備え、
前記ゲート絶縁層に第４ビアホールが形成され、前記保護層における前記第４ビアホールに対応する位置に第５ビアホールが形成され、前記ゲート線と、前記ゲート線保護層と、前記透明電極とが、前記第４ビアホール及び前記第５ビアホールを介して接続される。
【００１１】
好ましくは、前記アレイ基板が、前記基板に形成されたゲート絶縁層と、データ線と、保護層と、透明電極とを有するチップボンディング領域をさらに備え、
前記保護層に第７ビアホールが形成され、前記データ線と、前記透明電極とが、前記第７ビアホールを介して接続される。
【００１２】
本発明の実施例は、静電気放電防止領域を有する周辺配線領域を含むアレイ基板の製造方法において、前記静電気放電防止領域を形成するステップが、アレイ基板に、ゲート線と、ゲート絶縁層と、データ線と、保護層と、透明電極とを形成するステップを備え、前記アレイ基板の製造方法が、前記ゲート絶縁層に第１ビアホールをエッチングし、前記保護層における前記第１ビアホールに対応する位置に第２ビアホールをエッチングし、前記ゲート線と、前記データ線と、前記透明電極とが、前記第１ビアホール及び前記第２ビアホールを介して接続されるステップを、さらに備えるアレイ基板の製造方法を提供する。
【００１３】
好ましくは、前記透明電極が、第１透明電極と、第２透明電極と、を備え、前記アレイ基板の製造方法が、前記第１透明電極と、前記第２透明電極との間にパッシベーション層を形成し、前記パッシベーション層における前記第１ビアホールに対応する位置に第３ビアホールをエッチングするステップをさらに備える。
【００１４】
好ましくは、前記第１透明電極と前記第２透明電極のうち、上層に位置する透明電極がスリット電極である。
【００１５】
好ましくは、前記保護層として採用される材料が、有機樹脂である。
【００１６】
好ましくは、前記有機樹脂が、Ｓｉ−ＣやＳｉＯを主鎖とした有機樹脂中の１種または２種の混合である。
【００１７】
好ましくは、前記有機樹脂を堆積するステップが前記有機樹脂の硬化成形するステップを備え、前記有機樹脂の硬化成形条件が、前記有機樹脂を２５０℃以上の温度で焼いて硬化成形することである。
【００１８】
好ましくは、ドライエッチング方法で、有機樹脂に対してエッチングし、前記ドライエッチング方法が、
ＳＦ６と、Ｏ２と、Ｈｅとの混合ガスを用いて、パワー７０００Ｗ以上でエッチングを行うステップａ１と、
有機樹脂が部分的にエッチングされた後、ＳＦ６と、Ｏ２との混合ガスを用いて、パワー５０００〜１２０００Ｗでエッチングを行うステップａ２と、
を備える。
【００１９】
好ましくは、前記アレイ基板が、共通電極ビアホール領域を更に備え、前記共通電極ビアホール領域を形成するステップが、前記基板にゲート線と、ゲート絶縁層と、ゲート線保護層と、保護層と、透明電極とを形成するステップを備え、
前記ゲート絶縁層に第４ビアホールを形成し、前記保護層における前記第４ビアホールと対応する位置に第５ビアホールをエッチングし、前記ゲート線と、前記ゲート線保護層と、前記透明電極層が、前記第４ビアホール及び前記第５ビアホールを介して接続される。
【００２０】
好ましくは、前記アレイ基板が、チップボンディング領域を更に備え、前記チップボンディング領域を形成するステップが、前記基板にゲート絶縁層、データ線と、保護層と、透明電極とを形成するステップを備えて、
前記保護層に第７ビアホールを形成し、前記データ線と、前記透明電極とが、前記第７ビアホールを介して接続される。
【００２１】
本発明の実施例における技術手段をより明瞭に説明するため、以下実施例の図面について簡単に紹介する。なお、下記に説明する図面はただ本発明の実施例の一部に係るが、本発明を制限することはないことは勿論のことである。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は保護層が堆積された後のアレイ基板の構成を示す図である。
【図２】図２は保護層がエッチングされた後のアレイ基板の構成を示す図である。
【図３】図３は改善された後のｂ領域のアレイ基板の構成を示す図である。
【図４】図４は改善された後のａ領域のアレイ基板の構成を示す図である。
【図５】図５は改善された後のｃ領域のアレイ基板の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
本発明に係る実施例の目的、技術手段及び効果をより明瞭にするために、以下、本発明の実施例を表す図面を参照しながら、本発明の実施例を明瞭且つ完全に説明する。なお、ここで記載された実施例は、ただ本発明の一部の実施例だけであり、本発明の全ての実施例ではない。本発明の実施例に基づき、当業者が創造的な労働をしない前提で得られる他の実施例は全て本発明の技術範囲に含まれる。
【００２４】
図１及び図２に、ａ、ｂ、ｃ領域の厚さが異なることや、ｂ領域における下地層のデータ線がオーバーエッチングされたことを示している。そこで、樹脂をエッチングする時、ａ、ｂ、ｃ領域の厚さを一致させるように、全体的な構成を改善しなくてはならない。
【００２５】
例えば、ａ領域が共通電極ビアホール領域であり、ｂ領域が静電気放電防止領域であり、ｃ領域がチップボンディング領域である。
【００２６】
図３は、改善された後のｂ領域のアレイ基板構成を示す模式図である。図３から分かるように、改善された後のｂ領域のアレイ基板は、基板１と、ゲート線２と、ゲート絶縁層３と、データ線４と、パッシベーション層６と、保護層７と、第１透明電極９と、第２透明電極１０と、第１ビアホール８１と、第２ビアホール８２と、第３ホール８３と、を備える。
【００２７】
上記ゲート線２は、上記基板１に形成される。上記ゲート絶縁層３は、上記ゲート線２に形成され、基板１を覆う。上記第１ビアホール８１は、上記ゲート絶縁層３を貫通する。上記データ線４は、上記ゲート絶縁層３に形成され、上記第１ビアホール８１を介して上記ゲート線２と接続される。上記保護層７は、上記データ線４に形成される。上記第２ビアホール８２は上記保護層７を貫通する。上記第１透明電極９は、上記保護層７に形成され、第１ビアホール８１及び第２ビアホール８２を介してデータ線４と接続される。上記パッシベーション層６は、上記第１透明電極９に形成される。上記第３ビアホール８３は、上記パッシベーション層６を貫通する。上記第２透明電極１０は、上記パッシベーション層６に形成され、上記第３ビアホール８３を介して上記第１透明電極９と接続される。
【００２８】
上記の実施形態では、第１ビアホール８１におけるゲート絶縁層をエッチングすることで、ｂ領域の下地層の厚さを減少し、ｂ領域の厚さを増加することができる。これによって、ａ、ｂ、ｃ領域の厚さが一致するように確保でき、保護層７にビアホールを形成する時、ｂ領域におけるデータ線４のオーバーエッチングを防止する。そして、第１透明電極９が採用する透明導電材料がエッチングされることがないので、第１透明電極９を保護層７に形成することで、パッシベーション層６にビアホールを形成する時にデータ線４がエッチングされることがさらに防止される。
【００２９】
図４及び図５のそれぞれは、改善された後のａ領域及びｃ領域のアレイ基板の構成図である。図４から分かるように、改善された後のａ領域のアレイ基板は、基板１と、ゲート線２と、ゲート絶縁層３と、ゲート線保護層５と、パッシベーション層６と、保護層７と、第１透明電極９と、第２透明電極１０と、第４ビアホール８４と、第５ビアホール８５と、第６ビアホール８６と、を備える。
【００３０】
上記ゲート線２は、上記基板１に形成される。上記ゲート絶縁層３は、上記ゲート線２に形成され、基板１を覆う。上記第４ビアホール８４は、上記ゲート絶縁層３を貫通する。上記ゲート線保護層５は、上記第４ビアホール８４に形成され、上記第４ビアホール８４を介して上記ゲート線２と接続される。上記保護層７は、上記ゲート絶縁層３に形成され、かつ上記ゲート線保護層５に形成される。上記第５ビアホール８５は、上記保護層７を貫通する。上記第１透明電極９は、上記保護層７に形成され、上記第４ビアホール８４及び第５ビアホール８５を介してゲート線保護層５と接続される。上記パッシベーション層６は、上記第１透明電極９に形成される。上記第６ビアホール８６は、上記パッシベーション層６を貫通する。上記第２透明電極１０は、上記パッシベーション層６に形成され、上記第６ビアボール８６を介して第１透明電極９と接続される。
【００３１】
図５から分かるように、改善された後のｃ領域のアレイ基板の構成は、基板１と、ゲート絶縁層３と、データ線４と、パッシベーション層６と、保護層７と、第７ビアホール８７と、第８ビアホール８８と、第１透明電極９と、第２透明電極１０と、を備える。
【００３２】
上記ゲート絶縁層３は、上記基板１に形成される。上記データ線４は、上記ゲート絶縁層３に形成される。上記保護層７は、上記データ線４に形成され、上記ゲート絶縁層３を覆う。上記第７ビアホール８７は、上記保護層７を貫通する。上記第１透明電極９は、上記保護層７に形成され、上記第７ビアホール８７を介して上記データ線４と接続される。上記パッシベーション層６は、上記第１透明電極９に形成される。上記第８ビアホール８８は、上記パッシベーション層６を貫通する。上記第２透明電極１０は、上記パッシベーション層６に形成され、第８ビアホール８８を介して上記第１透明電極９と接続される。
【００３３】
改善された後のａ領域にもｃ領域にも第１透明電極９を加える。この第１透明電極９は、エッチングされることがないので、パッシベーション層にビアホールを形成する時に下地層のゲート線及び下地層のデータ線のオーバーエッチングが防止できる。
【００３４】
なお、上記保護層として、採用される材料は、有機樹脂であってもよい。上記有機樹脂は、Ｓｉ−ＣやＳｉＯを主鎖とした有機樹脂中の１種であってもよいが、２種の混合であってもよい。上記第１透明電極として、採用される材料は、透明導電材料であってもよい。この透明導電材料は、ナノインジウムスズ金属酸化物やインジウム亜鉛金属酸化物である。上記第１透明電極及び第２透明電極のうち、上層に位置する透明電極、即ち第２透明電極が、スリット電極であってもよい。
【００３５】
上記の共通電極ビアホール領域と、静電気放電防止領域と、チップボンディング領域とは、ともにアレイ基板の周辺領域に位置する。上記領域におけるゲート線と、ゲート絶縁層と、データ線と、透明電極とのすべては、ディスプレイ領域におけるゲート線と、ゲート絶縁層と、データ線と、透明電極とが周辺領域まで延びる部分である。しかし、必要に応じて、これらのディスプレイ領域における部分と、周辺領域における部分とが、つながってもよいし、切断されてもよい。また、共通電極ビアホール領域、静電気放電防止領域、及びチップボンディング領域におけるゲート線やデータ線が、同じゲート線やデータ線の異なる部分であってもよい。また、各領域におけるゲート線やデータ線は、必要に応じて、つながってもよいし、切断されてもよい。
【００３６】
実際的に、周辺の配線領域内まで伸びたゲート線とデータ線との部分は、主にリードとして機能する。そのため、ゲート線とデータ線とのそれぞれは、ゲート線リードや、データ線リートとも呼ばれる。しかし、本発明は、主に周辺の配線領域における構成を説明するので、説明の便宜のため、それらをやはりゲート線と、データ線と呼ぶ。上記のように、各周辺領域及びアレイ基板のディスプレイ領域における上記部材は、必要に応じて、つながってもよいし、切断されてもよい。従って、各領域ごとにおいて、各導電部材は、信号輸出の便宜のため、互いに接続される。例えば、周辺の一つの配線領域において、ゲート線が、データ線及びその上の透明電極を介して接続されることで、信号の伝送が実現される。この時、この領域におけるデータ線及び透明導電層が、他の領域におけるデータ線と、透明導電層と、切断されてもよい。
【００３７】
上記のアレイ基板の構成に基づいて、本発明の実施例は、図３に示される改善された後のｂ領域を備えるアレイ基板の構成の製造方法をさらに提供する。即ち、下記のステップを備える。
【００３８】
ステップ１：アレイ基板にゲート線を形成し、上記ゲート線にゲート絶縁層を形成し、上記ゲート絶縁層が上記基板を覆う。
【００３９】
ステップ２：ビアホールが形成される場所に対して、露光、現像及びエッチング工程を行い、上記ゲート絶縁層に第１ビアホールをエッチングする。
【００４０】
ステップ３：上記データ線が上記ゲート絶縁層に形成されるようにデータ線を形成し、上記データデータ線が、上記第１ビアホールを介して上記ゲート線と接続させる。
【００４１】
ステップ４：有機樹脂層を形成し、かつ上記データ線に形成させる。そして、有機樹脂を２００℃以上の温度で焼いて硬化成形した後に、上記保護層の上記第１ビアホールに対応する位置に対して露光、現像及びドライエッチングを行い、第２ビアホールをエッチングする。
【００４２】
ドライエッチングのステップは、例えば、ＳＦ６と、Ｏ２と、Ｈｅとの混合ガスを用いて、パワー７０００Ｗ以上（例えば、７０００Ｗ〜１２０００Ｗ）でエッチングを行う。そして、有機樹脂が部分的にエッチングされた後、ＳＦ６と、Ｏ２との混合ガスを用いて、パワー５０００Ｗ〜１２０００Ｗでエッチングを行う。
【００４３】
ステップ５：第１透明電極を形成し、かつ上記保護層に形成させ、上記第１ビアホール及び第２ビアホールを介して、データ線と接続させる。
【００４４】
ステップ６：パッシベーション層を形成し、かつ上記第１透明電極に形成させ、上記パッシベーション層の上記第１ビアホールに対応する位置に対して露光、現像及びエッチングを行い、第３ビアホールをエッチングする。
【００４５】
ステップ７：第２透明電極を形成し、かつ上記パッシベーション層に形成させ、第３ビアホールを介して第１透明電極と接続させる。
【００４６】
本発明の実施例は、図４に示される改善された後のａ領域を備えるアレイ基板の構成の製造方法をさらに提供する。下記のステップを備える。
【００４７】
ステップ１：アレイ基板にゲート線を形成し、上記ゲート線にゲート絶縁層を形成し、上記ゲート絶縁層が上記基板を覆う。
【００４８】
ステップ２：ビアホールが形成される場所に対して、露光、現像及びエッチング工程を行い、上記ゲート絶縁層に第４ビアホールをエッチングする。
【００４９】
ステップ３：ゲート線保護層を形成し、かつ上記第４ビアホールに形成させ、上記第４ビアホールを介して、上記ゲート線保護層と上記ゲート線と接続させる。
【００５０】
ステップ４：有機樹脂層を形成し、かつ上記ゲート絶縁層および上記ゲート線保護層に形成させる。そして、有機樹脂を、２５０℃以上の温度で焼いて硬化成形した後に、上記有機樹脂層の上記第４ビアホールに対応する位置に対して露光、現像及びドライエッチングを行い、第５ビアホールをエッチングする。
【００５１】
ドライエッチングのステップは、例えば、ＳＦ６と、Ｏ２と、Ｈｅとの混合ガスを用いて、パワー７０００Ｗ以上でエッチングを行う。そして、有機樹脂が部分的にエッチングされた後、ＳＦ６と、Ｏ２との混合ガスを用いて、パワー５０００Ｗ〜１２０００Ｗでエッチングを行う。
【００５２】
ステップ５：第１透明電極を形成し、かつ上記有機樹脂層に形成させ、上記第４ビアホール及び第５ビアホールを介して、ゲート線保護層と接続させる。
【００５３】
ステップ６：パッシベーション層を形成し、かつ上記第１透明電極に形成させ、上記パッシベーション層の上記第４ビアホールに対応する位置に対して露光、現像及びエッチングを行い、第６ビアホールをエッチングする。
【００５４】
ステップ７：第２透明電極を形成し、かつ上記パッシベーション層に形成させ、上記第６ビアホールを介して第１透明電極と接続させる。
【００５５】
本発明は、図５に示される改善された後のｃ領域を備えるアレイ基板の構成の製造方法をさらに提供する。下記のステップを備える。
【００５６】
ステップ１：基板にゲート絶縁層を形成し、上記ゲート絶縁層に上記データ線を形成する。
【００５７】
ステップ２：有機樹脂層を形成し、かつ上記データ線に形成させて、上記有機樹脂層を、上記ゲート絶縁層に覆わせる。有機樹脂を、２５０℃以上の温度で焼いて硬化成形した後に、ビアホールが形成される場所に対して、露光、現像及びドライエッチングを行い、上記有機樹脂に第７ビアホールをエッチングする。
【００５８】
ドライエッチングのステップは、例えば、ＳＦ６と、Ｏ２と、Ｈｅとの混合ガスを用いて、パワー７０００Ｗ以上でエッチングを行う。そして、有機樹脂が部分的にエッチングされた後、ＳＦ６と、Ｏ２との混合ガスを用いて、パワー５０００Ｗ〜１２０００Ｗでエッチングを行う。
【００５９】
ステップ３：第１透明電極を形成し、かつ上記有機樹脂層に形成させ、上記第７ビアホールを介して上記データ線と接続させる。
【００６０】
ステップ４：パッシベーション層を形成し、このパッシベーション層が上記第１透明電極に形成され、上記パッシベーション層の上記第７ビアホールに対応する位置に対して露光、現像及びエッチングを行い、第８ビアホールをエッチングする。
【００６１】
ステップ５：第２透明電極を形成し、かつ上記パッシベーション層に形成させ、第８ビアホールを介して第１透明電極と接続させる。
【００６２】
上記の三つの製造工程によって、ａ、ｂ、ｃという三つの領域を備えるアレイ基板が製造される。
【００６３】
なお、上記の製造方法では、上記保護層として、採用される材料は、有機樹脂である。上記有機樹脂は、Ｓｉ−ＣやＳｉＯを主鎖とした有機樹脂中の１種であってもよいが、２種の混合であってもよい。そのため、上記の製造方法において、本実施例は上記保護層を有機樹脂層と総称する。
【００６４】
本発明が提供するアレイ基板及びその製造方法は、下記のメリット及び特徴を有する。
【００６５】
ゲート絶縁層にビアホールを形成し、かつこの位置にデータ線を堆積することで、この領域の厚みを低減し、さらに保護層がエッチングされる時にデータ線に対するオーバーエッチングが有効的に防止される。
【００６６】
保護層のビアホールに第１透明電極を堆積することで、パッシベーション層にビアホールをエッチングする時に、第１透明電極を保護層として、下地層のデータ線のエッチングをストップさせることが実現され、さらにデータ線のオーバーエッチングが防止される。
【００６７】
本発明は、画像領域に誘電率が低い有機樹脂を保護層として用いるので、ＴＦＴ−ＬＣＤ基板の表面平坦性が向上され、開口率が大きい製品の設計にとって有利である。
【００６８】
以上は本発明の実施例のみであり、本発明の保護範囲はこれに限定されるものではない。本発明の保護範囲は特許請求の範囲を基準としている。
【図１】
2014134801.tif 000003
【図２】
2014134801.tif 000004
【図３】
2014134801.tif 000005
【図４】
2014134801.tif 000006
【図５】
2014134801.tif 000007