(57)【要約】      （修正有）【課題】表示面に対する物体の接触位置を高精度に検出する。【解決手段】入力装置は，表示面に対する物体の接触を検出し前記物体の接触位置を検出する第1の検出部１１１と，前記表示面と反対側に設けられ，前記物体の接触時の圧力が基準圧力以上の場合に前記物体の接触位置を検出する第2の検出部１１２と，前記物体の接触位置の検出タイミングで，前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出した場合は，前記第2の検出部が前記検出タイミングから所定の時間内で検出した第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき，前記検出タイミングでの接触位置を検出する第3の検出部１１５とを有する。【選択図】図３
2014238701.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示面に対する物体の接触を検出し前記物体の接触位置を検出する第1の検出部と，
前記表示面と反対側に設けられ，前記物体の接触時の圧力が基準圧力以上の場合に前記物体の接触位置を検出する第2の検出部と，
前記物体の接触位置の検出タイミングで，前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出した場合は，前記第2の検出部が前記検出タイミングから所定の時間内で検出した第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき，前記検出タイミングでの接触位置を検出する第3の検出部とを有する
入力装置。 
【請求項２】
請求項1において，
前記第1の接触位置は，前記検出タイミングよりも前の第1の検出タイミングで前記第2の検出部が検出した接触位置であり，
前記第2の接触位置は，前記第1の検出タイミングよりも前の第2の検出タイミングで前記第2の検出部が検出した接触位置である入力装置。
【請求項３】
請求項1において，
前記第1の検出部は，内部に配置された複数の電極における静電容量値を検出する静電容量方式のタッチパネルを有し，
前記第3の検出部は，前記検出した静電容量値が第1の閾値以上で前記第1の閾値よりも大きい第2の閾値未満の場合に，前記物体の接触が有ると判定する入力装置。
【請求項４】
請求項1において，
前記第1の検出部は，内部に配置された複数の電極における静電容量値を検出する静電容量方式のタッチパネルを有し，
前記第3の検出部は，前記検出タイミングで前記第1の検出部が検出した第1の静電容量値と前記検出タイミングより前の検出タイミングで前記第1の検出部が検出した第2の静電容量値との差が所定の閾値未満の場合に，前記物体の接触が有ると判定する入力装置。
【請求項５】
表示面に対する物体の接触を検出し前記物体の接触位置を検出する第1の検出部と，
前記表示面と反対側に設けられ，前記物体の接触時の圧力が基準圧力以上の場合に前記物体の接触位置を検出する第2の検出部と，
前記物体の接触位置の検出タイミングで，前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出した場合は，前記第2の検出部が前記検出タイミングから所定の時間内で検出した第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき，前記検出タイミングでの接触位置を検出する第3の検出部と，
前記接触位置に応じた情報処理を実行する処理部とを有する
情報処理装置。
【請求項６】
表示面に対する物体の接触を検出し前記物体の接触位置を検出する第1の検出部と，前記表示面と反対側に設けられ，前記物体の接触時の圧力が基準圧力以上の場合に前記物体の接触位置を検出する第2の検出部とを有する入力装置で実行されるプログラムであって，
前記物体の接触位置の検出タイミングで，前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出したか判定し，
前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出した場合，前記第2の検出部が前記検出タイミングから所定の時間内で検出した第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき，前記検出タイミングでの接触位置を検出する
処理をコンピューターに実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，入力装置，情報処理装置，プログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
表示面に対する物体の接触又は近接を検出し物体の接触位置を検出する第1の検出部と，物体の接触時の圧力が基準圧力以上の場合に物体の接触位置を検出する第2の検出部とを有する入力装置が提案されている。かかる入力装置は，例えば，第1の検出部，または，第2の検出部が検出した物体の接触位置を他の装置に入力し，他の装置は，入力された物体の接触位置に応じた処理を実行する。
【０００３】
第1の検出部は，例えば静電容量方式タッチパネルを有する。第2の検出部は，例えば抵抗膜方式タッチパネルを有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2012-18660号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
静電容量方式タッチパネルは，導電性の物体(例えば，指)の近接または接触により発生した，表示面に配置された電極における静電容量の値や電流に基づき接触位置を検出する。そのため，静電容量方式タッチパネルは，導電性の物体が軽く接触(フェザータッチとも呼ぶ)されれば，接触位置を検出できる。しかし，非導電性の物体が近接または接触した場合には，接触位置を検出できない。
【０００６】
一方，抵抗膜方式タッチパネルは，第1の透明導電膜と，第1の透明導電膜に対向する第2の透明導電膜とを有する。抵抗膜方式タッチパネルは，外部から加えられた圧力により第1の透明導電膜と第2の透明導電膜とが接触する際に検出された電位に基づき接触位置を検出する。抵抗膜方式タッチパネルが接触位置を検出するためには，第1の透明導電膜と第2の透明導電膜とを接触させるだけの基準圧力以上の外部圧力が必要である。しかし，抵抗膜方式タッチパネルが接触位置を検出するためには，前記した基準圧力以上の外部圧力が加えられればよいので，外部圧力を加えるための物体について導電性の有無は問わない。
【０００７】
以上のように，静電容量方式タッチパネルが接触位置を検出するためには，導電性の物体を近接または接触させなければならないが，抵抗膜方式タッチパネルのように基準圧力以上の外部圧力は不要である。一方，抵抗膜方式タッチパネルは，非導電性の物体の接触位置を検出できるが，接触時に基準圧力以上の外部圧力が必要である。
【０００８】
そのため，例えば静電容量方式タッチパネルと抵抗膜方式タッチパネルとを組み合わせた入力装置は，操作者が非導電性の物体により接触時の圧力が低下しやすい接触操作を表示面に対して行った場合，その接触位置を高精度に検出できないことがある。接触時の圧力が低下しやすい接触操作としては，例えば，操作者が，表示面を軽く払うように物体を動かす操作(フリック操作とも呼ぶ)がある。
【０００９】
本実施の形態の1つの側面は，表示面に対する物体の接触位置を高精度に検出することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本実施の形態の第1の側面は，表示面に対する物体の接触を検出し前記物体の接触位置を検出する第1の検出部と，前記表示面と反対側に設けられ，前記物体の接触時の圧力が基準圧力以上の場合に前記物体の接触位置を検出する第2の検出部と，前記物体の接触位置の検出タイミングで，前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出した場合は，前記第2の検出部が前記検出タイミングから所定の時間内で検出した第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき，前記検出タイミングでの接触位置を検出する第3の検出部とを有する入力装置である。
【発明の効果】
【００１１】
第1の側面によれば，表示面に対する物体の接触位置を高精度に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】図1は，本実施の形態における入力装置の外観を示す図の一例である。
【図２】図2は，入力装置の内部構造を模式的に説明する図の一例である。
【図３】図3は，入力装置の構成を説明するブロック図の一例である。
【図４】図4は，入力装置のハードウェア構成を説明するブロック図の一例である。
【図５】図5は，入力装置のソフトウェア構成を説明するブロック図の一例である。
【図６】図6は，抵抗膜側ドライバが実行する接触位置のベクトルの計算処理，接触位置検出部が実行する接触位置の検出処理を説明する図である。
【図７】図7は，接触位置検出部が実行する物体の接触位置を検出する処理の流れを説明するフローチャート図の一例である。
【図８】図8は，接触位置検出部が実行する接触位置の検出処理を説明するタイミングチャートの一例である。
【図９】図9は，接触位置検出部が実行する物体の接触位置を検出する処理の流れを説明するフローチャート図の他の例である。
【図１０】図10は，情報処理装置の構成を説明するブロック図の一例である。
【図１１】図11は，情報処理装置のハードウェア構成を説明するブロック図の一例である。
【図１２】図12は，情報処理装置のソフトウェア構成を説明するブロック図の一例である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
[第1の実施の形態]
以下，本実施の形態における入力装置について図1〜図9を用いて説明する。なお，以下の図の説明において,同じ要素には同一の符号を適宜付し,一度した説明を省略する。
【００１４】
(入力装置の外観)
図1は，本実施の形態における入力装置の外観を示す図の一例である。入力装置100は，画像，文字，記号などの各種情報が表示される表示面101と，外部筐体102とを有する。入力装置100は，ボタン，アイコンなどの各種操作子や，文字入力用の領域などを表示面101に表示する。
【００１５】
操作者は，導電性の物体(例えば，指)や，非導電性の物体(例えば，プラスチック，爪)で，表示面101を矢印ARに沿って触れる(接触操作とも呼ぶ)。すると，入力装置100は，物体の接触位置を検出する。
【００１６】
(入力装置の内部構造)
図2は，入力装置100の内部構造を模式的に説明する図の一例である。入力装置100は，第1の検出部111と，第2の検出部112と，透明パネル113と，表示装置114とを有する。
【００１７】
第1の検出部111は，表示面101に対する物体の接触を検出し前記物体の接触位置を検出する。第1の検出部111は，例えば静電容量方式タッチパネルと，静電容量方式タッチパネルの駆動を制御するコントローラとを有する。
【００１８】
第2の検出部112は，表示面101と反対側に設けられ，前記物体の接触時の圧力が基準圧力以上の場合に前記物体の接触位置を検出する。第2の検出部112は，例えば抵抗膜方式タッチパネルと，抵抗膜方式タッチパネルの駆動を制御するコントローラとを有する。第1の検出部111，第2の検出部112は，図2の上側からこの順で重なるように設けられている。
【００１９】
透明パネル113は，アクリル製や，ガラス製のパネルであり，第2の検出部112と，表示装置114との間に設けられている。表示装置114は，例えば液晶や有機EL(organic electroluminescence)の表示パネルと，この表示パネルの駆動を制御するコントローラとを有する。表示装置114は，画像，文字，記号などの各種情報を表示する装置である。表示装置114が表示する各種情報は，透明パネル113，第2の検出部112，第1の検出部111を介して，表示面101に表示される。
【００２０】
さて，前記したように，静電容量方式タッチパネルが接触位置を検出するためには，導電性の物体を近接または接触させなければならないが，抵抗膜方式タッチパネルのように基準圧力以上の外部圧力は不要である。一方，抵抗膜方式タッチパネルが接触位置を検出するためには，物体の接触時に基準圧力以上の外部圧力が必要であるが，外部圧力を加えるための物体について導電性の有無は問わない。
【００２１】
かかる静電容量方式タッチパネルの特徴と抵抗膜方式タッチパネルとの特徴を考慮し，操作者が，導電性の物体で入力装置100の表示面101に軽く触れただけで接触位置を検出し，かつ，非導電性の物体で表示面101に触れても接触位置を検出するため，入力装置100を図2に示した構造とする。
【００２２】
例えば，入力装置100において，静電容量方式タッチパネルを有する第1の検出部111を表示面101側に設け，その下側に抵抗膜方式タッチパネルを有する第2の検出部112を設ける。換言すれば，静電容量方式タッチパネルの表示面101とは反対側に抵抗膜方式タッチパネルを設ける。
【００２３】
かかる構造の入力装置100によれば，操作者が導電性の物体で表示面101を軽く触れれば，静電容量方式タッチパネルが接触位置を検出する。また，非導電性の物体であっても，表示面101に接触すれば，接触時の圧力が，静電容量方式タッチパネルを介して抵抗膜方式タッチパネルに加わり，抵抗膜方式タッチパネルが接触位置を検出する。
【００２４】
これにより，入力装置100は，導電性の物体でも非導電性の物体でも，表示面101に接触すれば，その接触位置を検出できる。また，表示面101に例えば水が付着し静電容量方式タッチパネルでは接触位置を高精度に検出できない場合でも，物体の接触を検出できるようになる。
【００２５】
しかし，図2に示した入力装置100の場合，接触時の圧力が静電容量方式タッチパネルを介して抵抗膜方式タッチパネルに伝わるため，抵抗膜方式タッチパネルに伝わる接触時の圧力が弱まる。
【００２６】
そのため，操作者が非導電性の物体を入力装置100の表示面101に接触させた場合に，抵抗膜方式タッチパネルがその接触位置を検出するためには，抵抗膜方式タッチパネルに物体を直接接触させるときよりも強い圧力が必要である。その結果，入力装置100において，非導電性の物体の接触時の圧力が低下(荷重抜けとも呼ぶ)した場合は，抵抗膜方式タッチパネルが接触位置を検出できないことが多くなる。
【００２７】
例えば，表示面101に対する物体の接触位置の軌跡を表示面101に描画するアプリケーションが入力装置100において実行されている場合を想定する。この場合，操作者が，非導電性の物体を表示面101に接触させ，接触時の圧力が低下しやすい動作を実行すると，抵抗膜方式タッチパネルが接触位置を検出できず，描画が途切れることがある。接触時の圧力が低下しやすい操作としては，フリック操作や，払う接触操作がある。払う接触操作とは，例えば，操作者が，漢字，ひらがな，カタカナ等の文字を物体を用いて表示面101に書く際に，左払いや，右払いを行う操作である。
【００２８】
そこで，本実施の形態における入力装置100は，下記する検出処理を実行して，非導電性の物体の表示面101での接触圧力が低下した場合でも，その接触位置を高精度に検出する。
【００２９】
(入力装置の構成)
図3は，入力装置100の構成を説明するブロック図の一例である。入力装置100は，第1の検出部111と，第2の検出部112と，第3の検出部115とを有する。第3の検出部115は，物体の接触位置を検出するタイミング(以下，検出タイミングと適宜記す)において，第2の検出部112が接触位置を検出せず第1の検出部111が接触を検出した場合は，以下の処理を実行する。すなわち，第3の検出部115は，第2の検出部112が前記検出タイミングから所定の時間内で検出した第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき，前記検出タイミングでの接触位置を検出する。
【００３０】
そして，第3の検出部115は，第1の検出部111が検出した物体の接触位置，第2の検出部112が検出した物体の接触位置，第3の検出部115が検出した物体の接触位置の何れかを上位装置に通知する。この上位装置は，接触位置に応じた情報処理を実行する装置であり，例えば情報処理装置である。なお，前記した通知については，図7で詳細に説明する。
【００３１】
本実施の形態の入力装置によれば，検出タイミングで，非導電性の物体の接触時の圧力が基準圧力未満であり，第1の検出部111および第2の検出部112が接触位置を検出できなくても，第3の検出部115が，検出タイミングでの接触位置を検出する。そのため，入力装置100は，非導電性の物体によりフリック操作など接触時の圧力が低下しやすい操作が実行されても，接触位置を高精度に検出することができる。次いで，図4〜図9を用いて入力装置100の構成を具体的に説明する。
【００３２】
(入力装置のハードウェア構成)
図4は，入力装置100のハードウェア構成を説明するブロック図の一例である。入力装置100は，バスBに接続された，CPU(Central  Processing  Unit)121と，表示装置114と，静電側コントローラ122と，静電容量方式タッチパネル123とを有する。さらに，入力装置100は，バスBに接続された，抵抗膜側コントローラ124と，抵抗膜方式タッチパネル125と，メモリ126と，記憶装置127と，接続インターフェイス128とを有する。
【００３３】
CPU121は，入力装置100の全体を制御するプロセッサである。静電側コントローラ122は，静電容量方式タッチパネル123の駆動を制御する。
【００３４】
静電容量方式タッチパネル123について簡単に説明する。静電容量方式には，投影型（Projected capacitive type）と表面型（Surface capacitive type）の2種類の方式がある。
【００３５】
投影型の静電容量方式タッチパネルは，例えば，透明フィルムやプリント基板などの透明体と，透明体に形成されたマトリクス状の電極パターンとを有する。すなわち，投影型の静電容量方式タッチパネルは，内部に配置された複数の電極を有する。
【００３６】
静電側コントローラ122は，導電性の物体(例えば，指)が接触したときに，投影型の静電容量方式タッチパネル内の複数の電極間において発生する静電容量の変化量(容量変化値，静電容量値とも呼ぶ)を検出する。静電側コントローラ122は，検出した静電容量値に基づき，物体の接触位置を検出する。
【００３７】
表面型の静電容量方式タッチパネルは，例えば4角形状の基板層と，基板層に設けられた導電膜と，導電膜の4隅に接続する電極を有する。すなわち，表面型の静電容量方式タッチパネルは，内部に配置された複数の電極を有する。
【００３８】
静電側コントローラ122は，表面型の静電容量方式タッチパネルの4つの電極に電圧を印加して，パネル全体に均一な電界を形成する。表面型の静電容量方式タッチパネルに導電性の物体が接触すると指を経由して4隅の電極から電流が流れる。静電側コントローラ122は，4隅の電極から流れた電流の比率を検出し，静電側コントローラ122のドライバが，物体の接触位置を検出する。なお，説明の便宜のため，以下の実施の形態では，静電容量方式タッチパネル123が投影型の静電容量方式タッチパネルであるとする。
【００３９】
なお，図2，図3の第1の検出部111は，例えば，静電容量方式タッチパネル123と，静電容量方式タッチパネル123の駆動を制御する静電側コントローラ122とを有する。
【００４０】
抵抗膜側コントローラ124は，抵抗膜方式タッチパネル125の駆動を制御する。抵抗膜方式タッチパネル125について簡単に説明する。抵抗膜方式タッチパネル125は，第1の透明導電膜と，第1の透明導電膜に対向する第2の透明導電膜と，第1の透明導電膜と第2の透明導電膜との間に設けられたスペーサとを有する。なお，第1の透明導電膜は，外部圧力が加えられるフィルム素材に設けられ，第2の透明導電膜は，ガラス基板に設けられている。
【００４１】
導電性の物体または非導電性の物体が，フィルム素材に接触してフィルム素材が撓むと，フィルム素材側に設けられた第1の透明電導膜と，ガラス基板に設けられた第2の透明導電膜とが接触する。この接触に必要な圧力が，基準圧力に相当する。
【００４２】
抵抗膜側コントローラ124は，第1の透明導電膜と第2の透明導電膜との接触抵抗値を検出する。さらに，抵抗膜側コントローラ124は，第1の透明導電膜と第2の透明導電膜とが接触した場所の電位を検出する。抵抗膜側コントローラ124は，検出した電位に基づき，物体の接触位置を検出する。
【００４３】
なお，図2，図3の第2の検出部112は，例えば，抵抗膜方式タッチパネル125と，抵抗膜方式タッチパネル125の駆動を制御する抵抗膜側コントローラ124とを有する。
【００４４】
メモリ126は，例えばRAM(Random Access Memory)であり，例えばCPU121が実行した処理の処理結果や，各種プログラムを一時的に記憶する。記憶装置127は，各種記憶装置，例えば，フラッシュメモリ(flash memory)である。接続インターフェイス128は，入力装置100と他の装置(図示しない)とを通信可能に接続するためのインターフェイスである。他の装置とは，例えば上位装置である。
【００４５】
(入力装置のソフトウェア構成)
図5は，入力装置100のソフトウェア構成を説明するブロック図の一例である。入力装置100は，静電容量側ドライバ131と，抵抗膜側ドライバ132と，接触位置検出部133とを有する。
【００４６】
静電容量側ドライバ131は，図4の静電容量方式タッチパネル123を制御するためのプログラム(ドライバとも呼ぶ)である。静電容量側ドライバ131は，いわゆるソフトウェアモジュールであり，静電容量側ドライバ131の実行用のプログラムが，静電側コントローラ122内の例えば図示しないROM(Read Only Memory)に記憶されている。静電側コントローラ122は，起動時に，この実行用のプログラムをROMから読み出し，静電側コントローラ122内のRAM(図示しない)に展開することにより，静電容量側ドライバ131のソフトウェアモジュールとして機能させる。
【００４７】
静電容量側ドライバ131には，静電容量方式タッチパネル123の静電容量値が入力される。静電容量側ドライバ131は，接触位置検出部133からの検出処理(スキャン処理とも呼ぶ)の実行指示を受けると，検出された静電容量値に基づき接触位置を検出する。そして，静電容量側ドライバ131は，静電容量値と接触位置とを接触位置検出部133に入力する。
【００４８】
ここで検出された静電容量値について説明する。以下，3つの状態を想定する。第1の状態とは物体が静電容量方式タッチパネル123に接触していない状態である。第2の状態とは非導電性の物体が静電容量方式タッチパネル123に接触している状態である。第3の状態とは導電性の物体が静電容量方式タッチパネル123に接触している状態である。
【００４９】
3つの状態においては，第1の状態で検出される第1の静電容量値が最も小さく，第3の状態で検出される第3の静電容量値が最も大きい。そして，第2の状態で検出される第2の静電容量値は，第1の静電容量値と第2の静電容量値との間の値である。これは，第2の状態(非導電性の物体が静電容量方式タッチパネル123に接触している)であっても，微弱な静電容量値が検出されるからである。ただし，この微弱な静電容量値では，高精度に接触位置を検出できない。
【００５０】
静電容量側ドライバ131は，静電容量値が第1の閾値未満の場合(第1の状態に対応)には，物体の接触位置の検出処理を実行しない。一方，静電容量側ドライバ131は，静電容量値が第1の閾値よりも大きい第2の閾値以上の場合には(第3の状態に対応)，物体の検出処理を実行する。
【００５１】
ただし，接触位置検出部133は，静電容量値が第1の閾値以上，第2の閾値未満の場合には，物体の接触を検出したと判定して，抵抗膜側ドライバ132による接触位置検出に利用する。具体的には，接触位置検出部133は，例えば，入力された静電容量値が第1の閾値以上で第2の閾値未満か判定する。接触位置検出部133は，入力された静電容量値が第1の閾値以上で第2の閾値未満の場合に(第2の状態に対応)，物体の接触が有ると判定する。そして，接触位置検出部133は，物体の接触が有ると判定した場合は，抵抗膜側ドライバ132が検出済みの接触位置から現在の接触位置を推定する。
【００５２】
抵抗膜側ドライバ132は，図4の抵抗膜方式タッチパネル125を制御するためのプログラムである。抵抗膜側ドライバ132は，いわゆるソフトウェアモジュールであり，抵抗膜側ドライバ132の実行用のプログラムが，抵抗膜側コントローラ124内の例えばROM(図示しない)に記憶されている。抵抗膜側コントローラ124は，起動時に，この実行用のプログラムをROMから読み出し，抵抗膜側コントローラ124内のRAM(図示しない)に展開することにより，抵抗膜側ドライバ132のソフトウェアモジュールとして機能させる。
【００５３】
抵抗膜側ドライバ132には，抵抗膜方式タッチパネル125の接触抵抗値，電位が入力される。抵抗膜側ドライバ132は，接触位置検出部133からのスキャン処理の実行指示を受けると，以下の処理を実行する。すなわち，抵抗膜側ドライバ132は，抵抗膜方式タッチパネル125における表面(この表面はフィルム素材側である)に物体が接触し，第1の透明導電膜と第2の透明導電膜とが接触する際に検出された電位から接触位置を検出する。さらに，抵抗膜側ドライバ132は，検出された第1の透明導電膜と第2の透明導電膜との接触抵抗値に基づき物体の接触時の圧力を検出する。
【００５４】
さらに，抵抗膜側ドライバ132は，検出タイミングで検出した接触位置のベクトルを計算する。接触位置のベクトルとは，検出タイミングでの接触位置と，この検出タイミングよりも例えば1つ前の検出タイミングでの接触位置とに基づき，計算されるベクトルである。なお，接触位置のベクトルの計算については，図6で説明する。そして，抵抗膜側ドライバ132は，検出した圧力と物体の接触位置と接触位置のベクトルとを接触位置検出部133に入力する。
【００５５】
接触位置検出部133は，静電容量側ドライバ131，抵抗膜側ドライバ132からの入力を利用して接触位置の検出処理を行う。例えば，接触位置検出部133は，検出タイミング毎に静電容量側ドライバ131，抵抗膜側ドライバ132にスキャン処理の実行指示を行う。検出タイミングは，一定の時間間隔毎のタイミングである。一定の時間とは例えば16ミリ秒である。
【００５６】
また，接触位置検出部133は，表示面101に対する物体の接触の有無を判定する。接触位置検出部133は，前記したように，入力された静電容量値が第1の閾値以上で第2の閾値未満の場合(第2の状態に対応)，物体の接触が有ると判定する。なお，静電容量側ドライバ131が，物体の接触の有無を判定しても良い。この場合，静電容量側ドライバ131は，物体の接触の有無を示す判定結果を接触位置検出部133に入力する。
【００５７】
また，接触位置検出部133は，図3で説明した第3の検出部115が実行する検出処理を実行する。すなわち，接触位置検出部133は，第3の検出部115の一例である。
【００５８】
接触位置検出部133は，いわゆるソフトウェアモジュールであり，接触位置検出部133の実行用のプログラムが図4の記憶装置127に記憶されている。入力装置100の起動時に，図4のCPU121が，記憶装置127に記憶されているこのプログラムを読み出し，メモリ126に展開することにより，接触位置検出部133のソフトウェアモジュールとして機能させる。
【００５９】
(ベクトルの計算処理，接触位置の検出処理)
図6は，抵抗膜側ドライバ132が実行する接触位置のベクトルの計算処理，接触位置検出部133が実行する接触位置の検出処理を説明する図である。以下の説明において，現時点の検出タイミングを検出タイミング(t)と適宜記す。また，現時点の検出タイミング(t)から時間的にk個前の検出タイミングを検出タイミング(t-k)と記す。なお，kは1以上の整数である。また，現時点の検出タイミング(t)から時間的にk個後の検出タイミングを検出タイミング(t+k)と記す。
【００６０】
以下の説明においては，抵抗膜側ドライバ132は，検出タイミング(t-2)，検出タイミング(t-1)で，表示面101に対する物体の接触位置を検出しているとする。しかし，抵抗膜側ドライバ132は，検出タイミング(t)で表示面101に対する物体の接触位置を検出できず，接触位置検出部133が表示面101に対する物体の接触位置を検出する。
【００６１】
図6において図上の矢印が時間経過を示し，この矢印の下に，検出タイミング(t-2)，検出タイミング(t-1)，検出タイミング(t)を示す。図6の符号P11(t-2)，符号P12(t-2)，符号P13(t-2)は，それぞれ，抵抗膜側ドライバ132が検出した，検出タイミング(t-2)における表示面101に対する物体の接触位置を模式的に示している。符号P21(t-1)は，抵抗膜側ドライバ132が検出した，検出タイミング(t-1)における表示面101に対する物体の接触位置を模式的に示している。符号P31(t)，符号P32(t)，符号P33(t)は，それぞれ，接触位置検出部133が検出した，検出タイミング(t)における表示面101に対する物体の接触位置を模式的に示している。
【００６２】
まず，抵抗膜側ドライバ132が実行するベクトルの計算処理について説明する。ここでは，接触位置P21(t-1)のベクトルの計算を例示して説明する。仮に，検出タイミング(t-2)での接触位置を接触位置P11(t-2)とし，接触位置P11(t-2)の座標をP11(X11,Y11)とする。そして，接触位置P21(t-1)の座標をP21(X21,Y21)とする。このとき，抵抗膜側ドライバ132は，接触位置P21(t-1)のベクトルとして，座標P21(X21,Y21)と座標P11(X11,Y11)との差分であるベクトルB21(X21-X11,Y21-Y11)を計算する。
【００６３】
次に，接触位置検出部133が実行する接触位置の検出処理について説明する。ここでも，抵抗膜側ドライバ132は，検出タイミング(t-2)，検出タイミング(t-1)で，表示面101に対する物体の接触位置を検出しているとする。
【００６４】
ここで，検出タイミング(t)で，非導電性の物体が静電容量方式タッチパネル123に接触したが，抵抗膜方式タッチパネル125におけるこの物体の接触時の圧力が基準圧力未満であるとする。この場合，検出タイミング(t)では，静電容量側ドライバ131は物体の接触を検出するが，抵抗膜側ドライバ132は物体の接触位置を検出しない。
【００６５】
すると，接触位置検出部133は，検出タイミング(t)で，接触位置P21(t-1)と，接触位置P21(t-1)とのベクトルに基づき，表示面101に対する物体の接触位置を検出する。前記の例では，接触位置検出部133は，検出タイミング(t)での物体の接触位置を求めるため，接触位置P21(t-1)の座標P21(X21,Y21)とベクトルB21(X21-X11,Y21-Y11)とを加算する。加算した座標は，座標P33(2X21-X11,2Y21-Y11)であり，この接触位置は接触位置P33(t)である。
【００６６】
なお，検出タイミング(t-2)での物体の接触位置が接触位置P12(t-2)または接触位置P13(t-2)の場合，検出タイミング(t)での物体の接触位置は，それぞれ，接触位置P32(t)または接触位置P31(t)と検出される。
【００６７】
(物体の接触位置の検出処理の流れ)
図7は，接触位置検出部133が実行する物体の接触位置を検出する処理の流れを説明するフローチャート図の一例である。
【００６８】
ステップS1：接触位置検出部133は，接触位置の検出タイミングに至ったか否かを判定する。具体的には，接触位置検出部133は，検出タイミングを示す制御信号がオペレーティングシステム（Operating System,OS）等から入力されたか判定する。検出タイミングに至っていない場合(ステップS1/NO)，ステップS1の判定を継続する。検出タイミングに至った場合(ステップS1/YES)，ステップS2に移る。
【００６９】
ステップS2：接触位置検出部133は，静電容量側ドライバ131，抵抗膜側ドライバ132にスキャン処理の実行を指示(以下，スキャン指示と適宜記す)する。静電容量側ドライバ131は，接触位置検出部133からのスキャン指示に応答して，スキャン処理を実行し，静電容量値と，物体の接触位置とを接触位置検出部133に入力する。抵抗膜側ドライバ132は，接触位置検出部133からのスキャン指示に応答して，スキャン処理を実行し，物体の接触時の圧力と，物体の接触位置と，接触位置のベクトルとを接触位置検出部133に入力する。
【００７０】
以下の説明において，検出タイミング(t)で静電容量側ドライバ131が接触位置検出部133に入力した静電容量値と物体の接触位置とを纏めて検出値C(t)と記す。そして，検出タイミング(t-k)で静電容量側ドライバ131が接触位置検出部133に入力した静電容量値と物体の接触位置とを纏めて検出値C(t-k)と記す。さらに，検出タイミング(t+k)で静電容量側ドライバ131が接触位置検出部133に入力した静電容量値と物体の接触位置とを纏めて検出値C(t+k)と記す。
【００７１】
また，検出タイミング(t)で抵抗膜側ドライバ132が接触位置検出部133に入力した圧力と物体の接触位置と接触位置のベクトルとを纏めて検出値R(t)と記す。そして，検出タイミング(t-k)で抵抗膜側ドライバ132が接触位置検出部133に入力した圧力と物体の接触位置と接触位置のベクトルとを纏めて検出値R(t-k)と記す。さらに，検出タイミング(t+k)で抵抗膜側ドライバ132が接触位置検出部133に入力した圧力と物体の接触位置と接触位置のベクトルとを纏めて検出値R(t+k)と記す。
【００７２】
ステップS3：接触位置検出部133は，検出値C(t)と検出値R(t)とをメモリ126に格納する。
【００７３】
ステップS4：接触位置検出部133は，検出値R(t-1)の圧力が0か判定する。検出値R(t-1)の圧力が0とは操作者が，検出タイミング(t)よりも時間的に1つ前の検出タイミング(t-1)で，物体を表示面101に接触させていない状態である。検出値R(t-1)の圧力が0の場合，検出タイミング(t)で新たに表示面101に対する物体の接触が開始されると見なすことができる。
【００７４】
接触位置検出部133は，検出値R(t-1)の圧力が0の場合，検出タイミング(t)では，静電容量方式タッチパネル123または抵抗膜方式タッチパネル125がそれぞれ接触位置を検出し，検出した接触位置を上位装置に通知する(ステップS5〜ステップS8)。
【００７５】
一方，検出値R(t-1)の圧力が0を超える場合，接触位置検出部133は，以下の処理を実行する(ステップS9〜ステップS11)。すなわち，接触位置検出部133は，検出タイミング(t)で検出値R(t)の圧力が基準圧力未満であっても，検出値C(t)の静電容量値が第1の閾値以上で第2の閾値未満の場合には，以下の処理を実行する。すなわち，接触位置検出部133は，検出タイミング(t-1)での検出値R(t-1)の接触位置と検出値R(t-1)のベクトルとに基づき，検出タイミング(t)での接触位置を検出する。
【００７６】
検出値R(t-1)の圧力が0の場合(ステップS4/YES)，ステップS5に移る。
【００７７】
ステップS5：接触位置検出部133は，検出値R(t)の圧力が基準圧力以上か判定する。検出値R(t)の圧力が基準圧力以上の場合(ステップS5/YES)，ステップS6に移る。
【００７８】
ステップS6：接触位置検出部133は，メモリ126に格納した検出値R(t)を上位装置に通知する。検出値R(t)の圧力が基準圧力以上の場合(ステップS5/YES)，物体の導電性の有無を問わず，この物体が表示面101に接触し，抵抗膜側ドライバ132がその接触位置を高精度に検出している。そこで，入力装置100は，検出値R(t)の接触位置を上位装置に通知する。
【００７９】
ステップS5において，検出値R(t)の圧力が基準圧力未満の場合(ステップS5/NO)，ステップS7に移る。
【００８０】
ステップS7：接触位置検出部133は，検出値C(t)の静電容量値が第2の閾値以上か判定する。検出値C(t)の静電容量値が第2の閾値以上の場合(ステップS7/YES)，ステップS8に移る。
【００８１】
ステップS8：接触位置検出部133は，メモリ126に格納した検出値C(t)を上位装置に通知する。検出値C(t)の静電容量値が第2の閾値以上の場合(ステップS7/YES)，導電性の物体が表示面101に接触し，抵抗膜側ドライバ132がその接触位置を高精度に検出している。特に，接触時の圧力が基準圧力未満の場合(ステップS5/NO)，例えば，操作者が，導電性の物体で表示面101をフェザータッチした場合であっても，静電容量側ドライバ131がその接触位置を高精度に検出している。そこで，入力装置100は，検出値C(t)の接触位置を上位装置に通知する。
【００８２】
さて，ステップS4 において，接触位置検出部133が，検出値R(t-1)の圧力が0でないと判定した場合(ステップS4/NO)，ステップS9に移る。
【００８３】
ステップS9：接触位置検出部133は，検出値R(t)の圧力が基準圧力以上か判定する。この判定処理は，ステップS5の判定処理と同じ処理である。検出値R(t)の圧力が基準圧力以上の場合(ステップS9/YES)，ステップS6に移る。検出タイミング(t)での接触圧力の低下により，検出値R(t)の圧力が基準圧力未満になる場合(ステップS9/NO)，ステップS10に移る。
【００８４】
ステップS10：接触位置検出部133は，検出値C(t)の静電容量値が第1の閾値以上で第2の閾値未満か判定する。ステップS9でNO，ステップS10でYESと判定される場合とは，以下の状態に至っている場合である。すなわち，例えば，操作者が非導電性の物体で表示面101に対してフリック操作などの圧力が低下しやすい接触操作を行う。この接触操作において，検出値R(t)の圧力が基準圧力未満(ステップS9/NO)であり抵抗膜側ドライバ132がその接触位置を検出できないが，検出値C(t)の静電容量値が第1の閾値以上で接触位置検出部133が接触が有ると判定している場合である。
【００８５】
検出値C(t)の静電容量値が第1の閾値以上で第2の閾値未満の場合(ステップS10/YES)，ステップS11に移る。
【００８６】
ステップS11：接触位置検出部133は，検出値R(t-1)の接触位置と検出値R(t-1)のベクトルとに基づき，検出タイミング(t)での物体の接触位置を検出する。なお，検出値R(t-1)のベクトルとは，検出値R(t-1)の接触位置のベクトルである。接触位置の検出については，図6で詳細に説明したので，その説明を省略する。
【００８７】
ステップS12：接触位置検出部133は，ステップS11で検出した物体の接触位置を含む検出値R(t)を上位装置に通知する。なお，接触位置検出部133は，メモリ126の検出値R(t)の接触位置を記憶する領域にステップS11で検出した物体の接触位置を格納する。
【００８８】
ステップS13：接触位置検出部133は，入力装置100の終了指示操作が実行されたか判定する。入力装置100の終了指示操作が実行された場合(ステップS13/YES)，入力装置100は，物体の接触位置の検出処理を終了する。入力装置100の終了指示操作が実行されていない場合(ステップS13/NO)，ステップS1に戻る。
【００８９】
なお，検出値C(t)の静電容量値が第1の閾値以上で第2の閾値未満でない場合(ステップS10/NO)，ステップS7に移る。ステップS10でNOと判定され，ステップS7に移るのは，操作者が，導電性の物体で表示面101に対して接触操作をしている場合に，その接触位置を検出するためである。
【００９０】
なお，ステップS7において検出値C(t)の静電容量値が第2の閾値未満の場合(ステップS7/NO)，換言すれば検出値C(t)の静電容量値が第1の閾値未満の場合，接触位置は検出されずに，ステップS13に移る。
【００９１】
(タイミングチャート)
図8は，接触位置検出部133が実行する接触位置の検出処理を説明するタイミングチャートの一例である。図8において，図上の矢印が時間経過を示している。図8(A)，図8(B)は，上から検出タイミング，静電容量方式タッチパネル123における静電容量値の変化，抵抗膜方式タッチパネル125における接触圧力の変化を示している。なお,検出タイミングは，一定周期のパルスでもある。
【００９２】
図8(A)は，操作者が，非導電性の物体で表示面101に対して接触操作を行っている間に何らかの理由で接触圧力が低下した後，接触圧力が元に戻っている状態における，静電容量値の変化，接触圧力の変化を示している。ここでは，操作者は，検出タイミング(t-2)から検出タイミング(t+1)の間，物体の接触操作を意図している。
【００９３】
図8(A)の符号Cc1で示す実線は静電容量値の変化を示し，符号Pr1で示す実線は接触圧力の変化を示す。以下の説明においては説明の便宜のため，検出タイミング(t-2)の一つ前の検出タイミング(t-3)での接触圧力は0を超えている。また，静電容量値Cc1は，検出タイミング(t-2)から検出タイミング(t+1)の間，第1の閾値Thc1以上，第2の閾値Thc2未満である。また，接触圧力Pr1は，検出タイミング(t-2)，検出タイミング(t-1)で基準圧力Thp1以上であるが，検出タイミング(t)で基準圧力Thp1未満，検出タイミング(t+1)で基準圧力Thp1以上である。
【００９４】
さて，検出タイミング(t-2)では，図7のステップS2において，静電容量側ドライバ131は静電容量値Cp(t-2)を検出し，抵抗膜側ドライバ132は接触圧力Pr(t-2)を検出する。この場合，接触圧力Pr(t-2)は基準圧力Thp1以上なので，接触位置検出部133は，ステップS9でYESと判定し，検出タイミング(t-2)での検出値R(t-2)を上位装置に通知する(ステップS6)。
【００９５】
次に，検出タイミング(t-1)では，図7のステップS2において，静電容量側ドライバ131は静電容量値Cp(t-1)を検出し，抵抗膜側ドライバ132は接触圧力Pr(t-1)を検出する。この場合も，接触圧力Pr(t-1)は基準圧力Thp1以上なので，接触位置検出部133は，ステップS9でYESと判定し，検出タイミング(t-1)での検出値R(t-1)を上位装置に通知する(ステップS6)。
【００９６】
次に，検出タイミング(t)では，図7のステップS2において，静電容量側ドライバ131は静電容量値Cp(t)を検出し，抵抗膜側ドライバ132は接触圧力Pr(t)を検出する。この場合，接触圧力Pr(t)は基準圧力Thp1未満なので，抵抗膜側ドライバ132は接触位置を検出できず，接触位置検出部133は，ステップS9でNOと判定する。そして，接触位置検出部133は，静電容量値Cp(t)は第1の閾値Thc1以上，第2の閾値Thc2未満なので，静電容量方式タッチパネル123に対する接触を検出し，ステップS10でYESと判定する。そして，接触位置検出部133は，図6で説明したように，検出値R(t-1)の接触位置と検出値R(t-1)のベクトルとに基づき，検出タイミング(t)での物体の接触位置を検出する(ステップS11)。次いで，検出タイミング(t)での検出値R(t)を上位装置に通知する。この検出値R(t)には，接触位置検出部133がステップS11で検出した検出タイミング(t)での接触位置が含まれる。
【００９７】
次に，検出タイミング(t+1)では，図7のステップS2において，静電容量側ドライバ131は静電容量値Cp(t+1)を検出し，抵抗膜側ドライバ132は接触圧力Pr(t+1)を検出する。この場合，接触圧力Pr(t+1)は基準圧力Thp1以上なので，抵抗膜側ドライバ132は接触位置を検出し，接触位置検出部133は，ステップS9でYESと判定し，検出タイミング(t+1)での検出値R(t+1)を上位装置に通知する(ステップS6)。
【００９８】
図8(B)は，操作者が，非導電性の物体で表示面101に対して接触操作を行っている間に，意図的に物体を表示面101から離し，再度，物体を表示面101に接触させている状態における，静電容量値の変化，接触圧力の変化を示している。ここでは，操作者は，検出タイミング(t-1)から検出タイミング(t)の間に物体を表示面101から離し，検出タイミング(t)から検出タイミング(t+1)の間に物体を表示面101に接触させているとする。
【００９９】
図8(B)の符号Cc1'で示す実線は静電容量値の変化を示す。以下の説明において，検出タイミング(t-2)の一つ前の検出タイミング(t-3)での接触圧力は0を超えている。また，静電容量値Cc1'は，検出タイミング(t-2)，検出タイミング(t-1)で第1の閾値Thc1以上，第2の閾値Thc2未満であり，検出タイミング(t)で第1の閾値Thc1未満である。そして，静電容量値Cc1'は，検出タイミング(t+1)で第1の閾値Thc1以上，第2の閾値Thc2未満である。また，接触圧力Pr1は，検出タイミング(t-2)，検出タイミング(t-1)で基準圧力Thp1以上であるが，検出タイミング(t)で基準圧力Thp1未満，検出タイミング(t+1)で基準圧力Thp1以上である。
【０１００】
検出タイミング(t-2)，検出タイミング(t-1)，検出タイミング(t+1)での処理は，図8(A)で説明したので，その説明を省略する。検出タイミング(t)では，図7のステップS2において，静電容量側ドライバ131は静電容量値Cp'(t)を検出し，抵抗膜側ドライバ132は接触圧力Pr(t)を検出する。この場合，静電容量値Cp'(t)は第1の閾値Thc1未満なので，接触位置検出部133は，静電容量方式タッチパネル123に対する接触を検出せず，ステップS10でNO，ステップS7でNOと判定される。すなわち，検出タイミング(t)での接触位置は検出されず，上位装置にも通知されない。
【０１０１】
なお，操作者が，導電性の物体または非導電性の物体で表示面101に接触操作を行い，検出タイミング(t)での接触時の圧力が基準圧力以上の場合，図7のフローチャート図で示した以下の処理が実行される。すなわち，検出タイミング(t)の1つ前の検出タイミング(t-1)での検出値R(t-1)の圧力にかかわりなく，接触時の圧力が基準圧力以上と判定され(ステップS5/YESまたはステップS9/YES)，抵抗膜方式タッチパネル125における検出値R(t)が上位装置に通知される(ステップS6)。
【０１０２】
また，操作者が，導電性の物体で表示面101に接触操作を行えば，検出タイミング(t)での接触時の圧力が基準圧力未満であっても，検出タイミング(t)での検出値C(t)の静電容量値は第2の閾値以上となる。そのため，検出タイミング(t)の1つ前の検出タイミング(t-1)での検出値R(t-1)の圧力が0の場合には(ステップS4/YES)，検出値R(t)の圧力が基準圧力未満(ステップS5/NO)，検出値C(t)の静電容量値が第2の閾値以上(ステップS7/YES)と判定される。そして，静電容量方式タッチパネル123における検出値C(t)が上位装置に通知される(ステップS8)。
【０１０３】
一方，検出タイミング(t-1)での検出値R(t-1)の圧力が0を超える場合には(ステップS4/NO)，検出値R(t)の圧力が基準圧力未満(ステップS9/NO)，検出値C(t)の静電容量値が第2の閾値以上(ステップS10/NO，ステップS7/YES)と判定され，検出値C(t)が上位装置に通知される(ステップS8)。
【０１０４】
(第1の変形例)
さて，操作者が，非導電性の物体で表示面101を操作している場合において，例えば静電容量方式タッチパネル123における静電容量値の検出精度が低い場合，物体の接触があっても，静電容量値が第1の閾値未満と判定され，ステップS11の処理が行われないことがある。他にも，第1の閾値が適切に設定されていない場合，物体の接触があっても，静電容量値が第1の閾値未満と判定され，図7のステップS11の処理が行われないことがある。そこで，図7に示した検出値C(t)の静電容量値が第1の閾値以上で第2の閾値未満か判定する処理(ステップS10)を他の判定処理に変更する。
【０１０５】
ここで，導電性の有無を問わず，物体による接触操作が静電容量方式タッチパネル123に対して継続して行われている第1の場合を想定する。さらに，検出タイミング(t-1)まで物体が静電容量方式タッチパネル123に接触しているが，その後，物体が静電容量方式タッチパネル123から離れた第2の場合を想定する。第1の場合では，検出される静電容量値は一定であるが，第2の場合では，検出される静電容量値は一定ではない。
【０１０６】
すなわち，第1の場合における検出タイミング(t-1)での静電容量値と検出タイミング(t)での静電容量値との差の絶対値(差分絶対値とも呼ぶ)は，第2の場合における検出タイミング(t-1)での静電容量値と検出タイミング(t)での静電容量値との差分絶対値よりも小さい。 
【０１０７】
そこで，図9のフローチャート図に示すように，図7に示した検出値C(t)の静電容量値が第1の閾値以上で第2の閾値未満か判定する処理(ステップS10)をステップS10Aに置き換える。図9は，接触位置検出部133が実行する物体の接触位置を検出する処理の流れを説明するフローチャート図の他の例である。
【０１０８】
図9のステップS10Aでは，接触位置検出部133は，検出タイミング(t-1)での静電容量値と検出タイミング(t)での静電容量値との差分絶対値が，第3の閾値(所定の閾値)未満の場合か判定する。
【０１０９】
この差分絶対値が，第3の閾値未満の場合(ステップS10A/YES)，ステップS11に移る。接触位置検出部133は，この差分絶対値が，第3の閾値未満の場合(ステップS10A/YES)，表示面101に対する物体の接触があると見なしている。一方，接触位置検出部133は，この差分絶対値が，第3の閾値以上の場合(ステップS10A/NO)，物体の接触がないと見なし，ステップS7に移る。
【０１１０】
このように前記した差分絶対値と閾値とを比較することで，静電容量方式タッチパネル123における静電容量値の検出精度が低い場合であっても，接触位置検出部133は高精度に物体の接触位置を検出できる。
【０１１１】
(第2の変形例)
以上の説明において，接触位置検出部133は，図7，図9のステップS11において，検出値R(t-1)の接触位置と検出値R(t-1)のベクトルとに基づき，検出タイミング(t)での物体の接触位置を検出した。検出値R(t-1)の接触位置は，第1の接触位置であり，検出値R(t-1)のベクトルは，第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき算出されたベクトルである。
【０１１２】
換言すれば，接触位置検出部133は，抵抗膜側ドライバ132が検出タイミング(t)から所定の時間内で検出した第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき，検出タイミング(t)での接触位置を検出する。
【０１１３】
この第1の接触位置は，検出タイミング(t)よりも例えば1つ前の第1の検出タイミング(t-1)で抵抗膜側ドライバ132が検出した接触位置である。また，第2の接触位置は，第1の検出タイミング(t-1)よりも例えば１つ前の第2の検出タイミング(t-2)で抵抗膜側ドライバ132が検出した接触位置であった。なお，この場合，前記した所定の時間は，検出タイミング(t)から第2の検出タイミング(t-2)との間の時間である。
【０１１４】
すなわち，接触位置検出部133は，補外(外挿とも呼ぶ)により接触位置を検出する。
【０１１５】
他にも，第1の接触位置は，そのままで，第2の接触位置を，検出タイミング(t)よりも例えば１つ後の第2の検出タイミング(t+1)で抵抗膜側ドライバ132が検出した接触位置とすることができる。なお，この場合，前記した所定の時間は，第1の検出タイミング(t-1)から第2の検出タイミング(t+1)との間の時間である。
【０１１６】
すなわち，接触位置検出部133は，補間(内挿とも呼ぶ)により接触位置を検出する。
【０１１７】
ここで，第1の接触位置を，接触位置P21(t-1)として，その座標をP21(X21,Y21)とする。そして，第2の接触位置を，接触位置P41(t+1)として，その座標をP41(X41,Y41)とする。
【０１１８】
この場合，接触位置検出部133は，検出タイミング(t)での接触位置を第1の接触位置P21(t-1)と第2の接触位置P41(t+1)の中点として検出する。すなわち，接触位置検出部133は，検出タイミング(t)での接触位置の座標をPm((X21+X41)/2, (Y21+Y41)/2)と演算する。そして，接触位置検出部133は，検出タイミング(t)で検出した接触位置を上位装置に通知する。
【０１１９】
第2の変形例によれば，検出タイミング(t)での接触位置を，検出タイミング(t)に対して時間的に前後する検出タイミング(t-1)，(t+1)での接触位置に基づき補間演算している。そのため，前記した補外により接触位置を検出するよりも高精度に接触位置を検出できる。
【０１２０】
(第3の変形例)
以上の説明では，静電容量方式タッチパネル123の一例として，投影型の静電容量方式タッチパネルを例示した。他にも，静電容量方式タッチパネル123として，表面型の静電容量方式タッチパネルを利用することもできる。この場合，入力装置100は，表面型の静電容量方式タッチパネルに導電性の物体が接触する際に流れる電流の値を静電容量値と見なして各種処理を実行する。この各種処理とは，例えば図7のステップS7，ステップS10，図9のステップS7，ステップS10Aの処理である。
【０１２１】
[第2の実施の形態]
第1の実施の形態で説明した入力装置を情報処理装置に適用することができる。情報処理装置とは，持ち運び可能な情報処理装置，例えば，スマートフォンや，タブレット型のパーソナルコンピューターである。第2の実施の形態の説明では，第1の実施の形態で説明した入力装置100を有する情報処理装置について説明する。
【０１２２】
(情報処理装置の構成)
図10は，情報処理装置200の構成を説明するブロック図の一例である。情報処理装置200は，第1の検出部111と，第2の検出部112と，第3の検出部115と，処理部116とを有する。第1の検出部111と，第2の検出部112と，第3の検出部115とは，第1の実施の形態で説明した入力装置100が有するブロックである。第3の検出部115は，第1の検出部111が検出した物体の接触位置，第2の検出部112が検出した物体の接触位置，第3の検出部115が検出した物体の接触位置の何れかを処理部116に入力する。
【０１２３】
処理部116は，第3の検出部115から入力された接触位置に応じた情報処理を実行する。情報処理装置200の内部構造は，図2で説明した入力装置の内部構造と同様である。
【０１２４】
(情報処理装置のハードウェア構成)
図11は，情報処理装置200のハードウェア構成を説明するブロック図の一例である。情報処理装置200は，バスBに接続された，CPU201と，表示装置114と，静電側コントローラ122と，静電容量方式タッチパネル123と，抵抗膜側コントローラ124と，抵抗膜方式タッチパネル125とを有する。さらに，情報処理装置200は，バスBに接続された，メモリ126と，記憶装置127Aと，接続インターフェイス128Aとを有する。
【０１２５】
CPU201は，情報処理装置200の全体を制御するプロセッサである。記憶装置127Aは，各種記憶装置，例えば，フラッシュメモリ(flash memory)や他にも，ハードディスクドライブ(Hard Disk Drive,HDD)などの大容量の記憶装置である。
【０１２６】
接続インターフェイス128Aは，外部の記録媒体や装置と接続するためのインターフェイスであり，例えばUSB(Universal Serial Bus)メモリなどの可搬型の記録媒体301に接続する。他にも，接続インターフェイス128Aは，記録媒体に記録されたデータを読み取る記録媒体読み取り装置(図示しない)に接続する。この記録媒体は，例えば，CD-ROM(Compact Disc Read Only Memory)，DVD(Digital Versatile Disc)などの可搬型記録媒体である。
【０１２７】
(情報処理装置のソフトウェア構成)
図12は，情報処理装置200のソフトウェア構成を説明するブロック図の一例である。情報処理装置200は，静電容量側ドライバ131と，抵抗膜側ドライバ132と，接触位置検出部133と，処理部116とを有する。接触位置検出部133は，検出値R(t)または検出値C(t)，すなわち接触位置を処理部116に入力する。
【０１２８】
処理部116は，例えば接触位置検出部133から入力された接触位置に応じた文字を表示装置114に描画するアプリケーションである。他にも，処理部116は，ソフトウェアキーボードや操作ボタンを有する操作用インターフェイス画面を表示装置114に表示し，接触位置に応じた処理を実行するアプリケーションである。
【０１２９】
接触位置検出部133，処理部116は，いわゆるソフトウェアモジュールであり，接触位置検出部133，処理部116のそれぞれの実行用のプログラムが図11の記憶装置127Aに記憶されている。
【０１３０】
情報処理装置200の起動時に，図11のCPU201が，記憶装置127Aに記憶されているこれらのプログラムを読み出し，メモリ126に展開することにより，接触位置検出部133，処理部116のソフトウェアモジュールとして機能させる。なお，記録媒体301がこれらのプログラムを記録しても良い。
【０１３１】
以上説明したように，第1の実施の形態で説明した入力装置を情報処理装置に適用することができる。そのため，情報処理装置は，表示面101に対する接触操作を高精度に検出することができる。
【０１３２】
以上の実施の形態をまとめると，次の付記のとおりである。
【０１３３】
（付記１）
表示面に対する物体の接触を検出し前記物体の接触位置を検出する第1の検出部と，
前記表示面と反対側に設けられ，前記物体の接触時の圧力が基準圧力以上の場合に前記物体の接触位置を検出する第2の検出部と，
前記物体の接触位置の検出タイミングで，前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出した場合は，前記第2の検出部が前記検出タイミングから所定の時間内で検出した第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき，前記検出タイミングでの接触位置を検出する第3の検出部とを有する
入力装置。
【０１３４】
（付記２）
付記1において，
前記第3の検出部は，前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出しない場合，前記第1の接触位置と前記第2の接触位置とに基づく前記物体の接触位置の検出を実行せず，接触位置を検出しない入力装置。
【０１３５】
（付記３）
付記1において，
前記第1の接触位置は，前記検出タイミングよりも前の第1の検出タイミングで前記第2の検出部が検出した接触位置であり，
前記第2の接触位置は，前記第1の検出タイミングよりも前の第2の検出タイミングで前記第2の検出部が検出した接触位置である入力装置。
【０１３６】
（付記４）
付記1において，
前記第1の接触位置は，前記検出タイミングよりも前の第1の検出タイミングで前記第2の検出部が検出した接触位置であり，
前記第2の接触位置は，前記検出タイミングよりも後の第2の検出タイミングで前記第2の検出部が検出した接触位置である入力装置。
【０１３７】
（付記５）
付記1において，
前記第1の検出部は，内部に配置された複数の電極における静電容量値を検出する静電容量方式のタッチパネルを有し，
前記第3の検出部は，前記検出した静電容量値が第1の閾値以上で前記第1の閾値よりも大きい第2の閾値未満の場合に，前記物体の接触が有ると判定する入力装置。
【０１３８】
（付記６）
付記1において，
前記第1の検出部は，内部に配置された複数の電極における静電容量値を検出する静電容量方式のタッチパネルを有し，
前記第3の検出部は，前記検出タイミングで前記第1の検出部が検出した第1の静電容量値と前記検出タイミングより前の検出タイミングで前記第1の検出部が検出した第2の静電容量値との差が所定の閾値未満の場合に，前記物体の接触が有ると判定する入力装置。
【０１３９】
(付記７)
付記1において，
前記第2の検出部は，第1の透明導電膜と，前記第1の透明導電膜に対向する第2の透明導電膜とを有する抵抗膜方式のタッチパネルを有し，外部から加えられた圧力により前記第1の透明導電膜と前記第2の透明導電膜とが接触した際に検出された電位に基づき前記物体の接触位置を検出する入力装置。
【０１４０】
(付記８)
表示面に対する物体の接触を検出し前記物体の接触位置を検出する第1の検出部と，
前記表示面と反対側に設けられ，前記物体の接触時の圧力が基準圧力以上の場合に前記物体の接触位置を検出する第2の検出部と，
前記物体の接触位置の検出タイミングで，前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出した場合は，前記第2の検出部が前記検出タイミングから所定の時間内で検出した第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき，前記検出タイミングでの接触位置を検出する第3の検出部と，
前記接触位置に応じた情報処理を実行する処理部とを有する
情報処理装置。
【０１４１】
（付記９）
表示面に対する物体の接触を検出し前記物体の接触位置を検出する第1の検出部と，前記表示面と反対側に設けられ，前記物体の接触時の圧力が基準圧力以上の場合に前記物体の接触位置を検出する第2の検出部とを有する入力装置で実行されるプログラムであって，
前記物体の接触位置の検出タイミングで，前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出したか判定し，
前記第2の検出部が接触位置を検出せず前記第1の検出部が接触を検出した場合，前記第2の検出部が前記検出タイミングから所定の時間内で検出した第1の接触位置と第2の接触位置とに基づき，前記検出タイミングでの接触位置を検出する
処理をコンピューターに実行させるプログラム。
【符号の説明】
【０１４２】
100…入力装置，101…表示面，102…外部筐体，111…第1の検出部，112…第2の検出部，113…透明パネル，114…表示装置，115…第3の検出部，116…処理部，121，201…CPU，122…静電側コントローラ，123…静電容量方式タッチパネル，124…抵抗膜側コントローラ，125…抵抗膜方式タッチパネル，126…メモリ，127，127A…記憶装置，128，128A…接続インターフェイス，131…静電容量側ドライバ，132…抵抗膜側ドライバ，133…接触位置検出部，200…情報処理装置，301…記録媒体。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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