(57)【要約】【課題】フィルム強度や物理的・電気化学的刺激に対する安定性、異方導電性を向上させる。【解決手段】異方性導電フィルム１は、ブロックコポリマー、スターブロックコポリマー及びグラフトコポリマーから選択されるコポリマーからなり、該コポリマーがフィルムを貫通する方向にミクロ相分離した構造を有する。異方性導電フィルム１では、該ミクロ相分離構造における一の相のみが金属を含有することにより導電性を有する導通路３となっており、かつ、他の相が絶縁相２である。【選択図】図１
2014238921.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ブロックコポリマー、スターブロックコポリマー及びグラフトコポリマーから選択されるコポリマーからなり、該コポリマーがフィルムを貫通する方向にミクロ相分離した構造を有し、該ミクロ相分離構造における一の相のみが金属を含有することにより導電性を有する導通路となっており、かつ、他の相が絶縁相であることを特徴とする異方性導電フィルム。
【請求項２】
前記一の相が10重量％以上の金属を含有しかつ104Ω・cm以下の体積抵抗を有し、
前記他の相が1012Ω・cm以上の体積抵抗を有することを特徴とする請求項１に記載の異方性導電フィルム。
【請求項３】
前記ミクロ相分離構造がシリンダー状又はラメラ状に配向してミクロ相分離した構造であり、
前記一の相が前記他の相により互いに絶縁されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の異方性導電フィルム。
【請求項４】
フィルム厚さが1μm〜100μmであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の異方性導電フィルム。
【請求項５】
ブロックコポリマー、スターブロックコポリマー及びグラフトコポリマーから選択されるコポリマーを製膜してフィルムを貫通する方向に相分離させ、ミクロ相分離構造を有する絶縁性の基材フィルムを形成する工程、
金属イオン溶液を用いて該基材フィルムのミクロ相分離構造における一の相のみに金属イオンを含浸させる工程、及び
該金属イオンを還元して該一の相のみに金属を析出させ導電性を有する導通路を形成する工程を含むことを特徴とする異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項６】
前記一の相が前記金属イオンに対して親和性の高いポリマーシークエンスを含み、かつ、前記一の相以外の他の相が前記金属イオンに対して親和性の低いポリマーシークエンスを含むことを特徴とする請求項５に記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項７】
前記導通路を形成する工程では、前記金属イオンの還元を加熱還元により行うことを特徴とする請求項５又は６に記載の異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項８】
ブロックコポリマー、スターブロックコポリマー及びグラフトコポリマーから選択されるコポリマーを製膜して相分離させ、ミクロ相分離構造を有する絶縁性の基材を形成する工程、
金属イオン溶液を用いて該基材のミクロ相分離構造における一の相のみに金属イオンを含浸させる工程、及び
該金属イオンを還元して該一の相のみに金属を析出させて金属含有相を形成する工程を含むことを特徴とする樹脂・金属複合体の製造方法。
【請求項９】
前記ミクロ相分離構造を有する絶縁性の基材における前記一の相が前記金属イオンに対して親和性の高いポリマーシークエンスを含み、かつ、前記一の相以外の他の相が前記金属イオンに対して親和性の低いポリマーシークエンスを含むことを特徴とする請求項８に記載の樹脂・金属複合体の製造方法。
【請求項１０】
前記金属含有相を形成する工程では、前記金属イオンの還元を加熱還元により行うことを特徴とする請求項８又は９に記載の樹脂・金属複合体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、異方性導電フィルム及びその製造方法並びに樹脂・金属複合体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
異方性導電フィルムは、電子素子と回路基板の間、又は回路基板同士の間に挿入し、加熱・圧着することにより、電子素子と回路基板、又は回路基板同士の相対する電極間に電気的な接続が確保でき、一方横に隣接する電極間の絶縁は保持されるものであって、半導体素子や電子部品などの電子素子の実装用接続部材や、機能検査用コネクタなどとして広く使用されている。
このような異方性導電フィルムとしては、通常、絶縁性の樹脂フィルム中に金属粒子などの導電性粒子を均一に分散させたものが使用されており、具体的には当該異方性導電フィルムを被接続体間に載置し、加圧して相対する電極間に存在する導電性粒子同士を接触させて導通路を形成し、電気的接続を行っている。
近年では、半導体素子などの電子素子や液晶ディスプレイパネルの制御回路などの接続部材として、製品の軽薄短小化に伴い、より高い精細度で電気的接続を確保できる異方性導電フィルムへの要求が高まっている。
【０００３】
このような異方性導電フィルムを作製する方法として、ブロックコポリマーのミクロ相分離によるシリンダー構造を導通路作製の鋳型として用いることにより、導通路の設置密度を飛躍的に向上させる手法が知られている。
【０００４】
特許文献１には親水性ポリマー成分と疎水性ポリマー成分が共有結合で連結されたブロックコポリマーの絶縁性フィルムを相分離させて、一方のポリマーシークエンスがフィルム表面に対して略垂直方向にシリンダー状に多数配向して林立したミクロ相分離構造とし、該林立部を溶剤等で除去して貫通化させ、得られた空孔にメッキ等により金属を充填して導通路とすることで、導通路が絶縁性基材中に高精細に配列された異方性導電フィルムを製造する手法が開示されている（段落００５４−００６３、図２、図３、段落００４３−００４６、００６８−００６９など参照）。
【０００５】
一方、特許文献２には、互いに非相溶な２種以上のポリマー鎖が各々の末端で結合したブロックコポリマーのミクロ相分離構造において、一方のポリマー相にのみ金属超微粒子が含有されている金属・有機ポリマー複合体が開示されており、触媒金属の固定、特に触媒金属をポリマー内部に担持させた材料として有用であることが記載されている（段落０００７−０００８など参照）。
この金属・有機ポリマー複合体は、例えば金属超微粒子の支持体となるべきポリマーと相溶性のあるポリマーで直径数ｎｍの金属超微粒子表面を保護被覆し、これに支持体となるべきポリマー鎖を含むブロックコポリマーを混合して無秩序混合状態の溶液または溶融体を生成させ、次いで相分離処理を行って球、シリンダー、ラメラ又は共連続構造のブロックコポリマーのミクロ相分離構造を形成することで、該ミクロ相分離構造の一方の相のみに選択的に金属超微粒子を取込ませることにより作製される（請求項４、段落００１１、００３１−００３３など参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００９−１４０８６６号公報
【特許文献２】特開平１０−３３０４９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１の手法においては、ブロックコポリマーのミクロ相分離によるシリンダー構造を導通路作製の鋳型とすることで、例えば導通路の設置密度が200万個／mm2以上の高精細な異方性導電フィルムの形成を行うことができるものの、シリンダー部の除去・貫通化処理が必要であるため（段落００４６、図２、段落００５６など参照）、工程が煩雑であり、また導通路の設置密度が高くなるほど貫通化処理の際にミクロ相分離構造が崩れ易く、フィルムの強度も弱くなるので、実際には導通路の設置密度をそれほど高くすることができない。またシリンダー構造以外のミクロ相分離構造、例えばラメラ構造の場合は、貫通化処理後にフィルムが変形したりするために適用できない。更に、導通路と絶縁性基材間に化学的な結合がないため屈曲や延伸などの物理的刺激、湿気や電極間の通電などの電気化学的刺激に対し異方性導電膜として不安定であるという問題があった。
【０００８】
また、特許文献２に記載の金属・有機ポリマー複合体は、触媒金属の固定方法としては優れたものであるが、金属超微粒子表面がポリマーで被覆されているため（段落００１６、００３１−００３２など参照）、金属超微粒子間の接触が妨げられ、金属超微粒子を含有するポリマー相においても導電性は発現しない。また、段落００１６には、前記ポリマーで被覆された金属超微粒子について「ブロックコポリマーが相分離構造を形成し始める濃度以下で、金属超微粒子が凝集することがない」との条件を満たしていれば良い、と記載されており、特許文献２に記載された技術は導通路を形成することを意図したものではない。
【０００９】
本発明は、上記従来の手法の問題点を解決し、ブロックコポリマーのミクロ相分離構造を利用して、フィルム強度が高く安定した特性を有し、導電性の優れた導通路を高い設置密度で有し、より高い精細度で電気的接続を確保できる異方性導電フィルム及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究した結果、フィルムの膜厚方向に林立したミクロ相分離構造を有する絶縁性ポリマーフィルムの、特定の相中にのみ金属イオンを浸透させ、これを還元することにより、簡単に、導電性の優れた導通路を高密度に形成することができることを見出し、本発明を完成させた。
【００１１】
即ち本発明の一態様によれば、
ブロックコポリマー、スターブロックコポリマー及びグラフトコポリマーから選択されるコポリマーからなり、該コポリマーがフィルムを貫通する方向にミクロ相分離した構造を有し、該ミクロ相分離構造における一の相のみが金属を含有することにより導電性を有する導通路となっており、かつ、他の相が絶縁相であることを特徴とする異方性導電フィルムが提供される。
【００１２】
本発明の他の態様によれば、
ブロックコポリマー、スターブロックコポリマー及びグラフトコポリマーから選択されるコポリマーを製膜してフィルムを貫通する方向に相分離させ、ミクロ相分離構造を有する絶縁性の基材フィルムを形成する工程、
金属イオン溶液を用いて該基材フィルムのミクロ相分離構造における一の相のみに金属イオンを含浸させる工程、及び
該金属イオンを還元して該一の相のみに金属を析出させ導電性を有する導通路を形成する工程を含むことを特徴とする異方性導電フィルムの製造方法が提供される。
【００１３】
さらに本発明の他の態様によれば、
ブロックコポリマー、スターブロックコポリマー及びグラフトコポリマーから選択されるコポリマーを製膜して相分離させ、ミクロ相分離構造を有する絶縁性の基材を形成する工程、
金属イオン溶液を用いて該基材のミクロ相分離構造における一の相のみに金属イオンを含浸させる工程、及び
該金属イオンを還元して該一の相のみに金属を析出させて金属含有相を形成する工程を含むことを特徴とする樹脂・金属複合体の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の異方性導電フィルムによれば、強度が高く、また導通路と絶縁相間が化学的に結合しているため、屈曲や延伸などの物理的刺激、湿気や電極間の通電などの電気化学的刺激に対しても、高い安定性を確保することができる。
また本発明の異方性導電フィルムの製造方法によれば、ミクロ相分離したポリマーから成る絶縁性フィルム中で金属イオンを直接還元することにより、特許文献１の技術のような貫通化処理の必要がなく、導電性の良好な導通路を高密度に形成することができる。このため高い精細度で異方性の電気的接続を確保できる。また導通路を高密度に形成しうるので、電子素子等の電極部分に接合される導通路数が多く、圧力が分散されるため、従来の金属粒子の加圧接触を利用した異方性導電フィルムに比べ、電極へのダメージが軽減される。また、一つの電極に接合される導通路数を多くすることができるため、導通路の一部に欠陥が存在しても、異方導電性への影響を小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は、本発明の異方性導電フィルムの好適な実施形態の一例を示す概略図である。
【図２】図２は、本発明で用いるブロックコポリマー、スターブロックコポリマー及びグラフトコポリマーの模式図である。
【図３】図３は、実施例１で得られた異方性導電フィルムの両方向の電気特性を測定する装置の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下に、本発明の異方性導電フィルム及びその製造方法を詳細に説明する。
【００１７】
［異方性導電フィルム］
本発明の異方性導電フィルムは、フィルム面を貫通する方向、好ましくはフィルム面に対して略垂直方向に配向したミクロ相分離構造を有し、好ましくは分離した相がシリンダー状又はラメラ構造状等に林立した構造であって、該ミクロ相分離構造における一方の相のみが金属を含有する導電相となっており、該導電相が絶縁相により互いに絶縁された導通路となっている樹脂・金属複合体フィルムである。
良好な異方導電性を発揮するため、該導電相は金属の含有量が10重量％以上で104Ω・cm以下の体積抵抗を有し、かつ、該絶縁相は1012Ω・cm以上の体積抵抗を有することが好ましい。
【００１８】
本発明の異方性導電フィルムの一例について、図１を用いて説明する。
図１は、本発明の異方性導電フィルムの好ましい実施態様の一例を示す簡略図であり、図１（ａ）は平面図、図１（ｂ）は（ａ）の断面図である。
異方性導電フィルム１は、絶縁相２及び金属を含有する複数の導通路３を具備するものである。この導通路３は、絶縁相２により互いに絶縁された状態で異方性導電フィルム１を貫通して存在する。
異方性導電フィルム１は、好ましくは基材フィルムとなる絶縁性のポリマーフィルムをミクロ相分離させ、さらに相分離構造における一の相のみに金属を導入して導通路３とすることにより形成される。
【００１９】
次に、基材フィルム及び導通路について、材料、形成方法などについて説明する。
なお、以下の説明においては、金属を導入する前の基材フィルムを「絶縁性基材フィルム」という。
【００２０】
［絶縁性基材フィルム及びその形成］
絶縁性基材フィルムの導通路３になる部分以外の部分は、金属導入後は、異方導電性発現のため、導通路３間の電気伝導を阻害する役割を担う。従って絶縁性基材フィルムの材料としては、電気抵抗率が１×105Ω・cm以上の材料であるのが好ましく、１×1010Ω・cm以上の材料であるのがより好ましく、１×1012Ω・cm以上の材料であるのが特に好ましい。
絶縁性基材フィルムは、ミクロ相分離構造を形成しうるブロックコポリマー、スターブロックコポリマー、グラフトコポリマーのいずれかを用いて形成されたものであり、特にミクロ相分離の制御が容易なスターブロックコポリマーを用いて形成されることが好ましい。
【００２１】
次に、上記絶縁性基材フィルムを形成するために好適な素材である各コポリマーについて、図２を用いて説明する。
【００２２】
本発明において、上記「ブロックコポリマー」とは、図２（ａ）に示すように互いに非相溶な２種以上のポリマーシークエンス４とポリマーシークエンス５とが、鎖の末端で共有結合されたブロックコポリマーをいう。
なお、本発明において「ポリマーシークエンス」(以下、単に「シークエンス」ともいう。)とは、１種又は数種の構成単位を一定の順序で含む分子鎖の全体を意味する。例えば、モノマー種としてメタクリル酸とメタクリル酸メチルとを用いて製造されたジブロックコポリマーにおいては、ポリマー鎖中でメタクリル酸の連続する部分の全体、ポリマー鎖中でメタクリル酸メチルの連続する部分の全体をそれぞれ「シークエンス」という。
【００２３】
本発明において、上記「スターブロックコポリマー」とは、図２（ｂ）に示すように複数のポリマー鎖が１点で共有結合しているスターポリマーであり、星形の中心部と外縁部が互いに非相溶なシークエンス６とシークエンス７とから成るコアシェル型スターコポリマーをいう。このようなコポリマーの具体例としては、例えば、下記の化学式（１）で表わされるものが挙げられる。
【００２４】
【化１】
2014238921.tif 000003
【００２５】
（式中、ｍ及びｎは同一であっても異なっていてもよく、それぞれ5〜1,000,000の整数を表す。）
【００２６】
本発明において、上記「グラフトコポリマー」とは、図２（ｃ）に示すように１本のシークエンス８に、それと非相溶な複数のシークエンス９が共有結合しているグラフトコポリマーをいう。
【００２７】
本発明においては、上記コポリマーにおける互いに非相溶なシークエンスは、金属イオンと親和性の高いシークエンス（Ａ）と、金属イオンと親和性の低いシークエンス（Ｂ）であることが好ましい。
ここで、シークエンス（Ａ）は金属が導入されて導電相となる部分であり、シークエンス（Ｂ）は絶縁相となる部分である。
またシークエンス（Ａ）とシークエンス（Ｂ）は相反する化学的及び物理的性質を有していることが望ましい。
例えば、シークエンス（Ａ）は、後述する金属イオン導入工程を効率的に行うため金属イオンとの親和性が高く、また、後述する金属イオンの還元処理の際にも構造が保たれるように、ガラス転移点Tgが高いことが望ましい。
また、シークエンス（Ｂ）は絶縁相となるため金属イオンと低い親和性を有することが望ましく、また異方性導電フィルムのマトリックスとなることから単体で自立膜を形成できるだけの強度を有することが望ましく、さらに異方性導電フィルムとして用いる際に電極や回路基板との密着性を担う部分となることから、室温以上で加工温度以下のTgを有し、粘着性も高いことが望ましい。
加えて、ミクロ相分離構造を形作るために、シークエンス（Ａ）とシークエンス（Ｂ）は互いに非相溶である必要があるが、製膜を容易ならしめるため、両シークエンスにとって両溶媒として振る舞う溶媒が存在することが望ましい。
【００２８】
ここで、上記シークエンス（Ａ）の例としては、以下のモノマー群の中から選択される、１種のモノマーの重合体や、複数種のモノマーを組み合わせた重合体が挙げられる。
当該モノマーとしては、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、フマル酸、マレイン酸、スチレンスルホン酸、４−ビニル安息香酸、３−ビニル安息香酸、２−ビニル安息香酸、４−スチレンスルホン酸、３−スチレンスルホン酸、２−スチレンスルホン酸、４−ビニルフェニルボロン酸、３−ビニルフェニルボロン酸、２−ビニルフェニルボロン酸、１，１，１，３，３，３−ヘキサフルオロ−２−ビニルフェニル−プロパン−２−オール、ビニルフェニルサイクリックトリオールボロン酸エステル、ヒドロキシエチルアクリレート、ヒドロキシエチルメタクリレート、モルフォニルメタクリレート、モルフォニルアクリレート、２−メタクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、２−アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、エチレンオキサイド、オキシラン、テトラヒドロフラン、プロピレンオキサイド、ビニルアミン、Ｎ-[(E)-４-ニトロベンジリデン]ビニルアミン、(E)-Ｎ-メチル-２-(メチルスルホニル)ビニルアミン、Ｎ-ビニルピロリドン、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−メチルメタクリルアミド、４−ビニルピリジン、３−ビニルピリジン、２−ビニルピリジン、４−ビニルアニリン、３−ビニルアニリン、２−ビニルアニリン、イソプロペニルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルビニルベンジルアミン、２−フェノキシエチルメタクリレート、２−フェノキシエチルアクリレート、２−Ｎ−モルフォロノエチルメタクリレート、２−Ｎ−モルフォロノエチルアクリレート、４−メタクリロイロキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、４−アクリロイロキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、ニトロスチレン、アミノエチルメタクリレート、アミノエチルアクリレート、カルボキシエチルメタクリレート、カルボキシエチルアクリレート、ヒドロキシプロピルメタクリレート、ヒドロキシプロピルアクリレート、エチレングリコールメタクリレート、エチレングリコールアクリレート、プロピレングリコールメタクリレート、プロピレングリコールアクリレート、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ジメチルアミノエチルアクリレート、２，２，６，６−テトラメチル−４−ピペリジルメタクリレート、２，２，６，６−テトラメチルー４−ピペリジルアクリレート、Ｎ−アクリロイロキシスクシンアミド、Ｎ−メタクリロイロキシスクシンアミド、Ｎ−ビニルホルムアミド、Ｎ−ビニルアセトアミド、Ｎ−ビニルプロピルアミド、メタクリルアミド、アクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルメタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ−ブチルメタクリルアミド、Ｎ−ブチルアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチルメタクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチルアクリルアミド、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）］メタクリルアミド、Ｎ−［トリス（ヒドロキシメチル）］アクリルアミド、Ｎ−フェニルメタクリルアミド、Ｎ−フェニルアクリルアミド、フェロセニルメチルメタクリレート、フェロセニルメチルアクリレート、アミノエチルメタクリレート、アミノエチルアクリレート、［２−（メタクリロイロキシ）エチル］トリメチルアンモニウムメチルスルフェート、［２−（アクリロイロキシ）エチル］トリメチルアンモニウムメチルスルフェート、グリセロールメタクリレート、グリセロールアクリレート、テトラヒドロフルフリルメタクリレート、テトラヒドロフルフリルアクリレート、モノメタクリル酸カテコール、モノアクリル酸カテコール、モノメタクリル酸レゾルシノール、モノアクリル酸レゾルシノール、モノメタクリル酸ヒドロキノン、モノアクリル酸ヒドロキノン、モノメタクリル酸ピロガロール、モノアクリル酸ピロガロール、ジメタクリル酸ピロガロール、ジアクリル酸ピロガロール、クラウンエーテル構造を有する（メタ）アクリレート、などが挙げられる。
これらの中でも、金属イオンとイオン結合を形成しやすい、アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、無水マレイン酸、フマル酸、スチレンスルホン酸、４-ビニルピリジン、３−ビニルピリジン、２-ビニルピリジンなどのイオン性モノマーがより好ましく、金属イオン1単位に対し相対的に少ないモノマー単位でイオン結合することのできるメタクリル酸などのカルボン酸系モノマーが特に好ましい。
【００２９】
一方、上記シークエンス（Ｂ）の例としては、以下のモノマー群の中から選択される、１種のモノマーの重合体や、複数種のモノマーを組み合わせた重合体が挙げられる。
当該モノマーとしては、メタクリル酸メチル、アクリル酸メチル、メタクリル酸エチル、アクリル酸エチル、メタクリル酸ｎ−プロピル、アクリル酸ｎ−プロピル、メタクリル酸イソプロピル、アクリル酸イソプロピル、メタクリル酸ｎ−ブチル、アクリル酸ｎ−ブチル、メタクリル酸イソブチル、アクリル酸イソブチル、メタクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、アクリル酸ｔｅｒｔ−ブチル、メタクリル酸セシル、アクリル酸セシル、メタクリル酸ステアリル、アクリル酸ステアリル、メタクリル酸トリデシル、アクリル酸トリデシル、メタクリル酸ドデシル、アクリル酸ドデシル、メタクリル酸グリシジル、アクリル酸グリシジル、メタクリル酸ベンジル、アクリル酸ベンジル、メタクリル酸−２−エチルヘキシル、アクリル酸―２−エチルヘキシル、メタクリル酸シクロヘキシル、アクリル酸シクロヘキシル、メタクリル酸フェニル、アクリル酸フェニル、ジメタクリル酸カテコール、ジアクリル酸カテコール、メタクリル酸（１−ピレン）メチル、アクリル酸（１−ピレン）メチル、メタクリル酸ナフチル、アクリル酸ナフチル、メタクリル酸イソデシル、アクリル酸イソデシル、メタクリル酸ヘキサデシル、アクリル酸ヘキサデシル、メタクリル酸オクチル、アクリル酸オクチル、メタクリロニトリル、アクリロニトリル、スチレン、アセトキシスチレン、ブトキシスチレン、α−メチルスチレン、α―エチルスチレン、クロロスチレン、ブロモスチレン、ヨードスチレン、フルオロスチレン、シアノスチレン、ジメチルスチレン、トリメチルスチレン、テトラメチルスチレン、メトキシスチレン、エトキシスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、エチレン、プロピレン、ブタジエン、ブテン、塩化ビニル、フッ化ビニル、臭化ビニル、クロロプレン、フルオロプレン、ブロモプレン、酢酸ビニル、プロピオン酸ビニル、ブタン酸ビニル、ペンタン酸ビニル、ヘキサン酸ビニル、シクロヘキサン酸ビニル、シクロペンタン酸ビニル、安息香酸ビニル、メタンスルホン酸ビニル、ベンゼンスルホン酸ビニル、ジメチルシロキサン、メチルフェニルシロキサン、ジフェニルシロキサン、カプロラクトンなどが挙げられる。
これらの中でも、誘電率の低い（メタ）アクリル酸エステルが絶縁相として機能する上で望ましく、さらに異方性導電フィルムを形成した際に電極や回路基板との接合を容易ならしめるために、室温以上で加工温度以下のTgと、密着性を有することが望ましく、具体的には、メタクリル酸メチル、メタクリル酸ｎ−ブチルが好適に挙げられる。
【００３０】
さらに、本発明においては、上記コポリマー中の各シークエンスの分子量は、シークエンス間の斥力相互作用を増大させ熱力学的にミクロ相分離構造を安定化させるために大きいことが好ましいが、過度に大きな分子量を有するシークエンスを含むコポリマーでは高分子鎖の運動性が低下し、ミクロ相分離構造の発現が速度論的に規制されるため、一定の範囲であることが好ましい。
具体的には数平均分子量Mnが1,000〜1,000,000であるのが好ましく、10,000〜100,000であるのがより好ましい。また、ミクロ相分離構造中の各相間距離を一定にすることで、ミクロ相分離構造が乱れることを防げるため、分子量分布Mw/Mn（Mwは重量平均分子量）は狭いことが好ましく、具体的には1.3以下であることが好ましく、1.2以下であることがより好ましく、1.1以下であることがさらに好ましい。
【００３１】
上記コポリマーの分子量は、各シークエンスの分子量と同様に一定の範囲であることが好ましく、具体的には数平均分子量Mnが5,000〜10,000,000であるのが好ましく、20,000〜500,000であるのがより好ましい。また、分子量分布Mw/Mnは各シークエンスの分子量分布と同様に狭いことが望ましく、具体的には1.4以下であることが好ましく、1.3以下であることがより好ましい。
【００３２】
上記コポリマー中のシークエンス（Ａ）の体積分率は、シリンダー又はラメラ状のミクロ相分離構造の発現を容易ならしめるため、10〜70体積％であることが好ましく、15〜50体積％であることがより好ましく、20〜30体積％であることがさらに好ましい。
【００３３】
コポリマー中の各シークエンスの組み合わせとしては、ミクロ相分離構造の発現を容易ならしめるため、フローリー・ハギンズ理論におけるポリマー鎖間の相互作用パラメータχの値が高い組み合わせが好ましく、具体的には0.10以上が好ましく、0.20以上がより好ましく、0.30以上が特に好ましい。
また後述する金属イオンの導入を高選択的に行うため、金属イオンと親和性の高いシークエンス（Ａ）は親水性で、導通路間の絶縁相となるシークエンス（Ｂ）は疎水性であることが好ましい。具体的には、ポリ（メタクリル酸）とポリ（メタクリル酸ｎ−ブチル）の組み合わせが好適に挙げられる。
【００３４】
このようなコポリマーを各シークエンスが可溶な溶媒に溶解させ、膜を形成させると、シークエンス間の斥力相互作用に基づいて、ミクロ相分離構造が形成される。
本発明の異方性導電フィルムの製造方法において用いる、膜厚方向に林立した相分離構造を有する絶縁性基材フィルムは、上記コポリマー溶液を、ポリテトラフルオロエチレン、ポリイミド、ポリエチレンテレフタラート等の樹脂フィルム、アルミニウム等の金属、酸化アルミニウム、ガラスなど種々の基板上に塗布し乾燥させ、その結果得られる膜に対して、加熱処理を施すことにより得ることができる。
【００３５】
上記コポリマー溶液の溶媒としては、具体的には、例えばテトラヒドロフラン、ジオキサン、ジクロロメタン、クロロホルムなどが挙げられ、特に、ポリマーの溶解能と揮発性の高さよりテトラヒドロフランが好ましい。
また、上記溶媒に溶解させるコポリマーの濃度は、低濃度ではミクロ相分離構造が発現するのに十分な膜厚の確保が難しく、高濃度では溶媒の蒸発が不均一になることから、一定の範囲であることが好ましく、具体的には0.05〜5重量％であることが好ましい。
【００３６】
上記加熱処理は、上記の基板上に塗布して得られたコポリマー膜を、各シークエンスの融点のうち最も高い温度以上の温度で加熱することにより行う。
ここで、各シークエンスの融点は、示差走査熱量測定で測定することができ、上記コポリマーの融点は、通常100〜200℃である。
【００３７】
このようにして形成された上記コポリマーのミクロ相分離構造は、一般にシリンダー、ラメラ、ジャイロイド又はスフィア構造をとる。
本発明の異方性導電フィルムを形成する場合には、分離したシークエンス（Ａ）の相がフィルムの膜厚方向に配向していること、即ち絶縁性基材フィルム面に対してほぼ垂直に配向していることが必要であるため、上記コポリマーのミクロ相分離構造は、シリンダー構造又はラメラ構造であることが好ましい。
特に分離したシークエンス（Ａ）の相が直径5〜500nmのシリンダー状に多数林立し、その間隔（中心間距離）が10〜1000nmであるような構造であることが好ましい。導通を担うシークエンス（Ａ）の相の径が小さすぎると、膜全体の抵抗が増大する一方、大きすぎると、所望の電極以外の電極間に導通が発生し、異方性導電膜として適さなくなる。
また、シークエンス（Ａ）のシリンダー間の絶縁性を確保するためには、シリンダー径の２倍程度の間隔をとることが好ましい。
ミクロ相分離構造の構造因子となる格子定数は、コポリマーの形態、各シークエンスの体積分率、及び、コポリマー中の各シークエンス間の相互作用パラメータχに依存するので、これらを制御することにより、所望の形状のミクロ相分離構造を得ることができる。
【００３８】
絶縁性基材フィルムの厚さは、好ましくは1μm〜100μmである。
厚さが1μmより薄いと、単体で自立膜を形成することが困難である。厚さが100μmより厚いと、導通路の体積抵抗が小さくとも、異方性導電フィルムとしての電気抵抗が大きくなる傾向がある。一方、厚さが100μm以下であれば、後述する金属イオン含浸工程において内部まで均一に金属イオンを導入することができ、高導電性で安定した導通路を形成することができる。
【００３９】
［導通路の形成］
（１）含浸処理
前記ミクロ相分離した膜を金属イオン溶液に含浸させることで、前記絶縁性基材フィルム中の金属イオンとの親和性の高いシークエンス（Ａ）からなる分離相に対し選択的に金属イオンを含浸させ、導入することができる。
含浸処理は、例えば、絶縁性基材フィルムを金属イオン溶液に浸漬する、絶縁性基材フィルムの表面に金属イオン溶液をキャスティングなどの方法で塗布する、金属イオン溶液を絶縁性基材フィルム上で流す、といった方法で行うことができる。
【００４０】
金属イオンとして用いる金属種としては特に限定はないが、例えば、金、銀、白金、銅、パラジウム、ルテニウム、ロジウム、ニッケル、コバルト、鉄、アルミニウム等が挙げられる。これらのなかでも還元後の金属の電気抵抗が小さい金、銀、銅が好ましく、とりわけイオンとしての扱いの容易さと電気抵抗の低さから銀が好ましい。
金属イオンとしては、単体金属のイオンだけでなく、含浸処理に引き続く還元処理により金属を析出するものであれば、金属含有錯イオンなども使用することができる。また２種以上の金属イオンを組み合わせて使用したり、２種以上の金属を含む錯イオンを使用したりしてもよい。
金属イオン溶液に使用される金属イオンを含む化合物としても限定はないが、金属イオンの還元が容易であるとともに多種の溶媒に可溶な化合物が好ましく、具体的には硝酸銀などが挙げられる。
上記金属イオン溶液に用いる溶剤としては、例えば、水、メタノール、エタノール、プロパノール、ブタノール、エチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ギ酸、酢酸、プロピオン酸などが挙げられる。これらのなかでも、エチレングリコールは、金属イオンの溶解能、ポリマーへの浸透能の高さ、及び後の金属イオン還元工程において還元剤として機能し得ることから、エチレングリコールを用いるのが好ましい。
【００４１】
金属イオン溶液の濃度は、低すぎると金属イオンの基材フィルムへの導入が効率的に行えず、高すぎると基材フィルムの表面にのみ金属イオンが偏析することにより基材フィルムの親水相中への均一な金属イオンの導入が阻害されることから、一定の範囲であることが好ましく、具体的には5〜20重量％の範囲が好ましい。
【００４２】
（２）還元処理
基材フィルムの特定部分に導入された金属イオンは、次いで還元処理されることにより、ミクロ相分離した構造のシークエンス（Ａ）の部分のみに金属を析出する。還元処理によって析出する金属は、通常極めて微細な粒子状であるが、ワイヤ状等に成長したものを得ることもできる。
還元方法としては、加熱還元、湿式化学還元、ガス還元、電子線照射還元などがある。これらのなかでも、金属イオンと共に含浸された溶剤を除去する必要性があることや、析出した金属の微粒子を成長又は焼結させて導電性を発現しやすくするという観点から、加熱還元が好ましい。
加熱温度は好ましくは100℃以上である。
また加熱還元に際してエチレングリコールなどの還元剤が存在すると、より速やかに金属の析出が生じるので、金属イオン溶液に還元剤を共存させてもよい。
【００４３】
（３）加熱処理
導通路の導電性をより向上させる目的で、更に加熱処理を行ってもよい。
加熱処理は、高温で行うことにより未還元の金属イオンの還元が促進され、また析出した金属の接触が向上するが、シークエンス（Ｂ）のTg以上の温度で行うとミクロ相分離構造が崩れるため、低温で行う必要があり、具体的にはシークエンス（Ｂ）のTgより20℃以上低い温度で行うことが好ましい。
【００４４】
以上のような含浸処理〜還元処理（又は含浸処理〜還元処理〜加熱処理）を行うことにより、ミクロ相分離構造の例えばシリンダー状の分離相を構成するポリマーシークエンス（Ａ）中に、球状、顆粒状、ワイヤ状、鎖状などの金属粒子、又は金属粒子同士が接触及び／又は焼結した金属粒子の連続体を得ることができ、これによって導通路３が形成される。特に、鎖状の金属粒子の連続体やナノワイヤ状の金属粒子が基材フィルムを貫通するように析出することにより、安定した導通路３が形成される。
析出する金属の量は、少ないと導電性が得られず、多すぎると相分離構造が崩れ易くなることから、一定の範囲であることが好ましく、具体的にはポリマーシークエンス（Ａ）に対して10〜50重量％であり、好ましくは、15〜40重量％の範囲である。
【００４５】
［異方性導電フィルムの製造方法］
本発明の異方性導電フィルムを製造する場合は、上記で説明したとおり、絶縁性基材フィルムを形成し、その絶縁性基材フィルムに対し導通路を形成すればよい。
本発明の異方性導電フィルムは、導通路を具備する基材フィルム単独で自立膜として使用される場合もあるが、従来の異方性導電フィルムと同様に、ポリエチレンテレフタラートフィルムやポリエチレンフィルムなどの支持材上に担持されたり、片面又は両面に剥離紙が貼付されシート状とされたりしてもよい。
【００４６】
［樹脂・金属複合体の製造方法］
前述の絶縁性基材フィルムの形成及び導通路の形成の方法は、異方性導電フィルムのみならず、ミクロ相分離構造を有する絶縁性のポリマー基材の形成手法、及び絶縁性のポリマー基材の特定の一の相のみに金属を含有させる手法として利用することができる。
即ち、前述の絶縁性基材フィルムの形成及び導通路の形成の方法をそのまま利用して、ブロックコポリマー、スターブロックコポリマー及びグラフトコポリマーから選択されるコポリマーを製膜して相分離させ、ミクロ相分離構造を有する絶縁性の基材を形成し、ミクロ相分離構造における一の相のみに金属イオン溶液を用いて金属イオンを含浸させ、次いで該金属イオンを還元して該一の相のみに金属を析出させ、金属を含有する相とすることにより、樹脂と金属とがマイクロメートル〜ナノメートルスケールで複合化した樹脂・金属複合体を製造することができる。
このような樹脂・金属複合体は、絶縁性、導電性、可塑性等の物性を併せ持つ材料として、種々の電気材料、磁性材料、触媒材料、光学素子用材料、光伝達材料、熱伝達材料等として有用である。
【実施例】
【００４７】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
各実施例において使用されるコポリマーは次のようにして合成した。
【００４８】
《コポリマーの合成》
［コポリマー(1)］
銅錯体を触媒とする原子移動ラジカル重合（ATRP）により、一官能性開始剤である２−ブロモプロピオン酸メチルを開始剤として、メタクリル酸メチル（MMA）を重合し、高分子鎖1本あたり１つのＢｒ基を末端に有するPMMAマクロイニシエーターＵを合成した。上記マクロイニシエーターＵを用い、メタクリル酸tert-ブチル（tBMA）を原子移動ラジカル重合により重合し、P(MMA-block-tBMA)ジブロックコポリマーを合成した。このときの反応条件は、引き続く加水分解によりtBMAに由来するシークエンスがPMAAとなる際に、コポリマー全体に対するPMAAの分率が25体積％となるように設定した。得られたジブロックコポリマーの数平均分子量Mnは22,800、Mw/Mn=1.21であった。
上記ジブロックコポリマーをジオキサン・塩酸混合溶液に溶解し、80℃で24時間加熱し、ジブロックコポリマー中のtBMAに由来するシークエンスを加水分解することでポリメタクリル酸（PMAA）とし、金属イオンと親和性の高いシークエンス（Ａ）としてPMAA、金属イオンと親和性の低いシークエンス（Ｂ）としてPMMAを有する P(MMA-block-MAA)ジブロックコポリマー(コポリマー(1))を得た。得られたコポリマー(1) は下記化学式（２）で示されるものであり、数平均分子量Mnは21,400、Mw/Mnは1.27であった。
【００４９】
【化２】
2014238921.tif 000004
【００５０】
［コポリマー (2)］
MMAの代わりにメタクリル酸n-ブチル（nBMA）を用いる以外は前記マクロイニシエーターＵと同様にして、高分子鎖1本あたり１つのBr基を末端に有するPnBMAマクロイニシエーターＶを合成した。
上記マクロイニシエーターＶを用いる以外はコポリマー(1)と同様にしてtBMAを重合し、さらに加水分解を行って、シークエンス（Ａ）としてPMAA、シークエンス（Ｂ）としてPnBMAを有する P（nBMA-block-MAA）ジブロックコポリマー(コポリマー(2) )を得た。コポリマー(2)のMn は254,000、Mw/Mnは1.24であった。
【００５１】
［コポリマー(3)］
前記マクロイニシエーターＵを用い、４−ビニルピリジン（4VP）を原子移動ラジカル重合により重合し、シークエンス（Ａ）としてP4VP、シークエンス（Ｂ）としてPMMAを有するP（MMA-block-4VP）ジブロックコポリマー(コポリマー(3)、Mn＝264,000、Mw／Mn＝1.31）を得た。このときの反応条件は、コポリマー全体に対するP4VPの分率が25体積％となるように設定した。
【００５２】
［コポリマー(4)］
前記マクロイニシエーターＶを用い、４−ビニルピリジン（4VP）を原子移動ラジカル重合により重合し、シークエンス（Ａ）としてP4VP、シークエンス（Ｂ）としてPnBMAを有するP（nBMA-block-4VP）ジブロックコポリマー(コポリマー(4)、Mn＝253,000、Mw/Mn＝1.26）)を得た。このときの反応条件は、コポリマー全体に対するP4VPの分率が25体積％となるように設定した。
【００５３】
［コポリマー(5)］
４官能性開始剤であるペンタエリトリトールテトラキス（２-ブロモイソブチレート）を用い、MMAを重合し４官能性PMMAマクロイニシエーターＷを合成した。
上記マクロイニシエーターＷを用い、原子移動ラジカル重合によりtBMAを重合し、スターブロックコポリマーを合成した。このときの反応条件は、引き続く加水分解により生成するPMAAのコポリマー全体に対する分率が25体積％となるように設定した。
このスターポリマーをコポリマー(1)の場合と同様に加水分解し、金属イオンと親和性の高いシークエンス（Ａ）としてPMAAを外縁部に、金属イオンと親和性の低いシークエンス（Ｂ）としてPMMAを中心部に有するコア・シェル型のスターブロックコポリマー(コポリマー(5))を得た。得られたコポリマー(5)のMnは78,600、Mw/Mnは1.15であった。
【００５４】
［コポリマー(6)］
MMAの代わりにnBMAを用いる以外はマクロイニシエーターＷと同様にして４官能性PnBMAマクロイニシエーターＸを合成した。
上記マクロイニシエーターＸを用いる以外は、コポリマー(5)と同様にして、シークエンス（Ａ）としてPMAAを外縁部に、シークエンス（Ｂ）としてPnBMAを中心部に有する構造で、化学式（１）で示される一般式を有するコア・シェル型のスターブロックコポリマー(コポリマー(6))を得た。得られたコポリマー(6)の、Mnは92,400、Mw/Mnは1.17であった。
【００５５】
［コポリマー(7)］
tBMAの代わりに4VPを用いること、加水分解を行わないこと、及びP4VPの分率が20体積％となるようにすること以外はコポリマー(5)の場合と同様にして、シークエンス（Ａ）としてP4VPを外縁部に、シークエンス（Ｂ）としてPMMAを中心部に有するコア・シェル型のスターブロックコポリマー(コポリマー(7))を得た。得られたコポリマー(7)のMnは45,200、Mw/Mnは1.13であった。
【００５６】
［コポリマー(8)］
tBMAの代わりに4VPを用いること、加水分解を行わないこと、及びP4VPの分率が20体積％となるようにすること以外はコポリマー(6)の場合と同様にして、シークエンス（Ａ）としてP4VPを外縁部に、シークエンス（Ｂ）としてPnBMAを中心部に有するコア・シェル型のスターブロックコポリマー(コポリマー(8))を得た。得られたコポリマー(8)のMnは47,800、Mw/Mnは1.20であった。
【００５７】
［コポリマー(9)、(10)］
２−ブロモプロピオン酸メチルを開始剤に用いてtBMAを重合し、末端にＢｒ基を有するポリマーを得た。得られたポリマーを用いてジビニルベンゼンを重合し、末端にビニル基を有するPtBMAマクロイニシエーターＹを合成した。
得られたマクロイニシエーターＹをジオキサン・塩酸溶液に溶解し、80℃で24時間加熱し、ポリマー中のエステル結合及びＣ−Ｂｒ結合を加水分解することで末端にビニル基を有するPMAAマクロモノマーを合成した。
得られた、PMAAマクロモノマーと、MMA又はnBMAとを共重合し、金属イオンと親和性の高いシークエンス（Ａ）としてPMAAを側鎖に有し、金属イオンと親和性の低いシークエンス（Ｂ）としてPMMA又はPnBMAをそれぞれ主鎖に有するP(MMA-graft-MAA) グラフトコポリマー(コポリマー(9) 、Mn=125,000、Mw/Mn=1.28)、P(nBMA-graft-MAA)グラフトコポリマー(コポリマー(10)、Mn=135,000、Mw/Mn=1.26)を合成した。なお反応条件は、PMAAのコポリマー全体に対する分率が25体積％となるように設定した。
【００５８】
［コポリマー(11)、(12)］
tBMAの代わりに4VPを用いる以外は前記マクロイニシエーターＹと同様にしてP4VPマクロイニシエーターＺを得た。
このマクロイニシエーターＺを用いることと、加水分解処理を行わないこと以外は、コポリマー(9)、(10)と同様にして、シークエンス（Ａ）としてP4VPを側鎖に、シークエンス（Ｂ）としてPMMA又はPnBMAをそれぞれ主鎖に有するP(MMA-graft-4VP)グラフトコポリマー(コポリマー(11)、Mn=176，000、Mw/Mn=1.31)、P(nBMA-graft- 4VP)グラフトコポリマー(コポリマー（12）、Mn=227,000、Mw/Mn=1.29)を合成した。なお反応条件は、P4VPのコポリマー全体に対する分率が25体積％となるように設定した。
【００５９】
《実施例１》
［ミクロ相分離膜作製工程］
上記コポリマー(1)をテトラヒドロフラン（THF）に2重量％となるように溶解して、コポリマー溶液を調製した。
このジブロックコポリマー溶液をアルミニウム基板に1cm2当たり0.05g滴下した。滴下後、THF蒸気で飽和した内容量5Lのデシケーターに移し、24時間静置してレベリングしキャスト膜を得た。
次いで、得られたキャスト膜をアルミニウム基板から剥がし、160℃で12時間加熱し、膜厚30μｍのミクロ相分離したコポリマー膜（絶縁性基材フィルム）を得た。得られた膜のミクロ相分離構造を原子間力顕微鏡（KEYENCE社、VN-8010）にて測定したところ、そのミクロ相分離構造は、フィルムをフィルム面に対して略垂直方向に貫通する直径約100nmのシリンダー状の分離相が、約180nmの間隔で多数林立した、シリンダー構造であった。シリンダー部分はPMAAシークエンスでその比率は約25体積％であり、他の部分はPMMAシークエンスであった。
【００６０】
［金属イオン溶液含浸工程］
硝酸銀をエチレングリコールに濃度が10重量％となるように溶解して、銀イオン溶液を調製した。
前述のコポリマー膜をこの銀イオン溶液中に浸漬し、24時間静置した後、水及びエタノールで洗浄し、シリンダー状のPMAA相に選択的に銀イオンが導入された、銀イオン含有ジブロックコポリマー膜を得た。導入された銀イオンの濃度は、シークエンス（Ａ）に対し約33重量％であった。
［金属イオン還元工程］
上記銀イオン含有コポリマー膜を160℃で1時間加熱し、PMAA相中の銀イオンを金属銀に還元して異方性導電フィルムを得た。このフィルムの表面及び断面を走査型電子顕微鏡（日本電子株式会社、JSM-7000F）にて観測し、直径約80nmのワイヤ状金属銀が、約180nm間隔で配列していることを確認した。また、この膜中の銀濃度は、シークエンス（Ａ）に対し約32重量％であった。
【００６１】
《実施例２〜１２》
それぞれコポリマー(2)〜(12)を用いたことと、シークエンス（Ａ）中の銀濃度が表1記載の通りとなるようにしたこと以外は実施例1と同様にして、異方性導電フィルムを得た。
【００６２】
《評価》
実施例１〜１２で得られた異方性導電フィルムの異方導電性を次のようにして評価した。
膜厚方向の導電性（導通路であるシークエンス（Ａ）相の電気抵抗）については、図３に示すように、実施例１で得られた異方性導電フィルムを1.0cm×４.0cmの大きさに切断したフィルム１０を、金より構成される同サイズの電極１１に挟み込み、200℃、0.5MPa、1分の条件で加熱圧着させ、電極G1とG2の間の電気抵抗を測定し電気抵抗率を求めた。
また、面方向の絶縁性（絶縁相であるシークエンス（Ｂ）相の抵抗）に関しては、G1とS1の間の電気抵抗を測定し、電気抵抗率を求めた。
結果を表1に示す。
膜厚方向の電気抵抗率が小さく、面方向の電気抵抗率が大きいほど高い異方導電性を有することを示す。
【００６３】
【表１】
2014238921.tif 000005
【００６４】
表１に示すとおり、実施例１〜１２ではいずれも、膜厚方向の電気抵抗率が低く、面方向の電気抵抗率が高く、良好な異方導電性を示した。
特に、コポリマーの種類が共通する実施例１〜４／実施例５〜８／実施例９〜１２を各群で比較すると、実施例２、６、１０が異方導電性に優れ、シークエンス（Ａ）としてPMAAを、シークエンス（Ｂ）としてPnBMAをそれぞれ用いるのが異方導電性の向上に有用であることがわかる。
さらに、シークエンス（Ａ）、（Ｂ）の組合せが共通する実施例１、５、９／実施例２、６、１０／実施例３、７、１１／実施例４、８、１２を各群で比較すると、実施例５、６、７、８が異方導電性に優れ、コポリマーの種類としてスターブロックコポリマーを用いるのが有用であることもわかる。
結果的に、シークエンス（Ａ）としてPMAA、シークエンス（Ｂ）としてPnBMAを用いたスターブロックコポリマーである実施例６において、最も良好な異方導電性が発現した。
【００６５】
《比較例》
実施例１〜１２の比較例として、特許文献２の実施例（段落００３１−００３３参照）に記載のパラジウム・ポリマー複合体を形成し、上記《評価》と同様の方法で、電気抵抗率を測定した。
その結果は下記のとおりであり、異方導電性は発現しなかった。
膜厚方向の電気抵抗率：7.55×1013［Ω・cm］
面方向の電気抵抗率：7.24×1013［Ω・cm］
これは、導電性に寄与するパラジウムの超微粒子表面がポリマーにより被覆されており、超微粒子間の導通が確保できないためと考えられる。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の異方性導電フィルムは、電子素子と回路基板、又は回路基板同士の電気接続に用いることができるほか、半導体素子などの電子素子の機能検査を行う際の検査用コネクタとして用いることができる。
さらに、本発明の樹脂・金属複合体は、光学素子用材料、光伝達材料、熱伝達材料としても応用が期待できる。
【符号の説明】
【００６７】
１  異方性導電フィルム
２  絶縁相
３  導通路
４  ブロックコポリマーを構成するシークエンス
５  ブロックコポリマーを構成するシークエンス
６  コア・シェル型スターブロックコポリマーのシェル部を構成するシークエンス
７  コア・シェル型スターブロックコポリマーのコア部を構成するシークエンス
８  グラフトコポリマーの側鎖を構成するシークエンス
９  グラフトコポリマーの主鎖を構成するシークエンス
１０  （切断後の）異方性導電フィルム
１１  金電極
【図１】
2014238921.tif 000006
【図３】
2014238921.tif 000007
【図２】
2014238921.tif 000008