(57)【要約】【課題】放熱性を向上することができるマイクロ波電力素子用外囲器、マイクロ波電力素子及びそれらの製造方法を提供する。【解決手段】リード付きセラミックフレーム１２と、Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種からなる金属ベース板１３とを備えるマイクロ波電力素子用外囲器２であって、前記リード付きセラミックフレーム１２が、低温焼結性の金属粒子で前記金属ベース板１３に気密接合されていることを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード付きセラミックフレームと、
Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種からなる金属ベース板と
を備えるマイクロ波電力素子用外囲器であって、
前記リード付きセラミックフレームが、低温焼結性の金属粒子で前記金属ベース板に気密接合されていることを特徴とするマイクロ波電力素子用外囲器。
【請求項２】
前記金属粒子が、Ａｇ粒子であることを特徴とする請求項１記載のマイクロ波電力素子用外囲器。
【請求項３】
請求項１又は２記載のマイクロ波電力素子用外囲器に、半導体素子が実装されたことを特徴とするマイクロ波電力素子。
【請求項４】
リード付きセラミックフレームと、
Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種からなる金属ベース板と
を備えるマイクロ波電力素子用外囲器の製造方法であって、
前記金属ベース板に形成された低温焼結性の金属粒子を含むパターン上に、前記リード付きセラミックフレームを配置する工程と、
前記金属粒子を焼結する工程と
を備えることを特徴とするマイクロ波電力素子用外囲器の製造方法。
【請求項５】
前記金属粒子が、Ａｇ粒子であることを特徴とすることを特徴とする請求項４記載のマイクロ波電力素子用外囲器の製造方法。
【請求項６】
前記金属粒子を焼結する工程において、前記金属ベース板に対し前記リード付きセラミックフレームを加圧することを特徴とする請求項４又は５記載のマイクロ波電力素子用外囲器の製造方法。
【請求項７】
リード付きセラミックフレームと、
Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種からなる金属ベース板と
を備える外囲器に半導体素子を実装するマイクロ波電力素子の製造方法であって、
前記金属ベース板に形成された低温焼結性の金属粒子を含むパターン上に、前記リード付きセラミックフレームと前記半導素子とを配置する工程と、
前記金属粒子を焼結する工程と
を備えることを特徴とするマイクロ波電力素子の製造方法。
【請求項８】
前記金属粒子が、Ａｇ粒子であることを特徴とする請求項７記載のマイクロ波電力素子の製造方法。
【請求項９】
前記金属粒子を焼結する工程において、前記金属ベース板に対し前記リード付きセラミックフレームを加圧することを特徴とする請求項７又は８記載のマイクロ波電力素子の製造方法。
【請求項１０】
さらに前記金属ベース板に対し前記半導体素子を加圧することを特徴とする請求項９記載のマイクロ波電力素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロ波電力素子用外囲器、内部整合回路素子を備えたマイクロ波電力素子及びそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、マイクロ波電力素子の高出力化は目覚しく、１００Ｗ〜２００Ｗの電力素子が携帯電話の基地局やレーダ、あるいはマグネトロンなど電子管の置き換えに使用されている。そのためマイクロ波電力素子の放熱性改善と低価格化が必須となっている。内部整合回路素子を備えたマイクロ波電力素子の一般的な構成は以下のとおりである。すなわち、半導体チップに対して入力側には、チップコンデンサ及び分布定数回路を形成したアルミナ基板が配置され、半導体チップに対して出力側には、分布定数回路を形成したアルミナ基板が配置されている。これらは、マイクロ波電力素子用外囲器（以下、外囲器という）を構成するセラミックフレーム内に配置されている。特許文献１などには、半導体チップと内部整合回路素子をＡｕ線、アルミニウム線などにより配線して接続し、外囲器のリード端子に接続する構成が示されている。
【０００３】
マイクロ波電力素子は、例えば、外囲器に半導体チップと内部整合回路素子を実装し、配線を行った後に封止することにより、形成される。半導体チップ及び内部整合回路素子は、ＡｕＳｎ共晶半田でフラックスを使用せずに外囲器にロウ付けされるのが一般的である。ＡｕＳｎ共晶半田でロウ付けする際の実装温度は２８０〜３００℃である。
【０００４】
外囲器は、リードを取り付けたセラミックフレームを金属ベース板に接合して製作される。この接合は銀ロウ付けで行われ、約８００℃の高温で気密接合される。このため金属ベース板は、セラミックと熱膨張係数の近い材料が使用される。例えば金属ベース板は、ＣｕＷの合金（組成比により熱伝導度は１８０〜２３０Ｗ／ｍＫの範囲で変動する）、ＣｕＭｏの合金（熱伝導度は１６０〜２８０Ｗ／ｍＫ）が使用される。
【０００５】
電力用の大きな外囲器では、セラミックの熱膨張係数に近いＣｕＷ（１１％Ｃｕ）の合金が使用されている。この外囲器は実装温度に対して耐熱性が十分に確保されている。
【０００６】
また、低温の接合については、高耐熱性と高接合強度を備えた金属ナノ粒子による接合技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平７−７４５５７号公報（第３頁［００１６］及び図１参照）
【特許文献２】特開２００７−４４７５４号公報（第３頁［００１３］参照）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
上述したマイクロ波電力素子は、半導体チップと内部整合回路素子が高密度に配置され、かつ部品点数が多く、各部品の寸法が異なるため、リフロー炉を使用した一括実装方式は採用されていない。各部品は、顕微鏡下でピンセットを使用した手作業により個々に実装される。そして、手作業による実装がコストアップの要因になっている。
【０００９】
また、セラミックの熱膨張係数に近いＣｕＷ（１１％Ｃｕ）の合金の場合、熱伝導度は１８０Ｗ／ｍＫと低い。すなわち、熱伝導度の低い組成ほどセラミックの熱膨張係数に近くなるため、放熱性を犠牲にせざるを得ないという問題がある。
【００１０】
そこで本発明は、放熱性を向上することができるマイクロ波電力素子用外囲器、マイクロ波電力素子及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のマイクロ波電力素子用外囲器は、リード付きセラミックフレームと、Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種からなる金属ベース板とを備え、前記リード付きセラミックフレームが、低温焼結性の金属粒子で前記金属ベース板に気密接合されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明のマイクロ波電力素子は、前記マイクロ波電力素子用外囲器に、半導体素子が実装されたことを特徴とする。
【００１３】
本発明のマイクロ波電力素子用外囲器の製造方法は、リード付きセラミックフレームと、Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種からなる金属ベース板とを備えるマイクロ波電力素子用外囲器の製造方法であって、前記金属ベース板に形成された低温焼結性の金属粒子を含むパターン上に、前記リード付きセラミックフレームを配置する工程と、前記金属粒子を焼結する工程とを備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明のマイクロ波電力素子の製造方法は、リード付きセラミックフレームと、Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種からなる金属ベース板とを備える外囲器に半導体素子を実装するマイクロ波電力素子の製造方法であって、前記金属ベース板に形成された低温焼結性の金属粒子を含むパターン上に、前記リード付きセラミックフレームと前記半導素子とを配置する工程と、前記金属粒子を焼結する工程とを備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種で形成された金属ベース板と、セラミックフレームを、低温焼結性の金属粒子を含むペーストで気密接合することにより、放熱性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の第１実施形態に係るマイクロ波電力素子の外観図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係るマイクロ波電力素子用外囲器の外観図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係るマイクロ波電力素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図４】図３に示す製造方法におけるＳ１ステップを説明する外観図である。
【図５】図３に示す製造方法におけるＳ２ステップを説明する外観図である。
【図６】図３に示す製造方法におけるＳ４ステップを説明する外観図である。
【図７】図３に示す製造方法におけるＳ５ステップを説明する外観図である。
【図８】図３に示す製造方法におけるＳ６ステップを説明する外観図である。
【図９】本発明の第２実施形態に係るマイクロ波電力素子の製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図１０】図９に示す製造方法におけるＳ１１ステップを説明する外観図である。
【図１１】図９に示す製造方法におけるＳ１２ステップを説明する外観図である。
【図１２】図９に示す製造方法におけるＳ１４ステップを説明する外観図である。
【図１３】本発明の第２実施形態の変形例に係るマイクロ波電力素子の製造方法の一例を説明する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら説明する。
【００１８】
１．第１実施形態
（全体構成）
本実施形態に係るマイクロ波電力素子の一例として、図１に示す内部整合回路素子を備えた内部整合型のマイクロ波電力素子１が挙げられる。
【００１９】
図１に示すマイクロ波電力素子１は、外囲器２を備える。外囲器２は、リード付きセラミックフレーム１２と、金属ベース板１３とで形成されている。リード付きセラミックフレーム１２内には、半導体素子として、半導体チップ１５と、内部整合回路素子としての入力側分布定数回路基板１６及び出力側分布定数回路基板１７と、集中定数素子であるチップコンデンサ１８とが配置されている。
【００２０】
入力側分布定数回路基板１６は、半導体チップ１５に対して入力側に配置されており、分布定数回路が形成されたアルミナ基板である。出力側分布定数回路基板１７は、半導体チップ１５に対して出力側に配置されており、分布定数回路が形成されたアルミナ基板である。
【００２１】
半導体チップ１５としては高出力動作が可能なＳｉ系ＬＤＭＯＳ（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor、横方向拡散ＭＯＳ）、ＧａＡｓ系ＦＥＴ（Field effect transistor、電界効果トランジスタ）、ＧａＮ系ＨＥＭＴ（High Electron Mobility Transistor、高電子移動度トランジスタ）などが使用される。
【００２２】
外囲器２は、図２に示すように、金属ベース板１３上にリード付きセラミックフレーム１２が設けられている。リード付きセラミックフレーム１２は、セラミックフレーム１２ａとリード１２ｂとを有する。セラミックフレーム１２ａは、矩形状に空間を仕切り、当該空間の周囲を取り囲むように形成された額縁形状の部材で構成されている。セラミックフレーム１２ａは、例えば、アルミナ、ジルコニア、窒化ケイ素などで形成することができる。セラミックフレーム１２ａの対向する辺にそれぞれリード１２ｂが設けられている。
【００２３】
金属ベース板１３は、Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種で形成されている。金属−ダイヤモンドの複合材は、含浸法や粉末冶金法などで製作される。
【００２４】
一例としてＣｕ−ダイヤモンド複合材は、Ｃｕ粉末とダイヤモンド粒子とを、例えば高温高圧下で複合化することにより製造することができる。前記Ｃｕ−ダイヤモンド複合材において、平均粒径１０μｍのＣｕ粉末および♯30/40のダイヤモンド粒子をＣｕ−６０ｖｏｌ％程度の組成で混合しＣｕの溶融温度以上で加圧成形することで緻密な複合材が製作できる。
【００２５】
一例としてＡｌ−ダイヤモンド複合材は、ダイヤモンドの粉末にＡｌの溶湯を高温、高圧下で含浸させて複合材料を製作することができる。ダイヤモンド粉末は平均粒径１００μｍが好ましく、ダイヤモンド粒子の含有量が４０ｖｏｌ％から７０ｖｏｌ％の範囲で選ばれる。
【００２６】
これら複合材の組成比は熱伝導率と熱膨張係数に違いが出てくるが、２００〜３００℃の低温接合ではセラミックと上記複合材の熱膨張係数の乖離は問題にならないため、組成比の選択が容易になる。
【００２７】
このように構成されたリード付きセラミックフレーム１２ａと金属ベース板１３は、低温焼結性の金属粒子を焼結させることにより、気密接合されている。金属粒子としては、焼結温度が２００〜３００℃程度の金属粒子、例えばＡｇ粒子、Ｃｕ粒子、Ｎｉ粒子を用いることができる。例えば金属粒子としてＡｇ粒子を用いる場合、粒径３００ｎｍ〜２μｍのミクロンオーダーのＡｇ粒子と粒径１ｎｍ〜１００ｎｍのナノオーダーのＡｇ粒子との混合物であるのが好ましい。金属粒子に含まれるナノオーダのＡｇ粒子は３０ｍａｓｓ％以上であることが好ましい。
【００２８】
半導体チップ１５と、入力側分布定数回路基板１６、出力側分布定数回路基板１７と、チップコンデンサ１８は、上記金属粒子を焼結させることにより、金属ベース板１３上に気密接合されている。
【００２９】
金属粒子を焼結させて接合されている接合面には、Ａｕ膜又はＡｇ膜が形成されているのが好ましい。この場合、リード付きセラミックフレーム１２ａ、金属ベース板１３、半導体チップ１５と、入力側分布定数回路基板１６、出力側分布定数回路基板１７と、チップコンデンサ１８のそれぞれの接合面に、Ａｕ膜又はＡｇ膜が形成されていることが好ましい。
【００３０】
（製造方法）
本実施形態に係るマイクロ波電力素子１の製造方法について、図面を参照して説明する。本実施形態に係る製造方法では、外囲器２を形成した後、半導体素子を実装することによりマイクロ波電力素子１を製造する。まず、図３のＳ１ステップ〜Ｓ４ステップで外囲器２を形成する。
【００３１】
Ｓ１ステップでは、金属ベース板１３上にペーストを用いてフレームパターン１９ａを形成する（図４）。ペーストは上記金属粒子と、溶剤とを含む。溶剤は、例えばデカノール、オクタンジオールなどのアルコール系を用いることができる。金属粒子が溶剤に分散するには有機物で被膜されている必要がある。有機物被膜は脂肪酸やアルコール誘導体であることが好ましい。ペーストの粘度は７０ＰａＳから２３０ＰａＳで調整される。
【００３２】
金属粒子としてＡｇ粒子を用いる場合、例えば、（株）応用ナノ粒子研究所（製品名：アルコナノ銀ペースト、Ａｇナノ粒子の平均粒子径：１ｎｍから１００ｎｍ（３５ｍａｓｓ％以上）、Ａｇ微粒子の平均粒子径：３００ｎｍから２μｍ（６０ｍａｓｓ％）、増粘剤：イソボロニルシクロヘキサノール、溶剤：デカノール）の製品を用いることができる。
【００３３】
フレームパターン１９ａは、リード付きセラミックフレーム１２が接合される金属ベース板１３上の接合予定域である。フレームパターン１９ａは、スクリーン印刷、ディスペンス印刷などの方法で形成することができる。また、フレームパターン１９ａは、グラビア印刷などの方法で形成することもできる。
【００３４】
フレームパターン１９ａは、厚さが１０〜５０μｍであるの好ましい。パターンの形成方法、パターンの厚さについては、後述するＳ５ステップ及び図９のＳ１１ステップにおいても同様である。
【００３５】
Ｓ２ステップでは、フレームパターン１９ａ上にリード付きセラミックフレーム１２を配置する（図５）。次いで、Ｓ３ステップで、ペーストの溶剤を揮発させるための熱処理（ドライベーク）を行う。１００〜１２０℃、５分間程度のドライベークで溶剤は揮発する。
【００３６】
次いでＳ４ステップで、金属粒子を焼結させるための熱処理を行う。金属粒子としてＡｇ粒子を用いる場合、焼結温度（熱処理温度）は、製品により異なるが、２００〜３００℃である。このとき図６に示すように、セラミックフレーム１２ａを金属ベース板１３に対し加圧してもよい。加圧することにより金属粒子が緻密に焼結する。これによりセラミックフレーム１２ａと金属ベース板１３の接合は、気密性の高い接合となる。セラミックフレーム１２ａを１０ＭＰａ以上の圧力で加圧すると、セラミックフレーム１２ａと金属ベース板１３とを、Ｈｅがリークしない良好なレベルで接合することができる。このようにして外囲器２を作製することができる。
【００３７】
次いで、Ｓ５ステップにおいて、金属ベース板１３上にペーストを用いて、半導体素子パターン１９ｂを形成する（図７）。半導体素子パターン１９ｂは、図１に示す半導体チップ１５と、入力側分布定数回路基板１６、出力側分布定数回路基板１７と、チップコンデンサ１８とが接合される金属ベース板１３上の接合予定域である。
【００３８】
Ｓ６ステップでは、半導体素子パターン１９ｂ上に半導体チップ１５と、入力側分布定数回路基板１６、出力側分布定数回路基板１７と、チップコンデンサ１８とを配置する（図８）。
【００３９】
Ｓ７ステップで、ペーストに含まれる溶剤を揮発させるための熱処理（ドライベーク）を行う。１００〜１２０℃、５分間程度のドライベークで溶剤は揮発する。
【００４０】
次いで、Ｓ８ステップで、金属粒子を焼結するための熱処理を行う。金属粒子の焼結温度（熱処理温度）は、Ｓ４ステップと同様に２００〜３００℃である。
【００４１】
Ｓ９ステップにおいて各部品に対し配線を施して接続する。配線の接続はＡｕ線やＡｌ線を使用し超音波熱圧着で行う。次いでＳ１０ステップで封止する。封止は例えばＡｕＳｎ共晶半田を使用してセラミックキャップ（図示しない）をリード付きセラミックフレーム１２に接合することにより行う。この場合、リード付きセラミックフレーム１２とセラミックキャップとの接合面にはＡｕ膜やＡｇ膜が形成されていることが好ましい。なお、リード付きセラミックフレーム１２にセラミックキャップを樹脂で接着してもよい。この場合には接合面にＡｕ膜やＡｇ膜を形成しなくてもよい。以上により、マイクロ波電力素子１を作製することができる。
【００４２】
（作用及び効果）
外囲器２は、Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種で形成された金属ベース板１３と、セラミックフレーム１２ａを、低温焼結性の金属粒子を含むペーストで気密接合することにより、放熱性を向上することができる。
【００４３】
本実施形態の場合、焼結温度が２００〜３００℃の金属粒子を用いているので、熱処理温度は、従来の銀ロウ付けの場合（８００℃）に比べ極めて低い２００〜３００℃である。そうすると外囲器２は、セラミックフレーム１２ａと金属ベース板１３の熱膨張係数の差で発生する応力を低減することができる。したがって外囲器２は、安価で熱伝導度の高いＣｕ、又はＣｕを含む複合材で金属ベース板１３を形成することができる。
【００４４】
また熱処理温度が低いことにより、従来、高温の熱処理において偏析するなど耐熱性が十分でないとされたＣｕ−ダイヤモンド複合材で金属ベース板１３を形成することができる。Ｃｕ−ダイヤモンド複合材は、極めて高い熱伝導度（６００Ｗ／ｍＫ）を有するので、外囲器２の放熱性をより向上することができる。
【００４５】
またＡｌ−ダイヤモンド複合材もＣｕ−ダイヤモンド複合材に同等の熱伝導度であるので、外囲器２の放熱性について同様の効果が得られる。
【００４６】
上記のように放熱性の高い外囲器２に半導体素子を実装することにより、放熱性が向上したマイクロ波電力素子を得ることができる。
【００４７】
２.第２実施形態
本実施形態に係る外囲器及びマイクロ波電力素子は、第１実施形態と同じ構成なので、説明を省略する。本実施形態は、製造方法のみが、上記第１実施形態と異なる。すなわち本実施形態の場合、リード付きセラミックフレーム１２ａと金属ベース板１３の接合、及び半導体素子の実装を同時に行う点が上記第１実施形態と異なる。
【００４８】
図９のＳ１１ステップでは、金属ベース板１３上にペーストを用いてフレームパターン１９ａ及び半導体素子パターン１９ｂを、上記第１実施形態と同様の方法で形成する（図１０）。フレームパターン１９ａは、図２に示すリード付きセラミックフレーム１２が接合される金属ベース板１３上の接合予定域である。半導体素子パターン１９ｂは、図１に示す半導体チップ１５と、入力側分布定数回路基板１６、出力側分布定数回路基板１７と、チップコンデンサ１８とが接合される金属ベース板１３上の接合予定域である。
【００４９】
次いで、Ｓ１２ステップでは、フレームパターン１９ａ上にリード付きセラミックフレーム１２を配置する。同時に半導体素子パターン１９ｂ上に、半導体チップ１５と、入力側分布定数回路基板１６、出力側分布定数回路基板１７と、チップコンデンサ１８とを配置する（図１１）。
【００５０】
Ｓ１３ステップで、ペーストの溶剤を揮発させるための熱処理（ドライベーク）を行う。１００〜１２０℃、５分間程度のドライベークで溶剤は揮発する。
【００５１】
次いで、Ｓ１４ステップで、上記第１実施形態と同様に、金属粒子を焼結するための熱処理を行う。このとき図１２に示すように、セラミックフレーム１２ａを加圧してもよい。
【００５２】
Ｓ１５ステップ及びＳ１６ステップは、図３に示すＳ９ステップ及びＳ１０ステップと同様の工程であるので、説明を省略する。
【００５３】
（作用及び効果）
外囲器２は、Ｃｕ、Ｃｕ−ダイヤモンド複合材及びＡｌ−ダイヤモンド複合材のうちのいずれか１種で形成された金属ベース板１３と、セラミックフレーム１２ａを、低温焼結性の金属粒子を含むペーストで気密接合するので、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５４】
さらに本実施形態の場合、熱処理温度が低いことにより、リード付きセラミックフレーム１２ａと金属ベース板１３の接合と、半導体素子の実装とを同時に行うことができるので、放熱性が向上したマイクロ波電力素子を簡略な工程で製造するこができる。
【００５５】
金属粒子としてＡｇ粒子は金属の中でも高い熱伝導度（４２０Ｗ／ｍＫ）を有する。したがって、従来の熱伝導度が５７Ｗ／ｍＫであるＡｕＳｎ共晶半田（Ａｕ８０％）を用いて接合する場合に比べ、極めて放熱性の良い接合層を形成することができる。
【００５６】
（変形例）
図１３はセラミックフレーム１２ａの加圧に加えて、半導体チップ１５と、入力側分布定数回路基板１６、出力側分布定数回路基板１７と、チップコンデンサ１８とを加圧する場合を示す断面図である。セラミックフレーム１２ａを加圧する加圧体２０に対し、バネ２１を挿入することにより加圧体２２が半導体チップ１５などを押圧することができる。既述のようにＡｇナノ粒子は加圧により緻密なＡｇ焼結層になるため、耐マイグレーション性、耐応力性の高い接合が形成できる。
【００５７】
３．変形例
本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲内で適宜変更することが可能である。
【００５８】
上記実施形態の場合、マイクロ波電力素子１に実装される半導体素子として、半導体チップ１５と、入力側分布定数回路基板１６、出力側分布定数回路基板１７と、チップコンデンサ１８とを有する場合について説明したが、本発明はこれに限られない。例えば、入力側はチップコンデンサ１８のみで構成する場合もある。この構成に類似のマイクロ波電力素子として最大２４０Ｗ（Ｌ帯〜Ｓ帯）のマイクロ波電力素子が市販されている。なお数Ｗ程度の小出力のマイクロ波電力素子には内部整合回路素子（入力側分布定数回路基板１６及び出力側分布定数回路基板１７）が実装されないため、外囲器は小型になる。  
【符号の説明】
【００５９】
１  マイクロ波電力素子
２  外囲器
１２  リード付きセラミックフレーム
１２ａ  セラミックフレーム
１２ｂ  リード
１３  金属ベース板
１５  半導体チップ
１６  入力側分布定数回路基板
１７  出力側分布定数回路基板
１８  チップコンデンサ
１９ａ  フレームパターン
１９ｂ  半導体素子パターン
２０、２２  加圧体
２１  バネ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014132651.tif 000009
【図８】
2014132651.tif 000010
【図９】
2014132651.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2014132651.tif 000013
【図１２】
2014132651.tif 000014
【図１３】
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