(57)【要約】【課題】パッドの狭ピッチ化に容易に対応することができる電子部品内蔵基板を提供する。【解決手段】電子部品内蔵基板１は、スペーサ部６を介して電気的に接続された第１基板２及び第２基板５と、それら第１基板２と第２基板５との間に配置され、第１基板２に実装された半導体チップ３と、第１基板２と第２基板５との間の空間に充填され、半導体チップ３を封止する封止樹脂７とを有する。スペーサ部６は、金属ポスト４０とコア付きはんだボール５０とが第１基板２及び第２基板５の積層方向に積層された構造と、金属ポスト４０の側面を被覆する絶縁層とを有する。【選択図】図１
2014049477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スペーサ部を介して電気的に接続された第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板に実装された電子部品と、
前記第１基板と前記第２基板との間の空間に充填され、前記電子部品を封止する封止樹脂と、を有し、
前記スペーサ部は、金属ポストとはんだボールとが前記第１基板及び前記第２基板の積層方向に積層された構造と、前記金属ポストの側面を被覆する絶縁層とを有することを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項２】
前記金属ポストの第１面には凹部が形成され、
前記はんだボールは、前記金属ポストの第１面に接合されていることを特徴とする請求項１に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項３】
前記金属ポストの第１面は、前記絶縁層の第１面よりも前記金属ポストの第１面の反対面側に向かって凹むように形成され、
前記はんだボールは、前記絶縁層から露出された前記金属ポストの第１面に接合されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項４】
前記金属ポストが形成される平面視環状の第１領域に前記絶縁層が形成されていない第１非形成領域が形成され、
前記第１非形成領域は、前記第１領域よりも内側に形成された第２非形成領域と、前記第１領域よりも外側に形成された第３非形成領域とを接続するように形成されていることを特徴とする請求項３に記載の電子部品内蔵基板。
【請求項５】
前記はんだボールは、導電性コアボールと前記導電性コアボールの周囲を被覆するはんだとを有するコア付きはんだボールであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の電子部品内蔵基板。
【請求項６】
スペーサ部を介して電気的に接続された第１基板及び第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板に実装された電子部品と、
前記第１基板と前記第２基板との間の空間に充填され、前記電子部品を封止する封止樹脂と、を有し、
前記スペーサ部は、第１はんだボールと金属ポストと第２はんだボールとが前記第１基板及び前記第２基板の積層方向に順に積層された構造と、前記金属ポストと前記第１はんだボール及び前記第２はんだボールのいずれか一方のはんだボールとを被覆する絶縁層とを有することを特徴とする電子部品内蔵基板。
【請求項７】
第１パッドが形成された第１基板と、第２パッドが形成された第２基板とを準備する第１工程と、
第２基板の第２パッドにスペーサ部を接合する第２工程と、
前記スペーサ部を前記第１パッドに接合し、前記スペーサ部を介して前記第２基板を前記第１基板に接続する第３工程と、
前記第１基板と前記第２基板との間の空間に封止樹脂を充填し、前記第１基板と前記第２基板との間に配置された電子部品を封止する第４工程と、を有し、
前記第２工程は、
金属板の所要の箇所を薄化して凸部を形成する工程と、
前記凸部が前記第２パッドに電気的に接続されるように、前記凸部の第１面を第２パッドに対向させて前記金属板を前記第２基板に固定する工程と、
前記金属板のうち前記凸部のみ、又は前記凸部の一部のみが残るように前記金属板を薄化する工程と、
前記薄化後の凸部の前記第１面とは反対側の第２面にはんだボールを搭載する工程と、
を有することを特徴とする電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項８】
前記第２工程は、
前記凸部の前記第１面上に第１はんだを形成する工程と、
前記第２パッド上に第２はんだを形成する工程と、
前記第２はんだを被覆する半硬化状態の絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記金属板を前記第２基板に固定する工程では、前記金属板を前記絶縁層を介して前記第２基板に固定するとともに、前記第１はんだ及び前記第２はんだにより前記第２パッドと前記凸部とを接合することを特徴とする請求項７に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２工程は、前記はんだボールを第１はんだボールとしたときに、
前記凸部の前記第１面上に第２はんだボールを搭載する工程と、
前記第２パッドを被覆する半硬化状態の絶縁層を形成する工程と、を有し、
前記金属板を前記第２基板に固定する工程では、前記金属板を前記絶縁層を介して前記第２基板に固定するとともに、前記第２はんだボールを前記第２パッドに接合することを特徴とする請求項７に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２基板に固定された前記金属板を薄化する工程では、前記凸部の前記第２面が、前記絶縁層の第１面よりも前記凸部の前記第１面側に凹むまで前記金属板を薄化することを特徴とする請求項８又は９に記載の電子部品内蔵基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品内蔵基板及び電子部品内蔵基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
上下基板の間に電子部品を配置し、その電子部品の周囲に封止樹脂を充填して形成した半導体パッケージが提案されている（例えば、特許文献１参照）。このような半導体パッケージでは、上下基板の間隔を維持するためにスペーサ部材を介して下基板に上基板が固定され、その上下基板間に封止樹脂が充填される。
【０００３】
上記半導体パッケージにおいて、スペーサ部材として銅コアはんだボールを用いることが提案されている。ここで、銅コアはんだボールは、銅コアボールの周囲をはんだで覆ったもので、はんだが接合材として機能し銅コアボールがスペーサとして機能する。すなわち、上基板の接続パッドと下基板の接続パッドとの間に銅コアはんだボールを挟んだ状態ではんだをリフローすることにより、上基板の接続パッドと下基板の接続パッドとをはんだ接合する。はんだが溶けた状態で、はんだの中の銅コアボールが上基板の接続パッドと下基板の接続パッドとの間に挟まれた状態となり、スペーサとして機能する。したがって、上基板と下基板との間の距離は、銅コアボールの大きさで決まり、一定に維持される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００７／０６９６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記半導体パッケージでは、上下基板間に配置される電子部品の高さを考慮して、銅コアはんだボールの大きさが決定される。すなわち、電子部品の高さが高くなるほど、銅コアはんだボールのサイズが大きくなる。ここで、銅コアはんだボールは球形であるため、上下基板間の距離を広く確保するために銅コアはんだボールを大きくすると、その銅コアはんだボールの横方向（上下基板の積層方向と直交する方向）の径も大きくなる。このため、銅コアはんだボールが大きくなるほど、銅コアはんだボールを搭載することができる最小ピッチを広くする必要がある。したがって、上下基板間に配置される電子部品の高さが高くなると、上下基板における配線パターンの微細化に伴う接続パッドの狭ピッチ化に対応することが困難になる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、スペーサ部を介して電気的に接続された第１基板及び第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に配置され、前記第１基板に実装された電子部品と、前記第１基板と前記第２基板との間の空間に充填され、前記電子部品を封止する封止樹脂と、を有し、前記スペーサ部は、金属ポストとはんだボールとが前記第１基板及び前記第２基板の積層方向に積層された構造と、前記金属ポストの側面を被覆する絶縁層とを有する。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一観点によれば、パッドの狭ピッチ化に容易に対応することができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１実施形態の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【図２】第１実施形態の電子部品内蔵基板を示す概略平面図。なお、本図は、図１に示した電子部品内蔵基板を上方から見た平面図であり、一部の部材（第２基板や封止樹脂等）の図示を省略している。
【図３】第１実施形態のスペーサ部を示す拡大断面図。
【図４】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略平面図。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｄ）は、図４のＡ−Ａ線位置における金属板の製造過程の断面構造を示している。また、（ｅ）、（ｆ）は、図６（ａ）のＢ−Ｂ線位置における金属板の製造過程の断面構造を示している。
【図６】（ａ）、（ｂ）は、第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略平面図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。なお、（ａ）〜（ｃ）は、図６（ｂ）のＣ−Ｃ線位置における第２基板用基板材の製造過程の断面構造を示している。
【図８】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略平面図。
【図９】（ａ）〜（ｄ）は、第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１０】第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略平面図。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は、第１実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１２】第２実施形態の電子部品内蔵基板を示す概略断面図。
【図１３】（ａ）、（ｂ）は、第２実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１４】（ａ）〜（ｄ）は、第２実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は、第２実施形態の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１６】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１７】（ａ）〜（ｅ）は、変形例の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１８】（ａ）〜（ｄ）は、変形例の電子部品内蔵基板の製造方法を示す概略断面図。
【図１９】変形例の絶縁層を示す概略平面図。
【図２０】変形例の金属ポストの平面配置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して各実施形態を説明する。なお、添付図面は、特徴を分かりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などが実際と同じであるとは限らない。また、断面図では、各部材の断面構造を分かりやすくするために、一部の部材のハッチングを省略している。
【００１０】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態を図１〜図１１に従って説明する。
図１に示すように、電子部品内蔵基板１は、第１基板２と、半導体チップ３と、アンダーフィル樹脂４と、第２基板５と、スペーサ部６と、封止樹脂７とを有している。
【００１１】
第１基板２は、基板本体１０と、最上層の配線パターン２０と、金属層２１と、ソルダレジスト層２２と、最下層の配線パターン２３と、金属層２４と、ソルダレジスト層２５とを有している。
【００１２】
基板本体１０は、コア基板１１と、コア基板１１の貫通孔１１Ｘに形成された貫通電極１２と、コア基板１１に積層された複数の絶縁層１３，１４と、それら複数の絶縁層１３，１４に形成された配線１５，１６及びビア１７，１８とを有している。基板本体１０に設けられた貫通電極１２、配線１５，１６及びビア１７，１８は、配線パターン２０及び配線パターン２３を電気的に接続している。なお、コア基板１１の材料としては、例えばガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。また、貫通電極１２、配線１５，１６及びビア１７，１８の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）や銅合金を用いることができる。また、絶縁層１３，１４の材料としては、例えばエポキシ系樹脂やポリイミド樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００１３】
配線パターン２０は、半導体チップ３が実装される実装面側（図１では、上面側）に設けられている。配線パターン２０の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。この配線パターン２０は、半導体チップ３のバンプ３ａと電気的に接続されるチップ用パッドＰ１、又は第１基板２と第２基板５との間を電気的に接続するための接続用パッドＰ２を有している。チップ用パッドＰ１は、平面視は図示を省略するが、半導体チップ３のバンプ３ａの配設形態に応じて、半導体チップ３が実装される実装領域に例えば平面視でマトリクス状に配列されている。各チップ用パッドＰ１の平面形状は、例えば円形状に形成されている。
【００１４】
図２に示すように、接続用パッドＰ２は、半導体チップ３の外周縁を囲む配置で複数列（ここでは、二列）に設けられている。各接続用パッドＰ２の平面形状は、例えば円形状に形成されている。
【００１５】
図１に示すように、ソルダレジスト層２２は、配線パターン２０の一部を覆うように絶縁層１３の上面に設けられている。ソルダレジスト層２２の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。このソルダレジスト層２２には、配線パターン２０の一部を上記チップ用パッドＰ１として露出させるための複数の開口部２２Ｘと、配線パターン２０の一部を上記接続用パッドＰ２として露出させるための複数の開口部２２Ｙとが形成されている。これら開口部２２Ｘ，２２Ｙから露出する配線パターン２０上、つまりチップ用パッドＰ１上及び接続用パッドＰ２上には金属層２１が形成されている。この金属層２１の例としては、配線パターン２０の上面から、ニッケル（Ｎｉ）層／金（Ａｕ）層を順に積層した金属層を挙げることができる。また、金属層２１の他の例としては、配線パターン２０の上面から、Ｎｉ層／パラジウム（Ｐｄ）層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／銀（Ａｇ）層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。ここで、上記Ｎｉ層はＮｉ又はＮｉ合金からなる金属層、上記Ａｕ層はＡｕ又はＡｕ合金からなる金属層、Ｐｄ層はＰｄ又はＰｄ合金からなる金属層、Ａｇ層はＡｇ又はＡｇ合金からなる金属層である。例えば金属層２１がＮｉ層／Ａｕ層である場合には、Ｎｉ層の厚さを０．０５〜５μｍ程度とすることができ、Ａｕ層の厚さを０．０１〜１μｍ程度とすることができる。なお、金属層２１によってチップ用パッドＰ１が被覆される場合には、その金属層２１がチップ用パッドとして機能する。また、金属層２１によって接続用パッドＰ２が被覆される場合には、その金属層２１が接続用パッドとして機能する。
【００１６】
一方、配線パターン２３は、基板本体１０の下面側に設けられている。この配線パターン２３は、当該第１基板２をマザーボード等の実装用基板に実装する際に使用されるはんだボールやリードピン等の外部接続端子を配設するための外部接続用パッドＰ３を有している。この外部接続用パッドＰ３は、図示を省略するが、例えば平面視でマトリクス状に配置されている。また、各外部接続用パッドＰ３の平面形状は、例えば円形状に形成されている。
【００１７】
ソルダレジスト層２５は、配線パターン２３の一部を覆うように絶縁層１４の下面に設けられている。ソルダレジスト層２５の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。このソルダレジスト層２５には、配線パターン２３の一部を上記外部接続用パッドＰ３として露出させるための複数の開口部２５Ｘが形成されている。これら開口部２５Ｘから露出する配線パターン２３上、つまり外部接続用パッドＰ３上には金属層２４が形成されている。この金属層２４の例としては、配線パターン２３の下面から、Ｎｉ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。また、金属層２４の他の例としては、配線パターン２３の下面から、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。例えば金属層２４がＮｉ層／Ａｕ層である場合には、Ｎｉ層の厚さを０．０５〜５μｍ程度とすることができ、Ａｕ層の厚さを０．０１〜１μｍ程度とすることができる。ここで、金属層２４によって外部接続用パッドＰ３が被覆される場合には、その金属層２４が外部接続用パッドとして機能する。
【００１８】
なお、開口部２５Ｘから露出する配線パターン２３上にＯＳＰ（Organic Solderbility Preservative）処理を施して上記金属層２４の代わりにＯＳＰ膜を形成し、そのＯＳＰ膜に外部接続端子を接続するようにしてもよい。また、開口部２５Ｘから露出する配線パターン２３（あるいは、配線パターン２３上に金属層２４やＯＳＰ膜が形成されている場合には、それら金属層２４又はＯＳＰ膜）自体を、外部接続端子としてもよい。
【００１９】
上記半導体チップ３は、このような構造を有する第１基板２にフリップチップ実装されている。すなわち、半導体チップ３の回路形成面（図１では、下面）に配設されたバンプ３ａを上記チップ用パッドＰ１上に形成された金属層２１に接合することにより、半導体チップ３は第１基板２にフェイスダウンで接合される。この半導体チップ３は、バンプ３ａ及び金属層２１を介して、第１基板２のチップ用パッドＰ１と電気的に接続されている。
【００２０】
半導体チップ３としては、例えばＣＰＵ（Central Processing Unit）チップやＧＰＵ（Graphics Processing Unit）チップなどのロジックチップを用いることができる。また、半導体チップ３としては、例えばＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）チップ、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memory）チップやフラッシュメモリチップなどのメモリチップを用いることもできる。この半導体チップ３の大きさは、例えば平面視で３ｍｍ×３ｍｍ〜１２ｍｍ×１２ｍｍ程度とすることができる。また、半導体チップ３の厚さは、例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００２１】
また、上記バンプ３ａとしては、例えば金バンプやはんだバンプを用いることができる。はんだバンプの材料としては、例えば鉛（Ｐｂ）を含む合金、錫（Ｓｎ）とＡｕの合金、ＳｎとＣｕの合金、ＳｎとＡｇの合金、ＳｎとＡｇとＣｕの合金等を用いることができる。このバンプ３ａの高さは、例えば２０〜７０μｍ程度とすることができる。
【００２２】
なお、第１基板２に半導体チップ３を実装するようにしたが、これに限らず、他の電子部品（例えば、キャパシタ、インダクタ等）を第１基板２に実装するようにしてもよい。
アンダーフィル樹脂４は、第１基板２の上面と半導体チップ３の下面との隙間を充填するように設けられている。このアンダーフィル樹脂４は、バンプ３ａとチップ用パッドＰ１（金属層２１）との接続部分の接続強度を向上させると共に、配線パターン２０の腐食やエレクトロマイグレーションの発生を抑制し、配線パターン２０や金属層２１の信頼性の低下を防ぐための樹脂である。なお、アンダーフィル樹脂４の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００２３】
次に、第２基板５の構造について説明する。
第２基板５は、コア基板３１と、コア基板３１の貫通孔３１Ｘに形成された貫通電極３２と、最上層の配線パターン３３と、金属層３４と、ソルダレジスト層３５と、最下層の配線パターン３６と、ソルダレジスト層３８とを有している。配線パターン３３と配線パターン３６とは貫通電極３２を介して電気的に接続されている。なお、コア基板３１の材料としては、例えばガラスエポキシ樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００２４】
配線パターン３３は、半導体チップ３とは別の電子部品が実装されるコア基板３１の実装面（図１では、上面）に形成されている。配線パターン３３の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。この配線パターン３３は、上記半導体チップ３とは別の半導体チップや受動素子等の電子部品と電気的に接続される部品接続パッドＰ４を有している。各部品接続パッドＰ４の平面形状は、例えば円形状に形成されている。
【００２５】
ソルダレジスト層３５は、配線パターン３３の一部を覆うようにコア基板３１の上面に積層されている。ソルダレジスト層３５の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。このソルダレジスト層３５には、配線パターン３３の一部を上記部品接続パッドＰ４として露出させるための複数の開口部３５Ｘが形成されている。この開口部３５Ｘから露出する配線パターン３３上、つまり部品接続パッドＰ４上には金属層３４が形成されている。この金属層３４の例としては、配線パターン３３の上面から、Ｎｉ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。また、金属層３４の他の例としては、配線パターン３３の上面から、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。例えば金属層３４がＮｉ層／Ａｕ層である場合には、Ｎｉ層の厚さを０．０５〜５μｍ程度とすることができ、Ａｕ層の厚さを０．０１〜１μｍ程度とすることができる。なお、金属層３４によって部品接続パッドＰ４が被覆される場合には、その金属層３４が部品接続パッドとして機能する。
【００２６】
一方、配線パターン３６は、コア基板３１の実装面と反対側の面（ここでは、下面）に形成されている。この配線パターン３６は、第１基板２と第２基板５との間を電気的に接続するための接続用パッドＰ５を有している。各接続用パッドＰ５は、第１基板２に形成された接続用パッドＰ２の各々に対向するように設けられている。すなわち、接続用パッドＰ５は、平面視で半導体チップ３の外周縁を囲む配置で複数列（ここでは、二列）に設けられている。この接続用パッドＰ５の平面形状は、例えば円形状に形成されている。
【００２７】
ソルダレジスト層３８は、配線パターン３６の一部を覆うようにコア基板３１の下面に積層されている。ソルダレジスト層３８の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。このソルダレジスト層３８には、配線パターン３６の一部を上記接続用パッドＰ５として露出させるための複数の開口部３８Ｘが形成されている。これら開口部３８Ｘから露出する配線パターン３６上、つまり接続用パッドＰ５上にははんだ層３７が形成されている。このはんだ層３７としては、例えば鉛フリーはんだ（Ｓｎ−２．５Ａｇ等）のはんだめっきを用いることができる。はんだ層３７の高さは、例えば５〜１０μｍ程度である。
【００２８】
各はんだ層３７には、スペーサ部６がそれぞれ接合されている。各スペーサ部６は、上記第１基板２の接続用パッドＰ２（金属層２１）にも接合されている。すなわち、各スペーサ部６は、第１基板２と第２基板５との間に介在して設けられ、その一端がはんだ層３７に接合され、他端が金属層２１に接合されている。スペーサ部６は、第１基板２の接続用パッドＰ２と第２基板５の接続用パッドＰ５とを電気的に接続する接続端子として機能するとともに、第１基板２と第２基板５との間の距離（離間距離）を規定値に保持するスペーサとして機能する。このスペーサ部６の高さは、半導体チップ３の厚さとバンプ３ａの厚さとを合計した厚さよりも高く設定されている。例えば、スペーサ部６の高さは、１５０〜２５０μｍ程度とすることができる。
【００２９】
上記スペーサ部６は、柱状の接続端子である金属ポスト４０（ここでは、銅ポスト）と、その金属ポスト４０と接合されたコア付きはんだボール５０（ここでは、銅コアはんだボール）とが積層された構造を有している。そして、金属ポスト４０が接続用パッドＰ５（はんだ層３７）に接合され、コア付きはんだボール５０が接続用パッドＰ２（金属層２１）に接合されている。
【００３０】
第１基板２と第２基板５との間の空間には封止樹脂７が充填されている。この封止樹脂７によって、第２基板５が第１基板２に対して固定されるとともに、半導体チップ３が封止される。すなわち、封止樹脂７は、第１基板２と第２基板５とを接着する接着剤として機能するとともに、半導体チップ３を保護する保護層として機能する。封止樹脂７の材料としては、例えばエポキシ系樹脂やポリイミド系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。例えば封止樹脂７としては、トランスファーモールド法、コンプレッションモールド法やインジェクションモールド法などにより形成されたモールド樹脂を用いることができる。
【００３１】
次に、スペーサ部６の構造についてさらに詳述する。
図３に示すように、スペーサ部６は、上記金属ポスト４０と、その金属ポスト４０の側面を被覆する絶縁層４１と、絶縁層４１から露出された金属ポスト４０の下面４０Ｂ（第１面）に搭載された上記コア付きはんだボール５０とを有している。
【００３２】
金属ポスト４０は、接続用パッドＰ５上に形成されたはんだ層３７に接合されている。この金属ポスト４０は、はんだ層３７を介して接続用パッドＰ５と電気的に接続されている。金属ポスト４０は、はんだ層３７から下方に延びる柱状の接続端子である。例えば、金属ポスト４０は、はんだ層３７に接合される上面４０Ａ側から下面４０Ｂ側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。具体的には、本例の金属ポスト４０は、下面４０Ｂが上面４０Ａよりも大径となる円錐台形状に形成されている。このような金属ポスト４０の高さは、例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。金属ポスト４０の下面４０Ｂの直径は、例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。金属ポスト４０の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。
【００３３】
金属ポスト４０の下面４０Ｂは、絶縁層４１の下面４１Ｂ（第１面）よりも低くなるように形成されている。すなわち、金属ポスト４０の下面４０Ｂと絶縁層４１の下面４１Ｂによって段差部（凹部）が形成されている。さらに、金属ポスト４０の下面４０Ｂには、上面側に向かって凹む断面視皿状の凹部４０Ｘが形成されている。この凹部４０Ｘの底面は平坦に形成され、凹部４０Ｘの内側壁は傾斜面に形成されている。具体的には、凹部４０Ｘの断面形状が、凹部４０Ｘの底面から絶縁層４１の下面４１Ｂに向かうに連れて径が大きくなるテーパ形状に形成されている。より具体的には、凹部４０Ｘの内側壁と金属ポスト４０の外側面との距離が、凹部４０Ｘの底面から絶縁層４１の下面４１Ｂ側に向かうに連れて短くなるように、上記凹部４０Ｘが形成されている。さらに、凹部４０Ｘの底面の端部は、丸みを帯びた形状に形成されている（面取りされている）。
【００３４】
絶縁層４１は、金属ポスト４０の側面及びはんだ層３７を被覆するように、ソルダレジスト層３８の下面に形成されている。絶縁層４１には、所要の箇所（金属ポスト４０が形成される箇所）に、厚さ方向に貫通する貫通孔４１Ｘが形成されている。この貫通孔４１Ｘには、金属ポスト４０及びはんだ層３７の一部が収容されている。例えば、絶縁層４１は、図２に示すように、平面視で半導体チップ３の外周縁を囲むように平面視環状に形成されている。そして、この絶縁層４１には、平面視で半導体チップ３の外周縁に沿って複数列（ここでは、二列）に上記貫通孔４１Ｘが形成されている。
【００３５】
図３に示すように、貫通孔４１Ｘは、その大部分が金属ポスト４０の外形形状に沿って形成されている。このため、絶縁層４１の上面４１Ａ側から下面４１Ｂ側に向かうに連れて径が大きくなるテーパ状に形成されている。さらに、貫通孔４１Ｘの内側壁における絶縁層４１の下面４１Ｂ側の端部（開口端部）は、丸みを帯びた形状に形成されている（面取りされている）。なお、上記絶縁層４１の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００３６】
コア付きはんだボール５０は、絶縁層４１から露出された金属ポスト４０の下面４０Ｂ（凹部４０Ｘ）に搭載（接合）されている。このコア付きはんだボール５０は、接続用パッドＰ２上に形成された金属層２１に接合されている。ここで、コア付きはんだボール５０は、球形状の銅コアボール５１の周囲をはんだ５２で覆った構造を有し、はんだ５２が接合材として機能し銅コアボール５１がスペーサとして機能する。すなわち、コア付きはんだボール５０は、はんだ５２によって上記金属層２１と接合されるとともに、はんだ５２によって金属ポスト４０と接合されている。なお、銅コアボール５１の高さ（直径）は例えば５０〜１００μｍ程度とすることができ、コア付きはんだボール５０の高さ（直径）は例えば１００〜１５０μｍ程度とすることができる。例えば、本例のスペーサ部６では、金属ポスト４０の高さと銅コアボール５１（又はコア付きはんだボール５０）の高さとが１：１になるように設定されている。但し、金属ポスト４０の高さと銅コアボール５１の高さとの比は１：１に限定されず、上記比を１：２や２：１になるように設定してもよい。すなわち、金属ポスト４０及び銅コアボール５１の一方を他方よりも高く（低く）形成するようにしてもよい。
【００３７】
次に、上記電子部品内蔵基板１の作用について説明する。
第１基板２と第２基板５とを電気的に接続するスペーサ部６を、金属ポスト４０とコア付きはんだボール５０とを第１基板２及び第２基板５の積層方向に積層する構造とした。すなわち、２つの接続端子（金属ポスト４０及びコア付きはんだボール５０）を積層してスペーサ部６を形成するようにした。このため、各接続端子の直径を、１つの接続端子（金属ポスト又はコア付きはんだボール）のみでスペーサ部６を形成する場合に比べて小さくすることができる。例えば、スペーサ部６によって、第１基板２と第２基板５との間の距離を２００μｍに保持する場合について説明する。
【００３８】
１つのコア付きはんだボールのみでスペーサ部６を形成する場合には、銅コアボールの直径が２００μｍとなるため、コア付きはんだボールの直径が２４０μｍ程度となる。ここで、隣接するスペーサ部（コア付きはんだボール）の間の間隔を６０μｍ程度確保する必要があると、この場合のスペーサ部のピッチは３００（＝２４０＋６０）μｍ以上になる。また、１つの金属ポストのみでスペーサ部６を形成する場合には、その金属ポストのアスペクト比を１とすると、金属ポストの直径（幅）が２００μｍとなる。このため、この場合のスペーサ部のピッチは２６０（＝２００＋６０）μｍ以上となる。ここで、金属ポストのアスペクト比を高くすると、エッチング工程で金属ポストへのサイドエッチング（金属ポストの側面がエッチングされる現象）が進むため、金属ポストの製造が困難になる。このようなサイドエッチングによる悪影響を避けるためには、金属ポストの径を大きくする必要があるが、その金属ポストの径を大きくするとスペーサ部のピッチが大きくなってしまうという問題がある。
【００３９】
これに対し、本実施形態のスペーサ部６の場合には、スペーサ部６のピッチを２００μｍ程度とすることができる。詳述すると、金属ポスト４０の高さと銅コアボール５１の高さとの比を１：１に設定し、金属ポスト４０のアスペクト比を１とした場合には、金属ポスト４０の高さ及び直径（幅）が１００μｍ、銅コアボール５１の直径が１００μｍとなり、コア付きはんだボール５０の直径が１４０μｍ程度となる。ここで、上記同様に、隣接するスペーサ部６間の間隔を６０μｍ程度確保する必要があると、この場合のスペーサ部６のピッチを２００（＝１４０＋６０）μｍ程度とすることができる。以上説明したように、金属ポスト４０とコア付きはんだボール５０とを第１基板２及び第２基板５の積層方向に積層してスペーサ部６を形成したことにより、そのスペーサ部６が搭載可能な最小ピッチを狭くすることができる。
【００４０】
次に、上記電子部品内蔵基板１の製造方法について説明する。
図４に示すように、まず、金属ポスト４０を形成するために金属板６０を用意する。金属板６０は、１つの電子部品内蔵基板１に対応する複数の金属ポスト４０が形成される領域Ａ１を複数（図４では、３つ）有している。この金属板６０の断面構造を図５（ａ）に示している。この金属板６０の厚さは、例えば１５０〜２５０μｍ程度とすることができる。また、金属板６０の材料としては、例えば銅や銅合金を用いることができる。なお、図５においては、説明の便宜上、一つの領域Ａ１における金属板６０の断面構造を示している。
【００４１】
図５（ｂ）に示す工程では、金属板６０の上面全面を覆うようにレジスト層６１を形成するとともに、金属板６０の下面全面を覆うようにレジスト層６２を形成する。その後、図５（ｃ）に示す工程では、所要の箇所（金属ポスト４０を形成すべき箇所）のレジスト層６１のみを残すように、レジスト層６１に開口部６１Ｘを形成する。上記レジスト層６１，６２の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層６１，６２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、金属板６０の上下両面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、金属板６０の上面にラミネートしたドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記開口部６１Ｘを形成する。これにより、金属板６０の上面に開口部６１Ｘを有するレジスト層６１が形成され、金属板６０の下面全面を被覆するレジスト層６２が形成される。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層６１，６２を形成することができる。
【００４２】
次に、図５（ｄ）に示す工程では、レジスト層６１，６２をエッチングマスクとして、開口部６１Ｘから露出している金属板６０の部分にハーフエッチングを施し、当該部分を所要の深さまで除去して薄くする。これにより、開口部６１Ｘから露出している金属板６０に凹部６０Ｘが形成される。換言すると、レジスト層６１で被覆されている金属板６０に凸部６３が形成される。例えば、ウェットエッチング（等方性エッチング）により金属板６０をパターニングする場合には、そのウェットエッチングで使用されるエッチング液は、金属板６０の材料に応じて適宜選択することができる。例えば金属板６０として銅を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を用いることができ、金属板６０の上面側からスプレーエッチングにて上記凹部６０Ｘの形成を行うことができる。このようにウェットエッチングにより金属板６０に凹部６０Ｘが形成されると、エッチングが金属板６０の面内方向に進行するサイドエッチ現象により凸部６３の断面形状が台形に形成される。なお、このようなエッチング加工（ハーフエッチング）により凹部６０Ｘ（凸部６３）を形成することも可能であるが、例えばプレス加工により凹部６０Ｘ（凸部６３）を形成することもできる。
【００４３】
その後、図５（ｅ）に示す工程では、図５（ｄ）に示したレジスト層６１，６２を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。これにより、図６（ａ）に示すように、各領域Ａ１内において、複数の凸部６３が該領域Ａ１の外周縁（破線参照）に沿ってペリフェラル状に二列に配設される。
【００４４】
続いて、図５（ｆ）に示す工程では、各凸部６３の上面６３Ａ（第１面）にはんだ６４（第１はんだ）を形成する。このはんだ６４は、例えばはんだペーストの塗布やはんだボールの搭載により形成することができる。
【００４５】
次に、図６（ｂ）に示すように、第２基板５を形成するための第２基板用基板材６５（以下、単に「基板材６５」ともいう。）を準備する。基板材６５は、複数枚の第２基板５を形成するための一枚の基板材であり、第２基板５が形成される領域である基板形成領域Ａ２を複数（ここでは、３つ）有している。この基板材６５は、上記金属板６０よりも一回り大きく形成されている。ここで、図６（ｂ）は、各基板形成領域Ａ２に第２基板５に対応する構造体が形成された状態、つまり各基板形成領域Ａ２の下面側に多数の接続用パッドＰ５が形成された状態を示している。この基板材６５は、後工程において切断線Ｂ２に沿ってダイシングブレード等によって切断される。これにより、第２基板５に対応する構造体が個片化される。この第２基板５に対応する構造体は、公知の製造方法により製造することが可能であるが、その概略について、図７（ａ）を参照しながら簡単に説明する。なお、以下に示す図７及び図９においては、説明の便宜上、一つの基板形成領域Ａ２における基板材６５の断面構造を示している。
【００４６】
まず、コア基板３１の所要箇所に貫通孔３１Ｘを形成し、その貫通孔３１Ｘの内側面にめっきを施して貫通電極３２を形成することで両面を導通させた後、例えばサブトラクティブ法により配線パターン３３，３６を形成する。次に、配線パターン３３の一部を部品接続パッドＰ４として露出させるための開口部３５Ｘを有するソルダレジスト層３５を形成するとともに、配線パターン３６の一部を接続用パッドＰ５として露出させるための開口部３８Ｘを有するソルダレジスト層３８を形成する。続いて、例えば無電解めっき法により、部品接続パッドＰ４上に金属層３４を形成する。以上の工程により、基板材６５の各基板形成領域Ａ２に第２基板５に対応する構造体を製造することができる。
【００４７】
次に、図７（ｂ）に示す工程では、接続用パッドＰ５上にはんだ３７Ａ（第２はんだ）を形成する。このはんだ３７Ａは、例えばはんだペーストの塗布やはんだボールの搭載により形成することができる。
【００４８】
続いて、図７（ｃ）に示す工程では、はんだ３７Ａ（接続用パッドＰ５）を被覆するように、ソルダレジスト層３８上に絶縁層４１を形成する。この絶縁層４１は、図８に示すように、各基板形成領域Ａ２内の全てのはんだ３７Ａを被覆するように環状に形成される。絶縁層４１の材料としては、例えば粘着性を有するＢ−ステージ状態（半硬化状態）のシート状の絶縁性樹脂（例えば、ＮＣＦ（Non Conductive Film））やペースト状の絶縁性樹脂（例えば、ＮＣＰ（Non Conductive Paste））を用いることができる。また、絶縁層４１の材料としては、他にもビルドアップ樹脂（無機フィラー入りのエポキシ樹脂又は無機フィラーなしのエポキシ樹脂）や液晶ポリマー（liquid crystal polymer）等を用いることができる。また、絶縁層４１の材料としては、粘着性を有するシート状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＦ（Anisotropic Conductive Film））やペースト状の異方性導電樹脂（例えば、ＡＣＰ（Anisotropic Conductive Paste））等を用いることができる。ここで、ＡＣＰ及びＡＣＦは、例えばエポキシ系樹脂又はシアネートエステル系樹脂をベースとする絶縁性樹脂にＮｉ／Ａｕに被膜された小径球状の樹脂が分散されたものであり、鉛直方向に対しては導電性を有し、水平方向には絶縁性を有する樹脂である。このような絶縁層４１の材料である樹脂としては、例えば熱硬化性樹脂を用いることができる。
【００４９】
例えば絶縁層４１として粘着性を有するシート状の絶縁性樹脂又は異方性導電樹脂を用いる場合には、ソルダレジスト層３８上に平面視環状に形成されたシート状の絶縁性樹脂をラミネートすることにより上記絶縁層４１を形成することができる。但し、この工程では、シート状の絶縁性樹脂の熱硬化は行わず、Ｂ−ステージ状態にしておく。なお、シート状の絶縁性樹脂を真空雰囲気中でラミネートすることにより、絶縁層４１中へのボイドの巻き込みを抑制することができる。また、絶縁層４１としてペースト状の絶縁性樹脂又は異方性導電樹脂を用いる場合には、ソルダレジスト層３８上に例えばスクリーン印刷法により液状又はペースト状の絶縁性樹脂又は異方性導電樹脂を形成し、その後、プリベークして絶縁性樹脂又は異方性導電樹脂を半硬化させる。この半硬化した絶縁性樹脂又は異方性導電樹脂は、接着性を有する。
【００５０】
次に、図９（ａ）に示す工程では、絶縁層４１が形成された基板材６５の上方に、上記複数の凸部６３が形成された金属板６０を配置する。具体的には、金属板６０の３つの領域Ａ１と基板材６５の３つの基板形成領域Ａ２とがそれぞれ上下に整列するように、金属板６０と基板材６５とを配置する。より具体的には、基板材６５のソルダレジスト層３８と、金属板６０の凸部６３及びはんだ６４とを対向させて、凸部６３（はんだ６４）とはんだ３７Ａ（接続用パッドＰ５）とが対向するように位置決めされる。
【００５１】
続いて、図９（ｂ）に示す工程では、はんだ３７Ａの形成された接続用パッドＰ５上に、金属板６０の凸部６３をはんだ接合する。具体的には、まず、熱硬化されていないＢ−ステージ状態の絶縁層４１の接着性を利用して、金属板６０を絶縁層４１を介して基板材６５に搭載し仮固定する。必要に応じて、金属板６０を絶縁層４１（基板材６５）側に押圧してもよい。このとき、金属板６０の凸部６３と基板材６５のはんだ３７Ａとが対応する位置に配置される。そして、例えば２３０〜２６０℃程度の温度で加熱、及び金属板６０側から荷重を加えることで、凸部６３とはんだ３７とを電気的に接続する。具体的には、金属板６０の凸部６３及びはんだ６４が半硬化状態の絶縁層４１を突き破って、凸部６３及びはんだ６４がはんだ３７Ａに接続される。このとき、上記加熱処理によりはんだ６４及びはんだ３７Ａが溶融し合金となり、一つのはんだ層３７が形成される。そして、はんだ層３７を介して凸部６３と接続用パッドＰ５とが電気的に接続される。すなわち、はんだ６４，３７Ａを２３０℃〜２６０℃程度に加熱し、はんだ６４，３７Ａを溶融・凝固することにより、凸部６３と接続用パッドＰ５とを電気的に接続している。また、絶縁層４１にＡＣＦやＡＣＰを用いる場合には、凸部６３（はんだ６４）とはんだ３７Ａとの間に絶縁層４１（ＡＣＦ又はＡＣＰ）を介在させて加圧することにより、絶縁層４１のうち対向するはんだ６４，３７Ａ間の部分が強く加圧されて厚さ方向に導電性を示すようになるため、それらはんだ６４，３７Ａ間が電気的に接続される。これにより、凸部６３と接続用パッドＰ５とがはんだ６４３７Ａを介して電気的に接続される。
【００５２】
また、上述のように金属板６０側から荷重を加えることにより、半硬化状態の絶縁層４１は、金属板６０と基板材６５との積層方向と直交する平面方向に押し広げられる。なお、半硬化状態の絶縁層４１は、上記金属板６０の積層時における加熱処理又は積層後に実施される加熱処理により、絶縁層４１の硬化温度以上で所定時間加熱されて熱硬化される。これにより、熱硬化後の絶縁層４１と金属板６０とが接着されるとともに、凸部６３が熱硬化された絶縁層４１によって被覆される。
【００５３】
次に、金属板６０にハーフエッチングを施すことにより、金属板６０を所要の深さまで除去して薄くし、図９（ｃ）に示すように金属ポスト４０を形成する。具体的には、図９（ｂ）に示した凸部６３の下面（第２面）側の一部が除去されるまで、つまり図９（ｃ）に示した金属ポスト４０の下面４０Ｂが絶縁層４１の下面４１Ｂよりも低くなるまで上記金属板６０を薄化する。これにより、絶縁層４１の貫通孔４１Ｘ内に金属ポスト４０が形成され、その金属ポスト４０の下面４０Ｂと絶縁層４１の下面４１Ｂによって段差部が形成される。さらに、上述のように金属ポスト４０の下面４０Ｂが絶縁層４１の下面４１Ｂよりも低くなるように金属板６０の薄化を行うことにより、金属ポスト４０の下面４０Ｂに断面視皿状の凹部４０Ｘを形成することができ、貫通孔４１Ｘの開口端部を丸みを帯びた形状に形成することができる。すなわち、金属板６０の薄化が進み、絶縁層４１が露出されると、その絶縁層４１付近の金属板６０は、絶縁層４１から離れた金属板６０よりもエッチングレートが低くなる。このため、金属ポスト４０の下面４０Ｂには、内側壁が傾斜面となる凹部４０Ｘが形成される。さらに、上記エッチング処理によって絶縁層４１の縁部、つまり貫通孔４１Ｘの開口端部が削られるため、貫通孔４１Ｘの開口端部が面取りされる。換言すると、このエッチング処理では、金属ポスト４０の下面４０Ｂに凹部４０Ｘが形成され、貫通孔４１Ｘの開口端部が面取りされるまで金属板６０が薄化される。
【００５４】
例えば、ウェットエッチング（等方性エッチング）により金属板６０を薄化する場合には、そのウェットエッチングで使用されるエッチング液は、金属板６０の材料に応じて適宜選択することができる。例えば金属板６０として銅を用いる場合には、エッチング液として塩化第二鉄水溶液を用いることができ、金属板６０の上面側からスプレーエッチングにて上記金属ポスト４０の形成を行うことができる。なお、本工程において、絶縁層４１は、凸部６３（金属ポスト４０）の側面が上記エッチングにより除去されないように凸部６３を保護する保護層として機能する。
【００５５】
次に、図９（ｄ）に示す工程では、パッドとなる金属ポスト４０の下面４０Ｂ上に、コア付きはんだボール５０を搭載する。例えば金属ポスト４０の下面４０Ｂ上に、適宜フラックスを塗布した後、コア付きはんだボール５０を搭載し、２３０〜２６０℃程度の温度でリフローして固定する。その後、表面を洗浄してフラックスを除去する。
【００５６】
以上説明した図５〜図９に示した工程（第２工程）により、基板材６５上に、金属ポスト４０とコア付きはんだボール５０と絶縁層４１とを有するスペーサ部６が接合される。
次に、図１０に示すように、第１基板２を形成するための第１基板用基板材６６（以下、単に「基板材６６」ともいう。）を準備する。基板材６６は、複数枚の第１基板２を形成するための一枚の基板材であり、第１基板２が形成される領域である基板形成領域Ａ３を複数（ここでは、３つ）有している。ここで、図１０は、各基板形成領域Ａ３に第１基板２に対応する構造体が形成された状態、つまり各基板形成領域Ａ３の上面側に多数の接続用パッドＰ２及び金属層２１が形成され、且つ各基板形成領域Ａ２の上面に半導体チップ３が実装された状態を示している。この基板材６６は、後工程において切断線Ｂ３に沿ってダイシングブレード等によって切断される。これにより、第１基板２に対応する構造体が個片化される。この第１基板２に対応する構造体は、公知の製造方法により製造することが可能であるが、その概略について、図１１（ａ）を参照しながら簡単に説明する。なお、以下に示す図１１においては、説明の便宜上、一つの基板形成領域Ａ３における基板材６６の断面構造を示している。
【００５７】
まず、コア基板１１の所要箇所に貫通孔１１Ｘを形成し、その貫通孔１１Ｘの内側面にめっきを施して貫通電極１２を形成することで両面を導通させた後、例えばサブトラクティブ法により配線１５，１６を形成する。次に、コア基板１１の上面及び下面にそれぞれ絶縁層１３，１４を樹脂フィルムの真空ラミネートにより形成し、加熱して硬化させる。なお、ペースト状又は液状の樹脂の塗布と加熱により絶縁層１３，１４を形成してもよい。続いて、絶縁層１３，１４にそれぞれ開口部を形成し、必要であればデスミア処理した後、例えばセミアディティブ法によりビア１７，１８及び配線パターン２０，２３を形成する。次いで、配線パターン２０の一部をチップ用パッドＰ１及び接続用パッドＰ２としてそれぞれ露出させるための開口部２２Ｘ，２２Ｙを有するソルダレジスト層２２を形成し、配線パターン２３の一部を外部接続用パッドＰ３として露出させるための開口部２５Ｘを有するソルダレジスト層２５を形成する。次に、例えば無電解めっき法により、チップ用パッドＰ１上及び接続用パッドＰ２上に金属層２１を形成し、外部接続用パッドＰ３上に金属層２４を形成する。続いて、半導体チップ３のバンプ３ａをチップ用パッドＰ１上に形成された金属層２１にフリップチップ接合する。すなわち、半導体チップ３を基板材６６の各基板形成領域Ａ３にフリップチップ実装する。その後、半導体チップ３とソルダレジスト層２２との間にアンダーフィル樹脂４を充填する。以上の工程により、基板材６６の各基板形成領域Ａ３に第１基板２に対応する構造体を製造することができる（第１工程）。
【００５８】
また、図１１（ａ）に示す工程では、第１基板用基板材６６の上方に、スペーサ部６が接合された第２基板用基板材６５を配置する。具体的には、第１基板用基板材６６の３つの基板形成領域Ａ３と第２基板用基板材６５の３つの基板形成領域Ａ２がそれぞれ上下に整列するように、両基板材６５，６６を配置する。より具体的には、第１基板用基板材６６のソルダレジスト層２２の上面と、第２基板用基板材６５のソルダレジスト層３８の下面とを対向させて、スペーサ部６（接続用パッドＰ５）と金属層２１（接続用パッドＰ２）とが対向するように位置決めされる。
【００５９】
次に、図１１（ｂ）に示す工程（第３工程）では、金属層２１の形成された接続用パッドＰ２上に、スペーサ部６のコア付きはんだボール５０を接合する。具体的には、まず、接続用パッドＰ２上に形成された金属層２１の上面に、適宜フラックスを塗布する。その後、図１１（ｂ）に示すように、第２基板用基板材６５を、スペーサ部６を間に挟んだ状態で第１基板用基板材６６の上に配置する。すると、第１基板用基板材６６と第２基板用基板材６５との間にはスペーサ部６により間隙（空間）が形成される。このため、第１基板用基板材６６の各基板形成領域Ａ３に搭載された半導体チップ３は、上記間隙内に収容された状態となる。そして、上述のように重ね合わされた基板材６６及び基板材６５をリフロー炉で２３０〜２６０℃程度の温度で加熱する。これにより、コア付きはんだボール５０のはんだ５２が溶融し、コア付きはんだボール５０が接続用パッドＰ２上の金属層２１に接合される。このようにして、第２基板用基板材６５が第１基板用基板材６６に固定される。なお、本工程では、第２基板用基板材６５を第１基板用基板材６６に対して押圧しながらリフローが行われるが、コア付きはんだボール５０の銅コアボール５１及び金属ポスト４０がスペーサとして機能し、両基板材６５，６６間の間隔は所定の距離に維持される。
【００６０】
次に、図１１（ｃ）に示す工程（第４工程）では、両基板材６５，６６間の空間を充填するように、且つ両基板材６５，６６間に配置された半導体チップ３等を封止するように封止樹脂７を形成する。例えば、封止樹脂７の材料として熱硬化性を有したモールド樹脂を用いる場合には、図１１（ｂ）に示した構造体を金型内に収容し、金型内に圧力（例えば、５〜１０ＭＰａ）を印加し、流動化したモールド樹脂を導入する。その後、樹脂を例えば１８０℃程度で加熱して硬化させることにより、封止樹脂７を形成する。この封止樹脂７によって、基板材６５と基板材６６とが強固に固定される。
【００６１】
以上の製造工程により、基板材６５，６６の基板形成領域Ａ２，Ａ３に電子部品内蔵基板１に対応する構造体が製造される。
そして、図１１（ｃ）に示した構造体を、基板材６５の切断線Ｂ２及び基板材６６の切断線Ｂ３に沿ってダイシングにより切断することで、３つの電子部品内蔵基板１を個片化する。以上の製造工程を経て、３つの電子部品内蔵基板１を一括して製造することができる。なお、一括して製造する電子部品内蔵基板１の数は３つに限定されず、第１基板２と第２基板５とが準備できる範囲内で、任意の数の電子部品内蔵基板１を一括して製造することができる。
【００６２】
以上説明した本実施形態によれば、以下の効果を奏することができる。
（１）第１基板２と第２基板５とを電気的に接続するスペーサ部６を、金属ポスト４０とコア付きはんだボール５０とを積層した構造とした。これにより、スペーサ部６の最小ピッチを狭くすることができるため、配線パターン２０，３６等の微細化に伴う接続用パッドＰ２，Ｐ５の狭ピッチ化に対応することができる。換言すると、第１基板２と第２基板５との間に配置される半導体チップ３の高さが高くなった場合であっても、接続用パッドＰ２，Ｐ５の狭ピッチ化に容易に対応することができる。
【００６３】
（２）金属ポスト４０の下面４０Ｂに断面視皿状の凹部４０Ｘを形成し、その凹部４０Ｘにコア付きはんだボール５０を搭載するようにした。この凹部４０Ｘの底面と絶縁層４１の下面４１Ｂとで段差部が形成されるため、その凹部４０Ｘ（金属ポスト４０の下面４０Ｂ）にコア付きはんだボール５０を容易に搭載することができる。さらに、上記段差部によってはんだ（例えば、はんだ５２）が隣接する接続用パッドＰ５に流れ出ることが抑制されるため、はんだ５２の高さを高く保つことができる。
【００６４】
（３）金属ポスト４０の下面４０Ｂを、金属ポスト４０の側面を被覆する絶縁層４１の下面４１Ｂよりも上面４０Ａ（反対面）側に凹むように形成し、その金属ポスト４０の下面４０Ｂにコア付きはんだボール５０を搭載するようにした。これにより、金属ポスト４０の下面４０Ｂと絶縁層４１の下面４１Ｂとで段差部が形成されるため、その金属ポスト４０の下面４０Ｂにコア付きはんだボール５０を容易に搭載することができる。
【００６５】
（４）絶縁層４１の貫通孔４１Ｘの内壁における金属ポスト４０の下面４０Ｂ側の端部（開口端部）を面取りするようにした。これにより、金属ポスト４０の下面４０Ｂ、つまり絶縁層４１の貫通孔４１Ｘ内にコア付きはんだボール５０を搭載する際に、多少位置ずれが生じた場合であっても、貫通孔４１Ｘ内にコア付きはんだボール５０を容易に振り込むことができる。
【００６６】
（５）ところで、柱状の接続端子である金属ポストの製造方法としては、以下のような方法も考えられる。すなわち、接続用パッドＰ５上にバリヤメタル層を形成し、パッド（バリヤメタル層）を露出させてめっきレジストをパターニング後、バリヤメタル層上にめっき（例えば、電解銅めっき）により柱状の接続端子を形成する。そして、上記めっきレジストを除去し、さらにバリヤメタル層の露出している部分をエッチングする。このような製造方法によって金属ポストを形成することができる。しかし、めっきにより金属ポストを形成した場合には、めっき厚のばらつきが生じやすいため、金属ポストを高く形成すると、その金属ポストの高さばらつきが大きくなってしまう。
【００６７】
これに対し、本実施形態では、金属板６０をエッチングすることによって金属ポスト４０を形成するようにしたため、めっきにより金属ポストを形成する場合と比べて、金属ポスト４０の高さばらつきを小さくすることができる。これにより、第１基板２と第２基板５との接続性を向上させることができる。
【００６８】
（第２実施形態）
以下、第２実施形態を図１２〜図１５に従って説明する。この実施形態の電子部品内蔵基板１Ａは、スペーサ部の構造が上記第１実施形態と異なっている。以下、第１実施形態との相違点を中心に説明する。なお、先の図１〜図１１に示した部材と同一の部材にはそれぞれ同一の符号を付して示し、それら各要素についての詳細な説明は省略する。
【００６９】
図１２に示すように、第２基板５の接続用パッドＰ５上には、金属層３９が形成されている。この金属層３９の例としては、配線パターン３６の下面から、Ｎｉ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。また、金属層３９の他の例としては、配線パターン３６の下面から、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｕ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層を順に積層した金属層、Ｎｉ層／Ｐｄ層／Ａｇ層／Ａｕ層を順に積層した金属層を挙げることができる。例えば金属層３９がＮｉ層／Ａｕ層である場合には、Ｎｉ層の厚さを０．０５〜５μｍ程度とすることができ、Ａｕ層の厚さを０．０１〜１μｍ程度とすることができる。なお、金属層３９によって接続用パッドＰ５が被覆される場合には、その金属層３９が接続用パッドとして機能する。
【００７０】
各金属層３９には、スペーサ部６Ａがそれぞれ接合されている。各スペーサ部６Ａは、第１基板２の接続用パッドＰ２（金属層２１）にも接合されている。すなわち、各スペーサ部６Ａは、第１基板２と第２基板５との間に介在して設けられ、その一端が金属層３９に接合され、他端が金属層２１に接合されている。このスペーサ部６Ａの高さは、半導体チップ３の厚さとバンプ３ａの厚さとを合計した厚さよりも高く設定されている。例えば、スペーサ部６Ａの高さは、１５０〜３００μｍ程度とすることができる。
【００７１】
各スペーサ部６Ａは、コア付きはんだボール４２と、そのコア付きはんだボール４２に接合された金属ポスト４０と、コア付きはんだボール４２と金属ポスト４０の側面とを被覆する絶縁層４６と、絶縁層４６から露出された金属ポスト４０の下面４０Ｂに搭載されたコア付きはんだボール５０とを有している。このように、本例のスペーサ部６Ａは、コア付きはんだボール４２（第２はんだボール）と、金属ポスト４０と、コア付きはんだボール５０（第１はんだボール）とが、第１基板２及び第２基板５の積層方向に積層された構造を有している。
【００７２】
コア付きはんだボール４２は、接続用パッドＰ５上に形成された金属層３９に接合されている。このコア付きはんだボール４２は、金属層３９を介して接続用パッドＰ５と電気的に接続されている。また、コア付きはんだボール４２は、球形状の銅コアボール４３の周囲をはんだ４４で覆った構造を有し、はんだ４４が接合材として機能し銅コアボール４３がスペーサとして機能する。すなわち、コア付きはんだボール４２は、はんだ４４によって金属層３９と接合されるとともに、はんだ４４によって金属ポスト４０と接合されている。なお、銅コアボール４３の高さ（直径）は例えば５０〜１００μｍ程度とすることができ、コア付きはんだボール４２の高さ（直径）は例えば１００〜１５０μｍ程度とすることができる。
【００７３】
金属ポスト４０は、その上面４０Ａがコア付きはんだボール４２に接合され、下面４０Ｂがコア付きはんだボール５０に接合されている。なお、金属ポスト４０の高さは、例えば５０〜１００μｍ程度とすることができる。
【００７４】
絶縁層４６は、コア付きはんだボール４２全面を被覆するように、且つ金属ポスト４０の側面を被覆するように、ソルダレジスト層３８の下面に形成されている。絶縁層４６には、所要の箇所（コア付きはんだボール４２及び金属ポスト４０が形成される箇所）に、厚さ方向に貫通する貫通孔４６Ｘが形成されている。この貫通孔４６Ｘには、コア付きはんだボール４２及び金属ポスト４０が収容されている。例えば、絶縁層４６は、上記絶縁層４１（図２参照）と同様に、平面視で半導体チップ３の外周縁を囲むように平面視環状に形成されている。そして、この絶縁層４６には、平面視で半導体チップ３の外周縁に沿って複数列（ここでは、二列）に上記貫通孔４６Ｘが形成されている。なお、絶縁層４６の材料としては、例えばエポキシ系樹脂などの絶縁性樹脂を用いることができる。
【００７５】
コア付きはんだボール５０は、絶縁層４６から露出された金属ポスト４０の下面４０Ｂに搭載（接合）されている。このコア付きはんだボール５０は、接続用パッドＰ２上に形成された金属層２１に接合されている。なお、銅コアボール５１の高さ（直径）は例えば５０〜１００μｍ程度とすることができ、コア付きはんだボール５０の高さ（直径）は例えば１００〜１５０μｍ程度とすることができる。
【００７６】
例えば、本例のスペーサ部６Ａでは、銅コアボール４３（又はコア付きはんだボール４２）の高さと金属ポスト４０の高さと銅コアボール５１（又はコア付きはんだボール５０）の高さとが１：１：１になるように設定されている。但し、上記比は１：１：１に限定されない。
【００７７】
次に、上記電子部品内蔵基板１Ａの製造方法について説明する。以下の説明では、説明の簡略化のために１つの電子部品内蔵基板１Ａを拡大して説明するが、実際には上記第１実施形態と同様に、複数の電子部品内蔵基板１Ａに対応する構造体を一括して作製した後、個々の電子部品内蔵基板１Ａに個片化される。なお、ここでは、個片化の工程についての説明は省略する。
【００７８】
図１３（ａ）に示す工程では、先の図５（ａ）〜図５（ｅ）に示した工程と同様の製造工程により、金属板６０の所要箇所に凸部６３を形成する。
続いて、図１３（ｂ）に示す工程では、凸部６３の上面６３Ａ上に、コア付きはんだボール４２を搭載する。例えば凸部６３の上面６３Ａ上に、適宜フラックスを塗布した後、コア付きはんだボール４２を搭載し、２３０〜２６０℃程度の温度でリフローして固定する。その後、表面を洗浄してフラックスを除去する。
【００７９】
次に、図１４（ａ）に示す工程では、第２基板５の接続用パッドＰ５上に、例えば無電解めっき法により金属層３９を形成し、それら金属層３９（接続用パッドＰ５）を被覆するようにソルダレジスト層３８上にＢ−ステージ状態の絶縁層４６を形成する。この絶縁層４６の材料としては、上記絶縁層４１と同様の材料を用いることができる。
【００８０】
また、図１４（ａ）に示す工程では、絶縁層４６が形成された第２基板５の上方に、各凸部６３上にコア付きはんだボール４２が搭載された金属板６０を配置する。具体的には、第２基板５のソルダレジスト層３８と、金属板６０の凸部６３及びコア付きはんだボール４２とを対向させて、コア付きはんだボール４２と金属層３９（接続用パッドＰ５）とが対向するように位置決めされる。
【００８１】
続いて、図１４（ｂ）に示す工程では、金属層３９の形成された接続用パッドＰ５上に、コア付きはんだボール４２を接合する。具体的には、まず、熱硬化されていないＢ−ステージ状態の絶縁層４６の接着性を利用して、金属板６０を絶縁層４６を介して第２基板５に搭載し仮固定する。必要に応じて、金属板６０を絶縁層４６（第２基板５）側に押圧してもよい。このとき、金属板６０の凸部６３に搭載されたコア付きはんだボール４２と第２基板５の金属層３９とが対応する位置に配置される。そして、例えば２３０〜２６０℃程度の温度で加熱、及び金属板６０側から荷重を加える。これにより、金属板６０の凸部６３及びコア付きはんだボール４２が半硬化状態の絶縁層４６を突き破って、コア付きはんだボール４２が金属層３９に突き当てられる。これによって、コア付きはんだボール４２と金属層３９とが電気的に接続される。このとき、コア付きはんだボール４２にはんだ４４が用いられているため、上記はんだ４４を溶融・凝固することによりコア付きはんだボール４２と金属層３９との電気的な接続が行われる。
【００８２】
また、上述のように金属板６０側から荷重を加えることにより、半硬化状態の絶縁層４６は、金属板６０と第２基板５との積層方向と直交する平面方向に押し広げられる。なお、半硬化状態の絶縁層４６は、上記金属板６０の積層時における加熱処理又は積層後に実施される加熱処理により、絶縁層４６の硬化温度以上で所定時間加熱されて熱硬化される。これにより、熱硬化後の絶縁層４６と金属板６０とが接着されるとともに、凸部６３及びコア付きはんだボール４２が熱硬化された絶縁層４６によって被覆される。
【００８３】
次に、先の図９（ｃ）に示した工程と同様の製造工程により、金属板６０にハーフエッチングを施し、金属板６０を所要の深さまで除去して薄くする。これにより、図１４（ｃ）に示すように、絶縁層４６の貫通孔４６Ｘ内に金属ポスト４０が形成され、その金属ポスト４０の下面４０Ｂと絶縁層４６の下面４６Ｂによって段差部が形成される。
【００８４】
次に、図１４（ｄ）に示す工程では、金属ポスト４０の下面４０Ｂ上に、コア付きはんだボール５０を搭載する。例えば金属ポスト４０の下面４０Ｂ上に、適宜フラックスを塗布した後、コア付きはんだボール５０を搭載し、２３０〜２６０℃程度の温度でリフローして固定する。これにより、第２基板５上に、コア付きはんだボール４２と金属ポスト４０とコア付きはんだボール５０と絶縁層４６とを有するスペーサ部６Ａが形成される。
【００８５】
続いて、図１５（ａ）に示す工程では、第１基板２の上方に、スペーサ部６Ａが接合された第２基板５を配置する。具体的には、第１基板２のソルダレジスト層２２の上面と、第２基板５のソルダレジスト層３８の下面とを対向させて、スペーサ部６Ａ（接続用パッドＰ５）と金属層２１（接続用パッドＰ２）とが対向するように位置決めされる。
【００８６】
次に、図１５（ｂ）に示す工程では、先の図１１（ｂ）に示した工程と同様の製造工程により、金属層２１の形成された接続用パッドＰ２上に、スペーサ部６Ａのコア付きはんだボール５０を接合する。すなわち、接続用パッドＰ２上に形成された金属層２１上に、適宜フラックスを塗布した後、図１５（ｂ）に示すように、第２基板５を、スペーサ部６Ａを間に挟んだ状態で第１基板２の上に重ね合わせた後、リフロー炉で２３０〜２６０℃程度の温度で加熱する。これにより、コア付きはんだボール５０のはんだ５２が溶融し、コア付きはんだボール５０が接続用パッドＰ２上の金属層２１に接合される。このようにして、第２基板５が第１基板２に固定される。
【００８７】
次に、図１５（ｃ）に示す工程では、先の図１１（ｃ）に示した工程と同様の製造工程により、第１基板２と第２基板５との間の空間を充填するように、且つ第１基板２と第２基板５との間に配置された半導体チップ３等を封止するように封止樹脂７を形成する。この封止樹脂７によって、第１基板２と第２基板５とが強固に固定される。
【００８８】
以上の製造工程により、図１２に示した電子部品内蔵基板１Ａが製造される。
以上説明した実施形態によれば、第１実施形態の（１）〜（５）の効果に加えて以下の効果を奏する。
【００８９】
（６）第１基板２と第２基板５とを電気的に接続するスペーサ部６Ａを、コア付きはんだボール４２と金属ポスト４０とコア付きはんだボール５０とを第１基板２及び第２基板５の積層方向に順に積層する構造とした。すなわち、３つの接続端子（金属ポスト４０及びコア付きはんだボール４２，５０）を積層してスペーサ部６Ａを形成するようにした。このため、各接続端子の直径を、１つの接続端子（金属ポスト又はコア付きはんだボール）のみでスペーサ部６Ａを形成する場合に比べて小さくすることができ、さらに２つの接続端子でスペーサ部６Ａを形成する場合と比べても小さくすることができる。これにより、スペーサ部６Ａが搭載可能な最小ピッチをより狭くすることができ、配線パターン２０，３６等の微細化に伴う接続用パッドＰ２，Ｐ５の狭ピッチ化に容易に対応することができる。
【００９０】
（他の実施形態）
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記各実施形態において、金属板６０の凸部６３の上面６３Ａ（金属ポスト４０の上面４０Ａとなる面）に金属層（めっき層）を形成するようにしてもよい。この場合の金属板６０の加工方法の一例を図１６及び図１７に従って説明する。
【００９１】
図１６（ａ）に示す工程では、まず、金属板６０の上面全面を覆うようにレジスト層７１を形成するとともに、金属板６０の下面全面を覆うようにレジスト層７２を形成する。その後、図１６（ｂ）に示す工程では、レジスト層７１の所要の箇所（金属ポスト４０を形成すべき箇所）に開口部７１Ｘを形成する。上記レジスト層７１，７２の材料としては、次工程のめっき処理に対して耐めっき性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層７１，７２の材料としては、感光性のドライフィルムレジスト又は液状のフォトレジスト（例えばノボラック系樹脂やアクリル系樹脂等のドライフィルムレジストや液状レジスト）等を用いることができる。例えば感光性のドライフィルムレジストを用いる場合には、金属板６０の上下両面にドライフィルムを熱圧着によりラミネートし、金属板６０の上面にラミネートしたドライフィルムを露光・現像によりパターニングして上記開口部７１Ｘを形成する。これにより、金属板６０の上面に開口部７１Ｘを有するレジスト層７１が形成され、金属板６０の下面全面を被覆するレジスト層７２が形成される。なお、液状のフォトレジストを用いる場合にも、同様の工程を経て、レジスト層７１，７２を形成することができる。
【００９２】
次に、図１６（ｃ）に示す工程では、上記レジスト層７１，７２をめっきマスクとして、金属板６０の上面に、その金属板６０をめっき給電層に利用する電解めっき法を施す。具体的には、レジスト層７１の開口部７１Ｘから露出された金属板６０の上面に電解めっき法を施すことにより、その金属板６０上に金属層７３を形成する。ここで、金属層７３がＮｉ層７４とＡｕ層７５とが積層された構造である場合には、電解めっき法により、レジスト層７１の開口部７１Ｘから露出された金属板６０の上面にＮｉ層７４とＡｕ層７５を順に積層する。
【００９３】
その後、図１６（ｄ）に示す工程では、図１６（ｃ）に示したレジスト層７１，７２を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
次に、図１７（ａ）に示す工程では、上記金属層７３及び金属板６０の上面全面を覆うようにレジスト層７６を形成するとともに、金属板６０の下面全面を覆うようにレジスト層７７を形成する。その後、図１７（ｂ）に示す工程では、所要の箇所（金属層７３が形成されている箇所、つまり金属ポスト４０を形成すべき箇所）のレジスト層７６のみを残すように、レジスト層７６に開口部７６Ｘを形成する。上記レジスト層７６，７７の材料としては、次工程のエッチング処理に対して耐エッチング性がある材料を用いることができる。例えば、レジスト層７６，７７の材料としては、上記レジスト層６１，６２と同様の材料を用いることができる。
【００９４】
続いて、図１７（ｃ）に示す工程では、レジスト層７６，７７及び金属層７３をエッチングマスクとして、開口部７６Ｘから露出している金属板６０の部分にハーフエッチングを施し、当該部分を所要の深さまで除去して薄くする。これにより、開口部７６Ｘから露出している金属板６０に凹部６０Ｘが形成される。換言すると、レジスト層７６及び金属層７３で被覆されている金属板６０に凸部６３が形成される。これにより、凸部６３の上面６３Ａ上に金属層７３が形成されたことになる。
【００９５】
次いで、図１７（ｄ）に示す工程では、図１７（ｃ）に示したレジスト層７６，７７を例えばアルカリ性の剥離液により除去する。
その後、例えば図１７（ｅ）に示すように、凸部６３の上面６３Ａ上に形成された金属層７３の上面（具体的には、Ａｕ層７５の上面）に、コア付きはんだボール４２を搭載する。例えばＡｕ層７５の上面に、適宜フラックスを塗布した後、コア付きはんだボール４２を搭載し、２３０〜２６０℃程度の温度でリフローして固定する。その後、表面を洗浄してフラックスを除去する。
【００９６】
このように、凸部６３の上面６３Ａ（金属ポスト４０の上面４０Ａ）に金属層７３を形成することにより、金属ポスト４０とコア付きはんだボール５０（又は、金属ポスト４０と接続用パッドＰ５）との接続性を向上させることができる。
【００９７】
・上記各実施形態における絶縁層４１，４６を以下のような方法により形成するようにしてもよい。
まず、図１８（ａ）に示す工程では、先の図７（ａ）及び図７（ｂ）に示した工程と同様の製造工程により、基板材６５の各基板形成領域Ａ２に第２基板５に対応する構造体を形成し、その基板材６５の接続用パッドＰ５上にはんだ３７Ａを形成する。
【００９８】
続いて、図１８（ｂ）に示す工程では、絶縁層４１のパターンに対応した開口部８１Ｘを有する剥離フィルム８１をソルダレジスト層３８上に貼付する。この剥離フィルム８１の開口部８１Ｘは、上記はんだ３７Ａ及びそのはんだ３７Ａ周辺に形成されたソルダレジスト層３８を露出させるように形成されている。この開口部８１Ｘは、例えば剥離フィルム８１をソルダレジスト層３８上に貼付する前に金型により予め打ち抜かれて形成される。また、ソルダレジスト層３８の上面全体に剥離フィルム８１を貼付した後に、レーザ等によって開口部８１Ｘの外形を形取るように剥離フィルム８１を切断し、その部分の剥離フィルム８１を除去して開口部８１Ｘを形成するようにしてもよい。
【００９９】
剥離フィルム８１の材料としては、例えば塩化ビニルやＰＥＴフィルムを用いることができる。また、剥離フィルム８１の下面にはアクリル樹脂などからなる粘着剤が設けられており、剥離フィルム８１はソルダレジスト層３８から容易に剥離できる状態で仮接着されている。
【０１００】
次に、図１８（ｃ）に示す工程では、基板材６５の上面側全面を被覆するように、ソルダレジスト層３８上及び剥離フィルム８１上にＢ−ステージ状態の絶縁層４１を形成する。
【０１０１】
続いて、剥離フィルム８１を基板材６５から引き剥がす。このとき、剥離フィルム８１上に配置された絶縁層４１が、剥離フィルム８１上に配置されていない絶縁層４１（つまり、ソルダレジスト層３８上及びはんだ３７Ａ上に形成された絶縁層４１）から引き裂かれ、剥離フィルム８１と一緒に基板材６５から引き剥がされる。図１８（ｄ）は、剥離フィルム８１を引き剥がした後の断面構造を示している。なお、本工程の時点では、絶縁層４１は半硬化状態であるため、剥離フィルム８１を基板材６５から引き剥がすことで容易に絶縁層４１を厚さ方向に引き裂くことができる。
【０１０２】
以上の製造方法によっても、上記第１実施形態と同様の絶縁層４１を形成することができる。なお、ここでは、上記第１実施形態の絶縁層４１の製造方法の変形例について説明したが、上記第２実施形態の絶縁層４６の製造方法についても同様に変形することができる。
【０１０３】
・上記各実施形態では、絶縁層４１，４６を平面視環状に形成するようにしたが、それら絶縁層４１，４６の平面形状は特に限定されない。例えば図１９に示されるように、金属ポスト４０が形成される平面視環状の第１領域Ｃ１において、絶縁層４１の形成されていない第１非形成領域Ｄ１が形成されるような平面形状に絶縁層４１を形成してもよい。ここで、上記第１領域Ｃ１よりも内側の領域及び上記第１領域Ｃ１よりも外側の領域には、絶縁層４１が形成されていない第２非形成領域Ｄ２及び第３非形成領域Ｄ３がそれぞれ形成されている。そして、上記第１非形成領域Ｄ１は、第２非形成領域Ｄ２と第３非形成領域Ｄ３とを接続するように形成されている。このような第１非形成領域Ｄ１の形成によって、絶縁層４１が形成されていない非形成領域Ｄ１，Ｄ２，Ｄ３が空間的に連続して形成される。これにより、基板材６５と基板材６６との間の空間に封止樹脂７を充填する際に、第３非形成領域Ｄ３から第１非形成領域Ｄ１を通じて第２非形成領域Ｄ２に樹脂（例えば、モールド樹脂）が流れるとともに、第２非形成領域Ｄ２から第１非形成領域Ｄ１を通じて第３非形成領域Ｄ３に樹脂が流れる。このため、仮に基板材６５（第２基板５）と基板材６６（第１基板２）との間の空間において、その空間の厚さ方向に占める絶縁層４１の割合が高くなった場合であっても、上記樹脂の充填性が低下することを抑制することができる。
【０１０４】
さらに、本変形例では、複数の第１非形成領域Ｄ１を平面方向で向かい合う位置に形成するようにした。このため、一方の第１非形成領域Ｄ１を通じて第２非形成領域Ｄ２に導入された樹脂を、他方の第１非形成領域Ｄ１を通じて第３非形成領域Ｄ３に流すことができる。したがって、基板材６５（第２基板５）と基板材６６（第１基板２）との間の空間において、その空間の厚さ方向に占める絶縁層４１の割合が高くなった場合であっても、上記樹脂の充填性が低下することをより抑制することができる。
【０１０５】
なお、上記変形例では、第１領域Ｃ１において複数の第１非形成領域Ｄ１を形成するようにしたが、第１領域Ｃ１に１つの第１非形成領域Ｄ１を形成するようにしてもよい。
・上記各実施形態では、金属ポスト４０や接続用パッドＰ２，Ｐ５を、平面視で半導体チップ３の外周縁を囲む配置で形成するようにしたが、その平面配置に限定されない。例えば図２０に示されるように、半導体チップ３の外形をなす四辺のうちの任意の１又は複数の辺（ここでは、一辺）に対応する位置に金属ポスト４０や接続用パッドＰ５を形成しないようにしてもよい。すなわち、この場合には、半導体チップ３の外形をなす四辺のうちの任意の三辺に対応する位置のみに金属ポスト４０や接続用パッドＰ５が形成される。なお、この場合の絶縁層４１は、例えば平面視コ字状に形成される。
【０１０６】
・上記各実施形態では、金属ポスト４０の下面４０Ｂを、絶縁層４１，４６の下面４１Ｂ，４６Ｂよりも低くなるように形成した。これに限らず、例えば金属ポスト４０の下面４０Ｂを、絶縁層４１，４６の下面４１Ｂ，４６Ｂと面一になるように形成してもよい。
【０１０７】
・上記各実施形態では、絶縁層４１，４６の貫通孔４１Ｘ，４６Ｘの内壁における金属ポスト４０の下面４０Ｂ側の端部（開口端部）を面取りされた形状としたが、上記開口端部は面取りされていなくてもよい。
【０１０８】
・上記各実施形態における絶縁層４１，４６を省略してもよい。また、電子部品内蔵基板１，１Ａの製造途中において絶縁層４１，４６を除去するようにしてもよい。例えば、第２基板５に固定された金属板６０を薄化して金属ポスト４０を形成した後に、絶縁層４１，４６を除去するようにしてもよい。
【０１０９】
・上記第１実施形態の各スペーサ部６では、金属ポスト４０を第２基板５の接続用パッドＰ５に接合し、コア付きはんだボール５０を第１基板２の接続用パッドＰ２に接合するようにした。これに限らず、例えば金属ポスト４０を第１基板２の接続用パッドＰ２に接合し、コア付きはんだボール５０を第２基板５の接続用パッドＰ５に接合するようにしてもよい。
【０１１０】
・上記各実施形態では、第２基板５の接続用パッドＰ５にスペーサ部６，６Ａを接合した後に、そのスペーサ部６，６Ａを第１基板２の接続用パッドＰ２に接合して第２基板５を第１基板２に接続するようにした。これに限らず、例えば第１基板２の接続用パッドＰ２にスペーサ部６，６Ａを接合した後に、そのスペーサ部６，６Ａを第２基板５の接続用パッドＰ５に接合して第２基板５を第１基板２に接続するようにしてもよい。この場合において、接続用パッドＰ２にスペーサ部６，６Ａを接合した後に、第１基板２に半導体チップ３をフリップチップ実装するようにしてもよい。
【０１１１】
・上記各実施形態のコア付きはんだボール４２，５０の導電性コアボールとして銅コアボール４３，５１を用いるようにした。これに限らず、銅コアボール４３，５１の代わりに、例えば金やニッケル等の銅以外の金属により形成した導電性コアボールを用いるようにしてもよい。あるいは、コア付きはんだボール４２，５０の代わりに、導電性コアボールを省略したはんだボールを用いるようにしてもよい。
【０１１２】
・上記各実施形態の第１基板２において、最外層の配線パターン２０，２３よりも内層の構造については特に限定されない。すなわち、第１基板２は、少なくとも、最外層の配線パターン２０，２３が基板内部を通じて相互に電気的に接続された構造を有していれば十分であるため、最外層の配線パターン２０，２３よりも内層の構造については特に限定されない。例えばコア基板１１の構造及び材質は特に限定されない。また、コア基板１１上に形成される下層配線（例えば、配線１５，１６）とその下層配線を覆う絶縁層（例えば、絶縁層１３，１４）の層数についても特に限定されない。あるいは、基板本体１０を、コア基板１１を有するコア付きビルドアップ基板に替えて、コア基板１１を含まないコアレス基板としてもよい。
【０１１３】
・上記各実施形態の第１基板２において、金属層２１，２４を省略してもよい。
・上記各実施形態の第２基板５において、最外層の配線パターン３３，３６よりも内層の構造については特に限定されない。すなわち、第２基板５は、少なくとも、最外層の配線パターン３３，３６が基板内部を通じて相互に電気的に接続された構造を有していれば十分であるため、最外層の配線パターン３３，３６よりも内層の構造については特に限定されない。例えばコア基板３１の構造及び材質は特に限定されない。また、コア基板３１上に下層配線とその下層配線を覆う絶縁層とを所要の層数形成するようにしてもよい。あるいは、第２基板５を、コア基板３１を含まないコアレス基板としてもよい。
【０１１４】
・上記各実施形態の第２基板５において、金属層３４を省略してもよい。また、上記第２実施形態の第２基板５において、金属層３９を省略してもよい。
・上記各実施形態では、多数個取りの製造方法に具体化したが、単数個取り（一個取り）の製造方法に具体化してもよい。
【符号の説明】
【０１１５】
１，１Ａ  電子部品内蔵基板
２  第１基板
３  半導体チップ（電子部品）
５  第２基板
６，６Ａ  スペーサ部
７  封止樹脂
３７Ａ  はんだ（第２はんだ）
４０  金属ポスト
４０Ｘ  凹部
４１，４６  絶縁層
４１Ｘ，４６Ｘ  貫通孔
４２  コア付きはんだボール（第２はんだボール）
４３  銅コアボール（導電性コアボール）
４４  はんだ
５０  コア付きはんだボール（はんだボール、第１はんだボール）
５１  銅コアボール（導電性コアボール）
５２  はんだ
６０  金属板
６３  凸部
６４  はんだ（第１はんだ）
Ｐ２  接続用パッド（第１パッド）
Ｐ５  接続用パッド（第２パッド）
Ｃ１  第１領域
Ｄ１  第１非形成領域
Ｄ２  第２非形成領域
Ｄ３  第３非形成領域
【図１】
2014049477.tif 000003
【図２】
2014049477.tif 000004
【図３】
2014049477.tif 000005
【図４】
2014049477.tif 000006
【図５】
2014049477.tif 000007
【図６】
2014049477.tif 000008
【図７】
2014049477.tif 000009
【図８】
2014049477.tif 000010
【図９】
2014049477.tif 000011
【図１０】
2014049477.tif 000012
【図１１】
2014049477.tif 000013
【図１２】
2014049477.tif 000014
【図１３】
2014049477.tif 000015
【図１４】
2014049477.tif 000016
【図１５】
2014049477.tif 000017
【図１６】
2014049477.tif 000018
【図１７】
2014049477.tif 000019
【図１８】
2014049477.tif 000020
【図１９】
2014049477.tif 000021
【図２０】
2014049477.tif 000022