(57)【要約】【課題】ダブルアクチュエータ型の液体吐出ヘッドを、より簡素な加工でかつより短い製造時間で製造する方法を提供する。【解決手段】第１の圧電基板１２に第１の溝１４を複数形成するとともに第２の溝１９を形成し、第２の圧電基板３２に第３の溝３４を複数形成する。第１の溝１４の側面および底面に第１の電極２０を形成し、第２の溝１４の側面に第２の電極２１を形成し、第１の圧電基板の面２３に第３の電極２５を形成し、第３の溝３４の底面に第４の電極３９を形成し、第２の圧電基板の面４０に第５の電極４１を形成する。第１の溝１４の側壁の分極および底壁の分極を行い、第３の溝３４の底壁の分極を行う。第２および第３の電極２１，２５を少なくとも２つに分離し、第４の電極３９を少なくとも２つに分離する。第１の圧電基板１２に、第２の圧電基板３２を接合する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
圧電材料の壁によって区画され、液体を吐出する吐出口に連通する複数の個別液室と、該個別液室の周囲に配置され、隣り合う前記個別液室の壁を隔てる凹部と、前記個別液室の内側面に配置された内側電極と、前記個別液室の外側面に配置され、前記個別液室の深さ方向へ並ぶ複数の外側電極と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法であって、
第１および第２の圧電基板を準備する準備工程と、
前記第１の圧電基板の第１の面Ａ１に、互いに並列して延びる複数の第１の溝を形成するとともに、前記第１の溝に並列して延びる第２の溝を隣り合う前記第１の溝の間に形成し、前記第２の圧電基板の第１の面Ｂ１に、互いに並列して延びる複数の第３の溝を形成する溝形成工程と、
前記第１の溝の側面および底面に第１の電極を形成し、前記第２の溝の側面に第２の電極を形成し、前記第１の圧電基板の、前記第１の面Ａ１とは反対側の第２の面Ａ２に第３の電極を形成し、前記第３の溝の底面に第４の電極を形成し、前記第２の圧電基板の、前記第１の面Ｂ１とは反対側の第２の面Ｂ２に第５の電極を形成する電極形成工程と、
前記第１の電極と前記第２および第３の電極との間に電圧を印加して前記第１の溝の側壁の分極および底壁の分極を行い、前記第４の電極と前記第５の電極との間に電圧を印加して前記第３の溝の底壁の分極を行う分極工程と、
複数の前記第２および第３の電極を、前記第１の溝が延びる方向に少なくとも２つに分離し、前記第４の電極を、前記第３の溝が延びる方向に少なくとも２つに分離する電極分離工程と、
前記第１の溝の位置と前記第３の溝の位置とを合わせた状態で前記第１の圧電基板の前記第１の面Ａ１と前記第２の圧電基板の前記第２の面Ｂ２とを接合することで、前記第１の溝を前記個別液室とし、前記第２および第３の溝を前記凹部とし、前記第１および第５の電極を前記内側電極とし、前記第２、第３および第４の電極を前記外側電極とする積層工程と、を含む、液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項２】
前記準備工程において、前記個別液室に対応して配線が形成された配線基板をさらに準備し、
前記第１および第２の圧電基板が積層されてなる積層体の、前記個別液室の開口を有する面に前記配線基板を接合して前記内側電極に接続された配線を形成する工程を前記積層工程の後に含む、請求項１に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【請求項３】
前記配線基板は、該配線基板の、前記積層体に接合される側の面にバンプ電極を有する、請求項２に記載の液体吐出ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液体を吐出する液体吐出ヘッドの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
インクといった液体を吐出して記録媒体に画像を記録するインクジェット記録装置には、一般的に、液体を吐出する液体吐出ヘッドが搭載されている。
【０００３】
液体吐出ヘッドが液体を吐出する機構として、容積が拡縮可能な圧力室を備え、該圧力室の容積を拡縮させることによって圧力室内の液体に吐出力を加える機構が知られている。圧力室は吐出口と連通しており、吐出力が加えられた液体は当該吐出口から吐出される。
【０００４】
このような機構を有する液体吐出ヘッドの１つとして、断面形状が円形や矩形の筒形状を有する圧電部材で圧力室を形成したグールドタイプと呼ばれる液体吐出ヘッドが提案されている。グールドタイプの液体吐出ヘッドでは、圧電材料を含む圧力室の壁が圧力室の半径方向に一様に変形することにより圧力室の容積を拡縮する。圧力室を形成する全ての壁が変形して圧力室の容積を拡縮するので、圧力室の容積の拡縮量が比較的大きく、比較的大きい吐出力を液体に加えることができる。
【０００５】
グールドタイプの液体吐出ヘッドにおいて、より高い解像度を得るためには、複数の吐出口、および各々の吐出口に対応する圧力室を、より高い密度で設ける必要がある。圧力室をより高い密度で設けることができる液体吐出ヘッドの製造方法が、特許文献１に開示されている。
【０００６】
特許文献１に開示の製造方法について説明する。
【０００７】
まず、複数の圧電プレートの各々に、同じ方向に延びる複数の溝を形成する。その後、溝が延びる方向を揃えて複数の圧電プレートを積層する。このとき、溝の開口が隣接する圧電プレートによって塞がれ、圧力室が形成される。積層された圧電プレートは、溝が延びる方向と直交する方向に切断され、圧電部材となる。なお、圧力室は圧電部材を貫通しており、液体は圧力室の一方の開口から他方の開口へ向かって圧力室内を流れる。
【０００８】
その後、圧電部材の外側面のうちの、圧力室の開口を有する一方の面に溝を形成する。当該溝は隣り合う圧力室の間に形成され、各圧力室はそれぞれ独立して拡縮できるようになる。そして、圧電部材の一方の面にプリント配線基板およびノズルプレートを接合し、圧電部材の他方の面に供給路プレートおよびインクプールプレートを接合することで、液体吐出ヘッドが完成する。
【０００９】
特許文献１に開示の製造方法によれば、圧力室をマトリックス状に配置できるので比較的高い密度で圧力室を配置することができる。また、板形状を有する圧電部材に孔を形成する場合に比べて圧電プレートに溝を形成するほうが容易であるため、この製造方法によれば、比較的高い精度で圧力室を形成できるとされている。
【００１０】
ところで、近年では、インクに含まれる水分による紙のカールやコックリングなどの変形を減らすため、インクの水分量をさらに減らし、より高い粘度を有するインクを用いて文字や画像を記録することが求められている。そして、より高い粘土を有するインクを吐出することができるように、より大きな吐出力を液体に加えることができる液体吐出ヘッドが検討されている。
【００１１】
特許文献２は、圧力室内を流れる液体の流れ方向（以下、単に流れ方向という）に関して並べられた２つの圧電素子を備える液体吐出ヘッド（ダブルアクチュエータ型の液体吐出ヘッドを開示している。
【００１２】
具体的には、第１の圧電素子は、１枚の圧電プレートの両面に電極が設けられてなる単層型圧電素子であり、圧力室のうちの、吐出口側に位置する第１の圧力室部分の壁を形成している。第２の圧電素子は、圧電プレートと電極が交互に複数積層されてなる積層型圧電素子であり、圧電プレートの積層方向に貫通する貫通穴を有する。貫通穴が、圧力室のうちの、吐出口とは反対側に位置する第２の圧力室部分を形成している。
【００１３】
ダブルアクチュエータ型の液体吐出ヘッドでは、第２の圧電素子で第２の圧力室部分を収縮させた状態で第１の圧電素子を変形させる。第２の圧力室部分が収縮することによって、圧力室内の液体は第２の圧力室部分を通って逆流しにくくなる。すなわち、第１の圧力室部分の容積の拡縮によって第１の圧力室部分内の液体に加えられる力は吐出口へ向かう方向へ作用する。その結果、より大きな吐出力が液体に加えられる。
【００１４】
また、第２の圧電素子で第２の圧力室部分を拡大することによって圧力室へ液体が供給されやすくなる。その結果、リフィル性が向上する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００７−１６８３１９号公報
【特許文献２】特開２００８−１５５５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
しかしながら、特許文献１に開示の製造方法では、次のような理由からダブルアクチュエータ型の液体吐出ヘッドを製造することができない。
【００１７】
すなわち、ダブルアクチュエータ型の液体吐出ヘッドでは、流れ方向に関して２つの圧電素子が必要とされる。特許文献１に開示の製造方法を用いる場合、圧力室の壁のうちの、一方の開口側の部分を第１の圧電素子とし、他方の開口側の部分を第２の圧電素子とすることによってダブルアクチュエータ型の液体吐出ヘッドが製造される。したがって、圧力室の、流れ方向に関する寸法を比較的大きくしなければならない。
【００１８】
ところが、特許文献１に開示の製造方法では、圧力室の、流れ方向に関する寸法をより大きくするには、圧電部材の厚さをより厚くして圧力室の開口を有する面に形成される溝の深さをより深くしなければならない。当該溝の深さを深くすると、圧力室の壁の剛性が低くなり、当該溝を形成する際に圧力室の壁が折れやすくなる。
【００１９】
このような理由から、特許文献１に開示の製造方法では、圧力室の、流れ方向に関する寸法を大きくすることができず、ダブルアクチュエータ型の吐出ヘッドを製造することが困難であった。
【００２０】
また、特許文献２に開示の製造方法では、貫通孔を有する圧電プレートを複数枚積層して第２の圧電素子を作製している。すなわち、複数の圧電プレートに貫通孔を形成しなければならず、比較的複雑な加工をしなければならなかった。
【００２１】
さらに、特許文献２に開示の製造方法では、積層型圧電素子は、単層型圧電素子を作製する工程の後に作製される。そのため、液体吐出ヘッドを完成するために必要な製造時間が長くなっていた。
【００２２】
そこで、本発明は、ダブルアクチュエータ型の液体吐出ヘッドを、より簡素な加工でかつより短い製造時間で製造する方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２３】
上記目的を達成するため、本発明は、圧電材料の壁によって区画され、液体を吐出する吐出口に連通する複数の個別液室と、該個別液室の周囲に配置され、隣り合う個別液室の壁を隔てる凹部と、個別液室の内側面に配置された内側電極と、個別液室の外側面に配置され、個別液室の深さ方向へ並ぶ複数の外側電極と、を備える液体吐出ヘッドの製造方法に係る。この態様において、第１および第２の圧電基板を準備する準備工程と、溝形成工程と、電極形成工程と、分極工程と、電極分離工程と、積層工程と、を含む。溝形成工程では、第１の圧電基板の第１の面Ａ１に、互いに並列して延びる複数の第１の溝を形成するとともに、第１の溝に並列して延びる第２の溝を隣り合う第１の溝の間に形成し、第２の圧電基板の第１の面Ｂ１に、互いに並列して延びる複数の第３の溝を形成する。電極形成工程では、第１の溝の側面および底面に第１の電極を形成し、第２の溝の側面に第２の電極を形成し、第１の圧電基板の、第１の面Ａ１とは反対側の第２の面Ａ２に第３の電極を形成し、第３の溝の底面に第４の電極を形成し、第２の圧電基板の、第１の面Ｂ１とは反対側の第２の面Ｂ２に第５の電極を形成する。分極工程では、第１の電極と第２および第３の電極との間に電圧を印加して第１の溝の側壁の分極および底壁の分極を行い、第４の電極と第５の電極との間に電圧を印加して第３の溝の底壁の分極を行う。電極分離工程では、複数の第２および第３の電極を、第１の溝が延びる方向に少なくとも２つに分離し、第４の電極を、第３の溝が延びる方向に少なくとも２つに分離する。積層工程では、第１の溝の位置と第３の溝の位置とを合わせた状態で、第１の圧電基板の第１の面Ａ１と、第２の圧電基板の第２の面Ｂ２と、を接合する。そして、第１の溝を個別液室とし、第２および第３の溝を凹部とし、第１および第５の電極を内側電極とし、第２、第３および第４の電極を外側電極とする。
【発明の効果】
【００２４】
本発明によれば、ダブルアクチュエータ型の液体吐出ヘッドを、より簡素な加工でかつより短い製造時間で製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の第１の実施形態を用いて製造される液体吐出ヘッドユニットの斜視図。
【図２】図１に示される液体吐出ヘッドユニットの分解斜視図。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る製造方法のフローチャート図。
【図４】複数の溝が形成された第１の圧電基板の一例を示す平面図。
【図５】図４に示される第１の圧電基板を形成する方法を説明するための斜視図。
【図６】第１、第２および第３の電極を第１の圧電基板に形成する方法を説明するための断面図。
【図７】複数の溝が形成された第２の圧電基板の一例を示す平面図。
【図８】図７に示される第２の圧電基板を形成する方法を説明するための斜視図。
【図９】第４の電極を第２の圧電基板に形成する方法を説明するための断面図。
【図１０】図２に示される第４の圧電基板の他の例を示す斜視図。
【図１１】第１、第２、第３および第４の圧電基板を積層する工程を説明するための斜視図。
【図１２】引き出し配線が形成された液体吐出ヘッドの斜視図。
【図１３】第１の端面の電極パターニングを説明するための断面図。
【図１４】図１２におけるＥ−Ｅ’断面図。
【図１５】引き出し配線が形成された液体吐出ヘッドの斜視図、および断面図。
【図１６】第１の電極からの引き出し配線が形成された液体吐出ヘッドの斜視図、および拡大正面図。
【図１７】図１６におけるＨ−Ｈ’断面図。
【図１８】配線基板と液体吐出ヘッドの位置関係を示す分解斜視図。
【図１９】図１８におけるＩ−Ｉ’断面図。
【図２０】後方絞りプレートの、個別液室に対応する箇所の上面図および側断面図。
【図２１】後方絞りプレート、液体吐出ヘッドおよびオリフィスプレートの位置関係を示す分解斜視図。
【図２２】オリフィスプレートの、個別液室に対応する箇所の上面図および側断面図。
【図２３】第１、第２および第３のフレキシブル基板が圧着された液体吐出ヘッドの斜視図。
【図２４】図１１（ｂ）に示される領域Ｊの断面拡大図。
【図２５】本実施形態に係る製造方法を用いて製造される液体吐出ヘッドの外観を示す斜視図。
【図２６】図２５におけるＫ−Ｋ’断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明に係る液体吐出ヘッドの製造方法および当該製造方法を用いて製造される液体吐出ヘッドの一例を図面に基づき説明する。
【００２７】
（第１の実施形態）
まず、本発明の第１の実施形態について説明する。図１は、本実施形態に係る製造方法を用いて製造される液体吐出ヘッドユニットの斜視図である。図２は図１に示される液体吐出ヘッドユニットの分解斜視図である。
【００２８】
図１，２に示されるように、液体吐出ヘッドユニット１は、オリフィスプレート２、液体吐出ヘッド３、後方絞りプレート４、共通液室５がこの順番に積層されてなる。
【００２９】
液体吐出ヘッド３は、個別液室６と、該個別液室の周囲に形成された凹部７（空気室７とも称す）と、を備える。共通液室５は、後方絞りプレート４を介して液体吐出ヘッド３の個別液室６と連通している。オリフィスプレート２には加圧されたインクを液滴として吐出する吐出口８が個別液室６に対応して形成されている。
【００３０】
また、液体吐出ヘッドユニット１は、液体吐出ヘッド３から外部への配線として、液体吐出ヘッド３の端面から引き出された第１，第２および第３のフレキシブル基板（ＦＰＣ；Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ）９，１０，１１を有する。
【００３１】
以下に本実施形態の液体吐出ヘッドの製造方法を説明する。製造方法の概要を図３のフローチャートに示す。ここでは、吐出口８が５行５列に配列された液体吐出ヘッドユニット１の製造方法を説明するが、溝の数や圧電基板の積層数を変更することで吐出口８の数が異なる液体吐出ヘッドユニットを製造することができる。
【００３２】
（第１の圧電基板の加工）
図４は、複数の溝が形成された第１の圧電基板の一例を示す平面図である。図４に示される例では、第１の圧電基板１２には、５つの個別液室６および６つの空気室７（図２参照）に対応する溝群が５セット分形成されている。第１の圧電基板１２としては、例えば、１９ｍｍ×７０ｍｍ×０．２４ｍｍのＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）基板が挙げられる。
【００３３】
なお、以下の説明では、第１の圧電基板１２に形成された５セットのうちの１セットのみを図示する。
【００３４】
（溝加工）
まず、図５を用いて、図４に示される第１の圧電基板１２を形成する方法を説明する。図５は、図４に示される第１の圧電基板１２を形成する方法を説明するための斜視図である。
【００３５】
図５（ａ）に示すように、圧電材料からなる、所望の寸法と形状を有する平板形状の第１の圧電基板１２を準備する。そして、超砥粒ホイールによる研削加工によって第１の露光用アライメント溝１３（図４参照）を第１の圧電基板１２に形成する。
【００３６】
第１の露光用アライメント溝１３は、第１の圧電基板１２の端からの距離によって位置決めされる。本工程に先立ち、フォトリソグラフィによって目印となる金属パターンなどを第１の圧電基板１２に形成しておき、当該金属パターンに基づいて第１の露光用アライメント溝１３の位置を決めてもよい。
【００３７】
次に、図５（ｂ）に示すように、第１の圧電基板１２の一の面に、互いに並列して延びる複数の第１の溝１４を形成する。本実施形態では、複数の第１の溝１４は、第１の方向Ｘに沿って延びている。
【００３８】
第１の溝１４は、第１の露光用アライメント溝１３（図４参照）を基準に位置決めされる。第１の溝１４の一部が個別液室６（図２参照）として機能する。なお、第１の圧電基板１２の面うちの、第１の溝１４が形成された面を溝形成面１５または第１の面Ａ１と称する。
【００３９】
第１の溝１４は、例えば超砥粒ホイールによる研削加工によって形成される。本実施形態では、超砥粒ホイール（不図示）は、第１の圧電基板１２の面のうちの、第１の方向Ｘを向く第１の側面１６から、第１の側面１６とは反対側の第２の側面１７へ向かって移動し、第２の側面１７へ到達する前に第１の圧電基板１２から離される。したがって、第１の溝１４は、第１の方向Ｘに沿って第１の側面１６から第２の側面１７の手前まで延びている。
【００４０】
第１の溝１４の大きさやピッチは、個別液室６（図２参照）の大きさおよび個別液室６の配置密度から決定される。例えば、溝幅を０．１２ｍｍ、溝深さを０．１２ｍｍとし、溝のピッチを０．７０６ｍｍ（３６ｎｐｉ相当）として複数の第１の溝１４を形成することができる。
【００４１】
なお、溝幅とは、溝が延びる方向および溝の深さ方向と交わる方向に関する溝の寸法をいう。また、溝のピッチとは、第２の方向に関して隣り合う複数の溝の、第２の方向に関する間隔をいう。
【００４２】
さらに個別液室６（図２参照）となる第１の溝１４に加え、その両外側に溝（不図示）を形成することで、後の接合工程における接着剤の逃げ溝として機能させることができる。また、図４に示すように、後のチップ積層工程におけるアライメントの目印として、第１の接合用アライメント溝１８を形成しておく。
【００４３】
続いて、図５（ｃ）に示すように、溝形成面１５の、第１の溝１４の両隣に第１の溝１４に並列して延びる複数の第２の溝１９を形成する。第２の溝１９は、第１の露光用アライメント溝１３（図４参照）を基準に位置決めされる。
【００４４】
第２の溝１９の一部が空気室７（図１，２参照）として機能する。第２の溝１９は、第１の溝１４とは逆に、第１の方向Ｘに沿って第２の側面１７から第１の側面１６の手前まで延びている。
【００４５】
第２の溝１９の大きさは、空気室７（図２参照）の大きさから決定される。例えば、第１の溝１４と第２の溝１９の間の壁幅を０．１２ｍｍ、第２の溝１９の溝幅を０．３４６ｍｍ、溝深さを０．１４ｍｍとすることができる。
【００４６】
（電極形成）
第１および第２の溝１４，１９を形成したところで、図５（ｄ）に示すように、第１の溝１４の内側面に第１の電極（ＳＩＧ）２０を形成し、第２の溝１９の内側面のうちの少なくとも側面に第２の電極（ＧＮＤ）２１を形成する。第２の溝１９の全ての内側面に第２の電極（ＧＮＤ）２１が形成されていてもよい。また、第１および第２の側面１６，１７に金属膜を形成する。
【００４７】
第１の電極（ＳＩＧ）２０および第２の電極（ＧＮＤ）２１のパターンは、リフトオフ、レーザーや研磨などによって形成される。なお、本書の説明において、パターンを形成することを、パターニングと称することがある。
【００４８】
一例として、リフトオフによる電極パターニング方法を、図６（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図６（ａ）〜（ｄ）は、図５（ｃ）のＡ−Ａ’断面である。
【００４９】
溝形成面１５には第１および第２の溝１４，１９が形成されているため、通常のスピンコーターによる塗布方法では、均一なレジスト膜を形成することが難しい。そこで、フィルムレジストのラミネートやスプレーコータによる塗布が適している。溝の内部を均一に露光することは困難であるため、レジストには溝の外部だけを露光すればよいネガタイプのレジストを用いるのが好ましい。
【００５０】
まず、図６（ａ）に示すように、第１の圧電基板１２の溝形成面１５にフィルムレジスト２２をラミネートし、第１および第２の溝１４，１９の開口を塞ぐ。第１の圧電基板１２は焼結体であるため、１０μｍ程度のボイドが点在する。そのため、フィルムレジスト２２が薄すぎると、ボイド上部のフィルムレジスト２２にパターン欠損が生じてしまう。そこで、フィルムレジスト２２には、十分な厚さ、例えば４０μｍ以上のものを用いることが好ましい。
【００５１】
次に、図６（ｂ）に示すように、露光、現像によりフィルムレジスト２２のパターニングを行う。リフトオフでは電極パターンを残したくない部分にフィルムレジスト２２が残るようにフォトリソグラフィでレジストパターンを形成する。この際に、後の工程で溝側壁に金属膜が全域にわたって成膜されるように、フィルムレジスト２２のパターン幅を溝側壁の幅よりも小さくしておくことが好ましい。例えば、溝側壁の幅が０．１２ｍｍの場合、レジストパターン幅を０．０６ｍｍとする。
【００５２】
続いて、図６（ｃ）に示すように、溝形成面１５並びに第１および第２の溝１４，１９の内側面に、電極となる金属膜をスパッタリングや蒸着によって形成する。スパッタリングは溝側壁への成膜性が優れており、蒸着はリフトオフでのパターニングしやすさに優れている。このとき、溝形成面１５の、フィルムレジスト２２が残存している領域では、金属膜は、溝形成面１５上に形成されず、フィルムレジスト２２上に形成される。
【００５３】
そして、図６（ｄ）に示すように、第１の圧電基板１２に残存するフィルムレジスト２２を除去することで、フィルムレジスト２２上に成膜されていた金属膜がフィルムレジスト２２と共に剥離され、所望の金属膜のパターンが得られる。第１の溝１４の内側面上に残存した金属膜が第１の電極（ＳＩＧ）２０となり、第２の溝１９の内側面上に残存した金属膜が第２の電極（ＧＮＤ）２１となる。
【００５４】
金属膜を形成する方法として、例えば下地層としてＣｒを２０ｎｍ程度成膜し、さらに電極層としてＡｕを１０００ｎｍ程度成膜する方法が挙げられる。あるいは、下地層としてＣｒを２０ｎｍ程度成膜し、Ｃｒ膜上にＰｄを５０ｎｍ程度成膜し、さらにＰｄ膜をシード層としてＮｉめっきを１０００ｎｍ程度行い、Ｎｉ膜の表面のみをＡｕに置換めっきすることによっても金属膜を形成することができる。後者で挙げた金属膜形成方法の方が、リフトオフ時の膜厚が薄いのでバリが残りにくくパターニング性が向上するうえに、表面のみにＡｕを使用するため低コストである。
【００５５】
また、レーザー照射や研磨によって金属膜のパターンを形成することができる。
【００５６】
レーザー照射や研磨による方法では、まず全面にスパッタリング、蒸着や無電解めっきなどで金属膜を成膜する。このとき、第１および第２の側面１６，１７にも金属膜が成膜される。そして、成膜された金属膜の不要な部分、つまり、第１および第２の溝１４，１９の間に形成された金属膜をレーザーや研磨によって除去することで所望の電極パターンが得られる。
【００５７】
図６（ａ）〜（ｄ）に示した方法により第１の電極（ＳＩＧ）２０および第２の電極（ＧＮＤ）２１を形成したところで、図５（ｅ）に示すように、第１の圧電基板１２に共通配線２４および第３の電極（ＧＮＤ）２５を形成する。共通配線２４および第３の電極（ＧＮＤ）２５は、第１の圧電基板１２の面のうちの、溝形成面１５とは反対側の面２３上に形成される。なお、面２３を第２の面Ａ２とも称することがある。
【００５８】
共通配線２４および第３の電極（ＧＮＤ）２５は、第１の方向Ｘと交わりかつ面２３に沿う第２の方向Ｙに沿ってそれぞれ延びており、互いに電気的に絶縁されている。共通配線２４および第３の電極（ＧＮＤ）２５は、フォトレジストのフォトリソグラフィを利用したリフトオフやエッチングといった方法や、レーザー、ダイシング、フライス加工などで不要部分を除去する方法によってパターニングされる。
【００５９】
特に、図５（ｄ）に示される第１の電極（ＳＩＧ）２０および第２の電極（ＧＮＤ）２１を形成する場合と異なり、面２３に凹凸が無いため、通常のスピンコートによるレジスト塗布でも、均一なレジスト膜を形成することができる。
【００６０】
フォトリソグラフィによるリフトオフ法を用いて共通配線２４および第３の電極（ＧＮＤ）２５をパターニングする方法を、図６（ｅ）〜（ｈ）を用いて説明する。図６（ｅ）〜（ｈ）は、図５（ｃ）のＢ−Ｂ’断面である。
【００６１】
図６（ｅ）に示すように、面２３上にレジスト２６を成膜する。そして、図６（ｆ）に示すように、レジスト２６をパターニングする。その後、図６（ｇ）に示すように面２３上に金属膜を成膜する。このとき、面２３の、レジスト２６が残存している領域では、金属膜は、面２３上には形成されず、レジスト２６上に形成される。金属膜は第１および第２の電極の形成方法と同様の方法で形成されるため、ここでは金属膜の形成方法の説明については省略する。
【００６２】
面２３に金属膜に形成したところで、図６（ｈ）に示すようにレジスト２６を除去する。その結果、レジスト２６上に成膜されていた金属膜がレジスト２６と共に剥離され、所望の金属膜のパターンが得られる。面２３の、第１の側面１６側の領域に残存した金属膜が共通配線２４となり、面２３の、第２の側面１７側の領域に残存した金属膜が第３の電極（ＧＮＤ）２５となる。
【００６３】
共通配線２４は、第１の側面１６に形成された金属膜を介して第１の電極（ＳＩＧ）２０と電気的に接続されている。一方、第３の電極（ＧＮＤ）２５は第２の側面１７に形成された金属膜を介して第２の電極（ＧＮＤ）２１と電気的に接続されている。
【００６４】
（分極）
共通配線２４および第３の電極（ＧＮＤ）２５を形成したところで、図５（ｆ）に示すように、第１の圧電基板１２に分極処理を施す。第１の圧電基板１２の分極処理によって、第１の溝１４を形成する壁（側壁および底壁）は異なる３方向へ分極される。
【００６５】
分極処理は、第１の圧電基板１２を１００〜１５０℃程度に加熱した状態で、１〜２ｋＶ/ｍｍ程度の高電界となる電圧を第１の電極（ＳＩＧ）２０と、第２および第３の電極（ＧＮＤ）２１，２５との間に所定の時間印加することによって行われる。このとき、第１の電極（ＳＩＧ）２０を正電位とし、第２の電極（ＧＮＤ）２１および第３の電極（ＧＮＤ）２５をＧＮＤ電位とする。
【００６６】
共通配線２４および第３の電極（ＧＮＤ）２５は比較的大きいので、共通配線２４および第３の電極（ＧＮＤ）２５を電極パッドとして利用することで、高電界を発生する電源装置２７を第１の圧電基板１２に比較的容易に接続することができる。
【００６７】
第１の電極（ＳＩＧ）２０と、第２および第３の電極（ＧＮＤ）２１，２５との間の間隔は０．０６ｍｍと狭く、空気中で１〜２ｋＶ/ｍｍの高電界を印加すると空中放電や沿面放電を生じる可能性が高い。空中放電や沿面放電を防ぐため、例えばシリコーンオイル（絶縁破壊電圧：１０ｋＶ／ｍｍ以上）のような絶縁性の高いオイルなどの中で分極処理を行うことが望ましい。シリコーンオイルは分極後にキシレン、ベンゼン、トルエンといった炭化水素系溶剤や塩化メチレン、１．１．１−トリクロロエタン、クロロベンゼンといった塩素化炭化水素系溶剤によって除去可能である。
【００６８】
分極処理後、必要に応じてエージング処理を行う。エージング処理とは、分極処理が施された第１の圧電基板１２を昇温した状態で一定の時間に保持することによって、その圧電特性を安定化させる処理である。例えば、１００℃のオーブンに、分極処理が施された第１の圧電基板１２を１０時間放置することによってエージング処理が完了する。
【００６９】
（電極分離）
分極処理が完了したところで、図５（ｇ）および図６（ｉ）に示すように、第２の電極（ＧＮＤ）２１と第３の電極（ＧＮＤ）２５をそれぞれ２つに分離する。具体的には、第２の電極（ＧＮＤ）２１と第３の電極（ＧＮＤ）２５の、第１の方向Ｘに関して中間部分を第１の圧電基板１２から剥がす。その結果、第２の電極（ＧＮＤ）２１は第１の方向Ｘへ並ぶ２つの第２の電極部分２１ａ，２１ｂになり、第３の電極（ＧＮＤ）２５は第１の方向Ｘへ並ぶ２つの第３の電極部分２５ａ，２５ｂになる。
【００７０】
第２の電極部分２１ａ，２１ｂを分離する分離位置２８ａは、次の工程であるチップ分離（図５（ｈ），（ｉ）参照）の際の、第１および第２のチップ分離位置２９，３０との間の任意の位置とすればよい。第３の電極部分２５ａ，２５ｂを分離する分離位置２８ｂも、第１および第２のチップ分離位置２９，３０との間の任意の位置とすればよい。
【００７１】
例えば、本実施形態では、チップ分離工程において、１９ｍｍ×７０ｍｍ×０．２４ｍｍの大きさを有する第１の圧電基板１２を１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．２４ｍｍのチップに分離する。このような場合、第２のチップ分離位置３０から第１のチップ分離位置２９へ向かって８ｍｍ進んだ位置を分離位置２８ａ，２８ｂとすることができる。
【００７２】
第３の電極（ＧＮＤ）２５は、第１の圧電基板１２のダイシング加工によって分離される。面２３は平坦であるため、ダイシングブレード３１を用いて第３の電極（ＧＮＤ）２５の膜厚よりも厚い深さで第３の電極（ＧＮＤ）２５をダイシングすればよい。
【００７３】
もちろん、ダイシング加工に限られず、フォトレジストのフォトリソグラフィを利用したリフトオフやエッチング、レーザー、フライス加工などで不要部分を除去する方法によっても第３の電極（ＧＮＤ）２５は分離される。
【００７４】
第２の電極２１は、第２の溝１９の内側面に形成されているため、ダイシング加工による分離は困難である。したがって、第２の電極２１を分離する際には、フォトレジストのフォトリソグラフィを利用したリフトオフやエッチング、レーザー加工などで不要部分を除去する方法を用いることが好ましい。
【００７５】
（チップ分離）
第２の電極（ＧＮＤ）２１および第３の電極（ＧＮＤ）２５を分離したところで、図５（ｈ）に示すように、第１の圧電基板１２のうちの、第１のチップ分離位置２９から第２の側面１７側の部分を除去する。第１のチップ分離位置２９は、複数の第１の溝１４を第２の方向Ｙに横切っている。したがって、当該部分を除去した後の第１の圧電基板１２の第１の溝１４は、第１の圧電基板１２の溝形成面１５上を通り抜けている。
【００７６】
また、この工程において、第２の側面１７上の金属膜も除去される。したがって、各第２の溝１９内の第２の電極部分２１ａ，２１ｂ、および面２３の第３の電極部分２５ａ，２５ｂはそれぞれ電気的に分離される。
【００７７】
第１の圧電基板１２の前記部分を除去する方法としては、ダイシング、研磨やレーザーアブレーションなどが挙げられる。
【００７８】
続いて、図５（ｉ）に示すように、第１の圧電基板１２のうちの、第２のチップ分離位置３０から第１の側面１６側の部分を除去する。第１のチップ分離位置３０は、複数の第２の溝１９を第２の方向Ｙに横切っている。したがって、第１の圧電基板１２のうちの、第２のチップ分離位置３０から第１の側面１６側の部分を除去した後の第１の圧電基板１２の第２の溝１９は、第１の圧電基板１２の溝形成面１５上を通り抜けている。
【００７９】
また、この工程において、第１の側面１６上の金属膜も除去される。したがって、各第１の溝１４内の第１の電極（ＳＩＧ）２０および面２３の共通配線２４はそれぞれ電気的に分離される。
【００８０】
なお、第２のチップ分離位置３０を複数の第２の溝１９を横切らない位置とすることによって、第２の溝１９は第１の圧電基板１２の溝形成面１５上を通り抜けなくなる。したがって、第２の溝１９が空気室７（図２参照）となった場合に、空気室７は液体吐出ヘッド３（図１，２参照）を貫通しない形状となる。
【００８１】
第１の圧電基板１２のうちの、第１のチップ分離位置２９から第２の側面１７側の部分、および第２のチップ分離位置３０から第１の側面１６側の部分を除去したところで、図４に示す５セット分の溝群が形成された第１の圧電基板１２を１セットごとに切り離す。これにより、第１の圧電基板１２は、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．２４ｍｍの大きさを有する５つの小チップに切り出される。
【００８２】
（第２の圧電基板の加工）
図７は、複数の溝が形成された第２の圧電基板の一例を示す平面図である。図７に示される例では、第２の圧電基板３２には、５つの空気室７に対応する溝群が５セット形成されている。第２の圧電基板３２としては、例えば、１５ｍｍ×７０ｍｍ×０．４３ｍｍのＰＺＴ基板が挙げられる。
【００８３】
なお、以下の説明では、第２の圧電基板３２に形成された５セットの溝群うちの１セットのみを図示する。
【００８４】
（溝加工）
図８を用いて図７に示される第２の圧電基板３２を形成する方法を説明する。図８は、図７に示される第２の圧電基板１２を形成する方法を説明するための斜視図である。
【００８５】
まず、所望の厚みと形状を有する平板形状の第２の圧電基板３２を準備する。そして、超砥粒ホイールによる研削加工によって第２の露光用アライメント溝３３（図７参照）を第２の圧電基板３２に形成する。
【００８６】
第２の露光用アライメント溝３３は、第２の圧電基板３２の端からの距離によって位置決めされる。本工程に先立ち、フォトリソグラフィによって目印となる金属パターンなどを第２の圧電基板３２に形成しておき、当該金属パターンに基づいて第２の露光用アライメント溝３３の位置を決めてもよい。
【００８７】
図８（ａ）に示すように、第２の圧電基板３２に、互いに並列して延びる複数の第３の溝３４を形成する。本実施形態では、複数の第３の溝３４は、第１の方向Ｘへ延びている。
【００８８】
第３の溝３４は、第２の露光用アライメント溝３３（図７参照）を基準に位置決めされる。第３の溝３４の一部が、個別液室６（図２参照）に隣接する空気室７（図２参照）として機能する。なお、第２の圧電基板３２のうちの、第３の溝３４が形成された面を溝形成面３５または第１の面Ｂ１と称する。
【００８９】
第３の溝３４は、例えば超砥粒ホイールによる研削加工によって形成される。本実施形態では、超砥粒ホイール（不図示）は、第２の圧電基板３２の、第１の方向Ｘを向く第１の側面３６から第１の方向Ｘへ沿って移動し、第１の側面３６とは反対側の第２の側面３７へ到達する前に第２の圧電基板３２から離される。したがって、第３の溝３４は、第１の方向Ｘに沿って第１の側面３６から第２の側面３７の手前まで延びている。
【００９０】
第３の溝３４の大きさやピッチは、空気室７（図２参照）の大きさおよび空気室７の配置密度から決定される。例えば、溝幅を０．３６ｍｍ、溝深さを０．３１ｍｍとし、溝のピッチを０．７０６ｍｍ（３６ｎｐｉ相当）として複数の第３の溝３４を形成することができる。
【００９１】
さらに空気室７（図２参照）となる第３の溝３４に加え、その両外側に溝（不図示）を形成することで、後の接合工程における接着剤の逃げ溝として機能させることができる。また、図７に示すように、後のチップ積層工程においてアライメントの目印として、第２の接合用アライメント溝３８を形成しておく。
【００９２】
（電極形成）
続いて、図８（ｂ）に示すように、第３の溝３４の内側面のうち少なくとも底面に第４の電極（ＧＮＤ）３９を形成する。第３の溝３４の全ての内側面に第４の電極（ＧＮＤ）３９が形成されていてもよい。
【００９３】
また、溝形成面３５に第４の電極（ＧＮＤ）３９が形成されていてもよいが、第２の圧電基板３２を小チップ化した際の端面と第４の電極（ＧＮＤ）３９が接しないように溝形成面３５形成された第４の電極（ＧＮＤ）３９をパターニングしておくことが好ましい。第４の電極（ＧＮＤ）３９のパターンは、リフトオフ、レーザーや研磨などによって形成される。
【００９４】
一例として、リフトオフによる電極パターニング方法を、図９（ａ）〜（ｄ）を用いて説明する。図９（ａ）〜（ｄ）は、図８（ａ）のＣ−Ｃ’断面である
溝形成面３５には第３の溝３４が形成されているため、通常のスピンコーターによる塗布方法では、均一なレジスト膜を形成することが難しい。そこで、フィルムレジストのラミネートやスプレーコータによる塗布が適している。溝の内部を均一に露光することは困難であるため、レジストには溝の外部だけを露光すればよいネガタイプのレジストを用いるのが好ましい。
【００９５】
まず、図９（ａ）に示すように、第２の圧電基板３２の溝形成面３５にフィルムレジスト２２をラミネートする。次に、図９（ｂ）に示すように、電極パターンを残したくない部分にフィルムレジスト２２が残るようにフォトリソグラフィによりレジストパターンを形成する。
【００９６】
さらに、図９（ｃ）に示すように、溝形成面３５並びに第３の溝３４の内側面に、電極となる金属膜をスパッタリングや蒸着によって形成する。このとき、溝形成面３５の、フィルムレジスト２２が残存している領域では、金属膜は、溝形成面３５上に直接形成されず、フィルムレジスト２２上に形成される。
【００９７】
そして、図９（ｄ）に示すように、第２の圧電基板３２に残存するフィルムレジスト２２を除去することで、フィルムレジスト２２上に成膜されていた金属膜がフィルムレジスト２２と共に剥離され、所望の金属膜のパターンが得られる。残存した金属膜が第４の電極（ＧＮＤ）３９となる。
【００９８】
金属膜を形成する方法として、例えば下地層としてＣｒを２０ｎｍ程度成膜し、さらに電極層としてＡｕを１０００ｎｍ程度成膜する方法が挙げられる。あるいは、下地層としてＣｒを２０ｎｍ程度成膜し、Ｃｒ膜上にＰｄを５０ｎｍ程度成膜し、さらにＰｄ膜をシード層としてＮｉめっきを１０００ｎｍ程度行い、Ｎｉ膜の表面のみをＡｕに置換めっきすることによっても金属膜を形成することができる。後者で挙げた金属膜形成方法の方が、リフトオフ時の膜厚が薄いのでバリが残りにくくパターニング性が向上するうえに、表面のみにＡｕを使用するため低コストである。
【００９９】
また、レーザー照射や研磨によって金属膜のパターンを形成することができる。
【０１００】
レーザー照射や研磨による方法では、まず全面にスパッタリング、蒸着や無電解めっきなどで金属膜を成膜する。そして、成膜された金属膜の不要な部分、つまり、溝形成面３５上に形成された金属膜をレーザーや研磨によって除去することで所望の電極パターンが得られる。
【０１０１】
図９（ａ）〜（ｄ）に示した工程により第４の電極（ＧＮＤ）３９を形成したところで、図８（ｃ）に示すように、第２の圧電基板３２の、溝形成面３５とは反対側の面４０に、複数の第５の電極（ＳＩＧ）４１を形成する。なお、面４０を第２の面Ｂ２と称することがある。
【０１０２】
複数の第５の電極（ＳＩＧ）４１は、第３の溝３４に対応する位置形成されており、第１の方向に沿って延びている。したがって、第２の方向Ｙに隣り合う第５の電極（ＳＩＧ）４１同士は互いに電気的に絶縁されている。
【０１０３】
第５の電極（ＳＩＧ）４１は、フォトレジストのフォトリソグラフィを利用したリフトオフやエッチングといった方法や、レーザー、ダイシング、フライス加工などで不要部分を除去する方法によってパターニングされる。
【０１０４】
特に、図８（ｂ）に示される第４の電極（ＧＭＤ）３９を形成する場合と異なり、面２３には凹凸が無い。したがって、通常のスピンコートによるレジスト塗布でも、均一なレジスト膜を形成することができる。第４の電極（ＧＮＤ）３９を形成する場合と同様に、レジストを成膜し、パターニング後、金属層を成膜、レジストの除去を行うことによって第５の電極（ＳＩＧ）４１が形成される。Ｐｄの薄膜を成膜しておき、これをシード層として金属をめっきすることによって比較的厚い電極を形成することも可能である。
【０１０５】
第５の電極（ＳＩＧ）４１の電極パターンの幅としては、第３の溝３４の溝幅と同程度であればよいが、積層時や露光時のアライメント誤差を考慮して、例えば０．１８ｍｍ程度としておくことが好ましい。
【０１０６】
（分極）
第４の電極（ＧＮＤ）３９および第５の電極（ＳＩＧ）４１を形成したところで、第２の圧電基板３２に分極処理を施す。第２の圧電基板３２の分極処理によって、第３の溝３４の底壁は第３の溝３４の深さ方向への分極される。
【０１０７】
分極処理は、第２の圧電基板３２を１００〜１５０℃程度に加熱した状態で、第５の電極（ＳＩＧ）４１と、第４の電極（ＧＮＤ）３９との間に１〜２ｋＶ/ｍｍ程度の高電界を所定の時間印加することによって行われる。このとき、第５の電極（ＳＩＧ）４１を正電位とし、第４の電極（ＧＮＤ）３９をＧＮＤ電位とする。
【０１０８】
なお、第２の圧電基板３２においては、溝加工前の平板の状態で分極処理を済ませておいてもよい。分極処理は、平板形状の第２の圧電基板３２の、溝形成面３５および面４０にそれぞれ電極を形成し、１００〜１５０℃程度に加熱した状態で、当該電極間に１〜２ｋＶ/ｍｍ程度の高電界を所定の時間印加することによって完了する。分極処理によって、第２の圧電基板３２は、平板形状の第２の圧電基板３２の主平面に垂直な方向に一様に分極される。
【０１０９】
分極処理は、第１の圧電基板１２と同様に絶縁油中で行ってもよいし、空気中で行ってもよい。分極処理後、第２の圧電基板３２の表裏面の電極を除去する。除去はエッチングや研磨によって行う。
【０１１０】
（電極分離）
図８（ｄ）および図９（ｅ）に示すように、第４の電極（ＧＮＤ）３９を２つに分離する。具体的には、第２の圧電基板３２の溝形成面３５に、第２の方向Ｙに沿って延び、かつ第３の溝３４よりも深い溝深さを有する分離溝４２を形成する。分離溝４２によって、第４の電極（ＧＮＤ）３９は、第１の方向Ｘに沿って並ぶ２つの第４の電極部分３９ａ，３９ｂとなる。
【０１１１】
分離溝４２の位置は、次の工程であるチップ分離（図８（ｅ）参照）の際の、第１および第２のチップ分離位置４３，４４との間の位置であり、複数の第３の溝３４を第２の方向Ｙに横切る位置とすればよい。
【０１１２】
例えば、本実施形態では、１５ｍｍ×７０ｍｍ×０．４３ｍｍの大きさを有する第２の圧電基板３２をチップ分離工程において１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．４３ｍｍのチップに分離する。したがって、第２のチップ分離位置４４から第１のチップ分離位置４３へ向かって８ｍｍ進んだ位置を分離溝４２の位置とすることができる。
【０１１３】
第３の溝３４よりも深い溝深さを有する分離溝４２は、研削加工によって形成される。第４の電極（ＧＮＤ）３９を分離する方法として、フォトレジストのフォトリソグラフィを利用したリフトオフやエッチング、レーザー加工などで不要部分を除去する方法を用いてもよい。
【０１１４】
（チップ分離）
第４の電極（ＧＮＤ）３９を分離したところで、図８（ｅ）に示すように、第２の圧電基板３２のうちの、第１のチップ分離位置４３から第２の側面３７側の部分を除去する。
【０１１５】
本実施形態では、第１のチップ分離位置４３は、複数の第３の溝３４を第２の方向Ｙに横切っている。したがって、第１のチップ分離位置４３から第２の側面３７側の部分を除去した後の第２の圧電基板３２の第３の溝３４は、第２の圧電基板３２の溝形成面３５上を通り抜けている。
【０１１６】
また、第２の圧電基板３２のうちの、第２のチップ分離位置４４から第１の側面３６側の部分を除去する。
【０１１７】
前記部分を除去する方法としては、ダイシング、研磨やレーザーアブレーションなどが挙げられる。第１および第２の側面３６，３７に金属膜が成膜されていたとしてもこの工程によって除去される。したがって、図８（ｃ）に示される状態で各第３の溝３４の内側面に形成された第５の電極（ＳＩＧ）４１が当該金属膜を介してそれぞれ電気的に接続されていたとしても、この工程によって、各第５の電極（ＳＩＧ）４１は電気的に絶縁される。
【０１１８】
第２の圧電基板３２のうちの、第１のチップ分離位置４３から第２の側面３７側の部分、および第１のチップ分離位置４４から第１の側面１６側の部分を除去したところで、図７に示す５セット分の溝群が形成された第２の圧電基板３２を１セットごとに切り離す。これにより、第２の圧電基板３２は、１０ｍｍ×１０ｍｍ×０．４３ｍｍの大きさを有する５つの小チップに切り出される。
【０１１９】
（天板加工）
続いて第３および第４の圧電基板４５，４６（図２）を加工する。第３および第４の圧電基板４５，４６は、液体吐出ヘッド３の最上部および最下部に積層される基板で、積層された第１および第２の圧電基板１２，３２の反りを矯正する働きを有する。これらの基板の大きさとしては、例えば、１０ｍｍ×１０ｍｍ×３ｍｍとすることができる。
【０１２０】
図１０は、第４の圧電基板４６の他の例を示す斜視図である。図１０に示すように、第４の圧電基板４６に複数の溝が形成されていてもよい。図１０に示される第４の圧電基板４６を液体吐出ヘッド３（図２参照）の最下部に設ける場合には、第１の圧電基板１２と第４の圧電基板４６との間に第２の圧電基板３２を設けなくてもよい。また、第４の圧電基板４６を図１０に示される形状に加工する場合は、第４の圧電基板４６に電極を形成する必要はない。
【０１２１】
（積層）
次に、図１１を用いて第１，第２，第３および第４の圧電基板１２，３２，４５，４６を積層する積層工程を説明する。図１１（ａ）は第１および第２の圧電基板１２，３２を積層する工程を説明するための斜視図である。図１１（ｂ）は複数の第１および第２の圧電基板１２，３２が積層されてなる積層体に第３および第４の圧電基板４５，４６を積層する工程を説明するための斜視図である。ただし、図１１（ａ）において、電極は省略されている。
【０１２２】
これまでの工程により、第１の圧電基板１２には、個別液室６（図２参照）となる第１の溝１４と、空気室７（図２参照）となる第２の溝１９が形成されている。第１の溝１４の内側面には第１の電極（ＳＩＧ）２０が形成されており、第２の溝１９の内側面には第２の電極（ＧＮＤ）２１が形成されている（図６（ｉ）参照）。なお、第２の電極（ＧＮＤ）２１は、第２の電極部分２１ａ，２１ｂに分離されている。また、第１の圧電基板１２の面２３には、２つの第３の電極部分２５ａ，２５ｂに分離された第３の電極（ＧＮＤ）２５が形成されている（図６（ｉ）参照）。
【０１２３】
第２の圧電基板３２には、空気室７（図２参照）となる第３の溝３４が形成されている。第３の溝３４の内側面には、２つの第４の電極部分３９ａ，３９ｂに分離された第４の電極（ＧＮＤ）３９が形成されている（図９（ｅ）参照）。そして、第２の圧電基板３２の面４０の、第３の溝３４に対応する位置には第５の電極（ＳＩＧ）４１が形成されている（図８（ｃ）参照）。
【０１２４】
まず、図１１（ａ）に示すように、第１および第３の溝１４，３４が延びる方向を揃え、かつ第１および第３の溝１４，３４の位置を合わせた状態で、第１の圧電基板１２の溝形成面１５と、第２の圧電基板３２の面４０とを接合する。溝形成面１５が面４０と接合されることによって、第１および第２の溝１４，１９の開口が面４０によって覆われる。その結果、第１の溝１４が個別液室６となり、第２の溝１９が空気室７となる。
【０１２５】
接合には、例えばエポキシ系の接着剤を用いることができる。接着剤を用いる場合、第１および第２の溝１４，１９が接着剤で埋まってしまう場合がある。このような事態を防ぐため、接着剤を第１および／または第２の圧電基板１２，３２に塗布する際に、接着剤の量を適切にコントロールしておくことが望ましい。
【０１２６】
接着剤の塗布方法としては、別途用意した平坦な基板上にスピンコートやスクリーン印刷などで薄い均一な接着剤層を形成しておき、当該接着剤層に第１または第２の圧電基板１２，３２を押し付けて接着剤層を転写する方法が挙げられる。この方法によれば、第１および／または第２の圧電基板１２，３２上に薄く均一な接着剤層を形成することができる。
【０１２７】
接着剤塗布後、第１および第２の圧電基板１２，３２の間に微小な間隔がある状態で第１および第２の圧電基板１２，３２の位置決めを行い、第１および第２の圧電基板１２，３２を加圧接着する。接着剤の厚さの目安としては、接着前の接着層の厚さが４μｍ程度、接着後の厚さが２μｍ程度となることが適切である。
【０１２８】
また、第１および第２の溝１４，１９への接着剤のはみ出しを軽減するために、第１および第２の溝１４，１９の列の外側に溝を形成しておき、接着剤を逃がすための溝として用いてもよい。第１の接合用アライメント溝１８を、接着材を逃がすための溝として使用してもよい。
【０１２９】
積層時のアライメントには、チップ化した圧電基板の端面を位置決めピンに突き当てることによって行うこともできるし、さらに位置決め精度を向上させるには、カメラによるアライメントを行ってもよい。カメラによるアライメントに用いる目印としては、チップのエッジ、溝、電極形成時にパターニングしたアライメントマークなどを使用することができる。
【０１３０】
図１１（ｂ）に示すように、第１および第２の圧電基板１２，３２が接合されたものを１つのユニットとして、複数のユニットを接合する。このとき、一のユニットの第１の圧電基板１２の面２３と、他のユニットの第２の圧電基板３２の溝形成面３５とを接合する。その結果、第３の溝３４の開口が面４０によって覆われ、第３の溝３４が空気室７となる。
【０１３１】
さらに、複数の第１および第２の圧電基板１２，３２が積層されてなる積層体を第３および第４の圧電基板４５，４６で挟み、当該積層体と第３および第４の圧電基板４５，４６とを接合する。第３および第４の圧電基板４５、４６は、積層体の端に位置する第１の圧電基板１２の面２３、および第２の圧電基板３２の溝形成面３５に接合される。
【０１３２】
複数の第１および第２の圧電基板１２，３２が積層されてなる積層体に第３および第４の圧電基板４５，４６が接合されることで液体吐出ヘッド３が完成する。第１及び第５の電極（ＳＩＧ）２０，４１（図５，８参照）が、個別液室６の内側面に設けられた内側電極となる。
【０１３３】
また、第２、第３および第４の電極（ＧＮＤ）２１，２５，３９（図５，８参照）が、個別液室６の外側面に設けられた外側電極となる。そして、外側電極は、複数の第１および第２の圧電基板１２，３２が積層されてなる積層体を個別液室６が貫通する方向に２つに分離されている。
【０１３４】
なお、第３および第４の圧電基板４５，４６は電極パターンが形成されていない平板のプレートである。第３および第４の圧電基板４５，４６は圧電体である必要はないが、接合時に加熱を要する場合には、第１および第２の圧電基板１２，３２の熱膨張率と同じまたは近い熱膨張率を有する材料によって形成されることが望ましい。
【０１３５】
（研磨）
積層工程により形成した液体吐出ヘッド３の面のうちの、個別液室６の開口が形成されている第１および第２の端面４７，４８を研磨により平坦にする。研磨には吐粒を用いることができる。後の電極形成工程のために表面粗さはＲａ０．４μｍ程度が好ましい。また、オリフィスプレート２や後方絞りプレート４を精度よく貼りつけるために第１および第２の端面４７，４８の平面度は１０μｍ以内、第１および第２の端面４７，４８の間の平行度は３０μｍ以内とすることが好ましい。
【０１３６】
（第１の端面への共通電極の形成）
次に、液体吐出ヘッド３の第１の端面４７に、各空気室７の内側面に設けられた第２，第３および第４の電極部分２１ａ，２５ａ，３９ａ（図６（ｉ），図９（ｅ）参照）から引き出された引き出し配線を形成する。
【０１３７】
図１２に引き出し配線４９ａが形成された液体吐出ヘッド３の斜視図を示す。引き出し配線４９ａは液体吐出ヘッド３の第１の端面４７から液体吐出ヘッド３の上端面５０に引き回される。後に示す工程において、引き出し配線４９ａのうちの、上端面５０に形成された部分が第２のフレキシブル基板１０（図１，２参照）に接続される。
【０１３８】
第１の端面４７の電極パターニングについて、図１３を用いて説明する。電極パターニング方法を図１３に示す。図１３は図１２におけるＤ−Ｄ’断面である。
【０１３９】
第１の端面４７には個別液室６や空気室７などの開口が形成されており、第１の端面４７は凹凸を有する。そのため、通常のスピンコーターによる方法では均一なレジスト膜を形成することが難しい。そこで、フィルムレジストのラミネートを用いてレジスト膜を形成する方法が適している。フィルムレジストにはネガタイプのレジストを用いる。
【０１４０】
リフトオフでは、電極パターンを残したくない部分にレジストが残るようにフォトリソグラフィでレジストパターンを形成する。そして、スパッタリングや蒸着によって電極となる金属層を第１の端面４７上に形成する。このとき、金属層は第１の端面４７のうちのレジストが残っている部分には第１の端面４７上に直接成膜されず、レジスト上に形成される。そして、レジストを除去することでレジスト上に成膜されていた金属膜がレジストと共に剥離して、最終的に所望の金属膜のパターンが得られる。
【０１４１】
まず、図１３（ａ）に示すように第１の端面４７にフィルムレジスト５１をラミネートする。次に、露光、現像により、空気室７の開口および開口縁を露出させる（図１３（ｂ））。この際、個別液室６（図２，１１参照）の開口および開口縁はフィルムレジスト５１で覆われた状態にする。
【０１４２】
さらに、図１３（ｃ）に示すように電極層を成膜する。当該電極層が引き出し配線４９ａの一部となる。引き出し配線４９ａによって、空気室７内の第２、第３および第４の電極部分２１ａ，２５ａ，３９ａ（図６（ｉ），図９（ｅ）参照）が互いに電気的に接続される。この際に、上端面５０にもマスクを形成して電極層を成膜することで、引き出し配線４９ａのうちの、第２のフレキシブル基板１０（図１，２参照）と接続される部分が形成される。
【０１４３】
次に、図１３（ｄ）に示すように、フィルムレジスト５１を除去する。その結果、電極層のリフトオフが行われ、所望のパターンに引き出し配線４９ａを形成することができる。
【０１４４】
図１４に、図１２におけるＥ−Ｅ’断面での電極パターンを示す。引き出し配線４９ａは、空気室７内の第２の電極部分２１ａとは電気的に接続されているが、個別液室６内の第１の電極（ＳＩＧ）２０とは電気的に接続されていない。
【０１４５】
引き出し配線４９ａを形成する方法として、例えば下地層としてＣｒを２０ｎｍ程度成膜し、さらに電極層としてＡｕを１０００ｎｍ程度成膜する方法が挙げられる。あるいは、下地層としてＣｒを２０ｎｍ程度成膜し、Ｃｒ膜上にＰｄを５０ｎｍ程度成膜し、さらにＰｄ膜をシード層としてＮｉめっきを１０００ｎｍ程度行い、Ｎｉ膜の表面のみをＡｕに置換めっきすることによっても金属膜を形成することができる。
【０１４６】
なお、後者で挙げた金属膜形成方法の方が、リフトオフ時の膜厚が薄いのでバリが残りにくくパターニング性が向上するうえに、表面のみにＡｕを使用するため低コストである。
【０１４７】
各圧電基板１２，３２，４５，４６（図１１参照）の間には接着剤層による隙間が１〜２μｍ程度存在するが、１０００ｎｍの厚みを有する引き出し配線４９ａであれば、引き出し配線４９ａは当該隙間によって分断されない。
【０１４８】
（第２の端面への共通電極の形成）
次に、液体吐出ヘッド３の第２の端面４８に、各空気室７の内側面に設けられた第２，第３および第４の電極部分２１ｂ，２５ｂ，３９ｂ（図６（ｉ），図９（ｅ）参照）から引き出された引き出し配線を形成する。
【０１４９】
図１５（ａ）に、引き出し配線が形成された液体吐出ヘッド３の斜視図を示す。引き出し配線４９ｂは、液体吐出ヘッド３の第２の端面４８から液体吐出ヘッド３の上端面５０に引き回される。後に示す工程において、引き出し配線４９ｂのうちの、上端面５０上に形成された部分が第３のフレキシブル基板１１（図１，２参照）に接続される。
【０１５０】
第２の端面４８の電極パターニングは、第１の端面４７の電極パターニングと同様の方法で形成することができる。
【０１５１】
図１５（ｂ）に、図１５（ａ）におけるＦ−Ｆ’断面での電極パターンを示す。引き出し配線４９ｂは、空気室７内の第２の電極部分２１ｂとは電気的に接続されているが、個別液室６内の第１の電極（ＳＩＧ）２０とは接続されていない。
【０１５２】
引き出し配線４９ｂを形成する方法として、例えば下地層としてＣｒを２０ｎｍ程度成膜し、さらに電極層としてＡｕを１０００ｎｍ程度成膜する方法が挙げられる。あるいは、下地層としてＣｒを２０ｎｍ程度成膜し、Ｃｒ膜上にＰｄを５０ｎｍ程度成膜し、さらにＰｄ膜をシード層としてＮｉめっきを１０００ｎｍ程度行い、Ｎｉ膜の表面のみをＡｕに置換めっきすることによっても金属膜を形成することができる。
【０１５３】
なお、後者で挙げた金属膜形成方法の方が、リフトオフ時の膜厚が薄いのでバリが残りにくくパターニング性が向上するうえに、表面のみにＡｕを使用するため低コストである。
【０１５４】
各圧電基板１２，３２，４５，４６の間には接着剤層による隙間が１〜２μｍ程度存在するが、１０００ｎｍの厚みを有する引き出し配線４９ｂであれば、引き出し配線４９ｂは当該隙間によって分断されない。
【０１５５】
（第２の端面への個別電極の形成）
次に、液体吐出ヘッド３の第２の端面４８に、各個別液室６に設けられた第１の電極（ＳＩＧ）２０からの引き出し配線を形成する。図１６（ａ）に、第１の電極（ＳＩＧ）２０からの引き出し配線５２が形成された液体吐出ヘッド３の斜視図を示し、図１６（ｂ）に図１６（ａ）のＧ部の拡大図を示す。引き出し配線５２は、液体吐出ヘッド３の第２の端面４８上に形成される。
【０１５６】
第２の端面４８の電極パターニングについては、第１の端面４７の電極パターニングと同様の方法で形成することができる。本実施例では、第２の端面に引き出し配線４９ｂを形成した後に引き出し配線５２を形成しているが、引き出し配線４９ｂと引き出し配線５２を同時に形成してもよい。
【０１５７】
図１７に、図１６（ａ）におけるＨ−Ｈ’断面での電極パターンを示す。個別液室６の内側面および個別液室６の開口縁に引き出し配線５２を形成することで、個別液室６内の第１および第５の電極（ＳＩＧ）２０，４１が電気的に接続される。
【０１５８】
（配線基板接着と配線接続）
次に液体吐出ヘッド３の第２の端面４８への配線基板の接着について図１８および１９を用いて説明する。図１８は配線基板と液体吐出ヘッド３の位置関係を示す分解斜視図であり、図１９は図１８に示すＩ−Ｉ’断面図である。
【０１５９】
図１８，１９に示すように、配線基板５３は、各個別液室６に対応した位置で配線基板５３を貫通する貫通孔（スルーポール）５４と、実装配線５５と、を有する。配線基板５３として、Ｓｉ基板を用いることができる。貫通孔５４はエッチング加工によって形成され実装配線５５はフォトリソと成膜等などにより形成される。
【０１６０】
貫通孔５４の開口は個別液室６の開口よりも大きく、例えば、個別液室６の断面が１２０μｍ×１２０μｍの正方形の場合、貫通孔５４の直径を１５０μｍ程度とすることができる。配線基板５３の厚さは、例えば２００μｍ程度である。
【０１６１】
また、液体吐出ヘッド３に配線基板５３を貼りつけた際に、液体吐出ヘッド３に形成されている配線のショートを防ぐため、配線基板５３の表面に熱酸化等により絶縁膜を形成しておくことが好ましい。
【０１６２】
接合には、例えばエポキシ系の接着剤を用いることができる。接着剤を用いる場合、配線基板５３の貫通孔５４や個別液室６が接着剤で埋まってしまう場合がある。このような事態を防ぐため、接着剤を配線基板５３や液体吐出ヘッド３に塗布する際に、接着剤の量を適切にコントロールしておくことが望ましい。
【０１６３】
接着剤の塗布方法としては、別途用意した平坦な基板上にスピンコートやスクリーン印刷などで薄い均一な接着剤層を形成しておき、当該接着剤層に配線基板５３を押し付けて接着剤層を配線基板５３に転写する方法が挙げられる。この方法によれば、配線基板５３上に薄く均一な接着剤層を形成することができる。
【０１６４】
接着剤塗布後、配線基板５３と液体吐出ヘッド３の間に微小な間隔がある状態で配線基板５３の位置決めを行い、配線５２を液体吐出ヘッド３に加圧接着する。接着剤の厚さの目安としては、接着前の接着層の厚さが４μｍ程度、接着後の厚さが２μｍ程度となることが適切である。
【０１６５】
第１および第２の圧電基板１２，３２への溝加工時に形成した第１および第２の接合用アライメント溝１８，３８（図４，７参照）は、液体吐出ヘッド３の第２の端面４８から確認される。配線基板５３には、第１および第２の接合用アライメント溝１８、３８を確認するための配線基板アライメント孔５６が設けられている。したがって、配線基板５３を液体吐出ヘッド３へ接着するときに、第１および第２の接合用アライメント並びに配線基板アライメント孔５６を用いて配線基板５３の位置決めをすることができる。
【０１６６】
液体吐出ヘッド３と配線基板５３の接合後、液体吐出ヘッド３の第２の端面４８上に形成された引き出し配線５２と、配線基板５３に形成された実装配線５５とを引き出し配線５７で接続する。引き出し配線５７の電極パターニングについては、第１の端面４７の電極パターニングと同様の方法で形成することができる。
【０１６７】
引き出し配線５２は、貫通孔５４の内側面に形成された引き出し配線５７を介して実装配線５５と接続される。実装配線５５は実装配線接続部（ＳＩＧ）５８につながっており、引き出し配線５２は第１のフレキシブル基板９（図２参照）に接続される。
【０１６８】
（後方絞りプレート接着）
次に後方絞りプレート４について図２０および２１を用いて説明する。図２０は、後方絞りプレート４の、個別液室６に対応する箇所の上面図および側断面図である。後方絞りプレート４には、貫通孔（後方絞り）５９が各個別液室６に対応した位置に設けられている。
【０１６９】
貫通孔（後方絞り）５９は、個別液室６（図２等参照）の壁の駆動によって生じるインクの流動が吐出口８側に強く生じるようにインクの逆流を制限するものである。後方絞りプレート４は、Ｓｉ基板のエッチング加工などで形成可能である。
【０１７０】
貫通孔５９は個別液室６の開口よりも小さく、例えば、個別液室６の開口が１２０μｍ×１２０μｍの正方形の場合、貫通孔５９の直径を５０μｍ程度とすることができる。後方絞りプレート４の厚さは、例えば２００μｍ程度とすることができる。
【０１７１】
また、液体吐出ヘッド３に後方絞りプレート４を貼りつけた際に液体吐出ヘッド３に形成されている配線のショートを防ぐため、後方絞りプレート４の表面に熱酸化等により絶縁膜を形成しておくことが好ましい。
【０１７２】
接着には、例えばエポキシ系の接着剤を用いることができる。接着剤を用いる場合、後方絞りプレート４の貫通孔５９や配線基板５３の貫通孔５４（図１８参照）や個別液室６（図２等参照）が接着剤で埋まってしまう場合がある。このような事態を防ぐため、接着剤を後方絞りプレート４や配線基板５３に塗布する際に、接着剤の量を適切にコントロールしておくことが望ましい。
【０１７３】
接着剤の塗布方法としては、別途用意した平坦な基板上にスピンコートやスクリーン印刷などで薄い均一な接着剤層を形成しておき、当該接着剤層に後方絞りプレート４を押し付けて接着剤層を後方絞りプレート４に転写する方法が挙げられる。この方法によれば、後方絞りプレート４上に薄く均一な接着剤層を形成することができる。
【０１７４】
接着剤塗布後、後方絞りプレート４と配線基板５３との間に微小な間隔がある状態で後方絞りプレート４の位置決めを行い、後方絞りプレート４を配線基板５３に加圧接着する。接着剤の厚さの目安としては、接着前の接着層の厚さが４μｍ程度、接着後の厚さが２μｍ程度となることが適切である。
【０１７５】
また、配線基板５３の貫通孔５４や個別液室６，空気室７への接着剤のはみ出しを軽減するために、図２０に示すように後方絞りプレート４の貫通孔５９の外側に溝６０を形成し、接着剤の逃がし溝として使用することも有効である。
【０１７６】
図２１は、配線基板５３を接合した液体吐出ヘッド３に、後方絞りプレート４およびオリフィスプレート２を接合する際のそれぞれの位置関係を表わした図である。図２１に示すように、後方絞りプレート４には、接合用アライメント溝１８，３８との位置決めを行うための後方絞りプレートアライメント孔６１が設けられている。
【０１７７】
第１および第２の圧電基板１２，３２への溝加工時に形成した第１および第２の接合用アライメント溝１８，３８（図４，７参照）は、配線基板５３の配線基板アライメント孔５６内に現れる。したがって、後方絞りプレート４を液体吐出ヘッド３へ接着するときに、第１および第２の接合用アライメント並びに後方絞りプレートアライメント孔６１を用いて後方絞りプレート４の位置決めをすることができる。
【０１７８】
また、後方絞りプレート４は、配線基板５３に対し、実装配線接続部（ＳＩＧ）５８が露出するように接着される。
【０１７９】
（絶縁処理）
次に、個別液室６の内側面に形成された第１および第５の電極（ＳＩＧ）２０，４１、空気室７の内側面に形成された第２、第３および第４の電極（ＧＲＮ）２１，２５，３９並びに電極配線の表面に絶縁膜を形成する。但し、電極配線のうち、第１、第２および第３のフレキシブル基板９，１０，１１に接続される部分には絶縁膜を形成しない。そのために、成膜時には当該部分にテープなどのマスクを施しておく。
【０１８０】
絶縁膜は、例えば、パリレンの薄膜であり、化学気相堆積（ＣＶＤ）法で絶縁膜を形成する。特に、液室の奥の壁にまで絶縁膜を形成するには、つきまわり性の優れたパリレン（Ｎ）を使用することが好ましい。絶縁膜の厚さは５μｍ程度が適切である。
【０１８１】
パリレンの密着性を向上させるため、成膜前に常温で５分程度ＵＶオゾン処理を施すと良い。さらに、密着性を高めるために、ＵＶオゾン処理後にカップリング剤を塗布してもよい。
【０１８２】
特に、液体吐出ヘッド３の第１の端面４７のＧＮＤ電極にＡｕを使用している場合には、パリレンとの密着性が著しく低いため、トリアジンチオール系のカップリング剤による表面処理が有効である。また、後方絞りプレート４にＳｉ基板を使用し、表面に酸化膜が形成されている場合には、シランカップリング剤が有効である。カップリング処理は、ＩＰＡで希釈したカップリング剤を薄く塗布後、オーブンで乾燥させることにより行うことができる。
【０１８３】
（オリフィスプレート接着）
次に、オリフィスプレート２を液体吐出ヘッド３の第１の端面４７に接合する。オリフィスプレート２の、各個別液室６に対応する部分の平面図および側断面図を図２２に示す。
【０１８４】
オリフィスプレート２は、液体吐出ヘッド３の各個別液室６に対応する位置に貫通穴（吐出口８）が形成された板である。一例として、吐出口８は、直径が１０μｍ、深さが２０μｍの円孔である。また、オリフィスプレート２の、液体吐出ヘッド３に接合される側の面に、接着剤が吐出口８を塞がないように逃がし溝６２が設けられている。
【０１８５】
逃がし溝６２はインク中の泡の滞留を防ぐため、個別液室６の開口よりも小さいことが好ましく、例えば、直径８０μｍ、深さ６０μｍの穴とすることができる。この場合、オリフィスプレート２の厚さは８０μｍとなる。
【０１８６】
このようなオリフィスプレート２の作製方法としては、例えば、Ｎｉの電鋳加工が挙げられる。さらに、オリフィスプレート２の、第１の端面４７と接しない側の面に撥インク処理を施す。撥インク材料としては、シラン系、フッ素系の材料があり、蒸着などでコーティング処理をすることができる。
【０１８７】
オリフィスプレート２は、例えば接着剤を用いて液体吐出ヘッド３と接合される。接着には、例えばエポキシ系の接着剤を用いることができる。
【０１８８】
接着剤を用いる場合、オリフィスプレート２の吐出口８や個別液室６が接着剤で埋まってしまう場合がある。このような事態を防ぐため、接着剤をオリフィスプレート２に塗布する際に、接着剤の量を適切にコントロールしておくことが望ましい。
【０１８９】
接着剤の塗布方法としては、別途用意した平坦な基板上にスピンコートやスクリーン印刷などで薄い均一な接着剤層を形成しておき、当該接着剤層にオリフィスプレート２を押し付けて接着剤層をオリフィスプレート２に転写する方法が挙げられる。この方法によれば、オリフィスプレート２上に薄く均一な接着剤層を形成することができる。
【０１９０】
接着剤塗布後、オリフィスプレート２と液体吐出ヘッド３の間に微小な間隔がある状態でオリフィスプレート２の位置決めを行い、オリフィスプレート２を液体吐出ヘッド３に加圧接着する。接着剤の厚さの目安としては、接着前の接着層の厚さが４μｍ程度、接着後の厚さが２μｍ程度となることが適切である。
【０１９１】
第１および第２の圧電基板１２，３２への溝加工時に形成した第１および第２の接合用アライメント溝１８，３８（図４，７参照）は、液体吐出ヘッド３の第１の端面４７に現れている。そして、オリフィスプレート２には、第１および第２の接合用アライメント溝１８，３８を確認するためのオリフィスプレートアライメント孔６３が設けられている。したがって、オリフィスプレート２を液体吐出ヘッド３へ接着するときに、第１および第２の接合用アライメント溝１８，３８並びに配線基板アライメント孔５６を用いてオリフィスプレート２位置決めをすることができる。
【０１９２】
（配線実装）
次に、第１、第２および第３のフレキシブル基板９，１０，１１を配線電極に圧着する。図２３に示すように、第２の端面４８上のＳＩＧ電極、上端面５０上のＧＮＤ配線に、第１、第２および第３のフレキシブル基板９，１０，１１を圧着する。圧着には異方性導電フィルム（ＡＣＦ；ａｎｉｓｏｔｏｒｏｐｉｃ  ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｆｉｌｍ）を用いる。圧着条件としては１５０℃、３ＭＰａ、１０秒程度が適当である。圧着後、ＦＰＣとの接合部付近を接着剤で補強する。
【０１９３】
（共通液室接着）
その後、図１，２に示すように、インク供給口６４を有する共通液室５を用意し、後方絞りプレート４に共通液室５を接合する。共通液室５は、例えば、ＳＵＳ基板を機械加工で作成し、接着剤を用いて後方絞りプレート４と接合される。
【０１９４】
最後に、その他の必要な部品をさらに組み立てて、液体吐出ヘッドユニット１が完成する。
【０１９５】
（駆動）
液体吐出ヘッド３の動作について図２４を用いて説明する。図２４は図１１（ｂ）の領域Ｊの断面拡大図である。図２４（ａ）に示すように、個別液室６は２次元アレイ状に形成されている。そして、隣り合う個別液室６の間には空気室７が形成されている。個別液室６を区画する隔壁は、個別液室６の外方向６５へ分極されている。
【０１９６】
個別液室６の内側面に形成された第１および第５の電極（ＳＩＧ）２０，４１は、それぞれ、１本の電極配線と個別に接続されている。各個別液室６の外側面に形成された第２、第３および第４の電極（ＧＮＤ）２１，２５，３９は、第１の端面４７側と第２の端面４８側でそれぞれ連結して、共通の電極配線に接続されている。個別に接続された配線に対して駆動信号を印加することで、各個別液室６の壁は、第１の端面４７側の部分と第２の端面４８側の部分でそれぞれ独立して作動する。
【０１９７】
図２４（ｂ）は駆動電圧印加時の液体吐出ヘッド３の様子を強調して示している。個別液室６の内側面に形成された第１および第５の電極（ＳＩＧ）２０，４１を正電位とし、個別液室６の外側面に形成された第２、第３および第４の電極（ＧＮＤ）２０，２５，３９をＧＮＤ電位として、両電極間に電圧を印加する。
【０１９８】
これにより個別液室６を形成している隔壁は個別液室６を収縮させるように変形する。この変形によって個別液室６内に充填されているインクの圧力が高められ、吐出口８（図１，２参照）より液滴が吐出する。
【０１９９】
一方、第１および第５の電極２０，４１をＧＮＤ電位とし、第２、第３および第４の電極２１，２５，３９を正電位として駆動電圧を印加すると個別液室が膨張するように隔壁が変形する（不図示）。
【０２００】
図１１に示したように、本実施形態では、個別液室６は、第１の溝１４が形成された第１の圧電基板１２と、第２の圧電基板３２と、の積層によって個別液室６が形成される。したがって、圧電部材に貫通孔を形成して個別液室６とする場合に比べ、比較的高い精度でかつより深い深さを有する個別液室６を形成することができる。
【０２０１】
また、空気室７は、第２の溝１９が形成された第１の圧電基板１２と、第３の溝３４が形成された第２の圧電基板３２と、の積層によって空気室７が形成される。したがって、個別液室６の深さ方向に溝を形成して空気室７とする場合に比べ、個別液室６の壁の剛性が低下しにくく、個別液室６の壁の、深さ方向に関する寸法をより大きくすることができる。その結果、ダブルアクチュエータ型の液体吐出ヘッド３を比較的容易に製造することができる。
【０２０２】
さらに、本実施形態では、図５，６，８および９に示したように、第１の電極（ＳＩＧ）２０と、第２および第３の電極（ＧＮＤ）２１，２５との間に電圧を印加することによって第１の圧電基板１２は分極される。また、第５の電極（ＳＩＧ）４１と第４の電極（ＧＮＤ）３９との間に電圧を印加することによって第２の圧電基板１２は分極される。
【０２０３】
その後、第２、第３および第４の電極（ＧＮＤ）２１，２５，３９を分離することによって、個別液室６（図１１参照）の深さ方向に並ぶ複数の電極が形成される。すなわち、個別液室６の深さ方向に並ぶ複数の圧電素子を同じ工程で作製することができ、液体吐出ヘッド３の製造期間を短縮することができる。
【０２０４】
加えて、個別液室６（図１１参照）の深さ方向に並ぶ複数の圧電素子は、個別液室６の外側面に設けられた第２、第３および第４の電極（ＧＮＤ）２１，２５，３９を分離することによって形成される。すなわち、個別液室６の深さ方向に並ぶ複数の圧電素子を単層型圧電素子とすることができる。したがって、積層型圧電素子の作製に必要な貫通孔を、本実施形態では形成する必要がなく、より簡素な加工で液体吐出ヘッド３を製造することができる。
【０２０５】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について、図２５および２６を用いて説明する。図２５は、本実施形態に係る製造方法を用いて製造される液体吐出ヘッド３の外観を示す斜視図である。図２６は、図２５におけるＫ−Ｋ’断面である。
【０２０６】
図２５および２６に示すように、本実施形態では、バンプ付配線基板６６が用いられる。バンプ付配線基板６６は、バンプ電極６７、引き出し配線６８、貫通孔６９、実装配線７０を含む。
【０２０７】
貫通孔６９は、バンプ付配線基板６６の、各個別液室６に対応した位置に形成されている。バンプ電極６７は、貫通孔６９の一方の開口の縁に形成されている。引き出し配線６８は、バンプ電極６７から貫通孔６９を通って貫通孔６９の他方の開口の縁まで形成されている。貫通孔６９の他方の開口の縁に形成された引き出し配線６８は、実装配線７０を介して実装配線接続部（ＳＩＧ）７１に接続されている。
【０２０８】
引き出し配線５２とバンプ電極６７を熱圧着や超音波ボンディング等の手法でバンプ接合する。バンプの材料と形状は、例えば、金で直径４０μｍ、高さ４０μｍの円錐状のバンプを使用することができる。
【０２０９】
バンプ付配線基板６６と液体吐出ヘッド３との間を液漏れしないように封止剤７２で封止する。封止剤７２には、例えばシリコーン系の封止剤を用いることができる。バンプ配線との接合以外の前後の工程は、第１の実施形態と同様に行う。
【０２１０】
貫通孔６９の開口は、個別液室６の開口よりも小さくすることが好ましい。例えば、個別液室６の開口が１２０μｍ×１２０μｍの正方形の場合、貫通孔６９の開口を直径５０μｍ程度とすることが好ましい。また、貫通孔６９の深さを２００μｍ程度とすること好ましい。貫通孔６９は液体吐出ヘッド３の駆動によって生じるインクの流動が吐出口８側に強く生じるようにインクの逆流を制限する。
【０２１１】
バンプ付配線基板６６は、Ｓｉ基板のエッチング加工とフォトリソ工程とバンプ加工などで形成可能である。バンプ付配線基板６６が後方絞りプレート４（図１，２参照）を兼ねるため歩留まりが向上する。
【０２１２】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態について説明する。本実施形態は、１枚の圧電基板から多数個の液体吐出ヘッド３を製造する方法に係る。なお、電極分離工程とチップ分離工程以外の工程は、第１の実施形態と同じである（不図示）。
【０２１３】
例えば、本実施形態の製造方法を用いて図４および７に示した第１および第２の圧電基板１２，３２から３つの液体吐出ヘッド３を製造する場合を説明する。
【０２１４】
電極分離工程において、第２のチップ分離位置３０，４４（図５，８参照）から２ｍｍの位置を始点として３ｍｍピッチで第２、第３および第４の電極（ＧＮＳ）２１，２５，３９（図６，９参照）を分離する。そして、チップ分離工程において、チップサイズ１０ｍｍ×３ｍｍとし、図４および図７に示される第１および第２の圧電基板１２，３２をそれぞれ１５枚のチップに分離する。
【０２１５】
本実施形態によれば、容易に液体吐出ヘッド３の多数個取りも可能になり、液体吐出ヘッド３の製造コストを抑制することができる。
【符号の説明】
【０２１６】
３      液体吐出ヘッド
６      個別液室
７      空気室
８      吐出口
１２      第１の圧電基板
１４      第１の溝
１５      溝形成面
１９      第２の溝
２０      第１の電極（ＳＩＧ）
２１      第２の電極（ＧＮＤ）
２３      面
２５      第３の電極（ＧＮＤ）
３２      第２の圧電基板
３４      第３の溝
３５      溝形成面
３９      第４の電極（ＧＮＤ）
４０      面
４１      第５の電極（ＳＩＧ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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