(57)【要約】【課題】エキスパンド時に接着剤層の破片が半導体チップに付着することを防止できるウェハ加工用テープ、及びウェハ加工用テープの製造方法を提供する。【解決手段】このウェハ加工用テープ１では、半導体ウェハ１１が貼り付けられる貼付領域３ａよりも外縁側に接着剤層３の飛散を防止するシール７が設けられている。これにより、ウェハ加工用テープ１を面方向に引き延ばすエキスパンド工程において、半導体ウェハ１１に貼り付けられていない領域に引き伸ばし時の衝撃が加わったとしても、シール７によって接着剤層３が飛散してしまうことを防止できる。接着剤層３の飛散の防止により、半導体チップ１４への接着剤層３の付着を防止でき、半導体チップ１４の製造歩留りを高めることが可能となる。【選択図】図２
2014049621.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられるウェハ加工用テープであって、
テープの基部をなす離型フィルムと、
前記半導体ウェハの形状に対応して前記離型フィルムの一面側に所定の間隔で設けられた接着剤層と、
前記接着剤層を覆うように設けられ、外縁部が前記接着剤層よりも外側に張り出して前記離型フィルムに接する粘着フィルムと、を備え、
前記接着剤層は、前記半導体ウェハが貼り付けられる貼付領域を有し、前記貼付領域よりも外縁側に前記接着剤層の飛散を防止するシールが設けられていることを特徴とするウェハ加工用テープ。
【請求項２】
前記接着剤層において、前記シールは、前記粘着フィルム側の面に設けられていることを特徴とする請求項１記載のウェハ加工用テープ。
【請求項３】
前記接着剤層において、前記シールは、前記離型フィルム側の面に設けられていることを特徴とする請求項１記載のウェハ加工用テープ。
【請求項４】
前記シールは、前記接着剤層の外縁よりも外側に張り出すように設けられていることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載のウェハ加工用テープ。
【請求項５】
半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられるウェハ加工用テープの製造方法であって、
接着剤層を離型フィルムの一面側に積層する工程と、
粘着フィルムの一面側に前記接着剤層の飛散を防止するシールを積層する工程と、
前記半導体ウェハの形状に対応すると共に所定の間隔となるように前記離型フィルム上で前記接着剤層を整形する工程と、
前記接着剤層を覆うと共に、前記シールが前記接着剤層において前記半導体ウェハが貼り付けられる貼付領域よりも外縁側に位置するように前記粘着フィルムを積層する工程と、
前記粘着フィルムの外縁部が前記接着剤層よりも外側に張り出して前記離型フィルムに接するように粘着フィルムを整形する工程と、を備えたことを特徴とするウェハ加工用テープの製造方法。
【請求項６】
半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられるウェハ加工用テープの製造方法であって、
接着剤層を離型フィルムの一面側に積層する工程と、
前記半導体ウェハの形状に対応すると共に所定の間隔となるように前記離型フィルム上で前記接着剤層を整形する工程と、
前記接着剤層を覆うと共に外縁部が前記接着剤層よりも外側に張り出して前記離型フィルムに接するように粘着フィルムを積層する工程と、
前記離型フィルムを前記接着剤層及び前記粘着フィルムから一旦剥離し、前記接着剤層において、前記半導体ウェハが貼り付けられる貼付領域よりも外縁側に前記接着剤層の飛散を防止するシールを積層する工程と、
前記離型フィルムを再び前記接着剤層及び前記粘着フィルムに積層する工程と、を備えたことを特徴とするウェハ加工用テープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハ加工用テープ及びウェハ加工用テープの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、例えばモバイル関連機器の多機能化及び軽量化・小型化の進展に伴い、半導体チップの高密度実装に対する要求が強まってきている。かかる要求に対し、半導体チップを積層するスタックドマルチチップパッケージ（スタックドＭＣＰ）が主流となってきており、半導体ウェハの薄型化が加速している。
【０００３】
スタックドＭＣＰに用いる半導体チップの製造工程では、ダイシング工程における半導体ウェハの固定や、ダイボンディング工程における半導体チップとリードフレーム等との接着に併用できるウェハ加工用テープの導入が進められている。ウェハ加工用テープには、ウェハへの貼り付け時や、ダイシングの際のリングフレームへの取り付け時の作業性を考慮し、プリカット加工が施されたものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−１５６７５３号公報
【特許文献２】特開２００５−２９１３２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上述したウェハ加工用テープを用いた半導体チップの製造工程では、半導体ウェハのダイシング工程を実施した後、得られた接着剤層付き半導体チップをピックアップし易くするために、ウェハ加工用テープを面方向に引き延ばすエキスパンド工程を実施する場合がある。このとき、接着剤層のうち、半導体ウェハに貼り付けられていない領域が引き伸ばし時の衝撃によって分断され、その破片が半導体チップに付着してしまうことがあった。
【０００６】
本発明は、上記課題の解決のためになされたものであり、エキスパンド時に接着剤層の破片が半導体チップに付着することを防止できるウェハ加工用テープ、及びウェハ加工用テープの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題の解決のため、本発明に係るウェハ加工用テープは、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられるウェハ加工用テープであって、テープの基部をなす離型フィルムと、半導体ウェハの形状に対応して離型フィルムの一面側に所定の間隔で設けられた接着剤層と、接着剤層を覆うように設けられ、外縁部が接着剤層よりも外側に張り出して離型フィルムに接する粘着フィルムと、を備え、接着剤層は、半導体ウェハが貼り付けられる貼付領域を有し、貼付領域よりも外縁側に接着剤層の飛散を防止するシールが設けられていることを特徴としている。
【０００８】
このウェハ加工用テープでは、半導体ウェハが貼り付けられる貼付領域よりも外縁側に接着剤層の飛散を防止するシールが設けられている。これにより、ウェハ加工用テープを面方向に引き延ばすエキスパンド工程において、半導体ウェハに貼り付けられていない領域に引き伸ばし時の衝撃が加わったとしても、シールによって接着剤層が飛散してしまうことを防止できる。接着剤層の飛散の防止により、半導体チップの意図しない位置への接着剤層の付着を防止でき、半導体チップの製造歩留りを高めることが可能となる。
【０００９】
また、接着剤層において、シールは、離型フィルム側の面に設けられていることが好ましい。この構成により、接着剤層の飛散を十分に抑えられる。
【００１０】
また、接着剤層において、シールは、粘着フィルム側の面に設けられていることが好ましい。この構成により、接着剤層の飛散を十分に抑えられる。
【００１１】
また、シールは、接着剤層の外縁よりも外側に張り出すように設けられていることが好ましい。この構成により、接着剤層の飛散をより確実に抑えられる。
【００１２】
また、本発明に係るウェハ加工用テープの製造方法は、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられるウェハ加工用テープの製造方法であって、接着剤層を離型フィルムの一面側に積層する工程と、粘着フィルムの一面側に接着剤層の飛散を防止するシールを積層する工程と、半導体ウェハの形状に対応すると共に所定の間隔となるように離型フィルム上で接着剤層を整形する工程と、接着剤層を覆うと共に、シールが接着剤層において半導体ウェハが貼り付けられる貼付領域よりも外縁側に位置するように粘着フィルムを積層する工程と、粘着フィルムの外縁部が接着剤層よりも外側に張り出して離型フィルムに接するように粘着フィルムを整形する工程と、を備えたことを特徴としている。
【００１３】
この製造方法により得られたウェハ加工用テープでは、半導体ウェハが貼り付けられる貼付領域よりも外縁側に接着剤層の飛散を防止するシールが設けられる。これにより、ウェハ加工用テープを面方向に引き延ばすエキスパンド工程において、半導体ウェハに貼り付けられていない領域に引き伸ばし時の衝撃が加わったとしても、シールによって接着剤層が飛散してしまうことを防止できる。接着剤層の飛散の防止により、半導体チップの意図しない位置への接着剤層の付着を防止でき、半導体チップの製造歩留りを高めることが可能となる。
【００１４】
また、本発明に係るウェハ加工用テープの製造方法は、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられるウェハ加工用テープの製造方法であって、接着剤層を離型フィルムの一面側に積層する工程と、半導体ウェハの形状に対応すると共に所定の間隔となるように離型フィルム上で接着剤層を整形する工程と、接着剤層を覆うと共に外縁部が接着剤層よりも外側に張り出して離型フィルムに接するように粘着フィルムを積層する工程と、離型フィルムを接着剤層及び粘着フィルムから一旦剥離し、接着剤層において、半導体ウェハが貼り付けられる貼付領域よりも外縁側に接着剤層の飛散を防止するシールを積層する工程と、離型フィルムを再び接着剤層及び粘着フィルムに積層する工程と、を備えたことを特徴としている。
【００１５】
この製造方法により得られたウェハ加工用テープでは、半導体ウェハが貼り付けられる貼付領域よりも外縁側に接着剤層の飛散を防止するシールが設けられる。これにより、ウェハ加工用テープを面方向に引き延ばすエキスパンド工程において、半導体ウェハに貼り付けられていない領域に引き伸ばし時の衝撃が加わったとしても、シールによって接着剤層が飛散してしまうことを防止できる。接着剤層の飛散の防止により、半導体チップの意図しない位置への接着剤層の付着を防止でき、半導体チップの製造歩留りを高めることが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、エキスパンド時に接着剤層の破片が半導体チップに付着することを防止できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。
【図２】図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。
【図３】半導体ウェハへのウェハ加工用テープの取り付け状態を示す図である。
【図４】ウェハ加工用テープを用いたダイシング工程を示す図である。
【図５】ウェハ加工用テープを用いたピックアップ工程を示す図である。
【図６】本発明に係るウェハ加工用テープの変形例を示す断面図である。
【図７】本発明に係るウェハ加工用テープの製造方法の一実施形態を示す断面図である。
【図８】本発明に係るウェハ加工用テープの製造方法の他の実施形態を示す断面図である。
【図９】本発明の効果確認試験の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照しながら、本発明に係るウェハ加工用テープ及びウェハ加工用テープの製造方法の好適な実施形態について詳細に説明する。
【００１９】
図１は、本発明に係るウェハ加工用テープの一実施形態を示す平面図である。また、図２は、図１におけるＩＩ−ＩＩ線断面図である。図１及び図２に示すウェハ加工用テープ１は、半導体ウェハのダイシング及びダイシングによって得られた半導体チップのダイボンディングに用いられる長尺のテープであり、通常はロール状に巻かれた状態となっている。
【００２０】
［ウェハ加工用テープの構成］
図１及び図２に示すように、ウェハ加工用テープ１は、プリカット加工されており、テープの基部をなす離型フィルム２と、半導体ウェハの形状に対応して離型フィルム２の一面側に所定の間隔で円形に設けられた接着剤層３と、接着剤層３を覆うように接着剤層３に積層された粘着フィルム４とを備えている。
【００２１】
離型フィルム２は、一面側の一部又は全部が離型剤で表面されたフィルムである。離型フィルム２の厚さは、ウェハ加工用テープ１を使用する際の作業性が損なわれない範囲であればよく、例えば１０μｍ〜５００μｍであることが好ましく、２０μｍ〜１００μｍであることがより好ましく、２５μｍ〜５０μｍであることが特に好ましい。
【００２２】
接着剤層３は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。接着剤層３は、図２に示すように、ダイシングの際に半導体ウェハが貼り付けられる中央の貼付領域３ａと、貼付領域３ａの外側の外縁領域３ｂとを有している。また、粘着フィルム４は、接着剤層３上に位置するラベル部５と、ラベル部５から離間して離型フィルム２の両脇部分にそれぞれ設けられた縁部６，６とを有している。
【００２３】
接着剤層３の厚さは、半導体チップを搭載する支持部材への接着性が十分確保され、かつ半導体ウェハへの貼り付け作業及びダイシング作業に影響を及ぼさない範囲であればよい。このような観点から、接着剤層３の厚さは、１μｍ〜３００μｍ程度であることが好ましく、１μｍ〜７５μｍであることがより好ましく、１μｍ〜２０μｍであることが特に好ましい。厚さが１μｍ未満であると、十分な接着性が得られないおそれがある。また、厚さが３００μｍを超えると、作業性が低下するおそれがある。
【００２４】
粘着フィルム４のラベル部５は、接着剤層３よりも一回り大径の円形をなしている。図２に示すように、ラベル部５の外縁部は、接着剤層３よりも外側にはみ出しており、離型フィルム２の表面に直接重ね合された状態となっている。一方、粘着フィルム４の縁部６は、平面視において、接着剤層３及びラベル部５を囲うように配置されている。縁部６は、接着剤層３を介さず、離型フィルム２の一面側に直接重ね合されている。
【００２５】
ここで、接着剤層３の外縁領域３ｂには、ダイシング後のエキスパンド工程において接着剤層３の飛散を防止するシール７が設けられている。シール７は、例えば厚さ１μｍ〜５０μｍ、好ましくは厚さ１μｍ〜１０μｍのプラスチック製のシールである。シール７は、リング状をなしており、接着剤層３の粘着フィルム４側の面に設けられている。また、シール７の外縁側は、接着剤層３の外縁よりも外側に張り出して離型フィルム２に直接重ね合されている。なお、シール７の張り出し幅は、粘着フィルム４においてウェハリングが貼り付けられる領域よりも内側に位置していれば特に制限はない。
【００２６】
シール７の材質は、上述したプラスチック材以外であっても特に制限はないが、クリーンルーム内で使用可能なものであることが好ましく、ＩＣタグやバーコード等を付与できる材質であることがより好ましい。また、エキスパンド工程を冷却条件下で実施する場合もあるため、低温（例えば−４０℃〜１０℃）での粘着力を維持できる材質であることが好ましい。
【００２７】
また、各層との間の密着力について、シール７と接着剤層３との間の密着力は、０．３Ｎ／２５ｍｍ〜５Ｎ／２５ｍｍ程度であることが好ましく、１Ｎ／２５ｍｍ〜５Ｎ／２５ｍｍ程度であることがより好ましい。また、シール７と粘着フィルム４との間の密着力は、１Ｎ／２５ｍｍ〜１０Ｎ／２５ｍｍ程度であることが好ましく、３Ｎ／２５ｍｍ〜１０Ｎ／２５ｍｍ程度であることがより好ましい。さらに、シール７は、エキスパンド時の伸張に耐えられるように、伸張性を有していることが好ましい。具体的には、シール７の伸び率は、２０％以上であることが好ましく、１００％以上であることがより好ましい。
【００２８】
［ウェハ加工用テープの構成素材］
離型フィルム２は、例えばヤング率が２Ｇｐａ以上となるように素材及び厚さが調整されている。こうすることで、ウェハ加工用テープ１を巻く際の離型フィルム２の伸びを防ぎ、皺の発生を一層確実に抑えることができる。離型フィルム２の素材には、公知の材料を用いることができるが、例示するのであれば、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートなどのポリ半芳香族エステルフィルム、全芳香族ポリエステルフィルム、液晶性芳香族ポリエステルフィルム、ポリアミドフィルム、ポリイミドフィルム、ポリアミドイミドフィルムなどが挙げられる。また、離型フィルム２に施される離型処理には、離型処理シリコーン系離型剤、フッ素系離型剤、長鎖アルキルアクリルレート系離型剤といった各種の離型剤が用いられる。
【００２９】
接着剤層３は、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、及びエポキシ基含有アクリル共重合体を必須成分として構成されている。このような組成を用いると、接着性、電極の埋め込み性、ワイヤ埋め込み性などを好適に確保できる。また、ダイボンディングの際、低温での接着や短時間での硬化が可能となる。さらに、封止剤でモールドした後の信頼性にも優れたものとなる。
【００３０】
エポキシ樹脂としては、例えばビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ビフェノールのジグリシジリエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジリエーテル化物、フェノール類のジグリシジリエーテル化物、アルコール類のジグリシジルエーテル化物、及びこれらのアルキル置換体、ハロゲン化物、水素添加物などの二官能エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂が挙げられる。また、多官能エポキシ樹脂や複素環含有エポキシ樹脂等、一般に知られているものを適用することもできる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。さらに、特性を損なわない範囲でエポキシ樹脂以外の成分が不純物として含まれていてもよい。
【００３１】
また、フェノール樹脂としては、例えばフェノール化合物と２価の連結基であるキシリレン化合物を、無触媒又は酸触媒の存在下に反応させて得ることができるものであれば、特に制限はない。フェノール樹脂の製造に用いられるフェノール化合物としては、フェノール、ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、ｏ−ｎ−プロピルフェノール、ｍ−ｎ−プロピルフェノール、ｐ−ｎ−プロピルフェノール、ｏ−イソプロピルフェノール、ｍ−イソプロピルフェノール、ｐ−イソプロピルフェノール、ｏ−ｎ−ブチルフェノール、ｍ−ｎ−ブチルフェノール、ｐ−ｎ−ブチルフェノール、ｏ−イソブチルフェノール、ｍ−イソブチルフェノール、ｐ−イソブチルフェノール、オクチルフェノール、ノニルフェノール、２，４−キシレノール、２，６−キシレノール、３，５−キシレノール、２，４，６−トリメチルフェノール、レゾルシン、カテコール、ハイドロキノン、４−メトキシフェノール、ｏ−フェニルフェノール、ｍ−フェニルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ｐ−シクロヘキシルフェノール、ｏ−アリルフェノール、ｐ−アリルフェノール、ｏ−ベンジルフェノール、ｐ−ベンジルフェノール、ｏ−クロロフェノール、ｐ−クロロフェノール、ｏ−ブロモフェノール、ｐ−ブロモフェノール、ｏ−ヨードフェノール、ｐ−ヨードフェノール、ｏ−フルオロフェノール、ｍ−フルオロフェノール、ｐ−フルオロフェノール等が例示される。これらのフェノール化合物は、単独で用いてもよく、二種類以上を混合して用いてもよい。
【００３２】
フェノール樹脂の製造に用いられる２価の連結基であるキシリレン化合物としては、次に示すキシリレンジハライド、キシリレンジグリコール及びその誘導体を用いることができる。すなわち、α，α′−ジクロロ−ｐ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｍ−キシレン、α，α′−ジクロロ−ｏ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｐ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｍ−キシレン、α，α′−ジブロモ−ｏ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｐ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｍ−キシレン、α，α′−ジヨード−ｏ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジヒドロキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジメトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジエトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−プロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−イソプロポキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソプロポキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｎ−ブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジイソブトキシ−ｏ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｐ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｍ−キシレン、α，α′−ジ−ｔｅｒｔ−ブトキシ−ｏ−キシレンを挙げることができる。これらは単独で又は二種類以上を組み合わせて使用することができる。
【００３３】
上記したフェノール化合物とキシリレン化合物を反応させる際には、塩酸、硫酸、リン酸、ポリリン酸等の鉱酸類；ジメチル硫酸、ジエチル硫酸、ｐ−トルエンスルホン酸、メタンスルホン酸、エタンスルホン酸等の有機カルボン酸類；トリフロロメタンスルホン酸等の超強酸類；アルカンスルホン酸型イオン交換樹脂のような、強酸性イオン交換樹脂類；パーフルオロアルカンスルホン酸型イオン交換樹脂の様な、超強酸性イオン交換樹脂類（商品名：ナフィオン、Ｎａｆｉｏｎ、ＤｕＰｏｎｔ社製）；天然及び合成ゼオライト類；活性白土（酸性白土）類等の酸性触媒を用い、５０〜２５０℃において実質的に原料であるキシリレン化合物が消失し、且つ反応組成が一定になるまで反応させて得られる。反応時間は原料や反応温度にもよるが、おおむね１時間〜１５時間程度であり、実際には、ＧＰＣ（ゲルパーミエーションクロマトグラフィー）等により反応組成を追跡しながら決定すればよい。
【００３４】
エポキシ基含有アクリル共重合体とは、エポキシ基含有アクリル共重合体は、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを０．５〜６質量％含む。高い接着力を得るためには、０．５質量％以上が好ましく、６質量％以下であればゲル化を抑制できる。上記エポキシ基含有アクリル共重合体のガラス転移点（Ｔｇ）としては、−５０℃以上６０℃以下、更には−１０℃以上３０℃以下であることが好ましい。
【００３５】
官能基モノマーとして用いるグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートの量は０．５〜６質量％の共重合体比である。つまり、本実施形態において、エポキシ基含有アクリル共重合体は、原料としてグリシジルアクリレート又はグリシジルメタクリレートを、得られる共重合体に対し０．５〜６質量％となる量用いて得られた共重合体をいう。その残部はメチルアクリレート、メチルメタクリレートなどの炭素数１〜８のアルキル基を有するアルキルアクリレート、アルキルメタクリレート、およびスチレンやアクリロニトリルなどの混合物を用いることができる。これらの中でもエチル（メタ）アクリレート及び／又はブチル（メタ）アクリレートが特に好ましい。混合比率は、共重合体のＴｇを考慮して調整することが好ましい。
【００３６】
Ｔｇが−１０℃未満であるとＢステージ状態での接着剤層又はダイシングダイボンドシートのタック性が大きくなる傾向があり、取り扱い性が悪化することがある。重合方法は特に制限が無く、例えば、パール重合、溶液重合等が挙げられ、これらの方法により共重合体が得られる。このようなエポキシ基含有アクリル共重合体としては、例えば、ＨＴＲ−８６０Ｐ−３（ナガセケムテックス株式会社製、商品名）が挙げられる。
【００３７】
エポキシ基含有アクリル共重合体の重量平均分子量は１０万以上であり、この範囲であると接着性及び耐熱性が高く、３０万〜３００万であることが好ましく、５０万〜２００万であることがより好ましい。３００万以下であると、フロー性が低下することにより、半導体チップを貼付ける支持部材に必要に応じて形成された配線回路への充填性が低下する可能性を減らすことができる。なお、重量平均分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー法（ＧＰＣ）で標準ポリスチレンによる検量線を用いたポリスチレン換算値である。
【００３８】
また接着剤層３の成分には、更に必要に応じて、第三級アミン、イミダゾール類、第四級アンモニウム塩類などの硬化促進剤を添加しても良い。このような硬化促進剤としては具体的には、例えば、２−メチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート等が挙げられ、これらは１種又は２種以上を併用することもできる。
【００３９】
さらに、接着剤層３の成分には、必要に応じて無機フィラーを添加することができる。具体的には水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、ケイ酸カルシウム、ケイ酸マグネシウム、酸化カルシウム、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、ほう酸アルミウイスカ、窒化ほう素、結晶質シリカ、非晶質シリカなどが挙げられ、これらは、１種又は２種以上を併用することもできる。
【００４０】
粘着フィルム４のラベル部５及び縁部６は、例えば同一材料によって形成されている。こうすることで、プリカット加工において、粘接着フィルムを張り合わせる工程を簡略化できる。また、粘着フィルム４は、少なくとも１層の基材と、少なくとも１層の粘着剤層とからなる。これにより、ダイシング時の加工性及びダイボンディング時のプロセス性を良好に確保できる。基材には、ダイボンディング工程におけるエキスパンド時にフィルムの破断などが生じず、かつ均等に伸長する素材であり、ウェハラミネート時の熱によって、収縮しない素材であれば特に制限なく用いることができる。
【００４１】
このような素材としては、例えば結晶性ポリプロピレン、非晶性ポリプロピレン、高密度ポリエチレン、中密度ポリエチレン、低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチレン、低密度直鎖ポリエチレン、ポリブテン、ポリメチルペンテン等のポリオレフィン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、アイオノマー樹脂、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル（ランダム、交互）共重合体、エチレン−ブテン共重合体、エチレン−ヘキセン共重合体、ポリウレタン、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリエーテルエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリアミド、全芳香族ポリアミド、ポリフェニルスルフイド、アラミド（紙）、ガラス、ガラスクロス、フッ素樹脂、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、セルロース系樹脂、シリコーン樹脂や、これらに可塑剤を混合した混合物、また、電子線照射により架橋を施した硬化物などが挙げられる。
【００４２】
また、粘着剤層としては、公知の材料が用いられ、感光性材料及び非感光性材料の両方とも使用可能である。また用途に応じて、感光性粘着剤層に予め紫外線を照射することで、粘着剤層の一部又は全部を硬化したものも使用することができる。
【００４３】
［半導体チップの製造方法］
続いて、上述したウェハ加工用テープ１を用いた半導体チップの製造方法について説明する。
【００４４】
まず、離型フィルム２から接着剤層３及び粘着フィルム４のラベル部５のみを積層状態のまま剥がし、図３に示すように、接着剤層３上に半導体ウェハ１１の裏面側を貼り付ける。このとき、半導体ウェハ１１には、切断予定線に沿って予めレーザ照射を行い、半導体ウェハ１１の内部に脆弱部分を形成しておく。
【００４５】
次に、ラベル部５の外縁部にリングフレーム１２を粘着固定し、図４に示すように、エキスパンダ１３によってウェハ加工用テープ１を面方向にエキスパンドする。これにより、半導体ウェハ１１を内部の脆弱部分に沿って切断し、半導体チップ１４を得る。
【００４６】
このとき、このウェハ加工用テープ１では、図１及び図２に示したように、半導体ウェハ１１が貼り付けられる貼付領域３ａよりも外縁側に接着剤層３の飛散を防止するシール７が設けられている。これにより、ウェハ加工用テープ１を面方向に引き延ばすエキスパンド工程において、半導体ウェハ１１に貼り付けられていない領域に引き伸ばし時の衝撃が加わったとしても、シール７によって接着剤層３が飛散してしまうことを防止できる。接着剤層３の飛散の防止により、半導体チップ１４の意図しない位置に接着剤層３が付着してしまうことを防止でき、半導体チップ１４の製造歩留りを高めることが可能となる。
【００４７】
エキスパンドの後、図５に示すように、ラベル部５の裏面を突き上げピン１５で押圧しながら、コレット１６によって半導体チップ１４をピックアップする。これにより、接着剤層３は、半導体チップ１４と共にラベル部５から剥離し、ピックアップされた半導体チップ１４の底面側に付着した状態となる。この接着剤層３は、半導体チップ１４をリードフレーム等に接着する際のダイボンディングフィルムとして機能する。
【００４８】
［ウェハ加工用テープの変形例］
図６は、本発明に係るウェハ加工用テープの変形例を示す断面図である。同図に示すように、変形例に係るウェハ加工用テープ２１は、シール７の位置が上記実施形態と異なっている。より具体的には、ウェハ加工用テープ１では、接着剤層３の離型フィルム２側の面に設けられている。シール７の外縁側が接着剤層３の外縁よりも外側に張り出している点は、上記実施形態と同様となっている。
【００４９】
このようなウェハ加工用テープ２１においても、エキスパンド工程において、半導体ウェハ１１に貼り付けられていない領域に引き伸ばし時の衝撃が加わったとしても、シール７によって接着剤層３が飛散してしまうことを防止できる。接着剤層３の飛散の防止により、半導体チップ１４の意図しない位置に接着剤層３が付着してしまうことを防止でき、半導体チップ１４の製造歩留りを高めることが可能となる。
【００５０】
［ウェハ加工用テープの製造方法］
図１及び図２に示したウェハ加工用テープ１を製造する場合、まず、図７（ａ）に示すように、離型フィルム２上に接着剤層３を積層する。この工程では、接着剤層３を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して接着剤層形成用ワニスとし、これを離型処理済みの離型フィルム２上に塗布する。塗布後、例えば１４０℃・５分間の加熱によって溶剤を除去し、Ｂステージ状態の接着剤層３を形成する。
【００５１】
次に、図７（ｂ）に示すように、接着剤層３のプリカット加工を行う。この工程では、接着剤層３側から離型フィルム２に達する深さで切断刃による切り込みを入れ、例えばφ３３５ｍｍの円形に形成する。切り込みを入れた後、パターンの外側の接着剤層３を除去する。なお、離型フィルム２への切断深さは、５〜３０μｍであることが好ましく、７〜１２μｍであることがより好ましい。
【００５２】
次に、図７（ｃ）に示すように、粘着フィルム４及びシール７を積層する。まず、粘着剤層を構成する材料を溶剤に溶解又は分散して粘着剤層形成用ワニスとし、これを基材上に塗布後、例えば１４０℃・５分間の加熱によって加熱により溶剤を除去する。その後、高エネルギー線を照射し、Ｂステージ状態の粘着剤層を形成する。また、粘着フィルム４とは別に、予め円環状にプリカット加工したシール７を用意し、ロールを用いたラミネート法により、始めに粘着剤層に対して所定の間隔でシール７を貼り合わせる。
【００５３】
そして、同じくロールを用いたラミネート法により、図７（ｄ）に示すように、シール７が接着剤層３の外縁領域３ｂに位置するようにして、シール７が付いた粘着フィルム４を接着剤層３に貼り合わせる。ロールの温度は０〜７０℃であることが好ましく、２０〜３０℃であることがより好ましい。ロールのクリアランスは０〜２００μｍであることが好ましく、５０〜１００μｍであることがより好ましい。また、ライン速度は、１〜２０ｍ／ｍｉｎであることが好ましく、５〜１０ｍ／ｍｉｎであることがより好ましい。この後、離型フィルム２上の粘着フィルム４をプリカット加工し、ラベル部５及び縁部６を分離することにより、図１及び図２に示したウェハ加工用テープ１が得られる。
【００５４】
なお、上記のワニスの塗布方法としては、例えばナイフコート法、ロールコート法、スプレーコート法、グラビアコート法、バーコート法、カーテンコート法、ダイコート法等を用いることができる。また、ワニスの調整に用いる用材としては、層形成時の揮発性等を考慮して、例えばメタノール、エタノール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール、２−ブトキシエタノール、メチルエチルケトン、アセトン、メチルイソブチルケトン、トルエン、キシレン等の比較的低沸点の溶媒を使用することが好ましい。
【００５５】
また、塗膜性を向上させることなどを考慮して、例えばジメチルアセトアミド、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、シクロヘキサノン等の比較的高沸点の溶媒を使用することもできる。これらの溶媒は、単独で又は２種類以上を組み合わせて使用することができる。なお、ワニスを調製した後、真空脱気等によってワニス中の気泡を除去してもよい。
【００５６】
また、図６に示すウェハ加工用テープ２１を製造する場合、上記と同様の方法で、離型フィルム２、接着剤層３、及び粘着フィルム４を形成し、図８（ａ）に示すように、離型フィルム２上に積層した接着剤層３をプリカットした後、粘着フィルム４を積層する。次に、図８（ｂ）に示すように、離型フィルム２を接着剤層３及び粘着フィルム４から一旦剥離する。
【００５７】
そして、予め円環状にプリカット加工したシール７を用意し、ロールを用いたラミネート法により、図８（ｃ）に示すように、接着剤層３の外縁領域３ｂに位置するようにして、シール７を接着剤層３に貼り合わせる。シール７の貼り合わせの後、ロールを用いたラミネート法により、図８（ｄ）に示すように、再び離型フィルム２を積層する。この後、離型フィルム２上の粘着フィルム４をプリカット加工し、ラベル部５及び縁部６を分離することにより、図６に示したウェハ加工用テープ２１が得られる。
【００５８】
［本発明の効果確認試験］
この効果確認試験は、実施例及び比較例にかかるウェハ加工用テープのサンプルを作製し、条件を変えながらテープのエキスパンドを行ったときの接着剤層の飛散の有無を検証したものである。
【００５９】
実施例１では、ウェハ加工用テープとしてダイシングダイボンディング一体型フィルム（日立化成工業社製、ＦＨ−９０２１Ｔ−２０）を用いた。このフィルムは、剥離フィルムの厚さ：３８μｍ、剥離フィルムの幅：３９ｃｍ、接着剤層の厚さ：２０μｍ、接着剤層の形状：円形、接着剤層の直径：３２ｃｍ、粘着フィルムの厚さ：１００μｍ、ラベル部の形状：円形、粘着フィルムの直径：３７ｃｍ、ラベル部間の間隔：３７．８ｃｍである。また、シールは、厚み１０μｍ、幅２０ｍｍの円環状のものを、接着剤層の外縁領域において剥離フィルム側の面に貼り付けた。
【００６０】
実施例２では、実施例１と同じダイシングダイボンディング一体型フィルム及びシールを用い、当該シールを接着剤層の外縁領域において粘着フィルム側の面に貼り付けた。一方、比較例では、シールを貼り付けないこと以外は実施例１と同様にした。
【００６１】
評価には、エキスパンド装置（Ｄｉｓｃｏ社製：ＤＤＳ−２３００）を用いた。そして、評価対象のサンプルから剥離フィルムを除去し、予めレーザ照射によって脆弱部分を形成した厚さ５０μｍの半導体ウェハを７０℃でラミネートし、エキスパンド量７ｍｍ〜１２ｍｍ、及び速度５０ｍｍ／ｓｅｃ〜１００ｍｍ／ｓｅｃの条件下で、接着剤層の飛散の有無を調べた。
【００６２】
図９は、その試験結果を示す図である。同図に示すように、シールを設けた実施例１，２では、全てのエキスパンド条件において、接着剤層の飛散は見られなかった。これに対し、シールを設けない比較例では、エキスパンド量及び速度の小さい条件では接着剤層の飛散が見られない場合があったものの、条件を厳しくした場合には接着剤層の飛散が見られた。この結果から、本発明のようなシールを接着剤層の外縁領域に設けることが、エキスパンド時における接着剤層の飛散防止に有効であることが確認できた。
【符号の説明】
【００６３】
１，２１…ウェハ加工用テープ、２…離型フィルム、３…接着剤層、３ａ…貼付領域、３ｂ…外縁領域、４…粘着フィルム、７…シール、１１…半導体ウェハ、１４…半導体チップ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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