(57)【要約】【課題】微小凹凸構造を破壊することなく異物除去を行ない、光電変換効率の優れた太陽電池セルを歩留まり良く得ること。【解決手段】本発明にかかる太陽電池セルの製造方法は、テクスチャ構造を有する第１の表面側に、第２導電型の半導体層３を有する第１導電型の結晶系半導体基板を用意する工程と、第２導電型の半導体層３上に反射防止膜４を形成する工程と、反射防止膜４表面の異物１４除去を行う工程と、反射防止膜４上に、第２導電型の半導体層３に電気的に接続する受光面側電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。【選択図】図４−３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テクスチャ構造を有する第１の表面側に、第２導電型の半導体層を有する第１導電型の結晶系半導体基板を用意する工程と、
前記第２導電型の半導体層上に反射防止膜を形成する工程と、
前記反射防止膜表面の異物除去を行う工程と、
前記反射防止膜上に、前記第２導電型の半導体層に電気的に接続する受光面側電極を形成する工程とを含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
【請求項２】
前記反射防止膜は、窒化シリコン膜からなることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項３】
前記異物除去を行なう工程は、前記反射防止膜表面を酸でエッチングする工程であることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項４】
前記異物除去を行なう工程は、前記反射防止膜表面をフッ素系ガスでドライエッチングする工程であることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項５】
前記異物除去を行なう工程は、前記反射防止膜表面のエッチング量を１〜５ｎｍとすることを特徴とする請求項２に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項６】
前記異物除去を行なう工程は、前記反射防止膜表面をエッチングした後に、アルカリ処理を行う工程を含むことを特徴とする請求項３または４に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項７】
前記アルカリ処理を行う工程では、ＰＨが１０〜１２であるアルカリ溶液を用いることを特徴とする請求項６に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項８】
前記異物除去を行なう工程は、前記反射防止膜表面をブラシ材でブラッシング処理する工程であることを特徴とする請求項１に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項９】
前記異物除去を行なう工程で用いる前記ブラシ材は、モース硬度が３以下の材質からなることを特徴とする請求項８に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１０】
前記異物除去を行なう工程で用いる前記ブラシ材の毛径が１０μｍ〜１００μｍであることを特徴とする請求項９に記載の太陽電池セルの製造方法。
【請求項１１】
前記異物除去を行なう工程は、前記ブラシ材に付着した異物を除去する工程を含むことを特徴とする請求項８〜１０のいずれか１項に記載の太陽電池セルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池セルの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池セルは、例えば、シリコン基板に、太陽光の光エネルギーを電気エネルギーに変換するｐｎ接合、受光面側の基板上に設けられて太陽光の反射を抑制する反射防止膜、反射防止膜上に設けられて電気エネルギーを外部へ出力する集電電極を有する。多くの場合、反射防止膜は窒化シリコンで形成され、その成膜にはプラズマＣＶＤ装置が用いられる。
【０００３】
プラズマＣＶＤ装置を用いて、被処理基板としてのシリコン基板に窒化シリコン膜が成膜される際、成膜時に装置内部の内壁や電極、ステージ上へも膜が形成される。そして、これらの膜が剥がれて異物となり、処理前後、または処理中にシリコン基板上へ落下する。反射防止膜の形成工程で付着した異物がシリコン基板上に存在すると、次工程のスクリーン印刷により集電電極を形成する際に、集電電極が所望のパターン通りに形成できない。さらに印刷マスクのパターン部に異物が付着して目詰まりを起こし、この印刷マスクを用いてパターン形成がなされる、他のシリコン基板に対しても集電電極が所望のパターン通りに形成できなくなることがある。つまり、異物が付着していない太陽電池セルでも同様の不良が発生する場合がある。このような不良を抑制するために、定期的に印刷マスクの交換を実施するが、印刷マスクコストの増加と、交換にかかる時間により生産性が低下するという問題がある。
【０００４】
これらの問題を防止するには、反射防止膜成膜時に付着する異物の除去を行う必要がある。半導体ウエハ上の異物の除去方法としては、特許文献１に示されるように基板表面をブラシでスクラブしながら純水からなるジェット水流を噴射させて異物を除去する方法がカイジサレテイル。その他には、水への浸漬による除去が考えられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１０２８４９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記特許文献１に記載された従来の技術によれば、シリコン基板の表面をブラシでスクラブしながら純水からなるジェット水流を噴射させて異物を除去することで、所望のパーティクル除去率を得ることができる。しかしながら、太陽電池セルのように表面に光吸収量を上げるためにテクスチャーと呼ばれる微小凹凸構造が形成されている場合には、この微小凹凸構造がジェット水流によって、物理的に破壊され、セル特性を低下させる恐れがある。また、水での洗浄が考えられるが、この場合は、除去したパーティクルが、再付着するなど最終的な除去率が十分に得られないという問題があった。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、微小凹凸構造を破壊することなく異物除去を行ない、光電変換効率の優れた太陽電池セルを歩留まり良く作製することができる太陽電池セルの製造方法を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる太陽電池セルの製造方法は、テクスチャ構造を有する第１の表面側に、第２導電型の半導体層を有する第１導電型の結晶系半導体基板を用意する工程と、第２導電型の半導体層上に反射防止膜を形成する工程と、反射防止膜の表面の異物除去を行う工程と、反射防止膜上に、第２導電型の半導体層に電気的に接続する受光面側電極を形成する工程とを含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、反射防止膜形成工程後、電極印刷工程前に反射防止膜表面の異物を除去することにより、電極印刷工程で所望の電極形状を安定して印刷でき、光電変換効率に優れた太陽電池セルを歩留まり良く作製することができるという効果を有する。また、異物の目詰まりによる電極マスク交換頻度の減少により、生産性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１−１】図１−１は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セルの構成を説明するための断面図である。
【図１−２】図１−２は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セルの構成を説明するための上面図である。
【図１−３】図１−３は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セルの構成を説明するための下面図である。
【図２】図２は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セルの製造工程を説明するためのフローチャートである。
【図３−１】図３−１は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル１の製造工程を説明するための断面図である。
【図３−２】図３−２は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル１の製造工程を説明するための断面図である。
【図３−３】図３−３は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル１の製造工程を説明するための断面図である。
【図３−４】図３−４は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル１の製造工程を説明するための断面図である。
【図３−５】図３−５は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル１の製造工程を説明するための断面図である。
【図３−６】図３−６は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル１の製造工程を説明するための断面図である。
【図３−７】図３−７は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル１の製造工程を説明するための断面図である。
【図４−１】図４−１は、本発明の実施の形態１にかかる異物除去工程を示す工程断面図である。
【図４−２】図４−２は、本発明の実施の形態１にかかる異物除去工程を示す工程断面図である。
【図４−３】図４−３は、本発明の実施の形態１にかかる異物除去工程を示す工程断面図である。
【図５】図５は、太陽電池セルの製造条件による評価結果を示した図である。
【図６−１】図６−１は、本発明の実施の形態２にかかる異物除去工程を示す工程断面図である。
【図６−２】図６−２は、本発明の実施の形態２にかかる異物除去工程を示す工程断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態３にかかる異物除去方法の説明図である。
【図８】図８は、本発明の実施の形態３にかかる異物除去方法の変形例を示す説明図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態３にかかる異物除去方法の変形例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明にかかる太陽電池セルの製造方法の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明は以下の記述に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において適宜変更可能である。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。各図面間においても同様である。
【００１２】
実施の形態１．
この発明にかかる太陽電池セルの製造方法、太陽電池セルの構成およびその製造過程について説明する。図１−１〜図１−３を用いて、太陽電池セルの構成について説明する。図１−１は、本発明の実施の形態にかかる太陽電池セル１の構成を説明するための断面図、図１−２は、受光面側からみた太陽電池セル１の上面図、図１−３は、受光面と反対側からみた太陽電池セル１の下面図である。図１−１は、図１−３のＸ−Ｘ方向における断面図である。図２は同太陽電池セル１の製造工程を示すフローチャートである。この太陽電池セル１では、基板２としてのｐ型単結晶シリコン基板の受光面側に、第２導電型の半導体層として、リン拡散によってｎ型不純物拡散層３が形成され、ｐｎ接合を有する半導体基板１１を構成している。そして、このｎ型不純物拡散層３上には、窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）よりなる反射防止膜４が形成されている。本実施の形態では、反射防止膜４の成膜後、受光面側及び裏面側に電極を形成するに先立ち、ライトエッチングによる異物除去工程(図２：ステップＳ４０)を追加したことを特徴とする。
【００１３】
なお、基板２としてはｐ型単結晶シリコン基板に限定されず、ｐ型の多結晶シリコン基板を用いてもよい。
【００１４】
また、半導体基板１１（ｎ型不純物拡散層３）の受光面側の表面には、テクスチャ構造として微小凹凸が形成されている。微小凹凸は、受光面において外部からの光を吸収する面積を増加し、受光面における反射率を抑え、光を閉じ込める構造となっている。また、半導体基板１１の受光面側には、表銀グリッド電極６および表銀バス電極５を含む受光面側電極１２が形成されている。図１−２に示すように、表銀バス電極５は該表銀グリッド電極６と直交するように設けられており、それぞれ底面部においてｎ型不純物拡散層３に電気的に接続している。これら表銀バス電極５および表銀グリッド電極６は銀材料により構成されている。
【００１５】
一方、半導体基板１１の裏面（受光面と反対側の面）には、全体にわたってアルミニウム材料からなる裏面電極７が設けられ、また表銀バス電極５と同一方向に延在して銀材料からなる裏面集電電極８が設けられている。そして、裏面電極７と裏面集電電極８とにより第２電極である裏面側電極１３が構成される。
【００１６】
このように構成された太陽電池セル１では、太陽光が太陽電池セル１の受光面側から半導体基板１１のｐｎ接合面（半導体基板２とｎ型不純物拡散層３との接合面）に照射されると、ホールと電子が生成される。ｐｎ接合部の電界によって、生成された電子はｎ型不純物拡散層３に向かって移動し、ホールは基板２に向かって移動する。これにより、ｎ型不純物拡散層３に電子が過剰となり、基板２にホールが過剰となる結果、光起電力が発生する。この光起電力はｐｎ接合を順方向にバイアスする向きに生じ、ｎ型不純物拡散層３に接続した受光面側電極１２がマイナス極となり、基板２に接続した裏面側電極１３がプラス極となって、図示しない外部回路に電流が流れる。
【００１７】
次に、太陽電池セル１の製造方法の一例について説明する。図２は、太陽電池セル１の製造工程を説明するためのフローチャートである。図３−１〜図３−７は、太陽電池セルの製造工程を説明するための断面図である。
【００１８】
まず、基板２として例えばｐ型単結晶シリコン基板を用意し、該ｐ型単結晶シリコン基板をフッ化水素、純水などを用いて洗浄する。その後、このｐ型単結晶シリコン基板に対して該ｐ型単結晶シリコン基板の表面に微小凹凸を形成して表面にテクスチャ構造（ピラミッド構造）を形成する（図２：ステップＳ１０、図３−１）。テクスチャ形成としては、例えばｐ型単結晶シリコン基板を、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ水溶液（加えて添加剤等を添加する場合もある）によるエッチングを行う。
【００１９】
次に、ｐ型単結晶シリコン基板を熱酸化炉へ投入し、オキシ塩化リン（ＰＯＣｌ3）蒸気の存在下で加熱してｐ型単結晶シリコン基板の表面にリンガラスを形成する。これにより、ｐ型単結晶シリコン基板中にリンを拡散させ、ｐ型単結晶シリコン基板の表層にｎ型不純物拡散層３を形成して、ｐｎ接合を形成する（図２：ステップＳ２０、図３−２）。ここで、ｎ型不純物拡散層３の形成直後の表面のガラスを主成分とするリンガラス層、またｐ型単結晶シリコン基板の裏面に形成されたｎ型不純物拡散層３を除去するためにフッ酸（ＨＦ）/硝酸（ＨＮＯ3）/硫酸（Ｈ2ＳＯ4）の混酸等によるウェットエッチング処理により除去する。これにより、第１導電型層であるｐ型単結晶シリコンからなる基板２と、該基板２の受光面側に形成された第２導電型層であるｎ型不純物拡散層３と、によりｐｎ接合が形成された半導体基板１１が得られる（図３−３）。
【００２０】
次に、反射防止膜４としてプラズマＣＶＤ法により窒化シリコン膜（ＳｉＮ膜）をｎ型不純物拡散層３上に形成する（図２：ステップＳ３０、図３−４）。反射防止膜４の膜厚および屈折率は、光反射を最も抑制する値に設定する。なお、反射防止膜４として屈折率の異なる２層以上の膜を積層してもよい。また、反射防止膜４は、スパッタリング法など、異なる成膜方法により形成しても良い。
【００２１】
この後、酸性のエッチング溶液を用いで反射防止膜表面を軽くエッチング（以下、ライトエッチング）することで、表面に付着している異物除去を行なう(図２：ステップＳ４０)。この工程が本実施の形態の特徴であり、この工程については後に詳細に説明する。
【００２２】
ついで、スクリーン印刷により電極を形成する。まず、裏面側電極１３を作成する（焼成前）。すなわち、ｐ型単結晶シリコン基板の裏面側にスクリーン印刷によって、裏面電極７の形状に電極材料ペーストであるアルミニウムペースト７ａを塗布し１００℃〜３００℃程度で乾燥する。さらに裏面集電電極８の形状に電極材料ペーストである銀ペースト８ａを塗布し、１００℃〜３００℃程度で乾燥する（図２：ステップＳ５０、図３−５）。
【００２３】
次に、受光面側電極１２を作製する（焼成前）。すなわち、基板２としてのｐ型単結晶シリコン基板の受光面である反射防止膜４上に、表銀バス電極５と表銀グリッド電極６の形状に、銀ペースト１２ａをスクリーン印刷によって塗布した後、銀ペーストを乾燥する（図２：ステップＳ６０、図３−６）。
【００２４】
その後、温度７００℃〜９００℃程度で、数分から十数分間の時間だけペーストを焼成する。これにより、受光面側電極１２としての表銀バス電極５および表銀グリッド電極６と、裏面側電極１３としての裏面電極７および裏面集電電極８が得られる（図２：ステップＳ７０、図３−７）。
【００２５】
以上のような工程を実施することにより、図１−１〜図１−３に示した太陽電池セル１を作製することができる。なお、電極材料であるペーストの半導体基板１１への配置の順番については、受光面側と裏面側とで入れ替えてもよい。
【００２６】
次に、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法における異物除去工程Ｓ４０について説明する。図４−１〜図４−３は、本実施の形態にかかる異物除去工程Ｓ４０を示す要部拡大断面図である。反射防止膜の形成工程において（図２：ステップＳ３０）、プラズマＣＶＤ法を用いてＳｉＮ膜を成膜した際、成膜中に異物が半導体基板上に落下して付着することで、その後の電極印刷工程で以下のような不都合が生じることがある。つまり、太陽電池セル表面にスクリーン印刷で電極材料ペーストの塗布を行う際、異物が存在することで塗布したい箇所に電極材料ペーストが所望の形状に塗布されないことがある。そしてさらには、印刷マスクパターンに異物が目詰まりすることにより、電極材料ペーストを所望の形状に塗布できなくなるため、異物付着のない太陽電池セルでも電極材料ペーストが所望の形状に塗布できなくなる場合がある。このように電極材料ペーストが所望の形状に塗布できない場合、曲率因子（フィルファクター：Ｆ．Ｆ）低下により光電変換効率が低下、所望の光電変換効率が得られない場合は不良となるため、不良率が増加する。また、異物が目詰まりした印刷マスクの交換を実施した場合、生産性が低下する。
【００２７】
そこで、本実施の形態では、反射防止膜の形成工程後に異物除去工程（図２：ステップＳ４０）として、酸性のエッチング溶液を用いで反射防止膜表面をライトエッチングする。
【００２８】
ＨＦによるライトエッチングで異物除去率が向上した要因について図４−１〜図４−３を用いて説明する。図４−１は反射防止膜４の成膜前に異物１４が付着した場合の半導体基板表面付近の拡大図を示す。この工程は図３−４における反射防止膜４の成膜工程中における半導体基板表面付近の拡大図に相当する。反射防止膜４の成膜前に、ｎ型不純物拡散層３にＣＶＤ装置から異物１４が落下し、ｎ型不純物拡散層３の表面に付着する。異物付着後、この反射防止膜４の成膜工程において、図４−２に示すように反射防止膜４が異物１４の周辺を取り囲むようにして成膜される。図４−２中のＡ部分のように反射防止膜４が異物１４を取り囲んでいる箇所は、水洗処理では異物除去率が低い。しかし、図４−３に示すように、ＨＦによるライトエッチングを行うことで、Ａ’部分のように異物１４周辺に回り込んでいる反射防止膜４を除去することで異物１４が剥離する。
【００２９】
このようにライトエッチング工程を実施することで、異物１４が半導体基板１１の表面から剥がれやすくなり、異物除去率が向上する。また、異物１４周辺に回り込んでいる反射防止膜４の除去に際し、本実施の形態１では、酸によるウェットエッチング処理を用いたが、フッ素ガス系（Ｆ2、ＮＦ3、ＣｌＦ3等）のプラズマによる、ドライエッチング処理を用いても良い。
【００３０】
本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法を適用したサンプルとして、サンプル１を作成した。また、比較対象となる従来例としてとしてサンプル２、３を作成した。サンプル１として、反射防止膜４（厚さ６０ｎｍ）を形成した半導体基板を、ライトエッチング溶液として常温でＨＦをＨ2Ｏで１：２７５に希釈した液に、３０秒間浸漬（ライトエッチング処理）した。反射防止膜４のエッチング量は約１．８ｎｍである。ライトエッチング溶液としては、本実施例のようにＨＦの希釈液を用いても良いし、その他例えば燐酸等を用いてもよい。
【００３１】
また比較のために、サンプル２としては反射防止膜（厚さ６０ｎｍ）を形成した半導体基板を、常温のＨ2Ｏに３０秒間浸漬（水洗処理）を行った。また、サンプル３として、超音波洗浄槽（周波数１００ｋＨｚ）にて、常温のＨ2Ｏで３０秒間処理（超音波洗浄処理）を行った。
【００３２】
サンプル１〜サンプル３の異物除去率の比較結果を図５に示す。本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法を適用して、酸によるライトエッチングを行ったサンプル１は異物除去率が、０．５５であるのに対し、水洗、超音波処理を実施したサンプル２、３は異物除去率がそれぞれ、０．２７であった。これらの比較からも、本実施の形態にかかる太陽電池セルの製造方法を適用して、酸によるライトエッチングを行ったサンプル１は、水洗、超音波処理を実施したサンプル２、３と比較して約２倍の異物除去率が得られていることが分かる。ただし、エッチング量が多すぎると、反射防止膜４の膜厚が減少し、光反射を抑制する効果が弱くなり、セル特性が低下するため、エッチング量は１〜５ｎｍが好ましい。
【００３３】
実施の形態２．
実施の形態２では、図６−１及び図６−２に示すように、異物除去工程を、ライトエッチング工程と、ウエットエッチング工程との２工程で実施するものである。すなわち、反射防止膜の形成工程後に異物除去工程（図２：ステップＳ４０）として実施形態１と同様に反射防止膜表面をＨＦ等の酸溶液でライトエッチングした後（図６−１）、ＮａＯＨ等のアルカリ溶液によるウェットエッチング処理を実施する（図６−２）。
【００３４】
図６−１は、ＨＦによるライトエッチングを行っている際の、半導体基板表面付近の拡大図である。ＨＦによるライトエッチングで異物１４が除去されると、Ｂ部分のようにｎ型不純物拡散層（ｎ型シリコン）が露出する場合がある。ＰＨ５以下の酸性エッチング液中では、シリコンの表面電位は正（プラス）に、液中異物１４’（ライトエッチング処理して離脱した異物１４も含む）の表面電位は負（マイナス）になることから吸引力Ｆiが働き、液中異物１４’が再付着しやすくなるという問題が発生する。そこで、ＨＦによるライトエッチングの後、ＮａＯＨ等のアルカリ容液に浸漬することで、図６−２に示すように、アルカリ溶液中では液中異物１４’の表面電位は負に帯電することから反発力Ｆrが働き、液中異物１４’の再付着を防止することで異物除去率を更に向上することが出来る。また、アルカリ溶液のＰＨは１０〜１２の範囲が好ましい。アルカリ溶液のＰＨを１０〜１２の範囲とすることで、液中異物の再付着を防止することができる。
【００３５】
実施の形態３．
実施の形態３では、反射防止膜の形成工程後に異物除去工程（図２ステップ：Ｓ４０）として、半導体基板表面に対してブラッシング処理を実施する。例えば図７に示すように、ＣＶＤ装置等の成膜装置により反射防止膜４を形成した後、成膜装置から取り出された半導体基板１１は、ベルトコンベア等の搬送路１５上に設置され、ブラシ１６からなる異物除去機構の下部を通過する。ブラシ１６は、異物１４の付着した反射防止膜４の表面に対して毛先を接触させるように定めた一定の侵入量を保って、異物除去能力の高い周速度で回転しており、異物１４の付着した反射防止膜４の表面をブラッシング処理することで、異物除去を行う。
【００３６】
なお、ブラシの回転方向は図７中ではセルの進行方向に向かって半時計周りで回転しているが、逆向きの回転でも良い。また、本実施の形態３の変形例として図８に示すように異物１４の付着した反射防止膜４の表面をブラシ１６Ｓで走査しながらブラッシング処理を行い、異物を除去しても良い。
【００３７】
ブラッシング処理を行う際に、反射防止膜４表面（窒化シリコン）またはｎ型不純物層３（シリコン）に傷がついたり、テクスチャ構造が破壊されたりすると、光電変換効率が低下する原因となる。このため、ブラシ材の硬さは、窒化シリコンまたはシリコンより十分柔らかい材質を使用しなければならない。好ましくは、モース硬度３以下の軟質な材質が良い。例えば、ナイロン、ポリプロピレン等が挙げられる。また、ブラシの毛材径が細い場合、異物を除去する力が弱くなり、太すぎると基板表面のテクスチャ形状の溝にある異物が除去しにくくなるため、所望の異物除去率を得るには、ブラシの毛材径は１０〜１００μｍが好ましい。
【００３８】
さらに、ブラッシング処理により異物１４が付着したブラシで反射防止膜４の表面をブラッシング処理すると、再付着により所望の異物除去率が得られない場合がある。あるいはまた、反射防止膜４表面（窒化シリコン）またはｎ型不純物層３（シリコン）に傷がついたり、テクスチャ構造が破壊されたりする場合もある。これらは、いずれも光電変換効率が低下する原因となる。
【００３９】
そこで、例えば図９に示すようにブラシ１６からなる除去機構に、ブラシに付いた異物１４を吸引する吸引機構１７を設置して、ブラシに付着した異物を除去する。これにより、所望の異物除去率が安定して得られ、窒化シリコンまたはシリコンに傷がついたり、テクスチャ構造が破壊されたりするのを防止することができる。
【００４０】
前記実施の形態では、ｐ型単結晶シリコン基板内にｎ型不純物を拡散してｐｎ接合を形成した拡散型太陽電池について説明したが、ｎ型単結晶シリコン基板、ｎ型多結晶シリコン基板などのシリコン基板表面にｐ型非晶質シリコン層、ｐ型多結晶シリコン層などを形成してｐｎ接合を形成した薄膜型太陽電池をはじめ、薄膜ＥＬ素子などの他の光学素子にも適用可能である。
【００４１】
また反射防止膜としては、窒化シリコン膜に限定されることなく、酸窒化シリコン膜、窒化シリコン膜などを積層した多層膜など、ＣＶＤ装置、プラズマＣＶＤ装置などチャンバー内での気相成長によって形成される無機膜に特に有効である。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
以上のように、本発明にかかる太陽電池の製造方法は、異物を効率よく除去することで、歩留まりの向上に有用であり、特に、光電変換効率の高い太陽電池の製造に適している。
【符号の説明】
【００４３】
１  太陽電池セル、２  （ｐ型単結晶シリコン）基板、３  ｎ型不純物拡散層、４  反射防止膜、５  表銀バス電極、６  表銀グリッド電極、７  裏面電極、７ａ  アルミニウムペースト、８  裏面集電電極、８ａ  銀ペースト、１１  半導体基板、１２  受光面側電極、１２ａ  銀ペースト、１３  裏面側電極、１４  異物、１４’  液中（浮遊）異物、１５  搬送路、１６，１６Ｓ  ブラシ、１７  吸引機構。
【図１−１】
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【図１−２】
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【図１−３】
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【図２】
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【図３−１】
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【図３−２】
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【図３−３】
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【図３−４】
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【図３−５】
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【図３−６】
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【図３−７】
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【図４−１】
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【図４−２】
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【図４−３】
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【図５】
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【図６−１】
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【図６−２】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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