(57)【要約】【課題】ＰＯＰ実装を行う場合に、半導体装置の電極表面に効率よくフラックスを供給することができ、信頼性の高い積層型半導体装置を提供する。【解決手段】電極１４表面に、他の電子部品に設けられた外部接続端子を接合するに先立ち、前記電極１４表面の酸化膜を還元させる還元剤（フラックス６０）を供給する転写ピン７１を備えた半導体製造装置であって、転写ピン７１の先端部が電極表面に対し、凹部７１Ｃを有することを特徴とする。【選択図】図３
2014167975.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体装置の電極表面に、他の電子部品に設けられた外部接続端子を接合するに先立ち、前記電極表面の酸化膜を還元させる還元剤を供給する転写ピンを備えた半導体製造装置であって、
前記転写ピンの先端部が、少なくとも一部に凹部を有する柱状体であり、前記凹部の断面形状が半円または円孤であり、かつ
最先端に鋭角の凸状部を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
半導体装置の電極表面に、他の電子部品に設けられた外部接続端子を接合するに先立ち、前記電極表面の酸化膜を還元させる還元剤を供給する転写ピンを備えた半導体製造装置であって、
前記転写ピンの先端部が前記電極表面に対し、凹部を有することを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
前記転写ピンの先端部は、少なくとも一部に凹部を有する柱状体であり、前記凹部の断面形状が半円または円孤であることを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項４】
前記転写ピンは、最先端に鋭角の凸状部を有することを特徴とする請求項２に記載の半導体製造装置。
【請求項５】
半導体装置の電極表面に、他の電子部品に設けられた外部接続端子を接合するに先立ち、前記電極表面の酸化膜を還元させる還元剤を供給し、前記電極表面の酸化膜を還元する工程と、
前記電極を加熱し、前記外部接続端子を接合するリフロー工程とを含む半導体装置の製造方法であって、
前記還元する工程は、先端部が前記電極表面に対し、凹部を有する転写ピンを用いて前記還元剤を供給する工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体製造装置及び半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
樹脂封止のなされた半導体装置を積層するいわゆるＰＯＰにおいて、上下半導体装置を電気的に接続するに際し、電極の酸化膜除去をフラックスピン転写法によって行う技術が開示されている。
【０００３】
上記技術では、モールド樹脂によって封止された半導体装置内に埋め込まれた電極を、レーザ処理等の熱処理で開口し、外部接続端子（端子電極）を形成する場合、レーザ出力値が大きいと電極表面が酸化され、厚い酸化膜が形成される。また、樹脂のくずが残留している場合もある。このまま、ＰＯＰ（パッケージ・オン・パッケージ）実装する場合、酸化膜が厚いため、電極の未融合が発生することがある。そこで、酸化膜を除去するために、電極のフラックスによる洗浄が必要となる。電極洗浄のために、フラックスを転写ピンの先端にのせ、半導体装置の電極表面に供給するピン転写方式が採用されている。しかしながら、ピン転写方式でフラックスを供給する場合、ピン形状によっては１回のピン転写では酸化膜除去に必要十分なフラックス転写量が確保できなかった。そこで、複数回のピン転写を行うことも考えられるが、複数回のピン転写を繰り返すことでは生産性が低下してしまう。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−２５１８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の一つの実施形態は、半導体装置の電極表面を効率よくフラックス洗浄することができる半導体製造装置および半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一つの実施形態によれば、電極表面に、他の電子部品に設けられた外部接続端子を接合するに先立ち、前記電極表面の酸化膜を還元させる還元剤を供給する転写ピンを備えた半導体製造装置であって、転写ピンの先端部が電極表面に対し、凹部を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１（ａ）および（ｂ）は、第１の実施形態の半導体製造装置を適用したＰＯＰの積層工程におけるフラックスの転写工程を模式的に示す工程断面図である。
【図２】図２は、同半導体製造装置の転写部の転写ピンを示す要部拡大図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は下面図である。
【図３】図３は、転写工程を模式的に示す要部拡大断面図である。
【図４】図４は、同半導体製造装置の転写工程を模式的に示す説明図であり、（ａ）は転写部の断面図、（ｂ）は転写工程を示す図である。
【図５】図５（ａ）および（ｂ）は、フラックス転写前（電極表面の酸化膜を除去する前）およびフラックス転写を行った後（電極表面の酸化膜を除去した状態）の状態を示す図である。
【図６】図６は、電極表面の酸化膜を除去した状態の全体を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。
【図７】図７は、第１の実施形態の転写部を用いて、フラックス転写を行った場合の、スキージの厚さと転写フラックス量との関係を測定した結果を示す図である。
【図８】図８は、第２の実施形態の半導体製造装置の転写部の転写ピンを示す要部拡大図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は下面図である。
【図９】図９は、同転写工程を模式的に示す要部拡大断面図である。
【図１０−１】図１０−１は、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０−２】図１０−２は、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０−３】図１０−３は、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０−４】図１０−４は、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１０−５】図１０−５は、第３の実施の形態の半導体装置の製造方法を示す工程断面図である。
【図１１】図１１は、第４の実施形態の半導体製造装置の転写部の転写ピンを示す要部拡大図であり、（ａ）は正面図、（ｂ）は下面図、（ｃ）（ｄ）は変形例の下面図である。
【図１２】図１２（ａ）および（ｂ）は、比較例の半導体製造装置を適用したＰＯＰの積層工程におけるフラックスの転写工程を模式的に示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に添付図面を参照して、実施形態にかかる半導体製造装置及び半導体装置の製造方法を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。また、以下に示す図面においては、理解の容易のため、各部材の縮尺が実際とは異なる場合がある。
【０００９】
（第１の実施形態）
図１（ａ）および（ｂ）は、第１の実施形態の半導体製造装置を適用したＰＯＰの積層工程におけるフラックスの転写工程を模式的に示す工程断面図である。このフラックス転写において、転写ピン７１の先端部に凹部７１Ｃを設ける。電極表面に傷を付け、また１回辺りのフラックス転写量を増量する。このことで、酸化膜除去性を高めることができる。本実施形態の半導体製造装置で製造される半導体装置は、図６（ａ）および（ｂ）に示すように、半導体チップ１と、これを封止するモールド樹脂２を備える。電極１４の表面、はモールド樹脂２の設けられた開口１５内に露呈している。また電極１４の表面は、モールド樹脂２の表面より配線基板１２側に位置する。そして、還元する工程は、転写ピン７１の先端部の鋭角に尖った凸状部７１Ｔで、電極１４の表面に形成された酸化膜を物理的に傷つけながら、電極１４表面に還元剤を供給する工程である。転写ピン７１は、先端部に凹部を有する円柱体を備える。
【００１０】
本実施形態では、まず図１（ａ）に示す転写部７０を用意する。転写部７０は、本体部７２と、転写ピン７１を備える。転写ピン７１は本体部７２に取り付けられ、転写ピン７１の先端部には凹部７１Ｃを有する。
【００１１】
この転写ピン７１の先端を、フラックス６０に接触させると、図１（ｂ）に示すように、先端部にフラックス６０を保持することができる。このフラックス６０をモールド樹脂２の開口１５内に設けられた電極１４に供給する。フラックス６０の作用によって、電極１４の表面を還元し、洗浄することで、接続性の高い電極表面を得るものである。
【００１２】
図２は、同半導体製造装置の転写部７０の転写ピン７１を示す要部拡大図であり、図２（ａ）は正面図、図２（ｂ）は下面図である。図３は、転写工程を模式的に示す要部拡大断面図である。半導体装置のモールド樹脂２の凹部内に設けられた電極１４に、転写ピン７１を介してフラックス６０が転写される。転写ピン７１の先端部の断面は円錐状の凹部７１Ｃを有する形状となっており、その角度θは約９０度である。この円錐状の凹部７１Ｃの形成された先端は尖った凸状部７１Ｔを有する。転写ピン７１のピンの直径Ｒは０．３ｍｍで、先端部の凹部７１Ｃの深さＨは、０．１５ｍｍである。この場合、スキージ厚は０．１５ｍｍ以上に設定することにより、この凹部７１Ｃに確実にフラックス６０を充填することができる。
【００１３】
比較のために、図１２（ａ）及び（ｂ）に比較例の半導体製造装置を適用したＰＯＰの積層工程におけるフラックスの転写工程を模式的に示す。図１（ａ）及び（ｂ）と図１２（ａ）及び（ｂ）との比較からもわかるように、先端部に凹部７１Ｃをもつ本実施形態の転写ピン７１は、先端が球状に突出した形状やフラット形状（図示せず）の比較例の転写ピンよりも大量のフラックスを凹部７１Ｃに確保できることになる。本実施形態の転写ピン７１によれば凹部７１Ｃを有することで、比較例のフラット形状の転写ピンに対して約２倍、先端が突出した球状の転写ピン７１に対して約４倍のフラックス転写量を確保することができる。
【００１４】
また、先端部が凹部７１Ｃを有することで、この凹部７１Ｃを囲む最先端は尖った凸状部７１Ｔとなっており、電極１４にキズを付け酸化膜を破壊することができる。フラックス転写後の半導体装置は、リフロー装置を経て、さらに洗浄装置でフラックスが除去される。このとき電極１４はモールド樹脂２の開口１５内に形成されており、開口１５の幅ｒは転写ピン７１の直径Ｒよりも大きく形成されるのが望ましい。これにより、電極１４表面に転写ピン７１の先端を接触させることができ、物理的接触により酸化膜１４Ｓ（図５（ａ）参照）に傷をつけることができるためである。
【００１５】
次に、この転写部について説明する。図４（ａ）及び（ｂ）は、同半導体製造装置の転写部７０を模式的に示す説明図であり、図４（ａ）は転写部の断面図、図４（ｂ）はフラックス６０を転写ピン７１の先端部に付着させる工程を示す説明図である。転写部７０は、本体部７２に対し、転写ピンプレート７４によって所望の間隔で転写ピン７１が配列されている。この転写ピン７１は、弾性部材７３を介して本体部７２に装着されており、若干の半導体装置の反りや歪については吸収可能となっている。また、フラックス６０は転写ステージ７８上にスキージ７９で所望の厚さ（スキージ厚）に塗布され、この状態で転写ピン７１の先端をフラックス６０に接触させることで、転写ピン７１の先端にフラックス６０を充填する。この充填されたフラックス６０を酸化膜１４Ｓの形成された電極１４に供給し、還元させることで、接続性を高める（図５（ａ）参照）。ここでフラックスとは、金属表面を洗浄するために用いるもので、還元による酸化物など介在物の除去を行う還元剤としての作用を有する。さらに、空気を遮断し、はんだ溶解の際の加熱による再酸化防止、溶融金属表面のスラグの諸性質変更などによりはんだの表面張力を減少させ、はんだのぬれを助ける等の作用をもつものである。
【００１６】
次に、この半導体製造装置の転写部７０を用いて、半導体装置を製造する方法について説明する。図５（ａ）及び（ｂ）は本実施形態の方法を用いて電極１４表面の酸化膜１４Ｓを除去する工程を示す要部断面図である。図６（ａ）及び（ｂ）は本実施形態の方法を用いて電極１４表面の酸化膜１４Ｓを除去する工程における半導体装置を示す図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は断面図である。この半導体装置は、樹脂製の配線基板１２上に半導体チップ１が搭載され、モールド樹脂２によって樹脂封止したものである。
【００１７】
なお、電極１４は外部接続に用いる電極であるが、モールド樹脂２に形成された開口１５内に露呈した構造となっている。この開口１５は樹脂封止後、レーザ加工によって開口されるため、レーザ照射時に、自然酸化膜の膜厚を越える膜厚（１１〜５００ｎｍ）の酸化膜が形成される。従ってこの電極１４は、開口１５を形成する工程においてモールド樹脂２の残渣及び酸化膜１４Ｓで覆われている。転写ピン７１によって供給されるフラックス（還元剤）６０を十分に供給することで、このモールド樹脂２の残渣及び酸化膜１４Ｓを除去するものである。
【００１８】
図５（ａ）は、電極１４表面の酸化膜１４Ｓを除去する前の状態を示し、図５（ｂ）は本実施形態の方法を用いて電極１４表面の酸化膜１４Ｓを除去した状態を示す。図６（ａ）は、電極１４表面の酸化膜１４Ｓを除去した状態の全体を示す平面図、図６（ｂ）は図６（ａ）のＡ−Ａ断面図である。この図から明らかなように、本実施形態の転写ピンを用いることで、酸化膜１４Ｓは効率よく除去される。このように多数の電極を一挙に接合する場合、わずかな反りや歪が接合を阻害することになる場合がある。しかしながら、転写部７０は図４（ａ）及び（ｂ）に示したように、転写ピンプレート７４によって所望の間隔で配列された転写ピン７１が、本体部７２に対し、弾性部材７３を介して設けられている。従って、半導体装置に反りや歪があった場合にも、効率よく転写ピン７１から電極１４上へのフラックス転写がなされる。
【００１９】
次に、本実施形態の転写部を用いて、２８８０ポイントに対してフラックス転写を行った場合の、スキージ後のフラックス厚さ（スキージ厚）とフラックス転写量との関係を図７に示す。横軸はスキージ厚（μｍ）縦軸は転写フラックス量（ｍｇ）との関係を測定した結果を示す図である。縦軸は２８８０ポイントに対してフラックス転写を行った場合の転写フラックス量（ｍｇ）の平均値であり、横軸はスキージ厚つまり、転写ピンの先端部へのフラックスの付着高さである。ａは本実施形態の転写ピンの転写フラックス量を示す曲線であり、ｂは先端部が球状に突出した比較例の転写ピンの転写フラックス量を示す曲線であり、ｃは先端部がフラット状である比較例の転写ピンの転写フラックス量を示す曲線である。これらの曲線ａ〜ｃの比較から、本実施形態の転写ピンの場合に、明らかに転写フラックス量が増大することがわかる。これにより十分にフラックスが電極表面に供給され、酸化膜１４Ｓが除去される。また、凹部７１Ｃの外周は先端が尖った凸状部７１Ｔとなっており、この凸状部７１Ｔによって引っ掻くことで、酸化膜１４Ｓに物理的な傷が形成され、フラックスの浸透を促進することで効率よく酸化膜１４Ｓの除去がなされる。
【００２０】
このようにして酸化膜１４Ｓがフラックスによって効率よく還元され、電極１４表面が露呈した状態で、別の半導体装置の外部接続端子であるはんだボールと接合がなされる。
【００２１】
なお、前記実施形態では、転写ピン７１先端の凹部７１Ｃは開口角θを９０度としたが、９０度に限定されるものではなく、１度から１７９度、望ましくは、４５度〜１３５度の場合、転写量も十分にとることができる。また、先端の凸状部７１Ｔの角度もシャープで、酸化膜１４Ｓの物理的な傷を効率よく形成できる。この開口角θが４５度に満たないと、フラックスの粘度が低いと先端部に保持するのが困難となる傾向がある。一方、この開口角θが１３５度を越えると、凸状部７１Ｔの角度が大きくなり、酸化膜１４Ｓの物理的な傷の形成が困難となる傾向がある。
【００２２】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。図８（ａ）及び（ｂ）は、同半導体製造装置の転写部７０の転写ピンを示す要部拡大図であり、図８（ａ）は正面図、図８（ｂ）は下面図である。図９は、転写工程を模式的に示す要部拡大断面図である。電極１４に、転写ピン７１を介してフラックス６０が転写される部分は第１の実施形態と同様であるが、転写ピン７１の先端部形状が異なる。転写ピン７１の先端部には凹部７１Ｂが形成されており、その断面は半円形状である。この凹部７１Ｂにもフラックスを確保できることになる。また、先端部の凹部７１Ｂの形状により、電極１４にキズを付け酸化膜を破壊することができる。転写ピン７１を用いたフラックス転写後の半導体装置はリフロー装置を通り、洗浄装置でフラックスが除去される。
【００２３】
本実施形態の場合にも、半導体装置のモールド樹脂２の凹部に設けられた電極１４に、転写ピン７１を介してフラックス６０が転写される。転写ピン７１の先端部の断面は半球状の凹部７１Ｂを有する形状となっている。この半球状の凹部７１Ｂの形成された先端の外周も尖った凸状部７１Ｔを有している。従って本実施形態によれば、比較例の先端が球状に突出した形状やフラット形状の転写ピンよりもフラックスを凹部７１Ｂに確保できることになる。また、先端部が凹部７１Ｂを有することで、この凹部７１Ｂを囲む最先端は尖った凸状部７１Ｔとなっており、電極１４にキズを付け酸化膜を破壊することができる。フラックス転写後の半導体装置は、リフロー装置を経て、さらに洗浄装置でフラックスが除去される。
【００２４】
以上のように、先端部に断面半球状の凹部７１Ｂを有する転写ピン７１を使用することにより、フラックスをより大量に凹部７１Ｂに確保できるため、必要なフラックス量を転写するための転写回数を減らすことが出来る。また、凹部７１Ｂを有するピン先端部の凸状部７１Ｔにより、電極１４表面の酸化膜（１４Ｓ）に傷をつける。これにより、酸化膜をフラックスによる還元作用に加え、機械的に酸化膜皮膜の剥離起点を設けることができ、フラックス転写の生産性改善と電極品質の向上を図ることができる。傷の付け易さという観点からは凸状部７１Ｔの先端が鋭角に尖っているのが望ましい。また転写ピン７１の先端部は粗面化しておくことで、より表面積が大きくなり、保持できるフラックス量を増大することができる。さらに、先端に複数の凹凸を有する形状を取ることでも転写ピン先端の表面積の増大をはかることができる。
【００２５】
なお、前記第１及び第２の実施形態の転写ピンは、モールド樹脂２に埋め込まれた電極表面の酸化膜除去に特に有効である。これは、転写ピン７１を用いてフラックスを供給する際、モールド樹脂２の壁に囲まれた開口１５の奥にある酸化膜を還元するには、大量の還元剤が必要となる。このことから、特に大量のフラックスを保持できる本実施形態の転写ピン７１を用いることで、効率よく酸化膜除去を行なうことができる。
【００２６】
（第３の実施形態）
次に、第３の実施形態の半導体装置の製造方法について説明する。本実施形態は、第１または第２の実施形態の半導体製造装置を適用したＰＯＰの積層工程を含む。図１０−１〜図１０−５は、ＰＯＰの積層工程を模式的に示す工程断面図である。本実施形態では、第１の半導体装置１００上に第２の半導体装置２００を積層し、相互接続するものである。
【００２７】
まず、図１０−１に示すように、第１の半導体装置１００の配線基板１２の第１の面１２Ａに、半導体チップ１を搭載するとともに、電極１４を形成し、モールド樹脂２で封止する。なお、本実施の形態では、配線基板１２上の配線、半導体チップ１と配線との接続のためのワイヤなどについては図示及び説明を省略する。
【００２８】
そして、図１０−２に示すように、このようにして得られた第１の半導体装置１００のモールド樹脂２に対しレーザ加工を行い、開口１５を形成して、電極１４を露呈せしめる。このとき電極１４の表面には酸化膜１４Ｓが形成される。
【００２９】
こののち、前記第１及び第２の実施形態で用いた転写ピン７１を用いて電極１４にフラックスを供給する。そして配線基板１２の第２の面１２Ｂに、はんだボール５を形成する。はんだボール５の形成のためにリフロー工程を施し、このリフロー工程において酸化膜１４Ｓを除去し、第１の半導体装置１００を形成する（図１０−３）。
【００３０】
そして第２の半導体装置の配線基板２２上に８個の半導体チップ１を積層し、半導体チップ１間及び配線基板２２と半導体チップ１との間をボンディングワイヤ８で接続したのち、モールド樹脂２で封止し、はんだボール２５を形成した第２の半導体装置２００を形成する。さらに図１０−４に示すように、はんだボール２５に転写されたはんだペーストＳ（またはフラックス）を介して第１の半導体装置１００上にこの第２の半導体装置２００を重ねる。また、はんだボール２５にはんだペーストＳ（またはフラックス）を転写する代わりに電極１４にはんだペーストＳ（またはフラックス）を転写してもよい。この時、前記第１及び第２の実施形態で用いた転写ピン７１を用いて、はんだペーストＳ（またはフラックス）を転写してもよい。
【００３１】
最後に、ＪＥＤＥＣ（ＩＰＣ／ＪＥＤＥＣ  Ｊ−ＳＴＤ−０２０  Ｒｅｖｉｓｉｏｎ  Ｃ）に準拠した温度プロファイル条件に基づくリフロー工程を経て、第２の半導体装置２００のはんだボール２５を第１の半導体装置１００の電極１４に接合し、接合部２５Ｓを形成し、図１０−５にＰＯＰが形成される。
【００３２】
このようにして酸化膜１４Ｓがフラックスによって効率よく還元され、電極１４表面が露呈した状態で、別の半導体装置２００の外部接続端子であるはんだボール２５と良好な接合状態が得られる。
【００３３】
（第４の実施形態）
次に、本発明の第４の実施形態について説明する。図１１（ａ）及び（ｂ）は、同半導体製造装置の転写部７０の転写ピンを示す要部拡大図であり、図１１（ａ）は正面図、図１１（ｂ）は下面図である。電極１４に、転写ピン７１を介してフラックス（６０）が転写される部分は第１及び第２の実施形態と同様であるが、転写ピン７１の先端部形状のみが異なる。転写ピン７１の先端部には複数の凹凸部を有する複合凹部７１Ｃが形成されており、その断面はストライプ状である。この複合凹部７１Ｃにもフラックスを確保できることになる。また、先端部の複合凹部７１Ｃの形状により、電極１４にキズを付け酸化膜を破壊することができる。転写ピン７１を用いたフラックス転写後の半導体装置はリフロー装置を通り、洗浄装置でフラックスが除去される。
【００３４】
このようにして本実施形態の場合にも、半導体装置のモールド樹脂２の凹部に埋設された電極１４に、転写ピン７１を介してフラックス６０が転写される。転写ピン７１の先端部の断面はストライプ状の複合凹部７１Ｃを有する形状となっている。このストライプ状の複合凹部７１Ｃの形成された先端の外周も尖った凸状部７１Ｔを有している。従って本実施形態によれば、比較例の先端が球状に突出した形状やフラット形状の転写ピンよりもフラックスを複合凹部７１Ｃに確保できる。また、先端部が複合凹部７１Ｃを有することで、この複合凹部７１Ｃを囲む最先端は尖った凸状部７１Ｔとなっており、電極１４にキズを付け酸化膜を破壊することができる。フラックス転写後の半導体装置は、リフロー装置を経て、さらに洗浄装置でフラックスが除去される。
【００３５】
以上のように、先端部に断面ストライプ状の複合凹部７１Ｃを有する転写ピン７１を使用することにより、フラックスをより大量に複合凹部７１Ｃに確保できる。これにより、必要なフラックス量を転写するための転写回数を減らすことが出来る。また、複合凹部７１Ｃを有するピン先端部の凸状部７１Ｔにより、電極１４表面の酸化膜１４Ｓに傷をつける。これにより、酸化膜１４Ｓをフラックスによる還元作用に加え、機械的に酸化膜皮膜の剥離起点を設けることができ、フラックス転写の生産性改善と電極品質の向上を図ることができる。傷の付け易さという観点からは凸状部７１Ｔの先端が鋭角に尖っているのが望ましい。また転写ピンの先端部は粗面化しておくことで、より表面積が大きくなり、保持できるフラックス量を増大することができる。さらに、先端に複数の凹凸を有する形状を取ることでも転写ピン先端の表面積の増大をはかることができる。
【００３６】
なお複合凹部７１Ｃの形状としては前記実施形態に限定されるものではなく、例えば図１１（ｃ）及び図１１（ｄ）に示すように断面図に表すと図１１（ａ）のように複合凹部７１Ｃを有する形状とし、平面図に表すと格子状または円錐状凹部の複合体とすることができる。これらの変形例においてもより大量のフラックスを保持することができるだけでなく、電極表面の酸化膜を引っ掻くための凸状部が多数存在することになり、上記効果の更なる向上をはかることができる。
【００３７】
なお、前記各実施形態においては、レーザ処理などの熱処理によって開口したモールド樹脂内の電極へのはんだボールの接合について説明したが、レーザ処理などの熱処理加工を伴わない電極への接合、はんだボールを用いないランドタイプ外部接続端子の接合など、種々の接合に適用可能である。
【００３８】
また、前記各実施形態において、転写ピンは、フラックス転写用として用いたが、フラックスに代えてはんだペーストの転写用として用いてもよい。
【００３９】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００４０】
１  半導体チップ、２  モールド樹脂、５，２５  はんだボール、Ｓ  はんだペースト８  ボンディングワイヤ、１２，２２  配線基板、１２Ａ  配線基板１２の第１の面、１２Ｂ  配線基板１２の第２の面、１４  電極、１４Ｓ  酸化膜、１５  開口、２５Ｓ  接合部、６０  フラックス、７０  転写部、７１  転写ピン、７１Ｂ  凹部、７１Ｃ  複合凹部、７１Ｔ  凸状部、７２  本体部、７３  弾性部材、７４  転写ピンプレート、７８  転写ステージ、７９  スキージ、１００  第１の半導体装置、２００  第２の半導体装置。
【図１】
2014167975.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０−１】
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【図１０−２】
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【図１０−３】
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【図１０−４】
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【図１０−５】
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【図１１】
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【図１２】
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