(57)【要約】【課題】本発明は、銀の硫化による変色を防止し、光反射効率を低下させず、高輝度の光半導体装置の提供を目的とする。【解決手段】リード電極上に半導体発光素子を接着剤によって接着し透明樹脂で封止してなる光半導体装置であって、前記接着剤が（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ジシアンジアミド、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）銀粉又は銀被覆粉を必須成分とする接着剤である光半導体装置。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
リード電極上に半導体発光素子を接着剤によって接着し透明樹脂で封止してなる光半導体装置であって、前記接着剤が（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ジシアンジアミド、（Ｃ）硬化促進剤および（Ｄ）銀粉又は銀被覆粉を必須成分とする接着剤である光半導体装置。
【請求項２】
前記接着剤が、（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対し（Ｂ）ジシアンジアミドを０.１〜１５質量部含む接着剤である請求項１に記載の光半導体装置。
【請求項３】
前記（Ｃ）硬化促進剤がイミダゾールである請求項１又は２に記載の光半導体装置。
【請求項４】
前記（Ａ）エポキシ樹脂がビスフェノール型エポキシ樹脂である請求項１〜３のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項５】
前記接着剤がさらに（Ｅ）反応性希釈剤を含む導電性接着剤である請求項１〜４のいずれかに記載の光半導体装置。
【請求項６】
ＬＥＤパッケージである請求項１〜５のいずれかに記載の光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体発光素子をリード電極上などへ接着してなる光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
光半導体装置はバックライト、表示板、ディスプレイ、各種インジケータなどに使用されている。これら光半導体装置は、発光ダイオードなどの半導体発光素子が導電性接着剤によってリード電極上に接着されている。
一般に導電性接着剤は、エポキシ樹脂などの熱硬化性樹脂組成物からなる結合材（バインダー）と銀などの導電性粉末とから構成されている（特許文献１〜４等）。しかしながら、特許文献１〜４には、前記のような熱硬化性樹脂組成物を光半導体装置に適用することは開示されていない。
【０００３】
熱硬化性樹脂である結合材は、硬化剤により熱硬化して有機溶剤に不溶となり、また耐熱性、耐湿性、耐候性などが付与される。しかしながら、上記のような光半導体装置を使用すると大気中に含まれる硫黄成分により、光半導体装置の金属部分が硫化によって変色し、光反射効率が低下するという問題がある。
この問題を解決するために金属化合物と封止用樹脂が近接する領域に、金属化合物よりも標準電極電位が小さい金属を含み、電子供与基を有する化合物で被覆した半導体部材（特許文献５等）、金属被覆層に対向する領域に金属被覆層よりも標準電極電位が小さくない金属を含む第二の金属被覆層で被覆した光半導体装置（特許文献６等）などが紹介されている。しかしながら、いずれも半導体部材に特別な処理が必要であり、特定の半導体装置にしか適用することはできない。
また、各種金属粉末、金属酸化物粉末または金属窒化物粉末等を含む導電性樹脂組成物を用いた半導体装置（特許文献７等）、形状が特定された銀粉を含む導電性樹脂組成物を用いた半導体装置（特許文献８等）が開示されているが、光半導体装置の接着剤として用いることは開示されていない。
一方、エポキシ樹脂およびシリカのような無機充填剤およびアルミナのような白色顔料等を含む熱硬化性光反射用樹脂組成物を用いた光半導体装置に関する提案も多数なされている（たとえば、特許文献９、１０等）。しかしながら、上記の光半導体装置においては、銀粉又は銀被覆粉が用いられていないので大気中に含まれる硫黄成分に起因する硫化により銀が変色し、光反射効率が低下するという問題は認識されておらず、対策もなされていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１４０９３２号公報
【特許文献２】特開２００４−３５９８３０号公報
【特許文献３】特開２００６−７３８１１号公報
【特許文献４】特開２００７−１４２１１７号公報
【特許文献５】特開２００７−２６６３４９号公報
【特許文献６】特開２００８−５３５６４号公報
【特許文献７】特開２０１２−７７０９８号公報
【特許文献８】特開２０１２−９２２０１号公報
【特許文献９】特開２０１２−１３８６１０号公報
【特許文献１０】特開２０１２−２２７５４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題を解消するためになされたもので、このような状況下で、大気中の硫黄成分に起因する硫化による光半導体装置の変色を防止し、光反射効率を低下させず、光半導体の発熱による影響を受けにくい高輝度の光半導体装置（ＬＥＤパッケージ等）の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者らは、鋭意検討を重ねた結果、エポキシ樹脂、ジシアンジアミド、硬化促進剤、銀粉又は銀被覆粉を必須成分とする接着剤により半導体素子がリード電極上に接着された光半導体装置により、上記目的を達成することができることを見出した。本発明はかかる知見に基づいて完成されたものである。
【０００７】
すなわち、本発明は、以下、
（1）リード電極上に半導体発光素子を接着剤によって接着し透明樹脂で封止してなる光半導体装置であって、前記接着剤が（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ジシアンジアミド、（Ｃ）硬化促進剤および（Ｄ）銀粉又は銀被覆粉を必須成分とする接着剤である光半導体装置、
（2）前記接着剤が、（Ａ）エポキシ樹脂１００質量部に対し（Ｂ）ジシアンジアミドを０.１〜１５質量部含む接着剤である前記（1）に記載の光半導体装置、
（3）前記（Ｃ）硬化促進剤がイミダゾールである前記（1）又は（2）に記載の光半導体装置、
（4）前記（Ａ）エポキシ樹脂がビスフェノール型エポキシ樹脂である前記（1）〜（3）のいずれかに記載の光半導体装置、
（5）前記接着剤がさらに（Ｅ）反応性希釈剤を含む導電性接着剤である前記（1）〜（4）のいずれかに記載の光半導体装置および
（6）ＬＥＤパッケージである前記（1）〜（5）のいずれかに記載の光半導体装置
を提供する。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、耐硫化性に優れた光半導体装置を得ることができるので、本発明の光半導体装置を用いることにより、特に屋外で光半導体を使用する際の半導体発光素子周辺で使用される部材の信頼性の向上を図ることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の光半導体装置の具体例であるＬＥＤパッケージの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の光半導体装置は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ジシアンジアミド、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）銀粉又は銀被覆粉を含む接着剤により半導体発光素子をリード電極上へ接着することによって得られる。以下、本発明を詳細に説明する。
まず、本発明の光半導体装置を構成する部材について図１に基づいて説明する。
図１に示されているように、本発明におけるリード電極６は、たとえば、白色ケース１に接合されている。本発明の光半導体装置において、白色ケース１は光半導体素子から発する光を反射させる機能を有している。ケースが白色であることにより効率的の反射させるメリットがある。
白色ケース１は、通常、樹脂製であり、一般に光半導体装置のケース用の樹脂として使用できるものであれば特に限定されるものではなく、例えば、エポキシ樹脂、シリコーン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂等が挙げられる。
これらの樹脂に白色顔料(酸化アルミニウム、酸化チタン、酸化アンチモン等)、無機充填材(シリカ、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等)、添加剤(シランカップリング剤、離型剤、酸化防止剤等)等を添加して、混合および加熱、硬化させて白色ケースとする。
半導体発光素子４としては、ＬＥＤ、フォトダイオード、ＣＣＤセンサー、ＣＭＯＳセンサー等が挙げられる。半導体発光素子は実装工程においてチップをシリコン等からなる基板に実装されたものが用いられる。
半導体発光素子４を封止するために用いられる透明樹脂２としては、シリコーン樹脂、シリコーン変性エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂およびエポキシ樹脂等があげられる。
【００１１】
［接着剤の成分］
次に、接着剤５を構成する必須成分、任意成分及びその他の添加剤について説明する。
＜必須成分＞
成分（Ａ）〔エポキシ樹脂〕
本発明の光半導体装置における成分（Ａ）のエポキシ樹脂としては、汎用のエポキシ樹脂、具体的には、特に電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されているものを用いることができ、２個以上のエポキシ基を有していれば特に限定されない。例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂をはじめとするフェノール類とアルデヒド類のノボラック樹脂をエポキシ化したもの、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＳ、アルキル置換ビフェノール等のジグリシジエーテル、ジアミノジフェニルメタン、イソシアヌル酸等のポリアミンとエピクロルヒドリンの反応により得られるグリシジルアミン型エポキシ樹脂、オレフィン結合を過酢酸等の過酸で酸化して得られる線状脂肪族エポキシ樹脂、及び脂環族エポキシ樹脂等があり、これらは単独でも、２種以上併用してもよい。また、使用するエポキシ樹脂は着色のないものであることが好ましく、そのようなエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレートを挙げることができる。ジシアンジアミドと硬化促進剤による優れた硬化性及び得られた硬化物の物性の観点から、ビスフェノール型エポキシ樹脂が特に好ましい。
ビスフェノール型エポキシ樹脂の市販品としては三菱化学株式会社製のｊＥＲ１００１、ｊＥＲ１００２、ｊＥＲ１００３、ｊＥＲ１００４、ｊＥＲ１００９、ＹＬ−９８３Ｕ及びＹＬ９８０などが挙げられる。これらのエポキシ樹脂は、１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【００１２】
成分（Ｂ）〔ジシアンジアミド〕
本発明の光半導体装置に用いられる接着剤における成分（Ｂ）はジシアンジアミドであり、これは前記エポキシ樹脂の硬化剤として作用する。
成分（Ｂ）の配合量は、前記成分（Ａ）のエポキシ樹脂１００質量部に対して、０.１〜１５質量部の範囲であり、０．３〜１２質量部の範囲であることが好ましい。この配合量が０.１質量部以上であれば硬化が進行して十分に硬化した硬化物が得られ、１５質量部以下であれば硬化物の吸湿性が抑制され、半導体発光素子の実装工程におけるチップの剥離を制御することができる。
なお、後で述べる反応性希釈剤（Ｅ）を使用する場合はジシアンジアミドの配合量を反応性希釈剤（Ｅ）の量に応じて適宜調整することが好ましい。
【００１３】
成分（Ｃ）〔硬化促進剤〕
本発明の成分（Ｃ）としては、例えばイミダゾール類、第３級アミン類またはその塩、及び有機ボロン塩化合物などが挙げられ、これらのなかでもイミダゾール類が好ましい。
イミダゾール類の具体例としては、２−メチルイミダゾール、２−エチルイミダゾール、２−イソプロピルイミダゾール、２−ｎ−プロピルイミダゾール、２−ウンデシル−１Ｈ−イミダゾール、２−ヘプタデシル−１Ｈ−イミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、４−メチル−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２，４−ジアミノ−６−［２′−メチルイミダゾリル−（１′）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、及び２−メチルイミダゾールイソシアヌル酸付加物などが挙げられる。
成分（Ｃ）の配合量は、前記成分（Ａ）のエポキシ樹脂１００質量部に対して、０.５〜８質量部の範囲であり、１．０〜５．０質量部の範囲であることが好ましい。この配合量が０.５質量部以上であれば接着剤の硬化が進行して十分に硬化した硬化物が得られ、８質量部以下であれば硬化物の吸湿性が抑制され、半導体発光素子の実装工程におけるチップの剥離を制御することができる。
なお、後で述べる反応性希釈剤（Ｅ）を使用する場合は硬化促進剤の配合量を反応性希釈剤（Ｅ）の量に応じて適宜調整することが好ましい。
【００１４】
成分（Ｄ）〔銀粉又は銀被覆粉〕
成分（Ｄ）の銀粉又は銀被覆粉は、接着剤に良好な導電性を付与するための成分である。成分（Ｄ）の平均粒径は、通常２０μｍ以下であることが好ましく、０．１〜１０μｍであることがより好ましい。成分（Ｄ）の平均粒径が２０μｍ以下であれば、組成物の均一性や各種物性が低下することがない。また、成分（Ｄ）の形状は特に限定されるものではなく、鱗片状、フレーク状、球状など、任意の形状であってもよい。また、被覆される粉体は、銅、ニッケル、シリカなどが挙げられる。
成分（Ｄ）の配合量は、本発明の光半導体装置に用いる接着剤中の成分（Ａ）〜（Ｄ）の合計量１００質量部中、７０〜９５質量部の範囲であることが好ましい。７０質量部以上であれば、導電性が良好であり、９５質量部以下であれば調製時の作業性や使用時の塗布性に良好な粘度となり、硬化物の強度に優れる。より好ましい範囲は７３〜９０質量部である。
【００１５】
＜任意成分＞
[（Ｅ）反応性希釈剤]
成分（Ｅ）の反応性希釈剤としては、電子部品封止用エポキシ樹脂成形材料で一般に使用されているものを用いることができる。好ましくは、エポキシ基を一つ有しているものであり、特に限定されない。例えば、フェニルグリシジルエーテル、グリシジル（メタ）アクリレート等のエポキシ基含有（メタ）アクリレート、ｎ−ブチルグリシジルエーテル、２−エチルヘキシルグリシジルエーテルおよびアリルグリシジルエーテル、バーサティック酸グリシジルエーテル、スチレンオキサイド、ブチルフェニルグリシジルエーテル等の脂肪族グリシジルエーテル、グリシジルメタクリレートおよび第三級カルボン酸グリシジルエステル等のアルキルグリシジルエステル、スチレンオキサイドおよびフェニルグリシジルエーテル、クレジルグリシジルエーテル、ｐ−ｓ−ブチルフェニルグリシジルエーテルおよびノニルフェニルグリシジルエーテル等の芳香族アルキルグリシジルエーテル等を挙げることができる。
反応性希釈剤の配合量は、前記成分（Ａ）〜（Ｄ）の合計量１００質量部に対して、０〜５０質量部の範囲であり、０〜１５質量部の範囲であることが好ましい。この配合量が５０質量部以下であれば、架橋が十分であるため、吸湿性が抑制され、半導体発光素子の実装工程におけるチップの剥離を制御することができる。
【００１６】
＜その他の添加剤＞
本発明の光半導体装置に用いる接着剤には、前記必須成分（Ａ）〜（Ｄ）および成分（Ｅ）等の任意成分の他に、本発明の効果を阻害しない範囲で、光半導体装置に用いる接着剤に一般に配合することができるカップリング剤、チクソ性付与剤、消泡剤、硫化防止剤等のその他の添加剤を適量配合することができる。
その他の添加剤として、たとえば、カップリング剤があり、例えばγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、γ−メルカプトプロピルトリメトキシシランなどのシランカップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミニウム系カップリング剤、ジルコネート系カップリング剤、及びジルコアルミネート系カップリング剤などが挙げられる。これらのカップリング剤のなかでも、シランカップリング剤が好ましく、特に、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシランが好ましい。カップリング剤は１種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
硫化防止剤の例としては、銀よりも硫黄に電気陰性度が近く硫黄をトラップするものであれば特に限定されることはなく、例えばベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾチアゾール、メルカプトベンゾトリアゾール、メルカプトベンゾテトラゾール、（２−ベンゾチアゾリルチオ）酢酸、３−（２−ベンゾチアゾリルチオ）プロピオン酸、チオフェノール、ラウリルメルカプタン、ステアリルメルカプタン、チオナフトール、チオアントラセン等が挙げられる。硫化防止剤は1種を単独で使用してもよく、２種以上を混合して使用してもよい。
【００１７】
本発明の光半導体装置で用いる接着剤は、前記した必須成分である（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）ジシアンジアミド、（Ｃ）硬化促進剤および（Ｄ）銀粉又は銀被覆粉及び（Ｅ）反応性希釈剤等の任意成分ならびにその他の添加剤を、高速混合機などを用いて十分に混合した後、ディスパース、ニーダー、三本ロールなどにより混練し、次いで、減圧脱泡することにより、容易に調製することができる。
このようにして得られた接着剤は、光半導体装置の製造や各種電子部品の接着に好適に用いることができる。例えば、ディスペンサなどを用いて半導体発光素子をリード電極などの支持部材上又は化合物半導体素子（半導体チップ）上に吐出し接着剤を介して半導体チップを支持部材上にマウントした後、接着剤を加熱硬化させる。加熱硬化は、通常、１００〜２００℃で１〜３時間程度行われる。その後、これらを透明樹脂で封止することにより光半導体装置（例えば、ＬＥＤパッケージ）が製造される。
上記光半導体装置は、半導体装置のなかでも、例えば、白色ケースの凹部に接続されたリード電極などの上に、厚さが２００μｍ以下で、ワイヤボンディング方式により電気的接続がなされる電極を有する光半導体素子を接着して構成されるチップ積層型光半導体装置の製造に特に好適である。
【００１８】
本発明の光半導体装置の具体例としては、ＬＥＤパッケージ、レーザーダイオード等が挙げられる。
また、本発明の光半導体装置は、従来公知の各種の用途に用いることができる。具体的には、バックライト、照明、センサー光源、車両用計器光源、信号灯、表示灯、表示装置、面状発光体の光源、ディスプレイ、装飾、各種ライト等を挙げることができる。
【実施例】
【００１９】
次に、本発明を実施例によりさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定されるものではない。
実施例１〜５及び比較例１〜３
表１に示した各成分を表１に示した割合で配合し、ブレンダーを用いて十分に混合した後、三本ロールを用いて、２５℃で、０．５時間混練して導電性接着剤を得た（表１に記載の配合量は質量部を示す）。用いた各成分は次のとおりである。
【００２０】
＜必須成分＞
（Ａ）エポキシ樹脂
・ｊＥＲ１００１〔三菱化学（株）製のビスフェノールＡ型エポキシ、分子量：９００、エポキシ当量：４５０〜５００、常温で固形〕
・ＹＬ９８３Ｕ〔三菱化学（株）製のビスフェノールＦ型エポキシ、分子量：３１０、エポキシ当量：１６５〜１７５、常温で液状〕
なお、上記分子量は数平均分子量である。
（Ｂ）ジシアンジアミド
・ＤＩＣＹ〔三菱化学（株）製のジシアンジアミド〕
（Ｃ）硬化促進剤
・２Ｅ４ＭＺ〔四国化成工業（株）製の２-エチル-４-メチルイミダゾール〕
（Ｄ）銀粉又は銀被覆粉
・２０％銀コート１２００ＹＰ〔三井金属鉱業（株）製の銀被覆銅粉末、平均粒子径３．４μｍ〕
・ＡｇＣ−Ａ〔福田金属化学工業（株）製の銀粉末、平均粒子径５μｍ〕
＜任意成分＞
（Ｅ）反応性希釈剤
・ＰＧＥ〔阪本薬品工業（株）製のフェニルグリシジルエーテル〕
＜その他の添加剤＞
・サイラエースＳ−５１０〔チッソ（株）製のγ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン〕
【００２１】
比較例１〜３で使用された比較用の硬化剤は下記のものである。
・ＢＲＧ５５７〔昭和電工（株）製のフェノールノボラック〕
・ビスフェノールＦ〔本州化学（株）製〕
・ＣＵＡ−４〔イハラケミカル（株）製のトリメチレンビス(４-アミノベンゾエート)〕
【００２２】
実施例１〜５及び比較例１〜３で得られた導電性接着剤の硬化物および光半導体装置の具体例であるＬＥＤパッケージについて、下記に示す方法で各種特性を評価した。これらの結果を表１に示す。
１．硬化物の変色テスト
金属メッキされた基板に各例で得られた導電性接着剤を塗布径０．５〜１mmになるように塗布して、１００〜２００℃で１〜２時間で硬化物を形成させ、基板上の硬化物を上に向けて配置し、アルミパンに入れた硫黄粉末２０ｍｇをブリキシャーレ中に水平方向に混在させて配置し、ガラス板で蓋をして密閉状態にした。このブリキシャーレを１５０℃の熱板にのせ、硫黄雰囲気に１５秒間暴露させて目視にて硬化物の変色度合いを確認して下記の基準で評価した。目視とともに硫黄雰囲気に暴露させる前と後の硬化物の写真撮影を行なった。
○：変色なし（銀色のまま）
△：灰色変色あり（銀色から灰色に変化）
×：黒色あり（銀色から黒色に変化）
（２）体積抵抗（初期値及び吸湿後）
スライドガラス上に導電性接着剤を厚さ２０〜３０μｍ、幅５ｍｍ、長さ５ｃｍになるように塗布し、１００〜２００℃で１〜２時間硬化させて体積抵抗測定用硬化物を作製した。なお、体積抵抗値の評価は２５℃条件でデジタルマルチメータを用いて行った。まず、５０％ＲＨ（相対湿度）で測定（表１中の初期値）し、次いで、９５％ＲＨ、２４時間処理後の体積抵抗値を測定した。
（３）ＬＥＤパッケージの作製と評価
発光波長４６０ｎｍのＩｎＧａＮ系化合物半導体からなるＬＥＤチップを用いたＬＥＤパッケージ（光半導体装置）を以下のような手順で作製した。ＬＥＤパッケージの断面を図１に示す。
白色ケース（エポキシ樹脂製）１に接続されたリード電極６(金属：４２アロイ)と発光素子（ＬＥＤ）４のチップを各例で得られた接着剤５を用いて接合させ、ボンディングワイヤー（金ワイヤー）３を用いて電気的導通加工を行った後、シリコーン系の透明な封止樹脂２により素子封止を行なってＬＥＤパッケージを作製した。
これに２０ｍＡの電流を流し、１０００時間経過した後、素子を切断して内部（接着剤）の変色度合いを目視にて観察し、下記の基準で評価した。
○：変色なし（銀色のまま）
○△：やや変色あり（銀色からうすい灰色に変化）
△：変色あり（銀色から灰色に変化）
【００２３】
【表１】
2014192328.tif 000002
【００２４】
表１の結果から以下のことがわかる。
硬化剤であるジシアンジアミドと硬化促進剤を併用した実施例１〜５における硬化物は硫黄の蒸気により変色しないか、変色度合いが低い。一方、硬化剤としてフェノール化合物を使用した場合、硬化促進剤を併用したとしても、比較例１および２に示されているように、硬化物の変色が著しく、硬化剤としてアミンを使用した場合も比較例３に示されているように、硬化物の変色が著しい。また、ＬＥＤパッケージの接着剤の変色についても実施例のものの方が優れていることが明らかである。そして、実施例１〜５における硬化物は吸湿後の体積抵抗値も許容範囲内である。
【産業上の利用可能性】
【００２５】
本発明の光半導体装置に用いられている接着剤はその中に配合されている銀粉又は銀被覆粉が空気中の硫黄によって変色して光反射効率を低下させることがなく、かつ、光半導体の発熱による影響を受けにくいので高輝度のＬＥＤパッケージ等への応用に有用である。
【符号の説明】
【００２６】
１：白色ケース
２：透明樹脂
３：ボンディングワイヤー
４：発光素子
５：接着剤
６：リード電極
【図１】
2014192328.tif 000003