(57)【要約】【課題】レーザ光の偏光方向が一方向に安定化している面発光レーザにおいて、簡易な方法により高い歩留りで製造することのできる面発光レーザを提供する。【解決手段】基板の上に積層形成された下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、上部半導体ＤＢＲを含む積層体を有する面発光レーザにおいて、前記積層体にはメサが形成されており、前記メサは、前記メサの周囲の前記積層体に溝部を形成することにより形成されるものであって、前記積層体における一方の方向における溝部の深さは、前記一方の方向に直交する他方の方向における溝部の深さよりも深く形成されていることを特徴とする面発光レーザを提供することにより上記課題を解決する。【選択図】  図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に積層形成された下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、上部半導体ＤＢＲを含む積層体を有する面発光レーザにおいて、
前記積層体にはメサが形成されており、
前記メサは、前記メサの周囲の前記積層体に溝部を形成することにより形成されるものであって、
前記積層体における一方の方向における溝部の深さは、前記一方の方向に直交する他方の方向における溝部の深さよりも深く形成されていることを特徴とする面発光レーザ。
【請求項２】
前記一方の方向における溝部の幅は、前記他方の方向における溝部の幅よりも広く形成されていることを特徴とする請求項１に記載の面発光レーザ。
【請求項３】
前記溝部は、ドライエッチングにより形成されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の面発光レーザ。
【請求項４】
前記上部半導体ＤＢＲには電流狭窄層が形成されており、前記電流狭窄層は前記メサの周囲となる部分が酸化されているものであって、
前記一方の方向における溝部の底面は、前記活性層または前記下部スペーサ層であり、
前記他方の方向における溝部の底面は、前記上部スペーサ層または前記電流狭窄層よりも前記基板側に形成される上部半導体ＤＢＲであることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の面発光レーザ。
【請求項５】
前記メサの上面における形状は、略円形または略楕円形であることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の面発光レーザ。
【請求項６】
前記メサの上面における形状は、正方形または長方形であって、
前記一方の方向における溝部は前記他方の方向に沿って形成されており、
前記他方の方向における溝部は前記一方の方向に沿って形成されているものであることを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の面発光レーザ。
【請求項７】
請求項１から６のいずれかに記載の面発光レーザを複数有することを特徴とする面発光レーザアレイ。
【請求項８】
光によって被走査面を走査する光走査装置であって、
請求項１から６のいずれかに記載の面発光レーザ、または、請求項７に記載の面発光レーザアレイを有する光源と、
前記光源からの光を偏向する光偏向部と、
前記光偏向部により偏向された光を前記被走査面上に集光する走査光学系と、
を有することを特徴とする光走査装置。
【請求項９】
像担持体と、
前記像担持体に対して画像情報に応じて変調された光を走査する請求項８に記載の光走査装置と、
を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項１０】
前記像担持体は複数であって、前記画像情報は、多色のカラー情報であることを特徴とする請求項９に記載の画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、面発光レーザ、面発光レーザアレイ、光走査装置及び画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
垂直共振器型の面発光レーザ（ＶＣＳＥＬ：Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ｃａｖｉｔｙ  Ｓｕｒｆａｃｅ  Ｅｍｉｔｔｉｎｇ  Ｌａｓｅｒ）は、基板に対して垂直方向に光を射出する半導体レーザであり、基板に対して平行方向に光を射出する端面発光型の半導体レーザに比べて、低価格、低消費電力、小型で高性能、２次元集積化が容易等の特徴を有している。
【０００３】
このような、面発光レーザは、一般的に電流流入効率を高めるために狭窄構造体を有している。この狭窄構造体としては、Ａｌ（アルミニウム）Ａｓ（ヒ素）層の選択酸化による狭窄構造体（便宜上「酸化狭窄構造体」と記載する場合がある）がよく用いられている。
【０００４】
この酸化狭窄構造体は、所定の大きさのメサを形成することにより、ｐ−ＡｌＡｓからなる電流狭窄層の側面を露出させた後、高温の水蒸気雰囲気中において、メサ側面からＡｌ選択的に酸化することにより選択酸化領域を形成し、メサの中央部分における電流狭窄層において、酸化されていない領域により、面発光レーザの駆動電流の通過領域（電流注入領域）が形成される。このような方法により、電流狭窄構造を容易に形成することができる。このような酸化狭窄構造体においては、電流狭窄層におけるＡｌが選択酸化された領域（ＡｌｘＯｙ）の屈折率が、１．６程度であり、半導体層に比べて低い。従って、共振器構造体内に横方向の屈折率差が生じ、光がメサ中央に閉じ込めることができるため、発光効率を向上させることができる。その結果、低閾値電流、高効率等の優れた特性を実現することが可能となる。
【０００５】
面発光レーザの用途としては、プリンタにおける光書き込み用の光源（発振波長：７８０ｎｍ帯）、光ディスク装置における書き込み用光源（発振波長：７８０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯）、光ファイバを用いたＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）等の光伝送システムの光源（発振波長：１．３μｍ帯、１．５μｍ帯）が挙げられる。更には、ボード間、ボード内、集積回路（ＬＳＩ：Ｌａｒｇｅ  Ｓｃａｌｅ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔ）のチップ間、及び集積回路のチップ内の光伝送用の光源としても期待されている。
【０００６】
しかしながら、面発光レーザは、その構造上、レーザ光における偏光方向の制御が困難であるという問題点を有している。即ち、端面発光型半導体レーザは、共振器が導波路により構成されているため、導波路端面の反射率がＴＭ波よりＴＥ波の方が大きく、電界ベクトルが半導体基板に水平な方向のＴＥ波で発振する。つまり、端面型半導体レーザから出射される光は偏光面が安定で、変動することがない。
【０００７】
これに対し、面発光レーザにおいては、特定の偏光方向の光に対してミラーの反射率を高くして、活性層の利得を大きくすることが困難である。つまり、面発光レーザは構造的に偏光に関して等方的であるために、偏光方向が不安定となるという問題点を有している。しかしながら、殆どのビームスプリッタや回折格子等の光学素子は、反射率が偏光方向に依存する。よって、半導体レーザを光学装置に組み込んだ場合、面発光レーザにおいて偏光方向がばらつくことは、使用する際に支障となり、また、偏光方向が不安定であると、相互に直交する偏光方向を不規則に遷移する場合があり、ノイズの原因となる。
【０００８】
尚、一般的に面発光レーザにおける偏光方向を制御する方法としては、傾斜基板を利用する方法が知られている。即ち、傾斜基板を利用することにより、基板主面に対して結晶構造が非対称となり、光学利得に異方性を生じさせることができる。これにより、光学利得が高くなる特定の方向に偏光方向を揃えることが可能になる。
【０００９】
例えば、特許文献１においては、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ系の半導体材料により、（１  ０  ０）面と等価な結晶面方位を有する面に対して、[１  ０  ０]方向を基準として、[１  １  ０]方向に−５°から＋５°の範囲の角度で傾斜した基板を用いて偏光を制御したものが開示されている。また、特許文献２においては、傾斜基板を用い、レーザ光が射出される射出領域内で、この射出領域の中心部から外れた部分に２つの小領域を設け、各小領域の反射率を射出領域の中心部の反射率よりも低くする透明な誘電体膜を形成することにより、高次横モードの発振制御と偏光方向の制御とを両立させたものが開示されている。
【００１０】
また、傾斜基板用いる方法とは別に、活性層の周辺部に歪み負荷を与えて、異方的な応力を発生させる方法がある。例えば、特許文献３においては、面発光レーザの共振器に隣接して歪み負荷部を配置した構造とすることにより、共振器に異方的な応力を与え、歪ませることよって、偏光制御する方法が開示されている。
【００１１】
また、特許文献４においては、面方位（１  ０  ０）面等の基板上に作製した面発光型レーザにおいて、メサ内部のＡｌ高濃度層部分に非対称の選択酸化構造を形成することにより、活性層中心部に異方的な応力を印加し、偏光制御性を高める方法が開示されている。
【００１２】
また、特許文献５においては、発光領域と対応する領域の周辺に、発光領域を中心にして回転する方向に不均一に分布する酸化層を形成することにより、不均一な分布に対応した異方的な応力を活性層に発生させ、偏光制御性を高める方法が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
しかしながら、特許文献１や特許文献２に開示されている方法のように、傾斜基板を用いた場合では、エピタキシャル成長条件の制御が難しく、簡易に、かつ安定した製造するのが困難であり、作製される面発光レーザは高価なものとなる。
【００１４】
また、特許文献３〜５に開示されている方法では、製造工程の複雑化等により、製造の際に歩留まりの低下を招き、同様に、作製される面発光レーザは高価なものとなってしまう。特に、特許文献５に開示されている方法では、酸化膜を形成する際の均一性の制御は難しく、歩留まりの低下がより一層懸念される。
【００１５】
このように、従来においては、レーザ光の偏光方向が一方向に安定化している高出力の面発光レーザを、簡易な方法により高い歩留りで製造することが困難であった。
【００１６】
よって、本発明は、このような問題点に鑑みてなされたものであり、簡易な方法により高い歩留りで製造することのできる、レーザ光の偏光方向が一方向に安定化している面発光レーザを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一観点によれば、基板の上に積層形成された下部半導体ＤＢＲ、下部スペーサ層、活性層、上部スペーサ層、上部半導体ＤＢＲを含む積層体を有する面発光レーザにおいて、前記積層体にはメサが形成されており、前記メサは、前記メサの周囲の前記積層体に溝部を形成することにより形成されるものであって、前記積層体における一方の方向における溝部の深さは、前記一方の方向に直交する他方の方向における溝部の深さよりも深く形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、レーザ光の偏光方向が一方向に安定化している面発光レーザを、簡易な方法により高い歩留りで製造することのできるため、レーザ光の偏光方向が一方向に安定化している面発光レーザを安価で提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第１の実施の形態における面発光レーザの上面図
【図２】第１の実施の形態における面発光レーザの断面図
【図３】第１の実施の形態における面発光レーザの製造工程における説明図
【図４】パターン幅とエッチング深さとの関係の説明図
【図５】第１の実施の形態における面発光レーザの説明図（１）
【図６】比較のために作製した面発光レーザの説明図
【図７】第１の実施の形態における面発光レーザの説明図（２）
【図８】第１の実施の形態における面発光レーザの説明図（３）
【図９】第１の実施の形態における面発光レーザの説明図（４）
【図１０】共振器構造の露出長と閾値電流との相関図
【図１１】第１の実施の形態における面発光レーザアレイの構造図
【図１２】第２の実施の形態におけるレーザプリンタの構成図
【図１３】第２の実施の形態における光走査装置の構成図
【図１４】第３の実施の形態におけるカラープリンタの構成図
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明を実施するための形態について、以下に説明する。尚、同じ部材等については、同一の符号を付して説明を省略する。
【００２１】
〔第１の実施の形態〕
（面発光レーザ）
本実施の形態における面発光レーザについて図１及び図２に基づき説明する。図１に示されるように、本実施の形態における面発光レーザ１００は、例えば、発振波長が７８０ｎｍ帯の面発光レーザであり、基板１０１、バッファ層１０２、下部半導体ＤＢＲ１０３、下部スペーサ層１０４、活性層１０５、上部スペーサ層１０６、上部半導体ＤＢＲ１０７、コンタクト層１０９等を有している。尚、図１は、本実施の形態における面発光レーザの上面図であり、図２（ａ）は、図１における一点鎖線１Ａ−１Ｂにおいて切断した断面図であり、図２（ｂ）は、図２における一点鎖線１Ｃ−１Ｄにおいて切断した断面図である。即ち、図２（ａ）と、図２（ｂ）は、本実施の形態における面発光レーザにおいて、相互に直交する方向の断面図である。
【００２２】
基板１０１は、表面が鏡面研磨面のｎ―ＧａＡｓ基板であり、このＧａＡｓ基板は、例えば（１００）面基板であることが好ましいが、傾斜基板であってもよい。
【００２３】
バッファ層１０２は、基板１０１の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−ＧａＡｓからなる層である。
【００２４】
下部半導体ＤＢＲ１０３は、バッファ層１０２の＋Ｚ側の面上に積層され、ｎ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層と、ｎ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを４０．５ペア有している。各屈折率層の間には、電気抵抗を低減するため、一方の組成から他方の組成へ向かって組成を徐々に変化させた厚さ２０ｎｍの組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、発振波長をλとするとλ／４の光学的厚さとなるように形成されている。尚、光学的厚さがλ／４のとき、その層の実際の厚さＤは、Ｄ＝λ／４ｎ（但し、ｎはその層の媒質の屈折率）である。
【００２５】
下部スペーサ層１０４は、下部半導体ＤＢＲ１０３の＋Ｚ側に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００２６】
活性層１０５は、下部スペーサ層１０４の＋Ｚ側に積層され、Ａｌ０．１２Ｇａ０．８８Ａｓ―Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる３重量子井戸構造の活性層である。
【００２７】
上部スペーサ層１０６は、活性層１０５の＋Ｚ側に積層され、ノンドープのＡｌ０．６Ｇａ０．４Ａｓからなる層である。
【００２８】
下部スペーサ層１０４、活性層１０５及び上部スペーサ層１０６からなる部分は、共振器構造体とも呼ばれており、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、その厚さが１波長の光学的厚さとなるように形成されている。尚、活性層１０５は、高い誘導放出確率が得られるように、電界の定在波分布における腹に対応する位置である共振器構造体の中央に設けられている。
【００２９】
上部半導体ＤＢＲ１０７は、上部スペーサ層１０６の＋Ｚ側に積層され、ｐ−Ａｌ０．９Ｇａ０．１Ａｓからなる低屈折率層とｐ−Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓからなる高屈折率層のペアを２４ペア有している。各屈折率層の間には組成傾斜層が設けられている。そして、各屈折率層はいずれも、隣接する組成傾斜層の１／２を含んで、λ／４の光学的厚さとなるように形成されている。
【００３０】
上部半導体ＤＢＲ１０７における低屈折率層の１つには、ｐ−Ａｌ０．９９Ｇａ０．０１Ａｓからなる厚さが約３０ｎｍの電流狭窄層１０８が挿入されている。この電流狭窄層１０８の挿入位置は、上部スペーサ層１０６から２ペア目の低屈折率層中が好ましい。
【００３１】
コンタクト層１０９は、上部半導体ＤＢＲ１０７の＋Ｚ側に積層され、ｐ−ＧａＡｓからなる層である。
【００３２】
尚、このように基板１０１上に複数の半導体層が積層されたものを、便宜上「積層体」と記載する場合がある。
【００３３】
また、本実施の形態における面発光レーザは、コンタクト層１０９、上部半導体ＤＢＲ１０７、電流狭窄層１０８等の一部をエッチングにより除去することにより、メサ１２０が形成されている。電流狭窄層１０８には、メサ１２０の周囲より選択酸化することにより選択酸化領域１０８ａが形成されており、メサ１２０の中心部分において、電流狭窄層１０８が酸化されていない領域により、電流狭窄領域１０８ｂが形成される。このように形成されたメサ１２０の側面等を覆うように誘電体保護膜１１１が形成されており、誘電体保護膜１１１の上には、コンタクト層１０９と接するｐ側電極１１３が形成されており、基板１０１の裏面にはｎ側電極１１４が形成されている。尚、ｐ側電極１１３は、メサ１２０の外側に設けられた電極パッド１１８と接続されている。
【００３４】
本実施の形態における面発光レーザは、メサ１２０は略正方形または略長方形状に形成されており、メサ１２０の周囲には、メサ１２０を形成するための溝部１２１及び１２２が形成されている。溝部１２１はＸ軸方向に沿った溝部でありＹ軸方向における幅がｄ１となるように形成されている。また、溝部１２２はＹ軸方向に沿った溝部でありＸ軸方向における幅がｄ２となるように形成されている。即ち、メサを形成するためメサの周囲には、溝部１２１及び１２２が形成されている。溝部１２１はＹ軸方向における溝部であり、Ｙ軸方向に形成されているＸ軸方向に沿った溝部である。また、溝部１２２はＸ軸方向における溝部であり、Ｘ軸方向に形成されているＹ軸方向に沿った溝部である。
【００３５】
尚、本実施の形態においては、溝部１２１のＹ軸方向における幅ｄ１と溝部１２２のＸ軸方向における幅ｄ２との関係が、ｄ２＞ｄ１となるように形成されている。また、本実施の形態においては、Ｙ軸方向における幅がｄ１となる溝部１２１は、コンタクト層１０９、上部半導体ＤＢＲ１０７、電流狭窄層１０８を除去することにより形成されており、Ｘ軸方向における幅がｄ２となる溝部１２２は、コンタクト層１０９、上部半導体ＤＢＲ１０７、電流狭窄層１０８、上部スペーサ層１０６、活性層１０５を除去することにより形成されている。従って、溝部１２１と溝部１２２との深さは異なっており、溝部１２１よりも溝部１２２が深くなるように形成されている。
【００３６】
本実施の形態においては、Ｘ軸方向とＹ軸方向とは相互に直交する方向であって、いずれか一方を一方の方向とした場合、他方を他方の方向と記載する場合がある。よって、一方の方向と他方の方向とは相互に直交する方向となる。
【００３７】
（面発光レーザの製造方法）
次に、本実施の形態における面発光レーザの製造方法について説明する。
【００３８】
（１）  最初に、上記積層体を有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ：Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法あるいは分子線エピタキシャル成長（ＭＢＥ：Molecular Beam Epitaxy）法による結晶成長によって形成する。ここでは、ＭＯＣＶＤ法による例を示す。ＭＯＣＶＤ法では、ＩＩＩ族の原料には、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）を用い、Ｖ族の原料には、フォスフィン（ＰＨ３）、アルシン（ＡｓＨ３）を用いている。また、ｐ型ドーパントの原料には四臭化炭素（ＣＢｒ４）、ジメチルジンク（ＤＭＺｎ）を用い、ｎ型ドーパントの原料にはセレン化水素（Ｈ２Ｓｅ）を用いている。
【００３９】
（２）  次に、図３に示されるように、メサ１２０を形成するためのレジストパターン１３１ａおよびレジストパターン１３１ｂを形成する。具体的には、積層体の表面に所望のメサ１２０の形状に対応する１辺が２５μｍの正方形状のレジストパターン１３１ａと、正方形状のレジストパターン１３１ａを囲むように外側にロの字状のレジストパターン１３１ｂを形成する。レジストパターン１３１ａとレジストパターン１３１ｂとの間においては、Ｙ軸方向におけるレジストパターン１３１ａとレジストパターン１３１ｂとの間の幅がｄ１ｒとなり、Ｘ軸方向におけるレジストパターン１３１ａとレジストパターン１３１ｂとの間の幅がｄ２ｒとなるように形成する。このように形成されたレジストパターン１３１ａにより、メサ１２０が形成される。尚、後述するように、レジストパターンの形成されていないレジストパターン１３１ａとレジストパターン１３１ｂとの間の領域における積層体をエッチングにより除去することにより、溝部１２１、１２２が形成される。
【００４０】
この際、Ｘ軸方向に沿った溝部１２１における幅ｄ１とＹ軸方向に沿った溝部１２２における幅ｄ２とが異なるように、レジストパターン１３１ａ及びレジストパターン１３１ｂを形成する。即ち、ｄ２＞ｄ１となる溝部１２１、１２２が形成されるように、レジストパターン１３１ａ及びレジストパターン１３１ｂを形成する。本実施の形態においては、Ｙ軸方向における幅ｄ１が１０μｍ、Ｘ軸方向における幅ｄ２が３０μｍとなるように、レジストパターン１３１ａ及びレジストパターン１３１ｂを形成する。
【００４１】
尚、後に形成する誘電体保護膜１１１を考慮した場合、Ｘ軸方向に沿った溝部１２１における幅（Ｙ軸方向における幅）が、ｄ１となるように形成するためには、Ｙ軸方向におけるレジストパターン１３１ａとレジストパターン１３１ｂとの間の幅ｄ１ｒは、幅ｄ１よりも若干広く形成する必要がある。同様に、Ｙ軸方向に沿った溝部１２２における幅（Ｘ軸方向における幅）が、ｄ２となるように形成するためには、Ｘ軸方向におけるレジストパターン１３１ａとレジストパターン１３１ｂとの間の幅ｄ２ｒは、幅ｄ２よりも若干広く形成する必要がある。即ち、ｄ１＜ｄ１ｒ及びｄ２＜ｄ２ｒとなるように、レジストパターン１３１ａ及びレジストパターン１３１ｂを形成する。これにより、後述するように、Ｙ軸方向における幅がｄ１となるＸ軸方向に沿った溝部１２１を形成することができ、Ｘ軸方向における幅がｄ２となるＹ軸方向に沿った溝部１２２を形成することができる。
【００４２】
（３）  次に、誘導結合型（ＩＣＰ：Inductively Coupled Plasma）ドライエッチング法により、レジストパターン１３１ａとレジストパターン１３１ｂをマスクとして、エッチングを行なうことにより、四角柱状のメサ１２０を形成する。本実施の形態においては、Ｘ軸方向に沿った溝部１２１のエッチング底面が活性層１０５と一対のスペーサ層（下部スペーサ層１０４及び上部スペーサ層１０６）から形成される共振器構造の中心位置になるようにドライエッチングを行なう。これにより、Ｙ軸方向に沿った溝部１２２のエッチング底面は、ドライエッチングによるローディング効果により、上部スペーサ層１０６が約３０ｎｍ残存した位置となる。
【００４３】
尚、本実施の形態においては、図２に示されるように、Ｙ軸方向に沿った溝部１２２において、電流狭窄層１０８と上部スペーサ層１０６との界面から、Ｙ軸方向に沿った溝部１２２のエッチング底面までの長さを露出長Ｒ１として定義する。
【００４４】
ここでドライエッチングにおけるローディング効果について説明する。ドライエッチングにおけるローディング効果とは、レジストパターン等におけるマスク開口部面積（被エッチング面積）の全体に対する割合、マスク開口部の部分的なパターン密度、およびマスク開口部のパターン幅の絶対値により、エッチング速度が変化する現象である。
【００４５】
具体的には、マスク開口部のパターン幅が細く、アスペクト比（開口部パターン幅に対するエッチング深さの比）が高い場合では、パターン幅が広く、アスペクト比が低い場合と比べて、エッチング速度が低下し、エッチング深さが浅くなる。
【００４６】
図４は、ＡｌＧａＡｓ層において、ドライエッチングにおけるローディング効果を説明するためのグラフである。グラフの横軸はパターン幅であり、縦軸はパターン幅１０μｍにおけるエッチング深さに対する各々のパターン幅のエッチング深さの差である。図４に示されるように、パターン幅が広くなるにつれて、エッチング深さが深くなる傾向にある。図４に基づくならば、同じドライエッチングを行なった場合において、パターン幅１０μｍにおけるエッチング深さとパターン幅６０μｍにおけるエッチング深さとの差は、約０．３μｍ（３００ｎｍ）となる。
【００４７】
従って、本実施の形態における面発光レーザの製造方法では、四角柱状のメサ１２０を形成するためのレジストパターン１３１ａとレジストパターン１３１ｂは、レジストパターン１３１ａとレジストパターン１３１ｂとの間において、Ｙ軸方向における幅ｄ１ｒが、Ｘ軸方向における幅ｄ２ｒよりも狭くなるように形成されている。これにより、ドライエッチングにおけるローディング効果により、幅ｄ１ｒの領域におけるエッチング速度が、幅ｄ１ｒよりも広い幅ｄ２ｒの領域におけるエッチング速度よりも遅くなるため、幅ｄ２となるＹ軸方向に沿った溝部１２２のエッチング底面が、活性層１０５または下部スペーサ層１０４となるのに対し、幅ｄ１となるＸ軸方向に沿った溝部１２１のエッチング底面が、上部スペーサ層１０６となる。従って、Ｘ軸方向に沿った溝部１２１の深さよりも、Ｙ軸方向に沿った溝部１２２の深さを深くすることができ、Ｘ軸方向に沿った溝部１２１の深さとＹ軸方向に沿った溝部１２２の深さを異なるものとすることができる。
【００４８】
（４）  次に、レジストパターン１３１ａとレジストパターン１３１ｂを除去する。
【００４９】
（５）  次に、積層体を水蒸気中で熱処理する。本実施の形態においては、メサ１２０の外周部から電流狭窄層１０８中に含まれるＡｌが選択的に酸化され選択酸化領域１０８ａが形成され、メサ１２０の中央部には酸化されていない電流狭窄領域１０８ｂが形成される。これにより、発光部の駆動電流の経路をメサ１２０の中央部だけに制限することのできる酸化狭窄構造体を形成することができる。本実施の形態においては、酸化されていない電流狭窄領域１０８ｂが電流通過領域（電流注入領域）となる。尚、種々の予備実験の結果から、電流通過領域となる電流狭窄領域１０８ｂが所望の大きさとなるように、熱処理の条件（保持温度、保持時間等）を適切に選択して形成されており、ここでは電流通過領域の面積はおよそ２０μｍ２となるように形成されている。
【００５０】
（６）  次に、積層体の表面に、分離用（チップ切り出し用）の溝を形成するためのレジストパターンを形成する。
【００５１】
（７）  次に、上述したレジストパターンをエッチングマスクとして、ドライエッチング法により分離用（チップ切り出し用）の溝を形成する。
【００５２】
（８）  次に、プラズマＣＶＤ法を用いて、ＳｉＮからなる誘電体保護膜１１１を形成する。具体的には、誘電体保護膜１１１の光学的厚さがλ／２となるように形成する。本実施の形態においては、ＳｉＮの屈折率ｎが１．８６、発振波長λが７８０ｎｍであるため、実際の膜厚（＝λ／２ｎ）は約２１０ｎｍとなるように形成する。
【００５３】
（９）  次に、レーザ光の射出面となるメサ１２０の上面にｐ側電極コンタクトの窓開けを行うためのエッチングマスクを形成する。
【００５４】
（１０）  次に、メサ１２０の上面の周囲を残し、それ以外をＢＨＦによるエッチングでｐ側電極コンタクトの窓開けを行う。
【００５５】
（１１）  次に、エッチングマスクを除去する。
【００５６】
（１２）  次に、メサ１２０の上面における光射出部（金属層の開口部）となる領域に一辺１０μｍの正方形状のレジストパターンを形成し、ｐ側電極材料の蒸着を行う。ｐ側電極材料としてはＴｉ／Ｐｔ／Ａｕからなる多層膜が用いられる。
【００５７】
（１３）  次に、光射出部となる領域（光射出領域）に蒸着された電極材料をリフトオフにより除去することにおより、ｐ側電極１１３を形成する。このｐ側電極１１３で囲まれた領域が光射出領域である。
【００５８】
（１４）  次に、基板１０１の裏側を所定の厚さ（例えば１００μｍ程度）まで研磨した後、ｎ側電極１１４を形成する。ここでは、ｎ側電極１１４はＡｕＧｅ／Ｎｉ／Ａｕからなる多層膜である。
【００５９】
（１３）  次に、アニールによって、ｐ側電極１１３とｎ側電極１１４のオーミック導通をとる。これにより、メサ１２０は発光部となる。
【００６０】
（１４）  次に、チップ毎に切断し、それぞれセラミックパッケージに実装する。このようにして本実施の形態における面発光レーザを作製することができる。このように形成された本実施の形態における面発光レーザのチップ外形を図５に示す。
【００６１】
上述した本実施の形態における面発光レーザの製造方法により製造された面発光レーザについて、光出力０．３ｍＷで発光させたところ、図５における矢印Ａに示されるＸ方向において、安定した偏光特性が得られた。
【００６２】
また、比較のため同様の積層体を用いて、図６に示されるような面発光レーザを作製した。具体的には、メサ９２０の形状が略正方形であって、メサ９２０の周囲に形成されるＸ軸方向に沿った溝部９２１及びＹ軸方向に沿った溝部９２２における幅が、ともに３０μｍとなるような面発光レーザを作製した。即ち、Ｘ軸方向に沿った溝部９２１及びＹ軸方向に沿った溝部９２２を形成するためのレジストパターンを形成し、Ｘ軸方向に沿った溝部９２１のエッチング底面が、共振器構造の中心になるようにドライエッチングを行なったところ、Ｙ軸方向に沿った溝部９２２のエッチング底面も、同様に共振器構造の中心であった。このようにして作製された面発光レーザにおいて、光出力が０．３ｍＷとなる場合におけるレーザ光の偏光特性を測定したところ、動作が安定せず、良好な偏光特性は得られなかった。
【００６３】
また、同様の積層体を用いて、図７に示されるような面発光レーザを作製した。具体的には、Ｘ軸方向に沿った溝部１２１の幅ｄ１が３０μｍ、Ｙ軸方向に沿った溝部１２２の幅ｄ２が１０μｍとなる面発光レーザを前述した製造方法と同様の方法により作製した。この面発光レーザにおいて、光出力が０．３ｍＷとなる場合におけるレーザ光の偏光特性を測定したところ、矢印Ｂに示されるようにＹ軸方向で安定した偏光特性が得られた。
【００６４】
次に、図８及び図９に示すように、直径が２０μｍの円形状のメサ２２０が形成されている面発光レーザを作製した。尚、この円形状のメサ２２０において形成される電流通過領域の面積は１６μｍ２である。
【００６５】
図８に示される面発光レーザは、メサ２２０が円形状であって、Ｙ軸方向における溝部２２１とＸ軸方向における溝部２２２が形成されている。Ｙ軸方向における溝部２２１において最も狭くなる領域の幅ｅ１は１０μｍとなるように形成されており、Ｘ軸方向における溝部２２２において最も狭くなる領域の幅ｅ２は３０μｍとなるように形成されている。
【００６６】
また、図９に示される面発光レーザは、メサ２２０が円形状であって、Ｙ軸方向における溝部２２１とＸ軸方向における溝部２２２が形成されている。Ｙ軸方向における溝部２２１において最も狭くなる領域の幅ｅ１は３０μｍとなるように形成されており、Ｘ軸方向における溝部２２２において最も狭くなる領域の幅ｅ２は１０μｍとなるように形成されている。
【００６７】
図８及び図９に示される面発光レーザにおいて、光出力が０．３ｍＷとなるときのレーザ光の偏光特性を測定したところ、図８に示される面発光レーザにおいては、矢印Ａに示されるように、Ｘ軸方向において安定した偏光特性が得られた。また、図９に示される面発光レーザにおいては、矢印Ｂに示されるように、Ｙ軸方向において安定した偏光特性が得られた。
【００６８】
以上より、メサを形成する際に形成される溝部において、一方の方向における溝部のエッチング底面の深さを、他方の方向における溝部のエッチング底面の深さよりも深くなるように形成することにより、安定した偏光特性を有する面発光レーザを形成することができる。このようにして得られる安定した偏光特性は溝部のエッチング底面の深さの違いによる光損失の違いにより得られるものと考えられる。尚、一方の方向と他方の方向とは直交する方向であるものとする。
【００６９】
即ち、エッチングによりメサ１２０を形成する場合において、メサ１２０を形成する際に形成される溝部のエッチング底面が浅く、共振器構造においてエッチングされずに残っている残膜が厚いと、活性層１０５において発光した自然放出光は、これらの層を横方向に伝播し、メサ１２０等の外側に光が漏れ易くなる。
【００７０】
これに対して、メサ１２０等形成する際に形成される溝部のエッチング底面が深く、共振器構造においてエッチングされずに残っている残膜が薄いと、残膜が薄い部分の有効屈折率がメサ１２０等における有効屈折率に対して相対的に低くなる。従って、横方向の有効屈折率差大きくなるため、光がメサ１２０に閉じ込められる。これにより、横方向に自然放出光が漏洩することによる損失を低減することができるため、この方向に偏光した偏光モードの発振閾値電流が低くなり優先的に発振する。尚、この方向に直交した方向においては、上述したように、自然放出光がスペーサ層を伝播して漏洩するため、発振閾値電流が上昇し発振が抑制される。従って、一定の方向に安定に偏光方向が揃った状態で発振させることができる。
【００７１】
図２に示されるように、メサ１２０の周囲に形成される溝部１２１及び１２２において、Ｘ軸方向に沿った溝部１２１のエッチング底面の深さとＹ軸方向に沿った溝部１２２のエッチング底面の深さとが異なり、Ｘ軸方向に沿った溝部１２１のエッチング底面が上部スペーサ層１０６となり、Ｘ軸方向に沿った溝部１２１のエッチング底面が共振器構造の中心となる場合、即ち、Ｘ軸方向に沿った溝部１２１のエッチング底面が下部スペーサ層１０４または活性層１０５等となる場合、特に、Ｙ軸方向において光漏れの影響による損失が大きくなり、閾値電流が高くなる。
【００７２】
図１０に、共振器構造の露出長Ｒ１と閾値電流の関係を示す。共振器構造の露出長Ｒ１が短いほど、即ち、溝部のエッチング底面が浅く形成されているほど、閾値電流が増大する傾向にある。従って、図５に示される構造の面発光レーザにおいては、Ｙ軸方向に対してＸ軸方向の閾値電流が低くなり、Ｘ軸方向において優先的に発振する。よって、Ｘ軸方向に安定した偏光特性を得ることができる。このように、本実施の形態においては、相互に直交する一方の方向と他方の方向において、エッチング深さの異なる溝部を形成することにより、傾斜基板等を用いることなく、安定した偏光特性を有する面発光レーザを得ることができる。従って、容易に安定した偏光特性を有する面発光レーザを高い歩留りで得ることができる。
【００７３】
尚、上記における実施の形態においては、レーザ発振方向に直交する断面でのメサ１２０の形状が正方形の場合について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、図８及び９に示されるように円形、楕円形あるいは長方形など任意の形状としたものであってもよい。
【００７４】
また、上記における実施の形態においては、発光部の発振波長が７８０ｎｍ帯の場合について説明したが、これに限定されるものではない。感光体等の特性に応じて、発光部の発振波長を変更してもよい。
【００７５】
また、上記実施例では、活性層１０５にＡｌＧａＡｓによる量子井戸構造を採用しているが、これに限定されるものではなく、例えば活性層１０５を形成する材料にＧａＩｎＡｓＰなどのＩｎＰを含む材料を用いてもよい。
【００７６】
また、本実施の形態における面発光レーザは、画像形成装置以外の用途に用いることができる。この場合には、発振波長は、その用途に応じて、６５０ｎｍ帯、８５０ｎｍ帯、９８０ｎｍ帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯等の波長帯であってもよい。
【００７７】
（面発光レーザアレイ）
次に、本実施の形態における面発光レーザアレイについて説明する。本実施の形態における面発光レーザアレイは、前述した面発光レーザを複数アレイ状に設置した構造のものである。
【００７８】
図１１に示されるように、この面発光レーザアレイ３００は、同一基板上に２次元的に配列されている複数（ここでは３２個）の発光部３１０を有している。図１１におけるＭ方向は主走査対応方向であり、Ｓ方向は副走査対応方向である。尚、発光部３１０の数は３２個に限定されるものではない。また、各々の発光部３１０は、各々の発光部３１０に対応する電極パッド３２０と配線３３０により接続されている。
【００７９】
各発光部３１０は、前述した面発光レーザ１００と同様な構造を有しており、面発光レーザ１００と同様の製造方法により製造されている。即ち、面発光レーザアレイ３００は、面発光レーザ１００が集積された面発光レーザアレイである。よって、本実施の形態における面発光レーザアレイは、本実施の形態における面発光レーザ１００と同様な効果を得ることができる。
【００８０】
図１１に示されるように、本実施の形態においては、面発光レーザアレイ３００は、各発光部を副走査対応方向に延びる仮想線上に正射影したときの発光部間隔が等間隔であるため、点灯のタイミングを調整することで感光体ドラム１０３０上では副走査方向に等間隔で発光部が並んでいる場合と同様な構成と捉えることができる。
【００８１】
尚、２つの発光部３１０の間の溝は、各発光部の電気的及び空間的分離のために、５μｍ以上とすることが好ましい。あまり狭いと製造際のエッチングの制御が難しくなるからである。
【００８２】
また、メサ１２０の大きさ（１辺の長さ）は１０μｍ以上とすることが好ましい。あまり小さいと動作時に熱がこもり、面発光レーザ等の特性が低下するおそれがあるからである。
【００８３】
例えば、発光部２１０における中心間隔が３μｍとした場合、光走査装置の光学系の倍率を約１．８倍とすれば、４８００ｄｐｉ（ドット／インチ）の高密度書込みができる。もちろん、主走査対応方向の発光部数を増加したり、光学系の倍率を下げる等を行えばより高密度化でき、より高品質の印刷が可能となる。尚、主走査方向の書き込み間隔は、発光部の点灯タイミングにより容易に制御することができる。
【００８４】
〔第２の実施の形態〕
次に、第２の実施の形態について説明する。本実施の形態は、第１の実施の形態における面発光レーザまたは面発光レーザアレイを用いた光走査装置１０１０及び画像形成装置となるレーザプリンタ１０００である。
【００８５】
図１２に基づき、本実施の形態におけるレーザプリンタ１０００について説明する。本実施の形態におけるレーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０、感光体ドラム１０３０、帯電装置１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４、クリーニングユニット１０３５、トナーカートリッジ１０３６、給紙コロ１０３７、給紙トレイ１０３８、レジストローラ対１０３９、定着ローラ１０４１、排紙ローラ１０４２、排紙トレイ１０４３、通信制御装置１０５０、及び上記各部を統括的に制御するプリンタ制御装置１０６０などを備えている。尚、これらは、プリンタ筐体１０４４の中の所定位置に収容されている。
【００８６】
通信制御装置１０５０は、ネットワークなどを介した上位装置（例えばパソコン）との双方向の通信を制御する。
【００８７】
プリンタ制御装置１０６０は、ＣＰＵ、このＣＰＵにて解読可能なコードで記述されたプログラム及び、このプログラムを実行する際に用いられる各種データが格納されているＲＯＭ、作業用のメモリであるＲＡＭ、アナログデータをデジタルデータに変換するＡＤ変換回路などを有している。そして、プリンタ制御装置１０６０は、上位装置からの要求に応じて各部を制御するとともに、上位装置からの画像情報を光走査装置１０１０に送る。
【００８８】
感光体ドラム１０３０は、円柱状の部材であり、その表面には感光層が形成されている。即ち、感光体ドラム１０３０の表面が被走査面である。そして、感光体ドラム１０３０は、図１２における矢印Ｘに示す方向に回転するようになっている。
【００８９】
帯電装置１０３１、現像ローラ１０３２、転写チャージャ１０３３、除電ユニット１０３４及びクリーニングユニット１０３５は、それぞれ感光体ドラム１０３０の表面近傍に配置されている。そして、感光体ドラム１０３０の回転方向に沿って、帯電装置１０３１→現像ローラ１０３２→転写チャージャ１０３３→除電ユニット１０３４→クリーニングユニット１０３５の順に配置されている。
【００９０】
帯電装置１０３１は、感光体ドラム１０３０の表面を均一に帯電させる。
【００９１】
光走査装置１０１０は、帯電装置１０３１で帯電された感光体ドラム１０３０の表面を、上位装置からの画像情報に基づいて変調された光束により走査し、感光体ドラム１０３０の表面に画像情報に対応した潜像を形成する。ここで形成された潜像は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って現像ローラ１０３２の方向に移動する。尚、この光走査装置１０１０の構成については後述する。
【００９２】
トナーカートリッジ１０３６にはトナーが格納されており、このトナーは現像ローラ１０３２に供給される。
【００９３】
現像ローラ１０３２は、感光体ドラム１０３０の表面に形成された潜像にトナーカートリッジ１０３６から供給されたトナーを付着させて画像情報を顕像化させる。ここでトナーが付着した像（以下では、便宜上「トナー像」ともいう）は、感光体ドラム１０３０の回転に伴って転写チャージャ１０３３の方向に移動する。
【００９４】
給紙トレイ１０３８には記録紙１０４０が格納されている。この給紙トレイ１０３８の近傍には給紙コロ１０３７が配置されており、この給紙コロ１０３７は、記録紙１０４０を給紙トレイ１０３８から１枚ずつ取り出し、レジストローラ対１０３９に搬送する。このレジストローラ対１０３９は、給紙コロ１０３７によって取り出された記録紙１０４０を一旦保持するとともに、この記録紙１０４０を感光体ドラム１０３０の回転に合わせて感光体ドラム１０３０と転写チャージャ１０３３との間隙に向けて送り出す。
【００９５】
転写チャージャ１０３３には、感光体ドラム１０３０の表面のトナーを電気的に記録紙１０４０に引きつけるために、トナーとは逆極性の電圧が印加されている。この電圧により、感光体ドラム１０３０の表面のトナー像が記録紙１０４０に転写される。ここで転写された記録紙１０４０は、定着ローラ１０４１に送られる。
【００９６】
定着ローラ１０４１では、熱と圧力とが記録紙１０４０に加えられ、これによってトナーが記録紙１０４０上に定着される。ここで定着された記録紙１０４０は、排紙ローラ１０４２を介して排紙トレイ１０４３に送られ、排紙トレイ１０４３上に順次、積み重ねられる。
【００９７】
除電ユニット１０３４は、感光体ドラム１０３０の表面を除電する。
【００９８】
クリーニングユニット１０３５は、感光体ドラム１０３０の表面に残ったトナー（残留トナー）を除去する。残留トナーが除去された感光体ドラム１０３０の表面は、再度帯電装置１０３１に対向する位置に戻る。
【００９９】
次に、図１３に基づき光走査装置１０１０について説明する。この光走査装置１０１０は、図１３に示されるように、光源１１１４、カップリングレンズ１１１５、開口板１１１６、シリンドリカルレンズ１１１７、反射ミラー１１１８、ポリゴンミラー１１１３、第１走査レンズ１１１１ａ、第２走査レンズ１１１１ｂ、及び不図示の走査制御装置等を備えている。そして、これらは、光学ハウジング１１３０の所定位置に組み付けられている。尚、光源１１１４は、第１の実施の形態における面発光レーザまたは面発光レーザアレイを含んでいるものである。
【０１００】
尚、便宜上、主走査方向に対応する方向を「主走査対応方向」と略述し、副走査方向に対応する方向を「副走査対応方向」と略述する。
【０１０１】
カップリングレンズ１１１５は、光源１１１４から射出された光束を略平行光とする。
【０１０２】
開口板１１１６は、開口部を有し、カップリングレンズ１１１５を介した光束のビーム径を規定する。
【０１０３】
シリンドリカルレンズ１１１７は、開口板１１１６の開口部を通過した光束を、反射ミラー１１１８を介してポリゴンミラー１１１３の偏向反射面近傍に副走査対応方向に関して結像する。
【０１０４】
光源１１１４とポリゴンミラー１１１３との間の光路上に配置される光学系は、偏向器前光学系とも呼ばれている。本実施の形態では、偏向器前光学系は、カップリングレンズ１１１５と開口板１１１６とシリンドリカルレンズ１１１７と反射ミラー１１１８とから構成されている。
【０１０５】
ポリゴンミラー１１１３は、高さの低い正六角柱状部材からなり、側面に６面の偏向反射面が形成されている。このポリゴンミラー１１１３は、副走査対応方向に平行な軸のまわりを等速回転しながら、反射ミラー１１１８からの光束を偏向する。
【０１０６】
第１走査レンズ１１１１ａは、ポリゴンミラー１１１３で偏向された光束の光路上に配置されている。
【０１０７】
第２走査レンズ１１１１ｂは、第１走査レンズ１１１１ａを介した光束の光路上に配置されている。そして、この第２走査レンズ１１１１ｂを介した光束が、感光体ドラム１０３０の表面に照射され、光スポットが形成される。この光スポットは、ポリゴンミラー１１１３の回転に伴って感光体ドラム１０３０の長手方向に移動する。即ち、感光体ドラム１０３０上を走査する。このときの光スポットの移動方向が「主走査方向」である。また、感光体ドラム１０３０の回転方向が「副走査方向」である。
【０１０８】
ポリゴンミラー１１１３と感光体ドラム１０３０との間の光路上に配置される光学系は、走査光学系とも呼ばれている。本実施の形態では、走査光学系は、第１走査レンズ１１１１ａと第２走査レンズ１１１１ｂとから構成されている。尚、第１走査レンズ１１１１ａと第２走査レンズ１１１１ｂの間の光路上、及び第２走査レンズ１１１１ｂと感光体ドラム１０３０の間の光路上の少なくとも一方に、少なくとも１つの折り返しミラーが配置されてもよい。
【０１０９】
本実施の形態においては、光走査装置１０１０は、光源１１１４が第１の実施の形態における面発光レーザまたは面発光レーザアレイを有しているため、光走査の精度を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。また、レーザプリンタ１０００は、光走査装置１０１０を備えているため、その結果として、画像品質を低下させることなく、低コスト化を図ることができる。
【０１１０】
また、上記実施の形態においては、画像形成装置としてレーザプリンタ１０００の場合について説明したが、これに限定されるものではない。
【０１１１】
例えば、レーザ光によって発色する媒体（例えば、用紙）に直接、レーザ光を照射する画像形成装置であってもよい。
【０１１２】
例えば、媒体が、ＣＴＰ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  ｔｏ  Ｐｌａｔｅ）として知られている印刷版であってもよい。つまり、光走査装置１０１０は、印刷版材料にレーザアブレーションによって直接画像形成を行い、印刷版を形成する画像形成装置にも好適である。
【０１１３】
また、例えば、媒体が、いわゆるリライタブルペーパーであってもよい。これは、例えば紙や樹脂フィルム等の支持体上に、以下に説明するような材料が記録層として塗布されている。そして、レーザ光による熱エネルギー制御によって発色に可逆性を与え、表示／消去を可逆的に行うものである。
【０１１４】
透明白濁型リライタブルマーキング法とロイコ染料を用いた発消色型リライタブルマーキング法があり、いずれも適用できる。
【０１１５】
透明白濁型は、高分子薄膜の中に脂肪酸の微粒子を分散したもので、１１０℃以上に加熱すると脂肪酸の溶融により樹脂が膨張する。その後、冷却すると脂肪酸は過冷却状態になり液体のまま存在し、膨張した樹脂が固化する。その後、脂肪酸が固化収縮して多結晶の微粒子となり樹脂と微粒子間に空隙が生まれる。この空隙により光が散乱されて白色に見える。次に、８０℃から１１０℃の消去温度範囲に加熱すると、脂肪酸は一部溶融し、樹脂は熱膨張して空隙を埋める。この状態で冷却すると透明状態となり画像の消去が行われる。
【０１１６】
ロイコ染料を用いたリライタブルマーキング法は、無色のロイコ型染料と長鎖アルキル基を有する顕消色剤との可逆的な発色及び消色反応を利用している。レーザ光により加熱されるとロイコ染料と顕消色剤が反応して発色し、そのまま急冷すると発色状態が保持される。そして、加熱後、ゆっくり冷却すると顕消色剤の長鎖アルキル基の自己凝集作用により相分離が起こり、ロイコ染料と顕消色剤が物理的に分離されて消色する。
【０１１７】
また、媒体が、紫外光を当てるとＣ（シアン）に発色し、可視光のＲ（レッド）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＭ（マゼンタ）に発色し、可視光のＧ（グリーン）の光で消色するフォトクロミック化合物、紫外光を当てるとＹ（イエロー）に発色し、可視光のＢ（ブルー）の光で消色するフォトクロミック化合物が、紙や樹脂フィルム等の支持体上に設けられた、いわゆるカラーリライタブルペーパーであってもよい。
【０１１８】
これは、一旦紫外光を当てて真っ黒にし、Ｒ・Ｇ・Ｂの光を当てる時間や強さで、Ｙ・Ｍ・Ｃに発色する３種類の材料の発色濃度を制御してフルカラーを表現し、仮に、Ｒ・Ｇ・Ｂの強力な光を当て続ければ３種類とも消色して真っ白にすることもできる。
【０１１９】
このような、光エネルギー制御によって発色に可逆性を与えるものも上記実施の形態と同様な光走査装置を備える画像形成装置として実現できる。
【０１２０】
また、像担持体として銀塩フィルムを用いた画像形成装置であってもよい。この場合には、光走査により銀塩フィルム上に潜像が形成され、この潜像は通常の銀塩写真プロセスにおける現像処理と同等の処理で可視化することができる。そして、通常の銀塩写真プロセスにおける焼付け処理と同等の処理で印画紙に転写することができる。このような画像形成装置は光製版装置や、ＣＴスキャン画像等を描画する光描画装置として実施できる。
【０１２１】
〔第３の実施の形態〕
次に、第３の実施の形態について説明する。本実施の形態は、複数の感光体ドラムを備えるカラープリンタ２０００である。
【０１２２】
図１４に基づき、本実施の形態におけるカラープリンタ２０００について説明する。本実施の形態におけるカラープリンタ２０００は、４色（ブラック、シアン、マゼンタ、イエロー）を重ね合わせてフルカラーの画像を形成するタンデム方式の多色カラープリンタであり、ブラック用のステーション（感光体ドラムＫ１、帯電装置Ｋ２、現像装置Ｋ４、クリーニングユニットＫ５、及び転写装置Ｋ６）と、シアン用のステーション（感光体ドラムＣ１、帯電装置Ｃ２、現像装置Ｃ４、クリーニングユニットＣ５、及び転写装置Ｃ６）と、マゼンタ用のステーション（感光体ドラムＭ１、帯電装置Ｍ２、現像装置Ｍ４、クリーニングユニットＭ５、及び転写装置Ｍ６）と、イエロー用のステーション（感光体ドラムＹ１、帯電装置Ｙ２、現像装置Ｙ４、クリーニングユニットＹ５、及び転写装置Ｙ６）と、光走査装置２０１０と、転写ベルト２０８０と、定着ユニット２０３０などを備えている。
【０１２３】
各感光体ドラムは、図１４中の矢印の方向に回転し、各感光体ドラムの周囲には、回転方向に沿って、それぞれ帯電装置、現像装置、転写装置、クリーニングユニットが配置されている。各帯電装置は、対応する感光体ドラムの表面を均一に帯電する。帯電装置によって帯電された各感光体ドラム表面に光走査装置２０１０により光が照射され、各感光体ドラムに潜像が形成されるようになっている。そして、対応する現像装置により各感光体ドラム表面にトナー像が形成される。さらに、対応する転写装置により、転写ベルト２０８０上の記録紙に各色のトナー像が転写され、最終的に定着ユニット２０３０により記録紙に画像が定着される。
【０１２４】
光走査装置２０１０は、第１の実施の形態における面発光レーザまたは面発光レーザアレイを備えた光源を、色毎に有している。よって、第２の実施の形態における光走査装置１０１０と同様の効果を得ることができる。また、カラープリンタ２０００は、この光走査装置２０１０を備えているため、第２の実施の形態におけるレーザプリンタ１０００と同様の効果を得ることができる。
【０１２５】
尚、カラープリンタ２０００では、各部品の製造誤差や位置誤差等によって色ずれが発生する場合がある。このような場合であっても、点灯させる発光部を選択することで色ずれを低減することができる。
【０１２６】
以上、本発明の実施に係る形態について説明したが、上記内容は、発明の内容を限定するものではない。
【符号の説明】
【０１２７】
１０１      基板
１０２      バッファ層
１０３      下部半導体ＤＢＲ
１０４      下部スペーサ層
１０５      活性層
１０６      上部スペーサ層
１０７      上部半導体ＤＢＲ
１０８      電流狭窄層
１０８ａ    選択酸化領域
１０８ｂ    電流狭窄領域
１０９      コンタクト層
１１１      保護膜
１１３      ｐ側電極
１１４      ｎ側電極
１１８      電極パッド
１２０      メサ
１２１      溝部
１２２      溝部
１３１ａ、１３１ｂ      レジストパターン
２２０      メサ
２２１      溝部
２２２      溝部
１０００    レーザプリンタ（画像形成装置）
１０１０    光走査装置
２０００    カラープリンタ（画像形成装置）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０１２８】
【特許文献１】特許第４０１００９５号公報
【特許文献２】特開２０１０−１５３７６８号公報
【特許文献３】特開平１１−５４８３８号公報
【特許文献４】特開２００５−１４２３６１号公報
【特許文献５】特開２００８−１６８２４号公報
【図１】
2014017448.tif 000003
【図２】
2014017448.tif 000004
【図３】
2014017448.tif 000005
【図４】
2014017448.tif 000006
【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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