(57)【要約】【課題】基材上に該基材との密着強度が高い導電層が設けられた積層体、その製造方法、及び該積層体を用いた通信機器の提供。【解決手段】基材２上に、下記一般式（３）で表される化合物を用いて受容層３を形成し、受容層３上に導電層４を形成して、基材２上に受容層３を介して導電層４が設けられ、ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−５−６に準拠した、基材２及び導電層４の密着性試験において、分類０又は１を満たす積層体１とする。［化１］2014004815.tif 000015【選択図】図１
2014004815.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材上に受容層を介して導電層が設けられた積層体であって、
前記受容層が、下記一般式（３）で表される化合物を用いて形成されたものであり、
ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−５−６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、分類０又は１を満たすことを特徴とする積層体。
【化１】
2014004815.tif 000013
（式中、Ｒ１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基であり；Ｒ１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；Ｒ１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり；Ｒ１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１個以上のメチレン基はカルボニル基で置換されていてもよく；Ｚはアミノ基、メルカプト基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ１１は互いに同一でも異なっていてもよく；ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１であり、ただし、Ｚがアミノ基である場合には、ｍ２及びｍ３の少なくとも一方は１である。）
【請求項２】
請求項１に記載の積層体を用い、前記基材を筐体として備えたことを特徴とする通信機器。
【請求項３】
基材上に受容層を介して導電層が設けられた積層体の製造方法であって、
前記基材上に、下記一般式（３）で表される化合物を用いて前記受容層を形成する工程と、
前記受容層上に、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀を用いて前記導電層を形成する工程と、
を有することを特徴とする積層体の製造方法。
【化２】
2014004815.tif 000014
（式中、Ｒ１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基であり；Ｒ１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；Ｒ１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり；Ｒ１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１個以上のメチレン基はカルボニル基で置換されていてもよく；Ｚはアミノ基、メルカプト基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ１１は互いに同一でも異なっていてもよく；ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１であり、ただし、Ｚがアミノ基である場合には、ｍ２及びｍ３の少なくとも一方は１である。）
【請求項４】
前記受容層を形成する工程の前に、さらに、前記基材の前記受容層を形成する面をプラズマ処理する工程を有することを特徴とする請求項３に記載の積層体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材上に受容層を介して導電層が設けられた積層体、その製造方法、及び該積層体を用いた通信機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属銀は、記録材料や印刷刷版材料として、また、導電性に優れることから高導電性材料として幅広く使用されている。通常、金属銀をこのような用途に適用する場合には、金属銀又はその形成材料が配合された銀インク組成物を調製し、この組成物を基材上に付着させ、必要に応じて付着させた組成物を加熱（焼成）する手法が採用される。そして、金属銀の形成材料としては、これまでに酸化銀が汎用されている。この手法により、基材上に金属銀（導電体）が形成された積層体が得られ、この導電体が、上記の記録材料、印刷刷版材料又は高導電性材料として利用される。
【０００３】
一方、このような導電体を形成するための銀インク組成物として、近年、β−ケトカルボン酸銀が配合されたものが開示されている（特許文献１参照）。かかる銀インク組成物は、これまでに汎用されていた銀インク組成物よりも良好な品質の導電体を形成でき、さらに、酸化銀が配合された銀インク組成物等とは異なり、還元剤が不要で且つ低温でも速やかに導電体を形成できることから、極めて有用性が高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２００７／００４４３７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、β−ケトカルボン酸銀が配合された、従来の銀インク組成物から形成された銀層（導電層）については、基材との密着強度のさらなる向上が望まれている。
【０００６】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたものであり、基材上に該基材との密着強度が高い導電層が設けられた積層体、その製造方法、及び該積層体を用いた通信機器を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するため、
本発明は、基材上に受容層を介して導電層が設けられた積層体であって、前記受容層が、下記一般式（３）で表される化合物を用いて形成されたものであり、ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−５−６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、分類０又は１を満たすことを特徴とする積層体を提供する。
【０００８】
【化１】
2014004815.tif 000003
（式中、Ｒ１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基であり；Ｒ１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；Ｒ１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり；Ｒ１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１個以上のメチレン基はカルボニル基で置換されていてもよく；Ｚはアミノ基、メルカプト基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ１１は互いに同一でも異なっていてもよく；ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１であり、ただし、Ｚがアミノ基である場合には、ｍ２及びｍ３の少なくとも一方は１である。）
【０００９】
また、本発明は、前記積層体を用い、前記基材を筐体として備えたことを特徴とする通信機器を提供する。
【００１０】
また、本発明は、基材上に受容層を介して導電層が設けられた積層体の製造方法であって、前記基材上に、下記一般式（３）で表される化合物を用いて前記受容層を形成する工程と、前記受容層上に、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀を用いて前記導電層を形成する工程と、を有することを特徴とする積層体の製造方法を提供する。
【００１１】
【化２】
2014004815.tif 000004
（式中、Ｒ１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基であり；Ｒ１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；Ｒ１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり；Ｒ１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１個以上のメチレン基はカルボニル基で置換されていてもよく；Ｚはアミノ基、メルカプト基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ１１は互いに同一でも異なっていてもよく；ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１であり、ただし、Ｚがアミノ基である場合には、ｍ２及びｍ３の少なくとも一方は１である。）
【００１２】
本発明の積層体の製造方法は、前記受容層を形成する工程の前に、さらに、前記基材の前記受容層を形成する面をプラズマ処理する工程を有していてもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、基材上に該基材との密着強度が高い導電層が設けられた積層体、その製造方法、及び該積層体を用いた通信機器が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の積層体を例示する概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
＜積層体＞
本発明の積層体は、基材上に受容層を介して導電層が設けられた積層体であって、前記受容層が、下記一般式（３）で表される化合物（以下、「化合物（３）」と略記することがある）を用いて形成されたものであり、ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−５−６に準拠した、前記基材及び導電層の密着性試験において、分類０又は１を満たすことを特徴とする。
【００１６】
【化３】
2014004815.tif 000005
（式中、Ｒ１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基であり；Ｒ１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；Ｒ１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり；Ｒ１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、該アルキレン基中の１個以上のメチレン基はカルボニル基で置換されていてもよく；Ｚはアミノ基、メルカプト基又は炭素数６〜１２のアリール基であり；ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ１１は互いに同一でも異なっていてもよく；ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１であり、ただし、Ｚがアミノ基である場合には、ｍ２及びｍ３の少なくとも一方は１である。）
【００１７】
前記積層体において、前記受容層は、前記導電層と前記基材との密着強度を向上させるものである。すなわち、受容層及び導電層、並びに受容層及び基材は、それぞれ密着強度が高く、受容層を介して設けられた導電層は、基材からの剥離が顕著に抑制される。このように、導電層と基材との密着強度が高いのは、受容層を形成する化合物として、特定の化合物（３）を用いたことによる。
【００１８】
図１は、本発明の積層体を例示する概略断面図である。
ここに示す積層体１は、基材２上に受容層３を介して導電層４を備える。すなわち、積層体１は、基材２上に受容層３及び導電層４がこの順に積層されたものである。
【００１９】
［基材］
基材２は、フィルム状又はシート状であることが好ましく、厚さが１２〜５０００μｍであることが好ましく、１２〜２０００μｍであることがより好ましい。下限値以上であることで、受容層の構造をより安定して保持でき、上限値以下であることで、受容層や導電層形成時の取り扱い性がより良好となる。
【００２０】
基材２の材質は特に限定されず、目的に応じて選択すればよいが、後述する銀インク組成物の加熱処理による導電層形成時に変質しない耐熱性を有するものが好ましい。
基材２の材質として具体的には、ポリエチレン（ＰＥ）、ポリプロピレン（ＰＰ）、ポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）、ポリ塩化ビニリデン（ＰＶＤＣ）、ポリメチルペンテン（ＰＭＰ）、ポリシクロオレフィン、ポリスチレン（ＰＳ）、ポリ酢酸ビニル（ＰＶＡｃ）、ポリメタクリル酸メチル（ＰＭＭＡ）等のアクリル樹脂、ＡＳ樹脂、ＡＢＳ樹脂、ポリアミド（ＰＡ）、ポリイミド、ポリアミドイミド（ＰＡＩ）、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリトリメチレンテレフタレート（ＰＴＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリブチレンナフタレート（ＰＢＮ）、ポリフェニレンスルファイド（ＰＰＳ）、ポリスルホン（ＰＳＦ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）、ポリカーボネート（ＰＣ）、ポリウレタン、ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）、変性ポリフェニレンエーテル（ｍ−ＰＰＥ）、ポリアリレート、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂等の合成樹脂が例示できる。
また、基材２の材質としては、上記以外にも、ガラス、シリコン等のセラミックスや、紙が例示できる。
また、基材２は、ガラスエポキシ樹脂等の、二種以上の材質からなるものでもよい。
【００２１】
基材２は、単層からなるものでもよいし、二層以上の複数層からなるものでもよい。基材２が複数層からなる場合、これら複数層は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての層が同一であってもよいし、すべての層が異なっていてもよく、一部の層のみが異なっていてもよい。そして、複数層が互いに異なる場合、これら複数層の組み合わせは特に限定されない。ここで、複数層が互いに異なるとは、各層の材質及び厚さの少なくとも一方が互いに異なることを意味する。
なお、基材２が複数層からなる場合には、各層の合計の厚さが、上記の好ましい基材２の厚さとなるようにするとよい。
【００２２】
［受容層］
受容層３は、化合物（３）を用いて形成されたものである。
基材２の主面（受容層３が形成されている表面）を上方から見下ろすように、積層体１を平面視したときの、受容層３の形状は、目的に応じて任意に設定でき、後述する導電層４の形状を考慮して設定すればよい。例えば、基材２の表面全面に受容層３が設けられていてもよいし、基材２の表面のうち、一部のみに受容層３が設けられていてもよく、この場合、受容層３はパターニングされていてもよい。
【００２３】
受容層３の厚さは、０．００１〜２０μｍであることが好ましく、０．００２〜５μｍであることがより好ましい。下限値以上であることで、導電層４の密着強度がより向上し、上限値以下であることで、受容層の構造をより安定して保持できる。
【００２４】
（化合物（３））
化合物（３）は、前記一般式（３）で表される。
式中、Ｒ１１は炭素数１〜５のアルキル基、アルコキシアルキル基又はアルキルカルボニル基である。
Ｒ１１における前記アルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよい。
直鎖状又は分枝鎖状のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基が例示できる。
環状のアルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基が例示できる。
Ｒ１１における前記アルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が１〜３であることが好ましい。
【００２５】
Ｒ１１における前記アルコキシアルキル基としては、これを構成するアルコキシ基が、Ｒ１１としての前記アルキル基が酸素原子に結合してなる１価の基であり、前記アルコキシ基が結合しているアルキレン基が、Ｒ１１としての前記アルキル基から１個の水素原子を除いてなる基であるものが例示できる。ただし、前記アルコキシ基及びアルキレン基の合計の炭素数（前記アルコキシアルキル基の炭素数）は２〜５である。
Ｒ１１における前記アルコキシアルキル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が３以下であることが好ましく、メトキシメチル基又は２−メトキシエチル基であることがより好ましい。
【００２６】
Ｒ１１における前記アルキルカルボニル基としては、Ｒ１１としての前記アルキル基がカルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）の炭素原子に結合してなる１価の基が例示できる。ただし、カルボニル基の炭素原子に結合しているアルキル基の炭素数は１〜４（前記アルキルカルボニル基の炭素数は２〜５）である。
Ｒ１１における前記アルキルカルボニル基は、直鎖状又は分枝鎖状であることが好ましく、炭素数が３以下であることが好ましく、メチルカルボニル基（アセチル基）又はエチルカルボニル基であることがより好ましい。
【００２７】
式中、Ｒ１２は炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数６〜１２のアリール基である。
Ｒ１２における前記アルキル基としては、Ｒ１１における前記アルキル基と同じのものが例示でき、Ｒ１１と互いに同一でもよいし、異なっていてもよい。
【００２８】
Ｒ１２における前記アリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基、ｏ−トルイル基、ｍ−トルイル基、ｐ−トルイル基、キシリル基（ジメチルフェニル基）等が例示できる。また、これらアリール基の、１個以上の水素原子がアルキル基及び／又はアルコキシ基で置換されたものでもよい。ここで、水素原子が置換される前記アルキル基としては、Ｒ１１における前記アルキル基と同じのものが例示でき、水素原子が置換される前記アルコキシ基としては、Ｒ１１における前記アルキル基が酸素原子に結合してなる１価の基が例示できる。そして、これらアルキル基及び／又はアルコキシ基で置換されている場合、前記アリール基は、これらアルキル基及び／又はアルコキシ基も含めて、炭素数が１２以下である。
Ｒ１２における前記アリール基は、単環状であることが好ましく、フェニル基であることがより好ましい。
【００２９】
式中、Ｒ１３は炭素数１〜１０のアルキレン基であり、本発明において前記「アルキレン基」は、直鎖状、分岐鎖状及び環状の２価の飽和炭化水素基を包含するものとする。
Ｒ１３における前記アルキレン基としては、炭素数１〜１０のアルキル基から１個の水素原子を除いてなる２価の基が例示でき、かかるアルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、２，２−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、ｎ−ヘプチル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、３−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、デシル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。
【００３０】
Ｒ１３における前記アルキレン基は、炭素数が１〜７であることが好ましく、炭素数が１〜５であることがより好ましく、具体的には、メチレン基、エチレン基、プロピレン基（メチルエチレン基）、トリメチレン基、テトラメチレン基、１−メチルトリメチレン基、２−メチルトリメチレン基、１，２−ジメチルエチレン基、１，１−ジメチルエチレン基、エチルエチレン基、ペンタメチレン基、１−メチルテトラメチレン基、２−メチルテトラメチレン基、１，１−ジメチルトリメチレン基、１，２−ジメチルトリメチレン基、１，３−ジメチルトリメチレン基、１−エチルトリメチレン基、２−エチルトリメチレン基、１−メチル−２−エチルエチレン基、ｎ−プロピルエチレン基等が例示できる。
【００３１】
式中、Ｒ１４は炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｒ１３における前記アルキレン基のうち、炭素数が１〜５のものと同じであり、炭素数が１〜３であることが好ましい。
また、Ｒ１４における前記アルキレン基は、メチレン基であるか、又はメチレン基が２〜５個連結して構成されるが、アルキレン基を構成するこれらメチレン基（−ＣＨ２−）のうちの１個以上は、カルボニル基（−Ｃ（＝Ｏ）−）で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されるメチレン基の数は、前記アルキレン基中のメチレン基の総数に依存し、特に限定されず、例えば、Ｒ１４はカルボニル基のみで構成されていてもよいし、カルボニル基であってもよく、１個以上のアルキレン基と１個以上のカルボニル基とが混在したものでもよい。そして、通常は、Ｒ１４中のカルボニル基の数は、２個以下であることが好ましく、１個であることがより好ましい。
【００３２】
式中、Ｚはアミノ基（−ＮＨ２）、メルカプト基（−ＳＨ）又は炭素数６〜１２のアリール基である。
Ｚにおける前記アリール基としては、Ｒ１２における前記アリール基と同じものが例示でき、Ｒ１２と互いに同一でもよいし、異なっていてもよい。
【００３３】
式中、ｍ１は２又は３であり、複数個のＲ１１は互いに同一でも異なっていてもよい。
また、ｍ２及びｍ３はそれぞれ独立に０又は１である。ただし、Ｚがアミノ基である場合には、ｍ２及びｍ３の少なくとも一方は１である（ｍ２及びｍ３が共に０になることはない）。
【００３４】
特に好ましい化合物（３）としては、Ｒ１１及びＲ１２が炭素数１〜３のアルキル基であり、Ｒ１３が炭素数１〜５のアルキレン基であり、Ｒ１４が炭素数１〜３のアルキレン基又はカルボニル基であり、Ｚがアミノ基、メルカプト基又はフェニル基であるものが例示できる。
【００３５】
化合物（３）は、シランカップリング剤であり、市販品を用いてもよいし、公知の手法で合成したものを用いてもよい。
【００３６】
受容層３の形成に用いる化合物（３）は、一種のみでもよいし二種以上でもよく、二種以上である場合、その組み合わせ及び比率は特に限定されない。
【００３７】
［導電層］
導電層４は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀を用いて形成されたものが好ましい。
基材２の主面（受容層３が形成されている表面）を上方から見下ろすように、積層体１を平面視したときの、導電層４の形状は、目的に応じて任意に設定できる。例えば、受容層３の表面全面に導電層４が設けられていてもよいし、受容層３の表面のうち、一部のみに導電層４が設けられていてもよく、導電層４はパターニングされていてもよい。
【００３８】
導電層４の厚さは、目的に応じて任意に設定できるが、０．０１〜１０μｍであることが好ましく、０．０５〜２μｍであることがより好ましい。下限値以上であることで、導電層４が設けられたことによる効果がより高くなり、上限値以下であることで、積層体１の構造をより安定して保持できる。
【００３９】
前記カルボン酸銀は、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有していれば特に限定されない。例えば、式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の数は１個のみでもよいし、２個以上でもよい。また、カルボン酸銀中の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基の位置も特に限定されない。
【００４０】
本発明において、前記カルボン酸銀は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００４１】
前記カルボン酸銀は、下記一般式（１）で表わされるβ−ケトカルボン酸銀（以下、「β−ケトカルボン酸銀（１）」と略記することがある）及び下記一般式（４）で表されるカルボン酸銀（以下、「カルボン酸銀（４）」と略記することがある）からなる群から選択される一種以上であることが好ましい。
なお、本明細書においては、単なる「カルボン酸銀」との記載は、特に断りの無い限り、「β−ケトカルボン酸銀（１）」及び「カルボン酸銀（４）」だけではなく、これらを包括する、「式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基を有するカルボン酸銀」を意味するものとする。
【００４２】
【化４】
2014004815.tif 000006
（式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」で表される基であり；
Ｙはそれぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子であり；Ｒ１は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基であり；Ｒ２は炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ３は炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ４及びＲ５はそれぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基であり；Ｒ６は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり；
Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基であり；
Ｒ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基である。）
【００４３】
【化５】
2014004815.tif 000007
（式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基又は式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基であり、前記脂肪族炭化水素基がメチレン基を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。）
【００４４】
（β−ケトカルボン酸銀（１））
β−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表される。
式中、Ｒは１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよい炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基若しくはフェニル基、水酸基、アミノ基、又は一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」、「Ｒ１−ＣＨＹ−」、「Ｒ２Ｏ−」、「Ｒ５Ｒ４Ｎ−」、「（Ｒ３Ｏ）２ＣＹ−」若しくは「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」で表される基である。
【００４５】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状（脂肪族環式基）のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。また、前記脂肪族炭化水素基は、飽和脂肪族炭化水素基及び不飽和脂肪族炭化水素基のいずれでもよい。そして、前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１０であることが好ましく、１〜６であることがより好ましい。Ｒにおける好ましい前記脂肪族炭化水素基としては、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基が例示できる。
【００４６】
Ｒにおける直鎖状又は分枝鎖状の前記アルキル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ネオペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、１−メチルブチル基、２−メチルブチル基、ｎ−ヘキシル基、１−メチルペンチル基、２−メチルペンチル基、３−メチルペンチル基、４−メチルペンチル基、１，１−ジメチルブチル基、２，２−ジメチルブチル基、３，３−ジメチルブチル基、２，３−ジメチルブチル基、１−エチルブチル基、２−エチルブチル基、３−エチルブチル基、１−エチル−１−メチルプロピル基、ｎ−ヘプチル基、１−メチルヘキシル基、２−メチルヘキシル基、３−メチルヘキシル基、４−メチルヘキシル基、５−メチルヘキシル基、１，１−ジメチルペンチル基、２，２−ジメチルペンチル基、２，３−ジメチルペンチル基、２，４−ジメチルペンチル基、３，３−ジメチルペンチル基、４，４−ジメチルペンチル基、１−エチルペンチル基、２−エチルペンチル基、３−エチルペンチル基、４−エチルペンチル基、２，２，３−トリメチルブチル基、１−プロピルブチル基、ｎ−オクチル基、イソオクチル基、１−メチルヘプチル基、２−メチルヘプチル基、３−メチルヘプチル基、４−メチルヘプチル基、５−メチルヘプチル基、１−エチルヘキシル基、２−エチルヘキシル基、３−エチルヘキシル基、４−エチルヘキシル基、５−エチルヘキシル基、１，１−ジメチルヘキシル基、２，２−ジメチルヘキシル基、３，３−ジメチルヘキシル基、４，４−ジメチルヘキシル基、５，５−ジメチルヘキシル基、１−プロピルペンチル基、２−プロピルペンチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基、トリデシル基、テトラデシル基、ペンタデシル基、ヘキサデシル基、ヘプタデシル基、オクタデシル基、ノナデシル基、イコシル基が例示できる。
Ｒにおける環状の前記アルキル基としては、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、シクロノニル基、シクロデシル基、ノルボルニル基、イソボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基、トリシクロデシル基が例示できる。
【００４７】
Ｒにおける前記アルケニル基としては、ビニル基（エテニル基、−ＣＨ＝ＣＨ２）、アリル基（２−プロペニル基、−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、１−プロペニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、イソプロペニル基（−Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）、１−ブテニル基（−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ２−ＣＨ３）、２−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ３）、３−ブテニル基（−ＣＨ２−ＣＨ２−ＣＨ＝ＣＨ２）、シクロヘキセニル基、シクロペンテニル基等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が二重結合（Ｃ＝Ｃ）に置換された基が例示できる。
Ｒにおける前記アルキニル基としては、エチニル基（−Ｃ≡ＣＨ）、プロパルギル基（−ＣＨ２−Ｃ≡ＣＨ）等の、Ｒにおける前記アルキル基の炭素原子間の１個の単結合（Ｃ−Ｃ）が三重結合（Ｃ≡Ｃ）に置換された基が例示できる。
【００４８】
Ｒにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が例示できる。また、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、すべての置換基が同一であってもよいし、すべての置換基が異なっていてもよく、一部の置換基のみが異なっていてもよい。
【００４９】
Ｒにおけるフェニル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基（−ＯＨ）、シアノ基（−Ｃ≡Ｎ）、フェノキシ基（−Ｏ−Ｃ６Ｈ５）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
置換基である前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００５０】
ＲにおけるＹは、それぞれ独立にフッ素原子、塩素原子、臭素原子又は水素原子である。そして、一般式「Ｒ１−ＣＹ２−」、「ＣＹ３−」及び「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」においては、それぞれ複数個のＹは、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００５１】
ＲにおけるＲ１は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基又はフェニル基（Ｃ６Ｈ５−）であり、Ｒ１における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ２は、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基であり、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ３は、炭素数１〜１６の脂肪族炭化水素基であり、炭素数が１〜１６である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ４及びＲ５は、それぞれ独立に炭素数１〜１８の脂肪族炭化水素基である。すなわち、Ｒ４及びＲ５は、互いに同一でも異なっていてもよく、炭素数が１〜１８である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
ＲにおけるＲ６は、炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であり、Ｒ６における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００５２】
Ｒは、上記の中でも、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、一般式「Ｒ６−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＹ２−」で表される基、水酸基又はフェニル基であることが好ましい。そして、Ｒ６は、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、水酸基又は式「ＡｇＯ−」で表される基であることが好ましい。
【００５３】
一般式（１）において、Ｘはそれぞれ独立に水素原子、炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基、ハロゲン原子、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはベンジル基（Ｃ６Ｈ５−ＣＨ２−）、シアノ基、Ｎ−フタロイル−３−アミノプロピル基、２−エトキシビニル基（Ｃ２Ｈ５−Ｏ−ＣＨ＝ＣＨ−）、又は一般式「Ｒ７Ｏ−」、「Ｒ７Ｓ−」、「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−」若しくは「Ｒ７−Ｃ（＝Ｏ）−Ｏ−」で表される基である。
Ｘにおける炭素数１〜２０の脂肪族炭化水素基としては、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。
【００５４】
Ｘにおけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
Ｘにおけるフェニル基及びベンジル基は、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよく、好ましい前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）、ニトロ基（−ＮＯ２）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【００５５】
ＸにおけるＲ７は、炭素数１〜１０の脂肪族炭化水素基、チエニル基（Ｃ４Ｈ３Ｓ−）、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基若しくはジフェニル基（ビフェニル基、Ｃ６Ｈ５−Ｃ６Ｈ４−）である。Ｒ７における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１０である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。また、Ｒ７におけるフェニル基及びジフェニル基の前記置換基としては、ハロゲン原子（フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子）等が例示でき、置換基の数及び位置は特に限定されない。そして、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
Ｒ７がチエニル基又はジフェニル基である場合、これらの、Ｘにおいて隣接する基又は原子（酸素原子、硫黄原子、カルボニル基、カルボニルオキシ基）との結合位置は、特に限定されない。例えば、チエニル基は、２−チエニル基及び３−チエニル基のいずれでもよい。
【００５６】
一般式（１）において、２個のＸは、２個のカルボニル基で挟まれた炭素原子と二重結合を介して１個の基として結合していてもよく、このようなものとしては式「＝ＣＨ−Ｃ６Ｈ４−ＮＯ２」で表される基が例示できる。
【００５７】
Ｘは、上記の中でも、水素原子、直鎖状若しくは分枝鎖状のアルキル基、又はベンジル基であることが好ましく、少なくとも一方のＸが水素原子であることが好ましい。
【００５８】
前記β−ケトカルボン酸銀（１）は、２−メチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、アセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、プロピオニル酢酸銀（ＣＨ３ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ｎ−ブチルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−ベンジルアセト酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ（ＣＨ２Ｃ６Ｈ５）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ベンゾイル酢酸銀（Ｃ６Ｈ５−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ピバロイルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）３Ｃ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソブチリルアセト酢酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はアセトンジカルボン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。これらβ−ケトカルボン酸銀（１）は、前記一般式（１）で表されるものの中でも、加熱（焼成）処理により形成された加熱処理物（導電体、金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。原料や不純物が少ない程、例えば、形成された金属銀同士の接触が良好となり、導通が容易となり、抵抗率が低下する。
【００５９】
前記β−ケトカルボン酸銀（１）は、後述するように、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、好ましくは６０〜２１０℃、より好ましくは６０〜２００℃という低温で分解し、金属銀を形成することが可能である。
【００６０】
本発明において、β−ケトカルボン酸銀（１）は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００６１】
（カルボン酸銀（４））
カルボン酸銀（４）は、前記一般式（４）で表される
式中、Ｒ８は炭素数１〜１９の脂肪族炭化水素基、カルボキシ基（−ＣＯＯＨ）又は式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基である。
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基としては、炭素数が１〜１９である点以外は、Ｒにおける前記脂肪族炭化水素基と同様のものが例示できる。ただし、Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基は、炭素数が１〜１５であることが好ましく、１〜１０であることがより好ましい。
【００６２】
Ｒ８における前記脂肪族炭化水素基がメチレン基（−ＣＨ２−）を有する場合、１個以上の該メチレン基はカルボニル基で置換されていてもよい。カルボニル基で置換されていてもよいメチレン基の数及び位置は特に限定されず、すべてのメチレン基がカルボニル基で置換されていてもよい。ここで「メチレン基」とは、単独の式「−ＣＨ２−」で表される基だけでなく、式「−ＣＨ２−」で表される基が複数個連なったアルキレン基中の１個の式「−ＣＨ２−」で表される基も含むものとする。
【００６３】
カルボン酸銀（４）は、ピルビン酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酢酸銀（ＣＨ３−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、酪酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、イソ酪酸銀（（ＣＨ３）２ＣＨ−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、２−エチルへキサン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）３−ＣＨ（ＣＨ２ＣＨ３）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、ネオデカン酸銀（ＣＨ３−（ＣＨ２）５−Ｃ（ＣＨ３）２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、シュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）、又はマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）であることが好ましい。また、上記のシュウ酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）及びマロン酸銀（ＡｇＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）の２個の式「−ＣＯＯＡｇ」で表される基のうち、１個が式「−ＣＯＯＨ」で表される基となったもの（ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ、ＨＯ−Ｃ（＝Ｏ）−ＣＨ２−Ｃ（＝Ｏ）−ＯＡｇ）も好ましい。
【００６４】
カルボン酸銀（４）も、β−ケトカルボン酸銀（１）と同様に、加熱（焼成）処理により形成された加熱処理物（導電体、金属銀）において、残存する原料や不純物の濃度をより低減できる。
【００６５】
本発明において、カルボン酸銀（４）は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００６６】
本発明の積層体は、図１に示すものに限定されず、本発明の効果を損なわない範囲内において、一部構成が適宜変更されたものでもよい。例えば、基材、受容層及び導電層以外に、その他の層が形成されていてもよい。また、ここでは、基材の主面のうち、一方の面のみに受容層及び導電層が設けられたものを示しているが、主面の両面（前記一方の面と、これとは反対側の他方の面と、の両方）に受容層及び導電層が設けられたものでもよい。
【００６７】
＜積層体の製造方法＞
本発明の積層体は、受容層の形成に化合物（３）を用い、導電層の形成に前記カルボン酸銀を用いること以外は、公知の積層体と同様の方法で製造できる。
前記積層体の好ましい製造方法としては、前記基材上に、化合物（３）を用いて前記受容層を形成する工程（以下、「受容層形成工程」と略記することがある）と、前記受容層上に、前記カルボン酸銀を用いて前記導電層を形成する工程（以下、「導電層形成工程」と略記することがある）と、を有することを特徴とする製造方法が例示できる。
【００６８】
［受容層形成工程］
受容層形成工程においては、前記基材（基材２）上に、化合物（３）を用いて前記受容層（受容層３）を形成する。
受容層は、例えば、化合物（３）が配合されてなる受容層形成用組成物を調製し、これを基材上に付着させて、加熱処理することで形成できる。
【００６９】
受容層形成用組成物としては、化合物（３）及び溶媒が配合されてなる液状のものが例示できる。
【００７０】
受容層形成用組成物の調製に用いる前記溶媒は、化合物（３）を著しく劣化させない限り、特に限定されず、好ましいものとしては、エタノール、２−プロパノール（イソプロピルアルコール）等の炭素数が２以上のアルコールが例示できる。
前記溶媒は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００７１】
受容層形成用組成物において、配合成分の総量に占める化合物（３）の配合量の比率（濃度）は、０．３〜５０質量％であることが好ましく、０．７〜３０質量％であることがより好ましい。下限値以上であることで、受容層をより効率的に形成でき、上限値以下であることで、前記組成物の取り扱い性がより向上する。
【００７２】
受容層形成用組成物は、化合物（３）及び溶媒以外に、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
受容層形成用組成物において、配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【００７３】
受容層形成用組成物中の成分は、すべて溶解していてもよいし、一部又はすべてが溶解していなくてもよいが、溶解していない成分は、均一に分散されていることが好ましい。
【００７４】
受容層形成用組成物は、化合物（３）、及び化合物（３）以外の成分を配合することで得られる。
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法、ミキサーを使用して混合する方法、超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
【００７５】
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜３０℃であることが好ましい。
また、配合時間（混合時間）は、配合成分の種類や配合時の温度に応じて適宜調節すればよいが、例えば、０．５〜１５時間であることが好ましい。
【００７６】
液状の受容層形成用組成物は、例えば、印刷法、塗布法、浸漬法等の公知の方法で基材上に付着させることができる。
前記印刷法としては、スクリーン印刷法、オフセット印刷法、ディップ式印刷法、インクジェット式印刷法、ディスペンサー式印刷法等が例示できる。
前記塗布法としては、スピンコーター、エアーナイフコーター、カーテンコーター、ダイコーター、ブレードコーター、ロールコーター、ゲートロールコーター、バーコーター、ロッドコーター、グラビアコーター等の各種コーターや、ワイヤーバー等を用いる方法が例示できる。
【００７７】
受容層形成工程においては、基材に付着させる受容層形成用組成物の量、又は受容層形成用組成物における化合物（３）の配合量をすることで、受容層の厚さを調節できる。
【００７８】
基材上に付着させた受容層形成用組成物の加熱処理の条件は、前記組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよく、例えば、化合物（３）の反応と、溶媒の除去（乾燥）とが、円滑に進むように調節することが好ましい。通常は、加熱温度が５０〜１８０℃であることが好ましく、８０〜１６０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、３〜６０分間であることが好ましく、５〜３０分間であることがより好ましい。
【００７９】
受容層形成工程においては、受容層形成用組成物を付着させる前に、基材を加熱処理（アニール処理）してもよい。基材を加熱処理しておくことで、後述する導電層形成工程において、銀インク組成物を加熱（焼成）処理したときに、基材の収縮が抑制され、寸法安定性が向上する。
受容層形成用組成物を付着させる前の、基材の加熱処理の条件は、基材の種類に応じて適宜調節すればよく、特に限定されないが、６０〜２００℃で１０〜６０分間加熱処理することが好ましく、導電層形成工程での銀インク組成物の加熱（焼成）処理の条件と同じでもよい。
【００８０】
また、本発明においては、受容層形成用組成物を付着させる前に、基材の受容層を形成する面をプラズマ処理してもよい。すなわち、前記製造方法は、受容層形成工程の前に、さらに、基材の受容層を形成する面をプラズマ処理する工程（以下、「プラズマ処理工程」と略記することがある）を有していてもよい。基材をプラズマ処理しておくことで、後述する導電層形成工程において、受容層上で銀インク組成物の滲みが抑制され、加熱（焼成）処理により形成された導電体（金属銀）は、表面からひげ状に伸びて生じた部位（以下、「ひげ状の滲み部位」と略記する）の発生が抑制されるか、又は当該部位の長さが短くなる。
【００８１】
プラズマ処理工程では、公知の方法でプラズマ処理を行えばよい。例えば、大気圧プラズマ処理の場合には、電圧２９０〜３００Ｗ、気流速度１．０〜５．０ｍ／分等の条件で処理を行えばよい。
【００８２】
［導電層形成工程］
次いで、導電層形成工程においては、受容層上に、前記カルボン酸銀を用いて導電層を形成する。
導電層は、カルボン酸銀が配合されてなる銀インク組成物を調製し、これを受容層上に付着させて、加熱処理することで形成できる。
銀インク組成物としては、液状のものが好ましく、前記カルボン酸銀が均一に分散されたものが好ましい。
【００８３】
銀インク組成物において、前記カルボン酸銀中の銀の含有量は、５質量％以上であることが好ましく、１０質量％以上であることがより好ましい。このような範囲であることで、後述する方法で形成された導電層は、品質により優れたものとなる。前記銀の含有量の上限値は、本発明の効果を損なわない限り特に限定されないが、取り扱い性等を考慮すると２５質量％であることが好ましい。
【００８４】
（アミン化合物、アンモニウム塩）
前記銀インク組成物は、前記カルボン酸銀以外に、さらにアミン化合物及び／又はアンモニウム塩が配合されてなるものが好ましい。そして、前記アミン化合物及び／又はアンモニウム塩は、炭素数が２〜２５であることが好ましい。
【００８５】
炭素数２〜２５のアミン化合物は、第一級アミン、第二級アミン及び第三級アミンのいずれでもよい。また、炭素数２〜２５のアンモニウム塩とは、かかる炭素数の第四級アンモニウム塩である。前記アミン化合物及びアンモニウム塩は、鎖状及び環状のいずれでもよい。また、アミン又はアンモニウム塩を形成している窒素原子の数は１個でもよいし、２個以上でもよい。
【００８６】
前記第一級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいモノアルキルアミン、モノアリールアミン、モノ（ヘテロアリール）アミン、ジアミン等が例示できる。
【００８７】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが例示でき、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。
好ましい前記モノアルキルアミンとして、具体的には、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミンが例示できる。
【００８８】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基としては、フェニル基、１−ナフチル基、２−ナフチル基等が例示でき、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【００８９】
前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、芳香族環骨格を構成する原子として、ヘテロ原子を有するものであり、前記ヘテロ原子としては、窒素原子、硫黄原子、酸素原子、ホウ素原子が例示できる。また、芳香族環骨格を構成する前記へテロ原子の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよい。２個以上である場合、これらへテロ原子は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、これらへテロ原子は、すべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。
前記ヘテロアリール基は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されないが、３〜１２員環であることが好ましい。
【００９０】
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜４個有する単環状のものとしては、ピロリル基、ピロリニル基、イミダゾリル基、ピラゾリル基、ピリジル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピリダジニル基、トリアゾリル基、テトラゾリル基、ピロリジニル基、イミダゾリジニル基、ピペリジニル基、ピラゾリジニル基、ピペラジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１個有する単環状のものとしては、フラニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１個有する単環状のものとしては、チエニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、オキサジアゾリル基、モルホリニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する単環状のものとしては、チアゾリル基、チアジアゾリル基、チアゾリジニル基が例示でき、３〜８員環であることが好ましく、５〜６員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、窒素原子を１〜５個有する多環状のものとしては、インドリル基、イソインドリル基、インドリジニル基、ベンズイミダゾリル基、キノリル基、イソキノリル基、インダゾリル基、ベンゾトリアゾリル基、テトラゾロピリジル基、テトラゾロピリダジニル基、ジヒドロトリアゾロピリダジニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ジチアナフタレニル基、ベンゾチオフェニル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、酸素原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾオキサゾリル基、ベンゾオキサジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
前記ヘテロアリール基で、硫黄原子を１〜２個及び窒素原子を１〜３個有する多環状のものとしては、ベンゾチアゾリル基、ベンゾチアジアゾリル基が例示でき、７〜１２員環であることが好ましく、９〜１０員環であることがより好ましい。
【００９１】
前記ジアミンは、アミノ基を２個有していればよく、２個のアミノ基の位置関係は特に限定されない。好ましい前記ジアミンとしては、前記モノアルキルアミン、モノアリールアミン又はモノ（ヘテロアリール）アミンにおいて、アミノ基（−ＮＨ２）を構成する水素原子以外の１個の水素原子が、アミノ基で置換されたものが例示できる。
前記ジアミンは炭素数が１〜１０であることが好ましく、より好ましいものとしてはエチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタンが例示できる。
【００９２】
前記第二級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいジアルキルアミン、ジアリールアミン、ジ（ヘテロアリール）アミン等が例示できる。
【００９３】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
好ましい前記ジアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミンが例示できる。
【００９４】
前記ジアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。また、ジアリールアミン一分子中の２個のアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００９５】
前記ジ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基は、前記モノ（ヘテロアリール）アミンを構成するヘテロアリール基と同様であり、６〜１２員環であることが好ましい。また、ジ（ヘテロアリール）アミン一分子中の２個のヘテロアリール基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
【００９６】
前記第三級アミンとしては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいトリアルキルアミン、ジアルキルモノアリールアミン等が例示できる。
【００９７】
前記トリアルキルアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、トリアルキルアミン一分子中の３個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、３個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。
好ましい前記トリアルキルアミンとして、具体的には、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
【００９８】
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜６の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は炭素数が３〜７の環状のアルキル基であることが好ましい。また、ジアルキルモノアリールアミン一分子中の２個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。
前記ジアルキルモノアリールアミンを構成するアリール基は、前記モノアリールアミンを構成するアリール基と同様であり、炭素数が６〜１０であることが好ましい。
【００９９】
前記第四級アンモニウム塩としては、１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいハロゲン化テトラアルキルアンモニウム等が例示できる。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するアルキル基は、前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基と同様であり、炭素数が１〜１９であることが好ましい。また、ハロゲン化テトラアルキルアンモニウム一分子中の４個のアルキル基は、互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、４個のアルキル基は、すべてが同じでもよいし、すべてが異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。
前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムを構成するハロゲンとしては、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素が例示できる。
好ましい前記ハロゲン化テトラアルキルアンモニウムとして、具体的には、ドデシルトリメチルアンモニウムブロミド、テトラドデシルアンモニウムブロミドが例示できる。
【０１００】
ここまでは、主に鎖状のアミン及びアンモニウム塩について説明したが、前記アミン化合物及びアンモニウム塩は、アミン又はアンモニウム塩を形成している窒素原子が環骨格（複素環骨格）の一部であるようなヘテロ環化合物であってもよい。すなわち、前記アミン化合物は環状アミンでもよく、前記アンモニウム塩は環状アンモニウム塩でもよい。この時の環（アミン又はアンモニウム塩を形成する窒素原子を含む環）骨格は、単環状及び多環状のいずれでもよく、その環員数（環骨格を構成する原子の数）も特に限定されず、脂肪族環及び芳香族環のいずれでもよい。
環状アミンであれば、好ましいものとして、ピリジンが例示できる。
【０１０１】
前記第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン及び第四級アンモニウム塩において、「置換基で置換されていてもよい水素原子」とは、アミン又はアンモニウム塩を形成している窒素原子に結合している水素原子以外の水素原子である。この時の置換基の数は特に限定されず、１個でもよいし、２個以上でもよく、前記水素原子のすべてが置換基で置換されていてもよい。置換基の数が複数の場合には、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。すなわち、複数個の置換基はすべて同じでもよいし、すべて異なっていてもよく、一部のみが異なっていてもよい。また、置換基の位置も特に限定されない。
【０１０２】
前記アミン化合物及びアンモニウム塩における前記置換基としては、アルキル基、アリール基、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、水酸基、トリフルオロメチル基（−ＣＦ３）等が例示できる。ここで、ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【０１０３】
前記モノアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基としてアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基、又は置換基として好ましくは炭素数が１〜５のアルキル基を有する、炭素数が３〜７の環状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するモノアルキルアミンとして、具体的には、２−フェニルエチルアミン、ベンジルアミン、２，３−ジメチルシクロヘキシルアミンが例示できる。
また、置換基である前記アリール基及びアルキル基は、さらに１個以上の水素原子がハロゲン原子で置換されていてもよく、このようなハロゲン原子で置換された置換基を有するモノアルキルアミンとしては、２−ブロモベンジルアミンが例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【０１０４】
前記モノアリールアミンを構成するアリール基が置換基を有する場合、かかるアリール基は、置換基としてハロゲン原子を有する、炭素数が６〜１０のアリール基が好ましく、このような置換基を有するモノアリールアミンとして、具体的には、ブロモフェニルアミンが例示できる。ここで、前記ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子が例示できる。
【０１０５】
前記ジアルキルアミンを構成するアルキル基が置換基を有する場合、かかるアルキル基は、置換基として水酸基又はアリール基を有する、炭素数が１〜９の直鎖状若しくは分岐鎖状のアルキル基が好ましく、このような置換基を有するジアルキルアミンとして、具体的には、ジエタノールアミン、Ｎ−メチルベンジルアミンが例示できる。
【０１０６】
前記アミン化合物は、ｎ−プロピルアミン、ｎ−ブチルアミン、ｎ−へキシルアミン、ｎ−オクチルアミン、ｎ−ドデシルアミン、ｎ−オクタデシルアミン、ｓｅｃ−ブチルアミン、ｔｅｒｔ−ブチルアミン、３−アミノペンタン、３−メチルブチルアミン、２−アミノオクタン、２−エチルヘキシルアミン、２−フェニルエチルアミン、エチレンジアミン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、Ｎ−メチル−ｎ−ヘキシルアミン、ジイソブチルアミン、Ｎ−メチルベンジルアミン、ジ（２−エチルへキシル）アミン、１，２−ジメチル−ｎ−プロピルアミン、Ｎ，Ｎ−ジメチル−ｎ−オクタデシルアミン又はＮ，Ｎ−ジメチルシクロヘキシルアミンであることが好ましい。
【０１０７】
本発明においては、アミン化合物のみを使用してもよいし、アンモニウム塩のみを使用してもよく、アミン化合物及びアンモニウム塩を併用してもよいが、アミン化合物のみを使用することが好ましい。
【０１０８】
前記アミン化合物及びアンモニウム塩は、いずれも一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１０９】
銀インク組成物において、アミン化合物及びアンモニウム塩の総配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり１〜１０モルであることが好ましく、１．５〜７モルであることがより好ましい。下限値以上であることで、銀インク組成物の安定性がより向上し、上限値以下であることで、導電層の品質がより向上する。
【０１１０】
（アルコール）
前記銀インク組成物は、前記カルボン酸銀以外に、さらにアルコールが配合されてなるものでもよい。
前記アルコールは、下記一般式（２）で表されるアセチレンアルコール類（以下、「アセチレンアルコール（２）」と略記することがある）であることが好ましい。
【０１１１】
【化６】
2014004815.tif 000008
（式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。）
【０１１２】
式中、Ｒ’及びＲ’’は、それぞれ独立に炭素数１〜２０のアルキル基、又は１個以上の水素原子が置換基で置換されていてもよいフェニル基である。
Ｒ’及びＲ’’における炭素数１〜２０のアルキル基は、直鎖状、分岐鎖状及び環状のいずれでもよく、環状である場合、単環状及び多環状のいずれでもよい。Ｒ’及びＲ’’における前記アルキル基としては、Ｒにおける前記アルキル基と同様のものが例示できる。
【０１１３】
Ｒ’及びＲ’’におけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基としては、炭素数が１〜１６の飽和又は不飽和の一価の脂肪族炭化水素基、該脂肪族炭化水素基が酸素原子に結合してなる一価の基、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、水酸基、シアノ基、フェノキシ基等が例示でき、Ｒにおけるフェニル基の水素原子が置換されていてもよい前記置換基と同様である。そして、置換基の数及び位置は特に限定されず、置換基の数が複数である場合、これら複数個の置換基は互いに同一でも異なっていてもよい。
【０１１４】
Ｒ’及びＲ’’は、炭素数１〜２０のアルキル基であることが好ましく、炭素数１〜１０の直鎖状又は分岐鎖状のアルキル基であることがより好ましい。
【０１１５】
好ましいアセチレンアルコール（２）としては、３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、３−メチル−１−ブチン−３−オール、３−メチル−１−ペンチン−３−オールが例示できる。
【０１１６】
銀インク組成物において、アセチレンアルコール（２）の配合量は、前記カルボン酸銀の配合量１モルあたり０．０３〜０．７モルであることが好ましく、０．０５〜０．３モルであることがより好ましい。下限値以上であることで、銀インク組成物の安定性がより向上し、上限値以下であることで、導電層の品質がより向上する。
【０１１７】
前記アルコールは、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１１８】
銀インク組成物は、前記カルボン酸銀、アミン化合物及び／又はアンモニウム塩、並びにアルコール以外の、その他の成分が配合されてなるものでもよい。
前記その他の成分は、目的に応じて任意に選択でき、特に限定されない。
銀インク組成物において、配合成分の総量に占める前記その他の成分の配合量の比率は、１０質量％以下であることが好ましく、５質量％以下であることがより好ましい。
前記その他の成分は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を併用してもよい。二種以上を併用する場合で、その組み合わせ及び比率は、任意に調節できる。
【０１１９】
銀インク組成物中の成分は、すべて溶解していてもよいし、一部又はすべてが溶解していなくてもよいが、溶解していない成分は、均一に分散されていることが好ましい。
【０１２０】
銀インク組成物は、前記カルボン酸銀、及び前記カルボン酸銀以外の成分を配合することで得られる。
各成分の配合時には、すべての成分を添加してからこれらを混合してもよいし、一部の成分を順次添加しながら混合してもよく、すべての成分を順次添加しながら混合してもよい。
混合方法は特に限定されず、撹拌子又は撹拌翼等を回転させて混合する方法、ミキサーを使用して混合する方法、超音波を加えて混合する方法等、公知の方法から適宜選択すればよい。
【０１２１】
配合時の温度は、各配合成分が劣化しない限り特に限定されないが、−５〜３０℃であることが好ましい。
【０１２２】
銀インク組成物は、受容層形成用組成物と同様の方法で、受容層上に付着させればよい。
【０１２３】
導電層形成工程においては、受容層に付着させる銀インク組成物の量、又は銀インク組成物における前記カルボン酸銀の配合量を調節することで、導電層の厚さを調節できる。
【０１２４】
受容層上に付着させた銀インク組成物の加熱（焼成）処理の条件は、銀インク組成物の配合成分の種類に応じて適宜調節すればよい。通常は、加熱温度が６０〜２００℃であることが好ましく、７０〜１８０℃であることがより好ましい。加熱時間は、加熱温度に応じて調節すればよいが、通常は、０．２〜１２時間であることが好ましく、０．４〜１０時間であることがより好ましい。前記カルボン酸銀の中でもβ−ケトカルボン酸銀（１）は、例えば、酸化銀等の従来の金属銀形成材料とは異なり、当該分野で公知の還元剤等を使用しなくても、低温で分解する。そして、このような分解温度を反映して、前記銀インク組成物は、上記のように、従来のものより極めて低温で金属銀を形成できる。
【０１２５】
銀インク組成物の加熱処理の方法は特に限定されず、例えば、電気炉による加熱、感熱方式の熱ヘッドによる加熱等で行うことができる。また、銀インク組成物の加熱処理は、大気下で行ってもよいし、不活性ガス雰囲気下で行ってもよい。そして、常圧下及び減圧下のいずれで行ってもよい。
【０１２６】
本発明の積層体は、受容層が化合物（３）を用いて形成されていることにより、受容層の導電層及び基材との密着強度が高く、すなわち導電層と基材との密着強度が高く、導電層の基材からの剥離が顕著に抑制されたものである。具体的には、本発明の積層体は、ＪＩＳ  Ｋ  ５６００−５−６に準拠した、基材及び導電層の密着性試験において、分類０又は１を満たす。
前記導電層は、記録材料、印刷刷版材料、高導電性材料等として幅広く利用できる。
【０１２７】
例えば、「特開２００９−４９２７５号公報」には、ガラスエポキシ樹脂製の基材上にシランカップリング剤で受容層を形成し、この受容層上に、金属銀コロイド微粒子が配合されてなる銀インク組成物を用いて導電層を形成した積層体の具体例が記載されている。そして、前記シランカップリング剤として、下記のシランカップリング剤（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）又は（ｉｖ）を用いた積層体が記載されており、いずれの積層体も、導電層と基材との密着強度が高かったことが記載されている。
Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２）  ・・・・（ｉ）
３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ）  ・・・・（ｉｉ）
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＯＣＨ２ＣＨ（Ｏ）ＣＨ２）  ・・・・（ｉｉｉ）
ビニルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２）  ・・・・（ｉｖ）
ここで、シランカップリング剤（ｉ）、（ｉｉ）、（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）は、本明細書の後述する実施例１、実施例５、比較例２及び比較例５で、それぞれ用いたものと同じである。そして、後述するように、実施例１及び５の積層体では、導電層と基材との密着強度が高かったものの、比較例２及び５の積層体では、導電層と基材との密着強度の向上が認められていない。すなわち、シランカップリング剤（ｉｉｉ）及び（ｉｖ）を用いた場合には、「特開２００９−４９２７５号公報」で開示されている結果とは異なる結果が得られている。これは、積層体の製造時に、受容層上に付着させる銀インク組成物の種類が異なり、金属銀コロイド微粒子を用いた場合と、前記カルボン酸銀を用いた場合とで、導電層を形成する過程が異なるためではないかと推測される。このように、本発明の積層体における導電層（加熱処理物）は、従来の金属銀又は金属銀形成材料から形成された導電層（加熱処理物）とは異なり、特有の構成を有していると推測される。
【０１２８】
＜通信機器＞
本発明の通信機器は、前記積層体を用い、前記基材を筐体として備えたことを特徴とし、アンテナ部として前記積層体を用い、前記積層体中の基材で筐体を構成したこと以外は、公知の通信機器と同様の構成とすることができる。例えば、前記積層体に加え、音声入力部、音声出力部、操作スイッチ、表示部等を組み合わせることにより、携帯電話機を構成できる。
本発明の通信機器は、アンテナ部の安定性が高く、耐久性に優れる。
【実施例】
【０１２９】
以下、具体的実施例により、本発明についてより詳細に説明する。ただし、本発明は、以下に示す実施例に、何ら限定されるものではない。
【０１３０】
＜積層体の製造＞
［実施例１］
（銀インク組成物の製造）
２−メチルアセト酢酸銀（１００質量部）、２−エチルヘキシルアミン（３００質量部）、及び３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（エアープロダクツジャパン社製「サーフィノール６１」）（４質量部）を配合し、２５℃以下で６０分間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。
【０１３１】
（積層体の製造）
ポリエチレンテレフタレート製の基材（厚さ１００μｍ）を、１５０℃で３０分間加熱処理した。
次いで、この基材上に、受容層形成用組成物として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２、化合物（３））のイソプロピルアルコール溶液（濃度５質量％）をスピンコーターにより塗布し、１２０℃で１０分間加熱処理することにより、基材上に受容層を形成した。このとき、前記イソプロピルアルコール溶液の基材上への塗布量は、０．２〜１．３ｇ／ｍ２とした。
次いで、受容層上に、上記で得られた銀インク組成物をスピンコーターにより塗布し、１５０℃で３０分間加熱処理することにより、受容層上に導電層を形成し、積層体を得た。このとき、銀インク組成物の受容層上への塗布量は、６．０〜９．６ｇ／ｍ２とした。
【０１３２】
＜積層体の評価＞
得られた積層体について、ＪＩＳ  Ｋ５６００−５−６に準拠して、導電層と基材との密着強度を評価した。すなわち、面積が同等の領域が２５個形成されるように、導電層において直交する２方向に表面側から切れ込みを入れてクロスカットし、このクロスカット後の導電層表面にテープを貼付した後、このテープを剥がし、２５個の領域のうち、導電層の基材（受容層）からの剥離が見られる領域の数を確認した。そして、下記基準に従って、導電層と基材との密着強度を評価した。結果を表１に示す。
◎：導電層が全く剥離せず、密着強度が極めて高い。（分類０）
○：ごく一部の導電層が剥離したが実用上支障はなく、密着強度が高い。（分類１）
△：一部の導電層が剥離し、実用上問題があり、密着強度が低い。（分類２〜４）
×：相当面積の導電層が剥離し、密着強度の評価に値しない（分類５）。
【０１３３】
＜積層体の製造及び評価＞
［実施例２］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１３４】
［実施例３］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、３−ウレイドプロピルトリエトキシシラン（（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨＣ（＝Ｏ）ＮＨ２）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１３５】
［実施例４］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨＣ６Ｈ５）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１３６】
［実施例５］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＳＨ）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１３７】
［実施例６］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）２Ｓｉ（ＣＨ３）（ＣＨ２）３ＳＨ）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１３８】
［比較例１］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、メチルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ３）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１３９】
［比較例２］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＯＣＨ２ＣＨ（Ｏ）ＣＨ２）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１４０】
［比較例３］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＯＣ（＝Ｏ）Ｃ（ＣＨ３）＝ＣＨ２）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１４１】
［比較例４］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨ２）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１４２】
［比較例５］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、ビニルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３ＳｉＣＨ＝ＣＨ２）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１４３】
［比較例６］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＯＣ（＝Ｏ）ＣＨ＝ＣＨ２）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１４４】
［比較例７］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、３，３，３−トリフルオロプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）２ＣＦ３）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１４５】
［比較例８］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、３−イソシアネートプロピルトリエトキシシラン（（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３Ｎ＝Ｃ＝Ｏ）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１４６】
［比較例９］
化合物（３）として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシランに代えて、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン（（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３Ｎ＝Ｃ（ＣＨ３）（ＣＨ２）３ＣＨ３）を用いたこと以外は、実施例１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表１に示す。
【０１４７】
【表１】
2014004815.tif 000009
【０１４８】
上記結果から明らかなように、実施例１〜６の積層体は、比較例１〜９の積層体よりも、導電層と基材との密着強度に優れていた。
【０１４９】
＜積層体の製造＞
［実施例７］
（銀インク組成物の製造）
２−メチルアセト酢酸銀（１００質量部）、２−エチルヘキシルアミン（３００質量部）、及び３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（エアープロダクツジャパン社製「サーフィノール６１」）（４質量部）を配合し、２５℃以下で６０分間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。
【０１５０】
（積層体の製造）
ポリエチレンテレフタレート製の基材（厚さ１００μｍ）を、１５０℃で３０分間加熱処理した。
次いで、この基材上に、受容層形成用組成物として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン（（ＣＨ３Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２、化合物（３））のイソプロピルアルコール溶液（濃度５質量％）をスピンコーターにより塗布し、１２０℃で１０分間加熱処理することにより、基材上に受容層を形成した。このとき、前記イソプロピルアルコール溶液の基材上への塗布量は、０．２〜１．３ｇ／ｍ２とした。
次いで、受容層上に、上記で得られた銀インク組成物をスピンコーターにより塗布し、１５０℃で１時間加熱処理することにより、受容層上に導電層を形成し、積層体を得た。このとき、銀インク組成物の受容層上への塗布量は、６．０〜９．６ｇ／ｍ２とした。
【０１５１】
＜積層体の評価＞
得られた積層体について、実施例１と同様の方法で導電層と基材との密着強度を評価した。結果を表２に示す。
【０１５２】
＜積層体の製造及び評価＞
［実施例８］
表２に示すように、化合物（３）のイソプロピルアルコール溶液の濃度を、５質量％に代えて１０質量％としたこと以外は、実施例７と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表２に示す。
【０１５３】
［実施例９］
表２に示すように、化合物（３）のイソプロピルアルコール溶液の濃度を、５質量％に代えて２０質量％としたこと以外は、実施例７と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表２に示す。
【０１５４】
［実施例１０］
表２に示すように、銀インク組成物の加熱処理の温度を、１５０℃に代えて１２０℃としたこと以外は、実施例７と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表２に示す。
【０１５５】
［実施例１１］
表２に示すように、銀インク組成物の加熱処理の温度を、１５０℃に代えて１２０℃としたこと以外は、実施例８と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表２に示す。
【０１５６】
［実施例１２］
表２に示すように、銀インク組成物の加熱処理の温度を、１５０℃に代えて１２０℃としたこと以外は、実施例９と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表２に示す。
【０１５７】
［実施例１３］
表２に示すように、銀インク組成物の加熱処理を、１５０℃で１時間行うのに代えて、８０℃で７時間行ったこと以外は、実施例７と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表２に示す。
【０１５８】
［実施例１４］
表２に示すように、銀インク組成物の加熱処理を、１５０℃で１時間行うのに代えて、８０℃で７時間行ったこと以外は、実施例８と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表２に示す。
【０１５９】
［実施例１５］
表２に示すように、銀インク組成物の加熱処理を、１５０℃で１時間行うのに代えて、８０℃で７時間行ったこと以外は、実施例９と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表２に示す。
【０１６０】
【表２】
2014004815.tif 000010
【０１６１】
上記結果から明らかなように、実施例７〜１５の積層体は、化合物（３）のイソプロピルアルコール溶液の濃度や、銀インク組成物の加熱処理条件が異なるものであるが、いずれも導電層と基材との密着強度に優れていた。
【０１６２】
＜積層体の製造＞
［実施例１６］
（銀インク組成物の製造）
２−メチルアセト酢酸銀（１００質量部）、２−エチルヘキシルアミン（３００質量部）、及び３，５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール（エアープロダクツジャパン社製「サーフィノール６１」）（４質量部）を配合し、２５℃以下で６０分間撹拌することにより、銀インク組成物を得た。
【０１６３】
（受容層形成用組成物の製造）
Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン（（ＣＨ３ＣＨ２Ｏ）３Ｓｉ（ＣＨ２）３ＮＨ（ＣＨ２）２ＮＨ２、信越化学社製「ＫＢＭ−６０３」、化合物（３））と、イソプロピルアルコールとを混合し、室温（２５℃）で１時間撹拌することにより、受容層形成用組成物として、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランのイソプロピルアルコール溶液（濃度５質量％）を得た。
【０１６４】
（積層体の製造）
卓上グラビア印刷機（Ｋ３０３  Ｍｕｌｔｉ−Ｃｏａｔｅｒ）及び銅製グラビア版材を用いて、得られた受容層形成用組成物を、ポリエチレンテレフタレート製の基材（帝人デュポン社製「Ｑ−８３」、厚さ７５μｍ）上に塗工した。そして、塗工された基材を１２０℃で１０分間加熱処理することにより、基材上に受容層を形成した。
次いで、インクジェット印刷機（コニカミノルタ社製「ＫＭ−５１２Ｌ」）を用いて、上記で得られた銀インク組成物で、受容層上に所定のパターンを印刷した。このとき、３６０ｄｐｉ、４２ｐＬ×１ｄｐｄの条件で印刷した。そして、印刷した基材を、ＩＲ乾燥炉により２７０℃で１００秒間、さらに熱風オーブンにより１５０℃で３０分間加熱処理することにより、受容層上に導電層を形成し、積層体を得た。
【０１６５】
＜積層体の評価＞
得られた積層体について、実施例１と同様の方法で導電層と基材との密着強度を評価した。結果を表３に示す。
また、得られた積層体について、レーザー顕微鏡（キーエンス社製「ＶＫ−Ｘ１００」）を用いて受容層の厚さを測定すると共に、マイクロスコープ（キーエンス社製「ＶＨＸ−６００」）を用いて導電層のパターン（配線パターン）を観察し、ひげ状の滲み部位の長さを測定し、下記基準に従って評価した。結果を表３に示す。
◎：ひげ状の滲み部位の長さが１０μm未満である。
○：ひげ状の滲み部位の長さが１０μｍ以上１５０μm未満である。
×：ひげ状の滲み部位の長さが１５０μｍ以上である。
【０１６６】
＜積層体の製造及び評価＞
［実施例１７〜２４］
表３に示すように、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシランのイソプロピルアルコール溶液の濃度、及び受容層の厚さの少なくとも一方を変えたこと以外は、実施例１６と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表３に示す。
【０１６７】
［比較例１０］
表３に示すように、受容層形成用組成物を基材上に塗工せず（すなわち、銀インク組成物で基材上に直接所定のパターンを印刷し）、基材上に受容層を形成しなかったこと以外は、実施例１６と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表３に示す。
【０１６８】
［実施例２５］
表４に示すように、大気圧プラズマ発生装置（ＹＡＭＡＴＯ  Ｍａｔｅｒｉａｌ社製「ＹＡＰ５００」）を用い、３００Ｗの条件で、基材の受容層形成面を大気圧プラズマ処理してから、このプラズマ処理面上に受容層形成用組成物を塗工したこと以外は、実施例１６と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表４に示す。
【０１６９】
［実施例２６〜３３］
表４に示すように、大気圧プラズマ発生装置（ＹＡＭＡＴＯ  Ｍａｔｅｒｉａｌ社製「ＹＡＰ５００」）を用い、３００Ｗの条件で、基材の受容層形成面を大気圧プラズマ処理してから、このプラズマ処理面上に受容層形成用組成物を塗工したこと以外は、実施例１７〜３１と同様の方法で、積層体を製造及び評価した。結果を表４に示す。
【０１７０】
【表３】
2014004815.tif 000011
【０１７１】
【表４】
2014004815.tif 000012
【０１７２】
上記結果から明らかなように、実施例１６〜３３の積層体は、化合物（３）のイソプロピルアルコール溶液の濃度や、受容層の厚さが異なるものであるが、プラズマ処理の有無によらず、受容層の厚さが０．２μｍ以上で、導電層と基材との密着強度に優れていた。また、実施例１６〜２４と実施例２５〜３３との比較より、受容層の厚さがほぼ同じである場合には、基材の受容層形成面をプラズマ処理した積層体の方が、プラズマ処理しなかった積層体よりも、概ね導電層のパターンにおけるひげ状の滲み部位の長さが短くなっていた。これは、銀インク組成物のパターン印刷時に滲みが抑制されたからであると推測される。そして、プラズマ処理の有無によらず、ひげ状の滲み部位の長さは、受容層が厚くなるほど短くなる傾向があり、これはプラズマ処理しなかった場合の方が特に顕著であった。プラズマ処理しなかった場合、受容層の厚さが概ね０．５μm以上であると、ひげ状の滲みをほぼ完全に抑制できると考えられる。一方、プラズマ処理した場合には、受容層が薄くなるほどプラズマ処理の効果が大きくなる傾向があり、特に受容層の厚さが０．４μｍ以下、なかでも０．３〜０．４μmである場合に、プラズマ処理の効果がより顕著に見られた。
これに対して、比較例１０の積層体は、受容層を形成しなかったことにより、導電層と基材との密着強度が低かった。
【産業上の利用可能性】
【０１７３】
本発明は、記録材料、印刷刷版材料若しくは高導電性材料等として導電層を備える、製品又は部材として利用可能である。
【符号の説明】
【０１７４】
１・・・積層体、２・・・基材、３・・・受容層、４・・・導電層
【図１】
2014004815.tif 000016