(57)【要約】【課題】より好適に放射線検知が可能な放射線撮像装置を提供する。【解決手段】放射線を電荷に変換する変換素子を有する画素が行列状に配置された検出部と、検出部を駆動する駆動回路と、電荷に応じた電気信号を画像データとして出力する読出回路と、を含む検出器と、検出部内に隣接して配置された２つの検知部を用いて放射線の照射状態を検知する放射線検知部と、放射線検知部による検知結果に応じて駆動回路及び読出回路の動作を制御する制御部とを有し、一方の検知部による検知能力を他方の検知部による検知能力よりも低く設定するようにして、１つの検知系が飽和してしまった場合でも、別の検知系で放射線の照射終了を検知することを可能にする。【選択図】図１
2014049982.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
放射線を電荷に変換する変換素子を有する画素が行列状に配置された検出部と、前記電荷に応じた電気信号を前記画素から出力するために前記検出部を駆動する駆動回路と、前記電気信号を画像データとして出力する読出回路と、を含む検出器と、
前記検出部内に隣接して配置された２つの検知部を用いて放射線の照射状態を検知する放射線検知手段と、
前記放射線検知手段による検知結果に応じて、前記駆動回路及び前記読出回路の動作を制御する制御手段とを有し、
前記放射線検知手段は、一方の前記検知部による検知能力が、他方の前記検知部による検知能力よりも低く設定されていることを特徴とする放射線撮像装置。
【請求項２】
前記制御手段は、
前記放射線検知手段により放射線の照射開始が検知された場合に、前記検出器の動作状態を前記変換素子のリセットを繰り返し行う待機状態から前記変換素子に前記電荷を蓄積する蓄積状態に移行させ、
前記放射線検知手段により放射線の照射終了が検知された場合に、前記検出器の動作状態を前記蓄積状態から前記変換素子に蓄積された前記電荷に応じた電気信号を出力させる読出し状態に移行させることを特徴とする請求項１記載の放射線撮像装置。
【請求項３】
前記放射線検知手段は、
前記検出部内に隣接して配置され、それぞれが照射された放射線を電流信号に変換する２つの放射線検知センサと、
前記放射線検知センサからの電流信号をそれぞれ電圧信号に変換する２つの電流検出手段と、
前記電流検出手段からの電圧信号をそれぞれ閾値電圧と比較する２つの比較手段と、
前記２つの比較手段からの信号により放射線の照射状態を判定する判定手段とを有し、
前記判定手段は、前記２つの電流検出手段からの電圧信号が前記２つの比較手段のうちのいずれかの比較手段の閾値電圧を上回った場合に、放射線の照射開始を示す放射線検知信号を出力し、
前記判定手段は、前記２つの電流検出手段からの電圧信号が前記２つの比較手段のうちのいずれかの比較手段の閾値電圧を下回った場合に、放射線の照射終了を示す放射線検知信号を出力することを特徴とする請求項１又は２記載の放射線撮像装置。
【請求項４】
前記２つの放射線検知センサと、前記２つの電流検出手段と、前記２つの比較手段と、前記判定手段との組を複数有し、
複数の前記判定手段から前記放射線検知信号を受けて放射線の照射状態を判定する放射線判定手段を有し、
前記放射線判定手段は、前記判定手段からいずれか１つの放射線の照射開始を示す前記放射線検知信号が入力された場合に、放射線の照射開始を示す放射線判定信号を前記制御手段に出力することを特徴とする請求項３記載の放射線撮像装置。
【請求項５】
前記２つの放射線検知センサと、前記２つの電流検出手段と、前記２つの比較手段と、前記判定手段との組を複数有し、
複数の前記判定手段から前記放射線検知信号を受けて放射線の照射状態を判定する放射線判定手段を有し、
前記放射線判定手段は、前記判定手段から２つ以上の放射線の照射開始を示す前記放射線検知信号が入力された場合に、放射線の照射開始を示す放射線判定信号を前記制御手段に出力することを特徴とする請求項３記載の放射線撮像装置。
【請求項６】
前記放射線判定手段は、前記判定手段からいずれか１つの放射線の照射終了を示す前記放射線検知信号が入力された場合に、放射線の照射終了を示す放射線判定信号を前記制御手段に出力することを特徴とする請求項４又は５記載の放射線撮像装置。
【請求項７】
前記放射線判定手段は、前記判定手段から２つ以上の放射線の照射終了を示す前記放射線検知信号が入力された場合に、放射線の照射終了を示す放射線判定信号を前記制御手段に出力することを特徴とする請求項４又は５記載の放射線撮像装置。
【請求項８】
放射線を電荷に変換する変換素子を有する画素が行列状に配置された検出部と、前記電荷に応じた電気信号を前記画素から出力するために前記検出部を駆動する駆動回路と、前記電気信号を画像データとして出力する読出回路と、を含む検出器と、前記検出部内に隣接して配置され、一方の検知部による検知能力が他方の検知部による検知能力よりも低く設定された２つの前記検知部を用いて放射線の照射状態を検知する放射線検知手段と、前記駆動回路及び前記読出回路の動作を制御する制御手段とを有する放射線撮像装置の制御方法であって、
前記放射線検知手段により放射線の照射開始が検知された場合に、前記制御手段が前記検出器の動作状態を前記変換素子のリセットを繰り返し行う待機状態から前記変換素子に前記電荷を蓄積する蓄積状態に移行させ、
前記放射線検知手段により放射線の照射終了が検知された場合に、前記制御手段が前記検出器の動作状態を前記蓄積状態から前記変換素子に蓄積された前記電荷に応じた電気信号を出力させる読出し状態に移行させることを特徴とする放射線撮像装置の制御方法。
【請求項９】
放射線を電荷に変換する変換素子を有する画素が行列状に配置された検出部と、前記電荷に応じた電気信号を前記画素から出力するために前記検出部を駆動する駆動回路と、前記電気信号を画像データとして出力する読出回路と、を含む検出器と、前記検出部内に隣接して配置され、一方の検知部による検知能力が他方の検知部による検知能力よりも低く設定された２つの前記検知部を用いて放射線の照射状態を検知する放射線検知手段と、前記駆動回路及び前記読出回路の動作を制御する制御手段とを有する放射線撮像装置の制御をコンピュータに実行させるプログラムであって、
前記放射線検知手段により放射線の照射開始が検知された場合に、前記制御手段が前記検出器の動作状態を前記変換素子のリセットを繰り返し行う待機状態から前記変換素子に前記電荷を蓄積する蓄積状態に移行させ、
前記放射線検知手段により放射線の照射終了が検知された場合に、前記制御手段が前記検出器の動作状態を前記蓄積状態から前記変換素子に蓄積された前記電荷に応じた電気信号を出力させる読出し状態に移行させる制御をコンピュータに実行させるプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、放射線撮像装置、その制御方法及びプログラムに関し、医療診断における一般撮影などの静止画撮影や透視撮影などの動画撮影に好適に用いられる、放射線撮像装置、その制御方法及びプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、Ｘ線による医療画像診断や非破壊検査に用いる放射線撮像装置として、半導体材料によって形成された平面検出器（Ｆｌａｔ  Ｐａｎｅｌ  Ｄｅｔｅｃｔｏｒ、以下ＦＰＤと略す）を用いた放射線撮像装置が実用化され始めている。ＦＰＤには、放射線を電荷に変換可能なａ−Ｓｉなどの半導体材料を用いた変換素子と、電荷に応じた電気信号を転送するスイッチ素子と、を有する画素が２次元に複数配置されている。このようなＦＰＤを有する放射線撮像装置は、例えば医療画像診断においては、一般撮影のような静止画撮影や、透視撮影のような動画撮影のデジタル撮像装置として用いられている。
【０００３】
放射線撮像装置は、撮影を行う際、放射線発生装置と同期を取りながら撮影を行う。同期方法としては、例えば放射線発生装置と放射線撮像装置を電気的に接続して同期を取る方法や放射線発生装置から照射された放射線を検知して同期を取る方法がある。前者の場合、サービスマンが放射線発生装置と放射線撮像装置をケーブルで接続するために、接続作業の工数が掛り、さらに放射線発生装置と放射線撮像装置を一組として固定して使用しなければならない。後者の場合、放射線の検出器を放射線撮像装置内外に設ける、もしくは放射線撮像装置自体で放射線の検知を行う方法が知られている。この場合、接続作業の工数が不要で放射線撮像装置を持ち運び、さまざまな放射線発生装置と組み合わせて使用できるメリットがある。
【０００４】
通常、ＦＰＤは、光電変換素子とスイッチ素子で構成された画素が２次元に配列され、光電変換素子からの信号の読み出しや光電変換素子をリセットする場合には行単位で行われる。放射線が照射される前は、スイッチ素子を行単位でオン／オフ制御し、光電変換素子に流れる暗電流成分をリセットする。以下、この動作を空読み動作と称す。空読み動作中に放射線照射信号を受け取るもしくは放射線を検知した場合には、光電変換素子におけるリセット動作を直ちに終了して蓄積動作に移行しなければならない。放射線照射信号を受け取ったにも関わらず蓄積動作に移行しないと、ユーザーが押した曝射ボタンと実際の撮影画像にタイムラグが発生し、段差を生じるなど意図しない画像になってしまう。また放射線を検知したにも関わらず、空読み動作を継続すると、光電変換素子で発生した放射線信号をリセットしてしまうため、被験者に対して無駄に放射線を照射し、被曝量が増加する場合がある。
【０００５】
下記特許文献１には、放射線検出手段を有し、放射線検出手段の信号に基づいて、放射線撮像装置の動作を制御する技術が開示されている。例えば、放射線検出手段の信号に基づき、放射線照射開始と判断した場合には、直ちに放射線撮像手段の動作状態を撮影準備状態から蓄積状態へ移行し、その後、放射線照射終了と判断した場合には、直ちに動作状態を蓄積状態から画像データ出力状態へ移行する。また、下記特許文献２には、放射線検出素子にバイアス電圧を供給するバイアス線を流れる電流を検出して放射線撮像装置の動作を制御する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−１５１２３３号公報
【特許文献２】特開２０１０−２６８１７１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１に開示されている技術では、放射線検出手段が様々な撮影種類（被写体の部位や体格、動画・静止画撮影モードなど）に対応できない場合があり、放射線の曝射の開始と終了をともに精度よく検知できない場合がある。そのため、様々な照射条件に対して放射線照射の開始と終了をともに精度よく検知可能な放射線検知手段が要求される。
【０００８】
本発明は、より好適に放射線検知が可能な放射線撮像装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る放射線撮像装置は、放射線を電荷に変換する変換素子を有する画素が行列状に配置された検出部と、前記電荷に応じた電気信号を前記画素から出力するために前記検出部を駆動する駆動回路と、前記電気信号を画像データとして出力する読出回路と、を含む検出器と、前記検出部内に隣接して配置された２つの検知部を用いて放射線の照射状態を検知する放射線検知手段と、前記放射線検知手段による検知結果に応じて、前記駆動回路及び前記読出回路の動作を制御する制御手段とを有し、前記放射線検知手段は、一方の前記検知部による検知能力が、他方の前記検知部による検知能力よりも低く設定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、様々な照射条件に対して精度よく放射線を検知可能になり、より好適に放射線検知が可能な放射線撮像装置を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る放射線撮像装置の構成例を示す図である。
【図２】第１の実施形態に係る撮像装置の構成例を示す図である。
【図３】第１の実施形態に係る放射線撮像装置の動作例を示すタイミングチャートである。
【図４】第１の実施形態における放射線検知部の構成例を示す図である。
【図５】電流検出部のゲイン設定に応じた入出力特性を示す概念図である。
【図６】隣接する２つの放射線検知センサにそれぞれ接続された、電流検出部から出力される電圧値の例を示す概念図である。
【図７】第１の実施形態におけるゲイン設定テーブルの例を示す図である。
【図８】第１の実施形態における放射線検知部の他の構成例を示す図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る放射線撮像装置の構成例を示す図である。
【図１０】第２の実施形態に係る放射線撮像装置での放射線照射の検知動作の例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。なお、本発明において放射線は、放射線崩壊によって放出される粒子（光子を含む）の作るビームであるα線、β線、γ線などの他に、同程度以上のエネルギーを有するビーム、例えばＸ線や粒子線、宇宙線なども、含まれるものとする。
【００１３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態について説明する。
図１は、第１の実施形態に係る放射線撮像装置の構成例を示すブロック図である。なお、図１には、第１の実施形態に係る放射線撮像装置１１０に加え、放射線発生装置１１１及びその制御に係る制御卓１１２も図示している。本実施形態において、放射線撮像装置１１０と放射線発生装置１１１は、電気的には接続されておらず、信号のやりとりは生じない。放射線発生装置１１１は、制御卓１１２からの放射線照射条件に応じた放射線を照射する。
【００１４】
放射線撮像装置１１０は、撮像装置１００、放射線検知部１２０、及び判定部１２７を有する。撮像装置１００は、放射線を電気信号に変換する画素を複数備えた検出部１０１と、検出部１０１の駆動を行う駆動回路１０２と、検出部１０１からの電気信号を画像データとして出力する読出回路１０３と、を有する検出器（ＦＰＤ）１０４を含む。撮像装置１００は、更に、ＦＰＤ１０４からの画像データを処理して出力する信号処理部１０５と、各構成要素に夫々制御信号を供給してＦＰＤ１０４の動作を制御する制御部１０６と、各構成要素に夫々バイアスを供給する電源部１０７を含む。信号処理部１０５は、制御コンピュータ１０８から制御信号を受けて制御部１０６に提供する。また、信号処理部１０５は、放射線の照射期間に読出回路１０３から信号配線の電位情報を受け、制御コンピュータ１０８に伝送する。電源部１０７は、不図示の外部電源や内蔵バッテリーから電圧を受けて検出部１０１、駆動回路１０２、読出回路１０３で必要な電圧を供給するレギュレータ等の電源回路を内包している。
【００１５】
放射線検知部１２０は、放射線検知センサ１２１と、電流検出部１２２と、比較部１２３を含み、検出部１０１における放射線の照射状態を検知する。放射線検知センサ１２１は、照射された放射線を電流信号に変換する。電流検出部１２２は、放射線検知センサ１２１からの電流信号を検出して電圧信号に変換する。比較部１２３は、電流検出部１２２からの電圧信号と閾値電圧とを比較し、比較結果を信号ＳＩＧＡにより出力する。本実施形態においては、隣接する２つで１組の放射線検知センサ１２１を検出部１０１内に配置し、それぞれの放射線検知センサ１２１に電流検出部１２２が接続されている。判定部１２７は、放射線検知部１２０の比較部１２３のそれぞれからの信号ＳＩＧＡを受けて放射線の照射状態を判定し、判定結果を放射線検知信号ＳＩＧＢとして出力する。
【００１６】
なお、放射線検知センサ１２１は、検出部１０１の放射線照射面側に配置しているが、放射線照射面の反対側に配置してもよい。また、放射線の照射領域が絞られても確実に放射線照射を検知できるように、放射線検知センサ１２１は、検出部内の中央部に配置することが望ましい。本実施形態では、放射線検知センサ１２１は、放射線を直接電気信号に変換する直接型のセンサやＳｉフォトダイオードに放射線を可視光に変換する蛍光体を塗布した形態のものなどが用いられる。ただし、本発明はそれに限定されるものではなく、放射線検知センサは、検出部１０１を構成する配線の一部を含み、検出部１０１の所定の領域から放射線の照射状態を検知する信号を得るものでもよい。
【００１７】
次に、図２を用いて第１の実施形態に係る撮像装置を説明する。なお、図１を用いて説明した構成と同じものは同じ番号を付与してあり、詳細な説明は割愛する。また、図２では説明の簡便化のために３行×３列の画素を有するＦＰＤを含む撮像装置を示す。しかしながら、実際の撮像装置はより多くの画素を有し、例えば１７インチの撮像装置では約２８００行×約２８００列の画素を有している。
【００１８】
検出部１０１は、行列状に複数配置された画素を有する。本実施形態における画素は、放射線を電荷に変換する変換素子２０１と、その電荷に応じた電気信号を出力するスイッチ素子２０２と、を有する。本実施形態では、光を電荷に変換する光電変換素子として、ガラス基板等の絶縁性基板上に配置されアモルファスシリコンを主材料とするＭＩＳ型フォトセンサを用いる。変換素子としては、前述の光電変換素子の放射線入射側に放射線を光電変換素子が感知可能な波長帯域の光に変換する波長変換体を備えた間接型の変換素子や、放射線を直接電荷に変換する直接型の変換素子が好適に用いられる。スイッチ素子２０２としては、制御端子と２つの主端子を有するトランジスタが好適に用いられ、本実施形態では薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が用いられる。変換素子２０１の一方の電極はスイッチ素子２０２の２つの主端子の一方に電気的に接続され、他方の電極は共通のバイアス配線Ｂｓを介してバイアス電源１０７ａと電気的に接続される。
【００１９】
行方向の複数のスイッチ素子、例えばＴ１１、Ｔ１２、Ｔ１３は、それらの制御端子が１行目の駆動配線Ｇ１に共通に電気的に接続されており、駆動回路１０２からスイッチ素子の導通状態を制御する駆動信号が駆動配線を介して行単位で与えられる。列方向の複数のスイッチ素子、例えばＴ１１、Ｔ２１、Ｔ３１は、他方の主端子が１列目の信号配線Ｓｉｇ１に電気的に接続されており、スイッチ素子が導通状態である間に、変換素子の電荷に応じた電気信号を、信号配線を介して読出回路１０３に出力する。列方向に複数配列された信号配線Ｓｉｇ１〜Ｓｉｇ３は、複数の画素から出力された電気信号を並列に読出回路１０３に伝送する。
【００２０】
なお、本実施形態における画素は、変換素子２０１とスイッチ素子２０２とを有するものとして説明したが、それに限定されるものではない。信号配線Ｓｉｇ又は変換素子２０１とスイッチ素子２０２との間に少なくとも増幅用トランジスタを更に有する画素や、変換素子２０１や変換素子２０１と増幅用トランジスタとのノードを初期化する初期化用トランジスタを更に有する画素も含まれる。
【００２１】
読出回路１０３は、検出部１０１から並列に出力された電気信号を増幅する増幅回路２０７が信号配線毎に対応して複数設けられている。また、各増幅回路２０７は、出力された電気信号を増幅する積分増幅器２０３と、積分増幅器２０３からの電気信号を増幅する可変増幅器２０４と、増幅された電気信号をサンプルしホールドするサンプルホールド回路２０５と、バッファアンプ２０６とを含む。
【００２２】
積分増幅器２０３は、読み出された電気信号を増幅して出力する演算増幅器Ａと、積分容量Ｃｆと、リセットスイッチＲＣと、を有する。積分増幅器２０３には、積分容量Ｃｆの値を変えることで増幅率を変更することが可能な機構を備えている。演算増幅器Ａの反転入力端子には出力された電気信号が入力され、非反転入力端子には基準電源１０７ｂから基準電圧Ｖｒｅｆが入力され、出力端子から増幅された電気信号が出力される。また、積分容量Ｃｆが演算増幅器Ａの反転入力端子と出力端子の間に配置される。
【００２３】
サンプルホールド回路２０５は、各増幅回路２０７に対応して設けられ、サンプリングスイッチＳＨとサンプリング容量Ｃｈとによって構成される。また、読出回路１０３は、各増幅回路２０７から並列に読み出された電気信号を順次出力して直列信号の画像信号として出力するマルチプレクサ２０８と、画像信号をインピーダンス変換して出力するバッファ増幅器２０９と、を有する。バッファ増幅器２０９から出力されたアナログ電気信号である画像信号は、Ａ／Ｄ変換器２１０によってデジタルの画像データに変換されて、図１に示した信号処理部１０５へ出力される。信号処理部１０５で処理された画像データが制御コンピュータ１０８へ出力される。
【００２４】
駆動回路１０２は、制御部１０６から入力された制御信号（Ｄ−ＣＬＫ、ＯＥ、ＤＩＯ）に応じて、スイッチ素子を導通状態にする導通電圧Ｖｃｏｍと非導通状態とする非導通電圧Ｖｓｓを有する駆動信号を、各駆動配線に出力する。これにより、駆動回路１０２は、スイッチ素子の導通状態及び非導通状態を制御し、検出部１０１を駆動する。
【００２５】
図１に示す電源部１０７は、図２に示すバイアス電源１０７ａ、増幅回路の基準電源１０７ｂを含む。バイアス電源１０７ａは、バイアス配線Ｂｓを介して各変換素子の他方の電極に共通にバイアス電圧Ｖｓを供給する。基準電源１０７ｂは、各演算増幅器の正転入力端子に基準電圧Ｖｒｅｆを供給する。
【００２６】
図１に示す制御部１０６は、信号処理部１０５を介して装置外部の制御コンピュータ１０８等からの制御信号を受けて、駆動回路１０２、電源部１０７、読出回路１０３に各種の制御信号を与えてＦＰＤ１０４の動作を制御する。図１に示す制御部１０６は、図２に示す駆動回路１０２に制御信号Ｄ−ＣＬＫと制御信号ＯＥ、制御信号ＤＩＯを与えることによって、駆動回路１０２の動作を制御する。ここで、制御信号Ｄ−ＣＬＫは駆動回路として用いられるシフトレジスタのシフトクロックであり、制御信号ＤＩＯはシフトレジスタでの転送動作を開始させるパルス、ＯＥはシフトレジスタの出力端を制御するものである。また、制御部１０６は、図２に示す読出回路１０３に制御信号ΦＲＣ、制御信号ΦＳＨ、及び制御信号ΦＣＬＫを与えることによって、読出回路１０３の各構成要素の動作を制御する。ここで、制御信号ΦＲＣは積分増幅器のリセットスイッチの動作を、制御信号ΦＳＨはサンプルホールド回路２０５の動作を、制御信号ΦＣＬＫはマルチプレクサ２０８の動作を制御するものである。
【００２７】
次に、図１〜図３を用いて第１の実施形態に係る放射線撮像装置の動作を説明する。
まず、放射線撮像装置１１０に電源が投入されると、撮像装置１００の変換素子２０１にバイアス電圧Ｖｓが供給され、撮像装置１００は待機状態になる。待機状態では、変換素子Ｓ１１〜Ｓ３３に流れる暗電流をリセットするために空読み動作を繰り返し行う。空読み動作では、制御信号ΦＲＣがハイレベルとされ、導通状態とされるリセットスイッチＲＣにより積分増幅器２０３の積分容量Ｃｆ及び信号配線Ｓｉｇがリセットされる。また、駆動回路１０２に送られる制御信号ＤＩＯ及び制御信号Ｄ−ＣＬＫに同期して、駆動配線Ｇ１に導通電圧Ｖｃｏｍが与えられ、１行目の画素のスイッチ素子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３が導通状態とされる。このスイッチ素子の導通状態により、変換素子２０１がリセットされる。このようなスイッチ素子の導通状態の制御とリセットが２行目、３行目と順に繰り返し行われることにより、変換素子２０１のすべての画素がリセットされる。さらに空読み動作を継続するために、再度制御信号ＤＩＯが駆動回路１０２に送られ、１行目の駆動配線Ｇ１に導通電圧Ｖｃｏｍが与えられる。以上のように、待機状態である期間中は空読み動作が繰り返し行われる。
【００２８】
オペレータが制御卓１１２の操作を行うことにより、曝射要求信号を放射線発生装置１１１に与えると、直ちに放射線照射が開始される。撮像装置１００に放射線が照射されると、放射線検知部１２０が有する隣接する２つで１組の放射線検知センサ１２１にも放射線が照射されて、放射線検知部１２０からの検知結果が信号ＳＩＧＡにより判定部１２７に入力される。判定部１２７は、放射線検知信号ＳＩＧＡに基づいて放射線の照射状態を判定し、放射線検知信号ＳＩＧＢを信号処理部１０５に送る。このようにして、放射線照射が開始されると、放射線検知部１２０により放射線の照射開始が検知され、判定部１２７により放射線の照射開始を示す放射線検知信号ＳＩＧＢが信号処理部１０５に送られる。次に、放射線の照射開始を示す放射線検知信号ＳＩＧＢを受けた信号処理部１０５は、制御部１０６に対して、空読み動作を停止して動作状態を待機状態から蓄積状態に移行する信号を与える。これにより、撮像装置１００は待機状態から蓄積状態に移行する。蓄積状態である期間中はスイッチ素子２０２には非導通電圧Ｖｓｓが与えられており、すべての画素のスイッチ素子は非導通状態となる。
【００２９】
その後、放射線照射が終了すると、隣接する２つで１組の放射線検知センサ１２１を有する放射線検知部１２０により放射線の照射終了が検知され、判定部１２７により放射線の照射終了を示す放射線検知信号ＳＩＧＢが信号処理部１０５に送られる。次に、放射線の照射終了を示す放射線検知信号ＳＩＧＢを受けた信号処理部１０５は、制御部１０６に対して、動作状態を蓄積状態から読出し状態に移行する信号を与える。これにより、撮像装置１００は蓄積状態から読出し状態に移行する。読出し状態では、読出回路１０３が変換素子２０１に蓄積された電荷に応じた電気信号を画素から出力させ画素データとして出力するための本読み動作が行われる。
【００３０】
本読み動作では、まず制御信号ΦＲＣがパルス状にハイレベルとされることで導通状態とされるリセットスイッチＲＣにより積分容量Ｃｆ及び信号配線Ｓｉｇがリセットされる。次に、駆動回路１０２から１行目の駆動配線Ｇ１に導通電圧Ｖｃｏｍが与えられ、１行目の画素のスイッチ素子Ｔ１１、Ｔ１２、Ｔ１３が導通状態とされる。これにより、１行目の画素の変換素子Ｓ１１〜Ｓ１３で発生された電荷に基づく電気信号が各信号配線に出力される。各信号配線を介して並列に出力された電気信号は、それぞれ各増幅回路２０７の演算増幅器２０３及び可変増幅器２０４で増幅される。演算増幅器２０３及び可変増幅器２０４により増幅された電気信号のそれぞれは、制御信号ΦＳＨによりサンプルホールド回路２０５が動作することで、各増幅回路２０７内のサンプルホールド回路２０５に並列に保持される。サンプルホールド回路２０５に信号が保持された後、制御信号ΦＲＣがパルス状にハイレベルとされて積分容量Ｃｆ及び信号配線Ｓｉｇがリセットされる。リセットされた後、１行目と同様にして駆動回路１０２から２行目の駆動配線Ｇ２に導通電圧Ｖｃｏｍが与えられ、２行目の画素のスイッチ素子Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３が導通状態とされる。２行目の画素のスイッチ素子Ｔ２１、Ｔ２２、Ｔ２３が導通状態とされている期間内に、マルチプレクサ２０８がサンプルホールド回路２０５に保持されている電気信号を順次出力する。これにより、並列に読み出された１行目の画素からの電気信号は、直列の画像信号に変換して出力され、Ａ／Ｄ変換器２１０が１行分の画像データに変換して出力する。以上の動作を１行目から３行目に対して行単位で行うことにより、１フレーム分の画像データが撮像装置から出力される。
【００３１】
次に、図４を用いて第１の実施形態での放射線検知に係る動作について説明する。図４は、第１の実施形態における放射線検知部１２０の構成例を示す図である。放射線検知センサ１２１に放射線が照射されると、放射線検知センサ１２１には、照射された放射線の入力量に応じた電流ｉＰＤが流れる。さらに、電流検出部１２２の増幅器ａｍｐＸ１の反転入力端子と出力端子との間に接続されたフィードバック抵抗Ｒｒｅｆにも電流ｉＰＤが流れ、電流検出部１２２が有する増幅器ａｍｐＸ１により電流−電圧変換される。ここで、増幅器ａｍｐＸ１から出力される電圧値Ｖｏｕｔは、フィードバック抵抗Ｒｒｅｆの抵抗値と電流ｉＰＤの積で表せられる。つまり、フィードバック抵抗Ｒｒｅｆの抵抗値が増幅器ａｍｐＸ１のゲインに相当し、フィードバック抵抗Ｒｒｅｆの抵抗値を変えることで、増幅器ａｍｐＸ１から出力される電圧値を制御できる。
【００３２】
増幅器ａｍｐＸ１から出力される電圧値Ｖｏｕｔは、比較部１２３が有するコンパレータＣＭＰ１に入力され、任意の閾値電圧Ｖｔｈと比較される。放射線が照射されて放射線検知センサ１２１に電流が流れ、増幅器ａｍｐＸ１から出力される電圧値Ｖｏｕｔが閾値電圧Ｖｔｈを上回ると、コンパレータＣＭＰ１は信号ＳＩＧＡをハイレベルにして判定部１２７に出力する。判定部１２７は、隣接する２つで１組の放射線検知センサ１２１からの信号をそれぞれ受ける２つの比較部１２３が出力する信号ＳＩＧＡのいずれか１つがローレベルからハイレベルに変化すると、放射線照射が開始されたと判断する。また、判定部１２７は、放射線照射が開始されたと判断すると、放射線の照射開始を示す放射線検知信号ＳＩＧＢを信号処理部１０５に送る。そして、撮像装置１００は蓄積動作に移行する。
【００３３】
その後、放射線の照射が終了すると、増幅器ａｍｐＸ１から出力される電圧値Ｖｏｕｔが閾値電圧Ｖｔｈを下回り、コンパレータＣＭＰ１は信号ＳＩＧＡをローレベルにして判定部１２７に出力する。判定部１２７は、２つの比較部１２３が出力する信号ＳＩＧＡのいずれか１つがハイレベルからローレベルに変化すると、放射線照射が終了されたと判断する。また、判定部１２７は、放射線照射が終了されたと判断すると、放射線の照射終了を示す放射線検知信号ＳＩＧＢを出力する。そして、放射線の照射終了を示す放射線検知信号ＳＩＧＢは、信号処理部１０５に送られ、撮像装置１００は読出し動作に移行する。
【００３４】
本実施形態においては、検出部内に隣接して２つの放射線検知センサ１２１を配置し、それぞれの放射線検知センサ１２１に対応する電流検出部１２２のゲイン及び比較部１２３の閾値電圧Ｖｔｈを異なる設定にする。２つの放射線検知センサ１２１の一方については検知能力が高くなるように設定し、他方については検知能力が低くなるように設定する。ここで、電流検出部１２２において、フィードバック抵抗Ｒｒｅｆの抵抗値は、増幅器ａｍｐＸ１が正常に動作するダイナミックレンジに、増幅器ａｍｐＸ１の出力電圧が収まるように設定される。通常、Ｖｏｕｔ＝Ｒｒｅｆ×ｉＰＤの関係から、増幅器ａｍｐＸ１から出力される電圧値Ｖｏｕｔが、数十ｍＶ〜数Ｖの値になるようにフィードバック抵抗Ｒｒｅｆの抵抗値が設定される。フィードバック抵抗Ｒｒｅｆは、おおよそ１０5Ω〜１０9Ω程度の値が用いられる。
【００３５】
次に、電流検出部１２２のゲイン及び比較部１２３の閾値電圧Ｖｔｈの設定方法について説明する。放射線検知センサ１２１は、被写体を透過した放射線を検知する。放射線の照射条件は、被写体の撮影部位や体格、静止画や動画撮影といった撮影種類によって異なるため、撮影に応じて放射線検知センサ１２１に入力される放射線量は異なる。このため、放射線検知部１２０は、放射線撮影で用いられる、あらゆる放射線量に対応して、放射線を検知できるように構成される必要がある。
【００３６】
前述のように、増幅器ａｍｐＸ１から出力される電圧値Ｖｏｕｔが閾値電圧Ｖｔｈを超えると、放射線の照射開始が検知される。放射線検知部１２０の検知性能は、以下の点で決まる。
・ノイズ
・時間応答
・ＳＮ比
ここで、ノイズとは、放射線検知センサ１２１の暗電流や、フィードバック抵抗Ｒｒｅｆの熱雑音、増幅器ａｍｐＸ１の入力オフセット電流、コンパレータＣＭＰ１の入力オフセット電圧などが挙げられる。図４に示した放射線検知部１２０において、これらのノイズの特徴として、放射線検知センサ１２１の暗電流や増幅器ａｍｐＸ１の入力オフセット電流は、フィードバック抵抗Ｒｒｅｆの抵抗値に応じたゲインに比例して増幅される。一方、フィードバック抵抗Ｒｒｅｆの熱雑音やコンパレータＣＭＰ１の入力オフセット電圧は、フィードバック抵抗Ｒｒｅｆの抵抗値に応じたゲインに比例して増幅されない。つまり、放射線検知部１２０のノイズには、電流検出部１２２のゲインに比例して増幅されるノイズと比例して増幅されないノイズとが存在する。このため、放射線検知部１２０のノイズの総和は、電流検出部１２２のゲインに比例して増幅されない。
【００３７】
図５に、電流検出部１２２のゲイン設定が低い場合と高い場合の２種類の入出力特性の概念図を示している。図５において、ＶＯＬ１は電流検出部１２２のゲイン設定が低い場合の入出力特性を示し、ＶＯＨ１は電流検出部１２２のゲイン設定が高い場合の入出力特性を示している。また、ＮＬＬは電流検出部１２２のゲイン設定が低い場合におけるノイズレベルを示し、ＮＬＨは電流検出部１２２のゲイン設定が高い場合におけるノイズレベルを示している。
【００３８】
放射線検知センサ１２１への放射線入力量が小さい場合、電流検出部１２２のゲイン設定が低いと、増幅器ａｍｐＸ１から出力される電圧値Ｖｏｕｔに対して、ノイズレベルの割合が大きい。すなわち、ＳＮ比が小さい。一方、電流検出部１２２のゲイン設定が高い場合には、ノイズレベルの割合は小さくなる。すなわち、ＳＮ比が大きい。したがって、電流検出部１２２のゲインを高く設定することで、放射線検知部１２０でのＳＮ比を上げることができる。ここで、ＳＮ比とは、増幅器ａｍｐＸ１から出力される電圧値Ｖｏｕｔをノイズの総和で割ったものを指している。
【００３９】
しかし、電流検出部１２２のゲインを高くすると、増幅器ａｍｐＸ１の時定数値が大きくなり、電圧値Ｖｏｕｔの時間応答が悪化する。このため、実際に放射線照射が開始されてから放射線検知部１２０で放射線照射の開始を検知するまでの時間が増大してしまう可能性がある。また、放射線の終了を検知する際も、実際に放射線照射が終了されてから、それを検知するまでの時間が増大してしまう可能性がある。
【００４０】
そこで、本実施形態では、放射線検知センサ１２１の高ＳＮ比を確保するために電流検出部１２２のゲインを高く設定した放射線検知センサと、飽和を防ぐために電流検出部１２２のゲインを低く設定した放射線検知センサをそれぞれ隣接して配置する。隣接する２つの放射線検知センサ１２１からの信号をそれぞれ受ける２つの比較部１２３の出力は、判定部１２７に接続されている。そのため、２つの比較部１２３のうち電圧値Ｖｏｕｔが閾値電圧Ｖｔｈを先に上回った比較部１２３の出力により、放射線の照射開始が検知される。また、放射線の照射終了の場合においても、２つの比較手段１２３のうち電圧値Ｖｏｕｔが閾値電圧Ｖｔｈを先に下回った比較部１２３の出力により、放射線の照射終了が検知される。隣接した１組の放射線検知センサ１２１は、放射線撮影において放射線の照射野を絞られた場合でも検知できるように、検出部１０１内の中央領域に配置する。
【００４１】
図６は、隣接する２つの放射線検知センサ１２１にそれぞれ接続された、電流検出部１２２から出力される電圧値Ｖｏｕｔの例を示す概念図である。図６において、ＶＯＵＴ１は高ＳＮ比を確保するためにゲインを高く設定した電流検出部１２２から出力される電圧値Ｖｏｕｔの例を示している。また、ＶＯＵＴ２は飽和を防ぐためにゲインを低く設定した電流検出部１２２から出力される電圧値Ｖｏｕｔの例を示している。ゲインを高く設定した電流検出部１２２から出力される電圧値Ｖｏｕｔが閾値電圧ＬＶ１を上回ることで放射線の照射開始が検知される（Ｐ１）。また、ゲインを低く設定した電流検出部１２２から出力される電圧値Ｖｏｕｔが閾値電圧ＬＶ２を下回ることで放射線の照射終了が検知される（Ｐ２）。ゲインを高く設定した電流検出部１２２から出力される電圧値Ｖｏｕｔが飽和して飽和レベル電圧ＬＶ２になってしまった場合でも、ゲインを低く設定した電流検出部１２２から出力される電圧値Ｖｏｕｔにより放射線の照射終了を検知することができる。
【００４２】
図７は、撮影種類によるゲイン設定テーブルの一例を示す図である。本実施形態において、隣接して配置される２つの放射線検知センサ１２１が接続される電流検出部１２２のゲインは、実際の放射線撮影において使用される線量に基づいて設定する。２つの内、一方の放射線検知センサ１２１は、放射線の入力量が小さい場合でも放射線を検知できる程度に高いゲインを設定する。もう一方の放射線検知センサ１２１は、放射線の入力量が大きい場合に飽和することなく放射線を検知できるのに充分な低いゲインを設定する。例えば図７に示す例の場合には、１桁程度異なるゲインを設定する。
【００４３】
また、比較部１２３の閾値電圧Ｖｔｈは、電流検出部１２２のゲイン設定に応じて変更する。ゲインを高く設定した電流検出部１２２からの出力を受ける比較部１２３では、電流検出部１２２から出力される電圧値Ｖｏｕｔに重畳するノイズが大きくなるため、比較部１２３の閾値電圧Ｖｔｈは高く設定する。また、ゲインを低く設定した電流検出部１２２からの出力を受ける比較部１２３では、電流検出部１２２から出力される電圧値Ｖｏｕｔに重畳するノイズが小さいため、比較部１２３の閾値電圧Ｖｔｈは低く設定する。比較部１２３の閾値電圧Ｖｔｈが低い程、放射線の照射が開始されてから放射線検知部１２０で放射線の照射開始が検知されるまでの時間は短くできる。
【００４４】
本実施形態によれば、ゲイン設定を異ならせた２つの放射線検知センサ１２１を検出部内に隣接して配置することで、どちらか一方の検知系が飽和しても、もう一方の検知系で放射線の照射終了を検知することができる。したがって、放射線の照射開始と照射終了をともに精度よく検知することができる。なお、前述した説明では、ゲイン設定を異ならせた２つの放射線検知センサ１２１を隣接して配置した例を示したが、２つを組とするものに限定されるものではなく、３つ以上を１組とするものでもよい。その場合には、それぞれで異なるゲイン設定し、前述と同様にしていずれか１つの信号ＳＩＧＡの状態が変化したことによって放射線の照射開始や照射終了を検知すればよい。
【００４５】
前述した説明では、検出部１０１内に配置した放射線検知センサ１２１を用いたが、検出部１０１の内部に画像データを取得するための画像撮影用の画素とは別に、隣接する２つで１組の放射線検知用画素３２１を設けて、放射線照射を検知するようにしても良い。図８は、第１の実施形態における放射線検知部１２０の他の構成例を示す図である。図８に示す放射線検知部１２０は、放射線検知用画素３２１、積分回路３２２、及び比較部３２３を有する。
【００４６】
放射線検知用画素３２１は、例えばａ−Ｓｉを用いたＭＩＳ型センサで構成される。検出部１０１の内部に放射線検知用画素３２１を設けた場合には、前述した電流検出部１２２のゲイン設定の代わりに、放射線検知用画素３２１の感度を設定する。放射線検知用画素３２１の感度は、バイアス電圧値Ｖｓにより設定される。ａ−Ｓｉを用いたセンサでは、非晶質半導体のため未結合手によるトラップ準位が多数存在しているため、半導体内の電界強度によってトラップによる電子やホールの移動が活発になり、バイアス電圧値Ｖｓによって感度を変えることができる。
【００４７】
放射線検知用画素３２１に放射線が照射されると、光電荷が発生し、積分回路３２２の増幅器ａｍｐＸ２の反転入力端子と出力端子との間に接続されたフィードバック容量Ｃｆに蓄積される。なお、増幅器ａｍｐＸ２の非反転入力端子には基準電圧Ｖｒｅｆが入力されている。フィードバック容量Ｃｆの蓄積電荷に応じた電圧値Ｖｏｕｔが、比較部３２３が有するコンパレータＣＭＰ２に入力され、任意の閾値電圧Ｖｔｈと比較される。電圧値Ｖｏｕｔが閾値電圧Ｖｔｈを上回ると、コンパレータＣＭＰ２は信号ＳＩＧＡをハイレベルにして出力する。放射線検知が終了すると、積分回路３２２の増幅器ａｍｐＸ２の反転入力端子と出力端子との間に接続されたスイッチＳＷ１が導通状態とされ、放射線検知用画素３２１がリフレッシュされる。
【００４８】
図８に示した放射線検知部１２０を用いた場合においても、隣接する２つの放射線検知用画素３２１は、感度を高く（バイアス電圧値Ｖｓを大きく）設定した画素と、感度を低く（バイアス電圧値Ｖｓを小さく）設定した画素で構成される。これにより、放射線の照射によって、感度を高く設定した放射線検知用画素３２１が飽和した場合でも、感度を低く設定した放射線検知用画素３２１で放射線の照射終了を検知することができる。なお、放射線検知用画素３２１の感度の設定方法として、放射線検知用画素３２１の受光面積をそれぞれ変えてもよい。すなわち、感度を高く設定する放射線検知用画素３２１は受光面積を大きくし、感度を低く設定する放射線検知用画素３２１は受光面積を小さくする。
【００４９】
また、本実施形態において、検出部１０１のバイアス配線Ｂｓに流れる電流を検知することで、放射線照射の検知を行ってもよい。その場合には、隣接する２本のバイアス配線Ｂｓを１組とし、それぞれに前述した電流検出部１２２及び比較部１２３を接続する。この場合の放射線照射の判定方法は前述した方法と同様である。
【００５０】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態について説明する。
図９は、第２の実施形態に係る放射線撮像装置の構成例を示す図である。なお、第１の実施形態で説明したものと同じものは同じ番号を付与しており、詳細な説明は割愛する。
【００５１】
以下では、第２の実施形態と第１の実施形態の相違点について説明する。
第２の実施形態では、ゲイン設定が異なり、かつ隣接して配置される２つで１組の放射線検知センサ１２１を２組以上、検出部１０１内に配置する。放射線検知センサ１２１は、放射線の照射領域が絞られても確実に放射線の照射を検知できるように、少なくとも１組は検出部１０１内の中央部に配置する。また、２組以上の放射線検知センサ１２１のゲイン設定が同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００５２】
それぞれの放射線検知センサ１２１には、図４に示したように電流検出部１２２及び比較部１２３が接続され、それぞれのコンパレータＣＭＰ１からロジック信号ＳＩＧＡが出力される。判定部１２７は、２つのコンパレータＣＭＰ１からの信号ＳＩＧＡについてＯＲ判定を行い、放射線検知信号ＳＩＧＢを放射線判定部１３０に送る。放射線判定部１３０は、判定部１２７のそれぞれから放射線検知信号ＳＩＧＢが入力される。放射線判定部１３０は、放射線検知信号ＳＩＧＢに基づいて放射線の照射状態を判定し、判定結果を放射線判定信号ＳＩＧＣにより出力する。
【００５３】
放射線判定部１３０は、複数の判定部１２７からの放射線検知信号ＳＩＧＢのうちのいずれか１つの放射線検知信号ＳＩＧＢが入力されると、直ちに放射線判定信号ＳＩＧＣを出力するようにしても良い。この場合には、複数の放射線検知センサ１２１に係る放射線検知信号の内、最も早く検知された放射線検知信号を用いるため、放射線が照射されてから放射線検知部１２０で検知されるまでの時間を短くできる。また、放射線判定部１３０は、複数の判定部１２７からの放射線検知信号ＳＩＧＢのうちの２つ以上の放射線検知信号ＳＩＧＢが入力されてから、放射線判定信号ＳＩＧＣを出力するようにしても良い。この場合には、２つ以上の放射線検知信号を用いるため、誤検知の発生を低減でき、正確な放射線検知が可能となる。
【００５４】
また、次のような動作で、放射線の照射開始を検知するようにしても良い。図１０は、第２の実施形態に係る放射線撮像装置での放射線照射の検知動作の例を示すフローチャートである。撮像装置１００が待機動作を開始すると、放射線判定部１３０は、複数の判定部１２７からの放射線検知信号ＳＩＧＢのうち、いずれか１つの放射線検知信号ＳＩＧＢが放射線の照射開始を示す状態で入力されたか否かを判定する（Ｓ１０１）。その結果、すべての放射線検知信号ＳＩＧＢが放射線の照射開始を示す状態でない場合には、放射線判定部１３０は、放射線照射が検知されていないことを示す放射線判定信号ＳＩＧＣを信号処理部１０５に出力する。これにより、撮像装置１００は待機動作を継続し、空読み動作を繰り返し行う（Ｓ１０２）。
【００５５】
一方、いずれか１つの放射線検知信号ＳＩＧＢが放射線の照射開始を示す状態である場合には、放射線判定部１３０は、放射線の照射開始を示す放射線判定信号ＳＩＧＣを信号処理部１０５に出力する（Ｓ１０３）。そして、放射線の照射開始を示す放射線判定信号ＳＩＧＣを受けた信号処理部１０５は、制御部１０６に対して、空読み動作を停止する信号を与える。これにより、撮像装置１００は空読み動作を停止する（Ｓ１０４）。
【００５６】
続いて、放射線判定部１３０は、複数の判定部１２７からの放射線検知信号ＳＩＧＢのうちのさらに別の１つが放射線の照射開始を示す状態で入力されたか否かを判定する（Ｓ１０５）。その結果、別の１つの放射線検知信号ＳＩＧＢが放射線の照射開始を示す状態で入力された場合には、信号処理部１０５が、制御部１０６に対して、蓄積動作に移行する信号を与える。これにより、撮像装置１００は蓄積動作に移行する（Ｓ１０６）。
【００５７】
一方、所定の時間中に放射線の照射開始を示す状態で別の１つの放射線検知信号ＳＩＧＢが入力されなかった場合には、放射線判定部１３０は、放射線の照射開始が誤検知であったと判定する。そして、放射線判定部１３０は、撮像装置１００が待機動作を再開させるよう放射線判定信号ＳＩＧＣを信号処理部１０５に出力する。この放射線判定信号ＳＩＧＣを受けた信号処理部１０５は、制御部１０６に対して、待機動作に移行する信号を与える。これにより、撮像装置１００は待機動作に移行し空読み動作を再開する。
【００５８】
このように、放射線判定部１３０は、いずれか１つの放射線検知信号ＳＩＧＢが放射線の照射開始を示す状態で入力されることにより、放射線の照射開始を示す放射線判定信号ＳＩＧＣを出力し、一旦撮像装置１００の空読み動作を止める。その後、放射線の照射開始を示す状態の２つ目の放射線検知信号ＳＩＧＢが放射線判定部１３０に入力されれば、撮像装置１００はそのまま蓄積動作に移行する。もし、放射線の照射開始を示す状態の２つ目の放射線検知信号ＳＩＧＢが放射線判定部１３０に入力されなければ、誤検知と判定し、放射線判定部１３０は、再度待機駆動すなわち空読み動作を再開させるように、撮像装置１００に対して信号を送る。これにより、放射線照射の開始の誤検知を低減し、かつ空読み動作による変換素子２０１からの信号の流出を少なくすることができる。
【００５９】
第２の実施形態では、ゲイン設定が異なり、隣接する２つで１組の放射線検知センサ１２１を２組以上配置することで、検知系の飽和による放射線の照射終了の検知精度悪化を防ぎ、かつ図１０に示した判定方法により、検知精度の高い放射線撮像装置を実現できる。
【００６０】
（本発明の他の実施形態）
また、本発明は、以下の処理を実行することによっても実現される。即ち、前述した実施形態の機能を実現するソフトウェア（プログラム）を、ネットワーク又は各種記憶媒体を介してシステム或いは装置に供給し、そのシステム或いは装置のコンピュータ（またはＣＰＵやＭＰＵ等）がプログラムを読み出して実行する処理である。
【００６１】
なお、前記実施形態は、何れも本発明を実施するにあたっての具体化のほんの一例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１００  撮像装置、１０１  検出部、１０２  駆動回路、１０３  読出回路、１０４  検出器（ＦＰＤ）、１０５  信号処理部、１０６  制御部、１０７  電源部、１０８  制御コンピュータ、１１０  放射線撮像装置、１２０  放射線検知部、１２１  放射線検知センサ、１２２  電流検出部、１２３  比較部、１２７  判定部、１３０  放射線判定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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