(57)【要約】【課題】発光中心波長が３８０ｎｍ〜４２０ｎｍの近紫外ＬＥＤ素子を実装した場合にも、その発光光を効率よく利用して、出力光量を増加することができるようにする。【解決手段】基材１０の一表面に電極１２，１３を配置し、その基材１０の上面の電極１２，１３が配置されていない領域全体に、無機バインダに白色無機顔料が分散又は混合された白色無機レジストによって白色無機レジスト層１１を形成して、光反射性基板１′を構成する。その白色無機レジスト層１１は、白色無機顔料がチタン酸バリウムである第１層１１ａと、アルミナである第２層１１ｂとが基材１０側から積層して形成する。その光反射性基板１′上にＬＥＤ素子２を搭載し、その第１、第２バンプ２３，２４を電極１２，１３と接合して、互いに電気的に接続すると共に機械的に固着する。そのＬＥＤ素子２を覆うように封止体３を設けている。【選択図】    図８
2014017303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材の一表面に電極と白色無機レジスト層とが形成された光反射性基板と、
該光反射性基板の前記白色無機レジスト層が形成された面側に、前記電極と少なくとも電気的に接続されて実装されたＬＥＤ素子とを有するＬＥＤ光源装置において、
前記白色無機レジスト層は、無機バインダに白色無機顔料が分散又は混合されたもので形成され、前記基材の表面側から第１層と第２層とによって構成されており、
前記第１層の白色無機顔料は、前記第２層の白色無機顔料よりも可視光域全域の光に対して大きい屈折率を有し、
前記第２層は、前記第１層に比べて少なくとも近紫外光に対する全反射率が高く、可視光域から近紫外光域までの全域に亘って全反射率が均一である
ことを特徴とするＬＥＤ光源装置。
【請求項２】
前記第１層の白色無機顔料は、チタン酸バリウム又は酸化チタンあるいはその両方であり、
前記第２層の白色無機顔料はアルミナ、タルク、水酸化アルミニウム、べーマイト、硫酸バリウム、焼成カオリンのうちのいずれかあるいは複数の組合せである
ことを特徴とする請求項１に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項３】
前記第１層の白色無機顔料はチタン酸バリウムであり、
前記第２層の白色無機顔料はアルミナである
ことを特徴とする請求項２に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項４】
前記基材の一表面全体に前記白色無機レジスト層が形成され、該白色無機レジスト層の上面に前記電極が配置されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項５】
前記電極が前記基材の一表面に直接配置され、前記白色無機レジスト層が、前記基材の一表面における前記電極が配置されていない領域に形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項６】
前記ＬＥＤ素子が近紫外ＬＥＤ素子であり、
前記光反射性基板の該近紫外ＬＥＤ素子を搭載した側に、該近紫外ＬＥＤ素子を覆う封止体を備え、該封止体は蛍光体が分散された透光性を有する樹脂材料によって形成されていることを特徴とする請求項１から５のいずれか一項に記載のＬＥＤ光源装置。
【請求項７】
基材の一表面に白色無機レジスト層が形成された光反射性基板において、
前記白色無機レジスト層は、無機バインダに白色無機顔料が分散又は混合されたもので形成され、前記基材の表面側から第１層と第２層とによって構成されており、
前記第１層の白色無機顔料は、前記第２層の白色無機顔料よりも可視光域全域の光に対して大きい屈折率を有し、
前記第２層は、前記第１層に比べて少なくとも近紫外光に対する全反射率が高く、可視光域から近紫外光域までの全域に亘って全反射率が均一である
ことを特徴とする光反射性基板。
【請求項８】
前記第１層の白色無機顔料は、チタン酸バリウム又は酸化チタンあるいはその両方であり、
前記第２層の白色無機顔料はアルミナ、タルク、水酸化アルミニウム、べーマイト、硫酸バリウム、焼成カオリンのうちのいずれかあるいは複数の組合せである
ことを特徴とする請求項７に記載の光反射性基板。
【請求項９】
前記第１層の白色無機顔料はチタン酸バリウムであり、
前記第２層の白色無機顔料はアルミナである
ことを特徴とする請求項８に記載の光反射性基板。
【請求項１０】
前記基材の一表面全体に前記白色無機レジスト層が形成され、該白色無機レジスト層の上面に電極が配置されていることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の光反射性基板。
【請求項１１】
前記基材の一表面に電極が直接配置され、前記白色無機レジスト層が、前記基材の一表面における前記電極が配置されていない領域に形成されていることを特徴とする請求項７から９のいずれか一項に記載の光反射性基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光反射性基板にＬＥＤ素子を実装したＬＥＤ光源装置と、それに使用する光反射性基板に関する。ここで、「ＬＥＤ」はLight Emitting Diodeすなわち「発光ダイオード」である。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ素子は、消費電力が極めて少なく長寿命で、熱の発生も少ない極めて小型の光源素子であり、液晶表示パネルのバックライトを含む各種表示用や装飾用、計器等の照明用などの光源として多用されていた。さらに、最近は特にその節電効果と長寿命で安全性が高い点に着目され、白熱電球や蛍光灯などに代わる一般の照明用や車両の前照灯などの各ランプにまで、ＬＥＤ素子を実装したＬＥＤ光源装置を所要数搭載した照明装置が製品化され、広く使用されるようになってきた。
【０００３】
そのため、近年ＬＥＤ素子の発光輝度は益々高くなってきているが、照明用光源の場合には、明るさとともに自然で演色性がよくソフトな白色光が好まれるため、色純度が高く点発光的な光源素子であるＬＥＤによって、直接その要求を満たすのは難しかった。
【０００４】
そこで、電極を形成した基板上にＬＥＤ素子を実装し、蛍光体を分散させた封止体で封止してＬＥＤパッケージを構成し、ＬＥＤ素子が発光する狭い波長帯域の光を蛍光体に当てて一旦吸収させ、広い波長帯域の光に変換させることによって、演色性がよい白色光あるいは擬似白色光を放射するようにしたＬＥＤ光源装置が種々開発されている。
【０００５】
その場合、ＬＥＤ素子が発光する光を基板に吸収されることなく効率よく蛍光体に当て、ロス無く利用できるように、基板表面の電極が形成された部分以外を反射性の高い膜あるいは層で覆う技術も知られている。
【０００６】
例えば、特許文献１には、回路基板の上面に電極と酸化チタンの微粒子を含む白色インク層とを形成し、その回路基板上にＬＥＤ素子をフリップチップ実装して、その全面を蛍光体を含有した樹脂層で覆った半導体発光装置（ＬＥＤ装置）が開示されている。
【０００７】
また、特許文献２にも、絶縁性及び耐熱性を有する基材の上面に電極を形成するとともに、その電極を除く領域に白色無機レジスト層を形成し、その電極上にＬＥＤ素子を接合してワイヤボンド実装し、そのＬＥＤ素子を覆うように全面を蛍光体が混入された透明性を有する樹脂によって封止したＬＥＤ光源装置が開示されている。
【０００８】
その白色無機レジスト層は、例えば無機バインダとして機能するシリカゾル、オルガノポリシロキサン等に白色無機微粒子である酸化チタン等のフィラーを分散又は混合させた、セラミックインクとも称される白色無機レジストで形成される。特許文献１で使用される白色インクも同様なものである。このようなＬＥＤ光源装置によれば、ＬＥＤ素子が発光する光を効率よく利用して明るい白色光を得ることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２０１２−１５４３７号公報（図１４、図１５、段落００３５〜００３９）
【特許文献２】国際公開第２０１２／００２５８０号パンフレット（図１、第７〜１０頁）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このような従来のＬＥＤ光源装置において、基板上に形成される白色インク層や白色無機レジスト層は、その白色無機微粒子（顔料）として一般に酸化チタン（ＴｉＯ２）が使用されており、波長が４２０ｎｍ程度までの可視光域の光に対しては高い反射特性を有している。そのため、ＬＥＤ素子の発光中心波長が４５０ｎｍ程度の青色光であれば、高い反射性が得られる。ところが、近年、発光中心波長が３８０ｎｍ〜４２０ｎｍの紫あるいはそれより短波長の近紫外光を発光する高効率のＬＥＤ素子（ＮＵＶ−ＬＥＤ又は近紫外ＬＥＤと称される素子）が開発され、そのＬＥＤ素子と赤色、緑色、青色の３波長型の蛍光体とを組み合わせることによって、より演色性に富んだ白色光が得られるＬＥＤ光源装置が実現可能になった。
【００１１】
しかしながら、顔料として酸化チタン等を使用した従来の白色インク層や白色無機レジスト層では、光の波長が４２０ｎｍ程度より短くなるとその反射率が急激に低下し、上述した近紫外ＬＥＤが発光する光を効率よく反射して利用することができないという問題が発生した。
【００１２】
この発明は上記の問題を解決するためになされたものであり、発光中心波長が３８０ｎｍ〜４２０ｎｍの近紫外ＬＥＤ素子を実装した場合にも、その発光光を効率よく利用して、出力光量を増加することができるＬＥＤ光源装置及び光反射性基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
この発明は、基材の一表面に電極と白色無機レジスト層とが形成された光反射性基板と、その光反射性基板の上記白色無機レジスト層が形成された面側に、上記電極と少なくとも電気的に接続されて実装されたＬＥＤ素子とを有するＬＥＤ光源装置において、
上記の目的を達成するため、上記白色無機レジスト層を、無機バインダに白色無機顔料が分散又は混合されたもので形成し、上記基材の表面側から第１層と第２層とによって構成する。
【００１４】
そして、上記第１層の白色無機顔料は、上記第２層の白色無機顔料よりも可視光域全域の光に対して大きい屈折率を有し、上記第２層は、上記第１層に比べて少なくとも近紫外光に対する全反射率が高く、可視光域から近紫外光域までの全域に亘って全反射率が均一であることを特徴とする。
【００１５】
上記第１層の白色無機顔料を、チタン酸バリウム又は酸化チタンあるいはその両方とし、上記第２層の白色無機顔料を、アルミナ、タルク、水酸化アルミニウム、べーマイト、硫酸バリウム、焼成カオリンのうちのいずれかあるいは複数の組合せにするとよい。
【００１６】
上記第１層の白色無機顔料をチタン酸バリウムとし、上記第２層の白色無機顔料をアルミナにすると特によい。
【００１７】
上記基材の一表面全体に上記白色無機レジスト層を形成し、その白色無機レジスト層の上面に上記電極を配置してもよい。
【００１８】
あるいは、上記電極を上記基材の一表面に直接配置し、上記白色無機レジスト層を上記基材の一表面における電極が配置されていない領域に形成するようにしてもよい。
【００１９】
上記ＬＥＤ素子を近紫外ＬＥＤ素子とし、上記光反射性基板の近紫外ＬＥＤ素子を搭載
した側に、その近紫外ＬＥＤ素子を覆う封止体を備え、その封止体を蛍光体が分散された透光性を有する樹脂材料によって形成するとよい。
【００２０】
この発明はまた、上記ＬＥＤ光源装置に使用する光反射性基板も提供する。
【００２１】
すなわち、基材の一表面に白色無機レジスト層が形成された光反射性基板において、前述した目的を達成するため、上記白色無機レジスト層を、無機バインダに白色無機顔料が分散又は混合されたもので形成し、上記基材の表面側から第１層と第２層とによって構成する。その第１層の白色無機顔料は、第２層の白色無機顔料よりも可視光域全域の光に対して大きい屈折率を有し、上記第２層は、第１層に比べて少なくとも近紫外光に対する全反射率が高く、可視光域から近紫外光域までの全域に亘って全反射率が均一であることを特徴とする。
【００２２】
その第１層と第２層の白色無機顔料を、それぞれ前述したＬＥＤ光源装置における白色無機レジスト層の場合と同様に選択するとよい。
【００２３】
また、上記基材の一表面における上記白色無機レジスト層と電極の配置も、前述したＬＥＤ光源装置の場合と同様にするとよい。
【発明の効果】
【００２４】
この発明によるＬＥＤ光源装置及び光反射性基板は、基材上の白色無機レジスト層が、可視光域から近紫外光域までほぼ均一な高い反射率を有するので、発光中心波長が３８０ｎｍ〜４２０ｎｍの近紫外ＬＥＤ素子を実装しても、その発光光を効率よく利用して、出力光量を増加することができる。それによって、演色性に富んだ明るい白色光を効率よく得ることも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】この発明による光反射性基板の基本的な実施形態を示す概略断面図である。
【図２】一般的な青色ＬＥＤ素子の発光光及びそれを蛍光体によって波長変換した光の輝度分布特性例と、従来の白色無機顔料を酸化チタンとした一層の白色無機レジスト層の全反射率特性例とを示す線図である。
【図３】一般的な近紫外ＬＥＤ素子の発光光及びそれを蛍光体によって波長変換した光の輝度分布特性例と、従来の白色無機顔料を酸化チタンとした一層の白色無機レジスト層の全反射率特性例とを示す線図である。
【図４】基材表面とそれに従来の各種白色無機顔料による一層の白色無機レジスト層を形成した場合の波長域３６０ｎｍ〜７４０ｎｍにおける全反射率特性例を示す線図である。
【図５】同じくその波長域３８０ｎｍ〜４５０ｎｍにおける全反射率特性例を波長のスケールを拡大して示す線図である。
【図６】基材表面とそれに白色無機顔料に酸化チタンとチタン酸バリウムを個別に用いた二層（この発明）と、混合して用いた一層の白色無機レジスト層をそれぞれ形成した場合の波長域３６０ｎｍ〜７４０ｎｍにおける全反射率特性例を示す線図である。
【図７】同じくその波長域３８０ｎｍ〜４５０ｎｍにおける全反射率特性例を波長のスケールを拡大して示す線図である。
【図８】この発明によるＬＥＤ光源装置の第１の実施形態を示す概略断面図である。
【図９】ＬＥＤ素子の内部構造の一例を示す概略断面図である。
【図１０】この発明によるＬＥＤ光源装置の第２の実施形態を示す概略断面図である。
【図１１】この発明によるＬＥＤ光源装置の第３の実施形態を示す概略断面図である。
【図１２】この発明によるＬＥＤ光源装置の第４の実施形態を示す概略断面図である。
【図１３】この発明によるＬＥＤ光源装置の第５の実施形態を示す概略断面図である。
【図１４】この発明によるＬＥＤ光源装置の第６の実施形態を示す概略断面図である。
【図１５】この発明によるＬＥＤ光源装置の第７の実施形態を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、この発明を実施するための形態を図面に基づいて具体的に説明する。
【００２７】
〔光反射性基板の基本的な実施形態〕
先ず、この発明による光反射性基板の基本的な実施形態について説明する。図１はその光反射性基板の基材の厚さ方向に沿う概略断面図である。
【００２８】
この図１に示す光反射性基板１は、板状の基材１０の一表面（図では上面）の全面に白色無機レジスト層１１を形成したものである。
【００２９】
その白色無機レジスト層１１は、無機バインダに白色無機顔料が分散又は混合された白色無機レジストで形成され、基材１０の表面側から第１層１１ａと第２層１１ｂとによって構成されている。なお、図示の都合上、白色無機レジスト層１１の厚さを大幅に拡大して示しているが、基材１０の厚さが数百μｍから１ｍｍ程度であるのに対して、白色無機レジスト層１１の厚さは２層で１００μｍ以下、好ましくは３０〜４０μｍ程度である。
【００３０】
その第１層１１ａの白色無機顔料は、第２層１１ｂの白色無機顔料よりも可視光域全域の光に対して大きい屈折率を有し、第２層１１ｂは、第１層１１ａに比べて少なくとも近紫外光に対する全反射率が高く、可視光域から近紫外光域までの全域に亘って全反射率が均一である。
【００３１】
ここで均一とは、±数％程度の全反射率の変化は誤差範囲として含むものとする。
【００３２】
また、入射角＝反射角となる正反射する光の割合である正反射率（％）と、それ以外の反射光の割合である拡散反射率（％）との合計を全反射率（％）という。一般にはこの全反射率を反射率と称している。
【００３３】
基材１０には、例えばガラスクロスと無機フィラーにより熱安定性と寸法安定性を強化したエポキシ樹脂（ガラスエポキシ樹脂）を使用するとよい。しかし、絶縁性と耐熱性を有する他の材料、例えば一般に配線基板用基材として使用されているベークライト、通常のエポキシ樹脂よりも耐熱性に優れているＢＴレジン基材やシリコーン基材、セラミックス基材であるアルミナや窒化アルミ等を使用してもよい。さらに、基材として放熱性に優れた金属基材であるアルミや銅等を使用してもよい。
【００３４】
また、ＬＥＤ素子を搭載する側の表面全体に隠蔽性と反射率が高い白色無機レジスト層１１を形成するので、下地基材として反射率が低い有色系エポキシ樹脂、シリコーン、窒化アルミ（反射率４０％程度）や、透明なガラス等も利用することができる。
【００３５】
白色無機レジスト層１１の第１層１１ａ及び第２層１１ｂはいずれも、無機バインダとして機能するシリカゾルやオルガノポリシロキサンに、白色無機顔料の微粒子のフィラーを分散又は混合させた白色無機レジスト（「白色セラミックインク」とも称される）によって形成する。
【００３６】
すなわち、その白色無機レジストを基材１０の一表面にスクリーン印刷等によって配置した後、１５０℃程度の雰囲気下で硬化させて第１層１１ａを形成し、その第１層１１ａ全表面に再び白色無機レジストをスクリーン印刷等によって配置した後、１５０℃程度の雰囲気下で硬化させて第２層１１ｂを形成する。
【００３７】
その第１層１１ａの白色無機顔料は、第２層１１ｂの白色無機顔料よりも可視光域全域の光に対して大きい屈折率を有する必要がある。白色無機顔料の屈折率が大きい方がバインダとの屈折率差が大きくなり、反射率が高くなる。それによって隠蔽性も高くなり、基材１０が有色の場合は基材の表面（下地）の色が見えなくなる。基材１０が透光性の場合は基材内部への光の侵入を防ぐことが出来る。
【００３８】
第１層１１ａの白色無機顔料としては、可視光域の光に対する屈折率が２．０以上の顔料が望ましく、チタン酸バリウム（２．４）又は酸化チタン（２．７）あるいはその両方を使用することができる。括弧内の数値は、各物質の可視光域の光に対する代表的な屈折率を示している。
【００３９】
また、第２層１１ｂの白色無機顔料としては、可視光域の光に対する屈折率が２．０未満の顔料が望ましく、アルミナ（１．７６）、タルク（１．６２）、水酸化アルミニウム（１．５７）、べーマイト（１．６５）、硫酸バリウム（１．６４）、焼成カオリン（１．６２）のうちのいずれか、あるいはこれらの複数を組合せて使用するとよい。括弧内の数値は、同じく可視光域の光に対する屈折率を示している。
【００４０】
可視光域とは通常、紫色光から赤色光までの波長が約３８０ｎｍ〜約７７０ｎｍの光域を云い、近紫外光域とは、紫外光のうちで可視光（紫色光）に近い波長域で、一般には約３１５ｎｍ〜約３８０ｎｍの光域とされている。この明細書中での可視光域と近紫外光域もこれに準じている。
【００４１】
しかし、近年開発された近紫外ＬＥＤ（ＮＵＶ−ＬＥＤ）素子は、その発光中心波長が３８０ｎｍ〜４２０ｎｍにあり、可視光のうち紫外光に最も近い紫色光を発光するものが多く、従来の青色ＬＥＤ素子よりは発光中心波長が短波長になっている。しかし、必ずしも一般に定義されている近紫外光域に発光中心波長を有するものではない。
【００４２】
ここで、一般的な青色ＬＥＤ素子の発光光及びそれを蛍光体によって波長変換した光の輝度分布特性例と、従来の白色無機顔料を酸化チタンとした一層の白色無機レジスト層の全反射率特性例とを図２に示す。
【００４３】
この図２において、２つのピークを有する曲線がＬＥＤ光源装置の出力光の輝度分布特性を示し、その輝度の単位は任意であり、その出力光の波長ごとの相対的な輝度を示している。
【００４４】
そして、波長約４５０ｎｍをピークとするピーク曲線ａは、青色ＬＥＤ素子の発光光の輝度分布であり、発光中心波長の約４５０ｎｍに鋭いピークを有する狭い波長帯域の青色光であることが分かる。また、波長約５５０ｎｍをピークとするピーク曲線ｂは、蛍光体によって波長変換された光の輝度分布であり、ＬＥＤ素子の青色光と蛍光体により変換された黄色光からなる擬似白色光であることが分かる。
【００４５】
一方、×印でプロットした実線の曲線ｅは、白色無機顔料を酸化チタンとした一層の白色無機レジスト層の全反射率特性例を示している。これは波長７５０ｎｍから約４３０ｎｍまで全反射率が約９０％で一定の高い値を示しており、青色ＬＥＤ素子の発光域でも充分高い全反射率を有している。したがって、青色ＬＥＤ素子を実装したＬＥＤ光源装置の場合は、基材の表面に白色無機顔料を酸化チタンとした一層の白色無機レジスト層を形成するだけで、青色ＬＥＤ素子の発光光及びそれを蛍光体によって波長変換した出力光の全波長域の光を殆ど反射して、効率よく利用することができる。
【００４６】
これに対して、図３は一般的な近紫外ＬＥＤ素子の発光光及びそれを蛍光体によって波長変換した光の輝度分布特性例と、従来の白色無機顔料を酸化チタンとした一層の白色無機レジスト層の全反射率特性例とを示す。
【００４７】
この図３において、波長約４１５ｎｍをピークとするピーク曲線ｃは、近紫外ＬＥＤ素子の発光光の輝度分布であり、発光中心波長の約４１５ｎｍに高く鋭いピークを有し、青色ＬＥＤ素子の場合より狭い波長帯域の紫色光であることが分かる。また、波長約６２５ｎｍをピークとするピーク曲線ｄは、蛍光体によって波長変換された光の輝度分布であり、赤色から青色に亘るより広い波長域の光に変換されていることが分かる。
【００４８】
一方、×印でプロットした実線の曲線ｅは、図２と同じ白色無機顔料を酸化チタンとした一層の白色無機レジスト層の全反射率特性例を示している。これは波長７５０ｎｍから約４３０ｎｍまでは全反射率が約９０％で一定の高い値を示しているが、それより短い波長域では全反射率が急激に低下し、この近紫外ＬＥＤ素子の発光中心波長の約４１５ｎｍでは７０％程度に低下する。近紫外ＬＥＤ素子の発光中心波長がさらに短い場合には、全反射率の低下が一層大きくなる。
【００４９】
したがって、近紫外ＬＥＤ素子を実装したＬＥＤ光源装置の場合は、基材の表面に白色無機顔料を酸化チタンとした一層の白色無機レジスト層を形成しただけでは、近紫外ＬＥＤ素子の発光光を無駄なく反射して効率よく利用することはできないことが明らかである。
【００５０】
ここで、図４に基材表面とそれに従来の各種白色無機顔料による一層の白色無機レジスト層を形成した場合の波長域３６０ｎｍ〜７４０ｎｍにおける全反射率特性例を示す。図５には、その波長域３８０ｎｍ〜４５０ｎｍにおける全反射率特性例を波長のスケールを拡大して示す。
【００５１】
これらの図から明らかなように、実線ｆで示す基材表面の特性は、波長が７００ｎｍ程度の光（赤色光）に対しては７０％以上の全反射率を有するが、光の波長が短くなる程全反射率が低下し、波長が４００ｎｍの光（紫色光）に対しては３０％程度の全反射率しかない。
【００５２】
その基材表面に、白色無機顔料が酸化チタン（ＴｉＯ２）である一層の白色無機レジスト層を形成した場合（破線ｇで示す）と、白色無機顔料がチタン酸バリウムである一層白色無機レジスト層を形成した場合（二点鎖線ｈで示す）の全反射率特性は、いずれも可視光域の７５０ｎｍ（赤色光）から４２０ｎｍ（青色光）程度までは、ほぼ均一で９０％近い高い全反射率を有する。しかし、破線ｇで示す前者は波長が約４２０ｎｍより短い短波長域で、二点鎖線ｈで示す後者でも波長が約４００ｎｍより短い短波長域では、いずれも全反射率が急激に低下する。
【００５３】
これに対して、白色無機顔料がアルミナである一層の白色無機レジスト層を形成した場合（点線ｉで示す）の全反射率特性は、可視光域の７５０ｎｍから４００ｎｍ位までは、前述した白色無機顔料が酸化チタン又はチタン酸バリウムである場合よりも全反射率が幾分低いが、それでも８０％以上の高い値でほぼ均一である。さらに、波長が約４００ｎｍより短い紫色光や近紫外光の光域でも全反射率が殆ど低下せず、約８０％を維持している。
【００５４】
そこで、基材表面とそれに白色無機顔料に酸化チタンとチタン酸バリウムを個別に用いた二層（この発明）、および混合して用いた一層の白色無機レジスト層をそれぞれ形成した場合の波長域３６０ｎｍ〜７４０ｎｍにおける全反射率特性例を図６に示す。図７には
、同じくその波長域３８０ｎｍ〜４５０ｎｍにおける全反射率特性例を波長のスケールを拡大して示す。
【００５５】
基材表面の全反射率特性（実線ｆで示す）は、図４及び図５に示した例と同様である。一方、その基材表面に、白色無機顔料にチタン酸バリウムを用いた下層（第１層）と、白色無機顔料にアルミナを用いた上層（第２層）の白色無機レジスト層を積層して形成した場合（二点鎖線ｊで示す）の全反射率特性は、可視光域の７５０ｎｍから４００ｎｍ位までは、全反射率がほぼ９０％の一定値を維持し、４００ｎｍより短い波長域では全反射率が徐々に低下はするが、波長３８０ｎｍの光に対しても約８５％の高い全反射率を有している。
【００５６】
白色無機顔料に酸化チタンを用いた下層（第１層）と、白色無機顔料にアルミナを用いた上層（第２層）の白色無機レジスト層を積層して形成した場合（点線ｋで示す）の全反射率特性は、可視光域の７５０ｎｍから４２０ｎｍ位までは、二点鎖線ｊで示した上述の場合とほぼ同じで、全反射率がほぼ９０％の一定値を維持し、４２０ｎｍより短い波長域では全反射率が徐々に低下はするが、波長３９０ｎｍの光に対しても約８０％の高い全反射率を有している。
【００５７】
したがって、基材表面にこれらの二層の白色無機レジスト層を形成すれば、図３に示したような発光中心波長が約４１５ｎｍの近紫外ＬＥＤ素子を実装した場合でも、その発光光のうちこれらの層（膜）に入射する光のほぼ９０％を反射して利用可能にすることができる。
【００５８】
これに対して、白色無機顔料としてアルミナとチタン酸バリウムを混合して使用した一層の白色無機レジスト層を形成した場合（破線ｍで示す）の全反射率特性も、可視光域の７５０ｎｍから４２０ｎｍ位までは、８５％程度の全反射率を有し、波長が５５０ｎｍから４２０ｎｍの光域では短波長になるに連れて全反射率が若干高くなるが、４２０ｎｍより短い波長域では全反射率が低下し始め、４００ｎｍ以下の波長域では全反射率が急激に低下する。
【００５９】
そのため、発光中心波長が約４１５ｎｍの近紫外ＬＥＤ素子を実装した場合には、その発光光のうちこれらの層（膜）に入射する光のほぼ８５％程度を反射して利用可能にすることはできるが、上述の二層の白色無機レジスト層を形成した場合と比べるとその反射率が低い。さらに、発光中心波長が４００ｎｍ以下の近紫外ＬＥＤ素子を実装した場合には、その発光光に対する反射率がかなり低下してしまうため、その発光光を効率よく利用することができなくなる。
【００６０】
そのため、図１に示した光反射性基板１では、基材１０の一表面（ＬＥＤ素子を実装する側の面）に、基材１０の表面側から第１層１１ａと第２層１１ｂの白色無機レジスト層を積層した白色無機レジスト層１１を、無機バインダに下記の白色無機顔料が分散又は混合された白色無機レジストによって形成している。
【００６１】
その第１層１１ａの白色無機顔料には屈折率が大きいチタン酸バリウム（屈折率２．４）を使用し、第２層１１ｂの白色無機顔料には可視光域から紫外光域まで吸収域を持たず屈折率が可視光域全域の光に対してそれより小さいアルミナ（屈折率１．７６）を使用する。それによって、図４及び図５に示したように、第２層１１ｂ（白色無機顔料がアルミナ）は、第１層１１ａ（白色無機顔料がチタン酸バリウム）に比べて、少なくとも近紫外光に対する全反射率が高く、可視光域から近紫外光域までの全域に亘って全反射率が均一でしかも約８０％の高さを有する。
【００６２】
そして、白色無機レジスト層１１全体の全反射率特性は、図６及び図７に二点鎖線ｊで示したように、可視光域の７５０ｎｍから４００ｎｍ位までは、全反射率がほぼ９０％の一定値を維持し、４００ｎｍより短い波長域では全反射率が徐々に低下はするが、波長３８０ｎｍの光に対しても約８５％の全反射率を有する。
【００６３】
したがって、この光反射性基板１に近紫外ＬＥＤ素子を実装してＬＥＤ光源装置を構成すれば、その近紫外ＬＥＤ素子の発光中心波長が約４１５ｎｍの場合はその発光光の入射成分をほぼ９０％を反射して利用可能にし、発光中心波長が約３８０ｎｍの場合でも、その発光光の入射成分をほぼ８５％を反射して利用可能にすることができる。
【００６４】
しかし、第１層１１ａの白色無機顔料に酸化チタンを使用しても、図６及び図７に点線ｋで示したように、可視光域の紫色光域まで８５％以上の高い全反射率を有するので、近紫外ＬＥＤ素子を実装した場合でも、その発光光の入射成分の殆どを反射して利用可能にすることができる。
【００６５】
また、第１層１１ａの白色無機顔料として、チタン酸バリウムと酸化チタンを混合して使用したり、第２層１１ｂの白色無機顔料としてアルミナに代えて、前述したタルク、水酸化アルミニウム、べーマイト、硫酸バリウム、焼成カオリンのうちのいずれか、あるいはこれらとアルミナのうちの複数を組合せて使用するようにしても、上述した例とほぼ同様な全反射率特性を得ることができ、近紫外ＬＥＤ素子を搭載するのに適した光反射性基板を作製することができる。
【００６６】
〔ＬＥＤ光源装置の実施形態〕
以下、この発明によるＬＥＤ光源装置の各種実施形態を図８〜図１５によって説明するが、これらの図において、図１と対応する部分には同一の符号を付してあり、それらの詳細な説明は省略する。また、図８〜図１５の相互においても、形状が多少相違しても対応する部分には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００６７】
また、ＬＥＤ光源装置の各種実施形態の説明において、それに使用する光反射性基板の各種実施形態も説明することになる。
（１）フリップチップ両面実装タイプ
光反射性基板にＬＥＤ素子を実装したＬＥＤ光源装置には種々のタイプるが、先ず、フリップチップ両面実装タイプのＬＥＤ光源装置である第１、第２の実施形態を図８〜図１０によって説明する。
【００６８】
図８はその第１の実施形態の構成を示す概略断面図である。このＬＥＤ光源装置は、電極１２，１３を設けた光反射性基板１′上にＬＥＤ素子２を実装しており、ＬＥＤパッケージとも称される。また、ＬＥＤ素子はＬＥＤチップとも称される。以下の各実施形態においても同様である。
【００６９】
その光反射性基板１′には、基材１０の一表面（ＬＥＤ素子２を搭載する側の面である上面）に一対の電極１２，１３を直接配置している。その電極１２，１３の基材１０の表面上に配置された部分は３０〜５０μｍの厚さを有し、基材１０に形成されたスルーホール内に充填されたポスト部１２ａ，１３ａを介して、基材１０の下面に形成した薄い下面電極部１２ｂ，１３ｂと一体になっている。このような電極を配線層と称する場合もある。
【００７０】
この電極１２，１３は導電性のよい金属によって、例えば銅メッキ法によって銅（Ｃｕ）で形成される。この実施形態では、その電極１２，１３の基材１０の表面上の部分の上面に、ニッケル（Ｎｉ）メッキ層上に銀（Ａｇ）メッキ層を重ねたＮｉ−Ａｇメッキ層な
どの導電性がよく反射率も高いメッキ層１２ｃ，１３ｃが形成さらている。しかし、このメッキ層１２ｃ，１３ｃは必須ではない。
【００７１】
そして、基材１０の上面の電極１２，１３が配置されていない領域全体に、図１によって前述した第１層１１ａと第２層１１ｂとが基材１０側から積層された白色無機レジスト層１１が、電極１２，１３の基材１０の表面上に配置された部分の厚さとほぼ同じ厚さに形成されている。したがって、第１層１１ａと第２層１１ｂの厚さがそれぞれ１５〜２５μｍで、白色無機レジスト層１１全体の厚さが３０〜５０μｍになる。
【００７２】
このように構成した光反射性基板１′上に、ＬＥＤ素子２の第１バンプ２３と第２バンプ２４をそれぞれ電極１２，１３上に位置合わせして配置し、その第１バンプ２３と第２バンプ２４をそれぞれ電極１２，１３と金属共晶接合や半田リフロー接合などによって接合し、互いに電気的に接続するとともに、ＬＥＤ素子２を光反射性基板１′上に機械的に固着する。
【００７３】
そのＬＥＤ素子２は、図９に内部構造の一例を示す概略断面図で示すように構成されている。すなわち、サファイア基板２５の下面にｎ型半導体層２１があり、さらにその下面にｐ型半導体層２２が設けられており、そのｎ型半導体層２１とｐ型半導体層２２とのｐｎ接合部が発光層となっている。そして、ｎ型半導体層２１の下面の一部にはｎ側電極として第１バンプ２３が、ｐ型半導体層２２の下面の一部にはｐ側電極として第２バンプ２４がそれぞれ設けられている。
【００７４】
このＬＥＤ素子２を、前述のように光反射性基板１′上に搭載し、その第１バンプ２３と第２バンプ２４をそれぞれ電極１２，１３と接合して、互いに電機的に接続すると共に機械的に固着する。
【００７５】
その光反射性基板１′のＬＥＤ素子２を搭載した側に、そのＬＥＤ素子２を覆うように封止体３を設けている。この実施形態では、その封止体３は蛍光体が分散された透光性を有する樹脂材料を、隙間無く充填して所定の外形形状に形成している。図では模式的に外周が角形になっているが、球面状など任意の形状に形成することができる。
【００７６】
その蛍光体として、黄色蛍光体を青色ＬＥＤ素子と組み合わせて使用したり、赤色、緑色、青色の３波長型の蛍光体を近紫外ＬＥＤ素子と組み合わせて使用することによって、その青色光や紫色光を白色光に変換して出力することができる。しかし、蛍光体はそれに限らず、任意の色のものを選択したり、それらを適宜混合して使用してもよく、それによって用途に応じた任意の色の発光出力を得ることができる。また、蛍光体を使用せずに、透明な封止体内での内面反射の繰り返しによって、ＬＥＤ素子２による発光光を拡散及び波長変換して出力させるようにしてもよい。
【００７７】
この実施形態のＬＥＤ光源装置は、光反射性基板１′のＬＥＤ素子２を搭載する側の面における電極１２，１３が配置されていない領域には、二層からなる白色無機レジスト層１１が形成されている。その白色無機レジスト層１１が前述したように、可視光域から紫色光域まで高い全反射率を有するので、ＬＥＤ素子２として発光中心波長が約４１５ｎｍあるいはそれ以下の近紫外ＬＥＤ素子を実装しても、その発光光の白色無機レジスト層１１への入射成分の殆どを反射して利用可能にすることができる。
【００７８】
したがって、赤色、緑色、青色の３波長型の蛍光体を分散させた透光性を有する樹脂材料による封止体３を通して、演色性が高い白色光を高輝度で出力することが可能である。また、他の蛍光体を分散させた封止体や、蛍光体を使用しない封止体などと組み合わせても、用途に応じた色の明るい出力光を得ることが可能である。
【００７９】
なお、電極１２，１３の上面にも反射率が高いメッキ層１２ｃ，１３ｃを形成しておけば、ＬＥＤ素子２の発光光のうちそのメッキ層１２ｃ，１３ｃへの入射成分も殆ど反射されるため、一層その利用効率を高めることができる。
【００８０】
このＬＥＤ光源装置を図示していない装置側の回路基板に搭載する際には、電極１２，１３の下面電極部１２ｂ，１３ｂを回路基板上の給電回路等の配線パターンに直接接合させて、電気的な接続及び機械的な固定を行うことができる。
【００８１】
電極１２，１３は導電性がよいだけでなく熱伝導率も高いので、ＬＥＤ素子２が発光時に発生する熱を効率よく伝導して回路基板側へ放熱することができる。また、白色無機レジスト層１１も熱伝導率が高いので、ＬＥＤ素子２が発生する熱を効率よく基材１０全体に分散させ、そこから回路基板側へ放熱させることができる。
【００８２】
そのため、ＬＥＤ素子２を長時間に亘って高輝度で発光させても、熱によって劣化するのを防止することができる。
【００８３】
次に第２の実施形態を図１０によって説明する。図１０はそのＬＥＤ光源装置の構成を示す概略断面図である。
【００８４】
この第２の実施形態が上述した第１の実施形態と異なるのは、電極１４，１５の形状だけである。この実施形態における電極１４，１５は、基材１０の表面上に配置される部分を、図８における電極１２，１３のポスト部１２ａ，１３ａと同じ平面形状にして、ポスト部１２ａ，１３ａを基材１０の表面から３０〜５０μｍだけ突出させるように形成したものに相当する。その電極１４，１５の上面形状は、ＬＥＤ素子２の第１バンプ２３及び第２バンプ２４の各下面形状とも同じである。基材１０の下面側には下面電極部１４ｂ，１５ｂを一体に形成している。
【００８５】
その電極１４，１５の上面にも、Ｎｉ−Ａｇメッキ層などの導電性がよく反射率も高いメッキ層１４ｃ，１５ｃを形成するとよい。
【００８６】
そして、基材１０の上面の電極１４，１５が配置されていない領域全体に、前述した第１層１１ａと第２層１１ｂとが基材１０側から積層された白色無機レジスト層１１が、電極１４，１５の基材１０の表面上に出た部分の高さとほぼ同じ厚さ（３０〜４５０μｍ）に形成されている。
【００８７】
したがって、この実施形態によれば、電極１４，１５の平面形状を必要最小限度に小さくした分だけ、基材１０の表面における全反射率が高い白色無機レジスト層１１の面積比率が大きくなり、実装したＬＥＤ素子２の発光光を一層有効に利用できる。
【００８８】
この光反射性基板１′上にＬＥＤ素子２を搭載し、その第１バンプ２３と第２バンプ２４をそれぞれ電極１４，１５と金属共晶接合や半田リフロー接合などによって接合させ、互いに電気的に接続するとともに、ＬＥＤ素子２を光反射性基板１′上に機械的に固着することは、前述した第１の実施形態と同様である。但し、電極１４，１５の上面形状とＬＥＤ素子２の第１バンプ２３及び第２バンプ２４の各下面形状とが同じで、面積も同じなので、必要な接合面積を確保するために位置合わせ精度をよくする必要がある。
【００８９】
その光反射性基板１′のＬＥＤ素子２を搭載した側に、そのＬＥＤ素子２を覆うように封止体３を設けることは、前述した第１の実施形態と同様である。
（２）ワイヤボンド両面実装タイプ
次に、この発明によるワイヤボンド両面実装タイプのＬＥＤ光源装置である第３、第４の実施形態を図１１及び図１２によって説明する。
【００９０】
図１１はその第３の実施形態の構成を示す概略断面図である。
【００９１】
このＬＥＤ光源装置は、光反射性基板１′の上面の中央部に、ＬＥＤ素子２′の下面全体より大きい面積と平面形状を有する電極１６を配置し、基材１０に形成された比較的大きいスルーホール内に充填されたポスト部１６ａを介して、基材１０の下面に形成した下面電極部１６ｂと一体になっている。その電極１６の上面にも、Ｎｉ−Ａｇメッキ層などの導電性がよく反射率も高いメッキ層１４ｃ，１６ｃを形成するとよい。
【００９２】
その電極１６に対して図１１で右側に間隔を置いて、図１０に示した第２の実施形態における電極１４と同様な電極１４を配置している。
【００９３】
これらの電極１４，１６も、例えば銅メッキ法によって銅（Ｃｕ）で形成される。
【００９４】
そして、基材１０の上面の電極１４，１６が配置されていない領域全体に、前述した第１層１１ａと第２層１１ｂとが基材１０側から積層された白色無機レジスト層１１が、電極１４，１６の基材１０の表面上にある部分とほぼ同じ厚さ（３０〜５０μｍ）に形成されている。
【００９５】
この光反射性基板１′に実装するＬＥＤ素子２′は、図９に示したＬＥＤ素子２を上下反転したようなもので、上面に第１バンプ２３と第２バンプ２４に代わるｎ側電極とｐ側電極が設けられている。
【００９６】
そのＬＥＤ素子２′の下面に接着剤を塗布して、光反射性基板１′の電極１６上に載置して接着し、ＬＥＤ素子２′を光反射性基板１′に機械的に固定する。
【００９７】
その後、ｎ側電極をボンディングワイヤ４によって電極１４に接続し、ｐ側電極をボンディングワイヤ５によって電極１６に接続する。このようにして、ＬＥＤ素子２′と光反射性基板１′の電極１４，１６とをワイヤボンディングによって電気的に接続する。
【００９８】
その光反射性基板１′のＬＥＤ素子２′を搭載した側に、そのＬＥＤ素子２′を覆うように封止体３を設けることは、前述した各実施形態と同様である。
【００９９】
この第３の実施形態による作用効果は、第１の実施形態と同様である。
【０１００】
図１２は第４の実施形態の構成を示す概略断面図である。
【０１０１】
このＬＥＤ光源装置は、光反射性基板１′の図１２で左右両側に間隔を置いて、図１０に示した第２実施形態における電極１４，１５と同様な、基材１０の上面に配置される部分の平面形状が小さい電極１４，１５を配置している。
【０１０２】
そして、基材１０の上面の電極１４，１５が配置されていない領域全体に、前述した第１層１１ａと第２層１１ｂとが基材１０側から積層された白色無機レジスト層１１が、電極１４，１５の基材１０の表面上にある部分とほぼ同じ厚さ（３０〜５０μｍ）に形成されている。
【０１０３】
その後、ＬＥＤ素子２′の下面に接着剤を塗布して、光反射性基板１′の白色無機レジスト層１１上に載置して接着し、ＬＥＤ素子２′を光反射性基板１′に機械的に固定する
。
【０１０４】
そして、ｎ側電極をボンディングワイヤ４によって電極１４に接続し、ｐ側電極をボンディングワイヤ５によって電極１５に接続する。このようにして、ＬＥＤ素子２′と光反射性基板１′の電極１４，１５とをワイヤボンディングによって電気的に接続する。
【０１０５】
その光反射性基板１′のＬＥＤ素子２′を搭載した側に、そのＬＥＤ素子２′を覆うように封止体３を設けることは、前述した各実施形態と同様である。
【０１０６】
この第４の実施形態による作用効果は、第２の実施形態と同様である。
【０１０７】
これらの第３、第４の実施形態のＬＥＤ光源装置も、図示していない装置側の回路基板に搭載する際には、電極１４と電極１６又は１５の下面電極部１４ｂと１６ｂ又は１５ｂを回路基板上の給電回路等の配線パターンに直接接合させて、電気的な接続及び機械的な固定を行うことができる。
【０１０８】
しかし、図１２に示した第４の実施形態の場合には、ＬＥＤ素子２′が発光時に発生する熱を電極１４，１５を通して回路基板側へ伝導させて放熱させることはできない。但し、ＬＥＤ素子２′の下面全体が熱伝導率が高い白色無機レジスト層１１に接着されているので、ＬＥＤ素子２′が発生する熱を効率よく基材１０全体に分散させ、基材１０の下面あるいは電極１４，１５を通して回路基板側へ放熱させることができる。
（３）フリップチップ上面実装タイプ
次に、この発明によるフリップチップ上面実装タイプのＬＥＤ光源装置である第５の実施形態を図１３によって説明する。図１３はその第５の実施形態の構成を示す概略断面図である。
【０１０９】
この第５の実施形態のＬＥＤ光源装置は、図１に示したように光反射性基板１のように、基材１０の上面全体に第１層１１ａと第２層１１ｂとが基材１０側から積層された白色無機レジスト層１１を形成し、その第２層１１ｂの表面に一対の電極１７，１８を、銅メッキ法などによって銅（Ｃｕ）で１０μｍ程度の厚さに形成して光反射性基板１″を構成している。
【０１１０】
その電極１７，１８は、ＬＥＤ素子２の第１バンプ２３と第２バンプ２４と対応する位置に配置するだけでなく、外部と接続するためのリード線となる配線パターン（例えば図１３の紙面に垂直な方向に延びる）も一体に形成している。
【０１１１】
また、その電極１７，１８の上面にも、Ｎｉ−Ａｇメッキ層などの導電性がよく反射率も高いメッキ層１７ｃ，１８ｃを形成するとよい。
【０１１２】
このように構成した光反射性基板１″上に、ＬＥＤ素子２をその第１バンプ２３と第２バンプ２４をそれぞれ電極１７，１８上に位置合わせして配置し、その第１バンプ２３と第２バンプ２４をそれぞれ電極１７，１８と金属共晶接合や半田リフロー接合などによって接合し、互いに電気的に接続するとともに、ＬＥＤ素子２を光反射性基板１″上に機械的に固着する。
【０１１３】
その光反射性基板１″のＬＥＤ素子２を搭載した側に、そのＬＥＤ素子２を覆うように封止体３を設けることは、前述した各実施形態と同様である。
【０１１４】
このＬＥＤ光源装置は、光反射性基板１″の上面の白色無機レジスト層１１の面積比率を大きくすることができるので、ＬＥＤ素子２が発光する光を一層効率よく利用すること
ができる。
【０１１５】
このＬＥＤ光源装置を図示していない装置側の回路基板に搭載する際には、光反射性基板１″の下面を回路基板に接着などによって固定し、光反射性基板１″上に電極１７，１８と一体に形成した配線パターンと、回路基板上の給電回路等の配線パターンとを、ワイヤボンドや専用のコネクタ等によって電気的に接続する必要がある。
【０１１６】
また、ＬＥＤ素子２が発光時に発生する熱は、電極１７，１８及び白色無機レジスト層１１を通して基材１０に伝導されて拡散し、さらに接着された回路基板側へ放熱される。（４）ワイヤボンド上面実装タイプ
次に、この発明によるワイヤボンド上面実装タイプのＬＥＤ光源装置である第６、第７の実施形態を図１４及び図１５によって説明する。
【０１１７】
図１４はその第６の実施形態の構成を示す概略断面図である。
【０１１８】
この第６の実施形態のＬＥＤ光源装置は、上述した第５の実施形態と同様な光反射性基板１″を使用するが、白色無機レジスト層１１の第２層１１ｂの表面の中央部に、ＬＥＤ素子２′の下面より大きい面積及び形状の電極１９を形成する。その図１４において右側に間隔を置いて、電極１７を図１３の電極１７より小さく形成する。
【０１１９】
これらの電極１７，１９も、外部と接続するためのリード線となる配線パターン（例えば図１４の紙面に垂直な方向に延びる）を一体に形成している。
【０１２０】
また、その電極１７，１９の上面にも、Ｎｉ−Ａｇメッキ層などの導電性がよく反射率も高いメッキ層１７ｃ，１９ｃを形成するとよい。
【０１２１】
その後、ＬＥＤ素子２′の下面に接着剤を塗布し、電極１９上に載置して接着し、ＬＥＤ素子２′を光反射性基板１″に機械的に固定する。
【０１２２】
そして、ＬＥＤ素子２′のｎ側電極をボンディングワイヤ４によって電極１７に接続し、ｐ側電極をボンディングワイヤ５によって電極１９に接続する。このようにして、ＬＥＤ素子２′と光反射性基板１″の電極１７，１９とをそれぞれワイヤボンディングによって電気的に接続する。
【０１２３】
その光反射性基板１″のＬＥＤ素子２′を搭載した側に、そのＬＥＤ素子２′を覆うように封止体３を設けることは、前述した各実施形態と同様である。
【０１２４】
この第６の実施形態による作用効果も第４の実施形態とほぼ同様である。
【０１２５】
このＬＥＤ光源装置を図示していない装置側の回路基板に搭載する際には、光反射性基板１″の下面を回路基板に接着などによって固定し、光反射性基板１″上に電極１７，１９と一体に形成した配線パターンと、回路基板上の給電回路等の配線パターンとを、ワイヤボンド等によって電気的に接続する必要がある。
【０１２６】
また、ＬＥＤ素子２′が発光時に発生する熱は、電極１９及び白色無機レジスト層１１を通して基材１０に伝導されて拡散し、さらに接着された回路基板側へ放熱される。
【０１２７】
図１５は第７の実施形態の構成を示す概略断面図である。
【０１２８】
この第７の実施形態では、光反射性基板１″の白色無機レジスト層１１の第２層１１ｂ
の表面に、上述した第６の実施形態における電極１７と同様な小さめの電極１７，１８を間隔を広く開けて配置している。
【０１２９】
その後、ＬＥＤ素子２′の下面に接着剤を塗布し、光反射性基板１″の白色無機レジスト層１１上に載置して接着し、ＬＥＤ素子２′を光反射性基板１″に機械的に固定する。
【０１３０】
そして、ＬＥＤ素子２′のｎ側電極をボンディングワイヤ４によって電極１７に接続し、ｐ側電極をボンディングワイヤ５によって電極１８に接続する。このようにして、ＬＥＤ素子２′と光反射性基板１″の電極１７，１８とをそれぞれワイヤボンディングによって電気的に接続する。
【０１３１】
その光反射性基板１″のＬＥＤ素子２′を搭載した側に、そのＬＥＤ素子２′を覆うように封止体３を設けることは、前述した各実施形態と同様である。
【０１３２】
この第７の実施形態による作用効果も第５、第６の実施形態とほぼ同様であるが、光反射性基板１″に露出する白色無機レジスト層１１の面積を大きくすることができるので、ＬＥＤ素子２′が発光する光を一層効率よく利用することができる。
【０１３３】
このＬＥＤ光源装置を図示していない装置側の回路基板に搭載する際には、光反射性基板１″の下面を回路基板に接着などによって固定し、光反射性基板１″上に電極１７，１８と一体に形成した配線パターンと、回路基板上の給電回路等の配線パターンとを、ワイヤボンドや専用のコネクタ等によって電気的に接続する必要がある。
【０１３４】
また、ＬＥＤ素子２′が発光時に発生する熱は、白色無機レジスト層１１を通して基材１０に伝導されて拡散し、さらに接着された回路基板側へ放熱される。
【産業上の利用可能性】
【０１３５】
以上、この発明の各種の実施形態について説明してきたが、これらの構成は特許請求の範囲の各請求項に規定した事項を満たす範囲で、適宜変更及び追加したり、組み合わせたりすることが可能である。例えば、光反射性基板上に複数のＬＥＤ素子を実装したり、保護素子としてツェナーダイオードを一緒に搭載するような場合にも当然利用できる。
【０１３６】
この発明は、ＬＥＤ素子として近紫外ＬＥＤを実装する場合に特に有効であるが、青色ＬＥＤ素子などの他のＬＥＤ素子を搭載してもよい。そして、各種照明用、表示用、装飾用などのＬＥＤ光源装置に広く利用できる。
【符号の説明】
【０１３７】
１，１′，１″：光反射性基板    ２，２′：ＬＥＤ素子    ３：封止体    
４，５：ボンディングワイヤ    １０：基材    １１：白色無機レジスト層    
１１ａ：第１層    １１ｂ：第２層    １２〜１９：電極    
１２ａ，１３ａ，１６ａ：ポスト部    １２ｂ〜１６ｂ： 下面電極部    
１２ｃ〜１９ｃ： メッキ層    ２１：ｎ型半導体層    ２２：ｐ型半導体層    
２３：第１バンプ（ｎ側電極）    ２４：第２バンプ（ｐ側電極）    
２５：サファイア基板
【図１】
2014017303.tif 000003
【図２】
2014017303.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
2014017303.tif 000010
【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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