(57)【要約】【課題】アンダーフィルの余剰分が配線パッドを覆うことを未然に防止できるようにした光電変換サブマウント基板を提供する。【解決手段】基板１と、コア層２及びクラッド層３からなる光導波路４と、光導波路４と光学的に結合する光素子５と、光素子５と光導波路４との間の隙間に充填されたアンダーフィル６と、基板１に形成された配線パッド１０とを備える。基板１の表面に、光素子５と光導波路４の間の隙間から流れ出したアンダーフィル６の余剰分が配線パッド１０に到達するのを防止する流出防止部２２が形成されている。この流出防止部２２は、基板１の表面に形成された凸部２３と凹部２４との組み合わせである。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板の表面に形成されたコア層、及び前記コア層を被覆して形成されたクラッド層からなる光導波路と、前記光導波路と光学的に結合する光素子と、前記光素子と前記光導波路との間の隙間に充填されたアンダーフィルと、前記基板の表面に形成された配線パッドとを備え、
前記光素子と前記配線パッドとの間の前記基板の表面に、前記光素子と前記光導波路の間の隙間から流れ出したアンダーフィルの余剰分が前記配線パッドに到達するのを防止する流出防止部が形成され、
前記流出防止部は、前記基板の表面に形成された凸部と凹部との組み合わせであることを特徴とする光電変換サブマウント基板。
【請求項２】
前記流出防止部は、前記光素子と前記配線パッドとの間の凹部と、前記凹部と前記配線パッドとの間の凸部とから成ることを特徴とする請求項１に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項３】
前記流出防止部は、前記光素子と前記配線パッドとの間の凸部と、前記凸部と前記配線パッドとの間の凹部とから成ることを特徴とする請求項１に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項４】
前記流出防止部は、前記光素子と前記配線パッドとの間の第１凸部と、第１凸部と前記配線パッドとの間の凹部と、前記凹部と前記配線パッドとの間の第２凸部とから成ることを特徴とする請求項１に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項５】
前記流出防止部の凸部は、前記コア層と同材料、または前記クラッド層と同材料であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項６】
前記流出防止部の凸部は、前記コア層と同材料と、前記クラッド層と同材料との組み合わせであることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の光電変換サブマウント基板。
【請求項７】
前記流出防止部の凹部は、前記アンダーフィルの滴下位置の付近に設定されていることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の光電変換サブマウント基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光と電気の信号を相互に変換する光電変換サブマウント基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信インフラの急速な広帯域化、コンピュータ等の情報処理能力の飛躍的な増大等に伴って、非常に高速な情報伝送路を有する情報処理回路へのニーズが高まっている。このような背景のもと、電気信号の伝送速度限界を突破する一つの手段として、光信号による伝送が考えられており、電気回路に光回路を混載することが種々検討されている。そして、光信号を電気信号に、またはその逆に変換するユニットとして光電変換サブマウント基板が知られている。
【０００３】
図８は、従来の光電変換サブマウント基板の平面図である。この光電変換サブマウント基板は、基板１と、基板１の表面に形成されたコア層２、及びコア層２を被覆して形成されたクラッド層３からなる光導波路４を備えている。また、光導波路４と光学的に結合する光素子５と、光素子５と光導波路４との間の隙間に充填されたアンダーフィル６と、基板１の表面に端部が接着され、外部導波路７とフィルム８を有する外部導波路フィルム９を備えている（特許文献１参照）。なお、１０はメタルパターンにより形成される配線パッド、１１は４５°ミラーとして形成される光反射層である。
【０００４】
クラッド層３は、上端面が基板１の表面よりも高くなっており、クラッド層３と基板１とにより段差（例えば、１〜１５μm程度）が形成されている。
【０００５】
このような光電変換サブマウント基板にあっては、光素子５がアンダーフィル６によって基板１に固定され、丈夫で光電変換性能のよいものとすることができる。
【０００６】
ところが、光素子５と基板１との間の隙間に充填されるアンダーフィル６の余剰分が、毛細管現象によりクラッド層３の段差を伝って外部導波路フィルム９の方に流れ出すことがある。このアンダーフィル６の余剰分がフィルム接着面に達すると、外部導波路フィルム９の接続強度の不良が発生するという問題がある。
【０００７】
そこで、特許文献１では、光素子５と外部導波路フィルム９の端部との間の基板１の表面に流出防止部１２を形成している。この流出防止部１２は、光素子５と光導波路４の間の隙間から流れ出したアンダーフィル６の余剰分が外部導波路フィルム９の基板１の表面との接着面に到達するのを防ぐためのものである。
【０００８】
かかる流出防止部１２は、壁状体（凸部）、または溝（凹部）のいずれか一方のみで形成されている。すなわち、第１点は、光素子５の位置と外部導波路フィルム９の端部の位置とが遠い距離Ｌ１にある。第２点は、アンダーフィル６の余剰分が、毛細管現象によりクラッド層３の段差を伝って外部導波路フィルム９の方に流れ出してフィルム接着面に達する。この２点だけを考慮すればよいことから、低い壁状体（凸部）、または浅い溝（凹部）のいずれか一方のみで、アンダーフィル６の余剰分が接着面に到達するのを防ぐことが可能となるからである。なお、図８では、光素子５の周囲を流出防止部１２で四角形状に囲んでいるが、これも、低い壁状体（凸部）のみで形成されている。
【０００９】
ところで、アンダーフィル６の余剰分が流出防止部１２を乗り換えて溢れ出し、光素子５の位置と近い距離Ｌ２にある配線パッド１０に到達した場合、配線パッド１０を覆ってしまうおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１１−３３６５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、引用文献１の流出防止部１２は、低い壁状体（凸部）、または浅い溝（凹部）のいずれか一方のみであった。したがって、アンダーフィル６の余剰分が流出防止部１２を乗り換えて溢れ出せば、光素子５の位置と近い距離Ｌ１にある配線パッド１０に容易に到達して、配線パッド１０を覆ってしまうおそれがあった。このように、配線パッド１０がアンダーフィル６の余剰分で覆われると、配線パッド１０にワイヤーボンドができないから、基板１が不良品となって、歩留まり率が低下するという問題がある。
【００１２】
本発明は前記問題を解消するためにされたもので、アンダーフィルの余剰分が配線パッドを覆うことを未然に防止できるようにした光電変換サブマウント基板を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
前記課題を解決するために、本発明は、基板と、前記基板の表面に形成されたコア層、及び前記コア層を被覆して形成されたクラッド層からなる光導波路と、前記光導波路と光学的に結合する光素子と、前記光素子と前記光導波路との間の隙間に充填されたアンダーフィルと、前記基板の表面に形成された配線パッドとを備え、前記光素子と前記配線パッドとの間の前記基板の表面に、前記光素子と前記光導波路の間の隙間から流れ出したアンダーフィルの余剰分が前記配線パッドに到達するのを防止する流出防止部が形成され、前記流出防止部は、前記基板の表面に形成された凸部と凹部との組み合わせであることを特徴とする光電変換サブマウント基板を提供するものである。
【００１４】
本発明によれば、流出防止部として凸部と凹部とを組み合わせたから、アンダーフィルの余剰分は、凸部で堰き止められ、凹部で溜められるので、多重構造の流出防止部（凸部と凹部）から溢れ出なくなる。したがって、光素子の位置と近い距離にある配線パッドに到達して、配線パッドを覆ってしまうおそれがなくなるから、基板の歩留まり率が向上するようになる。
【００１５】
前記流出防止部は、前記光素子と前記配線パッドとの間の凹部と、前記凹部と前記配線パッドとの間の凸部とから成る構成とすることができる。
【００１６】
これによれば、凸部の内側に凹部を形成することで、アンダーフィルの余剰分は、先ず凹部で溜められた後、凸部で堰き止められる。これにより、凹部で溜められる分だけ、アンダーフィルの広がり高さが低くなって、凸部を乗り越えなくなるので、配線パッドに、より到達しなくなる。
【００１７】
前記流出防止部は、前記光素子と前記配線パッドとの間の凸部と、前記凸部と前記配線パッドとの間の凹部とから成る構成とすることができる。
【００１８】
これによれば、凸部の外側に凹部を形成することで、アンダーフィルの余剰分は、先ず凸部で堰き止められ、凸部を乗り越えれば凹部で溜められるから、配線パッドに、より到達しなくなる。また、光素子と光導波路の隙間のアンダーフィルは、凸部によって、凹部側に引けるのを防ぐことができる。
【００１９】
前記流出防止部は、前記光素子と前記配線パッドとの間の第１凸部と、第１凸部と前記配線パッドとの間の凹部と、前記凹部と前記配線パッドとの間の第２凸部とから成る構成とすることができる。
【００２０】
これによれば、内側の第１凸部と外側の第２凸部との間に凹部を形成することで、アンダーフィルの余剰分は、先ず第１凸部で堰き止められ、第１凸部を乗り越えれば凹部で溜められ、凹部から溢れれば第２凸部で堰き止められる。したがって、配線パッドにより到達しなくなる。また、光素子と光導波路の隙間のアンダーフィルは、第１凸部によって、凹部側に引けるのを防ぐことができる。
【００２１】
前記流出防止部の凸部は、前記コア層と同材料、または前記クラッド層と同材料である構成とすることができる。
【００２２】
これによれば、コア層（またはクラッド層）と同材料で凸部を形成することで、コア層（またはクラッド層）と同時に凸部を形成できるから、凸部を形成する工程が増加しなくなる。また、コア層（またはクラッド層）と同様にして、凸部の高さを容易に制御できるから、最小限の材料量で、アンダーフィルの余剰分の乗り越えを確実に防止できるようになる。さらに、凸部がクラッド層と同材料であれば、光結合損失に影響しないように、凸部を形成することができる。すなわち、コア層が高くなると光結合損失が発生するおそれがあるが、クラッド層は光が伝搬しないので、層が厚くなっても光結合損失に影響しない。したがって、コア層で形成する場合よりも流出防止部の厚みを厚くすることが可能である。
【００２３】
前記流出防止部の凸部は、前記コア層と同材料と、前記クラッド層と同材料との組み合わせである構成とすることができる。
【００２４】
これによれば、コア層と同材料の凸部に、クラッド層と同材料の凸部を上乗せできるから、凸部を高くできるので、アンダーフィルの余剰分が凸部をより乗り越えにくくなる。
【００２５】
前記流出防止部の凹部は、前記アンダーフィルの滴下位置の付近に設定されている構成とすることができる。
【００２６】
これによれば、アンダーフィルの滴下位置（アンダーフィルが一番厚くなる位置）の付近に凹部を設定することで、この凹部でアンダーフィルの広がり面積が小さくなるように規制されて、凸部に達しにくくなる。これにより、アンダーフィルの余剰分が凸部をより乗り越えにくくなる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、アンダーフィルの余剰分が凸部と凹部との組み合わせである流出防止部を乗り越えて溢れ出さないから、光素子の位置と近い距離にある配線パッドを覆うことを未然に防止できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の光電変換サブマウント基板であり、（ａ）は全体斜視図、（ｂ）は要部拡大斜視図である。
【図２】図１の光電変換サブマウント基板であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は変形例の平面図である。
【図３】（ａ）（ｂ）は、光電変換サブマウント基板の凹部の変形例をそれぞれ示す平面図である。
【図４】（ａ）（ｂ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部の第５実施形態をそれぞれ示す平面図である。
【図５】（ａ）は流出防止部の第１実施形態の断面図、（ｂ）は流出防止部の第２実施形態の断面図である。
【図６】（ａ）は流出防止部の第３実施形態の断面図、（ｂ）は流出防止部の第４実施形態の断面図である。
【図７】（ａ）（ｂ）は流出防止部の変形例の断面図である。
【図８】従来の光電変換サブマウント基板の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を実施するための形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、背景技術と同一構成・作用の箇所は、同一番号を付して詳細な説明を省略する。
【００３０】
図１は本発明の光電変換サブマウント基板であり、（ａ）は全体斜視図、（ｂ）は要部拡大斜視図である。図２は図１の光電変換サブマウント基板であり、（ａ）は平面図、（ｂ）は変形例の平面図である。
【００３１】
光電変換サブマウント基板は、基板１と、基板１の表面に形成されたコア層２、及びコア層２を被覆して形成されたクラッド層３からなる光導波路（内部導波路）４と、光導波路４と光学的に結合する光素子５を備えている。
【００３２】
また、光素子５と光導波路４との間の隙間に充填されたアンダーフィル６〔図５（ａ）参照〕と、基板１の表面に形成された配線パッド１０と、基板１の表面に形成された深いＶ字状の溝１ａに固定される光ファイバー（外部導波路）２０を備えている。
【００３３】
なお、配線パッド１０は、図１（ａ）（ｂ）では基板１の長さ方向の端部側に描いているが、図２以下では便宜上、基板１の幅方向の端部側に描いている。
【００３４】
基板１は、例えばシリコン（Ｓｉ）基板であり、基板１の表面には、光導波路４を設けるための浅いＶ字状の溝１ｂ〔図５（ａ）参照〕が形成されている。なお、基板１の表面と裏面には、薄い酸化膜（ＳｉＯ２）１ｃがそれぞれ形成されており、基板１の表面や裏面と言うときは、酸化膜１ｃの表面や裏面の意味であると理解されたい。
【００３５】
光導波路４は、光信号を伝送するためのものであり、コア層２及びクラッド層３により構成される。コア層２及びクラッド層３としては、例えば、屈折率の高い樹脂組成物をコア層２の材料とし、屈折率の低い樹脂組成物をクラッド層３の材料とすることができる。具体的には、コア層２及びクラッド層３の材料として、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、フッ素化樹脂、ポリイミド等を挙げることができる。例えばエポキシ樹脂を用いる場合には、コア層２の材料として高屈折率のビスフェノール型エポキシ化合物の配合割合を高めたものを用い、クラッド層３の材料として低屈折率の脂環式エポキシ化合物の配合割合を高めたものを用いることができる。
【００３６】
コア層２は、Ｖ字状の溝１ｂ〔図５（ａ）参照〕の内部に、光ファイバー２０のコアと同芯となるように直線状に形成されている。クラッド層３は、溝１ｂ内のコア層２の周囲を取り囲んで封止してあり、その上端面は基板１の表面よりも突出して形成されている。
【００３７】
光素子５と光学的に結合する側のコア層２の一端部には、光を反射させるために、４５°ミラーの光反射層１１が設けられている。コア層２の他端部には、基板１のＶ字状の溝１ａの光ファイバー２０のコアが光学的に結合されている。
【００３８】
光素子５は、光信号と電気信号とを相互に変換する素子である。この光素子５は、コア層２の光反射層１１の上方で、コア層２と光学的に結合するように、クラッド層３と僅かの隙間を開けた状態で、基板１に実装されている。この光素子５は、基板１の表面に設けられた金属製の配線パッド１０に、半田ボール５ａ〔図５（ａ）参照〕を介して電気的に接続されている。
【００３９】
光素子５と光導波路４のクラッド層３との間には、この隙間を埋めるようにアンダーフィル６〔図５（ａ）参照〕が充填されている。
【００４０】
アンダーフィル６は、光素子５を基板１に接着して実装するためのものである。アンダーフィル６としては、例えば、樹脂溶液等が用いられ、樹脂溶液中の溶媒が蒸発して乾燥することにより樹脂が固化し、光素子５が基板１に固定されるものである。アンダーフィル６の材料としては、例えば、熱硬化型のエポキシ樹脂、アクリル樹脂、シリコーンゴム、シリコーンゲル等を用いることができる。
【００４１】
ここで、溶液状態のアンダーフィル６を、光素子５と光導波路４のクラッド層３との間の隙間に充填する際に、この隙間からアンダーフィル６の余剰分が基板１の表面に流れ出すことがある。
【００４２】
この流れ出したアンダーフィル６の余剰分が光素子５の位置と近い距離Ｌ２にある配線パッド１０に到達して、配線パッド１０を覆ってしまうと、配線パッド１０にワイヤーボンドができない。そのため、基板１が不良品となって、歩留まり率が低下するという問題が生じる。
【００４３】
そこで、光素子５と配線パッド１０との間の基板１の表面に、光素子５と光導波路４の間の隙間から流れ出したアンダーフィル６の余剰分が配線パッド１０に到達するのを防止する流出防止部２２を形成している。この流出防止部２２は、基板１の表面に所定の間隔を隔てて形成された、断面視で略四角状の凸部２３と略Ｖ字状の凹部２４との組み合わせである。なお、凹部２４は、凸部２３との位置関係を把握しやすくするために、各平面図においてはハッチングで示している。凸部２３は、永久レジストのパターニングで形成することができる。凹部２４は、基板１の表面から彫り込まれた凹部である。この凹部は、例えばウェットエッチング、ドライエッチング、機械加工等で形成することができる。
【００４４】
凸部２３の高さは、１〜２０μｍであることが好ましい。凸部２３の高さが１μｍ未満であると、アンダーフィル６の流出を防止できなくなるおそれがある。凸部２３の高さが２０μｍあれば十分な防止効果があり、その高さを超えれば嵩高くなるおそれがある。
【００４５】
凹部２４の深さは、０．５〜５０μｍ、特に４０μｍ程度が、より好ましい。凹部２４の深さが０．５μｍ以上であれば、十分にアンダーフィル６の流出防止効果が得られるものである。凹部２４の深さが０．５μｍ未満になるとアンダーフィル６の流出防止効果が十分に得られなくなるおそれがある。また、凹部２４の深さが５０μｍを超えると、加工コストが増大し不経済になるおそれがある。また、凹部２４の深さを基板１のＶ字状の溝１ｂの深さと同じにすることも好ましい。
【００４６】
すなわち、凹部２４は、シリコン等の基板１に光導波路４を形成するための溝１ｂと同時に形成することができる。したがって、工程を増やすことなく簡単に流出防止部２２の凹部２４を形成することができる。なお、凹部２４と溝１ｂは、略Ｖ字状のものを示したが、略四角状等であってもよい。
【００４７】
流出防止部２２の凸部２３は、図１（ａ）（ｂ）及び図２（ａ）のように、光素子５の周囲を四角枠状に囲んでいる形状が好ましいが、図２（ｂ）のように、光素子５と配線パッド１０との間を遮るような直線形状であってもよい。
【００４８】
流出防止部２２の凹部２４は、図１（ａ）（ｂ）及び図２（ａ）（ｂ）のように、光素子５の幅方向の両側の凸部２３との間で、配線パッド１０を跨いで、長さ方向の両側の凸部２３にほぼ至るような矩形形状となっている。また、図３（ａ）のように、幅方向の両側の凹部２４を長さ方向の一側の凸部２３との間で連結した略Ｕ字形状であってもよい。さらに、図３（ｂ）のように、配線パッド１０を跨がない方が好ましく〔図４（ａ）（ｂ）も同様〕、長さ方向の他側の凸部２３との間だけの矩形形状であってもよい。
【００４９】
さらに、凹部２４は、図４（ａ）のように、アンダーフィル６の滴下位置の付近、例えば滴下位置の真下の周囲に四角状に形成することができ、あるいは、図４（ｂ）のように、滴下位置を囲む四角枠状に形成することができる。なお、滴下位置は、図４（ａ）（ｂ）の位置に限られるものではなく、形状も四角に限られるものではない。
【００５０】
流出防止部２２の凸部２３と凹部２４の形状と位置は、必要に応じて適宜に変更することができ、形状は、必要に応じて適宜に組み合わせることができる。
【００５１】
図５（ａ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第１実施形態の断面図であり、図１（ａ）（ｂ）に対応するものである。
【００５２】
第１実施形態の流出防止部２２は、光素子５と配線パッド１０との間の凹部２４と、凹部２４と配線パッド１０との間の凸部２３とから成っている。
【００５３】
第１実施形態の流出防止部２２であれば、流出防止部２２として凸部２３と凹部２４とを組み合わせたものである。そして、アンダーフィル６の余剰分は、凸部２３で堰き止められ、凹部２４で溜められるから、多重構造の流出防止部（凸部２３と凹部２４）から溢れ出なくなる。したがって、光素子５の位置と近い距離Ｌ２にある配線パッド１０に到達して、配線パッド１０を覆ってしまうおそれがなくなるから、基板１の歩留まり率が向上するようになる。
【００５４】
特に、凸部２３の内側に凹部２４を形成することで、アンダーフィル６の余剰分は、先ず凹部２４で溜められた後、凸部２３で堰き止められる。これにより、凹部２４で溜められる分だけ、アンダーフィル６の広がり高さが低くなって、凸部２３を乗り越えなくなるので、配線パッド１０に、より到達しなくなる。
【００５５】
図５（ｂ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第２実施形態の断面図である。
【００５６】
第２実施形態の流出防止部２２は、光素子５と配線パッド１０との間の凸部２３と、凸部２３と配線パッド１０との間の凹部２４とから成っている。
【００５７】
第２実施形態の流出防止部２２であれば、凸部２３の外側に凹部２４を形成することで、アンダーフィル６の余剰分は、先ず凸部２３で堰き止められ、凸部２３を乗り越えれば凹部２４で溜められるから、配線パッド１０に、より到達しなくなる。また、光素子５と光導波路４の隙間のアンダーフィル６は、凸部２３によって、凹部２４側に引けるのを防ぐことができる。
【００５８】
図６（ａ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第３実施形態の断面図である。
【００５９】
第３実施形態の流出防止部２２は、光素子５と配線パッド１０との間の第１凸部２３（Ａ）と、第１凸部２３（Ａ）と配線パッド１０との間の凹部２４と、凹部２４と配線パッド１０との間の第２凸部２３（Ｂ）とから成っている。
【００６０】
第３実施形態の流出防止部２２であれば、内側の第１凸部２３Ａと外側の第２凸部２３Ｂとの間に凹部２４を形成する。これにより、アンダーフィル６の余剰分は、先ず第１凸部２３（Ａ）で堰き止められ、第１凸部２３（Ａ）を乗り越えれば凹部２４で溜められ、凹部２４から溢れると第２凸部２３（Ｂ）で堰き止められる。したがって、配線パッド１０に、より到達しなくなる。また、光素子５と光導波路４の隙間のアンダーフィル６は、第１凸部２３（Ａ）によって、凹部２４側に引けるのを防ぐことができる。
【００６１】
各実施形態（以下の実施形態も同様。）において、流出防止部２２の凸部２３は、クラッド層３と同材料で形成することができる。
【００６２】
このように、クラッド層３と同材料で凸部２３を形成することで、クラッド層３と同時に凸部２３を形成できるから、凸部２３を形成する工程が増加しなくなる。また、クラッド層３と同様にして、凸部２３の高さを容易に制御できるから、最小限の材料量で、アンダーフィル６の余剰分の乗り越えを確実に防止できるようになる。さらに、凸部２３がクラッド層３と同材料であれば、光結合損失に影響しないように、凸部２３を形成することができる。すなわち、コア層２が高くなると光結合損失が発生するおそれがあるが、クラッド層３は光が伝搬しないので、層が厚くなっても光結合損失に影響しない。したがって、コア層２で形成する場合よりも流出防止部２２の厚みを厚くすることが可能である。
【００６３】
また、図示しないが、流出防止部２２の凸部２３は、コア層２と同材料で形成することができる。
【００６４】
このように、コア層２と同材料で凸部２３を形成することで、コア層２と同時に凸部２３を形成できるから、凸部２３を形成する工程が増加しなくなる。また、コア層２と同様にして、凸部２３の高さを容易に制御できるから、最小限の材料量で、アンダーフィル６の余剰分の乗り越えを確実に防止できるようになる。
【００６５】
図６（ｂ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第４実施形態の断面図である。
【００６６】
第４実施形態の流出防止部２２は、流出防止部２２の凸部２３を、コア層２と同材料と、クラッド層３と同材料との組み合わせで形成したものである。
【００６７】
第４実施形態の流出防止部２２であれば、コア層２を他の実施形態よりもやや高く設定して、このコア層２と同材料の凸部に、クラッド層３と同材料の凸部を上乗せできる。したがって、凸部２３を高くできるので、アンダーフィル６の余剰分が凸部２３を、より乗り越えにくくなる。
【００６８】
図４（ａ）（ｂ）は、光電変換サブマウント基板の流出防止部２２の第５実施形態の断面図である。
【００６９】
第５実施形態の流出防止部２２は、流出防止部２２の凹部２４を、アンダーフィル６の滴下位置の付近、つまり、図４（ａ）のように、滴下位置の真下の周囲に四角状に形成し、または図４（ｂ）のように、滴下位置を囲む四角枠状に形成したものである。
【００７０】
第５実施形態の流出防止部２２であれば、凹部２４でアンダーフィル６の広がり面積が小さくなるように規制されて、凸部２３に達しにくくなるので、アンダーフィル６の余剰分が凸部２３を、より乗り越えにくくなる。
【００７１】
図７（ａ）のように、流出防止部２２の凸部２３は、流れ出したアンダーフィル６の厚さよりも高く設定すれば、アンダーフィル６の余剰分が凸部２３を、より乗り越えにくくなる。
【００７２】
また、図７（ｂ）のように、流出防止部２２の凸部２３の表面に、撥水部２５ａまたは親水部２５ｂを有する構成とすることができる。そして、凸部２３の表面に撥水処理（例えばフッ素コーティング等）をすれば、アンダーフィル６の余剰分は凸部２３の表面に触れにくくなって、凸部２３を乗り越えにくくなる。また、凸部２３の表面に親水処理〔例えばプラズマ処理等（ＯＨ基を付ける。表面を荒らす等）〕をすれば、アンダーフィル６の余剰分は凸部２３に乗り上げても、凸部２３の表面で捉えられて、凸部２３を乗り越えにくくなる。
【符号の説明】
【００７３】
１    基板
２    コア層
３    クラッド層
５    光素子
６    アンダーフィル
１０  配線パッド
２０  光ファイバー
２２  流出防止部
２３  凸部
２４  凹部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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