(57)【要約】【課題】データ線と画素電極との間にデータ線より幅寸法が広い透光性の導電膜を設けた場合でも、良好な透過特性を得ることのできる電気光学装置、および電子機器を提供すること。【解決手段】本形態の電気光学装置１００において、データ線６ａと画素電極９ａとの間には、平面視でデータ線６ａを覆うようにデータ線６ａより幅広の透光性の導電膜７ａが設けられ、かかる導電膜７ａには定電位が印加される。導電膜７ａの膜厚は、画素電極９ａの膜厚より薄い。このため、導電膜７ａは、少なくとも４００ｎｍから５００ｎｍの波長域（青色の波長域）、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域（緑色の波長域）、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域（赤色の波長域）において、透過率が画素電極９ａの透過率より高い。【選択図】図３
2014178411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
データ線と、
該データ線と電気的に接続された画素スイッチング素子と、
該スイッチング素子と電気的に接続された透光性の画素電極と、
前記データ線と前記画素電極との間に平面視で前記データ線を覆うように当該データ線より幅広に形成され、定電位が印加される透光性の導電膜と、
を有し、
少なくとも４００ｎｍから５００ｎｍの波長域、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域において、前記導電膜の透過率が前記画素電極の透過率より高いことを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記導電膜の膜厚は、前記画素電極の膜厚より薄いことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、
前記画素電極は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、
前記導電膜は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、
前記絶縁層は、膜厚が１７５ｎｍ±１０％のシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、
前記画素電極は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、
前記導電膜は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、
前記画素電極の膜厚をｄ1とし、当該画素電極の波長λの光に対する屈折率をｎ1とし、
前記絶縁層の前記導電膜と重なる部分の膜厚をｄ2とし、当該絶縁層の波長λの光に対する屈折率をｎ2とし、
前記導電膜の膜厚をｄ3とし、当該導電膜の波長λの光に対する屈折率をｎ3としたとき、
ｄ1、ｄ2、ｄ3、ｎ1、ｎ2およびｎ3は、以下の条件（１）、（２）
ｎ1×ｄ1＋ｎ2×ｄ2＝λ（１／４＋ｍ／２）・・・・（１）
ｎ2×ｄ2＋ｎ3×ｄ4＝λ（１／４＋ｎ／２）・・・・・（２）
但し、λは入射光の波長
ｍ、ｎは０以上の整数
ｎ1＞ｎ2
ｎ3＞ｎ2
ｎ1＞（前記画素電極に対して前記導電膜と反対側で接する透光膜の屈折率）
ｎ3＞（前記導電膜に対して前記画素電極と反対側で接する透光膜の屈折率）
を満たしていることを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記導電膜は、前記画素電極より、少なくとも４００ｎｍから５００ｎｍの波長域、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域において、単位厚さにおける透過率が高いことを特徴とする請求項１、２または５に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記画素電極に対向する対向電極と、
該対向電極と前記画素電極との間に配置された電気光学層と、
を有し、
前記対向電極と前記導電膜は、同一の定電位が印加されることを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項８】
前記導電膜と前記データ線との間に設けられ、前記画素電極と電気的に接続された第１容量電極層と、
該第１容量電極層と前記データ線との間に当該第１容量電極層と少なくとも一部が重なるように設けられ、定電位が印加された第２容量電極層と、
前記第１容量電極層と前記第２容量電極層との間に設けられた誘電体膜と、
を有し、
前記導電膜は、前記第１容量電極層および前記第２容量電極層より、前記データ線に沿って延在している部分が幅広であることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項９】
前記導電膜と前記データ線との間に平面視で前記導電膜と少なくとも一部が重なるように設けられ、前記画素電極と電気的に接続された容量電極層と、
前記導電膜と前記容量電極層との間に配置された誘電体膜と、
を有することを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１０】
前記画素電極に対して前記導電膜とは反対側で対向するマイクロレンズを有し、前記導電膜の側面は、前記マイクロレンズが位置する側に向かって斜めに傾いていることを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の電気光学装置。
【請求項１１】
データ線と、
該データ線と電気的に接続された画素スイッチング素子と、
該スイッチング素子と電気的に接続された透光性の画素電極と、
前記データ線と前記画素電極との間に平面視で前記データ線を覆うように当該データ線より幅広に形成され、定電位が印加される透光性の導電膜と、
を有し、
前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、
前記画素電極は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、
前記導電膜は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、
前記絶縁層は、膜厚が１７５ｎｍ±１０％のシリコン酸化膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１２】
データ線と、
該データ線と電気的に接続された画素スイッチング素子と、
該スイッチング素子と電気的に接続された透光性の画素電極と、
前記データ線と前記画素電極との間に平面視で前記データ線を覆うように当該データ線より幅広に形成され、定電位が印加される透光性の導電膜と、
を有し、
前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、
前記画素電極は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、
前記導電膜は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１３】
データ線と、
該データ線と電気的に接続された画素スイッチング素子と、
該スイッチング素子と電気的に接続された透光性の画素電極と、
前記データ線と前記画素電極との間に平面視で前記データ線を覆うように当該データ線より幅広に形成され、定電位が印加される透光性の導電膜と、
を有し、
前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、
前記画素電極の膜厚をｄ1とし、当該画素電極の波長λの光に対する屈折率をｎ1とし、
前記絶縁層の前記導電膜と重なる部分の膜厚をｄ2とし、当該絶縁層の波長λの光に対する屈折率をｎ2とし、
前記導電膜の膜厚をｄ3とし、当該導電膜の波長λの光に対する屈折率をｎ3としたとき、
ｄ1、ｄ2、ｄ3、ｎ1、ｎ2およびｎ3は、以下の条件（１）、（２）
ｎ1×ｄ1＋ｎ2×ｄ2＝λ（１／４＋ｍ／２）・・・・（１）
ｎ2×ｄ2＋ｎ3×ｄ4＝λ（１／４＋ｎ／２）・・・・・（２）
但し、λは入射光の波長
ｍ、ｎは０以上の整数
ｎ1＞ｎ2
ｎ3＞ｎ2
ｎ1＞（前記画素電極に対して前記導電膜と反対側で接する透光膜の屈折率）
ｎ3＞（前記導電膜に対して前記画素電極と反対側で接する透光膜の屈折率）
を満たしていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項１４】
請求項１乃至１３の何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、データ線、画素スイッチング素子および透光性の画素電極を有する電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置では、素子基板の一方面側に画素トランジスター、データ線および画素電極が設けられており、画素トランジスターが選択期間にオン状態になることにより、データ線から画素トランジスターを介して画素電極に画像信号を供給する。また、非選択期間では、画素トランジスターがオフ状態になるため、次の選択期間までの間、画素電極は先に供給された画像信号を保持する。かかる非選択期間では、データ線の電位と画素電極の電位とが相違することになるので、画素電極とデータ線との間の寄生容量が大きいと、データ線の電位の影響を受けて、画素電極の電位が変動し、いわゆる縦クロストークが発生してしまう。
【０００３】
そこで、データ線と画素電極との間にデータ線より幅寸法が広いシールド層を設けた構成が提案されている。また、シールド層として、透光性の導電膜を用いることも提案されている（特許文献１、２、３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６３−９７９１９号公報
【特許文献２】特開平５−１２７１９５号公報
【特許文献３】特許第４１０２９２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、データ線と画素電極との間にデータ線より幅寸法が広いシールド層を設けると、シールド層を設けた領域での透過率が低下する等、透過特性が低下する。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、データ線と画素電極との間にデータ線より幅寸法が広い透光性の導電膜を設けた場合でも、良好な透過特性を得ることのできる電気光学装置、および当該電気光学装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本発明に係る電気光学装置は、データ線と、該データ線と電気的に接続された画素スイッチング素子と、該スイッチング素子と電気的に接続された透光性の画素電極と、前記データ線と前記画素電極との間に平面視で前記データ線を覆うように当該データ線より幅広に形成され、定電位が印加される透光性の導電膜と、を有し、少なくとも４００ｎｍから５００ｎｍの波長域、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域において、前記導電膜の透過率が前記画素電極の透過率より高いことを特徴とする。
【０００８】
本発明では、データ線と画素電極との間には、平面視でデータ線を覆うようにデータ線より幅広の透光性の導電膜が設けられ、かかる導電膜には定電位が印加される。このため、データ線と画素電極との間の寄生容量を低減することができるので、データ線の電位の影響が画素電極に及びにくい。また、導電膜は、少なくとも４００ｎｍから５００ｎｍの波長域、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域において、透過率が画素電極の透過率より高いため、データ線と画素電極との間にデータ線より幅寸法が広い導電膜を設けても、導電膜に起因する表示光量の損失を抑制することができる。それ故、良好な透過特性を得ることができる。
【０００９】
本発明において、前記導電膜の膜厚は、前記画素電極の膜厚より薄い構成を採用することができる。かかる構成によれば、導電膜の透過率を画素電極の透過率より高くすることができるので、導電膜に起因する表示光量の損失を抑制することができる。
【００１０】
本発明において、前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、前記画素電極は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、前記導電膜は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、前記絶縁層は、膜厚が１７５ｎｍ±１０％のシリコン酸化膜である構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極、絶縁層、および導電膜が平面視で重なった領域における透過光の分光特性は、４００ｎｍから５００ｎｍの波長域、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域にピークを有する。このため、カラー画像の表示に必要な赤色光、緑色光および青色光の透過率が高い。それ故、カラー画像の表示に適した良好な透過特性を得ることができる。
【００１１】
本発明において、前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、前記画素電極は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、前記導電膜は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であることが好ましい。かかる構成によれば、導電膜、絶縁層、および画素電極が重なった領域における透過光の分光特性は、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長域にピークを有することになる。従って、人間の視感度特性において感度が高い波長域の透過率が高い。それ故、カラー画像の表示に適した良好な透過特性を得ることができる。
【００１２】
本発明において、前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、前記画素電極の膜厚をｄ1とし、当該画素電極の波長λの光に対する屈折率をｎ1とし、前記絶縁層の前記導電膜と重なる部分の膜厚をｄ2とし、当該絶縁層の波長λの光に対する屈折率をｎ2とし、前記導電膜の膜厚をｄ3とし、当該導電膜の波長λの光に対する屈折率をｎ3としたとき、
ｄ1、ｄ2、ｄ3、ｎ1、ｎ2およびｎ3は、以下の条件（１）、（２）
ｎ1×ｄ1＋ｎ2×ｄ2＝λ（１／４＋ｍ／２）・・・・（１）
ｎ2×ｄ2＋ｎ3×ｄ4＝λ（１／４＋ｎ／２）・・・・・（２）
但し、λは入射光の波長
ｍ、ｎは０以上の整数
ｎ1＞ｎ2
ｎ3＞ｎ2
ｎ1＞（前記画素電極に対して前記導電膜と反対側で接する透光膜の屈折率）
ｎ3＞（前記導電膜に対して前記画素電極と反対側で接する透光膜の屈折率）
を満たしている構成を採用することができる。かかる構成によれば、画素電極、絶縁層、および導電膜が平面視で重なった領域を光が透過する際、界面で反射した光の位相が互いに打ち消すように光路長が設定されるので、反射光量を低減することができる。それ故、透過光量が高い等、良好な透過特性を得ることができる。
【００１３】
本発明において、前記導電膜は、前記画素電極より、少なくとも４００ｎｍから５００ｎｍの波長域、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域において、単位厚さにおける透過率が高い構成を採用してもよい。かかる構成によれば、導電膜の透過率を画素電極の透過率より高くすることができるので、導電膜に起因する表示光量の損失を抑制することができる。
【００１４】
本発明において、前記画素電極に対向する対向電極と、該対向電極と前記画素電極との間に配置された電気光学層と、を有し、前記対向電極と前記導電膜は、同一の定電位が印加される構成を採用することができる。
【００１５】
本発明において、前記導電膜と前記データ線との間に設けられ、前記画素電極と電気的に接続された第１容量電極層と、該第１容量電極層と前記データ線との間に当該第１容量電極層と少なくとも一部が重なるように設けられ、定電位が印加された第２容量電極層と、前記第１容量電極層と前記第２容量電極層との間に設けられた誘電体膜と、を有し、前記導電膜は、前記第１容量電極層および前記第２容量電極層より、前記データ線に沿って延在している部分が幅広である構成を採用してもよい。かかる構成によれば、第２容量電極層を幅広に形成しなくても、画素電極とデータ線との間のシールドを導電膜によって行うことができる。従って、第２容量電極層については遮光性の導電膜を用いても、画素開口率が低下することがない。それ故、良好な透過特性を得ることができる。
【００１６】
本発明において、前記導電膜と前記データ線との間に平面視で前記導電膜と少なくとも一部が重なるように設けられ、前記画素電極と電気的に接続された容量電極層と、前記導電膜と前記容量電極層との間に配置された誘電体膜と、を有する構成を採用してもよい。かかる構成によれば、シールドに用いた導電膜を用いて保持容量を構成することができる。
【００１７】
本発明において、前記画素電極に対して前記導電膜とは反対側で対向するマイクロレンズを有し、前記導電膜の側面は、前記マイクロレンズが位置する側に向かって斜めに傾いている構成を採用することができる。かかる構成によれば、導電膜の側面に光が入射しにくいので、導電膜の側面に入射した光に起因する迷光の発生を抑制することができる。
【００１８】
本発明の別の形態に係る電気光学装置は、データ線と、該データ線と電気的に接続された画素スイッチング素子と、該スイッチング素子と電気的に接続された透光性の画素電極と、前記データ線と前記画素電極との間に平面視で前記データ線を覆うように当該データ線より幅広に形成され、定電位が印加される透光性の導電膜と、を有し、前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、前記画素電極は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、前記導電膜は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、前記絶縁層は、膜厚が１７５ｎｍ±１０％のシリコン酸化膜であることを特徴とする。
【００１９】
本発明では、データ線と画素電極との間には、平面視でデータ線を覆うようにデータ線より幅広の透光性の導電膜が設けられ、かかる導電膜には定電位が印加される。このため、データ線と画素電極との間の寄生容量を低減することができるので、データ線の電位の影響が画素電極に及びにくい。また、画素電極、絶縁膜および導電膜の膜厚を最適化したため、画素電極、絶縁層、および導電膜が平面視で重なった領域における透過光の分光特性は、４００ｎｍから５００ｎｍの波長域、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域にピークを有する。このため、色再現性よくカラー画像を表示するのに必要な赤色光、緑色光および青色光の透過率が高い。それ故、カラー画像の表示に適した良好な透過特性を得ることができる。
【００２０】
本発明の別の形態に係る電気光学装置は、データ線と、該データ線と電気的に接続された画素スイッチング素子と、該スイッチング素子と電気的に接続された透光性の画素電極と、前記データ線と前記画素電極との間に平面視で前記データ線を覆うように当該データ線より幅広に形成され、定電位が印加される透光性の導電膜と、を有し、前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、前記画素電極は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、前記導電膜は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であることを特徴とする。
【００２１】
本発明では、データ線と画素電極との間には、平面視でデータ線を覆うようにデータ線より幅広の透光性の導電膜が設けられ、かかる導電膜には定電位が印加される。このため、データ線と画素電極との間の寄生容量を低減することができるので、データ線の電位の影響が画素電極に及びにくい。また、画素電極は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であり、導電膜は、膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜であるため、導電膜、絶縁層、および画素電極が重なった領域における透過光の分光特性は、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長域にピークを有することになる。従って、人間の視感度特性において感度が高い波長域の透過率が高い。それ故、カラー画像の表示に適した良好な透過特性を得ることができる。
【００２２】
本発明のさらに別の形態に係る電気光学装置は、データ線と、該データ線と電気的に接続された画素スイッチング素子と、該スイッチング素子と電気的に接続された透光性の画素電極と、前記データ線と前記画素電極との間に平面視で前記データ線を覆うように当該データ線より幅広に形成され、定電位が印加される透光性の導電膜と、を有し、前記画素電極と前記導電膜との間に透光性の絶縁層が設けられ、前記画素電極の膜厚をｄ1とし、当該画素電極の波長λの光に対する屈折率をｎ1とし、前記絶縁層の前記導電膜と重なる部分の膜厚をｄ2とし、当該絶縁層の波長λの光に対する屈折率をｎ2とし、前記導電膜の膜厚をｄ3とし、当該導電膜の波長λの光に対する屈折率をｎ3としたとき、
ｄ1、ｄ2、ｄ3、ｎ1、ｎ2およびｎ3は、以下の条件（１）、（２）
ｎ1×ｄ1＋ｎ2×ｄ2＝λ（１／４＋ｍ／２）・・・・（１）
ｎ2×ｄ2＋ｎ3×ｄ4＝λ（１／４＋ｎ／２）・・・・・（２）
但し、λは入射光の波長
ｍ、ｎは０以上の整数
ｎ1＞ｎ2
ｎ3＞ｎ2
ｎ1＞（前記画素電極に対して前記導電膜と反対側で接する透光膜の屈折率）
ｎ3＞（前記導電膜に対して前記画素電極と反対側で接する透光膜の屈折率）
を満たしていることを特徴とする。
【００２３】
本発明では、データ線と画素電極との間には、平面視でデータ線を覆うようにデータ線より幅広の透光性の導電膜が設けられ、かかる導電膜には定電位が印加される。このため、データ線と画素電極との間の寄生容量を低減することができるので、データ線の電位の影響が画素電極に及びにくい。また、画素電極、絶縁層、および導電膜が平面視で重なった領域を光が透過する際、界面で反射した光の位相が互いに打ち消すように光路長が設定されるので、反射光量を低減することができる。それ故、透過光量が高い等、良好な透過特性を得ることができる。
【００２４】
本発明に係る電気光学装置は、携帯電話機やモバイルコンピューター、投射型表示装置等の電子機器に用いることができる。これらの電子機器のうち、投射型表示装置は、電気光学装置に光を供給するための光源部と、前記電気光学装置によって光変調された光を投射する投射光学系とを備えている。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板の電気的構成を示す説明図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の画素の説明図である。
【図４】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板において画素スイッチング素子を構成する薄膜等の説明図である。
【図５】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板において保持容量を構成する薄膜等の説明図である。
【図６】本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の素子基板に形成した画素電極等の説明図である。
【図７】導電膜、絶縁層および画素電極の膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図８】導電膜、絶縁層および画素電極の膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図９】導電膜、絶縁層および画素電極の膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図１０】導電膜、絶縁層および画素電極の膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図１１】導電膜および画素電極の膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図１２】導電膜および画素電極の膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図１３】導電膜および画素電極の膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図１４】導電膜および画素電極の膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図１５】導電膜および画素電極の膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図１６】導電膜および画素電極の膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。
【図１７】本発明の改良例に係る電気光学装置に形成した導電層の側面形状を示す説明図である。
【図１８】本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、以下の説明で参照する図においては、走査線、データ線、信号線等の配線等については、それらの数を少なく表してある。
【００２７】
［実施の形態１］
図１は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置の液晶パネルの説明図であり、図１（ａ）には、液晶パネルを各構成要素と共に対向基板の側から見た平面構成が示され、図１（ｂ）には、そのＨ−Ｈ′断面が示されている。
【００２８】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、本形態の電気光学装置１００（液晶装置）に用いた液晶パネル１００ｐでは、素子基板１０（電気光学装置用基板）と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバーあるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には電気光学層５０（液晶層）が設けられている。シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、かかる液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０７ｄによって封止されている。
【００２９】
かかる構成の液晶パネル１００ｐにおいて、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｙ方向（第２方向）で対向する２つの辺１０ｅ、１０ｆ（端部）と、Ｘ方向（第１方向）で対向する２つの辺１０ｇ、１０ｈ（端部）とを備えている。液晶パネル１００ｐの略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられており、かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられている。表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００３０】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０においてＹ軸方向の一方側に位置する辺１０ｅに沿ってデータ線駆動回路１０１および複数の端子１０２が形成されており、この辺１０ｅに隣接する他の辺１０ｇ、１０ｈの各々に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して外部制御回路から各種電位や各種信号が入力される。
【００３１】
図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する一方面１０ｓの側には、表示領域１０ａに画素電極９ａや、図２等を参照して後述する画素スイッチング素子３０等がマトリクス状に配列されている。従って、表示領域１０ａは、画素電極９ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐとして構成されている。かかる構成の素子基板１０において、画素電極９ａの電気光学層５０側には配向膜１６が形成されている。
【００３２】
素子基板１０の一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士が細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。また、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖcomが印加されており、表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。
【００３３】
対向基板２０の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は、対向基板２０の全面に形成されている。
【００３４】
対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１に対して電気光学層５０とは反対側に遮光層２９が形成され、共通電極２１に対して電気光学層５０の側には配向膜２６が形成されている。遮光層２９は、表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光層２９の内周縁によって表示領域１０ａが規定されている。また、遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００３５】
また、対向基板２０の一方面２０ｓの側には、共通電極２１に対して電気光学層５０とは反対側に画素電極９ａと平面視で重なるマイクロレンズ２７が形成されている。かかるマイクロレンズ２７は、対向基板２０の一方面２０ｓに形成した半球状の凹部内に透光性材料２７０を充填することにより形成される。なお、対向基板２０においてマイクロレンズ２７と共通電極２１との間に保護層（図示せず）が形成されることもある。
【００３６】
液晶パネル１００ｐにおいて、シール材１０７より外側には、対向基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の一方面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。本形態において、基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９には、共通電位Ｖcomが印加されている。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１９ａおよび基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側と電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、素子基板１０の側から共通電位Ｖcomが印加されている。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられているが、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通るように設けられている。
【００３７】
本形態において、電気光学装置１００は透過型の液晶装置であり、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる透過型の液晶装置（電気光学装置１００）では、例えば、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０の側から出射される間に変調されて画像を表示する。
【００３８】
電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、電子ペーパーとして用いることもできる。また、電気光学装置１００では、使用する電気光学層５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル１００ｐに対して所定の向きに配置される。さらに、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００３９】
（素子基板１０の電気的構成）
図２は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０の電気的構成を示す説明図であり、図２（ａ）には、素子基板１０の回路や配線の平面的なレイアウトが示され、図２（ｂ）には、画素１００ａの電気的構成が示されている。なお、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の配線とは、同一のアルファベット記号を信号および配線Ｌの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する信号用の配線について「クロック信号線ＬＣＬＸ」とする。また、以下の説明において、端子１０２を介して素子基板１０に入力される信号名称と信号用の端子とは、同一のアルファベット記号を信号および端子Ｔの後に各々付与する。例えば、信号名称である「クロック信号ＣＬＸ」に対して、対応する端子１０２については「端子ＴＣＬＸ」とする。
【００４０】
図２（ａ）、（ｂ）に示すように、電気光学装置１００において、素子基板１０の中央領域には複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された画素電極配列領域１０ｐが設けられており、かかる画素電極配列領域１０ｐのうち、図１（ｂ）に示す額縁部分２９ａの内縁で囲まれた領域が表示領域１０ａである。素子基板１０では、画素電極配列領域１０ｐの内側に、Ｘ方向に延在する複数本の走査線３ａと、Ｙ方向に延在する複数本のデータ線６ａとが形成されており、それらの交点に対応する位置に画素１００ａが構成されている。複数の画素１００ａの各々には、ＴＦＴ等からなる画素スイッチング素子３０（画素トランジスター）、および画素電極９ａが形成されている。画素スイッチング素子３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素スイッチング素子３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。
【００４１】
素子基板１０において、画素電極配列領域１０ｐより外側の外周領域１０ｃには、走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、基板間導通用電極１９、端子１０２等が構成されており、端子１０２から走査線駆動回路１０４、データ線駆動回路１０１、サンプリング回路１０３、および基板間導通用電極１９に向けて複数の配線１０５が延在している。サンプリング回路１０３は複数本のデータ線６ａと電気的に接続しており、走査線駆動回路１０４は、複数本の走査線３ａと電気的に接続している。
【００４２】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１を参照して説明した対向基板２０に形成された共通電極２１と電気光学層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。また、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本形態では、保持容量５５を構成するために、複数の画素１００ａに跨って延びた容量線８ａが形成され、かかる容量線８ａには共通電位Ｖcomが印加されている。
【００４３】
なお、図２（ｂ）においては、容量線８ａが走査線３ａと並列して延在しているものとして表されているが、容量線８ａがデータ線６ａと並列して延在していてもよい。本形態では、容量線８ａがデータ線６ａと並列して延在する構成が採用されている。
【００４４】
素子基板１０の辺１０ｅに沿って設けられた端子１０２は、共通電位線用、走査線駆動回路用、画像信号用、およびデータ線駆動回路用の４つの用途に大きく分類される複数の端子群により構成されている。具体的には、端子１０２は、共通電位線ＬＶcom用として端子ＴＶcomを備え、走査線駆動回路１０４用として端子ＴＳＰＹ、端子ＴＶＳＳＹ、端子ＴＶＤＤＹ、端子ＴＣＬＹおよび端子ＴＣＬＹINVを備えている。また、端子１０２は、画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６用として端子ＴＶＩＤ１〜ＴＶＩＤ６を備え、データ線駆動回路１０１用として、端子ＴＶＳＳＸ、端子ＴＳＰＸ、端子ＴＶＤＤＸ、端子ＴＣＬＸ、端子ＴＣＬＸINV、端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４、および端子ＴＶＳＳＸを備えている。
【００４５】
データ線駆動回路１０１は、シフトレジスタ回路１０１ｃ、波形選択回路１０１ｂ、およびバッファー回路１０１ａを備えている。データ線駆動回路１０１において、シフトレジスタ回路１０１ｃは、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＸ、ＴＶＤＤＸ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＸ、ＬＶＤＤＸ）を介して供給される負電源ＶＳＳＸおよび正電源ＶＤＤＸを電源として用い、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＳＰＸ）および配線１０５（配線ＬＳＰＸ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＸに基づいて転送動作を開始する。シフトレジスタ回路１０１ｃは、端子１０２（端子ＴＣＬＸ、ＴＣＬＸINV）、および配線１０５（配線ＬＣＬＸ、ＬＣＬＸINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＸおよび逆位相クロック信号ＣＬＸINVに基づき、転送信号を順次、所定タイミングで波形選択回路１０１ｂへ出力する。波形選択回路１０１ｂは、「イネーブル回路」とも称され、シフトレジスタ回路１０１ｃから順次出力される転送信号のパルス幅を、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＥＮＢ１〜ＴＥＮＢ４）および配線１０５（配線ＬＥＮＢ１〜ＬＥＮＢ４）を介して供給されるイネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のパルス幅に制限することにより、後述のサンプリング回路１０３における各サンプリング期間を規定する。より具体的には、波形選択回路１０１ｂは、シフトレジスタ回路１０１ｃの各段に対応して設けられたＮＡＮＤ回路およびインバーター等により構成されており、シフトレジスタ回路１０１ｃより順次出力される転送信号がハイレベルとされており、かつ、イネーブル信号ＥＮＢ１〜ＥＮＢ４のいずれかがハイレベルとされているときにのみデータ線６ａが駆動されるように時間軸上における波形の選択制御を行う。バッファー回路１０１ａは、このように波形の選択が行われた転送信号をバッファリングした後、サンプリング回路駆動信号として、選択信号線１０９を介してサンプリング回路１０３に供給する。
【００４６】
サンプリング回路１０３は、画像信号をサンプリングするためのスイッチング素子１０８を複数備えて構成されている。本形態において、スイッチング素子１０８は、ＴＦＴ等の電界効果型トランジスターからなる。スイッチング素子１０８のドレインには、データ線６ａが電気的に接続され、スイッチング素子１０８のソースには、配線１０６を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）が接続されるとともに、スイッチング素子１０８のゲートには、データ線駆動回路１０１に接続された選択信号線１０９が接続されている。そして、端子１０２（端子ＴＶＩＤ１〜ＶＩＤ６）を介して配線１０５（画像信号線ＬＶＩＤ１〜ＬＶＩＤ６）に供給された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６は、データ線駆動回路１０１から選択信号線１０９を通じて選択信号（サンプリング回路駆動信号）が供給されるのに応じ、サンプリング回路１０３によりサンプリングされ、各データ線６ａに画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎとして供給される。本形態において、画像信号Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３、・・Ｓｎは、６相にシリアル−パラレル展開された画像信号ＶＩＤ１〜ＶＩＤ６の各々に対応して、６本のデータ線６ａの組に対してグループ毎に供給される。なお、画像信号の相展開数に関しては、６相に限られるものでなく、例えば、９相、１２相、２４相、４８相等、複数相に展開された画像信号が、その展開数に対応した数を一組としたデータ線６ａの組に対して供給される。
【００４７】
走査線駆動回路１０４は、構成要素としてシフトレジスタ回路およびバッファー回路を備えている。走査線駆動回路１０４は、外部制御回路から端子１０２（端子ＴＶＳＳＹ、ＴＶＤＤＹ）および配線１０５（配線ＬＶＳＳＹ、ＬＶＤＤＹ）を介して供給される負電源ＶＳＳＹおよび正電源ＶＤＤＹを電源として用い、同じく外部制御回路から端子１０２（端子ＴＳＰＹ）および配線１０５（端子ＴＳＰＹ）を介して供給されるスタート信号ＳＰＹに応じて、その内蔵シフトレジスタ回路の転送動作を開始する。また、走査線駆動回路１０４は、端子１０２（端子ＴＣＬＹ、ＴＣＬＹINV）および配線１０５（配線ＬＣＬＹ、ＬＣＬＹINV）を介して供給されるクロック信号ＣＬＹおよび逆位相クロック信号ＣＬＹINVに基づいて、所定のタイミングで走査線３ａに走査信号をパルス的に線順次で印加する。
【００４８】
素子基板１０には、４つの基板間導通用電極１９を通過するように配線１０５（共通電位線ＬＶcom）が形成されており、基板間導通用電極１９には、端子１０２（端子ＴＶcom）および配線１０５（共通電位線ＬＶcom）を介して共通電位Ｖcomが供給される。
【００４９】
（画素１００ａの具体的構成）
図３は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の画素１００ａの説明図であり、図３（ａ）には、素子基板１０において隣り合う複数の画素の平面構成が示され、図３（ｂ）には、電気光学装置１００を図３（ａ）に示す点（ａ）−（ｂ）−（ｃ）−（ｄ）−（ｅ）−（ｆ）−（ｇ）−（ｈ）−（ｉ）に沿って切断したときの断面が示されている。なお、図３（ａ）では、走査線３ａやデータ線６ａ等、主要な構成要素のみを図示し、容量線８ａ、容量電極層４ａ（第１容量電極層）、容量電極層５ａ（第２容量電極層）等の図示を省略してある。また、図３（ｂ）において一体に繋がった薄膜同士は、黒丸を結ぶ実線で繋いである。また、図３（ｂ）では、対向基板２０側の構成として共通電極２１や配向膜２６のみを示してあり、遮光層２９やマイクロレンズ２７の図示を省略してある。
【００５０】
図４は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０において画素スイッチング素子３０を構成する薄膜等の説明図であり、図４（ａ）には、ゲート電極３ｂ、半導体層１ａ、走査線３ａの平面構成が示され、図４（ｂ）には、データ線６等の平面構成が示されている。図５は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０において保持容量５５を構成する薄膜等の説明図であり、図５（ａ）には、容量線等の平面構成が示され、図５（ｂ）には、容量電極層４ａ、５ａの平面構成が示されている。図６は、本発明の実施の形態１に係る電気光学装置１００の素子基板１０に形成した画素電極９ａ等の説明図であり、図６（ａ）には、画素電極９ａおよびシールド用の導電膜の平面構成が示され、図６（ｂ）には、画素電極９ａ、シールド用の導電膜７ａおよびデータ線６ａの平面的なレイアウトが示されている。
【００５１】
なお、図３（ｂ）、図４、図５および図６では、各層を以下の線
走査線３ａ＝細い実線
半導体層１ａ＝細くて短い点線
ゲート電極３ｂ＝太くて短い点線
データ線６ａおよび中継電極６ｂ＝太い一点鎖線
容量線８ａおよび中継電極８ｂ＝細くて長い破線
容量電極層４ａ（第２容量電極層）＝細い二点鎖線
容量電極層５ａ（第１容量電極層）＝細い一点鎖線
シールド用の導電膜７ａ＝太い実線
画素電極９ａ＝太くて長い破線
で示してある。
【００５２】
図３（ａ）に示すように、素子基板１０において対向基板２０と対向する一方面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域に沿ってデータ線６ａおよび走査線３ａが形成されている。本形態において、画素間領域は縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域のうち、Ｘ方向に延在する第１画素間領域に沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向に延在する第２画素間領域に沿って直線的に延在している。すなわち、走査線３ａは、一つの画素１００ａと、この一つの画素１００ａとＹ方向で隣り合う画素１００ａとの境界に沿って延在している。また、データ線６ａは、一つの画素１００ａと、この一つの画素１００ａにＸ方向で隣り合う画素１００ａとの境界に沿って延在している。また、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素スイッチング素子３０が形成されており、本形態において、画素スイッチング素子３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域およびその付近を利用して形成されている。このように構成した画素１００ａにおいて、データ線６ａと走査線３ａとによって囲まれた透光領域が画素開口部として表示光が透過する。
【００５３】
以下、図３（ｂ）、図４、図５および図６を参照して、各層を説明する。図３（ｂ）に示すように、素子基板１０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの電気光学層５０側の基板面（対向基板２０と対向する一方面１０ｓ側）に画素電極９ａ、画素スイッチング素子３０、および配向膜１６等が形成されている。対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗの電気光学層５０側の基板面（素子基板１０と対向する一方面２０ｓ）に共通電極２１、および配向膜２６等が形成されている。
【００５４】
また、素子基板１０において、基板本体１０ｗの一方面１０ｓ側（基板本体１０ｗと電気光学層５０との間）には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる走査線３ａが形成されている。本形態において、走査線３ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）からなり、遮光膜としても機能する。このため、電気光学装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、走査線３ａは、かかる反射光が半導体層１ａに入射して画素スイッチング素子３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。
【００５５】
走査線３ａの上層側（走査線３ａと電気光学層５０との間）には、シリコン酸化膜等の透光性の層間絶縁膜１２が形成されており、かかる層間絶縁膜１２の表面側（層間絶縁膜１２と電気光学層５０との間）に半導体層１ａを備えた画素スイッチング素子３０が形成されている。画素スイッチング素子３０は、薄膜トランジスターであり、半導体層１ａと、半導体層１ａと直交する方向に延在して半導体層１ａに重なるゲート電極３ｂとを備えている。ゲート電極３ｂと走査線３ａとは、層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホール１２ａを介して電気的に接続している。
【００５６】
画素スイッチング素子３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｂとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｂに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル領域１ｇを備えているとともに、チャネル領域１ｇの一方の側にソース領域１ｂおよびチャネル領域１ｇの他方の側にドレイン領域１ｃを備えている。本形態において、画素スイッチング素子３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂおよびドレイン領域１ｃは各々、チャネル領域１ｇに隣接して低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００５７】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなる第１ゲート絶縁層と、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層との２層構造からなる。ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、ゲート電極３ｂは、導電性のポリシリコン膜からなる。
【００５８】
図４（ａ）に示すように、走査線３ａは、Ｘ方向に直線的に延在する本線部分３ｒと、後述するデータ線６ａとの交差部分およびその周辺と平面視で重なる矩形部分３ｓと、矩形部分３ｓからデータ線６ａの延在方向の一方側に向かってデータ線６ａに沿って延在する凸部３ｔと、矩形部分３ｓからデータ線６ａの延在方向の他方側に向かってデータ線６ａに沿って延在する凸部３ｕとを備えている。矩形部分３ｓは、本線部分３ｒより幅が広く、凸部３ｔの長さは、凸部３ｕの長さより大きい。
【００５９】
半導体層１ａは、走査線３ａの矩形部分３ｓと平面視で重なる位置から走査線３ａの延在方向の一方側および他方側に延在している。
【００６０】
ゲート電極３ｂは、半導体層１ａをデータ線６ａの延在方向の両側に形成された矩形部分３ｅ、３ｆと、矩形部分３ｅ、３ｆの端部を連結する連結部３ｇとを備えている。連結部３ｇが半導体層１ａと交差する方向に延在しており、連結部３ｇの一部が半導体層１ａと平面視で重なっている。
【００６１】
再び図３（ｂ）において、ゲート電極３ｂの上層側（ゲート電極３ｂと電気光学層５０との間）には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜からなる透光性の層間絶縁膜４１が形成され、層間絶縁膜４１の上層側（層間絶縁膜４１と電気光学層５０との間）にはデータ線６ａ、および中継電極６ｂが同層に形成されている。データ線６ａおよび中継電極６ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、データ線６ａおよび中継電極６ｂは、アルミニウム膜等の金属膜の単層膜あるいは積層膜からなる。データ線６ａは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してソース領域１ｂに電気的に接続し、中継電極６ｂは、層間絶縁膜４１およびゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ｂを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。
【００６２】
図４（ｂ）に示すように、データ線６ａは、Ｙ方向に直線的に延在する本線部分６ｒと、走査線３ａの矩形部分３ｓに平面視で重なる矩形部分６ｓと、矩形部分６ｓから走査線３ａの延在方向の一方側に向かって走査線３ａに沿って延在する凸部６ｔとを有しており、凸部６ｔがソース領域１ｂにコンタクトホール４１ａを介して電気的に接続している。中継電極６ｂは、データ線６ａに対して凸部６ｔの突出方向と反対側にデータ線６ａと分離して形成されおり、走査線３ａの本線部分３ｒと平面視で重なっている。
【００６３】
再び図３（ｂ）において、データ線６ａおよび中継電極６ｂの上層側（データ線６ａと電気光学層５０との間）には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜からなる透光性の層間絶縁膜４２が形成され、層間絶縁膜４２の上層側（層間絶縁膜４２と電気光学層５０との間）には、容量線８ａおよび中継電極８ｂが同層に形成されている。容量線８ａおよび中継電極８ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量線８ａおよび中継電極８ｂは、アルミニウム膜等の金属膜の単層膜あるいは積層膜からなる。中継電極８ｂは、層間絶縁膜４２を貫通するコンタクトホール４２ｂを介して中継電極６ｂに電気的に接続している。
【００６４】
図５（ａ）に示すように、容量線８ａは、Ｙ方向に直線的に延在してデータ線６ａの本線部分６ｒと重なる本線部分８ｒと、データ線６ａの矩形部分６ｓに平面視で重なる矩形部分８ｓと、矩形部分８ｓから走査線３ａの延在方向の一方側に向かって走査線３ａに沿って延在する凸部８ｔ、矩形部分８ｓから走査線３ａの延在方向の他方側に向かって走査線３ａに沿って延在する凸部８ｕとを有している。凸部８ｔ、８ｕのうち、凸部８ｔは、データ線６ａの凸部６ｔと平面視で重なっているのに対して、凸部８ｕは、データ線６ａと平面視で重なっていない。本形態において、データ線６ａと容量線８ａとでは、本線部分６ｒ、８ｒの幅寸法が等しく、凸部６ｔ、８ｔの幅寸法も等しい。中継電極８ｂは、凸部８ｕに対して矩形部分８ｓとは反対側に容量線８ａと分離して形成されている。中継電極８ｂは、中継電極６ｂと平面視で重なっており、コンタクトホール４２ｂを介して中継電極６ｂに電気的に接続している。
【００６５】
再び図３（ｂ）において、容量線８ａおよび中継電極８ｂの上層側（容量線８ａと電気光学層５０との間）には、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜からなる透光性の層間絶縁膜４３が形成され、層間絶縁膜４３の上層側（層間絶縁膜４３と電気光学層５０との間）には容量電極層４ａ（本発明における「第２容量電極層」）が形成されている。容量電極層４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量電極層４ａは、アルミニウム膜等の金属膜の単層膜あるいは積層膜からなる。容量電極層４ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｃを介して容量線８ａに電気的に接続している。
【００６６】
容量電極層４ａの上層側（容量電極層４ａと電気光学層５０との間）には透光性の誘電体層４０が形成されており、かかる誘電体層４０の上層側（誘電体層４０と電気光学層５０との間）には容量電極層５ａ（本発明における「第１容量電極層」）が形成されている。容量電極層５ａは、層間絶縁膜４３を貫通するコンタクトホール４３ｂを介して中継電極８ｂに電気的に接続している。誘電体層４０としては、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量電極層５ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる。本形態において、容量電極層５ａは、アルミニウム膜等の金属膜の単層膜あるいは積層膜からなる。このようにして、容量電極層５ａは、誘電体層４０を介して容量電極層４ａと平面視で重なる領域において保持容量５５を構成している。
【００６７】
図５（ｂ）に示すように、容量電極層４ａは、容量線８ａの矩形部分８ｓと重なる矩形部分４ｓと、矩形部分４ｓからデータ線６ａの延在方向の一方側に突出した凸部４ｒと、矩形部分４ｓから走査線３ａの延在方向の一方側に突出した凸部４ｔと、矩形部分４ｓから走査線３ａの延在方向の他方側に突出した凸部４ｕとを有している。ここで、容量電極層４ａの矩形部分４ｓは、層間絶縁膜４３のコンタクトホール４３ｃを介して容量線８ａに電気的に接続している。
【００６８】
容量電極層５ａは、容量電極層４ａの矩形部分４ｓと重なる矩形部分５ｓと、矩形部分５ｓからデータ線６ａの延在方向の一方側に突出した凸部５ｒと、矩形部分４ｓから走査線３ａの延在方向の一方側に突出した凸部５ｔと、矩形部分５ｓから走査線３ａの延在方向の他方側に突出した凸部５ｕとを有している。ここで、凸部５ｕは、平面視において凸部４ｕより走査線３ａの延在方向の他方側に張り出しており、かかる張り出し部分が、層間絶縁膜４３のコンタクトホール４３ｂを介して中継電極８ｂに電気的に接続している。本形態において、容量電極層５ａの凸部５ｒ，５ｔ、５ｕは、容量電極層４ａの凸部４ｒ，４ｔ、４ｕより幅寸法が大であり、容量電極層５ａの矩形部分５ｓは、容量電極層４ａの矩形部分４ｓよりサイズが大である。このため、容量電極層５ａは、平面視で容量電極層４ａを完全に覆っている。
【００６９】
再び図３（ｂ）において、容量電極層５ａの上層側（容量電極層５ａと電気光学層５０との間）には層間絶縁膜４４および絶縁層４５が形成されており、かかる絶縁層４５の上層側（絶縁層４５と電気光学層５０との間）には、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜４４および絶縁層４５を貫通するコンタクトホール４５ｂを介して容量電極層５ａと電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、容量電極層５ａ、中継電極８ｂ、中継電極６ｂを介してドレイン領域１ｃと電気的に接続している。層間絶縁膜４４および絶縁層４５は、ＮＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＢＰＳＧ等のシリコン酸化膜からなり、層間絶縁膜４４の表面、および絶縁層４５の表面はいずれも平坦化されている。
【００７０】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、画素電極９ａは、矩形の平面形状を有しており、画素電極９ａの４つの角部分のうち、容量電極層５ａの矩形部分５ｓと重なる部分で、層間絶縁膜４４および絶縁層４５を貫通するコンタクトホール４５ｂを介して容量電極層５ａと電気的に接続している。ここで、画素電極９ａは、Ｘ方向の両側の端部９ｒ、９ｓがデータ線６ａと平面視で重なっており、Ｘ方向の両側の端部９ｔ、９ｕは走査線３ａと平面視で重なっている。本形態では、層間絶縁膜４４と絶縁層４５との間（データ線６ａと画素電極９ａとの間）には、後述するシールド用の導電膜７ａが形成されている。
【００７１】
再び図３（ｂ）において、画素電極９ａの上層側（画素電極９ａと電気光学層５０との間）には、ポリイミドや無機配向膜からなる配向膜１６が形成されている。本形態において、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（無機配向膜）からなる。なお、本形態においては、対向基板２０の側に形成された配向膜２６も、配向膜１６と同様、ＳｉＯX（ｘ＜２）、ＳｉＯ2、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の斜方蒸着膜（無機配向膜）である。かかる配向膜１６、２６は、電気光学層５０に用いた誘電異方性が負のネマチック液晶化合物を傾斜垂直配向させ、液晶パネル１００ｐは、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本形態では、配向膜１６、２６として、各種無機配向膜のうち、シリコン酸化膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられている。
【００７２】
（シールド用の導電膜７ａ）
図３（ｂ）に示すように、層間絶縁膜４４と絶縁層４５との間（絶縁層４５の上層／データ線６ａと画素電極９ａとの間）には、透光性の導電膜によってシールド用の導電膜７ａが形成されており、導電膜７ａには、定電位が印加されている。導電膜７ａに印加される電位は定電位であればよいが、本形態では、導電膜７ａには共通電位Ｖcomが印加されている。このため、極性反転駆動を行った場合、導電膜７ａの電位が正極性駆動時の画素電極９ａおよびデータ線６ａの電位と、負極性駆動時の画素電極９ａおよびデータ線６ａの電位との間であるため、データ線６ａや画素電極９ａの電位への影響が小さくて済む。なお、導電膜７ａに対する電位の供給は、表示領域１０ａの外側で行われている。このため、画素１００ａ内に導電膜７ａに対するコンタクトホールを設ける必要がない等、画素１００ａの構成を簡素化することができる。
【００７３】
図６（ａ）、（ｂ）に示すように、導電膜７ａは、Ｙ方向に直線的に延在してデータ線６ａの本線部分６ｒと重なる本線部分７ｒと、データ線６ａの矩形部分６ｓに平面視で重なる矩形部分７ｓとを有している。なお、矩形部分７ｓには、画素電極９ａと容量電極層５ａとを電気的に接続するコンタクトホール４５ｂが形成されている部分に切り欠き７ｔが形成されている。
【００７４】
ここで、導電膜７ａの本線部分７ｒは、データ線６ａの本線部分６ｒより幅広である。また、導電膜７ａの本線部分７ｒは、容量電極層５ａの凸部５ｒより幅広である。従って、導電膜７ａの本線部分７ｒは、平面視においてデータ線６ａの本線部分６ｒおよび容量電極層５ａの凸部５ｒを完全に覆っている。また、導電膜７ａの矩形部分７ｓは、データ線６ａの矩形部分６ｓや容量電極層５ａの矩形部分５ｓよりもサイズが大である。従って、導電膜７ａの本線部分７ｒは、平面視において、切り欠き７ｔが形成されている部分を除いて、データ線６ａの矩形部分６ｓおよび容量電極層５ａの矩形部分５ｓを完全に覆っている。
【００７５】
このように構成した電気光学装置１００において、本形態では、少なくとも４００ｎｍから５００ｎｍの波長域（青色の波長域）、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域（緑色の波長域）、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域（赤色の波長域）において、導電膜７ａの透過率が画素電極９ａの透過率より高い。
【００７６】
より具体的には、本形態において、導電膜７ａおよび画素電極９ａはいずれもＩＴＯ膜（例えば、同じ組成比、製造方法で形成されたＩＴＯ膜）からなるため、単位厚さにおける透過率（吸収率）は等しい。但し、本形態では、導電膜７ａの膜厚は、画素電極９ａの膜厚より薄い。このため、可視領域の全体にわたって、導電膜７ａの透過率が画素電極９ａの透過率より高い。
【００７７】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態の電気光学装置１００において、データ線６ａと画素電極９ａとの間には、平面視でデータ線６ａを覆うようにデータ線６ａより幅広の透光性の導電膜７ａが設けられ、かかる導電膜７ａには定電位が印加される。このため、データ線６ａと画素電極９ａとの間の寄生容量を低減することができるので、データ線６ａの電位の影響が画素電極９ａに及びにくい。
【００７８】
また、導電膜７ａは、少なくとも４００ｎｍから５００ｎｍの波長域（青色の波長域）、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域（緑色の波長域）、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域（赤色の波長域）において、透過率が画素電極９ａの透過率より高い。このため、データ線６ａと画素電極９ａとの間にデータ線６ａより幅寸法が広い導電膜７ａを設けても、導電膜７ａに起因する表示光量の損失を抑制することができ、良好な透過特性を有している。
【００７９】
また、本形態では、導電膜７ａの膜厚を画素電極９ａの膜厚より薄くすることにより、導電膜７ａの透過率を画素電極９ａの透過率より高くしている。このため、比較的簡素な構成で、導電膜７ａの透過率を画素電極９ａの透過率より高くすることができる。
【００８０】
また、本形態では、保持容量５５を構成するにあたって、導電膜７ａとデータ線６ａとの間に、画素電極９ａと電気的に接続された容量電極層５ａ（第１容量電極層）を設け、容量電極層５ａとデータ線６ａとの間に定電位（共通電位Ｖcom）が印加された容量電極層４ａ（第２容量電極層）が設けられている。かかる構造であっても、本形態では、導電膜７ａは、切り欠き７ｔが形成されている部分を除いて、容量電極層５ａを完全に覆っている。このため、容量電極層４ａによって、画素電極９ａとデータ線６ａとの間のシールドを行う必要がない。従って、容量電極層４ａを幅広に形成しなくてもよいので、容量電極層４ａに遮光性の導電膜を用いても画素開口率が低下することがない。
【００８１】
［実施の形態１の改良例１］
本形態では、導電膜７ａの膜厚を画素電極９ａの膜厚より薄くし、かつ、導電膜７ａ、絶縁層４５および画素電極９ａの膜厚を各々、最適化することにより、画素電極９ａ、絶縁層４５、および導電膜７ａを透過する光の分光特性を最適化する。すなわち、本形態では、透光性の導電膜７ａ、透光性の絶縁層４５、および透光性の画素電極９ａが積層されており、これらの膜を透過する際、界面での反射や界面での屈折により、光強度が減衰するおそれがある。そこで、本形態では、以下に説明する検討結果に基づいて、画素電極９ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜（屈折率が１．５〜１．９）とし、導電膜７ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜（屈折率が１．５〜１．９）とし、絶縁層４５を膜厚が１７５ｎｍ±１０％のシリコン酸化膜とする（屈折率が１．４〜１．５）。
【００８２】
より具体的には、表１に条件１〜１６を示すように、画素電極９ａ、絶縁層４５、および導電膜７ａの膜厚を変えて、画素電極９ａ、絶縁層４５、および導電膜７ａが積層している部分の透過分光特性をシミュレーションした。その結果を図７〜図１０に示す。
【００８３】
【表１】
2014178411.tif 000003
【００８４】
図７〜図１０は、導電膜７ａ、絶縁層４５および画素電極９ａの膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。なお、図７には、条件１、１１、１２、１３の結果を示し、図８には、条件１、２、３、４、１４、１５の結果を示し、図９には、条件１、５、６、７、８の結果を示し、図１０には、条件１、９、１０、１６の結果を示してある。なお、図７〜図１０に示す分光特性においては、条件１での赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）における透過率のピーク値を「１」として指標化してある。また、本シミュレーション結果は、各条件に対応するサンプルを作成して評価した結果と対応しており、本シミュレーションでの評価が妥当であることが確認されている。
【００８５】
図７から図１０から分かるように、画素電極９ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とし、導電膜７ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とし、絶縁層４５を膜厚が１７５ｎｍ±１０％のシリコン酸化膜とした条件１〜１０では、４００ｎｍから５００ｎｍの波長域（青色の波長域）、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域（緑色の波長域）、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域（赤色の波長域）の各々にピークが出現している。すなわち、光の三原色に相当する代表波長付近（４６０ｎｍ付近、５５０ｎｍ付近、および６６０ｎｍ付近）に透過率のピークが出現しており、色再現性の点で理想的である。
【００８６】
これに対して、条件１１、１２では、６００ｎｍから７００ｎｍの波長域にピークが出現しない。条件１３では、６００ｎｍから７００ｎｍの波長域にピークが出現せず、かつ、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域でのピークが低い。条件１４では、４００ｎｍから５００ｎｍの波長域、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域の各々にピークが出現しているが、４００ｎｍから５００ｎｍの波長域でのピークが４９０ｎｍであり、かつ、４９０ｎｍより短波長域での透過率が低い。条件１４では、４３０ｎｍ付近にピークが出現しているが、４３０ｎｍ以下の短波長域の光は、カットして使用されることが多いので、４００ｎｍから５００ｎｍの波長域の光については十分な透過率を有しているとはいえない。条件１５では、４００ｎｍから５００ｎｍの波長域、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域の各々にピークが出現しているが、条件１〜１０に比してピークが短波長側にシフトしすぎている。条件１６では、４００ｎｍから５００ｎｍの波長域、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域の各々にピークが出現しているが、条件１〜１０に比してピークが長波長側にシフトしすぎている。
【００８７】
それ故、表示の色再現性という面では、画素電極９ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とし、導電膜７ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とし、絶縁層４５を膜厚が１７５ｎｍ±１０％のシリコン酸化膜とした条件１〜１０が好ましい。また、導電膜７ａの膜厚を画素電極９ａの膜厚より薄くすることにより、導電膜７ａに起因する光量損失を低減するという観点からすれば、条件４のように、画素電極９ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とし、導電膜７ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とし、絶縁層４５を膜厚が１７５ｎｍ±１０％のシリコン酸化膜としたうえで、導電膜７ａの膜厚を画素電極９ａの膜厚より薄くすることが好ましい。
【００８８】
［実施の形態１の改良例２］
本形態では、導電膜７ａの膜厚を画素電極９ａの膜厚より薄くし、かつ、導電膜７ａおよび画素電極９ａの膜厚を各々、最適化することにより、人間の視感度特性において感度が高い波長域（５３０ｎｍ〜５９０ｎｍ）の透過率がシールド用の導電膜７ａによって損失することを抑制する。
【００８９】
より具体的には、表２に条件２１〜２７および条件３１〜４２を示すように、画素電極９ａ、および導電膜７ａの膜厚を変えて、画素電極９ａ、および導電膜７ａが積層している部分の分光特性をシミュレーションした。その結果を図１１〜図１６に示す。
【００９０】
【表２】
2014178411.tif 000004
【００９１】
図１１〜図１６は、導電膜７ａ、および画素電極９ａの膜厚を変化させた場合の透過光の分光特性をシミュレーションした結果を示すグラフである。なお、図１１には、条件２１、３１、３２、３３、３４の結果を示し、図１２には、条件２１、２２、３５、３６の結果を示し、図１３には、条件２１、２３、３７、３８の結果を示し、図１４には、条件２１、２４、３９、４０の結果を示し、図１５には、条件２１、２５、４１、４２の結果を示してある。なお、図１１〜図１６に示す分光特性においては、透過率の最大値を「１」として指数化してある。また、本シミュレーション結果は、各条件に対応するサンプルを作成して評価した結果と対応しており、本シミュレーションでの評価が妥当であることが確認されている。
【００９２】
図１１から図１６からわかるように、画素電極９ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とし、導電膜７ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とした条件２１〜２７では、導電膜７ａ、絶縁層４５、および画素電極９ａが重なった領域における透過光の分光特性は、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長域にピークを有している。従って、人間の視感度特性において感度が高い波長域の透過率が高い。
【００９３】
これに対して、条件３１、３２、３３、３４では、ピーク波長が４４０ｎｍ、５００ｎｍ、４７０ｎｍと６２０ｎｍ、および５００ｎｍと６８０ｎｍであり、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長域にピークを有していない。条件３５、３６では、ピーク波長が４５０ｎｍと６００ｎｍ、および４６０ｎｍと６３０ｎｍであり、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長域にピークを有していない。条件３７、３８では、ピーク波長が４００ｎｍと５２０ｎｍ、および５００ｎｍであり、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長域にピークを有していない。条件３９、４０では、ピーク波長が４５０ｎｍと６００ｎｍ、および４６０ｎｍと６２０ｎｍであり、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長域にピークを有していない。条件４１、４２では、ピーク波長が５２０ｎｍ、および５００ｎｍであり、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長域にピークを有していない。
【００９４】
それ故、人間の視感度特性において感度が高い波長域（５３０ｎｍ〜５９０ｎｍ）の透過率を高くして明るくみえる画像を表示するという観点面では、画素電極９ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とし、導電膜７ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とした条件２１〜２７が好ましい。また、導電膜７ａの膜厚を画素電極９ａの膜厚より薄くすることにより、導電膜７ａに起因する光量損失を低減するという観点からすれば、条件２３や条件２７のように、画素電極９ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とし、導電膜７ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜としたうえで、導電膜７ａの膜厚を画素電極９ａの膜厚より薄くすることが好ましい。
【００９５】
［実施の形態１の改良例３］
本形態では、導電膜７ａの膜厚を画素電極９ａの膜厚より薄くし、かつ、各界面での反射を抑制することにより、表示光量の損失を低減する。
【００９６】
より具体的には、画素電極９ａの膜厚をｄ1とし、画素電極９ａの波長λの光に対する屈折率をｎ1とし、絶縁層４５の導電膜７ａと重なる部分の膜厚をｄ2とし、絶縁層４５の波長λの光に対する屈折率をｎ2とし、導電膜７ａの膜厚をｄ3とし、導電膜７ａの波長λの光に対する屈折率をｎ3としたとき、
ｄ1、ｄ2、ｄ3、ｎ1、ｎ2およびｎ3は、以下の条件（１）、（２）
ｎ1×ｄ1＋ｎ2×ｄ2＝λ（１／４＋ｍ／２）・・・・（１）
ｎ2×ｄ2＋ｎ3×ｄ4＝λ（１／４＋ｎ／２）・・・・・（２）
但し、λは入射光の波長
ｍ、ｎは０以上の整数
ｎ1＞ｎ2
ｎ3＞ｎ2、ｎ1＞（配向膜１６の屈折率）
ｎ3＞（層間絶縁膜４４の屈折率）
を満たしている構成を採用する。ここで、λは入射光の波長であり、例えば、５３０ｎｍから５９０ｎｍの所定の波長を設定する。なお、配向膜１６は、画素電極９ａに対して導電膜７ａと反対側で接する透光膜に相当し、層間絶縁膜４４は、導電膜７ａに対して画素電極９ａと反対側で接する透光膜に相当する。
【００９７】
かかる構成によれば、画素電極９ａ、絶縁層４５、および導電膜７ａが平面視で重なった領域を光が透過する際、波長がλの光に対して、配向膜１６と画素電極９ａの界面で反射した光と絶縁層４５と導電膜７ａの界面で反射した光の位相が互いに打ち消しあうように光路長が設定され、画素電極９ａと絶縁層４５の界面で反射した光と導電膜７ａと層間絶縁膜４４の界面で反射した光の位相が互いに打ち消すように光路長が設定されるので、反射光量を低減することができる。それ故、導電膜７ａに起因する表示光量の損失を抑制することができる。
【００９８】
［実施の形態２］
本形態では、導電膜７ａと画素電極９ａとの膜厚の大小にかかわらず、導電膜７ａ、絶縁層４５および画素電極９ａの膜厚を各々、最適化することにより、画素電極９ａ、絶縁層４５、および導電膜７ａを透過する光の分光特性を最適化する。すなわち、本形態では、透光性の導電膜７ａ、透光性の絶縁層４５、および透光性の画素電極９ａが積層されており、これらの膜を透過する際、界面での反射や界面での屈折により、光強度が減衰するおそれがある。そこで、本形態では、表１および図７〜図１０を参照して説明した検討結果に基づいて、条件１〜１０のように、画素電極９ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜（屈折率が１．５〜１．９）とし、導電膜７ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜（屈折率が１．５〜１．９）とし、絶縁層４５を膜厚が１７５ｎｍ±１０％のシリコン酸化膜とする（屈折率が１．４〜１．５）。その他の構成は実施の形態１と同様である。
【００９９】
かかる構成によれば、４００ｎｍから５００ｎｍの波長域（青色の波長域）、５００ｎｍから６００ｎｍの波長域（緑色の波長域）、および６００ｎｍから７００ｎｍの波長域（赤色の波長域）の各々にピークが出現する等、カラー画像の表示に適した良好な透過特性を有している。従って、色再現性の点で理想的である。
【０１００】
［実施の形態３］
本形態では、導電膜７ａと画素電極９ａとの膜厚の大小にかかわらず、導電膜７ａおよび画素電極９ａの膜厚を各々、最適化することにより、人間の視感度特性において感度が高い波長域（５３０ｎｍ〜５９０ｎｍ）の透過率がシールド用の導電膜７ａによって損失することを抑制する。
【０１０１】
より具体的には、表２および図１１〜図１６を参照して説明した検討結果に基づいて、条件２１〜２７に示すように、画素電極９ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とし、導電膜７ａを膜厚が１４０ｎｍ±１０％のＩＴＯ膜とする。その他の構成は実施の形態１と同様である。
【０１０２】
かかる構成によれば、導電膜７ａ、絶縁層４５、および画素電極９ａが重なった領域における透過光の分光特性は、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長域にピークを有している。従って、人間の視感度特性において感度が高い波長域の透過率が高い。それ故、カラー画像の表示に適した良好な透過特性を有している。
【０１０３】
［実施の形態４］
本形態では、導電膜７ａと画素電極９ａとの膜厚の大小にかかわらず、各界面での反射を抑制することにより、表示光量の損失を低減する。
【０１０４】
より具体的には、画素電極９ａの膜厚をｄ1とし、画素電極９ａの波長λの光に対する屈折率をｎ1とし、絶縁層４５の導電膜７ａと重なる部分の膜厚をｄ2とし、絶縁層４５の波長λの光に対する屈折率をｎ2とし、導電膜７ａの膜厚をｄ3とし、導電膜７ａの波長λの光に対する屈折率をｎ3としたとき、
ｄ1、ｄ2、ｄ3、ｎ1、ｎ2およびｎ3は、以下の条件（１）、（２）
ｎ1×ｄ1＋ｎ2×ｄ2＝λ（１／４＋ｍ／２）・・・・（１）
ｎ2×ｄ2＋ｎ3×ｄ4＝λ（１／４＋ｎ／２）・・・・・（２）
但し、λは入射光の波長
ｍ、ｎは０以上の整数
ｎ1＞ｎ2
ｎ3＞ｎ2、ｎ1＞（配向膜１６の屈折率）
ｎ3＞（層間絶縁膜４４の屈折率）
を満たしている構成を採用する。ここで、λは入射光の波長であり、例えば、５３０ｎｍから５９０ｎｍの所定の波長を設定する。なお、配向膜１６は、画素電極９ａに対して導電膜７ａと反対側で接する透光膜に相当し、層間絶縁膜４４は、導電膜７ａに対して画素電極９ａと反対側で接する透光膜に相当する。その他の構成は実施の形態１と同様である。
【０１０５】
かかる構成によれば、画素電極９ａ、絶縁層４５、および導電膜７ａが平面視で重なった領域を光が透過する際、波長がλの光に対して、配向膜１６と画素電極９ａの界面で反射した光と絶縁層４５と導電膜７ａの界面で反射した光の位相が互いに打ち消しあうように光路長が設定され、画素電極９ａと絶縁層４５の界面で反射した光と導電膜７ａと層間絶縁膜４４の界面で反射した光の位相が互いに打ち消すように光路長が設定されるので、反射光量を低減することができる。それ故、導電膜７ａに起因する表示光量の損失を抑制することができる。
【０１０６】
［実施の形態１の変形例］
実施の形態１では、導電膜７ａおよび画素電極９ａとして同一種類の透光性導電膜を用い、導電膜７ａの膜厚を画素電極９ａの膜厚より薄くして、可視領域の全体にわたって、導電膜７ａの透過率が画素電極９ａの透過率より高い構成としたが、導電膜７ａおよび画素電極９ａに異なる透光性導電膜を用いて、導電膜７ａの透過率を画素電極９ａの透過率より高くしてもよい。すなわち、導電膜７ａの光吸収率を画素電極９ａの光吸収率より低くしてもよい。
【０１０７】
例えば、高温アニールしたＩＴＯ膜を導電膜７ａとして用い、室温成膜したＩＺＯ膜を画素電極９ａに用いて、導電膜７ａの透過率を画素電極９ａの透過率より高くしてもよい。
【０１０８】
［実施の形態１〜４の改良例］
図１７は、本発明の改良例に係る電気光学装置１００に形成した導電膜７ａの側面形状を示す説明図である。
【０１０９】
図１を参照して説明したように、対向基板２０にマイクロレンズ２７が形成されている場合、図１７に示すように、マイクロレンズ２７から出射された光Ｌは、収束光として画素電極９ａに到達する。この場合、導電膜７ａの側面が導電膜７ａの上面や下面に直交している構成（マイクロレンズ２７に入射する略平行光と、導電膜７ａの側面が平行に形成されている構成）の場合、導電膜７ａの上面から所定の角度で入射した光Ｌが導電膜７ａの側面から絶縁層４５へ出射する。この際、導電膜７ａの側面と光Ｌのなす角度により、光Ｌは屈折などの影響を受ける。その結果、迷光が発生することになる。そこで、本形態では、図１７に示すように、導電膜７ａの側面７ｗは、マイクロレンズ２７が位置する側に向かって斜めに傾いている構成にしてある。言い換えると、導電膜７ａの側面７ｗは、マイクロレンズ２７の周辺部に平行光が入射したときの出射光の傾斜方向に沿って傾斜している。このため、導電膜７ａの側面７ｗに光Ｌが入射しにくいので、導電膜７ａの側面７ｗに入射した光に起因する迷光の発生を抑制することができる。
【０１１０】
［他の実施の形態］
上記実施の形態では、導電膜７ａとは別に容量電極層４ａ、５ａを設けて保持容量を形成したが、導電膜７ａに共通電位Ｖcomが印加されていることを利用して、導電膜７ａとデータ線６ａとの間に平面視で導電膜７ａと少なくとも一部が重なるように、画素電極９ａと電気的に接続された容量電極層を設けるとともに、導電膜７ａと容量電極層との間に誘電体膜を設けてもよい。かかる構成によれば、シールドに用いた導電膜７ａを用いて保持容量５５を構成することができるので、画素１００ａを構成する膜の種類を減らすことができる。
【０１１１】
上記実施の形態では、画素電極９ａとゲート電極３ｂや走査線３ａとの間に厚い絶縁膜が介在しているため、導電膜７ａをデータ線６ａと重なる領域のみに設けたが、走査線３ａと重なる領域にも導電膜７ａを設けてもよい。
【０１１２】
上記実施の形態では、半導体層１ａが走査線３ａに沿って延在している構成であったが、半導体層１ａがデータ線６ａに沿って延在している構成を採用してもよい。
【０１１３】
上記実施の形態では、容量線８ａがデータ線６ａに沿って延在している構成であったが、容量線８ａが走査線３ａに沿って延在している構成を採用してもよい。
【０１１４】
［他の電気光学装置］
上記実施の形態では、電気光学装置として液晶装置を例に挙げて説明したが、本発明はこれに限定されず、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ（Field Emission Display）、ＳＥＤ（Surface-Conduction Electron-Emitter Display）、ＬＥＤ（発光ダイオード）表示装置、電気泳動表示装置等の電気光学装置に本発明を適用してもよい。
【０１１５】
［電子機器への搭載例］
（投射型表示装置および光学ユニットの構成例）
図１８は、本発明を適用した投射型表示装置（電子機器）および光学ユニットの概略構成図である。
【０１１６】
図１８に示す投射型表示装置１１０は、観察者側に設けられたスクリーン１１１に光を照射し、このスクリーン１１１で反射した光を観察する、いわゆる投影型の投射型表示装置である。投射型表示装置１１０は、光源１１２を備えた光源部１３０と、ダイクロイックミラー１１３、１１４と、液晶ライトバルブ１１５〜１１７と、投射光学系１１８と、クロスダイクロイックプリズム１１９（合成光学系）と、リレー系１２０とを備えており、電気光学装置１００およびクロスダイクロイックプリズム１１９は、光学ユニット２００を構成している。
【０１１７】
光源１１２は、赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを含む光を供給する超高圧水銀ランプで構成されている。ダイクロイックミラー１１３は、光源１１２からの赤色光Ｒを透過させるとともに、緑色光Ｇ、および青色光Ｂを反射する構成となっている。また、ダイクロイックミラー１１４は、ダイクロイックミラー１１３で反射された緑色光Ｇおよび青色光Ｂのうち青色光Ｂを透過させるとともに緑色光Ｇを反射する構成となっている。このように、ダイクロイックミラー１１３、１１４は、光源１１２から出射した光を赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとに分離する色分離光学系を構成する。
【０１１８】
ここで、ダイクロイックミラー１１３と光源１１２との間には、インテグレーター１２１および偏光変換素子１２２が光源１１２から順に配置されている。インテグレーター１２１は、光源１１２から照射された光の照度分布を均一化する構成となっている。また、偏光変換素子１２２は、光源１１２からの光を、例えばｓ偏光のような特定の振動方向を有する偏光にする構成となっている。
【０１１９】
液晶ライトバルブ１１５は、ダイクロイックミラー１１３を透過して反射ミラー１２３で反射した赤色光を画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。液晶ライトバルブ１１５は、λ／２位相差板１１５ａ、第１偏光板１１５ｂ、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）、および第２偏光板１１５ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１５に入射する赤色光Ｒは、ダイクロイックミラー１１３を透過しても光の偏光は変化しないことから、ｓ偏光のままである。
【０１２０】
λ／２位相差板１１５ａは、液晶ライトバルブ１１５に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１５ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（赤色用液晶パネル１００Ｒ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１５ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１５は、画像信号に応じて赤色光Ｒを変調し、変調した赤色光Ｒをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１２１】
なお、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂは、偏光を変換させない透光性のガラス板１１５ｅに接した状態で配置されており、λ／２位相差板１１５ａ、および第１偏光板１１５ｂが発熱によって歪むのを回避することができる。
【０１２２】
液晶ライトバルブ１１６は、ダイクロイックミラー１１３で反射した後にダイクロイックミラー１１４で反射した緑色光Ｇを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１６は、液晶ライトバルブ１１５と同様に、第１偏光板１１６ｂ、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）、および第２偏光板１１６ｄを備えている。液晶ライトバルブ１１６に入射する緑色光Ｇは、ダイクロイックミラー１１３、１１４で反射されて入射するｓ偏光である。第１偏光板１１６ｂは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。また、電気光学装置１００（緑色用液晶パネル１００Ｇ）は、ｓ偏光を画像信号に応じた変調によってｐ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。そして、第２偏光板１１６ｄは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１６は、画像信号に応じて緑色光Ｇを変調し、変調した緑色光Ｇをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。
【０１２３】
液晶ライトバルブ１１７は、ダイクロイックミラー１１３で反射し、ダイクロイックミラー１１４を透過した後でリレー系１２０を経た青色光Ｂを画像信号に応じて変調する透過型の液晶装置である。かかる液晶ライトバルブ１１７は、液晶ライトバルブ１１５、１１６と同様に、λ／２位相差板１１７ａ、第１偏光板１１７ｂ、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）、および第２偏光板１１７ｄを備えている。ここで、液晶ライトバルブ１１７に入射する青色光Ｂは、ダイクロイックミラー１１３で反射してダイクロイックミラー１１４を透過した後にリレー系１２０の後述する２つの反射ミラー１２５ａ、１２５ｂで反射することから、ｓ偏光となっている。
【０１２４】
λ／２位相差板１１７ａは、液晶ライトバルブ１１７に入射したｓ偏光をｐ偏光に変換する光学素子である。また、第１偏光板１１７ｂは、ｓ偏光を遮断してｐ偏光を透過させる偏光板である。そして、電気光学装置１００（青色用液晶パネル１００Ｂ）は、ｐ偏光を画像信号に応じた変調によってｓ偏光（中間調であれば円偏光又は楕円偏光）に変換する構成となっている。さらに、第２偏光板１１７ｄは、ｐ偏光を遮断してｓ偏光を透過させる偏光板である。したがって、液晶ライトバルブ１１７は、画像信号に応じて青色光Ｂを変調し、変調した青色光Ｂをクロスダイクロイックプリズム１１９に向けて出射する構成となっている。なお、λ／２位相差板１１７ａ、および第１偏光板１１７ｂは、ガラス板１１７ｅに接した状態で配置されている。
【０１２５】
リレー系１２０は、リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂと反射ミラー１２５ａ、１２５ｂとを備えている。リレーレンズ１２４ａ、１２４ｂは、青色光Ｂの光路が長いことによる光損失を防止するために設けられている。ここで、リレーレンズ１２４ａは、ダイクロイックミラー１１４と反射ミラー１２５ａとの間に配置されている。また、リレーレンズ１２４ｂは、反射ミラー１２５ａ、１２５ｂの間に配置されている。反射ミラー１２５ａは、ダイクロイックミラー１１４を透過してリレーレンズ１２４ａから出射した青色光Ｂをリレーレンズ１２４ｂに向けて反射するように配置されている。また、反射ミラー１２５ｂは、リレーレンズ１２４ｂから出射した青色光Ｂを液晶ライトバルブ１１７に向けて反射するように配置されている。
【０１２６】
クロスダイクロイックプリズム１１９は、２つのダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂをＸ字型に直交配置した色合成光学系である。ダイクロイック膜１１９ａは青色光Ｂを反射して緑色光Ｇを透過する膜であり、ダイクロイック膜１１９ｂは赤色光Ｒを反射して緑色光Ｇを透過する膜である。従って、クロスダイクロイックプリズム１１９は、液晶ライトバルブ１１５〜１１７の各々で変調された赤色光Ｒと緑色光Ｇと青色光Ｂとを合成し、投射光学系１１８に向けて出射するように構成されている。
【０１２７】
なお、液晶ライトバルブ１１５、１１７からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｓ偏光であり、液晶ライトバルブ１１６からクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光はｐ偏光である。このようにクロスダイクロイックプリズム１１９に入射する光を異なる種類の偏光としていることで、クロスダイクロイックプリズム１１９において各液晶ライトバルブ１１５〜１１７から入射する光を合成できる。ここで、一般に、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂはｓ偏光の反射トランジスター特性に優れている。このため、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂで反射される赤色光Ｒ、および青色光Ｂをｓ偏光とし、ダイクロイック膜１１９ａ、１１９ｂを透過する緑色光Ｇをｐ偏光としている。投射光学系１１８は、投影レンズ（図示略）を有しており、クロスダイクロイックプリズム１１９で合成された光をスクリーン１１１に投射するように構成されている。
【０１２８】
（他の投射型表示装置）
投射型表示装置においては、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。
【０１２９】
（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Personal Digital Assistants）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いてもよい。
【符号の説明】
【０１３０】
３ａ・・走査線、４ａ・・容量電極層（第２容量電極層）、５ａ・・容量電極層（第１容量電極層）、６ａ・・データ線、７ａ・・シールド用の導電層、７ｗ・・シールド用の導電層の側面、８ａ・・容量線、９ａ・・画素電極、１０・・素子基板（電気光学装置用基板）、２０・・対向基板、２１・・共通電極、２７・・マイクロレンズ、３０・・画素スイッチング素子、４５・・絶縁層、１００・・電気光学装置
【図１】
2014178411.tif 000005
【図２】
2014178411.tif 000006
【図３】
2014178411.tif 000007
【図４】
2014178411.tif 000008
【図５】
2014178411.tif 000009
【図６】
2014178411.tif 000010
【図７】
2014178411.tif 000011
【図８】
2014178411.tif 000012
【図９】
2014178411.tif 000013
【図１０】
2014178411.tif 000014
【図１１】
2014178411.tif 000015
【図１２】
2014178411.tif 000016
【図１３】
2014178411.tif 000017
【図１４】
2014178411.tif 000018
【図１５】
2014178411.tif 000019
【図１６】
2014178411.tif 000020
【図１７】
2014178411.tif 000021
【図１８】
2014178411.tif 000022