(57)【要約】【課題】熱により活性化される基板の分割を良好に行える方法を提供する。【解決手段】ＩｎＰ膜１１の硬化基板９上への移転方法であって、ＩｎＰからなる表層５と、表層５の下に設けられ、ドープされたＩｎＰからなる薄層４とを有する構造体６を設ける工程（ａ）と、薄層４内に脆弱化された平面７を作成するために、表層５を通して水素イオンを注入し、表層５を有するＩｎＰ膜１１の範囲を定める工程（ｂ）と、硬化基板９と密接させるように表層５を配置する工程（ｃ）と、脆弱化された平面７で分割するために熱処理を加え、ＩｎＰ膜１１を硬化基板９上へと移転させる工程（ｄ）とを備える方法。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＰ膜（１１）の硬化基板（９）上への移転方法であって、
ＩｎＰからなる表層（５）と、前記表層（５）の下に設けられ、ドーパントがドープされたＩｎＰからなる薄層（４）とを有する構造体（６）を設ける工程（ａ）と、
前記ドープされた薄層（４）内に脆弱化された平面（７）を作成するために、前記表層（５）を通して、水素イオンを注入し、前記表層（５）を有する前記ＩｎＰ膜（１１）の範囲を定める工程（ｂ）と、
前記硬化基板（９）と密接させるように前記表層（５）を配置する工程（ｃ）と、
前記脆弱化された平面（７）で分割するために熱処理を加え、前記ＩｎＰ膜（１１）を前記硬化基板（９）上へと移転させる工程（ｄ）とを備えている方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、
前記表層（５）は、前記ドープされた薄層（４）と同一のドーパントでドープされている。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の方法において、
前記ドープされた薄層（４）は、自身の放射率が０．７５以上０．９以下となるように、電気的に活性なドーパントの濃度が１０１７ａｔ／ｃｍ３以上１０２０ａｔ／ｃｍ３以下となっている。
【請求項４】
請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の方法において、
工程（ａ）は、
高抵抗ＩｎＰからなる基板（１）を準備する工程（ｉ）と、
注入された表面と埋め込みドープ層（３）との間の前記表層（５）を区画する埋め込みドープ層（３）を形成するためにＳ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｇｅ又はＳｅであるドーパントイオン種を注入する工程（ｉｉ）と、
前記ドーパントイオン種を電気的に活性化させ、前記ドープされた薄層（４）を放射率が０．７５以上０．９以下のＩｎＰ材料中に形成させ、前記構造体（６）を得るために前記埋め込みドープ層（３）に熱処理を加える工程（ｉｉｉ）とを有している。
【請求項５】
請求項１〜３のうちいずれか１つに記載の方法において、
ステップ（ａ）は、
シード層（１４）が設けられた表面を有する基板（１）を準備する工程（ｊ）と、
前記シード層（１４）上に、ＩｎＰからなる前記ドープされた薄層（４）をエピタキシャル成長させる工程（ｋ）と、
前記構造体（６）を得るために０．７５以上０．９以下の放射率を有する前記ドープされた薄層（４）上に、ＩｎＰからなる前記表層（５）をエピタキシャル成長させる工程（ｌ）とを有している。
【請求項６】
請求項５に記載の方法において、
前記シード層（１４）は、高抵抗ＩｎＰを有している。
【請求項７】
請求項１、３〜６のうちいずれか１つに記載の方法において、
ＩｎＰからなる前記表層（５）は、イントリンシックなＩｎＰ、及び１０１５Ｆｅ／ｃｍ３以上１０１６Ｆｅ／ｃｍ３以下のオーダーで電気的に活性化されたＦｅドーパントによってドーピングが相殺されたＩｎＰから選ばれた高抵抗ＩｎＰにより形成されている。
【請求項８】
請求項１〜７のうちいずれか１つに記載の方法において、
ステップ（ｂ）は、前記ドープされた薄層（４）での温度が１２０℃以上１８０℃以下になるような注入エネルギー及び電流密度で水素イオンを注入する工程を有している。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩｎＰ膜を硬化基板上に移転する方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
Ｓｍａｒｔ  Ｃｕｔ（登録商標）技術では、注入されたイオンの型、注入エネルギー、注入ドーズ量、注入電流（又は電流密度、すなわち、注入された表面領域に対する電流の割合）や注入温度といった多くの因子によって基板の分割は影響を受けうる。
【０００３】
基板の分割、特に加熱により活性化される分割に適したＨ+イオンの注入条件は、シリコンについては公知であり、実績がある。注入エネルギーは、移転される層の厚さに応じて選択される。注入ドーズ量は、注入エネルギーに依存し、最小ドーズ量は、注入エネルギーが３０ｋｅＶから２１０ｋｅＶまでの間である場合、一般的には４×１０１６Ｈ／ｃｍ２から６×１０１６Ｈ／ｃｍ２までの間となる。基板の分割工程において注入電流は、数μＡから数ｍＡまでの間で大きな影響無く変更できるが、注入電流の唯一の影響は、分割するために加えられる熱処理、及び／又は移転される基板の厚さ、及び／又は分割後に得られる基板表面の粗さのわずかな変更である。同様に、注入温度、すなわちイオン種が注入されることで形成された結合の弱められた基板内の平面での到達温度は、−１９０℃から＋３００℃までの間で基板の分割工程に阻害的な影響を与えることなく変更できる。注入電流のように、分割工程での注入温度は、分割するために加えられる熱処理、及び／又は移転される基板の厚さ、及び／又は分割後に得られる基板表面の粗さにのわずかな影響を与える。
【０００４】
ＩｎＰの場合、分割と移転される膜の質とは注入温度に大きく依存する、ということは異なる複数の文献により公知となっている。例えば、非特許文献２ではＩｎＰについて最適な注入温度は−２０℃と指摘されている一方で、非特許文献１では、ＩｎＰについて最適な注入温度はおよそ１５０〜２００℃程度と指摘されている。このような評価の違いは、基板へのドーピング、注入ビームにより供給される電力、注入工程中の基板の熱への接触等、著者によって制御されなかったパラメータによって生じたのかもしれない。加えて、注入は真空下で行われているので、数時間継続する場合もある注入工程全体にわたって注入された基板の温度を測定し、維持することは非常に困難である。  
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００５】
【非特許文献１】“Low temperature InP layer transfer”  Q.-Y. Tong, Y.-L. Chao, L.-J. Haung, and U. Gosele, Electron.Lett. 35, 341 (1999)
【非特許文献２】“Temperature dependence of hydrogen-induced exfoliation of InP”   S. Hayashi, D. Bruno, M.S.Goorsky, Appl. Phys. Lett., Vol. 85, No. 2, 12 July 2004, p.236-238
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
出願人によるさらなる実験は、ＩｎＰにおいて熱によって活性化される分割を促進するための最適な注入温度が、１２０℃から１８０℃までの間であることを示している。しかしながら、入手可能なＩｎＰ基板が従来のマイクロ電子工学的注入装置を用いて注入されて、注入温度が２００℃を超えた場合、例えば、注入エネルギーが２０ｋｅＶ、注入電流が１００μＡで基板の直径が５０ｍｍであり、注入温度が２０５℃である場合、次の、熱により活性化される分割はもはや不可能となる。
【０００７】
本発明の目的の１つは、これらの１つまたは複数のこれらの不具合を解決することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
この目的を達成するため、本発明は、ＩｎＰ膜を硬化基板上へと移転する方法であって、ＩｎＰからなる表層と、前記表層の下に設けられ、ドーパントがドープされたＩｎＰからなる薄層とを有する構造体を設ける工程（ａ）と、前記ドープされた薄層内に脆弱化された平面を作成するために、前記表層を通して、水素イオンを注入し、前記表層を有する前記ＩｎＰ膜の範囲を定める工程（ｂ）と、前記硬化基板と密接させるように前記表層を配置する工程（ｃ）と、前記脆弱化された平面で分割するために熱処理を加え、前記ＩｎＰ膜を前記硬化基板上へと移転させる工程（ｄ）とを備える。
【０００９】
現在入手できるほとんどのＩｎＰ基板は、１０７Ω・ｃｍのオーダーの抵抗率を有する基板である。しかし、この抵抗率は、放射率がほぼ０．４〜０．４６程度の比較的低い値であることを意味している。ステファン・ボルツマンの法則（下記の方程式）の適用により、放射率が高い程、注入時の被注入材料中での到達温度は低くなる。
【００１０】
ステファン・ボルツマンの方程式は以下のように提示されていることが想起される。
【００１１】
【数１】
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【００１２】
上式において、Ｔ０は注入チャンバーの温度（環境温度）を表し、Ｔは材料中の注入温度を表し、Ｕは注入エネルギー（単位Ｖ）を表し、Ｉは電流密度（単位Ａ／ｍ２）を表し、σは５．６７×１０−１２Ｗ・ｃｍ−２・Ｋ−４であるステファン・ボルツマン定数を意味している。
【００１３】
しかし、材料の抵抗率はその放射率に直接影響を与える。本発明の方法の工程（ａ）では、電気的に活性な元素で材料のドーピングを行うことにより、薄層の抵抗率を低減することができ、これによってＩｎＰの放射率を０．７５〜０．９程度まで増加させることができる。この理由に基づいて、放射率の大きいドープされた層での注入温度は、放射率の低い、ドープされていない材料での注入温度と比べて低減される。それ故、本発明の方法によれば、Ｓｍａｒｔ Ｃｕｔ（登録商標）技術に従って熱により活性化される基板の分割を、従来の注入装置を用いた場合であっても十分に再現することができる。本願明細書等において、「膜」の語は、数十ｎｍから数μｍまでの間で変更しうる膜厚を有する材料からなる薄層を意味するものとする。
【００１４】
１つの可能性によれば、密接させる工程（ｃ）は、直接結合（分子結合とも呼ばれる）を強化し、後に続く分割を促進させるために、表層と硬化基板とが接触するそれぞれの表面上にＳｉＯ２を堆積させておく工程をあらかじめ有している。
【００１５】
１つの特定の条件によれば、前記表層は、前記ドープされた薄層（４）と同一のドーパントでドープされており、好ましくは、ドーパントの濃度は両層で同一である。この方法によれば、構造体の製造を簡略化することができる。
【００１６】
前記ドープされた薄層（４）は、自身の放射率が０．７５以上０．９以下となるように、電気的に活性なドーパントの濃度が１０１７ａｔ／ｃｍ３以上１０２０ａｔ／ｃｍ３以下となっていれば有利であり、熱処理による移転に適合される。
【００１７】
この方法によれば、従来のマイクロ電子工学的注入装置を用いたとしても、後に続く熱による活性化された分割を可能にするために、ＩｎＰからなるドープされた薄層での温度が１２０℃以上１８０℃以下の適切な範囲内になるように注入温度を制限することができる。
【００１８】
本明細書等において、「従来のマイクロ電子工学的注入装置」は、次のような特徴を備えた注入装置であることを意味する。
【００１９】
−注入電流が数μＡ以上数ｍＡ以下になるように注入する
−数ｋｅＶ以上数百ｋｅＶ以下の注入エネルギー
−数ｍｍ２以上数ｃｍ２以下のビーム表面領域
−機械的又は静電的又は混合スキャニング。
【００２０】
ドープされたＩｎＰの０．７５〜０．９の放射率は、とりわけ水素イオンの注入深さ、すなわち脆弱化された平面にて得られることは理解されるべきである。
【００２１】
本発明の方法は、従って、ＩｎＰ、特に高抵抗のＩｎＰの再生可能な移転のために用いられる簡単で容易な解決法を提供する。
【００２２】
１つの有力な実施形態によれば、工程（ａ）は、高抵抗ＩｎＰからなる基板を準備する工程（ｉ）と、注入された表面と埋め込みドープ層との間の前記表層を区画する埋め込みドープ層を形成するためにＳ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｇｅ又はＳｅであるドーパントイオン種を注入する工程（ｉｉ）と、前記ドーパントイオン種を電気的に活性化させ、前記ドープされた薄層を放射率が０．７５以上０．９以下のＩｎＰ材料中に形成させ、前記構造体を得るために前記埋め込みドープ層に熱処理を加える工程（ｉｉｉ）とを有している。
【００２３】
従って、ＩｎＰ材料中で高い放射率に到達できる構造体の準備は、容易に実施され、構造体は再使用可能であり、且つ低コストである。ドーパントを活性化するための熱処理は、急速な温度上昇（典型的には数秒間に１０００℃の上昇）を伴うＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing)、又は従来の加熱炉を用いて行われる。本願明細書等において、「高抵抗ＩｎＰ」の表現は、少なくとも１０７Ω・ｃｍを越える抵抗率を有するＩｎＰ材料を意味し、さらには、１０８Ω・ｃｍを越える抵抗率を有するＩｎＰ材料を意味する。
【００２４】
構造体は、熱膨張の係数を構造体内の全ての層で同一にするため、全体的にＩｎＰからなっていれば、有利である。この構成によれば、異なる熱処理が適用されている間に異なる層の膨張が同じになる。この方法により、表層内及び移転されるべき膜内の格子欠陥の発生を回避することができる。なお、この格子欠陥は、異なる膨張により生じうる。加えて、新しい注入工程のために、膜移転後の基板を再利用することができる。それ故、基板は数回リサイクルすることができる。
【００２５】
１つの代替的な実施形態によれば、ステップ（ａ）は、シード層が設けられた表面を有する基板を準備する工程（ｊ）と、前記シード層上に、ＩｎＰからなる前記ドープされた薄層をエピタキシャル成長させる工程（ｋ）と、前記構造体を得るために０．７５以上０．９以下の放射率を有する前記ドープされた薄層上に、ＩｎＰからなる前記表層をエピタキシャル成長させる工程（ｌ）とを有している。
【００２６】
シード層は、ＩｎＰの結晶成長に適した格子定数を有していることが好ましい。
【００２７】
シード層が、高抵抗ＩｎＰを有していれば有利である。
【００２８】
この変形例によれば、構造体の全体を同じエピタキシーチャンバー内で形成することで、製造の異なる段階で構造体が取り扱われるのを避け、損傷を受ける危険を低減するとともに非常に迅速に当該方法を実施することが可能となる。
【００２９】
１つの可能性によれば、基板はシード層により形成される。従って、熱膨張係数は構造体を構成する全ての層で同一になり、異なる熱処理の間でのそれらの層の膨張を同様にすることができ、それにより、当該材料中での欠陥の発生を防ぐことができる。
【００３０】
別の可能性によれば、基板はキャリア基板に結合されたシード層を有している。キャリア基板の型の選択は、格子定数をもはや考慮に入れる必要はなく、それ故、コストが低くなるように選ばれ、キャリア基板がシード層の熱膨張率（ＣＴＥ）と似た熱膨張率を有していれば好ましい。
【００３１】
ＩｎＰからなる前記表層は、イントリンシックなＩｎＰ、及び１０１５Ｆｅ／ｃｍ３以上１０１６Ｆｅ／ｃｍ３以下のオーダーで電気的に活性化されたＦｅドーパントによってドーピングが相殺されたＩｎＰから選ばれた高抵抗ＩｎＰにより形成されていることが好ましい。典型的には、前記材料の抵抗率はおよそ２〜３×１０７Ω・ｃｍ程度、例えば、２×１０７Ω・ｃｍ以上１０８Ω・ｃｍ以下、あるいはより高くなっている。
【００３２】
そのため、最も広く利用可能となっているコストが最小のＩｎＰ基板、及び移転されるＩｎＰ膜の質を最適化できる、特に大きなサイズ（典型的には直径が５０ｍｍ以上）の基板を用いることができる。本発明の方法により得られた構造体は、III-V族多接合材料内の光起電性セルの結晶成長による製造等の用途に好ましく用いられる。
【００３３】
工程（ｂ）は、前記ドープされた薄層での温度が１２０℃以上１８０℃以下になるような注入エネルギー及び電流密度で水素イオンを注入する工程を有していることが好ましい。この方法によれば、簡単に利用できて低コストな従来の注入装置を用いた場合であってもＩｎＰ中での再使用可能な、熱により活性化された分割をすることが可能となる。
【００３４】
別の局面によれば、本発明の目的及び利点は、限定されない例として２つの実施形態を含む以下の明細書、及び添付された図面を読むことでより明白に理解されるだろう。図面においては、読みやすくするために、全ての例示箇所が図示されていなくてもよい。図中の点線は、脆弱化された平面を表している。また、説明を簡単にするために、異なる実施形態での同一、類似、均等な要素については同一の符号を付すものとする。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係る方法を示す図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係る方法において、図１に示す工程に続く工程を示す図である。
【図３】図３は、本発明の一実施形態に係る方法において、図２に示す工程に続く工程を示す図である。
【図４】図４は、本発明の一実施形態に係る方法において、図３に示す工程に続く工程を示す図である。
【図５】図５は、本発明の一実施形態に係る方法において、図４に示す工程に続く工程を示す図である。
【図６】図６は、本発明の一実施形態に係る方法において、図５に示す工程に続く工程を示す図である。
【図７】図７は、本発明の一実施形態に係る方法において、図６に示す工程に続く工程を示す図である。
【図８】図８は、本発明の第２の実施形態に係る方法を示す図である。
【図９】図９は、本発明の第２の実施形態に係る方法において、図８に示す工程に続く工程を示す図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施形態に係る方法において、図９に示す工程に続く工程を示す図である。
【図１１】図１１は、本発明の第２の実施形態に係る方法において、図１０に示す工程に続く工程を示す図である。
【図１２】図１２は、本発明の第２の実施形態に係る方法において、図１１に示す工程に続く工程を示す図である。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施形態に係る方法において、図１２に示す工程に続く工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３６】
（第１の実施形態）
図１は、例えば高抵抗ＩｎＰ内の初期層２により形成された基板１であって、直径５０ｍｍのものを示す（工程（ｉ））。図２は、初期層２内に注入を受けた埋め込み層３を形成するために、例えばＳｉ＋イオン等のドーパントイオン種を注入エネルギー１５０ｋｅＶ、ドーズ量約５×１０１４Ｓｉ／ｃｍ２でイオン注入する工程を示す（工程（ｉｉ））。図３は、急速熱アニーリング（ＲＴＡ）による熱処理を示す図である。ここでは、８５０℃、５秒間の条件で加熱している。これにより、注入されたドーパント種を活性化し、埋め込み層３を、活性化されたドーパントの濃度範囲が注入プロファイルに応じて２×１０１８〜３×１０１９Ｓｉ／ｃｍ３になるドープされた薄層４にすることができる。この場合、このドープされた薄層４は、基板１の注入を受けた表面から深さ０ｎｍ以上３００ｎｍ以下の下方に位置し（工程（ｉｉｉ））、表層５は、それからドープされた薄層４の表面部を形成しており、それ故、表層５もまたドープされている。変形例として、表層（表面）５上のより高抵抗な表層、又は当該表層５上に再結晶成長されたＩｎＰ（特に高抵抗ＩｎＰ）からなる表層を得るために、より深く注入を行うことも可能である。これら２層（薄層４及び表層５）は、構造体６を形成する。ドーピングのせいで、薄層４の放射率は基板の放射率よりも高くなっている。ここでは高抵抗ＩｎＰ材料の放射率が０．４〜０．４６であるのに対し、薄層４の放射率はおよそ０．７５〜０．９となっている。
【００３７】
図４は、ドープされた薄層４内に脆弱化された平面７を形成するための、表層５を介した構造体６へのイオン種の注入工程からなる方法（工程（ｂ））を示す。図示された実施形態によれば、構造体６はあらかじめＰＥＣＶＤ（Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition)によって堆積された酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる層８で覆われる。この層８は、注入時にＩｎＰ表面が損傷するのを防ぐため、約１０ｎｍの厚さを有している。この層８は、次の工程で分子結合を介した結合をするのに用いられる。それから、図に示す例では、従来の注入装置であるＶａｒｉａｎ  Ｅ２００−１０００注入装置を用いて中間電流での操作及び静電スキャニングを含む注入工程が行われる。イオン種のビームによってスキャンされる全表面領域の面積は、９ｃｍ２（３ｃｍ×３ｃｍ）である。一般的に、注入パラメータは、脆弱化された平面７がドープされた薄層４内に形成されるように、且つ脆弱化された平面７における薄層４のドーピングにおいて、注入温度が１２０℃以上１８０℃以下となるように決定される。この場合、注入されたイオン種は水素で構成されており、注入は、注入エネルギーが約２０ｋｅＶ、ドーズ量が約７×１０１６Ｈ／ｃｍ２、注入電流が５０μＡの条件で行われる。これらの条件下で、Ｈ＋イオンの注入深さは約２００ｎｍとなり、脆弱化された平面７はｎ＋にドープされたＩｎＰからなる薄層４内に位置するようになっている。ドープされた薄層４内で、注入温度は約１４０℃に達し、それ故、分割するのに適したＩｎＰ注入温度の範囲内（１２０℃〜１８０℃）となる。
【００３８】
図５及び図６は、表層５の表面を設置し、ＳｉＯ２内の層８で覆われ、この層８が硬化基板９（ここではサファイア基板）と密接する工程（工程（ｃ））を示す。より正確には、図５は、ＰＥＣＶＤによって厚さ約１０ｎｍ程度に堆積され、熱アニーリングによって密度が高められ、洗浄及び化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により研磨された酸化シリコン（ＳｉＯ２）からなる層８が堆積されたサファイア硬化基板９を準備する工程を示す。図６は、表層５上と、硬化基板９上にそれぞれ存在するＳｉＯ２からなる２つの層８同士を密着させる工程を示す。
【００３９】
図７は、ドープされた薄層４内に位置する脆弱化された平面７で分割が生じるように熱処理を加える工程（工程（ｄ））を示す。記載された例において、熱処理は２００℃以上３００℃以下の温度で行われる。構造体６の表面と脆弱化された平面７との間に区画され、表層５及びドープされた薄層４の残りの部分４ａを有する膜１１は、それ故、硬化基板９上に移転され、基板１と、脆弱化された平面に沿って残りの部分４ａに対向する残りの部分４ｂとを有する、注入された構造体６の板１２は再生できる。図示しない１つの可能性によれば、板１２は新たな構造体６の作製、及び新しい膜１１の移転に使用するために再利用される。図７に示す例では、厚さ約２００ｎｍのＩｎＰ膜１１がサファイア硬化基板９上へと移転される。得られた最終構造体１３は、III-V多接合光起電性セル（図示せず）のIII-V族材料からなる層を結晶成長させるためのシード層として好ましく用いられる。
【００４０】
図示しない変形例によれば、基板１は、あらかじめキャリア上に接合又は結晶成長により形成された初期（表面）層２によって形成されうる。
【００４１】
さらに、ドーパントイオン種は、Ｓ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｓｉ、Ｔｅ、Ｇｅ及びＳｅのうちから少なくとも１つ選ばれる。
【００４２】
図示しない１つの可能性において、硬化基板９は、膜１１と良好な分子結合を生じ、分割及び後に続く意図的な応用のための良好な硬化効果が得られるならば、どのような材料からなっていてもよい。
【００４３】
また、移転された膜１１の表面は、後の工程を考慮して処理される。
【００４４】
図８は、ＩｎＰのエピタキシャル成長に適した格子定数を有するシード層１４からなる基板１を示す図である。シード層１４は、高抵抗ＩｎＰであってもよい。図９は、ドープされた材料からなる薄層４の第１の結晶成長工程を示す図である。ドープされた材料は、例えば、局所的な放射率が約０．７５に達することができるように、電気的に活性なドーパントの濃度が１×１０１７ａｔ／ｃｍ３以上１×１０２０ａｔ／ｃｍ３以下にドープされたＩｎＰ等である。図１０は、ドープされた薄層４上の高抵抗ＩｎＰ内に表層５を形成するために用いられる第２の結晶成長工程を示す図である。次いで、図４〜図７に既に示した実施形態と同様に、図１１に示す工程では、従来の注入装置を用いて、１７５℃程度の注入温度が得られ、ドープされた薄層４内に脆弱化された平面７が形成されるように、イオン種の注入を行う（例えば、エネルギーが２０ｋｅＶ、注入電流が１００μＡ）。抵抗率が２〜３×１０７Ω・ｃｍ程度で放射率が０．４程度のドーピングがされていないＩｎＰ材料では、注入温度が２０５℃程度になると考えられる。図１２は、注入を受けた構造体６上及び硬化基板９上をそれぞれ覆う、ＳｉＯ２からなる２つの層８の表面同士を密接させる工程を示す図である。図１３は、脆弱化された平面７で活性化ＩｎＰを分割するために熱処理を実施し、硬化基板９上にＩｎＰ膜１１を移転させる工程を示す図である。
【００４５】
従って、本発明は、材料の放射率を局所的に上昇させるために脆弱化された平面７の深さに局所的なドーピングを行うことによって、最適な注入温度でＩｎＰ膜１１の移転を行うための方法を提供する。当該方法は、簡単に実施することができる。
【００４６】
明らかに、本発明は、例示した上述の実施形態に限定されず、均等な全ての技術、記載された手段の変形例、及びこれらの組み合わせを包含する。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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