(57)【要約】【課題】入り込み影響が殆どなく、端部膜厚の均一性が高く、且つ洗浄ガスに対する耐食性に優れたプラズマＣＶＤ成膜用マスクを提供する。【解決手段】プラズマＣＶＤ成膜装置で被成膜物の表面に膜を成膜する際に用いられるプラズマＣＶＤ成膜用マスク１であり、所定の位置に形成された第１開口部２１、及びこの第１開口部２１を形成する第１非開口部２２を有するマスク部材２と、前記第１開口部２１と同じ開口位置に、前記第１開口部２１の開口寸法よりも小さな開口寸法にて前記第１開口部２１と略同形状で開口する第２開口部３１、及びこの第２開口部３１を形成する第２非開口部３２を有し、且つ当該第２非開口部３２がセラミックコートされ、前記マスク部材２よりも厚さ寸法の小さい金属部材３と、を備えることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマＣＶＤ成膜装置で被成膜物の表面に膜を成膜する際に用いられるプラズマＣＶＤ成膜用マスクであり、
所定の位置に形成された第１開口部、及びこの第１開口部を形成する第１非開口部を有するマスク部材と、
前記第１開口部と同じ開口位置に、前記第１開口部の開口寸法よりも小さな開口寸法にて前記第１開口部と略同形状で開口する第２開口部、及びこの第２開口部を形成する第２非開口部を有し、且つ当該第２非開口部がセラミックコートされ、前記マスク部材よりも厚さ寸法の小さい金属部材と、を備える
ことを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
【請求項２】
前記セラミックコートが、アルミナコートであることを特徴とする請求項１に記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
【請求項３】
前記アルミナコートが、原子層堆積法によって成膜されたことを特徴とする請求項２に記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
【請求項４】
前記第１非開口部がセラミック製であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
【請求項５】
前記第１開口部側の前記第１非開口部の端部は、前記プラズマＣＶＤ成膜装置の電極に対向する一側面から、前記プラズマＣＶＤによって成膜される被成膜物に対向する他側面に向けて、前記第１開口部の開口寸法が小さくなるように傾斜が設けられていることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
【請求項６】
前記金属部材の厚さ寸法が５０〜５００μｍであり、
前記マスク部材の厚さ寸法が２〜６ｍｍであることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
【請求項７】
前記第１開口部側の前記第１非開口部の端部から前記第２開口部側の前記第２非開口部の端部までの長さ寸法が１〜１０ｍｍであることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
【請求項８】
有機エレクトロルミネッセンス素子の封止膜を成膜するために用いられることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
【請求項９】
前記プラズマＣＶＤ成膜装置で行う成膜がデポアップ方式であることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスクを用いて被成膜物の表面にプラズマＣＶＤ法にて封止膜を成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項１１】
前記封止膜の成膜がロールツーロール搬送で行われることを特徴とする請求項１０に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
【請求項１２】
請求項１〜９のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスクを用いて封止膜が成膜されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ成膜用マスク、プラズマＣＶＤ成膜方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機物質を使用した有機エレクトロルミネッセンス（単に、「有機ＥＬ」ということもある。）素子は、固体発光型の安価な大面積フルカラー表示素子や書き込み光源アレイとしての用途が有望視されており、活発な研究開発が進められている。有機ＥＬ素子は、基板上に形成された第１電極（陽極又は陰極）と、その上に積層された有機発光物質を含有する有機化合物層（単層部又は多層部）すなわち発光層と、この発光層上に積層された第２電極（陰極又は陽極）とを有する薄膜型の素子である。このような有機ＥＬ素子に電圧を印加すると、有機化合物層に陰極から電子が注入され、陽極から正孔が注入される。この電子と正孔が発光層において再結合し、エネルギー準位が伝導帯から価電子帯に戻る際にエネルギーを光として放出することにより発光が得られることが知られている。
【０００３】
このように、有機ＥＬ素子は薄膜型の素子であるため、１個又は複数個の有機ＥＬ素子を基板上に形成した有機ＥＬパネルをバックライト等の面光源として利用した場合には、面光源を備えた装置を容易に薄型にすることができる。また、画素としての有機ＥＬ素子を基板上に所定個数形成した有機ＥＬパネルをディスプレイパネルとして用いて表示装置を構成した場合には、視認性が高い、視野角依存性がないなど、液晶表示装置では得られない利点がある。
【０００４】
このような有機ＥＬ素子に用いられる有機発光材料等の有機物は水分や酸素等に弱く、これらと接触すると有機ＥＬ素子の性能が劣化する。また、電極も酸化により大気中では特性が急激に劣化する。これらの劣化を防止するため、一般的には金属缶や封止ガラス等で形成された封止キャップ缶を素子基板に接着剤にて貼り合せ封止する方法が提案されている。これは、密閉封止空間を有し、封止空間内に不活性ガスを充填し、更に吸湿材を配置したものである。このようにすると、素子表面陰極上は空間を有しているので、素子への外部応力による劣化はない構成となっている。しかしながら、有機ＥＬ素子自体は薄いのに封止部材の厚みと吸湿材を配置するための空間の厚みを持つこととなり、全体として厚みのある発光素子となっている。
【０００５】
近年、軽くて割れ難いという特性が評価され、ガラス製の基材や封止部材を用いた有機ＥＬ素子からフレキシブルな樹脂基材を用いた有機ＥＬ素子の需要が高まってきている。このようなフレキシブルな樹脂基材を用いた有機ＥＬ素子に対しては、封止性能をもつ窒化ケイ素膜をプラズマＣＶＤで成膜することにより封止膜が成膜される。なお、封止膜を成膜する際に、マスクを用いたパターン成膜が行われる。プラズマＣＶＤによるパターン成膜では、プロセス上、プラズマ及び熱の影響で寸法の安定性がない。蒸着等で用いられるメタルマスクを使用すると異常放電が懸念される。また、熱によってメタルマスクが伸びてしまい、ここにガスが入り込んで成膜されてしまうことにより（つまり、入り込み影響が出ることにより）、パターン精度が低下するおそれもある。さらに、クリーニングを行うにあたって腐食性のＮＦ3ガスを使用する必要があるため、当該ガスによりメタルマスクが腐食されてしまう。
【０００６】
そのため、プラズマＣＶＤでパターン成膜を行う場合、一般的には、金属製ではなくセラミック製のマスクが使用される。しかしながら、セラミック製のマスクでは細かなマスクパターンを形成することは困難である。また、メタルマスクのように厚さ寸法を小さくすることも困難である。なお、マスクの厚さ寸法が大きいと、マスクの開口部近傍に形成される封止膜の端部の膜厚（端部膜厚）が薄くなり、端部膜厚の均一性が低下する。これらの問題を解決すべく、例えば、特許文献１、２に記載の発明が提案されている。
【０００７】
特許文献１には、０．１ｍｍから１０ｍｍの板厚を有するマスク本体部と、該マスク本体部の板厚よりも薄く形成された開口エッジ部とを有するメタルマスクを用いて封止膜を形成する有機ＥＬ素子の製造方法が記載されている。
【０００８】
特許文献２には、外形が多角形に形成された金属製マスク本体と、少なくとも前記金属製マスク本体の一辺上に配置されたセラミック製のカバーとを備えたプラズマＣＶＤ用マスクが記載されている。そして、この特許文献２には、プラズマＣＶＤで薄膜を形成する際、金属製マスクの周囲の少なくとも一部分にセラミック製のカバーを配置した状態で成膜を行い、金属製マスクの洗浄時には金属製マスクの少なくとも洗浄ガスの吹き出し口に近い部分上にセラミック製のカバーを配置した状態で金属製マスクの洗浄を行う旨が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−５９５９９号公報
【特許文献２】特開２００７−３０８７６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に記載の発明は、インバー、コバール及びＳＵＳ４３０などで形成されたメタルマスクを用いているので、プラズマＣＶＤによる成膜時に異常放電が生じるだけでなく、成膜時の熱によって撓んだり、歪んだりするため、マスクされている部分、つまり、成膜を望まない部分に入り込み影響が出てしまうという問題がある。
【００１１】
特許文献２に記載の発明は、金属製マスクの周囲の少なくとも一部分にセラミック製のカバーを配置した状態で成膜を行うので、細かなマスクパターンを形成するのが困難であるだけでなく、マスクの厚さ寸法を十分に小さくすることができないので、マスクの開口部近傍に形成される膜の端部膜厚の均一性が低下するという問題を解決するには至っていない。また、特許文献２に記載の発明では、金属製マスクの洗浄時に、金属製マスクの少なくとも洗浄ガス（ＮＦ3ガス）の吹き出し口に近い部分上にセラミック製のカバーを配置しているが、洗浄時のガスは、吹き出し口に近い部分だけでなく、金属製マスクの表面全体と接触するため、当該ガスにより金属製マスクが腐食されてしまうという問題を解決するには至っていない。
【００１２】
本発明は前記問題に鑑みてなされたものであり、入り込み影響が殆どなく、端部膜厚の均一性が高く、且つ洗浄ガスに対する耐食性に優れたプラズマＣＶＤ成膜用マスク、プラズマＣＶＤ成膜方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明の課題は以下の手段によって達成される。
〔１〕プラズマＣＶＤ成膜装置で被成膜物の表面に膜を成膜する際に用いられるプラズマＣＶＤ成膜用マスクであり、所定の位置に形成された第１開口部、及びこの第１開口部を形成する第１非開口部を有するマスク部材と、前記第１開口部と同じ開口位置に、前記第１開口部の開口寸法よりも小さな開口寸法にて前記第１開口部と略同形状で開口する第２開口部、及びこの第２開口部を形成する第２非開口部を有し、且つ当該第２非開口部がセラミックコートされ、前記マスク部材よりも厚さ寸法の小さい金属部材と、を備えることを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
〔２〕前記セラミックコートが、アルミナコートであることを特徴とする〔１〕に記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
〔３〕前記アルミナコートが、原子層堆積法によって成膜されたことを特徴とする〔２〕に記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
〔４〕前記第１非開口部がセラミック製であることを特徴とする〔１〕〜〔３〕のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
〔５〕前記第１開口部側の前記第１非開口部の端部は、前記プラズマＣＶＤ成膜装置の電極に対向する一側面から、前記プラズマＣＶＤによって成膜される被成膜物に対向する他側面に向けて、前記第１開口部の開口寸法が小さくなるように傾斜が設けられていることを特徴とする〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
〔６〕前記金属部材の厚さ寸法が５０〜５００μｍであり、前記マスク部材の厚さ寸法が２〜６ｍｍであることを特徴とする〔１〕〜〔５〕のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
〔７〕前記第１開口部側の前記第１非開口部の端部から前記第２開口部側の前記第２非開口部の端部までの長さ寸法が１〜１０ｍｍであることを特徴とする〔１〕〜〔６〕のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
〔８〕有機エレクトロルミネッセンス素子の封止膜を成膜するために用いられることを特徴とする〔１〕〜〔７〕のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
〔９〕前記プラズマＣＶＤ成膜装置で行う成膜がデポアップ方式であることを特徴とする〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスク。
〔１０〕〔１〕〜〔９〕のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスクを用いて被成膜物の表面にプラズマＣＶＤ法にて封止膜を成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ成膜方法。
〔１１〕前記封止膜の成膜がロールツーロール搬送で行われることを特徴とする〔１０〕に記載のプラズマＣＶＤ成膜方法。
〔１２〕〔１〕〜〔９〕のいずれかに記載のプラズマＣＶＤ成膜用マスクを用いて封止膜が成膜されたことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、入り込み影響が殆どなく、端部膜厚の均一性が高く、且つ洗浄ガスに対する耐食性に優れたプラズマＣＶＤ成膜用マスク、プラズマＣＶＤ成膜方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係るプラズマＣＶＤ成膜用マスクを電極が配置される方向から見た平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線拡大断面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を説明する概略断面図である。
【図４】有機ＥＬ素子を製造する製造装置の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、適宜図面を参照して、本発明に係るプラズマＣＶＤ成膜用マスク、プラズマＣＶＤ成膜方法、及び有機エレクトロルミネッセンス素子の一実施形態について説明する。
【００１７】
［プラズマＣＶＤ成膜用マスク］
本実施形態に係るプラズマＣＶＤ成膜用マスク（以下、単にマスクという。）は、プラズマＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）成膜装置で被成膜物の表面に膜（層）を成膜（形成）する際に、当該膜を所定の形状とするために用いられる。
ここで、プラズマＣＶＤ成膜装置とは、プラズマＣＶＤ法により成膜する装置をいう。また、プラズマＣＶＤ法とは、原料ガスをプラズマで分解して化学的に活性なラジカルやイオンを生成して基板上で反応させ、膜を形成する方法をいう。
また、被成膜物とは、後記する基材や、当該基材上に電極層や一層以上の有機ＥＬ層などを形成した有機ＥＬパネル（有機ＥＬ素子）などが挙げられる。
【００１８】
図１及び図２に示すように、かかるマスク１は、マスク部材２と、マスク部材２の厚さ寸法ｔ２よりも厚さ寸法ｔ３の小さい金属部材３と、を備えている。
このうち、マスク部材２は、所定の位置に形成された第１開口部２１、及びこの第１開口部２１を形成する第１非開口部２２を有している。
また、金属部材３は、マスク部材２の第１開口部２１と同じ開口位置に、第１開口部２１の開口寸法よりも小さな開口寸法にて第１開口部２１と略同形状で開口する第２開口部３１、及びこの第２開口部３１を形成する第２非開口部３２を有している。本発明においては、この第２非開口部３２はセラミックコートされており、この第２非開口部３２によって形成される第２開口部３１が被成膜物に対する成膜領域（マスクパターン）を形成している。つまり、第２開口部３１によってプラズマＣＶＤ成膜装置の電極（図示せず）と面することのできる被成膜物の一部に膜を成膜させる一方で、第２非開口部３２によってプラズマＣＶＤ成膜装置の電極と面しないようにしている被成膜物の一部（マスクしている部分）には膜を成膜させないようにしている。なお、図１においては、第２開口部３１を単純な矩形として示しているが、所望する任意の形状とすることや、その大きさを任意に設定できることは言うまでもなく、このような場合には、当該任意の形状及び大きさにて膜を成膜することができる。
【００１９】
このように、マスク１は、マスク部材２の第１開口部２１と同じ開口位置に、第１開口部２１の開口寸法よりも小さな開口寸法にて開口する第２開口部３１を有しているので、マスク１は、金属部材３の第２開口部３１にて成膜する際に、プラズマＣＶＤの熱の影響を受けても撓んだり、歪んだりしない。そのため、入り込み影響が殆どなく、端部膜厚の均一性も高くすることができる。また、金属部材３の第２非開口部３２をセラミックコートしているので、クリーニング時に使用されるＮＦ3ガス（洗浄ガス）などの腐食性の洗浄ガスと接触しても腐食されず、洗浄ガスに対する耐食性に優れる。また、金属部材３の第２非開口部３２をセラミックコートしているので、プラズマＣＶＤ成膜装置にて成膜するときの異常放電を抑制することもできる。なお、金属部材３を被覆するセラミックコート３３（図２参照）は、金属部材３の全表面に形成するのが好ましい。このようにすると、洗浄ガスに対する耐食性をより高めることができるとともに、異常放電の抑制も行うことができる。
【００２０】
なお、前記した略同形状とは、まったく同じ形状としてもよいが、そうでなくともよいという意味である。例えば、図２の断面図に示すように、マスク部材２の第１非開口部２２の一部が、プラズマＣＶＤ成膜装置の電極に対向する一側面２２ａから、プラズマＣＶＤによって成膜される被成膜物に対向する他側面２２ｂに向けて、当該第１開口部２１の開口寸法が小さくなるように傾斜が設けられている場合であっても、第２非開口部３２においてはそのような傾斜を設けなくてもよい。また、マスク部材２の第１非開口部２２の開口形状が、例えば、長方形又は正方形である場合に、金属部材３の第２非開口部３２の開口形状を正方形又は長方形としてもよい。また、第１非開口部２２の一辺を直線にて形成した場合に、これに対応する第２非開口部２２の一辺に凹凸を設けるなどしてもよい。
【００２１】
マスク部材２の第１非開口部２２は、アルミナ、ジルコニア、窒化アルミニウムのセラミックを本発明では示すものとする。すなわち、セラミック製のマスク部材２とするのが好ましい。セラミック製のマスク部材２とすれば、腐食性のＮＦ3ガスを使用してクリーニングを行っても、当該ガスによって腐食されることはない。また、セラミックは硬さが高く、耐熱性にも優れているので、セラミック製のマスク部材２を用いたマスク１で、デポアップ方式にてプラズマＣＶＤ法を行った場合であっても、熱や自重によってマスク部材２が撓んだり、歪んだりしない。そのため、かかるマスク部材２は、被成膜物との密着不良が生じ難く、入り込み影響を低減させることができるとともに、端部膜厚の均一性が低下するのを防止することができる。
【００２２】
なお、デポアップ方式とは、被成膜物の下方に電極を設け、下向きとなった被成膜物の表面に成膜する方式をいう（かかる方式はフェイスダウン方式とも呼ばれている。）。デポアップ方式では、被成膜物の下方に電極を設ける関係上、被成膜物と電極との間に所定の空間ができてしまうので、被成膜物を保持するための部材が必要となる。そこで、そのような部材としてセラミック製のマスク部材２を用いたマスク１を採用すると、当該マスク１は前記したように撓んだり、歪んだりしないので、被成膜物を適切に保持しつつ、所定の形状の膜を成膜することが可能となる。
【００２３】
ただし、マスク部材２をセラミック製とすると、硬さは高い反面、脆性破壊し易いものとなるので、第１非開口部２２の端部２２ｅの厚さ寸法を金属製のマスクのように小さくすることができない。そのため、この端部２２ｅの厚みの影響を受けて、端部２２ｅ近傍における端部膜厚の均一性が低下してしまう。つまり、端部２２ｅの厚さ寸法が大きいと成膜時にガスがスムーズに流れないなどの現象が起き、端部２２ｅ近傍に形成される膜の端部の膜厚が薄くなってしまう。かかる現象は、端部２２ｅの厚さ寸法が大きいほど顕著になる。
また、マスク部材２の第１非開口部２２をセラミック製とすると、前記したように硬さは高い反面、脆性破壊し易い。従って、端部膜厚の均一性を高めるために端部２２ｅの厚さ寸法を小さくすると、端部２２ｅに欠けが生じ易くなる。端部２２ｅに欠けが生じると、成膜される膜の形状が変わってしまうなどのおそれがある。
【００２４】
そこで、本発明では前記したように、第１開口部２１と同じ開口位置に、第１開口部２１の開口寸法よりも小さな開口寸法にて第１開口部２１と略同形状で開口する第２開口部３１、及びこの第２開口部３１を形成する第２非開口部３２を有し、且つ当該第２非開口部３２をセラミックコートした、マスク部材２の厚さ寸法ｔ２（図２参照）よりも厚さ寸法ｔ３（図２参照）の小さい金属部材３を備えるようにしたものである。つまり、第１開口部２１及び第１非開口部２２を有するマスク部材２を、第２開口部３１及び第２非開口部３２を有する金属部材３を支持するためのリブとして使用している。
【００２５】
かかる金属部材３は、金属製であるため、脆性破壊し難く、延性に優れており、その厚さ寸法を端部２２ｅよりも小さくすることができる。そのため、成膜時にガスをスムーズに流すことができるなどの理由により、端部膜厚の均一性を高めることができる。
【００２６】
金属部材３は、例えば、４２アロイ、３６インバー、スーパーインバー、インコネル等の低熱線膨張部材などで形成するとよい。これらの金属を用いれば容易に厚さ寸法を小さくすることができる。金属部材３の厚さ寸法ｔ３は、マスク部材２よりも厚さ寸法が小さければよいが、例えば、５０〜５００μｍとするのが好ましい。金属部材３の厚さ寸法ｔ３がこの範囲にあると、十分な強度を確保することができるのでハンドリング性に優れたものとすることができるとともに、成膜時にガスをスムーズに流すことができるなどの理由により、より確実に端部膜厚の均一性を高めることができる。
【００２７】
なお、マスク部材２の厚さ寸法ｔ２は、例えば、２〜６ｍｍとするとよい。マスク部材２の厚さ寸法ｔ２がこの範囲にあるとハンドリング時の破損が生じ難くなる。また、マスク部材２の厚さ寸法ｔ２がこの範囲にあると、デポアップ方式のプラズマＣＶＤにて成膜する場合であっても熱や自重によって撓んだり、歪んだりしないので、被成膜物を好適に保持することができる。
【００２８】
なお、第１開口部２１側の第１非開口部２２の端部２２ｅは、図２に示すように、プラズマＣＶＤ成膜装置の電極に対向する一側面２２ａから、プラズマＣＶＤ成膜装置によって成膜される被成膜物に対向する他側面２２ｂに向けて、第１開口部２１の開口寸法が小さくなるように傾斜させる（テーパさせる）のが好ましい。つまり、図２に示す開口寸法ｓ１、ｓ２が、ｓ１＞ｓ２の関係となるように傾斜させるのが好ましい。このようにすると、成膜時に電極側から供給されるガスが傾斜により、被成膜物に向けてスムーズに流れるようになる。そのため、端部膜厚の均一性をより高めることができる。また、端部２２ｅの厚さ寸法ｔ２ｅは、テーパ加工により欠けない程度の厚さとすればよく、特定の数値範囲に限定されない。
【００２９】
図１に戻って説明を続ける。前記した金属部材３と、好ましい態様であるセラミック製のマスク部材２とは、材質が異なるため熱膨張率も異なる。従って、これらを接着剤及び／又は螺子などの固定手段を用いて所定の箇所を固定すると、プラズマＣＶＤ成膜時の熱の影響で金属部材３が熱膨張した場合に当該金属部材３やマスク部材２が変形したり、損壊したりするおそれがある。そのため、金属部材３とマスク部材２は、前記した固定手段等で所定の箇所を固定せず、例えば、図１に示すように、外形の形状及び寸法が同じとなるようにこれらを作製し、プラズマＣＶＤ成膜時には、成膜装置の所定の位置に、マスク部材２の外形と金属部材３の外形を揃えてセットし、成膜するとよい。なお、図１においては、実線で示したマスク部材２の第１非開口部２１の外形の内側に、破線で示した金属部材３の第２非開口部３１の外形を描いているが、これは作図の関係でこのようにしたものであり、実際には、図２に示すようにこれらの外形を一致させるのが好ましい。
このようにすると、固定手段等で所定の箇所を固定しないので、金属部材３が熱膨張した場合であってもこれが変形したり、損壊したりするのを防ぐことができる。
【００３０】
なお、金属部材３とマスク部材２を備えるマスク１の好ましい使用態様は前記したとおりであるが、プラズマＣＶＤ成膜時の熱の影響で金属部材３が熱膨張した場合であってもこれが損壊することのないような手段を講じる場合は、接着剤による接着や螺子などの固定手段による固定も採用可能である。このような固定方法としては、例えば、接着後であっても熱膨張による金属部材３の変位を許容できる粘性を備えた接着剤を使用することや、数値解析などで金属部材３の強度計算を行い、熱膨張し易い方向を求め、それに沿う方向の長さを長くした長径の貫通孔を金属部材３の任意の箇所に１つ以上設け、当該貫通孔を介してマスク部材２と金属部材３とを螺子止めすることなどが挙げられる。
【００３１】
ここで、金属部材３を被覆するセラミックコートは、原子層堆積（Atomic Layer Deposition；ＡＬＤ）法によるアルミナコートであるのが好ましい。アルミナ溶射等にてアルミナコートする場合と比較すると、セラミックコートを被覆する際の温度を低くすることができるので、熱で金属部材３が撓んでしまうのを防ぐことができる。
【００３２】
なお、ＡＬＤ法は、原料ガスを切り替えて１原子層ずつ被着物（本発明においては金属部材３）の表面に吸着させ、これを反応させることで成膜する方法である。反応の活性化手段の違いにより、熱ＡＬＤ法とプラズマＡＬＤ法に分けることができる。
熱ＡＬＤ法は、プラズマを発生させることなく、加熱された金属部材３に、成膜のための原料となるガスを供給することにより成膜するものである。
プラズマＡＬＤ法は、熱ＡＬＤの方式に加えてプラズマを発生させ、反応をさらに促進させて成膜するものである。なお、プラズマＡＬＤ法は熱ＡＬＤ法よりも低温プロセス域において緻密でバリア性の良い膜を形成することができる。熱で撓むおそれが少なく、緻密でバリア性の良い膜を形成できることから、金属部材３にセラミックコートを成膜する手法としてはプラズマＡＬＤ法によるのが好ましいが、熱ＡＬＤ法によるものであっても何ら問題なく使用することができる。
【００３３】
かかる金属部材３は、第１開口部２１側の第１非開口部２２の端部２２ｅから第２開口部３１側の第２非開口部３２の端部３ｅまでの長さ寸法ｓ３を１〜１０ｍｍとするとよい。かかる長さ寸法ｓ３がこの範囲にあると、成膜時にガスをスムーズに流すことができるので、端部膜厚の均一性を高めることができる。また、長さ寸法ｓ３が適切であるので、製造が容易であるとともに、十分な強度を確保することができるためハンドリング性に優れたものとすることができる。さらに、成膜時に熱の影響を受けても金属部材３が撓んだり、歪んだりし難いので、入り込み影響を抑制することができる。
【００３４】
以上に説明した本実施形態に係るマスク１は、第１開口部２１と同じ開口位置に、第１開口部２１の開口寸法よりも小さな開口寸法にて第１開口部２１と略同形状で開口する第２開口部３１、及びこの第２開口部３１を形成する第２非開口部３２を有し、且つ当該第２非開口部３２をセラミックコートした、マスク部材２よりも厚さ寸法の小さい（ｔ２＞ｔ３、図２参照）金属部材３を備えるようにしている。そのため、マスク１は、金属部材３の第２開口部３１近傍に成膜される膜の端部膜厚の均一性を高くすることができるだけでなく、入り込み影響を殆ど無くすことができる。また、金属部材３をセラミックコートしているので、洗浄ガスに対する耐食性も備えている。更に、金属部材３をセラミックコートしているので、プラズマＣＶＤ成膜時に生じ易い異常放電を抑制することもできる。特に、硬さの高いセラミック製のマスク部材２を用いると、プラズマＣＶＤ成膜時の熱によって撓んだり、歪んだりしないので、前記したように、デポアップ方式のプラズマＣＶＤ成膜装置によって成膜する際に被成膜物を好適に保持しつつ、所定の形状に膜を成膜することができる。
なお、マスク１はプラズマＣＶＤ法に限定されず、真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などの成膜方法においても好適に使用することができる。
【００３５】
なお、以上の説明では、デポアップ方式のプラズマＣＶＤ成膜装置でマスク１を使用して成膜する場合について説明したが、デポダウン方式のプラズマＣＶＤ成膜装置であってもこれと同様に好適に使用することができる。なお、デポダウン方式とは、被成膜物の上方に成膜装置の電極を設け、上向きとなった被成膜物の表面に成膜する方式をいう（かかる方式はフェイスアップ方式とも呼ばれている。）。
【００３６】
［プラズマＣＶＤ成膜方法と有機ＥＬ素子］
次に、本実施形態に係るマスク１を用いて被成膜物の表面にプラズマＣＶＤ法にて封止膜を成膜するプラズマＣＶＤ成膜方法について説明する。かかるマスク１を用いたプラズマＣＶＤ法による封止膜の成膜は、例えば、ロールツーロール搬送で有機ＥＬ素子を製造する際に好適に適用される。なお、ロールツーロール搬送で有機ＥＬ素子を製造すると生産性が高く好ましい。
以下、有機ＥＬ素子を製造する場合を例に本実施形態に係るプラズマＣＶＤ成膜方法を説明するが、説明の便宜上、プラズマＣＶＤ成膜方法について詳細に説明する前に、本実施形態に係るマスク１を用いて封止膜が成膜された有機ＥＬ素子について説明する。
【００３７】
（有機ＥＬ素子）
図３に示すように、有機ＥＬ素子１０は、基材１１と、第１の電極層１２と、有機ＥＬ層１３と、第２の電極層１４と、を備えている。そして、これらの層を封止するように、マスク１を用いたプラズマＣＶＤ法によって成膜された封止膜１５を備えている。以下、これらの層について順に説明する。
【００３８】
（基材）
基材１１は、基板、透明基板などとも呼ばれ、有機ＥＬ素子１０の基体となる部材である。基材１１は、長尺帯状であって可撓性を有する合成樹脂、好ましくは透明樹脂フィルムが用いられる。
基材１１は、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）等のポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、セロファン（登録商標）、セルロースジアセテート、セルローストリアセテート（ＴＡＣ）、セルロースアセテートブチレート、セルロースアセテートプロピオネート（ＣＡＰ）、セルロースアセテートフタレート、セルロースナイトレート等のセルロースエステル類又はそれらの誘導体、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルアルコール、ポリエチレンビニルアルコール、シンジオタクティックポリスチレン、ポリカーボネート、ノルボルネン樹脂、ポリメチルペンテン、ポリエーテルケトン、ポリイミド、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン類、ポリエーテルイミド、ポリエーテルケトンイミド、ポリアミド、フッ素樹脂、ナイロン、ポリメチルメタクリレート、アクリル或いはポリアリレート類、アートン（商品名ＪＳＲ社製）或いはアペル（商品名三井化学社製）といったシクロオレフィン系樹脂等で形成することができる。
【００３９】
この基材１１には、第１の電極層１２が形成される面及び／又はその裏面に、ガスの通過を妨げるガスバリア膜（図示省略）を形成するのが好ましい。ガスバリア膜は、無機物、有機物の被膜又はその両者のハイブリッド被膜が挙げられる。ガスバリア膜の特性としては、水蒸気透過度が０．０１ｇ／ｍ2・ｄａｙ・ａｔｍ以下であることが好ましい。さらには、酸素透過度１０-3ｍｌ／ｍ2／ｄａｙ以下、水蒸気透過度１０-5ｇ／ｍ2／ｄａｙ以下の高バリア性フィルムであることが好ましい。
【００４０】
ガスバリア膜を形成する材料としては、水分や酸素など素子の劣化をもたらすものの浸入を抑制する機能を有する材料であればよく、例えば、酸化珪素、二酸化珪素、窒化珪素などを用いることができる。さらに該膜の脆弱性を改良するためにこれら無機層と有機材料からなる層の積層構造を持たせることがより好ましい。無機層と有機層の積層順については特に制限はないが、両者を交互に複数回積層させることが好ましい。ガスバリア膜の形成方法については、特に限定はなく、例えば真空蒸着法、スパッタリング法、反応性スパッタリング法、分子線エピタキシー法、クラスターイオンビーム法、イオンプレーティング法、プラズマ重合法、大気圧プラズマ重合法、プラズマＣＶＤ法、レーザーＣＶＤ法、熱ＣＶＤ法、コーティング法などを用いることができるが、特開２００４−６８１４３号に記載されているような大気圧プラズマ重合法によるものが特に好ましい。
【００４１】
（第１の電極層）
第１の電極層１２は、電源が接続されて、例えば、陽極として機能する。このような第１の電極層１２としては、仕事関数の大きい（４ｅＶ以上）金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが好ましく用いられる。このような電極物質の具体例としてはＡｕ等の金属、ＣｕＩ、インジウムチンオキシド（ＩＴＯ）、ＳｎＯ2、ＺｎＯ等の導電性透明材料が挙げられる。また、ＩＤＩＸＯ（Ｉｎ2Ｏ3・ＺｎＯ）等非晶質で透明導電膜を作製可能な材料を用いてもよい。第１の電極層１２はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により、薄膜を形成させ、フォトリソグラフィ法で所望の形状のパターンを形成してもよく、或いはパターン精度をあまり必要としない場合は（１００μｍ以上程度）、前記電極物質の蒸着やスパッタリング時に所望の形状のマスクを介してパターンを形成してもよい。或いは、有機導電性化合物のように塗布可能な物質を用いる場合には、印刷方式、コーティング方式など湿式成膜法を用いることもできる。この陽極より発光を取り出す場合には、透過率を１０％より大きくすることが望ましく、また、陽極としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましい。さらに膜厚は材料にもよるが、通常１０〜１０００ｎｍ、好ましくは１０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。
【００４２】
（第２の電極層）
第２の電極層１４は、電源が接続されて、例えば、陰極として機能する。このような第２の電極層１４としては、仕事関数の小さい（４ｅＶ未満）金属（電子注入性金属と称する）、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とするものが用いられる。このような電極物質の具体例としては、ナトリウム、ナトリウム−カリウム合金、マグネシウム、リチウム、マグネシウム／銅混合物、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、インジウム、リチウム／アルミニウム混合物、希土類金属等が挙げられる。これらの中で、電子注入性及び酸化等に対する耐久性の点から、電子注入性金属とこれより仕事関数の値が大きく安定な金属である第二金属との混合物、例えば、マグネシウム／銀混合物、マグネシウム／アルミニウム混合物、マグネシウム／インジウム混合物、アルミニウム／酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）混合物、リチウム／アルミニウム混合物、アルミニウム等が好適である。第２の電極層１４はこれらの電極物質を蒸着やスパッタリング等の方法により薄膜を形成させることにより、作製することができる。また、第２の電極層１４としてのシート抵抗は数百Ω／□以下が好ましく、膜厚は通常１０ｎｍ〜５μｍ、好ましくは５０〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。なお、発光した光を透過させるため、有機ＥＬ素子の陽極（第１の電極層１２）又は陰極（第２の電極層１４）のいずれか一方が、透明又は半透明であれば発光輝度が向上し好都合である。
【００４３】
また、第２の電極層１４に前記金属を１〜２０ｎｍの膜厚で作製した後に、第１の電極層１２の説明で挙げた導電性透明材料をその上に作製することで、透明又は半透明の第２の電極層１４（陰極）を作製することができ、これを応用することで第１の電極層１２（陽極）と第２の電極層１４（陰極）の両方が透過性を有する素子を作製することができる。
【００４４】
（有機ＥＬ層）
有機ＥＬ層１３は、陽極から注入される正孔と、陰極から注入される電子とが再結合することによって発光する発光層（図示省略）を含んでいる。有機ＥＬ層１３は、この発光層のほかに電子輸送層、正孔輸送層、正孔注入層（陽極バッファー層）、電子注入層（陰極バッファー層）、正孔阻止層、電子阻止層など（いずれも図示省略）を適宜選択して積層させることができる。
【００４５】
有機ＥＬ層１３の構成例として、以下のものが挙げられる。
（１）発光層
（２）正孔輸送層/発光層
（３）発光層/電子輸送層
（４）正孔輸送層/発光層/電子輸送層
（５）正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層
（６）正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層
（７）陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層
（８）正孔輸送層/陽極バッファー層/発光層/正孔阻止層/電子輸送層/陰極バッファー層
（９）陽極バッファー層/正孔輸送層/発光層/電子輸送層/陰極バッファー層
【００４６】
（発光層）
発光層は、前記したように、陽極から注入される正孔と、陰極から注入される電子とが再結合することによって発光する層である。発光層は、単層でもよいが複数の発光層を用いて多層とすることもできる。多層とする場合、当該発光層間に非発光性の中間層を有してもよい。また、前記層構成のうち、発光層を含む有機化合物層を１つの発光ユニットとし、複数の発光ユニットを積層することが可能である。当該複数の積層された発光ユニットにおいては、発光ユニット間に非発光性の中間層を有していてもよく、さらに中間層は電荷発生層を含んでいてもよい。なお、発光層が多層の場合は、積層する数に合わせて蒸着ユニットや塗布・乾燥部のユニットを配設する必要がある。
【００４７】
発光層は、例えば、青色発光層、緑色発光層、及び赤色発光層から選択される少なくとも１つからなる。青色発光層、緑色発光層、及び赤色発光の３つを積層することで、白色素子の作製が可能である。発光層を積層する場合の積層順については特に制限はない。本発明においては、少なくとも一つの青発光層が、全発光層中最も陽極に近い位置に設けられていることが好ましい。また、発光層を４層以上設ける場合には、陽極に近い順から、例えば、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層、青色発光層／緑色発光層／赤色発光層／青色発光層／緑色発光層／赤色発光層のように青色発光層、緑色発光層、赤色発光層を順に積層することが、輝度安定性を高める上で好ましい。
【００４８】
発光層の膜厚の総和は特に制限はないが、膜の均質性、発光に必要な電圧等を考慮し、通常２ｎｍ〜５μｍ、好ましくは２〜２００ｎｍの範囲で選ばれる。さらに１０〜２０ｎｍの範囲にあるのが好ましい。膜厚を２０ｎｍ以下にすると電圧面のみならず、駆動電流に対する発光色の安定性が向上する効果があり好ましい。個々の発光層の膜厚は、好ましくは２〜１００ｎｍの範囲で選ばれ、２〜２０ｎｍの範囲にあるのがさらに好ましい。青、緑、赤の各発光層の膜厚の関係については特に制限はないが、３発光層中、青発光層（複数層ある場合はその総和）が最も厚いことが好ましい。
【００４９】
発光層は、発光極大波長が各々４３０〜４８０ｎｍ、５１０〜５５０ｎｍ、６００〜６４０ｎｍの範囲にある発光スペクトルの異なる少なくとも３層以上の層を含む。３層以上であれば、特に制限はない。４層より多い場合には、同一の発光スペクトルを有する層が複数層あってもよい。発光極大波長が４３０〜４８０ｎｍにある層を青発光層、５１０〜５５０ｎｍにある層を緑発光層、６００〜６４０ｎｍの範囲にある層を赤発光層と言う。また、前記の極大波長を維持する範囲において、各発光層には複数の発光性化合物を混合してもよい。例えば、青発光層に、極大波長４３０〜４８０ｎｍの青発光性化合物と、同５１０〜５５０ｎｍの緑発光性化合物を混合して用いてもよい。
【００５０】
発光層に使用できる材料（発光材料）は特に限定はなく、例えば、株式会社  東レリサーチセンター  フラットパネルディスプレイの最新動向  ＥＬディスプレイの現状と最新技術動向  ２２８〜３３２頁に記載されている如き各種材料が挙げられる。
なお、本発明に係る有機ＥＬ素子１０においては、低分子の発光材料であっても好適に使用することができる。低分子の発光材料とは、重量平均分子量で５０００以下の発光材料をいい、好ましくは３０００以下、より好ましくは２０００以下の発光材料をいう。また、重量平均分子量が５０００よりも大きい高分子の発光材料も好適に使用することができる。
【００５１】
有機ＥＬ素子１０中の有機ＥＬ層１３を構成している発光層には、発光層の発光効率を高くするために公知のホスト化合物と公知のリン光性化合物（リン光発光性化合物とも言う）を含有することが好ましい。
【００５２】
ホスト化合物とは、発光層に含有される化合物の内で、その層中での質量比が２０％以上であり、且つ室温（２５℃）においてリン光発光のリン光量子収率が、０．１未満の化合物と定義される。好ましくはリン光量子収率が０．０１未満である。ホスト化合物を複数種併用して用いてもよい。ホスト化合物を複数種用いることで、電荷の移動を調整することが可能であり、有機ＥＬ素子を高効率化することができる。また、リン光性化合物を複数種用いることで、異なる発光を混ぜることが可能となり、これにより任意の発光色を得ることができる。リン光性化合物の種類、ドープ量を調整することで白色発光が可能であり、照明、バックライトへの応用もできる。
【００５３】
これらのホスト化合物としては、正孔輸送能、電子輸送能を有しつつ、且つ発光の長波長化を防ぎ、尚且つ高Ｔｇ（ガラス転移温度）である化合物が好ましい。公知のホスト化合物としては、例えば、特開２００１−２５７０７６号公報、同２００２−３０８８５５号公報、同２００１−３１３１７９号公報、同２００２−３１９４９１号公報、同２００１−３５７９７７号公報、同２００２−３３４７８６号公報、同２００２−８８６０号公報、同２００２−３３４７８７号公報、同２００２−１５８７１号公報、同２００２−３３４７８８号公報、同２００２−４３０５６号公報、同２００２−３３４７８９号公報、同２００２−７５６４５号公報、同２００２−３３８５７９号公報、同２００２−１０５４４５号公報、同２００２−３４３５６８号公報、同２００２−１４１１７３号公報、同２００２−３５２９５７号公報、同２００２−２０３６８３号公報、同２００２−３６３２２７号公報、同２００２−２３１４５３号公報、同２００３−３１６５号公報、同２００２−２３４８８８号公報、同２００３−２７０４８号公報、同２００２−２５５９３４号公報、同２００２−２６０８６１号公報、同２００２−２８０１８３号公報、同２００２−２９９０６０号公報、同２００２−３０２５１６号公報、同２００２−３０５０８３号公報、同２００２−３０５０８４号公報、同２００２−３０８８３７号公報等に記載の化合物が挙げられる。
【００５４】
複数の発光層を有する場合、これら各層のホスト化合物の５０質量％以上が同一の化合物であることが、有機ＥＬ層１３全体に渡って均質な膜性状を得やすいことから好ましく、さらにはホスト化合物のリン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上であることが、ドーパントからのエネルギー移動を効率的に抑制し、高輝度を得る上で有利となることからより好ましい。リン光発光エネルギーとは、ホスト化合物を基材上に１００ｎｍの厚さで蒸着膜として形成し、そのフォトルミネッセンスを測定し、そのリン光発光の０−０バンドのピークエネルギーを言う。
【００５５】
ホスト化合物は、有機ＥＬ素子１０の経時での劣化（輝度低下、膜性状の劣化）、光源としての市場ニーズ等を考慮し、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。即ち、輝度と耐久性の両方を満足するためには、リン光発光エネルギーが２．９ｅＶ以上且つＴｇが９０℃以上のものであることが好ましい。Ｔｇは、さらに好ましくは１００℃以上である。
【００５６】
リン光性化合物（リン光発光性化合物）とは、励起三重項からの発光が観測される化合物であり、室温（２５℃）にてリン光発光する化合物であり、リン光量子収率が、２５℃において０．０１以上の化合物である。先に説明したホスト化合物と合わせ使用することで、より発光効率の高い有機ＥＬ素子１０とすることができる。
【００５７】
本発明におけるリン光性化合物は、リン光量子収率は好ましくは０．１以上である。上記リン光量子収率は、第４版実験化学講座７の分光IIの３９８頁（１９９２年版、丸善）に記載の方法により測定できる。溶液中でのリン光量子収率は種々の溶媒を用いて測定できるが、本発明に用いられるリン光性化合物は、任意の溶媒のいずれかにおいて上記リン光量子収率が達成されればよい。
【００５８】
リン光性化合物の発光は原理としては２種挙げられ、一つはキャリアが輸送されるホスト化合物上でキャリアの再結合が起こってホスト化合物の励起状態が生成し、このエネルギーをリン光性化合物に移動させることでリン光性化合物からの発光を得るというエネルギー移動型、もう一つはリン光性化合物がキャリアトラップとなり、リン光性化合物上でキャリアの再結合が起こりリン光性化合物からの発光が得られるというキャリアトラップ型であるが、いずれの場合においても、リン光性化合物の励起状態のエネルギーはホスト化合物の励起状態のエネルギーよりも低いことが条件である。
【００５９】
リン光性化合物は、有機ＥＬ素子１０の発光層に使用される公知のものの中から適宜選択して用いることができる。リン光性化合物としては、好ましくは元素の周期表で８族−１０族の金属を含有する錯体系化合物であり、さらに好ましくはイリジウム化合物、オスミウム化合物、又は白金化合物（白金錯体系化合物）、希土類錯体であり、中でも最も好ましいのはイリジウム化合物である。
【００６０】
本発明においては、リン光性化合物のリン光発光極大波長としては特に制限されるものではなく、原理的には中心金属、配位子、配位子の置換基等を選択することで得られる発光波長を変化させることができる。
【００６１】
本発明の有機ＥＬ素子１０や本発明に係る化合物の発光する色は、「新編色彩科学ハンドブック」（日本色彩学会編、東京大学出版会、１９８５）の１０８頁の図４．１６において、分光放射輝度計ＣＳ−１０００（コニカミノルタオプティクス社製）で測定した結果をＣＩＥ色度座標に当て嵌めた時の色で決定される。
【００６２】
本発明で言うところの白色素子とは、２°視野角正面輝度を上記方法により測定した際に、１０００ｃｄ／ｍ2でのＣＩＥ１９３１表色系における色度がＸ＝０．３３±０．０７、Ｙ＝０．３３±０．０７の領域内にあることを言う。
【００６３】
本発明の有機ＥＬ素子１０の発光の室温における外部取り出し量子効率は１％以上であることが好ましく、より好ましくは５％以上である。ここに、外部取り出し量子効率（％）＝有機ＥＬ素子１０外部に発光した光子数／有機ＥＬ素子１０に流した電子数×１００である。
【００６４】
また、カラーフィルター等の色相改良フィルター等を併用しても、有機ＥＬ素子１０からの発光色を、蛍光体を用いて多色へ変換する色変換フィルターを併用してもよい。色変換フィルターを用いる場合においては、有機ＥＬ素子１０の発光のλｍａｘは４８０ｎｍ以下が好ましい。
【００６５】
本発明の有機ＥＬ素子１０は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために以下に示す方法を併用することが好ましい。一般的に、有機ＥＬ素子は、空気よりも屈折率の高い（屈折率が１．７〜２．１程度）層の内部で発光し、発光層で発生した光の内１５％から２０％程度の光しか取り出せないと言われている。これは、臨界角以上の角度θで界面（透明基板と空気との界面）に入射する光は、全反射を起こし素子外部に取り出すことができないことや、透明電極ないし発光層と透明基板との間で光が全反射を起こし、光が透明電極ないし発光層を導波し、結果として、光が素子側面方向に逃げるためである。
【００６６】
この光の取り出しの効率を向上させる手法としては、例えば、透明基板表面に凹凸を形成し、透明基板と空気界面での全反射を防ぐ方法（米国特許第４，７７４，４３５号明細書）、基材に集光性を持たせることにより効率を向上させる方法（特開昭６３−３１４７９５号公報）、素子の側面等に反射面を形成する方法（特開平１−２２０３９４号公報）、基材と発光体の間に中間の屈折率を持つ平坦層を導入し、反射防止膜を形成する方法（特開昭６２−１７２６９１号公報）、基材と発光体の間に基板よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法（特開２００１−２０２８２７号公報）、基板、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基板と外界間）に回折格子を形成する方法（特開平１１−２８３７５１号公報）などがある。
【００６７】
本発明においては、これらの方法を有機ＥＬ素子１０と組み合わせて用いることができるが、基材と発光層の間に基材よりも低屈折率を持つ平坦層を導入する方法、或いは基材、透明電極層や発光層のいずれかの層間（含む、基材と外界間）に回折格子を形成する方法を好適に用いることができる。本発明においては、これらの手段を組み合わせることにより、さらに高輝度或いは耐久性に優れた素子を得ることができる。
【００６８】
透明電極と透明基板の間に低屈折率の媒質を光の波長よりも長い厚みで形成すると、透明電極から出てきた光は、媒質の屈折率が低いほど、外部への取り出し効率が高くなる。低屈折率層としては、例えば、エアロゲル、多孔質シリカ、フッ化マグネシウム、フッ素系ポリマーなどが挙げられる。透明基板の屈折率は一般に１．５〜１．７程度であるので、低屈折率層は、屈折率がおよそ１．５以下であることが好ましい。また、さらに１．３５以下であることが好ましい。低屈折率媒質の厚みは、媒質中の波長の２倍以上となるのが望ましい。これは、低屈折率媒質の厚みが、光の波長程度になってエバネッセントで染み出した電磁波が基材内に入り込む膜厚になると、低屈折率層の効果が薄れるからである。全反射を起こす界面若しくはいずれかの媒質中に回折格子を導入する方法は、光取り出し効率の向上効果が高いという特徴がある。この方法は、回折格子が１次の回折や、２次の回折といった所謂ブラッグ回折により、光の向きを屈折とは異なる特定の向きに変えることができる性質を利用して、発光層から発生した光の内、層間での全反射等により外に出ることができない光を、いずれかの層間若しくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）に回折格子を導入することで光を回折させ、光を外に取り出そうとするものである。導入する回折格子は、二次元的な周期屈折率を持っていることが望ましい。これは、発光層で発光する光はあらゆる方向にランダムに発生するので、ある方向にのみ周期的な屈折率分布を持っている一般的な１次元回折格子では、特定の方向に進む光しか回折されず、光の取り出し効率がさほど上がらない。しかしながら、屈折率分布を二次元的な分布にすることにより、あらゆる方向に進む光が回折され、光の取り出し効率が上がる。
【００６９】
回折格子を導入する位置としては前述のとおり、いずれかの層間若しくは、媒質中（透明基板内や透明電極内）でもよいが、光が発生する場所である発光層の近傍が望ましい。このとき、回折格子の周期は、媒質中の光の波長の約１／２〜３倍程度が好ましい。回折格子の配列は、正方形のラチス状、三角形のラチス状、ハニカムラチス状など、２次元的に配列が繰り返されることが好ましい。
【００７０】
さらに、本発明の有機ＥＬ素子１０は、発光層で発生した光を効率よく取り出すために、基材の光取り出し側に、例えばマイクロレンズアレイ上の構造を設けるように加工したり、或いは、所謂集光シートと組み合わせたりすることにより、特定方向、例えば素子発光面に対し正面方向に集光することができる。これにより、特定方向上の輝度を高めることができる。マイクロレンズアレイの例としては、基材の光取り出し側に一辺が３０μｍでその頂角が９０度となるような四角錐を２次元に配列する。一辺は１０μｍ〜１００μｍが好ましい。これより小さくなると回折の効果が発生して色付く、大きすぎると厚みが厚くなり好ましくない。
【００７１】
集光シートとしては、例えば液晶表示装置のＬＥＤバックライトで実用化されているものを用いることが可能である。このようなシートとして例えば、住友スリーエム社製輝度上昇フィルム（ＢＥＦ）などを用いることができる。プリズムシートの形状としては、例えば基材に頂角９０度、ピッチ５０μｍの△状のストライプが形成されたものであってもよいし、頂角が丸みを帯びた形状、ピッチをランダムに変化させた形状、その他の形状であってもよい。また、発光素子からの光放射角を制御するために光拡散板・フィルムを、集光シートと併用してもよい。例えば、（株）きもと製拡散フィルム（ライトアップ）などを用いることができる。
【００７２】
発光層は、真空の成膜室内に任意の蒸着源を配置して実施される蒸着法により形成可能である。蒸着法としては、例えば、スパッタ法、マスク蒸着法、フォトリソパターニング法などがある。また、発光層は、発光層形成用塗布液を塗布し、乾燥することでも形成可能である。前記したように、発光層は、電極又は電子注入層、正孔輸送層から注入されてくる電子及び正孔が再結合して発光する層である。発光する部分は発光層の層内であっても発光層と隣接層との界面であってもよい。
【００７３】
ここで、発光層形成用塗布液を塗布する湿式塗布機としては、例えば、ダイコート方式、スクリーン印刷方式、フレキソ印刷方式、インクジェット方式、メイヤーバー方式、キャップコート法、スプレー塗布法、キャスト法、ロールコート法、バーコート法、グラビアコート法等に用いる塗布機が使用可能である。また、これらの湿式塗布機の使用は有機化合物層の材料に応じて適宜選択可能である。
【００７４】
（正孔輸送層（正孔注入層、電子阻止層））
正孔輸送層は、正孔を有効な再結合領域まで移動させる役割と、エネルギー障壁として電子をブロックして局所的に留め発光を強める役割を果たす。正孔輸送層は、正孔を輸送する機能を有する正孔輸送材料からなり、広い意味で正孔注入層、電子阻止層も正孔輸送層に含まれる。正孔輸送層は単層又は複数層設けることができる。これらについては、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」に詳細に記載されている。
【００７５】
正孔輸送材料としては、正孔の注入又は輸送、電子の障壁性のいずれかを有するものであり、有機物、無機物のいずれであってもよい。例えば、トリアゾール誘導体、オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、ポリアリールアルカン誘導体、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、フェニレンジアミン誘導体、アリールアミン誘導体、アミノ置換カルコン誘導体、オキサゾール誘導体、スチリルアントラセン誘導体、フルオレノン誘導体、ヒドラゾン誘導体、スチルベン誘導体、シラザン誘導体、アニリン系共重合体、及び導電性高分子オリゴマー、特にチオフェンオリゴマー等が挙げられる。
【００７６】
正孔輸送材料としては上記のものを使用することができるが、ポルフィリン化合物、芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物、特に芳香族第３級アミン化合物を用いることが好ましい。芳香族第３級アミン化合物及びスチリルアミン化合物の代表例としては、Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノフェニル；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−〔１，１′−ビフェニル〕−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）；２，２−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）プロパン；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロヘキサン；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラ−ｐ−トリル−４，４′−ジアミノビフェニル；１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）−４−フェニルシクロヘキサン；ビス（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニルメタン；ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）フェニルメタン；Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−Ｎ，Ｎ′−ジ（４−メトキシフェニル）−４，４′−ジアミノビフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ′，Ｎ′−テトラフェニル−４，４′−ジアミノジフェニルエーテル；４，４′−ビス（ジフェニルアミノ）クオードリフェニル；Ｎ，Ｎ，Ｎ−トリ（ｐ−トリル）アミン；４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）−４′−〔４−（ジ−ｐ−トリルアミノ）スチリル〕スチルベン；４−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ−（２−ジフェニルビニル）ベンゼン；３−メトキシ−４′−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノスチルベンゼン；Ｎ−フェニルカルバゾール、さらには米国特許第５，０６１，５６９号明細書に記載されている２個の縮合芳香族環を分子内に有するもの、例えば、４，４′−ビス〔Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ〕ビフェニル（ＮＰＤ）、特開平４−３０８６８８号公報に記載されているトリフェニルアミンユニットが３つスターバースト型に連結された４，４′，４″−トリス〔Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ〕トリフェニルアミン（ＭＴＤＡＴＡ）等が挙げられる。
【００７７】
さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。また、ｐ型−Ｓｉ、ｐ型−ＳｉＣ等の無機化合物も正孔注入材料、正孔輸送材料として使用することができる。
【００７８】
また、特開平１１−２５１０６７号公報、Ｊ．Ｈｕａｎｇ ｅｔ．ａｌ．著文献（Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ Ｌｅｔｔｅｒｓ ８０（２００２），ｐ．１３９）に記載されているような所謂ｐ型正孔輸送材料を用いることもできる。本発明においては、より高効率の発光素子が得られることから、これらの材料を用いることが好ましい。
【００７９】
正孔輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。この正孔輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。また、不純物をドープしたｐ性の高い正孔輸送層を用いることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号、特開２０００−１９６１４０号、特開２００１−１０２１７５号、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）などに記載されたものが挙げられる。このようなｐ性の高い正孔輸送層を用いると、より低消費電力の有機ＥＬ素子を作製することができるため好ましい。
【００８０】
（電子輸送層（電子注入層、正孔阻止層））
電子輸送層は、電子を有効な再結合領域まで移動させる役割と、エネルギー障壁として正孔をブロックして局所的に留め発光を強める役割を果たす。電子輸送層は、電子を輸送する機能を有する材料（電子輸送材料）からなり、広い意味で電子注入層、正孔阻止層も含まれる。電子輸送層は単層又は複数層設けることができる。これらについては、「有機ＥＬ素子とその工業化最前線（１９９８年１１月３０日エヌ・ティー・エス社発行）」に詳細に記載されている。
【００８１】
従来、単層の電子輸送層に用いられる電子輸送材料（正孔阻止材料を兼ねる）、又は電子輸送層を複数層とする場合において、発光層に対して陰極側に隣接する電子輸送層に用いられる電子輸送材料としては、陰極より注入された電子を発光層に伝達する機能を有していればよく、その材料としては従来公知の化合物の中から任意のものを選択して用いることができる。例えば、ニトロ置換フルオレン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、チオピランジオキシド誘導体、カルボジイミド、フレオレニリデンメタン誘導体、アントラキノジメタン、アントロン誘導体及びオキサジアゾール誘導体等が挙げられる。さらに、上記オキサジアゾール誘導体において、オキサジアゾール環の酸素原子を硫黄原子に置換したチアジアゾール誘導体、電子吸引基として知られているキノキサリン環を有するキノキサリン誘導体も、電子輸送層の材料として用いることができる。さらにこれらの材料を高分子鎖に導入した、又はこれらの材料を高分子の主鎖とした高分子材料を用いることもできる。
【００８２】
また、８−キノリノール誘導体の金属錯体、例えば、トリス（８−キノリノール）アルミニウム（Ａｌｑ3）、トリス（５，７−ジクロロ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５，７−ジブロモ−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（２−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、トリス（５−メチル−８−キノリノール）アルミニウム、ビス（８−キノリノール）亜鉛（Ｚｎｑ）等、及びこれらの金属錯体の中心金属がＩｎ、Ｍｇ、Ｃｕ、Ｃａ、Ｓｎ、Ｇａ又はＰｂに置き替わった金属錯体も、電子輸送層の材料として用いることができる。
【００８３】
その他、メタルフリー若しくはメタルフタロシアニン、又はそれらの末端がアルキル基やスルホン酸基等で置換されているものも、電子輸送層の材料として好ましく用いることができる。また、発光層の材料としても例示されるジスチリルピラジン誘導体も電子輸送層の材料として用いることができるし、正孔注入層、正孔輸送層と同様にｎ型−Ｓｉ、ｎ型−ＳｉＣ等の無機半導体も電子輸送層の材料として用いることができる。
【００８４】
電子輸送層は、上記材料を、例えば、真空蒸着法、スピンコート法、キャスト法、インクジェット法を含む印刷法、ＬＢ法等の公知の方法により、薄膜化することにより形成することができる。電子輸送層の膜厚については特に制限はないが、通常は５ｎｍ〜５μｍ程度、好ましくは５〜２００ｎｍである。電子輸送層は上記材料の１種又は２種以上からなる一層構造であってもよい。
また、電子輸送層に不純物をドープし、ｎ性を高くすることもできる。その例としては、特開平４−２９７０７６号公報、同１０−２７０１７２号公報、特開２０００−１９６１４０号公報、同２００１−１０２１７５号公報、Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，９５，５７７３（２００４）等に記載されたものが挙げられる。さらに、本発明においては、電子輸送層にカリウムやカリウム化合物などを含有させてもよい。カリウム化合物としては、例えば、フッ化カリウム等を用いることができる。このように電子輸送層のｎ性を高くすると、より低消費電力の素子を作製することができるため好ましい。
【００８５】
電子注入層（陰極バッファー層）は、特開平６−３２５８７１号公報、同９−１７５７４号公報、同１０−７４５８６号公報等にもその詳細が記載されており、具体的にはストロンチウムやアルミニウム等に代表される金属バッファー層、フッ化リチウムに代表されるアルカリ金属化合物バッファー層、フッ化マグネシウムに代表されるアルカリ土類金属化合物バッファー層、酸化アルミニウムに代表される酸化物バッファー層等が挙げられる。上記バッファー層（注入層）はごく薄い膜であることが望ましく、素材にもよるがその膜厚は０．１ｎｍ〜５μｍの範囲が好ましい。
【００８６】
正孔阻止層は、広い意味では、電子輸送層の機能を有する。正孔阻止層は、電子を輸送する機能を有しつつ正孔を輸送する能力が著しく小さい正孔阻止材料からなり、電子を輸送しつつ正孔を阻止することで電子と正孔の再結合確率を向上させることができる。正孔阻止層は、電子輸送層に記載したものを用いて具現することができる。正孔阻止層は、発光層に隣接して設けられていることが好ましい。正孔阻止層の膜厚は、好ましくは３〜１００ｎｍであり、さらに好ましくは５〜３０ｎｍである。
【００８７】
（封止膜）
図３に示すように、封止膜１５は、基材１１から第１の電極層１２、有機ＥＬ層１３、第２の電極層１４を覆うようにして所定の形状で成膜され、これらを封止する。
なお、前記したように、本実施形態に係るマスク１は、この封止膜１５をプラズマＣＶＤ成膜装置にて成膜する際に好適に用いることができるが、前記したいずれの層を成膜する場合であっても、用いることができる。
封止膜１５は、基材１１のガスバリア膜で記載した材料及び方法を用いるのが好ましい。
【００８８】
（ロールツーロール搬送での製造）
以上に説明した、本実施形態に係るマスク１を用いて製造される有機ＥＬ素子１０は、そのほとんどの工程を前記したロールツーロール搬送で行うことができる。以下、図４を参照して、ロールツーロール搬送にて有機ＥＬ素子１０を製造する様子を説明する。なお、図４は、有機ＥＬ素子を製造する一連の製造装置１００の構成例を示す模式図である。
【００８９】
製造装置１００は、第１の電極層１２（陽極）が形成された可撓性の帯状基材ロール１１ｃ（以下、単に「ロール１１ｃ」という）から基材１１を巻き出す巻き出し室１１０と、基材１１の搬送方向に直行する方向の位置ずれを起こさない機構、搬送方向への移動距離補正機構等が配置された搬送補助室１２０と、を備えている。
【００９０】
また、製造装置１００は、基材１１に対し、有機ＥＬ層１３などの各機能層を構成する材料を蒸着する第１成膜室１３０と、前記の搬送補助室１２０と同様の構成を備える搬送補助室１４０と、前記第１成膜室１３０において形成された機能層上にさらに別の機能層を形成する第２成膜室１５０と、を備えている。
【００９１】
さらに、製造装置１００は、前記の搬送補助室１２０、１４０と同様の構成を備える搬送補助室１６０と、基材１１上に形成された有機ＥＬ層１３などの各機能層を封止する封止膜１５を成膜する封止膜成膜室１７０と、を備えている。
【００９２】
また、製造装置１００は、前記の搬送補助室１２０、１４０、１６０と同様の構成を備える搬送補助室１８０と、封止膜１５が成膜されて得られた有機ＥＬシート１１ｅ（有機ＥＬ素子１０）をロール１１ｄに巻き取る巻取り室１９０と、を備えている。
【００９３】
なお、ここでは、説明の簡略化のために、機能層を形成する室数を第１成膜室１３０及び第２成膜室１５０の２室としている。ただし、これは、形成する機能層の層数や種類に応じて適宜変更可能である。また、これらの室では、デポアップ方式にて各機能層が形成されている。そのため、封止膜成膜室１７０でもデポアップ方式のプラズマＣＶＤ成膜装置１７１にて封止膜１５を成膜するようにしている。なお、一般的に、プラズマＣＶＤ法による成膜においては、デポダウン方式の方が、効率が良いとされているが、デポダウン方式にて成膜する場合は、有機ＥＬシート１１ｅを反転させる必要がある。製造装置１００に有機ＥＬシート１１ｅを反転させる反転機構を設けることができる場合は、当該シートを反転させてデポダウン方式にて封止膜１５を成膜するとよい。なお、ここでは、そのような反転機構を備えず、デポアップ方式にて各機能層を形成し、そのままデポアップ方式で封止膜１５を成膜している。なお、ロールツーロール搬送の場合、基材１１の反転機構を設置することが困難であり、デポアップ方式にて各機能層を形成した後にそのままデポアップ方式で封止膜１５を成膜することが望ましい。
【００９４】
前記した各室１１０〜１９０内は、本実施形態においては、当該室内で行われる処理に応じて、雰囲気が制御されている。具体的には、機能層の形成が行われる第１成膜室１３０及び第２成膜室１５０は、真空になっている。また、基材１１の搬送が行われる補助搬送室１２０、１４０、１６０、１８０、封止膜成膜室１７０、さらに、巻き出し室１１０及び巻き取り室１９０は、真空になっている。
【００９５】
ロール１１ｃから巻き出される基材１１は、各室１１０〜１９０を経由してロール１１ｄに巻き取られるまで複数のロールにより進行方向が変えられると共に、適度な張力が付与されている。複数のロールの設置数や設置位置等は任意に設定することができる。
【００９６】
巻き出し室１１０に備えられるロール１１ｃの巻き芯、及び、巻き取り室１９０に備えられるロール１１ｄの巻き芯は、基材１１を巻き取った際に変形することがなく、１００℃程度の雰囲気に晒された場合でも変形しないものが好ましい。また、巻き芯は、製造装置１００への着脱や減圧室等への移送時に、発塵しないことが好ましい。さらに、巻き芯の表面部分のうちで、基材１１の接する部分は平滑であることが好ましく、具体的には表面粗さＲａが３０ｎｍ以下、Ｒｔが１００ｎｍ以下であることが好ましい。巻き芯の材質としては、ガラス繊維強化プラスチックやステンレスであることが好ましい。
【００９７】
さらに、基材１１の巻き芯の軸方向両端部には、巻き出しや巻き取りの際の、コア上のウェブ表面と、この上に重なるウェブの背面が強く擦りあうことを防止するために、ナーリング加工（エンボス加工ともいう）を施してもよい。この高さは、例えば２μｍから５０μｍ程度とすることが好ましい。
【００９８】
以下、順に説明する。まず、基材１１が、巻き出し室１１０に設置されたロール１１ｃから巻き出される。なお、既に説明しているように、この基材１１には予め陽極（第１の電極層１２）パターニングが施されていてもよい。
【００９９】
ロール１１ｃから巻き出された基材１１は、搬送補助室１２０を経由して、第１成膜室１３０に搬送される。そして、搬送された基材１１は第１成膜室１３０内の所定位置で停止され、第１成膜室１３０内で機能層の形成（即ち成膜）が行われる。
【０１００】
機能層の形成は、図４に示すように、第１成膜室１３０内の所定の位置に、機能層を形成するための蒸着材料が放出される蒸着源１３１と、この蒸着源１３１と基材１１との間に、所望のパターンの機能層を形成するための、微調整可能なパターン形成用マスク１３２（以下、「マスク１３２」という）とが配置される。また、基材１１を挟んでマスク１３２と対向する位置に、蒸着中の基材１１の温度を維持するための温度調整プレート１３３が配置される。なお、このマスク１３２は、本実施形態に係るマスク１であってもよい。
【０１０１】
基材１１上への蒸着は、以下のようにして行われる。即ち、まず、蒸着源１３１は予め決められた蒸着割合で蒸着材料が放出されるように調整されて維持され、意図せず基材１１に付着しないよう、シャッタ（図示せず）等により遮断されている。基材１１には、図示しないアライメントマークが設けられる等により目印が付されている。そして、第１成膜室１３０には、その目印が読み込まれるカメラ（図示せず）等が設置されている。これにより、基材１１は、カメラがアライメントマークを読み込むことができる所定の位置まで任意の速度で搬送された後、停止する。
【０１０２】
次いで、カメラによってアライメントマークが読み取られ、マスク１３２がアライメントマークの位置に合うように微調整される。その後、温度調整プレート１３３が基材１１に近づいて密着接触しつつ、マスク１３２も基材１１に近づき、密着接触又はわずかに間隙を設けた位置で停止する。
【０１０３】
そして、蒸着源１３１のシャッタが開にされ、基材１１上に有機ＥＬ層１３などの機能層がパターン状に形成される。このとき、決められた膜厚になるように蒸着時間等を制御し、決められた膜厚になった時点でシャッタが閉とされる。その後、マスク１３２が基材１１から離間して基準位置に戻されつつ、温度調整プレート１３３も基材１１から離間して基準位置に戻される。その後、基材１１の搬送が再開される。
【０１０４】
搬送が再開されると、基材１１は、搬送補助室１４０を経由して第２成膜室１５０まで搬送される。そして、第２成膜室１５０において、第１成膜室１３０における成膜と同様にして金属蒸着が行われ、陰極（第２の電極層１４）が形成される。即ち、基材１１に対して、陰極形成という処理が行われる。
【０１０５】
陰極の形成は、図４に示すように、第２成膜室１５０内の所定の位置に、機能層を形成するための金属材料が放出される蒸着源１５１と、この蒸着源１５１と基材１１との間に、所望のパターンの陰極を形成するための、微調整可能なパターン形成用マスク１５２（以下、「マスク１５２」という）とが配置される。また、基材１１を挟んでマスク１５２と対向する位置に、蒸着中の基材１１の温度を維持するための温度調整プレート１５３が配置される。なお、このマスク１５２は、本実施形態に係るマスク１であってもよい。
【０１０６】
その後、機能層及び陰極が形成された基材１１は、搬送補助室１６０を経由して封止膜成膜室１７０に送られる。封止膜成膜室１７０においては、基材１１が搬送されながら、第１の電極層１２、有機ＥＬ層１３、第２の電極層１４を覆うようにして封止膜１５が成膜される（図３参照）。
【０１０７】
封止膜１５の成膜は、図４に示すように、封止膜成膜室１７０内の所定の位置に、封止膜１５を成膜するプラズマＣＶＤ成膜装置の電極１７１と、この電極１７１と各機能層が形成された基材１１（被成膜物）と、の間に、所望の形状のパターンの封止膜１５を形成するための、微調整可能なパターン形成用マスク１７２（以下、「マスク１７２」という）が配置されている。また、基材１１を挟んだマスク１７２と対向する位置に、成膜中の基材１１の温度を維持するための温度調整プレート１７３が配置される。なお、このマスク１７２は、本実施形態に係るマスク１であるのが好ましい。以下の説明では、マスク１７２として本実施形態に係るマスク１を用いた態様について説明する。
【０１０８】
基材１１上への封止膜１５の成膜は、以下のようにして行われる。即ち、まず、反応場内に予め決められた割合でキャリアガスと原料ガスを混合して導入し、基材１１を温度調整プレート１７３で加熱し、電極１７１にて高周波を印加して、ガスをプラズマ化して活性化させ、基板１１上に封止膜１５を成膜する。また、基材１１には、図示しないアライメントマークが設けられる等により目印が付されている。そして、封止膜成膜室１７０には、その目印が読み込まれるカメラ（図示せず）等が設置されている。これにより、基材１１は、カメラがアライメントマークを読み込むことができる所定の位置まで任意の速度で搬送された後、停止する。
【０１０９】
次いで、カメラによってアライメントマークが読み取られ、マスク１（マスク１７２）がアライメントマークの位置に合うように微調整される。その後、温度調整プレート１７３が基材１１に近づいて密着接触しつつ、マスク１（マスク１７２）も基材１１に近づき、密着接触又はわずかに間隙を設けた位置で停止する。
【０１１０】
そして、電極１７１に電圧を印加して放電を開始し、前記したようにして基材１１上に封止膜１５がパターン状に成膜される。このとき、決められた膜厚になるように成膜時間等を制御し、決められた膜厚になった時点で放電とガス供給を遮断する。その後、マスク１が基材１１から離間して基準位置に戻されつつ、温度調整プレート１７３も基材１１から離間して基準位置に戻される。その後、基材１１の搬送が再開される。
【０１１１】
このようにして有機ＥＬシート１１ｅ（有機ＥＬ素子１０）が得られる。そして、得られた有機ＥＬシート１１ｅは、搬送補助室１８０を経由して巻き取り室１９０に搬送され、ロール１１ｄに巻き取られる。最後に、必要に応じてロール１１ｄから巻き出し、所定の大きさに切断することで、有機ＥＬ素子１０が得られる。この有機ＥＬ素子１０は、封止膜１５を成膜する際に本実施形態に係るマスク１を用いている。
【０１１２】
かかるマスク１は、マスク部材２の第１開口部２１と同じ開口位置に、第１開口部２１の開口寸法よりも小さな開口寸法にて第１開口部２１と略同形状で開口する第２開口部３１、及びこの第２開口部３１を形成する第２非開口部３２を有し、且つ当該第２非開口部３２をセラミックコートした、マスク部材２よりも厚さ寸法の小さい（ｔ２＞ｔ３、図２参照）金属部材３を備えるようにしている。すなわち、マスク１は、前記したように、第１開口部２１及び第１非開口部２２を有するマスク部材２を、第２開口部３１及び第２非開口部３２を有する金属部材３を支持するためのリブとして使用している。従って、金属部材３の厚さ寸法ｔ３を小さくすることができ、当該金属部材３の端部３ｅ近傍の端部膜厚の均一性を高くすることができる。
また、前記したように、マスク部材２を、第２開口部３１及び第２非開口部３２を有する金属部材３を支持するためのリブとして使用しているため、成膜時に熱の影響を受けても撓んだり、歪んだりしないので、入り込み影響を抑制することができる。
更に、マスク１は、セラミックコートした金属部材３を用いているので、プラズマＣＶＤ成膜装置で成膜した場合であっても、成膜時のプラズマに起因する異常放電を抑制することができる。
そして、所定量又は所定期間、有機ＥＬ素子１０を製造したら、設備の保全や有機ＥＬ素子１０への異物混入防止のため、腐食性のＮＦ3ガスを使用して封止成膜室１７０内のクリーニングを行うが、金属部材３はセラミックコートされているので、ＮＦ3ガスによって腐食されない。なお、図示してないがＮＦ3ガスによるクリーニングの際は基材１１にガスが接触しないような隔離機構を有し、マスクや電極等をクリーニングする。
【０１１３】
以上の説明ではロールツーロール搬送で有機ＥＬ素子１０を製造する場合について説明したが、有機ＥＬシート１１ｅが得られた後に、断裁処理等して枚葉の状態とするロールツーシート搬送でも同様に有機ＥＬ素子１０を製造することができる。
【実施例】
【０１１４】
次に、本発明の要件を満たし、所望の効果が確認された実施例と、そうでない比較例とにより、本発明の内容を具体的に説明する。
【０１１５】
マスク部材の厚さ寸法ｔ２（図２参照）、金属部材の厚さ寸法ｔ３（図２参照）、及びマスク部材の第１非開口部の端部から金属部材の第２非開口部の端部までの長さ寸法ｓ３（図２参照）が、表１に示す条件となるようにして、Ｎｏ．１〜１７に係るプラズマＣＶＤ成膜用マスク（以下、単にマスクという。）を作製した。なお、マスク部材と金属部材の外形の形状及び寸法が同じとなるように作製した。そして、後記する条件でプラズマＣＶＤ成膜装置にて成膜する際には、当該成膜装置の所定の位置に、マスク部材の外形と金属部材の外形を揃えてセットし、成膜した。なお、今回の検討では、マスク部材と金属部材は螺子などの固定手段で固定しないこととした。
【０１１６】
Ｎｏ．１〜１７に係るマスクはいずれも、マスク部材はアルミナ製とし、金属部材は４２アロイ製とした。また、Ｎｏ．１以外のかかる金属部材は、全表面をＡＬＤ法にてアルミナコートした。
【０１１７】
以上の条件で作製したＮｏ．１〜１７に係るマスクを用いて、以下の条件で基材の表面に封止膜として適用し得る窒化珪素膜を、デポアップ方式のプラズマＣＶＤ成膜装置によって成膜した。なお、基材は、幅が１０００ｍｍ、厚さが１００μｍの長尺なＰＥＴフィルム（ポリエチレンテレフタレートフィルム）を用いた。また、窒化珪素膜の膜厚は５０ｎｍとした。
【０１１８】
窒化珪素膜は、基材に対面するように設けられた電極と、この電極にプラズマ励起電力を供給する高周波電源と、基材を保持する保持部材に対してバイアス電力を供給するバイアス電源と、電極に向けてキャリアガスや原料ガスを供給するガス供給手段と、を備えたプラズマＣＶＤ成膜装置で成膜した。
【０１１９】
成膜ガスは、シランガス(ＳｉＨ4）、アンモニアガス(ＮＨ3）、窒素ガス(Ｎ2）および水素ガス(Ｈ2）を用いた。これらのガスの供給量は、シランガスが１００sccm、アンモニアガスが２００sccm、窒素ガスが５００sccm、水素ガスが５００sccmとした。また、成膜圧力は５０Ｐａとした。
電極には、高周波電源から周波数１３．５ＭＨｚで３０００Ｗのプラズマ励起電力を供給した。さらに、保持部材には、バイアス電源から５００Ｗのバイアス電力を供給した。また、成膜中は、保持部材の温度を１１０℃に調整した。
【０１２０】
そして、Ｎｏ．１〜１７に係るマスクを用いて、以上の条件で基材の表面に成膜した窒化珪素膜について、端部膜厚の均一性、入り込み影響、及び洗浄ガスに対する耐食性を評価した。これらの評価は次のようにして行った。
【０１２１】
（端部膜厚の均一性）
成膜した窒化珪素膜の端部を触針式表面形状測定器で測定し、平均膜厚から±３％に入ったところまでの長さを測定した。そして、その長さが０．１５ｍｍ以下を良好（○）、０．１５ｍｍを超えるものを不良（×）と評価した。
【０１２２】
（入り込み影響）
成膜した窒化珪素膜の端部を触針式表面形状測定器で測定し、金属部材の第２非開口部の端部から、当該第２非開口部の下方に膜の端部がどの程度入り込んで成膜されているか、その長さを測定した。そして、第２非開口部の端部の下方に入り込んで成膜されている長さが、０．２ｍｍ以下のものを良好（○）、０．２ｍｍを超えているものを不良（×）と評価した。
【０１２３】
（洗浄ガスに対する耐食性）
洗浄ガスに対する耐食性は、マスクに対してＮＦ3ガスを５００sccm流し、目視確認により金属部材に腐食が確認されなかったものを良好、腐食が確認されたものを不良と評価した。
【０１２４】
【表１】
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【０１２５】
表１に示すように、Ｎｏ．２、３、６、７、１４〜１６は、端部膜厚の均一性、入り込み影響のいずれもが良好な結果であった。これに対し、Ｎｏ．１、４、５、８〜１３、１７は、端部膜厚の均一性、入り込み影響が不良という結果になった。なお、洗浄ガスに対する耐食性はＮｏ．１以外のマスクにおいていずれも良好であった。
【符号の説明】
【０１２６】
１      マスク（プラズマＣＶＤ成膜用マスク）
２      マスク部材
２１    第１開口部
２２    第１非開口部
２２ｅ  （第１非開口部の）端部
３      金属部材
３１    第２開口部
３２    第２非開口部
３３    セラミックコート
３ｅ    （第２非開口部の）端部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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