(57)【要約】【課題】蛍光表示管内の残留ガス、特にＨ2Ｏの吸着による初期輝度特性のバラツキを抑え、かつ表面処理工程を必要としないＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を提供する。【解決手段】ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体表面の一部にＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物が形成されており、  この酸化物は、蛍光体粒子表面の全面を覆うことなく、粒子表面の一部に粒子状ではなく薄膜状に形成されており、  ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体または該蛍光体を生成する原料に、ＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物、または該酸化物を生成する原料を加えて、還元性または不活性雰囲気中、焼成温度７００〜１２００℃、焼成時間１〜５時間の条件で焼成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体表面の一部にＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物が形成されている低速電子線用蛍光体であって、
前記酸化物は、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体または該蛍光体を生成する原料に、前記ＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物、または該酸化物を生成する原料を加えて、還元性または不活性雰囲気中、焼成温度７００〜１２００℃、焼成時間１〜５時間の条件で焼成することにより、前記蛍光体粒子表面の全面を覆うことなく、粒子表面の一部に粒子状ではなく薄膜状に、前記酸化物が形成されていることを特徴とする低速電子線用蛍光体。
【請求項２】
前記酸化物が蛍光体粒子表面に薄膜状に形成されているＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体は、前記酸化物が前記蛍光体粒子表面に粒子状に形成されているＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に比較して、初期輝度に優れ、かつ複数回測定された前記初期輝度値の標準偏差が小さいことを特徴とする請求項１記載の低速電子線用蛍光体。
【請求項３】
前記酸化物が前記ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体１００質量部に対して０．００１〜５質量部添加されていることを特徴とする請求項１または請求項２記載の低速電子線用蛍光体。
【請求項４】
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体表面の一部にＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物が前記蛍光体粒子表面の全面を覆うことなく、粒子表面の一部に粒子状ではなく薄膜状に形成されている低速電子線用蛍光体の製造方法であって、
ＺｎＯまたはＺｎＯを生成するＺｎ化合物がＺｎＯに換算して１００質量部と、ＷＯ3またはＷＯ3を生成するＷ化合物、ならびにＭｏＯ3またはＭｏＯ3を生成するＭｏ化合物から選ばれる化合物がそれぞれＷＯ3またはＭｏＯ3に換算して０．００１〜５質量部とを配合する工程と、
還元性または不活性雰囲気中、焼成温度７００〜１２００℃、焼成時間１〜５時間の条件で焼成する工程とを備えることを特徴とする請求項１記載の低速電子線用蛍光体の製造方法。
【請求項５】
前記ＺｎＯまたはＺｎＯを生成するＺｎ化合物１００質量部に対して還元促進剤が１．０質量部以下配合されていることを特徴とする請求項４記載の低速電子線用蛍光体の製造方法。
【請求項６】
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体表面の一部にＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物が前記蛍光体粒子表面の全面を覆うことなく、粒子表面の一部に粒子状ではなく薄膜状に形成されている低速電子線用蛍光体の製造方法であって、
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体１００質量部と、ＷＯ3またはＷＯ3を生成するＷ化合物、ならびにＭｏＯ3またはＭｏＯ3を生成するＭｏ化合物から選ばれる化合物がＷＯ3またはＭｏＯ3に換算して０．００１〜５質量部とを配合する工程と、
還元性または不活性雰囲気中、焼成温度７００〜１２００℃、焼成時間１〜５時間の条件で焼成する工程とを備えることを特徴とする請求項１記載の低速電子線用蛍光体の製造方法。
【請求項７】
請求項１、請求項２または請求項３に記載の低速電子線用蛍光体を使用した蛍光表示管。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、初期輝度特性を大幅に高めることができる低速電子線用自己付活蛍光体ＺｎＯ：Ｚｎおよびその製造方法、ならびにこの蛍光体を用いた蛍光表示管に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体は、数Ｖの低電圧から発光させることができ数１０Ｖで実用上十分な高輝度が得られるので蛍光表示管に広く用いられている。
しかし、このＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体は、蛍光表示管内の残留ガス、特にＨ2Ｏの影響を受けやすく、蛍光体粒子表面にＨ2Ｏが吸着することによる初期輝度の低下が大きく、またその初期輝度のバラツキが大きいという問題があった。
【０００３】
これら初期輝度の特性を改善するために、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に亜鉛粉末を添加する技術が知られている（特許文献１）。しかし、亜鉛粉末を添加すると初期輝度のバラツキは抑えられるが非発光の亜鉛があるために全体的に輝度を落としてしまうという問題がある。
また、ＺｎＯ：Ｚｎの粒子表面にコロイダルシリカをコートする技術が知られている（特許文献２）。しかし、コロイダルシリカコートは寿命特性の改善にはなるが、初期輝度特性のバラツキが抑えられないという問題がある。
さらに、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に、Ｗ、Ｍｏ、Ｖおよびこれらの酸化物から選ばれた少なくとも１種を含む物質が、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に対して０．１重量％〜５０重量％添加する技術が知られている（特許文献３）。しかし、この技術は、近年の蛍光表示管にあっては、輝度特性にバラツキが生じたり、あるいは、製造工数が増えたりするという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平３−１５１４３号公報
【特許文献２】特開平６−９３２５９号公報
【特許文献３】特開昭５８−４０７４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明はこのような問題に対処するためになされたものであり、蛍光表示管内の残留ガス、特にＨ2Ｏの吸着による初期輝度特性のバラツキを抑え、かつ表面処理工程を必要としないＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体表面の一部にＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物が形成されている低速電子線用蛍光体である。
この酸化物は、上記蛍光体粒子表面の全面を覆うことなく、粒子表面の一部に粒子状ではなく薄膜状に形成されており、
上記ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体または該蛍光体を生成する原料に、上記ＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物、または該酸化物を生成する原料を加えて、還元性または不活性雰囲気中、焼成温度７００〜１２００℃、焼成時間１〜５時間の条件で焼成することにより得られることを特徴とする。
【０００７】
ＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物が蛍光体粒子表面に薄膜状に形成されているＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体は、上記酸化物が上記蛍光体粒子表面に粒子状に形成されているＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に比較して、初期輝度に優れ、かつ複数回測定された初期輝度値の標準偏差が小さいことを特徴とする。
また、上記酸化物が上記ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体１００質量部に対して０．００１〜５質量部添加されていることを特徴とする。
【０００８】
上記低速電子線用蛍光体の製造方法は、ＺｎＯまたはＺｎＯを生成するＺｎ化合物がＺｎＯに換算して１００質量部と、ＷＯ3またはＷＯ3を生成するＷ化合物、ならびにＭｏＯ3またはＭｏＯ3を生成するＭｏ化合物から選ばれる化合物がそれぞれＷＯ3またはＭｏＯ3に換算して０．００１〜５質量部とを配合する工程と、
還元性または不活性雰囲気中、焼成温度７００〜１２００℃、焼成時間１〜５時間の条件で焼成する工程とを備えることを特徴とする。
また、上記ＺｎＯまたはＺｎＯを生成するＺｎ化合物１００質量部に対して還元促進剤を１．０質量部以下配合することを特徴とする。
【０００９】
上記低速電子線用蛍光体の他の製造方法は、出発原料としてＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を用いて、このＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体１００質量部と、ＷＯ3またはＷＯ3を生成するＷ化合物、ならびにＭｏＯ3またはＭｏＯ3を生成するＭｏ化合物から選ばれる化合物がそれぞれＷＯ3またはＭｏＯ3に換算して０．００１〜５質量部とを配合する工程と、
還元性または不活性雰囲気中、焼成温度７００〜１２００℃、焼成時間１〜５時間の条件で焼成する工程とを備えることを特徴とする。
【００１０】
本発明の蛍光表示管は、上記本発明の低速電子線用蛍光体を使用することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の低速電子線用蛍光体であるＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体は、ＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物が蛍光体粒子表面に薄膜状に形成されているので、蛍光表示管内の残留ガス、特にＨ2Ｏの吸着に優れている。このため、初期輝度に優れ、かつ複数回測定された初期輝度値の標準偏差を小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施例１の走査電子顕微鏡写真である。
【図２】比較例３の走査電子顕微鏡写真である。
【図３】比較例４の走査電子顕微鏡写真である。
【図４】各実施例および各比較例の蛍光表示管の初期輝度である。
【図５】蛍光表示管の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体は、数Ｖ〜数１０Ｖ程度の低い加速電圧で発光する低速電子線用蛍光体である。この蛍光体はＺｎＯ粉末またはＺｎＯが生成する原料を還元性雰囲気下において焼成することにより得られる。
ＺｎＯが生成する原料としては、７００〜１２００℃の焼成温度でＺｎＯとなる、炭酸亜鉛、酢酸亜鉛、硫酸亜鉛等の無機亜鉛化合物、ジエトキシ亜鉛、亜鉛アルコキシド等の有機亜鉛化合物が挙げられる。
ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を生成する還元性雰囲気としては、窒素ガスおよび水素ガスの混合ガスが挙げられる。また、窒素ガスなどの不活性ガス等存在下に還元促進剤を添加して焼成することができる。
【００１４】
上記還元促進剤としては、焼成の過程でＺｎＯの還元を促進する物質であれば使用することができ、例えば、ＺｎＳ、Ｚｎ（ＮＯ3）2等が挙げられる。ＺｎＳはＺｎＯと反応してＳＯ2が揮散することで、ＺｎＯ：Ｚｎの生成を促進する。
還元促進剤の配合割合は、ＺｎＯまたはＺｎＯを生成するＺｎ化合物１００質量部に対して還元促進剤が１．０質量部以下、好ましくは０．００１〜０．５質量部である。１．０質量部をこえると濃度消光が発生し輝度が低下してしまう。
【００１５】
本願発明は、ＺｎＯ粉末またはＺｎＯが生成する原料に、ＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物、または該酸化物を生成する原料を加えて焼成する。
ＷＯ3またはＭｏＯ3を生成する原料としては、Ｗ、Ｍｏ、これらの有機金属化合物が挙げられる。有機金属化合物としては、パラタングステン酸アンモニウム、ヘプタモリブデン酸アンモニウム、タングステン酸等が挙げられる。
Ｗ、Ｍｏ等を添加混合することにより、例えば、ＷはＺｎＯに対し還元効果があるので、焼成工程で以下の反応が起こり、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体が合成されると共に、表面にＷＯ3の表面皮膜が生成する。
ＺｎＯ＋Ｗ  →  ＺｎＯ：Ｚｎ＋ＷＯ3
【００１６】
上記方法により製造されたＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体は、あらかじめ合成されたＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体にＷＯ3を付着させる場合に比較して、後述する図１に示す電子顕微鏡写真に見られるように、蛍光体粒子表面の全面を覆うことなく、粒子６ａの表面の一部に粒子状ではなく薄膜状にＷＯ3膜６ｂが形成される。ＺｎＯ粉末またはＺｎＯが生成する蛍光体原料に、ＷＯ3またはＷＯ3を生成する原料を加えて混合し、この混合物を焼成することにより、酸化タングステンがＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の内部から表面に析出する過程で薄く均一なＷＯ3膜が形成され、かつ蛍光体表面に強固に結合している。このため、蛍光表示管の製造工程である蛍光体ペースト作製工程、蛍光体ペースト印刷工程でＷＯ3薄膜が剥離することなくＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の粒子表面に付着している。
【００１７】
薄膜状に形成された酸化タングステン膜は、蛍光表示管内部の残留ガス成分であるＨ2Ｏ分子との親和性が強く、蛍光体のＺｎＯ：Ｚｎ表面にＨ2Ｏ分子が付着することを防止し、初期輝度に優れ、かつ複数回測定された初期輝度値の標準偏差を小さくできる蛍光表示管が得られる。
【００１８】
また、ＷＯ3等の酸化物または該酸化物を生成する原料を加えて焼成することにより、通常平均粒子径が数μまで成長するＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体に比べ、これら酸化物等がＺｎＯ粒子の粒成長を抑え、粒子径が１μ以下のＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体が得られる。蛍光体粒子が１μ以下になることで蛍光体粒子の表面積が増え、残留ガスの影響を軽減することにも貢献していると考えられる。
【００１９】
焼成条件は、還元性または不活性雰囲気中、焼成温度７００〜１２００℃、好ましくは８００〜１０００℃、焼成時間１〜５時間、好ましくは２〜３時間の条件である。焼成温度７００℃および焼成時間１時間未満であると反応が不十分でＨ2Ｏ吸着効果に劣り、焼成温度１２００℃および焼成時間５時間をこえると粒成長が進み過ぎ輝度が低下する。
【００２０】
ＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物、または該酸化物を生成する原料の配合割合は、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体１００質量部に対して酸化物換算で０．００１〜５質量部、好ましくは０．００５〜１質量部である。０．００１質量部より少ないとガス吸着効果が少なく、５質量部をこえるとガス吸着効果は十分であるが輝度低下が大きくなる。
【００２１】
本発明のＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体は、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を製造後に、ＷＯ3およびＭｏＯ3から選ばれた少なくとも１つの酸化物または該酸化物を生成する原料を加えて、還元性または不活性雰囲気中、焼成温度７００〜１２００℃、焼成時間１〜５時間の焼成条件で焼成することにより、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体粒子表面の一部に薄膜状に、上記酸化物薄膜を形成することができる。
【００２２】
本発明の低速電子線用蛍光体は、原料混合工程と焼成工程とを経て製造できる。
原料混合工程は、ＺｎＯまたはＺｎＯを生成するＺｎ化合物がＺｎＯに換算して１００質量部と、ＷＯ3またはＷＯ3を生成するＷ化合物、ならびにＭｏＯ3またはＭｏＯ3を生成するＭｏ化合物から選ばれる化合物がそれぞれＷＯ3またはＭｏＯ3に換算して０．００１〜５質量部とを配合して混合する工程である。混合は、乳鉢、振動ミルなど公知の方法を用いることができる。また、還元促進剤を用いる場合は同時に混合する。
【００２３】
焼成工程は、還元性または不活性雰囲気中、焼成温度７００〜１２００℃、焼成時間１〜５時間の条件で上記混合物を焼成する工程である。焼成炉は還元性または不活性雰囲気条件とする炉であれば使用できる。
【００２４】
本発明の低速電子線用蛍光体が用いられる蛍光表示管について図５により説明する。図５は蛍光表示管の断面図である。
蛍光表示管１は、陽極基板７と、この陽極基板７上方にグリッド８と陰極９とを設け、フェースガラス１０およびスペーサガラス１１とを、低融点フリットガラスを用いて封着した後、真空に排気して形成される。陰極９より発生した低速電子線が陽極基板７上の蛍光体６に照射されて発光する。
陰極９は、タングステンフィラメント線（極細線）上にアルカリ土類金属の炭酸塩（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）ＣＯ3をバインダーとともに電着塗布し、蛍光表示管の組み立て最終段階に、真空中で約１０００℃の通電加熱して、上記炭酸塩を分解することにより（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏが形成されている電子放出源である。
陽極基板７は、ガラス基板２上に銀を主成分とする導電性ペーストを印刷塗布法により、または薄膜形成法で形成したアルミニウムの薄膜をフォトリソ法によりパターニングして配線層３を形成した後、スルーホール４ａを除くほぼ全面にわたって低融点フリットガラスペーストの印刷塗布法により絶縁層４を形成し、このスルーホール４ａを介して電気的に接続された陽極電極５をグラファイトペーストの印刷塗布法により形成する。この陽極電極５上に、本発明の蛍光体６を印刷塗布法より塗布したのち焼成して陽極基板７が得られる。
蛍光体６は、印刷ペーストを用いて陽極パターン上に印刷、乾燥、焼成する工程を経て形成される。印刷ペーストは、バインダー樹脂を含み、低速電子線用蛍光体が分散している。バインダー樹脂としては印刷性に優れるエチルセルローズ等を使用できる。
【実施例】
【００２５】
実施例１
ＺｎＯ粉末１００質量部とＷＯ3粉末０．１質量部とを振動ミルで混合しアルミナルツボに充填しフタをした。このルツボをＮ2−Ｈ2（１体積％）混合ガス雰囲気下で８７５℃にて２時間焼成してＷＯ3コートＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を得た。
得られたＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の表面を倍率１０万倍のフィールドエミッション型の走査電子顕微鏡で観察した。結果を図１に示す。
図１に示すように、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体粒子６ａの表面に面状物質６ｂが析出しているのが観察された。この面状に析出している物質は、元素分析の結果、ＷＯ3と確認された。
このＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を印刷ペースト化し、陽極基板に印刷して図５に示す蛍光表示管を組み立て、加速電圧５０Ｖデューティーファクター１／２０でエージングを５時間行なって、蛍光表示管を作製した。
この蛍光表示管各５本を加速電圧５０Ｖデューティーファクター１／６０で初期輝度を測定した。結果を表１、図４に示す。
【００２６】
実施例２
ＺｎＯ粉末１００質量部と、ＺｎＳ粉末０．３質量部と、パラタングステン酸アンモニウム粉末（ＷＯ3換算０．０１質量部）とを振動ミルで混合しアルミナルツボに充填しフタをした。このルツボをＮ2ガス雰囲気下で９００℃にて２時間焼成してＷＯ3コートＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を得た。
得られた蛍光体を用いて、実施例１と同様に蛍光表示管を作製し、実施例１と同様に輝度を測定した。結果を表１、図４に示す。
【００２７】
実施例３
ＺｎＣＯ3粉末１００質量部と、ＺｎＳ粉末０．５質量部と、Ｍｏ粉末（ＭｏＯ3換算０．０５質量部）とを振動ミルで混合しアルミナルツボに充填しフタをした。このルツボをＮ2−Ｈ2（１体積％）混合ガス雰囲気下で８７５℃にて２時間焼成してＭｏＯ3コートＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を得た。
得られた蛍光体を用いて、実施例１と同様に蛍光表示管を作製し、実施例１と同様に輝度を測定した。結果を表１、図４に示す。
【００２８】
実施例４
ＺｎＯ粉末１００質量部と、ＺｎＳ粉末０．３質量部とを振動ミルで混合しアルミナルツボに充填しフタをした。このルツボをＮ2−Ｈ2（１体積％）混合ガス雰囲気下で８７５℃にて２時間焼成してＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を得た。
このＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体１００質量部にＷＯ3粉末を０．１質量部加えて、振動ミルで混合しアルミナルツボに充填しフタをした。このルツボをＮ2ガス雰囲気下で８７５℃にて２時間焼成してＷＯ3コートＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を得た。
得られた蛍光体を用いて、実施例１と同様に蛍光表示管を作製し、実施例１と同様に輝度を測定した。結果を表１、図４に示す。
【００２９】
比較例１
ＺｎＯ粉末１００質量部と、ＺｎＳ粉末０．３質量部とを振動ミルで混合しアルミナルツボに充填しフタをした。このルツボをＮ2−Ｈ2（１体積％）混合ガス雰囲気下で８７５℃にて２時間焼成してＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を得た。
得られた蛍光体を用いて、実施例１と同様に蛍光表示管を作製し、実施例１と同様に輝度を測定した。結果を表１、図４に示す。
【００３０】
比較例２
比較例１で得られたＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体１００質量部にＺｎ粉末を０．１質量部添加してＺｎ添加蛍光体を得た。Ｚｎ粉末添加後の焼成は行なわなかった。
得られた蛍光体を用いて、実施例１と同様に蛍光表示管を作製し、実施例１と同様に輝度を測定した。結果を表１、図４に示す。
【００３１】
比較例３
ＷＯ3粉末を１．５質量部添加する以外は比較例２と同様にしてＷＯ3添加蛍光体を得た。ＷＯ3粉末添加後の焼成は行なわなかった。
得られたＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の表面を倍率１０万倍のフィールドエミッション型の走査電子顕微鏡で観察した。結果を図２に示す。
図２に示すように、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体６ａの表面に粗粒子状物質６ｃが析出しているのが観察された。この粗粒子状に析出している物質は、元素分析の結果、ＷＯ3と確認された。
また、得られた蛍光体を用いて、実施例１と同様に蛍光表示管を作製し、実施例１と同様に輝度を測定した。結果を表１、図４に示す。
【００３２】
比較例４
比較例１で得られたＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体１００質量部をパラタングステン酸アンモニウム水溶液に浸漬して脱水乾燥することでパラタングステン酸アンモニウムがコートされたＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を得た。パラタングステン酸アンモニウムは蛍光表示管製造工程において、酸化されてＷＯ3になることを確認した。ＷＯ3被覆量は０．１質量部であった。蛍光表示管の一部を解体してＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体の表面を倍率１０万倍のフィールドエミッション型の走査電子顕微鏡で観察した。結果を図３に示す。
図３に示すように、ＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体６ａの表面に微粒子状物質６ｄが析出しているのが観察された。この微粒子状に析出している物質は、元素分析の結果、ＷＯ3と確認された。
また、得られた蛍光体を用いて、実施例１と同様に蛍光表示管を作製し、実施例１と同様に輝度を測定した。結果を表１、図４に示す。
【００３３】
比較例５
焼成温度を６００℃にする以外は実施例１と同様の配合、条件でＷＯ3コートＺｎＯ：Ｚｎ蛍光体を得た。
得られた蛍光体を用いて、実施例１と同様に蛍光表示管を作製し、実施例１と同様に輝度を測定した。結果を表１、図４に示す。
【００３４】
【表１】
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【００３５】
各実施例は各比較例に比べ、平均輝度が高く、輝度のバラツキも少ない蛍光表示管が得られた。比較例５は焼成温度が７００℃未満であったので、輝度が低く、輝度のバラツキも大きかった。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
本発明の低速電子線用蛍光体は、初期輝度に優れると共に、バラツキの少ない安定した初期輝度値が得られるので、全ての蛍光表示管に利用できる。
【符号の説明】
【００３７】
１  蛍光表示管
２  ガラス基板
３  配線層
４  絶縁層
５  陽極電極
６  蛍光体
７  陽極基板
８  グリッド
９  陰極
１０  フェースガラス
１１  スペーサガラス
【図５】
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【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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