(57)【要約】【課題】複数の半導体光検出素子が高い位置精度で配置された半導体光検出装置を提供すること。【解決手段】半導体光検出装置１は、基体３、複数の半導体光検出素子１０、複数のバンプ電極３５、及び複数のダミーバンプ３７を備える。複数の半導体光検出素子１０は、第一方向で互い対向する一対の第一辺１３と、一対の第一辺１３よりも短く且つ第一方向と直交する第二方向で互いに対向する一対の第二辺１５と、を有する平面形状を呈し、並んだ状態で互いに隣り合って基体３上に配置されている。複数のバンプ電極３５は、各半導体光検出素子１０の一対の第一辺１３側にそれぞれ配置され、基体３と各半導体光検出素子１０とを電気的且つ機械的に接続する。複数のダミーバンプ３７は、各半導体光検出素子１０の一対の第二辺１５側にそれぞれ少なくとも一つ配置され、基体３と各半導体光検出素子１０とを機械的に接続する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体と、
第一方向で互い対向する一対の第一辺と、前記一対の第一辺よりも短く且つ前記第一方向と直交する第二方向で互いに対向する一対の第二辺と、を有する平面形状を呈すると共に、並んだ状態で互いに隣り合って前記基体上に配置された複数の半導体光検出素子と、
各前記半導体光検出素子の前記一対の第一辺側にそれぞれ配置され、前記基体と各前記半導体光検出素子とを電気的且つ機械的に接続する複数のバンプ電極と、
各前記半導体光検出素子の前記一対の第二辺側にそれぞれ少なくとも一つ配置され、前記基体と各前記半導体光検出素子とを機械的に接続する複数のダミーバンプと、を備えることを特徴とする半導体光検出装置。
【請求項２】
各前記半導体光検出素子は前記第一方向で並んだ状態で互いに隣り合っていることを特徴とする請求項１に記載の半導体光検出装置。
【請求項３】
前記複数のダミーバンプは、隣り合う前記複数の半導体光検出素子に跨るように配置されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体光検出装置。
【請求項４】
前記第一辺と前記第二辺とのうち、隣り合う前記複数の半導体光検出素子において互いに隣り合う辺側に各前記半導体光検出素子に跨るように少なくとも一つ配置され、前記基体と各前記半導体光検出素子とを機械的に接続するダミーバンプを更に備えることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体光検出装置。
【請求項５】
基体と、
第一方向で互い対向する一対の第一辺と、前記第一方向と直交する第二方向で互いに対向する一対の第二辺と、を有する平面形状を呈すると共に、前記第一方向で並んだ状態で互いに隣り合って前記基体上に配置された複数の半導体光検出素子と、
各前記半導体光検出素子の前記一対の第一辺側にそれぞれ配置され、前記基体と各前記半導体光検出素子とを電気的且つ機械的に接続する複数のバンプ電極と、
隣り合う前記複数の半導体光検出素子において互いに隣り合う前記第一辺側に各前記半導体光検出素子に跨るように配置され、前記基体と各前記半導体光検出素子とを機械的に接続する複数のダミーバンプと、を備えることを特徴とする半導体光検出装置。
【請求項６】
前記複数の半導体光検出素子には、同じ製造プロセスにて形成され、前記複数のバンプ電極と前記複数のダミーバンプとが接続される複数の導体パッドが配置されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の半導体光検出装置。
【請求項７】
前記複数のバンプ電極は、はんだバンプであり、
前記複数のダミーバンプは、前記複数のバンプ電極よりも融点が低いはんだバンプであることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項に記載の半導体光検出装置。
【請求項８】
前記複数のダミーバンプは、前記複数のバンプ電極よりも小さいことを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載の半導体光検出装置。
【請求項９】
各前記半導体光検出素子は、前記第二方向を長手方向とする２次元画像の取得及びＴＤＩ駆動が可能な固体撮像素子であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項に記載の半導体光検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の半導体光検出素子を備える半導体光検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体光検出装置として、基体と、第一方向で互い対向する一対の第一辺と、第一方向と直交する第二方向で互いに対向する一対の第二辺と、を有する平面形状を呈すると共に、並んだ状態で互いに隣り合って基体上に配置された複数の半導体光検出素子と、基体と各半導体光検出素子とを電気的且つ機械的に接続する複数のバンプ電極と、を備えたものが知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−０２２１２０号公報（段落〔０１４６〕）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載された半導体光検出装置では、以下のような問題点が生じる懼れがある。複数の半導体光検出素子と基体とは、複数のバンプ電極が硬化することにより、互いに機械的に接続される。このとき、バンプ電極が硬化する際に生じるバンプ電極の収縮などの要因により、各半導体光検出素子の位置にずれが生じる懼れがある。
【０００５】
一対の第二辺が一対の第一辺よりも短い平面形状を有する半導体光検出素子においては、対応するバンプ電極が接続される複数の導体パッドは、当該導体パッドまでの配線を短くして、配線容量を低減するために、一対の第一辺側に配置される。このとき、より一層配線容量を低減するために、複数の導体パッドは、第二方向に見て、第二辺から比較的離れた位置に配置される場合もある。複数の導体パッド、すなわち複数のバンプ電極が、一対の第一辺側に配置されていると、これらのバンプ電極が収縮した際に、半導体光検出素子における第二辺側での位置ずれが拡大する懼れがある。
【０００６】
本発明は、複数の半導体光検出素子が高い位置精度で配置された半導体光検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係る半導体光検出装置は、基体と、第一方向で互い対向する一対の第一辺と、一対の第一辺よりも短く且つ第一方向と直交する第二方向で互いに対向する一対の第二辺と、を有する平面形状を呈すると共に、並んだ状態で互いに隣り合って基体上に配置された複数の半導体光検出素子と、各半導体光検出素子の一対の第一辺側にそれぞれ配置され、基体と各半導体光検出素子とを電気的且つ機械的に接続する複数のバンプ電極と、各半導体光検出素子の一対の第二辺側にそれぞれ少なくとも一つ配置され、基体と各半導体光検出素子とを機械的に接続する複数のダミーバンプと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る半導体光検出装置では、ダミーバンプが、各半導体光検出素子の一対の第二辺側にそれぞれ少なくとも一つ配置されている。複数のバンプ電極の収縮などの要因により各半導体光検出素子に位置ずれが生じようとしても、ダミーバンプが一対の第二辺側にそれぞれ配置されているので、各半導体光検出素子に位置ずれが生じるのを抑制することができる。したがって、複数の半導体光検出素子が高い位置精度で配置されることとなる。
【０００９】
各半導体光検出素子は第一方向で並んだ状態で互いに隣り合っていてもよい。各半導体光検出素子が第一方向で並んだ状態で互いに隣り合って配置される場合、半導体光検出素子同士の干渉などの要因により、位置ずれが生じることがある。しかしながら、ダミーバンプが一対の第二辺側にそれぞれ配置されているので、各半導体光検出素子は第一方向で並んだ状態で互いに隣り合って配置される場合に、半導体光検出素子同士の干渉などの要因により各半導体光検出素子に位置ずれが生じようとしても、その位置ずれが生じるのを確実に抑制することができる。
【００１０】
複数のダミーバンプは、隣り合う複数の半導体光検出素子に跨るように配置されていてもよい。この場合、隣り合う半導体光検出素子同士で、複数のダミーバンプの共有化が図られることとなる。この結果、ダミーバンプの数が比較的少なくてすみ、コストの増加を抑制することができる。
【００１１】
第一辺と第二辺とのうち、隣り合う複数の半導体光検出素子において互いに隣り合う辺側に各半導体光検出素子に跨るように少なくとも一つ配置され、基体と各半導体光検出素子とを機械的に接続するダミーバンプを更に備えていてもよい。この場合、各半導体光検出素子に位置ずれが生じるのをより一層抑制することができるため、複数の半導体光検出素子が更に高い位置精度で配置されることとなる。
【００１２】
本発明に係る半導体光検出装置は、基体と、第一方向で互い対向する一対の第一辺と、第一方向と直交する第二方向で互いに対向する一対の第二辺と、を有する平面形状を呈すると共に、第一方向で並んだ状態で互いに隣り合って基体上に配置された複数の半導体光検出素子と、各半導体光検出素子の一対の第一辺側にそれぞれ配置され、基体と各半導体光検出素子とを電気的且つ機械的に接続する複数のバンプ電極と、隣り合う複数の半導体光検出素子において互いに隣り合う第一辺側に各半導体光検出素子に跨るように配置され、基体と各半導体光検出素子とを機械的に接続する複数のダミーバンプと、を備えることを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る半導体光検出装置では、複数のダミーバンプが、隣り合う複数の半導体光検出素子において互いに隣り合う第一辺側に各半導体光検出素子に跨るように配置されている。複数のバンプ電極の収縮などの要因により各半導体光検出素子に位置ずれが生じようとしても、ダミーバンプが第一辺側において各半導体光検出素子に跨るようにそれぞれ配置されているので、各半導体光検出素子に位置ずれが生じるのを抑制することができる。したがって、複数の半導体光検出素子が高い位置精度で配置されることとなる。
【００１４】
複数の半導体光検出素子には、同じ製造プロセスにて形成され、複数のバンプ電極と複数のダミーバンプとが接続される複数の導体パッドが配置されていてもよい。この場合、バンプ電極が接続される導体パッドと、ダミーバンプが接続される導体パッドと、の位置精度が極めて高い。したがって、複数の半導体光検出素子をより一層高い位置精度で配置することができる。
【００１５】
複数のバンプ電極は、はんだバンプであり、複数のダミーバンプは、複数のバンプ電極よりも融点が低いはんだバンプであってもよい。この場合、バンプ電極の硬化がダミーバンプの硬化よりも先に始まるが、ダミーバンプが溶融した状態にあるため、各半導体光検出素子がアライメントされた状態でバンプ電極が硬化することとなる。したがって、各半導体光検出素子に位置ずれが生じるのをより一層抑制することができる。
【００１６】
複数のダミーバンプは、複数のバンプ電極よりも小さくてもよい。バンプ電極だけでなく、ダミーバンプも硬化する際に収縮する。しかしながら、ダミーバンプがバンプ電極よりも小さいことから、ダミーバンプの収縮率は小さく、収縮の際に半導体光検出素子に作用する力は極めて小さい。したがって、各半導体光検出素子に位置ずれが生じるのを確実に抑制することができる。
【００１７】
各半導体光検出素子は、第二方向を長手方向とする２次元画像の取得及びＴＤＩ駆動が可能な固体撮像素子であってもよい。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、複数の半導体光検出素子が高い位置精度で配置された半導体光検出装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】第一実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図２】第一実施形態に係る半導体光検出装置の断面構成を説明するための図である。
【図３】第一実施形態の変形例に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図４】第一実施形態の変形例に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図５】第一実施形態の変形例に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図６】第一実施形態の変形例に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図７】第一実施形態の変形例に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図８】第二実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図９】第二実施形態に係る半導体光検出装置の断面構成を説明するための図である。
【図１０】第一実施形態の変形例に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【図１１】第二実施形態の変形例に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には、同一符号を用いることとし、重複する説明は省略する。
【００２１】
（第一実施形態）
図１及び２を参照して、第一実施形態に係る半導体光検出装置１の構成を説明する。図１は、第一実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図である。図２は、第一実施形態に係る半導体光検出装置の断面構成を説明するための図である。
【００２２】
半導体光検出装置１は、図１及び２に示されるように、基体３と、複数の半導体光検出素子１０と、を備えている。本実施形態では、半導体光検出装置１は、２つの半導体光検出素子１０を備えている。
【００２３】
基体３は、互いに対向する主面３ａ，３ｂを有する基板である。主面３ａには、それぞれ複数の導体パッド５，７が配置されており、各半導体光検出素子１０を配置するための面である。すなわち、各半導体光検出素子１０は、基体３の主面３ａ上に配置されている。
【００２４】
各半導体光検出素子１０は、互いに対向する主面１０ａと主面１０ｂとを有し、主面１０ａ側に光感応領域１１が設けられる。光感応領域１１は、入射光に応じて電荷を発生させる。各半導体光検出素子１０は、第一方向で互い対向する一対の第一辺１３と、一対の第一辺１３よりも短く且つ第一方向と直交する第二方向で互いに対向する一対の第二辺１５と、を有する平面形状を呈している。本実施形態では、上記平面形状として、長方形状が採用されている。すなわち、各第一辺１３が長辺に相当し、各第二辺１５が短辺に相当する。したがって、第一方向が短辺に平行な方向であり、第二方向が長辺に平行な方向である。
【００２５】
本実施形態では、半導体光検出素子１０として、ＢＴ（Back-illuminated  Thinning）−ＣＣＤ（電荷結合素子）が用いられている。発生した電荷は、シフトレジスタにより信号電荷として転送され、信号電荷に対応した電圧に変換されて出力される。半導体光検出素子１０は、ＴＤＩ（Time  Delay  Integration）動作により第一方向に電荷転送が行われる。すなわち、半導体光検出素子１０は、第二方向を長手方向とする２次元画像の取得及びＴＤＩ駆動が可能な固体撮像素子である。半導体光検出装置１（半導体光検出素子１０）は、第一方向に相対的に移動する被写体を撮像する。
【００２６】
各半導体光検出素子１０は、主面１０ｂ側が光入射面となるように、基体３上に配置されている。半導体光検出素子１０の主面１０ａと、基体３の主面３ａと、が互いに対向している。各半導体光検出素子１０は、基体３の主面３ａ上で、第一方向で並んだ状態で互いに隣り合って位置している。
【００２７】
各半導体光検出素子１０は、それぞれ複数の導体パッド２５，２７を備えている。各導体パッド２５，２７は、半導体光検出素子１０の主面１０ａ側に配置されている。各導体パッド２５は、半導体光検出素子１０への信号の入出力を行うための導体パッドである。各導体パッド２７は、半導体光検出素子１０への信号の入出力には寄与しない導体パッドである。導体パッド２７は、いわゆるダミーパッドである。各導体パッド２５，２７は、同じ製造プロセスによって、半導体光検出素子１０の主面１０ａ側に形成されている。
【００２８】
複数の導体パッド２５は、半導体光検出素子１０の一対の第一辺１３側にそれぞれ配置されている。導体パッド２５は、第一辺１３側毎に、第一辺１３に沿って併置されている。配線距離を短くして、配線容量を低減するために、導体パッド２５は、第二方向に見て、第二辺１５から比較的離れた位置に配置されている。本実施形態では、第一辺１３側毎に、１８（６×３）の導体パッド２５が設けられている。
【００２９】
複数の導体パッド２７は、半導体光検出素子１０の一対の第二辺１５側にそれぞれ配置されている。本実施形態では、第二辺１５側毎に、第二辺１５に沿って併置されている。各導体パッド２７は、長方形状の角部に対応する位置に配置されている。本実施形態では、第二辺１５側毎に、２つの導体パッド２７が設けられている。
【００３０】
基体３に配置された複数の導体パッド５は、半導体光検出素子１０の複数の導体パッド２５と対応するように、その位置が規定されて設けられている。各導体パッド５は、半導体光検出素子１０への信号の入出力を行うための導体パッドである。本実施形態では、基体３に、７２（１８×４）の導体パッド５が設けられている。
【００３１】
基体３に配置された複数の導体パッド７は、半導体光検出素子１０の複数の導体パッド２７と対応するように、その位置が規定されて設けられている。各導体パッド７は、半導体光検出素子１０への信号の入出力には寄与しない導体パッドである。導体パッド７も、導体パッド２７と同様に、いわゆるダミーパッドである。本実施形態では、基体３に、８（４×２）の導体パッド７が設けられている。
【００３２】
半導体光検出装置１は、複数のバンプ電極３５と、複数のダミーバンプ３７と、を備えている。各半導体光検出素子１０は、それぞれ複数のバンプ電極３５とダミーバンプ３７とにより、基体３に実装されることとなる。すなわち、各半導体光検出素子１０は、フリップチップボンディングにより、基体３に実装される。
【００３３】
各バンプ電極３５は、基体３と各半導体光検出素子１０とを電気的且つ機械的に接続する。各ダミーバンプ３７は、基体３と各半導体光検出素子１０とを機械的に接続する。本実施形態では、バンプ電極３５と複数のダミーバンプ３７として、はんだバンプが用いられている。はんだバンプとしては、錫銀銅合金（Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ）はんだを用いることができる。バンプ電極３５と複数のダミーバンプ３７には、はんだバンプ以外にも、金バンプ、ニッケルバンプ、又は銅バンプなどのバンプを用いることができる。
【００３４】
各バンプ電極３５は、互いに対応する導体パッド５と導体パッド２５とを接続する。すなわち、複数のバンプ電極３５は、導体パッド２５に対応して、半導体光検出素子１０の一対の第一辺１３側にそれぞれ配置されている。バンプ電極３５は、第一辺１３側毎に、第一辺１３に沿って併置されている。バンプ電極３５の数は、導体パッド２５（導体パッド５）の数と同じである。
【００３５】
各ダミーバンプ３７は、互いに対応する導体パッド７と導体パッド２７とを接続する。すなわち、複数のダミーバンプ３７は、導体パッド２７に対応して、半導体光検出素子１０の一対の第二辺１５側にそれぞれ配置されている。ダミーバンプ３７は、第二辺１５側毎に、第二辺１５に沿って併置されている。ダミーバンプ３７の数は、導体パッド２７（導体パッド７）の数と同じである。各ダミーバンプ３７は、半導体光検出素子１０への信号の入出力には寄与しない。
【００３６】
以上のように、本第一実施形態では、ダミーバンプ３７が、各半導体光検出素子１０の一対の第二辺１５側にそれぞれ２つずつ配置されている。複数のバンプ電極３５の収縮などの要因により各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じようとしても、ダミーバンプ３７が一対の第二辺１５側にそれぞれ配置されているので、各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じるのを抑制することができる。したがって、２つの半導体光検出素子１０が高い位置精度で配置されることとなる。
【００３７】
各半導体光検出素子１０は第一方向で並んだ状態で互いに隣り合っている。この場合、半導体光検出素子１０同士の干渉などの要因により、位置ずれが生じることがある。しかしながら、上述したように、ダミーバンプ３７が一対の第二辺１５側にそれぞれ配置されているので、半導体光検出素子１０同士の干渉などの要因により各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じようとしても、その位置ずれが生じるのを確実に抑制することができる。
【００３８】
各導体パッド２５と各導体パッド２７とは、同じ製造プロセスにて形成されている。このため、バンプ電極３５が接続される導体パッド２５と、ダミーバンプ３７が接続される導体パッド２７と、の位置精度が極めて高い。したがって、各半導体光検出素子１０をより一層高い位置精度で配置することができる。
【００３９】
各半導体光検出素子１０は、上述したように、ＴＤＩ駆動が可能な固体撮像素子であり、半導体光検出素子１０間において、被写体の特定領域は、同じ画素行により撮像される。この場合、各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じていると、被写体の特定領域が、半導体光検出素子１０間において、異なる画素行により撮像されることとなり、取得された画像がぼやけてしまい、解像度が劣化する。しかしながら、本実施形態では、上述したように、各半導体光検出素子１０は、位置ずれが抑制された状態で、高い位置精度で配置されているので、取得された画像がぼやけることはなく、解像度が劣化することはない。
【００４０】
続いて、図３〜図７を参照して、第一実施形態の変形例に係る半導体光検出装置１の構成を説明する。図３〜図７は、第一実施形態の変形例に係る半導体光検出装置を示す平面図である。
【００４１】
図３に示された変形例では、各ダミーバンプ３７は、一対の第二辺１５側毎に、１つずつ配置されている。本変形例では、各ダミーバンプ３７は、長方形状における対角線上に位置する一対の角部に対応する位置に配置されている。
【００４２】
図４に示された変形例でも、各ダミーバンプ３７は、一対の第二辺１５側毎に、１つずつ配置されている。本変形例では、各ダミーバンプ３７は、第二辺１５の中央部に対応する位置に配置されている。
【００４３】
図５に示された変形例では、各ダミーバンプ３７は、一方の第二辺１５側毎に、１つずつ配置され、他方の第二辺１５側毎に、２つずつ配置されている。本変形例では、一方の第二辺１５側に配置されたダミーバンプ３７は、当該第二辺１５の中央部に対応する位置に配置されている。他方の第二辺１５側毎に配置された各ダミーバンプ３７は、長方形状の他方の第二辺１５側の角部に対応する位置に配置されている。
【００４４】
図３〜図５に示された変形例でも、上述した第一実施形態と同様に、各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じるのを抑制することができ、２つの半導体光検出素子１０が高い位置精度で配置されることとなる。いずれの変形例においても、図示は省略するが、各ダミーバンプ３７が接続される各導体パッド７，２７も、ダミーバンプ３７に対応する位置に配置されている。
【００４５】
図６に示された変形例では、各ダミーバンプ３７は、一対の第二辺１５側毎において、隣り合う半導体光検出素子１０に跨るように配置されている。本変形例でも、上述した第一実施形態と同様に、各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じるのを抑制することができ、２つの半導体光検出素子１０が高い位置精度で配置されることとなる。また、隣り合う半導体光検出素子１０同士で、ダミーバンプ３７の共有化が図られることとなるため、ダミーバンプ３７の数が比較的少なくてすみ、コストの増加を抑制することができる。本変形例においても、図示は省略するが、各ダミーバンプ３７が接続される各導体パッド７，２７も、ダミーバンプ３７に対応する位置に配置されている。
【００４６】
図７に示された変形例では、複数のダミーバンプ３７は、一対の第二辺１５側だけでなく、第一辺１３側に配置されている。本変形例では、２つのダミーバンプ３７が、第一辺１３側において、隣り合う半導体光検出素子１０に跨るように配置されている。本変形例によれば、各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じるのをより一層抑制することができ、２つの半導体光検出素子１０が高い位置精度で配置されることとなる。
【００４７】
（第二実施形態）
図８及び図９を参照して、第二実施形態に係る半導体光検出装置２の構成を説明する。図８は、第二実施形態に係る半導体光検出装置を示す平面図である。図９は、第二実施形態に係る半導体光検出装置の断面構成を説明するための図である。
【００４８】
半導体光検出装置２は、図８及び図９に示されるように、半導体光検出装置１と同じく、基体３と、複数の半導体光検出素子１０と、を備えている。本実施形態では、半導体光検出装置１は、２つの半導体光検出素子１０を備えている。
【００４９】
複数のダミーバンプ３７が、隣り合う半導体光検出素子１０において互いに隣り合う第一辺１３側に各半導体光検出素子１０に跨るように配置されている。本第二実施形態では、２つのダミーバンプ３７が、第一辺１３側において、隣り合う半導体光検出素子１０に跨るように配置されている。
【００５０】
以上のように、本第二実施形態では、２つのダミーバンプ３７が、第一辺１３側において、隣り合う半導体光検出素子１０に跨るように配置されている。複数のバンプ電極３５の収縮などの要因により各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じようとしても、ダミーバンプ３７が第一辺１３側において各半導体光検出素子１０に跨るようにそれぞれ配置されているので、各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じるのを抑制することができる。したがって、２つの半導体光検出素子１０が高い位置精度で配置されることとなる。
【００５１】
図６及び図７に示された各変形例は、複数のダミーバンプ３７が、第一辺１３側において、隣り合う半導体光検出素子１０に跨るように配置されている点で、本第二実施形態の変形例にも相当する。
【００５２】
以上、本発明の好適な実施形態について説明してきたが、本発明は必ずしも上述した実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で様々な変更が可能である。
【００５３】
バンプ電極３５とダミーバンプ３７とは、同じはんだバンプが用いられてもよく、異なるはんだバンプが用いられていてもよい。たとえば、ダミーバンプ３７として、バンプ電極３５よりも融点が低いはんだバンプが用いられてもよい。この場合、バンプ電極３５の硬化がダミーバンプ３７の硬化よりも先に始まるが、ダミーバンプ３７が溶融した状態にある。したがって、ダミーバンプ３７の表面張力などにより各半導体光検出素子１０がアライメントされた状態で、バンプ電極３５が硬化することとなる。この結果、各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じるのをより一層抑制することができる。
【００５４】
バンプ電極３５とダミーバンプ３７とは、その大きさが異なっていてもよい。たとえば、図１０及び図１１に示されるように、ダミーバンプ３７が、バンプ電極３５よりも小さくてもよい。バンプ電極３５だけでなく、ダミーバンプ３７も硬化する際に収縮する。しかしながら、ダミーバンプ３７がバンプ電極３５よりも小さいことから、ダミーバンプ３７の収縮率は比較的小さく、収縮の際に半導体光検出素子１０に作用する力は極めて小さい。したがって、各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じるのを確実に抑制することができる。ダミーバンプ３７が、バンプ電極３５よりも融点が低いはんだバンプである場合、各半導体光検出素子１０に位置ずれが生じるのをより一層確実に抑制することができるため、より好ましい。
【００５５】
各半導体光検出素子１０は、基体３の主面３ａ上で、第一方向で並んだ状態で互いに隣り合って位置しているが、これに限られない。たとえば、各半導体光検出素子１０は、基体３の主面３ａ上で、第二方向で並んだ状態で互いに隣り合って位置していてもよい。この場合、一方の半導体光検出素子１０の第二辺１５と、他方の半導体光検出素子１０の第二辺１５と、が隣り合うこととなる。
【００５６】
半導体光検出素子１０の数は、上述した数に限られることなく、半導体光検出装置１，２は、３つ以上の半導体光検出素子１０を備えていてもよい。バンプ電極３５とダミーバンプ３７との数も、上述した数に限られない。
【符号の説明】
【００５７】
１，２…半導体光検出装置、３…基体、５，７…導体パッド、１０…半導体光検出素子、１３…第一辺、１５…第二辺、２５，２７…導体パッド、３５…バンプ電極、３７…ダミーバンプ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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