(57)【要約】【課題】テープに貼り付けた複数の半導体装置（半導体パッケージ）を効率良く剥離することによって、半導体装置の生産性向上を図る。【解決手段】複数のチップ搭載部を有する基材に複数の半導体チップを搭載し、基材の外部端子と半導体チップとを電気的に接続した後、フレーム枠を除く基材の一面全体を樹脂封止体により一括して封止する工程と、基材をテープに貼り付けた状態で、基材および樹脂封止体をダイシングすることにより、複数の半導体装置を取得する工程と、フレーム枠を第１方向に沿ってテープから剥離し、続いて、第１方向と直交する第２方向に沿ってテープから剥離した後、複数の半導体装置をテープから剥離する工程とを有する。【選択図】図１８
2014049682.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の工程を含む半導体装置の製造方法：
（ａ）チップ搭載部とその周囲に配置された複数の外部端子とからなる単位パターンをフレーム枠で連結して複数配列してなる基材を準備する工程、
（ｂ）複数の前記単位パターンのそれぞれの前記チップ搭載部上に半導体チップを搭載し、前記チップ搭載部の周囲に配置された前記複数の外部端子と前記半導体チップとを導電材を介して電気的に接続する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記フレーム枠を除く前記基材の一面全体を樹脂封止体により一括して封止する工程、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記基材をテープの一面に貼り付ける工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記基材および前記樹脂封止体を前記単位パターン毎に分割することにより、複数の半導体装置を取得する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記フレーム枠を第１方向に沿って前記テープから剥離する工程、
（ｇ）前記（ｆ）工程の後、前記フレーム枠を前記第１方向と直交する第２方向に沿って前記テープから剥離する工程、
（ｈ）前記（ｇ）工程の後、前記複数の半導体装置を前記テープから剥離する工程。
【請求項２】
前記第１方向に沿って延在する前記フレーム枠に連結された前記外部端子の数は、前記第２方向に沿って延在する前記フレーム枠に連結された前記外部端子の数よりも多いことを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記（ｆ）工程では、前記第１方向に沿って延在する前記フレーム枠を前記テープから剥離し、前記（ｇ）工程では、前記第２方向に沿って延在する前記フレーム枠を前記テープから剥離し、
前記第１方向に沿って延在する前記フレーム枠の長さは、前記第２方向に沿って延在する前記フレーム枠の長さよりも大であることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記（ｆ）工程および前記（ｇ）工程では、前記フレーム枠と前記テープとの隙間に爪状の治具を挿入することによって、前記フレーム枠を前記テープから剥離することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記（ｈ）工程では、前記テープの裏面側から前記テープに爪状の治具を押し付けることによって、前記複数の半導体装置を前記テープから剥離することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記（ｆ）工程および前記（ｇ）工程では、前記テープを垂直に保持した状態で前記フレーム枠を前記テープから剥離することを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記（ｈ）工程では、前記テープを水平に保持した状態で前記複数の半導体装置を前記テープから剥離することを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記基材は、リードフレームであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記テープは、基材フィルムの一面に紫外線硬化型樹脂組成物からなる粘着剤層を形成した絶縁テープであることを特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、特に、リードフレーム等の基材に搭載した多数の半導体チップを一括して樹脂封止した後、樹脂封止体および基材をダイシングして多数の半導体装置を取得する工程を有する半導体装置の製造に適用して有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型、薄型半導体装置（半導体パッケージ）の製造工程では、リードフレームや配線基板等の基材に多数の半導体チップを搭載し、これらの半導体チップを一括して樹脂封止した後、樹脂封止体および基材を格子状にダイシングすることによって、多数の半導体装置を効率良く取得する技術が用いられている（例えば特許文献１〜３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２８２０９８号公報
【特許文献２】特開２００６−０４９３９８号公報
【特許文献３】特開２００４−０４７６９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
前述した半導体装置の製造工程において、複数の半導体チップを一括して樹脂封止した後、樹脂封止体および基材をダイシングする場合には、通常、樹脂封止体および基材を安定して切断・分離するために、基材の裏面にダイシングテープと呼ばれる粘着性のテープを貼り付けてダイシングを行う。
【０００５】
次に、個片化された複数の半導体装置をテープに貼り付けたまま一括して次の工程（電気特性検査工程）に搬送した後、テープから半導体装置を剥離して１個ずつ電気特性検査（プローブテスト）を行い、良品と不良品とを選別する。また、半導体装置をテープに貼り付けたままで電気特性検査を行い、その後、テープから半導体装置を剥離して次の工程（外観検査工程）に搬送することもある。
【０００６】
ここで、上記半導体装置が縦×横＝数ｍｍ×数ｍｍ、厚さ数百μｍといった小型、薄型半導体装置である場合には、通常、１枚の基材から数百個の半導体装置を取得するので、ダイシング後のテープには、数百個の半導体装置が貼り付けられた状態になっている。従って、半導体装置の生産効率を高めるためには、テープに貼り付けられた多数の半導体装置を迅速に剥離して次の工程に搬送するする技術が要求される。
【０００７】
半導体装置をテープから剥離する方法として、例えばピンセット等の治具をテープの裏面に押し付け、手作業で治具をテープに擦り付ける方法などが知られている。しかし、小型、薄型半導体装置の剥離にこの方法を採用すると、治具をテープに擦り付けた際にテープを突き破ったり、半導体装置が思わぬ方向に飛散して紛失したりする恐れがある。
【０００８】
また、例えば基材がリードフレームの場合、樹脂封止体および基材をダイシングした後のテープには、多数の半導体装置と共にリードフレームのフレーム枠が残留している。従って、この場合は、半導体装置をテープから剥離する際に、フレーム枠の破片も同時にテープから剥離されて半導体装置に混入するといった不具合を防ぐ技術が要求される。
【０００９】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本願において開示される課題を解決するための手段のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１１】
本願の一実施の形態における半導体装置の製造方法は、以下の工程を含む。
（ａ）チップ搭載部とその周囲に配置された複数のリードとからなる複数の単位パターンをフレーム枠で連結した基材を準備する工程、
（ｂ）前記複数の単位パターンの前記チップ搭載部上に半導体チップを搭載し、前記複数のリードと前記半導体チップとを導電材を介して電気的に接続する工程、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記フレーム枠を除く前記基材の一面全体を樹脂封止体により一括して封止する工程、
（ｄ）前記基材をテープに貼り付けた状態で、前記基材および前記樹脂封止体を前記単位パターン毎にダイシングすることにより、複数の半導体装置を取得する工程、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記フレーム枠を第１方向に沿って前記テープから剥離し、次いで、前記第１方向と直交する第２方向に沿って前記テープから剥離する工程、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記複数の半導体装置を前記テープから剥離する工程。
【発明の効果】
【００１２】
前記一実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、テープに貼り付けた複数の半導体装置を効率良く剥離することができるので、半導体装置の生産性が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】半導体装置の製造に用いる半導体ウエハの平面図である。
【図２】半導体装置の製造に用いるリードフレームの平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図５】半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図６】図４に続く半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図７】図５に続く半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図８】図６に続く半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図９】図６に続く半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図１０】図７に続く半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１１】図８および図９に続く半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図１２】図１１に続く半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図１３】図１２のＢ−Ｂ線断面図である。
【図１４】図１２に続く半導体装置の製造方法を示す平面図である。
【図１５】図１２に続く半導体装置の製造方法を示す断面図である。
【図１６】（ａ）は、半導体装置を上面側から見た斜視図であり、（ｂ）は、半導体装置を下面側から見た斜視図である。
【図１７】フレーム枠除去用の治具を示す概略図である。
【図１８】図１７に示す治具を用いたフレーム枠の剥離方法を示す斜視図である。
【図１９】図１７に示す治具を用いたフレーム枠の剥離方法を示す平面図である。
【図２０】図１８および図１９に続くフレーム枠の剥離方法を示す斜視図である。
【図２１】図１８および図１９に続くフレーム枠の剥離方法を示す平面図である。
【図２２】製品除去用の治具を示す概略図である。
【図２３】図２２に示す治具を用いた半導体装置の剥離方法を示す断面図である。
【図２４】図２３に続く半導体装置の製造方法を示す概略図である。
【図２５】図２４に続く半導体装置の製造方法を示す概略図である。
【図２６】図２４に続く半導体装置の製造方法を示す斜視図である。
【図２７】半導体装置の製造方法の別例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明するための全図において、同一の機能を有する部材には同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。また、以下の実施の形態では、特に必要なときを除き、同一または同様な部分の説明を原則として繰り返さない。さらに、実施の形態を説明する図面においては、構成を分かり易くするために、平面図であってもハッチングを付す場合や、断面図であってもハッチングを省略する場合がある。
【００１５】
（実施の形態）
本実施の形態は、小型、薄型半導体装置（半導体パッケージ）の一例であるＱＦＮ(Quad Flat Non-Leaded Package)の製造に適用したものである。以下、ＱＦＮの製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００１６】
図１は、前工程（ウエハ工程）およびそれに続くウエハダイシング工程が完了した半導体ウエハ１０の平面図である。前工程は、フォトリソグラフィー技術、ＣＶＤ技術、スパッタリング技術、エッチング技術などを組み合わせて、半導体ウエハ１０の複数のチップ領域（ダイシング後に半導体チップ１１となる領域）のそれぞれに集積回路およびボンディングパッド１２を形成する複数の工程と、その後、集積回路を構成する素子の良否や素子間を接続する配線の導通・非導通をチップ領域毎に判別する電気特性検査（ウエハプローブテスト）工程とを含んでいる。
【００１７】
また、ウエハダイシング工程は、電気特性検査が終了した半導体ウエハ１０の裏面を研削してその厚さを１００μｍ以下まで薄くする工程と、研削後の半導体ウエハ１０の裏面にダイシングテープ１３を貼り付けた後、半導体ウエハ１０を切断（ダイシング）して複数の半導体チップ１１に分割・個片化する工程とを含んでいる。半導体ウエハ１０の裏面に貼り付けるダイシングテープ１３は、例えば基材フィルムの表面に紫外線硬化型樹脂組成物からなる粘着剤層を形成した絶縁テープであり、半導体ウエハ１０から分割・個片化された多数の半導体チップ１１を一括して後工程に搬送するために利用される。
【００１８】
図２は、本実施の形態の半導体装置（ＱＦＮ）の製造に用いるリードフレームの平面図、図３は、図２のＡ−Ａ線断面図である。
【００１９】
リードフレーム（基材）２０は、例えば銅（Ｃｕ）または銅（Ｃｕ）合金からなる厚さ３０μｍ程度の薄板で構成されており、その平面形状は長方形である。リードフレーム２０は、その長辺に位置する一対のフレーム枠２１Ａおよび短辺に位置する一対のフレーム枠２１Ｂと、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂの内側に配置された複数のリード２２と、複数のダイパッド部（チップ搭載部）２３とを備えている。リード２２は、半導体装置（ＱＦＮ）の外部端子を構成する部材であり、その表面には金（Ａｕ）メッキが施されている。ダイパッド部２３は、図１に示す半導体チップ１１を搭載する領域であり、その四隅に設けられた吊りリード２４によって支持されている。
【００２０】
リードフレーム２０は、１個のダイパッド部２３とその周囲に配置された複数のリード２２とからなる単位パターンを長辺方向および短辺方向にそれぞれ複数個配列した構成になっている。単位パターンのそれぞれは１個の半導体装置（ＱＦＮ）となる領域であり、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂを介して互いに連結されている。なお、実際の半導体装置の製造工程では、数百個の単位パターンを備えたリードフレームを使用するが、ここでは図面を見易くするために、長辺方向（フレーム枠２１Ａの延在方向）に沿って６個、短辺方向（フレーム枠２１Ｂの延在方向）に沿って３個、合計１８個の単位パターンを備えたリードフレーム２０を使って説明する。
【００２１】
図１に示す半導体チップ１１と、図２、３に示すリードフレーム２０とを使って半導体装置（ＱＦＮ）を製造するには、まず、ダイシングテープ１３に保持された複数個の半導体チップ１１を１個ずつピックアップした後、図４および図５に示すように、接着剤２５を介してリードフレーム２０の各ダイパッド部２３上に１個ずつ搭載する。
【００２２】
次に、図６および図７に示すように、例えば熱と超音波振動とを併用したボールボンディング法を用いて、半導体チップ１１のボンディングパッド１２とリードフレーム２０のリード２２とを金（Ａｕ）ワイヤ（導電材）２６によって電気的に接続する。
【００２３】
次に、図８、図９および図１０に示すように、リードフレーム２０をモールド金型（図示せず）に装着し、リードフレーム２０に搭載された全ての半導体チップ１１および金（Ａｕ）ワイヤ２６を樹脂封止体２７により一括封止する。樹脂封止体２７は、例えばシリコンフィラーを充填した熱硬化性エポキシ樹脂からなる。リードフレーム２０をモールド金型に装着する際は、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂを上下の金型で挟み付けることによってリードフレーム２０を固定するので、モールド後は、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂが樹脂封止体２７の外部に露出する。
【００２４】
次に、図１１に示すように、例えばレーザーマーカー（図示せず）を使って、樹脂封止体２７の表面に製品の型名、製造コード等の製品情報を示すマーク２８を刻印する。
【００２５】
次に、図１２および図１３（図１２のＢ−Ｂ線断面図）に示すように、リードフレーム２０の裏面にダイシングテープ３０を貼り付け、さらにダイシングテープ３０の周囲を金属製のＣリング３１で固定する。ダイシングテープ３０は、例えば基材フィルムの表面に紫外線硬化型樹脂組成物からなる粘着剤層を形成した絶縁テープである。
【００２６】
次に、図１４および図１５に示すように、ダイシングブレード３２を使って樹脂封止体２７およびリードフレーム２０を切断することにより、複数個（ここでは１８個）の半導体装置（ＱＦＮ）４０を取得する。
【００２７】
図１６（ａ）は、本実施の形態の半導体装置（ＱＦＮ）４０を上面側から見た斜視図であり、図１６（ｂ）は、半導体装置４０を下面（実装面）側から見た斜視図である。
【００２８】
半導体装置（ＱＦＮ）４０の外形寸法は、例えば縦×横×厚さが３ｍｍ×３ｍｍ×０．８ｍｍであり、樹脂封止体２７の裏面には、ダイパッド部２３および複数のリード２２が露出している。
【００２９】
上記のダイシング工程では、樹脂封止体２７およびリードフレーム２０のみを切断し、ダイシングテープ３０は切断しない。従って、分割された複数個の半導体装置４０は、ダイシング後もＣリング３１で固定されたダイシングテープ３０の一面に残留する。また、樹脂封止体２７の外部に露出していたフレーム枠２１Ａ、２１Ｂもダイシングテープ３０の一面に残留する。
【００３０】
そこで、複数個の半導体装置４０をダイシングテープ３０から剥離する工程に先立ち、不要となったフレーム枠２１Ａ、２１Ｂを、次のような方法でダイシングテープ３０から剥離する。なお、ダイシングテープ３０の粘着剤層が紫外線硬化型樹脂組成物からなる場合には、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂをダイシングテープ３０から剥離する工程に先立ち、ダイシングテープ３０に紫外線を照射して粘着剤層の粘着力を下げておく。
【００３１】
図１７は、フレーム枠除去用の治具を示す概略図である。フレーム枠除去用の治具５０は、ダイシングテープ３０の外周部に取り付けられたＣリング３１を保持するクランプ部５１、ダイシングテープ３０からフレーム枠２１Ａ、２１Ｂを剥離する一対の剥がし爪５２Ａ、５２Ｂ、ダイシングテープ３０から剥離されたフレーム枠２１Ａ、２１Ｂを回収する回収ボックス５３等を備えている。
【００３２】
図１７に示すように、ダイシングテープ３０は、垂直方向に立てた状態で治具５０に固定される。このようにすると、ダイシングテープ３０から剥離されたフレーム枠２１Ａ、２１Ｂは、ダイシングテープ３０の下方に配置された回収ボックス５３の内部に落下するので、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂを容易に回収することができる。
【００３３】
上記一対の剥がし爪５２Ａ、５２Ｂのうち、剥がし爪５２Ａは、フレーム枠２１Ａを剥離するためのものであり、図示しない駆動装置によって垂直方向（図１７の上下方向）に移動する。一方、剥がし爪５２Ｂは、フレーム枠２１Ｂを剥離するためのものであり、図示しない駆動装置によって水平方向（図１７の紙面に垂直な方向）に移動する。
【００３４】
ダイシングテープ３０からフレーム枠２１Ａ、２１Ｂを剥離するには、まず、図１８に示すように、剥がし爪５２Ａの先端をフレーム枠２１Ａとダイシングテープ３０との隙間に挿入し、剥がし爪５２Ａの先端をダイシングテープ３０に押し付けながらフレーム枠２１Ａの延在方向に沿って摺動させる。これにより、図１９に示すように、フレーム枠２１Ａがダイシングテープ３０の一面から取り除かれ、図１７に示す回収ボックス５３に収容される。
【００３５】
次に、図２０に示すように、剥がし爪５２Ｂの先端をフレーム枠２１Ｂとダイシングテープ３０との隙間に挿入し、剥がし爪５２Ｂの先端をダイシングテープ３０に押し付けながらフレーム枠２１Ｂの延在方向に沿って摺動する。これにより、図２１に示すように、フレーム枠２１Ｂがダイシングテープ３０の一面から取り除かれ、図１７に示す回収ボックス５３に収容される。
【００３６】
次に、ダイシングテープ３０の表面に残った複数個の半導体装置４０を次のような方法で剥離する。
【００３７】
図２２は、製品除去用の治具を示す概略図である。製品除去用の治具６０は、ダイシングテープ３０の外周部に取り付けられたＣリング３１を保持するクランプ部６１、ダイシングテープ３０から半導体装置４０を剥離するＶ字爪６２、ダイシングテープ３０から剥離された半導体装置４０を回収する回収ボックス６３等を備えている。ダイシングテープ３０は、半導体装置４０が貼り付けられた面を下に向けた状態で治具６０に水平に固定される。
【００３８】
ダイシングテープ３０から半導体装置４０を剥離するには、図２３に示すように、ダイシングテープ３０の上面に上方からＶ字爪６２を押し付けながら、ダイシングテープ３０の上面に沿ってＶ字爪６２を摺動させる。これにより、全ての半導体装置４０がダイシングテープ３０の一面から取り除かれ、回収ボックス６３に収容される。
【００３９】
このように、本実施の形態では、半導体装置４０およびフレーム枠２１Ａ、２１Ｂをダイシングテープ３０から剥離する際に、まずフレーム枠２１Ａ、２１Ｂを剥離し、次に半導体装置４０を剥離する。
【００４０】
このようにすると、半導体装置４０をダイシングテープ３０から剥離する際に、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂの一部がダイシングテープ３０から剥離され、半導体装置４０と共に回収ボックス６３に収容される不具合を防ぐことができる。すなわち、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂの一部が異物として回収ボックス６３に混入し、半導体装置４０と共に次工程に搬送されることを防ぐことができる。
【００４１】
また、本実施の形態では、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂをダイシングテープ３０から剥離する際に、まずリードフレーム２０の長辺方向に延在するフレーム枠２１Ａを剥離し、次にリードフレーム２０の短辺方向に延在するフレーム枠２１Ｂを剥離する。すなわち、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂを剥離する際には、フレーム枠２１Ｂに比べて連結されているリード２２の本数が多い、言い換えると、フレーム枠２１Ｂに比べてダイシングテープ３０との接触面積が大きいフレーム枠２１Ａを先に剥離し、その後、フレーム枠２１Ａに比べて連結されているリード２２の本数が少ない、言い換えると、フレーム枠２１Ａに比べてダイシングテープ３０との接触面積が小さいフレーム枠２１Ｂを剥離する。
【００４２】
これは、ダイシングテープ３０との接触面積が大きいフレーム枠２１Ａを剥離する際には、ダイシングテープ３０との接触面積が小さいフレーム枠２１Ｂを剥離する際に比べて、ダイシングテープ３０に加わる負荷が大きくなるためである。
【００４３】
すなわち、先にフレーム枠２１Ｂを剥離してからフレーム枠２１Ａを剥離した場合は、フレーム枠２１Ａを剥離する際にダイシングテープ３０に加わる大きな負荷によって、ダイシングテープ３０が大きく変形し、半導体装置４０がダイシングテープ３０から剥離し易くなる。これに対し、ダイシングテープ３０にフレーム枠２１Ｂが貼り付けられた状態でフレーム枠２１Ａを剥離する場合は、フレーム枠２１Ａを剥離する際にダイシングテープ３０に大きな負荷に加わっても、ダイシングテープ３０に貼り付けられたフレーム枠２１Ｂがダイシングテープ３０の変形を抑制するので、半導体装置４０がダイシングテープ３０から剥離し難くなる。
【００４４】
このように、一般に、ダイシング工程の後、半導体装置４０が貼り付けられたダイシングテープ３０から基材（ここでは、リードフレーム２０）の不要箇所（ここでは、フレーム枠２１Ａ、２１Ｂ）を剥離する際には、まず、ダイシングテープ３０に加わる負荷が大きい方向に沿って基材を剥離し、その後、ダイシングテープ３０に加わる負荷が小さい方向に沿って基材を剥離することが望ましい。これにより、基材を剥離する際に生じるダイシングテープ３０の変形を抑制できるので、特に、半導体装置４０が小型、薄型である場合において、不所望にダイシングテープ３０から飛散してしまう不具合を抑制することができる。
【００４５】
また、本実施の形態では、フレーム枠除去用の剥がし爪５２Ａ、５２Ｂを備えた治具５０を使って、ダイシングテープ３０からフレーム枠２１Ａ、２１Ｂを剥離する。また、製品除去用のＶ字爪６２を備えた治具６０を使って、ダイシングテープ３０から半導体装置４０を剥離する。
【００４６】
これにより、ピンセット等の治具を使った手作業でダイシングテープ３０からフレーム枠２１Ａ、２１Ｂや半導体装置４０を剥離する場合に比べて、剥離作業を迅速、かつ正確に遂行できるので、半導体装置４０の生産効率を高めることができる。
【００４７】
次に、ここまでの工程で得られた複数の半導体装置４０のそれぞれに対して電気特性試験を行う。図２４は、電気特性試験方法の一例を示す概略図である。
【００４８】
ダイシングテープ３０から剥離された複数の半導体装置４０は、図２２、図２３に示す製品除去用の治具６０の回収ボックス６３に収容された状態で電気特性試験工程に搬送される。そして、まず、パーツフィーダ（姿勢制御装置）７０によって一定の向きに整列させられた後、搬送ツール７１の真空コレット７２によって１個ずつピックアップされ、電気特性試験装置（テスタ）７３のテストヘッド７４に装着される。
【００４９】
この電気特性試験工程では、半導体装置４０の一面に露出している複数本のリード２２にテストヘッド７４のプローブ（図示せず）を接触させ、半導体チップ１１に形成された集積回路の動作確認を行うことによって、半導体装置４０が良品であるか不良品であるかを判定する。
【００５０】
上記電気特性試験で良品と判定された複数の半導体装置４０は、再び搬送ツール７１の真空コレット７２によって１個ずつピックアップされ、図２５および図２６に示すように、テープ７５およびテープシール７６に収納された状態で外観検査工程に搬送された後、顧客先に出荷される。
【００５１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【００５２】
前記実施の形態では、リードフレーム２０に搭載された全ての半導体チップ１１および金（Ａｕ）ワイヤ２６を単一の樹脂封止体２７により一括封止した（図８〜図１０参照）。すなわち、単一のキャビティを有するモールド金型を使って樹脂封止体２７を形成したが、例えば図２７に示すように、複数のキャビティを有するモールド金型を使って複数（ここでは３個）の樹脂封止体２７を形成する場合にも適用することができる。
【００５３】
この場合も、ダイシング工程の後、半導体装置４０が貼り付けられたダイシングテープ３０から基材（フレーム枠２１Ａ、２１Ｂ）を剥離する際には、ダイシングテープ３０に加わる負荷が大きい方向に沿って基材を剥離した後、ダイシングテープ３０に加わる負荷が小さい方向に沿って基材を剥離することが望ましい。これにより、基材剥離時に生じるダイシングテープ３０の変形を抑制できるので、半導体装置４０が不所望にダイシングテープ３０から飛散してしまう不具合を抑制することができる。
【００５４】
また、前記実施の形態では、ＱＦＮの製造に適用した例を説明したが、他の半導体装置（半導体パッケージ）、例えばＱＦＰ(Quad Flat Package)やＳＯＮ(Small Outline No Lead Package)等の小型、薄型半導体装置の製造に適用できることは勿論である。
【００５５】
また、前記実施の形態では、半導体チップを搭載する基材としてリードフレームを使用したが、基材として配線基板を使用することもできる。すなわち、ＭＡＰ(Mold Array Package)基板と呼ばれる大型配線基板に多数の半導体チップを搭載し、ＭＡＰ基板の電極と各半導体チップとをワイヤ等で電気的に接続した後、半導体チップおよびワイヤを樹脂封止体で一括封止し、その後、ＭＡＰ基板にダイシングテープを貼り付けてダイシングを行う半導体装置の製造に適用することもできる。
【符号の説明】
【００５６】
１０  半導体ウエハ
１１  半導体チップ
１２  ボンディングパッド
１３  ダイシングテープ
２０  リードフレーム（基材）
２１Ａ、２１Ｂ  フレーム枠
２２  リード（外部端子）
２３  ダイパッド部（チップ搭載部）
２４  吊りリード
２５  接着剤
２６  金（Ａｕ）ワイヤ（導電材）
２７  樹脂封止体
２８  マーク
３０  ダイシングテープ
３１  Ｃリング
３２  ダイシングブレード
４０  半導体装置（ＱＦＮ）
５０  治具
５１  クランプ部
５２Ａ、５２Ｂ  剥がし爪
５３  回収ボックス
６０  治具
６１  クランプ部
６２  Ｖ字爪
６３  回収ボックス
７０  パーツフィーダ（姿勢制御装置）
７１  搬送ツール
７２  真空コレット
７３  電気特性試験装置（テスタ）
７４  テストヘッド
７５  テープ
７６  テープシール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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