(57)【要約】【課題】電極表面の材質にかかわらず、電気特性を正確に測定することのできるプローブ装置を提供すること。【解決手段】プローブ装置８０は、電気特性測定用のプローブ８５と、プローブ８５を保持するプローブ保持体８１とを有している。プローブ８５は、先端８６０の表面が高硬度の第１金属材料からなる第１針部８６と、先端８７０の表面が低硬度の第２金属材料からなる第２針部８７とを備えており、第１針部８６と第２針部８７とは導通している。第２針部８７は、第１金属材料からなる芯材の表面に第２金属材料の層を形成した構造になっている。第１金属材料は、タングステンまたはタングステン合金であり、第２金属材料は、金、金合金、パラジウム、パラジウム合金、銅、または銅合金からなる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１プローブと、
前記第１プローブを保持するプローブ保持体と、
を有し、
前記第１プローブは、少なくとも先端表面が第１金属材料からなる第１針部と、少なくとも先端表面が前記第１金属材料と異なる第２金属材料からなり、前記第１針部と導通した第２針部と、を備えていることを特徴とするプローブ装置。
【請求項２】
請求項１に記載のプローブ装置において、
前記第２針部は、前記第１金属材料からなる芯材の表面に前記第２金属材料の層を形成してなることを特徴とするプローブ装置。
【請求項３】
請求項１または２に記載のプローブ装置において、
前記第１金属材料は、タングステンまたはタングステン合金であり、
前記第２金属材料は、金、金合金、パラジウム、パラジウム合金、銅、または銅合金からなることを特徴とするプローブ装置。
【請求項４】
請求項１乃至３の何れかに記載のプローブ装置において、
前記第１針部は、前記第２針部側に向けて先端が曲がり、
前記第２針部は、前記第１針部側に向けて先端が曲がっていることを特徴とするプローブ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４の何れかに記載のプローブ装置において、
さらに、第２プローブを有し、
前記第２プローブは、少なくとも先端表面が前記第１金属材料からなる第３針部と、少なくとも先端表面が前記第２金属材料からなり、前記第１針部と導通した第４針部と、を備え、
前記第１プローブと前記第２プローブとは、第１の方向に沿って配列され、
前記第１針部と前記第２針部とは、前記第１の方向と交差した第２の方向に沿って隣り合うように配置され、
前記第３針部と前記第４針部とは、前記第２の方向に沿って隣り合うように配置されていることを特徴とするプローブ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気特性を測定するためのプローブ装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置等の電気光学装置や半導体装置の製造工程では、基板に形成した電極にプローブ装置のプローブを接触させて電気特性の測定が行われている。（特許文献１参照）。かかるプローブ装置は、基板に形成された複数の電極の各々に対向する位置にプローブを設け、電極とプローブとを一対一で対応させた構造になっている。ここで、プローブは、例えば、タングステン、レニウムタングステン等のタングステン合金、高速度工具鋼等からなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−３５８１８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、基板に形成した電極の材質によっては、レニウムタングステン等からなるプローブでは、ノイズ等が発生し、正確な測定が行えないという現象が発生する。例えば、電極表面がアルミニウム層からなる場合、レニウムタングステンからなるプローブで正確な測定が行えるが、電極表面をＩＴＯ層とした場合、レニウムタングステンからなるプローブで正確な測定が行えないという現象が発生する。
【０００５】
そこで、本発明者は、レニウムタングステンからなるプローブの先端表面に金めっきを行って、表面がＩＴＯ層からなる電極に接触させて測定したところ、正確な測定が行えた。しかしながら、金めっきを行ったプローブで表面がアルミニウム層からなる電極に接触させて測定したところ、ノイズ等が発生し、正確な測定が行えないという現象が発生した。このため、現状は、異なる材質のプローブを準備しておき、電極表面の材質に合わせて、プローブを選択して用いるという方法を採用せざるを得ないという問題点がある。
【０００６】
以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、電極表面の材質にかかわらず、電気特性を正確に測定することのできるプローブ装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るプローブ装置の一態様は、第１プローブと、前記第１プローブを保持するプローブ保持体と、を有し、前記第１プローブは、少なくとも先端表面が第１金属材料からなる第１針部と、少なくとも先端表面が前記第１金属材料と異なる第２金属材料からなり、前記第１針部と導通した第２針部と、を備えていることを特徴とする。
【０００８】
本発明者は、ＩＴＯ層のように硬度が高い電極の場合、先端表面が金のように硬度が低いプローブを用い、アルミニウム層のように硬度が低い電極の場合、先端表面がレニウムタングステンのように硬度が高いプローブを用いれば、プローブと電極とが好適に接触し、電気特性を正確に測定することができるという知見を得た。そこで、本発明では、先端表面が第１金属材料からなる第１針部と、先端表面が第２金属材料からなる第２針部とをプローブに設け、第１針部と第２針部とを導通させてある。このため、硬度が高い電極の場合、第１針部および第２針部のうち、硬度が低いプローブ部が電極に好適に接触し、硬度が低い電極の場合、第１針部および第２針部のうち、硬度が高いプローブ部が電極に好適に接触する。このため、電気特性を正確に測定することができる。
【０００９】
本発明において、前記第２針部は、前記第１金属材料からなる芯材の表面に前記第２金属材料の層を形成してなることが好ましい。かかる構成によれば、第２針部については、第１針部と同一の第１金属材料からなる芯材の表面に第２金属材料の層を形成すれば構成することができる。また、第１針部および第２針部のいずれもが同等の弾性を有するので、第１針部および第２針部が同等の力で端子に接するので、電極の材料に合わせて、プローブの電極への押し付け力を切り換える必要がない。
【００１０】
本発明においては、例えば、前記第１金属材料は、タングステンまたはタングステン合金であり、前記第２金属材料は、金、金合金、パラジウム、パラジウム合金、銅、または銅合金からなる。金、金合金、パラジウム、パラジウム合金、銅、および銅合金は、タングステンやタングステン合金と硬度が大きく相違するので、硬度がいずれのレベルにある電極であっても、第１針部および第２針部の少なくとも一方が電極に好適に接触する。このため、電気特性を正確に測定することができる。
【００１１】
本発明において、前記第１針部は、前記第２針部側に向けて先端が曲がり、前記第２針部は、前記第１針部側に向けて先端が曲がっていることが好ましい。かかる構成によれば、電極の面積が狭い場合でも、第１針部および第２針部を確実に接触させることができる。また、プローブに第１針部および第２針部を設けても、１つのプローブが占める領域が狭く済むため、複数のプローブが近接している場合でも、隣り合うプローブ同士の接触を回避することができる。
【００１２】
本発明において、さらに、第２プローブを有し、前記第２プローブは、少なくとも先端表面が前記第１金属材料からなる第３針部と、少なくとも先端表面が前記第２金属材料からなり、前記第１針部と導通した第４針部と、を備え、前記第１プローブと前記第２プローブとは、第１の方向に沿って配列され、前記第１針部と前記第２針部とは、前記第１の方向と交差した第２の方向に沿って隣り合うように配置され、前記第３針部と前記第４針部とは、前記第２の方向に沿って隣り合うように配置されていることが好ましい。かかる構成によれば、プローブが配列されている方向でプローブが占める領域が狭く済むため、隣り合うプローブ同士の接触を回避することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明に係るプローブ装置で検査される液晶装置の素子基板等の説明図である。
【図２】本発明に係るプローブ装置を用いた検査方法の説明図である。
【図３】本発明に係るプローブ装置で用いられるプローブの形状を示す説明図である。
【図４】本発明に係るプローブ装置で用いられるプローブにおける第１針部および第２針部の配列方向を平面的に示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図面を参照して、本発明の実施の形態を説明する。以下の説明では、プローブ装置で電気特性が測定される対象として、電気光学装置の素子基板を例示する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。
【００１５】
（電気特性の測定対象）
図１は、本発明に係るプローブ装置で検査される液晶装置の素子基板等の説明図であり、図１（ａ）、（ｂ）は各々、液晶装置を各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、およびそのＨ−Ｈ′断面図である。
【００１６】
図１（ａ）、（ｂ）に示すように、液晶装置１は、素子基板１０と対向基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされた液晶パネル３を有している。液晶パネル３において、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられており、素子基板１０と対向基板２０との間においてシール材１０７により囲まれた領域内に液晶層５０が保持されている。シール材１０７は、光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、かかる接着剤には、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材が含まれている。シール材１０７は、途切れ部分からなる液晶注入口１０７ａを有しており、液晶注入口１０７ａは封止材１０６によって塞がれている。かかる構成の液晶パネル３は、素子基板１０と対向基板２０とをシール材１０７で貼り合わせて液晶注入口１０７ａを備えた空セル３ｅを形成した後、液晶材料５０ａを注入し、しかる後に、液晶注入口１０７ａを封止材１０６によって塞ぐことにより製造される。
【００１７】
本形態において、素子基板１０および対向基板２０はいずれも四角形であり、素子基板１０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部１０ａ、１０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部１０ｃ、１０ｄとを備えている。また、対向基板２０は、Ｘ方向に延在するとともにＹ方向で互いに対向する２つの端部２０ａ、２０ｂと、Ｙ方向に延在するとともにＸ方向で互いに対向する２つの端部２０ｃ、２０ｄとを備えている。液晶パネル３の略中央には、画素領域１ａ（画像表示領域）が四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、素子基板１０では、シール材１０７の内周縁と画素領域１ａの外周縁との間には、略四角形の周辺領域１ｂが額縁状に設けられている。素子基板１０の一方側の基板面において、画素領域１ａには、画素トランジスター（図示せず）や画素電極９ａがマトリクス状に形成されており、かかる画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。また、素子基板１０の一方面側において、周辺領域１ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。
【００１８】
素子基板１０は、対向基板２０の端部２０ａから一方側（Ｙ方向）に張り出した張出領域１０５を備えており、かかる張出領域１０５には、素子基板１０の一方側の端部１０ａに沿って複数の実装用の端子１０２が形成されている。張出領域１０５では、端子１０２が配列されている領域に対して端部１０ａが位置する側とは反対側にデータ線駆動回路１０１が形成されている。また、素子基板１０には、Ｘ方向で対向する端部１０ｃ、１０ｄに沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。なお、端子１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続されており、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。また、素子基板１０では、シール材１０７と重なる領域に検査用の端子１０２が設けられることもある。
【００１９】
対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には共通電極２１が形成されており、共通電極２１の上層には配向膜２６が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素に跨って形成されている。本形態において、共通電極２１は対向基板２０の全面に形成されている。対向基板２０において素子基板１０と対向する一方面側には、共通電極２１の下層側に遮光層１０８が形成されている。本形態において、遮光層１０８は、画素領域１ａの外周縁に沿って延在する額縁状に形成されており、見切りとして機能する。なお、対向基板２０において、遮光層１０８は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた領域と重なる位置にブラックマトリクスとして形成されることもある。
【００２０】
このように構成した液晶パネル３において、素子基板１０には、シール材１０７より外側において対向基板２０の角部分と重なる位置に、素子基板１０と対向基板２０との間で電気的導通をとるための基板間導通用電極１０９が形成されている。かかる基板間導通用電極１０９には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９ａが配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通材１０９ａおよび基板間導通用電極１０９を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。
【００２１】
かかる構成の液晶装置１において、画素電極９ａおよび共通電極２１を、ＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成すると、透過型の液晶装置を構成することができる。これに対して、共通電極２１をＩＴＯ膜等の透光性導電膜により形成し、画素電極９ａを反射性電極として構成すると、反射型の液晶装置を構成することができる。液晶装置１は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０には、カラーフィルター（図示せず）や保護膜が形成される。また、液晶装置１では、位相差フィルム、偏光板等が液晶パネル３に対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１は、投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２２】
（電気特性の測定方法の概要）
図２は、本発明に係るプローブ装置を用いた検査方法の説明図であり、図２（ａ）、（ｂ）、（ｃ）は各々、素子基板が切り出される大型基板の説明図、プローブ装置によって大型基板を検査する様子を模式的に示す説明図、およびプローブ装置のプローブを端子（電極）に当接させている様子を示す説明図である。
【００２３】
図１を参照して説明した液晶装置１において、素子基板１０に形成される画素トランジスター、画素電極９ａおよび端子１０２等は、図２（ａ）に示す大型基板１０ｘのうち、素子基板１０として切り出される複数の領域に形成された後、図２（ｂ）に示す検査工程が行われ、その後、大型基板１０ｘが複数の素子基板１０として切り出される。本形態において、大型基板１０ｘはシリコンウェーハと同様、円板状である。大型基板１０ｘにおいて、複数の素子基板１０が切り出される領域（一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域）が有効領域１０ｙであり、それ以外の領域は、切断工程で除去される無効領域１０ｚ（除材領域／一点鎖線Ｌｙで囲んだ領域の外側）である。
【００２４】
かかる大型基板１０ｘの状態で、大型基板１０ｘに形成された配線、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４等の電気特性を検査するには、図２（ｂ）に示すように、大型基板１０ｘをＸＹステージ７０上に載置した状態で、プローブ装置８０のプローブ保持体８１に保持されたプローブ８５を大型基板１０ｘの端子１０２に当接させる。ここで、プローブ保持体８１は板状であり、プローブ８５は端子１０２に対して一対一で対向する各位置に複数配置されている。このため、プローブ保持体８１およびプローブ８５は、素子基板検査用のプローブカード８２として構成されている。従って、プローブ装置８０によって、大型基板１０ｘにおいて素子基板１０として切り出される複数の領域のうち、１つの領域に形成されている端子１０２を介して大型基板１０ｘ（素子基板１０）に電気的な検査を行った後、ＸＹステージ７０を移動させ、プローブ装置８０によって、大型基板１０ｘの別の領域に形成されている端子１０２を介して大型基板１０ｘ（素子基板１０）の電気的な検査を行う。
【００２５】
（プローブ８５の構成）
このように構成したプローブ装置８０において、プローブ８５は、図２（ｃ）に示すように、第１針部８６と、第１針部８６と導通した第２針部８７とを備えており、第１針部８６の先端８６０と第２針部８７の先端８７０は、同一の端子１０２に接触する。
【００２６】
また、第１針部８６の少なくとも先端８６０の表面は第１金属材料からなるのに対して、第２針部８７の少なくとも先端８７０の表面は、第１金属材料と異なる第２金属材料からなる。かかる構成を採用するにあたって、本形態では、第１針部８６は全体が第１金属材料からなる。これに対して、第２針部８７は、第１金属材料からなる針状の芯材の先端部に、めっき等によって、第２金属材料の層を形成した構造になっている。また、第２針部８７については、全体が第２金属材料からなる針状の部材であってもよい。
【００２７】
ここで、第１金属材料および第２金属材料として、硬度が大きく異なる材料が用いられている。例えば、第１針部８６の先端８６０の表面を構成する第１金属材料は、タングステン、またはレニウムタングステン等のタングステン合金であり、かかる第１金属材料は、硬度が高い。例えば、タングステンの硬度は、モース硬度で７．５Ｍｏｈｓである。これに対して、第２針部８７の先端８７０の表面を構成する第２金属材料は、金、金合金、パラジウム、パラジウム合金、銅、またはベリリウム銅等の銅合金であり、かかる第２金属材料は、硬度が低い。例えば、金の硬度は、モース硬度で２．５Ｍｏｈｓであり、パラジウムの硬度は、モース硬度で４．７５Ｍｏｈｓであり、銅の硬度は、モース硬度で３．０Ｍｏｈｓである。
【００２８】
なお、本形態において、第１針部８６および第２針部８７は、同一の径および同一の寸法をもって直線的に延在する針形状を有している。
【００２９】
（本形態の主な効果）
以上説明したように、本形態のプローブ装置８０において、複数のプローブ８５は各々、先端８６０の表面が高硬度の第１金属材料からなる第１針部８６と、先端８７０の表面が低硬度の第２金属材料からなる第２針部８７とを備えており、かかる第１針部８６と第２針部８７とを導通させてある。このため、端子１０２の表面がＩＴＯ層のように硬度が高い材料からなる場合、第１針部８６と端子１０２との接触抵抗が大きくても、第２針部８７と端子１０２との接触抵抗が小さいので、電気特性の測定を確実に行うことができる。また、素子基板１０の端子の表面をアルミニウム層のように硬度が低い材料からなる場合、第２針部８７と端子１０２との接触抵抗が大きくても、第１針部８６と端子１０２との接触抵抗が小さいので、電気特性の測定を確実に行うことができる。
【００３０】
従って、１つの素子基板１０（大型基板１０ｘ）に、表面がＩＴＯ層からなる端子１０２と、表面がアルミニウム層からなる端子１０２とが混在している場合でも、素子基板１０（大型基板１０ｘ）に対する電気的な検査を確実に行うことができる。また、素子基板１０（大型基板１０ｘ）に形成する端子１０２の表面の材質をＩＴＯ層からアルミニウム層に変更した場合や、端子１０２の表面の材質をアルミニウム層からＩＴＯ層に変更した場合でも、同一のプローブ装置８０によって電気的な検査を行うことができる。さらに、表面がＩＴＯ層からなる端子１０２が形成された素子基板１０（大型基板１０ｘ）、および表面がアルミニウム層からなる端子１０２が形成された素子基板１０（大型基板１０ｘ）の双方を製造する場合でも、同一のプローブ装置８０によって電気的な検査を行うことができる。それ故、検査工程の簡素化や、検査設備に関するコストを低減することができる。
【００３１】
また、本形態では、第１針部８６については全体がレニウムタングステン等の第１金属材料からなり、第２針部８７は、レニウムタングステン等の第１金属材料からなる針状の芯材の先端部に、めっき等によって、金等の第２金属材料の層を形成した構造になっている。このため、第１針部８６および第２針部８７のいずれもが、レニウムタングステン等が有する高い靱性を有することになる。従って、第１針部８６と第２針部８７とにおいて材質を相違させた場合でも、第１針部８６および第２針部８７のいずれもがプローブとして優れた特性を有することになる。また、第１針部８６および第２針部８７のいずれもが同等の弾性を有するので、第１針部８６および第２針部８７が同等の力で端子１０２に接するので、端子１０２の材料に合わせて、プローブ８５の端子１０２への押し付け力を切り換える必要がない。
【００３２】
（プローブ８５の構成例）
図３は、本発明に係るプローブ装置８０で用いられるプローブ８５の形状を示す説明図である。
【００３３】
図２を参照して説明したプローブ装置８０において、プローブ８５に互いに導通した第１針部８６と第２針部８７とを設けるにあたっては、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、第１針部８６および第２針部８７が別々にプローブ保持体８１から延在し、プローブ保持体８１において、第１針部８６と第２針部８７とが導通している構造を採用することができる。
【００３４】
また、プローブ８５に互いに導通した第１針部８６と第２針部８７とを設けるにあたっては、図３（ｃ）、（ｄ）に示すように、プローブ保持体８１から延在したプローブ８５が途中で第１針部８６と第２針部８７とに分岐している構造を採用してもよい。
【００３５】
ここで、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）のいずれにおいても、第１針部８６および第２針部８７は途中で曲がっている。また、第１針部８６および第２針部８７を途中で曲げるにあたっては、図３（ａ）、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）に示すように、途中で屈曲している構造を採用することができる他、途中で湾曲している構造を採用してもよい。
【００３６】
第１針部８６および第２針部８７を途中で曲げるにあたっては、図３（ａ）、（ｃ）に示すように、第１針部８６および第２針部８７が同一方向に曲がって並行している構造を採用することができる。また、図３（ｂ）、（ｄ）に示すように、第１針部８６および第２針部８７が互いに接近する方向に先端８６０、８７０側が曲がっている構造を採用してもよい。すなわち、図３（ｂ）、（ｄ）に示す形態では、第１針部８６は、第２針部８７側に向けて先端が曲がり、第２針部８７は、第１針部８６側に向けて先端が曲がっている。
【００３７】
これらの構造のうち、図３（ｂ）、（ｄ）に示すように、第１針部８６および第２針部８７が互いに接近する方向に先端８６０、８７０側が曲がっている構造の場合、端子１０２（電極）の面積が狭い場合でも、第１針部８６および第２針部８７を確実に接触させることができる。また、プローブ８５に第１針部８６および第２針部８７を設けても、１つのプローブ８５が占める領域が狭く済むため、複数のプローブ８５が近接している場合でも、隣り合うプローブ８５同士の接触を回避することができる。
【００３８】
（第１針部８６および第２針部８７の位置関係）
図４は、本発明に係るプローブ装置８０で用いられるプローブ８５において、第１針部８６および第２針部８７の配列方向を平面的に示す説明図である。
【００３９】
図２を参照して説明したプローブ装置８０のプローブ保持体８１においては、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、複数のプローブ８５が列になって配列されることが多い。この場合、図４（ａ）に示すように、第１針部８６と第２針部８７とは、プローブ８５が配列されている方向（Ｘ方向）と交差する方向（Ｙ方向）で隣り合うように配置されている構造を採用することができる。より具体的には、第１針部８６と第２針部８７とを有するプローブ８５（第１プローブ）と、第３針部８６ｓと第４針部８７ｓとを有する第２プローブ８５ｓとは、第１の方向（Ｘ方向）に沿って配列され、第１針部８６と第２針部８７とは、第１の方向と交差した第２の方向（Ｙ方向）に沿って隣り合うように配置され、第３針部８６ｓと第４針部８７ｓとは、第２の方向（Ｙ方向）に沿って隣り合うように配置されている。ここで、第３針部８６ｓは、第１針部８６と同様、少なくとも先端がレニウムタングステン等の第１金属材料からなり、第４針部８７ｓは、第２針部８７と同様、少なくとも先端が金等の第２金属材料からなる。
【００４０】
また、図４（ｂ）に示すように、第１針部８６と第２針部８７とは、プローブ８５が配列されている方向と同一方向で隣り合うように配置されている構造を採用してもよい。
【００４１】
これらの構造のうち、図４（ａ）に示すように、第１針部８６と第２針部８７とが、プローブ８５が配列されている方向と交差する方向で隣り合うように配置されている構造の場合、プローブ８５が配列されている方向でプローブ８５が占める領域が狭く済むため、隣り合うプローブ８５同士の接触を回避することができる。
【００４２】
［他の対象例］
上記実施の形態では、液晶パネル３に用いられる素子基板１０の電気的な検査を例示したが、有機エレクトロルミネッセンス装置やプラズマ表示装置等の電気光学装置に用いられる素子基板の電気特性の測定に用いられるプローブ装置に本発明を適用してもよい。
【００４３】
また、電気光学装置以外の装置、例えば、シリコンウェーハ等の半導体基板に形成した半導体集積回路の電気特性の測定に用いられるプローブ装置に本発明を適用してもよい。
【符号の説明】
【００４４】
１０・・素子基板、１０ｘ・・大型基板、８０・・プローブ装置、８１・・プローブ保持体、８２・・プローブカード、８５・・プローブ（第１プローブ）、８５ｓ・・第２プローブ、８６・・第１針部、８６ｓ・・第３針部、８７・・第２針部、８７ｓ・・第４針部、１０２・・端子、８６０・・第１針部の先端、８７０・・第２針部の先端
【図１】
2014178167.tif 000003
【図２】
2014178167.tif 000004
【図３】
2014178167.tif 000005
【図４】
2014178167.tif 000006