(57)【要約】【課題】人間の視感度特性で感度が高い波長範囲の光、及び光劣化が生じやすい波長範囲の光の透過率を高くし、明るく、光劣化が進行しにくい電気光学装置を提供する。【解決手段】本発明に係る電気光学装置は、素子基板本体１０ａ、並びに画素電極１５と、素子基板本体１０ａと画素電極１５との間で画素電極１５に対向配置された容量電極１６と、画素電極１５と容量電極１６との間に挟まれた誘電体層１４と、を含む蓄積容量１７を備え、素子基板本体１０ａ及び蓄積容量１７を透過する光の分光分布が、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長範囲と、４００ｎｍから４６０ｎｍの波長範囲と、でピークを有することを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
画素電極と、前記基板と前記画素電極との間で前記画素電極に対向配置された容量電極と、前記画素電極と前記容量電極との間に挟まれた誘電体層と、を含む蓄積容量と、
を備え、
前記基板及び前記蓄積容量を透過する光の分光分布が、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長範囲と、４００ｎｍから４６０ｎｍの波長範囲と、でピークを有することを特徴とする電気光学装置。
【請求項２】
前記誘電体層は、第１の誘電体膜と、第２の誘電体膜と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
【請求項３】
前記第１の誘電体膜は酸化ハフニウムであり、前記第２の誘電体膜は酸化アルミニウムであることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項４】
前記画素電極及び前記容量電極はＩＴＯ膜であり、前記画素電極の膜厚及び前記容量電極の膜厚は、１２６ｎｍから１５４ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電気光学装置。
【請求項５】
前記画素電極の膜厚は１４０ｎｍから１５４ｎｍの範囲にあり、前記容量電極の膜厚は１２６ｎｍから１４０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項６】
前記画素電極の膜厚は１２６ｎｍから１４０ｎｍの範囲にあり、前記容量電極の膜厚は１４０ｎｍから１５４ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置。
【請求項７】
前記誘電体層は、前記第１の誘電体膜と前記第２の誘電体膜とが交互に積層された多層膜であり、前記誘電体層の膜厚は２０ｎｍから５０ｎｍの範囲にあることを特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか１項に記載の電気光学装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置、及び当該電気光学装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記電気光学装置として、例えば液晶プロジェクターの光変調手段（ライトバルブ）として用いられるアクティブ駆動型の液晶装置が挙げられる。該液晶装置の画素は、画素電極と、画素電極をスイッチング制御するトランジスターと、画素電極に書き込まれた画像信号を保持するための蓄積容量とを含む画素回路を有している。
【０００３】
この種の液晶装置では、より明るく、より高いコントラストの画像表示が好ましく、光を変調する表示領域においては光を遮る要素を少なくし、且つ蓄積容量の容量値を大きくし、画素電極における画像信号の電位保持特性を高める必要があった。
【０００４】
このため、表示領域のうち光が透過可能な開口領域において、トランジスター素子の上層に設けられた透明導電膜と、該透明導電膜上に形成された透光性の誘電体膜と、該トランジスター素子に電気的に接続された透明な画素電極と、で構成された蓄積容量を備えた電気光学装置が提案されていた（特許文献１）。当該電気光学装置は、透明な膜で蓄積容量が構成されているため、光の利用効率（透過率）の低下を抑制しつつ、蓄積容量の大容量化を図ることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１７６１１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、透光性の誘電体膜を挟んで透明導電膜と透明な画素電極とを単純に重ねただけでは、開口領域を透過する光がこれらの薄膜に吸収されたり、これら薄膜の界面で反射したりして、必ずしも所望の透過率を得ることができないおそれがあった。言い換えれば、画素の開口領域に透光性の蓄積容量を設けた場合に、開口領域を透過する光の透過率を最適化する必要があるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る電気光学装置は、基板と、画素電極と、前記基板と前記画素電極との間で前記画素電極に対向配置された容量電極と、前記画素電極と前記容量電極との間に挟まれた誘電体層とを含む蓄積容量と、を備え、前記基板及び前記蓄積容量を透過する光の分光分布が、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長範囲と、４００ｎｍから４６０ｎｍの波長範囲と、でピークを有することを特徴とする。
【０００９】
本適用例に係る電気光学装置は、基板と、画素電極と容量電極と誘電体層とを含む蓄積容量と、を備え、基板及び蓄積容量を透過する光の分光分布が、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長範囲と、４００ｎｍから４６０ｎｍの波長範囲と、で透過率が大きくなるピークを有するようになっている。
５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長範囲の光は、人間の視感度特性で感度が高い波長範囲の光であり、表示の明るさに最も影響を及ぼす光に相当する。従って、人間の視感度特性で感度が高い波長範囲の光に対して高い透過率を有することで、より明るい表示の電気光学装置を提供することができる。
４００ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲の光は、可視光域における短波長側の光であり、可視光域における長波長側の光と比べて、高い光エネルギーを有し、電気光学装置の劣化（光劣化）を進行させやすい。当該短波長側の光に対して高い透過率を有するということは、当該短波長側の光の吸収や反射が小さくなるということであり、当該短波長側の光の吸収や反射の影響が小さくなる。すなわち、当該短波長側の光の影響を受けにくく、当該短波長側の光による劣化が進行しにくくなる。従って、光の劣化が進行しにくく、耐光性に優れた、高信頼性の電気光学装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記誘電体層は、第１の誘電体膜と、第２の誘電体膜と、を含むことが好ましい。
【００１１】
第１の誘電体膜に欠陥（例えば、ピンホール）が生じた場合に、第１の誘電体膜の欠陥個所は第２の誘電体膜で補償される。すなわち、誘電体層を、第１の誘電体膜と、第２の誘電体膜とを含んで構成することによって、誘電体層の欠陥密度を小さくし、誘電体層をより薄膜化することがきる。誘電体層を薄膜化することで、誘電体層は、可視光域の光に対して高い透明性を有する、すなわち５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長範囲の光と、４００ｎｍから４６０ｎｍの波長範囲の光とに対して、高い透過率を有するようになる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記第１の誘電体膜は酸化ハフニウムであり、前記第２の誘電体膜は酸化アルミニウムであることが好ましい。
【００１３】
第１の誘電体膜の構成材料である酸化ハフニウムは、誘電率が大きいという特長を有し、第２の誘電体膜の構成材料である酸化アルミニウムは、リーク電流が小さいという特長を有している。誘電体層を酸化ハフニウムと酸化アルミニウムとの積層構造とすることで、大きな容量密度を有し、低リーク電流で耐圧性に優れた容量素子（蓄積容量）を形成することができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記画素電極及び前記容量電極はＩＴＯ膜であり、前記画素電極の膜厚及び前記容量電極の膜厚は１２６ｎｍから１５４ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【００１５】
画素電極及び容量電極を透過する光の一部が、画素電極及び容量電極とこれに接する他の膜（層）の界面で反射（多重反射）され、当該反射光と、画素電極及び容量電極を透過する光との間で光の干渉（多重干渉）が生じる場合に、画素電極及び容量電極を透過する光の透過率は、画素電極及び容量電極の光路長（膜厚×屈折率）や光の波長などによって変化する。例えば、画素電極及び容量電極を透過する光の波長によっては、当該光の干渉によって光が減衰し、画素電極及び容量電極を透過する光の透過率が低下する場合がある。
画素電極の膜厚及び容量電極の膜厚が１２６ｎｍから１５４ｎｍの範囲にあると、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長範囲の光、及び４００ｎｍから４６０ｎｍの波長範囲の光に対して、当該光の干渉による光の減衰が抑制され、画素電極及び容量電極を透過する光の透過率の低下が抑制される。従って、画素電極の膜厚及び容量電極の膜厚が１２６ｎｍから１５４ｎｍの範囲にあると、蓄積容量は、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長範囲と、４００ｎｍから４６０ｎｍの波長範囲とで、高い透過率を有するようになる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記画素電極の膜厚は１４０ｎｍから１５４ｎｍの範囲にあり、前記容量電極の膜厚は１２６ｎｍから１４０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【００１７】
ＩＴＯ膜で構成される透明電極（画素電極、容量電極）の膜厚が１４０ｎｍである蓄積容量は、明るい環境下で人間の目が最も高感度となる波長（５５５ｎｍ）付近で、光の透過率が大きくなるピークを有し、より明るい表示を提供することができる。
透明電極の膜厚が１４０ｎｍより薄くなると、透過率が大きくなるピークの波長（ピーク波長）は５５５ｎｍよりも短波長側にシフトし、透明電極の膜厚が１４０ｎｍより厚くなると、ピーク波長は５５５ｎｍよりも長波長側にシフトする。画素電極の膜厚を１４０ｎｍから１５４ｎｍの範囲に設定し（１４０ｎｍよりも厚くし）、容量電極の膜厚を１２６ｎｍから１４０ｎｍの範囲に設定すると（１４０ｎｍよりも薄くすると）、画素電極の膜厚を１４０ｎｍよりも厚くしたことの影響と、容量電極の膜厚を１４０ｎｍよりも薄くしたことの影響とが相殺され、画素電極及び容量電極の膜厚が１４０ｎｍである場合と略同様のピーク波長を有するようになる。すなわち、本適用例の蓄積容量は、明るい環境下で人間の目が最も高感度となる波長（５５５ｎｍ）付近で透過率が大きくなるピークを有するので、より明るい表示を提供することができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記画素電極の膜厚は１２６ｎｍから１４０ｎｍの範囲にあり、前記容量電極の膜厚は１４０ｎｍから１５４ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【００１９】
ＩＴＯ膜で構成される透明電極（画素電極、容量電極）の膜厚が１４０ｎｍである蓄積容量は、明るい環境下で人間の目が最も高感度となる波長（５５５ｎｍ）付近で、光の透過率が大きくなるピークを有し、より明るい表示を提供することができる。
透明電極の膜厚が１４０ｎｍより薄くなると、透過率が大きくなる光の波長（ピーク波長）は５５５ｎｍよりも短波長側にシフトし、透明電極の膜厚が１４０ｎｍより厚くなると、ピーク波長は５５５ｎｍよりも長波長側にシフトする。画素電極の膜厚を１２６ｎｍから１４０ｎｍの範囲に設定し（１４０ｎｍよりも薄くし）、容量電極の膜厚を１４０ｎｍから１５４ｎｍの範囲に設定すると（１４０ｎｍよりも厚くすると）、画素電極の膜厚を１４０ｎｍよりも薄くしたことの影響と、容量電極の膜厚を１４０ｎｍよりも厚くしたことの影響とが相殺され、画素電極及び容量電極の膜厚が１４０ｎｍである場合と略同様のピーク波長を有するようになる。すなわち、本適用例の蓄積容量は、明るい環境下で人間の目が最も高感度となる波長（５５５ｎｍ）付近で透過率が大きくなるピークを有するので、より明るい表示を提供することができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に記載の電気光学装置において、前記誘電体層は前記第１の誘電体膜と前記第２の誘電体膜とが交互に積層された多層膜であり、前記誘電体層の膜厚は２０ｎｍから５０ｎｍの範囲にあることが好ましい。
【００２１】
誘電体層の膜厚は２０ｎｍから５０ｎｍの範囲にあり、誘電体層は極めて薄い薄膜であるので、可視光に対して高い透明性を有している。すなわち、誘電体層は、５３０ｎｍから５９０ｎｍの波長範囲の光と、４００ｎｍから４６０ｎｍの波長範囲の光とに対して、高い透過率を有するようになる。
【００２２】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００２３】
本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備え、人間の視感度特性で感度が高い波長範囲の光が高効率で活用され、光劣化が進行しやすい波長範囲の光の影響が小さくなっているので、明るい表示品位と優れた耐光性（高い信頼性）とを有する。例えば、投射型表示装置、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、電子手帳などの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】（ａ）は実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図。
【図２】実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】画素の配置を示す概略平面図。
【図４】（ａ）は画素における薄膜トランジスター及び信号線の配置を示す概略平面図、（ｂ）は画素における容量電極及び画素電極の配置を示す概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線で切った画素の構造を示す概略断面図。
【図６】図３のＢ−Ｂ’線で切った画素の構造を示す概略断面図。
【図７】開口領域を透過する光の進路を示す模式図。
【図８】画素電極の膜厚及び容量電極の膜厚を同じ膜厚で変化させた場合の分光特性。
【図９】画素電極の膜厚を１４０ｎｍとし、容量電極の膜厚を１４０ｎｍから１８２ｎｍに変化させた場合の分光特性。
【図１０】画素電極の膜厚を１４０ｎｍとし、容量電極の膜厚を１４０ｎｍから９８ｎｍに変化させた場合の分光特性。
【図１１】容量電極の膜厚を１４０ｎｍとし、画素電極の膜厚を１４０ｎｍから１８２ｎｍに変化させた場合の分光特性。
【図１２】容量電極の膜厚を１４０ｎｍとし、画素電極の膜厚を１４０ｎｍから９８ｎｍに変化させた場合の分光特性。
【図１３】画素電極または容量電極の一方を１４０ｎｍより薄くし、他方を１４０ｎｍよりも厚くした場合の分光特性。
【図１４】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。係る実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００２６】
（実施形態１）
「液晶装置の概要」
実施形態１に係る液晶装置１００は、電気光学装置の一例であり、薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型の液晶装置である。本実施形態に係る液晶装置１００は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子として好適に使用することができるものである。
【００２７】
まず、本実施形態に係る液晶装置１００の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、同図（ｂ）は同図（ａ）のＨ−Ｈ’線で切った概略断面図、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２８】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。
【００２９】
素子基板１０は、対向基板２０よりも一回り大きい。素子基板１０と対向基板２０とは、額縁状に配置されたシール材４０を介して接合され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材４０は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材４０には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３０】
額縁状に配置されたシール材４０の内側には、同じく額縁状に遮光膜２１が設けられている。遮光膜２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜２１の内側が表示領域Ｅとなっている。表示領域Ｅには、マトリックス状に画素Ｐが複数配置されている。表示領域Ｅは、表示に寄与する有効な複数の画素Ｐを囲むように配置された複数のダミー画素を含んでいるとしてもよい。なお、図１では図示省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光部が設けられている。
【００３１】
素子基板１０の複数の外部接続用端子１０４が配列した１辺部と該１辺部に沿ったシール材４０との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４０の内側に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４０の内側に走査線駆動回路１０２が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部のシール材４０の内側には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０４に接続されている。
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向、及び素子基板１０から対向基板２０に向かう方向をＺ方向として説明する。
【００３２】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１０ａ、並びに素子基板本体１０ａの液晶層５０側の面に形成された薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；以降ＴＦＴと称す）３０や画素電極１５、及び画素電極１５を覆う配向膜１８などを有している。素子基板本体１０ａは、例えば石英やガラスなどの透明材料で構成されている。また、ＴＦＴ３０や画素電極１５は画素Ｐの構成要素であり、画素ＰはＸ方向及びＹ方向にマトリックス状に配列されている。画素Ｐの詳細は、後述する。
なお、素子基板本体１０ａは、本発明における「基板」の一例である。
【００３３】
対向基板２０は、対向基板本体２０ａ、並びに対向基板本体２０ａの液晶層５０側の面に順に積層された遮光膜２１、層間絶縁膜２２、対向電極２３、及び配向膜２４などを有している。
対向基板本体２０ａは、例えば石英やガラスなどの透明材料で構成されている。
【００３４】
遮光膜２１は、図１（ａ）に示すように平面視でデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置において額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路を含む周辺回路の光による誤動作を防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３５】
層間絶縁膜２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜２１を覆うように設けられている。また、層間絶縁膜２２は、遮光膜２１によって基板上に生ずる凹凸を緩和する平坦化層としても機能している。このような層間絶縁膜２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３６】
対向電極２３は、例えばＩＴＯなどの透明導電膜からなり、層間絶縁膜２２を覆うと共に、表示領域Ｅに亘って形成される。対向電極２３は、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
【００３７】
画素電極１５を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、酸化シリコンなどの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）で構成されている。また、配向膜１８，２４は、ポリイミドなどの有機配向膜を使用してもよい。
【００３８】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線３ａ及び複数のデータ線６ａと、走査線３ａに対して平行に延在する容量線３ｂと、を有する。
【００３９】
走査線３ａとデータ線６ａとにより区分された領域に、画素電極１５と、ＴＦＴ３０と、蓄積容量１７とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４０】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソースに電気的に接続されている。画素電極１５はＴＦＴ３０のドレインに電気的に接続されている。
【００４１】
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは走査線駆動回路１０２（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０２から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路１０２は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングでパルス的に線順次で供給する。
【００４２】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極１５に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１５を介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極１５と液晶層５０を介して対向配置された対向電極２３との間で一定期間保持される。
【００４３】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するために、画素電極１５と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量１７が接続されている。蓄積容量１７は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３ｂとの間に設けられている。詳しくは後述するが、蓄積容量１７を構成する一対の透光性電極のうちの一方が容量線３ｂとして機能している。
【００４４】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では省略している。また、検査回路１０３は、上記画像信号をサンプリングしてデータ線６ａに供給するサンプリング回路、データ線６ａに所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して供給するプリチャージ回路を含むものとしてもよい。
【００４５】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子（図示省略）が配置されて用いられる。
【００４６】
「画素の概要」
次に、画素Ｐの概要について、図３〜図６を参照して説明する。
図３は液晶装置における画素の配置を示す概略平面図、図４（ａ）は画素における薄膜トランジスター及び信号線の配置を示す概略平面図、同図（ｂ）は画素における蓄積容量を構成する容量電極及び画素電極の配置を示す概略平面図、図５は図４のＡ−Ａ’線で切った画素の構造を示す概略断面図、図６は図３のＢ−Ｂ’線で切った画素の構造を示す概略断面図である。
【００４７】
図３に示すように、液晶装置１００における画素Ｐは、例えば平面的に略四角形（略正方形）の開口領域を有する。開口領域は、Ｘ方向とＹ方向とに延在し格子状に設けられた遮光性の非開口領域により囲まれている。
【００４８】
Ｘ方向に延在する非開口領域には、図２に示した走査線３ａが設けられている。走査線３ａは遮光性の導電部材が用いられており、走査線３ａによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００４９】
同じく、Ｙ方向に延在する非開口領域には、図２に示したデータ線６ａが設けられている。データ線６ａも遮光性の導電部材が用いられており、これらによって非開口領域の少なくとも一部が構成されている。
【００５０】
非開口領域は、素子基板１０側に設けられた上記信号線類によって構成されるだけでなく、対向基板２０側において格子状にパターニングされた遮光膜２１によっても構成されている。
【００５１】
非開口領域の交差部付近には、図２に示したＴＦＴ３０が設けられている。遮光性を有する非開口領域の交差部付近にＴＦＴ３０を設けることにより、ＴＦＴ３０の光誤動作を防止すると共に、開口領域における開口率を確保している。詳しい画素Ｐの構造については後述するが、交差部付近にＴＦＴ３０を設ける関係上、交差部付近の非開口領域の幅は、他の部分に比べて広くなっている。
【００５２】
次に、図４〜図６を参照して画素Ｐの画素回路における薄膜トランジスターなどの各構成要素について説明する。
図４に示すように、画素Ｐは、走査線３ａとデータ線６ａとの交差部に設けられたＴＦＴ３０を有している。ＴＦＴ３０は、データ線側ソース・ドレイン領域３０ｓと、チャネル領域３０ｃと、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄと、データ線側ソース・ドレイン領域３０ｓとチャネル領域３０ｃとの間に設けられた接合領域３０ｅと、チャネル領域３０ｃと画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄとの間に設けられた接合領域３０ｆとを有するＬＤＤ（Lightly  Doped  Drain）構造の半導体層３０ａを有している。半導体層３０ａは上記交差部を通過して、走査線３ａと重なるように配置されている。
【００５３】
走査線３ａはデータ線６ａとの交差部において、Ｘ，Ｙ方向に拡張された平面視で四角形の拡張部を有している。当該拡張部に平面的に重なると共に接合領域３０ｆ及び画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄと重ならない開口部を有する折れ曲がった形状のゲート電極３０ｇが設けられている。
【００５４】
ゲート電極３０ｇは、Ｙ方向に延在した部分が平面的にチャネル領域３０ｃと重なっている。また、チャネル領域３０ｃと重なった部分から折り曲げられてＸ方向に延在し、互いに対向する部分がそれぞれ走査線３ａの拡張部との間に設けられたコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４によって、走査線３ａと電気的に接続している。
【００５５】
コンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４は、平面視でＸ方向が長い矩形状（長方形）であって、半導体層３０ａのチャネル領域３０ｃと接合領域３０ｆとに沿って接合領域３０ｆを挟むように両側に設けられている。
【００５６】
データ線６ａは、Ｙ方向に延在すると共に、走査線３ａとの交差部において同じく四角形の拡張部を有し、当該拡張部からＸ方向に突出した突出部６ｃに設けられたコンタクトホールＣＮＴ１によってデータ線側ソース・ドレイン領域３０ｓと電気的に接続している。コンタクトホールＣＮＴ１を含む部分がソース電極３１となっている。一方、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄの端部にもコンタクトホールＣＮＴ２が設けられており、コンタクトホールＣＮＴ２を含む部分がドレイン電極３２となっている。
【００５７】
走査線３ａの延在方向（Ｘ方向）において、コンタクトホールＣＮＴ２に隣り合うようにコンタクトホールＣＮＴ５，ＣＮＴ７が設けられている。コンタクトホールＣＮＴ２とコンタクトホールＣＮＴ５とは島状に設けられた第１中継電極６ｂを介して電気的に接続されている。コンタクトホールＣＮＴ５とコンタクトホールＣＮＴ７とは同じく島状に設けられた第２中継電極７ｂを介して電気的に接続されている。
【００５８】
図４（ｂ）に示すように、画素電極１５は、前述した開口領域（図３参照）と平面的に重なると共に外縁部が非開口領域（図３参照）に掛かるように配置されている。また、画素電極１５はコンタクトホールＣＮＴ７との電気的な接続を図るための突出部１５ａを有している。つまり、画素電極１５は画素Ｐごとに設けられた略四角形（略正方形）の島状となっている。
【００５９】
容量電極１６は、透光性材料で構成され、Ｘ方向及びＹ方向にマトリックス状に配置された複数の画素Ｐに跨るように設けられている。容量電極１６は、画素Ｐごとに画素電極１５と平面的に重なり、蓄積容量１７を構成する。コンタクトホールＣＮＴ７で画素電極１５と容量電極１６とが接触しないように、容量電極１６は、第２中継電極７ｂと平面的に重なる部分に開口部１６ｃｈを有している。容量電極１６は、表示領域Ｅに亘るように設けられ、複数の画素Ｐに共通する容量線３ｂ（図２参照）の機能も有している。容量電極１６の一部は、表示領域Ｅの外側に引き出され、固定電位が供給される配線に電気的に接続されている。
【００６０】
図５に示すように、素子基板本体１０ａ上には、まず走査線３ａが形成される。走査線３ａは、半導体層３０ａを遮光する遮光膜を兼ねており、例えばＡｌ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏなどの金属のうちの少なくとも１つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらが積層されたものを用いることができ、遮光性を有している。
【００６１】
走査線３ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる下地絶縁膜９が形成され、下地絶縁膜９上に島状に半導体層３０ａが形成される。半導体層３０ａは例えば多結晶シリコン膜からなり、不純物イオンが注入されて、前述したデータ線側ソース・ドレイン領域３０ｓ、接合領域３０ｅ、チャネル領域３０ｃ、接合領域３０ｆ、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄを有するＬＤＤ構造が形成されている。
【００６２】
半導体層３０ａを覆うように例えば酸化シリコンなどからなる第１絶縁膜（ゲート絶縁膜）１１ａが形成される。さらに第１絶縁膜１１ａを挟んでチャネル領域３０ｃに対向する位置にゲート電極３０ｇが形成される。ゲート電極３０ｇは例えば多結晶シリコン膜を用いて形成することができ、同時に下地絶縁膜９と第１絶縁膜１１ａとを貫通して走査線３ａ（拡張部）とゲート電極３０ｇとを電気的に接続するコンタクトホールＣＮＴ３，ＣＮＴ４（図４参照）も形成される。
【００６３】
ゲート電極３０ｇと第１絶縁膜１１ａとを覆うようにして例えば酸化シリコンなどからなる第２絶縁膜１１ｂが形成される。半導体層３０ａのデータ線側ソース・ドレイン領域３０ｓに重なる第１絶縁膜１１ａと第２絶縁膜１１ｂとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ１が形成される。同じく、半導体層３０ａの画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄに重なる第１絶縁膜１１ａと第２絶縁膜１１ｂとを貫通するコンタクトホールＣＮＴ２が形成される。続いて、第２絶縁膜１１ｂを覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜を成膜してパターニングすることにより、データ線側ソース・ドレイン領域３０ｓにコンタクトホールＣＮＴ１を介して電気的に接続されるデータ線６ａが形成される。同時に、画素電極側ソース・ドレイン領域３０ｄにコンタクトホールＣＮＴ２を介して電気的に接続される第１中継電極６ｂが形成される。
【００６４】
続いて、データ線６ａ及び第１中継電極６ｂを覆うように第１層間絶縁膜１２が形成される。第１層間絶縁膜１２は、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生ずる表面の凹凸を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical  Mechanical  Polishing；ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。
【００６５】
第１中継電極６ｂと重なる位置に第１層間絶縁膜１２を貫通するコンタクトホールＣＮＴ５が形成される。このコンタクトホールＣＮＴ５を被覆すると共に第１層間絶縁膜１２を覆うように例えばＡｌなどの遮光性の金属からなる導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、配線７ａと、コンタクトホールＣＮＴ５を介して第１中継電極６ｂに電気的に接続される第２中継電極７ｂとが形成される。
配線７ａは、平面的にＴＦＴ３０の半導体層３０ａやデータ線６ａと重なるように形成され、固定電位が与えられてシールド層として機能するものである。
【００６６】
配線７ａと第２中継電極７ｂとを覆うように第２層間絶縁膜１３が形成される。第２層間絶縁膜１３も、例えばシリコンの酸化物や窒化物あるいは酸窒化物を用いて形成することができ、ＣＭＰ処理などの平坦化処理が施される。
【００６７】
次に、第２層間絶縁膜１３を覆うように例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、容量線３ｂとして機能する容量電極１６が形成される。上述したように、容量電極１６は、少なくとも複数の画素Ｐが含まれる表示領域Ｅに亘って形成されると共に、第２中継電極７ｂと平面的に重なる部分に開口部１６ｃｈが形成される。
【００６８】
次に、容量電極１６を覆うように誘電体層１４が成膜される。誘電体層１４は、第１の誘電体膜（図示省略）と第２の誘電体膜（図示省略）とが交互に積層された多層膜である。
【００６９】
第１の誘電体膜は酸化ハフニウム（ＨｆＯ2）であり、第２の誘電体膜は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）である。誘電体層１４は、酸化ハフニウム（第１の誘電体膜）と、酸化アルミニウム（第２の誘電体膜）と、酸化ハフニウム（第１の誘電体膜）と、酸化アルミニウム（第２の誘電体膜）と、酸化ハフニウム（第１の誘電体膜）とが順に積層された５層構造を有している。酸化ハフニウムは誘電率が大きいという特長を有し、酸化アルミニウムはリーク電流が小さいという特長を有している。誘電体層１４を酸化ハフニウムと酸化アルミニウムとの積層構造とすることで、大きな容量密度を有し、低リーク電流で耐圧性に優れた容量素子（蓄積容量１７）を形成することができる。
なお、誘電体層１４を構成する材料としては、酸化ハフニウムや酸化アルミニウムの他に、シリコン窒化膜や酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）などを使用することができる。誘電体層１４は、本実施形態の５層構造に限定されず、これ以上の積層数でも、これ以下の積層数であっても良い。
【００７０】
誘電体層１４の膜厚は、電気容量を考慮して２０ｎｍ〜５０ｎｍである。誘電体層１４は、このように極めて薄い薄膜であり、可視光に対して高い透明性を有している。すなわち、誘電体層１４の膜厚が２０ｎｍ〜５０ｎｍであれば、誘電体層１４が５層以上の積層数を有していても可視光（４００ｎｍ〜８００ｎｍの波長範囲の光）の透過は阻害されず、誘電体層１４は可視光に対して高い透明性を有する。
【００７１】
次に、第２中継電極７ｂと重なる位置に第２層間絶縁膜１３及び誘電体層１４を貫通するコンタクトホールＣＮＴ７が形成される。そして、コンタクトホールＣＮＴ７を被覆すると共に、誘電体層１４を覆う例えばＩＴＯなどの透明導電膜が成膜され、これをパターニングすることにより、コンタクトホールＣＮＴ７を介して第２中継電極７ｂに電気的に接続される画素電極１５が形成される。
画素電極１５は容量電極１６と平面的に重なり、画素電極１５と誘電体層１４と容量電極１６とによって、透光性の蓄積容量１７が画素Ｐごとに形成される。配向膜１８は、表示領域Ｅの全域を覆い、上述した酸化シリコンなどの無機配向膜で構成されている。
【００７２】
このような素子基板１０の配線構造によれば、ＴＦＴ３０のドレイン電極３２は、第１中継電極６ｂ、コンタクトホールＣＮＴ５、第２中継電極７ｂ、コンタクトホールＣＮＴ７を介して画素電極１５と電気的に接続される。
【００７３】
図６に示すように、画素Ｐの開口領域には、透明な素子基板本体１０ａの液晶層５０側の面には、下地絶縁膜９と、第１絶縁膜１１ａと、第２絶縁膜１１ｂと、第１層間絶縁膜１２と、第２層間絶縁膜１３と、透光性の容量電極１６と、誘電体層１４と、画素電極１５と、配向膜１８と、が順に積層されている。
【００７４】
下地絶縁膜９、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３などの絶縁膜は、前述したようにシリコンの酸化物（酸化シリコン）または窒化物あるいは酸窒化物からなるため、素子基板本体１０ａの構成材料の例えば石英とほぼ同じ屈折率（可視光領域で１．４〜１．５）を有している。このように、素子基板１０の素子基板本体１０ａから第２層間絶縁膜１３までの構成要素では、それぞれの屈折率がほぼ同じであるため、これらの層（膜）を透過する可視光は、層（膜）の界面で反射したり、屈折したりすることがほとんどないので、その光の強度（透過率）が減衰し難い。
【００７５】
これに対して、第２層間絶縁膜１３から上の部分（蓄積容量１７が形成された部分）では、第２層間絶縁膜１３（可視光域で屈折率が１．４〜１．５）と、容量電極１６（ＩＴＯならば可視光域で屈折率が１．５〜１．９）と、誘電体層１４（可視光域で屈折率が１．９〜２．０（酸化ハフニウム））と、画素電極１５（ＩＴＯならば可視光域で屈折率が１．５〜１．９）と、配向膜１８（屈折率が１．４〜１．５（酸化シリコン）と、が積層された構造を有している。このように、素子基板１０の第２層間絶縁膜１３か配向膜１８までの構成要素は、蓄積容量１７を構成する透明導電膜（画素電極１５、容量電極１６）が、異なる屈折率の透光性薄膜（第２層間絶縁膜１３、誘電体層１４、配向膜１８）によって挟まれた構造を有し、当該透明導電膜と当該透光性薄膜との間で、光の反射（多重反射）が生じる。そして、当該透明導電膜と当該透光性薄膜との間で反射される光と、当該透明導電膜を透過する光とが干渉（多重干渉）し、当該透明導電膜を透過する光の透過率（輝度）が変動する。この光の干渉は、当該透明導電膜（画素電極１５、容量電極１６）の光路長（膜厚×屈折率）や、光の波長などによって変化する。
【００７６】
例えば、画素電極１５及び容量電極１６を透過する光の波長によっては、反射される光と透過する光との間の干渉によって、画素電極１５及び容量電極１６を透過する光が減衰する（透過率が低下する）場合がある。また、画素電極１５及び容量電極１６を透過する光の波長によっては、反射される光と透過する光との間の干渉によって、画素電極１５及び容量電極１６を透過する光が増幅する（透過率が増加する）場合がある。
【００７７】
「要求される分光特性（目標性能）」
次に、図７を参照して液晶装置１００（素子基板１０）に要求される分光特性（目標性能）の概要を説明する。
図７は、図３に示す開口領域を透過する光の進路を示す模式図である。図中で符号Ｋ１が付された矢印は、光源（図示省略）から発せられ素子基板１０に入射する光を示しており、以降入射光Ｋ１と称す。符号Ｋ２が付された矢印は、素子基板１０（蓄積容量１７）を透過し、素子基板１０から出射される光を示しており、以降出射光Ｋ２と称す。符号Ｋ３が付された矢印は、蓄積容量１７（画素電極１５、容量電極１６）で反射される光を示しており、以降反射光Ｋ２と称す。
【００７８】
図７に示すように、光源から発した光Ｋ１は、Ｚ（−）方向、すなわち対向基板２０から素子基板１０向けて進行する。素子基板１０に入射した入射光Iは、素子基板１０を透過する出射光Ｋ２と、蓄積容量１７で反射される反射光Ｋ３と、素子基板１０の中で吸収される吸収光とに分かれる。素子基板１０の中で吸収される光は微弱であるので、入射光Ｋ１は、出射光Ｋ２と反射光Ｋ３とに分かれると考えて良い。
【００７９】
出射光Ｋ２は、液晶装置１００を透過し、表示に寄与する表示光となる。出射光Ｋ２の輝度が大きくなると明るい表示となるので、出射光Ｋ２の輝度は大きい方が好ましい。一方、反射光Ｋ３は、表示に寄与しない光であり、配向膜１８，２４や液晶層５０を透過し、Ｚ（＋）方向、すなわち素子基板１０から対向基板２０に向けて進行する。反射光Ｋ３は、配向膜１８，２４や液晶層５０の劣化（光劣化）を招く恐れがあるので、反射光Ｋ３の輝度は小さい方が好ましい。また、出射光Ｋ２の輝度と、反射光Ｋ３の輝度とは背反の関係にある。具体的には、反射光Ｋ３の輝度が小さくなった分、出射光Ｋ２の輝度が大きくなるという関係にある。
【００８０】
上述したように、出射光Ｋ２の輝度（透過率）は、画素電極１５の膜厚、容量電極１６の膜厚、入射光Ｋ１の波長などによって変化する。入射光Ｋ１の全波長域において、出射光Ｋ２の輝度を大きくすることは難しく、液晶装置１００の用途に応じて、液晶装置１００の分光特性を最適化する必要がある。
【００８１】
本実施形態の液晶装置１００は、後述する液晶プロジェクターに好適に使用できる光変調素子（ライトバルブ）である。当該液晶プロジェクターでは、光源から、青の波長範囲（４００ｎｍ〜５００ｎｍ）の光、緑の波長範囲（５００ｎｍ〜６００ｎｍ）、及び赤の波長範囲（６００ｎｍ〜７００ｎｍ）の光が発せられ、光変調素子としての液晶装置１００に入射する。そして、光変調素子としての液晶装置１００には、より明るい表示を提供することや、強い光に曝されても光変調素子としての性能が劣化しにくいこと（耐光性）などの性能が要求される。このため、本実施形態では、以下の項目を目標性能として、液晶装置１００の分光特性の最適化を図った。
【００８２】
１）人間の視感度特性で感度が高い波長範囲の光、具体的には５３０ｎｍ〜５９０ｎｍの波長範囲の出射光Ｋ２の輝度（光の透過率）を大きくする。人間の視感度特性で感度が高い波長範囲の光は、表示の明るさに最も影響を及ぼし、この波長範囲の光の透過率を高くすると、明るい表示が得られる。
【００８３】
２）配向膜１８，２４や液晶層５０に影響しやすい短波長域の光、具体的には４００ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲の光の透過率を大きくし、４００ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲の反射光Ｋ３を弱くする。４００ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲の反射光Ｋ３が弱くなると、反射光Ｋ３による配向膜１８，２４や液晶層５０の劣化が進行しにくくなり、耐光性が向上する。
【００８４】
本実施形態では、試作実験や光学的シミュレーションなどを繰り返し、５３０ｎｍ〜５９０ｎｍの波長範囲の光の透過率、及び４００ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲の光の透過率が高くなるように、蓄積容量１７を構成する画素電極１５及び容量電極１６の膜厚の最適化を図った。すなわち、試作実験や光学的シミュレーションなどを繰り返し、素子基板本体１０ａや蓄積容量１７を透過する光の分光分布が、５３０ｎｍ〜５９０ｎｍの波長範囲、及び４００ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲において、透過率が大きくなるピークを有するように、画素電極１５及び容量電極１６の膜厚の最適化を図った。そして、試作実験や光学的シミュレーションなどを繰り返した結果、５３０ｎｍ〜５９０ｎｍの波長範囲及び４００ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲のそれぞれにおいて、安定して透過率が大きくなるピークを形成する条件を見出すに至った。
【００８５】
「画素電極及び容量電極の好適条件」
次に、具体的な実施例、比較例を挙げて、画素電極１５及び容量電極１６の好適条件を説明する。
【００８６】
（実施例１）
実施例１は、画素電極１５及び容量電極１６がＩＴＯで構成され、画素電極１５の膜厚は１４０ｎｍであり、容量電極１６の膜厚は１４０ｎｍである。
【００８７】
（実施例２）
実施例２は、画素電極１５及び容量電極１６がＩＴＯで構成され、実施例１に対して、容量電極１６の膜厚を１０％（１４ｎｍ）厚くして、１５４ｎｍに設定したものである。
【００８８】
（実施例３）
実施例３は、画素電極１５及び容量電極１６がＩＴＯで構成され、実施例１に対して、容量電極１６の膜厚を１０％（１４ｎｍ）薄くして、１２６ｎｍに設定したものである。
【００８９】
（実施例４）
実施例４は、画素電極１５及び容量電極１６がＩＴＯで構成され、実施例１に対して、画素電極１５の膜厚を１０％（１４ｎｍ）厚くして、１５４ｎｍに設定したものである。
【００９０】
（実施例５）
実施例５は、画素電極１５及び容量電極１６がＩＴＯで構成され、実施例１に対して、画素電極１５の膜厚を１０％（１４ｎｍ）薄くして、１２６ｎｍに設定したものである。
【００９１】
（実施例６）
実施例６は、画素電極１５及び容量電極１６がＩＴＯで構成され、実施例１に対して、画素電極１５の膜厚を１０％（１４ｎｍ）薄くして１２６ｎｍに設定し、容量電極１６の膜厚を１０％（１４ｎｍ）厚くして１５４ｎｍに設定したものである。
【００９２】
（実施例７）
実施例７は、画素電極１５及び容量電極１６がＩＴＯで構成され、実施例１に対して、画素電極１５の膜厚を１０％（１４ｎｍ）厚くして１５４ｎｍに設定し、容量電極１６の膜厚を１０％（１４ｎｍ）薄くして１２６ｎｍに設定したものである。
【００９３】
（比較例１）
比較例１は、実施例１に対して、画素電極１５及び容量電極１６の膜厚を、およそ２９％（４０ｎｍ）薄くして１００ｎｍに設定したものである。
【００９４】
（比較例２）
比較例２は、実施例１に対して、画素電極１５及び容量電極１６の膜厚を、およそ１４％（２０ｎｍ）薄くして１２０ｎｍに設定したものである。
【００９５】
（比較例３）
比較例３は、実施例１に対して、画素電極１５及び容量電極１６の膜厚を、およそ１４％（２０ｎｍ）厚くして１６０ｎｍに設定したものである。
【００９６】
（比較例４）
比較例４は、実施例１に対して、画素電極１５及び容量電極１６の膜厚を、およそ２９％（４０ｎｍ）厚くして１８０ｎｍに設定したものである。
【００９７】
（比較例５）
比較例５は、実施例１に対して、容量電極１６の膜厚を、およそ２０％（２８ｎｍ）厚くして１６８ｎｍに設定したものである。
【００９８】
（比較例６）
比較例６は、実施例１に対して、容量電極１６の膜厚を、およそ３０％（４２ｎｍ）厚くして１８２ｎｍに設定したものである。
【００９９】
（比較例７）
比較例７は、実施例１に対して、容量電極１６の膜厚を、およそ２０％（２８ｎｍ）薄くして１１２ｎｍに設定したものである。
【０１００】
（比較例８）
比較例８は、実施例１に対して、容量電極１６の膜厚を、およそ３０％（４２ｎｍ）薄くして９８ｎｍに設定したものである。
【０１０１】
（比較例９）
比較例９は、実施例１に対して、画素電極１５の膜厚を、およそ２０％（２８ｎｍ）厚くして１６８ｎｍに設定したものである。
【０１０２】
（比較例１０）
比較例１０は、実施例１に対して、画素電極１５の膜厚を、およそ３０％（４２ｎｍ）厚くして１８２ｎｍに設定したものである。
【０１０３】
（比較例１１）
比較例１１は、実施例１に対して、画素電極１５の膜厚をおよそ２０％（２８ｎｍ）薄くして１１２ｎｍに設定したものである。
【０１０４】
（比較例１２）
比較例１２は、実施例１に対して、画素電極１５の膜厚をおよそ３０％（４２ｎｍ）薄くして９８ｎｍに設定したものである。
【０１０５】
以降、図８〜図１３を参照して、実施例１〜実施例７、及び比較例１〜比較例１２における画素電極１５及び容量電極１６の好適例について説明する。
【０１０６】
図８は、実施例１及び比較例１〜比較例４に関する液晶装置の分光特性を示しており、（ａ）は分光分布を示すグラフであり、（ｂ）は透過率が大きくなるピークの波長（以降、ピーク波長と称す）を示す表である。図９は、実施例１と実施例２及び比較例５と比較例６に関する液晶装置の分光特性を示しており、（ａ）は分光分布を示すグラフであり、（ｂ）はピーク波長を示す表である。図１０は、実施例１と実施例３及び比較例７と比較例８に関する液晶装置の分光特性を示しており、（ａ）は分光分布を示すグラフであり、（ｂ）はピーク波長を示す表である。図１１は、実施例１と実施例４及び比較例９と比較例１０に関する液晶装置の分光特性を示しており、（ａ）は分光分布を示すグラフであり、（ｂ）はピーク波長を示す表である。図１２は、実施例１と実施例５及び比較例１１比較例１２に関する液晶装置の分光特性を示しており、（ａ）は分光分布を示すグラフであり、（ｂ）はピーク波長を示す表である。図１３は、実施例１と実施例６と実施例７とに関する液晶装置の分光特性を示しており、（ａ）は分光分布を示すグラフであり、（ｂ）はピーク波長を示す表である。
なお、図８〜図１３において、ピーク波長１は４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長範囲で観測されるピーク波長を、ピーク波長２は５００ｎｍ〜７００ｎｍの波長範囲で観測されるピーク波長を示している。
【０１０７】
図８〜図１３では、上記実施例１〜実施例７、及び上記比較例１〜比較例１２に関して、光学的なシミュレーションによって求めた開口領域を透過する光（透過光Ｋ２）の分光分布がグラフ化されている。また、図８〜図１３における分光分布を示すグラフの縦軸は、の透過率を示し、透過率の最大値を１として指標化されている。
なお、素子基板１０の素子基板本体１０ａから第２層間絶縁膜１３までの構成要素（素子基板本体１０ａ、下地絶縁膜９、第１絶縁膜１１ａ、第２絶縁膜１１ｂ、第１層間絶縁膜１２、第２層間絶縁膜１３）は、可視光域（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）の光に対して透明とし、素子基板１０の第２層間絶縁膜１３か配向膜１８までの構成要素において、異なる屈折率の膜（層）の界面で光の反射が生じるものとして、各実施例や各比較例の光学的シミュレーションを実施した。また、各実施例や各比較例の膜厚構成に相当する試作品を作製し、光学シミュレーションで求めた分光特性と試作品による分光特性の実測値とが一致すること、すなわちシミュレーション結果の妥当性が確認されている。
【０１０８】
図８には、画素電極１５の膜厚及び容量電極１６の膜厚を、それぞれ同じ膜厚で変化させた場合の分光特性が図示されている。図８に示すように、実施例１は、４３０ｎｍ及び５６０ｎｍに透過率が大きくなるピークを有している。すなわち、実施例１は、液晶装置１００は、５３０ｎｍ〜５９０ｎｍの波長範囲及び４００ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲のそれぞれで、透過率が大きくなるピークを有している。これに対して、比較例１のピークの波長は４４０ｎｍであり、比較例２のピークの波長は５００ｎｍであり、比較例３のピークの波長は４７０ｎｍ及び６２０ｎｍであり、比較例４のピークの波長は５００ｎｍ及び６８０ｎｍであり、いずれの場合も５３０ｎｍ〜５９０ｎｍの波長範囲及び４００ｎｍ〜４６０ｎｍの波長範囲の少なくとも一方で、透過率が大きくなるピークを有していない。
【０１０９】
特に、実施例１に係る液晶装置１００は、明るい環境下で人間の目が最も高感度となる光の波長（５５５ｎｍ）付近に透過率が大きくなるピークを有している、すなわち明るい表示を実現するために特に優れた分光特性を有している。さらに、実施例１に係る液晶装置１００は、配向膜１８，２４や液晶層５０の劣化に影響しやすい光の波長範囲でも透過率が大きくなるピークを有し、配向膜１８，２４や液晶層５０を劣化させる反射光Ｋ３が弱くなっているので、反射光Ｋ３による配向膜１８，２４や液晶層５０の劣化が進行しにくく、優れた耐光性を有している。
このように、実施例１は、比較例１〜比較例４と比べて、より明るい表示と優れた耐光性とが実現される。また、実施例１は、人間の視感度特性に対して特に優れた分光特性を有し、より明るい表示を実現することができる。
【０１１０】
図９には、画素電極１５の膜厚を１４０ｎｍ一定とし、容量電極１６の膜厚を１４０ｎｍから１８２ｎｍに変化させた場合の分光特性が図示されている。図９に示すように、実施例２のピークの波長は４４０ｎｍ及び５８０ｎｍであり、比較例５のピークの波長は４５０ｎｍ及び６００ｎｍであり、比較例６のピークの波長は４６０ｎｍ及び６３０ｎｍである。このように、画素電極１５の膜厚が１４０ｎｍ一定の場合、容量電極１６の膜厚が１４０ｎｍ〜１５４ｎｍの範囲で、目標性能を満足する（実施例１、実施例２）。一方、容量電極１６の膜厚が１６８ｎｍ〜１８２ｎｍの範囲では、目標性能を満足しない（比較例５、比較例６）。
従って、画素電極１５の膜厚は１４０ｎｍ、及び容量電極１６の膜厚は１４０ｎｍ〜１５４ｎｍの範囲が好ましい。換言すれば、画素電極１５の膜厚と容量電極１６の膜厚とを共に１４０ｎｍとした場合、容量電極１６の膜厚の変動範囲は、＋１０％（＋１４ｎｍ）まで許容される。
【０１１１】
図１０には、画素電極１５の膜厚を１４０ｎｍとし、容量電極１６の膜厚を１４０ｎｍから９８ｎｍに変化させた場合の分光特性が図示されている。図１０に示すように、実施例３のピークの波長は４１０ｎｍ及び５４０ｎｍであり、比較例７のピークの波長は４００ｎｍ及び５２０ｎｍであり、比較例８のピークの波長は５００ｎｍである。このように、画素電極１５の膜厚が１４０ｎｍ一定の場合、容量電極１６の膜厚が１２６ｎｍ〜１４０ｎｍの範囲で、目標性能を満足する（実施例１、実施例３）。一方、容量電極１６の膜厚が９８ｎｍ〜１１２ｎｍの範囲では、目標性能を満足しない（比較例７、比較例８）。
従って、画素電極１５の膜厚は１４０ｎｍ、及び容量電極１６の膜厚は１２６ｎｍ〜１４０ｎｍの範囲が好ましい。換言すれば、画素電極１５の膜厚と容量電極１６の膜厚とを共に１４０ｎｍとした場合、容量電極１６の膜厚変動範囲は、−１０％（−１４ｎｍ）まで許容される。
【０１１２】
図９と図１０とから、画素電極１５の膜厚が１４０ｎｍの条件では、容量電極１６の膜厚範囲は、１２６ｎｍ〜１５４ｎｍが好ましい。換言すれば、画素電極１５の膜厚と容量電極１６の膜厚とを共に１４０ｎｍとした場合、容量電極１６の膜厚変動範囲は、±１０％（±１４ｎｍ）まで許容される。
【０１１３】
図１１は、容量電極１６の膜厚を１４０ｎｍとし、画素電極１５の膜厚を１４０ｎｍから１８２ｎｍに変化させた場合の分光特性が図示されている。図１１に示すように、実施例４のピークの波長は４４０ｎｍ及び５８０ｎｍであり、比較例９のピークの波長は４５０ｎｍ及び６００ｎｍであり、比較例１０のピークの波長は４６０ｎｍ及び６２０ｎｍである。このように、容量電極１６の膜厚が１４０ｎｍ一定の場合、画素電極１５の膜厚が１４０ｎｍ〜１５４ｎｍの範囲で、目標性能を満足する（実施例１、実施例４）。一方、画素電極１５の膜厚が１６８ｎｍ〜１８２ｎｍの範囲では、目標性能を満足しない（比較例９、比較例１０）。
従って、容量電極１６の膜厚は１４０ｎｍ、及び画素電極１５の膜厚は１４０ｎｍ〜１５４ｎｍの範囲が好ましい。換言すれば、画素電極１５の膜厚と容量電極１６の膜厚とを共に１４０ｎｍとした場合、画素電極１５の膜厚変動範囲は、＋１０％（＋１４ｎｍ）まで許容される。
【０１１４】
図１２は、容量電極１６の膜厚を１４０ｎｍとし、画素電極１５の膜厚を１４０ｎｍから９８ｎｍに変化させた場合の分光特性が図示されている。図１２に示すように、実施例５のピークの波長は４１０ｎｍ及び５４０ｎｍであり、比較例１１のピークの波長は５２０ｎｍであり、比較例１２のピークの波長は５００ｎｍである。このように、容量電極１６の膜厚が１４０ｎｍ一定の場合、画素電極１５の膜厚が１２６ｎｍ〜１４０ｎｍの範囲で、目標性能を満足する（実施例１、実施例５）。一方、画素電極１５の膜厚が９８ｎｍ〜１１２ｎｍの範囲では、目標性能を満足しない（比較例１１、比較例１２）。
従って、画素電極１５の膜厚は１４０ｎｍ、及び容量電極１６の膜厚は１２６ｎｍ〜１４０ｎｍの範囲が好ましい。換言すれば、画素電極１５の膜厚と容量電極１６の膜厚とを共に１４０ｎｍとした場合、画素電極１５の膜厚変動範囲は、−１０％（−１４ｎｍ）まで許容される。
【０１１５】
図１１と図１２とから、容量電極１６の膜厚が１４０ｎｍの条件では、画素電極１５の膜厚範囲は、１２６ｎｍ〜１５４ｎｍが好ましい。換言すれば、画素電極１５の膜厚と容量電極１６の膜厚とを共に１４０ｎｍとした場合、画素電極１５の膜厚変動範囲は、±１０％（±１４ｎｍ）まで許容される。
【０１１６】
図１０及び図１２に示すように、画素電極１５または容量電極１６の一方を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）とし、他方を実施例１よりも薄い膜厚に変化させた場合、ピーク波長は短波長側に変化する。図９及び図１１に示すように、画素電極１５または容量電極１６の一方を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）とし、他方を実施例１よりも厚い膜厚に変化させた場合、ピーク波長は長波長側に変化する。例えば、画素電極１５または容量電極１６の一方を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも薄くし、他方を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも厚くすると、膜厚を薄くした影響と膜厚を厚くした影響とを相殺することが可能になる。
【０１１７】
図１３には、画素電極１５または容量電極１６の一方を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）より薄くし、他方を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも厚くした条件、すなわち実施例６及び実施例７の分光特性が図示されている。具体的には、実施例６は、画素電極１５を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも１０％（１４ｎｍ）薄くし、容量電極１６を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも１０％（１４ｎｍ）厚くした条件に相当する。実施例７は、容量電極１６を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも１０％（１４ｎｍ）薄くし、画素電極１５を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも１０％（１４ｎｍ）厚くした条件に相当する。
【０１１８】
図１３に示すように、実施例１のピークの波長は４３０ｎｍ及び５６０ｎｍであり、実施例６のピークの波長は４２０ｎｍ及び５６０ｎｍであり、実施例７のピークの波長は４２０ｎｍ及び５６０ｎｍである。このように、画素電極１５または容量電極１６の一方を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも薄くし、他方を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも厚くした条件では、膜厚を薄くした影響と膜厚を厚くした影響とが相殺され、実施例１と略同等の分光特性を有するようになる（実施例６、実施例７）。
実施例６及び実施例７に係る液晶装置１００も、明るい環境下で人間の目が最も高感度となる光の波長（５５５ｎｍ）付近に透過率が大きくなるピークを有している、すなわち明るい表示を実現するために特に優れた分光特性を有している。
【０１１９】
以上総括すると、本実施形態では、以下の効果を得ることができる。
１）画素電極１５の膜厚と容量電極１６の膜厚とが、共に１４０ｎｍであると、液晶装置１００は、明るい環境下で人間の目の最も高感度となる光の波長（５５５ｎｍ）付近に透過率が大きくなるピークを有している、すなわち明るい表示を実現するために特に優れた分光特性を有している。さらに、配向膜１８，２４や液晶層５０に影響を及ぼしやすい光の波長範囲（４００ｎｍ〜４６０ｎｍ）でも透過率が大きくなるピークを有し、当該波長範囲（４００ｎｍ〜４６０ｎｍ）の反射光Ｋ３が弱くなっている。よって、当該波長範囲（４００ｎｍ〜４６０ｎｍ）の反射光Ｋ３によって、配向膜１８，２４や液晶層５０の劣化が進行しにくくなる。従って、耐光性に優れ、特に明るい表示の液晶装置１００を提供することができる。
【０１２０】
２）画素電極１５の膜厚が１４０ｎｍである場合に、容量電極１６が１２６ｎｍ〜１５４ｎｍの膜厚範囲で、液晶装置１００は、人間の視感度特性で感度が高い光の波長範囲（５３０ｎｍ〜５９０ｎｍ）、及び配向膜１８，２４や液晶層５０の劣化を招きやすい光の波長範囲（４００ｎｍ〜４６０ｎｍ）に透過率が大きくなるピークを有するようになる。従って、耐光性に優れ、明るい表示の液晶装置１００を提供することができる。
【０１２１】
３）容量電極１６の膜厚が１４０ｎｍである場合に、画素電極１５が１２６ｎｍ〜１５４ｎｍの膜厚範囲で、液晶装置１００は、人間の視感度特性で感度が高い光の波長範囲（５３０ｎｍ〜５９０ｎｍ）、及び配向膜１８，２４や液晶層５０の劣化を招きやすい光の波長範囲（４００ｎｍ〜４６０ｎｍ）で透過率が大きくなるピークを有するようになる。従って、耐光性に優れ、明るい表示の液晶装置１００を提供することができる。
【０１２２】
４）画素電極１５または容量電極１６の一方を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも薄くし、他方を実施例１の膜厚（１４０ｎｍ）よりも厚くすると、膜厚を薄くした影響と膜厚を厚くした影響とが相殺され、実施例１と略同等の分光特性を有するようになる。詳しくは、画素電極１５の膜厚が１４０ｎｍから１５４ｎｍ及び容量電極１６の膜厚が１２６ｎｍから１４０ｎｍである場合、または画素電極１５の膜厚が１２６ｎｍから１４０ｎｍ及び容量電極１６の膜厚が１４０ｎｍから１５４ｎｍである場合のいずれかにおいて、液晶装置１００は、実施例１と略同等の分光特性を有するようになる。従って、これらの条件においても、耐光性に優れ、特に明るい表示の液晶装置１００を提供することができる。
【０１２３】
５）誘電体層１４は、第１の誘電体膜（酸化ハフニウム）と第２の誘電体膜（酸化アルミニウム）とが交互に積層された多層膜である。誘電体層１４を異なる誘電体膜で構成することによって、誘電体層１４の欠陥密度を小さくし、誘電体層１４を薄膜化することがきる。
さらに、第１の誘電体膜の構成材料である酸化ハフニウムは、誘電率が大きいという特長を有している。第２の誘電体膜の構成材料である酸化アルミニウムは、リーク電流が小さいという特長を有している。誘電体層１４を、酸化ハフニウムと酸化アルミニウムとが積層した構造とすることによって、大きな容量密度を有し、低リーク電流で耐圧性に優れた容量素子（蓄積容量１７）を形成することができる。
さらに、誘電体層１４の膜厚は、２０ｎｍ〜４０ｎｍと極めて薄い。誘電体層１４を極めて薄くすることによって、可視域の光に対して高い透明性を有するようになる。すなわち、誘電体層１４は、人間の視感度特性で感度が高くなる波長範囲（５３０ｎｍ〜５９０ｎｍ）の光、及び配向膜１８，２４や液晶層５０の劣化を招きやすい波長範囲（４００ｎｍ〜４６０ｎｍ）の光に対して、高い透過率を有する。
【０１２４】
（実施形態２）
「電子機器」
図１４は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１２５】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１２６】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１２７】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１２８】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１２９】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した実施形態１の液晶装置１００が適用されたものである。偏光照明装置１１００から発した光は、液晶装置１００の対向基板２０（図１参照）に入射し、素子基板１０（図１参照）からクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１３０】
このような投射型表示装置１０００によれば、人間の視感度特性で感度が高くなる波長範囲（５３０ｎｍ〜５９０ｎｍ）の光、及び配向膜１８，２４や液晶層５０の光劣化に影響しやすい波長範囲（４００ｎｍ〜４６０ｎｍ）の光のそれぞれに対して高い透過率を有する液晶装置１００が、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として用いているので、明るい表示品位と、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０の光劣化が抑制された高い信頼性とが実現される。
【０１３１】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置１００及び該液晶装置１００を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１３２】
（変形例１）実施形態１では、画素電極１５及び容量電極１６を構成する材料は、ＩＴＯであった。画素電極１５及び容量電極１６を構成する材料は、ＩＴＯに限定されず、ＩＺＯ（Indium  Zinc  Oxide）であっても良い。
【０１３３】
（変形例２）実施形態１では、光源からの光は対向基板２０から素子基板１０に向けて入射した。液晶装置１００に対する光源からの光の入射方向は、対向基板２０から素子基板１０に向かう方向に限定されず、素子基板１０から対向基板２０に向かう方向であっても良い。
【０１３４】
（変形例３）上記液晶装置１００が適用される電子機器は、実施形態２の投射型表示装置１０００に限定されない。投射型表示装置１０００の他に、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、電子手帳などの電子機器に、実施形態１に係る液晶装置１００や、変形例１及び変形例２に係る液晶装置を適用させることができる。
【符号の説明】
【０１３５】
ＣＮＴ１，ＣＮＴ２，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４，ＣＮＴ５，ＣＮＴ７…コンタクトホール、３ａ…走査線、３ｂ…容量線、６ａ…データ線、６ｂ…第１中継電極、６ｃ…突出部、７ａ…配線、７ｂ…第２中継電極、９…下地絶縁膜、１０…素子基板、１０ａ…素子基板本体、１１ａ…第１絶縁膜、１１ｂ…第２絶縁膜、１２…第１層間絶縁膜、１３…第２層間絶縁膜、１４…誘電体層、１５…画素電極、１５ａ…突出部、１６…容量電極、１６ｃｈ…開口部、１７…蓄積容量、１８，２４…配向膜、２０…対向基板、２０ａ…対向基板本体、２１…遮光膜、２２…層間絶縁膜、２３…対向電極、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソース・ドレイン領域、３０ｅ，３０ｆ…接合領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソース・ドレイン領域、３１…ソース電極、３２…ドレイン電極、４０…シール材、５０…液晶層、１００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…走査線駆動回路、１０３…検査回路、１０４…外部接続用端子、１０５…配線、１０６…上下導通部、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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