(57)【要約】【課題】トリミング溝により抵抗値を調整する抵抗体おいて、より簡素な方法により、溝にダストが載った場合でも抵抗値の変動を抑制する。【解決手段】本発明に係る抵抗体（２０）のトリミング方法は、抵抗体に溝を形成する工程として、主溝（４０）を形成する主溝形成工程と、主溝形成工程の後に、主溝により規定された無効領域（７０）内に、補助溝（５０）を形成する補助溝形成工程と、を備える。【選択図】図１
2014017378.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の電極（３０ａ，３０ｂ）と抵抗体（２０）とから成る抵抗器（１００）において、前記抵抗体に溝を形成して、前記抵抗体の抵抗値を調整する抵抗体のトリミング方法であって、
前記溝を形成する工程として、
前記抵抗体の抵抗値を規定する主溝（４０）を形成する主溝形成工程と、
前記主溝形成工程の後に、前記主溝により規定された無効領域（７０）内に、補助溝（５０）を形成する補助溝形成工程と、を備えることを特徴とする抵抗体のトリミング方法。
【請求項２】
前記抵抗体における一辺（２０ａ）上に位置する第１点（４１）と、
前記抵抗体において、前記一辺に沿う方向における位置が前記第１点と異なる第２点（４２）と、を結んで前記主溝を形成し、
前記無効領域は、
前記主溝と、
前記一辺と、
前記第２点を通り、前記一辺に垂直な仮想直線（６０）と、により囲まれる領域として規定されることを特徴とする請求項１に記載の抵抗体のトリミング方法。
【請求項３】
前記主溝との間に一定の間隔を有するように、前記主溝に沿って前記補助溝を形成することを特徴とする請求項２に記載の抵抗体のトリミング方法。
【請求項４】
前記第２点が前記抵抗体の内部に位置し、
前記第１点を通り、前記一辺に直交する第１辺部（４０ａ）と、該第１辺部の前記第１点の反対の端から前記第２点に向かって前記一辺に平行な第２辺部（４０ｂ）と、を有するＬ字状の前記主溝を形成することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の抵抗体のトリミング方法。
【請求項５】
前記第２点が前記一辺上に位置し、コの字状に前記主溝を形成することを特徴とする請求項２または請求項３に記載の抵抗体のトリミング方法。
【請求項６】
前記抵抗体の内部に、環状に前記主溝を形成し、
前記無効領域は、環状の前記主溝によって囲まれた領域として規定されることを特徴とする請求項１に記載の抵抗体のトリミング方法。
【請求項７】
前記主溝との間に一定の間隔を有するように、前記主溝に沿って前記補助溝を形成することを特徴とする請求項６に記載の抵抗体のトリミング方法。
【請求項８】
ロの字状に前記主溝を形成することを特徴とする請求項６または請求項７に記載の抵抗体のトリミング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、トリミングにより抵抗値を調整する、抵抗体のトリミング方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、セラミック基板上に形成された抵抗体の抵抗値を調整する方法として、レーザなどを用いて抵抗体の一部にトリミング溝を形成する方法が採られてきた。このトリミング溝としては、種々のものが提案されている。例えば、特許文献１に記載のように、抵抗体の一辺から、島状の抵抗体を残すようにコの字状に形成されたトリミング溝がある。また、抵抗体の内部に矩形環状（ロの字状）に形成されたトリミング溝がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭５５−１３３５０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の抵抗体のトリミング方法により形成されるトリミング溝では、溝に導電性のダストが載ってしまうと、抵抗値が変動してしまうという問題がある。
【０００５】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、より簡素な方法により、溝にダストが載った場合でも抵抗値の変動を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は、
複数の電極（３０ａ，３０ｂ）と抵抗体（２０）とから成る抵抗器（１００）において、抵抗体に溝を形成して、抵抗体の抵抗値を調整する抵抗体のトリミング方法であって、
溝を形成する工程として、
抵抗体の抵抗値を規定する主溝（４０）を形成する主溝形成工程と、
主溝形成工程の後に、主溝により規定された無効領域（７０）内に、補助溝（５０）を形成する補助溝形成工程と、を備えることを特徴としている。
【０００７】
従来、抵抗値を調整するために抵抗体のトリミングを行う際には、抵抗体に形成された電極に電圧を印加し、抵抗体を流れる電流値をモニタリングすることにより、抵抗値を監視しつつトリミングを行っていた。
【０００８】
これに対して、本発明では、抵抗値の調整のための精度が必要とされる（抵抗値の監視が必要とされる）主溝形成工程の後に、補助溝形成工程を実施する。補助溝は、主溝により形成され、主溝形成後には抵抗値に変動を与えにくい無効領域に形成される。無効領域は、換言すれば、電流が流れにくい領域である。このため、補助溝形成工程を実施する際には、抵抗値の変動に注意を払う必要がない。すなわち、補助溝形成工程では、抵抗値の監視が不要となる。また、補助溝は抵抗体の抵抗値に影響を与えにくいため、補助溝の形成精度の管理を容易にすることができる。
【０００９】
そして、万一、主溝内に導電性のダストが侵入した場合であっても、補助溝により電荷の移動を制限させることができる。すなわち、補助溝が形成されていない構成に較べて、抵抗値の変動を抑制することができる。
【００１０】
上記したように、本発明に記載の抵抗体のトリミング方法を採用することによって、より簡素な方法により、主溝にダストが載った場合でも抵抗値の変動を抑制することができる。
【００１１】
とくに、補助溝が、前記主溝に沿って、前記主溝と一定の間隔をもって形成されることが好ましい。
【００１２】
このような構成では、主溝と補助溝とが平行に形成される。すなわち、補助溝は、主溝とほぼ同一の形状で形成される。したがって、万一、主溝内に導電性のダストが侵入した場合でも、抵抗値の変動を、より効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態に係る抵抗器の概略図である。また、補助溝形成工程を示す上面図である。
【図２】絶縁基板に電極を形成する工程を示す上面図である。
【図３】抵抗体を形成する工程を示す上面図である。
【図４】主溝形成工程を示す上面図である。
【図５】第２実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図６】第３実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図７】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図８】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図９】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図１０】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図１１】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図１２】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図１３】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図１４】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図１５】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図１６】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【図１７】その他の実施形態に係る抵抗器の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分に、同一符号を付与する。
【００１５】
（第１実施形態）
最初に、図１を参照して、本実施形態に係る抵抗器の概略構成について説明する。
【００１６】
本実施形態に係る抵抗器１００は、図１に示すように、絶縁基板１０と、絶縁基板１０上に形成され、絶縁基板１０の厚さ方向に直交する直交面に沿う平面形状が長方形とされた抵抗体２０と、該抵抗体２０における長手方向の両端に形成された２つの電極３０ａ，３０ｂ（総じて電極３０と示す）と、を有する。絶縁基板１０はアルミナなどのセラミック基板である。電極３０はＡｇ（銀）を主成分としている。抵抗体２０は、電極３０ａ，３０ｂに接合して、跨るように形成されている。抵抗体２０の主成分は酸化ルテニウムなどである。
【００１７】
抵抗体２０には、抵抗体２０の抵抗値を規定する主溝４０が形成されている。本実施形態における主溝４０は、長手方向に沿う一辺２０ａ上の第１点４１から長手方向に直交する幅方向に、抵抗体２０の中程まで延びる第１辺部４０ａと、該中程から電極３０ｂに向かって第２点４２まで、長手方向に延びる第２辺部４０ｂと、を有している。第１点４１と第２点４２は、長手方向において異なる位置に形成され、第２点４２は抵抗体２０内に位置している。すなわち、主溝４０は、直角とされた部分が抵抗体の内部に位置するようなＬ字状に形成されている。主溝４０の幅は任意であるが、例えば、数１０μｍとすることができる。
【００１８】
また、主溝４０に沿って、補助溝５０が形成されている。補助溝５０は、抵抗体２０の一辺２０ａにおける、第１点４１よりも電極３０ｂ側の点から、幅方向に延びている。補助溝５０は、主溝４０と交差しないように、幅方向に、抵抗体の中程まで延び、該中程から電極３０ｂに向かって長手方向に延びて形成されている。補助溝５０は、長手方向において第２点４２と並ぶ位置まで延びて形成されている。すなわち、補助溝５０は、主溝４０と、一辺２０ａと、第２点４２を通り、一辺２０ａに垂直な仮想直線６０（図１中、一点鎖線にて示す）と、により囲まれる領域に、主溝４０に平行に形成されている。該領域は、主溝４０によって規定される電流が流れにくい領域であり、その領域内に補助溝５０が形成されても、抵抗体２０の抵抗値に与える影響が少ない無効領域７０（図１中、二点鎖線により囲まれる領域）である。なお、補助溝５０の幅は任意であるが、例えば、主溝４０と同様に、数１０μｍとすることができる。また、主溝４０と補助溝５０の間隔も任意である。本実施形態では主溝４０と補助溝５０は一定の間隔で形成されている。
【００１９】
次に、図１〜図４を参照して、本実施形態に係る抵抗器１００の製造フローを説明する。
【００２０】
先ず、図２に示すように、絶縁基板１０の表面上に電極３０（３０ａ，３０ｂ）を形成する。電極３０は、絶縁基板１０上にＡｇ系の導電性ペーストをスクリーン印刷法により所定形状に塗布し、焼付け処理をおこなって形成する。
【００２１】
次いで、図３に示すように、絶縁基板１０上に抵抗体２０を形成する。抵抗体２０は、電極３０ａ，３０ｂの間に、酸化ルテニウムなどの抵抗体ペーストをスクリーン印刷法により所定形状（本実施形態では長方形）に塗布し、焼付け処理をおこなって形成する。
【００２２】
次いで、図示しないが、抵抗体２０上に保護膜としてのオーバーコート層をガラスペーストの印刷、乾燥、焼付けにより形成する。
【００２３】
次いで、図４に示すように、抵抗体２０に主溝４０を形成する。主溝４０は、ＹＡＧレーザなどを用いて形成する。主溝４０を形成する際には、電極３０に抵抗値測定用のプローブを当てながら、ＹＡＧレーザなどを照射および走査して主溝４０を所定形状とする。本実施形態では、抵抗体２０の一辺２０ａ上の第１点４１から照射を開始し、所定抵抗値となるまで、幅方向に走査する。その後、長手方向にＹＡＧレーザなどを走査して、主溝４０を第２点４２に到達させる。なお、この工程は、特許請求の範囲に記載の主溝形成工程に相当する。
【００２４】
次いで、図１に示すように、抵抗体２０に補助溝５０を形成する。補助溝５０は、ＹＡＧレーザなどを用いて所定形状に形成する。補助溝５０は上記した無効領域７０に形成される。このため、補助溝５０の形成による抵抗体２０の抵抗値の変動は極めて少ない。したがって、補助溝５０を形成する際には、主溝形成工程とは異なり、抵抗値をモニタしながら行う必要はない。なお、この工程は、特許請求の範囲に記載の補助溝形成工程に相当する。
【００２５】
次いで、図示しないが、主溝４０および補助溝５０を被覆する保護膜としてのオーバーコート層をガラスペーストの印刷、乾燥、焼付けにより形成する。これにより、抵抗体２０上には、２層のオーバーコート層からなる保護膜が形成される。
【００２６】
次に、本実施形態に係る抵抗体２０のトリミング方法についての作用効果を説明する。
【００２７】
抵抗器１００では、抵抗体２０に主溝４０が形成されることにより、電流の向きに直交する面の面積が規定され、抵抗値が規定される。従来、この主溝４０に導電性のダストが載ると、電流の流れることのできる面積が増大するため、抵抗器１００の抵抗値が変動してしまう。
【００２８】
これに対して、本実施形態では、抵抗体２０が補助溝５０を有している。このため、主溝４０に導電性のダストが載った場合であっても、補助溝５０が主溝４０の代用となる。このため、抵抗器１００の抵抗値の変動を抑制することができる。なお、補助溝５０は、主溝４０により規定され、その領域内に主溝４０とは別の溝が形成されても抵抗値に影響を与えにくい無効領域７０に形成される。このため、補助溝５０は、抵抗器１００が正常に動作する際（主溝４０にダストが載っていない状態）には、抵抗値にほとんど影響を与えない。
【００２９】
また、本実施形態では、抵抗値の調整のための精度が必要とされる（抵抗値のモニタが必要とされる）主溝形成工程の後に、補助溝形成工程が実施される。補助溝５０は、上記したような無効領域７０に形成される。このため、補助溝形成工程を実施する際には、抵抗値の変動に注意を払う必要がない。すなわち、補助溝形成工程では、抵抗値の監視が不要となる。また、補助溝５０は抵抗体２０の抵抗値にほとんど影響を与えないため、補助溝５０の形成精度の管理を容易にすることができる。
【００３０】
（第２実施形態）
第１実施形態では、主溝４０がＬ字状である例を示した。これに対して、本実施形態では、図５に示すように、主溝４０がコの字状である例を示す。
【００３１】
本実施形態における主溝４０は、長手方向に沿う一辺２０ａ上の第１点４１から幅方向に、抵抗体２０の中程まで延び、該中程から電極３０ｂに向かって所定位置まで延びて、該所定位置から一辺２０ａ上の第２点４２まで、幅方向に延びて形成されている。すなわち、主溝４０は、コの字状に形成されている。
【００３２】
第１実施形態と同様に、本実施形態における補助溝５０も、主溝４０と、一辺２０ａと、第２点４２を通り、一辺２０ａに垂直な仮想直線６０と、により囲まれる無効領域７０に形成されている。また、補助溝５０は主溝４０に平行に形成されている。すなわち、補助溝５０も主溝４０同様に、コの字状に形成されている。なお、本実施形態では、主溝４０のうち、第２点４２を通る幅方向に延びた溝は仮想直線６０上にある。このため、本実施形態における無効領域７０は、主溝４０と一辺２０ａに囲まれた領域となる。
【００３３】
本実施形態においても、抵抗器１００が主溝４０に加えて補助溝５０を有していることにより、主溝４０に導電性のダストが載った場合であっても、補助溝５０が主溝４０の代用となる。このため、抵抗器１００の抵抗値の変動を抑制することができる。また、補助溝５０が無効領域７０に形成されることから、補助溝形成工程においては、抵抗値のモニタリングを行う必要はない。
【００３４】
なお、第１実施形態のように、主溝４０がＬ字状である場合には、溝の端（第２点４２）に電流密度が集中してしまい、電流の流れの一様性を阻害する虞がある。これに対して、本実施形態では、第１点４１および第２点４２が、ともに一辺２０ａ上にあり、抵抗体２０の内部に位置していないので、電流密度の集中を生じにくくすることができる。
【００３５】
（第３実施形態）
上記した各実施形態では、主溝４０が抵抗体２０の一辺２０ａの第１点４１を含んで形成される例を示した。これに対して、本実施形態では、環状の主溝４０が抵抗体２０の内部に形成される例を示す。
【００３６】
本実施形態における主溝４０は、図６に示すように、抵抗体２０の辺を含まない内部において、矩形環状に形成されている。主溝４０は、抵抗体２０の一部を取り囲むように形成され、所謂、ロの字状に形成されている。
【００３７】
本実施形態における無効領域７０は、主溝４０に囲まれた領域である。本実施形態における補助溝５０は、無効領域７０において、主溝４０に沿って形成されている。すなわち、補助溝５０もロの字状に形成されている。
【００３８】
本実施形態においても、抵抗器１００が主溝４０に加えて補助溝５０を有していることにより、主溝４０に導電性のダストが載った場合であっても、補助溝５０が主溝４０の代用となる。このため、抵抗器１００の抵抗値の変動を抑制することができる。また、補助溝５０が無効領域７０に形成されることから、補助溝形成工程においては、抵抗値のモニタリングを行う必要はない。
【００３９】
（その他の実施形態）
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００４０】
補助溝５０は、無効領域７０に形成されればよく、補助溝５０の形状は上記例に限定されるものではない。
【００４１】
図７に示すように、第１実施形態に示した補助溝５０に対して、補助溝５０の一辺２０ａ上にない端５２が主溝４０の第２点４２を通る仮想直線６０まで達していない構成とすることもできる。すなわち、補助溝５０はＬ字状であるが、抵抗体２０の長手方向の長さが主溝４０よりも短い構成であってもよい。
【００４２】
また、上記した各実施形態に示したように、補助溝５０は、主溝４０に沿って形成される様態に限定されない。例えば、図８に示すように、補助溝５０が湾曲して形成されてもよいし、図９に示すように、補助溝５０が鈍角に折れ曲がって形成されてもよい。
【００４３】
また、図１０に示すように、補助溝５０が、抵抗体２０の一辺２０ａから中程まで幅方向に伸びつつ、中程から電極３０ａに向かって長手方向に延びて形成されてもよい。また、図１１に示すように、Ｌ字状の主溝４０に対して補助溝５０がコの字状となっていてもよい。さらに、図１２に示すように、補助溝５０が蛇行形状（所謂スキャンカット形状）とされていてもよい。
【００４４】
また、主溝４０の形状についても、上記例、すなわち、Ｌ字状、コの字状、ロの字状に限定されない。例えば、図１３に示すように、主溝４０および補助溝５０がともに湾曲して形成されてもよい。図１３において、補助溝５０は主溝４０との間に一定の間隔を有して形成されている。また、図１４に示すように、主溝４０が、抵抗体２０の一辺２０ａから、電極３０ｂに向かう方向に斜めに延び、途中で鈍角に折れ曲がるように形成されてもよい。図１４においても、補助溝５０は主溝４０との間に一定の間隔を有して形成されている。
【００４５】
さらに、上記した各実施形態では、抵抗体２０の長手方向の両端に２つの電極３０ａ，３０ｂを有する構成を例に示した。しかしながら、電極３０ａ，３０ｂの形成される位置は、抵抗体２０の両端に限定されない。例えば、図１５に示すように、２つの電極３０ａ，３０ｂのうち１つの電極（例えば、電極３０ｂ）が抵抗体２０の長手方向に沿う辺側に形成されていてもよい。また、図１６に示すように、２つの電極３０ａ，３０ｂが抵抗体２０の角の位置に形成されてもよい。
【００４６】
さらにいえば、上記した各実施形態では、電極３０の数が２つの例を示したが、上記例に限定されるものではない。例えば、図１７に示すように、電極３０ａ，３０ｂとは別に、主溝４０をトリミングする際の抵抗値モニタ用の電極として、電極３０ｃ，３０ｄが形成されていてもよい。
【００４７】
また、上記した各実施形態では、抵抗体２０が長方形の例を示したが、本発明は、任意の形状の抵抗体２０に対して適用可能である。
【符号の説明】
【００４８】
１０・・・絶縁基板
２０・・・抵抗体
２０ａ・・・一辺
３０ａ，３０ｂ・・・電極
４０・・・主溝
４１・・・第１点
４２・・・第２点
５０・・・補助溝
１００・・・抵抗器
【図１】
2014017378.tif 000003
【図２】
2014017378.tif 000004
【図３】
2014017378.tif 000005
【図４】
2014017378.tif 000006
【図５】
2014017378.tif 000007
【図６】
2014017378.tif 000008
【図７】
2014017378.tif 000009
【図８】
2014017378.tif 000010
【図９】
2014017378.tif 000011
【図１０】
2014017378.tif 000012
【図１１】
2014017378.tif 000013
【図１２】
2014017378.tif 000014
【図１３】
2014017378.tif 000015
【図１４】
2014017378.tif 000016
【図１５】
2014017378.tif 000017
【図１６】
2014017378.tif 000018
【図１７】
2014017378.tif 000019