(57)【要約】【課題】ウエハー基板の製造方法において、サポート基板の剥離を容易にし、且つ歩留りを向上させる。【解決手段】ウエハー基板の製造方法は、ウエハー基板とウエハー基板を支持するサポート基板１１との間に位置する接合材１３ａと、サポート基板１１およびウエハー基板１２の少なくとも一方と接合材１３ａとに取り囲まれて閉空間をなし接合面の周縁側から中心側に連続する空隙部分１３ｂと、を含む接合層１３を形成し、ウエハー基板とサポート基板１１とを接合し、空隙部分１３ｂの閉空間を開放し、ウエハー基板とサポート基板１１とを剥離する。【選択図】図１
2014017284.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ウエハー基板と該ウエハー基板を支持するサポート基板との間に位置する接合材と、前記ウエハー基板および前記サポート基板のうちの少なくとも一方と前記接合材とに取り囲まれて閉空間をなし前記接合材の周縁側から中心側に連続する空隙部分と、を含む接合層を形成し、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合し、
前記空隙部分の閉空間を開放し、前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載のウエハー基板の製造方法において、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合する工程では、前記空隙部分が減圧状態となるように前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合し、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する工程では、前記空隙部分の閉空間を開放して該空隙部分の前記減圧状態を解除し、前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２記載のウエハー基板の製造方法において、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する工程では、前記接合材に孔を設けて前記閉空間を大気開放する、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１または請求項２記載のウエハー基板の製造方法において、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する工程では、前記接合材に孔を設けて前記閉空間に気体を吹き込むことにより前記閉空間を陽圧とする、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４のいずれか１項記載のウエハー基板の製造方法において、
前記空隙部分は、帯状に延びる、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載のウエハー基板の製造方法において、
前記空隙部分は、スパイラル状に延びる、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
【請求項７】
請求項１から請求項４のいずれか１項記載のウエハー基板の製造方法において、
前記接合層を形成する工程では、多孔質部と、該多孔質部の周囲に位置する非多孔質部とを形成することにより前記接合層を形成し、
前記空隙部分は、前記多孔質部の孔である、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で論じられる実施の形態は、サポート基板をウエハー基板に接合するウエハー基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年のマイクロチップは、微細化による高集積化の限界と多機能化の理由から、複数のデバイスチップを多層配線板上に搭載し封止するマルチチップモジュールやＳｉ貫通ビアを用いた３次元構造の半導体デバイスの要求が高まっている。
【０００３】
ウエハープロセスも、薄くしたウエハー基板の取扱いが必要になってきた。ウエハー薄化やその後の搬送だけではなく、薄くしたウエハー基板自身へのビア形成や配線形成などの加工も必要となってきた。薄化ウエハー基板はそのものでは支持できないため、ウエハー基板をサポートする何らかのシステムが必要であり、サポート基板（キャリアーウエハー）を使用した方法が一般的である。
【０００４】
サポート基板を使用したウエハーサポートシステムは、以下のものがある。
（１）接着剤に熱可塑性材料を用い、剥離は熱スライド方式か溶剤による溶解で行うもの。
（２）ガラスのサポート基板を使用し接着層界面にレーザー受光層或いはＵＶ吸収層の剥離層を設け、剥離の際はレーザーをスキャン或いはＵＶ照射し行うもの。
（３）剥離しやすくするためにウエハーエッジ周辺のみボンド層で接着するもの。
（４）接着自体を真空で行うもの。
などがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−４５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
熱可塑材料を用いたスライド剥離ではウエハー基板を破壊しやすく、大口径ウエハーではスライドオフフォースが大きい。レーザー剥離は、レーザー透過性の良いガラスサポート基板が必須の構成となり、ウエハー基板がＳｉ基板の場合は熱膨張係数差の影響が出やすい。
【０００７】
ウエハー基板の周縁のみの接着の場合は周縁接着層の溶解レ−トが遅くスループットが稼げないなどの問題がある。また、これらは、糊残りが固着してしまうなどの問題もある接着層の洗浄が必須の工程となる。
【０００８】
ボンド層を用いない真空接着によるサポートシステムは、ウエハー基板とサポート基板との接着が真空中で基板同士をコンタクトするために接合界面に空気層が取り込まれてボイドが発生するという懸念がない。
【０００９】
しかし、全面真空接着されている状態から剥離の際に真空破壊する切掛けを作ると、デバイスが欠ける、接着面の凹凸によっては剥離が困難になるなど、歩留りの低下が問題として残っている。
【００１０】
１つの側面では、実施の形態に係るウエハー基板の製造方法は、サポート基板の剥離を容易にし、且つ歩留りを向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
実施の形態に係るウエハー基板の製造方法は、ウエハー基板と該ウエハー基板を支持するサポート基板との間に位置する接合材と、前記ウエハー基板および前記サポート基板のうちの少なくとも一方と前記接合材とに取り囲まれて閉空間をなし前記接合材の周縁側から中心側に連続する空隙部分と、を含む接合層を形成する。また、ウエハー基板の製造方法は、前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合する。また、ウエハー基板の製造方法は、前記空隙部分の閉空間を開放し、前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する。
【発明の効果】
【００１２】
実施の形態に係るウエハー基板の製造方法によれば、サポート基板の剥離を容易にすることができ、且つ歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１実施形態における接合層を示す平面図である。
【図２】図１のII-II断面図である。
【図３Ａ】第１実施形態における減圧接合の概要を説明するための断面図（その１）である。
【図３Ｂ】第１実施形態における減圧接合の概要を説明するための断面図（その２）である。
【図３Ｃ】第１実施形態における減圧接合の概要を説明するための断面図（その３）である。
【図４】第１実施形態に係るウエハー基板の製造装置を示す概略構成図である。
【図５Ａ】第１実施形態に係るウエハー基板の製造方法を説明するための断面図（その１）である。
【図５Ｂ】第１実施形態に係るウエハー基板の製造方法を説明するための断面図（その２）である。
【図５Ｃ】第１実施形態に係るウエハー基板の製造方法を説明するための断面図（その３）である。
【図５Ｄ】第１実施形態に係るウエハー基板の製造方法を説明するための断面図（その４）である。
【図５Ｅ】第１実施形態に係るウエハー基板の製造方法を説明するための断面図（その５）である。
【図６】第２実施形態における接合層を示す平面図である。
【図７】図６のVII-VII断面図である。
【図８Ａ】第３実施形態における減圧接合の概要を説明するための断面図（その１）である。
【図８Ｂ】第３実施形態における減圧接合の概要を説明するための断面図（その２）である。
【図８Ｃ】第３実施形態における減圧接合の概要を説明するための断面図（その３）である。
【図９Ａ】第４実施形態に係るウエハー基板の製造方法を説明するための断面図（その１）である。
【図９Ｂ】第４実施形態に係るウエハー基板の製造方法を説明するための断面図（その２）である。
【図９Ｃ】第４実施形態に係るウエハー基板の製造方法を説明するための断面図（その３）である。
【図９Ｄ】第４実施形態に係るウエハー基板の製造方法を説明するための断面図（その４）である。
【図９Ｅ】第４実施形態に係るウエハー基板の製造方法を説明するための断面図（その５）である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施の形態に係るウエハー基板の製造方法および製造装置について、図面を参照しながら説明する。
＜第１実施形態＞
図１は、第１実施形態における接合層１３を示す平面図である。
図２は、図１のII-II断面図である。なお、図２では、ウエハー基板１２も図示している。
【００１５】
図１および図２に示すように、接合層１３は、接合材１３ａと、空隙部分１３ｂとを含む。
接合材１３ａは、ウエハー基板１２と、このウエハー基板１２を支持するサポート基板１１との間において帯状かつスパイラル状に連続して延びることで、接合面の全体に亘って位置する。接合材１３ａは、例えば、樹脂である。
【００１６】
なお、接合面の全体に亘って位置する場合とは、例えば、接合面において、中心までの距離が周縁までの距離よりも近い周縁領域と、周縁までの距離が中心までの距離よりも近い周縁領域との２つの領域に位置する場合もいうものとする。
【００１７】
空隙部分１３ｂは、接合材１３ａと同様に帯状かつスパイラル状に連続して延びることで、サポート基板１１およびウエハー基板１２のうちの両方（少なくとも一方の一例）と接合材１３ａとに取り囲まれて閉空間をなし、接合材１３ａの周縁側（例えば、上記の周縁領域）から中心側（例えば、上記の中心領域）に連続して延びる。本実施形態では、接合材１３ａと空隙部分１３ｂとの接合面における面積比は、ほぼ同一であるか或いは空隙部分１３ｂの方が狭いが、空隙部分１３ｂの方を広くすることもできる。
【００１８】
空隙部分１３ｂは、例えば、接合材１３ａの厚さと同じ深さの溝であるが、接合材１３ａ上に形成された接合材１３ａの厚さより浅い溝であってもよい。その場合、空隙部分１３ｂは、接合材１３ａ上に形成されることになり、空隙部分１３ｂは、ウエハー基板１２と接合材１３ａとに取り囲まれることになる。
【００１９】
また、空隙部分１３ｂは、帯状に延びなくとも、例えば、島状の部分が互いに連通していてもよいし、或いは、後述する第４実施形態のような多孔質部４３ａの孔であってもよいし、或いは、その他の形状であってもよい。また、空隙部分１３ｂは、単一の閉空間をなすが、周縁側から中心側に連続する１つの閉空間を有するものであれば、複数の閉空間を有してもよい。
【００２０】
ウエハー基板１２の製造方法（支持方法）や製造装置（支持装置）については後述することとし、まず、減圧接合の概要を説明する。
図３Ａ〜図３Ｃは、第１実施形態における減圧接合の概要を説明するための断面図である。
【００２１】
まず、ウエハー基板１２を薄化など加工する前に、サポート基板１１に、樹脂材料(或いは仮接着剤)を用いた接合層１３として、上述の接合材１３ａおよび空隙部分１３ｂが形成される。
【００２２】
接合材１３ａは、ウエハー基板１２に形成されてもよい。ただし、サポート基板１１側に形成することで、接合材１３ａを大量に形成できるため生産性が向上する。また、接合層１３は、あらかじめフィルム上に形成しておくことでロール・トウ・ロールのプロセスにも使用できる。なお、サポート基板１１は、ウエハー基板１２と同じ形状に限られず、パネルディスプレーのような四角い形状としてもよい。
【００２３】
図３Ａに示すように、サポート基板１１とウエハー基板１２との接合時には、減圧下で、サポート基板１１に形成した接合層１３がウエハー基板１２の回路面１２ａ（図３Ａ〜図３Ｃのみに図示）上に当接するように、サポート基板１１がウエハー基板１２上に載置される。
【００２４】
そのままサポート基板１１およびウエハー基板１２を大気暴露することで、図３Ｂに示すように、空隙部分１３ｂは、減圧状態に保たれウエハー基板１２は例えば大気圧でサポート基板１１に対して接合される。
【００２５】
空隙部分１３ｂは、上述のように単一の閉空間をなし接合材１３ａの周縁側から中心側に延びるため、剥離の際には、周縁側の一箇所において閉空間の真空（減圧）を破ることで大気開放するなどして、容易にサポート基板１１からウエハー基板１２を剥離することができる。
【００２６】
剥離の際は、図３Ｃに示すように、チューブ１４により接合材１３ａに孔を開けて、閉空間を例えば大気解放し、空隙部分１３ｂの減圧状態を解除することで、剥離が行われる。この際には、気体を吹き込むことにより閉空間を陽圧とすることで、より確実に剥離を行うことができる。
【００２７】
なお、チューブ１４は、例えば金属製の微細チューブが一例として挙げられるが、その他の材料でもよい。また、剥離は、空隙部分１３ｂの閉空間を開放できればよく、溶剤を使用し樹脂を溶かすウェットエッチングなどの他の手法を用いてもよいし、或いは、針などを代用して孔を開けてもよい。
【００２８】
以下、第１実施形態に係るウエハー基板１２の製造方法（支持方法）や製造装置１００（支持装置）について説明する。
図４は、第１実施形態に係るウエハー基板の製造装置１００を示す概略構成図である。
図５Ａ〜図５Ｅは、第１実施形態に係るウエハー基板１２の製造方法を説明するための断面図である。
【００２９】
図４に示すように、ウエハー基板の製造装置１００は、互いに対向するように配置された２つのステージ１０１，１０２と、これらのステージ１０１，１０２を移動させるシリンダ１０３，１０４と、減圧チャンバ１０５と、真空ポンプ１０６と、配管１０７と、バルブ１０８と、を備える。
【００３０】
まず、図５Ａに示すように、サポート基板１１上に接合材１３ａがコートされる。サポート基板１１は、例えば、300mmSiウエハーである。しかし、サポート基板１１の材料は、ガラス、ＳＵＳ（ステンレス鋼）、樹脂などの他の材料であってもよいし、サポート基板１１の大きさも他の大きさであってもよい。サポート基板１１は、平坦度であるＴＴＶ（Total Thickness Variation）が良好なものであることが望ましい。
【００３１】
接合材１３ａは、例えば、膜厚５０μｍのシリコーン樹脂である。しかし、接合材１３ａの材料や大きさは、使用温度条件などに応じて、他の材料や他の厚さであってもよい。例えば、他の材料の一例としては、エポキシ系、フェーノール系、イミド系、ＰＥＴなどの樹脂が挙げられる。
【００３２】
次に、図５Ｂに示すように、接合材１３ａにフォトマスクにより空隙部分１３ｂが形成される。この空隙部分１３ｂは、例えば、深さ５０μｍ、幅５０μｍである。空隙部分１３ｂの互いに連通する隣接部分間の間隔は、例えば１００μｍである。空隙部分１３ｂの帯状に延びる方向と直交する断面の形状は、図５Ｂに示すような矩形でも、或いは、ラウンド形やＶ字形などの他の形状でもよい。また、接合層１３の形成方法は、フォトリソグラフィーを用いなくとも、例えば、シート上に接合材１３ａのパターンをあらかじめ形成し、ウエハー基板１２に転写してもよい。
【００３３】
次に、図４に示す減圧チャンバ１０５内の減圧空間において、図５Ｃに示すようにウエハー基板１２とサポート基板１１とが対向するように配置される。なお、減圧空間の真空度は、例えば１Ｐａ未満であるが、標準大気圧よりも負圧であればよい。また、空隙部分１３ｂを真空状態（例えば、１００Ｐａ以下の真空である、中真空、高真空、または超高真空）とすると、確実に接合できる。
【００３４】
減圧チャンバ１０５では、配管１０７を介して連結された真空ポンプ１０６によって減圧空間が形成される。配管１０７には、バルブ１０８が設けられている。なお、減圧チャンバ１０５を用いずに、空隙部分１３ｂの閉空間を吸引することにより空隙部分１３ｂを減圧状態としてもよい。
【００３５】
なお、サポート基板１１とウエハー基板１２とを貼り合わせる際には、シリンダ１０３，１０４によりステージ１０１，１０２を互いに接近させることで、サポート基板１１とウエハー基板１２とを押圧するとよい。
【００３６】
次に、図５Ｄに示すように、サポート基板１１に接合されたままウエハー基板１２がバックグラインドされる。例えば、＃２０００のプリグラインドを行い、バックグライティング後のウエハー基板１２−１の残し厚さは５０μｍとするとよい。バックグラインディング後のＴＴＶを測定したところ＜１．５μｍと非常に良い結果であった。空隙部分１３ｂに起因するようなウエハー基板１２の転写跡は、バックグラインディング後にも見られなかった。
【００３７】
次に、図５Ｅに示すように、サポート基板１１に接合されたウエハー基板１２−１がダイシングフレーム１５のフィルム１５ａに貼り付けられる。そして、サポート基板１１とウエハー基板１２とが剥離される。なお、フィルム１５ａは、フレーム１５ｂに支持されている。
【００３８】
剥離の際は、上述のように、チューブ１４により接合材１３ａに孔を開けて、閉空間を例えば大気解放し、空隙部分１３ｂの減圧状態を解除することで、剥離が行われる。この際には、空間に気体を吹き込むことにより閉空間を陽圧とすることで、より確実に剥離を行うことができる。
【００３９】
ダイシングフレーム１５に貼り合わされたウエハー基板１２には、その後、例えば、有機系洗浄工程やダイシング工程などの工程が行われる。
【００４０】
以上説明した第１実施形態では、サポート基板１１とウエハー基板１２との間に位置する接合材１３ａと、この接合材１３ａなどに取り囲まれて閉空間をなし接合材１３ａの周縁側から中心側に連続する空隙部分１３ｂと、を含む接合層が形成される。また、空隙部分１３ｂの閉空間が開放され、ウエハー基板１２とサポート基板１１とが剥離される。
【００４１】
そのため、剥離時において、接合材１３ａの周縁側のみにおいて空隙部分１３ｂの閉空間を開放することでも、接合面の周縁側から中心側に連続する空隙部分１３ｂの全体の閉空間を開放することができる。これにより、サポート基板１１を容易に剥離することができるとともに、剥離時のウエハー基板１２の破損などに起因する歩留まりの低下を抑えることもできる。
【００４２】
よって、本実施形態によれば、サポート基板１１の剥離を容易にすることができ、且つ歩留りを向上させることができる。
また、本実施形態では、ウエハー基板１２とサポート基板１１とを接合する工程において、空隙部分１３ｂが減圧状態となるようにウエハー基板１２とサポート基板１１とが接合される。また、ウエハー基板１２とサポート基板１１とを剥離する工程においては、空隙部分１３ｂの閉空間を開放して空隙部分１３ｂの減圧状態が解除されて、ウエハー基板１２とサポート基板１１とが剥離される。
【００４３】
これにより、減圧状態の空隙部分１３ｂによって接着剤を使わなくとも接合できるため、ウエハー基板１１の汚染を抑えることもできる。更には、空隙部分１３ｂの閉空間を開放して減圧状態を解除するという簡単な作業でサポート基板１１を剥離することができる。したがって、サポート基板１１の剥離をより一層容易にすることができる。
【００４４】
また、本実施形態では、ウエハー基板１２とサポート基板１１とを接合する工程において、減圧チャンバ１０５の減圧空間においてウエハー基板１２とサポート基板１１とが接合される。そのため、ウエハー基板１２とサポート基板１１との接合を容易にすることができる。
【００４５】
また、本実施形態では、ウエハー基板１２とサポート基板１１とを接合する工程において、空隙部分が真空状態となるように、ウエハー基板１２とサポート基板１１とが接合される場合、より確実に接合を行うことができる。
【００４６】
また、本実施形態では、ウエハー基板１２とサポート基板１１とを剥離する工程において、接合材１３ａに孔を設けて閉空間が大気開放される。そのため、簡単に閉空間を大気開放することができる。また、溶剤を用いることに起因して、作業性の悪化や溶剤の固着などが発生するのを抑え、サポート基板１１の剥離をより一層容易にすることができ、且つより一層歩留まりを向上させることができる。
【００４７】
また、本実施形態では、ウエハー基板１２とサポート基板１１とを剥離する工程において、接合材１３ａに孔を設けて閉空間に気体を吹き込むことにより閉空間を陽圧とした場合、剥離をより一層容易にすることができる。
【００４８】
また、本実施形態では、空隙部分１３ｂは、帯状に延びる。そのため、接合および剥離を接合面で分散させて行うことができる。
また、本実施形態では、空隙部分１３ｂは、スパイラル状に延びる。そのため、接合および剥離を接合面で分散させて行うことができる。
【００４９】
＜第２実施形態＞
本実施形態は、接合層２３における空隙部２３ｂが第１実施形態の空隙部分１３ｂと異なる形状である点を除いて、上述の第１実施形態と同様である。そのため、詳細な説明は省略する。
【００５０】
図６は、第２実施形態における接合層２３を示す平面図である。
図７は、図６のVII-VII断面図である。なお、図７では、ウエハー基板２２も図示している。
【００５１】
図６および図７に示すように、接合層２３は、接合材２３ａと、空隙部分２３ｂとを含む。
接合材２３ａは、接合面の中心を中心とし周縁領域や中心領域に亘って位置する帯状の複数の同心円部分２３ａ−１と、後述する空隙部分２３ｂの同心円部分２３ｂ−１間を連通させる連通溝２３ａ−２とを含む。
【００５２】
連通溝２３ａ−２は、図７では、同心円部分２３ａ−１よりも薄く設けられ、且つ、十字状に同心円部分２３ａ−１に設けられたものであるが、複数の同心円部分２３ｂ−１間を連通させるものであれば、同心円部分２３ａ−１と同じ厚さで同心円部分２３ａ−１を分断させるものであってもよいし、形状や位置は限定されない。
【００５３】
空隙部分２３ｂは、接合材２３ａに取り囲まれて閉空間をなし、上記の連通溝２３ａ−２によって互いに連通する帯状の複数の同心円部分２３ｂ−１を含むことで、接合材２３ａの周縁側から中心側に連続して延びる。なお、空隙部分２３ｂは、同心円部分２３ｂ−１に代えて、同心多角形部分を含むようにしてもよい。
【００５４】
本実施形態においては、連通溝２３ａ−２は、ウエハー基板２２側に開口するため、空隙部分としても機能する。接合材２３ａ（連通溝２３ａ−２を除く部分）と空隙部分２３ｂ（および２３ａ−２）との接合面における面積比は、ほぼ同一であるか或いは空隙部分２３ｂ（および２３ａ−２）の方が狭いが、空隙部分２３ｂ（および２３ａ−２）の方を広くすることもできる。
【００５５】
以上説明した第２実施形態は、サポート基板２１とウエハー基板２２との間に位置する接合材２３ａと、この接合材２３ａなどに取り囲まれて閉空間をなし接合材２３ａの周縁側から中心側に連続して延びる空隙部分２３ｂと、を含む接合層２３が形成されるなどの第１実施形態との共通点を有する。そのため、本実施形態においても、第１実施形態と共通する点については同様の効果、すなわち、サポート基板２１の剥離を容易にすることができ、且つ歩留りを向上させることができるなどの効果を得ることができる。
【００５６】
また、本実施形態では、空隙部分２３ｂは、互いに連通する複数の同心円部分２３ｂ−１または同心多角形部分を含む。そのため、接合および剥離を接合面で分散させて行うことができる。
【００５７】
＜第３実施形態＞
本実施形態は、接合材３３ａが接着材３３ａ−２を含む点を除いて、上述の第１実施形態または第２実施形態と同様とすることができる。そのため、詳細な説明は省略する。
【００５８】
図８Ａ〜図８Ｃは、第３実施形態における減圧接合の概要を説明するための断面図である。
接合材３３ａについては、第１実施形態或いは第２実施形態のようなものでも、或いは、他の形状であってもよい。空隙部分３３ｂについても、接合材３３ａなどに取り囲まれて閉空間をなし接合材３３ａの周縁側から中心側に連続するものであれば、第１実施形態或いは第２実施形態のようなものでも、或いは、他の形状であってもよい。
【００５９】
接合材３３ａは、サポート基板３１側に位置する基材３３ａ−１と、ウエハー基板３２側に位置する接着材３３ａ−２とを含む。接着材３３ａ−２は、サポート基板３１およびウエハー基板３２のうちの少なくとも一方の一例であるウエハー基板３２に接着される。接着材３３ａ−２は、例えば、有機樹脂のボンド材料である。基材３３ａ−１を省略して、接合材３３ａとして接着材３３ａ−２のみを用いるようにしてもよい。
【００６０】
まず、ウエハー基板３２を薄化など加工する際、サポート基板３１に、樹脂材料を用いた接合層３３として、接合材３３ａおよび空隙部分３３ｂが形成される。接合材３３ａについては、まず上述の第１実施形態の接合材１３ａと同様に基材３３ａ−１を形成し、基材３３ａ−１とウエハー基板３２との間に接着材３３ａ−２を形成するとよい。
【００６１】
図８Ａに示すように、サポート基板３１とウエハー基板３２との接合時には、減圧下で、サポート基板３１に形成した接合層３３がウエハー基板３２の回路面３２ａ上に当接するように、サポート基板３１がウエハー基板３２上に載置される。
【００６２】
そのままサポート基板３１およびウエハー基板３２を大気暴露することで、図８Ｂに示すように、空隙部分３３ｂは、真空（減圧）に保たれウエハー基板３２は大気圧でサポート基板３１に対して接合される。
なお、接合材３３ａが接着材３３ａ−２を含むため、大気圧下でも接合を行うことができる。
【００６３】
剥離の際は、図８Ｃに示すように、チューブ３４により接合材３３ａに孔を開けて、閉空間を例えば大気解放し、空隙部分３３ｂの減圧状態を解除することで、剥離が行われる。この際には、空間に気体を吹き込むことにより閉空間を陽圧とすることで、より確実に剥離を行うことができる。また、空隙部分３３ｂを減圧状態にしないで接合を行う場合には、接着材３３ａ−２を剥がすのに十分な程度に、閉空間を陽圧とするとよい。
【００６４】
以上説明した第３実施形態は、サポート基板３１とウエハー基板３２との間に位置する接合材３３ａと、この接合材３３ａなどに取り囲まれて閉空間をなし接合面の周縁側から中心側に連続する空隙部分３３ｂと、を含む接合層３３が形成されるなどの第１実施形態または第２実施形態との共通点を有する。そのため、本実施形態においても、第１実施形態または第２実施形態と共通する点については同様の効果、すなわち、サポート基板３１の剥離を容易にすることができ、且つ歩留りを向上させることができるなどの効果を得ることができる。
【００６５】
また、本実施形態では、接合材３３ａは、接着材３３ａ−２を含む。そのため、より確実に接合を行うことができる。また、空隙部分３３ｂを減圧状態としない場合でも、サポート基板３１とウエハー基板３２とを接合することができる。
【００６６】
＜第４実施形態＞
本実施形態は、多孔質部４３ａと、この多孔質部４３ａの周囲に位置する非多孔質部４３ｂとを形成することにより接合層４３を形成する点、および、空隙部分が多孔質部４３ａの孔である点を除いて、上述の第１実施形態〜第３実施形態と同様とすることができる。そのため、詳細な説明は省略する。
【００６７】
図９Ａ〜図９Ｅは、第４実施形態に係るウエハー基板４２の製造方法を説明するための断面図である。
まず、図９Ａに示すように、サポート基板１１上に図示しないボンド材料がコートされ、その上に多孔質フィルムを一例とする多孔質部４３ａがコートされる。多孔質フィルムは、有機材料でも無機材料でもよい。
【００６８】
次に、図９Ｂに示すように、多孔質部４３ａの外周部分に、例えば、樹脂をスプレー塗布し９０℃で乾燥させることで、多孔質部４３ｂが形成される。本実施形態では、多孔質部４３ａの孔が空隙部分として機能し、多孔質部４３ａの孔以外の部分と非多孔質部４３ｂとが接合材として機能する。
【００６９】
多孔質部４３ｂは、例えば、塗布幅１〜３ｍｍのシリコーン樹脂である。しかし、多孔質部４３ｂの材料や幅は、使用温度条件などに応じて、他の材料や他の幅であってもよい。例えば、他の材料の一例としては、エポキシ系、フェーノール系、イミド系、ＰＥＴなどの樹脂が挙げられる。
【００７０】
次に、図４に示す減圧チャンバ１０５内の減圧空間において、図９Ｃに示すようにウエハー基板４２が貼り合わされる。なお、減圧空間の真空度は、例えば１Ｐａ未満である。
【００７１】
次に、図９Ｄに示すように、サポート基板４１に接合されたままウエハー基板４２がバックグラインドされる。バックグラインドは、第１実施形態と同様に、例えば、＃２０００のプリグラインドを行い、バックグライティング後のウエハー基板４２−１の残し厚さは５０μｍとするとよい。バックグラインディング後のＴＴＶを測定したところ＜１．５μｍと非常に良い結果であった。また、多孔質部４３ａの孔を一例とする空隙部分に起因するようなウエハー基板４２の転写跡は、バックグラインディング後にも見られなかった。
【００７２】
次に、図９Ｅに示すように、サポート基板４１に接合されたウエハー基板４２−１がダイシングフレーム４５のフレーム４５ｂに支持されたフィルム４５ａに貼り付けられる。そして、サポート基板４１とウエハー基板４２とが剥離される。
【００７３】
剥離の際は、第１実施形態において上述したように、チューブ４４により接合材４３ａに孔を開けて、閉空間を例えば大気解放し、空隙部分４３ｂの減圧状態を解除することで、剥離が行われる。この際には、空間に気体を吹き込むことにより閉空間を陽圧とすることで、より確実に剥離を行うこともできる。
【００７４】
ダイシングフレーム４５に貼り合わされたウエハー基板４２には、その後、例えば、有機系洗浄工程やダイシング工程などの工程が行われる。
【００７５】
以上説明した第４実施形態は、サポート基板４１とウエハー基板４２との間に位置する接合材（非多孔質部４３ｂと多孔質部４３ａの孔以外の部分）と、この接合材に取り囲まれて閉空間をなし接合面の周縁側から中心側に連続して延びる空隙部分（多孔質部４３ａの孔）と、を含む接合層４３が形成されるなどの第１実施形態〜第３実施形態との共通点を有する。そのため、本実施形態においても、第１実施形態〜第３実施形態と共通する点については同様の効果、すなわち、サポート基板４１の剥離を容易にすることができ、且つ歩留りを向上させることができるなどの効果を得ることができる。
【００７６】
また、本実施形態では、接合層４３を形成する工程において、多孔質部４３ａと、この多孔質部４３ａの周囲に位置する非多孔質部４３ｂとを形成することにより接合層４３が形成され、空隙部分は、多孔質部４３ａの孔である。そのため、接合および剥離を接合面で分散させて行うことができる。
【００７７】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
ウエハー基板と該ウエハー基板を支持するサポート基板との間に位置する接合材と、前記ウエハー基板および前記サポート基板のうちの少なくとも一方と前記接合材とに取り囲まれて閉空間をなし前記接合面の周縁側から中心側に連続する空隙部分と、を含む接合層を形成し、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合し、
前記空隙部分の閉空間を開放し、前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
（付記２）
付記１記載のウエハー基板の製造方法において、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合する工程では、前記空隙部分が減圧状態となるように前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合し、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する工程では、前記空隙部分の閉空間を開放して該空隙部分の前記減圧状態を解除し、前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
（付記３）
付記２記載のウエハー基板の製造方法において、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合する工程では、減圧空間において前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合する、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
（付記４）
付記２または付記３記載のウエハー基板の製造方法において、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合する工程では、前記空隙部分が真空状態となるように、前記ウエハー基板と前記サポート基板とを接合する、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
（付記５）
付記２から付記４のいずれか記載のウエハー基板の製造方法において、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する工程では、前記接合材に孔を設けて前記閉空間を大気開放する、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
（付記６）
付記１から付記５のいずれか記載のウエハー基板の製造方法において、
前記ウエハー基板と前記サポート基板とを剥離する工程では、前記接合材に孔を設けて前記閉空間に気体を吹き込むことにより前記閉空間を陽圧とする、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
（付記７）
付記１から付記６のいずれか記載のウエハー基板の製造方法において、
前記空隙部分は、帯状に延びる、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
（付記８）
付記７記載のウエハー基板の製造方法において、
前記空隙部分は、スパイラル状に延びる、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
（付記９）
付記７記載のウエハー基板の製造方法において、
前記空隙部分は、互いに連通する複数の同心円部分または同心多角形部分を含む、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
（付記１０）
付記１から付記６のいずれか記載のウエハー基板の製造方法において、
前記接合層を形成する工程では、多孔質部と、該多孔質部の周囲に位置する非多孔質部とを形成することにより前記接合層を形成し、
前記空隙部分は、前記多孔質部の孔である、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
（付記１１）
付記１から付記１０のいずれか記載のウエハー基板の製造方法において、
前記接合材は、接着材を含む、
ことを特徴とするウエハー基板の製造方法。
【符号の説明】
【００７８】
１１      サポート基板
１２      ウエハー基板
１２ａ    回路面
１３      接合層
１３ａ    接合材
１３ｂ    空隙部分
１４      チューブ
１５      ダイシングフレーム
１５ａ    フィルム
１５ｂ    フレーム
２１      サポート基板
２２      ウエハー基板
２３      接合層
２３ａ    接合材
２３ａ−１同心円部分
２３ａ−２連通溝
２３ｂ    空隙部分
２３ｂ−１同心円部分
３１      サポート基板
３２      ウエハー基板
３２ａ    回路面
３３      接合層
３３ａ    接合材
３３ａ−１基材
３３ａ−２接着材
３３ｂ    空隙部分
３４      チューブ
４１      サポート基板
４２      ウエハー基板
４３      接合層
４３ａ    多孔質部
４３ｂ    非多孔質部
４５      ダイシングフレーム
４５ａ    フィルム
４５ｂ    フレーム
１００    ウエハー基板の製造装置
１０１    ステージ
１０２    ステージ
１０３    シリンダ
１０４    シリンダ
１０５    減圧チャンバ
１０６    真空ポンプ
１０７    配管
１０８    バルブ
【図１】
2014017284.tif 000003
【図２】
2014017284.tif 000004
【図３Ａ】
2014017284.tif 000005
【図３Ｂ】
2014017284.tif 000006
【図３Ｃ】
2014017284.tif 000007
【図４】
2014017284.tif 000008
【図５Ａ】
2014017284.tif 000009
【図５Ｂ】
2014017284.tif 000010
【図５Ｃ】
2014017284.tif 000011
【図５Ｄ】
2014017284.tif 000012
【図５Ｅ】
2014017284.tif 000013
【図６】
2014017284.tif 000014
【図７】
2014017284.tif 000015
【図８Ａ】
2014017284.tif 000016
【図８Ｂ】
2014017284.tif 000017
【図８Ｃ】
2014017284.tif 000018
【図９Ａ】
2014017284.tif 000019
【図９Ｂ】
2014017284.tif 000020
【図９Ｃ】
2014017284.tif 000021
【図９Ｄ】
2014017284.tif 000022
【図９Ｅ】
2014017284.tif 000023