(57)【要約】【課題】検討に係る部品のピンのインタフェースを確認できるようにする。【解決手段】本方法は、（Ａ）伝送線路解析に用いられ且つ半導体装置の少なくとも出力ピンの出力特性を表すテキストデータを格納するデータ格納部に格納されたテキストデータから、電圧電流特性曲線を生成し、（Ｂ）生成された電圧電流特性曲線と所定の負荷直線との交点に基づき、信号から出力される信号の出力形式を特定し、（Ｃ）特定された出力形式を出力する処理を含む。【選択図】図１
2014238737.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
伝送線路解析に用いられ且つ半導体装置の少なくとも出力ピンの出力特性を表すテキストデータを格納するデータ格納部に格納された前記テキストデータから、電圧電流特性曲線を生成し、
生成された前記電圧電流特性曲線と所定の負荷直線との交点に基づき、前記出力ピンから出力される信号の出力形式を特定し、
特定された前記出力形式を出力する
処理を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【請求項２】
前記電圧電流特性曲線が、プルアップ側の特性曲線と、プルダウン側の特性曲線とを含み、
前記特定する処理が、
前記プルアップ側の特性曲線と、電圧及び電流がゼロである点を通る負荷直線との交点を算出し、
前記プルダウン側の特性曲線と、電流がゼロで前記テキストデータに含まれる電圧範囲の標準値である点を通る負荷直線との交点を算出する
処理を含む請求項１記載のプログラム。
【請求項３】
前記特定する処理が、
前記交点における電流値及び電圧値が、予め定められた複数の条件のいずれを満たすかに応じて、対応する出力形式の蓋然性を表す値を増加させ、
各出力形式の蓋然性を表す値に基づき、最も蓋然性が高い出力形式を特定する
処理を含む請求項１又は２記載のプログラム。
【請求項４】
前記特定する処理が、
前記テキストデータに含まれる所定の数値に基づき、いずれかの出力形式の蓋然性を表す値を増加させる処理
を含む請求項３記載のプログラム。
【請求項５】
前記最も蓋然性が高い出力形式を特定する処理において、
前記テキストデータにおいて差動宣言されているか否かにさらに基づき、最も蓋然性が高い出力形式を特定する
請求項３記載のプログラム。
【請求項６】
前記特定する処理が、
前記交点における電流値及び電圧値が、前記予め定められた複数の条件のうち特定の条件を満たす場合には、フラグをセットする処理をさらに含み、
前記最も蓋然性が高い出力形式を特定する処理において、
前記フラグがセットされているか否かにさらに基づき、最も蓋然性が高い出力形式を特定する
請求項５記載のプログラム。
【請求項７】
特定された前記出力形式に応じて定義される第２の負荷直線と前記電圧電流特性曲線との第２の交点を特定し、
前記第２の交点における特性値が、所定の使用可否判断基準を満たすか否かを判断し、
判断結果を出力する
処理を、さらにコンピュータに実行させるための請求項１乃至６のいずれか１つ記載のプログラム。
【請求項８】
伝送線路解析に用いられ且つ半導体装置の少なくとも出力ピンの出力特性を表すテキストデータを格納するデータ格納部に格納された前記テキストデータから、電圧電流特性曲線を生成し、
生成された前記電圧電流特性曲線と所定の負荷直線との交点に基づき、前記出力ピンから出力される信号の出力形式を特定し、
特定された前記出力形式を出力する
処理を含み、コンピュータにより実行される情報処理方法。
【請求項９】
伝送線路解析に用いられ且つ半導体装置の少なくとも出力ピンの出力特性を表すテキストデータを格納するデータ格納部に格納された前記テキストデータから、電圧電流特性曲線を生成し、生成された前記電圧電流特性曲線と所定の負荷直線との交点に基づき、前記出力ピンから出力される信号の出力形式を特定する処理部と、
特定された前記出力形式を出力する出力部と、
を有する情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
プリント基板設計のデジタル系伝送線路解析を行う際、ＩＢＩＳ（Input/Output Buffer Information Specification）ファイルを用いることが多い。ＩＢＩＳファイルは、伝送線路解析に用いられ、ＩＣ（Integrated Circuit）やＬＳＩ（Large Scale Integrated circuit）などの部品のピンについてバッファモデルに関する記述を含む。ＥＩＡ（Electronic Industries Association）の一組織であるIBIS Open Forumにより、仕様が規格化されている。
【０００２】
ある部品の採否を判断する際、データシートと合わせてＩＢＩＳファイルを入手し、どのような特性であって、適用回路にこの部品が使用可能か否かの検討を行う。
【０００３】
このような検討においては、部品のデータシートなどを用いて様々な点を確認する。具体的には、ＩＢＩＳファイルにおけるピン配列、Ｉ／Ｏ種別、各ピンのバッファの特徴などを確認する。より具体的には、ＩＢＩＳファイルには、［Pin番号］、［signal_name］、［model_name］の情報が含まれるが、例えばＩＢＩＳファイルにおける［model_name］と  データシートにおける［Pin_Type］などと比較することになる。
【０００４】
しかしながら、ＩＢＩＳファイルの［model_name］は特性を表しているわけではなく、データの表現方法を表しているので、例えばデータシートに良く用いられる「ＬＶＤＳ（Low Voltage Differential Signaling）」という表現は出現しない。また、データシートに「ＥＣＬ（Emitter Coupled Logic）」と記載されていても、ＩＢＩＳファイルでは同じＥＣＬというインタフェースを、［Output］で記載しても良いし、［Output_ECL］で記載しても良い。このため、設計者は、ＩＢＩＳファイルにおける［model_name］とデータシートにおける［Pin_Type］等との整合性が取れず、部品の採否の判断が容易にはできない。
【０００５】
すなわち、設計者が意図するインタフェースを有する部品であるかどうかは、ＩＢＩＳファイル及びデータシートを良く理解して確認を行うことになる。この確認を誤ると、再度別の部品の検討を行うことになり、無駄な作業が発生する。また、データシートが未提供又は不十分なレベルの新規部品の場合には、特性が判らないということもある。
【０００６】
従来、ＩＢＩＳファイルに関連して各種確認を行う技術が存在しているが、このようなピンのインタフェースを確認することについては考慮されていない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−８６７７号公報
【特許文献２】特開２０１０−９４７５号公報
【特許文献３】特開２００２−２４５１１２号公報
【特許文献４】特開２００９−７０２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従って、本発明の目的は、一側面によれば、検討に係る部品のピンのインタフェースを確認できるようにするための技術を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様に係る情報処理方法は、（Ａ）伝送線路解析に用いられ且つ半導体装置の少なくとも出力ピンの出力特性を表すテキストデータを格納するデータ格納部に格納されたテキストデータから、電圧電流特性曲線を生成し、（Ｂ）生成された電圧電流特性曲線と所定の負荷直線との交点に基づき、信号から出力される信号の出力形式を特定し、（Ｃ）特定された出力形式を出力する処理を含む。
【発明の効果】
【００１０】
一側面によれば、検討に係る部品のピンのインタフェースを確認できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は、本実施の形態に係る情報処理装置の概要を示す図である。
【図２】図２は、ＩＢＩＳファイルの構造を表す図である。
【図３】図３は、ＩＢＩＳファイルのモデル定義に用いられるサブパラメータ及びキーワードを表す図である。
【図４Ａ】図４Ａは、ＩＢＩＳファイルの一例（一部）を示す図である。
【図４Ｂ】図４Ｂは、ＩＢＩＳファイルの一例（一部）を示す図である。
【図５】図５は、設定データ格納部に格納されるデータの一例を示す図である。
【図６】図６は、メインの処理フローを示す図である。
【図７】図７は、出力タイプ判断処理の処理フローを示す図である。
【図８】図８は、第１出力タイプ判断処理の処理フローを示す図である。
【図９】図９は、第２出力タイプ判断処理の処理フローを示す図である。
【図１０】図１０は、第１モデルにおける特性曲線及び負荷直線との関係を示す図である。
【図１１】図１１は、第２モデルにおける特性曲線及び負荷直線との関係を示す図である。
【図１２】図１２は、第３モデルにおける特性曲線及び負荷直線との関係を示す図である。
【図１３】図１３は、第３出力タイプ判断処理の処理フローを示す図である。
【図１４】図１４は、第４出力タイプ判断処理の処理フローを示す図である。
【図１５】図１５は、第２モデルにおける特性曲線及び第２の負荷直線との関係を示す図である。
【図１６】図１６は、第３モデルにおける特性曲線及び第２の負荷直線との関係を示す図である。
【図１７】図１７は、第４出力タイプ判断処理の処理フローを示す図である。
【図１８】図１８は、表示例を示す図である。
【図１９】図１９は、コンピュータの機能ブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本実施の形態に係る情報処理装置１００の機能ブロック図を図１に示す。情報処理装置１００は、ＩＢＩＳファイル格納部１１０と、設定データ格納部１２０と、処理部１３０と、処理結果格納部１４０と、出力部１５０とを有する。
【００１３】
ＩＢＩＳファイル格納部１１０には、検討に係る部品のＩＢＩＳファイルが格納される。ＩＢＩＳファイルは、図２に示すような構造を有する。ＩＢＩＳファイルは、ファイルヘッダ（ファイル版数、作成者情報等）と、コンポーネント（部品）のピンとバッファモデルのマッピング情報と、差動ピン定義情報と、１又は複数のバッファモデル（図２ではｎ個のモデル）のデータが含まれる。
【００１４】
各バッファモデルのデータには、モデル定義と、プルアップ（Pullup）トランジスタのＶＩ（電圧電流）特性のデータと、プルダウン（Pulldown）トランジスタのＶＩ特性のデータと、グランドクランプダイオードのＶＩ特性のデータと、パワークランプダイオードのＶＩ特性のデータとが含まれる。但し、モデルによって不要なデータについては省略される。
【００１５】
バッファモデルにおけるモデル定義は、図３に示すようなサブパラメータ及びキーワードが含まれる。また、ＶＩ特性のデータは、電流値と電圧値との組み合わせが複数含まれる。ＶＩ特性のデータによれば、後の述べるようなＶＩ空間において特性曲線を描くことができる。
【００１６】
図４Ａ及び図４Ｂに、ＩＢＩＳファイルの一例（一部）を示す。図４Ａ及び図４Ｂの例では、コンポーネントのピンとバッファモデルのマッピング情報として、［Pin］欄には、ピンの番号（１乃至７）に対して、信号名「signal_name」、モデル名「model_name」等が記述される。ここで３種類のモデルが以下に規定されていることが分かる。
【００１７】
さらに、差動ピン定義情報として、［Diff pin］欄には、ピンのペアの情報等が記述される。この例では、ピン「３」と「４」とがペアとなっており、ピン「６」と「７」とがペアとなっている。
【００１８】
さらに、第１のモデル定義のデータとして、［Model］欄には、その名称「ＯＵＴ＿３３」と、各種サブパラメータのデータと、各種キーワードのデータとが記述されている。  また、第２のモデル定義のデータとして、［Model］欄には、その名称「ＯＵＴ＿ＰＯＳＮＥＧ」と、各種サブパラメータのデータと、各種キーワードのデータとが記述されている。さらに、第３のモデル定義のデータとして、［Model］欄には、その名称「ＯＵＴ２５」と、各種サブパラメータのデータと、各種キーワードのデータとが記述されている。
【００１９】
一方、設定データ格納部１２０には、図５に示すようなデータが格納される。図５の例では、以下で述べる処理において用いられる閾値のデータが含まれる。具体的には、ドライブ能力下限値、ＥＣＬ（Emitter Coupled Logic）ドライブ能力標準値、ＥＣＬドライブ能力上限値、ＬＶＤＳ（Low Voltage Differential Signaling）ドライブ能力標準値、ＬＶＤＳドライブ能力上限値、ＨＩＧＨ＿ｓｌｏｐｅ（傾き値）とＬＯＷ＿ｓｌｏｐｅの差異及び負荷インピーダンスとが含まれる。なお、これらの値はデフォルト値を用いても良いが、設計者が適宜変更するようにしても良い。
【００２０】
処理部１３０は、出力タイプ判断部１３１と、使用条件判断部１３２とを有する。出力タイプ判断部１３１は、設定データ格納部１２０及びＩＢＩＳファイル格納部１１０に格納されたデータを用いて、各出力バッファモデルについて、オープン系、ＣＭＯＳ（Complementary Metal-Oxide Semiconductor）、ＬＶＤＳ、ＥＣＬ（トーテムポールタイプ）、ＥＣＬ（エミッタタイプ）のうちいずれのインタフェースになっているかを判断し、処理結果を処理結果格納部１４０に格納する。使用条件判断部１３２は、各出力バッファモデルについて、オープン系及びＣＭＯＳを除き、設定データ格納部１２０及びＩＢＩＳファイル格納部１１０に格納されたデータを用いて、使用可能であるか否かの判断を行って、判断結果を処理結果格納部１４０に格納する。
【００２１】
出力部１５０は、処理結果格納部１４０に格納されたデータを、出力装置（表示装置、印刷装置、他のコンピュータなど）に出力する。
【００２２】
次に、図６乃至図１８を用いて、情報処理装置１００の処理内容について説明する。
【００２３】
まず、処理部１３０は、ＩＢＩＳファイル格納部１１０からＩＢＩＳファイルを読み出す（図６：ステップＳ１）。そして、処理部１３０は、読み出したＩＢＩＳファイルから、ＰＩＮ配置のデータを特定する（ステップＳ３）。［Pin］欄及び［Diff pin］欄のデータを抽出する。後に、［Pin］欄におけるピンのデータと、出力タイプのデータとを対応付けて処理結果格納部１４０に格納する。［Diff pin］欄のデータは、出力タイプの判定に用いる。
【００２４】
その後、処理部１３０は、読み出したＩＢＩＳファイルにおいて、未処理のバッファモデルを特定する（ステップＳ５）。図４Ａ及び図４Ｂの例であれば、第１モデル乃至第３モデルのうち、第１モデルから順番に特定する。
【００２５】
そして、処理部１３０は、特定されたバッファモデルが、出力系モデルであるか否かを判断する（ステップＳ７）。一例として、サブパラメータModel_typeが「Output」となっているか否かを判断する。
【００２６】
特定されたバッファモデルが出力系モデルでない、すなわち入力系モデルである場合には、本実施の形態では取り扱わないので、処理はステップＳ１１に移行する。一方、特定されたバッファモデルが出力系モデルであれば、処理部１３０は、出力タイプ判断処理を実行する（ステップＳ９）。出力タイプ判断処理については、図７乃至図１７を用いて説明する。
【００２７】
まず、出力タイプ判断部１３１は、変数の初期化を行う（図７：ステップＳ２１）。具体的には、ＣＭＯＳの蓋然性を表すＣＣＮＴを０に設定し、ＥＣＬの蓋然性を表すＥＣＮＴを０に設定し、ＬＤＶＳの蓋然性を表すＬＣＮＴを０に設定し、ＥＣＬの場合におけるエミッタタイプであるかトーテムポールタイプであるかを表すフラグＬＯＷを空（’  ’）に設定する。
【００２８】
そして、出力タイプ判断部１３１は、処理に係るバッファモデルにおいて［Pullup］と［Pulldown］のいずれかのみ定義されているか判断する（ステップＳ２３）。［Pullup］及び［Pulldown］のいずれかのみ定義されている場合には、出力タイプはオープン系に限定されるので、出力タイプ判断部１３１は、出力タイプをオープン系として設定し、処理結果格納部１４０に格納する（ステップＳ２５）。なお、［Pullup］であれば、オープンソース（Open_source）系であり、［Pulldown］であれば、オープンドレイン（Open_drain）系である旨を、処理結果格納部１４０に格納するようにしてもよい。そして、処理は呼出元に戻る。
【００２９】
一方、［Pullup］及び［Pulldown］の両方が定義されている場合には、出力タイプ判断部１３１は、第１出力タイプ判断処理を実行する（ステップＳ２７）。この第１出力タイプ判断処理については、図８を用いて説明する。
【００３０】
まず、出力タイプ判断部１３１は、サブパラメータVref = [Voltage range]のtyp - 2.0 であるか否かを判断する（図８：ステップＳ４１）。この条件を満たす場合には、ＥＣＬである蓋然性が高い。例えば、図４Ｂにおける第３モデルの場合、［Voltage range］の標準値３．３−２＝１．３であり、Vref＝１．３であるから、第３モデルについてはこの条件を満たすと判断される。
【００３１】
すなわち、ステップＳ４１の条件を満たす場合には、出力タイプ判断部１３１は、ＥＣＮＴ＝ＥＣＮＴ＋２と設定する（ステップＳ４３）。「２」加算するのは、この条件を満たす場合ＥＣＬの蓋然性がより高いことを表している。そして処理は呼出元の処理に戻る。
【００３２】
一方、ステップＳ４１の条件を満たさない場合には、出力タイプ判断部１３１は、サブパラメータVref＝０又は未記載であるか否かを判断する（ステップＳ４５）。この条件を満たす場合には、ＣＭＯＳである蓋然性が高い。例えば、図４Ａにおける第１モデルの場合、Vref＝０であるから、第１モデルについてはこの条件を満たすと判断される。
【００３３】
すなわち、ステップＳ４５の条件を満たす場合には、出力タイプ判断部１３１は、ＣＣＮＴ＝ＣＣＮＴ＋１と設定する（ステップＳ４７）。第１モデル（図４Ａ）の場合は、このステップを通過する。そして処理は呼出元の処理に戻る。
【００３４】
一方、ステップＳ４５の条件を満たさない場合には、出力タイプ判断部１３１は、ＬＣＮＴ＝ＬＣＮＴ＋１と設定する（ステップＳ４９）。すなわち、ＬＶＤＳの蓋然性が高いため、ＬＣＮＴの値を増加させる。第２モデル（図４Ｂ）の場合は、このステップを通過する。そして処理は呼出元の処理に戻る。
【００３５】
図７の処理に戻って、出力タイプ判断部１３１は、第２出力タイプ判断処理を実行する（ステップＳ２９）。第２出力タイプ判断処理については、図９乃至図１２を用いて説明する。
【００３６】
まず、出力タイプ判断部１３１は、電圧電流平面における（０，０）を通る負荷直線（図５の負荷インピーダンス５０Ωに従い、傾きが負の直線）と、［Pullup］の特性データによる特性曲線との交点（Pullup交点とも呼ぶ）を算出する（図９：ステップＳ５１）。
【００３７】
図１０は、第１モデルについて［Pullup］の特性データによる特性曲線１００１と負荷直線１００２との交点１００３を示す。図１０の例では、縦軸は電流を表し、横軸は電圧を表す。交点１００３は、約２．５５Ｖで約−４５ｍＡの点である。
【００３８】
また、図１１は、第２モデルについて［Pullup］の特性データによる特性曲線１１０１と負荷直線１１０２との交点１１０３を示す。図１１におけるグラフの縦軸及び横軸は図１０と同じである。交点１１０３は、約０．８Ｖで約−１６ｍＡの点である。
【００３９】
さらに、図１２は、第３モデルについて［Pullup］の特性データによる特性曲線１２０１と負荷直線１２０２との交点１２０３を示す。図１２におけるグラフの縦軸及び横軸は図１０と同じである。交点１２０３は、約１．２Ｖで約−２２ｍＡの点である。
【００４０】
次に、出力タイプ判断部１３１は、Pullup交点の電圧値が［Voltage range］欄の標準値（typ）以下且つ電流値（の絶対値）が設定データ格納部１２０におけるドライブ能力下限値以下（図５の例では２ｍＡ）であるか判断する（ステップＳ５３）。この条件を満たす場合には、ＥＣＬかＬＤＶＳの蓋然性が高いので、出力タイプ判断部１３１は、ＥＣＮＴ及びＬＣＮＴを１インクリメントする（ステップＳ５５）。そして処理は呼出元の処理に戻る。なお、図１０乃至図１２の例は、いずれも電圧値についての条件は満たしているが、電流値についての条件を満たしていない。
【００４１】
一方、ステップＳ５３の条件を満たしていない場合には、出力タイプ判断部１３１は、Pullup交点の電流値（の絶対値）がＥＣＬ又はＬＶＤＳドライブ能力標準値以下（図５の例では８ｍＡ又は４ｍＡ）であるか否かを判断する（ステップＳ５７）。この条件を満たす場合には、ＥＣＬかＬＤＶＳの蓋然性が高いので、出力タイプ判断部１３１は、ＥＣＮＴ及びＬＣＮＴを１インクリメントする（ステップＳ５９）。そして処理は呼出元の処理に戻る。なお、図１０乃至図１２の例は、いずれも電流値の絶対値は８ｍＡ以下とはなっていないので、ステップＳ５７の条件を満たしていないと判断される。
【００４２】
一方、ステップＳ５７の条件を満たしていない場合には、ＣＭＯＳの蓋然性が高いので、出力タイプ判断部１３１は、ＣＣＮＴを１インクリメントする（ステップＳ６１）。図１０乃至図１２の例はいずれも、ステップＳ６１で、ＣＣＮＴが１インクリメントされる。そして処理は呼出元の処理に戻る。
【００４３】
図７の処理の説明に戻って、次に、出力タイプ判断部１３１は、第３出力タイプ判断処理を実行する（ステップＳ３１）。この第３出力タイプ判断処理については、図１３を用いて説明する。
【００４４】
まず、出力タイプ判断部１３１は、電圧電流平面における（［Voltage range］の標準値（ｔｙｐ），０）を通る負荷直線（図５の負荷インピーダンス５０Ωに従う直線）と、［Pulldown］の特性データによる特性曲線との交点（Pulldown交点とも呼ぶ）を算出する（図１３：ステップＳ７１）。
【００４５】
図１０は、第１モデルについて［Pulldown］の特性データによる特性曲線１００４と負荷直線１００５との交点１００６をも示す。交点１００６は、約０．６Ｖで約５５ｍＡの点である。
【００４６】
また、図１１は、第２モデルについて［Pulldown］の特性データによる特性曲線１１０４と負荷直線１１０５との交点１１０６をも示す。交点１１０６は、約３．１Ｖで約５．５ｍＡの点である。
【００４７】
さらに、図１２は、第３モデルについて［Pulldown］の特性データによる特性曲線１２０４と負荷直線１２０５との交点１２０６をも示す。交点１２０６は、約２．８Ｖで約９ｍＡの点である。
【００４８】
次に、出力タイプ判断部１３１は、Pulldown交点の電圧値が［Voltage range］欄の標準値（typ）以下且つ電流値が設定データ格納部１２０におけるドライブ能力下限値以下（図５の例では２ｍＡ）であるか判断する（ステップＳ７３）。この条件を満たす場合には、ＥＣＬかＬＤＶＳの蓋然性が高く、ＥＣＬであればエミッタタイプの蓋然性が高いので、出力タイプ判断部１３１は、ＬＯＷフラグにｏｆｆをセットし（ステップＳ７５）、ＥＣＮＴ及びＬＣＮＴを１インクリメントする（ステップＳ７７）。そして処理は呼出元の処理に戻る。なお、図１０乃至図１３の例は、いずれも電圧値についての条件は満たしているが、電流値についての条件を満たしていない。
【００４９】
一方、ステップＳ７３の条件を満たしていない場合には、出力タイプ判断部１３１は、Pulldown交点の電流値（の絶対値）がＥＣＬ又はＬＶＤＳドライブ能力標準値以下（図５の例では８ｍＡ又は４ｍＡ）であるか否かを判断する（ステップＳ７９）。この条件を満たす場合には、ＥＣＬかＬＤＶＳの蓋然性が高いので、出力タイプ判断部１３１は、ＥＣＮＴ及びＬＣＮＴを１インクリメントする（ステップＳ８１）。そして処理は呼出元の処理に戻る。なお、図１０及び図１２の例は、いずれも電流値の絶対値は８ｍＡ以下とはなっていないので、ステップＳ７９の条件を満たしていないと判断される。一方、図１１の例は、電流値は８ｍＡ以下となっている。
【００５０】
一方、ステップＳ７９の条件を満たしていない場合には、ＣＭＯＳの蓋然性が高いので、出力タイプ判断部１３１は、ＣＣＮＴを１インクリメントする（ステップＳ８３）。図１０及び図１２の例はいずれも、ステップＳ８３で、ＣＣＮＴが１インクリメントされる。そして処理は呼出元の処理に戻る。
【００５１】
なお、ここまでの処理を実施すれば、図１０に示される第１モデルについては、ＣＣＮＴ＝３となっている。図１１に示される第２モデルについては、ＬＣＮＴ＝２、ＣＣＮＴ＝１、ＥＣＮＴ＝１となっている。図１２に示される第３モデルについては、ＣＣＮＴ＝２、ＥＣＮＴ＝２である。
【００５２】
図７の処理の説明に戻って、出力タイプ判断部１３１は、ＣＣＮＴが２以上であるか否かを判断する（ステップＳ３３）。第１モデル及び第３モデルについては、この条件を満たす。ＣＣＮＴが２以上であれば、出力タイプ判断部１３１は、ＥＣＮＴが２以上であるか否かを判断する（ステップＳ３５）。ＥＣＮＴが２以上であれば、処理はステップＳ３９に移行する。一方、ＥＣＮＴが２未満であれば、出力タイプ判断部１３１は、処理に係るバッファモデルの出力タイプをＣＭＯＳとして設定し、該当するピンのデータに対応付けて処理結果格納部１４０に格納する（ステップＳ３７）。そして、処理は呼出元の処理に戻る。ＣＭＯＳの蓋然性を表すＣＣＮＴが最も大きいので、出力タイプをＣＭＯＳと設定する。第１モデル（図１０）については、この条件を満たすので、ＣＭＯＳと判断される。なお、ＣＭＯＳについては様々な出力態様の製品が存在するので、使用可否については本実施の形態では判断しない。但し、何らかの基準を設けて使用可否について判断するようにしても良い。
【００５３】
ＣＣＮＴが２未満である場合、又はＣＣＮＴが２以上であるがＥＣＮＴも２以上である場合には、出力タイプ判断部１３１は、第４出力タイプ判断処理を実行する（ステップＳ３９）。そして処理は呼出元の処理に戻る。
【００５４】
第４出力タイプ判断処理については、図１４乃至図１７を用いて説明する。なお、第４出力タイプ判断処理においては、出力タイプの判断に加えて、使用可否についても判断される。
【００５５】
まず、出力タイプ判断部１３１は、処理に係るバッファモデルに差動宣言が含まれているか否かを判断する（図１４：ステップＳ９１）。処理に係るバッファモデルが対応付けられているピン番号を、コンポーネットのピンとバッファモデルのマッピング情報［Pin］において特定し、さらに差動ピン定義情報［Diff pin］において、特定されたピン番号が規定されていれば、差動宣言されていると判断される。第１モデルについては、差動宣言されておらず、第２モデル及び第３モデルについては差動宣言されていると判断される。
【００５６】
差動宣言されている場合には、出力タイプ判断部１３１は、ＬＣＮＴ＞ＥＣＮＴであるか否かを判断する（ステップＳ９３）。ＬＣＮＴの方がＥＣＮＴより大きな値となっている場合には、ＬＣＮＴの蓋然性が高いので、出力タイプ判断部１３１は、出力タイプをＬＶＤＳに設定し、該当するピンのデータに対応付けて処理結果格納部１４０に格納する（ステップＳ９７）。なお、第２モデル（図１１）については、ＬＤＶＳが設定される。一方、ＬＣＮＴがＥＮＣＴ以下であれば、処理はステップＳ９５に移行する。すなわちＬＶＤＳではなければ、ＥＣＬと判断される。
【００５７】
その後、使用条件判断部１３２は、処理に係るバッファモデルにおける電圧Ｖmeas及び電流値＝０を通る第２負荷直線を、電圧電流平面において設定する（ステップＳ９９）。第２モデルについて第２負荷直線１６０１を描くと、図１５に示すようになる。
【００５８】
次に、使用条件判断部１３２は、第２負荷直線と［Pullup］の特性データによる特性曲線との交点を算出し、当該交点における傾きHIGH_slope及び電流値HIGH_Aを算出する（ステップＳ１０１）。図１５の例では、交点１６０２における特性曲線１１０１の傾きHIGH_slopeを算出し、電流値HIGH_A（約−３ｍＡ）を算出する。
【００５９】
また、使用条件判断部１３２は、第２負荷直線と［Pulldown］の特性データによる特性曲線との交点を算出し、当該交点における傾きLOW_slope及び電流値LOW_Aを算出する（ステップＳ１０３）。図１５の例では、交点１６０３における特性曲線１１０４の傾きLOW_slopeを算出し、電流値LOW_A（約４ｍＡ）を算出する。その後、処理は端子Ａを介して図１７の処理に移行する。
【００６０】
一方、処理に係るバッファモデルにおいて差動宣言されていない場合には、出力タイプ判断部１３１は、フラグＬＯＷにｏｆｆがセットされているか判断する（ステップＳ９５）。フラグＬＯＷにｏｆｆがセットされている場合には、ＥＣＬのエミッタタイプであるので、出力タイプ判断部１３１は、出力タイプをＥＣＬ（エミッタタイプ）に設定し、該当するピンのデータに対応付けて処理結果格納部１４０に格納する（ステップＳ１１３）。
【００６１】
その後、使用条件判断部１３２は、処理に係るバッファモデルにおける［Voltage range］の標準値（ｔｙｐ）及び電流値＝０を通る第２負荷直線を、電圧電流平面において設定する（ステップＳ１１５）。
【００６２】
次に、使用条件判断部１３２は、第２負荷直線と［Pullup］の特性データによる特性曲線との交点を算出し、当該交点における電流値HIGH_Aを算出する（ステップＳ１１７）。  また、使用条件判断部１３２は、第２負荷直線と［Pulldown］の特性データによる特性曲線との交点を算出し、当該交点における電流値LOW_Aを算出する（ステップＳ１１９）。その後、処理は端子Ｂを介して図１７の処理に移行する。
【００６３】
一方、フラグＬＯＷにｏｆｆがセットされていない場合には、ＥＣＬのトーテムポールタイプであるので、出力タイプ判断部１３１は、出力タイプをＥＣＬ（トーテムポールタイプ）に設定し、処理結果格納部１４０に格納する（ステップＳ１０５）。第３モデル（図１２）の場合には、フラグＬＯＷにｏｆｆがセットされていないので、ステップＳ１０５で、ＥＬＣ（トーテムポールタイプ）が設定される。
【００６４】
その後、使用条件判断部１３２は、電圧値２Ｖ及び電流値＝０を通る第２負荷直線を、電圧電流平面において設定する（ステップＳ１０７）。第３モデルについて第２負荷直線１７０１を描くと、図１６に示すようになる。
【００６５】
次に、使用条件判断部１３２は、第２負荷直線と［Pullup］の特性データによる特性曲線との交点を算出し、当該交点における電流値HIGH_Aを算出する（ステップＳ１０９）。図１６の例では、交点１７０２における特性曲線１７０１の電流値HIGH_A約−８ｍＡを算出する。
【００６６】
また、使用条件判断部１３２は、第２負荷直線と［Pulldown］の特性データによる特性曲線との交点を算出し、当該交点における電流値LOW_Aを算出する（ステップＳ１１１）。その後、処理は端子Ｂを介して図１７の処理に移行する。図１６の例では、交点１７０３における特性曲線１２０４の電流値LOW_A約８ｍＡを算出する。
【００６７】
図１７の処理の説明に移行して、端子Ａの後に、使用条件判断部１３２は、HIGH_Aが設定データ格納部１２０に格納されている設定データおけるＬＶＤＳドライブ能力上限値以下であり且つLOW_Aが設定データ格納部１２０に格納されている設定データにおけるＬＶＤＳ能力上限値以下であるか判断する（ステップＳ１２１）。ドライブ能力の観点で適切であるか否かを判断するものである。
【００６８】
ステップＳ１２１の条件を満たさない場合には、使用条件判断部１３２は、使用条件外を設定し、処理結果格納部１４０に格納する（ステップＳ１２７）。そして処理は呼出元の処理に戻る。
【００６９】
一方、ステップＳ１２１の条件を満たす場合には、使用条件判断部１３２は、HIGH_slope及びLOW_slopeの差が、設定データ格納部１２０に格納されている設定データに含まれる設定値以下であるという条件を満たしているか判断する（ステップＳ１２３）。具体的には、|HIGH_slope−LOW_slope|／ＭＡＸ（HIGH_slope，LOW_slope）が設定値（図５の例では１０％）以下であるか否かを判断する。ＬＶＤＳの場合には、特性曲線１１０１及び１１０４ではおおよそ同じになるべきであるため、ステップＳ１２３でその差が許容範囲内であるか否かを判断するものである。
【００７０】
ステップＳ１２３の条件を満たさない場合には、処理はステップＳ１２７に移行する。ステップＳ１２３の条件を満たす場合には、使用条件判断部１３２は、使用条件内を設定し、処理結果格納部１４０に格納する（ステップＳ１２５）。そして処理は呼出元の処理に戻る。第２モデルは使用条件内と設定されたものとする。
【００７１】
また、端子Ｂの後に、使用条件判断部１３２は、HIGH_Aが設定データ格納部１２０に格納されている設定データにおけるＥＣＬドライブ能力上限値以下であり且つLOW_Aが設定データ格納部１２０に格納されている設定データにおけるＥＣＬドライブ能力上限値以下であるか否かを判断する（ステップＳ１２９）。ＥＣＬの場合には、ドライブ能力の観点で使用範囲内又は外であるかどうかを判断するが、傾きについても判断しても良い。
【００７２】
ステップＳ１２９の条件を満たす場合には、使用条件判断部１３２は、使用条件内を設定し、処理結果格納部１４０に格納する（ステップＳ１３１）。そして処理は呼出元の処理に戻る。第３モデルは使用条件内と設定されたものとする。
【００７３】
一方、ステップＳ１２９の条件を満たさない場合には、使用条件判断部１３２は、使用条件外を設定し、処理結果格納部１４０に格納する（ステップＳ１３３）。そして処理は呼出元の処理に戻る。
【００７４】
以上のような処理を行うことで、各出力タイプの特性及び設定データに基づき、出力系バッファモデルの出力タイプが設定され、ＣＭＯＳ以外のタイプの場合には使用条件内又は使用条件外が設定されるようになる。
【００７５】
図６の処理の説明に戻って、処理部１３０は、ＩＢＩＳファイルに未処理のバッファモデルが存在するか判断する（ステップＳ１１）。未処理のバッファモデルが存在する場合には処理はステップＳ５に戻る。一方、未処理のバッファモデルが存在しない場合には、出力部１５０は、モデル特性リストを生成し、出力装置に出力する（ステップＳ１３）。例えば、図１８に示すようなデータを生成して出力する。
【００７６】
図１８の例では、各ピンについて、信号名（singal_name）と、バッファモデルのモデル名（model_name）と、設定された出力タイプと、設定された使用条件適合性とが提示されるようになっている。
【００７７】
これによって、設計者は、ＩＢＩＳファイルを自ら詳細に理解せずとも、部品の各ピンのインタフェースの候補を特定でき、当該部品の採否を判断できるようになる。また、データシートとの対比も容易になる。さらに、ＬＶＤＳ及びＥＣＬについては使用可否についても自動的に判定されるので、この点についても部品の採否を判断できるようになる。
【００７８】
以上本発明の実施の形態を説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、図１に示した機能ブロック図は一例であり、プログラムモジュール構成とは一致しない場合もある。
【００７９】
また、処理フローについても、処理結果が変わらない限り、ステップの処理順番を入れ替えたり、複数のステップを並列に実行するようにしても良い。
【００８０】
また、上で述べた処理フローでは、最も特徴的な特性値を基準に判定を行ったが、さらに補助的な特性値を用いて、判定精度を向上させるようにしても良い。
【００８１】
さらに、情報処理装置１００は、１台のコンピュータではなく、複数のコンピュータで構成される場合もある。
【００８２】
なお、上で述べた情報処理装置１００は、コンピュータ装置であって、図１９に示すように、メモリ２５０１とＣＰＵ（Central Processing Unit）２５０３とハードディスク・ドライブ（ＨＤＤ：Hard Disk Drive）２５０５と表示装置２５０９に接続される表示制御部２５０７とリムーバブル・ディスク２５１１用のドライブ装置２５１３と入力装置２５１５とネットワークに接続するための通信制御部２５１７とがバス２５１９で接続されている。オペレーティング・システム（ＯＳ：Operating System）及び本実施例における処理を実施するためのアプリケーション・プログラムは、ＨＤＤ２５０５に格納されており、ＣＰＵ２５０３により実行される際にはＨＤＤ２５０５からメモリ２５０１に読み出される。ＣＰＵ２５０３は、アプリケーション・プログラムの処理内容に応じて表示制御部２５０７、通信制御部２５１７、ドライブ装置２５１３を制御して、所定の動作を行わせる。また、処理途中のデータについては、主としてメモリ２５０１に格納されるが、ＨＤＤ２５０５に格納されるようにしてもよい。本技術の実施例では、上で述べた処理を実施するためのアプリケーション・プログラムはコンピュータ読み取り可能なリムーバブル・ディスク２５１１に格納されて頒布され、ドライブ装置２５１３からＨＤＤ２５０５にインストールされる。インターネットなどのネットワーク及び通信制御部２５１７を経由して、ＨＤＤ２５０５にインストールされる場合もある。このようなコンピュータ装置は、上で述べたＣＰＵ２５０３、メモリ２５０１などのハードウエアとＯＳ及びアプリケーション・プログラムなどのプログラムとが有機的に協働することにより、上で述べたような各種機能を実現する。
【００８３】
以上述べた本実施の形態をまとめると、以下のようになる。
【００８４】
本実施の形態に係る情報処理方法は、（Ａ）伝送線路解析に用いられ且つ半導体装置の少なくとも出力ピンの出力特性を表すテキストデータ（例えばＩＢＩＳファイル）を格納するデータ格納部に格納されたテキストデータから、電圧電流特性曲線を生成し、（Ｂ）生成された電圧電流特性曲線と所定の負荷直線との交点に基づき、信号から出力される信号の出力形式を特定し、（Ｃ）特定された出力形式を出力する処理を含む。
【００８５】
このようにすれば電圧電流特性の特徴を負荷直線との関係から抽出することができ、適切にＣＭＯＳ、ＬＶＤＳ、ＥＣＬといったインタフェースの形式を特定できるようになる。また、ＩＢＩＳファイルのデータそのものを十分理解せずとも、半導体装置の採否を容易に判断できるようになる。
【００８６】
また、上で述べた電圧電流特性曲線が、プルアップ側の特性曲線と、プルダウン側の特性曲線とを含む場合もある。この場合、上で述べた特定する処理が、（ｂ１）プルアップ側の特性曲線と、電圧及び電流がゼロである点を通る負荷直線との交点を算出し、（ｂ２）プルダウン側の特性曲線と、電流がゼロでテキストデータに含まれる電圧範囲の標準値である点を通る負荷直線との交点を算出する処理を含むようにしても良い。このような２つの交点によってより精度良く出力形式を特定できるようになる。
【００８７】
さらに、上で述べた特定する処理が、（ｂ３）交点における電流値及び電圧値が、予め定められた複数の条件のいずれを満たすかに応じて、対応する出力形式の蓋然性を表す値を増加させ、（ｂ４）各出力形式の蓋然性を表す値に基づき、最も蓋然性が高い出力形式を特定する処理を含むようにしても良い。このように様々な観点において評価を行って、その中で蓋然性の高い出力形式を特定するので、精度良く出力形式を特定できる。
【００８８】
上で述べた特定する処理が、（ｂ５）テキストデータに含まれる所定の数値に基づき、いずれかの出力形式の蓋然性を表す値を増加させる処理を含むようにしても良い。特徴的な数値を用いることで、より精度の良い判定を行うことができるようになる。
【００８９】
上で述べた最も蓋然性が高い出力形式を特定する処理において、（ｂ４１）テキストデータにおいて差動宣言されているか否かにさらに基づき、最も蓋然性が高い出力形式を特定するようにしても良い。候補の絞り込みが適切に行われる。
【００９０】
また、上で述べた特定する処理が、（ｂ６）上記交点における電流値及び電圧値が、予め定められた複数の条件のうち特定の条件を満たす場合には、フラグをセットする処理をさらに含むようにしても良い。この場合、上で述べた最も蓋然性が高い出力形式を特定する処理において、（ｂ４２）上記フラグがセットされているか否かにさらに基づき、最も蓋然性が高い出力形式を特定するようにしても良い。候補の絞り込みが適切に行われる。
【００９１】
また、本情報処理方法は、（Ｄ）特定された前記出力形式に応じて定義される第２の負荷直線と電圧電流特性曲線との第２の交点を特定し、（Ｅ）第２の交点における特性値が、所定の使用可否判断基準を満たすか否かを判断し、（Ｆ）判断結果を出力する処理をさらに含むようにしても良い。このようにすれば、半導体装置の採否をさらに判断できるようになる。
【００９２】
なお、上で述べたような処理をコンピュータに実行させるためのプログラムを作成することができ、当該プログラムは、例えばフレキシブル・ディスク、ＣＤ−ＲＯＭなどの光ディスク、光磁気ディスク、半導体メモリ（例えばＲＯＭ）、ハードディスク等のコンピュータ読み取り可能な記憶媒体又は記憶装置に格納される。なお、処理途中のデータについては、ＲＡＭ等の記憶装置に一時保管される。
【００９３】
以上の実施例を含む実施形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００９４】
（付記１）
伝送線路解析に用いられ且つ半導体装置の少なくとも出力ピンの出力特性を表すテキストデータを格納するデータ格納部に格納された前記テキストデータから、電圧電流特性曲線を生成し、
生成された前記電圧電流特性曲線と所定の負荷直線との交点に基づき、前記出力ピンから出力される信号の出力形式を特定し、
特定された前記出力形式を出力する
処理を、コンピュータに実行させるためのプログラム。
【００９５】
（付記２）
前記電圧電流特性曲線が、プルアップ側の特性曲線と、プルダウン側の特性曲線とを含み、
前記特定する処理が、
前記プルアップ側の特性曲線と、電圧及び電流がゼロである点を通る負荷直線との交点を算出し、
前記プルダウン側の特性曲線と、電流がゼロで前記テキストデータに含まれる電圧範囲の標準値である点を通る負荷直線との交点を算出する
処理を含む付記１記載のプログラム。
【００９６】
（付記３）
前記特定する処理が、
前記交点における電流値及び電圧値が、予め定められた複数の条件のいずれを満たすかに応じて、対応する出力形式の蓋然性を表す値を増加させ、
各出力形式の蓋然性を表す値に基づき、最も蓋然性が高い出力形式を特定する
処理を含む付記１又は２記載のプログラム。
【００９７】
（付記４）
前記特定する処理が、
前記テキストデータに含まれる所定の数値に基づき、いずれかの出力形式の蓋然性を表す値を増加させる処理
を含む付記３記載のプログラム。
【００９８】
（付記５）
前記最も蓋然性が高い出力形式を特定する処理において、
前記テキストデータにおいて差動宣言されているか否かにさらに基づき、最も蓋然性が高い出力形式を特定する
付記３記載のプログラム。
【００９９】
（付記６）
前記特定する処理が、
前記交点における電流値及び電圧値が、前記予め定められた複数の条件のうち特定の条件を満たす場合には、フラグをセットする処理をさらに含み、
前記最も蓋然性が高い出力形式を特定する処理において、
前記フラグがセットされているか否かにさらに基づき、最も蓋然性が高い出力形式を特定する
付記５記載のプログラム。
【０１００】
（付記７）
特定された前記出力形式に応じて定義される第２の負荷直線と前記電圧電流特性曲線との第２の交点を特定し、
前記第２の交点における特性値が、所定の使用可否判断基準を満たすか否かを判断し、
判断結果を出力する
処理を、さらにコンピュータに実行させるための付記１乃至６のいずれか１つ記載のプログラム。
【０１０１】
（付記８）
伝送線路解析に用いられ且つ半導体装置の少なくとも出力ピンの出力特性を表すテキストデータを格納するデータ格納部に格納された前記テキストデータから、電圧電流特性曲線を生成し、
生成された前記電圧電流特性曲線と所定の負荷直線との交点に基づき、前記出力ピンから出力される信号の出力形式を特定し、
特定された前記出力形式を出力する
処理を含み、コンピュータにより実行される情報処理方法。
【０１０２】
（付記９）
伝送線路解析に用いられ且つ半導体装置の少なくとも出力ピンの出力特性を表すテキストデータを格納するデータ格納部に格納された前記テキストデータから、電圧電流特性曲線を生成し、生成された前記電圧電流特性曲線と所定の負荷直線との交点に基づき、前記出力ピンから出力される信号の出力形式を特定する処理部と、
特定された前記出力形式を出力する出力部と、
を有する情報処理装置。
【符号の説明】
【０１０３】
１１０  ＩＢＩＳファイル格納部
１２０  設定データ格納部
１３０  処理部
１３１  出力タイプ判断部
１３２  使用条件判断部
１４０  処理結果格納部
１５０  出力部
【図１】
2014238737.tif 000003
【図２】
2014238737.tif 000004
【図３】
2014238737.tif 000005
【図４Ａ】
2014238737.tif 000006
【図４Ｂ】
2014238737.tif 000007
【図５】
2014238737.tif 000008
【図６】
2014238737.tif 000009
【図７】
2014238737.tif 000010
【図８】
2014238737.tif 000011
【図９】
2014238737.tif 000012
【図１０】
2014238737.tif 000013
【図１１】
2014238737.tif 000014
【図１２】
2014238737.tif 000015
【図１３】
2014238737.tif 000016
【図１４】
2014238737.tif 000017
【図１５】
2014238737.tif 000018
【図１６】
2014238737.tif 000019
【図１７】
2014238737.tif 000020
【図１８】
2014238737.tif 000021
【図１９】
2014238737.tif 000022