(57)【要約】【課題】基板の周縁部に付着している汚染物質だけを確実に回収し、回収された汚染物質を精度よく分析すること。【解決手段】汚染物質を基板Ｗから回収する回収液の液滴が、洗浄および乾燥が行われた水平な支持体Ｘ１の上面に保持される。その後、支持体Ｘ１上の液滴と基板Ｗの周縁部との接触によって、基板Ｗの周縁部から支持体Ｘ１上の液滴内に汚染物質が移動する。回収液の液滴の蒸発によって支持体Ｘ１が乾燥すると、液滴内の汚染物質が、支持体Ｘ１上で露出する。支持体Ｘ１が乾燥した後、支持体Ｘ１の上面内の液滴を保持していた領域の汚染状態が測定される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体を洗浄および乾燥させる支持体洗浄／乾燥工程と、
前記支持体の洗浄および乾燥が行われた後に、汚染物質を基板から回収する回収液の液滴を水平な前記支持体の上面に保持させる液滴供給工程と、
前記支持体上の前記液滴と基板の周縁部とを接触させることにより、前記基板の周縁部から前記支持体上の前記液滴内に汚染物質を移動させる基板／液滴接触工程と、
前記支持体上の前記液滴を蒸発させて前記支持体を乾燥させることにより、前記液滴内の汚染物質を前記支持体上で露出させる支持体乾燥工程と、
前記支持体が乾燥した後に、前記支持体の上面内の前記液滴を保持していた領域の汚染状態を測定する汚染測定工程とを含む、基板の汚染回収分析方法。
【請求項２】
前記液滴供給工程は、前記回収液の複数の液滴を前記支持体の上面内の複数の領域にそれぞれ保持させる工程を含み、
前記基板／液滴接触工程は、前記基板の周縁部内の複数の領域を、それぞれ異なる前記液滴に接触させる工程を含み、
前記汚染測定工程は、前記支持体の上面内の前記領域ごとに、汚染状態を測定する工程を含む、請求項１に記載の基板の汚染回収分析方法。
【請求項３】
前記液滴供給工程は、前記回収液の複数の液滴を前記支持体の上面内の複数の領域にそれぞれ保持させる工程を含み、
前記基板／液滴接触工程は、複数枚の基板を、それぞれ異なる前記液滴に接触させる工程を含み、
前記汚染測定工程は、前記支持体の上面内の前記領域ごとに、汚染状態を測定する工程を含む、請求項１に記載の基板の汚染回収分析方法。
【請求項４】
前記基板／液滴接触工程は、前記基板が前記支持体の上面に垂直な姿勢で、前記基板の周縁部と前記支持体上の前記液滴とを接触させる工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法。
【請求項５】
前記基板／液滴接触工程は、前記基板が前記支持体の上面に対して傾いた姿勢で、前記基板の周縁部と前記支持体上の前記液滴とを接触させる工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法。
【請求項６】
前記基板／液滴接触工程は、前記基板と前記液滴とが接触する基板／液滴接触位置が前記基板の周縁部に沿って移動するように、前記基板と前記支持体とを相対移動させる工程を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法。
【請求項７】
前記基板／液滴接触工程は、前記基板／液滴接触位置が前記基板の周縁部内の同一の領域を複数回通過するように、前記基板と前記支持体とを相対移動させる工程を含む、請求項６に記載の基板の汚染回収分析方法。
【請求項８】
前記液滴供給工程は、前記回収液の複数の液滴を前記支持体の上面内の複数の領域にそれぞれ保持させる工程を含み、
前記基板／液滴接触工程は、前記複数の液滴のうちの一部の液滴だけと前記基板の周縁部とを接触させる工程を含み、
前記汚染測定工程は、前記支持体が乾燥した後に、前記支持体の上面内の前記領域ごとに、汚染状態を測定する工程を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法。
【請求項９】
前記回収液は、前記基板を溶かすエッチング液であり、
前記基板は、シリコンウエハである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法。
【請求項１０】
前記支持体は、汚染状態が分析されるべき前記基板と同種の基板である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法。
【請求項１１】
支持体の上面が水平な姿勢で前記支持体を保持する支持体保持手段と、
前記支持体保持手段に保持されている支持体を洗浄および乾燥させる支持体洗浄／乾燥手段と、
汚染物質を基板から回収する回収液の液滴を前記支持体保持手段に保持されている支持体の上面に保持させる液滴供給手段と、
前記支持体保持手段に保持されている支持体上の前記液滴と基板の周縁部とを接触させることにより、前記基板の周縁部から前記支持体上の前記液滴内に汚染物質を移動させる基板／液滴接触手段と、
前記支持体保持手段に保持されている支持体上の前記液滴を蒸発させて前記支持体を乾燥させることにより、前記液滴内の汚染物質を前記支持体上で露出させる支持体乾燥手段とを含む、基板の汚染回収装置。
【請求項１２】
支持体の上面が水平な姿勢で前記支持体を保持する支持体保持手段と、
前記支持体保持手段に保持されている支持体を洗浄および乾燥させる支持体洗浄／乾燥手段と、
汚染物質を基板から回収する回収液の液滴を前記支持体保持手段に保持されている支持体の上面に保持させる液滴供給手段と、
前記支持体保持手段に保持されている支持体上の前記液滴と基板の周縁部とを接触させることにより、前記基板の周縁部から前記支持体上の前記液滴内に汚染物質を移動させる基板／液滴接触手段と、
前記支持体保持手段に保持されている支持体上の前記液滴を蒸発させて前記支持体を乾燥させることにより、前記液滴内の汚染物質を前記支持体上で露出させる支持体乾燥手段と、
前記支持体の上面内の前記液滴を保持していた領域の汚染状態を測定する汚染測定手段とを含む、基板の汚染回収分析システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の周縁部から汚染物質を回収して分析する基板の汚染回収分析方法および汚染回収分析システムに関する。さらに、本発明は、基板の周縁部から汚染物質を回収する基板の汚染回収装置に関する。対象となる基板には、たとえば、半導体ウエハ、液晶表示装置用基板、プラズマディスプレイ用基板、ＦＥＤ（Field Emission Display）用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが含まれる。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置や液晶表示装置などの製造工程では、半導体ウエハや液晶表示装置用ガラス基板などの基板が、金属などの汚染物質によって汚染される。特許文献１には、全反射蛍光Ｘ線分析法によって半導体ウエハの金属元素を分析する分析方法が開示されている。
特許文献１の分析方法では、フッ酸が半導体ウエハの表面（上面）に滴下され、半導体ウエハ内の複数の位置にフッ酸が飛散する。その後、半導体ウエハが回転している状態で、回収棒の先端部が半導体ウエハの表面に沿って内方に動かされる。半導体ウエハ上の複数の液滴は、回収棒の先端部と共に半導体ウエハ上を移動し、半導体ウエハの中央部に集められる。そして、集められたフッ酸の液滴が半導体ウエハ上で蒸発した後、フッ酸から析出した金属汚染にＸ線が照射される。これにより、半導体ウエハの金属汚染が半導体ウエハの中央部に回収され、回収された金属汚染が分析される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２４９５４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
全反射蛍光Ｘ線分析法では、全反射する角度でＸ線が試料に照射され、Ｘ線の照射によって試料から放出された蛍光Ｘ線が検出される。Ｘ線が照射される部分が十分に平坦でないと、多量の散乱Ｘ線が発生し、分析精度が低下してしまう。
基板の周縁部（基板の周端面と、基板の表面周縁部の傾斜したベベル部分と、基板の裏面周縁部の傾斜したベベル部分）に付着している金属汚染だけを全反射蛍光Ｘ線分析法によって分析する場合、基板の周縁部にＸ線を照射する方法が考えられる。しかしながら、基板の周縁部は、平坦でなく傾いているので、この方法では、金属汚染を精度よく分析できない。
【０００５】
特許文献１の分析方法を採用して、基板の周縁部に付着している金属汚染を平坦な基板の中央部に回収する方法が考えられるものの、基板の周縁部が平坦でないので、この方法では、基板の周縁部に供給されたフッ酸が、基板の下面側に回り込んでしまう場合がある。したがって、基板の周縁部に付着している金属汚染だけを確実に回収できない。
そこで、本発明の目的は、基板の周縁部に付着している汚染物質だけを確実に回収でき、回収された汚染物質を精度よく分析できる基板の汚染回収分析方法および汚染回収分析システムを提供することである。また、本発明の他の目的は、基板の周縁部に付着している汚染物質だけを確実に回収できる基板の汚染回収装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
前記目的を達成するための請求項１記載の発明は、支持体を洗浄および乾燥させる支持体洗浄／乾燥工程と、前記支持体の洗浄および乾燥が行われた後に、汚染物質を基板から回収する回収液の液滴を水平な前記支持体の上面に保持させる液滴供給工程と、前記支持体上の前記液滴と基板の周縁部とを接触させることにより、前記基板の周縁部から前記支持体上の前記液滴内に汚染物質を移動させる基板／液滴接触工程と、前記支持体上の前記液滴を蒸発させて前記支持体を乾燥させることにより、前記液滴内の汚染物質を前記支持体上で露出させる支持体乾燥工程と、前記支持体が乾燥した後に、前記支持体の上面内の前記液滴を保持していた領域の汚染状態を測定する汚染測定工程とを含む、基板の汚染回収分析方法である。汚染状態が分析されるべき基板は、円板状の基板であってもよいし、四角形状の基板であってもよい。
【０００７】
この発明によれば、汚染物質を基板から回収する回収液が、洗浄および乾燥が行われた支持体の水平な上面に供給され、回収液の液滴が、支持体の上面内の一部の領域に保持される。その後、基板の周縁部が支持体上の液滴に接触するように、基板と支持体とが互いに近づけられる。基板の周縁部に付着している汚染物質は、基板と回収液との接触によって液滴内に移動する。これにより、ベベル部分などの基板の中央部と平行でない部分を含む基板の周縁部から汚染物質が確実に回収される。
【０００８】
基板と回収液との接触によって液滴内に取り込まれた汚染物質は、回収液の蒸発によって支持体上で液滴から露出する。そして、乾燥した支持体上に保持されている汚染物質、つまり、基板から回収された汚染物質が支持体上で測定される。前述のように、基板の周縁部に付着している汚染物質だけを支持体の水平な上面に確実に回収できるので、基板の周縁部の汚染状態を精度よく測定できる。さらに、支持体が予め洗浄されているので、支持体の汚染物質が液滴内に混入することを抑制または防止できる。これにより、基板の周縁部の汚染状態をより正確に把握できる。
【０００９】
請求項２に記載の発明は、前記液滴供給工程は、前記回収液の複数の液滴を前記支持体の上面内の複数の領域にそれぞれ保持させる工程を含み、前記基板／液滴接触工程は、前記基板の周縁部内の複数の領域を、それぞれ異なる前記液滴に接触させる工程を含み、前記汚染測定工程は、前記支持体の上面内の前記領域ごとに、汚染状態を測定する工程を含む、請求項１に記載の基板の汚染回収分析方法である。
【００１０】
この発明によれば、回収液の複数の液滴が、支持体の上面内の複数の領域にそれぞれ保持される。すなわち、支持体の上面内の一つの領域ごとに、一つの回収液の液滴が形成される。そして、基板および支持体の接近および離反が行われ、基板の周縁部内の複数の領域が、それぞれ異なる液滴に接触する。したがって、支持体上の複数の液滴は、それぞれ異なる領域（共通の基板の領域）に接触する。そのため、基板の周縁部内のある領域は、基板の周縁部内の他の領域が接触した液滴とは異なる液滴に接触する。そして、基板と液滴との接触が終わると、支持体の上面内の領域ごとに、汚染物質の測定が行われる。したがって、汚染状態が測定される基板の測定範囲（回収液に接触する全ての範囲）を広げられる上に、この測定範囲の汚染状態を細かく測定できる。
【００１１】
請求項３に記載の発明は、前記液滴供給工程は、前記回収液の複数の液滴を前記支持体の上面内の複数の領域にそれぞれ保持させる工程を含み、前記基板／液滴接触工程は、複数枚の基板を、それぞれ異なる前記液滴に接触させる工程を含み、前記汚染測定工程は、前記支持体の上面内の前記領域ごとに、汚染状態を測定する工程を含む、請求項１に記載の基板の汚染回収分析方法である。
【００１２】
この発明によれば、回収液の複数の液滴が、支持体の上面内の複数の領域にそれぞれ保持される。そして、複数枚の基板が単独で若しくは一括して支持体に近づけられ、複数枚の基板が、それぞれ異なる液滴に接触する。したがって、支持体上の液滴は、支持体上の他の液滴が接触した基板とは異なる基板の周縁部に接触する。そして、基板と液滴との接触が終わると、支持体の上面内の領域ごとに、汚染物質の測定が行われる。したがって、複数枚の基板の周縁部の汚染状態を共通の支持体を用いて測定できる。さらに、基板は、他の基板が接触した液滴とは異なる液滴に接触するので、汚染状態を基板ごとに把握できる。
【００１３】
請求項４に記載の発明は、前記基板／液滴接触工程は、前記基板が前記支持体の上面に垂直な姿勢で、前記基板の周縁部と前記支持体上の前記液滴とを接触させる工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法である。
この発明によれば、基板が支持体の上面に垂直な姿勢で、基板の周縁部と支持体上の液滴とが接触するので、支持体上の液滴は、基板の周端面（基板の最も外側の環状の面）に接触すると共に、概ね等しい割合で基板の表面側および裏面側に回り込む。すなわち、基板の表面周縁部と回収液との接触幅（基板の周端面から基板の中心に向かう基板に平行な方向への距離）が、基板の裏面周縁部と回収液との接触幅と概ね等しい。そのため、基板の表面周縁部および裏面周縁部から均等に汚染物質を回収できる。
【００１４】
請求項５に記載の発明は、前記基板／液滴接触工程は、前記基板が前記支持体の上面に対して傾いた姿勢で、前記基板の周縁部と前記支持体上の前記液滴とを接触させる工程を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法である。
この発明によれば、基板が支持体の上面に対して傾いた姿勢で、基板の周縁部と支持体上の液滴とが接触するので、基板が支持体の上面に垂直な姿勢の場合よりも、基板の主面（表面または裏面）と支持体上の液滴との接触面積が増加し、基板の主面と回収液との接触幅が増加する。そのため、基板の表面または裏面の周縁部内のより広い範囲の汚染状態を測定したい場合には、測定したい範囲に回収液を確実に接触させて、この範囲から汚染物質を確実に回収できる。これにより、基板の周縁部の汚染状態を正確に把握できる。
【００１５】
請求項６に記載の発明は、前記基板／液滴接触工程は、前記基板と前記液滴とが接触する基板／液滴接触位置が前記基板の周縁部に沿って移動するように、前記基板と前記支持体とを相対移動させる工程を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法である。前記基板と前記支持体とを相対移動させる工程は、前記基板と前記支持体とを相対的に回転させる工程であってもよいし、前記基板と前記支持体とを直線的に相対移動させる工程であってもよい。
【００１６】
この発明によれば、基板の周縁部と支持体上の液滴とが接触している状態で、基板と支持体とが相対移動し、これに伴って、基板／液滴接触位置が基板の周縁部に沿って移動する。そのため、基板／液滴接触位置を移動させない場合よりも、基板の周縁部内のより広い範囲から汚染物質を回収できる。たとえば、基板／液滴接触位置を基板の周方向に一周させれば、基板の全周から汚染物質を回収できる。また、周方向への基板／液滴接触位置の移動距離を一周よりも短くすれば、基板の全周よりも短い連続した範囲（基板が円板状の場合には、３６０度未満の範囲。基板が四角形状の場合は、一辺や一角）だけから汚染物質を回収できる。
【００１７】
請求項７に記載の発明は、前記基板／液滴接触工程は、前記基板／液滴接触位置が前記基板の周縁部内の同一の領域を複数回通過するように、前記基板と前記支持体とを相対移動させる工程を含む、請求項６に記載の基板の汚染回収分析方法である。
この発明によれば、基板の周縁部と支持体上の液滴とが接触している状態で、基板と支持体とが相対移動し、これに伴って、基板／液滴接触位置が基板の周縁部内の同一の領域（往復領域）を複数回通過する。これにより、往復領域と回収液との接触時間が増加するので、往復領域から汚染物質が確実に回収される。さらに、基板／液滴接触位置の移動によって回収液が往復領域にむらなく接触するので、往復領域から汚染物質を均一に回収できる。
【００１８】
請求項８に記載の発明は、前記液滴供給工程は、前記回収液の複数の液滴を前記支持体の上面内の複数の領域にそれぞれ保持させる工程を含み、前記基板／液滴接触工程は、前記複数の液滴のうちの一部の液滴だけと前記基板の周縁部とを接触させる工程を含み、前記汚染測定工程は、前記支持体が乾燥した後に、前記支持体の上面内の前記領域ごとに、汚染状態を測定する工程を含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法である。
【００１９】
この発明によれば、回収液の複数の液滴が、支持体の上面内の複数の領域にそれぞれ保持される。そして、複数の液滴のうちの一部の液滴だけが、基板の周縁部に接触し、汚染物質を回収する。つまり、残りの液滴には汚染物質が回収されない。そして、基板と液滴との接触が終わると、全ての液滴が蒸発によって支持体から除去され、液滴を保持していた全ての領域の汚染状態が個別に測定される。したがって、基板に接触した液滴が存在していた領域の汚染状態だけでなく、基板に接触していない液滴が存在していた領域の汚染状態も測定される。そのため、基板と回収液との接触による汚染物質の増加量や、基板と回収液との接触によって追加された汚染物質の種類を把握できる。これにより、基板の周縁部の汚染状態をより正確に把握できる。
【００２０】
請求項９に記載の発明は、前記回収液は、前記基板を溶かすエッチング液であり、前記基板は、シリコンウエハである、請求項１〜８のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法である。
この発明によれば、基板を溶かすエッチング液が回収液として用いられ、シリコンウエハが基板として用いられるので、基板の周縁部と支持体上の液滴とが接触すると、シリコンの自然酸化膜が基板の表層部から除去され、疎水性の下地面が露出する。したがって、支持体上の回収液が基板に弾かれ、基板と液滴とを離した際に基板に残る回収液の残留量が低減される。そのため、回収液内に取り込まれた汚染物質が基板に残留することを抑制または防止できる。これにより、基板の周縁部から汚染物質を確実に回収できる。
【００２１】
請求項１０に記載の発明は、前記支持体は、汚染状態が分析されるべき前記基板と同種の基板である、請求項１〜９のいずれか一項に記載の基板の汚染回収分析方法である。
この発明によれば、汚染状態が分析されるべき基板と同種の基板が、支持体として用いられる。すなわち、少なくとも、大きさ、形状、および材質が基板と共通の物体が、支持体として用いられる。したがって、汚染状態が分析されるべき基板と同種の基板に汚染物質が回収され、この基板（支持体）の汚染状態が測定される。そのため、汚染状態が分析されるべき基板を直接測定する場合と実質的に同じ条件で汚染状態の測定を実施できる。さらに、基板および支持体を搬送する装置を共通化できるし、基板とは仕様が異なる物体を支持体として用いる場合よりも支持体の準備が容易である。
【００２２】
請求項１１に記載の発明は、支持体（Ｘ１）の上面が水平な姿勢で前記支持体を保持する支持体保持手段（９）と、前記支持体保持手段に保持されている支持体を洗浄および乾燥させる支持体洗浄／乾燥手段（２２、２７）と、汚染物質を基板（Ｗ）から回収する回収液の液滴を前記支持体保持手段に保持されている支持体の上面に保持させる液滴供給手段（３１）と、前記支持体保持手段に保持されている支持体上の前記液滴と基板の周縁部とを接触させることにより、前記基板の周縁部から前記支持体上の前記液滴内に汚染物質を移動させる基板／液滴接触手段（３３）と、前記支持体保持手段に保持されている支持体上の前記液滴を蒸発させて前記支持体を乾燥させることにより、前記液滴内の汚染物質を前記支持体上で露出させる支持体乾燥手段（３４）とを含む、基板の汚染回収装置（２）である。この構成によれば、前述のようにして基板の周縁部に付着している汚染物質だけを確実に回収できる。
【００２３】
請求項１２に記載の発明は、支持体の上面が水平な姿勢で前記支持体を保持する支持体保持手段と、前記支持体保持手段に保持されている支持体を洗浄および乾燥させる支持体洗浄／乾燥手段と、汚染物質を基板から回収する回収液の液滴を前記支持体保持手段に保持されている支持体の上面に保持させる液滴供給手段と、前記支持体保持手段に保持されている支持体上の前記液滴と基板の周縁部とを接触させることにより、前記基板の周縁部から前記支持体上の前記液滴内に汚染物質を移動させる基板／液滴接触手段と、前記支持体保持手段に保持されている支持体上の前記液滴を蒸発させて前記支持体を乾燥させることにより、前記液滴内の汚染物質を前記支持体上で露出させる支持体乾燥手段と、前記支持体の上面内の前記液滴を保持していた領域の汚染状態を測定する汚染測定手段（３）とを含む、基板の汚染回収分析システム（１）である。この構成によれば、前述のようにして基板の周縁部に付着している汚染物質だけを確実に回収でき、回収された汚染物質を精度よく分析できる。
【００２４】
なお、この項において、括弧内の英数字は、後述の実施形態における対応構成要素の参照符号を表すものであるが、これらの参照符号により特許請求の範囲を限定する趣旨ではない。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係る基板の汚染回収分析方法の概要を示す模式図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る基板の汚染回収分析システムの構成例を示す模式図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る基板保持装置を図２に示す矢印ＩＩＩの方向に見た模式図である。
【図４】汚染回収分析システムの電気的構成を示すブロック図である。
【図５Ａ】支持体を洗浄室に搬入する支持体搬入工程と、支持体を洗浄する支持体洗浄工程とについて説明するための模式図である。
【図５Ｂ】洗浄室の雰囲気を置換する雰囲気置換工程と、支持体を乾燥させる支持体乾燥工程とについて説明するための模式図である。
【図５Ｃ】支持体を洗浄室から回収室に移動させる室内搬送工程について説明するための模式図である。
【図５Ｄ】基板を回収室に搬入する基板搬入工程について説明するための模式図である。
【図５Ｅ】フッ酸の液滴を支持体の上面に保持させる液滴供給工程について説明するための模式図である。
【図５Ｆ】汚染物質を基板の周縁部から回収する基板／液滴接触工程について説明するための模式図である。
【図５Ｇ】フッ酸の液滴を蒸発させて支持体を乾燥させる支持体乾燥工程について説明するための模式図である。
【図５Ｈ】支持体を汚染回収装置から汚染測定装置に搬送する支持体搬送工程について説明するための模式図である。
【図５Ｉ】支持体に回収された汚染物質を測定する汚染測定工程について説明するための模式図である。
【図６】基板の周方向に分割された複数の範囲が測定範囲として指定されている場合の基板の周縁部からの汚染物質の回収方法の一例について説明するための模式図である。
【図７】基板の表面周縁部または裏面周縁部が測定範囲として指定されている場合の基板の周縁部からの汚染物質の回収方法の一例について説明するための模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下では、本発明の実施形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の一実施形態に係る基板Ｗの汚染回収分析方法の概要を示す模式図である。
本実施形態に係る基板Ｗの汚染回収分析方法は、シリコンウエハなどの基板Ｗから金属汚染などの汚染物質を回収液を用いて支持体Ｘ１上に回収し、その後、支持体Ｘ１上に支持されている汚染物質を測定することにより、基板Ｗから採取された汚染物質の分析を行う。
【００２７】
具体的には、図１の左端に示すように、フッ化水素（ＨＦ）などの洗浄成分を含む洗浄剤が支持体Ｘ１に供給され、その後、支持体Ｘ１上の洗浄剤が除去される。これにより、支持体Ｘ１の外表面（露出している面）に付着している汚染物質が予め除去され、支持体Ｘ１の清浄度が高められる。支持体Ｘ１に供給される洗浄剤は、液体であってもよいし、気体（蒸気）であってもよい。
【００２８】
次に、汚染物質を基板Ｗから回収する回収液が、乾燥した支持体Ｘ１の上面に滴下される。これにより、回収液の液滴が、水平な支持体Ｘ１の上面に保持される。回収液は、フッ化水素酸（以下では、単に「フッ酸」という。）などのエッチング液であってもよいし、純水（脱イオン水（ＤＩＷ））であってもよい。
図１の中央に示すように、基板Ｗは、基板Ｗの周縁部内のある領域が支持体Ｘ１上の回収液の液滴に接触するように支持体Ｘ１に近づけられる。汚染物質は、基板Ｗの周縁部と回収液の液滴との接触によって、基板Ｗの周縁部から支持体Ｘ１上の回収液内に移動する。これにより、基板Ｗの汚染物質が、支持体Ｘ１上の回収液に回収される。
【００２９】
次に、汚染物質を含有した支持体Ｘ１上の回収液の液滴が加熱される。そのため、支持体Ｘ１上の回収液が蒸発し、支持体Ｘ１の上面が乾燥する。支持体Ｘ１上の回収液の蒸発は、加熱に限らず、減圧などの他の方法によって行われてもよい。回収液が蒸発して無くなるので、回収液内の汚染物質は、回収液から露出し、支持体Ｘ１の上面に残る。
次に、図１の右端に示すように、残留物（汚染物質）が含まれる支持体Ｘ１の上面内の一部の領域に、全反射する角度でＸ線が照射される。汚染物質の種類および量は、Ｘ線の照射によって汚染物質から放出される蛍光Ｘ線に基づいて測定される。汚染物質の分析方法は、全反射蛍光Ｘ線分析法であってもよいし、蛍光Ｘ線分析法などの全反射蛍光Ｘ線分析法以外の方法であってもよい。
【００３０】
このようにして、基板Ｗの汚染物質が基板Ｗとは別の部材（支持体Ｘ１）に回収され、回収された汚染物質が支持体Ｘ１上で測定される。そして、この測定に基づいて基板Ｗの汚染物質が分析される。以下では、前述の基板Ｗの汚染回収分析方法を実施できる基板Ｗの汚染回収分析システム１の構成例について説明する。
図２は、本発明の一実施形態に係る基板Ｗの汚染回収分析システム１の構成例を示す模式図である。図３は、本発明の一実施形態に係る基板保持装置１５を図２に示す矢印ＩＩＩの方向に見た模式図である。
【００３１】
図２に示すように、本実施形態に係る基板Ｗの汚染回収分析システム１は、基板Ｗから汚染物質を回収する汚染回収装置２と、回収された汚染物質を測定する汚染測定装置３と、汚染回収装置２と汚染測定装置３との間で基板Ｗおよび支持体Ｘ１を個別に搬送する搬送ロボット４とを含む。
図２に示すように、汚染状態が分析されるべき基板Ｗは、ノッチＮまたはオリエンテーションフラット（いわゆるオリフラ）が外周部に形成された円板状のシリコンウエハである。支持体Ｘ１は、基板Ｗと同種のシリコンウエハ、つまり、大きさおよび形状が基板Ｗと共通のシリコンウエハである。支持体Ｘ１は、水平な上面を有する部材であれば、基板Ｗと同種のシリコンウエハでなくてもよい。たとえば、支持体Ｘ１は、平面視円形に限らず、平面視四角形であってもよい。
【００３２】
図２に示すように、汚染回収装置２は、内部空間を有する箱形の外壁５と、外壁５の内部空間を洗浄室６と回収室７とに仕切る開閉可能な仕切壁８と、洗浄室６と回収室７とが仕切壁８によって隔離される閉位置（図２に示す位置）と洗浄室６と回収室７とが繋がった開位置（図５Ｃに示す位置）との間で仕切壁８を移動させる開閉装置（図示せず）と、外壁５の内部で支持体Ｘ１を保持すると共に、洗浄室６と回収室７との間で支持体Ｘ１を搬送する支持体保持装置９とを含む。支持体Ｘ１の洗浄は、洗浄室６で行われ、汚染物質の回収は、回収室７で行われる。洗浄室６は、回収室７の下方に配置されている。洗浄室６は、回収室７の上方に配置にされていてもよい。当然、洗浄室６と回収室７とが水平方向に並んでいてもよい。
【００３３】
図２に示すように、支持体保持装置９は、支持体Ｘ１を水平な姿勢で支持する支持台１０と、支持台１０の上面で開口する吸引孔に支持体Ｘ１の下面を吸着させることにより支持台１０に支持体Ｘ１を保持させる吸引装置（図示せず）と、支持台１０に保持されている支持体Ｘ１の中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ１まわりに支持体Ｘ１および支持台１０を回転させる支持体回転装置１１とを含む。支持体保持装置９は、さらに、仕切壁８が開位置に位置している状態で支持体Ｘ１および支持台１０を洗浄室６と回収室７との間で搬送する支持体搬送装置１２を含む。支持体回転装置１１は、モータなどの回転アクチュエータを含む装置であり、支持体搬送装置１２は、エアシリンダやボールねじ機構などのリニアアクチュエータを含む装置である。
【００３４】
図２に示すように、汚染回収装置２は、洗浄室６と外壁５の外部とを繋ぐ上開口を開閉する上シャッター１３と、上開口が開かれる開位置と上開口が閉じられる閉位置との間で上シャッター１３を移動させる開閉装置（図示せず）と、回収室７と外壁５の外部とを繋ぐ下開口を開閉する下シャッター１４と、下開口が開かれる開位置と下開口が閉じられる閉位置との間で下シャッター１４を移動させる開閉装置（図示せず）とを含む。
【００３５】
図２に示すように、上開口および下開口は、外壁５の外面から外壁５の内面まで延びており、外壁５を厚み方向に貫通している。上開口および下開口は、上下方向に並んでおり、搬送ロボット４がアクセス可能な位置に配置されている。搬送ロボット４は、下開口を通じてハンドＨ１を洗浄室６に進入させ、上開口を通じてハンドＨ１を回収室７に進入させる。搬送ロボット４は、上開口または下開口を通じて支持体Ｘ１を汚染回収装置２に搬入し、上開口または下開口を通じて支持体Ｘ１を汚染回収装置２から搬出する。また、搬送ロボット４は、上開口を通じて基板Ｗを汚染回収装置２に搬入し、上開口を通じて基板Ｗを汚染回収装置２から搬出する。
【００３６】
図２に示すように、汚染回収装置２は、回収室７で基板Ｗを保持する基板保持装置１５を含む。図２および図３に示すように、基板保持装置１５は、基板Ｗを支持する支持台１６と、支持台１６の上面で開口する吸引孔に基板Ｗの下面を吸着させることにより支持台１６に基板Ｗを保持させる吸引装置（図示せず）と、支持台１６に保持されている基板Ｗの中央部を通る基板Ｗに垂直な回転軸線Ａ２まわりに基板Ｗおよび支持台１６を回転させる基板回転装置１７とを含む。基板保持装置１５は、さらに、支持台１６を支持する多関節アームと、基板Ｗおよび支持台１６を水平方向および鉛直方向に回収室７で移動させる基板搬送装置１８と、支持台１６に保持されている基板Ｗの姿勢を水平な姿勢と鉛直な姿勢との間で変化させる姿勢変更装置１９とを含む。
【００３７】
図２および図３に示すように、多関節アームは、屈曲可能に連結された第１アーム２０および第２アーム２１を含む。第１アーム２０および第２アーム２１は、回収室７に配置されている。第１アーム２０は、基板搬送装置１８を介して外壁５に支持されている。姿勢変更装置１９は、第２アーム２１の一端部に連結されている。第２アーム２１の一端部は、水平な軸線まわりに回転可能に第１アーム２０に連結されている。支持台１６は、回転軸線Ａ２まわりに回転可能に第２アーム２１の他端部に連結されている。したがって、支持台１６は、多関節アームを介して外壁５に支持されている。支持台１６は、第１アーム２０および第２アーム２１によって支持体保持装置９よりも上方で支持されている。そのため、基板保持装置１５は、支持体保持装置９よりも上方で基板Ｗを支持する。
【００３８】
基板搬送装置１８は、エアシリンダやボールねじ機構などのリニアアクチュエータを含む装置である。姿勢変更装置１９は、モータなどの回転アクチュエータを含む装置である。基板搬送装置１８は、第１アーム２０を回収室７で水平方向および鉛直方向に移動させる。第２アーム２１および支持台１６は、第１アーム２０と共に移動する。したがって、基板搬送装置１８は、第１アーム２０を移動させることにより、基板Ｗおよび支持台１６を回収室７で移動させる。また、図３に示すように、姿勢変更装置１９は、第１アーム２０に対して第２アーム２１を水平な軸線まわりに回転させる。これにより、基板Ｗおよび支持台１６の姿勢が変更される。姿勢変更装置１９は、基板Ｗが水平な姿勢で保持される水平位置（実線の位置）から基板Ｗが鉛直な姿勢で保持される鉛直位置（二点鎖線の位置）までの間の任意の位置で基板Ｗおよび支持台１６を保持可能である。
【００３９】
図２に示すように、汚染回収装置２は、支持体Ｘ１を洗浄室６で洗浄する支持体洗浄装置２２を含む。支持体洗浄装置２２は、洗浄剤の蒸気を支持体Ｘ１に供給する洗浄蒸気供給装置であってもよいし、洗浄液を支持体Ｘ１に供給する洗浄液供給装置であってもよい。図２は、支持体洗浄装置２２が洗浄蒸気供給装置である例を示している。
図２に示す支持体洗浄装置２２は、洗浄室６で洗浄剤の蒸気を吐出する洗浄剤ノズル２３と、洗浄剤ノズル２３に接続された洗浄剤配管２４と、洗浄剤配管２４に介装された洗浄剤バルブ２５とを含む。洗浄剤バルブ２５が開かれると、洗浄剤ノズル２３は、洗浄剤配管２４から供給された洗浄剤の蒸気を洗浄室６で吐出する。洗浄剤の蒸気は、洗浄液の蒸発によって発生した気体であってもよいし、洗浄液のミストとキャリアガス（たとえば、不活性ガス）とを含む気体であってもよい。洗浄液は、たとえば、フッ酸である。洗浄液は、フッ酸に限らず、ＳＣ−１（ＮＨ４ＯＨとＨ２Ｏ２とを含む混合液）などの他のエッチング液であってもよい。
【００４０】
図２に示すように、汚染回収装置２は、洗浄室６の雰囲気を置換する雰囲気置換装置を含む。雰囲気置換装置は、洗浄室６の気体を排出する洗浄室排気装置２６と、気体を洗浄室６に供給する給気装置２７とを含む。給気装置２７は、洗浄室６で気体を吐出する気体ノズル２８と、気体ノズル２８に接続された気体配管２９と、気体配管２９に介装された気体バルブ３０とを含む。気体バルブ３０が開かれると、気体ノズル２８は、気体配管２９から供給された気体を洗浄室６で吐出する。気体ノズル２８から吐出される気体は、窒素ガスである。気体ノズル２８から吐出される気体は、窒素ガスに限らず、窒素ガス以外の不活性ガスであってもよい。
【００４１】
図２に示すように、汚染回収装置２は、基板Ｗの汚染物質を回収する回収液の液滴を支持体Ｘ１上に載せる液滴供給装置３１と、回収液の液滴が載せられる支持体Ｘ１の上面内の位置を変更する液滴位置変更装置３２と、支持体Ｘ１上の回収液の液滴と基板Ｗの周縁部とを接触させる基板／液滴接触装置３３と、支持体Ｘ１上の液滴を蒸発させることにより支持体Ｘ１を乾燥させる支持体乾燥装置３４とを含む。
【００４２】
図２に示すように、液滴供給装置３１は、支持体Ｘ１の上面に向けて回収液を滴下する回収液ノズル３５と、回収液ノズル３５に接続された回収液配管３６と、回収液配管３６に介装された回収液バルブ３７とを含む。回収液ノズル３５は、支持体Ｘ１の上方に配置されている。回収液ノズル３５の吐出口は、支持体Ｘ１の上面内の平坦でかつ水平な領域に上下方向に対向している。すなわち、回収液ノズル３５の吐出口は、支持体Ｘ１の周縁部（支持体Ｘ１の周端面と、支持体Ｘ１の上面周縁部の傾斜した部分）には対向しておらず、支持体Ｘ１の上面内の平坦でかつ水平な領域に対向している。
【００４３】
図２に示すように、回収液ノズル３５は、回収液配管３６から供給された回収液を支持体Ｘ１の上面に向けて滴下することにより、回収液の液滴を支持体Ｘ１上に載せる。回収液バルブ３７が開かれると、たとえば０．１ｍｌ〜１ｍｌの回収液の液滴が回収液ノズル３５から吐出され、たとえば直径３ｍｍ〜５ｍｍの回収液の液滴が支持体Ｘ１の上面内の一部の領域に載せられる。回収液は、たとえば、フッ酸である。回収液は、フッ酸に限らず、ＳＣ−１などのエッチング液であってもよい。すなわち、回収液は、洗浄液と同種の液体であってもよい。また、回収液は、基板Ｗを溶かすエッチング液に限らず、純水などのリンス液であってもよい。
【００４４】
図２に示すように、液滴位置変更装置３２は、回収液ノズル３５と支持体Ｘ１とを相対移動させることにより、回収液の液滴が載せられる位置を変更する。液滴位置変更装置３２は、回収液ノズル３５および支持体Ｘ１の一方を移動させる装置であってもよいし、回収液ノズル３５および支持体Ｘ１の両方を移動させる装置であってもよい。図２は、液滴位置変更装置３２が、支持体回転装置１１である例を示している。すなわち、図２は、液滴位置変更装置３２が、支持体Ｘ１だけを回転軸線Ａ１まわりに回転させることにより、回収液ノズル３５の吐出口に対向する支持体Ｘ１の上面内の位置を変更する例を示している。回収液ノズル３５から回収液が滴下されるごとに液滴位置変更装置３２が支持体Ｘ１を回転させると、複数の液滴が、支持体Ｘ１の周方向（回転方向）に離れた、支持体Ｘ１の上面内の複数の位置にそれぞれ載せられる（図６参照）。
【００４５】
図２に示すように、基板／液滴接触装置３３は、支持体Ｘ１上の回収液の液滴と基板Ｗとを相対移動させることにより、基板Ｗの周縁部と回収液の液滴とを接触させる。基板／液滴接触装置３３は、基板Ｗおよび支持体Ｘ１の一方を移動させる装置であってもよいし、基板Ｗおよび支持体Ｘ１の両方を移動させる装置であってもよい。図２は、基板／液滴接触装置３３が、基板搬送装置１８である例を示している。すなわち、図２は、基板／液滴接触装置３３が、基板Ｗだけを移動させることにより、基板Ｗの周縁部を支持体Ｘ１上の回収液の液滴に接触させる例を示している。基板Ｗの周縁部と回収液の液滴との接触は、基板搬送装置１８による基板Ｗの搬送に加えて、支持体回転装置１１および支持体搬送装置１２の少なくとも一方による支持体Ｘ１の移動によって行われてもよい。
【００４６】
図２に示すように、支持体乾燥装置３４は、回収液の液滴を支持体Ｘ１に対して移動させずに、支持体Ｘ１を乾燥させる装置である。すなわち、支持体乾燥装置３４は、支持体Ｘ１を静止させた状態で支持体Ｘ１を乾燥させる装置である。図２は、支持体乾燥装置３４が、赤外線などの可視光線を支持体Ｘ１の上面に向けて発することにより、支持体Ｘ１上の回収液を蒸発させるランプである例を示している。支持体乾燥装置３４は、ランプに限らず、回収室７の気圧を低下させることにより、支持体Ｘ１上の回収液を蒸発させる減圧装置であってもよい。当然、支持体乾燥装置３４は、ランプおよび減圧装置の両方を備えていてもよい。支持体乾燥装置３４が回収液を蒸発させると、基板Ｗの周縁部から回収液内に回収された汚染物質が、回収液の液滴が保持されていた支持体Ｘ１の上面内の一部の領域に残留する。そして、汚染物質を含むこの残留物が、汚染測定装置３によって測定される。
【００４７】
図２に示すように、汚染測定装置３は、測定室３８に相当する内部空間を有する箱形の外壁３９と、外壁３９の内部で支持体Ｘ１を保持する測定物保持装置４０とを含む。測定物保持装置４０は、支持体Ｘ１を水平な姿勢で支持する支持台４１と、支持台４１の上面で開口する吸引孔に支持体Ｘ１の下面を吸着させることにより支持台４１に支持体Ｘ１を保持させる吸引装置（図示せず）と、支持台４１に保持されている支持体Ｘ１の中央部を通る鉛直な回転軸線Ａ３まわりに支持体Ｘ１および支持台４１を回転させる測定物回転装置４２とを含む。
【００４８】
図２に示すように、汚染測定装置３は、測定室３８と外壁３９の外部とを繋ぐ搬入／搬出口を開閉するシャッター４３と、搬入／搬出口が開かれる開位置と搬入／搬出口が閉じられる閉位置との間でシャッター４３を移動させる開閉装置（図示せず）とを含む。搬入／搬出口は、外壁３９の外面から外壁３９の内面まで延びており、外壁３９を厚み方向に貫通している。搬入／搬出口は、搬送ロボット４がアクセス可能な位置に配置されている。搬送ロボット４は、搬入／搬出口を通じてハンドＨ１を測定室３８に進入させる。搬送ロボット４は、搬入／搬出口を通じて測定室３８に支持体Ｘ１を搬入し、搬入／搬出口を通じて測定室３８から支持体Ｘ１を搬出する。
【００４９】
図２に示すように、汚染測定装置３は、全反射する角度でＸ線を支持体Ｘ１の上面内の一部の領域に照射するＸ線源４４と、支持体Ｘ１へのＸ線の照射によって放出される蛍光Ｘ線を検出する検出器４５とを含む。Ｘ線源４４からのＸ線は、汚染物質が含まれる支持体Ｘ１の上面内の一部の領域に、全反射する角度で照射される。Ｘ線の照射範囲は、たとえば、縦および横が１０ｍｍの四角形の領域である。支持体Ｘ１上の汚染物質は、検出器４５によって検出された蛍光Ｘ線に基づいて定性的および定量的に測定される。
【００５０】
図２に示すように、汚染測定装置３は、さらに、支持体Ｘ１に対するＸ線の照射位置を変更する照射位置変更装置４６を含む。支持体Ｘ１に対するＸ線の照射位置は、照射位置変更装置４６が支持体Ｘ１を移動させることにより変更される。照射位置変更装置４６は、支持体Ｘ１を水平面内で回転させる装置であってもよいし、支持体Ｘ１を水平方向に移動させる装置であってもよい。図２は、照射位置変更装置４６が、測定物回転装置４２である例を示している。照射位置変更装置４６は、測定物保持装置４０に保持されている支持体Ｘ１を回転軸線Ａ３まわりに３６０度未満の角度で回転させることにより、支持体Ｘ１に対するＸ線の照射位置を変更する。これにより、支持体Ｘ１の上面内の複数の領域が測定される。
【００５１】
図２に示すように、搬送ロボット４は、一枚の平板状の部材（基板Ｗまたは支持体Ｘ１）を水平な姿勢で支持する平面視Ｕ字状のハンドＨ１と、ハンドＨ１を水平方向に往復させるハンド往復装置４７と、ハンドＨ１を鉛直な軸線まわりに旋回させるハンド旋回装置４８と、ハンドＨ１を鉛直に移動させるハンド鉛直移動装置４９とを含む。
搬送ロボット４は、複数枚の基板Ｗまたは支持体Ｘ１を収容する収容器としてのキャリア（図示せず）から基板Ｗまたは支持体Ｘ１をハンドＨ１によって搬出する。そして、搬送ロボット４は、搬出した基板Ｗまたは支持体Ｘ１を図２に示すアライナ装置５０に搬入する。アライナ装置５０は、中心位置とノッチＮまたはオリフラを基準とする回転方向（周方向）への位置とをセンサーによって検出し、中心位置と回転方向への位置とを調整する装置である。搬送ロボット４は、アライナ装置５０によって位置が調整された基板Ｗまたは支持体Ｘ１、すなわち、アライメントされた基板Ｗまたは支持体Ｘ１をハンドＨ１によってアライナ装置５０から搬出する。
【００５２】
図２に示すように、搬送ロボット４は、アライメントされた支持体Ｘ１をハンドＨ１が支持している状態で、ハンド旋回装置４８およびハンド鉛直移動装置４９の少なくとも一方によってハンドＨ１を移動させることにより、ハンドＨ１を汚染回収装置２に水平に対向させる。その後、搬送ロボット４は、ハンド往復装置４７によってハンドＨ１を水平方向に移動させることにより、ハンドＨ１を汚染回収装置２内に進入させる。そして、搬送ロボット４は、ハンド鉛直移動装置４９によって汚染回収装置２内でハンドＨ１を下降させることにより、ハンド上の支持体Ｘ１を汚染回収装置２に渡す。その後、搬送ロボット４は、ハンドＨ１を汚染回収装置２内から退避させる。このようにして、支持体Ｘ１が汚染回収装置２に搬入される。
【００５３】
基板Ｗが汚染回収装置２に搬入されるときは、前述の一連の動作が行われる。また、支持体Ｘ１が汚染測定装置３に搬入されるときは、前述の一連の動作が汚染測定装置３に対して行われる。また、汚染回収装置２または汚染測定装置３から基板Ｗまたは支持体Ｘ１が搬出されるときには、前述の一連の動作が逆の順番で行われる。また、汚染回収装置２の支持体回転装置１１が支持体Ｘ１を回転軸線Ａ１まわりに回転させる場合、支持体回転装置１１は、搬送ロボット４が汚染回収装置２から支持体Ｘ１を搬出する前に、回転方向への支持体Ｘ１の位置を搬入されたときの位置に戻す。そのため、支持体Ｘ１がアライメントされた状態、すなわち、回転方向への支持体Ｘ１の位置が把握された状態で、支持体Ｘ１が、搬送ロボット４によって汚染回収装置２から汚染測定装置３に搬送される。
【００５４】
図４は、汚染回収分析システム１の電気的構成を示すブロック図である。
汚染回収分析システム１は、汚染回収分析システム１を制御する制御装置５１を含む。汚染回収装置２、汚染測定装置３、および搬送ロボット４は、制御装置５１によって制御される。制御装置５１は、プログラムなどのデータを記憶する記憶装置５２と、記憶装置５２に記憶されたデータに基づいて汚染回収分析システム１を制御するＣＰＵ５３（中央処理装置）とを含む。
【００５５】
汚染回収分析システム１は、制御装置５１に電気的に接続された測定範囲入力装置５４を含む。測定範囲入力装置５４は、汚染回収分析システム１の使用者によって操作される。汚染物質の量および種類が測定される基板Ｗの測定範囲は、使用者による測定範囲入力装置５４の操作によって制御装置５１に入力される。ＣＰＵ５３は、記憶装置５２に記憶された測定範囲に基づいて汚染回収分析システム１を制御し、指定された測定範囲の汚染状態を分析する。
【００５６】
図５Ａ〜図５Ｉは、汚染物質を基板Ｗの周縁部から回収して、回収された汚染物資を測定する動作の一例を示す模式図である。
図５Ａに示すように、汚染物質を基板Ｗの周縁部から回収するときは、支持体Ｘ１を洗浄室６に搬入する支持体搬入工程が行われる。具体的には、制御装置５１は、搬送ロボット４によって下開口を通じて支持体Ｘ１を洗浄室６に搬入させる。さらに、制御装置５１は、搬送ロボット４によって支持体Ｘ１を支持体保持装置９に搬送させる。
【００５７】
次に、図５Ａに示すように、支持体Ｘ１を洗浄する支持体洗浄工程が行われる。具体的には、制御装置５１は、洗浄剤の蒸気の一例であるフッ酸の蒸気を洗浄剤ノズル２３から吐出させる。洗浄剤ノズル２３から吐出されたフッ酸の蒸気は、洗浄室６に充満する。そのため、フッ酸の蒸気が、支持体保持装置９によって洗浄室６で保持されている支持体Ｘ１（本実施形態では、シリコンウエハ）に供給され、シリコンの自然酸化膜が支持体Ｘ１の表層から除去される。支持体Ｘ１に付着している汚染物質は、自然酸化膜と共に支持体Ｘ１から剥離される。これにより、支持体Ｘ１が洗浄室６で洗浄される。
【００５８】
次に、図５Ｂに示すように、洗浄室６の雰囲気を置換する雰囲気置換工程と、支持体Ｘ１を乾燥させる支持体乾燥工程とが並行して行われる。具体的には、制御装置５１は、洗浄剤ノズル２３からのフッ酸の蒸気の吐出を停止させた状態で、気体の一例である窒素ガスを気体ノズル２８から吐出させると共に、洗浄室排気装置２６によって気体を洗浄室６から排出させる。洗浄室６を漂うフッ酸の蒸気は、洗浄室排気装置２６によって洗浄室６から排出される。そのため、洗浄室６の雰囲気が、気体ノズル２８から吐出された窒素ガスに速やかに置換される。それと共に、フッ酸の蒸気の供給によって支持体Ｘ１に付着した液体が蒸発する。これにより、支持体Ｘ１が洗浄室６で乾燥する。
【００５９】
次に、図５Ｃに示すように、支持体Ｘ１を洗浄室６から回収室７に移動させる室内搬送工程が行われる。具体的には、制御装置５１は、仕切壁８を閉位置から開位置に移動させることにより、支持体保持装置９の移動経路から仕切壁８を退避させる。制御装置５１は、この状態で、支持体搬送装置１２によって支持体保持装置９に保持されている支持体Ｘ１を上方に移動させる。支持体保持装置９に保持されている支持体Ｘ１は、仕切壁８の開口部を通じて洗浄室６から回収室７に移動する。これにより、支持体Ｘ１が洗浄室６から回収室７に搬送される。
【００６０】
次に、図５Ｄに示すように、基板Ｗを回収室７に搬入する基板搬入工程が行われる。具体的には、制御装置５１は、アライナ装置５０（図２参照）によってアライメントされた基板Ｗを搬送ロボット４によって回収室７に搬入させる。さらに、制御装置５１は、基板保持装置１５の支持台１６が水平位置で位置決めされている状態で、搬送ロボット４によって基板Ｗを基板保持装置１５に搬送させる。これにより、基板Ｗが水平な姿勢で支持台１６に保持される。制御装置５１は、基板Ｗが支持台１６に保持された後、姿勢変更装置１９によって支持台１６を鉛直位置に移動させる。これにより、基板Ｗの姿勢が、水平な姿勢から鉛直な姿勢に変化し、基板Ｗの周縁部が、回収室７に配置された支持体Ｘ１の上面に上下方向に対向する。
【００６１】
次に、図５Ｅに示すように、回収液の一例であるフッ酸の液滴を支持体Ｘ１の上面に保持させる液滴供給工程が行われる。具体的には、制御装置５１は、支持体保持装置９に水平な姿勢で保持されている支持体Ｘ１を静止させた状態で、フッ酸を回収液ノズル３５から滴下させる。回収液ノズル３５から滴下されたフッ酸は、支持体Ｘ１の上面内の一部の領域に着地し、着地した領域にとどまる。これにより、フッ酸の液滴が支持体Ｘ１の上面内の一部の領域に保持される。
【００６２】
制御装置５１は、回収液ノズル３５からフッ酸を滴下させた後、支持体回転装置１１によって３６０度未満の角度（たとえば、９０度）で支持体Ｘ１を回転軸線Ａ１まわりに回転させる。その後、制御装置５１は、再び、フッ酸を回収液ノズル３５から滴下させる。これにより、２つのフッ酸の液滴が、支持体Ｘ１の周方向に離れた支持体Ｘ１の上面内の２つの位置にそれぞれ保持される。すなわち、２つのフッ酸の液滴は、同一円周上の２つの位置にそれぞれ保持される。必要な場合には、制御装置５１は、この一連の動作を繰り返し、３つ以上のフッ酸の液滴を支持体Ｘ１の上面に保持させる（図６参照）。
【００６３】
次に、図５Ｆに示すように、基板Ｗの周縁部を支持体Ｘ１上の液滴に接触させることにより、汚染物質を基板Ｗの周縁部から回収する汚染回収工程としての基板／液滴接触工程が行われる。具体的には、制御装置５１は、基板保持装置１５によって鉛直な姿勢で保持されている基板Ｗを基板搬送装置１８によって移動させる。これにより、基板Ｗおよび支持体Ｘ１が相対移動し、基板Ｗの周縁部内の一部の領域が、支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に接触する。そのため、基板Ｗの表層部がエッチングされ、汚染物質と共に支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴内に移動する。これにより、基板Ｗの汚染物質が支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に回収される。また、基板Ｗの一例であるシリコンウエハの自然酸化膜が剥離されて、液体をはじき易い基板Ｗの下地面（疎水面）が露出するので、フッ酸が基板Ｗに残り難い。したがって、基板Ｗの汚染物質が支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に確実に回収される。
【００６４】
制御装置５１は、基板Ｗの周縁部内の一部の領域を支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に接触させた後、基板Ｗと支持体Ｘ１とを相対移動させて、基板Ｗの周縁部を支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴から離す。そして、複数の液滴が支持体Ｘ１上に保持されている場合には、制御装置５１は、基板回転装置１７によって基板Ｗを３６０度未満の角度で回転軸線Ａ２まわりに回転させると共に、基板搬送装置１８によって基板Ｗと支持体Ｘ１とを再び相対移動させる。これにより、支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に接触していない別の領域（基板Ｗの周縁部内の領域）が、基板Ｗの周縁部に接触していない別のフッ酸の液滴（支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴）に接触する。すなわち、制御装置５１は、基板Ｗの周縁部内の複数の領域を、支持体Ｘ１上の複数の液滴にそれぞれ接触させる。したがって、基板Ｗの汚染物質は、基板Ｗの複数の領域からそれぞれ支持体Ｘ１上の複数の液滴に個別に回収される。
【００６５】
次に、図５Ｇに示すように、フッ酸の液滴を蒸発させて支持体Ｘ１を乾燥させる支持体乾燥工程が行われる。具体的には、制御装置５１は、支持体乾燥装置３４を発光させることにより、支持体乾燥装置３４からの光を支持体Ｘ１に照射する。これにより、支持体Ｘ１上の複数の液滴が加熱される。そのため、支持体Ｘ１上のフッ酸が蒸発し、支持体Ｘ１の上面が乾燥する。フッ酸の液滴内に回収された汚染物質は、フッ酸の蒸発に伴って液滴から露出し、支持体Ｘ１の上面に残る。そのため、乾燥した支持体Ｘ１の上面に汚染物質だけが保持される。すなわち、基板Ｗの周縁部内の複数の領域にそれぞれ対応する複数の汚染物質の塊が、支持体Ｘ１の上面内の複数の領域にそれぞれ残る。
【００６６】
次に、図５Ｈに示すように、支持体Ｘ１を汚染回収装置２から汚染測定装置３に搬送する支持体搬送工程が行われる。具体的には、制御装置５１は、搬送ロボット４によって支持体Ｘ１を汚染回収装置２から搬出させた後、この支持体Ｘ１を搬送ロボット４によって汚染測定装置３内に搬入させる。汚染回収装置２の支持体回転装置１１が支持体Ｘ１を回転させた場合には、制御装置５１は、搬送ロボット４が汚染回収装置２から支持体Ｘ１を搬出する前に、支持体回転装置１１を制御することにより、回転方向への支持体Ｘ１の位置を搬入されたときの位置に戻す。そのため、支持体Ｘ１は、回転方向への位置が把握された状態で、汚染測定装置３内に搬入される。
【００６７】
次に、図５Ｉに示すように、支持体Ｘ１に回収された汚染物質を測定する汚染測定工程が行われる。具体的には、制御装置５１は、汚染物質が残留している支持体Ｘ１の上面内の一部の領域にＸ線源４４からのＸ線が照射されるように、照射位置変更装置４６としての測定物回転装置４２によって、支持体Ｘ１の上面に対するＸ線の照射位置を調整する。その後、制御装置５１は、Ｘ線源４４からのＸ線を支持体Ｘ１の上面内の一部の領域に照射させる。これにより、Ｘ線が照射された領域から蛍光Ｘ線が放出され、放出された蛍光Ｘ線が、検出器４５によって検出される。
【００６８】
制御装置５１は、Ｘ線源４４等にこの一連の動作を繰り返させ、支持体Ｘ１の上面内の複数の領域に個別にＸ線を照射させる。そのため、汚染物質の測定が領域ごとに行われる。このようにして、汚染物質が基板Ｗの周縁部から支持体Ｘ１に回収され、汚染物質を回収した支持体Ｘ１が汚染測定装置３によって測定される。すなわち、分析対象の基板Ｗは、汚染測定装置３によって直接測定されるのではなく、支持体Ｘ１を介して間接的に測定される。
【００６９】
図６は、基板Ｗの周方向に分割された複数の範囲が測定範囲として指定されている場合の基板Ｗの周縁部からの汚染物質の回収方法の一例について説明するための模式図である。
基板Ｗの周縁部がノッチＮを基準に基板Ｗの周方向に複数（図６では、４つ）に等分割され、この分割された複数の分割範囲の全体が測定範囲として指定されている場合、制御装置５１は、前述の液滴供給工程において、分割範囲の数と同数の液滴を支持体Ｘ１の上面に保持させる。その後、制御装置５１は、一つの分割範囲内の一部の領域を、支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に接触させる。
【００７０】
フッ酸の液滴に接触した領域の広さが分割範囲と等しい場合、制御装置５１は、基板Ｗの周縁部をフッ酸の液滴から離した後、次の分割範囲を支持体Ｘ１上の別のフッ酸の液滴に接触させる。また、図６に示すように、フッ酸の液滴に接触した領域の広さが分割範囲よりも狭い場合、制御装置５１は、基板Ｗの周縁部が支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に接触している状態で、基板回転装置１７によって３６０度未満の角度で基板Ｗを回転させる。その後、制御装置５１は、次の分割範囲内の一部の領域を、支持体Ｘ１上の別のフッ酸の液滴に接触させ、基板Ｗを回転させる。
【００７１】
基板Ｗの周縁部が支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に接触している状態で、制御装置５１が基板Ｗを回転させると、基板／液滴接触位置（基板Ｗとフッ酸の液滴との接触位置）が基板Ｗの周縁部に沿って基板Ｗの周方向に移動する。そのため、分割範囲の全域がフッ酸の液滴に接触する。制御装置５１は、最初の分割範囲の全域がフッ酸の液滴に接触した後、次の分割範囲内の一部の領域を、支持体Ｘ１上の別のフッ酸の液滴に接触させる。その後、制御装置５１は、基板／液滴接触位置を基板Ｗの周方向に移動させる。このようにして、制御装置５１は、複数の分割範囲を支持体Ｘ１上の複数の液滴にそれぞれ接触させる。
【００７２】
制御装置５１が基板Ｗを回転させる場合、制御装置５１は、基板／液滴接触位置を分割範囲の一方の端から分割範囲の他方の端まで移動させた後、基板Ｗの周縁部とフッ酸の液滴とを離してもよいし、基板／液滴接触位置を分割範囲内で基板Ｗの周方向に往復させてもよい。すなわち、制御装置５１は、基板／液滴接触位置が、基板Ｗの周縁部内の同一の領域を複数回通過するように、基板Ｗと支持体Ｘ１とを相対移動させてもよい。
【００７３】
基板Ｗと回収液との接触時間を増加させることにより、基板Ｗの周縁部から汚染物質を確実に回収できる。さらに、回収液がフッ酸などのエッチング液である場合、水との親和性が小さい基板Ｗの下地面（疎水面）を確実に露出させることができるので、基板Ｗと液滴とを離した際に基板Ｗに残る回収液の残留量を低減できる。これにより、汚染物質を基板Ｗの周縁部からより確実に回収できる。そのため、回収液内に取り込まれた汚染物質を支持体Ｘ１上に確実に回収できる。
【００７４】
図７は、基板Ｗの表面周縁部または裏面周縁部が測定範囲として指定されている場合の基板Ｗの周縁部からの汚染物質の回収方法の一例について説明するための模式図である。
基板Ｗの表面周縁部または裏面周縁部は、チャックピンなどの複数の接触部材と接触する場合がある。基板Ｗの表面周縁部または裏面周縁部が測定範囲として指定されている場合、制御装置５１は、基板Ｗが支持体Ｘ１の上面に対して９０度未満の角度で傾いた状態で、前述の液滴供給工程で支持体Ｘ１上に形成されたフッ酸の液滴に基板Ｗの周縁部を接触させる。
【００７５】
具体的には、図７に示すように、制御装置５１は、前述の液滴供給工程で支持体Ｘ１上に形成されたフッ酸の液滴に基板Ｗの周縁部を接触させる前に、基板保持装置１５に保持されている基板Ｗを姿勢変更装置１９によって支持体Ｘ１に対して傾けさせる。これにより、基板保持装置１５に保持されている基板Ｗは、支持体Ｘ１の上面に対して９０度未満の角度で傾いた傾斜姿勢に維持される。制御装置５１は、基板Ｗが傾斜姿勢に維持されている状態で、基板Ｗの周縁部を支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に接触させる。
【００７６】
基板Ｗが支持体Ｘ１の上面に直交する姿勢で、基板Ｗの周縁部が支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に接触する場合、フッ酸が基板Ｗの表面側および裏面側に均等に回り込むものの、回り込んだ範囲が十分でない場合がある。したがって、基板Ｗの表面周縁部または裏面周縁部から汚染物質を確実に回収できない場合がある。これに対して、基板Ｗが支持体Ｘ１の上面に対して傾いている姿勢で、基板Ｗの周縁部が支持体Ｘ１上のフッ酸の液滴に接触する場合、フッ酸の液滴は、基板Ｗの表面周縁部または裏面周縁部に確実に接触する。したがって、チャックピンなどの接触部材との接触によって汚染され易い部分から確実に汚染物質を回収できる。
【００７７】
以上のように本実施形態では、汚染物質を基板Ｗから回収する回収液が、洗浄および乾燥が行われた支持体Ｘ１の水平な上面に供給され、回収液の液滴が、支持体Ｘ１の上面内の一部の領域に保持される。その後、基板Ｗの周縁部が支持体Ｘ１上の液滴に接触するように、基板Ｗと支持体Ｘ１とが互いに近づけられる。基板Ｗの周縁部に付着している汚染物質は、基板Ｗと回収液との接触によって液滴内に移動する。これにより、基板Ｗの周縁部から汚染物質が確実に回収される。
【００７８】
基板Ｗと回収液との接触によって液滴内に取り込まれた汚染物質は、回収液の蒸発によって支持体Ｘ１上で液滴から露出する。そして、乾燥した支持体Ｘ１上に保持されている汚染物質、つまり、基板Ｗから回収された汚染物質が支持体Ｘ１上で測定される。前述のように、基板Ｗの周縁部に付着している汚染物質だけを支持体Ｘ１の水平な上面に確実に回収できるので、基板Ｗの周縁部の汚染状態を精度よく測定できる。さらに、支持体Ｘ１が予め洗浄されているので、支持体Ｘ１の汚染物質が液滴内に混入することを抑制または防止できる。これにより、基板Ｗの周縁部の汚染状態をより正確に把握できる。
【００７９】
また本実施形態では、回収液の複数の液滴が、支持体Ｘ１の上面内の複数の領域にそれぞれ保持される。すなわち、支持体Ｘ１の上面内の一つの領域ごとに、一つの回収液の液滴が形成される。そして、基板Ｗおよび支持体Ｘ１の接近および離反が行われ、基板Ｗの周縁部内の複数の領域が、それぞれ異なる液滴に接触する。したがって、支持体Ｘ１上の複数の液滴は、それぞれ異なる領域（共通の基板Ｗの領域）に接触する。そのため、基板Ｗの周縁部内のある領域は、基板Ｗの周縁部内の他の領域が接触した液滴とは異なる液滴に接触する。そして、基板Ｗと液滴との接触が終わると、支持体Ｘ１の上面内の領域ごとに、汚染物質の測定が行われる。したがって、汚染状態が測定される基板Ｗの測定範囲（回収液に接触する全ての範囲）を広げられる上に、この測定範囲の汚染状態を細かく測定できる。
【００８０】
また本実施形態では、基板Ｗが支持体Ｘ１の上面に垂直な姿勢で、基板Ｗの周縁部と支持体Ｘ１上の液滴とが接触するので、支持体Ｘ１上の液滴は、基板Ｗの周端面（基板Ｗの最も外側の環状の面）に接触すると共に、概ね等しい割合で基板Ｗの表面側および裏面側に回り込む。すなわち、基板Ｗの表面周縁部と回収液との接触幅（基板Ｗの周端面から基板Ｗの中心に向かう基板Ｗに平行な方向への距離）が、基板Ｗの裏面周縁部と回収液との接触幅と概ね等しい。そのため、基板Ｗの表面周縁部および裏面周縁部から均等に汚染物質を回収できる。
【００８１】
また本実施形態では、基板Ｗが支持体Ｘ１の上面に対して傾いた姿勢で、基板Ｗの周縁部と支持体Ｘ１上の液滴とが接触するので、基板Ｗが支持体Ｘ１の上面に垂直な姿勢の場合よりも、基板Ｗの主面（表面または裏面）と支持体Ｘ１上の液滴との接触面積が増加し、基板Ｗの主面と回収液との接触幅が増加する。そのため、基板Ｗの表面または裏面の周縁部内のより広い範囲の汚染状態を測定したい場合には、測定したい範囲に回収液を確実に接触させて、この範囲から汚染物質を確実に回収できる。これにより、基板Ｗの周縁部の汚染状態を正確に把握できる。
【００８２】
また本実施形態では、基板Ｗの周縁部と支持体Ｘ１上の液滴とが接触している状態で、基板Ｗと支持体Ｘ１とが相対移動し、これに伴って、基板／液滴接触位置が基板Ｗの周縁部に沿って移動する。そのため、基板／液滴接触位置を移動させない場合よりも、基板Ｗの周縁部内のより広い範囲から汚染物質を回収できる。たとえば、基板／液滴接触位置を基板Ｗの周方向に一周させれば、基板Ｗの全周から汚染物質を回収できる。また、周方向への基板／液滴接触位置の移動距離を一周よりも短くすれば、その範囲だけから汚染物質を回収できる。
【００８３】
また本実施形態では、基板Ｗの周縁部と支持体Ｘ１上の液滴とが接触している状態で、基板Ｗと支持体Ｘ１とが相対移動し、これに伴って、基板／液滴接触位置が基板Ｗの周縁部内の同一の領域（往復領域）を複数回通過する。これにより、往復領域と回収液との接触時間が増加するので、往復領域から汚染物質が確実に回収される。さらに、基板／液滴接触位置の移動によって回収液が往復領域にむらなく接触するので、往復領域から汚染物質を均一に回収できる。
【００８４】
また本実施形態では、基板Ｗを溶かすエッチング液が回収液として用いられ、シリコンウエハが基板Ｗとして用いられるので、基板Ｗの周縁部と支持体Ｘ１上の液滴とが接触すると、シリコンの自然酸化膜が基板Ｗの表層部から除去され、疎水性の下地面が露出する。したがって、支持体Ｘ１上の回収液が基板Ｗに弾かれ、基板Ｗと液滴とを離した際に基板Ｗに残る回収液の残留量が低減される。そのため、回収液内に取り込まれた汚染物質が基板Ｗに残留することを抑制または防止できる。これにより、基板Ｗの周縁部から汚染物質を確実に回収できる。
【００８５】
また本実施形態では、汚染状態が分析されるべき基板Ｗと同種の基板が、支持体Ｘ１として用いられる。すなわち、少なくとも、大きさ、形状、および材質が基板Ｗと共通の物体が、支持体Ｘ１として用いられる。したがって、汚染状態が分析されるべき基板Ｗと同種の基板に汚染物質が回収され、この基板（支持体Ｘ１）の汚染状態が測定される。そのため、汚染状態が分析されるべき基板Ｗを直接測定する場合と近い条件で汚染状態の測定を実施できる。さらに、基板Ｗおよび支持体Ｘ１を搬送する装置を共通化できるし、基板Ｗとは仕様が異なる物体を支持体Ｘ１として用いる場合よりも支持体Ｘ１の準備が容易である。
【００８６】
本発明の実施形態の説明は以上であるが、本発明は、実施形態の内容に限定されるものではなく、請求項記載の範囲内において種々の変更が可能である。
たとえば、前述の実施形態では、搬送ロボット４のハンドＨ１が平面視Ｕ字状である場合について説明したが、ハンドＨ１は、平面視Ｕ字状に限らず、Ｉ字状などの他の形状であってもよい。
【００８７】
また、前述の実施形態では、基板Ｗおよび支持体Ｘ１が、共通の搬送装置（搬送ロボット４）によって搬送される場合について説明したが、基板Ｗおよび支持体Ｘ１は、別々の搬送装置によって搬送されてもよい。
また、前述の実施形態では、基板保持装置１５が、吸着によって基板Ｗを保持する場合について説明したが、基板保持装置１５は、基板Ｗの周縁部に沿って配置された複数のチャックピンを基板Ｗの周縁部に接触させることにより基板Ｗを保持する挟持式の保持装置であってもよい。支持体保持装置９および測定物保持装置４０についても同様である。
【００８８】
また、前述の実施形態では、洗浄室６および回収室７が共通の外壁（外壁５）の内部に設けられている場合について説明したが、洗浄室６および回収室７は、別々の外壁の内部に設けられていてもよい。すなわち、前述の実施形態では、支持体Ｘ１を洗浄する支持体洗浄装置２２が、基板Ｗから汚染物質を回収する汚染回収装置２と一体である場合について説明したが、支持体洗浄装置２２は、汚染回収装置２と一体でなくてもよい。また、洗浄室６および回収室７が一つに集約され、支持体Ｘ１の洗浄と汚染物質の回収とが同一の外壁によって区画された空間（洗浄／回収室）で行われてもよい。
【００８９】
また、前述の実施形態では、共通の基板Ｗの周縁部内の複数の領域を、支持体Ｘ１上の複数の液滴にそれぞれ接触させる場合について説明したが、複数枚の基板Ｗを支持体Ｘ１上の複数の液滴にそれぞれ接触させてもよい。この場合、複数枚の基板Ｗの汚染状態を測定する測定時間を短縮できる。
また、前述の実施形態では、基板Ｗの周縁部が支持体Ｘ１上の液滴に接触している状態で、基板回転装置１７が、基板Ｗを３６０度未満の角度で回転させる場合について説明したが、制御装置５１は、基板Ｗの周縁部が支持体Ｘ１上の液滴に接触している状態で、基板Ｗを３６０度回転させることにより、基板／液滴接触位置を基板Ｗの周縁部に沿って一周させてもよい。この場合、基板Ｗの周縁部全域の汚染物質を一つの液滴に回収することができる。
【００９０】
また、前述の実施形態では、支持体Ｘ１上の全ての液滴に基板Ｗの周縁部を接触させる場合について説明したが、複数の液滴のうちの一部の液滴だけに基板Ｗの周縁部を接触させてもよい。この場合、基板Ｗと液滴との接触が終わると、全ての液滴が蒸発によって支持体Ｘ１から除去され、液滴を保持していた全ての領域（支持体Ｘ１の上面内の領域）の汚染状態が個別に測定される。したがって、基板Ｗに接触した液滴が存在していた領域の汚染状態だけでなく、基板Ｗに接触していない液滴が存在していた領域の汚染状態も測定される。そのため、基板Ｗと回収液との接触による汚染物質の増加量や、基板Ｗと回収液との接触によって追加された汚染物質の種類を把握できる。これにより、基板Ｗの周縁部の汚染状態をより正確に把握できる。
【００９１】
また、前述の実施形態では、基板Ｗが円板状である場合について説明したが、基板Ｗは、四角形状であってもよい。基板Ｗが四角形状である場合、制御装置５１は、基板／液滴接触装置３３としての基板搬送装置１８によって基板Ｗを直線的に移動させることにより、基板Ｗの一辺だけや基板Ｗの一角だけに回収液の液滴を接触させることができる。当然、制御装置５１は、基板／液滴接触位置を四角形基板Ｗの全周に沿って移動させることにより、四角形基板Ｗの周縁部の全周を回収液の液滴に接触させることもできる。
【００９２】
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００９３】
１        ：汚染回収分析システム
２        ：汚染回収装置
３        ：汚染測定装置（汚染測定手段）
４        ：搬送ロボット
９        ：支持体保持装置（支持体保持手段）
１１      ：支持体回転装置
１２      ：支持体搬送装置
１５      ：基板保持装置
１７      ：基板回転装置
１８      ：基板搬送装置
１９      ：姿勢変更装置
２２      ：支持体洗浄装置（支持体洗浄／乾燥手段）
２３      ：洗浄剤ノズル
２６      ：洗浄室排気装置
２７      ：給気装置（支持体洗浄／乾燥手段）
２８      ：気体ノズル
３１      ：液滴供給装置（液滴供給手段）
３２      ：液滴位置変更装置
３３      ：基板／液滴接触装置（基板／液滴接触手段）
３４      ：支持体乾燥装置（支持体乾燥手段）
３５      ：回収液ノズル
４０      ：測定物保持装置
４２      ：測定物回転装置
４４      ：Ｘ線源
４５      ：検出器
４６      ：照射位置変更装置
５１      ：制御装置
５４      ：測定範囲入力装置
Ｗ        ：基板
Ｘ１      ：支持体
【図１】
2014122842.tif 000003
【図２】
2014122842.tif 000004
【図３】
2014122842.tif 000005
【図４】
2014122842.tif 000006
【図５Ａ】
2014122842.tif 000007
【図５Ｂ】
2014122842.tif 000008
【図５Ｃ】
2014122842.tif 000009
【図５Ｄ】
2014122842.tif 000010
【図５Ｅ】
2014122842.tif 000011
【図５Ｆ】
2014122842.tif 000012
【図５Ｇ】
2014122842.tif 000013
【図５Ｈ】
2014122842.tif 000014
【図５Ｉ】
2014122842.tif 000015
【図６】
2014122842.tif 000016
【図７】
2014122842.tif 000017