(57)【要約】【課題】基板に形成される凹部に埋め込まれた酸化シリコン膜にシームに沿って隙間ができるのを抑えることが可能な成膜方法を提供する。【解決手段】凹部が形成された基板にシリコン含有ガスを供給して当該基板にシリコン含有ガスを吸着させ、吸着されたシリコン含有ガスを酸化ガスで酸化することにより、酸化シリコン膜が基板上に形成される。シリコン含有ガスが供給される基板の上方雰囲気における気相温度は、シリコン含有ガスが分解し得る温度よりも高い温度に基板が加熱されている場合であっても、シリコン含有ガス供給部と酸化ガス供給部とを分離する分離領域から供給される不活性ガスにより低く維持され得るため、シリコン含有ガスは気相中で分解することなく、基板に吸着することができる。【選択図】図９Ａ
2014017296.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン含有ガスと酸化ガスとに対して基板を交互に晒して、当該基板に酸化シリコン膜を成膜する成膜方法であって、
真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルに、凹部が形成された基板を載置するステップと、
前記シリコン含有ガスが気相中で分解し得る温度である第１の温度よりも高い第２の温度に前記回転テーブルを加熱するステップと、
前記真空容器内の第１の空間と、該第１の空間から前記回転テーブルの周方向に離間する第２の空間との間に設けられ、前記第１の空間及び前記第２の空間の第１の天井面よりも低い第２の天井面を提供する天井面形成部内に配置され、前記第２の天井面と前記回転テーブルとの間の狭隘な空間に対して不活性ガスを供給する不活性ガス供給部から前記狭隘な空間を通して少なくとも前記第１の空間に前記不活性ガスを供給することにより、前記第１の空間の気相温度の上昇を抑え、前記シリコン含有ガスの気相中での分解を抑制するステップと、
前記第１の空間に設けられ、前記回転テーブルに対して前記シリコン含有ガスを供給する第１のガス供給部から、前記回転テーブルに載置される前記基板に対して前記シリコン含有ガスを供給するステップと、
前記第２の空間に設けられ、前記回転テーブルに対して前記シリコン含有ガスを酸化する酸化ガスを供給する第２のガス供給部から、前記回転テーブルに載置される前記基板に対して前記酸化ガスを供給するステップと、
前記第２のガス供給部と、前記回転テーブルの回転方向下流側に位置する前記天井面形成部との間に配置されるプラズマ生成部により、当該プラズマ生成部と前記回転テーブルとの間にプラズマを生成するステップと、
前記回転テーブルを回転することにより、当該回転テーブルに載置される前記基板を前記シリコン含有ガス、前記酸化ガス、及び前記プラズマに晒して、前記基板に酸化シリコン膜を成膜するステップと、
前記酸化シリコン膜が成膜された前記基板を加熱するステップと
を含む、成膜方法。
【請求項２】
前記狭隘な空間の容積が前記第１の空間の容積よりも小さい、請求項１に記載の成膜方法。
【請求項３】
前記シリコン含有ガスが、トリスジメチルアミノシランガスである、請求項１又は２に記載の成膜方法。
【請求項４】
前記第２の温度が、４５０℃から６５０℃までの範囲内にある、請求項３に記載の成膜方法。
【請求項５】
加熱するステップにおいて、８００℃から１２００℃までの範囲の温度で前記酸化シリコン膜が加熱される、請求項１から４のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項６】
前記プラズマを生成するステップにおいて、不活性ガスと酸素ガスとの含むガスから前記プラズマが生成される、請求項１から５のいずれか一項に記載の成膜方法。
【請求項７】
前記プラズマを生成するステップにおいて、前記プラズマを生成する高周波電力が１０００Ｗから１００００Ｗまでの範囲にある、請求項１から６のいずれか一項に記載の成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、互いに反応する少なくとも２種類の反応ガスを基板に対して交互に供給することにより、両反応ガスの反応生成物を基板上に成膜する成膜方法に関し、特に基板に形成される凹部を埋め込むに好適な成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路（ＩＣ）の製造プロセスには、例えばトレンチ、ビアホール、又はライン・スペース・パターンにおけるスペースなどの凹部を酸化シリコンで埋め込む工程がある。酸化シリコンで凹部を埋め込む際には、凹部形状に沿って（コンフォーマルに）酸化シリコン膜を成膜できる原子層成膜（ＡＬＤ）法（分子層成膜（ＭＬＤ）法）と呼ばれる成膜方法が好適に採用される。ＡＬＤ法によりコンフォーマルな成膜が可能なのは、凹部の内面に一方の原料ガスが（準）自己制限的に吸着し、これが他方の原料ガスと反応することによって反応生成物の膜が成膜されるためである。（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−５６４７０号公報
【特許文献２】特開平６−１３２２７６号公報（段落００２１）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ＡＬＤ法により凹部を酸化シリコンで埋め込む場合には、凹部の両内側面に堆積される酸化シリコンが厚くなるに伴い、これらの表面が互いに近づき、やがて凹部の中央付近で接することにより、凹部が酸化シリコン膜で埋め込まれる。ところが、双方の酸化シリコン膜が互いに接触した接触面（シーム）は、凹部埋め込み工程より後に行われる加熱工程において凹部内の酸化シリコン膜が収縮すると、互いに離間してしまい、酸化シリコン膜中に隙間ができてしまうことがある。また、凹部の埋め込み工程より後に行われるエッチング工程において、シームに沿ってエッチングが促進されて隙間ができてしまう場合もある。
【０００５】
本発明は、上述の事情に照らしてなされ、基板に形成される凹部に埋め込まれた酸化シリコン膜にシームに沿って隙間ができるのを抑えることが可能な成膜方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、シリコン含有ガスと酸化ガスとに基板を交互に晒して、当該基板に酸化シリコン膜を成膜する成膜方法が提供される。この成膜方法は、真空容器内に回転可能に設けられる回転テーブルに、凹部が形成された基板を載置するステップと、前記シリコン含有ガスが気相中で分解し得る温度である第１の温度よりも高い第２の温度に前記回転テーブルを加熱するステップと、前記真空容器内の第１の空間と、該第１の空間から前記回転テーブルの周方向に離間する第２の空間との間に設けられ、前記第１の空間及び前記第２の空間の第１の天井面よりも低い第２の天井面を提供する天井面形成部内に配置され、前記第２の天井面と前記回転テーブルとの間の狭隘な空間に対して不活性ガスを供給する不活性ガス供給部から前記狭隘な空間を通して少なくとも前記第１の空間に前記不活性ガスを供給することにより、前記第１の空間の気相温度の上昇を抑え、前記シリコン含有ガスの気相中での分解を抑制するステップと、前記第１の空間に設けられ、前記回転テーブルに対して前記シリコン含有ガスを供給する第１のガス供給部から、前記回転テーブルに載置される前記基板に対して前記シリコン含有ガスを供給するステップと、前記第２の空間に設けられ、前記回転テーブルに対して前記シリコン含有ガスを酸化する酸化ガスを供給する第２のガス供給部から、前記回転テーブルに載置される前記基板に対して前記酸化ガスを供給するステップと、前記第２のガス供給部と、前記回転テーブルの回転方向下流側に位置する前記天井面形成部との間に配置されるプラズマ生成部により、当該プラズマ生成部と前記回転テーブルとの間にプラズマを生成するステップと、前記回転テーブルを回転することにより、当該回転テーブルに載置される前記基板を前記シリコン含有ガス、前記酸化ガス、及び前記プラズマに晒して、前記基板に酸化シリコン膜を成膜するステップと、前記酸化シリコン膜が成膜された前記基板を加熱するステップとを含む。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の実施形態によれば、基板に形成される凹部に埋め込まれた酸化シリコン膜にシームに沿って隙間ができるのを抑えることが可能な成膜方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態による成膜方法を実施するのに好適な成膜装置を示す断面図である。
【図２】図１の成膜装置の真空容器内の構造を示す斜視図である。
【図３】図１の成膜装置の真空容器内の構造を示す概略上面である。
【図４】図１の成膜装置のプラズマ発生源を示す概略断面図である。
【図５】図１の成膜装置のプラズマ発生源を示す他の概略断面図である。
【図６】図１の成膜装置のプラズマ発生源を示す概略上面図である。
【図７】図１の成膜装置の一部断面である。
【図８】図１の成膜装置の他の一部断面である。
【図９Ａ】本発明の実施形態による成膜方法を説明する説明図である。
【図９Ｂ】図９Ａに引き続いて、本発明の実施形態による成膜方法を説明する説明図である。
【図１０】本発明の実施形態による成膜方法により成膜した酸化シリコン膜のエッチング速度を比較例及び参考例と共に示すグラフである。
【図１１】本発明の実施形態による成膜方法により埋め込まれた凹部の断面を示す走査型電子顕微鏡像である。
【図１２】本発明の実施形態による成膜方法により成膜した酸化シリコン膜をフーリエ変換赤外分光（ＦＴＩＲ）で評価した結果を示すグラフである。
【図１３】本発明の実施形態による成膜方法により成膜した酸化シリコン膜について測定したリーク電流を、比較例と共に示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付の図面を参照しながら、本発明の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一または対応する部材または部品には、同一または対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。また、図面は、部材又は部品間の相対比を示すことを目的とせず、したがって、具体的な寸法は、以下の限定的でない実施形態に照らし、当業者により決定されるべきものである。
【００１０】
（成膜装置）
始めに、本発明の実施形態による成膜方法を実施するのに好適な成膜装置について説明する。図１は、成膜装置の概略断面であり、図２及び図３は、真空容器１内の構造を説明する図である。図２及び図３では、説明の便宜上、天板１１の図示を省略している。
【００１１】
図１から図３までを参照すると、本発明の実施形態による成膜装置は、ほぼ円形の平面形状を有する扁平な真空容器１と、この真空容器１内に設けられ、真空容器１の中心に回転中心を有する回転テーブル２と、を備えている。真空容器１は、有底の円筒形状を有する容器本体１２と、容器本体１２の上面に対して、例えばＯリングなどのシール部材１３（図１）を介して気密に着脱可能に配置される天板１１とを有している。
【００１２】
回転テーブル２は、中心部にて円筒形状のコア部２１に固定され、このコア部２１は、鉛直方向に伸びる回転軸２２の上端に固定されている。回転軸２２は真空容器１の底部１４を貫通し、その下端が駆動部２３に取り付けられている。駆動部２３により回転軸２２ひいては回転テーブル２が鉛直軸を中心に回転できる。回転軸２２及び駆動部２３は、上面が開口した筒状のケース体２０内に収納されている。このケース体２０はその上面に設けられたフランジ部分が真空容器１の底部１４の下面に気密に取り付けられており、ケース体２０の内部雰囲気が外部雰囲気から隔離される。
【００１３】
回転テーブル２の表面には、図２及び図３に示すように回転方向（周方向）に沿って半導体ウエハ（以下「ウエハ」という）Ｗを載置するための複数（図示の例では５つ）の円形状のウエハ載置部２４が設けられている。ただし、図３では便宜上１個のウエハ載置部２４だけにウエハＷを示す。このウエハ載置部２４は、ウエハＷの直径（例えば３００ｍｍ）よりも僅かに例えば４ｍｍ大きい内径と、ウエハＷの厚さにほぼ等しい深さとを有している。したがって、ウエハＷをウエハ載置部２４に載置すると、ウエハＷの表面と回転テーブル２の表面（ウエハＷが載置されない領域）とがほぼ同じ高さになる。
【００１４】
図２及び図３に示すように、回転テーブル２の上方には、反応ガスノズル３１、分離ガスノズル４２、反応ガスノズル３２、ガス導入ノズル９２、及び分離ガスノズル４１がこの順に真空容器１の周方向に間隔をおいて配列されている。これらのノズル３１、３２、４１、４２、及び９２は、それぞれの基端部であるガス導入ポート３１ａ、３２ａ、４１ａ、４２ａ、及び９２ａ（図３）を容器本体１２の外周壁に固定することにより、真空容器１の外周壁から真空容器１内に導入され、容器本体１２の半径方向に沿って回転テーブル２に対して平行に延びている。
【００１５】
反応ガスノズル３１、３２には、回転テーブル２に向かって下方に開口する複数のガス吐出孔３３（図７参照）が、反応ガスノズル３１、３２の長さ方向に沿って、例えば１０ｍｍの間隔で配列されている。  
図３に示すように、反応ガスノズル３１のガス導入ポート３１ａには、図示しないトリスジメチルアミノシラン（Si(N(CH3)2)3H、以下、３ＤＭＡＳと記す）ガスが充填されるシリコン（Ｓｉ）ガス供給源が開閉バルブ及び流量調整器（ともに不図示）を介して接続されている。これにより、回転テーブル２のウエハ載置部２４に載置されるウエハＷに対し、反応ガスノズル３１から３ＤＭＡＳガスが供給される。また、反応ガスノズル３２には、図示しないオゾン（Ｏ３）ガス供給源が開閉バルブ及び流量調整器（ともに不図示）を介して接続されている。これにより、回転テーブル２のウエハ載置部２４に載置されるウエハＷに対し、反応ガスノズル３２からオゾンガスが供給される。なお、反応ガスノズル３１の下方領域を、３ＤＭＡＳガスをウエハＷに吸着させるための第１の処理領域Ｐ１と言い、反応ガスノズル３２の下方領域を、第１の処理領域Ｐ１においてウエハＷに吸着された３ＤＭＡＳガスを酸化させる第２の処理領域Ｐ２と言う場合がある。
【００１６】
また、分離ガスノズル４１、４２には、回転テーブル２に向かって下方に開口する複数のガス吐出孔４２ｈ（図７参照）が、分離ガスノズル４１、４２の長さ方向に沿って、例えば１０ｍｍの間隔で配列されている。また、分離ガスノズル４１、４２には、ＡｒやＨｅなどの希ガスや窒素ガスなどの不活性ガスの供給源が開閉バルブ及び流量調整器（ともに不図示）を介して接続されている。本実施形態においては、不活性ガスとしてＮ２ガスが使用される。
【００１７】
また、ガス導入ノズル９２にはプラズマ発生源８０が設けられている。以下、図４から図６までを参照しながら、プラズマ発生源８０を説明する。図４は、回転テーブル２の半径方向に沿ったプラズマ発生源８０の概略断面図であり、図５は、回転テーブル２の半径方向と直交する方向に沿ったプラズマ発生源８０の概略断面図であり、図６は、プラズマ発生源８０の概略を示す上面図である。図示の便宜上、これらの図において一部の部材を簡略化している。
【００１８】
図４を参照すると、プラズマ発生源８０は、高周波透過性の材料で作製され、上面から窪んだ凹部を有し、天板１１に形成された開口部１１ａに嵌め込まれるフレーム部材８１と、フレーム部材８１の凹部内に収容され、上部が開口した略箱状の形状を有するファラデー遮蔽板８２と、ファラデー遮蔽板８２の底面上に配置される絶縁板８３と、絶縁板８３の上方に支持され、略八角形の上面形状を有するコイル状のアンテナ８５とを備えている。
【００１９】
天板１１の開口部１１ａは複数の段部を有しており、そのうちの一つの段部には全周に亘って溝部が形成され、この溝部に例えばＯ−リングなどのシール部材８１ａが嵌め込まれている。一方、フレーム部材８１は、開口部１１ａの段部に対応する複数の段部を有しており、フレーム部材８１を開口部１１ａに嵌め込むと、複数の段部のうちの一つの段部の裏面が、開口部１１ａの溝部に嵌め込まれたシール部材８１ａと接し、これにより、天板１１とフレーム部材８１との間の気密性が維持される。また、図４に示すように、天板１１の開口部１１ａに嵌め込まれるフレーム部材８１の外周に沿った押圧部材８１ｃが設けられ、これにより、フレーム部材８１が天板１１に対して下方に押し付けられる。このため、天板１１とフレーム部材８１との間の気密性がより確実に維持される。
【００２０】
フレーム部材８１の下面は、真空容器１内の回転テーブル２に対向しており、その下面の外周には全周に亘って下方に（回転テーブル２に向かって）突起する突起部８１ｂが設けられている。突起部８１ｂの下面は回転テーブル２の表面に近接しており、突起部８１ｂと、回転テーブル２の表面と、フレーム部材８１の下面とによって、回転テーブル２の上方に空間（以下、内部空間Ｓ）が画成されている。なお、突起部８１ｂの下面と回転テーブル２の表面との間隔は、分離空間Ｈ（図４）における天井面４４の回転テーブル２の上面に対する高さｈ１とほぼ同じであって良い。
【００２１】
また、この内部空間Ｓには、突起部８１ｂを貫通したガス導入ノズル９２が延びている。ガス導入ノズル９２には、本実施形態においては、図４に示すように、アルゴン（Ａｒ）ガスが充填されるアルゴンガス供給源９３ａと、酸素（Ｏ２）ガスが充填される酸素ガス供給源９３ｂと、アンモニア（ＮＨ３）ガスが充填されるアンモニアガス供給源９３ｃとが接続されている。アルゴンガス供給源９３ａ、酸素ガス供給源９３ｂ、及びアンモニアガス供給源９３ｃから、対応する流量制御器９４ａ、９４ｂ、及び９４ｃにより流量制御されたＡｒガス、Ｏ２ガス、及びＮＨ３ガスが、所定の流量比（混合比）で内部空間Ｓに供給される。
【００２２】
また、ガス導入ノズル９２には、その長手方向に沿って所定の間隔（例えば１０ｍｍ）で複数の吐出孔９２ｈが形成されており（図５参照）、吐出孔９２ｈから上述のＡｒガス等が吐出される。吐出孔９２ｈは、図５に示すように、回転テーブル２に対して垂直な方向から回転テーブル２の回転方向の上流側に向かって傾いている。このため、ガス導入ノズル９２から供給されるガスは、回転テーブル２の回転方向と逆の方向に、具体的には、突起部８１ｂの下面と回転テーブル２の表面との間の隙間に向かって吐出される。これにより、回転テーブル２の回転方向に沿ってプラズマ発生源８０よりも上流側に位置する天井面４５の下方の空間から反応ガスや分離ガスが、内部空間Ｓ内へ流れ込むのが抑止される。また、上述のとおり、フレーム部材８１の下面の外周に沿って形成される突起部８１ｂが回転テーブル２の表面に近接しているため、ガス導入ノズル９２からのガスにより内部空間Ｓ内の圧力を容易に高く維持することができる。これによっても、反応ガスや分離ガスが内部空間Ｓ内へ流れ込むのが抑止される。
【００２３】
ファラデー遮蔽板８２は、金属などの導電性材料から作製され、図示は省略するが接地されている。図６に明確に示されるように、ファラデー遮蔽板８２の底部には、複数のスリット８２ｓが形成されている。各スリット８２ｓは、略八角形の平面形状を有するアンテナ８５の対応する辺とほぼ直交するように延びている。
【００２４】
また、ファラデー遮蔽板８２は、図５及び図６に示すように、上端の２箇所において外側に折れ曲がる支持部８２ａを有している。支持部８２ａがフレーム部材８１の上面に支持されることにより、フレーム部材８１内の所定の位置にファラデー遮蔽板８２が支持される。
【００２５】
絶縁板８３は、例えば石英ガラスにより作製され、ファラデー遮蔽板８２の底面よりも僅かに小さい大きさを有し、ファラデー遮蔽板８２の底面に載置される。絶縁板８３は、ファラデー遮蔽板８２とアンテナ８５とを絶縁する一方、アンテナ８５から放射される高周波を下方へ透過させる。
【００２６】
アンテナ８５は、平面形状が略八角形となるように銅製の中空管（パイプ）を例えば３重に巻き回すことにより形成される。パイプ内に冷却水を循環させることができ、これにより、アンテナ８５へ供給される高周波によりアンテナ８５が高温に加熱されるのが防止される。また、アンテナ８５には立設部８５ａが設けられており、立設部８５ａに支持部８５ｂが取り付けられている。支持部８５ｂにより、アンテナ８５がファラデー遮蔽板８２内の所定の位置に維持される。また、支持部８５ｂには、マッチングボックス８６を介して高周波電源８７が接続されている。高周波電源８７は、例えば１３．５６ＭＨｚの周波数を有する高周波を発生することができる。
【００２７】
このような構成を有するプラズマ発生源８０によれば、マッチングボックス８６を介して高周波電源８７からアンテナ８５に高周波電力を供給すると、アンテナ８５により電磁界が発生する。この電磁界のうちの電界成分は、ファラデー遮蔽板８２により遮蔽されるため、下方へ伝播することはできない。一方、磁界成分はファラデー遮蔽板８２の複数のスリット８２ｓを通して内部空間Ｓ内へ伝播する。この磁界成分により、ガス導入ノズル９２から所定の流量比（混合比）で内部空間Ｓに供給されるＡｒガス、Ｏ２ガス、及びＮＨ３ガス等のガスからプラズマが発生する。このようにして発生するプラズマによれば、ウエハＷ上に堆積される薄膜への照射損傷や、真空容器１内の各部材の損傷などを低減することができる。
【００２８】
再び図２及び図３を参照すると、真空容器１内には２つの凸状部４が設けられている。凸状部４は、頂部が円弧状に切断された略扇型の平面形状を有し、本実施形態においては、内円弧が突出部５（後述）に連結し、外円弧が、真空容器１の容器本体１２の内周面に沿うように配置されている。なお、反応ガスノズル３１から反応ガスノズル３２にまで及ぶ、回転テーブル２と同心円状の仮想線ＡＬに沿った真空容器１の断面図である図７から分かるように、凸状部４は、天板１１の裏面に取り付けられている。このため、真空容器１内には、凸状部４の下面である低い天井面４４（第２の天井面）と、天板１１の下面である、天井面４４よりも高い天井面４５（第１の天井面）とが存在している。以下の説明においては、低い天井面４４と回転テーブル２との間の狭隘な空間を分離空間Ｈと言う場合がある。また、高い天井面４５と回転テーブル２との間の空間のうち、反応ガスノズル３１が設けられる空間を参照符号４８１で表し、反応ガスノズル３２が設けられる空間を参照符号４８２で表す。
【００２９】
また、図７に示すとおり、凸状部４の周方向中央部には、回転テーブル２の半径方向に沿って延びる溝部４３が形成されており、ここに上述の分離ガスノズル４２が収容されている。もう一つの凸状部４にも同様に溝部４３が形成され、ここに分離ガスノズル４１が収容されている。分離ガスノズル４２からＮ２ガスが供給されると、このＮ２ガスは、分離空間Ｈを通して空間４８１及び空間４８２へ向かって流れる。このとき、分離空間Ｈの容積は空間４８１及び４８２の容積よりも小さいため、Ｎ２ガスにより分離空間Ｈの圧力を空間４８１及び４８２の圧力に比べて高くすることができる。すなわち、空間４８１及び４８２の間において、分離空間Ｈは圧力障壁を提供することができる。しかも、分離空間Ｈから空間４８１及び４８２へ流れ出るＮ２ガスは、第１の処理領域Ｐ１へ供給され、凸状部４に向かって流れる３ＤＭＡＳガスと、第２の領域Ｐ２へ供給され、凸状部４に向かって流れるＯ３ガスとに対するカウンターフローとして働く。したがって、第１の処理領域Ｐ１の３ＤＭＡＳガスと、第２の領域Ｐ２のＯ３ガスとを分離空間Ｈにより確実に分離することができ、よって、真空容器１内において３ＤＭＡＳガスとＯ３ガスとが混合して反応することが抑制される。
【００３０】
なお、回転テーブル２の上面に対する天井面４４の高さｈ１は、成膜時の真空容器１内の圧力、回転テーブル２の回転速度、供給する分離ガス（Ｎ２ガス）の供給量などを考慮し、分離空間Ｈの圧力を空間４８１及び４８２の圧力に比べて高くするのに適した高さに設定することが好ましい。
【００３１】
再び図２及び図３を参照すると、天板１１の下面には、回転テーブル２を固定するコア部２１の外周を囲むように突出部５が設けられている。この突出部５は、本実施形態においては、凸状部４における回転中心側の部位と連続しており、その下面が天井面４４と同じ高さに形成されている。
【００３２】
先に参照した図１は、図３のＩ−Ｉ'線に沿った断面図であり、天井面４５が設けられている領域を示している一方、図８は、天井面４４が設けられている領域を示す一部断面図である。図８に示すように、略扇型の凸状部４の周縁部（真空容器１の外縁側の部位）には、回転テーブル２の外端面に対向するようにＬ字型に屈曲する屈曲部４６が形成されている。この屈曲部４６は、回転テーブル２と容器本体１２の内周面との間の空間を通して、空間４８１及び空間４８２の間でガスが流通するのを抑制する。扇型の凸状部４は天板１１に設けられ、天板１１が容器本体１２から取り外せるようになっていることから、屈曲部４６の外周面と容器本体１２との間には僅かに隙間がある。屈曲部４６の内周面と回転テーブル２の外端面との隙間、及び屈曲部４６の外周面と容器本体１２との隙間は、例えば、回転テーブル２の上面に対する天井面４４の高さと同様の寸法に設定されている。
【００３３】
再び図３を参照すると、回転テーブル２と容器本体の内周面との間において、空間４８１と連通する第１の排気口６１０と、空間４８２と連通する第２の排気口６２０とが形成されている。第１の排気口６１０及び第２の排気口６２０は、図１に示すように各々排気管６３０を介して真空排気手段である例えば真空ポンプ６４０に接続されている。なお図１中、参照符号６５０は圧力調整器を示す。
【００３４】
回転テーブル２と真空容器１の底部１４との間の空間には、図１及び図８に示すように加熱手段であるヒータユニット７が設けられ、回転テーブル２を介して回転テーブル２上のウエハＷが、プロセスレシピで決められた温度（例えば４５０℃）に加熱される。回転テーブル２の周縁付近の下方側には、回転テーブル２の下方の空間へガスが侵入するのを抑えるために、リング状のカバー部材７１が設けられている。図８に示すように、このカバー部材７１は、回転テーブル２の外縁部及び外縁部よりも外周側を下方側から臨むように設けられた内側部材７１ａと、この内側部材７１ａと真空容器１の内壁面との間に設けられた外側部材７１ｂと、を備えている。外側部材７１ｂは、凸状部４の外縁部に形成された屈曲部４６の下方にて、屈曲部４６と近接して設けられ、内側部材７１ａは、回転テーブル２の外縁部下方（及び外縁部よりも僅かに外側の部分の下方）において、ヒータユニット７を全周に亘って取り囲んでいる。
【００３５】
図１に示すように、ヒータユニット７が配置されている空間よりも回転中心寄りの部位における底部１４は、回転テーブル２の下面の中心部付近におけるコア部２１に接近するように上方側に突出して突出部１２ａをなしている。この突出部１２ａとコア部２１との間は狭い空間になっている。また、底部１４を貫通する回転軸２２の貫通孔の内周面と回転軸２２との隙間が狭くなっていて、これら狭い空間はケース体２０に連通している。そしてケース体２０にはパージガスであるＮ２ガスを狭い空間内に供給してパージするためのパージガス供給管７２が設けられている。さらに、真空容器１の底部１４には、ヒータユニット７の下方において周方向に所定の角度間隔で、ヒータユニット７の配置空間をパージするための複数のパージガス供給管７３が設けられている（図８には一つのパージガス供給管７３を示す）。さらにまた、ヒータユニット７と回転テーブル２との間には、ヒータユニット７が設けられた領域へのガスの侵入を抑えるために、外側部材７１ｂの内周壁（内側部材７１ａの上面）から突出部１２ａの上端部との間を周方向に亘って覆う蓋部材７ａが設けられている。蓋部材７ａは例えば石英で作製することができる。
【００３６】
パージガス供給管７２からＮ２ガスを供給すると、このＮ２ガスは、回転軸２２の貫通孔の内周面と回転軸２２との隙間と、突出部１２ａとコア部２１との間の隙間とを通して、回転テーブル２と蓋部材７ａとの間の空間を流れ、第１の排気口６１０又は第２の排気口６２０（図３）から排気される。また、パージガス供給管７３からＮ２ガスを供給すると、このＮ２ガスは、ヒータユニット７が収容される空間から、蓋部材７ａと内側部材７１ａとの間の隙間（不図示）を通して流出し、第１の排気口６１０又は第２の排気口６２０（図３）から排気される。これらＮ２ガスの流れにより、真空容器１の中央下方の空間と、回転テーブル２の下方の空間とを通して、空間４８１及び空間４８２内のガスが混合するのを抑制することができる。
【００３７】
また、真空容器１の天板１１の中心部には分離ガス供給管５１が接続されていて、天板１１とコア部２１との間の空間５２に分離ガスであるＮ２ガスを供給するように構成されている。この空間５２に供給された分離ガスは、突出部５と回転テーブル２との狭い空間５０を介して回転テーブル２のウエハ載置領域側の表面に沿って周縁に向けて吐出される。空間５０は分離ガスにより空間４８１及び空間４８２よりも高い圧力に維持され得る。したがって、空間５０により、第１の処理領域Ｐ１に供給される３ＤＭＡＳガスと、第２の処理領域Ｐ２に供給されるＯ３ガスとが、中心領域Ｃを通って混合することが抑制される。すなわち、空間５０（又は中心領域Ｃ）は分離空間Ｈ（又は分離領域Ｄ）と同様に機能することができる。
【００３８】
さらに、真空容器１の側壁には、図２、図３に示すように、外部の搬送アーム１０（図３）と回転テーブル２との間で基板であるウエハＷの受け渡しを行うための搬送口１５が形成されている。この搬送口１５は図示しないゲートバルブにより開閉される。また回転テーブル２におけるウエハ載置領域であるウエハ載置部２４はこの搬送口１５に臨む位置にて搬送アーム１０との間でウエハＷの受け渡しが行われることから、回転テーブル２の下方側において受け渡し位置に対応する部位に、ウエハ載置部２４を貫通してウエハＷを裏面から持ち上げるための受け渡し用の昇降ピン及びその昇降機構（いずれも図示せず）が設けられている。
【００３９】
また、本実施形態による成膜装置には、図１に示すように、装置全体の動作のコントロールを行うためのコンピュータからなる制御部１００が設けられており、この制御部１００のメモリ内には、制御部１００の制御の下に、後述する成膜方法を成膜装置に実施させるプログラムが格納されている。このプログラムは後述の成膜方法を実行するようにステップ群が組まれており、ハードディスク、コンパクトディスク、光磁気ディスク、メモリカード、フレキシブルディスクなどの媒体１０２に記憶されており、所定の読み取り装置により記憶部１０１へ読み込まれ、制御部１００内にインストールされる。
【００４０】
（成膜方法）
次に、図９Ａ及び図９Ｂを参照しながら、上述の成膜装置において実施される、本発明の実施形態による成膜方法を説明する。以下の説明では、ウエハＷとしてシリコンウエハを使用することとし、そのシリコンウエハには、図９Ａ（ａ）に示すように、トレンチＴが形成されている。
【００４１】
（ウエハＷの搬入）
先ず、図示しないゲートバルブを開き、搬送アーム１０（図３）により搬送口１５（図２及び図３）を通してウエハＷを真空容器１内に搬入し、昇降ピン（不図示）により、回転テーブル２のウエハ載置部２４内にウエハＷを載置する。この手順を、回転テーブル２を間欠的に回転させて行い、回転テーブル２の５つのウエハ載置部２４内に夫々ウエハＷを載置する。
【００４２】
（条件設定）
続いてゲートバルブを閉じ、真空ポンプ６４０により到達可能真空度にまで真空容器１内を排気した後、分離ガスノズル４１、４２（図３）から分離ガスであるＮ２ガスを所定の流量で供給し、分離ガス供給管５１及びパージガス供給管７２、７３（図８）からもＮ２ガスを所定の流量で供給する。これに伴い、圧力制御手段６５０（図１）により真空容器１内を予め設定した処理圧力に制御する。次いで、回転テーブル２を図３中に矢印Ａで示す方向に例えば２０ｒｐｍの回転速度で回転させながらヒータユニット７によりウエハＷを例えば６００℃に加熱する。
【００４３】
（酸化シリコン膜の成膜）
この後、反応ガスノズル３１（図２及び図３）から３ＤＭＡＳガスを供給し、反応ガスノズル３２からＯ３ガスを供給する。また、ガス導入ノズル９２からＡｒガス、酸素ガス、及びＮＨ３ガスの混合ガスを供給すると共に、プラズマ発生源８０のアンテナ８５に対して高周波を供給する。この場合、高周波の周波数は、例えば１３．５６ＭＨｚであって良く、その電力は、例えば１０００Ｗから１００００Ｗまでの範囲にあることが好ましい。
【００４４】
回転テーブル２の回転により、ウエハＷが第１の処理領域Ｐ１（反応ガスノズル３１の下方領域）に到達すると、図９Ａ（ａ）に模式的に示すように、ウエハＷの表面やトレンチＴの内面に１分子層（又は数分子層）分の３ＤＭＡＳガス分子ＭＤが吸着する。ウエハＷが、分離領域Ｄを通過し、第２の処理領域Ｐ２（反応ガスノズル３２の下方領域）に到達すると、図９Ａ（ｂ）に示すように、ウエハＷの表面やトレンチＴの内面に吸着した３ＤＭＡＳガス分子ＭＤがＯ３ガス分子ＭＯにより酸化され、ウエハＷの表面やトレンチＴの内面に酸化シリコン膜１６が成膜される。
【００４５】
次いで、ウエハＷがプラズマ発生源８０の下方の空間（内部空間Ｓ、図４及び図５参照）に到達すると、酸化シリコン膜１６は、図９Ａ（ｃ）に示すように、プラズマ発生源８０により生成される酸素プラズマＰに晒される。この酸素プラズマ中には、酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性種や、高エネルギー粒子が生成されている。これにより、酸化シリコン膜１６が高品質化される（後述）。
【００４６】
以下、回転テーブル２の回転を継続すると、３ＤＭＡＳガスの吸着と、Ｏ３ガスによる３ＤＭＡＳガスの酸化と、酸素プラズマによる高品質化とが繰り返され、酸化シリコン膜１６が厚くなっていく。このとき、トレンチＴの内側面に成膜される酸化シリコン膜１６は、その表面が両側から互いに近づくように成膜していき（図９Ｂ（ｄ））、やがて互いに接触し、酸化シリコン膜１６によりトレンチＴが埋め込まれる（図９Ｂ（ｅ））。
【００４７】
（ウエハＷの搬出）
ウエハＷのトレンチＴが埋め込まれた後、３ＤＭＡＳガス及びＯ３ガスの供給を停止することにより、酸化シリコン膜１６の成膜が終了する。ウエハＷの温度を降温した後、ウエハＷの搬入手順と反対の手順によりウエハＷが真空容器１から搬出される。
【００４８】
（アニール工程）
次いで、真空容器１から搬出されたウエハＷは、図９Ｂ（ｆ）に示すように、例えば縦型のアニール炉Ｆに搬入され、例えば８００℃から１２００℃までの温度で不活性ガス雰囲気又は酸化ガス雰囲気の下で所定の時間アニールされる。冷却後、ウエハＷがアニール炉から取り出され、本実施形態による成膜方法が終了する。
【００４９】
次に、本実施形態による成膜方法の効果（利点）を説明する。  
上述のとおり、回転テーブル２は例えば６００℃といった温度に設定される。この場合、空間４８１内のＮ２ガス（分離ガス）や３ＤＭＡＳガスが回転テーブル２により加熱されるため、空間４８１における気相温度（気相中のガスの温度）は、設定温度６００℃に近い温度にまで上昇し得る。例えば３ＤＭＡＳガスと酸素ガスを用いる場合、約４００℃といった低い成膜温度でも酸化シリコン膜を成膜できることが知られている（例えば特許文献２）。このことから、気相温度が６００℃近くなる場合には、３ＤＭＡＳガスが気相中で分解してしまうとも考えられる。３ＤＭＡＳガスが気相中で分解すると、原子層成膜を実現できない事態となる。しかも、気相中で分解した３ＤＭＡＳは、チャンバ内壁に堆積し、パーティクル発生源となり得る。
【００５０】
しかしながら、本発明の実施形態が実施される上述の成膜装置においては、空間４８１及び第１の処理領域Ｐ１の気相温度は、３ＤＭＡＳが分解可能な温度ほどには高くならない。これは、分離ガスノズル４１から分離空間Ｈへ供給される分離ガスが、回転テーブル２により十分に加熱されることなく空間４８１に流入し、この分離ガスによって空間４８１及び第１の処理領域Ｐ１における気相温度の上昇が抑制されるためと考えられる。気相温度の上昇が抑制されると、３ＤＭＡＳガスは気相中では分解せずにウエハＷの表面に到達し、１分子層（又は数分子層）の厚さでウエハＷの表面に吸着することができる。
【００５１】
なお、反応ガスノズル３１が回転テーブル２の表面に近接しているため、３ＤＭＡＳガスが、分解に十分な熱エネルギーを回転テーブル２から受け取る前に、回転テーブル２（ウエハＷ）に到達できることも、３ＤＭＡＳガスのウエハＷへの吸着が促進される理由として挙げることができる。
【００５２】
ウエハＷの表面に吸着した３ＤＭＡＳガスはウエハＷからの熱により熱分解し、ウエハＷの表面にシリコン原子が析出すると考えられる。このシリコン原子は、ウエハＷが第２の処理領域Ｐ２を通過する際に、反応ガスノズル３２から供給されるオゾンガスにより酸化されるため、１分子層（又は数分子層）の厚さを有する酸化シリコン層が生成される。また、ウエハＷの表面に吸着した３ＤＭＡＳの一部は、熱分解しないで未分解まま存在し得るが、オゾンガスにより酸化されて酸化シリコンが生成される。
【００５３】
なお、分離ガスにより、回転テーブル２の温度も設定温度より低くなり得るが、実測の結果、設定温度６００℃に対して実温は約５７０℃であることが判明している。すなわち、回転テーブル２の温度は設定温度よりも３０℃程度低くなるだけであり、例えば４００℃から４５０℃といった温度よりも高い温度にて酸化シリコン膜が成膜されていると言うことができる。
【００５４】
また、本発明の実施形態の成膜方法によれば、比較的高い温度での成膜が可能であるため、水分混入量の少ない高品質な酸化シリコン膜を成膜することができる。３ＤＭＡＳガスの分子中には水素が含まれているため、３ＤＭＡＳガスがＯ３ガスで酸化されて生成された酸化シリコンには水分が含まれ得る。しかし、成膜温度が比較的高いため、水分混入量を低減することができる。
【００５５】
また、水分混入量が低減されると、後のアニール工程における酸化シリコン膜の収縮もまた低減される。一般に、ウエハＷに形成されたギャップに埋め込まれた酸化シリコンが収縮すると、ギャップ内の酸化シリコンには、シームに沿って隙間が形成される場合がある。しかし、本実施形態による成膜方法によれば、酸化シリコンの収縮を低減できるため、シームに沿った隙間の形成を抑制することができる。
【００５６】
さらに、成膜温度が比較的高い場合、ウエハＷの表面や凹部の内面に対する３ＤＭＡＳガスの吸着係数が大きくなる傾向があるため、３ＤＭＡＳガスはほぼ１分子層で吸着し易くなる。すなわち、本実施形態による成膜方法には、よりコンフォーマルな酸化シリコン膜を成膜し易いという利点がある。
【００５７】
また、ウエハＷの表面や凹部の内面に吸着した３ＤＭＡＳガスが第２の処理領域Ｐ２においてＯ３ガスにより酸化され、酸化シリコン膜１６が生成された後、この酸化シリコン膜１６はプラズマ発生源８０の下方の空間において酸素プラズマに晒されるため、プラズマ中の活性種や高エネルギー粒子により、酸化シリコン膜１６が高品質化される。具体的には、酸素イオンや酸素ラジカルなどの活性種により、酸化シリコン膜１６中に残存する有機物が酸化され、酸化シリコン膜１６から外部へと放出される。これにより、酸化シリコン膜１６中の不純物が低減される。  
また、酸化シリコン膜１６のシリコン原子や酸素原子が、酸化シリコン膜１６の表面に衝突した高エネルギー粒子から高いエネルギーを受け取り、そのエネルギーにより振動し再配列し得る。このため、酸化シリコン膜１６が高品質化される。  
さらに、酸化シリコン膜１６中の水分もまた、高エネルギー粒子からの高いエネルギーにより酸化シリコン膜１６から離脱し得る。すなわち、ウエハＷに成膜される酸化シリコン膜１６をプラズマ発生源８０で生成されるプラズマに晒すことにより、酸化シリコン膜１６は、より収縮し難くなる。したがって、後続の加熱工程においても、シームに沿って隙間が生じる可能性をより低減できる。
【００５８】
また、酸化シリコン膜１６は、例えば８００℃から１２００℃までの温度範囲でアニールされるため、酸化シリコン膜１６がより緻密化され、より高品質な酸化シリコン膜が得られる。なお、上述のとおり、酸化シリコン膜１６中の混入水分量は少ないため、酸化シリコン膜１６にシームに沿って隙間が形成されるほどには、酸化シリコン膜１６は収縮しない。
【００５９】
次に、本発明の実施形態による成膜方法の効果を確認するために行った実験とその結果について説明する。  
（実験１）
まず、上述の成膜方法に従って成膜した酸化シリコン膜のエッチングレートを調べた実験１について説明する。この実験においては、比較のため、プラズマ発生源８０に供給する高周波電力とアニール温度とをパラメータとした種々の条件にて成膜した酸化シリコン膜のエッチングレートも調べた。また、本実験では凹部が形成されていないウエハを用い、そのウエハの全面に酸化シリコン膜を成膜した。エッチングには、フッ酸溶液（５０体積％）：純水＝１：１００のエッチング液を用いた。このエッチング液に室温にて１分間ウエハを浸すことにより、酸化シリコン膜のエッチングを行った。
【００６０】
図１０は、熱酸化膜のエッチングレートで規格化したエッチングレートを示すグラフである。図１０中の（ａ）で示すように、酸化シリコン膜を酸素プラズマに晒すことなく（電力０Ｗ）成膜し、アニールも行わずに得た酸化シリコン膜のエッチングレートは、熱酸化膜のエッチングレートの約７倍も大きい。しかしながら、３０００Ｗの高周波電力で生成した酸素プラズマに晒された酸化シリコン膜（図中の（ｂ））と、５０００Ｗの高周波電力で生成した酸素プラズマに晒された酸化シリコン膜（図中の（ｃ））とにおいては、エッチングレートは、熱酸化膜のエッチングレートの１．３倍に過ぎない。この結果より、酸素プラズマ照射の効果が理解される。
【００６１】
また、図中の（ａ）で示す結果と、（ｅ）、（ｆ）、及び（ｇ）で示す結果とを比較すると、アニールを行うことによりエッチングレートが低下することが分かる。また、（ｅ）、（ｆ）、及び（ｇ）で示す結果を参照すると、アニール温度が高いほど、エッチングレートは低下し、特に８５０℃でアニールした酸化シリコン膜では、エッチングレートは熱酸化膜のエッチングレートの約２．５倍程度まで低下していることが分かる。
【００６２】
さらに、図中の（ｈ）で示すように、成膜時に３０００Ｗの高周波電力で生成した酸素プラズマに晒し、８５０℃でアニールされた酸化シリコン膜のエッチングレートは、熱酸化膜のエッチングレートの約１．２倍であり、図中の（ｉ）で示すように、成膜時に５０００Ｗの高周波電力で生成した酸素プラズマに晒し、８５０℃でアニールされた酸化シリコン膜のエッチングレートは、熱酸化膜のエッチングレートの約１．１倍に過ぎない。また、これらのエッチングレートは、図中の他の条件で成膜した酸化シリコン膜のエッチングレートよりも低いことも明らかである。この結果から、本発明の実施形態による成膜方法の効果が理解される。
【００６３】
（実験２）
次に、上述の成膜方法に従って、トレンチが形成されたウエハに成膜温度６００℃で酸化シリコン膜を成膜し、トレンチに埋め込まれた酸化シリコンの膜質について調べた。なお、この実験では、ウエハに形成されたトレンチの内面に上述の成膜装置を用いて窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を成膜することにより、図１１（ｅ）に示す狭いギャップＧを形成し、上述の成膜方法により酸化シリコン膜でギャップＧを埋め込んだ。
【００６４】
図１１は、酸化シリコン膜１６で埋め込まれたトレンチ（ギャップＧ）の断面を示す走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）像である。図１１（ａ）では、ギャップＧは、成膜時に５０００Ｗの高周波電力で生成した酸素プラズマに晒らされ、アニールされていない酸化シリコン膜で埋め込まれている。図示のとおり、アニールを行わなくても、ギャップＧはボイドが形成されることなく埋め込まれていることが分かる。図１１（ｂ）は、図１１（ａ）に示す酸化シリコン膜１６と同じ条件で成膜した酸化シリコン膜が形成されたウエハＷを、上述と同様に、フッ酸系エッチング液でエッチングした後のＳＥＭ断面像である。図示のとおり、ギャップＧを埋め込んでいた酸化シリコン膜１６がエッチングされてしまい、隙間が生じていることが分かる。
【００６５】
一方、図１１（ｃ）では、ギャップＧは、成膜時に５０００Ｗの高周波電力で生成した酸素プラズマに晒らされ、１０００℃でアニールされた酸化シリコン膜１６で埋め込まれている。この場合には、上述と同様にエッチングした後であっても、ギャップＧに隙間は形成されていない。以上の結果から、アニールにより酸化シリコン膜が緻密化されていることが推測される。
【００６６】
（実験３）
次に、上述の成膜方法に従って成膜した酸化シリコン膜をフーリエ変換赤外分光（ＦＴＩＲ）で評価した結果について説明する。図１２は、ＦＴＩＲで求めたＳｉＯＨにおけるＨ−Ｏ結合の密度と、Ｈ２ＯにおけるＨ−Ｏ結合の密度を示すグラフである。図示のとおり、成膜時に酸素プラズマを照射しなかった場合に比べ、成膜時に酸素プラズマ（高周波電力３３００Ｗ）を酸化シリコン膜に照射した場合には、Ｈ−Ｏ結合が低下していることが分かる。すなわち、酸素プラズマを照射することにより酸化シリコン膜中のＨ原子が低減し、その結果、混入水分量が減少した酸素シリコン膜が得られていると考えられる。
【００６７】
（実験４）
次いで、上述の成膜方法に従って成膜した酸化シリコン膜における電流−電圧（電界）特性について説明する。図１３に示すように、成膜時に酸素プラズマを照射せずに成膜した酸化シリコン膜（０Ｗ）においては、１５００Ｗ、３３００Ｗ、及び４０００Ｗといった高周波電力で生成したプラズマを照射して成膜した酸化シリコン膜に比べて、大きな電流が流れることが分かる。すなわち、成膜中に酸素プラズマを照射することにより、リーク電流の低い高品質な酸化シリコン膜が得られている。また、プラズマを生成する高周波電力が１５００Ｗ、３３００Ｗ、及び４０００Ｗの場合を比べても電流−電圧特性に大きな変化は見られない。この結果から、リーク電流に関しては、高周波電力１５００Ｗ程度であっても効果があることが分かる。
【００６８】
以上、幾つかの実施形態及び実施例を参照しながら本発明を説明したが、本発明は上述の実施形態及び実施例に限定されることなく、添付の特許請求の範囲に照らし、種々に変形又は変更が可能である。
【００６９】
例えば、酸化シリコン膜の成膜時における回転テーブル２の温度として６００℃を例示したが、これに限定されることはない。３ＤＭＡＳガスを用いる場合には、通常、３５０℃から４５０℃までの範囲に成膜温度を設定することにより、酸化シリコン膜の成膜が可能である。これに対して、本発明の実施形態による成膜方法においては、成膜温度が約４５０℃から約６５０℃までの温度範囲に設定される。すなわち、３ＤＭＡＳガスを用いて酸化シリコン膜を成膜し得る温度（例えば３５０℃から４５０℃）に比べて、約１００℃から約２００℃高い温度に回転テーブル２の温度（成膜温度）を設定することが好ましい。  
なお、３ＤＭＡＳガスを用いる場合、例えば２００℃から３００℃までの低温では酸化シリコン膜は成膜できず、３５０℃から４５０℃までの温度範囲に成膜温度を設定する必要がある。
【００７０】
また、３ＤＭＡＳガスの代わりに、原子層成膜を可能とする他の有機シリコン化合物ガスを用いても良い。この場合であっても、例えば４００℃から４５０℃であっても酸化シリコン膜の成膜が可能な有機シリコン化合物ガスに対して、成膜温度を約４５０℃から約５５０℃までの温度範囲に設定することが好ましい。
【００７１】
また、上述のプラズマ発生源８０は、アンテナ８５を有するいわゆる誘導結合プラズマ（ＩＣＰ）源であるが、互いに平行に延びる２本のロッド電極の間に高周波を印加することによりプラズマを発生させる容量性結合プラズマ（ＣＣＰ）源であっても良い。ＣＣＰ源であっても、酸素プラズマを生成できるため、上述の効果が発揮される。
【００７２】
また、反応ガスノズル３２から供給される酸化ガスは、Ｏ３ガスに限定されることなく、例えばＯ２（酸素）ガス又はＯ２とＯ３の混合ガスを用いることができる。
【００７３】
また、本発明の実施形態による成膜方法は、トレンチだけでなく、ライン・アンド・スペースにおけるスペースや、ビアホール、トレンチビアなどの内面に成膜する場合（又は、これらを埋め込む場合）にも適用可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１・・・真空容器、２・・・回転テーブル、４・・・凸状部、５・・・突出部、７・・・ヒータユニット、１０・・・搬送アーム、１１・・・天板、１２・・・容器本体、１５・・・搬送口、２１・・・コア部、２４・・・ウエハ載置部、３１，３２・・・反応ガスノズル、４１，４２・・・分離ガスノズル、４３・・・溝部、４４・・・（低い）天井面、４５・・・（高い）天井面、５１・・・分離ガス供給管、６１０，６２０・・・排気口、６４０・・・真空ポンプ、８０・・・プラズマ発生源、８３・・・ファラデー遮蔽板、８５・・・コイル、８７・・・高周波電源、９２・・・ガス導入ノズル、Ｃ・・・中心領域、Ｄ・・・分離領域、Ｅ１，Ｅ２・・・排気領域、Ｓ・・・内部空間、Ｗ・・・ウエハ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１１】
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