(57)【要約】【課題】、素子とベース基板との接合部分の面積を小さくして小型化が可能な電子デバイス、及びこれを用いた発振器、電子機器、移動体、そして電子デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】本発明の電子デバイス１０は、接続電極３８を含む素子２８と、端子１６を含むベース基板１４と、接続電極３８と端子１６とを接続する接合部材５０と、を含み、接続電極３８及び端子１６の少なくとも一方と接合部材５０との界面に溶融痕５２を有することを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極を含む素子と、端子を含むベース基板と、前記電極と前記端子とを接続する接合部材と、を含み、
前記電極及び前記端子の少なくとも一方と前記接合部材との界面に溶融痕を有することを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記電極は、前記素子の前記ベース基板側の主面の反対側の面の前記接合部材との接合位置に、平面視で重なる位置に延出されていることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記素子は、
励振電極と、
前記電極と前記励振電極とを電気的に接続している導電部材と、を含むことを特徴とする請求項１または２に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記接合部材は、共晶合金であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
請求項３または４に記載の電子デバイスを搭載したことを特徴とする発振器。
【請求項６】
請求項５に記載の発振器を搭載したことを特徴とする電子機器。
【請求項７】
請求項５に記載の発振器を搭載したことを特徴とする移動体。
【請求項８】
素子に配置された電極と、ベース基板に配置された端子と、を接合部材により接合することにより、前記ベース基板上に前記素子を配置する電子デバイスの製造方法であって、
前記電極と前記端子を介して前記接合部材に電流を流して、前記接合部材と前記電極との溶着、及び前記接合部材と前記端子との間の溶着の少なくともいずれか一方を行うことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【請求項９】
前記電極を、前記素子の前記ベース基板側の主面の反対側の面に、平面視で前記接合部材との接合位置に重なる位置に延出させ、その位置に前記電流を流すプローブを押し当てることにより前記溶着を行なうことを特徴とする請求項８に記載の電子デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子デバイス、発振器、電子機器、移動体、電子デバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ベース基板に対して振動片等の素子を表面実装する電子デバイスは、ベース基板に付与された応力の影響を回避するため、素子とベース基板との間に、僅かな隙間を設けるように構成される。その際、素子はベース基板に対し、いわゆる片持ち支持されることが多い（特許文献１参照）。素子の長手方向の両端で素子を支持する両持ち式の搭載方法を採用した場合、ベース基板と接続部（支点）との距離が長くなる。このため、ベース基板に付与された応力の影響、及びベース基板と素子の熱膨張係数の相違に起因した熱歪みの影響が大きくなってしまうのに対し、片持ち支持では、接続部間の距離を小さくして上述の影響を小さくすることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１８２１５５号公報
【発明の概要】
【０００４】
ところで、このような片持ち支持構造は、ベース基板に配置された端子と素子に形成された電極とを導電性の接着剤やロウ材等の接合部材で接合することになる。接着剤の場合は、接合箇所に塗布し、ロウ材の場合は、接合箇所に配置するとともにロウ材全体を溶解させ、いずれの場合でも一旦、全体が液状となった接合部材を固化させて素子の電極とベース基板の端子とを接合している。しかし、電子デバイスの小型化に伴い、素子とベース基板との電気的な導通部分の接合面積も小さくする必要があるが、接合部材を上述のような従来どおりの方法で用いる限り、その接合面積を小さくすることは困難であった。
【０００５】
そこで、本発明は、上記問題点に着目し、素子とベース基板との接合部分の面積を小さくして小型化が可能な電子デバイス、及びこれを用いた発振器、電子機器、移動体、そして電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態もしくは適用例として実現することが可能である。
［適用例１］電極を含む素子と、端子を含むベース基板と、前記電極と前記端子とを接続する接合部材と、を含み、前記電極及び前記端子の少なくとも一方と前記接合部材との界面に溶融痕を有することを特徴とする電子デバイス。
【０００７】
上記構成において、溶融痕は、電極と端子を介して接合部材に電流を流すことにより形成することができ、溶融痕は、接合部材と電極との接触箇所、接合部材と端子との接触箇所において接触抵抗に起因して形成される。したがって、接合面積を小さくして小型化が可能な電子デバイスとなる。
【０００８】
また、電極と端子との接続箇所が複数ある場合には、接合面積の減少により、それらの距離を互いに短くすることができる。したがって、ベース基板に付与された応力の影響、及びベース基板と素子の熱膨張係数の相違に起因した熱歪みの影響を低減可能な電子デバイスとなる。
【０００９】
［適用例２］前記電極は、前記素子の前記ベース基板側の主面の反対側の面の前記接合部材との接合位置に、平面視で重なる位置に延出されていることを特徴とする適用例１に記載の電子デバイス。
【００１０】
上記構成により、電流を流すプローブを素子上の接合部材の真上となる位置に押し当てるとともに、電極に対して電流を流すことにより接合部材に電流を流すことができる。よって、素子を押える動作と接合部材に電流を流す動作をプローブにより同時に行うことができ、作業効率を高めた電子デバイスとなる。
【００１１】
［適用例３］前記素子は、励振電極と、前記電極と前記励振電極とを電気的に接続している導電部材と、を含むことを特徴とする適用例１または２に記載の電子デバイス。
【００１２】
上記構成において、導電部材の塗布は、電極に電流を流して溶着工程を終えたのちに行なうことができる。よって、溶着時の励振電極に対する熱的負荷を回避して素子の振動特性の変化を抑制することができる。
【００１３】
［適用例４］前記接合部材は、共晶合金であることを特徴とする適用例１乃至３のいずれか１項に記載の電子デバイス。
上記構成により、融点の低い接合部材を用いることになるので、接合部材を溶融させるための電流の大きさを抑制することができる。
【００１４】
［適用例５］適用例３または４に記載の電子デバイスを搭載したことを特徴とする発振器。
上記構成により、接合面積を小さくして小型化が可能な発振器となる。
【００１５】
［適用例６］適用例５に記載の発振器を搭載したことを特徴とする電子機器。
上記構成により、接合面積を小さくして小型化が可能な電子機器となる。
【００１６】
［適用例７］適用例５に記載の発振器を搭載したことを特徴とする移動体。
上記構成により、接合面積を小さくして小型化が可能な発振器を搭載した発振器となる。
【００１７】
［適用例８］素子に配置された電極と、ベース基板に配置された端子と、を接合部材により接合することにより、前記ベース基板上に前記素子を配置する電子デバイスの製造方法であって、前記電極と前記端子を介して前記接合部材に電流を流して、前記接合部材と前記電極との溶着、及び前記接合部材と前記端子との間の溶着の少なくともいずれか一方を行うことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【００１８】
上記方法により、電極と端子を介して接合部材に電流を流すことにより、接合部材と電極との接触箇所、接合部材と端子との接触箇所が、それぞれ接触抵抗に起因して熱を発生させて溶解する。したがって、接合面積を小さくして小型化が可能となる。
【００１９】
また、電極と端子との接続箇所が複数ある場合には、接合面積の減少により、それらの距離を互いに短くすることができる。したがって、ベース基板に付与された応力の影響、及びベース基板と素子の熱膨張係数の相違に起因した熱歪みの影響を効果的に低減可能となる。
【００２０】
［適用例９］前記電極を、前記素子の前記ベース基板側の主面の反対側の面に、平面視で前記接合部材との接合位置に重なる位置に延出させ、その位置に前記電流を流すプローブを押し当てることにより前記溶着を行なうことを特徴とする適用例８に記載の電子デバイスの製造方法。
【００２１】
上記方法により、電流を流すプローブを素子上の接合部材の真上となる位置に押し当てるとともに電極に対して電流を流すことにより接合部材に電流を流すことができる。よって、素子を押える動作と接合部材に電流を流す動作をプローブにより同時に行うことができ、作業効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態の電子デバイスの部分詳細図（図５の部分詳細図）である。
【図２】第１実施形態の電子デバイスの平面図（リッドを透視）である。
【図３】第１実施形態の電子デバイスの側面図（パッケージを透視）である。
【図４】第１実施形態の電子デバイスの底面図である。
【図５】図２のＡ−Ａ線断面図である。
【図６】第１実施形態の電子デバイスの溶着工程を示す図である。
【図７】第１実施形態の電子デバイスの溶着工程の変形例（その１）を示す図である。
【図８】第１実施形態の電子デバイスの溶着工程の変形例（その２）を示す図である。
【図９】第２実施形態の電子デバイスの平面図（リッドを透視）である。
【図１０】第２実施形態の電子デバイスの側面図（パッケージを透視）である。
【図１１】第２実施形態の電子デバイスの溶着工程を示す図である。
【図１２】第３実施形態の電子デバイスの平面図（リッドを透視）である。
【図１３】図１２のＡ−Ａ線断面図である。
【図１４】第３実施形態の電子デバイスの素子の裏面図である。
【図１５】第３実施形態の電子デバイスの溶着工程を示す図（平面図）である。
【図１６】第３実施形態の電子デバイスの溶着工程を示す図（図１２の右側面図）である。
【図１７】第３実施形態の電子デバイスの変形例の平面図（リッドを透視）である。
【図１８】本実施形態の電子デバイスを搭載した発振器の模式図である。
【図１９】本実施形態の発振器を搭載した電子機器の模式図である。
【図２０】本実施形態の発振器を搭載した移動体の模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を図に示した実施形態を用いて詳細に説明する。但し、この実施形態に記載される構成要素、種類、組み合わせ、形状、その相対配置などは特定的な記載がない限り、この発明の範囲をそれのみに限定する主旨ではなく単なる説明例に過ぎない。
【００２４】
（第１実施形態）
図１に、第１実施形態の電子デバイスの部分詳細図（図５の部分詳細図）を示す。また、図２に、第１実施形態の電子デバイスの平面図（リッドを透視）、図３に、第１実施形態の電子デバイスの側面図（パッケージを透視）、図４に、第１実施形態の電子デバイスの底面図を示す。さらに、図５に、図２のＡ−Ａ線断面図を示す。
【００２５】
（電子デバイスの全体構成）
図２乃至５に示すように、第１実施形態の電子デバイス１０は、パッケージ１２（ベース基板１４、側壁２６）の内部に素子２８が収容されるとともに片持ち支持状態で接合部材５０により支持され、パッケージ１２の開口部がリッド５４（図３、図５）で封止された構成を有している。
【００２６】
（本実施形態の特徴）
本実施形態の電子デバイス１０は、図５に示すように、接続電極３８（電極）を含む素子２８と、端子１６を含むベース基板１４と、接続電極３８と端子１６とを接続する接合部材５０と、を含むものである。そして、接続電極３８及び端子１６の少なくとも一方と接合部材５０との界面に溶融痕５２を有することが特徴となっている。
【００２７】
上記構成において、溶融痕５２は、接続電極３８と端子１６を介して接合部材５０に電流を流すことにより形成することができ、溶融痕５２は、接合部材５０と接続電極３８との接触箇所（図１）、後述のように接合部材５０と端子１６との接触箇所（図７）において接触抵抗に起因して形成される。したがって、接合面積を小さくして小型化が可能な電子デバイス１０となる。
【００２８】
また、接続電極３８と端子１６との接続箇所が複数ある場合には、接合面積の減少により、それらの距離を互いに短くすることができる。したがって、ベース基板１４に付与された応力の影響、及びベース基板１４と素子２８の熱膨張係数の相違に起因した熱歪みの影響を低減可能な電子デバイス１０となる。
【００２９】
（パッケージ、リッド）
パッケージ１２は、矩形のベース基板１４と、ベース基板１４の上面の周縁に接合された矩形のリング状の側壁２６から構成される。よって、素子２８は、側壁２６により形成されたパッケージ１２の開口部から収容される。そしてリッド５４により開口部を封止することにより、素子２８が気密封止される。パッケージ１２は、水晶等の圧電材料やセラミックを用いることができる。またリッド５４は、水晶等の圧電材料や金属を用いることができる。
【００３０】
（素子）
素子２８は、例えば水晶等の圧電材料で形成された音叉型の振動片であり、ベース基板１４に支持される基部３０と、基部３０から互に平行に延出した一対の振動腕３２により全体の外形が形成されている。振動腕３２には一対の励振電極（不図示）が配置されている。励振電極（不図示）に交流電圧を印加することにより、振動腕３２が所定の共振周波数で屈曲振動をする。
【００３１】
（各種電極、端子）
本実施形態では、基部３０のリッド５４側の主面に一方の励振電極（不図示）に接続された引き出し電極３４（電極）と、他方の励振電極（不図示）に接続された引き出し電極３６が配置されている。また、基部３０のリッド５４側の主面には対向電極４２（電極）、対向電極４４（電極）が配置され、対向電極４２は引き出し電極３４に接続され、対向電極４４は引き出し電極３６に接続されている。
【００３２】
一方、基部３０のベース基板１４側の主面の対向電極４２に対向する位置には、接続電極３８（電極）が配置され、同様に対向電極４４に対向する位置には、接続電極４０（電極）が配置されている。対向電極４２と接続電極３８とは、基部３０の一方の主面、側面、他方の主面に亘って配置された側面電極４６により電気的に互いに接続され、同様に対向電極４４と接続電極４０とは、側面電極４８により電気的に互いに接続されている。
【００３３】
ベース基板１４の接続電極３８に対向する位置には端子１６が配置されている。そして、ベース基板１４の実装面の端子１６に対向する位置には外部電極２２（図４）が配置され、外部電極２２と端子１６がベース基板１４を厚み方向に貫通する貫通電極２０により電気的に接続されている。同様にベース基板１４の接続電極４０に対向する位置には端子１８が配置され、ベース基板１４の実装面の端子１８に対向する位置には外部電極２４（図４）が配置され、外部電極２４と端子１８が貫通電極２０により電気的に接続されている。端子１６と接続電極３８とは接合部材５０により接合され、同様に、端子１８と接続電極４０とは接合部材５０により接合されている。
【００３４】
（接合部材）
接合部材５０は、半田、Ａｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｇｅ等の共晶合金や、樹脂の表面にＡｕ等の金属が被覆された樹脂コアバンプ等を適用できる。本実施形態では、後述のように、電流印加により接合部材５０（または接合部材５０に接触する電極）を局所的に溶融・凝固させることにより、素子２８をベース基板１４に接合するが、その際に溶融痕５２（図１等）が形成される。
【００３５】
接合部材５０として共晶合金を用いることにより、融点の低い接合部材５０を用いることになるので、接合部材５０を溶融させるための電流の大きさを抑制することができる。また接合部材５０として、樹脂コアバンプのように表面に導電性を有する材料をコーティングしたものを用いることにより、接合部材５０として融点の高い材料を中心材料として用いることが可能となるので、接合部材５０の溶融に伴って発生する素子２８のベース基板１４からの高さのバラつきを抑制することができる。
【００３６】
（製造工程）
次に、本実施形態の電子デバイス１０の製造工程について説明する。まず、素子２８の原料となる母基板（不図示）からエッチング等により素子２８の外形を取り出すとともに、取り出した外形部分にスパッタ等を用いて各種電極を形成する。また、各種電極を形成したベース基板１４に側壁２６を接合する。
【００３７】
次に、ベース基板１４の端子１６，１８上に接合部材５０を配置（接合）するとともに接合部材５０上に接続電極３８，４０が乗るように素子２８を配置する。そして、図６に示すように、対向電極４２，４４にプローブ５６，５８を押し当てる。このとき、接続電極３８に接触した接合部材５０とプローブ５６が平面視で重なり、接続電極４０に接触した接合部材５０とプローブ５６が平面視で重なる。よって、プローブ５６を押し当てることにより、接続電極３８を接合部材５０に押し当てることができ、プローブ５８を押し当てることにより、接続電極４０を接合部材５０に押し当てることができる。また、外部電極２２，２４にプローブ６０，６２を接触させる。このとき、プローブ５６は、対向電極４２、側面電極４６、接続電極３８、接合部材５０、端子１６、貫通電極２０、外部電極２２を介してプローブ６０と電気的に接続されている。同様に、プローブ５８は、対向電極４４、側面電極４８、接続電極４０、接合部材５０、端子１８、貫通電極２０、外部電極２４を介してプローブ６２と電気的に接続されている。
【００３８】
そこで、プローブ５６とプローブ６０の間、及びプローブ５８とプローブ６２の間に電流を印加する。このとき、プローブ５６とプローブ６０との間では、接合部材５０と接続電極３８との接触部分（境界）の接触抵抗が最も大きくなっている（図１参照）。同様に、プローブ５８とプローブ６２との間では、接合部材５０と接続電極４０との接触部分（境界）の接触抵抗が最も大きくなっている。よって、その接触部分において発熱し、接合部材５０（または接続電極３８，４０）が溶融し、電流を停止させて接触部分を冷却させることにより、接合部材５０が接続電極３８，４０に溶着され（図１に示すように溶融痕５２が形成され）、これにより素子２８がベース基板１４に片持ち支持状態で支持される。その後は、リッド５４でパッケージ１２の開口部を封止することにより電子デバイス１０が構築される。
【００３９】
（溶着工程の変形例）
図７、図８に、第１実施形態の電子デバイスの溶着工程の変形例を示す。図７に示すように、上述の接合工程において、接合部材５０を予め接続電極３８（４０）に配置（接合）し、その接合部材５０を端子１６（１８）に接触させる場合には、接合部材５０と端子１６（１８）との接触部分が最も接触抵抗が大きくなっている。よって、上述同様にプローブ５６，６０（５８，６２）（図７、図８では不図示）に電流を流すことにより、その接触部分において接合部材５０または端子１６（１８）が溶融し、電流を停止させて接触部分を冷却させることにより、接合部材５０が端子１６（１８）に溶着されるともに溶融痕５２が形成され、これにより素子２８がベース基板１４に片持ち支持状態で支持される。
【００４０】
なお、図７に示す場合において、貫通電極２０は、平面視で接合部材５０と重ならない位置、より正確には平面視で接合部材５０と端子１６（１８）との接触位置には重ならない位置に配置することが好ましい。これにより、端子１６（１８）が溶解しても貫通電極２０の溶解が回避できるため、ベース基板１４の電気的接続の信頼性を確保することができる。
【００４１】
また、図８に示すように、例えば、接合部材５０を球形にし、接合部材５０を接続電極３８（４０）と端子１６（１８）との間に挟むように配置すると、接合部材５０と接続電極３８（４０）との接触部分、及び接合部材５０と端子１６（１８）との接触部分が最も接触抵抗が大きな部分となる。よって、上述同様にプローブ５６，６０（５８，６２）に電流を流すことにより、接合部材５０と接続電極３８（４０）との間の接触部分において接合部材５０または接続電極３８（４０）が溶融する。同様に、接合部材５０と端子１６（１８）の接触部分において接合部材５０または端子１６（１８）が溶融する。そして、電流を停止させて２つの接触部分を冷却させることにより、接合部材５０が接続電極３８（４０）及び端子１６（１８）に溶着されて溶融痕５２が形成され、これにより素子２８がベース基板１４に片持ち支持状態で支持される。
【００４２】
図１、図７、図８のいずれの形態であっても、接合部材５０の溶解する部分は局所的であって、接合部材５０の各種電極との接触部分のみであるので、接合面積を小さくすることができる。これにより、本実施形態のように素子２８において接合箇所が２箇所ある場合、接合箇所同士の間隔を短くすることができるので、ベース基板１４に付与された応力の影響、及びベース基板１４と素子２８の熱膨張係数の相違に起因した熱歪みの影響を効果的に低減可能となる。なお、図７、図８の接合形態は、以後の実施形態にも適用できる。
【００４３】
ところで、プローブ５６等と各種電極との間にも接触抵抗が発生する。しかし、プローブ５６等と各種電極との間の接触面積を、接合部材５０と各種電極との間の接触面積よりも十分大きくなるように、プローブ５６等の先端形状を、例えばフラットな形状とすることにより、プローブ５６等の先端における発熱を抑制して、接合部材５０のみを確実に溶着することができる。
【００４４】
本実施形態は、接合部材５０の溶着により素子２８をベース基板１４に接合するので、溶着の際にプローブ５６、５８を用いて素子２８を接合部材５０に必ずしも押し当てる必要はない。また押し当てる場合でもプローブ５６等ではなく、他の押し当て部材（不図示）により押し当ててもよい。この場合、プローブ５６等を接触させる対向電極４２，４４は、平面視で接続電極３８，４０に対向する位置からずらして配置し、押し当て部材（不図示）を素子２８のリッド５４側の主面の接続電極３８，４０に対向する位置に押し当てればよい。
【００４５】
なお、本実施形態では、素子２８を音叉型の振動片としているが、双音叉型振動片、ＡＴカット振動片、ジャイロ振動片等を適用でき、引き出し電極３４，３６等は素子２８が必要とする本数形成することができる。また素子２８は、圧電性を有しない他の材料（例えばシリコン）により形成することも可能であり、この場合、振動腕３２には、下部電極、圧電層（例えばＰＺＴ（チタン酸ジルコン酸鉛）を材料とする）、上部電極の三層構造を有する駆動部を配置するものとし、下部電極、上部電極に接続する引き出し電極を配置すればよい。
【００４６】
（第２実施形態）
図９に、第２実施形態の電子デバイスの平面図（リッドを透視）、図１０に、第２実施形態の電子デバイスの側面図（パッケージを透視）を示す。なお、以下の説明において、前述の構成要素と共通するものは同一番号を付し、必要な場合を除いてその説明を省略する。
【００４７】
第２実施形態の電子デバイス１０ａの基本構成は第１実施形態に類似するが、引き出し電極３４，３６が途中で分断されているとともに、分断部分が導電部材６４により電気的に互いに接続されている点で相違する。すなわち、本実施形態では、引き出し電極３４（電極）は、一方の励振電極（不図示）に接続した引き出し電極３４ａと、対向電極４２に接続された引き出し電極３４ｂと、を有し、引き出し電極３４ａと引き出し電極３４ｂとが導電部材６４により電気的に互いに接続されている。同様に、引き出し電極３６は、他方の励振電極（不図示）に接続した引き出し電極３６ａと、対向電極４４に接続された引き出し電極３６ｂと、を有し、引き出し電極３６ａと引き出し電極３６ｂとが導電部材６４により電気的に互いに接続されている。ここで、導電部材６４は、ＣｕやＡｇ等を原料とする金属ペーストであり、基部３０に塗布される。
【００４８】
図１１に、第２実施形態の電子デバイスの溶着工程を示す。本実施形態の電子デバイス１０ａの製造工程は基本的に第１実施形態と類似し、素子２８とベース基板１４の溶着工程も第１実施形態と同様である。しかし、図１１に示すように溶着時においては、引き出し電極３４ａと引き出し電極３４ｂとの電気的な接続はなく、同様に、引き出し電極３６ａと引き出し電極３６ｂとの電気的な接続はない。そして、溶着後に引き出し電極３４ａと引き出し電極３４ｂとを電気的に互いに接続するように導電部材６４を基部３０に塗布し、同様に、引き出し電極３６ａと引き出し電極３６ｂとを電気的に互いに接続するように導電部材６４を基部３０に塗布することになる。
【００４９】
このように、本実施形態では、溶着後に一方の励振電極（不図示）を、引き出し電極３４を介して対向電極４２に電気的に接続させ、他方の励振電極（不図示）を、引き出し電極３６を介して対向電極４４に電気的に接続させているが、溶着時はいずれの励振電極（不図示）も対向電極４２，４４から絶縁している。よって、溶着時の一対の励振電極（不図示）に対する熱的負荷を回避して素子２８の振動特性の変化を抑制することができる。
【００５０】
（第３実施形態）
図１２に、第３実施形態の電子デバイスの平面図（リッドを透視）、図１３に、図１２のＡ−Ａ線断面図、図１４に、第３実施形態の電子デバイスの素子の裏面図を示す。第３実施形態の電子デバイス１０ｂは、第２実施形態のように励振電極（不図示）に対する熱的負荷を回避するとともに、ボンディングワイヤー６６の取り付けを容易に行うための構成となっている。
【００５１】
図１２に示すように、対向電極４２が基部３０のリッド５４側の主面であって、基部３０の短辺方向の中央部となる位置に配置され、図１４に示すように接続電極３８が基部３０のベース基板１４側の主面であって対向電極４２に対向する位置に配置されている。引き出し電極３４（電極）は、一方の励振電極（不図示）に接続された引き出し電極３４ａと、接続電極３８に接続された引き出し電極３４ｂを有している。引き出し電極３４ｂは側面電極４６を経由して接続電極３８に接続されている。そして、引き出し電極３４ａと引き出し電極３４ｂが導電部材６４により電気的に互いに接続されている。
【００５２】
また引き出し電極３６は、他方の励振電極（不図示）に接続された引き出し電極３６ａと、対向電極４２に接続された引き出し電極３６ｂを有し、引き出し電極３６ａと引き出し電極３６ｂとが導電部材６４により電気的に互いに接続されている。
【００５３】
ベース基板１４の接続電極３８に対向する位置には端子１６が配置され、端子１６と接続電極３８とが接合部材５０により接合されている。これにより、素子２８はベース基板１４上に片持ち支持状態で支持されるとともに、端子１６と接続電極３８とが接合部材５０により電気的に互いに接続される。
【００５４】
一方、ベース基板１４の平面視で素子２８からはみ出る位置には端子１８が配置され、この端子１８と対向電極４２とがボンディングワイヤー６６を介して電気的に接続されている。対向電極４２と接続電極４０とを結ぶように基部３０の側面を経由する側面電極６８（配線電極）が配置されているが、側面電極６８の基部３０のリッド５４側の主面の途中位置において切断され、切断痕７０が形成されている。側面電極６８は、当初は対向電極４２と接続電極３８とを電気的に互いに接続するが、接合部材５０の溶着後にレーザー等を用いて切断され、対向電極４２と接続電極３８との電気的接続が遮断される。
【００５５】
図１５、図１６（図１５の右側面図（側壁を透視））に、第３実施形態の電子デバイスの溶着工程を示す。第３実施形態の電子デバイス１０ｂの製造工程は、第２実施形態と類似するが、側面電極６８を切断する工程と、ボンディングワイヤー６６を取り付ける工程を有する。まず第１実施形態と同様に素子２８の外形を形成するとともに各種電極を形成する。このとき、図１５に示すように、引き出し電極３４ａと引き出し電極３４ｂは絶縁し、引き出し電極３６ａと引き出し電極３６ｂも絶縁しているが、対向電極４２と接続電極３８は側面電極６８により電気的に互いに接続されている。
【００５６】
図１５、図１６に示すように、接続電極３８が端子１６に予め配置した接合部材５０に対向するように素子２８をベース基板１４上に配置して接続電極３８と接合部材５０を接触させる。そして、対向電極４２にプローブ５６を押し当てる（接続電極３８を接合部材５０に押し当てる）とともに外部電極２２にプローブ６０を接触させる。これによりプローブ５６は、対向電極４２、側面電極６８、接続電極３８、接合部材５０、端子１６、貫通電極２０、外部電極２２を介してプローブ６０に電気的に接続される。
【００５７】
そしてプローブ５６，６０に電流を流すことにより、接合部材５０の接続電極３８との接触部分を溶融させ、電流を停止させて接触部分を冷却する。これにより、素子２８がベース基板１４に片持ち支持状態で支持されるとともに、接続電極３８と端子１６とが接合部材５０により電気的に接続される。このとき、一対の励振電極（不図示）は、いずれも対向電極４２には電気的に接続されていない。
【００５８】
図１２に示すように、レーザー等を用いて側面電極６８を切断し（切断痕７０を形成し）、ボンディングワイヤー６６で対向電極４２と端子１８とを電気的に接続する。よって、ボンディングワイヤー６６は超音波を用いて対向電極４２に接続させるが、素子２８においてボンディングワイヤー６６を取り付ける位置に接合部材５０が平面視で対向するので、超音波を効率よく伝達させることができ、ボンディングワイヤー６６を対向電極４２に容易に取り付けることができる。
【００５９】
そして、引き出し電極３４ａと引き出し電極３４ｂとを電気的に互いに接続するように導電部材６４を基部３０に塗布し、引き出し電極３６ａと引き出し電極３６ｂとを電気的に互いに接続するように導電部材６４を基部３０に塗布する。これにより、引き出し電極３４、すなわち、一方の励振電極（不図示）が接続電極３８に接続され、引き出し電極３６、すなわち他方の励振電極（不図示）が対向電極４２に接続される。このとき、側面電極６８は、すでに切断されているので、引き出し電極３４は接続電極３８から電気的に絶縁している。
【００６０】
本実施形態では、平面視で接続電極３８に対向する対向電極４２は、溶着工程の際には、電流を流すプローブ５６を押し当てる場所として用い、溶着工程の後は、引き出し電極３４に接続させることによりボンディングワイヤー６６接続用の電極として用いることができる。そして、対向電極４２は接合部材５０の真上に配置されているため、対向電極４２にボンディングワイヤー６６を容易に取り付けることができる。したがって、溶着工程及びボンディングワイヤー６６の接続作業の作業効率を高めることができる。さらに、素子２８とベース基板１４との接続箇所は一箇所となるので、ベース基板１４に付与された応力の影響、及びベース基板１４と素子２８の熱膨張係数の相違に起因した熱歪みの影響を効果的に低減することができる。なお、本実施形態では、引き出し電極３４、すなわち、一方の励振電極（不図示）を対向電極４２に接続し、引き出し電極３６、すなわち他方の励振電極（不図示）を接続電極３８に接続する構成としてもよい。
【００６１】
図１７に、第３実施形態の電子デバイスの変形例の平面図（リッドを透視）を示す。第３実施形態において、接合部材５０の接合強度が十分であれば、ボンディングワイヤー６６の取り付け位置に接合部材５０が平面視で対向しなくても、ボンディングワイヤー６６の取り付けが可能である。この場合、図１７に示すように、基部３０上にプローブ５６（図１７では不図示）を押し当て用の対向電極４２のほかにボンディングワイヤー６６接続用の接続電極７２を配置して、一方の励振電極（不図示）に接続された引き出し電極３４を、導電部材６４を介して側面電極４６（または対向電極４２）に接続し、他方の励振電極（不図示）に接続された引き出し電極３６を接続電極７２に接続してもよい。
【００６２】
（発振器）
図１８に、本実施形態の電子デバイスを搭載した発振器の断面図を示す。本実施形態の発振器は、例えば第１実施形態（他の実施形態でもよい）の電子デバイス１０を集積回路１０２に接続したものである。電子デバイス１０の外部電極２２等と集積回路１０２のパッド電極１０４とが互いに接合している。集積回路１０２には、電子デバイス１０を発振源とする発振回路が内蔵され、集積回路１０２の他のパッド電極（不図示）から発振信号を取り出すことができる。また集積回路１０２には、素子２８の温度変化による共振周波数の変化に対応して発振信号の温度補償を行なう温度補償回路が内蔵することができ、これによりＴＣＸＯ（温度補償水晶発振器：Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ  Ｃｏｍｐｅｎｓａｔｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）を構築することができる。また、電子デバイス１０に、ヒータ（不図示）やサーミスタ（不図示）を取り付け、これを集積回路１０２内の制御回路に接続できるようにすれば、ＯＣＸＯ（恒温槽付水晶発振器：Ｏｖｅｎ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌｅｄ  Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｓｃｉｌｌａｔｏｒ）を構築することができる。
【００６３】
（電子機器、移動体）
図１９に、本実施形態の発振器を搭載した電子機器（高機能携帯）の模式図、図２９に、本実施形態の発振器を搭載した移動体（自動車）の模式図である。図１９に示すように、高機能携帯２００には、例えば、高機能携帯２００の姿勢を検知する角速度センサー（不図示）が内蔵されているが、この角速度センサーの制御機構を動かすためのクロック源として本実施形態の発振器１００を用いることができる。本実施形態の発振器１００は、このほかにも、デジタルスチルカメラ、携帯電話機、携帯型ゲーム機、ゲームコントローラー、カーナビゲーションシステム、ポインティングデバイス、ヘッドマウンティングディスプレイ、タブレットパソコン等の電子機器のクロック源として利用することができる。図２０に示すように、自動車３００には、例えば、車体の姿勢を安定化させるための制御機構（不図示）を有するが、この制御機構を動かすためのクロック源として本実施形態の発振器１００を利用することができる。
【符号の説明】
【００６４】
１０………電子デバイス、１２………パッケージ、１４………ベース基板、１６………端子、１８………端子、２０………貫通電極、２２………外部電極、２４………外部電極、２６………側壁、２８………素子、３０………基部、３２………振動腕、３４，３４ａ，３４ｂ………引き出し電極、３６，３６ａ，３６ｂ………引き出し電極、３８………接続電極、４０………接続電極、４２………対向電極、４４………対向電極、４６………側面電極、４８………側面電極、５０………接合部材、５２………溶融痕、５４………リッド、５６………プローブ、５８………プローブ、６０………プローブ、６２………プローブ、６４………導電部材、６６………ボンディングワイヤー、６８………側面電極、７０………切断痕、７２………接続電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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