(57)【要約】【課題】特殊な設備を用意する必要がなく、切削動作を中断することなく切削ブレードの目詰まりを解消しながらウェーハを切削することができるウェーハの切削方法を提供すること。【解決手段】切削ブレード１５に対して、基板６５の表面に積層された積層体によってデバイスが形成されたウェーハＷを、切削ブレード１５の回転軸と直交する方向に相対的に移動させて、複数のストリートに沿って切削するウェーハＷの切削方法であって、切削ブレード１５を積層体の厚さよりも深く基板６５の途中まで切り込み、且つ、ウェーハＷをストリートに沿って相対移動させて、切削溝６６を形成することで積層体を除去する積層体除去工程と、切削ブレード１５を、切削溝６６に沿って深く切り込み、ウェーハＷを相対移動させて切削溝６６に沿って切削して、切削ブレード１５の先端に付着した積層体を除去し目立てを行う目立て工程と、を備える。【選択図】図８
2014220437.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
環状の切れ刃を有し所定の方向に回転する切削ブレードに対して、基板の表面に積層された積層体によってデバイスが形成されたウェーハを、該切削ブレードの回転軸と直交する方向に相対的に移動させて、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って切削するウェーハの切削方法であって、
前記ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着するテープ貼着工程と、
該テープ貼着工程を実施した後に、前記切削ブレードを該積層体の厚さよりも深く該基板の途中まで切り込み、且つ、該切削ブレードと前記ウェーハが対向する位置において該切削ブレードの回転方向と順方向に前記ウェーハを前記ストリートに沿って相対移動させて、切削溝を形成することで該積層体を除去する積層体除去工程と、
該積層体除去工程を遂行後の任意のタイミングで、該切削ブレードを、該切削溝に沿って該切削溝よりも深く切り込み、該切削ブレードの回転方向と逆方向に前記ウェーハを相対移動させて該切削溝に沿って該基板を切削して、該積層体除去工程で該切削ブレードの先端に付着した該積層体を除去し該切削ブレードの目立てを行う目立て工程と、
を備えることを特徴とするウェーハの切削方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面に保護膜やＴＥＧ等の積層体が形成された半導体ウェーハなどの被加工物を切削する切削方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハやガラス基板、樹脂基板等をデバイスチップへと分割するための切削装置（ダイシング装置）が知られており、例えば、特許文献１に開示されているように、２つのスピンドルユニットを有する２スピンドル切削装置も知られている。このような２スピンドル切削装置では、先ず一方のスピンドルユニットの切削ブレードによって所定深さの溝を形成するハーフカットを行い、その後、もう一方のスピンドルユニットの切削ブレードによってハーフカットされた溝を完全切断するフルカットを行う、といったステップカットが実施される。
【０００３】
このようなステップカットは、半導体ウェーハを切削加工する際において、分割予定ラインが設定されたストリートにテストエレメントグループ（ＴＥＧ）と称されるテスト用の金属パターンを除去する場合においても行われる。即ち、先ず一方のスピンドルユニットの切削ブレードにてＴＥＧを除去（ハーフカット）して第一の切削溝を形成し、次いで、もう一方のスピンドルユニットの切削ブレードにて第一の切削溝の位置に第二の切削溝を形成して半導体ウェーハを完全に切断する（フルカット）、といったものである。
【０００４】
このようなステップカットを実施することによれば、予めハーフカットによってＴＥＧが除去され、ハーフカットで用いた切削ブレードとは別の切削ブレードでフルカットが行われるため、フルカットを行う切削ブレードについてはＴＥＧによる目詰まりが発生することがない。そして、フルカットを行う切削ブレードについてＴＥＧによる目詰まり気味の状況を発生させないことにより、ウェーハの裏面側にチッピングが発生してしまうことを効果的に防止することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−１７３９８６号公報
【特許文献２】特開２０００−４９１２０号公報
【特許文献３】特開２００８−３００５５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、切削ブレードは、高速に回転しながらウェーハなどのワークを切削するが、ハーフカットを長時間続けたり、ストリート上のＴＥＧパターンを切断し続けることで、樹脂等の切削屑がブレード先端に付着し、ブレードが目詰まり、切れ味の低下が発生してしまう。この問題を解決するために、ブレードの目立てを行うドレス部材専用のサブチャックテーブルをチャックテーブルに隣接する位置に設けたり、ダイシングテープ上のワークに隣接する位置にドレス部材を貼付して設けたりする方法がある（例えば、特許文献２、３参照）。いずれにしても、サブチャックテーブルを設けたり、特殊なダイシング用のフレームを用意する必要がありコストがかかってしまう。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、特殊な設備を用意する必要がなく、切削動作を中断することなくハーフカット用の切削ブレードの目詰まりを解消しながら半導体ウェーハを切削することができるウェーハの切削方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係るウェーハの切削方法は、環状の切れ刃を有し所定の方向に回転する切削ブレードに対して、基板の表面に積層された積層体によってデバイスが形成されたウェーハを、該切削ブレードの回転軸と直交する方向に相対的に移動させて、該デバイスを区画する複数のストリートに沿って切削するウェーハの切削方法であって、前記ウェーハの裏面にダイシングテープを貼着するテープ貼着工程と、該テープ貼着工程を実施した後に、前記切削ブレードを該積層体の厚さよりも深く該基板の途中まで切り込み、且つ、該切削ブレードと前記ウェーハが対向する位置において該切削ブレードの回転方向と順方向に前記ウェーハを前記ストリートに沿って相対移動させて、切削溝を形成することで該積層体を除去する積層体除去工程と、該積層体除去工程を遂行後の任意のタイミングで、該切削ブレードを、該切削溝に沿って該切削溝よりも深く切り込み、該切削ブレードの回転方向と逆方向に前記ウェーハを相対移動させて該切削溝に沿って該基板を切削して、該積層体除去工程で該切削ブレードの先端に付着した該積層体を除去し該切削ブレードの目立てを行う目立て工程と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係るウェーハの切削方法は、表面の積層体を除去したハーフカット用の切削ブレードを、積層体を除去した切削溝に切り込みながら戻ることで、積層体を除去した切削ブレードの目立てを行うことができるため、特殊な機構を設ける必要が無く経済的である。さらに、切削ブレードの目立てを行うために生産を停止する必要がないためスループット向上も図れる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施形態に係るウェーハの切削方法によって切削加工を行う切削装置の斜視図である。
【図２】図２は、図１に示す切削手段の詳細図である。
【図３】図３は、図１に示す切削装置によってウェーハの切削加工を行う際における説明図である。
【図４】図４は、実施形態に係るウェーハの切削加工を用いてウェーハを分割する際における工程のフロー図である。
【図５】図５は、積層体除去工程における切削の説明図である。
【図６】図６は、図５のＡ−Ａ断面図である。
【図７】図７は、目立て工程における目立ての説明図である。
【図８】図８は、図７のＢ−Ｂ断面図である。
【図９】図９は、分割工程における切削の説明図である。
【図１０】図１０は、図９のＣ−Ｃ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下に、本発明に係るウェーハの切削方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態によりこの発明が限定されるものではない。また、下記実施形態における構成要素には、当業者が置換可能かつ容易なもの、或いは実質的に同一のものが含まれる。
【００１２】
〔実施形態〕
図１は、実施形態に係るウェーハの切削方法によって切削加工を行う切削装置の斜視図である。本実施形態において、Ｘ軸方向は、後述する切削ブレード１５の回転軸の方向および鉛直方向の双方と直交する方向であり、Ｙ軸方向は、鉛直方向と直交する切削ブレード１５の回転軸の方向であり、Ｚ軸方向は、鉛直方向である。図１に示す切削装置１は、チャックテーブル５と、二つの切削手段１０と、洗浄・乾燥手段５０と、を含んで構成されている。本実施形態に係るウェーハの切削方法で用いられる切削装置１は、二つの切削手段１０をＹ軸方向に対向配置させたフェイシングデュアルタイプの加工装置である。
【００１３】
切削装置１は、被加工物を保持するチャックテーブル５と、二つの切削手段１０を相対移動させることで、被加工物に切削加工を施す。即ち、チャックテーブル５は、被加工物を保持した状態で、加工送り方向であるＸ軸方向に、装置本体２に対して相対移動可能に設けられている。
【００１４】
ここで、被加工物は、切削加工される加工対象であり、特に限定されないが、例えば、シリコン、ヒ化ガリウム（ＧａＡｓ）等を母材とする円板状の半導体ウェーハや光デバイスウェーハ、セラミック、ガラス、サファイア（Ａｌ２Ｏ３）系の円板状の無機材料基板、金属や樹脂等の円板状の延性材料等、各種加工材料である。本実施形態では、切削装置１は、被加工物として半導体ウェーハＷの切削加工を行うものとして説明する。
【００１５】
ウェーハＷは、例えば、デバイスが複数形成されているデバイス側の面である表面の反対側の面である裏面に、粘着テープであるダイシングテープＴが貼着され、ダイシングテープＴがさらに、磁性体の環状フレームＦに貼着されることによって環状フレームＦに固定された状態で、切削加工が行われる。切削装置１でのウェーハＷの切削加工は、ウェーハＷは、ダイシングテープＴが貼着された側の面がチャックテーブル５に載置されてチャックテーブル５に吸引保持され、チャックテーブル５の周囲に配設されるフレーム保持手段６に環状フレームＦが保持された状態で行われる。
【００１６】
図２は、図１に示す切削手段の詳細図である。二つの切削手段１０は、第一切削手段１１と第二切削手段１２とからなり、これらの切削手段１０は、切削ブレード１５と、スピンドル２０と、スピンドルハウジング２５と、ノズル３０と、ブレードカバー３５と、を含んで構成されている。つまり、第一切削手段１１は、第一切削ブレード１６と、第一スピンドル２１と、第一スピンドルハウジング２６と、第一ノズル３１と、第一ブレードカバー３６と、を含んで構成されている。同様に、第二切削手段１２も、第二切削ブレード１７と、第二スピンドル２２と、第二スピンドルハウジング２７と、第二ノズル３２と、第二ブレードカバー３７と、を含んで構成されている。このうち、第二切削ブレード１７は、第一切削ブレード１６の厚さよりも若干薄い厚さで形成されている。
【００１７】
これらの切削手段１０は、それぞれ移動手段によって移動可能になっており、割り出し送り手段であるＹ軸移動手段４０と、切り込み送り手段であるＺ軸移動手段４５により、Ｙ軸方向とＺ軸方向とに移動可能になっている。つまり、第一切削手段１１は、第一Ｙ軸移動手段４１と第一Ｚ軸移動手段４６とにより、Ｙ軸方向とＺ軸方向とに移動可能になっており、第二切削手段１２は、第二Ｙ軸移動手段４２と第二Ｚ軸移動手段４７により、Ｙ軸方向とＺ軸方向とに移動可能になっている。これにより、第一切削手段１１と第二切削手段１２とは、チャックテーブル５に保持されたウェーハＷに切削水を供給しながら、加工すべき領域に切削加工を施すことができる。
【００１８】
切削ブレード１５は、環状の切れ刃を有し、所定の方向に回転可能に設けられている。詳しくは、切削ブレード１５は、高速回転することでチャックテーブル５に保持されたウェーハＷを切削する極薄のリング形状に形成された切削砥石であり、これにより、切削ブレード１５は、環状の切れ刃を有している。この切削ブレード１５は、固定ナット（図示省略）により、スピンドル２０に交換可能に固定されている。スピンドルハウジング２５は、筒状に形成されており、内挿されたスピンドル２０をエアベアリングにより回転自在に支持する。ノズル３０は、切削ブレード１５の加工点に切削液を噴出させて供給する。ブレードカバー３５は、ノズル３０を着脱可能に保持する。第一切削手段１１と第二切削手段１２とは、共にこれらの構造で構成されている。
【００１９】
洗浄・乾燥手段５０は、切削加工後のウェーハＷの洗浄と乾燥が可能になっている。詳しくは、洗浄・乾燥手段５０は、回転駆動源で発生する動力によりスピンナテーブル５１を回転させつつ、ウェーハＷに対して洗浄液噴射装置によって洗浄液を噴射して当該ウェーハＷを洗浄し、洗浄後のウェーハＷに気体噴射装置から気体を噴射して当該ウェーハＷを乾燥させることが可能になっている。
【００２０】
本実施形態に係るウェーハＷの切削方法で切削加工を行う切削装置１は、以上のごとき構成からなり、以下、その作用について説明する。図３は、図１に示す切削装置によってウェーハの切削加工を行う際における説明図である。上述した切削装置１は、第一切削ブレード１６と第二切削ブレード１７との二つの切削ブレード１５によって、段階的にウェーハＷの切断を行う、いわゆるステップカットによって切断を行う加工装置になっている。つまり、切削装置１は、複数のデバイス６７（図５参照）を区画するストリートＳ（図５参照）に沿って、第一の切削ブレード１５である第一切削ブレード１６でウェーハＷの厚さ方向における途中まで切削し、この切削溝６６（図５参照）に沿って第二の切削ブレード１５である第二切削ブレード１７により、ウェーハＷの残りの厚さ分を切削する。
【００２１】
また、切削装置１でウェーハＷの切削加工を行う際には、ダイシングテープＴが貼着されたウェーハＷにおける、ダイシングテープＴが貼着されている面の反対側の面である表面６１側から、切削加工を行う。また、このように切削加工を行うウェーハＷは、ウェーハＷのベースとなる基板６５の表面６１側に、ＴＥＧ（Ｔｅｓｔ  Ｅｌｅｍｅｎｔ  Ｇｒｏｕｐ）等の回路パターンを有する表面膜等の積層体Ｌが積層されており、これによりウェーハＷには複数のデバイス６７が形成されている。
【００２２】
切削装置１でウェーハＷの切削加工を行う際には、ダイシングテープＴが貼着されている側の面である裏面６２が下面になってチャックテーブル５に対向し、積層体Ｌが積層されている側の面である表面６１が上面になる向きで、チャックテーブル５上に載置する。さらに、環状フレームＦをフレーム保持手段６で保持し、ウェーハＷの裏面６２側をチャックテーブル５で吸引保持した状態で、ウェーハＷの表面６１側から、第一切削ブレード１６と第二切削ブレード１７とによって、段階的に切削する。即ち、第一切削ブレード１６は、ハーフカット用の切削ブレード１５として設けられており、第二切削ブレード１７は、分割用の切削ブレード１５として設けられており、切削装置１は、この二つの切削ブレード１５を用いて段階的にウェーハＷを切削する。
【００２３】
図４は、実施形態に係るウェーハの切削加工を用いてウェーハを分割する際における工程のフロー図である。ウェーハＷを分割する際には、積層体Ｌが積層されているウェーハＷに対して、まず、テープ貼着工程（ステップＳＴ１１）で、ダイシングテープＴを貼着する。ダイシングテープＴは、内径がウェーハＷの外径よりも大きい孔を有する環状フレームＦに貼着する。この状態で、ウェーハＷの裏面６２を、環状フレームＦの孔の部分からダイシングテープＴに貼着する。これにより、ダイシングテープＴを、ウェーハＷの裏面６２の全面に貼着する。
【００２４】
テープ貼着工程を実施したら、次に、積層体除去工程（ステップＳＴ１２）で、ウェーハＷの表面６１に積層されている積層体Ｌを除去する。積層体Ｌを除去する際には、まず、表面６１が上面になる向きで、切削装置１のチャックテーブル５でウェーハＷを保持する（図３参照）。この状態で、ウェーハＷにおける表面６１側、即ち、積層体Ｌが積層されている側から、切削ブレード１５によってウェーハＷの切削を行うことにより、積層体Ｌを除去する。
【００２５】
図５は、積層体除去工程における切削の説明図である。図６は、図５のＡ−Ａ断面図である。積層体除去工程は、二つの切削ブレード１５のうち、第一切削ブレード１６をウェーハＷの表面６１に対向させ、回転する第一切削ブレード１６の外周面をウェーハＷのストリートＳに接触させながら、第一切削ブレード１６とウェーハＷとをストリートＳに沿って相対移動させることにより行う。この積層体除去工程では、第一切削ブレード１６を、積層体Ｌの厚さよりも深く、ウェーハＷの厚さよりも浅い深さで、外周面における下端付近を積層体Ｌ側の面からウェーハＷに切り込ませ、表面６１側から基板６５の途中まで切り込ませる。これにより、第一切削ブレード１６は、積層体Ｌ側の面からウェーハＷに入り込んだ深さで、ウェーハＷを切削する。
【００２６】
積層体除去工程では、第一切削ブレード１６でウェーハＷを切削すると同時に、ウェーハＷを保持するチャックテーブル５を、第一切削ブレード１６の回転軸と直交する方向に相対的に移動させる。その際における移動方向は、回転する第一切削ブレード１６における下端付近での回転方向と同じ方向にチャックテーブル５を移動させ、第一切削ブレード１６に対して、この方向にウェーハＷを相対移動させる。即ち、チャックテーブル５を、ウェーハＷのストリートＳに沿った方向で、且つ、第一切削ブレード１６においてウェーハＷに接触する部分付近の回転方向と同じ方向である順方向に移動させる。この状態では、第一切削ブレード１６は、ウェーハＷの移動方向において第一切削ブレード１６がウェーハＷの切削を開始する部分は、上方側から下方側、即ち、表面６１方向側から裏面６２方向側に向かって切削を行う、いわゆるダウンカットによって切削を行う。
【００２７】
これにより、第一切削ブレード１６は、積層体Ｌの厚さよりも深く、ウェーハＷの厚さよりも浅い深さで、積層体Ｌが積層されている側の面からウェーハＷを切削し、この深さの切削溝６６を、ストリートＳに沿って形成する。換言すると、切削溝６６は、第一切削ブレード１６の厚さで積層体Ｌが除去され、さらに、基板６５における積層体Ｌ寄りの部分が第一切削ブレード１６の厚さで切削されることにより形成される。このように、積層体除去工程では、第一切削ブレード１６とウェーハＷが対向する位置において、第一切削ブレード１６の回転方向と順方向にウェーハＷをストリートＳに沿って相対移動させて、切削溝６６を形成することにより、積層体Ｌを除去する。
【００２８】
積層体除去工程を遂行したら、次に、目立て工程（ステップＳＴ１３）で、第一切削ブレード１６の目立てを行う。図７は、目立て工程における目立ての説明図である。図８は、図７のＢ−Ｂ断面図である。目立て工程は、積層体除去工程でウェーハＷの切削を行った第一切削ブレード１６を、積層体除去工程での回転方向と同方向に回転させた状態で外周面を切削溝６６に接触させながら、積層体除去工程でのウェーハＷとの相対移動の方向と反対方向に相対移動させることにより行う。この目立て工程では、第一切削ブレード１６を、ウェーハＷにおいて切削溝６６を形成した部分の残りの厚さ、即ち、切削溝６６の溝底から裏面６２までの厚さよりも浅い深さで、外周面における下端付近を切削溝６６の溝底からウェーハＷに切り込ませる。これにより、第一切削ブレード１６は、切削溝６６の溝底からウェーハＷに入り込んだ深さで、ウェーハＷを切削する。
【００２９】
目立て工程でも、このように第一切削ブレード１６でウェーハＷを切削するが、目立て工程では、積層体除去工程とは異なり、チャックテーブル５は、回転する第一切削ブレード１６における下端付近での回転方向の反対方向に移動させる。つまり、目立て工程では、第一切削ブレード１６の回転方向は積層体除去工程での回転方向を維持したまま、チャックテーブル５を、積層体除去工程で移動方向の反対方向に移動させる。詳しくは、積層体除去工程では、第一切削ブレード１６をストリートＳに沿わせた状態で、順方向にウェーハＷを移動させるが、第一切削ブレード１６がストリートＳの端部に到達したら、ウェーハＷが反対方向に移動するように、チャックテーブル５を移動させる。
【００３０】
換言すると、目立て工程では、第一切削ブレード１６の回転方向は変えずに、チャックテーブル５を、ウェーハＷのストリートＳに沿った方向で、且つ、第一切削ブレード１６においてウェーハＷに接触する部分付近における回転方向の反対方向である逆方向に移動させる。この状態では、第一切削ブレード１６は、ウェーハＷの移動方向において第一切削ブレード１６がウェーハＷの切削を開始する部分は、下方側から上方側、即ち、裏面６２方向側から表面６１方向側に向かって切削を行う、いわゆるアップカットによって切削を行う。
【００３１】
これにより、第一切削ブレード１６は、切削溝６６をより深く切り込み、チャックテーブル５が、第一切削ブレード１６の回転方向と逆方向にウェーハＷを相対移動させる方向に移動する状態で、第一切削ブレード１６によって切削溝６６に沿って基板６５を切削する。目立て工程では、このように第一切削ブレード１６の回転方向と逆方向にウェーハＷを相対移動させながら切削することにより、ウェーハＷの移動方向に逆らう方向で第一切削ブレード１６にウェーハＷの切削を行わせる。これにより、積層体除去工程で第一切削ブレード１６の先端、即ち、第一切削ブレード１６の外周面に付着した積層体Ｌを除去し、積層体Ｌに含まれる金属等を第一切削ブレード１６の外周面から除去することにより、第一切削ブレード１６の目立てを行う。
【００３２】
目立て工程を遂行したら、次に、分割工程（ステップＳＴ１４）で、ウェーハＷの分割を行う。図９は、分割工程における切削の説明図である。図１０は、図９のＣ−Ｃ断面図である。分割工程は、二つの切削ブレード１５のうち、第二切削ブレード１７をウェーハＷの表面６１に対向させ、回転する第二切削ブレード１７の外周面を、第一切削ブレード１６で形成した切削溝６６に接触させながら、切削溝６６に沿って第二切削ブレード１７とウェーハＷとを相対移動させることにより行う。この分割工程では、第二切削ブレード１７を、ウェーハＷ単体の厚さよりも深く、ウェーハＷの裏面６２に貼着されているダイシングテープＴは切断しきらない深さで、外周面における下端付近を切削溝６６の溝底からウェーハＷに切り込ませる。これにより、第二切削ブレード１７は、ウェーハＷの基板６５は切断し、ダイシングテープＴは切断しない深さで、ウェーハＷを切削する。
【００３３】
なお、第二切削ブレード１７は、厚さが第一切削ブレード１６よりも薄いため、第二切削ブレード１７は、第一切削ブレード１６で切削した切削溝６６の溝幅は広げずに、この切削溝６６の溝底から、基板６５に対してさらに切削をする。
【００３４】
分割工程では、積層体除去工程で第一切削ブレード１６によってウェーハＷを切削する場合と同様に、チャックテーブル５を、回転する第二切削ブレード１７における下端付近での回転方向と同じ方向に移動させ、第二切削ブレード１７に対してウェーハＷを相対移動させる。即ち、チャックテーブル５を、第二切削ブレード１７においてウェーハＷに接触する部分付近の回転方向と同じ方向である順方向に移動させる。
【００３５】
このように、分割工程では、第二切削ブレード１７によって切削溝６６をより深く切り込み、ウェーハＷ単体の厚さよりも深く、ウェーハＷの裏面６２に貼着されているダイシングテープＴも含んだ厚さよりは浅い深さで、切削溝６６に沿ってウェーハＷを切削する。これにより、第二切削ブレード１７を、第一切削ブレード１６によって形成した切削溝６６に沿ってダイシングテープＴの途中まで切り込む。さらに、このようにウェーハＷを切削しつつ、第二切削ブレード１７とウェーハＷが対向する位置において、第二切削ブレード１７の回転方向に対して順方向にウェーハＷをストリートＳに沿って相対移動させる。これにより、ダイシングテープＴは切断することなく、第一切削ブレード１６で形成した切削溝６６に沿って基板６５を分割し、切削溝６６の両側に位置するデバイス６７同士を分割する。
【００３６】
なお、これらのように第二切削ブレード１７を用いた分割工程で、所定のストリートＳに沿って基板６５を分割する際には、第一切削ブレード１６を用いて、他のストリートＳで積層体除去工程を行うのが好ましい。
【００３７】
以上の実施形態に係るウェーハＷの切削方法は、第一切削ブレード１６で切削溝６６を形成することにより積層体Ｌを除去した後、切削溝６６に対して第一切削ブレード１６をさらに深く切り込み、第一切削ブレード１６の回転方向と逆方向にウェーハＷを相対移動させることにより、第一切削ブレード１６の目立てを行っている。この結果、特殊な機構を設ける必要が無く、ウェーハＷを切削するための装置を設ける際におけるコストを抑えることができるため、経済性を向上させることができる。さらに、切削動作を中断することなく、第一切削ブレード１６の目詰まりを解消しながらウェーハＷを切削することができるため、第一切削ブレード１６の目立てを行うために生産を停止する必要がなく、スループットの向上を図ることができる。
【００３８】
また、このように第一切削ブレード１６の目詰まりを解消しながら、ウェーハＷを切削することにより、切削性能を向上させることができるため、ウェーハＷを切削することによって生成する各デバイス６７の品質を向上させることができる。
【００３９】
〔変形例〕
なお、上述したウェーハＷの切削方法は、切削ブレード１５として第一切削ブレード１６と第二切削ブレード１７とを使用し、この２つの切削ブレード１５を用いて段階的に行う切削加工である、いわゆるステップカットによってウェーハＷを切削する切削装置１で用いられるが、これ以外の切削装置１で用いられてもよい。例えば、積層体除去工程と分割工程を、切削用の１つのスピンドル２０を有し、このスピンドル２０に固定される１つの切削ブレード１５によって分割を行う切削装置１を用いて行ってもよい。その場合には、１つの切削ブレード１５で切削溝６６を形成することにより積層体Ｌの除去を行った後、目立て工程を行い、目立て工程で切削ブレード１５の先端をドレスした後に、再度切削ブレード１５で切削溝６６のフルカットを行うことによって、ウェーハＷを切削する。これにより、特殊な設備を用意する必要がなく、また、切削動作を中断することなく、切削ブレード１５の目詰まりを解消しながら、ウェーハＷを切削することができる。
【００４０】
また、上述したウェーハＷの切削方法では、切削ブレード１５の目立て工程を行うタイミングについては規定していないが、切削ブレード１５の目立て工程を行うタイミングは、適宜設定してもよい。例えば、積層体除去工程で、ウェーハＷを移動させながら所定のストリートＳに沿ってストリートＳの端部まで切削ブレード１５で切削加工を行った後、切削ブレード１５を次のストリートＳに位置付けるためにウェーハＷが反対方向に移動する際に、そのストリートＳで切削ブレード１５の目立て工程を行ってもよい。または、ストリートＳが複数形成される１つのウェーハＷにおいて、１つのストリートＳのみで目立て工程を行ってもよい。目立て工程は、ウェーハＷの大きさや積層体Ｌの材質、ストリートＳの数等に応じて、積層体除去工程を遂行後の任意のタイミングで適宜設定して実行するのが好ましい。
【００４１】
また、上述したウェーハＷの切削方法では、積層体除去工程と分割工程では、ウェーハＷは切削ブレード１５の回転方向に対して順方向に移動させ、目立て工程では、ウェーハＷは切削ブレード１５の回転方向に対して逆方向に移動させているが、ウェーハＷの移動方向は、これら以外の方向でもよい。つまり、積層体除去工程と分割工程は、ダウンカットによって切削を行い、目立て工程は、アップカットによって切削を行っているが、切削時における切削方向は、これら以外の方向でもよい。例えば、目立て工程でウェーハＷを順方向に移動させ、目立て工程をダウンカットによって行ってもよい。ウェーハＷの移動方向は、切削装置１の動作手順や、求める切削の仕上げ状態に応じて、適宜設定するのが好ましい。
【符号の説明】
【００４２】
１  切削装置
２  装置本体
５  チャックテーブル
１０  切削手段
１５  切削ブレード
１６  第一切削ブレード
１７  第二切削ブレード
２０  スピンドル
２５  スピンドルハウジング
３０  ノズル
３５  ブレードカバー
４０  Ｙ軸移動手段
４５  Ｚ軸移動手段
６１  表面
６２  裏面
６５  基板
６６  切削溝
Ｗ  ウェーハ
Ｔ  ダイシングテープ
Ｌ  積層体
Ｓ  ストリート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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