(57)【要約】【課題】装置の信頼性の確保と小型軽量化を実現しつつ、製品の歩留まりを良好にできる受発光ユニット、及び光学式エンコーダを提供する。【解決手段】検出ユニット１Ａは、第一、第二の受光素子アレイ６，７が設けられた基板側半導体素子１ａ上に発光部１３を備えたＬＥＤチップ２が搭載されている。ＬＥＤチップ２には樹脂が塗布されて封止層１６を形成することによって発光部１３が被覆される。第一、第二の受光素子アレイ６，７とＬＥＤチップ２との間には、樹脂の塗布時におけるＬＥＤチップ２側から第一、第二の受光素子アレイ６，７側への樹脂の流れ止めを行うための堰部１７ａが設けられている。【選択図】図１
2014029341.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一電極と、前記第一電極とは異なる位置に設けられ前記第一電極とは異極である第二電極とを有するチップと、
前記チップ上に配置されるとともに前記第一電極および前第二電極に接続され、所定のパターンに光を照射する発光素子と、
前記発光素子の表面を覆う第一の樹脂部材と、
前記第一の樹脂部材とは独立して配置され、前記発光素子と前記第二電極との接続部を覆う第二の樹脂部材と、を備えることを特徴とするエンコーダ用の発光ユニット。
【請求項２】
前記発光素子と前記第二電極とは、リード線を介して接続され、
前記発光素子と前記リード線との接続部は、前記第一の樹脂部材によって覆われ、
前記第二電極と前記リード線との接続部は、前記第二の樹脂部材によって覆われることを特徴とする請求項１に記載の発光ユニット。
【請求項３】
前記第一の樹脂部材は、前記発光素子の表面を略均一の厚さで覆うように形成されることを特徴とする請求項１または２に記載の発光ユニット。
【請求項４】
前記発光素子は、導電性接着剤を介して前記第一電極上に配置され、
前記第一の樹脂部材は、前記発光素子と前記第一電極との接続部を覆うように形成されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の発光ユニット。
【請求項５】
前記第一電極と、前記第二電極とを囲んで前記チップ上に設けられる堰部を有することを特徴とする請求項１から４のいずれか一項に記載の発光ユニット。
【請求項６】
請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の発光ユニットと、
前記発光ユニットと相対的に移動可能で、インクリメンタルパターンとアブソリュートパターンのいずれかまたは両方を前記所定のパターンとして有する反射板と、
を備えることを特徴とする光学式エンコーダ。
【請求項７】
エンコーダ用の発光ユニットの製造方法であって、
チップ上に配設される第一電極上に光学素子を載置する工程と、
前記チップ上に配設され、前記第一電極とは異なる位置であって前記第一電極とは異極である第二電極と、前記光学素子とを接続する工程と、
前記発光素子の表面を第一の樹脂部材で覆う工程と、
前記発光素子と前記第二電極との接続部を、第二の樹脂部材によって前記第一の樹脂部材とは独立して覆う工程と、
を含むことを特徴とする製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光素子が設けられたチップ上に発光素子が搭載された受発光ユニット、及びこの受発光ユニットを用いた光学式エンコーダに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、光学式エンコーダやいわゆるＬＥＤチップにおいては、受光素子が設けられたチップ上に発光素子が搭載された受発光ユニット（以下単に「受発光ユニット」と称する。本明細書において同じ。）が用いられている。この受発光ユニットにおいては、例えばチップオンチップ構造、即ち、複数の半導体素子を２層に重ね合わせた構造を用いたものが知られている。このチップオンチップ構造を用いれば、受発光ユニットを構成する半導体素子の一層の集積化が図れるという利点がある。この受発光ユニットにおいては、「受光素子」が集積してなる受光素子アレイが設けられた「チップ」としての基板側半導体素子を有し、この基板側半導体素子に、「発光素子」としての発光ダイオード（ＬＥＤ:Light Emitting Diode）を有するＬＥＤチップが固着されて構成されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
この、従来の「受発光ユニット」としての検出ユニット（表面実装型ＬＥＤ）を図１６及び図１７に示す。同図に示す通り、この検出ユニット１００の表面側にはＬＥＤチップ１０１が設けられており、ＬＥＤチップ１０１の発光ダイオード１０２やメサ部１０３が外気に曝された状態で使用されると、発光ダイオード１０２やメサ部１０３が腐食し、この腐食による点灯不良が発生し易くなって装置の信頼性を確保することが難しくなる。そのため、この検出ユニット１００においては、ＬＥＤチップ１０１の表面全体に熱可塑性の樹脂を塗布し、樹脂を固化させて図中二点鎖線に示すように透明な封止層１０４を形成することにより、検出ユニット１００の信頼性を確保しつつ小型軽量化を実現しようとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３０４００３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、このような従来のものにあっては、封止層１０４を形成する場合、封止層１０４の厚さが場所毎に異なっては発光ダイオード１０２から発する光の照射方向に乱れが生じたり光量が低下したりする恐れがある。そのために、例えば製造段階で、液状の樹脂材料をＬＥＤチップ１０１の表面に滴下した直後に樹脂材料の上から空気を吹き付けるような工程により、封止層１０４を均一の厚さに形成する必要がある。その結果、液状の樹脂材料が本来封止層１０４を形成したい領域（例えば図１６及び図１７中の二点鎖線で示した領域）よりも外側まで広がって受光素子アレイ１０５，１０５上に流れ込んでしまう（例えば図１６及び図１７の一点鎖線で示した状態）恐れがあり、その結果、受光素子アレイ１０５，１０５の受光機能が低下する可能性がある。
【０００６】
本発明はこのような問題に鑑みてなされたものであり、装置の信頼性の確保と小型軽量化を実現しつつ、製品の歩留まりを良好にできる受発光ユニット、及び光学式エンコーダを提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
かかる課題を達成するために、本発明は、受光素子（６ａ，７ａ）が設けられたチップ（１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ）上に発光素子（１３）が搭載され、樹脂（１６）が塗布されることによって前記発光素子（１３）が被覆された受発光ユニット（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ）であって、前記発光素子（１３）と前記受光素子（６ａ，７ａ）との間に、前記樹脂（１６）の塗布時における前記発光素子（１３）側から前記受光素子（６ａ，７ａ）側への前記樹脂（１６）の流れ止めを行うための堰部（１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ，１７ｅ，１７ｆ）を設けたことを特徴とする。
【０００８】
また、本発明は、光学式エンコーダ（２０）であって、上記記載の受発光ユニット（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ）と、該受発光ユニット（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ）の前記発光素子（１３）から照射された光を反射する反射板（２２）とを備え、前記反射板（２２）で反射された反射光を前記受発光ユニット（１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ）の前記受光素子（６ａ，７ａ）で受光して前記反射板（２２）の移動量を検出することを特徴とする。
【０００９】
なお、ここでは本発明を判り易く説明するために実施の形態を示す符号に対応付けて説明したが、本発明が実施の形態に限定されるものではないことはいうまでもない。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、装置の信頼性の確保と小型軽量化を実現しつつ、製品の歩留まりを良好にできる受発光ユニットを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】この発明の実施の形態１に係る検出ユニットの平面図である。
【図２】同上検出ユニットの斜視図である。
【図３】同上検出ユニットの製造手順を示すフローチャートである。
【図４】この実施の形態のロータリーエンコーダの部分拡大側面図である。
【図５】同上ロータリーエンコーダの概略斜視図である。
【図６】この発明の実施の形態２に係る検出ユニットの平面図である。
【図７】同上検出ユニットの斜視図である。
【図８】この発明の実施の形態３に係る検出ユニットの平面図である。
【図９】同上検出ユニットの斜視図である。
【図１０】この発明の実施の形態４に係る検出ユニットの平面図である。
【図１１】同上検出ユニットの斜視図である。
【図１２】この発明の実施の形態５に係る検出ユニットの平面図である。
【図１３】同上検出ユニットの斜視図である。
【図１４】この発明の実施の形態６に係る検出ユニットの平面図である。
【図１５】同上検出ユニットの斜視図である。
【図１６】従来の検出ユニットの平面図である。
【図１７】同上検出ユニットの斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
〔発明の実施の形態１〕
図１乃至図５にこの発明の実施の形態１を示す。
【００１３】
図１はこの実施の形態に係る「受発光ユニット」としての検出ユニットの平面図であり、図２は同検出ユニットの斜視図である。この検出ユニット１Ａは、「光学式エンコーダ」としての、反射型のアブソリュートロータリーエンコーダ（詳細は後述する）に用いられるものであり、「チップ」としての基板側半導体素子１ａと、「発光素子」としてのＬＥＤチップ２とを有する。
【００１４】
基板側半導体素子１ａは、略矩形板状のシリコン基板３の表面側（即ち図１に表示された側）に半導体層が積層されて集積半導体回路を形成するものであり、表面側の一端側（図１の上側）に第一の受光素子アレイ６を、表面側の他端側（図１の下側）に第二の受光素子アレイ７を、それぞれ有している。第一の受光素子アレイ６、及び第二の受光素子アレイ７は、短冊状の受光素子６ａ，７ａが略円弧形状に配設されている。また、第一の受光素子アレイ６、及び第二の受光素子アレイ７は個々の受光素子６ａ，７ａが光電変換機能を有し、受光した光を電気信号に変換して出力する。
【００１５】
基板側半導体素子１ａの表面側略中央部にはカソード電極８と、アノード電極１１とが配設されている。カソード電極８上には、導電性接着剤（銀ペースト）９を介してＬＥＤチップ２が搭載されて固着されている。
ＬＥＤチップ２も基板表面に半導体層が積層されて集積半導体回路を形成している。また、ＬＥＤチップ２に設けられた電極部１０と、基板側半導体素子１ａのアノード電極１１とは、リード線１２を介して接続されている。
ＬＥＤチップ２は発光部１３を有している。発光部１３はGaAsP，GaP，GaN等の材料から成る半導体層として形成されており、カソード電極８とアノード電極１１との間に電圧を印加することにより所定の波長の光を発光し、アブソリュートロータリーエンコーダにおいて、点光源としての機能を奏する。発光部１３は、表面側に形成した発光窓１４を介して外部に光を放出する。なお、発光窓１４には透明な保護膜（図示せず）が設けてあり、発光部１３はこの保護膜により腐食などから保護される。
発光部１３とメサ部１５とを含むＬＥＤチップ２の表面全体、及び、アノード電極１１は、封止層１６によって被覆されている。この封止層１６は、「樹脂」としての樹脂コーティング接着剤によって形成されている。樹脂コーティング接着剤は、発光部１３の表面保護機能とＬＥＤチップ２を基板側半導体素子１ａに固着させる機能とを併有する樹脂コーティング接着剤であり、この実施の形態ではエポキシ樹脂によって形成されている。封止層１６により、外部環境により腐食されるリスクの大きい発光部１３やメサ部１５は外部環境から遮断されて保護されることになり、点灯不良などの発生がなく、ＬＥＤチップ２を容器のキャビティ内に収容して樹脂で封止する場合と同様に信頼性を確保することができる。また、封止層１６は、厚すぎることなく、ＬＥＤチップ２の表面全体を略均一の厚さで覆うようにしている。これにより、容器のキャビティ内に収容して樹脂で封止するものに比して小型薄型化が可能となる。換言すると、ＬＥＤチップ２自体とそれ程大きさが変わらずに外部環境による腐食を防止して信頼性を確保することが可能になる。
封止層１６は、発光部１３から照射される光が封止層１６から出る前に吸収されて損失する割合が僅かで済み、かつ、回転反射円板（図示せず）等に反射した反射光がＬＥＤチップ２の表面で再反射して反射が繰り返される事態を防止できるようにする必要がある。そのため、封止層１６は、発光部１３から発する波長域の光を吸収（吸光）する吸収剤が添加されたエポキシ樹脂を、発光部１３から照射される光の損失を僅かにしつつ回転反射円板（図示せず）等に反射した反射光の再反射を抑制できる程度の含有率、例えば５％程度の含有率で添加させたものを用いて形成させるのが望ましい。また、封止層１６を形成させるエポキシ樹脂には、吸収剤が添加されるが、発光部１３からの光を散乱、分散させる原因となる充填剤（フィラー）は添加させないことが望ましい。これにより、ＬＥＤチップ２の発光強度が大きく低下する事態や、発光部１３以外の箇所から回転反射円板に向けて光が照射される事態を防止できる。
【００１６】
図２に示す通り、基板側半導体素子１ａの発光部１３及びＬＥＤチップ２の周囲の全周に渡って、枠形状の堰部１７ａが設けられている。この堰部１７ａは、第一、第二の受光素子アレイ６，７よりも表面方向に突出して設けられている。この堰部１７ａの幅Ｗ１及び高さＴ１は、封止層１６形成のための樹脂コーティング接着剤の塗布時における、発光部１３側から第一、第二の受光素子アレイ６，７側への樹脂の流れ止めを行うことができるような大きさに形成されている。なお、基板側半導体素子１ａの表面は、堰部１７ａの内周側と外周側とが略同一平面上に形成されている。
【００１７】
図３は、この検出ユニット１Ａの製造手順を示すフローチャートである。同フローチャートに基づいて検出ユニット１Ａの製造手順を説明する。
【００１８】
まず、図１及び図２に示す通り、表面側に受光素子アレイ６、第二の受光素子アレイ７、その他の半導体層（図示せず）を配設したシリコン基板３の表面側略中央部に、カソード電極８を配設する。そして、カソード電極８上に、導電性接着剤９を介して発光部１３を載置し、またカソード電極８に近接してアノード電極１１を載置する「載置工程」が行われる（ステップＳ１）。「載置工程」により、カソード電極８上にＬＥＤチップ２が固着される。また、「載置工程」の後、ＬＥＤチップ２の電極部１０とアノード電極１１とをリード線１２で接続させる。
次に、封止層１６（図１，図２参照）を形成する封止剤としての未硬化の樹脂コーティング接着剤をＬＥＤチップ２の表面及びシリコン基板３の表面側に滴下する「滴下工程」が行われる（ステップＳ２）。滴下した樹脂コーティング接着剤は、その表面張力によりＬＥＤチップ２の表面及びシリコン基板３の表面側で盛り上がった状態となる。
そして、表面張力によりＬＥＤチップ２の表面及びシリコン基板３の表面側で盛り上がった樹脂コーティング接着剤にエアーを吹き付ける「エアー吹き付け工程」が行われる（ステップＳ３）。これにより、樹脂コーティング接着剤がＬＥＤチップ２の表面及びシリコン基板３の表面側に沿って流れて樹脂コーティング接着剤の塗布領域が広がり、発光部１３、メサ部１５を含んだ、ＬＥＤチップ２の表面全体を略均一の厚さで覆うようになる。
そして、この状態でＬＥＤチップ２が載置されたシリコン基板３をオーブンに入れて樹脂コーティング接着剤を加熱硬化させる「加熱硬化処理」が行われる（ステップＳ４）。「加熱硬化処理」によって樹脂コーティング接着剤が硬化し、硬化した樹脂コーティング接着剤によって形成された封止層１６により、ＬＥＤチップ２の表面全体が略均一の厚さで被覆される。また、ステップＳ３の工程でエアーが直接吹き付けられるＬＥＤチップ２の発光部１３が配置された側の面部は、封止層１６が厚すぎることなく、適度な厚さで封止層１６により覆われることになる。
【００１９】
ここで、シリコン基板３の表面側に設けられた堰部１７ａは発光部１３及びＬＥＤチップ２の周囲の全周に渡って設けられて突出形成されているため、堰部１７ａが樹脂コーティング接着剤の流れ止めとして機能し、シリコン基板３の表面側に沿って外側に向かって流れた樹脂コーティング接着剤の流動は、例えば図１に示す符号Ｐ１の箇所のように堰部１７ａで塞き止められる。そのため、ステップＳ３の「エアー吹き付け工程」において、堰部１７ａよりも外側に樹脂コーティング接着剤が流れ出ることが抑止される。
【００２０】
これにより、検出ユニット１Ａの製造段階で、樹脂コーティング接着剤が第一の受光素子アレイ６の表面や第二の受光素子アレイ７の表面に流れ込んでしまうことを抑止して、第一の受光素子アレイ６や第二の受光素子アレイ７の受光機能を良好に保つと共に、製品の歩留まりを良好にすることができる。
【００２１】
このようにして製造された検出ユニット１Ａは、「光学式エンコーダ」としてのアブソリュートロータリーエンコーダに用いられる。
【００２２】
図４は、この実施の形態のアブソリュートロータリーエンコーダ２０の部分拡大側面図であり、図５は、この実施の形態のアブソリュートロータリーエンコーダ２０の概略斜視図である。以下、これらの図に基づいて参照してこの実施の形態のアブソリュートロータリーエンコーダ２０について説明する。
アブソリュートロータリーエンコーダ２０は、反射型の光学式エンコーダであり、検出ユニット１Ａと、「反射板」としての回転反射円板２１とを備えている。検出ユニット１Ａは、表面側（即ち図１に表示された側）が下方に向けられた状態に配設されて、上方に向けられて配設された回転反射円板２１の表面側に離間対向している。
回転反射円板２１は円板状の基板部２２の一方面側に、外周部近傍に略環状のインクリメンタルトラック２３が形成され、インクリメンタルトラック２３の内周側に略環状のアブソリュートトラック２４がそれぞれ配設されている。インクリメンタルトラック２３、及びアブソリュートトラック２４は、略短冊状の反射鏡が同心円上に放射状に配設された形状を呈し、これにより、インクリメンタルトラック２３においてインクリメンタルパターンを、アブソリュートトラック２４においてアブソリュートパターンを、それぞれ形成している。基板部２２は中心部２５が回転軸（図示せず）によって軸支され、この回転軸（図示せず）にモータ（図示せず）に接続されている。
【００２３】
この実施の形態のアブソリュートロータリーエンコーダ２０においては、モータ（図示せず）の回転により基板部２２が回転し、発光部１３から照射された光をインクリメンタルトラック２３、アブソリュートトラック２４でそれぞれ反射させる。そして、インクリメンタルトラック２３で反射させた反射光を第一の受光素子アレイ６で受光させ、アブソリュートトラック２４で反射させた反射光を第二の受光素子アレイ７で受光させる。第一の受光素子アレイ６、及び第二の受光素子アレイ７は、インクリメンタルトラック２３、アブソリュートトラック２４をそれぞれ形成する個々の反射鏡が反射した反射光を断続的に受光することになり、この断続的な光を光電変換した結果形成される信号を、ＣＰＵを有する信号処理回路（図示せず）に出力する。信号処理回路（図示せず）においては受信した信号をＡ／Ｄ変換してパルス信号を形成すると共に、パルス数やパルス信号の出現パターンを計測することで、回転反射円板２１の回転位置を高精度に検出する。
【００２４】
〔発明の実施の形態２〕
図６及び図７に、この発明の実施の形態２を示す。
【００２５】
図６はこの発明の実施の形態に係る「受発光ユニット」としての検出ユニットの平面図であり、図７は同検出ユニットの斜視図である。この実施の形態の検出ユニット１Ｂにおける「チップ」としての基板側半導体素子１ｂには、実施の形態１の堰部１７ａに代えて、第一の受光素子アレイ６とＬＥＤチップ２との間、及び、第二の受光素子アレイ７とＬＥＤチップ２との間に、一対の堰部１７ｂ，１７ｂが表面側に突出形成されて設けられている。この堰部１７ｂ，１７ｂはそれぞれ、表面側から見た形状（即ち図６に表示された形状）が略直線状に形成されており、発光部１３の一側側及び他側側（図６に示す、発光部１３の上側及び下側）に沿って平行に設けられている。それ以外の構成は実施の形態１と同じである。
【００２６】
この実施の形態においては、設けられた堰部１７ｂ，１７ｂの表面側から見た形状（即ち図６に表示された形状）が略直線状に形成されていることにより、発光部１３及びＬＥＤチップ２の周囲の全周に渡って堰部が設けられた検出ユニットに比べて製造が容易であり、製品の歩留まりを一層良好にすることができる。
【００２７】
〔発明の実施の形態３〕
図８及び図９に、この発明の実施の形態３を示す。
【００２８】
図８はこの発明の実施の形態に係る「受発光ユニット」としての検出ユニットの平面図であり、図９は同検出ユニットの斜視図である。この実施の形態の検出ユニット１Ｃにおける「チップ」としての基板側半導体素子１ｃには、堰部１７ｃが、第一、第二の受光素子アレイ６，７よりも裏面方向（即ち図８に表示された側と反対方向）に陥没形成されて設けられている点が実施の形態１と異なる。この堰部１７ｃの幅Ｗ２及び深さＴ２は、封止層１６形成のための樹脂コーティング接着剤の塗布時における、発光部１３側から第一、第二の受光素子アレイ６，７側への樹脂の流れ止めを行うことができるような大きさに形成されている。それ以外の構成は実施の形態１と同じである。
【００２９】
この実施の形態においては、堰部１７ｃが第一、第二の受光素子アレイ６，７よりも裏面方向に陥没形成されているため、シリコン基板３の表面側に沿って外側に向かって流れた樹脂コーティング接着剤は、例えば図８に示す符号Ｐ２の箇所のように堰部１７ｃの内部に流れ込む。これにより、検出ユニット１Ｃの製造段階で、樹脂コーティング接着剤が堰部１７ｃよりも外側に流れ出ることが抑止される。ゆえに、この実施の形態においては、堰部を表面方向に突出形成させる場合に比べてシリコン基板３を形成する材料を節減させつつ、第一の受光素子アレイ６や第二の受光素子アレイ７の受光機能を良好に保つと共に、製品の歩留まりを良好にすることができる。
【００３０】
〔発明の実施の形態４〕
図１０及び図１１に、この発明の実施の形態４を示す。
【００３１】
図１０はこの発明の実施の形態に係る「受発光ユニット」としての検出ユニットの平面図であり、図１１は同検出ユニットの斜視図である。この実施の形態の検出ユニット１Ｄにおける「チップ」としての基板側半導体素子１ｄは、実施の形態３の堰部１７ｃに代えて、第一の受光素子アレイ６とＬＥＤチップ２との間、及び、第二の受光素子アレイ７とＬＥＤチップ２との間に、一対の堰部１７ｄ，１７ｄが、裏面方向に陥没形成されて設けられている。この堰部１７ｄ，１７ｄはそれぞれ表面側から見た形状（即ち図１０に表示された形状）が略直線状に形成されており、発光部１３の一側側及び他側側に沿って平行に設けられている。それ以外の構成は実施の形態３と同じである。
【００３２】
この実施の形態においては、設けられた堰部１７ｄ，１７ｄの表面側から見た形状が略直線状となる形状に形成されていることにより、発光部１３及びＬＥＤチップ２の周囲の全周に渡って堰部が設けられた検出ユニットに比べて製造が容易であり、製品の歩留まりを一層良好にすることができる。
【００３３】
〔発明の実施の形態５〕
図１２及び図１３に、この発明の実施の形態５を示す。
【００３４】
図１２はこの発明の実施の形態に係る「受発光ユニット」としての検出ユニットの平面図であり、図１３は同検出ユニットの斜視図である。この実施の形態の検出ユニット１Ｅにおける「チップ」としての基板側半導体素子１ｅは、基板部３の表面側の中央部に略矩形の凹所１８ａが設けられている。
【００３５】
この凹所１８ａは、表面側から見た形状（即ち図１２に表示された形状）が略矩形であり、第一、第二の受光素子アレイ６，７よりも裏面方向（即ち図１２に表示された側と反対方向）に陥没形成されている。
【００３６】
凹所１８ａの略中央部には発光部１３が搭載されている。また、基板部３の凹所１８ａと凹所１８ａ以外の箇所との境界部には、凹所１８ａの表面に対して略垂直方向に隆起した段差部が形成されており、この段差部が堰部１７ｅを形成している。その他の構成は実施の形態１と同じである。
【００３７】
この実施の形態においては、基板部３の凹所１８ａと凹所１８ａ以外の箇所との境界部に形成された段差部が堰部１７ｅとして形成されているため、シリコン基板３の表面側に沿って外側に向かって流れた樹脂コーティング接着剤の流動は、例えば図１２に示す符号Ｐ３の箇所のように堰部１７ｅで塞き止められる。これにより、検出ユニット１Ｅの製造段階で、堰部１７ｅよりも外側に樹脂コーティング接着剤が流れ出ることが抑止される。更に、この実施の形態においては、段差部を堰部１７ｅとしているため、実施の形態１乃至実施の形態４のように堰部１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄを突出形成又は陥没形成させる必要がなく、突出形成された突部の幅や、陥没形成された凹部の幅を取る必要がない。そして、その幅の分だけ、検出ユニット１Ｅの表面側から見た面積を小さくすることができる。そのため、検出ユニット１Ｅの集積度を高め、第一の受光素子アレイ６や第二の受光素子アレイ７の受光機能を良好に保ちつつ、製品の歩留まりを良好にすることができる。
【００３８】
〔発明の実施の形態６〕
図１４及び図１５に、この発明の実施の形態６を示す。
【００３９】
図１４はこの発明の実施の形態に係る「受発光ユニット」としての検出ユニットの平面図であり、図１５は同検出ユニットの斜視図である。この実施の形態の検出ユニット１Ｆにおける「チップ」としての基板側半導体素子１ｆには、表面側の一側側から他側側にかけて（即ち図１４に示す左側から右側にかけて）の全域には、凹所１８ｂが陥没形成されている。また、凹所１８ｂと凹所１８ｂ以外の箇所との境界部には、凹所１８ｂの面に対して略垂直方向に隆起した段差部が形成されており、この段差部がそれぞれ堰部１７ｆ，１７ｆを形成している。その他の構成は実施の形態１と同じである。
【００４０】
この実施の形態においては、堰部１７ｆ，１７ｆを形成する凹所１８ｂが基板側半導体素子１ｆの表面側の一側側から他側側にかけて形成されているため、検出ユニット１Ｆの集積度を高め、第一の受光素子アレイ６や第二の受光素子アレイ７の受光機能を良好に保ちつつ、製品の歩留まりを良好にすることができる。
【００４１】
なお、実施の形態２乃至６における検出ユニット１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆも、実施の形態１における検出ユニット１Ａと同様に、アブソリュートロータリーエンコーダ２０の形成に用い、回転反射円板２１の回転位置を高精度に検出できる。
【００４２】
また、上記各実施の形態において、検出ユニット１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆは、アブソリュートロータリーエンコーダ２０に用いるための構成としたが、これに代えて、インクリメンタルロータリーエンコーダに用いるための構成とすることや、アブソリュートリニアエンコーダ、インクリメンタルリニアエンコーダに用いるための構成とすることも可能である。更に、上記以外のものであっても、反射型のアブソリュートエンコーダ、反射型のインクリメンタルエンコーダであればどのようなものに用いてもよい。
【００４３】
更に、上記各実施の形態において、基板側半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆにはＬＥＤチップ２が搭載されるものとしたが、これに代えて、基板側半導体素子１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆに「発光素子」としての発光ダイオードのみが搭載された構成としてもよい。
【００４４】
上記各実施の形態は本発明の例示であり、本発明が上記実施の形態のみに限定されることを意味するものではないことは、言うまでもない。
【符号の説明】
【００４５】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，１Ｄ，１Ｅ，１Ｆ・・・検出ユニット（受発光ユニット）
１ａ，１ｂ，１ｃ，１ｄ，１ｅ，１ｆ・・・基板側半導体素子（チップ）
６ａ，７ａ・・・受光素子
１３・・・発光ダイオード（発光素子）
１６・・・封止層（樹脂）
１７ａ，１７ｂ，１７ｃ，１７ｄ，１７ｅ，１７ｆ・・・堰部
１８ａ，１８ｂ・・・凹所
２０・・・ロータリーエンコーダ（光学式エンコーダ）
２２・・・回転反射円板（反射板）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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