(57)【要約】【課題】ダークスポットの発生を防止することができる有機ＥＬ表示装置を提供する。【解決手段】有機ＥＬ表示装置は基板１０の上に積層部８０を有している。また、スクリーニング処理によって積層部８０の一部が破裂したことによる空洞部９０が形成されている。そして、この積層部８０の上に保護膜７０が形成されている。保護膜７０は、空洞部９０の壁面９２の全体を覆うように形成されている。このため、空洞部９０の内部空間９１に存在する空気が空洞部９０を構成する有機層５０に触れることがない。したがって、当該内部空間９１の空気に含まれる水分が有機層５０に吸収されることを防止することができる。また、有機層５０に水分が吸収されることがないので、有機層５０の一部がダークスポットとなってしまうことを防止することができる。また、オープン欠陥が再短絡することを防ぐことができる。【選択図】図４
2014063573.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（１０）の上に、陽極（２０）、有機層（５０）、及び陰極（６０）の順に積層された積層部（８０）を有しており、
少なくとも前記積層部（８０）のうち前記有機層（５０）と前記陰極（６０）の一部が破裂して空洞部（９０）が形成されており、当該空洞部（９０）の内部空間（９１）が外部と繋がっている有機ＥＬ表示装置であって、
前記積層部（８０）の上に形成された保護膜（７０）を有しており、
さらに、前記保護膜（７０）は、前記内部空間（９１）を構成する前記空洞部（９０）の壁面（９２）の全体を覆うように形成されていることを特徴とする有機ＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記空洞部（９０）は、前記陽極（２０）と前記陰極（６０）とに電圧が印加されて前記有機層（５０）に通電しながらリーク電流の検査が行われるスクリーニング処理によって形成されたものであることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記保護膜（７０）は、前記積層部（８０）側から有機膜（７１）、無機膜（７２）の順に少なくとも２層に積層されて構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記保護膜（７０）は、前記積層部（８０）側からＡｌ2Ｏ3層（７３）、有機膜（７１）、ＡｌＴｉＯ層（７４）及びＴｉＯ2層のいずれか一方の順に３層に積層された構造であることを特徴とする請求項１または２に記載の有機ＥＬ表示装置。
【請求項５】
基板（１０）の上に、陽極（２０）、有機層（５０）、及び陰極（６０）の順に積層された積層部（８０）を有しており、
少なくとも前記積層部（８０）のうち前記有機層（５０）と前記陰極（６０）の一部が破裂して空洞部（９０）が形成されており、当該空洞部（９０）の内部空間（９１）が外部と繋がっている有機ＥＬ表示装置の製造方法であって、
前記基板（１０）を用意し、当該基板（１０）の上に前記積層部（８０）を形成する工程と、
前記積層部（８０）の形成後、前記積層部（８０）の上、及び、前記積層部（８０）に形成された前記空洞部（９０）の壁面（９２）の全体を覆うように保護膜（７０）を形成する工程と、
を含んでいることを特徴とする有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記積層部（８０）を形成する工程の後であって前記保護膜（７０）を形成する工程の前に、前記陽極（２０）と前記陰極（６０）とに電圧を印加して前記有機層（５０）に通電しながらリーク電流の検査を行うスクリーニング処理を実行することにより、前記積層部（８０）に前記空洞部（９０）を形成する工程を含んでいることを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記保護膜（７０）を形成する工程では、前記保護膜（７０）として、前記積層部（８０）側から有機膜（７１）、無機膜（７２）の順に少なくとも２層を積層することを特徴とする請求項５または６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項８】
前記保護膜（７０）を形成する工程では、前記保護膜（７０）として、前記積層部（８０）側からＡｌ2Ｏ3層（７３）、有機膜（７１）、ＡｌＴｉＯ層（７４）及びＴｉＯ2層のいずれか一方の順に３層を積層することを特徴とする請求項５または６に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、陽極、有機層、及び陰極が積層された積層部を備えた有機ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、基板の上に、陽極、有機層、及び陰極の順に積層されて構成された有機電界発光素子が、例えば特許文献１で提案されている。この特許文献１では、基板上に有機ＥＬ素子の素子要素を形成した後、素子要素のうちのリーク箇所を電気的に自己修復する方法が提案されている。
【０００３】
具体的には、素子要素の形成後、素子要素に通電処理を行うことで素子要素のリーク箇所を破壊し、酸化し、絶縁化する。これにより、リーク箇所を電気的に自己修復することができ、当該リーク箇所を不導体化することができる。
【０００４】
この後、素子要素を保護する目的で素子要素の上に保護膜を形成する。これにより、陰極及び不導体化した部分が保護膜で覆われる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−３１２５８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記従来の技術では、素子要素に対して通電処理を行った際に、リーク箇所の破壊の形状によってはダークスポットが発生してしまうという問題がある。すなわち、有機層が上の陰極を押し上げるように破裂した場合、有機層と陰極の傘が形成される。この傘の下は空間になっている。この状態で陰極の上に保護膜を形成すると、空間が保護膜で密閉される。空間に残された空気には水分が含まれているため、この水分が有機層に吸収されてしまう。このため、有機層の輝度が落ちたダークスポットが発生してしまう。
【０００７】
特開２００９−２１１９９４号公報では、陰極厚みが１３５ｎｍ以上だった場合には、破裂が起きたことを瞬間的なリーク電流を検出することによって、リーク電流を検出したものを流さないようになっていた。これは、破裂部が生じたオープン欠陥部が後の駆動時に短絡に至りやすいため、そのオープン欠陥が生じたことを瞬間的なリーク電流で検出するためである。
【０００８】
本発明は上記点に鑑み、ダークスポットの発生を防止することができ、かつ、再び短絡が発生することを防止する有機ＥＬ表示装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、基板（１０）の上に、陽極（２０）、有機層（５０）、及び陰極（６０）の順に積層された積層部（８０）を有している。また、陽極（２０）と陰極（６０）とに電圧が印加されて有機層（５０）に通電しながらリーク電流の検査が行われるスクリーニング処理によって少なくとも積層部（８０）のうち有機層（５０）と陰極（６０）の一部が破裂して空洞部（９０）が形成されており、当該空洞部（９０）の内部空間（９１）が外部と繋がっている有機ＥＬ表示装置であって、以下の点を特徴としている。
【００１０】
すなわち、積層部（８０）の上に形成された保護膜（７０）を有しており、さらに、保護膜（７０）は、内部空間（９１）を構成する空洞部（９０）の壁面（９２）の全体を覆うように形成されていることを特徴とする。
【００１１】
このように、空洞部（９０）の壁面（９２）の全体が保護膜（７０）で覆われているので、空洞部（９０）の内部空間（９１）に存在する空気が空洞部（９０）を構成する有機層（５０）や陰極（６０）に触れることがない。したがって、内部空間（９１）の空気に含まれる水分が有機層（５０）に吸収されることを防止することができ、ひいてはダークスポットの発生を防止することができる。また、陽極（２０）と陰極（６０）との間で再び短絡が発生することを防止することができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明では、保護膜（７０）は、積層部（８０）側から有機膜（７１）、無機膜（７２）の順に少なくとも２層に積層されて構成されていることを特徴とする。これによると、有機膜（７１）よりも硬い無機膜（７２）の応力を有機膜（７１）によって緩和した構造にすることができる。
【００１３】
請求項５に記載の発明では、基板（１０）を用意し、当該基板（１０）の上に積層部（８０）を形成する工程と、積層部（８０）の形成後、積層部（８０）の上、及び、積層部（８０）に形成された空洞部（９０）の壁面（９２）の全体を覆うように保護膜（７０）を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする。これにより、請求項１と同様の効果を得ることができる。
【００１４】
なお、この欄及び特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の平面図である。
【図２】図１のII−II断面図である。
【図３】図１のIII−III断面図である。
【図４】図１のIV−IV断面図である。
【図５】図１の有機ＥＬ表示装置の製造工程を示した図である。
【図６】本発明の第２実施形態に係る保護膜の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。
【００１７】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。まず、図１〜図４を参照して本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成について説明する。
【００１８】
図１〜図３に示されるように、有機ＥＬ表示装置は、基板１０と、陽極２０と、第１絶縁膜３０と、第２絶縁膜４０と、有機層５０と、陰極６０と、保護膜７０と、を備えて構成されている。このうち、基板１０は透明なガラス基板等である。
【００１９】
陽極２０は、ホール注入電極として機能するＩＴＯ等の導電性酸化膜によって形成された電極である。この陽極２０は、いわゆるデータ線である。陽極２０は、ｙ軸方向に沿って基板１０の上にストライプ状に形成されている。陽極２０は、例えばＩＴＯ（酸化インジウム）等の導電性酸化膜で構成されており、厚みは例えば１５０ｎｍである。陽極２０はスパッタの方法により形成される。
【００２０】
第１絶縁膜３０は陽極２０の一部すなわち一画素に対応する部分が露出するようにｘ軸方向及びｙ軸方向に沿って形成されている。ｘ軸方向においては、第１絶縁膜３０はｙ軸方向に延びる陽極２０を横断するように形成されている。また、ｙ軸方向においては、第１絶縁膜３０は陽極２０の間の基板１０の上に位置すると共に陽極２０の幅方向（ｘ軸方向）の端を覆うように形成されている。
【００２１】
第２絶縁膜４０は、陰極６０をｘ軸方向にストライプ状に分離するための絶縁膜である。この第２絶縁膜４０は第１絶縁膜３０の上に形成されている。
【００２２】
これら各絶縁膜３０、４０は、電気絶縁性の樹脂材料、例えばネガ型の感光性樹脂レジスト材料等で構成された絶縁膜である。
【００２３】
有機層５０は、発光に関わる層である。有機層５０は、図示しないホール注入輸送層、発光層、電子注入輸送層等が順に形成されて構成されている。有機層５０は、一様な厚さで平面的に陽極２０、第１絶縁膜３０、及び第２絶縁膜４０の上に形成されている。なお、有機膜７１は、蒸着、インクジェット等の方法により各層が積層されて形成される。
【００２４】
陰極６０は、電子注入電極として機能するＡｌやＡｌ合金等の光反射性材料によって形成された電極である。この陰極６０は、いわゆる走査線である。陰極６０を構成するＡｌやＡｌ合金等の光反射性材料の厚みは１３５ｎｍ以上、例えば２００ｎｍである。陰極６０は、例えば蒸着の方法により形成されている。
【００２５】
なお、図１では陰極６０を模式的に一平面として描いているが、実際は図３の断面図のように、陰極６０は第２絶縁膜４０によってｙ軸方向に分離されｘ軸方向に沿ったストライプ状に形成されている。
【００２６】
このような構成によると、陰極６０及び陽極２０は、それぞれｘ軸方向及びｙ軸方向にストライプ状に形成されてそれぞれ交差した状態になっている。図１では６つの交差点が示されており、各交差点において基板１０の上に、陽極２０、有機層５０、及び陰極６０の順に積層された積層部８０が配置されている。つまり、この一交差点の積層部８０がＥＬディスプレイの一画素に相当する。
【００２７】
保護膜７０は、積層部８０の上に形成された膜である。特に、保護膜７０は、スクリーニング処理によって破裂した有機層５０と陰極６０を覆う膜である。「スクリーニング処理によって破裂した有機層５０と陰極６０」とは、例えば２８μｓ以下の一定の時間間隔Ｓで陰極６０と陽極２０の両電極間に流れるリーク電流を測定するリーク電流測定工程において、一定以上のリーク電流が観測された箇所である。リーク電流測定工程については後で説明する。
【００２８】
このようなスクリーニング処理により、図４に示されるように、積層部８０には少なくとも有機層５０と陰極６０の一部が破裂したことによる空洞部９０が形成されている。この空洞部９０はオープン化された欠陥部であり、以下ではオープン欠陥とも言う。空洞部９０の内部空間９１は外部の空間と繋がっている。また、空洞部９０の壁面９２を構成しているのは、破裂した部分の有機層５０や陰極６０である。
【００２９】
ここで、スクリーニング処理による有機層５０の破裂の仕方は様々である。例えば、図４のように破裂の勢いが弱いために有機層５０と陰極６０が傘のような形状や花のつぼみのような形状になることもあれば、有機層５０と陰極６０が勢いよく弾けて開花した花のような形状になることもある。したがって、空洞部９０は、少なくとも有機層５０と陰極６０が破裂したことによって形成された空間部であり、破裂した有機層５０と陰極６０が洞窟を形成したことによる空間部に限定されない。
【００３０】
上述のように、陰極６０の材質をＡｌ及びＡｌ合金のいずれかとし、陰極６０の厚みを１３５ｎｍ以上とすることで、スクリーニング処理において有機層５０と陰極６０の破裂を検出できる。言い換えると、スクリーニング処理によって有機層５０と陰極６０が破裂することをリーク電流で検出できる。破裂の形状は、さまざまであるが、図４では、開花した花のようではなく、破裂部分が空洞部９０を覆う形状を例として示している。
【００３１】
そして、保護膜７０は、内部空間９１を構成する空洞部９０の壁面９２の全体を覆うように形成されている。言い換えると、保護膜７０は空洞部９０の内部空間９１を密閉するように形成されているのではなく、内部空間９１に位置する空気が空洞部９０の壁面９２に接触しないように当該壁面９２を完全に覆っている。
【００３２】
このように、空洞部９０の壁面９２の全体が保護膜７０で完全に覆われているので、空洞部９０の内部空間９１に存在する空気が空洞部９０を構成する有機層５０や陰極６０に触れることはない。このため、内部空間９１の空気に含まれる水分が有機層５０に吸収されることを防止することができる。また、内部空間９１の空気に含まれる水分が有機層５０に吸収されることで当該部分がダークスポットとなってしまうことを防止することができる。
【００３３】
また、空洞部９０の壁面９２の全体が不導体である保護膜７０で完全に覆われているので、空洞部９０を構成する有機層５０や陰極６０が経時変化で垂れていくことはない。このため、陽極２０と壁面９２にある陰極６０が直接接触することはなく、短絡には至らない。
【００３４】
このような保護膜７０は、積層部８０側から有機膜７１、無機膜７２の順に２層に積層されて構成されている。有機膜７１は分子層堆積法（Molecular Layer Deposition；ＭＬＤ）や原子層堆積法（Atomic Layer Deposition；ＡＬＤ）より形成された極薄の膜であり、無機膜７２は原子層堆積法により形成された極薄の膜である。各有機膜７１及び無機膜７２の厚みは数ｎｍ〜数十ｎｍである。
【００３５】
無機膜７２は有機膜７１よりも硬い膜であるため、軟らかい有機膜７１が有機層５０や陰極６０の上に形成されている。すなわち、有機膜７１は無機膜７２の応力を緩和する役割を果たす。有機膜７１として例えばトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ，Ａｌ（ＣＨ3）3、エタノールアミン（ＥＡ，ＨＯ−ＣＨ2ＣＨ2−ＮＨ2)、及び、無水マレイン酸（ＭＡ，Ｃ4Ｈ2Ｏ3）により作られるポリマー等が採用される。また、無機膜７２としてＡｌ2Ｏ3等が採用される。
【００３６】
以上が、本実施形態に係る有機ＥＬ表示装置の全体構成である。図示しないが、陽極２０のｙ軸方向の端部はカラム配線としての引き出し配線に接続され、陰極６０のｘ軸方向の端部はロウ配線としての引き出し配線に接続されている。
【００３７】
続いて、保護膜７０の形成方法について、図５を参照して説明する。図５は、図４のIV−IV断面に相当する図である。
【００３８】
まず、図５（ａ）に示す工程では、基板１０の上に、陽極２０、有機層５０、及び陰極６０を順に形成する。ここで、上述のように、陰極６０の材料をＡｌあるいはＡｌ合金とし、かつ、陰極６０を１３５ｎｍ以上の厚みで形成する。
【００３９】
続いて、図５（ｂ）に示す工程では、スクリーニング処理を行う。すなわち、陽極２０と陰極６０とに電圧を印加して有機層５０に通電を行い、有機層５０のうちのリーク箇所の破壊があったことを検出する。
【００４０】
スクリーニング処理は、有機ＥＬ表示装置の製造工程の一工程として実施する。有機ＥＬ表示装置における陰極６０をプラス極、陽極２０をマイナス極として両電極２０、６０間に、上記順電圧とは逆方向の直流電圧すなわち逆バイアス電圧を印加し、積層部８０における欠陥部を顕在化させる処理を行うエージング工程を行う。また、エージング工程の電圧Ｖ印加の全期間において、両電極２０、６０間に流れるリーク電流を測定するリーク電流測定工程を行う。すなわち、エージングしつつリーク電流の測定を行う。
【００４１】
具体的には、まず両電極２０、６０間に逆バイアス電圧Ｖを印加してエージングを行う。この逆バイアス電圧Ｖは、積層部８０に存在する欠陥部が顕在化する電圧を印加する。本実施形態では、逆バイアス電圧Ｖを、有機ＥＬ表示装置の実駆動時に印加される電圧の大きさよりも大きくすることで、有機層５０と陰極６０が破裂した部分であるオープン欠陥の顕在化を促進するようにしている。この逆バイアス電圧Ｖの印加は、図示しない直流電源を用いて行うことができる。この直流電源は図示しない制御部によって制御される。この場合、例えば、図１に示された上下両電極２０、６０をそれぞれ、共通の配線を用いて直流電源に接続し、各積層部８０に対して一括して逆バイアス電圧Ｖを印加するように直流電源の作動を制御する。これにより、複数の画素について、一括してオープン欠陥有無の検査を行うことができ、短時間の処理が可能となる。なお、個々の画素毎に逆バイアス電圧Ｖの印加を行っても良い。
【００４２】
また、逆バイアス電圧Ｖの印加とともに、両電極２０、６０間に流れるリーク電流の測定を開始する。リーク電流の測定を行うため、直流電流を測定する図示しない電流測定部が、陰極６０と直流電源との間または陽極２０と直流電源との間に電気的に介在されている。そして、積層部８０に逆バイアス電圧Ｖを印加した状態で、電流測定部によって積層部８０のリーク電流を測定するように、電流測定部が図示しない制御部によって制御される。また、電流測定部によって測定されたリーク電流は制御部に送られる。制御部は、このリーク電流の値と所定の閾値とを比較して、オープン欠陥の有無を検出する。
【００４３】
ここで、一定の時間間隔Ｓでデータを取得するように、電流測定部の作動が制御部によって制御される。このように、制御部によって作動制御された電流測定部により、一定の時間間隔Ｓで逆バイアス電圧Ｖの印加中継続してリーク電流の測定がなされる場合すなわちサンプリングされる場合、時間間隔Ｓが小さいほど、瞬時電流を測定できる確率が高まる。しかしながら、時間間隔Ｓを小さくするほど、データ取得数が増えるため、検査装置のコストが増加する。したがって、時間間隔Ｓを２８μｓ以下とする。これにより、瞬時電流、すなわちオープン欠陥を確実に検出することができる。なお、２８μｓは、測定された瞬時電流の半値幅とほぼ一致するものであり、本実施形態では、時間間隔Ｓを２８μｓとした。
【００４４】
これら逆バイアス電圧Ｖの印加とリーク電流の測定は、逆バイアス電圧Ｖの印加からの経過時間が、欠陥部を顕在化させるための所定時間を経過するまで、実施される。なお、経過時間すなわち欠陥部を顕在化させるための所定時間は、逆バイアス電圧Ｖによって変化するので、印加される逆バイアス電圧Ｖに応じて適宜設定される。例えば、逆バイアス電圧Ｖを２８Ｖ、印加時間を６０秒とする。所定時間が経過した後、逆バイアス電圧の印加とリーク電流の測定を終了する。以上により、エージング工程及びリーク電流測定工程が終了する。
【００４５】
この後、リーク電流測定工程にて測定されたリーク電流に基づいて、画素の良否を判定する。本実施形態では、上記したように、電流測定部によって測定されたリーク電流が、制御部にて所定の閾値と比較され、瞬間的に閾値を超えるものがオープン欠陥を有するものと判定される。なお、一度閾値を超えてから逆バイアス電圧Ｖの印加が終了するまで継続して閾値を超えるものが、陽極２０と陰極６０が短絡したものと判定される。また、閾値以下のものは、陽極２０と陰極６０が短絡しておらず、かつ、オープン欠陥を有していないものと判定される。なお、積層部８０の構造によって、オープン欠陥を有していない正常素子のリーク電流値が異なり、逆バイアス電圧Ｖによっても瞬時電流のピーク値が変化する。したがって、オープン欠陥有無の判定基準となる閾値は、それぞれの条件に応じて適宜設定される。以上により、有機ＥＬ表示装置が、実駆動時に短絡に至るオープン欠陥を有しているか否かの判定がなされる。
【００４６】
上記の方法によれば、膜厚が１３５ｎｍ以上の陰極６０を有する有機ＥＬ表示装置に対し、両電極２０、６０間に逆バイアス電圧Ｖを印加してオープン欠陥及び陽極２０と陰極６０の短絡欠陥を顕在化させつつ、このときに測定されるリーク電流に基づいて画素の良否を判定することができる。
【００４７】
そして、リーク電流の検出があった場合、上述の陰極６０の材質及び厚みの効果によって有機層５０及び陰極６０の破裂の仕方が開花した花のようになり、破裂部はオープン欠陥化されている。図５（ｂ）では図４と同様に、破裂部分が空洞部９０を覆う形状を例として示している。
【００４８】
また、積層部８０には当該リーク箇所が破裂した、すなわちオープン欠陥化したことによる空洞部９０が発生する。すなわち、当該リーク箇所に存在するはずの有機層５０等が破壊されたことにより当該場所に空間部である空洞部９０が形成される。
【００４９】
この後、図５（ｃ）に示す工程では、分子層堆積法によって有機膜７１を形成する。具体的には、図示しない有機膜形成装置に図５（ｂ）に示す工程を終えた基板１０を配置し、当該基板１０を一つまたはそれ以上の気相反応物に晒す。これにより、積層部８０に有機膜７１としての有機ポリマーを形成する。
【００５０】
この分子層堆積法を用いることにより、気相反応物である有機ポリマーが、基板１０や積層部８０等の表面上の官能基または成長するポリマー鎖の官能基に反応して、基板１０や積層部８０等の表面または成長するポリマー鎖に結合していく。すなわち、気相反応物が、積層部８０の表面等または成長するポリマー鎖に単官能性でのみ反応することで分子層が積み上がっていく。
【００５１】
ここで、気相反応物は気体であるので、図５（ｃ）に示されるように陰極６０の傘が出来ていても、空洞部９０に気相反応物が入り込む。このため、空洞部９０の壁面９２の全体を覆うように有機膜７１を形成することができる。つまり、空洞部９０の壁面９２について空気に触れる部分を無くすように有機膜７１で完全に覆うことができる。
【００５２】
次に、有機膜７１の上に無機膜７２を形成する。本実施形態では、単一の無機膜７２を形成するのではなく、有機膜７１の一部と無機膜７２のナノコンポジットとして形成する。すなわち、ポリマー堆積についてのＭＬＤのアプローチを、無機材料を成長させるためにＡＬＤと組み合わせることにより、有機−無機複合材料を形成する。
【００５３】
ここで、有機膜７１を例えば多層に堆積し、続いて無機膜７２を堆積することにより有機−無機複合材料を形成する。図４や図５では保護膜７０が単一の有機膜７１と単一の無機膜７２で構成された構造が示されているが、上記のように有機膜７１と無機膜７２が複数交互に積層されて構成されていても良い。
【００５４】
そして、有機−無機ナノコンポジットを、有機ポリマー層とアルミニウム層を交互に堆積することにより形成する。この有機ポリマー層は、例えばトリメチルアルミニウム等である。この有機ポリマー層を堆積した後で、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）と水に順に晒すことにより、無機膜７２としてアルミニウム層（Ａｌ2Ｏ3）を堆積する。このとき、無機膜７２は有機膜７１の上に選択的に堆積していくので、空洞部９０の壁面９２に形成した有機膜７１の上にも無機膜７２を形成することができる。こうして、図１ないし図４に示す構造が完成する。
【００５５】
なお、アルミニウム層を堆積した後、更に必要に応じて有機ポリマー層を堆積し、この有機ポリマー層の上にアルミニウム層を堆積することにより、多層の有機ポリマー／Ａｌ2Ｏ3を形成することもできる。また、積層部８０の上に保護膜７０を形成することになるが、陰極６０や陽極２０のコンタクト部分はもちろん保護膜７０から露出するように保護膜７０を形成する。
【００５６】
以上説明したように、積層部８０のうち空洞部９０が形成された部分においては、空洞部９０の壁面９２の全体を保護膜７０で覆っている。このため、この壁面９２を構成する有機層５０に水分が吸収されることによる有機層５０の劣化を防止できる。したがって、有機層５０が劣化したことによるダークスポットの発生を防止することができる。また、オープン欠陥が短絡に至ることを防ぐことができる。
【００５７】
（第２実施形態）
本実施形態では、第１実施形態と異なる部分について説明する。本実施形態では、図６に示されるように、保護膜７０は３層構造になっている。具体的には、積層部８０側からＡｌ2Ｏ3層７３、有機膜７１、及びＡｌＴｉＯ層７４の順に３層に積層されている。有機膜７１は第１実施形態で示されたものと同じ材料である。このように、保護膜７０の構成は３層になっていても良い。
【００５８】
（他の実施形態）
上記各実施形態で示された有機ＥＬ表示装置の構成は一例であり、上記で示した構成に限定されることなく、本発明を実現できる他の構成とすることもできる。例えば、第１実施形態では、保護膜７０が単一の有機膜７１と単一の無機膜７２の少なくとも２層で構成されていたが、有機膜７１と無機膜７２とが交互に複数積層されて構成されていても良い。
【００５９】
また、第２実施形態においては保護膜７０の最上層にＡｌＴｉＯ層７４を採用していたが、ＡｌＴｉＯ層７４ではなくＴｉＯ2層を採用しても良い。すなわち、有機膜７１の上はＡｌＴｉＯ層７４及びＴｉＯ2層のいずれか一方が積層される。
【符号の説明】
【００６０】
１０  基板
２０  陽極
５０  有機層
６０  陰極
７０  保護膜
７１  有機膜
７２  無機膜
８０  積層部
９０  空洞部
９１  内部空間
９２  壁面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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