(57)【要約】【課題】貼り合わせウェーハの製造において犠牲酸化処理を行った際、犠牲酸化処理のＨＦ洗浄によりシリコン薄膜にＳｉ粒子等のパーティクルが付着することを抑制することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】そのため本発明は、シリコン単結晶からなるボンドウェーハにイオン注入層を形成し、ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせ、イオン注入層でボンドウェーハを剥離してベースウェーハ上にシリコン薄膜を形成し、続いて犠牲酸化処理を行うことでシリコン薄膜の厚さを所望の厚さに減少させて貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせウェーハの製造方法において、犠牲酸化処理において、ＨＦ水溶液に界面活性剤を添加することで酸化膜を除去するＨＦ洗浄を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶からなるボンドウェーハにイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせ、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離して前記ベースウェーハ上にシリコン薄膜を形成し、続いて犠牲酸化処理を行うことで前記シリコン薄膜の厚さを所望の厚さに減少させて貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせウェーハの製造方法において、
前記犠牲酸化処理において、ＨＦ水溶液に界面活性剤を添加することで酸化膜を除去するＨＦ洗浄を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項２】
前記犠牲酸化処理において、添加する前記界面活性剤の濃度を０．００１〜０．０５質量％とすることを特徴とする請求項１に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項３】
前記犠牲酸化処理の前または後、或いはその両方において、前記シリコン薄膜の表面粗さを低減する処理として、ＲＴＡによる熱処理を行うことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項４】
前記イオン注入層の形成は、前記ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンのいずれか一種類以上のガスイオンをイオン注入することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【請求項５】
前記ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせる前に、前記ボンドウェーハ、前記ベースウェーハのうち少なくとも一方の表面にシリコン熱酸化膜を成長させ、前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを前記シリコン熱酸化膜を介して貼り合わせることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の貼り合わせウェーハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオン注入剥離法を用いた貼り合わせウェーハの製造方法に関し、特には、水素イオン等を注入したシリコン単結晶からなるボンドウェーハと支持基板となるベースウェーハとを貼り合わせた後にボンドウェーハを剥離することで貼り合わせウェーハを製造する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
貼り合わせウェーハの製造方法として、２枚のウェーハを貼り合せた後、一方のウェーハの薄膜化を研削・研磨で行う方法とイオン注入剥離法で行う方法（スマートカット（登録商標）法）が一般的に知られている。
研削・研磨で行う方法は、接着剤を用いることなく２枚のシリコンウェーハを結合し、熱処理（１０００〜１２００℃）により結合強度を高めた後、片方のウェーハを研削・研磨することでボンドウェーハを薄膜化する方法である。
【０００３】
一方、イオン注入剥離法は、ボンドウェーハの一主面に水素イオン、希ガスイオンの少なくとも一種類を注入し、ウェーハ内部にイオン注入層（剥離層）を形成させた後、該ボンドウェーハのイオン注入した面とベースウェーハの一主面を密着させ、その後５００℃以上の熱処理を加えることでボンドウェーハを剥離する方法である。
【０００４】
このようなイオン注入剥離法では、±１０ｎｍ以下の膜厚均一性のシリコン薄膜を有する貼り合わせウェーハを容易に作製できる優位性と、剥離したボンドウェーハを複数回再利用し材料コストの低減が図れる優位性を有している。
【０００５】
近年においては、特に先端集積回路の高性能化を可能とする貼り合わせＳＯＩウェーハの製造方法が注目されている。この方法は、２枚のシリコンウェーハの内、少なくとも一方に予めシリコン熱酸化膜を形成し、一方のシリコンウェーハ（ボンドウェーハ）の上面から水素イオンまたは希ガスイオン等のガスイオンを注入し、該ウェーハ内部にイオン注入層（剥離層）を形成させた後、該イオン注入した面を、シリコン熱酸化膜を介して他方のシリコンウェーハ（ベースウェーハ）と密着させ、その後熱処理（剥離熱処理）を加えてイオン注入層を劈開面として一方のウェーハ（ボンドウェーハ）を薄膜状に剥離し、さらに熱処理（結合熱処理）を加えて強固に結合して貼り合わせＳＯＩウェーハとする技術である。
【０００６】
この段階では、劈開面（剥離面）がＳＯＩ層（シリコン薄膜）の表面となり、ＳＯＩ膜厚が薄くてかつ均一性も高い貼り合わせＳＯＩウェーハが比較的容易に得られている。
しかし、剥離後のＳＯＩ層の表面にはイオン注入によるダメージ層が存在し、また、表面粗さが通常のシリコンウェーハの鏡面に比べて粗いものとなっている。したがって、イオン注入剥離法では、このようなダメージ層と表面粗さを除去することが必要であり、剥離直後のＳＯＩ層の厚さは、最終製品として必要とされるＳＯＩ層の厚さよりも厚いことが一般的である。
【０００７】
剥離後のＳＯＩ層の厚さを、最終製品の厚さまで薄膜化する方法としては、タッチポリッシュと呼ばれる研磨しろの極めて少ない鏡面研磨をすることが知られている。更に、微細に膜厚を調整するために、ＳＯＩ層表面に酸化熱処理によって酸化膜を成長させ、その後に、ＨＦ含有水溶液にて酸化膜を除去する方法により、ＳＯＩ層の薄膜化が行われる。このような酸化膜の成長（犠牲酸化）と酸化膜除去（ＨＦ洗浄）の一連の工程を犠牲酸化処理と呼ぶ。
【０００８】
更に精密には、アンモニア溶液に過酸化水素水を加えた溶液などでエッチングすることにより、膜厚を微調整する。しかしながら、この方法ではエッチングレートが遅いために、微細な膜厚の調整にとどまる。２０ｎｍよりも大きい取りしろで膜厚を調整するには、犠牲酸化処理が最も精度よく膜厚を調整できる方法として広く使用される。
【０００９】
一方で、ボンドウェーハの剥離後の貼り合わせＳＯＩウェーハの外周部（テラス部）ではシリコン熱酸化膜（埋め込み酸化膜）が現れているため、犠牲酸化処理のＨＦ洗浄を行うと、埋め込み酸化膜の一部もＨＦ水溶液により除去され、ＳＯＩ層からＳｉのカケラが離脱して、ＨＦ洗浄槽の中にＳｉ粒子がパーティクルとして存在し易くなる。
【００１０】
この犠牲酸化処理時のパーティクル汚染を低減するため、特許文献１にはＨＦ洗浄を追加することが、特許文献２には第１犠牲酸化の膜厚を第２犠牲酸化の膜厚よりも厚くすることが記載されている。また、特許文献３にはイオン注入剥離法で作製されたＳＯＩウェーハのＳＯＩ層上にエピタキシャル成長を行う前に、例えばＨＦ洗浄やＳＣ１洗浄といったシリコン薄片を除去する洗浄を行うことが記載されている。
【００１１】
一方、鏡面ウェーハ（ＰＷ：Ｐｏｌｉｓｈｅｄ  Ｗａｆｅｒ）の洗浄として、鏡面ウェーハにパーティクルの付着を防止する目的で、ＨＦ洗浄槽に界面活性剤を添加することが知られている。また、特許文献４には、ＳＩＭＯＸウェーハの表面酸化膜を除去する際、パーティクル再付着を防止する目的で、フッ酸に界面活性剤を添加することが記載されている。特許文献５には分離後の分離ボンド基板に熱酸化膜を形成して、この熱酸化膜をフッ酸＋界面活性剤で除去し、該分離ボンド基板に研磨を行って再生ボンド基板を形成することが記載されている。特許文献６には、半導体シリコンウェーハ表面への微粒子の付着を効果的に抑制することができる洗浄方法として、フッ酸に界面活性剤を添加することが記載されている。
【００１２】
他方、ボンドウェーハ剥離後のＳＯＩ層の表面（剥離面）の平坦化やイオン注入によるダメージ層を除去するために、水素を含む還元性雰囲気下において高温のＲＴＡ処理を加えることや、そのＲＴＡ処理の前後に犠牲酸化処理を行うことが知られている（特許文献７、８参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特表２０１２−５２４４２０号公報
【特許文献２】特表２０１２−５２０５７９号公報
【特許文献３】特開２００９−０２７１２４号公報
【特許文献４】特開２００５−２１７３１２号公報
【特許文献５】特開２０１０−０５０４４６号公報
【特許文献６】特開平０８−０６９９９０号公報
【特許文献７】特開平１１−３０７４７２号公報
【特許文献８】特開２０００−１２４０９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
上記のように、ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせてイオン注入層で剥離し、該剥離により形成されたベースウェーハ上のシリコン薄膜が所定の膜厚となるように犠牲酸化処理を行うという貼り合わせウェーハの製造において、ＲＴＡ処理によってシリコン薄膜表面の粗さ改善を行う場合、シリコン薄膜表面にはマイグレーションの効果によりＳｉの再配列が起こり、シリコン薄膜の最外周端部においてシリコン薄膜が丸みを帯びて他の部分のシリコン薄膜の平均厚さよりも厚くなる部分が生じる。
【００１５】
この厚くなる部分において、他の部分のシリコン薄膜の平均厚さと同等の厚さを得る目的で熱酸化によりシリコン薄膜上に（犠牲）酸化膜を成長させても、シリコン薄膜の厚さがやや厚い部分が残り、さらに後続のＨＦ洗浄においてこの部分が離脱することにより、ＨＦ洗浄槽中でＳｉ粒子の大きさが大きくなり、更にはこの大きく成長したＳｉ粒子がシリコン薄膜の表面に付着することで、欠陥として検出される機会が多くなるという問題が生じることを本発明者らは研究によりつきとめた。
【００１６】
また、イオン注入剥離法で作製されたシリコン薄膜をＨＦ洗浄する際のＳｉ粒子の離脱は問題となるが、ＲＴＡ処理を使用した工程ではこの影響が更に大きくなるため、犠牲酸化後のＨＦ洗浄の影響は無視できない問題である。
【００１７】
さらに、犠牲酸化処理におけるＨＦ洗浄の際、シリコン薄膜の撥水面にＳｉ粒子が一旦付着すると、自然酸化膜を介して付着したパーティクルよりもＳＣ１洗浄で除去しにくくなるため、その後に例えばＳＣ１＋ＳＣ２のようなパーティクル除去洗浄を行ったとしても、一旦シリコン薄膜に付着してしまったＳｉ粒子は離脱させにくいという問題が生じた。
【００１８】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであって、貼り合わせウェーハの製造において、ボンドウェーハ剥離後にベースウェーハ上のシリコン薄膜の厚さを調整する目的で犠牲酸化処理を行った際、犠牲酸化処理のＨＦ洗浄によるＳｉ粒子等の付着に起因するシリコン薄膜上におけるパーティクル増加を抑制することができる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上記目的を達成するために、本発明は、シリコン単結晶からなるボンドウェーハにイオン注入層を形成し、前記ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせ、前記イオン注入層でボンドウェーハを剥離して前記ベースウェーハ上にシリコン薄膜を形成し、続いて犠牲酸化処理を行うことで前記シリコン薄膜の厚さを所望の厚さに減少させて貼り合わせウェーハを作製する貼り合わせウェーハの製造方法において、前記犠牲酸化処理において、ＨＦ水溶液に界面活性剤を添加することで酸化膜を除去するＨＦ洗浄を行うことを特徴とする貼り合わせウェーハの製造方法を提供する。
【００２０】
このように、犠牲酸化処理における酸化膜除去のためのＨＦ洗浄の際、ＨＦ水溶液に界面活性剤を添加することで、シリコン薄膜上の酸化膜は除去され、浸漬した貼り合わせウェーハをＨＦ洗浄槽から取り出すと、貼り合わせウェーハ表面は親水性となる。そのため、Ｓｉ粒子等がシリコン薄膜に付着しにくくなり、さらにその後にパーティクル除去洗浄を行う場合にはＳｉ粒子が離脱し易い状態となるので、シリコン薄膜上におけるＳｉ粒子等の付着を抑制することができる。
【００２１】
また、前記犠牲酸化処理において、添加する前記界面活性剤の濃度を０．００１〜０．０５質量％とすることが好ましい。
界面活性剤は、０．００１質量％より濃度を高くすると微粒子付着低減の効果を十分に発揮し、一方０．０５質量％も入れれば十分であり、それ以上は微粒子付着の抑制効果が向上せず逆にコスト高となるので、界面活性剤の濃度を０．００１〜０．０５質量％とすることで、より効果的にＳｉ粒子のシリコン薄膜への付着を抑制することができる。
【００２２】
さらに、前記犠牲酸化処理の前または後、或いはその両方において、前記シリコン薄膜の表面粗さを低減する処理として、ＲＴＡによる熱処理を行うことが好ましい。
このように、シリコン薄膜の表面粗さを低減するＲＴＡによる熱処理が行われる貼り合わせウェーハの製造においても、本発明の犠牲酸化処理は好適に用いることができる。
【００２３】
本発明において、前記イオン注入層の形成は、前記ボンドウェーハの表面から水素イオン、希ガスイオンのいずれか一種類以上のガスイオンをイオン注入することができる。
【００２４】
さらに、本発明において、前記ボンドウェーハとベースウェーハとを貼り合わせる前に、前記ボンドウェーハ、前記ベースウェーハのうち少なくとも一方の表面にシリコン熱酸化膜を成長させ、前記ボンドウェーハと前記ベースウェーハとを前記シリコン熱酸化膜を介して貼り合わせることが好ましい。
【００２５】
このように本発明は、犠牲酸化処理を行う貼り合わせＳＯＩウェーハの製造においても、犠牲酸化処理のＨＦ洗浄でＳｉ粒子等の付着に起因するシリコン薄膜上におけるパーティクルの増加を効果的に抑制することができる。
【発明の効果】
【００２６】
以上のように、本発明によれば、ボンドウェーハ剥離工程後にベースウェーハ上のシリコン薄膜の厚さを調整する目的の犠牲酸化処理の際、ＨＦ水溶液に界面活性剤を添加することで、ＨＦ洗浄によるＳｉ粒子等の付着に起因するシリコン薄膜上におけるパーティクル増加を抑制できる貼り合わせウェーハの製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
前述したように、従来の貼り合わせウェーハの製造では、シリコン薄膜の厚さを調整する目的で犠牲酸化処理を行った場合、シリコン薄膜上に形成した（犠牲）酸化膜を除去するため、ＨＦ水溶液に剥離後の貼り合わせウェーハを浸漬するが、ＨＦ洗浄槽から取り出した際、Ｓｉ粒子がシリコン薄膜に付着してしまうという問題が生じてしまう。また、表面に酸化膜のないシリコン薄膜に一旦Ｓｉ粒子等のパーティクルが付着してしまうと、その後にＳＣ１＋ＳＣ２といったパーティクル除去洗浄を行ったとしても離脱されにくいという問題が生じた。
【００２８】
そこで、本発明者らは、２枚のウェーハを直接又はシリコン熱酸化膜を介して貼り合わせ、ボンドウェーハ剥離後にベースウェーハ上のシリコン薄膜の厚さを調整する目的で犠牲酸化処理を行う際、酸化膜を除去するＨＦ洗浄においてＨＦ水溶液に界面活性剤を添加して行えば、ＨＦ洗浄槽から貼り合わせウェーハを取り出したときに、Ｓｉ粒子等が貼り合わせウェーハに付着しにくくなるため、シリコン薄膜上におけるパーティクル増加を抑制することができることに想到し、本発明を完成させた。
【００２９】
以下、本発明の実施形態について詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
まず、貼り合わせウェーハを製造するための２枚のウェーハを準備する。
一枚はシリコン薄膜を形成するためのボンドウェーハとし、もう一枚は支持基板となるベースウェーハとする。ボンドウェーハ及びベースウェーハは特に限定しないが、例えばシリコン単結晶からなるものを用いることができる。また、ゲッタリング能力を高める等といった目的のため、シリコン単結晶ウェーハに高濃度にドーパントを含ませたものを使用しても良く、その導電型はｎ型、ｐ型のいずれであってもよい。
【００３０】
次に、ベースウェーハに熱酸化処理を施し、ベースウェーハの全面にシリコン熱酸化膜を形成する。
近年では、特に厚い埋め込み酸化膜層を有する貼り合わせＳＯＩウェーハを製造する際、貼り合わせ面側のみに酸化膜を形成すると該酸化膜が形成された面の方に凸に反るので、ウェーハの反りを低減するためにベースウェーハの全面にシリコン熱酸化膜を形成することが多い。また、ベースウェーハではなく、チャネリング防止のためにボンドウェーハの全面にシリコン熱酸化膜を形成してもよく、さらにベースウェーハ及びボンドウェーハの両方のウェーハにシリコン熱酸化膜を形成してもよい。
【００３１】
形成するシリコン熱酸化膜の厚さは特に限定されず、当業者が適宜決定することができる。また、熱酸化方法も特に限定されず、例えばｗｅｔ酸化等があげられる。このときウェーハ全面に形成されたシリコン熱酸化膜は、貼り合わせ後に一方の面側は埋め込み酸化膜層となり、他方は裏面酸化膜となる。
【００３２】
尚、このシリコン熱酸化膜の形成工程は、シリコン熱酸化膜による埋め込み酸化膜を有する貼り合わせＳＯＩウェーハの製造で行われるため、２枚のウェーハを直接貼り合わせる貼り合わせウェーハを製造する場合には、埋め込み酸化膜形成のためのシリコン熱酸化膜の形成工程は行わない。
【００３３】
次に、ボンドウェーハの内部に水素イオン又は希ガスイオンのいずれか一種類以上を注入してイオン注入層を形成する。
ボンドウェーハにシリコン熱酸化膜が形成されている場合は、該シリコン熱酸化膜の上からイオン注入を行う。
このときのイオン注入層の深さは、剥離後に形成されるシリコン薄膜の厚さに反映されるため、注入エネルギー等を制御してイオン注入することにより、シリコン薄膜の厚さを制御することができる。
【００３４】
次に、イオン注入を行ったボンドウェーハのイオン注入を行った側の面と、ベースウェーハとを貼り合わせる。
ボンドウェーハとベースウェーハの両方にシリコン熱酸化膜が形成されていない場合、ボンドウェーハとベースウェーハを直接貼り合わせる。
一方、ボンドウェーハ又はベースウェーハのどちらかにシリコン熱酸化膜が形成されている場合は、常温の清浄な雰囲気下で、ボンドウェーハとベースウェーハのそれぞれ一方の主面を接触させることにより、接着剤等を用いることなくウェーハ同士が接着する。
【００３５】
次に、ボンドウェーハをイオン注入層で剥離してベースウェーハ上にシリコン薄膜を形成する。
この剥離工程は、例えば貼り合わせたウェーハに対して、Ａｒ等の不活性ガス雰囲気下約３５０〜５００℃の温度で、３０分以上熱処理を加えることで、結晶の再配列と気泡の凝集が起こり、ボンドウェーハをイオン注入層で剥離することができる。
ボンドウェーハ又はベースウェーハにシリコン熱酸化膜を形成した場合、該シリコン熱酸化膜が埋め込み酸化膜（ＢＯＸ層）となり、シリコン薄膜はＳＯＩ層と呼ばれる。
【００３６】
この時、シリコン薄膜とベースウェーハの結合力を高める結合熱処理を行ってもよい。例えば、この結合熱処理は不活性ガス雰囲気下あるいはわずかに酸化性のガス雰囲気下、１０００℃〜１２５０℃で３０分から４時間の範囲で行うことができる。
【００３７】
次に、シリコン薄膜の厚さを所望の厚さに減少させるため、犠牲酸化処理を行う。
この犠牲酸化処理は、まず剥離後の貼り合わせウェーハのシリコン薄膜上に犠牲酸化膜と呼ばれる酸化膜を例えばバッチ式縦型炉を用いて熱酸化により行うことで形成し、該酸化膜を除去するためのＨＦ洗浄を行うという一連の処理のことである。
【００３８】
犠牲酸化処理において形成した酸化膜をＨＦ含有水溶液にて除去（ＨＦ洗浄）すると、酸化により酸化膜に供されたＳｉ原子の分、シリコン薄膜の厚さが減厚し、結果としてシリコン薄膜の厚さを薄膜化することができる。また、調整したい所望の膜厚に応じて成長させる酸化膜の厚さを選択することで、シリコン薄膜の厚さを微細に調整することができる。
【００３９】
本発明では、犠牲酸化処理のＨＦ洗浄において、ＨＦ水溶液に界面活性剤を添加する。
これにより、シリコン薄膜上の酸化膜を除去することができ、且つ、浸漬した貼り合わせウェーハをＨＦ洗浄槽から取り出すと、貼り合わせウェーハ表面は親水性となる。そのため、Ｓｉ粒子等がシリコン薄膜に付着しにくくなり、さらにその後にパーティクル除去洗浄を行う場合にはＳｉ粒子が離脱し易い状態となるので、シリコン薄膜上におけるＳｉ粒子等の付着するのを効果的に防止することができる。
【００４０】
このとき使用する界面活性剤としては、特に限定はなく、非イオン系、アニオン系及びカチオン系でも同等の効果を得る。具体的には、一般にＮＣＷと呼ばれる界面活性剤〔商品名ＮＣＷ−１００２（和光純薬工業（株）製）：ポリオキシアルキレンアルキルエーテルの１０質量％水溶液〕を好適に使用することができる。
【００４１】
ＨＦ水溶液に添加する界面活性剤の濃度については、０．００１〜０．０５質量％とすることが好ましい。
界面活性剤は、０．００１質量％より濃度を高くすると微粒子付着低減の効果を十分に発揮し、一方０．０５質量％も入れれば十分であり、それ以上は微粒子付着の抑制効果が向上せず逆にコスト高となるので、界面活性剤の濃度を０．００１〜０．０５質量％とすることで、より効果的にＳｉ粒子のシリコン薄膜への付着を抑制することができる。
【００４２】
ちなみに、剥離直後のシリコン薄膜の表面は、通常の鏡面研磨ウェーハの鏡面研磨面と比べて面粗さが劣っていたり、イオン注入のダメージが残留していたりする。
そのため、剥離直後のシリコン薄膜表面に対し、表面をわずかに研磨する処理（タッチポリッシュ）や、不活性ガスや水素雰囲気等による高温熱処理、水素を含む雰囲気でのＲＴＡ処理、あるいは、これらを適宜組み合わせた処理を行うことにより、シリコン薄膜の表面粗さを低減することができる。
【００４３】
水素を含む雰囲気でのＲＴＡ処理については、剥離した貼り合わせウェーハに対して、ランプ式加熱方式を持つ枚葉熱処理炉で行うことができ、また、更にエピタキシャル成長まで行うことが可能ないわゆるエピ炉を使用しても構わない。このＲＴＡ処理は、上記犠牲酸化処理の前または後、或いはその両方において行うことができる。
ＲＴＡ熱処理の処理温度は１１００℃以上であることが望ましく、更には、より表面粗さの改善効果を高める為には、できれば高温、例えば１１５０℃以上、であることが望ましい。
【００４４】
あるいは、不活性ガスや水素雰囲気等による高温熱処理については、剥離した貼り合わせウェーハに対して、Ａｒ雰囲気下において例えば１１５０℃以上という高温での熱処理を施す。この熱処理には高温処理にも耐えうる工夫を施したバッチ式縦型炉を用いる場合が多い。また、このＡｒ雰囲気での高温熱処理の前又は後において、上記犠牲酸化処理を行うことができる。
【実施例】
【００４５】
以下、実施例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００４６】
（実施例）
まず、ボンドウェーハとしてＣＯＰ（Ｃｒｙｓｔａｌ  Ｏｒｉｇｉｎａｔｅｄ  Ｐａｒｔｉｃｌｅｓ）の無いシリコン単結晶ウェーハ（直径３００ｍｍ、結晶方位＜１００＞）を準備した。また、ベースウェーハとしてシリコン単結晶ウェーハ（直径３００ｍｍ、結晶方位＜１００＞）を準備した。
【００４７】
次に、ボンドウェーハの全面に厚さ２００ｎｍのシリコン熱酸化膜を形成した後、イオン注入機にて、５０ｋｅＶの加速エネルギーでＨ＋イオンを５×１０１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ２で注入した。
【００４８】
ボンドウェーハとして、酸素濃度が２２．４ｐｐｍａ（ＡＳＴＭ’７９）のウェーハを、注入面を接合面として、ベースウェーハに密着させた後、バッチ式横型熱処理炉にて、投入温度２００℃、最高温度５００℃の剥離熱処理を施し、ボンドウェーハをイオン注入層から剥離して、ベースウェーハ上にシリコン薄膜（ＳＯＩ層）を形成した。
【００４９】
この貼り合わせウェーハのシリコン薄膜表面に、枚葉式ＲＴＡ熱処理装置により水素５０％アルゴン５０％混合ガスの雰囲気下で温度１１５０℃、４０秒のＲＴＡ処理を施した。
【００５０】
その後、犠牲酸化処理を行うため、バッチ式縦型熱処理炉にて、９００℃のパイロ酸化及び１０５０℃の酸素１％を含むＡｒガス熱処理を施し、シリコン薄膜上に酸化膜を形成した。次に、ＨＦ洗浄槽にＨＦ濃度が１２質量％であるＨＦ水溶液を５０リットル用意し、非イオン性の界面活性剤（商品名ＮＣＷ−１００２）を４０ｍｌ投入し（界面活性剤の濃度：０．００８質量％）、貼り合わせウェーハをＨＦ洗浄槽に浸漬して、シリコン薄膜上に形成されたいわゆる犠牲酸化膜を除去した。
【００５１】
その後、枚葉式ＲＴＡ熱処理装置により水素５０％アルゴン５０％混合ガスの雰囲気下で温度１２００℃、４０秒のＲＴＡ熱処理を施した。その後、バッチ式縦型熱処理炉にて、酸化膜を成長した後、ＨＦ洗浄にて酸化膜を除去した。この際にも、ＨＦ洗浄槽にはＮＣＷを４０ｍｌ投入した。これにより最終的にシリコン薄膜の厚さを９０ｎｍに調整した貼り合わせＳＯＩウェーハを得た。
【００５２】
この得られた貼り合わせウェーハを、レーザー散乱型の表面パーティクル検出機にて、０．１０μｍ以上のパーティクルをカウントしたところ、貼り合わせウェーハ上のパーティクル数は１２個であった。
【００５３】
（比較例）
実施例におけるＨＦ洗浄において、ＨＦ洗浄槽に界面活性剤を投入しなかった点以外は、実施例と同じ条件で貼り合わせＳＯＩウェーハを製造した。
この得られた貼り合わせウェーハを、レーザー散乱型の表面パーティクル検出機にて、０．１０μｍ以上のパーティクルをカウントしたところ、貼り合わせウェーハ上のパーティクル数は２００個であった。
【００５４】
上記、実施例及び比較例を比較すればわかるように、ボンドウェーハ剥離工程後にベースウェーハ上のシリコン薄膜の厚さを調整する目的の犠牲酸化処理の際、ＨＦ水溶液に界面活性剤を添加するという本発明の貼り合わせウェーハの製造方法によれば、ＨＦ洗浄によるＳｉ粒子等の付着に起因するシリコン薄膜上におけるパーティクルの増加を抑制することができる。
【００５５】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。