(57)【要約】      （修正有）【課題】簡単な機構で被加工物ユニットを構成する環状フレーム上の異物を除去した後、フレーム吸引パッドで環状フレームを吸引保持可能な加工装置を提供することである。【解決手段】チャックテーブル６から環状フレームＦの開口内に粘着テープを介して支持された被加工物ユニットを搬出する搬送手段を備えた加工装置であって、搬送手段は、環状フレームの上面を吸引保持するフレーム吸引パッド４２と、環状フレームの上面のフレーム吸引パッドが吸引する領域に流体を噴射する流体噴出手段４４と、を含むベース部４０と、ベース部を該チャックテーブルに接近・離反させる移動手段と、を備え、被加工物ユニットをチャックテーブルから搬出する際は、ベース部をチャックテーブルに接近させ、加工によって環状フレームに載った異物２１を流体噴出手段から流体を噴射して除去した後に、フレーム吸引パッドが環状フレームを吸引保持する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の被加工物が環状フレームの開口内に粘着テープを介して支持された被加工物ユニットを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を加工する加工手段と、該チャックテーブルから該被加工物ユニットを搬出する搬送手段と、を備えた加工装置であって、
該搬送手段は、
該環状フレームの上面を吸引保持するフレーム吸引パッドと、該環状フレームの上面の該フレーム吸引パッドが吸引する領域に流体を噴射する流体噴出手段と、を含むベース部と、
該ベース部を該チャックテーブルに接近・離反させる移動手段と、を備え、
該被加工物ユニットを該チャックテーブルから搬出する際は、該ベース部を該チャックテーブルに接近させ、加工によって該環状フレームに載った異物を該流体噴出手段から流体を噴射して除去した後に、該フレーム吸引パッドが異物が除去された領域の該環状フレームを吸引保持することを特徴とする加工装置。
【請求項２】
前記流体噴射手段から噴射される流体は、エア、水又はエアと水との混合流体であることを特徴とする請求項１記載の加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物ユニットを搬送する搬送手段を備えた切削装置、レーザー加工装置等の加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが複数表面に形成された半導体ウエーハや、樹脂基板、各種セラミックス基板、ガラス基板等の被加工物はダイシング装置と呼ばれる切削装置によって個々のチップに分割され、分割されたチップは各種電気機器に広く利用されている。
【０００３】
この種の切削装置は、高速回転させた円盤状の切削ブレードを被加工物に切り込ませて切削するのが一般的であり、通常、切削ブレードが被加工物に接触する加工点付近に純水等の切削水を供給しながら切削が実施される。
【０００４】
切削水の供給は、切削ブレードの冷却や切削によって発生する切削屑（コンタミネーション）を被加工物上から洗い流して除去することを目的としており、被加工物の切削時には多量の切削水が加工点付近に供給される。
【０００５】
また、切削装置と同様に半導体ウエーハや光デバイスウエーハの分割にはレーザー加工装置が用いられることがある。レーザー加工装置では加工中に水は使用しないが、加工前にウエーハの表面に形成されたデバイスを保護するためにウエーハ表面に液状保護膜を塗付することがある。
【０００６】
一方、切削装置やレーザー加工装置等の加工装置では、ウエーハ等の被加工物は環状フレームの開口内に粘着テープを介して支持された被加工物ユニットの形態で加工装置内に投入される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−１０１５０号公報
【特許文献２】特開２００７−０７３６７０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
切削装置では、ウエーハ等の被加工物を切削ブレードで切削すると、コンタミネーションを多量に含んだ切削水が環状フレーム上を流れることでフレーム上に多量のコンタミネーションが付着したり、切削によって飛散した被加工物の端材部分が環状フレーム上に残ることがある。また、レーザー加工で用いられる液状保護膜は環状フレーム上にも塗付されてしまう。
【０００９】
このように環状フレーム上に異物が付着すると、被加工物ユニットを搬送する搬送装置のフレーム吸引パッドで被加工物ユニットの環状フレームを吸引保持する際、吸引を阻害する要因となっている。
【００１０】
本発明はこのような点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、簡単な機構で被加工物ユニットを構成する環状フレーム上の異物を除去した後、フレーム吸引パッドで環状フレームを吸引保持可能な加工装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明によると、板状の被加工物が環状フレームの開口内に粘着テープを介して支持された被加工物ユニットを保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルの保持面に保持された被加工物を加工する加工手段と、該チャックテーブルから該被加工物ユニットを搬出する搬送手段と、を備えた加工装置であって、該搬送手段は、該環状フレームの上面を吸引保持するフレーム吸引パッドと、該環状フレームの上面の該フレーム吸引パッドが吸引する領域に流体を噴射する流体噴出手段と、を含むベース部と、該ベース部を該チャックテーブルに接近・離反させる移動手段と、を備え、該被加工物ユニットを該チャックテーブルから搬出する際は、該ベース部を該チャックテーブルに接近させ、加工によって該環状フレームに載った異物を該流体噴出手段から流体を噴射して除去した後に、該フレーム吸引パッドが異物が除去された領域の該環状フレームを吸引保持することを特徴とする加工装置が提供される。
【００１２】
好ましくは、流体噴射手段から噴射される流体は、水、エア又はエアと水との混合流体から構成される。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の加工装置によると、フレーム吸引パッドが吸引する領域に予め水、エア又はエアと水との混合流体等の流体を噴射させて環状フレーム上の異物を除去した後、フレーム吸引パッドが環状フレームを吸引保持するので、フレーム吸引パッドが異物を噛みこんで吸引不良が発生することを防止できる。
【００１４】
特に、流体としてエアを使用すると、フレーム吸引パッドに接続された吸引源に負圧を発生させる圧縮エア源をエアの供給源として利用できるため、新たにエアの供給源を設置する必要がない。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明実施形態に係る切削装置の斜視図である。
【図２】第２搬送ユニットの斜視図である。
【図３】半導体ウエーハの表面側斜視図である。
【図４】ウエーハが環状フレームの開口内に粘着テープを介して支持されたウエーハユニットの斜視図である。
【図５】流体噴射ノズルから環状フレーム上に流体を噴出している様子を示す側面図である。
【図６】流体の噴射により異物が除去された領域の環状フレームを吸引保持する様子を示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して詳細に説明する。図１を参照すると、本発明実施形態に係る切削装置２の斜視図が示されている。４は切削装置２のベース部であり、このベース部４に図示しない切削送り機構によってチャックテーブル６がＸ軸方向に往復動可能に配設されている。チャックテーブル６は更に、保持面と直交する回転軸回りに回転可能に構成されている。８は切削送り機構をカバーする蛇腹である。
【００１７】
ベース部４には、カセット載置台１０が図示しないカセットエレベータにより鉛直方向（Ｚ軸方向）に昇降可能に配設されている。カセット載置台１０上には被加工物を収容したカセット１２が載置される。
【００１８】
ベース部４の後方には門型形状の第１コラム１４が立設されており、この第１コラム１４に第１切削ユニット１６Ａ及び第２切削ユニット１６ＢがＹ軸方向及びＺ軸方向に移動可能に取り付けられている。第１及び第２切削ユニット１６Ａ，１６Ｂは、回転駆動されるスピンドルの先端に装着された切削ブレード１８を含んでいる。
【００１９】
ベース部４の中間部分には門型形状の第２コラム２０が立設されている。第２コラム２０には第１ガイドレール２２及び第２ガイドレール２４が固定されている。２６は第１搬送ユニットであり、第１搬送ユニット２６は第１ガイドレール２２に案内されてＹ軸方向に移動可能に構成されている。
【００２０】
第１搬送ユニット２６のＹ軸方向の移動機構は、例えばボールねじとボールねじの一端に連結されたパルスモーターとから構成されるが、図１では移動機構の詳細は省略されている。
【００２１】
第１搬送ユニット２６は、第１ガイドレール２２から垂下した支持部３０と、支持部３０に対して上下方向（Ｚ軸方向）に移動可能な十字形状のベース部３２とを含んでいる。十字形状のベース部３２の先端にはフレーム吸引パッド３４がそれぞれ取り付けられている。更に、ベース部３２のカセット１２に対面する先端には後述するウエーハユニットの環状フレームを把持する把持部３６が取り付けられている。
【００２２】
２８は第２搬送ユニットであり、第２搬送ユニット２８は第２ガイドレール２４に案内されてＹ軸方向に移動可能に配設されている。第２搬送ユニット２８のＹ軸方向の移動機構は、例えばボールねじとボールねじの一端に連結されたパルスモーターとから構成されるが、図１では移動機構の詳細は省略されている。
【００２３】
第２搬送ユニット２８は、第２ガイドレール２４に沿ってＹ軸方向に移動される支持部３８と、支持部３８に対して上下方向（Ｚ軸方向）に移動可能に取り付けられた十字形状のベース部４０とを含んでいる。
【００２４】
図２に最もよく示されるように、十字形状のベース部４０の各先端部にフレーム吸引パッド４２が取り付けられている。更に、各フレーム吸引パッド４２に隣接して流体噴射ノズル（流体噴射手段）４４が配設されている。
【００２５】
図１を再び参照すると、４６は切削加工後の被加工物を洗浄及び乾燥するスピンナ洗浄ユニットであり、被加工物を保持して回転するスピンナテーブル４８を有している。チャックテーブル６に保持されて第１切削ユニット１６Ａ又は第２切削ユニット１６Ｂで切削加工された被加工物は、第２搬送ユニット２８のフレーム吸引パッド４２で吸引保持されてスピンナ洗浄ユニット４６まで搬送される。
【００２６】
図３を参照すると、被加工物の一種である半導体ウエーハ（以下、単にウエーハと略称することがある）１１の表面側斜視図が示されている。ウエーハ１１の表面１１ａには複数の分割予定ライン（ストリート）１３が格子状に形成されているとともに、分割予定ライン１３で区画された各領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイス１５が形成されている。１１ｂはウエーハ１１の裏面である。
【００２７】
図４に示すように、ウエーハ１１は外周部が環状フレームＦに貼着された粘着テープであるダイシングテープＴにその裏面が貼着されてウエーハユニット１７とされ、ウエーハユニット１７の形態でカセット１２内に収容される。換言すると、ウエーハユニット１７は、ウエーハ１１が環状フレームＦの開口内にダイシングテープＴを介して支持されて構成される。
【００２８】
以下、このように構成された切削装置２の作用について説明する。カセット１２内に収容されたウエーハユニット１７は、第１搬送ユニット２６の把持部３６で環状フレームＦが把持されてカセット１２内から引き出され、図示しない一対の位置決めバー上に載置される。
【００２９】
位置決めバーが互いに近づく方向に移動することによりウエーハユニット１７の中心出しが行われた後、第１搬送ユニット２６のフレーム吸引パッド３４で環状フレームＦが吸引保持されて、ウエーハユニット１７はチャックテーブル６まで搬送されチャックテーブル６により吸引保持される。
【００３０】
チャックテーブル６に吸引保持されたウエーハ１１の分割予定ライン１３に第１切削ユニット１６Ａ又は第２切削ユニット１６Ｂの切削ブレード１８を切り込ませ、加工点に切削水を供給しながらチャックテーブル６をＸ軸方向に加工送りすることにより、ウエーハ１１を分割予定ライン１３に沿って完全切断する。
【００３１】
第１切削ユニット１６Ａ又は第２切削ユニット１６ＢをＹ軸方向に割り出し送りしながら第１の方向に伸長する分割予定ライン１３を順々に切削する。第１の方向の分割予定ラインの切削終了後、チャックテーブル６を９０度回転してから、第１の方向に直交する第２の方向に伸長する全ての分割予定ライン１３を切削してウエーハ１１をデバイスチップに分割する。
【００３２】
このように、切削装置では、切削ブレード１８がウエーハ１１に接触する加工点付近に切削水を供給しながら切削を実施するため、切削によって発生する切削屑（コンタミネーション）が環状フレームＦ上を流れることでフレームＦ上に多量のコンタミネーションが付着したり、切削によって飛散したウエーハ１１の端材部分がフレームＦ上に残ることがある。
【００３３】
ウエーハ１１の切削が終了すると、チャックテーブル６がウエーハ搬入・搬出位置であるオリジナルポジションに戻された後、第２搬送ユニット２８のフレーム吸引パッド４２で環状フレームＦが吸引保持されて、ウエーハユニット１７はスピンナ洗浄ユニット４６まで搬送される。
【００３４】
第２搬送ユニット２８のフレーム吸引パッド４２でウエーハユニット１７のフレームＦを吸引するとき、フレームＦ上に切削屑や端材等の異物が残留していると、フレーム吸引パッド４２でのフレームＦの吸引保持が阻害される。この問題を解決した本発明実施形態の作用について図５及び図６を参照して説明する。
【００３５】
図５に示すように、チャックテーブル６に保持された環状フレームＦ上には切削屑、端材等の複数の異物２１が付着している。図５で、ベース部４０を矢印Ｚ１方向に所定高さ位置まで移動して、流体噴射ノズル４４の噴射口４５から圧縮エア又は圧縮エアと水との混合流体を噴射して、フレーム吸引パッド４２が吸引保持しようとする環状フレームＦの領域上の異物２１を吹き飛ばして除去する。
【００３６】
各フレーム吸引パッド４２に隣接して流体噴射ノズル４４が設けられているため、各フレーム吸引パッド４２が吸引保持しようとする領域の環状フレームＦ上の異物は同時に除去される。
【００３７】
次いで、図６（Ａ）に示すように、ベース部４０を矢印Ｚ１方向に更に移動させてフレーム吸引パッド４２をフレームＦの異物が除去された領域に当接させ、フレーム吸引パッド４２で異物が除去された領域のフレームＦを吸引保持する。
【００３８】
その後、図６（Ｂ）に示すように、フレーム吸引パッド４２でフレームＦを吸引保持した状態でベース部４０を矢印Ｚ２方向に移動させて、ウエーハユニット１７をチャックテーブル６から離反させる。
【００３９】
本実施形態では、流体噴射ノズル４４から流体を噴射させてフレームＦ上の異物２１を除去した後、フレーム吸引パッド４２で異物が除去された領域のフレームＦを吸引保持するので、容易かつ確実に環状フレームＦを吸引保持することができる。
【００４０】
上述した実施形態では、本発明を切削装置２に適用した例について説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、アブレーション加工を実施するレーザー加工装置にも同様に適用することができる。
【００４１】
アブレーション加工によりレーザー加工溝を形成するレーザー加工装置では、ウエーハの表面に形成されたデバイスを保護するために、通常レーザー加工を実施する前に、保護膜塗付装置により液状保護膜がウエーハユニット１７に塗付される。
【００４２】
液状保護膜は、ウエーハ１１の表面１１ａのみでなく、環状フレームＦの表面にも塗付される。よって、搬送ユニットのフレーム吸引パッドで環状フレームＦを吸引保持する前に、流体噴射ノズル４４から流体を噴射して環状フレームＦ上の液状保護膜（異物）を除去する。そして、液状保護膜が除去された範囲のフレームＦをフレーム吸引パッド４２で吸引保持することにより、確実に環状フレームＦを吸引保持することができる。
【００４３】
フレームＦ上に塗付された液状保護膜はゼリー状（ゲル状）をしているため、レーザー加工終了後に、ウエーハユニット１７をチャックテーブルから搬出する際にも、環状フレームＦ上の液状保護膜を流体噴射ノズル４４でフレームＦ上から除去した後、液状保護膜が除去された範囲のフレームＦをフレーム吸引パッド４２で吸引保持すると、フレームＦを確実に吸引保持することができる。
【００４４】
上述した実施形態では、被加工物は半導体ウエーハ１１であるとして説明したが、被加工物は半導体ウエーハに限定されるものではなく、光デバイスウエーハ等の他のウエーハ、セラミックス基板、ガラス基板等の他の板状の被加工物にも本発明は同様に適用することができる。
【符号の説明】
【００４５】
２    切削装置
６    チャックテーブル
１６Ａ，１６Ｂ    切削ユニット
１７    ウエーハユニット
１８    切削ブレード
２１    異物
２６    第１搬送ユニット
２８    第２搬送ユニット
４０    ベース部
４２    フレーム吸引パッド
４４    流体噴射ノズル
【図１】
2014220449.tif 000003
【図２】
2014220449.tif 000004
【図３】
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【図４】
2014220449.tif 000006
【図５】
2014220449.tif 000007
【図６】
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