(57)【要約】      （修正有）【課題】Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜におけるＥＵＶ光反射率の入射角度依存性と膜応力を改善したＥＵＶＬ用マスクブランク、および、マスクブランク用の反射層付基板を提供する。【解決手段】第１の多層反射膜２１は、１組のＭｏ層とＳｉ層の合計膜厚である第１の周期長ｄ1が、６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍで２０〜３６組積層する。調整層２３は、Ｍｏ層とＳｉ層とを１組以上交互に積層し、１組のＭｏ層とＳｉ層の合計膜厚ｄ3が、ｄ3≦０．８ｄ1、または、１．２ｄ1≦ｄ3、かつ、全体の膜厚Ｌを（０．３＋ｉ）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋ｉ）ｄ1（ｉは０以上の整数）とする。第２の多層反射膜２２は、第２の周期長ｄ2が、０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1で、３〜３１組積層する。第１の周期長ｄ1に対するＭｏ層の膜厚の比を０．２５〜０．５５、第２の周期長ｄ2に対するＭｏ層の膜厚の比を０．２５〜０．５５、反射層の全膜厚を６００ｎｍ以下とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板であって、
前記反射層は、前記基板上に、Ｍｏ層とＳｉ層とが交互に複数回積層された第２の多層反射膜と、
前記第２の多層反射膜上に積層された調整層と、
前記調整層上に、Ｍｏ層とＳｉ層とが交互に複数回積層された第１の多層反射膜と、を有し、
前記第１の多層反射膜は、隣り合う１組の、Ｍｏ層とＳｉ層との合計膜厚である第１の周期長ｄ1が、６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍの関係で、２０〜３６組積層され、
前記調整層は、Ｍｏ層とＳｉ層とが１組以上交互に積層され、隣り合うＭｏ層とＳｉ層の合計膜厚ｄ3が、ｄ3≦０．８ｄ1、または、１．２ｄ1≦ｄ3を満たし、かつ、調整層全体の膜厚Ｌが、（０．３＋ｉ）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋ｉ）ｄ1（ただし、ｉは０以上の整数）であり、
前記第２の多層反射膜は、隣り合う１組の、Ｍｏ層とＳｉ層との合計膜厚である第２の周期長ｄ2が、０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1の関係で、３〜３１組積層され、
前記第１の周期長ｄ1に対する、前記第１の多層反射膜におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．２５〜０．５５であり、
前記第２の周期長ｄ2に対する、前記第２の多層反射膜におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．２５〜０．５５であり、
前記反射層の全膜厚が６００ｎｍ以下である、ＥＵＶＬ用反射層付基板。
【請求項２】
前記反射層の全膜厚が４００ｎｍ以下である、請求項１に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板。
【請求項３】
前記第１の周期長ｄ1と前記第２の周期長ｄ2が実質的に等しい、請求項１または２に記載のＥＵＶＬ用反射層付基板。
【請求項４】
前記第３の周期長ｄ3に対する、前記調整層におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．３〜０．７である、請求項１〜３のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射層付基板。
【請求項５】
基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成され、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクであって、
前記反射層は、前記基板上に、第２の低屈折率層と第２の高屈折率層とが交互に複数回積層された第２の多層反射膜と、
前記第２の多層反射膜上に積層された調整層と、
前記調整層上に、Ｍｏ層とＳｉ層とが交互に複数回積層された第１の多層反射膜と、を有し、
前記第１の多層反射膜は、隣り合う１組の、Ｍｏ層とＳｉ層との合計膜厚である第１の周期長ｄ1が、６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍの関係で、２０〜３６組積層され、
前記調整層は、Ｍｏ層とＳｉ層とが１組以上交互に積層され、隣り合うＭｏ層とＳｉ層の合計膜厚ｄ3が、ｄ3≦０．８ｄ1、または、１．２ｄ1≦ｄ3を満たし、かつ、調整層全体の膜厚Ｌが、（０．３＋ｉ）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋ｉ）ｄ1（ただし、ｉは０以上の整数）であり、
前記第２の多層反射膜は、隣り合う１組の、Ｍｏ層とＳｉ層との合計膜厚である第２の周期長ｄ2が、０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1の関係で、３〜３１組積層され、
前記第１の周期長ｄ1に対する、前記第１の多層反射膜におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．２５〜０．５５であり、
前記第２の周期長ｄ2に対する、前記第１の多層反射膜におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．２５〜０．５５であり、
前記反射層の全膜厚が６００ｎｍ以下である、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
【請求項６】
前記反射層の全膜厚が４００ｎｍ以下である、請求項５に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
【請求項７】
前記第１の周期長ｄ1と前記第２の周期長ｄ2が実質的に等しい、請求項５または６に記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
【請求項８】
前記第３の周期長ｄ3に対する、前記調整層におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．３〜０．７である、請求項５〜７のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
【請求項９】
前記反射層と前記吸収層との間に、前記反射層の保護層を有する、請求項５〜８のいずれかに記載のＥＵＶＬ用反射型マスクブランク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造等に使用されるＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）リソグラフィ用反射型マスクブランク（以下、本明細書において、「ＥＵＶＬ用マスクブランク」ともいう。）に関する。
また、本発明は、ＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板に関する。ＥＵＶＬ用反射層付基板は、ＥＵＶＬ用マスクブランクの前駆体として用いられる。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体産業において、シリコン基板等に微細なパターンからなる集積回路を形成する上で必要な微細パターンの転写技術として、可視光や紫外光を用いたフォトリソグラフィ法が用いられてきた。しかし、半導体デバイスの微細化が加速している一方で、従来のフォトリソグラフィ法の限界に近づいてきた。フォトリソグラフィ法の場合、パターンの解像限界は露光波長の１／２程度であり、液浸法を用いても露光波長の１／４程度と言われており、ＡｒＦレーザ（波長：１９３ｎｍ）の液浸法を用いても、その露光波長は４５ｎｍ程度が限界と予想される。そこで４５ｎｍよりも短い波長を用いる次世代の露光技術として、ＡｒＦレーザよりさらに短波長のＥＵＶ光を用いた露光技術であるＥＵＶリソグラフィが有望視されている。本明細書において、ＥＵＶ光とは、軟Ｘ線領域または真空紫外線領域の波長の光線を指し、具体的には波長１０〜２０ｎｍ程度、特に１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【０００３】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすく、かつこの波長で物質の屈折率が１に近いため、従来の可視光または紫外光を用いたフォトリソグラフィのような屈折光学系を使用できない。このため、ＥＵＶ光リソグラフィでは、反射光学系、すなわち反射型フォトマスクとミラーとが用いられる。
【０００４】
マスクブランクは、フォトマスク製造に用いられるパターニング前の積層体である。ＥＵＶＬ用マスクブランクの場合、ガラス等の基板上にＥＵＶ光を反射する反射層と、ＥＵＶ光を吸収する吸収層とがこの順で形成された構造を有している。
上記反射層と吸収層の間には、通常、保護層が形成される。該保護層は、吸収層にパターン形成する目的で実施されるエッチングプロセスによって反射層がダメージを受けないように、該反射層を保護する目的で設けられる。
【０００５】
反射層としては、ＥＵＶ光に対して低屈折率を示す層であるモリブデン（Ｍｏ）層とＥＵＶ光に対して高屈折率を示す層であるケイ素（Ｓｉ）層とを交互に積層することで、ＥＵＶ光を層表面に照射した際の光線反射率が高められたＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が通常使用される。
吸収層には、ＥＵＶ光に対する吸収係数の高い材料、具体的にはたとえば、クロム（Ｃｒ）やタンタル（Ｔａ）を主成分とする材料が用いられる。
【０００６】
ＥＵＶリソグラフィに使用する露光装置の高ＮＡ（開口数）化に伴い、反射光学系で使用するミラー表面における反射率の入射角度依存性が問題となっている（特許文献１参照）。
このような反射率の入射角度依存性は、反射型フォトマスクおよびそれの前駆体であるマスクブランクにおいても問題となる。
たとえば、ＮＡが現行の０．３３から０．４５の仕様となった場合、ＥＵＶ光の入射角度θは±１１°から±１５°まで拡張させて反射率特性を満足することが必要となる。この場合に要求される反射率特性の指標は未だ提示されていないが、少なくとも、波長１３．２ｎｍから１３．８ｎｍの間の一波長において、−１５°≦θ≦＋１５°の範囲全てでＥＵＶ光反射率が５０％以上は必要であり、かつ上述したθの範囲におけるＥＵＶ光反射率の変動幅が小さいことが求められる。具体的な例を挙げると、少なくとも、最小値をＲmin （％）とするとき、上述したθの範囲におけるＥＵＶ光反射率の変動幅が、Ｒmin×１／１０以内であることが求められる。
【０００７】
また、反射光学系で使用するミラーにおいても、反射層としてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜が使用されるが、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の場合、その構造に基づく内部応力によって発生する基板の変形が問題となっている（特許文献２参照）。
そして、反射層としてＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を用いた反射型フォトマスクおよびそれに用いるマスクブランクの場合、反射光学系で使用するミラーよりも高い平坦度が要求されるため、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜の内部応力によって発生する基板の変形はさらに問題となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４４６６５６６号明細書
【特許文献２】特許第４３５６６９６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、ＥＵＶＬ用マスクブランクとしての特性に優れた、具体的には、Ｍｏ／Ｓｉ多層反射膜における、ＥＵＶ光反射率の入射角度依存性、および、膜応力が改善された、ＥＵＶＬ用マスクブランク、および、該マスクブランク用反射層付基板の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した目的を達成するため、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層を形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射層付基板であって、
前記反射層は、前記基板上に、Ｍｏ層とＳｉ層とが交互に複数回積層された第２の多層反射膜と、
前記第２の多層反射膜上に積層された調整層と、
前記調整層上に、Ｍｏ層とＳｉ層とが交互に複数回積層された第１の多層反射膜と、を有し、
前記第１の多層反射膜は、隣り合う１組の、Ｍｏ層とＳｉ層との合計膜厚である第１の周期長ｄ1が、６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍの関係で、２０〜３６組積層され、
前記調整層は、Ｍｏ層とＳｉ層とが１組以上交互に積層され、隣り合うＭｏ層とＳｉ層の合計膜厚ｄ3が、ｄ3≦０．８ｄ1、または、１．２ｄ1≦ｄ3を満たし、かつ、調整層全体の膜厚Ｌが、（０．３＋ｉ）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋ｉ）ｄ1（ただし、ｉは０以上の整数）であり、
前記第２の多層反射膜は、隣り合う１組の、Ｍｏ層とＳｉ層との合計膜厚である第２の周期長ｄ2が、０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1の関係で、３〜３１組積層され、
前記第１の周期長ｄ1に対する、前記第１の多層反射膜におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．２５〜０．５５であり、
前記第２の周期長ｄ2に対する、前記第２の多層反射膜におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．２５〜０．５５であり、
前記反射層の全膜厚が６００ｎｍ以下である、ＥＵＶＬ用反射層付基板を提供する。
【００１１】
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板において、前記反射層の全膜厚が４００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１２】
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板において、前記第１の周期長ｄ1と前記第２の周期長ｄ2が実質的に等しいことが好ましい。
【００１３】
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板において、前記第３の周期長ｄ3に対する、前記調整層におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．３〜０．７であることが好ましい。
【００１４】
また、本発明は、基板上にＥＵＶ光を反射する反射層が形成され、前記反射層上にＥＵＶ光を吸収する吸収層が形成されたＥＵＶリソグラフィ（ＥＵＶＬ）用反射型マスクブランクであって、
前記反射層は、前記基板上に、第２の低屈折率層と第２の高屈折率層とが交互に複数回積層された第２の多層反射膜と、
前記第２の多層反射膜上に積層された調整層と、
前記調整層上に、Ｍｏ層とＳｉ層とが交互に複数回積層された第１の多層反射膜と、を有し、
前記第１の多層反射膜は、隣り合う１組の、Ｍｏ層とＳｉ層との合計膜厚である第１の周期長ｄ1が、６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍの関係で、２０〜３６組積層され、
前記調整層は、Ｍｏ層とＳｉ層とが１組以上交互に積層され、隣り合うＭｏ層とＳｉ層の合計膜厚ｄ3が、ｄ3≦０．８ｄ1、または、１．２ｄ1≦ｄ3を満たし、かつ、調整層全体の膜厚Ｌが、（０．３＋ｉ）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋ｉ）ｄ1（ただし、ｉは０以上の整数）であり、
前記第２の多層反射膜は、隣り合う１組の、Ｍｏ層とＳｉ層との合計膜厚である第２の周期長ｄ2が、０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1の関係で、３〜３１組積層され、
前記第１の周期長ｄ1に対する、前記第１の多層反射膜におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．２５〜０．５５であり、
前記第２の周期長ｄ2に対する、前記第２の多層反射膜におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．２５〜０．５５であり、
前記反射層の全膜厚が６００ｎｍ以下である、ＥＵＶＬ用反射型マスクブランクを提供する。
【００１５】
本発明のＥＵＶＬ用マスクブランクにおいて、前記反射層の全膜厚が４００ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１６】
本発明のＥＵＶＬ用マスクブランクにおいて、前記第１の周期長ｄ1と前記第２の周期長ｄ2が実質的に等しいことが好ましい。
【００１７】
本発明のＥＵＶＬ用マスクブランクにおいて、前記第３の周期長ｄ3に対する、前記調整層におけるＭｏ層の膜厚の比が、０．３〜０．７であることが好ましい。
【００１８】
本発明のＥＵＶＬ用マスクブランクにおいて、前記反射層と前記吸収層との間に、前記反射層の保護層を有していてもよい。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、反射層におけるＥＵＶ光反射率の入射角度依存性が改善される。ＥＵＶ光の入射角度θが、−１５°≦θ≦＋１５°の範囲でＥＵＶ光反射率が５０％以上であり、かつ、上記したθの範囲におけるＥＵＶ光反射率の変動幅が、Ｒmin×１／１０以内である。このため、ＮＡが０．４５の露光装置にも適用できる。
また、反射層における膜応力が低減される。具体的には、反射層における膜応力の絶対値が４５０ＭＰａ以下となる。この結果、膜応力による反りが低減され、ＥＵＶＬ用マスクブランクの平坦度が向上する。
また、反射層の薄膜化により、ＥＵＶＬ用マスクブランク製造時のスループットを向上させる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の一構成例を示した概略断面図である。
【図２】図２は、本発明のＥＵＶＬ用マスクブランクの一構成例を示した概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して本発明を説明する。
図１は、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板の一構成例を示した概略断面図である。
図１に示すＥＵＶＬ用反射層付基板１では、基板１０上にＥＵＶ光を反射する反射層２０が形成されている。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板１は、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層２０表面に照射した際のＥＵＶ光反射率が以下に示す条件を満たす。
反射層２０表面に対して、鉛直方向の角度を０°とするとき、ＥＵＶ光の入射角度θが、−１５°≦θ≦＋１５°の範囲で、ＥＵＶ光反射率が５０％以上であり、かつ、上記したθの範囲におけるＥＵＶ光反射率の最小値をＲmin（％）とするとき、上記したθの範囲におけるＥＵＶ光反射率の変動幅が、Ｒmin×１／１０以内である。
なお、ＥＵＶ光の入射角度θの０°近傍、具体的には、−１°≦θ≦＋１°の範囲は、ＥＵＶ光反射率の計測時に影となり、ＥＵＶ光反射率を正確に測定することが困難な場合がある。このような場合、他の入射角度で測定した反射スペクトルに近いシミュレーション結果を得られる膜構造モデルを求め、その構造モデルを用いて反射スペクトルを計算し、補完すればよい。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板１は、上記したθの範囲におけるＥＵＶ光反射率は、５２％以上が好ましく、５４％以上がより好ましい。
また、上記したθの範囲におけるＥＵＶ光反射率の変動幅は、Ｒmin×０．０８以内が好ましく、Ｒmin×０．０６以内がより好ましい。
【００２２】
上記のＥＵＶ光反射率に関する条件を満たすため、本発明における反射層２０は、基板１０側から、第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１で構成されている。
【００２３】
第１の多層反射膜２１では、Ｍｏ層とＳｉ層とが交互に複数回積層されており、主として、ＥＵＶ光の波長領域の光線を反射層２０表面に照射した際の高ＥＵＶ光反射率の実現に寄与する。第１の多層反射膜２１では、積層回数を増やすことで反射率を高くできる一方で、反射スペクトルの半価幅および高ＥＵＶ反射率の実現を維持できる入射角度の幅が狭くなる。
【００２４】
第１の多層反射膜２１は、隣り合う１組のＭｏ層とＳｉ層との合計膜厚である第１の周期長ｄ1が、６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍの関係であり、該第１の周期長ｄ1に対するＭｏ層の膜厚の比が０．２５〜０．５５の関係にあるとよい。
ｄ1、および、ｄ1に対するＭｏ層の膜厚の比を上記の範囲とするのは、高ＥＵＶ光反射率を実現するために必要だからである。
【００２５】
ｄ1が６．８ｎｍ未満だと、高い反射率を有する波長域が、ＥＵＶ光とする波長領域の下限、つまり、１３．５−０．３ｎｍを下回る点で問題となる。
一方、ｄ1が７．２ｎｍ超だと、高い反射率を有する波長域が、ＥＵＶ光とする波長領域の上限、つまり、１３．５＋０．３ｎｍを上回る点で問題となる。
【００２６】
また、ｄ1に対するＭｏ層の膜厚の比が０．２５未満だと、Ｍｏ層とＳｉ層との界面に形成されるＭｏとＳｉとの混合層が厚くなり、屈折率変化がなだらかとなるため反射率が低下する点で問題となる。
一方、ｄ1に対するＭｏ層の膜厚の比が０．５５超だと、ＭｏがＳｉより大きな消衰係数であるため反射率が低下する点で問題となる。
また、ｄ1に対するＭｏ層の膜厚の比は、０．３〜０．５が好ましく、０．３５〜０．４５がより好ましい。
【００２７】
第１の多層反射膜２１では、Ｍｏ層とＳｉ層とが２０〜３６組積層される。以下、本明細書において、組数といった場合、Ｍｏ層とＳｉ層との繰り返し単位数を指す。
第１の多層反射膜２１における組数が２０未満だと、ＥＵＶ光反射率の最大値が５０％に届かなくなる点で問題となる。
一方、第１の多層反射膜２１における組数が３６超だと、ＥＵＶ光反射率の最大値を大きくできる一方で、波長に対しても入射角度に対しても反射率分布が狭くなるため、所望の入射角度範囲で高い反射率を得られなくなる点で問題となる。
【００２８】
第２の多層反射膜２２では、Ｍｏ層とＳｉ層とが交互に複数回積層されており、後述する第２の周期長ｄ2をｄ1と等しく、もしくは近づけることで、調整層２３を介して第１の多層反射膜２１と光学的な影響を及ぼしあう。後述する調整層２３全体の膜厚Ｌがｄ1の整数倍に近いほど反射光は強め合い、Ｌがｄ1の（整数＋０．５）倍に近いほど反射光は弱め合い、ＥＵＶ光反射率の入射角度依存性の改善に寄与する。具体的には、反射光の位相をずらして干渉させることにより、ＥＵＶ光反射率のピーク値を低くするともに、ピーク値を示す波長に対し、その周辺波長で入射するＥＵＶ光反射率を高めるように寄与する。これにより、広い波長域で反射率が均一化される。この結果、広い入射角度で反射率が均一化され、ＥＵＶ光反射率の入射角度依存性が改善される。本明細書において「ＥＵＶ光反射率の入射角度依存性の改善」とは、上記のように、広い入射角度でＥＵＶ光反射率の変動を小さくする効果を表す、という意味で用いる。
【００２９】
第２の多層反射膜２２は、隣り合う１組のＭｏ層とＳｉ層との合計膜厚である第２の周期長ｄ2が、上記したｄ1に対し、０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1の関係で、該第２の周期長ｄ2に対するＭｏ層の膜厚の比が０．２５〜０．５５の関係にあるとよい。
ｄ2を上記の範囲とするのは、所望のＥＵＶ光反射率特性を得るにあたり、後述する調整層２３ほどではないものの、多少の影響を与えることのできる範囲だからである。また、ｄ2に対するＭｏ層の膜厚の比を上記の範囲とするのは、高ＥＵＶ光反射率を実現するために必要だからである。
【００３０】
ｄ2が０．９ｄ1未満、もしくは、ｄ2が１．１ｄ1超だと、第１の多層反射膜２１および第２の多層反射膜２２で反射できる波長域が重ならなくなり、干渉が起こらなくなる点が、ＥＵＶ光反射率の入射角度依存性を改善する上で問題となる。
ｄ2は、０．９５ｄ1≦ｄ2≦１．０５ｄ1の関係が好ましく、ｄ1とｄ2とが実質的に等しいことがより好ましい。
【００３１】
また、ｄ2に対するＭｏ層の膜厚の比が０．２５未満だと、Ｍｏ層とＳｉ層との界面に形成されるＭｏとＳｉとの混合層が厚くなり、屈折率変化がなだらかとなるためＥＵＶ光反射率が低下する点で問題となる。
一方、ｄ2に対するＭｏ層の膜厚の比が０．５５超だと、ＭｏがＳｉより大きな消衰係数であるため反射率が低下する点で問題となる。
また、ｄ2に対するＭｏ層の膜厚の比は、０．３〜０．５が好ましく、０．３５〜０．４５がより好ましい。
【００３２】
第２の多層反射膜２２では、Ｍｏ層とＳｉ層とが３〜３１組積層される。
第２の多層反射膜２２における組数が３未満だと、反射率均一化、つまり、ＥＵＶ光反射率の入射角度依存性を改善（小さく）すること、の効果が不十分である点で問題となる。
一方、第２の多層反射膜２２における組数が３１超だとＥＵＶ光反射率のピーク値を過剰に低減してしまう点で問題となる。
【００３３】
調整層２３では、Ｍｏ層とＳｉ層とが１組以上交互に積層され、ＥＵＶ光反射率の入射角度依存性の改善、および、反射層２０における膜応力の低減に寄与する。
既存の、ＮＡ０．３３における反射層として、Ａｒをスパッタリングガスとするイオンビームスパッタリング法により、典型的に４０組のＭｏ／Ｓｉ多層反射膜を形成した際に発生する膜応力の絶対値は４５０ＭＰａ超である。そのため、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板１は、少なくとも、反射層２０における膜応力の絶対値が４５０Ｍｐａ以下となるように構成されるものである。
ＥＵＶＬ用反射層付基板１を用いて作製されるＥＵＶＬ用マスクブランクは、反射層２０以外に吸収層をはじめとする種々の機能膜が形成されるが、その中でも反射層２０は、ＥＵＶＬ用マスクブランク全体の膜応力の大小に寄与しやすい。そのため、反射層２０の膜応力を低減することで、ＥＵＶＬ用マスクブランク全体の平坦度向上が期待できる。
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板１は、反射層２０に起因する膜応力を小さくするという目的で、該膜応力の絶対値が４４０ＭＰａ以下であることが好ましく、４３０ＭＰａ以下であることがより好ましい。なお、特許文献２に明示されるＭｏ／Ｓｉ多層反射鏡の構成に基づき、膜応力の絶対値を小さくすることのみに着目すると、例えば、４３０ＭＰａ以下を達成することも可能である。しかし、例えば、特許文献２の構成に基づき、本発明の構成を組み合わせることで更なる低応力化を達成することも可能である。
【００３４】
調整層２３は、隣り合うＭｏ層とＳｉ層の合計膜厚ｄ3が、上記したｄ1に対し、ｄ3≦０．８ｄ1、または、１．２ｄ1≦ｄ3を満たし、かつ、調整層２３全体の膜厚Ｌが、上記したｄ1に対し、（０．３＋ｉ）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋ｉ）ｄ1（ただし、ｉは０以上の整数）の関係を満たすとよい。なお、隣り合うＭｏ層とＳｉ層の合計膜厚ｄ3は、第３の周期長とも言うが、第３の周期長の繰り返し単位数が１の場合、ｄ3＝Ｌとなる。
ｄ3、および、Ｌを上記の範囲とするのは、ＥＵＶ光反射率の入射角度依存性の改善、および、反射層２０における膜応力の低減に必要となるためである。
【００３５】
０．８ｄ1＜ｄ3＜１．２ｄ1だと、調整層２３自体が第１の多層反射膜２１と干渉し合う波長特性を有してしまい、所望の反射率特性を得られない点で問題となる。
また、ｄ3が、ｄ3≦０．７５ｄ1、または、１．２５ｄ1≦ｄ3を満たすことが好ましく、ｄ3≦０．７ｄ1、または、１．３ｄ1≦ｄ3を満たすことがより好ましい。
【００３６】
Ｌ＜（０．３＋ｉ）ｄ1、または、Ｌ＞（０．７＋ｉ）ｄ1だと、第１の多層反射膜２１と第２の多層反射膜２２の間に適切な位相の変化を与えることができない点で問題となる。
また、Ｌが、（０．３５＋ｉ）ｄ1≦Ｌ≦（０．６５＋ｉ）ｄ1の関係を満たすことが好ましく、（０．４＋ｉ）ｄ1≦Ｌ≦（０．６＋ｉ）ｄ1の関係を満たすことがより好ましい。
【００３７】
上記したｄ1と、Ｌと、の関係式において、ｉは後述する反射層２０の合計膜厚に関する条件を満たす限り、０以上の整数から適宜選択できる。
但し、Ｌはｄ3の整数倍として制御される数値であり、ｉが大きくなると若干のｄ3の変動に対しＬが大きく変動し、Ｌを所望の値に制御することが困難となるため、現実的には、ｉは０以上５以下の整数が好ましく、０以上４以下の整数がより好ましい。
【００３８】
調整層２３において、第３の周期長ｄ3に対するＭｏ層の膜厚の比が０．２５〜０．７５であることが、反射層２０の膜応力を低減するうえで好ましい。
また、調整層２３において、ｄ3に対するＭｏ層の膜厚の比は、０．３〜０．７が好ましく、０．３５〜０．６５がより好ましい。
【００３９】
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板１において、反射層２０の全膜厚が６００ｎｍ以下である。
反射層２０の全膜厚が６００ｎｍ超だと、本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板を用いて作製されるＥＵＶＬ用マスクブランクにおける、膜応力による反り量を１μｍ以下に抑えることが現実的に困難である点で問題となる。反射層２０の全膜厚は、４００ｎｍ以下が好ましく、３００ｎｍ以下がより好ましい。なお、基板の反り量は、レーザ干渉計で形状を測定し、測定領域の基板面の全データの最小二乗法によって算出した仮想平面を基準面として、測定領域での正の最大値と負の最小値の差により算出できる。
【００４０】
本発明において、第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を構成する各層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など、周知の成膜方法を用いて所望の厚さになるように成膜すればよい。例えば、イオンビームスパッタリング法を用いて、第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を形成する場合、ターゲットとしてＭｏターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで所定の厚さとなるようにＭｏ層を成膜し、次に、ターゲットとしてＳｉターゲットを用い、スパッタリングガスとしてＡｒガス（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）を使用して、イオン加速電圧３００〜１５００Ｖ、成膜速度０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃで所定の厚さとなるようにＳｉ層を成膜することが好ましい。これを１周期として、Ｍｏ層およびＳｉ層を、反射層２０を構成する各部位について所定の組数積層させることにより、第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１が成膜される。
【００４１】
本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板１の他の構成要素について以下に説明する。
【００４２】
基板１０は、ＥＵＶＬ用マスクブランク用の基板としての特性を満たすことが要求される。
そのため、基板１０は、低熱膨張係数（０±１．０×１０-7／℃が好ましく、より好ましくは０±０．３×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．２×１０-7／℃、さらに好ましくは０±０．１×１０-7／℃、特に好ましくは０±０．０５×１０-7／℃）を有し、平滑性、平坦度、およびマスクブランクまたはパターン形成後のフォトマスクの洗浄等に用いる洗浄液への耐性に優れたものが好ましい。基板１０としては、具体的には低熱膨張係数を有するガラス、例えば、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラス等を用いるが、これに限定されず、β石英固溶体を析出した結晶化ガラスや石英ガラスやシリコンや金属などの基板も使用できる。また、基板１０上に応力補正膜のような膜を形成してもよい。
基板１０は、０．１５ｎｍ  ｒｍｓ以下の平滑な表面と１００ｎｍ以下の平坦度を有していることが、パターン形成後のフォトマスクにおいて高反射率および転写精度が得られるために好ましい。
基板１０の大きさや厚さなどはマスクの設計値等により適宜決定される。後で示す実施例では、外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角で、厚さ０．２５インチ（６．３ｍｍ）のＳｉＯ2−ＴｉＯ2系ガラスを用いた。
基板１０の成膜面、つまり、反射層２０が形成される側の表面には欠点が存在しないことが好ましい。しかし、存在している場合であっても、凹状欠点および／または凸状欠点によって位相欠点が生じないように、凹状欠点の深さおよび凸状欠点の高さが２ｎｍ以下であり、かつこれら凹状欠点および凸状欠点の半値幅は、６０ｎｍ以下が好ましい。
【００４３】
次に、本発明のＥＵＶＬ用マスクブランクについて記載する。
図２は、本発明のＥＵＶＬ用マスクブランクの一構成例を示した概略断面図である。
図から明らかなように、本発明のＥＵＶＬ用マスクブランク２は、図１に示した本発明のＥＵＶＬ用反射層付基板１の反射層２０上に、ＥＵＶ光を吸収する吸収層３０を形成したものである。
【００４４】
吸収層３０に特に要求される特性は、ＥＵＶ光反射率が極めて低いことである。具体的には、ＥＵＶ光の波長領域の光線を吸収層３０表面に照射した際の、波長１３．５ｎｍ付近の最大反射率は、０．５％以下が好ましく、０．１％以下がより好ましい。
上記の特性を達成するため、ＥＵＶ光の吸収係数が高い材料で構成されることが好ましく、少なくともＴａおよびＮを含有する層であることが好ましい。
ＴａおよびＮを含有する層としては、ＴａＮ、ＴａＮＨ、ＴａＢＮ、ＴａＧａＮ、ＴａＧｅＮ、ＴａＳｉＮ、ＴａＢＳｉＮ、および、ＰｄＴａＮからなる群から選択されるいずれか１つを用いることが好ましい。これらの吸収層の好適組成の一例を挙げると以下のとおりである。
【００４５】
ＴａＮ層
Ｔａの含有率：好ましくは３０〜９０ａｔ％、より好ましくは４０〜８０ａｔ％、さらに好ましくは４０〜７０ａｔ％、特に好ましくは５０〜７０ａｔ％
Ｎの含有率：好ましくは１０〜７０ａｔ％、より好ましくは２０〜６０ａｔ％、さらに好ましくは３０〜６０ａｔ％、特に好ましくは３０〜５０ａｔ％
【００４６】
ＴａＮＨ層
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは５０〜９９．９ａｔ％、より好ましくは９０〜９８ａｔ％、さらに好ましくは９５〜９８ａｔ％
Ｈの含有率：好ましくは０．１〜５０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％、さらに好ましくは２〜５ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは９：１〜３：７、より好ましくは７：３〜４：６、さらに好ましくは７：３〜５：５
【００４７】
ＴａＢＮ層
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは７５〜９５ａｔ％、より好ましくは８５〜９５ａｔ％、さらに好ましくは９０〜９５ａｔ％
Ｂの含有率：好ましくは５〜２５ａｔ％、より好ましくは５〜１５ａｔ％、さらに好ましくは５〜１０ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは９：１〜３：７、より好ましくは７：３〜４：６、さらに好ましくは７：３〜５：５
【００４８】
ＴａＢＳｉＮ層
Ｂの含有率：１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率：１〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１２ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：８：１〜１：１
Ｔａの含有率：好ましくは５０〜９０ａｔ％、より好ましくは６０〜８０ａｔ％
Ｎの含有率：好ましくは５〜３０ａｔ％、より好ましくは１０〜２５ａｔ％
【００４９】
ＰｄＴａＮ層
ＴａおよびＮの合計含有率：好ましくは３０〜８０ａｔ％、より好ましくは３０〜７５ａｔ％、さらに好ましくは３０〜７０ａｔ％
Ｐｄの含有率：好ましくは２０〜７０ａｔ％、より好ましくは２５〜７０ａｔ％、さらに好ましくは３０〜７０ａｔ％
ＴａとＮとの組成比（Ｔａ：Ｎ）：好ましくは１：７〜３：１、より好ましくは１：３〜３：１、さらに好ましくは３：５〜３：１
【００５０】
また、吸収層３０の厚さは、３０〜１００ｎｍの範囲が好ましい。本発明における吸収層３０は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法などの成膜方法を用いて形成できる。
【００５１】
本発明のＥＵＶＬ用マスクブランク２において、反射層２０と吸収層３０との間に、吸収層３０へのパターン形成時に反射層２０を保護するための（不図示の）保護層を形成してもよい。
この保護層は、エッチングプロセス、具体的には、エッチングガスとして塩素系ガスを用いたドライエッチングプロセスにより吸収層３０にパターン形成する際に、反射層２０がエッチングプロセスによるダメージを受けないよう反射層２０を保護する目的で設けられる。したがって保護層の材質としては、吸収層３０のエッチングプロセスによる影響を受けにくい、つまりこのエッチング速度が吸収層３０よりも遅く、しかもこのエッチングプロセスによるダメージを受けにくい物質が選択される。
また、保護層は、保護層を形成した後であっても反射層２０でのＥＵＶ光反射率を損なうことがないように、保護層自体もＥＵＶ光反射率が高いことが好ましい。
上記の条件を満足するため保護層としては、Ｒｕ層、または、Ｒｕ化合物層が例示される。Ｒｕ化合物層としては、ＲｕＢ、ＲｕＮｂ、および、ＲｕＺｒからなる少なくとも１種で構成されることが好ましい。保護層がＲｕ化合物層である場合、Ｒｕの含有率は５０ａｔ％以上、８０ａｔ％以上、特に９０ａｔ％以上が好ましい。但し、保護層がＲｕＮｂ層の場合、保護層中のＮｂの含有率が５〜４０ａｔ％、特に５〜３０ａｔ％が好ましい。
【００５２】
保護層の厚さは、１〜１０ｎｍの範囲が、ＥＵＶ光反射率を高め、かつ耐エッチング特性を得られるという理由から好ましい。保護層の厚さは、１〜５ｎｍの範囲がより好ましく、２〜４ｎｍの範囲がさらに好ましい。
【００５３】
保護層は、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法など周知の成膜方法を用いて成膜できる。
イオンビームスパッタリング法を用いて、保護層としてＲｕ層を形成する場合、ターゲットとしてＲｕターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）雰囲気中で放電させればよい。
具体的には、以下の条件でイオンビームスパッタリングを実施すればよい。
スパッタリングガス：Ａｒ（ガス圧１．３×１０-2Ｐａ〜２．７×１０-2Ｐａ）
イオン加速電圧：３００〜１５００Ｖ
成膜速度：０．０３〜０．３０ｎｍ／ｓｅｃ
【００５４】
本発明のＥＵＶＬ用マスクブランク２において、吸収層３０上にマスクパターンの検査に使用する検査光における（不図示の）低反射層を形成してもよい。
ＥＵＶマスクを作製する際、吸収層にパターンを形成した後、このパターンが設計とおりに形成されているかどうか検査する。このマスクパターンの検査では、検査光として２５７ｎｍ程度の光を使用した検査機が使用される場合がある。つまり、この２５７ｎｍ程度の光の反射率の差、具体的には、吸収層３０がパターン形成により除去されて露出した面と、パターン形成により除去されずに残った吸収層３０表面と、の反射率の差によって検査される。ここで、前者は反射層２０表面であり、反射層２０上に保護層が形成されている場合は保護層表面である。したがって、検査光の波長に対する反射層２０表面（反射層２０上に保護層が形成されている場合は保護層表面）と吸収層３０表面との反射率の差が小さいと検査時のコントラストが悪くなり、正確な検査ができないことになる。
【００５５】
本発明における吸収層３０は、ＥＵＶ光反射率が極めて低く、ＥＵＶＬ用マスクブランクの吸収層として優れた特性を有しているが、検査光の波長について見た場合、反射率が必ずしも十分低いとは言えない。この結果、検査光の波長での吸収層３０表面の反射率と反射層２０表面（反射層２０上に保護層が形成されている場合は保護層表面）の反射率との差が小さくなり、検査時のコントラストが十分得られないおそれがある。検査時のコントラストが十分得られないと、マスク検査においてパターンの欠陥を十分判別できず、正確な欠陥検査を行えない場合がある。
そこで、吸収層３０上に低反射層を形成することにより、検査時のコントラストが良好となる。別の言い方をすると、検査光の波長での反射率が極めて低くなる。このような目的で形成する低反射層は、検査光の波長領域の光線を照射した際の、該検査光の波長の最大反射率は、１５％以下が好ましく、１０％以下がより好ましく、５％以下がさらに好ましい。
低反射層における検査光の波長の反射率が１５％以下であれば、該検査時のコントラストが良好である。具体的には、反射層２０表面（反射層２０上に保護層が形成されている場合は保護層表面）における検査光の波長の反射光と、低反射層表面における検査光の波長の反射光と、のコントラストが、４０％以上となる。
【００５６】
本明細書において、コントラストは下記式を用いて求められる。
コントラスト（％）＝（（Ｒ2−Ｒ1）／（Ｒ2＋Ｒ1））×１００
ここで、検査光の波長におけるＲ2は反射層２０表面（反射層２０上に保護層が形成されている場合は保護層表面）での反射率であり、Ｒ1は吸収層３０表面（吸収層３０上に低反射層が形成されている場合は低反射層表面）での反射率である。
本発明において、上記式で表されるコントラストは、４５％以上がより好ましく、６０％以上がさらに好ましく、８０％以上が特に好ましい。
【００５７】
低反射層は、上記の特性を達成するため、検査光の波長の屈折率が吸収層３０よりも低い材料で構成されることが好ましい。
このような低反射層の具体例としては、Ｔａおよび酸素を主成分とする層が好ましく、特に、ＴａＯＮ、ＴａＢＯＮ、または、ＴａＧｅＯＮを主成分とする層が例示される。他の例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉおよび酸素（Ｏ）を以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯ））が挙げられる。
Ｂの含有率：１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは１．５〜４ａｔ％
Ｓｉの含有率：１〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％
ＴａとＯとの組成比（Ｔａ：Ｏ）：７：２〜１：２、好ましくは７：２〜１：１、より好ましくは２：１〜１：１
【００５８】
また、低反射層の具体例としては、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＮを以下に述べる比率で含有するもの（低反射層（ＴａＢＳｉＯＮ））が挙げられる。
Ｂの含有率：１ａｔ％以上５ａｔ％未満、好ましくは１〜４．５ａｔ％、より好ましくは２〜４．０ａｔ％
Ｓｉの含有率：１〜２５ａｔ％、好ましくは１〜２０ａｔ％、より好ましくは２〜１０ａｔ％
ＴａとＯ及びＮの組成比（Ｔａ：（Ｏ＋Ｎ））：７：２〜１：２、好ましくは７：２〜１：１、より好ましくは２：１〜１：１
【００５９】
さらに、低反射層の他の例としては、Ｔａ、ＯおよびＨを少なくとも含有する材料であってもよい。そして、Ｔａ、ＯおよびＨを少なくとも含有する具体例としては、ＴａＯＨ膜、Ｔａ、Ｏ、ＮおよびＨを含有するＴａＯＮＨ膜、Ｔａ、Ｂ、Ｏ、ＮおよびＨを含有するＴａＢＯＮＨ膜、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、ＯおよびＨを含有するＴａＢＳｉＯＨ膜、Ｔａ、Ｂ、Ｓｉ、Ｏ、ＮおよびＨを含有するＴａＢＳｉＯＮＨ膜、Ｔａ、Ｇｅ、Ｏ、ＮおよびＨを含有するＴａＧｅＯＮＨ膜が挙げられる。
【００６０】
吸収層３０上に低反射層を形成する場合、吸収層２０と低反射層との合計厚さは、３５〜１３０ｎｍの範囲が好ましい。また、低反射層の厚さが吸収層３０の厚さよりも大きいと、吸収層３０でのＥＵＶ光吸収特性が低下するおそれがあるので、低反射層の厚さは吸収層３０の厚さよりも小さいことが好ましい。このため、低反射層の厚さは５〜３０ｎｍの範囲が好ましく、１０〜２０ｎｍの範囲がより好ましい。
【００６１】
低反射層は、マグネトロンスパッタリング法やイオンビームスパッタリング法のようなスパッタリング法などの成膜方法を用いて形成できる。
【００６２】
なお、吸収層３０上に低反射層を形成することが好ましいのは、パターンの検査光の波長とＥＵＶ光の波長とが異なるからである。したがって、パターンの検査光としてＥＵＶ光（１３．５ｎｍ付近）を使用する場合、吸収層３０上に低反射層を形成する必要はないと考えられる。検査光の波長は、パターン寸法が小さくなるにともない短波長側にシフトする傾向があり、将来的には１９３ｎｍ、さらには１３．５ｎｍにシフトすることも考えられる。検査光の波長が１３．５ｎｍである場合、吸収層３０上に低反射層を形成する必要はないと考えられる。
【００６３】
本発明のＥＵＶＬ用マスクブランク２は、上記した膜構成、すなわち、反射層２０を構成する第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１、ならびに、吸収層３０、さらには、任意の構成要素である保護層および低反射層以外に、ＥＵＶＬ用マスクブランクの分野において公知の機能膜を有していてもよい。このような機能膜の具体例としては、例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載されているように、基板の静電チャッキングを促すために、基板の裏面側に施される導電性コーティングが挙げられる。ここで、基板の裏面とは、図２の基板１０において、反射層２０が形成されている成膜面側とは反対側の面を指す。このような目的で基板の裏面に施す導電性コーティングは、シート抵抗が１００Ω／□以下となるように、構成材料の電気伝導率と厚さを選択する。導電性コーティングの構成材料としては、公知の文献に記載されているものから広く選択できる。例えば、特表２００３−５０１８２３号公報に記載の導電率のコーティング、具体的には、シリコン、ＴｉＮ、モリブデン、クロム、ＴａＳｉからなるコーティングを適用できる。導電性コーティングの厚さは、例えば１０〜１０００ｎｍの範囲とすることができる。
導電性コーティングは、公知の成膜方法、例えば、マグネトロンスパッタリング法、イオンビームスパッタリング法といったスパッタリング法、ＣＶＤ法、真空蒸着法、電解メッキ法を用いて形成できる。
【００６４】
本発明のＥＵＶＬ用マスクブランク２の吸収層３０（吸収層３０上に低反射層が形成されている場合は、吸収層および低反射層）を少なくともパターニングすることで、ＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスクが得られる。吸収層３０（吸収層３０上に低反射層が形成されている場合は、吸収層３０および低反射層）のパターニング方法は特に限定されず、例えば、吸収層３０（吸収層３０上に低反射層が形成されている場合は、吸収層３０および低反射層）上にレジストを塗布してレジストパターンを形成し、これをマスクとして吸収層３０（吸収層３０上に低反射層が形成されている場合は、吸収層３０および低反射層）をエッチングする方法が採用できる。レジストの材料やレジストパターンの描画法は、吸収層３０（吸収層３０上に低反射層が形成されている場合は、吸収層３０および低反射層）の材質等を考慮して適宜選択すればよい。吸収層３０（吸収層３０上に低反射層が形成されている場合は、吸収層３０および低反射層）のエッチング方法としては、エッチングガスとして塩素系ガスを用いたドライエッチングを用いる。吸収層３０（吸収層３０上に低反射層が形成されている場合は、吸収層３０および低反射層）をパターニングした後、レジストを剥離液で剥離することにより、ＥＵＶリソグラフィ用の反射型マスク（ＥＵＶマスク）が得られる。
【００６５】
上記の手順で得られるＥＵＶマスクを用いた半導体集積回路の製造方法について説明する。この方法は、ＥＵＶ光を露光用光源として用いるフォトリソグラフィ法による半導体集積回路の製造方法に適用できる。具体的には、レジストを塗布したシリコンウェハ等の基板をステージ上に配置し、反射鏡を組み合わせて構成した反射型の露光装置に上記ＥＵＶマスクを設置する。そして、ＥＵＶ光を光源から反射鏡を介してＥＵＶマスクに照射し、ＥＵＶ光をＥＵＶマスクによって反射させてレジストが塗布された基板に照射する。このパターン転写工程により、回路パターンが基板上に転写される。回路パターンが転写された基板は、現像によって感光部分または非感光部分をエッチングした後、レジストを剥離する。半導体集積回路は、このような工程を繰り返すことで製造される。
【実施例】
【００６６】
以下、実施例を用いて本発明をさらに説明する。
（実施例１）
本実施例では、図１に示すＥＵＶＬ用反射層付基板１を作製した。
成膜用の基板１０として、ＳｉＯ2−ＴｉＯ2系のガラス基板（外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角、厚さが６．３ｍｍ）を使用した。このガラス基板の熱膨張係数は０．０５×１０-7／℃、ヤング率は６７ＧＰａ、ポアソン比は０．１７、比剛性は３．０７×１０7ｍ2／ｓ2である。このガラス基板を研磨により、反射層を形成する主表面側について、表面粗さｒｍｓが０．１５ｎｍ以下の平滑な表面と、１００ｎｍ以下の平坦度に形成した。
【００６７】
基板１０の裏面側には、マグネトロンスパッタリング法を用いて厚さ１００ｎｍのＣｒ膜を成膜することによって、シート抵抗１００Ω／□の導電性コーティング（図示していない）を施した。
平板形状をした通常の静電チャックに、形成したＣｒ膜を用いて基板１０（外形６インチ（１５２．４ｍｍ）角、厚さ６．３ｍｍ）を固定して、該基板１０の表面上にイオンビームスパッタリング法を用いてＭｏ層を、次いでＳｉ層を交互に成膜することを、所定組数繰り返すことにより、反射層２０を構成する第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１（下記）を形成した。
【００６８】
Ｍｏ層およびＳｉ層の成膜条件は以下のとおりである。
（Ｍｏ層の成膜条件）
・ターゲット：Ｍｏターゲット
・スパッタリングガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
・電圧：７００Ｖ
・成膜速度：０．０６４ｎｍ／ｓｅｃ
（Ｓｉ層の成膜条件）
・ターゲット：Ｓｉターゲット（ホウ素ドープ）
・スパッタガス：Ａｒガス（ガス圧：０．０２Ｐａ）
・電圧：７００Ｖ
・成膜速度：０．０７７ｎｍ／ｓｅｃ
【００６９】
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：７０ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．６ｎｍ
Ｓｉ層：２．４ｎｍ
第３の周期長ｄ3：４ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：８
合計膜厚Ｌ：３２ｎｍ（ｉ＝４として、（０．３＋４）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋４）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：２１０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：３１２ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
【００７０】
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、ＥＵＶ光反射率の計算と、ＫＬＡ−ＴＥＮＣＯＲ社製ＦＬＸ-２３２０薄膜応力測定装置を使用し反射層２０の膜応力測定を実施した。なお、膜応力測定についてはガラス基板上にシリコンウェハを貼り付けた試料にて計測した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は６９．２％であり、Ｒminは６４．０％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は５．２％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、８．３％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たす結果であった。
また、反射層２０の膜応力は−４０８ＭＰａ（膜応力の絶対値が４５０ＭＰａ以下を満たす）であった。
【００７１】
（実施例２）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：７０ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：２．４ｎｍ
Ｓｉ層：１．６ｎｍ
第３の周期長ｄ3：４ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．６（０．３〜０．７を満たす）
組数：８
合計膜厚Ｌ：３２ｎｍ（ｉ＝４として、（０．３＋４）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋４）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：２１０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：３１２ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は６８．７％であり、Ｒminは６２．９％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は５．８％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、９．２％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たす結果であった。
また、反射層２０の膜応力は−３８０ＭＰａ（膜応力の絶対値が４５０ＭＰａ以下を満たす）であった。
【００７２】
（実施例３）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：７０ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．６ｎｍ
Ｓｉ層：２．４ｎｍ
第３の周期長ｄ3：４ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：１
合計膜厚Ｌ：４ｎｍ（ｉ＝０として、（０．３＋０）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋０）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：２１０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：２８４ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は６９．０％であり、Ｒminは６４．１％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は４．９％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、７．６％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たす結果であった。
また、反射層２０の膜応力は−４１２ＭＰａ（膜応力の絶対値が４５０ＭＰａ以下を満たす）であった。
【００７３】
（比較例１）
第２の多層反射膜２２を下記とし、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を形成しなかった以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：４０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：２８０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：２８０ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は７２．９％であり、Ｒminは６１．３％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は１１．６％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、１８．９％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たさない結果であった。
また、反射層２０の膜応力は−４５０ＭＰａ（膜応力の絶対値が４５０ＭＰａ以下を満たす）であった。
【００７４】
（比較例２）
第２の多層反射膜２２、および、第１の多層反射膜２１を下記とし、調整層２３として膜厚３２ｎｍのＳｉ層（単層）を形成した以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：７０ｎｍ
調整層２３
Ｓｉ層：３２ｎｍ
第３の周期長ｄ3：３２ｎｍ（１．２ｄ1≦ｄ3を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０（０．３〜０．７を満たさない）
組数：１
合計膜厚Ｌ：３２ｎｍ（ｉ＝４として、（０．３＋４）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋４）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：２１０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：３１２ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は６９．０％であり、Ｒminは６４．１％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は４．９％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、７．６％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たす結果であった。
一方で、反射層２０の膜応力は−４８６ＭＰａであり、膜応力の絶対値が４５０ＭＰａ以下を満たさない結果であった。
【００７５】
（比較例３）
第２の多層反射膜２２、および、第１の多層反射膜２１を下記とし、調整層２３として膜厚３２ｎｍのＭｏ層を形成した以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：７０ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：３２ｎｍ
第３の周期長ｄ3：３２ｎｍ（１．２ｄ1≦ｄ3を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：１（０．３〜０．７を満たさない）
組数：１
合計膜厚Ｌ：３２ｎｍ（ｉ＝４として、（０．３＋４）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋４）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：２１０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：３１２ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は６８．５％であり、Ｒminは６３．８％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は４．７％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、７．４％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たす結果であった。
一方で、反射層２０の膜応力は−５６３ＭＰａであり、膜応力の絶対値が４５０ＭＰａ以下を満たさない結果であった。
【００７６】
（比較例４）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：２．８ｎｍ
Ｓｉ層：３．８ｎｍ
第２の周期長ｄ2：６．６ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４２（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：６６ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．６ｎｍ
Ｓｉ層：２．４ｎｍ
第３の周期長ｄ3：４ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：１
合計膜厚Ｌ：４ｎｍ（ｉ＝０として、（０．３＋０）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋０）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：２．８ｎｍ
Ｓｉ層：３．８ｎｍ
第１の周期長ｄ1：６．６ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たさない）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４２（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：１９８ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：２６８ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は２２．４％であり、ＥＵＶ光反射率が５０％未満であった。
【００７７】
（比較例５）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３．２ｎｍ
Ｓｉ層：４．２ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７．４ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：７４ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．６ｎｍ
Ｓｉ層：２．４ｎｍ
第３の周期長ｄ3：４ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：１
合計膜厚Ｌ：４ｎｍ（（０．３＋０）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋０）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３．２ｎｍ
Ｓｉ層：４．２ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７．４ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たさない）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：１９８ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：３００ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は１９．４％であり、ＥＵＶ光反射率が５０％未満であった。
【００７８】
（比較例６）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：２．６ｎｍ
Ｓｉ層：３．４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：６ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たさない）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：６０ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．６ｎｍ
Ｓｉ層：２．４ｎｍ
第３の周期長ｄ3：４ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：１
合計膜厚Ｌ：４ｎｍ（ｉ＝０として、（０．３＋０）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋０）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：２１０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：２７４ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は７０．３％であり、Ｒminは６０．５％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は９．９％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、１６．３％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たさない結果であった。
【００７９】
（比較例７）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３．４ｎｍ
Ｓｉ層：４．６ｎｍ
第２の周期長ｄ2：８ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たさない）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：８０ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．６ｎｍ
Ｓｉ層：２．４ｎｍ
第３の周期長ｄ3：４ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：１
合計膜厚Ｌ：４ｎｍ（ｉ＝０として、（０．３＋０）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋０）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：２１０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：２９４ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は７０．７％であり、Ｒminは５９．９％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は１０．８％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、１８．０％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たさない結果であった。
【００８０】
（比較例８）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：７０ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．６ｎｍ
Ｓｉ層：２．４ｎｍ
第３の周期長ｄ3：４ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：２
合計膜厚Ｌ：８ｎｍ（（０．３＋ｉ）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋ｉ）ｄ1を満たさない）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：２１０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：２８８ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は７２．８％であり、Ｒminは６０．９％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は１１．９％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、１９．５％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たさない結果であった。
【００８１】
（比較例９）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：４ｎｍ
Ｓｉ層：３ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１０（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：７０ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．６ｎｍ
Ｓｉ層：２．４ｎｍ
第３の周期長ｄ3：４ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：３
合計膜厚Ｌ：１２ｎｍ（（０．３＋ｉ）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋ｉ）ｄ1を満たさない）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：４ｎｍ
Ｓｉ層：３ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：２１０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：２９２ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は７１．３％であり、Ｒminは５６．１％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は１５．２％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、２７．０％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たさない結果であった。
【００８２】
（比較例１０）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：２１ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．５ｎｍ
Ｓｉ層：２．３ｎｍ
第３の周期長ｄ3：３．８ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：１
合計膜厚Ｌ：３．８ｎｍ（ｉ＝０として、（０．３＋０）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋０）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：１９（２０〜３６組を満たさない）
合計膜厚：１３３ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：１５８ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は５４．０％であったが、Ｒminは４９．１％であり、５０％未満であった。
【００８３】
（比較例１１）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３１（３〜３１組を満たす）
合計膜厚：２１７ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．５ｎｍ
Ｓｉ層：２．３ｎｍ
第３の周期長ｄ3：３．８ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：１
合計膜厚Ｌ：３．８ｎｍ（ｉ＝０として、（０．３＋０）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋０）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３７（２０〜３６組を満たさない）
合計膜厚：２５９ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：４８０ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は７１．５％であり、Ｒminは６４．５％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は７．０％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、１０．８％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たさなかった。
【００８４】
（比較例１２）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：２（３〜３１組を満たさない）
合計膜厚：１４ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．５ｎｍ
Ｓｉ層：２．３ｎｍ
第３の周期長ｄ3：３．８ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：１
合計膜厚Ｌ：３．８ｎｍ（ｉ＝０として、（０．３＋０）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋０）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：２０（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：１４０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：１５８ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は５７．６％であり、Ｒminは５１．６％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は５．９％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、１１．５％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たさなかった。
【００８５】
（比較例１３）
第２の多層反射膜２２、調整層２３、および、第１の多層反射膜２１を下記とした以外は実施例１と同様の手順を実施した。
第２の多層反射膜２２
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第２の周期長ｄ2：７ｎｍ（０．９ｄ1≦ｄ2≦１．１ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ2：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３２（３〜３１組を満たさない）
合計膜厚：２２４ｎｍ
調整層２３
Ｍｏ層：１．５ｎｍ
Ｓｉ層：２．３ｎｍ
第３の周期長ｄ3：３．８ｎｍ（ｄ3≦０．８ｄ1を満たす）
Ｍｏ層／ｄ3：０．４（０．３〜０．７を満たす）
組数：１
合計膜厚Ｌ：３．８ｎｍ（ｉ＝０として、（０．３＋０）ｄ1≦Ｌ≦（０．７＋０）ｄ1を満たす）
第１の多層反射膜２１
Ｍｏ層：３ｎｍ
Ｓｉ層：４ｎｍ
第１の周期長ｄ1：７ｎｍ（６．８ｎｍ≦ｄ1≦７．２ｎｍを満たす）
Ｍｏ層／ｄ1：０．４３（０．２５〜０．５５を満たす）
組数：３６（２０〜３６組を満たす）
合計膜厚：１４０ｎｍ
反射層２０
合計膜厚：４８０ｎｍ（６００ｎｍ以下を満たす）
作製したＥＵＶＬ用反射層付基板１について、実施例１と同様の手順でＥＵＶ光反射率計算を実施した。
その結果、ＥＵＶ光反射率のピーク値は７１．３％であり、Ｒminは６４．８％であり、ＥＵＶ光反射率の変動幅の絶対値（ΔＲ）は６．５％であり、Ｒminを基準とする変動幅（ΔＲ／Ｒmin）は、１０．０２％であり、Ｒmin×１／１０以内を満たさなかった。
【符号の説明】
【００８６】
１：ＥＵＶＬ用反射層付基板
２：ＥＵＶＬ用マスクブランク
１０：基板
２０：反射層
２１：第１の多層反射膜
２２：第２の多層反射膜
２３：調整層
３０：吸収層
【図１】
2014160752.tif 000003
【図２】
2014160752.tif 000004