(57)【要約】【課題】積層セラミックコンデンサの外部電極を、部品本体の所定の面上に直接めっきを施すことによって形成したとき、外部電極となるめっき膜の部品本体に対する固着力が低いことがある。【解決手段】外部電極１６は、複数の内部電極４の露出部によって形成された露出部分布領域１８を覆うように、無電解めっきにより部品本体２上に直接形成された第１のめっき層２０と、電解めっきにより第１のめっき層２０を覆うように形成された第２のめっき層２１と、を含む。露出部分布領域１８の端縁から第１のめっき層２０の端縁までの距離である第１のめっき伸び量Ｅ１と、第１のめっき層２０の端縁から第２のめっき層２１の端縁までの距離である第２のめっき伸び量Ｅ２との間で、Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）≦２０％の関係が成り立つようにする。【選択図】図４
2014212298.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層された複数のセラミック層と前記セラミック層に沿って形成された複数の電極層とを備え、各前記電極層が所定の面に露出する露出部を有している、部品本体と、
各前記電極層の前記露出部に電気的に接続されるように、前記部品本体の前記所定の面上に形成された、外部電極と
を備え、
複数の前記電極層の前記露出部は、これらが集合することによって、前記所定の面上において、露出部分布領域を形成し、
前記外部電極は、
前記露出部分布領域を覆うように、無電解めっきにより前記所定の面上に直接形成された第１のめっき層と、
電解めっきにより前記第１のめっき層を覆うように形成された第２のめっき層と、
を含み、
前記露出部分布領域の端縁から前記第１のめっき層の端縁までの距離を第１のめっき伸び量とし、前記第１のめっき層の端縁から前記第２のめっき層の端縁までの距離を第２のめっき伸び量としたとき、
（第１のめっき伸び量）／｛（第１のめっき伸び量）＋（第２のめっき伸び量）｝
が２０％以下である、
積層型セラミック電子部品。
【請求項２】
前記電極層は、前記セラミック層間の界面に沿って形成された内部電極と、前記部品本体の外表面上において前記セラミック層に沿って形成された表面電極とを含む、請求項１に記載の積層型セラミック電子部品。
【請求項３】
前記第１のめっき層がＮｉ−Ｐめっき膜を含み、第１のめっき層のＰの含有率が９重量％〜１３重量％である、請求項１または２に記載の積層型セラミック電子部品。
【請求項４】
前記第２のめっき層は、複数層のめっき膜を含む、請求項１ないし３のいずれかに記載の積層型セラミック電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、積層型セラミック電子部品に関するもので、特に、セラミック層に沿って形成された内部電極のような電極層に接続される外部電極がめっき膜を備え、このめっき膜が電極層に直接接続されている、積層型セラミック電子部品に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
積層型セラミック電子部品の一例としての積層セラミックコンデンサの外部電極は、通常、部品本体の端部に導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより形成されている。しかし、この方法により形成された外部電極は、その厚みが数十μｍ〜数百μｍと大きい。したがって、積層セラミックコンデンサの寸法を一定の規格値に収めるためには、この外部電極の体積を確保する必要が生じる分、不所望にも、静電容量確保のための実効体積を減少させる必要が生じていた。
【０００３】
この問題を解決し得るものとして、複数の内部電極の各引出し端間を互いに接続するように部品本体上にめっき膜を直接析出させ、このめっき膜を外部電極の少なくとも一部とすることが提案されかつ実用化されている。たとえば、特開昭６３−１６９０１４号公報（特許文献１）には、部品本体の、内部電極が露出した側壁面の全面に対し、側壁面に露出した内部電極が短絡されるように、無電解Ｎｉめっきによって導電性金属層を析出させる、外部電極の形成方法が開示されている。このような外部電極の形成方法によれば、外部電極の体積を減じることができ、よって、静電容量確保のための実効体積を増やすことができる。
【０００４】
しかしながら、部品本体の所定の面上への直接のめっきにより形成されためっき膜には、前述した導電性ペーストの焼付けによる電極の場合のようなガラス等を介さないため、めっき膜と部品本体との間での固着力が弱く、めっき膜、すなわち外部電極が剥がれやすいという問題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開昭６３−１６９０１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この発明の目的は、上記のような問題点を解決し得る、すなわち、内部電極のような電極層と直接接続されるめっき膜を含む外部電極の、部品本体に対する固着力が高められた、積層型セラミック電子部品を提供しようとすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この発明は、積層された複数のセラミック層とセラミック層に沿って形成された複数の電極層とを備え、各電極層が所定の面に露出する露出部を有している、部品本体と、各電極層の露出部に電気的に接続されるように、部品本体の所定の面上に形成された、外部電極とを備える、積層型セラミック電子部品に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【０００８】
複数の電極層の露出部は、これらが集合することによって、上記所定の面上において、露出部分布領域を形成している。
【０００９】
外部電極は、上記露出部分布領域を覆うように、無電解めっきにより上記所定の面上に直接形成された第１のめっき層と、電解めっきにより第１のめっき層を覆うように形成された第２のめっき層と、を含む。
【００１０】
そして、露出部分布領域の端縁から第１のめっき層の端縁までの距離を第１のめっき伸び量とし、第１のめっき層の端縁から第２のめっき層の端縁までの距離を第２のめっき伸び量としたとき、
（第１のめっき伸び量）／｛（第１のめっき伸び量）＋（第２のめっき伸び量）｝
が２０％以下であることを特徴としている。
【００１１】
上述した第１のめっき伸び量と第２のめっき伸び量との関係は、後述する実験例によって求められたものであって、上記伸び量の関係を満たせば、外部電極の、部品本体に対する固着力が高められることがわかった。
【００１２】
上述した電極層は、セラミック層間の界面に沿って形成された内部電極と、部品本体の外表面上においてセラミック層に沿って形成された表面電極とを含むことが好ましい。これにより、露出部分布領域の面積を広げることができ、そのため、外部電極を部品本体上のより広い面にわたって形成することができるとともに、外部電極の部品本体に対する固着力をより高めることができる。
【００１３】
この発明において、好ましくは、第１のめっき層がＮｉ−Ｐめっき膜を含み、第１のめっき層のＰの含有率が９重量％〜１３重量％である。これによって、外部電極の固着力をより向上させることができるばかりでなく、耐熱衝撃性および耐湿信頼性の向上にも寄与する。
【００１４】
また、この発明において、好ましくは、第２のめっき層は、複数層のめっき膜を含む。これにより、第２のめっき層において、はんだ濡れ性の向上およびはんだ喰われ防止といった複数の異なる機能をそれぞれ別のめっき膜によって担わせることができる。
【発明の効果】
【００１５】
この発明によれば、電極層と直接接続されるめっき膜を含む外部電極の、部品本体に対する固着力を高めることができる。
【００１６】
また、この発明において、外部電極の下地層となる第１のめっき層は、無電解めっきにより形成される。無電解めっきは、電気の導通しない面へのめっきも可能であるので、露出部分布領域内であって電極層の露出部以外の部分へのめっきも可能である。
【００１７】
他方、第１のめっき層を覆うように形成される第２のめっき層は、電解めっきにより形成される。電解めっきは無電解めっきよりもめっき成長が速いため、電解めっきにより形成されためっき膜は、無電解めっきにより形成されためっき膜に比べて、セラミック面の凹凸にしっかりと食い込むことができる。そのため、電解めっき膜は、セラミック面に対して、より大きなアンカー効果を期待でき、その結果、より高い接合力を実現することができる。この発明では、電解めっきにより形成される第２のめっき層は、第１のめっき層の周辺部において、つまり外部電極の周縁部において、セラミック面に直接接することになる。したがって、外部電極の周縁部において、セラミック面を与える部品本体に対する接合力をより高くすることができる。このことは、外部電極に剥がれが生じる場合には、外部電極の周縁部から剥がれることが多いといった現象を考慮したとき、剥がれ抑制にとって特に有効であることがわかる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】この発明の第１の実施形態による積層型セラミック電子部品としての２端子型の積層セラミックコンデンサ１の外観を示す斜視図である。
【図２】図１に示した積層セラミックコンデンサ１に備える部品本体２の構造を説明するためのもので、（Ａ）は第１の内部電極４が通る面を示し、（Ｂ）は第２の内部電極５が通る面を示す。
【図３】図１に示した積層セラミックコンデンサ１に備える部品本体２の外観を示す斜視図である。
【図４】図１の線Ｌ１−Ｌ１に沿う拡大断面図である。
【図５】図１の線Ｌ２−Ｌ２に沿う拡大断面図である。
【図６】この発明の第２の実施形態による３端子型の積層型セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ３１の外観を示す斜視図である。
【図７】図６に示した積層セラミックコンデンサ３１に備える部品本体３２の構造を説明するためのもので、（Ａ）は補助電極３６〜３９が通る面を示し、（Ｂ）は第１の内部電極３４が通る面を示し、（Ｃ）は第２の内部電極３５が通る面を示す。
【図８】図６に示した積層セラミックコンデンサ３１に備える部品本体３２の外観を示す斜視図である。
【図９】図６の線Ｌ３−Ｌ３に沿う拡大断面図である。
【図１０】この発明の第３の実施形態による８端子型の積層型セラミック電子部品としての積層セラミックコンデンサ７１の外観を示す斜視図である。
【図１１】図１０に示した積層セラミックコンデンサ７１に備える部品本体７２の構造を説明するためのもので、（Ａ）は補助電極７６〜８３が通る面を示し、（Ｂ）は第１の内部電極７４が通る面を示し、（Ｃ）は第２の内部電極７５が通る面を示す。
【図１２】図１０に示した積層セラミックコンデンサ７１に備える部品本体７２の外観を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、この発明の実施形態の説明を積層セラミックコンデンサについて行なう。
【００２０】
［第１の実施形態］
図１ないし図５は、この発明の第１の実施形態による２端子型の積層セラミックコンデンサ１を説明するためのものである。積層セラミックコンデンサ１は、図３にその外観を示すような部品本体２を備えている。部品本体２は、積層された複数のセラミック層３と、セラミック層３に沿って形成された複数の電極層としての第１および第２の内部電極４および５とを備えている。これら内部電極４および５は、セラミック層３間の界面上に位置している。セラミック層３は、たとえばチタン酸バリウム系誘電体セラミックから構成される。内部電極４および５は、たとえばＮｉを導電成分として含む。
【００２１】
部品本体２は、セラミック層３の延びる方向に延びる第１および第２の主面６および７と、セラミック層３の積層方向に延びる、第１および第２の側面８および９ならびに第１および第２の端面１０および１１と、を有する直方体状をなしている。積層セラミックコンデンサ１は、通常、内部電極４および５が実装基板（図示せず。）に対して垂直方向に向けられた状態で実装されるように設計されており、したがって、第１または第２の側面８または９が実装基板側に向けられる。
【００２２】
第１の内部電極４は、図２（Ａ）に示すように、その主要部をなす容量形成部１２と引出し部１３とを有している。引出し部１３は、第１の端面１０とこれに隣接する第１および第２の側面８および９の各一部とに露出し、ここに露出部を構成する。これら露出部の形態は、図３にも図示されている。
【００２３】
他方、第２の内部電極５は、図２（Ｂ）に示すように、その主要部をなす容量形成部１４と引出し部１５とを有している。引出し部１５は、上述した第１の内部電極４の引出し部１３とは逆側に形成される。引出し部１５は、第２の端面１１とこれに隣接する第１および第２の側面８および９の各一部とに露出し、ここに露出部を構成する。これら露出部の形態は、図３にも図示されている。
【００２４】
上述したような部品本体２は、たとえば、以下のようにして製造される。
【００２５】
セラミック層３となるべき複数のセラミックグリーンシートが用意される。次に、各セラミックグリーンシート上に内部電極４または５となるべき導電性ペースト膜が印刷により形成される。次に、第１の内部電極４と第２の内部電極５とが積層方向に交互に配列されるように、導電性ペースト膜が形成されたセラミックグリーンシートが積層され、かつ、この積層方向の両端部に、導電性ペースト膜が形成されていない適当数のセラミックグリーンシートが外層部をなすように積層され、それによって、部品本体２の生の状態のものが得られる。
【００２６】
なお、上述した積層工程が、複数の部品本体２を取り出すことができるマザー状態のセラミックグリーンシートについて実施され、積層工程の後、カット工程を実施して、個々の部品本体２の生の状態のものを得るようにしてもよい。
【００２７】
次いで、生の状態の部品本体を焼成することが行なわれる。これによって、図３に示す焼結した部品本体２が得られる。部品本体２は、セラミックグリーンシートの焼結によって得られた複数のセラミック層３を備えるとともに、導電性ペースト膜の焼結によって得られた内部電極４および５を備えている。
【００２８】
次に、好ましくは、部品本体２に対して、バレル研磨工程が実施され、それによって、内部電極４および５の露出部をより確実に露出させるようにする。次いで、好ましくは、純水による洗浄工程が実施される。
【００２９】
次に、図１に示した積層セラミックコンデンサ１を得るため、第１の内部電極４の露出部に電気的に接続される第１の外部電極１６と、第２の内部電極５の露出部に電気的に接続される第２の外部電極１７とが形成される。以下、これら外部電極１６および１７の構成および形成方法について説明する。
【００３０】
図３に示すように、複数の第１の内部電極４の各露出部は、セラミック層３の積層方向に沿って並び、第１の露出部分布領域１８を形成している。第１の露出部分布領域１８および後述する第２の露出部分布領域１９は、図３において、多数のドットを付すことによって他の領域と区別されて図示されている。すなわち、第１の露出部分布領域１８は、複数の第１の内部電極４の各露出部と各露出部に挟まれた複数のセラミック層３の露出する部分とから構成されている。第１の露出部分布領域１８は、第１の端面１０とこれに隣接する第１および第２の側面８および９の各一部とにわたって延びている。
【００３１】
他方、複数の第２の内部電極５の各露出部は、セラミック層３の積層方向に沿って並び、第２の露出部分布領域１９を形成している。第２の露出部分布領域１９は、第２の端面１１とこれに隣接する第１および第２の側面８および９の各一部とにわたって延びている。
【００３２】
なお、図３において、第１および第２の露出部分布領域１８および１９内に、それぞれ、内部電極４および５の露出部が図示されているが、図解上の便宜のため、図示された露出部の分布密度は、実際のものより低くされている。このことは、後述する図８および図１２についても言える。
【００３３】
第１の外部電極１６と第２の外部電極１７とは、同時に形成され、かつ互いに同じ断面構造を有しているので、図４および図５に示した第１の外部電極１６について、より詳細に説明し、第２の外部電極１７については、詳細な説明は省略する。
【００３４】
図４および図５を参照して、第１の外部電極１６は、部品本体２の第１の端面１０ならびにこれに隣接する第１および第２の側面８および９の各一部上に直接形成される第１のめっき層２０と、第１のめっき層２０上に形成される第２のめっき層２１とを含む。第１のめっき層２０は、第１の露出部分布領域１８を覆うように、無電解めっきにより形成される。第２のめっき層２１は、第１のめっき層２０を覆うように電解めっきにより形成される。
【００３５】
ここで、露出部分布領域１８の端縁から第１のめっき層２０の端縁までの距離を第１のめっき伸び量と定義し、第１のめっき層２０の端縁から第２のめっき層２１の端縁までの距離を第２のめっき伸び量と定義する。図４および図５において、第１のめっき伸び量がＥ１で示され、第２のめっき伸び量がＥ２で示されている。
【００３６】
この発明において、外部電極１６および１７の部品本体２に対する接合力が高くなり、外部電極１６および１７の剥がれを抑制し得る効果を奏するためには、上述した第１のめっき伸び量Ｅ１および第２のめっき伸び量Ｅ２について、以下の関係に選ばれなければならないことが、後述する実験例の結果見出された。
【００３７】
Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）≦２０％
なお、図４および図５では、第１のめっき層２０が、露出部分布領域１８だけでなく、その周辺部をも覆うように形成された状態が図示されているが、露出部分布領域１８上にのみ形成される場合、言い換えると、上記第１の伸び量Ｅ１が０の場合もあり得る。
【００３８】
第１のめっき伸び量Ｅ１および第２のめっき伸び量Ｅ２は、図４では、第１の内部電極４の面方向に測定された距離として図示され、他方、図５では、第１の内部電極４の厚み方向に測定された距離として図示されている。第１および第２のめっき層２０および２１を形成するためのめっき工程では、めっき析出は等方的に生じるため、第１のめっき伸び量Ｅ１および第２のめっき伸び量Ｅ２は、図４に現れた距離で測定しても、図５に現れた距離で測定しても、実質的に変動するものではない。
【００３９】
距離の測定は次の方法を用いて行なわれる。すなわち、積層セラミックコンデンサ１を研磨することにより、図４や図５で示されるような部品本体２の中心を通る所定の断面を露出させる。続いて、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）に付帯されたエネルギー分散型Ｘ線（ＥＤＸ）分析装置を用いて、露出させた断面の元素マッピングの画像を得る。元素マッピングの画像から、第１のめっき層２０と第２のめっき層２１とを特定し、第１のめっき伸び量Ｅ１および第２のめっき伸び量Ｅ２を測る。なお、ＥＤＸを用いて、第１のめっき層２０と第２のめっき層２１とに含まれる元素の定量分析を行なうことができる。
【００４０】
外部電極１６および１７の形成のためのめっき工程は、たとえば、次のように実施される。
【００４１】
第１のめっき層２０は、好ましくは、Ｎｉ−Ｐめっき膜を含む。Ｎｉ−Ｐめっき膜のＰ含有率は２重量％〜１８重量％である。無電解めっきの前処理として、好ましくは、Ｐｄ触媒を付与する工程および純水による洗浄工程が実施され、その後、無電解Ｎｉ−Ｐめっきが実施され、Ｐ含有率がたとえば９重量％以上のＮｉ−Ｐめっき膜からなる第１のめっき層２０が形成される。ここで、第１のめっき層２０は、内部電極４および５の各々の隣り合う露出部におけるめっき析出物を物理的に互いに接続した状態としながら、均質で緻密な膜を構成する。
【００４２】
第１のめっき層２０のＰ含有率は、上述のＥＤＸの定量分析を用いて測定される。具体的には、部品本体２の中心を通る所定の断面を露出させ、第１のめっき層２０の厚み方向の中央を１箇所代表して測定する。定量分析で選ばれる元素はＮｉとＰであり、Ｐ含有率とはＮｉとＰの合計を総量としたときのＰの含有率である。
【００４３】
第２のめっき層２１より接合力の低い第１のめっき層２０の伸び量Ｅ１を抑えつつ、部品本体２の内部への水分の浸入を防止する効果を高めるために、第１のめっき層２０の厚みを大きくすることが好ましい。すなわち、第１のめっき伸び量Ｅ１が第１のめっき層２０の厚みより小さくなるように、第１のめっき層２０を形成することが好ましい。
【００４４】
なお、上述のＰｄ触媒を付与する工程において、内部電極４および５に含まれるＮｉがＰｄに置換され、無電解Ｎｉ−Ｐめっきの還元剤のための触媒能が向上するが、Ｎｉ自体に触媒性があるため、Ｐｄ触媒を付与する工程を省略することも可能である。
【００４５】
上述の無電解Ｎｉ−Ｐめっき工程の後、純水による洗浄工程が実施される。
【００４６】
その後、熱処理工程が実施されてもよい。熱処理温度としては、たとえば６００℃以上、好ましくは８００℃以上の温度が採用される。この熱処理によって、内部電極４および５と第１のめっき層２０との間で相互拡散が生じる。そして、この相互拡散部分において、金属の体積膨張が起こるため、セラミック層３と内部電極４および５ならびに第１のめっき層２０の各々との界面に存在し得る隙間を有利に埋めることができ、その結果、部品本体２の内部への水分の浸入を防止する効果が奏される。
【００４７】
次に、第２のめっき層２１が電解めっきにより形成される。第２のめっき層２１は、たとえばＮｉめっき膜を含む。第２のめっき層２１は電解めっきにより形成されるので、能率的にこれを形成することができる。
【００４８】
上述の電解Ｎｉめっき工程の後、純水による洗浄工程が実施される。
【００４９】
第２のめっき層２１を形成した後、さらに他のめっき層を形成する工程が実施されてもよい。たとえば、上記Ｎｉめっき膜上にＳｎめっき膜を形成してもよい。Ｓｎめっき膜は、外部電極１６および１７のはんだぬれ性を向上させるためのものである。Ｓｎめっき膜が電解めっきにより形成された後においても、純水による洗浄工程が実施され、次いで、乾燥工程が実施される。
【００５０】
第１のめっき層２０よりも接合力の高い第２のめっき層２１の伸び量Ｅ２を大きくしつつ、電子部品、すなわち積層セラミックコンデンサ１の外形寸法を抑えるために、第２のめっき層２１の厚みを抑制することが好ましい。すなわち、第２のめっき伸び量Ｅ２が第２のめっき層２１の厚みより大きくなるように、第２のめっき層２１を形成することが好ましい。
【００５１】
このようにして、図１に示した積層セラミックコンデンサ１が完成される。
【００５２】
上述のように、第１のめっき層２０がＮｉ−Ｐめっき膜を含むと、外部電極１６および１７の、部品本体２に対する固着力を向上させることができる。特に、Ｐ含有率がたとえば９重量％以上というように、Ｐ含有率を上げると、めっき膜の硬度が上がる。したがって、Ｎｉ−Ｐめっき膜がセラミックの微細な凹凸に追随したとき、皮膜応力が小さくなることから、アンカー効果が高くなる。よって、内部電極４および５の露出部に対する第１のめっき層２０の接合強度が全体的に向上するとともに、第１のめっき層２０と内部電極４および５の露出部の周縁部のセラミック部分との界面での剥離も生じにくくなるため、実装時の耐湿信頼性が向上する。十分な耐湿信頼性を得るには、Ｐ含有率を９重量％以上とすることが好ましい。
【００５３】
また、Ｐ含有率が高いと、めっき膜の耐腐食性が向上する。したがって、第１のめっき層２０の耐腐食性が向上し、この点においても、耐湿信頼性を向上させることができる。
【００５４】
第１のめっき層２０を構成するＮｉ−Ｐめっき膜は、非晶質であることがより好ましい。非晶質であれば、前述したようなセラミックの凹凸に対する追随性が良好である。よって、前述のアンカー効果がより高くなり、固着力をより高めることができるとともに、第１のめっき層２０と内部電極４および５との間の隙間を実質的になくすことができ、たとえば水蒸気に対するシール性を良好なものとし、耐湿信頼性をより向上させることができる。Ｐ含有率が８〜９重量％を超えるとＮｉ−Ｐめっき膜は非晶質になる。したがって、この点においても、Ｎｉ−Ｐめっき膜は９重量％以上とすることが好ましい。
【００５５】
なお、Ｎｉ−Ｐめっき膜は、前述したように、Ｐ含有率が９重量％以上になると非晶質となり、硬度が高くなるので、割れやすいという欠点がある。特に、Ｎｉ−Ｐめっき膜である第１のめっき層２０の縁端近傍で割れが発生し、割れた縁端部分が内部電極４または５と接続していない場合、そこを起点に外部電極１６または１７が剥離しやすい。しかしながら、この欠点は、たとえばＮｉめっき膜を含む第２のめっき層２１によって補うことができる。特にＰを含まないＮｉめっき膜は、比較的柔軟である。そのため、第１のめっき層２０を第２のめっき層２１によって保護することによって、第１のめっき層２０が割れにくくなる。特に、第１のめっき層２０を構成するＮｉ−Ｐめっき膜のＰ含有率が９重量％以上であっても、Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）≦２０％の関係を満たすように第２のめっき層２１を構成するＰを含まないＮｉめっき膜を形成することで、第１のめっき層２０の縁端近傍での割れを抑制することができると考えられる。その結果、後述する実験例（Ｐ含有率が１１重量％、１３重量％）のように、外部電極の剥離を抑制できる。
【００５６】
次に、以上説明した第１の実施形態に基づき、第１のめっき伸び量Ｅ１および第２のめっき伸び量Ｅ２と外部電極１６および１７での剥離発生との関係について調査した実験例１および２について説明する。
【００５７】
［実験例１］
平面寸法が１．０ｍｍ×０．５ｍｍの積層セラミックコンデンサ用部品本体であって、セラミック層がチタン酸バリウム系誘電体セラミックからなり、内部電極がＮｉを主成分とするものを用意した。この部品本体において、内部電極間のセラミック層の各厚みは１μｍであり、各内部電極の厚みは１μｍであり、内部電極が配置されない各外層部の厚みは５０μｍであった。また、後述するめっき処理の前処理として、部品本体にはバレル研磨を施し、内部電極の露出部を確実に露出させた状態としておき、次いで、純水による洗浄工程を実施しておいた。
【００５８】
次に、部品本体に対して、Ｐｄ触媒付与工程を実施した。Ｐｄ触媒付与工程では、Ｐｄ濃度：１００ｐｐｍ、ｐＨ：２．５、温度：２５℃の塩化パラジウム水溶液を用意し、そこに部品本体を３分間浸漬した。浸漬後、部品本体を塩化パラジウム水溶液から取り出し、純水による洗浄を行なった。
【００５９】
次に、ドラム容積：３００ｃｃ、直径：７０ｍｍの回転バレルを用意し、ここに部品本体を２０ｍｌ投入した。そして、回転バレルを無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴に浸漬し、バレル回転速度：２０ｒｐｍで所定時間、無電解めっき処理を実施した。ここで、Ｐ含有率が１１重量％となるように、無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴のｐＨ、次亜リン酸濃度、温度、無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴のＮｉ濃度、クエン酸濃度などを調整した。本実験例においては、硫酸ニッケル：０．１モル／Ｌ、次亜リン酸ナトリウム：０．２モル／Ｌ、クエン酸：０．５モル／Ｌ、および硫酸アンモニウム：０．５モル／Ｌを含む無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴を用いた。また、この無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴は、ｐＨ調整剤として硫酸および水酸化ナトリウムを用いて、ｐＨを８．０に調整し、浴温を９０℃に設定した。上述の無電解Ｎｉ−Ｐめっき処理の後、純水による洗浄を実施した。
【００６０】
このようにして、Ｐ含有率が１１重量％のＮｉ−Ｐめっき膜からなる第１のめっき層を形成した。ここで、上述した無電解めっき処理時間を種々に変えることにより、表１の「Ｅ１」の欄に示すように、露出部分布領域の端縁から第１のめっき層の端縁までの距離、すなわち第１のめっき伸び量を変えた。
【００６１】
次に、同じ回転バレルを用い、２０ｍｌの部品本体に加えて、直径：０．４５ｍｍのＳｎ−Ａｇ−Ｃｕ製メディア：４０ｍｌ、および直径：８．０ｍｍのナイロン被覆鉄球からなる攪拌玉：５０ｃｃを回転バレルに投入して、バレル回転速度：２０ｒｐｍで所定時間、電解Ｎｉめっき処理を実施した。ここで、電解Ｎｉめっき浴として、ｐＨ：４．０、浴温：５５℃に設定されたワット浴（硫酸ニッケル：３００ｇ／Ｌ、塩化ニッケル：４５g／Ｌ、ホウ酸：４０ｍｇ／Ｌ）を用いた。上述の電解Ｎｉめっき処理の後、純水による洗浄を実施した。
【００６２】
このようにして、上記第１のめっき層上に、Ｐを実質的に含まない電解Ｎｉめっき膜からなる第２のめっき層を形成した。ここで、上述した電解めっき処理時間を種々に変えることにより、表１の「Ｅ２」の欄に示すように、第１のめっき層の端縁から第２のめっき層の端縁までの距離、すなわち第２のめっき伸び量を変えた。なお、第１の伸び量Ｅ１と第２の伸び量Ｅ２との和は、３０μｍとなるようにした。第１のめっき層と第２のめっき層との合計厚み、すなわち外部電極の厚みは、５〜１５μｍの範囲となった。
【００６３】
以上のようにして、各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。各試料１０００個について、得られた積層セラミックコンデンサの外部電極の端縁が形成された各面の外観を観察することにより、外部電極の剥がれ、すなわち、めっき層が剥がれることによる外部電極の部分的な欠けの有無を調査した。その際、外部電極の部分的な欠けが１０μｍ以上となっている場合に外部電極の剥がれが有ると判定した（以後の実験例についても同様）。その結果が表１の「剥離発生率」の欄に示されている。Ｅ１およびＥ２については、試料の中から５つを選び出し、上述の測定方法に従って各１箇所ずつ測定し、平均をとった。
【００６４】
【表１】
2014212298.tif 000003
【００６５】
表１において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の比較例である。
【００６６】
表１から、「Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）×１００」の数値が２０以下、すなわち、（第１のめっき伸び量）／｛（第１のめっき伸び量）＋（第２のめっき伸び量）｝が２０％以下である試料１〜３によれば、外部電極の剥がれが発生しないことがわかった。
【００６７】
［実験例２］
平面寸法が０．６ｍｍ×０．３ｍｍの積層セラミックコンデンサ用部品本体であって、セラミック層がチタン酸バリウム系誘電体セラミックからなり、内部電極がＮｉを主成分とするものを用意した。この部品本体において、内部電極間のセラミック層の各厚みは１μｍであり、各内部電極の厚みは０．７μｍであり、内部電極が配置されない各外層部の厚みは５０μｍであった。
【００６８】
以後、実験例１の場合と同様の工程を経て、部品本体上に、Ｐ含有率が１１重量％のＮｉ−Ｐめっき膜からなる第１のめっき層を形成した。ここで、第１のめっき層を形成するための無電解めっき処理時間を種々に変えることにより、表２の「Ｅ１」の欄に示すように、露出部分布領域の端縁から第１のめっき層の端縁までの距離、すなわち第１のめっき伸び量を変えた。
【００６９】
次に、実験例１の場合と同様の工程を経て、上記第１のめっき層上に、Ｐを実質的に含まない電解Ｎｉめっき膜からなる第２のめっき層を形成した。ここで、第２のめっき層を形成するための電解めっき処理時間を種々に変えることにより、表２の「Ｅ２」の欄に示すように、第１のめっき層の端縁から第２のめっき層の端縁までの距離、すなわち第２のめっき伸び量を変えた。なお、第１の伸び量Ｅ１と第２の伸び量Ｅ２との和は、２０μｍとなるようにした。第１のめっき層と第２のめっき層との合計厚み、すなわち外部電極の厚みは、５〜１５μｍの範囲となった。
【００７０】
以上のようにして、各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。各試料１０００個について、得られた積層セラミックコンデンサの外部電極の端縁が形成された各面の外観を観察することにより、外部電極の剥がれ、すなわち、めっき層が剥がれることによる外部電極の部分的な欠けの有無を調査した。その結果が表２の「剥離発生率」の欄に示されている。
【００７１】
【表２】
2014212298.tif 000004
【００７２】
表２において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の比較例である。
【００７３】
表２から、「Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）×１００」の数値が２０以下、すなわち、（第１のめっき伸び量）／｛（第１のめっき伸び量）＋（第２のめっき伸び量）｝が２０％以下である試料１１〜１３によれば、外部電極の剥がれが発生しないことがわかった。
【００７４】
［第２の実施形態］
次に、図６ないし図９を参照して、この発明の第２の実施形態による３端子型の積層セラミックコンデンサ３１について説明する。積層セラミックコンデンサ３１は、図８にその外観を示すような部品本体３２を備えている。部品本体３２は、積層された複数のセラミック層３３と、セラミック層３３に沿って形成された複数の電極層としての第１および第２の内部電極３４および３５ならびに第１ないし第４の補助電極３６〜３９とを備えている。内部電極３４および３５は、セラミック層３３間の界面上に位置している。他方、補助電極３６〜３９は、セラミック層３３間の界面上に位置するものと、部品本体３２の外表面上に位置して表面電極となるものとがある。
【００７５】
部品本体３２は、セラミック層３３の延びる方向に延びる第１および第２の主面４０および４１と、セラミック層３３の積層方向に延びる、第１および第２の側面４２および４３ならびに第１および第２の端面４４および４５と、を有する直方体状をなしている。積層セラミックコンデンサ３１は、通常、内部電極３４および３５が実装基板（図示せず。）に対して平行方向に向けられた状態で実装されるように設計されており、したがって、第１または第２の主面４０または４１が実装基板側に向けられる。
【００７６】
図７（Ａ）を参照して、第１の補助電極３６は、第１の端面４４側に位置しながら、その端縁が第１の端面４４とこれに隣接する第１および第２の側面４２および４３の各一部とに露出し、ここに露出部を構成する。第２の補助電極３７は、第２の端面４５側に位置しながら、その端縁が第２の端面４５とこれに隣接する第１および第２の側面４２および４３の各一部とに露出し、ここに露出部を構成する。
【００７７】
第３の補助電極３８は、第１の側面４２側に位置しながら、その端縁が第１の側面４２に露出し、ここに露出部を構成する。第４の補助電極３９は、第２の側面４３側に位置しながら、その端縁が第２の側面４３に露出し、ここに露出部を構成する。
【００７８】
なお、最外層に位置するセラミック層３３の外側に向く主面上、すなわち、部品本体３２の第１および第２の主面４０および４１上に位置する表面電極としての補助電極３６〜３９にあっては、各々の端縁だけでなく、主面全体が露出部を構成する。
【００７９】
これら補助電極３６〜３９が与える露出部の形態は、図８にも図示されている。
【００８０】
第１の内部電極３４は、図７（Ｂ）に示すように、その主要部をなす容量形成部４６と第１および第２の引出し部４７および４８とを有している。第１の引出し部４７は、第１の端面４４とこれに隣接する第１および第２の側面４２および４３の各一部とに露出し、ここに露出部を構成する。第２の引出し部４８は、第２の端面４５とこれに隣接する第１および第２の側面４２および４３の各一部とに露出し、ここに露出部を構成する。露出部の形態は、図８にも図示されている。
【００８１】
第２の内部電極３５は、図７（Ｃ）に示すように、その主要部をなす容量形成部４９と第１および第２の引出し部５０および５１とを有している。第１の引出し部５０は、第１の側面４２の一部に露出し、ここに露出部を構成する。第２の引出し部５１は、第２の側面４３の一部に露出し、ここに露出部を構成する。露出部の形態は、図８にも図示されている。
【００８２】
上述したような部品本体３２は、詳細な説明を省略するが、第１の実施形態における部品本体２の場合と同様の積層技術を適用して製造される。第２の実施形態特有の積層態様について説明すると、各々複数の第１および第２の内部電極３４および３５が交互に積層方向に配列されるように積層されるとともに、その積層方向での両端部に補助電極３６〜３９が複数層にわたって配置される。また、補助電極３６〜３９は、部品本体３２の両主面４０および４１上にも位置するようにされる。
【００８３】
部品本体３２を得た後、図６に示した積層セラミックコンデンサ３１を得るため、第１の内部電極３４の第１の引出し部４７に電気的に接続される第１の外部電極５２と、第１の内部電極３４の第２の引出し部４８に電気的に接続される第２の外部電極５３と、第２の内部電極３５の第１の引出し部５０に電気的に接続される第３の外部電極５４と、第２の内部電極３５の第２の引出し部５１に電気的に接続される第４の外部電極５５とが形成される。以下、これら外部電極５２〜５５の構成および形成方法について説明する。
【００８４】
図８に示すように、複数の第１の内部電極３４の第１の引出し部４７および第１の補助電極３６が与える露出部は、セラミック層３３の積層方向に沿って並び、第１の露出部分布領域５６を形成している。第１の露出部分布領域５６は、第１の端面４４とこれに隣接する第１および第２の主面４０および４１の各一部ならびに第１および第２の端面４４および４５の各一部とにわたって延びている。
【００８５】
他方、複数の第１の内部電極３４の第２の引出し部４８および第２の補助電極３７が与える露出部は、セラミック層３３の積層方向に沿って並び、第２の露出部分布領域５７を形成している。第２の露出部分布領域５７は、第２の端面４５とこれに隣接する第１および第２の主面４０および４１の各一部ならびに第１および第２の端面４４および４５の各一部とにわたって延びている。
【００８６】
また、複数の第２の内部電極３５の第１の引出し部５０および第３の補助電極３８が与える露出部は、セラミック層３３の積層方向に沿って並び、第３の露出部分布領域５８を形成している。第３の露出部分布領域５８は、第１の側面４２とこれに隣接する第１および第２の主面４０および４１の各一部とにわたって延びている。
【００８７】
他方、複数の第２の内部電極３５の第２の引出し部５１および第４の補助電極３９が与える露出部は、セラミック層３３の積層方向に沿って並び、第４の露出部分布領域５９を形成している。第４の露出部分布領域５９は、第２の側面４３とこれに隣接する第１および第２の主面４０および４１の各一部とにわたって延びている。
【００８８】
第１ないし第４の外部電極５２〜５５は、同時に形成され、かつ互いに同じ断面構造を有している。ここでは、図９に示した第２の外部電極５３について、より詳細に説明し、他の外部電極５２、５４および５５については、詳細な説明を省略する。
【００８９】
図９を参照して、第２の外部電極５３は、部品本体３２の第２の端面４５とこれに隣接する第１および第２の主面４０および４１の各一部ならびに第１および第２の側面４２および４３の各一部上に直接形成される第１のめっき層６０と、第１のめっき層６０上に形成される第２のめっき層６１とを含む。第１のめっき層６０は、第２の露出部分布領域５７を覆うように、無電解めっきにより形成される。第２のめっき層６１は、第１のめっき層６０を覆うように電解めっきにより形成される。
【００９０】
ここで、露出部分布領域５７の端縁から第１のめっき層６０の端縁までの距離を第１のめっき伸び量と定義し、第１のめっき層６０の端縁から第２のめっき層６１の端縁までの距離を第２のめっき伸び量と定義する。図９において、第１のめっき伸び量がＥ１で示され、第２のめっき伸び量がＥ２で示されている。
【００９１】
この実施形態においても、外部電極５２〜５５の部品本体３２に対する接合力が高くなり、外部電極５２〜５５の剥がれを抑制し得る効果を奏するためには、上述した第１のめっき伸び量Ｅ１および第２のめっき伸び量Ｅ２について、
Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）≦２０％
の関係に選ばれなければならない。
【００９２】
第１のめっき伸び量Ｅ１および第２のめっき伸び量Ｅ２は、前述した図４および図５では、内部電極４の露出部を起点として測定された距離であったが、図６の線Ｌ３−Ｌ３に沿う断面を示す図９では、部品本体３２の外表面上に位置する補助電極３７の端部を起点として測定された距離となっている。もっとも、この第２の実施形態においても、たとえば、図６の線Ｌ４−Ｌ４に沿う断面をとれば、図４に示したのと実質的の同様の断面が現れる。前述したように、めっき析出は等方的に生じるため、いずれの断面をとっても、第１のめっき伸び量Ｅ１および第２のめっき伸び量Ｅ２は実質的に変動するものではない。
【００９３】
上述のように、外部電極５２〜５５が形成されたとき、図６に示した積層セラミックコンデンサ３１が完成される。なお、第２の実施形態においては説明しなかったが、前述の第１の実施形態において説明した事項であって、第２の実施形態において適用し得るものについては、この第２の実施形態においても当てはまるものと理解すべきである。
【００９４】
次に、以上説明した第２の実施形態に基づき、第１のめっき伸び量Ｅ１および第２のめっき伸び量Ｅ２と外部電極５２〜５５での剥離発生との関係について調査した実験例３について説明する。
【００９５】
［実験例３］
平面寸法が１．０ｍｍ×０．５ｍｍの積層セラミックコンデンサ用部品本体であって、セラミック層がチタン酸バリウム系誘電体セラミックからなり、内部電極がＮｉを主成分とするものを用意した。この部品本体において、内部電極間のセラミック層の各厚みは１μｍであり、各内部電極の厚みは１μｍであり、内部電極が配置されない各外層部の厚みは５０μｍであった。
【００９６】
以後、実験例１の場合と同様の工程を経て、部品本体上に、Ｐ含有率が１１重量％のＮｉ−Ｐめっき膜からなる第１のめっき層を形成した。ここで、第１のめっき層を形成するための無電解めっき処理時間を種々に変えることにより、表３の「Ｅ１」の欄に示すように、露出部分布領域の端縁から第１のめっき層の端縁までの距離、すなわち第１のめっき伸び量を変えた。
【００９７】
次に、実験例１の場合と同様の工程を経て、上記第１のめっき層上に、Ｐを実質的に含まない電解Ｎｉめっき膜からなる第２のめっき層を形成した。ここで、第２のめっき層を形成するための電解めっき処理時間を種々に変えることにより、表３の「Ｅ２」の欄に示すように、第１のめっき層の端縁から第２のめっき層の端縁までの距離、すなわち第２のめっき伸び量を変えた。なお、第１の伸び量Ｅ１と第２の伸び量Ｅ２との和は、３０μｍとなるようにした。第１のめっき層と第２のめっき層との合計厚み、すなわち外部電極の厚みは、５〜１５μｍの範囲となった。
【００９８】
以上のようにして、各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。各試料１０００個について、得られた積層セラミックコンデンサの外部電極の端縁が形成された各面の外観を観察することにより、外部電極の剥がれ、すなわち、めっき層が剥がれることによる外部電極の部分的な欠けの有無を調査した。その結果が表３の「剥離発生率」の欄に示されている。
【００９９】
【表３】
2014212298.tif 000005
【０１００】
表３において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の比較例である。
【０１０１】
表３から、「Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）×１００」の数値が２０以下、すなわち、（第１のめっき伸び量）／｛（第１のめっき伸び量）＋（第２のめっき伸び量）｝が２０％以下である試料２１〜２３によれば、外部電極の剥がれが発生しないことがわかった。
【０１０２】
［第３の実施形態］
次に、図１０ないし図１２を参照して、この発明の第３の実施形態による８端子型の積層セラミックコンデンサ７１について説明する。積層セラミックコンデンサ７１は、図１２にその外観を示すような部品本体７２を備えている。部品本体７２は、積層された複数のセラミック層７３と、セラミック層７３に沿って形成された複数の電極層としての第１および第２の内部電極７４および７５ならびに第１ないし第８の補助電極７６〜８３とを備えている。内部電極７４および７５は、セラミック層７３間の界面上に位置している。他方、補助電極７６〜８３は、セラミック層７３間の界面上に位置するものと、部品本体７２の外表面上に位置して表面電極となるものとがある。
【０１０３】
部品本体７２は、セラミック層７３の延びる方向に延びる第１および第２の主面８４および８５と、セラミック層７３の積層方向に延びる、第１および第２の側面８６および８７ならびに第１および第２の端面８８および８９と、を有する直方体状をなしている。積層セラミックコンデンサ７１は、通常、内部電極７４および７５が実装基板（図示せず。）に対して平行方向に向けられた状態で実装されるように設計されており、したがって、第１または第２の主面８４または８５が実装基板側に向けられる。
【０１０４】
図１１（Ａ）を参照して、第１ないし第４の補助電極７６〜７９は、互いに間隔を隔てて、第１の側面８６に沿って配列されながら、各々の端縁が第１の側面８６に露出し、ここに露出部を構成する。第５ないし第８の補助電極８０〜８３は、互いに間隔を隔てて、第２の側面８７に沿って配列されながら、各々の端縁が第２の側面８７に露出し、ここに露出部を構成する。また、最外層に位置するセラミック層７３の外側に向く主面上、すなわち、部品本体７２の第１および第２の主面８４および８５上に位置する表面電極となる補助電極７６〜８３にあっては、各々の端縁だけでなく、主面全体が露出部を構成する。露出部の形態は、図１２にも図示されている。
【０１０５】
第１の内部電極７４は、図１１（Ｂ）に示すように、その主要部をなす容量形成部９０と第１ないし第４の引出し部９１〜９４とを有している。第１および第２の引出し部９１および９２は、第１の側面８６に露出し、ここに露出部を構成する。第３および第４の引出し部９３および９４は、第２の側面８７に露出し、ここに露出部を構成する。露出部の形態は、図１２にも図示されている。
【０１０６】
第２の内部電極７５は、図１１（Ｃ）に示すように、その主要部をなす容量形成部９５と第１ないし第４の引出し部９６〜９９とを有している。第１および第２の引出し部９６および９７は、第１の側面８６に露出し、ここに露出部を構成する。第３および第４の引出し部９８および９９は、第２の側面８７に露出し、ここに露出部を構成する。露出部の形態は、図１２にも図示されている。
【０１０７】
上述したような部品本体７２は、詳細な説明を省略するが、第１の実施形態における部品本体２の場合と同様の積層技術を適用して製造される。第３の実施形態特有の積層態様について説明すると、各々複数の第１および第２の内部電極７４および７５が交互に積層方向に配列されるように積層されるとともに、その積層方向での両端部に補助電極７６〜８３が複数層にわたって配置される。また、補助電極７６〜８３は、部品本体７２の両主面８４および８５上にも位置するようにされる。
【０１０８】
部品本体７２を得た後、図１０に示した積層セラミックコンデンサ７１を得るため、第１の内部電極７４の第１ないし第４の引出し部９１〜９４にそれぞれ電気的に接続される第１ないし第４の外部電極１００〜１０３と、第２の内部電極７５の第１ないし第４の引出し部９６〜９９にそれぞれ電気的に接続される第５ないし第８の外部電極１０４〜１０７とが形成される。以下、これら外部電極１００〜１０７の構成および形成方法について説明する。
【０１０９】
図１２に示すように、第１の補助電極７６および第２の内部電極７５の第１の引出し部９６が与える露出部は、セラミック層７３の積層方向に沿って並び、第１の露出部分布領域１０８を形成している。第１の露出部分布領域１０８は、第１の側面８６とこれに隣接する第１および第２の主面８４および８５の各一部とにわたって延びている。
【０１１０】
同様に、第２の露出部分布領域１０９が、第２の補助電極７７および第１の内部電極７４の第１の引出し部９１によって与えられる。第３の露出部分布領域１１０が、第３の補助電極７８および第２の内部電極７５の第２の引出し部９７によって与えられる。第４の露出部分布領域１１１が、第４の補助電極７９および第１の内部電極７４の第２の引出し部９２によって与えられる。
【０１１１】
他方、第５の補助電極８０および第２の内部電極７５の第３の引出し部９８が与える露出部は、セラミック層７３の積層方向に沿って並び、第５の露出部分布領域１１２を形成している。第５の露出部分布領域１１２は、第２の側面８７とこれに隣接する第１および第２の主面８４および８５の各一部とにわたって延びている。
【０１１２】
同様に、第６の露出部分布領域１１３が、第６の補助電極８１および第１の内部電極７４の第３の引出し部９３によって与えられる。第７の露出部分布領域１１４が、第７の補助電極８２および第２の内部電極７５の第４の引出し部９９によって与えられる。第８の露出部分布領域１１５が、第８の補助電極８３および第１の内部電極７４の第４の引出し部９４によって与えられる。
【０１１３】
第１ないし第８の外部電極１００〜１０７は、同時に形成され、かつ互いに同じ断面構造を有している。ここでは図示を省略するが、図１２の線Ｌ５−Ｌ５に沿う断面をとれば、図９に示した断面と実質的に同様の断面が現れる。
【０１１４】
たとえば、第１の外部電極１００について説明すると、この実施形態においても、第１の外部電極１００は、第２の露出部分布領域１０９を覆うように、無電解めっきにより形成された第１のめっき層と、電解めっきにより第１のめっき層を覆うように形成された第２のめっき層とを備えている。そして、露出部分布領域１０９の端縁から第１のめっき層の端縁までの距離である第１のめっき伸び量Ｅ１と、第１のめっき層の端縁から第２のめっき層の端縁までの距離である第２のめっき伸び量Ｅ２との間には、
Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）≦２０％
の関係が成り立つようにされる。
【０１１５】
上述のように、外部電極１００〜１０７が形成されたとき、図１０に示した積層セラミックコンデンサ７１が完成される。なお、第３の実施形態においては説明しなかったが、前述の第１の実施形態において説明した事項であって、第３の実施形態において適用し得るものについては、この第３の実施形態においても当てはまるものと理解すべきである。
【０１１６】
次に、以上説明した第３の実施形態に基づき、第１のめっき伸び量Ｅ１および第２のめっき伸び量Ｅ２と外部電極１００〜１０７での剥離発生との関係について調査した実験例４について説明する。
【０１１７】
［実験例４］
平面寸法が２．０ｍｍ×１．２ｍｍの積層セラミックコンデンサ用部品本体であって、セラミック層がチタン酸バリウム系誘電体セラミックからなり、内部電極がＮｉを主成分とするものを用意した。この部品本体において、内部電極間のセラミック層の各厚みは１μｍであり、各内部電極の厚みは１μｍであり、内部電極が配置されない各外層部の厚みは５０μｍであった。
【０１１８】
以後、実験例１の場合と同様の工程を経て、部品本体上に、Ｐ含有率が１１重量％のＮｉ−Ｐめっき膜からなる第１のめっき層を形成した。ここで、第１のめっき層を形成するための無電解めっき処理時間を種々に変えることにより、表４の「Ｅ１」の欄に示すように、露出部分布領域の端縁から第１のめっき層の端縁までの距離、すなわち第１のめっき伸び量を変えた。
【０１１９】
次に、実験例１の場合と同様の工程を経て、上記第１のめっき層上に、Ｐを実質的に含まない電解Ｎｉめっき膜からなる第２のめっき層を形成した。ここで、第２のめっき層を形成するための電解めっき処理時間を種々に変えることにより、表４の「Ｅ２」の欄に示すように、第１のめっき層の端縁から第２のめっき層の端縁までの距離、すなわち第２のめっき伸び量を変えた。なお、第１の伸び量Ｅ１と第２の伸び量Ｅ２との和は、２０μｍとなるようにした。第１のめっき層と第２のめっき層との合計厚み、すなわち外部電極の厚みは、５〜１５μｍの範囲となった。
【０１２０】
以上のようにして、各試料に係る積層セラミックコンデンサを得た。各試料１０００個について、得られた積層セラミックコンデンサの外部電極の端縁が形成された各面の外観を観察することにより、外部電極の剥がれ、すなわち、めっき層が剥がれることによる外部電極の部分的な欠けの有無を調査した。その結果が表４の「剥離発生率」の欄に示されている。
【０１２１】
【表４】
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【０１２２】
表４において、試料番号に＊を付したものは、この発明の範囲外の比較例である。
【０１２３】
表４から、「Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）×１００」の数値が２０以下、すなわち、（第１のめっき伸び量）／｛（第１のめっき伸び量）＋（第２のめっき伸び量）｝が２０％以下である試料３１〜３３によれば、外部電極の剥がれが発生しないことがわかった。
【０１２４】
［実験例５］
次に、非晶質で割れやすくなる第１のめっき層２０を構成するＮｉ−Ｐめっき膜のＰ含有率が９重量％以上の場合に本発明が好適であることを確認するために、第１の実施形態に基づく実験例１の試料２（表１）において、Ｐ含有率を変化させた場合の外部電極の剥がれの有無を調査した。Ｐ含有率は、無電解Ｎｉ−Ｐめっき浴の条件を変えることによって調整し、外部電極の剥がれの有無の確認方法およびＥ１、Ｅ２の測定方法は、実験例１の場合と同様である。
【０１２５】
Ｐ含有率を９％とした場合、Ｅ１は３μｍ、Ｅ２は２７μｍ、Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）は１０％となり、外部電極の剥がれの発生は０／１０００であった。Ｐ含有率を１３％とした場合、Ｅ１は４μｍ、Ｅ２は２６μｍ、Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）は１３％となり、剥離の発生は０／１０００であった。すなわち、第１のめっき層２０を構成するＮｉ−Ｐめっき膜のＰ含有率が９重量％以上および１３％重量％以下の範囲においても、Ｅ１／（Ｅ１＋Ｅ２）≦２０％の関係を満たすように第２のめっき層２１を構成するＰを含まないＮｉめっき膜を形成することで、外部電極の剥がれが発生しないことがわかった。
【０１２６】
［他の実施形態］
以上説明した積層セラミックコンデンサでは、セラミック層が誘電体セラミックから構成される。しかし、この発明が向けられる積層型セラミック電子部品は、積層セラミックコンデンサに限らず、たとえば、インダクタ、サーミスタ、圧電部品などを構成するものであってもよい。したがって、積層型セラミック電子部品の機能に応じて、セラミック層は、誘電体セラミックの他、磁性体セラミック、半導体セラミック、圧電体セラミックなどから構成されてもよい。
【符号の説明】
【０１２７】
１，３１，７１  積層セラミックコンデンサ
２，３２，７２  部品本体
３，３３，７３  セラミック層
４，５，３４，３５，７４，７５  内部電極（電極層）
１６，１７，５２〜５５，１００〜１０７  外部電極
１８，１９，５６〜５９，１０８〜１１５  露出部分布領域
２０，６０  第１のめっき層
２１，６１  第２のめっき層
３６〜３９，７６〜８３  補助電極（電極層）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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