(57)【要約】【課題】簡素な構成であり、かつ画像表示性能に優れた表示装置を提供する。【解決手段】この表示装置は、基体１１上に配列され、基体１１の上に第１電極層１３と有機層１４と第２電極層１６とが順に積層された発光部２０を各々含む複数の有機発光素子１０と、複数の有機発光素子１０における発光部２０を相互に分離する開口規定絶縁膜２４とを備える。第２電極層１６は複数の有機発光素子１０のうちの一部または全部に共通に設けられ、開口規定絶縁膜２４を覆う間隙部分を含む。第２電極層１６における面内方向の抵抗は、発光部２０を構成する発光部分よりも間隙部分において小さい。【選択図】図４
2014029814.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体上に配列され、前記基体の上に第１電極層と、発光層を含む有機層と、第２電極層とが順に積層された発光部を各々含む複数の発光素子と、
前記複数の発光素子における発光部を相互に分離する絶縁層と
を有し、
前記第２電極層は前記複数の発光素子のうちの一部または全部に共通に設けられ、前記絶縁層を覆う間隙部分を含み、
前記第２電極層における面内方向の抵抗は、前記発光部を構成する発光部分よりも前記間隙部分において小さい
表示装置。
【請求項２】
前記第２電極層は、前記間隙部分において前記発光部分よりも大きな厚さを有する部分を含む
請求項１記載の表示装置。
【請求項３】
前記第２電極層は、前記発光部分および前記間隙部分の双方において同種の材料からなる
請求項２記載の表示装置。
【請求項４】
前記第２電極層の間隙部分は、少なくとも一方が前記発光部分と同種の材料からなる第１および第２の層を含む積層構造を有する
請求項２記載の表示装置。
【請求項５】
前記第２の層は、前記発光部分よりも小さな体積抵抗率を有する材料からなる
請求項４記載の表示装置。
【請求項６】
前記有機層は前記複数の発光素子の一部または全部に共通に設けられており、前記絶縁層をも覆う部分を含む
請求項１記載の表示装置。
【請求項７】
前記基体は、前記第１電極層と前記第２電極層との間に印加される電圧を制御するための駆動素子を有し、
前記絶縁層が設けられた領域において、前記第１電極層は前記駆動素子と導通している
請求項１記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数の発光素子が配列された表示部を取り囲むように、前記第２電極層と導通する補助配線が設けられている
請求項１記載の表示装置。
【請求項９】
前記補助配線は、前記第１電極層と同一の階層に設けられている
請求項８記載の表示装置。
【請求項１０】
前記複数の発光素子は、互いに交差する第１および第２の方向に配列され、
前記第２電極層の間隙部分は、前記第１および第２の方向に延伸している
請求項１記載の表示装置。
【請求項１１】
表示装置を備えた電子機器であって、
前記表示装置は、
基体上に配列され、前記基体の上に第１電極層と、発光層を含む有機層と、第２電極層とが順に積層された発光部を各々含む複数の発光素子と、
前記複数の発光素子における発光部を相互に分離する絶縁層と
を有し、
前記第２電極層は前記複数の発光素子のうちの一部または全部に共通に設けられ、前記絶縁層を覆う間隙部分を含み、
前記第２電極層における面内方向の抵抗は、前記発光部を構成する発光部分よりも前記間隙部分において小さい
電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機層を含む自発光型の発光素子を有する表示装置、およびそのような表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶ディスプレイに代わる表示装置として、有機層を含む自発光型の有機ＥＬ（Electro Luminescence）素子を用いた有機ＥＬ表示装置が実用化されている。有機ＥＬ表示装置は、自発光型であるので、液晶などに比較して視野角が広く、また、高精細度の高速ビデオ信号に対しても十分な応答性を有するものである。
【０００３】
これまで有機ＥＬ素子については、共振器構造を導入し、発光色の色純度を向上させたり発光効率を高めたりするなどして発光層において発生する光を制御することにより、表示性能を向上させる試みがなされている（例えば、特許文献１参照）。例えば、基板と反対側の面（上面）から光を取り出すトップエミッション方式（上面発光方式）においては、基板の上に、駆動トランジスタを介してアノード電極と有機層とカソード電極とを順に積層し、アノード電極とカソード電極との間で有機層からの光を多重反射させている。
【０００４】
トップエミッション方式の有機ＥＬ表示装置では、高い開口率を確保するため、封止パネル側に位置するカソード電極が、各有機ＥＬ素子に共通に設けられた一体の電極層となっている。さらに、カソード電極は、上面から光を取り出すために、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide；酸化インジウムスズ）などの光透過性の導電材料により構成されている。ところが、このような光透過性の導電材料は、通常の金属材料などと比べて抵抗率が２〜３桁程度高くなっている。よって、カソード電極へ印加された電圧が面内で不均一となりやすいので、各有機ＥＬ素子間の発光輝度の、面内位置によるばらつきが生じ、十分な表示品質が得られにくいという問題があった。
【０００５】
そこで、この問題を解決するべく、カソード電極と接続される補助配線を、例えば駆動パネル側に位置するアノード電極と同一層に形成し、カソード電極の面内方向での電圧降下を抑制するようにした有機ＥＬ表示装置を提案している（例えば特許文献２参照）。この有機ＥＬ表示装置では、補助配線は、例えば各有機ＥＬ素子の表示領域外においてカソード電極と接続される。このように、補助配線を、面内方向に広がるカソード電極に沿って網目状に張り巡らせると共にカソード電極と接続することにより、上述した面内位置による有機ＥＬ素子間の発光輝度のばらつきがある程度緩和される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第０１／３９５５４号パンフレット
【特許文献２】特開２０１０−２４４８０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献２の場合、アノード電極と同一の階層にカソード電極の補助配線を設けるようにしているので、補助配線を配置するためのスペースを十分に確保する必要がある。そのため、表示部における開口率の向上の妨げとなってしまう。有機ＥＬ素子の表示駆動を行う駆動素子の電極と同じ階層に補助配線を設けた場合も同様の問題が生じる。
【０００８】
こうした問題を解消する方法として、カソード電極の補助配線を、アノード電極や駆動素子の電極とは異なる階層に設ける方法も考えられるが、構造が複雑化し、製造が煩雑となるので現実的ではない。
【０００９】
本開示はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、簡素な構成でありながら、より良好な画像表示性能を発揮し得る表示装置、およびそのような表示装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本開示の表示装置は、基体上に配列され、その基体の上に第１電極層と発光層を含む有機層と第２電極層とが順に積層された発光部を各々含む複数の発光素子と、これら複数の発光素子における発光部を相互に分離する絶縁層とを有する。ここで、第２電極層は複数の発光素子のうちの一部または全部に共通に設けられ、絶縁層を覆う間隙部分を含み、第２電極層における面内方向の抵抗は、発光部を構成する発光部分よりも間隙部分において小さい。また、本開示の電子機器は、上記本開示の表示装置を備えたものである。
【００１１】
本開示の表示装置および電子機器では、第２電極層における面内方向の抵抗が、発光部を構成する発光部分よりも間隙部分において小さくなっている。このため、補助電極を別途設けずとも、第２電極層の電圧降下が抑制される。
【発明の効果】
【００１２】
本開示の表示装置および電子機器によれば、発光部における第２電極層の厚さを増大せず、かつ、補助電極を設けることなく第２電極層の電圧降下を抑制することができる。このため、表示画面内での発光輝度を維持しつつ、その発光輝度の分布の均一性を向上させ、より高い表示性能を得ることができる。そのうえ、補助電極を設けるスペースの確保が不要であるため、各発光素子の発光部の形成面積を十分に確保することができ、開口率を低下させることがない。そのため、従来のように補助電極層を発光素子同士の隙間に設けるようにした場合よりも、表示画面全体の輝度を向上させることができる。したがって、さらなる大画面化に十分に対応可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の一実施の形態に係る表示装置の構成を表す図である。
【図２】図１に示した画素駆動回路の一例を表す図である。
【図３】図１に示した表示領域の構成を表す平面図である。
【図４】図１に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図５】図１に示した表示領域の構成を表す他の断面図である。
【図６】図４および図５に示した有機層を拡大して表す断面図である。
【図７】比較例としての表示装置の構成を表す平面図である。
【図８】図７に示した表示領域の構成を表す断面図である。
【図９】第１の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。
【図１０】第２の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。
【図１１】第３の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。
【図１２】第４の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。
【図１３】第５の変形例としての表示装置の要部構成を表す断面図である。
【図１４】上記実施の形態等の表示装置を含むモジュールの概略構成を表す平面図である。
【図１５】表示装置の第１の適用例としてのテレビジョン装置の外観を表す斜視図である。
【図１６Ａ】表示装置の第２の適用例としてのデジタルカメラにおける外観を表す第１の斜視図である。
【図１６Ｂ】表示装置の第２の適用例としてのデジタルカメラにおける外観を表す第２の斜視図である。
【図１７】表示装置の第３の適用例としてのノート型パーソナルコンピュータの外観を表す斜視図である。
【図１８】表示装置の第４の適用例としてのビデオカメラの外観を表す斜視図である    。
【図１９Ａ】表示装置の第５の適用例としての携帯電話機における、閉じた状態の外観を表す正面図、左側面図、右側面図、上面図、下面図である。
【図１９Ｂ】表示装置の第５の適用例としての携帯電話機における、開いた状態の正面図および側面図である。
【図２０Ａ】表示装置を用いた第６の適用例としてのタブレット型ＰＣにおける外観を表す第１の斜視図である。
【図２０Ｂ】表示装置を用いた第６の適用例としてのタブレット型ＰＣにおける外観を表す第２の斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
＜実施の形態＞
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機発光素子を用いた表示装置の構成を表すものである。この表示装置は、極薄型の有機発光カラーディスプレイ装置などとして用いられる。この表示装置は、基板１１１の上に表示領域１１０が形成されたものである。基板１１１上の表示領域１１０の周辺には、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０が形成されている。また、表示領域１１０の周囲には、これを取り囲むように環状をなす補助配線１７（後述）が設けられている。補助配線１７は、後述の第２電極層１６と導通する金属層である。
【００１６】
表示領域１１０には、マトリクス状に二次元配置された複数の有機発光素子１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）と、それらを駆動するための画素駆動回路１５０とが形成されている。画素駆動回路１５０において、列方向には複数の信号線１２０Ａ（１２０Ａ１，１２０Ａ２，・・・，１２０Ａｍ，・・・）が配置され、行方向には複数の走査線１３０Ａ（１３０Ａ１，・・・，１３０Ａｎ，・・・）および複数の電源供給線１４０Ａ（１４０Ａ１，・・・，１４０Ａｎ，・・・）が配置されている。各信号線１２０Ａと各走査線１３０Ａとの各交差点に、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂのいずれか一つが対応して設けられている。各信号線１２０Ａは信号線駆動回路１２０に接続され、各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、各電源供給線１４０Ａは電源供給線駆動回路１４０に接続されている。
【００１７】
信号線駆動回路１２０は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１２０Ａを介して選択された有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに供給するものである。
【００１８】
走査線駆動回路１３０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。走査線駆動回路１３０は、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂへの映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１３０Ａに走査信号を順次供給するものである。
【００１９】
電源供給線駆動回路１４０は、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタなどによって構成されている。電源供給線駆動回路１４０は、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し互いに異なる第１電位および第２電位のいずれかを適宜供給する。これにより、後述する駆動トランジスタＴｒ１の導通状態または非導通状態の選択が行われる。
【００２０】
画素駆動回路１５０は、基板１１１と有機発光素子１０との間の階層（後述の画素駆動回路形成層１１２）に設けられている。図２に、画素駆動回路１５０の一構成例を表す。図２に示したように、画素駆動回路１５０は、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２と、その間のキャパシタ（保持容量）Ｃｓと、有機発光素子１０とを有するアクティブ型の駆動回路である。有機発光素子１０は、電源供給線１４０Ａおよび共通電源供給線（ＧＮＤ）の間において駆動トランジスタＴｒ１と直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、一般的な薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により構成され、その構成は例えば逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）でもよいしスタガー構造（トップゲート型）でもよく特に限定されない。
【００２１】
書込トランジスタＴｒ２は、例えばドレイン電極が信号線１２０Ａと接続されており、信号線駆動回路１２０からの映像信号が供給されるようになっている。また、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極は走査線１３０Ａと接続されており、走査線駆動回路１３０からの走査信号が供給されるようになっている。さらに、書込トランジスタＴｒ２のソース電極は、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極と接続されている。
【００２２】
駆動トランジスタＴｒ１は、例えばドレイン電極が電源供給線１４０Ａと接続されており、電源供給線駆動回路１４０による第１電位または第２電位のいずれかに設定される。駆動トランジスタＴｒ１のソース電極は、有機発光素子１０と接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、第１電極層１３（後出）と第２電極層１６（後出）との間に印加される電圧を制御するための駆動素子である。
【００２３】
保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極（書込トランジスタＴｒ２のソース電極）と、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極との間に形成されるものである。
【００２４】
図３に、ＸＹ平面に広がる表示領域１１０の一構成例を表す。ここでは、第２電極層１６、保護膜１８および封止基板１９（いずれも後出）を取り去った状態の表示領域１１０を、上方から眺めた平面構成を表す。表示領域１１０には、複数の有機発光素子１０がＸ方向およびＹ方向に並び、全体としてマトリックス状に配列されている。より詳細には、開口規定絶縁膜２４によって相互に分離され、輪郭が規定された発光部２０を含む有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂが１つずつ配置されている。有機発光素子１０Ｒは赤色光を発し、有機発光素子１０Ｇは緑色光を発し、有機発光素子１０Ｂは青色光を発する。ここでは、同色光を発する有機発光素子１０をＹ方向に一列に並べ、それをＸ方向に順に繰り返し配置するようにしている。したがって、Ｘ方向において隣り合う有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）を構成している。
【００２５】
図３において、発光部２０を取り囲む破線で示した矩形は有機層１４が形成された領域を表す。有機層１４は、自らが構成する有機発光素子１０の発光部２０よりも大きく、かつ、隣接する他の有機発光素子１０の発光部２０と重複しないことが求められる。隣り合う有機発光素子１０を構成する有機層１４同士が、発光部２０以外の部分である間隙部２１において重なり合うことは問題ない。さらに、有機層１４が形成された領域を取り囲む破線で示した矩形は、第１電極層１３が形成された領域を表す。第１電極層１３の一部には、例えば駆動トランジスタＴｒ１のソース電極との導通を図るコンタクト部１２４が設けられている。なお、Ｘ方向およびＹ方向に並ぶ有機発光素子１０の数は任意に設定されるものであり、図３に示した数に限定されるものではない。また、１つの画素を４以上の有機発光素子によって構成してもよいし、白色光を発する有機発光素子をさらに設けるようにしてもよい。
【００２６】
図４は、表示領域１１０における、図３に示したＩＶ−ＩＶ線に沿ったＸＺ断面の概略構成を示すものである。図４に示したように、表示領域１１０では、基板１１１に画素駆動回路形成層１１２が設けられてなる基体１１の上に、有機発光素子１０を含む発光素子形成層１２が形成されている。有機発光素子１０の上には、保護膜１８と封止基板１９とが順に設けられている。有機発光素子１０は、基板１１１の側から、アノード電極としての第１電極層１３、発光層１４Ｃ（後出）を含む有機層１４、およびカソード電極としての第２電極層１６が各々順に積層されたものである。有機層１４および第１電極層１３は、開口規定絶縁膜２４によって有機発光素子１０ごとに分離されている。一方、第２電極層１６は、全ての有機発光素子１０に共通して設けられている。なお、図４では、画素駆動回路形成層１１２における駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２などの詳細な構成については図示を省略した。
【００２７】
開口規定絶縁膜２４は、隣り合う有機発光素子１０における第１電極層１３および有機層１４同士の隙間、すなわち、発光部２０同士の隙間である間隙部２１を埋めるように設けられている。開口規定絶縁膜２４は、例えばポリイミドなどの有機材料からなり、第１電極層１３と、第２電極層１６との絶縁性を確保すると共に、有機発光素子１０の発光部２０を正確に画定するものでもある。
【００２８】
有機発光素子１０を覆う保護膜１８は、窒化ケイ素（ＳｉＮx ）などの絶縁材料からなる。また、その上に設けられた封止基板１９は、保護膜１８や接着層（図示せず）などと共に有機発光素子１０を封止するものであり、発光層１４Ｃにおいて発生した光を透過する透明なガラスなどの材料により構成されている。
【００２９】
次に、図４に加え、図５および図６を参照して、基体１１および有機発光素子１０の詳細な構成について説明する。なお、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂは、互いに有機層１４の構成が一部異なることを除き、他は共通の構成であるので、以下では、まとめて説明する。
【００３０】
図５は、図３に示した表示領域１１０の、Ｖ−Ｖ線に沿った断面図である。また、図６は、図４および図５に示した有機層１４の断面の一部を拡大して表したものである。
【００３１】
基体１１は、ガラス，シリコン（Ｓｉ）ウェハあるいは樹脂などよりなる基板１１１に、画素駆動回路１５０を含む画素駆動回路形成層１１２が設けられたものである。基板１１１の表面には、第１階層の金属層として、駆動トランジスタＴｒ１のゲート電極である金属層２１１Ｇと、書込トランジスタＴｒ２のゲート電極である金属層２２１Ｇ（図５）と、信号線１２０Ａ（図５）とがそれぞれ設けられている。これら金属層２１１Ｇ，２２１Ｇおよび信号線１２０Ａは、窒化ケイ素や酸化ケイ素などからなるゲート絶縁膜２１２によって覆われている。
【００３２】
ゲート絶縁膜２１２上の、金属層２１１Ｇ，２２１Ｇに対応する領域には、アモルファスシリコンなどの半導体薄膜からなるチャネル層２１３，２２３が設けられている。チャネル層２１３，２２３上には、その中心領域であるチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを占めるように絶縁性のチャネル保護膜２１４，２２４が設けられており、その両側の領域には、ｎ型アモルファスシリコンなどのｎ型半導体薄膜からなるドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓが設けられている。これらドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓは、チャネル保護膜２１４，２２４によって互いに分離されており、それらの端面がチャネル領域２１３Ｒ，２２３Ｒを挟んで互いに離間している。さらに、ドレイン電極２１５Ｄ，２２５Ｄおよびソース電極２１５Ｓ，２２５Ｓをそれぞれ覆うように、第２階層の金属層として、ドレイン配線としての金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよびソース配線としての金属層２１６Ｓ，２２６Ｓが設けられている。金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓは、例えばチタン（Ｔｉ）層、アルミニウム（Ａｌ）層、およびチタン層を順に積層した構造を有するものである。第２階層の金属層としては、上記の金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓのほか、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａ（図４）が設けられている。なお、ここでは、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）の駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２について説明したが、スタガー構造（いわゆるトップゲート型）のものであってもよい。また、信号線１２０Ａについては、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａとの交差点以外の領域では第２階層に設けるようにしてもよい。
【００３３】
画素駆動回路１５０は、窒化ケイ素などからなる保護膜（パッシベーション膜）２１７によって全体的に覆われており、その上には、さらに絶縁性の平坦化膜２１８が設けられている。平坦化膜２１８は、その表面が極めて高い平坦性を有するものであることが望まれる。また、平坦化膜２１８および保護膜２１７の一部領域には、微細なコンタクト部１２４が設けられている（図４）。平坦化膜２１８は、特に保護膜２１７に比べて厚みが大きいので、例えばポリイミド等の有機材料など、パターン精度が良い材料により構成されていることが好ましい。コンタクト部１２４には第１電極層１３が充填されており、駆動トランジスタＴｒ１のソース電極を構成する金属層２１６Ｓとの導通がなされている。
【００３４】
平坦化膜２１８の上に形成された第１電極層１３は、反射層としての機能も兼ねており、できるだけ高い反射率を有する材料によって構成することが発光効率を高める上で望ましい。そのため、第１電極層１３は、アルミニウム（Ａｌ）やアルミニウムネオジウム合金（ＡｌＮｄ）などの高反射率材料によって構成される。
【００３５】
有機層１４は、開口規定絶縁膜２４によって画定された発光部２０に全面に亘って隙間無く形成されている。有機層１４は、例えば図６に示したように、第１電極層１３の側から正孔注入層１４Ａ、正孔輸送層１４Ｂ、発光層１４Ｃ、電子輸送層１４Ｄが順に積層された構成を有する。但し、発光層１４Ｃ以外の層は、必要に応じて設ければよい。
【００３６】
正孔注入層１４Ａは、正孔注入効率を高めるためのものであると共に、リークを防止するためのバッファ層である。正孔輸送層１４Ｂは、発光層１４Ｃへの正孔輸送効率を高めるためのものである。発光層１４Ｃは、電界をかけることにより電子と正孔との再結合が起こり、光を発生するものである。電子輸送層１４Ｄは、発光層１４Ｃへの電子輸送効率を高めるためのものである。なお、電子輸送層１４Ｄと第２電極層１６との間には、ＬｉＦ，Ｌｉ2 Ｏなどよりなる電子注入層（図示せず）を設けてもよい。
【００３７】
また、有機層１４は、有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの発光色によってそれぞれ構成が異なっている。有機発光素子１０Ｒの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、４，４’，４”−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）あるいは４，４’，４”−トリス（２−ナフチルフェニルアミノ）トリフェニルアミン（２−ＴＮＡＴＡ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ビス［（Ｎ−ナフチル）−Ｎ−フェニル］ベンジジン（α−ＮＰＤ）により構成されている。有機発光素子１０Ｒの発光層１４Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、８−キノリノールアルミニウム錯体（Ａｌｑ3 ）に２，６−ビス［４−［Ｎ−（４−メトキシフェニル）−Ｎ−フェニル］アミノスチリル］ナフタレン−１，５−ジカルボニトリル（ＢＳＮ−ＢＣＮ）を４０体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｒの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３８】
有機発光素子１０Ｇの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの発光層１４Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 にクマリン６（Ｃｏｕｍａｒｉｎ６）を３体積％混合したものにより構成されている。有機発光素子１０Ｇの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００３９】
有機発光素子１０Ｂの正孔注入層１４Ａは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、ｍ−ＭＴＤＡＴＡあるいは２−ＴＮＡＴＡにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの正孔輸送層１４Ｂは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、α−ＮＰＤにより構成されている。有機発光素子１０Ｂの発光層１４Ｃは、例えば、厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であり、スピロ６Φ（ｓｐｉｒｏ６Φ）により構成されている。有機発光素子１０Ｂの電子輸送層１４Ｄは、例えば、厚みが５ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、Ａｌｑ3 により構成されている。
【００４０】
第２電極層１６は、第１の層１６１と第２の層１６２との２層構造を有している。第１の層１６１は、２以上もしくは全ての有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに共通に設けられており、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂの第１電極層１３と対向配置されている。さらに第１の層１６１は、有機層１４のみならず、開口規定絶縁膜２４をも覆うように形成されている。一方、第２の層１６２は、発光部２０には設けられておらず、開口規定絶縁膜２４が形成された間隙部２１のみに設けられている。このため、第２電極層１６は、開口規定絶縁膜２４が形成された間隙部２１において発光部２０よりも大きな厚さを有する。なお、第２電極層１６は、間隙部２１の少なくとも一部において発光部２０よりも大きな厚さを有するようにすればよい。第２電極層１６のうち、第２の層１６２が設けられた間隙部２１は、有機発光素子１０の配列に沿って、Ｘ方向およびＹ方向の双方に延伸されている。
【００４１】
第１の層１６１は、発光層で発生した光に対して十分な透光性を有する導電性材料により構成された透明電極である。その構成材料としては、例えば、ＩＴＯまたはインジウムと亜鉛（Ｚｎ）と酸素とを含む化合物が好ましい。
【００４２】
第２の層１６２の構成材料は、第１の層１６１の構成材料と同種であってもよいし、異種であってもよい。ただし、第１の層１６１の構成材料よりも体積抵抗率の低い材料であることが望ましい。第２電極層１６の電圧降下をより低減することができるからである。ここで、第２の層１６２は、第２電極層１６のうち、発光部２０以外の間隙部２１のみに形成されることから、透明である必要がない。よって、Ａｌ，ＣｕもしくはＡｇの単体などの不透明ではあるものの、高導電性の金属材料を適用することができる。なお、第２電極層１６のうち、間隙部２１に設けられた間隙部分については全て不透明な高導電性材料によって形成してもよい。すなわち、第２電極層１６は、発光部２０と間隙部２１とで異種の材料によって構成されていてもよい。
【００４３】
補助配線１７は、先に述べたように、複数の有機発光素子１０が配列された表示領域１１０を取り囲むように環状をなして設けられている。補助配線１７は、例えば第１電極層１３と同様に平坦化膜２１８の表面に形成されており（図５）、主たる電極としての第２電極層１６における電圧降下を補う機能を有する。補助配線１７の一部は、表示領域１１０の周辺領域において第２電極層１６と接しており、第２電極層１６と電気的に接続された状態となっている（図５参照）。補助配線１７を構成する材料としては、単層構造であればアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、チタン（Ｔｉ）などの高導電性の金属材料が好ましい。なお、第２電極層１６の電圧降下が第２の層１６２の存在によって十分に抑制されるのであれば、この補助配線１７は不要である。
【００４４】
この表示装置は、例えば次のようにして製造することができる。以下、図４〜図６などを参照して、本実施の形態の表示装置の製造方法について説明する。
【００４５】
まず、上述した材料よりなる基板１１１の上に、駆動トランジスタＴｒ１および書き込みトランジスタＴｒ２を含む画素駆動回路１５０を形成する。具体的には、まず、基板１１１上に例えばスパッタリングにより金属膜を形成する。そののち、例えばフォトリソグラフィ法やドライエッチング、あるいはウェットエッチングによりその金属膜をパターニングすることで、基板１１１上に金属層２１１Ｇ，２２１Ｇと、信号線１２０Ａの一部とを形成する。次いで、全面をゲート絶縁膜２１２によって覆う。さらに、ゲート絶縁膜２１２の上に、チャネル層、チャネル保護膜、ドレイン電極およびソース電極、ならびに、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓを順に、所定形状に形成する。ここで、金属層２１６Ｄ，２２６Ｄおよび金属層２１６Ｓ，２２６Ｓの形成と併せて、信号線１２０Ａの一部、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａを第２の金属層として各々形成する。その際、金属層２２１Ｇと走査線１３０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｄと信号線１２０Ａとを接続する接続部、金属層２２６Ｓと金属層２１１Ｇとを接続する接続部を予め形成しておく。そののち、全体を保護膜２１７で覆うことにより、画素駆動回路１５０を完成させる。その際、保護膜２１７における金属層２１６Ｓ上の所定位置に、ドライエッチングなどにより開口を形成しておく。
【００４６】
画素駆動回路１５０を形成したのち、スピンコート法などにより、例えばポリイミドを主成分とする感光性樹脂を全面に亘って塗布する。次に、その感光性樹脂に対しフォトリソグラフィ処理を施すことにより、コンタクト部１２４を有する平坦化膜２１８を形成する。具体的には、例えば所定位置に開口を有するマスクを用いた選択的な露光および現像により、保護膜２１７に設けられた開口と連通するコンタクト部１２４を形成する。そののち、平坦化膜２１８を必要に応じて焼成してもよい。これにより画素駆動回路形成層１１２を得る。
【００４７】
さらに、上述した所定の材料よりなる第１電極層１３および補助配線１７を形成する。具体的には、例えばスパッタリングによって上述の材料からなる金属膜を全面成膜したのち、その積層膜上に所定のマスクを用いて所定形状のレジストパターン（図示せず）を形成する。さらにそのレジストパターンをマスクとして用い、金属膜の選択的なエッチングを行う。その際、第１電極層１３については、平坦化膜２１８の表面を覆うと共にコンタクト部１２４を充填するように形成する。また、補助配線１７については、平坦化膜２１８の表面に、全ての第１電極層１３の周囲を取り囲むように形成する。補助配線１７は、第１電極層１３と同種の材料を用いて、第１電極層１３と共に一括して形成することが望ましい。製造を簡略化するためである。
【００４８】
こののち、隣り合う第１電極層１３同士の隙間を充填し、かつ、補助配線１７を覆うように開口規定絶縁膜２４を形成する。その際、補助配線１７を覆う部分の一部に開口を設けるようにする。のちに形成する第２電極層１６と補助配線１７とのコンタクトを図るためである。次いで、第１電極層１３のうち、露出している部分を完全に覆うように上述した所定の材料および厚みの正孔注入層１４Ａ、正孔輸送層１４Ｂ、発光層１４Ｃ、電子輸送層１４Ｄを、例えば蒸着法によって順に積層することで有機層１４を形成する。さらに、有機層１４を挟んで第１電極層１３と対向するように覆い、かつ、所定の開口において補助配線１７を覆うように全面に亘って第１の層１６１を形成する。最後に、第１の層１６１の、開口規定絶縁膜２４と対応する領域に第２の層１６２を形成し、第２電極層１６を完成させることで有機発光素子１０を得る。ここで、第２の層１６２は、以下のようにして形成可能である。まず、例えば第１の方向（例えばＸ方向）に延在するスリットが第２の方向（Ｙ方向）に複数並ぶメタルマスク（図示せず）を用いてスパッタリングを行い、第１の方向に延在する部分を形成する。そののち、第２の方向に延在するスリットが第１の方向に複数並ぶメタルマスク（図示せず）を用いて（あるいは先のメタルマスクを９０°回転させて）スパッタリングを行い、第２の方向に延在する部分を形成する。これにより、ＸＹ平面において発光部２０の配列に対応して格子状の平面パターンを有する第２の層１６２が形成される。
【００４９】
こののち、全体を覆うように、上述した材料よりなる保護膜１８を形成する。最後に、保護膜１８の上に、接着層を形成し、この接着層を間にして封止基板１９を貼り合わせる。以上により、表示装置が完成する。
【００５０】
このようにして得られた表示装置では、各画素に対して走査線駆動回路１３０から書込トランジスタＴｒ２のゲート電極（金属層２２１Ｇ）を介して走査信号が供給されると共に、信号線駆動回路１２０から画像信号が書き込みトランジスタＴｒ２を介して保持容量Ｃｓに保持される。その一方で、電源供給線駆動回路１４０が、走査線駆動回路１３０による行単位の走査と同期して、各電源供給線１４０Ａに対し第２電位よりも高い第１電位を供給する。これにより駆動トランジスタＴｒ１の導通状態が選択され、各有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに駆動電流Ｉｄが注入されることにより、正孔と電子とが再結合して発光が起こる。この光は、第１電極層１３と第２電極層１６との間で多重反射し、第２電極層１６、保護膜１８および封止基板１９を透過して取り出される。
【００５１】
以上説明したように、本実施の形態では、第２電極層１６における面内方向の抵抗を、発光部２０を構成する発光部分よりも開口規定絶縁膜２４を覆う間隙部２１に設けられた間隙部分において小さくしている。このため、有機発光素子１０を隔てる間隙部２１において補助配線を別途設けずとも、第２電極層１６の電圧降下が十分に抑制される。よって、表示領域１１０での部分的な輝度低下、輝度むらが生じにくい。また、発光部２０における第２電極層１６の厚さを増大させる必要もないので、第２電極層１６の透過率も低下せず、表示領域１１０での全体の発光輝度を維持することが出来る。その結果、高い発光輝度を維持しつつ、その発光輝度の分布の均一性を向上させ、より高い表示性能を得ることができる。
【００５２】
そのうえ、表示領域１１０において補助配線を設けるスペースの確保が不要であるため、各有機発光素子１０の発光領域（発光部２０の占有面積）を十分に確保することができ、開口率を低下させることがない。これに対し、例えば図７および図８に示したように、有機発光素子１０同士の隙間（間隙部２１）にも補助配線１１７を設けることで、第２電極層１６の電圧降下を防止するようにした場合、開口率が低下してしまう。補助配線１１７を配置するスペースが必要だからである。したがって、本実施の形態では、補助配線を有機発光素子同士の隙間に設けるようにした場合よりも、表示画面全体の輝度を向上させることができる。したがって、さらなる大画面化に十分に対応することができる。なお、図７は、本実施の形態の表示装置に対する比較例としての表示装置の平面構成を表し、図３に対応している。また、図８は、図７に示した比較例としての表示装置におけるＶIII−ＶIII線に沿った断面図であり、図４に対応している。図７では、視認性を高めるため、補助配線１１７を強調して示している。
【００５３】
＜変形例＞
以上、実施の形態を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では、間隙部２１において、開口規定絶縁膜２４の上に第１の層１６１と第２の層１６２とを順に積層することで第２電極層１６を形成したが、本開示はこれに限定されるものではない。例えば図９に示したように、開口規定絶縁膜２４の上にまず第２の層１６２を形成したのち、全体を覆うように第１の層１６１を形成するようにしてもよい（第１の変形例）。
【００５４】
さらに、図１０に示したように、封止基板１９の表面のうち、間隙部２１と対向する領域に導電膜パターン２２を設け、それを第２電極層１６とを接するようにしてもよい（第２の変形例）。この構造は、例えば封止基板１９の所定位置に、所定形状の導電膜パターン２２を予め形成しておき、それを有機発光素子１０が形成された基板１１１と貼り合わせることで得られる。これにより、構造および製造工程の簡素化を図りつつ、表示装置の薄型化をも図ることができる。
【００５５】
また、上記実施の形態では、表示領域１１０を取り囲む環状の補助配線１７を第１電極層１３と同様に平坦化膜２１８の上に設けるようにしたが、本技術ではこれに限定されない。例えば、図１１に示した第３の変形例のように、ゲート絶縁膜２１２の上に、第２階層の金属層として補助配線１７を設けるようにしてもよい。この場合、補助配線１７は、第２階層の金属層としての金属層２１６Ｄ，２２６Ｄ、２１６Ｓ，２２６Ｓのほか、走査線１３０Ａおよび電源供給線１４０Ａなどと同時に、同種の材料を用いて形成するとよい。また、開口規定絶縁膜２４および平坦化膜２１８を選択的に掘り下げることにより開口を形成し、補助配線１７の上面を露出させる。そののち、その開口および補助配線１７の上面を覆うように第２電極層１６（第１の層１６１）を形成すればよい。なお、補助配線１７を平坦化膜２１８上に形成する場合には、信号線駆動回路１２０、走査線駆動回路１３０および電源供給線駆動回路１４０などの周辺回路と重複する領域に補助配線１７を配置することができる。一方、図１１のように、駆動トランジスタＴｒ１などと同じ階層に補助配線１７を形成する場合、表示領域１１０と上記の周辺回路との隙間および上記周辺回路の外側の領域のうちの少なくとも一方に補助配線１７を配置することとなる。
【００５６】
あるいは、例えば図１２に示した第４の変形例のように、ゲート絶縁膜２１２の上に設けた金属層１７１と、平坦化膜２１８を覆う金属層１７２との２層構造からなる補助配線１７を設けるようにしてもよい。
【００５７】
また、本技術では、例えば図１３に示した第５の変形例のように、補助配線１７の替わりに、例えば表示領域１１０を取り囲む環状のシール部２３を導電性の接着材料により形成してもよい。このシール部２３は下面が第２電極層１６と接合されると共に上面が封止基板１９と接合されることで、保護膜１８の流出を防ぐと共に第２電極層１６の補助配線としての機能を果たすことができる。
【００５８】
また、上記実施の形態では、第１の層１６１が発光部２０および間隙部２１の双方に亘って共通に形成されるようにしたが、本技術ではこれに限定されない。例えば、第２電極層１６を、発光部２０と間隙部２１とで別々に形成してもよい。但し、間隙部２１における第２電極層１６を、第１および第２の層を含む積層構造とした場合、それら第１および第２の層の少なくとも一方が発光部２０における第２電極層１６と同種の材料からなるようにするとよい。
【００５９】
また、上記実施の形態では、赤色光、緑色光および青色光をそれぞれ発する有機層１４を塗り分けることで有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂを設けた場合について例示したが、本技術はこれに限定されない。例えば全ての有機発光素子１０を、白色光を発するものとし、別途設けたカラーフィルタにより各色光を取り出すようにしてもよい。その場合、有機層１４は複数の有機発光素子１０の一部または全部に共通に設けられており、開口規定絶縁膜２４をも覆う部分を含むこととなる。
【００６０】
また、上記実施の形態では、赤色光、緑色光および青色光をそれぞれ発する有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂにより一の画素を構成する場合について例示したが、本技術はこれに限定されない。例えば上記の３種類の有機発光素子１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂに、白色光を発する有機発光素子１０Ｗもしくは黄色光を発する有機発光素子１０Ｙを加えた４種類の有機発光素子によって一の画素を構成するようにしてもよい。
【００６１】
さらには、黄色光および青色光をそれぞれ発する有機発光素子１０Ｙ，１０Ｂと赤色、緑色、青色および黄色のカラーフィルタとを併用することで、赤色光、緑色光、青色光および黄色光を取り出すようにした表示装置であってもよい。あるいは、黄色光および青色光をそれぞれ発する有機発光素子１０Ｙ，１０Ｂと赤色、緑色および青色のカラーフィルタとを併用することで、赤色光、緑色光および青色光を取り出すようにした表示装置であってもよい。
【００６２】
また、本技術は、上記実施の形態において説明した各層の材料や積層順序、あるいは成膜方法などに限定されるものではない。例えば、上記実施の形態においては、第１電極層１３をアノード、第２電極層１６をカソードとする場合について説明したが、第１電極層１３をカソード、第２電極層１６をアノードとしてもよい。さらに、上記実施の形態では、発光部２０の構成を具体的に挙げて説明したが、他の層をさらに備えていてもよい。例えば、第１電極層１３と有機層１４との間に、酸化クロム（ＩＩＩ）（Ｃｒ2 Ｏ3 ），ＩＴＯ（Indium-Tin Oxide：インジウム（Ｉｎ）およびスズ（Ｓｎ）の酸化物混合膜）などからなる正孔注入用薄膜層を備えていてもよい。
【００６３】
また、上記各実施の形態では、アクティブマトリクス型の表示装置の場合について説明したが、本発明はパッシブマトリクス型の表示装置への適用も可能である。更にまた、アクティブマトリクス駆動のための画素駆動回路の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素駆動回路の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１２０や走査線駆動回路１３０のほかに、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００６４】
＜適用例＞
以下、上記実施の形態および変形例で説明した表示装置の適用例について説明する。上記実施の形態等の表示装置は、テレビジョン装置，デジタルカメラ，ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなどのあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。すなわち、上記実施の形態等の表示装置は、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００６５】
（モジュール）
上記実施の形態等の表示装置は、例えば、図１４に示したようなモジュールとして、後述する第１〜第６の適用例１〜６などの種々の電子機器に組み込まれる。このモジュールは、例えば、基板１１１の一辺に、封止基板１９等から露出した領域２１０を設け、この露出した領域２１０に、信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０の配線を延長して外部接続端子（図示せず）を形成したものである。外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ；Flexible Printed Circuit）２２０が設けられていてもよい。
【００６６】
（適用例１）
図１５は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【００６７】
（適用例２）
図１６Ａ，１６Ｂは、上記実施の形態等の表示装置が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【００６８】
（適用例３）
図１７は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【００６９】
（適用例４）
図１８は、上記実施の形態等の表示装置が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【００７０】
（適用例５）
図１９Ａ，１９Ｂは、上記実施の形態等の表示装置が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る表示装置により構成されている。
【００７１】
（適用例６）
図２０Ａ，２０Ｂは、いわゆるタブレット型パーソナルコンピュータ（ＰＣ）の外観構成を表している。このタブレット型ＰＣは、例えば、表示部８１０と、それを保持する筐体などの非表示部８２０と、電源スイッチなどの操作部８３０とを備えている。なお、操作部８３０は、図１７Ａに示したように非表示部８２０の前面に設けられていてもよいし、図１７Ｂに示したように上面に設けられていてもよい。表示部８２０は、映像表示機能のほか、位置入力機能（ポインティング機能）を備えたタッチスクリーン（タッチパネル）である。
【００７２】
また、本技術は以下のような構成を取り得るものである。
（１）
基体上に配列され、前記基体の上に第１電極層と、発光層を含む有機層と、第２電極層とが順に積層された発光部を各々含む複数の発光素子と、
前記複数の発光素子における発光部を相互に分離する絶縁層と
を備え、
前記第２電極層は前記複数の発光素子のうちの一部または全部に共通に設けられ、前記絶縁層を覆う間隙部分を含み、
前記第２電極層における面内方向の抵抗は、前記発光部を構成する発光部分よりも前記間隙部分において小さい
表示装置。
（２）
前記第２電極層は、前記間隙部分において前記発光部分よりも大きな厚さを有する部分を含む
上記（１）記載の表示装置。
（３）
前記第２電極層は、前記発光部分および前記間隙部分の双方において同種の材料からなる
上記（２）記載の表示装置。
（４）
前記第２電極層の間隙部分は、少なくとも一方が前記発光部分と同種の材料からなる第１および第２の層を含む積層構造を有する
上記（２）記載の表示装置。
（５）
前記第２の層は、前記発光部分よりも小さな体積抵抗率を有する材料からなる
上記（４）記載の表示装置。
（６）
前記有機層は前記複数の発光素子の一部または全部に共通に設けられており、前記絶縁層をも覆う部分を含む
上記（１）から（５）に記載の表示装置。
（７）
前記基体は、前記第１電極層と前記第２電極層との間に印加される電圧を制御するための駆動素子を有し、
前記絶縁層が設けられた領域において、前記第１電極層は前記駆動素子と導通している
上記（１）から（６）に記載の表示装置。
（８）
前記複数の発光素子が配列された表示部を取り囲むように、前記第２電極層と導通する補助配線が設けられている
上記（１）から（７）に記載の表示装置。
（９）
前記補助配線は、前記第１電極層と同一の階層に設けられている
上記（８）記載の表示装置。
（１０）
前記複数の発光素子は、互いに交差する第１および第２の方向に配列され、
前記第２電極層の間隙部分は、前記第１および第２の方向に延伸されている
上記（１）から（９）に記載の表示装置。
（１１）
表示装置を備えた電子機器であって、
前記表示装置は、
基体上に配列され、前記基体の上に第１電極層と、発光層を含む有機層と、第２電極層とが順に積層された発光部を各々含む複数の発光素子と、
前記複数の発光素子における発光部を相互に分離する絶縁層と
を有し、
前記第２電極層は前記複数の発光素子のうちの一部または全部に共通に設けられ、前記絶縁層を覆う間隙部分を含み、
前記第２電極層における面内方向の抵抗は、前記発光部を構成する発光部分よりも前記間隙部分において小さい
電子機器。
【符号の説明】
【００７３】
１０（１０Ｒ，１０Ｇ，１０Ｂ）…有機発光素子、１１…基体、１１１…基板、１１２…画素駆動回路形成層、１２…発光素子形成層、１３…第１電極層、１４…有機層、１４Ａ…正孔注入層、１４Ｂ…正孔輸送層、１４Ｃ…発光層、１４Ｄ…電子輸送層、１６…第２電極層、１６１…第１の層、１６２…第２の層、１７…補助配線、１７１…第１の層、１７２…第２の層、１８…保護膜、１９…封止基板、２０…発光部、２１…間隙部、２２…導電膜パターン、２３…シール部、２４…開口規定絶縁膜、２４Ｋ…開口、１２４…コンタクト部、１１０…表示領域、１２０…信号線駆動回路、１２０Ａ…信号線、１３０…走査線駆動回路、１３０Ａ…走査線、１４０…電源供給線駆動回路、１４０Ａ…電源供給線、１５０…画素駆動回路、２１７…保護膜（パッシベーション膜）、２１８…平坦化膜、Ｃｓ…キャパシタ（保持容量）、Ｐ１…第１端部、Ｐ２…第２端部、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６Ａ】
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【図１６Ｂ】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９Ａ】
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【図１９Ｂ】
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【図２０Ａ】
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【図２０Ｂ】
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