(57)【要約】 【課題】ヘッドの浮上特性が良好で、パターンの面内均一性が良く、サイズばらつきの小さい磁気記録媒体を得る。【解決手段】実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は、磁気記録層上に、下地層と、下地層と共に合金を形成する金属剥離層とを順に形成し、下地層と金属剥離層を合金化させて合金剥離層を形成する工程と、合金剥離層上にマスク層を形成する工程と、マスク層上にレジスト層を形成する工程と、これらの層を順にパターニングした後、剥離溶液を用いて前記合金剥離層を溶解し、上部マスクを前記磁気記録層上から除去する工程とを含む。【選択図】図１
2014010870.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層上に、下地層と、該下地層と共に合金を形成する金属剥離層とを順に形成し、該下地層と該金属剥離層を合金化させて合金剥離層を形成する工程と、
前記合金剥離層上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングして凹凸パターンを設ける工程と、
前記凹凸パターンを前記マスク層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記合金剥離層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記磁気記録層へ転写する工程と、
剥離溶液を用いて前記合金剥離層を溶解し、前記合金剥離層上に形成された層を前記磁気記録層上から除去する工程と
を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２】
基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層上に、金属剥離層と、該金属剥離層と共に合金を形成する下地層とを順に形成し、該下地層と該金属剥離層を合金化させて合金剥離層を形成する工程と、
前記合金剥離層上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングして凹凸パターンを設ける工程と、
前記凹凸パターンを前記マスク層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記合金剥離層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記磁気記録層へ転写する工程と、
剥離溶液を用いて前記合金剥離層を溶解し、上部マスクを前記磁気記録層上から除去する工程とを具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項３】
前記金属剥離層はタングステンまたはアルミニウムからなることを特徴とする請求項１または２に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項４】
前記下地層は、ケイ素、パラジウム、チタン、バナジウム、亜鉛、ニッケル、モリブデン、クロム、銅、ジルコニウム、ニオブ、ハフニウム、タンタル、銀、及び金からなる群から選択される金属を含むことを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項５】
前記下地層の表面ラフネスは、前記金属剥離層の表面ラフネスよりも大きいことを特徴とする、請求項１ないし４のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】
前記合金剥離層の表面ラフネスは０．６ｎｍ以下であることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】
前記レジスト層は、少なくとも2種類の異なるポリマー鎖を有する自己組織化膜であることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項８】
前記レジスト層はナノインプリントによりパターニングされることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記レジスト層は、少なくとも１種の金属粒子からなることを特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１ないし９のいずれか１項に記載の方法により作成される磁気記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気記録媒体、及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、情報通信機器で扱われる情報量は増加の一途を辿っており、大容量情報記録装置の実現が渇望されている。ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）技術では高記録密度化を実現するため、垂直磁気記録を中心とした種々の技術開発が進められている。さらに、記録密度の向上と熱ゆらぎ耐性を両立できる媒体として、ディスクリートトラック媒体やビットパターンド媒体が提案されており、その製造技術の開発が急務となっている。
【０００３】
ビットパターンド媒体のように、１ビットの情報を１セルで記録するためには各セル同士が磁気的に分離されていれば良い。このため、微細加工技術を基に磁性ドット部と非磁性ドット部を同一平面内で形成することが多い。もしくは、イオン化された異種元素の注入により選択的に記録媒体の磁性を失活する方法もあるが、いずれの場合も微細加工パターンを用いるのが一般的とされている。
【０００４】
具体的には、半導体製造技術を適用し、基板上に設けられた磁気記録層を磁性領域と非磁性領域が独立するようにパターニングを行う。磁気記録層上には微細凹凸パターンを転写するためのパターニング用マスクが形成され、これに凹凸が設けられた後、磁気記録層へ転写することで凹凸パターンが独立した磁気記録媒体が得られる。
【０００５】
マスクパターンに凹凸を設けるためには半導体製造における汎用レジスト材料が用いられ、エネルギー線を照射することでパターンを選択的に改質して所望のパターンを得る方法や、レジスト膜内に化学的性質の異なるパターンを配列させた自己組織化膜をパターニングする方法、凹凸型を物理的に押下してパターニングする方法などが挙げられる。また、マスクパターンに凹凸を設けた後、高エネルギーで照射されたイオンを磁気記録層へ注入し、パターンの磁性を選択的に失活させることで磁気的に分離された媒体を得る方法もある。
【０００６】
磁気記録媒体への書き込みあるいは読み出しを行うための磁気ヘッドを媒体上で走査させる場合、磁気記録層上のマスクパターンが残存していると磁性ドットである凸部が高くなり、ヘッドクラッシュが生じてしまう。また、磁気記録層−磁気ヘッド間の距離が広いと磁気ヘッドが検出できる信号のＳ／Ｎ比が小さくなる。そのため、磁気記録層をパターニングした後は磁気記録層上のマスクパターンを除去して凸部の高さを低くしておく必要があり、実プロセスでは磁気記録層とマスク層との間に剥離層が設けられる。この剥離層を溶解することで磁気記録層上からマスク層を除去し、媒体の平坦性を改善することができ、良好なグライド特性を得られる。
【０００７】
ビットパターンド媒体の剥離プロセスでは、カーボン膜を酸素プラズマ雰囲気に曝露しドライエッチングにより剥離する方法の他、金属膜を剥離層とし、酸などの剥離溶液を用いたウェットエッチングにより剥離する方法がある。ドライエッチングでは、マスク加工後に残存したパーティクルが転写用マスクとなってしまうため、加工後にも媒体表面にパーティクルが残ることになり、ＨＤＩ（Ｈｅａｄ  Ｄｉｓｋ  Ｉｎｔｅｒｆａｃｅ）特性が劣化する。これに対して、ウェットエッチングでは剥離層を溶解することでパーティクルがマスク上からリフトオフされるため、媒体表面の残存物は少なくなりＨＤＩ特性が改善される。
【０００８】
ウェット剥離で用いる剥離層は更に上部に設けるマスク層の下地層となるため、マスク加工後のパターン寸法ばらつきを低減し、面内均一性を維持するためには、剥離層の表面ラフネスは小さいことが望まれる。
【０００９】
一方、磁気記録層を加工する前には凹凸パターンを剥離層にも転写する必要があるが、その際にはマスク層の後退が生じるため、磁気記録層の加工マージンが狭くなるといった問題が生じる。そこで、従来技術では加工マージンと剥離性を両立するため、剥離層厚を調整する方法が挙げられている。しかしながら、剥離層を薄膜化すると加工マスクの後退は少なくて済むものの、剥離溶液の接触面積が低減するため、剥離後の残渣が多くなる。逆に、剥離層を厚膜化した場合、剥離性は改善されるが、厚膜剥離層を加工するための加工マージンが狭くなる他、表面ラフネスの増大に伴いパターン寸法ばらつきが大きくなる。したがって、剥離層厚の調整は本質的な課題解決に至らず、剥離層における微細パターンの転写および剥離においては、剥離層の加工性・剥離性ならびに平坦性を改善することが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２０１１−１２９２１０号公報
【特許文献２】特開２０１１−０９０７２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
本発明の実施形態は、ヘッドの浮上特性が良好な磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
実施形態によれば、基板上に磁気記録層を形成する工程と、
前記磁気記録層上に、下地層と、該下地層と共に合金を形成する金属剥離層とを順に形成し、該下地層と該金属剥離層を合金化させて合金剥離層を形成する工程と、
前記合金剥離層上にマスク層を形成する工程と、
前記マスク層上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をパターニングして凹凸パターンを設ける工程と、
前記凹凸パターンを前記マスク層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記合金剥離層へ転写する工程と、
前記凹凸パターンを前記磁気記録層へ転写する工程と、
剥離溶液を用いて前記合金剥離層を溶解し、前記合金剥離層上に形成された層を前記磁気記録層上から除去する工程と
を具備することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図２】第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程を表す図である。
【図３】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の他の一例である。
【図４】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の他の一例である。
【図５】第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の他の一例である。
【図６】第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の他の一例である。
【図７】スタンパの製造方法の一例を説明するための図である。
【図８】スタンパの製造方法の他の一例を説明するための図である。
【図９】第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法のさらに他の一例を説明するための図である。
【図１０】磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの一例を表す図である。
【図１１】磁気記録媒体の記録ビットパターンの他の一例を表す図である。
【図１２】実施形態に係る磁気記録媒体を適用可能な磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図である。
【図１３】実施形態に係る加工レートの例を説明するための図である。
【図１４】実施形態に係る加工レートの例を説明するための図である。
【図１５】実施形態に係る剥離レートの例を説明するための図である。
【図１６】実施形態に係る剥離レートの例を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、実施の形態について、図面を参照して説明する。
【００１５】
実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法は、基板上に磁気記録層を形成する工程、磁気記録層上に合金剥離層を形成する工程、合金剥離層上にマスク層を形成する工程、マスク層上にレジスト層を形成する工程、レジスト層に凹凸パターンを形成する工程、凹凸パターンをマスク層へ転写する工程、凹凸パターンを合金剥離層へ転写する工程、凹凸パターンを磁気記録層へ転写する工程、溶液中へ試料を浸漬して合金剥離層を溶解すると共に、磁気記録層上に残存している層を剥離する工程を含む。
【００１６】
かかる実施形態は2通りの方法に分かれる。
【００１７】
第１の実施形態では、合金剥離層を形成する工程では、磁気記録層上に、下地層と、下地層と共に合金を形成する金属剥離層とを順に形成し、下地層と金属剥離層を合金化させる。
【００１８】
一方、第２の実施形態では、磁気記録層上に、金属剥離層と、金属剥離層と共に合金を形成する下地層とを順に形成し、下地層と金属剥離層を合金化させる。
【００１９】
第１ないし第２の実施形態において、下地層は金属剥離層との合金化が容易な材料からなり、合金化により剥離層の表面ラフネスを低減する。該下地層および金属剥離層を合金化した合金剥離層は、下地層材料と金属剥離層材料との間の組成傾斜を有する。また、下地層の表面ラフネスは金属剥離層のそれよりも大きな値を有する。
【００２０】
金属剥離層はタングステンもしくはアルミニウムからなり、前記下地層との合金化により合金層を形成し得る。
【００２１】
第１ないし第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法によれば、下地層と金属剥離層を合金化した合金剥離層は表面ラフネスが小さく、加工に伴うパターン寸法のばらつきを低減することができる。また、加工性と剥離性を両立することができるため、凹凸転写精度の場所依存性が小さくなり、パターンの面内均一性に優れた磁気記録媒体を製造可能となる。
【００２２】
レジスト層に凹凸パターンを設ける方法として、例えばエネルギー線を用いたリソグラフィー、ナノインプリント、少なくとも2種類以上のポリマー鎖を有するブロックコポリマーからなる自己組織化膜を用いたマスク、あるいは金属微粒子をマスクとして用いたパターニング方法が挙げられる。自己組織化膜を用いる場合は、膜内にミクロ相分離構造を形成した後、1種のポリマー相を選択的に除去し、残存したポリマー相をマスクとすることで凹凸パターンを転写することができる。また、金属微粒子マスクを用いる場合は、同一平面上に配された金属微粒子を独立したマスク層として用いることで、凹凸パターンを転写することができる。
【００２３】
図１に第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程を表す図を示す。
【００２４】
まず、基板上に磁気記録層が形成された磁気記録媒体を用意する。
【００２５】
図１（ａ）に示すように、基板１上に設けられた磁気記録媒体２上に下地層３を形成する。
【００２６】
次に、図１（ｂ）に示すように、下地層３上に金属剥離層４を形成するとともに、図１（ｃ）に示すように、下地層３と金属剥離層４を合金化させ、合金剥離層５を形成する。
【００２７】
続いて、図１（ｄ）に示すように、合金剥離層５上にマスク層６，及びレジスト層７を形成し、図１（ｅ）に示すように、レジスト層７をパターニングしてレジストパターンを形成する。
【００２８】
続いて、図１（ｆ）に示すように、レジストパターンを介して、マスク層６をパターニングして、マスクパターンを形成する。
【００２９】
続いて、図１（ｇ）に示すように、マスクパターンを介して、合金剥離層５をパターニングする。
【００３０】
さらに、図１（ｈ）に示すように、パターニングされた合金剥離層５を介して磁気記録層２をパターニングする。
【００３１】
その後、図１（ｉ）に示すように、合金剥離層５を剥離溶液により溶解して、合金剥離層５とともにその上に形成されたマスク層６，及びレジスト層７を剥離、除去することにより、基板１と、その上に設けられたパターニングされた磁気記録層２とを得る。
【００３２】
さらに、パターニングされた磁気記録層２に保護層８を形成することにより、磁気記録媒体１０を得ることができる。
【００３３】
図２に、第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程を表す図を示す。
【００３４】
第２の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造工程では、図２（ａ）に示すように、基板１上に設けられた磁気記録媒体２上に金属剥離層４を形成し、次に、図２（ｂ）に示すように、金属剥離層４上に下地層３を形成するとともに、図２（ｃ）に示すように、金属剥離層４と下地層３を合金化させ、合金剥離層５’を形成すること以外は、図１と同様に工程を有する。
【００３５】
磁気記録層形成工程
まず、基板上に磁気記録層を形成し、磁気記録媒体を得る。
【００３６】
基板の形状には何ら限定は無いが、通常は円形で、硬質のものが用いられる。例えば、ガラス基板、金属含有基板、カーボン基板、セラミックス基板などが用いられる。パターンの面内均一性を良好にするため、基板表面の凹凸は小さくすることが望ましい。また、必要に応じて基板表面には酸化膜をはじめとした保護膜を形成しておくことも可能である。
【００３７】
ガラス基板には、ソーダライムガラスやアルミノシリケートガラスに代表されるアモルファスガラスや、リチウム系ガラスに代表される結晶化ガラスを用いることができる。また、セラミックス基板にはアルミナ、窒化アルミニウム、窒化珪素を主成分とする焼結体基板を用いることが可能である。
【００３８】
基板上にはコバルトを主成分とした垂直磁気記録層を有する磁気記録層が形成される。
【００３９】
ここで、基板と垂直磁気記録層の間には高透磁率を有する軟磁性裏打ち層（ＳＵＬ；  Ｓｏｆｔ  Ｕｎｄｅｒ  Ｌａｙｅｒ）を形成することができる。軟磁性裏打ち層は垂直磁気記録層を磁化するための磁気ヘッドからの記録磁界を環流させるといった磁気ヘッド機能の一部を担っており、磁界の記録層に急峻で十分な垂直磁界を印加させ、記録再生効率を向上させることができる。
【００４０】
軟磁性裏打ち層には例えばＦｅ、Ｎｉ、Ｃｏを含む材料を用いることができる。これらの材料のうち、結晶磁気異方性、結晶欠陥および粒界が存在せず優れた軟磁性を示すアモルファス材料を好ましく使用できる。軟磁性アモルファス材料を使用することにより、記録媒体の低ノイズ化を図ることができる。軟磁性アモルファス材料として、例えば、Ｃｏを主成分として、これに対しＺｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔｉ、Ｔａのうち少なくとも１種を含有したＣｏ合金、例えばＣｏＺｒ、ＣｏＺｒＮｂ、及びＣｏＺｒＴａなどを選択できる。
【００４１】
また、軟磁性裏打ち層と基板との間には軟磁性裏打ち層の密着性向上のために下地層を設けることができる。下地層材料としては、Ｎｉ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｗ、Ｃｒ、Ｐｔ、その合金、その酸化物、及びその窒化物などを用いることができ、例えばＮｉＴａ、及びＮｉＣｒなどを用いることが可能である。なお、これらの層は複数で構成されても構わない。
【００４２】
更に、軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間には非磁性金属材料からなる中間層を設けることができる。中間層の役割は、軟磁性裏打ち層と垂直磁気記録層との間の交換結合相互作用を遮断することと、垂直磁気記録層の結晶性を制御することの二つである。中間層材料としては、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｗ、Ｔｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｓｉ、あるいはその合金、その酸化物、及びその窒化物から選択することができる。
【００４３】
垂直磁気記録層は、Ｃｏを主成分とするとともに少なくともＰｔを含み、更に金属酸化物を含むことができる。Ｃｏ及びＰｔに加えて、他にもＢ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ｎｄ、Ｗ、Ｎｂ、Ｓｍ、Ｔｂ、及びＲｕから選ばれる１種類以上の元素を含むことができる。上記元素を含有することで、磁性粒子の微粒子化を促進し、結晶性、配向性を向上させることができ、これにより、高記録密度に適した記録再生特性と熱ゆらぎ特性を得ることができる。垂直磁気記録層は具体的にＣｏＰｔ系合金、ＣｏＣｒ系合金、ＣｏＣｒＰｔ系合金、ＣｏＰｔＯ、ＣｏＰｔＣｒＯ、ＣｏＰｔＳｉ、ＣｏＰｔＣｒＳｉ、ＣｏＣｒＳｉＯ２などの合金を用いることが可能である。垂直磁気記録層の厚さは、再生出力信号を高確度で測定するために５ｎｍ厚以上が好ましく、信号強度の歪を抑えるために４０ｎｍ厚以下が好
ましい。５ｎｍよりも薄いと再生出力が極めて小さくノイズ成分が優位になる傾向がある。逆に、４０ｎｍよりも厚い場合は再生出力が過剰となり、信号波形に歪が生じる傾向がある。
【００４４】
垂直磁気記録層上部には保護層を設けることができる。保護層は、垂直磁気記録層の腐食・劣化を防ぐとともに、磁気ヘッドが記録媒体に接触した時に生じる媒体表面の損傷を防ぐ効果がある。保護層材料としては、例えばＣ、Ｐｄ、ＳｉＯ２、ＺｒＯ２を含むものが挙げられる。カーボンはｓｐ２結合炭素（グラファイト）とｓｐ３結合炭素（ダイヤモンド）に分類できる。耐久性、耐食性はｓｐ３結合炭素の方が優れ、逆に平坦性はｓｐ２結合炭素の方が優れる。通常、カーボンの成膜はグラファイトターゲットを用いたスパッタリング法により行われ、ｓｐ２結合炭素とｓｐ３結合炭素が混在したアモルファスカーボンが成膜されるが、ｓｐ３結合炭素の割合が大きいものはダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）と呼ばれ、耐久性、耐食性、平坦性に優れており、磁気記録層の保護層としてより好適である。
【００４５】
保護層の上部には更に潤滑層を設けることができる。潤滑層に用いられる潤滑剤としては、例えばパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などが挙げられる。以上により、基板上に垂直磁気記録媒体が形成される。
【００４６】
下地層形成工程
引き続き、磁気記録層上に下地層を形成する。下地層は前述のごとく、剥離層の表面ラフネスを低減するためのものである。下地層の上に設けられる金属剥離層との合金化の後、ウェット剥離を行うと下地層の部分も磁気記録層上から除去されるため、最終的に磁気記録層上から下地層は除去される。
【００４７】
ここで、合金化とは下地層材料および金属剥離層材料同士が互いに固溶するか、もしくは拡散により組成傾斜を有する層を形成することを意味する。すなわち、材料Aおよび材料Bからなる二元系の場合では、基板側もしくはマスク層側からAB合金、BA合金、Aリッチ／AB／Bリッチ、Bリッチ／BA／Aリッチ、Aリッチ／AB／BA／Bリッチ、Bリッチ／BA／AB／Aリッチ、AB／Bリッチ、BA／Aリッチ、Aリッチ／AB、Bリッチ／BAのような材料組成傾斜となり得る。ここで、AリッチおよびBリッチとは、他方の金属材料の含有率が十分に小さい組成であることを示している。
【００４８】
下地層は、前述のように金属剥離層との合金化により、１層の合金剥離層の一部と見なすことができる。このため、組成傾斜を有する部分も磁気記録層上から剥離されることになる。
【００４９】
なお、三元以上の材料を用いて合金剥離層を形成しても良い。ただし、表面ラフネスの増大に伴う加工寸法のばらつきを抑制するために、材料は二元系から構成されることが特に望ましい。
【００５０】
下地層の材料は、上部の金属剥離層と容易に反応し、合金化するものから選ばれることが好ましく、例えば、Ｐｄ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｎ、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａ、Ａｇ、及びＡｕの群から選択できる。
【００５１】
また、後述のように各層のラフネスに大小関係をもたせることで、均一な合金化を実現できる。具体的には、下地層の表面ラフネスが金属剥離層のラフネスよりも大きくなるように各層を形成すればよく、これにより下地層の表面積は金属剥離層のそれよりも大きくなるため、金属の合金化が促進される。これを実現するような成膜条件をあらかじめ設定することができる。なお、下地層を形成する際、磁気記録層との密着性向上のために前処理を行なっておいてもよい。
【００５２】
これらの下地層は、真空蒸着法、電子線蒸着法、分子線蒸着法、イオンビーム蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法に代表される物理的気相成長法（ＰＶＤ：Physical Vapor Deposition ）、及び熱・光・プラズマを用いた化学的気相成長法（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition）などにより形成できる。
【００５３】
剥離層の厚さは、物理的・化学的気相成長法においてはプロセスガス圧力、ガス流量、基板温度、投入電力、到達真空度、チャンバー囲気、成膜時間などのパラメータを変更することで適宜調整が可能である。上記成膜条件を変更することで、下地層の表面ラフネスを調整することも可能である。下地層のラフネスを大きくする条件としては、例えばプロセスガス圧力を高圧にしておく他、バイアススパッタ法などによる基板電圧印加などが挙げられる。
【００５４】
金属剥離層形成工程および合金化工程
続いて、下地層の上部に金属剥離層を形成する。この金属剥離層は金属剥離層の上に形成された各層の剥離に用いられる他、下地層を合金化することで剥離層のラフネスが低減される。この場合は、単層剥離層を用いる場合よりも表面ラフネスが小さくなるため、パターンのサイズばらつきが低減される他、前述の均一な合金化により剥離層における剥離性の場所依存性が小さくなる。したがって、パターンの寸法ばらつきが小さく、かつパターンの場所依存性が小さい磁気記録媒体を実現できる。
【００５５】
金属剥離層は種々の無機材料の群から選定可能であり、例えばMo、Zn、Co、Ge、Al、Cu、Au、Ni、Nb、WおよびCrなどから選択することが可能であるが、下地層との反応性が高い材料から構成されることが好ましい。例えば酸剥離ではタングステン、アルカリ剥離ではアルミニウムからなる材料を特に好ましく用いることができ、下地層との合金化によりラフネスの小さな合金剥離層が得られる。
【００５６】
下地層の表面ラフネスの値と比較して、ラフネスの値が小さくなるように金属剥離層を形成することで良好な合金化を促進できる。これは前述のごとく、表面積の大きな下地層に接触する金属剥離層の面積が増えるからである。具体的かつ簡便な方法としては成膜条件を種々調整すればよく、例えば低圧スパッタ法などがこれに相当する。
【００５７】
この金属剥離層は、反応性の高い材料群から選ばれるものを積層することも可能であるが、厚膜化に伴う表面ラフネスの増大によりパターン寸法ばらつきが大きくなる他、加工マージンも減少するため、単層で用いることが望ましい。
【００５８】
下地層および金属剥離層を積層した後、合金化を促進させるためのアニール処理を行っても構わない。成膜後、真空チャンバー内において基板加熱を行う方法や、真空チャンバーから試料をアンロードした後オーブンにて加熱を行う方法が挙げられるが、製造効率の観点から成膜直後に基板加熱を行うことが望ましい。なお、基板を加熱しながら成膜を行っても構わない。合金剥離層の表面ラフネス加工寸法ばらつきを低減するために0.6ｎｍ以下の範囲にすることが好ましい。この値の範囲で下地層および合金剥離層の厚さを種々設定できる。表面ラフネスが0.6ｎｍよりも大きくなると、加工における寸法ばらつきが大きくなる他、加工マージンの低減が顕著となるからである。
【００５９】
マスク層形成工程
合金剥離層上部には凹凸パターンを転写するためのマスク層を形成する。
【００６０】
このマスク層は磁気記録層の加工における主マスクとなるため、エッチング選択比を維持できるような材料を用いることが好ましい。具体的な材料としては、例えば、Ａｌ、Ｃ、Ｓｉ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｚｎ、Ｇａ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｒｕ、Ｐｄ、Ａｇ、Ａｕ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｐｔなどが挙げられ、これらの化合物もしくは合金からなる材料をマスク層へ適用することもできる。この場合は、マスク層の上に形成されるレジスト層の凹凸パターンに対してエッチング選択比を確保し得るマスク材料と、その膜厚を適切に決定すればよい。
【００６１】
マスク層は、下地層ならびに金属剥離層と同様に、物理的気相成長法や化学的気相成長法により形成することができる。
【００６２】
マスク層の厚さは、剥離層および磁気記録層とのエッチング選択比や凹凸パターン寸法を考慮して決定することができる。マスク層成膜の際には、例えばプロセスガス圧力、ガス流量、基板温度、投入電力、到達真空度、チャンバー雰囲気、及び成膜時間などのパラメータを変えることで調整できる。成膜で用いるスパッタガスはＡｒをはじめとした希ガスを主とすることが可能であり、さらに成膜するマスク材料によってＯ２、Ｎ２などの反応性ガスを混合することで所望の合金を成膜することもできる。
【００６３】
このマスク層上部に形成されるレジスト層の凹凸パターンの転写均一性は、マスク層の表面ラスネスに依存することころが大きい。従って、マスク層においてはその表面ラフネス低減しておくことが好ましく、結晶質よりも非晶質の材料にすることでラフネスを低減することができる。
【００６４】
また、マスク層は１層または２層以上形成することができる。剥離層上のマスク層を第１のマスク層として、第２のマスク層、さらに第３のマスク層というように積層体にすることも可能である。この際、第１の層および第１の層とは異なる材料から構成される第２の層からなる多層体で構成することが可能である。ここでは便宜上、第２のマスク層を第１のマスク層に対する転写層と呼称する。
【００６５】
マスク層（第１のマスク層）とレジスト層との間に転写層を設けた場合の磁気記録媒体の製造方法の一例を図３に示す。
【００６６】
図３は、第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の他の一例を示す。
【００６７】
図３（ａ）ないし図３（ｈ）に示す各工程は、マスク層６（第１のマスク層）とレジスト層７との間に転写層９が設けられていること、及び図１（ｅ）のレジストパターンを形成する工程と、図１（ｆ）マスクパターンを形成する工程との間に、図３（ｃ）のレジストパターンを介して転写層９をパターンニングする工程がさらに含まれていること以外は、図１（ｄ）ないし図１（ｊ）に示す各工程とほぼ同様である。
【００６８】
マスク材料の組み合わせを決める場合、エッチング溶液あるいはエッチングガスに対応した金属材料を選択することができる。ドライエッチングを想定して各材料を組み合わせる場合、例えば、基板側からＣ／Ｓｉ、Ｓｉ／Ａｌ、Ｓｉ／Ｎｉ、Ｓｉ／Ｃｕ、Ｓｉ／Ｍｏ、Ｓｉ／ＭｏＳｉ２、Ｓｉ／Ｔａ、Ｓｉ／Ｃｒ、Ｓｉ／Ｗ、Ｓｉ／Ｔｉ、Ｓｉ／Ｒｕ、Ｓｉ／Ｈｆなどが挙げられる他、ＳｉをＳｉＯ２、Ｓｉ３Ｎ４、ＳｉＣなどで置き換えた構成にすることができる。また、Ａｌ／Ｎｉ、Ａｌ／Ｔｉ、Ａｌ／ＴｉＯ、Ａｌ／ＴｉＮ、Ｃｒ／Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ／Ｎｉ、Ｃｒ／ＭｏＳｉ２、Ｃｒ／Ｗ、ＧａＮ／Ｎｉ、ＧａＮ／ＮｉＴａ、ＧａＮ／ＮｉＶ、Ｔａ／Ｎｉ、Ｔａ／Ｃｕ、Ｔａ／Ａｌ、Ｔａ／Ｃｒ、などの積層体を選択できる。
【００６９】
マスク材料の組み合わせおよび積層順は上記のものに限定されるわけではなく、パターン寸法とエッチング選択比の観点から適切に選択することができる。また、ドラエッチングと共にウェットエッチングによるパターニングも可能であるため、これを考慮して各マスク材料を選定することができる。
【００７０】
ウェットエッチングによりマスク層をパターニングする場合は、凹凸パターンの幅方向に対するサイドエッチを抑制する。この場合は、マスク材料の組成、エッチング溶液の濃度、およびやエッチング時間をはじめとした各種パラメータを設定することで実現可能である。
【００７１】
レジスト層形成工程
次に、マスク層上に凹凸パターン形成用のレジスト層を形成する。
【００７２】
レジスト層に微細な凹凸パターンを形成するために、例えば、ノボラック樹脂などに代表される紫外線・電子線露光用レジスト、熱や紫外線照射による硬化作用を有するナノインプリント用レジスト、高分子の自己組織化膜、および金属微粒子などを適用することが可能である。
【００７３】
露光あるいはナノインプリントを行う場合に用いるレジスト層は、レジスト材料の前駆体溶液の塗布を行うことで形成できる。この場合は、パターンピッチや下層のマスク層へのエッチング選択比を勘案してレジスト層の厚さを決定することができる。
【００７４】
溶液の塗布では、スピンコーティング法、スプレーコーティング法、スピンキャスティング法、ディップコーティング法、インクジェット法などの種々の方法により基板上に塗布を行うことができる。塗布直後のレジスト層は溶媒を多く含んでいるため、レジスト材料の流動性を下げるためにプリベークを行なうことができる。マスク層に対するレジスト層の密着性が悪い場合は、マスク層表面に前処理を行なうことができる。具体的には、マスク層の水分除去のためのベーキングや、ヘキサメチルジシラザン溶液の塗布による疎水化処理などが挙げられる。
【００７５】
レジスト層は１層ではなく、転写工程に合わせて、例えば露光感度の異なるレジスト層を多層構造にすることができる。
【００７６】
また、レジスト材料の種類には何ら限定はなく、主鎖切断型、化学増幅型、架橋型などの各種レジスト材料を用いることが可能である。
【００７７】
マスク層上部に凹凸パターン形成用の自己組織化層を形成し、これを凹凸パターンに転写することも可能である。自己組織化膜は少なくとも異なる２つのポリマー鎖を有するジブロックコポリマーに代表され、その基本構造は（ブロックＡ）−（ブロックＢ）のように化学的特性が相互に異なるポリマー同士の末端が共有結合しているものである。自己組織化膜はジブロックコポリマーに限定されるわけではなく、材料の組み合わせによっては他にもトリブロックコポリマーやランダムコポリマーを使用することができる。
【００７８】
ポリマーブロックを形成する材料としては、例えば、ポリエチレン、ポリスチレン、ポリイソプレン、ポリブタジエン、ポリプロピレン、ポリジメチルシロキサン、ポリビニルピリジン、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリジメチルアクリルアミド、ポリエチレンオキシド、ポリプロピレンオキシド、ポリアクリル酸、ポリエチルアクリル酸、ポリプロピルアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリラクチド、ポリビニルカルバゾール、ポリエチレングリコール、ポリカプロラクトン、ポリフッ化ビニリデン、及びポリアクリルアミドなどが挙げられ、これらの中から異なる２種類以上のポリマーを用いてブロックコポリマーを構成することができる。
【００７９】
ブロックコポリマーを用いた自己組織化膜はスピンコーティング法などによりマスク層上に成膜できる。この場合は、各相を構成するポリマー同士が相溶となるような溶媒を選択し、これを溶解させた溶液を塗布液として用いることができる。
【００８０】
具体的な溶媒としては、例えば、トルエン、キシレン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールトリメチルエーテル、乳酸エチル、ピルビン酸エチル、シクロヘキサノン、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、テトラヒドロフラン、アニソール、及びジエチレングリコールトリエチルエーテルなどが挙げられる。
【００８１】
自己組織化膜の膜厚は、これらの溶媒を用いた際の塗布液の濃度や成膜時に設定する各種パラメータを用いて変更することができる。
【００８２】
自己組織化膜は熱などのエネルギーが付与されることでポリマー同士が相分離し、膜内部にミクロ相分離構造が形成される。ミクロ相分離構造は、自己組織化膜を構成するポリマーの分子量などにより異なる様相を呈し、例えばジブロックコポリマーにおいてはポリマーＡの海状（マトリックス）パターンにポリマーＢの島状ドットあるいはシリンダー構造が形成される他、ポリマーＡおよびＢが同一平面上で積層となるラメラ構造や、海-島パターンが逆転したスフィア構造が形成され得る。このパターンにおける一方のポリマー相を選択的に除去することにより、自己組織化膜の凹凸を形成することができる。
【００８３】
自己組織化膜のミクロ相分離構造を形成する際には外部からエネルギーを付与する。エネルギーの付与は、熱を用いたアニールや、あるいは溶媒雰囲気中に試料を曝露する、いわゆる溶媒アニール等によって行うことができる。熱アニールを行う際は、自己組織化膜の配列精度を劣化させない温度を設定しておく。
【００８４】
なお、自己組織化パターンの配列精度を向上させるため、マスク層上部を化学的に修飾してもよい。具体的にはブロックコポリマーを構成するいずれかのポリマー相をマスク表面に修飾しておくことで、ブロックコポリマーの配列を改善できる。この場合は、ポリマーの塗布・アニール・リンスにより分子レベルでの表面修飾が可能である。この上に前述のブロックコポリマー溶液を塗布することで、面内均一性の良いパターンを得ることが可能となる。
【００８５】
他にも、所望のパターンピッチとなるような金属微粒子をマスクとすることができる。金属微粒子をマスク層とする場合、微粒子自体がマスク層の凸部に相当するため、これを維持できる範囲においては下部へパターンを転写することが可能である。
【００８６】
図４に、第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の他の一例を示す。
【００８７】
図４（ａ）ないし図４（ｇ）に示す各工程は、レジスト層７の代わりに、金属微粒子マスク層１２を使用すること、マスク層６（第1のマスク層）とレジスト層７との間に転写層９が設けられていること、及び図１（ｅ）のレジストパターンを形成する工程と、図１（ｆ）マスクパターンを形成する工程との間に、図４（ｂ）のレジストパターンを介して転写層９をパターンニングする工程がさらに含まれていること以外は、図１（ｅ）ないし図１（ｊ）に示す各工程とほぼ同様である。
【００８８】
金属微粒子を用いる場合は、微粒子分散液における微粒子同士の凝集をあらかじめ抑制しておく。この場合は、微粒子表面における界面活性を発現する分散剤を添加するとよい。また、凝集によって生じた二次粒子は粒子径が比較的大きく、パターンの均一性を損なうことに繋がるため、メンブレンフィルタなどで適宜分散液のフィルタリングを行なっておくことが望ましい。
【００８９】
分散液の溶媒はマスク層の表面性に対応するよう変更が可能である。また、マクロな塗布ムラ、すなわち金属微粒子が均一塗布されていない領域を縮小するため、分散液に高分子材料からなるバインダーを添加することで塗布性を改善することが可能であり、分散液の溶媒に可溶な高分子材料を選択して分散液を調製することができる。
【００９０】
図５に、第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法の他の一例を示す。
【００９１】
図５（ａ）ないし図５（ｈ）に示す各工程は、レジスト層７の代わりに、金属微粒子マスク層１２とバインダー１７を含む層を使用すること、マスク層６（第1のマスク層）とレジスト層７との間に転写層９が設けられていること、及び図１（ｅ）のレジストパターンを形成する工程と、図１（ｆ）マスクパターンを形成する工程との間に、図５（ｂ）の金属微粒子マスク層１２とバインダー１７を含む層をベーキングしてバインダーを硬化させる工程、及び図５（ｃ）の金属微粒子パターンを介して転写層９をパターンニングする工程がさらに含まれていること以外は、図１（ｅ）ないし図１（ｊ）に示す各工程とほぼ同様である。
【００９２】
金属微粒子分散液も、レジスト溶液や自己組織化膜のポリマー溶液と同様に、スピンコーティング法をはじめとした種々の方法により基板上への塗布が可能である。この際、金属微粒子が限局的に多層構造になると転写均一性を損なうため、基板上の広範囲に渡って単層構造となるように塗布条件を調整することができる。
【００９３】
レジスト層における凹凸パターン転写が困難となる場合は、マスク層とレジスト層との間に転写層を挿入することができる。この場合は、レジスト層とマスク層とのエッチング選択比が確保できる材料を選定することができる。
【００９４】
レジスト層パターニング工程
エッチングによりレジスト層に凹凸パターンを形成する。
【００９５】
まず、凹凸パターンをレジスト層へ形成するために、エネルギー線を用いた露光を行うことができる。露光方法としては、ＫｒＦ、ＡｒＦをはじめとした紫外線露光や電子線露光、荷電粒子線露光、及びＸ線露光などを適用することができる。露光マスクを介した照射の他、干渉露光、縮小投影露光、直接露光などを行なってもよい。露光部はレジスト層が化学的に改質された潜像となり、これを現像することで凹凸パターンが得られる。
【００９６】
微細パターンを電子線露光により形成する例を説明する。電子線描画装置は電子線の照射方向と直交する２軸方向においてステージの移動機構を有するｘ−ｙ描画装置と、１軸移動機構に回転機構を加えたｘ−θ描画装置が挙げられる。ｘ−ｙ描画装置を用いる場合は、描画フィールド間のつなぎ精度を悪化させないようにステージを連続して駆動させることができる。また、円心パターンを描画する場合はステージを継続して回転するｘ−θ描画装置を用いることができる。
【００９７】
また、同心円パターンを形成する際には、ステージ駆動系とともに電子線に対して偏向を加えることができる。この場合は、描画パターンに対応した偏向信号を独立に制御するために、信号源と呼ばれる情報処理装置を使用する。信号源では電子線の偏向ピッチや偏向感度、描画ステージの送り量などを独立に制御することが可能である。具体的には、試料１回転毎に電子線に対する偏向信号とステージの移動信号を送信することで，描画パターンを同心円形状にできる。
【００９８】
次いで、潜像に対して現像を行うことでレジスト膜をパターニングする。レジスト膜に対する現像液としては、酢酸メチル、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸ヘキシル、酢酸オクチルのようなエステル系溶剤、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、プロピレングリコールモノエチルアセテートのようなケトン系溶剤、アニソール、キシレン、トルエン、テトラリンなどの芳香族系溶剤、及びエタノール、メタノール、イソプロピルアルコールなどのアルコール系溶剤などを有機現像液として用いることができる。また、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びテトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイドなどをアルカリ現像液として用いることも可能である。
【００９９】
続いて、湿式リンスを行いレジスト膜上の現像液を置換・除去する。ここで用いるリンス液は現像液と相溶の関係にあることが望ましく、代表的なものとしてイソプロピルアルコールなどが挙げられるが、相溶の関係を満足できるのであれば上記溶媒に限らない。現像およびリンスにでは、液温、粘度、混合比など溶液に関するパラメータに加え、現像時間を調整することで所望のパターン寸法を得る。
【０１００】
引き続き、レジスト膜上のリンス液を乾燥することで所望のレジスト凹凸パターンが得られる。乾燥方法としては、Ｎ２のような不活性ガスを直接試料に吹き付ける方法や、リンス液の沸点よりも高い温度で基板を加熱することでリンス液を揮発させる加熱乾燥の他、スピン乾燥、超臨界乾燥などを適用することができる。以上のようにして、電子線リソグラフィーによりレジスト層へ凹凸パターンを設けることができる。
【０１０１】
凹凸パターンをレジスト層へ形成する他の方法として、レジスト層に自己組織化層を適用し、エッチングにより凹凸パターンを形成する方法を説明する。
【０１０２】
図６に第１の実施形態にかかる磁気記録媒体の製造方法の他の一例を説明するための図を示す。
【０１０３】
図示するように、この製造工程はマスク層上に形成するレジスト層の一種として、少なくとも２種類の異なるポリマー鎖を有する自己組織化層、すなわちブロックコポリマー膜を形成し、レジスト層に凹凸パターンを設ける工程の代わりに、自己組織化層を相分離させ、片方のポリマー層を選択的に除去する工程を行うこと以外は、図１と同様である。
【０１０４】
図６（ａ）ないし図６（ｉ）に示す各工程は、マスク層６（第1のマスク層）とレジスト層７との間に転写層９が設けられていること、レジスト層７の代わりに自己組織化層１１が形成されていること、及び図１（ｅ）のレジストパターンを形成する工程の代わりに、図６（ｂ）の相分離工程及び図６（ｃ）の島状ポリジメチルポリシロキサンのドット状パターンを形成する工程を行うこと、図１（ｆ）マスクパターンを形成する工程の前に、図６（ｄ）のドット状パターンを介して転写層９をパターンニングする工程がさらに含まれていること以外は、図１（ｄ）ないし図１（ｊ）に示す各工程とほぼ同様である。
【０１０５】
凹凸パターンは、ブロックコポリマーにおける相を選択的に除去したものである。例えば、ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンの系からなるジブロックコポリマーでは、分子量を適切に設定することで海状ポリスチレン中に島状ポリジメチルシロキサンのドットパターンが形成される。これをエッチングし、片方のポリマー層例えば海状ポリスチレンを選択的に除去することで、ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンのドット状凹凸パターンが得られる。
【０１０６】
自己組織化層の凹凸をエッチングで形成する場合、薬液中に試料を浸漬するウェットエッチングの他、活性種による化学反応を用いたドライエッチングを適用できる。微細パターンの幅寸法に対し、厚さ方向へのパターン転写を高精細に行う際は、幅方向へのサイドエッチを抑制可能なドライエッチングを適用することがより好ましい。
【０１０７】
ポリマー相のドライエッチングでは活性ガス種を適切に選択することで、エッチング選択比を維持したままパターニングすることが可能である。一般的に、ベンゼン環のようにＣおよびＨを多く含む高分子材料はエッチング耐性が高く、凹凸加工用マスクとしては好適である。ブロックコポリマーのように、互いに異なる組成のポリマーを適切に組み合わせて用いる場合はエッチング選択比を大きくできるため、前記凹凸パターンをより高精細に形成することができる。例えば、ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンにおいては、ポリジメチルシロキサンはＣＦ４などのフッ素系ガスで、ポリスチレンはＯ２ガスを用いることで容易に除去可能であり、両者の間でエッチング選択比を確保することができる。
【０１０８】
自己組織化パターンを下層マスクへ直接転写するのが困難な場合は、自己組織化膜とマスク層との間に別途転写層を設けてもよい。例えば、ジブロックコポリマーの片方の層を除去できるエッチングガスを用いることが可能なマスク材料を転写層として用いることもできる。ポリスチレン−ｂ−ポリジメチルシロキサンを例とした場合、海状ポリマーとなるポリスチレンはＯ２エッチングが可能であるため、カーボン膜を転写層とすればＯ２のみでポリマーおよび転写層を一括でエッチングすることができるため、プロセスガスの交換が必要なく、生産効率を改善できる。逆に、海状ポリマーがポリジメチルシロキサンの場合はＣＦ４ガスを用い、転写層をＳｉにすれば同様にしてエッチングが可能であり、パターンを一括転写することができる。以上のようにして、自己組織化膜のミクロ相分離パターンを用いてレジスト層の凹凸パターンを得る。
【０１０９】
凹凸パターンを金属微粒子材料により形成することもできる。
【０１１０】
前述のように、マスク層上に金属微粒子分散液を塗布し、単層微粒子層を形成する。その後、単層微粒子層をマスクとしてエッチングを行い、凹凸パターンを得る。
【０１１１】
エッチングを行う際は、金属微粒子と下層マスク層との間のエッチング選択比を確保できるよう、エッチングガスやエッチング条件を設定する。また、前述のように金属微粒子の塗布均一性を改善するための高分子バインダーを分散液に添加している場合は、海状バインダーに島状金属微粒子パターンが分散しているものと見なせる。この場合、金属微粒子とバインダーとのエッチング選択比が確保されていれば良く、金属微粒子をマスクとしてパターン加工を行うことができる。
【０１１２】
金属微粒子間の間隔が著しく狭い場合、意図的に金属微粒子マスクをエッチングすることで微粒子間隔を調整しても良い。具体的な方法として、ドライエッチングにおけるサイドエッチを大きくする方法や、イオンミリングにおけるイオン種の入射角度を調整して金属微粒子を幅方向にスリミングする方法などが挙げられる。以上のようにして、金属微粒子マスクを用いてレジスト層へ凹凸パターンを設けることができる。
【０１１３】
ナノインプリントリソグラフィーにより、レジスト層に凹凸パターンを設けることも可能である。
【０１１４】
ナノインプリントは、微細凹凸パターンが表面に形成されたナノインプリントスタンパ（以降、スタンパと呼称）を転写用レジスト層に押下してパターン転写を行うものであり、ステップアンドリピート方式の紫外線露光や電子線露光などの技術と比較して、試料の大面積に対してレジストパターンを一括転写できる。したがって、製造スループットが増加するため、製造時間短縮・コスト削減を実現できる。
【０１１５】
スタンパは、リソグラフィーなどで形成された微細凹凸パターンを具備する基板、いわゆるマスター原盤（モールド、原盤）から取得することが可能であり、多くの場合、マスター原盤の微細パターンに対する電鋳により作製される。マスター原盤用の基板にはＳｉをはじめとして、ＳｉＯ２、ＳｉＣ、ＳｉＯＣ、Ｓｉ３Ｎ４、Ｃ、などの他、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｐなどの不純物をドーピングした半導体基板を用いることができる。他にも導電性を有する材料からなる基板を用いることができる。また、基板の３次元的な形状に関する限定は無く、円形、矩形、ドーナツ形のものを用いることができる。
【０１１６】
マスター原盤のパターンは、前述のように電子線露光に代表される種々のリソグラフィーで形成される。ここで、形成されたレジスト層の凹凸パターンはそのまま電鋳用パターンとして適用可能であるが、マスター原盤に凹凸パターンを転写した後、これを電鋳用パターンとすることができる。
【０１１７】
続いて、マスター原盤の凹凸パターンに対して電鋳を行い、スタンパを作製する。めっき金属には種々の材料が挙げられるが、ここでは一例として、Ｎｉからなるスタンパの作製方法を説明する。
【０１１８】
図７に、スタンパの製造方法の一例を説明するための図を示す。
【０１１９】
まず、図７（ａ）及び図７（ｂ）に示すように、基板２１上に凹凸パターン状のレジスト層２２が形成されたマスター原盤２５を用意する。マスター原盤２５の凹凸パターンに導電性を付与するため、凹凸パターンの表面にＮｉ薄膜２３を成膜する。電鋳の際には、導電不良が生じるとめっき成長が阻害され、パターン欠損につながるため、Ｎｉ薄膜２３は凹凸パターンの表面ならびに側面において均一に成膜することが好ましい。なお、この導電膜２３は導電性付与のために設けるものであり、材料はＮｉに限定されるものではない。
【０１２０】
続いて、マスター原盤２５をスルファミン酸Ｎｉ浴に浸漬・通電し、電鋳を行なってスタンパ２４となる電鋳層を形成する。めっき後の膜厚、すなわちスタンパ２４の厚さはめっき浴の水素イオン濃度、温度、粘度の他、通電電流値、めっき時間などを変更することで調整できる。この電鋳は電解めっき、あるいは無電解めっきにより行なうことができる。
【０１２１】
このようにして得られたスタンパ２４を基板２１上から離型する。スタンパ２４の凹凸表面にレジスト層２２が残存している場合は、凹凸表面に対してエッチングを行うことでレジスト層２２の残渣を除去し、凹凸パターンを露出させることができる。最後に、凹凸パターン面以外の不要な箇所を機械的に除去し、さらに円形、矩形などの所望の形状に加工することで、スタンパ２４が完成し得る。
【０１２２】
図８に、スタンパの製造方法の他の一例を説明するための図を示す。
【０１２３】
得られたスタンパを用いて、凹凸パターンをレジスト層へ転写する。この際、スタンパをマスター原盤として代替し、複製スタンパを作製することができる。
【０１２４】
例えば図８（ａ）に示すように、基板２１上にマスク層２４，転写層２５，レジスト層２２を形成し、図８（ｂ）に示すように、レジスト層２２にスタンパ２４をインプリントしてレジスト層２２をパターニングし、レジストパターンを形成する。
【０１２５】
図８（ｃ）に示すように、レジストパターンを介して転写層２５をパターニングし、図８（ｄ）に示すように転写層２５を介してマスク層２４をパターニングし、図８（ｅ）に示すようにマスク層２４を介して基板２１をパターニングし、マスク層２４、転写層２５、及びレジスト層２２を除去して、図８（ｆ）に示すように凹凸形状の基板２１を形成する。これに、図８（ｇ）に示すように基板２１表面に導電層２３を形成し、電鋳によりスタンパ３０としての電鋳層を作成する。最後に基板から離型して図８（ｈ）に示すようにスタンパ３０を得る。
【０１２６】
この場合は、ＮｉスタンパからＮｉスタンパを得る方法や、Ｎｉスタンパから樹脂スタンパを得る方法などが挙げられる。ここでは、樹脂スタンパの作製方法を説明する。
【０１２７】
樹脂スタンパは射出成型により作製する。まず、射出成型装置にＮｉスタンパを装荷し、スタンパの凹凸パターンへ樹脂溶液材料を流入し、射出成型を行う。樹脂溶液材料としては、シクロオレフィンポリマーやポリカーボネート，ポリメチルメタアクリレートなどを適用でき、インプリントレジストとの剥離性の良い材料を選択することができる。射出成型を行った後、Ｎｉスタンパ上から試料を剥離することで、凹凸パターンを有する樹脂スタンパが得られる。
【０１２８】
図９に、第１の実施形態に係る磁気記録媒体の製造方法のさらに他の一例を説明するための図を示す。
【０１２９】
図９（ａ）に示すように、基板１上に、磁気記録層２、合金剥離層５、マスク層６、転写層９、及びインプリントレジスト層７を積層したものを用意した。
【０１３０】
この樹脂スタンパ２６を用い、図９（ｂ）に示すように、レジスト層７へ凹凸パターンを転写する。
【０１３１】
レジストには熱硬化樹脂や光硬化樹脂をはじめとしたレジスト材料を用いることが可能であり、例えばイソボルニルアクリレート、アリルメタクリレート、ジプロピレングリコールジアクリレートなどを適用できる。
【０１３２】
これらのレジスト材料を、上記のような磁気記録層およびマスク層を有する試料上に塗布し、レジスト層を形成する。次いで、レジスト層に対して凹凸パターンを有する樹脂スタンパをインプリントする。インプリントの際、樹脂スタンパがレジストに押下されるとレジストが流動化し、凹凸パターンが形成される。ここで、レジスト層に対して紫外線などのエネルギーを付与することで、凹凸パターンを形成しているレジスト層を硬化させ、次いで樹脂スタンパを離型すればレジスト層の凹凸パターンが得られる。樹脂スタンパの離型を容易に行なうために、あらかじめ樹脂スタンパ表面にシランカップリング剤などによる離型処理を行なっておいてもよい。
【０１３３】
図９（ｃ）に示すように、樹脂スタンパ離型後におけるレジスト層の凹部にはレジスト材料が残渣として残存しているため、図９（ｄ），図９（ｅ）に示すように、これをエッチングにより除去することで転写層９、マスク層６の表面を露出させる。ポリマーベースのレジスト材料は、一般的にＯ２エッチャントに対するエッチング耐性が低いため、Ｏ２エッチングを行なうことで容易に残渣を除去できる。無機材料を含む場合は、レジストパターンが残るようにエッチャントを適宜変更することができる。以上のようにして、ナノインプリントによりレジスト層へ凹凸パターンを設けることができる。
【０１３４】
マスク層パターニング工程
次に、図９（ｆ）に示すように、レジスト層７の凹凸パターンをマスク層６へ転写する。
【０１３５】
マスク層の加工では、マスク層材料とエッチングガスの組み合わせにより多様な層構成と加工方法が実現され得る。
【０１３６】
前述のレジスト層の場合と同様に、凹凸パターンの幅方向におけるエッチングに対して厚さ方向のエッチングが有意となるように、微細加工を行う場合はドライエッチングを適用することが好ましい。ドライエッチングで使用するプラズマは、容量結合、誘導結合、電子サイクロトロン共鳴、多周波重畳結合などの種々の方法により発生させることができる。また、凹凸パターンのパターン寸法の調整のために、プロセスガス圧力、ガス流量、プラズマ投入電力、バイアス電力、基板温度、チャンバー雰囲気、及び到達真空度などのパラメータを設定することができる。
【０１３７】
エッチング選択比を大きくするためにマスク材料を積層した場合は、エッチングガスを適切に選択することができる。エッチングガスにはＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、Ｃ３Ｆ６、Ｃ３Ｆ８、Ｃ５Ｆ８、Ｃ４Ｆ８、ＣｌＦ３、ＣＣｌ３Ｆ５、Ｃ２ＣｌＦ５、ＣＣＢｒＦ３、ＣＨＦ３、ＮＦ３、ＣＨ２Ｆ２などのフッ素系ガスや、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４、ＳｉＣｌ４などの塩素系ガスがあげられる。その他、Ｈ２、Ｎ２、Ｏ２、Ｂｒ２、ＨＢｒ、ＮＨ３、ＣＯ、Ｃ２Ｈ４、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅなどの各種ガスを適用することができる。また、エッチング速度やエッチング選択比を調整するためにこれらのガスを２種類以上混ぜた混合ガスを使用することも可能である。なお、ウェットエッチングによるパターニングも可能であり、この場合はエッチング選択比を確保でき、かつ幅方向へのエッチングを抑制し得るエッチング溶液を選定しておくとよい。同様に、イオンミリングのような物理的エッチングを行っても構わない。
【０１３８】
マスク層はレジスト層との組み合わせにより多様な構成となり得るが、前述のように、例えば基板側からＣ／Ｓｉ、Ｔａ／Ａｌ、Ａｌ／Ｎｉ、Ｓｉ／Ｃｒなどの多様な構成にすることができる。
【０１３９】
剥離層の表面ラフネスは合金化によって低減されるため、マスク層をより厚くしてもラフネスの増大が緩和される。よって、厚膜マスクを用いて加工マージンを大きくしつつ、パターン寸法ばらつきを小さくすることができる。
【０１４０】
合金剥離層パターニング工程
続いて、図９（ｇ）に示すように、凹凸パターンを合金剥離層５へ転写する。
【０１４１】
マスク層６の場合と同様に、エッチングにより合金剥離層５へ凹凸パターンを転写することができる。ウェットエッチングを行うと剥離層の溶解や密着性の劣化により上部マスク層が倒壊する場合があるため、凹凸パターン転写ではドライエッチングを適用することが好ましい。合金剥離層および後述の磁気記録層のパターニングでは、各層を別個に加工してもよいが、両者を一括で加工しても構わない。
【０１４２】
化学的に活性なガスを用いてドライエッチングを行う場合、剥離層側面が化学的に改質されて剥離性を損なう場合がある。これに対しては、活性ガス種の曝露により表面を再度改質することで剥離性を改善できる。例えば、酸素プラズマに対する過剰な曝露により剥離層表面が酸化された場合は、水素プラズマに再度曝露することで還元反応を促進させ、剥離層の剥離性を維持することが可能となる。また、溶液を用いた洗浄を行うことで剥離層側面を改質してもよい。例えば、フッ素プラズマ曝露後に剥離層側面に付着したフッ素化合物に対し、水洗を行うことでフッ素化合物を除去し、剥離層表面を露出することが可能となる。
【０１４３】
合金剥離層は種々の方法により加工可能である。例えば、タングステンは、ドライエッチングにより生成されるフッ素化合物の沸点が低いため、フッ素系ガスを用いて容易にエッチングできる。同様に、アルミニウムは塩素系ガスにより容易にエッチングできる。
【０１４４】
また、マスク層と同様にＡｒなどの希ガスを用いたイオンミリングを行うことで剥離層を加工可能であり、この場合は下部の磁気記録層まで一括でパターニングすることもできる。
【０１４５】
磁気記録層パターニング工程
次に、図９（ｈ）に示すように、凹凸パターンを合金剥離層５下部の磁気記録層２へ転写する。
【０１４６】
磁気的な孤立ドットを形成するための代表的な方法としては、上記の反応性イオンエッチングやミリング法などが挙げられる。具体的には、エッチングガスにＣＯやＮＨ３を適用する反応性イオンエッチングや、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｘｅ、Ｋｒなどの不活性ガスを用いたイオンミリングによりパターニングすることができる。
【０１４７】
磁気記録層のパターニングを行う際は、マスク層のエッチングレートＥＲｍａｓｋに対する磁気記録層のエッチングレートＥＲｍａｇの関係がＥＲｍａｓｋ≦ＥＲｍａｇを満足することが望ましい。すなわち、所望の磁気記録層厚を得るために、エッチングに伴うマスク層の後退は少ないほど良い。
【０１４８】
イオンミリングにより磁気記録層へ凹凸を転写する場合、加工に伴いマスク側壁に向かって飛散する副生成物、いわゆるリデポ成分を抑制する必要がある。このリデポ成分は、凸パターンマスクの周囲に付着するため、凸パターンの寸法が拡大し、溝部分を埋没させることになるため、分断された磁気記録層パターンを得るためにはリデポ成分を可及的に少なくすることが望ましい。また、剥離層下部の磁気記録層のエッチング時に生じたリデポ成分が剥離層側面を被覆すると、剥離層が剥離溶液に対して曝露されなくなってしまい、剥離性が劣化することになるため、やはりリデポ成分は少ないことが望ましい。
【０１４９】
磁気記録層に対するイオンミリングでは、イオンの入射角度を変えることで側壁へのリデポ成分を少なくすることができる。この場合は、マスク高さによって最適な入射角度は異なるが２０°〜７０°の範囲でリデポを抑制することが可能となる。また、入射角度はミリング中に適宜変更しても構わない。
【０１５０】
剥離工程
続いて、図９（ｉ）に示すように、磁気記録層２上のマスクパターンすなわち合金剥離層５，マスク層６，転写層５，及びインプリントレジスト層７の積層を合金剥離層５ごと除去することで、凹凸パターンを有する磁気記録層２を得る。
【０１５１】
上記のように、下地層および金属剥離層は合金化により正味１層であり、これを溶解することで上部マスクを磁気記録層上から除去する。剥離層の溶解は、エッチング溶液を用いた湿式法により行うことが好ましい。前述のようにドライエッチングにより化学的に剥離層を除去する場合、マスク層上に付着したパーティクルはパターンとして残存してしまい、最終的には媒体の表面性を劣化させる。ウェットエッチングにより剥離層を溶解する場合は、マスク層およびパーティクルはリフトオフされるため、媒体表面から完全に除去されるため、媒体の表面性の劣化を軽微にできる。
【０１５２】
合金剥離層は前述のごとく、酸あるいはアルカリ溶液によって可溶な金属材料を含むため、これを溶解可能なエッチング溶液を適切に選択できる。酸剥離溶液では、例えば、塩酸、リン酸、硝酸、ホウ酸、過塩素酸、臭化水素酸、カルボン酸、スルホン酸、過酸化水素水などが挙げられる。
【０１５３】
アルカリ剥離液では、例えば、水酸化ナトリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化カリウム水溶液、水酸化カルシウム水溶液、水酸化バリウム水溶液、水酸化マグネシウム水溶液、水酸化アンモニウム水溶液、ヒドラジン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、テトラプロピルアンモニウムハイドロオキサイド、フェニルトリメチルアンモニウムハイドロオキサイドなどが挙げられる。なお、溶液のｐＨを調整するための緩衝液を適宜追加しても構わない。
【０１５４】
ウェットエッチングにより剥離層を溶解する場合は、磁気記録層および基板に対する溶解速度が剥離層の溶解速度に対して十分に小さいことが望ましい。
【０１５５】
前記合金剥離層においては、金属剥離層中に下地層材料が拡散することで、正味の金属剥離層材料の密度が低下する。したがって、合金剥離層の剥離レートは増大することになり、マスク層の剥離性が改善される。
【０１５６】
保護層形成工程
最後に、凹凸を有する磁気記録層パターン２上にカーボン系保護層８と図示しないフッ素系潤滑膜を成膜することで、凹凸パターンが設けられた磁気記録媒体４０を得ることができる。
【０１５７】
カーボン保護層にはｓｐ３結合炭素を多く含むＤＬＣ膜が好適である。また、その膜厚は被覆性を維持するために２ｎｍ以上、信号Ｓ／Ｎを維持するために１０ｎｍ以下にすることが望ましい。また、潤滑剤としてはパーフルオロポリエーテル、フッ化アルコール、フッ素化カルボン酸などを用いることができる。
【０１５８】
図１０に、磁気記録媒体の周方向に対する記録ビットパターンの一例を表す図を示す。
【０１５９】
磁気記録層の凸パターンは図に示すように、ディジタル信号の１と０に相当するデータを記録する記録ビット領域１１１’と、磁気ヘッドの位置決め信号となるプリアンブルアドレスパターン１１２、バーストパターン１１３からなる、いわゆるサーボ領域１１４とに大別され、これを面内パターンとして形成できる。また、図示しているサーボ領域のパターンは矩形状でなくてもよく、例えば全サーボパターンをドット形状で置き換えても良い。さらに、図１１のようにサーボに加えデータ領域も全てドットパターンで構成することも可能である。１ビットの情報は１つの磁性ドットあるいは複数の磁性ドットで構成され得る。
【０１６０】
図１２は、実施形態に係る磁気記録媒体を適用可能な磁気記録再生装置の一例を一部分解した斜視図を示す。
【０１６１】
図１２に示されるように、磁気記録再生装置１３０は、上面の開口した矩形箱状の筐体１３１と、複数のねじにより筐体１３１にねじ止めされる筐体の上端開口を閉塞する図示しないトップカバーを有している。
【０１６２】
筐体１３１内には、実施形態に係る方法により製造された垂直磁気記録媒体１３２、この垂直磁気記録媒体１３２を支持及び回転させる駆動手段としてのスピンドルモータ１３３、垂直磁気記録媒体１３２に対して磁気信号の記録及び再生を行う磁気ヘッド１３４、磁気ヘッド１３４を先端に搭載したサスペンションを有し且つ磁気ヘッド１３４を垂直磁気記録媒体１３２に対して移動自在に支持するヘッドアクチュエータ１３５、ヘッドアクチュエータ１３５を回転自在に支持する回転軸１３６、回転軸１３６を介してヘッドアクチュエータ１３５を回転、位置決めするボイスコイルモータ１３７、及びヘッドアンプ回路１３８等が収納されている。
【０１６３】
実施例
以下、実施例を示し、実施形態を具体的に説明する。
【０１６４】
実施例１
まず、電子線リソグラフィーによりレジスト層に凹凸パターンを形成した後、磁気記録層へ転写することを特徴とした製造方法に関して説明する。
【０１６５】
基板には２．５インチ径ドーナツ基板を用い、この上に磁気記録層をＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力０．７Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、基板側から１０ｎｍ厚  ＮｉＴａ下地層／４ｎｍ厚Ｐｄ下地層／２０ｎｍ厚Ｒｕ下地層／５ｎｍ厚ＣｏＰｔ記録層を順次成膜し、最後に３ｎｍ厚Ｐｄ保護層を形成することで磁気記録層を得た。
【０１６６】
続いて、磁気記録層上に剥離層のラフネス低減のための下地層を形成した。ここでは、Ｐｄ膜を選定し、ＤＣスパッタ法により１．５ｎｍ厚となるように成膜を行った。また、ここではラフネスを意図的に大きくするためにプロセスガス圧力を４．０Ｐａに高圧化することで成膜を行い、表面ラフネス０．３２ｎｍのＰｄ膜を得た。続いて、下地層上に金属剥離層を形成した。ここでは、酸剥離を行うためにＷを選定し、下地層との積層により合金剥離層を得ることにした。Ｗの成膜はＤＣスパッタ法により行ない、４．５ｎｍ厚で成膜した。成膜圧力は０．７Ｐａとし、低圧スパッタ法によりラフネスの低減化を図った。ここで、Ｐｄ剥離層とＷ金属剥離層の積層化により両者が合金化され、基板側からＰｄ／Ｐｄ−Ｗ／Ｗの組成傾斜を有する合金剥離層となる。なお、本例の内容に加え、下地層と金属剥離層の合金化を促進するために熱アニールを行うことが可能である。具体的には、成膜チャンバー内に設けた電熱線ヒータに電流を通電し、真空雰囲気中における基板加熱を行うことでアニールが可能である。以上により、トータル膜厚６ｎｍの合金剥離層を得る。合金剥離層の表面ラフネスは下地層によって０．２７ｎｍに低減されていることが確認された。
【０１６７】
引き続き、剥離層上にマスク層を形成した。ここではレジスト層の凹凸パターンを高精細に転写するために２層のマスクを用いることとし、基板側から第１のマスク層として３０ｎｍ厚Ｃ、さらに上部の転写層として５ｎｍ厚Ｓｉを適用した。各マスク層の形成では対向ターゲット式ＤＣスパッタ装置を用い、Ａｒガス流量３５ｓｃｃｍ、Ａｒガス圧力０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとしてスパッタ成膜した。
【０１６８】
次いで，パターニング用の主鎖切断型電子線ポジレジストを成膜した。電子線レジストには日本ゼオン（株）のＺＥＰ−５２０Ａを用い，アニソールを溶媒としてＺＥＰ−５２０Ａ：アニソール＝１：３の重量比で希釈した溶液に調製した後、基板上に滴下し、回転数２５００ｒｐｍで３０ｎｍ厚となるようにスピンコートした。試料は１８０℃に加熱した真空ホットプレート上で１５０秒間保持し、プリベークすることで電子線レジストを硬化させた。
【０１６９】
次いで、ＺｒＯ熱電界放出型電子源を有し、加速電圧１００ｋＶ・ビーム径２ｎｍ径のビームを具備した電子線描画装置を用い、電子線レジストにパターン描画を行った。電子線描画装置は、描画パターンを形成するための信号と、試料ステージの一方向移動機構と同心円回転機構とを具備した、いわゆるｘ−θ型描画装置である。試料の描画では電子線を偏向するための信号を同期させるとともに、半径方向に対してステージを移動させている。ここで、描画線速度０．１５ｍ／秒、ビーム電流値１３ｎＡ、半径方向への送り量を５ｎｍとして、電子線レジストにピッチ２０ｎｍを有するドット／スペースパターンおよびライン／スペースパターンの潜像を形成した。
【０１７０】
これを現像することで、１０ｎｍ径ドット／１０ｎｍスペース、１０ｎｍ幅ライン／１０ｎｍ幅スペースの凹凸パターンを解像できる。現像液には１００％酢酸ノルマルアミルを成分とした有機現像液を用い，液中に２０秒間試料を浸漬することで電子線レジストの現像を行った。
【０１７１】
引き続き、イソプロピルアルコール中に２０秒間試料を浸漬してリンスを行い，Ｎ２の直接ブローにより試料表面を乾燥させた。
【０１７２】
マスク層への凹凸パターン転写はドライエッチングにより行なった。ドライエッチングでは、ＣＦ４ガスおよびＯ２ガスを用いた誘導結合型プラズマエッチングを適用した。まず、レジスト下部のＳｉ転写層に凹凸パターンを転写するためＣＦ４ガス圧力０．１Ｐａ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、投入電力１００Ｗ，バイアス電力１０Ｗとし、４０秒間エッチングすることでレジスト凹凸パターンを転写した。続いて、Ｃマスク層をエッチングするためＯ２ガスを用い、ガス圧力０．１Ｐａ、ガス流量２０ｓｃｃｍ、投入電力１００Ｗ，バイアス電力２０Ｗとし、６５秒間エッチングすることで凹凸パターンを転写した。
【０１７３】
次に、剥離層および磁気記録層へ凹凸パターンを転写した。前述のように剥離層と磁気記録層への凹凸パターン転写では異なるエッチング工程を経て各層を別個にパターニングしても良いが、同一の工程によるものでも構わない。ここではＡｒイオンによるミリング法を適用した。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａ、基板面に対するイオン種の入射角度９０°（垂直入射）として、１１０秒間ミリングを行い、６ｎｍ厚Ｐｄ／Ｗ合金剥離層ならびに５ｎｍ厚ＣｏＰｔ記録層へ凹凸パターンを転写した。
【０１７４】
続いて、マスクパターンを剥離するためにウェット剥離を行った。上記のごとく、ここでは酸剥離を可能とするＷ合金層を剥離層としているため、過酸化水素水を用いてウェット剥離を行った。過酸化水素水は重量パーセント濃度１％となるように調製し、試料を３分間浸漬した。続いて、純水により試料を５分間洗浄し、媒体表面を清浄化した。これにより、磁気記録層上からマスク層ならびに剥離層を除去した。
【０１７５】
最後に、２ｎｍ厚ＤＬＣ膜を成膜した後、パーフルオロポリエーテル系潤滑膜を１．５ｎｍ厚で形成することで凹凸パターンを有する磁気記録媒体を得た。
【０１７６】
得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１７７】
実施例２
実施例２は、レジスト層にＺＥＰ−５２０Ａを用いる替わりに自己組織化膜を用いてミクロ相分離構造を形成せしめ、ミクロ相分離パターンを基にエッチングを行い、自己組織化膜とマスク層とのパターンの転写を良好にするため、マスク層との間に更にＳｉ／Ｃ膜を挿入すること以外は実施例１と同様である。
【０１７８】
まず、Ｓｉ転写層上に自己組織化パターン転写用カーボン膜を３ｎｍ厚で成膜した。ここではＤＣスパッタ法により、Ａｒガス圧力０．７Ｐａ、投入電力５００Ｗとして成膜を行った。
【０１７９】
続いて、ブロックコポリマー溶液をカーボン膜上に塗布した。ブロックコポリマー溶液には、ポリスチレンとポリジメチルシロキサンからなるブロック共重合体を塗布溶媒に溶解したものを用いた。ポリスチレンとポリジメチルシロキサンの分子量はそれぞれ１１７００、２９００である。この組成からは、パターンピッチ２０ｎｍのミクロ相分離構造が得られる。溶媒にはプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテートを用い、重量パーセント濃度１．５％となるようポリマー溶液の調製を行った。
【０１８０】
この溶液をカーボン膜マスク上に滴下し、回転数５０００ｒｐｍでスピンコーティングし、単層自己組織化膜となる１８ｎｍ厚で自己組織化膜を成膜した。単層自己組織化膜とは、媒体の同一平面に対して階層構造を持たず、海状ポリスチレンと島状ポリジメチルシロキサンのミクロ相分離パターンが一層であることを意味する。
【０１８１】
さらに、自己組織化膜内部に海状ポリスチレンと島状ポリジメチルシロキサンドットパターンをミクロ相分離させるため、熱アニールを行った。熱アニールでは真空加熱炉を用い、炉内圧力０．２Ｐａの減圧雰囲気下で１７０℃・１２時間のアニールを行い、自己組織化膜内部に２０ｎｍピッチドットからなるミクロ相分離構造を形成した。
【０１８２】
続いて、相分離パターンを基にエッチングにより凹凸パターンを形成した。エッチングでは誘導結合プラズマ型リアクティブイオンエッチングにより行った。プロセスガス圧力は０．１Ｐａ、ガス流量は５ｓｃｃｍとした。
【０１８３】
まず、自己組織化膜の表層のポリジメチルシロキサンを除去するため、ＣＦ４ガスをエッチャントとし、アンテナ電力５０Ｗ、バイアス電力５Ｗで７秒のエッチングを行った。次いで、海状ポリスチレンおよび自己組織化膜下部のＣ膜に凹凸パターンを転写するため、Ｏ２ガスをエッチャントとしてアンテナ電力１００Ｗ、バイアス電力５Ｗで１１０秒エッチングを行った。ポリスチレンの除去に用いるＯ２エッチャントは、下層のＣ膜もエッチングするため、Ｓｉ転写層がストッパ層となりエッチングが停止する。さらに、実施例１と同様にＣＦ４エッチャントおよびＯ２エッチャントを用いたプラズマエッチングにより、下層のＳｉ転写層およびＣマスク層に対するエッチングを行うことで、自己組織化膜の凹凸パターンをマスク層へ転写した。
【０１８４】
以降、実施例１と同様にしてパターン転写ならびに剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１８５】
実施例３
実施例３は、レジスト層に金属微粒子と高分子バインダーからなる層を用い、金属微粒子をレジスト凹凸パターンとして凹凸パターンを形成すること以外は実施例２と同様である。
【０１８６】
まず、金属微粒子マスクを形成するための塗布溶液を作製した。この塗布溶液は金属微粒子の分散液と高分子バインダーの混合溶液からなる。
【０１８７】
金属微粒子には粒径２０ｎｍのＡｕを用いた。また、分散液の溶媒は乳酸エチルとし、重量パーセント濃度１％となるように溶液調製を行った。さらに、Ａｕ微粒子の凝集に伴う二次粒子の形成を抑制するため、ポリカルボン酸アミン塩含有分散剤を重量パーセント濃度０．００１％となるように分散液に添加し、Ａｕ微粒子の単分散を促進させた。
【０１８８】
引き続き、Ａｕ分散液に高分子バインダーを添加することで塗布溶液を作製した。この高分子バインダーは、分散剤との混合により金属微粒子溶液の塗布性を改善する役割を果たす。また、金属微粒子／高分子バインダーからなる混合系は、前記実施例２中の自己組織化膜のミクロ相分離パターンと類似した態様を示す。具体的には、高分子バインダーが海状ポリスチレンに相当し、金属微粒子が島状ポリジメチルシロキサンドットに相当する。
【０１８９】
次いで、Ｃ膜上に金属微粒子レジスト層を形成した。作製した金属微粒子塗布溶液をＣ膜上へ適量滴下し、回転数３０００ｒｐｍでスピンコートすることで単層金属微粒子層を得た。ここで、単層とは前記自己組織化膜の説明で用いたものと同義であり、媒体の同一平面に対して階層構造を持たず、海状高分子バインダーと島状Ａｕ金属微粒子の複合層が一層であることを意味している。塗布後、Ｎ２雰囲気オーブンにて１５０℃・３０分間のベーキングを行い、高分子バインダーを硬化させることで金属微粒子マスク層を形成した。
【０１９０】
このマスク層に対してドライエッチングを行い、凹凸パターンを形成した。本例では、金属微粒子をマスクとするため、金属微粒子間に充填されている高分子バインダーを除去している。ドライエッチングではＯ２ガスをエッチャントとして用い、プロセスガス圧力０．１Ｐａ、ガス流量５ｓｃｃｍ、アンテナ電力１００  Ｗ、バイアス電力１０Ｗとして、２４秒間エッチングを行うことで高分子バインダーならびに下層Ｃ膜へ凹凸パターンを転写した。
【０１９１】
以降、実施例２と同様にしてＳｉ転写層から磁気記録層へのパターン転写、および剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０１９２】
実施例４
実施例４は、レジスト層としてナノインプリント用レジストを用い、さらにナノインプリント用スタンパを用いて凹凸パターン形成を行うこと以外は実施例１と同様である。
【０１９３】
まず、ナノインプリントスタンパを作製するべく、マスター原盤を作製した。基板には汎用の６インチＳｉウェーハを用い、実施例１と同様に基板側から３０ｎｍ厚カーボンマスク層／６ｎｍ厚Ｓｉ転写層を形成した。次いで、電子線レジスト層を形成した後、電子線描画・現像を行い２０ｎｍピッチドットパターンを形成した。
【０１９４】
このマスター原盤を用いてナノインプリント用スタンパを作製した。まず、凹凸パターンに対して導電化処理を行なうため、Ｎｉ膜をＤＣスパッタ法にて成膜した。到達真空度８．０×１０−４Ｐａ、Ａｒガス圧力１．０Ｐａ、ＤＣ投入電力２００Ｗの条件下で、５ｎｍ厚Ｎｉ導電膜を凹凸パターンに一様被覆させた。導電膜形成法としてはスパッタ法のほかに蒸着法、または無電解メッキ法によるＮｉ−Ｐ合金やＮｉ−Ｂ合金にて代用する事もできる。また、スタンパの剥離を容易に行なうために、導電膜形成後に表面を酸化させてもよい。
【０１９５】
続いて、電鋳法により凹凸パターンに沿ってＮｉ膜を形成する。電鋳液には昭和化学（株）製の高濃度スルファミン酸ニッケルメッキ液（ＮＳ−１６９）を使用した。スルファミン酸ニッケル：６００ｇ／Ｌ、ホウ酸４０ｇ／Ｌ、ラウリル硫酸ナトリウム界面活性剤０．１５ｇ／Ｌ、液温５５℃、ｐＨ３．８〜４．０、通電電流密度２０Ａ／ｄｍ２の電鋳条件にて、３００μｍ厚となるＮｉスタンパを作製した。このＮｉスタンパをマスター原盤から離型することで、凹凸パターンを有するナノインプリント用スタンパが得られる。離型後のスタンパ凹凸に残渣やパーティクルがある場合は、必要に応じて凹凸パターンに対するエッチングを行なうことで、これらを除去しスタンパを清浄化できる。最後に、電鋳したＮｉ板を２．５インチ径の円盤状に打ち抜き加工し、Ｎｉスタンパを得た。
【０１９６】
このＮｉスタンパを射出成型処理し、樹脂スタンパを複製した。樹脂材料には、日本ゼオン（株）製環状オレフィンポリマー（ＺＥＯＮＯＲ  １０６０Ｒ）を用いた。
【０１９７】
上記のように得られた樹脂スタンパを用いて、レジスト層へ凹凸パターンを形成した。まず、媒体試料上へ紫外線硬化レジストを４０ｎｍ厚でスピンコートし、これをレジスト層とした。続いて、レジスト層に前記樹脂スタンパをインプリントし、紫外線を照射させることにより（紫外線硬化樹脂層を樹脂スタンパで押下した状態で紫外線を照射）、レジスト層を硬化させる。硬化したレジスト層から樹脂スタンパを離型することで所望の２０ｎｍピッチドットパターンを得た。
【０１９８】
試料の凹凸パターンの溝部にはインプリントに伴うレジスト残渣があるため、これをエッチングにより除去した。レジストの残渣除去は、Ｏ２エッチャントによるプラズマエッチングにより行なった。Ｏ２ガス流量５ｓｃｃｍ、圧力０．１Ｐａ、投入電力１００Ｗ、バイアス電力１０Ｗとし、８秒間のエッチングを行なうことでレジスト残渣を除去した。
【０１９９】
以降、実施例１と同様にしてＳｉ転写層から磁気記録層へのパターン転写、および剥離工程を経て、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２００】
実施例５
実施例５は、下地層材料としてＳｉを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２０１】
Ｓｉ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３２ｎｍであった。
【０２０２】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２０３】
実施例６
実施例６は、下地層材料としてＴｉを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２０４】
Ｔｉ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．０ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３５ｎｍであった。
【０２０５】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２０６】
実施例７
実施例７は、下地層材料としてＶを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２０７】
Ｖ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２９ｎｍであった。
【０２０８】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２０９】
実施例８
実施例８は、下地層材料としてＺｎを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２１０】
Ｚｎ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．４ｎｍであった。
【０２１１】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２１２】
実施例９
実施例９は、下地層材料としてＮｉを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２１３】
Ｎｉ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．６ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３２ｎｍであった。
【０２１４】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２１５】
実施例１０
実施例１０は、下地層材料としてＭｏを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２１６】
Ｍｏ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２５ｎｍであった。
【０２１７】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２１８】
実施例１１
実施例１１は、下地層材料としてＣｒを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２１９】
Ｃｒ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．３７ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２８ｎｍであった。
【０２２０】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２２１】
実施例１２
実施例１２は、下地層材料としてＣｕを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２２２】
Ｃｕ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．４ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３３ｎｍであった。
【０２２３】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２２４】
実施例１３
実施例１３は、下地層材料としてＺｒを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２２５】
Ｚｒ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、０．９５ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２６ｎｍであった。
【０２２６】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２２７】
実施例１４
実施例１４は、下地層材料としてＮｂを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２２８】
Ｎｂ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２６ｎｍであった。
【０２２９】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２３０】
実施例１５
実施例１５は、下地層材料としてＨｆ  を用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２３１】
Ｈｆ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．０ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３  ｎｍであった。
【０２３２】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２３３】
実施例１６
実施例１６は、下地層材料としてＴａを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２３４】
Ｔａ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、０．７ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２８ｎｍであった。
【０２３５】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２３６】
実施例１７
実施例１７は、下地層材料としてＡｇを用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２３７】
Ａｇ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．４ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３７ｎｍであった。
【０２３８】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２３９】
実施例１８
実施例１８は、下地層材料としてＡｕ  を用いること以外は、実施例１と同様である。
【０２４０】
Ａｕ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２９ｎｍであった。
【０２４１】
以降、実施例１と同様にしてＷ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２４２】
実施例１９
実施例１９から実施例３３では、種々の下地層とＷ金属剥離層の成膜順序を入れ替えた場合の例について説明する。本例は、Ｗ金属剥離層ならびにＰｄ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２７ｎｍであった。
【０２４３】
以降、実施例１と同様にしてＷ／Ｐｄ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２４４】
実施例２０
実施例２０はＷ金属剥離層ならびにＳｉ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例５と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３４ｎｍであった。
【０２４５】
以降、実施例５と同様にしてＷ／Ｓｉ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２４６】
実施例２１
実施例２１はＷ金属剥離層ならびにＴｉ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例６と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３２ｎｍであった。
【０２４７】
以降、実施例６と同様にしてＷ／Ｔｉ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２４８】
実施例２２
実施例２２はＷ金属剥離層ならびにＶ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例７と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３０ｎｍであった。
【０２４９】
以降、実施例７と同様にしてＷ／Ｖ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２５０】
実施例２３
実施例２３はＷ金属剥離層ならびにＺｎ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例８と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.４２ｎｍであった。
【０２５１】
以降、実施例８と同様にしてＷ／Ｚｎ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２５２】
実施例２４
実施例２４はＷ金属剥離層ならびにＮｉ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例９と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３０ｎｍであった。
【０２５３】
以降、実施例９と同様にしてＷ／Ｎｉ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２５４】
実施例２５
実施例２５はＷ金属剥離層ならびにＭｏ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例１０と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２２ｎｍであった。
【０２５５】
以降、実施例１０と同様にしてＷ／Ｍｏ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２５６】
実施例２６
実施例２６はＷ金属剥離層ならびにＣｒ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例１１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３１ｎｍであった。
【０２５７】
以降、実施例１１と同様にしてＷ／Ｃｒ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２５８】
実施例２７
実施例２７はＷ金属剥離層ならびにＣｕ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例１２と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３１ｎｍであった。
【０２５９】
以降、実施例１２と同様にしてＷ／Ｃｕ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２６０】
実施例２８
実施例２８はＷ金属剥離層ならびにＺｒ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例１３と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２８ｎｍであった。
【０２６１】
以降、実施例１３と同様にしてＷ／Ｚｒ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２６２】
実施例２９
実施例２９はＷ金属剥離層ならびにＮｂ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例１４と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２４ｎｍであった。
【０２６３】
以降、実施例１４と同様にしてＷ／Ｎｂ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２６４】
実施例３０
実施例３０はＷ金属剥離層ならびにＨｆ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例１５と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３４ｎｍであった。
【０２６５】
以降、実施例１５と同様にしてＷ／Ｈｆ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２６６】
実施例３１
実施例３１はＷ金属剥離層ならびにＴａ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例１６と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２７ｎｍであった。
【０２６７】
以降、実施例１６と同様にしてＷ／Ｔａ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２６８】
実施例３２
実施例３２はＷ金属剥離層ならびにＡｇ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例１７と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３６ｎｍであった。
【０２６９】
以降、実施例１７と同様にしてＷ／Ａｇ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２７０】
実施例３３
実施例３３はＷ金属剥離層ならびにＡｕ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例１８と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３１ｎｍであった。
【０２７１】
以降、実施例１８と同様にしてＷ／Ａｕ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２７２】
実施例３４
実施例３４はＷ金属剥離層を厚く設ける場合の例であり、下地層の代表的な材料としてＰｄを用いた内容を説明する。実施例１と同様に、Ｐｄ下地層およびＷ金属剥離層をＤＣスパッタ法により成膜した。
【０２７３】
Ｐｄ膜厚は１．５ｎｍなるように成膜した。このとき、表面ラフネスは０．３２ｎｍであった。続いてＷ金属剥離層を８．５ｎｍ厚となるように成膜した。合金化後の表面ラフネスは０．３ｎｍとなっており、ラフネスの低減効果が小さくなっていることを確認した。
【０２７４】
以降、実施例１と同様にしてレジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経て凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。作製した磁気記録媒体のパターンを観察したところ、Ｗ金属剥離層は良好に剥離できていることがわかった。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な基準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２７５】
実施例３５
実施例３５は下地層を薄く設ける場合の例であり、下地層の代表的な材料としてＰｄを用いた内容を説明する。実施例１と同様に、Ｐｄ下地層およびＷ金属剥離層をＤＣスパッタ法により成膜した。Ｐｄ膜厚は０．３ｎｍなるように成膜した。このとき、表面ラフネスは０．２３ｎｍであった。続いてＷ金属剥離層を４．５ｎｍ厚となるように成膜した。合金化後の表面ラフネスは０．２９ｎｍとなっており、表面ラフネスが増大していることを確認した。
【０２７６】
以降、実施例１と同様にしてレジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経て凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。作製した磁気記録媒体のパターンを観察したところ、Ｗ金属剥離層は良好に剥離できていることがわかった。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な基準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２７７】
実施例３６
実施例３６は下地層を厚く設ける場合の例であり、代表的な材料としてＰｄを用いた内容を説明する。実施例１と同様に、Ｐｄ下地層をＤＣスパッタ法により成膜した。膜厚は５．５ｎｍとし、この場合の表面ラフネスは０．４ｎｍであった。また、Ｗ金属剥離層は実施例１と同様に４．５ｎｍ厚となるように成膜した。両者の合金化後の表面ラフネスを測定したところ、０．３７ｎｍであり、表面ラフネスの低減効果が小さくなっていることを確認した。
【０２７８】
以降、実施例１と同様にしてＰｄ／Ｗ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。作製した磁気記録媒体のパターンを観察したところ、Ｗ金属剥離層は剥離できているものの、厚膜Ｐｄの下層部分が０．５ｎｍ程度の残渣となっており、パターニングされた保護膜となっていることがわかった。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な基準である１０ｎｍ浮上量をパスすることはできたものの、ヘッド走査時における媒体表面への接触頻度が増大しているため、評価を△とした。
【０２７９】
実施例３７
実施例３７から実施例５１は、金属剥離層にアルカリ可溶な材料であるＡｌを用いた場合の例である。実施例３７では、下地層材料としてＰｄを用い、金属剥離層にＡｌを用いた。レジスト層の凹凸パターン形成ならびに、マスク層への転写は実施例１と同様である。
【０２８０】
Ｐｄ膜はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０  Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．５ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３２ｎｍであった。同様にして、３．５ｎｍ厚Ａｌ膜をＤＣスパッタ法により成膜した。その際、表面ラフネスの値は０．２９ｎｍであった。
【０２８１】
Ｐｄ／Ａｌ合金剥離層ならびに磁気記録層に対する凹凸パターン転写は、Ａｒイオンによるミリング法により行なった。Ａｒイオン加速電圧３００Ｖ、ガス流量３ｓｃｃｍ、プロセス圧力０．１Ｐａ、基板面に対するイオン種の入射角度９０°（垂直入射）として、１２０秒間ミリングを行い、５ｎｍ厚Ｐｄ／Ａｌ合金剥離層ならびに５ｎｍ厚ＣｏＰｔ記録層へ凹凸パターンを転写した。
【０２８２】
続いて、アルカリ溶液を用いて剥離層を溶解し、上部マスク層を磁気記録層上から除去した。アルカリ溶液には水酸化ナトリウム水溶液を用い、重量パーセント濃度０．１％となるように純水で希釈し、試料を３分間浸漬した。続いて、純水により試料を５分間洗浄し、媒体表面を清浄化した。これにより、磁気記録層上からマスク層ならびに剥離層を除去した。
【０２８３】
以上のように、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２８４】
実施例３８
実施例３８は、下地層材料としてＳｉを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０２８５】
Ｓｉ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３２ｎｍであった。
【０２８６】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２８７】
実施例３９
実施例３９は、下地層材料としてＴｉを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０２８８】
Ｔｉ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．０ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３５ｎｍであった。
【０２８９】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２９０】
実施例４０
実施例４０は、下地層材料としてＶを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０２９１】
Ｖ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２９ｎｍであった。
【０２９２】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２９３】
実施例４１
実施例４１は、下地層材料としてＺｎを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０２９４】
Ｚｎ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．４ｎｍであった。
【０２９５】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２９６】
実施例４２
実施例４２は、下地層材料としてＮｉを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０２９７】
Ｎｉ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．６ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３２ｎｍであった。
【０２９８】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０２９９】
実施例４３
実施例４３は、下地層材料としてＭｏを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０３００】
Ｍｏ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２５ｎｍであった。
【０３０１】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３０２】
実施例４４
実施例４４は、下地層材料としてＣｒを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０３０３】
Ｃｒ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．３７ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２８ｎｍであった。
【０３０４】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３０５】
実施例４５
実施例４５は、下地層材料としてＣｕを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０３０６】
Ｃｕ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．４ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３３ｎｍであった。
【０３０７】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３０８】
実施例４６
実施例４６は、下地層材料としてＺｒを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０３０９】
Ｚｒ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、０．９５ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２６ｎｍであった。
【０３１０】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３１１】
実施例４７
実施例４７は、下地層材料としてＮｂを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０３１２】
Ｎｂ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２６ｎｍであった。
【０３１３】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３１４】
実施例４８
実施例４８は、下地層材料としてＨｆを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０３１５】
Ｈｆ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．０ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３ｎｍであった。
【０３１６】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３１７】
実施例４９
実施例４９は、下地層材料としてＴａを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０３１８】
Ｔａ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、０．７ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２８ｎｍであった。
【０３１９】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３２０】
実施例５０
実施例５０は、下地層材料としてＡｇを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０３２１】
Ａｇ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．４ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．３７ｎｍであった。
【０３２２】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３２３】
実施例５１
実施例５１は、下地層材料としてＡｕを用いること以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。
【０３２４】
Ａｕ下地層はＤＣスパッタ法により形成した。プロセスガスはＡｒとし、ガス圧力４．０Ｐａ、ガス流量３５ｓｃｃｍ、投入電力５００Ｗに設定し、１．２ｎｍ厚となるように成膜を行った。その際、表面ラフネスの値は０．２９ｎｍであった。
【０３２５】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ金属剥離層を成膜し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３２６】
実施例５２
実施例５２から実施例６６では、種々の下地層とＡｌ金属剥離層の成膜順序を入れ替えた場合の例について説明する。本例は、Ａｌ金属剥離層ならびにＰｄ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例３７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３０ｎｍであった。
【０３２７】
以降、実施例３７と同様にしてＡｌ／Ｐｄ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３２８】
実施例５３
実施例５３は、Ａｌ金属剥離層ならびにＳｉ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例３８と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３３ｎｍであった。
【０３２９】
以降、実施例３８と同様にしてＡｌ／Ｓｉ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３３０】
実施例５４
実施例５４は、Ａｌ金属剥離層ならびにＴｉ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例３９と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３２ｎｍであった。
【０３３１】
以降、実施例３９と同様にしてＡｌ／Ｔｉ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３３２】
実施例５５
実施例５５は、Ａｌ金属剥離層ならびにＶ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例４０と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２７ｎｍであった。
【０３３３】
以降、実施例４０と同様にしてＡｌ／Ｖ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３３４】
実施例５６
実施例５６は、Ａｌ金属剥離層ならびにＺｎ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例４１と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３８ｎｍであった。
【０３３５】
以降、実施例４１と同様にしてＡｌ／Ｚｎ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３３６】
実施例５７
実施例５７は、Ａｌ金属剥離層ならびにＮｉ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例４２と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３５ｎｍであった。
【０３３７】
以降、実施例４２と同様にしてＡｌ／Ｎｉ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３３８】
実施例５８
実施例５８は、Ａｌ金属剥離層ならびにＭｏ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例４３と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２８ｎｍであった。
【０３３９】
以降、実施例４３と同様にしてＡｌ／Ｍｏ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３４０】
実施例５９
実施例５９は、Ａｌ金属剥離層ならびにＣｒ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例４４と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２５ｎｍであった。
【０３４１】
以降、実施例４４と同様にしてＡｌ／Ｃｒ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３４２】
実施例６０
実施例６０は、Ａｌ金属剥離層ならびにＣｕ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例４５と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３１ｎｍであった。
【０３４３】
以降、実施例４５と同様にしてＡｌ／Ｃｕ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３４４】
実施例６１
実施例６１は、Ａｌ金属剥離層ならびにＺｒ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例４６と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２４ｎｍであった。
【０３４５】
以降、実施例４６と同様にしてＡｌ／Ｚｒ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３４６】
実施例６２
実施例６２は、Ａｌ金属剥離層ならびにＮｂ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例４７と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２７ｎｍであった。
【０３４７】
以降、実施例４７と同様にしてＡｌ／Ｎｂ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３４８】
実施例６３
実施例６３は、Ａｌ金属剥離層ならびにＨｆ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例４８と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２８ｎｍであった。
【０３４９】
以降、実施例４８と同様にしてＡｌ／Ｈｆ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３５０】
実施例６４
実施例６４は、Ａｌ金属剥離層ならびにＴａ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例４９と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２６ｎｍであった。
【０３５１】
以降、実施例４９と同様にしてＡｌ／Ｔａ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３５２】
実施例６５
実施例６５は、Ａｌ金属剥離層ならびにＡｇ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例５０と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.３５ｎｍであった。
【０３５３】
以降、実施例５０と同様にしてＡｌ／Ａｇ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３５４】
実施例６６
実施例６６は、Ａｌ金属剥離層ならびにＡｕ下地層を用いた例であり、両者の成膜順序を入れ替えたこと以外は実施例５１と同様である。なお、レジスト層のパターニングおよびマスク層のパターニングに関しては実施例１と同様である。なお、合金剥離層の表面ラフネスは０.２７ｎｍであった。
【０３５５】
以降、実施例５１と同様にしてＡｌ／Ａｕ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３５６】
実施例６７
実施例６７はＡｌ金属剥離層を厚く設ける場合の例であり、下地層の代表的な材料としてＰｄを用いた内容を説明する。実施例３７と同様に、Ｐｄ下地層およびＡｌ金属剥離層をＤＣスパッタ法により成膜した。Ｐｄ膜厚は１．５ｎｍなるように成膜した。このとき、表面ラフネスは０．３２ｎｍであった。続いてＡｌ金属剥離層を６．５ｎｍ厚となるように成膜した。合金化後の表面ラフネスは０．３０ｎｍとなっており、ラフネスの低減効果が小さくなっていることを確認した。
【０３５７】
以降、実施例１と同様にしてレジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写した後、実施例３７と同様のアルカリ剥離工程を経て凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。作製した磁気記録媒体のパターンを観察したところ、Ａｌ金属剥離層は良好に剥離できていることがわかった。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な基準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３５８】
実施例６８
実施例６８は下地層を薄く設ける場合の例であり、下地層の代表的な材料としてＰｄを用いた内容を説明する。実施例３７と同様に、Ｐｄ下地層およびＡｌ金属剥離層をＤＣスパッタ法により成膜した。Ｐｄ膜厚は０．３  ｎｍなるように成膜した。このとき、表面ラフネスは０．２３  ｎｍであった。続いてＡｌ金属剥離層を４．５ｎｍ厚となるように成膜した。合金化後の表面ラフネスは０．２７ｎｍとなっており、ラフネス増大していることを確認した。
【０３５９】
以降、実施例１と同様にしてレジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経て凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。作製した磁気記録媒体のパターンを観察したところ、Ａｌ金属剥離層は良好に剥離できていることがわかった。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な基準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３６０】
実施例６９
実施例３６は下地層を厚く設ける場合の例であり、代表的な材料としてＰｄを用いた内容を説明する。実施例３７と同様に、Ｐｄ下地層をＤＣスパッタ法により成膜した。膜厚は５．５ｎｍとし、この場合の表面ラフネスは０．４ｎｍであった。また、Ａｌ金属剥離層は実施例３７と同様に４．５ｎｍ厚となるように成膜した。両者の合金化後の表面ラフネスを測定したところ、０．３８ｎｍであり、表面ラフネスの低減効果が小さくなっていることを確認した。
【０３６１】
以降、実施例３７と同様にしてＰｄ／Ａｌ合金剥離層を形成し、レジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、アルカリ剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。作製した磁気記録媒体のパターンを観察したところ、Ｗ金属剥離層は剥離できているものの、厚膜Ｐｄの下層部分が０．３ｎｍ程度の残渣となっており、パターニングされた保護膜となっていることがわかった。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な基準である１０ｎｍ浮上量をパスすることはできたものの、ヘッド走査時における媒体表面への接触頻度が増大していることを確認した。
【０３６２】
実施例７０
実施例７０から実施例７１は、下地層材料に金属剥離層材料を用いる例であり、下地層にＡｌ、金属剥離層にＷを用いた場合である。すなわち、異なる二種類の剥離材料および剥離溶液を用いた剥離プロセスを経る。なお、レジスト層から磁気記録層への凹凸パターニング、ならびに酸剥離に関しては実施例１と同様である。
【０３６３】
Ａｌ膜およびＷ膜は実施例１および実施例３７と同様にＤＣスパッタ法により作製した。Ａｌ膜は１．５ｎｍ厚とし、このときの表面ラフネスを測定したところ０．３３ｎｍであった。また、Ｗ膜は４．５ｎｍとなるように成膜した。合金化後の剥離層の表面ラフネスは０．２９ｎｍであった。
【０３６４】
以降、実施例１と同様にしてレジスト層の凹凸パターンを磁気記録層へ転写し、酸剥離工程を経ることで凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３６５】
実施例７１
実施例７１は、実施例７０の変形例であり合金剥離層の酸剥離後に新たにアルカリ剥離を行うこと以外は実施例７０と同様である。
【０３６６】
Ａｌ膜およびＷ膜は実施例１および実施例３７と同様にＤＣスパッタ法により作製した。Ａｌ膜は１．５ｎｍ厚とし、このときの表面ラフネスを測定したところ０．３３ｎｍであった。また、Ｗ膜は４．５ｎｍとなるように成膜した。合金化後の剥離層の表面ラフネスは０．２９ｎｍであった。
【０３６７】
実施例１と同様に、Ａｌ／Ｗ合金剥離層を過酸化水素水で剥離した後、更に磁気記録層上の媒体表面性を改善するためにＡｌ合金残渣をアルカリ溶液で剥離した。具体的には、重量パーセント濃度０．０１％に調製した水酸化ナトリウム水溶液を用い、試料を１分間浸漬した後、純水を用いて洗浄した。
【０３６８】
以上により、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。また、実施例７０と比較して走査ヘッドに対する媒体表面の接触頻度が少なくなっており、浮上特性が改善されていることを確認できた。
【０３６９】
実施例７２
実施例７２から実施例７３は、下地層材料に金属剥離層材料を用いる例であり、下地層にＷ、金属剥離層にＡｌを用いた場合である。なお、下地層と金属剥離層の成膜順序を入れ替えること以外は、実施例７３と同様である。
【０３７０】
Ｗ膜およびＡｌ膜はＤＣスパッタ法により作製した。Ｗ膜は１．５ｎｍ厚とし、このときの表面ラフネスを測定したところ０．３１ｎｍであった。また、Ａｌ膜は４ｎｍ厚となるように成膜した。このときの表面ラフネスは０．２９ｎｍであった。
【０３７１】
剥離層はアルカリ溶液を用いて剥離した。具体的には、重量パーセント濃度０．０５％に調製した水酸化ナトリウム水溶液を用い、試料を５分間浸漬した後、純水による洗浄を行った。
【０３７２】
以上により、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。
【０３７３】
実施例７３
実施例７３は、実施例７２の変形例であり合金剥離層のアルカリ剥離後に新たに酸剥離を行うこと以外は実施例７２と同様である。
【０３７４】
実施例７２と同様に、Ｗ／Ａｌ合金剥離層を水酸化ナトリウム水溶液で剥離した後、更に磁気記録層上の媒体表面性を改善するためにＷ合金残渣を酸溶液で剥離した。具体的には、重量パーセント濃度０．５％に調製した過酸化水素水を用い、試料を３分間浸漬した後、純水を用いて洗浄した。
【０３７５】
以上により、凹凸パターンを具備する磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な規準である１０ｎｍ浮上量をパスすることができた。また、実施例７２と比較して走査ヘッドに対する媒体表面の接触頻度が少なくなっており、浮上特性が改善されていることを確認できた。
【０３７６】
比較例１
比較例１から比較例４は、ラフネス低減のための下地層を設けない例である。本例はＷ金属剥離層のみを用いた場合である。レジスト層から磁気記録層への凹凸パターン転写、および酸剥離工程は実施例１と同様である。
【０３７７】
Ｗ膜はＤＣスパッタ法により６ｎｍ厚となるように磁気記録層上へ成膜した。このとき、表面ラフネスを測定したところ、０．４８ｎｍであった。また、図１３のように剥離層のＡｒイオンミリングレートを測定したところ、合金剥離層よりも低下しており加工性の劣化が認められた。
【０３７８】
以降、実施例１と同様に凹凸パターンを形成した後、酸剥離を経ることで凹凸パターンを具備した磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な基準である１０ｎｍ浮上量をパスすることはできたものの、ヘッド走査時における媒体表面への接触頻度が増大していることを確認した。図１４のように、過酸化水素水を用いた場合の連続膜の剥離レートは合金剥離層のものよりも低下しており、剥離性の劣化が認められた。また、表面ラフネスの増大に伴い、加工後におけるパターンの寸法ばらつきが大きくなっていることが分かった。
【０３７９】
比較例２
比較例２は剥離層としてＡｌ金属剥離層のみを用いた場合である。レジスト層から磁気記録層への凹凸パターン転写、およびアルカリ剥離工程は実施例３７と同様である。
【０３８０】
Ａｌ膜はＤＣスパッタ法により６ｎｍ厚となるように磁気記録層上へ成膜した。このとき、表面ラフネスを測定したところ０．５５ｎｍであった。また、図１５のように剥離層のＡｒイオンミリングレートを測定したところ、合金剥離層よりも低下しており加工性の劣化が認められた。
【０３８１】
以降、実施例３７と同様に凹凸パターンを形成した後、アルカリ剥離を経ることで凹凸パターンを具備した磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な基準である１０ｎｍ浮上量をパスすることはできたものの、ヘッド走査時における媒体表面への接触頻度が増大していることを確認した。図１６のように、水酸化ナトリウム水溶液を用いた場合の連続膜の剥離レートは合金剥離層のものよりも低下しており、剥離性の劣化が認められた。また、表面ラフネスの増大に伴い、加工後におけるパターンの寸法ばらつきが大きくなっていることが分かった。
【０３８２】
比較例３
比較例３は剥離層として合金材料を一層形成した場合の例である。本例では、Ｗ−Ｐｄ合金を用いた例を説明する。レジスト層から磁気記録層への凹凸パターン転写、および酸剥離工程は実施例１と同様である。
【０３８３】
Ｗ−Ｐｄ剥離層はＤＣスパッタ法により成膜した。ターゲットにはＷ−Ｐｄ合金を用い、厚さ６ｎｍとなるように磁気記録層上へ成膜した。このとき、表面ラフネスを測定したところ０．５２ｎｍであった。また、図１３のように剥離層のＡｒイオンミリングレートを測定したところ、合金剥離層よりも低下しており加工性の劣化が認められた。
【０３８４】
以降、実施例１と同様に凹凸パターンを形成した後、酸剥離を経ることで凹凸パターンを具備した磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な基準である１０ｎｍ浮上量をパスすることはできたものの、ヘッド走査時における媒体表面への接触頻度が増大していることを確認した。図１４のように、過酸化水素水を用いた場合の連続膜の剥離レートは合金剥離層のものよりも低下しており、剥離性の劣化が認められた。また、表面ラフネスの増大とミリングレートの低下に伴い、加工後におけるパターンの寸法ばらつきが大きくなっていることが分かった。
【０３８５】
比較例４
比較例４は剥離層として合金材料を一層形成した場合の例である。本例では、Ａｌ−Ｐｄ合金を用いた例を説明する。レジスト層から磁気記録層への凹凸パターン転写、および酸剥離工程は実施例３７と同様である。
【０３８６】
Ａｌ−Ｐｄ剥離層はＤＣスパッタ法により成膜した。ターゲットにはＡｌ−Ｐｄ合金を用い、厚さ６ｎｍとなるように磁気記録層上へ成膜した。このとき、表面ラフネスを測定したところ０．４９ｎｍであった。また、図１５のように剥離層のＡｒイオンミリングレートを測定したところ、合金剥離層よりも低下しており加工性の劣化が認められた。
【０３８７】
以降、実施例３７と同様に凹凸パターンを形成した後、酸剥離を経ることで凹凸パターンを具備した磁気記録媒体を得た。得られた磁気記録媒体に対するヘッド浮上量をグライドハイトテスターで測定し、浮上特性評価を行なった。その結果、媒体のリード・ライト評価を行なうために必要な基準である１０ｎｍ浮上量をパスすることはできたものの、ヘッド走査時における媒体表面への接触頻度が増大していることを確認した。図１６のように、水酸化ナトリウム水溶液を用いた場合の連続膜の剥離レートは合金剥離層のものよりも低下しており、剥離性の劣化が認められた。また、表面ラフネスの増大とミリングレートの低下に伴い、加工後におけるパターンの寸法ばらつきが大きくなっていることが分かった。
【０３８８】
上記実施例１ないし７３及び実施例１ないし４について、得られた結果を下記表１ないし５に示す。
【表１】
2014010870.tif 000003
【０３８９】
【表２】
2014010870.tif 000004
【０３９０】
【表３】
2014010870.tif 000005
【０３９１】
【表４】
2014010870.tif 000006
【０３９２】
【表５】
2014010870.tif 000007
【０３９３】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０３９４】
１…基板、２…磁気記録層、３…下地層、４…金属剥離層、５…合金剥離層、６…マスク層、７…レジスト層、８…保護膜、１０…磁気記録媒体
【図１】
2014010870.tif 000008
【図２】
2014010870.tif 000009
【図３】
2014010870.tif 000010
【図４】
2014010870.tif 000011
【図５】
2014010870.tif 000012
【図６】
2014010870.tif 000013
【図７】
2014010870.tif 000014
【図８】
2014010870.tif 000015
【図９】
2014010870.tif 000016
【図１０】
2014010870.tif 000017
【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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