(57)【要約】  【課題】ＡＳＩＣを用いて高速なメモリーチェックを実現し、接続不良や信号線のショートやメモリーの故障等の異常を検出する。  【解決手段】データ処理装置は、複数の端子を有する半導体メモリーと、複数の端子を有するＡＳＩＣと、半導体メモリー側の端子に対し、予め定められたＡＳＩＣ側の端子が接続されるように配線された複数の信号線と、を含み、ＡＳＩＣは半導体メモリーのメモリーチェック処理のためのデータであって、隣り合うＡＳＩＣ側の端子の信号レベルを異ならせたデータである第１チェック用データを半導体メモリーに対して送信し、半導体メモリーは第１チェック用データに応答するデータである第１応答データをＡＳＩＣに対して送信し、ＡＳＩＣは半導体メモリーからの第１応答データに基づき異常の有無を判断する。【選択図】図６
2014010702.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の端子を有する半導体メモリーと、
複数の端子を有するＡＳＩＣと、
前記半導体メモリー側の端子に対し、予め定められたＡＳＩＣ側の端子が接続されるように配線された複数の信号線と、を含み、
前記ＡＳＩＣは半導体メモリーのメモリーチェック処理のためのデータであって、隣り合う前記ＡＳＩＣ側の端子の信号レベルを異ならせたデータである第１チェック用データを前記半導体メモリーに対して送信し、
前記半導体メモリーは前記第１チェック用データに応答するデータである第１応答データを前記ＡＳＩＣに対して送信し、
前記ＡＳＩＣは前記半導体メモリーからの前記第１応答データに基づき異常の有無を判断することを特徴とするデータ処理装置。
【請求項２】
前記ＡＳＩＣは前記第１チェック用データを送信するたびに、前記ＡＳＩＣ側の前記端子の信号レベルを変化させ、１回の前記メモリーチェック処理で、４回、前記第１チェック用データを前記半導体メモリーに送信することを特徴する請求項１記載のデータ処理装置。
【請求項３】
前記ＡＳＩＣは複数の前記ＡＳＩＣ側の端子のグループのうち、１つの前記ＡＳＩＣ側の端子の信号レベルをＨｉｇｈとする第２チェック用データを、Ｈｉｇｈのレベルとする前記ＡＳＩＣ側の端子を変えつつ、複数回、前記半導体メモリーに対して送信し、
前記半導体メモリーは前記第２チェック用データに応答するデータである第２応答データを前記ＡＳＩＣに対して送信し、
前記ＡＳＩＣは前記半導体メモリーからの前記第２応答データに基づき異常の有無を判断することを特徴とする請求項１又は２に記載のデータ処理装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデータ処理装置を含むことを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はＡＳＩＣを用いて半導体メモリーとの接続での異常をチェックするためのメモリーチェック処理を行うデータ処理装置に関する。このデータ処理装置を含む画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置などには、半導体メモリー（例えば、ＲＡＭ）が搭載される。そして、主電源投入時などの起動のとき、半導体メモリーに信号線がきちんと接続されているか、信号線に異常がないか等、チェック処理を行う場合がある。このようなチェック処理に関しデータ伝送経路に異常が発生したことを検出する技術が特許文献１に記載されている。
【０００３】
具体的に、特許文献１には、プリント配線基板上に搭載され、搭載される回路部品間がプリント配線により電気的に接続され、出力ポートを介して、シリアルデータを出力可能に構成されるワンチップマイクロコンピューターと、このマイクロコンピューターより出力されるシリアルデータを受信して所定ビット数のパラレルデータに変換し、パラレルデータの出力制御がマイクロコンピューターより与えられる制御信号により行われるシリアル／パラレル変換回路とで構成され、シリアル／パラレル変換回路のパラレルデータ出力端子における、最上位側から１ビット以上の端子を、マイクロコンピューターの入力ポートに接続し、マイクロコンピューターは、所定ビット数のシリアルデータ出力を完了した場合に、入力ポートを介して与えられるデータ値が対応する出力データ値と不一致であれば異常を判定するマイクロコンピューターシステムが記載されている。この構成により、マイクロコンピューターの入力ポートを介して与えられるデータ値と対応する出力データ値の不一致によって、経路中の断線などの故障発生や異常を検出しようとする（特許文献１：請求項１、段落［０００６］等参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２２３３８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
機器の起動時や起動後での誤動作を無くしたり、差し込み等により基板に取り付けられた半導体メモリーの接触不良による問題発生を回避したりするため、機器の起動時などに使用前のメモリーチェックが行われる。
【０００６】
ここで、メモリーチェックの全ての処理をＣＰＵに行わせることも可能である。しかし、ＣＰＵ等は他の処理も行っていることなどから、ＣＰＵ等に処理を行わせると、処理に時間がかかる。特許文献１の技術でもワンチップマイクロコンピューターがメモリーチェックの処理などを行うため、メモリーチェックの処理に時間がかかるという問題がある。
【０００７】
本発明は上記従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、ＡＳＩＣを用いて高速なメモリーチェックを実現し、接続不良や信号線のショートやメモリーの故障等の異常を検出することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題解決のため、請求項１に係るデータ処理装置は、複数の端子を有する半導体メモリーと、複数の端子を有するＡＳＩＣと、前記半導体メモリー側の端子に対し、予め定められたＡＳＩＣ側の端子が接続されるように配線された複数の信号線と、を含み、前記ＡＳＩＣは半導体メモリーのメモリーチェック処理のためのデータであって、隣り合う前記ＡＳＩＣ側の端子の信号レベルを異ならせたデータである第１チェック用データを前記半導体メモリーに対して送信し、前記半導体メモリーは前記第１チェック用データに応答するデータである第１応答データを前記ＡＳＩＣに対して送信し、前記ＡＳＩＣは前記半導体メモリーからの前記第１応答データに基づき異常の有無を判断することとした。
【０００９】
この構成によれば、ＡＳＩＣは隣り合うＡＳＩＣ側の端子の信号のレベルを異ならせたデータである第１チェック用データを半導体メモリーに対して送信し、半導体メモリーは第１チェック用データに応答するデータである第１応答データをＡＳＩＣに対して送信し、ＡＳＩＣは半導体メモリーからの第１応答データに基づき異常の有無を判断する。これにより、ＡＳＩＣは第１チェック用データに対する応答として、正しい第１応答データが半導体メモリーから反ってくるか否かにより、信号線と半導体メモリーとの接続不良や、信号線のショートや、メモリーの故障といった異常を検出することができる（メモリーチェック）。又、メモリーチェックにＣＰＵを用いないので、メモリーチェックの処理を高速に行うことができる。
【００１０】
又、請求項２に係る発明は、請求項１の発明において、前記ＡＳＩＣは前記第１チェック用データを送信するたびに、前記ＡＳＩＣ側の前記端子の信号レベルを変化させ、１回の前記メモリーチェック処理で、４回、前記第１チェック用データを前記半導体メモリーに送信することとした。
【００１１】
この構成によれば、ＡＳＩＣは第１チェック用データを送信するたびに、ＡＳＩＣ側の端子の信号レベルを変化させ、１回のメモリーチェック処理で、４回、第１チェック用データを半導体メモリーに送信する。このように、ＡＳＩＣはメモリーの異常の有無を判断するうえで、十分な回数である４回だけ、第１チェック用データを送信する。これにより、ＡＳＩＣは４回、メモリーからの第１応答データを確認するだけでメモリーチェックを終えることができる。従って、メモリーチェックを高速に行うことができる。
【００１２】
又、請求項３に係る発明は、請求項１又は２の発明において、前記ＡＳＩＣは複数の前記ＡＳＩＣ側の端子のグループのうち、１つの前記ＡＳＩＣ側の端子の信号レベルをＨｉｇｈとする第２チェック用データを、Ｈｉｇｈのレベルとする前記ＡＳＩＣ側の端子を変えつつ、複数回、前記半導体メモリーに対して送信し、前記半導体メモリーは前記第２チェック用データに応答するデータである第２応答データを前記ＡＳＩＣに対して送信し、前記ＡＳＩＣは前記半導体メモリーからの前記第２応答データに基づき異常の有無を判断することとした。
【００１３】
この構成によれば、ＡＳＩＣは複数のＡＳＩＣ側の端子のグループのうち、１つのＡＳＩＣ側の端子の信号レベルをＨｉｇｈとする第２チェック用データを、ＨｉｇｈのレベルとするＡＳＩＣ側の端子を変えつつ、複数回、半導体メモリーに対して送信する。これにより、ＡＳＩＣは信号線間のショートの有無を検出することができる。
【００１４】
又、請求項４に係る画像形成装置は、請求項１乃至３のいずれか１項に記載のデータ処理装置を含むこととした。
【００１５】
この構成によれば、信号線と半導体メモリーとの接続不良や、信号線のショートや、メモリーの故障といった異常を検出するメモリーチェックの処理が高速に行われる画像形成装置を提供することができる。
【発明の効果】
【００１６】
上述したように、本発明によれば、接続不良や信号線のショートやメモリーの故障等の異常を検出することができる。又、ＡＳＩＣを用いて高速にメモリーチェックを行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】複合機の一例を示す模型的正面断面図である。
【図２】複合機の構成の一例を示すブロック図である。
【図３】実施形態に係るデータ処理装置の一例を示すブロック図である。
【図４】メモリーチェック処理でのＡＳＩＣが半導体メモリーに入力するデータの一例を示す説明図である。
【図５】メモリーチェック処理でのＡＳＩＣが半導体メモリーに入力するデータの一例を示す説明図である。
【図６】メモリーチェック処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【図７】第２の実施形態に係るデータ処理装置の一例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図１〜図７を用いて、本発明の実施形態に係るデータ処理装置１００と、データ処理装置１００を含む複合機１０１（画像形成装置に相当）を説明する。尚、本発明を画像形成装置のみへの適用に限定する趣旨ではない。又、本実施の形態に記載されている構成、配置等の各要素は、発明の範囲を限定するものではなく単なる説明例にすぎない。
【００１９】
（画像形成装置）
次に、図１に基づき、実施形態に係る複合機１０１の概略を説明する。図１は複合機１０１の一例を示す模型的正面断面図である。
【００２０】
図１に示すように、本実施形態の複合機１０１は最上部に原稿搬送部３ａを有する。複合機１０１本体には、画像読取部３ｂ、操作パネル４が設けられる。又、複合機１０１内には、給紙部５ａ、搬送部５ｂ、画像形成部６ａ、定着部６ｂが含まれる。
【００２１】
原稿搬送部３ａは原稿の複写時、原稿載置トレイ３１に積載された原稿を１枚ずつ、自動的、連続的に、画像読取部３ｂの読み取り位置（送り読取用コンタクトガラス３２）に向けて搬送する。画像読取部３ｂは原稿を読み取り、原稿の画像データを生成する。画像読取部３ｂの上面には、送り読取用コンタクトガラス３２と載置読取用コンタクトガラス３３が設けられる。又、画像読取部３ｂ内には露光ランプ、ミラー、レンズ、イメージセンサ（例えば、ＣＣＤ）等の光学系部材（不図示）が設けられる。
【００２２】
図１に破線で示すように、操作パネル４は、複合機１０１の正面上方に設けられる。そして、操作パネル４は複合機１０１の状態や各種メッセージを表示する表示部４１を備える。例えば、表示部４１は液晶表示パネルである（他の方式の表示パネルでもよい）。そして、表示部４１は機能の選択、設定や文字入力等を行うためのキーを１又は複数表示できる。又、表示部４１の上面にタッチパネル４２が設けられる。タッチパネル４２は、表示部４１で押下された部分の位置、座標を検出するためのものである。又、操作パネル４には、コピー等の各種機能の実行開始を指示するためのスタートキー４３等、各種のハードキーも設けられる。
【００２３】
給紙部５ａは複数の用紙（例えば、コピー用紙、普通紙、再生紙、厚紙、ＯＨＰシート等の各種シート）を収容するカセット５１を含む（図１で上方のものに５１ａ、下方のものに５１ｂの符号を付す）。そして、給紙部５ａは用紙を１枚ずつ搬送部５ｂに送り込む。
【００２４】
搬送部５ｂは給紙部５ａから排出トレイ５２まで用紙を搬送する通路である。用紙搬送経路上には画像形成部６ａ、定着部６ｂ等が配される。そして、搬送部５ｂには、用紙の案内のためのガイド５３や、用紙搬送の際に回転駆動する搬送ローラー対５４や、搬送されてくる用紙を画像形成部６ａの手前で待機させ、トナー像形成のタイミングを合わせて用紙を送り出すレジストローラー対５５等が設けられる。
【００２５】
画像形成部６ａは画像データに基づきトナー像を形成し、搬送される用紙にトナー像を転写する。そのため、画像形成部６ａは図１中に示す矢印方向に回転駆動可能に支持された感光体ドラム６１、及び、感光体ドラム６１の周囲に配設された帯電装置６２、露光装置６３、現像装置６４、転写ローラー６５、清掃装置６６等を備える。
【００２６】
まず、感光体ドラム６１は画像形成部６ａの略中心に設けられる。感光体ドラム６１は所定方向に回転駆動する。帯電装置６２は感光体ドラム６１を所定電位に帯電させる。露光装置６３は画像データに基づきレーザ光を出力し、感光体ドラム６１の表面を走査露光して画像データに応じた静電潜像を形成する。尚、画像データは画像読取部３ｂで得られた画像データや、ネットワーク等により接続されるコンピューター２００や相手方ＦＡＸ装置３００（図２参照）から送信された画像データ等が用いられる。
【００２７】
そして、現像装置６４は感光体ドラム６１に形成された静電潜像にトナーを供給して現像する。転写ローラー６５は感光体ドラム６１に圧接し、ニップを形成する。レジストローラー対５５はトナー像にあわせタイミングを図りつつ、用紙をニップに進入させる。用紙進入時、転写ローラー６５には所定の電圧が印加され、用紙に感光体ドラム６１上のトナー像が転写される。清掃装置６６は転写後に感光体ドラム６１に残留するトナーを除去する。
【００２８】
定着部６ｂは用紙に転写されたトナー像を定着させる。本実施形態における定着部６ｂは主として発熱体を内蔵する加熱ローラー６７と加圧ローラー６８を含む。加熱ローラー６７と加圧ローラー６８は圧接しニップを形成する。そして、用紙がこのニップを通過することで、用紙表面のトナーが溶融・加熱され、トナー像が用紙に定着する。トナー定着後の用紙は排出トレイ５２に排出される。
【００２９】
（複合機１０１のハードウェア構成）
次に、図２に基づき、実施形態に係る複合機１０１のハードウェア構成の一例を説明する。図２は複合機１０１の構成の一例を示すブロック図である。
【００３０】
複合機１０１内には、主制御部７が設けられる。主制御部７は複合機１０１の動作を制御する。例えば、主制御部７はＣＰＵ７１、記憶部７２、画像処理部７３等を含む。尚、主制御部７は全体制御や画像処理を行うメイン制御部と、画像形成や各種回転体を回転させるモーター等のＯＮ／ＯＦＦ等を制御するエンジン制御部等、機能ごとに分割して複数種設けられてもよい。
【００３１】
ＣＰＵ７１は中央演算処理装置であって、記憶部７２に格納され、展開されるプログラムやデータに基づき複合機１０１の各部を制御する。記憶部７２は、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ、フラッシュＲＯＭ等の不揮発性と揮発性の記憶装置を組み合わせて構成される。この記憶部７２には、複合機１０１の制御用等の各種のプログラムやデータ、設定データ、画像データ等の各種データを記憶できる。
【００３２】
又、画像処理部７３は印刷を行う画像データや、コンピューター２００（例えば、パーソナルコンピューターやサーバー）や相手方のＦＡＸ装置３００に送信される画像データに対し、各種画像処理を施す。
【００３３】
又、主制御部７は操作パネル４、原稿搬送部３ａ、画像読取部３ｂ、給紙部５ａ、搬送部５ｂ、画像形成部６ａ、定着部６ｂ等の各部と信号線等で接続され、各部、各装置を制御して複合機１０１の動作を制御する。
【００３４】
更に、主制御部７は各種コネクタ、ソケット、通信制御用のチップ等を備えた通信部７４と接続される。通信部７４はネットワークや公衆回線等により複数の外部のコンピューター２００や相手方のＦＡＸ装置３００と接続される。例えば、画像データを含むデータをコンピューター２００や相手方ＦＡＸ装置３００（インターネットＦＡＸでもよい）に送信することができる（スキャナ機能、ＦＡＸ機能）。又、コンピューター２００や相手方ＦＡＸ装置３００からの画像データに基づき印刷を行うこともできる（プリンター機能、ＦＡＸ機能）。このように、複合機１０１は、複写機能、プリンター機能、スキャン機能、ＦＡＸ機能の複数の機能を備える。
【００３５】
（データ処理装置１００）
次に、図３を用いて、本実施形態に係るデータ処理装置１００の一例を説明する。図３は実施形態に係るデータ処理装置１００の一例を示すブロック図である。
【００３６】
実施形態に係る複合機１０１にはデータ処理装置１００が含まれる。図３に示すように、データ処理装置１００は基板１００ａと、基板１００ａの上に搭載されたＡＳＩＣ１（Application Specific Integrated Circuit）と半導体メモリー２（例えば、ＲＡＭ）で構成される。尚、データ処理装置１００内には、ＡＳＩＣ１が処理に用いるプログラムやデータを記憶するＲＯＭなどの記憶装置（メモリー）が別途設けられてもよい。
【００３７】
例えば、データ処理装置１００は通信部７４内に通信モジュールとして設けられてもよいし（この場合、ＡＳＩＣ１は通信用途向けに設計された集積回路）、画像処理部７３の一部として設けられてもよい（この場合、ＡＳＩＣ１は画像処理用途向けに設計された集積回路）。
【００３８】
ＡＳＩＣ１は複数の入出力用の端子１Ｐ（ピン）を有する。又、半導体メモリー２も複数の入出力用の端子２Ｐ（ピン）を有する。尚、図３では、全ての端子を表示しきれないので、一部の端子のみ図示し、「・・・」の記号は一部の端子の図示を省略していることを示している。そして、半導体メモリー２側の端子２Ｐに対し、予め定められたＡＳＩＣ１側の端子１Ｐが接続されるように、複数の信号線ＳＬは配線される。言い換えると、１つのＡＳＩＣ１の端子１Ｐと、１つの半導体メモリー２の端子２Ｐを結ぶ信号線ＳＬが設けられる。尚、図３に示すようにＡＳＩＣ１には半導体メモリー２との通信用以外の端子１Ｐを設けることができる（半導体メモリー２以外の端子１Ｐの接続先の図示は省略）。
【００３９】
本実施形態では、ＡＳＩＣ１の端子１Ｐと半導体メモリー２の端子２Ｐは片方向通信用のものである。例えば、図３に示す例では、半導体メモリー２に対抗する辺に設けられたＡＳＩＣ１の端子１Ｐは半導体メモリー２に向けて信号を送信するための送信用端子１Ｐｓである。又、ＡＳＩＣ１に対抗する辺に設けられた半導体メモリー２の端子２ＰはＡＳＩＣ１からの信号を受信するための受信用端子２Ｐｒである。又、図３に示す例では、ＡＳＩＣ１の上辺に設けられたＡＳＩＣ１の端子１Ｐは半導体メモリー２からの信号を受信するための受信用端子１Ｐｒである。又、半導体メモリー２の上辺に設けられた半導体メモリー２の端子２ＰはＡＳＩＣ１に向けて信号を送信するための送信用端子２Ｐｓである。
【００４０】
尚、ＡＳＩＣ１の端子をどのような順番で配列し、どのようにＡＳＩＣ１の端子と半導体メモリー２の端子を信号線ＳＬで接続するかは、適宜、設計により定められる。従って、ＡＳＩＣ１と半導体メモリー２の各端子の接続の手法は上記の例に限られない。
【００４１】
（データ処理装置１００でのメモリーチェック処理）
次に、図４、図５を用いて、データ処理装置１００でのメモリーチェック処理の一例を説明する。図４、図５はメモリーチェック処理でのＡＳＩＣ１が半導体メモリー２に入力するデータの一例を示す説明図である。
【００４２】
本実施形態のデータ処理装置１００（複合機１０１）では、主電源投入に伴う起動時、半導体メモリー２の故障や、ＡＳＩＣ１や半導体メモリー２と信号線ＳＬとの接続不良や信号線ＳＬのショート等の異常を検出するために、メモリーチェックの処理が行われる。
【００４３】
本実施形態のデータ処理装置１００では、ＡＳＩＣ１がメモリーチェック処理により、異常の有無を判断する。ＡＳＩＣ１はメモリーチェック処理のとき、図４に示すように、隣り合うＡＳＩＣ１側の送信用端子１Ｐｓの信号レベルを異ならせたデータである第１チェック用データを半導体メモリー２に対して送信する。
【００４４】
図４を用いて、第１チェック用データを説明する。図４では、ＡＳＩＣ１の送信用端子１Ｐｓのうち、ｎ番目、（ｎ＋１）番目、（ｎ＋２）番目、（ｎ＋３）番目、（ｎ＋４）番目、の５ビット分のＡＳＩＣ１の送信用端子１Ｐｓでの信号レベルを例示している。ｎ〜（ｎ＋４）番目の他は省略）。
【００４５】
そして、ＡＳＩＣ１は隣り合うＡＳＩＣ１側の送信用端子１Ｐｓの信号レベルを異ならせた第１チェック用データを半導体メモリー２に対して送信する。具体的に、図４に示すように、ＡＳＩＣ１は奇数番のＡＳＩＣ１の送信用端子１ＰｓをＬｏｗレベル（「０」）とするとき、偶数番のＡＳＩＣ１の送信用端子１ＰｓをＨｉｇｈレベル（「１」）とし、偶数番のＡＳＩＣ１の送信用端子１ＰｓをＨｉｇｈレベル（「１」）とするとき、奇数番のＡＳＩＣ１の送信用端子１ＰｓをＬｏｗレベル（「０」）とする。このように、ＡＳＩＣ１は隣り合うＡＳＩＣ１側の送信用端子１Ｐｓの信号レベルを異ならせた第１チェック用データを半導体メモリー２に対して送信する。
【００４６】
又、ＡＳＩＣ１はメモリーチェック処理のとき、ＡＳＩＣ１は第１チェック用データを送信するたびに、ＡＳＩＣ１側の送信用端子１Ｐｓの信号レベルを変化させ、１回のメモリーチェック処理で、４回、第１チェック用データを半導体メモリー２に送信する。４回程度、半導体メモリー２からの応答内容を確認すれば、異常の有無を判断できるためである。そのため、従来のように、メモリーチェック処理のために、何十回にもわたる半導体メモリー２とのデータのやりとりを行う必要がない。
【００４７】
図４に示すように、ＡＳＩＣ１は第１回目の第１チェック用データの送信のとき、Ｌｏｗレベル（「０」）とした送信用端子１Ｐｓは、２回目の第１チェック用データの送信のとき、Ｈｉｇｈレベル（「１」）とし、３回目の第１チェック用データの送信のとき、Ｌｏｗレベル（「０」）とし、４回目の第１チェック用データの送信のとき、Ｈｉｇｈレベル（「１」）とする。又、反対に、図４に示すように、ＡＳＩＣ１は第１回目の第１チェック用データの送信のとき、Ｈｉｇｈレベル（「１」）とした送信用端子１Ｐｓは、２回目の第１チェック用データの送信のとき、Ｌｏｗレベル（「０」）とし、３回目の第１チェック用データの送信のとき、Ｈｉｇｈレベル（「１」）とし、４回目の第１チェック用データの送信のとき、Ｌｏｗレベル（「０」）とする。言い換えると、ＡＳＩＣ１は１回目に「・・・０、１、０、１、０・・・」の第１チェック用データ送信すると、２回目は「・・・１、０、１、０、１・・・」の第１チェック用データ送信し、３目は「・・・０、１、０、１、０・・・」の第１チェック用データ送信し、４回目は「・・・１、０、１、０、１・・・」の第１チェック用データ送信する。
【００４８】
そして、第１チェック用データを受信した半導体メモリー２は第１チェック用データに応答するデータである第１応答データをＡＳＩＣ１に対して送信する。例えば、半導体メモリー２は受信した第１チェック用データと同じ内容のデータを半導体メモリー２の送信用端子２ＰｓからＡＳＩＣ１の受信用端子１Ｐｒに向けて送信する。本実施形態では、メモリーチェックの際、ＡＳＩＣ１から半導体メモリー２に対して４回、第１チェック用データが送信されるので、半導体メモリー２は４回、第１応答データをＡＳＩＣ１に対して送信する。
【００４９】
そして、ＡＳＩＣ１は半導体メモリー２から受信した第１応答データが正しいか否かに基づき、異常の有無を判断する。言い換えると、ＡＳＩＣ１は半導体メモリー２から受信した第１応答データが、第１チェック用データの内容に対応して、第１半導体メモリー２の故障や、ＡＳＩＣ１や半導体メモリー２と信号線ＳＬとの接続不良や、信号線ＳＬのショート等の異常がなければ受信するはずである第１応答データの内容となっているか否かを確認して、異常の有無を判断する。
【００５０】
尚、上記のような第１チェック用データでは、ある信号線ＳＬと、隣の信号線ＳＬの更に隣の信号線ＳＬがショートしていた場合、異常を検出できないおそれがある。そこで、ＡＳＩＣ１は図５に示すような第２チェック用データを半導体メモリー２に送信して、信号線ＳＬのショートを確実に検出するようにしてもよい。
【００５１】
例えば、ＡＳＩＣ１は複数のＡＳＩＣ１側の送信用端子１Ｐｓのグループのうち、１つのＡＳＩＣ１側の送信用端子１Ｐｓの信号レベルをＨｉｇｈとする第２チェック用データを、ＨｉｇｈのレベルとするＡＳＩＣ１側の端子を変えつつ、複数回、半導体メモリー２に対して送信する。
【００５２】
図５に示すように、例えば、６つのＡＳＩＣ１の送信用端子１Ｐｓを１つのグループとする場合、ＡＳＩＣ１は第１回目の第２チェック用データの送信のとき、グループ内の送信用端子１Ｐｓのうち、１つの端子のみ信号レベルをＨｉｇｈレベル（「１」）とし、Ｈｉｇｈレベルとする以外のグループ内の送信用端子１Ｐｓの信号レベルはＬｏｗレベル（「０」）とする。そして、ＡＳＩＣ１は第２チェック用データを送信するごとに、グループ内でＨｉｇｈレベル（「１」）とするＡＳＩＣ１の送信用端子１Ｐｓを変える。
【００５３】
例えば、図５に示すように、６つのＡＳＩＣ１の送信用端子１Ｐｓを１つのグループとする場合、ＡＳＩＣ１は６回、第２チェック用データを半導体メモリー２に送信する。そして、ＡＳＩＣ１は各回で、グループ内でＨｉｇｈレベル（「１」）とするＡＳＩＣ１の送信用端子１Ｐｓを変える。図５の例では、（ｎ＋５）→（ｎ＋４）→（ｎ＋３）→（ｎ＋２）→（ｎ＋１）→ｎの送信用端子１Ｐｓの順番で信号レベルをＨｉｇｈレベル（「１」）とする。
【００５４】
そして、第２チェック用データを受信した半導体メモリー２は第２チェック用データに応答するデータである第２応答データをＡＳＩＣ１に対して送信する。例えば、半導体メモリー２は第２チェック用データと同じ内容のデータを半導体メモリー２の送信用端子２ＰｓからＡＳＩＣ１の受信用端子１Ｐｒに向けて送信する。
【００５５】
そして、ＡＳＩＣ１は、半導体メモリー２から受信した第２応答データが正しいか否かに基づき、ショートによる異常の有無を判断する。言い換えると、ＡＳＩＣ１は半導体メモリー２から受信した第２応答データが、第２チェック用データの内容に対応して、信号線ＳＬのショートの異常がなければ受信するはずである第２応答データの内容となっているか否かを確認して、異常の有無を判断する。
【００５６】
（メモリーチェック処理の流れ）
次に、図６を用いて、実施形態に係るデータ処理装置１００でのメモリーチェック処理の流れの一例を説明する。図６はメモリーチェック処理の流れの一例を示すフローチャートである。
【００５７】
まず、図６のスタートはＡＳＩＣ１が半導体メモリー２のメモリーチェック処理を開始する時点である。例えば、主電源投入時である。又、省電力モードによりＡＳＩＣ１や半導体メモリー２への電力供給が停止していた状態から、ＡＳＩＣ１や半導体メモリー２に電力供給が再開された時点にメモリーチェック処理が実行されてもよい。このとき、例えば、主制御部７のＣＰＵ７１はＡＳＩＣ１に対して、接続依頼信号（起動合図信号）を入力する。例えば、ＡＳＩＣ１は接続依頼信号により、起動を開始し、メモリーチェック処理を開始する。尚、図６では、第２チェック用データを送信する例を説明する。第２チェック用データによるメモリーチェックを省略する場合、以下のステップ♯６〜ステップ♯９は不要である。
【００５８】
まず、メモリーチェック処理開始に伴い、ＡＳＩＣ１は半導体メモリー２に向けて第１チェック用データを送信し、半導体メモリー２は受信する（ステップ♯１）。この第１チェック用データを受信すると、半導体メモリー２は第１応答データをＡＳＩＣ１に向けて送信し、ＡＳＩＣ１は受信する（ステップ♯２）。
【００５９】
そして、ＡＳＩＣ１は第１応答データに基づき、異常の有無を判断する（ステップ♯３）。異常があるとき（ステップ♯３のＹｅｓ）、ＡＳＩＣ１は上位システム（例えば、主制御部７のＣＰＵ７１）に通知し（ステップ♯４）、本フローは終了する（エンド）。この通知を受け、例えば、主制御部７は起動の停止などの処理や、異常があることを操作パネル４に表示させる処理などを行う。
【００６０】
一方、異常が無ければ（ステップ♯３のＮｏ）、ＡＳＩＣ１は送信すべき回数だけ、第１チェック用データを送信したか否かの確認を行う（ステップ♯５）。例えば、ＡＳＩＣ１は予め定められた回数（４回）だけ、第１チェック用データを送信したかを確認する。
【００６１】
もし、予め定められた回数（４回）だけ、第１チェック用データを送信していなければ（ステップ♯５のＮｏ）、フローはステップ♯１に戻る。尚、ステップ♯１にもどったとき、ＡＳＩＣ１は直前に送信した第１チェック用データとは、ＡＳＩＣ１の送信用端子１Ｐｓの信号レベルを変化させて、第１チェック用データを送信する。
【００６２】
一方、予め定められた回数（４回）だけ、第１チェック用データを送信していれば（ステップ♯５のＹｅｓ）、ＡＳＩＣ１は半導体メモリー２に向けて第２チェック用データを送信し、半導体メモリー２は受信する（ステップ♯６）。この第２チェック用データを受信すると、半導体メモリー２は第２応答データをＡＳＩＣ１に向けて送信し、ＡＳＩＣ１は受信する（ステップ♯７）。
【００６３】
そして、ＡＳＩＣ１は第２応答データに基づき、ショートによる異常の有無を判断する（ステップ♯８）。異常があるとき（ステップ♯８のＹｅｓ）、ＡＳＩＣ１は上位システム（例えば、主制御部７のＣＰＵ７１）に通知し（ステップ♯４）、本フローは終了する（エンド）。この通知を受け、例えば、主制御部７は起動の停止などの処理や、異常があることを操作パネル４に表示させる処理などを行う。
【００６４】
一方、異常が無ければ（ステップ♯８のＮｏ）、ＡＳＩＣ１は送信すべき回数だけ、第２チェック用データを送信したか否かの確認を行う（ステップ♯９）。例えば、ＡＳＩＣ１は予め定められた回数だけ（１つのグループに含まれる送信用端子１Ｐｓの個数と同じ回数だけ）、第２チェック用データを送信したかを確認する。
【００６５】
もし、予め定められた回数だけ、第２チェック用データを送信していなければ（ステップ♯９のＮｏ）、フローはステップ♯６に戻る。尚、ステップ♯６にもどったとき、ＡＳＩＣ１は複数のＡＳＩＣ１側の送信用端子１Ｐｓのグループのうち、送信済の第２チェック用データとは、ＨｉｇｈのレベルとするＡＳＩＣ１の送信用端子１Ｐｓを変える。
【００６６】
一方、予め定められた回数だけ、第２チェック用データを送信していれば（ステップ♯９のＹｅｓ）、ＡＳＩＣ１は上位システムに異常が無い旨を通知し、起動処理を続行する（ステップ♯１０）。この通知を受け、例えば、主制御部７は起動処理を続行する。そして、本フローは終了する（エンド）。
【００６７】
（第２の実施形態）
次に、図７を用いて、第２の実施形態を説明する。図７は第２の実施形態に係るデータ処理装置１００の一例を示すブロック図である。
【００６８】
第１の実施形態では、ＡＳＩＣ１の端子１Ｐと半導体メモリー２の端子２Ｐは片方向通信用のものである例を説明した。第２の実施形態はＡＳＩＣ１の端子１Ｐと半導体メモリー２の端子２Ｐが双方向通信用のものである点で異なる。その他の点は第１の実施形態と同様でよい。例えば、第１チェック用データや第２チェック用データをＡＳＩＣ１が半導体メモリー２に送信し、半導体メモリー２が第１応答データや第２応答データをＡＳＩＣ１に送信し、ＡＳＩＣ１が第１応答データや第２応答データに基づき、異常の有無を判断する点は、第１の実施形態と同様である。
【００６９】
具体的に、図７に示すように、半導体メモリー２側の端子２Ｐに対し、予め定められたＡＳＩＣ１側の端子１Ｐが接続されるように配線された複数の信号線ＳＬが設けられる。言い換えると、ＡＳＩＣ１の１つの端子１Ｐに対し、半導体メモリー２の１つの端子２Ｐが信号線ＳＬにより接続される。そして、１本の信号線ＳＬを用いて、ＡＳＩＣ１の１つの端子１Ｐと半導体メモリー２の１つの端子２Ｐが信号（データ）の送受信を行う。
【００７０】
例えば、ＡＳＩＣ１は各端子１Ｐの信号レベルを変化させて、第１チェック用データや第２チェック用データを半導体メモリー２に送信する。受信した第１チェック用データや第２チェック用データに応じて、半導体メモリー２は各端子２Ｐの信号レベルを変化させて、第１応答データや第２応答データを半導体メモリー２に送信する。
【００７１】
このようにして、実施形態に係るデータ処理装置１００は、複数の端子２Ｐを有する半導体メモリー２と、複数の端子１Ｐを有するＡＳＩＣ１と、半導体メモリー２側の端子２Ｐに対し、予め定められたＡＳＩＣ１側の端子１Ｐが接続されるように配線された複数の信号線ＳＬと、を含み、ＡＳＩＣ１は半導体メモリー２のメモリーチェック処理のためのデータであって、隣り合うＡＳＩＣ１側の端子１Ｐの信号レベルを異ならせたデータである第１チェック用データを半導体メモリー２に対して送信し、半導体メモリー２は第１チェック用データに応答するデータである第１応答データをＡＳＩＣ１に対して送信し、ＡＳＩＣ１は半導体メモリー２からの第１応答データに基づき異常の有無を判断する。
【００７２】
これにより、ＡＳＩＣ１は第１チェック用データに対する応答として、正しい第１応答データが半導体メモリー２から反ってくるか否かにより、信号線ＳＬと半導体メモリー２との接続不良や、信号線ＳＬのショートや、メモリーの故障といった異常を検出することができる（メモリーチェック）。又、メモリーチェックにＣＰＵ（例えば、主制御部７のＣＰＵ７１）を用いないので、メモリーチェックの処理を高速に行うことができる。
【００７３】
又、ＡＳＩＣ１は第１チェック用データを送信するたびに、ＡＳＩＣ１側の端子１Ｐの信号レベルを変化させ、１回のメモリーチェック処理で、４回、第１チェック用データを半導体メモリー２に送信する。このように、ＡＳＩＣ１はメモリーの異常の有無を判断するうえで、十分な回数である４回だけ、第１チェック用データを送信する。これにより、ＡＳＩＣ１は４回、メモリーからの第１応答データを確認するだけでメモリーチェックを終えることができる。従って、メモリーチェックを高速に行うことができる。
【００７４】
又、ＡＳＩＣ１は複数のＡＳＩＣ１側の端子１Ｐのグループのうち、１つのＡＳＩＣ１側の端子１Ｐの信号レベルをＨｉｇｈとする第２チェック用データを、ＨｉｇｈのレベルとするＡＳＩＣ１側の端子１Ｐを変えつつ、複数回、半導体メモリー２に対して送信し、半導体メモリー２は第２チェック用データに応答するデータである第２応答データをＡＳＩＣ１に対して送信し、ＡＳＩＣ１は半導体メモリー２からの第２応答データに基づき異常の有無を判断する。これにより、ＡＳＩＣ１は信号線ＳＬ間のショートの有無を検出することができる。
【００７５】
又、画像形成装置（複合機１０１）は、上述のデータ処理装置１００を含む。これにより、信号線ＳＬと半導体メモリー２との接続不良や、信号線ＳＬのショートや、メモリーの故障といった異常を検出するメモリーチェックの処理が高速に行われる画像形成装置（複合機１０１）を提供することができる。
【００７６】
本発明の実施形態を説明したが、本発明の範囲はこれに限定されるものではなく、発明の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えて実施することができる。
【産業上の利用可能性】
【００７７】
本発明はＡＳＩＣ１や半導体メモリー２を含むデータ処理装置１００でのメモリーチェックに利用可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１０１  複合機（画像形成装置）
１００  データ処理装置
１      ＡＳＩＣ
１Ｐ    端子（ＡＳＩＣ側の端子）
１Ｐｓ  送信用端子（ＡＳＩＣ側の端子）
１Ｐｒ  受信用端子（ＡＳＩＣ側の端子）
２      半導体メモリー
２Ｐ    端子（半導体メモリー側の端子）
２Ｐｓ  送信用端子（半導体メモリー側の端子）
２Ｐｒ  受信用端子（半導体メモリー側の端子）
ＳＬ    信号線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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