(57)【要約】      （修正有）【課題】前工程に近い設備を必要とせず、簡易な手段でポスト電極先端とは異なる位置に外部電極を配置できるチップサイズ両面接続パッケージを提供する。【解決手段】半導体基板に開口した孔内に低抵抗金属を埋め込んで、貫通電極を形成する。支持部により一体に連結されている配線付ポスト電極部品が、ＬＳＩチップに形成した接続領域の上に、一括して固定されかつ電気的に接続される。おもて面側においては、樹脂封止後、支持部を剥離することによりおもて面配線を露出させ、裏面側においては、半導体基板を研削して、貫通電極の先端を露出させる。おもて面側に露出したおもて面配線、及び裏面側に露出した貫通電極の先端をそれぞれ外部接続用の配線として用いる。【選択図】図１２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板上にＬＳＩ領域と電極接続領域を形成した半導体チップを、該半導体チップの上下にそれぞれ位置する第１の主面及び第２の主面にそれぞれ設けた外部接続用配線に接続して構成したチップサイズ両面接続パッケージであって、
前記電極接続領域に接続された複数のポスト電極と、
該複数のポスト電極にそれぞれ接続された複数の配線と、
これら複数のポスト電極及び配線の背面に設けた薄膜フィルムの絶縁基材テープと、
前記ＬＳＩ領域と前記絶縁基材テープの間の空間を満たす樹脂封止部とを備えてなり、
前記第１の主面においては、前記複数のポスト電極にそれぞれ接続された前記複数の配線が前記外部接続用配線として用いられ、前記第２の主面においては、前記半導体基板を貫通して形成した貫通電極の先端が前記外部接続用配線として用いられ、
前記樹脂封止部を施す前に、前記絶縁基材テープが支持部に接続され、前記樹脂封止部を施した後で、前記絶縁基材テープが当該支持部から剥離される
ことを特徴とするチップサイズ両面接続パッケージ。
【請求項２】
前記貫通電極は、前記半導体基板を貫通して形成した孔の中へ充填した低抵抗金属を含んでおり、前記複数のポスト電極は、前記貫通電極の上面領域に固定及び電気的に接続されていることを特徴とする請求項１に記載のチップサイズ両面接続パッケージ。
【請求項３】
前記樹脂封止部が前記ＬＳＩ領域に直接接触していることを特徴とする請求項１に記載のチップサイズ両面接続パッケージ。
【請求項４】
前記支持部が剥離された後に残る前記絶縁基材テープが保護膜として使用されることを特徴とする請求項１に記載のチップサイズ両面接続パッケージ。
【請求項５】
前記ポスト電極及び前記配線は、前記支持部の一つの面の全体に付けられた前記薄膜フィルムの絶縁基材テープの上に成長させて、配線用のポスト電極部品を形成し、次いで当該配線用のポスト電極部品が前記半導体基板と組み合わされ、次いで前記樹脂封止部が前記絶縁基材テープと前記半導体基板の表面との間に施されることを特徴とする請求項１に記載のチップサイズ両面接続パッケージ。
【請求項６】
前記第２の主平面側において、裏面絶縁層が前記半導体基板の表面に接触しているとともに、前記貫通電極の先端が露出しており、さらに、当該貫通電極の先端に連結された第２の主平面配線を備えてなることを特徴とする請求項１に記載のチップサイズ両面接続パッケージ。
【請求項７】
前記第２の主平面側に、前記第２の主平面配線に連結された外部電極をさらに備えてなる請求項６に記載のチップサイズ両面接続パッケージ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップを、その上下に位置する第１の主面及び第２の主面にそれぞれ設けた外部接続用の配線に接続したチップサイズ両面接続パッケージ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
チップサイズパッケージ（ＣＳＰ）とは、ＬＳＩチップサイズに限りなく近い小ささと、薄さを備えた超小型パッケージであり、さらに、ウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）とは、個々のＬＳＩに切り分ける（個片化）前に、ＬＳＩと電極同士を接続し周囲を樹脂で固めた、即ち、ウエハ上で直接パッケージした超小型パッケージとして知られている（非特許文献１参照）。このようなウエハレベルチップサイズパッケージとして、上下に別の同様なパッケージを積層可能の両面電極パッケージが特許文献１に開示されている。
【０００３】
図１６は、特許文献１に開示された従来の両面電極パッケージを示す図である。回路素子が形成された半導体基板のおもて面に多層配線部が形成される。この多層配線部の形成の段階で半導体基板に孔を形成し、この孔内に多層配線部に接続される貫通電極が形成される。貫通電極の先端を露出させるように、半導体基板の裏面側に裏面絶縁層を形成する。また、多層配線部最上層の配線層には、ポスト電極が接続され、かつ、このポスト電極は、おもて面絶縁層に覆われる。
【０００４】
つぎに、おもて面側においては、おもて面絶縁層から露出するポスト電極の先端に、かつ、裏面側においては、裏面絶縁層から露出する貫通電極の先端にそれぞれバンプ電極を形成する。
【０００５】
このようなチップサイズの両面電極パッケージは、上下両面が絶縁層に覆われているのでテストが容易にできると共に、上下に他の同様な構成のパッケージを組み合わせることが自由にできる。完成した両面電極パッケージの面積は元のＬＳＩチップと全く同一の大きさの小型サイズであり、しかも基板への搭載が容易であるため高密度実装に適している。この特長から、携帯電話やデジタルカメラなど実装スペースが少ない製品への搭載が進んでいる。
【０００６】
しかし、一般的に、半導体製造プロセスは、ＬＳＩを作りこむ前工程と、それをパッケージングする後工程に分かれるが、前工程をカバーする専業メーカは少ない。従来のウエハレベルチップサイズパッケージ（ＷＬＣＳＰ）の製造は、ウエハ上で再配線やポスト電極メッキ等の処理をするプロセス、すなわち前工程に近い設備を必要とし、従来の後工程設備だけではできなかった。このため、外部接続用のバンプ電極を、絶縁層の表面に露出したポスト電極先端とは異なる位置に設けることも容易ではなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００５−１３６１８７号公報
【特許文献２】特開２００６−２１０７５８号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】http://www.casio-micronics.co.jp/product/w_csp.html、カシオマイクロニクス株式会社ホームページ、「W-CSP」
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、係る問題点を解決して、上下に他の同様な構成のパッケージを組み合わせることが自由にできるチップサイズ両面接続パッケージの製造に際して、前工程に近い設備が必要な工程をオフラインで部品に集約することを目的としている。これによって、後工程メーカも大きな投資の必要なく、参入でき、今後の市場拡大に容易に追随できることになる。
【００１０】
また、本発明は、簡易な手段によって、ポスト電極先端とは異なる位置に外部電極を配置することを可能にすることを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明のチップサイズ両面接続パッケージ及びその製造方法は、半導体基板上にＬＳＩ領域と電極接続領域を形成した半導体チップを、その上下に位置する第１の主面及び第２の主面にそれぞれ設けた外部接続用の配線に接続する。支持部に支持されるポスト電極だけでなく、それに接続されるおもて面配線を形成した配線付ポスト電極部品を形成する。電極接続領域の中央或いはその近辺において、貫通電極に相当する孔を半導体基板に開口し、この孔内に、低抵抗金属を埋め込んで、貫通電極を形成する。貫通電極の上面領域或いは電極接続領域には、支持部により一体に連結されている配線付ポスト電極部品の複数のポスト電極のそれぞれを、一括して固定しかつ電気的に接続する。第１の主面側においては、半導体チップと支持部の間の空間に樹脂を充填した後、支持部を剥離することによりおもて面配線を露出させ、第２の主面側においては、半導体基板を研削して、貫通電極の先端を露出させる。第１の主面側に露出したおもて面配線、及び第２の主面側に露出した貫通電極の先端をそれぞれ外部接続用の配線として用いる。
【００１２】
前記おもて面配線上に、それに接続される外部接続用の外部電極を形成することができ、また、第２の主面側において、研削した前記半導体基板に対して、前記貫通電極の先端を露出させるように裏面絶縁層を塗布し、該貫通電極の先端に接続される外部電極を形成することができる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、上下に他の同様な構成のパッケージを組み合わせることが自由にできる両面電極パッケージの製造に際して、前工程に近い設備が必要な工程をオフラインで部品に集約することができる。
【００１４】
また、本発明によれば、ベアチップに近い形でパッケージされていて、パッケージの両面を絶縁層で覆うことができるので、検査も十分に行うことができ、かつ、チップサイズで良品検査を十分に行った状態で３次元積層が容易になる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】（Ａ）は、完成したＬＳＩウエハを示す図であり、複数個のチップが縦横に併置して形成されている１枚のウエハを示し、（Ｂ）は、その１チップのみを取り出して示す拡大したＬＳＩチップ斜視図であり、（Ｃ）は、Ｘ−Ｘ’ラインで切断した断面図である。
【図２】貫通電極用開口工程を説明する図である。
【図３】低抵抗金属の充填を説明する図である。
【図４】（Ａ）は、板状の支持部により一体に連結されている配線付ポスト電極部品の詳細を示す図であり、１個のパッケージのための単体パターンの側面断面図、（Ｂ）はその斜視図、（Ｃ）は多数個の単体パターンを１個に連結した連結パターンの斜視図である。
【図５】配線付ポスト電極部品とＬＳＩチップを接続前の状態で例示する図である。
【図６】配線付ポスト電極部品をＬＳＩチップ上に接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。
【図７】シリコン基板研削を説明する図である。
【図８】裏面絶縁層の塗布を説明する図である。
【図９】支持部（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。
【図１０】バンプ電極を形成したチップサイズ両面接続パッケージを示す図である。
【図１１】貫通電極の露出端に接続される裏面配線（再配線）の形成を説明する図である。
【図１２】支持部（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。
【図１３】バンプ電極を形成したチップサイズ両面接続パッケージを示す図である。
【図１４】（Ａ）は、多数個一体に連結された状態で示す配線付ポスト電極部品を示す斜視図であり、（Ｂ）は、図中のＸ−Ｘ’ラインで切断した断面図である。
【図１５】第３の実施形態のチップサイズ両面接続パッケージを例示する図である。
【図１６】従来の両面電極パッケージを示す図である。
【図１７】フォトレジストを用いた電鋳部品の製造方法を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、例示に基づき、本発明を説明する。本発明の第１の実施形態のチップサイズ両面接続パッケージを、その製造工程順に、図１〜図１０を参照して説明する。図１は、完成したＬＳＩウエハを示す図であり、（Ａ）は、複数個のチップが縦横に併置して形成されている１枚のウエハを示し、（Ｂ）は、その１チップのみを取り出して示す拡大したＬＳＩチップ斜視図であり、（Ｃ）は、Ｘ−Ｘ’ラインで切断した断面図である。図１（Ｂ），（Ｃ）に示すＬＳＩチップは、半導体（例えばシリコン）基板上に、通常の半導体プロセス技術を用いて形成される。シリコン基板上面には、アクティブ領域及び配線領域を含むＬＳＩ領域と、その周辺部にＬＳＩ領域に接続されるボンディングパッド領域が形成される。この複数のボンディングパッド領域（電極接続部）のそれぞれには、後述する貫通電極又はポスト電極、或いはその両方が接続されることになる。なお、本明細書において、図１（Ｃ）に表示したように、ＬＳＩチップは、シリコン基板側を裏面、ＬＳＩ領域側をおもて面として以下説明する。なお、後述するように、このボンディングパッド領域に電気的に接続された貫通電極の上面領域に、ポスト電極を接続する例を図示して説明するが、ポスト電極は貫通電極の上面領域だけでなくボンディングパッド領域にも半田接続（例えば半田リフロー）で一括接続することができる。
【００１７】
図２は、貫通電極用開口工程を説明する図である。ボンディングパッド領域の中央或いはその近辺において、後述する貫通電極に相当する孔が、ボンディングパッド領域を含めてシリコン基板に開けられる。この孔は、例えば、数μｍ〜３０μｍ程度の直径で５〜５０μｍ程度の深さである。そして、この孔内に、低抵抗金属を埋め込んで、貫通電極を形成するが、その前に、シリコン基板の孔の側面に絶縁膜を形成する。熱酸化膜で絶縁膜を形成することができるが、低温で堆積することが望ましいので、その場合は絶縁膜として窒化膜を用い、その形成には加熱された触媒体上での原料の接触分解反応によって生成された分解種により行う（特許文献２参照）。
【００１８】
図３は、低抵抗金属の充填を説明する図である。低抵抗（導電性）金属の埋め込みは、メッキにより行うことができる。或いはプリンターで実用されているインクジェット法でナノ金属（銅、銀、金など）粒子を用いて行うことができる。これによって、低抵抗充填金属（貫通電極）はボンディングパッド領域と電気的にも接続される。
【００１９】
次に、図４を参照して、配線付ポスト電極部品の製造について、説明する。図４は、板状の支持部により一体に連結されている配線付ポスト電極部品の詳細を示す図であり、図４（Ａ）及び（Ｂ）は１個のパッケージのための単体パターンの側面断面図及び斜視図をそれぞれ示し、また図４（Ｃ）は多数個のパッケージのためのそれぞれの単体パターンを１個に連結した連結パターンの斜視図を示している。電鋳法により、支持部に支持されるポスト電極だけでなく、それに接続される配線を形成する。
【００２０】
これら単体パターン或いは連結パターンは、複数のポスト電極及び配線を背面の支持部により一体に連結して構成される。ポスト電極は、例示したような円柱形状に限らず、矩形、多角形状等を含む柱状（棒状）形状であれば良い。配線パターン及びポスト電極は電鋳法によって作製する。
【００２１】
電鋳法自体は、周知の加工法である。電鋳法とは「電気メッキ法による金属製品の製造・補修又は複製法」であって、基本的には電気メッキと同様であるが、メッキ厚、メッキ皮膜の分離操作を行う点が、電気メッキとは異なる。また、母型よりメッキ皮膜を剥離して使用する場合、メッキ皮膜の物性の制御・管理が重要ポイントとなる。本発明で用いる電鋳法により成長させる導電性材料のメッキ金属としては、ニッケルまたは銅とか、ニッケル合金、或いは銅合金を含む材料を用いることができる。本発明で用いる母型材質としては、一般的な導電性材料であるステンレスを用いることができるが、それ以外に、例えばベースにシリコン基板を用いて、その表面をメッキパターンが剥離し易いようにメッキ用の電気を通す程度の薄い酸化膜等の材料で覆ったものを用いることができる。内部応力の生じないようなメッキ浴の組成やメッキ条件を選定する必要があり、ニッケルメッキの場合、メッキ浴として、スルファミン酸ニッケル浴が利用されている。
【００２２】
図１７は、フォトレジストを用いた電鋳部品の製造方法を示す工程図である。以下、電鋳法について説明するが、この工程図に示した製造ステップは、メッキの場合（図１４参照）にも適用可能である。メッキ（無電解メッキ）の場合は、母型としてステンレスのような導電体に代えて絶縁体を用いることにより、これを剥がすことなく半導体装置の保護膜として機能させることができる。
【００２３】
電鋳法は、図１７（ａ）に示すように、ステンレス等の母型の上面に、フォトレジスト（不導体被膜）を塗布する。次いで、パターンフィルムを通して露光するパターン焼き付け及びその後の現像により、非メッキ部分をフォトレジストパターンで覆った電鋳用原版を形成する（図１７（ｂ））。電鋳用原版のフォトレジストパターンの厚さは、チップサイズ両面接続パッケージの場合は、製品（ポスト電極、或いは配線パターン）の厚さ以上であり、ポスト電極の場合は、ＩＣのチップ厚より厚い、例えば５０μｍから３００μｍ前後の厚さとする。続いて、フォトレジストパターンの開口部にメッキ金属が形成される（図１７（ｃ））。適性温度に維持されたメッキ浴（例えば、スルフォミン酸ニッケル液）中に、陽極側に電鋳させようとする電鋳金属を入れ、陰極側にステンレス等の電鋳母型を配置する。陰極側の電鋳母型の表面上には、図１７（ｃ）に示すように、フォトレジストパターンが予め形成されている。電流を流すと、陽極側の電鋳金属が溶け出して、電鋳母型上のフォトレジストパターン開口部にメッキされる。
【００２４】
次に、図１７（ｄ）に示すように、平坦化加工が行われる。次に、レジストを除去すると（図１７（ｅ））、レジスト部分以外がそのまま配線パターンやポスト電極となる。そして、このメッキ金属を電鋳母型から剥離する（図１７（ｆ））。形成されたメッキ金属と支持部の剥がしが、熱や圧力で容易に行うことができるのが、電鋳法の特徴である。
【００２５】
図４に例示した配線付ポスト電極部品の製造のためには、図１７（ａ）〜（ｄ）に示す工程を２回繰り返し、最初の工程で、支持部上に配線パターンを形成した後、２回目の工程で、配線パターンに接続されるポスト電極を形成する。
【００２６】
このように、配線付ポスト電極部品は、支持部である導電性材料（電鋳母型）にリソグラフィーとメッキを用いて配線付きの柱状のポスト電極を成長させることにより、支持部と一体になった配線付ポスト電極パターンを形成する。この後、図４に示した配線付ポスト電極部品は、図３に示したLSIチップ上に接続、固定されることになる。
【００２７】
図５は、配線付ポスト電極部品とＬＳＩチップを接続前の状態で例示している。配線付ポスト電極部品の複数のポスト電極のそれぞれが、ＬＳＩチップに形成した貫通電極の上面領域或いはボンディングパッド領域の上に、一括して固定されかつ電気的に接続される。これによって、ＬＳＩチップのおもて面側に、配線付ポスト電極部品が結合される。ポスト電極を固定及び接続する手法としては、半田接続によって行うことができる。貫通電極の上面領域或いはボンディングパッド領域に、半田接続（例えば半田リフロー）を行うことにより、ポスト電極が一括接続される。ポスト電極が貫通電極の上面領域に固定された段階では、全てのポスト電極とおもて面配線が、板状の支持部により一体に連結されている。
【００２８】
図６は、配線付ポスト電極部品をLSIチップ上に接続、固定した後、樹脂封止した状態で示す図である。支持部により一体に連結されている配線付ポスト電極部品がＬＳＩチップに固定された後、この状態で、ＬＳＩチップのおもて面は、支持部（上述した電鋳母型）の下面まで、即ちＬＳＩチップと支持部の間の空間を満たすようにトランスファーモールドされ、或いは液状樹脂（材質は、例えばエポキシ系）を用いて樹脂封止される。
【００２９】
図７は、シリコン基板研削を説明する図である。シリコン基板の裏面側を研削し、貫通電極の先端が顔を出すようにする。これにより、シリコン基板は２５μｍ程度の厚さになる。シリコン基板がこのように薄くなっても配線付ポスト電極部品が固定されているため、剛性作用が働きウエハ全体の強度が維持できる。これによってシリコン基板はハンドリング時にクラックが入ったり、割れたりする損傷が防止できる。
【００３０】
図８は、裏面絶縁層の塗布を説明する図である。シリコン基板の裏面側のシリコン表面上に裏面絶縁層を形成する。この際、例えば、貫通電極部分を除くように、絶縁材料（例えば、エポキシ系の材料）をインクジェット法で塗布する。或いは、絶縁材料を全面に塗布した後、貫通電極部分の孔開けをして貫通電極先端を露出させる。裏面絶縁層の厚さは、最低でも電気的絶縁を図ることができる厚さにする。
【００３１】
図９は、支持部（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。支持部を剥離することにより、複数のポスト電極（及びそれに接続されたおもて面配線）が、電気的には互いに個々に分離される。この状態で、露出したおもて面配線及び貫通電極先端をそれぞれおもて面及び裏面における外部接続用の配線或いは電極として用いることにより、完成したチップサイズ両面接続パッケージとして使用可能である。
【００３２】
図１０は、バンプ電極を形成したチップサイズ両面接続パッケージを示す図である。おもて面においては、支持部を剥離することにより露出したおもて面配線上に、それに接続される外部接続用の外部電極（バンプ電極）を形成する。おもて面配線上面を保護する保護膜（材質は、例えばソルダーレジスト）を必要に応じて形成することができ、この際は、保護膜に穴を空けて、そこに外部電極を形成する。裏面においても、外部電極（バンプ電極）を形成すべき箇所において裏面絶縁層に穴を空けて、そこに外部電極を形成する。この後、ＬＳＩチップを切り分けて個片化する。或いは、外部電極の形成前に、個片化することもできる。半導体装置の製造においては、一般に、面積が広い半導体ウエハが用意され、その後、各処理を経て、最終的には縦横に切断分離して多数の半導体素子（半導体チップ）を形成する。これによって、チップサイズ両面接続パッケージが完成する。
【００３３】
このように、本発明は、チップサイズ両面接続パッケージの再配線とポスト電極作成工程を、配線付ポスト電極部品として集約することができる。これによって、従来の配線層は、ＬＳＩチップの表面に形成されるのに対して、本発明によれば、ポスト電極よりもさらに外側の封止樹脂部の表面のスペース的に余裕のあるところに容易に形成することができる。
【００３４】
次に、図１１〜図１３を参照して、第２の実施形態のチップサイズ両面接続パッケージについて説明する。図８に示すように、貫通電極先端を除いて裏面絶縁層を塗布した工程後、図１１に示すように、貫通電極の露出端に接続される裏面配線（再配線）を形成する。この裏面配線は、例えば、ナノ金属粒子を用いた金属粒子配線で行う。金属粒子配線とは、インクジェット法或いはスクリーン印刷法のような直描方式で、配線層を、ナノ金属粒子で直接パターンニングする方法である。有機溶媒中にナノ金属（銅、銀、金など）粒子が含有されており、それをプリンターで実用されているインクジェット法で所望のパターンを描く。その後、有機溶剤を蒸発させる熱処理が行われる。或いは、スクリーン印刷法の場合は、有機溶媒中にナノ金属粒子を含有させたナノペーストを、裏面絶縁層上にスクリーン印刷法で塗布した後、加熱焼成することにより、回路配線を形成することができる。この金属粒子配線による再配線工程後に、溶媒除去と共に、低抵抗化処理を行うことができる（特許文献２参照）。
【００３５】
図１２は、支持部（電鋳母型）を剥離した後の状態で示す図である。支持部を剥離することにより、複数のポスト電極（及びそれに接続されたおもて面配線）が、電気的には互いに個々に分離される。
【００３６】
図１３は、バンプ電極を形成したチップサイズ両面接続パッケージを示す図である。図１２に示す状態で、完成したチップサイズ両面接続パッケージとして使用可能であるが、さらに、おもて面においては、上述した図１０と同様に、支持部を剥離することにより露出した配線上に、それに接続される外部接続用の外部電極（バンプ電極）を形成することができる。裏面においては、裏面配線に接続されるように外部電極（バンプ電極）を形成する。おもて面或いは裏面においては、必要に応じて、配線上面を保護する保護膜（絶縁膜又はソルダーレジストを塗布）を形成することができ、この際は、保護膜に穴を空けて、そこに外部電極を形成する。
【００３７】
図１４は、図４とは異なる別の例の配線付ポスト電極部品を示す図である。図１４（Ａ）は、多数個一体に連結された状態で示す配線付ポスト電極部品を示す斜視図であり、図中のＸ−Ｘ’ラインで切断した断面図を（Ｂ）に示している。
【００３８】
配線付ポスト電極部品の支持部にステンレス（ＳＵＳ）を用いることができる。但し、ステンレス（ＳＵＳ）を用いた場合、シリコン基板と熱膨張係数が異なってウエハ上に形成されたポスト電極接続位置とステンレスに支持されたポスト電極の位置がずれる場合が想定される。この場合は、熱膨張の等しいシリコン基板又は低熱膨張係数のガラスを使うことが望ましい。
【００３９】
例示の支持部は、その一方の全面に、ポリイミドテープなどに代表される薄膜フィルムの絶縁基材により作成したテープを貼り付ける。支持部とテープは後の工程で相互に剥離される。このため、例えばリフロー温度より高温（モールド温度以上）を加えると、支持部とテープが剥離し易い処理を予め行っておく。例えば熱カプセル入り接着剤、または支持部として光を透過する材料（耐熱低熱膨張ガラスなど）にして、紫外線剥離型接着剤を用いる。または熱可塑性の接着剤でも良い。
【００４０】
さらに、このテープ上に、配線パターンとなるべき金属のシード層を形成して、メタル付きテープを形成する。このシード層としては、例えば、銅メッキを可能とする金、銀、銅、パラジューム箔を用いることができる。配線層のパターンはシード層の上にレジストを塗布し、パターンを露光、現像してさらにエッチングを行い、レジストを除去して完成させる。このシード層の上にメッキにより配線層を成長させる。さらにその上に、ポスト電極部形成のためレジスト塗布と現像を行い、ポスト部をメッキ成長させる。或いは、配線部はナノ金属粒子で直接シード層をパターンニング（上述の金属粒子配線参照）してリソグラフィ工程を省略することもできる。あるいは銅箔付テープを貼付け、配線パターンをエッチングで形成することもできる。さらにその上に、ポスト電極部形成のためレジスト塗布と現像を行い、ポスト部をメッキ成長させる。これによって、配線付ポスト電極部品が完成する。
【００４１】
図１５は、第３の実施形態のチップサイズ両面接続パッケージを例示する図である。図１５は、図１０に例示のチップサイズ両面接続パッケージに、保護膜（薄膜フィルム）を付加したものに相当する。図１４に例示の配線付ポスト電極部品は、上述した例と同様に、ＬＳＩチップ上に接続、固定され、樹脂封止される。この後、支持部が剥離されることになるが、この際、例えば、所定の高温を加えることにより、支持部のみが剥離され、薄膜フィルムの絶縁基材テープは残る。露出した絶縁基材テープは、完成製品の保護膜として機能する。この後、おもて面においては、保護膜に穴を空け、開口により露出したおもて面配線と接続される外部電極を形成する。これによって、第３の実施形態のチップサイズ両面接続パッケージが完成する。同様に、図１４に例示の配線付ポスト電極部品は、第２の実施形態のチップサイズ両面接続パッケージ（図１１〜図１３参照）にも適用して、保護膜として機能する薄膜フィルムを備えることが可能になる。
【００４２】
以上、本開示にて幾つかの実施の形態を単に例示として詳細に説明したが、本発明の新規な教示及び有利な効果から実質的に逸脱せずに、その実施の形態には多くの改変例が可能である。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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