(57)【要約】【課題】溶融接続部におけるゲート線とソース線との距離を短くする。【解決手段】表示装置は、画素領域外のゲート線２とソース線３とが交差するクロス部４における、ゲート線２とソース線３との間に設けられた絶縁膜層（第２絶縁膜層６）の膜厚が、クロス部４に隣接する領域における絶縁膜層（第１絶縁膜層５、第２絶縁膜層６）の膜厚よりも薄い。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、該基板上に設けられ、互いに交差して画素領域を区画する複数の走査線および複数の信号線と、上記複数の走査線と上記複数の信号線との間に設けられた絶縁膜層とを有する表示装置であって、
上記画素領域外において、上記走査線と上記信号線とが交差するクロス部における上記絶縁膜層の膜厚が、上記クロス部に隣接する領域における絶縁膜層の膜厚よりも薄いことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
上記クロス部において、上記絶縁膜層の数が、上記クロス部に隣接する領域における絶縁膜層の数よりも少ないことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
上記クロス部において、上記走査線と上記信号線との距離が略一定であることを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置。
【請求項４】
上記クロス部における上記走査線と上記信号線との距離の変動幅が、レーザーの照射条件を変えずに上記走査線および上記信号線を溶融して接続可能な範囲内であることを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
【請求項５】
上記クロス部において、上記走査線と上記信号線との間に設けられた上記絶縁膜層が１層であることを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
上記クロス部が、上記走査線または上記信号線の断線箇所を修正するための予備配線に設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
上記クロス部が、上記走査線および上記信号線に発生したリークを修正するためのリーク修正部に設けられていることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ゲート線とソース線とを溶融接続する表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、薄型テレビ、パソコン、携帯端末等のディスプレイ等として、ＰＤＰ（plasma display panel）表示装置、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置等が用いられている。
【０００３】
これらの表示装置において画素を駆動するアレイ基板の製造プロセスでは、配線同士の断線、リークの発生等による不良が歩留まり低下の一つとなっている。そのため、これらの不良をそのまま基板の不良とはせずに、断線不良やリーク不良を修正することが行われている。
【０００４】
例えば、断線不良が発生している箇所にレーザーを照射し、断線不良箇所を溶融接続する方法がある。具体的には、予備配線（アクティブエリア外での配線引き回し）を信号線または走査線と交差するように事前に配線しておき、断線箇所が発生した場合、予備配線と信号線または走査線と交差するクロス部を溶融接続して修正する方法である。ただし、この方法では、クロス部のうち、修正に用いられていない部分が、リークを発生させる、交差容量（クロス容量）を増大させるという問題があった。特に、表示装置が高精細化されることに伴って、断線箇所およびリーク箇所が増大し、予備配線を設ける本数も増大する。その結果、クロス容量が更に増大するという問題があった。
【０００５】
ここで、特許文献１には、クロス容量を小さく、リークの発生を少なくするために、画素領域外の非導電性膜に、厚さが厚い厚膜領域と薄い薄膜領域とを設けた表示装置が開示されている。詳細には、上記表示装置は、基板と、該基板上にマトリクス状に設けられた複数の走査線及び複数の信号線と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線が交差して区画される複数の画素領域の各々に設けられた複数のスイッチング素子と、前記複数の走査線及び前記複数の信号線並びに前記複数のスイッチング素子の上に設けられている非導電性膜と、前記複数のスイッチング素子の各々により駆動される複数の表示素子と、前記複数の画素領域外に設けられた予備配線と、を備え、前記非導電性膜は、前記複数の画素領域外において厚さＤ１の厚膜領域と、厚さＤ２（Ｄ１＞Ｄ２）の薄膜領域と、を有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開2010-271519号公報（２０１０年１２月２日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述の従来技術では、予備配線のゲート線とソース線とをレーザーにて溶融接続するとき、接続に失敗する可能性がある。そして、接続が不完全な場合、溶融接続部が高抵抗になり、表示品位に悪影響を及ぼすという問題がある。その原因としては、ゲート線とソース線との間の絶縁膜（ＧＩ膜、層間絶縁膜など）が多層になっており、ゲート線とソース線との間の距離が長くなるためと考えられる。
【０００８】
本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、溶融接続部におけるゲート線とソース線との距離を短くすることができる表示装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記の課題を解決するために、本発明に係る表示装置は、基板と、該基板上に設けられ、互いに交差して画素領域を区画する複数の走査線および複数の信号線と、上記複数の走査線と上記複数の信号線との間に設けられた絶縁膜層とを有する表示装置であって、上記画素領域外において、上記走査線と上記信号線とが交差するクロス部における上記絶縁膜層の膜厚が、上記クロス部に隣接する領域における絶縁膜層の膜厚よりも薄いことを特徴としている。
【００１０】
上記の構成によれば、画素領域外において、走査線と信号線とが交差するクロス部における、走査線と信号線との間の絶縁膜層の膜厚を、クロス部に隣接する領域における絶縁膜層の膜厚よりも薄くすることができる。したがって、走査線と信号線との距離を短くすることが可能となる。
【００１１】
よって、クロス部の走査線および信号線を溶融接続することが容易となり、配線の修正を効率よく行うことができる。また、溶融接続の失敗を減らすことができる。その結果、溶融接続部が高抵抗にならず、表示品位に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【００１２】
さらに、本発明に係る表示装置は、上記クロス部において、上記絶縁膜層の数が、上記クロス部に隣接する領域における絶縁膜層の数よりも少ないことを特徴としている。
【００１３】
上記の構成によれば、さらに、画素領域外において、走査線と信号線とが交差するクロス部における、走査線と信号線との間の絶縁膜層の数を、クロス部に隣接する領域における絶縁膜層の数よりも少なくすることができる。したがって、クロス部における走査線と信号線との間に設ける絶縁膜層を薄くして、走査線と信号線との距離を短くすることが可能となる。
【００１４】
よって、クロス部の走査線および信号線を溶融接続することが容易となり、配線の修正を効率よく行うことができる。また、溶融接続の失敗を減らすことができる。その結果、溶融接続部が高抵抗にならず、表示品位に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【００１５】
さらに、本発明に係る表示装置は、上記クロス部において、上記走査線と上記信号線との距離が略一定であることを特徴としている。
【００１６】
上記の構成によれば、さらに、クロス部における走査線と信号線との距離を略一定にすることができる。それゆえ、同じクロス部内であればどこでも、同じ照射条件でレーザーを照射して、走査線と信号線とを溶融接続することができる。
【００１７】
よって、溶融接続に失敗した場合であっても、その近傍の１または複数箇所において、照射条件を変えることなくレーザーを照射して溶融接続することができる。したがって、予備配線の修正を効率よく行うことができる。
【００１８】
さらに、本発明に係る表示装置は、上記クロス部における上記走査線と上記信号線との距離の変動幅が、レーザーの照射条件を変えずに上記走査線および上記信号線を溶融して接続可能な範囲内であることを特徴としている。
【００１９】
上記の構成によれば、さらに、クロス部における走査線および信号線は、その距離が変動する場合であっても、その変動幅がレーザーの照射条件を変えずに走査線および信号線を溶融して接続可能な範囲内であるように形成されている。それゆえ、同じクロス部内であればどこでも、同じ照射条件でレーザーを照射して、走査線と信号線とを溶融接続することができる。
【００２０】
よって、溶融接続に失敗した場合であっても、その近傍の１または複数箇所において、照射条件を変えることなくレーザーを照射して溶融接続することができる。したがって、予備配線の修正を効率よく行うことができる。
【００２１】
さらに、本発明に係る表示装置は、上記クロス部において、上記走査線と上記信号線との間に設けられた上記絶縁膜層が１層であることを特徴としている。
【００２２】
上記の構成によれば、さらに、走査線と信号線との間に設けられた絶縁膜層が１層であるため、走査線と信号線との間に設ける絶縁膜層を最も薄くして、走査線と信号線との距離を最短にすることが可能となる。
【００２３】
よって、クロス部の走査線および信号線を溶融接続することが容易となり、予備配線の修正を効率よく行うことができる。また、溶融接続の失敗を減らすことができる。その結果、溶融接続部が高抵抗にならず、表示品位に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【００２４】
さらに、本発明に係る表示装置は、上記クロス部が、上記走査線または上記信号線の断線箇所を修正するための予備配線に設けられていることを特徴としている。
【００２５】
上記の構成によれば、さらに、クロス部の走査線および信号線を溶融接続することが容易となり、断線箇所の修正を効率よく行うことができる。また、溶融接続の失敗を減らすことができる。その結果、溶融接続部が高抵抗にならず、表示品位に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【００２６】
さらに、本発明に係る表示装置は、上記クロス部が、上記走査線および上記信号線に発生したリークを修正するためのリーク修正部に設けられていることを特徴としている。
【００２７】
上記の構成によれば、さらに、クロス部の走査線および信号線を溶融接続することが容易となり、リークの修正を効率よく行うことができる。また、溶融接続の失敗を減らすことができる。その結果、溶融接続部が高抵抗にならず、表示品位に悪影響を及ぼすことを防止できる。
【発明の効果】
【００２８】
本発明に係る表示装置は、画素領域外において、走査線と信号線とが交差するクロス部における絶縁膜層の膜厚が、上記クロス部に隣接する領域における絶縁膜層の膜厚よりも薄い構成である。
【００２９】
よって、クロス部の走査線および信号線を溶融接続することが容易となり、予備配線の修正を効率よく行うことができるという効果を奏する。また、溶融接続の失敗を減らすことができるという効果を奏する。その結果、溶融接続部が高抵抗にならず、表示品位に悪影響を及ぼすことを防止できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００３０】
【図１】本発明の実施例１に係る液晶パネルの周辺端子構造部に設けられた予備配線におけるクロス部の構造の一例を示す図であり、（ａ）は周辺端子構造部の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図２】本発明の実施例１に係る液晶パネルの周辺端子構造部に設けられた予備配線におけるクロス部の構造の他の例を示す図である。
【図３】図１に示した実施例１との比較のために示す従来技術に係る図面であり、図１と同様に、（ａ）は周辺端子構造部の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図４】図２に示した実施例１との比較のために示す従来技術に係る図面である。
【図５】本発明の実施例２に係る液晶パネルの周辺端子構造部に設けられたリーク修正部を示す図であり、（ａ）は周辺端子構造部の平面図、（ｂ）は１つのリーク修正部の拡大図、（ｃ）は他のリーク修正部の拡大図である。
【図６】図５に示したリーク修正部のクロス部の構造を示す図であり、（ａ）は図５（ｂ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｂ）は図５（ｂ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図７】図５に示した実施例２との比較のために示す従来技術に係る図面であり、図５と同様に、（ａ）は周辺端子構造部の平面図、（ｂ）は１つのリーク修正部の拡大図、（ｃ）は他のリーク修正部の拡大図である。
【図８】図６に示した実施例２との比較のために示す従来技術に係る図面であり、図６と同様に、（ａ）は図７（ｂ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｂ）は図７（ｂ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図９】本発明の実施例３に係る液晶パネルの補助容量バスライン部に設けられたクロス部の構造を示す図であり、（ａ）は補助容量バスライン部の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図１０】図９に示した実施例３との比較のために示す従来技術に係る図面であり、図９と同様に、（ａ）は補助容量バスライン部の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【図１１】本発明の実施例４に係る液晶パネルの周辺端子構造部に設けられた予備配線におけるクロス部の構造の一例を示す図であり、（ａ）は周辺端子構造部の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【図１２】本発明の実施例４に係る液晶パネルの周辺端子構造部に設けられた予備配線におけるクロス部の構造の他の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３１】
以下、本発明の実施の形態について、詳細に説明する。
【実施例１】
【００３２】
本実施例では、図１〜図４を参照して、液晶パネルの周辺端子構造部に設けられた予備配線におけるクロス部の構造について説明する。なお、図１、図２が本実施例に係る図であり、図３、図４は本実施例と対比するために示す従来技術に係る図である。
【００３３】
（１）第１絶縁膜層を削除
図１は、液晶パネルの周辺端子構造部１に設けられた予備配線におけるクロス部４の構造を示す図であり、（ａ）は周辺端子構造部１の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【００３４】
図１（ａ）に示すように、周辺端子構造部１では、予備配線のゲート線２とソース線３とが交差してクロス部４を形成している。クロス部４の端部に接続ポイント１０があり、接続ポイント１０にレーザー照射することで、金属配線であるゲート線２およびソース線３が溶融されて接続される。ここで、予備配線は、断線したソース線２を周辺端子構造部１に迂回させて接続するための配線であり、周辺端子構造部１のゲート線２とソース線３とを溶融接続する。このように金属配線を溶融接続して予備配線を修正することで、パネル基板の歩留りが向上する。
【００３５】
図１（ｂ）に示すように、周辺端子構造部１では、基板（図示せず）上に、ゲート線２、ゲート絶縁膜（Gate-Insulator）である第１絶縁膜層５、層間絶縁膜である第２絶縁膜層６、ソース線３、保護膜である第３絶縁膜層８が順に積層された積層構造となっている。ただし、この積層構造はクロス部４を除いた領域においてのものであって、周辺端子構造部１でもクロス部４では、基板上に、ゲート線２、第２絶縁膜層６、ソース線３、第３絶縁膜層８が順に積層された積層構造となっている。すなわち、クロス部４では、ゲート線２上から第１絶縁膜層５が削除されており、ゲート線２の上に直接、第２絶縁膜層６が積層されている。
【００３６】
なお、図１（ｂ）に示すように、ゲート線２の端部に隣接して、第１絶縁膜層５が削除された領域がある。そこで、本実施例では、第１絶縁膜層５が削除された積層構造になっている領域、すなわち、ゲート線２の領域にゲート線２の端部の近接領域を加えた範囲を、クロス部４の領域として扱う。そして、第１絶縁膜層５を含む積層構造になっている領域を、クロス部４外の領域として扱う。
【００３７】
そして、本実施例では、クロス部４外の領域に２層の絶縁膜層（第１絶縁膜層５、第２絶縁膜層６）を設け、また、クロス部４の領域に１層の絶縁膜層（第２絶縁膜層６）を設ける場合について説明するが、これに限定されない。すなわち、クロス部４外の領域に設ける絶縁膜層は２層以上であればよく、また、クロス部４の領域に設ける絶縁膜層はクロス部４外の領域に設ける絶縁膜層から少なくとも任意の１層を除いた、いずれか１層以上であればよい。
【００３８】
上記のように、クロス部４では、ゲート線２およびソース線３の間の絶縁膜層が第２絶縁膜層６のみの単層になるように構成されている。この構造は、まず、ゲート線２を形成した基板に、ゲート線２の上層として第１絶縁膜層５を積層した後、クロス部４以外の領域をフォトマスクして、クロス部４における第１絶縁膜層５をパターン削除する。その後、第２絶縁膜層６、ソース線３、第３絶縁膜層８を順次形成することで得られる。そして、このように積層することで、ソース線３は、切断面のゲート線２と対応する範囲において、ゲート線２と対向する面がゲート線２と略平行な面に形成される。
【００３９】
ここで、ゲート線２の幅がＬである。また、ゲート線２の端部（接続ポイント１０）を除く本体部とソース線３との距離がＤＣであり、ゲート線２の端部（接続ポイント１０）とソース線３との距離がＤＲである。
【００４０】
そして、図１（ｃ）に示すように、レーザー照射による溶融接続は、切断面においてゲート線２の両端に位置する接続ポイント１０で行われる。
【００４１】
ここで、図３は、図１に示した本実施例との比較のために示す従来技術に係る図面であり、図１と同様に、（ａ）は周辺端子構造部１０１の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【００４２】
図３（ｂ）に示すように、周辺端子構造部１０１では、基板（図示せず）上に、ゲート線１０２、第１絶縁膜層１０５、第２絶縁膜層１０６、ソース線１０３、第３絶縁膜層１０８が順に積層された積層構造となっている。ここで、図１（ｂ）と異なり、ゲート線１０２の接続ポイント１１０を含む端部においても上記積層構造となっている。なお、ゲート線１０２の端部（接続ポイント１１０）を除く本体部においては、図１（ｂ）と同様に、第１絶縁膜層１０５が削除された積層構造となっている。なお、第２絶縁膜層１０６は、図１（ｂ）の第２絶縁膜層６と同じ厚さで成膜されているものとする。
【００４３】
そして、図３（ｃ）に示すように、レーザー照射による溶融接続は、切断面においてゲート線１０２の両端に位置する接続ポイント１１０で行われる。ここで、ゲート線１０２の幅がＬである。また、ゲート線１０２の端部（接続ポイント１１０）を除く本体部とソース線１０３との距離がＤＣ０であり、ゲート線１０２の端部（接続ポイント１１０）とソース線１０３との距離がＤＲ０である。
【００４４】
本実施例に係る図１（ｂ）と従来技術に係る図３（ｂ）とを比較すると、ゲート線の端部（接続ポイント）を除く本体部とソース線との距離が等しい（ＤＣ＝ＤＣ０）のに対して、ゲート線の接続ポイントとソース線との距離が異なる（ＤＲ０＞ＤＲ）。詳細には、ゲート線の接続ポイントとソース線との距離は、従来技術ではＤＲ０であるのに対して、本実施例ではＤＲであり、第１絶縁膜層の分だけ薄くなっている。
【００４５】
このように、本実施例では、接続ポイント１０におけるゲート線２とソース線３との間の距離が短くなることで、金属が溶融接続され易くなり、修正の成功率が向上する。それゆえ、接続の失敗による溶融接続部の高低抗化を防止でき、その結果、表示品位に与える悪影響が少なくなる。また、低出力のエネルギー照射で溶融接続が可能となる。
【００４６】
また、本実施例では、接続ポイント１０を含むクロス部４の全域から、第１絶縁膜層５を削除することにより、ゲート線幅Ｌの全範囲において、ゲート線２とソース線３との間の距離が同じ（ＤＲ≒ＤＣ）になる。それゆえ、ゲート線幅Ｌのどの位置でもほぼ同じレーザー照射の条件で、ゲート線２とソース線３との溶融接続が可能である。よって、ある位置で予備配線の修正に失敗しても、同じクロス部４内であれば照射条件を変えることなく溶融接続をやり直すことができることから、修正率が向上する。
【００４７】
（２）第２絶縁膜層を削除
上記（１）では、クロス部４におけるゲート線２およびソース線３の間の絶縁膜層を、クロス部４外より減らすために、ゲート線２の直上の第１絶縁膜層５を削除した構造について説明した。しかし、削除する絶縁膜層は第２絶縁膜層６であってもよい。すなわち、ゲート線２とソース線３のリークを防ぐため少なくとも１層を残すことが必要であるが、ゲート線２とソース線３との間の絶縁膜層のパターン削除は、いずれの絶縁膜層を削除しても同様の効果を得られる。
【００４８】
詳細には、以下の通りである。
【００４９】
図２は、液晶パネルの周辺端子構造部１に設けられた予備配線におけるクロス部３９の構造を示す図であり、図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。また、図４は、図２に示した本実施例との比較のために示す従来技術に係る図面であり、図２と同様に、図１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【００５０】
図２に示すように、周辺端子構造部１では、基板（図示せず）上に、ゲート線３４、第１絶縁膜層３５、第２絶縁膜層３６、ソース線３７、第３絶縁膜層３８が順に積層された積層構造となっている。ただし、この積層構造はクロス部３９を除いた領域においてのものであって、周辺端子構造部１でもクロス部３９では、基板上に、ゲート線３４、第１絶縁膜層３５、ソース線３７、第３絶縁膜層３８が順に積層された積層構造となっている。すなわち、クロス部３９では、ゲート線３４上から第２絶縁膜層３６が削除されており、ソース線３７は第１絶縁膜層３５の上に直接積層されている。
【００５１】
上記のように、クロス部３９では、ゲート線３４およびソース線３７の間の絶縁膜層が第１絶縁膜層３５のみの単層になるように構成されている。この構造は、まず、ゲート線３４を形成した基板に、ゲート線３４の上層として第１絶縁膜層３５を形成し、さらに、第２絶縁膜層３６を積層した後、クロス部３９以外の領域をフォトマスクして、クロス部３９における第２絶縁膜層３６をパターン削除する。その後、ソース線３７、第３絶縁膜層３８を順次形成することで得られる。そして、このように積層することで、ソース線３７は、切断面のゲート線３４と対応する範囲において、ゲート線３４と対向する面がゲート線３４と略平行な面に形成される。
【実施例２】
【００５２】
本実施例では、図５〜図８を参照して、液晶パネルの周辺端子構造部のリーク修正部の構造について説明する。なお、図５、図６が本実施例に係る図であり、図７、図８は本実施例と対比するために示す従来技術に係る図である。なお、実施例１において定義した用語については、特に断らない限り本実施例においてもその定義に則って用いるものとし、その説明を省略する。
【００５３】
図５は、液晶パネルの周辺端子構造部４１に設けられたリーク修正部４４、４５を示す図であり、（ａ）は周辺端子構造部４１の平面図、（ｂ）は１つのリーク修正部４４の拡大図、（ｃ）は他のリーク修正部４５の拡大図である。
【００５４】
図５（ａ）に示すように、周辺端子構造部４１は、ゲート線４２およびソース線４３より構成され、リーク修正のためのリーク修正部４４およびリーク修正部４５を有している。
【００５５】
図５（ｂ）に示すように、リーク修正部４４では、ゲート線４２とソース線４３とが交差してクロス部５１を形成している。クロス部５１の端部に接続ポイント１０があり、接続ポイント１０にレーザー照射することで、金属配線であるゲート線４２およびソース線４３が溶融されて接続される。接続ポイント１０は、接続部絶縁膜穴４６の中に位置する。この接続部絶縁膜穴４６は第３絶縁膜層５５（図６（ａ）（ｂ））によって覆われている。なお、図５（ｃ）も図５（ｂ）と同様である。
【００５６】
図６は、クロス部５１の構造を示す図であり、（ａ）は図５（ｂ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｂ）は図５（ｂ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【００５７】
図６（ａ）に示すように、周辺端子構造部４１では、基板（図示せず）上に、ゲート線４２、ゲート絶縁膜（Gate-Insulator）である第１絶縁膜層５２、層間絶縁膜である第２絶縁膜層５３、ソース線４３、保護膜である第３絶縁膜層５５が順に積層された積層構造となっている。ただし、この積層構造はクロス部５１を除いた領域においてのものであって、周辺端子構造部４１でもクロス部５１では、基板上に、ゲート線４２、第２絶縁膜層５３、ソース線４３、第３絶縁膜層５５が順に積層された積層構造となっている。すなわち、クロス部５１では、ゲート線４２上から第１絶縁膜層５２が削除されており、ゲート線４２の上に直接、第２絶縁膜層５３が積層されている。
【００５８】
上記のように、クロス部５１では、ゲート線４２およびソース線４３の間の絶縁膜層が第２絶縁膜層５３のみの単層になるように構成されている。この構造は、まず、ゲート線４２を形成した基板に、ゲート線４２の上層として第１絶縁膜層５２を積層した後、クロス部５１以外の領域をフォトマスクして、クロス部５１における第１絶縁膜層５２をパターン削除する。その後、第２絶縁膜層５３、ソース線４３、第３絶縁膜層５５を順次形成することで得られる。そして、このように積層することで、ソース線４３は、切断面のゲート線４２と対応する範囲において、ゲート線４２と対向する面がゲート線４２と略平行な面に形成される。また、図６（ａ）に示すように、ソース線４３は、第２絶縁膜層５３に形成された絶縁膜穴４６の底に形成される。
【００５９】
そして、レーザー照射による溶融接続は、切断面においてゲート線４２の両端に位置する接続ポイント１０で行われる。ここで、ゲート線４２の幅がＬである。また、ゲート線４２の端部（接続ポイント１０）を除く本体部とソース線４３との距離がＤＣであり、ゲート線４２の端部（接続ポイント１０）とソース線４３との距離がＤＲである。
【００６０】
また、図６（ｂ）は、図６（ａ）と基本的に同じで構造である。異なるのは、ソース線４３が、ゲート線４２の中央部と対応する領域において削除されている点のみである。図６（ｂ）の構造は、図６（ａ）と同様に、基板上に、ゲート線４２、第１絶縁膜層５２、第２絶縁膜層５３を形成した後、ソース線４３を積層し、所定の形状にパターン削除するようにフォトマスクして、ソース線４３を形成する。その後、第３絶縁膜層５５を形成することで、上記の構造が得られる。
【００６１】
ここで、図７、図８は、図５、図６に示した本実施例との比較のために示す従来技術に係る図面である。図７は、図５と同様に、（ａ）は周辺端子構造部１４１の平面図、（ｂ）は１つのリーク修正部１４４の拡大図、（ｃ）は他のリーク修正部１４５の拡大図である。図８は、図６と同様に、（ａ）は図７（ｂ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｂ）は図７（ｂ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【００６２】
図８（ａ）に示すように、周辺端子構造部１４１では、基板（図示せず）上に、ゲート線１４２、第１絶縁膜層１５２、第２絶縁膜層１５３、ソース線１４３、第３絶縁膜層１５５が順に積層された積層構造となっている。ここで、図６（ａ）と異なり、ゲート線１４２の接続ポイント１１０を含む端部においても上記積層構造となっている。なお、ゲート線１４２の端部（接続ポイント１１０）を除く本体部においては、図６（ａ）と同様に、第１絶縁膜層１５２が削除された積層構造となっている。なお、第２絶縁膜層１５３は、図６（ａ）の第２絶縁膜層５３と同じ厚さで成膜されているものとする。また、図８（ｂ）についても、図８（ａ）と同様である。
【００６３】
そして、レーザー照射による溶融接続は、切断面においてゲート線１４２の両端に位置する接続ポイント１１０で行われる。ここで、ゲート線１４２の幅がＬである。また、ゲート線１４２の端部（接続ポイント１１０）を除く本体部とソース線１５３との距離がＤＣ０であり、ゲート線１４２の端部（接続ポイント１１０）とソース線１４３との距離がＤＲ０である。また、図８（ａ）に示すように、ソース線１４３は、第２絶縁膜層１５３に形成された絶縁膜穴１４６の底に形成される。そして、絶縁膜穴と接続ポイントとの位置関係を、図６（ａ）と図８（ａ）とで比較すると、図６（ａ）では、絶縁膜穴４６の内側に接続ポイント１０があるのに対して、図８（ａ）では、絶縁膜穴１４６の外側に接続ポイント１１０がある（図５（ａ）、図７（ａ）も参照）。
【００６４】
本実施例に係る図６（ａ）（ｂ）と従来技術に係る図８（ａ）（ｂ）とを比較すると、ゲート線の端部（接続ポイント）を除く本体部とソース線との距離が等しい（ＤＣ＝ＤＣ０）のに対して、ゲート線の接続ポイントとソース線との距離が異なる（ＤＲ０＞ＤＲ）。詳細には、ゲート線の接続ポイントとソース線との距離は、従来技術ではＤＲ０であるのに対して、本実施例ではＤＲであり、第１絶縁膜層の分だけ薄くなっている。
【００６５】
このように、本実施例では、接続ポイント１０におけるゲート線４２とソース線４３との間の距離が短くなることで、金属が溶融接続され易くなり、修正の成功率が向上する。それゆえ、接続の失敗による溶融接続部の高低抗化を防止でき、その結果、表示品位に与える悪影響が少なくなる。また、低出力のエネルギー照射で溶融接続が可能となる。
【００６６】
また、本実施例では、接続ポイント１０を含むクロス部５１の全域から、第１絶縁膜層５２を削除することにより、ゲート線幅Ｌの全範囲において、ゲート線４２とソース線４３との間の距離が同じ（ＤＲ≒ＤＣ）になる。それゆえ、ゲート線幅Ｌのどの位置でもほぼ同じレーザー照射の条件で、ゲート線４２とソース線４３との溶融接続が可能である。よって、ある位置で予備配線の修正に失敗しても、同じクロス部５１内であれば照射条件を変えることなく溶融接続をやり直すことができることから、修正率が向上する。
【００６７】
なお、以上では、クロス部５１におけるゲート線４２およびソース線４３の間の絶縁膜層を、クロス部５１外より減らすために、ゲート線４２の直上の第１絶縁膜層５２を削除した構造について説明した。しかし、削除する絶縁膜層は第２絶縁膜層５３であってもよい。すなわち、ゲート線４２とソース線４３のリークを防ぐため少なくとも１層を残すことが必要であるが、ゲート線４２とソース線４３との間の絶縁膜層のパターン削除は、いずれの絶縁膜層を削除しても同様の効果を得られる。
【実施例３】
【００６８】
本実施例では、図９〜図１０を参照して、液晶パネルの補助容量バスライン部の構造について説明する。なお、図９が本実施例に係る図であり、図１０は本実施例と対比するために示す従来技術に係る図である。なお、実施例１、２において定義した用語については、特に断らない限り本実施例においてもその定義に則って用いるものとし、その説明を省略する。
【００６９】
図９は、液晶パネルの補助容量バスライン部６１に設けられた補助容量バスラインにおけるクロス部７１の構造を示す図であり、（ａ）は補助容量バスライン部６１の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【００７０】
図９（ａ）に示すように、補助容量バスライン部６１では、ゲート線６２とソース線６３とが交差してクロス部７１を形成している。クロス部７１に接続ポイント１０があり、接続ポイント１０にレーザー照射することで、金属配線であるゲート線６２およびソース線６３が溶融されて接続される。図９（ａ）に示す接続ポイント１０は、接続ポイントの一例であり、クロス部７１の領域であればどこでも接続が可能である。
【００７１】
図９（ｂ）に示すように、補助容量バスライン部６１では、基板（図示せず）上に、ゲート線６２、ゲート絶縁膜（Gate-Insulator）である第１絶縁膜層７２、層間絶縁膜である第２絶縁膜層７３、ソース線６３、保護膜である第３絶縁膜層７５、画素電極７６が順に積層された積層構造となっている。ただし、この積層構造はクロス部７１を除いた領域においてのものであって、補助容量バスライン部６１でもクロス部７１では、基板上に、ゲート線６２、第２絶縁膜層７３、ソース線６３、第３絶縁膜層７５、画素電極７６が順に積層された積層構造となっている。すなわち、クロス部７１では、ゲート線６２上から第１絶縁膜層７２が削除されており、ゲート線６２の上に直接、第２絶縁膜層７３が積層されている。
【００７２】
上記のように、クロス部７１では、ゲート線６２およびソース線６３の間の絶縁膜層が第２絶縁膜層７３のみの単層になるように構成されている。この構造は、まず、ゲート線６２を形成した基板に、ゲート線６２の上層として第１絶縁膜層７２を積層した後、クロス部７１以外の領域をフォトマスクして、クロス部７１における第１絶縁膜層７２をパターン削除する。その後、第２絶縁膜層７３、ソース線６３、第３絶縁膜層７５、画素電極７６を順次形成することで得られる。そして、このように積層することで、ソース線６３は、切断面のゲート線６２と対応する範囲において、ゲート線６２と対向する面がゲート線６２と略平行な面に形成される。
【００７３】
そして、本実施例では、レーザー照射による溶融接続は、切断面においてゲート線６２の両端に位置する接続ポイント１０で行われる。ここで、ゲート線６２の幅がＬである。また、ゲート線６２の端部（接続ポイント１０）を除く本体部とソース線６３との距離がＤＣであり、ゲート線６２の端部（接続ポイント１０）とソース線６３との距離がＤＲである。
【００７４】
なお、図９（ｃ）に示すように、図９においてＡ−Ａ’線に直行するＢ−Ｂ’線における断面では、補助容量バスライン部６１でもクロス部７１では、基板上に、ゲート線６２、第２絶縁膜層７３、ソース線６３、第３絶縁膜層７５、画素電極７６が順に積層された積層構造となっている。すなわち、クロス部７１では、ゲート線６２上から第１絶縁膜層７２が削除されており、ゲート線６２の上に直接、第２絶縁膜層７３が積層されている。
【００７５】
ここで、図１０は、図９に示した本実施例との比較のために示す従来技術に係る図面である。図９と同様に、（ａ）は補助容量バスライン部１６１の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＢ−Ｂ’線における断面図である。
【００７６】
図１０（ｂ）に示すように、補助容量バスライン部１６１では、基板（図示せず）上に、ゲート線１６２、第１絶縁膜層１７２、第２絶縁膜層１７３、ソース線１６３、第３絶縁膜層１７５、画素電極１７６が順に積層された積層構造となっている。また、図１０（ｃ）についても、図１０（ｂ）と同様である。
【００７７】
そして、本実施例では、レーザー照射による溶融接続は、切断面においてゲート線１６２の両端に位置する接続ポイント１１０で行われる。ここで、ゲート線１６２の幅がＬである。また、ゲート線１６２の端部（接続ポイント１１０）を除く本体部とソース線１７３との距離がＤＣ０であり、ゲート線１６２の端部（接続ポイント１１０）とソース線１６３との距離がＤＲ０である。
【００７８】
本実施例に係る図９（ｂ）と従来技術に係る図１０（ｂ）とを比較すると、ゲート線とソース線との距離は、第１絶縁膜層の分だけ薄くなっている。
【００７９】
このように、本実施例では、接続ポイント１０におけるゲート線６２とソース線６３との間の距離が短くなることで、金属が溶融接続され易くなり、修正の成功率が向上する。それゆえ、接続の失敗による溶融接続部の高低抗化を防止でき、その結果、表示品位に与える悪影響が少なくなる。また、低出力のエネルギー照射で溶融接続が可能となる。
【００８０】
また、本実施例では、接続ポイント１０を含むクロス部７１の全域から、第１絶縁膜層７２を削除することにより、ゲート線幅Ｌの全範囲において、ゲート線６２とソース線６３との間の距離が同じ（ＤＲ≒ＤＣ）になる。それゆえ、ゲート線幅Ｌのどの位置でもほぼ同じレーザー照射の条件で、ゲート線６２とソース線６３との溶融接続が可能である。よって、ある位置で予備配線の修正に失敗しても、同じクロス部７１内であれば照射条件を変えることなく溶融接続をやり直すことができることから、修正率が向上する。
【００８１】
なお、以上では、クロス部７１におけるゲート線６２およびソース線６３の間の絶縁膜層を、クロス部７１外より減らすために、ゲート線６２の直上の第１絶縁膜層７２を削除した構造について説明した。しかし、削除する絶縁膜層は第２絶縁膜層７３であってもよい。すなわち、ゲート線６２とソース線６３のリークを防ぐため少なくとも１層を残すことが必要であるが、ゲート線６２とソース線６３との間の絶縁膜層のパターン削除は、いずれの絶縁膜層を削除しても同様の効果を得られる。
【実施例４】
【００８２】
本実施例では、図３および図１１〜図１２を参照して、液晶パネルの周辺端子構造部に設けられた予備配線におけるクロス部の構造について説明する。なお、図１１、図１２が本実施例に係る図であり、また、図３は本実施例と対比するために示す従来技術に係る図である。なお、実施例１において定義した用語については、特に断らない限り本実施例においてもその定義に則って用いるものとし、その説明を省略する。
【００８３】
（１）第１絶縁膜層を薄膜化
図１１は、液晶パネルの周辺端子構造部８１に設けられた予備配線におけるクロス部８４の構造を示す図であり、（ａ）は周辺端子構造部８１の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【００８４】
図１１（ａ）に示すように、周辺端子構造部８１では、予備配線のゲート線８２とソース線８３とが交差してクロス部８４を形成している。クロス部８４の端部に接続ポイント１０があり、接続ポイント１０にレーザー照射することで、金属配線であるゲート線８２およびソース線８３が溶融されて接続される。ここで、予備配線は、断線したソース線８２を周辺端子構造部８１に迂回させて接続するための配線であり、周辺端子構造部８１のゲート線８２とソース線８３とを溶融接続する。このように金属配線を溶融接続して予備配線を修正することで、パネル基板の歩留りが向上する。
【００８５】
図１１（ｂ）に示すように、周辺端子構造部８１では、基板（図示せず）上に、ゲート線８２、ゲート絶縁膜（Gate-Insulator）である第１絶縁膜層８５、層間絶縁膜である第２絶縁膜層８６、ソース線８３、保護膜である第３絶縁膜層８８が順に積層された積層構造となっている。ただし、クロス部８４では、第１絶縁膜層８５が薄膜化されている。ここで、薄膜化とは、クロス領域のゲート線とソース線との間の絶縁膜層全体の厚さをクロス領域外と比較して薄くするために、クロス領域のゲート線とソース線との間に形成される少なくとも１つの絶縁膜層の厚さを薄くすることである。薄くする絶縁膜層は１つであってもよいし、複数であってもよい。また、クロス領域の絶縁膜層全体の厚さが均一であることが好ましく、そのため、各絶縁膜層の厚さが均一であることが好ましい。このように絶縁膜層の厚さを薄くすることにより、接続ポイント１０におけるゲート線８２とソース線８３との間の距離が短くなることで、金属が溶融接続され易くなり、修正の成功率が向上する。それゆえ、接続の失敗による溶融接続部の高低抗化を防止でき、その結果、表示品位に与える悪影響が少なくなる。また、低出力のエネルギー照射で溶融接続が可能となるという効果を奏する。
【００８６】
上記のように、クロス部８４では、ゲート線８２およびソース線８３の間の距離が短くなるように構成されている。この構造は、まず、ゲート線８２を形成した基板に、ゲート線８２の上層として第１絶縁膜層８５を積層する際に、ハーフトーンマスクで膜減りさせ、クロス部８４における第１絶縁膜層８５を薄膜化する。その後、第２絶縁膜層８６、ソース線８３、第３絶縁膜層８８を順次形成することで得られる。そして、このように積層することで、ソース線８３は、切断面のゲート線８２と対応する範囲において、ゲート線８２と対向する面がゲート線８２と略平行な面に形成される。
【００８７】
ここで、ゲート線８２の幅がＬである。また、ゲート線８２の端部（接続ポイント１０）を除く本体部とソース線８３との距離がＤＣであり、ゲート線８２の端部（接続ポイント１０）とソース線８３との距離がＤＲである。
【００８８】
そして、図１１（ｃ）に示すように、レーザー照射による溶融接続は、切断面においてゲート線８２の両端に位置する接続ポイント１０で行われる。
【００８９】
ここで、図１３は、図１に示した本実施例との比較のために示す従来技術に係る図面であり、図１１と同様に、（ａ）は周辺端子構造部１８１の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図、（ｃ）は溶融接続後の（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【００９０】
図３（ｂ）に示すように、周辺端子構造部１０１では、基板（図示せず）上に、ゲート線１０２、第１絶縁膜層１０５、第２絶縁膜層１０６、ソース線１０３、第３絶縁膜層１０８が順に積層された積層構造となっている。ここで、図１１（ｂ）と異なりクロス部１０４において、第１絶縁膜層１０５は薄膜化されていない。
【００９１】
そして、図３（ｃ）に示すように、レーザー照射による溶融接続は、切断面においてゲート線１０２の両端に位置する接続ポイント１１０で行われる。ここで、ゲート線１０２の幅がＬである。また、ゲート線１０２の端部（接続ポイント１１０）を除く本体部とソース線１０３との距離がＤＣ０であり、ゲート線１０２の端部（接続ポイント１１０）とソース線１０３との距離がＤＲ０である。
【００９２】
本実施例に係る図１１（ｂ）と従来技術に係る図３（ｂ）とを比較すると、ゲート線の端部（接続ポイント）を除く本体部とソース線との距離が等しい（ＤＣ＝ＤＣ０）のに対して、ゲート線の接続ポイントとソース線との距離が異なる（ＤＲ０＞ＤＲ）。詳細には、ゲート線の接続ポイントとソース線との距離は、従来技術ではＤＲ０であるのに対して、本実施例ではＤＲであり、第１絶縁膜層が薄膜化された分だけ薄くなっている。
【００９３】
このように、本実施例では、接続ポイント１０におけるゲート線８２とソース線８３との間の距離が短くなることで、金属が溶融接続され易くなり、修正の成功率が向上する。それゆえ、接続の失敗による溶融接続部の高低抗化を防止でき、その結果、表示品位に与える悪影響が少なくなる。また、低出力のエネルギー照射で溶融接続が可能となる。
【００９４】
また、本実施例では、接続ポイント１０を含むクロス部８４の全域から、第１絶縁膜層８５を薄膜化することにより、ゲート線幅Ｌの全範囲において、ゲート線８２とソース線８３との間の距離が同じ（ＤＲ≒ＤＣ）になる。それゆえ、ゲート線幅Ｌのどの位置でもほぼ同じレーザー照射の条件で、ゲート線２とソース線３との溶融接続が可能である。よって、ある位置で予備配線の修正に失敗しても、同じクロス部８４内であれば照射条件を変えることなく溶融接続をやり直すことができることから、修正率が向上する。
【００９５】
（２）第２絶縁膜層を薄膜化
上記（１）では、クロス部８４におけるゲート線８２およびソース線８３の間の絶縁膜層を、クロス部８４外より減らすために、ゲート線８２の直上の第１絶縁膜層８５を薄膜化した構造について説明した。しかし、薄膜化する絶縁膜層は第２絶縁膜層８６であってもよい。すなわち、ゲート線８２とソース線８３との間の絶縁膜層の薄膜化は、いずれの絶縁膜層を薄膜化しても同様の効果を得られる。
【００９６】
詳細には、以下の通りである。
【００９７】
図１２は、液晶パネルの周辺端子構造部８１に設けられた予備配線におけるクロス部９９の構造を示す図であり、図１１（ａ）のＡ−Ａ’線における断面図である。
【００９８】
図１２に示すように、周辺端子構造部８１では、基板（図示せず）上に、ゲート線９４、第１絶縁膜層９５、第２絶縁膜層９６、ソース線９７、第３絶縁膜層９８が順に積層された積層構造となっている。ただし、クロス部９９では、第２絶縁膜層９６が薄膜化されている。
【００９９】
この構造は、まず、ゲート線９４を形成した基板に、ゲート線９４の上層として第１絶縁膜層９５を形成し、さらに、第２絶縁膜層９６を積層する際に、ハーフトーンマスクで膜減りさせ、クロス部９９における第２絶縁膜層９６を薄膜化する。その後、ソース線９７、第３絶縁膜層９８を順次形成することで得られる。そして、このように積層することで、ソース線９７は、切断面のゲート線９４と対応する範囲において、ゲート線９４と対向する面がゲート線９４と略平行な面に形成される。
【０１００】
本発明は上述した各実施例に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施例にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施例についても本発明の技術的範囲に含まれる。
【産業上の利用可能性】
【０１０１】
本発明は、溶融接続部におけるゲート線とソース線の距離を短くするものであり、配線の修正効率を良くするとともに、表示品位を向上させることができるため、液晶や有機エレクトロルミネッセンスの表示素子を備えた表示装置に広く利用することができる。
【符号の説明】
【０１０２】
２、３４、４２、６２、８２、９４    ゲート線（走査線）
３、３７、４３、６３、８３、９７    ソース線（信号線）
４、３９、５１、７１、８４、９９    クロス部
５、３５、５２、７２、８５、９５    第１絶縁膜層（絶縁膜層）
６、３６、５３、７３、８６、９６    第２絶縁膜層（絶縁膜層）
ＤＲ，ＤＣ    距離
ＤＲ−ＤＣ    変動幅
【図１】
2014010355.tif 000003
【図２】
2014010355.tif 000004
【図３】
2014010355.tif 000005
【図４】
2014010355.tif 000006
【図５】
2014010355.tif 000007
【図６】
2014010355.tif 000008
【図７】
2014010355.tif 000009
【図８】
2014010355.tif 000010
【図９】
2014010355.tif 000011
【図１０】
2014010355.tif 000012
【図１１】
2014010355.tif 000013
【図１２】
2014010355.tif 000014