(57)【要約】【課題】レーザーダイオード部の発振波長と電界吸収型変調部のフォトルミネッセンス波長の設計値との差異を低減するための調節を精度良く行なうことができる光変調器およびその製造方法を提供する。【解決手段】  レーザーダイオード部およびＥＡＭ部２０を備えた光変調器の製造方法である。半導体基板１００上に、レーザーダイオード部を製造するための半導体層であるＬＤ成長層を設ける。半導体基板１００上に、ＥＡＭ部２０を形成するためのＥＡＭ吸収層１２０を設ける。ＥＡＭ吸収層１２０のフォトルミネッセンス波長を測定する。ＬＤ成長層をエッチングしてストライプ構造部を形成する。ＬＤ部３０の発振波長とＥＡＭ部２０のフォトルミネッセンス波長の差が設計値に近くなるように、ストライプ構造部の幅を設計する。【選択図】図１
2014063052.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーザーダイオード部および電界吸収型変調部を備えた光変調器の製造方法であって、
半導体基板上に、前記レーザーダイオード部を製造するための半導体層であるＬＤ成長層を設ける工程と、
前記半導体基板上に、前記電界吸収型変調部を形成するための電界吸収層を設ける工程と、
前記電界吸収層のフォトルミネッセンス波長を測定する測定工程と、
前記ＬＤ成長層をエッチングしてストライプ構造部を形成するストライプ形成工程と、
を備え、
前記レーザーダイオードの発振波長と前記フォトルミネッセンス波長の差が設計値に近くなるように、前記ストライプ構造部の幅を設計することを特徴とする光変調器の製造方法。
【請求項２】
目標フォトルミネッセンス波長と前記測定工程で測定したフォトルミネッセンス波長の測定値との差が長波長側に大きいほど前記レーザーダイオードの発振波長が長波長側にずれるように前記ストライプ構造部の幅を設計する第１の幅設計、又は、目標フォトルミネッセンス波長と前記測定工程で測定したフォトルミネッセンス波長の測定値との差が短波長側に大きいほど前記レーザーダイオードの発振波長が短波長側にずれるように前記ストライプ構造部の幅を設計する第２の幅設計を実施することを特徴とする請求項１に記載の光変調器の製造方法。
【請求項３】
前記ストライプ構造部は、前記レーザーダイオード部と前記電界吸収型変調部とで異なる幅を有することを特徴とする請求項１または２に記載の光変調器の製造方法。
【請求項４】
前記ＬＤ成長層を設ける工程は、
前記半導体基板上に活性層を設ける工程と、
前記活性層上であって前記ストライプ構造部を形成する位置に、複数の格子片からなる回折格子構造を設ける工程と、
を含み、
前記ストライプ形成工程の前に、前記回折格子構造における前記複数の格子片の間隔である回折格子間隔を測定する工程をさらに備え、
前記回折格子間隔と前記フォトルミネッセンス波長の測定値とに基づいて、前記レーザーダイオードの発振波長と前記フォトルミネッセンス波長の差が設計値に近くなるように、前記ストライプ構造部の幅を設計することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に光変調器の製造方法。
【請求項５】
半導体基板と、
前記半導体基板に設けられたレーザーダイオード部と、
前記半導体基板における前記レーザーダイオード部のレーザ光出射側位置に設けられ、電界の印加により前記レーザ光の出射状態を制御する電界吸収型変調部と、
前記レーザーダイオード部および前記電界吸収型変調部に共通に設けられたストライプ構造部と、
を備え、
前記ストライプ構造部は、前記レーザーダイオード部に位置しかつ第１の幅を有する第１部分と、前記電界吸収型変調部に位置しかつ前記第１の幅と異なる第２の幅を有する第２部分と、を有することを特徴とする光変調器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光変調器の製造方法および光変調器に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、特表２００２−５３３９４０号公報に開示されているように、半導体レーザと光変調器とを集積した半導体集積回路が知られている。この公報の段落０００８には、「光子装置の間の波長の差が基板上の光子装置の位置に依存することがあり、離調と呼ばれるレーザと変調器の間の波長の差が重要であること」が記載されている。この公報では、レーザと変調器を製造するための回路マスクが２つのマスク部分（すなわちレーザ部分と変調器部分）を含むという前提において、変調器部分（変調器マスク部分）の幅を、必要な波長補正を実施するためにどのように設計すべきか等について開示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表２００２−５３３９４０号公報
【特許文献２】特開２００２−０３３５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
レーザーダイオード部（以下、ＬＤ部とも称す）と、電界吸収型変調部（以下、ＥＡＭ部とも称す）とを集積した光変調器では、ＬＤ部とＥＡＭ部とをそれぞれ同一の半導体基板上に形成する。この集積型の光変調器では、ＥＡＭ部の吸収スペクトルおよびＬＤ部の発振波長並びにそれらの波長差が主要な性能を決定する。このとき、ＬＤ部の発振波長とＥＡＭ部のフォトルミネッセンス波長の差（以下、Δλとも称す）が、可能な限り設計値に近い値であることが好ましい。しかしながら、ＬＤ部の発振波長はＬＤ部の製造ばらつきに起因してある程度のばらつきを有し、その一方で、ＥＡＭ部のフォトルミネッセンス波長も電界吸収層（ＥＡＭ吸収層）の製造ばらつきに起因してある程度のばらつきを有している。これらのばらつきの結果、最終的なΔλの値が、設計上許容できないほどの製造ばらつきを有してしまうおそれがある。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、レーザーダイオード部の発振波長と電界吸収型変調部のフォトルミネッセンス波長の差を設計値に近づけるための調節を精度良く行なうことができる光変調器の製造方法および光変調器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１の発明は、光変調器の製造方法であって、
レーザーダイオード部および電界吸収型変調部を備えた光変調器の製造方法であって、
半導体基板上に、前記レーザーダイオード部を製造するための半導体層であるＬＤ成長層を設ける工程と、
前記半導体基板上に、前記電界吸収型変調部を形成するための電界吸収層を設ける工程と、
前記電界吸収層のフォトルミネッセンス波長を測定する測定工程と、
前記ＬＤ成長層をエッチングしてストライプ構造部を形成するストライプ形成工程と、
を備え、
前記レーザーダイオードの発振波長と前記フォトルミネッセンス波長の差が設計値に近くなるように、前記ストライプ構造部の幅を設計することを特徴とする。
【０００７】
第２の発明は、光変調器であって、
半導体基板と、
前記半導体基板に設けられたレーザーダイオード部と、
前記半導体基板における前記レーザーダイオード部のレーザ光出射側位置に設けられ、電界の印加により前記レーザ光の出射状態を制御する電界吸収型変調部と、
前記レーザーダイオード部および前記電界吸収型変調部に共通に設けられたストライプ構造部と、
を備え、
前記ストライプ構造部は、前記レーザーダイオード部に位置しかつ第１の幅を有する第１部分と、前記電界吸収型変調部に位置しかつ前記第１の幅と異なる第２の幅を有する第２部分と、を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、レーザーダイオード部の発振波長と電界吸収型変調部のフォトルミネッセンス波長の差を設計値に近づけるための調節を精度良く行なうことができる光変調器の製造方法および光変調器が提供される。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる光変調器の構成を模式的に示す斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる光変調器のＬＤ部３０における、リッジ部分近傍の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる光変調器のＥＡＭ部２０における、リッジ部分近傍の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる光変調器の製造方法を示すフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態１にかかる光変調器の製造フローを模式的に示す斜視図である。
【図６】本発明の実施の形態１にかかる光変調器の製造フローを模式的に示す斜視図である。
【図７】本発明の実施の形態１にかかる光変調器の製造フローを模式的に示す斜視図である。
【図８】本発明の実施の形態１にかかる光変調器の製造フローを模式的に示す斜視図である。
【図９】本発明の実施の形態１にかかる光変調器の製造フローを模式的に示す斜視図である。
【図１０】本発明の実施の形態１の変形例としての、埋め込みストライプ構造を有する光変調器の製造方法のフローチャートである。
【図１１】本発明の実施の形態２にかかる光変調器の構成を模式的に示す斜視図である。
【図１２】本発明の実施の形態２にかかる光変調器３１０の製造フローを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
［実施の形態１の装置の構成］
図１は、本発明の実施の形態１にかかる光変調器の構成を模式的に示す斜視図である。半導体基板１００には、ＬＤ部３０およびＥＡＭ部２０が設けられている。ＬＤ部３０は、レーザーダイオード部を意味しており、ＥＡＭ部２０は、電界吸収型変調部（Electro−Absorption Modulator）を意味している。
【００１１】
図１に示す光変調器１０は、ｎ型半導体からなる半導体基板１００を備えている。半導体基板１００には、ｎ型クラッド層１０２、ＥＡＭ吸収層１２０、活性層１０４、ｐ型クラッド層側の積層構造、ｐ型コンタクト層１１１、絶縁膜１０８等が積層されている。なお、ｐ型クラッド層側の積層構造の詳細は、図２および図３の断面図で説明する。光変調器１０は、その上面に、ＥＡＭ部電極２０ａおよびＬＤ部電極３０ａを備えておりこれらはそれぞれｐ型電極である。図示しない図１における光変調器１０裏面側には、ｎ型電極が設けられている。両電極への電圧印加により、ＬＤ部電極３０ａにおけるレーザ発振、およびＥＡＭ部２０での光吸収制御による光変調が実施される。
【００１２】
ＬＤ部３０は、光変調器１０内におけるちょうど活性層１０４が設けられた部分の積層構造である。ＥＡＭ部２０は、光変調器１０内におけるちょうどＥＡＭ吸収層１２０が設けられた部分の積層構造である。
【００１３】
光変調器１０は、リッジストライプ構造部４０を備えている。リッジストライプ構造部４０は、図１に示すように、ＥＡＭ部２０およびＬＤ部３０上に共通に伸びる１つの突起部である。リッジストライプ構造部４０の幅を、以下、ｗｓｔｒｐとも示す。なお、光変調器１０では、リッジストライプ構造部４０の両脇に、一定間隔を置いて、凸部であるテラス部４２が設けられている。
【００１４】
図２は、本発明の実施の形態１にかかる光変調器のＬＤ部３０における、リッジ部分近傍の断面図である。図２に示すように、ＬＤ部３０では、半導体基板１００上に、ｎ型クラッド層１０２、活性層１０４、ｐ型クラッド層１１０ａ、回折格子層１０６、ｐ型クラッド層１１０ｂ、絶縁膜１０８、ｐ型コンタクト層１１１、ｐ型電極１１２、およびＡｕめっき電極層１１４が順次積層されている。この断面図に示すように、ＬＤ部３０は、回折格子層１０６を備えた分布帰還型半導体レーザである。
【００１５】
また、図３は、本発明の実施の形態１にかかる光変調器のＥＡＭ部２０における、リッジ部分近傍の断面図である。図３に示すように、ＥＡＭ部２０では、半導体基板１００上に、ｎ型クラッド層１０２、ＥＡＭ吸収層１２０、ｐ型クラッド層１１０ｂ、絶縁膜１０８、ｐ型コンタクト層１１１、ｐ型電極１１２、およびＡｕめっき電極層１１４が順次積層されている。
【００１６】
［実施の形態１の製造方法］
図４は、本発明の実施の形態１にかかる光変調器の製造方法を示すフローチャートである。図５乃至９は、本発明の実施の形態１にかかる光変調器の製造フローを模式的に示す斜視図である。
【００１７】
一般に、ＥＡＭ部２０の吸収スペクトルは、製造中にフォトルミネッセンス（ＰＬ）波長を計測することで管理できる。一方、ＬＤ部３０の発振波長は、回折格子の格子間隔を計測することで管理できる。ＥＡＭ部２０のＰＬ波長とＬＤ部３０の発振波長との差をΔλと称す。
【００１８】
（ステップＳ２００）
図４のフローチャートでは、先ず、ステップＳ２００において、半導体基板１００上に、ｎ型クラッド層１０２、ＬＤ部３０の活性層１０４、および回折格子層１０６を、順次、エピタキシャル成長を用いて形成する工程を実施する。これは、半導体基板１００上に、ＬＤ部３０を製造するための半導体層であるＬＤ成長層を設ける工程である。本実施の形態では、「ＬＤ成長層」とは、ｎ型クラッド層１０２、ＬＤ部３０の活性層１０４、回折格子層１０６である。
【００１９】
（ステップＳ２０２）
次に、ステップＳ２０２として、回折格子層１０６の形成が実施される。この時点で、図５に示す斜視図の状態が完成する。なお、より厳密に言うと、図２の断面図に示すように、ｐ型クラッド層１１０ａ内に、回折格子片が埋め込まれた回折格子層１０６が形成されている。
【００２０】
（ステップＳ２０４）
次に、ステップＳ２０４として、回折格子層１０６の回折格子間隔を計測する工程が実施される。このステップでは、回折格子構造における複数の格子片の間隔である回折格子間隔を測定する。回折格子層１０６の回折格子間隔は、ＬＤ部３０の発振波長を決める一つの要素だからである。
【００２１】
（ステップＳ２０６）
次に、ステップＳ２０６として、ｎ型クラッド層１０２上に、ＥＡＭ吸収層１２０を形成する工程が実施される。この時点で、図６に示す斜視図の状態が完成する。
【００２２】
（ステップＳ２０８「測定工程」）
次に、ステップＳ２０８として、ＥＡＭ吸収層１２０のフォトルミネッセンス波長（ＰＬ波長）を計測する工程が実施される。ＰＬ波長の測定自体は、既に公知の技術を用いて実施すればよいため、ここでは詳細な説明を省略する。
【００２３】
（ステップＳ２１０）
次に、ステップＳ２１０として、ｐ型クラッド層１１０ｂおよびｐ型コンタクト層１１１を、順次積層する工程が実施される。この時点で、図７に示す斜視図の状態が完成する。
【００２４】
（ステップＳ２１１およびＳ２１２「ストライプ形成工程」）
ステップＳ２１１において、ＬＤ部３０の発振波長とＥＡＭ部２０におけるフォトルミネッセンス波長の差Δλが設計値に近くなるように、リッジストライプ構造部４０の幅を設計する。以下、リッジストライプ構造部４０の幅を、図１などにも示すように、リッジストライプ幅ｗｓｔｒｐと記す。
【００２５】
ＬＤ部３０の発振波長は、回折格子層１０６の回折格子間隔およびリッジストライプ幅ｗｓｔｒｐに依存性がある。よって、回折格子間隔やリッジストライプ幅を調節することで、ＬＤ部３０の発振波長を制御することができる。
【００２６】
一方、ＥＡＭ部２０におけるＥＡＭ吸収層１２０のＰＬ波長の制御は、一般にエピタキシャル成長中の材料ガス流量を変更することで行うことができる。一般的に、ＥＡＭ部２０のＰＬ波長の制御性とＬＤ部３０の発振波長の制御性とを比較した場合、ＥＡＭ部２０のほうが制御性が悪い。「波長の制御性」とは、ある波長を狙ったときに製造ばらつきでずれる可能性のある範囲という意味である。例えば、ＰＬ波長の制御性が±０．５ｎｍであるというのは、ＰＬ波長１５５５．０ｎｍと設計してプロセスを標準制御しても、ＰＬ波長が１５５４．５ｎｍや１５５５．５ｎｍとなる光変調器が製造されてしまうという意味である。具体例を挙げると、ＥＡＭ部のＰＬ波長の制御性は±５ｎｍ程度なのに対してＬＤ部の発振波長の制御性は±０．５ｎｍ程度であり、ＥＡＭ部２０のほうが波長の制御性が１０倍程度悪い（粗い）というケースがある。
【００２７】
ＬＤ部３０作製を先に行いＥＡＭ部２０を後で集積化する順序で製造プロセスを実施すると、時間的に後の工程で形成されるＥＡＭ部２０のＰＬ波長制御性がΔλの制御性を決定することになる。この場合、ＥＡＭ部２０のＰＬ波長制御性の制御性は比較的粗く、例えば前述のように±５ｎｍである。デバイス性能を安定に得るためにΔλを例えば「目標値±３ｎｍ」の精度で制御したいという要求がある場合には、ＥＡＭ部２０のＰＬ波長の制御性が充分でないというケースが生じてしまう。言い換えると、ＥＡＭ部２０のＰＬ波長を調節してΔλを「目標値±３ｎｍ」の精度で調節しようとしても，製造ばらつきにより目標値に対して±５ｎｍずれる可能性を抱えざるを得ない。
【００２８】
そこで、本発明ではＬＤ部３０の発振波長が回折格子間隔のほかにリッジストライプ幅にも依存性があることを利用する。すなわち，ＥＡＭ部２０のＰＬ波長を計測した後で，その狙いからずれた量を補正するようにリッジストライプ幅を決定し，リッジ構造を作製する。具体的には、目標フォトルミネッセンス波長と測定工程で測定したフォトルミネッセンス波長の測定値との差が長波長側に大きいほど、レーザーダイオードの発振波長が長波長側にずれるようにリッジストライプ構造部４０の幅を設計する。あるいは、目標フォトルミネッセンス波長と測定工程で測定したフォトルミネッセンス波長の測定値との差が短波長側に大きいほど、レーザーダイオードの発振波長が短波長側にずれるようにリッジストライプ構造部４０の幅を設計する。
【００２９】
ここで、リッジストライプ幅に対するＬＤ部３０の発振波長の依存性を、約３ｎｍ／μｍであるものとして説明を行う。この「３ｎｍ／μｍ」の意味は、リッジストライプ幅が１μｍ広がるとＬＤ部３０の発振波長が長くなり（３ｎｍ長波長側にシフトし）、リッジストライプ幅が１μｍ狭くなるとＬＤ部３０の発振波長が３ｎｍほど短くなる（短波長側にシフトする）という意味である。この依存性（変化率）の値は一例であり、光変調器の構造に依存する数値である。このような依存性を予め特定しておくことで、ＥＡＭ部２０のＰＬ波長がずれた場合でも所望のΔλに近付けることができるようになる。
【００３０】
例えば、ＥＡＭ部２０のＰＬ波長が設計値λｌに対してλｌ＋４ｎｍと、４ｎｍほど大きくなった場合を考える。この場合には、リッジストライプ幅ｗｓｔｒｐを初期設計値ｗ０に対してｗ０＋０．４μｍと太く作製する。これにより、Δλは＋２．８ｎｍと補正され，デバイス性能が確保されるようになる。
具体的な計算例を、下記に述べる。λｌはＰＬ波長の値で、ここでは１５００．０ｎｍと設計するものとする。通信用光デバイスの場合は１３００ｎｍ〜１６００ｎｍ付近で設定するのが一般的である。
設計ＰＬ値  λｌ＝１５００．０ｎｍ
設計リッジストライプ幅（初期設計値）  ｗ０＝２．０μｍ
リッジストライプ幅２．０μｍのときのＬＤ発振波長設計値  λＬＤ０＝１５５５．０ｎｍ
この場合は、Δλの初期設計値（目標値）は、λｌ−λＬＤ０＝−５５．０ｎｍである。
【００３１】
光変調器１０として所望のデバイス性能を得るためのΔλ設計範囲は、−５８．０ｎｍ〜−５２．０ｎｍである。
この条件で図４の製造プロセスを開始する。その後、ＥＡＭ部２０のＰＬ波長を計測したときに、実際の出来上がりでは、ＰＬ波長が１５０４．０ｎｍとなった場合を考える。このとき、そのまま２．０μｍ幅のリッジを作製すると、Δλ＝１５０４．０−１５５５．０＝−５１．０ｎｍとなってしまい、デバイス性能が得られる範囲（Δλ＝−５８．０ｎｍ〜−５２．０ｎｍ）を外れてしまう。
【００３２】
そこで、本実施の形態では、リッジストライプ幅ｗｓｔｒｐを、２．０μｍから２．４μｍと太く変更する。つまり、ｗ０＋０．４μｍ＝ｗｓｔｒｐとするのである。
【００３３】
これにより、ＬＤ発振波長は、
０．４μｍ×（３．０ｎｍ／μｍ）＝１．２ｎｍ  
だけ増加する。
【００３４】
従って、ＬＤ発振波長は、
１５５５．０＋１．２＝１５５６．２ｎｍ
になる。
【００３５】
これで、
Δλ＝１５０４．０−１５５６．２＝−５２．２ｎｍ
となる。
その結果、Δλが、必要なデバイス性能を得ることができる範囲に収まる。つまり、−５２．２ｎｍというΔλ値が、Δλの初期設計値である−５５．０ｎｍに対して、＋２．８ｎｍというばらつきを持っている。これはすなわち、Δλのばらつきが＋２．８ｎｍで収まったことになり、Δλを目標値±３ｎｍの精度で制御したいという要求を満たすことができている。
【００３６】
なお、上記の計算式では、リッジストライプ幅とＰＬ波長との関係に基づいて計算をしたが、回折格子間隔の値も計算に含めても良い。前述したように、回折格子層１０６の回折格子間隔は、ＬＤ部３０の発振波長を決める一つの要素だからである。つまり、測定した回折格子間隔と、設計リッジストライプ幅ｗ０とに基づいて、今回の製造プロセスにおける予想ＬＤ発振波長値を求めてもよい。この予想ＬＤ発振波長値とフォトルミネッセンス波長の測定値とから、Δλが小さくなるように、リッジストライプ構造部４０の幅を設計してもよい。
【００３７】
次に、ステップＳ２１２として、光導波路としてのリッジストライプ構造部４０を製造するためのエッチングが実施される。この時点で、図８に示す斜視図の状態が完成する。上記の設計幅ｗｓｔｒｐ＝２．４μｍとして決められたフォトマスクを用いて、エッチングにより、細いストライプ導波路を形成する。
【００３８】
（ステップＳ２１４）
その後、さらに絶縁膜１０８、ｐ型電極１１２、Ａｕめっき電極層１１４の積層により最終的に図９に示す光変調器１０が完成する。
【００３９】
以上説明したように、本実施の形態によれば、ＥＡＭ吸収層１２０のフォトルミネッセンス波長を測定し、その測定値が目標値からずれている場合には、リッジストライプ構造部４０の幅についての設計値を補正することができる。ＬＤ部３０の発振波長とリッジストライプ構造部４０の幅との間には相関があるので、ＥＡＭ吸収層１２０のフォトルミネッセンス波長のずれ分を、補正することができる。
リッジストライプ構造部４０の幅制御により実施できる発振波長調整の精度は、ＥＡＭ吸収層１２０のフォトルミネッセンス波長を制御する際の調整精度に比較して高い。従って、Δλ（すなわち、ＬＤ部３０の発振波長とＥＡＭ部２０のフォトルミネッセンス波長の差）の値を低減するための調節を精度良く行なうことができる。
【００４０】
本実施の形態によれば、回折格子間隔およびストライプ構造の幅がＬＤ部３０の発振波長に対して相関を有することを考慮に入れて、リッジストライプ構造部４０の幅の設計値を補正することができる。
【００４１】
なお、図４に示すフローチャートにあるように、本実施の形態では、ＬＤ部３０の作製を先に行い、ＥＡＭ部２０をその後で集積化する順序になっている。これは、電流が流れる活性層１０４を、他の製造プロセスが行われる前に、平坦な半導体基板上でエピタキシャル成長することができるようにしているのである。これにより長期信頼性を確保することができる。
本実施の形態によれば、ＬＤ部３０の作製を先に行い、ＥＡＭ部２０をその後で集積化する製造プロセスを大幅に変えることなく、Δλを高い精度で得ることができる製造方法を提供することができる。
【００４２】
［実施の形態１の変形例］
図１０は、本発明の実施の形態１の変形例としての、埋め込みストライプ構造を有する光変調器の製造方法のフローチャートである。実施の形態１では、リッジストライプ構造部（リッジ導波構造）を備えた光変調器１０について説明したが、埋め込みストライプ構造でも同様の効果を得ることができる。
図１０において、図４と異なるのは、ステップＳ２１２に代えてステップＳ３１２の「導波ストライプ構造形成」の工程があること、および、その後にステップＳ３１４の「電流狭窄層埋め込みエピタキシャル成長」の工程があることである。
【００４３】
なお、変形例のように埋め込みストライプ構造でもリッジストライプ幅補正による発振波長制御効果は得られるが，実施の形態１のように埋め込みを行わないリッジストライプ構造部（リッジ導波構造）のほうが好ましい。その理由としては、エピタキシャル成長工程は一般に６００℃以上となる高温工程であり、埋め込み工程を実施すると高温履歴を経ることでＥＡＭ部２０の吸収波長を変化させてしまう可能性がある。せっかく調整したΔλ値がまたずれる恐れがある。この点、リッジストライプ構造部４０の場合は、ストライプ形成後のエピタキシャル成長工程が無いことから，より高い精度でリッジストライプ幅制御が行えるという利点がある。
【００４４】
実施の形態２.
図１１は、本発明の実施の形態１にかかる光変調器の構成を模式的に示す斜視図であり、本発明の実施の形態２にかかる光変調器３１０を示す。図１に示す実施の形態１にかかる光変調器１０と比較して、異なる点は、ＥＡＭ部３２０およびＬＤ部３３０の構成である。具体的には、本実施の形態では、リッジストライプ構造部３４０は、ＬＤ部３３０とＥＡＭ部３２０とで異なる幅を有している。
【００４５】
実施の形態２では、図１１に示すように、両部でのストライプ幅を異なるように適用するものである。ストライプ幅の補正をＬＤ部３０のみに対して行い、ＥＡＭ部２０のストライプ幅は補正しないようにしている。ストライプ幅変更は、実施の形態１にて述べたようにＬＤ部３０では発振波長を変化させる働きを持つ。しかしながら、ＥＡＭ部２０でも消光特性や周波数応答特性を変化させる働きがある。発振波長を所望の範囲に収めるためのストライプ幅補正が必ずしもＥＡＭ部２０の諸特性に対して好ましい変更であるとは限らない。この点、実施の形態２では、Δλ補正のためのストライプ幅変更を行ったときにＥＡＭ部２０の性能が悪影響を受けることを防止することができる。
【００４６】
図１２は、本発明の実施の形態２にかかる光変調器３１０の製造フローを示す斜視図である。図１２は、実施の形態１における図８の製造フロー段階に相当している。
【００４７】
実施の形態２にかかる製造方法は、図４に示した実施の形態１の製造方法のフローチャートにおいて、ステップＳ２１１におけるストライプ幅ｗｓｔｒｐの設計工程を、下記の内容に置き換えることで実現される。
実施の形態１では、リッジストライプ構造部４０の幅をｗｓｔｒｐに一義的に決定して、ＥＡＭ部２０およびＬＤ部３０に共通に、このｗｓｔｒｐの幅のリッジストライプ構造部４０を設けた。しかしながら、実施の形態２にかかる光変調器３１０では、ＥＡＭ部３２０においては、リッジストライプ幅を、設計リッジストライプ幅（初期設計値）ｗ０＝２．０μｍとする。一方、ＬＤ部３３０においては、リッジストライプ幅を、実施の形態１と同様に、２．０μｍから２．４μｍと太く変更（つまり、ｗ０＋０．４μｍ＝ｗｓｔｒｐ）した値とする。
その後、ステップＳ２１２と同様に、フォトマスクを用いて、エッチングにより、細いストライプ導波路を形成する。
【００４８】
リッジストライプ構造部３４０がＬＤ部３３０およびＥＡＭ部３２０に共通に設けられているので、このリッジストライプ構造部３４０の幅は、ＬＤ部３３０では発振波長に影響し、その一方でＥＡＭ部３２０では消光特性や周波数応答特性に影響する。本実施の形態によれば、リッジストライプ構造部３４０におけるＬＤ部３３０側部分（第１の部分）とＥＡＭ部３２０（第２の部分）とを異なる幅に設計することで、ＬＤ部３３０およびＥＡＭ部３２０のそれぞれに所望の特性を実現するような最適な設計が可能となる。
【符号の説明】
【００４９】
１０  光変調器、  ２０  ＥＡＭ部、  ２０ａ、３０ａ  電極、  ３０  ＬＤ部、  ４０  リッジストライプ構造部、  ４２  テラス部、  １００  半導体基板、  １０２  ｎ型クラッド層、  １０４  活性層、  １０６  回折格子層、  １０８  絶縁膜、  １１０ａ  ｐ型クラッド層、  １１０ｂ  ｐ型クラッド層、  １１１  ｐ型コンタクト層、  １１２  ｐ型電極、  １１４  Ａｕめっき電極層、  １２０  ＥＡＭ吸収層、  ３１０  光変調器、  ３２０  ＥＡＭ部、  ３３０  ＬＤ部、  ３４０  リッジストライプ構造部、  ｗｓｔｒｐ  リッジストライプ幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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