(57)【要約】【課題】溶液粘度や塗布後の熱安定性等が制御可能なあらたな液晶性材料を提供する。【解決手段】同じπ電子縮合環と鎖長の異なる置換基を有する複数のπ電子縮合環化合物の混合系において分子が層状構造を形成するよう配列していることを特徴とする有機半導体組成物。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
同じπ電子縮合環と鎖長の異なる置換基を有する複数のπ電子縮合環化合物の混合系において分子が層状構造を形成するよう配列していることを特徴とする有機半導体組成物。
【請求項２】
キャリヤ移動度が10-2cm2 V-1 s-1以上であることを特徴とする請求項１に記載の有機半導体組成物。
【請求項３】
該有機半導体組成物を構成するπ電子縮合環化合物の少なくとも一種は特定温度で層状構造を持つ液晶相、または柔粘性相であることを特徴とする請求項１又は２に記載の有機半導体組成物。
【請求項４】
π電子縮合環化合物の置換基の少なくとも一種が光重合性官能基を持つことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機半導体組成物。
【請求項５】
該π電子縮合環化合物がアルカン、オキシアルカンからなる群から選ばれる少なくとも１種の置換基を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機半導体組成物。
【請求項６】
π電子縮合環が、その末端に光重合性官能基を有する１つないし２つの長鎖基を持つ類縁体化合物をさらに含有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機半導体組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機半導体組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
これまでの溶媒可溶（インク化できる）で塗布して薄膜を形成できる有機半導体の成分は１成分であった（特許文献１〜３）。これは、高いキャリヤ移動度を実現するためには１成分であることが必要であると考えられていたためである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開2012-031159
【特許文献２】特開2011-236299
【特許文献３】特開2011-236143
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
有機半導体成分が単一成分であると、その成分の溶媒に対する溶解度により塗布条件としての溶液粘度や塗布後の熱安定性等が決められてしまうため、これらの物性を制御可能な新たな材料が必要とされていた。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、以下の有機半導体組成物を提供するものである。
項１．  同じπ電子縮合環と鎖長の異なる置換基を有する複数のπ電子縮合環化合物の混合系において分子が層状構造を形成するよう配列していることを特徴とする有機半導体組成物。
項２．  キャリヤ移動度が10-2cm2 V-1 s-1以上であることを特徴とする項１に記載の有機半導体組成物。
項３．  該有機半導体組成物を構成するπ電子縮合環化合物の少なくとも一種は特定温度で層状構造を持つ液晶相、または柔粘性相であることを特徴とする項１又は２に記載の有機半導体組成物。
項４．  π電子縮合環化合物の置換基の少なくとも一種が光重合性官能基を持つことを特徴とする項１〜３のいずれか一項に記載の有機半導体組成物。
項５．  該π電子縮合環化合物がアルカン、オキシアルカンからなる群から選ばれる少なくとも１種の置換基を有することを特徴とする項１〜４のいずれか一項に記載の有機半導体組成物。
項６．  該π電子縮合環化合物が、その末端に光重合性官能基を有する１つないし２つの長鎖基を持つことを特徴とする項１〜５のいずれか一項に記載の有機半導体組成物。
【発明の効果】
【０００６】
半導体薄膜電子デバイスをフレキシブルなポリマー基板上に塗布して形成させるいわゆるプリンテッドエレクトロニクスの分野において、半導体自身も有機物からなる有機半導体を用いる研究がある。本発明では、溶媒可溶で自己組織化性の強い有機半導体において、温度特性等の実用性と塗布時の諸条件（溶液粘度等）を調整可能な新たな実用的有機半導体組成物を同じπ電子縮合環と鎖長の異なる置換基を有する複数のπ電子縮合環化合物の混合系によって達成する。
【０００７】
これまでの塗布型薄膜形成用有機半導体材料は電子的に空間変動の無い単結晶が電子輸送の観点から好ましいという理由で単一成分からなる材料しか検討されてきていない。一方、液晶性化合物はその液晶相が熱力学的に同等の相であれば複数種であっても任意の組成比で分子レベルで混ざり合う（液晶相の混和性）。この性質を利用すれば液晶性を持つ有機半導体を任意の組成比で混ぜ、分子レベルで分散した有機半導体組成物が得られる。特に、同じπ電子骨格を持ち、アルキル基等の長鎖部分の鎖長が異なる同族列化合物同士は、良好な混和性を示すと期待される。この性質を利用すれば、組成比を変化させることでπ電子骨格同士のパッキングを制御、電荷が移動する構造をより効率的なものとすることが可能と期待される。この新たなアイデアに基づいて同族列同士の有機半導体組成物の半導体特性を計測したところ、10-2 cm2 V-1 s-1以上の高速キャリヤ移動度を示した。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】9TNAT9-3TNAT3２成分系の相図
【図２】9TNAT9-3TNAT3(1:1モル比)混合系のホール移動度の温度依存性
【図３】3TNAT3のホール移動度の温度依存性
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本発明は、同じπ電子縮合環と鎖長の異なる置換基を有する複数のπ電子縮合環化合物の混合系において分子が層状構造を形成するよう配列していることを特徴とする有機半導体組成物を提供する。
【００１０】
本発明の有機半導体組成物は、複数のπ電子縮合環化合物を有し、各化合物は、π電子縮合環が共通であって、側鎖の鎖長が異なる。
【００１１】
π電子縮合環化合物は、公知の化合物が全て使用でき、特に限定されないが、好ましい化合物としては、π電子縮合環に対し、置換基を１個又は２個以上、好ましくは１〜６個、より好ましくは２〜６個有する。
【００１２】
π電子縮合環化合物が有するπ電子縮合環の構造ないし部分構造を以下に示す。
【００１３】
【化１】
2014160711.tif 000002
【００１４】
(式中、ｎは３以上の整数、例えば３〜１０の整数を示す。Ａは、２価の架橋基を示す。)
π電子縮合環化合物が上記の「部分構造」を有するとは、２以上のπ電子縮合環が単結合で連結されるか、または縮合環を形成する場合を含む。例えば２つのピリジンが単結合で連結されたビピリジル、ベンゼンとフランが縮合したベンゾフランはいずれもπ電子縮合環化合物のπ電子縮合環に包含される。
【００１５】
本発明のπ電子縮合環化合物は、１又は２以上の置換基を有する。置換基の数は好ましくは１〜６個、より好ましくは２〜６個、さらに好ましくは２〜３個、特に２個である。本発明のπ電子縮合環化合物は、棒状液晶を形成するものが好ましい。棒状液晶を構成する場合、π電子縮合環化合物の置換基の数は１個または２個、好ましくは２個である。２つの置換基を有する場合、その置換基の方向は１８０°の角度をなす場合が典型的であるが、５員環の１，３位、６員環の１，３位のように２つの置換基のなす角は１２０〜１８０°、或いは１４４〜１８０°であれば「棒状」液晶に包含される。なお、ナフタレン環の１，４位だけでなく、１，５位に置換基を有する場合、２つの置換基は同一直線上にはないが、１８０°の角をなす。
【００１６】
本発明の少なくとも１種のπ電子縮合環化合物は、特定温度で層状構造を持つ液晶相、または柔粘性相を形成するものであるのが好ましい。好ましくはすべてのπ電子縮合環化合物は、特定温度で層状構造を持つ液晶相、または柔粘性相を形成するものである。
【００１７】
Ａで表される２価の架橋基としては、特に限定されないが、例えば以下の基を挙げることができる。
【００１８】
【化２】
2014160711.tif 000003
【００１９】
(式中、ｍは１〜４の整数を示す。Ｘはメチル基、エチル基、フッ素原子または塩素原子を示す。)
上記の架橋基は、置換基の中に１個又は２個以上含まれていてもよく、２個以上のπ電子縮合環部分を連結し、全体として１つのπ電子縮合環を構成してもよい。
【００２０】
本発明のπ電子縮合環化合物の置換基としては、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アラルキル、アルケニル、アルキニル、アルキルオキシ、アリールオキシ、ヘテロアリールオキシ、アラルキルオキシ、アルケニルオキシ、アルキニルオキシ、アルキルオキシカルボニル、アリールオキシカルボニル、ヘテロアリールオキシカルボニル、アラルキルオキシカルボニル、アルケニルオキシカルボニル、アルキニルオキシカルボニル、アルキルオキシカルボニルオキシ、アリールオキシカルボニルオキシ、ヘテロアリールオキシカルボニルオキシ、アラルキルオキシカルボニルオキシ、アルキルオキシカルボニルアミノ、アリールオキシカルボニルアミノ、ヘテロアリールオキシカルボニルアミノ、アラルキルオキシカルボニルアミノなどが挙げられる。
【００２１】
アルキル基としては、プロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、２−エチルヘキシル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、トリデシル、テトラデシル、ヘキサデシル、オクタデシル、エイコシル、ドコシルなどの炭素数３〜２２の直鎖または分岐鎖のアルキル基が挙げられる。
【００２２】
アルケニル基としては、アリル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、２−エチルヘキセニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、トリデセニル、テトラデセニル、ヘキサデセニル、オクタデセニル、エイコセニル、ドコセニルなどの炭素数３〜２２の直鎖または分岐鎖のアルケニル基が挙げられる。
【００２３】
アルキニル基としては、プロパルギル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、オクチニル、２−エチルヘキシニル、ノニニル、デシニル、ウンデシニル、ドデシニル、トリデシニル、テトラデシニル、ヘキサデシニル、オクタデシニル、エイコシニル、ドコシニルなどの炭素数３〜２２の直鎖または分岐鎖のアルキニル基が挙げられる。
【００２４】
アリール基としては、５又は６員の芳香族炭化水素環からなる単環又は多環系の基を意味し、具体例としては、フェニル、ナフチル、フルオレニル、アントリル、ビフェニリル、テトラヒドロナフチル、クロマニル、２，３−ジヒドロ−１，４−ジオキサナフタレニル、インダニル及びフェナントリルが挙げられる。
【００２５】
アラルキル基としては、ベンジル、ナフチルメチル、フルオレニルメチル、アントリルメチル、ビフェニリルメチル、テトラヒドロナフチルメチル、クロマニルメチル、２，３−ジヒドロ−１，４−ジオキサナフタレニルメチル、インダニルメチル及びフェナントリルメチル、フェネチル、ナフチルエチル、フルオレニルエチル、アントリルエチル、ビフェニリルエチル、テトラヒドロナフチルエチル、クロマニルエチル、２，３−ジヒドロ−１，４−ジオキサナフタレニルエチル、インダニルエチル及びフェナントリルエチルなどが挙げられる。
【００２６】
ヘテロアリール基としては、Ｎ、Ｏ及びＳから選択される１〜３個のヘテロ原子を含む、５又は６員の芳香環からなる単環又は多環系の基を意味し、多環系の場合には少なくとも１つの環が芳香環であればよい。具体例としては、フリル、チエニル、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、チアゾリル、イソオキサゾリル、イソチアゾリル、ピリジル、ピラジニル、ピリミジニル、ピリダジニル、インドリル、キノリル、イソキノリル、ベンゾ［ｂ］チエニル、ベンゾイミダゾリル、ベンゾチアゾリル、ベンゾオキサゾリルなどが挙げられる。
【００２７】
アルキルオキシとしては、（アルキル）オキシ（ここで「アルキル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００２８】
アリールオキシとしては、（アリール）オキシ（ここで「アリール」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００２９】
ヘテロアリールオキシとしては、（ヘテロアリール）オキシ（ここで「ヘテロアリール」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００３０】
アラルキルオキシとしては、（アラルキル）オキシ（ここで「アラルキル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００３１】
アルケニルオキシとしては、（アルケニル）オキシ（ここで「アルケニル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００３２】
アルキニルオキシとしては、（アルキニル）オキシ（ここで「アルキニル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００３３】
アルキルオキシカルボニルとしては、（アルキル）オキシカルボニル（ここで「アルキル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００３４】
アリールオキシカルボニルとしては、（アリール）オキシカルボニル（ここで「アリール」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００３５】
ヘテロアリールオキシカルボニルとしては、（ヘテロアリール）オキシカルボニル（ここで「ヘテロアリール」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００３６】
アラルキルオキシカルボニルとしては、（アラルキル）オキシカルボニル（ここで「アラルキル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００３７】
アルケニルオキシカルボニルとしては、（アルケニル）オキシカルボニル（ここで「アルケニル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００３８】
アルキニルオキシカルボニルとしては、（アルキニル）オキシカルボニル（ここで「アルキニル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００３９】
アルキルオキシカルボニルオキシとしては、（アルキル）オキシカルボニルオキシ（ここで「アルキル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００４０】
アリールオキシカルボニルオキシとしては、（アリール）オキシカルボニルオキシ（ここで「アリール」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００４１】
ヘテロアリールオキシカルボニルオキシとしては、（ヘテロアリール）オキシカルボニルオキシ（ここで「ヘテロアリール」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００４２】
アラルキルオキシカルボニルオキシとしては、（アラルキル）オキシカルボニルオキシ（ここで「アラルキル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００４３】
アルケニルオキシカルボニルオキシとしては、（アルケニル）オキシカルボニルオキシ（ここで「アルケニル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００４４】
アルキニルオキシカルボニルオキシとしては、（アルキニル）オキシカルボニルオキシ（ここで「アルキニル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００４５】
アルキルオキシカルボニルアミノとしては、（アルキル）オキシカルボニルアミノ（ここで「アルキル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００４６】
アリールオキシカルボニルアミノとしては、（アリール）オキシカルボニルアミノ（ここで「アリール」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００４７】
ヘテロアリールオキシカルボニルアミノとしては、（ヘテロアリール）オキシカルボニルアミノ（ここで「ヘテロアリール」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００４８】
アラルキルオキシカルボニルアミノとしては、（アラルキル）オキシカルボニルアミノ（ここで「アラルキル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００４９】
アルケニルオキシカルボニルアミノとしては、（アルケニル）オキシカルボニルアミノ（ここで「アルケニル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００５０】
アルキニルオキシカルボニルアミノとしては、（アルキニル）オキシカルボニルアミノ（ここで「アルキニル」は前記に定義されるとおりである）が挙げられる。
【００５１】
本発明の置換基は、２以上の置換基を架橋基（Ａ）で連結したものであってもよい。例えば
−（アルキル）−（架橋基）−（アルキル）、
−（アルケニル）−（架橋基）−（アルケニル）、
−（アルキニル）−（架橋基）−（アルキニル）、
−（アリール）−（架橋基）−（アリール）、
−（ヘテロアリール）−（架橋基）−（ヘテロアリール）、
−（アラルキル）−（架橋基）−（アラルキル）、
−（アリール）−（架橋基）−（アリール）−（架橋基）−（アリール）、
−（アルキル）−（架橋基）−（アリール）−（架橋基）−（アルキル）、
−（アルキル）−（架橋基）−（アルキル）−（架橋基）−（アルキル）、
−（アルキル）−（架橋基）−（ヘテロアリール）−（架橋基）−（アルキル）、
が挙げられる。上記は架橋基が１個又は２個の場合を示したが、架橋基は３以上であってもよい。
【００５２】
上記において、末端の置換基は、アルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アラルキルなどの１価の基であるが、非末端の置換基は、２価の基になるため、これらの置換基を本明細書でアルキル部分、アルケニル部分、アルキニル部分、アリール部分、ヘテロアリール部分、アラルキル部分と呼ぶことがある。アルキル部分、アルケニル部分、アルキニル部分、アリール部分、ヘテロアリール部分、アラルキル部分は、対応するアルキル、アルケニル、アルキニル、アリール、ヘテロアリール、アラルキルから１個の水素原子を除いた基である。
【００５３】
π電子縮合環化合物が有する棒状／長鎖の置換基(通常１個又は２個以上、好ましくは２個)の好ましい例示を以下に示す。
−ＯＲ，  −Ｒ，−ＣＯＯＲ，−ＯＯＣＲ，−ＯＯＣＯＲ，−ＣＸ＝ＣＹ−ＣＯＯＲ，  −ＮＨＲ，  −ＮＨＣＯＲ，  −ＣＯＳＲ，  −ＮＲ２，  −ＳＲ，  −ＯＣＯＳＲ，  −ＣＯＲ
（式中、Ｒは前記の炭素数３〜２２、好ましくは炭素数６〜２０のアルキルを示す。）
本発明のπ電子縮合環化合物は、棒状／長鎖の置換基に加えて、π電子縮合環に他の置換基を有することができる。他の置換基としては、−Ｃ≡Ｎ，−ＮＯ２、ハロゲン原子（Ｃｌ、Ｆ，Ｂｒ，Ｉ），ＯＨ，Ｎ３，ＮＨ２，ＣＦ３，ＣＨ３、ＣＯＣＨ３、ＮＨＣＯＣＨ３、ＮＨＣＨ３，ＮＨ（ＣＨ３）２などが挙げられる。
【００５４】
本発明の有機半導体組成物は、２種以上のπ電子縮合環化合物を含み、該化合物の側鎖(側鎖の主鎖)の長さが２原子以上好ましくは３原子以上、例えば３〜１５原子、好ましくは４〜１２原子相違する。ここで、側鎖がプロピル基（C3)とノニル基（C9)の場合、炭素数が６個相違するため、６原子長だけ相違する。同様にOCH2CH2OCH2CH2OCH2CH3基の原子数は9個、−(OCH2CH2)5-OCH2CH3基の原子数は18個であるので、これらの置換基を有するπ電子縮合環化合物は、9原子長だけ相違する。このように、置換基の長さは主鎖を構成する原子数で決定され、主鎖の原子数を比較することで、２以上のπ電子縮合環化合物の相互間の側鎖の長さの違いを決定できる。
【００５５】
本発明では、２個のπ電子縮合環化合物を含む有機半導体組成物の場合には、側鎖の主鎖の長さが、２原子以上好ましくは３原子以上、例えば３〜１５原子、好ましくは４〜１２原子相違し、３個以上のπ電子縮合環化合物を含む場合には、任意の２個の化合物間で側鎖の主鎖の長さが上記の原子数だけ相違する。なお、１つのπ電子縮合環化合物が複数の３原子以上の置換基を有する場合、その長さは同じであるのが好ましい。例えばπ電子縮合環化合物がハロゲン原子、ニトロ基、アミノ基、シアノ基、メトキシ基などの置換基を有しているか否かにかかわらず、４以上の原子長を有する置換基の長さはすべて同一である。換言すると、１つのπ電子縮合環化合物が１０原子長と１５原子長の置換基を有することはない。
【００５６】
本発明の類縁体化合物は、光重合性官能基を有するものが好ましく、より具体的には、以下の構造のものが挙げられる。
【００５７】
【化３】
2014160711.tif 000004
【００５８】
（式中、alkylはアルキレン基を、alkenylはアルケニレン基を、alkynylはアルキニレン基を各々示す。Ringはπ電子縮合環を示す。）
本発明の有機半導体組成物において、２以上のπ電子縮合環化合物のモル比は、任意の２個の化合物のモル比で好ましくは１：１０〜１０：１、より好ましくは１：５〜５：１、さらに好ましくは１：３〜３：１である。
【００５９】
本発明で使用する有機半導体組成物のキャリヤ移動度は、１．０×１０−２ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１以上、好ましくは１．０×１０−２〜１．０×１０２ｃｍ２Ｖ−１ｓ−１である。
【実施例】
【００６０】
以下、本発明を実施例及び比較例に基づきより詳細に説明する。
参考例１
9TNAT9及び3TNAT3は以下のように合成した。
【００６１】
【化４】
2014160711.tif 000005
【００６２】
9TNAT9の合成は文献（Advanced Materials誌, ２００７年、１９巻、p１８６４）を基本手法として合成及び精製を行った。具体的には、2-Nonylthiophene (40.0 mmol)及び脱水THF (20 mL)を、アルゴンガス置換を行った200 mLの反応器に入れ、ドライアイス−アセトンバスで-50℃まで冷却した。アルゴンガスを流しながらn-butyllithium溶液 (15.4 mL of a 2.6 mol/L hexane solution, 40.0 m mol)を内温-40〜-50℃を維持しながら徐々に滴下した。全てのn-butyllithium溶液を滴下後、室温で4時間撹拌した。ドライアイス−アセトンバスで-50℃まで冷却した後、Trimethylborate (15.6 mL, 140 mmol)を内温-40〜-50℃を維持しながら反応容器内にゆっくりと加え、更に室温で16時間撹拌した。2,6-Dibromonaphthalene (10.0 mmol) 、脱水1,2-Dimethoxyethane (65 mL) 及びPd(PPh3)4 (0.0418 mmol)を順次仕込み、2M-Na2CO3aq (10.0 mL, 20.0 mmol)を滴下。アルゴン雰囲気下、内温約69℃で23時間反応した。
氷水(1:1)300gに反応マスを排出し30分撹拌し濾過、水洗、風乾して粗製品2.62g(81.9%)を得た。風乾物をChloroform (300 mL)でスラッジングし、更にHexane (150 mL)で洗浄。カラムクロマトグラフィー(silica gel, Hot THF, Rf=0.83)で精製し目的物を得た。更に、Acetone (1900 mL)で再結晶した。白色結晶、収率46%。1H-NMR δH (CDCl3, TMS, 500 MHz) 0.89 (t, 6H), 1.34 (m, 24H) , 1.72 (m, 4H) ,2.84 (t, 4H) , 6.79 (d, 2H), 7.25 (d, 2H), 7.70 (dd, 2H), 7.79 (d, 2H), 7.94 (s, 2H)
3TNAT3も出発物質を2-propylthiopheneとして同様に行った。淡黄白色結晶、収率66%)、1H-NMR δH (CDCl3, TMS, 500 MHz) 1.02 (t, 6H), 1.76 (m, 4H) ,2.83 (t, 4H) , 6.79 (d, 2H), 7.25 (d, 2H), 7.70 (dd, 2H), 7.79 (d, 2H), 7.93 (s, 2H)
【００６３】
実施例１
（混合系の調製と熱相転移）
9TNAT9及び3TNAT3をモル比で１：１になる様に秤量し、塩化メチレン溶液を調製して混合した。
【００６４】
混合溶液は減圧下溶媒を留去して、混合物試料とした。図１に9TNAT9:3TNAT3の２成分系相図を示す。3TNAT3は７９℃及び２０５℃に相転移を持ち、9TNAT9は１０１℃、１７６℃、１７７℃に相転移を示す化合物である。1:1混合系では9TNAT9の高速キャリヤ移動度を示す低温側中間相は維持されることが判った。これらの傾向は9TNAT9:3TNAT3=3:1 及び1:3（モル比）の組成物でも同様であった。
【００６５】
（混合系のキャリヤ移動度）
先に調製した混合系9TNAT9:3TNAT3=1:1 （モル比）について中間相温度である１７５から３０℃で飛行時間計測法によるドリフトキャリヤ移動度測定を行った（例えばJournal of Materials Chemistry誌、２００７年、１７巻、p２６０７の記載に従いドリフトキャリヤ移動度測定を実施することができる）。液晶性半導体に典型的な性質である印加電圧の非依存性が確認された。9TNAT9:3TNAT3=1:1 （モル比）のホール移動度の温度依存性を図２に示す。9TNAT9単一組成の試料では同一温度で7.5 x 10-2  cm2 V-1s-1であり、ほぼ温度依存性を示さないことが報告されている。本組成物ではホール移動度は広い温度領域で3-5 x 10-2  cm2V-1 s-1を示すことが判った（図２）。  3TNAT3の単独組成試料の場合も、温度依存性をほぼ示さず、7 x 10-2  cm2V-1 s-1程度である（図３）ことから、混合によってホール移動度はほぼ保たれていることが判った。このことから、3TNAT3分子は層状構造をなして配向する9TNAT9分子の層間に分散しており、層構造は混合前のそれに電荷移動という点で酷似した状況を呈していることを示唆している。
【産業上の利用可能性】
【００６６】
本発明の有機半導体組成物は、ハイブリッド系薄膜トランジスタや有機薄膜太陽電池等といった半導体薄膜デバイスへの利用や応用に有効である。
【図１】
2014160711.tif 000006
【図２】
2014160711.tif 000007
【図３】
2014160711.tif 000008