(57)【要約】【課題】  半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを強固に接続するとともに、隣接する半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供すること。【解決手段】  半導体素子Ｓの搭載部１ａを有する絶縁基板１と、絶縁基板１の上面に半導体素子Ｓの外周辺に直角方向に延在するよう並設された複数の帯状配線導体４と、帯状配線導体４上に帯状配線導体４と同じ幅で突起状に形成された導体層から成る半導体素子接続パッド５と、半導体素子接続パッド５を露出させるスリット状の開口部３ａを有するソルダーレジスト層３とを具備する配線基板１０であって、半導体素子接続パッド５は帯状配線導体４上に側面が露出するように被着された半田濡れ性に劣る第１の導体層７と、第１の導体層７上に被着された半田濡れ性に優れる第２の導体層８とから成る。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、該絶縁基板の上面に前記搭載部の外周部を前記半導体素子の外周辺に直角な方向に延在するように並設された複数の帯状配線導体と、前記外周部における前記帯状配線導体上に、前記帯状配線導体と同じ幅で突起状に形成された導体層から成る半導体素子接続パッドと、前記絶縁基板の上面に被着されており、前記半導体素子接続パッドを前記帯状配線導体の一部とともに露出させるように前記外周辺に沿う方向に延びるスリット状の開口部を有するソルダーレジスト層とを具備して成る配線基板であって、前記半導体素子接続パッドは、前記帯状配線導体上に側面が露出するように被着された半田濡れ性に劣る第１の導体層と、該第１の導体層上に被着された半田濡れ性に優れる第２の導体層とから成ることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１の導体層がニッケルめっき層であるとともに前記第２の導体層が金めっき層であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
少なくとも前記開口部内に露出する前記帯状配線導体の表面に、酸化皮膜が形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子等を搭載するための配線基板に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
図３（ａ）および図３（ｂ）に半導体集積回路素子等の半導体素子を搭載するための従来の配線基板２０を示す。配線基板２０は、図３（ａ）および（ｂ）に示すように、上面中央部に半導体素子Ｓを搭載するための搭載部１１ａを有するとともに上下に貫通する複数の貫通孔１１ｂを有する絶縁基板１１と、絶縁基板１１の上下面および貫通孔１１ｂ内に被着された配線導体１２と、絶縁基板１１の上下面に被着されたソルダーレジスト層１３とを有している。絶縁基板１１やソルダーレジスト層１３は、例えばエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂を含有する樹脂系絶縁材料から成る。また、配線導体１２は、銅から成る。
【０００３】
絶縁基板１１の上面に被着された配線導体１２は、複数の帯状配線導体１４を含んでいる。これらの帯状配線導体１４は、搭載部１１ａの外周部を互いに隣接して半導体素子Ｓの外周辺に直角な方向に延在している。そして、これらの帯状配線導体１４の一部は、搭載部１１ａの外周部において、ソルダーレジスト層１３に設けたスリット状の開口部１３ａ内に露出している。さらに、開口部１３ａ内に露出する帯状配線導体１４上には突起状の半導体素子接続パッド１５が形成されている。半導体素子接続パッド１５は、半導体素子Ｓを帯状配線導体１４に接続するための接続端子である。そして、この半導体素子接続パッド１５に半導体素子Ｓの電極端子Ｔを半田を介して接続することにより、半導体素子Ｓと帯状配線導体１４とが電気的に接続される。このとき、半導体素子接続パッド１５が突起状となっていることにより、配線基板２０と半導体素子Ｓとの間に適当な隙間が形成される。
【０００４】
絶縁基板１１の下面に被着された配線導体１２は、複数の外部接続パッド１６を含んでいる。外部接続パッド１６は円形であり、下面側のソルダーレジスト層１３に設けた開口部１３ｂから露出している。この外部接続パッド１６は、外部の電気回路基板に半田を介して電気的に接続される。そして、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド１５に接続するとともに、外部接続パッド１６を外部の電気回路基板の配線導体に接続することにより半導体素子Ｓが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Ｓと外部の電気回路基板との間で配線導体１２を介して信号を伝送することにより半導体素子Ｓが作動する。
【０００５】
ところで、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド１５に接続するときには、周知のフリップチップ技術が好適に用いられる。具体的には、例えば各半導体素子接続パッド１５上にあらかじめ半田を溶着させておき、半導体素子Ｓの電極Ｔをそれぞれ対応する半田上に載置する。その後、リフロー処理を行ない半田を溶融させた後、冷却して半田を電極Ｔに固着させることで電極Ｔと半導体素子接続パッド１５とを接合する。
【０００６】
ところが、従来の配線基板２０では、帯状配線導体１４およびその上の半導体素子接続パッド１５が共に半田濡れ性に優れる銅から成ることから、リフロー処理の際に、溶融した半田が半導体素子接続パッド１５上のみならず、帯状配線導体１４の露出表面を広範に濡れ広がってしまうことがある。このため、半導体素子Ｓの電極端子Ｔと半導体素子接続パッド１５との接合に必要な半田が不足してしまい、電極Ｔと半導体素子接続パッド１５とを強固に接合することができない場合がある。また、溶融した半田が各半導体素子接続パッド１５の側面に回り込んでしまい、隣接する半導体素子接続パッド１５上の半田同士間の間隔が狭くなったり、半田同士が接触したりすることがあった。このため、互いに隣接する半導体素子接続パッド１５間の電気的な絶縁性が損なわれてしまう場合がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−２０６１９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明は、帯状配線導体上に形成した半導体素子接続パッドと半導体素子の電極とを強固に接続することができるとともに、互いに隣接する半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の配線基板は、上面中央部に半導体素子が搭載される搭載部を有する絶縁基板と、絶縁基板の上面に搭載部の外周部を半導体素子の外周辺に直角な方向に延在するように並設された複数の帯状配線導体と、搭載部の外周部における帯状配線導体上に、帯状配線導体と同じ幅で突起状に形成された導体層から成る半導体素子接続パッドと、絶縁基板の上面に被着されており、半導体素子接続パッドを帯状配線導体の一部とともに露出させるように外周辺に沿う方向に延びるスリット状の開口部を有するソルダーレジスト層とを具備して成る配線基板であって、半導体素子接続パッドは、帯状配線導体上に側面が露出するように被着された半田濡れ性に劣る第１の導体層と、第１の導体層上に被着された半田濡れ性に優れる第２の導体層とから成ることを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の配線基板は、帯状配線導体上の半導体素子接続パッドが、帯状配線導体上に側面が露出するように被着された半田濡れ性に劣る第１の導体層と、第１の導体層上に被着された半田濡れ性に優れる第２の導体層とから形成されている。このため、フリップチップ技術による半導体素子搭載時のリフロー処理の際に、溶融した半田は半導体素子接続パッド上部の半田濡れ性に優れる第２の導体層表面には濡れ広がるものの、その下には半田濡れ性に劣る第１の導体層が側面を露出して形成されているため、半導体素子接続パッドの側面やその下の帯状配線導体に対して濡れが悪くなり広がりが抑制される。このため、溶融した半田を半導体素子接続パッド上に留めておくことができるとともに、半田が半導体素子接続パッドの側面に回り込むのを抑制することができる。したがって、半導体素子の電極と半導体素子接続パッドとを必要な量の半田を介して強固に接続することができるとともに、互いに隣接する半導体素子接続パッド間の電気的な絶縁性が良好な配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）および（ｂ）は、本発明の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【図２】図２は、図１に示す配線基板の要部拡大断面図である。
【図３】図３（ａ）および（ｂ）は、従来の配線基板の実施の形態の一例を示す概略断面図および平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
次に、本発明の実施形態の一例を図１（ａ）、（ｂ）および図２を基に説明する。図１（ａ）に示すように本例の配線基板１０は、主として絶縁基板１と、配線導体２と、ソルダーレジスト層３とを具備している。
【００１３】
絶縁基板１は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂やビスマレイミドトリアジン樹脂等の熱硬化性樹脂を含浸させた電気絶縁材料から成る。絶縁基板１は、この例では単層構造であるが、同一または異なる電気絶縁材料から成る複数の絶縁層を多層に積層した多層構造であってもよい。
【００１４】
絶縁基板１は、その上面中央部に半導体素子Ｓが搭載される搭載部１ａを有しているとともに上下に貫通する複数の貫通孔１ｂを有している。搭載部１ａは半導体素子Ｓに対応する大きさおよび形状をしている。また、絶縁基板１の下面は、外部の電気回路基板と接続するための接続面となっている。そして、絶縁基板１の上下面および貫通孔１ｂ内に配線導体２が被着されている。
【００１５】
配線導体２は、銅箔や銅めっき等の銅により形成されている。絶縁基板１の上面に被着された配線導体２は、複数の帯状配線導体４を含んでいる。これらの帯状配線導体４は、絶縁基板１の上面を搭載部１ａの外周部において互いに隣接して半導体素子Ｓの外周辺に直角な方向に延在している。そして、これらの帯状配線導体４の一部は、搭載部１ａの外周部において、ソルダーレジスト層３に設けられたスリット状の開口部３ａ内に露出している。さらに、開口部３ａから露出する帯状配線導体４上には突起状の半導体素子接続パッド５が形成されている。また、絶縁基板１の下面に被着された配線導体２は、外部の電気回路基板に接続するための外部接続パッド６を含んでいる。外部接続パッド６は円形であり、下面側のソルダーレジスト層３に設けた開口部３ｂから露出している。なお、ソルダーレジスト層３は、アクリル変性エポキシ樹脂等の感光性を有する熱硬化性樹脂を硬化させた電気絶縁材料から成る。
【００１６】
そして、半導体素子Ｓの電極Ｔを半導体素子接続パッド５にフリップチップ技術により接続するとともに、外部接続パッド６を外部の電気回路基板の配線導体に接続することにより半導体素子Ｓが外部の電気回路基板に電気的に接続され、半導体素子Ｓと外部の電気回路基板との間で配線導体２を介して信号を伝送することにより半導体素子Ｓが作動する。このような、配線導体２は、周知のサブトラクティブ法やセミアディティブ法により形成されている。なお、帯状配線導体４は、幅が１０〜３０μｍ程度、厚みが１０〜２０μｍ程度である。
【００１７】
半導体素子接続パッド５は、図１（ｂ）に示すように、半導体素子Ｓの電極Ｔに対応するように配置されている。この例では、スリット状の開口部３ａ内に露出する帯状配線導体４上に半導体素子接続パッド５が並設されている。なお、半導体素子接続パッド５の幅は、帯状配線導体４の幅と一致する幅である。また、半導体素子接続パッド５の長さは、４０〜６０μｍ程度であり、高さは２．５〜１１μｍ程度である。
【００１８】
半導体素子接続パッド５は、図２に示すように、帯状配線導体４上に順次被着された第１の導体層７と第２の導体層８とから成る。第１の導体層７は、ニッケルやクロム等の半田濡れ性に劣る金属から成る。第１の導体層７は、厚みが２〜１０μｍ程度であり、その側面が第２の導体層８に覆われずに露出している。また第２の導体層８は、金やパラジウム等の半田濡れ性に優れる金属から成る。第２の導体層８は厚みが０．３〜１μｍ程度であり、第１の導体層７の上面の全面のみを覆っている。
【００１９】
このように、本発明においては、帯状配線導体４上の半導体素子接続パッド５が帯状配線導体４上に側面が露出するように被着された半田濡れ性に劣る第１の導体層７と、第１の導体層７上に被着された半田濡れ性に優れる第２の導体層８とから成ることから、フリップチップ技術による半導体素子Ｓ搭載時のリフロー処理の際に、溶融した半田は半導体素子接続パッド５上面の半田濡れ性に優れる第２の導体層８の表面には濡れ広がるものの、その下には半田濡れ性に劣る第１の導体層７が側面を露出して形成されているため、半導体素子接続パッド５の側面やその下の帯状配線導体４に対して濡れが悪くなり広がりが抑制される。このため、溶融した半田を半導体素子接続パッド５上に留めておくことができるとともに、半田が半導体素子接続パッド５の側面に回り込むのを抑制することができる。したがって、半導体素子Ｓの電極Ｔと半導体素子接続パッド５とを必要な量の半田を介して強固に接続することができるとともに、互いに隣接する半導体素子接続パッド５間の電気的な絶縁性が良好な配線基板１０を提供することができる。
【００２０】
なお、半導体素子接続パッド５は、例えば次のように形成される。まず、絶縁基板１の表面に無電解銅めっきを被着させる。次に、帯状配線導体４のパターンに対応する第１の開口部を有する第１のめっきレジスト層を無電解銅めっきの上に形成する。次に、第１の開口部から露出する無電解銅めっき上に帯状配線導体４となる電解銅めっき層を形成する。次に、半導体素子接続パッド５が形成される位置の銅めっき層を半導体素子接続パッド５と一致する幅および長さで露出させるように第１の開口部を横切る第２の開口部を有する第２のめっきレジスト層を第１のめっきレジスト層上および電解銅めっき上に形成する。次に、第１および第２の開口部から露出する銅めっき層上に、電解ニッケルめっき層を析出させた後、さらにその上に電解金めっき層を析出させる。最後に第２のめっきレジストおよび第１のめっきレジストを剥離除去した後に、無電解銅めっきをエッチング除去してやることで帯状配線導体４上に半導体素子接続パッド５が形成される。
【００２１】
なお、本発明は上述の実施形態の一例に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲であれば種々の変更は可能である。例えば、上述の実施形態の一例において、少なくとも開口部３ａ内に露出する帯状配線導体４の表面に半田濡れ性に劣る酸化皮膜を形成しておいてもよい。少なくとも開口部３ａ内に露出する帯状配線導体４の表面に酸化皮膜を形成することで、フリップチップ技術による半導体素子Ｓ搭載時のリフロー処理の際に溶融した半田が帯状配線導体４の表面に濡れ広がることをより確実に抑制することができる。酸化被膜としては、黒化処理が好ましい。黒化処理は、銅の表面に長さが０．２〜０．５μｍ程度の酸化銅の針状結晶を形成したものである。このような黒化処理を施しておくと溶融半田の濡れ広がり抑制に非常に効果的である。このような黒化処理は、例えば次のように行なわれる。まず、半導体素子接続パッド５を形成する上述の手順に従い、無電解銅めっきをエッチング除去する工程まで実施する。次に、亜塩素酸ナトリウム水溶液に半導体素子接続パッド５が形成された帯状配線導体４を浸漬することで帯状配線導体４の表面に黒化処理による針状結晶が形成される。
【符号の説明】
【００２２】
１            絶縁基板
１ａ          搭載部
３            ソルダーレジスト層
３ａ          スリット状の開口部
４            帯状配線導体
５            半導体素子接続パッド
７            第１の導体層
８            第２の導体層
１０          配線基板
Ｓ            半導体素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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