(57)【要約】【課題】静電容量方式のタッチパネルを備えた薄型の液晶表示装置、更に低コストで信頼性の高い薄型の液晶表示装置を提供する。【解決手段】ＣＦ基板と、透明電極コモン配線が形成されたＴＦＴ基板とを有する液晶表示装置において、ＣＦ基板は複数の透明配線１５１を有し、透明電極コモン配線１１１は分離用スリット１１５により複数の帯形状に分離され、透明配線１５１と透明電極コモン配線１１１との重複部が、静電容量方式のタッチパネルの上部電極と下部電極とを構成する。更に、冗長スリット１１６とメタルコモン配線の切断可能個所１１４を設ける。【選択図】図１
2014010389.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されたＣＦ基板と、透明電極コモン配線及び画素電極が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＣＦ基板と前記ＴＦＴ基板との間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記ＣＦ基板は、第１の方向に延びる帯状の透明配線を複数有し、
前記ＴＦＴ基板に設けられた前記透明電極コモン配線は、前記第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の分離スリットにより複数の帯形状を有し、
鉛直上方から見て、前記ＣＦ基板の前記透明配線と前記ＴＦＴ基板の透明電極コモン配線とが重複する部分が、それぞれ静電容量方式のタッチパネルの上部電極と下部電極とを構成していることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記第２の方向に延在する前記分離スリットは、鉛直上方から見て前記ブラックマトリクスの直下に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
請求項２記載の液晶表示装置において、
前記分離スリットは、前記ＴＦＴ基板に形成されたＴＦＴのゲート電極を結ぶ走査線に沿って配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】
請求項１記載の液晶表示装置において、
前記分離スリットは、３〜１０μｍの幅を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項５】
カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されたＣＦ基板と、透明電極コモン配線及びそれに接続されたメタルコモン配線が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＣＦ基板と前記ＴＦＴ基板との間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記ＣＦ基板は、第１の方向に延びる帯状の透明配線を複数有し、
前記ＴＦＴ基板に設けられた前記透明電極コモン配線は、前記第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の分離スリットにより複数の帯形状を有し、
鉛直上方から見て、前記ＣＦ基板の前記透明配線と前記ＴＦＴ基板の透明電極コモン配線とが重複する部分が、それぞれ静電容量方式のタッチセンサの上部電極と下部電極とを構成しており、
前記メタルコモン配線は、複数の前記透明電極コモン配線にそれぞれ個別に接続されており、
複数の帯形状を有する前記透明電極コモン配線は、それぞれの内部であって前記分離スリットに平行する一本の冗長スリットを有し、それにより分離された冗長透明電極コモン配線が形成され、
前記透明電極コモン配線に接続された前記メタルコモン配線は、前記冗長透明電極コモン配線へ接続するために分岐された冗長メタルコモン配線を有し、前記冗長メタルコモン配線は切断可能個所を備えていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】
請求項５記載の液晶表示装置において、
前記切断可能個所は、前記冗長透明電極コモン配線に接続される冗長メタルコモン配線の両脇に配置され、複数の前記透明電極コモン配線にそれぞれ接続された複数の前記メタルコモン配線を互いに分離するためのスリットに比べて幅の広いスリットを有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
請求項６記載の液晶表示装置において、
前記切断可能個所のスリットは、１０〜１００μｍの幅を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】
請求項５記載の液晶表示装置において、
前記冗長透明電極コモン配線の幅は、１画素分に相当することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】
請求項８記載の液晶表示装置において、
前記冗長透明電極コモン配線は、２０〜２００μｍの幅を有することを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】
請求項５記載の液晶表示装置において、
前記切断可能個所は、前記冗長透明電極コモン配線と前記冗長メタルコモン配線との接続部根元に配置されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１１】
カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されたＣＦ基板と、透明電極コモン配線及びそれに接続されたメタルコモン配線が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＣＦ基板と前記ＴＦＴ基板との間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記ＣＦ基板は、第１の方向に延びる帯状の透明配線を複数有し、
前記ＴＦＴ基板に設けられた前記透明電極コモン配線は、前記第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の分離スリットにより複数の帯形状を有し、
鉛直上方から見て、前記ＣＦ基板の前記透明配線と前記ＴＦＴ基板の透明電極コモン配線とが重複する部分が、それぞれ静電容量方式のタッチパネルの上部電極と下部電極とを構成しており、
前記メタルコモン配線は、複数の前記透明電極コモン配線にそれぞれ個別に接続されており、
複数の帯形状を有する前記透明電極コモン配線は、それぞれの内部であって前記分離スリットに平行する一本の冗長スリットを有し、それにより分離された冗長透明電極コモン配線が形成され、
前記メタルコモン配線は、その内部に前記冗長透明電極コモン配線へ接続される冗長メタルコモン配線を有し、前記メタルコモン配線と前記冗長メタルコモン配線とはスイッチにより接続されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１２】
請求項１１記載の液晶表示装置において、
前記スイッチは、ＴＦＴであることを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量方式のタッチパネルを備えた液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
静電容量方式のタッチパネルを備えた液晶表示装置は、例えば特許文献１に開示されている。この液晶表示装置では、静電容量方式タッチセンサ本体と液晶表示本体とが別々に製造され、積層構造に組み立てられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−２７６２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に記載の液晶表示装置ではタッチセンサ本体と液晶表示本体とが別々に製造されているため、液晶表示装置全体の厚さが厚くなる。また製造コストが高くなる。液晶表示装置１３０は図４に示すように、表示部１３２と駆動回路部１１９とで構成されており、発明者等は、装置の薄膜化や低コスト化の観点から、タッチセンサ部を液晶表示装置の表示部内に作りこめないかを検討し、ＩＰＳ−Ｐｒｏ（In−Plane Switching−Provectus）構造の液晶表示装置において、これまでベタ（全面）形成していたＴＦＴ基板の透明電極コモン配線（ＩＴＯ膜）と、カラーフィルタ（ＣＦ）基板のＩＴＯ膜とを利用することによりタッチパネル部の原価低減、低コスト化、装置全体の薄膜化が図れることに思い到った。
【０００５】
発明者等が検討した独自の表示パネル（タッチパネル）の概略構成平面図を図３に示す。ＴＦＴ基板１１０に形成された透明電極コモン配線１１１にスリットを入れて水平方向に分離して約５ｍｍ幅の帯状の下部電極とし、ＣＦ基板１５０に形成されたＩＴＯ膜（透明配線）１５１にスリットを入れて垂直方向に分離して約５ｍｍ幅の帯状の上部電極とした。これにより、上部電極１５１と下部電極１１１との重複領域（約５ｍｍ□）１３１をタッチパネルのスイッチとして利用することができる。下部電極１１１はそれぞれＴＦＴ基板側のメタルコモン配線１１２に接続される。なお、上部電極への配線は図面上省略されている。
【０００６】
そこで、次に図３に示す構造のタッチパネルを製造し、タッチパネルを一体化することにより液晶表示装置の薄膜化を図れる見通しが得られた。一方、タッチパネルの一部で機能が正常に動作しない不良の発生が認められた。
【０００７】
本発明の目的は、静電容量方式のタッチパネルを備えた薄型の液晶表示装置、更に低コストで信頼性の高い薄型の液晶表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するための一実施形態として、カラーフィルタ（ＣＦ）及びブラックマトリクス（ＢＭ）が形成されたＣＦ基板と、透明電極コモン配線及び画素電極が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＣＦ基板と前記ＴＦＴ基板との間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記ＣＦ基板は、第１の方向に延びる帯状の透明配線を複数有し、
前記ＴＦＴ基板に設けられた前記透明電極コモン配線は、前記第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の分離スリットにより複数の帯形状を有し、
鉛直上方から見て、前記ＣＦ基板の前記透明配線と前記ＴＦＴ基板の透明電極コモン配線とが重複する部分が、それぞれ静電容量方式のタッチパネルの上部電極と下部電極とを構成していることを特徴とする液晶表示装置とする。
【０００９】
また、カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されたＣＦ基板と、透明電極コモン配線及びそれに接続されたメタルコモン配線を備えたＴＦＴ基板と、前記ＣＦ基板と前記ＴＦＴ基板との間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記ＣＦ基板は、第１の方向に延びる帯状の透明配線を複数有し、
前記ＴＦＴ基板に設けられた前記透明電極コモン配線は、前記第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の分離スリットにより複数の帯形状を有し、
鉛直上方から見て、前記ＣＦ基板の前記透明配線と前記ＴＦＴ基板の透明電極コモン配線とが重複する部分が、それぞれ静電容量方式のタッチパネルの上部電極と下部電極とを構成しており、
前記メタルコモン配線は、複数の前記透明電極コモン配線にそれぞれ個別に接続されており、
複数の帯形状を有する前記透明電極コモン配線は、それぞれの内部であって前記分離スリットに平行する一本の冗長スリットを有し、それにより分離された冗長透明電極コモン配線が形成され、
前記透明電極コモン配線に接続された前記メタルコモン配線は、前記冗長透明電極コモン配線へ接続するために分岐された冗長メタルコモン配線を有し、前記冗長メタルコモン配線は切断可能個所を備えていることを特徴とする液晶表示装置とする。
【００１０】
また、カラーフィルタ及びブラックマトリクスが形成されたＣＦ基板と、透明電極コモン配線及びそれに接続されたメタルコモン配線が形成されたＴＦＴ基板と、前記ＣＦ基板と前記ＴＦＴ基板との間に封止された液晶とを有する液晶表示装置において、
前記ＣＦ基板は、第１の方向に延びる帯状の透明配線を複数有し、
前記ＴＦＴ基板に設けられた前記透明電極コモン配線は、前記第１の方向と直交する第２の方向に延びる複数の分離スリットにより複数の帯形状を有し、
鉛直上方から見て、前記ＣＦ基板の前記透明配線と前記ＴＦＴ基板の透明電極コモン配線とが重複する部分が、それぞれ静電容量方式のタッチパネルの上部電極と下部電極とを構成しており、
前記メタルコモン配線は、複数の前記透明電極コモン配線にそれぞれ個別に接続されており、
複数の帯形状を有する前記透明電極コモン配線は、それぞれの内部であって前記分離スリットに平行する一本の冗長スリットを有し、それにより分離された冗長透明電極コモン配線が形成され、
前記メタルコモン配線は、その内部に前記冗長透明電極コモン配線へ接続される冗長メタルコモン配線を有し、前記メタルコモン配線と前記冗長メタルコモン配線とはスイッチにより接続されていることを特徴とする液晶表示装置とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、静電容量方式のタッチパネルを備えた薄型の液晶表示装置、更に低コストで信頼性の高い薄型の液晶表示装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の表示パネル（タッチパネル）の概略平面図である。
【図２】図１に示すタッチパネルの要部概略平面図である。
【図３】発明者等の検討に係る液晶表示装置の表示パネル（タッチパネル）の概略平面図である。
【図４】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の全体概略平面図である。
【図５】本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における透明電極コモン配線の分離領域を説明するための画素部の概略平面図である。
【図６Ａ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における画素部の製造工程（ゲート電極形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図６Ｂ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における画素部の製造工程（ゲート絶縁膜及びチャネル層形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図６Ｃ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における画素部の製造工程（ソース・ドレイン層形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図６Ｄ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における画素部の製造工程（下層無機パッシベーション膜及び有機パッシベーション膜形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図６Ｅ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における画素部の製造工程（透明電極コモン配線形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図６Ｆ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における画素部の製造工程（上層無機パッシベーション膜形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図６Ｇ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における画素部の製造工程（画素ＩＴＯ電極形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図７】図６ＧのＡ−Ａ’部の概略断面図である。
【図８】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における透明電極コモン配線パターン（接続部近辺）の概略平面図である。
【図８Ａ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における透明電極コモン配線接続部の製造工程（透明電極コモン配線、ゲート電極形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図８Ｂ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における透明電極コモン配線接続部の製造工程（絶縁膜及びチャネル層形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図８Ｃ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における透明電極コモン配線接続部の製造工程（メタルコモン配線コンタクト用開口部形成、ソース・ドレイン層形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図８Ｄ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における透明電極コモン配線接続部の製造工程（下層無機パッシベーション膜及び有機パッシベーション膜形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図８Ｅ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における透明電極コモン配線接続部の製造工程（透明電極コモン配線形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図８Ｆ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における透明電極コモン配線接続部の製造工程（上層無機パッシベーション膜形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図８Ｇ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置における透明電極コモン配線接続部の製造工程（ＩＴＯ電極形成）を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。
【図９】図８ＧのＢ−Ｂ’部の概略断面図である。
【図１０Ａ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造工程において、配向膜形成工程からＣＦ基板とＴＦＴ基板とを重ね合わせる工程までを説明するためのフロー図である。
【図１０Ｂ】発明者等の検討に係る、又本発明の第１の実施例に係る液晶表示装置の製造工程において、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを重ね合わせる工程から外観検査工程までを説明するためのフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
タッチパネルの不良原因を調べた結果、透明電極コモン配線の分離が完全にできていないことが分かった。即ち、図３に示す表示パネル（タッチパネル）では、ＣＦ基板側のＩＴＯ膜は任意の位置で分離することが可能であるが、ＴＦＴ基板側には画素領域が形成されているため、透明電極コモン配線を分離するためのスリットの位置や幅Ｗを任意に設定することができない。図５を用いて画素部におけるスリットの位置と幅が受ける制約について説明する。
【００１４】
図５は、液晶表示装置における透明電極コモン配線の分離領域を説明するためのＴＦＴ基板上の画素部の概略平面図である。なお、この図では画素電極が省略されている。分離用スリット（白抜きの部分）１１５は、表示領域を避け各画素のＴＦＴのゲート配線（走査線）形成領域（ＣＦ基板ではブラックマトリクス（ＢＭ）が形成される領域）に沿って設けられる。分離用スリット１１５の幅Ｗとしては、３〜１０μｍ程度となる。分離用スリット１１５は１画素間の距離（２０〜２００μｍ）の整数倍の位置に配置される。
【００１５】
分離用スリット１１５は長さが数ｃｍに及ぶこと、又ＩＴＯは加工し難いためスリット幅が数μｍでは必ずしも透明電極コモン配線１１１を分離しきれず、隣接する透明電極コモン配線間で分離が不十分の場合、タッチパネル用スイッチとしては正常に動作せず、不良となることが分かった。そこで、発明者等はこの不良タッチパネル用スイッチ（下部電極）を救済する方法について更に検討し、冗長構造、即ち、透明電極コモン配線分離用スリット１１５に隣接して（１画素分離間して）冗長スリット１１６を設けることにより、分離したい透明電極コモン配線間の短絡救済ができることに思い至った。なお、冗長スリットも分離用スリットと同様、配置場所や幅に制約がある。
【００１６】
以下、本発明の実施例を説明する。なお、同一符号は同一構成要素を示す。
【実施例１】
【００１７】
本発明の第１の実施例について図を用いて説明する。図１は本実施例１に係る液晶表示装置の表示パネル１０１（タッチパネル）の概略平面図である。基本的な構成は図３と同様であるが、透明電極コモン配線１１１を分離する分離用スリット１１５に隣接して（１画素分離間して）、冗長スリット１１６が設けられており、冗長スリット１１６で分離された冗長透明電極コモン配線１１１はメタルコモン配線１１２で電気的に接続されている。なお、本実施例では冗長スリット１１６を１画素分離間したが、２画素又はそれ以上とすることもできる。但し、１画素が好適である。このような構成において、１列目の冗長透明電極コモン配線がメタルコモン配線１１２で接続されていない隣接する２列目の透明電極コモン配線との間にショート箇所１１３を有する場合、冗長スリット１１６で分離されていた１列目の冗長透明電極コモン配線１１１に接続されたメタルコモン配線を切断可能個所１１４で切断する。これにより、冗長スリット１１６で分離され、メタルコモン配線１１２で１列目の透明電極コモン配線に接続されていた1列目の冗長透明電極コモン配線は、１列目の透明電極コモン配線から電気的に分離される。当該分離された１列目の冗長透明電極コモン配線は２列目の透明電極コモン配線とショートしており、２列目のタッチパネルスイッチ用電極として機能する。これにより、図３に示した構成に比し、不良率を１／１０程度にまで低減することができる。
【００１８】
次に、メタルコモン配線の切断可能個所１１４の構成について図２を用いて説明する。図２は、図１に示す表示パネル（タッチパネル）の透明電極コモン配線１１１とメタルコモン配線１１２との接続部１１７近傍の概略構成を示す平面図である。メタルコモン配線はスリット１１８により電気的に分離されている。分離用スリット１１５と冗長スリット１１６とで分離された冗長透明電極コモン配線に接続されるメタルコモン配線（冗長メタルコモン配線）は、それら配線の接続部１１７の根元において幅の広いスリットにより両側を挟まれた構成を有する。冗長透明電極コモン配線に接続される冗長メタルコモン配線の両脇のスリットの幅を広くすることにより、レーザ等を用いて冗長メタルコモン配線を切断することができる。この幅の広いスリットが形成された部分が、冗長透明電極コモン配線に接続された冗長メタルコモン配線の切断可能個所１１４となる。切断可能個所としては、冗長透明電極コモン配線に接続される冗長メタルコモン配線と冗長透明電極コモン配線の接続部の根元である必要はないが、スペース確保の観点から接続部の根元が好適である。なお、接続部１１７近傍のメタルコモン配線切断可能個所におけるスリット幅としては、１０〜１００μｍが好適である。狭すぎるとメタルコモン配線を切断した際、近隣のメタルコモン配線に損傷を与える恐れがある。又、広すぎるとメタルコモン配線が狭まり抵抗が増大するため好ましくない。
【００１９】
次に、液晶表示装置、特に液晶表示パネル部の製造方法について、図６Ａ〜図１０Ｂを用いて説明する。図６Ａ〜図６Ｇは、本実施例に係る液晶表示装置における画素部の製造工程を説明するためのＴＦＴ基板の概略平面図である。まず、ＴＦＴ基板（ガラス基板）１１０の上にＧメタル膜（走査線及びゲート電極）１２０を形成する（図６Ａ）。次いで、全面にシリコン窒化膜（ゲート絶縁膜）１２１を形成後、シリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）を介してＧメタル膜１２０の上部にアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ、ＴＦＴのチャネル部を構成する半導体層）１２２を形成する（図６Ｂ）。
【００２０】
引き続き、アモルファスシリコン膜上にＳＤメタル膜（ソース電極と映像信号線及びドレイン電極等）１２３を形成する（図６Ｃ）。次いで、全面に無機パッシベーション膜（ＰＡＳ、下層無機パッシベーション膜）１２４を形成後、ソース電極上部に開口部を有する有機パッシベーション膜（ＦＰＡＳ）１２５を形成する（図６Ｄ）。なお、開口部には下層無機パッシベーション膜１２４が露出される。引き続き、有機パッシベーション膜の開口部を含む一回り大きな開口部とスリット部とを有する透明電極コモン配線１１１を形成する（図６Ｅ）。このスリット部は３〜１０μｍの幅を有し、透明電極コモン配線をタッチパネルの下部電極に分離するためのスリット、或いは冗長スリットとして用いられる。なお、開口部やスリット部はリソグラフィとエッチングとを用いて形成することができる。又、開口部には下層無機パッシベーション膜１２４と有機パッシベーション膜１２５が、スリット部には有機パッシベーション膜１２５が露出される。
【００２１】
引き続き、全面に上層無機パッシベーション膜（ＵＰＳ）１２７を形成後、下層無機パッシベーション膜１２４と上層無機パッシベーション膜（ＵＰＳ）１２７との積層膜にソース電極１２３が露出するスルーホールを形成する（図６Ｆ）。その後、下層無機パッシベーション膜（ＰＡＳ）１２４と上層無機パッシベーション膜（ＵＰＳ）１２７との積層膜に設けられたスルーホールを介してソース電極１２３に接続されるＩＴＯ膜（画素電極）を形成する（図６Ｇ）。
【００２２】
上記製造方法から、ＦＴ基板の画素部において、透明電極コモン配線にスリット部を形成するためのマスク変更をするだけで、工程数を増加させることなくタッチパネルの下部電極を製造することができる。
【００２３】
図６Ｇに記載のＡ−Ａ’部の断面図を図７に示す。断面構造においても透明電極コモン配線にスリットを入れた影響はなく、ＴＦＴの電気的特性への悪影響は生じない。なお、ＣＦ基板上に形成するタッチパネル用のＩＴＯ膜を用いた上部電極は、ＴＦＴ基板と異なり製造上の制約がなく、任意の位置で分離することが可能である。公知の方法で製造可能であり、製造方法の詳細な説明は省略するが、分離用スリットの幅としては１０μｍ〜１００μｍが好適である。１０μｍ以下ではＩＴＯ膜の除去残りが発生する可能性があり、１００μｍ以上ではタッチパネルのスイッチ部の上部電極領域が減少するため好ましくない。
【００２４】
次に、透明電極コモン配線とメタルコモン配線との接続部付近の製造工程及び断面構造を図８、図８Ａ〜図８Ｇ及び図９を用いて説明する。
【００２５】
図８は、透明電極コモン配線パターン（接続部近辺）の平面図を示す。透明電極コモン配線パターンは、ソース電極と画素電極との接続のための開口部１２９とスリット部（ここでは、分離用スリット１１５を記載）とを有する。以下、このパターン付近における図を用いて透明電極コモン配線とメタルコモン配線との接続部の製造方法を説明する。
【００２６】
まず、ＴＦＴ基板（ガラス基板）１１０の上にＧメタル膜（メタルコモン配線、走査線、ゲート電極等となるメタル膜）１２０を形成する（図８Ａ）。次いで、全面にシリコン窒化膜（無機絶縁膜、ゲート絶縁膜等となる絶縁膜）１２１を形成後、シリコン窒化膜を介してＧメタル膜１２０の上部にアモルファスシリコン膜（ａ−Ｓｉ膜：ＴＦＴのチャネル部、局所配線等となる半導体膜）１２２を形成する（図８Ｂ）。
【００２７】
引き続き、メタルコモン配線となるＧメタル膜上部の無機絶縁膜１２１にスルーホール（ＧＴＨ）を開口してメタルコモン配線となるＧメタル膜を露出させた後、露出したメタルコモン配線となるＧメタル膜およびアモルファスシリコン膜上にソース電極や映像信号線、ドレイン電極等となるＳＤメタル膜１２３を形成する（図８Ｃ）。次いで、全面に下層無機パッシベーション膜（ＰＡＳ）１２４を形成後、メタルコモン配線となるＧメタル膜に対するスルーホール（ＧＴＨ）及びソース電極上部に開口部を有する有機パッシベーション膜（ＦＰＡＳ）１２５を形成する（図８Ｄ）。なお、開口部には下層無機パッシベーション膜が露出される。引き続き、メタルコモン配線となるＧメタル膜の上部および有機パッシベーション膜の開口部を含む一回り大きな開口部とスリット部とを有する透明電極コモン配線１１１を形成する（図８Ｅ）。このスリット部は３〜１０μｍの幅を有し、透明電極コモン配線をタッチパネルの下部電極に分離するためのスリット、或いは冗長スリットとして用いられる。なお、開口部やスリット部はリソグラフィとエッチングとを用いて形成することができる。又、スリット部には有機パッシベーション膜１２５が露出され、開口部には下層無機パッシベーション膜とその周辺に配置された有機パッシベーション膜とが露出される。
【００２８】
引き続き、全面に上層無機パッシベーション膜（ＵＰＳ）１２７を形成後、下層無機パッシベーション膜（ＰＡＳ）１２４と上層無機パッシベーション膜（ＵＰＳ）１２７との積層膜に、メタルコモン配線となるＧメタル膜上にスルーホールを介して形成されたＳＤメタル膜１２３やソース電極、透明電極コモン配線が露出するスルーホールを形成する（図８Ｆ）。その後、下層無機パッシベーション膜（ＰＡＳ）１２４と上層無機パッシベーション膜（ＵＰＳ）１２７との積層膜に設けられたスルーホールを介してソース電極１２３に接続されるＩＴＯ膜（画素電極）を形成すると共に、当該同層のＩＴＯ膜によりメタルコモン配線となるＧメタル膜と透明電極コモン配線とを接続する（図８Ｇ）。
【００２９】
上記製造方法によれば、ＴＦＴ基板の透明電極コモン配線とメタルコモン配線との接続部において、分離された透明電極コモン配線に対応したメタルコモン配線のマスクパターン変更、更にパターンのメタルコモン配線の切断可能個所におけるスリット幅を変えるためのマスクパターンの変更をするだけで、製造工程を変更することなくタッチパネルの下部電極を製造することができる。
【００３０】
図８Ｇに記載のＢ−Ｂ’部の断面図を図９に示す。透明電極コモン配線１１１は、画素部では画素電極となるＩＴＯ膜１２８によりＳＤメタル膜１２３を介してメタルコモン配線（Ｇメタル膜）に接続されている。断面構造においても透明電極コモン配線１１１にスリットを入れた影響はなく、ＴＦＴの電気的特性への悪影響は生じない。
【００３１】
次に、タッチパネルを有する液晶表示装置のＣＦ基板とＴＦＴ基板との組み立て手順について、図１０Ａを用いて説明する。図１０Ａは、本実施例に係る液晶表示装置の製造工程において、配向膜形成工程からＣＦ基板とＴＦＴ基板とを重ね合わせる工程までを説明するためのフロー図である。まず、カラーフィルタ形成工程が終了したＣＦ基板と、画素領域を含むＴＦＴ形成工程が終了したＴＦＴ基板とを準備する。その後、ＣＦ基板上に上配向膜をＴＦＴ基板上に下配向膜を形成し、配向処理、基板のアニールを行う。次に、上配向膜を上側としたＣＦ基板と下配向膜を下側としたＴＦＴ基板と重ね合わせると共に、それらの基板の間に液晶を封入するためのギャップを形成し、硬化してギャップを固定する。
【００３２】
次に、タッチパネルを有する液晶表示装置の検査・不良救済の手順について、図１０Ｂを用いて説明する。図１０Ｂは、本実施例に係る液晶表示装置の製造工程において、ＣＦ基板とＴＦＴ基板とを重ね合わせる工程から外観検査工程までを説明するためのフロー図である。まず、重ね合わせられたＣＦ基板とＴＦＴ基板を各セルに切断し、アニールを行う。次に、ＣＦ基板とＴＦＴ基板との間のギャップに液晶を封入し、封止する。なお、先のＣＦ基板とＴＦＴ基板との重ね合わせ工程で液晶を滴下した場合には、セルアニール〜封止の工程は不要となる。次いで、セルの洗浄、エージングの後、点灯検査を行う。点灯検査で検査合格（ＯＫ）の場合には、引き続き、洗浄、仕上げの後、外観検査を行う。点灯検査で不合格（ＮＧ）の場合には修正工程を実施する。具体的には、透明電極コモン配線の加工不良個所（ショート個所）を有する冗長透明電極コモン配線に接続された冗長メタルコモン配線を切断可能個所においてレーザ等を用いて切断し、再度点灯検査を行う。検査合格の場合には次の工程に進む。検査不合格の場合には再度修正工程を実行する。なお、図示してはいないが、修正工程を行う回数を決めておき、それを超える場合には修正を断念し、廃棄処分とすることができる。
【００３３】
上記の製造方法を用いて冗長スリットを有する図４に示すような液晶表示装置１３０を製造したところ、修正工程を実行することにより、実行しない場合に比べて不良率を１／１０以下に低減することができ、信頼性が向上した。また、タッチパネル部と液晶表示部とが別体の液晶表示装置に比べ、薄型化、低コスト化を図ることができた。
【００３４】
以上、本実施例によれば、静電容量方式のタッチパネルを備えた薄型の液晶表示装置、更に低コストで信頼性の高い薄型の液晶表示装置を提供することができる。
【実施例２】
【００３５】
本発明の第２の実施例について以下説明する。なお、実施例１に記載され本実施例に未記載の事項は特段の事情が無い限り本実施例にも適用することができる。実施例１においては、透明電極コモン配線が電気的に分離された隣接する冗長透明電極コモン配線とショートした場合、当該冗長透明電極コモン配線が接続された冗長メタルコモン配線の切断可能個所において、当該メタルコモン配線を切断することにより、電気的に分離した。本実施例では、冗長透明電極コモン配線に接続される冗長メタルコモン配線をメタルコモン配線（主メタルコモン配線）と分離しておき、スイッチにより主メタルコモン配線と冗長メタルコモン配線とを接続しておく。点灯検査で不良が見出された場合には、ショートしている冗長透明電極コモン配線に接続された冗長メタルコモン配線のスイッチを切り替える。これにより、ショートしていた冗長透明電極コモン配線を電気的に分離できるため良品とすることができる。スイッチとしてはＴＦＴを用いることができる。
【００３６】
図４に示すような液晶表示装置１３０を製造し、点灯検査で不良となった液晶表示装置に対して冗長メタルコモン配線のスイッチを切り替えることにより、スイッチ切り替えを行う前に比べて不良率を１／１０以下に低減することができ、信頼性が向上した。また、タッチパネル部と液晶表示部とが別体の液晶表示装置に比べ、薄型化、低コスト化を図ることができた。
【００３７】
以上、本実施例によれば、静電容量方式のタッチパネルを備えた薄型の液晶表示装置、更に低コストで信頼性の高い薄型の液晶表示装置を提供することができる。
【００３８】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることも可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１０１…表示パネル、１１０…ＴＦＴ基板、１１１…透明電極コモン配線（ＭＩＴ、下層ＩＴＯ膜）、１１２…メタルコモン配線、１１３…透明電極コモン配線ショート個所、１１４…メタルコモン配線切断可能個所、１１５…分離用スリット、１１６…コモン配線ショート対策用スリット（冗長スリット）、１１７…透明電極コモン配線とメタルコモン配線との接続部、１１８…メタルコモン配線のスリット、１１９…駆動回路、１２０…Ｇメタル膜、１２１…ＳｉＮ（無機絶縁膜、ゲート絶縁膜）、１２２…ａ−Ｓｉ（アモルファスシリコン層、チャネル層）、１２３…ＳＤメタル膜、１２４…ＰＡＳ（下層無機パッシベーション膜）、１２５…ＦＰＡＳ（有機パッシベーション膜）、１２７…ＵＰＳ（上層無機パッシベーション膜）、１２８…ＩＴＯ（画素電極）、１２９…開口部、１３０…液晶表示装置、１３１…タッチパネルスイッチ部、１３２…表示部＆タッチパネル部、１５０…ＣＦ（カラーフィルタ）基板、１５１…ＣＦ基板側の透明配線。
【図１】
2014010389.tif 000003
【図２】
2014010389.tif 000004
【図３】
2014010389.tif 000005
【図４】
2014010389.tif 000006
【図５】
2014010389.tif 000007
【図６Ａ】
2014010389.tif 000008
【図６Ｂ】
2014010389.tif 000009
【図６Ｃ】
2014010389.tif 000010
【図６Ｄ】
2014010389.tif 000011
【図６Ｅ】
2014010389.tif 000012
【図６Ｆ】
2014010389.tif 000013
【図６Ｇ】
2014010389.tif 000014
【図７】
2014010389.tif 000015
【図８】
2014010389.tif 000016
【図８Ａ】
2014010389.tif 000017
【図８Ｂ】
2014010389.tif 000018
【図８Ｃ】
2014010389.tif 000019
【図８Ｄ】
2014010389.tif 000020
【図８Ｅ】
2014010389.tif 000021
【図８Ｆ】
2014010389.tif 000022
【図８Ｇ】
2014010389.tif 000023
【図９】
2014010389.tif 000024
【図１０Ａ】
2014010389.tif 000025
【図１０Ｂ】
2014010389.tif 000026