(57)【要約】【課題】放熱性が向上すると共に、配線の取り回しを容易にすることが可能な光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュールを提供する。【解決手段】金属からなる第１の導体層３１と、第１の導体層３１に対して平行に配置された金属からなる第２の導体層３２と、第１の導体層３１と第２の導体層３２との間を絶縁する絶縁体層３４とを備え、光電変換素子１１を含む電子部品が実装された光配線基板３であって、第２の導体層３２及び絶縁体層３４には、内面６０ａにＣｕメッキ層が施されたビア６が第２の導体層３２及び絶縁体層３４を厚み方向に貫通して形成され、ビア６は、第１の導体層３１によって閉塞された底面６０ｂの少なくとも一部が、平面視において第１の導体層３１に実装される電子部品のパッドの配置位置に重なるように配置されている。【選択図】図５
2014220330.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属からなる第１の導体層と、前記第１の導体層に対して平行に配置された金属からなる第２の導体層と、前記第１の導体層と前記第２の導体層との間を絶縁する絶縁体層とを備え、光電変換素子を含む電子部品が実装された光配線基板であって、
前記第２の導体層及び前記絶縁体層には、内面に金属がメッキされたビアが前記第２の導体層及び前記絶縁体層を厚み方向に貫通して形成され、
前記ビアは、前記第１の導体層によって閉塞された底面の少なくとも一部が、平面視において前記第１の導体層に実装される前記電子部品のパッドの配置位置に重なるように配置されている
光配線基板。
【請求項２】
前記光電変換素子のパッドの配置位置に前記ビアの底面の少なくとも一部が平面視において重なっている、
請求項１に記載の光配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の光配線基板と、
前記電子部品とを備えた
光モジュール。
【請求項４】
請求項１又は２に記載の光配線基板の製造方法であって、
前記絶縁体層の第１の主面に前記第１の導体層を形成すると共に、前記絶縁体層の第２の主面に前記第２の導体層を形成する第１工程と、
前記第１の導体層の一部を除去して配線パターンを形成する第２工程と、
前記第２の導体層及び前記絶縁体層を厚み方向の全体に亘って前記第１の導体層に至るまで穿孔する第３工程と、
前記第３工程で形成された孔の内面、及び前記第２の導体層の表面にメッキ層を形成する第４工程とを有する
光配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンが形成された光配線基板及びその製造方法、ならびに光配線基板を有する光モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気配線がパターニングされ、光電変換素子が実装された光モジュールが知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
特許文献１に記載の光モジュールは、絶縁樹脂層、及びその表面に形成された金属層からなる基板と、この基板にフリップチップ実装された光電変換素子と、ワイヤ・ボンディングにより基板に接続された半導体回路素子と、光ファイバに光学接続された光導波路と、光ファイバ及び光導波路の内部を伝搬する光を反射する反射面が形成された光信号路変換部品とを備える。光電変換素子は、受発光面が光信号路変換部品の反射面に対向している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１５１０７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、近年の情報処理装置や通信装置等の電子機器における部品の高密度化に伴い、光モジュールにも小型化が要請されている。しかしながら、光モジュールが小型化すると光配線基板における放熱面積が小さくなり、光配線基板に実装された電子部品から出る熱が放熱されにくくなってしまう。光モジュール内の温度上昇により、電子部品が損傷してしまう可能性があった。
【０００６】
そこで、本発明は、放熱性が向上すると共に、配線の取り回しを容易にすることが可能な光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、金属からなる第１の導体層と、前記第１の導体層に対して平行に配置された金属からなる第２の導体層と、前記第１の導体層と前記第２の導体層との間を絶縁する絶縁体層とを備え、光電変換素子を含む電子部品が実装された光配線基板であって、前記第２の導体層及び前記絶縁体層には、内面に金属がメッキされたビアが前記第２の導体層及び前記絶縁体層を厚み方向に貫通して形成され、前記ビアは、前記第１の導体層によって閉塞された底面の少なくとも一部が、平面視において前記第１の導体層に実装される前記電子部品のパッドの配置位置に重なるように配置されている光配線基板を提供する。
【０００８】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、前記光配線基板と、前記電子部品とを備えた光モジュールを提供する。
【０００９】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、請求項１又は２に記載の光配線基板の製造方法であって、前記絶縁体層の第１の主面に前記第１の導体層を形成すると共に、前記絶縁体層の第２の主面に前記第２の導体層を形成する第１工程と、前記第１の導体層の一部を除去して配線パターンを形成する第２工程と、前記第２の導体層及び前記絶縁体層を厚み方向の全体に亘って前記第１の導体層に至るまで穿孔する第３工程と、前記第３工程で形成された孔の内面、及び前記第２の導体層の表面にメッキ層を形成する第４工程とを有する光配線基板の製造方法を提供する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明に係る光配線基板、光配線基板の製造方法、及び光モジュールによれば、放熱性が向上すると共に、配線の取り回しを容易にすることが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る光配線基板、及びその光配線基板を備えた光モジュールの一構成例を示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】（ａ）は図１のＢ−Ｂ線断面図、（ｂ）は（ａ）のＥ部拡大図である。
【図４】図１のＤ−Ｄ線断面図である。
【図５】図１のＣ部拡大図である。
【図６】（ａ）〜（ｅ）は、光配線基板の収容部及びその周辺部における形成過程を示す断面説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
［実施の形態］
図１は、本発明の実施の形態に係る光配線基板、及びその光配線基板を備えた光モジュールの一構成例を示す平面図である。
【００１３】
（光モジュール１の構成）
この光モジュール１は、光配線基板３と、光配線基板３の実装面３ａにフリップチップ実装された光電変換素子１１と、光電変換素子１１に電気的に接続された半導体回路素子１２とを備えている。
【００１４】
光電変換素子１１は、本体部１１０に、第１のパッド１１１、第２のパッド１１２、及び第３のパッドが設けられている。ここで、パッドとは、基板の表面に実装される部品を実装するためのハンダ付け用の銅箔のことである。第１のパッド１１１は、光配線基板３の実装面３ａに形成された第１配線パターン３０１に電気的に接続されている。第２のパッド１１２は、光配線基板３の実装面３ａに形成された第２配線パターン３０２に電気的に接続されている。第３のパッド１１３は、光配線基板３の実装面３ａに形成された第３配線パターン３０３に電気的に接続されている。第３配線パターン３０３には、光ファイバ５を伝搬する光を反射する反射面３０３ａが形成されている。光電変換素子１１は、この反射面３０３ａの上方に実装されている。
【００１５】
本実施の形態では、光電変換素子１１は、光ファイバ５の長手方向に対して平行な方向の寸法が、例えば３５０μｍであり、光ファイバ５の長手方向に対して垂直な方向の寸法が、例えば２５０μｍである。
【００１６】
光電変換素子１１は、電気信号を光信号に変換し、又は光信号を電気信号に変換する素子である。前者の例としては、半導体レーザ素子やＬＥＤ（Light Emitting Diode；発光ダイオード）等の発光素子が挙げられる。また、後者の例としては、フォトダイオード等の受光素子が挙げられる。光電変換素子１１は、光配線基板３の実装面３ａ側に設けられた受発光部１１４から、光配線基板３に対して垂直な方向に光を出射又は入射するように構成されている。
【００１７】
半導体回路素子１２は、光配線基板３の実装面３ａにフリップチップ実装され、本体部１２０に、複数（本実施の形態では１０個）のパッド１２１が設けられている。複数のパッド１２１は、それぞれ光配線基板３の実装面３ａに形成された半導体回路素子用配線パターン３０４に電気的に接続されている。複数のパッド１２１のうち信号伝送用の１つのパッド１２１ａは、光電変換素子１１の第３のパッド１１３が接続された第３配線パターン３０３に接続され、これにより半導体回路素子１２と光電変換素子１１とが電気的に接続されている。
【００１８】
光電変換素子１１が電気信号を光信号に変換する素子である場合、半導体回路素子１２は、光電変換素子１１を駆動するドライバＩＣである。光電変換素子１１が光信号を電気信号に変換する素子である場合、半導体回路素子１２は、光電変換素子１１から入力される信号を増幅する受信ＩＣである。
【００１９】
なお、光配線基板３には、光電変換素子１１及び半導体回路素子１２の他に、コネクタやＩＣ（Integrated Circuit）、あるいは能動素子（トランジスタ等）や受動素子（抵抗器、コンデンサ等）などの電子部品が実装されている。また、電子部品と光配線基板３との間には、熱伝導性を有する樹脂が充填されていてもよい。この場合、電子部品から発生する熱が樹脂を介して光配線基板３に伝導されやすくなる。
【００２０】
光ファイバ５は、その先端面が、第３配線パターン３０３に形成された反射面３０３ａに対向するように配置され、光配線基板３の実装面３ａの上方から押え部材４によって押えられている。
【００２１】
（光配線基板３の構成）
図２は、図１のＡ−Ａ線断面図である。図３（ａ）は、図１のＢ−Ｂ線断面図、（ｂ）は（ａ）のＥ部拡大図である。
【００２２】
光ファイバ５は、コア５１及びクラッド５２を有している。本実施の形態では、光ファイバ５は、コア５１の直径が例えば５０μｍであり、クラッド５２の径方向の厚みが例えば３７．５μｍである。すなわち、光ファイバ５の直径（コア５１及びクラッド５２を合わせた直径）は１２５μｍである。
【００２３】
光配線基板３は、金属からなる第１の導体層３１と、第１の導体層３１に対して平行に配置された金属からなる第２の導体層３２と、第１の導体層３１と第２の導体層３２との間を絶縁する絶縁体層３４とを備えている。
【００２４】
第１の導体層３１は、例えば銅等の良電導性の金属からなる下地導体層３１１の表（おもて）面３１１ａに、ニッケル（Ｎｉ）からなるＮｉメッキ層３１２及び金（Ａｕ）からなる金メッキ層３１３が積層されて構成されている。本実施の形態では、第１の導体層３１の厚みは、例えば４０〜８０μｍである。
【００２５】
図３（ｂ）に示すように、Ｎｉメッキ層３１２及び金メッキ層３１３は、下地導体層３１１に形成された傾斜面３１１ｃの表面にも積層されている。反射面３０３ａは、傾斜面３１１ｃにおける金メッキ層３１３の最表面に形成されている。
【００２６】
第１の導体層３１には、前述の第１配線パターン３０１、第２配線パターン３０２、第３配線パターン３０３、及び半導体回路素子用配線パターン３０４が形成されている。第３配線パターン３０３の一部に形成された反射面３０３ａ（傾斜面３１１ｃ）は、光ファイバ５のコア５１に対向する位置に形成されている。
【００２７】
図３（ａ）に示すように、反射面３０３ａは、光ファイバ５（コア５１）から光が出射されたとき、その出射光を光電変換素子１１側に反射する。光電変換素子１１が受光素子である場合、反射面３０３ａで反射した光は、光電変換素子１１の本体部１１０に設けられた受発光部１１４から光電変換素子１１内に入射し、光電変換素子１１は、この入射光による光信号を電気信号に変換する。
【００２８】
また、光電変換素子１１が発光素子である場合、光電変換素子１１は、半導体回路素子１２から出力される電気信号を光信号に変換し、この光信号を表す光を受発光部１１４から出射する。この出射光は、反射面３０３ａで光ファイバ５先端面５ａ側に反射されてコア５１内に入射し、光ファイバ５内を伝搬する。図３（ａ）では、光ファイバ５を伝搬媒体とする光の光路Ｌを一点鎖線で示している。
【００２９】
絶縁体層３４は、例えばポリイミド等の樹脂からなる。絶縁体層３４は、その厚み方向における寸法が光ファイバ５のクラッド５２の径方向における厚さ寸法の０．８倍以上１．２倍以下である。本実施の形態では、絶縁体層３４の厚み方向における寸法は、例えば３８μｍである。
【００３０】
光配線基板３には、光ファイバ５の長手方向に沿って延びて光ファイバ５の少なくとも一部を収容する収容部３００が、第１の導体層３１及び絶縁体層３４の厚み方向の全体に亘って形成されている。この収容部３００の一端（終端）における絶縁体層３４には、光ファイバ５のクラッド５２に対向する端面３４ｃが形成されている。
【００３１】
第２の導体層３２は、例えば銅等の良電導性の金属からなり、収容部３００に収容された光ファイバ５を支持する支持面３００ａを有している。より具体的には、収容部３００は、第１の導体層３１及び絶縁体層３３の厚み方向の全体に亘って貫通し、第２の導体層３２の裏面３２ｂが露出している。したがって、第２の導体層３２の裏面３２ｂは、その一部が、収容部３００の支持面３００ａとして形成される。また、第２の導体層３２は、表面３２ａに銅（Ｃｕ）からなるＣｕメッキ層３３が積層されている。なお、第２の導体層３２には、第１の導体層３１と同様にして、配線パターンを形成してもよい。
【００３２】
図２に示すように、収容部３００は、第１の導体層３１の上方から押え部材４によって覆われ、光ファイバ５は、収容部３００内に充填される接着剤等により固定される。本実施の形態では、光ファイバ５のクラッド５２の外周面が、収容部３００の内面に接触している。
【００３３】
図４は、図１のＤ−Ｄ線断面図である。図５は、図１のＣ部拡大図である。図５では、光電変換素子１１及び半導体回路素子１２を二点鎖線で示し、複数の第１のビア６１を破線で示している。
【００３４】
第２の導体層３２及び絶縁体層３４には、複数のビア６が第２の導体層３２及び絶縁体層３４を厚み方向に貫通して形成されている。より具体的には、図４に示すように、ビア６は、第２の導体層３２及び絶縁体層３４を厚み方向に貫通し、第１の導体層３１の裏面３１ｂによって閉塞された底面６０ｂが形成された下孔６０を有し、その内面６０ａに金属がメッキされて構成されている。したがって、第１の導体層３１の裏面３１ｂの一部が、下孔６０の底面６０ｂとして形成されている。本実施の形態では、第２の導体層３２の表面３２ａに積層されたＣｕメッキ層３３により、下孔６０の内面６０ａ及び底面６０ｂにメッキが施されている。
【００３５】
複数のビア６は、底面６０ｂの少なくとも一部が、光配線基板３の実装面３ａ（図１参照）側から見た平面において第１の導体層３１の表面３１ａに実装される光電変換素子１１のパッド（第１のパッド１１１、第２のパッド１１２、及び第３のパッド１１３）、及び半導体回路素子１２のパッド１２１の配置位置に重なるように配置されている。図５を参照して、より具体的に説明する。図５において、光電変換素子１１の第１のパッド１１１に対するビアを第１のビア６１、半導体回路素子１２のパッド１２１に対するビアを第２のビア６２、光電変換素子１１の第３のパッド１１３に対するビアを第３のビア６３として説明する。
【００３６】
第１のビア６１は、底面６１０ｂの一部が、光配線基板３の実装面３ａ側から見た平面において第１配線パターン３０１に接続された光電変換素子１１の第１のパッド１１１の配置位置に重なるように配置されている。より具体的には、第１の導体層３１の表面３１ａ側から光配線基板３を透視したとき、光電変換素子１１の第１のパッド１１１の一部に第１のビア６１の底面６１０ｂが重なっている。
【００３７】
第３のビア６３は、底面６３０ｂが、光配線基板３の実装面３ａ側から見た平面において第３配線パターン３０３に接続された光電変換素子１１の第３のパッド１１３の配置位置に重なるように配置されている。より具体的には、第１の導体層３１の表面３１ａ側から光配線基板３を透視したとき、光電変換素子１１の第３のパッド１１３の全体に第３のビア６３の底面６３０ｂが重なっている。なお、第３のビア６３は、第１のビア６１のように、第３のパッド１１３の一部に底面６３０ｂが重なっていてもよい。
【００３８】
複数（図５では３つ）の第２のビア６２は、底面６２０ｂが、光配線基板３の実装面３ａ側から見た平面において半導体回路素子用配線パターン３０４に接続された半導体回路素子１２の複数（図５では３つ）のパッド１２１の配置位置に重なるようにそれぞれ配置されている。より具体的には、第１の導体層３１の表面３１ａ側から光配線基板３を透視したとき、半導体回路素子１２のパッド１２１の全体に第２のビア６２の底面６２０ｂが重なっている。なお、第２のビア６２についても、第１のビア６１のように、パッド１２１の一部に底面６２０ｂが重なっていてもよい。
【００３９】
図４に示すように、複数のビア６のうち何れかのビア６は、底面６０ｂの少なくとも一部が、光配線基板３の実装面３ａ側から見た平面において半導体回路素子１２の本体部１２０の配置位置に重なるように配置されていてもよい。これにより、半導体回路素子１２から発生する熱をより効率的に第２の導体層３２に伝導させることができる。なお、複数のビア６のうち何れかのビア６は、底面６０ｂの少なくとも一部が、半導体回路素子１２の本体部１２０の配置位置に重なるように配置されることに限らず、光電変換素子１１の本体部１１０、及びその他の電子部品の本体部の配置位置に重なるように配置されていてもよい。
【００４０】
（光配線基板３の製造方法）
次に、図６を参照して光配線基板３の製造方法を説明する。
【００４１】
図６（ａ）〜（ｅ）は、光配線基板３の収容部３００及びその周辺部における形成過程を示す断面説明図である。
【００４２】
光配線基板３の製造工程は、絶縁体層３４の第１の主面３４ａに下地導体層３１１を形成すると共に、絶縁体層３４の第２の主面３４ｂに第２の導体層３２を形成する第１工程と、下地導体層３１１の一部を除去して配線パターン（第１配線パターン３０１、第２配線パターン３０２、第３配線パターン３０３、及び半導体回路素子用配線パターン３０４）を形成すると共に、収容部３００となる凹部３１１ｅを形成する第２工程と、下地導体層３１１に傾斜面３１１ｃを形成する第３工程と、第２の導体層３２及び絶縁体層３４を厚み方向の全体に亘って下地導体層３１１（第１の導体層３１）に至るまで穿孔して下孔６０を形成すると共に、凹部３１１ｅの底面にあたる絶縁体層３４を厚さ方向の全体に亘って第２の導体層３２に至るまで除去することにより収容部３００及び端面３４ｃを形成する第４工程と、第２の導体層３２の表面３２ａ及び下孔６０の内面６０ａにＣｕメッキ層３３を形成する第５工程と、下地導体層３１１の表面３１１ａ、第２の導体層３２の裏面３２ｂ、及び傾斜面３１１ｃにＮｉメッキ層３１２及び金メッキ層３１３を積層する第６工程とを有している。以下、第１〜第６工程について、より詳細に説明する。
【００４３】
第１工程では、図６（ａ）に示すように、絶縁体層３４の第１の主面３４ａの全体に下地導体層３１１を、絶縁体層３４の第２の主面３４ｂの全体に第２の導体層３２を、例えば接着、蒸着、又は無電解メッキによってそれぞれ形成する。本実施の形態では、下地導体層３１１及び第２の導体層３２が、主として良電導性を有する銅（Ｃｕ）からなる。
【００４４】
第２工程では、図６（ｂ）に示すように、エッチングによって下地導体層３１１の一部を除去し、第１配線パターン３０１、第２配線パターン３０２、第３配線パターン３０３、及び半導体回路素子用配線パターン３０４をそれぞれ形成すると共に、収容部３００となる凹部３１１ｅを形成する。より具体的には、下地導体層３１１の除去部分３１１ｄに対応する部分及び凹部３１１ｅに対応する部分以外にレジストを塗布し、レジストが塗布されていない部分の下地導体層３１１をエッチングによって溶解させる。これにより、除去部分３１１ｄ及び凹部３１１ｅに対応する下地導体層３１１が溶解し、第１配線パターン３０１、第２配線パターン３０２、第３配線パターン３０３、及び半導体回路素子用配線パターン３０４に対応する下地導体層３１１のみが残る。
【００４５】
なお、本工程において、下地導体層３１１と同様に、エッチングによって第２の導体層３２の一部を除去して、第２の導体層３２に配線パターンを形成してもよい。
【００４６】
第３工程では、図６（ｃ）に示すように、下地導体層３１１の表面３１１ａから裏面３１１ｂに向かって下地導体層３１１を絶縁体層３４に対して斜めに切削することにより、傾斜面３１１ｃを形成する。
【００４７】
第４工程では、図６（ｄ）に示すように、第２の導体層３２の表面３２ａに対して垂直な方向からレーザ光を照射する。このレーザ光として、より具体的には、例えばエキシマレーザやＵＶレーザ（紫外線レーザ）を用いることができる。このレーザ光の照射によって、第２の導体層３２及び絶縁体層３４が厚み方向に穿孔されて、下孔６０が形成される。本実施の形態では、レーザ光の照射時間を調節することにより、第２の導体層３２及び絶縁体層３４のみを照削（光を照射して削ること）し得る。したがって、下地導体層３１１の裏面３１１ｂは、このレーザ光の照射によって露出した部分が、下孔６０の一端を閉塞する底面６０ｂとして形成される。
【００４８】
また、第４工程では、凹部３１１ｅの底面にあたる絶縁体層３４の第１の主面３４ａに対して垂直な方向からレーザ光を照射する。これにより、光ファイバ５を収容する収容部３００が形成されると共に、収容部３００の終端における端面３４ｃが、絶縁体層３４に形成される。このレーザ光の強度は、絶縁体層３４を照削し得る強度であるが、下地導体層３１１及び第２の導体層３２は照削しない強度である。したがって、第２の導体層３２の裏面３２ｂは、このレーザ光の照射によって露出した部分が、収容部３００の支持面３００ａとして形成される。本実施の形態では、端面３４ｃは、収容部３００の支持面３００ａ（第２の導体層３２の裏面３２ｂ）に対して垂直となるように形成されており、収容部３００に光ファイバ５を挿入する際の位置決めのための突き当て面となっている。
【００４９】
第５工程では、図６（ｅ）に示すように、第２の導体層３２の表面３２ａの全体及び下孔６０の内面６０ａにＣｕメッキ層３３を、例えば接着、蒸着、又は無電解メッキによって形成する。
【００５０】
第６工程では、下地導体層３１１の表面３１１ａ、傾斜面３１１ｃ、及び第２の導体層３２の表面３２ａに、ニッケル（Ｎｉ）や金（Ａｕ）のメッキを施して、Ｎｉメッキ層３１２及び金メッキ層３１３を形成する。このニッケル（Ｎｉ）メッキ及び金（Ａｕ）メッキは、例えば無電解メッキによって行うことができる。金メッキ層３１３の最表面には、反射面３０３ａが形成される。
【００５１】
（実施の形態の作用及び効果）
以上説明した実施の形態によれば、次のような作用及び効果が得られる。
【００５２】
光配線基板３に形成されたビア６は、底面６０ｂの少なくとも一部が、光配線基板３の実装面３ａ側から見た平面において第１の導体層３１に実装される光電変換素子１１のパッド（第１のパッド１１１、第２のパッド１１２、及び第３のパッド１１３）、及び半導体回路素子１２のパッド１２１の配置位置に重なるように配置されているため、ビア６を介して光電変換素子１１及び半導体回路素子１２から発生する熱を第２の導体層３２に伝導させて放熱することができる。また、ビア６を介することによって第１の導体層３１から第２の導体層３２への配線の取り回しが容易になる。
【００５３】
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
【００５４】
［１］金属からなる第１の導体層（３１）と、前記第１の導体層（３１）に対して平行に配置された金属からなる第２の導体層（３２）と、前記第１の導体層（３１）と前記第２の導体層（３２）との間を絶縁する絶縁体層（３４）とを備え、光電変換素子（１１）を含む電子部品が実装された光配線基板（３）であって、前記第２の導体層（３２）及び前記絶縁体層（３４）には、内面（６０ａ）に金属（Ｃｕメッキ層３３）がメッキされたビア（６）が前記第２の導体層（３２）及び前記絶縁体層（３４）を厚み方向に貫通して形成され、前記ビア（６）は、前記第１の導体層（３１）によって閉塞された底面（６０ｂ）の少なくとも一部が、平面視において前記第１の導体層（３１）に実装される前記電子部品のパッドの配置位置に重なるように配置されている光配線基板（３）。
【００５５】
［２］前記光電変換素子（１１）のパッド（第１のパッド１１１、第２のパッド１１２、及び第３のパッド１１３）の配置位置に前記ビア（６）の底面（６０ｂ）の少なくとも一部が平面視において重なっている、［１］に記載の光配線基板（３）。
【００５６】
［３］［１］又は［２］に記載の光配線基板（３）と、前記電子部品とを備えた光モジュール（１）。
【００５７】
［４］［１］又は［２］に記載の光配線基板（３）の製造方法であって、前記絶縁体層（３４）の第１の主面（３４ａ）に前記第１の導体層（３１）を形成すると共に、前記絶縁体層（３４）の第２の主面（３４ｂ）に前記第２の導体層（３２）を形成する第１工程と、前記第１の導体層（３１）の一部を除去して配線パターン（第１配線パターン３０１、第２配線パターン３０２、第３配線パターン３０３、及び半導体回路素子用配線パターン３０４）を形成する第２工程と、前記第２の導体層（３２）及び前記絶縁体層（３４）を厚み方向の全体に亘って前記第１の導体層（３１）に至るまで穿孔する第３工程と、前記第３工程で形成された孔（下孔６０）の内面（６０ａ）、及び前記第２の導体層（３２）の表面（３２ａ）にメッキ層（Ｃｕメッキ層３３）を形成する第４工程とを有する光配線基板（３）の製造方法。
【００５８】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【００５９】
本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、光配線基板３に一つの収容部３００及び光モジュール１を形成した場合について説明したが、これに限らず、光配線基板３に複数の収容部３００及び光モジュール構造を形成してもよい。
【００６０】
また、上記実施の形態では、第１の導体層３１の下地導体層３１１及び第２の導体層３２が銅（Ｃｕ）である場合について説明したが、これに限らず、第１の導体層３１の下地導体層３１１及び第２の導体層３２の一部又は全部が例えばアルミニウム（Ａｌ）であってもよい。また、メッキ層における材質も、上記したものに限らない。絶縁体層３４の材質も、ポリイミドに限らず、例えばＰＥＴ（Polyethylene terephthalate、ポリエチレンテレフタラート）であってもよい。
【００６１】
また、上記実施の形態では、レーザ光を用いて下孔６０や収容部３００を形成したが、これに限らず、レーザ光の透過率が調節されたシャドーマスクやダイシング等の機械加工によって形成してもよい。機械加工の場合、レーザ光による加工よりも低コストで下孔６０や収容部３００を形成することが可能である。
【００６２】
また、上記実施の形態では、第２のビア６２は、半導体回路素子１２の下方にのみ形成されていたが、これに限らず、光電変換素子１１やその他の図略の電子部品の下方に形成されていてもよい。
【００６３】
また、第２のビア６２は、第１の導体層３１、絶縁体層３４、及び第２の導体層３２を厚み方向の全体に亘って貫通する貫通孔であってもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１…光モジュール、３…光配線基板、３ａ…実装面、４…押え部材、５…光ファイバ、５ａ…先端面、６…ビア、１１…光電変換素子、１２…半導体回路素子、３１…第１の導体層、３１ａ…表（おもて）面、３１ｂ…裏面、３２…第２の導体層、３２ａ…表（おもて）面、３２ｂ…裏面、３３…Ｃｕメッキ層、３４…絶縁体層、３４ａ…第１の主面、３４ｂ…第２の主面、３４ｃ…端面、４１…凹部、４１ａ…内面、５１…コア、５２…クラッド、６０…下孔、６０ａ…内面、６０ｂ…底面、６１…第１のビア、６２…第２のビア、６３…第３のビア、１１０…本体部、１１１…第１のパッド、１１２…第２のパッド、１１３…第３のパッド、１１４…受発光部、１２０…本体部、１２１，１２１ａ…パッド、３００…収容部、３００ａ…支持面、３０１…第１配線パターン、３０２…第２配線パターン、３０３…第３配線パターン、３０３ａ…反射面、３０４…半導体回路素子用配線パターン、３１１…下地導体層、３１１ａ…表（おもて）面、３１１ｂ…裏面、３１１ｃ…傾斜面、３１１ｄ…除去部分、３１１ｅ…凹部、３１２…Ｎｉメッキ層、３１３…金メッキ層、６１０ｂ，６２０ｂ，６３０ｂ…底面、Ｌ…光路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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