(57)【要約】【課題】発光点の出射光を光検出器にて高精度に検出可能とすること。【解決手段】光書き込み装置１７は、複数の発光点Ａ１〜Ａ４と、複数の発光点Ａ１〜Ａ４に駆動電流を供給する複数の駆動回路６Ａ１〜６Ａ４と、各発光点Ａ１〜Ａ４からの入射光量を表す信号を出力する光検出器８Ａと、発光点Ａ１〜Ａ４毎に、光検出器８Ａからの出力信号が供給されると、対応する発光点Ａ１〜Ａ４向けに設定されたゲインで増幅した光検出信号を出力するゲイン切替回路９Ａと、ゲイン切替回路９Ａからの光検出信号が所定の基準値になるように、駆動回路６Ａ１〜６Ａ４を制御する制御手段３７と、を備え、各前記発光点Ａ１〜Ａ４向けのゲインは、対応する発光点Ａ１〜Ａ４と光検出器８Ａとの距離に基づき予め設定されている。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の発光点と、
前記複数の発光点に駆動電流を供給する複数の駆動回路と、
各前記発光点からの入射光量を表す信号を出力する光検出器と、
前記発光点毎に、前記光検出器からの出力信号が供給されると、対応する発光点向けに設定されたゲインで増幅した光検出信号を出力するゲイン切替回路と、
前記ゲイン切替回路からの光検出信号が所定の基準値になるように、前記駆動回路を制御する制御手段と、を備え、
各前記発光点向けのゲインは、対応する発光点と光検出器との距離に基づき予め設定されている、光書き込み装置。
【請求項２】
複数の発光点と、
各前記発光点の出射光を透過して対象物へと集光するレンズと、
前記複数の発光点に駆動電流を供給する複数の駆動回路と、
各前記発光点からの入射光量を表す信号を出力する光検出器と、
前記発光点毎に、前記光検出器からの出力信号が供給されると、対応する発光点向けに設定されたゲインで増幅した光検出信号を出力するゲイン切替回路と、
前記ゲイン切替回路からの光検出信号が所定の基準値になるように、前記駆動回路を制御する制御手段と、を備え、
各前記発光点向けのゲインは、対応する発光点の出射光がレンズを透過する透過率に基づき予め設定されている、光書き込み装置。
【請求項３】
複数の発光点と、
各前記発光点の出射光を透過して対象物へと集光するレンズと、
前記複数の発光点に駆動電流を供給する複数の駆動回路と、
各前記発光点からの入射光量を表す信号を出力する光検出器と、
前記発光点毎に、前記光検出器からの出力信号が供給されると、対応する発光点向けに設定されたゲインで増幅した光検出信号を出力するゲイン切替回路と、
前記ゲイン切替回路からの光検出信号が所定の基準値になるように、前記駆動回路を制御する制御手段と、を備え、
各前記発光点向けのゲインは、対応する発光点と光検出器との距離と、対応する発光点の出射光がレンズを透過する透過率とに基づき予め設定されている、光書き込み装置。
【請求項４】
前記ゲイン切替回路は、異なる容量値を有する複数のコンデンサを有し、
前記複数のコンデンサのいずれかを選択することにより、対応する発光点向けのゲインが前記ゲイン切替回路に予め設定されている、請求項１〜３のいずれかに記載の光書き込み装置。
【請求項５】
前記ゲイン切替回路は、少なくとも一つのコンデンサを有し、
前記制御手段は、前記発光点毎の光検出信号に基づき、前記コンデンサの充電時間を変更することにより、対応する発光点向けのゲインを前記ゲイン切替回路に設定する、請求項１〜３のいずれかに記載の光書き込み装置。
【請求項６】
前記ゲイン切替回路は、異なる値を有する複数の抵抗を有し、
前記制御手段は、前記発光点毎の光検出信号に基づき、前記複数の抵抗のいずれかを選択することにより、対応する発光点向けのゲインを前記ゲイン切替回路に設定する、請求項１〜３のいずれかに記載の光書き込み装置。
【請求項７】
複数の発光点と、
前記複数の発光点に駆動電流を供給する複数の駆動回路と、
各前記発光点からの入射光量を表す信号を出力する光検出器と、
前記発光点毎に、前記光検出器からの出力信号が供給されると、対応する発光点向けに設定されたゲインで増幅した光検出信号を出力するゲイン切替回路と、
前記ゲイン切替回路からの光検出信号が所定の基準値になるように、前記駆動回路を制御する制御手段と、を備え、
前記制御手段は、
所定の初期条件下で各前記発光点を発光させて、前記ゲイン切替回路の光検出信号を受信し、受信した光検出信号に基づき、対応する発光点向けのゲインを前記ゲイン切替回路に設定する、光書き込み装置。
【請求項８】
前記ゲイン切替回路は、異なる容量値を有する複数のコンデンサを有し、
前記制御手段は、前記発光点毎の光検出信号に基づき、前記複数のコンデンサのいずれかを選択することにより、対応する発光点向けのゲインを前記ゲイン切替回路に設定する、請求項７に記載の光書き込み装置。
【請求項９】
前記ゲイン切替回路は、少なくとも一つのコンデンサを有し、
前記制御手段は、前記発光点毎の光検出信号に基づき、前記コンデンサの充電時間を変更することにより、対応する発光点向けのゲインを前記ゲイン切替回路に設定する、請求項７に記載の光書き込み装置。
【請求項１０】
前記ゲイン切替回路は、異なる値を有する複数の抵抗を有し、
前記制御手段は、前記発光点毎の光検出信号に基づき、前記複数の抵抗のいずれかを選択することにより、対応する発光点向けのゲインを前記ゲイン切替回路に設定する、請求項７に記載の光書き込み装置。
【請求項１１】
前記複数の発光点は複数のグループに分けられ、
前記光検出器は前記光書き込み装置に複数備わっており、複数の光検出器は、前記複数のグループのいずれかに属する発光点からの入射光量を表す信号を出力する、請求項１〜１０のいずれかに記載の光書き込み装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の光書き込み装置を備え、
前記光書き込み装置が感光体に対し露光を行う、画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の発光点からの発光光量を検出する光検出器を備えた光書き込み装置、およびこれを備えた画像形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
画像形成装置に関しては、近年、小型化の要求が一層強まってきている。この要求に応えるため、光書き込み装置（以下、ＰＨ(Print Head)という）に関しては、従来の光走査型から、ライン光学型に切り替わりつつある。ここで、光走査型は、発光源（例えば、レーザダイオード）からの光ビームをポリゴンミラー等の走査光学系を介して感光体ドラムの周面に走査する種類の光書き込み装置である。それに対し、ライン光学型は、多数の微小な発光点をライン状に配列した発光点アレイからの光を、走査光学系を介さずに感光体ドラムの周面に直接走査する種類の光書き込み装置である。
【０００３】
上記ライン光学型の光書き込み装置としては、従来より、複数のＬＥＤ(Light-Emitting Diode)をライン状に配列した発光点アレイを備えるもの（以下、ＬＰＨという）が開発されている。このＬＰＨに関しては、発光点アレイと、その発光制御用の駆動回路が別基板上に実装されることが多い。それゆえ、ＬＰＨに関しては、製造コスト等が高くなる傾向にある。
【０００４】
かかる背景から、近年、低コスト化が可能なライン光学型の光書き込み装置として、複数の有機ＬＥＤ（以下、ＯＬＥＤ(Organic Light-Emitting Diode)という）をライン状に配列した発光点アレイを備えるもの（以下、ＯＬＥＤ−ＰＨという）が提案されている。このＯＬＥＤ−ＰＨによれば、ＯＬＥＤと薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）とを同一基板上に形成可能となるため、低コストな光書き込み装置を実現可能となる。
【０００５】
しかしながら、ＯＬＥＤは、下記（１）〜（３）の光量劣化特性を有する。
（１）積算発光時間と増加に伴い、光量が低下する（光量劣化）。
（２）光量劣化の進行速度は、輝度によって異なる。
（３）光量劣化の度合いは、温度によって変動する。
【０００６】
上記光量劣化特性により、ＯＬＥＤ−ＰＨでは、書き込むべき画像に応じてＯＬＥＤ毎に積算発光時間が異なってしまう。そのため、光量劣化の度合いは画素毎に異なってしまう。これに対応するため、ＯＬＥＤ−ＰＨは、特許文献１に記載のような、画素毎の光量調整を実行することが必要となる。この特許文献１には、光量検出回路は、発光点（ＯＬＥＤ）と、この発光点が形成された基板と、発光点における発光点前方の位置であって基板上に形成された光検出器と、この光検出器の出力を積分する積分回路と、を備えている。この構成により、低感度光検出器にも対応した光量検出を実現している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００７−２７６３５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、上記ＯＬＥＤ−ＰＨに限らず、複数の発光点の発光光量を単一の光検出器で検出する光書き込み装置では、発光点毎で光検出器への入射光量が異なる。その場合、発光点毎で検出可能な光検出器のダイナミックレンジが異なる。例えば、入射光量が小さい程、ダイナミックレンジが小さいため、発光光量の小さい発光点程、光検出器による検出精度が低下するという問題点があった。
【０００９】
それゆえに、本発明の目的は、より検出精度が高い光書き込み装置、およびこれを備えた画像形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の第一局面は、光書き込み装置であって、複数の発光点と、前記複数の発光点に駆動電流を供給する複数の駆動回路と、各前記発光点からの入射光量を表す信号を出力する光検出器と、前記発光点毎に、前記光検出器からの出力信号が供給されると、対応する発光点向けに設定されたゲインで増幅した光検出信号を出力するゲイン切替回路と、前記ゲイン切替回路からの光検出信号が所定の基準値になるように、前記駆動回路を制御する制御手段と、を備えている。各前記発光点向けのゲインは、対応する発光点と光検出器との距離に基づき予め設定されている。
【００１１】
本発明の第二局面は、光書き込み装置であって、複数の発光点と、各前記発光点の出射光を透過して対象物へと集光するレンズと、前記複数の発光点に駆動電流を供給する複数の駆動回路と、各前記発光点からの入射光量を表す信号を出力する光検出器と、前記発光点毎に、前記光検出器からの出力信号が供給されると、対応する発光点向けに設定されたゲインで増幅した光検出信号を出力するゲイン切替回路と、前記ゲイン切替回路からの光検出信号が所定の基準値になるように、前記駆動回路を制御する制御手段と、を備えている。各前記発光点向けのゲインは、対応する発光点の出射光がレンズを透過する透過率に基づき予め設定されている。
【００１２】
本発明の第三局面は、光書き込み装置であって、複数の発光点と、各前記発光点の出射光を透過して対象物へと集光するレンズと、前記複数の発光点に駆動電流を供給する複数の駆動回路と、各前記発光点からの入射光量を表す信号を出力する光検出器と、前記発光点毎に、前記光検出器からの出力信号が供給されると、対応する発光点向けに設定されたゲインで増幅した光検出信号を出力するゲイン切替回路と、前記ゲイン切替回路からの光検出信号が所定の基準値になるように、前記駆動回路を制御する制御手段と、を備えている。各前記発光点向けのゲインは、対応する発光点と光検出器との距離と、対応する発光点の出射光がレンズを透過する透過率とに基づき予め設定されている。
【００１３】
本発明の第四局面は、光書き込み装置であって、複数の発光点と、前記複数の発光点に駆動電流を供給する複数の駆動回路と、各前記発光点からの入射光量を表す信号を出力する光検出器と、前記発光点毎に、前記光検出器からの出力信号が供給されると、対応する発光点向けに設定されたゲインで増幅した光検出信号を出力するゲイン切替回路と、前記ゲイン切替回路からの光検出信号が所定の基準値になるように、前記駆動回路を制御する制御手段と、を備えている。前記制御手段は、所定の初期条件下で各前記発光点を発光させて、前記ゲイン切替回路の光検出信号を受信し、受信した光検出信号に基づき、対応する発光点向けのゲインを前記ゲイン切替回路に設定する。
【００１４】
また、上記第一局面から第四局面に係る光書き込み装置は、典型的には、画像形成装置の感光体に対し露光を行う。
【発明の効果】
【００１５】
上記各局面によれば、各種情報に基づき、対応する発光点のゲインが固定的に設定される。ゲイン切替回路は、発光点毎に設定されたゲインで、光検出器から出力された発光点毎の信号を増幅し出力する。これによって、光検出器は、各発光点からの入射光量をより高精度で検出可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】一実施形態の光書き込み装置を備えた画像形成装置を示す模式図である。
【図２】図１に示すＯＬＥＤ−ＰＨの縦断面図である。
【図３】図２に示す発光点の駆動電流に対する出射光量を示すグラフである。
【図４】図２に示すＯＬＥＤ基板の構成を示すブロック図である。
【図５】図４に示す光検出器の入射光量に対する出力値（出力電流）を示すグラフである。
【図６】ゲイン設定処理の手順を示すフロー図である。
【図７】ゲイン設定処理のタイミングチャートである。
【図８】光量調整のタイミングチャートである。
【図９】ロッドレンズアレイを示す模式図である。
【図１０】第一変形例に係るゲイン切替回路を示す図である。
【図１１】第二変形例に係るゲイン切替回路を示す図である。
【図１２】第三変形例に係るゲイン切替回路を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
（はじめに）
以下、図面を参照して、本発明の各実施形態に係る光書き込み装置が応用される画像形成装置について詳説する。
【００１８】
まず、図中のｘ軸、ｙ軸およびｚ軸について説明する。本実施形態では、説明の便宜のため、ｘ軸、ｙ軸およびｚ軸はそれぞれ、画像形成装置の左右方向（換言すると横方向）、前後方向（換言すると奥行き方向）および上下方向（換言すると高さ方向）とする。また、図中、いくつかの構成には、参照番号の右側に添え字ａ，ｂ，ｃ，ｄが付加されるものがある。ａ，ｂ，ｃ，ｄは、イエロー（Ｙ）、マゼンタ（Ｍ）、シアン（Ｃ）、ブラック（Ｂｋ）を意味する。例えば、作像手段２９ａは、イエローの作像手段２９を意味する。また、添え字無しは、Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｂｋの各色を意味する。例えば、作像手段２９は、Ｙ，Ｍ，Ｃ，Ｂｋ各色の作像手段を意味する。
【００１９】
（画像形成装置の構成・動作）
図１において、画像形成装置１は、例えばＭＦＰ(Multifunction Peripheral)であって、各色用の感光体ドラム３１を用いて各色のトナー像を形成して合成した後、合成トナー像をシートＳに印刷する。そのために、画像形成装置１は、大略的に、供給ユニット３、タイミングローラ対５、プロセスユニット７、定着手段９、排出ローラ対１１および排出トレイ１３を備えている。
【００２０】
供給ユニット３は、供給トレイ１５および供給ローラ１６を含む。供給トレイ１５には未印刷のシートＳが複数積載される。供給ローラ１６は、積載されたシートＳを上から１枚ずつ取り出し、搬送経路Ｒに送り出す。このシートＳは、直ぐ下流のタイミングローラ対５に向けて搬送される。
【００２１】
タイミングローラ対５は、搬送経路Ｒ上で互いに当接する二個一対のローラを含んでおり、制御回路３７による制御の下で回転し停止する。シートＳの送出時を除き、各ローラは停止している。よって、搬送されてきたシートＳは、まずローラ同士の当接部分に突き当たり、一旦停止する。タイミングローラ対５は、所定タイミングで回転を開始して、シートＳを二次転写領域（詳細は後述）に向けて送り出す。
【００２２】
プロセスユニット７は、各色用のＯＬＥＤ−ＰＨ１７、各色用の転写手段１９、中間転写ベルト２１、駆動ローラ２３、従動ローラ２５、二次転写ローラ２７および各色用の作像手段２９を含む。各作像手段２９は、大略的には、感光体ドラム３１と、その周面に沿って配置された帯電手段３３および現像手段３５と、を有する。
【００２３】
各色の感光体ドラム３１は、ｙ軸方向に延在している。これら感光体ドラム３１は、ｘ軸方向に並ぶように配列される。各感光体ドラム３１は、図示しないモータからの駆動力により、ｙ軸に平行な軸を中心として、ｚｘ面内で時計回り（矢印ＣＷで示す）に回転する。
【００２４】
各帯電手段３３は、ｙ軸方向に延在しており、対応する感光体ドラム３１の周面を帯電させる。帯電手段３３としては、コロトロン、スコロトロンまたは帯電ローラが典型的である。
【００２５】
各ＯＬＥＤ−ＰＨ１７は、光書き込み装置であって、対応色の帯電手段３３を基準として、対応色の感光体ドラム３１の回転方向ＣＷの直ぐ下流側に、対応色の感光体ドラム３１の周面近傍に配置される。各ＯＬＥＤ−ＰＨ１７は、図２に示すように、ホルダ５１に、少なくとも、ＯＬＥＤ基板５２と、レンズアレイ５３と、を収容している。
【００２６】
ホルダ５１は、対応色の感光体ドラム３１と平行に延在しており、対応色の感光体ドラム３１周面における光ビームＢの照射位置と対向するように設けられている。
【００２７】
ＯＬＥＤ基板５２は、まず、図２に示すように、ｙ軸方向の１ラインのドット数分（例えば１万数千個）の発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…を備えている。
【００２８】
各発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…は、典型的にはＯＬＥＤであり、ｙ軸方向にライン状に、かつ対応色の感光体ドラム３１の周面に対向するように、ＯＬＥＤ基板５２に配置されている。各発光点Ａ１〜Ａ４は、入力駆動電流に応じた光量で発光する。各発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…において、入力駆動電流に対する出力光量は、図３に例示するようにほぼリニアな関係になっている。
【００２９】
ここで、各発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…は同一のＯＬＥＤ基板５２に設けられている。これにより、発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…の製造工程を同一にできるため、発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…の入出力特性にバラツキは実質的に発生しない。
【００３０】
また、発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…は個別的には点光源であるが、発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…全体では、対応色の感光体ドラム３１の周面に光ビームＢを走査可能に構成されている。
【００３１】
ホルダ５１には、上記発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…の光軸方向に対向するようにレンズアレイ５３が設けられている。レンズアレイ５３は、マイクロレンズアレイ(MLA: Micro Lens Array)や集光性光伝送体アレイである。マイクロレンズや集光性光伝送体は両端が平面なロッドレンズとすることができる。これにより加工が容易となるため、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７の量産が容易となる。このレンズアレイ５３は、発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…からの入射光ビームＢを、対応色の感光体ドラム３１の周面に集光する。
【００３２】
以上の構成により、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７は、感光体ドラム３１の周面を、対応色の光ビームＢで主走査方向（つまり、ｙ軸方向）に走査することが可能となり、これによって、各感光体ドラム３１の周面には、対応色の静電潜像が形成される。
【００３３】
各現像手段３５は、ｙ軸方向に延在する現像ローラを有する。現像ローラは、光ビームＢの照射位置の直ぐ下流で、対応色の感光体ドラム３１の周面と対向配置される。この現像手段３５には、例えば、対応色の二成分現像剤が収容される。各現像手段３５は、内蔵の現像ローラを用いて、感光体ドラム３１の周面上にトナーを供給する。これによって、感光体ドラム３１の周面上で、静電潜像は現像され、対応色（単色）のトナー像が形成される。
【００３４】
上記現像プロセスの結果、感光体ドラム３１はトナー像を周面上に担持する。また、感光体ドラム３１は、自身の回転により、担持しているトナー像を回転方向ＣＷの下流へと搬送する。
【００３５】
各転写手段１９は、ｙ軸方向に延在しており、対応色の現像手段３５の直ぐ下流側に、対応色の感光体ドラム３１の周面と、下記の中間転写ベルト２１を挟んで対向するよう配置されている。
【００３６】
中間転写ベルト２１は無端状のベルトである。この中間転写ベルト２１は、各色の転写手段１９および感光体ドラム３１の間に介在し、駆動ローラ２３および従動ローラ２５の間に張り渡される。この中間転写ベルト２１は、各転写手段１９によって、各感光体ドラム３１に圧接される。以下、各感光体ドラム３１と中間転写ベルト２１との圧接部分を一次転写領域という。駆動ローラ２３は、図示しないモータから与えられた駆動力によって回転する。従動ローラ２５は、駆動ローラ２３の回転によって従動して回転する。これによって、中間転写ベルト２１は、矢印αの方向に回転する。
【００３７】
各転写手段１９には一次転写バイアス電圧が印加され、これによって、各転写手段１９が中間転写ベルト２１と接触する部分周辺がトナー像と逆極性に帯電する。その結果、感光体ドラム３１により搬送されてくるトナー像が一次転写領域に到達すると、トナー像が中間転写ベルト２１の外周面に移動する。換言すると、中間転写ベルト２１には、各感光体ドラム３１に形成されているトナー像が転写される。以下、中間転写ベルト２１へのトナー像の転写を一次転写という。
【００３８】
ここで、各色の感光体ドラム３１に担持されているトナー像は、中間転写ベルト２１の表面における同一エリアに順次転写される。このような一次転写の結果、中間転写ベルト２１には、各色のトナー像が重なり合った合成トナー像が形成される。中間転写ベルト２１は、合成トナー像を自身の外周面に担持しながら、回転することにより二次転写ローラ２７に向けて合成トナー像を搬送する。
【００３９】
二次転写ローラ２７は、中間転写ベルト２１を挟んで駆動ローラ２３と対向配置されており、中間転写ベルト２１に押圧される。この中間転写ベルト２１と二次転写ローラ２７との当接部分を、以下、二次転写領域という。上記の通り、この二次転写領域には、シートＳが送り込まれ通過すると共に、回転する中間転写ベルト２１に担持された合成トナー像が搬送されてくる。また、二次転写ローラ２７には、二次転写バイアス電圧が印加され、これにより、二次転写ローラ２７は、シートＳの非転写面側で合成トナー像と逆極性に帯電する。その結果、中間転写ベルト２１の表面からシートＳの表面へと合成トナー像が移動する。換言すると、シートＳには、中間転写ベルト２１に担持された合成トナー像が転写される。以下、シートＳへの転写を、二次転写という。
【００４０】
トナー像が転写されたシートＳは、定着手段９に導入される。定着手段９は、シートＳを加熱・加圧することで、合成トナー像をシートＳに定着させる。定着プロセス済みのシートＳは、排出ローラ対１１から排出トレイ１３に印刷物として排出され載置される。
【００４１】
上記各部は、画像形成装置１の本体に内蔵された制御回路３７により制御される。この制御回路３７は、ＣＰＵやメインメモリ等からなり、予め準備されたプログラムに従って動作し、画像形成装置１の印刷動作や、以下に説明するゲイン設定処理・光量調整を制御する。
【００４２】
（第一実施形態に係るＯＬＥＤ−ＰＨ）
第一実施形態においては、制御回路３７が初期条件下で各発光点を発光させた際の光検出信号によりゲイン設定処理を実行するものである。
【００４３】
以下、第一実施形態に係るＯＬＥＤ−ＰＨ１７について詳説する。各ＯＬＥＤ−ＰＨ１７のＯＬＥＤ基板５２において、上記発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…は、図４に示すように、複数のグループＡ〜Ｃ，…にグループ分けされている。本実施形態では、グループＡには、四個の発光点Ａ１〜Ａ４が属するとする。同様に、グループＢ，Ｃ，…には、発光点Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…が属するとする。
【００４４】
また、光量調整のために、各ＯＬＥＤ基板５２にはさらに、グループＡ〜Ｃ，…毎に、駆動回路６Ａ１〜６Ａ４，６Ｂ１〜６Ｂ４，６Ｃ１〜６Ｃ４，…と、光検出器８Ａ，８Ｂ，８Ｃ，…と、ゲイン切替回路９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，…と、が実装されている。このように、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７によれば、発光点と駆動回路を同一基板上に形成可能となるため、低コストな光書き込み装置を実現可能となる。
【００４５】
各駆動回路６Ａ１〜６Ａ４，６Ｂ１〜６Ｂ４，６Ｃ１〜６Ｃ４，…は、電流源と、スイッチ（例えば、ＴＦＴのようなスイッチング素子）と、を含んでいる。なお、図示の都合上、図４では、駆動回路６Ａ１にのみ、電流源とスイッチを示している。
【００４６】
駆動回路６Ａ１〜６Ａ４，６Ｂ１〜６Ｂ４，６Ｃ１〜６Ｃ４，…の電流源には、制御回路３７から出力された電流制御信号ＩＣＳａ１〜ＩＣＳａ４，ＩＣＳｂ１〜ＩＣＳｂ４，ＩＣＳｃ１〜ＩＣＳｃ４，…が供給される。各電流源は、対応する入力電流制御信号に基づく値の電流を出力する。
【００４７】
駆動回路６Ａ１〜６Ａ４，６Ｂ１〜６Ｂ４，６Ｃ１〜６Ｃ４，…のスイッチには、制御回路３７から出力されたスイッチング信号ＩＳａ１〜ＩＳａ４，ＩＳｂ１〜ＩＳｂ４，ＩＳｃ１〜ＩＳｃ４，…が入力される。スイッチは、対応するスイッチング信号に基づきオン／オフする。ここで、各スイッチング信号は、本画像形成装置１により印刷すべき画像信号に基づき生成されている。
【００４８】
この構成により、例えば、駆動回路６Ａ１では、電流制御信号ＩＣＳａ１に基づき電流源が電流を生成し、かつスイッチがスイッチング信号ＩＳａ１によりオンしている間に、電流源が生成した電流を発光点Ａ１に供給する。他の駆動回路６Ａ２〜６Ａ４，６Ｂ１〜６Ｂ４，６Ｃ１〜６Ｃ４，…もまた、自身への電流制御信号およびスイッチング信号に基づき、対応する発光点Ａ２〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…に電流を供給する。
【００４９】
各光検出器８Ａ〜８Ｃ，…は、例えば、図５に示すようにリニアな入出力特性を有するフォトダイオードからなる。光検出器８Ａは、グループＡに属する各発光点Ａ１〜Ａ４からの出射光を受光・検出し、受光光量に応じた電流値ＩPDAをゲイン切替回路９Ａに出力する。同様に、光検出器８Ｂ，８Ｃ，…は、グループＢ，Ｃ，…に属する各発光点Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…からの出射光を受光・検出し、受光光量を表す電流ＩPDB，ＩPDC，…を後段のゲイン切替回路９Ｂ，９Ｃ，…に出力する。
【００５０】
各ゲイン切替回路９Ａ〜９Ｃ，…は、図４の下段に拡大して示した通り、演算増幅器９１と、複数のコンデンサＣＧ１〜ＣＧ４と、第一スイッチ９２と、第二スイッチ９３と、を備えている。
【００５１】
演算増幅器９１の反転入力端子（−）は、上記光検出器８Ａと接続される。また、反転入力端子（−）には、コンデンサＣＧ１〜ＣＧ４の一方の端子が接続される。コンデンサＣＧ１〜ＣＧ４の他方の端子は、第二スイッチ９３に接続されている。
【００５２】
コンデンサＣＧ１〜ＣＧ４は、ゲイン調整用に設けられており、互いに異なる容量値を有する。本実施形態では、各コンデンサＣＧ１〜ＣＧ４の容量値は、下記の通りである。
ＣＧ１：１ｐＦ
ＣＧ２：２ｐＦ
ＣＧ３：４ｐＦ
ＣＧ４：８ｐＦ
【００５３】
第二スイッチ９３は、演算増幅器９１の出力端子とも接続されており、制御回路３７から供給されたセレクト信号ＳＥＬａに基づき、コンデンサＣＧ１〜ＣＧ４のいずれか一つを選択して、反転入力端子（−）と出力端子との間に並列に接続する。
【００５４】
また、第一スイッチ９２は、反転入力端子（−）と出力端子との間に接続されており、制御回路３７から供給されたリセット信号ＲＳＴａにより、反転入力端子（−）および出力端子の間を短絡／開放する。これを短絡することで、コンデンサＣＧ１〜ＣＧ４に蓄えられた電圧を０Ｖにして、リセットすることが可能となる。
【００５５】
また、演算増幅器９１の非反転入力端子（＋）は接地されている。
【００５６】
また、演算増幅器９１の出力端子は制御回路３７に接続される。演算増幅器９１の出力電圧ＶOUTは、選択されたコンデンサの容量をＣS、光検出器８Ａの出力電流をＩPDA、積分時間（発光点の発光時間）をＴPHOTOとすると、次式（１）で求められ、光検出信号Ａとして出力される。
【００５７】
ＶOUT＝ＩPDA×ＴPHOTO／ＣS  …（１）
【００５８】
他のゲイン切替回路９Ｂ，９Ｃ，…もまた、ゲイン切替回路９Ａと同様の構成・制御により、入力電流ＩPDB，ＩPDC，…に応じて、光検出信号Ｂ，Ｃ，…を出力する。なお、図示の都合上、図４では、ゲイン切替回路９Ａの詳細な構成のみを示している。
【００５９】
ここで、光検出信号Ａ〜Ｃ，…の検出精度を向上するためには、光検出信号Ａ〜Ｃの電圧ＶOUTをより大きくして、ダイナミックレンジを確保することが必要である。しかしながら、例えば、光検出器８Ａへの入射光量は、発光点Ａ１〜Ａ４毎の発光光量等によって変わるため、仮に発光点Ａ１〜Ａ４の発光光量が互いに同一であっても、光検出器８Ａの電流ＩPDAは発光点Ａ１〜Ａ４毎で異なる場合がある。
【００６０】
そこで、本実施形態では、通常の光書き込み動作の前に、図６，図７を参照して説明するゲイン設定処理により、光検出器８Ａへの入射光量に応じて、コンデンサＣＧ１〜ＣＧ４の中から適切なものを一つ選択して、発光点Ａ１〜Ａ４毎にゲインを固定的に設定して、光検出信号Ａを増幅することでダイナミックレンジを確保する。なお、他の光検出器８Ｂ，８Ｃ，…についても同様である。
【００６１】
（ゲイン設定）
まず、図６，図７を参照して、光量調整の基礎となるゲイン設定処理について説明する。図６は、ゲイン設定処理の手順を示すフロー図である。但し、図６には、グループＡに関するゲイン設定処理のみが示されているが、他のグループに関しても同様のゲイン設定処理が行われる。
【００６２】
図６において、まず初期条件を設定する（ステップＳ０１）。具体的には、制御回路３７は、セレクト信号ＳＥＬａを第二スイッチ９３に供給して、コンデンサＣＧ１〜ＣＧ４の中の一つを選択する。本実施形態では、コンデンサＣＧ１が選択されて、演算増幅器９１の反転入力端子（−）と出力端子との間に接続される。ここで、初期条件の設定においては、積算発光時間がほぼゼロ（つまり、未使用状態）のＯＬＥＤ−ＰＨ１７が用いられる。
【００６３】
制御回路３７はさらに、電流制御信号ＩＣＳａ１〜ＩＣＳａ４により、発光点Ａ１〜Ａ４に対し共通の駆動電流値を設定する。本実施形態では、駆動電流値は５μＡとする。
【００６４】
次のステップＳ０２において、制御回路３７は、発光点Ａ１〜Ａ４の中から一つを、最初の処理対象として選択する。
【００６５】
次のステップＳ０３において、制御回路３７は、リセット信号ＲＳＴａにより、第一スイッチ９２を開放して、コンデンサＣＧ１への充電が可能な状態にする。
【００６６】
次のステップＳ０４において、制御回路３７は、処理対象の発光点に接続された駆動回路６Ａに対し、スイッチング信号ＩＳａを供給し、該駆動回路６Ａを所定時間（例えば１ｍｓ）の間オンにして、処理対象の発光点Ａを発光させる。ここで、所定時間は、コンデンサＣＧ１の充電時間（積分時間）となる。
【００６７】
発光点Ａが発光すると、光検出器８Ａは、入射光量に応じた電流値ＩPDAを出力する。この電流値ＩPDAは、ゲイン切替回路９Ａに供給され、その結果、コンデンサＣＧ１が１ｍｓの間充電される。この間、ゲイン切替回路９Ａは、入力電圧を積分した値に相関する光検出信号Ａを出力する。
【００６８】
次のステップＳ０５において、制御回路３７は、まず、処理対象の発光点に関して、コンデンサＣＧ１を用いた積分値に相関する光検出信号Ａを受信して、その電圧値を検出する。
【００６９】
また、制御回路３７は、下記の表１に例示するようなテーブルを予め格納している。
【００７０】
【表１】
2014159136.tif 000003
【００７１】
テーブルには、光検出信号Ａの電圧値の範囲毎に、選択すべきコンデンサ（つまり、コンデンサＣＧ１〜ＣＧ４のいずれか一つ）が記載されている。ここで、ダイナミックレンジを確保する観点では、上式（１）から明らかなように、通常の光書き込み動作時にＶOUTを大きくする必要がある。よって、テーブルには、光検出信号Ａの電圧値ＶOUTが小さい程、容量値の小さなコンデンサが記載されている。表１の例では、電圧値ＶOUTが０Ｖ以上０．２５Ｖ未満の場合にはコンデンサＣＧ４（０．１２５ｐＦ）が選択され、電圧値ＶOUTが０．２５Ｖ以上０．５Ｖ未満の場合にはコンデンサＣＧ３（０．２５ｐＦ）が選択され、電圧値ＶOUTが０．５Ｖ以上１．０Ｖ未満の場合にはコンデンサＣＧ２（０．５ｐＦ）が選択され、電圧値ＶOUTが１．０Ｖ以上２．０Ｖ未満の場合にはコンデンサＣＧ４（１ｐＦ）が選択されることが示されている。
【００７２】
制御回路３７は、処理対象の発光点について、光検出信号Ａの電圧値を検出すると、テーブルを参照して、コンデンサを選択する（ステップＳ０５）。
【００７３】
次のステップＳ０６では、制御回路３７は、リセット信号ＲＳＴａにより、第一スイッチ９２を短絡して、コンデンサＣＧ１を放電させて、０Ｖにする。
【００７４】
次のステップＳ０７では、制御回路３７は、グループＡに属する全ての発光点Ａ１〜Ａ４を選択したか否かを判断する。
【００７５】
ステップＳ０７でＮｏと判断した場合、処理はステップＳ０８に進む。ステップＳ０８において、制御回路３７は、グループＡの中から未選択の発光点を一つ選択する。
【００７６】
ステップＳ０８の次に、処理は、ステップＳ０３に戻り、新しい処理対象に対して、ステップＳ０３〜Ｓ０７の処理が行われる。
【００７７】
また、ステップＳ０７でＹｅｓと判断した場合、図６の処理は終了する。
【００７８】
次に、図７のタイミングチャートを参照して、ゲイン設定処理の具体的な一例を説明する。
【００７９】
まず、ステップＳ０１の初期条件を設定することにより、電流制御信号ＩＣＳａ１〜ＩＣＳａ４により、発光点Ａ１〜Ａ４に対して共通の駆動電流値（本実施形態では５μＡ）が設定される。このときの駆動電流値は、光量劣化する前の初期のＯＬＥＤ−ＰＨ１７において、感光体ドラム３１への露光量が適正値となるような値に設定されている。
【００８０】
その後、最初のステップＳ０４において、制御回路３７は、最初の処理対象の発光点Ａ１に関連して、スイッチング信号ＩＳａ１により、該発光点Ａ１を１ｍｓの間発光させる。
【００８１】
発光点Ａ１の選択時、光検出器８Ａの出力電流ＩPDA-A1が０．４ｎＡとする。また、充電時間（換言すると、ゲイン切替回路９Ａによる積分時間）ＴPHOTOは１ｍｓである。発光点Ａ１を選択時における光検出信号Ａの電圧値をＶOUT-A1とすると、上記条件下では、ＶOUT-A1は次式（２）で求められる。
【００８２】
ＶOUT-A1＝０．４ｎＡ×１ｍｓ／１ｐＦ＝０．４Ｖ  …（２）
【００８３】
最初のステップＳ０５ではさらに、テーブル参照により、通常の光書き込み動作で使用されるコンデンサが選択される。発光点Ａ１に関しては、ＶOUT-A1は０．４Ｖであるため、表１に記載の通り、コンデンサＣＧ３が選択される。
【００８４】
その後、ステップＳ０８にて、次の処理対象として、例えば発光点Ａ２が選択されるとする。この場合、二度目のステップＳ０４では、スイッチング信号ＩＳａ２により、発光点Ａ２が１ｍｓの間発光する。
【００８５】
発光点Ａ２の選択時、出力電流ＩPDA-A2が０．８ｎＡとする。また、充電時間ＴPHOTOは１ｍｓである。発光点Ａ２について光検出信号Ａの電圧値をＶOUT-A2とすると、ＶOUT-A2は次式（３）で求められる。
【００８６】
ＶOUT-A1＝０．８ｎＡ×１ｍｓ／１ｐＦ＝０．８Ｖ  …（３）
【００８７】
二度目のステップＳ０５では、発光点Ａ２に関して、通常の光書き込み動作で使用されるコンデンサとして、表１に記載の通り、コンデンサＣＧ２が選択される。
【００８８】
その後、ステップＳ０８にて、次の処理対象として、例えば発光点Ａ３が選択されるとする。この場合、三度目のステップＳ０４では、スイッチング信号ＩＳａ３により、発光点Ａ３が１ｍｓの間発光する。
【００８９】
発光点Ａ３の選択時、光検出器８Ａの出力電流ＩPDA-A3が１．６ｎＡとする。また、充電時間ＴPHOTOは１ｍｓである。発光点Ａ３について光検出信号Ａの電圧値ＶOUT-A3は次式（４）で求められる。
【００９０】
ＶOUT-A1＝１．６ｎＡ×１ｍｓ／１ｐＦ＝１．６Ｖ  …（４）
【００９１】
三度目のステップＳ０５では、発光点Ａ３に関して、通常の光書き込み動作で使用されるコンデンサとして、表１に記載の通り、コンデンサＣＧ１が選択される。
【００９２】
その後、ステップＳ０８にて、次の処理対象として、例えば発光点Ａ４が選択されるとする。この場合、四度目のステップＳ０４では、スイッチング信号ＩＳａ４により、発光点Ａ４が１ｍｓの間発光する。
【００９３】
発光点Ａ４の選択時、光検出器８Ａの出力電流ＩPDA-A4は１．２ｎＡとする。また、充電時間ＴPHOTOは１ｍｓである。発光点Ａ４について光検出信号Ａの電圧値ＶOUT-A4は次式（５）で求められる。
【００９４】
ＶOUT-A4＝１．２ｎＡ×１ｍｓ／１ｐＦ＝１．２Ｖ  …（５）
【００９５】
四度目のステップＳ０５では、発光点Ａ４に関して、通常の光書き込み動作で使用されるコンデンサとして、表１に記載の通り、コンデンサＣＧ１が選択される。
【００９６】
（光量調整）
次に、図８を参照して、光量調整について説明する。図８において、発光点Ａ１の光量を検出する際、制御回路３７は、セレクト信号ＳＥＬａを第二スイッチ９３に供給して、光量劣化する前の初期のＯＬＥＤ−ＰＨ１７用いて上記ゲイン設定処理で選択したコンデンサＣＧ３を固定的に設定する。
【００９７】
次に、制御回路３７は、電流制御信号ＩＣＳａ１により、駆動回路６Ａ１の電流源の駆動電流を段階的に上げる。この間、制御回路３７は、リセット信号ＲＳＴａにより第一スイッチ９２をオンからオフへと切り替えると同時に、スイッチング信号ＩＳａによりスイッチをオフからオンへと切り替える、という制御を間欠的に繰り返す。これにより、発光点Ａ１は、駆動電流に応じた光量で発光し、ゲイン切替回路９Ａには、電流ＩPDAが供給される。これに応じて、ゲイン切替回路９Ａの入力端子には電圧が加わる。ゲイン切替回路９Ａは、加わった電圧を、設定されたコンデンサＣＧ３に応じたゲインで増幅した光検出信号Ａを出力する。制御回路３７は、光検出信号Ａの電圧が、発光点Ａに対し予め割り当てられた基準値になるように、駆動回路６Ａ１の電流源の駆動電流を調整する。以上のような光量調整は、グループＡの他の発光点Ａ２〜Ａ４、および他のグループＢ，Ｃ，…に対しても実施される。
【００９８】
ここで、各発光点Ａに対して予め割り当てられた基準値について具体的に説明する。各基準値は、図６のＳ０５でコンデンサを設定した直後の光検出信号の出力値を、各発光点Ａに対応させて制御回路３７のメモリに保存したものである。具体的には、初期条件（共通の駆動電流値、及び光量劣化する前の初期のＯＬＥＤ−ＰＨ１７）で各発光点Ａを発光させ、設定されたコンデンサＣＧ３に応じたゲインで増幅した光検出信号Ａを、各発光点Ａの基準値（基準の出力電圧値）としたものである。
【００９９】
なお、本実施形態においては、図６に示すゲイン設定フロー、及び基準値の取得を行う際に、各発光点Ａの駆動電流値を共通の固定電流値に設定した例について説明した。しかし、これに限られず、製造工程時に、各発光点Ａを発光させ、感光体ドラム３１相当位置への照射光量を光パワーメータ等の測定器で測定し、この測定値が適正な露光量となるように調整した駆動電流値を用いても良い。
【０１００】
さらに、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７の基板上にメモリを配置する構成としても良い。ＯＬＥＤ−ＰＨ１７を画像形成装置本体に実装する前に図６に示すゲイン設定フロー、及び基準値の取得を行うような場合に、これらの設定値を、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７の基板上に配置したメモリに保存し、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７を本体に実装した後に、本体の制御回路３７で保存した設定値を読み出すことが可能となる。
【０１０１】
（第一実施形態の効果）
以上説明したように、本実施形態では、光量調整の前に、ゲイン設定処理を実施することで、各発光点Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４，…に対して適切なコンデンサを固定的に設定する。ここで、グループＡに関しては、ダイナミックレンジを確保する観点では、ゲイン設定処理において、光検出信号Ａの電圧値ＶOUTが小さい程、容量値の小さなコンデンサが選択される。光量調整時には、ゲイン設定処理で選択されたコンデンサが用いられるので、発光光量が小さい発光点に関しても、光検出信号Ａの電圧を大きくすることが可能となる。他のグループＢ，Ｃ，…についても同様である。上記のゲイン設定処理→光量調整により、従来よりも検出精度の高いより高精度なＯＬＥＤ−ＰＨ１７およびこれを備えた画像形成装置１を提供することが可能となる。
【０１０２】
（付記）
上記実施形態では、ゲイン切替回路９Ａは四個のコンデンサＣＧ１〜ＣＧ４を備えていた。しかし、これに限らず、ゲイン切替回路９Ａは、異なる容量値を有する複数個のコンデンサを備えていればよい。
【０１０３】
また、コンデンサＣＧ１は、複数のコンデンサ素子から構成されても構わない。他のコンデンサＣＧ２〜ＣＧ４についても同様である。
【０１０４】
また、上記実施形態では、各グループには四個の発光点が属するとして説明した。しかし、これに限らず、各グループに、二個以上の発光点が属していればよい。
【０１０５】
（第二実施形態）
次に、本発明の第二実施形態に係るＯＬＥＤ−ＰＨ１７について説明する。本実施形態は、第一実施形態と比較すると、制御回路３７がゲイン設定処理を実行するのではなく、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７に予めゲイン設定がなされている点で相違する。それ以外に、両実施形態の間に相違点はない。それゆえ、第二実施形態において、第一実施形態に相当する構成には同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
【０１０６】
図４からも分かるように、例えば、グループＡに属する発光点Ａ１〜Ａ４のそれぞれと光検出器８Ａとの間の距離は異なる場合がある。この場合、たとえ各発光点Ａ１〜Ａ４の出射光量が同じであっても、光検出器８Ａへの入射光量は変わる。これは、発光点Ａ１〜Ａ４からの出射光は拡散しているため、距離が遠い発光点程、光検出器８Ａへの入射光量は小さくなることに起因する。
【０１０７】
また、グループＡに属する発光点Ａ１〜Ａ４のそれぞれと、光検出器８Ａとの間の距離は、設計時等に予め分かっている場合がある。このような場合、下記のゲイン設定により、発光点毎にコンデンサを予め固定的に設定しておいても構わない。
【０１０８】
例えば、発光点Ａ１〜Ａ４のそれぞれから光検出器８Ａまでの距離Ｄ１〜Ｄ４が、下記の通りであるとする。
距離Ｄ１：２００μｍ
距離Ｄ２：１００μｍ
距離Ｄ３：５０μｍ
距離Ｄ４：７５μｍ
【０１０９】
距離が大きい発光点に関しては、入射光量が小さくなるため、小さな容量のコンデンサが選択される。逆に、距離が小さい発光点に関しては、入射光量が大きくなるため、大きな容量のコンデンサが選択される。このような基準に沿って、以下の表２のようなテーブルを用いて、発光点毎のコンデンサが選択される。
【０１１０】
【表２】
2014159136.tif 000004
【０１１１】
上記表２によれば、発光点Ａ１に関して、通常の光書き込み動作で使用されるコンデンサとして、コンデンサＣＧ３が選択される。発光点Ａ２，Ａ３，Ａ４に関して、コンデンサＣＧ２，ＣＧ１，ＣＧ１が選択される。他のグループに関しても同様にして、コンデンサが選択される。
【０１１２】
このように選択されたコンデンサは、制御回路３７が実行する光量調整用のプログラムに記述され、これにより、発光点毎のコンデンサが固定的に設定される。制御回路３７は、このプログラムに従って動作して、前述同様の光量調整を行う。
【０１１３】
なお、上記実施形態では、グループＡについてゲイン設定および光量調整を説明したが、他のグループに関しても同様のゲイン設定および光量調整が行われる
【０１１４】
（第二実施形態の効果）
上記第二実施形態によれば、第一実施形態と同様の効果を奏するだけでなく、予め分かっている距離に基づき、設計段階で、発光点毎のコンデンサを固定的に設定することが可能となるため、制御回路３７がゲイン設定処理を実行する必要がなくなるため、制御回路３７の処理負荷等を低減することが可能となる。
【０１１５】
（第三実施形態）
次に、本発明の第三実施形態に係るＯＬＥＤ−ＰＨ１７について説明する。本実施形態は、第一実施形態と比較すると、制御回路３７がゲイン設定処理を実行するのではなく、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７に予めゲイン設定がなされている点で相違する。それ以外に、両実施形態の間に相違点はない。それゆえ、第三実施形態において、第一実施形態に相当する構成には同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
【０１１６】
高画質な静電潜像を感光体ドラム３１の周面に形成するには、グループＡであれば、発光点Ａ１〜Ａ４から光量が感光体ドラム３１の周面上で同一であることが好ましい。
【０１１７】
また、上記の通り、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７は、各発光点Ａ１〜Ａ４と、感光体ドラム３１との間には、レンズアレイ５３が介在している。ここで、レンズアレイ５３は、図９に示すようなロッドレンズアレイからなる場合がある。ロッドレンズアレイによれば、殆どの場合、発光点Ａ１〜Ａ４毎に光の透過率が異なる。よって、たとえ各発光点Ａ１〜Ａ４の出射光量が同じであっても、感光体ドラム３１の周面上で観測される光量は異なってくるこれは、静電潜像の画質を低下させる一因となる。また、この場合、光検出器８Ａへの入射光量も、発光点Ａ１〜Ａ４毎で相違する。本実施形態では、発光点Ａ１〜Ａ４に関し、ロッドレンズアレイの光透過率を考慮して、感光体ドラム３１の周面上での光量を一定とするために、ゲイン調整が行われる。
【０１１８】
一般的に、ロッドレンズの透過率は、その中心軸近傍を通過する光に関しては高い。それゆえ、ロッドレンズの中心軸近傍を通過する光を発する発光点に関しては、発光光量を相対的に小さくすることができる。逆に、ロッドレンズ外周近傍で屈折を繰り返す光に関しては、透過率は低くなる。それゆえ、ロッドレンズの外周近傍を通過する光を発する発光点に関しては、発光光量を相対的に大きくすることが好ましい。
【０１１９】
また、各発光点Ａ１〜Ａ４とレンズアレイ５３との位置関係は動的に変化するのではなく、固定的である。それゆえ、設計時点で、発光点Ａ１〜Ａ４からの出射光がレンズアレイ５３の透過する際の透過率（以下、発光点毎の透過率という）は分かる。このような場合、下記のゲイン設定により、発光点毎にコンデンサを予め固定的に設定しておいても構わない。
【０１２０】
例えば、発光点Ａ１〜Ａ４に関し、ロッドレンズにおける光通過位置と、その透過率Ｔ１〜Ｔ４とは、下記の通りであるとする。発光点Ａ１に関し、光通過位置は中心軸近傍であり、透過率Ｔ１は８０％である。発光点Ａ２に関し、光通過位置は外周近傍であり、透過率Ｔ２は４０％である。発光点Ａ３に関し、光通過位置は外周近傍であり、透過率Ｔ３は４０％である。発光点Ａ４に関し、光通過位置は中心軸近傍であり、透過率Ｔ４は、８０％である。
【０１２１】
上記の通り、透過率が大きい発光点に関しては、光検出器への入射光量を小さくすることが可能であるので、相対的に小さな容量のコンデンサが選択される。逆に、透過率が小さな発光点に関しては、光検出器への入射光量を大きくすることが求められるため、大きな容量のコンデンサが選択される。このような基準に沿う、以下の表３に示すテーブルを用いて、発光点毎のコンデンサが選択される。
【０１２２】
【表３】
2014159136.tif 000005
【０１２３】
上記表３によれば、発光点Ａ１に関して、通常の光書き込み動作で使用されるコンデンサとして、コンデンサＣＧ２が選択される。発光点Ａ２，Ａ３，Ａ４に関して、コンデンサＣＧ１，ＣＧ１，ＣＧ２が選択される。他のグループに関しても同様にして、コンデンサが選択される。
【０１２４】
このように選択されたコンデンサは、制御回路３７が実行する光量調整用のプログラムに記述され、これにより、発光点毎のコンデンサが固定的に設定される。制御回路３７は、このプログラムに従って動作して、前述同様の光量調整を行う。
【０１２５】
（第三実施形態の効果）
上記第三実施形態によれば、第一実施形態と同様の効果を奏するだけでなく、予め分かっている透過率に基づき、設計段階で、発光点毎のコンデンサを固定的に設定することが可能となるため、制御回路３７がゲイン設定処理を実行する必要がなくなるため、制御回路３７の処理負荷等を低減することが可能となる。
【０１２６】
（第四実施形態）
次に、本発明の第三実施形態に係るＯＬＥＤ−ＰＨ１７について説明する。本実施形態は、第一実施形態と比較すると、制御回路３７がゲイン設定処理を実行するのではなく、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７に予めゲイン設定がなされている点で相違する。それ以外に、両実施形態の間に相違点はない。それゆえ、第三実施形態において、第一実施形態に相当する構成には同一の参照符号を付け、それぞれの説明を省略する。
【０１２７】
第二実施形態では、コンデンサの選択基準は、発光点と光検出器８Ａとの間の距離であり、第三実施形態では、コンデンサの選択基準は、発光点毎のロッドレンズアレイの透過率であった。本実施形態では、上記距離および上記透過率の両方を考慮すべく、指標（Ｘ）として、距離（Ｄ）×透過率（Ｔ）を定義する。
【０１２８】
発光点Ａ１〜Ａ４のそれぞれから光検出器８Ａまでの距離Ｄ１〜Ｄ４は、例えば、下記の通りであるとする。
距離Ｄ１：２００μｍ
距離Ｄ２：１００μｍ
距離Ｄ３：５０μｍ
距離Ｄ４：７５μｍ
【０１２９】
また、発光点Ａ１〜Ａ４の出射光毎の、ロッドレンズアレイにおける透過率Ｔ１〜Ｔ４とは、下記の通りであるとする。
透過率Ｔ１：８０％
透過率Ｔ２：４０％
透過率Ｔ３：４０％
透過率Ｔ４：８０％
【０１３０】
上記例示では、発光点Ａ１〜Ａ４の指標Ｘ１〜Ｘ４は、下記のようになる。
指標Ｘ１＝Ｄ１×Ｔ１＝１６０
指標Ｘ２＝Ｄ２×Ｔ２＝４０
指標Ｘ３＝Ｄ３×Ｔ３＝２０
指標Ｘ４＝Ｄ４×Ｔ４＝６０
【０１３１】
第二実施形態で説明した通り、光検出器８Ａまでの距離が大きな発光点程、小さな容量のコンデンサが選択される。また、第三実施形態で説明した通り、透過率が大きい発光点程、小さな容量のコンデンサが選択される。したがって、指標Ｘが大きな発光点程、小さなコンデンサが選択される。このような基準に沿う、以下の表４に示すテーブルを用いて、発光点毎のコンデンサが選択される。
【０１３２】
【表４】
2014159136.tif 000006
【０１３３】
上記表４によれば、発光点Ａ１，Ａ２，Ａ３，Ａ４に関してコンデンサＣＧ２，ＣＧ１，ＣＧ１，ＣＧ１が選択される。他のグループに関しても同様にして、コンデンサが選択される。
【０１３４】
このように選択されたコンデンサは、制御回路３７が実行する光量調整用のプログラムに記述され、これにより、発光点毎のコンデンサが固定的に設定される。制御回路３７は、このプログラムに従って動作して、前述同様の光量調整を行う。
【０１３５】
（第一変形例）
上記各実施形態では、各ゲイン切替回路９Ａは、図４に示すように、四つの枝路にコンデンサを有する並列回路を備えると説明した。このように、各枝路にコンデンサを設けると、各ゲイン切替回路９Ａが複雑化し、その結果、高コスト化を招くという問題点がある。そこで、ゲイン切替回路９Ａは、図１０に示すように、単一枝路にコンデンサＣＧ１を有するものに置換されても構わない。
【０１３６】
図１０のゲイン切替回路９Ａのような構成でも、演算増幅器９１の出力電圧（つまり、光検出信号の電圧値）ＶOUTは、コンデンサＣＧ１の容量をＣS、光検出器８Ａの出力電流をＩPDA、積分時間（発光点の発光時間）をＴPHOTOとすると、次式（６）で表される。
【０１３７】
ＶOUT＝ＩPDA×ＴPHOTO／ＣS  …（６）
【０１３８】
上式（６）より、出力電圧ＶOUTのゲインは、異なる容量値を有する複数のコンデンサＣＧ１〜ＣＧ４を変更する以外にも、ＴPHOTOを変更すること可変となることが分かる。よって、制御回路３７に、表１〜表４に示すテーブルの代わりに、以下の表５〜表８に示すテーブルを予め格納しておき、制御回路３７は、ゲイン設定時に適切な積分時間ＴPHOTOを指定するスイッチング信号ＩＳａを駆動回路６Ａに供給すればよい。
【０１３９】
【表５】
2014159136.tif 000007
【０１４０】
【表６】
2014159136.tif 000008
【０１４１】
【表７】
2014159136.tif 000009
【０１４２】
【表８】
2014159136.tif 000010
【０１４３】
このような構成および制御により、ゲイン切替回路９Ａの構成を簡素化でき、さらには、ゲイン切替回路９Ａを低コスト化できる。また、積分時間ＴPHOTOの制御により、光検出信号Ａの電圧値を増幅できるため、上記実施形態と同様に、より高精度な光量検出が可能となる。
【０１４４】
（第二変形例）
上記各実施形態では、各ゲイン切替回路９Ａは、図４に示すように、コンデンサの充電時間がかかるという問題点がある。この問題点に対処すべく、各ゲイン切替回路９Ａは、図１１の下段に拡大したように、演算増幅器９１と、複数の抵抗器ＲＧ１〜ＲＧ４と、スイッチ９３と、を備えたものに置換されても構わない。
【０１４５】
図１１のゲイン切替回路９Ａにおいて、演算増幅器９１の反転入力端子（−）には、演算増幅器９１から出力された光検出信号Ａが供給される。また、電流値ＩPDAの入力端子と、演算増幅器９１の非反転入力端子（＋）との間には、スイッチ９３にセレクト信号ＳＥＬａを供給することで、複数の抵抗器ＲＧ１〜ＲＧ４のいずれか一つが電流値ＩPDAの入力端子に対し並列接続されるように構成されている。
【０１４６】
抵抗器ＲＧ１〜ＲＧ４は、ゲイン調整用に設けられており、互いに異なる抵抗値を有する。本実施形態では、各抵抗器ＲＧ１〜ＲＧ４の抵抗値は、下記の通りである。
ＲＧ１：１ＧΩ
ＲＧ２：２ＧΩ
ＲＧ３：４ＧΩ
ＲＧ４：８ＧΩ
【０１４７】
また、演算増幅器９１の出力端子は制御回路３７に接続される。演算増幅器９１の出力電圧ＶOUTは、選択された抵抗器の抵抗値をＲＧ、光検出器８Ａの出力電流をＩPDAとすると、次式（１）で求められ、光検出信号Ａとして出力される。
【０１４８】
ＶOUT＝ＩPDA×ＴPHOTO／ＣS  …（７）
【０１４９】
他のゲイン切替回路９Ｂ，９Ｃ，…もまた、ゲイン切替回路９Ａと同様の構成・制御により、入力電流ＩPDB，ＩPDC，…に応じて、光検出信号Ｂ，Ｃ，…を出力する。なお、図示の都合上、図１１では、ゲイン切替回路９Ａの詳細な構成のみを示している。
【０１５０】
上式（７）より、出力電圧ＶOUTのゲインは、異なる抵抗値を有する複数の抵抗器ＲＧ１〜ＲＧ４を変更すれば、可変となることが分かる。よって、制御回路３７に、表１〜表４に示すテーブルの代わりに、以下の表９〜表１２に示すテーブルを予め格納しておき、制御回路３７は、ゲイン設定時に適切なセレクト信号ＳＥＬａをスイッチ９３に供給すればよい。
【０１５１】
【表９】
2014159136.tif 000011
【０１５２】
【表１０】
2014159136.tif 000012
【０１５３】
【表１１】
2014159136.tif 000013
【０１５４】
【表１２】
2014159136.tif 000014
【０１５５】
このような構成および制御により、ゲイン切替回路９Ａの動作を高速化できるとともに、光検出信号Ａの電圧値を増幅できるため、上記実施形態と同様に、より高精度な光量検出が可能となる。
【０１５６】
（第三変形例）
上記各実施形態では、各ゲイン切替回路９Ａ，９Ｂ，９Ｃ，…は、グループＡ，Ｂ，Ｃ，…と一対一で対応していた。しかし、これに限らず、図１２に示すように、単一のゲイン切替回路９Ａを複数のグループＡ，Ｂ，Ｃ，…で共用しても構わない。ただし、この場合、各グループのゲイン設定処理および光量調整は、時分割して、互いに重複する時間帯に実行されないようにする必要がある。これにより、ゲイン切替回路の数を減らすことが可能となるため、ＯＬＥＤ−ＰＨ１７の低コスト化を図ることができる。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本発明に係る光書き込み装置は、発光点の出射光を光検出器にて高精度に検出可能であり、ＭＦＰの露光装置や光学ドライブ等に好適である。また、本発明に係る画像形成装置は、プリンタ、コピー機およびこれらの複合機に好適である。
【符号の説明】
【０１５８】
１  画像形成装置
１７  ＯＬＥＤ−ＰＨ（光書き込み装置）
６Ａ１，６Ａ２  駆動回路
８Ａ，８Ｂ  光検出器
９Ａ，９Ｂ  ゲイン切替回路
Ａ１〜Ａ４，Ｂ１〜Ｂ４，Ｃ１〜Ｃ４  発光点
５１  ホルダ
５２  基板
５３  レンズアレイ
９１  演算増幅器
９２  第一スイッチ
９３  第二スイッチ（スイッチ）
ＣＧ１〜ＣＧ４  コンデンサ
ＲＧ１〜ＲＧ４  抵抗器
３７  制御回路
【図１】
2014159136.tif 000015
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2014159136.tif 000020
【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2014159136.tif 000024
【図１１】
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【図１２】
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