(57)【要約】【課題】化学ガイドの平坦性を高め、下層膜へ容易にミクロ相分離パターンを転写できるパターン形成方法を提供する。【解決手段】本実施形態によれば、パターン形成方法は、基板上に被加工膜を介して設けられた塗布型ガラス膜上に、前記塗布型ガラス膜の第１領域を露出する開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、前記塗布型ガラス膜上に中性化膜を形成する工程と、前記塗布型ガラス膜上に第１セグメント及び第２セグメントを有する自己組織化材料層を形成する工程と、前記自己組織化材料層をミクロ相分離させ、前記第１セグメントを含む第１部分及び前記第２セグメントを含む第２部分を有する自己組織化パターンを形成する工程と、前記第１部分又は前記第２部分のうちいずれか一方を除去し、他方をマスクとして前記被加工膜を加工する工程と、を備える。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に被加工膜を介して設けられた塗布型ガラス膜上に、ライン部の幅がスペース部の幅より狭いライン・アンド・スペースパターンのレジストパターンを形成する工程と、
前記レジストパターンをマスクに、前記塗布型ガラス膜に対してＯ２プラズマ処理を行い、前記レジストパターンのライン部をスリミングするとともに、前記レジストパターンのスペース部に対応する前記塗布型ガラス膜の第１領域の純水接触角を下げる工程と、
前記塗布型ガラス膜上に中性化膜を形成する工程と、
前記塗布型ガラス膜上に第１セグメント及び第２セグメントを有する自己組織化材料層を形成する工程と、
前記自己組織化材料層をミクロ相分離させ、前記第１セグメントを含む第１部分及び前記第２セグメントを含む第２部分を有する自己組織化パターンを形成する工程と、
前記第１部分又は前記第２部分のうちいずれか一方を除去し、他方をマスクとして前記被加工膜を加工する工程と、
を備え、
前記中性化膜の形成に伴い、前記第１領域の純水接触角が高くなり、
前記中性化膜の形成後の、前記第１領域の純水接触角は、前記レジストパターンのライン部に対応する前記塗布型ガラス膜の第２領域の純水接触角よりも低いことを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
基板上に被加工膜を介して設けられた塗布型ガラス膜上に、前記塗布型ガラス膜の第１領域を露出する開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記塗布型ガラス膜上に中性化膜を形成する工程と、
前記塗布型ガラス膜上に第１セグメント及び第２セグメントを有する自己組織化材料層を形成する工程と、
前記自己組織化材料層をミクロ相分離させ、前記第１セグメントを含む第１部分及び前記第２セグメントを含む第２部分を有する自己組織化パターンを形成する工程と、
前記第１部分又は前記第２部分のうちいずれか一方を除去し、他方をマスクとして前記被加工膜を加工する工程と、
を備えるパターン形成方法。
【請求項３】
前記レジストパターンに覆われていた前記塗布型ガラス膜の第２領域の純水接触角は、前記第１領域の純水接触角よりも高いことを特徴とする請求項２に記載のパターン形成方法。
【請求項４】
前記中性化膜の形成に伴い、前記第１領域の純水接触角が高くなることを特徴とする請求項３に記載のパターン形成方法。
【請求項５】
前記中性化膜の形成後の、前記第１領域の純水接触角は、前記第２領域の純水接触角よりも低いことを特徴とする請求項４に記載のパターン形成方法。
【請求項６】
前記レジストパターンをマスクに、前記塗布型ガラス膜の前記第１領域に対して、Ｏ２プラズマ処理、オゾン水処理、又は真空紫外光照射処理を行い、前記第１領域の純水接触角を下げることを特徴とする請求項５に記載のパターン形成方法。
【請求項７】
前記レジストパターンはライン・アンド・スペースパターンであり、
前記レジストパターンのライン部の幅はスペース部の幅より狭いことを特徴とする請求項６に記載のパターン形成方法。
【請求項８】
前記Ｏ２プラズマ処理により、前記レジストパターンのライン部がスリミングされることを特徴とする請求項７に記載のパターン形成方法。
【請求項９】
基板上に被加工膜を介して設けられた塗布型ガラス膜上に、前記塗布型ガラス膜の第１領域を露出する開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、
前記塗布型ガラス膜上に第１セグメント及び第２セグメントを有する自己組織化材料層を形成する工程と、
前記自己組織化材料層をミクロ相分離させ、前記第１セグメントを含む第１部分及び前記第２セグメントを含む第２部分を有する自己組織化パターンを形成する工程と、
前記第１部分又は前記第２部分のうちいずれか一方を除去し、他方をマスクとして前記被加工膜を加工する工程と、
を備え、
前記レジストパターンの剥離後の前記塗布型ガラス膜の前記第１領域の純水接触角は、前記レジストパターンに覆われていた前記塗布型ガラス膜の第２領域の純水接触角よりも低いことを特徴とするパターン形成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、パターン形成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子の製造工程中のリソグラフィ技術として、ＡｒＦ液浸露光によるダブルパターニング技術、ＥＵＶリソグラフィ、ナノインプリント等が知られている。従来のリソグラフィ技術は、パターンの微細化に伴い、コストの増加、スループットの低下など、様々な問題を含んでいた。
【０００３】
このような状況下で、リソグラフィ技術への自己組織化（DSA: Directed Self-assembly）の適用が期待されている。自己組織化は、エネルギー安定という自発的な挙動によって発生することから、寸法精度の高いパターンを形成できる。特に、高分子ブロック共重合体のミクロ相分離を利用する技術は、簡便な塗布とアニールプロセスで、数〜数百ｎｍの種々の形状の周期構造を形成できる。高分子ブロック共重合体のブロックの組成比によって球状（スフィア）、柱状（シリンダー）、層状（ラメラ）等に形態を変え、分子量によってサイズを変えることにより、様々な寸法のドットパターン、ホール又はピラーパターン、ラインパターン等を形成することができる。
【０００４】
ＤＳＡを用いて所望のパターンを広範囲に形成するためには、自己組織化により形成されるポリマー相の発生位置を制御するガイドを設ける必要がある。ガイドとしては、凹凸構造を有し、凹部にミクロ相分離パターンを形成する物理ガイド（grapho-epitaxy）と、ＤＳＡ材料の下層に形成され、その表面エネルギーの違いに基づいてミクロ相分離パターンの形成位置を制御する化学ガイド（chemical-epitaxy）とが知られている。
【０００５】
化学ガイドの形成方法はいくつか提案されているが、その多くは１０ｎｍ程度までの物理的段差を有する。この物理的段差が相分離の規則性に悪影響を及ぼしたり、下層の被加工膜にミクロ相分離パターンを転写することを困難にさせたりしていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】米国特許第７５２１０９４号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、化学ガイドの平坦性を高め、下層膜へ容易にミクロ相分離パターンを転写できるパターン形成方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本実施形態によれば、パターン形成方法は、基板上に被加工膜を介して設けられた塗布型ガラス膜上に、前記塗布型ガラス膜の第１領域を露出する開口部を有するレジストパターンを形成する工程と、前記レジストパターンの剥離後、前記塗布型ガラス膜上に中性化膜を形成する工程と、前記中性化膜の剥離後、前記塗布型ガラス膜上に第１セグメント及び第２セグメントを有する自己組織化材料層を形成する工程と、前記自己組織化材料層をミクロ相分離させ、前記第１セグメントを含む第１部分及び前記第２セグメントを含む第２部分を有する自己組織化パターンを形成する工程と、前記第１部分又は前記第２部分のうちいずれか一方を除去し、他方をマスクとして前記被加工膜を加工する工程と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施形態によるパターン形成方法を説明する工程断面図である。
【図２】図１に続く工程断面図である。
【図３】図２に続く工程断面図である。
【図４】図３に続く工程断面図である。
【図５】図４に続く工程断面図である。
【図６】図５に続く工程断面図である。
【図７】図６に続く工程断面図である。
【図８】第２の実施形態によるパターン形成方法を説明する工程断面図である。
【図９】図８に続く工程断面図である。
【図１０】図９に続く工程断面図である。
【図１１】図１０に続く工程断面図である。
【図１２】図１１に続く工程断面図である。
【図１３】図１２に続く工程断面図である。
【図１４】第３の実施形態によるパターン形成方法を説明する工程断面図である。
【図１５】図１４に続く工程断面図である。
【図１６】図１５に続く工程断面図である。
【図１７】図１６に続く工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。
【００１１】
（第１の実施形態）図１〜図７を用いて第１の実施形態によるパターン形成方法を説明する。
【００１２】
まず、図１に示すように、基板１０１上に、例えば膜厚１００ｎｍのＳｉＯ２膜をＣＶＤにより成膜し、被加工膜（下層膜）１０２を形成する。続いて、被加工膜１０２上にＳＯＧ（Spin on Glass：塗布ガラス）膜１０３を形成する。そして、ＳＯＧ膜１０３上に、例えば膜厚１００ｎｍのレジストを回転塗布し、ＡｒＦエキシマーレーザにより露光・現像して、ピッチ１２０ｎｍ、ライン幅６０ｎｍのライン・アンド・スペースパターンに加工し、レジストパターン１０４を形成する。
【００１３】
ここで、ＳＯＧ膜１０３は表面が疎水性であり、純水の接触角が７６°以上であることが好ましい。ここで７６°とは、本実施形態にて用いるポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブロック共重合体に対して、ＰＳ単体の表面エネルギーとＰＭＭＡ単体の表面エネルギーの中間となる表面エネルギーを有するときの純水の接触角である。本実施形態では純水の接触角が８３．０°のＳＯＧを用いた。図１に示す工程では、通常の３層レジストプロセスを用いることができるため、反射防止設計が容易となる。
【００１４】
次に、図２に示すように、レジストパターン１０４及びＳＯＧ膜１０３の表面に対してＯ２プラズマ処理を施す。ＳＯＧ膜１０３の表面のうち、レジストパターン１０４の開口部を介して露出されている領域Ａ１は、Ｏ２プラズマ処理により酸化されて親水性を示すようになる。ＳＯＧ膜１０３の表面のうち、レジストパターン１０４に覆われている部分は疎水性のままである。なお、ＳＯＧ膜１０３の領域Ａ１は、Ｏ２プラズマ処理ではほとんど削られない。ここで、レジストパターン１０４のライン幅は４５ｎｍにまでスリミングされた。
【００１５】
次に、図３に示すように、有機溶媒を用いてレジストを剥離する。ＳＯＧ膜１０３の表面のうち、レジストが剥離された領域（レジストパターン１０４のライン部であった領域）Ａ２は疎水性のままである。例えば、領域Ａ１に対する純水の接触角は２０．３°であり、領域Ａ２に対する純水の接触角は８０．０°である。
【００１６】
次に、図４に示すように、ＳＯＧ膜１０３上に中性化膜材料を塗布してベークし、中性化膜１０５を形成する。中性化膜材料は、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のランダム共重合体の末端にＯＨ基が結合したもの（Ｐ（Ｓ−ｒ−ＭＭＡ）−ＯＨ）を含む。中性化膜１０５は、ＳＯＧ膜１０３のうち親水性の領域Ａ１と反応する。
【００１７】
次に、図５に示すように、中性化膜１０５を剥離する。ＳＯＧ膜１０３の領域Ａ１は、中性化膜１０５と反応したことで中性化する。ＳＯＧ膜１０３の領域Ａ２は、中性化膜１０５との反応によりわずかに親水化するものの、領域Ａ１と比較すると疎水性を示す。例えば、領域Ａ１に対する純水の接触角は７６．１°であり、領域Ａ２に対する純水の接触角は７８．８°である。中性領域Ａ１と疎水性領域Ａ２を有するＳＯＧ膜１０３は、後の工程で形成される自己組織化材料がミクロ相分離する際に、ミクロ相分離パターンの形成位置を制御する化学ガイド層としての機能を有し、表面の平坦性が高い。
【００１８】
次に、図６に示すように、ＳＯＧ膜１０３上に、自己組織化材料を塗布して自己組織化材料層１０６を形成する。塗布する自己組織化材料は、例えば、第１ポリマーブロック鎖（第１セグメント）及び第２ポリマーブロック鎖（第２セグメント）が結合したジブロックコポリマーを用いる。ジブロックコポリマーとしては、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブロック共重合体を使用することができる。例えば、このジブロックコポリマーを１．０ｗｔ％の濃度で含有するＰＧＭＥＡ溶液を、ＳＯＧ膜１０３上に回転数１５００ｒｐｍで回転塗布する。
【００１９】
次に、図７に示すように、基板１０１をホットプレート（図示せず）で加熱する。加熱により自己組織化材料層１０６においてミクロ相分離が生じ、例えば、第１ポリマーブロック鎖を含む第１ポリマー部１０７ａ及び第２ポリマーブロック鎖を含む第２ポリマー部１０７ｂからなるピッチが３０ｎｍのラメラ状の自己組織化パターン１０７が形成される。
【００２０】
その後、例えば酸素プラズマ処理によりＰＳとＰＭＭＡのエッチングレートの差を利用して、自己組織化パターン１０７における第１ポリマー部１０７ａ又は第２ポリマー部１０７ｂを選択的に除去することで、ラインパターンが得られる。そして、残存させた第１ポリマー部１０７ａ又は第２ポリマー部１０７ｂをマスクに被加工膜１０２を加工する。これにより、被加工膜１０２にラインパターンが転写される。
【００２１】
本実施形態では、表面の平坦性の高い化学ガイド（ＳＯＧ膜１０３）上に自己組織化材料層１０６を形成する。そのため、被加工膜（下層膜）１０２へ容易にミクロ相分離パターンを転写することができる。
【００２２】
上記実施形態において、図２に示すＯ２プラズマ処理によりレジストがスリミングされることが好ましい。レジストのスリミングにより領域Ａ２の幅が狭まり、自己組織化パターン１０７の形成位置のずれを抑えることができる。例えば、自己組織化材料にポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブロック共重合体を使用する場合、ミクロ相分離により、領域Ａ２にＰＳ相が形成される。領域Ａ２の幅を狭めることで、ＰＳ相の形成位置のずれが抑えられる。従って、領域Ａ２の幅が自己組織化パターンの半整数倍と同程度となるくらいまでレジストがスリミングされることが好ましい。
【００２３】
また、図２に示す工程では、Ｏ２プラズマ処理の代わりに、オゾン水処理や真空紫外光照射を行って、ＳＯＧ膜１０３の領域Ａ１を親水性に改質してもよい。
【００２４】
（第２の実施形態）図８〜図１３を用いて第２の実施形態によるパターン形成方法を説明する。
【００２５】
まず、図８に示すように、基板２０１上に、例えば膜厚１００ｎｍのＳｉＯ２膜をＣＶＤにより成膜し、被加工膜（下層膜）２０２を形成する。続いて、被加工膜２０２上にＳＯＧ（Spin on Glass：塗布ガラス）膜２０３を形成する。そして、ＳＯＧ膜２０３上に、例えば膜厚１００ｎｍのレジストを回転塗布し、ＡｒＦエキシマーレーザにより露光・現像して、ピッチ１２０ｎｍ、ライン幅４５ｎｍのライン・アンド・スペースパターンに加工し、レジストパターン２０４を形成する。
【００２６】
ここで、ＳＯＧ膜２０３は表面が疎水性であり、純水の接触角が７６°以上であることが好ましい。図８に示す工程では、通常の３層レジストプロセスを用いることができるため、反射防止設計が容易となる。
【００２７】
次に、図９に示すように、有機溶媒を用いてレジストを剥離する。ＳＯＧ膜２０３の表面のうち、レジストパターン２０４の開口部を介して露出されていた領域Ａ１は若干の親水性を示し、レジストが剥離された領域（レジストパターン２０４のライン部であった領域）Ａ２は疎水性のままである。これは、脱保護したレジスト樹脂がわずかに残っているためと考えられる。例えば、領域Ａ１に対する純水の接触角は７６．３°であり、領域Ａ２に対する純水の接触角は８１．９°である。
【００２８】
次に、図１０に示すように、ＳＯＧ膜２０３上に中性化膜材料を塗布してベークし、中性化膜２０５を形成する。中性化膜材料は、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のランダム共重合体の末端にＯＨ基が結合したもの（Ｐ（Ｓ−ｒ−ＭＭＡ）−ＯＨ）を含む。中性化膜２０５は、ＳＯＧ膜２０３のうち親水性の領域Ａ１と反応する。
【００２９】
次に、図１１に示すように、中性化膜２０５を剥離する。ＳＯＧ膜２０３の領域Ａ１は、中性化膜２０５と反応したことで中性化する。ＳＯＧ膜２０３の領域Ａ２は、中性化膜２０５との反応によりわずかに親水化するものの、領域Ａ１と比較すると疎水性を示す。例えば、領域Ａ１に対する純水の接触角は７６．１°であり、領域Ａ２に対する純水の接触角は７８．８°である。中性領域Ａ１と疎水性領域Ａ２を有するＳＯＧ膜２０３は、後の工程で形成される自己組織化材料がミクロ相分離する際に、ミクロ相分離パターンの形成位置を制御する化学ガイド層としての機能を有し、表面の平坦性が高い。
【００３０】
次に、図１２に示すように、ＳＯＧ膜２０３上に、自己組織化材料を塗布して自己組織化材料層２０６を形成する。塗布する自己組織化材料は、例えば、第１ポリマーブロック鎖（第１セグメント）及び第２ポリマーブロック鎖（第２セグメント）が結合したジブロックコポリマーを用いる。ジブロックコポリマーとしては、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブロック共重合体を使用することができる。例えば、このジブロックコポリマーを１．０ｗｔ％の濃度で含有するＰＧＭＥＡ溶液を、ＳＯＧ膜２０３上に回転数１５００ｒｐｍで回転塗布する。
【００３１】
次に、図１３に示すように、基板２０１をホットプレート（図示せず）で加熱する。加熱により自己組織化材料層２０６においてミクロ相分離が生じ、例えば、第１ポリマーブロック鎖を含む第１ポリマー部２０７ａ及び第２ポリマーブロック鎖を含む第２ポリマー部２０７ｂからなるピッチが３０ｎｍのラメラ状の自己組織化パターン２０７が形成される。
【００３２】
その後、例えば酸素プラズマ処理によりＰＳとＰＭＭＡのエッチングレートの差を利用して、自己組織化パターン２０７における第１ポリマー部２０７ａ又は第２ポリマー部２０７ｂを選択的に除去することで、ラインパターンが得られる。そして、残存させた第１ポリマー部２０７ａ又は第２ポリマー部２０７ｂをマスクに被加工膜２０２を加工する。これにより、被加工膜２０２にラインパターンが転写される。
【００３３】
本実施形態では、表面の平坦性の高い化学ガイド（ＳＯＧ膜２０３）上に自己組織化材料層２０６を形成する。そのため、被加工膜（下層膜）２０２へ容易にミクロ相分離パターンを転写することができる。
【００３４】
また、本実施形態では、上記第１の実施形態と比較して、レジスト開口部の酸化処理工程（図２参照）が省略されているため、パターン形成を容易化できる。
【００３５】
（第３の実施形態）図１４〜図１７を用いて第３の実施形態によるパターン形成方法を説明する。
【００３６】
まず、図１４に示すように、基板３０１上に、例えば膜厚１００ｎｍのＳｉＯ２膜をＣＶＤにより成膜し、被加工膜（下層膜）３０２を形成する。続いて、被加工膜３０２上にＳＯＧ（Spin on Glass：塗布ガラス）膜３０３を形成する。そして、ＳＯＧ膜３０３上に、例えば膜厚１００ｎｍのレジストを回転塗布し、ＡｒＦエキシマーレーザにより露光・現像して、ピッチ１２０ｎｍ、ライン幅４５ｎｍのライン・アンド・スペースパターンに加工し、レジストパターン３０４を形成する。
【００３７】
ここで、ＳＯＧ膜３０３は表面が疎水性であり、純水の接触角が７６°以上であることが好ましい。また、ＳＯＧ膜３０３は、上記第２の実施形態におけるＳＯＧ膜２０３より高い疎水性を有することが好ましい。図１４に示す工程では、通常の３層レジストプロセスを用いることができるため、反射防止設計が容易となる。
【００３８】
次に、図１５に示すように、有機溶媒を用いてレジストを剥離する。ＳＯＧ膜３０３の表面のうち、レジストパターン３０４の開口部を介して露出されていた領域Ａ１は中性を示し、レジストが剥離された領域（レジストパターン３０４のライン部であった領域）Ａ２は疎水性のままである。これは、脱保護したレジスト樹脂がわずかに残っているためと考えられる。例えば、領域Ａ１に対する純水の接触角は７６．３°であり、領域Ａ２に対する純水の接触角は８１．９°である。中性領域Ａ１と疎水性領域Ａ２を有するＳＯＧ膜３０３は、後の工程で形成される自己組織化材料がミクロ相分離する際に、ミクロ相分離パターンの形成位置を制御する化学ガイド層としての機能を有し、表面の平坦性が高い。
【００３９】
次に、図１６に示すように、ＳＯＧ膜３０３上に、自己組織化材料を塗布して自己組織化材料層３０６を形成する。塗布する自己組織化材料は、例えば、第１ポリマーブロック鎖（第１セグメント）及び第２ポリマーブロック鎖（第２セグメント）が結合したジブロックコポリマーを用いる。ジブロックコポリマーとしては、例えば、ポリスチレン（ＰＳ）とポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のブロック共重合体を使用することができる。例えば、このジブロックコポリマーを１．０ｗｔ％の濃度で含有するＰＧＭＥＡ溶液を、ＳＯＧ膜３０３上に回転数１５００ｒｐｍで回転塗布する。
【００４０】
次に、図１７に示すように、基板３０１をホットプレート（図示せず）で加熱する。加熱により自己組織化材料層３０６においてミクロ相分離が生じ、例えば、第１ポリマーブロック鎖を含む第１ポリマー部３０７ａ及び第２ポリマーブロック鎖を含む第２ポリマー部３０７ｂからなるピッチが３０ｎｍのラメラ状の自己組織化パターン３０７が形成される。
【００４１】
その後、例えば酸素プラズマ処理によりＰＳとＰＭＭＡのエッチングレートの差を利用して、自己組織化パターン３０７における第１ポリマー部３０７ａ又は第２ポリマー部３０７ｂを選択的に除去することで、ラインパターンが得られる。そして、残存させた第１ポリマー部３０７ａ又は第２ポリマー部３０７ｂをマスクに被加工膜２０２を加工する。これにより、被加工膜３０２にラインパターンが転写される。
【００４２】
本実施形態では、表面の平坦性の高い化学ガイド（ＳＯＧ膜３０３）上に自己組織化材料層３０６を形成する。そのため、被加工膜（下層膜）３０２へ容易にミクロ相分離パターンを転写することができる。
【００４３】
また、本実施形態では、上記第２の実施形態と比較して、中性化膜の形成工程・剥離工程（図１０、図１１参照）が省略されているため、パターン形成をさらに容易化できる。
【００４４】
上記第１〜第３の実施形態では、レジストをライン・アンド・スペースパターンに加工し、自己組織化材料層がラメラ状にミクロ相分離する例について説明したが、レジストパターンの形状や自己組織化材料を変更し、自己組織化材料層がシリンダー状にミクロ相分離するようにしてもよい。
【００４５】
なお、本発明は上記実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００４６】
１０１  基板
１０２  被加工膜
１０３  ＳＯＧ膜
１０４  レジストパターン
１０５  中性化膜
１０６  自己組織化材料層
１０７  自己組織化パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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