(57)【要約】【課題】高精細、高効率かつ長寿命な有機ＥＬ装置の製造方法を提供する。【解決手段】第１電極が形成された基板上に有機ＥＬ層を形成する工程と、前記有機ＥＬ層を加工する工程と、前記有機ＥＬ層の上に第２電極を形成する工程と、前記有機ＥＬ層を覆う封止部材を設ける工程と、をこの順に有し、前記有機ＥＬ層を形成する工程から前記封止部材を設ける工程が完了するまでのプロセスにおいて、前記有機ＥＬ層を、酸素を含み、かつ、前記アントラセン骨格を有する縮合環化合物の吸収スペクトルの長波長側のスペクトル端の波長よりも短い波長の光を含む環境に晒さないことを特徴する。【選択図】図２
2014029851.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１電極と、第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、アントラセン骨格を有する縮合環化合物を含む有機ＥＬ層と、を有する有機ＥＬ素子を基板の上に複数備え、
前記有機ＥＬ素子が封止部材で覆われた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
第１電極が形成された基板上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層を加工する工程と、
前記有機ＥＬ層の上に第２電極を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層を覆う封止部材を設ける工程と、をこの順に有し、
前記有機ＥＬ層を形成する工程から前記封止部材を設ける工程が完了するまでのプロセスにおいて、前記有機ＥＬ層を、酸素を含み、かつ、前記アントラセン骨格を有する縮合環化合物の吸収スペクトルの長波長側のスペクトル端の波長よりも短い波長の光を含む環境に晒さないことを特徴する、有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項２】
前記有機ＥＬ層を形成する工程から前記封止部材を設ける工程までのプロセスを、前記アントラセン骨格を有する縮合環化合物の吸収スペクトルの長波長側のスペクトル端の波長よりも大きい波長域の光の下で行うことを特徴とする、請求項１に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項３】
前記アントラセン骨格を有する縮合環化合物が、前記有機ＥＬ層を構成する発光層に含まれることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項４】
前記有機ＥＬ層を加工する工程を、前記アントラセン骨格を有する縮合環化合物の吸収スペクトルの長波長側のスペクトル端の波長よりも大きい波長域の光の下で行うことを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項５】
前記有機ＥＬ層が、アントラセン骨格を有さない有機化合物をさらに含んでおり、
前記有機ＥＬ層を形成する工程から前記封止部材を設ける工程までのプロセスにおいて、前記有機ＥＬ層を、前記アントラセン骨格を有さない有機化合物の吸収スペクトルの長波長側のスペクトル端の波長よりも短い波長の光にも晒さないことを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項６】
前記有機ＥＬ層を形成する工程を行う前に、
水溶性材料からなる中間層を設ける工程と、
前記中間層の一部を除去する工程と、をさらに有しており、
前記有機ＥＬ層を加工する工程が、前記中間層を溶解して前記中間層の上に形成された有機ＥＬ層を除去する工程を含んでいることを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項７】
前記中間層の一部を除去する工程が、
前記中間層の上にフォトレジスト層を形成する工程と、
前記フォトレジスト層をフォトリソグラフィーにてパターニングする工程と、
パターニングされた前記フォトレジスト層をマスクにして前記中間層を除去する工程と、を含んでいることを特徴とする、請求項６に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項８】
前記フォトレジスト層を形成する工程の前に、前記中間層の上に無機材料からなる保護層を形成する工程をさらに有しており、
前記中間層を除去する工程の前に、前記フォトレジスト層をマスクにして前記保護層を除去する工程をさらに有していることを特徴とする、請求項７に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項９】
第１電極と、第２電極と、
前記第１電極と第２電極との間に設けられるアントラセン骨格を有する縮合環化合物を含む有機ＥＬ層と、を有する有機ＥＬ素子を基板上に複数備え、前記有機ＥＬ素子が封止部材で覆われた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
第１電極が形成された基板の上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層を加工する工程と、
前記有機ＥＬ層の上に第２電極を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層を覆う封止部材を設ける工程と、を有し、
前記有機ＥＬ層を形成する工程から前記封止部材を設ける工程までの間に、前記有機ＥＬ層が酸素を含みかつ環境光に晒される雰囲気下にて行われる工程を含んでおり、
前記環境光の分光スペクトルの短波長側のスペクトル端の波長が、前記アントラセン骨格を有する縮合環化合物の吸収スペクトルの長波長側のスペクトル端の波長よりも大きいことを特徴とする、有機ＥＬ装置の製造方法。
【請求項１０】
前記アントラセン骨格を有する縮合環化合物が、一般式（ａ）乃至（ｇ）のいずれかに示される化合物であり、
前記環境光の光源がイエロー蛍光灯であることを特徴とする、請求項９に記載の有機ＥＬ装置の製造方法。
【化１】
2014029851.tif 000022
（尚、一般式（ａ）乃至（ｇ）に示される化合物において、化合物に含まれ得る水素原子が、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１乃至２０のアルキル基、置換アミノ基、置換基を有してもよいアリール基及び置換基を有してもよい複素環基から選択される置換基に置換されていてもよい。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、複数の有機ＥＬ素子を備えるディスプレイである。有機ＥＬ表示装置は、コントラストが高く、薄型化が容易であることから、フラットパネルディスプレイの有力候補として注目されている。また有機ＥＬ表示装置は、液晶と比べて応答速度が速く、動画表示に適しているという特長も有している。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置の表示領域は、例えば、赤・緑・青のいずれかを出力する有機ＥＬ素子を含む副画素が、２次元的かつ高精細に配置されている。また各副画素の発光量を制御することにより、所望のフルカラーの画像を表示することが可能である。
【０００４】
高精細化された有機ＥＬ素子を有する表示装置を作製する方法として様々な方法が提案されている。特許文献１には、有機ＥＬ素子を構成する有機材料からなる層（有機材料層）を、所望のパターン形状にて、かつ良好なパターニング精度で形成する方法が開示されている。具体的には、有機材料層の上に所定の形状を有するマスク層をフォトリソプロセスを用いて形成し、このマスク層を利用して有機材料層のパターニングを行っている。ところで、上記マスク層は、光吸収材料を有しアルコール可溶性ナイロンからなる中間層とレジスト層とを順次形成し、フォトリソプロセスを利用して中間層とレジスト層とからなる積層体を加工することによって形成される。ここで、中間層に含まれる光吸収材料は、露光光による有機材料層のダメージを防止する目的で設けられている。
【０００５】
一方で、有機ＥＬ素子の高効率化や耐久性の向上を目的として、有機ＥＬ素子の構成材料となる有機化合物が数多く提案されている。特許文献２には、下記一般式で示されるアントラセン骨格を有する縮合多環化合物が開示されている。
【０００６】
【化１】
2014029851.tif 000003
【０００７】
（式中、Ｒ1乃至Ｒ16は、それぞれ水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至２０のアルキル基、置換アミノ基、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基である。ただしＲ1乃至Ｒ16のうち少なくとも１つは、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至２０のアルキル基、置換アミノ基、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基である。）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４５０７７５９号公報
【特許文献２】特開２０１０−１５０２３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
高精細でかつ高効率化、耐久性の表示装置を得るために、例えば、特許文献２にて開示されるアントラセン骨格を有する有機ＥＬ材料に対して、特許文献１に開示されたパターニング法を適用することが考えられる。ところが、アントラセン骨格を有する有機ＥＬ材料は、酸素を含む雰囲気にて一重項励起エネルギーよりも高いエネルギーを有する光に曝されると、光二量化反応を起こして劣化する。特許文献１には詳細な開示がないが、有機化合物層の成膜後に行うプロセス、具体的には、基板をフォトリソ装置へ搬送する工程や中間層を水に浸漬して除去する工程等は、大気下において、白色蛍光灯下等の環境光のスペクトルを制限しない環境下で行うことがある。この場合、アントラセン骨格を有する有機ＥＬ材料が環境光によって劣化し、真空蒸着によって作製した素子よりも発光効率や耐久特性が劣るという課題が生じる。
【００１０】
本発明は、上述した課題を解決するためになされるものであり、その目的は、高精細、高効率かつ長寿命な有機ＥＬ装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の有機ＥＬ装置の製造方法は、第１電極と、第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、アントラセン骨格を有する縮合環化合物を含む有機ＥＬ層と、を有する有機ＥＬ素子を基板の上に複数備え、
前記有機ＥＬ素子が封止部材で覆われた有機ＥＬ装置の製造方法であって、
第１電極が形成された基板上に有機ＥＬ層を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層を加工する工程と、
前記有機ＥＬ層の上に第２電極を形成する工程と、
前記有機ＥＬ層を覆う封止部材を設ける工程と、をこの順に有し、
前記有機ＥＬ層を形成する工程から前記封止部材を設ける工程が完了するまでのプロセスにおいて、前記有機ＥＬ層を、酸素を含み、かつ、前記アントラセン骨格を有する縮合環化合物の吸収スペクトルの長波長側のスペクトル端の波長よりも短い波長の光を含む環境に晒さないことを特徴する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、高精細、高効率かつ長寿命な有機ＥＬ装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置の例を示す断面模式図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における実施形態の例を示す断面模式図である。
【図３】第一発光層に含まれる、アントラセン骨格を有する縮合環化合物の溶液中の吸収スペクトルを示す図である。
【図４】図３のスペクトルにおけるピークの吸収端を説明するための図である。
【図５】市販の半導体工場用イエロー蛍光灯（日立製ＦＬ４０Ｓ・Ｙ−Ｆ）の分光分布を示す図である。
【図６】第一有機ＥＬ材料及び第二有機ＥＬ材料の吸収スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明は、第１電極と第２電極と、第１電極と第２電極との間に設けられ、アントラセン骨格を有する縮合環化合物を含む有機ＥＬ層と、を有する有機ＥＬ素子を基板の上に備え、有機ＥＬ素子が封止部材で覆われた有機ＥＬ表示装置の製造方法である。尚、本発明において、有機ＥＬ素子は、基板の上に複数備えられている。また、本発明において、有機ＥＬ層には、アントラセン骨格を有する縮合環化合物に加えて、アントラセン骨格を有さない化合物が含まれていてもよい。
【００１５】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、典型的には、少なくとも下記（１）乃至（４）に示される工程を有している。
（１）第１電極が形成された基板上に有機ＥＬ層を形成する工程
（２）有機ＥＬ層を加工する工程
（３）有機ＥＬ層の上に第２電極を形成する工程
（４）有機ＥＬ層を覆う封止部材を設ける工程
【００１６】
尚、上記（１）乃至（４）に示される工程は、この順番で行われるものである。また本発明において、（１）の工程と（２）の工程の間には、搬送工程が含まれていてもよい。ここで搬送工程とは、工程（１）（有機ＥＬ層の形成工程）にて有機ＥＬ層を形成した後、工程（３）を行うために有機ＥＬ層の加工装置へと有機ＥＬ層が形成された基板を搬送する工程である。本発明においては、有機ＥＬ層を形成する工程（工程（１））から封止部材を設ける工程（工程（４））が完了するまでのプロセス（搬送工程を含む）において、有機ＥＬ層を、特定の環境下に晒されないようにする。具体的には、酸素を含み、かつ、アントラセン骨格を有する縮合環化合物の吸収スペクトルの長波長側のスペクトル端の波長よりも短い波長の光を含む環境に晒さないようにする。つまり、本発明においては、なるべく酸素を含まない又は酸素濃度が少ない環境下で行いつつ、かつ実施時の光環境に留意しながら有機ＥＬ表示装置の作製を行う。本発明において、好ましくは、工程（１）から工程（４）までのプロセスを、アントラセン骨格を有する縮合環化合物の吸収スペクトルの長波長側のスペクトル端の波長よりも大きい波長域の光の下で行う。尚、本発明においては、工程（１）から工程（４）までの一連のプロセスを行う際に、酸素含む環境下（例えば、大気下）で行う工程が含まれていてもよい。ただし、酸素含む環境下で行う工程を行う際にも光環境に留意する必要がある。その詳細は、後述する。
【００１７】
本発明において、典型的には、有機ＥＬ層は、フォトリソグラフィー法によって加工される単層あるいは複数層からなる積層体であり、有機ＥＬ素子を構成する層である。
【００１８】
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を具体的に説明する。尚、図面において特に図示されなかったり、あるいは以下の説明において特段説明されなかったりする事項については、当該技術分野の周知技術あるいは公知技術を適用することができる。
【００１９】
（有機ＥＬ装置）
図１は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ装置の例を示す断面模式図である。図１の有機ＥＬ装置１は、基板１０上に二種類の副画素、即ち、第一副画素２Ａと、第二副画素２Ｂと、が設けられている。図１の有機ＥＬ装置１において、第一副画素２Ａは、基板１０の上に有機ＥＬ素子が設けられている。この有機ＥＬ素子は、具体的には、基板１０の上に設けられる下部電極１１Ａと、電荷注入輸送層１２Ａと、第一発光層１３Ａと、隣接機能層１４Ａと、電子輸送層１７と、電子注入層１８と、上部電極１９と、がこの順に設けられる有機ＥＬ素子である。
【００２０】
図１の有機ＥＬ装置１において、第二副画素２Ｂには、基板１０の上に有機ＥＬ素子が設けられている。この有機ＥＬ素子は、具体的には、基板１０の上に設けられる下部電極１１Ｂと、電荷注入輸送層１２Ｂと、第二発光層１３Ｂと、隣接機能層１４Ｂと、電子輸送層１７と、電子注入層１８と、上部電極１９と、がこの順に設けられる有機ＥＬ素子である。図１の有機ＥＬ装置１において、電荷注入輸送層（１２Ａ、１２Ｂ）は、共通の材料を用いて一括して形成される層であってもよいし、異なる材料を用いて副画素ごとに個別に形成される層であってもよい。図１の有機ＥＬ装置１において、隣接機能層（１４Ａ、１４Ｂ）は、共通の材料を用いて一括して形成される層であってもよいし、異なる材料を用いて副画素ごとに個別に形成される層であってもよい。以下、第一副画素２Ａ、第二副画素２Ｂの関係なく各層を指す場合には、電荷注入輸送層１２、隣接機能層１４のようにＡ、Ｂを省略して記述することがある。
【００２１】
（有機ＥＬ装置の製造方法）
本発明は、典型的には、フォトリソグラフィー法を用いて、基板上に所望の形状にパターニングされた有機ＥＬ層を形成するものであり、プロセス途中の基板上の有機ＥＬ層が大気下で環境光に曝される工程を含む有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。従って、本発明は、プロセスの途中において基板上の有機ＥＬ層が大気下で環境光に曝される工程が含まれている製造プロセスであれば適用可能である。以下、本発明の製造プロセスの具体例を説明するが、本発明はこの具体例に限定されるものではない。
【００２２】
図２は、本発明の有機ＥＬ装置の製造方法における実施形態の例を示す断面模式図である。図２は、発光色が互いに異なる二種類の副画素（２Ａ、２Ｂ）を有する有機ＥＬ装置の製造プロセスを示すものであるが、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、副画素が三種類以上であってもよい。尚、実際の有機ＥＬ装置では、二種類の副画素（２Ａ、２Ｂ）を一個ずつ組み合わせてなる画素（画像を構成する最小単位）が基板１０の上に二次元に設けられている。以下、図２に基づいて本発明の製造方法を説明する。
【００２３】
（１）下部電極付基板の作製工程（図２（ａ））
まず基板１０上に複数の下部電極１１を形成する（図２（ａ））。基板１０として、例えば、ガラス、Ｓｉウェハ等の絶縁性の基板が用いられる。図２には図示していないが、基板１０内には、必要に応じて有機ＥＬ装置を駆動するためのトランジスタ等で構成される駆動回路を設けることができる。尚、基板１０内に駆動回路（不図示）を設けた場合は、駆動回路を設けたことによって生じた凹凸を平坦化するための平坦化層（不図示）を設けることが望ましい。
【００２４】
下部電極１１は、光の取り出し方向に応じて適宜構成材料を選択することができる。例えば、Ａｌ、Ａｇ等の導電性金属材料を用いて下部電極１１を反射電極にしたり、ＩＴＯやスズを添加した酸化亜鉛等の透明電極材料を用いて光透過性の電極にしたりすることができる。尚、下部電極１１を反射電極にする場合は、導電性金属材料からなる電極層と、透明電極材料からなる電極層と、をこの順に積層してなる電極を用いてもよい。
【００２５】
副画素単位で有機ＥＬ素子を個別に発光させる場合、下部電極１１は所望の形状にパターニングが施される。これにより下部電極１１は、副画素ごとに分割される。下部電極１１のパターニングの方法としては、フォトリソプロセス等の公知の方法を適用することができる。下部電極１１を所望の形状にパターニングして各電極間を分離した後、必要に応じて各副画素の発光領域を区画する画素分離膜を設けてもよい。
【００２６】
（２）電荷注入輸送層の形成工程（図２（ｂ））
次に、第一副画素２Ａに含まれる有機ＥＬ素子を構成する電荷注入輸送層１２Ａと、第一発光層１３Ａとを基板１０の全体に順次形成する（図２（ｂ））。
【００２７】
尚、電荷注入輸送層１２は必ずしも設ける必要性はない。電荷注入輸送層１２を設ける場合、電荷注入輸送層１２は単層で構成されてもよいし、複数層で構成されていてもよい。
【００２８】
下部電極１１が陽極である場合、電荷注入輸送層１２としては、ホール注入層、ホール輸送層、電子ブロック層等が含まれる。また下部電極１１が陰極である場合、電荷注入輸送層１２としては、電子注入層、電子輸送層、ホールブロック層等が含まれる。
【００２９】
第一発光層１３Ａの構成材料としては、公知の低分子系材料あるいは高分子系材料を選択することができる。第一発光層１３Ａの形成方法としては、真空蒸着法、塗布法等を用いることができる。
【００３０】
本実施形態において、有機ＥＬ層は、具体的には、電荷注入輸送層１２、発光層（第一発光層１３Ａ）及び隣接機能層１４からなる積層体であるが、少なくともいずれか一層に、第一有機ＥＬ材料が含まれている。好ましくは、第一有機ＥＬ材料は発光層（第一発光層１３Ａ）に含まれる。さらに、本実施形態において、有機ＥＬ層は、第二有機ＥＬ材料が含まれていてもよい。ここで第一有機ＥＬ材料及び第二有機ＥＬ材料は、それぞれ以下に説明する材料である。
【００３１】
（２ａ）第一有機ＥＬ材料
第一有機ＥＬ材料は、アントラセン骨格を有する縮合環化合物である。アントラセン骨格を有する縮合環化合物としては、例えば、下記（ａ）乃至（ｇ）に示される化合物が挙げられる。
【００３２】
【化２】
2014029851.tif 000004
【００３３】
尚、式（ａ）乃至（ｇ）において、縮合環化合物の基本骨格を為す炭素原子には、通常、水素原子が結合しているが、この水素原子を別の置換基に置き換えてもよい。ここでいう別の置換基として、具体的には、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、炭素原子数１乃至２０のアルキル基、置換アミノ基、置換基を有してもよいアリール基及び置換基を有してもよい複素環基が挙げられる。ただし本発明においては、当該水素原子のうち少なくとも１つが、ハロゲン原子、炭素原子数１乃至２０のアルキル基、置換アミノ基、置換基を有してもよいアリール基又は置換基を有してもよい複素環基に置き換わるのが好ましい。
【００３４】
ここで、水素原子に換わって式（ａ）乃至（ｇ）のいずれかに示される縮合環化合物の基本骨格を為す炭素原子に結合してもよい置換基について説明する。
【００３５】
上述したアルキル基の例として、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ヘキシル基等が挙げられる。
【００３６】
上述した置換アミノ基の例として、ジメチルアミノ基、ジフェニルアミノ基等が挙げられる。
【００３７】
上述したアリール基の例として、フェニル基等が挙げられる。
【００３８】
上述した複素環基の例として、ピリジル基等が挙げられる。
【００３９】
第一有機ＥＬ材料は、第一副画素２ａ又は第二副画素２ｂに形成された有機ＥＬ層に含まれていてもよいし、両副画素それぞれに形成された有機ＥＬ層に含まれていてもよい。以下の説明では、第一副画素２ａに形成した有機ＥＬ層に第一有機ＥＬ材料が含まれる例について説明する。
【００４０】
第一有機ＥＬ材料の具体例を以下に列挙する。ただし本発明において、第一有機ＥＬ材料として用いることができる化合物は、以下に列挙される化合物群に限定されるものではない。
【００４１】
【化３】
2014029851.tif 000005
【００４２】
【化４】
2014029851.tif 000006
【００４３】
（２ｂ）第二有機ＥＬ材料
有機ＥＬ層には、アントラセン骨格を有さない有機化合物（第二有機ＥＬ材料）をさらに含んでいてもよい。第二有機ＥＬ材料となる化合物は特に限定されないが、第二有機ＥＬ材料の吸収スペクトルと環境光のスペクトルとが重ならないのが好ましい。即ち、環境光のスペクトルが、第一有機ＥＬ材料の吸収スペクトルと第二有機ＥＬ材料の吸収スペクトルのどちらにも重ならないように制限するのが好ましい。これにより、環境光によって第一有機ＥＬ材料や第二有機ＥＬ材料が励起されるのを防げるからである。
【００４４】
第二有機ＥＬ材料の具体例として、下記に示す化合物が挙げられるが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４５】
【化５】
2014029851.tif 000007
【００４６】
（３）隣接機能層の形成工程（図２（ｃ））
次に、第一発光層１３Ａ上に、隣接機能層１４Ａを形成する（図２（ｃ））。本発明において、典型的には、隣接機能層１４は、発光層（第一発光層１３Ａ）上に設けられ、かつ発光層に隣接する層である。隣接機能層１４として、例えば、ホールブロック層、電子ブロック層等が挙げられる。
【００４７】
（４）犠牲層の形成工程（図２（ｃ））
次に、隣接機能層１４Ａ上に、犠牲層１５を形成する（図２（ｃ））。犠牲層１５は、後の工程で犠牲層１５上に存在する層（中間層２１）を残渣なく除去するために設けられる。犠牲層１５の構成材料としては、極性溶媒に可溶な材料を選択する。そして、犠牲層１５の構成材料を、隣接機能層１４の構成材料と比較して極性溶媒に対する溶解度が大きい材料にすることで、犠牲層１５を選択的に除去することが可能になり、プロセスによる隣接機能層１４の膜厚変化を抑制することができる。即ち、隣接機能層１４の膜厚制御の精度を高めることができる。このように犠牲層１５の構成材料は、極性溶媒に溶解する又は溶解度が高い化合物が選択されるが、具体的には、複素環式化合物、電子供与性又は電子吸引性の置換基を有する有機化合物等が挙げられる。
【００４８】
（５）中間層の形成工程（図２（ｄ））
次に、犠牲層１５上に、中間層２１を形成する（図２（ｄ））。中間層２１の構成材料としては、犠牲層１５の構成材料に対する溶解度が低い溶剤に対して、溶解度が高く、かつ、形成する際に犠牲層１５、隣接機能層１４Ａ、第一発光層１３Ａ及び電荷注入輸送層１２Ａにダメージを与えない材料を選択するのが好ましい。
【００４９】
これは、特定の溶剤における中間層２１のエッチングレートを、犠牲層１５等のそれよりも大きい状態にすることを意味する。例えば、犠牲層１５の構成材料として、水にほとんど溶解しない材料を用いた場合では、中間層２１を溶解する溶解液（剥離液）として水を好適に用いることができる。ここで中間層２１の剥離液として水を選択する場合、中間層２１の構成材料としては、ＬｉＦ、ＮａＣｌ等の水溶性無機材料、あるいはポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）等の水溶性ポリマーを使用することができる。
【００５０】
（６）保護層の形成工程（図２（ｅ））
次に、中間層２１上に保護層２２を設ける（図２（ｅ））。保護層２２は、後述するレジスト層２３を形成する際に、レジスト層２３の構成材料を溶解する溶媒から中間層２１以下の層を保護するために設けられる。また保護層２２を設けることによって、レジスト層２３の構成材料の選択の幅を広めることができる。保護層２２の構成材料としては、窒化シリコンや酸化シリコン等の透湿性の低い無機材料が挙げられる。
【００５１】
（７）レジスト層の形成工程（図２（ｆ））
次に、保護層２２上にレジスト層２３を形成する（図２（ｆ））。レジスト層２３の構成材料としては、公知のレジスト材料を用いることができる。
【００５２】
（８）第一有機ＥＬ層の加工工程（図２（ｇ）〜（ｉ））
図２（ｆ）に示されるようにレジスト層２３まで形成した後、フォトリソグラフィー法を用いて、第一有機ＥＬ層を加工する。図２の工程により、電荷注入輸送層１２Ａ、第一発光層１３Ａ、隣接機能層１４Ａ、犠牲層１５、中間層２１及び保護層２２がこの順に積層された第一有機積層体１６Ａが加工される。
【００５３】
まずレジスト層２３に光を照射（露光）して現像を行い、第一副画素２Ａを設ける領域にレジスト層２３が残るようにレジスト層２３を加工する（図２（ｇ））。
【００５４】
次に、残存しているレジスト層２３をマスクとして、ドライエッチング法又はウェットエッチング法により、レジスト層２３に覆われていない保護層２２、中間層２１、犠牲層１５及び隣接機能層１４Ａを、順次除去する（図２（ｈ））。尚、保護層２２、中間層２１、犠牲層１５及び隣接機能層１４Ａをそれぞれ加工してパターニングを行う際は、一つの工程で２以上の層が同時に加工されてもよいし、各層がそれぞれ別の工程で一層ずつ加工されてもよい。
【００５５】
次に、第一発光層１３Ａ及び電荷注入輸送層１２Ａを、ドライエッチング法又はウェットエッチング法により、順次加工する（図２（ｉ））。この加工により、第二副画素（Ｂ副画素）２Ｂに含まれる下部電極１１Ｂが露出される。尚、図２（ｉ）では、第一発光層１３Ａ及び電荷注入輸送層１２Ａを加工する際に、第一副画素２Ａを覆うレジスト層２３が残存しているが、図２（ｆ）乃至図２（ｉ）までの工程を行う間に除去されても構わない。ただし後工程でレジスト層２３からの不純物が有機ＥＬ層に混入するのを防ぐことができる点で、レジスト層２３は本工程において除去されるのが好ましい（図２（ｊ））。
【００５６】
（９）第二有機ＥＬ層の形成工程（図２（ｋ））
次に、少なくとも第二副画素を設ける領域に、電荷注入輸送層１２Ｂ、第二発光層１３Ｂ、隣接機能層１４Ｂ及び犠牲層１５を形成する（図２（ｋ））。本実施形態では、第二有機ＥＬ層として電荷注入輸送層１２Ｂと第二発光層１３Ｂと隣接機能層１４Ｂとを形成しているが、本発明においては、これに限定されるものではない。例えば、電荷注入輸送層１２Ｂを省略して、第二発光層１３Ｂと隣接機能層１４Ｂとで第二有機ＥＬ層を形成してもよい。
【００５７】
次に、隣接機能層１４Ｂの上に犠牲層１５を形成する（図２（ｋ））。ここで隣接機能層１４Ｂを形成する際には、上記（３）にて説明された方法を利用することができる。また犠牲層１５を形成する際には、上記（４）にて説明された方法を利用することができる。
【００５８】
（１０）リフトオフ工程（図２（ｌ））
次に、中間層２１を、中間層を溶解する溶液に接触させて溶解させ、中間層２１上に設けられる層（電荷注入輸送層１２Ｂ、第二発光層（Ｂ発光層）１３Ｂ、隣接機能層１４Ｂ、犠牲層１５）を、共に除去（リフトオフ）する（図２（ｌ））。リフトオフは、具体的には、中間層２１を溶解する溶液中に基板１０を浸漬して行う。このとき、中間層２１を溶解する溶液としては、中間層２１のエッチングレートが、犠牲層１５のそれよりも大きくなる溶媒を選択する。
【００５９】
（１１）犠牲層の除去工程（図２（ｍ））
リフトオフ工程において中間層２１や中間層２１上に設けられる層の大半は除去されるが、その一部は残渣として犠牲層１５上に残存する場合がある。そこで、ウェットエッチングにより犠牲層１５を選択的に除去する。そうすると、図２（ｍ）に示されるように、犠牲層１５上に残存する残渣も犠牲層１５と共に除去される。
【００６０】
以上の工程を経て、各副画素（２Ａ、２Ｂ）において、電荷注入輸送層（１２Ａ、１２Ｂ）と、各副画素に対応する光を出力する発光層（１３Ａ、１３Ｂ）と、隣接機能層（１４Ａ、１４Ｂ）とからなる積層体が所望のパターン形状で形成される。尚、副画素の種類を増加して、増加した分の副画素に対応する光を出力する有機発光層をさらに形成する場合は、犠牲層を除去する前に、中間層の形成工程（上記（５）の工程）からリフトオフ工程（上記（１０）の工程）までの工程を適宜繰り返す。
【００６１】
（１２）共通層等の形成工程（図２（ｎ））
次に、基板を十分に脱水した後、共通層を形成する（図２（ｎ））。本発明では、典型的には、共通層として、少なくとも各副画素において共通する電極である上部電極１９が含まれる。また光学干渉の利用等を考慮して、隣接機能層１４と上部電極１９との間に、各副画素において共通する層である電荷輸送層１７や電荷注入層１８等の介在層を適宜設けてもよい。
【００６２】
上部電極１９の構成材料としては、導電性の材料であれば、特に限定されることはない。例えば、Ａｌ、Ａｇ等の金属材料又はＩＴＯ、スズを添加した酸化亜鉛等の透明電極材料を利用することができる。また金属材料からなる層と透明導電材料からなる層とから構成される積層電極膜を用いてもよい。ここで、各発光層（１３Ａ、１３Ｂ）で発せられた光を外部に出力させるには、下部電極１１及び上部電極１９の少なくとも一方を可視光に対して透明あるいは半透明の材料を用いる。
【００６３】
（１３）封止工程
最後に、大気中の酸素や水分から有機ＥＬ素子を保護するための封止構造（不図示）を設けることにより、有機ＥＬ装置は完成する。本発明においては、犠牲層を除去し、基板を脱水してから後の工程は、水分が再付着しないようにする目的で、真空や窒素雰囲気等の雰囲気中の水分量を制限した環境で行うのが好ましい。基板の封止構造としては、透湿性の低い無機保護層で有機ＥＬ素子を覆う構成や、ガラスや金属等の透湿性の低い基材を透湿性の低い接着剤にて基板１０に接着して有機ＥＬ素子を覆う構成等が挙げられる。尚、透湿性の低い無機保護層や基材が、本発明でいう「封止部材」に該当する。
【００６４】
（１４）補足
尚、本発明においては、有機ＥＬ層を形成する工程を行う順番と中間層の形成工程を行う順番とを変更してもよい。即ち、有機ＥＬ層を形成する工程を行う前に、水溶性材料からなる中間層を設ける工程（中間層の形成工程）と、この中間層の一部を除去する工程（中間層の加工工程）と、を行ってもよい。このように、有機ＥＬ層（１２、１３）を形成する前に、所定のパターン形状を有する中間層２１を形成すると、有機ＥＬ層を加工する工程を行う際に、例えば、中間層２１を溶解する方法を採用することができる。つまり、中間層２１そのものを所定の溶媒を用いて溶解させることにより、中間層２１の上に形成された有機ＥＬ層はリフトオフを利用して除去することができる。また中間層２１を先に形成すると、有機ＥＬ層（１２、１３）をエッチング加工によって生じるリスクから回避させることができる。尚、エッチング加工によるリスクとは、例えば、エッチング雰囲気下に晒されることによる有機ＥＬ層のダメージのリスク、エッチングソースとの接触に伴う有機ＥＬ層のダメージのリスク等が挙げられる。
【００６５】
尚、有機ＥＬ層を形成する工程を行う前に所定のパターン形状を有する中間層２１を形成する場合、中間層の一部を除去する工程は、好ましくは、下記（ｉ）乃至（ｉｉｉ）の工程が含まれている。
（ｉ）中間層の上にフォトレジスト層を形成する工程
（ｉｉ）フォトレジスト層をフォトリソグラフィーにてパターニングする工程
（ｉｉｉ）パターニングされたフォトレジスト層をマスクにして中間層（の一部）を除去する工程
【００６６】
（環境光について）
以上に説明した製造プロセス、具体的には、電荷注入輸送層１２Ａを形成してから封止構造を設けるまでのプロセスのうち、その一部が大気下において行われることがある。その際に、第一副画素を構成する有機ＥＬ層、具体的には、電荷注入輸送層１２Ａ、第一発光層１３Ａ、隣接機能層１４Ａの３層（の少なくともいずれか）が、特定の光環境、即ち、環境光に曝されることがある。ここで有機ＥＬ層が晒される光（環境光）によっては、第一有機ＥＬ層に含まれる第一有機ＥＬ材料（アントラセン骨格を含む縮環構造を有する有機化合物）が劣化するおそれがある。このため、本実施形態においては、環境光のスペクトルの範囲を適切に制限している。図２に示される各プロセスにおいて、電荷注入輸送層１２Ａ、第一発光層１３Ａ、隣接機能層１４の３層のうちのいずれかが大気中で環境光に晒される可能性がある工程は、図２（ｂ）乃至（ｎ）に示される工程及びその間の搬送工程である。
【００６７】
例えば、第一有機ＥＬ層を構成する各層（１２ａ、１３Ａ、１４ａ）を順次形成する工程（図２（ｂ）乃至（ｃ））のいずれかが高分子系の有機材料を塗布法にて形成する工程である場合は、第一有機ＥＬ材料を含む層が大気下で環境光に曝され得る。また中間層２１を形成する工程（図２（ｄ））が、例えば、ポリビニルピロリドン（ＰＶＰ）等の水溶性ポリマーを塗布する工程である場合は、第一有機ＥＬ層を構成する各層（１２Ａ、１３Ａ、１４Ａ）が大気下で環境光に曝され得る。リフトオフ工程（図２（ｋ））においては、中間層２１を水等によりリフトオフする際に、第一有機ＥＬ層が大気下で環境光に曝され得る。犠牲層の除去工程（図２（ｌ））においては、エッチング時（図２（ｍ））において第一有機ＥＬ層が大気下で環境光に曝され得る。また、各工程間の搬送時においても、第一有機ＥＬ層が大気下で環境光に曝され得る。
【００６８】
上述したように、アントラセン骨格を有する縮合環化合物（第１有機ＥＬ材料）は、酸素を含む雰囲気であって一重項励起エネルギーよりも高いエネルギーの光に曝されると、光二量化反応を起こして劣化する。従って、アントラセン骨格を有する縮合環化合物（第１有機ＥＬ材料）を含む層を形成する工程以降は、工程雰囲気中の酸素あるいは環境光のスペクトルの少なくとも一方を制限する必要がある。雰囲気中の酸素を制限する場合は、１０００ｐｐｍ以下とするのが好ましい。より好ましくは１０ｐｐｍ以下とする。環境光のスペクトルを制限する場合は、環境光の短波長側のスペクトル端を、アントラセン骨格を有する有機ＥＬ材料の吸収スペクトル端の波長よりも長くするのが好ましい。
【００６９】
本実施形態では、大気下で行われる各工程において、第一有機ＥＬ材料の一重項励起エネルギーよりも高いエネルギーを有する光に曝さないようにしている。具体的には、環境光の分光スペクトルの短波長側のスペクトル端が、アントラセン骨格を含む縮合環化合物（第一有機ＥＬ材料）の吸収スペクトルの長波長側のスペクトル端の波長よりも長くなるように制限する。すると、アントラセン骨格を含む縮合環化合物が環境光を吸収して一重項励起子が生成する現象は起こらない。つまり、アントラセン骨格を含む縮合環化合物の光二量化反応を防ぎ、この化合物を含む有機ＥＬ素子の発光効率や耐久寿命の劣化を抑制することができる。
【００７０】
ここで、環境光の制御について具体的に説明する。
【００７１】
図３は、第一発光層１３Ａに含まれるアントラセン骨格を有する縮合環化合物の溶液中の吸収スペクトルを示す図である。尚、図３に示される吸収スペクトルは、具体的には、一般式（ｄ）に示される化合物の溶液中の吸収スペクトルを示す図である。図３に示すように、対象となる化合物（一般式（ｄ）に示される化合物）の一重項励起状態に由来する吸収スペクトルのピークは、４５０ｎｍ近傍に存在する。本発明においては、短波長側のスペクトル端が、アントラセン骨格を有する縮合環化合物（第一有機ＥＬ材料）の一重項励起エネルギーよりも低いエネルギーになるように環境光を制御する。例えば、図３のスペクトルを有する一般式（ｄ）に示される化合物では、環境光の短波長側のスペクトル端が、４５０ｎｍ近傍に存在するピークの吸収端よりも長波側になるように環境光（具体的には、その波長分布等）を制限する。
【００７２】
同様に、一般式（ａ）に示される化合物の一重項励起状態に由来する吸収スペクトルのピークは、３９０ｎｍ近傍に存在する。よって、一般式（ａ）の化合物を用いる場合は、環境光の短波長側のスペクトル端が３９０ｎｍ近傍に存在するピークの吸収端よりも長波側になるように環境光を制限する。
【００７３】
同様に、一般式（ｂ）に示される化合物の一重項励起状態に由来する吸収スペクトルのピークは、４２０ｎｍ近傍に存在する。よって、一般式（ｂ）の化合物を用いる場合は、環境光の短波長側のスペクトル端が４２０ｎｍ近傍に存在するピークの吸収端よりも長波側になるように環境光を制限する。
【００７４】
同様に、一般式（ｃ）に示される化合物の一重項励起状態に由来する吸収スペクトルのピークは、４２０ｎｍ近傍に存在する。よって、一般式（ｃ）の化合物を用いる場合は、環境光の短波長側のスペクトル端が４２０ｎｍ近傍に存在するピークの吸収端よりも長波側になるように環境光を制限する。
【００７５】
同様に、一般式（ｅ）に示される化合物の一重項励起状態に由来する吸収スペクトルのピークは、４１０ｎｍ近傍に存在する。よって、一般式（ｅ）の化合物を用いる場合は、環境光の短波長側のスペクトル端が４１０ｎｍ近傍に存在するピークの吸収端よりも長波側になるように環境光を制限する。
【００７６】
同様に、一般式（ｆ）に示される化合物の一重項励起状態に由来する吸収スペクトルのピークは、４８０ｎｍ近傍に存在する。よって、一般式（ｆ）の化合物を用いる場合は、環境光の短波長側のスペクトル端が４８０ｎｍ近傍に存在するピークの吸収端よりも長波側になるように環境光を制限する。
【００７７】
同様に、一般式（ｇ）に示される化合物の一重項励起状態に由来する吸収スペクトルのピークは、５３０ｎｍ近傍に存在する。よって、一般式（ｇ）の化合物を用いる場合は、環境光の短波長側のスペクトル端が５３０ｎｍ近傍に存在するピークの吸収端よりも長波側になるように環境光を制限する。
【００７８】
以下に、ピークの吸収端の厳密な定義について詳細に説明する。図４は、図３のスペクトルにおけるピークの吸収端を説明するための図である。図３のスペクトルを具体例とすると、ピークの吸収端は、図４に示されるように、一重項励起状態に由来する吸収スペクトルのピークのうち最も長波側にある変曲点を通る接線を引き、この接線とＸ軸（吸収強度＝０）との交点が対象化合物の吸収端である。この方法で導き出したピークの吸収端を基に、このピークの吸収端よりも短波長側のスペクトル端が長波長側にある光を環境光として使用すればよい。尚、環境光の短波側のスペクトル端とは、環境光の発光スペクトルの最大強度に対して、０．０２％以下の強度となる波長を指す。
【００７９】
図３に示されるスペクトルを有する化合物を使用する場合、一連のプロセスを行う際の環境光の光源として、市販の半導体工場用イエロー蛍光灯を用いることで、環境光のスペクトルを制限することができる。図５は、市販の半導体工場用イエロー蛍光灯（日立製ＦＬ４０Ｓ・Ｙ−Ｆ）の分光分布を示す図である。図５に示される分光分布より、対象となる蛍光灯は、５００ｎｍより短波の光が９９．９８％以上カットされていることが分かる。ただし、環境光の光源は、半導体工場用イエロー蛍光灯に限定されるものではない。例えば、半導体工場用イエロー蛍光灯のほか、暗室用照明、ＬＥＤ光源、赤外線光源、ナトリウムランプ、等の各種照明もプロセスを行う環境の光源として使用可能である。また各種照明にローパスフィルターを組み合わせて使用することもできる。半導体工場用イエロー蛍光灯は、一般式（ａ）乃至（ｇ）の化合物を第一有機ＥＬ材料として用いる場合にも好適である。
【００８０】
以上説明したように、有機ＥＬ層が晒され得る環境光のスペクトル範囲を適宜制御することにより、特定の副画素が有する有機ＥＬ素子の電流発光効率や輝度耐久特性が良好になる。
【００８１】
尚、有機ＥＬ素子を構成する有機ＥＬ層にさらに含まれる第二有機ＥＬ材料が、第一有機ＥＬ材料よりも吸収スペクトルが長波長側に分布し、かつ三重項励起エネルギーが高い化合物である場合は、環境光は以下のように設定する。即ち、環境光の短波長側のスペクトルが、第一有機ＥＬ材料及び第二有機ＥＬ材料の吸収スペクトルのいずれにも重ならないように環境光を選択あるいは設定する。
【００８２】
例えば、下記に示す二種類の化合物をそれぞれ第一有機ＥＬ材料、第二有機ＥＬ材料として使用する場合を考える。
【００８３】
【化６】
2014029851.tif 000008
【００８４】
図６は、第一有機ＥＬ材料及び第二有機ＥＬ材料の吸収スペクトルを示す図である。図６より、上記第二有機ＥＬ材料の吸収スペクトルの吸収端は、上記第一有機ＥＬ材料よりも長波側に存在する。また第一有機ＥＬ材料の三重項励起エネルギーは７４７．１３ｎｍであり、第二有機ＥＬ材料の三重項励起エネルギーは６５５．２１ｎｍである。この場合、環境光の発光スペクトルをより長波側にして、環境光の発光スペクトルが、第一有機ＥＬ材料、第二有機ＥＬ材料のいずれの吸収スペクトルと重ならないようにすればよい。これにより、環境光の吸収によって起こる第二有機ＥＬ材料の励起や、三重項励起子となった第二有機ＥＬ材料から第一有機ＥＬ材料への三重項励起エネルギーのエネルギー移動の発生を防ぐことができる。従って、アントラセン骨格を含む縮合環化合物（第一有機ＥＬ材料）が環境光と反応して劣化することが抑制されるので、第一副画素（Ｇ副画素）２Ａが有する有機ＥＬ素子の電流発光効率や輝度耐久特性が良好になる。
【実施例】
【００８５】
以下、実施例により、本発明をより詳しく説明する。ただし本発明は、以下に説明する実施例に限定されるものではない。
【００８６】
［実施例１］
図２に示される製造プロセスに基づいて、図１に示される二種類の副画素（第一副画素２ａ、第二副画素２ｂ）を有する有機ＥＬ装置１を、以下に説明する方法により作製した。尚、本実施例（実施例１）にて製造される有機ＥＬ装置は、第一副画素２Ａとなる緑色を表示するＧ副画素と、第二副画素２Ｂとなる青色を表示するＢ副画素の二種類の副画素を有する有機ＥＬ装置である。
【００８７】
（１）下部電極の形成工程（図２（ａ））
まず基板１０上に、真空蒸着法により、銀を成膜して反射膜を形成した。このとき反射膜の膜厚を１２０ｎｍとした。次に、反射膜上に、酸化インジウム錫を成膜し陽極を形成した。このとき陽極の膜厚を６０ｎｍとした。次に、フォトリソプロセスを利用して、反射膜と陽極とがこの順に積層してなる積層電極を加工して、第一副画素２ａ及び第二副画素２ｂを設ける領域にそれぞれ下部電極１１（１１ａ、１１ｂ）を形成した（図２（ａ））。次に、下部電極１１の前処理として、真空装置内において、基板１０に対してＵＶを１０分間照射した後、加熱処理を実施した。
【００８８】
（２）Ｇ有機ＥＬ層の形成工程
次に、真空装置内での一貫した真空蒸着プロセスにより、正孔輸送層（電荷注入輸送層１２）、第一発光層（Ｇ発光層）１３Ａ、正孔ブロック層（隣接機能層１４）及び犠牲層１５を、以下に示すプロセスにより形成した。尚、正孔輸送層（電荷注入輸送層１２）と、第一発光層１３Ａと、正孔ブロック層（隣接機能層１４）と、からなる積層体は、第一有機ＥＬ層（Ｇ有機ＥＬ層）として機能する。
【００８９】
まず下部電極１１上に、下記式に示される有機材料を成膜して正孔輸送層（電荷注入輸送層１２）を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を１２０ｎｍとした。
【００９０】
【化７】
2014029851.tif 000009
【００９１】
次に、正孔輸送層上に、下記化８乃至化１０に示される三種類の化合物を共蒸着して第一発光層（Ｇ発光層）１３Ａを形成した。本実施例において、化７は、アントラセン骨格を含む縮合環化合物の第一有機ＥＬ材料であり、アシスト材料として含まれている。化９は、三重項励起エネルギーが第一有機ＥＬ材料よりも高い第二有機ＥＬ材料であり、発光材料として含まれている。このとき第一発光層（Ｇ発光層）１３Ａの膜厚を２０ｎｍとした。
【００９２】
【化８】
2014029851.tif 000010
【００９３】
【化９】
2014029851.tif 000011
【００９４】
【化１０】
2014029851.tif 000012
【００９５】
次に、第一発光層（Ｇ発光層）１３Ａ上に、下記式に示される有機材料を成膜して正孔ブロック層（隣接機能層１４）を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。
【００９６】
【化１１】
2014029851.tif 000013
【００９７】
次に、正孔ブロック層上に、下記式に示される有機材料を成膜して犠牲層１５を形成した。このとき犠牲層１５の膜厚を４０ｎｍとした。
【００９８】
【化１２】
2014029851.tif 000014
【００９９】
（３）中間層の形成工程
次に、犠牲層１５まで形成した基板１０を、真空装置からクリーンルーム内に取り出した。ここでクリーンルームは、クラス１０００仕様で、空気環境が大気と同じであり、全ての照明を半導体工場用イエロー蛍光灯（日立製ＦＬ４０Ｓ・Ｙ−Ｆ）とした。基板１０をクリーンルーム内に取り出したとき、犠牲層１５が最表面に形成された状態で、Ｇ有機ＥＬ層は、大気下にて半導体工場用イエロー蛍光灯の光を直に受けている状態であった。
【０１００】
次に、塗布法により、犠牲層１５上に、ＰＶＰ（ポリビニルピドリドン）を成膜した後、乾燥させることにより中間層２１を形成した。
【０１０１】
（４）保護層の形成工程
次に、基板１０を真空装置に戻した後、真空蒸着法により、中間層２１上にＳｉＮ（窒化ケイ素）を成膜して保護層２２を形成した。尚、基板１０を真空装置に戻すまでの搬送工程の間、第一有機ＥＬ層（Ｇ有機ＥＬ層）は大気下にて上記半導体工場用イエロー蛍光灯の光を受け続けていた。
【０１０２】
（５）保護層の加工工程
次に、フォトリソグラフィー法を用いて保護層２２をパターニングすることによって、Ｇ副画素を設ける領域にのみ残存するように保護層２２を加工した。具体的には、まず基板１０を、真空装置からクリーンルーム内に取り出した。上述したように、クリーンルームの空気環境は大気と同じであり、全ての照明が上記半導体工場用イエロー蛍光灯である。
【０１０３】
次に、保護層２２上に、ＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）を塗布してＨＭＤＳ層を形成した後、スピンコーターを用いて、ＨＭＤＳ層上に、ポジ型のフォトレジストを塗布してレジスト層２３を形成した。次に、必要に応じて、プリベイクを行った。次に、Ｇ副画素２Ａを設ける領域以外の領域に開口を有するマスクを用いて露光を行った後、現像と、ポストベイクと、を順次行った。これにより、Ｇ副画素２Ａを設ける領域に沿ってパターニングが施されたレジスト層２３が形成された。
【０１０４】
次に、パターニングが施されたレジスト層２３をマスクとして、ドライエッチングを行い、第一副画素（Ｇ副画素）２Ａを設ける領域以外の領域に設けられる保護層２２、中間層２１、犠牲層１５及び第一有機ＥＬ層（Ｇ有機ＥＬ層）を除去した。具体的には、まず半導体工場用イエロー蛍光灯点灯下にて基板１０を搬送した後、基板１０を真空装置に戻した。次に、四フッ化炭素ガス（ＣＦ４ガス）を用いたドライエッチングを行い、レジスト層２３にてマスクされていない保護層２２を除去した。次に、パターニングされた保護層２２をマスクとして、ドライエッチングを行い、保護層２２にてマスクされていない中間層２１を除去した。次に、パターニングされた中間層２１をマスクとして、酸素を用いたエッチングを行い、中間層２１にてマスクされていない犠牲層１５及び第一有機ＥＬ層を除去した。これにより、Ｇ副画素２Ａを設ける領域にのみ保護層２２が残存し、第一副画素２Ａ以外の画素に設けられる下部電極１１は、露出していた。
【０１０５】
（６）Ｂ有機ＥＬ層の形成工程
次に、基板１０を真空装置に戻した後、露出した下部電極１１に対して前処理を行った。次に、真空装置内での一貫した真空蒸着プロセスにより、正孔輸送層、電子ブロック層、第二発光層（Ｂ発光層）１３Ｂ、正孔ブロック層（隣接機能層１４Ｂ）及び犠牲層１５を、以下に示すプロセスにより形成した。尚、正孔輸送層と電子ブロック層とからなる積層体は、電荷注入輸送層１２として機能し、電荷注入輸送層１２と、第二発光層（Ｂ発光層）１３Ｂと、正孔ブロック層（隣接機能層１４）と、からなる積層体は、Ｂ有機ＥＬ層として機能する。
【０１０６】
まず下部電極１１上に、下記式に示される有機材料を成膜して正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を６０ｎｍとした。
【０１０７】
【化１３】
2014029851.tif 000015
【０１０８】
次に、正孔輸送層上に、下記に示される化合物を成膜して電子ブロック層を形成した。このとき電子ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。
【０１０９】
【化１４】
2014029851.tif 000016
【０１１０】
次に、電子ブロック層上に、下記に示される二種類の化合物を共蒸着して第二発光層（Ｂ発光層）１３Ｂを形成した。このとき第二発光層（Ｂ発光層）１３Ｂの膜厚を２０ｎｍとした。本実施例では、第二発光層（Ｂ発光層）１３Ｂには、第一有機ＥＬ材料及び三重項励起エネルギーが第一有機ＥＬ材料よりも高い第二有機ＥＬ材料はいずれも含まれていない。
【０１１１】
【化１５】
2014029851.tif 000017
【０１１２】
次に、第二発光層（Ｂ発光層）１３Ｂ上に、下記式に示される有機材料を成膜して正孔ブロック層（隣接機能層１４）を形成した。このとき正孔ブロック層の膜厚を１０ｎｍとした。
【０１１３】
【化１６】
2014029851.tif 000018
【０１１４】
次に、正孔ブロック層上に、下記式に示される有機材料を成膜して犠牲層１５を形成した。このとき犠牲層１５の膜厚を４０ｎｍとした。
【０１１５】
【化１７】
2014029851.tif 000019
【０１１６】
（７）リフトオフ工程
次に、真空装置から基板１０を、上記半導体工場用イエロー蛍光灯のみが点灯している室内に取り出した。次に、取り出した基板１０を水に浸漬した。このとき中間層２１の構成材料であるＰＶＰは水溶性であるため、水に浸漬した段階で中間層が溶解し、それに伴い保護層２２も中間層２１と共に除去された。尚、本工程において第一有機ＥＬ層（Ｇ有機ＥＬ層）及び第二有機ＥＬ層（Ｂ有機ＥＬ層）は、犠牲層１５が最表面に設けられた状態で、大気下にて半導体工場用イエロー蛍光灯の光を受けた状態であった。
【０１１７】
（８）犠牲層の除去工程
次に、基板１０をイソプロピルアルコールに浸漬することによって、Ｇ副画素２Ａ及びＢ副画素２Ｂにおいてそれぞれ設けられている犠牲層１５を除去した。このとき第一有機ＥＬ層（Ｇ有機ＥＬ層）及び第二有機ＥＬ層（Ｂ有機ＥＬ層）は正孔ブロック層（隣接機能層１４）が最表面に形成された状態で、大気下にて半導体工場用イエロー蛍光灯の光を受けた状態であった。
【０１１８】
次に、電荷注入輸送層１２と発光層（１３Ｂ、１３Ｂ）と隣接機能層１４とからなる積層体の表面あるいは側面に付着した水分を除去するために、真空装置内へ基板１０を搬送した後、１００℃にてベイクを行った。犠牲層を除去した後の真空装置内への基板搬送工程は、大気下かつ半導体工場用イエロー蛍光灯の光の下で行った。
【０１１９】
（９）共通層の形成工程
次に、真空装置内での一貫した真空蒸着プロセスにより、各副画素に共通する層である電子輸送層、電子注入層、上部電極をそれぞれ形成した。
【０１２０】
まず正孔ブロック層（隣接機能層１４）上に、下式で表される有機材料を１０ｎｍ形成し、電子輸送層１７とした。次に、下式で表される有機材料と、炭酸セシウムと、を共蒸着して電子注入層１８を形成した。このとき電子注入層１８の膜厚を２０ｎｍとした。
【０１２１】
【化１８】
2014029851.tif 000020
【０１２２】
次に、スパッタリング法により、電子注入層１８上に銀を成膜して上部電極１９を形成した。このとき上部電極１９の膜厚を１２ｎｍとした。
【０１２３】
（１０）封止工程
最後に、窒素で充満されたグローブボックス内において、キャップガラスを用いて有機ＥＬ装置を封止した。上部電極形成後、真空装置内からグローブボックスへの基板１０の搬送は、水分が制限された雰囲気内である装置内で一貫して行った。以上により有機ＥＬ装置を得た。
【０１２４】
（１１）装置の評価
得られた装置について、公知の手法を用いてＧ副画素２Ａの発光特性（発光効率、耐久性）を以下に示すように評価した。
【０１２５】
（１１−１）発光効率
ＣＩＥｘ＝０．２３０における発光効率を測定した。
【０１２６】
（１１−２）耐久性
室温にて有機ＥＬ装置の連続駆動を行い、初期輝度（輝度１００％）から輝度９８．５％まで低下するのに要した時間を測定した。
【０１２７】
測定結果を表１に示す。
【０１２８】
［比較例１］
実施例１において、半導体工場用イエロー蛍光灯の代わりに白色蛍光灯を使用したことを除いては、実施例１と同様の方法により有機ＥＬ装置を作製した。尚、本比較例（比較例１）においては、実施例１の（３）、（５）、（７）及び（８）に相当する工程において、第一有機ＥＬ層（Ｇ有機ＥＬ層）が、大気下に露出され、かつ白色蛍光灯由来の白色光を直に受けている状態にあった。
【０１２９】
得られた装置について、実施例１と同様にＧ副画素２Ａの発光特性（発光効率、耐久性）を評価した。結果を表１に示す。
【０１３０】
【表１】
2014029851.tif 000021
【０１３１】
表１は、実施例１及び比較例１におけるＧ副画素２Ａの発光効率及び耐久性を比較した表である。表１に示されるように、フォトリソプロセスによる有機ＥＬ層の加工工程における環境光として、白色蛍光灯を使用した場合、半導体工場用イエロー蛍光灯を使用した場合に比べてＧ副画素２Ａの発光効率及び耐久特性が著しく低下していることが示された。
【０１３２】
以上説明したように、本発明の有機ＥＬ装置は、アントラセン骨格を含む縮合環化合物を、有機ＥＬ装置を構成する有機ＥＬ素子の構成材料の一つとして含んでいる。また本発明は、フォトリソグラフィー法を用いることができる製造方法であって、例えば、プロセス中にアントラセン骨格を含む縮合環化合物が曝される環境光の波長範囲を所定の範囲に制限している。即ち、環境光の短波長側のスペクトル端は、アントラセン骨格を含む縮合環化合物（第一有機ＥＬ材料）の一重項励起エネルギーよりも低くなるように制限する。そうすると、アントラセン骨格を含む縮合環化合物は環境光を吸収することはないので、励起されない。そして励起が生じないと、アントラセン骨格を含む縮合環化合物の劣化に繋がる光二量化反応が起こらない。
【産業上の利用可能性】
【０１３３】
従って、本発明の製造方法により、高精細、高効率かつ長寿命な有機ＥＬ装置を製造することができる。
【符号の説明】
【０１３４】
１：有機ＥＬ装置、２Ａ：第一副画素（Ｇ副画素）、２Ｂ：第二副画素（Ｂ副画素）、１０：基板、１１：下部電極、１２：電荷注入輸送層、１３Ａ：第一発光層（Ｇ発光層）、１３Ｂ：第二発光層（Ｂ発光層）、１４：隣接機能層、１５：犠牲層、１７：電子輸送層、１８：電子注入層、１９：上部電極、２１：中間層、２２：バリア層、２３：レジスト層
【図１】
2014029851.tif 000023
【図２】
2014029851.tif 000024
【図３】
2014029851.tif 000025
【図４】
2014029851.tif 000026
【図５】
2014029851.tif 000027
【図６】
2014029851.tif 000028