(57)【要約】      （修正有）【課題】ＬＥＤ素子等の半導体素子において、保護層の剥がれや割れ防止し、信頼性に優れた半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】基板１１上に形成された第１の接合層１３と、第１の接合層上面の中央領域に形成された第２の接合層１５と、第２の接合層上に形成された半導体構造層１９と、第１の接合層の上面の中央領域の外側の外側領域に形成されている密着層３１と、半導体構造層及び第２の接合層の側面を覆い、密着層上に至る絶縁性保護層２９と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された第１の接合層と、
前記第１の接合層上面の中央領域に形成された第２の接合層と、
前記第２の接合層上に形成された半導体構造層と、
前記第１の接合層の上面の前記中央領域の外側の外側領域に形成されている密着層と、
前記半導体構造層及び前記第２の接合層の側面を覆い、前記密着層上に至る絶縁性保護層と、
を有することを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記密着層は、前記第１の接合層から離間しており、前記絶縁性保護層は、前記半導体構造層及び前記第２の接合層の側面、前記第１の接合層の上面及び前記密着層上面を覆うように形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体素子。
【請求項３】
前記絶縁性保護層は酸化物からなり、前記密着層は、前記絶縁性保護層と同一構成元素からなる酸化物であって前記絶縁性保護層を形成する酸化物よりも酸素組成が小なることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体素子。
【請求項４】
前記密着層は、金属酸化物からなることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１に記載の半導体素子。
【請求項５】
前記絶縁性保護層の端部は前記第１の接合層の上面端部から離間していることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１に記載の半導体素子。
【請求項６】
成長基板上に互いに離間している複数の半導体構造層を形成する工程と、
前記複数の半導体構造層の各々上に半導体側接合層を形成する工程と、
支持基板上に支持基板側接合層を形成する工程と、
前記支持基板側接合層及び前記半導体側接合層を介して前記支持基板と前記複数の半導体構造層とを接合する工程と、
前記複数の半導体構造層から前記成長基板を剥離させる工程と、
前記支持基板側接合層の上面の前記半導体構造層の各々の間の領域に密着層を形成する工程と、
前記半導体構造層及び前記密着層を覆うように絶縁性保護層を形成する工程と、
前記複数の半導体構造層の各々の間の領域にて前記支持基板をダイシングする工程と、
を含むことを特徴とする半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子、特に、発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）素子及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＬＥＤ素子を搭載した発光装置が、照明、バックライト、産業機器等に従来から用いられてきた。特許文献１及び２に記載されているようなＬＥＤ素子は、ＧａＡｓ基板またはサファイヤ基板等の成長基板上にＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法等を用いてＡｌＧａＩｎＰまたはＧａＮ等の半導体層をエピタキシャル成長させ、成長基板上に成長した半導体層を導電性の支持基板に貼り合わせた後、成長基板を除去して製造されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１００９７４号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９２６７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような半導体素子においては、導電性の支持基板の表面に、支持基板と半導体層との貼り合わせに用いられるＡｕ等の接合用金属層が成膜されている。また、半導体素子のリーク等を防止するために、半導体層の側面から接合用金属層の表面にかけてＳｉＯ２等の絶縁性材料からなる保護膜が形成されている。このような半導体素子のダイシング工程における切断においては、保護膜がダイシングの刃に巻き込まれることにより、またはダイシングの刃による振動により、保護膜の剥がれや割れが生じてリーク等の不良が発生していた。
【０００５】
本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、ＬＥＤ等の半導体素子において、保護層の剥がれや割れ防止し、信頼性に優れた半導体素子及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体素子は、基板上に形成された第１の接合層と、当該第１の接合層上面の中央領域に形成された第２の接合層と、当該第２の接合層上に形成された半導体構造層と、当該第１の接合層の上面の当該中央領域の外側の外側領域に形成されている密着層と、当該半導体構造層及び当該第２の接合層の側面を覆い、当該密着層上に至る絶縁性保護層と、を有することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の１の実施例に係る半導体素子の断面図である。
【図２Ａ−２Ｃ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図２Ｄ−２Ｅ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図２Ｆ−２Ｈ】図１の半導体素子の製造工程を示す図である。
【図３】本発明の他の実施例に係る半導体素子の断面図である。
【図４】本発明の他の実施例に係る半導体素子の断面図である。
【図５】本発明の他の実施例に係る半導体素子の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
【実施例】
【０００９】
以下に、ＬＥＤ素子を例にして、本発明の実施例１に係る半導体素子１０について、図１を参照しつつ説明する。図１は、本発明の実施例１に係る半導体素子１０の断面図である。支持基板１１は、例えば、Ｓｉ等の導電性基板からなっている。なお、支持基板１１は、導電性を有し熱伝導率が高い材料であれば、Ｇｅ、Ａｌ、Ｃｕ、ＣｕＷ等の他の材料を用いてもよい。
【００１０】
第１の接合層としての支持基板側接合層１３は、支持基板１１上面に形成されているＡｕからなる金属層である。支持基板側接合層１３は、支持基板１１の上面全面を覆うように形成されており、素子の個片化時に支持基板と共に切断される。従って、支持基板側接合層１３の側面は、素子個片化時の切断面になっている。
【００１１】
支持基板側接合層１３の中央領域上には、支持基板側接合層１３と接合されている第２の接合層としての半導体側接合層１５が配されている。支持基板側接合層１３と半導体側接合層１５とは、互いに接合されて１つの接合層を形成しているともいえる。半導体側接合層１５は、支持基板側接合層１３側からＡｕ（層厚２００ｎｍ）、Ｐｔ（層厚１００ｎｍ）、Ｔｉ（層厚５０ｎｍ）、ＴｉＷ（層厚５００ｎｍ）の順に積層されている金属層である。半導体側接合層１５のＡｕ層は、支持基板側接合層１３との接合に資する層であり、Ｐｔ、Ｔｉ及びＴｉＷからなる層は、半導体側接合層１５上に形成される反射電極層１７を形成する材料のマイグレーションの防止に資する層である。半導体側接合層の１５下面は支持基板側接合層１３の上面よりも面積が小さくなっている。
【００１２】
反射電極層１７は、反射性の高いＡｇ等の金属で形成されている層であり、半導体側接合層１５上に形成される半導体構造層１９の表面に接して形成されている。反射電極層１７は、半導体構造層１９の表面上に、半導体側接合層１５によって埋設されるように形成されている。このような構造とすることで、反射電極層を形成する金属が半導体素子内において拡散すること及び半導体素子外に浸出することが防止される。反射電極層１７は、半導体構造層１９からの出射光を反射する機能を果たすと共に、半導体構造層１９に電力を供給する際のｐ電極として機能する。
【００１３】
半導体側接合層１５及び反射電極層１７上には、半導体構造層１９が形成されている。半導体構造層１９は、反射電極層１７側から、ｐ型ＧａＮ層及びｐ型ＡｌＧａＮ層からなるｐ型半導体層２１、多重量子井戸構造（ＭＱＷ）を有する活性層２３、並びにｎＧａＮ層、アンドープの下地ＧａＮ層及びＧａＮ低温バッファ層からなるｎ型半導体層２５が積層されている構造を有している。活性層２３の多重量子井戸構造は、例えば、井戸層をＩｎｘＧａ１−ｘＮ層（組成ｘ＝０．３５、厚さ２ｎｍ）、バリア層をＧａＮ層（厚さ１４ｎｍ）とし、５層の井戸層とその各々を挟み込む６層のバリア層によって構成される。井戸層のＩｎ組成ｘは発光波長に合わせて０≦ｘ≦１．０の範囲で調整される。なお、活性層２３は多重量子井戸(ＭＱＷ)としたが、単一量子井戸(ＳＱＷ)、あるいは単層（いわゆるバルク層）でもよい。半導体構造層１９のｎ型半導体層２５上には、ｎ電極２７が形成されている。ｎ電極２７は、ｎ型半導体層２５上面の所望の領域上に、Ｔｉ（層厚１ｎｍ）、Ａｌ（層厚２００ｎｍ）、Ｔｉ（層厚１００ｎｍ）、Ｐｔ（層厚２００ｎｍ）、Ａｕ（層厚２５００ｎｍ）が順に積層されて形成されている。
【００１４】
絶縁性保護層２９は、ＳｉＯ２、Ａｌ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＣｅＯ２等の酸化物絶縁体からなっており、半導体構造層１９及び半導体側接合層１５の側面を覆い、後述する密着層３１上に至るように形成されている。本実施例において、絶縁性保護層２９は、半導体構造層１９の上面のｎ電極２７が形成されていない領域、半導体構造層１９及び半導体側接合層１５の側面、支持基板側接合層１３の上面、並びに後述する密着層３１の上面を覆うように形成されている。
【００１５】
密着層３１は、絶縁性保護層２９を形成している酸化物と同一の構成元素からなる酸化物で、それらより酸素組成（酸素濃度）の低い酸化物である。例えば、絶縁性保護層２９がある構成元素（Ｍとする）の酸化物ＭＯｘ（ｘ：酸素組成）からなるとき、密着層３１は、絶縁性保護層２９より酸素組成が小なる酸化物ＭＯｙ（ｙ＜ｘ）からなっている。密着層３１は、支持基板側接合層１３上面の半導体側接合層１５が形成されている中央領域の外側の外側領域に、半導体側接合層１５から離間して形成されている。本実施例において、密着層３１は、素子個片化時の切断ライン（ダイシングライン）上にある支持基板側接合層１３の上面端部から所定の距離（例えば１０μｍ）以内の領域に形成されている。すなわち、密着層３１は、支持基板側接合層１３の上面と絶縁性保護層２９の端部領域との間に挟まれるように形成されている。絶縁性保護層２９を形成する酸化物よりも酸素組成の低い酸化物は、絶縁性保護層２９を形成する酸化物及び支持基板側接合層１３を形成するＡｕ等の金属の両方との密着性が良好である。従って、密着層３１は、支持基板側接合層１３に用いられているＡｕ等の金属及び絶縁性保護層２９の両方と良好に密着している。
【００１６】
例えば、絶縁性保護層２９にＳｉＯ２を用いる場合、密着層３１にはＳｉＯを用いてもよい。この場合、密着層３１と支持基板側接合層１３に用いられる金属との密着度を良好にするため、密着層３１に用いるＳｉＯの酸素濃度は、絶縁性保護層２９に用いるＳｉＯ２の酸素濃度の９０％未満であるのが好ましい。例えば、絶縁性保護層２９を形成するＳｉＯ２の酸素濃度（原子数密度）を１Ｅ２０（以下、１Ｅ２０のように表記する。）atoms／cm３とすると、密着層３１を形成するＳｉＯの酸素濃度（原子数密度）は１Ｅ１９atoms／cm３以下であるのが好ましい。
【００１７】
このように、本願発明の実施例の半導体素子１０においては、支持基板側接合層１３と絶縁性保護層２９の端部領域との間に、支持基板側接合層１３を形成する金属材料及び絶縁性保護層を形成する絶縁性材料の両方と密着性の高い密着層３１を設けることで、素子個片化時のダイシング刃による振動によって、または使用中の振動等によって、絶縁性保護層２９の端部が支持基板側接合層１３の表面から剥がれてしまうことを防止することができる。これによって、絶縁性保護層２９の不良を防止してリーク等の欠陥を低減することができ、半導体素子の信頼性を向上させることが可能である。
【００１８】
なお、上記では、絶縁性保護層２９と密着層３１は同一の構成元素としているが、密着層３１には、上記例示した絶縁性酸化物に限らず、ＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等の金属酸化物も使用可能である。例えば、絶縁性保護膜２９がＳｉＯ２からなり、密着層３１がＩＴＯからなっていてもよい。密着層３１に金属酸化物を用いる場合には、例えば、酸素欠乏雰囲気下で成膜され、酸素含有量が少なく（すなわち、酸素組成または酸素濃度が小さい）、非晶質な金属酸化膜を用いるのが好ましい。このような酸素含有量の少ない金属酸化膜の方が、より支持基板側接合層１３を形成するＡｕとの密着性が良好であり、絶縁性保護層２９の支持基板側接合層１３からの剥離をさらに良好に防止することが可能である。
【００１９】
以下に、本発明の実施例に係る半導体素子１０の製造方法について、図２Ａ−２Ｈを参照しつつ説明する。図２Ａ−２Ｈは、それぞれ半導体素子１０の製造方法の各工程の断面図である。なお、図において、ダイシング時の切断線（ダイシングライン）を破線Ｃで示している。また、図２Ｆ以降において、図の簡略化のためｐ型半導体層２１、活性層２３及びｎ型半導体層２５を、半導体構造層１９としてまとめて示している。
【００２０】
まず、図２Ａに示すように、例えば、Ｃ面サファイヤ基板である成長基板３５を準備し、ＭＯＣＶＤを用いて、ＡｌｘＩｎｙＧａｚＮ（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１、０≦ｚ≦１、ｘ＋ｙ＋ｚ＝１）からなるｎ型半導体層２５、活性層２３及びｐ型半導体層２１が積層された半導体構造層１９を結晶成長させる。
具体的には、成長基板３５をＭＯＣＶＤ装置内に配し、水素雰囲気中で、１０００℃で１０分加熱し、サーマルクリーニングを行う。次に、約５００℃でＴＭＧ及びＮＨ３を供給して低温バッファ層であるＧａＮ層を形成する。次に、１０００℃まで昇温して３０秒間保持し、上記低温バッファ層を結晶化させる。次に、１０００℃に維持しつつ、ＴＭＧ及びＮＨ３を供給し、下地ＧａＮ層を約１μｍの厚さで形成する。さらに、ＴＭＧ、ＮＨ３及びＳｉＨ４を供給し、ｎ−ＧａＮ層を約７μｍ成長させる。このようにして、ｎ型半導体層２５を形成する。
【００２１】
次に、温度約７００℃で、ＴＭＧ及びＴＭＩを供給することによる層厚２．２ｎｍのＩｎＧａＮ井戸層の成長、及びＴＭＧ及びＮＨ３供給することによる層厚１５ｎｍのＧａＮ障壁層の成長を交互に繰り返し、ＩｎＧａＮ／ＧａＮを５周期成長させ、ｎ型半導体層２５上にＩｎＧａＮ／ＧａＮからなる多重量子井戸構造の活性層２３を形成する。
【００２２】
次に、温度８７０℃まで上げ、ＴＭＧ、ＴＭＡ、ＮＨ３及びＣｐ２Ｍｇを供給し、ｐ−ＡｌＧａＮクラッド層を約４０ｎｍ成長させる。さらに、ＴＭＧ、ＮＨ３、Ｃｐ２Ｍｇを供給し、ｐ−ＧａＮ層を約１５０ｎｍ成長させる。このようにして、ｐ型半導体層２１を形成する。
【００２３】
次に、図２Ｂに示すように、例えば、フォトリソグラフィ、真空蒸着法、スパッタ法等で半導体構造層１９の素子部となる領域の各々の上にＡｇを厚さ３００ｎｍで形成して反射電極層１７を形成する。反射電極層１７は、活性層から出射した光を反射して光取り出し効率を高めるために、光反射性の高い材料で形成するのが好ましく、例えば、ＡｇまたはＡｇ合金等で形成してもよい。
【００２４】
次に、図２Ｃに示すように、例えば、ｐ型半導体層２１上に、反射電極層１７を覆うようにＴｉＷをスパッタ法で５００ｎｍ形成して拡散防止層を形成し、その上に半導体側接合層としてＴｉを５０ｎｍ、Ｐｔを１００ｎｍ、Ａｕを２００ｎｍ電子ビーム蒸着法にて順次蒸着し、半導体側接合層１５を形成する。半導体側接合層１５は、後述する支持基板１１との接合において、支持基板１１上に形成されている支持基板側接合層１３と接合される層である。
【００２５】
次に、半導体素子とする素子領域上にレジストを形成し、ドライエッチング装置にてレジストが形成されている領域以外の部分の半導体構造層１９を成長基板３５の上面に至るまでの溝を形成することで除去し、図２Ｄに示すように、個々の素子部を形成する。
【００２６】
次に、上面に支持基板側接合層１３が形成された支持基板１１を用意する。例えば、支持基板１１はＳｉ基板であり、支持基板側接合層１３は、電子ビーム蒸着等で支持基板１１上にＴｉ（層厚６００ｎｍ）、Ｐｔ（層厚５０ｎｍ）、Ａｕ（層厚１０００ｎｍ）を順に積層することによって形成する。
【００２７】
次に、図２Ｅに示すように、支持基板側接合層１３の表面と半導体側接合層１５の表面と接触させて、互いに対して圧力３０ｋｇ／ｃｍ２で押圧しつつ、温度２００℃で１時間かけて熱圧着を行うことにより接合層同士を接合することで支持基板１１を貼り付ける。その後、例えば、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）装置にて成長基板３５の裏面側からエキシマレーザを照射することにより成長基板３５を除去する。なお、成長基板３５の除去は、レーザリフトオフ（ＬＬＯ）に限らず、ウェットエッチング、ドライエッチング、機械研磨法、もしくは化学機械研磨（ＣＭＰ）、またはこれらの方法の少なくとも１つを組み合わせた方法によって行ってもよい。
【００２８】
上記処理の終了後、図２Ｆに示すように、支持基板側接合層１３の上面に、フォトリソグラフィ、スパッタまたは電子ビーム蒸着法等を用いて、ＳｉＯからなる密着層３１を３００ｎｍの層厚で形成する。密着層３１は、例えば、素子個片化時の切断ライン（ダイシングライン）及び支持基板側接合層１３の上面にて切断後の端部から所定の距離（例えば１０μｍ）以内の領域に形成する。例えば、電子ビーム蒸着法を用いる場合、密着層３１は、２．０Ｅ−４Ｐａ（Ｐａ：パスカル）の圧力にてＳｉＯを成膜することよって形成する。なお、予め支持基板側接合層１３上に密着層３１を形成した後に、図２Ｅのように支持基板側接合層１３と半導体側接合層１５とを接合させることも可能である。
【００２９】
次に、図２Ｇに示すように半導体構造層１９の上面及び側面、半導体側接合層１５の側面、支持基板側接合層の露出している上面、及び密着層３１上に絶縁性保護層２９を形成する。絶縁性保護層２９は、例えば、スパッタ法にて絶縁性酸化物であるＳｉＯ２を３００ｎｍ成膜することで形成する。絶縁性保護層２９は、半導体構造層１９上の、後述するｎ電極２７を形成する領域には形成しない。なお、絶縁性保護層２９の層厚は、素子の保護を良好に行うため２００ｎｍ〜４００ｎｍ程度であるのが好ましい。
【００３０】
なお、上述のように、絶縁性保護層２９には、Ａｌ２Ｏ３、Ｔｉ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＨｆＯ２、ＣｅＯ２等、ＳｉＯ２以外の酸化物絶縁体を用いてもよい。また、密着層３１を形成する材料には、絶縁性保護層２９に用いる材料に応じて、絶縁性保護層２９を形成している酸化物と同一の構成元素からなる酸化物で、それらより酸素組成（酸素濃度）の低い酸化物を用いてもよい。このように、同一の構成元素からなり酸素組成の異なる酸化物を絶縁性保護膜２９及び密着層３１に用いることは、これらの密着性を良好にする故に好ましい。例えば、絶縁性保護層２９がある構成元素（Ｍとする）の酸化物ＭＯｘ（ｘ：酸素組成）からなるとき、密着層３１は、絶縁性保護層２９より酸素組成が小なる酸化物ＭＯｙ（ｙ＜ｘ）からなっている。Ｓｉ以外の元素の酸化物も、絶縁性保護層２９を形成する酸化物よりも酸素組成を低くすることで、絶縁性保護層２９を形成する性酸化物及び支持基板側接合層１３を形成する金属の両方と密着性が高くなり、支持基板側接合層１３からの絶縁性保護層２９の剥離を防止する密着層として効果を発揮する。
【００３１】
また、密着層３１にＩＴＯ、ＩＺＯ、ＺｎＯ等の金属酸化物を用いてもよい。例えば、密着層３１にＩＴＯを用いる場合、スパッタ装置を用いて、室温、圧力０．５Ｐａ、酸素流量０ｓｃｃｍ、投入電力３００Ｗの条件でＩＴＯ膜を成膜してもよい。なお、この際の装置内雰囲気の酸素分圧（酸素流量／（不活性ガス（例えば、Ａｒ）流量＋酸素流量）×１００）は、０−２％であるのが好ましい。
【００３２】
次に、図２Ｈに示すように、フォトリソグラフィ等により、半導体構造層１９上の絶縁性保護層２９によって覆われていない部分を露出するように開口部を有するレジストマスクを形成し、ＥＢ蒸着法等を用いて、Ｔｉを１ｎｍ、Ａｌを２００ｎｍ、Ｔｉを１００ｎｍ、Ｐｔを２００ｎｍ、Ａｕを２５００ｎｍの層厚で積層し、レジストマスクを除去することにより、ｎ電極２７を形成した。
【００３３】
最後に、ダイシング刃を用いて支持基板１１及び支持基板側接合層１３を切断し、半導体素子のダイシングを行い、半導体素子１０が完成する。
【００３４】
上記実施例に係る半導体素子１０及びその製造方法によれば、支持基板側接合層１３と絶縁性保護層２９の端部領域との間に絶縁性材料及び金属材料の両方と密着性の高い密着層３１を設けることで、絶縁性保護層２９の端部が素子個片化時のダイシング刃による振動によって、または使用中の振動等によって、支持基板側接合層１３の表面から剥がれてしまうことを防止することができる。これによって、絶縁性保護層２９の不良を防止してリーク等の欠陥を低減することができ、製造時の歩留まりを向上させかつ半導体素子の信頼性を向上させることが可能である。
【００３５】
上記実施例においては、絶縁性保護層２９を酸化膜で形成することとしたが、絶縁性保護膜２９をＳｉＮ等の窒化膜で形成してもよい。
【００３６】
上記実施例においては、絶縁性保護層２９を支持基板側接合層の上面端部の切断ライン上にも形成したが、図３に示す半導体素子４０のように、絶縁性保護層２９の端部は、支持基板側接合層１３の上面の端部から離間していてもよい。例えば、絶縁性保護層は、製造時におけるダイシングラインＣの近傍部分（例えば、ダイシングラインＣすなわち支持基板側接合層の上面端部から５μｍ以下の領域）には形成しなくともよい。
【００３７】
また、上記半導体素子１０においては、密着層３１が支持基板側接合層１３の上面端部から形成されることとしたが、図４に示す半導体素子５０のように、密着層３１の端部は、上記した絶縁性保護層２９と同様、支持基板側接合層１３の上面の端部から離間していてもよい。すなわち、密着層３１は、製造時におけるダイシングラインＣの近傍部分（例えば、ダイシングラインＣすなわち支持基板側接合層の上面端部から５μｍ以下の領域）には形成しなくともよい。このようにすることで、密着層３１が素子のダイシング時にダイシングの刃と接触して、破壊されまたは支持基板側接合層１３の上面から剥離するとともに絶縁性保護層２９が剥離してしまう可能性を低減し、半導体素子の製造時の歩留まり及び半導体素子の信頼性をさらに向上させることが可能である。
【００３８】
また、上記実施例においては、密着層３１を支持基板側接合層１３の上面端部から所定の距離の領域に形成することとしたが、密着層３１は、図５に示す半導体素子６０のように、支持基板側接合層１３の上面の半導体側接合層１５が形成されている中央領域以外の領域である外側領域の全面に形成されていてもよい。図１や図５に記載した例では、密着層３１と絶縁性保護層２９とが重なっている部分がダイシングで切断されるため、基板１１の端部上にて密着層３１と絶縁性保護層２９とが重なった状態でこれらの側面が露出している。
【００３９】
また、上記実施例では、発光素子を例に説明をしたが、本発明は、発光素子以外の半導体デバイスまたは他の電子デバイスにも応用可能である。
【００４０】
上述した実施例における種々の数値、寸法、材料等は、例示に過ぎず、用途及び製造される半導体素子等に応じて、適宜選択することができる。
【符号の説明】
【００４１】
１０、４０、５０、６０    発光素子
１１                      支持基板
１３                      支持基板側接合層
１５                      半導体側接合層
１７                      反射電極層
１９                      半導体構造層
２１                      ｐ型半導体層
２３                      活性層
２５                      ｎ型半導体層
２７                      ｎ電極
２９                      絶縁性保護層
３１                      密着層
３５                      成長基板
【図１】
2014157921.tif 000003
【図２Ａ−２Ｃ】
2014157921.tif 000004
【図２Ｄ−２Ｅ】
2014157921.tif 000005
【図２Ｆ−２Ｈ】
2014157921.tif 000006
【図３】
2014157921.tif 000007
【図４】
2014157921.tif 000008
【図５】
2014157921.tif 000009