(57)【要約】【課題】製造時に銅残りが発生し易いレイアウト領域か否かを判断すること。【解決手段】設計支援装置１００は、レイアウト情報Ａとレイアウト情報Ｂについて、レイアウト領域から分割されたメッシュ群から選ばれたメッシュごとに、領域配線密度を算出する。次に、設計支援装置１００は、メッシュごとの領域平均密度に基づいて、領域平均密度のばらつき度合いを表す値を算出する。レイアウト情報Ａについて、設計支援装置１００は、ばらつき度合いを表す値が小さくなると算出する。また、レイアウト情報Ｂについて、設計支援装置１００は、ばらつき度合いを表す値が大きくなると算出する。続けて、設計支援装置１００は、レイアウト情報Ｂについて、ばらつき度合いが大きいと判断する。したがって、設計支援装置１００は、レイアウト情報Ｂについて、製造後の半導体装置の不良率が高くなり、配線の修正をした方がよいという判断結果を出力する。【選択図】図１
2014010582.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
コンピュータに、
設計対象回路のレイアウト領域から分割された部分領域群の各部分領域の配線密度を記憶する記憶部の記憶内容を参照して、前記部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、前記レイアウト領域上の前記部分領域および前記部分領域と連続する他の部分領域の一部または全部を含む所定領域の配線密度を算出し、
算出した前記部分領域ごとの前記所定領域の配線密度に基づいて、前記所定領域の配線密度のばらつき度合いを表す値を算出し、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が所定の閾値より大きいか否かを判断し、
判断した判断結果を出力する、
処理を実行させることを特徴とする設計支援プログラム。
【請求項２】
前記コンピュータに、
算出した前記部分領域ごとの前記所定領域の配線密度の低い順から、前記部分領域群から選ばれた部分領域のうちの所定数の部分領域を抽出し、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が前記閾値より大きいと判断した場合、抽出した抽出結果を出力する、
処理を実行させることを特徴とする請求項１に記載の設計支援プログラム。
【請求項３】
前記コンピュータに、
前記部分領域ごとの配線密度の低い順から、抽出した前記所定数の部分領域のうちの、前記所定数より小さい所定数の部分領域を特定する処理を実行させ、
前記出力する処理は、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が前記閾値より大きいと判断した場合、特定した特定結果を出力することを特徴とする請求項２に記載の設計支援プログラム。
【請求項４】
前記コンピュータに、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が前記閾値より大きいと判断した場合、電気信号の伝達とは無関係のダミー配線の面積に基づいて、特定した前記部分領域に前記ダミー配線を配置した場合の前記部分領域の配線密度を算出し、
前記記憶部に記憶されている特定した前記部分領域の配線密度を、算出した前記部分領域の配線密度に更新する、
処理を実行させることを特徴とする請求項３に記載の設計支援プログラム。
【請求項５】
前記所定領域の配線密度を算出する処理は、
更新した更新後の前記記憶部の記憶内容を参照して、前記部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、前記所定領域の配線密度を算出することを特徴とする請求項４に記載の設計支援プログラム。
【請求項６】
設計対象回路のレイアウト領域から分割された部分領域群の各部分領域の配線密度を記憶する記憶部の記憶内容を参照して、前記部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、前記レイアウト領域上の前記部分領域および前記部分領域と連続する他の部分領域の一部または全部を含む所定領域の配線密度を算出する第１の算出部と、
前記第１の算出部によって算出された前記部分領域ごとの前記所定領域の配線密度に基づいて、前記所定領域の配線密度のばらつき度合いを表す値を算出する第２の算出部と、
前記第２の算出部によって算出された前記ばらつき度合いを表す値が所定の閾値より大きいか否かを判断する判断部と、
前記判断部によって判断された判断結果を出力する出力部と、
を有することを特徴とする設計支援装置。
【請求項７】
コンピュータが、
設計対象回路のレイアウト領域から分割された部分領域群の各部分領域の配線密度を記憶する記憶部の記憶内容を参照して、前記部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、前記レイアウト領域上の前記部分領域および前記部分領域と連続する他の部分領域の一部または全部を含む所定領域の配線密度を算出し、
算出した前記部分領域ごとの前記所定領域の配線密度に基づいて、前記所定領域の配線密度のばらつき度合いを表す値を算出し、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が所定の閾値より大きいか否かを判断し、
判断した判断結果を出力する、
処理を実行することを特徴とする設計支援方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、設計支援プログラム、設計支援装置、および設計支援方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置を製造する技術として、絶縁物質上に配線溝を生成し、生成後に絶縁物質上に銅メッキを生成し、Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ（ＣＭＰ）を行って、余分な銅を除去する技術がある。たとえば、素子形成領域の密度と、素子形成領域の周辺に配置されるダミーパターンの密度との差が小さくなるようにダミーパターンを設計する技術がある（たとえば、下記特許文献１を参照。）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９８４１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、上述した従来技術では、回路内で配線密度が相対的に低い領域が偏在すると、高い領域には研磨対象の銅が少ないため、低い領域の研磨完了前に高い領域の研磨が完了してしまい、ＣＭＰ終了後に低い領域に銅残りが発生する場合がある。
【０００５】
本発明は、上述した従来技術による問題点を解消するため、製造時に銅残りが発生し易いレイアウト領域か否かを判断できる設計支援プログラム、設計支援装置、および設計支援方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し、目的を達成するため、本発明の一側面によれば、設計対象回路のレイアウト領域から分割された部分領域群の各部分領域の配線密度を記憶する記憶部の記憶内容を参照して、部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、レイアウト領域上の部分領域および部分領域と連続する他の部分領域の一部または全部を含む所定領域の配線密度を算出し、算出した部分領域ごとの所定領域の配線密度に基づいて、所定領域の配線密度のばらつき度合いを表す値を算出し、算出したばらつき度合いを表す値が所定の閾値より大きいか否かを判断し、判断した判断結果を出力する設計支援プログラム、設計支援装置、および設計支援方法が提案される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明の一側面によれば、製造時に銅残りが発生し易いレイアウト領域か否かを判断できるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、本実施の形態にかかる設計支援装置の動作例を示す説明図である。
【図２】図２は、設計支援装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。
【図３】図３は、設計支援装置の機能構成例を示すブロック図である。
【図４】図４は、メッシュ情報テーブルの記憶内容の一例を示す説明図である。
【図５】図５は、ダミー配線パターン情報テーブルの記憶内容の一例を示す説明図である。
【図６】図６は、領域平均密度の算出例を示す説明図である。
【図７】図７は、製造時に銅残りが発生し易いレイアウト情報か否かの判断例を示す説明図である。
【図８】図８は、修正候補として特定されたメッシュの一例を示す説明図である。
【図９】図９は、メッシュ情報テーブルの更新例を示す説明図である。
【図１０】図１０は、エラーとなったレイアウト情報の製造後の断面と修正後のレイアウト情報の製造後の断面の比較例を示す説明図である。
【図１１】図１１は、設計支援処理手順の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に添付図面を参照して、開示の設計支援プログラム、設計支援装置、および設計支援方法の実施の形態を詳細に説明する。
【００１０】
図１は、本実施の形態にかかる設計支援装置の動作例を示す説明図である。本実施の形態にかかる設計支援装置１００は、レイアウト設計を支援する装置である。設計支援装置１００は、製造後の半導体装置の不良率が高くなってしまうレイアウト情報を検出する。レイアウト情報は、半導体装置内の素子の配置および素子間の配線を示す情報である。レイアウト情報は、たとえば、ＧＤＳＩＩなどのフォーマットに従った情報である。
【００１１】
図１に示す設計支援装置１００は、レイアウト情報Ａとレイアウト情報Ｂについて設計支援を行う。図１の（ａ１）は、レイアウト情報Ａのレイアウト領域における、ある配線層の平面図を示す。また、図１の（ｂ１）は、レイアウト情報Ｂのレイアウト領域における、ある配線層の平面図を示す。
【００１２】
レイアウト情報Ａは、配線密度が高い領域と、配線密度が低い領域と、が混在している。また、レイアウト情報Ｂは、配線密度が相対的に低い領域が偏って存在している。具体的には、レイアウト情報Ｂは、配線密度が高い領域が中央に密集しており、配線密度が低い領域が、配線密度が高い領域の周りに存在する図１の（ａ１）と図１の（ｂ１）では、ハッチがない領域が、配線密度が低いことを示しており、ハッチを付与した領域が、配線密度が高いことを示している。また、図１の（ａ１）と図１の（ｂ１）では、レイアウト情報Ａとレイアウト情報Ｂのレイアウト領域をメッシュ状に区切っている。以下、メッシュ状に区切った領域を、「メッシュ」と呼称する。メッシュの大きさは、たとえば、１０〜４０［μｍ］である。
【００１３】
初めに、設計支援装置１００は、レイアウト領域から分割されたメッシュ群から選ばれたメッシュごとに、レイアウト領域上のメッシュおよびメッシュと連続する他のメッシュの一部または全部を含む所定領域の配線密度を算出する。所定領域は、プロセスごとに固有の有効距離を半径とする円に含まれる領域である。所定領域の配線密度を、以下、「領域平均密度」と称する。有効距離は、たとえば、数百〜数千［μｍ］である。たとえば、図１の（ａ１）では、メッシュ１０１Ａの所定領域を、有効距離１０２Ａを半径とする円領域１０３Ａにて表示している。同様に、図１の（ｂ１）では、メッシュ１０１Ｂの所定領域を、有効距離１０２Ｂを半径とする円領域１０３Ｂにて表示している。
【００１４】
次に、設計支援装置１００は、レイアウト情報Ａのメッシュごとの領域平均密度を算出する。レイアウト情報Ａは配線密度が高い領域と配線密度が低い領域とが混在しているため、設計支援装置１００は、レイアウト情報Ａのメッシュごとの領域平均密度をほぼ一様な値として算出することになる。また、設計支援装置１００は、レイアウト情報Ｂのメッシュごとの領域平均密度を算出する。レイアウト情報Ｂは配線密度が高い領域が密集しているため、設計支援装置１００は、レイアウト情報Ｂのメッシュごとの領域平均密度をばらついた値として算出することになる。レイアウト情報Ａのメッシュごとの領域平均密度がほぼ一様な値となり、レイアウト情報Ｂのメッシュごとの領域平均密度がばらついた値となる理由について、図１の（ａ２）と、図１の（ｂ２）と、図１の（ａ３）と、図１の（ｂ３）と、を用いて説明する。
【００１５】
図１の（ａ２）は、図１の（ａ１）において、Ｙ−Ｙ’の位置におけるレイアウト情報Ａの断面図を示す。また、図１の（ｂ２）は、図１の（ｂ１）において、Ｙ−Ｙ’の位置におけるレイアウト情報Ｂの断面図を示す。図１の（ａ２）は、絶縁物質である酸化物１１１Ａと、銅メッキ１１２Ａとを表示する。図１の（ｂ２）は、酸化物１１１Ｂと、銅メッキ１１２Ｂとを表示する。配線密度が高い領域には、配線溝が数百本あるが、図１の（ａ２）と図１の（ｂ２）では、酸化物１１１〜銅メッキ１１２の特徴を簡略化して表示している。配線密度が高い領域は、配線溝が多くなるため、酸化物１１１が銅メッキ１１２に堆積したときの高さが低くなる。また、配線密度が低い領域は、配線溝が少なくなるため、酸化物１１１が銅メッキ１１２に堆積したときの高さが高くなる。また、領域１１３が示すような、配線密度が高い領域が密集している箇所は、研磨対象となる銅が少なくなっている。
【００１６】
また、図１の（ａ３）は、図１の（ａ１）において、Ｙ−Ｙ’における領域平均密度を模型化した図である。また、図１の（ｂ３）は、図１の（ｂ１）において、Ｙ−Ｙ’における領域平均密度を模型化した図である。図１の（ａ３）が示すように、レイアウト情報Ａは配線密度が高い領域と配線密度が低い領域とが混在していたため、配線密度が高い領域と配線密度が低い領域とが相殺しあい、ばらつき度合いは小さくなる。ばらつき度合いとは、母集団に含まれる各値の差異である。ばらつき度合いを表す値は、たとえば、標準偏差でもよいし、分散でもよい。また、図１の（ｂ３）が示すように、レイアウト情報Ｂは配線密度が高い領域が中央に密集しているため、ばらつき度合いは大きくなる。
【００１７】
続けて、設計支援装置１００は、メッシュごとの領域平均密度に基づいて、領域平均密度のばらつき度合いを表す値を算出する。たとえば、ばらつき度合いを表す値が標準偏差σであれば、設計支援装置１００は、σ＝（１／ｎΣ（（領域平均密度−領域平均密度の平均）＾２））＾０．５で算出する。なお、ｎは、メッシュの合計の数である。レイアウト情報Ａについて、設計支援装置１００は、ばらつき度合いを表す値が小さくなると算出する。ばらつき度合いが小さい場合には、銅残りが発生する可能性が小さいため、設計支援装置１００は、レイアウト情報Ａについて、配線の修正をしなくてよいと判断する。このように、本実施の形態にかかる設計支援装置１００は、配線密度の低い領域の偏り度合いを、領域平均密度のばらつき度合いを算出することによって求めている。
【００１８】
また、レイアウト情報Ｂについて、設計支援装置１００は、ばらつき度合いを表す値が大きくなると算出する。ばらつき度合いが大きい場合、領域平均密度が高い領域に研磨対象の銅が少なく、低い領域の研磨完了前に研磨工程が完了してしまい低い領域に銅残りが発生する可能性が高い。したがって、設計支援装置１００は、レイアウト情報Ｂについて、製造後の半導体装置の不良率が高くなり、配線の修正をした方がよいことを判断し、判断結果を出力する。次に、図２〜図１１を用いて、本実施の形態にかかる設計支援装置１００について詳細な説明を行う。
【００１９】
（設計支援装置１００のハードウェア構成例）
図２は、設計支援装置のハードウェア構成の一例を示すブロック図である。図２において、設計支援装置１００は、Ｃｅｎｔｒａｌ  Ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ  Ｕｎｉｔ（ＣＰＵ）２０１と、Ｒｅａｄ‐Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ（ＲＯＭ）２０２と、Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ（ＲＡＭ）２０３と、を含む。また、設計支援装置１００は、ディスクドライブ２０４と、ディスク２０５と、通信インターフェース２０６と、を含む。また、設計支援装置１００は、ディスプレイ２０７と、キーボード２０８と、マウス２０９と、を含む。また、ＣＰＵ２０１〜マウス２０９はバス２１０によってそれぞれ接続されている。
【００２０】
ＣＰＵ２０１は、設計支援装置１００の全体の制御を司る演算処理装置である。ＲＯＭ２０２は、ブートプログラムなどのプログラムを記憶する不揮発性メモリである。ＲＡＭ２０３は、ＣＰＵ２０１のワークエリアとして使用される揮発性メモリである。
【００２１】
ディスクドライブ２０４は、ＣＰＵ２０１の制御にしたがってディスク２０５に対するデータのリードおよびライトを制御する制御装置である。ディスクドライブ２０４には、たとえば、磁気ディスクドライブ、光ディスクドライブ、ソリッドステートドライブなどを採用することができる。ディスク２０５は、ディスクドライブ２０４の制御で書き込まれたデータを記憶する不揮発性メモリである。たとえばディスクドライブ２０４が磁気ディスクドライブである場合、ディスク２０５には、磁気ディスクを採用することができる。また、ディスクドライブ２０４が光ディスクドライブである場合、ディスク２０５には、光ディスクを採用することができる。また、ディスクドライブ２０４がソリッドステートドライブである場合、ディスク２０５には、半導体素子メモリを採用することができる。
【００２２】
通信インターフェース２０６は、ネットワーク２１１と内部のインターフェースを司り、外部装置からのデータの入出力を制御する制御装置である。具体的に、通信インターフェース２０６は、通信回線を通じてネットワーク２１１となるＬｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ（ＬＡＮ）、Ｗｉｄｅ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ（ＷＡＮ）、インターネットなどに接続され、ネットワーク２１１を介して他の装置に接続される。通信インターフェース２０６には、たとえば、モデムやＬＡＮアダプタなどを採用することができる。
【００２３】
ディスプレイ２０７は、カーソル、アイコンあるいはツールボックスをはじめ、文書、画像、機能情報などのデータを表示する装置である。ディスプレイ２０７には、たとえば、Ｃａｔｈｏｄｅ  Ｒａｙ  Ｔｕｂｅ（ＣＲＴ）、Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ（ＴＦＴ）液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイなどを採用することができる。
【００２４】
キーボード２０８は、文字、数字、各種指示などの入力のためのキーを有し、データの入力を行う装置である。また、キーボード２０８は、タッチパネル式の入力パッドやテンキーなどであってもよい。マウス２０９は、カーソルの移動や範囲選択、あるいはウィンドウの移動やサイズの変更などを行う装置である。マウス２０９は、ポインティングデバイスとして同様に機能を有するものであれば、トラックボールやジョイスティックなどであってもよい。
【００２５】
（設計支援装置１００の機能構成）
次に、設計支援装置１００の機能構成例について説明する。図３は、設計支援装置の機能構成例を示すブロック図である。設計支援装置１００は、第１算出部３０１と、第２算出部３０２と、判断部３０３と、抽出部３０４と、特定部３０５と、出力部３０６と、第３算出部３０７と、更新部３０８と、を含む。制御部となる第１算出部３０１〜更新部３０８は、記憶装置に記憶されたプログラムをＣＰＵ２０１が実行することにより、第１算出部３０１〜更新部３０８の機能を実現する。記憶装置とは、具体的には、たとえば、図２に示したＲＯＭ２０２、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などである。または、通信インターフェース２０６を経由して他のＣＰＵが実行することにより、第１算出部３０１〜更新部３０８の機能を実現してもよい。
【００２６】
また、設計支援装置１００は、メッシュ情報テーブル３１１とダミー配線パターン情報テーブル３１２にアクセス可能である。メッシュ情報テーブル３１１とダミー配線パターン情報テーブル３１２は、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５といった記憶装置に格納されている。メッシュ情報テーブル３１１は、レイアウト情報のレイアウト領域から分割されたメッシュ群の各メッシュの配線密度を記憶する。メッシュ情報テーブル３１１の詳細は、図４にて後述する。また、ダミー配線パターン情報テーブル３１２は、ダミー配線の面積となるダミー配線パターン情報を記憶する。また、ダミー配線パターン情報は、単位面積におけるダミー配線の配置位置とダミー配線の形状を記憶してもよい。ダミー配線パターン情報テーブル３１２の詳細は、図５にて後述する。
【００２７】
第１算出部３０１は、メッシュ情報テーブル３１１を参照して、メッシュ群から選ばれたメッシュごとに、レイアウト領域上のメッシュおよび前述のメッシュと連続する他のメッシュの一部または全部を含む領域平均密度を算出する。メッシュ群から選ばれたメッシュは、レイアウト領域全てであってもよいし、一部分であってもよい。たとえば、第１算出部３０１は、メッシュ１０１、メッシュ１０１の周囲にある８個のメッシュ、および８個のメッシュの周囲にある１６個のメッシュの一部を所定領域として、配線密度を算出する。また、領域平均密度は、所定領域内の平均値でもよいし、中央値でもよいし、中央のメッシュに重みを付けた平均値でもよい。
【００２８】
また、第１算出部３０１は、更新部３０８によって更新された更新後のメッシュ情報テーブル３１１の記憶内容を参照して、メッシュ群から選ばれたメッシュごとに、領域平均密度を算出してもよい。なお、算出されたメッシュごとの領域平均密度は、メッシュ情報テーブル３１１に記録される他、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶されてもよい。
【００２９】
第２算出部３０２は、第１算出部３０１によって算出されたメッシュごとの領域平均密度に基づいて、領域平均密度のばらつき度合いを表す値を算出する。ばらつき度合いは、たとえば、標準偏差でもよいし、分散でもよい。なお、算出されたばらつき度合いは、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶される。
【００３０】
判断部３０３は、第２算出部３０２によって算出されたばらつき度合いを表す値が所定の閾値より大きいか否かを判断する。所定の閾値は、プロセス固有の値であり、設計者によって設定される。また、所定の閾値は、予めＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶されている。たとえば、所定の閾値が５００［μｍ］であり、ばらつき度合いを表す値となった標準偏差が、７００［μｍ］であれば、判断部３０３は、ばらつき度合いが所定の閾値より大きいと判断する。なお、判断結果は、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶される。
【００３１】
抽出部３０４は、第１算出部３０１によって算出されたメッシュごとの領域平均密度の低い順から、メッシュ群から選ばれたメッシュのうちの所定数のメッシュを抽出する。所定数は、たとえば、メッシュ群から選ばれたメッシュの個数のうちの４０［％］の個数でもよいし、半数でもよい。所定数は、プロセス固有の値であり、設計者によって予め指定されている。また、所定数は、予めＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶されている。たとえば、抽出部３０４は、領域平均密度の低い順から、メッシュ群から選ばれたメッシュの個数のうちの半数を抽出する。抽出したメッシュの識別情報は、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶される。
【００３２】
特定部３０５は、メッシュごとの配線密度の低い順から、抽出部３０４によって抽出された所定数のメッシュのうちの、所定数より小さい所定数のメッシュを特定する。たとえば、レイアウト情報にメッシュが１００×１００＝１００００個あり、抽出部３０４が半数の５０００個のメッシュを抽出したとする。このとき、特定部３０５は、配線密度の低い順から、５０００個のメッシュのうちの１０個のメッシュを特定する。特定したメッシュの識別情報は、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶される。
【００３３】
出力部３０６は、判断部３０３によって判断された判断結果を出力する。たとえば、出力部３０６は、レイアウト情報の領域平均密度のばらつき度合いが小さく、銅残りが発生する可能性が低いことを出力する。また、出力部３０６は、レイアウト情報の領域平均密度のばらつき度合いが大きく、銅残りが発生する可能性が高いことを出力する。
【００３４】
また、出力部３０６は、判断部３０３によってばらつき度合いを表す値が閾値より大きいと判断された場合、抽出部３０４によって抽出された抽出結果を出力してもよい。たとえば、出力部３０６は、レイアウト情報の領域平均密度のばらつき度合いが大きく、銅残りが発生する可能性が高い場合に、領域平均密度の低い順から、メッシュ群から選ばれたメッシュの個数のうちの半数のメッシュの識別情報を出力する。
【００３５】
また、出力部３０６は、判断部３０３によってばらつき度合いを表す値が閾値より大きいと判断された場合、特定部３０５によって特定された特定結果を出力してもよい。たとえば、出力部３０６は、レイアウト情報の領域平均密度のばらつき度合いが大きく、銅残りが発生する可能性が高い場合に、配線密度の低い順から、５０００個のメッシュのうちの１０個のメッシュの識別情報を出力する。また、出力形式としては、たとえば、ディスプレイ２０７への表示、通信インターフェース２０６による外部装置への送信がある。また、出力されるデータは、ＲＡＭ２０３、ディスク２０５などの記憶領域に記憶することとしてもよい。
【００３６】
第３算出部３０７は、第１算出部３０１によって算出されたばらつき度合いを表す値が閾値より大きいと判断した場合、電気信号の伝達とは無関係のダミー配線の面積に基づいて、特定したメッシュにダミー配線を配置した場合のメッシュの配線密度を算出する。たとえば、特定したメッシュの配線密度が３０［％］であり、特定のメッシュの面積が、１００［μｍ2］であったとする。このとき、面積が１０［μｍ2］となるダミー配線を配置する場合、第３算出部３０７は、ダミー配線を配置した場合のメッシュの配線密度を、（１００×０．３＋１０）／１００＝４０［％］というように算出する。また、第３算出部３０７は、ダミー配線パターンを配置して、メッシュの配線密度を算出してもよい。ダミー配線パターンを配置する場合の具体的な計算式は、図９にて後述する。
【００３７】
更新部３０８は、メッシュ情報テーブル３１１に記憶されている、特定部３０５によって特定されたメッシュの配線密度を、第３算出部３０７によって算出されたメッシュの配線密度に更新する。
【００３８】
図４は、メッシュ情報テーブルの記憶内容の一例を示す説明図である。メッシュ情報テーブル３１１は、メッシュごとの情報を記憶するテーブルである。図４で示すメッシュ情報テーブル３１１は、レコード４０１−１〜４０１−３を記憶する。メッシュ情報テーブル３１１は、配線層ＩＤｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ（ＩＤ）、ｘ座標、ｙ座標、銅密度、ダミー銅密度、領域平均密度、ダミー変更情報という７つのフィールドを含む。
【００３９】
配線層ＩＤフィールドには、レイアウト情報の配線層を一意に特定する番号が格納される。ｘ座標フィールドには対象の配線層における、対象のメッシュのｘ座標が格納される。ｙ座標フィールドには、対象の配線層における、対象のメッシュのｙ座標が格納される。銅密度フィールドには、対象のメッシュの配線密度が格納される。ダミー銅密度フィールドには、銅密度のうち、ダミー配線パターンによる配線密度が格納される。領域平均密度フィールドには、対象のメッシュの領域平均密度が格納される。ダミー変更情報フィールドには、対象のメッシュ部分について、ダミー配線パターンを配置したかを示す識別子が格納される。具体的に、ダミー変更情報フィールドには、ダミー配線パターンが配置されていない場合“０”が格納され、ダミー配線パターンが配置された場合、配置されたダミー配線パターンＩＤが格納される。ダミー配線パターンＩＤについては、図５にて後述する。
【００４０】
たとえば、レコード４０１−１は、１番目の配線層のｘ座標がＸ１［μｍ］、ｙ座標がＹ１［μｍ］の位置にあるメッシュの情報を示している。以下、指定されたｘ座標とｙ座標の位置にあるメッシュを、メッシュ（ｘ，ｙ）と表現する。具体的に、レコード４０１−１は、該当のメッシュの銅密度が４０［％］であり、ダミー銅密度が１５［％］であり、領域平均密度が４４［％］であり、ダミー配線が配置されていないことを示す。
【００４１】
図５は、ダミー配線パターン情報テーブルの記憶内容の一例を示す説明図である。図５の（Ａ）は、ダミー配線パターン情報テーブル３１２の記憶内容の一例を示している。図５の（Ｂ）は、ダミー配線パターン情報の一例として、ダミー配線パターン情報テーブル３１２に記憶されているレコード５０１−１を図示したものである。また、図５の（Ｃ）は、ダミー配線パターン情報の他の例として、ダミー配線パターン情報テーブル３１２に記憶されているレコード５０１−２を図示したものである。図５の（Ｂ）と図５の（Ｃ）では、ある所定範囲に配置されたダミー配線にハッチを付けて図示している。
【００４２】
ダミー配線パターン情報テーブル３１２は、ダミー配線パターン情報ごとに、単位面積内に配置されたダミー配線の位置と形状を記憶するテーブルである。図５に示すダミー配線パターン情報テーブル３１２は、レコード５０１−１、５０１−２を記憶している。
【００４３】
ダミー配線パターン情報テーブル３１２は、ダミー配線パターンＩＤ、ｘ方向サイズ、ｙ方向サイズ、間隔、形状、オフセット、銅密度という７つのフィールドを含む。ダミー配線パターンＩＤフィールドには、ダミー配線パターンの識別情報が格納される。ｘ方向サイズフィールドには、ダミー配線のｘ方向の大きさが格納される。ｙ方向サイズフィールドには、ダミー配線のｙ方向の大きさが格納される。間隔フィールドには、ダミー配線の間隔が格納される。形状フィールドには、ダミー配線の形状を示す識別子が格納される。オフセットフィールドには、ダミー配線が配置された場合の、単位面積の原点からダミー配線内のある一点までの位置が格納される。原点は、単位面積内の任意の位置でよい。銅密度フィールドには、該当のダミー配線パターンにおける銅密度が格納される。銅密度の値は、ｘ方向サイズ、ｙ方向サイズ、間隔、形状、オフセットから算出することができる。また、図５の（Ｂ）には、ｘ方向サイズ、ｙ方向サイズ、間隔、オフセットが示す長さを図示している。
【００４４】
たとえば、レコード５０１−１は、ダミー配線パターンＩＤが１となるダミー配線パターン情報について示している。具体的に、レコード５０１−１は、ダミー配線パターンＩＤが１となるダミー配線パターン情報が、ダミー配線の大きさがｘ方向が３［μｍ］であり、ｙ方向が３［μｍ］であり、ダミー配線の形状が四角であることを示す。さらに、レコード５０１−１は、ダミー配線パターンＩＤが１となるダミー配線パターン情報が、ダミー配線の間隔が５［μｍ］であり、ダミー配線のオフセットが２［μｍ］であり、銅密度が４０［％］であることを示す。
【００４５】
図６は、領域平均密度の算出例を示す説明図である。図６の（ａ）〜図６の（ｃ）では、配線密度を色の濃さで表現している。図６の（ａ）は、レイアウト領域６０１を示している。また、図６の（ａ）は、配線密度の違いを、ハッチの違いにて表している。具体的に、配線密度が高い領域を、濃いハッチで表現し、配線密度が低い領域を、薄いハッチで表現する。レイアウト領域６０１は、周辺領域の配線密度が高くなっており、中央領域の配線密度が低くなっている。
【００４６】
次に、図６の（ｂ）は、レイアウト領域６０１をメッシュ状に分割した状態を示している。領域平均密度を分割後、設計支援装置１００は、各メッシュの領域平均密度を算出する。たとえば、設計支援装置１００は、メッシュ６０２の領域平均密度を算出する。領域平均密度は、所定領域に含まれるメッシュの銅密度の平均値を用いてもよいし、中央のメッシュからの距離に応じたガウス分布の重み付けによる平均値を用いてもよい。続けて、図６の（ｃ）は、各メッシュの領域平均密度を色の濃さで表現した図である。色が黒に近い箇所ほど、領域平均密度が大きいことを示している。
【００４７】
図７は、製造時に銅残りが発生し易いレイアウト情報か否かの判断例を示す説明図である。図７にて示すグラフ７０１は、レイアウト情報Ａとレイアウト情報Ｂについての各メッシュの領域平均密度の分布を示している。グラフ７０１の横軸は領域平均密度を示す。グラフ７０１の縦軸は出現確率を示す。
【００４８】
たとえば、レイアウト情報Ａの各メッシュの領域平均密度は、６２．５［％］が最も多く、３５［％］から７０［％］で散らばっている。設計支援装置１００は、レイアウト情報Ａの領域平均密度の標準偏差σAを算出する。算出した領域平均密度の標準偏差σAが示す値は、たとえば、グラフ７０１上にて示した範囲である。μAは、レイアウト情報Ａの各メッシュの領域平均密度の平均値を示す。
【００４９】
次に、設計支援装置１００は、領域平均密度の標準偏差σAが所定の閾値より大きいか否かを判断する。所定の閾値は、プロセスごとに固有の値であり、たとえば、５〜１０［％］である。図７の例では、設計支援装置１００は、領域平均密度の標準偏差σAが所定の閾値より大きいと判断する。領域平均密度の標準偏差σAが所定の閾値より大きいため、設計支援装置１００は、レイアウト情報Ａに銅残りが発生する可能性が高いと判断する。以下、銅残りが発生する可能性が高いレイアウト情報を、「エラーとなったレイアウト情報」と呼称する。
【００５０】
また、レイアウト情報Ｂの各メッシュの領域平均密度は、４７．５［％］が最も多く、かつ、４７．５［％］付近に集積している。設計支援装置１００は、レイアウト情報Ｂの領域平均密度の標準偏差σBを算出する。算出した領域平均密度の標準偏差σBが示す値は、たとえば、グラフ７０１上にて示した範囲である。μBは、レイアウト情報Ｂの各メッシュの領域平均密度の平均値を示す。グラフ７０１上にて示すように、μBは、μAより小さくなる。
【００５１】
次に、設計支援装置１００は、領域平均密度の標準偏差σBが所定の閾値より大きいか否かを判断する。図７の例では、設計支援装置１００は、領域平均密度の標準偏差σBが所定の閾値以下であると判断する。領域平均密度の標準偏差σBが所定の閾値以下であるため、設計支援装置１００は、レイアウト情報Ｂに銅残りが発生する可能性が低いと判断する。
【００５２】
続けて、設計支援装置１００は、エラーとなったレイアウト情報Ａに対して、高低差が低くなるようにダミー配線パターンを設定する候補となるメッシュを特定する。図８にて、抽出されたメッシュの一例について説明する。
【００５３】
図８は、修正候補として特定されたメッシュの一例を示す説明図である。図８の（ａ）では、特定されたメッシュが出力された例を示している。図８の（ｂ１）〜図８の（ｂ３）では、エラーとなったレイアウト情報上での特定されたメッシュの位置を示し、さらに、エラーとなったレイアウト情報Ａが研磨されていく様子を示している。
【００５４】
設計支援装置１００は、各メッシュのうち銅密度の低い順に、領域平均密度が平均値以下となるメッシュをエラーリスト８０１に出力する。より具体的には、設計支援装置１００は、各メッシュのうち銅密度の下位２０［％］であり、かつ、領域平均密度が平均値以下となるメッシュを銅密度の低い順にエラーリスト８０１に出力してもよい。
【００５５】
図８の（ａ）に示すエラーリスト８０１は、レコード８０１−１〜８０１−３を記憶する。エラーリスト８０１は、配線層ＩＤと、ｘ座標と、ｙ座標と、銅密度という４つのフィールドを含む。エラーリスト８０１の各フィールドの定義は、メッシュ情報テーブル３１１の同名のフィールドの定義と等しいため、説明を省略する。たとえば、レコード８０１−１〜８０１−３は、領域平均密度が平均値以下となるメッシュのうち銅密度が小さいメッシュ（Ｘ１，Ｙ１）〜メッシュ（Ｘ３，Ｙ１）の情報を示している。
【００５６】
図８の（ｂ１）は、エラーとなったレイアウト情報Ａの銅メッキ生成後のｙ＝Ｙ１での断面図を示している。図８の（ｂ１）は、領域平均密度のばらつき度合いが大きいため、酸化物８１１の上に銅メッキ８１２が堆積したときのレイアウト情報の高低差が大きくなっている。また、メッシュ（Ｘ１，Ｙ１）〜メッシュ（Ｘ３，Ｙ１）は、高低差がやや大きくなっている。なお、メッシュ（Ｘ１，Ｙ１）のｘが小さい方向に位置するメッシュ群については、高低差が大きくなっているが、細い配線溝がたくさんあり、銅密度が大きくなっているため、結果、エラーリスト８０１には該当のメッシュの識別情報が出力されていない。
【００５７】
次に、図８の（ｂ２）は、研磨工程において、研磨中に酸化物８１１の表面に塗られたｂａｒｒｉｅｒ  ｍｅｔａｌ（ＢＲＭ）を検出した状態を示している。銅の研磨は、研磨パッドに取り付けられたセンサが、ＢＲＭを検出すると終了するようになっている。このとき、図８の（ｂ１）と図８の（ｂ２）の領域８１３において、研磨対象となる銅が少なくなっている。したがって、領域８１３内の銅に応力が集中して研磨が速くなり、ＢＲＭを検出する時刻が早くなる。
【００５８】
続けて、図８の（ｂ３）は、研磨工程において、ＢＲＭの検出後、過研磨を行った状態である。図８の（ｂ３）では、過研磨が足りず、領域８１４にて銅残りが発生してしまった状態を示している。銅残りが発生すると、ショートを起こすことになるため、領域８１４を含む半導体装置は、不良品となる。
【００５９】
図９は、メッシュ情報テーブルの更新例を示す説明図である。図９の（ａ）では、ダミー配線を配置した際のメッシュ情報テーブル３１１の更新例を示している。図９の（ｂ１）〜図９の（ｂ３）では、エラーとなったレイアウト情報上でのダミー配線パターンが配置されたメッシュの位置を示し、さらに、ダミー配置パターンが配置されたレイアウト情報が研磨されていく様子を示している。
【００６０】
設計支援装置１００は、エラーリスト８０１で出力されたメッシュのうち、エラーリスト８０１の最上位にあるメッシュに、ダミー配線を配置する。設計支援装置１００は、配置後のダミー銅密度フィールドに設定する値を、下記（１）式を用いて算出する。
【００６１】
配置後のダミー銅密度＝配置前のダミー銅密度×（配置後のダミー配線パターンの銅密度／配置前のダミー配線パターンの銅密度）  …（１）
【００６２】
また、設計支援装置１００は、配置後の銅密度を、下記（２）式を用いて算出する。
【００６３】
配置後の銅密度＝（配置前の銅密度−配置前のダミー銅密度）＋配置後のダミー銅密度  …（２）
【００６４】
たとえば、設計支援装置１００は、メッシュ（Ｘ１，Ｙ１）に、ダミー配線パターンＩＤが“１”であるダミー配線を配置するとする。また、メッシュ（Ｘ１，Ｙ１）には、予め銅密度が３０［％］であるダミー配線パターンが設定されていたとする。この場合、設計支援装置１００は、メッシュ（Ｘ１，Ｙ１）におけるダミー配線パターンを配置後のダミー銅密度を、（１）式にて算出する。
【００６５】
配置後のダミー銅密度＝１５×（４０／３０）＝２０［％］
【００６６】
また、設計支援装置１００は、ダミー配線パターンを配置後の銅密度を、（２）式にて算出する。
【００６７】
配置後の銅密度＝（４０−１５）＋２０＝４５［％］
【００６８】
設計支援装置１００は、メッシュ（Ｘ１，Ｙ１）に対応するレコード４０１−１の銅密度フィールドとダミー銅密度フィールドを、算出した配置後の銅密度と配置後のダミー銅密度で更新する。また、設計支援装置１００は、レコード４０１−１のダミー変更情報フィールドを、配置するダミー配線パターンのＩＤ“１”で更新する。同様に、設計支援装置１００は、メッシュ（Ｘ２，Ｙ１）にダミー配線パターンＩＤ“２”となるダミー配線パターンを配置するとして、レコード４０１−２の銅密度フィールド、ダミー銅密度フィールド、ダミー変更情報フィールドを更新する。続けて、設計支援装置１００は、各メッシュの領域平均密度を算出して、対応するレコード４０１の領域平均密度を更新する。
【００６９】
図９の（ｂ１）は、メッシュ（Ｘ１，Ｙ１）にダミー配線パターンＩＤ“１”が配置され、メッシュ（Ｘ２，Ｙ１）にダミー配線パターンＩＤ“２”が配置された場合の銅メッキ生成後の状態を示している。ダミー配線を配置することにより、酸化物９０１の上に銅メッキ９０２が堆積したときのレイアウト情報の高低差は図８に比べて小さくなる。
【００７０】
次に、図９の（ｂ２）は、研磨工程において、研磨中に酸化物９０１の表面に塗られたＢＲＭを検出した状態を示している。図９の（ｂ１）の領域９０３において、高低差が小さくなった分、領域９０３内の銅にかかる応力が減少する。したがって、センサが領域９０３にてＢＲＭを検出した時点で、他の領域も銅が十分に研磨されていることになる。
【００７１】
続けて、図９の（ｂ３）は、研磨工程において、ＢＲＭの検出後、過研磨を行った状態である。図９の（ｂ３）では、過研磨が十分に行われ、ショートを起こす箇所がない。このように、設計支援装置１００は、ダミー配線パターンを配置することにより、製造時に歩留まりを向上することができる。次に、図８と図９で示したレイアウト情報の断面図について説明する。
【００７２】
図１０は、エラーとなったレイアウト情報の製造後の断面と修正後のレイアウト情報の製造後の断面の比較例を示す説明図である。図１０の（ａ）は、エラーとなった設計対象回路の断面を表示している。次に、図１０の（ｂ１）は、本実施の形態における領域平均密度による最適化を行った際のレイアウト情報の製造後のチップの断面を表示している。次に、図１０の（ｃ１）は、図１０の（ｂ１）で示した、領域平均密度による最適化を行った際の各メッシュの領域平均密度を表示している。図１０の（ｃ１）が示すように、領域平均密度による最適化を行ったレイアウト情報の各メッシュの領域平均密度のばらつき度合いは小さくなり、エラーなしとなる。
【００７３】
続けて、図１０の（ｂ２）は、領域平均密度による最適化を行わなかった場合のレイアウト情報の製造後のチップの断面を表示している。図１０の（ｂ２）で行われる最適化は、たとえば、各メッシュ内にて、平坦性を向上する最適化である。次に、図１０の（ｃ２）は、領域平均密度による最適化を行わなかった際の各メッシュの領域平均密度を表示している。図１０の（ｃ２）が示すように、領域平均密度による最適化を行わなかったレイアウト情報の各メッシュの領域平均密度のばらつき度合いは大きくなり、エラーとなる。次に、図３〜図１０にて説明した動作を実行するフローチャートについて、図１１にて説明する。
【００７４】
図１１は、設計支援処理手順の一例を示すフローチャートである。設計支援処理手順は、製造時に銅残りが発生し易いレイアウト情報かどうかを判断する処理である。設計支援装置１００は、レイアウト情報から、メッシュ情報を生成し、メッシュ情報テーブル３１１に格納する（ステップＳ１１０１）。具体的に、設計支援装置１００は、レイアウト情報から、レイアウト領域をメッシュ状に分割し、該当のメッシュに含まれる銅密度を求めることにより、メッシュ情報を生成する。
【００７５】
次に、設計支援装置１００は、配線層のうちの最下層の配線層を選択する（ステップＳ１１０２）。続けて、設計支援装置１００は、選択された配線層のメッシュ情報を取得する（ステップＳ１１０３）。次に、設計支援装置１００は、各メッシュに対して、プロセス固有の有効距離で指定される領域の領域平均密度を算出する（ステップＳ１１０４）。続けて、設計支援装置１００は、各メッシュの領域平均密度のばらつき度合いを算出する（ステップＳ１１０５）。次に、設計支援装置１００は、ばらつき度合いがプロセス固有の所定の閾値より大きいか否かを判断する（ステップＳ１１０６）。
【００７６】
大きい場合（ステップＳ１１０６：Ｙｅｓ）、設計支援装置１００は、領域平均密度が平均値以下となるメッシュを抽出する（ステップＳ１１０７）。次に、設計支援装置１００は、銅密度の低い順から、抽出したメッシュのうち、所定数のメッシュを特定する（ステップＳ１１０８）。次に、設計支援装置１００は、特定したメッシュに、銅密度が上昇するようなダミー配線パターンを配置した場合の配線密度を算出する（ステップＳ１１０９）。続いて、設計支援装置１００は、算出した配線密度でメッシュ情報テーブル３１１を更新する（ステップＳ１１１０）。ステップＳ１１１０の終了後、設計支援装置１００は、ステップＳ１１０４の処理に移行する。
【００７７】
ばらつき度合いがプロセス固有の所定の閾値以下の場合（ステップＳ１１０６：Ｎｏ）、設計支援装置１００は、全ての配線層を選択したか否かを判断する（ステップＳ１１１１）。まだ選択していない配線層がある場合（ステップＳ１１１１：Ｎｏ）、設計支援装置１００は、次の配線層を選択する（ステップＳ１１１２）。ステップＳ１１１２の実行終了後、設計支援装置１００は、ステップＳ１１０３の処理に移行する。
【００７８】
全ての配線層を選択した場合（ステップＳ１１１１：Ｙｅｓ）、設計支援装置１００は、全ての配線層に対するばらつき度合いと、ダミー変更情報を更新したメッシュ情報を出力する（ステップＳ１１１３）。ステップＳ１１１３の終了後、設計支援装置１００は、設計支援処理を終了する。設計支援処理を実行することにより、設計支援装置１００は、製造時に銅残りが発生し易いレイアウト情報かどうかを判断し、発生する可能性が高い場合には、歩留まりが向上するようにメッシュ情報テーブル３１１を更新することができる。
【００７９】
以上説明したように、設計支援装置１００によれば、レイアウト情報内の隣接領域間で一部重複する所定領域ごとの配線密度となる領域平均密度を求めてレイアウト情報全体の配線密度のばらつき度合いを判断する。これにより、設計支援装置１００は、局所的なばらつきを無視して回路全体のばらつき度合いを判断でき、銅残りが発生し易いレイアウト情報を特定することができる。なお、領域平均密度ではなく、単に分割した領域のばらつき度合いを判断した場合、図１のレイアウト情報Ａで示したような配線密度の低い領域と、配線密度の高い領域が混在する、銅残りが発生する可能性が低いレイアウト情報も、銅残りが高いと判断してしまう可能性がある。この場合、行わなくともよかったダミー配線の配置処理をすることになってしまう。
【００８０】
また、設計支援装置１００は、メッシュを小さくすることにより、設計支援処理の判断精度を向上することができる。また、設計支援装置１００は、メッシュを大きくすることにより、設計支援処理の処理速度を向上することができる。また、本実施の形態を行わず、更なる過研磨を行おうとすると、制御の負荷がかかるうえに、配線溝にある銅もさらに研磨されて、配線が細くなり、配線抵抗が上昇してしまう可能性がある。
【００８１】
また、設計支援装置１００によれば、ばらつき度合いが大きい場合、領域平均密度の低い順から、所定数の部分領域について出力してもよい。これにより、設計者は、銅残りを発生しないように設計対象回路修正する際に、修正の候補となるメッシュの情報を取得することができる。
【００８２】
また、設計支援装置１００によれば、ばらつき度合いが大きい場合、領域平均密度の低い順から抽出した特定の所定数の部分領域のうちの、配線密度の低い順に、特定の所定数より少ない数の部分領域を特定し、特定した部分領域について出力してもよい。これにより、設計者は、銅残りを発生しないように設計対象回路を修正する際に、配線密度が低く、修正を行い易いメッシュの情報を取得することができる。なお、配線密度が高いメッシュはダミー配線を挿入できる箇所が少ないため、設計者は、配線密度が高いメッシュについては修正しづらい。
【００８３】
また、設計支援装置１００によれば、ばらつき度合いが大きい場合、特定した部分領域にダミー配線を配置した場合の配線密度を算出し、メッシュ情報テーブル３１１を更新してもよい。これにより、設計者は、更新された銅密度と一致するようにダミー配線パターンを配置して設計対象回路を修正することができる。
【００８４】
また、設計支援装置１００によれば、更新後のメッシュ情報テーブル３１１の記憶内容を参照して、メッシュの領域平均密度のばらつき度合いが大きいか否かを判断してもよい。これにより、修正後の設計対象回路のばらつき度合いが小さくなっていれば、銅残りが発生する可能性を低くできるため、設計支援装置１００は、設計対象回路を用いて製造される半導体装置の歩留まりを向上することができる。
【００８５】
また、設計支援装置１００によれば、テストチップによる実験やシミュレーションツールを用いないため、費用や時間のコストを抑えて歩留まりを向上することができる。
【００８６】
なお、本実施の形態で説明した設計支援方法は、予め用意されたプログラムをパーソナル・コンピュータやワークステーション等のコンピュータで実行することにより実現することができる。本設計支援プログラムは、ハードディスク、フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＭＯ、ＤＶＤ等のコンピュータで読み取り可能な記録媒体に記録され、コンピュータによって記録媒体から読み出されることによって実行される。また本設計支援プログラムは、インターネット等のネットワークを介して配布してもよい。
【００８７】
上述した実施の形態に関し、さらに以下の付記を開示する。
【００８８】
（付記１）コンピュータに、
設計対象回路のレイアウト領域から分割された部分領域群の各部分領域の配線密度を記憶する記憶部の記憶内容を参照して、前記部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、前記レイアウト領域上の前記部分領域および前記部分領域と連続する他の部分領域の一部または全部を含む所定領域の配線密度を算出し、
算出した前記部分領域ごとの前記所定領域の配線密度に基づいて、前記所定領域の配線密度のばらつき度合いを表す値を算出し、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が所定の閾値より大きいか否かを判断し、
判断した判断結果を出力する、
処理を実行させることを特徴とする設計支援プログラム。
【００８９】
（付記２）前記コンピュータに、
算出した前記部分領域ごとの前記所定領域の配線密度の低い順から、前記部分領域群から選ばれた部分領域のうちの所定数の部分領域を抽出し、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が前記閾値より大きいと判断した場合、抽出した抽出結果を出力する、
処理を実行させることを特徴とする付記１に記載の設計支援プログラム。
【００９０】
（付記３）前記コンピュータに、
前記部分領域ごとの配線密度の低い順から、抽出した前記所定数の部分領域のうちの、前記所定数より小さい所定数の部分領域を特定する処理を実行させ、
前記出力する処理は、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が前記閾値より大きいと判断した場合、特定した特定結果を出力することを特徴とする付記２に記載の設計支援プログラム。
【００９１】
（付記４）前記コンピュータに、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が前記閾値より大きいと判断した場合、電気信号の伝達とは無関係のダミー配線の面積に基づいて、特定した前記部分領域に前記ダミー配線を配置した場合の前記部分領域の配線密度を算出し、
前記記憶部に記憶されている特定した前記部分領域の配線密度を、算出した前記部分領域の配線密度に更新する、
処理を実行させることを特徴とする付記３に記載の設計支援プログラム。
【００９２】
（付記５）前記所定領域の配線密度を算出する処理は、
更新した更新後の前記記憶部の記憶内容を参照して、前記部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、前記所定領域の配線密度を算出することを特徴とする付記４に記載の設計支援プログラム。
【００９３】
（付記６）設計対象回路のレイアウト領域から分割された部分領域群の各部分領域の配線密度を記憶する記憶部の記憶内容を参照して、前記部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、前記レイアウト領域上の前記部分領域および前記部分領域と連続する他の部分領域の一部または全部を含む所定領域の配線密度を算出し、
算出した前記部分領域ごとの前記所定領域の配線密度に基づいて、前記所定領域の配線密度のばらつき度合いを表す値を算出し、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が所定の閾値より大きいか否かを判断し、
判断した判断結果を出力する、
処理をコンピュータに実行させる設計支援プログラムを記録したことを特徴とする記録媒体。
【００９４】
（付記７）設計対象回路のレイアウト領域から分割された部分領域群の各部分領域の配線密度を記憶する記憶部の記憶内容を参照して、前記部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、前記レイアウト領域上の前記部分領域および前記部分領域と連続する他の部分領域の一部または全部を含む所定領域の配線密度を算出する第１の算出部と、
前記第１の算出部によって算出された前記部分領域ごとの前記所定領域の配線密度に基づいて、前記所定領域の配線密度のばらつき度合いを表す値を算出する第２の算出部と、
前記第２の算出部によって算出された前記ばらつき度合いを表す値が所定の閾値より大きいか否かを判断する判断部と、
前記判断部によって判断された判断結果を出力する出力部と、
を有することを特徴とする設計支援装置。
【００９５】
（付記８）設計対象回路のレイアウト領域から分割された部分領域群の各部分領域の配線密度を記憶する記憶部の記憶内容を参照して、前記部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、前記レイアウト領域上の前記部分領域および前記部分領域と連続する他の部分領域の一部または全部を含む所定領域の配線密度を算出する第１の算出部と、
前記第１の算出部によって算出された前記部分領域ごとの前記所定領域の配線密度に基づいて、前記所定領域の配線密度のばらつき度合いを表す値を算出する第２の算出部と、
前記第２の算出部によって算出された前記ばらつき度合いを表す値が所定の閾値より大きいか否かを判断する判断部と、
前記判断部によって判断された判断結果を出力する出力部と、
を有するコンピュータを含むことを特徴とする設計支援装置。
【００９６】
（付記９）コンピュータが、
設計対象回路のレイアウト領域から分割された部分領域群の各部分領域の配線密度を記憶する記憶部の記憶内容を参照して、前記部分領域群から選ばれた部分領域ごとに、前記レイアウト領域上の前記部分領域および前記部分領域と連続する他の部分領域の一部または全部を含む所定領域の配線密度を算出し、
算出した前記部分領域ごとの前記所定領域の配線密度に基づいて、前記所定領域の配線密度のばらつき度合いを表す値を算出し、
算出した前記ばらつき度合いを表す値が所定の閾値より大きいか否かを判断し、
判断した判断結果を出力する、
処理を実行することを特徴とする設計支援方法。
【符号の説明】
【００９７】
１００  設計支援装置
３０１  第１算出部
３０２  第２算出部
３０３  判断部
３０４  抽出部
３０５  特定部
３０６  出力部
３０７  第３算出部
３０８  更新部
【図１】
2014010582.tif 000003
【図２】
2014010582.tif 000004
【図３】
2014010582.tif 000005
【図４】
2014010582.tif 000006
【図５】
2014010582.tif 000007
【図６】
2014010582.tif 000008
【図７】
2014010582.tif 000009
【図８】
2014010582.tif 000010
【図９】
2014010582.tif 000011
【図１０】
2014010582.tif 000012
【図１１】
2014010582.tif 000013