(57)【要約】【課題】明るくて品質が高くコスト競争力があるマイクロレンズアレイ基板の製造方法、光学ユニット、および電子機器を提供する。【解決手段】マイクロレンズアレイ基板の製造方法は、光透過性を有する基板１１の一面１１ａに凹部１２を形成する凹部形成工程と、基板１１の凹部１２に光透過性を有する無機材料を充填して、基板１１とは異なる屈折率を有するレンズ層１３を形成するレンズ層形成工程と、を含み、レンズ層形成工程において形成するレンズ層１３の屈折率を、レンズ層１３に含まれる物質の組成比によって制御することを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光透過性を有する基板の一面に凹部を形成する凹部形成工程と、
前記基板の前記凹部に光透過性を有する無機材料を充填して、前記基板とは異なる屈折率を有するレンズ層を形成するレンズ層形成工程と、を含み、
前記レンズ層形成工程において形成する前記レンズ層の屈折率を、前記レンズ層に含まれる物質の組成比によって制御することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記レンズ層形成工程では、ＣＶＤ法により、酸素を含む第１ガスと、窒素を含む第２ガスと、ケイ素を含むガスと、を供給して、酸窒化ケイ素からなる前記レンズ層を形成し、
供給する前記第１ガスと前記第２ガスとの流量比を変えることにより、前記レンズ層に含まれる酸素と窒素との組成比を調整することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、
前記レンズ層形成工程では、ケイ素を含む第１材料と、ゲルマニウムを含む第２材料と、を含む粉末状の混合物を焼成して前記レンズ層を形成し、
前記混合物における前記第１材料と前記第２材料との重量比を変えることにより、前記レンズ層に含まれるゲルマニウムとケイ素との組成比を調整することを特徴とするマイクロレンズアレイ基板の製造方法。
【請求項４】
第１マイクロレンズアレイ基板を有し、第１波長域の光が供給される第１電気光学装置と、
第２マイクロレンズアレイ基板を有し、前記第１波長域とは波長域が異なる第２波長域の光が供給される第２電気光学装置と、
前記第１電気光学装置から射出された光と、前記第２電気光学装置から射出された光と、を合成して射出する光合成光学系と、を備え、
前記第１マイクロレンズアレイ基板と前記第２マイクロレンズアレイ基板とは、請求項１から３のいずれか一項に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法で製造されており、
前記第１マイクロレンズアレイ基板のレンズ層の屈折率は、前記第２マイクロレンズアレイ基板のレンズ層の屈折率と異なることを特徴とする光学ユニット。
【請求項５】
請求項４に記載の光学ユニットであって、
前記第１マイクロレンズアレイ基板の凹部の曲率は、前記第２マイクロレンズアレイ基板の凹部の曲率と同じであることを特徴とする光学ユニット。
【請求項６】
請求項４または５に記載の光学ユニットを備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロレンズアレイ基板の製造方法、光学ユニット、および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
素子基板と対向基板との間に電気光学物質（例えば、液晶など）を備えた電気光学装置が知られている。電気光学装置として、例えば、プロジェクターの液晶ライトバルブとして用いられる液晶装置などを挙げることができる。プロジェクターは、光源が射出する光を赤色、緑色、青色の３原色の色光に分離し、赤色用、緑色用、青色用の液晶装置（液晶ライトバルブ）を透過した各色光を合成して画像を拡大表示する。このような液晶装置においては、高い光利用効率を実現することが求められている。
【０００３】
液晶装置では、基板上の画素の領域外に画素を駆動するＴＦＴ素子や配線などが設けられ、これらと平面的に重なるように遮光層が設けられる。そのため、画素の開口率は１００％とはならず、入射する光の一部は利用されない。そこで、液晶装置の素子基板および対向基板の少なくとも一方にマイクロレンズアレイ基板を備えることにより、入射した光をマイクロレンズで集光して光の利用効率を高める構成が知られている。
【０００４】
マイクロレンズアレイ基板は、基板の一面に設けられた複数の凹部にレンズ材料を充填してレンズ層を形成することで構成された複数のマイクロレンズを有している。マイクロレンズの光学特性（例えば、屈折率など）は特定波長域の光を基準に設定されるが、一般に、赤色用、緑色用、青色用の各液晶装置には光学特性が同じマイクロレンズが用いられる。したがって、波長域が異なる赤色、緑色、青色の各色光に対して、いずれかの色光で光の利用効率が良好であっても、他の色光ではその一部が遮光層で遮光されてしまうことなどにより光の利用効率が低下してしまうという課題があった。
【０００５】
これに対して、赤色、緑色、青色の色光のそれぞれに対応して光学特性が設定されたマイクロレンズを用いる液晶装置（液晶表示装置）の構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。特許文献１に記載の液晶装置の構成によれば、レンズ材料として樹脂を用い、赤色、緑色、青色の各色光に対応してマイクロレンズの曲率や屈折率を異ならせることで、各色光を透過させたときの焦点距離が同じになるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−１４８６１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、色光によってマイクロレンズの曲率、すなわち凹部の形状を異ならせる場合は、光学設計において多くのパラメーターを調整する必要があり、凹部を形成する工程における露光マスクの構成やエッチング条件なども異なるものとなる。また、レンズ材料の樹脂で屈折率を異ならせる場合は、樹脂に対する添加物の配合比が変わることにより、マイクロレンズの光透過率、耐光性、信頼性などの特性が変わってくるため、他のパラメーターも変更する必要がある。これらの結果、設計工数の増大や、製造プロセスの複雑化に伴う生産性の低下や歩留りの低下などを招いてしまうという課題がある。さらに、液晶装置をプロジェクターの液晶ライトバルブとして用いる場合、高輝度の光が入射することで液晶装置が高温に晒されるが、マイクロレンズのレンズ材料に樹脂を用いていると、無機材料に比べて光や高温に対する耐性が劣るため、マイクロレンズの信頼性が低下するという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００９】
［適用例１］本適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、光透過性を有する基板の一面に凹部を形成する凹部形成工程と、前記基板の前記凹部に光透過性を有する無機材料を充填して、前記基板とは異なる屈折率を有するレンズ層を形成するレンズ層形成工程と、を含み、前記レンズ層形成工程において形成する前記レンズ層の屈折率を、前記レンズ層に含まれる物質の組成比によって制御することを特徴とする。
【００１０】
本適用例の方法によれば、レンズ層に含まれる物質の組成比によってレンズ層の屈折率を制御するので、マイクロレンズを構成する凹部の形状を変えることなく、波長域が異なる複数の色光に対してマイクロレンズの焦点距離が一致するようにでき、各色光に対する光の利用効率を最適化することができる。そのため、多数のパラメーターを変更することなく様々な仕様のマイクロレンズアレイ基板を設計することが可能となるので、設計効率を向上できる。また、基板に凹部を形成する製造プロセスは変わらないので、製造プロセスの複雑化に伴う生産性の低下や歩留りの低下を抑えることができる。そして、樹脂よりも光や高温に対する耐性が優れる無機材料でレンズ層を形成するので、マイクロレンズの信頼性を向上させることができる。これにより、マイクロレンズアレイ基板の品質および生産性の向上を図ることができる。
【００１１】
［適用例２］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、前記レンズ層形成工程では、ＣＶＤ法により、酸素を含む第１ガスと、窒素を含む第２ガスと、ケイ素を含むガスと、を供給して、酸窒化ケイ素からなる前記レンズ層を形成し、供給する前記第１ガスと前記第２ガスとの流量比を変えることにより、前記レンズ層に含まれる酸素と窒素との組成比を調整することが好ましい。
【００１２】
本適用例の方法によれば、ＣＶＤ法を用いてレンズ層を形成する際に、酸素を含む第１ガスと窒素を含む第２ガスとの流量比を変えることにより、レンズ層を構成する酸窒化ケイ素に含まれる酸素と窒素との組成比が調整される。これにより、仕様が異なるマイクロレンズアレイ基板のレンズ層を同じ製造設備及び方法で形成でき、マイクロレンズの屈折率を容易に制御することができる。
【００１３】
［適用例３］上記適用例に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法であって、前記レンズ層形成工程では、ケイ素を含む第１材料と、ゲルマニウムを含む第２材料と、を含む粉末状の混合物を焼成して前記レンズ層を形成し、前記混合物における前記第１材料と前記第２材料との重量比を変えることにより、前記レンズ層に含まれるゲルマニウムとケイ素との組成比を調整することが好ましい。
【００１４】
本適用例の方法によれば、粉末状の混合物におけるケイ素を含む第１材料とゲルマニウムを含む第２材料との重量比を変えることにより、レンズ層に含まれるケイ素とゲルマニウムとの組成比が調整される。これにより、仕様が異なるマイクロレンズアレイ基板のレンズ層を同じ製造設備及び方法で形成でき、マイクロレンズの屈折率を容易に制御することができる。
【００１５】
［適用例４］本適用例に係る光学ユニットは、第１マイクロレンズアレイ基板を有し、第１波長域の光が供給される第１電気光学装置と、第２マイクロレンズアレイ基板を有し、前記第１波長域とは波長域が異なる第２波長域の光が供給される第２電気光学装置と、
前記第１電気光学装置から射出された光と、前記第２電気光学装置から射出された光と、を合成して射出する光合成光学系と、を備え、前記第１マイクロレンズアレイ基板と前記第２マイクロレンズアレイ基板とは、上記適用例に記載のマイクロレンズアレイ基板の製造方法で製造されており、前記第１マイクロレンズアレイ基板のレンズ層の屈折率は、前記第２マイクロレンズアレイ基板のレンズ層の屈折率と異なることを特徴とする。
【００１６】
本適用例の構成によれば、光学ユニットが備える第１電気光学装置と第２電気光学装置とは、それぞれ上述のマイクロレンズアレイ基板の製造方法で製造され互いに屈折率が異なる第１マイクロレンズアレイ基板と第２マイクロレンズアレイ基板とを有する。そのため、第１電気光学装置に供給される第１波長域の光と、第２電気光学装置に供給される第２波長域の光とのそれぞれに対して、マイクロレンズを構成する凹部の形状を変えることなく光の利用効率を最適化することができる。また、レンズ層に樹脂よりも光や高温に対する耐性が優れる無機材料が用いられているので、樹脂を用いる場合に比べて、第１マイクロレンズアレイ基板と第２マイクロレンズアレイ基板との信頼性を向上できる。これにより、明るくて品質が高くコスト競争力がある光学ユニットを提供できる。
【００１７】
［適用例５］上記適用例に係る光学ユニットであって、前記第１マイクロレンズアレイ基板の凹部の曲率は、前記第２マイクロレンズアレイ基板の凹部の曲率と同じであってもよい。
【００１８】
本適用例の構成によれば、第１マイクロレンズアレイ基板の凹部の曲率と第２マイクロレンズアレイ基板の凹部の曲率とが同じであっても、それぞれの屈折率を互いに異ならせることが容易にできる。
【００１９】
［適用例６］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の光学ユニットを備えていることを特徴とする。
【００２０】
本適用例の構成によれば、明るくて品質が高くコスト競争力がある光学ユニットを備えた電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図。
【図４】第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。
【図５】第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。
【図６】ガスの流量比とレンズ層の屈折率との関係を示すグラフ。
【図７】第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図。
【図８】第３の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面を参照して説明する。使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大、縮小、あるいは誇張して表示している。また、説明に必要な構成要素以外は図示を省略する場合がある。
【００２３】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
（第１の実施形態）
＜電気光学装置＞
ここでは、電気光学装置として、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、後述する投射型表示装置（プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２５】
まず、第１の実施形態に係る電気光学装置としての液晶装置について、図１、図２、および図３を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、第１の実施形態に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。図３は、第１の実施形態に係る液晶装置の構成を示す概略断面図である。詳しくは、図３は、図１のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図である。
【００２６】
図１および図３に示すように、第１の実施形態に係る液晶装置１は、対向配置された素子基板２０および対向基板３０と、素子基板２０と対向基板３０との間に配置された液晶層４０とを有する。図１に示すように、素子基板２０は対向基板３０よりも一回り大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材４２を介して接合されている。
【００２７】
液晶層４０は、素子基板２０と対向基板３０とシール材４２とによって囲まれた空間に封入された、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。シール材４２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤からなる。シール材４２には、素子基板２０と対向基板３０との間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２８】
額縁状に配置されたシール材４２の内側には、額縁状の周縁部を有する遮光層２２（２６、３２）が設けられている。遮光層２２（２６、３２）は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。遮光層２２（２６、３２）の内側は、複数の画素Ｐが配列された表示領域Ｅとなっている。画素Ｐは、例えば、略矩形状を有し、マトリックス状に配列されている。遮光層２２（２６、３２）は、表示領域Ｅにおいて、複数の画素Ｐを平面的に区画するように、例えば格子状に設けられている。
【００２９】
素子基板２０の１辺部のシール材４２の外側には、１辺部に沿ってデータ線駆動回路５１および複数の外部接続端子５４が設けられている。また、その１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材４２の内側には、検査回路５３が設けられている。さらに、これらの２辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材４２の内側には、走査線駆動回路５２が設けられている。
【００３０】
検査回路５３が設けられた１辺部のシール材４２の内側には、２つの走査線駆動回路５２を繋ぐ複数の配線５５が設けられている。これらデータ線駆動回路５１、走査線駆動回路５２に繋がる配線は、複数の外部接続端子５４に接続されている。また、対向基板３０の角部には、素子基板２０と対向基板３０との間で電気的導通をとるための上下導通部５６が設けられている。なお、検査回路５３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路５１と表示領域Ｅとの間のシール材４２の内側に沿った位置に設けてもよい。
【００３１】
以下の説明では、データ線駆動回路５１が設けられた１辺部に沿った方向をＸ方向とし、この１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向とする。Ｘ方向は、図１のＡ−Ａ’線に沿った方向である。遮光層２２（２６、３２）は、Ｘ方向とＹ方向とに沿った格子状に設けられている。画素Ｐは、遮光層２２によって格子状に区画され、Ｘ方向とＹ方向とに沿ったマトリックス状に配列されている。
【００３２】
また、Ｘ方向およびＹ方向と直交し図１における上方に向かう方向をＺ方向とする。なお、本明細書では、液晶装置１の対向基板３０の表面１１ｂ（図３参照）の法線方向（Ｚ方向）から見ることを「平面視」という。
【００３３】
図２に示すように、表示領域Ｅには、走査線２とデータ線３とが互いに交差するように形成され、走査線２とデータ線３との交差に対応して画素Ｐが設けられている。画素Ｐのそれぞれには、画素電極２８と、スイッチング素子としてのＴＦＴ２４（Thin Film Transistor：薄膜トランジスター）とが設けられている。
【００３４】
ＴＦＴ２４のソース電極（図示しない）は、データ線駆動回路５１から延在するデータ線３に電気的に接続されている。データ線３には、データ線駆動回路５１（図１参照）から画像信号（データ信号）Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のゲート電極（図示しない）は、走査線駆動回路５２から延在する走査線２の一部である。走査線２には、走査線駆動回路５２から走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが線順次で供給される。ＴＦＴ２４のドレイン電極（図示しない）は、画素電極２８に電気的に接続されている。
【００３５】
画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、ＴＦＴ２４を一定期間だけオン状態とすることにより、データ線３を介して画素電極２８に所定のタイミングで書き込まれる。このようにして画素電極２８を介して液晶層４０に書き込まれた所定レベルの画像信号は、対向基板３０に設けられた共通電極３４（図３参照）との間に形成される液晶容量で一定期間保持される。
【００３６】
なお、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎがリークするのを防止するため、走査線２に沿って形成された容量線４と画素電極２８との間に蓄積容量５が形成され、液晶容量と並列に配置されている。このように、各画素Ｐの液晶に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより液晶の配向状態が変化する。これにより、液晶層４０（図３参照）に入射した光が変調されて階調表示が可能となる。
【００３７】
液晶層４０を構成する液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能とする。例えば、ノーマリーホワイトモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少する。ノーマリーブラックモードの場合、各画素Ｐの単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加し、全体として液晶装置１からは画像信号に応じたコントラストをもつ光が射出される。
【００３８】
図３に示すように、素子基板２０は、基板２１と、遮光層２２と、絶縁層２３と、ＴＦＴ２４と、絶縁層２５と、遮光層２６と、絶縁層２７と、画素電極２８と、配向膜２９とを備えている。基板２１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料からなる。遮光層２２は、遮光層２６および対向基板３０の遮光層３２に平面視で重なるように格子状に形成されている。遮光層２２に囲まれた領域（開口部２２ａ内）は、光が透過する領域となる。
【００３９】
絶縁層２３は、基板２１と遮光層２２とを覆うように設けられている。絶縁層２３は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。ＴＦＴ２４は、絶縁層２３上に設けられている。ＴＦＴ２４は、画素電極２８を駆動するスイッチング素子である。ＴＦＴ２４は、図示しない半導体層、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極で構成されている。半導体層には、ソース領域、チャネル領域、およびドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、または、チャネル領域とドレイン領域との界面にはＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。
【００４０】
ゲート電極は、素子基板２０において平面視で半導体層のチャネル領域と重なる領域に絶縁層２５の一部（ゲート絶縁膜）を介して形成されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線にコンタクトホールを介して電気的に接続されており、走査信号が印加されることによってＴＦＴ２４をオン／オフ制御している。
【００４１】
絶縁層２５は、絶縁層２３とＴＦＴ２４とを覆うように設けられている。絶縁層２５は、例えば、ＳｉＯ2などの無機材料からなる。絶縁層２５は、ＴＦＴ２４の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層２５により、ＴＦＴ２４によって生ずる表面の凹凸が緩和される。絶縁層２５上には、遮光層２６が設けられている。そして、絶縁層２５と遮光層２６とを覆うように、無機材料からなる絶縁層２７が設けられている。
【００４２】
画素電極２８は、絶縁層２７上に、画素Ｐに対応して設けられている。画素電極２８は、遮光層２２の開口部２２ａおよび遮光層２６の開口部２６ａに平面視で重なる領域に配置されている。画素電極２８は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜２９は、画素電極２８を覆うように設けられている。
【００４３】
対向基板３０は、マイクロレンズアレイ基板１０と、光路長調整層３６と、遮光層３２と、保護層３３と、共通電極３４と、配向膜３５とを備えている。マイクロレンズアレイ基板１０は、基板１１とレンズ層１３とを備えている。マイクロレンズアレイ基板１０は、基板１１の一面１１ａ側が素子基板２０に対向するように配置されている。
【００４４】
基板１１は、一面１１ａ側に形成された複数の凹部１２を有している。各凹部１２は、各画素Ｐに対応して設けられている。凹部１２は、その底部（基板１１の表面１１ｂ側）に向かって先細りとなる曲面状に形成されている。基板１１は、例えばガラスや石英などの光透過性を有する材料からなる。
【００４５】
レンズ層１３は、基板１１の凹部１２を埋め込むように形成されている。レンズ層１３は、光透過性を有し、基板１１とは異なる屈折率を有する材料からなる。より具体的には、レンズ層１３は、基板１１よりも光屈折率の高い無機材料からなる。このような無機材料としては、例えば、酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）、ホウケイ酸ガラスなどが挙げられる。本実施形態では、レンズ層１３は酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）で形成されている。
【００４６】
基板１１の凹部１２を埋め込むレンズ層１３により、凸状のマイクロレンズＭＬが構成される。したがって、各マイクロレンズＭＬは、各画素Ｐに対応して設けられている。また、複数のマイクロレンズＭＬによりマイクロレンズアレイＭＬＡが構成される。レンズ層１３のレンズ材料として用いる無機材料は、樹脂よりも光や高温に対する耐性が優れるので、マイクロレンズＭＬの信頼性の向上を図ることができる。
【００４７】
光路長調整層３６は、マイクロレンズアレイ基板１０を覆うように設けられている。光路長調整層３６は、例えば、基板１１とほぼ同じ屈折率を有する無機材料からなる。光路長調整層３６は、マイクロレンズアレイ基板１０の表面を平坦化するとともに、マイクロレンズＭＬから遮光層２２までの距離を所望の値に合わせる機能を有する。
【００４８】
遮光層３２は、素子基板の遮光層２２および遮光層２６に平面視で重なるように格子状に形成されている。遮光層３２に囲まれた領域（開口部３２ａ内）は、光が透過する領域となる。保護層３３は、光路長調整層３６と遮光層３２とを覆うように設けられている。共通電極３４は、保護層３３を覆うように設けられている。共通電極３４は、複数の画素Ｐに跨って形成されている。共通電極３４は、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などの透明導電膜からなる。配向膜３５は、共通電極３４を覆うように設けられている。
【００４９】
液晶層４０は、素子基板２０側の配向膜２９と対向基板３０側の配向膜３５との間に封入されている。液晶層４０は、正または負の誘電異方性を有する液晶で構成されている。
【００５０】
液晶装置１では、光は、マイクロレンズＭＬを備える対向基板３０（基板１１の表面１１ｂ）側から入射し、マイクロレンズＭＬによって屈折され集光される。例えば、表面１１ｂ側から凸状のマイクロレンズＭＬに入射する光のうち、画素Ｐの平面的な中心を通過する光軸に沿って入射した入射光Ｌ１は、マイクロレンズＭＬをそのまま直進し、液晶層４０を通過して素子基板２０側に射出される。
【００５１】
入射光Ｌ１よりも外側の平面視で遮光層３２と重なる領域からマイクロレンズＭＬの周縁部に入射した入射光Ｌ２は、仮にそのまま直進した場合、破線で示すように遮光層３２で遮光されてしまうが、基板１１とレンズ層１３との間の光屈折率の差により、画素Ｐの平面的な中心側へ屈折する。液晶装置１では、このように直進した場合に遮光層３２で遮光されてしまう入射光Ｌ２も、マイクロレンズＭＬの集光作用により遮光層３２の開口部３２ａ内に入射させて液晶層４０を通過させることができる。この結果、素子基板２０側から射出される光の量を多くできるので、光の利用効率を高めることができる。
【００５２】
ここで、例えば、入射光が赤色光（Ｒ）である場合と緑色光（Ｇ）である場合と青色光（Ｂ）である場合とでは、それぞれ入射光の波長域が異なるため、マイクロレンズＭＬでの屈折の度合いが異なる。したがって、波長域が互いに異なる赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）の各色光に対して、屈折率が同じマイクロレンズＭＬを用いた場合、色光によって焦点距離が異なってしまう。
【００５３】
すなわち、例えば、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）のうちのいずれか一つの色光を基準としてマイクロレンズＭＬの曲率やマイクロレンズＭＬから遮光層３２までの距離などの光学設計を行った場合、色光によっては屈折の度合いが小さくなって入射光の一部が遮光層３２で遮光され、光の利用効率が低下してしまうこととなる。
【００５４】
本実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０では、マイクロレンズＭＬの形状（曲率）が同じであっても、レンズ層１３を形成するレンズ材料の組成比を変えることにより、レンズ層１３の屈折率を入射光の波長域に対応させて異ならせることができる。したがって、マイクロレンズＭＬの形状（曲率）を変えることなく、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）のそれぞれに対応した屈折率を有し光の利用効率が最適化された各色光用のマイクロレンズアレイ基板１０を提供できる。
【００５５】
＜マイクロレンズアレイ基板の製造方法＞
次に、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０の製造方法について、図４および図５を参照して説明する。図４および図５は、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。図４および図５の各図は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面に相当する。
【００５６】
なお、図示しないが、マイクロレンズアレイ基板１０の製造工程では、マイクロレンズアレイ基板１０を複数枚取りできる大型の基板（マザー基板）で加工が行われ、最終的にそのマザー基板を切断して個片化することにより、複数のマイクロレンズアレイ基板１０が得られる。したがって、以下に説明する各工程では個片化する前のマザー基板の状態で加工が行われるが、ここでは、マザー基板の中の個別のマイクロレンズアレイ基板１０に対する加工について説明する。
【００５７】
まず、図４（ａ）に示すように、石英などからなる光透過性を有する基板１１の一面１１ａに、マスク層７１を形成する。続いて、図４（ｂ）に示すように、マスク層７１に複数の開口部７１ａを形成する。開口部７１ａは、後の工程で得られるマイクロレンズＭＬ（凹部１２）の平面的な中心位置、すなわち、画素Ｐ（図３参照）の平面的な中心位置に対応して設けられる。これにより、開口部７１ａ内に基板１１の一面１１ａが露出する。
【００５８】
次に、図４（ｃ）に示すように、マスク層７１の開口部７１ａを介して基板１１に等方性エッチング処理を施すことにより、基板１１に凹部１２を形成する（凹部形成工程）。凹部形成工程における等方性エッチング処理としては、例えばフッ酸溶液などのエッチング液を用いたウエットエッチングを用いることができる。
【００５９】
この等方性エッチング処理により、基板１１の一面１１ａ側から開口部７１ａを中心として等方的にエッチングされ、断面視で略半球状の領域が除去されて、凹部１２が形成される。凹部１２は、平面視で、開口部７１ａを中心とする同心円状に形成される。等方性エッチング処理を施す時間の経過に伴って凹部１２が拡大する。図４（ｄ）に示すように、凹部１２が所望の形状となったところで、等方性エッチング処理を停止する。
【００６０】
次に、図５（ａ）に示すように、基板１１からマスク層７１を除去する。これにより、一面１１ａ側に凹部１２が形成された基板１１が得られる。
【００６１】
次に、図５（ｂ）に示すように、基板１１の一面１１ａに凹部１２を埋め込むように、レンズ材料１３ａを配置してレンズ層１３を形成する（レンズ層形成工程）。レンズ層１３を形成するためのレンズ材料１３ａには、光透過性を有し、基板１１よりも高い屈折率を有する無機材料を用いる。本実施形態では、レンズ材料１３ａを酸窒化ケイ素（ＳｉＯＮ）とし、例えば、プラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法を用いてレンズ層１３を形成する。
【００６２】
レンズ層形成工程では、プラズマＣＶＤ装置（図示しない）のチャンバー内に基板１１を載置し、減圧手段によりチャンバー内を所定の圧力に減圧する。チャンバー内には、例えば、シラン（ＳｉＨ4）、窒素（Ｎ2）、一酸化二窒素（Ｎ2Ｏ）、アンモニア（ＮＨ3）などのガスを供給する。そして、高周波放電を起こすことにより、チャンバー内に供給したガスを励起してプラズマ状態とし、基板１１の一面１１ａにＳｉＯＮを堆積させる。
【００６３】
ここで、本実施形態では、Ｎ2Ｏが酸素を含む第１ガスに相当し、ＮＨ3が窒素を含む第２ガスに相当する。第１ガス（Ｎ2Ｏ）と第２ガス（ＮＨ3）との流量比によって、レンズ材料１３ａであるＳｉＯＮにおける酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）との組成比が変わる。そして、ＳｉＯＮにおける酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）との組成比が変わると、レンズ層１３の屈折率が変わる。図６は、ガスの流量比とレンズ層の屈折率との関係を示すグラフである。
【００６４】
図６において、横軸はＮ2ＯおよびＮＨ3の合計流量に対するＮＨ3の流量の比率（ＮＨ3／Ｎ2Ｏ＋ＮＨ3）を示し、縦軸は形成されるレンズ層１３の屈折率を示している。屈折率は、入射光の波長が６３２．８ｎｍの場合のものである。このときのＮ2の流量はＳｉＨ4の流量の４．５倍である。例えば、Ｎ2Ｏの流量およびＮＨ3の流量をともにＳｉＨ4の流量の５倍とすると、Ｎ2ＯおよびＮＨ3の合計流量に対するＮＨ3の流量の比率は５０％となる。
【００６５】
図６に示すように、Ｎ2ＯおよびＮＨ3の合計流量に対するＮＨ3の流量比が大きくなるほど、すなわち、ＳｉＯＮにおいて酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の組成比が大きくなるほど、形成されるレンズ層１３の屈折率は大きくなる。また、図６に示す例では、Ｎ2ＯおよびＮＨ3の合計流量に対するＮＨ3の流量比が１％変化すると、レンズ層１３の屈折率は０．００２０から０．００２５程度変化する。
【００６６】
このように、本実施形態では、第１ガス（Ｎ2Ｏ）と第２ガス（ＮＨ3）との流量比を変えることにより、レンズ材料１３ａ（ＳｉＯＮ）に含まれる酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）との組成比を変化させて、形成されるレンズ層１３の屈折率を調整することができる。一例として、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）の３つの色光のそれぞれに対してマイクロレンズＭＬの焦点距離を同一としたい場合は、以下のように調整すればよい。
【００６７】
例えば、３つの色光のうち波長域が中間となる緑色光（Ｇ）を基準とすると、屈折率が相対的に小さくなる長波長域側の赤色光（Ｒ）に対しては、ＳｉＯＮにおける酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の組成比を大きくすることで、マイクロレンズＭＬの屈折率を大きくできる。また、緑色光（Ｇ）を基準として屈折率が相対的に大きくなる短波長域側の青色光（Ｂ）に対しては、ＳｉＯＮにおける酸素（Ｏ）に対する窒素（Ｎ）の組成比を小さくすることで、マイクロレンズＭＬの屈折率を小さくできる。
【００６８】
したがって、本実施形態のマイクロレンズアレイ基板の製造方法によれば、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）の各色光用のマイクロレンズアレイ基板１０に対して、凹部形成工程を共通にできる。また、レンズ層形成工程においても、ガスの流量比を制御するだけで、各色光に対して屈折率が調整され光の利用効率が最適化されたマイクロレンズアレイ基板１０を製造できる。これにより、様々な仕様のマイクロレンズアレイ基板１０を同じ製造プロセスで製造することが可能となる。
【００６９】
図５（ｂ）に戻って、マイクロレンズアレイ基板１０の製造工程の説明を続ける。レンズ層形成工程において、基板１１の一面１１ａにレンズ材料１３ａを配置して形成されたレンズ層１３の上面には、凹部１２と凹部１２同士の境界部との段差が反映される。
【００７０】
次に、図５（ｃ）に示すように、レンズ層１３に対して平坦化処理を施す。平坦化処理の方法としては、例えば、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）処理などを用いて、レンズ層１３の上面を研磨する。なお、平坦化処理の方法は、ＣＭＰ処理に限定されるものではなく、エッチバック法を用いてもよい。これにより、レンズ層１３が平坦化されて、マイクロレンズアレイＭＬＡを備えたマイクロレンズアレイ基板１０が完成する。
【００７１】
以上説明したように、第１の実施形態によれば、以下に示す効果が得られる。
【００７２】
レンズ材料１３ａ（ＳｉＯＮ）に含まれる酸素（Ｏ）と窒素（Ｎ）との組成比によってレンズ層１３の屈折率を制御するので、特許文献１に記載の液晶装置のようにマイクロレンズを構成する凹部の形状を変えることなく、波長域が異なる複数の色光に対してマイクロレンズＭＬの焦点距離が一致するようにでき、各色光に対する光の利用効率を最適化することができる。そのため、特許文献１に記載の液晶装置のように多数のパラメーターを変更することなく、様々な仕様のマイクロレンズアレイ基板１０を設計することが可能となるので、設計効率を向上できる。
【００７３】
また、基板１１に凹部１２を形成する製造プロセスは変わらないので、特許文献１に記載の液晶装置に比べて、製造プロセスの複雑化に伴う生産性の低下や歩留りの低下を抑えることができる。そして、樹脂よりも光や高温に対する耐性が優れる無機材料（ＳｉＯＮ）でレンズ層１３を形成するので、樹脂でレンズ層を形成する特許文献１に記載の液晶装置に比べて、マイクロレンズＭＬの信頼性を向上させることができる。これにより、マイクロレンズアレイ基板１０の品質および生産性の向上を図ることができる。
【００７４】
なお、液晶装置１をプロジェクターの液晶ライトバルブとして用いる場合、赤色光（Ｒ）用、緑色光（Ｇ）用、青色光（Ｂ）用のそれぞれの液晶装置１で、入射光の波長域に応じて素子基板２０と対向基板３０との間隔を異ならせる場合がある。このような場合、各色光（波長域）に対応してマイクロレンズＭＬの焦点位置が変わってくるが、本実施形態によれば、容易にマイクロレンズＭＬの屈折率を調整して所望の焦点位置に合わせ込むことができる。
【００７５】
（第２の実施形態）
次に、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板およびその製造方法について、図７を参照して説明する。図７は、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法を示す概略断面図である。図７の各図は、図１のＡ−Ａ’線に沿った断面に相当する。
【００７６】
第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板およびその製造方法は、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板およびその製造方法に対して、レンズ層を形成するレンズ材料と、レンズ層形成工程におけるレンズ層の形成方法とが異なるが、他の構成はほぼ同じである。第１の実施形態と共通する構成要素については、同一の符号を付しその説明を省略する。
【００７７】
図７（ｃ）に示すように、第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板１０Ａは、基板１１とレンズ層１４とを備えている。レンズ層１４は、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）と二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）とを含む無機材料をレンズ材料として形成されている。
【００７８】
＜マイクロレンズアレイ基板の製造方法＞
第２の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法は、第１の実施形態に係るマイクロレンズアレイ基板の製造方法に対して、図５（ａ）に示す基板１１に凹部１２を形成する工程までは同じであるが、続くレンズ層形成工程が異なる。第２の実施形態におけるレンズ層形成工程は、レンズ材料を準備する準備工程と、レンズ材料を凹部１２に充填する充填工程と、充填されたレンズ材料を焼成する焼成工程とを有する。
【００７９】
まず、準備工程を説明する。準備工程については図示を省略するが、レンズ層１４を形成するレンズ材料１４ａに、例えば、ホウケイ酸ガラスが粉末化されたガラスフリットと、酸化ゲルマニウム系ガラスが粉末化されたガラスフリットとの混合物を用いる。ホウケイ酸ガラスには第１材料としての二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）が含まれ、酸化ゲルマニウム系ガラスには第２材料としての二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）が含まれる。
【００８０】
ガラスフリットの粒径は、レンズ材料１４ａの流動性が確保でき、かつ微粒子の製造コスト上昇が避けられるように、例えば、１０ｎｍ〜１０μｍ程度の範囲とする。ここで、ガラスフリットの混合物における二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）と二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）との重量比によって焼成後のこれらの材料の組成比が変わり、形成されるレンズ層１４における屈折率が変わる。より具体的には、二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）に対する二酸化ゲルマニウム（ＧｅＯ2）の重量比（組成比）が大きくなるほど、形成されるレンズ層１４の屈折率は大きくなる。
【００８１】
準備工程では、このガラスフリットと、ガラスフリットを繋ぐための主に樹脂成分からなるバインダーと、分散媒とを混合しペースト状に調整する。バインダーとしては、樹脂成分であれば特に限定はされないが、ガラスフリットを繋ぎ止める性能に加え、後述の焼成工程において確実に蒸散される性質を有する必要がある。このようなバインダーとして、例えば、セルロース系樹脂、ポリビニルブチラール（ＰＶＢ）などを用いることができる。
【００８２】
分散媒としては、低沸点タイプのエタノール、アセトン、中沸点タイプのブタノール、トルエン、高沸点タイプのイソホロン、ターピネオールなどが使用可能である。ただし、後述するようにレンズ材料１４ａをペースト状に調製する必要上、この分散媒についてもペースト材料として好適なもの、すなわち、高沸点タイプの溶剤などを単体、もしくは複数種を混合して用いるのが好ましい。
【００８３】
レンズ材料１４ａをペースト状に調製するには、まず、分散媒にバインダーを加えたものをボールミル装置に入れ充分な時間をかけて混合し、バインダーを分散媒に溶解させる。続いて、この溶液中にガラスフリットを投入し、引き続き三本ロールミル装置で混合することにより、ガラスフリットが分散された分散液を調製する。このようにして調製された分散液は、バインダーを溶解し、さらにガラスフリットを分散させることで粘度が高くなり、ペースト状となる。
【００８４】
ガラスフリット、分散媒、バインダーの各配合量については、バインダーを分散媒で良好に溶解させることができ、かつ、ガラスフリットを分散させた状態で所望の粘度、すなわち後述するスクリーン印刷に適した粘度となるように適宜設定する。
【００８５】
次に、充填工程を説明する。図７（ａ）に示すように、ペースト状のレンズ材料１４ａを、例えば、スクリーン印刷版７３を用いてスクリーン印刷法により、基板１１の凹部１２に充填する。スクリーン印刷版７３には、凹部１２に対応するレンズ材料１４ａの充填量に応じてメッシュパターン７３ａが形成されている。このメッシュパターン７３ａは、例えば、ペースト状のレンズ材料１４ａの流動性（粘性）や、基板１１の凹部１２の深さ、大きさによって決定される。
【００８６】
図７（ａ）に示すように、基板１１上にスクリーン印刷版７３を配置して、スクリーン印刷版７３上にレンズ材料１４ａを配し、続いてスキージ７４によってレンズ材料１４ａをならす。これにより、図７（ｂ）に示すように、ペースト状のレンズ材料１４ａを押圧して基板１１の凹部１２および一面１１ａ上に、メッシュパターン７３ａを介してレンズ材料１４ａを充填配置することができる。
【００８７】
次に、焼成工程では、図７（ｂ）に示す焼成前の基板１１およびレンズ材料１４ａを加熱して焼成する。この焼成工程では、まず、凹部１２に充填したレンズ材料１４ａ中のバインダーが蒸散する温度まで加熱温度を上げて、バインダーを確実に蒸散させる。次に、レンズ材料１４ａ中のガラスフリットの軟化点より高い温度で加熱して焼成し、レンズ層１４を形成する。
【００８８】
次に、図７（ｃ）に示すように、レンズ層１４に対してＣＭＰ処理などの平坦化処理を施す。これにより、マイクロレンズアレイＭＬＡを備えたマイクロレンズアレイ基板１０Ａが完成する。
【００８９】
以上説明したように、第２の実施形態によれば、レンズ層１４の屈折率を、レンズ材料１４ａに含まれるＳｉＯ2とＧｅＯ2との組成比によって制御するので、マイクロレンズＭＬを構成する凹部１２の形状を変えることなく、波長域が異なる複数の色光に対してマイクロレンズＭＬの焦点距離が一致するようにでき、各色光に対する光の利用効率を最適化することができる。これにより、第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００９０】
なお、レンズ材料１４ａ中に含まれるガラスフリットは、上述のホウケイ酸ガラスや酸化ゲルマニウム系ガラスに限定されるものではなく、異なる２つ以上の材料の組成比を変化させることで形成されるレンズ層１４の屈折率を調整できるものであれば、他のガラス材料の組合せであってもよい。
【００９１】
（第３の実施形態）
＜電子機器＞
次に、第３の実施形態に係る電子機器について図８を参照して説明する。図８は、第３の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクターの構成を示す概略図である。
【００９２】
図８に示すように、第３の実施形態に係る電子機器としてのプロジェクター（投射型表示装置）１００は、光学ユニット１３０として、偏光照明装置１１０と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１０４，１０５と、３つの反射ミラー１０６，１０７，１０８と、５つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３，１１４，１１５と、３つの液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３と、光合成光学系としてのクロスダイクロイックプリズム１１６と、投射レンズ１１７とを備えている。
【００９３】
また、図示を省略するが、プロジェクター１００は、光学ユニット１３０の他に、電源部、制御部、冷却部、インターフェイス部、ユーザーが操作するための操作部、ユーザーに対して情報を表示するインジケーター部などを備えている。
【００９４】
偏光照明装置１１０は、例えば超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とを備えている。ランプユニット１０１と、インテグレーターレンズ１０２と、偏光変換素子１０３とは、システム光軸Ｌに沿って配置されている。
【００９５】
ダイクロイックミラー１０４は、偏光照明装置１１０から射出された偏光光束のうち、第１波長域の光としての赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１０５は、ダイクロイックミラー１０４を透過した第２波長域の光としての緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００９６】
ダイクロイックミラー１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１０６で反射した後にリレーレンズ１１５を経由して液晶ライトバルブ１２１に入射する。ダイクロイックミラー１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１１４を経由して液晶ライトバルブ１２２に入射する。ダイクロイックミラー１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１１１，１１２，１１３と２つの反射ミラー１０７，１０８とで構成される導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３に入射する。
【００９７】
光変調素子である透過型の液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、クロスダイクロイックプリズム１１６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。液晶ライトバルブ１２１に入射した赤色光（Ｒ）、液晶ライトバルブ１２２に入射した緑色光（Ｇ）、および液晶ライトバルブ１２３に入射した青色光（Ｂ）は、それぞれ映像情報（映像信号）に基づいて変調され、クロスダイクロイックプリズム１１６に向けて射出される。
【００９８】
クロスダイクロイックプリズム１１６は、４つの直角プリズムが貼り合わされて構成されており、その内面には赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１１７によってスクリーン１４０上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９９】
第１波長域の光としての赤色光（Ｒ）が入射する第１電気光学装置としての液晶ライトバルブ１２１は、第１マイクロレンズアレイ基板として、赤色光（Ｒ）に対して屈折率が調整されたマイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａを有している。第２波長域の光としての緑色光（Ｇ）が入射する第２電気光学装置としての液晶ライトバルブ１２２は、第２マイクロレンズアレイ基板として、緑色光（Ｇ）に対して屈折率が調整されたマイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａを有している。また、青色光（Ｂ）が入射する液晶ライトバルブ１２３は、青色光（Ｂ）に対して屈折率が調整されたマイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａを有している。
【０１００】
すなわち、液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３のそれぞれが有するマイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａでは、マイクロレンズＭＬの曲率は同じであるが、赤色光（Ｒ）、緑色光（Ｇ）、青色光（Ｂ）に対してマイクロレンズＭＬの焦点距離が一致するように、無機材料で形成されたそれぞれのレンズ層１３，１４の屈折率が調整されている。
【０１０１】
第３の実施形態に係るプロジェクター１００の構成によれば、各色光に対する光の利用効率が最適化され、品質および生産性の向上が図られたマイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａを有する液晶装置１を液晶ライトバルブとして備えているので、明るくて品質が高くコスト競争力があるプロジェクター１００を提供することができる。
【０１０２】
上述した実施形態は、あくまでも本発明の一態様を示すものであり、本発明の範囲内で任意に変形及び応用が可能である。変形例としては、例えば、以下のようなものが考えられる。
【０１０３】
（変形例１）
上記の実施形態および変形例では、レンズ層１３を基板１１よりも光屈折率の高い材料で形成していたが、本発明はこのような形態に限定されない。レンズ層１３を、基板１１よりも光屈折率の低い材料で形成してもよい。
【０１０４】
（変形例２）
上記の実施形態および変形例では、液晶装置１において、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａを対向基板３０に備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。例えば、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａを素子基板２０に備えた構成としてもよい。また、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａを素子基板２０および対向基板３０の双方に備えた構成としてもよい。
【０１０５】
（変形例３）
上記の実施形態および変形例では、マイクロレンズＭＬ（凹部１２）が断面視で略半球状などの曲面形状を有していたが、本発明はこのような形態に限定されない。マイクロレンズＭＬ（凹部１２）が断面視で、例えばＶ字状など他の形状を有していてもよい。
【０１０６】
（変形例４）
上記の実施形態および変形例では、マイクロレンズアレイ基板１０，１０Ａにおいて、マイクロレンズＭＬ（凹部１２）がマトリックス状に配列された構成であったが、本発明はこのような形態に限定されない。マイクロレンズＭＬの配列は、画素Ｐの配列に対応して、例えば、ハニカム状の配列など異なる配列であってもよい。
【０１０７】
（変形例５）
上記の実施形態の電子機器（プロジェクター１００）では、液晶装置１が適用された３枚の液晶ライトバルブ１２１，１２２，１２３を備えていたが、本発明はこのような形態に限定されない。電子機器は、２枚の液晶ライトバルブ（液晶装置１）を備えた構成であってもよいし、４枚以上の液晶ライトバルブ（液晶装置１）を備えた構成であってもよい。
【符号の説明】
【０１０８】
１…液晶装置（電気光学装置、第１電気光学装置、第２電気光学装置）、１０，１０Ａ…マイクロレンズアレイ基板、第１マイクロレンズアレイ基板、第２マイクロレンズアレイ基板、１１…基板、１１ａ…一面、１２…凹部、１３，１４…レンズ層、１３ａ，１４ａ…レンズ材料、１００…プロジェクター（電子機器）、１３０…光学ユニット、ＭＬ…マイクロレンズ、ＭＬＡ…マイクロレンズアレイ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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