(57)【要約】【課題】有機発光層の除去工程を利用しないでコンタクト領域を形成することができ、かつ開口率を大きくすることの可能な表示装置およびその製造方法、ならびにそのような表示装置を備えた電子機器を提供する。【解決手段】表示装置は、複数の第１電極と、第１電極の周囲に設けられた金属部材と、第１電極上に第１開口を有し、金属部材上に第２開口を有する絶縁層とを備えている。表示装置は、第２開口の底面の全体もしくは一部を除き、第１開口の底面を含む表面に設けられた有機発光層と、第２開口の底面の一部および絶縁層のうち少なくとも絶縁層に接して配置され、絶縁層とは別工程で形成された隔壁とを備えている。表示装置は、さらに、第２開口の底面の一部であるコンタクト領域、および有機発光層のうち第１開口の底面の直上部分に接する第２電極を備えている。【選択図】図３
2014212070.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１電極と、
前記第１電極の周囲に設けられた金属部材と、
前記第１電極上に第１開口を有し、前記金属部材上に第２開口を有する絶縁層と、
前記第２開口の底面の全体もしくは一部を除き、前記第１開口の底面を含む表面に設けられた有機発光層と、
前記第２開口の底面の一部および前記絶縁層のうち少なくとも前記絶縁層に接して配置され、前記絶縁層とは別工程で形成された隔壁と、
前記第２開口の底面の一部であるコンタクト領域と、前記有機発光層のうち前記第１開口の底面の直上部分とに接する第２電極と
を備えた
表示装置。
【請求項２】
前記隔壁は、前記第２開口の底面の一部および前記絶縁層の双方に接している
請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記第１開口の側面は、前記隔壁の側面よりも斜めに傾斜している
請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記隔壁は、面内において、前記コンタクト領域の一部を１８０°以上、３６０°未満の範囲で囲むように形成されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記隔壁は、面内方向に、１８０°以外の２方向に突出する凸部を有する
請求項２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記隔壁は、面内において、前記コンタクト領域を介して、前記第１電極と対向して配置されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記有機発光層が、前記複数の第１電極をまたいで、列方向に連続して形成された帯状の形状となっており、
前記コンタクト領域および前記隔壁は、列方向に互いに隣接する２つの前記第１電極の間隙に配置されている
請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記第２電極は、ＣａおよびＬｉの少なくとも一方を含む光透過性の導電性材料で構成されている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項９】
前記コンタクト領域は、前記隔壁の側面から遠ざかるにつれて下り坂となっている
請求項２に記載の表示装置。
【請求項１０】
表示装置を備え、
前記表示装置は、
複数の第１電極と、
前記第１電極の周囲に設けられた金属部材と、
前記第１電極上に第１開口を有し、前記金属部材上に第２開口を有する絶縁層と、
前記第２開口の底面の全体もしくは一部を除き、前記第１開口の底面を含む表面に設けられた有機発光層と、
前記第２開口の底面の一部および前記絶縁層のうち少なくとも前記絶縁層に接して配置され、前記絶縁層とは別工程で形成された隔壁と、
前記第２開口の底面の一部であるコンタクト領域と、前記有機発光層のうち前記第１開口の底面の直上部分とに接する第２電極と
を有する
電子機器。
【請求項１１】
第１電極上に第１開口を有し、前記第１電極の周囲に設けられた金属部材上に第２開口を有する絶縁層を形成する第１工程と、
気相拡散法により、前記第２開口の底面の一部および前記絶縁層のうち少なくとも前記絶縁層に接するように隔壁を形成する第２工程と、
気相成膜法を用いて、前記第２開口の底面の全体もしくは一部を除き、前記第１開口の底面を含む表面に有機発光層を形成する第３工程と、
前記有機発光層で用いた気相成膜法と比べて入射角の偏りを減じた気相成膜法を用いて、前記第２開口の底面の一部であるコンタクト領域と、前記有機発光層のうち前記第１開口の底面の直上部分とに接する第２電極を形成する第４工程と
を含む
表示装置の製造方法。
【請求項１２】
前記隔壁の側面は逆テーパー状となっており、
前記第３工程において、前記有機発光層の材料の主な入射角を、前記金属部材に垂直にした
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項１３】
前記隔壁の側面はテーパー状または垂直となっており、
前記第３工程において、前記有機発光層の材料の主な入射角を、前記金属部材に対して斜めにした
請求項１１に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、有機発光層を画素ごとに備えた表示装置およびその製造方法、ならびにそのような表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、画像表示を行う表示装置の分野では、画素の発光素子として、流れる電流値に応じて発光輝度が変化する電流駆動型の発光素子、例えば有機ＥＬ(Electro Luminescence)素子を用いた表示装置が開発され、商品化が進められている。有機ＥＬ素子は、液晶素子などと異なり自発光素子である。そのため、有機ＥＬ素子を用いた表示装置（有機ＥＬ表示装置）では、光源（バックライト）が必要ないので、光源を必要とする液晶表示装置と比べて、薄型化、高輝度化することができる。
【０００３】
有機ＥＬ表示装置のＥＬ発光を外部に取り出す方式には、支持基板を介して外部に取り出す下面発光方式と、支持基板とは反対側に取り出す上面発光方式とがある。アクティブマトリクス型の下面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、有機発光素子の下部にＥＬ発光の透過を妨げる薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等の回路が配置されるので、十分な開口率を確保することが難しく、光利用効率を向上させることが難しい。一方、上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、支持基板とは反対側にＥＬ発光が取り出されるので、開口率が支持基板側に配置される回路に制約されることがなく、高い光利用効率が得られる。
【０００４】
上面発光方式の有機ＥＬ表示装置では、光取出し側の電極として、光透過性の導電膜が用いられる。導電膜は、アクティブマトリクス型では、画素領域全体に形成される。導電膜の抵抗率は、通常の金属材料の抵抗率と比較して非常に高く、電圧降下による表示ムラを生じさせ易い。そのため、例えば、特許文献１に記載されているように、低抵抗の複数の補助配線が画素領域全体に張り巡らされ、導電膜に電気的に接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３１８５６６号公報
【特許文献２】特開２００７−７３３２３号公報
【特許文献３】特開２００７−１０３０９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
導電膜と補助配線とを互いに電気的に接続させる方法として、例えば、特許文献１に記載されているように、補助配線の上面の一部をコンタクト領域とし、コンタクト領域に導電膜を成膜することが考えられる。この場合、コンタクト領域と導電膜との電気的な接続を担保するためには、導電膜を成膜する前段の有機発光層の成膜において、有機発光層がコンタクト領域に形成されることのないよう、有機発光層の形成領域をコンタクト領域から遠ざけることが必要となる。しかし、そのようにした場合には、有機発光層の形成領域が小さくなり、開口率が小さくなってしまうという問題があった。
【０００７】
このような問題に対して、例えば、特許文献２，３では、有機発光層を全面に形成したのち、その一部を除去することによりコンタクト領域を形成することが記載されている。しかし、そのようにした場合には、有機発光層の除去工程における残留物に起因して歩留まりが低下するという問題があった。
【０００８】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、有機発光層の除去工程を利用しないでコンタクト領域を形成することができ、かつ開口率を大きくすることの可能な表示装置およびその製造方法、ならびにそのような表示装置を備えた電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本技術の表示装置は、複数の第１電極と、第１電極の周囲に設けられた金属部材と、第１電極上に第１開口を有し、金属部材上に第２開口を有する絶縁層とを備えている。表示装置は、第２開口の底面の全体もしくは一部を除き、第１開口の底面を含む表面に設けられた有機発光層と、第２開口の底面の一部および絶縁層のうち少なくとも絶縁層に接して配置され、絶縁層とは別工程で形成された隔壁とを備えている。表示装置は、さらに、第２開口の底面の一部であるコンタクト領域、および有機発光層のうち第１開口の底面の直上部分に接する第２電極を備えている。
【００１０】
本技術の電子機器は、上記の表示装置を備えている。
【００１１】
本技術の表示装置および電子機器では、隔壁が、金属部材上の第２開口の底面の一部および絶縁層のうち少なくとも絶縁層に接して配置されている。これにより、例えば、気相成膜法（例えば、蒸着法）を用いて、有機発光層を形成することにより、隔壁の背後（または影）に、コンタクト領域を形成しつつ、第１開口の底面を含む表面に有機発光層を形成することができる。
【００１２】
本技術の表示装置の製造方法は、以下の４つの工程を含むものである。
（Ａ）第１電極上に第１開口を有し、前記第１電極の周囲に設けられた金属部材上に第２開口を有する絶縁層を形成する第１工程
（Ｂ）気相拡散法により、前記第２開口の底面の一部および前記絶縁層のうち少なくとも前記絶縁層に接するように隔壁を形成する第２工程
（Ｃ）気相成膜法を用いて、前記第２開口の底面の全体もしくは一部を除き、前記第１開口の底面を含む表面に有機発光層を形成する第３工程
（Ｄ）前記有機発光層で用いた気相成膜法と比べて入射角の偏りを減じた気相成膜法を用いて、前記第２開口の底面の一部であるコンタクト領域と、前記有機発光層のうち前記第１開口の底面の直上部分とに接する第２電極を形成する第４工程
【００１３】
本技術の表示装置の製造方法では、気相成膜法を用いて、有機発光層を形成することにより、隔壁の背後（または影）に、コンタクト領域を形成しつつ、第１開口の底面を含む表面に有機発光層を形成することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本技術の表示装置およびその製造方法、ならびに電子機器によれば、隔壁を、金属部材上の第２開口の底面の一部および絶縁層のうち少なくとも絶縁層に接して配置したので、隔壁の背後（または影）に、コンタクト領域を形成しつつ、第１開口の底面を含む表面に有機発光層を形成することができる。従って、有機発光層の除去工程を利用しないでコンタクト領域を形成することができ、かつ開口率を大きくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本技術による一実施の形態に係る表示装置の概略構成を表す図である。
【図２】各画素内の回路構成の一例を表す図である。
【図３】行方向に並んだ３つの画素の行方向の断面構成の一例を表す図である。
【図４】１つの画素およびその近傍の列方向の断面構成の一例を表す図である。
【図５】図４における補助配線近傍の断面構成を拡大して表す図である。
【図６】画素領域における画素電極、補助配線、隔壁およびコンタクト領域のレイアウトの一例を表す図である。
【図７】画素領域における有機発光層、隔壁およびコンタクト領域のレイアウトの一例を表す図である。
【図８Ａ】隔壁の平面形状の一例を表す図である。
【図８Ｂ】隔壁の平面形状の一例を表す図である。
【図８Ｃ】隔壁の平面形状の一例を表す図である。
【図８Ｄ】隔壁の平面形状の一例を表す図である。
【図８Ｅ】隔壁の平面形状の一例を表す図である。
【図８Ｆ】隔壁の平面形状の一例を表す図である。
【図９】表示装置の製造過程の一例を表す断面図である。
【図１０】図９に続く工程の一例を表す断面図である。
【図１１】図１０に続く工程の一例を表す断面図である。
【図１２】比較例に係る表示パネルの画素領域における画素電極、補助配線およびコンタクト領域のレイアウトの一例を表す図である。
【図１３】比較例に係る表示パネルの画素領域における有機発光層およびコンタクト領域のレイアウトの一例を表す図である。
【図１４】１つの画素およびその近傍の列方向の断面構成の第１変形例を表す図である。
【図１５】図１４の断面構成を備えた表示装置の製造過程の一例を表す断面図である。
【図１６】図１５に続く工程の一例を表す断面図である。
【図１７】図１６に続く工程の一例を表す断面図である。
【図１８】図１５に続く工程の他の例を表す断面図である。
【図１９】図１８に続く工程の一例を表す断面図である。
【図２０】１つの画素およびその近傍の列方向の断面構成の第２変形例を表す図である。
【図２１】１つの画素およびその近傍の列方向の断面構成の第３変形例を表す図である。
【図２２Ａ】図２１の断面構成を備えた表示装置の製造過程の一例を表す断面図である。
【図２２Ｂ】図２２Ａに続く工程の一例を表す断面図である。
【図２３Ａ】図２１の断面構成を備えた表示装置の製造過程の他の例を表す断面図である。
【図２３Ｂ】図２３Ａに続く工程の一例を表す断面図である。
【図２３Ｃ】図２３Ｂに続く工程の一例を表す断面図である。
【図２３Ｄ】図２３Ｃに続く工程の一例を表す断面図である。
【図２４】１つの画素およびその近傍の列方向の断面構成の第４変形例を表す図である。
【図２５】１つの画素およびその近傍の列方向の断面構成の第５変形例を表す図である。
【図２６】１つの画素およびその近傍の列方向の断面構成の第６変形例を表す図である。
【図２７】１つの画素およびその近傍の列方向の断面構成の第７変形例を表す図である。
【図２８】行方向に並んだ３つの画素の行方向の断面構成の第１変形例を表す図である。
【図２９】行方向に並んだ３つの画素の行方向の断面構成の第２変形例を表す図である。
【図３０】上記実施の形態の発光装置の適用例１の外観を表す斜視図である。
【図３１Ａ】適用例２の表側から見た外観を表す斜視図である。
【図３１Ｂ】適用例２の裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図３２】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図３３】適用例４の外観を表す斜視図である。
【図３４】（Ａ）は適用例５の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態（表示装置）
２．変形例（表示装置）
３．適用例（電子機器）
【００１７】
＜１．実施の形態＞
[構成]
図１は、本技術の一実施の形態に係る表示装置１の概略構成を表したものである。この表示装置１は、例えば、表示パネル１０と、表示パネル１０に接続されたフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Flexible printed circuits）２０（以下、ＦＰＣ２０と称する。）を備えている。
【００１８】
表示パネル１０は、例えば、外部から入力された映像信号Ｖｓｉｇ１〜ＶｓｉｇＮおよび同期信号ＴＰに基づいて映像を表示するものである。表示パネル１０は、例えば、複数の画素１１がマトリクス状に形成された画素領域１２と、信号線駆動回路１３と、走査線駆動回路１４とを有している。表示パネル１０は、例えば、各画素１１が信号線駆動回路１３および走査線駆動回路１４によってアクティブ駆動されることにより、映像信号Ｖｓｉｇ１〜ＶｓｉｇＮに基づく映像を表示するものである。
【００１９】
表示パネル１０は、行方向に延在する複数の書込線ＷＳＬと、列方向に延在する複数の信号線ＤＴＬとを有している。信号線ＤＴＬと書込線ＷＳＬとの交差部分に対応して、画素１１が設けられている。各信号線ＤＴＬは、信号線駆動回路１３の出力端に接続されている。各書込線ＷＳＬは、走査線駆動回路１４の出力端に接続されている。
【００２０】
信号線駆動回路１３は、例えば、ＦＰＣ２０を介して外部から入力された１水平ライン分のアナログの映像信号Ｖｓｉｇ１〜ＶｓｉｇＮを、各画素１１に信号電圧として供給するものである。具体的には、信号線駆動回路１３は、例えば、１水平ライン分のアナログの映像信号Ｖｓｉｇ１〜ＶｓｉｇＮを、走査線駆動回路１４により選択された１水平ラインを構成する各画素１１に、信号線ＤＴＬを介してそれぞれ供給するものである。
【００２１】
走査線駆動回路１４は、例えば、ＦＰＣ２０を介して外部から入力された同期信号ＴＰに応じて、駆動対象の画素１１を選択するようになっている。具体的には、走査線駆動回路１４は、例えば、走査線ＷＳＬを介して、選択パルスを画素１１の画素回路１５（後述）に印加することにより、マトリクス状に配置されている複数の画素１１のうちの１行を駆動対象として選択するようになっている。そして、これらの画素１１では、信号線駆動回路１３から供給される信号電圧に応じて、１水平ラインの表示がなされる。このようにして、走査線駆動回路１４は、例えば、時分割的に１水平ラインずつ順次走査を行い、画素領域１２全体にわたった表示を行うようになっている。
【００２２】
図２は、画素１１内の回路構成の一例を表したものである。各画素１１は、例えば、画素回路１５と、有機ＥＬ素子１６とを有している。有機ＥＬ素子１６は、例えば、アノード電極、有機発光層およびカソード電極が順に積層された構成を有している。画素回路１５は、例えば、駆動トランジスタＴｒ１、書込トランジスタＴｒ２および保持容量Ｃｓによって構成されたものであり、２Ｔｒ１Ｃの回路構成となっている。書込トランジスタＴｒ２は、駆動トランジスタＴｒ１のゲートに対する信号電圧の印加を制御するものである。具体的には、書込トランジスタＴｒ２は、信号線ＤＴＬの電圧をサンプリングするとともに駆動トランジスタＴｒ１のゲートに書き込むものである。駆動トランジスタＴｒ１は、有機ＥＬ素子１６を駆動するものであり、有機ＥＬ素子１６に直列に接続されている。駆動トランジスタＴｒ１は、書込トランジスタＴｒ２によって書き込まれた電圧の大きさに応じて有機ＥＬ素子１６に流れる電流を制御するものである。保持容量Ｃｓは、駆動トランジスタＴｒ１のゲート−ソース間に所定の電圧を保持するものである。なお、画素回路１５は、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路に対して各種容量やトランジスタを付加した回路構成となっていてもよいし、上述の２Ｔｒ１Ｃの回路構成とは異なる回路構成となっていてもよい。
【００２３】
駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、例えば、ｎチャネルＭＯＳ型の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ（Thin Film Transistor））により形成されている。なお、ＴＦＴの種類は特に限定されるものではなく、例えば、逆スタガー構造（いわゆるボトムゲート型）であってもよいし、スタガー構造（トップゲート型）であってもよい。また、駆動トランジスタＴｒ１および書込トランジスタＴｒ２は、ｐチャネルＭＯＳ型のＴＦＴにより形成されていてもよい。
【００２４】
書込トランジスタＴｒ２のゲートは、走査線ＷＳＬに接続されている。書込トランジスタＴｒ２のソースおよびドレインの一方が信号線ＤＴＬに接続され、他方が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続されている。駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインの一方が電源線Ｖｃｃに接続され、他方が有機ＥＬ素子１６のアノードに接続されている。保持容量Ｃｓの一端が駆動トランジスタＴｒ１のゲートに接続され、保持容量Ｃｓの他端が駆動トランジスタＴｒ１のソースおよびドレインのうち有機ＥＬ素子１６側の端子に接続されている。
【００２５】
表示パネル１０は、さらに、例えば、図２に示したように、有機ＥＬ素子１６のカソードに接続されたグラウンド線ＧＮＤを有している。グラウンド線ＧＮＤは、グラウンド電位となっている外部回路と電気的に接続されるものである。グラウンド線ＧＮＤは、例えば、画素領域１２全体に渡って形成されたシート状の電極である。グラウンド線ＧＮＤは、画素行または画素列に対応して短冊状に形成された帯状の電極であってもよい。
【００２６】
各画素１１は、表示パネル１０上の画面を構成する最小単位の点に対応するものである。表示パネル１０は、カラー表示パネルとなっており、画素１１は、例えば、赤、緑、または青などの単色の光を発するサブピクセルに相当する。画素１１は、例えば、赤、緑、青、または白などの単色の光を発するサブピクセルに相当していてもよいし、赤、緑、青、または黄色などの単色の光を発するサブピクセルに相当していてもよい。以下では、画素１１が、赤、緑、または青の単色の光を発するサブピクセルに相当するものとして、画素１１の説明を行う。
【００２７】
図３は、行方向に並んだ３つの画素１１の行方向の断面構成の一例を表したものである。本実施の形態では、発光色の互いに異なる３つの画素１１によって、カラー表示としての画素（カラー画素）が構成されている。カラー画素に含まれる３つの画素１１は、赤色光を発する画素１１Ｒ、緑色光を発する画素１１Ｇ、および青色光を発する画素１１Ｂで構成されている。各カラー画素において、３つの画素１１は、行方向に一列に並んでおり、例えば、画素１１Ｒ、画素１１Ｇ、画素１１Ｂの順で、正面左方向から右方向に向かって並んでいる。また、各カラー画素は、マトリクス状に配置されており、列方向に互いに隣接する２つの画素１１が、互いに同一色の光を発するようになっている。つまり、画素領域１２内の画素配列が、いわゆるストライプ配列となっている。
【００２８】
表示パネル１０は、例えば、画素回路１５の形成された回路基板２１上に複数の有機ＥＬ素子１６を有している。有機ＥＬ素子１６は、有機発光層２４を画素電極２２および透明電極２５で挟み込んだ構造となっている。つまり、画素電極２２および透明電極２５は、画素領域１２内に設けられている。画素電極２２は、本技術の「第１電極」の一具体例に相当する。透明電極２５は、本技術の「第２電極」の一具体例に相当する。画素電極２２は、有機発光層２４との関係で、回路基板２１側に形成されており、例えば、有機ＥＬ素子１６のアノード電極として機能する。画素電極２２は、画素１１ごとに独立に設けられたものである。複数の画素電極２２は、表示パネル１０内の一の面内においてマトリクス状に配置されている。画素電極２２は、金属材料で構成されており、有機発光層２４から発せられた光を透明電極２５側に反射する反射ミラーとしても機能する。
【００２９】
一方、透明電極２５は、有機発光層２４との関係で、回路基板２１とは反対側に形成されており、例えば、有機ＥＬ素子１６のカソード電極として機能する。透明電極２５は、画素領域１２全体に渡って形成されたシート状の電極である。透明電極２５は、画素行または画素列に対応して短冊状に形成された帯状の電極であってもよい。透明電極２５は、例えば、上述のグラウンド線ＧＮＤに相当している。透明電極２５は、各画素１１において共通の電極として機能する。
【００３０】
透明電極２５は、可視光を透過可能な電極であり、光透過性の導電性材料によって構成されている。光透過性の導電性材料は、例えば、Ｍｇ、Ａｇ、Ａｌ、ＣｕおよびＡｕのうち少なくとも１つを含む金属もしくは合金で構成されている。光透過性の導電性材料は、上記金属もしくは上記合金に、ＣａおよびＬｉのうち少なくとも１つが含まれた材料で構成されていてもよい。上記金属もしくは上記合金に、ＣａおよびＬｉのうち少なくとも１つが含まれることにより、導電性材料の光透過性（透明性）が向上する。光透過性の導電性材料は、例えば、ＣａおよびＬｉのうち少なくとも１つと、Ｍｇと、Ａｇとを含む金属もしくは合金で構成されている。透明電極２５が、上述したような金属もしくは合金で構成されている場合、透明電極２５は、気相成膜法（例えば、蒸着法）によって形成されている。光透過性の導電性材料は、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯなどで構成されていてもよい。透明電極２５が、ＩＴＯまたはＩＺＯで構成されている場合、透明電極２５は、気相成膜法（例えば、スパッタ法）によって形成されている。
【００３１】
有機発光層２４は、例えば、画素電極２２側から順に、正孔注入効率を高める正孔注入層と、発光層への正孔輸送効率を高める正孔輸送層と、電子と正孔との再結合による発光を生じさせる発光層と、発光層への電子輸送効率を高める電子輸送層とを有している。有機発光層２４は、白色光を発する構成となっている。上記の発光層は、例えば、画素電極２２側から順に、赤色光を発する発光層、緑色光を発する発光層、および青色光を発する発光層を含む積層構造となっている。正孔注入層、正孔輸送層、発光層および電子輸送層は、例えば、特開２０１２−２０９０９５に記載の材料により構成されている。有機発光層２４は、気相成膜法（例えば、蒸着法）によって形成されている。
【００３２】
表示パネル１０は、例えば、図３に示したように、互いに隣接する有機ＥＬ素子１６の間隙に絶縁層２３を有している。絶縁層２３は、互いに隣接する画素電極２２を互いに絶縁分離するとともに、発光領域を正確に所望の形状にする画素定義膜である。絶縁層２３は、画素電極２２と同一の面上に形成されており、画素電極２２の周囲を埋め込んでいる。絶縁層２３の上面は、画素電極２２の上面よりも高い位置にある。絶縁層２３は、画素電極２２の上面と対向する位置に、発光領域の形状を規定する開口（画素開口部２３Ａ）を有している。画素開口部２３Ａは、本技術の「第１開口」の一具体例に相当する。有機発光層２４は、少なくとも画素開口部２３Ａの内部に形成されており、画素電極２２の上面のうち、画素開口部２３Ａの底面に露出している部分に接している。透明電極２５も、少なくとも画素開口部２３Ａの内部に形成されており、有機発光層２４の上面のうち、少なくとも画素開口部２３Ａの直上部分に接している。絶縁層２３は、可視光を透過可能な樹脂材料で構成されており、例えば、ポリイミドによって構成されている。
【００３３】
表示パネル１０は、例えば、回路基板２１と所定の間隙を介して対向する位置に対向基板２９を有している。対向基板２９は、画素回路１５や有機ＥＬ素子１６等を保護するものであり、例えば、ガラス基板または光透過性の樹脂基板で構成されている。表示パネル１０は、例えば、対向基板２９の裏面（回路基板２１側の面）に、カラーフィルタ２７およびブラックマトリクス２８を有している。
【００３４】
カラーフィルタ２７は、画素電極２２と対向する位置に配置されており、少なくとも画素１１内に配置されている。カラーフィルタ２７は、有機発光層２４から発せられた光を所望の波長帯において選択的に透過するものである。カラーフィルタ２７は、例えば、画素１１Ｒ、画素１１Ｇ、画素１１Ｂごとに、選択的に透過させる光の波長帯を異ならせている。カラーフィルタ２７は、例えば、赤色光を選択的に透過する赤色フィルタ２７Ｒを画素１１Ｒに有し、緑色光を選択的に透過する緑色フィルタ２７Ｇを画素１１Ｇに有し、青色光を選択的に透過する青色フィルタ２７Ｂを画素１１Ｂに有している。
【００３５】
ブラックマトリクス２８は、画素電極２２と非対向の位置（つまり画素１１周囲）に配置されており、例えば、カラーフィルタ２７と同一面内に配置されている。ブラックマトリクス２８は、画素領域１２において画素１１の周囲から漏れる光を遮断するものであり、例えば、有機発光層２４から発せられた光を吸収する材料を含んで構成されている。
【００３６】
表示パネル１０は、例えば、回路基板２１と対向基板２９との間隙に、絶縁層２６を有している。絶縁層２６は、回路基板２１と対向基板２９との間隙を埋め込むように形成されている。絶縁層２６は、例えば、透明電極２５と、カラーフィルタ２７およびブラックマトリクス２８との間に配置されており、透明電極２５と、カラーフィルタ２７およびブラックマトリクス２８とに接している。絶縁層２６は、可視光を透過可能な樹脂材料で構成されており、例えば、ポリイミドによって構成されている。
【００３７】
図４は、１つの画素１１およびその近傍の列方向の断面構成の一例を表したものである。図５は、図４における補助配線３０（後述）近傍の断面構成を拡大して表したものである。図６は、画素領域１２における画素電極２２（２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）、補助配線３０、隔壁３１（後述）およびコンタクト領域３０Ａ（後述）のレイアウトの一例を表したものである。なお、図３の断面は、図６のＡ−Ａ矢視方向の断面に対応している。図４、図５の断面は、図６のＢ−Ｂ矢視方向の断面に対応している。図７は、画素領域１２における有機発光層２４、隔壁３１およびコンタクト領域３０Ａのレイアウトの一例を表したものである。
【００３８】
表示パネル１０は、例えば、画素１１（もしくは画素電極２２）の周囲に複数の補助配線３０を有している。補助配線３０は、画素電極２２に隣接して設けられており、複数の画素電極２２のうち互いに隣接する２つの画素電極２２の間隙に設けられている。補助配線３０が、本技術の「金属部材」の一具体例に相当する。補助配線３０は、透明電極２５の電気抵抗が大きいことに起因する電圧降下を低減するためのものである。補助配線３０は、回路基板２１上に形成されており、例えば、画素電極２２と同一面内に配置されている。補助配線３０は、例えば、製造過程において、画素電極２２と一括して形成されたものであり、画素電極２２と同一材料、同一厚さとなっている。補助配線３０は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｗ、ＭｏおよびＡｇのうち少なくとも１種類の材料を含む金属もしくは合金で構成されている。複数の補助配線３０は、画素電極２２と絶縁分離された状態で、画素１１の周囲に張り巡らされている。複数の補助配線３０は、例えば、列方向に互いに隣接する２つの画素１１の間隙において、行方向に延在している。
【００３９】
補助配線３０は、画素電極２２とは異なる面内に形成されていてもよく、例えば、画素電極２２よりも下層に形成されていてもよい。ただし、この場合には、表示パネル１０は、例えば、画素１１（もしくは画素電極２２）の周囲に、補助配線３０と電気的に接続されたパッド状の複数の補助電極を有していることが好ましい。補助電極は、画素電極２２に隣接して設けられており、複数の画素電極２２のうち互いに隣接する２つの画素電極２２の間隙に設けられている。補助電極が、本技術の「金属部材」の一具体例に相当する。補助電極は、透明電極２５の電気抵抗が大きいことに起因する電圧降下を低減するためのものである。補助電極は、回路基板２１上に形成されており、例えば、画素電極２２と同一面内に配置されている。補助電極は、例えば、製造過程において、画素電極２２と一括して形成されたものであってもよく、画素電極２２と同一材料、同一厚さとなっていてもよい。補助電極は、例えば、Ａｕ、Ｐｔ、Ｎｉ、Ｃｒ、Ｃｕ、Ｗ、ＭｏおよびＡｇのうち少なくとも１種類の材料を含む金属もしくは合金で構成されている。複数の補助電極は、画素電極２２と絶縁分離された状態で、画素１１の周囲に配置されている。複数の補助電極は、例えば、列方向に互いに隣接する２つの画素１１の間隙に配置されている。
【００４０】
絶縁層２３は、互いに隣接する画素電極２２および補助配線３０を絶縁分離しており、補助配線３０の周囲を埋め込んでいる。絶縁層２３の上面は、補助配線３０の上面よりも高い位置にある。絶縁層２３は、補助配線３０の上面と対向する位置に、補助配線３０と透明電極２５とを互いに電気的に接続するための開口（コンタクト開口部２３Ｂ）を有している。コンタクト開口部２３Ｂは、本技術の「第２開口」の一具体例に相当する。透明電極２５は、コンタクト開口部２３Ｂの内部にも形成されており、補助配線３０の上面のうち、コンタクト開口部２３Ｂの底面に露出している部分の一部に接している。以下では、コンタクト開口部２３Ｂの底面のうち、透明電極２５が接している部分をコンタクト領域３０Ａと称するものとする。コンタクト領域３０Ａは、補助配線３０の上面のうち、絶縁層２３および後述の隔壁３１で覆われていない領域である。なお、上述した補助電極が設けられている場合には、本段落以降における「補助配線３０」を「補助電極」に読み替えるものとする。
【００４１】
表示パネル１０は、各コンタクト領域３０Ａに隣接する位置に隔壁３１を有している。隔壁３１と画素電極２２との間には、コンタクト領域３０Ａが存在している。つまり、隔壁３１は、面内において、コンタクト領域３０Ａを介して、画素電極２２と対向して配置されている。コンタクト領域３０Ａおよび隔壁３１は、例えば、列方向に互いに隣接する２つの画素１１（または２つの画素電極２２）の間隙に配置されている。なお、本実施の形態では、コンタクト領域３０Ａおよび隔壁３１は、例えば、行方向に互いに隣接する２つのカラー画素の間隙に配置されていてもよい。隔壁３１は、製造過程において、有機発光層２４を面内において選択的に形成するために使われるものである。隔壁３１は、当該隔壁３１の上面にも形成される透明電極２５を介して対向基板２９もしくはブラックマトリクス２８に接していてもよい。この場合、隔壁３１は、例えば、対向基板２９を支持する役割も持っている。なお、隔壁３１の上面にも形成される透明電極２５が対向基板２９もしくはブラックマトリクス２８に接しない程度に、隔壁３１が低く形成されていてもよい。
【００４２】
隔壁３１は、補助配線３０の上面のうち、コンタクト開口部２３Ｂの底面に露出している部分の一部に接している。具体的には、隔壁３１は、コンタクト開口部２３Ｂの底面のうち、コンタクト領域３０Ａ以外の領域に接している。有機発光層２４が、例えば、上述したように、気相成膜法（例えば、蒸着法）を用いて形成される場合、有機発光層２４は、隔壁３１の背後に位置する領域（コンタクト領域３０Ａ）を除いて、画素領域１２全面に形成される。製造過程における隔壁３１の使い方にも依るが、コンタクト開口部２３Ｂの底面の一部には、有機発光層２４が形成される（接する）場合もあるし、コンタクト開口部２３Ｂの底面には、有機発光層２４が形成されない（接しない）場合もある。つまり、有機発光層２４は、補助配線３０の上面のうち、コンタクト開口部２３Ｂの底面に露出している部分（第１領域）の全体または一部を除き、画素電極２２の上面のうち、画素開口部２３Ａの底面に露出している領域（第２領域）を含む表面に設けられている。従って、隔壁３１は、コンタクト開口部２３Ｂの底面のうち、有機発光層２４に非接触の領域である非接触領域３０ａの一部に接している。厳密に言うと、隔壁３１は、コンタクト開口部２３Ｂの底面のうち、コンタクト領域３０Ａと、有機発光層２４が接している領域とを除いた領域に接している。
【００４３】
隔壁３１は、さらに、絶縁層２３にも接している。具体的には、隔壁３１は、コンタクト開口部２３Ｂの側面のうち、非接触領域３０ａに隣接する領域（隣接側面３０ｂ）と、絶縁層２３の上面のうち、隣接側面３０ｂに隣接する領域（隣接上面３０ｃ）とに接している。つまり、隔壁３１は、非接触領域３０ａの一部、隣接側面３０ｂ、および隣接上面３０ｃの３箇所全てに接している。隔壁３１は、絶縁層２３とは別工程で形成されたものであり、隔壁３１と絶縁層２３との間には、界面が存在している。
【００４４】
隔壁３１は、例えば、金属材料、無機材料、または有機材料によって構成されている。隔壁３１に使用可能な金属材料としては、例えば、Ａｌ、Ａｇ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ、Ｃｕ、またはそれらのうち少なくとも１つを含む合金が挙げられる。また、隔壁３１に使用可能な金属材料としては、例えば、ＩＴＯまたはＩＺＯが挙げられる。隔壁３１が上述したような金属材料によって構成されている場合、隔壁３１は、例えば、スパッタ法により金属材料を成膜した後、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法により所定の形状に成形することにより形成されている。隔壁３１は、例えば、以下のようにして形成される。まず、スパッタ法によりＡｌおよびＭｏをこの順に積層成膜した後、その上に、フォトリソグラフィ法で所定の形状に成形された所望のパターンのレジストを形成する。次に、そのレジストをマスクとして、ＡｌおよびＭｏの積層膜をリン酸と硝酸と酢酸の混酸に浸漬させてエッチングしたりした後、レジストを、Ｏ2プラズマに曝したり、有機溶剤等の剥離液で溶解させたりすることにより除去する。このようにして、隔壁３１を形成することができる。隔壁３１に使用可能な無機材料としては、例えば、ＳｉＯ2、ＳｉＮまたはＳｉＯＮが挙げられる。隔壁３１が上述したような無機材料によって構成されている場合、隔壁３１は、例えば、ＣＶＤ法により無機材料を成膜したのち、フォトリソグラフィ法およびウエットエッチング法により所定の形状に成形することにより形成されている。隔壁３１は、例えば、以下のようにして形成される。まず、ＣＶＤ法によりＳｉＯ2を成膜した後、その上に、フォトリソグラフィ法で所定の形状に成形された所望のパターンのレジストを形成する。次に、そのレジストをマスクとして、ＳｉＯ2膜をフッ化水素酸に浸漬させてエッチングした後、レジストを、Ｏ2プラズマに曝したり、有機溶剤等の剥離液で溶解させたりすることにより除去する。このようにして、隔壁３１を形成することができる。隔壁３１に使用可能な有機材料としては、例えば、感光性樹脂が挙げられる。感光性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミド樹脂、アクリル樹脂、ノボラック樹脂、ポリヒドロキシスチレン樹脂などが挙げられる。隔壁３１が上述したような有機材料によって構成されている場合、隔壁３１は、例えば、感光性樹脂を塗布し、フォトリソグラフィ法で所定の形状に成形した後、成形した感光性樹脂を加熱硬化させることにより形成されている。
【００４５】
隔壁３１や絶縁層２３の断面形状（列方向の断面形状）は、例えば、以下の式（１）〜（３）を満たしている。
θ１  ≦  ９０°…（１）
ｔａｎθ３  ＝  ｈ／ｘ…（２）
θ２  ＜  θ３  ＜  θ１…（３）
θ１：隔壁３１の側面と底面（補助電極３０の上面）とのなす角度
（隔壁３１の側面の傾斜角）
θ２：画素開口部２３Ａの側面（内面）と画素電極２２とのなす角度
（画素開口部２３Ａの側面（内面）の傾斜角）
θ３：隔壁３１の上面の端縁と、コンタクト開口部２３Ｂの底面に接する有機発光層２４の端縁とを結んだ線分と、コンタクト開口部２３Ｂの底面（補助電極３０の上面）とのなす角度
ｈ：隔壁３１の、底面（補助電極３０の上面）からの高さ
ｘ：隔壁３１の上面の端縁から、コンタクト開口部２３Ｂの底面（補助電極３０の上面）に垂直に下ろした線分と、コンタクト開口部２３Ｂの底面（補助電極３０の上面）とが互いに交差する点と、コンタクト開口部２３Ｂの底面に接する有機発光層２４の端縁との距離
【００４６】
隔壁３１や絶縁層２３の断面形状が上記の式（１）〜（３）を満たす場合、画素開口部２３Ａの側面（内面）がテーパー状となっており、隔壁３１の側面がテーパー状または垂直となっていることになる。さらに、画素開口部２３Ａの側面（内面）が、隔壁３１の側面よりも斜めに傾斜していることになる。そのため、例えば、角度θ３で斜め蒸着を行うことにより、隔壁３１の背後にコンタクト領域３０Ａを形成しつつ、有機発光層２４を画素開口部２３Ａの底面全体に形成することができる。
【００４７】
次に、隔壁３１の平面形状について説明する。図８Ａ〜図８Ｆは、隔壁３１の平面形状の一例を表したものである。隔壁３１は、コンタクト領域３０Ａの辺部に接して形成されている。コンタクト領域３０Ａが方形状となっている場合、隔壁３１は、コンタクト領域３０Ａの少なくとも１辺に接して形成されている。コンタクト領域３０Ａが方形状となっている場合、隔壁３１は、例えば、コンタクト領域３０Ａの１辺だけに接して形成されている。このとき、隔壁３１の平面形状は、例えば、図８Ｆに示したような方形状となっている。また、コンタクト領域３０Ａが方形状となっている場合、隔壁３１は、例えば、コンタクト領域３０Ａの２辺だけに接して形成されており、このとき、隔壁３１の平面形状は、例えば、図８Ｄに示したようなＬ字形状となっている。また、コンタクト領域３０Ａが方形状となっている場合、隔壁３１は、例えば、コンタクト領域３０Ａの３辺だけに接して形成されており、このとき、隔壁３１の平面形状は、例えば、図８Ａ、図８Ｃに示したようなＨ字形状またはＵ字形状（もしくはカタカナのコ字形状）となっている。
【００４８】
コンタクト領域３０Ａが円形状、半円形状、楕円形状、または半楕円形状となっている場合、隔壁３１は、コンタクト領域３０Ａの曲線状の辺に接して形成されている。このとき、隔壁３１の平面形状は、例えば、図８Ｂに示したようなＣ字形状となっている。コンタクト領域３０Ａが三角形状となっている場合、隔壁３１は、コンタクト領域３０Ａの２辺に接して形成されている。このとき、隔壁３１の平面形状は、例えば、図８Ｅに示したようなＶ字形状となっている。
【００４９】
隔壁３１は、面内において、コンタクト領域３０Ａの一部を１８０°以上、３６０°未満の範囲で囲むように形成されていることが好ましい。図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｅに記載の隔壁３１は、この条件に合致している。さらに、隔壁３１は、例えば、図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃまたは図８Ｅに示したように、面内方向に、１８０°以外の２方向に突出する凸部３１Ａを有していることが好ましい。隔壁３１がそのような凸部３１Ａを有している場合、隔壁３１が、透明電極２５を介して、対向基板２９またはブラックマトリクス２８に接しているときであっても、隔壁３１が剥離し難い。なお、上述の「コンタクト領域３０Ａの一部」は、特に限定されるものではないが、例えば、コンタクト領域３０Ａの平面形状における重心位置であってもよい。
【００５０】
[製造方法]
次に、本実施の形態の表示装置１の製造方法の一例について説明する。図９〜図１１は、表示装置１の製造工程の一例を工程順に表した断面図である。まず、回路基板２１上に、気相成膜法（例えば、スパッタ法）により金属材料膜を形成した後、例えば、フォトリソグラフィおよびエッチングにより所定の形状に成形する。これにより、回路基板２１上に、画素電極２２および補助電極３０を形成する（図９参照）。なお、上記と同様の方法を用いて、画素電極２２と、補助電極３０とを互いに別の工程で形成するようにしてもよい。
【００５１】
次に、画素電極２２および補助電極３０を含む表面全体に、例えば、ポリイミドなどの感光性絶縁樹脂を塗布した後、フォトリソグラフィによる露光および現像を行う。これにより、画素電極２２上に画素開口部２３Ａを形成し、補助電極３０上にコンタクト開口部２３Ｂを形成する（図９参照）。次に、画素開口部２３Ａおよびコンタクト開口部２３Ｂを有する絶縁層２３の表面全体に、例えば、ポリイミドなどの感光性絶縁樹脂を塗布した後、フォトリソグラフィによる露光および現像を行う。これにより、コンタクト開口部２３Ｂの底面の一部から、コンタクト開口部２３Ｂの側面、絶縁層２３の上面に渡って隔壁３１を形成する（図９）。このときに、隔壁３１や絶縁層２３の断面形状が、上記の式（１）〜（３）を満たすように、感光性絶縁樹脂の厚さや露光強度などを調整することが好ましい。
【００５２】
次に、例えば、気相成膜法（例えば、斜め蒸着法）により、表面全体に有機発光層２４を形成する（図１０）。このとき、コンタクト領域３０Ａを形成することとなる領域が隔壁３１の背後（影）となるよう、有機発光層２４の材料の、補助電極３０の上面に対する入射方向を設定する。さらに、有機発光層２４の材料の、補助電極３０（または画素電極２２）の上面に対する入射角を角度θ３に設定することが好ましい。このようにした結果、コンタクト開口部２３Ｂの底面に、補助電極３０の上面の一部を露出させたまま（つまり、コンタクト領域３０Ａを形成しつつ）、画素開口部２３Ａの底面に露出する画素電極２２の上面全体に有機発光層２４を形成することができる。
【００５３】
次に、例えば、有機発光層２４形成時の気相成膜法と比べて入射角の偏りを減じた気相成膜法により、表面全体に透明電極２５を形成する（図１１）。これにより、コンタクト領域３０Ａにおいて、補助配線３０と透明電極２５とを互いに電気的に接続することができる。なお、蒸着法において、有機発光層２４形成時の気相成膜法と比べて入射角の偏りを減じる方法としては、例えば、回路基板２１を回転台に載せ、回路基板２１を回転させることが考えられる。また、蒸着法の代わりに、スパッタ法を用いることも考えられる。これにより、様々な方向から有機発光層２４の材料を回路基板２１に入射させることができる。その後、例えば、透明電極２５上に、ポリイミドなどの感光性絶縁樹脂を塗布した後、対向基板２９を、カラーフィルタ２７およびブラックマトリクス２８を介して感光性絶縁樹脂に張り合わせ、感光性絶縁樹脂を硬化させる。このようにして、表示装置１が製造される。
【００５４】
[効果] 
次に、本実施の形態の表示装置１における効果について説明する。
【００５５】
図１２は、比較例に係る表示パネルの画素領域１２０における画素電極１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂ、補助配線１３０およびコンタクト領域１３０Ａのレイアウトの一例を表したものである。なお、画素電極１２２Ｒ、１２２Ｇ、１２２Ｂは、本実施の形態の画素電極２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂに対応するものである。補助配線１３０は、本実施の形態の補助配線３０に対応するものである。コンタクト領域１３０Ａは、補助配線１３０の上面の一部であり、例えば、コンタクト領域１３０Ａのうち絶縁層で覆われずに露出している領域である。
【００５６】
本比較例において、例えば、本実施の形態の透明電極２５に対応する透明電極と、補助配線１３０とを互いに電気的に接続させる方法として、例えば、特許文献１に記載された方法と同様にして、コンタクト領域１３０Ａに透明電極を成膜することが考えられる。この場合、透明電極を成膜する前段の有機発光層２４０の成膜において、有機発光層２４０がコンタクト領域１３０Ａに形成されることのないよう、有機発光層の形成領域をコンタクト領域から遠ざけることが必要となる（図１３）。これは、コンタクト領域１３０Ａと透明電極との電気的な接続を担保するためである。しかし、そのようにした場合には、有機発光層２４０の形成領域が小さくなり、開口率が小さくなってしまう。
【００５７】
そこで、例えば、特許文献２，３に記載された方法と同様にして、有機発光層を全面に形成したのち、その一部を除去することによりコンタクト領域を形成することが考えられる。しかし、そのようにした場合には、有機発光層の除去工程における残留物に起因して歩留まりが低下する可能性がある。
【００５８】
一方、本実施の形態では、隔壁３１が、補助配線３０上のコンタクト開口部２３Ｂの底面の一部および絶縁層２３に接して配置されている。これにより、例えば、気相成膜法（例えば、蒸着法）を用いて、有機発光層２４を形成することにより、隔壁３１の背後（または影）に、コンタクト領域３０Ａを形成しつつ、画素開口部２３Ａの底面を含む表面に有機発光層２４を形成することができる。つまり、有機発光層２４がコンタクト領域３０Ａに形成されないようする際にマスクは不要である。また、コンタクト領域３０Ａの形成にはマスクが不要であることから、コンタクト領域３０Ａの周囲には、マスクの精度や、マスクの位置ずれなどを考慮したマージンが不要である。そのため、そのマージンが不要な分だけ、画素電極２２や有機発光層２４を広く形成することができる。従って、有機発光層２４の除去工程を利用しないでコンタクト領域３０Ａを形成することができ、かつ開口率を大きくすることができる。
【００５９】
また、本実施の形態では、隔壁３１が、補助配線３０上のコンタクト開口部２３Ｂの底面の一部および絶縁層２３に接して配置されている。これにより、隔壁３１が補助配線３０上だけに接して配置されている場合と比べて、隔壁３１の剥離を生じ難くさせることができる。例えば、絶縁層２３および隔壁３１がともに有機材料（疎水性）によって構成されている場合、絶縁層２３と隔壁３１との密着性が高く、隔壁３１の剥離を生じ難くさせることができる。また、例えば、絶縁層２３および隔壁３１がともに無機材料（親水性）によって構成されている場合、絶縁層２３と隔壁３１との密着性ならびに画素電極２２と隔壁３１との密着性が高く、隔壁３１の剥離を生じ難くさせることができる。また、例えば、絶縁層２３と隔壁３１との材料の種類（疎水性または親水性）が異なる場合であって、かつ隔壁３１が金属材料（親水性）または無機材料（親水性）によって構成されているときには、画素電極２２と隔壁３１との密着性は高く、絶縁層２３と隔壁３１との密着性は比較的高い。従って、この場合にも、隔壁３１の剥離を生じ難くさせることができる。なお、金属材料（親水性）または無機材料（親水性）上に有機材料（疎水性）を塗布した場合、有機材料に含まれる界面活性剤による作用によって金属材料または無機材料と有機材料との密着性が阻害される可能性がある。そのため、絶縁層２３が無機材料（親水性）によって構成され、隔壁３１が有機材料（疎水性）によって構成さている場合の、絶縁層２３と隔壁３１との密着性や、画素電極２２と隔壁３１との密着性は、あまり高くはならない。しかし、この場合には、例えば、隔壁３１を、図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｅに記載したような、剥離し難い平面形状とし、絶縁層２３と隔壁３１との密着性の不十分さを補うことにより、隔壁３１の剥離を抑えることができる。また、本実施の形態では、画素開口部２３Ａの側面が、隔壁３１の側面よりも斜めに傾斜している。これにより、例えば、気相成膜法（例えば、蒸着法）を用いて、有機発光層２４を形成したときに、画素開口部２３Ａの底面全体に、有機発光層２４を形成させる（接触させる）ことができる。
【００６０】
また、本実施の形態において、隔壁３１が、面内において、コンタクト領域３０Ａの一部を１８０°以上、３６０°未満の範囲で囲むように形成されている場合には、隔壁３１の剥離を生じ難くさせることができる。さらに、隔壁３１を小型化しても、有機光学層２４の材料の、コンタクト領域３０Ａへの付着を効果的に遮蔽することができる。その結果、隔壁３１を小型化できた分だけ、開口率を大きくすることができる。また、隔壁３１が、面内方向に、１８０°以外の２方向に突出する凸部３１Ａを有している場合にも、隔壁３１の剥離を生じ難くさせることができる。このように、隔壁３１が隔壁３１の剥離を生じ難くする構成となっている場合、例えば、気相成膜法により透明電極２５を形成する際に、透明電極２５の材料がコンタクト領域３０Ａに回り込む量が少なくなり、コンタクト領域３０Ａでの抵抗値が増大しやすい。そのため、透明電極２５を厚く形成することが考えられる。本実施の形態において、透明電極２５が、ＣａおよびＬｉの少なくとも一方を含む光透過性の導電性材料で構成されている場合、透明電極２５を厚く形成したとしても、透明電極２５の光透過性（透明性）の低下を抑制することができる。その結果、表示装置１の光学特性の低下を抑制しつつ、コンタクト領域３０Ａでの抵抗値の増大も抑制し、表示装置１の画品位を改善することができる。
【００６１】
＜２．変形例＞
以下に、上記実施の形態の表示装置１の種々の変形例について説明する。なお、以下では、上記実施の形態の表示装置１と共通する構成要素に対しては、同一の符号が付与される。さらに、上記実施の形態の表示装置１と共通する構成要素についての説明は、適宜、省略されるものとする。
【００６２】
［変形例１］
上記実施の形態では、隔壁３１の側面がテーパー状となっている場合が例示されていたが、例えば、図１４に示したように、逆テーパー状となっていてもよい。このとき、隔壁３１や絶縁層２３の断面形状は、例えば、上記の式（２）と、以下の式（４）、（５）を満たしている。
９０°  ＜  θ１  ≦  １８０°…（４）
θ２  ＜  θ３  ≦  ９０°…（５）
【００６３】
隔壁３１や絶縁層２３の断面形状が上記の式（２）、（４）、（５）を満たす場合、隔壁３１の側面の直下に空隙が存在し、その空隙の底面がコンタクト領域３０Ａとなる。さらに、画素開口部２３Ａの側面（内面）が、隔壁３１の上面の端縁と、コンタクト開口部２３Ｂの底面に接する有機発光層２４の端縁とを結んだ線分よりも斜めに傾斜していることになる。そのため、例えば、角度θ３で斜め蒸着を行ったり、画素電極２２の上面に対して垂直な方向から蒸着を行ったりすることにより、隔壁３１の背後にコンタクト領域３０Ａを形成しつつ、有機発光層２４を画素開口部２３Ａの底面全体に形成することができる。
【００６４】
次に、本変形例に係る表示装置１の製造方法の一例について説明する。図１５〜図１７は、表示装置１の製造工程の一例を工程順に表した断面図である。なお、絶縁層２３を作るまでの工程は、上記実施の形態と同様であるので、以下では、それ以降の工程について説明する。
【００６５】
絶縁層２３を形成した後、画素開口部２３Ａおよびコンタクト開口部２３Ｂを有する絶縁層２３の表面全体に、例えば、ポリイミドなどの感光性絶縁樹脂を塗布する。続いて、フォトリソグラフィによる露光および現像を行う。これにより、コンタクト開口部２３Ｂの底面の一部から、コンタクト開口部２３Ｂの側面、絶縁層２３の上面に渡って隔壁３１を形成する（図１５）。このときに、隔壁３１や絶縁層２３の断面形状が、上記の式（２）、（４）、（５）を満たすように、感光性絶縁樹脂の厚さや露光強度などを調整することが好ましい。
【００６６】
次に、例えば、気相成膜法（例えば、斜め蒸着法）により、表面全体に有機発光層２４を形成する（図１６）。このとき、コンタクト領域３０Ａを形成することとなる領域が隔壁３１の背後（影）となるよう、有機発光層２４の材料の、補助電極３０の上面に対する入射方向を設定する。さらに、有機発光層２４の材料の、補助電極３０（または画素電極２２）の上面に対する入射角を角度θ３に設定することが好ましい。このようにした結果、コンタクト開口部２３Ｂの底面に、補助電極３０の上面の一部を露出させたまま（つまり、コンタクト領域３０Ａを形成しつつ）、画素開口部２３Ａの底面に露出する画素電極２２の上面全体に有機発光層２４を形成することができる。
【００６７】
次に、例えば、有機発光層２４形成時の気相成膜法と比べて入射角の偏りを減じた気相成膜法により、表面全体に透明電極２５を形成する（図１７）。これにより、コンタクト領域３０Ａにおいて、補助配線３０と透明電極２５とを互いに電気的に接続することができる。なお、蒸着法において、有機発光層２４形成時と比べて入射角の偏りを減じる方法としては、例えば、回路基板２１を回転台に載せ、回路基板２１を回転させることが考えられる。また、蒸着法の代わりに、スパッタ法を用いることも考えられる。これにより、様々な方向から有機発光層２４の材料を回路基板２１に入射させることができる。その後、例えば、透明電極２５上に、ポリイミドなどの感光性絶縁樹脂を塗布した後、対向基板２９を、カラーフィルタ２７およびブラックマトリクス２８を介して感光性絶縁樹脂に張り合わせ、感光性絶縁樹脂を硬化させる。このようにして、本変形例に係る表示装置１が製造される。
【００６８】
本変形例に係る表示装置１は、例えば、以下に示した方法で製造することも可能である。図１８、図１９は、本変形例に係る表示装置１の製造工程の他の例を工程順に表した断面図である。なお、隔壁３１を作るまでの工程は、上記の製造方法と同様であるので、以下では、それ以降の工程について説明する。
【００６９】
隔壁３１を形成した後、例えば、気相成膜法（例えば、蒸着法）により、表面全体に有機発光層２４を形成する（図１８）。例えば、有機発光層２４の材料の主な入射角を、補助電極３０（または画素電極２２）に垂直にする。つまり、気相成膜法として、垂直蒸着法を用いる。このとき、隔壁３１の逆テーパー状の側面の直下には、有機発光層２４の材料が入り込みにくい。そのため、コンタクト開口部２３Ｂのうち、隔壁３１の逆テーパー状の側面の直下に対応する部分がコンタクト領域３０Ａとなる。従って、コンタクト開口部２３Ｂの底面に、補助電極３０の上面の一部を露出させたまま（つまり、コンタクト領域３０Ａを形成しつつ）、画素開口部２３Ａの底面に露出する画素電極２２の上面全体に有機発光層２４を形成することができる。
【００７０】
次に、例えば、有機発光層２４形成時の気相成膜法と比べて入射角の偏りを減じた気相成膜法により、表面全体に透明電極２５を形成する（図１９）。これにより、コンタクト領域３０Ａにおいて、補助配線３０と透明電極２５とを互いに電気的に接続することができる。なお、蒸着法において、有機発光層２４形成時と比べて入射角の偏りを減じる方法としては、例えば、回路基板２１を回転台に載せ、回路基板２１を回転させることが考えられる。また、蒸着法の代わりに、スパッタ法を用いることも考えられる。これにより、様々な方向から透明電極２５の材料を回路基板２１に入射させることができる。その後、例えば、透明電極２５上に、ポリイミドなどの感光性絶縁樹脂を塗布した後、対向基板２９を、カラーフィルタ２７およびブラックマトリクス２８を介して感光性絶縁樹脂に張り合わせ、感光性絶縁樹脂を硬化させる。このようにして、本変形例に係る表示装置１が製造される。
【００７１】
［変形例２］
上記変形例１では、補助配線３０の上面が平坦面となっていたが、例えば、図２０に示したように、補助配線３０の上面のうちコンタクト開口部２３Ｂの底面に露出している部分（コンタクト領域３０Ａ）が傾斜面３０Ｂとなっていてもよい。傾斜面３０Ｂは、隔壁３１の側面から遠ざかるにつれて下り坂となるように形成されている。傾斜面３０Ｂと隔壁３１の側面とのなす角度が、概ね９０°となることが好ましく、９０°よりも若干大きくなっていてもよい。傾斜面３０Ｂは、滑らかな面となっていてもよいし、階段状の面となっていてもよい。回路基板２１は、補助配線３０に傾斜面３０Ｂの形成されている部分の直下において、平坦面となっている。補助配線３０では、傾斜面３０Ｂの形成されている部分において、厚みが他の部分と比べて薄くなっている。補助配線３０に傾斜面３０Ｂを形成する方法としては、例えば、補助配線３０の上面を部分的にエッチングすることが考えられる。
【００７２】
本変形例では、補助配線３０の上面のうちコンタクト開口部２３Ｂの底面に露出している部分が傾斜面３０Ｂとなっている。これにより、例えば、有機発光層２４形成時の気相成膜法と比べて入射角の偏りを減じた気相成膜法により、表面全体に透明電極２５を形成したときに、コンタクト領域３０Ａに透明電極２５を十分な厚さで形成することができる。その結果、コンタクト領域３０Ａにおける、補助配線３０と透明電極２５との電気的な接続をより確実にすることができる。
【００７３】
［変形例３］
上記変形例２では、補助配線３０に傾斜面３０Ｂを設けることで、補助配線３０の上面のうちコンタクト開口部２３Ｂの底面に露出している部分が傾斜面３０Ｂとなっていた。しかし、例えば、図２１に示したように、回路基板２１の上面のうち、コンタクト開口部２３Ｂの底面の直下に対応する部分に、すり鉢状の窪み２１Ａを設け、補助配線３０の一部を、すり鉢状の窪み２１Ａの内部に配置してもよい。このようにした場合であっても、補助配線３０の上面のうちコンタクト開口部２３Ｂの底面に露出している部分を、傾斜面３０Ｂとすることができる。
【００７４】
つまり、本変形例では、回路基板２１は、コンタクト開口部２３Ｂの底面の直下に対応する部分に、すり鉢状の窪み２１Ａを有している。そして、補助配線３０の一部が、すり鉢状の窪み２１Ａの内部に配置されている。このとき、補助配線３０は、場所に寄らず概ね均一な厚さとなっている。従って、本変形例では、補助配線３０の厚さを場所に寄らず概ね均一にしたままの状態で、補助配線３０の上面のうちコンタクト開口部２３Ｂの底面に露出している部分を傾斜面３０Ｂにすることができる。
【００７５】
[製造方法]
次に、本変形例に係る表示装置１の製造方法の一例について説明する。図２２Ａ、図２２Ｂは、本変形例に係る表示装置１の製造工程の一例を工程順に表した断面図である。なお、本変形例において、回路基板２１は、画素回路１５の形成された回路基板２１ａの上面に、平坦化膜２１ｂを有している。平坦化膜２１ｂは、例えば、フォトリソグラフィによる露光および現像を行うことの可能な材料で構成されており、例えば、感光性絶縁樹脂で構成されている。
【００７６】
まず、回路基板２１上に、所定の位置に開口部１００Ａおよびグレイトーン開口部１００Ｂを有するマスク１００を配置する（図２２Ａ）。開口部１００Ａは、マスク１００を貫通する貫通孔である。グレイトーン開口部１００Ｂは、貫通孔よりも紫外光の透過率が低くなる構造となっている。次に、例えば、マスク１００を用いて、フォトリソグラフィによる露光を行ったのち、現像を行う（図２２Ｂ）。これにより、一回の露光で、平坦化膜２１ｂに、深さの浅い窪み部２１ｄを形成すると同時に、深さの深い窪み部２１ｃを形成することができる。なお、窪み部２１ｄを、窪み部２１Ａとして用い、窪み部２１ｃを、例えば、画素回路１５と画素電極２２とを互いに電気的に接続するビアを埋め込む場所として用いることができる。
【００７７】
本変形例に係る表示装置１は、例えば、以下に示した方法で製造することも可能である。図２３Ａ、図２３Ｂ、図２３Ｃ、図２４Ｄは、本変形例に係る表示装置１の製造工程の他の例を工程順に表した断面図である。
【００７８】
まず、回路基板２１上に、所定の位置に２つの開口部２００Ａを有するマスク２００を配置する（図２３Ａ）。開口部２００Ａは、マスク２００を貫通する貫通孔である。次に、例えば、マスク２００を用いて、フォトリソグラフィによる露光を行ったのち、現像を行う（図２３Ｂ）。これにより、平坦化膜２１ｂに、深さの浅い２つの窪み部２１ｄを形成することができる。次に、回路基板２１上に、一方の窪み部２１ｄの直上に１つの開口部２００Ａを有するマスク２１０を配置する（図２３Ｃ）。開口部２１０Ａは、マスク２１０を貫通する貫通孔である。次に、例えば、マスク２１０を用いて、フォトリソグラフィによる露光を行ったのち、現像を行う（図２３Ｄ）。これにより、開口部２１０Ａの直下にある窪み部２１ｄがさらに深くなり、窪み部２１ｃとなる。このように、２回の露光で、平坦化膜２１ｂに、深さの浅い窪み部２１ｄと、深さの深い窪み部２１ｃとを形成することができる。なお、窪み部２１ｄを、窪み部２１Ａとして用い、窪み部２１ｃを、例えば、画素回路１５と画素電極２２とを互いに電気的に接続するビアを埋め込む場所として用いることができる。
【００７９】
［変形例４］
上記実施の形態およびその変形例（変形例１〜３）では、隔壁３１が、非接触領域３０ａの一部、隣接側面３０ｂ、および隣接上面３０ｃの３箇所全てに接していたが、隣接側面３０ｂおよび隣接上面３０ｃだけに接していてもよい。また、隔壁３１は、例えば、図２４、図２５に示したように、隣接上面３０ｃだけに接していてもよい。ただし、図２４に示したように、隔壁３１の側面がテーパー状もしくは垂直となっている場合には、隔壁３１や絶縁層２３の断面形状は、例えば、上記の式（１）〜（３）を満たしている。また、図２５に示したように、隔壁３１の側面が逆テーパー状となっている場合には、隔壁３１や絶縁層２３の断面形状は、例えば、上記の式（２）、（４）、（５）を満たしている。
【００８０】
隔壁３１や絶縁層２３の断面形状が、上記の式（１）〜（３）を満たす場合には、例えば、角度θ３で斜め蒸着を行うことにより、隔壁３１の背後にコンタクト領域３０Ａを形成しつつ、有機発光層２４を画素開口部２３Ａの底面全体に形成することができる。また、隔壁３１や絶縁層２３の断面形状が、上記の式（２）、（４）、（５）を満たす場合には、例えば、角度θ３で斜め蒸着を行ったり、画素電極２２の上面に対して垂直な方向から蒸着を行ったりすることにより、隔壁３１の背後にコンタクト領域３０Ａを形成しつつ、有機発光層２４を画素開口部２３Ａの底面全体に形成することができる。
【００８１】
［変形例５］
上記実施の形態およびその変形例（変形例１〜４）では、回路基板２１と対向基板２９との間に、これらの間隙を埋め込む絶縁層２６が設けられていた。しかし、例えば、図２６、図２７に示したように、回路基板２１と対向基板２９との間が、空隙３２となっていてもよい。このとき、隔壁３１が、透明電極２５を介して、対向基板２９またはブラックマトリクス２８に接していてもよいし、対向基板２９またはブラックマトリクス２８に接しない程度に低く形成されていてもよい。隔壁３１が、透明電極２５を介して、対向基板２９またはブラックマトリクス２８に接している場合には、隔壁３１は、例えば、図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃまたは図８Ｅに示したように、面内方向に、１８０°以外の２方向に突出する凸部３１Ａを有していることが好ましい。隔壁３１がそのような凸部３１Ａを有している場合、隔壁３１が、透明電極２５を介して、対向基板２９またはブラックマトリクス２８に接しているときであっても、隔壁３１が剥離し難い。さらに、隔壁３１は、面内において、コンタクト領域３０Ａの一部を１８０°以上の３６０°未満の範囲で囲むように形成されていることが好ましい。図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｅに記載の隔壁３１は、この条件に合致している。このようにした場合、例えば、蒸着法により有機発光層２４を形成したときに、有機発光層２４がコンタクト領域３０Ａに入り込むのを抑制することができるだけでなく、上記の凸部の作用により、隔壁３１を剥離し難くすることができる。
【００８２】
［変形例６］
上記実施の形態およびその変形例（変形例１〜５）では、有機発光層２４が、白色光を発する構成となっていたが、例えば、互いに異なる色光（例えば、赤色光、緑色光、青色光）を別個に発する構成となっていてもよい。有機発光層２４は、例えば、図２８に示したように、画素１１Ｒ、画素１１Ｇおよび画素１１Ｂ共通に、青色光を発する有機発光層２４Ｂを有している。有機発光層２４は、さらに、例えば、図２８に示したように、有機発光層２４Ｂ上の、画素１１Ｒに対応する領域に、赤色光を発する有機発光層２４Ｒを有し、有機発光層２４Ｂ上の、画素１１Ｇに対応する領域に、緑色光を発する有機発光層２４Ｇを有していてもよい。なお、有機発光層２４Ｂが、画素１１Ｂに対応する領域だけに設けられていてもよい。
【００８３】
表示パネル１０がストライプ配列となっている場合、有機発光層２４Ｒは、複数の画素１１Ｒ（画素電極２２Ｒ）をまたいで、列方向に連続して形成された帯状の形状となっている。さらに、有機発光層２４Ｇは、複数の画素１１Ｇ（画素電極２２Ｇ）をまたいで、列方向に連続して形成された帯状の形状となっている。これにより、有機発光層２４Ｒまたは有機発光層２４Ｇを塗り分けて形成する際に、マスクの列方向のアライメントを画素１１レベルで行う必要がない。ここで、コンタクト領域３０Ａおよび隔壁３１は、列方向に互いに隣接する２つの画素１１の間隙、および行方向に互いに隣接する２つのカラー画素の間隙のいずれに配置されていたとしても、マスクの列方向のアライメントを画素１１レベルで行う必要がない。
【００８４】
［変形例７］
上記実施の形態およびその変形例（変形例１〜６）では、表示パネル１０は、カラー表示となっていたが、例えば、モノクロ表示となっていてもよい。表示パネル１０は、例えば、図２９に示したように、図３に記載の構成において、カラーフィルタ２７が省略された構成となっていてもよい。
【００８５】
［変形例８］
上記実施の形態およびその変形例（変形例１〜６）では、表示パネル１０は、ストライプ配列となっていたが、それ以外の配列となっていてもよい。例えば、各カラー画素が、４色の発光色を別個に発する４つの画素１１で構成されている場合、各カラー画素に含まれる４つの画素１１は、例えば、田の字配列（２×２マトリクス）となっていてもよい。
【００８６】
＜３．適用例＞
以下、上記実施の形態およびその変形例（変形例１〜８）（以下、「上記実施の形態等」と称する。）で説明した表示装置１の適用例について説明する。上記実施の形態の表示装置１は、テレビジョン装置、デジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話等の携帯端末装置あるいはビデオカメラなど、外部から入力された映像信号あるいは内部で生成した映像信号を、画像あるいは映像として表示するあらゆる分野の電子機器の表示装置に適用することが可能である。
【００８７】
（適用例１）
図３０は、上記実施の形態等の表示装置１が適用されるテレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有しており、この映像表示画面部３００は、上記実施の形態に係る表示装置１により構成されている。
【００８８】
（適用例２）
図３１Ａ、図３１Ｂは、上記実施の形態等の表示装置１が適用されるデジタルカメラの外観を表したものである。このデジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有しており、その表示部４２０は、上記実施の形態等に係る表示装置１により構成されている。
【００８９】
（適用例３）
図３２は、上記実施の形態等の表示装置１が適用されるノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有しており、その表示部５３０は、上記実施の形態等に係る表示装置１により構成されている。
【００９０】
（適用例４）
図３３は、上記実施の形態等の表示装置１が適用されるビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有しており、その表示部６４０は、上記実施の形態等に係る表示装置１により構成されている。
【００９１】
（適用例５）
図３４は、上記実施の形態等の表示装置１が適用される携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。そのディスプレイ７４０またはサブディスプレイ７５０は、上記実施の形態等に係る表示装置１により構成されている。
【００９２】
以上、実施の形態および適用例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。
【００９３】
例えば、上記実施の形態等では、アクティブマトリクス駆動のための画素回路１５の構成は、上記各実施の形態で説明したものに限られず、必要に応じて容量素子やトランジスタを追加してもよい。その場合、画素回路１５の変更に応じて、上述した信号線駆動回路１３や、走査線駆動回路１４などの他に、必要な駆動回路を追加してもよい。
【００９４】
また、例えば、本技術は以下のような構成を取ることができる。
（１）
複数の第１電極と、
前記第１電極の周囲に設けられた金属部材と、
前記第１電極上に第１開口を有し、前記金属部材上に第２開口を有する絶縁層と、
前記第２開口の底面の全体もしくは一部を除き、前記第１開口の底面を含む表面に設けられた有機発光層と、
前記第２開口の底面の一部および前記絶縁層のうち少なくとも前記絶縁層に接して配置され、前記絶縁層とは別工程で形成された隔壁と、
前記第２開口の底面の一部であるコンタクト領域と、前記有機発光層のうち前記第１開口の底面の直上部分とに接する第２電極と
を備えた
表示装置。
（２）
前記隔壁は、前記第２開口の底面の一部および前記絶縁層の双方に接している
（１）に記載の表示装置。
（３）
前記第１開口の側面は、前記隔壁の側面よりも斜めに傾斜している
（１）または（２）に記載の表示装置。
（４）
前記隔壁は、面内において、前記コンタクト領域の一部を１８０°以上、３６０°未満の範囲で囲むように形成されている
（１）ないし（３）のいずれか１つに記載の表示装置。
（５）
前記隔壁は、面内方向に、１８０°以外の２方向に突出する凸部を有する
（１）ないし（４）のいずれか１つに記載の表示装置。
（６）
前記隔壁は、面内において、前記コンタクト領域を介して、前記第１電極と対向して配置されている
（１）ないし（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
（７）
前記有機発光層が、前記複数の第１電極をまたいで、列方向に連続して形成された帯状の形状となっており、
前記コンタクト領域および前記隔壁は、列方向に互いに隣接する２つの前記第１電極の間隙に配置されている
（１）ないし（６）のいずれか１つに記載の表示装置。
（８）
前記第２電極は、ＣａおよびＬｉの少なくとも一方を含む光透過性の導電性材料で構成されている
（１）ないし（７）のいずれか１つに記載の表示装置。
（９）
前記コンタクト領域は、前記隔壁の側面から遠ざかるにつれて下り坂となっている
（１）ないし（８）のいずれか１つに記載の表示装置。
（１０）
表示装置を備え、
前記表示装置は、
複数の第１電極と、
前記第１電極の周囲に設けられた金属部材と、
前記第１電極上に第１開口を有し、前記金属部材上に第２開口を有する絶縁層と、
前記第２開口の底面の全体もしくは一部を除き、前記第１開口の底面を含む表面に設けられた有機発光層と、
前記第２開口の底面の一部および前記絶縁層のうち少なくとも前記絶縁層に接して配置され、前記絶縁層とは別工程で形成された隔壁と、
前記第２開口の底面の一部であるコンタクト領域と、前記有機発光層のうち前記第１開口の底面の直上部分とに接する第２電極と
を有する
電子機器。
（１１）
第１電極上に第１開口を有し、前記第１電極の周囲に設けられた金属部材上に第２開口を有する絶縁層を形成する第１工程と、
気相拡散法により、前記第２開口の底面の一部および前記絶縁層のうち少なくとも前記絶縁層に接するように隔壁を形成する第２工程と、
気相成膜法を用いて、前記第２開口の底面の全体もしくは一部を除き、前記第１開口の底面を含む表面に有機発光層を形成する第３工程と、
前記有機発光層で用いた気相成膜法と比べて入射角の偏りを減じた気相成膜法を用いて、前記第２開口の底面の一部であるコンタクト領域と、前記有機発光層のうち前記第１開口の底面の直上部分とに接する第２電極を形成する第４工程と
を含む
表示装置の製造方法。
（１２）
前記隔壁の側面は逆テーパー状となっており、
前記第３工程において、前記有機発光層の材料の主な入射角を、前記金属部材に垂直にした
（１１）に記載の表示装置の製造方法。
（１３）
前記隔壁の側面はテーパー状または垂直となっており、
前記第３工程において、前記有機発光層の材料の主な入射角を、前記金属部材に対して斜めにした
（１１）に記載の表示装置の製造方法。
【符号の説明】
【００９５】
１…表示装置、１０…表示パネル、１１，１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ…画素、１２，１２０…画素領域、１３…信号線駆動回路、１４…走査線駆動回路、１５…画素回路、１６，１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ…有機ＥＬ素子、２０…ＦＰＣ、２１…回路基板、２１Ａ…窪み部、２１ａ…回路基板、２１ｂ…平坦化膜、２１ｃ，２１ｄ…窪み部、２２，２２Ｒ，２２Ｇ，２２Ｂ…画素電極、２３，２６…絶縁層、２３Ａ…画素開口部、２３Ｂ…コンタクト開口部、２４，２４０…有機発光層、２５…透明電極、２７…カラーフィルタ、２７Ｒ…赤色フィルタ、２７Ｇ…緑色フィルタ、２７Ｂ…青色用フィルタ、２８…ブラックマトリクス、２９…対向基板、３０，１３０…補助配線、３０Ａ，１３０Ａ…コンタクト領域、３０Ｂ…傾斜面、３０ａ…非接触領域、３０ｂ…隣接側面、３０ｃ…隣接上面、３１…隔壁、３１Ａ…凸部、３２…空隙、１００，２００，２１０…マスク、１００Ａ，２００Ａ，２１０Ａ…開口部、１００Ｂ…グレイトーン開口部、３００…映像表示画面部、３１０…フロントパネル、３２０…フィルターガラス、４１０…発光部、４２０，５３０，６４０…表示部、４３０…メニュースイッチ、４４０…シャッターボタン、５１０…本体、５２０…キーボード、６１０…本体部、６２０…レンズ、６３０…スタート／ストップスイッチ、７１０…上側筐体、７２０…下側筐体、７３０…連結部、７４０…ディスプレイ、７５０…サブディスプレイ、７６０…ピクチャーライト、７７０…カメラ、Ｃｓ…保持容量、ＤＴＬ…信号線、ＧＮＤ…グラウンド線、Ｔｒ１…駆動トランジスタ、Ｔｒ２…書込トランジスタ、ＷＳＬ…走査線。
【図１】
2014212070.tif 000003
【図２】
2014212070.tif 000004
【図３】
2014212070.tif 000005
【図４】
2014212070.tif 000006
【図５】
2014212070.tif 000007
【図６】
2014212070.tif 000008
【図７】
2014212070.tif 000009
【図８Ａ】
2014212070.tif 000010
【図８Ｂ】
2014212070.tif 000011
【図８Ｃ】
2014212070.tif 000012
【図８Ｄ】
2014212070.tif 000013
【図８Ｅ】
2014212070.tif 000014
【図８Ｆ】
2014212070.tif 000015
【図９】
2014212070.tif 000016
【図１０】
2014212070.tif 000017
【図１１】
2014212070.tif 000018
【図１２】
2014212070.tif 000019
【図１３】
2014212070.tif 000020
【図１４】
2014212070.tif 000021
【図１５】
2014212070.tif 000022
【図１６】
2014212070.tif 000023
【図１７】
2014212070.tif 000024
【図１８】
2014212070.tif 000025
【図１９】
2014212070.tif 000026
【図２０】
2014212070.tif 000027
【図２１】
2014212070.tif 000028
【図２２Ａ】
2014212070.tif 000029
【図２２Ｂ】
2014212070.tif 000030
【図２３Ａ】
2014212070.tif 000031
【図２３Ｂ】
2014212070.tif 000032
【図２３Ｃ】
2014212070.tif 000033
【図２３Ｄ】
2014212070.tif 000034
【図２４】
2014212070.tif 000035
【図２５】
2014212070.tif 000036
【図２６】
2014212070.tif 000037
【図２７】
2014212070.tif 000038
【図２８】
2014212070.tif 000039
【図２９】
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【図３０】
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【図３１Ａ】
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【図３１Ｂ】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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