(57)【要約】【課題】ルツボ内の蒸着材料への熱伝導効率を向上させて成膜レートを安定させる蒸着装置を提供する。【解決手段】蒸着材料を収容するルツボが３個以上一体的に形成されたセル本体２１と、前記セル本体を加熱することで前記ルツボに収容された前記蒸着材料を加熱する第１の加熱機構２７と、を具備し、前記３個以上のルツボはハニカム形状を有し、前記ルツボの最大開口径が３０ｍｍ以下である蒸着源である。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
蒸着材料を収容するルツボが３個以上一体的に形成されたセル本体と、
前記セル本体を加熱することで前記ルツボに収容された前記蒸着材料を加熱する第１の加熱機構と、
を具備し、
前記ルツボの最大開口径が３０ｍｍ以下であることを特徴とする蒸着源。
【請求項２】
請求項１において、
前記３個以上のルツボはハニカム形状を有することを特徴とする蒸着源。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記ルツボは、三角柱、四角柱、五角柱、六角柱、七角柱、八角柱及び多角柱のいずれかの形状を有することを特徴とする蒸着源。
【請求項４】
基板に蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の蒸着源と、
前記蒸着源が収容された蒸着室と、
前記蒸着室内に配置され、前記セル本体に対向するように前記基板を保持する保持機構と、
を具備することを特徴とする蒸着装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記基板がフィルムからなり、
前記保持機構は、前記蒸着膜が成膜される前のフィルムが巻かれている第１のロールと、前記第１のロールから供給され、前記蒸着膜が成膜された後のフィルムが巻き取られる第２のロールを有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記蒸着材料は粒状の固体材料であり、比重が前記固体材料の２倍以上の物体が前記ルツボに収容された前記固体材料上に配置されており、
前記物体は前記蒸着材料より高い融点または昇華点を有し、
前記物体の直径は２ｍｍ以上３０ｍｍ未満であることを特徴とする蒸着装置。
【請求項７】
請求項５において、
前記蒸着材料は粒状の固体材料であり、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性を有する物体が前記ルツボに収容された前記固体材料上に配置されており、
前記物体は前記蒸着材料より高い融点または昇華点を有し、
前記物体の直径は２ｍｍ以上３０ｍｍ未満であり、
前記物体を加熱することで前記固体材料を加熱する第２の加熱機構を有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項８】
請求項５において、
前記蒸着材料は粒状の固体材料であり、比重が前記固体材料の２倍以上の物体が前記ルツボに収容された前記固体材料上に配置されており、
前記物体が５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性を有し、
前記物体は前記蒸着材料より高い融点または昇華点を有し、
前記物体の直径は２ｍｍ以上３０ｍｍ未満であり、
前記物体を加熱することで前記固体材料を加熱する第２の加熱機構を有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
前記物体の形状は多面体または球体であることを特徴とする蒸着装置。
【請求項１０】
請求項５において、
前記蒸着材料は粒状の固体材料であり、
前記蒸着室内に配置され、前記セル本体が収容されるセルケーシングを有し、
前記第１の加熱機構は、前記セルケーシングの外側または内部または内側に配置されており、
前記セルケーシングは開口部を有し、
前記開口部は、前記セル本体と前記フィルムとの間に位置し、前記３個以上のルツボ内で昇華した材料が前記フィルムに蒸着される量を制御することを特徴とする蒸着装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記開口部を除く前記セルケーシングを覆うように配置された冷却機構を有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項１２】
請求項１０または１１において、
前記冷却機構と前記セルケーシングとの間に配置された、前記セルケーシングを覆うリフレクターを有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項１３】
請求項４において、
前記第１の加熱機構を覆うリフレクターを有し、
前記リフレクターは開口部を有し、
前記開口部は、前記セル本体と前記基板との間に位置し、前記３個以上のルツボ内で昇華した材料が前記基板に蒸着される量を制御することを特徴とする蒸着装置。
【請求項１４】
請求項４、５及び１３のいずれか一項において、
前記第１の加熱機構は、誘導加熱ヒータ、モリブデンヒータ、タングステンヒータ、シーズヒータ、カンタルヒータ、ランプヒータ、カーボンヒータ及びタンタルヒータのいずれかを有することを特徴とする蒸着装置。
【請求項１５】
請求項１乃至３のいずれか一項において、
前記ルツボの深さは１０ｃｍ以下であることを特徴とする蒸着源。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、蒸着源及びその蒸着源を用いて基板に蒸着膜を成膜する蒸着装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
蒸着源は、ルツボに収容された蒸着材料をヒータによって加熱することで蒸発または昇華させるものである。蒸着装置は、蒸着源によって放出された蒸発または昇華した材料を基板に成膜する装置である（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
蒸着材料には、例えば有機物材料のように加熱によって固体から気体へ昇華する材料と、例えば金属材料のように加熱によって液体から気体へ蒸発する材料がある。
【０００４】
前者の固体から気体へ昇華する材料の場合、その材料の熱伝導率が低いため、大きなルツボに多量の蒸着材料を収容して加熱しても、例えばルツボの中央に位置する蒸着材料だけからしか昇華しないこと、即ちルツボの一部分からしか昇華が起こらないことが多い。そのため、昇華面が小さくなり、成膜レートが低くなることがある。
【０００５】
このような場合に成膜レートを高くするには蒸着材料の温度を高くすることが考えられる。蒸着材料の温度を高くすると、成膜レートは上昇するが、蒸着材料の僅かな温度変化によって成膜レートが著しく変動してしまい、安定した成膜レートが得られないという課題が発生する。
【０００６】
上記のように昇華面が小さくなると、ルツボ内に蒸着材料が残りやすく、材料効率が悪くなるという課題がある。また、ルツボ内に蒸着材料が残った状態で蒸着材料の追加をすると、ルツボ内に蒸着材料を入れにくいという課題もある。
【０００７】
後者の液体から気体へ蒸発する材料の場合、大きなルツボに多量の蒸着材料を収容して加熱すると、蒸着材料に熱を導入する制御性が低下する。そのため、蒸着材料に熱を必要以上に導入し過ぎると、基板の温度を必要以上に上昇させてしまい、蒸着膜の膜質が不安定になるという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特許第４９０９７４２号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一態様は、ルツボ内の蒸着材料への熱伝導効率を向上させて成膜レートを安定させることを課題とする。
また、本発明の一態様は、ルツボ内の蒸着材料への熱伝導効率を向上させて蒸着膜の膜質を安定させることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］蒸着材料を収容するルツボが３個以上一体的に形成されたセル本体と、
前記セル本体を加熱することで前記ルツボに収容された前記蒸着材料を加熱する第１の加熱機構と、
を具備し、
前記ルツボの最大開口径が３０ｍｍ以下であることを特徴とする蒸着源。
【００１１】
［２］上記［１］において、
前記３個以上のルツボはハニカム形状を有することを特徴とする蒸着源。
【００１２】
［３］上記［１］または［２］において、
前記ルツボは、三角柱、四角柱、五角柱、六角柱、七角柱、八角柱及び多角柱のいずれかの形状を有することを特徴とする蒸着源。
【００１３】
［４］基板に蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、
上記［１］乃至［３］のいずれか一項に記載の蒸着源と、
前記蒸着源が収容された蒸着室と、
前記蒸着室内に配置され、前記セル本体に対向するように前記基板を保持する保持機構と、
を具備することを特徴とする蒸着装置。
【００１４】
［５］上記［４］において、
前記基板がフィルムからなり、
前記保持機構は、前記蒸着膜が成膜される前のフィルムが巻かれている第１のロールと、前記第１のロールから供給され、前記蒸着膜が成膜された後のフィルムが巻き取られる第２のロールを有することを特徴とする蒸着装置。
【００１５】
［６］上記［５］において、
前記蒸着材料は粒状の固体材料であり、比重が前記固体材料の２倍以上の物体が前記ルツボに収容された前記固体材料上に配置されており、
前記物体は前記蒸着材料より高い融点または昇華点を有し、
前記物体の直径は２ｍｍ以上３０ｍｍ未満であることを特徴とする蒸着装置。
なお、物体の直径は、物体の最も長い外径を意味する。
【００１６】
［７］上記［５］において、
前記蒸着材料は粒状の固体材料であり、５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性を有する物体が前記ルツボに収容された前記固体材料上に配置されており、
前記物体は前記蒸着材料より高い融点または昇華点を有し、
前記物体の直径は２ｍｍ以上３０ｍｍ未満であり、
前記物体を加熱することで前記固体材料を加熱する第２の加熱機構を有することを特徴とする蒸着装置。
【００１７】
［８］上記［５］において、
前記蒸着材料は粒状の固体材料であり、比重が前記固体材料の２倍以上の物体が前記ルツボに収容された前記固体材料上に配置されており、
前記物体が５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性を有し、
前記物体は前記蒸着材料より高い融点または昇華点を有し、
前記物体の直径は２ｍｍ以上３０ｍｍ未満であり、
前記物体を加熱することで前記固体材料を加熱する第２の加熱機構を有することを特徴とする蒸着装置。
【００１８】
［９］上記［６］乃至［８］のいずれか一項において、
前記物体の形状は多面体または球体であることを特徴とする蒸着装置。
【００１９】
［１０］上記［５］において、
前記蒸着材料は粒状の固体材料であり、
前記蒸着室内に配置され、前記セル本体が収容されるセルケーシングを有し、
前記第１の加熱機構は、前記セルケーシングの外側または内部または内側に配置されており、
前記セルケーシングは開口部を有し、
前記開口部は、前記セル本体と前記フィルムとの間に位置し、前記３個以上のルツボ内で昇華した材料が前記フィルムに蒸着される量を制御することを特徴とする蒸着装置。
【００２０】
［１１］上記［１０］において、
前記開口部を除く前記セルケーシングを覆うように配置された冷却機構を有することを特徴とする蒸着装置。
この冷却機構は、フィルムへの熱影響を抑えるために、蒸着源から前記フィルムへ放出される熱を冷却する機構である。
【００２１】
［１２］上記［１０］または［１１］において、
前記冷却機構と前記セルケーシングとの間に配置された、前記セルケーシングを覆うリフレクターを有することを特徴とする蒸着装置。
【００２２】
［１３］上記［４］において、
前記第１の加熱機構を覆うリフレクターを有し、
前記リフレクターは開口部を有し、
前記開口部は、前記セル本体と前記基板との間に位置し、前記３個以上のルツボ内で昇華した材料が前記基板に蒸着される量を制御することを特徴とする蒸着装置。
【００２３】
［１４］上記［４］、［５］及び［１３］のいずれか一項において、
前記第１の加熱機構は、誘導加熱ヒータ、モリブデンヒータ、タングステンヒータ、シーズヒータ、カンタルヒータ、ランプヒータ、カーボンヒータ及びタンタルヒータのいずれかを有することを特徴とする蒸着装置。
【００２４】
［１５］上記［１］乃至［３］のいずれか一項において、
前記ルツボの深さは１０ｃｍ以下であることを特徴とする蒸着源。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の一態様によれば、ルツボ内の蒸着材料への熱伝導効率を向上させて成膜レートを安定させることができる。
また、本発明の一態様によれば、ルツボ内の蒸着材料への熱伝導効率を向上させて蒸着膜の膜質を安定させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の一態様に係る蒸着装置を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す蒸着源を上面から見た図である。
【図３】図２に示す複数のルツボを模式的に示す斜視図である。
【図４】（Ａ）は本発明の一態様に係る蒸着源を上面から見た全体図、（Ｂ）は（Ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った断面図、（Ｃ）は（Ｂ）に示すＢ部の詳細を示す斜視図である。
【図５】（Ａ）は本発明の一態様に係る蒸着源を上面から見た全体図、（Ｂ）は（Ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った断面図、（Ｃ）は（Ｂ）に示すＢ部の詳細を示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００２８】
［第１の実施形態］
図１は、本発明の一態様に係る蒸着装置を模式的に示す断面図である。図２は、図１に示す蒸着源を上面から見た図である。図３は、図２に示す複数のルツボを模式的に示す斜視図である。
【００２９】
図１に示す蒸着装置は蒸着室（図示せず）を有し、この蒸着室内には蒸着源、及び基板としての長尺なフィルム１１を保持する保持機構（図示せず）が配置されている。この保持機構は第１及び第２のロール（図示せず）を有しており、第１のロールには蒸着膜３０ｂが成膜される前のフィルム１１が巻かれている。第２のロールは、第１のロールから矢印の方向に供給されたフィルム１１に蒸着膜３０ｂが成膜された後のフィルム１１が巻き取られるようになっている。
【００３０】
図１、図２及び図３に示すように、蒸着源は、蒸着材料３０を収容するルツボ２２が３個以上一体的に形成されたセル本体２１を有している。３個以上のルツボ２２はハニカム形状を有しており、各々のルツボ２２内には蒸着材料３０が収容される。ルツボ２２の最大開口径は３０ｍｍ以下（好ましくは１５ｍｍ以下、より好ましくは１０ｍｍ以下、さらに好ましくは５ｍｍ以下）であるとよい。ルツボ２２の深さは１０ｃｍ以下（好ましくは５ｃｍ以下）であるとよい。
【００３１】
なお、本明細書においてハニカム形状とは、ルツボの形状が正六角柱に限られず、三角柱、四角柱、五角柱、六角柱、七角柱、八角柱などの多角柱を含み、立体図形を隙間なく並べた構造（例えば３次元空間充填構造）を意味するものである。
【００３２】
ルツボ２２をハニカム形状とする理由は、蒸着材料３０とルツボ２２の内面との接触面積を増加させ、蒸着材料３０への熱伝導効率を高めるためである。特に蒸着材料３０が有機物材料のように加熱によって固体から気体へ昇華する材料である場合、その材料の熱伝導率が低いため、熱伝導効率を高めて蒸着材料３０の昇華面を大きくし、成膜レートを高めることが要求される。
【００３３】
ルツボ２２は、耐酸化性、耐熱性及び有機物に対する耐食性を有し、熱伝導性のよいものが好ましく、例えば金属、ステンレス、Ａｌ、Ｃｕ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ｐｔ、セラミックス、ＳｉＣ、アルミナ等によって作製されるとよい。
【００３４】
セル本体２１は長方形の箱状となっており、セル本体２１はフィルム１１に対向するように配置されている。セル本体２１はその長手方向がフィルム１１の長手方向に対して略垂直となるように配置されている。
【００３５】
セル本体２１はセルケーシング２６に収容されている。詳細には、セルケーシング２６の底面にルツボプレート２３が固定用ネジ２５によって固定されており、ルツボプレート２３上にセル本体２１がＮｉロウ付け２４によって接着されている。
【００３６】
セルケーシング２６の底面、側壁及び上面それぞれには第１の加熱機構であるヒータ２７が配置されており、このヒータ２７によってセル本体２１を加熱することでルツボ２２に収容された蒸着材料３０を加熱することができる。ヒータ２７は例えば４５０℃まで加熱可能である。ヒータ２７は、誘導加熱ヒータ、モリブデンヒータ、タングステンヒータ、シーズヒータ、カンタルヒータ、ランプヒータ、カーボンヒータ及びタンタルヒータのいずれを用いてもよい。
【００３７】
蒸着材料３０は、加熱によって固体から気体へ昇華する粒状の固体材料からなる有機物材料であるとよい。なお、本明細書において粒状とは、パウダー状、ペレット状も含む意味である。また、ヒータ２７は、セルケーシング２６の外側に配置されていてもよいし、セルケーシング２６の内部に配置されていてもよいし、セルケーシング２６の内側に配置されていてもよい。
【００３８】
セルケーシング２６の上面にはスリット状の開口部１０が設けられており、この開口部１０はセル本体２１とフィルム１１との間に位置され、各々のルツボ２２内で昇華した材料３０ａがフィルム１１に蒸着される量を制御するものである。セルケーシング２６の上面上で且つ開口部１０の周囲にはノズルフランジ２９が設けられており、ノズルフランジ２９には独立したヒータ２７ａが設けられている。
【００３９】
ヒータ２７の制御は、セルケーシング２６の長手方向（フィルム１１の幅方向）に３分割した３ゾーン制御となっている。例えばフィルム１１の中央に位置する１つのゾーンを、フィルム１１の両幅側に位置する２つのゾーンに比べて低温に制御することで、フィルム１１に成膜される蒸着膜３０ｂの膜厚を一定にすることができる。また、セルケーシング２６の側壁、底面に位置するヒータ２７は個別に制御可能に構成されている。ヒータ２７の制御電源はＤＣ電源（直流電源）を採用し、制御性を向上させている。
【００４０】
開口部１０の直下には突沸防止板２８が設けられている。突沸防止板２８は蒸着材料３０が突沸した突沸物がフィルム１１に付着するのを防止するものであり、蒸着材料３０が突沸した突沸物は突沸防止板２８に付着し、その付着した突沸物はヒータ２７によって再度加熱されるようになっている。
【００４１】
セルケーシング２６の底面、側壁及び上面を覆うように水冷ケーシング３１が配置されている。水冷ケーシング３１には水冷パイプ３２が配置されており、水冷パイプ３２内には冷却水が流れるようになっている。この水冷ケーシング３１は、開口部を除くセルケーシング２６を覆うように配置され、開口部１０を除く蒸着源からフィルム１１へ放出される熱を冷却する機構である。これにより、フィルム１１への熱影響を抑えることができる。
【００４２】
セルケーシング２６の底面及び側壁それぞれと水冷ケーシング３１との間にはリフレクター３３が配置されており、リフレクター３３はセルケーシング２６を覆っている。リフレクター３３はセルケーシング２６から放出される熱を遮蔽する遮蔽板である。
【００４３】
本実施形態によれば、セル本体２１のルツボ２２をハニカム形状とすることにより、ルツボ２２の内面と蒸着材料３０との接触面積を増加させることができ、その結果、蒸着材料３０への熱伝導効率を高めることができる。このため、熱伝導率が低い蒸着材料３０であっても、蒸着材料３０の昇華面を大きくすることができる。これにより、従来のルツボ２２で昇華させる温度より低い温度で蒸着材料３０を昇華させても同等の成膜レートで且つ安定した成膜レートを得ることができる。
【００４４】
［第２の実施形態］
図４（Ａ）は、本発明の一態様に係る蒸着源を上面から見た全体図であり、図４（Ｂ）は、図４（Ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図４（Ｃ）は、図４（Ｂ）に示すＢ部の詳細を示す斜視図である。図４において図１〜図３と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００４５】
図４（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、蒸着源は、蒸着材料３０を収容するルツボ２２が３個以上一体的に形成されたセル本体２１を有している。３個以上のルツボ２２はハニカム形状を有する。各々のルツボ２２内には粒状の固体材料からなる蒸着材料３０が収容されており、この蒸着材料３０上には比重が蒸着材料３０の２倍以上の物体であるウエイトボール４３が配置されている。
【００４６】
ウエイトボール４３は、蒸着材料３０より高い融点または昇華点を持つ材料からなるとよい。ウエイトボール４３は球体からなるが、多面体であってもよいし、他の形状であってもよい。ウエイトボール４３の直径は２ｍｍ以上３０ｍｍ未満であるとよい。また、ウエイトボール４３は、一つのルツボ２２内に１個配置されているが、一つのルツボ２２内に２個以上２０個以下配置されてもよい。また、ウエイトボール４３は、蒸着材料３０と反応しない材質であればよく、例えばセラミックス（例えばＳｉＣ）または金属によって形成してもよい。
【００４７】
ウエイトボール４３は、ルツボ２２の内面と接触する蒸着材料３０だけが昇華されていくことで蒸着材料３０に発生する空洞を抑制するべく、蒸着材料３０に荷重を与えて上から下へ押さえつける錘の役割を果たす。これにより、ルツボ２２内の蒸着材料３０が残るのを抑制することができる。その結果、蒸着材料のコストを低減することができる。また、ルツボ２２内に蒸着材料３０を充填する際、蒸着材料３０上にウエイトボール４３を置くことにより、ルツボ２２の内面と蒸着材料３０との接触面を安定化させることができる。
【００４８】
また、ウエイトボール４３が５０Ｗ／ｍＫ以上の熱伝導性を有し、セル本体２１の上方に第２の加熱機構であるヒータ４１が配置されている。ヒータ４１は例えばランプヒータまたはプレートヒータである。ヒータ４１は、ウエイトボール４３を加熱することで蒸着材料３０を加熱するものである。また、ウエイトボール４３は黒色のものが好ましい。
【００４９】
セル本体２１はセルケーシング２６ａに収容されており、セルケーシング２６ａの底面にセル本体２１が配置されている。
【００５０】
セルケーシング２６ａの底面、側壁及び上面それぞれには第１の加熱機構であるヒータ２７が配置されている。ヒータ２７は、ヒータ４１によってウエイトボール４３を介して蒸着材料３０が昇華された材料がセルケーシング２６ａの内面に再蒸着するのを防止する機能を有する。
【００５１】
セルケーシング２６ａの上面にはスリット状の開口部１０が設けられている。セルケーシング２６ａの上面上で且つ開口部１０の周囲にはノズルフランジ２９が設けられている。
【００５２】
開口部１０の直下には突沸防止板兼ヒータ４２が設けられており、この突沸防止板兼ヒータ４２はウエイトボール４３を加熱する機能を有する。
【００５３】
セルケーシング２６ａの底面、側壁及び上面を覆うように水冷ケーシング３１が配置されている。水冷ケーシング３１には冷却水路３２ａが設けられており、冷却水路３２ａ内には冷却水が流れるようになっている。
【００５４】
本実施形態においても第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。
【００５５】
また、本実施形態によれば、ヒータ４１によりウエイトボール４３を加熱することで蒸着材料３０を加熱するため、蒸着材料３０への熱伝導効率を高めることができる。このため、熱伝導率が低い蒸着材料３０であっても、蒸着材料３０の昇華面を大きくすることができる。これにより、従来のルツボ２２で昇華させる温度より低い温度で蒸着材料３０を昇華させても同等の成膜レートで且つ安定した成膜レートを得ることができる。
【００５６】
［第３の実施形態］
図５（Ａ）は、本発明の一態様に係る蒸着源を上面から見た全体図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）に示すＡ−Ａ線に沿った断面図であり、図５（Ｃ）は、図５（Ｂ）に示すＢ部の詳細を示す斜視図である。図５において図１〜図３と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００５７】
図５（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、蒸着源は、溶融金属５２を収容するルツボ２２が３個以上一体的に形成されたセル本体２１を有している。３個以上のルツボ２２はハニカム形状を有しており、各々のルツボ２２内には溶融金属５２が収容される。
【００５８】
セル本体２１はセルケーシング２６ｂに収容されており、セルケーシング２６ｂの底面にセル本体２１が配置されている。
【００５９】
セルケーシング２６ｂの底面、側壁及び上面それぞれには第１の加熱機構であるモリブデンヒータ５１が配置されており、このモリブデンヒータ５１によってセル本体２１を加熱することでルツボ２２に収容された溶融金属５２を加熱することができる。モリブデンヒータ５１は例えば１５００℃まで加熱可能である。溶融金属５１は、加熱によって液体から気体へ蒸発する材料である。
【００６０】
セルケーシング２６ｂの上面にはスリット状の開口部１０が設けられている。
【００６１】
セルケーシング２６ｂの底面、側壁及び上面それぞれを覆うようにリフレクター３３が配置されており、リフレクター３３はセルケーシング２６ｂから放出される熱を遮蔽する遮蔽板である。リフレクター３３は開口部を有し、その開口部はセルケーシング２６ｂの開口部１０と重なる位置に形成されている。
【００６２】
本実施形態によれば、セル本体２１のルツボ２２をハニカム形状とすることにより、ルツボ２２の内面と溶融金属５２との接触面積を増加させることができ、その結果、溶融金属５２に熱を導入する制御性を高めることができる。これにより、蒸着膜の膜質を安定させることができる。
【００６３】
なお、本実施形態では、モリブデンヒータ５１を用いているが、モリブデンヒータ５１に代えて誘導加熱ヒータまたはタングステンヒータを用いてもよい。
【符号の説明】
【００６４】
１０…開口部
１１…フィルム
２１…セル本体
２２…ルツボ
２３…ルツボプレート
２４…Ｎｉロウ付け
２５…固定用ネジ
２６，２６ａ，２６ｂ…セルケーシング
２７…ヒータ
２８…突沸防止板
２９…ノズルフランジ
３０…蒸着材料
３０ａ…昇華した材料
３０ｂ…蒸着膜
３１…水冷ケーシング
３２…水冷パイプ
３２ａ…冷却水路
３３…リフレクター
４１…ヒータ
４２…突沸防止板兼ヒータ
４３…ウエイトボール
５１…モリブデンヒータ
５２…溶融金属
【図１】
2014114491.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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