(57)【要約】【課題】画素毎に電荷保持部を有する撮像素子において、電荷保持部への光の漏れ込みを低減させる。【解決手段】複数の画素が２次元に配置された有効画素領域を備える固体撮像素子であって、複数の画素のそれぞれが、光電変換により電荷を発生する光電変換部と、光電変換部で発生する電荷を保持する電荷保持部と、電荷保持部からの電荷を電圧に変換するフローティングディフュージョン部と、光電変換部の電荷を電荷保持部に転送する第１の転送部と、電荷保持部の電荷をフローティングディフュージョン部に転送する第２の転送部とを備え、複数の画素のそれぞれにおいて、電荷保持部が、有効画素領域の中心に対して、光電変換部よりも内側に配置されている。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素が２次元に配置された有効画素領域を備える固体撮像素子であって、
前記複数の画素のそれぞれが、
光電変換により電荷を発生する光電変換部と、
前記光電変換部で発生する電荷を保持する電荷保持部と、
前記電荷保持部からの電荷を電圧に変換するフローティングディフュージョン部と、
前記光電変換部の電荷を前記電荷保持部に転送する第１の転送手段と、
前記電荷保持部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する第２の転送手段とを備え、
前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記電荷保持部が、前記有効画素領域の中心に対して、前記光電変換部よりも内側に配置されていることを特徴とする固体撮像素子。
【請求項２】
前記有効画素領域の面と垂直でかつ前記有効画素領域の中心を通る第１の平面に関して、前記有効画素領域における前記第１の平面に対する一方側の領域と他方側の領域とで、それぞれの画素における前記光電変換部に対する前記電荷保持部の配置される位置が異なっていることを特徴とする請求項１に記載の固体撮像素子。
【請求項３】
前記電荷保持部は前記有効画素領域の面においてコの字型の形状を有しており、前記コの字型の形状の向きが、前記有効画素領域における前記第１の平面に対する一方側の領域と他方側の領域とで異なっていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項４】
前記有効画素領域の面と垂直でかつ前記有効画素領域の中心を通り前記第１の平面と直交する第２の平面に関して、前記有効画素領域における前記第２の平面に対する一方側の領域と他方側の領域とで、それぞれの画素における前記光電変換部に対する前記電荷保持部の配置される位置が異なっていることを特徴とする請求項２に記載の固体撮像素子。
【請求項５】
前記電荷保持部は前記有効画素領域の面においてＬ字型の形状を有しており、前記Ｌ字型の形状の向きが、前記有効画素領域における前記第１の平面および前記第２の平面で区切られる４つの領域においてそれぞれ異なっていることを特徴とする請求項４に記載の固体撮像素子。
【請求項６】
前記固体撮像素子は、前記有効画素領域の中心が、前記有効画素領域に被写体像を結像させるための撮影レンズの光軸上にあることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の固体撮像素子。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の固体撮像素子と、
前記固体撮像素子の前記有効画素領域の中心に対して互いに対称な前記有効画素領域の中の複数の領域の間での特性の違いを補正する補正手段と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、固体撮像素子及び撮像装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
デジタルスチルカメラやデジタルビデオカメラなどの撮像装置には、ＣＭＯＳ型固体撮像素子が広く用いられている。近年、ＣＭＯＳ型固体撮像素子において、各画素の蓄積時刻が一定となるようにする（同時刻露光する）グローバルシャッタ機能を実現する構成が提案されている。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載された構成では、各画素の光電変換部で発生した信号電荷を保持するための電荷保持部を画素毎に設けている。この構成において、全画素同時に光電変換部で露光および蓄積を開始し、蓄積終了時には、光電変換部の信号電荷を電荷保持部へ全画素同時に転送する。そして、電荷保持部に保持された信号電荷に基づく画素信号を共通の出力線から順次読み出すことで全画素の蓄積期間が同時刻となる撮像信号を得ることができる。
【０００４】
また、特許文献２に記載された構成では、露光期間の１部において、光電変換部で発生した電荷の１部を電荷保持部へ転送できるようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−１１１５９０号公報
【特許文献２】特開２００６−２４６４５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、通常、電荷保持部は、遮光部材によって覆われ、外部光の入射を阻止する構造になっている。しかし、外部光の入射を完全に遮ることは困難であるため、遮光部材から漏れた光が電荷保持部へ入射する場合がある。この場合、電荷保持部の内部で漏れ込み光による電荷の発生が起きる。この電荷は、蓄積期間に光電変換部で発生した信号電荷とは異なるノイズ電荷である。そして、このノイズ電荷は、漏れ込み光が電荷保持部に入射している時間や、光の強さによって異なるため、シェーディングや残像として出力画像に現れ、画質を劣化させる要因となる。
【０００７】
しかしながら、特許文献１、２に記載された構成では、電荷保持部への漏れ込み光を低減することは考慮されていなかった。
【０００８】
本発明は上述した課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、画素毎に電荷保持部を有する撮像素子において、電荷保持部への光の漏れ込みを低減させることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係わる固体撮像素子は、複数の画素が２次元に配置された有効画素領域を備える固体撮像素子であって、前記複数の画素のそれぞれが、光電変換により電荷を発生する光電変換部と、前記光電変換部で発生する電荷を保持する電荷保持部と、前記電荷保持部からの電荷を電圧に変換するフローティングディフュージョン部と、前記光電変換部の電荷を前記電荷保持部に転送する第１の転送手段と、前記電荷保持部の電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する第２の転送手段とを備え、前記複数の画素のそれぞれにおいて、前記電荷保持部が、前記有効画素領域の中心に対して、前記光電変換部よりも内側に配置されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、画素毎に電荷保持部を有する撮像素子において、電荷保持部への光の漏れ込みを低減させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１の実施形態に係る固体撮像素子の概略構成を示す回路図。
【図２】第１の実施形態に係る単位画素を示す回路図。
【図３】第１の実施形態に係る固体撮像素子を模式的に示す概略平面図。
【図４】第１の実施形態に係る２つの単位画素の概略平面図。
【図５】第１の実施形態に係る２つの単位画素の概略断面図。
【図６】比較例による固体撮像素子の２つの単位画素の概略断面図。
【図７】第１の実施形態の変形例に係る固体撮像素子の２つの単位画素の概略平面図。
【図８】第２の実施形態に係る固体撮像素子を模式的に示す概略平面図。
【図９】第２の実施形態に係る４つの単位画素の概略平面図。
【図１０】本発明の第３の実施形態による撮像装置の全体構成を示すブロック図。
【図１１】補正部で行うＬ領域とＲ領域のオフセットおよびゲインずれの補正処理を説明する図。
【図１２】オフセット補正値及びゲイン補正値を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態に係わる固体撮像素子１００の概略構成を示す回路図である。図１に示すように、固体撮像素子１００は、ＣＭＯＳ型の固体撮像素子であり、複数の単位画素１０１が行列状（２次元状）に配置されている画素領域１０２と、周辺回路とを有している。画素領域１０２は図１に示すようにＬ領域およびＲ領域に分けられる。Ｌ領域とＲ領域とでは、各画素の回路動作は同一であるが、画素内に配置される回路素子の位置が異なっている。この詳細については後述する。
【００１４】
周辺回路は、垂直シフトレジスタ１０３と、読み出し回路１０４と、水平シフトレジスタ１０５と、出力アンプ１０６と、駆動信号線１０７と、垂直信号線１０８等からなる。垂直シフトレジスタ１０３からは、各行の画素毎に駆動信号線１０７を通して、駆動パルスが送出される。なお、駆動信号線１０７は、簡略化のため、各行毎に１本ずつ図示してあるが、実際には各行毎に複数の駆動信号線が接続される。また、同じ列の画素は同一の垂直信号線１０８に接続される。そして、垂直シフトレジスタによって選択された行の画素信号は、垂直信号線１０８を通して読み出し回路１０４に出力され、水平シフトレジスタ１０５によって選択された画素信号から順次、出力アンプ１０６を通して出力される。
【００１５】
なお、図１において、Ｌ領域の各画素は、列毎に右側に配置された垂直信号線に接続され、Ｒ領域の各画素は、列毎に左側に配置された垂直信号線に接続される構成になっているが、必ずしもこのような構成である必要はない。例えば、Ｌ領域、Ｒ領域ともに、列毎に右または左の同じ側に配置された垂直信号線に接続される構成でもよい。
【００１６】
図２は、図１に示す固体撮像素子１００の単位画素１０１を示す回路図である。なお、Ｌ領域とＲ領域とでは、単位画素の回路図上の動作は同一であり、画素内に配置される回路素子の位置が異なっている。
【００１７】
図２に示すように、単位画素１０１は、フォトダイオード２０１、電荷保持部２０２、フローティングディフュージョン部２０３、増幅部２０４、第１の転送スイッチ２０５、第２の転送スイッチ２０６、第１のリセットスイッチ２０７、第２のリセットスイッチ２０９、選択スイッチ２０８を含んで構成される。
【００１８】
フォトダイオード２０１は、画素１０１へ入射した光を受光し、その受光量に応じた信号電荷を発生する光電変換部として機能する。電荷保持部２０２は、フォトダイオード２０１で発生した電荷を蓄積する。フローティングディフュージョン部２０３は、電荷保持部２０２から転送された電荷を一時的に保持するとともに、保持した電荷を電圧信号に変換する電荷電圧変換部として機能する。増幅部２０４は、ソースフォロワＭＯＳトランジスタであり、フローティングディフュージョン部２０３に保持した電荷に基づく電圧信号を増幅して、画素信号として出力する。
【００１９】
第１の転送スイッチ２０５は、転送パルス信号φＴＸ１によって駆動され、フォトダイオード２０１で発生した信号電荷を電荷保持部２０２に転送する。第２の転送スイッチ２０６は、転送パルス信号φＴＸ２によって駆動され、電荷保持部２０２に保持された信号電荷をフローティングディフュージョン部２０３に転送する。
【００２０】
リセットスイッチ２０７は、リセットパルス信号φＲＥＳ１によって駆動され、フローティングディフュージョン部２０３の電位を基準電位ＶＤＤにリセットする。その際に、第１の転送スイッチ２０５をリセットスイッチ２０７と同時にＯＮすることにより、電荷保持部２０２もリセットすることができる。また、リセットスイッチ２０９は、リセットパルス信号φＲＥＳ２によって駆動され、フォトダイオード２０１の電位を基準電位ＶＤＤにリセットする。その際に、第２の転送スイッチ２０６をリセットスイッチ２０９と同時にＯＮすることにより、電荷保持部２０２もリセットすることができる。
【００２１】
選択スイッチ２０８は、垂直選択パルス信号φＳＥＬによって駆動され、増幅部２０４で増幅された画素信号を垂直信号線１０８に出力する。
【００２２】
以上のような回路構成を有する固体撮像素子１００の回路上の動作については、公知であるので、その説明は省略する。
【００２３】
図３は、図１に示す固体撮像素子１００を模式的に示す概略平面図である。なお、説明の便宜上、図３に示すように、互いに直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸を定義する。Ｘ軸方向が画素配列の行方向、Ｙ軸方向が画素配列の列方向である。
【００２４】
図３において、有効画素領域３１に被写体像を結像させる不図示の撮影レンズの光軸が、有効画素領域の中心Ｏ（光軸上）を通るように配置される。平面ＯＹ（第１の平面）は、有効画素領域の中心Ｏを通り、ＹＺ平面と平行な平面である。
【００２５】
本実施形態では、有効画素領域の中心Ｏを通る平面ＯＹに関して左側の画素領域Ｌでは、各画素の電荷保持部はフォトダイオードの右側に配置され、右側の画素領域Ｒでは、各画素の電荷保持部はフォトダイオードの左側に配置される。すなわち、平面ＯＹに関して、各画素の電荷保持部は、フォトダイオードの内側に配置される。
【００２６】
図４は、図３に示すＸ１−Ｘ２線に沿った２つの単位画素の概略平面図である。特に、図３に示すＡ点（平面ＯＹの一方側）及びＢ点（平面ＯＹの他方側）にそれぞれ位置する２個の単位画素１０１を図示している。図４では、単位画素１０１内の、フォトダイオード２０１、電荷保持部２０２、フローティングディフュージョン部２０３、転送スイッチ２０５，２０６、リセットスイッ２０９の配置を示している。図４の領域４１には、増幅部２０４、リセットスイッチ２０７、選択トランジスタ２０８等が配置されている。図４に示すように、Ｌ領域内にあるＡ点の単位画素の電荷保持部２０２は、同画素内のフォトダイオード２０１の右側に配置され、Ｒ領域内にあるＢ点の単位画素の電荷保持部２０２は、同画素内のフォトダイオード２０１の左側に配置されている。
【００２７】
図５は、図３に示すＸ１−Ｘ２線に沿った２つの単位画素の概略断面図である。特に、図３に示すＡ点及びＢ点にそれぞれ位置する２つの単位画素を図示している。各単位画素のフォトダイオード２０１、電荷保持部２０２、転送スイッチ２０５，２０６、リセットスイッチ２０９の配置を示しており、その他の部分は省略している。電荷保持部２０２の上部には遮光部材５１が設けられている。
【００２８】
フォトダイオード、電荷保持部等が配置されている基板上には、複数の配線層が層間絶縁膜を介して配置されており、それらの配線によって、各画素を囲むように開口が形成されているが、ここでは省略している。また、配線層の上部にはカラーフィルタやマイクロレンズ等が配置されるが、これらについても省略している。
【００２９】
図５は、各画素に対する入射光の様子も示している。各画素への入射光は、有効画素領域の中心付近の画素では、フォトダイオード２０１のほぼ中央に向かってまっすぐ入射する。一方、有効画素領域の端寄りに位置する画素では、有効画素領域の中心に対してフォトダイオードの外側となる方向に斜めに光が入射する。これらの斜め入射光は、被写体像を結像させる撮像レンズを開放側で使用するほど、より顕著になる。
【００３０】
図５に示すように、有効画素領域の左端付近に位置するＡ点の画素のフォトダイオード２０１には、右側から斜めに光が入射し、有効画素領域の右端付近に位置するＢ点の画素のフォトダイオード２０１には、左側から斜めに光が入射する。
【００３１】
本実施形態では、右側から斜めに光が入射するＡ点の画素の電荷保持部２０２は、同画素内のフォトダイオード２０１の右側に配置される。そのため、右側からの斜め入射光が遮光部材の隙間から電荷保持部へ漏れ込むことを低減できる。また、左側から斜めに光が入射するＢ点の画素の電荷保持部２０２は、同画素内のフォトダイオード２０１の左側に配置される。そのため、左側からの斜め入射光が遮光部材の隙間から電荷保持部へ漏れ込むことを低減できる。
【００３２】
図６は、本実施形態の固体撮像素子１００と比較するための比較例による固体撮像素子の概略断面図であり、図５に対応している。比較例による固体撮像素子では、図６に示すように、Ｌ領域のＡ点の単位画素とＲ領域のＢ点の単位画素のどちらも電荷保持部はフォトダイオードの左側に配置されている。この場合、Ｂ点の画素の電荷保持部は、有効画素領域の中心に対してフォトダイオードよりも内側に配置されるが、Ａ点の画素の電荷保持部は、フォトダイオードよりも外側に配置されることになる。そのため、Ａ点の画素では、右側からの斜め入射光が、遮光部材５１の隙間から入射し、遮光部材５１の内面等で反射して電荷保持部へ漏れ込んでしまう。その結果、漏れ込み光によるノイズ電荷が電荷保持部で発生し、撮影画像の画質を劣化させてしまう。
【００３３】
これに対し、本実施形態による固体撮像素子では、Ｌ領域、Ｒ領域ともに有効画素領域の中心に対して、各画素の電荷保持部がフォトダイオードよりも内側に配置されるため、有効画素領域の全域において斜め入射光が電荷保持部へ漏れ込むことを低減できる。
【００３４】
なお、実際には、隣接画素への入射光から電荷保持部への漏れ込みもわずかにある。例えば、図５のＡ点の画素の右側に隣接する画素（図示せず）に入射した光がＡ点の電荷保持部２０２へ漏れ込む場合がある。しかし、画素と画素の間は、複数の配線層で遮光されており、さらに、着目画素の電荷保持部から隣接画素の開口までの距離は、同じ画素内の電荷保持部から開口までの距離に比べて離れている。そのため、隣接画素からの漏れ込み光は、同じ画素内の開口からの漏れ込み光に比べて十分に小さい。そのため、本実施形態のように、同じ画素内の開口からの電荷保持部への漏れ込み光を抑える構成にすることで、漏れ込み光によるノイズ電荷の発生を効果的に低減できる。
【００３５】
図７は、本実施形態による固体撮像素子１００の変形例に係る固体撮像素子の２つの単位画素の概略平面図である。図７は、図４に対応している。図７において、図３中の要素と同一、または対応する要素には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００３６】
図７に示すように、図３のＬ領域内にあるＡ点の単位画素内の電荷保持部２０２は、左側が空いたコの字型になっており、電荷保持部２０２はフォトダイオード２０１の右側に配置される。Ｒ領域内にあるＢ点の単位画素内の電荷保持部２０２は、右側が空いたコの字型になっており、電荷保持部２０２はフォトダイオード２０１の左側に配置される。すなわち、電荷保持部は、中心を通る平面ＯＹに対して、フォトダイオードよりも内側に配置されることになる。したがって、斜め入射光が電荷保持部へ漏れ込むことを低減できる。
【００３７】
また、図７に示すように、電荷保持部の形状をコの字型にすることで、単位画素１０１の中央付近にフォトダイオードを配置できる。したがって、Ｌ領域とＲ領域との境界に位置する画素においても、フォトダイオード同士が等間隔に並ぶように配置することが可能である。
【００３８】
なお、本実施形態による固体撮像素子では、図３に示すように中心Ｏを通る平面ＯＹに関して左側の画素領域と右側の画素領域とで、それぞれの電荷保持部がフォトダイオードよりも内側に配置される構成であったが、Ｘ軸方向とＹ軸方向を入れ替えた構成であってもよい。すなわち、図３において中心Ｏを通り、ＺＸ平面と平行な平面によって区切られる上側の画素領域と下側の画素領域とで、それぞれの電荷保持部がフォトダイオードよりも内側に配置される構成としてもよい。
【００３９】
（第２の実施形態）
図８は、本発明の第２の実施形態に係わる固体撮像素子１００を模式的に示す概略平面図である。図８は、第１の実施形態の図３に対応している。図３中の要素と同一、または対応する要素には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。図８において、平面ＯＸ（第２の平面）は中心Ｏを通り、ＺＸ平面と平行な平面である。平面ＯＹおよびＯＸで区切られた４つの画素領域のうち、左上の画素領域をＵＬ、右上の画素領域をＵＲ、左下の画素領域をＤＬ、右下の画素領域をＤＲと定義する。
【００４０】
図９は、図８の画素領域ＵＬ、ＵＲ、ＤＬ、ＤＲの各点Ｃ、Ｄ、Ｅ、Ｆにおける単位画素の概略平面図であり、図４および図７に対応する。図４および図７の要素と同一、または対応する要素には同一の符号を付し、その重複する説明は省略する。
【００４１】
本実施形態における固体撮像素子では、各画素の電荷保持部２０２がＬ字型の形状を有している。そして、ＵＬ領域のＣ点の電荷保持部２０２は、フォトダイオード２０１の右下に配置され、ＵＲ領域のＤ点の電荷保持部２０２は、フォトダイオード２０１の左下に配置される。また、ＤＬ領域のＥ点の電荷保持部２０２は、フォトダイオード２０１の右上に配置され、ＤＲ領域のＦ点の電荷保持部２０２は、フォトダイオード２０１の左上に配置される。
【００４２】
第１の実施形態では、平面ＯＹに対して電荷保持部が内側に配置される構成であったのに対し、第２の実施形態では、平面ＯＹに加えて平面ＯＸに対しても電荷保持部が内側に配置される構成となる。したがって、Ｘ軸方向からの斜め入射光だけでなく、Ｙ軸方向からの斜め入射光に対しても、電荷保持部への入射光の漏れ込みを低減することができる。
【００４３】
なお、第１の実施形態および第２の実施形態において、中心Ｏは厳密に有効画素領域の中心位置である必要はなく、撮影レンズの光軸が通る位置であればよい。
【００４４】
（第３の実施形態）
次に、第１及び第２の実施形態の固体撮像素子を撮像装置（具体的にはデジタルカメラ）に適用した第３の実施形態について説明する。
【００４５】
第１の実施形態の図４で示した固体撮像素子の構造では、転送スイッチ２０５，２０６の向きが有効画素領域の中心に対して対称なＬ領域とＲ領域とで逆になっている。また、第１の実施形態の変形例として図７に示した構造では、転送スイッチ２０６の向きがＬ領域とＲ領域とで、逆になっている。このような場合、固体撮像素子の製造過程において、周知の技術である斜めイオン注入方法によりフォトダイオード、または電荷保持部の電荷蓄積層をそれぞれの転送ゲート下まで形成する際に、斜めイオン注入する方向がＬ領域とＲ領域とで異なる。そのため、斜めイオン注入処理を画素領域毎に分けて行う必要がある。その場合、斜めイオン注入処理のばらつきにより、Ｌ領域とＲ領域とで転送スイッチの特性に差が生じる可能性がある。
【００４６】
また、図４に示した固体撮像素子の構造では、フローティングディフュージョン部２０３の配置される位置もＬ領域とＲ領域とで異なっている。そのため、Ｌ領域とＲ領域とで、フローティングディフュージョン部と周囲の配線の容量結合にわずかに差がでる可能性がある。
【００４７】
これらＬ領域とＲ領域の特性の差によって、Ｌ領域とＲ領域とでオフセットやゲインがずれて段差が見えてしまう懸念がある。そのため、本実施形態では、Ｌ領域とＲ領域のオフセットやゲインのずれをデジタルカメラの信号処理により補正する構成について説明する。
【００４８】
図１０は、本発明の第３の実施形態による撮像装置の全体構成を示すブロック図である。撮影レンズ１０１０は、被写体の光学像を撮像素子１００に結像させる光学系であり、レンズ駆動回路１００９によってズーム制御、フォーカス制御、絞り制御などが行われる。撮像素子１００は、撮影レンズ１０１０で結像された被写体像を画像信号として取り込むためのものであり、第１の実施形態の図１〜図５に示した構成を有している。信号処理回路１００３は、撮像素子１００から出力される画像信号に各種の補正を行ったり、データを圧縮したりする。この信号処理回路１００３は、撮像素子１００で取得した画像信号に対してＬ領域とＲ領域のオフセットやゲインのずれを補正する補正部１１００を備える。タイミング発生回路１００２は、撮像素子１００に駆動タイミング信号を出力する。全体制御・演算回路１００４は、各種演算を行うとともに、撮像装置全体を制御する。メモリ回路１００５は、画像データを一時的に記憶し、表示回路１００６は、各種情報や撮影画像を表示する。記録回路１００７は、画像データの記録または読み出しを行うための半導体メモリ等の着脱可能な記録回路である。操作回路１００８は、デジタルカメラの操作部材への操作を電気的に受け付けるものである。
【００４９】
図１１は、信号処理回路１００３内の補正部１１００で行うＬ領域とＲ領域のオフセットおよびゲインずれの補正処理を説明する図である。
【００５０】
ステップＳ１１０１では、補正部１１００に入力された画像に対してオフセット補正を行う。ここで、各画素信号に対して行うオフセット補正値としては、図１２（ａ）に示す値を用いる。図１２（ａ）は、図３に示す画素領域に対応するオフセット補正値を示している。すなわち、Ｌ領域の画素の出力信号は補正値ａ１、Ｒ領域の画素の出力信号は補正値ａ２を用いてオフセット補正される。
【００５１】
次に、ステップＳ１１０２では、オフセット補正後の画像に対してゲイン補正を行う。ここで、各画素信号に対して行うゲイン補正値は図１２（ｂ）に示す値を用いる。すなわち、Ｌ領域の画素は補正値ｂ１、Ｒ領域の画素は補正値ｂ２を用いてゲイン補正される。
【００５２】
以上の補正処理により、Ｌ領域とＲ領域のオフセットやゲインのずれを補正することができる。
【００５３】
図１２に示した補正値の算出方法については、例えば、デジタルカメラの工場調整時等に遮光画像および均一輝度面画像を撮影し、Ｌ領域およびＲ領域の境界付近で出力が揃うようにオフセット補正値およびゲイン補正値を決定すればよい。
【００５４】
なお、本実施形態では、信号処理回路１００３で補正部１１００の補正処理を行ったが、全体制御・演算回路１００４で補正部１１００の補正処理を行ってもよい。また、補正部１１００の補正処理は、読み出し回路１０４の列毎のオフセットずれやゲインずれを補正する処理と同時に行う構成でもよい。
【００５５】
また、Ｌ領域およびＲ領域のオフセット補正値およびゲイン補正値はＩＳＯ感度や露光時間、温度などの撮影条件に応じて変更する構成であってもよい。
【００５６】
さらに、本実施形態では、第１の実施形態に示した画素領域をＬ領域およびＲ領域に分割した撮像素子の段差を補正する構成について説明した。しかし、第２の実施形態の図８に示すように画素領域をＵＬ、ＵＲ、ＤＬ、ＤＲの４分割した構成に適用する場合は、補正値を領域ＵＬ、ＵＲ、ＤＬ、ＤＲ毎に持つ構成とすればよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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