(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることができる液晶装置の製造方法を提供する。【解決手段】素子基板１０の一方の面に第１無機配向膜２８を形成する工程と、対向基板２０の一方の面における、少なくとも表示領域及び周辺領域の表示領域に隣接する領域に、第１無機配向膜２８よりも液晶１５ａに対する接触角が大きくなるような第２無機配向膜３２を形成する工程と、素子基板１０の一方の面に環状のシール材１４を形成する工程と、シール材１４の内側に液晶１５ａを供給する工程と、素子基板１０の一方の面と対向基板２０の一方の面が対向するように、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる工程と、を有する。【選択図】図９
2014157303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶と、
を有し、
前記シール材の内側には、
複数の画素を含む表示領域と、
前記表示領域を取り囲む周辺領域と、
を含む液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板の一方の面に第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程と、
前記第２基板の一方の面における、少なくとも前記表示領域及び前記周辺領域の前記表示領域に隣接する領域に、前記第１配向膜よりも前記液晶に対する接触角が大きくなるような第２配向膜を形成する第２配向膜形成工程と、
前記第１基板の一方の面に環状の前記シール材を形成するシール材形成工程と、
前記シール材の内側に前記液晶を供給する供給工程と、
前記第１基板の一方の面と前記第２基板の一方の面が対向するように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶と、
を有し、
前記シール材の内側には、
複数の画素を含む表示領域と、
前記表示領域を取り囲む周辺領域と、
を含む液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板の一方の面に第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程と、
前記第２基板の一方の面に第２配向膜を形成する第２配向膜形成工程と、
前記第２配向膜における少なくとも前記表示領域及び前記周辺領域の前記表示領域に隣接する領域に、前記第１配向膜よりも前記液晶に対する接触角が大きくなる撥液処理を施す撥液処理工程と、
前記第１基板の一方の面に環状の前記シール材を形成するシール材形成工程と、
前記シール材の内側に前記液晶を供給する供給工程と、
前記第１基板の一方の面と前記第２基板の一方の面が対向するように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項３】
第１基板と、
前記第１基板に対向配置された第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、
前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶と、
を有し、
前記シール材の内側には、
複数の画素を含む表示領域と、
前記表示領域を取り囲む周辺領域と、
を含む液晶装置の製造方法であって、
前記第１基板の一方の面に第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程と、
前記第２基板の一方の面に第２配向膜を形成する第２配向膜形成工程と、
前記第１配向膜に撥液処理を施す第１撥液処理工程と、
前記第２配向膜に撥液処理を施す第２撥液処理工程と、
前記第１配向膜に紫外線を照射する紫外線照射工程と、
前記第１基板の一方の面に環状の前記シール材を形成するシール材形成工程と、
前記シール材の内側に前記液晶を供給する供給工程と、
前記第１基板の一方の面と前記第２基板の一方の面が対向するように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、
を有することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第２配向膜形成工程は、前記第２基板の全面に前記第２配向膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項５】
請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記撥液処理工程は、前記第２基板の全面に撥液処理を施すことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記第２配向膜形成工程は、前記第２基板における、前記表示領域から少なくとも前記周辺領域の前記表示領域に隣接する１つ目の画素までの領域に、前記第２配向膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
請求項２に記載の液晶装置の製造方法であって、
前記撥液処理工程は、前記第２基板における、前記表示領域から少なくとも前記周辺領域の前記表示領域に隣接する１つ目の画素までの領域に、撥液処理を施すことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置の一つとして、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
液晶装置の製造方法としては、例えば、特許文献１に記載のように、液晶滴下法（ＯＤＦ：One Drop Fill）が用いられる。まず、一対の基板のうち一方の基板にシール材を塗布する。次に、シール材で囲まれた中に液晶を滴下する。その後、一方の基板と他方の基板を貼り合わせ、シール材に紫外線を照射することにより、シール材を硬化させて液晶を封止する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−１３４２５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、一方の基板に他方の基板を貼り合わせる際、他方の基板と接触した液晶の広がりが早く、シール材と他方の基板とが貼り合わさる前に、液晶がシール材を乗り越えて外部に出てしまうという課題がある。また、外部に溢れなくても、シール材と他方の基板との界面に液晶が入り込むことにより、シール材と他方の基板との接着面積が少なくなるという課題がある。
【０００６】
また、上記特許文献１に記載のように、配向膜の一部に液晶を弾く撥液晶処理層を形成すると、液晶の拡散速度を減少させることができるものの、表示領域の中心と外側とにおいて、表示特性にばらつきが生じる恐れがあるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶と、を有し、前記シール材の内側には、複数の画素を含む表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含む液晶装置の製造方法であって、前記第１基板の一方の面に第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程と、前記第２基板の一方の面における、少なくとも前記表示領域及び前記周辺領域の前記表示領域に隣接する領域に、前記第１配向膜よりも前記液晶に対する接触角が大きくなるような第２配向膜を形成する第２配向膜形成工程と、前記第１基板の一方の面に環状の前記シール材を形成するシール材形成工程と、前記シール材の内側に前記液晶を供給する供給工程と、前記第１基板の一方の面と前記第２基板の一方の面が対向するように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第２基板における少なくとも表示領域及び周辺領域の表示領域に隣接する領域に、第１配向膜よりも液晶に対する接触角が大きくなるような第２配向膜を形成するので、第１基板と第２基板とを貼り合わせる際、第２基板と接触した液晶の、第２基板の一方の面において濡れ広がる速度を、第１基板と比較して遅くすることができる。よって、第１基板におけるシール材によって囲まれた中に供給された液晶が、第１基板上のシール材と第２基板とが密着する前に、シール材を乗り越えて外部に流れ出たり、シール材と第２基板との界面に入り込んだりすることを抑えることができる。また、少なくとも表示領域及び周辺領域の表示領域に隣接する領域に第２配向膜を形成するので、表示領域の中心と、表示領域における表示領域と周辺領域との境界部分とにおいて、表示特性にばらつきが生じることを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶と、を有し、前記シール材の内側には、複数の画素を含む表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含む液晶装置の製造方法であって、前記第１基板の一方の面に第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程と、前記第２基板の一方の面に第２配向膜を形成する第２配向膜形成工程と、前記第２配向膜における少なくとも前記表示領域及び前記周辺領域の前記表示領域に隣接する領域に、前記第１配向膜よりも前記液晶に対する接触角が大きくなる撥液処理を施す撥液処理工程と、前記第１基板の一方の面に環状の前記シール材を形成するシール材形成工程と、前記シール材の内側に前記液晶を供給する供給工程と、前記第１基板の一方の面と前記第２基板の一方の面が対向するように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、第１配向膜及び第２配向膜を形成した後、第２基板における少なくとも表示領域及び周辺領域の表示領域に隣接する領域に撥液処理を施すので、第１基板と第２基板とを貼り合わせる際、第２基板と接触した液晶の、第２基板の一方の面において濡れ広がる速度を、第１基板と比較して遅くすることができる。よって、第１基板におけるシール材によって囲まれた中に供給された液晶が、第１基板上のシール材と第２基板とが密着する前に、シール材を乗り越えて外部に流れ出たり、シール材と第２基板との界面に入り込んだりすることを抑えることができる。また、少なくとも表示領域及び周辺領域の表示領域に隣接する領域に撥液処理を施すので、表示領域の中心と、表示領域における表示領域と周辺領域との境界部分とにおいて、表示特性にばらつきが生じることを抑えることができる。
【００１２】
［適用例３］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１基板と、前記第１基板に対向配置された第２基板と、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせるシール材と、前記第１基板と前記第２基板とにより挟持された液晶と、を有し、前記シール材の内側には、複数の画素を含む表示領域と、前記表示領域を取り囲む周辺領域と、を含む液晶装置の製造方法であって、前記第１基板の一方の面に第１配向膜を形成する第１配向膜形成工程と、前記第２基板の一方の面に第２配向膜を形成する第２配向膜形成工程と、前記第１配向膜に撥液処理を施す第１撥液処理工程と、前記第２配向膜に撥液処理を施す第２撥液処理工程と、前記第１配向膜に紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記第１基板の一方の面に環状の前記シール材を形成するシール材形成工程と、前記シール材の内側に前記液晶を供給する供給工程と、前記第１基板の一方の面と前記第２基板の一方の面が対向するように、前記第１基板と前記第２基板とを貼り合わせる貼り合わせ工程と、を有することを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、第１配向膜及び第２配向膜に撥液処理を施した後、第１基板に紫外線を照射して撥液性を低下させるので、第１基板と第２基板とを貼り合わせる際、第２基板と接触した液晶の、第２基板の一方の面において濡れ広がる速度を、第１基板と比較して遅くすることができる。よって、第１基板におけるシール材によって囲まれた中に供給された液晶が、第１基板上のシール材と第２基板とが密着する前に、シール材を乗り越えて外部に流れ出たり、シール材と第２基板との界面に入り込んだりすることを抑えることができる。また、第１配向膜の全面に紫外線を照射するので、表示領域の中心と外側とにおいて、表示特性にばらつきが生じることを抑えることができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第２配向膜形成工程は、前記第２基板の全面に前記第２配向膜を形成することが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、第２基板の全面に第２配向膜を形成するので、一部分に第２配向膜を形成する場合と比較して、容易に製造することができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記撥液処理工程は、前記第２基板の全面に撥液処理を施すことが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、第２基板の全面に撥液処理を施すので、一部分に撥液処理を施す場合と比較して、容易に製造することができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記第２配向膜形成工程は、前記第２基板における、前記表示領域から少なくとも前記周辺領域の前記表示領域に隣接する１つ目の画素までの領域に、前記第２配向膜を形成することが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、第２基板の表示領域から少なくとも周辺領域の表示領域に隣接する１つ目の画素までの領域に第２配向膜を形成するので、表示領域より広い領域を第２配向膜にすることが可能となり、表示領域の中心と、表示領域における周辺領域との境界部分とにおいて、表示特性にばらつきが生じることを抑えることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、前記撥液処理工程は、前記第２基板における、前記表示領域から少なくとも前記周辺領域の前記表示領域に隣接する１つ目の画素までの領域に、撥液処理を施すことが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、第２基板の表示領域から少なくとも周辺領域の表示領域に隣接する１つ目の画素までの領域に撥液処理を施すので、表示領域より広い領域を撥液領域にすることが可能となり、表示領域の中心と、表示領域における周辺領域との境界部分とにおいて、表示特性にばらつきが生じることを抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】第１実施形態の液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】液晶装置のうち主に無機配向膜の構成を示す模式断面図。
【図６】液晶装置の各領域を示す模式平面図。
【図７】図６に示す液晶装置のＫ部における画素電極層を示す拡大平面図。
【図８】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図９】液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式図。
【図１０】液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１１】第２実施形態の液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図１２】液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式図。
【図１３】第３実施形態の液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図１４】液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２４】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２５】
本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２６】
（第１実施形態）
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２７】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００２８】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２９】
シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３０】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３１】
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
【００３２】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３３】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側の表面には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う第１配向膜としての第１無機配向膜２８とが形成されている。
【００３４】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、第１無機配向膜２８を含むものである。
【００３５】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された平坦化層３３と、平坦化層３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う第２配向膜としての第２無機配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも対向電極３１、第２無機配向膜３２を含むものである。
【００３６】
遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３７】
平坦化層３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような平坦化層３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３８】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３９】
画素電極２７を覆う第１無機配向膜２８および対向電極３１を覆う第２無機配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４０】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４１】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４２】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４３】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域に電気的に接続されている。
【００４４】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４５】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。
【００４６】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００４７】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。容量素子１６は、２つの容量電極の間に誘電体層を有するものである。
【００４８】
図４は、液晶装置の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００４９】
図４に示すように、液晶装置１００は、一対の基板のうち一方の基板である素子基板１０と、これに対向配置される他方の基板である対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａ、及び対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５０】
第１基材１０ａ上には、チタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）等からなる下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素の開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５１】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁膜１１ｇと、ゲート絶縁膜１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。上記したように、走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５２】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンが注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５３】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型の不純物イオンがドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型の不純物イオンがドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５４】
ゲート電極３０ｇ、下地絶縁層１１ａ、及び走査線３ａ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５５】
容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５６】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ５２、中継層５５、コンタクトホールＣＮＴ５３、ＣＮＴ５１を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを中継接続する機能を有する。
【００５７】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、第１層間絶縁層１１ｂ及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５４を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓに電気的に接続されている。
【００５８】
データ線６ａ上には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。画素電極２７は、第２層間絶縁層１１ｃ及び第３層間絶縁層１１ｄに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ５２、ＣＮＴ５３、中継層５５を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄに電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００５９】
画素電極２７及び第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第１無機配向膜２８が設けられている。第１無機配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００６０】
一方、第２基材２０ａ上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上（図４では下側）には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第２無機配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６１】
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で無機配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０をそれらの周辺で貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。
【００６２】
＜無機配向膜の構成＞
図５は、液晶装置のうち主に無機配向膜の構成を示す模式断面図である。図６は、液晶装置の各領域を示す模式平面図である。図７は、図６に示す液晶装置のＫ部における画素電極層を示す拡大平面図である。以下、主に無機配向膜の構成について、図５〜図７を参照しながら説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを第１基材１０ａと称して説明する。
【００６３】
図５に示すように、液晶装置１００の素子基板１０を構成する第１基材１０ａ上には、画素電極２７が設けられている（図５では簡略化して図示する）。画素電極２７が設けられた第１基材１０ａ上の全体には、上記したように、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した第１無機配向膜２８が設けられている。
【００６４】
第１無機配向膜２８は、柱状構造物２８ａ（カラム）を有している。柱状構造物２８ａは、第１基材１０ａ上の全体に亘って設けられている。複数の柱状構造物２８ａは、第１基材１０ａに対し傾斜して設けられており、傾斜角度によって液晶層１５の液晶分子にプレチルト角が付与されるようになっている。ここで、プレチルト角とは、第１基材１０ａの表面に直交する方向と液晶分子の長軸方向とのなす角度をいう。
【００６５】
一方、対向基板２０を構成する第２基材２０ａ上（第２基材２０ａの液晶層１５側の面）には、対向電極３１が設けられている。対向電極３１の表面には、素子基板１０側と同様に、柱状構造物３２ａを有する第２無機配向膜３２が設けられている。
【００６６】
図６は、対向基板２０（２０ａ）側から素子基板１０（１０ａ）側を見たときの構成を示す模式平面図である。図６に示すように、液晶装置１００は、中央の領域を含む領域が表示領域Ｅ（ａ）である。表示領域Ｅ（ａ）の周囲の領域が周辺領域ｂである。周辺領域ｂから第１基材１０ａ端面までの領域が非有効画素領域ｃである。
【００６７】
表示領域Ｅは、表示に寄与する画素電極２７がマトリックス状に配列されている領域である。周辺領域ｂは、表示領域Ｅを囲む領域であり、表示領域Ｅと周辺回路領域（データ線駆動回路２２や走査線駆動回路２４が設けられた領域）との間に位置する、表示に寄与しない領域である。非有効画素領域ｃは、周辺領域ｂから第１基材１０ａの縁端部までの領域（シール材１４領域を含む）である。
【００６８】
また、図７は、図６のＫ部を拡大した模式平面図である。具体的には、表示領域Ｅ、周辺領域ｂ、及び非有効画素領域ｃがＹ方向に沿って配列する領域を拡大した、画素電極２７層のパターニング形状を示す模式平面図である。
【００６９】
図６及び図７に示すように、表示領域Ｅは、画素電極２７がマトリックス状に配列されている。ダミー表示領域ｂは、表示領域Ｅの画素電極２７とほぼ同じサイズの導電膜２７ａが画素電極２７とほぼ同じピッチでほぼ同じパターン密度でマトリックス状に配列されている。非有効画素領域ｃは、画素電極２７と同じサイズの導電膜２７ｂをマトリックス配列させると共に、縦及び横で隣り合う導電膜２７ｂ同士を接続部４３によって相互に接続した導電パターンが設けられている。なお、導電パターンは、電気的にフローティング状態又は定電位（例えば、共通電極と同電位）が供給されている。
【００７０】
なお、周辺領域ｂは、いわゆる電子見切りの領域である。すなわち、周辺領域ｂの全ての画素は、表示領域Ｅの階調値によらず、常に反射率０％（すなわち、黒又は階調値ゼロ）である。表示領域の階調値は、反射率１００％（すなわち、白又は階調値２５５）である。表示領域Ｅの画素に印加される電圧は、例えば、５Ｖである。周辺領域ｂの画素に印加される電圧は、例えば、０Ｖである。
【００７１】
このような液晶装置１００を構成する対向基板２０において、少なくとも表示領域Ｅから周辺領域ｂの表示領域Ｅに隣接する１つ目の画素電極２７ａ（画素）までの領域に、第１無機配向膜２８よりも液晶に対する接触角が大きい第２無機配向膜３２が設けられている。このように設定することにより、表示領域Ｅの中心と、表示領域Ｅにおける周辺領域ｂとの境界部分とにおいて、表示特性にばらつきが生じることを抑えることができる。
【００７２】
＜液晶装置の製造方法＞
図８は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図９は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図８及び図９を参照しながら説明する。
【００７３】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを、第１基材１０ａと称して説明する。まず、ステップＳ１１では、ガラス基板などからなる第１基材１０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、画素電極２７等を形成する。
【００７４】
ステップＳ１２（第１配向膜形成工程）では、第１無機配向膜２８を形成する。具体的には、画素電極２７が設けられた第３層間絶縁層１１ｄ（第１基材１０ａ）上の全体に、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着することで、柱状構造物２８ａを有する第１無機配向膜２８を形成する。
【００７５】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、対向電極３１を形成する。
【００７６】
ステップＳ２２（第２配向膜形成工程）では、対向電極３１上に第２無機配向膜３２を形成する。第２無機配向膜３２の製造方法は、例えば、素子基板１０側の第１無機配向膜２８と同様に、斜方蒸着法を用いて形成する。
【００７７】
なお、第１無機配向膜２８と第２無機配向膜３２とは、異なる蒸着材料を用いることにより、第２無機配向膜３２の液晶に対する接触角が、第１無機配向膜２８と比べて大きくなっている。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００７８】
ステップＳ３１（シール材形成工程）では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、例えば、素子基板１０とディスペンサー（吐出装置でも可能）との相対的な位置関係を変化させて、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）、一筆書きで切れ目なくシール材１４を塗布する。
【００７９】
シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また、シール材１４には、例えば、素子基板１０と対向基板２０との間隔（ギャップ或いはセルギャップ）を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が含まれている。
【００８０】
ステップＳ３２（供給工程）では、シール材１４で囲まれた中に液晶を滴下（供給）する。具体的には、各シール材１４で囲まれた領域に液晶を滴下する（ＯＤＦ（One Drop Fill）方式）。滴下する方法としては、例えば、インクジェットヘッドなどを用いることができる。また、液晶は、シール材１４によって囲まれた領域（表示領域Ｅ）の中央部に滴下することが望ましい。
【００８１】
ステップＳ３３（貼り合わせ工程）では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。より具体的には、図９を参照しながら説明する。
【００８２】
まず、図９（ａ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０との位置を合わせる。次に、図９（ｂ）に示すように、素子基板１０上の液晶１５ａが、対向基板２０の第２無機配向膜３２と接触する。このとき、上記したように、第１無機配向膜２８と比較して、第２無機配向膜３２の液晶１５ａに対する接触角が大きくなっているので、第２無機配向膜３２と接触した液晶１５ａの、第２無機配向膜３２において濡れ広がる速度を、第１無機配向膜２８と比較して遅くすることができる。よって、素子基板１０上のシール材１４と対向基板２０とが密着する前に、液晶１５ａがシール材１４を乗り越えて外部に流れ出たり、シール材１４と対向基板２０との界面に入り込んだりすることを抑えることができる。
【００８３】
次に、図９（ｃ）に示すように、素子基板１０と対向基板２０とがシール材１４を介して貼り合わさる。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００８４】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図１０を参照して説明する。図１０は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００８５】
図１０に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８６】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８７】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８８】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００８９】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００９０】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９１】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００９２】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、焼き付き等が抑えられた液晶装置１００を用いているので、高い表示品質を実現することができる。
【００９３】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００９４】
以上詳述したように、第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【００９５】
（１）第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、対向基板２０における少なくとも表示領域Ｅから周辺領域ｂの表示領域Ｅに隣接する１つ目の画素電極２７ａまでの領域に、第１無機配向膜２８よりも液晶１５ａに対する接触角が大きくなるような第２無機配向膜３２を形成するので、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる際、対向基板２０と接触した液晶１５ａの、対向基板２０の一方の面において濡れ広がる速度を、素子基板１０と比較して遅くすることができる。よって、素子基板１０におけるシール材１４によって囲まれた中に供給された液晶１５ａが、素子基板１０上のシール材１４と対向基板２０とが密着する前に、シール材１４を乗り越えて外部に流れ出たり、シール材１４と対向基板２０との界面に入り込んだりすることを抑えることができる。
【００９６】
（２）第１実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、少なくとも表示領域Ｅから周辺領域ｂの表示領域Ｅに隣接する１つ目の画素電極２７ａまでの領域に第２無機配向膜３２を形成するので、表示領域Ｅの中心と、表示領域Ｅにおける表示領域Ｅと周辺領域ｂとの境界部分とにおいて、表示特性（配向の乱れなど）にばらつきが生じることを抑えることができる。また、対向基板２０の全面に第２無機配向膜３２を形成することにより、一部分に第２無機配向膜３２を形成する場合と比較して、容易に製造することができる。
【００９７】
（第２実施形態）
＜液晶装置の製造方法＞
図１１は、第２実施形態の液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図１２は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図１１及び図１２を参照しながら説明する。
【００９８】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを、第１基材１０ａと称して説明する。まず、ステップＳ１１では、第１実施形態と同様に、第１基材１０ａ上に画素電極２７等を形成する。
【００９９】
ステップＳ１２では、第１無機配向膜２８を形成する。具体的には、画素電極２７が設けられた第３層間絶縁層１１ｄ上の全体に、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着することで、柱状構造物２８ａを有する第１無機配向膜２８を形成する。
【０１００】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、対向電極３１を形成する。
【０１０１】
ステップＳ２２では、対向電極３１上に第２無機配向膜３２を形成する。第２無機配向膜３２の製造方法は、素子基板１０側の第１無機配向膜２８と同様に、斜方蒸着法を用いて形成する。
【０１０２】
ステップＳ２３（撥液処理工程）では、第２無機配向膜３２に撥液処理を施す。具体的には、図１２（ａ）に示すように、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition：以下ＣＶＤという。）を用いる。以下、図１２（ａ）を参照しながら、ＣＶＤ装置７０の構造及び撥液処理の方法を説明する。
【０１０３】
図１２（ａ）に示すように、まず、対向基板２０と液状のアルキル基を有するシランカップリング材４１ａ１の入った容器７２とを、ＣＶＤ装置７０の真空槽の如き密閉チャンバー７１に入れる。次に、ヒーター７３によって容器７２を加熱し、シランカップリング材４１ａ１を気化させる。これにより、図１２（ｂ）に示すように、第２無機配向膜３２の柱状構造物３２ａの表面に、アルキル基４１ａが付与される。
【０１０４】
つまり、第２無機配向膜３２表面のシラノール基とシランカップリング材４１ａ１の加水分解基とが反応し、シランカップリング材４１ａ１が付着することにより、図１２（ｂ）に示すように、第２無機配向膜３２表面にアルキル基４１ａが形成される。
【０１０５】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、第１実施形態と同様に、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）、一筆書きで切れ目なくシール材１４を塗布する。
【０１０６】
ステップＳ３２では、シール材１４で囲まれた中に液晶１５ａを滴下する。具体的には、第１実施形態と同様に、各シール材１４で囲まれた領域に液晶１５ａを滴下する（ＯＤＦ（One Drop Fill）方式）。
【０１０７】
ステップＳ３３では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、第１実施形態と同様に行う（図９参照）。このとき、上記したように、第１無機配向膜２８と比較して、第２無機配向膜３２の液晶１５ａに対する接触角が大きくなっているので、第２無機配向膜３２と接触した液晶１５ａの、第２無機配向膜３２において濡れ広がる速度を、第１無機配向膜２８と比較して遅くすることができる。よって、素子基板１０上のシール材１４と対向基板２０とが密着する前に、液晶１５ａがシール材１４を乗り越えて外部に流れ出たり、シール材１４と対向基板２０との界面に入り込んだりすることを抑えることができる。以上により、液晶装置１００が完成する。
【０１０８】
なお、対向基板２０の全面に撥液処理を施すことに限定されず、例えば、第２無機配向膜３２における、少なくとも表示領域Ｅ及び周辺領域ｂの表示領域Ｅに隣接する１つの画素電極２７ａまでの領域に撥液処理を施すようにしてもよい。これによれば、表示領域Ｅの中心と、表示領域Ｅにおける表示領域Ｅと周辺領域ｂとの境界部分とにおいて、表示特性にばらつきが生じることを抑えることができる。
【０１０９】
以上詳述したように、第２実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１１０】
（３）第２実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、第１無機配向膜２８及び第２無機配向膜３２を形成した後、対向基板２０における少なくとも表示領域Ｅ及び周辺領域ｂの表示領域Ｅに隣接する領域に撥液処理を施すので、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる際、対向基板２０と接触した液晶１５ａの、対向基板２０一方の面において濡れ広がる速度を、素子基板１０と比較して遅くすることができる。よって、素子基板１０におけるシール材１４によって囲まれた中に供給された液晶１５ａが、素子基板１０上のシール材１４と対向基板２０とが密着する前に、シール材１４を乗り越えて外部に流れ出たり、シール材１４と対向基板２０との界面に入り込んだりすることを抑えることができる。
【０１１１】
（４）第２実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、少なくとも表示領域Ｅ及び周辺領域ｂの表示領域Ｅに隣接する１つの画素電極２７ａまでの領域に撥液処理を施すので、表示領域Ｅの中心と、表示領域Ｅにおける表示領域Ｅと周辺領域ｂとの境界部分とにおいて、表示特性にばらつきが生じることを抑えることができる。また、対向基板２０の全面に撥液処理を施すことにより、一部分に撥液処理を施す場合と比較して、容易に製造することができる。
【０１１２】
（第３実施形態）
＜液晶装置の製造方法＞
図１３は、第３実施形態の液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図１４は、液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式図である。以下、液晶装置の製造方法を、図１３及び図１４を参照しながら説明する。
【０１１３】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。なお、第１基材１０ａから第３層間絶縁層１１ｄまでを、第１基材１０ａと称して説明する。まず、ステップＳ１１では、第１実施形態と同様に、第１基材１０ａ上に画素電極２７等を形成する。
【０１１４】
ステップＳ１２では、第１無機配向膜２８を形成する。具体的には、画素電極２７が設けられた第３層間絶縁層１１ｄ上の全体に、酸化シリコンなどの無機材料を斜方蒸着することで、柱状構造物２８ａを有する第１無機配向膜２８を形成する。
【０１１５】
ステップＳ１３（第１撥液処理工程）では、第１無機配向膜２８に撥液処理を施す。具体的には、第２実施形態（図１２参照）に示すように、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition：以下ＣＶＤという。）を用いる。これにより、第１無機配向膜２８の柱状構造物２８ａの表面に、アルキル基４１ａが付与される。
【０１１６】
ステップＳ１４（紫外線照射工程）では、素子基板１０に紫外線（Ultra Violet：ＵＶ）を照射して、アルキル基４１ａの一部を分解して除去する。以下、図１４を参照しながら、紫外線の照射方法を説明する。
【０１１７】
図１４（ｂ）に示すように、まず、第１無機配向膜２８に撥液処理が施された素子基板１０（図１４（ａ）参照）を、紫外線を照射する装置８０に入れる。その後、素子基板１０に紫外線（Vacuum Ultra Violet：ＵＶ）を照射する。
【０１１８】
これにより、撥液処理が施された第１無機配向膜２８のアルキル基４１ａの一部が分解されて除去される（図１４（ｃ）参照）。この方法は、真空紫外線の照射により有機官能基が直接励起されるとともにオゾン等の活性酸素が生成され、この活性酸素によって励起された部分が酸化されるためだと考えられている。
【０１１９】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、対向電極３１を形成する。
【０１２０】
ステップＳ２２では、対向電極３１上に第２無機配向膜３２を形成する。第２無機配向膜３２の製造方法は、素子基板１０側の第１無機配向膜２８と同様に、斜方蒸着法を用いて形成する。
【０１２１】
ステップＳ２３（第２撥液処理工程）では、第２無機配向膜３２に撥液処理を施す。具体的には、素子基板１０側と同様に、化学気相成長法（Chemical Vapor Deposition：以下ＣＶＤという。）を用いる。
【０１２２】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。具体的には、第１実施形態と同様に、素子基板１０における表示領域Ｅの周縁部に（表示領域Ｅを囲むように）、一筆書きで切れ目なくシール材１４を塗布する。
【０１２３】
ステップＳ３２では、シール材１４で囲まれた中に液晶１５ａを滴下する。具体的には、第１実施形態と同様に、各シール材１４で囲まれた領域に液晶１５ａを滴下する（ＯＤＦ（One Drop Fill）方式）。
【０１２４】
ステップＳ３３では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、第１実施形態と同様に行う（図９参照）。このとき、上記したように、第１無機配向膜２８と比較して、第２無機配向膜３２の液晶１５ａに対する接触角が大きくなっているので、第２無機配向膜３２と接触した液晶１５ａの、第２無機配向膜３２において濡れ広がる速度を、第１無機配向膜２８と比較して遅くすることができる。よって、素子基板１０上のシール材１４と対向基板２０とが密着する前に、液晶１５ａがシール材１４を乗り越えて外部に流れ出たり、シール材１４と対向基板２０との界面に入り込んだりすることを抑えることができる。以上により、液晶装置１００が完成する。
【０１２５】
以上詳述したように、第３実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１２６】
（５）第３実施形態の液晶装置１００の製造方法によれば、第１無機配向膜２８及び第２無機配向膜３２に撥液処理を施した後、素子基板１０に紫外線を照射して撥液性を低下させるので、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる際、対向基板２０と接触した液晶１５ａの、対向基板２０の一方の面において濡れ広がる速度を、素子基板１０と比較して遅くすることができる。よって、素子基板１０におけるシール材１４によって囲まれた中に供給された液晶１５ａが、素子基板１０上のシール材１４と対向基板２０とが密着する前に、シール材１４を乗り越えて外部に流れ出たり、シール材１４と対向基板２０との界面に入り込んだりすることを抑えることができる。また、第１無機配向膜２８の全面に紫外線を照射するので、表示領域Ｅの中心と外側とにおいて、表示特性にばらつきが生じることを抑えることができる。
【０１２７】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１２８】
（変形例１）
上記したように、無機配向膜からなる第１無機配向膜２８及び第２無機配向膜３２に本発明を適用することに限定されず、例えば、有機配向膜に本発明を適用するようにしてもよい。
【０１２９】
（変形例２）
上記したように、下側に素子基板１０、上側に対向基板２０を配置することに限定されず、例えば、下側に対向基板２０、上側に素子基板１０を配置するようにしてもよい。なお、この場合、対向基板２０にシール材１４を塗布し、シール材１４で囲まれた中に液晶１５ａを滴下する。
【０１３０】
（変形例３）
上記した第２実施形態のように、対向基板２０の全面に撥液処理を施すことに限定されず、例えば、マスクなどを用いて、表示領域Ｅの外側に撥液処理を施すようにしてもよい。これによれば、表示領域Ｅの外側（シール材１４の近傍）において配向膜の特性を異ならせるので、表示領域Ｅにおける表示特性に影響が出ることを抑えることができる。
【０１３１】
また、上記した第３実施形態のように、対向基板２０への撥液処理や、素子基板１０への紫外線の照射は、表示領域Ｅの外側の領域に行うことが好ましい。これによれば、表示領域Ｅの外側（シール材１４の近傍）において配向膜の特性を異ならせるので、表示領域Ｅにおける表示特性に影響が出ることを抑えることができる。
【０１３２】
（変形例４）
上記した第３実施形態のように、素子基板１０のみに紫外線の照射を行うことに限定されず、例えば、素子基板１０及び対向基板２０の両方に、程度の異なる紫外線を照射して濡れ性の差を設けるようにしてもよい。例えば、対向基板２０に行う紫外線の照射と比較して、素子基板１０に行う紫外線の照射を強くする（時間を長くする）。これにより、素子基板１０側の第１無機配向膜２８と比較して、対向基板２０側の第２無機配向膜３２の液晶１５ａに対する接触角を大きくすることができる。
【０１３３】
（変形例５）
上記したように、透過型の液晶装置１００であることに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１３４】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜、６ａ…データ線、１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁膜、１４…シール材、１５…液晶層、１５ａ…液晶、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…第２基板としての対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７，２７ａ…画素電極、２７ｂ…導電パターン、２８…第１無機配向膜、３２…第２無機配向膜、２８ａ，３２ａ…柱状構造物、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…対向電極、３３…平坦化層、４１ａ…アルキル基、４３…接続部、ＣＮＴ５１，５２，５３，５４…コンタクトホール、５５…中継層、６１…外部接続用端子、７０…ＣＶＤ装置、７１…密閉チャンバー、７２…容器、７３…ヒーター、１００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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