(57)【要約】【課題】粗研磨工程後のスクラッチ及び仕上げ研磨工程後のスクラッチ及び突起欠陥を低減できる磁気ディスク基板の製造方法の提供。【解決手段】（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａで被研磨基板の研磨対象面を研磨する工程、（２）工程１で得られた基板をリンス処理する工程、（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いて工程２で得られた基板の研磨対象面を研磨する工程、（４）工程３で得られた基板を洗浄する工程、及び、（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いて工程４で得られた基板を研磨する工程を有し、前記工程１〜３を同一の研磨機で行い、前記工程５を前記研磨機とは別の研磨機で行い、前記研磨液組成物Ａがさらに（ｉ）有機ホスホン酸キレート性化合物、（ｉｉ）分子量が３００〜３０００００の高分子陰イオン界面活性剤、及び／又は、（ｉｉｉ）有機リン酸エステルを含む、磁気ディスク基板の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記（１）〜（５）の工程を有し、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う、磁気ディスク基板の製造方法。
（１）アルミナ粒子及び水、並びに、（ｉ）有機ホスホン酸キレート性化合物、（ｉｉ）分子量が３００〜３０００００の高分子陰イオン界面活性剤、及び、（ｉｉｉ）下記一般式（Ｉ）で表される有機リン酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも一種を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
【化１】
2014029752.tif 000010
［前記式Ｉにおいて、Ｒ1は炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は、炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を表し、ｍは１〜２０の整数を表し、Ｘは−ＯＭ又は下記一般式（ＩＩ）を表し、Ｍは水素、無機アルカリイオン又は有機アルカリイオンを表す。］
【化２】
2014029752.tif 000011
［前記式ＩＩにおいて、Ｒ2は炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は、炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を表し、ｎは１〜２０の整数を表す。］
【請求項２】
前記（ｉ）の有機ホスホン酸キレート性化合物が、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、ホスホノブタントリカルボン酸、ホスホノヒドロキシ酢酸、ヒドロキシエチルジメチレンホスホン酸、アミノトリスメチレンホスホン酸、ヒドロキシエタンジホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸からなる群から選ばれる少なくとも一種である、請求項１記載の磁気ディスクの製造方法。
【請求項３】
前記（ｉｉ）の高分子陰イオン界面活性剤が、ポリアクリル酸及びその塩である、請求項１又は２記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項４】
前記（ｉｉｉ）の有機リン酸エステルのＲ2が炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、ｍが１〜１０の整数、Ｘが−ＯＭ、Ｍが水素又はナトリウムである、請求項１から３のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項５】
前記研磨液組成物Ａにおける前記（ｉ）の有機ホスホン酸キレート性化合物、前記（ｉｉ）の高分子陰イオン界面活性剤、及び、前記（ｉｉｉ）の有機リン酸エステルの総含有量が、０．００１質量％を超え３．００質量％以下である、請求項１から４のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項６】
前記被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である、請求項１から５のいずれかに記載の磁気ディスク基板の製造方法。
【請求項７】
下記（１）〜（５）の工程を有し、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う、磁気ディスク基板の研磨方法。
（１）アルミナ粒子及び水、並びに、（ｉ）有機ホスホン酸キレート性化合物、（ｉｉ）分子量が３００〜３０００００の高分子陰イオン界面活性剤、及び、（ｉｉｉ）下記一般式（Ｉ）で表される有機リン酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも一種を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
【化３】
2014029752.tif 000012
［前記式Ｉにおいて、Ｒ1は炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は、炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を表し、ｍは１〜２０の整数を表し、Ｘは−ＯＭ又は下記一般式（ＩＩ）を表し、Ｍは水素、無機アルカリイオン又は有機アルカリイオンを表す。］
【化４】
2014029752.tif 000013
［前記式ＩＩにおいて、Ｒ2は炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は、炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を表し、ｎは１〜２０の整数を表す。］
【請求項８】
前記被研磨基板が、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板である、請求項７記載の磁気ディスク基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁気ディスク基板の製造方法及び磁気ディスク基板の研磨方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスクドライブは小型化・大容量化が進み、高記録密度化が求められている。高記録密度化するためには、単位記録面積を縮小し、弱くなった磁気信号の検出感度を向上させる必要があり、そのため、磁気ヘッドの浮上高さをより低くするための技術開発が進められている。磁気ディスク基板は、磁気ヘッドの低浮上化と記録面積の確保に対応するため、平滑性及び平坦性の向上（表面粗さ、うねり、端面ダレの低減）や表面欠陥低減（残留砥粒、スクラッチ、突起、ピット等の低減）が厳しく要求されている。
【０００３】
このような要求に対して、より平滑で、傷が少ないといった表面品質向上と生産性の向上を両立させる観点から、ハードディスク基板の製造方法においては、２段階以上の研磨工程を有する多段研磨方式が採用されることが多い（例えば、特許文献１〜４）。一般に、多段研磨方式の最終研磨工程、即ち、仕上げ研磨工程では、表面粗さの低減、スクラッチ、突起、ピット等の傷の低減という要求を満たすために、コロイダルシリカ粒子を含む仕上げ用研磨液組成物が使用され、仕上げ研磨工程より前の研磨工程（粗研磨工程ともいう）では、研磨速度向上及び生産性向上の観点から、アルミナ粒子を含む研磨液組成物が使用される。
【０００４】
アルミナ粒子を砥粒として使用した場合、アルミナ粒子の基板への突き刺さりに起因するテキスチャースクラッチによって、メディアの欠陥を引き起こすことがある。このような問題を解決するために、平均二次粒子径が０．１〜０．７μｍの酸化アルミニウム粒子（アルミナ粒子）及び酸を含有する研磨液組成物を用いて、所定の研磨荷重で基板を研磨する粗研磨工程、並びにコロイダル粒子を含有する研磨液組成物を用いて、粗研磨工程で得られた基板を所定の研磨量で研磨する仕上げ研磨工程を有してなる磁気ディスク基板の製造方法が提案されている（例えば、特許文献５）。
【０００５】
一方、有機ホスホン酸キレート性化合物、高分子陰イオン界面活性剤、有機リン酸エステルは、磁気ディスク基板の製造工程における粗研磨用の研磨液組成物に添加され、基板表面へのアルミナ粒子の固着抑制に効果があることが開示されている（例えば、特許文献６）。
【０００６】
また、特許文献７には、研磨材や削りかすの軽減を目的に同一の研磨機に２種の研磨剤を順次用いる研磨方法が開示されている。また、特許文献８には、アルミナ粒子の残留量を減らす目的で、粗研磨工程において、アルミナとコロイダルシリカの混在比を調整する研磨方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６２−２０８８６９号公報
【特許文献２】特開２０００−３３９６７１号公報
【特許文献３】特開２００３−１６８６６１号公報
【特許文献４】特開２００６−９５６７７号公報
【特許文献５】特開２００１−１５５３３２号公報
【特許文献６】特開２０１２−７３４号公報
【特許文献７】特開２０１２−２５８７３号公報
【特許文献８】特開２０１２−４３４９３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
磁気ディスクドライブの大容量化に伴い、基板の表面品質に対する要求特性はさらに厳しくなっており、磁気ディスク基板の製造工程において、基板上のスクラッチやアルミナ粒子の基板への残留(例えば、アルミナ突き刺さりや突起欠陥)をさらに低減することが求められている。
【０００９】
そこで、本発明は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ及び仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減することができる磁気ディスク基板の製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、一態様において、下記（１）〜（５）の工程を有する磁気ディスク基板の製造方法（以下「本発明の基板製造方法」とも言う。）に関する。本発明の基板製造方法において、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行う。また、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（１）」とも言う）、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程（以下「工程（２）」とも言う）、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（３）」とも言う）、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程（以下「工程（４）」とも言う）、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（以下「工程（５）」とも言う）。
本発明の基板製造方法において、工程（１）における研磨液組成物Ａは、さらに、（ｉ）有機ホスホン酸キレート性化合物、（ｉｉ）分子量が３００〜３０００００の高分子陰イオン界面活性剤、及び、（ｉｉｉ）下記一般式（Ｉ）で表される有機リン酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも一種を含有する。
【化１】
2014029752.tif 000002
［前記式Ｉにおいて、Ｒ1は炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は、炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を表し、ｍは１〜２０の整数を表し、Ｘは−ＯＭ又は下記一般式（ＩＩ）を表し、Ｍは水素、無機アルカリイオン又は有機アルカリイオンを表す。］
【化２】
2014029752.tif 000003
［前記式ＩＩにおいて、Ｒ2は炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は、炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を表し、ｎは１〜２０の整数を表す。］
【００１１】
本発明は、その他の態様において、下記（１）〜（５）の工程を有する磁気ディスク基板の研磨方法（以下「本発明の研磨方法」とも言う。）に関する。本発明の研磨方法において、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行う。下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う。下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う。
（１）アルミナ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、
（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、
（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、
（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
本発明の研磨方法において、工程（１）における研磨液組成物Ａは、さらに、（ｉ）有機ホスホン酸キレート性化合物、（ｉｉ）分子量が３００〜３０００００の高分子陰イオン界面活性剤、及び、（ｉｉｉ）前記一般式（Ｉ）で表される有機リン酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも一種を含有する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、粗研磨工程（工程（１）〜工程（３））後の基板上のスクラッチ及び仕上げ研磨工程（工程（５））後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥が低減され基板品質が向上した基板を生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本発明は、粗研磨工程と仕上げ研磨工程とを含む磁気ディスク基板の製造方法において、前記粗研磨工程を、同一の研磨機において、アルミナ粒子、水、及び所定の添加剤を含有する研磨液組成物Ａを用いる第１の粗研磨と、第１の粗研磨後のリンス処理と、前記リンス処理後のシリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを用いる第２の粗研磨とをこの順で含む構成によれば、粗研磨後の基板上のスクラッチを低減できるという知見に基づく。また、本発明は、前記粗研磨後の基板を洗浄した後に、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを用いる仕上げ研磨をすることにより、仕上げ研磨後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減できるという知見に基づく。
【００１４】
本明細書において「アルミナ突き刺さり」とは、アルミナ粒子を研磨材として使用した研磨後の前記アルミナ粒子の基板への突き刺さりをいう。また、本明細書において「突起欠陥」とは、基板上に残留するアルミナなどの研磨粒子や、研磨中に発生する研磨屑をいう。また、本明細書において「スクラッチ」とは、研磨後の基板上に発生する線状の傷のことをいう。アルミナ突き刺さり数及び／又は突起欠陥数及び／又はスクラッチは、例えば、研磨後に得られる基板表面の顕微鏡観察、走査型電子顕微鏡観察、表面欠陥検査装置により評価することができる。
【００１５】
本発明の基板製造方法を用いることにより粗研磨工程後のスクラッチが少なく、仕上げ研磨工程後のスクラッチ及び突起欠陥を効果的に低減できる理由は、必ずしも明らかではないが、以下のように推定している。一般に突起欠陥は、アルミナの突き刺さりや残留アルミナが原因となり、スクラッチは基板表面に吸着したアルミナやシリカ等の砥粒に機械力が加わることにより基板表面上に傷が発生すると考えられる。アルミナと所定の添加剤を用いる粗研磨工程（１）において、所定の添加剤はアルミナ表面或いは基板表面を保護し、両者の相互作用が弱くなりアルミナの突き刺さりや吸着の頻度が低減する。更に、シリカ粒子を含有する研磨液組成物を用いた第２の粗研磨工程（３）において、研磨切削時の摩擦力が上昇する。このとき、基板に突き刺さったアルミナ粒子の効率的な引き抜きが起こる一方で、研磨パッドの凹部等に浮遊する残留アルミナが、シリカ粒子使用による摩擦力の上昇により新たなアルミナの突き刺さりを起こすと考えられる。しかし、本発明の基板製造方法では、工程（２）の中間リンスにより工程（３）へのアルミナ粒子の持ち込み量を低減しておくことによって、工程(３)開始時より工程(３)での機械力によってアルミナ突き刺さりの頻度がより低減されると推定される。さらに、粗研磨した基板の洗浄（工程（４））後に工程（５）を行うことで、仕上げ研磨工程へのアルミナ粒子の持ち込み量が少なくなり、突起欠陥が低減されると推定される。但し、本発明はこれらのメカニズムに限定されない。
【００１６】
以下に、本発明の基板製造方法を説明する。一般に、磁気ディスクは、精研削工程を経たガラス基板やＮｉ−Ｐメッキ工程を経たアルミニウム合金基板を、粗研磨工程及び仕上げ研磨工程にて研磨した後、記録部形成工程にて磁気ディスク化することにより製造される。
【００１７】
［被研磨基板］
本発明の基板製造方法における被研磨基板は磁気ディスク基板又は磁気ディスク基板に用いられる基板であり、例えば、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板や、珪酸ガラス、アルミノ珪酸ガラス、結晶化ガラス、強化ガラス等のガラス基板が挙げられる。中でも、本発明で使用される被研磨基板としては、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板が好ましい。
【００１８】
上記被研磨基板の形状には特に制限はなく、例えば、ディスク状、プレート状、スラブ状、プリズム状等の平面部を有する形状や、レンズ等の曲面部を有する形状であればよい。中でも、ディスク状の被研磨基板が適している。ディスク状の被研磨基板の場合、その外径は例えば２〜９５ｍｍ程度であり、その厚みは例えば０．５〜２ｍｍ程度である。
【００１９】
［工程（１）：第１の粗研磨］
本発明の基板製造方法は、アルミナ粒子、後述する所定の添加剤及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（工程（１））を有する。工程（１）で使用される研磨機としては、特に限定されず、磁気ディスク基板研磨用の公知の研磨機が使用できる。
【００２０】
［工程（２）：中間リンス］
粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、本発明の基板製造方法は、前記工程（１）の後に、同一の研磨機において、前記工程（１）で得られた基板をリンス処理する中間リンス処理工程（工程（２））を有する。リンス処理に用いるリンス液としては、特に制限されないが、製造コストの点からは蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等の水が使用され得る。また、工程（２）は、生産性の観点から、前記工程（１）で使用した研磨機から被研磨基板を取り出すことなく、同じ研磨機内で行うことが好ましい。工程（２）は、具体的には、リンス液を被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面をリンス処理することを含みうる。なお、工程（１）と（３）との間には後述する洗浄工程（４）のような洗浄工程は有さないことが好ましい。本発明の中間リンス処理工程（２）により残留アルミナを速く排出することができ第２の粗研磨工程（３）の効果をより顕著に発現することが可能となる。なお、本明細書において「リンス処理」とは、基板表面に残留した砥粒、研磨屑を排出することを目的とした処理をいい、基板表面を平坦化するために、基板表面を溶解しながら砥粒で削る（化学機械研磨）研磨処理とは異なる処理をいう。
【００２１】
［工程（３）：第２の粗研磨］
本発明の基板製造方法は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを中間リンス処理工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（工程（３））を有する。
【００２２】
生産性向上の観点、並びに、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、工程（１）〜（３）は、同一の研磨機で行う。また、次の洗浄工程（４）の洗浄効率を向上する観点からも、工程（３）の研磨終了後にリンス処理を行うのが好ましい。
【００２３】
［工程（４）：洗浄］
本発明の基板製造方法は、工程（３）で得られた基板を洗浄する工程（工程（４））を有する。工程（４）の洗浄は、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、前記粗研磨工程（工程（１）〜（３））が施された基板を、洗浄剤組成物を用いて洗浄することが好ましい。工程（４）における洗浄方法としては、例えば、（ａ）工程（３）で得られた基板を後述する洗浄剤組成物に浸漬する方法、及び／又は、（ｂ）洗浄剤組成物を射出して前記基板の表面上に洗浄剤組成物を供給する方法が挙げられる。
【００２４】
前記方法（ａ）において、基板の洗浄剤組成物への浸漬条件としては、特に制限はないが、例えば、洗浄剤組成物の温度は、安全性及び操業性の観点から２０〜１００℃であると好ましく、２０〜６０℃であるとより好ましく、浸漬時間は、洗浄剤組成物による洗浄性と生産効率の観点から１０秒〜３０分間であると好ましく、２〜２０分間であるとより好ましい。また、残留物の除去性及び残留物の分散性を高める観点から、洗浄剤組成物には超音波振動が付与されていると好ましい。超音波の周波数としては、好ましくは２０〜２０００ｋＨｚ、より好ましくは３０〜１８００ｋＨｚ、さらに好ましくは４０〜１５００ｋＨｚである。
【００２５】
前記方法（ｂ）では、残留物の洗浄性や油分の溶解性を促進させる観点から、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出して、基板の表面に洗浄剤組成物を接触させて当該表面を洗浄するか、又は、洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に射出により供給し、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。さらには、超音波振動が与えられている洗浄剤組成物を射出により洗浄対象の表面に供給し、かつ、洗浄剤組成物が供給された当該表面を洗浄用ブラシでこすることにより洗浄することが好ましい。
【００２６】
洗浄剤組成物を被洗浄基板の表面上に供給する手段としては、スプレーノズル等の公知の手段を用いることができる。また、洗浄用ブラシとしては、特に制限はなく、例えばナイロンブラシやＰＶＡ（ポリビニルアルコール）スポンジブラシ等の公知のものを使用することができる。超音波の周波数としては、前記方法（ａ）で好ましく採用される値と同様であればよい。
【００２７】
工程（４）では、前記方法（ａ）及び／又は前記方法（ｂ）に加えて、揺動洗浄、スピンナー等の回転を利用した洗浄、パドル洗浄等の公知の洗浄を用いる工程を１つ以上含んでもよい。
【００２８】
［工程（５）：仕上げ研磨］
本発明の基板製造方法は、シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程（工程（５））を有する。
【００２９】
工程（５）で使用される研磨機は、仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを防止する観点から、工程（１）〜（３）で用いた研磨機とは別個の研磨機である。工程（５）で使用される研磨液組成物Ｃの供給速度、研磨液組成物Ｃを研磨機へ供給する方法は、後述する研磨液組成物Ａの場合と同様とすることができる。
【００３０】
本発明の基板製造方法は、前述の、第１の粗研磨工程（１）、中間リンス処理工程（２）、第２の粗研磨工程（３）、洗浄工程（４）、及び、仕上げ研磨工程（５）を含むことにより、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥が低減した基板を製造することができる。
【００３１】
［工程（１）〜（３）の研磨パッド］
工程（１）〜（３）の粗研磨工程で使用される研磨パッドとしては、特に制限はなく、スエードタイプ、不織布タイプ、ポリウレタン独立発泡タイプ、又はこれらを積層した二層タイプ等の研磨パッドを使用することができるが、研磨速度向上の観点から、スエードタイプの研磨パッドが好ましい。スエードタイプの研磨パッドは、ベース層とベース層に垂直な紡錘状気孔を有する発泡層から構成される。ベース層の材質としては、綿等の天然繊維や合成繊維からなる不織布、スチレンブタジエンゴム等のゴム状物質を充填して得られるベース層等があげられるが、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、ポリエステルフィルムが好ましく、高硬度な樹脂フィルムが得られるポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムがより好ましい。また、発泡層の材質としては、ポリウレタン、ポリスチレン、ポリエステル、ポリ塩化ビニルや、天然ゴム、合成ゴム等があげられるが、圧縮率等の物性のコントロール性や、研磨時の耐摩耗性向上の観点から、ポリウレタンが好ましく、ポリウレタンエラストマーがより好ましい。
【００３２】
また、工程（１）〜（３）で使用される研磨パッドの平均気孔径は、研磨速度向上の観点から、１０μｍ以上が好ましく、より好ましくは２０μｍ以上、さらに好ましくは３０μｍ以上、さらにより好ましくは３５μｍ以上であり、また、同様の観点から、１００μｍ以下が好ましく、より好ましくは８０μｍ以下、さらに好ましくは６０μｍ以下、さらにより好ましくは５５μｍ以下である。
【００３３】
［工程（１）における研磨荷重］
本明細書において、研磨荷重とは、研磨時に被研磨基板の研磨面に加えられる定盤の圧力を意味する。工程（１）における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上である。したがって、前記研磨荷重は、好ましくは３〜２５ｋＰａ、より好ましくは５〜２０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜１５ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１１ｋＰａである。前記研磨荷重の調整は、定盤や基板等への空気圧や重りの負荷によって行うことができる。
【００３４】
［工程（１）における研磨量］
工程（１）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ2）あたりの研磨量は、メッキ欠陥を低減する観点、基板表面のうねりを低減する観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、０．４ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．６ｍｇ以上、さらに好ましくは０．８ｍｇ以上である。一方、生産性向上の観点から、２．６ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは２．１ｍｇ以下、さらに好ましくは１．７ｍｇ以下である。したがって、前記研磨量は、好ましくは０．４〜２．６ｍｇ、より好ましくは０．６〜２．１ｍｇ、さらに好ましくは０．８〜１．７ｍｇである。
【００３５】
［工程（１）の研磨液組成物Ａの供給速度］
工程（１）における研磨液組成物Ａの供給速度は、経済性の観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以下が好ましく、０．２ｍＬ／分以下がより好ましく、０．１５ｍＬ／分以下がさらに好ましい。また、前記供給速度は、研磨速度の向上の観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．０１ｍＬ／分以上が好ましく、０．０２５ｍＬ／分以上がより好ましく、０．０５ｍＬ／分以上がさらに好ましい。したがって、前記供給速度は、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．０１〜０．２５ｍＬ／分が好ましく、０．０２５〜０．２ｍＬ／分がより好ましく、０．０５〜０．１５ｍＬ／分がさらに好ましい。
【００３６】
[工程（１）の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法]
研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法としては、例えばポンプ等を用いて連続的に供給を行う方法が挙げられる。研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する際は、全ての成分を含んだ１液で供給する方法の他、研磨液組成物Ａの保存安定性等を考慮して、複数の配合用成分液に分け、２液以上で供給することもできる。後者の場合、例えば供給配管中又は被研磨基板上で、上記複数の配合用成分液が混合され、研磨液組成物Ａとなる。
【００３７】
［工程（２）における研磨荷重］
工程（２）における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上である。したがって、前記研磨荷重は、好ましくは３〜２５ｋＰａ、より好ましくは５〜２０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜１５ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１１ｋＰａである。研磨荷重を上記範囲内に設定することでアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にスクラッチが低減されると考えられる。
【００３８】
［工程（２）におけるリンス液の供給速度］
工程（２）におけるリンス液の供給速度は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５〜４ｍＬ／分が好ましく、より好ましくは０．８〜２．５ｍＬ／分、さらに好ましくは１〜２ｍＬ／分である。また、工程（２）におけるリンス液の供給時間は、同様の観点から、５〜６０秒が好ましく、より好ましくは７〜３０秒、さらに好ましくは１０〜２０秒である。なお、工程（２）におけるリンス液を研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。
【００３９】
［工程（３）における研磨荷重］
工程（３）における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらにより好ましくは９ｋＰａ以上である。したがって、前記研磨荷重は、好ましくは３〜２５ｋＰａ、より好ましくは５〜２０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜１５ｋＰａ、さらにより好ましくは９〜１１ｋＰａである。研磨荷重を上記範囲内に設定することでアルミナ粒子の基板への押し込みが抑制され、効果的にスクラッチが低減されると考えられる。
【００４０】
［工程（３）における研磨量］
工程（３）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ2）あたりの研磨量は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、０．０００４ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．００４ｍｇ以上、さらに好ましくは０．０１ｍｇ以上である。一方、生産性向上の観点から、好ましくは０．８５ｍｇ以下、より好ましくは０．４３ｍｇ以下、さらに好ましくは０．２６ｍｇ以下である。したがって、前記研磨量は、好ましくは０．０００４〜０．８５ｍｇ、より好ましくは０．００４〜０．４３ｍｇ、さらに好ましくは０．０１〜０．２６ｍｇ、さらにより好ましくは０．０１〜０．１ｍｇである。
【００４１】
［工程（３）の研磨液組成物Ｂの供給速度］
工程（３）における研磨液組成物Ｂの供給速度は、前述の研磨液組成物Ａの供給速度と同様に行うことができる。
【００４２】
[工程（３）の研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法]
研磨液組成物Ｂを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、研磨液組成物Ａを供給する供給手段とは異なる供給手段から供給することが好ましい。
【００４３】
粗研磨工程後の基板上のスクラッチを低減する観点、並びに、仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを抑制し、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、工程（３）の終了時にも被研磨基板をリンス処理する工程を含むことが好ましい。リンス液としては、水、イオン交換水、蒸留水等が使用できる。
【００４４】
工程（３）に含まれるリンス処理工程における研磨荷重は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチを低減する観点、並びに、仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを抑制し、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、１５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは１０ｋＰａ以下、さらに好ましくは５ｋＰａ以下、また、同様の観点から、０．２ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは０．５ｋＰａ以上、さらに好ましくは１．０ｋＰａ以上である。
【００４５】
工程（３）に含まれるリンス処理工程におけるリンス液の供給速度は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチを低減する観点、並びに、仕上げ研磨工程へのアルミナの持ち込みを抑制し、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、被研磨基板１ｃｍ2あたり０．２５ｍＬ／分以上が好ましく、より好ましくは０．８０ｍＬ／分以上、さらに好ましくは１．０ｍＬ／分以上であり、また、４．０ｍＬ／分以下が好ましく、より好ましくは２．５ｍＬ／分以下、さらに好ましくは２．０ｍＬ／分以下である。また、リンス処理工程におけるリンス液の供給時間は、同様の観点から、５秒以上が好ましく、１０秒以上がより好ましく、また、３０秒以下が好ましく、２０秒以下がより好ましい。
【００４６】
［工程（５）の研磨パッド］
工程（５）で使用される研磨パッドは、工程（１）〜（３）で使用される研磨パッドと同種の研磨パッドが使用されうる。工程（５）で使用される研磨パッドの平均気孔径は、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥、スクラッチを低減する観点から、１μｍ以上が好ましく、より好ましくは２μｍ以上、さらに好ましくは３μｍ以上であり、また、同様の観点から、５０μｍ以下が好ましく、より好ましくは４０μｍ以下、さらに好ましくは３０μｍ以下、さらにより好ましくは１０μｍ以下である。
【００４７】
［工程（５）における研磨荷重］
工程（５）における研磨荷重は、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、２５ｋＰａ以下が好ましく、より好ましくは２０ｋＰａ以下、さらに好ましくは１５ｋＰａ以下、さらにより好ましくは１１ｋＰａ以下である。また、前記研磨荷重は、研磨速度の向上の観点から、３ｋＰａ以上が好ましく、より好ましくは５ｋＰａ以上、さらに好ましくは７ｋＰａ以上、さらに好ましくは９ｋＰａ以上である。したがって、前記研磨荷重は、３〜２５ｋＰａが好ましく、より好ましくは５〜２０ｋＰａ、さらに好ましくは７〜１５ｋＰａ、さらに好ましくは９〜１１ｋＰａである。
【００４８】
［工程（５）における研磨量］
工程（５）における、被研磨基板の単位面積（１ｃｍ2）あたりの研磨量は、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、０．０８５ｍｇ以上が好ましく、より好ましくは０．１０ｍｇ以上、さらに好ましくは０．１３ｍｇ以上、さらにより好ましくは０．１５ｍｇ以上である。また、生産性向上の観点からは、０．８５ｍｇ以下が好ましく、より好ましくは０．７０ｍｇ以下、さらに好ましくは０．５０ｍｇ以下、さらにより好ましくは０．４０ｍｇ以下である。したがって、前記研磨量は、０．０８５〜０．８５ｍｇが好ましく、より好ましくは０．１０〜０．７０ｍｇ、さらに好ましくは０．１３〜０．５０ｍｇ、さらに好ましくは０．１５〜０．４０ｍｇである。
【００４９】
［工程（５）の研磨液組成物Ｃの供給速度］
工程（５）における研磨液組成物Ｃの供給速度は、前述の研磨液組成物Ａの供給速度と同様に行うことができる。
【００５０】
[工程（５）の研磨液組成物Ｃを研磨機へ供給する方法]
研磨液組成物Ｃを研磨機へ供給する方法は、前述の研磨液組成物Ａを研磨機へ供給する方法と同様に行うことができる。
【００５１】
［工程（１）：研磨液組成物Ａ］
工程（１）で使用される研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上の観点から、アルミナ粒子を含有する。さらに、研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、（ｉ）有機ホスホン酸キレート性化合物、（ｉｉ）高分子陰イオン界面活性剤、及び（ｉｉｉ）有機リン酸エステルからなる群から選ばれる少なくとも一種の添加剤を含有する。
【００５２】
［研磨液組成物Ａ：（ｉ）有機ホスホン酸キレート性化合物］
研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、有機ホスホン酸キレート性化合物を含有することが好ましい。前記有機ホスホン酸キレート性化合物としては、同様の観点から、ジエチレントリアミンペンタメチレンホスホン酸、ホスホノブタントリカルボン酸、ホスホノヒドロキシ酢酸、ヒドロキシエチルジメチレンホスホン酸、アミノトリスメチレンホスホン酸、ヒドロキシエタンジホスホン酸、エチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、ヘキサメチレンジアミンテトラメチレンホスホン酸、又は、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸が好ましく、１−ヒドロキシエチリデン−１，１−ジホスホン酸及びアミノトリスメチレンホスホン酸がより好ましい。これらは、１種又は２種類以上の組み合わせで使用できる。
【００５３】
［研磨液組成物Ａ：（ｉｉ）高分子陰イオン界面活性剤］
研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、高分子陰イオン界面活性剤を有することが好ましい。高分子陰イオン界面活性剤の重量平均分子量は、３００〜３０００００が好ましく、１０００〜１５００００がより好ましく、３０００〜５００００がさらに好ましく、５０００〜２００００がさらにより好ましい。本明細書において、高分子陰イオン界面活性剤の重量平均分子量は、実施例に記載のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）によって測定されるものをいう。
【００５４】
前記高分子陰イオン界面活性剤としては、カルボン酸（塩）基を有する界面活性剤、スルホン酸（塩）基を有する界面活性剤、硫酸エステル（塩）基を有する界面活性剤、リン酸エステル（塩）基を有する界面活性剤、ホスホン酸（塩）基を有する界面活性剤等が挙げられる。本明細書において、例えば、「カルボン酸（塩）基」は「カルボン酸基およびカルボン酸塩基」を表す。これらの高分子陰イオン界面活性剤の中では、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、カルボン酸（塩）基を有する界面活性剤の使用が好ましく、より好ましくは、ポリアクリル酸及び／又はその塩である。
【００５５】
前記ポリアクリル酸及びその塩としては、ポリ（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリル酸−マレイン酸共重合体、（メタ）アクリル酸−イタコン酸共重合体、（メタ）アクリル酸フマル酸共重合体、（メタ）アクリル酸／酢酸ビニル共重合体、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート／（メタ）アクリル酸共重合体、安息香酸ホルムアルデヒド縮合物、安息香酸−フェノール−ホルムアルデヒド縮合物及びその塩等が挙げられ、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、ポリアクリル酸及びその塩が好ましい。これらは、１種又は２種類以上の組み合わせで使用できる。なお、「（メタ）アクリル酸」は「アクリル酸およびメタアクリル酸」を表す。「（メタ）アクリレート」も同様である。また、それぞれ塩とした場合の対イオンとしては、ナトリウム、カリウムなどのアルカリ金属塩、アンモニウム塩、モノエタノールアミンなどの一級アミン塩、ジエタノールアミンなどの二級アミン塩、トリエタノールアミンなどの三級アミン塩、テトラメチルアンモニウムなどの四級アンモニウム塩等が挙げられる。
【００５６】
［研磨液組成物Ａ：（ｉｉｉ）有機リン酸エステル］
研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、下記一般式（Ｉ）で表される有機リン酸エステルを含有することが好ましく、より好ましくは下記一般式（Ｉ）で表される有機リン酸エステルである。
【化３】
2014029752.tif 000004
［前記式Ｉにおいて、Ｒ1は炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は、炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を表し、ｍは１〜２０の整数を表し、Ｘは−ＯＭ又は下記一般式（ＩＩ）を表し、Ｍは水素、無機アルカリイオン又は有機アルカリイオンを表す。］
【化４】
2014029752.tif 000005
［前記式ＩＩにおいて、Ｒ2は炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基、フェニル基、又は、炭素数３〜２０の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基で置換されたフェニル基を表し、ｎは１〜２０の整数を表す。］
【００５７】
前記有機リン酸エステルは、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、Ｒ2は炭素数１０〜１８の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基が好ましく、炭素数１０〜１６の直鎖若しくは分岐鎖のアルキル基がより好ましく、また、同様の観点から、ｍは１〜１０の整数が好ましく、１〜６の整数が好ましく、また、同様の観点から、Ｘは−ＯＭが好ましく、Ｍは水素又はナトリウムが好ましく、ナトリウムがより好ましい。
【００５８】
ポリオキシエチレンアルキルエーテルリン酸の重量平均分子量は、研磨速度の向上の観点、粗研磨工程後の基板上のアルミナ突き刺さりの低減の観点、並びに仕上げ研磨工程後の基板上の突起及び凹み欠陥を低減する観点から、２００以上が好ましく、より好ましくは２５０以上、さらに好ましくは３００以上であり、また、同様の観点から、１００００以下が好ましく、より好ましくは８０００以下、さらに好ましくは５０００以下、さらにより好ましくは１０００以下である。なお、該重量平均分子量は、実施例に記載の条件により求めることができる。
【００５９】
前記研磨液組成物Ａにおける前記（ｉ）の有機ホスホン酸キレート性化合物、前記（ｉｉ）の高分子陰イオン界面活性剤、及び、前記（ｉｉｉ）の有機リン酸エステルは、いずれか１種が含まれてもよく、２種又は全てが含まれてもよい。前記研磨液組成物Ａにおけるこれらの総含有量は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、０．００１質量％を超えることが好ましく、より好ましくは０．００５質量％以上であり、さらに好ましくは０．００８質量％以上であり、よりさらに好ましくは０．０１０質量％以上である。また、研磨速度向上の観点から、３．０質量％以下が好ましく、より好ましくは２．０質量％以下であり、さらに好ましくは１．０質量％以下であり、よりさらに好ましくは０．５質量％以下である。
【００６０】
［研磨液組成物Ａ：アルミナ粒子］
前記アルミナ粒子としては、αアルミナ、中間アルミナ、アモルファスアルミナ、ヒュームドアルミナ等が挙げられるが、研磨速度向上の観点からは、αアルミナが好ましく、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点、表面粗さ及び基板表面のうねり低減の観点からは、中間アルミナが好ましい。
【００６１】
アルミナ粒子の平均二次粒子径は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点、表面粗さ及び基板表面のうねり低減の観点並びに研磨速度の向上の観点から、０．１０μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．１５μｍ以上、さらに好ましくは０．２０μｍ以上、さらにより好ましくは０．２５μｍ以上であり、また、同様の観点から、０．８０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．７０μｍ以下、さらに好ましくは０．６８μｍ以下、さらにより好ましくは０．６５μｍ以下である。該平均二次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００６２】
研磨液組成物Ａにおけるアルミナ粒子の含有量は、研磨速度向上の観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点、基板表面のうねり低減の観点から、０．０１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０.１質量％以上、さらにより好ましくは１質量％以上、さらにより好ましくは２質量％以上であり、また、同様の観点から、３０質量％以下が好ましく、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下、さらにより好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは５質量％以下である。また、研磨液組成物Ａに含まれる研磨材全体に占めるアルミナ粒子の含有量は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、５質量％以上が好ましく、３０質量％以上がより好ましく、５０質量％以上がさらに好ましく、７０質量％以上がさらに好ましい。
【００６３】
〔αアルミナ〕
本明細書において、αアルミナとは、Ｘ線回折により結晶中にαアルミナ特有の構造が認められる結晶性アルミナ粒子の総称である。αアルミナ特有の構造は、例えば、Ｘ線回折スペクトルにおける２θ領域３５．１〜３５．３°（１０４面）、４３．２〜４３．４°(１１３面)、５７．４〜５７．６°(１１６面)などに頂点があるピークの有無により確認できる。なお、本明細書では特に指示しない限り、αアルミナ特有ピークというときは１０４面のピークを意味する。
【００６４】
前記αアルミナのα化率は、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、５０％以上であることが好ましく、より好ましくは６０％以上、さらに好ましくは６５％以上であり、また、同様の観点から、９９％以下であることが好ましく、より好ましくは９８％以下、さらに好ましくは９７％以下である。ここで、α化率とは、ＷＡ−１０００（α化率９９．９％のαアルミナ、昭和電工社製）を用いたＸ線回折法における２θ＝３５．１〜３５．３°由来の１０４面のピーク面積を９９．９％とした場合におけるαアルミナ特有ピークの相対面積の数値をいい、具体的には、実施例に記載の方法により求めることができる。なお、α化率が前記範囲内のαアルミナを複数種混合して使用してもよい。
【００６５】
αアルミナの平均二次粒子径は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点及び研磨速度の向上の観点、基板表面のうねり低減の観点から、０．１０μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．１５μｍ以上、さらに好ましくは０．２０μｍ以上、さらにより好ましくは０．２５μｍ以上であり、また、同様の観点から、０．８０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．７０μｍ以下、さらに好ましくは０．６８μｍ以下、さらにより好ましくは０．６５μｍ以下である。該平均二次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００６６】
研磨液組成物Ａにおけるαアルミナの含有量は、研磨速度向上の観点、基板表面のうねり低減の観点及び粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、０．０１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０.１０質量％以上、さらにより好ましくは１質量％以上、さらにより好ましくは２質量％以上であり、また、同様の観点から、３０質量％以下が好ましく、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１５質量％以下、さらにより好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは５質量％以下である。
【００６７】
〔中間アルミナ〕
研磨液組成物Ａは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、中間アルミナを含有することが好ましい。中間アルミナとは、αアルミナ以外の結晶性アルミナ粒子の総称であり、具体的にはγアルミナ、δアルミナ、θアルミナ、ηアルミナ、κアルミナ、及びこれらの混合物等が挙げられる。中間アルミナの中でも、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、γアルミナ、δアルミナ、θアルミナ及びこれらの混合物が好ましく、より好ましくはγアルミナ及びθアルミナ、さらに好ましくはθアルミナである。
【００６８】
中間アルミナの平均二次粒子径は、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、０．０１μｍ以上が好ましく、より好ましくは０．０５μｍ以上、さらに好ましくは０．１０μｍ以上、さらにより好ましくは０．１２μｍ以上であり、また、同様の観点から、０．６０μｍ以下が好ましく、より好ましくは０．５０μｍ以下、さらに好ましくは０．４０μｍ以下、さらにより好ましくは０．３０μｍ以下、さらにより好ましくは０．２０μｍ以下である。なお、該平均二次粒子径は、前述のαアルミナの場合と同様の方法により求めることができる。
【００６９】
また、研磨液組成物Ａにおける中間アルミナの含有量は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、並びに研磨速度向上の観点、基板表面のうねり及び表面粗さ低減の観点から、０．００１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．１質量％以上、さらにより好ましくは０．２質量％以上、さらにより好ましくは０．３質量％以上であり、また、同様の観点から、２７質量％以下が好ましく、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは５質量％以下、さらにより好ましくは２質量％以下である。
【００７０】
研磨液組成物Ａは、研磨速度向上の観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、アルミナ粒子として、αアルミナと中間アルミナとを含有することが好ましく、αアルミナとθアルミナとを含有することがより好ましい。
【００７１】
αアルミナと中間アルミナとを使用する場合、αアルミナと中間アルミナの重量比（αアルミナの質量％／中間アルミナの質量％）は、研磨速度の向上の観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、９０／１０〜１０／９０が好ましく、より好ましくは８５／１５〜４０／６０、さらに好ましくは８５／１５〜５０／５０、さらにより好ましくは８５／１５〜６０／４０、さらにより好ましくは８５／１５〜７０／３０、さらにより好ましくは８５／１５〜７５／２５である。
【００７２】
［研磨液組成物Ａ：シリカ粒子］
研磨液組成物Ａは、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、さらにシリカ粒子を含有することが好ましい。シリカ粒子としては、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、表面修飾したシリカ等が挙げられる。中でも、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、コロイダルシリカが好ましい。
【００７３】
シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１５ｎｍ以上、さらに好ましくは３０ｎｍ以上、さらにより好ましくは４０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１２０ｎｍ以下、より好ましくは１００ｎｍ以下、さらに好ましくは９０ｎｍ以下、さらにより好ましくは８５ｎｍ以下である。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００７４】
また、シリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは８ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上、さらにより好ましくは４０ｎｍ以上、さらにより好ましくは６０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは９０ｎｍ以下、より好ましくは８５ｎｍ以下、さらにより好ましくは８０ｎｍ以下、さらにより好ましくは７５ｎｍ以下である。なお、該標準偏差は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００７５】
シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上、さらにより好ましくは２０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは６０ｎｍ以下、より好ましくは５５ｎｍ以下、さらに好ましくは５０ｎｍ以下、さらにより好ましくは４５ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ１０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００７６】
シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは４０ｎｍ以上、より好ましくは６０ｎｍ以上、さらに好ましくは８０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１００ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは１４０ｎｍ以下、さらに好ましくは１３０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１２５ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ９０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００７７】
アルミナ粒子とシリカ粒子とを併用する場合、アルミナ粒子とシリカ粒子の重量比（アルミナ粒子重量/シリカ粒子重量）は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、研磨速度の向上の観点、基板表面のうねり低減の観点から、好ましくは１０/９０〜９０/１０、より好ましくは３０/７０〜８０/２０、さらに好ましくは４０/６０〜７５/２５、さらにより好ましくは４５/５５〜７０/３０、さらにより好ましくは４５/５５〜６５/３５である。
【００７８】
アルミナ粒子とシリカ粒子を併用する場合、アルミナ粒子の平均二次粒子径とシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）との比（アルミナ粒子径／シリカ粒子径（Ｄ５０））は、研磨速度の向上の観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、好ましくは１〜１００、より好ましくは２〜５０、さらに好ましくは５〜２０である。
【００７９】
研磨液組成物Ａに含まれるシリカ粒子の含有量としては、研磨速度の向上の観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、０．３質量％以上が好ましく、より好ましくは０．５質量％以上、さらに好ましくは１質量％以上、さらにより好ましくは１．５質量％以上である。また、該含有量は、経済性、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、２０質量％以下が好ましく、より好ましくは１５質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは５質量％以下である。
【００８０】
［研磨液組成物Ａ：酸］
研磨液組成物Ａは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、酸を含有することが好ましい。研磨液組成物Ａにおける酸の使用は、酸及び又はその塩の使用を含む。使用される酸としては、硝酸、硫酸、亜硫酸、過硫酸、塩酸、過塩素酸、リン酸、ポリリン酸、モリブデン酸、ホスホン酸、ホスフィン酸、ピロリン酸、トリポリリン酸、アミド硫酸等の無機酸、グルタミン酸、ピコリン酸、アスパラギン酸等のアミノカルボン酸、クエン酸、酒石酸、シュウ酸、ニトロ酢酸、マレイン酸、オキサロ酢酸等のカルボン酸等が挙げられる。中でも、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、クエン酸、硫酸、及びそれらの塩がより好ましい。
【００８１】
これらの酸及びその塩は単独で又は２種以上を混合して用いてもよいが、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、２種以上を混合して用いることが好ましく、リン酸、硫酸、クエン酸及び酒石酸からなる群から選択される２種以上の酸を混合して用いることがさらに好ましく、クエン酸及び硫酸の混合がより好ましい。
【００８２】
これらの酸の塩を用いる場合は、特に限定はなく、具体的には、金属、アンモニウム、アルキルアンモニウム等が挙げられる。上記金属の具体例としては、周期律表（長周期型）１Ａ、１Ｂ、２Ａ、２Ｂ、３Ａ、３Ｂ、４Ａ、６Ａ、７Ａ又は８族に属する金属が挙げられる。これらの中でも、研磨速度の向上の観点から、１Ａ族に属する金属又はアンモニウムとの塩が好ましい。
【００８３】
研磨液組成物Ａ中における前記酸の含有量は、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、０．００１質量％以上が好ましく、より好ましくは０．０１質量％以上、さらに好ましくは０．０５質量％以上、さらにより好ましくは０．１０質量％以上であり、また、同様の観点から、５質量％以下が好ましく、より好ましくは４質量％以下、さらに好ましくは３質量％以下、さらにより好ましくは２質量％以下、さらにより好ましくは１質量％以下である。
【００８４】
［研磨液組成物Ａ：酸化剤］
前記研磨液組成物Ａは、研磨速度の向上、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、酸化剤を含有することが好ましい。酸化剤としては、研磨速度及び粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、過酸化物、過マンガン酸又はその塩、クロム酸又はその塩、ペルオキソ酸又はその塩、酸素酸又はその塩、金属塩類等が挙げられる。これらの中でも、過酸化水素、硝酸鉄（III）、過酢酸、ペルオキソ二硫酸アンモニウム、硫酸鉄（III）及び硫酸アンモニウム鉄（III）等が好ましく、研磨速度向上の観点、基板表面に金属イオンが付着せず汎用に使用され安価であるという観点から、過酸化水素がより好ましい。これらの酸化剤は、単独で又は２種以上を混合して使用してもよい。
【００８５】
研磨液組成物Ａ中における前記酸化剤の含有量は、研磨速度向上の観点、並びに粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、好ましくは０．０１質量％以上、より好ましくは０．０５質量％以上、さらに好ましくは０．１０質量％以上であり、研磨速度の向上の観点、並びに粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、好ましくは４．０質量％以下、より好ましくは２．０質量％以下、さらに好ましくは１．５質量％以下、さらにより好ましくは１．０質量％以下である。
【００８６】
［研磨液組成物Ａ：水］
研磨液組成物Ａは、媒体として水を含有する。水としては、蒸留水、イオン交換水、純水及び超純水等が使用され得る。研磨液組成物Ａ中の水の含有量は、研磨液組成物の取扱いが容易になるため、５５質量％以上が好ましく、より好ましくは７０質量％以上、さらに好ましくは８０質量％以上、さらにより好ましくは８５質量％以上であり、また、同様の観点から、９９質量％以下が好ましく、より好ましくは９８質量％以下、さらに好ましくは９７質量％以下である。
【００８７】
［研磨液組成物Ａ：その他の成分］
研磨液組成物Ａには、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、増粘剤、分散剤、防錆剤、塩基性物質、界面活性剤、高分子化合物等が挙げられる。研磨液組成物Ａ中のこれら他の任意成分の含有量は、本発明の効果を損なわない範囲で配合されることが好ましく、０〜１０質量％が好ましく、０〜５質量％がより好ましい。
【００８８】
［研磨液組成物Ａ：ｐＨ］
前記研磨液組成物ＡのｐＨは、研磨速度を向上する観点、並びに粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点、使用研磨機の腐食防止の観点から、前述の酸や公知のｐＨ調整剤を用いて、ｐＨ１．０〜６．０に調整することが好ましく、より好ましくはｐＨ１．０〜４．０、さらに好ましくはｐＨ１．０〜３．０、さらにより好ましくはｐＨ１．０〜２．０である。なお、上記のｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータを用いて測定でき、電極の浸漬後４０分後の数値である。
【００８９】
［研磨液組成物Ａ：調製方法］
研磨液組成物Ａは、例えば、アルミナ粒子及び水と、さらに所望により、シリカ粒子、所定の添加剤、酸化剤、酸及び他の成分とを公知の方法で混合することにより調製できる。シリカ粒子を混合する場合、濃縮されたスラリーの状態で混合されてもよいし、水等で希釈してから混合されてもよい。その他の態様として、研磨液組成物Ａを濃縮物として調製してもよい。前記混合は、特に制限されず、ホモミキサー、ホモジナイザー、超音波分散機及び湿式ボールミル等の撹拌機等を用いて行うことができる。
【００９０】
［工程（３）：研磨液組成物Ｂ］
工程（３）で使用される研磨液組成物Ｂは、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、シリカ粒子及び水を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Ａで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。
【００９１】
［研磨液組成物Ｂ：シリカ粒子］
研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、好ましくは１ｎｍ以上であり、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは８ｎｍ以上、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは８０ｎｍ以下であり、より好ましくは６０ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２０ｎｍ以下である。シリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）が前記範囲内であると、研磨切削時の摩擦力が上昇して、効果的にスクラッチが低減されると考えられる。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００９２】
また、研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは８ｎｍ以上、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは８０ｎｍ以下、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、さらにより好ましくは１５ｎｍ以下である。一次粒子径の標準偏差が前記範囲内であると、研磨切削時の摩擦力がさらに向上して、工程(１)で突き刺さったアルミナ粒子の効率的な引き抜きが起こり、スクラッチが低減されると考えられる。なお、該標準偏差は実施例に記載の方法により求めることができる。
【００９３】
研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥の低減、研磨速度の向上の観点から、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは８ｎｍ以上、さらにより好ましくは１０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは３０ｎｍ以下、さらに好ましくは２５ｎｍ以下、さらにより好ましくは２０ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ１０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００９４】
研磨液組成物Ｂに用いられるシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、好ましくは１ｎｍ以上、より好ましくは５ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１５０ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ９０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【００９５】
研磨液組成物Ｂに含まれるシリカ粒子の含有量は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、０．３質量％以上が好ましく、０．５質量％以上がより好ましく、１質量％以上がさらに好ましく、２質量％以上がさらにより好ましい。また、該含有量は、経済性の観点から、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１０質量％以下がさらに好ましく、６質量％以下がさらにより好ましい。
【００９６】
また、研磨液組成物Ｂに含まれる研磨材全体に占めるシリカ粒子の含有量は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、６０質量％以上が好ましく、８０質量％以上がより好ましく、９０質量％以上がさらに好ましく、１００質量％がさらにより好ましい。なお、研磨液組成物Ｂに含まれる研磨材全体に占めるアルミナ粒子の含有量は、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、４０質量％以下が好ましく、より好ましくは２０質量％以下、さらに好ましくは１０質量％以下、さらにより好ましくは実質的にアルミナ粒子を含有しない。
【００９７】
研磨液組成物Ｂは、研磨速度を向上する観点、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、酸、酸化剤を含有することが好ましい。好ましい酸、酸化剤については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。また、研磨液組成物Ｂに用いられる水、研磨液組成物ＢのｐＨ、研磨液組成物Ｂの調製方法についても、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。
【００９８】
［研磨液組成物Ｃ］
工程（５）で使用される研磨液組成物Ｃは、仕上げ研磨工程後の基板上の突起欠陥を低減する観点及び研磨速度向上の観点から、シリカ粒子を含有する。使用されるシリカ粒子は、研磨液組成物Ｂで使用されるシリカ粒子と同様であり、好ましくはコロイダルシリカである。また、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、アルミナ粒子を含有しないことが好ましい。
【００９９】
研磨液組成物Ｃに用いられるシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）は、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、５ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上、さらにより好ましくは２０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、６０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは５０ｎｍ以下、さらに好ましくは４５ｎｍ以下、さらにより好ましくは４０ｎｍ以下である。なお、該平均一次粒子径は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【０１００】
また、シリカ粒子の一次粒子径の標準偏差は、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、５ｎｍ以上が好ましく、より好ましくは８ｎｍ以上、さらに好ましくは１０ｎｍ以上、さらにより好ましくは１５ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、５０ｎｍ以下が好ましく、より好ましくは４０ｎｍ以下、さらに好ましくは３０ｎｍ以下、さらにより好ましくは２５ｎｍ以下である。なお、該標準偏差は実施例に記載の方法により求めることができる。
【０１０１】
シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）は、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは５ｎｍ以上、より好ましくは１０ｎｍ以上、さらに好ましくは１５ｎｍ以上、さらにより好ましくは２０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは５０ｎｍ以下、より好ましくは４５ｎｍ以下、さらに好ましくは４０ｎｍ以下、さらにより好ましくは３５ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ１０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【０１０２】
シリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）は、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点、並びに研磨速度の向上の観点から、好ましくは１０ｎｍ以上、より好ましくは２０ｎｍ以上、さらに好ましくは２５ｎｍ以上、さらにより好ましくは３０ｎｍ以上であり、また、同様の観点から、好ましくは１００ｎｍ以下、より好ましくは８０ｎｍ以下、さらに好ましくは６０ｎｍ以下、さらにより好ましくは５０ｎｍ以下である。なお、該一次粒子径（Ｄ９０）は、実施例に記載の方法により求めることができる。
【０１０３】
研磨液組成物Ｃに含まれるシリカ粒子の含有量は、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、０．５質量％以上が好ましく、１．０質量％以上がより好ましく、３．０質量％以上がさらに好ましく、４．０質量％以上がさらにより好ましく、また、同様の観点から、２０質量％以下が好ましく、１５質量％以下がより好ましく、１３質量％以下がさらに好ましく、１０質量％以下がさらにより好ましい。
【０１０４】
研磨液組成物Ｃは、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、芳香族複素環化合物、多価アミン化合物、及びアニオン性基を有する高分子から選ばれる１種以上を含有することが好ましく、２種以上含有することがより好ましく、芳香族複素環化合物、多価アミン化合物、及びアニオン性基を有する高分子を含有することがさらに好ましい。
【０１０５】
研磨液組成物Ｃは、研磨速度を向上する観点、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥を低減する観点から、酸、酸化剤を含有することが好ましい。酸、酸化剤の好ましい使用態様については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。また、研磨液組成物Ｃに用いられる水、研磨液組成物ＣのｐＨ、研磨液組成物Ｃの調製方法については、前述の研磨液組成物Ａの場合と同様である。
【０１０６】
［洗浄剤組成物］
工程（４）の洗浄では、洗浄剤組成物を用いることが好ましい。前記洗浄剤組成物としては、アルカリ剤、水、及び必要に応じて各種添加剤を含有するものが使用できる。
【０１０７】
〔アルカリ剤〕
前記洗浄剤組成物で使用されるアルカリ剤は、無機アルカリ剤及び有機アルカリ剤のうちのいずれであってもよい。無機アルカリ剤としては、例えば、アンモニア、水酸化カリウム、及び水酸化ナトリウム等が挙げられる。有機アルカリ剤としては、例えば、ヒドロキシアルキルアミン、テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド、及びコリンからなる群より選ばれる一種以上が挙げられる。これらのアルカリ剤は、単独で用いてもよく、二種以上を混合して用いてもよい。
【０１０８】
洗浄剤組成物の基板上の残留物の分散性の向上、保存安定性の向上及び入手容易性の観点から、前記アルカリ剤としては、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、モノエタノールアミン、メチルジエタノールアミン、及びアミノエチルエタノールアミンからなる群から選ばれる少なくとも１種が好ましく、水酸化カリウム及び水酸化ナトリウムからなる群から選ばれる少なくとも１種がより好ましい。
【０１０９】
洗浄剤組成物中におけるアルカリ剤の含有量は、洗浄剤組成物の基板上の残留物に対する高い洗浄性を発現させ、かつ、取扱時の安全性を高める観点から、０．０５〜１０質量％であると好ましく、０．０８〜３質量％であるとより好ましい。
【０１１０】
洗浄剤組成物のｐＨは、基板上の残留物の分散性を向上させる観点から、８〜１３であることが好ましく、より好ましくは９〜１３、さらに好ましくは１０〜１３、さらにより好ましくは１１〜１３である。なお、上記のｐＨは、２５℃における洗浄剤組成物のｐＨであり、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用いて測定でき、電極の洗浄剤組成物への浸漬後４０分後の数値である。
【０１１１】
〔各種添加剤〕
前記洗浄剤組成物には、アルカリ剤以外に、非イオン界面活性剤、キレート剤、エーテルカルボキシレートもしくは脂肪酸等のアニオン性界面活性剤、水溶性高分子、消泡剤（成分に該当する界面活性剤は除く。）、アルコール類、防腐剤、酸化防止剤等が含まれていていても良い。
【０１１２】
前記洗浄剤組成物に含まれる水以外の成分の含有量は、基板上の残留物の分散性の向上及び、濃縮時・使用時の保存安定性の向上の観点から、水の含有量と水以外の成分の含有量の合計を１００質量％とすると、好ましくは１０〜６０質量％であり、より好ましくは１５〜５０質量％であり、さらに好ましくは１５〜４０質量％である。
【０１１３】
前記洗浄剤組成物は、作業性の観点から、希釈して用いられる。希釈倍率は、洗浄効率を考慮すると、好ましくは１０〜５００倍、より好ましくは２０〜２００倍、さらに好ましくは５０〜１００倍である。希釈用の水は、前述の研磨液組成物と同様のものでよい。
【０１１４】
本発明の基板製造方法によれば、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥が低減された基板を効率的に製造することができるため、高度の表面平滑性が要求される垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板の研磨に好適に用いることができる。
【０１１５】
［研磨方法］
本発明は、さらにその他の態様として、下記（１）〜（５）の工程を有し、下記工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、下記工程（５）を前記研磨機とは別の研磨機で行う磁気ディスク基板の研磨方法に関する。
（１）アルミナ粒子、所定の添加剤及び水を含有する研磨液組成物Ａを被研磨基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、（２）工程（１）で得られた基板をリンス処理する工程、（３）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｂを工程（２）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程、（４）工程（３）で得られた基板を洗浄する工程、（５）シリカ粒子及び水を含有する研磨液組成物Ｃを工程（４）で得られた基板の研磨対象面に供給し、前記研磨対象面に研磨パッドを接触させ、前記研磨パッド及び／又は前記被研磨基板を動かして前記研磨対象面を研磨する工程。
【０１１６】
なお、本発明の研磨方法における被研磨基板、研磨パッド、研磨液組成物Ａ〜Ｃの組成、リンスの方法、洗浄剤組成物、並びに、研磨の方法及び条件については、上述の本発明の基板製造方法と同様とすることができる。
【０１１７】
本態様の研磨方法によれば、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥が低減された基板を効率的に製造することができ、製品歩留まりの低下を抑制して基板品質が向上した磁気ディスク基板を生産性よく製造できるという効果が奏されうる。
【０１１８】
本発明の研磨方法を使用することにより、粗研磨工程後の基板上のスクラッチ、並びに、仕上げ研磨工程後の基板上のスクラッチ及び突起欠陥が低減して品質が向上した磁気ディスク基板、特に垂直磁気記録方式の磁気ディスク基板が好ましくは提供される。本発明の研磨方法における前記被研磨基板としては、上述のとおり、磁気ディスク基板や磁気記録用媒体の基板の製造に使用されるものが挙げられ、なかでも、垂直磁気記録方式用磁気ディスク基板の製造に用いる基板が好ましい。
【実施例】
【０１１９】
以下、実施例により本開示をさらに詳細に説明するが、これらは例示的なものであって、本開示はこれら実施例に制限されるものではない。
【０１２０】
下記のとおりに研磨液組成物Ａ、Ｂ及びＣを調製し、下記の条件で工程（１）〜（５）を含む被研磨基板の研磨を行った。研磨液組成物の調製方法、使用した添加剤、各パラメーターの測定方法、研磨条件（研磨方法）及び評価方法は以下のとおりである。
【０１２１】
１．研磨液組成物Ａ〜Ｃの調製
[研磨液組成物Ａの調製]
下記表１に示すアルミナ粒子を含むアルミナ砥粒Ａ又はＢ、クエン酸、硫酸、過酸化水素、水、並びに、場合によって下記表２に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒ｂ、及び、下記表３の添加剤Ａ〜Ｅを用いて研磨液組成物Ａを調製した（下記表４）。研磨液組成物Ａの砥粒とその含有量は、４．０質量％とした。実施例６及び比較例３においてはさらに、さらにコロイダルシリカ砥粒ｂを４．０質量％使用した。また、研磨液組成物Ａにおけるその他の各成分の含有量は、クエン酸０．３質量％、硫酸０．４質量％、過酸化水素０．６質量％であり、研磨液組成物ＡのｐＨは１．４であった。添加剤の含有量は、実施例１、３〜９では、０．５質量％とし、実施例２では添加剤Ｅを０．０１質量％とした。実施例１０では添加剤Ｂ及びＥをそれぞれ０．００５質量％とし、実施例１１では添加剤Ｃ及びＥをそれぞれ０．００５質量％とした。なお、上記のｐＨは、２５℃における研磨液組成物のｐＨであり、ｐＨメータ（東亜電波工業株式会社、ＨＭ−３０Ｇ）を用い、電極の浸漬後４０分後の数値である（以下同様）。
【０１２２】
[研磨液組成物Ｂの調製]
下記表２に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒ａ及びｂのいずれか、硫酸、過酸化水素、及び水を用い、研磨液組成物Ｂを調製した（下記表４）。研磨液組成物Ｂにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ粒子４．０質量％、硫酸０．２質量％、過酸化水素０．１質量％とした。なお、研磨液組成物ＢのｐＨは１．６であった。
【０１２３】
[研磨液組成物Ｃの調製]
下記表２に示すコロイダルシリカ粒子を含むコロイダルシリカ砥粒ｃ、硫酸、過酸化水素、及び水を用い研磨液組成物Ｃを調製した。研磨液組成物Ｃにおける各成分の含有量は、コロイダルシリカ砥粒ｃ５．１質量％、硫酸０．５質量％、過酸化水素０．３質量％であり、研磨液組成物ＣのｐＨは１．３であった。
【０１２４】
【表１】
2014029752.tif 000006
【０１２５】
【表２】
2014029752.tif 000007
【０１２６】
【表３】
2014029752.tif 000008
【０１２７】
２．各パラメーターの測定方法
［アルミナ粒子の平均二次粒子径の測定］
０．５％ポイズ５３０（花王社製;特殊ポリカルボン酸型高分子界面活性剤）水溶液を分散媒として、下記測定装置内に投入し、続いて透過率が７５〜９５％になるようにサンプルを投入し、その後、５分間超音波を掛けた後、粒径を測定した。
測定機器  ：堀場製作所製  レーザー回折／散乱式粒度分布測定装置 LA920
循環強度  ：４
超音波強度：４
【０１２８】
[アルミナのα化率の測定方法]
アルミナスラリー２０ｇを１０５℃で５時間乾燥させ、得られた乾燥物を乳鉢で解砕して粉末Ｘ線回折用サンプルを得た。各サンプルを粉末Ｘ線回折法にて分析し、１０４面におけるピーク面積を比較した。粉末Ｘ線回折法による測定条件は下記のとおりとした。
測定条件；
装置：（株）リガク製、粉末Ｘ線解析装置 ＲＩＮＴ２５００ＶＣ
Ｘ線発生電圧：４０ｋＶ
放射線：Ｃｕ−Ｋα１線（λ＝０．１５４０５０ｎｍ）
電流：１２０ｍＡ
Ｓｃａｎ Ｓｐｅｅｄ：１０度／分
測定ステップ：０．０２度／分
α化率（％）＝αアルミナ特有ピーク面積÷ＷＡ−１０００のピーク面積×１００
また、各ピークの面積は、得られた粉末Ｘ線回折スペクトルから、粉末Ｘ線回折装置付属の粉末Ｘ線回折パターン総合解析ソフトＪＡＤＥ（ＭＤＩ社）を用いて算出した。上記ソフトによる算出処理は、上記ソフトの取扱説明書（Ｊａｄｅ（Ｖｅｒ．５）ソフトウェア、取扱説明書 Ｍａｎｕａｌ Ｎｏ．ＭＪ１３１３３Ｅ０２、理学電機株式会社）に基づいて算出した。なお、ＷＡ−１０００はα化率９９．９％のα−アルミナ（昭和電工社製）である。
【０１２９】
［シリカ粒子の平均一次粒子径及び一次粒子径の標準偏差の測定］
シリカ粒子を日本電子製透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）（商品名「JEM-2000FX」、８０ｋＶ、１〜５万倍）で観察した写真をパソコンにスキャナで画像データとして取込み、解析ソフト「WinROOF(Ver.3.6)」（販売元：三谷商事）を用いて１０００〜２０００個のシリカ粒子データについて１個１個のシリカ粒子の円相当径を求め、それを直径とし、表計算ソフト「EXCEL」（マイクロソフト社製）にて、体積基準の粒径の標準偏差（標本標準偏差）を得た。また、前記表計算ソフト「EXCEL」にて、粒子直径から粒子体積に換算して得られるシリカ粒子の粒径分布データに基づき、全粒子中における、ある粒径の粒子の割合（体積基準％）を小粒径側からの累積頻度として表し、累積体積頻度（％）を得た。得られたシリカ粒子の粒径及び累積体積頻度データに基づき、粒径に対して累積体積頻度をプロットすることにより、粒径対累積体積頻度グラフが得られる。前記グラフにおいて、小粒径側からの累積体積頻度が５０％となる粒径をシリカ粒子の平均一次粒子径（Ｄ５０）とした。また、小粒径側からの累積体積頻度が１０％となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ１０）とし、小粒径側からの累積体積頻度が９０％となる粒径をシリカ粒子の一次粒子径（Ｄ９０）とした。
【０１３０】
［高分子陰イオン界面活性剤の重量平均分子量の測定］
添加剤Ｃ及びＤ中の高分子陰イオン界面活性剤の重量平均分子量は、下記条件のゲルパーミエーションクロマトグラフィー（ＧＰＣ）で測定し、ポリアクリル酸換算の重量平均分子量として求めた。
〔ＧＰＣ条件〕
測定装置：ＨＬＣ−８２２０ＧＰＣ（東ソー社製）
カラム：Ｇ４０００ＰＷＸＬ（東ソー社製）＋Ｇ２５００ＰＷＸＬ（東ソー社製）
溶離液：０．２Ｍリン酸バッファー／アセトニトリル＝９／１（容量比）
流速：１．０ｍＬ／ｍｉｎ
注入量：１００μＬ
温度：４０℃
検出器：２１０ｎｍ
サンプル：濃度５ｍｇ／ｍＬ（注入量１００μＬ）
検量線用ポリマー：ポリアクリル酸ナトリウム  分子量（Ｍｐ）：１１．５万、２．８万、４１００、１２５０（創和科学（株）及びAmerican Polymer Standards Corp.社製）
【０１３１】
３．研磨条件
［被研磨基板］
被研磨基板は、Ｎｉ−Ｐメッキされたアルミニウム合金基板を用いた。なお、この被研磨基板は、厚み１．２７ｍｍ、直径９５ｍｍ（中心部直径２５ｍｍの穴あきドーナツ型）であった。
【０１３２】
［被研磨基板の研磨］
工程（１）〜（５）を含む被研磨基板の研磨を行った。各工程の条件を以下に示す。なお、工程（１）〜（３）を同一の研磨機で行い、工程（５）を前記研磨機とは別個の研磨機で行った。
【０１３３】
［工程（１）：第１の粗研磨］
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０４ｍｍ、平均気孔径４３μｍ（FILWEL社製）
定盤回転数：４５ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ2・分））で３分間
研磨量：１．０〜１．２ｍｇ／ｃｍ2
投入した基板の枚数：１０枚（両面研磨）
【０１３４】
［工程（２）：中間リンス］
リンス条件：
研磨機及び研磨パッド：工程（１）と同じ
定盤回転数：４５ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（設定値）
イオン交換水供給量：２Ｌ／分（１．５２ｍＬ／（ｃｍ2・分）で１０秒間
【０１３５】
［工程（３）：第２の粗研磨］
研磨機及び研磨パッド：工程（１）と同じ
定盤回転数：４５ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分（０．０７６ｍＬ／（ｃｍ2・分））で１分間
研磨量：０．０２〜０．０４ｍｇ／ｃｍ2
工程（３）は上記の条件で研磨した後、下記の条件によるリンス工程を含む。
リンス条件：
定盤回転数：２０ｒｐｍ
研磨荷重：１．４ｋＰａ
イオン交換水供給量：２Ｌ／分（１．５２ｍＬ／（ｃｍ2・分）で１５秒間
【０１３６】
［工程（４）：洗浄］
工程（３）で得られた基板を、下記条件で洗浄した。
１．  ０．１質量％のＫＯＨ水溶液からなるｐＨ１２のアルカリ性洗浄剤組成物の入った２５℃の槽内に、工程（３）で得られた基板を５分間浸漬する。
２．  浸漬後の基板を、イオン交換水で２０秒間すすぎを行う。
３．  すすぎ後の基板を洗浄ブラシがセットされたスクラブ洗浄ユニットに移送し洗浄する。
【０１３７】
［工程（５）：仕上げ研磨］
研磨機：両面研磨機（９Ｂ型両面研磨機、スピードファム社製）、工程（１）〜（３）で使用した研磨機とは別個の研磨機
研磨パッド：スエードタイプ（発泡層：ポリウレタンエラストマー）、厚み１．０ｍｍ、平均気孔径５μｍ（FILWEL社製）
定盤回転数：４０ｒｐｍ
研磨荷重：９．８ｋＰａ（設定値）
研磨液供給量：１００ｍＬ／分で３分間
研磨量：０．２〜０．３ｍｇ／ｃｍ2
投入した基板の枚数：１０枚（両面研磨）
工程（５）後に、リンス及び洗浄を行った。リンスは、前記工程（３）と同条件で行い、洗浄は前記工程（４）と同条件で行った。
【０１３８】
４．評価方法
［洗浄工程（４）及び仕上げ研磨工程（５）後のスクラッチの評価方法］
測定機器：ＢＸ６０Ｍ（オリンパス社製）
対物レンズ：ＵＭＰｌａｎＦｌ  ＢＤ  １０× ＮＡ０．２５∞／０
画像解析ソフト：ＷｉｎＲＯＯＦ  Ｖｅｒ．３．６（三谷商事社製）
評価：洗浄工程（４）及び仕上げ研磨工程（５）で得られた基板から、無作為に２枚を選択し、各々の基板を光量１２（最大）、暗視野にて観察した。このとき、スクラッチは白く光り、その光の強さはスクラッチの大きさに依存する。その２枚の基板の各面についてランダムに１２枚、１条件当たり４８枚のモノクロ写真を撮影し、それぞれを画像解析ソフトにて２５５段階の２値化処理を実施し、２値の上限（白色側）を２５５に固定、下限（黒色側）を３０から、４０、５０・・・と１００まで１０刻みで変更し、それぞれでカウントされる領域をスクラッチとし、その存在率を算出した。その全平均値を結果として、下記表４に、比較例１を１００とした相対値として示す。
【０１３９】
［仕上げ研磨工程（５）後の突起欠陥数の評価方法］
測定機器：ＯＳＡ７１００（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ社製）
評価：仕上げ研磨工程（５）の後に、前記工程（４）と同じ条件でスクラブ洗浄を行った基板のうち、無作為に４枚を選択し、各々の基板を８０００ｒｐｍにてレーザーを照射して突起欠陥数を測定した。その４枚の基板の各々両面にある突起欠陥数（個）の合計を８で除して、基板面当たりの突起欠陥数を算出した。その結果を、下記表４に、比較例１を１００とした相対値として示す。
【０１４０】
【表４】
2014029752.tif 000009
【０１４１】
表４に示すとおり、研磨液組成物Ａに添加剤を含有する実施例１〜１１は、添加剤を含有しない比較例１に比べて、工程（４）後（粗研磨終了後）の基板上のスクラッチが顕著に低減した。また、実施例５と比較例２との比較から、中間リンス処理工程（２）があることにより、工程（４）後（粗研磨終了後）の基板上のスクラッチが顕著に低減することが確認された。また、実施例１〜４及び比較例１〜３については、仕上げ研磨工程（５）後のスクラッチ数と欠陥突起数を測定したが、実施例１〜４において比較例１〜３よりも低減していることが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明の磁気ディスク基板の製造方法は、例えば、高記録密度の磁気ディスク基板の製造に好適に用いることができる。