(57)【要約】【課題】高耐圧化、リーク電流の減少、電流コラプスの抑制を効果的に行うことができる半導体装置を提供すること。【解決手段】基板上に形成された窒化物系半導体からなる第１半導体層と、前記第１半導体層の表面に形成され、前記第１半導体層よりもバンドギャップが広い窒化物系半導体からなる第２半導体層と、前記第２半導体層の表面に形成され、前記第２半導体層よりもバンドギャップが狭く、かつインジウムを含む窒化物系半導体からなる第３半導体層と、前記第３半導体層と接触するとともに、前記第２半導体層とショットキー接触するように形成された第１電極と、前記第２半導体層とオーミック接触するように形成された第２電極と、を備え、前記第３半導体層は前記第１電極側から前記第２電極側へ伸びており、前記第１電極の前記第２電極側の端部と前記第２半導体層との間には前記第３半導体層が存在している半導体装置。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された窒化物系半導体からなる第１半導体層と、
前記第１半導体層の表面に形成され、前記第１半導体層よりもバンドギャップが広い窒化物系半導体からなる第２半導体層と、
前記第２半導体層の表面に形成され、前記第２半導体層よりもバンドギャップが狭く、かつインジウムを含む窒化物系半導体からなる第３半導体層と、
前記第３半導体層と接触するとともに、前記第２半導体層とショットキー接触するように形成された第１電極と、
前記第２半導体層とオーミック接触するように形成された第２電極と、
を備え、前記第３半導体層は前記第１電極側から前記第２電極側へ伸びており、前記第１電極の前記第２電極側の端部と前記第２半導体層との間には前記第３半導体層が存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
基板上に形成された窒化物系半導体からなる第１半導体層と、
前記第１半導体層の表面に形成され、前記第１半導体層よりもバンドギャップが広い窒化物系半導体からなる第２半導体層と、
前記第２半導体層の表面に形成され、前記第２半導体層よりもバンドギャップが狭く、かつインジウムを含む窒化物系半導体からなる第３半導体層と、
前記第３半導体層および前記第２半導体層と絶縁膜を介して形成された第１電極と、
前記第２半導体層とオーミック接触するように形成された第２電極と、
を備え、前記第３半導体層は前記第１電極側から前記第２電極側へ伸びており、前記第１電極の前記第２電極側の端部と前記第２半導体層との間には前記第３半導体層が存在していることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１電極上に前記第２電極側に伸びるように形成されたフィールドプレートをさらに備え、前記フィールドプレートの前記第２電極側の端部と前記第２半導体層との間には前記第３半導体層が存在していることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１半導体層はＧａＮからなり、前記第２半導体層はＡｌＧａＮ、ＡｌＮまたはＩｎＡｌＮからなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３半導体層はＩｎＧａＮからなることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３半導体層はｐ型の導電型を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第３半導体層の表面を覆うように形成された保護層をさらに備えることを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記保護層は、ＩｎおよびＡｌを含まない窒化物系半導体からなることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ワイドバンドギャップ半導体は、高い絶縁破壊耐圧、良好な電子輸送特性、良好な熱伝導度を持つので、高温環境用、大パワー用、あるいは高周波用半導体デバイスの材料として非常に魅力的である。代表的なワイドバンドギャップ半導体として、ＧａＮ、ＡｌＮ、ＩｎＮ、ＢＮまたはこれらのうち２以上の混晶である窒化物系半導体がある。また、たとえばＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合構造を有する半導体装置は、ピエゾ効果によって、ヘテロ接合界面に２次元電子ガスが発生している。この２次元電子ガスは、高い電子移動度とキャリア密度を有している。そのため、このようなＡｌＧａＮ／ＧａＮヘテロ接合構造を有する半導体装置、たとえばショットキーバリアダイオードや電界効果トランジスタは、高耐圧、低いオン抵抗、および速いスイッチング速度を有し、パワースイッチング応用に非常に好適である。
【０００３】
また、窒化物系半導体のヘテロ接合構造を有する半導体装置において、ＡｌＧａＮ層の上にＧａＮからなるキャップ層を設け、２次元電子ガスの濃度を制御し、高耐圧化を実現する技術が開示されている（たとえば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４５９２９３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
窒化物系半導体の半導体装置においては、高耐圧化、リーク電流の減少、電流コラプスの抑制がより一層求められている。
【０００６】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、高耐圧化、リーク電流の減少、電流コラプスの抑制を効果的に行うことができる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明に係る半導体装置は、基板上に形成された窒化物系半導体からなる第１半導体層と、前記第１半導体層の表面に形成され、前記第１半導体層よりもバンドギャップが広い窒化物系半導体からなる第２半導体層と、前記第２半導体層の表面に形成され、前記第２半導体層よりもバンドギャップが狭く、かつインジウムを含む窒化物系半導体からなる第３半導体層と、前記第３半導体層と接触するとともに、前記第２半導体層とショットキー接触するように形成された第１電極と、前記第２半導体層とオーミック接触するように形成された第２電極と、を備え、前記第３半導体層は前記第１電極側から前記第２電極側へ伸びており、前記第１電極の前記第２電極側の端部と前記第２半導体層との間には前記第３半導体層が存在していることを特徴とする。
【０００８】
本発明に係る半導体装置は、基板上に形成された窒化物系半導体からなる第１半導体層と、前記第１半導体層の表面に形成され、前記第１半導体層よりもバンドギャップが広い窒化物系半導体からなる第２半導体層と、前記第２半導体層の表面に形成され、前記第２半導体層よりもバンドギャップが狭く、かつインジウムを含む窒化物系半導体からなる第３半導体層と、前記第３半導体層および前記第２半導体層と絶縁膜を介して形成された第１電極と、前記第２半導体層とオーミック接触するように形成された第２電極と、を備え、前記第３半導体層は前記第１電極側から前記第２電極側へ伸びており、前記第１電極の前記第２電極側の端部と前記第２半導体層との間には前記第３半導体層が存在していることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る半導体装置は、上記発明において、前記第１電極上に前記第２電極側に伸びるように形成されたフィールドプレートをさらに備え、前記フィールドプレートの前記第２電極側の端部と前記第２半導体層との間には前記第３半導体層が存在していることを特徴とする。
【００１０】
本発明に係る半導体装置は、上記発明において、前記第１半導体層はＧａＮからなり、前記第２半導体層はＡｌＧａＮ、ＡｌＮまたはＩｎＡｌＮからなることを特徴とする。
【００１１】
本発明に係る半導体装置は、上記発明において、前記第３半導体層はＩｎＧａＮからなることを特徴とする。
【００１２】
本発明に係る半導体装置は、上記発明において、前記第３半導体層はｐ型の導電型を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明に係る半導体装置は、上記発明において、前記第３半導体層の表面を覆うように形成された保護層をさらに備えることを特徴とする。
【００１４】
本発明に係る半導体装置は、上記発明において、前記保護層は、ＩｎおよびＡｌを含まない窒化物系半導体からなることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、半導体装置の高耐圧化、リーク電流の減少、電流コラプスの抑制を効果的に行うことができるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、実施の形態１に係る半導体装置の模式的な断面図である。
【図２】図２は、ヘテロ接合界面近傍のエネルギーバンド構造を説明する図である。
【図３】図３は、図１に示す半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図４】図４は、図１に示す半導体装置の製造方法を説明する図である。
【図５】図５は、実施の形態１の変形例に係る半導体装置の模式的な断面図である。
【図６】図６は、実施の形態２に係る半導体装置の模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下に、図面を参照して本発明に係る半導体装置の実施の形態を詳細に説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、各図面において、同一または対応する要素には適宜同一の符号を付している。さらに、図面は模式的なものであり、各要素の寸法の関係などは、現実のものとは異なる場合があることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている場合がある。
【００１８】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置の模式的な断面図である。この半導体装置１００は、高移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）であって、基体１上に形成された、第１半導体層２、第２半導体層３、第３半導体層４、第１電極５、フィールドプレート６、第２電極７、第３電極８、および保護膜９を備えている。
【００１９】
基体１は、第１半導体層２の下地となる層であり、たとえば、Ｓｉ、ＳｉＣ、サファイア、ＧａＮ等からなる基板上に、適宜バッファ層等の所望の半導体層が形成された構成を有する。
【００２０】
第１半導体層２は、窒化物系半導体からなる層であり、電子走行層として機能する。第２半導体層３は、第１半導体層２の表面に形成され、第１半導体層２よりもバンドギャップが広い窒化物系半導体からなり、電子供給層として機能する。たとえば、第１半導体層２はＧａＮからなり、第２半導体層３はＡｌＧａＮからなるが、第１半導体層２および第２半導体層３を構成する窒化物系半導体材料は、バンギャップが所望の関係を満たすものであれば特に限定はされない。したがって、第２半導体層３／第１半導体層２の組み合わせとしては、ＡｌＧａＮ／ＧａＮの他に、ＡｌＮ／ＧａＮ、ＩｎＡｌＮ／ＧａＮ等がある。また、第２半導体層３は、ＡｌＮ層、ＧａＮ層、およびＩｎＮ層から選択した２種を複数層交互に積層させてＡｌＧａＮまたはＩｎＡｌＮの疑似混晶層としたものであってもよい。その場合は、疑似混晶層中に２次元電子ガスが発生しない程度に２種の層の層厚を調整してもよい。
【００２１】
第２半導体層３の層厚はたとえば１〜５０ｎｍ、好ましくは２０〜２５ｎｍである。また、第２半導体層３がＡｌＧａＮの場合のＡｌ組成はたとえば２５％であるが、１〜９９％でもよく、２０〜３５％であればより好ましい。
【００２２】
第１電極５は、第２半導体層３の表面に形成されており、第２半導体層３にショットキー接触する。第１電極５はたとえばＮｉ／Ａｕ構造を有する。この第１電極４はゲート電極として機能する。一方、第２電極７、第３電極８は、第１電極５を挟んで第２半導体層３の表面に形成されており、第２半導体層３にオーミック接触している。第２電極７、第３電極８は、たとえばＴｉ／Ａｌ構造を有する。第２電極７はドレイン電極、第３電極８はソース電極として機能する。
【００２３】
フィールドプレート６は、第１電極５の上部に、第２電極７側に伸びるように形成されている。フィールドプレート６はたとえばＡｌ等の金属からなるが、Ａｌに限らずＡｕなど、フィールドプレート６と接する部分における第１電極５と同じ金属で形成しても良い。
【００２４】
第３半導体層４は、第２半導体層３の表面において、第１電極５と接触し、かつ第１電極５側から第２電極７側に伸びるように形成されている。第１電極５の第２電極７側の電極端は第３半導体層４に乗り上げている。その結果、第１電極５の第２電極７側の端部と第２半導体層３との間には第３半導体層４が存在する。また、第３半導体層４は、フィールドプレート６の第２電極７側の端部と第２半導体層３との間に第３半導体層４が存在するように、第２電極７側に伸びている。
【００２５】
第３半導体層４は、第２半導体層３よりもバンドギャップが狭く、かつインジウム（Ｉｎ）を含む窒化物系半導体からなる層であり、フィールドプレートとして機能する。本実施の形態１では第３半導体層４はＩｎＧａＮからなるものとする。
【００２６】
保護膜９は、半導体装置１００の表面を覆い、かつ第１電極５とフィールドプレート６との間に介在するように形成されており、たとえばＳｉＮｘやＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁体からなる。
【００２７】
ここで、半導体装置１００において、第２半導体層３は、第１半導体層２よりもバンギャップが広いため、第１半導体層２の第２半導体層３とのヘテロ接合の界面にはピエゾ効果によりキャリアとしての２次元電子ガスが発生している。一方、第３半導体層４は、第２半導体層３よりもバンドギャップが狭いので、第１半導体層２と第２半導体層３との界面に働くピエゾ効果を弱める働きがある。これによって、第３半導体層４の直下の領域では、２次元電子ガスのキャリア密度の低減が実現される。
【００２８】
この状態で、半導体装置１００に逆電圧を印加すると、第１電極５側から２次元電子ガスが徐々に空乏化していく。このとき、第１電極５の第２電極７側の端部およびフィールドプレート６の第２電極７側の端部と、各端部の直下の２次元電子ガスとの間に強い電界が発生する。しかしながら、第１電極５およびフィールドプレート６の第２電極７側の端部の直下では、第３半導体層４によって２次元電子ガスはキャリア密度が低くされているので空乏化しやすい。そのため、各端部との間の電界が強くなる前に２次元電子ガスが空乏化する。これによって、各端部周辺、例えば保護膜９中での強い電界の発生が抑制ないし防止される。その結果、半導体装置１００の耐圧の低下が抑制され、高耐圧化される。また、これに伴って、半導体装置１００の素子特性の劣化も抑制されるので、リーク電流の減少、電流コラプスの抑制の効果がある。
【００２９】
さらに、この半導体装置１００では、第３半導体層４として、Ｉｎを含む窒化物系半導体であるＩｎＧａＮからなる層を備えているので、２次元電子ガスのキャリア密度の低減効果が高く、高耐圧化、リーク電流の減少、電流コラプスの抑制の効果が高い。
【００３０】
以下、具体的に説明する。図２は、ヘテロ接合界面近傍のエネルギーバンド構造を説明する図である。図２において、符号Ｆはフェルミレベルを示し、線Ｌ１は、半導体装置１００の第１半導体層２、第２半導体層３、第３半導体層４の伝導帯の下端のレベルを示す。破線Ｌ２は、半導体装置１００の第３半導体層４を、同じ層厚のＧａＮ層に置き換えた場合の伝導帯の下端のレベルを示す。
【００３１】
ＩｎＧａＮはＧａＮよりもバンドギャップが狭いため、第１半導体層２、第２半導体層３、第３半導体層４を接合したときに、第２半導体層３における伝導帯の下端のレベルである線Ｌ１は、第３半導体層４をＧａＮ層に置き換えた場合のレベルである破線Ｌ２よりも高くなる。これとともに、第２半導体層３と第１半導体層２との接合面における第１半導体層２の線Ｌ１のレベルも、破線Ｌ２のレベルよりも高くなる。このため、ポテンシャルの井戸領域Ｓ１のフェルミレベルＦからの深さも、破線Ｌ２に対応する井戸領域Ｓ２の深さよりも浅くなる。その結果、井戸領域Ｓ１に形成される２次元電子ガスのキャリア密度も、第３半導体層４をＧａＮ層に置き換えた場合の井戸領域Ｓ２に形成される２次元電子ガスのキャリア密度よりも低くなる。したがって、ＩｎＧａＮからなる第３半導体層４を備える半導体装置１００では、高耐圧化、リーク電流の減少、電流コラプスの抑制の効果がより高くなるのである。
【００３２】
なお、第３半導体層４の組成としては、ＩｎＮであってもよいし、ＩｎＮとＧａＮ、ＡｌＮ、およびＢＮの少なくともいずれか１つとの混晶であってもよい。ただし、第３半導体層４のＩｎ組成比は、第２半導体層３のＩｎ組成比よりも高いＩｎ組成比である。すなわち、第２半導体層３のＩｎ組成比をｘ１、第３半導体層４のＩｎの組成比をｘ２とすると、ｘ１＜ｘ２≦１であればよい。なお、第２半導体層３がＩｎを含まない場合は、０＜ｘ２≦１であればよい。また、第３半導体層４がＩｎＡｌＧａＮの場合にＡｌの組成比をｙとすると、ｙは特に限定されず、０≦ｙ＜１であればよいが、第２半導体層３におけるＡｌの組成比よりも小さいことが好ましい。
【００３３】
また、第３半導体層４の層厚としては、２次元電子ガスのキャリア密度を所望の値に低減できる程度の厚さであればよいが、たとえば５ｎｍ〜５００ｎｍ、好ましくは１０ｎｍ〜１００ｎｍである。第３半導体層４の層厚をより厚くするか、第３半導体層４の第２半導体層３とのバンドギャップ差をより大きくすることで、２次元電子ガスのキャリア密度をより低減することができる。
【００３４】
つぎに、半導体装置１００の製造方法の一例を説明する。図３、４は、半導体装置１００の製造方法を説明する図である。はじめに、図３に示すように、たとえばＭＯＣＶＤ法等の結晶成長法を用いて、基板上に、所望の半導体層を形成して基体１を形成し、さらに、基体１上に、第１半導体層２、第２半導体層３、第３半導体層４を形成するための半導体層１０を順次形成する。半導体層１０は第３半導体層４と同じ組成および層厚を有する。その後、フォトリソグラフィ技術を用いて、第３半導体層４を形成すべき領域の半導体層１０上にマスクＭを形成する。
【００３５】
つぎに、図４に示すように、マスクＭをエッチングマスクとして、塩素系ガス等を用いたドライエッチング等によって半導体層１０をエッチングし、第３半導体層４を形成する。
【００３６】
ここで、半導体層１０はＩｎを含むため、第２半導体層３がＩｎを含まないＡｌＧａＮやＡｌＮなどからなる場合は、所定のエッチングガスに対して、第２半導体層３よりも半導体層１０の方が、エッチングレートが早くなる。したがって、第３半導体層４を形成するエッチングにおいて、第２半導体層３はオーバーエッチされにくい。第２半導体層３がオーバーエッチされて層厚が薄くなると、薄くなった領域ではピエゾ効果が弱まり、２次元電子ガスのキャリア密度が低減する。第３半導体層４の直下以外の領域で２次元電子ガスのキャリア密度が低減すると、半導体装置１００のオン抵抗が不必要に増大する。これに対して、半導体装置１００では第２半導体層３がオーバーエッチされにくいので、かかる不必要なオン抵抗の増大が抑制ないし防止される。
【００３７】
また、Ｉｎを含む第３半導体層４の場合、第３半導体層４がＧａＮからなる場合よりもより薄い層厚で同等の２次元電子ガスのキャリア密度低減効果を得ることができる。第３半導体層４が薄ければ、半導体層１０も薄いため、それだけ半導体層１０をエッチングする際のエッチング時間が短くなる。エッチング時間が短ければ、エッチング時間に一定の誤差が生じてもそれによるエッチング量は少なくなるので、さらにオーバーエッチがされにくくなる。
【００３８】
その後、マスクＭを除去し、公知の方法にて、第１電極５、フィールドプレート６、第２電極７、第３電極８、および保護膜９を形成し、素子分離等の必要な工程を行って、半導体装置１００を完成させる。
【００３９】
以上説明したように、本実施の形態１に係る半導体装置１００は、高耐圧化、リーク電流の減少、電流コラプスの抑制を効果的に行うことができるものである。
【００４０】
（変形例）
図５は、実施の形態１の変形例に係る半導体装置の模式的な断面図である。図５に示す半導体装置１００Ａは、図１に示す実施の形態１に係る半導体装置１００の第３半導体層４の表面を覆うように形成したＧａＮからなる保護層１１を備えるものである。
【００４１】
第３半導体層４はＩｎを含むため、Ｉｎが酸化されやすい。しかし、半導体装置１００Ａでは、第３半導体層４の表面を保護層１１で保護することによって、酸化が防止され、素子の信頼性が向上する。保護層１１の構成材料としては、ＧａＮに限らず、Ｉｎを含まず、かつ酸化しやすいＡｌを含まない窒化物系半導体が好ましい。
【００４２】
（実施の形態２）
図６は、実施の形態２に係る半導体装置の模式的な断面図である。この半導体装置２００は、ショットキーバリアダイオード（ＳＢＤ）であって、基体１上に形成された、第１半導体層２、第２半導体層３、第３半導体層１２、第１電極１３、フィールドプレート１４、第２電極１５、および保護膜１６を備えている。基体１、第１半導体層２、第２半導体層３は図１に示す実施の形態１に係る半導体装置１００の対応する要素と同様のものである。
【００４３】
第１電極１３は、第２半導体層３の表面に形成されており、第２半導体層３にショットキー接触する。第１電極１３はたとえばＮｉ／Ａｕ構造を有する。この第１電極１３はアノード電極として機能する。一方、第２電極１５は、第２半導体層３の表面に形成されており、第２半導体層３にオーミック接触している。第２電極１５は、たとえばＴｉ／Ａｌ構造を有する。第２電極１５はカソード電極として機能する。
【００４４】
フィールドプレート１４は、第１電極１３の上部に、第２電極１５側に伸びるように形成されている。フィールドプレート１４はたとえばＡｌ等の金属からなる。
【００４５】
第３半導体層１２は、第２半導体層３の表面において、第１電極１３と接触し、かつ第１電極１３側から第２電極１５側に伸びるように形成されている。第１電極１３の第２電極１５側の電極端は第３半導体層１２に乗り上げている。その結果、第１電極１３の第２電極側１５の端部と第２半導体層３との間には第３半導体層１２が存在する。また、第３半導体層１２は、フィールドプレート１４の第２電極１５側の端部と第２半導体層３との間に第３半導体層１２が存在するように、第２電極１５側に伸びている。
【００４６】
第３半導体層１２は、第２半導体層３よりもバンドギャップが狭く、かつＩｎを含む窒化物系半導体からなる層であり、フィールドプレートとして機能する。本実施の形態２では第３半導体層１２はＩｎＧａＮからなるものとする。
【００４７】
保護膜１６は、半導体装置２００の表面を覆い、かつ第１電極１３とフィールドプレート１４との間に介在するように形成されており、たとえばＳｉＮｘやＳｉＯ２、ＳｉＯＮ、Ａｌ２Ｏ３等の絶縁体からなる。
【００４８】
この半導体装置２００でも、半導体装置１００と同様に、第３半導体層１２として、Ｉｎを含む窒化物系半導体であるＩｎＧａＮからなる層を備えているので、２次元電子ガスのキャリア密度の低減効果が高く、高耐圧化、リーク電流の減少、電流コラプスの抑制の効果が高い。また、半導体装置２００の製造時にも、第２半導体層３がオーバーエッチされにくいので、不必要なオン抵抗の増大が抑制ないし防止される。
【００４９】
なお、上記実施の形態において、第３半導体層は、アンドープのもの、ｎ型またはｐ型不純物をドープしたもののいずれでもよい。第３半導体層がｐ型不純物をドープしたｐ型半導体の場合は、第３半導体層のフェルミレベルが上がり、第２半導体層と接合したときに第２半導体層の伝導帯下端のレベルを高める効果がより大きくなる。これによって、ポテンシャルの井戸領域の深さをより浅くでき、２次元電子ガスのキャリア密度をより低減することができる。
【００５０】
また、上記実施の形態では、半導体装置はＨＥＭＴまたはＳＢＤであるが、本発明は、ヘテロ接合構造を有し２次元電子ガスを利用した他の半導体装置に対しても適用できるものである。また、上記実施の形態では、半導体装置はフィールドプレートを備えているが、フィールドプレートを削除した構成としてもよい。反対に、フィールドプレートが、複数の段差が形成された保護膜に乗り上げるように多段状に形成された構造としてもよい。
【００５１】
また、本発明は、たとえばＭＯＳ型やＭＩＳ型の電界効果トランジスタにも適用できるものである。このような電界効果トランジスタは、たとえば実施の形態１に係る半導体装置１００において、第２半導体層３および第３半導体層４と第１電極５との間にゲート絶縁を介在させた構成を有するものである。
【００５２】
また、上記実施の形態では、保護膜は絶縁体からなるものであるが、保護膜はＩｎおよびＡｌを含まない窒化物系半導体からなるものでもよい。
【００５３】
また、上記実施の形態により本発明が限定されるものではない。上述した各構成要素を適宜組み合わせて構成したものも本発明に含まれる。たとえば、図６に示す半導体装置２００において、第３半導体層１２を保護層で覆うようにしてもよい。また、さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。よって、本発明のより広範な態様は、上記の実施の形態に限定されるものではなく、様々な変更が可能である。
【符号の説明】
【００５４】
１  基体
２  第１半導体層
３  第２半導体層
４、１２  第３半導体層
５、１３  第１電極
６、１４  フィールドプレート
７、１５  第２電極
８  第３電極
９、１６  保護膜
１０  半導体層
１１  保護層
１００、１００Ａ、２００  半導体装置
Ｆ  フェルミレベル
Ｌ１  線
Ｌ２  破線
Ｍ  マスク
Ｓ１、Ｓ２  井戸領域
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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