(57)【要約】【課題】炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素の膜をエピタキシャル成長させる際、成長の直前で基板表面のコンディションをエピタキシャル成長に適合するように処理することで、欠陥密度が少なくステップバンチングの少ない高品質な炭化珪素エピタキシャルウェハを製造することができる方法を提供する。【解決手段】熱ＣＶＤ法を使って炭化珪素単結晶基板上へ炭化珪素エピタキシャル成長を行う際、原料ガスの供給・停止を２回以上繰り返した後、原料ガスを供給して炭化珪素のエピタキシャル成長を開始する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
炭化珪素単結晶基板上にカーボン源とシリコン源とを含む原料ガスを供給して、熱ＣＶＤ法により炭化珪素エピタキシャル膜を成長させる炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法であって、エッチングガスを供給しながら、原料ガスの供給と停止とからなるサイクルを２回以上繰り返して断続的な原料ガスの前処理供給を行った上で、炭化珪素エピタキシャル膜の本成長を開始することを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項２】
原料ガスの前処理供給における１サイクル中の原料ガスの供給時間が１秒以上３０秒以下であり、原料ガスの供給停止時間が１０秒以上１８０秒以下である請求項１に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項３】
原料ガスの供給と停止とからなるサイクルを２回以上１０回以下繰り返す請求項１又は２に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項４】
流量制御計を備えて所定量の原料ガスを供給できる原料ガス供給管を有して、反応器内の炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素エピタキシャル膜を成長させる熱ＣＶＤ装置を使って炭化珪素エピタキシャルウェハを製造する際に、原料ガス供給管の流量制御計と反応器との間にガス流路切換弁が備えられており、原料ガスの流量は一定にしたまま、ガス流路切換弁を反応器側に切り替えることで原料ガスの供給を行い、反応器外のドレイン空間に切り替えることで原料ガスの停止を行う請求項１〜３のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
【請求項５】
複数の炭化珪素単結晶基板が反応器内で互いに平行となるように縦方向に配列されて、炭化珪素単結晶基板上に熱ＣＶＤ法により炭化珪素をエピタキシャル成長させる縦型熱ＣＶＤ装置を用いることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法に関し、詳しくは、結晶欠陥が少ない高品質の炭化珪素エピタキシャル膜を備えた炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
炭化珪素（以下、SiCと表記する。）は、耐熱性及び機械的強度に優れ、物理的、化学的に安定なことから、耐環境性半導体材料として注目されている。また、近年、高周波高耐圧電子デバイス等の基板としてＳｉＣエピタキシャルウェハの需要が高まっている。
【０００３】
SiC単結晶基板（以下、単にSiC基板とも言う。）を用いて、電力デバイス、高周波デバイス等を作製する場合には、通常、ＳｉＣ基板上に熱ＣＶＤ法（熱化学蒸着法、以下単にCVD法とも言う。）と呼ばれる方法を用いてエピタキシャル成長させ、ＳｉＣ薄膜（SiCエピタキシャル膜）を形成する。ＳｉＣ基板上にエピタキシャル成長膜を設ける理由は、キャリア密度が制御された層を使ってデバイスを作り込むためである。
【０００４】
この時、エピタキシャル成長したＳｉＣ薄膜に結晶欠陥が内在していると、デバイスの動作不良の原因になったり、デバイスの寿命が短くなるなどの不具合が発生することから、キラー欠陥と呼ばれるこのような結晶欠陥を極力発生させないように成長条件が最適化される。すなわち、このキラー欠陥を減らすことでデバイスの歩留まりを上げることができるため、如何にキラー欠陥を減らすかがＳｉＣ薄膜製造上の重要な開発課題となっている。
【０００５】
欠陥の中には、三角欠陥、キャロット欠陥、コメット欠陥など形状で分類される数十μm以上の大きな結晶欠陥が知られている。いずれもキラー欠陥と考えられているが、その発生に関しては基板のらせん転位が起点となっていることが多いことが報告されている程度で、詳細はよく分かっていない。
【０００６】
また、基板表面の異物が起点となって欠陥が発生する場合もあることが知られている。例えば、本来は３Ｃ−ＳｉＣのポリタイプが安定な温度領域で４Ｈ−ＳｉＣを得るためにステップフロー成長させた場合、ＳｉＣ基板の表面の異物が原因でステップフローに異常が起きると、その位置で３Ｃ−ＳｉＣが生成し、結晶欠陥に発達してしまう。
【０００７】
これを防ぐために、従来、成長前にＳｉＣ基板のエッチングを行ってから、エピタキシャル成長する手法がもっぱら取られてきた。この時、エッチングをあまり行わないとステップフローを阻害している異物を除くことができず、欠陥低減に繋がらない。逆に過度のエッチングを行うと欠陥密度の低減効果がある半面、デバイスの信頼性を低下させるステップバンチングというステップフロー成長における異常成長が誘起される現象が起きやすくなる。ここで、過度のエッチングとは、ステップフローが阻害されるほど表面が荒れた状態になることを言い、例えば面内平均で０．１μｍ以上エッチングを行うと、そのような状態に変化してしまう可能性が高まる。
【０００８】
ステップフロー成長とは、結晶面に対して微傾斜させた表面を使って成長させることを言う。ＳｉＣエピタキシャル成長では、４Ｈ−ＳｉＣ以外にも３Ｈ−ＳｉＣや８Ｈ−ＳｉＣなどのポリタイプが知られ、これらは同時に形成されやすいために、ポリタイプが混在しないように一般に行われている。この時、テラスの上を移動（マイグレーション）する速度のばらつきが原因で、ステップ端が合体すると、所謂、ステップバンチングが発生する。その高さは、１０原子層を超えることもあり、デバイスへの悪影響が指摘されている。
【０００９】
従って、前述の成長前エッチングは、欠陥を減らす上で効果を奏するが、エッチングが過度になると表面の荒れが進行し、テラス上の移動速度にばらつきが生ずる原因となり、結果としてステップバンチングが誘発されるという問題があった。
【００１０】
一方、結晶欠陥を減らす方法として、シランなどのシリコン源とプロパンなどのカーボン源を原料ガスとして、その濃度の調整や両者の混合割合を装置に適合するように最適化を図ることも有効である。また、成長温度や成長圧力といった条件の最適化も結晶欠陥を減らす上で有効とされる（例えば、非特許文献１、特許文献１、特許文献２等参照）。
【００１１】
しかしながら、このような最適条件は、そもそも結晶欠陥の発生原因の詳細が分かっていないことに起因して、多くの努力が払われてきたにもかかわらず、一般的な指針として確立されていないのが現実である。更に、これらの方法では、成長させるＳｉＣ基板や使用する装置に依存する割合の大きいことも、その確立を困難なものにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特許第４２３８３５７号公報
【特許文献２】特開２０１２−５１７９５号公報
【非特許文献】
【００１３】
【非特許文献１】A. Shrivastava et.al. Journal of Crystal Growth 310(2008)4443
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明は、結晶欠陥が少なく、ステップバンチングもない高品位のＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させて、ＳｉＣエピタキシャルウェハを得ることができる方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明者らは、炭化珪素エピタキシャルウェハを得る際において、エピタキシャル成長初期が結晶欠陥発生の鍵を握っていることを突き止め、鋭意検討を加えた結果、原料ガスの断続的な供給を成長初期に複数回行うことが有効であることを見出し、本発明を完成させた。
【００１６】
即ち、本発明の要旨は、次のとおりである。
（１）炭化珪素単結晶基板上にカーボン源とシリコン源とを含む原料ガスを供給して、熱ＣＶＤ法により炭化珪素エピタキシャル膜を成長させる炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法であって、エッチングガスを供給しながら、原料ガスの供給と停止とからなるサイクルを２回以上繰り返して断続的な原料ガスの前処理供給を行った上で、炭化珪素エピタキシャル膜の本成長を開始することを特徴とする炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
（２）原料ガスの前処理供給における１サイクル中の原料ガスの供給時間が１秒以上３０秒以下であり、原料ガスの供給停止時間が１０秒以上１８０秒以下である（１）に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
（３）原料ガスの供給と停止とからなるサイクルを２回以上１０回以下繰り返す（１）又は（２）に記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
（４）流量制御計を備えて所定量の原料ガスを供給できる原料ガス供給管を有して、反応器内の炭化珪素単結晶基板上に炭化珪素エピタキシャル膜を成長させる熱ＣＶＤ装置を使って炭化珪素エピタキシャルウェハを製造する際に、原料ガス供給管の流量制御計と反応器との間にガス流路切換弁が備えられており、原料ガスの流量は一定にしたまま、ガス流路切換弁を反応器側に切り替えることで原料ガスの供給を行い、反応器外のドレイン空間に切り替えることで原料ガスの停止を行う（１）〜（３）のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
（５）複数の炭化珪素単結晶基板が反応器内で互いに平行となるように縦方向に配列されて、炭化珪素単結晶基板上に熱ＣＶＤ法により炭化珪素をエピタキシャル成長させる縦型熱ＣＶＤ装置を用いることを特徴とする（１）〜（４）のいずれかに記載の炭化珪素エピタキシャルウェハの製造方法。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、結晶欠陥が少ない高品質のＳｉＣエピタキシャル膜を備えたＳｉＣエピタキシャルウェハを製造することができる。これは、エピタキシャル成長の前に行うエッチングを、異物などステップフローを阻害する要因の除去に使い、また、エッチングガスを流しながらの原料ガスの供給・停止により、エッチング自体を軽度に抑えることで表面が荒れることを防ぐことができるために実現できたものである。その結果、本発明に係るＳｉＣエピタキシャルウェハを用いれば、高歩留まりでデバイスを作製することができるようになり、また、このエピタキシャルウェハを使ったデバイスは、信頼性が高いという効果をもたらす。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】原料ガスの前処理供給における供給・停止パターンの例
【図２ａ】ガス断続供給方法の例その１
【図２ｂ】ガス断続供給方法の例その２
【図３】実施例１のガス供給パターン
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本発明のＳｉＣエピタキシャルウェハは、成長の初期に過度なエッチングをしないためにステップバンチングがなく、間欠的に原料ガスを流すことで結晶欠陥を減らすことができることを見出したことによってなされたものであることから、デバイス作製用のウェハとしては理想的なものである。
【００２０】
以下、本発明について具体的に説明する。
本発明においては、先ず、ＳｉＣ基板上に原料ガス等を供給してＣＶＤ法によりＳｉＣエピタキシャル膜を成長させる直前に、ＳｉＣ単結晶基板の表面をエッチングガスでエッチングし、更に、エッチングガスを供給しながら、原料ガスの供給と停止とからなるサイクルを２回以上繰り返して断続的な原料ガスの前処理供給を行った後、原料ガスを連続して供給して、ＳｉＣエピタキシャル膜の本成長を開始する。ここで、原料ガスの前処理供給の例として、原料ガスの供給・停止をそれぞれ２回行い、原料ガスの供給と停止とからなるサイクルを２回繰り返す断続的なガス供給パターンを図１(a)に、また、原料ガスの供給・停止をそれぞれ５回行い、同サイクルを５回繰り返す断続的なガス供給パターンを図１(b)に例示する。
【００２１】
原料ガスの前処理供給において原料ガスの供給・停止を行うのは、エピタキシャル成長直前であることから、ＣＶＤ装置における反応器の中は既に成長温度に等しくなっている。この温度においては、原料ガスが供給されている間はＳｉＣ膜が堆積（成長）し、停止している間はエッチングガスによるエッチングが行われることになる。従って、原料ガスの供給が開始される数秒間はエッチングガスによるエッチングが行われ、原料ガスの供給とともに堆積、停止により再びエッチング、といったプロセスが繰り返される。最初の原料ガスが開始されるまでの時間は特に制限はないが、おおよそ数秒から数十秒を具体的に挙げることができる。
【００２２】
結晶欠陥が発生する原因は未だ明確にはなっていないが、本発明者らの検討結果では、原料ガスを供給する原料ガス供給管内あるいは反応器の内壁を発生源とする異物が水素ガスなどのキャリアガスに同伴され、ＳｉＣ基板表面に吸着するとステップフローが阻害され、そこを起点とした欠陥が発生する確率が高くなることが分かった。すなわち、従来のエピタキシャル成長の開始条件では、成長初期の異物の吸着は避けられず、結晶欠陥発生の原因となっていた。
【００２３】
本発明は、この現象に鑑みてなされたものであり、原料ガスの前処理供給において原料ガスを反応器内に一度供給することで、原料ガス供給管を含めたガス流路の異物を吐き出させた後、原料ガスの供給を停止して、ＳｉＣ基板表面に吸着した異物およびその後の欠陥の起点となる部分を、エッチングガスによるエッチングにより除去する。こうすることで結晶欠陥の発生を大幅に抑えることができる。
【００２４】
また、他の結晶欠陥発生の原因としては、ＳｉＣ基板に存在しているらせん転位などの欠陥を起点としてエピタキシャル膜に欠陥が発生する。エピタキシャル成長を開始する前に原料ガスの供給・停止を繰り返し行う本発明の方法では、単純な水素エッチングより高い効率で基板の欠陥をエピタキシャル膜へ引き継ぐのを抑制する効果があると考えられる。
【００２５】
上述したように、本発明の方法では、異物起因、ＳｉＣ基板の欠陥起因の両面からエピタキシャル膜の結晶欠陥の発生を抑制することができるのである。但し、原料ガスの前処理供給における原料ガスの供給停止の回数は最低でも２回以上でないとその効果は限定的であることが分かり、本発明をなすに至った。
【００２６】
原料ガスの前処理供給において原料ガスの供給・停止を行う際に、１サイクル中の原料ガスの供給時間を１秒以上３０秒以下として炭化珪素のエピタキシャル膜を形成するのが望ましい。供給時間は５秒以上２０秒以内であれば、本発明の効果をより発揮するエピタキシャル膜を形成できるため、より好ましい。また、１サイクル中の原料ガスの供給停止時間を１０秒以上１８０秒以下として前記エピタキシャル膜の表層部をエッチングすることが望ましい。停止時間は３０秒以上６０秒以内であれば、本発明の効果をより発揮させるエッチング量としてより好ましい。これらは、上述した通り、堆積とエッチングのバランスを鋭意検討した結果、この範囲が望ましいことが分かった。前処理供給における原料ガスの供給時間が１秒未満ではＳｉＣエピタキシャル膜の堆積過小となり、反対に３０秒超ではＳｉＣエピタキシャル膜の堆積過多となり、エッチングにより異物を除去したり、その後の欠陥の起点となる部分を除去する効果が薄れる。また、原料ガスの供給停止時間が１０秒未満ではエッチング過小となり異物およびその後の欠陥の起点となる部分の除去が十分でなく、反対に１８０秒超ではエッチング過多となりバンチングしやすくなるために、本発明の効果が十分に発揮されない。
【００２７】
原料ガスの前処理供給において原料ガスの供給・停止を繰り返す回数については、エピタキシャル膜表面に吸着した異物、及びその後の欠陥の起点となる部分を除去するためには、少なくともそれぞれ２回は必要である。上述したように、本発明は原料ガスの断続的な供給を成長初期に複数回行うことが有効であることを発見し本発明をなしたものであり、原料ガスの供給と停止がそれぞれ１回ではその効果は十分ではない。一方、それぞれ１０回以上繰り返しても改善効果は変化しなくなるため、原料ガスの供給と停止とからなるサイクルを２回以上１０回以下繰り返すのが望ましい。
【００２８】
原料ガスの供給・停止を行う手段については特に制限はないが、好ましくは、具体的な方法として、図２に例示した方法が効果的である。このうち、図２ａの例では、エッチングガスである水素ガスは、流量制御計を備えた水素ガス供給管を使って、一定量を常に熱ＣＶＤ装置の反応器へ供給する。一方、原料ガスは別の流量制御計を備えた原料ガス供給管を使って常時一定の流量を流し続けるが、反応器に入る前にガス流路切替弁が具備されており、ガス流路を変更することができる。すなわち、この切替弁を使って、原料ガスの供給時には反応器にガス流路を切り替え、停止時にはドレインにガス流路を切り替える。こうすることで原料ガスの供給・停止を、急峻に行うことが可能となる。
【００２９】
先の図２ａの例は、カーボン原料ガスとシリコン原料ガスとをまとめて原料ガスとして反応器に供給するものであるが、図２ｂは、原料ガスとして、カーボン源を有するカーボン原料ガスとシリコン源を有するシリコン原料ガスとを別々に供給する場合を例示したものである。これらの原料ガス（カーボン原料ガスとシリコン原料ガス）の供給・停止は上述した図２ａの例と同様な方法で行うことができるが、この例によれば供給開始タイミングをカーボン原料ガスとシリコン原料ガスとで変更することもできる。例えば、カーボン原料ガスを早めに反応器に供給したり、逆にシリコン原料ガスを早めに反応器に供給することも可能となる。更に、停止のタイミングをカーボン原料ガスとシリコン原料ガスとで変更することもできる。例えば、カーボン原料ガスを早めにドレインへ切り替えたり、逆にシリコン原料ガスを早めにドレインへ切り替えたりすることも可能となる。図２ｂのように、カーボン原料ガスとシリコン原料ガスとを個別のガス供給管を通じて反応器に供給するのは、後述する縦型熱ＣＶＤ装置を用いてＳｉＣエピタキシャルウェハを製造する場合に特に好適である。なお、窒素ガス等のようなドーピングガスは、原料ガス供給管やエッチングガス供給管（図２の例では水素ガス供給管）を通じて反応器内に供給するようにしてもよく、これらとは別に流量制御計を備えたドーピングガス供給管を通じて供給するようにしてもよい。
【００３０】
本発明においてカーボン源のカーボン原料ガスとしては、例えばプロパン(C3H8)が好適に使用されるがこれに限定される必要はなく、炭素数が５以下の飽和炭化水素ガスや不飽和炭化水素ガスでも好適に用いることができる。一方、シリコン源のシリコン原料ガスとしては、例えばSiH4が好適に使用されるがこれに限定される必要はなく、SiH3Cl、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4なども好適に用いることができる。
【００３１】
また、断続的な原料ガスの前処理供給の前に行うエッチングガスによるエッチングや、上述したように原料ガスの前処理供給における原料ガス停止時には、エッチングガスによるエッチングが進行するが、これらを含めて、使用するエッチングガスについては特に制限されず、好適には水素ガスを用いるのがよい。また、水素ガスにＨＣｌなどエッチング作用のあるハロゲン系の他のガスを共存させることもできる。
【００３２】
本発明は、ＳｉＣエピタキシャル膜を成長させる際のガス供給方法に関するものなので、ＳｉＣエピ装置の代表的な構造である横型炉（サセプターに複数のSiC基板を平面方向に並べ、サセプター全体を誘導加熱する方式）を備えた横型熱ＣＶＤ装置に適用することができるのは勿論、これに限定されるものではない。その他にも、例えば複数のＳｉＣ基板を互いに平行に縦方向に配列して、各ＳｉＣ基板上にＣＶＤ法でＳｉＣをエピタキシャル成長させる、所謂縦型のエピ装置（縦型熱CVD装置）に対しても本発明の方法を適用することができる。
【００３３】
本発明は、エピタキシャル成長条件の最適化で結晶欠陥を減らしたり、ステップバンチングのない平滑な表面を得ることを目的としたものではなく、代表的なエピタキシャル成長条件を変更することなく、ＳｉＣエピタキシャル膜の成長開始に先駆けて行う断続的な原料ガスの前処理供給において原料ガスの供給方法を工夫することで、結晶欠陥を減らしたり、ステップバンチングのない平滑な表面を得ることを可能にしたものである。すなわち、ＳｉＣ単結晶基板の表面をエッチングガスでエッチングし、断続的な原料ガスの前処理供給を行った後は、ＳｉＣエピタキシャル膜の本成長を開始して、公知の方法と同様にしてＳｉＣエピタキシャル膜を成長させることができる。そのため、本発明による効果は絶大であって、本成長におけるエピタキシャル膜の成長条件自体は許容範囲が広く、例えば、成長温度１５００℃〜１６５０℃、シリコン原料ガス中の珪素原子数に対するカーボン原料ガス中の炭素原子数の比であるＣ／Ｓｉ比０．６〜１．３、圧力２０００Ｐａ〜２００００Ｐａの範囲にあれば、その効果を享受することができる。また、ＳｉＣ基板におけるＳｉ面へのエピタキシャル成長に限らず、Ｃ面へのエピタキシャル成長にも適用できる。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
４Ｈ型のポリタイプを有するＳｉＣ単結晶インゴットから約４００μｍの厚さでスライスして切り出した４インチ(100mm)ＳｉＣ基板の表面を粗削りとダイヤモンド砥粒によって研磨した。その際、Ｓｉ面のみＣＭＰ(Chemical Mechanical Polishing)で仕上げた。そして、以下のようにして、このＳｉＣ基板のＳｉ面にエピタキシャル成長した。なお、このＳｉＣ基板のオフ角は４°である。
【００３５】
ＳｉＣ基板を成長面（Si面）が上になるようにカーボン製のサセプターにセットし、成長炉（反応器）内を真空排気した後、水素ガスを毎分１０リットル導入しながら圧力を８０００Ｐａに調整した。その後、圧力を一定に保ちながら成長炉の温度を１５５０℃まで上げた。
【００３６】
ガスの導入は図２ａに示した装置にならい、水素ガスを毎分１００リットル、原料ガス（カーボン原料ガス＋シリコン原料ガス）を毎分０．０８リットルの一定値となるようにガス流量制御装置を設定し、図３に示すパターン（サイクル数３）で原料ガスの断続供給を行った。ここで、断続的な原料ガスの前処理供給における最初の原料ガスの供給は、水素ガス供給後５秒後に行った。なお、原料ガスは、プロパン(C3H8)とシランガス(SiH4)を流量比１：３の割合で混合させたものを用いた(従って、C/Si比は1.0)。
【００３７】
断続的な原料ガスの前処理供給を行った後、水素ガスと原料ガスの流量を保ったまま、同条件にて原料ガスの連続供給を開始し、成長時間を１時間としてＳｉＣエピタキシャル膜を成長させた（本成長）。成長終了時は、全てのガスの供給を停止し、冷却を行った。
【００３８】
得られたＳｉＣエピタキシャルウェハについて、ＦＴ−ＩＲ装置を使って膜厚測定を行い、９．８μｍの厚さでＳｉＣエピタキシャル膜が形成されていることを確認した。次に、光学顕微鏡を使って結晶欠陥の数を評価した。その結果、結晶欠陥密度は０．５個／ｃｍ2であることが分かった。また、５００倍の高倍率で表面モホロジーの観察を行ったが、ステップバンチングの存在は認められなかった。
【００３９】
（実施例２〜２４）
表１に示したような断続的な原料ガスの前処理供給を行った以外は実施例１と同様にして、エピタキシャル成長を行った。得られたＳｉＣエピタキシャル膜の結晶欠陥密度、ステップバンチングの結果を表１にまとめて示した。ステップバンチングの評価における記号は、◎は５００倍の高倍率でも観察されないレベル、○は５０倍で観察されないレベル、△は５０倍で存在が認められるレベルを示す。
【００４０】
表１に示した結果から分かるように、本発明によれば、結晶欠陥は極少であって、ステップバンチングもない高品質なＳｉＣエピタキシャルウェハが得られることが確認できた。
【００４１】
【表１】
2014114192.tif 000003
【００４２】
（比較例１）
原料ガスの前処理供給における原料ガスの供給と停止とからなるサイクルを１回とした以外は実施例１と同様のエピタキシャル条件で成長を行った。
【００４３】
このようにして得られたエピタキシャル膜は、膜厚は実施例１とほぼ同じ９．７μｍであったが、結晶欠陥は数多く観察され、欠陥密度は１．３個／ｃｍ2に達することが分かった。
【００４４】
（比較例２）
水素ガスを毎分１０リットル導入しながら圧力を８０００Ｐａに調整して、その圧力を一定に保ちながら成長炉の温度を１５５０℃まで上げた後、断続的な原料ガスの前処理供給を行わず直ちに実施例１と同様のエピタキシャル条件で成長を行った。
【００４５】
このようにして得られたエピタキシャル膜は、膜厚は実施例１と同じ９．８μｍであったが、結晶欠陥は数多く観察され、欠陥密度は２．５個／ｃｍ2に達することが分かった。また、薄いステップバンチングも観察された。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明によれば、結晶欠陥が極少であって、ステップバンチングのない高品質なＳｉＣエピタキシャルウェハを製造することができ、これを用いることで高信頼性のデバイスを作製することができる。また、歩留まりが良くなるので、安価なデバイスを作製することができる。
【図１】
2014114192.tif 000004
【図２ａ】
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【図２ｂ】
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【図３】
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