(57)【要約】【課題】コアレスタイプの配線基板において、配線層を密着性よく絶縁層の上に形成すること。【解決手段】第１絶縁層２０と、第１絶縁層２０の下に形成され、外面が粗化面Ｒとなった密着用絶縁層２０ａと、第１絶縁層２０の上に形成された配線層３０と、第１絶縁層２０の上に形成され、配線層３０に到達するビアホールＶＨ１が設けられた第２絶縁層２２と、第２絶縁層２２の上に形成され、ビアホールＶＨ１を介して配線層３０に接続される配線層３２と、密着用絶縁層２０ａ及び第１絶縁層２０に形成され、配線層３０に到達するビアホールＶＨ５と、密着用絶縁層２０ａの外面に形成され、ビアホールＶＨ５を介して配線層３０に接続される配線層４０とを含む。【選択図】図８
2014063801.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の下に形成され、外面が粗化面となった密着用絶縁層と、
前記第１絶縁層の上に形成された第１配線層と、
前記第１絶縁層の上に形成され、前記第１配線層に到達する第１ビアホールが設けられた第２絶縁層と、
前記第２絶縁層の上に形成され、前記第１ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層と、
前記密着用絶縁層及び前記第１絶縁層に形成され、前記第１配線層に到達する第２ビアホールと、
前記密着用絶縁層の外面に形成され、前記第２ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第３配線層とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記第１ビアホールは、前記第２絶縁層の表面から厚み方向に向けて直径が小さくなるテーパー形状であり、前記第２ビアホールは前記第１ビアホールと逆のテーパー形状となっていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記密着用絶縁層の粗化面の表面粗さは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の各上面の表面粗さと同一範囲に設定されることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１絶縁層、前記第２絶縁層及び前記密着用絶縁層は、樹脂から形成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
支持体の上に第１絶縁層を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上に第１配線層を形成する工程と、
前記第１配線層を被覆する第２絶縁層を前記第１絶縁層の上に形成する工程と、
前記第２絶縁層に、前記第１配線層に到達する第１ビアホールを形成する工程と、
前記第１ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層を前記第２絶縁層の上に形成する工程と、
前記支持体を除去して、前記第１絶縁層の下面を露出させる工程と、
前記第１絶縁層の露出面に密着用絶縁層を形成する工程と、
前記密着用絶縁層及び前記第１絶縁層に、前記第１配線層に到達する第２ビアホールを形成する工程と、
前記密着用絶縁層の露出面を粗化する工程と、
前記第２ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第３配線層を前記密着用絶縁層の露出面に形成する工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１ビアホールは、前記第２絶縁層の表面から厚み方向に向けて直径が小さくなるテーパー形状であり、前記第２ビアホールの形状は前記第１ビアホールと逆のテーパー形状となっていることを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記密着用絶縁層の露出面を粗化する工程において、前記密着用絶縁層の露出面の表面粗さは、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の各上面の表面粗さと同一範囲に設定されることを特徴とする請求項５又は６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１〜第３配線層は、セミアディティブ法によって形成されることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記密着用絶縁層を粗化する工程は、デスミア処理によって行われることを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１、第２絶縁層及び前記密着用絶縁層は、樹脂から形成されることを特徴とする請求項５乃至９のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップなどの電子部品を搭載するための配線基板がある。そのような配線基板として、コア基板をもたないコアレスタイプの配線基板がある。コアレスタイプの配線基板は、支持体の上に所要のビルドアップ配線層を形成した後に、支持体を除去することに基づいて製造される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２８９１６３号公報特開
【特許文献２】特開２００８−１５３５８０号公報
【特許文献３】２００９−８８４２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
後述する予備的事項の欄で説明するように、コアレスタイプの配線基板の製造方法では、支持体の上に形成されるビルドアップ配線層の最下の樹脂層は上側に樹脂層が積層されるたびに加熱処理が繰り返し施される。これにより、ビルドアップ配線層の最下の樹脂層は加熱履歴が他の樹脂層より多くなるため、強固に硬化した状態となる。
【０００５】
よって、支持体を除去した後に、最下の樹脂層にビアホールを形成し、デスミア処理して粗化するときに、適度な粗化面を得ることができない。このため、最下の樹脂層の露出面に配線層を形成する際に、配線層の十分な密着性が得られない課題がある。
【０００６】
コアレスタイプの配線基板及びその製造方法において、配線層を密着性よく絶縁層の上に形成することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、第１絶縁層と、前記第１絶縁層の下に形成され、外面が粗化面となった密着用絶縁層と、前記第１絶縁層の上に形成された第１配線層と、前記第１絶縁層の上に形成され、前記第１配線層に到達する第１ビアホールが設けられた第２絶縁層と、前記第２絶縁層の上に形成され、前記第１ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層と、前記密着用絶縁層及び前記第１絶縁層に形成され、前記第１配線層に到達する第２ビアホールと、前記密着用絶縁層の外面に形成され、前記第２ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第３配線層とを有する配線基板が提供される。
【０００８】
また、その開示の他の観点によれば、支持体の上に第１絶縁層を形成する工程と、前記第１絶縁層の上に第１配線層を形成する工程と、前記第１配線層を被覆する第２絶縁層を前記第１絶縁層の上に形成する工程と、前記第２絶縁層に、前記第１配線層に到達する第１ビアホールを形成する工程と、前記第１ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層を前記第２絶縁層の上に形成する工程と、前記支持体を除去して、前記第１絶縁層の下面を露出させる工程と、前記第１絶縁層の露出面に密着用絶縁層を形成する工程と、前記密着用絶縁層及び前記第１絶縁層に、前記第１配線層に到達する第２ビアホールを形成する工程と、前記密着用絶縁層の露出面を粗化する工程と、前記第２ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第３配線層を前記密着用絶縁層の露出面に形成する工程とを有する配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
以下の開示によれば、配線基板の製造方法では、支持体の上にビルドアップ配線層を形成し、支持体を除去した後に、最下の絶縁層の露出面に密着用絶縁層を形成する。次いで、密着用絶縁層及び最下の絶縁層にビアホール形成した後に、デスミア処理によって密着用絶縁層の外面を粗面化する。
【００１０】
このようにすることにより、粗化しずらい最下の絶縁層の外面側に粗化面を設けることができるため、最下の絶縁層の外面側にも配線層を密着性よく形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１（ａ）〜（ｅ）は予備的事項に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図２】図２（ａ）〜（ｃ）は予備的事項に係る配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図３】図３（ａ）〜（ｅ）は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｅ）は図３（ｃ）の第１配線層の形成方法を示す断面図である。
【図５】図５（ａ）〜（ｄ）は図３（ｅ）の第２配線層の形成方法を示す断面図である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図７】図７（ａ）〜（ｃ）は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図８】図８は実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図９】図９は図８の配線基板を使用する半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１３】
実施形態を説明する前に、基礎となる予備的事項について説明する。コアレスタイプの配線基板の製造方法では、図１（ａ）に示すように、まず、銅板などの支持体１００を用意する。次いで、図１（ｂ）に示すように、支持体１００の上に半硬化状態の樹脂フィルムを貼付し、１９０℃程度の温度で加熱することにより、樹脂フィルムを硬化させて第１樹脂層２００を得る。
【００１４】
続いて、図１（ｃ）に示すように、第１樹脂層２００の上に第１配線層３００を形成する。次いで、図１（ｄ）に示すように、第１樹脂層２００の形成方法と同様な方法により、第１配線層３００を被覆する第２樹脂層２２０を第１樹脂層２００の上に形成する。さらに、第２樹脂層２２０をレーザなどで加工することにより、第１配線層３００に到達する第１ビアホールＶＨ１を形成する。
【００１５】
次いで、同じく図１（ｄ）に示すように、第１ビアホールＶＨ１を介して第１配線層３００に接続される第２配線層３２０を第２樹脂層２２０の上に形成する。
【００１６】
続いて、図１（ｅ）に示すように、同様な工程を繰り返すことにより、第３樹脂層２４０に設けられた第２ビアホールＶＨ２を介して第２配線層３２０に接続される第３配線層３４０を第３樹脂層２４０の上に形成する。
【００１７】
さらに、同様な工程を繰り返すことにより、第４樹脂層２６０に設けられた第３ビアホールＶＨ３を介して第３配線層３４０に接続される第４配線層３６０を第４樹脂層２６０の上に形成する。その後に、第４配線層３６０を被覆する第５樹脂層２８０を形成する。
【００１８】
このようにして、支持体１００の上に４層のビルドアップ配線層を形成する。
【００１９】
次いで、図２（ａ）に示すように、ウェットエッチングにより支持体１００を除去して、第１樹脂層２００の下面を露出させる。
【００２０】
続いて、図２（ｂ）に示すように、第５樹脂層２８０をレーザなどで加工することにより、第４配線層３６０に到達する第４ビアホールＶＨ４を形成する。さらに、第１樹脂層２００をレーザなどで加工することにより、第１配線層３００の下面に到達する第５ビアホールＶＨ５を形成する。
【００２１】
次いで、同じく図２（ｂ）に示すように、両面側において、過マンガン酸カリウム溶液などで第４ビアホールＶＨ４及び第５ビアホールＶＨ５内をデスミア処理することにより、第４、第５ビアホールＶＨ４、ＶＨ５の底に残留する樹脂スミアをクリーニングする。
【００２２】
このとき同時に、第１樹脂層２００及び第５樹脂層２８０の表面がデスミア処理によってエッチングされる。
【００２３】
ここで、第１樹脂層２００は、第２〜第５樹脂層２２０，２４０，２６０，２８０を形成するたびに加熱処理が繰り返し施されている。このため、第１樹脂層２００は加熱履歴が他の樹脂層より多くなるため、強固に硬化した状態となっている。
【００２４】
従って、図２（ｂ）の部分拡大断面図に示すように、デスミア処理を行う際に、第５樹脂層２８０の表面はエッチングによって十分に凹凸が形成されて所要の粗化面Ｒとなるが、第１樹脂層２００の表面はエッチングされにくいため、十分に粗化されない。
【００２５】
そして、図２（ｃ）に示すように、第４ビアホールＶＨ４を介して第４配線層３６０に接続される第５配線層３８０を第５樹脂層２８０の上に形成する。第５樹脂層２８０の表面は適度な粗化面Ｒとなっているため、第５配線層３８０は密着性よく第５樹脂層２８０の上に形成される。
【００２６】
また、同じく図２（ｃ）に示すように、第５ビアホールＶＨ５を介して第１配線層３００に接続される第６配線層４００を第１樹脂層２００の下面に形成する。第１樹脂層２００の下面は十分に粗化されていないため、第６配線層４００と第１樹脂層２００との十分な密着性が得られない課題がある。
【００２７】
第６配線層４００をセミアディティブ法で形成する場合は、シード層を無電解めっきで形成する際に、シード層が第１樹脂層２００から剥がれて膨れが発生しやすい。
【００２８】
このため、第１樹脂層２００の下面に形成される第６配線層４００は、剥がれ対策のために線幅を太くしたりするなどの工夫が必要になり、他の樹脂層の上に形成される配線層と同じ設計ルールで形成することが困難になり、設計上の制約が生じる。
【００２９】
以下に説明する実施形態では、前述した不具合を解消することができる。
【００３０】
（実施形態）
図３〜図７は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図、図８は実施形態の配線基板を示す断面図である。以下、実施形態の配線基板の製造方法を説明しながら配線基板の構造について説明する。
【００３１】
実施形態の配線基板の製造方法では、図３（ａ）に示すように、まず、支持体１０を用意する。支持体１０は、例えば、金属板から形成され、一例として、厚みが１５０μｍ〜５００μｍの銅板又は銅箔から形成される。
【００３２】
次いで、図３（ｂ）に示すように、支持体１０の上に半硬化状態の樹脂フィルムを貼付し、１９０℃程度の温度で加熱処理することにより、樹脂フィルムを硬化させる。これにより、厚みが２０μｍ程度の第１樹脂層２０を得る。樹脂フィルムとしては、熱硬化性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などが使用される。その後に、過マンガン酸カリウム溶液などで第１樹脂層２０の表面をエッチングして粗化面とする。
【００３３】
続いて、図３（ｃ）に示すように、第１樹脂層２０の上に厚みが２０μｍ程度の第１配線層３０を形成する。
【００３４】
第１配線層３０は、例えば、セミアディティブ法により形成される。詳しく説明すると、図４（ａ）に示すように、まず、第１樹脂層２０の上に無電解めっき又はスパッタ法によって銅などからなるシード層３０ａを形成する。次いで、図４（ｂ）に示すように、シード層３０ａの上に、第１配線層３０が配置される部分に開口部３１ｘが設けられためっきレジスト３１をフォトリソグラフィに基づいて形成する。
【００３５】
さらに、図４（ｃ）に示すように、シード層３０ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジスト３１の開口部３１ｘに銅などからなる金属めっき層３０ｂを形成する。
【００３６】
次いで、図４（ｄ）に示すように、めっきレジスト３１を除去する。その後に、図４（ｅ）に示すように、金属めっき層３０ｂをマスクにしてシード層３０ａをエッチングして除去する。これにより、シード層３０ａ及び金属めっき層３０ｂから形成される第１配線層３０が得られる。
【００３７】
続いて、図３（ｄ）に戻って説明すると、第１樹脂層２０及び第１配線層３０の上に半硬化状態の樹脂フィルムを貼付し、１９０℃程度の温度で加熱処理することにより、樹脂フィルムを硬化させる。これにより、厚みが３０μｍ程度の第２樹脂層２２を得る。第２樹脂層２２は層間絶縁層として形成される。後述する第３〜第５樹脂層についても同じである。
【００３８】
さらに、第２樹脂層２２をレーザなどで加工することにより、第１配線層３０に到達する第１ビアホールＶＨ１を形成する。第１ビアホールＶＨ１の直径は、例えば６０μｍ〜７０μｍに設定される。
【００３９】
第１ビアホールＶＨ１は、第２樹脂層２２の上面側からレーザなどで形成されるため、第２樹脂層２２の表面から厚み方向に向けて直径が小さくなる順テーパー形状で形成される。
【００４０】
その後に、過マンガン酸カリウム溶液などで第１ビアホールＶＨ１内をデスミア処理することにより、第１ビアホールＶＨ１の底に残留する樹脂スミアをクリーニングする。このとき同時に、図３（ｄ）の部分拡大断面図に示すように、デスミア処理によって、第１ビアホールＶＨ１の側面及び第１樹脂層２０の表面に凹凸が形成されて表面が粗化面Ｒとなる。
【００４１】
第２樹脂層２２の粗化面Ｒの表面粗さは、５００ｎｍ以下、好適には１００ｎｍ〜４００ｎｍに設定される。他の樹脂層においても、その表面粗さは第２樹脂層２２と同一範囲に設定される。
【００４２】
デスミア処理の方法として、過マンガン酸法を例示したが、プラズマエッチング、又はブラスト処理などを使用してもよい。プラズマエッチングを使用する場合は、例えば、ＣＦ4にＯ2又はＮ2などが添加された混合ガスを使用するドライエッチング装置によって行われる。
【００４３】
次いで、図３（ｅ）に示すように、第１ビアホールＶＨ１を介して第１配線層３０に接続される第２配線層３２を第２樹脂層２２の上に形成する。第２樹脂層２２の表面は適度に粗化されているため、第２配線層３２はアンカー効果によって密着性よく第２樹脂層２２の上に形成される。前述した第１配線層３０においても、同様な理由で、第１樹脂層２０の上に密着性よく形成される。
【００４４】
第２配線層３２は、例えば、セミアディティブ法によって形成される。詳しく説明すると、図５（ａ）に示すように、まず、第２樹脂層２２の上及び第１ビアホールＶＨ１の内面に無電解めっき又はスパッタ法により銅などからなるシード層３２ａを形成する。
【００４５】
さらに、図５（ｂ）に示すように、第２配線層３２が配置される部分に開口部３１ｘが設けられためっきレジスト３１をシード層３２ａの上にフォトリソグラフィに基づいて形成する。
【００４６】
次いで、図５（ｃ）に示すように、シード層３２ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより、第１ビアホールＶＨ１内からめっきレジスト３１の開口部３１ｘに銅などからなる金属めっき層３２ｂを形成する。
【００４７】
その後に、図５（ｄ）に示すように、めっきレジスト３１を除去した後に、金属めっき層３２ｂをマスクにしてシード層３２ａをエッチングして除去する。これにより、シード層３２ａ及び金属めっき層３２ｂから形成される第２配線層３２が得られる。第２配線層３２は第１ビアホールＶＨ１内に充填されたビア導体を含んで形成される。
【００４８】
他の配線層においても、好適には、セミアディティブ法で形成されるが、サブトラクティブ法又はフルアディティブ法などの他の配線形成方法を使用してもよい。
【００４９】
次いで、図６（ａ）に示すように、同様な工程を繰り返すことにより、第３樹脂層２４に形成された第２ビアホールＶＨ２を介して第２配線層３２に接続される第３配線層３４を第３樹脂層２４の上に形成する。
【００５０】
さらに、同様な工程を繰り返すことにより、第４樹脂層２６に形成された第３ビアホールＶＨ３を介して第３配線層３４に接続される第４配線層３６を第４樹脂層２６の上に形成する。
【００５１】
続いて、図６（ｂ）に示すように、支持体１０をエッチングによって除去する。支持体１０が銅から形成される場合は、支持体１０のエッチャントとして、アンモニアを主成分とするアルカリエッチング液、第二塩化鉄水溶液、又は第二塩化銅水溶液などが使用される。これにより、支持体１０を第１樹脂層２０に対して選択的に除去することができる。
【００５２】
前述した予備的事項でも説明したように、最下の第１樹脂層２０は、第２〜第４樹脂層２２，２４，２６を形成するたびに加熱処理が繰り返し施されて、加熱履歴が多くなっているため、強固に硬化した状態となっている。このため、最下の第１樹脂層２０の露出面に粗化処理を行っても十分な粗化面を得ることは困難である。
【００５３】
そこで、図６（ｃ）に示すように、第１樹脂層２０の下面に密着用樹脂層２０ａを積層して形成する。密着用樹脂層２０ａは他の樹脂層と同様に、半硬化状態の樹脂フィルムを貼付し、加熱処理で硬化させることにより得られる。
【００５４】
また同様に、密着用樹脂層２０ａは熱硬化性のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などから形成される。密着用樹脂層２０ａは過剰な加熱処理が施されていないため、デスミア処理によって容易に粗化面を形成することができる。
【００５５】
第１樹脂層２０及び密着用樹脂層２０ａによって層間絶縁層が形成される。第１樹脂層２０の厚みが２０μｍの場合は、密着用樹脂層２０ａの厚みは１０μｍ程度に設定され、トータルの厚みが第２〜第４樹脂層２２，２４，２６の各厚みと同一になるように設定される。
【００５６】
さらに、同様な方法により、第４樹脂層２６及び第４配線層３６の上に第５樹脂層２８を形成する。
【００５７】
次いで、図７（ａ）に示すように、図６（ｃ）の上面側において、第５樹脂層２８をレーザなどで加工することにより、第４配線層３６の下面に到達する第４ビアホールＶＨ４を形成する。
【００５８】
また同様に、図６（ｃ）の下面側において、密着用樹脂層２０ａ及び第１樹脂層２０をレーザなどで加工することにより、第１配線層３０の下面に到達する第５ビアホールＶＨ５を形成する。
【００５９】
第５ビアホールＶＨ５は、密着用樹脂層２０ａ及び第１樹脂層２０の下面側からレーザなどで形成される。このため、第５ビアホールＶＨ５は、密着用樹脂層２０ａの表面から第１樹脂層２０の厚み方向に向けて直径が小さくなる逆テーパー形状で形成され、第１ビアホールＶＨ１とは逆のテーパー形状となる。
【００６０】
さらに、図７（ｂ）に示すように、図７（ａ）の構造体の両面側に、過マンガン酸カリウム溶液などでデスミア処理を行うことにより、第４、第５ビアホールＶＨ４，ＶＨ５の底に残留する樹脂スミアをクリーニングする。
【００６１】
このとき同時に、デスミア処理によって、第４、第５ビアホールＶＨ４，ＶＨ５の側面及び第５樹脂層２８及び密着用樹脂層２０ａの表面に凹凸が形成されて粗化面となる。
【００６２】
図７（ｂ）の部分拡大断面図には、密着用樹脂層２０ａの外面に粗化面Ｒが形成された様子が示されている。
【００６３】
このように、過剰に加熱処理が施されて粗化面の形成が困難な最下の第１樹脂層２０の下面に密着用樹脂層２０ａを形成することにより、第１樹脂層２０の下面側に粗化面Ｒを形成することができる。
【００６４】
これにより、密着用樹脂層２０ａの外面の表面粗さを第１〜第５樹脂層２０，２２，２４，２６，２８の各上面の表面粗さと同一範囲に設定することができる。
【００６５】
次いで、図７（ｃ）に示すように、図７（ｂ）の構造体の上面側において、第４ビアホールＶＨ４を介して第４配線層３６に接続される第５配線層３８を第４樹脂層２６の上に形成する。
【００６６】
さらに、同じく図７（ｃ）に示すように、図７（ｂ）の構造体の下面側において、第５ビアホールＶＨ５を介して第１配線層３０に接続される第６配線層４０を密着用樹脂層２０ａの外面に形成する。
【００６７】
第１樹脂層２０の下面には外面が適度に粗化された密着用樹脂層２０ａが形成されている。このため、最下の第１樹脂層２０の下面側に形成される第６配線層４０においても、他の配線層と同様に、第１樹脂層２０に密着性よく形成される。
【００６８】
前述した第２配線層３２の形成方法で説明したセミアディティブ法を使用する場合は、シード層を無電解めっきで形成する際に、シード層が密着用樹脂層２０ａから剥がれて膨れが発生することなく、歩留りよく微細な第６配線層４０を形成することができる。
【００６９】
このように、本実施形態の配線基板では、配線層が形成される全ての樹脂層において適度に粗化されているので、全ての層の配線層において十分な密着性が確保される。このため、ビルドアップ配線層の全ての配線層において同じ設計ルールで形成することができ、設計上の制約を生じることがない。
【００７０】
例えば、全ての層の配線層において、１０μｍ〜３０μｍの狭ピッチで歩留りよく形成することができる。
【００７１】
続いて、図８に示すように、最上の第５配線層３８の接続部上に開口部５０ａが設けられたソルダレジスト５０を第５樹脂層２８の上に形成する。また同様に、最下の第６配線層４０の接続部上に開口部５２ａが設けられたソルダレジスト５２を密着用樹脂層２０ａの上に形成する。
【００７２】
さらに、必要に応じて、第５配線層３８及び第６配線層４０の各接続部にＮｉ／Ａｕめっき層を形成するなどしてコンタクト層（不図示）を設ける。
【００７３】
以上により本実施形態の配線基板１が得られる。
【００７４】
前述した形態では、第１樹脂層２０の上側に５層のビルドアップ配線層を形成し、第１樹脂層２０の下側に１層の配線層を形成したが、第１樹脂層２０の上下側において配線層の積層数は任意に設定することができる。
【００７５】
また、層間絶縁層及び密着用絶縁層として絶縁樹脂を使用したが、別の絶縁材料を使用することも可能である。
【００７６】
図８に示すように、本実施形態の配線基板１では、配線層の間に形成される層間絶縁層の最下層として、第１樹脂層２０及び密着用樹脂層２０ａが配置されている。第１樹脂層２０の上に第１配線層３０が形成されている。また、第１樹脂層２０の上には、第１配線層３０に到達する第１ビアホールＶＨ１が設けられた第２樹脂層２２が形成されている。
【００７７】
さらに、第１ビアホールＶＨ１を介して第１配線層３０に接続される第２配線層３２が第２樹脂層２２の上に形成されている。
【００７８】
また同様に、第３樹脂層２４に設けられた第２ビアホールＶＨ２を介して第２配線層３２に接続される第３配線層３４が第３樹脂層２４の上に形成されている。
【００７９】
さらに同様に、第４樹脂層２６に設けられた第３ビアホールＶＨ３を介して第３配線層３４に接続される第４配線層３６が第４樹脂層２６の上に形成されている。
【００８０】
さらに同様に、第５樹脂層２８に設けられた第４ビアホールＶＨ４を介して第４配線層３６に接続される第５配線層３８が第５樹脂層２８の上に形成されている。第５樹脂層２８の上には、第５配線層３８の接続部上に開口部５０ａが設けられたソルダレジスト５０が形成されている。
【００８１】
さらに、密着用樹脂層２０ａ及び第１樹脂層２０には、第１配線層３０の下面の接続部に到達する第５ビアホールＶＨ５が形成されている。密着用樹脂層２０ａの下面には、第５ビアホールＶＨ５を介して第１配線層３０に接続される第６配線層４０が形成されている。第６配線層４０の接続部上に開口部５２ａが設けられたソルダレジスト５２が形成されている。
【００８２】
第６配線層４０が形成された密着用樹脂層２０ａの下面は、部分拡大断面図に示すように、粗化面Ｒとなっている。密着用樹脂層２０ａの粗化面Ｒの表面粗さは、５００ｎｍ以下、好適には１００ｎｍ〜４００ｎｍの範囲に設定されている。
【００８３】
密着用樹脂層２０ａの下面は適度に粗化されているので、第６配線層４０が第１樹脂層２０の下面側に密着用樹脂層２０ａを介して密着性よく形成される。
【００８４】
また、密着用樹脂層２０ａの下面の表面粗さは、第１〜第５樹脂層２０，２２，２４，２６，２８の各上面の表面粗さと同一範囲に設定されている。これにより、第１〜第５配線層３０，３２，３４，３６，３８の各々においても、密着性よく各樹脂層の上に形成される。
【００８５】
前述したように、コアレスタイプの配線基板の製造方法において、支持体１０を除去して露出する最下の第１樹脂層２０の露出面を粗化することは困難である。このため、第１樹脂層２０の露出面に密着用樹脂層２０ａを形成する。
【００８６】
密着用樹脂層２０ａは過剰な加熱処理が施されていないため、デスミア処理によって適度に粗化面を形成することができる。
【００８７】
これにより、第１樹脂層２０の露出面側に密着用樹脂層２０ａを介して第６配線層４０を密着性よく形成することができる。
【００８８】
本実施形態の配線基板１では、第２樹脂層２２に形成される第１ビアホールＶＨ１は第２樹脂層２２の上面側からレーザなどで形成される。このため、第１ビアホールＶＨ１は第２樹脂層２２の表面から厚み方向に向けて直径が小さくなる順テーパー形状で形成される。第２〜第４ビアホール（ＶＨ２〜ＶＨ４）においても同様である。
【００８９】
これに対して、密着用樹脂層２０ａ及び第１樹脂層２０に形成される第５ビアホールＶＨ５は密着用樹脂層２０ａの下面側からレーザなどで形成される。このため、第５ビアホールＶＨ５の形状は、第１ビアホールＶＨ１と逆のテーパー形状で形成される。
【００９０】
図９には、図８の配線基板１を利用した半導体装置の一例が示されている。図９に示すように、半導体装置２では、図８の配線基板１を上下反転させ、第６配線層４０の接続部にバンプ電極６２を介して半導体チップ６０がフリップチップ接続される。
【００９１】
また、半導体チップ６０と配線基板１との隙間にアンダーフィル樹脂６４が充填される。さらに、半導体チップ６０が搭載された面と反対面側の第５配線層３８の接続部に、はんだボールなどを搭載するなどして外部接続端子６６を設ける。
【００９２】
そして、半導体装置２の外部接続端子６６がマザーボードなどの実装基板に接続される。
【００９３】
配線基板１内の配線層によって、半導体チップ６０に対応する上面側の第６配線層４０の狭ピッチが実装基板の広ピッチに対応するようにピッチ変換される。
【００９４】
あるいは、逆に、図８の配線基板１の上面側の第５配線層３８の接続部に半導体チップをフリップチップ接続し、反対面側の第６配線層４０に外部接続端子を設けてもよい。
【符号の説明】
【００９５】
１…配線基板、２…半導体装置、１０…支持体、２０…第１樹脂層、２０ａ…密着用樹脂層、２２…第２樹脂層、２４…第３樹脂層、２６…第４樹脂層、２８…第５樹脂層、３０…第１配線層、３１…めっきレジスト、３１ｘ，５０ａ，５２ａ…開口部、３２…第２配線層、３４…第３配線層、３６…第４配線層、３８…第５配線層、４０…第６配線層、５０，５２…ソルダレジスト、６０…半導体チップ、６２…バンプ電極、６４…アンダーフィル樹脂、６６…外部接続端子、Ｒ…粗化面、ＶＨ１…第１ビアホール、ＶＨ２…第２ビアホール、ＶＨ３…第３ビアホール、ＶＨ４…第４ビアホール、ＶＨ５…第５ビアホール。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【手続補正書】
【提出日】平成24年11月5日(2012.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開平１１−２８９１６３号公報
【特許文献２】特開２００８−１５３５８０号公報
【特許文献３】特開２００９−８８４２９号公報