(57)【要約】【課題】磁気安定性の低下を防止する。【解決手段】データ読取機は、空気軸受面（ＡＢＳ）からの第１のストライプ高さを持つ第１の部分と、ＡＢＳからの異なった第２のストライプ高さを持つ第２の部分とを有する少なくとも１つの磁気反応積層で構成することができる。第１の部分は、バックエッジ機能によってＡＢＳに対して所定の角度に成形されたバックエッジ表面 を有するように構築され得る。【選択図】図２Ａ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
空気軸受面（ＡＢＳ）からの第１のストライプ高さを持つ第１の部分と、前記ＡＢＳからの異なった第２のストライプ高さを持つ第２の部分とを有する磁気反応積層を備え、前記第１の部分がバックエッジ機能によって前記ＡＢＳに対して所定の角度に成形されたバックエッジ表面を有する、装置。
【請求項２】
前記第１の部分が強磁性の磁性自由層および電極キャップを備える、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記第２の部分がピン止めされた磁化参照構造を備える、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記ピン止めされた磁化参照構造が合成反強磁性体を備える、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記バックエッジ機能が第１および第２のハードマスク層を備える、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
各ハードマスク層が、前記第１の部分に接触する前記第２のストライプ高さに対して連続して延在する、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記ハードマスク層がタンタルを含み、前記第２のハードマスク層が非晶質炭素を含む、請求項５に記載の装置。
【請求項８】
前記第１および第２のハードマスク層が、空気軸受面に平行に測定したときに異なった厚さを有する、請求項５に記載の装置。
【請求項９】
前記第１および第２のハードマスク層が、空気軸受面に平行に測定したときに共通の厚さを有する、請求項５に記載の装置。
【請求項１０】
電気的ラッピングガイドが、前記バックエッジ機能と並んで位置決めされ、前記サイドシールドが第２のストライプ高さまで連続的に延在する、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
前記所定の角度が空気軸受面と平行である、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
前記所定の角度が空気軸受面に対して４５°である、請求項１に記載の装置。
【請求項１３】
空気軸受面（ＡＢＳ）からの第１のストライプ高さを持つ第１の部分と、前記ＡＢＳからの異なった第２のストライプ高さを持つ第２の部分とを有する磁気反応積層を提供することと、
バックエッジ機能によって前記ＡＢＳに対して所定の角度に前記第１の部分のバックエッジ表面を形成することと、を含む、方法。
【請求項１４】
前記バックエッジ機能が、所定の材料の取外し時間およびバックエッジ表面の距離に対応し、これらがそれぞれ前記第１の部分単独の材料の取外しよりも大きい、請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記第１のストライプ高さが、サイドシールドが堆積される前に形成され、前記第２のストライプ高さが、前記サイドシールドが堆積された後に形成される、請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記バックエッジ機能が取り外され、前記第１の部分が研磨された後で、複数のハードマスク層が前記第１の部分の頂上に堆積される、請求項１３に記載の方法。
【請求項１７】
前記成形ステップが、サイドシールドが堆積される前に発生する、請求項１３に記載のデータ読取機。
【請求項１８】
前記成形ステップが、前記磁気反応積層が台形形状に構成される前に発生する、請求項１３に記載のデータ読取機。
【請求項１９】
空気軸受面（ＡＢＳ）からの第１のストライプ高さを持つ第１の部分と、前記ＡＢＳからの異なった第２のストライプ高さを持つ第２の部分とを有する磁気反応積層を提供することと、
バックエッジ機能によって前記ＡＢＳに対して所定の角度に前記第１の部分の第１のバックエッジ表面を成形することと、
前記第２の部分の第２のバックエッジ表面を形成することと、を含む、方法。
【請求項２０】
前記第１のバックエッジ表面が、前記第１の部分と第２の部分との間に堆積される非磁性スペーサ層にまで延在し、前記第２のバックエッジ表面が、前記第２の部分から前記非磁性スペーサを通過して延在する、請求項１９に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
発明の概要
本開示の様々な実施形態は、一般的に回転可能な媒体からデータを感知することが可能なデータ読取機に関する。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００２】
いくつかの実施形態に従って、磁気反応積層は、空気軸受面（ＡＢＳ）からの第１のストライプ高さを持つ第１の部分と、該ＡＢＳからの異なった第２のストライプ高さを持つ第２の部分とを有する。第１の部分は、バックエッジ機能によってＡＢＳに対して所定の角度で成形されたバックエッジ表面を有するように、構築されている。
【図面の簡単な説明】
【０００３】
【図１】データ記憶装置の例示的な部分ブロック図である。
【図２Ａ】図１のデータ記憶装置に使用可能な変換要素の部分正面図および部分断面図をそれぞれ提供している。
【図２Ｂ】図１のデータ記憶装置に使用可能な変換要素の部分正面図および部分断面図をそれぞれ提供している。
【図３Ａ】様々な実施形態に従って構築されるデータ読取機の部分正面図および部分断面図をそれぞれ示している。
【図３Ｂ】様々な実施形態に従って構築されるデータ読取機の部分正面図および部分断面図をそれぞれ示している。
【図４】いくつかの実施形態に従って構成される例示的なデータ読取機の部分断面ブロック図を表示している。
【図５】様々な実施形態に従って実行される製造工程の様々な段階での複数の例示的なデータ読取機を提供している。
【図６】いくつかの実施形態に従って実行されるデータ読取機製造手順のフローチャートを提供している。
【発明を実施するための形態】
【０００４】
変換積層およびシールドのようなデータ感知構成要素の最小化が、材料および従来の成膜加工の物理的な限界を押し広げてきた。データ感知積層に関しては、読取機の幅およびシールド間の間隔が、データ記憶密度の増加に対応して、減少し続けている。しかしながら、感知積層の磁気層の容量削減により、読取機の磁気安定性が低下している。データ感知積層の様々な領域に対する空気軸からの異なるストライプ高さを利用することで、積層の磁気操作を安定化させる形状異方性を提供することができる。しかしながら、ナノメートル規模でのそのような異なるストライプ高さの製造は不正確となり得、データ感知性能の低下につながる。したがって、設計仕様書に従ってナノメートル規模で確実に構築され得るデータ感知積層に対して、継続的な業界の需要がある。
【０００５】
したがって、データ読取機は、空気軸受面（ＡＢＳ）からの第１のストライプ高さを持つ第１の部分と、該ＡＢＳからの異なった第２のストライプ高さを持つ第２の部分とを有する少なくとも１つの磁気反応積層で構成されてもよく、第１の部分はバックエッジ機能によってＡＢＳに対して所定の角度で成形されたバックエッジ表面を有する。バックエッジ機能を持つバックエッジ表面の成形によって、より長い製造工程時間をかけて、所定の角度でバックエッジ表面を正確に成形できるようになる。磁気感知積層がデータ記憶装置に使用される前に、そのようなバックエッジ機能が選択的に適用され、取り外しされ得、低減された積層幅およびシールド間の間隔を維持することができる。
【０００６】
図１は、様々な実施形態に従って成形されたバックエッジ表面を有する磁気感知積層を利用できる例示的なデータ記憶装置１００の平面ブロック図を概略的に示している。データ記憶装置１００は、１つ以上のデータビット１０８が所定のデータトラック１１０上に記憶される磁気記憶媒体１０６上に変換ヘッド１０４を位置決めする作動組立体１０２を有する非限定的な構成で示されている。記憶媒体１０６が、空気軸受面（ＡＢＳ）を作り出すように使用時に回転するスピンドルモータ１１２に取り付けられ、そのＡＢＳ上では、作動組立体１０２の滑動部分１１４が、変換ヘッド１０４を含むヘッドジンバル組立体（ＨＧＡ）１１６を、媒体１０６の所定の部分上に位置決めするために浮動する。
【０００７】
変換ヘッド１０４は、磁気書込機、磁気反応読取機、および磁気シールドなどの１つ以上の変換要素で構成され、それらの要素が、記憶媒体１０６の選択されたデータトラック１１０からそれぞれデータをプログラムし読み取る操作をする。このようにして、作動組立体１０２の制御された動作によって、変換機が、データの書き込み、読み取り、および書き換えを行うために記憶媒体表面上に規定されたデータトラック１１０を整列させることになる。データビット１０８は、データトラック内でより高密度１１０に位置決めされ、データ媒体１０６の容量が増加し、浮遊磁界がより優勢になるにしたがって、変換機の不安定性も増加するようにできる。
【０００８】
変換機のサイズを縮小させることにより多くなる浮遊磁界および温度の不安定性の影響が、図２Ａおよび図２Ｂ中の例示的な変換要素１２０のそれぞれの断面図およびＡＢＳブロック図によって概略的に説明されているように、形状異方性および調整された材料選定を活用することによって軽減される場合がある。図２Ａに示されているように、変換要素１２０は、バックエッジ表面１２６からＡＢＳに直交して連続的に延在する第１のストライプ高さ１２４を持つ自由層１２２を有している。参照構造１２８は、同様にＡＢＳに直交して連続的に延在する第２のストライプ 高さ１３０を有している。
【０００９】
第２のストライプ高さ１３０を自由層ストライプ高さ１２４よりも大きくなるように構成することで、形状異方性によって、参照構造１２８の磁化が安定するようになる。参照構造１２８が１つの連続した層として示されているが、そのような構造は、非磁性スペーサ１３２を越えて磁気抵抗効果（ＭＲ）に自由層１２２を提供する種々の異なった磁気積層となり得る参照構造１２８として要求されていない。例えば、参照構造１２８は、出会ったデータビットに反応しない固定された磁化を有してもよく、そして、反強磁性体あるいは反強磁性体により所定の磁化にピン止めされた合成反強磁性体（ＳＡＦ）として構築される。同様に、非磁性スペーサ１３２は、スピンバルブ、アバテッドジャンクション、ＧＭＲ、およびＴＭＲなどのような異なった型のデータセンサを提供するための材料用に調整される。
【００１０】
非磁性スペーサ１３２および参照構造１２８の材料構築に関係なく、浮遊磁界の存在が増大するにも関わらず、より長い第２のストライプ高さ１３０の方が、参照構造１２８の磁化を維持するために形状異方性を活用できる。また、より長い第２のストライプ高さ１３０は、参照構造１２８の容積および温度安定性を増大させることができる。そのような調整された参照構造１２８の形状異方性は、シャンティングを低減させかつデータ信号振幅を増大させるために、非磁性絶縁体１３４がバックエッジ表面１２６から第２のストライプ高さ１３０に連続して延在するときに、自由層１２２の感度と精度を妨げない。
【００１１】
自由層１２２、スペーサ１３２、および参照構造１２８は、シード層１３６およびキャップ層１３８との間に集合的に堆積されることができ、それらの層が電極として機能し、かつリーディングシールド１４０およびトレーリングシールド１４２それぞれから自由層１２２および参照構造１２８を保護する。様々な実施形態で、シード１３６、参照構造１２８、スペーサ１３２、自由層１２２、およびキャップ１３８は、集合的に磁気スタック１４４としてみなされているが、そのような構造記述は、ＭＲデータ信号を作り出すために機能する自由層１２２、スペーサ１３２、および参照構造１２８のみを記述するために、その他の実施形態で使用される。
【００１２】
図２Ａの調整されたストライプ高さ構成は、リーディングシールド１４０およびトレーリングシールド１４２がアップトラックおよびダウントラックの磁場を軽減している間に、内部磁化を安定化させるために機能するが、高いデータビット密度のデータ記憶媒体の浮遊磁場が強くなることにより、追加的なシールドが余儀なくなる場合がある。図２Ｂは、リーディングシールド１４０とともに働き得るサイドシールド１４６と磁気スタックに対する所定の磁気範囲を規定するトレーリングシールド１４２との間に堆積される磁気スタック１４４のＡＢＳの展望図を表示している。磁気スタック１４４は、サイドシールド１４６と磁気スタック１４４との間に非磁性絶縁体１４８を含めることで、磁気シャンティングおよびデータ信号振幅損失からさらに保護される。
【００１３】
集合的なシールドおよび調整されたストライプ高さによって、変換要素１２０は、様々なデータビット密度のデータ記憶環境で、最適化されたデータ感知性能を提供することができる。しかしながら、ナノメートル規模で、そのような調整された材料、サイズ、および位置決めの構築は、データ書込機およびミクロン規模のデータ読取機などのより大きな寸法の変換要素用に設計された許容誤差を持つ加工技術に悩まされ得ることになる。
【００１４】
図３Ａおよび図３Ｂは、いくつかの実施形態に従った加工技術で構築された例示的なナノメートル規模のデータ読取機１６０の断面図およびＡＢＳ展望ブロック図をそれぞれ表示している。バックエッジ表面１６２を成形する前に磁気スタックおよびサイドシールドが形成されるとき、電気的ラッピングガイド（ＥＬＧ）のような加工機能が、バックエッジ表面１６２が規定されると同時にパターン形成され、それが、脆弱に規定された電気的ラッピングガイド機能につながり得る。さらに、図２Ｂの１４８のような断熱ギャップ材料およびサイドシールドが存在するとき、バックエッジ表面１６２の規定が、自由層の完全な取外しおよびバックエッジ表面１６２の規定を防止することになるエッチング時のシャドウ効果を誘導することによって、自由層材料の取外しを阻止することができる。
【００１５】
バックエッジ表面１６２および電気的ラッピングガイド機能を規定することに関連する処理時間は、ミリングおよびエッチングなど、少なくも１つの材料取外し操作で取り外されるスタックキャップおよび自由層の厚さに対応することができる。相対的に薄い自由層１６４およびキャップ層の厚さで利用できる低減された材料取外し時間が、バックエッジ表面１６２、ならびに、明確に規定されず、自由層１６４の磁気安定性および操作を制限することができる電気的ラッピングガイド機能を作り出すことができる。
【００１６】
バックエッジ表面１６２の規定前に磁性サイドシールドを形成することにより、図３ＢのＡＢＳ展望図で説明されているように、残存サイドシールド材料１７０が存在し、読取機スタック１６０の安定性を低下させるさらなる結果となる場合がある。残存サイドシールド材料１７０が部分的または完全に断熱材１７２によって囲まれているにも関わらず、高保磁力かつ磁気飽和材料、末端のＡＢＳのような磁性サイドシールド材料の存在が、磁性電圧を誘導し、読取機１６０の性能を低下させることがある。
【００１７】
このような規定処理上の懸念を念頭において、バックエッジ表面１６４を規定し、余分なサイドシールド材料を排除した磁性スタック構築後にサイドシールド材料の形成を可能とするための時間を増加させるために、バックエッジ機能が使用され得る。図４は、いくつかの実施形態に従って、磁性サイドシールド成膜前に活用されるバックエッジ機能１８２で構成される例示的なデータ読取機１８０の一般的な断面ブロック図を提供している。バックエッジ機能１８２が、無制限の多様な材料及び層数で構成され得る一方で、図４に示されている実施形態は、研磨停止層となり得る非晶質炭素ならびにハードマスク層になり得るタンタルおよびルテニウムのような非磁性金属等の異なった第１のハードマスク１８４および第２のハードマスク１８６を有している。
【００１８】
構成要素であるハードマスク層１８４および１８６は、参照構造１９４、非磁性スペーサ１９６、未処理自由層１９８、および未処理キャップ２００のストライプ高さ１９２全体に沿って連続的に延在する第１の厚さ１８８および第２の厚さ１９０で、それぞれ調整され得る。そのような調整された厚さ１８８および１９０は、自由層１９６の処理後のストライプ高さと一致するＡＢＳからの所定の距離を位置決めする平面に沿った所定のバックエッジの厚さ２０２を提供する。
【００１９】
バックエッジ機能１８２によって提供される増加されたバックエッジの厚さ２０２によって、材料の取外しを阻止するために、読取機接合側壁隔離材料およびサイドシールドのような材料の少なくとも一部の欠乏によるＡＢＳ末端の読取機材料を取り外すための操作に時間的な余裕を与えることから、自由層１９８のバックエッジ表面およびＥＬＧの機能が統一され、うまく規定されることが可能となり得る。そのような調整されたバックエッジの厚さ２０２およびハードマスク材料選定が、読取機側壁形成前にデータ読取機１８０の上側表面が十分に平坦であることを確実にする研磨停止層として機能し得る。
【００２０】
バックエッジ機能１８２により増加した材料取外し時間によって、自由層１９８のバックエッジ表面の複雑な成形がさらに可能となり得る。いくつかの実施形態では、バックエッジ表面を、Ｙ軸に沿ってＡＢＳに平行に成形しているが、その他の実施形態では、線分２０４によって示されているように、ＡＢＳおよびＹ軸に関して４５°のような所定の角度にバックエッジ表面を位置決めしている。スペーサ１９６とバックエッジ機能１８２の上側表面との間の距離を増加させる能力は、成形されたバックエッジ表面の構成が確立される所定のミリング時間を提供するためのハードマスク層１８４および１８６の調整された材料選定によって、補完される。
【００２１】
図５は、様々な実施形態に従って構成された例示的なデータ読取機の構築のための例示的な工程を表示している。例示的なデータ読取機２２０の断面図およびＡＢＳ展望図に示されているように、参照構造２２２、非磁性スペーサ層２２４、磁気自由層２２６、および電極キャップ２２８のデータ感知スタックは、所定の材料、厚さ、Ｘ軸に沿ったＡＢＳからのストライプ高さで、連続的に形成される。いくつかの実施形態中のデータ感知スタックの構築は、読取機およびサイドシールド側壁の成形に対応できるデータ読取ジャンクションの中に、感知スタック層を明示的には成形および加工していない。読取機側壁およびサードシールドの形成前のバックエッジ層２３０および２３２の形成によって、Ｙ軸に沿ってＡＢＳに平行に計測されたときの自由層２２６およびキャップ２２８の合計の厚さより大きいバックエッジ距離２３４を提供できる。
【００２２】
バックエッジ層２３０および２３２の頂上にある、フォトレジスト材料のような、パターン２３６の配置によって、ＡＢＳ末端のキャップ層２２８および自由層２２６の一部分と同様にバックエッジ機能層２３０および２３２の所定の材料取外しを介して、その後に規定され得るＡＢＳからのバックエッジ表面ストライプ高さを位置決めすることができる。ＥＬＧ機能が、同時に同じ材料の取外しステップにより規定され得る。いくつかの実施形態に従って、バックエッジ機能層２３０および２３２が、より高い精度のバックエッジ表面２３８の規定を可能にするタンタルおよびａ−Ｃ非晶質炭素でそれぞれ構成される。
【００２３】
バックエッジ機能層２３０および２３２の調整された材料及び厚さは、最適化されたバックエッジ表面２３８および最適化されたＥＬＧ機能パターニングを提供するための読取機バックエッジおよびＥＬＧ機能の両方に対して、十分なエッチング時間を提供するために調整され得る。層２３０および層２３２もまた、一旦層２３０および層２３２が取り外されると重要な表面ステップを誘導しない一方で、その後のＣＭＰ段階で十分なＣＭＰ停止を提供するために調整される場合がある。
【００２４】
要約すると、所定の密度、ミリング、およびエッチング特性を提供する増加されたバックエッジ距離２３４ならびにバックエッジ機能層２３０および２３２の材料の選定によって、バックエッジ距離２３４が自由層２２６およびキャップ層２２８のみを含む場合よりも、製造時により多くの時間を与えることができる。データ読取機２５０は、ノックオフミリングのような１つ以上の材料取外し操作を実行した後で、どのようにしてバックエッジ表面２３８が、ＡＢＳからの均一なストライプ高さと実質的に垂直に成形され得るかを説明している。
【００２５】
データ読取機２５０の断面図およびＡＢＳ展望図が、バックエッジ表面２３８から参照構造２２２およびスペーサ層２２４のストライプ高さまで連続的に延在し、自由層２２６およびキャップ層２２８の合計と一致する厚さを有する、アルミナのような埋戻し絶縁層２５２の位置を示している。絶縁層２５２の埋戻しが、平坦な表面を提供することができ、その上に複数のハードマスク層２５４、２５６、２５８、および２６０が連続して形成される。それぞれのハードマスク層の材料及び厚さは、データ読取機２７０によって表示されているように、データ読取機側壁２６２およびサイドシールド２６４の加工を可能にするために、限定することなく、同様または同様でなくてもよい。
【００２６】
データ読取機２７０は例示的な実施形態をさらに表示しており、参照構造２２２、スペーサ２２４、自由層２２６、およびキャップ２２８が、非磁性ギャップ層２６６を経由した読取機側壁２６２に隣接しているが、それから離れているサイドシールド２６４の側壁によって適合される正規形でない側壁の角度方向を持つ空気軸受面（ＡＢＳ）で、台形形状に集合的に成形されている。バックエッジ表面２３８の規定とは無関係にその後に起こる読取機側壁２６２の成形およびサイドシールド２６４の形成により、残存しているシールド材料が、ＡＢＳ末端に位置決めされるのを防ぎ、バックエッジ表面の規定ならびに参照構造２２２および自由層２２６の動作磁化に悪影響を及ぼすことを防いでいる。読取機側壁２６２の成形は、様々な実施形態で、ＡＢＳからの所定の距離を隔てた平面２７０を通り越して非磁性材料の取外し及びその後の埋戻しを伴った参照構造２２２およびスペーサ２２４のストライプ高さの規定と一致させてもよい。
【００２７】
図５の例示的な工程フロー図から認識され得るように、ストライプ高さ、バックエッジ機能材料、およびバックエッジ表面形状のような様々な媒介変数は、いかにデータ読取機が製造されるかを制御することにより調整され得る。図６は、正確な構造機能を持つナノメートル規模のデータ感知要素を製造するために、様々な実施形態に従って実行される例示的なデータ読取機製造手順２８０を提供している。この手順２８０は、ステップ２８２のような様々な非限定的な手法で開始してもよく、データ感知スタックが、連続して底シールドに堆積される参照構造、ギャップ、自由層、およびキャップを少なくとも有する。
【００２８】
前述のように、参照構造は、強磁性自由層と一緒に外部のデータビットの磁気抵抗感知を可能にするピン止めされた強磁性層またはピン止めされたＳＡＦのような任意の数の固定された磁化積層にしてもよい。自由層および参照構造用の異なったストライプ高さの形成前に読取機側壁および読取機ジャンクションを形成するのとは対照的に、ステップ２８２は、読取機側壁を成形またはサイドシールドを堆積することによる読取機のジャンクションを形成することなく、ステップ２８４に進む。このような未加工のデータ感知スタックは、図４およびに図５に説明されているように、所定のバックエッジ距離および材料取外し時間を提供する所定の厚さで堆積される、非晶質炭素のような少なくとも１つのハードマスク研磨停止層、およびタンタルのような少なくとも１つのハードマスク層を持つ、ステップ２８４で形成されるバックエッジ機能をその後有することができる。
【００２９】
ステップ２８４でのバックエッジ機能の形成は、エッチング、ラッピング、およびミリングからのような、特定の材料取外し時間と一致させることができる。ステップ２８６は、ＥＬＧ材料の成形をパターニングすること、パターン外の材料をエッチングすること、ＥＬＧ材料を堆積すること、およびパターンをリフトオフすることを介して、バックエッジ機能と並んで、ＥＬＧ材料の位置決めに移る。ＥＬＧ材料を配置して、ステップ２８８は、非磁性材料が読取センサの前もって取り外されている領域に埋め戻される前に、フォトレジストパターン及びＥＬＧ機能を規定する関連材料取外しエッチングを伴って、次にバックエッジ表面を規定する。
【００３０】
様々な実施形態が、自由層の磁気安定性および性能を増大させる可能性のある、ＡＢＳに関して４５°かつ連続して曲線となっているような、非正規角度構成を持つバックエッジ表面を成形するステップ２８８を使用している。次に、ステップ２９９は、図５に示されているように、ＴａＮおよび非晶質炭素のような、複数のハードマスク層を平坦な平面上に堆積させるステップ２９２の前に、化学機械研磨およびリフトオフ処理を使用して、埋戻し材料をステップ２８８からハードマスク層にまで下げて平坦化する。ステップ２９４で読取機側壁および参照構造のストライプ高さの効率的な形成を可能にするために、様々なハードマスク層の数、材料、及び厚さが選択され得る。すなわち、ハードマスク層は、ナノメートル規模での正確な機能を作り出すために、ミリングのような加工技術を可能にする所定の密度および材料取外し率を提供することができる。
【００３１】
そのような正確な機能の１つが、ステップ２９４での台形スタック形状を形成する傾斜感知スタックの側壁となる場合がある。傾斜した側壁は、読取機側壁に適合する方向に傾斜した側壁を有するようにステップ２９４でまた成形される連続した非磁性ギャップ層でさらに被膜される場合がある。読取機側壁および非磁性ギャップ層の側壁の形状に関係なく、ステップ２９６はデータ感知スタックの反対側にサイドシールドを堆積させることに移る。磁気サイドシールドは、ステップ２９６での感知スタックの側壁およびサイドシールドの規定前に、バックエッジ表面を規定するための第２のストライプ高さによって規定される所定のストライプ高さだけまで連続的に延在し得る。
【００３２】
様々な磁気感知層、シールド、および処理層の調整された成膜を通じて、手順２８０は、自由層およびキャップ層についてナノメートル規模の厚さにも関わらず、最適化されたバックエッジ表面の規定を提供することができる。しかしながら、手順２８０は、図６に示されている様々なステップと同じように、あらゆる部分が、制限なく削除され、変更され、および追加され得ることから、限定されていない。例えば、手順２８０は、サイドシールド成膜の後で読取スタックの上部から不必要な材料を取り外すためのノックオフミリングおよびＣＭＰ処理を使用することができる。さらにまた、手順２８０は、自由層のバックエッジ表面よりもＡＢＳから遠い第２のバックエッジ表面を規定するために、参照構造の一部をさらに取り外すことができる。
【００３３】
自由層およびサイドシールド用の異なったトライプ高さを有することにより生まれる磁気性能を増大するための能力は、読取機側壁およびサイドシールド前の自由層のバックエッジ表面を規定することにより可能となり得る。読取機の空気軸受部分に先立つバックエッジを形成するバックエッジ加工フローによって、サイドシールドのテールを完全に取り外す間に、参照構造に沿ったサイドシールド材料の完全な被覆が可能となる。バックエッジ機能の調整された材料および厚さが、増加した加工時間ならびにより正確に規定されたバックエッジ表面およびＥＬＧ特徴と一致する、より大きなバックエッジ距離を提供できる。読取機側壁およびサイドシールド形成の前に、そのような調整されたバックエッジ機能材料が、ウエハ平坦性を確実にするために研磨停止層としてさらに機能する場合がある。したがって、データ読取機は、自由層のバックエッジ表面を規定するために加工の余裕を増大させることにより、最適化され得る。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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