(57)【要約】【課題】システム全体の半導体メモリに対する読み書き性能を低下させることなく、一部のメモリセルに対するアクセス集中による近傍セルのエラー発生を低減する技術を提供すること。【解決手段】稼働中の半導体メモリ３０の稼働状況を表すメモリ情報を監視するメモリ情報監視装置２０からメモリ情報を取得するメモリ情報取得部１１と、メモリ情報を記憶するメモリ情報記憶部１２と、メモリ情報記憶部１２に記憶されたメモリ情報に基づいて、稼働中の半導体メモリ３０におけるリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定するリフレッシュレート調整部１３と、リフレッシュレート調整部１３により決定されたリフレッシュレートを各リフレッシュレート調整単位に対して設定するリフレッシュレート設定部１４と、を備える。【選択図】      図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
稼働中の半導体メモリの稼働状況を表すメモリ情報を監視するメモリ情報監視装置から前記メモリ情報を取得するメモリ情報取得部と、
前記メモリ情報を記憶するメモリ情報記憶部と、
前記メモリ情報記憶部に記憶された前記メモリ情報に基づいて、稼働中の前記半導体メモリにおけるリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定するリフレッシュレート調整部と、
前記リフレッシュレート調整部により決定されたリフレッシュレートを前記各リフレッシュレート調整単位に対して設定するリフレッシュレート設定部と、
を備えたメモリリフレッシュ装置。
【請求項２】
前記メモリ情報は、前記半導体メモリの各メモリセルに対するアクセス頻度に関する情報を含み、
前記リフレッシュレート調整部は、前記アクセス頻度に関する情報が所定条件を満たすメモリセルを含むリフレッシュレート調整単位について、前記リフレッシュレートを調整することを特徴とする請求項１に記載のメモリリフレッシュ装置。
【請求項３】
前記メモリ情報は、前記半導体メモリの各メモリセルにおけるエラー頻度に関する情報を含み、
前記リフレッシュレート調整部は、前記エラー頻度に関する情報が所定条件を満たすメモリセルを含むリフレッシュレート調整単位について、前記リフレッシュレートを調整することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のメモリリフレッシュ装置。
【請求項４】
前記メモリ情報は、前記半導体メモリの各メモリセルにおけるエラー間隔に関する情報を含み、
前記リフレッシュレート調整部は、前記エラー間隔に関する情報が所定条件を満たすメモリセルを含むリフレッシュレート調整単位について、前記リフレッシュレートを調整することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のメモリリフレッシュ装置。
【請求項５】
前記メモリ情報は、前記リフレッシュレート調整単位毎のメモリ使用率に関する情報を含み、
前記リフレッシュレート調整部は、前記メモリ使用率に関する情報が所定条件を満たすリフレッシュレート調整単位について、前記リフレッシュレートを調整することを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のメモリリフレッシュ装置。
【請求項６】
前記メモリ情報は、前記リフレッシュレート調整単位におけるアクセスの偏りに関する情報を含み、
前記リフレッシュレート調整部は、前記アクセスの偏りに関する情報が所定条件を満たすリフレッシュレート調整単位について、前記リフレッシュレートを調整することを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか１項に記載のメモリリフレッシュ装置。
【請求項７】
前記リフレッシュレート調整単位は、前記半導体メモリのモジュール単位であることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載のメモリリフレッシュ装置。
【請求項８】
請求項１から請求項７のいずれか１項に記載のメモリリフレッシュ装置と、
前記メモリ情報監視装置と、
前記半導体メモリと、
を備えた情報処理システム。
【請求項９】
稼働中の半導体メモリの稼働状況を表すメモリ情報を監視し、
前記メモリ情報を取得して記憶し、
前記メモリ情報に基づいて、稼働中の前記半導体メモリにおけるリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定し、
決定したリフレッシュレートを前記各リフレッシュレート調整単位に対して設定する、メモリリフレッシュ方法。
【請求項１０】
稼働中の半導体メモリの稼働状況を表すメモリ情報を監視するメモリ情報監視装置から前記メモリ情報を取得してメモリ情報記憶部に記憶するメモリ情報取得ステップと、
前記メモリ情報記憶部に記憶された前記メモリ情報に基づいて、稼働中の前記半導体メモリにおけるリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定するリフレッシュレート調整ステップと、
前記リフレッシュレート調整ステップで決定されたリフレッシュレートを前記各リフレッシュレート調整単位に対して設定するリフレッシュレート設定ステップと、
をコンピュータ装置に実行させるコンピュータ・プログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体メモリのリフレッシュを行う技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等の半導体メモリでは、メモリセルは、トランジスタおよびキャパシタ（コンデンサ）から構成され、格子状に配線された複数のワード線および複数のビット線の交差点に配置される。このような半導体メモリは、ワード線およびビット線に電圧を与えることにより、トランジスタを選択してキャパシタに電荷を蓄えることでデータを記憶する。キャパシタに蓄えられた電荷は時間とともに漏洩する。そこで、このような半導体メモリは、データの消失を防ぐため、定期的にデータを読み出して再度書き込むことにより電荷を補充するリフレッシュ動作を実行する必要がある。
【０００３】
また、このような半導体メモリは、リフレッシュ動作の実行中はメモリアクセスができない。そのため、半導体メモリのリフレッシュレートを高くしすぎると、読み書き性能を低下させる原因となり、リフレッシュレートを低くしすぎると、データを消失する可能性を高くする。
【０００４】
そこで、エラー頻度に応じて半導体メモリのリフレッシュレートを調整する関連技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。この関連技術は、メモリのパトロール動作においてエラーを検出した場合に、エラー発生箇所のパトロールを集中的に行なう追加パトロール動作を実施する。そして、この関連技術は、追加パトロール動作におけるエラー頻度に応じて、リフレッシュレートを調整する。
【０００５】
また、システム状態に基づき半導体メモリのリフレッシュレートを調整する関連技術が知られている（例えば、特許文献２参照）。この関連技術は、システムの温度、消費電力、高度、気圧、バス使用率等の複数のシステム状態を監視し、少なくとも１つのシステム状態の変化を検出すると、その時点のシステム状態に基づきリフレッシュレートを調整する。
【０００６】
また、半導体メモリチップの温度に応じてリフレッシュレートを調整する関連技術が知られている（例えば、特許文献３参照）。この関連技術は、温度が低いほどデータ保持時間が長くなるＤＲＡＭの特性を利用し、基準温度を複数設け、検出したメモリチップの温度と複数の基準温度との比較によってリフレッシュレートを細かく調整する。
【０００７】
また、システムがアクティブモードであるかスタンバイモードであるかに応じて半導体メモリのリフレッシュレートを調整する技術が知られている（例えば、特許文献４参照）。この関連技術は、アクティブモードからスタンバイモードになるときに、第１のリフレッシュサイクルから、第１のリフレッシュサイクルより長い第２のリフレッシュサイクルに徐々に移行するよう調整を行う。これにより、この関連技術は、アクティブモード中の最後のリフレッシュ動作時からアクティブモード終了時までの経過時間がより長いメモリセルに対してはより早く次回のリフレッシュ動作が行われるようにしてデータの消失を防止する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】ＷＯ２００９／０１１０５２号公報
【特許文献２】特開２００６−１２０１４４号公報
【特許文献３】特開２００６−２３６３９８号公報
【特許文献４】特開２００６−２４４６４１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上述のような半導体メモリでは、近年の製造プロセスの微細化によりメモリチップ内でメモリセルおよびワード線の距離が近くなっている。この影響により、このような半導体メモリでは、あるワード線にアクセスが集中した場合、近傍のメモリセル（近傍セル）の電荷が抜けることで正常なデータを保持することが出来ないといったエラーが発生しやすくなっている（図４参照）。このようなエラーは、１ビットエラーであればＥＣＣ（Error Checking and Correction）により訂正可能だが、２ビットエラーまで進むとシステムダウンを生じる。そこで、アクセスが集中するメモリセルの近傍セルに発生するエラーを低減するために、特許文献１〜特許文献４の技術を適用してリフレッシュレートを上げることが考えられる。
【００１０】
しかしながら、特許文献１〜特許文献４に記載されたものは、システム全体でリフレッシュレートを同一の値に調整する。したがって、特許文献１〜特許文献４に記載されたものは、アクセスが集中するメモリセルの近傍セルという一部の箇所をケアするためにシステム全体のリフレッシュレートを高くしてしまい、システムに搭載された全ての半導体メモリに対する読み書き性能を低下させる。
【００１１】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたもので、システム全体の半導体メモリに対する読み書き性能を低下させることなく、一部のメモリセルに対するアクセス集中による近傍セルのエラー発生を低減する技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明のメモリリフレッシュ装置は、稼働中の半導体メモリの稼働状況を表すメモリ情報を監視するメモリ情報監視装置から前記メモリ情報を取得するメモリ情報取得部と、前記メモリ情報を記憶するメモリ情報記憶部と、前記メモリ情報記憶部に記憶された前記メモリ情報に基づいて、稼働中の前記半導体メモリにおけるリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定するリフレッシュレート調整部と、前記リフレッシュレート調整部により決定されたリフレッシュレートを前記各リフレッシュレート調整単位に対して設定するリフレッシュレート設定部と、を備える。
【００１３】
また、本発明の情報処理システムは、前述のメモリリフレッシュ装置と、前記メモリ情報監視装置と、前記半導体メモリと、を備える。
【００１４】
また、本発明のメモリリフレッシュ方法は、稼働中の半導体メモリの稼働状況を表すメモリ情報を監視し、前記メモリ情報を取得して記憶し、前記メモリ情報に基づいて、稼働中の前記半導体メモリにおけるリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定し、決定したリフレッシュレートを前記各リフレッシュレート調整単位に対して設定する。
【００１５】
また、本発明のコンピュータ・プログラムは、稼働中の半導体メモリの稼働状況を表すメモリ情報を監視するメモリ情報監視装置から前記メモリ情報を取得してメモリ情報記憶部に記憶するメモリ情報取得ステップと、前記メモリ情報記憶部に記憶された前記メモリ情報に基づいて、稼働中の前記半導体メモリにおけるリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定するリフレッシュレート調整ステップと、前記リフレッシュレート調整ステップで決定されたリフレッシュレートを前記各リフレッシュレート調整単位に対して設定するリフレッシュレート設定ステップと、をコンピュータ装置に実行させる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明は、システム全体の半導体メモリに対する読み書き性能を低下させることなく、一部のメモリセルに対するアクセス集中による近傍セルのエラー発生を低減する技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施の形態としての情報処理システムの機能ブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態としてのメモリリフレッシュ装置の動作を説明するフローチャートである。
【図３】本発明の実施の形態としてのメモリリフレッシュ装置のリフレッシュレート調整動作の詳細を説明するフローチャートである。
【図４】関連技術において、アクセスが集中するメモリセルの近傍セルでのエラー発生を模式的に説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。
【００１９】
本発明の実施の形態としての情報処理システム１の構成を図１に示す。
【００２０】
図１において、情報処理システム１は、メモリリフレッシュ装置１０と、メモリ情報監視装置２０と、半導体メモリ３０とを備える。なお、図１には、３つの半導体メモリ３０を示しているが、本発明の情報処理システムが備える半導体メモリの数を限定するものではない。
【００２１】
情報処理システム１は、半導体メモリ３０を主記憶装置として動作するコンピュータ装置であり、図示しないＣＰＵ（Central Processing Unit）、ＲＯＭ（Read Only Memory）、ハードディスク等の補助記憶装置等を含んでいる。ＣＰＵは、ＲＯＭや補助記憶装置に記憶されたコンピュータ・プログラムや各種データを半導体メモリ３０に読み込んで実行する。
【００２２】
半導体メモリ３０は、定期的なリフレッシュ動作を必要とするＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等によって構成される。例えば、半導体メモリ３０は、コントロール回路３１と、メモリチップ３２とを含む。メモリチップ３２には、電荷を蓄えることによりデータを記憶するメモリセルが配置されている。コントロール回路３１は、メモリチップ３２のメモリセルに対するデータの入出力を制御する。なお、図１には、各半導体メモリ３０に３つのメモリチップ３２を示しているが、本発明の半導体メモリが備えるメモリチップの数を限定するものではない。
【００２３】
メモリ情報監視装置２０は、稼働中の半導体メモリ３０を監視し、その稼働状況を表すメモリ情報を取得する装置である。例えば、メモリ情報監視装置２０は、メモリコントローラによって構成可能である。ここで、メモリ情報は、例えば、半導体メモリ３０における各メモリセルのアクセス頻度や、エラー頻度、エラー間隔等を表す情報を含んでいてもよい。また、メモリ情報は、リフレッシュレート調整単位毎のメモリ使用率や、アクセスの偏りを表す情報を含んでいてもよい。
【００２４】
ここで、リフレッシュレート調整単位とは、半導体メモリ３０におけるリフレッシュレートを変更可能な単位である。例えば、リフレッシュレート調整単位は、半導体メモリ３０のモジュール単位であってもよい。また、例えば、リフレッシュレート調整単位は、半導体メモリ３０のモジュールのグループ単位であってもよい。また、例えば、リフレッシュレート調整単位は、メモリセル単位や、メモリチップ単位、その他のメモリセルのグループ単位であってもよい。
【００２５】
メモリリフレッシュ装置１０は、メモリ情報取得部１１と、メモリ情報記憶部１２と、リフレッシュレート調整部１３と、リフレッシュレート設定部１４とを備える。メモリリフレッシュ装置１０は、例えば、情報処理システム１に搭載可能なサービスプロセッサ等の装置によって構成されていてもよい。
【００２６】
メモリ情報取得部１１は、メモリ情報監視装置２０からメモリ情報を取得して、メモリ情報記憶部１２に記憶させる。
【００２７】
メモリ情報記憶部１２は、メモリ情報を記憶する。
【００２８】
リフレッシュレート調整部１３は、メモリ情報記憶部１２に記憶されたメモリ情報に基づいて、前述のリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定する。
【００２９】
例えば、リフレッシュレート調整部１３は、アクセス頻度が所定条件を満たすメモリセルを含むリフレッシュレート調整単位に対するリフレッシュレートを調整してもよい。例えば、リフレッシュレート調整部１３は、アクセス頻度を表す値が閾値以上のメモリセルを含むリフレッシュレート調整単位について、以前のリフレッシュレートから所定の増分だけリフレッシュレートを増加させてもよいし、アクセス頻度の値に応じてあらかじめ定められたリフレッシュレートを決定してもよい。
【００３０】
また、例えば、リフレッシュレート調整部１３は、エラー頻度やエラー間隔が所定条件を満たすメモリセルを含むリフレッシュレート調整単位に対するリフレッシュレートを調整してもよい。例えば、リフレッシュレート調整部１３は、エラー頻度を表す値が閾値以上のメモリセルを含むリフレッシュレート調整単位について、以前のリフレッシュレートから所定の増分だけリフレッシュレートを増加させてもよいし、エラー頻度の値に応じてあらかじめ定められたリフレッシュレートを決定してもよい。
【００３１】
また、例えば、リフレッシュレート調整部１３は、メモリ使用率が所定条件を満たすリフレッシュレート調整単位に対するリフレッシュレートを調整してもよい。例えば、リフレッシュレート調整部１３は、メモリ使用率が閾値を超えるリフレッシュレート調整単位について、以前のリフレッシュレートから所定の増分だけリフレッシュレートを増加させてもよいし、メモリ使用率の値に応じてあらかじめ定められたリフレッシュレートを決定してもよい。
【００３２】
また、例えば、リフレッシュレート調整部１３は、アクセスの偏りを表す情報が所定条件を満たすリフレッシュレート調整単位に対するリフレッシュレートを調整してもよい。例えば、リフレッシュレート調整部１３は、アクセスの偏りを表す値が閾値を超えるリフレッシュレート調整単位について、以前のリフレッシュレートから所定の増分だけリフレッシュレートを増加させてもよいし、アクセスの偏りを表す値に応じてあらかじめ定められたリフレッシュレートを決定してもよい。
【００３３】
その他、リフレッシュレート調整部１３は、メモリ情報に含まれる各種情報またはそれらの組み合わせが所定条件を満たすリフレッシュレート調整単位に対して、リフレッシュレートを調整してもよい。
【００３４】
なお、リフレッシュレート調整部１３は、アクセス頻度、エラー頻度、エラー間隔、メモリ使用率、または、アクセスの偏りを表す情報等の各種メモリ情報が所定条件を満たさないにも関わらず、リフレッシュレートが閾値以上であるリフレッシュレート調整単位に対して、リフレッシュレートを調整するようにしてもよい。その場合、リフレッシュレート調整部１３は、そのようなリフレッシュレート調整単位に対して、標準として定められたリフレッシュレートを決定するようにしてもよい。
【００３５】
また、リフレッシュレート調整部１３は、各リフレッシュレート調整単位について決定したリフレッシュレートを、リフレッシュレート設定部１４に通知する。
【００３６】
リフレッシュレート設定部１４は、リフレッシュレート調整部１３から通知されたリフレッシュレート調整単位に対して、通知されたリフレッシュレートを設定する。
【００３７】
以上のように構成された情報処理システム１の動作について、図２を参照して説明する。なお、メモリ情報監視装置２０は、メモリ情報を監視する動作を継続しており、メモリリフレッシュ装置１０の要求に応じてメモリ情報を出力するものとする。
【００３８】
まず、メモリ情報取得部１１は、メモリ情報監視装置２０からメモリ情報を取得する（ステップＳ１）。
【００３９】
次に、メモリ情報取得部１１は、取得したメモリ情報を、メモリ情報記憶部１２に記憶させる（ステップＳ２）。
【００４０】
次に、リフレッシュレート調整部１３は、メモリ情報記憶部１２に記憶されたメモリ情報に基づいて、各リフレッシュレート調整単位についてリフレッシュレートを決定する（ステップＳ３）。このステップの詳細については後述する。
【００４１】
次に、リフレッシュレート設定部１４は、ステップＳ３で決定された各リフレッシュレートを、対象の各リフレッシュレート調整単位に対して設定する（ステップＳ４）。
【００４２】
以上の動作を、メモリリフレッシュ装置１０は繰り返し実行する。
【００４３】
次に、ステップＳ３におけるリフレッシュレート調整動作の詳細について、図３を参照して説明する。
【００４４】
図３において、リフレッシュレート調整部１３は、各リフレッシュレート調整単位に対して、ステップＳ２１〜Ｓ２３の動作を実行する。
【００４５】
ここでは、まず、リフレッシュレート調整部１３は、メモリ情報記憶部１２に記憶されたメモリ情報に基づいて、このリフレッシュレート調整単位についてリフレッシュレートの調整が必要であるか否かを判断する（ステップＳ２１）。
【００４６】
例えば、前述のように、リフレッシュレート調整部１３は、このリフレッシュレート調整単位に、アクセス頻度が閾値を超えるメモリセルが含まれる場合、リフレッシュレートの調整が必要であると判断してもよい。
【００４７】
ここで、リフレッシュレートの調整が必要でないと判断した場合、メモリリフレッシュ装置１０は、このリフレッシュレート調整単位についての処理を終了し、次のリフレッシュレート調整単位についてステップＳ２１からの処理を繰り返す。
【００４８】
一方、リフレッシュレートの調整が必要であると判断した場合、リフレッシュレート調整部１３は、このリフレッシュレート調整単位のリフレッシュレートを決定する（ステップＳ２２）。
【００４９】
例えば、前述のように、リフレッシュレート調整部１３は、このリフレッシュレート調整単位に、それまでのリフレッシュレートから、所定の増分だけリフレッシュレートを増加させるようにしてもよい。あるいは、前述のように、リフレッシュレート調整部１３は、このリフレッシュレート調整単位に含まれるメモリセルにおいて閾値を超えたアクセス頻度の値に対してあらかじめ定められたリフレッシュレートを決定するようにしてもよい。
【００５０】
次に、リフレッシュレート調整部１３は、ステップＳ２２で決定したリフレッシュレートを、このリフレッシュレート調整単位を識別する情報とともにリフレッシュレート設定部１４に通知する（ステップＳ２３）。
【００５１】
全てのリフレッシュレート調整単位についてステップＳ２１からの処理を終えると、メモリリフレッシュ装置１０は、ステップＳ３におけるリフレッシュ調整動作を終了する。
【００５２】
次に、本実施の形態の効果について述べる。
【００５３】
本実施の形態としての情報処理システムおよびメモリリフレッシュ装置は、システム全体の半導体メモリに対する読み書き性能を低下させることなく、一部のメモリセルに対するアクセス集中による近傍セルのエラー発生を低減することができる。
【００５４】
その理由は、メモリ情報取得部が、半導体メモリを監視するメモリ情報監視装置から半導体メモリの稼働状況を表すメモリ情報を取得し、リフレッシュレート調整部が、メモリ情報に基づいて、半導体メモリにおけるリフレッシュレート調整単位毎にリフレッシュレートを決定し、リフレッシュレート設定部が、決定したリフレッシュレートをリフレッシュレート調整単位に対して設定するからである。
【００５５】
つまり、本実施の形態では、リフレッシュレート調整部は、メモリ情報に基づくことにより、アクセスが集中するメモリセルを含むリフレッシュレート調整単位を判断することが可能となる。例えば、リフレッシュレート調整部は、アクセス頻度が所定条件を満たすメモリセルを、アクセスが集中しているメモリセルであると判断可能である。また、例えば、リフレッシュレート調整部は、エラー頻度やエラー間隔が所定条件を満たすメモリセルを、アクセスが集中しているメモリセルの近傍セルであると判断可能である。また、例えば、リフレッシュレート調整部は、メモリ使用率や、アクセスの偏りを表す情報が所定条件を満たすリフレッシュレート調整単位には、アクセスが集中しているメモリセルが含まれるとみなすことが可能である。これにより、リフレッシュレート調整部は、アクセスが集中するメモリセルを含むリフレッシュレート調整単位に対して、リフレッシュレートを調整可能となる。そして、そのようなリフレッシュレート調整単位には、アクセスが集中するメモリセルの近傍セルが含まれる。そのため、本実施の形態は、アクセスが集中するメモリセルの近傍セルに対して、リフレッシュ動作をより頻繁に行うことができ、近傍セルから電荷が抜ける前に補充を行うことができる。その結果、本実施の形態は、そのような近傍セルにおけるエラー発生を低減する。しかも、本実施の形態は、アクセスが集中するメモリセルを含まない他のリフレッシュレート調整単位については、リフレッシュレートを調整しないので、システム全体における半導体メモリに対する読み書き性能を低下させることがない。
【００５６】
なお、本発明の実施の形態において、リフレッシュレート調整部は、半導体メモリにおけるアクセス頻度、エラー頻度、エラー間隔、メモリ使用率、アクセスの偏りを表す情報に基づいて、リフレッシュレートの調整が必要なリフレッシュレート調整単位を判断する例を中心に説明した。この他、リフレッシュレート調整部は、稼働中の半導体メモリから取得可能な他の各種メモリ情報およびそれらの組み合わせに基づいて、リフレッシュレートの調整が必要なリフレッシュレート調整単位を判断してもよい。
【００５７】
また、本発明の実施の形態において、リフレッシュレート調整部は、リフレッシュレートの調整が必要なリフレッシュレート調整単位のリフレッシュレートとして、所定の増分やあらかじめ定められた値を決定する例を中心に説明した。この他、リフレッシュレート調整部は、そのリフレッシュレート調整単位に関連する各種メモリ情報に基づいて導出可能な他のリフレッシュレートを決定してもよい。
【００５８】
また、本発明の実施の形態において、フローチャートを参照して説明したメモリリフレッシュ装置の動作を、本発明のコンピュータ・プログラムとしてコンピュータ装置の記憶装置（記憶媒体）に格納しておき、係るコンピュータ・プログラムを当該ＣＰＵが読み出して実行するようにしてもよい。そして、このような場合において、本発明は、係るコンピュータ・プログラムのコード或いは記憶媒体によって構成される。
【００５９】
また、本発明は、上述した実施の形態に限定されず、様々な態様で実施されることが可能である。
【符号の説明】
【００６０】
１    情報処理システム
１０    メモリリフレッシュ装置
１１    メモリ情報取得部
１２    メモリ情報記憶部
１３    リフレッシュレート調整部
１４    リフレッシュレート設定部
２０    メモリ情報監視装置
３０    半導体メモリ
【図１】
2014059831.tif 000003
【図２】
2014059831.tif 000004
【図３】
2014059831.tif 000005
【図４】
2014059831.tif 000006