(57)【要約】【課題】レシピのステップを余分に使用することなく、回転機構に対する細かな制御を容易に設定する。【解決手段】本発明に係る基板処理装置は、少なくとも複数枚の基板を載置する載置部と、前記基板に対して、予め定められた複数の種類の処理を行う複数の部屋とから構成される処理室と、前記基板の処理に対して予め定められた処理条件が設定される複数の処理段階から構成されるレシピを実行し、前記処理条件に基づいて、前記載置部を回転させて、前記載置部に載置された前記基板を前記複数の部屋それぞれへ移動させて、前記基板に対して、前記複数の部屋それぞれにおいて対応する処理を行うよう制御する制御手段とを有する。【選択図】図１
2014063934.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも複数枚の基板を載置する載置部と、前記基板に対して、予め定められた複数の種類の処理を行う複数の部屋とから構成される処理室と、
前記基板の処理に対して予め定められた処理条件が設定される複数の処理段階から構成されるレシピを実行し、前記処理条件に基づいて、前記載置部を回転させて、前記載置部に載置された前記基板を前記複数の部屋それぞれへ移動させて、前記基板に対して、前記複数の部屋それぞれにおいて対応する処理を行うよう制御する制御手段と
を有する基板処理装置。
【請求項２】
少なくとも複数枚の基板を載置する載置部と、前記基板に対して、予め定められた複数の種類の処理を行う複数の部屋とから構成される処理室を有する半導体製造装置において、
前記基板の処理に対して予め定められた処理条件が設定される複数の処理段階から構成されるレシピを実行し、前記処理条件に基づいて、前記載置部を回転させて、前記載置部に載置された前記基板を前記複数の部屋それぞれへ移動させて、前記基板に対して、前記複数の部屋それぞれにおいて対応する処理を行うよう制御して、半導体デバイスを製造する
半導体製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理装置及び半導体製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板処理装置における基板処理は、基板処理の手順および基板処理装置の各機構に対する制御設定などを示すレシピに従って行われる。
基板処理装置のプロセスチャンバ内の基板は、レシピに従ってプロセスチャンバの回転機構が回転制御されることにより、プロセスチャンバ内を移動し、基板に対して処理が施される。
上述のようなプロセスチャンバ内の基板処理において、基板を回転させて、基板処理を行うことを繰り返す場合、設定するステップが多くなり、レシピ設定者の負担が増大することがある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、レシピのステップを余分に使用することなく、回転機構に対する細かな制御を容易に設定することができる基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明に係る基板処理装置は、少なくとも複数枚の基板を載置する載置部と、前記基板に対して、予め定められた複数の種類の処理を行う複数の部屋とから構成される処理室と、前記基板の処理に対して予め定められた処理条件が設定される複数の処理段階から構成されるレシピを実行し、前記処理条件に基づいて、前記載置部を回転させて、前記載置部に載置された前記基板を前記複数の部屋それぞれへ移動させて、前記基板に対して、前記複数の部屋それぞれにおいて対応する処理を行うよう制御する制御手段とを有する。
【０００５】
また、本発明に係る半導体製造方法は、少なくとも複数枚の基板を載置する載置部と、前記基板に対して、予め定められた複数の種類の処理を行う複数の部屋とから構成される処理室を有する半導体製造装置において、前記基板の処理に対して予め定められた処理条件が設定される複数の処理段階から構成されるレシピを実行し、前記処理条件に基づいて、前記載置部を回転させて、前記載置部に載置された前記基板を前記複数の部屋それぞれへ移動させて、前記基板に対して、前記複数の部屋それぞれにおいて対応する処理を行うよう制御して、半導体デバイスを製造する。
【発明の効果】
【０００６】
本発明に係る基板処理装置によれば、回転機構に対する細かな制御をすることができるので、基板を回転させながら、繰り返し各部屋での基板処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の基板処理装置の構成を例示する図である。
【図２】図１に示した第１の基板処理装置のプロセスチャンバの構成を例示する図である。
【図３】（Ａ）は、レシピの構成を例示する図であり、（Ｂ）は、回転機構制御の動作を例示するシーケンス図である。
【図４】基本レシピおよび派生レシピにおける制御設定内容を例示する図である。
【図５】（Ａ）は、図４に示した派生レシピに従ったプロセスチャンバの回転動作を例示する図であり、（Ｂ）は、図４に示した基本レシピに従ったプロセスチャンバの回転動作を例示する図である。
【図６】第２の基板処理装置が備える第２の制御コントローラの構成を例示する図である。
【図７】図６に示したＰＭＣが用いる派生レシピにおいて設定された回転制御パラメータの内容を示す。
【図８】図６に示したＰＣＭが用いる派生レシピに従った回転機構制御処理を例示するフローチャートである。
【図９】回転機構制御の動作を例示するシーケンス図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
［本発明の背景］
以下、本発明の実施形態に係る第２の基板処理装置２の説明に先立ち、その理解を助けるために、第１の基板処理装置１を示して、本発明がなされるに至った経緯について説明する。
【０００９】
［基板処理装置１］
図１は、第１の基板処理装置１の構成を例示する図である。
図１に示すように、基板処理装置１は、真空側と大気側とに分かれ、第１の制御コントローラ１０の記憶部（図示せず）などに記憶されているレシピ（基板処理の手順および基板処理装置１の各機構に対する制御設定などを示す）に従って、基板に対して各種処理を行う。
【００１０】
基板処理装置１の真空側には、真空気密可能な真空搬送室１２０、予備室としてのロードロック室１２２−１，１２２−２、複数の基板１２４を一括で処理する処理室としてのプロセスチャンバ１２６−１，１２６−２が設けられている。
ロードロック室１２２−１，１２２−２およびプロセスチャンバ１２６−１，１２６−２は、真空搬送室１２０の外周を囲むように配置されている。
【００１１】
真空搬送室１２０は、真空状態などの大気圧未満の圧力（負力）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成されている。
真空搬送室１２０の筺体は、平面視が５角形で、上下両端が閉塞した箱形状に形成されている。
【００１２】
真空搬送室１２０内には、搬送手段としての真空ロボット１２８が設置されている。
真空ロボット１２８は、ロードロック室１２２−１，１２２−２およびプロセスチャンバ１２６−１，１２６−２の間で、基板１２４を、基板載置部である２本のアームに載せて相互に搬送する。
また、真空ロボット１２８は、真空搬送室１２０の気密性を維持しつつ昇降できるように構成されている。
また、２本のアームはそれぞれ水平方向に伸縮でき、かかる水平面内で回転移動できるように構成されている。
【００１３】
プロセスチャンバ１２６−１，１２６−２は、例えば、基板１２４が載置される基板載置台１３０−１〜１３０−５および１３０−６〜１３０−１０をそれぞれ備え、基板１２４を５枚ずつ一括で処理する多枚葉式の処理室として構成される。
また、プロセスチャンバ１２６−１，１２６−２は、開閉弁としてのゲートバルブ１３２−１，１３２−２を介して、真空搬送室１２０にそれぞれ連結されている。
つまり、ゲートバルブ１３２−１，１３２−２が開かれると、真空搬送室１２０との間で減圧下にて、基板１２４が搬送される。
なお、プロセスチャンバ１２６−１，１２６−２のより詳細な構成および動作は、図２を参照して後述する。
【００１４】
ロードロック室１２２−１，１２２−２は、真空搬送室１２０内へ基板１２４を搬入する予備室として、あるいは、真空搬送室１２０から基板１２４を搬出する予備室として機能する。
また、ロードロック室１２２−１，１２２−２内には、基板１２４を搬入出する際に、基板１２４を一時的に支持する基板載置部としてのバッファステージ１３４−１，１３４−２がそれぞれ設置されている。
また、ロードロック室１２２−１，１２２−２は、開閉弁としてのゲートバルブ１３６−１，１３６−２を介して、真空搬送室１２０に連結されている。
また、ロードロック室１２２−１，１２２−２は、開閉弁としてのゲートバルブ１３８−１，１３８−２を介して、後述する大気搬送室１４０に連結されている。
【００１５】
つまり、真空搬送室１２０側のゲートバルブ１３６−１，１３６−２が閉じられた状態で、大気搬送室１４０側のゲートバルブ１３８−１，１３８−２が開かれると、真空搬送室１２０内の真空気密を維持した状態で、ロードロック室１２２−１，１２２−２と大気搬送室１４０との間で大気圧下にて、基板１２４が搬送される。
また、ロードロック室１２２−１，１２２−２は、真空状態などの大気圧未満の圧力（負力）に耐えるロードロックチャンバ構造に構成されており、その内部をそれぞれ真空排気することができる。
つまり、大気搬送室１４０側のゲートバルブ１３８−１，１３８−２が閉じられ、ロードロック室１２２−１，１２２−２の内部を真空排気した後で、真空搬送室１２０側のゲートバルブ１３６−１，１３６−２が開けられると、真空搬送室１２０内の真空状態を維持した状態で、ロードロック室１２２−１，１２２−２と真空搬送室１２０との間で減圧下にて、基板１２４が搬送される。
【００１６】
基板処理装置１の大気側には、ロードロック室１２２−１，１２２−２に連結されたフロントモジュールである大気搬送室１４０、および、大気搬送室１４０と連結された基板収容部としてのロードポート１４２−１，１４２−２が設けられている。
大気搬送室１４０内には、搬送手段としての大気ロボット１４４が設置されている。
大気ロボット１４４は、ロードロック室１２２−１，１２２−２とロードポート１４２−１，１４２−２との間で、基板１２４を、基板載置部である２本のアームに載せて相互に搬送する。
【００１７】
大気搬送室１４０内には、基板位置補正装置として、基板１２４の結晶方位の位置合わせなどを行うオリフラ（Orientation Flat）合わせ装置１４６が設置されている。
基板１２４がノッチタイプである場合、基板位置補正装置としてのノッチ合わせ装置が設置されてもよい。
また、大気搬送室１４０の内部には、大気搬送室１４０の内部にクリーンエアを供給するクリーンユニット（図示せず）が設置されている。
【００１８】
ロードポート１４２−１，１４２−２は、複数枚の基板１２４を収納する収納容器としてのキャリアカセット１４８−１，１４８−２をそれぞれ載置するように構成される。
キャリアカセット１４８−１，１４８−２内には、基板１２４をそれぞれ収納する収納部としてのスロット（図示せず）が、例えば、１ロット分、２５スロット設けられている。
ロードポート１４２−１，１４２−２内に載置された基板１２４は、レシピに従った第１の制御コントローラ１０の制御により、基板処理装置１内に搬送されて、各種処理が施される。
【００１９】
なお、以下、ロードロック室１２２−１，１２２−２など、複数ある構成部分のいずれかを示すときは、単に、ロードロック室１２２と記載することがある。
また、各図において、実質的に同じ構成部分・処理には、同じ符号が付される。
また、基板処理装置１の各室の数、構成および組み合わせは、上述の内容に限定されず、適宜、選択変更してもよい。
【００２０】
［プロセスチャンバ］
図２は、図１で示したプロセスチャンバ１２６のより詳細な構成を例示する図である。
図２に示すように、プロセスチャンバ１２６は、基板１２４に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理室１５０、基板１２４に対して不活性ガスを供給するＮ２パージ（窒素パージ）室１５２−１，１５２−２および基板１２４に対して反応性ガスを供給するガスプリカーサ室１５４の４つの部屋に分かれている。
４つの部屋は、仕切部１５８−１〜１５８−４により仕切られ、各部屋の機能に応じて、プラズマ放電機構、ガス導入機構、排気機構および温度制御機構（いずれも図示せず）などを備えている。
【００２１】
また、図２に示すように、プロセスチャンバ１２６は、回転機構１５６を備え、回転機構１５６の回転動作により、基板載置台１３０が、プラズマ処理室１５０、Ｎ２パージ（窒素パージ）室１５２およびガスプリカーサ室１５４へ回転移動する。
回転移動する基板載置台１３０に載置された基板１２４に対して、各部屋の機能に応じた処理が行われる。
【００２２】
［回転機構制御］
以下、プロセスチャンバ１２６（図１，図２）の回転機構制御を説明する。
図３（Ａ）は、レシピの構成を例示する図であり、図３（Ｂ）は、プロセスチャンバコントローラ（ＰＭＣ；Process Module Controller）およびプロセスチャンバモーションコントローラ（ＰＭ（Process Module）モーションコントローラ）による回転機構制御の動作を例示するシーケンス図である。
ＰＭＣは、第１の制御コントローラ１０（図１）を構成し、プロセスチャンバ１２６（図１，図２）内の基板処理を制御し、ＰＭコントローラは、第１の制御コントローラ１０を構成し、プロセスチャンバ１２６の回転機構１５６を制御する。
【００２３】
図３（Ａ）に示すように、レシピは、基板処理装置１（図１）の各機構を制御する複数のステップから構成される。
各ステップは、例えば、圧力、温度、マスフローコントローラ（ＭＦＣ；Mass Flow Controller）、バルブ、ＲＦ（Radio Frequency）、基板処理装置１の各機構に対する制御内容を示し、各ステップにおいて、これらの制御に用いられるパラメータが設定される。
例えば、図３（Ａ）に示すレシピのステップ２は、プロセスチャンバ１２６（図１，図２）の回転機構１５６の回転制御を示し、ステップ２において、回転機構１５６の回転速度が、回転制御パラメータとして設定される。
【００２４】
例えば、図３（Ｂ）に示すように、ステップ２において、ＰＭＣは、ＰＭモーションコントローラに対して、回転制御パラメータが示す回転速度（例えば、１５ｒｐｍ（revolution per minute）)を指定した回転制御コマンドを送信する。
ＰＭモーションコントローラは、ＰＭＣから送信された回転制御コマンドを受信して、回転制御コマンドにおいて指定された回転速度で回転を持続させるよう回転機構１５６（図２）を制御し、ＰＭＣに対して、回転中の状況を回転中モニターとして定期的に送信する。
【００２５】
また、例えば、図３（Ａ）に示すレシピのステップ３は、プロセスチャンバ１２６（図１，図２）の回転機構１５６の回転停止制御を示す。
図３（Ｂ）に示すように、ステップ３において、ＰＭＣは、ＰＭモーションコントローラに対して、回転停止コマンドを送信する。
ＰＭモーションコントローラは、ＰＭＣから送信された回転停止コマンドを受信して、回転を停止するよう回転機構１５６を制御し、ＰＭＣに対して、回転停止コマンドへの応答を送信する。
【００２６】
上述のように、プロセスチャンバ１２６の基板載置台１３０（図２）に載置された基板１２４は、レシピに従った回転機構１５６の制御により、設定された回転速度で回転移動して、各部屋において基板１２４に対する処理が施される。
なお、以下、上述のようにプロセスチャンバ１２６内の基板１２４を、指定された回転速度で回転移動させて処理する制御を示すレシピを、「基本レシピ」と記載することがある。
一方、基本レシピを評価するために、回転速度だけでなく、回転角度を設定し、目的の基板１２４を指定された角度で回転移動させて処理を行うことを繰り返す制御を示すレシピを、「派生レシピ」と記載することがある。
【００２７】
図４は、基本レシピおよび派生レシピにおける制御設定内容を例示する図である。
図５（Ａ）は、図４に示した派生レシピに従ったプロセスチャンバ１２６の回転動作を例示する図であり、図５（Ｂ）は、図４に示した基本レシピに従ったプロセスチャンバ１２６の回転動作を例示する図である。
【００２８】
図４に示すように、基本レシピは、「基板処理およびプロセスチャンバ１２６の回転機構制御」という１つのステップを作成するのみでよく、回転機構１５６は、基本レシピに従った制御により、図５（Ｂ）のように動作する。
一方、派生レシピは、図４に示すように、一般的には、「プロセスチャンバ１２６の回転機構１５６を指定された角度で回転させる」制御を一つのステップとし、「基板処理を行う」制御を別の一つのステップとして繰り返し設定することにより作成される。
【００２９】
例えば、派生レシピにおいて指定される角度が９０°の場合、図４に示すように、１回転（３６０°）の動作に対して、基本レシピよりも、回転移動制御を示すステップおよび基板処理制御を示すステップがそれぞれ４回分追加される。
図４に示した派生レシピに従った制御により、回転機構１５６は、以下の（１）〜（７）ように動作する。
【００３０】
（１）ステップ２において、図５（Ａ）に示したＡの位置で、基板１２４が処理される。
（２）ステップ３において、回転機構１５６を制御して、図５（Ａ）に示したＢの位置へ、基板１２４を回転移動させる。
（３）ステップ４において、図５（Ａ）に示したＢの位置で、基板１２４が処理される。
【００３１】
（４）ステップ５において、回転機構１５６を制御して、図５（Ａ）に示したＣの位置へ、基板１２４を回転移動させる。
（５）ステップ６において、図５（Ａ）に示したＣの位置で、基板１２４が処理される。
（６）ステップ７において、回転機構１５６を制御して、図５（Ａ）に示したＤの位置へ、基板１２４を回転移動させる。
（７）ステップ８において、図５（Ａ）に示したＤの位置で、基板１２４が処理される。
【００３２】
このように、派生レシピを作成することにより、回転機構に対する細かな制御を行うことができる。
ただし、本実施の形態による回転機構に対するレシピ制御を行うためには、回転動作（回転速度、回転角度）の設定に応じて、余分にステップを使用する必要があり、レシピ設定者の負担が増大することがある。
以下に説明する本発明の実施形態に係る第２の基板処理装置２は、以上の経緯によりなされたものであり、回転機構に対する細かな制御を容易に設定することができるよう工夫されている。
【００３３】
以下、本発明の実施形態を説明する。
【００３４】
［基板処理装置２］
図６は、本発明の実施形態に係る第２の基板処理装置２が備える第２の制御コントローラ２０の構成を例示する図である。
基板処理装置２は、基板処理装置１（図１）が備える第１の制御コントローラ１０を、図６に示す第２の制御コントローラ２０に置換した構成をとり、基板処理装置２のその他の構成は、基板処理装置１（図１，図２）と同様である。
図６に示すように、制御コントローラ２０は、操作部２１０、プロセスチャンバコントローラ（ＰＭＣ）２１４、搬送系コントローラ２１８、真空ロボット１２８（図１）と大気ロボット１４４（図１）とを制御するロボットコントローラ２２０、プロセスチャンバ１２６の回転機構１５６（図２）を制御するＰＭモーションコントローラ２２２および顧客のホストコンピュータ２２４が、ＬＡＮなどのネットワーク２００によりスイッチングハブ２０６を介して接続されて構成される。
【００３５】
操作部２１０は、表示装置２１２および入出力装置（図示せず）などを介して、操作者による操作を受け付ける。
ＰＭＣ２１４および搬送系コントローラ２１８には、ＤｅｖｉｃｅＮｅｔなどのデジタル信号回線２０２を通じて、処理ガスの供給および排気用バルブのオン／オフを制御するバルブデジタルＩ／Ｏ２２６−１，２２６−２、各種スイッチ（ＳＷ）などのオン／オフを制御するＳＷデジタルＩ／Ｏ２２８−１，２２８−２が、シーケンサ２３０−１，２３０−２を介して接続されている。
【００３６】
ＰＭＣ２１４は、プロセスチャンバ１２６内の基板処理を制御する。
具体的には、ＰＭＣ２１４には、プロセスチャンバ１２６内の圧力を制御するオートプレッシャコントローラ（ＡＰＣ；Auto Pressure Controller）などの圧力コントローラ２３２が、例えば、シリアル回線２０４を介して接続されている。
また、ＰＭＣ２１４は、例えば、操作部２１０を介して操作者（例えば、レシピ設定者）が作成または編集したレシピを記憶部２１６に記憶させる。
【００３７】
また、ＰＭＣ２１４は、記憶部２１６に記憶されたレシピに従って、プロセスチャンバ１２６の回転機構１５６（図２）に対する回転制御指示を、ＰＭモーションコントローラ２２２に出力する。
また、ＰＭＣ２１４は、記憶部２１６に記憶されたレシピに従って、各種の制御指示を、圧力コントローラ２３２、プロセスチャンバ１２６内へ供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ（ＭＦＣ；Mass Flow Controller）、処理ガスの供給・排気用バルブ、温度調整器および各種スイッチ（いずれも図示せず）などに対して出力する。
搬送系コントローラ２１８は、基板１２４を搬送する際の制御指示を、ロボットコントローラ２２０、各種バルブ、各種スイッチなどに対して出力し、基板処理装置２内における基板１２４の搬送制御を行う。
【００３８】
［回転機構制御処理］
図７は、ＰＭＣ２１４（図６）が用いる派生レシピの回転機構１５６（図２）に対する回転制御を示すステップにおいて設定される回転制御パラメータの内容を例示する図である。
図８は、ＰＭＣ２１４が用いる派生レシピに従った回転機構１５６に対する制御処理（回転機構制御処理）を例示するフローチャートである。
以下、ＰＭＣ２１４の回転機構制御処理をさらに説明する。
【００３９】
図７に示すように、派生レシピにおける回転制御パラメータには、基本レシピにおける回転制御パラメータとして設定された回転速度（図３（Ａ））に加えて、回転角度、待ち時間および回転数が追加される。
例えば、基板１２４を９０°回転移動させて、１０秒間停止して処理を行う制御が３回転分行われるよう設定する場合、図７に示すように、回転角度は「９０°」、待ち時間は「１０秒」、回転数は「３回」に設定される。
派生レシピにおける回転制御パラメータは、例えば、操作部２１０の表示装置２１２（図６）に表示されるパラメータ設定画面（図示せず）を介して、レシピ設定者により設定または編集される。
【００４０】
ＰＭＣ２１４（図６）は、派生レシピの１つのステップにおいて、図７に示した回転制御パラメータを用いて、図８に示した以下の手順で回転機構制御処理を行う。
ステップ３００（Ｓ３００）において、ＰＭＣ２１４は、基板１２４を回転移動させた累積回転角度を初期化（つまり、０°）する。
ステップ３０２（Ｓ３０２）において、ＰＭＣ２１４は、ＰＭモーションコントローラ２２２（図６）に対して、回転制御パラメータとして設定された回転速度および回転角度（図７）を指定した回転制御コマンドを送信する。
【００４１】
ステップ３０４（Ｓ３０４）において、ＰＭＣ２１４は、ＰＭモーションコントローラ２２２から、Ｓ３０２において送信された回転制御コマンドに応じた動作が完了した旨を示す動作完了通知を受信する。
ステップ３０６（Ｓ３０６）において、ＰＭＣ２１４は、累積回転角度に、回転制御パラメータで設定された回転角度を加算する。
【００４２】
ステップ３０８（Ｓ３０８）において、ＰＭＣ２１４は、累積回転角度が、３６０°×（回転制御パラメータで設定された回転数）よりも小さいか否かを判定する。
累積回転角度が、３６０°×回転数よりも小さいと判断した場合、ＰＭＣ２１４は、Ｓ３１０の処理に進み、それ以外の場合、処理を終了する。
ステップ３１０（Ｓ３１０）において、ＰＭＣ２１４は、回転制御パラメータで設定された待ち時間の間、動作を停止し（つまり、待ち時間の間、プロセスチャンバ１２６において基板１２４が処理される）、Ｓ３０２の処理に進む。
【００４３】
［回転機構制御の動作例］
図９は、ＰＭＣ２１４（図６）およびＰＭモーションコントローラ２２２（図６）によるプロセスチャンバ１２６の回転機構１５６（図２）の回転制御の動作例を示すシーケンス図である。
以下、本発明の実施形態に係る基板処理装置２における派生レシピのステップ２（図７）が示す回転機構制御の動作例を説明する。
なお、本説明においては、回転制御パラメータ（図７）の回転速度が「１５ｒｐｍ」、回転角度が「９０°」、待ち時間が「１０秒」、回転数が「１回」の場合を具体例とするが、これに限定されるものではない。
【００４４】
ＰＭＣ２１４は、累積回転角度を初期化する（Ｓ３００；図８）。
ＰＭＣ２１４は、ＰＭモーションコントローラ２２２（図６）に対して、回転速度１５ｒｐｍ、回転角度９０°を指定した回転制御コマンドを送信する（Ｓ３０２）。
これにより、ＰＭモーションコントローラ２２２がプロセスチャンバ１２６の回転機構１５６（図２）を制御し、プロセスチャンバ１２６内の基板１２４が９０°回転移動する。
【００４５】
ＰＭモーションコントローラ２２２は、ＰＭＣ２１４に対して、回転機構制御の動作完了通知を送信する（Ｓ３０４；図８）。
ＰＭＣ２１４は、累積回転角度に、回転角度９０°を加算し、累積回転角度（９０°）は、３６０°（３６０°×回転数１回）よりも小さいと判定する（Ｓ３０６，Ｓ３０８）。
ＰＭＣ２１４は、待ち時間の１０秒間待機する（Ｓ３１０）。
【００４６】
ＰＭＣ２１４は、ＰＭモーションコントローラ２２２に対して、回転速度１５ｒｐｍ、回転角度９０°を指定した回転制御コマンドを送信する（Ｓ３０２；図８）。
これにより、ＰＭモーションコントローラ２２２がプロセスチャンバ１２６の回転機構１５６（図２）を制御し、プロセスチャンバ１２６内の基板１２４がさらに９０°回転移動する。
【００４７】
ＰＭモーションコントローラ２２２は、ＰＭＣ２１４に対して、回転機構制御の動作完了通知を送信する（Ｓ３０４；図８）。
ＰＭＣ２１４は、累積回転角度に、回転角度９０°を加算し、累積回転角度（１８０°）は、３６０°（３６０°×回転数１回）よりも小さいと判定する（Ｓ３０６，Ｓ３０８）。
ＰＭＣ２１４は、待ち時間の１０秒間待機する（Ｓ３１０）。
【００４８】
ＰＭＣ２１４は、ＰＭモーションコントローラ２２２に対して、回転速度１５ｒｐｍ、回転角度９０°を指定した回転制御コマンドを送信する（Ｓ３０２；図８）。
これにより、ＰＭモーションコントローラ２２２がプロセスチャンバ１２６の回転機構１５６（図２）を制御し、プロセスチャンバ１２６内の基板１２４がさらに９０°回転移動する。
【００４９】
ＰＭモーションコントローラ２２２は、ＰＭＣ２１４に対して、回転機構制御の動作完了通知を送信する（Ｓ３０４；図８）。
ＰＭＣ２１４は、累積回転角度に、回転角度９０°を加算し、累積回転角度（２７０°）は、３６０°（３６０°×回転数１回）よりも小さいと判定する（Ｓ３０６，Ｓ３０８）。
ＰＭＣ２１４は、待ち時間の１０秒間待機する（Ｓ３１０）。
【００５０】
ＰＭＣ２１４は、ＰＭモーションコントローラ２２２に対して、回転速度１５ｒｐｍ、回転角度９０°を指定した回転制御コマンドを送信する（Ｓ３０２；図８）。
これにより、ＰＭモーションコントローラ２２２がプロセスチャンバ１２６の回転機構１５６（図２）を制御し、プロセスチャンバ１２６内の基板１２４がさらに９０°回転移動する。
【００５１】
ＰＭモーションコントローラ２２２は、ＰＭＣ２１４に対して、回転機構制御の動作完了通知を送信する（Ｓ３０４；図８）。
ＰＭＣ２１４は、累積回転角度に、回転角度９０°を加算し、累積回転角度（３６０°）は、３６０°（３６０°×回転数１回）と同じである（つまり、小さくない）と判定する（Ｓ３０６，Ｓ３０８）。
以上で、派生レシピのステップ２が終了し、第２の制御コントローラ２０は、ステップ３に従った制御を開始する。
【００５２】
［基板処理装置２の特徴］
以上説明したように、本発明の実施形態に係る基板処理装置２によれば、基本レシピからステップをさらに追加することなく、１つのステップで基本レシピよりもより細かな制御を示す派生レシピを生成することができ、レシピ設定者の負担が軽減される。
また、基本レシピよりも細かな制御を容易に設定することができるので、制御内容の自由度が増し、基板処理方法の選択肢を増やすことができる。
【００５３】
なお、本発明の実施形態に係る基板処理装置２のＰＭＣ２１４およびＰＭモーションコントローラ２２２（図６）は、専用のシステムによらず、汎用的なコンピュータシステムを用いて実現されてもよい。
例えば、ＰＭＣ２１４およびＰＭモーションコントローラ２２２は、記憶媒体（フレキシブルディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＵＳＢなど）に格納された上述の回転機構制御処理を実行するプログラムが、汎用コンピュータのメモリにロードされ、汎用コンピュータで動作するＯＳ上で、汎用コンピュータのハードウェア資源を具体的に利用して実行されることにより構成される。
【００５４】
また、このようなプログラムを供給するための手段は任意である。
上述のように、プログラムは、所定の記憶媒体を介して供給されるだけでなく、例えば、通信回線、通信ネットワーク、通信システムなどを介して供給されてもよい。
このように提供されたプログラムが、汎用コンピュータのＯＳ上で、他のアプリケーションと同様に実行されることにより、上述の回転機構制御処理が実行される。
【００５５】
基板処理装置は、半導体製造装置だけでなく、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）装置などのようなガラス基板を処理する装置であってもよい。
また、基板処理装置は、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、プラズマを利用したＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）装置などであってもよい。
成膜処理には、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）、酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理が含まれる。
【００５６】
［本発明の好ましい態様］
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
【００５７】
本発明の一態様は、少なくとも複数枚の基板を載置する載置部と、前記基板に対して、予め定められた複数の種類の処理を行う複数の部屋とから構成される処理室と、
前記基板の処理に対して予め定められた処理条件が設定される複数の処理段階から構成されるレシピを実行し、前記処理条件に基づいて、前記載置部を回転させて、前記載置部に載置された前記基板を前記複数の部屋それぞれへ移動させて、前記基板に対して、前記複数の部屋それぞれにおいて対応する処理を行うよう制御する制御手段と
を有し、
前記複数の部屋は、前記基板に対してプラズマ処理を行うプラズマ処理室、前記基板に対して不活性ガスを供給するパージ室および前記基板に対して反応性ガスを供給する反応室を示す
基板処理装置である。
【００５８】
好ましくは、
さらに、前記処理条件の設定に用いられる操作画面を表示する表示手段を少なくとも有する操作手段を有する。
【００５９】
また、好ましくは、
前記処理条件は、圧力、温度、前記処理室内へ供給する処理ガスの流量を制御するマスフローコントローラ、前記処理ガスの供給および排気を行うバルブ、ＲＦおよびこの基板処理装置を動作させる各機構の制御に用いられるパラメータが少なくとも設定される。
【００６０】
また、好ましくは、
前記機構の１つは、前記載置部を回転させる回転機構を示し、
前記回転機構の制御に用いられる回転制御パラメータは、前記載置部を回転させる回転角度、次の動作までの待ち時間および前記載置部を回転させる回転数のうちの少なくとも１つを含む。
【００６１】
また、好ましくは、
前記処理室は、前記複数の部屋に分離する仕切部をさらに有する。
【００６２】
また、好ましくは、
さらに、前記制御部から前記回転制御パラメータが指定され、前記指定された回転制御パラメータに基づいて、前記載置部が回転するよう制御する回転制御手段を有する。
【００６３】
本発明のさらに他の態様は、
少なくとも複数枚の基板を載置する載置部と、前記基板に対して、予め定められた複数の種類の処理を行う複数の部屋とから構成される処理室と、前記基板の処理に対して予め定められた処理条件が設定される複数の処理段階から構成されるレシピを実行し、前記処理室を制御する制御手段と、前記載置部を回転させる回転機構を制御する回転制御手段とを有する基板処理装置において、
前記制御手段が、前記回転制御手段に対して、前記処理条件に含まれる前記回転機構の制御に用いられる回転制御パラメータを指定するステップと、
前記回転制御手段が、前記指定された回転制御パラメータに基づいて前記回転機構を制御し、前記載置部を回転させるステップと、
前記制御手段が、前記回転制御手段により回転した前記載置部に載置された前記基板に対して、前記処理条件に基づいて処理を行うステップと
を、前記回転制御パラメータに基づく終了条件に合致するまで、前記基板処理装置のコンピュータに繰り返し実行させる回転機構の回転制御プログラムである。
【００６４】
本発明のさらに他の態様は、
少なくとも複数枚の基板を載置する載置部と、前記基板に対して、予め定められた複数の種類の処理を行う複数の部屋とから構成される処理室と、前記基板の処理に対して予め定められた処理条件が設定される複数の処理段階から構成されるレシピを実行し、前記処理室を制御する制御手段と、前記載置部を回転させる回転機構を制御する回転制御手段とを有する基板処理装置において、
前記制御手段が、前記回転制御手段に対して、前記処理条件に含まれる前記回転機構の制御に用いられる回転制御パラメータを指定し、
前記回転制御手段が、前記指定された回転制御パラメータに基づいて前記回転機構を制御し、前記載置部を回転させ、
前記制御手段が、前記回転制御手段により回転した前記載置部に載置された基板に対して、前記処理条件に基づいて処理を行う
ことを、前記回転制御パラメータに基づく終了条件に合致するまで、繰り返し行う回転機構の制御方法である。
【００６５】
本発明のさらに他の態様は、
少なくとも複数枚の基板を載置する載置部と、前記基板に対して、予め定められた複数の種類の処理を行う複数の部屋とから構成される処理室と、前記基板の処理に対して予め定められた処理条件が設定される複数の処理段階から構成されるレシピを実行し、前記処理室を制御する制御手段とを有する基板処理装置において、
前記制御手段が、
前記処理条件に含まれる前記回転機構の制御に用いられる回転制御パラメータを指定した回転制御命令を送信するステップと、
前記回転制御命令に対する動作完了通知を受信するステップと、
前記回転制御パラメータに基づく回転制御の終了条件に合致するか否かを判定するステップと、
前記終了条件に合致すると判定した場合以外は、前記回転制御パラメータに基づいて定められた時間、前記処理室の制御動作を停止するステップと
を前記基板処理装置のコンピュータに実行させるプログラムである。
【符号の説明】
【００６６】
１，２・・・基板処理装置，
１０，２０・・・制御コントローラ，
２００・・・ネットワーク，
２０２・・・デジタル信号回線，
２０４・・・シリアル回線，
２０６・・・スイッチングハブ，
２１０・・・操作部，
２１２・・・表示装置，
２１４・・・ＰＭＣ，
２１６・・・記憶部，
２１８・・・搬送系コントローラ，
２２０・・・ロボットコントローラ，
２２２・・・ＰＭモーションコントローラ，
２２４・・・ホストコンピュータ，
２２６・・・バルブデジタルＩ／Ｏ，
２２８・・・ＳＷデジタルＩ／Ｏ，
２３０・・・シーケンサ，
２３２・・・圧力コントローラ，
１２０・・・真空搬送室，
１２２・・・ロードロック室，
１２４・・・基板，
１２６・・・プロセスチャンバ，
１３０・・・基板載置台，
１５０・・・プラズマ処理室，
１５２・・・Ｎ２パージ室，
１５４・・・ガスプリカーサ室，
１５６・・・回転機構，
１５８・・・仕切部，
１２８・・・真空ロボット，
１３２，１３６、１３８・・・ゲートバルブ，
１４０・・・大気搬送室，
１４２・・・ロードポート，
１４４・・・大気ロボット，
１４６・・・オリフラ合わせ装置，
１４８・・・キャリアカセット
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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