(57)【要約】【課題】電子機器の小型化を実現すること。【解決手段】筐体１１と、筐体１１の内面１１ａに設けられ、表面に凹部１２ａを備えた導電膜１２と、筐体１１内に収容された回路基板３と、回路基板３上に設けられた半導体素子４と、半導体素子４の周囲の回路基板３上に固定され、凹部１２ａに嵌められた導電性の枠１３とを有する電子機器による。【選択図】図２
2014063811.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体と、
前記筐体の内面に設けられ、表面に凹部を備えた導電膜と、
前記筐体内に収容された回路基板と、
前記回路基板上に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の周囲の前記回路基板上に固定され、前記凹部に嵌められた導電性の枠と、
を有する電子機器。
【請求項２】
前記凹部に嵌められた部分の前記枠が弾性を有することを特徴とする請求項１に記載の電子機器。
【請求項３】
前記凹部に嵌められた部分の前記枠が、該枠の外側に折り返されたことを特徴とする請求項２に記載の電子機器。
【請求項４】
前記導電膜は、第１の金属膜と、該第１の金属膜の上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜の上に設けられた第２の金属膜とを有することを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の電子機器。
【請求項５】
前記回路基板を前記筐体に固定する複数のネジを更に有し、
前記導電膜は、平面視で複数の前記ネジと前記半導体素子とを内側に含む領域から該領域の外側に延在することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
パーソナルコンピュータ等の電子機器においては、処理速度を向上させる等の目的で高周波で動作する半導体素子が使用される。その半導体素子は、高周波が原因の電磁波を周囲に放出し、それによって他の電子部品を誤動作させるおそれがある。
【０００３】
そのため、半導体素子の周囲には、その半導体素子から放出される電磁波を遮蔽するためのシールドが設けられることがある。
【０００４】
しかし、そのシールドによって電子機器が大型化し、電子機器の小型化が阻害されるおそれがある。また、電磁波に対するシールドのシールド性を高めるのも望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００１−１８５８８９号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９３９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
電子機器の小型化を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
以下の開示の一観点によれば、筐体と、前記筐体の内面に設けられ、表面に凹部を備えた導電膜と、前記筐体内に収容された回路基板と、前記回路基板上に設けられた半導体素子と、前記半導体素子の周囲の前記回路基板上に固定され、前記凹部に嵌められた導電性の枠とを有する電子機器が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
以下の開示によれば、導電膜とその凹部に嵌められた枠によって半導体素子の電磁波をシールドする。その枠には天板がないため、天板の厚みの分だけ電子機器を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、予備的事項に係る電子機器の断面図である。
【図２】図２は、第１実施形態に係る電子機器の断面図である。
【図３】図３は、第１実施形態に係る電子機器が備える枠の平面図である。
【図４】図４は、第１実施形態において、筐体への回路基板の取り付け方法を示す断面図である。
【図５】図５は、第２実施形態に係る電子機器の断面図である。
【図６】図６は、第３実施形態に係る電子機器の断面図である。
【図７】図７は、第３実施形態に係る電子機器が備える導電膜の平面図である。
【図８】図８は、第４実施形態に係る電子機器の断面図である。
【図９】図９は、第４実施形態において、箱の外面と内面の両方にシールドを設けた場合の断面図である。
【図１０】図１０は、第４実施形態において、箱の内面にシールドを設けた場合の断面図である。
【図１１】図１１は、第５実施形態に係る電子機器の断面図である。
【図１２】図１２は、第６実施形態に係る電子機器の断面図である。
【図１３】図１３（ａ）はデスクトップ型のパーソナルコンピュータの筐体の斜視図であり、図１３（ｂ）はノート型のパーソナルコンピュータの筐体の斜視図であり、図１３（ｃ）はタブレット型のパーソナルコンピュータの筐体の斜視図である。
【図１４】図１４（ａ）はスマートフォンの筐体の斜視図であり、図１４（ｂ）は折りたたみ型の携帯電話の筐体の斜視図である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１０】
本実施形態について説明する前に、本実施形態の基礎となる予備的事項について説明する。
【００１１】
図１は、予備的事項に係る電子機器の断面図である。
【００１２】
この電子機器１は、樹脂をモールド成型してなる筐体２と、回路基板３と、回路基板３の上に設けられた半導体素子４とを有し、ネジ６により筐体２に回路基板３が固定される。
【００１３】
半導体素子４は、高周波で動作する素子であって、例えばCPU(Central Processing Unit)、MPU(Micro Processing Unit)、GPU(Graphics Processing Unit)、VGA(Video Graphic Array)、XGA(Extended Graphics Array)等である。
【００１４】
高周波で動作する半導体素子４からは電磁波が放出されるが、その電磁波によって他の電子部品が影響を受けるのを防止するため、回路基板３の上には半導体素子４を囲う金属製のシールド５が設けられる。
【００１５】
シールド５は、回路基板３に固定される側板５ａと、半導体素子４をその下方から覆う天板５ｂとを有する。
【００１６】
その天板５ｂの厚さDが原因で、この電子機器１は回路基板３の厚さ方向に小型化するのが難しい。
【００１７】
以下に、本実施形態について説明する。
【００１８】
（第１実施形態）
図２は、本実施形態に係る電子機器の断面図である。なお、図２において、図１と同じ要素には図１におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００１９】
図２に示すように、この電子機器は、樹脂をモールド成形してなる筐体１１と、筐体１１内に収容された回路基板３と、回路基板３上に設けられた半導体素子４とを有し、ネジ６により筐体１１に回路基板３が固定される。
【００２０】
ネジ６は複数設けられており、そのうちの一部は筐体１１に切り込むタッピングネジであり、残りのネジ６は筐体１１に埋め込まれたインサート１９とかみ合うネジである。なお、これら二種類のネジ６を混在させずに一方の種類のネジ６のみを使用してもよい。
【００２１】
また、ネジ６とインサート１９の材料も特に限定されない。本実施形態では、ネジ６とインサート１９の材料としてアルミニウムやステンレス等の導電性の材料を使用する。
【００２２】
筐体１１は、樹脂をモールド成型することで作製され、その材料としてはPC(Polycarbonate)、ABS(Acrylonitrile Butadiene Styrene)、PS(Poly Styrene)、PA(Poly Amide)、PAとABSとの合成樹脂、PET(Poly Ethylene Terephthalate)、PBT(Poly Butylene Terephthalate)、PPS(Poly Phenylene Sulfide)、及びPLA(Poly lactic Acid)のいずれかがある。また、PEI(Poly Ether Imide)、PEA(Poly Ethylene Adipate)、PEEK(poly Ether Ether Ketone)、PES(Poly Ether Sulfone)、EP(Epoxy)、及びPE(Poly Ethylene)のいずれかを筐体１１の材料としてもよい。更に、これらの樹脂をガラス繊維で強化したGFRP(Glass Fiber Reinforced Plastic)、炭素繊維で強化したCFRP(Carbon Fiber Reinforced Plastic)、アラミド繊維で強化した(Aramid Fiber Reinforced Plastic)を筐体１１の材料としてもよい。
【００２３】
筐体１１の内面１１ａには導電膜１２が設けられる。導電膜１２は、内面１１ａの上に金属の無電解めっき膜を形成した後、その無電解めっき膜を給電層にする電解めっきにより０．５μm〜１０μm程度の厚さに形成される。導電膜１２の材料は特に限定されないが、本実施形態では銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、クロム、スズ、金、銀、白金、ロジウム、鉄、及び亜鉛のいずれか、又はこれらの合金を導電膜１２の材料として使用する。
【００２４】
なお、電解めっきに代えて蒸着法で導電膜１２を形成してもよい。
【００２５】
また、筐体１１の内面１１ａには突起１１ｂが設けられており、その突起１１ｂを反映した凹部１２ａが導電膜１２に形成される。
【００２６】
一方、半導体素子４の周囲の回路基板３上には、導電膜１２に密着した導電性の枠１３が設けられる。枠１３は、導電膜１２と協働して半導体素子４から放射される電磁波を遮るシールドとして機能し、厚さが０．０５mm〜０．５mm程度の金属板を加工することにより作製される。
【００２７】
その枠１３の元となる金属板の材料としては、銅、銅合金、黄銅、りん青銅、ベリリウム銅、ステンレス、アルミニウム、チタン、マグネシウム、金、銀、及び白金のいずれかがある。なお、金属板に代えて金属めっきにより枠１３を作製してもよい。そのめっきとしては、ニッケルめっき、スズめっき、クロムめっき、金めっき、銀めっき、白金めっき、及びロジウムめっきのいずれかがある。また、これに代えて、はんだめっき、ニッケル−ボロンめっき、ニッケル−クロムめっき、銀−スズめっき、金−スズめっき、ニッケル−リンめっき、ニッケル−コバルトめっき、ニッケル−スズめっき、スズ−コバルトめっきのような合金めっきを用いてもよい。
【００２８】
枠１３の固定方法は特に限定されない。本実施形態では、回路基板３のグランドパターン３ａに枠１３の端部１３ａを導電性の接続媒体１４を介して固定する。その接続媒体１４としては、例えば、はんだや銀ペーストがある。
【００２９】
また、凹部１２ａに嵌められた部分の枠１３は、当該枠１３の外側に折り返されており、これにより回路基板３の横方向に弾性変形可能となる。
【００３０】
図３は、この枠１３の平面図である。
【００３１】
図３に示すように、枠１３は、半導体素子４を囲む矩形状である。
【００３２】
図４は、筐体１１への回路基板３の取り付け方法を示す断面図である。
【００３３】
図４に示すように、取り付けに際しては、筐体１１に向けて回路基板３を降ろし、凹部１２ａに枠１３を嵌める。このとき、上記のように枠１３が弾性を有するため枠１３が導電膜１２に確実に密着する。よって、半導体素子４から放出される電磁波が、枠１３と導電膜１２との隙間から漏れる可能性を低減でき、その電磁波を確実にシールドすることができる。
【００３４】
以上説明した本実施形態によれは、図２に示したように、導電膜１２と枠１３とにより半導体素子４から放出される電磁波をシールドする。図１の場合と異なり、枠１３には天板がないため、天板の厚さの分だけ電子機器１０を小型化することができる。例えば、その天板の厚さが０．２mmであり、天板と筐体１１とのクリアランスが０．１mm程度の場合、０．３mm（＝０．２mm＋０．１mm）程度だけ電子機器１０を小型化することができる。
【００３５】
また、図４に示したように、枠１３に弾性を付与したため、導電膜１２と枠１３とが確実に密着し、電磁波のシールド性を高めることができる。更に、枠１３がその弾性により撓むことで、電子機器１０の組み立て時における筐体１１の歪みや変形を吸収することができ、電子機器１０の組み立てが容易となる。
【００３６】
更に、導電膜１２は樹脂製の筐体１１よりも伝熱性に優れているため、筐体１１の内部の熱が導電膜１２を通って速やかに拡散し、筐体１１の内部の温度分布を均一にすることもできる。
【００３７】
また、図２に示したようにグランドパターン３ａに枠１３を電気的に接続するので、枠１３の電位変動が防止され、半導体素子４から出る電磁波を枠１３で遮蔽し易くなる。更に、枠１３やこれと接続する導電膜１２がグランドパターンを兼ねるので、グランドパターン３ａをより確実に接地電位に維持することができる。
【００３８】
（第２実施形態）
本実施形態では、以下のようにして第１実施形態よりも更に電磁波のシールド性を高める。
【００３９】
図５は、本実施形態に係る電子機器の断面図である。なお、図５において第１実施形態におけるのと同じ要素には第１実施形態と同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００４０】
図５に示すように、本実施形態に係る電子機器２０においては、筐体１１の内面１１ａに設ける導電膜１２を多層構造にする。
【００４１】
その多層構造は、下から順に第１の金属膜１５、絶縁膜１６、及び第２の金属膜１７を有する。
【００４２】
これらの膜のうち、第１の金属膜１５と第２の金属膜１７は、下地に無電解めっき膜を形成した後、その無電解めっき膜を給電層にする電解めっきにより０．５μm〜１０μm程度の厚さに形成される。
【００４３】
第１の金属膜１５と第２の金属膜１７の材料は特に限定されない。これらの金属膜１５、１７の材料としては、アルミニウム、ニッケル、コバルト、クロム、スズ、金、銀、白金、ロジウム、鉄、及び亜鉛のいずれか、又はこれらの合金がある。
【００４４】
一方、絶縁膜１６は、第１の金属膜１５の上に絶縁性の樹脂をスプレーコートしたり、第１の金属膜１５を絶縁性の樹脂中に浸漬したりすることで１μm〜５０μm程度の厚さに形成される。
【００４５】
その絶縁膜１６の材料としては、例えば、アクリル、エポキシ、ポリエステル、ウレタン、及びアクリルとエポキシとの合成樹脂のいずれかがある。
【００４６】
このように絶縁膜１６を介して第１の金属膜１５と第２の金属膜１７とを積層することにより、単層の金属膜と比較して導電膜１２における金属膜の表面積が増大する。
【００４７】
半導体素子４から放出される電磁波を導電膜１２がシールドする能力は、導電膜１２における金属膜の表面積が大きくなるほど増大する。そのため、本実施形態では、導電膜１２として単層の金属膜を使用する第１実施形態と比較して、電磁波に対する導電膜１２のシールド性を高めることができる。本願発明者の計算によれば、導電膜１２によって周波数が１００MHz〜１０００MHzの電磁波が１dB〜４０dB程度減衰した。これは、単層の金属膜を用いる場合の２倍〜４倍程度の遮蔽能力に相当する。
【００４８】
（第３実施形態）
本実施形態では、以下のようにして電磁波に対する導電膜のシールド性を高める。
【００４９】
図６は、本実施形態に係る電子機器の断面図である。なお、図６において、第２実施形態で説明したのと同じ要素には第２実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００５０】
図６に示すように、この電子機器３０においては、導電性のインサート１９の外周側面にも導電膜１２を形成し、インサート１９とネジ６の各々に導電膜１２を電気的に接続することで、インサート１９とネジ６にも電磁波を遮蔽する役割を担わせる。
【００５１】
図７は、この導電膜１２の平面図であって、上記の図６は図７のI−I線に沿う断面図に相当する。
【００５２】
図７に示すように、ネジ６は複数設けられる。そして、導電膜１２は、平面視で各ネジ６と半導体素子４とを内側に含む領域Rから該領域Rの外側に延在する矩形状にパターニングされる。
【００５３】
このように領域Rの外側にまで導電膜１２を延在させることにより、領域R内にのみ導電膜１２を設ける場合と比較して、導電膜１２の各金属膜１５、１６の表面積が増大するので、導電膜１２の電磁波に対するシールド性を高めることができる。
【００５４】
なお、この例では導電膜１２を三層構造としたが、第１実施形態のように単層の金属膜を導電膜１２として設けてもよい。
【００５５】
（第４実施形態）
本実施形態では、以下のようにして半導体素子から出る電磁波をシールドする。
【００５６】
図８は、本実施形態に係る電子機器の断面図である。なお、図８において、第１〜第３実施形態におけるのと同じ要素にはこれらの実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００５７】
図８に示すように、この電子機器４０は、回路基板３と、回路基板３上に設けられた半導体素子４とを有する。
【００５８】
その半導体素子４の周囲の回路基板３には、半導体素子４を囲う箱２１が固定され、その箱２１の外面にはシールド２２が設けられる。
【００５９】
箱２１は、樹脂をモールド成形してなり、その材料としてはPAやPPSがある。
【００６０】
一方、シールド２２は、半導体素子４から放射される電磁波を遮る機能を有し、第１の金属膜２３、第１の絶縁膜２４、及び第２の金属膜２５をこの順に積層してなる。
【００６１】
これらの膜のうち、第１の金属膜２３と第２の金属膜２５は、下地に無電解めっき膜を形成した後、その無電解めっき膜を給電層にする電解めっきにより０．５μm〜１０μm程度の厚さに形成される。
【００６２】
第１の金属膜２３と第２の金属膜２５の材料は特に限定されない。これらの金属膜２３、２５の材料としては、アルミニウム、ニッケル、コバルト、クロム、スズ、金、銀、白金、ロジウム、鉄、及び亜鉛のいずれか、又はこれらの合金がある。
【００６３】
一方、第１の絶縁膜２４は、第１の金属膜２３の上に絶縁性の樹脂をスプレーコートしたり、第１の金属膜２３を絶縁性の樹脂中に浸漬したりすることで１μm〜５０μm程度の厚さに形成される。
【００６４】
その第１の絶縁膜２４の材料としては、例えば、アクリル、エポキシ、ポリエステル、ウレタン、及びアクリルとエポキシとの合成樹脂のいずれかがある。
【００６５】
上記の箱２１とシールド２２は、回路基板３に形成されたグランドパターン３ａに、はんだや銀ペースト等の導電性の接続媒体１４を介して接着される。
【００６６】
また、回路基板３は、第１〜第３実施形態と同様にネジ６により筐体１１に固定される。
【００６７】
この電子機器４０によれば、第１の絶縁膜２４を介して第１の金属膜２３と第２の金属膜２５とを積層してシールド２２とする。そのため、単層の金属膜をシールド２２とする場合よりもシールド２２における金属膜の表面積が増大し、半導体素子４から出る電磁波に対するシールド２２のシールド性を高めることができる。
【００６８】
しかも、シールド２２を回路基板３のグランドパターン３ａに電気的に接続するので、シールド２２が接地電位に維持される。これにより、シールド２２の電位変動を防止して、シールド２２のシールド性を更に高めることが可能となる。
【００６９】
なお、図８の例では箱２１の外面にシールド２２を設けたが、箱２１の表面であればシールド２２の形成部位は特に限定されない。
【００７０】
例えば、図９のように箱２１の外面と内面の両方にシールド２２を設け、シールド２２のシールド性を高めてもよい。
【００７１】
更に、図１０のように箱２１の内面にシールド２２を設けるようにしてもよい。
【００７２】
（第５実施形態）
本実施形態では、電磁波に対するシールド性を第４実施形態よりも更に高める。
【００７３】
図１１は、本実施形態に係る電子機器の断面図である。なお、図１１において、第４実施形態におけるのと同じ要素には第４実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００７４】
図１１に示すように、この電子機器５０においては、筐体１１の内面１１ａに突起１１ｂを設けると共に、その内面１１ａに導電膜３２を設ける。
【００７５】
導電膜３２は、第３の金属膜３３、第２の絶縁膜３４、及び第４の金属膜３５をこの順に積層してなり、突起１１ｂを反映した凹部３２ａを有する。
【００７６】
これらの膜のうち、第３の金属膜３３と第４の金属膜３５は、下地に無電解めっき膜を形成した後、その無電解めっき膜を給電層にする電解めっきにより０．５μm〜１０μm程度の厚さに形成される。
【００７７】
第３の金属膜３３と第４の金属膜３５の材料は特に限定されない。これらの金属膜３３、３５の材料としては、アルミニウム、ニッケル、コバルト、クロム、スズ、金、銀、白金、ロジウム、鉄、及び亜鉛のいずれか、又はこれらの合金がある。
【００７８】
一方、第２の絶縁膜３４は、第３の金属膜３３の上に絶縁性の樹脂をスプレーコートしたり、第３の金属膜３３を絶縁性の樹脂中に浸漬したりすることで１μm〜５０μm程度の厚さに形成される。
【００７９】
その第２の絶縁膜３４の材料としては、例えば、アクリル、エポキシ、ポリエステル、ウレタン、及びアクリルとエポキシとの合成樹脂のいずれかがある。
【００８０】
そして、導電膜３２の凹部３２ａに上記のシールド２２が嵌められ、シールド２２と導電膜３２とが密着する。なお、シールド２２と導電膜３２とを電気的に確実に接続するため、これらの間に約０．１mm程度の隙間を設け、その隙間に銀ペーストを充填してシールド２２と導電膜３２とを接着してもよい。
【００８１】
この電子機器５０によれば、シールド２２と導電膜３２とが電気的に接続されるので、半導体素子４から放射される電磁波が導電膜３２によってもシールドされ、第４実施形態よりもその電磁波を確実にシールドすることができる。
【００８２】
しかも、第２の絶縁膜３４を介して第３の金属膜３３と第４の金属膜３５とを積層して導電膜３２としたので、導電膜３２における金属膜の表面積を増やして導電膜３２のシールド能力を高めることもできる。
【００８３】
（第６実施形態）
図１２は、本実施形態に係る電子機器の断面図である。なお、図１２において、第４実施形態で説明したのと同じ要素には第４実施形態におけるのと同じ符号を付し、以下ではその説明を省略する。
【００８４】
図１２に示すように、この電子機器６０においては、半導体素子４のグランド端子４ａから出るリード６１を回路基板３の表面上に延在させ、そのリード６１とシールド２２とを導電性の接続媒体１４を介して電気的に接続する。
【００８５】
これにより、シールド２２が接地電位に維持されるため、シールド２２の電位変動を防止して、半導体素子４から出る電磁波をシールド２２で確実に遮蔽することが可能となる。
【００８６】
なお、シールド２２を確実に接地電位に維持するという観点からすると、二か所以上でシールド２２とリード６１とを接続するのが好ましい。
【００８７】
（第７実施形態）
本実施形態では、第１〜第６実施形態で説明した電子機器の筐体の例について説明する。
【００８８】
図１３（ａ）〜（ｃ）、図１４（ａ）、（ｂ）は、第１〜第６実施形態を適用することができる様々な電子機器の筐体の斜視図である。
【００８９】
図１３（ａ）はデスクトップ型のパーソナルコンピュータの筐体７１を示し、図１３（ｂ）はノート型のパーソナルコンピュータの筐体７２を示し、図１３（ｃ）はタブレット型のパーソナルコンピュータの筐体７３を示す。
【００９０】
また、図１４（ａ）はスマートフォンの筐体７４を示し、図１４（ｂ）は折りたたみ型の携帯電話の筐体７５を示す。
【００９１】
上記した筐体７１〜７５のいずれにも第１〜第６実施形態を適用し得る。
【００９２】
以上説明した各実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
【００９３】
（付記１）  筐体と、
前記筐体の内面に設けられ、表面に凹部を備えた導電膜と、
前記筐体内に収容された回路基板と、
前記回路基板上に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の周囲の前記回路基板上に固定され、前記凹部に嵌められた導電性の枠と、
を有する電子機器。
【００９４】
（付記２）  前記凹部に嵌められた部分の前記枠が弾性を有することを特徴とする付記１に記載の電子機器。
【００９５】
（付記３）  前記凹部に嵌められた部分の前記枠が、該枠の外側に折り返されたことを特徴とする付記２に記載の電子機器。
【００９６】
（付記４）  前記導電膜は、第１の金属膜と、該第１の金属膜の上に設けられた絶縁膜と、該絶縁膜の上に設けられた第２の金属膜とを有することを特徴とする付記１乃至付記３のいずれかに記載の電子機器。
【００９７】
（付記５）  前記回路基板を前記筐体に固定する複数のネジを更に有し、
前記導電膜は、平面視で複数の前記ネジと前記半導体素子とを内側に含む領域から該領域の外側に延在することを特徴とする付記１乃至付記４のいずれかに記載の電子機器。
【００９８】
（付記６）  前記筐体の材料は樹脂であることを特徴とする付記１乃至付記５のいずれかに記載の電子機器。
【００９９】
（付記７）  回路基板と、
前記回路基板上に設けられた半導体素子と、
前記半導体素子の周囲の前記回路基板上に固定され、前記半導体素子を囲う箱と、
前記箱の表面に設けられ、第１の金属膜、第１の絶縁膜、及び第２の金属膜が順に積層されたシールドと、
を有することを特徴とする電子機器。
【０１００】
（付記８）  さらに、筐体と、
前記筐体の内面に設けられ、表面に凹部を備えた導電膜とを有し、
前記凹部に前記シールドが嵌められたことを特徴とする付記７に記載の電子機器。
【０１０１】
（付記９）  前記半導体素子はグランド端子を有し、
前記グランド端子と前記シールドとが電気的に接続されたことを特徴とする付記７又は付記８に記載の電子機器。
【０１０２】
（付記１０）  前記箱の材料は樹脂であることを特徴とする付記７乃至付記９のいずれかに記載の電子機器。
【符号の説明】
【０１０３】
１、１０、２０、３０、４０、５０、６０…電子機器、２、１１、７１〜７５…筐体、３…回路基板、３ａ…グランドパターン、４…半導体素子、４ａ…グランド端子、５…シールド、５ａ…側板、５ｂ…天板、６…ネジ、１１ａ…内面、１１ｂ…突起、１２…導電膜、１２ａ…凹部、１３…枠、１４…接続媒体、１９…インサート、１５…第１の金属膜、１６…絶縁膜、１７…第２の金属膜、２１…箱、２２…シールド、２３…第１の金属膜、２４…第１の絶縁膜、２５…第２の金属膜、３２…導電膜、３２ａ…凹部、３３…第３の金属膜、３４…第２の絶縁膜、３５…第４の金属膜、６１…リード。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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