(57)【要約】【課題】比較的簡単な構成で、均一な厚さの膜を形成することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。【解決手段】成膜装置１は、表裏関係にある第１面および第２面を有する板状の基板１０が載置される載置部と、基板１０の第１面に対向して配置された第１電極３と、基板１０の第２面に対向して配置された第２電極４と、基板１０と第２電極４との間に、膜材料を含むガスを供給するガス供給部５と、第１電極３と第２電極４との間に、ガスをプラズマ化させる電界を印加する電源部６と、を備え、第１電極３は、第１材料で構成された第１部分３１と、第１部分３１に対して第１電極３の外周部側に位置するとともに第１材料の導電率とは異なる導電率の第２材料で構成された第２部分３２と、を有する。【選択図】図１
2014125663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状のワークが載置される載置部と、
前記載置部側に配置された第１電極と、
前記載置部に対向して配置された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に、膜材料を含むガスを供給するガス供給部と、
前記第１電極と前記第２電極との間に、前記ガスをプラズマ化させる電界を印加する電源部と、を備え、
前記第１電極は、第１材料で構成された第１部分と、前記第１部分に対して前記第１電極の外周部側に位置するとともに前記第１材料の導電率とは異なる導電率の第２材料で構成された第２部分と、を有することを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記載置部は、前記第２電極方向に前記第１電極に対して離間している請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記載置部は、ギャップ材を用いて前記離間状態を形成している請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記ギャップ材の厚みは、５０ｍｍ以下である請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記第１材料の導電率は、前記第２材料の導電率よりも高い請求項１ないし４のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記第１材料の２５°Ｃにおける導電率をＥ１とし、前記第２材料の２５°Ｃにおける導電率をＥ２としたとき、
Ｅ１／Ｅ２は、１×１０１８［Ω−１・ｍ−１］以上１×１０２１［Ω−１・ｍ−１］以下である請求項５に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記第１材料は、金属材料である請求項５または６に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記第２材料は、セラミックス材料である請求項５ないし７のいずれか１項に記載の成膜装置。
【請求項９】
第１材料で構成された第１部分と、前記第１部分に対して外周部側に位置するとともに前記第１材料の導電率とは異なる導電率の第２材料で構成された第２部分とを有する第１電極と第２電極との間にワークを載置した状態で、前記第１電極と前記第２電極との間に電界を印加することにより、前記ワークと前記第２電極との間に供給した膜材料を含むガスをプラズマ化させ、前記ワーク上に成膜を行うことを特徴とする成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、成膜装置および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマＣＶＤ技術を用いて成膜を行う成膜装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。
このような成膜装置は、例えば、膜を形成するための原料ガスを含む混合ガス中に、電界を生じさせ、この電界によって生成されたプラズマの作用で原料ガスを重合することにより、基板上に重合膜を形成する。
【０００３】
このような成膜装置では、原料ガスの流量や圧力、電界を生じさせるための高周波電力や周波数等の各パラメータを適宜設定することにより、重合膜の膜厚や成膜速度を調整することができる。
特許文献１に係る成膜装置では、基板を保持する電極に印加する電圧値を変更することにより、得られる重合膜の厚さを調整する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２４６９８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に係る成膜装置では、基板を保持する電極に印加する電圧値を変更するための電源がプラズマ発生のための電源とは別途必要となるため、装置構成が複雑化するという問題がある。
また、特許文献１に係る成膜装置では、得られる膜の厚さ分布を均一にすることが難しいという問題がある。
本発明の目的は、比較的簡単な構成で、均一な厚さの膜を形成することができる成膜装置および成膜方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
このような目的は、下記の適用例により達成される。
（１）  本適用例の成膜装置は、板状のワークが載置される載置部と、
前記載置部側に配置された第１電極と、
前記載置部に対向して配置された第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に、膜材料を含むガスを供給するガス供給部と、
前記第１電極と前記第２電極との間に、前記ガスをプラズマ化させる電界を印加する電源部と、を備え、
前記第１電極は、第１材料で構成された第１部分と、前記第１部分に対して前記第１電極の外周部側に位置するとともに前記第１材料の導電率とは異なる導電率の第２材料で構成された第２部分と、を有することを特徴とする。
このような成膜装置によれば、第１電極の第１部分と第２電極との間に生じるプラズマの強度と、第１電極の第２部分と第２電極との間に生じるプラズマの強度とを異ならせ、ワークの被処理面（第２面）に対する成膜レートの分布を調整することができる。そのため、ワークの被処理面（第２面）に対して均一な膜を形成することができる。
【０００７】
（２）  本適用例の成膜装置では、前記載置部は、前記第２電極方向に前記第１電極に対して離間していることが好ましい。
これにより、ワークと第１電極との間の距離に応じて、ワークに対する第１電極の温度分布の影響を調整することができる。また、ワークが第１電極として機能してしまうのを簡単な構成で防止することができる。そのため、第１電極の第１部分と第２電極との間、および、第１電極の第２部分と第２電極との間にそれぞれプラズマを生じさせ、これらのプラズマの強度を異ならせることができる。
【０００８】
（３）  本適用例の成膜装置では、前記載置部は、ギャップ材を用いて前記離間状態を形成していることが好ましい。
これにより、比較的簡単な構成で、ワークと第１電極との間の距離を所望距離に規制することができる。
（４）  本適用例の成膜装置では、前記ギャップ材の厚みは、５０ｍｍ以下であることが好ましい。
これにより、第１電極からワークへの熱の伝導により、第１電極の温度分布の影響をワークに及ぼすことができる。そのため、ワークに対する成膜レートの分布を効果的に調整することができる。
【０００９】
（５）  本適用例の成膜装置では、前記第１材料の導電率は、前記第２材料の導電率よりも高いことが好ましい。
これにより、第１電極の第１部分と第２電極との間に生じるプラズマの強度を、第１電極の第２部分と第２電極との間に生じるプラズマの強度よりも高くし、ワークの被処理面（第２面）に対する成膜レートの分布を調整することができる。
【００１０】
（６）  本適用例の成膜装置では、前記第１材料の２５°Ｃにおける導電率をＥ１とし、前記第２材料の２５°Ｃにおける導電率をＥ２としたとき、
Ｅ１／Ｅ２は、１×１０１８［Ω−１・ｍ−１］以上１×１０２１［Ω−１・ｍ−１］以下であることが好ましい。
これにより、第１電極の第１部分と第２電極との間に生じるプラズマの強度と、第１電極の第２部分と第２電極との間に生じるプラズマの強度との差を大きくすることができる。
【００１１】
（７）  本適用例の成膜装置では、前記第１材料は、金属材料であることが好ましい。
これにより、第１電極の第１部分と第２電極との間に強度の比較的高いプラズマを比較的簡単に生じさせることができる。
（８）  本適用例の成膜装置では、前記第２材料は、セラミックス材料であることが好ましい。
これにより、第１電極の第２部分と第２電極との間に強度の比較的低いプラズマを比較的簡単に生じさせることができる。
【００１２】
（９）  本適用例の成膜方法は、第１材料で構成された第１部分と、前記第１部分に対して外周部側に位置するとともに前記第１材料の導電率とは異なる導電率の第２材料で構成された第２部分とを有する第１電極と第２電極との間にワークを載置した状態で、前記第１電極と前記第２電極との間に電界を印加することにより、前記ワークと前記第２電極との間に供給した膜材料を含むガスをプラズマ化させ、前記ワーク上に成膜を行うことを特徴とする。
このような成膜方法によれば、第１電極の第１部分と第２電極との間に生じるプラズマの強度と、第１電極の第２部分と第２電極との間に生じるプラズマの強度とを異ならせ、ワークの被処理面（第２面）に対する成膜レートの分布を調整することができる。そのため、ワークの被処理面（第２面）に対して均一な膜を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態に係る成膜装置を模式的に示す断面図である。
【図２】図１に示す成膜装置が備えるステージ（第１電極）を示す平面図である。
【図３】図２中のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図１に示す成膜装置の作用を説明するための図である。
【図５】図１に示す成膜装置を用いて得られる膜の膜厚分布を示すグラフである。
【図６】本発明の第２実施形態に係る成膜装置が備えるステージ（第１電極）を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の成膜装置について、図示の好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
＜第１実施形態＞
まず、本発明の第１実施形態について説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る成膜装置を模式的に示す断面図、図２は、図１に示す成膜装置が備えるステージ（第１電極）を示す平面図、図３は、図２中のＡ−Ａ線断面図である。また、図４は、図１に示す成膜装置の作用を説明するための図、図５は、図１に示す成膜装置を用いて得られる膜の膜厚分布を示すグラフである。
【００１５】
なお、以下の説明では、便宜上、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。また、以下では、プラズマ重合膜を形成する場合を例に説明するが、本発明は、これに限定されず、プラズマ化した膜材料を基板上に堆積させて重合を伴わない反応により膜を形成する場合にも適用可能である。
図１に示す成膜装置１は、プラズマを発生させ、そのプラズマにより膜材料を重合（プラズマ重合）して、その重合物を基板１０（ワーク）の表面に堆積させて重合膜を形成する装置である。
【００１６】
この成膜装置１は、チャンバー２と、チャンバー２内に設けられた第１電極３および第２電極４と、膜材料を含むガスをチャンバー２内に供給するガス供給部５と、第１電極３および第２電極４間に電界を印加する電源部６と、チャンバー２内のガスを排気する排気ポンプ７とを備えている。
この成膜装置１では、第１電極３上（第１電極３と第２電極４との間）に基板１０を載置した状態で、第１電極３と第２電極４との間に電界を印加することにより、基板１０と第２電極４との間に供給された膜材料を含むガスをプラズマ化させ、基板１０上に成膜を行う。
【００１７】
以下、成膜装置１の各部について順次説明する。
チャンバー２は、内部の気密を保持し得る容器であり、内部を減圧（真空）状態にして使用されるため、内部と外部との圧力差に耐え得る耐圧性能を有する。
本実施形態では、チャンバー２は、軸線が水平方向に沿って配置されたほぼ円筒形をなすチャンバー本体と、チャンバー本体の両端開口を封止する１対の円形の側壁とで構成されている。
【００１８】
チャンバー２の上側部分には、ガス供給部５に接続されている供給口２２が設けられている。これにより、ガス供給部５から供給口２２を介してチャンバー２内にガスを供給することができる。一方、チャンバー２の下側部分には、排気ポンプ７に接続されている排気口２３が設けられている。これにより、排気ポンプ７によりチャンバー２内のガスを排気口２３から排気することができる。
【００１９】
また、チャンバー２内の供給口２２の近傍には、拡散板２４が設けられている。
拡散板２４は、供給口２２からチャンバー２内に供給されるガスの拡散を促進する機能を有する。これにより、ガス供給部５からのガスをチャンバー２内にほぼ均一の濃度で分散させることができる。
また、排気口２３には、チャンバー２内の圧力を調整する圧力制御機構２５が設けられている。これにより、チャンバー２内の圧力をガス供給部５の動作状況に応じて適宜設定することができる。
【００２０】
このようなチャンバー２の構成材料としては、特に限定されないが、例えば、ステンレス鋼のような金属材料、アルミナのようなセラミックス材料等を用いることができる。
このようなチャンバー２内には、第１電極３および第２電極４が収納されている。第１電極３は、チャンバー２の一方（図１にて右側）の側壁の内壁面に沿って設けられ、一方、第２電極４は、チャンバー２の他方（図１にて左側）の側壁の内壁面に沿って設けられている。これにより、第１電極３と第２電極４とが互いに対向している。
【００２１】
第１電極３および第２電極４は、これらの間に電界が印加されることにより、プラズマＰを生じさせる。
第１電極３の一方の面３３（第２電極４側の面）には、基板１０が載置される。したがって、この第１電極３の一方の面３３は、基板１０が載置される載置部としても機能する。第１電極３上に基板１０を載置することにより、第１電極３と第２電極４との間に基板１０が位置することとなる。
【００２２】
なお、図示しないが、第１電極３の基板１０を支持する面には、静電チャック（吸着機構）が設けられている。これにより、基板１０を鉛直方向に沿って支持することができる。また、基板１０に多少の反りがあっても、静電チャックに吸着させることにより、その反りを矯正した状態で基板１０をプラズマ処理に供することができる。
また、基板１０は、表裏関係にある第１面１０１および第２面１０２を有する板状をなし、第２面１０２に重合膜が形成されるものである。また、第１電極３上に載置された基板１０は、第１面１０１が第１電極３に対向し、第２面１０２が第２電極４に対向する。
【００２３】
このような基板１０としては、例えば、ガラス基板、セラミックス基板、シリコン基板、化合物半導体基板等が挙げられる。すなわち、基板１０は、半導体材料または絶縁体材料で構成されている。これにより、基板１０が第１電極３に接触していても、基板１０が第１電極３として機能してしまうのを防止することができる。すなわち、第１電極３と第２電極４との間のカップリングによりプラズマを発生させることができる。
【００２４】
これに対し、仮に基板１０が導体で構成されている場合、第２電極４と基板１０との間のカップリングによりプラズマが発生してしまう。そのため、この場合、後述するような強度の異なるプラズマＰ１、Ｐ２を発生させることができない。
また、基板１０の厚さｔｗは、５０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以上８０μｍであることがより好ましい。これにより、基板１０の必要な強度を確保しつつ、第１電極３と第２電極４との間で好適なプラズマを生じさせることができる。また、第１電極３の温度分布の影響を基板１０の被処理面（第２面１０２）に及ぼすことができる。
【００２５】
これに対し、基板１０の厚さが小さすぎると、基板１０のハンドリングが難しい。一方、基板１０の厚さが大きすぎると、基板１０の構成材料によっては、第１電極３と第２電極４との間のカップリングによるプラズマを発生させること難しかったり、仮にそのようなプラズマを発生させることができたとしても、第１電極３の熱分布の影響を基板１０の被処理面に及ぼすことが難しかったりする。
【００２６】
第１電極３は、板状をなしている。また、本実施形態では、第１電極３の平面視形状は、円形をなしている。すなわち、第１電極３は、円板状をなしている。そして、第１電極３は、チャンバー２のチャンバー本体と同心的に設けられている。また、第１電極３は、接地されている。
特に、図２および図３に示すように、第１電極３は、その中央部に位置する第１部分３１と、第１部分３１に対して第１電極３の外周部側に位置する第２部分３２とを有する。
【００２７】
第１部分３１および第２部分３２の構成材料は、導電率が互いに異なる。すなわち、第１部分３１は、第１材料で構成され、第２部分３２は、第１材料の導電率とは異なる導電率の第２材料で構成されている。
これにより、第１電極３の第１部分３１と第２電極４との間に生じるプラズマＰ１の強度と、第１電極３の第２部分３２と第２電極４との間に生じるプラズマＰ２の強度とを異ならせることができる。
【００２８】
ここで、第１電極３の導電性が高い部分と第２電極４との間では、プラズマが生じやすく、プラズマの強度が高くなる。一方、第１電極３の導電性が低い部分と第２電極４との間では、プラズマが生じ難く、プラズマの強度が低くなる。
なお、前述した基板１０が載置される載置部を構成する面３３は、第１部分３１の一方の面３１１および第２部分３２の一方の面３２１で構成されている。
【００２９】
本実施形態では、第１材料の導電率は、第２材料の導電率よりも高い。すなわち、第１電極３は、第１部分３１の導電性が第２部分３２の導電性よりも高い。これにより、第１電極３の第１部分３１と第２電極４との間に生じるプラズマＰ１の強度を、第１電極３の第２部分３２と第２電極４との間に生じるプラズマＰ２の強度よりも高くすることができる。
【００３０】
ここで、プラズマＰ１の強度がプラズマＰ２の強度よりも高いため、第１部分３１の温度が第２部分３２の温度よりも高くなる。また、一般に導電率が低いものは熱伝導率が低く加熱され難いため、第１部分３１に比し第２部分３２にはプラズマＰ１、Ｐ２からの熱が伝わり難い。そのため、前述したような第１部分３１と第２部分３２との温度差を容易に生じさせることができる。すなわち、第１電極３に外周部の温度よりも中央部の温度が高い温度分布を生じさせることができる。
【００３１】
そして、このような温度分布で加熱された第１電極３の熱は、基板１０に伝達されることとなる。したがって、基板１０の温度分布は第１電極３の温度分布の影響を受ける。すなわち、基板１０に外周部の温度よりも中央部の温度が高い温度分布を生じさせることができる。
基板１０の温度と成膜レートとには相関があり、基板１０の温度が低くなるほど成膜レートが高くなる。したがって、基板１０の温度により成膜レートを調整することができる。しかも、基板１０の温度が成膜レートに与える影響は、他のプロセスパラメータが成膜レートに与える影響よりも大きい。
【００３２】
ところで、本実施形態の成膜装置１は、仮に第１電極３を単一材料で構成した場合、外周部の成膜レートが中央部の成膜レートよりも低く、図５中の破線で示すように、得られる膜の膜厚分布（以下、「元の成膜分布」ともいう）が外周部よりも中央部が厚くなる。
したがって、本実施形態では、前述したような第１電極３を用いることにより、外周部における成膜レートを高めるよう、基板１０の被処理面（第２面１０２）に対する成膜レートの分布を調整する。その結果、図５中の実線で示すように、基板１０の被処理面（第２面１０２）に対して均一な膜を形成することができる。
【００３３】
第１材料および第２材料は、元の成膜分布に応じて決定されるものであり、前述したような導電率差を有するものであれば、特に限定されず、金属材料、セラミックス材料、樹脂材料等の各種材料を用いることができるが、第１材料の２５°Ｃにおける導電率をＥ１とし、第２材料の２５°Ｃにおける導電率をＥ２としたとき、Ｅ１／Ｅ２は、１×１０１８［Ω−１・ｍ−１］以上１×１０２１［Ω−１・ｍ−１］以下であることが好ましく、１×１０１９［Ω−１・ｍ−１］以上１×１０２０［Ω−１・ｍ−１］以下であることがより好ましい。
これにより、第１電極３の第１部分３１と第２電極４との間に生じるプラズマＰ１の強度と、第１電極３の第２部分３２と第２電極４との間に生じるプラズマＰ２の強度との差を大きくすることができる。
【００３４】
また、第１材料は、金属材料であることが好ましい。これにより、第１電極３の第１部分３１と第２電極４との間に強度の比較的高いプラズマＰ１を比較的簡単に生じさせることができる。
かかる金属材料としては、特に限定されないが、例えば、ＳＵＳ、アルミニウム等が挙げられる。
【００３５】
また、第２材料は、セラミックス材料であることが好ましい。これにより、第１電極３の第２部分３２と第２電極４との間に強度の比較的低いプラズマＰ２を比較的簡単に生じさせることができる。
かかるセラミックス材料としては、絶縁性を有していれば、特に限定されないが、例えば、アルミナ、シリカ、チタニア、ジルコニア等の酸化物系セラミックス、窒化珪素、窒化アルミ、窒化チタン等の窒化物系セラミックス、炭化珪素等の炭化物系セラミックス等の各種セラミックスを用いることができる。
【００３６】
また、第１部分３１および第２部分３２の幅は、それぞれ、元の成膜分布に応じて決められる。
第２電極４は、基板１０を介して、第１電極３と対向して設けられている。
この第２電極４は、チャンバー２の側壁の内壁面から離間した（絶縁された）状態で設けられている。
【００３７】
電源部６は、前述したような第１電極３と第２電極４との間に、ガス（より具体的には、後述する混合ガス）をプラズマ化させる電界を印加する機能を有する。
この電源部６は、高周波電源６１と、マッチングボックス６２（整合器）とを有し、高周波電源６１がマッチングボックス６２を介して第２電極４に電気的に接続されている。
これにより、第１電極３と第２電極４との間に高周波電圧を印加することができる。第１電極３と第２電極４との間に高周波電圧を印加すると、第１電極３と第２電極４との間隙には、高い周波数で向きが反転を繰り返す電界が誘起される。
【００３８】
ガス供給部５は、チャンバー２内に所定のガスを供給する機能を有する。
このガス供給部５は、液状の膜材料（原料液）を貯留する貯液部５１と、液状の膜材料を気化してガス状に変化させる気化装置５２と、キャリアガスを貯留するガスボンベ５３とを有している。
このガス供給部５では、ガス状の膜材料（原料ガス）とキャリアガスとの混合ガスを供給口２２からチャンバー２内に供給する。チャンバー２内に供給された混合ガスの一部は、第１電極３または基板１０と第２電極４との間に至ることとなる。
【００３９】
貯液部５１に貯留される液状の膜材料は、プラズマ重合して基板１０の表面に重合膜を形成する原材料である。
原料ガスとしては、特に限定されないが、例えば、ポリオルガノシロキサンで構成された重合膜を形成する場合、メチルシロキサン、オクタメチルトリシロキサン、デカメチルテトラシロキサン、デカメチルシクロペンタシロキサン、オクタメチルシクロテトラシロキサン、メチルフェニルシロキサンのようなオルガノシロキサン等が挙げられる。
【００４０】
このような液状の膜材料は、気化装置５２により気化され、ガス状の膜材料（原料ガス）となってチャンバー２内に供給される。
ガスボンベ５３に貯留されるキャリアガスは、電界の作用により放電を生じさせ、その放電を維持するために導入するガスである。このようなキャリアガスとしては、例えば、Ａｒガス、Ｈｅガス等が挙げられる。
【００４１】
排気ポンプ７は、チャンバー２内を排気するものであり、例えば、油回転ポンプ、ターボ分子ポンプ等で構成されている。このようにチャンバー２内を排気して減圧することにより、ガスを容易にプラズマ化することができる。また、大気雰囲気との接触による基板１０の汚染・酸化等を防止するとともに、プラズマ処理による反応生成物をチャンバー２内から効果的に除去することができる。
【００４２】
次に、成膜装置１の作用（動作）を説明する。
まず、基板１０を第１電極３上に載置した状態でチャンバー２内に収納して封止状態とした後、排気ポンプ７の作動により、チャンバー２内を減圧状態とする。
次に、ガス供給部５を作動させ、チャンバー２内に原料ガスとキャリアガスとの混合ガスを供給する。これにより、混合ガスがチャンバー２内に充填される。
【００４３】
ここで、混合ガス中における原料ガスの占める割合（混合比）は、原料ガスやキャリアガスの種類や目的とする成膜速度等によって若干異なるが、例えば、混合ガス中の原料ガスの割合を２０〜７０％程度に設定するのが好ましく、３０〜６０％程度に設定するのがより好ましい。これにより、重合膜の形成（成膜）の条件の最適化を図ることができる。
また、チャンバー２に供給するガスの流量は、ガスの種類や目的とする成膜速度、膜厚等によって適宜決定され、特に限定されるものではないが、通常は、原料ガスおよびキャリアガスの流量を、それぞれ、１〜１００ｃｃｍ程度に設定するのが好ましく、１０〜６０ｃｃｍ程度に設定するのがより好ましい。
【００４４】
次いで、電源部６を作動させ、第１電極３と第２電極４との間に高周波電圧を印加する。これにより、第１電極３と第２電極４との間に存在するガスの分子が電離し、図４に示すように、プラズマＰが発生する。このプラズマＰのエネルギーにより原料ガス中の分子が重合し、重合物が基板１０上に付着・堆積する。これにより、基板１０上にプラズマ重合膜が形成される。
【００４５】
このとき、プラズマＰは、前述したように、第１電極３の第１部分３１と第２電極４との間に生じるプラズマＰ１の強度と、第１電極３の第２部分３２と第２電極４との間に生じるプラズマＰ２の強度とが異なる。これにより、基板１０の被処理面（第２面１０２）に対する成膜レートの分布を調整することができる。そのため、基板１０の被処理面に対して均一な膜を形成することができる。
【００４６】
プラズマ重合の際、第１電極３と第２電極４との間に印加する高周波電圧の周波数は、特に限定されないが、１ｋＨｚ〜１００ＭＨｚ程度であるのが好ましく、１０〜６０ＭＨｚ程度であるのがより好ましい。
また、高周波電圧の出力密度は、特に限定されないが、０．０１〜１０Ｗ／ｃｍ２程度であるのが好ましく、０．１〜１Ｗ／ｃｍ２程度であるのがより好ましい。
【００４７】
また、成膜時のチャンバー２内の圧力は、１３３．３×１０−５〜１３３３Ｐａ（１×１０−５〜１０Ｔｏｒｒ）程度であるのが好ましく、１３３．３×１０−４〜１３３．３Ｐａ（１×１０−４〜１Ｔｏｒｒ）程度であるのがより好ましい。
処理時間は、１〜１０分程度であるのが好ましく、４〜７分程度であるのがより好ましい。なお、基板１０上に成膜される重合膜の厚さは、主に、この処理時間に比例する。
また、基板１０の温度は、２５℃以上であるのが好ましく、２５〜１００℃程度であるのがより好ましい。
以上のような成膜装置１によれば、比較的簡単な構成で、均一な厚さの膜を形成することができる。
【００４８】
＜第２実施形態＞
次に、本発明の成膜装置の第２実施形態について説明する。
図６は、本発明の第２実施形態に係る成膜装置が備えるステージ（第１電極）を示す断面図である。
以下、第２実施形態について説明するが、前述した第１実施形態との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【００４９】
本実施形態の成膜装置は、載置部の構成が異なる以外は、前述した前記第１実施形態と同様である。
本実施形態に係る成膜装置では、基板１０がギャップ材１１を介して第１電極３上に載置される。ここで、ギャップ材１１の第１電極３とは反対側の面は、基板１０が載置される載置部を構成する。
【００５０】
このギャップ材１１には、基板１０が第１電極３に対して離間した状態で載置される。すなわち、ギャップ材１１の第１電極３とは反対側の面は、第２電極４方向に第１電極３に対して離間している。これにより、基板１０と第１電極３との間の距離に応じて、基板１０に対する第１電極３の温度分布の影響を調整することができる。また、基板１０が第１電極３として機能してしまうのを簡単な構成で防止することができる。そのため、第１電極３の第１部分３１と第２電極４との間、および、第１電極３の第２部分３２と第２電極４との間にそれぞれプラズマを生じさせ、これらのプラズマの強度を異ならせることができる。
【００５１】
また、ギャップ材１１を用いて前述したように基板１０と第１電極３との離間状態を形成しているので、比較的簡単な構成で、基板１０と第１電極３との間の距離を所望距離に規制することができる。
また、本実施形態では、ギャップ材１１は、第２部分３２とは別体で構成されている。そのため、厚さの異なる複数種のギャップ材から選択して、ギャップ材１１として用いることにより、容易に、基板１０と第１電極３との間の距離を変更することができる。
【００５２】
また、ギャップ材１１は、第１電極の第２部分３２と基板１０との間に配置されている。これにより、導電率の高い第１部分３１と基板１０との間が空隙となっている。これにより、基板１０が第１電極３として機能してしまうのを効果的に防止することができる。
また、ギャップ材１１は、第２部分３２の周方向に沿って、枠状をなしていてもよいし、３つ以上の個片で構成されていてもよい。
【００５３】
このようなギャップ材１１の構成材料としては、特に限定されないが、絶縁性が高いものが好ましく、例えば、セラミックス材料、ガラス材料等を用いることができる。ギャップ材１１の構成材料は、前述した第２部分３２の構成材料と同一であっても異なっていてもよく、同一である場合には、第２部分３２と一体的に形成してもよい。
また、ギャップ材１１の厚さ、すなわち、基板１０と第１電極３との間の距離ｇは、０ｍｍ以上５０ｍｍ以下であることが好ましく、１ｍｍ以上３０ｍｍ以下であることがより好ましい。これにより、第１電極３から基板１０への熱の伝導により、第１電極３の温度分布の影響を基板１０に及ぼすことができる。そのため、基板１０に対する成膜レートの分布を効果的に調整することができる。
【００５４】
これに対し、かかる距離が小さすぎると、第１電極３や基板１０の構成材料によっては、基板１０が第１電極３として機能してしまう場合がある。一方、かかる距離が大きすぎると、基板１０の厚さ等によっては、第１電極３の温度分布の影響を基板１０に及ぼすことが難しい。
以上説明したような第２実施形態によっても、比較的簡単な構成で、均一な厚さの膜を形成することができる。
【００５５】
以上、本発明の成膜装置および成膜方法について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
なお、成膜装置の各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、または、任意の構成のものを付加することもできる。
また、前述した実施形態では、元の成膜分布が外周部よりも中央部が厚くなる場合に本発明を適用した例を説明したが、本発明は、これに限定されず、例えば、元の成膜分布が外周部よりも中央部が薄くなる場合にも適用可能である。この場合、第１材料の導電率を第２材料の導電率よりも低くすればよい。
【００５６】
また、前述した実施形態では、第１電極が互いに構成材料の導電率の異なる２つの部分（第１部分および第２部分）で構成されている場合を例に説明したが、第１電極は、任意の元の成膜分布に応じて３つ以上の部分で構成されていてもよく、例えば、第１部分または第２部分の内側または外側に、第１材料または第２材料とは導電率の異なる第３材料で構成された第３部分が設けられていてもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１‥‥成膜装置  ２‥‥チャンバー  ３‥‥第１電極  ４‥‥第２電極  ５‥‥ガス供給部  ６‥‥電源部  ７‥‥排気ポンプ  １０‥‥基板（ワーク）  １１‥‥ギャップ材  ２２‥‥供給口  ２３‥‥排気口  ２４‥‥拡散板  ２５‥‥圧力制御機構  ３１‥‥第１部分  ３２‥‥第２部分  ３３‥‥面  ５１‥‥貯液部  ５２‥‥気化装置  ５３‥‥ガスボンベ  ６１‥‥高周波電源  ６２‥‥マッチングボックス  １０１‥‥第１面  １０２‥‥第２面  ３１１‥‥面  ３２１‥‥面  Ｐ‥‥プラズマ  Ｐ１‥‥プラズマ  Ｐ２‥‥プラズマ
【図１】
2014125663.tif 000003
【図２】
2014125663.tif 000004
【図３】
2014125663.tif 000005
【図４】
2014125663.tif 000006
【図５】
2014125663.tif 000007
【図６】
2014125663.tif 000008