(57)【要約】【課題】配線長の縮小を図りつつ、ＥＭＩノイズを低減することが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、高周波の電磁波を吸収する材料を含み、平板状の形状を有する複数の第１の平板を備える。第１の平板のうちの何れかが、第１の接続配線および第２の接続配線の上方に配置されている。【選択図】図１
2014063806.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられ、平板状の形状を有する第１の電極と、
前記絶縁基板上に設けられ、平板状の形状を有する第２の電極と、
前記絶縁基板上に設けられ、平板状の形状を有する第３の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、前記第１の電極に一方の端子が電気的に接続された第１のスイッチ素子と、
前記第３の電極に前記第１のスイッチ素子の他方の端子を電気的に接続する第１の接続配線と、
前記第２の電極上に設けられ、前記第２の電極に一方の端子が電気的に接続された第２のスイッチ素子と、
前記第２のスイッチ素子が前記第１のスイッチ素子と並列に接続されるように、前記第３の電極に前記第２のスイッチ素子の他方の端子を電気的に接続する第２の接続配線と、
前記第１のスイッチ素子のゲートに電気的に接続された第１のゲート配線と、
前記第２のスイッチ素子のゲートに電気的に接続された第２のゲート配線と、
前記第１の電極および前記第２の電極に電気的に接続された第３の接続配線と、
前記第３の電極に電気的に接続された第４の接続配線と、
高周波の電磁波を吸収する材料を含む複数の第１の平板と、
前記絶縁基板の上方に前記第１および第２の電極を介して設けられ、前記第１のゲート配線および前記第２のゲート配線に電気的に接続された配線基板と、
高周波の電磁波を吸収する材料を含む複数の第２の平板と、を備え、
前記第１の平板のうちの何れかが、前記第１の接続配線および前記第２の接続配線の上方に配置され、
前記第１の平板のうちの何れかが、前記第１の電極および前記第２の電極の上方に配置され、
前記第１の平板のうちの何れかが、前記絶縁基板と前記配線基板との間に配置され、
前記第１の平板のうちの何れかが、前記第１のスイッチ素子および前記第２のスイッチ素子の少なくとも何れか一方の上に配置され、
前記第１の接続配線および前記第２の接続配線は、ボンディングワイヤであり、
前記材料は、フェライトまたはパーマロイであり、
前記第１のスイッチ端子は、前記第１の電極にエミッタ又はコレクタの何れか一方が電気的に接続され、前記第３の電極にエミッタ又はコレクタの残りの他方が前記第１の接続配線を介して電気的に接続された第１のＩＧＢＴ素子であり、
前記第２のスイッチ端子は、前記第２の電極上に設けられ、前記第２の電極にエミッタ又はコレクタの何れか一方が電気的に接続され、前記第１のスイッチ素子と並列に接続されるように、前記第３の電極にエミッタ又はコレクタの残りの他方が前記第２の接続配線を介して電気的に接続された第２のＩＧＢＴ素子であることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に設けられた第１の電極と、
前記絶縁基板上に設けられた第２の電極と、
前記絶縁基板上に設けられた第３の電極と、
前記第１の電極上に設けられ、前記第１の電極に一方の端子が電気的に接続された第１のスイッチ素子と、
前記第３の電極に前記第１のスイッチ素子の他方の端子を電気的に接続する第１の接続配線と、
前記第２の電極上に設けられ、前記第２の電極に一方の端子が電気的に接続された第２のスイッチ素子と、
前記第２のスイッチ素子が前記第１のスイッチ素子と並列に接続されるように、前記第３の電極に前記第２のスイッチ素子の他方の端子を電気的に接続する第２の接続配線と、
前記第１のスイッチ素子のゲートに電気的に接続された第１のゲート配線と、
前記第２のスイッチ素子のゲートに電気的に接続された第２のゲート配線と、
前記第１の電極および前記第２の電極に電気的に接続された第３の接続配線と、
前記第３の電極に電気的に接続された第４の接続配線と、
高周波の電磁波を吸収する材料を含む複数の第１の平板と、を備え、
前記第１の平板のうちの何れかが、前記第１の接続配線および前記第２の接続配線の上方に配置されている
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
前記第１の平板のうちの何れかが、前記第１の電極および前記第２の電極の上方に配置されている
ことを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記絶縁基板の上方に前記第１および第２の電極を介して設けられ、前記第１のゲート配線および前記第２のゲート配線に電気的に接続された配線基板をさらに備え、
前記第１の平板のうちの何れかが、前記絶縁基板と前記配線基板との間に配置されている
ことを特徴とする請求項２または３に記載の半導体装置。
【請求項５】
高周波の電磁波を吸収する材料を含む複数の第２の平板をさらに備え、
前記第２の平板は、前記配線基板上に配置されていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１の平板のうちの何れかが、前記第１のスイッチ素子および前記第２のスイッチ素子の少なくとも何れか一方の上に配置されている
ことを特徴とする請求項２から５のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の接続配線および前記第２の接続配線は、ボンディングワイヤであることを特徴とする請求項２から６のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記材料は、フェライトまたはパーマロイであることを特徴とする請求項２から７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１のスイッチ端子は、前記第１の電極にエミッタ又はコレクタの何れか一方が電気的に接続され、前記第３の電極にエミッタ又はコレクタの残りの他方が前記第１の接続配線を介して電気的に接続された第１のＩＧＢＴ素子であり、
前記第２のスイッチ端子は、前記第２の電極上に設けられ、前記第２の電極にエミッタ又はコレクタの何れか一方が電気的に接続され、前記第１のスイッチ素子と並列に接続されるように、前記第３の電極にエミッタ又はコレクタの残りの他方が前記第２の接続配線を介して電気的に接続された第２のＩＧＢＴ素子であることを特徴とする請求項２ないし７のいずれか一項に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置には、複数の半導体素子が並列に接続されたものがある。この従来の半導体装置において、例えば、モジュールゲート配線の分岐点と各ＩＧＢＴ素子のゲートパッドとの間の配線にフェライトコアが挿入されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００１−１８５６７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線長の縮小を図りつつ、ＥＭＩ（Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｍａｇｎｅｔｉｃ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ）ノイズを低減することが可能な半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に従った半導体装置は、絶縁基板を備える。半導体装置は、前記絶縁基板上に設けられ、平板状の形状を有する第１の電極を備える。半導体装置は、前記絶縁基板上に設けられ、平板状の形状を有する第２の電極を備える。半導体装置は、前記絶縁基板上に設けられ、平板状の形状を有する第３の電極を備える。半導体装置は、前記第１の電極上に設けられ、前記第１の電極にエミッタ又はコレクタの何れか一方が電気的に接続された第１のスイッチ素子を備える。半導体装置は、前記第３の電極に前記第１のスイッチ素子のエミッタ又はコレクタの残りの他方を電気的に接続する第１の接続配線を備える。半導体装置は、前記第２の電極上に設けられ、前記第２の電極にエミッタ又はコレクタの何れか一方が電気的に接続された第２のスイッチ素子を備える。半導体装置は、前記第２のスイッチ素子が前記第１のスイッチ素子と並列に接続されるように、前記第３の電極に前記第２のスイッチ素子のエミッタ又はコレクタの残りの他方を電気的に接続する第２の接続配線を備える。半導体装置は、前記第１のスイッチ素子のゲートに電気的に接続された第１のゲート配線を備える。半導体装置は、前記第２のスイッチ素子のゲートに電気的に接続された第２のゲート配線を備える。半導体装置は、前記第１の電極および前記第２の電極に電気的に接続された第３の接続配線を備える。半導体装置は、前記第３の電極に電気的に接続された第４の接続配線を備える。半導体装置は、高周波の電磁波を吸収する材料を含む複数の第１の平板を備える。半導体装置は、前記放熱板上で、少なくとも前記絶縁基板、前記第１から第３の電極、前記第１および第２のスイッチ素子、前記第１および第２のゲート配線  前記第１から第４の接続配線、および前記第１の平板を封止する封止樹脂を備える。
【０００６】
前記第１の平板のうちの何れかが、前記第１の接続配線および前記第２の接続配線の上方に配置されている。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る半導体装置１００の構成の一例を示す平面図である。
【図２】図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿った半導体装置１００の断面の一例を示す平面図である。
【図３】図３は、図１に示す半導体装置１００の回路構成の一例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、実施形態について図面に基づいて説明する。なお、実施形態では、スイッチ素子の一例として、ＩＧＢＴ素子を選択した場合について説明するが、ＭＯＳトランジスタ等の他の電圧制御型のスイッチ素子であってもよい。
【第１の実施形態】
【０００９】
図１は、第１の実施形態に係る半導体装置１００の構成の一例を示す平面図である。また、図２は、図１のＸ−Ｘ線に沿った半導体装置１００の断面の一例を示す平面図である。また、図３は、図１に示す半導体装置１００の回路構成の一例を示す回路図である。
【００１０】
図１〜図３に示すように、半導体装置１００は、放熱板１と、筐体２と、導電性膜３と、絶縁基板４と、封止樹脂５と、第１の電極ＰＥ１と、第２の電極ＰＥ２と、第３の電極ＰＥ３と、第１のＩＧＢＴ素子（第１のスイッチ素子）Ｔ１と、第２のＩＧＢＴ素子（第２のスイッチ素子）Ｔ２と、第１の接続配線ＣＬ１と、第２の接続配線ＣＬ２と、第３の接続配線ＣＬ３と、第４の接続配線ＣＬ４と、第５の接続配線ＣＬ５と、第６の接続配線ＣＬ６と、第１のゲート配線ＧＬ１と、第２のゲート配線ＧＬ２と、第１のダイオードＤ１と、第２のダイオードＤ２と、複数の第１の平板Ｓ１と、複数の第２の平板Ｓ２と、配線基板ＬＳと、第１の外部端子（ゲート端子）ＧＴと、第２の外部端子（コレクタ端子）ＣＴと、第３の外部端子（エミッタ端子）ＥＴと、第４の外部端子（エミッタセンス端子）ＥＳＴと、を備える。
【００１１】
筐体２は、放熱板１上で封止樹脂５を囲うように設けられ、樹脂材料からなる。
【００１２】
封止樹脂５は、放熱板１上で、少なくとも絶縁基板４、第１から第３の電極ＰＥ１〜ＰＥ３、第１および第２のＩＧＢＴ素子Ｔ１、Ｔ２、第１および第２のダイオードＤ１、Ｄ２、第１および第２のゲート配線ＧＬ１、ＧＬ２、配線基板ＬＳ、第１から第６の接続配線ＣＬ１〜ＣＬ６、および第１の平板Ｓ１を、封止するようになっている。
【００１３】
第１の外部端子ＧＴは、封止樹脂５から露出するように設けられている（図１、図２）。この第１の外部端子ＧＴは、配線基板ＬＳを介して第１のゲート配線ＧＬ１および第２のゲート配線ＧＬ２（第１、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ１、Ｔ２のゲート）に電気的に接続されている（図２、図３）。
【００１４】
第２の外部端子ＣＴは、封止樹脂５から露出するように設けられている（図１、図２）。この第２の外部端子ＣＴは、第３の接続配線ＣＬ３に電気的に接続されている。すなわち、第２の外部端子ＣＴは、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のコレクタおよび第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のコレクタに電気的に接続されている（図２、図３）。
【００１５】
第３の外部端子ＥＴは、封止樹脂５から露出するように設けられている（図１、図２）。この第３の外部端子ＥＴは、第４の接続配線ＣＬ４に電気的に接続されている。すなわち、第３の外部端子ＥＴは、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のエミッタおよび第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のエミッタに電気的に接続されている（図２、図３）。
【００１６】
第４の外部端子ＥＳＴは、封止樹脂５から露出するように設けられ、第１、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ１、Ｔ２のエミッタに電気的に接続されている（図１）。
【００１７】
なお、図１、図２に示すように、第１から第３の外部端子ＧＴ、ＣＴ、ＥＴは、筐体２の外側に配置されている。
【００１８】
また、放熱板１は、半導体装置１００内で発生した熱を外部に放出するようになっている。この放熱板１は、例えば、アルミニウムを含む熱導伝性が高い材料で構成される。
【００１９】
導電性膜３は、放熱板１の上に、例えば、銅を含むはんだを塗布することにより形成される。
【００２０】
絶縁基板４は、放熱板１の上方に導電性膜３を介して設けられている。この絶縁基板４は、例えば、酸化アルミニウムで構成される。
【００２１】
第１の電極ＰＥ１は、絶縁基板４上に設けられ、平板状の形状を有する。
【００２２】
第２の電極ＰＥ２は、絶縁基板４上に設けられ、平板状の形状を有する。
【００２３】
第３の電極ＰＥ３は、絶縁基板４上に設けられ、平板状の形状を有する。
【００２４】
第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１は、第１の電極ＰＥ１上に設けられている。この第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１は、図２に示す例では、第１の電極ＰＥ１にコレクタが電気的に接続されている。しかし、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１は、第１の電極ＰＥ１にエミッタが電気的に接続されていてもよい。
【００２５】
すなわち、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１は、第１の電極ＰＥ１上に設けられ、第１の電極ＰＥ１にエミッタ又はコレクタの何れか一方（一端）が電気的に接続されている。
【００２６】
第１の接続配線ＣＬ１は、図２に示す例では、第３の電極ＰＥ３に第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のエミッタを電気的に接続するようになっている。しかし、第１の接続配線ＣＬ１は、第３の電極ＰＥ３に第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のコレクタを電気的に接続するようにしいてもよい。
【００２７】
すなわち、第１の接続配線ＣＬ１は、第３の電極ＰＥ３に第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のエミッタ又はコレクタの残りの他方（他方の端子）を電気的に接続するようになっている。
【００２８】
また、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２は、第２の電極ＰＥ２上に設けられている。この第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２は、図２に示す例では、第２の電極ＰＥ２にコレクタが電気的に接続されている。しかし、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２は、第２の電極ＰＥ２にエミッタが電気的に接続されているようにしてもよい。
【００２９】
すなわち、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２は、第２の電極ＰＥ２上に設けられ、第２の電極ＰＥ２にエミッタ又はコレクタの何れか一方（一方の端子）が電気的に接続されている。
【００３０】
第２の接続配線ＣＬ２は、図２に示す例では、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２が第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１と並列に接続されるように、第３の電極ＰＥ３に第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のエミッタを電気的に接続するようになっている。しかし、第２の接続配線ＣＬ２は、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２が第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１と並列に接続されるように、第３の電極ＰＥ３に第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のコレクタを電気的に接続するようにしてもよい。
【００３１】
すなわち、第２の接続配線ＣＬ２は、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２が第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１と並列に接続されるように、第３の電極ＰＥ３に第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のエミッタ又はコレクタの残りの他方（他方の端子）を電気的に接続するようになっている。
【００３２】
なお、第１の接続配線ＣＬ１および第２の接続配線ＣＬ２は、図２に示す例では、ボンディングワイヤである。しかし、第１の接続配線ＣＬ１および第２の接続配線ＣＬ２は、ボンディングワイヤ以外の他の形態の配線であってもよい。
【００３３】
第１のゲート配線ＧＬ１は、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のゲートに電気的に接続されている。
【００３４】
第２のゲート配線ＧＬ２は、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のゲートに電気的に接続されている。
【００３５】
第３の接続配線ＣＬ３は、第１の電極ＰＥ１および第２の電極ＰＥ２に電気的に接続されている。
【００３６】
第４の接続配線ＣＬ４は、第３の電極ＰＥ３に電気的に接続されている。
【００３７】
複数の第１の平板Ｓ１は、高周波の電磁波を吸収する材料を含む。なお、図２に示す例では、第１の平板Ｓ１は、２個表記されている。
【００３８】
なお、この第１の平板Ｓ１に用いられる材料は、例えば、フェライトまたはパーマロイである。
【００３９】
また、この第１の平板Ｓ１は、配線基板ＬＳとは絶縁された状態で、配線基板ＬＳに固定されている。
【００４０】
また、この第１の平板Ｓ１は、その上面が、絶縁基板４および配線基板ＬＳの上面と平行になるように配置されている。
【００４１】
図２に示すように、複数の第１の平板Ｓ１のうちの１つが、第１の接続配線ＣＬ１の上方に配置されている。同様に、複数の第１の平板Ｓ１のうちの１つが、第２の接続配線ＣＬ２の上方に配置されている。
【００４２】
すなわち、第１の平板Ｓ１のうちの何れかが、第１の接続配線ＣＬ１および第２の接続配線ＣＬ２の上方に配置されている。
【００４３】
また、図２に示すように、第１の接続配線ＣＬ１の上方に配置された第１の平板Ｓ１が、第１の電極ＰＥ１の上方にも配置されている。
【００４４】
同様に、第２の接続配線ＣＬ２の上方に配置された第１の平板Ｓ１が、第２の電極ＰＥ２の上方にも配置されている。
【００４５】
すなわち、第１の平板Ｓ１のうちの何れかが、第１の電極ＰＥ１および第２の電極ＰＥ２の上方に配置されている。
【００４６】
また、配線基板ＬＳは、絶縁基板４の上方に第１および第２の電極ＰＥ１、ＰＥ２を介して設けられている。この配線基板ＬＳは、第１のゲート配線ＧＬ１および第２のゲート配線ＧＬ２に電気的に接続されている。
【００４７】
図２に示すように、第１の接続配線ＣＬ１の上方に配置された第１の平板Ｓ１と、第２の接続配線ＣＬ２の上方に配置された第２の平板Ｓ２とが、絶縁基板４と配線基板ＬＳとの間に配置されている。
【００４８】
すなわち、第１の平板Ｓ１のうちの何れかが、絶縁基板４と配線基板ＬＳとの間に配置されている。
【００４９】
なお、図３に示すように、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のゲートとゲート端子ＧＴとの間には、配線基板ＬＳ、第１のゲート配線ＧＬ１等の配線抵抗である第１の抵抗Ｒ１が存在する。同様に、図３に示すように、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のゲートとゲート端子ＧＴとの間には、配線基板ＬＳ、第２のゲート配線ＧＬ２等の配線抵抗である第２の抵抗Ｒ２が存在する。
【００５０】
複数の第２の平板Ｓ２は、高周波の電磁波を吸収する材料を含む。なお、図２に示す例では、第２の平板Ｓ２は、２個表記されている。
【００５１】
この第２の平板Ｓ２は、配線基板ＬＳ上に配置されている。
【００５２】
なお、この第２の平板Ｓ２に用いられる材料は、例えば、フェライトまたはパーマロイである。
【００５３】
また、この第２の平板Ｓ２は、配線基板ＬＳとは絶縁された状態で、配線基板ＬＳに固定されている。
【００５４】
また、この第２の平板Ｓ２は、その上面が、絶縁基板４および配線基板ＬＳの上面と平行になるように配置されている。
【００５５】
図２に示す例では、２つの第１の平板Ｓ１が、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１および第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２上それぞれに配置されている。しかし、少なくとも、第１の平板Ｓ１のうちの何れかが、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１および第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２の少なくとも何れか一方の上に配置されていればよい。
【００５６】
第１のダイオードＤ１は、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１と並列に接続されるように、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のエミッタにアノードが接続され、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のコレクタにカソードが接続されている（図２、図３）。
【００５７】
第５の接続配線ＣＬ５は、図２に示す例では、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のエミッタと、第１のダイオードＤ１のアノードと、を電気的に接続するようになっている。しかし、第５の接続配線ＣＬ５は、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のコレクタと、第１のダイオードＤ１のカソードと、を電気的に接続するようにしてもよい。
【００５８】
すなわち、第５の接続配線ＣＬ５は、第１のＩＧＢＴ素子Ｔ１のエミッタ又はコレクタの残りの他方と、第１のダイオードＤ１のアノードまたはカソードと、を電気的に接続するようになっている。
【００５９】
また、第２のダイオードＤ２は、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２と並列に接続されるように、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のエミッタにアノードが接続され、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のコレクタにカソードが接続されている（図２、図３）。
【００６０】
第６の接続配線ＣＬ６は、図２に示す例では、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のエミッタと、第２のダイオードＤ２のアノードと、を電気的に接続するようになっている。しかし、第６の接続配線ＣＬ６は、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のコレクタと、第２のダイオードＤ２のカソードと、を電気的に接続するようにしてもよい。
【００６１】
すなわち、第６の接続配線ＣＬ６は、第２のＩＧＢＴ素子Ｔ２のエミッタ又はコレクタの残りの他方と、第２のダイオードＤ２のアノードまたはカソードと、を電気的に接続するようになっている。
【００６２】
また、第１の接続配線ＣＬ１の上方に配置された第１の平板Ｓ１が、図２に示す例では、第５の接続配線ＣＬ５の上方にも配置されている。
【００６３】
同様に、第２の接続配線ＣＬ２の上方に配置された第１の平板Ｓ１が、図２に示す例では、第６の接続配線ＣＬ６の上方にも配置されている。
【００６４】
すなわち、第１の平板Ｓ１のうちの何れかが、第５の接続配線ＣＬ５および第６の接続配線ＣＬ６の上方に配置されている。
【００６５】
また、第５の接続配線ＣＬ５の上方に配置された第１の平板Ｓ１は、図２に示す例では、第３の接続配線ＣＬ３および第４の接続配線ＣＬ４に隣接して配置されている。
【００６６】
同様に、第６の接続配線ＣＬ６の上方に配置された第１の平板Ｓ１は、図２に示す例では、第３の接続配線ＣＬ３および第４の接続配線ＣＬ４に隣接して配置されている。
【００６７】
すなわち、第１の平板Ｓ１のうちの何れかが、第３の接続配線ＣＬ３および第４の接続配線ＣＬ４に隣接して配置されている。
【００６８】
なお、第５の接続配線ＣＬ５および第６の接続配線ＣＬ６は、図２に示す例では、ボンディングワイヤである。しかし、第５の接続配線ＣＬ５および第６の接続配線ＣＬ６は、ボンディングワイヤ以外の他の形態の配線であってもよい。
【００６９】
既述のように、半導体装置１００において、平板状の平板を、並列に接続されたＩＧＢＴ素子、配線、配線基板に近接させるように配置する。
【００７０】
これにより、共振の原因となる２つのＩＧＢＴ素子、配線、及び配線基板から発せられる高周波の電磁波が、平板により吸収される。すなわち、共振によるＥＭＩノイズを、平板で吸収し熱に変換することができる。なお、この平板で発生する熱は、例えば、数μＪ程度であるので、半導体装置１００の特性への影響は無視できる。
【００７１】
したがって、配線の寄生インダクタンス成分を増加させたり、また、配線そのものを変更したりすること無く、ＩＧＢＴ素子のターンオフ時の電流・電圧振動を抑制することができる。
【００７２】
さらに、半導体装置１００では、従来技術のように配線経路にフェライトコアを付加しない。このため、半導体装置１００は、配線長を短縮することができる。
【００７３】
また、既述のように、半導体装置１００において、平板が配線基板とＩＧＢＴ素子の間に配置されている。これにより、ＩＧＢＴ素子、及び配線から発生する高周波の電磁波によるEMIノイズを平板が吸収することとなるため、配線基板に対する影響を低減することができる。
【００７４】
さらに、例えば、平板の材料としてフェライトを選択することにより、高周波での損失効果を大きくし、且つ、電流・電圧振動を効果的に抑制できる。フェライトは、特に、１ＭＨｚ以下でのインピーダンスは低いので、ターンオンやターンオフなどのＩＧＢＴ素子のスイッチング特性への影響を低減することができる。
【００７５】
以上のように、本実施形態に係る半導体装置によれば、配線長の縮小を図りつつ、ＥＭＩノイズを低減することができる。
【００７６】
なお第１ないし第３の電極は、球、立方体、棒状のものを用いてもよい。
【００７７】
なお、実施形態は例示であり、発明の範囲はそれらに限定されない。
【符号の説明】
【００７８】
１００  半導体装置
１  放熱板
２  筐体
３  導電性膜
４  絶縁基板
５  封止樹脂
ＰＥ１  第１の電極
ＰＥ２  第２の電極
ＰＥ３  第３の電極
Ｔ１  第１のＩＧＢＴ素子
Ｔ２  第２のＩＧＢＴ素子
ＣＬ１  第１の接続配線
ＣＬ２  第２の接続配線
ＣＬ３  第３の接続配線
ＣＬ４  第４の接続配線
ＣＬ５  第５の接続配線
ＣＬ６  第６の接続配線
ＧＬ１  第１のゲート配線
ＧＬ２  第２のゲート配線
Ｄ１  第１のダイオード
Ｄ２  第２のダイオード
Ｓ１  複数の第１の平板
Ｓ２  複数の第２の平板
ＬＳ  配線基板
【図１】
2014063806.tif 000003
【図２】
2014063806.tif 000004
【図３】
2014063806.tif 000005