(57)【要約】【課題】厚さ方向における樹脂層全体の熱伝導性を確実に高める。【解決手段】プリント基板を構成する樹脂層を、樹脂層３２と、樹脂層３２の内部に配置されたガラスクロス３１と、樹脂層３２に充填された第１フィラー３３と、ガラスクロス３１のバスケットホール３１２に挟まれた第２フィラー３４とを備える構造とする。これによれば、バスケットホールに挟まる大きさの第２フィラー３４がガラスクロス３１のバスケットホール３１２に存在するので、バスケットホール３１２内部におけるフィラーの充填率が低い従来の樹脂層と比較して、厚さ方向における樹脂層３２全体の熱伝導性を確実に高めることができる。【選択図】図２
2014220306.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
樹脂で構成され、一面を有する樹脂層（３２）と、
平面方向が前記一面と平行となるように前記樹脂層の内部に配置され、ガラス繊維が網状に織られているとともに、網目となるバスケットホール（３１２）を有するガラスクロス（３１）と、
前記樹脂層に充填され、前記樹脂よりも熱伝導率が高い第１フィラー（３３）と、
前記バスケットホールに挟まっており、前記樹脂よりも熱伝導率が高い第２フィラー（３４）とを備えることを特徴とするプリント基板。
【請求項２】
前記第１フィラーは、前記第２フィラーよりもサイズが小さいことを特徴とする請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記第２フィラーは、前記第１フィラーと同じ材料で構成されていることを特徴とする請求項１または２に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記樹脂層の一面上に形成され、電子部品（１２１）が搭載されるランド（６１）を備え、
前記樹脂層のうち前記ランドの直下領域内で、前記第２フィラーが前記前記バスケットホールに挟まっていることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載のプリント基板。
【請求項５】
請求項４に記載のプリント基板（１０）と、
前記ランドに搭載された前記電子部品と、
前記電子部品および前記ランドを封止するモールド樹脂（１５０）と、
を備える電子装置。
【請求項６】
請求項１ないし４のいずれか１つに記載のプリント基板の製造方法において、
バスケットホールを有するガラスクロスシート（３１ａ）と、前記第１フィラーが添加された液状樹脂（１７０）と、前記バスケットホールに挟まる大きさの前記第２フィラーとを準備する準備工程と、
前記ガラスクロスシートの前記バスケットホールに前記第２フィラーを埋め込む埋込工程と、
前記埋込工程後に、前記ガラスクロスシートを前記液状樹脂に含浸させる含浸工程とを備えることを特徴とするプリント基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント基板、これを用いた電子装置およびプリント基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、プリント基板として、ガラスクロスとフィラーとを含む樹脂層が複数積層された多層基板や、その樹脂層の１層で構成された単層基板が知られている（例えば、特許文献１参照）。フィラーは、樹脂層全体の熱伝導性を高めるために、樹脂層に高い充填率で充填されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１９１５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、ガラスクロスは、樹脂層の一面とその反対側の他面の間に、その平面方向が一面および他面と平行に配置されており、樹脂層の一面から他面に向かう方向（樹脂層の厚さ方向）での熱伝導経路の途中にガラスクロスが存在する。このため、フィラーの充填率を高めても、ガラスクロスの熱伝導率が低いので、樹脂層の厚さ方向における樹脂層全体の熱伝導性をそれほど高くすることができないという問題がある。
【０００５】
具体的には、ガラスクロスは、ガラス繊維を網状に織り上げたものであり、バスケットホールと呼ばれる網目が存在する。従来、一般的に用いられるフィラーのサイズは、ガラスクロスのバスケットホールよりも小さい。このため、ガラスクロスのバスケットホール内にフィラーを確実に多く存在させることが難しく、ガラスクロス中にフィラーが存在せずに樹脂のみが存在するか、ガラスクロス中にフィラーが存在しても樹脂に対するフィラーの充填率が低くなってしまう。したがって、従来では、樹脂層にフィラーを充填しても、厚さ方向における樹脂層全体の熱伝導性を確実に高めることができなかった。
【０００６】
本発明は上記点に鑑みて、厚さ方向における樹脂層全体の熱伝導性を確実に高めることができるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、樹脂で構成され、一面を有する樹脂層（３２）と、平面方向が一面と平行となるように樹脂層の内部に配置され、ガラス繊維が網状に織られているとともに、網目となるバスケットホール（３１２）を有するガラスクロス（３１）と、樹脂層に充填され、樹脂よりも熱伝導率が高い第１フィラー（３３）と、バスケットホールに挟まっており、樹脂よりも熱伝導率が高い第２フィラー（３４）とを備えることを特徴としている。
【０００８】
これによれば、バスケットホールに挟まる大きさの第２フィラーがガラスクロスのバスケットホールに存在するので、上記した従来の樹脂層と比較して、厚さ方向における樹脂層全体の熱伝導性を確実に高めることができる。
【０００９】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態における電子装置の断面図である。
【図２】（ａ）は図１中の領域Ａの拡大図であり、（ｂ）は（ａ）に示すガラスクロスの上面図である。
【図３】ビルドアップ層の製造工程を示す断面模式図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）は図３の製造工程におけるガラスクロスシートの上面図であり、（ｃ）は図３の製造工程で製造されるビルドアップ層の上面図である。
【図５】図１に示す多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】図５に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】図６に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図８】第２実施形態におけるビルドアップ層の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１２】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。
【００１３】
図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有するプリント基板としての多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。
【００１４】
多層基板１０は、絶縁樹脂層としてのコア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された表面２０ａ側のビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ側に配置された裏面２０ｂ側のビルドアップ層４０とを備える積層基板である。
【００１５】
そして、コア層２０とビルドアップ層３０との界面には、パターニングされた表面側内層配線５１（以下では、単に内層配線５１という）が形成されている。同様に、コア層２０とビルドアップ層４０との界面には、パターニングされた裏面側内層配線５２（以下では、単に内層配線５２という）が形成されている。
【００１６】
また、ビルドアップ層３０の表面３０ａには、パターニングされた表面側表層配線６１〜６３（以下では、単に表層配線６１〜６３という）が形成されている。本実施形態では、表層配線６１〜６３は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６２、外部回路と電気的に接続される表面パターン６３とされている。
【００１７】
同様に、ビルドアップ層４０の表面４０ａには、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２（以下では、単に表層配線７１、７２という）が形成されている。本実施形態では、表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して内層配線５２と接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２（以下では、単にＨＳ用パターン７２という）とされている。
【００１８】
なお、ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。そして、内層配線５１、５２、表層配線６１〜６３、表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。
【００１９】
内層配線５１と内層配線５２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア８１は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃが充填されて構成されている。
【００２０】
また、内層配線５１と表層配線６１〜６３、および内層配線５２と表層配線７１、７２とは、適宜各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、１０１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、フィルドビア９１、１０１は、各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。
【００２１】
なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。
【００２２】
そして、各ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６３および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６３を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６３のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。
【００２３】
電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６２ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。
【００２４】
なお、ここでは、電子部品１２１〜１２３としてパワー素子１２１、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２１〜１２３はこれらに限定されるものではない。
【００２５】
モールド樹脂１５０は、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。
【００２６】
なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、特に図示していないが、ＨＳ用パターン７２に放熱グリス等を介してヒートシンクが備えられている。
【００２７】
以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の特徴点であるコア層２０およびビルドアップ層３０、４０の構造について説明する。各層２０、３０、４０の構造は同一であるので、以下では、代表としてビルドアップ層３０の構造について、図２（ａ）、（ｂ）を参照しつつ説明する。なお、図２（ａ）は、ビルドアップ層３０のうちランド６１の直下領域内を示している。ランド６１の直下領域とは、ビルドアップ層３０の表面３０ａに垂直な方向で、ビルドアップ層３０に対してランド６１を投影したときにランド６１と重複する領域である。
【００２８】
図２（ａ）に示されるように、ビルドアップ層３０は、ガラスクロス３１の両面が樹脂３２で封止され、樹脂３２中に第１、第２フィラー３３、３４が混入されたプリプレグで構成されている。すなわち、ビルドアップ層３０は、ガラスクロス３１と第１、第２フィラー３３、３４とが内部に配置された樹脂層３２の単層から構成されている。
【００２９】
ガラスクロス３１は、ガラス繊維が網状に織られたものである。具体的には、図２（ｂ）に示されるように、ガラスクロス３１は、ガラス繊維３１１の束を格子状に織り上げたものであり、複数のバスケットホール３１２を有している。このバスケットホール３１２は、経糸としてのガラス繊維の束３１３と緯糸としてのガラス繊維の束３１４によって形成される網目（隙間の部分）である。
【００３０】
ガラスクロス３１は、図２（ａ）に示されるように、その平面方向がビルドアップ層３０の表面３０ａと平行となるようにビルドアップ層３０の内部に配置されている。ガラスクロス３１としては、一般的なものが採用可能である。
【００３１】
樹脂層３２は、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂で構成されている。なお、本実施形態と異なり、樹脂層３２を熱硬化性樹脂以外の他の樹脂、例えば、熱可塑性樹脂で構成しても良い。
【００３２】
第１、第２フィラー３３、３４は、樹脂層３２の樹脂よりも熱伝導率が高いものであり、層全体の熱伝導率を高めるために樹脂層３２に添加されている。第１、第２フィラー３３、３４は、電気絶縁性かつ熱伝導性に優れた材料で構成されており、このような材料としては、アルミナ、窒素化ホウ素、窒素化アルミ、窒素化珪素、シリカなどのセラミックスや、炭素系材料が挙げられる。
【００３３】
第１フィラー３３は、図２（ａ）に示されるように、ビルドアップ層３０のうちガラスクロス３１を除く部位に充填されている。この第１フィラー３３は、球状であり、その幅（外径）がバスケットホール３１２の幅よりも小さいものである。すなわち、第１フィラー３３は、第２フィラー３４よりもサイズが小さいものである。
【００３４】
一方、第２フィラー３４は、図２（ｂ）に示されるように、複数のバスケットホール３１２の大部分、好ましくは、全てに埋め込まれており、バスケットホール３１２に挟まった状態で、ガラスクロス３１に保持されている。第２フィラー３４は、球状であって、バスケットホール３１に挟まる大きさである。すなわち、第２フィラー３４は、その幅（外径）がバスケットホール３１２の幅と同じもしくは若干大きいものである。第２フィラー３４は、第１フィラー３３と同じ材料で構成されている。
【００３５】
以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図３〜図７を参照しつつ説明する。なお、図５〜図７は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。
【００３６】
まず、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０を用意する。各層２０、３０、４０の構造は同一であるので、以下では、ビルドアップ層３０の製造方法について説明する。
【００３７】
図３に示されるように、ビルドアップ層３０は、ガラスクロスシート３１ａに対して埋込工程、含浸工程、乾燥工程、切断工程を順に行うことで製造される。
【００３８】
具体的には、図４（ａ）に示されるように、バスケットホール３１２を有するガラスクロスシート３１ａを準備する。また、第１フィラー３３が添加された液状樹脂１７０と、バスケットホール３１２に挟まる大きさの第２フィラー３４とを準備する（準備工程）。
【００３９】
そして、埋込工程で、バスケットホール３１２に第２フィラー３４を埋め込む。このとき、第２フィラー３４をガラスクロス３１ａの表面上に置き、第２フィラー３４を加圧板等によりプレスして押し込む。これにより、図４（ｂ）に示されるように、バスケットホール３１２に第２フィラー３４が埋め込まれる。このように、第２フィラー３４は、バスケットホール３１２に圧入されて、ガラスクロスシート３１ａに保持される。
【００４０】
その後、含浸工程で、ガラスクロスシート３１ａを液状樹脂１７０に含浸させた後、乾燥工程で、液状樹脂１７０を乾燥させる。その後、切断工程で、ガラスクロスシート３１ａを適切な大きさに切断する。これにより、樹脂層３２に第１フィラー３３が充填されているとともに、図４（ｃ）に示されるように、樹脂層３２内部のガラスクロス３１のバスケットホール３１２に第２フィラー３４が埋め込まれたビルドアップ層３０が製造される。同様の方法により、樹脂層３２によって構成されるビルドアップ層４０およびコア層２０が製造される。
【００４１】
そして、図５（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。そして、図５（ｂ）に示されるように、ドリル等によって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８１ａを形成する。
【００４２】
その後、図５（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８１ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８１ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８１ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。
【００４３】
続いて、図５（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間に充填材８１ｃを配置する。これにより、貫通孔８１ａ、貫通電極８１ｂ、充填材８１ｃを有する上記貫通ビア８１が形成される。
【００４４】
その後、図６（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８１ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。
【００４５】
次に、図６（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして内層配線５１を形成すると共に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして内層配線５２を形成する。つまり、本実施形態では、内層配線５１は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層されて構成され、内層配線５２は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層されて構成されている。
【００４６】
なお、次の図６（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。
【００４７】
その後、図６（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、内層配線５１上にビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、内層配線５２上にビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。このようにして、上から順に、金属板１６６、ビルドアップ層３０、内層配線５１、コア層２０、内層配線５２、ビルドアップ層３０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。なお、ビルドアップ層３０、４０は、この状態では、流動性を有している。
【００４８】
続いて、図６（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、ビルドアップ層３０を構成する樹脂を流動させて内層配線５１の間を埋め込むと共に、ビルドアップ層４０を構成する樹脂を流動させて内層配線５２の間を埋め込む。そして、積層体１６８を加熱することにより、ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。
【００４９】
次に、図７（ａ）に示されるように、レーザ照射により、金属板１６６、ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９１ａを形成する。また、図７（ａ）とは別断面において、金属板１６７、ビルドアップ層４０を貫通して内層配線５２に達する図１に示した貫通孔１０１ａを形成する。
【００５０】
その後、図７（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、１０１ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、ビルドアップ層３０に形成された貫通孔９１ａ、１０１ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極１０１ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１が形成される。なお、次の図７（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。
【００５１】
続いて、図７（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、適宜金属メッキを形成することにより、表層配線６１〜６３および表層配線７１、７２を形成する。つまり、本実施形態では、表層配線６１〜６３は、金属板１６６および金属メッキ１６９を有する構成とされ、表層配線７１、７２は、金属板１６７および金属メッキ１６９を有する構成とされている。
【００５２】
次に、図７（ｄ）に示されるように、ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図７（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。
【００５３】
その後は、図１に示されるように、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１に搭載する。そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２とを電気的に接続する。続いて、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂１５０を形成する。これにより、モールド樹脂１５０がランド６１の側面６１ｃに密着した上記電子装置が製造される。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態では、ビルドアップ層３０は、樹脂層３２に第１フィラー３３が充填されているとともに、ガラスクロス３１のバスケットホール３１２に第２フィラー３４が挟まっている構造を有している。このため、本実施形態によれば、バスケットホール３１２に挟まる大きさの第２フィラー３４がバスケットホール３１２に存在するので、第１、第２フィラー３３、３４によってビルドアップ層３０の内部に厚さ方向の熱伝導経路を確実に形成でき、厚さ方向におけるビルドアップ層３０層全体の熱伝導性を確実に高めることができる。
【００５５】
また、コア層２０およびビルドアップ層４０についても、同様の構造であるので、厚さ方向における層全体の熱伝導性を確実に高めることができる。よって、本実施形態によれば、厚さ方向における多層基板１０全体の熱伝導性を確実に高めることができる。
【００５６】
（第２実施形態）
第１実施形態では、第２フィラー３４を球状としたが、本実施形態では、図８に示されるように、第２フィラー３５を棒状（柱状）としている。第２フィラー３５は、長手方向を樹脂層３２の厚さ方向に平行とした状態で、バスケットホール３１２に埋め込まれている。このように、バスケットホール３１２に埋め込む第２フィラーの形状を変更しても、第１実施形態と同様の効果が得られる。なお、第２フィラーの形状を第１、第２実施形態以外の他の形状としても良い。例えば、鱗片状としても良い。この場合、第２フィラーの平面方向を樹脂層３２の厚さ方向に平行とする。
【００５７】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００５８】
例えば、第１実施形態では、第１フィラー３３として、第２フィラー３４よりもサイズが小さいものを採用したが、第２フィラー３４と同じもしくはそれよりもサイズが大きなものを採用してもよい。
【００５９】
また、第１実施形態では、第２フィラー３４として、第１フィラーと同じ材料で構成されたものを採用したが、第１フィラーと異なる材料で構成されたものを採用してもよい。
【００６０】
また、第１実施形態では、コア層２０、ビルドアップ層３０、４０が、ランド６１の直下領域を含む全域で、第２フィラー３４がバスケットホール３１２に挟まっている構成を採用したが、ランド６１の直下領域のみにおいて、第２フィラー３４がバスケットホール３１２に挟まっている構成としてもよい。これによっても、電子部品１２１から発生した熱を多層基板１０の他面１０ｂから放出させる際の放熱性を高めることができる。
【００６１】
また、第１実施形態では、バスケットホール３１２に第２フィラー３４を埋め込む埋込工程で、第２フィラー３４をプレスして押し込んだが、他の方法を採用してもよい。例えば、ガラスクロスシート３１ａに第２フィラー３４を勢いよくぶつけることにより、バスケットホール３１２に第２フィラー３４を埋め込むことも可能である。
【００６２】
また、第１実施形態では、コア層２０、ビルドアップ層３０、４０の全ての層において、第２フィラー３４がバスケットホール３１２に挟まっている構造を採用したが、ビルドアップ層３０、４０のみが、第２フィラー３４がバスケットホール３１２に挟まっている構造であってもよい。要するに、コア層２０、ビルドアップ層３０、４０の少なくとも１層において、第２フィラー３４がバスケットホール３１２に挟まっている構造を採用できる。
【００６３】
また、第１実施形態では、コア層２０、ビルドアップ層３０、４０が、上記した樹脂層３２の単層から構成されていたが、上記した樹脂層３２の多層から構成されていても良い。
【００６４】
また、第１実施形態では、コア層２０、ビルドアップ層３０、４０が積層された多層基板に、本発明を適用したが、樹脂層の単層から構成された単層基板においても、本発明の適用が可能である。
【００６５】
なお、上記各実施形態を実施可能な範囲で組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６６】
１０            多層基板
２０            コア層
３０            ビルドアップ層
３１            ガラスクロス
３１２          バスケットホール
３２            樹脂層
３３            第１フィラー
３４            第２フィラー
１２１          電子部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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