(57)【要約】【課題】取扱いが容易で、しかも使用できる部材の範囲が広く、半田付け部分のボイドを低減することが可能な表面酸化物の還元方法及び半田付け装置を提供する。【解決手段】半田表面に形成された金属酸化物を、ポリアセタール樹脂の熱分解により得られる還元性ガスを用いて還元する。半田付け装置は、ポリアセタール樹脂を熱分解してガス化させる加熱炉と、ポリアセタール樹脂の熱分解により生成される還元性ガスを用いて還元する反応炉とを備えており、加熱炉で生成したガスを反応炉に導入し、反応炉でリフロー処理する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
部材の表面に形成された金属酸化物の還元方法であって、
ポリアセタール樹脂の熱分解により生成される還元性ガスを、部材の表面に形成された金属酸化物に接触させることを特徴とする還元方法。
【請求項２】
ポリアセタール樹脂の熱分解が、酸素又は酸素供給物質の存在下で行われることを特徴とする、請求項１に記載の還元方法。
【請求項３】
ポリアセタール樹脂の熱分解が、触媒金属の存在下で行われることを特徴とする、請求項１又は２に記載の還元方法。
【請求項４】
還元性ガスが、少なくともギ酸を含むガスであることを特徴とする、請求項１〜３のいずれかに記載の還元方法。
【請求項５】
還元性ガスが、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンからなる群より選択された少なくとも１種のキャリアガスをさらに含むことを特徴とする、請求項１〜４のいずれかに記載の還元方法。
【請求項６】
還元性ガスを接触させる部材の温度が、１５０℃以上、半田融点以下であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれかに記載の還元方法。
【請求項７】
部材が、半田、基板又は電極材であることを特徴とする、請求項１〜６のいずれかに記載の還元方法。
【請求項８】
半導体基板上に形成された半田にリフロー処理を行う半田付け装置であって、
ポリアセタール樹脂を酸素又は酸素供給物質の存在下で熱分解してガス化させる加熱炉と、
ポリアセタール樹脂の熱分解による生成される還元性ガスにより還元を行う反応炉と、
を備えることを特徴とする半田付け装置。
【請求項９】
加熱炉と反応炉の間に、さらに冷却手段と加熱手段とを備えている、請求項８に記載の半田付け装置。
【請求項１０】
加熱炉は、その内部に触媒金属を有している、請求項８又は９に記載の半田付け装置。
【請求項１１】
加熱炉は、熱分解用ポリアセタール樹脂を供給するポリアセタール樹脂供給機構と、キャリアガスを導入するキャリアガス導入口とを備えている、請求項８〜１０のいずれかに記載の半田付け装置。
【請求項１２】
反応炉は、部材の表面に形成された金属酸化物を１５０℃以上、半田融点以下の温度で還元することを特徴とする、請求項８〜１１のいずれかに記載の半田付け装置。
【請求項１３】
半導体装置の製造方法において、請求項１〜７のいずれかに記載の還元方法を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体の半田付け工程等で好適に用いることができる表面酸化物の還元方法及び半田付け装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体チップ上に半田バンプを形成する際には、パッド上に半田を付着させ、次いで、マッシュルーム形状から半球体形状へ半田バンプの形状を変化させ、次いで、リフローさせて半田接合する。従来の半田付け方法では、均一な半田バンプを形成するために、フラックスを用いて半田の表面酸化膜を除去し、半田バンプ表面を清浄化していた。  
【０００３】
しかしながら、フラックスを用いた半田付けでは、フラックスの分解によって、小さな空隙（ボイド）が半田バンプ中に形成されることがある。これらの空隙は、形成された半田接合の電気的及び機械的性質を低下させるだけでなく、半田バンプ付き半導体の平坦性を破壊し、かつ以降の半導体接合工程に影響を及ぼすこともある。分解したフラックスの揮発性物質がリフロー処理装置内を汚染する場合もあり、それによってメンテナンスコストが増大することもある。加えて、フラックス残留物がしばしば半導体基板上に残り、金属の腐食を引き起こし、アセンブリの性能を低下させることがある。さらに、リフロー後にフラックス残留物を洗浄除去する方法では、後洗浄という新たな処理工程が加わることで、半田付けに要する時間が増加する。
【０００４】
このため、フラックスを用いない半田付け方法として、半田及び被半田部材である基板や電極等を、水素あるいはギ酸を用いて還元する方法が知られている（特許文献１〜３等参照）。かかる還元方法では、半田部材が搭載された基板が所定温度に達したとき、半田部材をギ酸を含む還元性ガスに晒して表面の酸化膜を除去した後、溶融処理する。
【０００５】
しかしながら、半田及び被半田部材の還元が十分でない場合には、半田の濡れ広がりが悪くなったり、或いは、酸化膜の除去が不十分なために半田表面からボイドが放出されないことで、半田付け部分にボイドができたりする。この時に発生したボイドは、半導体装置の実装後にも半田バンプ内に残されたままであり、被半田部材との接続の信頼性を損ねる原因となり、リフロー処理が真空工程を含む場合そこで半田が飛散する原因となる。
【０００６】
また、ギ酸は、還元開始温度が約１５０℃であるため、比較的低融点の半田に適用可能で幅広く用いることができるが、刺激性の強い液体であるため、倦厭される場合が多い。
【０００７】
一方、水素を還元剤として用いた場合は、水素の還元開始温度が約２７０℃であるため、２７０℃以下の融点をもつ鉛フリー半田に対しては、半田溶融前に還元処理を行うことができない。そのため、使える半田及び被半田部材が制限される。水素は可燃性であるため使い方の制限もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００１−２４４６１８号公報
【特許文献２】特開２００７−１２５５７８号公報
【特許文献３】特開２０１１−０６５８５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、前記の課題に鑑みてなされたものであり、取扱いが容易で、しかも使用できる部材の範囲が広く、半田付け部分のボイドを低減することが可能な表面酸化物の還元方法及び半田付け装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前記課題を解決するため、本発明者等は鋭意検討を重ねた結果、ポリアセタール樹脂の熱分解により生成するガスは還元力を有する成分を含んでいること、原料ポリアセタール樹脂は固体状であるため取扱いが容易であることを見出し、本発明に到達した。
【００１１】
すなわち、本発明は、
部材の表面に形成された金属酸化物の還元方法であって、
ポリアセタール樹脂の熱分解により生成される還元性ガスを、部材の表面に形成された金属酸化物に接触させることを特徴とする還元方法を提供する。
【００１２】
これにより、フラックスを用いることなく、半田の濡れ広がりが良好で、半田付け部分にボイドができ難く、かつ取り扱い容易な還元方法を提供できる。
【００１３】
また、本発明は、
半導体基板上に形成された半田にリフロー処理を行う半田付け装置であって、
ポリアセタール樹脂を酸素又は酸素供給物質の存在下で熱分解してガス化させる加熱炉と、
ポリアセタール樹脂の熱分解による生成される還元性ガスにより還元を行う反応炉と、
を備えることを特徴とする半田付け装置を提供する。
【００１４】
これにより、ポリアセタール樹脂を熱分解しガス化させる加熱炉を設け、該加熱炉で生成した還元性ガスを反応炉に導入し、該反応炉で還元を行うことができるので、還元性ガスの取扱いが容易である。
【００１５】
さらに、本発明は、半導体装置の製造方法において、上記した還元方法を用いることを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。
【００１６】
ポリアセタール樹脂の熱分解により生成される還元性ガスは、還元開始温度が水素より低いため半田及び被半田部材に広く適用することが可能となる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の還元方法及び半田付け装置は、取扱いが容易なポリアセタール樹脂を用いて製造した還元性の高いギ酸を主成分とした還元性ガスを用いることができるので、使用できる半田及び被半田部材の範囲が広く、半田表面に形成された金属酸化物をより安全に還元することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】還元方法及び半田付け装置の一例を示す側断面図である。
【図２】還元性ガスの概略製造工程図である。
【図３】本発明の実施例における還元速度の説明図である。
【図４】ギ酸、ホルムアルデヒドの還元速度を示す図である。
【図５】ギ酸によるスズ酸化膜の還元速度を示す図である。
【図６】ポリアセタール樹脂の分解による還元性ガスの生成を説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明に係る部材の表面に形成された表面酸化物の還元方法及び半田付け装置について、詳細に説明する。
【００２０】
本発明の還元方法は、半田の表面、又は、半導体や電極材等の被半田部材の表面に形成された表面酸化物の還元に好ましく適用される。特に、半導体素子の外部接続用電極端子である低融点金属体からなる突起電極、具体的には半田バンプに対する溶融（リフロー）処理の際に、好ましく適用される。
【００２１】
半田バンプを構成する半田部材としては、鉛（Ｐｂ）−錫（Ｓｎ）系半田や錫（Ｓｎ）−銀（Ａｇ）系半田等の無鉛（鉛フリー）半田、鉛半田等が挙げられる。
【００２２】
図１は、本発明に係る還元方法及び半田付け装置の一実施形態を示す図で、還元性ガスの製造工程と、製造された還元性ガスを用いて表面酸化物の還元を行う反応炉の側断面を模式的に示したものである。
【００２３】
図１において、１０はポリアセタール樹脂の加熱炉、１３はキャリアガス導入口、１６はアウトガス（還元性ガス）排出口、２０は還元性ガス供給部、３０は反応炉である。
【００２４】
還元性ガスの原料であるポリアセタール樹脂は、ホモポリマー及びコポリマーのいずれをも用いることができ、それぞれ重合度は任意である。一般的なポリアセタール樹脂の重合度は１，０００〜２，０００である。ポリアセタール樹脂の種類（特に、コポリマーの種類）や加熱温度によって、加熱炉１０内で生成される還元性ガスの成分や比率が多少異なっていても良い。
【００２５】
図１に示す例では、加熱炉１０内で生成される還元性ガスは、キャリアガスによって反応炉３０に供給され、反応炉３０において表面酸化物の還元処理が行われる。４１はキャリアガス導入用の配管、４２は流量調節用のバルブである。配管４１はガス源（図示せず）に接続されている。
【００２６】
キャリアガスとしては、窒素、ヘリウム、ネオン、アルゴン、クリプトン及びキセノンからなる群より選択された少なくとも１種又は２種以上の不活性ガスが、好ましく用いられる。
【００２７】
加熱炉１０には、ポリアセタール樹脂Ｐを加熱する加熱手段１１が配設されている。加熱手段１１は、所定の温度でポリアセタール樹脂Ｐを加熱できるよう加熱温度の設定がなされる。加熱温度は、ポリアセタール樹脂Ｐが分解する温度であれば特に限定されるものではないが、分解速度のコントロール及び熱分解ガスの成分コントロールが容易である点より、１８０〜４５０℃の範囲が好ましい。より好ましくは１８０〜４００℃である。さらに好ましい加熱温度は、ホモポリマーの場合は２００〜３００℃、コポリマーの場合は２５０〜３５０℃の範囲である。加熱炉１０内における加熱手段１１は特に限定されるものではなく、大きさや設置場所も特に限定されない。
【００２８】
加熱炉１０は、加熱手段１１に対して原料ポリアセタール樹脂Ｐを供給するポリアセタール樹脂供給機構１２を有していても良い。これにより、ポリアセタール樹脂Ｐを、分解状況に応じて加熱炉１０に供給し易くなる。図１に示す例では、加熱炉１０の一方の側面にポリアセタール樹脂供給機構１２が配設されている。
【００２９】
加熱炉１０内でのポリアセタール樹脂Ｐの加熱分解が終了すると、加熱炉１０に備えられたポリアセタール樹脂供給機構１２により、新たなポリアセタール樹脂Ｐが、加熱手段１１に対して供給される。該ポリアセタール樹脂供給機構１２は、加熱炉１０内へポリアセタール樹脂Ｐを供給する際の炉内ガス組成や炉内温度を保持できるよう、導入バルブ１４と入口バルブ１５を備えることもできる。
【００３０】
ポリアセタール樹脂の熱分解によって生成するガスは、通常、ホルムアルデヒド（ＨＣＨＯ）、ギ酸、ギ酸メチル（ＨＣＯＯＣＨ３）、二酸化炭素、水蒸気等を含むガスである。これらのガス成分のうち、ギ酸やホルムアルデヒドには還元力があることが一般的に知られている。本発明者等の検討によれば（検討結果は後述する）、ギ酸は、ホルムアルデヒドに比べて表面酸化物の還元速度が速い。そのため、還元性ガスは少なくともギ酸を含むガスであることが望ましい。
【００３１】
ホルムアルデヒドは、下記式で表わされるように酸化されてギ酸を生成する。
ＨＣＨＯ  ＋  １／２Ｏ２  →  ＨＣＯＯＨ  →  ＣＯ２    ＋  Ｈ２Ｏ
熱分解ガス中のギ酸の比率を高めるためには、加熱炉１０内を、酸素又は酸素供給物質を含有する雰囲気にし、酸素又は酸素供給物質の存在下でポリアセタール樹脂を加熱することが好ましい。この際、触媒を併用することがより好ましい。酸素や酸素供給物質は、予め加熱炉１０内に酸素を充填しておく等、キャリアガスと異なる手段で加熱炉１０に導入しても良いが、キャリアガスの中に混合して導入しても良い。また、酸素の代わりに空気を用いることもできる。
【００３２】
上記の触媒としては、例えば、銅、スズ、アルミニウム等の金属が挙げられる。触媒金属は、ポリアセタール樹脂の熱分解で生成するホルムアルデヒドを酸化し、ギ酸に変化させ、ギ酸の比率を高める効果がある。触媒は、予め加熱炉１０内に配置しておくことができる。触媒の形態としては、粉状、塊状、板状、メッシュ状等が挙げられる。
【００３３】
上記の酸素存在下とは、１００％酸素ガス存在下でも良いし、空気等の酸素含有ガス存在下でも良いし、酸素供給物質から放出された酸素ガス存在下でも良い。加熱炉１０内における酸素の割合は特に限定されないが、還元性ガス中のギ酸の比率を高めることができる２０ｖｏｌ％以上の濃度が好適であり、高いほど好ましい。
【００３４】
また、上記の酸素供給物質は、前記の加熱条件下に酸素を放出できる全ての物質を包含する。例えば、式ＮｘＯｙで示される中性の窒素酸化物等である。
【００３５】
図２に本発明の還元性ガスの概略製造工程図を示した。図２に示したように、本発明による還元方法及び半田付け装置においては、加熱炉１０と反応炉３０との間に、反応炉に導入する還元性ガス中のギ酸の比率を高めるための手段として、冷却・加熱手段２２を設けることができる。ポリアセタール樹脂の加熱工程（加熱炉１０）では、ギ酸を含む還元性ガスを生成し、冷却手段では、生成した還元性ガスからギ酸を液化あるいは固化し、還元反応を阻害する酸素を分離除去し、加熱手段では、液化あるいは固化したギ酸を気化させ、ギ酸を主成分とする還元性ガスを生成する。そして、還元工程（反応炉３０）では、ギ酸を主成分とする還元性ガスを金属酸化物に接触させることで、金属酸化物を還元する。
【００３６】
ポリアセタール樹脂Ｐの熱分解による還元性ガスは、加熱炉１０に設けられたアウトガス排出口１６から排出され、冷却・加熱手段２２を経て、通常、キャリアガスとのガス混合物として、ガス供給部２０を介して、ガス入口３１より反応炉３０内に供給されることになる。
【００３７】
加熱炉１０と反応炉３０は、ガス供給部２０を介して接続されているため、ガス供給部２０は、反応炉３０内に導入するガス混合物の流量調整用のマスフローコントローラ（図示せず）及びバルブ２１を備えていることができる。これにより、混合ガス温度及び圧力環境の変化に拘わらずガス流量を一定に保つことができる。
【００３８】
反応炉３０内に供給するガス中のギ酸濃度は、還元速度の点からは、１．５ｖｏｌ％以上が好ましい。還元性ガスとキャリアガスとのガス混合物として供給する場合も同様である。これにより、半田の濡れ広がりが良好となり、半田付け部分のボイドの発生を低減することが可能になる。
【００３９】
本発明において、反応炉３０は、一般的な半田付け装置が備えるものであって良く、特に限定されない。例えば、被半田部材（半導体基板、電極材や半導体素子等の部品）を保持する加熱ステージ（図示せず）を備え、保持した基板を所定温度（好ましくは１５０℃以上、より好ましくは１８０℃〜３００℃）に加熱することができる装置であり、壁面ヒーター等を備えているものであっても良い。また、反応炉３０には、該装置内のガスを吸引排気する排気用ポンプ（図示せず）が設けられていても良い。反応炉３０内では、該装置内に収容された半田バンプ及び被半田部材に対し、還元性ガスの供給と接触を可能としているので、反応炉３０に導入される還元性ガスによって、装置内の半田表面及び被半田部材表面の酸化物が還元される。
【００４０】
本発明の還元方法では、従来の液状ギ酸をガス化する方法に比べて液滴状ギ酸による材料腐食のおそれがなく、また、ギ酸ガスをキャリアガスと共に反応炉３０に導入することができるため、反応炉材の腐食を低減させることが可能である。
【００４１】
本発明においては、半導体素子等が形成された半導体基板を、反応炉３０内に配置し、ポリアセタール樹脂の熱分解により生成される還元性ガスを部材の表面に形成された金属酸化物に接触させた後、公知の半田リフロー処理を行うことにより、半導体装置を製造することができる。
【００４２】
例えば、反応炉（リフロー炉）３０において、被半田部材（半導体基板）をヒーター上に、半導体素子の電極パッド配設面、即ち半田の配設面を上面として収容・配置する。そして、半導体基板を、還元性ガス雰囲気に晒し、半田の表面に存在する酸化膜（自然酸化膜）を除去する。還元性ガスへの半田、基板及び電極材の接触温度は、１５０℃以上、半田融点以下が好ましい。
【００４３】
本発明の還元方法では、半導体基板に対する加熱処理温度並びに処理雰囲気を切り換えることにより、半導体基板に形成された半導体素子の電極部を構成する半田部材の球状化処理、並びに、球状化される半田部材の内部に生ずるボイドの放出・除去を、速やかに且つ半田部材の飛散を生ずることなく実施することができる。
【００４４】
また、本発明による還元処理は、半導体基板の移送機構を具備した連続リフロー炉を用いて実施することもできる。
【００４５】
以上、本発明の実施の形態について説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形及び変更が可能である。
【００４６】
即ち、上記した実施の形態では、被半田部材の例として半導体基板を挙げ、該半導体基板上の電極パッドに半田バンプを形成するリフロー処理法について説明したが、本発明はかかる形態に限られるものではなく、任意の被半田部材の端子又はパッド上に半田バンプを形成する処理に対しても適用することができる。
【００４７】
例えば、ガラスエポキシ等の絶縁性樹脂又はセラミック等を主体とし、少なくともその表面に配線・電極が配設された回路基板等において、その電極端子部に半田バンプを形成するためのリフロー処理に対しても、適用することができる。更に、半田バンプ等を用いて、半導体素子或いは電子部品を、回路基板上の電極に固着する際にも、適用することができる。
【実施例】
【００４８】
以下実施例により本発明をより詳細に説明する。ただし、本発明はこれら実施例にのみ限定されるものではない。なお、「％」は「ｖｏｌ％」を意味する。
【００４９】
（実施例１）
基板に形成されたスズ酸化膜のギ酸、ホルムアルデヒドによる還元効果を確認した。
希釈塩酸によって酸化膜を除去したスズ基板を、分光エリプソメーターにセットし、スズ基板をチャンバーで覆った。
チャンバー内のスズ基板をヒートステージで加熱しながら、チャンバーに空気（酸素）を導入し、酸化膜を成長させ、十分酸化膜が成長したら、一旦チャンバー内を真空にし、酸化膜の成長を止めた。ギ酸の原液をＮ２でバブリングし、そのバブリングガス（ギ酸ガス）をチャンバー内に導入した。この間、分光エリプソメーターによって酸化膜の変化を常時モニタリングしておき、ギ酸ガスを導入した際の酸化膜の減少速度（還元速度）を求めた（図３参照）。
【００５０】
ギ酸ガスの濃度は、ガスを捕集袋に採取し、ガスタイトシリンジでガスを抜き取り、ガスクロマトグラフで測定した。
【００５１】
スズ基板の変わりに銅基板を用いた以外は、上記の手順で実験を行い、ギ酸ガスを導入した際の酸化膜の減少速度（還元速度）を求めた。
【００５２】
ギ酸の変わりにホルムアルデヒドガスを用いた以外は、上記の手順で実験を行い、ホルムアルデヒドガスを導入した際の酸化膜の減少速度（還元速度）を求めた。
【００５３】
スズ基板の変わりに銅基板を用い、ギ酸の変わりにホルムアルデヒドガスを用いた以外は、上記の手順で実験を行い、ホルムアルデヒドガスを導入した際の酸化膜の減少速度（還元速度）を求めた。
【００５４】
上記の実験において、ホルムアルデヒドガスによる還元効果の確認は、タンク中に設置したヒーターの上にパラホルムアルデヒド粉末の入った容器を置き、パラホルムアルデヒドを１５０〜２５０℃に加熱することでホルムアルデヒドガスを発生させ、キャリアガス（Ｎ２）により、エリプソメーターのチャンバーにホルムアルデヒドガスを導入した。
【００５５】
以上の実験結果を図４にまとめて示す。図４より、ギ酸はスズ基板及び銅基板に対して優れた還元効果を発揮するが、スズ基板の還元速度は銅基板の１０倍以上であることがわかる。一方、ホルムアルデヒドはスズ基板及び銅基板に対する還元効果は小さく、スズ基板に対する還元効果は殆ど認められなかった。
【００５６】
（実施例２）
基板に形成されたスズ酸化膜を、ギ酸ガス濃度を変化させて、還元効果を確認した。なお、ギ酸濃度は、Ｎ２バブリングによって発生させたギ酸ガスに対して、別経路から新たにＮ２を導入することにより調整した。ギ酸濃度を変更する以外は、実施例１と同様の手順で実験を行った。 
【００５７】
図５に示すように、ギ酸濃度が高くなるに従い、スズ酸化膜の減少速度（還元速度）が速くなった。
【００５８】
（実施例３）
図６に示す実験装置を用いて実験した。熱重量測定装置（ＴＧ）の金属製試料容器に、試料Ｘ（重量平均分子量：約20,000〜60,000のポリアセタール樹脂）１０ｍｇを載せ、キャリアガス（Ｎ２）と反応性ガス（Ｏ２）を同時に流しながら、ポリアセタール樹脂を加熱した。この際、ポリアセタール樹脂の試料温度及び重量をリアルタイムで測定した。
試料温度が上がり、ポリアセタール樹脂が重量減少を始める（ガス化し始める）と、アウトガスを捕集袋に採取した。１８０℃を過ぎた時点から試料重量が急激に減少した。
検知管（ギ酸用、ホルムアルデヒド用）及びガスクロマトグラフにより、捕集袋に採取したガスの分析を行い、ギ酸／ホルムアルデヒドの濃度比を求めた。
【００５９】
金属製の試料容器は触媒効果を発揮するため、試料容器の金属種類を変えて同様の実験を行った。具体的には、Ａ（白金）、Ｂ（銅）、Ｃ（アルミニウム）容器を使用した。
【００６０】
試料の加熱温度を変えて同様の実験を行った。
【００６１】
導入するキャリアガス（Ｎ２）と反応性ガス（Ｏ２）の比率を変えて同様の実験を行った。
【００６２】
上記の各実験による、生成ガス中のギ酸の比率（ギ酸／ホルムアルデヒド（％））を表１に示す。
【００６３】
【表１】
2014195809.tif 000003
【００６４】
表１より、ポリアセタール樹脂を反応性ガス（Ｏ２）及び触媒存在下で加熱することにより、ホルムアルデヒドとギ酸が生成し、触媒の種類によってギ酸の比率が異なること、ポリアセタール樹脂の加熱温度の影響が比較的小さいこと、酸素濃度が高くなるほどギ酸の比率が高くなる傾向があることがわかる。また、ホモポリマーを用いることにより、ギ酸の比率が上昇することがわかる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明による還元方法及び半田付け装置は、半導体装置の製造に利用できる。
【符号の説明】
【００６６】
１０  加熱炉
１１  加熱手段
１２  ポリアセタール樹脂供給機構
１３  キャリアガス導入口
１４，１５  バルブ
１６  アウトガス排出口
２０  還元性ガス供給部
２１  バルブ
２２  冷却・加熱手段
３０  反応炉
３１  ガス入口
４１  キャリアガス導入用の配管
４２  バルブ
【図１】
2014195809.tif 000004
【図２】
2014195809.tif 000005
【図３】
2014195809.tif 000006
【図４】
2014195809.tif 000007
【図５】
2014195809.tif 000008
【図６】
2014195809.tif 000009