(57)【要約】      （修正有）【課題】歩留まりや生産性を低減することなく、コーン部の形成工程における有転位化を低減できる低抵抗率、結晶方位＜１００＞のＮ型シリコン単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】ルツボに収容され、ドーパントが添加された原料融液に種結晶を接触させ、コーン部１７を形成した後続けて直胴部を形成して、抵抗率が０．０５Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＮ型シリコン単結晶８を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶８の製造方法であって、前記コーン部１７の形成において、前記シリコン単結晶８の直径方向から見たときの前記シリコン単結晶８の成長方向と前記コーン部１７の側面との成すテーパー角をθ、前記コーン部１７の側面の長さをＬとしたとき、該長さＬに対して、θが２５°以上、４５°以下となる領域の長さの合計が２０％以下となるようにθを調整しながら前記コーン部１７を形成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ルツボに収容され、ドーパントが添加された原料融液に種結晶を接触させ、コーン部を形成した後続けて直胴部を形成して、抵抗率が０．０５Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＮ型シリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、
前記コーン部の形成において、前記シリコン単結晶の直径方向から見たときの前記シリコン単結晶の成長方向と前記コーン部の側面との成すテーパー角をθ、前記コーン部の側面の長さをＬとしたとき、該長さＬに対して、θが２５°以上、４５°以下となる領域の長さの合計が２０％以下となるようにθを調整しながら前記コーン部を形成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
【請求項２】
前記ドーパントとして、Ｓｂ、Ａｓ、Ｐのいずれかを用いることを特徴とする請求項１に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【請求項３】
前記コーン部の形成において、前記テーパー角θの調整を前記シリコン単結晶の引き上げ速度を低下させるか、又は前記ルツボの回転速度を変化させることによって行うことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【請求項４】
前記コーン部の形成の後半において、前記シリコン単結晶の引き上げ速度を低下させるか、又は前記ルツボの回転速度を変化させることによって前記テーパー角θを４５°より大きい角度に保つことを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【請求項５】
前記シリコン単結晶の育成の際に、前記原料融液に中心磁場強度が０．１５Ｔ以上の水平磁場を印加することを特徴とする請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載のシリコン単結晶の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、チョクラルスキー法（Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ  Ｍｅｔｈｏｄ、以下ＣＺ法と略する）による単結晶製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、パワーＭＯＳ半導体の需要が伸びてきており、それに使用される基板として、砒素（Ｓｂ）、アンチモン（Ａｓ）、赤燐（Ｐ）などの揮発性ドーパントが高濃度にドープされた低抵抗率のＮ型シリコン単結晶基板の開発が重要となっている。シリコン単結晶基板は、主にＣＺ法により製造されたシリコン単結晶棒をスライスすることで得られる。
【０００３】
ＣＺ法によりシリコン単結晶を製造する場合、まずチャンバ内の石英ルツボに多結晶シリコン等の原料を充填し、これにドーパントを添加し、これらをヒーターにより加熱して原料融液とした後、チャンバ上部から種ホルダに保持した種結晶を原料融液に接触させ、種結晶を回転させながらゆっくりと引き上げることにより単結晶を育成していく。
単結晶の育成の際には、図３に示すように、単結晶を所望の直径まで拡大させながらコーン部を形成し、所望の直径に拡径後、引き上げ速度及び原料融液温度を制御しながら直胴部を形成していく。
【０００４】
しかし、このようなＣＺ法においてドーパントを高濃度にドープした単結晶を製造するのは非常に難しい。特に、コーン部から直胴部の形成直前までに有転位化することが非常に多く、生産効率が悪いだけでなく、最悪の場合単結晶が得られない場合もある。
この問題に対し、コーン部の形成時にテーパー角を少なくとも２段階で大きくなるように変更することで有転位化を抑制するとされた方法が知られている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−２９２６５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ここで言うテーパー角とは、図２に示すように、シリコン単結晶の成長方向Ａとコーン部１７の側面との成す角θを意味する。但し、図２はコーン部の側面の概略を示すものであり、コーン部側面の断面形状が図２のように直線になるわけではなく、θは側面の位置によって変化する。
しかし、上記特許文献１の方法では、上記したような低抵抗率（特に、０．０５Ωｃｍ以下）、結晶方位＜１００＞のＮ型シリコン単結晶を製造する際、十分に有転位化を抑制できないという問題がある。
【０００７】
また、有転位化を抑制するために、経験的にコーン工程において引き上げ速度を遅くし、テーパー角度を小さくしたコーン部を形成する場合もあった。しかし、テーパー角度を小さくするとコーン部の高さが増加し、重量が通常の３倍近くまで増加することがあり、歩留まり・生産性が低下してしまう。
【０００８】
本発明は前述のような問題に鑑みてなされたもので、歩留まりや生産性を低減することなく、コーン部の形成工程における有転位化を低減できる低抵抗率、結晶方位＜１００＞のＮ型シリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明によれば、ルツボに収容され、ドーパントが添加された原料融液に種結晶を接触させ、コーン部を形成した後続けて直胴部を形成して、抵抗率が０．０５Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＮ型シリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、前記コーン部の形成において、前記シリコン単結晶の直径方向から見たときの前記シリコン単結晶の成長方向と前記コーン部の側面との成すテーパー角をθ、前記コーン部の側面の長さをＬとしたとき、該長さＬに対して、θが２５°以上、４５°以下となる領域の長さの合計が２０％以下となるようにθを調整しながら前記コーン部を形成することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法が提供される。
【００１０】
このような製造方法であれば、コーン部の高さが増加するのを抑制しつつ、コーン部形成中に特に有転位化が起こりやすいテーパー角θが３５．２°となる領域を低減できるので、歩留まりや生産性を低減することなく有転位化を確実に抑制できる。
【００１１】
このとき、前記ドーパントとして、Ｓｂ、Ａｓ、Ｐのいずれかを用いることができる。
このようにすれば、所望のドーパントがドープされたＮ型シリコン単結晶を得ることができる。
【００１２】
また、前記コーン部の形成において、前記テーパー角θの調整を前記シリコン単結晶の引き上げ速度を低下させるか、又は前記ルツボの回転速度を変化させることによって行うことが好ましい。
このようにすれば、引き上げ速度又はルツボの回転速度は応答性良く変化させることができるので、テーパー角θを容易に調整できる。
【００１３】
また、前記コーン部の形成の後半において、前記シリコン単結晶の引き上げ速度を低下させるか、又は前記ルツボの回転速度を変化させることによって前記テーパー角θを４５°より大きい角度に保つことが好ましい。
このようにすれば、上記のようにテーパー角θを容易に調整できることに加えて、コーン部の高さを低減して形成時間を削減できるので、歩留まりや生産性を向上できる。
【００１４】
また、前記シリコン単結晶の育成の際に、前記原料融液に中心磁場強度が０．１５Ｔ以上の水平磁場を印加することができる。
このようにすれば、ルツボ内の原料融液の対流を抑制し、結晶成長界面近傍の温度変動を低減できるので、結晶に取り込まれるドーパントの濃度分布が均一化される。また、点欠陥の結晶内への導入を抑制できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明では、シリコン単結晶の直径方向から見たときのシリコン単結晶の成長方向とコーン部の側面との成すテーパー角をθ、コーン部の側面の長さをＬとしたとき、該長さＬに対して、θが２５°以上、４５°以下となる領域の長さの合計が２０％以下となるようにθを調整しながらコーン部を形成するので、コーン部の高さが増加するのを抑制しつつ、コーン部形成中に特に有転位化が起こりやすいテーパー角θが３５．２°となる領域を低減できるので、歩留まりや生産性を低減することなく有転位化を確実に抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明のシリコン単結晶の製造方法を実施する単結晶製造装置の一例を示した概略図である。
【図２】シリコン単結晶のコーン部の形状を説明する概略断面図である。
【図３】従来のシリコン単結晶の製造方法で得られたシリコン単結晶のコーン部及び直胴部の形状の概略図である。
【図４】実施例１、２及び比較例１、２におけるコーン部の形状の測定結果を示す図である。
【図５】実施例１、２及び比較例１、２におけるテーパー角θの測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明について実施の形態を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
上記のように、結晶方位＜１００＞の高濃度ドープＮ型シリコン単結晶の製造におけるコーン部形成中に有転位化が発生することが非常に多いという問題に対し、本発明者等が調査したところ、コーン部の表面にファセットが現れて少し経つと有転位化することが非常に多いことが判明した。これはファセットが現れるとその成長の前線では等温成長をする部分との境界で成長が不安定になるためであると考えられる。更に鋭意検討を重ねた結果、この有転位化は引き上げ速度や温度分布よりも、コーン部の形状に依存して発生し、特に（１１１）面が形成されると有転位化し易いことを見出した。
【００１８】
従来の方法で製造したシリコン単結晶のコーン部は、図３に示すように、椀型の形状となり、これに類似の形状が最も安定して良いとされている。しかし、図３中の円で囲まれた領域内に（１１１）面で構成されたファセットが形成されており、この領域において有転位化が多く発生する。結晶方位＜１００＞の単結晶を製造するとき、（１１１）面はテーパー角が３５．２°となる場合に最も発生し易くなることが結晶学的に知られている。
【００１９】
図３中の上方の円で囲まれた領域は、コーン部形成の前半で直径を拡大していきテーパー角θが増加していく過程で３５．２°に近づいたときに形成される。その後、テーパー角θは３５．２°を超えて大きくなるが、後述のように、コーン部形成の後半で再度テーパー角θが小さくなって３５．２°に近づいたときに形成される。
以上のことから、本発明者等はテーパー角θが２５°から４５°の範囲内となる領域を減らすことで有転位化を抑制できることに想到し、本発明を完成させた。
【００２０】
まず、本発明のシリコン単結晶の製造方法で用いることができる単結晶製造装置について説明する。
図１に示すように、本発明の単結晶製造装置１は、メインチャンバ２と、メインチャンバ２上に連接されたプルチャンバ３とを有している。メインチャンバ２内には、ルツボ４、５と、ルツボ４、５に収容された原料を加熱、融解して原料融液６にするためのヒーター７などが設けられている。
【００２１】
プルチャンバ３の上部には、育成されたシリコン単結晶８を回転させながら引き上げるための引上機構９が設けられている。このプルチャンバ３の上部に取り付けられた引上機構９からはワイヤ１０が巻き出されており、その先端には種ホルダ１１が接続され、種ホルダ１１の先に取り付けられた種結晶１２を原料融液６に接触させ、ワイヤ１０を引上機構９によって巻き取ることで種結晶１２の下方に単結晶８を育成する。
【００２２】
ルツボ４、５は、内側に原料融液６を直接収容する石英ルツボ４と、外側に該石英ルツボ４を支持するための黒鉛ルツボ５とから構成される。ルツボ４、５は、単結晶製造装置１の下部に取り付けられた回転昇降動自在なルツボ回転軸１３に支持されている。単結晶の育成が進むにつれルツボ内の原料融液６が減少していくが、結晶直径や結晶品質が変わることのないよう融液面は一定の位置に保たれる。具体的には、ルツボ回転昇降駆動機構（不図示）によってルツボ４、５をシリコン単結晶８と逆方向に回転させながらシリコン単結晶８の引き上げに応じて融液が減少した分だけルツボ４、５を上昇させる。
【００２３】
また、単結晶製造装置１には、育成する単結晶８を取り囲むようにして、円筒状の整流筒１４が設けられている。整流筒１４には黒鉛材が用いられ、ヒーター７や原料融液６からのシリコン単結晶８への輻射熱を遮断できる。
炉内に発生した酸化物を炉外に排出する等を目的とし、プルチャンバ３の上部に設けられたガス導入口１５からアルゴンガス等の不活性ガスが導入され、整流筒１４の内側を通り引き上げ中のシリコン単結晶８の近傍に整流され、原料融液６表面を通過してルツボ４、５の上端縁の上方を通過し、単結晶製造装置１の下部に設けられたガス流出口１６から排出される。これにより、引き上げ中のシリコン単結晶８がガスにより冷却されるとともに、整流筒１４の内側、及びルツボ４、５の上端縁等に酸化物が堆積するのを防ぐことができる。
【００２４】
以下に、本発明のシリコン単結晶の製造方法について説明する。ここでは、図１に示す単結晶製造装置１を用いた場合を例として説明する。
図１に示すように、まず、ヒーター７によりルツボ４、５内でシリコンの高純度多結晶原料を融点（約１４２０℃）以上に加熱、溶融して原料融液６とする。また、原料融液６にはアンチモン（Ｓｂ）、砒素（Ａｓ）、赤燐（Ｐ）などのドーパントを添加する。ここで、添加するドーパントの量は製造する単結晶の抵抗率が０．０５Ωｃｍ以下となる量とする。
【００２５】
次に、ワイヤ１０を巻き出すことにより原料融液面の略中心部に種結晶１２の先端を接触（種付け）させる。種付けの際に結晶に生じる転位を除去するため、必要に応じて種結晶を原料融液６に浸漬させてネッキングを行い、ネック部を形成する。
その後、ルツボ回転軸１３を適宜の方向に回転させるとともに、ワイヤ１０を回転させながら巻き取り、種結晶１２を引き上げることにより、シリコン単結晶８の育成が開始される。このとき、まず、製造するシリコン単結晶８の直径を徐々に拡大させてコーン部１７を形成し、所望の直径まで拡径する。
【００２６】
図２はコーン部１７をシリコン単結晶８の直径方向から見たときの形状を簡略的に示した図である。図２に示すように、シリコン単結晶の成長方向Ａとコーン部１７の側面との成すテーパー角をθで表し、コーン部１７の側面の長さをＬで表す。
本発明では、このコーン部１７の形成において、コーン部１７の側面の長さＬに対して、θが２５°以上、４５°以下となる領域の長さの合計が２０％以下となるようにθを調整しながらコーン部１７を形成する。
【００２７】
このようにすれば、コーン部１７の形成中に、テーパー角θが３５．２°となる領域を低減して、すなわち特に有転位化が起こりやすい（１１１）面が形成されるのを抑制して有転位化を確実に抑制できる。
【００２８】
ここで、コーン部１７の具体的な形成方法について以下に説明する。
まず、コーン部の形成開始後、原料融液６の温度を徐々に低下させていきテーパー角θをゆっくりと大きくしながら直径を拡げていく。この時はまだ結晶部分の体積が小さく熱容量が小さいので、急激な温度変化は急激な形状変化をもたらし有転位化の原因に繋がるので、少しづつ拡径するのが良い。
その後、結晶が成長してテーパー角が大きくなり、θが３５．２°付近になると、＜１１０＞方向に４本ある結晶線のおのおのが２本に分岐し、その間に（１１１）面が形成されるようになる。この（１１１）面は表面エネルギーが低いため優先的に現れて鏡のようになる。
【００２９】
ここで、（１１１）面が形成される領域をなるべく少なくするために、θを２５°未満又は４５°より大きくなるように調整する。具体的には、シリコン単結晶８の引き上げ速度を低下させるか、又はルツボ４、５の回転速度を変化させることによってθを調整することが好ましい。ヒーター７の電力を調整して原料融液６の温度を変化させることでテーパー角θを調整することもできるが、原料融液６の温度変化によりθが変化するまでの間にはタイムラグが発生するので、引き上げ速度又はルツボの回転速度による方法の方が容易にθを調整できる。
【００３０】
例えば、テーパー角θが２５°付近になったときに、引き上げ速度を急激に低下させることでテーパー角θを増加させ、θが２５°以上、４５°以下となる領域が形成される区間（時間）を短縮させることができる。引き上げ速度の変化はヒーター電力の調整による融液温度変化と違い急変が可能であり、引き上げ速度の調整によるテーパー角θの調整も容易に行うことができることから、引き上げ速度によるテーパー角θの調整が最も好ましく、コーン部形成の一定区間だけ引き上げ速度を急変させてテーパー角θを調整する方法が有効である。また、ルツボ回転速度を調整して原料融液６の対流を変えることで融液温度を変化させても同様な効果が期待できる。対流が変わるとすぐに固液界面近傍の温度が変わるので、ヒーターのパワーを変えるよりも極めて応答性がよい。このとき、ＣＺ法の場合はルツボ回転を速くすることで、ＭＣＺ法の場合はルツボ回転を遅くすることで固液界面近傍の温度を下げることができる。
【００３１】
このようにしてテーパー角θを特に４５°より大きくすると、（１１１）面が消失し、このテーパー角θを安定して保って成長するようになる。上記で引き上げ速度を低下させた場合には、この時点で低下させた以前の引き上げ速度に戻しても良い。このようにしてもテーパー角θを安定して維持することができるので、引き上げ速度を戻して生産性の低下を抑制することが好ましい。
【００３２】
従来の結晶方位＜１００＞、高濃度ドープＮ型シリコン単結晶の製造方法では、コーン部の形成の後半において、所望の直径に近づいたとき、直胴部形成の初期の直径安定化のために、原料融液温度の下げ勾配を緩やかにしている。このようにすると、テーパー角θが小さくなっていき再度３５．２°に近づくため、上記したように、この領域でも（１１１）面が形成される。従来のシリコン単結晶の製造では、この直胴部形成の直前の位置でも有転位化が発生しやすい。
【００３３】
そこで、本発明では、原料融液温度を低下させずに引き上げ速度を低下させることで、テーパー角θを４５°より大きい角度に保つことが好ましい。この際、引き上げ速度を低下させるのではなく、ルツボ回転速度を変化させることでも同様にテーパー角θを４５°より大きい角度に調整できる。
このようにして得られたコーン部は（１１１）面の少ない形状となり、コーン部形成における有転位化を抑制できるとともに、コーン部の高さが必要以上に大きくなることもなく、歩留まりや生産性の低減を抑制できる。
【００３４】
コーン部の形成後、従来と同様にして、所望の直径、結晶品質が得られるよう単結晶８の引き上げ速度やヒーター７の電力を制御しながら単結晶８の直胴部を形成し、その後テール部を形成してシリコン単結晶８が製造される。
【００３５】
また、シリコン単結晶の育成の際には、原料融液６に磁場を印加することができる。この場合、図１に示すように、例えば永久磁石又は電磁石からなる磁場印加装置１８により中心磁場強度が０．１５Ｔ以上の水平磁場を印加することができる。
このようにすれば、ルツボ内の原料融液の対流を抑制し、結晶成長界面近傍の温度変動を低減できるので、結晶に取り込まれるドーパントの濃度分布が均一化され、かつ、点欠陥の結晶内への導入を抑制できる。
【実施例】
【００３６】
以下、本発明の実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【００３７】
（実施例１）
図１に示す単結晶製造装置を用い、直径２００ｍｍ、結晶方位＜１００＞のＳｂドープシリコン単結晶を製造した。
まず、直径６６０ｍｍ（２６インチ）のルツボに１８０ｋｇのシリコン多結晶原料を充填し、溶融して原料融液とした。また、製造するシリコン単結晶のＴＯＰ側での抵抗率が０．０２Ωｃｍとなるようにドーパント（Ｓｂ）を添加した。
【００３８】
そして、ネック部を形成した後、大きく融液温度を降下させ、その後はほぼ一定の割合で緩やかに融液温度を下げることによりコーン部の作製を開始した。この時の引き上げ速度は一定とした。
テーパー角度が２５°に近づいたときに一気に引き上げ速度を４０％低下させた。その後、一定時間引き上げ速度を一定に保ったのち、テーパー角が４５°を超えてから引き上げ速度を元に戻した。
【００３９】
その後、４５°を超えるテーパー角度を保ちながら単結晶を成長させた。直径が目標値に近づいたとき、テーパー角度が小さくならないように徐々に引き上げ速度を低下させ、最終的に４０％まで低下させた。これによりテーパー角が２５°以上、４５°以下になるのを抑制しつつ、直胴部の形成初期で直径が大きくなり過ぎるのを避けることができた。
このようにして形成したコーン部の形状及びテーパー角θを調査した。図４にコーン部の形状の測定結果を示す。また、図５に形成中のコーン部底面の半径におけるテーパー角θの測定結果を示す。図４、５に示すように、実施例１では、コーン部の側面の長さＬに対する、θが２５°以上、４５°以下となる領域の長さの合計の割合は後述する比較例１、２よりも小さく、その値は２０％であった。
【００４０】
表１にコーン部の形成工程における有転位化率を示す。ここで示す有転位化率は後述する比較例１の結果を１としたときの指数である。表１に示すように、有転位化率を比較例１の１／３以下とすることができた。
【００４１】
（実施例２）
原料融液の温度低下の勾配を実施例１より大きくした以外、実施例１と同様の条件でシリコン単結晶を製造し、実施例１と同様に評価した。
図４にコーン部の形状の測定結果を示す。また、図５に形成中のコーン部底面の半径におけるテーパー角θの測定結果を示す。
【００４２】
図４、５に示すように、全般的にテーパー角が実施例１と比べて大きくなった。また、実施例２では、コーン部の側面の長さＬに対する、θが２５°以上、４５°以下となる領域の長さの合計の割合は後述する比較例１、２よりも小さく、その値は８％であった。
表１にコーン部の形成工程における有転位化率を示す。表１に示すように、有転位化率は後述する比較例１、２より小さく、比較例２の１／３程度とすることができた。
【００４３】
また、実施例１、２においてコーン部の有転位化した部分は全て、テーパー角θが２０°〜４５°の範囲外となる領域にあり、コーン部の形状が要因の有転位化ではなかった。
以上のことから、本発明のシリコン単結晶の製造方法では、コーン部の形成において、コーン部の側面の長さＬに対して、θが２５°以上、４５°以下となる領域の長さの合計が２０％以下となるようにθを調整することで、有転位化を確実に抑制できることが確認できた。
【００４４】
（比較例１）
引き上げ速度を一定とした以外、すなわち、テーパー角θの調整を一切行わなかったこと以外、実施例１と同様の条件でシリコン単結晶を製造し、実施例１と同様に評価した。
図４にコーン部の形状の測定結果を示す。また、図５に形成中のコーン部底面の半径におけるテーパー角θの測定結果を示す。
【００４５】
図４、５に示すように、比較例１では、コーン部の側面の長さＬに対する、θが２５°以上、４５°以下となる領域の長さの合計の割合は実施例１、２よりも大きく、その値は２０％を超える３５％であった。
表１にコーン部の形成工程における有転位化率を示す。表１に示すように、有転位化率は実施例１、２より３倍以上大きかった。
【００４６】
（比較例２）
原料融液の温度低下の勾配を比較例１より大きくした以外、比較例１と同様の条件でシリコン単結晶を製造し、比較例１と同様に評価した。
図４にコーン部の形状の測定結果を示す。また、図５に形成中のコーン部底面の半径におけるテーパー角θの測定結果を示す。
【００４７】
図４、５に示すように、全般的にテーパー角が比較例１と比べて大きくなった。また、比較例２では、コーン部の側面の長さＬに対する、θが２５°以上、４５°以下となる領域の長さの合計の割合は実施例１、２よりも大きく、その値は２０％を超える２４％であった。また、直胴部の形成初期において直径が大きくなり過ぎてしまい、直径が安定しなかった。
表１にコーン部の形成工程における有転位化率を示す。表１に示すように、有転位化率は実施例１、２より２．５倍以上大きかった。
【００４８】
【表１】
2014114189.tif 000003
【００４９】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００５０】
１…単結晶製造装置、  ２…メインチャンバ、  ３…プルチャンバ、
４…石英ルツボ、  ５…黒鉛ルツボ、  ６…原料融液、  ７…ヒーター、
８…シリコン単結晶、  ９…引上機構、  １０…ワイヤ、
１１…種ホルダ、  １２…種結晶、  １３…ルツボ回転軸、
１４…整流筒、  １５…ガス導入口、  １６…ガス流出口、
１７…コーン部、  １８…磁場印加装置、
Ａ…成長方向、  θ…テーパ角、  Ｌ…コーン部の側面の長さ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【手続補正書】
【提出日】平成25年11月11日(2013.11.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
近年、パワーＭＯＳ半導体の需要が伸びてきており、それに使用される基板として、アンチモン（Ｓｂ）、砒素（Ａｓ）、赤燐（Ｐ）などの揮発性ドーパントが高濃度にドープされた低抵抗率のＮ型シリコン単結晶基板の開発が重要となっている。シリコン単結晶基板は、主にＣＺ法により製造されたシリコン単結晶棒をスライスすることで得られる。