(57)【要約】【課題】板状の半導体チップの第１の部位を樹脂で封止し、残部である第２の部位を樹脂より露出させてなる電子装置の製造方法において、半導体チップの露出部におけるチップ側面での樹脂残りを極力防止する。【解決手段】金型１００に半導体チップ１０を収納し、第２の部位２のうち両板面１１、１２にフィルム６０を密着させた状態で樹脂２０を充填する。ここで、第２の部位２における第２の板面１２側については、板厚方向の途中までフィルム６０にめり込むように密着を行うことにより、フィルム６０が第２の板面１２側の角部Ｋからチップ側面１４〜１６まで回り込んで密着した密着状態を形成し、当該状態にて樹脂封止を行う。これにより、第２の部位２においてチップ側面１４〜１６に位置する樹脂２０に凹部２０ａを形成する。この状態で、当該樹脂２０に対して、第１の板面１１側から、レーザＬを照射して樹脂除去を行う。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表裏の関係にある第１の板面（１１）、第２の板面（１２）およびこれら第１、第２の両板面を連結する側面としてのチップ側面（１３〜１６）を有する板状をなすチップ部品（１０）と、
前記チップ部品の一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、
前記チップ部品の残部である第２の部位（２）では、前記両板面と前記チップ側面とが前記樹脂より露出している電子装置の製造方法であって、
前記チップ部品を用意する用意工程と、
前記樹脂の成形用の金型（１００）に前記チップ部品を収納し、前記第２の部位のうち前記両板面に前記金型を介して樹脂材料よりなるフィルム（６０）を密着させた状態で、前記金型に前記樹脂を充填し、
当該充填後に前記フィルムを前記第２の部位から剥離することにより、前記第２の部位における前記両板面は前記樹脂より露出させつつ、前記第２の部位における前記チップ側面と前記第１の部位とを前記樹脂で封止する樹脂封止工程と、
前記第２の部位における前記チップ側面に位置する前記樹脂に対して、前記第１の板面側から、レーザ（Ｌ）を照射して当該樹脂を除去することにより当該チップ側面を露出させる樹脂除去工程と、を備え、
前記樹脂封止工程では、前記第２の部位における前記第２の板面側については、前記チップ部品の板厚方向の途中まで前記フィルムにめり込むように前記フィルムに密着させることにより、前記フィルムが前記第２の板面側の角部（Ｋ）から前記チップ側面まで回り込んで前記チップ側面に密着した密着状態を形成し、
当該密着状態にて前記樹脂による封止を行うことにより、前記第２の部位において前記チップ側面に位置する前記樹脂に、前記第２の板面側の角部から前記チップ部品の板厚方向の途中まで前記チップ側面を露出させる凹部（２０ａ）を形成するようにしたことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記用意工程では、一面側に前記第１の部位に対向する第１の対向面（３０ａ）と前記第２の部位に対向する第２の対向面（３１ａ）とを有する平板状のリードフレーム素材（３）を用意し、
前記樹脂封止工程では、前記第１の対向面上に接着剤（４０）を介して前記第１の部位を固定するとともに、前記第２の対向面上に前記フィルムを搭載し、前記第２の部位における前記第２の板面側を前記フィルムに押し付けてめり込ませることで、前記密着状態を形成することを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記リードフレーム素材は、前記第１の対向面の板厚よりも前記第２の対向面の板厚の方が小さいものとされることにより、前記第２の対向面が前記第１の対向面よりも低くなったものであることを特徴とする請求項２に記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記樹脂除去工程では、前記レーザとして、前記半導体チップを透過するとともに、前記樹脂よりも前記半導体チップの方が当該レーザの吸収率が小さくなる波長のものを照射することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１つに記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップ等の板状のチップ部品の一部を樹脂で封止し、残部を樹脂より露出させてなる電子装置を製造する電子装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
この種の一般的な電子装置としては、板状をなす半導体チップ等のチップ部品と、チップ部品の一部である第１の部位を封止する樹脂と、を有し、チップ部品の残部である第２の部位は樹脂より露出した構成を備えたものが提案されている（たとえば特許文献１参照）。
【０００３】
このような電子装置は、樹脂の成形用の金型を用い、次のようにして製造される。当該金型にチップ部品を収納し、第２の部位の両板面に金型を介して、樹脂材料よりなるフィルムを密着させた状態で、金型に樹脂を充填する。この充填後にフィルムを第２の部位から剥離することにより、第２の部位における両板面は樹脂より露出させつつ、第１の部位は樹脂で封止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１３−１６６８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本発明者の検討によれば、上記従来の製造方法では以下のような問題が生じることがわかった。
【０００６】
上記従来方法に基づいて、本発明者が試作したところ、図７（ａ）、（ｂ）に示されるように、チップ部品１０の第２の部位２において、第１の板面１１および第２の板面１２の両板面１１、１２は露出する。しかし、両板面１１、１２を連結する側面としてのチップ側面１４〜１６では、樹脂２０が付着し樹脂２０で封止された状態になりやすい。
【０００７】
チップ部品１０の第２の部位２を、チップ側面を含む全面１１、１２、１４〜１６で露出させるには、金型形状をチップ部品１０に対応した特殊形状とする必要がある。通常、金型は上型と下型とを合致させるものであるため、第２の部位２の両板面１１、１２との密着性は確保しやすいが、寸法公差等を加味すると、チップ側面１４〜１６と金型との間では隙間が存在しやすくなる。
【０００８】
そのため、図７（ａ）、（ｂ）に示されるように、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６に樹脂２０が付着する。このチップ側面１４〜１６を封止する樹脂２０は、不要な樹脂バリとなる。そこで、本発明者は、図７（ｂ）に示されるように、この樹脂バリを、レーザＬを照射して除去し、当該チップ側面１４〜１６を露出させることを試みた。
【０００９】
具体的には、第２の部位２における第１の板面１１側から、チップ側面１４〜１６に位置する樹脂２０に対して、レーザ照射を行った。しかしながら、複数回の照射により、樹脂２０がレーザＬで加熱されて炭化状態となり、図７（ｃ）に示されるように、レーザ照射側から遠い第２の板面１２側の角部Ｋ近傍で、樹脂残り２０を生じやすいことがわかった。この樹脂残り２０は、炭化状態であるので除去が困難である。
【００１０】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、板状のチップ部品の一部を樹脂で封止し、残部を樹脂より露出させてなる電子装置の製造方法において、チップ部品の露出部におけるチップ側面での樹脂残りを極力防止することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、表裏の関係にある第１の板面（１１）、第２の板面（１２）およびこれら第１、第２の両板面を連結する側面としてのチップ側面（１３〜１６）を有する板状をなすチップ部品（１０）と、チップ部品の一部である第１の部位（１）を封止する樹脂（２０）と、を備え、チップ部品の残部である第２の部位（２）では、両板面とチップ側面とが樹脂より露出している電子装置の製造方法であって、以下の各工程を有する。
【００１２】
すなわち、チップ部品を用意する用意工程と、樹脂の成形用の金型（１００）にチップ部品を収納し、第２の部位のうち両板面に金型を介して樹脂材料よりなるフィルム（６０）を密着させた状態で、金型に前記樹脂を充填し、当該充填後にフィルムを第２の部位から剥離することにより、第２の部位における両板面は樹脂より露出させつつ、第２の部位におけるチップ側面と第１の部位とを樹脂で封止する樹脂封止工程と、第２の部位におけるチップ側面に位置する樹脂に対して、第１の板面側から、レーザ（Ｌ）を照射して、当該樹脂を除去することにより当該チップ側面を露出させる樹脂除去工程と、を備えている。
【００１３】
さらに、請求項１の製造方法においては、樹脂封止工程では、第２の部位における第２の板面側については、チップ部品の板厚方向の途中までフィルムにめり込むように、フィルムに密着させることにより、フィルムが第２の板面側の角部（Ｋ）からチップ側面まで回り込んでチップ側面に密着した密着状態を形成し、当該密着状態にて樹脂による封止を行うことにより、第２の部位においてチップ側面に位置する樹脂に、第２の板面側の角部からチップ部品の板厚方向の途中までチップ側面を露出させる凹部（２０ａ）を、形成するようにしたことを特徴とする。
【００１４】
レーザ照射を、チップ部品の第２の部位における第１の板面側から行い、チップ側面に位置する樹脂を除去する場合、上記した本発明者の検討のように、レーザ照射側から遠い第２の板面側の角部近傍で樹脂残りが生じやすい。
【００１５】
その点、本発明によれば、樹脂封止工程後において、チップ側面を封止する樹脂を、上記凹部を有するものとすることで、チップ側面のうち第２の板面側の角部の近傍部位に、樹脂を存在させず、当該部位を露出状態としている。そのため、レーザ照射による樹脂除去工程では、除去しやすい照射側にてチップ側面に付着している樹脂を除去すればよい。よって、本発明によれば、チップ部品の露出部におけるチップ側面での樹脂残りを極力防止することができる。
【００１６】
ここで、請求項２に記載の発明では、請求項１に記載の電子装置の製造方法において、用意工程では、一面側に第１の部位に対向する第１の対向面（３０ａ）と第２の部位に対向する第２の対向面（３１ａ）とを有する平板状のリードフレーム素材（３）を用意し、樹脂封止工程では、第１の対向面上に接着剤（４０）を介して第１の部位を固定するとともに、第２の対向面上にフィルムを搭載し、第２の部位における第２の板面側をフィルムに押し付けてめり込ませることで、前記密着状態を形成することを特徴とする。
【００１７】
それによれば、平板状のリードフレーム上に半導体チップの第１の部位および第２の部位を搭載するので、半導体チップの水平度を確保しやすいという利点がある。
【００１８】
さらに、この場合、請求項３に記載の発明のように、リードフレーム素材は、第１の対向面の板厚よりも第２の対向面の板厚の方が小さいものとされることにより、第２の対向面が第１の対向面よりも低くなったものであることが好ましい。
【００１９】
それによれば、第２の対向面上に搭載するフィルムを、第２の対向面部分の減厚分、厚いものにできるので、第２の部位をめり込ませやすくなる。
【００２０】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）は、本発明の第１実施形態にかかる電子装置の外観斜視図、（ｂ）は同電子装置の概略断面図である。
【図２】（ａ）〜（ｅ）は、第１実施形態にかかる電子装置の製造方法を断面的に示す工程図である。
【図３】図２（ｅ）中のＡ−Ａ線に沿った部分の拡大断面図である。
【図４】第１実施形態にかかる電子装置の製造方法における樹脂封止工程後のワークの概略断面図である。
【図５】第１実施形態にかかる電子装置の製造方法における樹脂除去工程を示す概略断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態にかかる電子装置の製造方法における樹脂除去工程を示す概略断面図である。
【図７】本発明者の試作による電子装置の製造方法示す図であり、（ａ）は樹脂封止工程後のワークを示す外観斜視図、（ｂ）は樹脂除去工程を示す概略断面図、（ｃ）は樹脂除去工程後のワークを示す外観斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各図相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。
【００２３】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる電子装置Ｓ１について、図１を参照して述べる。この電子装置は、たとえば、自動車用の電子制御装置の一部に組み込まれ、各種制御や検出等を行うものとして適用されるものである。本実施形態の電子装置Ｓ１は、大きくは、板状をなすチップ部品１０と、チップ部品１０の一部を封止する樹脂２０と、を備えて構成されている。
【００２４】
ここでは、チップ部品１０は、半導体チップ１０とされている。この半導体チップ１０は、通常の半導体プロセスなどにより形成されたシリコン半導体などよりなる。この半導体チップ１０は、表裏の関係にある両板面１１、１２および当該両板面１１、１２を連結する側面１３〜１６を有する板状をなす。
【００２５】
ここでは、半導体チップ１０は典型的な矩形板状をなしているが、具体的には一端１０ａから他端１０ｂへ（図１（ｂ）の左から右へ）延びる長方形板状をなすものである。この半導体チップ１０における各面については、一方の板面１１を第１の板面１１とし、他方の板面１２を第２の板面１２とし、これら両板面１１、１２の端部を連結する４個の側面１３、１４、１５、１６をチップ側面１３、１４、１５、１６としている。
【００２６】
ここで、本実施形態の半導体チップ１０におけるチップ側面１３〜１６とは、一端１０ａ側の端面１３、他端１０ｂ側の端面１４、および当該両端１０ａ、１０ｂ間に延びる（ここではチップ長手方向に延びる）２個の側面１５、１６である。そして、半導体チップ１０においては、典型的には表裏の両板面１１、１２が、回路やセンシング部等の素子が形成される素子形成面とされる。
【００２７】
本実施形態の半導体チップ１０は、たとえば検出部としての図示しないセンシング部を有するセンサチップとして構成される。具体的には、当該センシング部としてダイアフラムを有する圧力センサや熱式流量センサ、または当該センシング部として可動部を有する加速度センサや角速度センサ等のセンサチップが挙げられる。このような場合、当該センシング部は、典型的には、半導体チップ１０の他端１０ｂ側における第１の板面１１に設けられている。
【００２８】
そして、半導体チップ１０は、当該センシング部を露出させるように半導体チップ１０の他端１０ｂ側を露出させた状態で、一端１０ａ側の残部が樹脂２０で封止されている。この樹脂２０は、エポキシ樹脂などのモールド樹脂であり、後述するように金型を用いたトランスファーモールド法により成形されたものである。
【００２９】
ここで、半導体チップ１０における樹脂２０で封止されている部位１、すなわち被封止部を、第１の部位１とし、樹脂２０より露出している部位すなわち露出部を、第２の部位２とする。そして、第１の部位１は、半導体チップ１０の一端１０ａ側に位置し、第２の部位２は、第１の部位１に隣接し第１の部位１よりも他端１０ｂ側に位置する。ここで、上記図示しないセンシング部は第２の部位２に位置し、樹脂２０より露出している。
【００３０】
そして、本実施形態では、当該第２の部位２における両板面１１、１２および全ての側面（ここでは３個の側面）１４、１５、１６が樹脂２０より露出している。つまり、半導体チップ１０における第２の部位２については、全ての外面１１、１２、１４〜１６が樹脂２０で封止されずに露出し、全面露出構成とされている。
【００３１】
このように、本実施形態では、上記センシング部を含む第２の部位２の全外面を、樹脂２０より露出させることで、樹脂２０による応力から上記センシング部を解放して精度の良い検出を可能としている。
【００３２】
また、図１（ｂ）に示されるように、半導体チップ１０は、第１の部位１にてリードフレーム３０に固定され支持されている。ここでは、半導体チップ１０の第２の板面１２とリードフレーム３０の第１の対向面３０ａとを対向させた状態で、第１の部位１とリードフレーム３０とが、接着剤４０を介して接着されている。この接着剤４０は、たとえエポキシ樹脂等よりなるものである。
【００３３】
このリードフレーム３０は、Ｃｕや４２アロイなどの導電性に優れた金属板材をエッチングやプレス等によりパターニング加工してなるものである。そして、リードフレーム３０は、半導体チップ１０の第１の部位１とともに、樹脂２０で封止されている。なお、図示しないが、典型的には、リードフレーム３０の一部は外部端子として構成され、この外部端子は樹脂２０より露出して外部と電気的に接続されるようになっている。
【００３４】
また、図１（ｂ）に示されるように、半導体チップ１０とリードフレーム３０とは、樹脂２０の内部にてボンディングワイヤ５０により電気的に接続されている。このボンディングワイヤ５０は、Ａｕやアルミニウム等よりなり、通常のワイヤボンディングで形成されるものである。
【００３５】
次に、本実施形態の電子装置Ｓ１の製造方法について、図２〜図５を参照して述べる。まず、用意工程では、半導体プロセスにより形成された半導体チップ１０を用意する。また、用意工程では、図２（ａ）に示されるように、リードフレーム３０を含む平板状のリードフレーム素材３を用意する。
【００３６】
このリードフレーム素材３は、一面側に第１の部位１に対向する第１の対向面３０ａと、第２の部位２に対向する第２の対向面３１ａとを有する。ここで、第１の対向面３０ａを有するリードフレーム３０と第２の対向面３１ａを有するフィルム支持部３１とは、同一平面上に位置する。これら両部３０、３１は図示しないタイバーや外枠等により一体に連結されている。
【００３７】
そして、用意工程では、このリードフレーム素材３に対して、エッチングやプレス等により、フィルム支持部３１を減厚する加工を行う。これにより、図２（ｂ）に示されるように、リードフレーム素材３は、第１の対向面３０ａの板厚よりも第２の対向面３１ａの板厚の方が小さいものとされる。
【００３８】
そして、リードフレーム素材３の一面側においては、第２の対向面３１ａが第１の対向面３０ａよりも低くなったものとなる。この状態でも、上記リードフレーム３０とフィルム支持部３１とは、リードフレーム素材３の他面側にて同一平面上に位置したものとなっている。こうして、用意工程にて、半導体チップ１０とリードフレーム素材３とが用意される。
【００３９】
次に、樹脂封止工程を行う。この工程では、図２（ｅ）に示されるように、樹脂の成形用の金型１００に半導体チップ１０を収納し、第２の部位２のうち両板面１１、１２に金型１００を介してフィルム６０を密着させた状態で、金型１００に樹脂２０を充填する。
【００４０】
そして、当該充填後にフィルム６０を第２の部位２から剥離する。これにより、第２の部位２における両板面１１、１２は樹脂２０より露出させつつ、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６と第１の部位１とが樹脂２０で封止された状態を、形成する。
【００４１】
ここで、フィルム６０は、後で半導体チップ１０から剥離するために非接着性の樹脂材料よりなることが望ましい。そのような樹脂材料としては、たとえばＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）やポリイミド等が挙げられる。
【００４２】
本実施形態の樹脂封止工程では、第２の部位２のうち第１の板面１１とフィルム６０との密着状態の形成は、次の通りである。図２（ｅ）に示されるように、金型１００のうち第２の部位２における第１の板面１１に対向する部位に、フィルム６０を吸着等により貼り付けておく。そうすることで、ワークの金型１００への設置時に、第２の部位２における第１の板面１１をフィルム６０に密着させる。
【００４３】
一方、本実施形態の樹脂封止工程では、第２の部位２のうち第２の板面１２については、図２（ｃ）、（ｄ）に示されるように、ワークの金型１００への設置前に、リードフレーム素材３のフィルム支持部３１を介して、フィルム６０を密着させておく。
【００４４】
具体的には、図２（ｃ）に示されるように、フィルム支持部３１の第２の対向面３１ａ上に、フィルム６０を搭載する。そして、図２（ｄ）に示されるように、第１の対向面３０ａ上に接着剤４０を介して、半導体チップ１０の第１の部位１を固定する。
【００４５】
その一方で、第２の部位２における第２の板面１２側を、第２の対向面３１ａ上に搭載されたフィルム６０に押し付ける。これにより、第２の板面１２とフィルム６０との密着状態を形成する。
【００４６】
このとき、第２の部位２に対して第１の板面１１側から、図示しない治具等により荷重を加えることにより、第２の部位２における第２の板面１２側を、半導体チップ１０の板厚方向の途中までフィルム６０にめり込ませるようにする。
【００４７】
これにより、図２（ｄ）、（ｅ）、図３に示されるように、第２の部位２における第２の板面１２側については、フィルム６０が、第２の板面１２側の角部Ｋからチップ側面１４〜１６まで回り込んでチップ側面１４〜１６に密着した密着状態が形成される。
【００４８】
続いて、図２（ｄ）に示されるように、半導体チップ１０とリードフレーム３０との間でワイヤボンディングを行い、ボンディングワイヤ５０を形成する。こうして、リードフレーム素材３、フィルム６０および半導体チップ１０が一体とされたワークＷができあがる。そして、このワークＷを、金型１００に設置する。
【００４９】
この金型１００は、トランスファーモールド法に用いられる典型的なもので、図２（ｅ）に示されるように、脱着可能な上型１０１と下型１０２と備えている。そして、これら上下型１０１、１０２を離脱可能に合致させることにより、当該上下型１０１、１０２の間に、樹脂２０の外形に対応する空間形状を有するキャビティ１０３を形成する。
【００５０】
具体的にワークＷの設置は、図２（ｅ）に示されるように、上下型１０１、１０２を合致させ、ワークＷを上下型１０１、１０２で挟み付けることにより行う。このとき、図２（ｅ）に示されるように、第２の部位２における第１の板面１１と、上型１０１に設けられたフィルム６０とが密着する。
【００５１】
一方、第２の部位２における第２の板面１２とフィルム６０およびフィルム支持部３１とは、金型１００からの荷重を受けて、上述した密着状態を維持する。こうして、半導体チップ１０の第２の部位２における両板面１１、１２とフィルム６０との密着は、金型１００を介して行われる。
【００５２】
また、この金型１００のキャビティ１０３は、図２（ｅ）、図３に示されるように、半導体チップ１０の第２の部位２の側面１４〜１６と金型１００との間に、隙間１０３ａが存在するものである。この隙間１０３ａは、寸法公差等により形成されるもので、第１の部位１を封止する樹脂２０は、この隙間１０３ａに回り込んでくる。
【００５３】
こうして、ワークＷを金型１００に設置した後、第２の部位２の両板面１１、１２とフィルム６０との上記密着状態にて、金型１００に樹脂２０を充填する。このとき、第２の部位２のうちフィルム６０が密着している第１の板面１１、第２の板面１２、および、チップ側面１４〜１６のうち当該第２の板面１２側のフィルム６０が回り込んで密着している部位は、樹脂２０が付着しない。
【００５４】
そして、樹脂２０の充填完了後、樹脂２０で封止されたワークＷから、金型１００を取り外す。このとき、第２の部位２における第１の板面１１からフィルム６０を剥離する。そして、リードフレーム素材３のタイバー等をカットするリードカットを行うことで、フィルム支持部３１とともに、第２の部位２における第２の板面１２からフィルム６０を剥離する。これらフィルム６０剥離後のワークＷの状態は、図４、図５に示される。
【００５５】
図４、図５に示されるワークＷでは、第２の部位２における両板面１１、１２は樹脂２０より露出し、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６と第１の部位１とは樹脂２０で封止されている。
【００５６】
そして、第２の部位２においてチップ側面１４〜１６に位置する樹脂２０については、上記フィルム６０の痕跡としての凹部２０ａが形成されている。この凹部２０ａにより、第２の板面１２側の角部Ｋから半導体チップ１０の板厚方向の途中まで、チップ側面１４〜１６が露出している。ここまでが本実施形態の樹脂封止工程である。
【００５７】
次に、図５に示されるように、樹脂除去工程を行う。この工程では、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６に位置する樹脂２０に対して、第１の板面１１側から、レーザＬを照射して当該樹脂２０を除去する。これにより当該チップ側面１４〜１６を露出させる。
【００５８】
さらに、これに用いるレーザＬについて述べる。このレーザＬは、樹脂２０を消失できるものであればよいが、半導体チップ１０を透過するとともに、樹脂２０よりも半導体チップ１０の方が当該レーザの吸収率が小さくなる波長のものが望ましい。
【００５９】
これは、チップ側面１４〜１６の樹脂２０を除去するには、半導体チップ１０と樹脂２０との境界近傍を狙って照射することが効率的であることによる。当該境界近傍を狙うと、レーザＬが半導体チップ１０に照射されやすく、照射による半導体チップ１０のダメージが懸念される。その点、上記望ましい波長のレーザＬならば、そのようなダメージを軽減できる。
【００６０】
具体的には、赤外波長の中でも１．５μｍ帯から１０μｍ帯程度（好ましくは５μｍ以下）の波長を有するレーザＬを用いることが望ましい。このようなレーザＬとしては、具体的に、ＥｒＹＡＧ（波長：約３μｍ）、ＨｏＹＡＧ（波長：約１．５μｍ）、およびファイバーレーザなど、波長が１μｍを超えるレーザが採用される。
【００６１】
半導体チップ１０を構成する半導体のレーザ吸収波長帯は１ｕｍ以下にあり、１μｍよりも長い長波長帯においては、半導体チップ１０は、レーザＬのエネルギーを吸収せずほぼ透過する。一方で、樹脂２０は当該長波長帯にも吸収ピークが存在し、広い領域においてレーザＬの吸収が可能である。たとえば、−ＯＨ基の振動波長≒３ｕｍ、ＳＨ基の振動波長≒４ｕｍ、エポキシ３員環の振動波長≒８ｕｍなどである。
【００６２】
したがって、１．５ｕｍ帯〜１０μｍ帯程度の赤外波長のレーザＬを照射することにより、半導体チップ１０の機能損傷がなく、樹脂２０を選択的に加熱、除去することができる。
【００６３】
このようにして、樹脂除去工程を行い、半導体チップ１０の第２の部位２における全外面１１、１２、１４〜１６が露出する。これにより、本実施形態の電子装置Ｓ１ができあがる。
【００６４】
ところで、本実施形態によれば、樹脂封止工程後において、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６を封止する樹脂２０を、上記凹部２０ａを有するものとするようにしている。そうすることで、チップ側面１４〜１６のうち、従来では樹脂残りが生じやすい第２の板面１２側の角部Ｋの近傍部位に、樹脂２０を存在させず、当該部位を露出状態としている。
【００６５】
そのため、レーザ照射による樹脂除去工程では、除去しやすい照射側にてチップ側面１４〜１６に付着している樹脂２０を除去すればよい。よって、本実施形態によれば、半導体チップ１０の露出部２におけるチップ側面１４〜１６での樹脂残りを極力防止することができる。
【００６６】
また、本実施形態では、第１の対向面３０ａと第２の対向面３１ａとを有する平板状のリードフレーム素材３を用意し、樹脂封止工程では、第１の対向面３０ａ上に第１の部位１を接着、固定するとともに、第２の対向面３１ａ上にて第２の部位２における第２の板面１２側をフィルム６０に押し付けてめり込ませている。そのため、半導体チップ１０の水平度を確保しやすい。
【００６７】
さらに、この場合、リードフレーム素材３を、第１の対向面３０ａの板厚よりも第２の対向面３１ａの板厚の方が小さいものとすることにより、第２の対向面３１ａが第１の対向面３０ａよりも低くなったものとしている。そのため、第２の対向面３１ａ上に搭載するフィルム６０を、第２の対向面３１ａ部分が薄くなった分、厚いものにできるので、第２の部位２をめり込ませやすくなる
なお、フィルム６０が第２の部位２における第２の板面１２側がめり込みやすいものである等の場合には、リードフレーム素材３における両対向面３０ａ、３１ａは同一高さであってもよい。
【００６８】
また、上記製造方法では、金型１００にワークＷを設置する前に、すなわちワークＷを形成するときに、第２の部位２における第２の板面１２にフィルム６０をめり込ませるようにしていたが、このことは、ワークＷの金型１００への金型の設置の際に行ってもよい。すなわち、上型１０１、下型１０２を合致させるときの押さえ荷重により、第２の部位２における第２の板面１２側をフィルム６０に押し付けてめり込ませてもよい。
【００６９】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について、図６を参照して述べる。本実施形態の樹脂除去工程では、第１の板面１１側からレーザＬを照射して樹脂２０を除去する前に、予備照射として、第２の板面１２側からレーザＬを照射して、当該第２の板面１２側の樹脂２０を一部除去しておくものである。
【００７０】
これによれば、チップ側面１４〜１６に位置する樹脂２０のうち樹脂残りが生じやすい第２の板面１２側の樹脂量を少なくした上で、第１の板面１１側からレーザＬを照射して当該樹脂２０を除去するので、樹脂残りをより抑制することが期待できる。
【００７１】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態におけるチップ部品１０としては、表裏の関係にある第１の板面１１、第２の板面１２およびこれら第１、第２の両板面を連結するチップ側面１３〜１６を有する板状をなすものであれば、上記半導体チップ１０以外にも、セラミックよりなるチップ、金属よりなるチップ等でもよい。また、チップ部品１０は上記した矩形板状に限らず、その他の多角形板状、円形板状等でもよいことはもちろんである。
【００７２】
また、上記第１実施形態では、チップ部品１０の第２の部位２については、両板面１１、１２および全てのチップ側面１４〜１６が露出する全面露出構成であった。ここで、チップ側面１４〜１６については、第２の部位２における３つのチップ側面１４〜１６のうちの１つもしくは２つのチップ側面のみが露出し、残りのチップ側面は樹脂２０で封止されたままであってもよい。
【００７３】
つまり、第２の部位２におけるチップ側面１４〜１６については、少なくとも一部が露出するものであればよい。一部のチップ側面のみが露出する場合、当該露出するチップ側面のみについて、上記レーザＬによる樹脂除去工程を行えばよい。
【００７４】
また、電子装置としては、樹脂２０内には、上記図１以外にも、他の基板や部品等が内蔵されていてもよい。さらには、チップ部品１０とその第１の部位１を封止する樹脂２０とを備えていればよく、たとえば上記図１におけるリードフレーム３０やボンディングワイヤ５０は省略されたものであってもよい。
【００７５】
また、上記図１において、チップ部品１０の第１の部位１を接着固定するリードフレーム３０に代えて、たとえば配線基板を採用し、この配線基板に第１の部位１を接着固定し、これらを樹脂２０で封止した構成でもよい。
【００７６】
この場合には、上記図２におけるリードフレーム素材３のフィルム支持部３１に代えて、たとえば、当該配線基板とは別体の板材を用いればよい。具体的には、第２の部位２における第２の板面１２側に対向する部位に当該別体の板材を対向させ、この別体の板材にフィルム６０を搭載して、第２の部位２における第２の板面１２側をフィルム６０に押し付けてめり込ませるようにすればよい。そして、この状態で樹脂封止工程を行えばよい。
【００７７】
さらには、上記別体の板材や上記リードフレーム素材３のフィルム支持部３１ではなく、フィルム６０を支持する部材として金型１００を用いる方法も、可能である。たとえば、金型１００のうち第２の部位２における第２の板面１２に対向する部位に、フィルム６０を貼り付けておき、金型１００へワークＷを設置するときに、第２の部位２における第２の板面１２側を、フィルム６０に押しつけてめり込ませるようにしてもよい。
【００７８】
また、上記したようなチップ部品１０を固定するリードフレーム３０を省略した構成を採用する場合、別体の板材や金型で直接フィルム６０を支持する上記方法を採用すればよい。そして、この場合も、チップ部品１０の第２の部位２をフィルム６０へ押し付けてめり込ませればよい。
【００７９】
また、上記図１の電子装置において、ワイヤボンディング側である第１の板面１１を凹部２０ａが形成される側となる第２の板面とし、接着剤４０側である第２の板面１２をレーザ照射側となる第１の板面としてもよい。この場合も、上記したようにフィルム６０を別体の板材や金型で支持する方法を用い、チップ部品１０の第２の部位２における第２の板面側に、フィルム６０をめり込ませた状態で、樹脂封止を行えばよい。
【００８０】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その形状、位置関係等に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００８１】
１          第１の部位
２          第２の部位
１０        チップ部品
１１        第1の板面
１２        第２の板面
１３〜１６  チップ側面
２０        樹脂
２０ａ      凹部
６０        フィルム
１００      金型
Ｋ          角部
Ｌ          レーザ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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