(57)【要約】【課題】ウエーハの外周にはみ出した樹脂を確実に除去できるウエーハの加工方法を提供することである。【解決手段】ウエーハの加工方法はウエーハＷの面取り部Ｃを全て除去する面取り部除去ステップと表面ＷＳに樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設ステップとウエーハＷの外周からはみ出した樹脂を溶剤で溶かして除去する樹脂除去ステップとＶｉａ電極Ｅが裏面ＷＲに露出しない程度に裏面ＷＲを研削して薄化する裏面研削ステップとを少なくとも含む。【選択図】図２
2014063919.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に形成されたデバイスから裏面に向かって仕上げ厚さを超えた深さに埋設された埋め込み電極を有し、外周縁に面取り部を備えたウエーハを薄化するウエーハの加工方法であって、
ウエーハの外周縁に切削ブレードを位置づけて該ウエーハを円形に切削加工し面取り部を全て除去する面取り部除去ステップと、
面取り部除去ステップの後に、該ウエーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設ステップと、
該ウエーハの外周からはみ出した該樹脂を溶剤で溶かして除去する樹脂除去ステップと、
該埋め込み電極が裏面に露出しない程度に該ウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削ステップと、を少なくとも含むウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体等のウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年新たな３次元実装技術として複数の半導体チップを積層し、積層した半導体チップを貫く貫通電極を形成して半導体チップ同士を接続する積層技術が開発されつつある（例えば、特許文献１、２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−２０７６０６号公報
【特許文献２】特開２００４−２４１４７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような貫通電極を形成する工程において、ウエーハは各工程で搬送・保持しやすいようにキャリアプレートと呼ばれる基板に接着剤である樹脂で固定された状態で加工されている。ウエーハをキャリアプレートに接着する樹脂は、通常、バンプが配されたデバイス面側に樹脂を隙間無く塗布した後、キャリアプレートに押しつけられて接着される。その際、ウエーハのデバイス領域の外周には必ず樹脂がはみ出す。このはみ出した樹脂は、研削や研磨のステップにおいて研削砥石や研磨布に付着して目詰まりを発生させてしまう。そのため、研削や研磨の前に外周の樹脂を溶剤で溶かして除去している。しかしながら、通常ウエーハの面取り部は部分的に円形切削によって除去されるため、除去すべきデバイス領域の外周の樹脂はウエーハの面取り加工によって発生した段差部とキャリアプレートに挟まれており、溶剤によって溶かすのに時間が掛かり確実に除去することが難しい。
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたもので、その目的は、デバイス領域の外周にはみ出した樹脂を確実に除去できるウエーハの加工方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した課題を解決し目的を達成するために、本発明に係るウエーハの加工方法は、表面に形成されたデバイスから裏面に向かって仕上げ厚さを超えた深さに埋設された埋め込み電極を有し、外周縁に面取り部を備えたウエーハを薄化するウエーハの加工方法であって、ウエーハの外周縁に切削ブレードを位置づけて該ウエーハを円形に切削加工し面取り部を全て除去する面取り部除去ステップと、面取り部除去ステップの後に、該ウエーハの表面に樹脂を介してキャリアプレートを配設するキャリアプレート配設ステップと、該ウエーハの外周からはみ出した該樹脂を溶剤で溶かして除去する樹脂除去ステップと、該埋め込み電極が裏面に露出しない程度に該ウエーハの裏面を研削して薄化する裏面研削ステップと、を少なくとも含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明の加工方法では、面取り部除去ステップにおいて、面取り部を完全に除去してしまうため、デバイス領域の外周にはみ出した樹脂がウエーハとキャリアプレートに挟まれる事が無く、溶剤が容易にはみ出した樹脂に作用する。したがって、デバイス領域の外周にはみ出した樹脂を確実に溶かして除去することができる。
【０００８】
さらには、裏面研削ステップでデバイス領域の外周からはみ出した樹脂を溶かして除去する場合と比較すると、裏面研削ステップ前にはみ出した樹脂を溶かして除去するため、研削中に樹脂が研削砥石に付着し研削砥石に目詰まりを発生させるという問題を解消することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施形態に係るウエーハの加工方法により加工されるウエーハを示す図である。
【図２】図２は、実施形態に係るウエーハの加工方法の面取り部除去ステップを示す断面図である。
【図３】図３は、実施形態に係るウエーハの加工方法のキャリアプレート配設ステップを示す断面図である。
【図４】図４は、実施形態に係るウエーハの加工方法の樹脂除去ステップを示す断面図である。
【図５】図５は、実施形態に係るウエーハの加工方法のＶｉａ電極検出ステップを示す断面図である。
【図６】図６は、実施形態に係るウエーハの加工方法の裏面研削ステップを示す断面図である。
【図７】図７は、実施形態に係るウエーハの加工方法のエッチングステップを示す断面図である。
【図８】図８は、実施形態に係るウエーハの加工方法の絶縁膜被覆ステップを示す断面図である。
【図９】図９は、実施形態に係るウエーハの加工方法の仕上げステップを示す断面図である。
【図１０】図１０は、実施形態に係るウエーハの加工方法のバンプ配設ステップを示す断面図である。
【図１１】図１１は、実施形態に係るウエーハの加工方法の移し替えステップを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成は適宜組み合わせることが可能である。また、本発明の要旨を逸脱しない範囲で構成の種々の省略、置換又は変更を行うことができる。
【００１１】
本実施形態に係るウエーハの加工方法（以下、単に加工方法と呼ぶ）を、図１から図１１に基づいて説明する。図１（ａ）は、実施形態に係る加工方法により加工されるウエーハの概要を示す斜視図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＩＢ−ＩＢ線に沿うウエーハの概要を示す断面図であり、図２（ａ）は、図１（ａ）に示されたウエーハの面取り部を除去する面取り部除去ステップの概要を示す断面図であり、図２（ｂ）は、図２（ａ）に示された面取り部除去ステップ後のウエーハの概要を示す断面図であり、図３は、図２に示されたウエーハにキャリアプレートが取り付けられるキャリアプレート配設ステップの概要を示す断面図であり、図４（ａ）は、図３に示されたウエーハの外周からはみ出した樹脂を除去する樹脂除去ステップの概要を示す断面図であり、図４（ｂ）は、図４（ａ）に示された樹脂除去ステップ後のウエーハの概要を示す断面図であり、図５は、図４（ｂ）に示されたウエーハのＶｉａ電極の深さを検出するＶｉａ電極検出ステップの概要を示す断面図であり、図６（ａ）は、図５に示されたキャリアプレートが配設されたウエーハの裏面を研削する裏面研削ステップの概要を示す断面図であり、図６（ｂ）は、図６（ａ）に示された裏面研削ステップ後のウエーハの概要を示す断面図であり、図７は、図６（ｂ）に示されたウエーハの裏面にエッチングを施すエッチングステップの概要を示す断面図であり、図８は、図７に示されたウエーハの裏面に絶縁膜を被覆する絶縁膜被覆ステップの概要を示す断面図であり、図９は、図８に示されたウエーハのＶｉａ電極の頭を露出させる仕上げステップの概要を示す断面図であり、図１０は、図９に示されたウエーハのＶｉａ電極の頭にバンプを配設するバンプ配設ステップの概要を示す断面図であり、図１１は、図１０に示されたウエーハをダイシングテープに移し替える移し替えステップの概要を示す断面図である。
【００１２】
本実施形態に係る加工方法は、例えば５０μｍ以下の仕上げ厚さＴａ（図７などに示す）まで図１に示すウエーハＷを薄化する加工方法である。
【００１３】
なお、本実施形態に係る加工方法により薄化される加工対象としてのウエーハＷは、本実施形態では、シリコン、サファイア、ガリウムなどを母材とする円板状の半導体ウエーハや光デバイスウエーハである。ウエーハＷは、図１（ａ）に示すように、表面ＷＳに形成された複数のデバイスＤが分割予定ラインＳによって区画されている。また、ウエーハＷは、図１（ｂ）に示すように、デバイスＤの電極から裏面ＷＲに向かってウエーハＷの仕上げ厚さＴａを超えた深さに埋設されたＶｉａ電極Ｅ（埋め込み電極に相当）を有するデバイス領域と、外周縁に面取り部Ｃとを備える。Ｖｉａ電極Ｅは、銅などの金属で構成され、ウエーハＷの表面ＷＳに端面が露出し、仕上げ厚さＴａに薄化される前のウエーハＷ（図１（ａ）などに示す）の表面ＷＳから裏面ＷＲに向かって、仕上げ厚さＴａを超えた深さに埋設されている。さらに、デバイスＤの表面には、バンプＶが設けられている。
【００１４】
本実施形態に係る加工方法は、面取り部除去ステップと、キャリアプレート配設ステップと、樹脂除去ステップと、Ｖｉａ電極検出ステップと、裏面研削ステップと、エッチングステップと、絶縁膜被覆ステップと、仕上げステップと、バンプ配設ステップと、移し替えステップと、を少なくとも含んでいる。
【００１５】
本実施形態に係る加工方法は、まず、面取り部除去ステップにおいて、図２（ａ）に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲにダイシングテープＴｂを付着し、ダイシングテープＴｂを介してウエーハＷの裏面ＷＲを切削装置１のチャックテーブル２に載置し、チャックテーブル２にウエーハＷを保持する。そして、切削装置１のチャックテーブル２をウエーハＷとともに軸心回りに回転させ、切削装置１の図示しないスピンドルにより切削ブレード３を回転させる。そして、ウエーハＷの外周縁の面取り部Ｃ上に切削ブレード３を位置づけて、切削ブレード３を所定の深さ降下させて、ウエーハＷを円形に切削加工し、図２（ｂ）に示すように、面取り部Ｃを全て除去する。なお、本実施形態では、ウエーハＷの面取り部Ｃを超えてダイシングテープＴｂの厚みの中央まで切削ブレード３に切削させて、面取り部Ｃを全て除去する。そして、キャリアプレート配設ステップに進む。
【００１６】
キャリアプレート配設ステップでは、面取り部除去ステップの後に、図３に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳに粘着性を有する樹脂Ｊを塗布し、さらに樹脂Ｊにガラスやシリコンなどで構成されて高剛性で平坦なキャリアプレートＰを圧着する。さらに、キャリアプレート配設ステップでは、ウエーハＷの裏面ＷＲからダイシングテープＴｂを剥がす。こうして、ウエーハＷの表面ＷＳに樹脂Ｊを介してキャリアプレートＰを配設する。なお、樹脂Ｊを構成する材質としては、例えば、紫外線が照射されると硬化するＵＶ硬化型や加熱されると硬化するエポキシ樹脂やアクリル樹脂が用いられ、キャリアプレートＰは、外径が面取り除去ステップ後のウエーハＷの外径よりも大きい円板状に形成されている。また、ウエーハＷの表面ＷＳに樹脂Ｊを介してキャリアプレートＰが配設された際には、図３に示すように、樹脂Ｊのうちの一部の樹脂Ｊ（はみ出した樹脂を他の樹脂と区別して、以下符号Ｊａで示す）が、面取り部Ｃが全て除去された後のウエーハＷ（即ち、デバイス領域）の外周からはみ出している。ウエーハＷの外周からはみ出した樹脂Ｊａの厚さは、仕上げ厚さＴａよりも厚くなっている。そして、樹脂除去ステップに進む。
【００１７】
樹脂除去ステップでは、図４（ａ）に示すように、キャリアプレートＰなどを介してウエーハＷの裏面ＷＲを樹脂除去装置１０のチャックテーブル１１に載置し、チャックテーブル１１にウエーハＷを保持する。そして、樹脂除去装置１０のチャックテーブル１１をウエーハＷとともに軸心回りに回転させ、樹脂除去装置１０の溶剤噴射ノズル１２からウエーハＷの少なくとも外周からはみ出した樹脂Ｊａに向けて溶剤Ｙを一定時間噴射させる。なお、溶剤噴射ノズル１２が噴射する溶剤Ｙは、樹脂Ｊを溶融させるアルコールなどの溶剤であって、例えば、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等の溶剤が用いられる。すると、樹脂Ｊａ，Ｊが、外周面側から徐々に溶融され、溶融した樹脂Ｊａ，Ｊは、樹脂除去装置１０の図示しない排出口などを通して樹脂除去装置１０外に排出される。
【００１８】
また、溶剤噴射ノズル１２の噴射口から一定時間溶剤Ｙを噴射することで、図４（ｂ）に示すように、樹脂Ｊのうちの少なくともウエーハＷの外周からはみ出した一部の樹脂Ｊａを溶剤Ｙで溶かして除去する。本発明では、溶剤噴射ノズル１２が樹脂Ｊａに向けて溶剤Ｙを噴射することで、樹脂ＪのうちのウエーハＷの外周からはみ出した樹脂Ｊａを溶剤Ｙで溶かして除去することができれば、ウエーハＷとキャリアプレートＰとが位置ずれしない範囲において樹脂ＪのうちのウエーハＷの外周からはみ出すことなくウエーハＷとキャリアプレートＰとで挟まれた樹脂Ｊの外周部を溶剤Ｙで溶かして除去しても良い。要するに、本発明では、少なくともウエーハＷの外周からはみ出した樹脂Ｊａを溶剤Ｙにより溶かして除去すれば良い。そして、Ｖｉａ電極検出ステップに進む。
【００１９】
Ｖｉａ電極検出ステップでは、図５に示すように、ウエーハＷに樹脂Ｊを介して配設されたキャリアプレートＰを電極検出装置２０のチャックテーブル２１に載置し、チャックテーブル２１にウエーハＷを保持する。そして、電極検出装置２０のスキャナ部２２からウエーハＷを透過する近赤外光又は赤外光などをウエーハＷの裏面ＷＲに向けて照射し、ウエーハＷの表面ＷＳ、Ｖｉａ電極Ｅの裏面ＷＲ側の端面Ｅａ、ウエーハＷの裏面ＷＲから反射された光を受光しつつ、スキャナ部２２を裏面ＷＲに沿って移動させる。そして、ウエーハＷの屈折率等に基づいて、ウエーハＷの裏面ＷＲからのＶｉａ電極Ｅの裏面ＷＲ側の端面Ｅａの深さＨを検出する。そして、裏面研削ステップに進む。
【００２０】
裏面研削ステップでは、図６（ａ）に示すように、ウエーハＷに樹脂Ｊを介して配設されたキャリアプレートＰを、研削装置３０のチャックテーブル３１に載置し、チャックテーブル３１にウエーハＷを保持する。そして、研削装置３０のチャックテーブル３１をウエーハＷとともに軸心回りに回転させ、研削装置３０の研削砥石３２をチャックテーブル３１と同方向に軸心回りに回転させながらウエーハＷの裏面ＷＲに接触させる。そして、Ｖｉａ電極検出ステップにおいて検出したＶｉａ電極Ｅの裏面ＷＲ側の端面Ｅａの深さＨに基づいて、Ｖｉａ電極Ｅの端面Ｅａが裏面ＷＲに露出しない程度に、研削砥石３２を所定の送り速度で下方に所定量研削送りして、ウエーハＷの裏面ＷＲを研削砥石３２により研削し、ウエーハＷを薄化する。そして、図６（ｂ）に示すように、ウエーハＷの厚みを半分程除去して、エッチングステップに進む。
【００２１】
エッチングステップでは、裏面研削ステップにより研削加工が施されたウエーハＷの裏面ＷＲ側をプラズマエッチングなどのエッチングを行い、図７に示すように、Ｖｉａ電極Ｅの端面ＥａをウエーハＷの裏面ＷＲよりも突出させる。そして、絶縁膜被覆ステップに進む。
【００２２】
絶縁膜被覆ステップでは、図８に示すように、ウエーハＷの裏面ＷＲに、該裏面ＷＲ及びＶｉａ電極Ｅの端面Ｅａを被覆する絶縁膜Ｚを被覆する。なお、絶縁膜Ｚの厚みは、一様である。そして、仕上げステップに進む。
【００２３】
仕上げステップでは、ウエーハＷに樹脂Ｊを介して配設されたキャリアプレートＰを、研磨装置のチャックテーブルに載置し、チャックテーブルにウエーハＷを保持する。そして、研磨装置の研磨布等により、Ｖｉａ電極Ｅの端面Ｅａ上の絶縁膜Ｚ及び裏面ＷＲから突出したＶｉａ電極Ｅを研磨して、図９に示すように、絶縁膜ＺからＶｉａ電極Ｅを露出させると共にＶｉａ電極Ｅの頭Ｅｂを絶縁膜Ｚと同一面に仕上げる。そして、バンプ配設ステップに進む。
【００２４】
バンプ配設ステップでは、図１０に示すように、各Ｖｉａ電極Ｅの頭ＥｂにバンプＶを配設する。そして、移し替えステップに進む。移し替えステップでは、ウエーハＷをキャリアプレートＰ毎反転させ、ウエーハＷの裏面ＷＲに、外縁部に環状フレームＦが貼着されたダイシングテープＴを、バンプＶを介して貼着する。そして、樹脂Ｊを硬化させるなどして、図１１に示すように、ウエーハＷの表面ＷＳからキャリアプレートＰを樹脂Ｊとともに取り外し、ウエーハＷをキャリアプレートＰからダイシングテープＴに移し替える。その後、切削加工やレーザー加工等によりウエーハＷを個々のデバイスＤに分割する。
【００２５】
以上のように、本実施形態に係る加工方法は、面取り部除去ステップにおいて、面取り部Ｃを完全に除去してしまうため、ウエーハＷ（即ち、デバイス領域）の外周にはみ出した樹脂ＪａがウエーハＷとキャリアプレートＰに挟まれる事が無く、溶剤Ｙが容易に樹脂Ｊａに作用する。したがって、ウエーハＷ（即ち、デバイス領域）の外周にはみ出した樹脂Ｊａを確実に溶かして除去することができる。
【００２６】
さらには、裏面研削ステップで樹脂Ｊａを溶剤Ｙで溶かして除去する場合と比較すると、裏面研削ステップ前に樹脂Ｊａを溶剤Ｙで溶かして除去するため、研削中に樹脂Ｊａが研削砥石３２に付着し研削砥石３２に目詰まりを発生させるという問題を解消することもできる。
【００２７】
本実施形態に係る加工方法では、面取り部除去ステップにおいて面取りされたウエーハＷの外周からはみ出した樹脂Ｊａを除去しているが、ウエーハＷとキャリアプレートＰとが位置ずれしない範囲において樹脂ＪのうちのウエーハＷの外周からはみ出すことなくウエーハＷとキャリアプレートＰとで挟まれた樹脂Ｊの外周部を除去しても良い。要するに、本発明では、洗浄ステップにおいて、少なくともウエーハＷの外周からはみ出した樹脂Ｊａを除去すれば良い。
【００２８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではない。即ち、本発明の骨子を逸脱しない範囲で種々変形して実施することができる。
【符号の説明】
【００２９】
３  切削ブレード
Ｗ  ウエーハ
ＷＳ  表面
ＷＲ  裏面
Ｊ，Ｊａ  樹脂
Ｐ  キャリアプレート
Ｄ  デバイス
Ｅ  Ｖｉａ電極（埋め込み電極）
Ｃ  面取り部
Ｙ  溶剤
Ｔａ  仕上げ厚さ
【図１】
2014063919.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
2014063919.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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