(57)【要約】【課題】  本発明は、真空プロセスを用いることなく、絶縁層上およびその開口から露出した導電層（金属支持基板あるいは配線層）上にビアおよび別の配線層を一体のものとして同時に形成することによりビアの小径化を実現し、配線の微細化、多層化に対応でき、また製造コストを削減することができる、サスペンション用基板の製造方法、サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とする。【解決手段】  絶縁層上およびその開口から露出した導電層上にビアおよび別の配線層を形成する際に、まず触媒として白金族元素を析出させ、次に無電解ニッケルめっきなどにより絶縁層上とその開口から露出した導電層上とに連続した下地金属層を形成し、下地金属層上にめっきにてビアおよび配線層を形成することにより、上記課題を解決する。【選択図】      図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、
金属支持基板上に開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の表面、および前記開口部から露出した金属支持基板表面に、白金族元素を析出させる触媒付与工程と、
前記絶縁層の表面と、前記開口部から露出した金属支持基板表面とに連続した下地金属層を形成する、無電解めっき工程と、
前記下地金属層上に、めっきにより配線層とビアを同時に形成する、配線層形成めっき工程と、を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項２】
前記触媒付与工程は、酸系の処理液による処理工程、アルカリ系の処理液による処理工程、および触媒処理工程を含むことを特徴とする、請求項１に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項３】
前記無電解めっき工程は、無電解ニッケルめっき工程を含むことを特徴とする請求項１または請求項２に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載のサスペンション用基板の製造方法であって、
前記配線層上に第２の開口部を有する第２の絶縁層を形成する第２の絶縁層形成工程と、
前記第２の絶縁層の表面、および前記第２の開口部から露出した配線層表面に、第２の白金族元素を析出させる第２の触媒付与工程と、
前記第２の絶縁層の表面と、前記第２の開口部から露出した配線層表面とに連続した第２の下地金属層を形成する、第２の無電解めっき工程と、
前記第２の下地金属層上に、めっきにより第２の配線層と第２のビアを同時に形成する、第２の配線層形成めっき工程と、をさらに有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２の触媒付与工程は、第２の酸系の処理液による処理工程、第２のアルカリ系の処理液による処理工程、および第２の触媒処理工程を含むことを特徴とする、請求項４に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項６】
前記第２の無電解めっき工程は第２の無電解ニッケルめっき工程を含む、ことを特徴とする請求項４または請求項５に記載のサスペンション用基板の製造方法。
【請求項７】
金属支持基板上に開口部を有する絶縁層が形成され、
前記絶縁層上と、前記開口部から露出した金属支持基板上とに連続した下地金属層が形成され、
前記下地金属層上に、配線層とビアを有し、
前記下地金属層と前記金属支持基板との界面、および前記下地金属層と前記絶縁層との界面に、白金族元素が介在することを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項８】
前記下地金属層に、ニッケルが介在することを特徴とする請求項７に記載のサスペンション用基板。
【請求項９】
金属支持基板上に開口部を有する絶縁層が形成され、
前記絶縁層上と、前記開口部から露出した金属支持基板上とに連続した下地金属層が形成され、
前記下地金属層上に、配線層とビアを有し、
前記絶縁層上と、前記配線層上とに第２の開口部を有する第２の絶縁層が形成され、
前記第２の絶縁層上と、前記第２の開口部から露出した配線層上とに連続した第２の下地金属層が形成され、
前記第２の下地金属層上に、第２の配線層と第２のビアを有し、
前記下地金属層と前記金属支持基板との界面、および前記下地金属層と前記絶縁層との界面に白金族元素が介在し、前記第２の下地金属層と前記配線層との界面、および前記第２の下地金属層と前記第２の絶縁層との界面に第２の白金族元素が介在することを特徴とするサスペンション用基板。
【請求項１０】
前記下地金属層および前記第２の下地金属層に、ニッケルが介在することを特徴とする請求項９に記載のサスペンション用基板。
【請求項１１】
請求項７から請求項１０のいずれか１項に記載のサスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンション。
【請求項１２】
請求項１１に記載のサスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
【請求項１３】
請求項１２に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられるサスペンション用基板（フレキシャ）に関し、より詳しくは、金属支持基板や配線層などの導電層上と絶縁層上とに別の配線層を形成することのできる、サスペンション用基板の製造方法、およびそのサスペンション用基板、そのサスペンション用基板を含む構成のサスペンション、素子付サスペンション、およびハードディスクドライブの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）は、データが記憶されるディスクに対してデータの書き込み、および読み取りを行う磁気ヘッドスライダが実装されるサスペンション用基板（フレキシャ）を備えている。
サスペンション用基板は、通常、金属支持基板（例えばステンレス鋼）、絶縁層（例えばポリイミド樹脂）、配線層（例えば銅）がこの順に積層された基本構造を有する。
【０００３】
金属支持基板は、通常サスペンション用基板全体を支持し、ばね性を付与するものであるが、それらの機能以外に、グランド層としての機能を付与することが知られている。一部の配線を金属支持基板と導通させグランドとすることで、電気的ノイズに対する耐性が向上するからである。
【０００４】
例えば、特許文献１においては、絶縁層を貫通し、金属薄板（金属支持基板）および金属パッド（配線層）を金属めっきにより形成される導通部分（ビア）により、電気的に接続することにより、前記金属パッド（配線層）の一部にグランドとしての機能を付与している。
また、特許文献２においては、スパッタリング法を用いて、絶縁層上およびその貫通孔内の導電性基板（金属支持基板）上の両方に接触するように延びる導体パターン（配線層）を形成することでその配線層にビア機能を付与している。
また、特許文献３においては、真空蒸着法を用いて、金属（金属支持基板）表面および絶縁層表面の両方に十分な密着性を持った金属薄膜を形成し、その後電解めっきにより導体層（配線層）を形成することにより、ビア機能を含む配線層を形成する方法が示されている。
また、特許文献４においては、スパッタ法や真空蒸着法のような真空プロセスを使用しない方法における、ポリイミド樹脂（絶縁層）上に配線層を電解めっきで形成する際に下地となる金属めっき皮膜を密着良く形成する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２０２３５９号公報
【特許文献２】特開２００７−１１５８６４号公報
【特許文献３】特開２００２−５７４３７号公報
【特許文献４】特開２００７−５６３４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、ハードディスクドライブに使用されるサスペンション用基板においては、ＨＤＤの大容量化に伴う磁気ヘッドの高機能化の進展により、配線本数が増加する傾向にある。それに伴い、微細配線化や多層配線化に必要な、ビア径の小型化（ビア小径化）やビア高さの低減（ノーハイトビア化）への要請が高まっている。
【０００７】
これらの要請に対し、特許文献１の方法では、配線層の形成工程とは別に、ビアの形成工程が必要となるため、製造コストの上昇および作製期間の伸長をもたらす。またビアの接続信頼性確保のため、ビア開口外周を配線層で囲む部分（ランドと呼ぶ）が必要となるため、ビア外形はビア開口径よりさらに大きくなり、配線の微細化の妨げとなる。またビアはランド部において配線層に対し金属支持基板と反対側に突出するため、素子実装時の制約となる場合があるほか、多層配線の場合には、積層される配線の設計が制限されるなどの弊害がある。
【０００８】
これに対し、特許文献２および特許文献３の方法は、ビアおよび配線層を同一工程で一体形成するため、ランドは不要でビア上の配線層も突出しないため、特許文献１の欠点は解消されている。しかし電解めっきで配線層を形成する際に下地となる下地金属層を形成する工程では、特許文献２ではスパッタリング法を、特許文献３では真空蒸着法を用いており、両者ともに真空プロセスが必要となる。真空プロセスは、装置が高価かつ時間あたりの生産性が低いことから、製造コストが課題となる。
特許文献４の方法は、真空プロセスを使用せず絶縁層上に配線層を密着よく形成する方法であるが、絶縁層上のみへの金属皮膜（下地金属層）形成方法の発明であるため、導電層上と絶縁層上とに一括して配線層やビアを形成することはできない。
【０００９】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、生産性が良く、配線の微細化が可能な、サスペンション用基板の製造方法、およびサスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するため、本発明においては、金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板の製造方法であって、
金属支持基板上に開口部を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、
前記絶縁層の表面、および前記開口部から露出した金属支持基板表面に、白金族元素を析出させる触媒付与工程と、
前記絶縁層の表面と、前記開口部から露出した金属支持基板表面とに連続した下地金属層を形成する、無電解めっき工程と、
前記下地金属層上に、めっきにより配線層とビアを同時に形成する、配線層形成めっき工程と、を有することを特徴とする、サスペンション用基板の製造方法を提供する。
【００１１】
また、本発明は、前記触媒付与工程は、酸系の処理液による処理工程、アルカリ系の処理液による処理工程、および触媒処理工程を含むことを特徴とする、サスペンション用基板の製造方法である。
【００１２】
また、本発明は、前記無電解めっき工程は、無電解ニッケルめっき工程を含むことを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
【００１３】
また、本発明は、配線層が２層以上のサスペンション用基板の製造方法であって、
前記配線層上に第２の開口部を有する第２の絶縁層を形成する第２の絶縁層形成工程と、
前記第２の絶縁層の表面、および前記第２の開口部から露出した配線層表面に、第２の白金族元素を析出させる第２の触媒付与工程と、
前記第２の絶縁層の表面と、前記第２の開口部から露出した配線層表面とに連続した第２の下地金属層を形成する、第２の無電解めっき工程と、
前記第２の下地金属層上に、めっきにより第２の配線層と第２のビアを同時に形成する、第２の配線層形成めっき工程と、をさらに有することを特徴とする、サスペンション用基板の製造方法である。
【００１４】
また、本発明は、前記第２の触媒付与工程は、第２の酸系の処理液による処理工程、第２のアルカリ系の処理液による処理工程、および第２の触媒処理工程を含むことを特徴とする、サスペンション用基板の製造方法である。
【００１５】
また、本発明は、前記第２の無電解めっき工程は第２の無電解ニッケルめっき工程を含むことを特徴とする、サスペンション用基板の製造方法である。
【００１６】
また、本発明は、金属支持基板上に開口部を有する絶縁層が形成され、
前記絶縁層上と、前記開口部から露出した金属支持基板上とに連続した下地金属層が形成され、
前記下地金属層上に、配線層とビアを有し、
前記下地金属層と前記金属支持基板との界面、および前記下地金属層と前記絶縁層との界面に、白金族元素が介在することを特徴とする、サスペンション用基板である。
【００１７】
また、本発明は、前記下地金属層に、ニッケルが介在することを特徴とする、サスペンション用基板である。
【００１８】
また、本発明は、金属支持基板上に開口部を有する絶縁層が形成され、
前記絶縁層上と、前記開口部から露出した金属支持基板上とに連続した下地金属層が形成され、
前記下地金属層上に、配線層とビアを有し、
前記絶縁層上と、前記配線層上とに第２の開口部を有する第２の絶縁層が形成され、
前記第２の絶縁層上と、前記第２の開口部から露出した配線層上とに連続した第２の下地金属層が形成され、
前記第２の下地金属層上に、第２の配線層と第２のビアを有し、
前記下地金属層と前記金属支持基板との界面、および前記下地金属層と前記絶縁層との界面に白金族元素が介在し、前記第２の下地金属層と前記配線層との界面、および前記第２の下地金属層と前記第２の絶縁層との界面に第２の白金族元素が介在することを特徴とする、サスペンション用基板である。
【００１９】
また、本発明は、前記下地金属層および前記第２の下地金属層に、ニッケルが介在することを特徴とするサスペンション用基板である。
【００２０】
また、本発明は、前記サスペンション用基板と、前記サスペンション用基板の前記金属支持基板側の表面に設けられたロードビームと、を有することを特徴とするサスペンションである。
【００２１】
また、本発明は、前記サスペンションと、前記サスペンションに配置された記録再生用素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションである。
【００２２】
また、本発明は、前記素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブである。
【発明の効果】
【００２３】
本発明により、生産性が良く、配線の微細化が可能な、サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、およびハードディスクドライブを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明に係る実施形態１のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図２】本発明に係る実施形態１のサスペンション用基板の製造方法の一例を示すビア近傍の概略拡大断面図である。
【図３】本発明に係る実施形態２のサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明に係るサスペンション用基板の一例を示す概略図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＡ−Ａ断面図ある。
【図５】本発明に係るサスペンション用基板の記録再生用素子実装領域の概略拡大図であり、（ａ）は平面図、（ｂ）はＢ−Ｂ断面図、（ｃ）はＣ−Ｃ断面図である。
【図６】本発明に係るサスペンション用基板の金属支持基板を端子部として使用する例における端子部概略断面図である。
【図７】サスペンション用基板におけるインターリーブ構造の一例を示す図であり、（ａ）は配線層側から見た概略平面図、（ｂ）は（ａ）と同一部位を金属支持基板側から見た概略平面図、（ｃ）は（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。
【図８】本発明に係るサスペンション用基板の一例を示す概略断面図である。
【図９】本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１０】本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。
【図１１】本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
［サスペンション用基板の製造方法]
［実施形態１］
本発明のサスペンション用基板の製造方法の実施形態の一例について以下に説明する。
本発明のサスペンション用基板の製造方法は、絶縁層形成工程、触媒付与工程、無電解めっき工程、配線層形成めっき工程を有する。以下、各工程を説明する。
【００２６】
１．絶縁層形成工程
図１は、本実施形態におけるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。
絶縁層形成工程は、金属支持基板１上に、ビアを形成する部分が開口した絶縁層２を形成する工程である。金属支持基板１と、前記金属支持基板１上に形成された絶縁材料２Aと、を有するサスペンション用基板材料１０１Ａ（図１（ａ））を準備し、公知のフォトリソグラフィー（以下フォトリソという）技術と絶縁層に適した加工技術とにより、絶縁材料２Aの所定部分に絶縁層開口部２ａを形成する（図１（ｂ））。
また金属支持基板１のみからなる部材を用いて、公知の方法にて前記所定部分に開口を有する絶縁層２を形成しても良い。
【００２７】
２．触媒付与工程
図２に絶縁層開口部２ａ近傍の概略拡大断面図を示す。絶縁層形成工程後の状態である、図１（ｂ）に相当するものを図２（ａ）に示す。
触媒付与工程は、酸系の処理液による処理工程、触媒処理工程Ｉ、アルカリ系の処理液による処理工程、触媒処理工程ＩＩを含む。以下、順に説明する。
（１）酸系の処理液による処理工程
図１（ｂ）（図２（ａ））に示すサスペンション用基板材料を酸系の処理液に浸漬させる。すると処理液が、絶縁層から露出した通常ステンレス鋼からなる金属支持基板表面の不動態膜に作用し、該表面を活性な状態とする。これにより、後述する触媒処理工程Ｉにおいて、前記金属支持基板表面に白金族元素を析出させることが可能となる。この工程の前に必要に応じ、公知の方法により脱脂を行っても良い。前記酸系の処理液としては、金属支持基板表面を活性な状態とすることにより後述する触媒処理工程Ｉにおいて白金族元
素を析出可能とするものであれば限定はされないが、例えば塩酸系またはリン酸系の処理液が挙げられる。
【００２８】
（２）触媒処理工程Ｉ
酸系の処理液により処理されたサスペンション用基板材料を、白金族元素を含有した触媒液に浸漬させ、活性な状態とされた前記金属支持基板表面に置換により白金族元素２２を析出させる（図２（ｂ）、図１（ｃ））。白金族元素としては、パラジウム、イリジウム、白金などを用いることができるが、その中でも入手性や経済性の面でパラジウムを用いることが好ましい。白金族元素としてパラジウムを用いる場合には、触媒液として塩化パラジウム等のパラジウムイオン含有触媒液を使用することが好ましい。これにより、絶縁層開口部から露出した金属支持基板上に白金族元素が付与され、後述する無電解めっき工程において下地金属皮膜の形成が可能となる。
【００２９】
（３）アルカリ系の処理液による処理工程
絶縁層開口部から露出した金属支持基板上に白金族元素が付与されたサスペンション用基板材料を、アルカリ系の処理液に浸漬させる。これにより、絶縁層の表面が活性化され、後述する触媒処理工程ＩＩにおいて、前記絶縁層の表面に白金族元素を析出させることが可能となる。絶縁層がポリイミドである場合には、イミド環が開環して極性基が付与されることにより活性化したイミド基となる。また、この活性化したイミド基に各種有機物を作用させて触媒となる金属イオンの吸着性を変えても良い。前記アルカリ系の処理液としては、絶縁層の表面を活性化させることにより後述する触媒処理工程ＩＩにおいて絶縁層の表面に白金族元素を析出可能とするものであれば限定はされないが、例えば水酸化カリウム水溶液が挙げられる。
【００３０】
（４）触媒処理工程ＩＩ
アルカリ系の処理液により処理されたサスペンション用基板材料を白金族元素を含有した触媒液に浸漬させ、活性化された前記絶縁層の表面に白金族元素のイオンを吸着させる。白金族元素としては、パラジウム、イリジウム、白金などを用いることができるが、その中でも入手性や経済性の面でパラジウムを用いることが好ましい。白金族元素としてパラジウムを用いる場合には、触媒液として塩化パラジウム等のパラジウムイオン含有触媒液を使用することが好ましい。
次に、サスペンション用基板材料を塩化錫等の錫イオン含有の還元性薬液に浸漬させるなどの方法で還元処理を行うことにより、絶縁層の表面に吸着された白金族元素のイオンを還元して白金族元素（好ましくは金属パラジウム）を析出させる（図２（ｃ）、図１（ｄ））。これにより、絶縁層の表面に白金族元素が付与され、後述する無電解めっき工程において下地金属皮膜の形成が可能となる。
以上のように、触媒付与工程が、酸系の処理液による処理工程、触媒処理工程Ｉ、アルカリ系の処理液による処理工程および触媒処理工程ＩＩを含むことにより、絶縁層開口部から露出した金属支持基板上に白金族元素が付与され、また絶縁層の表面に白金族元素が付与されるので、後述する無電解めっき工程において、絶縁層開口部から露出した金属支持基板上と、絶縁層の表面とに対して同時に下地金属皮膜の形成が可能となる。
【００３１】
３．無電解めっき工程
絶縁層開口部から露出した金属支持基板上と、絶縁層の表面とに白金族元素が付与されたサスペンション用基板材料を還元剤含有無電解金属めっき液に浸漬させると、めっき液中の還元剤が触媒表面で酸化される際に放出される電子によってめっき金属イオンが還元されることによりめっき金属がめっき皮膜として析出する。本工程では、絶縁層開口部から露出した金属支持基板上と、絶縁層上（表面）とに白金族元素が付与されたサスペンション用基板材料を用いるため、絶縁層開口部から露出した前記金属支持基板上への無電解めっきと、前記絶縁層の表面への無電解めっきとが同時に行われる。これにより、絶縁層開口部から露出した前記金属支持基板上と、前記絶縁層上とに連続し、前記めっき金属を含む下地金属層２１（下地金属皮膜）が形成される（図２（ｄ）、図１（ｅ））。前記下地金属層と前記金属支持基板との界面、および前記下地金属層と前記絶縁層との界面には、触媒として作用した白金族元素（好ましくはパラジウム）が介在する。
めっき金属としてはコバルト、ニッケル、銅などを用いることができるが、めっき膜の安定性や経済性の面から、ニッケルを用いることが好ましい。すなわち、本工程がめっき金属としてニッケルを用いた無電解ニッケルめっき工程を含み、下地金属層にニッケルを有することが好ましい。めっき金属としてニッケルを用いる場合には、還元剤として次亜リン酸塩、ジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ）、ヒドラジンなどを有するめっき液を用いることができる。なお、絶縁層と無電解めっき被膜との密着性を向上させるために、サスペンション用基板材料を１２０〜１５０℃の窒素雰囲気中に５〜３０分程度放置するアニールを行ってもよい。
【００３２】
４．配線層形成めっき工程
下地金属層が形成されたサスペンション用基板材料に対してドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を積層し、公知のフォトリソ技術にて配線層およびビアを形成する部分の前記ＤＦＲを開口させる。次に、前記サスペンション用基板材料をめっき液に浸漬させ、電流を印加し電解めっきを行うことにより、めっき膜を形成する。めっき金属としては、例えば銅が挙げられる。
ここで前記サスペンション用基板材料においては、絶縁層開口部から露出した前記金属支持基板上の下地金属層と、前記絶縁層上の下地金属層とが連続して形成されているため、両者は互いに導通している。これにより、絶縁層開口部から露出した前記金属支持基板上の下地金属層と、前記絶縁層上の下地金属層とのうち、前記ＤＦＲが開口され露出した部分に対して同時にめっき膜が形成される。すなわち、絶縁層開口部から露出した前記金属支持基板上の下地金属層上に形成されためっき膜によりビアが形成され、それと同時に前記絶縁層上の下地金属層上に形成されためっき膜により配線層が形成され、両者は互いに接続している。めっき膜の形成後、公知の方法でＤＦＲを剥膜する（図２（ｅ）、図１（ｆ））。
なお、本工程の前にサスペンション用基板材料を硫酸系の処理液に浸漬させ、下地金属層表面を活性化させるようにしてもよい。下地金属層表面の酸化皮膜に作用し、電解めっきの反応性および密着性を高める効果がある。
【００３３】
本実施形態によれば、真空プロセスを使用することなく、絶縁層上とその開口部から露出した導電層である金属支持基板上とに、配線層およびビアを同時に一体のものとして形成することが可能であるため、ビアを別工程で形成する方法や真空プロセスを使用する従来のスパッタ法や真空蒸着法と比較して、生産性が高く、製造コストの低いサスペンション用基板の形成が可能である。また、本実施形態によれば、ビア外周のランドは不要なため、平面視におけるビアの大きさを小さくすることができ配線を微細化することが可能となる。また、ビア上でも配線層の突出がないため、配線層１３の上に形成された第２の絶縁層１４もビアの上部で突出することなく平坦に形成され、配線層を積層する設計や素子実装位置の自由度が向上する。よって、配線本数の増加に適応した高機能なサスペンション基板の形成が可能である。さらに、ビア８と配線層３とが連続した一体のものとして形成され両者間に界面を有しないことにより、ビア８を介した配線層３と金属支持基板１との電気的接続信頼性が高いサスペンション基板の形成が可能である。
【００３４】
５．他の工程
以上に述べた工程の他に、必要に応じて、下地金属層の除去、カバー層の形成、絶縁層の外形加工、金属支持基板の外形加工或いは配線保護めっきなどを行っても良い。
下地金属層の除去を行う場合には、塩化鉄系の処理液によるソフトエッチング、および過マンガン酸系処理液でウェットエッチングを行ってもよい。配線層形成後におけるＤＦＲの薄膜にて露出した不要な下地金属層を除去することができる（図１（ｇ））。
カバー層の形成を行う場合には、配線層およびビアが形成されたサスペンション用基板材料にカバー層形成材料を塗布し、フォトリソ法により配線層およびビアを覆うように形成してもよい。配線層やビアが外部の導電体と導通するのを防止したり腐食から保護することができる（図１（ｈ））。
金属支持基板の外形加工を行う場合には、塩化鉄系の処理液によるウェットエッチングを行ってもよい（図１（ｉ））。ＤＦＲを用いフォトリソ法により加工部位を限定してもよい。
【００３５】
絶縁層の外形加工を行う場合には、有機アルカリ系の処理液によるウェットエッチングを行ってもよい（図１（ｊ））。ＤＦＲを用いフォトリソ法により加工部位を限定してもよい。
配線保護めっきを行う場合には、スルファミン酸浴で電解ニッケルめっきを行い、シアン化金めっき液で金めっきを行っても良い（図１（ｋ））。前記カバー層から露出した配線層は、接続用端子部として使用するため、配線保護めっき７により腐食などから保護することができる。ＤＦＲを用いフォトリソ法により加工部位を限定してもよい。
最後に金属支持基板の外形加工として塩化鉄系の処理液によるウェットエッチングを行うことが好ましい（図１（ｌ））。ＤＦＲを用いフォトリソ法により加工部位を限定してもよい。最終形状のサスペンション用基板は通常、外力に対し非常に変形しやすいため、製造過程の最後で金属支持基板を所定の最終形状に加工することが好ましい。
【００３６】
［実施形態２］
本発明のサスペンション用基板の製造方法の実施形態の別の一例について以下に説明する。
本実施形態のサスペンション用基板の製造方法は、［実施形態１］における絶縁層形成工程、触媒付与工程、無電解めっき工程および配線層形成めっき工程に加えて、第２の絶縁層形成工程、第２の触媒付与工程、第２の無電解めっき工程および第２の配線層形成めっき工程を有する。このうち、絶縁層形成工程、触媒付与工程、無電解めっき工程および配線層形成めっき工程については［実施形態１］と同様に行えば良いため説明を省略し、それ以外の工程について説明を行う。
【００３７】
１．第２の絶縁層形成工程
図３は、本実施形態におけるサスペンション用基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。サスペンション用基板材料に対して絶縁層形成工程、触媒付与工程、無電解めっき工程、配線層形成めっき工程を実施し、配線層形成めっき工程完了後に下地金属層の不要部を除去したものを用意する（図３（ａ））。
本実施形態においては、第２の絶縁層形成工程として、絶縁層１２上と配線層１３上とに、第２のビアを形成する部分および所定部が開口した第２の絶縁層１４を形成する。絶縁層１２上と配線層１３上とに第２の絶縁材料を塗布し、公知のフォトリソ技術により第２の絶縁材料の所定部分に開口部を形成し第２の絶縁層１４とする（図３（ｂ））。
【００３８】
２．第２の触媒付与工程
第２の触媒付与工程は、第２の酸系の処理液による処理工程、第２の触媒処理工程Ｉ、第２のアルカリ系の処理液による処理工程、第２の触媒処理工程ＩＩを含む。第２の酸系の処理液による処理工程、第２の触媒処理工程Ｉ、第２のアルカリ系の処理液による処理工程および第２の触媒処理工程ＩＩは、それぞれ［実施形態１］における酸系の処理液による処理工程、触媒処理工程Ｉ、アルカリ系の処理液による処理工程および触媒処理工程ＩＩに準じて行えばよい。図１（ｂ）~（ｄ）は図３（ｂ）~（ｄ）に相当し、第２の白金族元素３６が図３（ｃ）および（ｄ）に示される。第２の白金族元素としては、パラジウム、イリジウム、白金などを用いることができるが、その中でも入手性や経済性の面でパラジウムを用いることが好ましい。以上のとおり、第２の触媒付与工程は、第２の酸系の処理液による処理工程、第２のアルカリ系の処理液による処理工程、および第２の触媒処理工程を含む。これにより、第２の絶縁層の表面、および第２の絶縁層開口部から露出した配線層表面に、第２の白金族元素が付与されるので、後述する第２の無電解めっき工程において、第２の絶縁層上と、前記第２の絶縁層開口部から露出した配線層上とに対して、同時に第２の下地金属皮膜の形成が可能となる。
【００３９】
３．第２の無電解めっき工程
第２の絶縁層の表面、および第２の絶縁層開口部から露出した配線層表面に、第２の白金族元素が付与されたサスペンション用基板材料を還元剤含有無電解金属めっき液に浸漬させる。第２の白金族元素の触媒作用により、第２の絶縁層の表面への無電解めっきと、第２の絶縁層開口部から露出した配線層表面への無電解めっきとが同時に行われる。これにより第２の絶縁層上と、第２の絶縁層開口部から露出した配線層上とに連続して第２の下地金属層３５（第２の下地金属皮膜）が形成される（図３（ｅ））。［実施形態１］に示した通り、下地金属層と金属支持基板との界面、および下地金属層と絶縁層との界面には白金族元素（好ましくはパラジウム）が介在するとともに、第２の下地金属層と配線層との界面、および第２の下地金属層と第２の絶縁層との界面には、第２の白金族元素（好ましくはパラジウム）が介在する。
めっき金属としてはニッケルを用いることが好ましい。すなわち、第２の無電解めっき工程がめっき金属としてニッケルを用いた第２の無電解ニッケルめっき工程を含み、第２の下地金属層にニッケルを有することが好ましい。
【００４０】
４．第２の配線層形成めっき工程
第２の下地金属層が形成されたサスペンション用基板材料に対してドライフィルムレジスト（ＤＦＲ）を積層し、公知のフォトリソ技術にて第２の配線層および第２のビアを形成する部分の前記ＤＦＲを開口させる。次に、前記サスペンション用基板材料をめっき液に浸漬させ、電流を印加し電解めっきを行うことにより、第２のめっき膜を形成する。めっき金属としては、例えば銅が挙げられる。
第２の絶縁層開口部から露出した配線層上の第２の下地金属層と、第２の絶縁層上の第２の下地金属層とが連続して形成されているため、両者は互いに導通している。これにより、第２の絶縁層開口部から露出した配線層上の第２の下地金属層上に形成された第２のめっき膜により第２のビアが形成され、それと同時に第２の絶縁層上の第２の下地金属層上に形成された第２のめっき膜により第２の配線層１５が形成され、両者は互いに接続している。第２のめっき膜の形成後、公知の方法でＤＦＲを剥膜する（図３（ｆ））。
【００４１】
本実施形態によれば、ビアおよび第２のビア形成の専用工程が不要なため、生産性が高く、製造コストの低いサスペンション用基板の形成が可能である。また、ビアおよび第２のビア外周のランドは不要なため、平面視におけるビアおよび第２のビアの大きさを小さくすることができ配線を微細化することが可能となる。また、ビア上の配線層および第２のビア上の第２の配線層とも突出しないため、配線層１３の上に形成された第２の絶縁層１４はビアの上部で突出することなく平坦に形成され、第２の配線層１５の上に形成されたカバー層１６も第２のビアの上部で突出することなく平坦に形成され、第２の配線層を積層する設計や素子実装位置の自由度が向上する。よって、配線本数の増加に適応した高機能なサスペンション基板の形成が可能である。さらに、ビア８と配線層１３を同時に界面なく形成可能であり、第２のビア１８と第２の配線層１５を同時に界面なく形成可能であることにより、ビア８を介した配線層１３と金属支持基板１１、および第２のビア１８を介した第２の配線層１５と配線層１３との電気的接続信頼性が高いサスペンション基板の形成が可能である。
【００４２】
５．他の工程
以上に述べた工程の他に、［実施形態１］と同様必要に応じて、第２の下地金属層の除去、カバー層の形成、絶縁層の外形加工、金属支持基板の外形加工或いは配線保護めっきなどを行っても良い（図３（ｇ）〜図３（ｌ））。
［実施形態１］および［実施形態２］において、サスペンション用基板が多数面付けされたシート形状にて前記各工程を進行することで作製されてもよい。各々のサスペンション用基板は、サスペンションに加工する際にシートから分離される。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【００４３】
［サスペンション用基板］
本発明におけるサスペンション用基板の一つの実施形態について詳細を述べる。
本実施形態におけるサスペンション用基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、を有するサスペンション用基板であって、前記金属支持基板上に開口部を有する前記絶縁層が形成され、前記絶縁層上と、前記開口部から露出した金属支持基板上とに連続した下地金属層が形成され、前記下地金属層上に、配線層とビアを有し、前記下地金属層と前記金属支持基板との界面、および前記下地金属層と前記絶縁層との界面に、白金族元素が介在するサスペンション用基板である。
【００４４】
図４は、本発明のサスペンション用基板の一例を示す模式図である。図４（ａ）はサスペンション用基板の概略平面図であり、図４（ｂ）は図４（ａ）のＡ−Ａ断面図である。なお、図４（ａ）では、便宜上、カバー層および絶縁層の図示は省略している。図４（ａ）に示されるサスペンション用基板１０１は、一方の先端部分に記録再生用素子実装領域１０２と、他方の先端部分に外部回路基板接続領域１０３と、記録再生用素子実装領域１０２と外部回路基板接続領域１０３とを電気的に接続する配線層１０４ａ〜１０４ｄとを有する。４本の配線層のうち、配線層１０４ａと配線層１０４ｂは１対の配線層であり、同様に、配線層１０４ｃと配線層１０４ｄも１対の配線層である。これらの１対の配線層はそれぞれ、一方が書き込み用（記録用）、他方が読み取り用（再生用）である。図示しないが配線層は前記４本に限らず、それより多くても良い。サスペンション用基板１０１の層構造は、図４（ｂ）に示すように、金属支持基板１と、金属支持基板１上に形成された絶縁層２と、絶縁層２上に形成された配線層３と、配線層３上および絶縁層２上に形成されたカバー層６とを有する。
【００４５】
図５（ａ）は、図４（ａ）における記録再生用素子実装領域を拡大した拡大図である。簡単のためカバー層および一部配線を省略している。図５（ａ）において、４本の配線層１０４ａ〜１０４ｄは、記録再生用素子実装領域１０２まで、あるいはその周辺まで伸び、記録再生用素子（図示せず）と電気的に接続される。また、配線層１０４ａ〜１０４ｄと同一の平面において、ビアに接続する配線層１０４ｅが設けられている。図５（ｂ）に図５（ａ）のＢ−Ｂ断面を示す。前記ビア周辺の層構成は、図５（ｂ）に示すように、金属支持基板１上に開口部を有する前記絶縁層２が形成され、前記絶縁層２上と、前記開口部から露出した金属支持基板１上とに連続した下地金属層２１が形成され、前記下地金属層２１上に、配線層３（１０４ｅ）とビア８を有するようになっている。また、前記下地金属層と前記金属支持基板との界面、および前記下地金属層と前記絶縁層との界面には、白金族元素２２が介在している。配線層３とビア８は一体に形成されている。
以下、本実施形態における各構成部材について説明する。
【００４６】
１．金属支持基板
本実施形態における金属支持基板の材料としては、サスペンション用基板の支持基板として機能し、所望のばね性、導電性および耐食性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばステンレス鋼を挙げることができる。
金属支持基板の厚さは、ステンレス鋼の場合、例えば１０μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００４７】
２．絶縁層
本実施形態における絶縁層は、金属支持基板上に形成され、絶縁層上に形成される配線層と金属支持基板とを電気的に絶縁するものである。
絶縁層の材料としては、所望の絶縁性および加工性を有するものであれば特に限定されるものではないが、例えばポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、ポリベンゾイミダゾール樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、アクリル樹脂を挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。絶縁性、耐熱性および耐薬品性に優れているからである。また、絶縁層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１５μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４８】
３．配線層
本実施形態における配線層は、絶縁層上およびビア上に連続的に形成されている。
配線層の材料としては、例えば、金属を挙げることができ、具体的には、銅、ニッケル、金、銀、および、これらの金属の合金等を挙げることができ、中でも銅が好ましい。導電性が高く、安価だからである。
配線層の厚さは、例えば、１μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、５μｍ〜１２μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００４９】
４．ビア
本実施形態におけるビア８は、絶縁層の開口部（ビア開口）に、配線層３と連続するように、一体に形成されている。ビア８の上部は図５（ｂ）のように配線層３で覆われていても良く、また一部が覆われていなくても良い。ビア８上の配線層３は、サスペンション用基板の厚さ方向において上側には突出しないため、配線層３の上に形成されたカバー層６もビア８の上部で突出することはない。
ビア８の材料は、配線層３と同一であることが好ましい。ビア８と配線層３とを連続した一体のものとして一括して形成することができるためである。
ビア８の形状は、金属支持基板１と配線層３を導通させられるものであれば特に限定されないが、例えば円柱状、多角柱状が挙げられる。
【００５０】
図５（ｂ）に示すように、ビア開口の直径（絶縁層の開口サイズ）をｄとする。ｄは、特に限定されるものではないが、例えば５μｍ〜１５０μｍの範囲内であることが好ましく、１５μｍ〜８０μｍの範囲内であることがより好ましい。上記範囲内であれば、金属支持基板との密着性が十分に確保され、かつビア径を小さくすることができるからである。
【００５１】
また、本実施形態における、ビア８の用途は、金属支持基板１と配線層３を電気的に接続するものであれば特に限定されるものではない。図５（ａ）のＣ−Ｃ断面を図５（ｃ）に示す。グランド用配線層の端子部３ａは、保護めっき部７で被覆されており、ビアを介してグランドである金属支持基板１と接続されることで、記録再生用素子のグランド端子として機能している。また他のグランド用途として、配線層３ｂに示すとおり、配線層を金属支持基板に導通させグランドをとることにより、配線層間のノイズを抑制するノイズシールド用配線層とすることができる。
【００５２】
また、図６に一例の断面を示すとおり本実施形態におけるビアは、配線層と、端子部として使用される金属支持基板とを接続するために用いられても良い。ステンレス鋼からなる金属支持基板を端子部として使用すれば、通常銅からなる配線層の端子部に比べて機械的強度が高く、変形を抑制できるという利点がある。図６において、配線層３はビア８により金属支持基板からなる端子部１ａと電気的に接続されている。この端子部１ａは通常、保護めっき７として金めっきが施され、例えば、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子等の素子との接続に用いることができる。
【００５３】
また、本実施形態におけるビアは、インターリーブ構造の配線層と、ジャンパーとして機能する金属支持基板とを接続するために用いられても良い。インターリーブ構造の配線層を採用することで、低インピーダンス化を図ることができる。ここで、インターリーブ構造の配線層について図７を用いて説明する。図７（ａ）はインターリーブ構造の配線層の一例を示す概略平面図であり、図７（ｂ）は図７（ａ）と同一部位を金属支持基板側から見た概略平面図であり、図７（ｃ）は図７（ａ）のＤ−Ｄ断面図である。図７（ａ）〜（ｃ）に示すように、ライト用配線層Ｗ１は分岐配線層Ｗ１ｂを有し、Ｗ１およびＷ１ｂはそれぞれ絶縁層２を貫通するビア（Ｖ１およびＶ１ｂ）を有する。その２つのビアは、金属支持基板１の一部であるジャンパー部１ｊ１により電気的に接続されている。同様に、ライト用配線層Ｗ２も分岐配線層Ｗ２ｂを有し、Ｗ２およびＷ２ｂはそれぞれ絶縁層２を貫通するビア（Ｖ２およびＶ２ｂ）を有し、その２つのビアは、金属支持基板１の一部であるジャンパー部１ｊ２により電気的に接続されている。なお、図７（ａ）に示すように、ライト用配線層Ｗ１に属する配線層（Ｗ１、Ｗ１ｂ）と、ライト用配線層Ｗ２に属する配線層（Ｗ２、Ｗ２ｂ）とは、交互に配置されている。
【００５４】
５．下地金属層
図５（ｂ）に示すように、本実施形態における下地金属層２１は、絶縁層２上と、前記絶縁層２の開口部から露出した金属支持基板１上とに連続して形成されている。これにより、導電体である金属支持基板１上に形成されるビア８と、絶縁体である絶縁層２上に形成される配線層３とを一括して電解めっきで形成することを可能としている。すなわち、ビア８と配線層３とが連続するように、一体に形成されることを可能としている。
下地金属層２１の材料としては、コバルト、ニッケル、銅などを用いることができるが、めっき膜の安定性や経済性の面から、ニッケルを用いることが好ましい。
絶縁層２上と、前記絶縁層２の開口部から露出した金属支持基板１上とに連続した下地金属層を有することにより、ビア８と配線層３とが連続した一体のものとして形成され両者間に界面を有しないため、ビア８を介した配線層３と金属支持基板１との電気的接続信頼性が向上する効果を奏する。
【００５５】
６．白金族元素
本実施形態においては、下地金属層２１と金属支持基板１との界面、および下地金属層２１と絶縁層２との界面に、白金族元素２２が介在する。白金族元素２２の触媒作用により、導電体である金属支持基板１上と、絶縁体である絶縁層２上とに一括して無電解めっきを行うことで、下地金属層２１を形成することを可能としている。すなわち、絶縁層２上と、前記絶縁層２の開口部から露出した金属支持基板１上とに連続するような下地金属層２１を形成可能としている。白金族元素としては、パラジウム、イリジウム、白金などを用いることができるが、その中でも入手性や経済性の面でパラジウムを用いることが好ましい。
【００５６】
７．カバー層
本実施形態においては、図５（ｂ）のように、配線層３を覆って絶縁層２にかけてカバー層６が形成されていても良い。配線層３を保護して劣化（腐食等）を防止し、また外部の導電体との導通が防止される。
カバー層の材料としては、例えば、前記絶縁層の材料として記載したものを挙げることができ、中でもポリイミド樹脂が好ましい。また、カバー層の材料は、感光性材料であっても良く、非感光性材料であっても良い。カバー層の厚さは、例えば３μｍ〜３０μｍの範囲内であることが好ましく、３μｍ〜８μｍの範囲内であることがより好ましい。
【００５７】
本実施形態においては、ビアと配線層とが連続するように、一体に形成されているため、従来の形態と比較して、平面視におけるビアの大きさを小さくすることができる。このことは次に由来する。従来の形態においては配線層の形成後にビアを形成するため、ビアの形成時において、ビアが形成されるべき開口（以下開口と言う）の深さは絶縁層の厚さと配線層の厚さの合計となる。これに対して本実施形態では、ビアの形成時において、開口の深さは絶縁層の厚さから下地金属層の厚さを差し引いた厚さである。すなわち、本実施形態の方が、従来の形態よりも開口の深さが小さい（浅い）。ビアを形成するための電解めっきを生産性良く行うためには、ビアの高さと、平面視における大きさとのアスペクト比を考慮する必要がある。従来の形態のように開口の深さが大きければ、形成可能な最も小さいビアの平面視での大きさはより大きくなり、本実施形態のように開口の深さが小さければ、形成可能な最も小さいビアの平面視での大きさはより小さくすることができる。
【００５８】
このようにビアの大きさを小さくすることができるため、配線を微細化することが可能となる。また、ビア上でも配線層の突出がないため、配線層１３の上に形成された第２の絶縁層１４もビアの上部で突出することなく平坦に形成され、配線層を積層する設計や素子実装位置の自由度が向上する。よって、配線本数の増加に適応した高機能なサスペンション基板とすることができる。
また本実施形態においては、ビアと配線層とを同時に形成可能としているため、ビアを形成するための専用工程が不要となり、生産性が高く、製造コストの低いサスペンション用基板の形成が可能である。さらに、ビア８と配線層３とが連続した一体のものとして形成され両者間に界面を有しないことにより、ビア８を介した配線層３と金属支持基板１との電気的接続信頼性が高いサスペンション基板とすることができる。
【００５９】
次に、本発明におけるサスペンション用基板の別の実施形態について詳細を述べる。
本実施形態におけるサスペンション用基板は、金属支持基板と、前記金属支持基板上に形成された絶縁層と、前記絶縁層上に形成された配線層と、前記配線層上に形成された第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層上に形成された第２の配線層と、を有するサスペンション用基板であって、前記金属支持基板上に開口部を有する前記絶縁層が形成され、前記絶縁層上と、前記開口部から露出した金属支持基板上とに連続した下地金属層が形成され、前記下地金属層上に、配線層とビアを有し、前記絶縁層上と前記配線層上とに第２の開口部を有する前記第２の絶縁層が形成され、前記第２の絶縁層上と、前記第２の開口部から露出した配線層上とに連続した第２の下地金属層が形成され、前記第２の下地金属層上に、第２の配線層と第２のビアを有し、前記下地金属層と前記金属支持基板との界面、および前記下地金属層と前記絶縁層との界面に白金族元素が介在し、前記第２の下地金属層と前記配線層との界面、および前記第２の下地金属層と前記第２の絶縁層との界面に、第２の白金族元素が介在するサスペンション用基板である。
【００６０】
本実施形態は２層の配線層を有するサスペンション用基板であり、その断面図を図８に示す。図８に示すサスペンション用基板は、金属支持基板１１、絶縁層１２、配線層１３、第２の絶縁層１４、第２の配線層１５およびカバー層１６が、この順に積層されたものである。
以下、本実施形態における各構成部材について説明するが、図５に示す実施形態と同様の構成については説明の重複を避けるために省略する。
【００６１】
８．第２の絶縁層
本実施形態における第２の絶縁層１４は、絶縁層１２上および配線層１３上に形成され、第２の絶縁層１４上に形成される第２の配線層１５と配線層１３とを電気的に絶縁するものである。
本実施形態においては、ビア上の配線層１３が、サスペンション用基板の厚さ方向において上側には突出しないため、配線層１３の上に形成された第２の絶縁層１４もビアの上部で突出することはない。したがって第２の絶縁層１４は平坦に形成され、第２の配線層１５を精度良く配置することができる。よってビアの配置によりその上に形成される配線層の形成精度が悪化することを考慮することなく設計することができるので、設計の自由度が高く、配線本数の増加に適応した、高機能なサスペンション用基板とすることができる。
第２の絶縁層１４の材料および厚さは、絶縁層１２と同様にすればよい。
【００６２】
９．第２の配線層
本実施形態における第２の配線層１５は、第２の絶縁層１４上と、前記第２の絶縁層１４の開口部から露出した配線層１３上とに、連続して形成された第２の下地金属層３５上に電解めっきにより形成される。このため第２の絶縁層１４の開口部から露出した配線層１３上に形成される第２のビア１８と、第２の絶縁層１４上の第２の配線層１５とは一体のものとして連続的に形成され界面は存在しないため、電気的接続信頼性が高い第２のビアとすることができる。
第２の配線層１５の材料および厚さは、配線層１３と同様にすればよい。
【００６３】
１０．第２のビア
本実施形態における第２のビア１８は、第２の絶縁層１４の開口部（第２のビア開口）に、第２の配線層１５と連続するように、一体に形成されている。第２のビア１８の上部は図８の１５ｂのように第２の配線層１５で覆われていても良く、また一部が覆われていなくても良い。第２のビア１８上の第２の配線層１５は、サスペンション用基板の厚さ方向において上側には突出しないため、第２の配線層１５の上に形成されたカバー層１６も第２のビア１８上部で突出することはない。第２のビアの材料、形状およびビア径を小さくすることができる点については、ビアの記載と同様である。
本実施形態においても、例えば第２の配線層１５ａおよび配線層１３ａをグランド用の端子部に、第２の配線層１５ｂおよび配線層１３ｂをノイズシールド用の配線層とすることができる。
【００６４】
１１．第２の下地金属層
本実施形態における第２の下地金属層３５は、第２の絶縁層１４上と、前記第２の絶縁層１４の開口部から露出した配線層１３上とに、連続して形成されている。これにより、導電体である配線層１３上に形成される第２のビア１８と、絶縁体である第２の絶縁層１４上に形成される第２の配線層１５とを一括して電解めっきで形成することを可能としている。すなわち、第２のビアと第２の配線層１５とが連続するように、一体に形成されることを可能としている。
【００６５】
第２の下地金属層３５の材料としては、コバルト、ニッケル、銅などを用いることができるが、めっき膜の安定性や経済性の面から、ニッケルを用いることが好ましい。
第２の絶縁層１４上と、前記第２の絶縁層１４の開口部から露出した配線層１３上とに連続した第２の下地金属層を有することにより、第２のビア１８と第２の配線層１５とが連続した一体のものとして形成され両者間に界面を有しないことより、第２のビア１８を介した第２の配線層１５と配線層１３との電気的接続信頼性が向上する効果を奏する。
【００６６】
１２．第２の白金族元素
本実施形態においては、第２の下地金属層３５と配線層１３との界面、および第２の下地金属層３５と第２の絶縁層１４との界面に、第２の白金族元素３６が介在する。第２の白金族元素３６の触媒作用により、導電体である配線層１３上と、絶縁体である第２の絶縁層１４上とに一括して無電解めっきを行うことで、第２の下地金属層３５を形成することを可能としている。すなわち、第２の絶縁層１４上と、前記第２の絶縁層１４の開口部から露出した配線層１３上とに連続するような第２の下地金属層３５を形成可能としている。第２の白金族元素としては、パラジウム、イリジウム、白金などを用いることができるが、その中でも入手性や経済性の面でパラジウムを用いることが好ましい。白金族元素と第２の白金族元素は同一の元素であっても異なる元素であっても良い。
【００６７】
本実施形態においては、第２の配線層１５を覆って第２の絶縁層１４にかけてカバー層１６が形成されていても良い。第２の配線層１５を保護して劣化（腐食等）を防止し、また外部の導電体との導通が防止される。
【００６８】
［サスペンション］
次に、本発明のサスペンションについて説明する。図９は、本発明のサスペンションの一例を示す概略平面図である。図９に示されるサスペンション２０１は、本発明のサスペンション用基板１０１と、サスペンション用基板１０１の金属支持基板側の表面に設けられたロードビーム２０２とを有することを特徴とするものである。本発明におけるサスペンション用基板については、［サスペンション用基板］に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。一方ロードビームは、サスペンション用基板の金属支持基板側の表面に設けられるものであり、その材料は、特に限定されるものではないが、通常はステンレス鋼が用いられる。
【００６９】
本発明のサスペンション用基板を用いることで、配線層を積層する際の設計や素子実装の自由度が高く、配線本数の増加に適応した高機能なサスペンションを、高い生産性かつ低い製造コストで提供することができる。
【００７０】
［素子付サスペンション］
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。図１０は、本発明の素子付サスペンションの一例を示す概略平面図である。図１０に示される素子付サスペンション３０１は、本発明のサスペンション２０１と、サスペンション２０１（サスペンション用基板１０１の記録再生用素子実装領域１０２）に実装された記録再生用素子３０２とを有することを特徴とするものである。本発明におけるサスペンションについては、前記［サスペンション］に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、記録再生用素子は、特に限定されるものではないが、磁気発生素子を有するものが好ましい。具体的には、磁気ヘッドスライダを挙げることができる。さらに、本発明の素子付サスペンションは、熱アシスト用素子およびアクチュエータ素子の少なくとも一方をさらに有することが好ましい。
【００７１】
本発明のサスペンションを用いることで、配線層を積層する際の設計や素子実装の自由度が高く、配線本数の増加に適応した高機能な素子付サスペンションを、高い生産性かつ低い製造コストで提供することができる。
【００７２】
［ハードディスクドライブ］
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。図１１は、本発明のハードディスクドライブの一例を示す概略平面図である。図１１に示されるハードディスクドライブ４０１は、本発明の素子付サスペンション３０１を有することを特徴とするもので、加えて、素子付サスペンション３０１がデータの書き込みおよび読み込みを行うディスク４０２と、ディスク４０２を回転させるスピンドルモータ４０３と、素子付サスペンション３０１の素子を移動させるアーム４０４およびボイスコイルモータ４０５と、上記の部材を密閉するケース４０６とを有するものである。本発明における素子付サスペンションについては、前記［素子付サスペンション］に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
【００７３】
本発明の素子付サスペンションを用いることで、配線層を積層する際の設計や素子実装の自由度が高く、配線本数の増加に適応した高機能なハードディスクドライブを、高い生産性かつ低い製造コストで提供することができる。
【実施例】
【００７４】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
［実施例１］
［実施形態１］の構造のサスペンション用基板の例を示す。
厚さ１８μｍのステンレス鋼（ＳＵＳ３０４）である金属支持基板に、絶縁層として１０μｍの非感光性ポリイミドが形成された二層材を準備した（図１（ａ））。次に、この二層材の絶縁層上に、ＤＦＲをラミネート、パターン露光、現像を行いＤＦＲに所定のパターンを形成した。次に、ＤＦＲ開口から露出する絶縁層を、有機アルカリエッチング液（ポリイミド専用エッチング液）を用いてエッチングし、ついでＤＦＲを剥膜することで、開口部を有する絶縁層を得た（図１（ｂ））。
【００７５】
続いて、金属支持基板の絶縁層とは反対側の面を保護フィルムでラミネートした。５０℃のアルカリ系脱脂液に２分浸漬する脱脂処理を行い、水で洗浄した。次に４０℃の塩酸系の薬液に２分間浸漬する処理を行い、水で洗浄した。次に５０℃のイオン性パラジウム触媒溶液に２分間浸漬し、金属支持基板上にパラジウムを析出させ、水で洗浄した（図１（ｃ））。
５０℃の水酸化カリウム含有処理液に２分間浸漬する処理を行い、絶縁層表面を活性化させ、水で洗浄した。次に５０℃のイオン性パラジウム触媒溶液に２分間浸漬して絶縁層表面にパラジウムイオンを吸着させ、水で洗浄した。その後、４０℃の還元溶液に２分間浸漬し、絶縁層表面のパラジウムイオンを金属パラジウムに還元し、水で洗浄した（図１（ｄ））。これにより、絶縁層表面と、絶縁層の開口部から露出した金属支持基板表面とに金属パラジウムが付与された。
【００７６】
４０℃の無電解ニッケルめっき浴に５分間浸漬し、絶縁層表面と、絶縁層の開口部から露出した金属支持基板表面とに連続して約０.３μｍのニッケルめっき皮膜を析出させ、水洗後、１２０℃で３０分間乾燥することでポリイミドからなる絶縁層とニッケル皮膜との密着性を向上させた。その後、４０℃の硫酸水溶液に２分間浸して、ニッケルめっき表面を活性化し、水で洗浄した。次に銅置換液で、室温下にて２分間処理し、ニッケル皮膜を銅で置換することで銅置換皮膜を形成させ、水で洗浄した。次に、硫酸銅めっき浴により、室温で２分間、２Ａ／ｄｍ2の電流密度で電解めっきを行い、約０．８μｍの銅めっき皮膜を析出させ下地金属層を形成し、水で洗浄した（図１（ｅ））。これにより、絶縁層表面と、絶縁層の開口部から露出した金属支持基板表面とに連続した下地金属層が形成された。
【００７７】
ＤＦＲをラミネートし、露光、現像を行い、配線層とビアを形成したい部分のみ開口させた。次に、４０℃の硫酸含有めっき前処理液に２分間浸して、下地金属層としての銅表面を活性化し、水で洗浄した。次に、硫酸銅めっき浴により、室温で８分間５Ａ／ｄｍ2の電流密度で電解めっきを行い、約９μｍの銅めっき皮膜を析出させ配線層とビアを形成し、水で洗浄した。次に剥膜液を使用してＤＦＲを剥膜し、水で洗浄した（図１（ｆ））。
次に３０℃の塩化鉄系の下地金属エッチング液に３分間浸漬し、不要部分の下地金属層を溶解させ、水で洗浄した。次に４０℃の過マンガン酸系処理液に３分間浸漬し、残存する金属パラジウムをポリイミド表層とともに剥離した。金属支持基板の絶縁層と反対面にラミネートしていた保護フィルムを剥がし、水で洗浄した（図１（ｇ））。以上で、絶縁層表面と、絶縁層の開口部から露出した金属支持基板表面とに連続した配線層とビアが形成された。
【００７８】
その後、非感光性ポリイミドの液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、ＤＦＲ製版し、現像と同時にエッチングし、ＤＦＲ剥膜し、次いで硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した（図１（ｈ））。
サスペンション用基板材料表裏面をＤＦＲで所定パターンに製版し、塩化鉄系エッチング液を用いて金属支持基板をエッチングし、ＤＦＲを剥膜することで、金属支持基板を外形加工した（図１（ｉ））。
サスペンション用基板材料表裏面をＤＦＲで所定パターンに製版し、有機アルカリエッチング液にてポリイミドをエッチングおよびＤＦＲを剥膜することで、ポリイミドからなる絶縁層を外形加工した（図１（ｊ））。
その後、サスペンション用基板材料表裏面をＤＦＲで所定パターンに製版し、接続用端子部にＮｉめっきおよびＡｕめっきを行い、ＤＦＲを剥膜することで、配線保護めっきを形成した（図１（ｋ））。
最後に、サスペンション用基板材料表裏面をＤＦＲで所定パターンに製版し、塩化鉄系エッチング液を用いて、金属支持基板をエッチングし、ＤＦＲを剥膜することで、金属支持基板を外形加工した。これにより、図１（ｌ）の構造のサスペンション用基板を得た。
【００７９】
［実施例２］
［実施形態２］の構造のサスペンション用基板の例を示す。
配線層形成までの工程を［実施例１］と同様に行った（図３（ａ））。
その後、非感光性ポリイミドの液状材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、ＤＦＲ製版し、現像と同時にエッチングし、ＤＦＲ剥膜し、次いで硬化させることにより、開口部を持つ第２の絶縁層１４を形成した（図３（ｂ））。
【００８０】
続いて、金属支持基板の絶縁層とは反対側の面を保護フィルムでラミネートした。５０℃のアルカリ系脱脂液に２分浸漬する脱脂処理を行い、水で洗浄した。次に４０℃の塩酸系の薬液に２分間浸漬する処理を行い、水で洗浄した。次に５０℃のイオン性パラジウム触媒溶液に２分間浸漬し、配線層上にパラジウムを析出させ、水で洗浄した（図３（ｃ））。
５０℃の水酸化カリウム含有処理液に２分間浸漬する処理を行い、第２の絶縁層表面を活性化させ、水で洗浄した。次に５０℃のイオン性パラジウム触媒溶液に２分間浸漬して第２の絶縁層表面にパラジウムイオンを吸着させ、水で洗浄した。その後、４０℃の還元溶液に２分間浸漬し、第２の絶縁層表面のパラジウムイオンを金属パラジウムに還元し、水で洗浄した（図３（ｄ））。これにより、第２の絶縁層表面と、第２の絶縁層の開口部から露出した配線層表面とに金属パラジウムが付与された。
【００８１】
４０℃の無電解ニッケルめっき浴に５分間浸漬し、第２の絶縁層表面と、第２の絶縁層の開口部から露出した配線層表面とに連続して約０.３μｍのニッケルめっき皮膜を析出させ、水洗後、１２０℃で３０分間乾燥することでポリイミドからなる第２の絶縁層とニッケル皮膜との密着性を向上させた。その後、４０℃の硫酸水溶液に２分間浸して、ニッケルめっき表面を活性化し、水で洗浄した。次に銅置換液で、室温下にて２分間処理し、ニッケル皮膜を銅で置換することで銅置換皮膜を形成させ、水で洗浄した。次に、硫酸銅めっき浴により、室温で２分間、２Ａ／ｄｍ2の電流密度で電解めっきを行い、約０．８μｍの銅めっき皮膜を析出させ第２の下地金属層を形成し、水で洗浄した（図３（ｅ））。これにより、第２の絶縁層表面と、第２の絶縁層の開口部から露出した配線層表面とに連続した第２の下地金属層が形成された。
【００８２】
ＤＦＲをラミネートし、露光、現像を行い、第２の配線層と第２のビアを形成したい部分のみ開口させた。次に、４０℃の硫酸含有めっき前処理液に２分間浸して、第２の下地金属層としての銅表面を活性化し、水で洗浄した。次に、硫酸銅めっき浴により、室温で８分間、５Ａ／ｄｍ2の電流密度で電解めっきを行い、約９μｍの銅めっき皮膜を析出させ第２の配線層と第２のビアを形成し、水で洗浄した。次に剥膜液を使用してＤＦＲを剥膜し、水で洗浄した（図３（ｆ））。
次に３０℃の塩化鉄系の下地金属エッチング液に３分間浸漬し、不要部分の第２の下地金属層を溶解させ、水で洗浄した。次に４０℃の過マンガン酸系処理液に３分間浸漬し、残存する金属パラジウムをポリイミド表層とともに剥離した。金属支持基板の絶縁層と反対面にラミネートしていた保護フィルムを剥がし、水で洗浄した（図３（ｇ））。以上で、第２の絶縁層表面と、第２の絶縁層の開口部から露出した配線層表面とに連続した第２の配線層と第２のビアが形成された。
【００８３】
その後、非感光性ポリイミドの液状カバー層形成材料をダイコーターでコーティングし、乾燥後、ＤＦＲ製版し、現像と同時にエッチングし、ＤＦＲ剥膜し、次いで硬化させることにより、パターン状のカバー層を形成した（図３（ｈ））。
サスペンション用基板材料表裏面をＤＦＲで所定パターンに製版し、塩化鉄系エッチング液を用いて金属支持基板をエッチングし、ＤＦＲを剥膜することで、金属支持基板を外形加工した（図３（ｉ））。
サスペンション用基板材料表裏面をＤＦＲで所定パターンに製版し、有機アルカリエッチング液にてポリイミドをエッチングおよびＤＦＲを剥膜することで、ポリイミドからなる絶縁層を外形加工した（図３（ｊ））。
【００８４】
その後、サスペンション用基板材料表裏面をＤＦＲで所定パターンに製版し、接続用端子部にＮｉめっきおよびＡｕめっきを行い、ＤＦＲを剥膜することで、配線保護めっきを形成した（図３（ｋ））。
最後に、サスペンション用基板材料表裏面をＤＦＲで所定パターンに製版し、塩化鉄系エッチング液を用いて、金属支持基板をエッチングし、ＤＦＲを剥膜することで、金属支持基板を外形加工した。これにより、図３（ｌ）の構造のサスペンション用基板を得た。
【００８５】
［実施形態１］は配線層が１層であり、［実施形態２］は配線層が２層であるのに対し、ここでは示さないが、配線層が３層以上のサスペンション用基板についても本発明は適用でき、本発明の技術的範囲に包含される。すなわち最上の配線層の上に対し、［実施例２］において、配線層の上に第２の絶縁層を形成し、さらに第２の絶縁層の上に第２の配線層および第２のビアを形成した（図３（ｂ）〜（ｇ））のと同様の工程を行うことで、さらに別の絶縁層、別の配線層および別のビアを形成することができる。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではない。上記の実施例は例示に過ぎず、上記実施例と異なっていても、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００８６】
１、１１    金属支持基板
１ａ    端子部
１ｊ１、１ｊ２    ジャンパー部
２、１２    絶縁層
３、３ｂ、１３、１３ｂ    配線層
３ａ、１３ａ    配線層（端子部）
６、１６    カバー層
７、１７    保護めっき部
８    ビア
１４    第２の絶縁層
１５、１５ｂ    第２の配線層
１５ａ    第２の配線層（端子部）
１８    第２のビア
２１、３１    下地金属層
２２    白金族元素
３５    第２の下地金属層
３６    第２の白金族元素
１０１    サスペンション用基板
１０１Ａ    サスペンション用基板材料
１０２    記録再生用素子実装領域
１０３    外部回路基板接続領域
１０４、１０４ａ〜１０４ｅ    配線層
２０１    サスペンション
２０２    ロードビーム
３０１    素子付サスペンション
３０２    記録再生用素子
４０１    ハードディスクドライブ
４０２    ディスク
４０３    スピンドルモータ
４０４    アーム
４０５    ボイスコイルモータ
４０６    ケース
【図１】
2014049170.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014049170.tif 000009
【図８】
2014049170.tif 000010
【図９】
2014049170.tif 000011
【図１０】
2014049170.tif 000012
【図１１】
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