(57)【要約】【課題】  本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程、より詳しくは、電子線を走査して転写パターンの修正後の形状を確認する工程において、転写パターンの凸部の上面の高さ位置が変化してしまうことを防止して、残渣欠陥が無く、かつ、転写パターンの凸部の上面の高さ位置が揃ったテンプレートを製造することが可能なナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】  基板の主面上に形成したハードマスクパターンを残した形態で前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正し、次いで、前記修正により露出する転写パターンの残渣欠陥部を修正し、前記転写パターンの残渣欠陥部の修正を確認した後に、前記ハードマスクパターンを除去することにより、上記課題を解決する。【選択図】      図１
2014029993.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、
前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、
前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの残渣欠陥部を検査する工程と、
前記検査で検出された前記残渣欠陥部の位置における前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程と、
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部の修正により露出する前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程と、
前記転写パターンの残渣欠陥部の修正後に前記ハードマスクパターンを除去する工程と、
を順に備えることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項２】
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第１のアシストガスを供給しながら、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部に第１の電子線を照射することにより、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、
前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第２のアシストガスを供給しながら、前記転写パターンの残渣欠陥部に第２の電子線を照射することにより、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項３】
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程の後であって、
前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程の前に、
前記第１のアシストガスを排出する工程と、
前記ハードマスクパターンの修正後の形状を第３の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、
を順に備え、
前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程の後であって、
前記ハードマスクパターンを除去する工程の前に、
前記第２のアシストガスを排出する工程と、
前記転写パターンの修正後の形状を第４の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、
を順に備えることを特徴とする請求項２に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項４】
前記第１の電子線を照射する領域が、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部が存在する領域と重複し、
前記第２の電子線を照射する領域が、前記転写パターンの残渣欠陥部が存在する領域と重複し、
前記第３の電子線を走査する領域が、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングした領域を含み、
前記第４の電子線を走査する領域が、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングした領域を含むことを特徴とする請求項３に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項５】
前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、前記第１のアシストガスが、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と酸素（Ｏ2）を含む混合ガス、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）を含む混合ガス、塩素系ガス、のいずれか１種であることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項６】
前記基板が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されており、前記第２のアシストガスが、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を含むガスであることを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項７】
前記第１のアシストガスと前記第２のアシストガスが同じガスであることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項８】
前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、前記基板が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されており、前記第１のアシストガスと前記第２のアシストガスがフッ化キセノン（ＸｅＦ2）を含むガスであることを特徴とする請求項７に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造においては、従来から、フォトマスクを使って縮小（例えば１／４縮小）露光するフォトリソグラフィの技術が用いられており、近年では、より解像度を向上させる技術として、位相シフトマスクを用いたフォトリソグラフィによって、超ＬＳＩ等の微細なパターンを製造している。
しかしながら、さらなる微細化に対応するためには、露光波長の問題や製造コストの問題などから上記のフォトリソグラフィによる方式の限界が指摘されており、次世代のリソグラフィ技術として、反射型マスクを使うＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ）リソグラフィや、テンプレート（モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる）を使うナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ：Ｎａｎｏ  Ｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）が提案されている。
特に、ナノインプリントリソグラフィは、フォトリソグラフィのような高額な露光装置（ステッパー）を用いないため、経済的にも有利であることから、注目を集めている。
【０００３】
上記のナノインプリントリソグラフィは、表面に微細な凹凸形状の転写パターンを形成したテンプレートを、半導体ウェハなどの被転写基板の上に形成された樹脂に密着させ、前記樹脂の表面側の形状を、前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型した後に前記テンプレートを離型し、次いで、ドライエッチング等により余分な樹脂部分（残膜部分）を除去することで、前記被転写基板の上の樹脂に前記テンプレートの転写パターンの凹凸形状（より詳しくは、凹凸反転形状）を転写させる技術である。
【０００４】
このナノインプリントリソグラフィに用いる方法には、熱可塑性樹脂を用いて、まず、前記樹脂をガラス転移温度以上に加熱して変形可能とし、この状態でテンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型し、その後、ガラス転移温度以下に冷却することでテンプレートの転写パターンの凹凸形状を前記樹脂に転写する熱インプリント法や（例えば、特許文献１）、紫外線硬化性樹脂を用いて、硬化前の変形可能な樹脂をテンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型し、その後、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させて、テンプレートの転写パターンの凹凸形状を前記樹脂に転写する光インプリント法などが提案されている（例えば、特許文献２）。
【０００５】
上記のように、光インプリント法は、熱インプリント法のような加熱と冷却の工程が不要であり、室温でパターン転写できる。また、テンプレートや被転写基板が、熱によって寸法変化を生じてしまうリスクを低減できる。
それゆえ、一般的には、熱インプリント法よりも光インプリント法の方が、生産性、解像性、アライメント精度などの点で優れている。
【０００６】
上記の光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィの理想モデルの一例を、図１１に示す。
光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィの技術を用いて所望の樹脂パターンを形成するには、例えば、図１１（ａ）に示すように、まず、凹凸形状の転写パターンを設けたナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１００、および、紫外線硬化性の樹脂層３２２Ａを設けた被転写基板３１０を準備する。
次に、テンプレート１００を被転写基板３１０の上に設けた樹脂層３２２Ａに接触させ、紫外線３３０を照射して樹脂層３２２Ａの樹脂を硬化させて樹脂パターン３２２を形成し（図１１（ｂ））、その後、テンプレート１００を離型する（図１１（ｃ））。
次いで、得られた樹脂パターン３２２に、例えば、酸素イオン等の反応性イオン３４０によるドライエッチングを施して（図１１（ｄ））、厚さＴ1の余分な残膜部分を除去し、テンプレート１００の転写パターンとは凹凸形状が反転した所望の樹脂パターン３２３を形成する（図１１（ｅ））。
【０００７】
ここで、上述の残膜部分の厚さＴ1は、ナノインプリントリソグラフィにおいて、ＲＬＴ（Ｒｅｓｉｄｕａｌ  Ｌａｙｅｒ  Ｔｈｉｃｋｎｅｓｓ）と呼ばれるものである。このＲＬＴに対しては、膜厚均一性が厳しく求められており、例えば、最大膜厚と最小膜厚の差が３ｎｍ以下に抑えることを求められている。ＲＬＴの大きさは、転写パターンのサイズや樹脂材料等にもよるが、例えば、転写パターンの深さ（樹脂パターンの高さに相当）が５０ｎｍ程度の場合、ＲＬＴの大きさは１０ｎｍ程度である。
【０００８】
上記のようなナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１００を製造するには、例えば、図１２（ａ）に示すように、まず、石英等から構成される基板１１０の主面上に、クロム（Ｃｒ）等から構成されるハードマスク層２２１Ａを有する構造体（ブランクスと呼ぶ）を準備する。
次に、ハードマスク層２２１Ａの上にレジスト層２２２Ａを形成し（図１２（ｂ））、電子線描画等の製版技術によりレジストパターン２２２を形成する（図１２（ｃ））。
続いて、レジストパターン２２２から露出するハードマスク層２２１Ａをエッチングしてハードマスクパターン２２１を形成する（図１２（ｄ））。
その後、レジストパターン２２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２２１から露出する基板１１０をエッチングして凹部１１０ｓを形成し（図１２（ｅ））、最後に、ハードマスクパターン２２１を除去して、所望の凹凸形状の転写パターンを有するテンプレート１００を得る（図１２（ｆ））。
なお、図１２（ｆ）において、符号１１０ｓは転写パターンの凹部を示し、符号１１０ｔは転写パターンの凸部を示す。
【０００９】
ここで、従来のフォトマスクの製造においては、黒欠陥と呼ばれる不要な余剰パターンである残渣欠陥を生じることがあり、この残渣欠陥部を、例えば、電子線とアシストガスを用いた部分エッチング等の方法で除去する工程を、黒欠陥の修正工程と呼んでいる（例えば、特許文献３）。
そして、不要な余剰パターンである残渣欠陥は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においても生じるものである。
【００１０】
図１３は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの残渣欠陥の一例を示す説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
なお、図１３に示す例において、符号１００ｄはラインアンドスペース状の転写パターンの一部に残渣欠陥部を有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを、符号１１０ｄは残渣欠陥部を、符号１１０ｔは転写パターンの凸部を、符号１００ｄは転写パターンの凹部を、それぞれ示す。
ここで、従来のフォトマスクにおいてはマスクパターン（遮光パターン）がＣｒ等の遮光材から構成されていたため、その残渣欠陥（黒欠陥）も主にＣｒ等の遮光材からなる余剰パターンであったが、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートにおいては、通常、転写パターンは基板と同じ材料（例えば石英）で構成されるため、その残渣欠陥も主に石英等の基板と同じ材料からなる余剰パターンになる。
【００１１】
上記のような残渣欠陥が、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造において発生する事例について、図１４を用いて説明する。
例えば、上述の図１２に示したナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法において、レジスト層２２２Ａを形成する工程（図１２（ｂ））の後に、図１４（ａ）に示すように、レジスト層２２２Ａの上に異物２３０が付着した場合、製版後のレジストパターン２２２には、レジストパターンの残渣欠陥部２２２ｄも形成されてしまう（図１４（ｂ））。
そして、この残渣欠陥部２２２ｄを有するレジストパターン２２２から露出するハードマスク層２２１Ａをエッチングしてハードマスクパターン２２１を形成した場合、レジストパターンの残渣欠陥部２２２ｄの下には、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２２１ｄも形成されてしまうことになる（図１４（ｃ）、（ｄ））。
同様に、続く工程で残渣欠陥部２２１ｄを有するハードマスクパターン２２１から露出する基板１１０をエッチングして凹部１１０ｓを形成した場合、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２２１ｄの下には、転写パターンの残渣欠陥部１１０ｄも形成されてしまうことになる（図１４（ｅ）、（ｆ））。
【００１２】
現状、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造において、上記のような残渣欠陥を全く発生させないことは、技術的にも製造コスト的にも困難である。
それゆえ、従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの現実的な製造工程は、例えば、図１５に示すように、ブランクス準備工程（Ｓ１０１）、ハードマスクパターンの形成工程（Ｓ１０２）、転写パターンの形成工程（Ｓ１０３）、ハードマスクパターンの除去工程（Ｓ１０４）、に加えて、欠陥検査工程（Ｓ１０５）、および、欠陥検査工程（Ｓ１０６）を含むものになる。
【００１３】
ここで、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートは、従来のフォトマスクのような４倍マスクではなく等倍マスクであり、その転写パターンの寸法は、例えば、１０ｎｍレベルと非常に小さいため、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においては、転写パターンをエッチング形成するためのハードマスクパターンも極めて薄膜にする必要がある。例えば、ハードマスクパターンの膜厚は数ｎｍレベルである。
このように、ハードマスクパターンが極めて薄膜であるため、転写パターンをエッチング形成する前の表面平坦な基板上に形成されたハードマスクパターンの残渣欠陥を、既存の欠陥検査装置で検出することは困難である。
それゆえ、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においては、例えば、図１５に示すように、転写パターンの形成工程（Ｓ１０３）の後に、欠陥検査工程（Ｓ１０５）を行っている。通常、転写パターンは凸部の上面（Ｔｏｐ面）と凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）の高さ位置の差が凹部の幅の３倍程度のアスペクト比を有しているため、転写パターン形成後であれば、既存の欠陥検査装置を用いて残渣欠陥を検出することが容易になるからである。
【００１４】
上記の欠陥修正工程（Ｓ１０６）では、従来の位相シフトマスクにおける透明基材（主に石英）の残渣欠陥部の修正技術を用いることができる。
例えば、上記の欠陥修正工程（Ｓ１０６）の詳細は、図１６に示すように、残渣欠陥を有するテンプレートを欠陥修正装置内に配置して、アシストガスを供給しながら電子線を照射することにより基板と同じ材料（主に石英）からなる残渣欠陥部をエッチングする、転写パターンの修正工程（Ｓ１１１）、前記アシストガスの排出工程（Ｓ１１２）、前記転写パターンの修正後の形状を電子線の走査により得られる二次電子等の検出像で確認する、転写パターンの確認工程（Ｓ１１３）、を順に施す一連の工程になる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特表２００４−５０４７１８号公報
【特許文献２】特開２００２−９３７４８号公報
【特許文献３】特開２００４−２９４６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
上述のように、前記転写パターンの修正にはアシストガスが用いられ、このアシストガスは修正後には排出されるが、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの表面に付着したアシストガスを完全に排出することは困難である。
それゆえ、前記転写パターンの修正後の形状を確認する工程において、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの表面を電子線で走査すると、その走査領域の転写パターンもエッチングされてしまうという過剰エッチングの問題がある。
【００１７】
そして、ナノインプリントリソグラフィは、上述のように、テンプレートの転写パターンを直に被転写基板の上の樹脂に接触させて、その凹凸形状（より詳しくは、凹凸反転形状）を等倍の大きさで前記樹脂に転写させる技術であるため、上記のような過剰エッチングにより転写パターンの形状が変化してしまうと、転写された樹脂のパターンもそのまま変化した形状になってしまう。
特に、ナノインプリントリソグラフィにおいては、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされて、一部の領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が異なってしまうと、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が不均一になってしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題がある。
【００１８】
上記の問題について、図１７および図１８を用いてより詳細に説明する。
ここで、図１７は、従来の欠陥修正工程によってテンプレートの表面が過剰エッチングされる様子を示す説明図であり、図１８は、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされたテンプレートを用いてパターン転写した場合に残膜厚さ（ＲＬＴ）が不均一になる様子を示す説明図である。
【００１９】
例えば、従来の方法で、図１７（ａ）に示すナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１００ｄの残渣欠陥部１１０ｄを修正する場合、まず、テンプレート１００ｄを欠陥修正装置内に配置し、欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいてテンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３０で走査して、修正用の電子線１３１を照射する位置および範囲を決める（図１７（ｂ））。
次に、アシストガス１４２を供給しながら、修正用の電子線１３１を照射することにより、残渣欠陥部１１０ｄをエッチングする（図１７（ｃ））。
所定のエッチングが終了した後は、電子線１３１の照射を停止し、アシストガス１４２を排出し（図１７（ｄ））、テンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３２で走査して、転写パターンの修正後の形状を確認するが（図１７（ｅ））、この確認工程における電子線１３２の走査によって、その走査領域の転写パターンが過剰エッチングされてしまう。
【００２０】
例えば、上記の修正工程を経て得られたテンプレート１００ｅにおいては、図１７（ｆ）に示すように、電子線１３２の走査領域に相当する過剰エッチング領域１１０ｅの転写パターンの凸部１１０ｔの上面（Ｔｏｐ面）は、当初の高さ位置からｈ2の深さに過剰エッチングされており、同様に、過剰エッチング領域１１０ｅの転写パターンの凹部１１０ｓの底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、当初の高さ位置からｈ3の深さにエッチングされている。
【００２１】
この過剰エッチングは、基板１１０の材料やアシストガス１４２の種類等の条件によって変化するものであるが、例えば、上記のエッチング深さｈ2やｈ3の値は、数ｎｍ程度である。
しかしながら、ナノインプリントリソグラフィは、寸法幅が１０ｎｍレベルの転写パターンを等倍転写する技術であるため、わずかな過剰エッチングであってもその影響は大きい。
また、上述のように、ナノインプリントリソグラフィにおいては、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされて、一部の領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が異なってしまうと、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が不均一になってしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうという特有の問題がある。
【００２２】
次に、この残膜厚さ（ＲＬＴ）に係る問題について詳細に説明する。
例えば、図１７（ｆ）に示すテンプレート１００ｅを用いて、上述の図１１に示した工程と同様に、光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィを行った場合には、図１８（ｃ）に示すように、形成された樹脂パターン３２２Ｅの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は不均一なものになる。
より具体的に述べると、図１８（ｃ）に示す例において、テンプレート１００ｅの過剰エッチング領域１１０ｅとは異なる領域の転写パターンが転写された領域の樹脂パターン３２２Ｅの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）はＴ2となるのに対し、テンプレート１００ｅの過剰エッチング領域１１０ｅの転写パターンが転写された領域の樹脂パターン３２２Ｅの残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）はＴ3になる。ここで、厚さＴ3は、厚さＴ2にテンプレート１００ｅの深さｈ2を加えた値に相当する。
【００２３】
そして、図１８（ｄ）に示すように、この残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が不均一な樹脂パターン３２２Ｅに対して反応性イオン３４０によるドライエッチングを施した場合には、例えば、図１８（ｅ）に示すように、残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）がＴ2であった領域においては、余分な残膜部分が除去された樹脂パターン３２３Ａを得ることができるが、残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）がＴ3であった領域においては、厚さＴ4の残膜部分が残留した不良の樹脂パターン３２３Ｂが形成されてしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうことになる。ここで、厚さＴ4は、厚さＴ3から反応性イオン３４０によるドライエッチング量を差し引いた値に相当する。
【００２４】
一方、図１８（ｅ）に示す厚さＴ4の残膜部分を完全に除去する目的で、図１８（ｄ）に示す反応性イオン３４０によるドライエッチングを過剰に施す場合には、良好に形成された樹脂パターン３２３Ａもエッチングを受けることから、その高さ（厚さ）が所望の高さ（厚さ）よりも小さくなってしまい、以降の被転写基板３１０の加工におけるレジストマスクとして不足することになるおそれがある。
【００２５】
以上、詳しく説明したように、ナノインプリントリソグラフィは、転写パターンを等倍転写する技術であるため、テンプレートのわずかな過剰エッチングであってもその影響は大きく、特に、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされて、一部の領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が異なってしまうと、被転写基板上の樹脂パターンの残膜厚さ（ＲＬＴ）が不均一になってしまい、広範囲に不良パターンが発生してしまうという特有の問題がある。
それゆえ、残渣欠陥部を修正しても、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が変化してしまうことを防ぐことが可能なナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法が求められている。
【００２６】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程、より詳しくは、電子線を走査して転写パターンの修正後の形状を確認する工程において、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が変化してしまうことを防止して、残渣欠陥が無く、かつ、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が揃ったテンプレートを製造することが可能なナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００２７】
本発明者は、種々研究した結果、基板の主面上に形成したハードマスクパターンを残した形態で前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正し、次いで、前記修正により露出する転写パターンの残渣欠陥部を修正し、前記転写パターンの残渣欠陥部の修正を確認した後に、前記ハードマスクパターンを除去することにより、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００２８】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、基板の主面に凹凸形状の転写パターンを有するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、前記基板の主面上にハードマスクパターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンから露出する前記基板の主面をエッチングして凹凸形状の転写パターンを形成する工程と、前記ハードマスクパターンを残した形態で前記転写パターンの残渣欠陥部を検査する工程と、前記検査で検出された前記残渣欠陥部の位置における前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程と、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部の修正により露出する前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程と、前記転写パターンの残渣欠陥部の修正後に前記ハードマスクパターンを除去する工程と、を順に備えることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００２９】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第１のアシストガスを供給しながら、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部に第１の電子線を照射することにより、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であり、前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程が、第２のアシストガスを供給しながら、前記転写パターンの残渣欠陥部に第２の電子線を照射することにより、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングする工程であることを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００３０】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部を修正する工程の後であって、前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程の前に、前記第１のアシストガスを排出する工程と、前記ハードマスクパターンの修正後の形状を第３の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、を順に備え、前記転写パターンの残渣欠陥部を修正する工程の後であって、前記ハードマスクパターンを除去する工程の前に、前記第２のアシストガスを排出する工程と、前記転写パターンの修正後の形状を第４の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程と、を順に備えることを特徴とする請求項２に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００３１】
また、本発明の請求項４に係る発明は、前記第１の電子線を照射する領域が、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部が存在する領域と重複し、前記第２の電子線を照射する領域が、前記転写パターンの残渣欠陥部が存在する領域と重複し、前記第３の電子線を走査する領域が、前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部をエッチングした領域を含み、前記第４の電子線を走査する領域が、前記転写パターンの残渣欠陥部をエッチングした領域を含むことを特徴とする請求項３に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００３２】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、前記第１のアシストガスが、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と酸素（Ｏ2）を含む混合ガス、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）を含む混合ガス、塩素系ガス、のいずれか１種であることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００３３】
また、本発明の請求項６に係る発明は、前記基板が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されており、前記第２のアシストガスが、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）ガスであることを特徴とする請求項２乃至請求項５のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００３４】
また、本発明の請求項７に係る発明は、前記第１のアシストガスと前記第２のアシストガスが同じガスであることを特徴とする請求項２乃至請求項４のいずれか一項に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００３５】
また、本発明の請求項８に係る発明は、前記ハードマスクパターンがクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、前記基板が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されており、前記第１のアシストガスと前記第２のアシストガスがフッ化キセノン（ＸｅＦ2）ガスであることを特徴とする請求項７に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【発明の効果】
【００３６】
本発明によれば、残渣欠陥が無く、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さが揃ったナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを製造することができる。
また、本発明の製造方法により製造したナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを用いてパターン転写した場合には、残膜厚さ（ＲＬＴ）が均一な樹脂パターンを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３７】
【図１】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の第１の実施形態の一例を示すフローチャートである。
【図３】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の第２の実施形態の一例を示すフローチャートである。
【図４】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す概略工程図である。
【図５】図４に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す概略工程図である。
【図６】図５に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す概略工程図である。
【図７】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法により製造されたテンプレートを用いてパターン転写された樹脂パターンの形態を示す説明図である。
【図８】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す概略工程図である。
【図９】図８に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す概略工程図である。
【図１０】図９に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す概略工程図である。
【図１１】ナノインプリントリソグラフィの一例を示す概略工程図である。
【図１２】ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。
【図１３】ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの残渣欠陥の一例を示す説明図であり、（ａ）は概略平面図、（ｂ）は（ａ）におけるＡ−Ａ断面図である。
【図１４】ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの残渣欠陥が発生する例を示す説明図である。
【図１５】従来の欠陥修正工程を含むナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【図１６】従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の一例を示すフローチャートである。
【図１７】従来の欠陥修正工程によってテンプレートの表面が過剰エッチングされる様子を示す説明図である。
【図１８】従来のテンプレートの転写パターンの凸部の上面が過剰エッチングされたテンプレートを用いてパターン転写した場合に残膜厚さが不均一になる様子を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３８】
以下、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００３９】
まず、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の概要について、図１〜図３を用いて説明する。
ここで、図１は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートであり、図２は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の第１の実施形態の一例を示すフローチャートである。また、図３は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正工程の第２の実施形態の一例を示すフローチャートである。
【００４０】
従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法においては、上述の図１５に示したように、ハードマスクパターンの除去工程（Ｓ１０４）の後に、欠陥修正工程（Ｓ１０６）を行う流れになっていた。そして、その欠陥修正工程（Ｓ１０６）は、上述の図１６に示したように、転写パターンの修正工程（Ｓ１１１）、アシストガスの排出工程（Ｓ１１２）、転写パターンの修正確認工程（Ｓ１１３）で構成されていた。
【００４１】
一方、本発明においては、例えば、図１に示すように、欠陥修正工程（Ｓ５）の後に、ハードマスクパターンの除去工程（Ｓ６）を行う流れになっている。
そして、その欠陥修正工程（Ｓ５）は、例えば、図２に示す第１の実施形態においては、ハードマスクパターンの修正工程（Ｓ１１）、第１のアシストガスの排出工程（Ｓ１２）、ハードマスクパターンの修正確認工程（Ｓ１３）、転写パターンの修正工程（Ｓ１４）、第２のアシストガスの排出工程（Ｓ１５）、転写パターンの修正確認工程（Ｓ１６）で構成されている。
また、図３に示す第２の実施形態においては、ハードマスクパターンの修正工程（Ｓ２１）、転写パターンの修正工程（Ｓ２２）、アシストガスの排出工程（Ｓ２３）、転写パターンの修正確認工程（Ｓ２４）で構成されている。
【００４２】
次に、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の詳細について、図４〜図６、および、図８〜図１０を用いて説明する。
ここで、図４〜図６は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の一例を示す一連の概略工程図であり、図８〜図１０は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の一例を示す一連の概略工程図である。
【００４３】
（第１の実施形態）
まず、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態について説明する。
本実施形態の製造方法によりナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを製造するには、例えば、図４（ａ）に示すように、まず、基板１０の主面上にハードマスク層２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備する。
【００４４】
本発明において、基板１０の材料は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの基板として使用できる材料であって、アシストガスを供給しながら電子線を照射する方法によってエッチング可能な材料であれば用いることができる。例えば、基板１０の材料は、酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料とすることができる。
また、本発明において、ハードマスク層２１Ａの材料は、基板１０のエッチングマスクとして使用できる材料であって、アシストガスを供給しながら電子線を照射する方法によってエッチング可能な材料であれば用いることができる。例えば、ハードマスク層２１Ａの材料は、クロム（Ｃｒ）を含む材料とすることができる。
【００４５】
次に、ハードマスク層２１Ａの上にレジスト層２２Ａを形成し（図４（ｂ））、電子線描画等の製版技術によりレジストパターン２２を形成する（図４（ｃ））。なお、本例では、この工程においてレジストパターン２２の残渣欠陥部２２ｄも形成される。
続いて、残渣欠陥部２２ｄを含むレジストパターン２２から露出するハードマスク層２１Ａをエッチングしてハードマスクパターン２１を形成する（図４（ｄ））。なお、この工程において、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄもレジストパターンの残渣欠陥部２２ｄの下に形成される。
その後、残渣欠陥部２２ｄを含むレジストパターン２２を除去し（図４（ｅ））、次いで、残渣欠陥部２１ｄを含むハードマスクパターン２１から露出する基板１０をエッチングして転写パターンの凹部１０ｓを形成し、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にハードマスクパターン２１を有する構造体１１ｄを得る（図４（ｆ））。なお、この工程において、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄもハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄの下に形成される。
【００４６】
ここまでの工程、すなわち図４（ａ）〜（ｆ）に示す工程が、図１に示すＳ１〜Ｓ３の工程に相当する。
続いて、図１に示すＳ４の欠陥検査工程、Ｓ５の欠陥修正工程を行うが、本実施形態においては、ハードマスクパターン２１を残した形態で転写パターンの残渣欠陥を検査し、この欠陥検査工程において検出した欠陥位置情報に基づいて、まずハードマスクパターンを修正し（図２のＳ１１〜Ｓ１３）、次いで、転写パターンを修正し（図２のＳ１４〜Ｓ１６）、その後、図１に示すＳ６のハードマスクパターンの除去工程を行う。
上記のハードマスクパターンの修正、および、転写パターンの修正について、以下、詳細に説明する。
【００４７】
本実施形態において、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄを修正するには、例えば、構造体１１ｄを欠陥修正装置内に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて構造体１１ｄの表面を観察用の電子線３０で走査して、得られる検出像から修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射する位置および範囲を決める（図５（ｇ））。
次に、第１のアシストガス４１を供給しながら、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射することにより、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングする（図５（ｈ））。
所定のエッチングが終了した後は、修正用の電子線（第１の電子線）３１の照射を停止し、第１のアシストガス４１を排出し（図５（ｉ））、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第３の電子線）３３で走査し、得られる検出像でハードマスクパターンの修正後の形状を確認する（図５（ｊ））。
【００４８】
ここで、第１の電子線３１を照射する領域は、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが存在する領域と重複し、第３の電子線３３を走査する領域は、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングした領域を含むものである。
すなわち、第１の電子線３１の照射領域は、正常なハードマスクパターンの部分もエッチングしてしまうことを防止するために、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが存在する領域に限定される。一方、修正後の形状を確認するためには周囲との比較が必要なことから、第３の電子線３３の走査領域は、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングした領域のみならず、その周囲も含むものである。
【００４９】
本実施形態において、第１のアシストガス４１は、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングできるガスであれば用いることができ、ハードマスクパターン２１を構成する材料等に応じて適宜選択される。また、第１のアシストガス４１は、単一成分のガスのみならず、複数種の成分を含む混合ガスであっても良い。
例えば、ハードマスクパターン２１がクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されている場合には、第１のアシストガス４１として、フッ素系ガスや塩素系ガスを用いることができる。フッ素系ガスとしては、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を含むガスを用いることができ、中でも、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と酸素（Ｏ2）を含む混合ガス、または、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）を含む混合ガスを好適に用いることができる。
【００５０】
そして、エッチングの際には、修正用の電子線（第１の電子線）３１の照射により生じるクロム（Ｃｒ）の２次電子信号を確認しながらエッチングを進め、クロム（Ｃｒ）の２次電子信号がなくなる時点でエッチングを止めることにより、基板１０がエッチングされることを抑制しつつ、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄを高い選択比でエッチングすることができる。
【００５１】
上記の確認工程により、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが消失したことを確認したら、続いて、転写パターンの修正工程に移る。
なお、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが残留している場合には、図２に示すように、ハードマスクパターンを修正する工程（Ｓ１１）と、第１のアシストガスを排出する工程（Ｓ１２）と、ハードマスクパターンの修正後の形状を第３の電子線３３の走査により得られる検出像で確認する工程（Ｓ１３）の一連の工程をハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが消失したことを確認するまで複数回繰り返す。
【００５２】
次に、本実施形態において、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄを修正するには、例えば、図６（ｋ）に示すように、ハードマスクパターン２１の残渣欠陥部２１ｄをエッチングしたことによって露出する転写パターンの残渣欠陥部１０ｄに、第２のアシストガス４２を供給しながら、修正用の電子線（第２の電子線）３２を照射することにより、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングする。
なお、本実施形態において、第２の電子線３２は、上記の第１の電子線３１と同じものであっても良い。すなわち、第１の電子線３１、第２の電子線３２のいずれも、前記欠陥修正装置に備えられた電子線照射機構から修正用の電子線として照射される同一の電子線とすることができる。
【００５３】
所定のエッチングが終了した後は、修正用の電子線（第２の電子線）３２の照射を停止し、第２のアシストガス４２を排出し（図６（ｌ））、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第４の電子線）３４で走査し、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認する（図６（ｍ））。
【００５４】
なお、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが残留している場合には、図２に示すように、転写パターンを修正する工程（Ｓ１４）と、第２のアシストガスを排出する工程（Ｓ１５）と、転写パターンの修正後の形状を第４の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程（Ｓ１６）と、を転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認するまで複数回繰り返す。
【００５５】
ここで、第２の電子線３２を照射する領域は、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが存在する領域と重複し、第４の電子線３４を走査する領域は、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした領域を含むものである。
すなわち、第２の電子線３２の照射領域は、正常な転写パターンの部分もエッチングしてしまうことを防止するために、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが存在する領域に限定される。一方、修正後の形状を確認するためには周囲との比較が必要なことから、第４の電子線３４の走査領域は、前記転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした領域のみならず、その周囲も含むものである。
【００５６】
本実施形態において、第２のアシストガス４２は、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングできるガスであれば用いることができ、転写パターンを構成する材料等に応じて適宜選択される。また、第２のアシストガス４２は、単一成分のガスのみならず、複数種の成分を含む混合ガスであっても良い。
例えば、基板１０が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されている場合には、第２のアシストガス４２として、フッ素系ガスを用いることができる。フッ素系ガスとしては、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）を含むガスを用いることができ、中でも、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを好適に用いることができる。
第２のアシストガス４２として、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを用いた場合、酸化ケイ素（ＳｉＯx）のエッチング速度はクロム（Ｃｒ）のエッチング速度の概ね１０倍〜１５倍となるため、ハードマスクパターン２１がクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されている場合において、残渣欠陥部１０ｄ周辺のハードマスクパターン２１がエッチングされることを抑制しつつ、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄを高い選択比でエッチングすることができる。
【００５７】
上記の確認工程により、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認したら、最後に、ハードマスクパターン２１を除去して、残渣欠陥が無く、かつ、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が揃ったテンプレート１を得る（図６（ｏ））。なお、図６（ｏ）において、符号１０ｓは転写パターンの凹部を示し、符号１０ｔは転写パターンの凸部を示す。
【００５８】
ここで、従来の方法では、転写パターンの修正確認工程における電子線の走査によって、その走査領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされてしまうという問題があった（図１７（ｆ））。
一方、本実施形態においては、図６（ｍ）に示すように、転写パターンの修正確認工程の段階では、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）はハードマスクパターン２１で被覆されている。
それゆえ、例え、第２のアシストガス４２が残留していても、第４の電子線３４の走査によって、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされてしまうということは生じない。
【００５９】
なお、本実施形態においても、第４の電子線３４の走査領域の転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、過剰エッチングされる。例えば、図６（ｎ）に示すように、第４の電子線３４の走査領域１０ｅの転写パターンの凹部１０ｓの底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、当初の高さ位置からｈ1の深さに過剰エッチングされている。
しかしながら、上述のナノインプリントリソグラフィにおける残膜厚さ（ＲＬＴ）は、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さに応じて変化するものであるため、例え、テンプレートの転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）が過剰エッチングされていたとしても、転写された樹脂パターンは、その過剰エッチングされた領域において凸部の高さ（厚さ）が他の領域よりもｈ1だけ高く（厚く）なるものの、広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題が生じることは無い。
【００６０】
上記について、図７を用いてより詳細に説明する。図７は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法により製造されたテンプレートを用いてパターン転写された樹脂パターンの形態を示す説明図である。
例えば、図６（ｏ）に示すテンプレート１を用いて、上述の図１１に示した工程と同様に、光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィを行った場合、図７（ｃ）に示すように、テンプレート１の転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）の深さに応じて、樹脂パターン３２２の凸部の高さは不均一（高低差ｈ1）になるものの、テンプレート１の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置は同じであるため、樹脂パターン３２２の残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）は均一なものになる（厚さＴ1）。
【００６１】
そして、図７（ｄ）に示すように、この樹脂パターン３２２に対して反応性イオン３４０によるドライエッチングを施した場合、図７（ｅ）に示すように、樹脂パターン３２３の高さは不均一（高低差ｈ1）になるものの、前記樹脂パターン３２２の残膜部分は、厚さが均一なため、いずれの箇所においても除去されることになる。
それゆえ、本実施形態の製造方法により製造されたテンプレートを用いてナノインプリントリソグラフィを行った場合には、従来のような、残膜部分が残留することにより広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題を解決することができる。
【００６２】
なお、上記のように、樹脂パターン３２３の高さは不均一（高低差ｈ1）になる（図７（ｅ））。
しかしながら、樹脂パターン３２３は、所望の高さ（設計値）よりも一部の領域の高さがｈ1だけ高くなることから、すなわち、所望の高さ（設計値）よりも低くなるわけではないため、続く被転写基板加工のドライエッチング工程において不利になることは無い。
また、樹脂パターン３２３を除去する工程においても、上述のように、例えば、樹脂パターン３２３の高さ（設計値）が５０ｎｍ程度であるのに対し、ｈ1の値は数ｎｍ程度であること、さらには、通常、除去工程では、完全に樹脂を除去する目的で過剰な条件が用いられることから、他よりもｈ1だけ高い部分の樹脂パターン３２３が除去しきれずに残ってしまうということは生じ難い。
それゆえ、上記のように、樹脂パターン３２３の高さが不均一（高低差ｈ1）になっても、何ら問題は生じない。
【００６３】
（第２の実施形態）
次に、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態について、図８〜図１０を用いて説明する。
例えば、図８（ａ）に示すように、本実施形態の製造方法によりナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを製造する場合も、上述の第１の実施形態と同様に、まず、基板１０の主面上にハードマスク層２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備する。
【００６４】
次に、ハードマスク層２１Ａの上にレジスト層２２Ａを形成し（図８（ｂ））、電子線描画等の製版技術によりレジストパターン２２を形成する（図８（ｃ））。なお、本例においても、この工程においてレジストパターン２２の残渣欠陥部２２ｄも形成される。
続いて、残渣欠陥部２２ｄを含むレジストパターン２２から露出するハードマスク層２１Ａをエッチングしてハードマスクパターン２１を形成する（図８（ｄ））。なお、この工程において、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄもレジストパターンの残渣欠陥部２２ｄの下に形成される。
その後、残渣欠陥部２２ｄを含むレジストパターン２２を除去し（図８（ｅ））、次いで、残渣欠陥部２１ｄを含むハードマスクパターン２１から露出する基板１０をエッチングして転写パターンの凹部１０ｓを形成し、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にハードマスクパターン２１を有する構造体１１ｄを得る（図８（ｆ））。なお、この工程において、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄもハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄの下に形成される。
【００６５】
ここまでの工程、すなわち図８（ａ）〜（ｆ）に示す工程が、図１に示すＳ１〜Ｓ３の工程に相当する。
続いて、図１に示すＳ４の欠陥検査工程、Ｓ５の欠陥修正工程を行うが、本実施形態においては、ハードマスクパターン２１を残した形態で転写パターンの残渣欠陥を検査し、この欠陥検査工程において検出した欠陥位置情報に基づいて、まずハードマスクパターンを修正し（図３のＳ２１）、続いて転写パターンを修正し（図３のＳ２２〜Ｓ２４）、その後、図１に示すＳ６のハードマスクパターンの除去工程を行う。
上記のハードマスクパターンの修正、および、転写パターンの修正について、以下、詳細に説明する。
【００６６】
本実施形態において、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄを修正するには、例えば、構造体１１ｄを欠陥修正装置内に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて構造体１１ｄの表面を観察用の電子線３０で走査して、得られる検出像から修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射する位置および範囲を決める（図９（ｇ））。
次に、第１のアシストガス４１を供給しながら、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射することにより、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングし（図９（ｈ））、続いて、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングする（図９（ｉ））。
【００６７】
ここで、上述の第１の実施形態においては、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄのエッチングが終了した後は、修正用の電子線（第１の電子線）３１の照射を停止し、第１のアシストガス４１を排出し（図５（ｉ））、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第３の電子線）３３で走査し、得られる検出像でハードマスクパターンの修正後の形状を確認し（図５（ｊ））、その後、転写パターンの修正工程に移って、第２のアシストガス４２を供給しながら、修正用の電子線（第２の電子線）３２を照射することにより、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングしていた（図６（ｋ））。
【００６８】
一方、この第２の実施形態においては、上述の第１の実施形態における第１のアシストガス４１と第２のアシストガス４２に同じガスを用い、上述の第１の実施形態における第１のアシストガス４１の排出から第２のアシストガス４２の供給までの工程を省いて、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄのエッチングから転写パターンの残渣欠陥部１０ｄのエッチングの工程を連続的に行う。
なお、上述の第１の実施形態における第２の電子線３２は、本実施形態において、第１の電子線３１と同じである。本実施形態において、第１の電子線３１は、前記欠陥修正装置に備えられた電子線照射機構から修正用の電子線として照射される電子線とすることができる。
【００６９】
本実施形態において、第１のアシストガス４１（第２のアシストガス４２と同じ）には、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄと転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングできるガスであれば用いることができる。
例えば、ハードマスクパターン２１がクロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されており、基板１０が酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成されている場合には、第１のアシストガス４１として、フッ素系ガスを用いることができ、中でも、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを好適に用いることができる。
【００７０】
ここで、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスは、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と酸素（Ｏ2）を含む混合ガスや、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と水蒸気（Ｈ2Ｏ）を含む混合ガスに比べて、クロム（Ｃｒ）をエッチングする速度は遅い。
しかしながら、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄの厚み、すなわち、クロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されるハードマスクパターン２１の厚みの大きさは、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄの厚み、すなわち、酸化ケイ素（ＳｉＯx）を含む材料から構成される転写パターンの凸部１０ｔの高さの大きさよりも、通常、小さい。例えば、転写パターンの凸部１０ｔの高さが５０ｎｍ程度の場合、ハードマスクパターンの厚みは３ｎｍ以上あれば足りうる。
【００７１】
そして、上述のように、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスは、酸化ケイ素（ＳｉＯx）のエッチング速度は速い。
それゆえ、本実施形態において、第１のアシストガス４１として、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを用いる場合、上述の第１の実施形態と比べて、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄのエッチングには、より多くの時間を要するおそれがあるものの、その不利益の影響は小さく、第１の実施形態における第１のアシストガス４１の排出から第２のアシストガス４２の供給までの工程を省くことができることによる時間短縮の効果から得られる利益の方が、より大きいと言える。
特に、残渣欠陥の数が多い場合には、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄのエッチングから転写パターンの残渣欠陥部１０ｄのエッチングの工程を連続的に行うことができる本実施形態は、時間短縮の効果が大きい。さらに、アシストガスの消費量も低減させることができ、製造コスト削減の観点からも有益である。
【００７２】
図９（ｉ）に示す転写パターンの残渣欠陥部１０ｄのエッチングが終了した後は、修正用の電子線（第１の電子線）３１の照射を停止し、第１のアシストガス４１を排出し（図９（ｊ））、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第４の電子線）３４で走査し、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認する（図１０（ｋ））。
【００７３】
なお、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが残留している場合には、図３に示すように、転写パターンを修正する工程（Ｓ２２）と、第１のアシストガスを排出する工程（Ｓ２３）と、転写パターンの修正後の形状を第４の電子線の走査により得られる検出像で確認する工程（Ｓ２４）と、を転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認するまで複数回繰り返す。
【００７４】
ここで、第１の電子線３１を照射する領域は、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄおよび転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが存在する領域と重複し、第４の電子線３４を走査する領域は、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした領域を含むものである。
すなわち、第１の電子線３１の照射領域は、正常な転写パターンの部分もエッチングしてしまうことを防止するために、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄおよび転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが存在する領域に限定される。一方、修正後の形状を確認するためには周囲との比較が必要なことから、第４の電子線３４の走査領域は、前記転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした領域のみならず、その周囲も含むものである。
【００７５】
上記の確認工程により、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認したら、最後に、ハードマスクパターン２１を除去して、残渣欠陥が無く、かつ、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さ位置が揃ったテンプレート１を得る（図１０（ｍ））。なお、図１０（ｍ）において、符号１０ｓは転写パターンの凹部を示し、符号１０ｔは転写パターンの凸部を示す。
【００７６】
ここで、従来の方法では、転写パターンの修正確認工程における電子線の走査によって、その走査領域の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされてしまうという問題があった（図１７（ｆ））。
一方、本実施形態においては、図１０（ｋ）に示すように、転写パターンの修正確認工程の段階では、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）はハードマスクパターン２１で被覆されている。
それゆえ、例え、第１のアシストガス４１が残留していても、第４の電子線３４の走査によって、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）が過剰エッチングされてしまうということは生じない。
【００７７】
なお、本実施形態においても、上述の第１の実施形態と同様に、第４の電子線３４の走査領域の転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、過剰エッチングされる。例えば、図１０（ｌ）に示すように、第４の電子線３４の走査領域１０ｅの転写パターンの凹部１０ｓの底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）は、当初の高さ位置からｈ1の深さに過剰エッチングされている。
しかしながら、上述のナノインプリントリソグラフィにおける残膜厚さ（ＲＬＴ）は、テンプレートの転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さに応じて変化するものであるため、例え、テンプレートの転写パターンの凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）が過剰エッチングされていたとしても、転写された樹脂パターンは、その過剰エッチングされた領域において凸部の高さ（厚さ）が他の領域よりもｈ1だけ高く（厚く）なるものの、広範囲に不良パターンが発生してしまうという問題が生じることは無い。
【００７８】
以上、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法についてそれぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００７９】
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
【００８０】
（実施例１）
基板１０の主面上に、ハードマスク層２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備し、次に、ハードマスク層２１Ａの上にレジスト層２２Ａを形成し、電子線描画を用いた製版技術によりレジストパターン２２を形成し、続いて、レジストパターン２２から露出するハードマスク層２１Ａをドライエッチングしてハードマスクパターン２１を形成した。
その後、レジストパターン２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２１から露出する基板１０をエッチングして転写パターンの凹部１０ｓを形成し、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にハードマスクパターン２１を有する構造体１１ｄを得た。
なお、上記の基板１０には、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、ハードマスク層２１Ａには、厚さ５ｎｍのＣｒスパッタ層を用いた。
また、上記の転写パターンは、凹部１０ｓの深さが５０ｎｍ、凹部１０ｓの幅が２０ｎｍ、凸部１０ｔの幅が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンとした。
【００８１】
次に、ハードマスクパターン２１を残した形態で前記構造体１１ｄの転写パターンの残渣欠陥を、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ  Ｘ７００）を用いて検査し、次いで、前記構造体１１ｄをカールツアイス社の欠陥修正装置（ＭｅＲｉＴ  ＨＲ３２）に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線３０で走査して、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射する位置および範囲を決めた。
次に、第１のアシストガス４１を供給しながら、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射することにより、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングし、その後、第１の電子線３１の照射を停止し、第１のアシストガス４１を排出し、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第３の電子線）３３で走査して、得られる検出像で前記ハードマスクパターンの修正後の形状を確認した。
なお、上記の第１のアシストガス４１には、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）と酸素（Ｏ2）の混合ガスを用いた。
【００８２】
前記ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄが消失したことを確認後、露出した前記転写パターンの残渣欠陥部１０ｄに、第２のアシストガス４２を供給しながら、修正用の電子線（第２の電子線）３２を照射することにより、転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした。
その後、第２の電子線３２の照射を停止し、第２のアシストガス４２を排出し、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第４の電子線）３４で走査して、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認した。
なお、上記の第２のアシストガス４２には、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを用いた。また、上記の第４の電子線３４の走査領域はＸ方向１．５μｍ、Ｙ方向１．５μｍとした。
【００８３】
前記転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認後、欠陥修正装置から前記構造体１１ｄを取り出し、ハードマスクパターン２１を除去して、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１を得た。
上記のテンプレート１の欠陥検査をした結果、残渣欠陥は検出されなかった。なお、上記の欠陥検査には、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ  Ｘ７００）を用いた。
次に、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１の表面をエスアイアイ・ナノテクノロジー社の原子間力顕微鏡（Ｌ−ｔｒａｃｅ）で検査したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域とそれ以外の領域とで、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）に高さの違いは検出されなかった。なお、原子間力顕微鏡による検査領域は、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置を中心に、Ｘ方向３μｍ、Ｙ方向３μｍの領域とした。
【００８４】
また、上記のテンプレート１を用いて、光インプリント法により被転写基板上の樹脂にパターン転写したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域に相当する領域と、それ以外の領域のいずれの領域においても残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が均一な樹脂パターン３２２を得ることができた。
さらに、前記樹脂パターン３２２に対し、反応性イオン３４０として酸素イオンを用いたドライエッチングにより所定の残膜除去工程を施したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域に相当する領域と、それ以外の領域のいずれの領域においても残膜部分が除去された良好な樹脂パターン３２３を得ることができた。
【００８５】
（実施例２）
基板１０の主面上に、ハードマスク層２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備し、次に、ハードマスク層２１Ａの上にレジスト層２２Ａを形成し、電子線描画を用いた製版技術によりレジストパターン２２を形成し、続いて、レジストパターン２２から露出するハードマスク層２１Ａをドライエッチングしてハードマスクパターン２１を形成した。
その後、レジストパターン２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２１から露出する基板１０をエッチングして転写パターンの凹部１０ｓを形成し、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）にハードマスクパターン２１を有する構造体１１ｄを得た。
なお、上記の基板１０には、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、ハードマスク層２１Ａには、厚さ５ｎｍのＣｒスパッタ層を用いた。
また、上記の転写パターンは、凹部１０ｓの深さが５０ｎｍ、凹部１０ｓの幅が２０ｎｍ、凸部１０ｔの幅が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンとした。
【００８６】
次に、ハードマスクパターン２１を残した形態で前記構造体１１ｄの転写パターンの残渣欠陥を、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ  Ｘ７００）を用いて検査し、次いで、前記構造体１１ｄをカールツアイス社の欠陥修正装置（ＭｅＲｉＴ  ＨＲ３２）に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線３０で走査して、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射する位置および範囲を決めた。
次に、第１のアシストガス４１を供給しながら、修正用の電子線（第１の電子線）３１を照射することにより、ハードマスクパターンの残渣欠陥部２１ｄをエッチングし、続いて、露出する転写パターンの残渣欠陥部１０ｄをエッチングした。
その後、第１の電子線３１の照射を停止し、第１のアシストガス４１を排出し、構造体１１ｄの表面を観察用の電子線（第４の電子線）３４で走査して、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認した。
なお、上記の第１のアシストガス４１には、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを用いた。
また、上記の第４の電子線の走査領域はＸ方向１．５μｍ、Ｙ方向１．５μｍとした。
【００８７】
転写パターンの残渣欠陥部１０ｄが消失したことを確認後、欠陥修正装置から構造体１１ｄを取り出し、ハードマスクパターン２１を除去して、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート１を得た。
上記のテンプレート１の欠陥検査をした結果、残渣欠陥は検出されなかった。なお、上記の欠陥検査には、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ  Ｘ７００）を用いた。
次に、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１の表面をエスアイアイ・ナノテクノロジー社の原子間力顕微鏡（Ｌ−ｔｒａｃｅ）で検査したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域とそれ以外の領域とで、転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）に高さの違いは検出されなかった。なお、原子間力顕微鏡による検査領域は、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置を中心に、Ｘ方向３μｍ、Ｙ方向３μｍの領域とした。
【００８８】
また、上記のテンプレート１を用いて、光インプリント法により被転写基板上の樹脂にパターン転写したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域に相当する領域と、それ以外の領域のいずれの領域においても残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が均一な樹脂パターン３２２を得ることができた。
さらに、前記樹脂パターン３２２に対し、反応性イオン３４０として酸素イオンを用いたドライエッチングにより所定の残膜除去工程を施したところ、上記の第４の電子線３４の走査領域に相当する領域と、それ以外の領域のいずれの領域においても残膜部分が除去された良好な樹脂パターン３２３を得ることができた。
【００８９】
（比較例１）
基板１１０の主面上に、ハードマスク層２２１Ａを有する構造体（ブランクス）を準備し、次に、ハードマスク層２２１Ａの上にレジスト層２２２Ａを形成し、電子線描画を用いた製版技術によりレジストパターン２２２を形成し、続いて、レジストパターン２２２から露出するハードマスク層２２１Ａをドライエッチングしてハードマスクパターン２２１を形成した。
その後、レジストパターン２２２を除去し、次いで、ハードマスクパターン２２１から露出する基板１１０をエッチングして転写パターンの凹部１１０ｓを形成し、最後に、ハードマスクパターン２２１を除去して、テンプレート１００ｄを得た。
なお、上記の基板１１０には、縦１５２ｍｍ、横１５２ｍｍ、厚さ０．２５インチの合成石英基板を用い、ハードマスク層２２１Ａには、厚さ５ｎｍのＣｒスパッタ層を用いた。また、上記の転写パターンは、凹部１１０ｓの深さが５０ｎｍ、凹部１１０ｓの幅が２０ｎｍ、凸部１１０ｔの幅が２０ｎｍのラインアンドスペースパターンとした。
【００９０】
次に、前記テンプレート１００ｄの転写パターンの残渣欠陥を、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ  Ｘ７００）を用いて検査し、次いで、前記テンプレート１００ｄをカールツアイス社の欠陥修正装置（ＭｅＲｉＴ  ＨＲ３２）に配置し、前記欠陥検査工程において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３０で走査して、修正用の電子線１３１を照射する位置および範囲を決めた。
次に、アシストガス１４２を供給しながら、修正用の電子線１３１を照射することにより、転写パターンの残渣欠陥部１１０ｄをエッチングした。
その後、電子線１３１の照射を停止し、アシストガス１４２を排出し、テンプレート１００ｄの表面を観察用の電子線１３２で走査して、得られる検出像で前記転写パターンの修正後の形状を確認した。
なお、上記のアシストガス１４２には、フッ化キセノン（ＸｅＦ2）の単一成分ガスを用いた。また、上記の電子線１３２の走査領域はＸ方向１．５μｍ、Ｙ方向１．５μｍとした。
【００９１】
前記転写パターンの残渣欠陥部１１０ｄが消失したことを確認後、欠陥修正装置から修正後のテンプレート１００ｅを取り出し、欠陥検査をした結果、残渣欠陥は検出されなかった。なお、上記の欠陥検査には、レーザーテック社のフォトマスク欠陥検査装置（ＭＡＴＲＩＣＳ  Ｘ７００）を用いた。
次に、上記のテンプレート１００ｅの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置情報に基づいて、テンプレート１００ｅの表面をエスアイアイ・ナノテクノロジー社の原子間力顕微鏡（Ｌ−ｔｒａｃｅ）で検査したところ、上記の電子線１３２の走査領域における転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さは、他の領域（非走査領域）の転写パターンの凸部の上面（Ｔｏｐ面）の高さよりも、０．６ｎｍ〜１．０ｎｍ低いことが判明した。
なお、原子間力顕微鏡による検査領域は、上記の構造体１１ｄの欠陥検査において検出しておいた欠陥位置を中心に、Ｘ方向３μｍ、Ｙ方向３μｍの領域とした。
【００９２】
また、上記のテンプレート１００ｅを用いて、光インプリント法により被転写基板上の樹脂にパターン転写したところ、得られた樹脂パターン３２２Ｅは、上記の電子線１３２の走査領域に相当する領域の残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）が、他の領域（非走査領域）の残膜部分の厚さ（ＲＬＴ）よりも、０．６ｎｍ〜１．０ｎｍ厚いものであった。
さらに、前記樹脂パターン３２２Ｅに対し、反応性イオン３４０として酸素イオンを用いたドライエッチングにより所定の残膜除去工程を施したところ、得られた樹脂パターンにおいては、上記の電子線１３２の走査領域に相当する領域の残膜部分が残留しており、広範囲に不良パターン３２３Ｂが発生してしまっていた。
【符号の説明】
【００９３】
１・・・ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート
１０・・・基板
１０ｄ・・・・残渣欠陥部
１０ｅ・・・走査領域
１０ｓ・・・凹部
１０ｔ・・・凸部
１１ｄ・・・構造体
２１・・・ハードマスクパターン
２１Ａ・・・ハードマスク層
２１ｄ・・・残渣欠陥部
２２・・・レジストパターン
２２Ａ・・・レジスト層
２２ｄ・・・残渣欠陥部
３０・・・電子線
３１・・・第１の電子線
３２・・・第２の電子線
３３・・・第３の電子線
３４・・・第４の電子線
４１・・・第１のアシストガス
４２・・・第２のアシストガス
１００、１００ｄ、１００ｅ・・・ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート
１１０・・・基板
１１０ｄ・・・残渣欠陥部
１１０ｅ・・・過剰エッチング領域
１１０ｓ・・・凹部
１１０ｔ・・・凸部
１３０、１３１、１３２・・・電子線
１４２・・・アシストガス
２２１・・・ハードマスクパターン
２２１Ａ・・・ハードマスク層
２２１ｄ・・・残渣欠陥部
２２２・・・レジストパターン
２２２Ａ・・・レジスト層
２２２ｄ・・・残渣欠陥部
２３０・・・異物
３１０・・・被転写基板
３２２・・・樹脂パターン
３２２Ａ・・・樹脂層
３２３・・・樹脂パターン
３２３Ａ、３２３Ｂ・・・樹脂パターン
３３０・・・紫外線
３４０・・・反応性イオン
【図１】
2014029993.tif 000003
【図２】
2014029993.tif 000004
【図３】
2014029993.tif 000005
【図４】
2014029993.tif 000006
【図５】
2014029993.tif 000007
【図６】
2014029993.tif 000008
【図７】
2014029993.tif 000009
【図８】
2014029993.tif 000010
【図９】
2014029993.tif 000011
【図１０】
2014029993.tif 000012
【図１１】
2014029993.tif 000013
【図１２】
2014029993.tif 000014
【図１３】
2014029993.tif 000015
【図１４】
2014029993.tif 000016
【図１５】
2014029993.tif 000017
【図１６】
2014029993.tif 000018
【図１７】
2014029993.tif 000019
【図１８】
2014029993.tif 000020