(57)【要約】      （修正有）【課題】耐折れ性に優れたフレキシブル配線板の製造方法を提供する。【解決手段】ポリイミドフィルム１の表面に接着剤を介することなくニッケル合金からなる下地金属層２と、前記下地金属層２の表面に銅薄膜層３を設けた積層構造の２層フレキシブル配線板を用いてセミアディティブ法で配線パターンを形成し、ＪＩＳＣ−５０１６−１９９４に規定される耐折れ性試験の実施前後において得られる、銅薄膜層と銅電気めっき層で構成される銅層の結晶配向比［（２００）／（１１１）］の差ｄ［（２００）／（１１１）］が、０．０３以上であることを特徴とするフレキシブル配線板。【選択図】図１
2014159608.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリイミドフィルムの表面に接着剤を介することなくニッケル合金からなる下地金属層と、前記下地金属層の表面に銅層を備える積層構造の配線をセミアディティブ法で形成するフレキシブル配線板の製造方法において、
乾式めっき法で成膜した下地金属層の表面に銅層の一部を構成する銅薄膜層を成膜した後に、配線を設けない箇所にレジスト層を配しセミアディチィブ法により銅電気めっきをこない銅層の銅薄膜層を除いた残部を構成する銅電気めっき層により所定の膜厚にする際に、前記銅電気めっき層の表面からポリイミドフィルム方向に銅電気めっき層の膜厚の１０％以上の厚み範囲において、周期的に短時間の電位反転を行うＰｅｒｉｏｄｉｃ  Ｒｅｖｅｒｓｅ電流による銅電気めっき法によって形成されることを特徴とするフレキシブル配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のフレキシブル配線板の製造方法で得られたフレキシブル配線板が、ＪＩＳ−Ｐ−８１１５に規定される耐折れ性試験の実施前後において得られる前記銅層の結晶配向比［（２００）／（１１１）］の差ｄ［（２００）／（１１１）］が、０．０３以上であることを特徴とするフレキシブル配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、銅層の一部を銅電気めっき法で析出させ耐折れ性を改良したフレキシブル配線板の製造方法と、そのフレキシブル配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
フレキシブル配線板は、その屈曲性をいかしてハードディスクの読み書きヘッドやプリンターヘッドなど電子機器の屈折ないし屈曲を要する部分や、液晶ディスプレイ内の屈折配線などに広く用いられている。
【０００３】
かかるフレキシブル配線板の製造には、極薄銅層（後述の銅薄膜層に相当する）と樹脂層を積層したフレキシブル配線用基板（フレキシブル銅張積層板、ＦＣＣＬ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｃｏｐｐｅｒ  Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｉｏｎとも称す）を、セミアディティブ法等を用いて配線加工する方法が用いられている。
【０００４】
このセミアディティブ法とは、銅張積層板の下地金属層および極薄銅層の上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィーにより、レジスト層をパターニングし、配線を形成したい箇所のレジスト層を除去して得られる極薄銅層が露出した開口部に銅めっきを施し、配線を形成する。配線を形成後、レジスト除去を行い、極薄銅層および下地金属層を化学エッチング処理して極薄銅層および下地金属層部分を除去する方法である。即ち、フレキシブル配線用基板の銅層のうち導体配線を形成したい部分の表面にレジストを形成せず、電気銅めっき法で銅を析出させ、極薄銅層および下地金属層に対応するエッチング液による化学エッチング処理と水洗を経て、極薄銅層および下地金属層の不要部分を選択的に除去して導体配線を形成するものである。
【０００５】
ところで、フレキシブル配線用基板（ＦＣＣＬ）は、３層ＦＣＣＬ板（以下、３層ＦＣＣＬと称す）と２層ＦＣＣＬ板（２層ＦＣＣＬと称す）に分類することができる。
【０００６】
３層ＦＣＣＬは、電解銅箔や圧延銅箔をベース（絶縁層）の樹脂フィルムに接着した構造（銅箔／接着剤層／樹脂フィルム）となっている。一方、２層ＦＣＣＬは、銅層若しくは銅箔と樹脂フィルム基材とが積層された構造（銅層若しくは銅箔／樹脂フィルム）となっている。
【０００７】
また、上記２層ＦＣＣＬには大別して３種のものがある。
即ち、樹脂フィルムの表面に下地金属層と銅層を順次めっきして形成したＦＣＣＬ（通称メタライジング基板）、銅箔に樹脂フィルムのワニスを塗って絶縁層を形成したＦＣＣＬ（通称キャスト基板）、及び銅箔に樹脂フィルムをラミネートしたＦＣＣＬ（通称ラミネート基板）である。
【０００８】
上記メタライジング基板、即ち樹脂フィルムの表面に下地金属層と銅層を順次めっきして形成したＦＣＣＬは、銅層の薄膜化が可能で、且つポリイミドフィルムと銅層界面の平滑性が高いため、キャスト基板やラミネート基板あるいは３層ＦＣＣＬと比較して、配線のファインパターン化に適している。
【０００９】
例えば、メタライジング基板の銅層は、乾式めっき法及び電気めっき法により層厚を自由に制御できるのに対し、キャスト基板やラミネート基板あるいは３層ＦＣＣＬは使用する銅箔によって、その厚みなどは制約されてしまう。
【００１０】
また、フレキシブル配線基板の配線に用いられる銅箔については、例えば、銅箔に熱処理を施す方法（特許文献１参照。）や、圧延加工を行う方法（特許文献２参照。）により、耐折れ性の向上が図られている。
【００１１】
しかし、これらの方法は、３層ＦＣＣＬの圧延銅箔や電解銅箔、２層ＦＣＣＬのうちのキャスト基板とラミネート基板に用いられる銅箔自体の処理に関するものである。
【００１２】
なお、銅箔の耐折れ性評価は、ＪＩＳ  Ｃ−５０１６−１９９４等やＡＳＴＭ  Ｄ２１７６で規格されるＭＩＴ耐屈折度試験（Ｆｏｌｄｉｎｇ  Ｅｎｄｕｒａｎｃｅ  Ｔｅｓｔ）が工業的に使用されている。
この試験では、試験片に形成した回路パターンが断線するまでの屈折回数をもって評価し、この屈折回数が大きいほど耐折れ性が良いとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開平８−２８３８８６号公報
【特許文献２】特開平６−２６９８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１４】
本発明が対象とするフレキシブル配線板は、樹脂フィルム基材の少なくとも片面に接着剤を介せずに形成した下地金属層と銅めっき層からなる金属層を順次形成しためっき基板であるため、先行技術に開示されるような銅めっき層のみの熱処理や圧延加工を施して耐折性を向上させることは困難であり、銅配線形成と合わせて、耐折れ性に優れたフレキシブル配線板の製造方法が望まれていた。
【００１５】
このような状況に鑑み、本発明は、耐折れ性に優れたフレキシブル配線板と、それらの製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明者らは上記課題を解決するために、めっき法によりポリイミド樹脂層に形成した銅層の耐折れ性について鋭意研究した結果、耐折れ性前後での結晶配向性の変化が耐折れ性試験結果に与える影響を確認し、本発明に至った。
【００１７】
本発明は、ポリイミドフィルムの表面に接着剤を介することなくニッケル合金からなる下地金属層と、その下地金属層の表面に銅薄膜層を設け、セミアディティブ法で得られるフレキシブル配線板において、ＪＩＳ  Ｃ−５０１６−１９９４に規定される耐折れ性試験の実施前後において得られる、その銅層の結晶配向比［（２００）／（１１１）］の差ｄ［（２００）／（１１１）］が、０．０３以上であることを特徴とするもので、さらに、その銅層の膜厚が、５μｍ〜１２μｍで、その銅層は、下地金属層の表面に成膜された銅薄膜層と、その銅薄膜層の表面に成膜された銅電気めっき層から構成されているものである。また、その銅電気めっき層は、その表面からポリイミドフィルム方向に膜厚の１０％以上の厚み範囲において、周期的に短時間の電位反転を行うＰｅｒｉｏｄｉｃ  Ｒｅｖｅｒｓｅ電流による銅電気めっきによって形成されたものであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
フレキシブル配線板を得る方法として、本発明のようにポリイミドフィルム表面にＮｉ、Ｃｒ、Ｃｕ等の金属層および合金層を、蒸着法もしくはスパッタリング法で形成し、その後、セミアディティブ法で配線パターンを得るフレキシブル配線板において、電気めっき法、無電解めっき法もしくは両者を組み合わせた方法で銅配線を形成する工程において、ＭＩＴ耐折れ性試験（ＪＩＳ  Ｃ−５０１６−１９９４）前後で得られる結晶配向比［（２００）／（１１１）］の差が０．０３以上の銅層を、ポリイミドフィルム表面に積層することで、耐折れ性が改良されたフレキシブル配線板が得られる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】フレキシブル配線用基板の断面模式図である。
【図２】２層フレキシブル配線用基板の下地金属層および銅薄膜層を成膜するロール・ツー・ロールスパッタリング装置を示す概要図である。
【図３】フレキシブル配線板の製造における電気めっきを行うロール・ツー・ロール方式の連続めっき装置を示す概要図である。
【図４】本発明におけるＰＲ電流の時間と電流密度を模式的に示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明のフレキシブル配線板の製造方法は、２層フレキシブル配線用基板をセミアディティブ法で配線パターン形成する。２層フレキシブル配線用基板の銅薄膜層と銅電気めっき層により配線となる銅層を形成する。
【００２１】
（１）２層フレキシブル配線用基板
まず、本発明のフレキシブル配線板に用いる２層フレキシブル配線用基板について説明する。
本発明の２層フレキシブル配線用基板は、ポリイミドフィルムの少なくとも片面に接着剤を介さずに下地金属層と銅層が逐次的に積層された積層構造を採り、その銅層は、銅薄膜層と銅電気めっき層により構成されている。
【００２２】
図１は、メタラインジング法で作製された２層フレキシブル配線用基板６の断面を示した模式図である。
樹脂フィルム基板１にポリイミドフィルムを用い、そのポリイミドフィルムの少なくとも一方の面には、ポリイミドフィルム側から下地金属層２、銅薄膜層３の順に成膜、積層されている。
【００２３】
使用する樹脂フィルム基板としては、ポリイミドフィルムのほかに、ポリアミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリテトラフルオロエチレンフィルム、ポリフェニレンサルファイドフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、液晶ポリマーフィルムなどを用いることができる。
特に、機械的強度や耐熱性や電気絶縁性の観点から、ポリイミドフィルムが好ましい。
さらに、フィルムの厚みが２５〜７５μｍの上記樹脂フィルム基板が好ましく使用できる。
【００２４】
下地金属層２は、樹脂フィルム基板と銅などの金属層との密着性や耐熱性などの信頼性を確保するものである。従って、下地金属層の材質は、ニッケル、クロム又はこれらの合金の中から選ばれる何れか１種とするが、密着強度や配線作製時のエッチングしやすさを考慮すると、ニッケル・クロム合金が適している。
【００２５】
ニッケル・クロム合金の組成は、クロム１５重量％以上から２２重量％以下が望ましく、耐食性や耐マイグレーション性の向上が望める。
【００２６】
このうち２０重量％クロムのニッケル・クロム合金は、ニクロム合金として流通し、マグネトロンスパッタリング法のスパッタリングターゲットとして容易に入手可能である。また、ニッケルを含む合金には、クロム、バナジウム、チタン、モリブデン、コバルト等を添加しても良い。
【００２７】
さらに、クロム濃度の異なる複数のニッケル・クロム合金の薄膜を積層して、ニッケル・クロム合金の濃度勾配を設けた下地金属層を構成しても良い。
下地金属層の膜厚は、３ｎｍ〜５０ｎｍが望ましい。下地金属層の膜厚が３ｎｍ未満では、ポリイミドフィルムと銅層の密着性を保てず、耐食性や耐マイグレーション性で劣る。一方、下地金属層の膜厚が５０ｎｍを越えると、セミアディティブ法で配線加工する際に、下地金属層の十分な除去が困難な場合が生じる。下地金属層の除去が不十分な場合は、配線間のマイグレーション等の不具合が懸念される。
【００２８】
銅薄膜層３は、主に銅で構成され、その膜厚は、１０ｎｍ〜１μｍが望ましい。銅薄膜層の膜厚が１０ｎｍ未満では、銅電気めっき層を電気めっき法で成膜する際の導電性が確保できず、電気めっきの際の外観不良に繋がる。銅箔膜層の膜厚が１μｍを越えても２層フレキシブル配線用基板の品質上の問題は生じないが、生産性が劣る問題がある。
【００２９】
（２）下地金属層と銅薄膜層の成膜方法
下地金属層および銅薄膜層は、乾式めっき法で形成することが好ましい。
乾式めっき法には、スパッタリング法、イオンプレーティング法、クラスターイオンビーム法、真空蒸着法、ＣＶＤ法等が挙げられるが、下地金属層の組成の制御等の観点から、スパッタリング法が望ましい。
【００３０】
樹脂フィルム基材にスパッタリング成膜するには公知のスパッタリング装置で成膜することができ、長尺の樹脂フィルム基材に成膜するには、公知のロール・ツー・ロール方式スパッタリング装置で行うことができる。このロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いれば、長尺のポリイミドフィルムの表面に、下地金属層および銅箔膜層を連続して成膜することができる。
【００３１】
図２はロール・ツー・ロールスパッタリング装置の一例である。
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置１０は、その構成部品のほとんどを収納した直方体状の筐体１２を備えている。
筐体１２は円筒状でも良く、その形状は問わないが、１０−４Ｐａ〜１Ｐａの範囲に減圧された状態を保持できれば良い。
【００３２】
この筐体１２内には、長尺の樹脂フィルム基板であるポリイミドフィルムＦを、供給する巻出ロール１３、キャンロール１４、スパッタリングカソード１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ、前フィードロール１６ａ、後フィードロール１６ｂ、テンションロール１７ａ、テンションロール１７ｂ、巻取ロール１８を有する。
【００３３】
巻出ロール１３、キャンロール１４、前フィードロール１６ａ、巻取ロール１８にはサーボモータによる動力を備える。巻出ロール１３、巻取ロール１８は、パウダークラッチ等によるトルク制御によってポリイミドフィルムＦの張力バランスが保たれるようになっている。
【００３４】
テンションロール１７ａ、１７ｂは、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられている。
【００３５】
スパッタリングカソード１５ａ〜１５ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール１４に対向して配置される。スパッタリングカソード１５ａ〜１５ｄの長尺樹脂フィルム基板であるポリイミドフィルムＦの巾方向の寸法は、ポリイミドフィルムＦの巾より広ければよい。
【００３６】
ポリイミドフィルムＦは、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置１０内を搬送されて、キャンロール１４に対向するスパッタリングカソード１５ａ〜１５ｄで成膜され、銅薄膜層付ポリイミドフィルムＦ２に加工される。
【００３７】
キャンロール１４は、その表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体１２の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、略一定の温度に調整される。
【００３８】
ロール・ツー・ロールスパッタリング装置１０を用いて下地金属層と銅薄膜層を成膜する場合、下地金属層の組成を有するターゲットをスパッタリングカソード１５ａに、銅ターゲットをスパッタリングカソード１５ｂ〜１５ｄにそれぞれ装着し、ポリイミドフィルムを巻出ロール１３にセットした装置内を真空排気した後、アルゴン等のスパッタリングガスを導入して装置内を１．３Ｐａ程度に保持する。
【００３９】
また、下地金属層をスパッタリングで成膜した後に、銅薄膜層を蒸着法で成膜しても良い。
さらに、銅薄膜層は、乾式めっき法で形成した表面に湿式めっき法で銅を０.４〜４μｍ程度厚付けして完成させても良い。ここで湿式めっき法は無電解銅めっき法や銅電気めっき法などがあり、適宜選択できる。
【００４０】
（３）配線形成用レジストの作製
銅薄膜層を成膜した基板に、例えばドライフィルムレジストなどのレジスト層を形成し、露光、現像を行う公知のフォトリソグラフィー法により、配線を形成したい部分のレジスト層は除去し開口部を設ける。レジスト層の厚みは、後述する銅電気めっき層の膜厚より1〜３μｍ厚ければよい。レジスト層が、銅電気めっき層の膜厚と略同じであると、銅電気めっきにより配線を形成する開口部から銅電気めっきがはみ出ることがあり配線が形成できなくなり、厚すぎると、銅電気めっき層の成膜し難くなる。
【００４１】
（４）銅電気めっき層とその成膜方法
銅電気めっき層は、電気めっき法により成膜される。その銅電気めっき層の膜厚は、５μｍ〜１８μｍが望ましい。ここで、使用する電気めっき法は、硫酸銅のめっき浴中にて、不溶性アノードもしくは可溶性アノードを用いて電気めっきを行うもので、使用する銅めっき浴の組成は、通常用いられるプリント配線板用のハイスロー硫酸銅めっき浴でも良い。
【００４２】
図３は、本発明に係るフレキシブル配線板の製造に用いることができるロール・ツー・ロール連続電気めっき装置（以下めっき装置２０という）の一例である。
【００４３】
下地金属層と銅薄膜層を成膜して得られその後、レジスト層のパターンが形成された銅薄膜層付ポリイミドフィルムＦ２は、巻出ロール２２から巻き出され、電気めっき槽２１内のめっき液への浸漬を繰り返しながら連続的に搬送される。
【００４４】
銅薄膜層付ポリイミドフィルムＦ２は、めっき液に浸漬されている間に電気めっきにより金属薄膜の表面に銅層が成膜され、所定の膜厚の銅層が形成された後、金属化樹脂フィルム基板である２層フレキシブル配線用基板Ｓとして、巻取ロール２９に巻き取れられる。なお、銅薄膜層付ポリイミドフィルムＦ２の搬送速度は、数ｍ〜数十ｍ／分の範囲が好ましい。
【００４５】
具体的に説明すると、銅薄膜層付ポリイミドフィルムＦ２は、巻出ロール２２から巻き出され、給電ロール２６ａを経て、電気めっき槽２１内のめっき液２８に浸漬される。電気めっき槽２１内に入った銅薄膜層付ポリイミドフィルムＦ２は、反転ロール２３を経て搬送方向が反転され、給電ロール２６ｂにより電気めっき槽２１外へ引き出される。
【００４６】
このように、銅薄膜層付ポリイミドフィルムＦ２が、めっき液への浸漬を複数回（図３では１０回）繰り返す間に、銅薄膜層付ポリイミドフィルムＦ２の金属薄膜上に銅層を形成するものである。
【００４７】
給電ロール２６ａとアノード１４ａの間には電源（図示せず）が接続されている。
【００４８】
給電ロール２６ａ、アノード１４ａ、めっき液、銅薄膜層付ポリイミドフィルムＦ２および電源により、電気めっき回路が構成される。また、不溶性アノードは、特別なものを必要とせず、導電性セラミックで表面をコーティングした公知のアノードでよい。なお、電気めっき槽２１の外部に、めっき液に銅イオンを供給する機構を備える。
【００４９】
めっき液への銅イオンの供給は、不溶性アノードの場合、酸化銅水溶液、水酸化銅水溶液、炭酸銅水溶液等で供給する。もしくはめっき液中に微量の鉄イオンを添加して、無酸素銅ボールを溶解して銅イオンを供給する方法もある。銅の供給方法は上記のいずれかの方法を用いることができる。可溶性アノードの場合、含リン銅ボールをアノードに用い、銅イオンの供給も行う。
【００５０】
めっき中における電流密度は、アノード２４ａから搬送方向下流に進むにつれて電流密度を段階的に上昇させ、アノード２４ｍから２４ｒで最大の電流密度となるようにする。
【００５１】
このように電流密度を上昇させることで、銅層の変色を防ぐことができる。特に銅層の膜厚が薄い場合に電流密度が高いと銅層の変色が起こりやすいために、めっき中の電流密度は、後述するＰＲ電流の反転電流を除き０．１Ａ／ｄｍ２〜８Ａ／ｄｍ２が望ましい。電流密度が高くなると銅電気めっき層の外観不良が発生する。
【００５２】
本発明に係るフレキシブル配線板を製造するためには銅電気めっき層の膜厚の表面から１０％以上の範囲でＰＲ電流を用いて形成する。
ＰＲ電流を使用する場合、反転電流は正電流の１〜９倍の電流を加えると良い。
反転電流時間割合としては１〜１０％程度が望ましい。
また、ＰＲ電流の次の反転電流がなかれる周期は、１０ｍ秒以上が望ましく、より望ましくは２０ｍ秒〜３００ｍ秒である。
図４はＰＲ電流の時間と電流密度を模式的に示したものである。
【００５３】
なお、めっき電圧は、上述の電流密度が実現できるように適宜調整すればよい。
【００５４】
本発明に係るフレキシブル配線板を、ロール・ツー・ロール連続電気めっき装置（以下めっき装置２０という）で製造するには、搬送経路の下流側から１つ以上のアノードでＰＲ電流を流せばよく、ＰＲ電流を流すアノード数は、銅電気めっき層の表面からポリイミドフィルム側にＰＲ電流で成膜する範囲の割合をどのようにするかで決まる。すなわち、少なくともアノード２４ｒはＰＲ電流が流れ、必要に応じてアノード２４ｑ、アノード２４ｐ、アノード２４ｏにＰＲ電流が流れることとなる。
なお、全アノードにＰＲ電流を流してもよいが、ＰＲ電流用の整流器が高価な為、製造コストが増加する。そこで、本発明に係るフレキシブル配線板では、銅電気めっきの表面からポリイミド方向に膜厚の１０％がＰＲ電流で成膜すれば、耐折れ性試験（ＪＩＳ  Ｃ−５０１６−１９９４）の実施前後で、銅層の結晶配向比［（２００）／（１１１）］の差ｄ［（２００）／（１１１）］が０．０３以上とできるので、結果的に耐折れ性試験（ＭＩＴ試験）の向上が望める。
【００５５】
ＰＲ電流を使用した銅電気めっきが望ましい理由は、電流を反転させると、銅電気めっき層の銅の結晶粒径は２００ｎｍ程度以上とすることができ結晶粒界を少なくできるので、粒界で発生するクラックの起点を少なくすることができるためである。
【００５６】
一般に電気めっき法では、めっき析出する銅は、銅めっきされる基材表面の影響を受けるが、銅電気めっき層の表面から膜厚の１０％以上をＰＲ電流で成膜すれば、結晶粒界を制御でき従って、フレキシブル配線板の銅電気めっき層の表面から膜厚の１０％以上が、耐折れ性に合致した結晶になっていれば、銅電気めっき層の耐折れ性に対する効果が得られ、本発明の課題を達成することができる。
【００５７】
銅電気めっき層を成膜の後、レジストの除去は、苛性ソーダ水溶液などのアルカリ水溶液で行うことができ、銅薄膜層と下地金属層の除去は塩化第二鉄水溶液などの公知のセミアディティブ用のエッチング液を用いればよい。
【００５８】
（５）銅電気めっき層の特徴
本発明のフレキシブル配線板の銅層の特徴は、ＭＩＴ耐折れ性試験（ＪＩＳ  Ｃ−５０１６−１９９４）前後における結晶の配向比［（２００）／（１１１）］の差が０．０３以上の状態となることにある。このような状態は、ＭＩＴ耐折れ試験をすることで結晶が滑り、再結晶が起こったと考えられる。
表面の光沢性は、表面の凹凸が切り欠きの要因とならないよう光沢膜が好ましい。
また、本発明のフレキシブル配線板の銅層は、上述の銅層の成膜方法で得られ、ＭＩＴ耐折れ試験前後における結晶配向比［（２００）／（１１１）］の差が０．０３以上であるという特性等を有する銅層となる。なお、銅電気めっき層の結晶配向はＸ線回折のＷｉｌｓｏｎの配向度指数から知ることができる。
【００５９】
さらに、上記方法で得られた銅層の銅結晶は、屈折時に常温下での動的再結晶効果を有する。耐折れ性試験後の平均結晶粒径は再結晶で１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度となる傾向である。
【００６０】
一般に、銅の電気めっき膜は、常温下で動的再結晶しないと考えられてきた。しかし、本発明のフレキシブル配線板は、常温下で動的再結晶するので、結果的に、ＭＩＴ試験のような屈折試験を行うと試料が切れ難い。銅層の平均結晶粒径と常温下での動的再結晶は、断面ＳＩＭ像での観察することができる。
【実施例】
【００６１】
以下、実施例を用いて本発明をより説明する。
銅薄膜層付ポリイミドフィルムは、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置１０を用いて製造した。
下地金属層を成膜する為のニッケル−２０重量％クロム合金ターゲットをスパッタリングカソード１５ａに、銅ターゲットをスパッタリングカソード１５ｂ〜ｄにそれぞれ装着し、厚み３８μｍのポリイミドフィルム（カプトン  登録商標  東レ・デュポン社製）をセットした装置内を真空排気した後、アルゴンガスを導入して装置内を１．３Ｐａに保持して銅薄膜層付ポリイミドフィルムを製造した。下地金属層（ニッケル−クロム合金）の膜厚は２０ｎｍ、銅薄膜層の膜厚は２００ｎｍであった。
【００６２】
得られた銅薄膜層付ポリイミドフィルムに、ドライフィルムレジスト層を形成し、露光、現像を行い、レジスト層をパターニング後、めっき装置２０を用いて銅電気めっきを行い、銅電気めっき配線層を形成した。めっき液はｐＨ１以下の硫酸銅水溶液を用い、アノード２４ｍから２４ｒは特に断らない限り最大の電流密度（ＰＲ電流の反転電流を除く）となるようにし、最終的に銅電気めっき層の膜厚が８．５μｍとなるように電流密度を調整した。その後、レジストを除去後、下地金属層を塩化第二鉄をエッチング液に用い溶解し、配線基板を得た。
【００６３】
耐折れ性試験は、上記配線基板を用い、ＪＩＳ−Ｃ−５０１６−１９９４のテストパターンを形成し、同規格に従い評価した。
【００６４】
耐折れ性試験前後の銅電気めっき層の結晶配向はＸ線回折でＷｉｌｓｏｎの配向度指数を用い測定した。
【実施例１】
【００６５】
銅電気めっき層の表面から１０％の膜厚範囲までＰＲ電流を用いて電気めっきを行う為に、アノード２４ｒにＰＲ電流を流して、実施例１の２層フレキシブル配線板を作製した。
ＭＩＴ体俺性試験前後のＸ線配向度指数で表す結晶配向比［（２００）／（１１１）］の差が０．０４の実施例１のサンプルは、ＭＩＴ対折れ性試験で５３６回という良好な結果を得た。
【実施例２】
【００６６】
銅電気めっき層の表面から３０％の膜厚範囲までＰＲ電流を用いて電気めっきを行う為、アノード２４ｐ〜２４ｒにＰＲ電流を流した以外は、実施例１と同様に行い、実施例２の２層フレキシブル配線板を作製した。
ＭＩＴ対折れ性試験前後のＸ線配向度指数で表す結晶配向比［（２００）／（１１１）］の差が０．０９の実施例２のサンプルは、ＭＩＴ対折れ性試験で７３６回という良好な結果を得た。
【００６７】
（比較例１）
銅電気めっき層の表面から８％の膜厚範囲までＰＲ電流を用いて電気めっきを行う為、アノード２４ｒにＰＲ電流を流し、そのアノードの電流密度を実施例１の８０％とした以外は、実施例１と同様に行い、比較例１の２層フレキシブル配線板を作製した。
ＭＩＴ体折れ性試験前後のＸ線配向度指数で表す結晶配向比［（２００）／（１１１）］の差が０．０２の比較例１のサンプルは、ＭＩＴ対折れ性試験で１３５回という改善効果が見られない結果であった。
【００６８】
（比較例２）
銅電気めっき層の表面から５％の膜厚範囲までＰＲ電流で電気めっきを行う為、アノード２４ｒにＰＲ電流を流し、そのアノードの電流密度を実施例１の５０％とした以外は、実施例１と同様に行い、比較例２の２層フレキシブル配線板を作製した。
ＭＩＴ対折れ性試験前後のＸ線配向度指数で表す結晶配向比［（２００）／（１１１）］の差が０．０１の比較例２のサンプルは、ＭＩＴ対折れ性試験で８３回という改善効果が見られない結果であった。
【符号の説明】
【００６９】
１    ポリイミドフィルム（樹脂フィルム基板）
２    下地金属層
３    銅薄膜層
６    ２層フレキシブル配線用基板
１０    ロール・ツー・ロールスパッタリング装置
１２    筐体
１３    巻出ロール
１４    キャンロール
１５ａ、１５ｂ、１５ｃ、１５ｄ  スパッタリングカソード
１６ａ  前フィードロール
１６ｂ  後フィードロール
１７ａ、１７ｂ  テンションロール
１８    巻取ロール
２０    ロール・ツー・ロール方式の連続めっき装置
２１    電気めっき槽
２２    巻出ロール
２３    反転ロール
２４ａ〜ｒ  アノード
２６ａ〜ｋ  給電ロール
２９    巻取ロール
Ｆ    ポリイミドフィルム（樹脂フィルム基板）
Ｆ２  銅薄膜層付ポリイミドフィルム（銅薄膜層付樹脂フィルム基板）
Ｓ    ２層フレキシブル配線用基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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