(57)【要約】【課題】ガラス基板表層を安定化させ、ＨＤＤの信頼性を向上できる、ＨＤＤ用ガラス基板の製造方法を提供する。【解決手段】記録密度が６００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上であるＨＤＤ用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板を研磨する第２ポリッシュ工程（Ｓ１８）と、第２ポリッシュ工程（Ｓ１８）後、ガラス基板を気相中で加熱処理するエージング工程（Ｓ１９）とを備える。エージング工程（Ｓ１９）における処理温度（単位：℃）と処理時間（単位：分）との積が１５００以上であり、処理温度は４０℃超ガラス転移点温度未満である。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録密度が６００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上であるＨＤＤ用ガラス基板の製造方法において、
前記ガラス基板を研磨する工程と、
前記研磨する工程後、前記ガラス基板を気相中で加熱処理する工程とを備え、
前記加熱処理する工程における処理温度（単位：℃）と処理時間（単位：分）との積が１５００以上であり、前記処理温度は４０℃超ガラス転移点温度未満である、ＨＤＤ用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記加熱処理する工程における前記気相中の相対湿度は５０％以下である、請求項１に記載のＨＤＤ用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記加熱処理する工程における処理温度（単位：℃）と処理時間（単位：分）との積が２０００以上１０００００以下である、請求項１または請求項２に記載のＨＤＤ用ガラス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＨＤＤ（Hard Disk Drive）用のガラス基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータなどに用いられる情報記録媒体（磁気ディスク記録媒体）には、従来からアルミニウム基板またはガラス基板が用いられている。これらの基板上に磁気薄膜層が形成され、磁気薄膜層を磁気ヘッドで磁化することにより、磁気薄膜層に情報が記録される。
【０００３】
ＨＤＤの記憶容量は年々飛躍的に増大しており、記録密度も年々向上している。これに伴い、記録領域はより微小化され、１ビットに費やす媒体の記録面積を小さくすることが必要不可欠となっている。媒体の記録面積の減少に比例して記録用の磁性粒子サイズも微細化しなければならず、微小領域での磁気信号のリード／ライト機能を向上するために、磁気ヘッドと情報記録媒体との間の距離（フライングハイト）がさらに小さくなっている。
【０００４】
フライングハイトが小さくなるにつれて、情報記録媒体をハードディスクドライブ装置に用いた場合の、媒体に記録されたデータにアクセスする際のリード／ライトエラー、磁気ヘッドが媒体表面に衝突するヘッドクラッシュなどの問題が発生しやすくなっている。これらの問題を抑制するために、情報記録媒体として許容される基板表面の欠陥の大きさもより小さくなる。そのため、情報記録媒体用ガラス基板としても、より表面平滑性の高いガラス基板が追及されており、ガラス基板表面に付着する異物や、ガラス基板表面のうねりを抑制する為、製造方法に様々な工夫がなされてきた。
【０００５】
一方、近年では、ＨＤＤの記憶容量は更に向上され、現在では２．５インチの記録媒体１枚で、記録容量が５００ＧＢ（片面２５０ＧＢ）、面記録密度が６００Ｇｂｉｔ／平方インチ以上の記録密度を有するものが開発されている。このような高い記録密度の記録媒体において、平滑性が非常に高いガラス基板を用いた場合においても、データアクセス時のリード／ライトエラーが発生する場合があることがわかり、原因を分析したところ、従来のヘッドクラッシュによるエラーではないことが判明した。
【０００６】
上述の問題に対し、製造後のガラス基板に関し、表面状態を含めて精査したが、リード／ライトエラーの発生要因となるような欠陥は見られず、具体的な解決策は見出されていなかった。しかし、さらに精査した結果、製造後のガラス基板に対して磁性層を設けた後に、磁気信号のシグナルノイズ比のバラつきが発生し、リード／ライトエラーの発生要因となっている可能性が見出された。
【０００７】
このような磁気信号のシグナルノイズ比のバラつきの要因について、更に検討を進めた結果、このような磁性層における磁気信号のバラつきは、やはりガラス基板の表面状態に起因して発生していることが判明した。一般的に、記録媒体用のガラス基板は、製造後一旦密封梱包されて搬送された後に、取りだされて磁性層を塗設する工程に供される。その際、梱包時、搬送時、取り出し時の条件の違いにより、ガラス基板の表面状態が不均一化したり、わずかなパーティクルが付着する場合がある。そのため、表面状態を均一化する為に、アルカリ性の洗剤等の、比較的洗浄性が高く、場合によっては表面を若干溶解させるような特性を持つ洗剤を用いて洗浄される。上述の磁気信号のシグナルノイズ比のバラつきは、このような磁性層の塗設直前に行われる洗浄において、ガラス表面の安定状態が損なわれて発生しており、ガラス基板自体を製造後に検査しても要因が判明し得なかったことが明らかになった。
【０００８】
このような磁性層を塗布する直前におけるガラス基板の安定性を高める取り組みは従前には検討されていなかったが、ガラス基板表面における成分の溶出を抑制して安定性を高める技術としては、ガラス基材の表面部分に存在するアルカリ金属イオンをリチウムイオンに置換し、続いてリチウムイオンを水素イオンに置換する二段階のイオン交換処理を施すことで、ガラス基板から骨格成分となるＳｉ成分の溶出を抑制し、高温高湿下での長時間の使用、保存においても強度劣化を起こさないガラス基板を提供する技術が提案されている（たとえば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−１８７２３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上述のように、ＨＤＤの記録密度を６００Ｇｂｉｔ／平方インチ以上にまで増大させる場合には、従来のようにガラス基板の表面平滑性のみを高めるだけでは十分ではなく、磁性層を塗布する直前のガラス基板の表面状態に起因した磁気信号のシグナルノイズ比のバラつきによるリード／ライトエラーを抑制する必要がある。
【００１１】
特許文献１によれば、特殊な処理により、ガラス基板の表面における骨格成分の溶出をある程度抑制することは可能であるものの、上記の処理後には、通常研磨工程が行われ、表面状態は随時変化する為、ガラス基板製造後における表面状態は必ずしも制御できない。その為、ガラス基板表面の安定性は十分ではなく、磁性層を塗布する直前に施されるアルカリ性の洗剤等を用いた洗浄によりわずかな成分の溶出が発生し、それにより発生する磁気信号のシグナルノイズ比のバラつきによるリード／ライトエラーを抑制することは困難であった。
【００１２】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その主たる目的は、ガラス基板表層を安定化させ、ＨＤＤの記録密度を６００Ｇｂｉｔ／平方インチ以上にまで増大させた場合においても、磁気信号のシグナルノイズ比のバラつきによるリード／ライトエラーを抑制し、それによりＨＤＤの信頼性を向上できる、ＨＤＤ用ガラス基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明者は、上記課題に鑑みて鋭意検討し、ガラス基板の製造工程においてガラス基板表層を十分に安定化させることでＨＤＤの磁気特性を向上できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１４】
すなわち、本発明に係るＨＤＤ用ガラス基板の製造方法は、記録密度が６００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上であるＨＤＤ用ガラス基板の製造方法であって、ガラス基板を研磨する工程と、研磨する工程後、ガラス基板を気相中で加熱処理する工程とを備える。加熱処理する工程における処理温度（単位：℃）と処理時間（単位：分）との積が１５００以上であり、処理温度は４０℃超ガラス転移点温度未満である。
【００１５】
上記製造方法において好ましくは、加熱処理する工程における気相中の相対湿度は５０％以下である。好ましくは、加熱処理する工程における処理温度（単位：℃）と処理時間（単位：分）との積が２０００以上１０００００以下である。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、研磨工程後に上記の条件で加熱処理を行うことで、ガラス基板表層を安定化させることができ、記録密度が６００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上であるＨＤＤにおいても良好な磁気特性を示す信頼性の高いＨＤＤを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施の形態における情報記録媒体用ガラス基板の斜視図である。
【図２】実施の形態における情報記録媒体の斜視図である。
【図３】実施の形態における情報記録媒体の製造方法を示すフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に、本発明の実施の形態および実施例について説明する。なお、同一または相当する部分に同一の参照符号を付し、その説明を繰返さない場合がある。
【００１９】
なお、以下に説明する実施の形態および実施例において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。また、以下の実施の形態において、各々の構成要素は、特に記載がある場合を除き、本発明にとって必ずしも必須のものではない。
【００２０】
（情報記録媒体１の構成）
図１および図２を参照して、情報記録媒体用ガラス基板１Ｇおよび情報記録媒体１の構成について説明する。図１は、情報記録媒体用ガラス基板１Ｇの斜視図である。図２は、情報記録媒体の斜視図である。
【００２１】
図１に示すように、情報記録媒体１に用いられる情報記録媒体用ガラス基板１Ｇ（以下、「ガラス基板１Ｇ」と称する。）は、中心に孔１１が形成された環状の円板形状を呈している。ガラス基板１Ｇは、外周端面１２、内周端面１３、表主表面１４、および裏主表面１５を有している。ガラス基板１Ｇとしては、アモルファスガラス等を用い、たとえば、外径約６５ｍｍ、内径約２０ｍｍ、厚さ約０．８ｍｍ、表面粗さは、約２．０Å以下である。
【００２２】
ガラス基板１Ｇのインチサイズに特に限定はなく、０．８インチ、１．０インチ、１．８インチ、２．５インチ、３．５インチ各種ガラス基板１Ｇを、情報記録媒体用のディスクとして製造してもよい。
【００２３】
落下衝撃によるガラス基板１Ｇの割れに対して有効であることから、ガラス基板１Ｇの厚みは０．３０ｍｍ〜２．２ｍｍが好ましい。ここでいうガラス基板１Ｇの厚みとは基板上の点対象となる任意の何点かで測定した値の平均値を意味する。
【００２４】
図２に示す本実施の形態の情報記録媒体１はＨＤＤである。図２に示すように、情報記録媒体１では、上記したガラス基板１Ｇの表主表面１４上に磁気薄膜層２３が形成されている。ＨＤＤの記録密度は６００Ｇｂｉｔ／ｉｎｃｈ２以上である。図示では、表主表面１４上にのみ磁気薄膜層２３が形成されているが、裏主表面１５上に磁気薄膜層２３を設けることも可能である。
【００２５】
磁気薄膜層２３の形成方法としては従来公知の方法を用いることができ、例えば磁性粒子を分散させた熱硬化性樹脂を基板上にスピンコートして形成する方法、スパッタリングにより形成する方法、無電解めっきにより形成する方法が挙げられる。
【００２６】
スピンコート法での膜厚は約０．３〜１．２μｍ程度、スパッタリング法での膜厚は０．０４〜０．０８μｍ程度、無電解めっき法での膜厚は０．０５〜０．１μｍ程度であり、薄膜化および高密度化の観点からはスパッタリング法および無電解めっき法による膜形成がよい。
【００２７】
磁気薄膜層２３に用いる磁性材料としては、特に限定はなく従来公知のものが使用できるが、高い保持力を得るために結晶異方性の高いＣｏを基本とし、残留磁束密度を調整する目的でＮｉ、Ｃｒを加えたＣｏ系合金などが好適である。近年では、熱アシスト記録用に好適な磁性層材料として、ＦｅＰｔ系の材料が用いられるようになってきている。
【００２８】
磁気ヘッドの滑りをよくするために磁気薄膜層２３の表面に潤滑剤を薄くコーティングしてもよい。潤滑剤としては、例えば液体潤滑剤であるパーフロロポリエーテル（ＰＦＰＥ）をフレオン系などの溶媒で希釈したものが挙げられる。
【００２９】
必要により下地層、保護層を設けてもよい。情報記録媒体１における下地層は磁性膜に応じて選択される。下地層の材料としては、例えば、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｖ、Ｂ、Ａｌ、Ｎｉなどの非磁性金属から選ばれる少なくとも一種以上の材料が挙げられる。
【００３０】
下地層は単層とは限らず、同一又は異種の層を積層した複数層構造としても構わない。例えば、Ｃｒ／Ｃｒ、Ｃｒ／ＣｒＭｏ、Ｃｒ／ＣｒＶ、ＮｉＡｌ／Ｃｒ、ＮｉＡｌ／ＣｒＭｏ、ＮｉＡｌ／ＣｒＶ等の多層下地層としてもよい。
【００３１】
磁気薄膜層２３の摩耗、腐食を防止する保護層としては、例えば、Ｃｒ層、Ｃｒ合金層、カーボン層、水素化カーボン層、ジルコニア層、シリカ層などが挙げられる。保護層は、下地層、磁性膜など共にインライン型スパッタ装置で連続して形成できる。保護層は、単層としてもよく、あるいは、同一又は異種の層からなる多層構成としてもよい。
【００３２】
上記保護層上に、あるいは上記保護層に替えて、他の保護層を形成してもよい。例えば、上記保護層に替えて、Ｃｒ層の上にテトラアルコキシシランをアルコール系の溶媒で希釈した中に、コロイダルシリカ微粒子を分散して塗布し、さらに焼成して酸化ケイ素（ＳｉＯ２）層を形成してもよい。
【００３３】
（ガラス基板１Ｇの製造工程）
次に、図３を参照して、本実施の形態に係るガラス基板１Ｇおよび情報記録媒体１の製造方法を説明する。図３は、ガラス基板１Ｇおよび情報記録媒体１の製造方法を示すフロー図である。
【００３４】
まず、ステップ１０（以下、「Ｓ１０」と略す。ステップ１１以降も同様。）の「ガラス溶融工程」において、ガラス基板を構成するガラス素材を溶融する。
【００３５】
Ｓ１１の「プレス成形工程」において、溶融させたガラス素材を上型および下型を用いたプレスによりガラス基板を作製した。使用したガラス組成は、一般的なアルミノシリケートガラスを用いた。ガラス基板の作製方法としては成形に限らず、公知の手法である板ガラスからの切り出し等でも構わず、ガラス組成もこれに限らない。
【００３６】
Ｓ１２の「第１ラップ工程」において、ガラス基板の両主表面をラッピング加工した。この第１ラップ工程は、遊星歯車機構を利用した両面ラッピング装置を用いて行なった。具体的には、ガラス基板の両面に上下からラップ定盤を押圧させ、研削液をガラス基板の主表面上に供給し、これらを相対的に移動させてラッピング加工を行なった。このラッピング加工により、おおよそ平坦な主表面を有するガラス基板を得た。
【００３７】
Ｓ１３の「コアリング工程」において、円筒状のダイヤモンドドリルを用いて、ガラス基板の中心部に穴を形成し、円環状のガラス基板を作製した。ガラス基板の内周端面、および外周端面をダイヤモンド砥石によって研削し、所定の面取り加工を実施した。
【００３８】
Ｓ１４の「第２ラップ工程」において、ガラス基板の両主表面について、上記第１ラップ工程（Ｓ１２）と同様に、ラッピング加工を行なった。この第２ラップ工程を行なうことにより、前工程のコアリングや端面加工において主表面に形成された微細な凹凸形状を予め除去しておくことができる。その結果、後工程での主表面の研磨時間を短縮することができる。
【００３９】
Ｓ１５の「外周研磨工程」において、ガラス基板の外周端面について、ブラシ研磨による鏡面研磨を行なった。このとき研磨砥粒としては、一般的な酸化セリウム砥粒を含むスラリーを用いた。
【００４０】
Ｓ１６の「第１ポリッシュ工程」において、主表面研磨を行なった。この第１ポリッシュ工程は、上述の第１および第２ラップ工程（Ｓ１２，Ｓ１４）において主表面に残留したキズや反りを矯正することを主目的とするものである。この第１ポリッシュ工程においては、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により主表面の研磨を行なった。研磨剤としては、一般的な酸化セリウム砥粒を用いた。
【００４１】
Ｓ１７の「化学強化工程」において、ガラス基板１Ｇの主表面に対して表面強化層を形成した。具体的には、３００℃に加熱された硝酸カリウム（７０％）と硝酸ナトリウム（３０％）の混合溶液中に、ガラス基板１Ｇを約３０分間浸漬することによって化学強化を行なった。その結果、ガラス基板の内周端面および外周端面のリチウムイオンおよびナトリウムイオンが、化学強化溶液中のナトリウムイオンおよびカリウムイオンにそれぞれ置換され、圧縮応力層が形成されることでガラス基板の主表面及び端面が強化された。
【００４２】
Ｓ１８の「第２ポリッシュ工程」において、主表面研磨工程を施した。この第２ポリッシュ工程は上述までの工程で発生、残存している主表面上の微小欠陥等を解消して鏡面状に仕上げること、反りを解消し所望の平坦度に仕上げることを目的とする。この第２ポリッシュ工程は、遊星歯車機構を有する両面研磨装置により研磨を行なった。研磨剤としては、平滑面を得る為に平均粒径が約２０ｎｍのコロイダルシリカを用いた。
【００４３】
Ｓ１９の「エージング工程」において、研磨工程後のガラス基板に、気相中で加熱処理を施す。加熱処理は、恒温恒湿の雰囲気中にガラス基板を所定時間置くことにより、行なわれる。加熱処理が行なわれる雰囲気には特に限定はない。たとえば大気中、Ｏ２雰囲気中、Ｎ２雰囲気中、またはＨ２雰囲気中などの、任意の雰囲気中でガラス基板に加熱処理を施すことが可能である。
【００４４】
研磨工程後のガラス基板に加熱処理を施すことで、ガラス表層の結合状態が安定する。これは、研磨直後のガラス表層はＳｉのダングリングボンドが増加し非常に不安定な状態となっているが、恒温恒湿雰囲気中での加熱処理を施すことでガラス表層のダングリングボンドが減少し、表面結合状態が安定化するからであると考えられる。ガラス表層の結合状態が安定化することにより、後の工程を経て形成されたＨＤＤでは、シグナルノイズ比特性が向上している。液相中で加熱処理を行った場合は、条件によっては表面の安定性が損なわれる場合もある為、本発明においては気相中で加熱処理を施す。
【００４５】
加熱処理は、研磨工程後のガラス基板に施される。研磨工程においてガラス基板の表面が活性化されるので、先に加熱処理でガラス基板の表層を安定させてもその効果が失われてしまうためである。同様に加熱処理は、化学強化（イオン交換）処理以降のガラス基板に施される。化学強化後のガラス表層は活性化されているため、先に加熱処理で表層を安定化させてもその効果が打ち消されてしまうためである。
【００４６】
加熱処理は、処理温度（単位：℃）と処理時間（単位：分）との積が１５００以上になるように行なう。処理温度と処理時間との積が１５００未満であると、ガラス基板の表層を安定化させる効果が十分に得られない。さらに好ましい範囲は、処理温度（単位：℃）と処理時間（単位：分）との積が２０００以上１０００００以下の範囲である。
【００４７】
加熱処理は、ガラス転移点温度Ｔｇ未満の温度で行なう。処理温度をＴｇ以上にすると、ガラス中の原子構造が全体的に動き出すため、ガラス基板の変形を引き起こす恐れがある。また加熱処理は、４０℃よりも高い温度で行なう。処理温度が４０℃以下であると、温度が低いため、ガラス基板表層を安定化させる効果が十分に得られない。
【００４８】
加熱処理は、好ましくは、相対湿度が５０％以下の雰囲気中で行なう。相対湿度を５０％以下にすることにより、ガラス基板表層を安定化させる効果をより顕著に得ることができる。
【００４９】
次に、Ｓ２０の「最終洗浄工程（Final  Cleaning）」において、ガラス基板の主表面、端面の最終洗浄を実施する。これによりガラス基板上に残存する付着物を除去する。
【００５０】
Ｓ２１の「磁気薄膜層成膜工程」において、上述の工程を経て得られたガラス基板の洗浄後に、ガラス基板の両主表面に、Ｃｒ合金からなる密着層、ＣｏＦｅＺｒ合金からなる軟磁性層、Ｒｕからなる配向制御下地層、ＣｏＣｒＰｔ合金からなる垂直磁気記録層、Ｃ系の保護層、Ｆ系からなる潤滑層を順次成膜することにより、垂直磁気記録方式の情報記録媒体を製造した。この構成は垂直磁気記録方式の構成の一例であり、面内情報記録媒体として磁性層等を構成してもよい。その後、Ｓ２２の「後熱処理工程」を実施することで、情報記録媒体が完成する。
【００５１】
以上説明したように、本実施の形態では、エージング工程（ステップ１９）において、研磨処理後のガラス基板を恒温恒湿雰囲気中に所定時間置き、ガラス基板に加熱処理（エージング処理）を施す。これにより、ガラス基板の表層を安定化させることができる。加熱処理が施されたガラス基板に磁性膜を成膜して情報記録媒体としてのＨＤＤを作製すれば、長期間使用しても良好なシグナルノイズ比特性を示す信頼性の高いＨＤＤを得ることができる。
【実施例】
【００５２】
以下、ＨＤＤ用ガラス基板の製造方法の各実施例および比較例について説明する。図３に示すフローチャートに従って、実施例および比較例の情報記録媒体を製造した。実施例および比較例においては、６５ｍｏｌ％のＳｉＯ２と、５ｍｏｌ％のＡｌ２Ｏ３と、５ｍｏｌ％のＮａ２Ｏと、３ｍｏｌ％のＫ２Ｏと、６ｍｏｌ％のＭｇＯと、１４ｍｏｌ％のＣａＯと、２ｍｏｌ％のＺｒＯ２と、を含有するガラス組成を用いて検証を行った。上記ガラス組成のガラス転移点温度Ｔｇは６０１℃である。なお、本発明のガラス組成は上記組成に限定されるものではなく、ＨＤＤ用ガラス基板に用いられ得る全ての組成で適用可能である。
【００５３】
研磨工程後のガラス基板を環境試験機（エスペック株式会社製ＳＨ−２２１）に入れ、恒温恒湿状態にガラス基板を曝し、ガラス基板に加熱処理を施した。加熱処理後のガラス基板を、テフロン（登録商標）容器内のＮａＯＨ溶液５０ｍｌ中に３０分浸漬した。ＮａＯＨのｐＨは１１とした。
【００５４】
その後ガラス基板に磁性膜を形成し、１５０００ｒｐｍで動作させた際の読み取りエラー回数を評価した。評価は各実施例および比較例についてそれぞれ１００枚のガラス基板で行ない、エラー回数が２回以下であれば「優」と評価し、エラー回数が３回以上４回以下であれば「良」と評価し、エラー回数が５回以上７回以下であれば「可」と評価し、エラー回数が８回以上であれば「不可」と評価した。各実施例および比較例のガラス基板の処理条件およびＨＤＤ動作評価テストの評価結果を、それぞれ表１に示す。
【００５５】
【表１】
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【００５６】
実施例１〜７および比較例１〜２では、大気中で、それぞれ表１中に示す条件下で、研磨後のガラス基板に加熱処理を施した。比較例３では、研磨後のガラス基板を１３０℃のＬｉＮＯ３溶液中に１時間浸漬し、その後１３０℃のアジピン酸水溶液中で１時間浸漬処理した。
【００５７】
ＨＤＤ動作評価テスト後に、エラー発生箇所について解析を行なった結果、ヘッドクラッシュと考えられる凸系欠陥はなく、全て磁性体起因のエラーであった。
【００５８】
表１に示すように、実施例１〜７のガラス基板を使用して作製されたＨＤＤは、動作評価テストの結果「優」「良」または「可」と評価され、合格であった。
【００５９】
実施例４と実施例５とを比較して、相対湿度が４５％である実施例５の評価結果は、相対湿度が５５％である実施例４の評価結果よりも良好であった。この結果から、相対湿度を５０％以下としてガラス基板に加熱処理を施すことにより、ＨＤＤの磁気特性をより優れたものにできることが示された。
【００６０】
実施例１と実施例２〜４とを比較して、処理温度と処理時間との積が２０００以上である実施例１の評価結果は、処理温度と処理時間との積が２０００を下回る実施例２〜４の評価結果よりも良好であった。一方、実施例６と実施例７とを比較して、処理温度と処理時間との積が１０００００以下である実施例６の評価結果は、処理温度と処理時間との積が１０００００を超える実施例７の評価結果よりも良好であった。これらの結果から、加熱処理における処理温度と処理時間との積を２０００以上１０００００以下にすることにより、ＨＤＤの磁気特性をより優れたものにできることが示された。
【００６１】
比較例１では、ガラス基板のＴｇである６０１℃を超えた温度領域で加熱処理したため、ガラス基板に変形が発生した。そのためＨＤＤ動作評価テストは不可能であった。
【００６２】
比較例２では、ＨＤＤ動作評価テストにおいて「不可」と評価される結果となり、不合格であった。処理温度が低かった為、ガラス基板表層を安定化させる効果が十分に得られなかったことが原因と考えられる。
【００６３】
比較例３では、ＨＤＤ動作評価テストにおいて「不可」と評価される結果となり、不合格であった。比較例３のＨＤＤでは、磁性体起因のエラーが検出されたが、検出された部分について成分分析を実施したところ、すべてＬｉが含有されていることが確認された。つまり、比較例３では、ガラス基板表層のＬｉイオン濃度が増加しているため、ガラス基板に含有されたＬｉが溶出し、磁性膜の磁気特性に影響が現れ、エラーが発生したと考えられる。
【００６４】
以上のように本発明の実施の形態について説明を行なったが、今回開示された実施の形態及び実施例はすべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味、および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００６５】
１  情報記録媒体、１Ｇ  ガラス基板、１４  表主表面、１５  裏主表面、２３  磁気薄膜層。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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