(57)【要約】【課題】第２内層配線から放熱部材用パターンへの伝熱性を向上する。【解決手段】コア層２０の裏面２０ｂに、第２内層配線５２と絶縁され、かつ第２内層配線５２と放熱部材用パターン７２との間の熱伝導率より第２内層配線５２との間の熱伝導率が大きくなる放熱パターン５３を形成する。そして、第２ビルドアップ層４０に、放熱パターン５３と放熱部材用パターン７２とを熱的に接続し、第２ビルドアップ層４０よりも熱伝導率が高い材料を有するビア１０２を形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面（２０ａ）および前記表面と反対側の裏面（２０ｂ）を有するコア層（２０）と、
前記コア層の表面に形成された第１内層配線（５１）と、
前記コア層の表面に前記第１内層配線を覆う状態で配置された第１ビルドアップ層（３０）と、
前記第１ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面（３０ａ）に形成され、発熱素子を備える電子部品（１２１）が搭載されるランド（６１）と、
前記第１ビルドアップ層に形成され、前記第１内層配線と前記ランドとを熱的および電気的に接続するビア（９１）と、
前記コア層の裏面に形成された第２内層配線（５２）と、
前記コア層に形成され、前記第１、第２内層配線を熱的に接続するビア（８１）と、
前記コア層の裏面に前記第２内層配線を覆う状態で配置された第２ビルドアップ層（４０）と、
前記第２ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の一面（４０ａ）に形成され、放熱部材（７３）が搭載される放熱部材用パターン（７２）と、を備え、
前記コア層の裏面には、前記第２内層配線と絶縁され、かつ前記第２内層配線と前記放熱部材用パターンとの間の熱伝導率より前記第２内層配線との間の熱伝導率が大きくされた放熱パターン（５３）が形成されており、
前記第２ビルドアップ層には、前記放熱パターンと前記放熱部材用パターンとを熱的に接続し、前記第２ビルドアップ層よりも熱伝導率が高い材料を有するビア（１０２）が形成されていることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記第２内層配線と前記放熱パターンの間隔は、前記第２内層配線と前記放熱部材用パターンとの間隔より狭くされていることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記第２内層配線は、前記コア層に形成された前記ビアと接続された部分が当該第２内層配線における他の部分と前記コア層の裏面において分離された内層ランド（５２ａ）を有しており、
前記放熱パターンは、前記内層ランドを囲む枠状とされていることを特徴とする請求項１または２に記載の多層基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１つに記載の多層基板と、
前記ランドに搭載された前記電子部品と、
前記放熱部材用パターンに搭載された前記放熱部材と、を備えることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発熱素子を備える電子部品が搭載される多層基板およびこれを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の電子装置として、次のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
具体的には、この電子装置は、コア層が第１、第２ビルドアップ層に挟まれ、コア層と第１ビルドアップ層との間に第１内層配線が形成されていると共に、コア層と第２ビルドアップ層との間に第２内層配線が形成されている多層基板を備えている。なお、コア層および第１、第２ビルドアップ層は、樹脂で構成されており、第１、第２内層配線は、コア層に形成されたビアを介して適宜電気的に接続されている。そして、第１ビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面には、第１ビルドアップ層に形成されたビアを介して第１内層配線と電気的に接続されるランドが形成されており、このランド上にはんだ等を介して発熱素子を備えるパワー素子等の電子部品が搭載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２８３１４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、上記のような電子装置において、電子部品に発生する熱の放熱性を高くするため、第２ビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面に放熱部材用パターンを形成し、当該放熱部材用パターン上にヒートシンク等の放熱部材を備えることがある。この場合、放熱部材として、アルミニウム等の高い熱伝導率を有した金属材料等が用いられる。つまり、放熱部材として、導電性を有する金属材料が用いられる。
【０００６】
しかしながら、上記のような放熱部材を備える電子装置では、放熱部材用パターンと第２内層配線とは、電子部品の誤作動を抑制するため、電気的に絶縁される。つまり、電子部品にて発生した熱が第２内層配線に伝達されると、当該熱は第２ビルドアップ層を介して放熱パターンに伝達される。
【０００７】
したがって、放熱部材によって電子部品の放熱性を向上できるものの、第２ビルドアップ層を構成する樹脂の熱伝導率が低いため、第２内層配線から放熱部材用パターンへの伝熱性を高くしたいという要望がある。
【０００８】
本発明は上記点に鑑みて、第２内層配線から放熱部材用パターンへの伝熱性を向上できる多層基板およびこれを用いた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、表面（２０ａ）および表面と反対側の裏面（２０ｂ）を有するコア層（２０）と、コア層の表面に形成された第１内層配線（５１）と、コア層の表面に第１内層配線を覆う状態で配置された第１ビルドアップ層（３０）と、第１ビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面（３０ａ）に形成され、発熱素子を備える電子部品（１２１）が搭載されるランド（６１）と、第１ビルドアップ層に形成され、第１内層配線とランドとを熱的および電気的に接続するビア（９１）と、コア層の裏面に形成された第２内層配線（５２）と、コア層に形成され、第１、第２内層配線を熱的に接続するビア（８１）と、コア層の裏面に第２内層配線を覆う状態で配置された第２ビルドアップ層（４０）と、第２ビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面（４０ａ）に形成され、放熱部材（７３）が搭載される放熱部材用パターン（７２）と、を備える多層基板において以下の点を特徴としている。
【００１０】
すなわち、コア層の裏面には、第２内層配線と絶縁され、かつ第２内層配線と放熱部材用パターンとの間の熱伝導率より第２内層配線との間の熱伝導率が大きくされた放熱パターン（５３）が形成されており、第２ビルドアップ層には、放熱パターンと放熱部材用パターンとを熱的に接続し、第２ビルドアップ層よりも熱伝導率が高い材料を有するビア（１０２）が形成されていることを特徴としている。
【００１１】
これによれば、ランドに発熱素子を備える電子部品が搭載された場合、第２内層配線に伝達された熱は、第２内層配線と放熱部材用パターンとの間の熱伝導率より第２内層配線との間の熱伝導率が大きくされた放熱パターンに伝達され易くなる。そして、放熱パターンと放熱部材用パターンとは、第２ビルドアップ層よりも熱伝導率が高い材料を有するビアにて接続されている。このため、第２内層配線から放熱部材用パターンへの伝熱性を向上できる。
【００１２】
また、請求項４に記載の発明では、請求項１ないし３のいずれか１つに記載の多層基板と、ランドに搭載された電子部品と、放熱部材用パターンに搭載される放熱部材とを備える電子装置であることを特徴としている。
【００１３】
これによれば、第２内層配線に伝達された熱は、第２内層配線と放熱部材用パターンとの間の熱伝導率より第２内層配線との熱導電率が大きくされた放熱パターンに伝達され易くなる。そして、放熱パターンと放熱部材用パターンとは、第２ビルドアップ層よりも熱伝導率が高い材料を有するビアにて接続されている。このため、第２内層配線から放熱部材用パターンへの伝熱性を向上でき、放熱部材からの放熱性を向上できる。
【００１４】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態における電子装置の断面図である。
【図２】電子部品に発生した熱の伝達経路を示す模式図である。
【図３】図１に示す多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】図３に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】図４に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】本発明の第２実施形態におけるコア層の裏面側の図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１７】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。
【００１８】
図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。
【００１９】
多層基板１０は、絶縁樹脂層としてのコア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された表面２０ａ側の第１ビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ側に配置された裏面２０ｂ側の第２ビルドアップ層４０とを備える積層基板である。
【００２０】
なお、コア層２０および第１、第２ビルドアップ層３０、４０は、ガラスクロスの両面を樹脂で封止してなるプリプレグ等で構成され、プリプレグの樹脂としては、エポキシ樹脂等が挙げられる。また、プレプレグの樹脂には、必要に応じて、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ放熱性に優れたフィラーが含有されていてもよい。
【００２１】
そして、コア層２０と第１ビルドアップ層３０との界面には、パターニングされた表面側内層配線５１（以下では、単に内層配線５１という）が形成されている。同様に、コア層２０と第２ビルドアップ層４０との界面には、パターニングされた裏面側内層配線５２（以下では、単に内層配線５２という）が形成されている。
【００２２】
なお、本実施形態の内層配線５１、５２は、一部が後述するランド６１と対向するように形成されている。そして、内層配線５１、５２のうちランド６１と対向する部分は、図１とは別断面において、内層配線５１、５２のうちランド６１と対向しない部分と適宜接続されている。また、本実施形態では、内層配線５１が本発明の第１内層配線に相当し、内層配線５２が本発明の第２内層配線に相当している。
【００２３】
第１ビルドアップ層３０の表面３０ａには、パターニングされた表面側表層配線６１〜６６（以下では、単に表層配線６１〜６６という）が形成されている。本実施形態では、表層配線６１〜６６は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１〜６３、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６４、６５、外部回路と電気的に接続される表面パターン６６とされている。
【００２４】
同様に、第２ビルドアップ層４０の表面４０ａには、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２（以下では、単に表層配線７１、７２という）が形成されている。本実施形態では、表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して内層配線５２と電気的に接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２（以下では、単にＨＳ用パターン７２という）とされている。本実施形態では、ＨＳ用パターン７２が本発明の放熱部材用パターンに相当し、ＨＳ用パターン７２は、第２ビルドアップ層４０の表面４０ａのうちランド６１と対向する部分に形成されている。
【００２５】
なお、第１ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、第１ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、第２ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、第２ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。そして、内層配線５１、５２、表層配線６１〜６６、表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。
【００２６】
内層配線５１と内層配線５２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１、８２を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、内層配線５１、５２のうちランド６１と対向する部分は、貫通ビア８１を介して接続されている。つまり、貫通ビア８１は、ランド６１の直下に形成されているともいえる。また、内層配線５１、５２のうちランド６１と対向する部分と異なる部分は、貫通ビア８２を介して接続されている。
【００２７】
なお、このような貫通ビア８１、８２は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａ、８２ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂ、８２ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃ、８２ｃが充填されて構成されている。
【００２８】
また、内層配線５１と表層配線６１〜６６とは、第１ビルドアップ層３０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、９２を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、ランド６１と内層配線５１のうちランド６１と対向する部分とは、フィルドビア９１を介して接続されている。つまり、フィルドビア９１は、ランド６１の直下に形成されているともいえる。また、ランド６２〜６５や表面パターン６６と、内層配線５１のうちランド６１と対向する部分と異なる部分とは、フィルドビア９２を介して接続されている。
【００２９】
同様に、内層配線５２と裏面パターン７１とは、第２ビルドアップ層４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア１０１を介して電気的および熱的に接続されている。なお、内層配線５２とＨＳ用パターン７２とはフィルドビア１０１を介して電気的には接続されていない。
【００３０】
このような、フィルドビア９１、９２、１０１は、それぞれ第１、第２ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、９２ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、９２ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。
【００３１】
なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。
【００３２】
そして、各第１、第２ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６６および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６６を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６６のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。
【００３３】
電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱素子を備えるパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６４、６５ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。
【００３４】
なお、ここでは、電子部品１２１としてパワー素子１２１を例に挙げて説明したが、電子部品１２１は発熱素子を備えるものであればパワー素子１２１に限定されるものではない。同様に、電子部品１２２、１２３として、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２２、１２３はこれらに限定されるものではない。
【００３５】
モールド樹脂１５０は、ランド６１〜６５および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。
【００３６】
なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。
【００３７】
また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、ＨＳ用パターン７２に図示しない放熱グリス等を介して放熱部材としてのヒートシンク７３が備えられている。
【００３８】
以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。そして、本実施形態の電子装置では、コア層２０の裏面２０ｂ（コア層２０と第２ビルドアップ層４０との界面）に放熱パターン５３が形成されている。
【００３９】
放熱パターン５３は、本実施形態では、コア層２０の裏面２０ｂにおいて、内層配線５２のうちランド６１と対向する部分の周囲に形成されている。言い換えると、放熱パターン５３は、内層配線５２のうちＨＳ用パターン７２と対向する部分の周囲に形成されている。
【００４０】
また、放熱パターン５３は、内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間隔より、内層配線５２との間隔が短くなるように形成されている。つまり、内層配線５２と放熱パターン５３との間の熱伝導率は、内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間の熱伝導率より大きくされている。すなわち、内層配線５２と放熱パターン５３との間の熱抵抗は、内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間の熱抵抗より小さくされている。
【００４１】
そして、このような放熱パターン５３は、第２ビルドアップ層４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア１０２を介してＨＳ用パターン７２と熱的に接続されている。なお、フィルドビア１０２は、第２ビルドアップ層４０を厚さ方向に貫通する貫通孔１０２ａが銅等の第２ビルドアップ層４０を構成する材料（樹脂）よりも熱伝導率が高い金属膜１０２ｂにて充填された構成とされている。
【００４２】
このような電子装置では、図２に示されるように、電子部品１２１に発生した熱は、ランド６１、フィルドビア９１、内層配線５１、貫通ビア８１を介して内層配線５２に伝達される。そして、内層配線５２に伝達された熱は、内層配線５２と放熱パターン５２との間の熱伝導率が内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間の熱伝導率より大きくされているため、主に放熱パターン５３に伝達された後、フィルドビア１０２を介してＨＳ用パターン７２に伝達される。
【００４３】
以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図３〜図５を参照しつつ説明する。なお、図３〜図５は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。
【００４４】
まず、図３（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。そして、図３（ｂ）に示されるように、ドリル等によって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８１ａを形成すると共に、図３（ｂ）とは別断面において、図１に示されるように、金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８２ａを形成する。
【００４５】
その後、図３（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８１ａ、８２ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８１ａ、８２ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８１ｂ、８２ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。
【００４６】
続いて、図３（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間にそれぞれ充填材８１ｃ、８２ｃを配置する。これにより、貫通孔８１ａ、貫通電極８１ｂ、充填材８１ｃを有する上記貫通ビア８１が形成されると共に貫通孔８２ａ、貫通電極８２ｂ、充填材８２ｃを有する上記貫通ビア８２が形成される。
【００４７】
その後、図４（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８１ｃ、８２ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。
【００４８】
次に、図４（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして内層配線５１を形成する。同様に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして内層配線５２および放熱パターン５３を形成する。つまり、本実施形態では、内層配線５１は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層されて構成され、内層配線５２および放熱パターン５３は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層されて構成されている。
【００４９】
なお、次の図４（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。
【００５０】
その後、図４（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、内層配線５１上に第１ビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、内層配線５２上に第２ビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。このようにして、上から順に、金属板１６６、第１ビルドアップ層３０、内層配線５１、コア層２０、内層配線５２、第２ビルドアップ層４０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。
【００５１】
続いて、図４（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、第１ビルドアップ層３０を構成する樹脂を流動させて内層配線５１の間を埋め込むと共に、第２ビルドアップ層４０を構成する樹脂を流動させて内層配線５２の間を埋め込む。そして、積層体１６８を加熱することにより、第１、第２ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。
【００５２】
次に、図５（ａ）に示されるように、レーザ等により、金属板１６６、第１ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９１ａを形成する。また、図５（ａ）とは別断面において、図１に示されるように、金属板１６６、第１ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９２ａを形成する。
【００５３】
同様に、金属板１６７、第２ビルドアップ層４０を貫通して放熱パターン５３に達する貫通孔１０２ａを形成する。また、図５（ａ）とは別断面において、図１に示されるように、金属板１６７、第２ビルドアップ層４０を貫通して内層配線５２に達する貫通孔１０１ａを形成する。
【００５４】
そして、図５（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、９２ａ、１０１ａ、１０２ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、第１、第２ビルドアップ層３０、４０に形成された貫通孔９１ａ、９２ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極９２ｂが構成される。同様に、第２ビルドアップ層４０に形成された貫通孔１０１ａ、１０２ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて図１に示した貫通電極１０１ｂおよび金属膜１０２ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、９２ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、９２ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１および貫通孔１０２ａに金属膜１０２ｂが埋め込まれたフィルドビア１０２が形成される。なお、次の図５（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。
【００５５】
続いて、図５（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、適宜金属メッキを形成することにより、表層配線６１〜６６および表層配線７１、７２を形成する。つまり、本実施形態では、表層配線６１〜６６は、金属板１６６および金属メッキ１６９を有する構成とされ、表層配線７１、７２は、金属板１６７および金属メッキ１６９を有する構成とされている。
【００５６】
次に、図５（ｄ）に示されるように、第１、第２ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図５（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。
【００５７】
その後は、特に図示しないが、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１〜６３に搭載する。そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６４、６５との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６４、６５とを電気的に接続する。
【００５８】
続いて、ランド６１〜６５および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂１５０を形成することにより、上記電子装置が製造される。
【００５９】
以上説明したように、本実施形態では、コア層２０の裏面２０ｂに、内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間の熱伝導率より内層配線５２との間の熱伝導率が大きくなるように放熱パターン５３が形成されている。そして、放熱パターン５３は、第２ビルドアップ層４０を構成する材料よりも熱伝導率が高い金属膜１０２ｂを有するフィルドビア１０２を介してＨＳ用パターン７２と熱的に接続されている。このため、内層配線５２からＨＳ用パターン７２への伝熱性を向上できる。つまり、電子部品１２１の放熱性を向上でき、電子部品１２１の動作不良を抑制できる。
【００６０】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して内層配線５２の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、ここでは説明を省略する。
【００６１】
図６に示されるように、本実施形態では、内層配線５２のうち貫通ビア８１と接続される部分は、円板状とされた内層ランド５２ａとされている。そして、コア層２０の裏面２０ｂにおいて、内層ランド５２ａは他の内層配線５２と分離されている。また、放熱パターン５３は、各内層ランド５２ａを囲む環状とされている。なお、図６は、コア層２０の裏面２０ｂのうちランド６１と対向する部分近傍の断面図である。
【００６２】
これによれば、内層配線５２のうち貫通ビア８１と接続される部分を放熱部としてのみ機能する内層ランド５２ａとしているため、放熱パターン５３を環状とでき、内層ランド５２ａから放熱パターン５３に熱を均等に伝達できる。
【００６３】
なお、ここでは、放熱パターン５３が環状とされているものを説明したが、放熱パターン５３は枠状とされていてもよい。
【００６４】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００６５】
上記各実施形態において、モールド樹脂１５０が形成されておらず、電子部品１２１〜１２３が露出した電子装置としてもよい。
【００６６】
また、上記各実施形態において、コア層２０および第１、第２ビルドアップ層３０、４０として、プリプレグの単層から構成されるものを図示しているが、コア層２０および第１、第２ビルドアップ層３０、４０をプリプレグの多層から構成されるものとしてもよい。
【００６７】
さらに、上記各実施形態では、内層配線５２と放熱パターン５３との間の熱伝導率が内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間の熱伝導率より大きくされていれば本発明の効果を得ることができるため、内層配線５２と放熱パターン５３との間隔を適宜変更してもよい。例えば、内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間に第２ビルドアップ層４０中のガラスクロスが配置される場合には、当該ガラスクロスによって熱伝導率（熱抵抗）が小さく（大きく）なる。このため、内層配線５２と放熱パターン５３との間の熱伝導率が内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間の熱伝導率より大きくなるのであれば、内層配線５２と放熱パターン５３との間隔は、内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間隔と等しくされていてもよいし、内層配線５２とＨＳ用パターン７２との間隔より広くされていてもよい。
【００６８】
また、上記第１実施形態において、図１では、放熱パターン５３は、内層配線５２のうちＨＳ用パターン７２と対向する部分の周囲に形成されているものを図示しているが、次のようにしてもよい。すなわち、図１では、３つのビア８１が形成されているが、各ビア８１の間に放熱パターン５３が形成されていてもよい。
【符号の説明】
【００６９】
１０                多層基板
２０                コア層
２０ａ              表面
２０ｂ              裏面
３０、４０          第１、第２ビルドアップ層
３０ａ、４０ａ      一面
５１、５２          第１、第２内層配線
５３                放熱パターン
６１                ランド
７２                放熱部材用パターン
８１、９１、１０２  ビア
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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