(57)【要約】【課題】集電体積層部と集電端子とを高い接合強度で良好に接合することが可能な二次電池の製造方法及び二次電池を提供すること。【解決手段】電池１００の製造方法は，正極集電体積層部１３６を一端に有する捲回電極体１１０を用意する工程と，アンビル４５と複数の凸部４２を有するホーン４１とを用いて正極集電体積層部に第１溶接痕領域１０及び凹部２２のある第２溶接痕領域２０を形成する工程と，一対の電極５１を用いて第１溶接痕領域１０及び第２溶接痕領域２０を正極集電端子１９１とともに挟み込んで抵抗溶接を行う工程とを含む。凹部を形成する工程では，Ｓ１≧Ｓ２且つ１＜Ｓ２／Ｓ３＜６（Ｓ１：第１溶接痕領域の面積，Ｓ２：抵抗溶接時の第１溶接痕領域と電極との接触面積，Ｓ３：抵抗溶接時の第２溶接痕領域と正極集電端子との接触面積）となるように，両溶接痕領域を形成する。【選択図】図８
2014212012.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
正極集電体に正極活物質層が塗工された正極塗工部と前記正極集電体に前記正極活物質層が塗工されていない正極非塗工部とを含む正極板，負極集電体に負極活物質層が塗工された負極塗工部と前記負極集電体に前記負極活物質層が塗工されていない負極非塗工部とを含む負極板，及び，前記正極塗工部と前記負極塗工部との間に介在するセパレータを含み，前記正極非塗工部が前記負極板からはみ出た状態で積層された正極集電体積層部を一端に有するとともに，前記負極非塗工部が前記正極板からはみ出た状態で積層された負極集電体積層部を他端に有する電極体を用意する準備工程と，
アンビルと複数の凸部を有するホーンとを備える超音波溶接装置を用いて，前記ホーンが有する複数の凸部を押し当てるように前記アンビルと前記ホーンとの間に前記正極集電体積層部又は前記負極集電体積層部のうち一方の極の集電体積層部を挟み込みつつ，前記ホーンを振動させることにより，前記集電体積層部におけるアンビルとの接触面に第１溶接痕領域を形成するとともに，前記集電体積層部におけるホーンとの接触面に凹部のある第２溶接痕領域を形成する凹部形成工程と，
前記集電体積層部における少なくとも前記第２溶接痕領域を含む領域にその集電体積層部に対応する極の集電端子を当接させつつ，第１電極と第２電極からなる一対の電極を備える抵抗溶接装置を用いて前記第１溶接痕領域及び前記第２溶接痕領域が前記一対の電極の間に位置するように前記集電体積層部と前記集電端子とを前記一対の電極で挟み込んで抵抗溶接を行う抵抗溶接工程と，をこの順に含み，
前記凹部形成工程では，次の式（１）及び（２）が満たされるように，前記第１溶接痕領域及び前記第２溶接痕領域を形成することを特徴とする二次電池の製造方法。
Ｓ１≧Ｓ２        …（１）
１＜Ｓ２／Ｓ３＜６…（２）
Ｓ１：形成予定の前記第１溶接痕領域の面積
Ｓ２：形成予定の前記第１溶接痕領域と，その第１溶接痕領域が前記抵抗溶接工程で当接する予定の前記第１電極との前記抵抗溶接工程における接触面積
Ｓ３：形成予定の前記第２溶接痕領域と，その第２溶接痕領域が前記抵抗溶接工程で当接する予定の前記集電端子との前記抵抗溶接工程における接触面積
【請求項２】
請求項１に記載の二次電池の製造方法であって，
前記凹部形成工程では，前記ホーンが有する複数の凸部のピッチを大きくすることにより前記接触面積Ｓ３を小さくし，前記ホーンが有する複数の凸部のピッチを小さくすることにより前記接触面積Ｓ３を大きくすることを特徴とする二次電池の製造方法。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の二次電池の製造方法であって，
前記凹部形成工程では，前記アンビルとして複数の凸部を有するものを用い，前記アンビルが有する複数の凸部を押し当てるように前記アンビルと前記ホーンとの間に前記集電体積層部を挟み込み，凹部のある前記第１溶接痕領域を形成することを特徴とする二次電池の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の二次電池の製造方法であって，
前記凹部形成工程では，前記アンビルが有する複数の凸部のピッチを大きくすることにより前記接触面積Ｓ２を小さくし，前記アンビルが有する複数の凸部のピッチを小さくすることにより前記接触面積Ｓ２を大きくすることを特徴とする二次電池の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれか一項に記載の二次電池の製造方法において，
前記凹部形成工程では，次の式（３）がさらに満たされるように，前記第１溶接痕領域を形成することを特徴とする二次電池の製造方法。
Ａ＞Ｓ１…（３）
Ａ：前記抵抗溶接工程で用いる予定の前記第１電極における接合対象に接触する端面の面積
【請求項６】
請求項１から請求項５までのいずれか一項に記載の二次電池の製造方法であって，
前記準備工程では，前記正極集電体としてアルミニウム箔を用い，
前記凹部形成工程では，前記正極集電体積層部に前記第１溶接痕領域及び前記第２溶接痕領域を形成し，
前記抵抗溶接工程では，前記正極集電体積層部にアルミニウム製の正極集電端子を接合する
ことを特徴とする二次電池の製造方法。
【請求項７】
正極集電体に正極活物質層が塗工された正極塗工部と前記正極集電体に前記正極活物質層が塗工されていない正極非塗工部とを含む正極板，負極集電体に負極活物質層が塗工された負極塗工部と前記負極集電体に前記負極活物質層が塗工されていない負極非塗工部とを含む負極板，及び，前記正極塗工部と前記負極塗工部との間に介在するセパレータを含み，前記正極非塗工部が前記負極板からはみ出た状態で積層された正極集電体積層部を一端に有するとともに，前記負極非塗工部が前記正極板からはみ出た状態で積層された負極集電体積層部を他端に有する電極体と，
前記正極集電体積層部に接合された正極集電端子と，
前記負極集電体積層部に接合された負極集電端子と，を備え，
前記正極集電体積層部又は前記負極集電体積層部のうち少なくともいずれか一方の極の集電体積層部は，前記正極集電端子又は前記負極集電端子のうち当該集電体積層部に対応する極の集電端子との接合面の裏側の面に，凹部のある又は前記凹部のない第１溶接痕領域を有するとともに，前記接合面に，ナゲットの形成された第２溶接痕領域を有するものであり，
前記第１溶接痕領域及び前記第２溶接痕領域は，次の式（４）及び（５）を満たしているものであることを特徴とする二次電池。
Ｓ１≧Ｓ４        …（４）
１＜Ｓ４／Ｓ５＜２…（５）
Ｓ１：前記第１溶接痕領域の面積
Ｓ４：前記第１溶接痕領域における凹んでいない箇所の面積
Ｓ５：前記第２溶接痕領域における前記ナゲットでない箇所の面積
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は，二次電池の製造方法および二次電池に関する。詳しくは，集電体積層部に集電端子を良好に接合し得る二次電池の製造方法および二次電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年，リチウムイオン二次電池などの二次電池は，携帯電話やパーソナルコンピュータ等の電子機器，ハイブリッド自動車や電気自動車等の車両等，多岐にわたる分野で利用されている。特にリチウムイオン二次電池は，エネルギー密度が高いため，各種の機器に搭載する上で好適である。
【０００３】
このような二次電池として従来から，角型の電池ケースに，電極体を収容した構成の二次電池が知られている。電極体としては例えば，箔状の正極集電体の表面に正極活物質層が塗工された正極板，箔状の負極集電体の表面に負極活物質層が塗工された負極板，および，正極板と負極板とを絶縁するセパレータを重ねて捲回した捲回電極体がある。この捲回電極体は，正極活物質層の形成されていない正極活物質層非塗工部が巻き重ねられてなる正極集電体積層部を，捲回軸方向に沿う一端側に有するとともに，負極活物質層の形成されていない負極活物質層非塗工部が巻き重ねられてなる負極集電体積層部を，捲回軸方向に沿う他端側に有している。この正極集電体積層部には，正極集電端子が接合されており，負極集電体積層部には，負極集電端子が接合されている。
【０００４】
ここで，集電体積層部に対する集電端子の接合方法として，従来から下記特許文献１に示す方法が知れられている。下記特許文献１では，その図１に示されるように，積層された複数の「アルミニウム箔１ａ，１ａ…」を端子用の「アルミ製ベース板Ｂ」とともに「超音波ヘッドＨ，Ｈ」間に挟んで押圧するとともに，超音波振動により振動させている。これにより，アルミニウム箔１ａ，１ａ…の「酸化被膜２ａ，２ａ…」を破壊するとともに，積層された複数のアルミニウム箔１ａ，１ａ…を仮付けしている。そして，同文献の図２に示されるように，アルミニウム箔１ａ，１ａ…の仮付けされた箇所をアルミ製ベース板Ｂとともに一対の「電極Ｅ，Ｅ」で挟み込んで電極Ｅ，Ｅ間に電流を流すことにより，積層されたアルミニウム箔１ａ，１ａ…とアルミ製ベース板Ｂとを抵抗溶接にて接合している。この接合方法によれば，積層された複数のアルミニウム箔１ａ，１ａ…を常に安定した溶接強度で抵抗溶接にて接合できるとされている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１８４２６０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら，上記特許文献１に記載の接合方法には次のような問題点があった。すなわち上記した接合方法では，超音波ヘッド間に，積層されたアルミニウム箔とアルミ製ベース板を挟み込む。そのため，超音波ヘッドは，アルミニウム箔におけるアルミ製ベース板側の面に接しない。しかも，超音波ヘッドにおけるアルミニウム箔への接触面やアルミ製ベース板への接触面は，凸部のない平坦面である。従って，超音波溶接後のアルミニウム箔に，凹部のある溶接痕が形成されない。
【０００７】
そのため超音波溶接後の抵抗溶接において，アルミニウム箔の仮付された箇所を一対の電極間に位置させても，電極間への通電の初期に電流の流れる箇所が安定しない。例えば，積層されたアルミニウム箔における酸化被膜の破壊された一つの箇所に，集中して電流が流れたり，積層されたアルミニウム箔における酸化被膜の破壊された複数の箇所に，大きさの異なる電流が分散して流れたりする。
【０００８】
酸化被膜の破壊された一つの箇所に集中して電流が流れた場合には，集中して電流が流れた箇所のみが非常に高温となる。その結果，アルミニウムが噴き出すほど溶融し，図２３に示すように，肉のない欠肉部２００のある１つの大きなナゲット２０１が瞬時に形成されてしまうことがある。欠肉部２００が形成されてしまうと，アルミニウム箔２０２とアルミ製ベース板２０３との溶接強度が著しく低下する。また，噴き出した溶融状態のアルミニウムが抵抗溶接装置の電極に付着し，図２４に示すように，アルミニウム箔２０２が抵抗溶接装置の電極２０５に接合されてしまうことがある。図２４において一点鎖線は，アルミニウム箔２０２と電極２０５との接合箇所を示している。アルミニウム箔２０２が抵抗溶接装置の電極２０５に接合されてしまうと，電池の生産性が低下する。
【０００９】
また，酸化被膜の破壊された複数の箇所に大きさの異なる電流が分散して流れた場合には，大きな電流が流れた箇所は小さな電流が流れた箇所に比して高温になる。その結果，アルミニウムの溶融状態に差が生じ，図２５に示すように，サイズの異なる複数のナゲット２１０が形成されてしまう。このような不均一のナゲット２１０の形成は，製品毎の溶接強度のばらつきの原因となる。なお，上記特許文献１に記載の接合方法では，超音波仮付工程で仮付された部分（図２５中のクロスハッチング部分２１１参照）の表面積よりも，抵抗溶接工程で電流の流れる部分（図２５中の破線で示される部分２１２）の表面積の方が小さい。このことも抵抗溶接時に電流の流れる箇所が安定しないことの原因の一つとなっている。
【００１０】
本発明は上記した問題点を解決するためになされたものである。すなわちその課題とするところは，集電体積層部と集電端子とを高い接合強度で良好に接合することが可能な二次電池の製造方法及び二次電池を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
この課題の解決を目的としてなされた本発明の一態様における二次電池の製造方法は，正極集電体に正極活物質層が塗工された正極塗工部と正極集電体に正極活物質層が塗工されていない正極非塗工部とを含む正極板，負極集電体に負極活物質層が塗工された負極塗工部と負極集電体に負極活物質層が塗工されていない負極非塗工部とを含む負極板，及び，正極塗工部と負極塗工部との間に介在するセパレータを含み，正極非塗工部が負極板からはみ出た状態で積層された正極集電体積層部を一端に有するとともに，負極非塗工部が正極板からはみ出た状態で積層された負極集電体積層部を他端に有する電極体を用意する準備工程と，アンビルと複数の凸部を有するホーンとを備える超音波溶接装置を用いて，ホーンが有する複数の凸部を押し当てるようにアンビルとホーンとの間に正極集電体積層部又は負極集電体積層部のうち一方の極の集電体積層部を挟み込みつつ，ホーンを振動させることにより，集電体積層部におけるアンビルとの接触面に第１溶接痕領域を形成するとともに，集電体積層部におけるホーンとの接触面に凹部のある第２溶接痕領域を形成する凹部形成工程と，集電体積層部における少なくとも第２溶接痕領域を含む領域にその集電体積層部に対応する極の集電端子を当接させつつ，第１電極と第２電極からなる一対の電極を備える抵抗溶接装置を用いて第１溶接痕領域及び第２溶接痕領域が一対の電極の間に位置するように集電体積層部と集電端子とを一対の電極で挟み込んで抵抗溶接を行う抵抗溶接工程と，をこの順に含み，凹部形成工程では，次の式（１）及び（２）が満たされるように，第１溶接痕領域及び第２溶接痕領域を形成する。
Ｓ１≧Ｓ２        …（１）
１＜Ｓ２／Ｓ３＜６…（２）
Ｓ１：形成予定の第１溶接痕領域の面積
Ｓ２：形成予定の第１溶接痕領域と，その第１溶接痕領域が抵抗溶接工程で当接する予定の第１電極との抵抗溶接工程における接触面積
Ｓ３：形成予定の第２溶接痕領域と，その第２溶接痕領域が抵抗溶接工程で当接する予定の集電端子との抵抗溶接工程における接触面積
【００１２】
上記した二次電池の製造方法では，抵抗溶接前に，超音波溶接にて集電体積層部に凹部のある第２溶接痕領域を形成している。そして抵抗溶接工程では，一対の電極の間に第２溶接痕領域を位置させている。この第２溶接痕領域と集電端子との接触面積Ｓ３は，第１溶接痕領域と第１電極との接触面積Ｓ２よりも小さい。そのため，抵抗溶接を行うにあたり，集電体積層部における集電端子との接触面の接触抵抗（接触面における電気抵抗）が，集電体積層部における第１電極との接触面の接触抵抗よりも大きくなる。よって，集電体積層部と集電端子との接触面に十分なジュール熱を発生させることができる。従って，集電体積層部と集電端子とを十分に溶融することができる。その結果，適切なサイズのナゲットを形成することができ，集電体積層部と集電端子とを強固に接合することができる（十分な溶接強度で接合することができる）。
【００１３】
しかも，１≧Ｓ２／Ｓ３とした場合には集電体積層部と第１電極との接触面の接触抵抗が高くなり過ぎて，その接触面の温度が高くなり過ぎることにより，集電体積層部が過剰に溶融して第１電極と接合してしまうおそれがある。しかしながら，本構成では１＜Ｓ２／Ｓ３としているため，このような不具合が生じない。
【００１４】
また，Ｓ２／Ｓ３≧６とした場合には集電体積層部と集電端子との接触面の接触抵抗が高くなり過ぎて，その接触面の温度が高くなり過ぎることにより集電体積層部が過剰に溶融し，溶融した集電体積層部が噴き出して第１電極と接合したり欠肉部のあるナゲットが形成されたりするおそれがある。しかしながら，本構成ではＳ２／Ｓ３＜６としているため，このような不具合が生じない。
【００１５】
ここで上記した二次電池の製造方法における凹部形成工程では，ホーンが有する複数の凸部のピッチを大きくすることにより接触面積Ｓ３を小さくし，ホーンが有する複数の凸部のピッチを小さくすることにより接触面積Ｓ３を大きくすることが望ましい。
【００１６】
このようにすれば，他のパラメータ（超音波溶接におけるホーンの押圧力，振動周波数，及び溶接時間等）を変更するのに比して，上記した式（２）を満たす第２溶接痕領域を確実に形成することができるからである。
【００１７】
また上記した二次電池の製造方法における凹部形成工程では，アンビルとして複数の凸部を有するものを用い，アンビルが有する複数の凸部を押し当てるようにアンビルとホーンとの間に集電体積層部を挟み込み，凹部のある第１溶接痕領域を形成することが望ましい。
【００１８】
このようにすれば，抵抗溶接時における第１溶接痕領域と第１電極との接触面積Ｓ２を，第１溶接痕領域の面積Ｓ１よりも小さくすることができる（Ｓ１＞Ｓ２）。そのため，Ｓ１＝Ｓ２とした場合に比して，集電体積層部と第１電極との接触面の接触抵抗を大きくすることができる。その結果，集電体積層部の発熱を促進して良好な溶接を行うことができる。なお，上記式（２）が満たされている限り，集電体積層部と第１電極とが接合してしまうほど，集電体積層部が溶融することはない。
【００１９】
また上記した二次電池の製造方法における凹部形成工程では，アンビルが有する複数の凸部のピッチを大きくすることにより接触面積Ｓ２を小さくし，アンビルが有する複数の凸部のピッチを小さくすることにより接触面積Ｓ２を大きくすることが望ましい。
【００２０】
このようにすれば，他のパラメータ（超音波溶接におけるホーンの押圧力，振動周波数，及び，溶接時間等）を変更するのに比して，上記した式（１）及び式（２）を満たす第１溶接痕領域を確実に形成することができるからである。
【００２１】
また上記した二次電池の製造方法における凹部形成工程では，次の式（３）がさらに満たされるように，第１溶接痕領域を形成することが望ましい。
Ａ＞Ｓ１…（３）
Ａ：前記抵抗溶接工程で用いる予定の前記第１電極における接合対象に接触する端面の面積
【００２２】
Ａ≦Ｓ１とした場合には，第１溶接痕領域に流れる電流の電流密度が低下する。そのため，集電体積層部を十分に溶融することができなくなる。その結果，形成されるナゲットが小さくなる。また，第１溶接痕領域における第１電極の周縁との接触部位では，第１溶接痕領域の凹部のために第１電極の周縁が第１溶接痕領域と接しない箇所が生じる。そのため，第１電極が集電体積層部を十分に押圧することができず，その箇所に形成されるナゲットは他のナゲットよりも著しく小さいものとなってしまう。これらの原因によりＡ≦Ｓ１とした場合には，集電体積層部と集電端子との接合強度が低下する。しかしながら上記の製造方法ではＡ＞Ｓ１としているため，このような不具合は生じない。
【００２３】
また上記した二次電池の製造方法における準備工程では，正極集電体としてアルミニウム箔を用い，凹部形成工程では，正極集電体積層部に第１溶接痕領域及び第２溶接痕領域を形成し，抵抗溶接工程では，正極集電体積層部にアルミニウム製の正極集電端子を接合することとしてもよい。
【００２４】
アルミニウムは例えば銅などの他の金属よりも熱伝導率が低いため，銅と比べると抵抗溶接には不向きである。またアルミニウムは表面に電気抵抗の高い酸化被膜が存在するため，そのまま抵抗溶接を行うと集電体積層部と抵抗溶接装置の第１電極とが溶着するおそれがある。しかしながら上記した二次電池の製造方法では，超音波溶接によりアルミニウム箔に凹部を施すことにより集電体積層部と集電端子との接触面の接触抵抗を大きくしているため，抵抗溶接であっても十分に集電体積層部を発熱させて溶融することができる。また超音波溶接によりアルミニウム箔の酸化被膜が破壊されるため，集電体積層部と第１電極の溶着を防ぐことができる。その結果，集電体積層部と第１電極の溶着を防ぎつつ，十分な強度で集電体積層部と集電端子とを接合することができる。なお，銅に比して抵抗溶接に不向きなアルミニウム製の正極集電体積層部と正極集電端子との接合に抵抗溶接を用いるのは，次のようなメリットがあるからである。すなわち，近年の正極集電端子には，異常時に電流を遮断するための電流遮断機構を組み込んだ構成のものがある。このような正極集電端子を超音波溶接により正極集電体積層部と接合すると，溶接時に超音波により電流遮断機構に力が加わり，電流遮断機構に不具合が生じるおそれがある。しかし超音波溶接ではなく抵抗溶接を用いれば，このような不具合を生じることなく，電流遮断機構を有した正極集電端子と正極集電体積層部とを接合することができる。
【００２５】
また本発明は，正極集電体に正極活物質層が塗工された正極塗工部と正極集電体に正極活物質層が塗工されていない正極非塗工部とを含む正極板，負極集電体に負極活物質層が塗工された負極塗工部と負極集電体に負極活物質層が塗工されていない負極非塗工部とを含む負極板，及び，正極塗工部と負極塗工部との間に介在するセパレータを含み，正極非塗工部が負極板からはみ出た状態で積層された正極集電体積層部を一端に有するとともに，負極非塗工部が正極板からはみ出た状態で積層された負極集電体積層部を他端に有する電極体と，正極集電体積層部に接合された正極集電端子と，負極集電体積層部に接合された負極集電端子と，を備え，正極集電体積層部又は負極集電体積層部のうち少なくともいずれか一方の極の集電体積層部は，正極集電端子又は負極集電端子のうち当該集電体積層部に対応する極の集電端子との接合面の裏側の面に，凹部のある又は凹部のない第１溶接痕領域を有するとともに，接合面に，ナゲットの形成された第２溶接痕領域を有するものであり，第１溶接痕領域及び第２溶接痕領域は，次の式（４）及び（５）を満たしているものであることを特徴とする二次電池にも及ぶ。
Ｓ１≧Ｓ４        …（４）
１＜Ｓ４／Ｓ５＜２…（５）
Ｓ１：第１溶接痕領域の面積
Ｓ４：第１溶接痕領域における凹んでいない箇所の面積
Ｓ５：第２溶接痕領域におけるナゲットでない箇所の面積
【００２６】
この二次電池は，上記した製造方法により製造した二次電池である。従ってこの電池では，上記したように集電体積層部と集電端子とが高い接合強度で良好に接合されている。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば，集電体積層部と集電端子とを高い接合強度で良好に接合することが可能な二次電池の製造方法及び二次電池が提供されている。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】実施形態に係る二次電池を示す断面図である。
【図２】同二次電池が備える捲回電極体の構造を示す図である。
【図３】実施形態において超音波溶接をしている様子を模式的に示す図であり，ホーンとアンビルで集電体積層部を挟み込んでいる様子を示す図である。
【図４】ホーンの先端面を示す平面図である。
【図５】アンビルの先端面を示す平面図である。
【図６】アンビルと接していた箇所に形成された第１溶接痕領域を示す図である。
【図７】ホーンと接していた箇所に形成された第２溶接痕領域を示す図である。
【図８】実施形態において抵抗溶接をしている様子を模式的に示す図であり，一対の電極で集電体積層部および集電端子を挟み込んでいる様子を示す図である。
【図９】抵抗溶接装置の電極の直径および溶接痕領域の直径を示す図である。
【図１０】第１電極と第１溶接痕領域との位置関係を示す図である。
【図１１】第２電極と第２溶接痕領域との位置関係を示す図である。
【図１２】抵抗溶接後の集電体積層部および集電端子の接合状態を模式的に示す図である。
【図１３】実験中の実施例５において抵抗溶接をしている様子を模式的に示す図である。
【図１４】実験中の実施例５における第１電極と第１溶接痕領域との位置関係を示す図である。
【図１５】実験中の実施例５における第２電極と第２溶接痕領域との位置関係を示す図である。
【図１６】実験中の実施例５における抵抗溶接後の集電体積層部および集電端子の接合状態を模式的に示す図である。
【図１７】実験中の比較例１において抵抗溶接をしている様子を模式的に示す図である。
【図１８】実験中の比較例１における抵抗溶接後の集電体積層部および集電端子の接合状態を模式的に示す図である。
【図１９】実験中の比較例２において抵抗溶接をしている様子を模式的に示す図である。
【図２０】実験中の比較例２における抵抗溶接後の集電体積層部および集電端子の接合状態を模式的に示す図である。
【図２１】実施形態における抵抗溶接後の第１溶接痕領域を示す図である。
【図２２】実施形態における抵抗溶接後の第２溶接痕領域を示す図であり，第２溶接痕領域を図１２のＡ−Ａ断面で見た図である。
【図２３】従来技術の課題の一つを模式的に示す図である。
【図２４】従来技術の課題の一つを模式的に示す図である。
【図２５】従来技術の課題の一つを模式的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下，本発明の二次電池を具体化した実施形態について，添付図面を参照しつつ詳細に説明する。図１は，実施形態に係る二次電池１００の断面図である。実施形態に係る二次電池１００（以下単に「電池１００」ともいう）は，図１に示すように，角型の電池ケース１８０と，電池ケース１８０の内部に収容された扁平形状の捲回電極体１１０とを備える角型のリチウムイオン二次電池である。この電池１００は，ハイブリッドカーや電気自動車等の車両や，ハンマードリル等の電池使用機器に動力源として搭載されるものである。なお，本明細書において，特に断りのない限りは，上下左右は，図１を基準にいうものとし，また，図１中紙面手前側を前方，紙面奥側を後方というものとする。
【００３０】
電池ケース１８０は，アルミニウムからなり，電池ケース本体１８１及び封口蓋１８２を有する。より詳細には電池ケース１８０は，封口蓋１８２以外の面のうちの２面が他の面よりも大面積の扁平面をなす扁平角型のものである。封口蓋１８２は，矩形板状であり，電池ケース本体１８１の上部開口を閉塞して，この電池ケース本体１８１に溶接されている。この封口蓋１８２には，矩形板状の安全弁１９７が封着されている。
【００３１】
電池ケース本体１８１は，上部を開口させた有底矩形箱形状をなしており，内部に扁平形状の捲回電極体１１０を収容している。より詳細には，電池ケース本体１８１は，封口蓋１８２に対向する矩形板状のケース底壁部１８１ｂと，ケース底壁部１８１ｂの周縁から上方へ立設する４つのケース側壁部１８１ｃとを備えている。
【００３２】
捲回電極体１１０は，帯状の正極板１３０及び負極板１２０が帯状のセパレータ１５０を介して扁平形状に捲回されてなる捲回型の電極体である。この捲回電極体１１０は，捲回軸方向ＡＸを水平方向に沿わせた状態で，電池ケース１８０内に収容されている。正極板１３０には，クランク状に屈曲した板状の正極集電端子１９１が接合されている。正極集電端子１９１の正極板１３０に対する接合方法については後述する。また，負極板１２０には，クランク状に屈曲した板状の負極集電端子１９２が抵抗溶接により接合されている。なお，正極集電端子１９１は，後述する正極集電体１３１と同様の材料（本形態では，アルミニウム）からなる。また，負極集電端子１９２は，後述する負極集電体１２１と同様の材料（本形態では，銅）からなる。
【００３３】
正極集電端子１９１及び負極集電端子１９２のうち，それぞれの先端（上端）に位置する正極外部端子部１９１ａ及び負極外部端子部１９２ａは，電池ケース１８０の封口蓋１８２を貫通して蓋表面１８２Ａから突出している。正極外部端子部１９１ａと封口蓋１８２との間，及び，負極外部端子部１９２ａと封口蓋１８２との間には，それぞれ，電気絶縁性の樹脂からなる絶縁部材１９５が介在している。
【００３４】
図２は，捲回電極体１１０の構造を示す図である。図２に示すように，正極板１３０は，長手方向ＤＡ（図２において上下方向）に沿って延びるアルミニウム箔からなる帯状の正極集電体（正極集電板）１３１と，この正極集電体１３１の表面の一部に塗工された正極活物質層１３２とを含むものである。正極活物質層１３２は，例えば，コバルト酸リチウム（ＬｉＣｏＯ２）からなる正極活物質１３３と，アセチレンブラックからなる導電材と，ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）からなる結着材とを含んでいる。
【００３５】
正極集電体１３１のうち，正極活物質層１３２が塗工されている部位を，正極塗工部（正極活物質層形成部）１３１ａという。一方，正極活物質層１３２が塗工されていない部位を，正極非塗工部（正極活物質層非形成部）１３１ｂという。正極非塗工部１３１ｂは，正極集電体１３１（正極板１３０）の幅方向ＤＢ（図２において左右方向）の端部（図２において左端部）に位置し，正極集電体１３１（正極板１３０）の長手方向ＤＡに沿って帯状に延びている。
【００３６】
また負極板１２０は，長手方向ＤＡに沿って延びる銅箔からなる帯状の負極集電体（負極集電板）１２１と，この負極集電体１２１の表面の一部に塗工された負極活物質層１２２とを含むものである。負極活物質層１２２は，例えば，黒鉛（グラファイト）からなる負極活物質１２３と，ＳＢＲからなる結着剤と，ＣＭＣからなる増粘剤とを含んでいる。
【００３７】
負極集電体１２１のうち，負極活物質層１２２が塗工されている部位を，負極塗工部（負極活物質層形成部）１２１ａという。一方，負極集電体１２１のうち，負極活物質層１２２が塗工されていない部位を，負極非塗工部（負極活物質層非形成部）１２１ｂという。負極非塗工部１２１ｂは，負極集電体１２１（負極板１２０）の幅方向ＤＢの端部（図２において右端部）に位置し，負極集電体１２１（負極板１２０）の長手方向ＤＡに沿って帯状に延びている。
【００３８】
またセパレータ１５０は，例えばポリエチレンからなり，正極板１３０と負極板１２０との間に介在して，これらを離間させるものである。なお，このセパレータ１５０には，図１に示すように，リチウムイオンを有する電解液１６０が含浸されている。電解液１６０は，例えば，エチレンカーボネート（ＥＣ）とエチルメチルカーボネート（ＥＭＣ）とを，体積比でＥＣ：ＥＭＣ＝３：７に調整した混合有機溶媒に，溶質として六フッ化リン酸リチウム（ＬｉＰＦ６）を添加し，リチウムイオン濃度を１ｍｏｌ／Ｌとした非水電解液である。
【００３９】
このように構成された捲回電極体１１０は，図１に示すように，正極非塗工部１３１ｂが負極板１２０からはみ出た状態で巻き重ねられてなる正極集電体積層部１３６を，捲回軸方向ＡＸに沿う一端部（左端部）に有している。正極集電体積層部１３６は，正極集電端子１９１の下端部が後述する溶接方法により接合されている部分である。図１において符号１３７で示す箇所は，その溶接痕を示している。この溶接により，正極集電端子１９１と捲回電極体１１０とが電気的かつ機械的に接続されている。
【００４０】
また，捲回電極体１１０は，負極非塗工部１２１ｂが正極板１３０からはみ出た状態で巻き重ねられてなる負極集電体積層部１２６を，捲回軸方向ＡＸに沿う他端部（右端部）に有している。負極集電体積層部１２６は，負極集電端子１９２の下端部が抵抗溶接により溶接されている部分である。図１において符号１２７で示す箇所は，その溶接痕を示している。この溶接により，負極集電端子１９２と捲回電極体１１０とが電気的かつ機械的に接続されている。
【００４１】
なお，捲回電極体１１０において，正極集電体積層部１３６と負極集電体積層部１２６との間に位置しているのは，発電部１１６である。発電部１１６は，正極塗工部１３１ａ（正極板１３０の正極活物質層１３２が形成されている部分，図２参照）と，負極塗工部１２１ａ（負極板１２０の負極活物質層１２２が形成されている部分，図２参照）と，セパレータ１５０とが巻き重ねられている部分である。
【００４２】
次に，本形態の電池１００の製造工程について簡単に説明する。まず，上述のように構成した捲回電極体１１０，電池ケース本体１８１，及び，封口蓋１８２を用意する。封口蓋１８２には，予め集電端子１９１，１９２を組み付けておく。
【００４３】
次に，図１に示すように，正極集電端子１９１を，捲回電極体１１０の正極集電体積層部１３６に後述の溶接方法により接合する。さらに，負極集電端子１９２を，捲回電極体１１０の負極集電体積層部１２６に抵抗溶接により接合する。
【００４４】
続いて，電池ケース本体１８１の内部に捲回電極体１１０を収容すると共に，封口蓋１８２により電池ケース本体１８１を閉塞する。そして，封口蓋１８２と電池ケース本体１８１を，レーザー溶接により接合する。
【００４５】
レーザー溶接により封口蓋１８２と電池ケース本体１８１を接合した後は，図示しない注液口を通じて，電解液１６０を電池ケース本体１８１の内部に注入して，捲回電極体１１０に含侵させる。そして，注液口を注液栓で封止する。その後，所定の処理を行うことで，本形態の電池１００（図１参照）が完成する。
【００４６】
次に，正極集電端子１９１の正極集電体積層部１３６への接合方法について詳述する。正極集電端子１９１の正極集電体積層部１３６への接合は，まず正極集電体積層部１３６のみに超音波溶接を行い（図３〜７），その後正極集電体積層部１３６及び正極集電端子１９１に抵抗溶接を行う（図６〜１２）ことによりなされる。まず超音波溶接について具体的に説明する。
【００４７】
（超音波溶接）
実施形態では，正極集電体積層部１３６に正極集電端子１９１を接合する前に，正極集電体積層部１３６を構成する各層を超音波溶接により接合することとしている。これは，正極集電体積層部１３６の表裏の表面（前面１３６ａ及び後面１３６ｂ，図３参照）に，散点状に凹部を形成するためである。すなわち，図６，７に示すように，超音波溶接後の正極集電体積層部１３６の前面１３６ａ及び後面１３６ｂには，溶接痕としての凹部１２，２２が形成されている。正極集電体積層部１３６の前面１３６ａにおける凹部１２の形成されている領域を，第１溶接痕領域１０という（図６参照）。また，正極集電体積層部１３６の後面１３６ｂにおける凹部２２の形成されている領域を，第２溶接痕領域２０という（図７参照）。
【００４８】
超音波溶接をするにあたり，まず，超音波溶接装置を用意する。図３に示すように，超音波溶接装置４０は，振動体であるホーン４１とそれに協働するアンビル４５とを備えるものである。この超音波溶接装置４０を用いた超音波溶接では，ホーン４１とアンビル４５とで接合対象であるワーク（正極集電体積層部１３６）を挟み込む。このときホーン４１に設けられた複数の凸部４２，及びアンビル４５に設けられた複数の凸部４６は，高加圧でワーク（正極集電体積層部１３６）に押し当てられる。そしてホーン４１をワークの面方向に沿って（正極集電体積層部１３６の後面１３６ｂの面方向に沿って左右に）振動させる。すなわち，図中矢印Ｖ方向に振動させる。
【００４９】
これにより，正極集電体積層部１３６を構成する各層１３８が溶接されるとともに，正極集電体積層部１３６の前面１３６ａには図６に示すように，アンビル４５の凸部４６に対応する凹部１２のある第１溶接痕領域１０が形成され，後面１３６ｂには図７に示すように，ホーン４１の凸部４２に対応する凹部２２のある第２溶接痕領域２０が形成される。なお実施形態では，ホーン４１の振動方向Ｖを捲回軸方向ＡＸと同じ方向に設定している。これにより，ホーン４１の振動により正極集電体積層部１３６に亀裂や破断が生じるのを防いでいる。
【００５０】
ここで，ホーン４１の先端面（ワークに対する接触端面）４１ａに形成されている複数の凸部４２，及びアンビル４５の先端面（ワークに対する接触端面）４５ａに形成されている複数の凸部４６について詳しく述べる。図４は，ホーン４１の先端面４１ａに形成されている複数の凸部４２（以下「第１凸部４２」ともいう）を示している。図５は，アンビル４５の先端面４５ａに形成されている複数の凸部４６(以下「第２凸部４６」ともいう)を示している。第１凸部４２及び第２凸部４６は，ともに四角錐形状の突起である。図４，５に示すように，第２凸部４６のピッチＰ２は第１凸部４２のピッチＰ１よりも小さい。但し，ホーン４１の先端面４１ａ（ホーン４１における凸部４２が設けられている領域）と，アンビル４５の先端面４５ａ（アンビル４５における凸部４６が設けられている領域）とは同じ大きさである。また，アンビル４５に設けられている凸部４６の数は，ホーン４１に設けられている凸部４２の数よりも多い。また，アンビル４５に設けられている凸部４６は，ホーン４１に設けられている凸部４２よりも高さ（鉛直方向に沿う長さ）が短い。
【００５１】
実施形態では，このような第１凸部４２を備えるホーン４１及び第２凸部４６を備えるアンビル４５を用いて正極集電体積層部１３６を溶接する。そのため，アンビル４５が押し当てられていた正極集電体積層部１３６の前面１３６ａには，図６に示すような溶接痕（第１溶接痕領域１０）が形成される。一方，ホーン４１が押し当てられていた正極集電体積層部１３６の後面１３６ｂには，図７に示すような溶接痕（第２溶接痕領域２０）が形成される。第２溶接痕領域２０の凹部２２の陥没は，第１溶接痕領域１０の凹部１２の陥没よりも深い。また，第２溶接痕領域２０の凹部２２の開口面の面積は，第１溶接痕領域１０の凹部１２の開口面の面積よりも大きい。すなわち，正極集電体積層部１３６の前面１３６ａに形成された第１溶接痕領域１０における凹んでいない箇所（第１溶接痕領域１０における凹部１２を除いた箇所）の面積Ｓ２（図１０参照）は，正極集電体積層部１３６の後面１３６ｂに形成された第２溶接痕領域２０における凹んでいない箇所（第２溶接痕領域２０における凹部２２を除いた箇所）の面積Ｓ３（図１１参照）よりも大きい。
【００５２】
なお本実施形態では，凸部４２，４６の形状として特に好ましい四角錐（ピラミッド型）を採用しているが，ホーン４１およびアンビル４５におけるそれぞれの凸部４２，４６の突出形状としては，ワーク（正極集電体積層部１３６）に押し付けることができるような突起状のものである限り，特に限定するものではない。例えば，四角錐以外の多角錐や円錐，または先端部が切り落とされた多角錐や円錐，あるいは円筒や半球などの形状とすることができる。
【００５３】
また本実施形態では，ホーン４１およびアンビル４５におけるそれぞれの凸部４２，４６は，いずれも複数個設けられており，アンビル４５に設けられた凸部４２の数よりも，ホーン４１に設けられた凸部４６の数の方が少ない。ただし，それぞれの凸部４２，４６の数は限定されるものではなく，溶接面積に応じて適宜調整することができる。また本形態では，ホーン４１として，凸部４２（１２個）が図４に示すように配置されたものを用い，アンビル４５として，ホーン４１の凸部４２より小さな凸部４６が図５に示すように配置されたものを用いているが，凸部４２，４６の配列についても特に制限されるものではない。例えば，凸部が単列に配置されていてもよいし，複列に配置されていてもよい。複列である場合には，千鳥模様，市松模様などのパターン性を有する配置であってもよいし，規則性なしに配置されていてもよい。
【００５４】
上記したように実施形態の超音波溶接では，このようなホーン４１の凸部４２及びアンビル４５の凸部４６を正極集電体積層部１３６に押し当てることにより，箔状の正極集電体１３１が積層されてなる正極集電体積層部１３６に対してホーン４１の凸部４２及びアンビル４５の凸部４６をしっかりと食い込ませる。ところで，アルミニウム製の正極集電体および正極集電端子が超音波溶接された従来の二次電池では，アルミニウムの表面に形成された酸化被膜のため，超音波による振動が正極集電体積層部における正極集電端子側の内層部分まで伝播されず，強固な接合となっていないことがあった。しかしながら，本実施形態の製造方法によると，ホーン４１の凸部４２及びアンビル４５の凸部４６がアルミニウムの表面の酸化被膜を壊すため，正極集電体積層部１３６の全層が良好に固相接合する。すなわち，正極集電体積層部１３６の隣り合う各層１３８同士を強固に接合することができる。その結果，安定して高出力を発揮し得る信頼性の高い二次電池とすることができる。
【００５５】
（抵抗溶接）
続いて，上記のように第１溶接痕領域１０および第２溶接痕領域２０を形成した正極集電体積層部１３６に，正極集電端子１９１を抵抗溶接（スポット溶接）にて接合する。抵抗溶接をするにあたり，まず，抵抗溶接装置を用意する。図８に示すように，抵抗溶接装置５０は，正極集電体積層部１３６に当接する第１電極５２および正極集電端子１９１に当接する第２電極５５からなる一対の電極５１を備えるものである。
【００５６】
この抵抗溶接装置５０を用いた抵抗溶接では，図８に示すように一対の電極５１（第１電極５２及び第２電極５５）で接合対象（正極集電端子１９１と正極集電体積層部１３６）を挟み込む。この挟み込みは，正極集電体積層部１３６の第１溶接痕領域１０及び第２溶接痕領域２０が一対の電極５１間に位置するように行う。また，正極集電体積層部１３６の第２溶接痕領域２０と正極集電端子１９１の接合箇所が接するように行う。
【００５７】
すなわち図８に示す状態では，正極集電体積層部１３６の前面１３６ａ（接合面の裏側の面）における第１溶接痕領域１０を含む領域に，第１電極５２の先端面（接合対象との接触端面）５２ａが当接している。また正極集電体積層部１３６の後面１３６ｂ（接合面に相当）における第２溶接痕領域２０を含む領域に，正極集電端子１９１が当接している。さらに正極集電端子１９１における第２溶接痕領域２０と接している領域の裏側の領域に，第２電極５５の先端面（接合対象との接触端面）５５ａが当接している。
【００５８】
本実施形態では，上記した状態となるように一対の電極５１間に正極集電体積層部１３６及び正極集電端子１９１を挟み込んで，正極集電体積層部１３６及び正極集電端子１９１を加圧する（正極集電体積層部１３６及び正極集電端子１９１に押圧力を印加する）。そしてこれに伴い，両電極５２，５５間を通電する。これにより，接合対象（正極集電体積層部１３６及び正極集電端子１９１）にジュール熱を発生させて接合対象を溶融させることにより，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１とを接合する。
【００５９】
図１２は，接合後の正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１を示している。図１２に示すように，接合後の正極集電体積層部１３６の図中上面（前面１３６ａ）は，第１電極５２が押し付けられていたため凹んでいる。また正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１との境界部分には，ナゲット７０が形成されている。ナゲット７０は，抵抗溶接により溶融した接合対象（正極集電体積層部１３６及び正極集電端子１９１）が凝固したものである。実施形態では，図１２に示すような良好なサイズのナゲット７０がバラツキなく複数形成されている。これは以下の理由による。
【００６０】
すなわち実施形態では，図９に示すように，第１溶接痕領域１０および第２溶接痕領域２０の直径ｄ１は，第１電極５２の接触端面５２ａ及び第２電極５５の接触端面５５ａの直径ｄ２よりも小さい。すなわち図１０に示すように，第１溶接痕領域１０全体の面積Ｓ１は，第１電極５２の接触端面５２ａの面積Ａに比して小さい（Ａ＞Ｓ１）。しかも図１０に示すように，第１溶接痕領域１０は，その周縁１０ａが第１電極５２の周縁５２ｂの内側に位置するように，第１電極５２と接している。そのため抵抗溶接時には電流が凹部１２のある第１溶接痕領域１０全体に均等に流れる。なお図１１に示すように，第２溶接痕領域２０の面積（第１溶接痕領域１０の面積Ｓ１と等しい）も，第２電極５５の接触端面５５ａの面積（第１電極５２の接触端面５２ａの面積Ａと等しい）に比して小さく，第２溶接痕領域２０は，その周縁２０ａが第２電極５５の周縁５５ｂの内側に位置するように，第２電極５５と接している。
【００６１】
加えて，抵抗溶接時における正極集電体積層部１３６と第１電極５２との接触面積（当接面積）Ｓ２（図１０のハッチング箇所参照）は，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１との接触面積（当接面積）Ｓ３（図１１のハッチング箇所参照）よりも大きい（Ｓ２＞Ｓ３）。より詳細には，Ｓ２とＳ３との比（Ｓ２／Ｓ３）は，１＜Ｓ２／Ｓ３＜６の範囲にある。従って，抵抗溶接時には，正極集電体積層部１３６と第１電極５２との接触抵抗に比して，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１との接触抵抗の方が適度に大きくなる。接触抵抗とは，接触面における電気抵抗である。なお第１溶接痕領域１０には凹部１２が形成されている分，Ｓ２は，Ｓ１よりも小さくなっている（Ｓ２＜Ｓ１）。
【００６２】
その結果，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１との接触部分が適度に高い温度に発熱して溶融する。そのため図１２に示すように，良好なサイズのナゲット７０がバラツキなく複数形成され，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１とが高い接合強度で良好に接合されるのである。一方，正極集電体積層部１３６と第１電極５２との接触部分の発熱は抑えられる。そのため，正極集電端子１９１が第１電極５２に付着してしまうことがないのである。
【００６３】
次に，本形態の電池１００の製造方法（特に正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１との接合方法）の効果を確認するために行った試験の結果について，下記表１に基づいて説明する。
【００６４】
【表１】
2014212012.tif 000003
【００６５】
この実験では，厚さ１５μｍのアルミニウム箔を４０枚積層したものを用意し，これを４０ｍｍ×３０ｍｍのサイズにカットして，正極集電体積層部１３６のテストピースとした。また，正極集電端子１９１のテストピースとして，厚さ１．５ｍｍのアルミニウム板を用意した。
【００６６】
用意したアルミニウム箔の積層体に対して，次のように超音波溶接を行った。すなわち，上記した超音波溶接装置４０を用いて，ホーン４１の振幅を８０μｍ，振動エネルギーを１００Ｊ（ジュール），加圧力を１０００Ｎ（ニュートン）として超音波溶接を行った。
【００６７】
表１に示す各実施例及び各比較例では，超音波溶接におけるアンビル４５の凸部４６のピッチＰ２（図５参照）及びホーン４１の凸部４２のピッチＰ１（図４参照）を変えている。アンビル４５のピッチＰ２を変えると，面積Ｓ２（図１０参照）が変わる。また，ホーン４１のピッチＰ１を変えると，面積Ｓ３（図１１参照）が変わる。アンビルピッチＰ２と面積Ｓ２との関係は，下記表２の通りである。またホーンピッチＰ１と面積Ｓ３との関係は，下記表３の通りである。
【００６８】
【表２】
2014212012.tif 000004
【００６９】
【表３】
2014212012.tif 000005
【００７０】
具体的には表１に示す各実施例及び各比較例では，アンビルピッチＰ２及びホーンピッチＰ１を次のように設定した。
実施例１：
アンビルピッチＰ２：０．９ｍｍ（Ｓ２：３．４ｍｍ２）
ホーンピッチ  Ｐ１：１．０ｍｍ（Ｓ３：３．１ｍｍ２）
実施例２
アンビルピッチＰ２：０．７ｍｍ（Ｓ２：５．１ｍｍ２）
ホーンピッチ  Ｐ１：１．２ｍｍ（Ｓ３：１．８ｍｍ２）
実施例３
アンビルピッチＰ２：０．４ｍｍ（Ｓ２：７．０ｍｍ２）
ホーンピッチ  Ｐ１：１．３ｍｍ（Ｓ３：１．２ｍｍ２）
実施例４
アンビルピッチＰ２：０ｍｍ即ち凸部４６なしの平坦面（Ｓ２：９．６ｍｍ２）
ホーンピッチ  Ｐ１：１．２ｍｍ（Ｓ３：１．８ｍｍ２）
実施例５
アンビルピッチＰ２：０．７ｍｍ（Ｓ２：５．１ｍｍ２）
ホーンピッチ  Ｐ１：１．２ｍｍ（Ｓ３：１．８ｍｍ２）
比較例１
アンビルピッチＰ２：１．０ｍｍ（Ｓ２：３．１ｍｍ２）
ホーンピッチ  Ｐ１：０．９ｍｍ（Ｓ３：３．４ｍｍ２）
比較例２
アンビルピッチＰ２：０．１ｍｍ（Ｓ２：８．５ｍｍ２）
ホーンピッチ  Ｐ１：１．３ｍｍ（Ｓ３：１．４ｍｍ２）
【００７１】
このような超音波溶接により，正極集電体積層部１３６のテストピースであるアルミニウム箔の積層体の表裏の表面に，第１溶接痕領域１０（図１０参照）を形成するとともに第２溶接痕領域２０（図１１参照）を形成した。
【００７２】
そしてこの超音波溶接後，アルミニウム箔の積層体に対して，正極集電端子１９１のテストピースであるアルミニウム板を抵抗溶接にて接合した。この抵抗溶接は，次のように行った。すなわち，上記した抵抗溶接装置５０を用いて，第１電極５２の加圧力を２．５ｋＮ（キロニュートン）に固定し，アルミニウム箔の積層体からアルミニウム板へ向かって電流が流れるように通電して，抵抗溶接を行った。
【００７３】
その後，この抵抗溶接について評価した。評価項目は，上記表１に示すように，「溶接強度」，「電極への付着」，及び「スパッタの飛散」である。各評価項目の評価結果を示す上記表１中の「◎」，「○」，及び「×」の意味は，次の通りである。なお，この実験では，各実施例及び各比較例に示す条件での接合を１０回ずつ行っている。
溶接強度
◎：１０回中全てが２００Ｎ（ニュートン）以上の溶接強度を示した
○：１０回中全てが１５０Ｎ以上の溶接強度を示した
×：１０回中５回以上が１００Ｎ未満の溶接強度を示した
電極への付着
○：１０回中全てがアルミニウム箔の積層体と第１電極５２との付着なし
×：１０回中５回以上がアルミニウム箔の積層体と第１電極５２との付着あり
スパッタの飛散
○：１０回中全てがスパッタの飛散なし
×：１０回中５回以上がスパッタの飛散あり
【００７４】
上記表１に示す実施例１〜５は，Ｓ２とＳ３の比（Ｓ２／Ｓ３）が１より大きく６未満，すなわち１＜Ｓ２／Ｓ３＜６のケースである。これらの各実施例では，「溶接強度」，「電極への付着」，及び「スパッタの飛散」の全ての項目について良好な結果が得られた。但し，実施例５では，形成されたナゲットのサイズが実施例１〜４に比して小さかった（すなわち小径であった）。そのため実施例５は，実施例１〜４に比して溶接強度が低かった。
【００７５】
この実施例５は，第１電極５２の接触端面５２ａの面積Ａに比して，第１溶接痕領域の面積Ｓ１が大きい，すなわちＡ＜Ｓ１のケースである。他の実施例（実施例１〜４）は，Ａ＞Ｓ１である。具体的には図１３に示すように，第１電極５２の接触端面５２ａの直径ｄ２よりも，アルミニウム箔の積層体１３６Ａ（正極集電体積層部１３６のテストピース）に形成された第１溶接痕領域１０Ａの直径ｄ１１の方が大きい。そのため図１４に示すように，第１電極５２の接触端面５２ａの面積Ａよりも，第１溶接痕領域１０Ａの面積Ｓ１の方が大きい。またこのケースでは図１５に示すように，第２電極５５の接触端面５５ａの面積（Ａと同じ）よりも，第２溶接痕領域２０Ａの面積（Ｓ１と同じ）の方が大きい。
【００７６】
このような条件で溶接すると，図１６に示すように積層体１３６Ａとアルミニウム板１９１Ａ（正極集電端子１９１のテストピース）との境界部分に形成されるナゲット７０Ａが，図１２に示すナゲット７０と比べて小さくなる。これは，第１溶接痕領域１０Ａが第１電極５２の接触端面５２ａよりも大きくなったことにより，第１電極５２の接触端面５２ａの全域が第１溶接痕領域１０Ａと当接するようになったため，第１溶接痕領域１０Ａを流れる電流の電流密度が図８に示すケースよりも低下して，積層体１３６Ａ及びアルミニウム板１９１Ａが発熱し難くなり，その溶融が不十分になったためである。特にこのケースでは，第１電極５２の接触端面５２ａの周縁５２ｂ（図１４参照）と第１溶接痕領域１０Ａとの接触箇所に形成されるナゲット７０Ｂ（図１６参照）が，著しく小さくなる。これは，接触端面５２ａの周縁５２ｂと第１溶接痕領域１０Ａの凹部１２Ａが鉛直方向に沿って重なることで，その箇所を十分に押さえ込むことができなくなるからである。実施例５ではこのようなことが起こるため，実施例１〜４に比して溶接強度が小さくなるのである。
【００７７】
また上記表１に示す比較例１は，Ｓ２／Ｓ３が１以下（Ｓ２／Ｓ３≦１）のケースである。すなわち，Ｓ２≦Ｓ３のケースである。具体的には図１７に示すように，図８に示すものとは逆で，アルミニウム箔の積層体１３６Ｂ（正極集電体積層部１３６のテストピース）に形成された第１溶接痕領域１０Ｂの凹部１２Ｂよりも，第２溶接痕領域２０Ｂの凹部２２Ｂの方が小さくその数が多くなっている。
【００７８】
このような条件で溶接すると，図１８に示すように抵抗溶接により形成されたナゲット７０Ｃが，図１２に示すものと比べて小さくなるとともに，その位置が第１電極５２の方に偏る。これは，積層体１３６Ｂとアルミニウム板１９１Ｂ（正極集電端子１９１のテストピース）との接触抵抗が積層体１３６Ｂと第１電極５２との接触抵抗に比して小さくなるため，積層体１３６Ｂとアルミニウム板１９１Ｂの境界で発熱し難くなり，その溶融が不十分になったためである。一方，積層体１３６Ｂと第１電極５２の境界では発熱し易くなる。そのため，積層体１３６Ｂにおける第１電極５２側が溶融して，積層体１３６Ｂと第１電極５２とが接合する不具合も生じてしまう。なお図１８中の一点鎖線は，接合されてしまった箇所を示している。従って比較例１では，表１に示すように，溶接強度が「×」，電極への付着が「×」となるのである。なお比較例１では，スパッタの飛散はない。
【００７９】
また上記表１に示す比較例２は，Ｓ２／Ｓ３が６以上（Ｓ２／Ｓ３≧６）のケースである。すなわち，Ｓ２に比してＳ３が過度に小さいケースである。具体的には図１９に示すように，図８に示すものに比して，アルミニウム箔の積層体１３６Ｃ（正極集電体積層部１３６のテストピース）に形成された第２溶接痕領域２０Ｃの凹部２２Ｃが大きくなりその数が少なくなっている。
【００８０】
このような条件で溶接すると，図２０に示すように抵抗溶接により形成されたナゲット７０Ｄが，図１２に示すものと比べて大きくなる。これは，積層体１３６Ｃとアルミニウム板１９１Ｃ（正極集電端子１９１のテストピース）との接触抵抗が図８に示すものに比して大きくなり過ぎ，積層体１３６Ｃとアルミニウム板１９１Ｃの境界で過度に発熱し，その溶融が過度なものとなったためである。その結果，溶融したアルミニウムが噴き出し（スパッタが飛散し），ナゲット７０Ｄに肉の欠けた欠肉部７１が生じている。また噴出したアルミニウムが第１電極５２に付着して凝固することにより，積層体１３６Ｃが第１電極５２に接合される不具合が生じている。図２０中の一点鎖線は接合されてしまった箇所を示している。従って比較例２では，表１に示すように，電極への付着が「×」，スパッタの飛散が「×」となるのである。なお比較例第２では，溶接強度は「○」である。これは，欠肉部７１が生じることで溶接強度が下がり，「◎」の溶接強度を確保できなかったためである。
【００８１】
なお表１中の最下段に先行技術として示す例は，正極集電体積層部の表裏の表面に凹部がないケース（Ｓ２／Ｓ３＝１のケース）である。このようなケースでは，溶接強度，電極への付着，及びスパッタの飛散の全ての項目が「×」となる。
【００８２】
上記のような実験結果から次のことがわかる。すなわち実施例１〜５のように，Ｓ２／Ｓ３が１より大きく６未満（１＜Ｓ２／Ｓ３＜６）となるように第１溶接痕領域１０及び第２溶接痕領域２０を形成すれば，良好な接合を行うことができることがわかる。詳細には，溶接強度が強く，電極へ正極集電体積層部１３６が付着することもなく，スパッタが飛散することもないことがわかる。そして特にＡ＞Ｓ１としたときには（実施例１〜４参照），抵抗溶接により形成されるナゲット７０が適切なサイズでバラツキのないものとなり，溶接強度が高くなることがわかる。
【００８３】
ここで，１＜Ｓ２／Ｓ３＜６となるよう第１溶接痕領域１０及び第２溶接痕領域２０を形成して抵抗溶接を行うと，抵抗溶接後の第１溶接痕領域１０における凹んでいない箇所の面積（凹部１２を除く面積）Ｓ４（図２１のハッチング箇所参照）と，溶接後の第２溶接痕領域２０におけるナゲット７０でない箇所の面積（ナゲット７０を除く面積）Ｓ５（図２２のハッチング箇所参照）との比（Ｓ４／Ｓ５）は，表１に示すように，１＜Ｓ４／Ｓ５＜２の関係となる。従って抵抗溶接後の電池１００において「１＜Ｓ４／Ｓ５＜２」の関係が成立していれば，上述したような良好な接合がなされた接合強度の高い電池であるといえる。なお，抵抗溶接前には「１＜Ｓ２／Ｓ３＜６」の範囲にあったものが，抵抗溶接後には「１＜Ｓ４／Ｓ５＜２」の範囲に変わるのは，次のような理由による。
【００８４】
すなわち抵抗溶接を行うと，第１溶接痕領域１０は抵抗溶接による発熱で軟化する。そのため，抵抗溶接後の第１溶接痕領域１０における凹んでいない箇所の面積Ｓ４（図２１参照）は，抵抗溶接前の第１溶接痕領域１０における凹んでいない箇所の面積（凹部１２を除く面積）Ｓ２（図１０参照）に比して増加する（表１参照）。また抵抗溶接を行うと，第２溶接痕領域２０では凹部２２（図１１参照）を中心にナゲット７０（図１２，図２２参照）が形成される。そのため，抵抗溶接後の第２溶接痕領域２０におけるナゲット７０でない箇所の面積Ｓ５（図２２参照）は，抵抗溶接前の第２溶接痕領域２０における凹んでいない箇所の面積（凹部２２を除く面積）Ｓ３に比して増加する（表１参照）。なお図２２は，抵抗溶接後の第２溶接痕領域２０の状態を示す図であり，第２溶接痕領域２０を図１２のＡ−Ａ断面で見た図である。
【００８５】
これらの結果，抵抗溶接前の「１＜Ｓ２／Ｓ３＜６」という関係は，表１に示すように抵抗溶接後には「１＜Ｓ４／Ｓ５＜２」という関係へ変わるのである。従って，抵抗溶接後に「１＜Ｓ４／Ｓ５＜２」の関係が成り立っている電池は，抵抗溶接時には「１＜Ｓ２／Ｓ３＜６」という関係が成り立っていたということであり，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１とが良好に接合された電池ということである。ちなみにＳ４は，第１溶接痕領域１０に凹部１２が形成されている場合にはＳ１未満（Ｓ１＞Ｓ４）となり，第１溶接痕領域１０に凹部１２が形成されていない場合にはＳ１と等しく（Ｓ１＝Ｓ４）なる。
【００８６】
なお表１に示す比較例１では，抵抗溶接後のＳ４／Ｓ５は１以下（Ｓ４／Ｓ５≦１）となっている。従って，Ｓ４／Ｓ５≦１の電池は，図１８に示すような接合状態にあり，良好な接合がなされていない電池ということである。また比較例２では，抵抗溶接後のＳ４／Ｓ５は２以上（Ｓ４／Ｓ５≧２）となっている。従って，Ｓ４／Ｓ５≧２の電池は，図２０に示すような接合状態にあり，良好な接合がなされていない電池ということである。
【００８７】
以上詳細に説明したように，実施形態の二次電池１００の製造方法は，次の１〜３に示す工程を含んでいる。
［１．準備工程］正極集電体１３１に正極活物質層１３２が塗工された正極塗工部１３１ａと正極集電体１３１に正極活物質層１３２が塗工されていない正極非塗工部１３１ｂとを含む正極板１３０，負極集電体１２１に負極活物質層１２２が塗工された負極塗工部１２１ａと負極集電体１２１に負極活物質層１２２が塗工されていない負極非塗工部１２１ｂとを含む負極板１２０，及び，正極塗工部１３１ａと負極塗工部１２１ａとの間に介在するセパレータ１５０を含み，正極非塗工部１３１ｂが負極板１２０からはみ出た状態で積層された正極集電体積層部１３６を一端に有するとともに，負極非塗工部１２１ｂが正極板１３０からはみ出た状態で積層された負極集電体積層部１２６を他端に有する捲回電極体１１０を用意する工程。
［２．凹部形成工程］アンビル４５と複数の凸部４２を有するホーン４１とを備える超音波溶接装置４０を用いて，ホーン４１が有する複数の凸部４２を押し当てるようにアンビル４５とホーン４１との間に正極集電体積層部１３６を挟み込みつつ，ホーン４１を振動させることにより，正極集電体積層部１３６におけるアンビル４５との接触面（前面１３６ａ）に第１溶接痕領域１０を形成するとともに，正極集電体積層部１３６におけるホーン４１との接触面（後面１３６ｂ）に凹部２２のある第２溶接痕領域２０を形成する工程。
［３．抵抗溶接工程］正極集電体積層部１３６における少なくとも第２溶接痕領域２０を含む領域に正極集電端子１９１を当接させつつ，第１電極５２と第２電極５５からなる一対の電極５１を備える抵抗溶接装置５０を用いて第１溶接痕領域１０及び第２溶接痕領域２０が一対の電極５１の間に位置するように正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１とを一対の電極５１で挟み込んで抵抗溶接を行う工程。
【００８８】
そして上記の凹部形成工程では，次の式（１）及び（２）が満たされるように，第１溶接痕領域１０及び第２溶接痕領域２０を形成している。
Ｓ１≧Ｓ２        …（１）
１＜Ｓ２／Ｓ３＜６…（２）
Ｓ１：形成予定の第１溶接痕領域１０の面積（図１０参照）
Ｓ２：形成予定の第１溶接痕領域１０と，その第１溶接痕領域１０が抵抗溶接工程で当接する予定の第１電極５２との抵抗溶接工程における接触面積（図１０参照）
Ｓ３：形成予定の第２溶接痕領域２０と，その第２溶接痕領域２０が抵抗溶接工程で当接する予定の正極集電端子１９１との抵抗溶接工程における接触面積（図１１参照）
【００８９】
このような実施形態の二次電池１００の製造方法では，抵抗溶接前に，超音波溶接にて正極集電体積層部１３６に凹部２２のある第２溶接痕領域２０を形成している。そして抵抗溶接工程では，一対の電極５１の間に第２溶接痕領域２０を位置させている。この第２溶接痕領域２０と正極集電端子１９１との接触面積Ｓ３は，第１溶接痕領域１０と第１電極５２との接触面積Ｓ２よりも小さい。そのため，抵抗溶接を行うにあたり，正極集電体積層部１３６における正極集電端子１９１との接触面の接触抵抗が，正極集電体積層部１３６における第１電極５２との接触面の接触抵抗よりも大きくなる。よって，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１との接触面に十分なジュール熱を発生させることができる。従って，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１とを十分に溶融することができる。その結果，適切なサイズのナゲット７０を形成することができ，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１とを強固に接合することができる（十分な溶接強度で接合することができる）。
【００９０】
しかも，１≧Ｓ２／Ｓ３とした場合には正極集電体積層部１３６と第１電極５２との接触面の接触抵抗が高くなり過ぎて，その接触面の温度が高くなり過ぎることにより，正極集電体積層部１３６が過剰に溶融して第１電極５２と接合してしまうおそれがある（図１８参照）。しかしながら，実施形態の製造方法では１＜Ｓ２／Ｓ３としているため，このような不具合が生じない。
【００９１】
また，Ｓ２／Ｓ３≧６とした場合には正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１との接触面の接触抵抗が高くなり過ぎて，その接触面の温度が高くなり過ぎることにより正極集電体積層部１３６が過剰に溶融し，図２０に示すように，溶融した正極集電体積層部１３６が噴き出して第１電極５２と接合したり欠肉部７１のあるナゲット７０Ｄが形成されたりするおそれがある。しかしながら，実施形態の製造方法ではＳ２／Ｓ３＜６としているため，このような不具合が生じない。
【００９２】
また上記した二次電池１００の製造方法における凹部形成工程では，アンビル４５として複数の凸部４６を有するものを用い，アンビル４５が有する複数の凸部４６を押し当てるようにアンビル４５とホーン４１との間に正極集電体積層部１３６を挟み込み，凹部１２のある第１溶接痕領域１０を形成している。
【００９３】
よって，抵抗溶接時における第１溶接痕領域１０と第１電極５２との接触面積Ｓ２を，第１溶接痕領域１０の面積Ｓ１よりも小さくすることができる（Ｓ１＞Ｓ２）。そのため，Ｓ１＝Ｓ２とした場合に比して，正極集電体積層部１３６と第１電極５２との接触面の接触抵抗を大きくすることができる。その結果，正極集電体積層部１３６の発熱を促進して良好な溶接を行うことができる。なお，上記式（２）が満たされている限り，正極集電体積層部１３６と第１電極５２とが接合してしまうほど，正極集電体積層部１３６が溶融することはない。
【００９４】
ここで上記した二次電池１００の製造方法における凹部形成工程では，ホーン４１が有する複数の凸部４２のピッチＰ１（図４参照）を大きくすることにより接触面積Ｓ３を小さくすることができ，ホーン４１が有する複数の凸部４２のピッチＰ１を小さくすることにより接触面積Ｓ３を大きくすることができる（上記表３参照）。このようにして接触面積Ｓ３の大きさを調整すれば，他のパラメータ（超音波溶接におけるホーン４１の押圧力，振動周波数，及び溶接時間等）を変更するのに比して，上記した式（２）を満たす第２溶接痕領域２０を確実に形成することができる。
【００９５】
また上記した二次電池１００の製造方法における凹部形成工程では，アンビル４５が有する複数の凸部４６のピッチＰ２（図５参照）を大きくすることにより接触面積Ｓ２を小さくすることができ，アンビル４５が有する複数の凸部４６のピッチＰ２を小さくすることにより接触面積Ｓ２を大きくすることができる（上記表２参照）。このようにして接触面積Ｓ２の大きさを調整すれば，他のパラメータ（超音波溶接におけるホーン４１の押圧力，振動周波数，及び，溶接時間等）を変更するのに比して，上記した式（１）及び式（２）を満たす第１溶接痕領域１０を確実に形成することができる。
【００９６】
また上記した二次電池１００の製造方法における凹部形成工程では，次の式（３）が満たされるように第１溶接痕領域１０を形成している。
Ａ＞Ｓ１…（３）
Ａ：抵抗溶接工程で用いる予定の第１電極５２における接合対象（正極集電体積層部１３６）に接触する端面５２ａの面積
【００９７】
Ａ≦Ｓ１とした場合には，第１溶接痕領域１０に流れる電流の電流密度が低下する。そのため，正極集電体積層部１３６を十分に溶融することができなくなる。その結果，図１２に示すナゲット７０よりも小さなナゲット７０Ａ（図１６参照）が形成される。また，第１溶接痕領域１０における第１電極５２の周縁５２ｂとの接触部位では，第１溶接痕領域１０の凹部１２のために第１電極５２の周縁５２ｂが第１溶接痕領域１０と接しない箇所が生じる。そのため，第１電極５２が正極集電体積層部１３６を十分に押圧することができず，その箇所に形成されるナゲット７０Ｂは他のナゲット７０Ａよりもさらに小さいものとなってしまう。これらの原因によりＡ≦Ｓ１とした場合には，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１との接合強度が低下する。しかしながら上記の製造方法ではＡ＞Ｓ１としているため，このような不具合は生じない。
【００９８】
また上記した二次電池１００の製造方法における準備工程では，正極集電体１３１としてアルミニウム箔を用い，凹部形成工程では，正極集電体積層部１３６に第１溶接痕領域１０及び第２溶接痕領域２０を形成し，抵抗溶接工程では，正極集電体積層部１３６にアルミニウム製の正極集電端子１９１を接合している。アルミニウムは例えば銅などの他の金属よりも熱伝導率が低いため，銅と比べると抵抗溶接には不向きである。またアルミニウムは表面に電気抵抗の高い酸化被膜が存在するため，そのまま抵抗溶接を行うと正極集電体積層部１３６と抵抗溶接装置５０の第１電極５２とが溶着するおそれがある。しかしながら上記した二次電池１００の製造方法では，超音波溶接によりアルミニウム箔である正極集電体積層部１３６に凹部２２を施すことにより正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１との接触面の接触抵抗を大きくしている。そのため，抵抗溶接であっても十分に正極集電体積層部１３６を発熱させて溶融させることができる。また超音波溶接によりアルミニウム箔の酸化被膜が破壊されるため，正極集電体積層部１３６と第１電極５２の溶着を防ぐことができる。その結果，正極集電体積層部１３６と第１電極５２の溶着を防ぎつつ，十分な強度で正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１とを接合することができる。
【００９９】
なお，銅に比して抵抗溶接に不向きなアルミニウム製の正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１との接合に抵抗溶接を用いるのは，次のようなメリットがあるからである。すなわち，近年の正極集電端子には，異常時に電流を遮断するための電流遮断機構を組み込んだ構成のものがある。このような正極集電端子を超音波溶接により正極集電体積層部１３６と接合すると，溶接時に超音波により電流遮断機構に力が加わり，電流遮断機構に不具合が生じるおそれがある。しかし超音波溶接ではなく抵抗溶接を用いれば，このような不具合が生じることなく，電流遮断機構を有した正極集電端子と正極集電体積層部１３６とを接合することができるのである。
【０１００】
以上，本発明を実施形態に即して説明したが，本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく，その要旨を逸脱しない範囲で，適宜変更して適用できることは言うまでもない。例えば，上記実施形態では，二次電池として，リチウムイオン二次電池を例示したが，例えばニッケル水素二次電池等の他の種類の二次電池などにも，本発明の技術的思想を適用できる。
【０１０１】
また実施形態では，集電端子１９１，１９２は，外部端子部１９１ａ，１９２ａを含むものであったが，含んでいないものであってもよい。すなわち，電池ケース１８０の外部に露出する外部端子部と別体で，電池ケース１８０の内部に配置する集電端子を設けて，電池ケースの内部又は外部にて，外部端子部と集電端子とを電気的に接合するものでもよい。
【０１０２】
また実施形態では，負極集電体積層部１２６には超音波溶接を行わず，負極集電体積層部１２６と負極集電端子１９２とを抵抗溶接で接合した。しかしながら，正極集電体積層部１３６にしたのと同様の超音波溶接を負極集電体積層部１２６に対しても行い，正極集電体積層部１３６と正極集電端子１９１とを接合したのと同様の抵抗溶接にて，負極集電体積層部１２６と負極集電端子１９２とを接合してもよい。
【０１０３】
また実施形態では，アンビル４５の先端面４５ａに凸部４６を設け，凹部１２のある第１溶接痕領域１０を形成したが，アンビル４５の先端面４５ａを凸部４６のないフラットな面（平坦面）とし，凹部１２のない第１溶接痕領域１０（Ｓ１＝Ｓ２の第１溶接痕領域１０）を形成してもよい。第１溶接痕領域１０に凹部１２が形成されていなくても，上記式（１）及び式（２）が満たされている限り，良好な接合を行うことができるからである（表１の実施例４参照）。なおこの場合，抵抗溶接後の第１溶接痕領域１０はＳ１＝Ｓ４となっている。
【０１０４】
また実施形態では，前記第１溶接痕領域１０全体の大きさと前記第２溶接痕領域２０全体の大きさは同じであるが，異なっていてもよい。また実施形態では，角形の電池１００としたが，円筒型の電池としてもよい。また実施形態では，電極体として，正極板１３０と負極板１２０とセパレータ１５０とが巻き重ねられた捲回型の捲回電極体１１０を用いたが，正極板と負極板とセパレータとが積み重ねられた積層型の電極体を用いてもよい。
【符号の説明】
【０１０５】
１０…第１溶接痕領域
２０…第２溶接痕領域
４０…超音波溶接装置
４１…アンビル
４２…凸部
４５…ホーン
４６…凸部
５０…抵抗溶接装置
５１…一対の電極
５２…第１電極
５５…第２電極
１００…電池
１１０…捲回電極体
１２０…負極板
１２１…負極集電体
１２１ａ…負極塗工部
１２１ｂ…負極非塗工部
１２２…負極活物質層
１２６…負極集電体積層部
１３０…正極板
１３１…正極集電体
１３１ａ…正極塗工部
１３１ｂ…正極非塗工部
１３２…正極活物質層
１３６…正極集電体積層部
１３６ａ…前面
１３６ｂ…後面
１５０…セパレータ
１９１…正極集電端子
１９２…負極集電端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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