(57)【要約】      （修正有）【課題】良好なイオン注入を可能にする方法を提供する。【解決手段】集積回路フロー工程を実施する方法であって、ａ）レリーフ２を示すトポグラフィを有する基板１を用意するサブステップと、ｂ）反射防止膜３を前記基板上にコンフォーマルに設置するサブステップであって、前記設置は分子層堆積工程を含み、前記反射防止膜３は、下記ｉ）、ｉｉ）のいずれかを含むようにしたサブステップと、ｃ）前記反射防止膜３の上にフォトレジスト層４を設置するサブステップと、を含む。ｉ）無機化合物と化学的に結合した有機化合物であって、有機化合物または無機化合物は基板と結合しており、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する有機化合物。ｉｉ）１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する単分散の有機化合物。【選択図】図５
2014160820.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ａ）レリーフ（２）を示すトポグラフィを有する基板（１）と、
ｂ）前記基板（１）上にコンフォーマルに設置された反射防止膜（３）であって、下記ｉ）、ｉｉ）のいずれかを含む反射防止膜（３）と、
ｉ）無機化合物と化学的に結合した有機化合物であって、有機化合物または無機化合物は基板と結合しており、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する有機化合物。
ｉｉ）１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する単分散の有機化合物。
ｃ）前記反射防止膜の上に設置されたフォトレジスト層（４）と、を備える構造。
【請求項２】
前記反射防止膜には、イオンが注入されている請求項１記載の構造。
【請求項３】
ａ）レリーフ（２）を示すトポグラフィを有し、イオンが注入された基板（１）と、
ｂ）前記基板（１）上にコンフォーマルに設置され、イオンが注入された反射防止膜（３）であって、下記ｉ）、ｉｉ）のいずれかを含む反射防止膜（３）と、を備える構造。
ｉ）無機化合物と化学的に結合した有機化合物であって、有機化合物または無機化合物は基板と結合しており、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する有機化合物。
ｉｉ）１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する単分散の有機化合物。
【請求項４】
前記反射防止膜（３）は、４５ｎｍ未満、好ましくは３０ｎｍ未満、より好ましくは２５ｎｍ未満の厚さを有する請求項１〜３のいずれかに記載の構造。
【請求項５】
前記有機化合物および無機化合物は、金属アルコキシド、例えばアルミニウムアルコキシドなど、または金属カルボン酸塩を一緒に形成する請求項１〜４のいずれかに記載の構造。
【請求項６】
前記基板（１）は、シリコンウエハ（１）を含む請求項１〜５のいずれかに記載の構造。
【請求項７】
前記反射防止膜（３）は、１５０〜５００ｎｍの範囲、好ましくは１９０〜２５０ｎｍの範囲、より好ましくは１９３ｎｍまたは２４８ｎｍで選択された少なくとも１つの波長で少なくとも９０％の光を吸収する請求項１〜６のいずれかに記載の構造。
【請求項８】
前記反射防止膜（３）は、１５０〜５００ｎｍの範囲、好ましくは１９０〜２５０ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長、より好ましくは１９３ｎｍまたは２４８ｎｍの波長において、少なくとも約０．１のｋ値を有する請求項１〜７のいずれかに記載の構造。
【請求項９】
前記反射防止膜（３）は、少なくとも９０％の百分率コンフォーマル性を有する請求項１〜８のいずれかに記載の構造。
【請求項１０】
前記有機化合物は、逐次重合によって入手可能なオリゴマーまたはポリマーである請求項１〜９のいずれかに記載の構造。
【請求項１１】
前記オリゴマーまたはポリマーは、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリイミド、ポリカーボネートおよびポリ尿素から選択される請求項１〜１０のいずれかに記載の構造。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載の構造を備えた集積回路。
【請求項１３】
集積回路フロー工程を実施する方法であって、
ａ）レリーフ（２）を示すトポグラフィを有する基板（１）を用意するサブステップと、
ｂ）反射防止膜（３）を前記基板上にコンフォーマルに設置するサブステップであって、前記設置は分子層堆積工程を含み、前記反射防止膜（３）は、下記ｉ）、ｉｉ）のいずれかを含むようにしたサブステップと、
ｉ）無機化合物と化学的に結合した有機化合物であって、有機化合物または無機化合物は基板と結合しており、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する有機化合物。
ｉｉ）１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する単分散の有機化合物。
ｃ）前記反射防止膜（３）の上にフォトレジスト層（４）を設置するサブステップと、を含む方法。
【請求項１４】
ｄ）マスクを介して前記フォトレジスト層（４）を露光するステップと、
ｅ）前記フォトレジスト層（４）を現像するステップと、をさらに含む請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
基板（１）にイオンを注入するために、
ｆ）必要に応じて、前記反射防止膜（３）をエッチング除去するステップと、
ｇ）直接または、もし存在するならば前記反射防止膜（３）を介して、前記基板（１）に前記イオンを注入するステップと、をさらに含む請求項１４記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、集積回路製造工程の際、反射防止コーティング（ＡＲＣ）層を基板上に形成する方法および得られた集積回路構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
集積回路の製造において、連続したスケーリングがインプラント層に関する要求を増加させる。また、フォトレジスト露光の際、基板の反射率を可能な限り（例えば、１％未満に）低減することは、サブミクロン構造物(features)の寸法制御を維持するために重大になる。従って、裏面反射防止コーティング（ＢＡＲＣ）が、トポグラフィ(topography)でのクリティカル寸法（ＣＤ: Critical Dimension）制御に要求されることになる。現在のインプラント層は、２４８ｎｍリソグラフィでパターン化されている。１９３ｎｍがこの層で使用される場合、問題はより厳しくなる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
ＢＡＲＣは、典型的にはスピンコーティングで堆積され、続いてフォトレジストを供給し、前記フォトレジストを露光、現像し、最後にドライエッチングによってＢＡＲＣを除去する。インプラント層の形成は、ＢＡＲＣ層のエッチングの後に行われる。ＢＡＲＣの使用に伴う一般的な問題が、ＢＡＲＣの全体を除去するために、ドライエッチング工程は比較的攻撃的であることが必要なことである。その結果、ＢＡＲＣがエッチング除去されだけでなく、下地のトポグラフィも部分的に攻撃される。その結果、下地のトポグラフィもエッチングされてしまい、これは望ましくない。例えば、フィン形状の電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）製造プロセスにおいて、エッチング工程の際、ＢＡＲＣがトレンチから全体的に除去される前に、フィン上部がエッチングされる（図２参照）。論文は、ドライエッチングの必要性を取り除くために、現像可能なＢＡＲＣの使用を目下検討している。現像可能なＢＡＲＣが、原理上、レジスト現像工程の際に除去できる。しかしながら、現像可能なＢＡＲＣは、典型的には、被覆するレジストとの適合性の欠如、密度が高いトポグラフィ（いわゆる疎密（ｉｓｏ−ｄｅｎｓｅ）バイアス効果）を有するエリアにおけるより高いＢＡＲＣ現像速度、および不完全なＢＡＲＣ現像に悩まされる。これらの問題は、この解決を困難にしており、製品が得られない。
【０００４】
従って、当業者は、現在、ＢＡＲＣで部分的に覆われた基板にイオンを注入(implant)すべきか、あるいは、トポグラフィが変化した基板にイオンを注入すべきかというジレンマに直面している。
【０００５】
よって、上記問題に対する解決法についてニーズが存在する。
【０００６】
本発明の目的は、半導体製造の際、良好なイオン注入を可能にする良好な方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、ＢＡＲＣ層がコンフォーマル(conformal 等角)にでき、そして、好ましくは比較的薄くできる場合、先行技術からの問題が解決できることに気付いた。コンフォーマルＢＡＲＣ層が、均等な厚さを有し、下地の基板のトポグラフィに正確に追従する傾向がある。こうしたＢＡＲＣ層は、均等なエッチングが可能であり、ＢＡＲＣを介したイオン注入を許容するのに充分な均等になるというダブルの利点を有するであろう。本発明者の知識の限りでは、ＢＡＲＣを介したイオン注入は、今のところ先行技術では全く想定されていない。このことはおそらく、ＢＡＲＣがスピンコーティングで堆積され、よって非コンフォーマルであり、ＢＡＲＣ厚さの関数として注入量の変動が生ずるためである。本発明の実施形態で提示した方法は、均等な厚さのＢＡＲＣ層を提供することによって、先行技術の問題を克服し、これにより均等なエッチングが可能であり、あるいはこれを介した均等なイオン注入が実施できる。
【０００８】
本発明の実施形態の利点は、ＢＡＲＣ層が比較的薄くできることでもあり、これによりＢＡＲＣを介したイオン注入がさらに容易になる。
【０００９】
第１態様において、本発明は、集積回路フロー工程を実施する方法に関する。前記方法は、下記のサブステップを含む。
ａ）好ましくは、レリーフ(relief)を示すトポグラフィを有する基板を用意するサブステップ。
ｂ）反射防止膜を前記基板上にコンフォーマルに設置するサブステップ。前記設置は、分子層堆積(ＭＬＤ: Molecular Layer Deposition)工程を含み、前記反射防止膜は、下記のいずれかを含む。
ｉ）無機化合物と化学的に結合した有機化合物。有機化合物または無機化合物は、基板と結合しており、前記有機化合物は、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する。
ｉｉ）１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する単分散の有機化合物。
ｃ）前記反射防止膜の上にフォトレジスト層を設置するサブステップ。
【００１０】
本発明の本態様で解決される問題が、後続のフロー工程（例えば、イオン注入またはエッチング）の際、反射防止膜の存在が工事中の構造に欠陥（例えば、損傷を受けた基板トポグラフィ）を導入することなく、反射防止膜およびフォトレジスト層のスタックを準備する方法である。反射防止膜設置のコンフォーマル性質は、この問題を解決する要因の１つである。ＭＬＤプロセスの性質は、有機化合物の層堆積によって単分子層を実現でき、有機化合物を含む極めて薄い厚さのコンフォーマル層が得られる可能性に起因して、この問題を解決できる他の要因である。獲得可能な反射防止膜の有機化合物が、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収するという事実は、さらに他の要因でもあり、薄い層厚で充分な反射防止特性を提供する。これら３つの要因が、相乗的に共に機能して、上記問題を解決する。
【００１１】
無機化合物と化学的に結合した有機化合物が反射防止膜に存在している第１態様の実施形態において、前記反射防止膜の設置が、少なくともＭＬＤ工程および原子層堆積（ＡＬＤ: atomic layer deposition）工程の両方を含んでもよい。これらの実施形態において、前記反射防止膜の設置が、ＡＬＤとＭＬＤを交互に行うことを含んでもよい。
【００１２】
実施形態において、最初に、１つ以上の無機化合物層がＡＬＤによって基板上に堆積でき、第２に、１つ以上の有機化合物がＭＬＤによって堆積でき、これにより有機化合物層を形成する。このＭＬＤ工程で堆積した第１（またはこれのみ）有機化合物が、無機化合物層の上で反応する。後続の無機化合物は、前回の有機化合物層の上で反応する。その後、ＡＬＤによる無機化合物およびＭＬＤによる有機化合物の堆積は、所望の厚さおよび屈折率が得られるまで交互に配置できる。
【００１３】
好ましくは、反射防止膜を設置するステップは、全体にＡＬＤとＭＬＤのサイクル、あるいは全体にＭＬＤサイクルにある。このことは、この方法のコンフォーマル性を確保するため、好都合である。
【００１４】
一実施形態において、第１態様の方法は、下記のステップをさらに含んでもよい。
ｄ）マスクを介して前記フォトレジスト層を露光するステップ。
ｅ）前記フォトレジスト層を現像するステップ。
【００１５】
第１態様の方法は、本実施形態において特に好都合である。覆われていない反射防止膜は、そのコンフォーマル性質に起因して、後続のフロー工程（例えば、イオン注入またはエッチング）の際、工事中の構造に欠陥（例えば、損傷を受けた基板トポグラフィ）の導入を回避するからである。
【００１６】
一実施形態において、第１態様の方法は、基板にイオンを注入するためでもよい。本実施形態において、該方法は、下記のステップをさらに含んでもよい。
ｆ）必要に応じて、前記反射防止膜をエッチング除去するステップ。
ｇ）直接または、もし存在するならば前記反射防止膜を介して、前記基板に前記イオンを注入するステップ。
【００１７】
反射防止膜のエッチングを行わずに、前記反射防止膜を介してイオンを前記基板に注入する実施形態において、該方法は１つの処理ステップを節約するという利点を有する。さらに、節約した処理ステップは、トポグラフィの完全性にとって潜在的に危険であり、該方法は、トポグラフィに優しいという利点を有する。このことは、反射防止膜がコンフォーマルであるという事実によって可能となり、それを介して均質なイオン注入を可能にする。
【００１８】
イオン注入の前に反射防止膜のエッチングを行う実施形態において、該方法は、エッチングがトポグラフィに優しいという利点を有する。反射防止層は、層のコンフォーマル性に起因して、どの場所でも均質なエッチングされる傾向があるからである。その結果、イオン注入は、反射防止層無しの基板上で実施でき（これによりイオン注入の均質性を確保する）、そしてトポグラフィは、損傷が少ないか、または損傷が無い。
【００１９】
第２態様において、本発明は、構造に関する。該構造は、下記の構成を備える。
ａ）好ましくは、レリーフを示すトポグラフィを有する基板。
ｂ）前記基板上にコンフォーマルに設置された反射防止膜であって、下記のいずれかを含む。
ｉ）無機化合物と化学的に結合した有機化合物。有機化合物または無機化合物は、基板と結合しており、前記有機化合物は、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する。
ｉｉ）１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する単分散の有機化合物。
ｃ）前記反射防止膜の上に設置されたフォトレジスト層。
【００２０】
この構造は、典型的にはイオン注入工程の前に存在してもよい。
【００２１】
第３態様において、本発明は、基板に関するものであり、下記の構成を備える。
ａ）好ましくは、レリーフを示すトポグラフィを有する基板。前記基板は、イオンが注入される。
ｂ）前記基板上にコンフォーマルに設置された、イオン注入された反射防止膜であって、下記のいずれかを含む。
ｉ）無機化合物と化学的に結合した有機化合物。有機化合物または無機化合物は、基板と結合しており、前記有機化合物は、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する。
ｉｉ）１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する単分散の有機化合物。
【００２２】
この構造は、典型的にはイオン注入工程の後に存在してもよい。
【００２３】
第２態様または第３態様の実施形態において、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する有機化合物といった場合、好ましい実施形態は、有機化合物が前記範囲と重なる少なくとも１つの吸収バンドを有する場合である。その範囲自体は、好ましくは１９０〜２５０ｎｍであり、最も好ましくは１９３ｎｍまたは２４８ｎｍの値である。吸収係数ｋは、前記少なくとも１つの波長または前記吸収バンドにおいて、、少なくとも０．０２であり、好ましくは少なくとも０．０５であり、最も好ましくは少なくとも０．１である。
【００２４】
第２態様および第３態様の構造は、本発明の第１態様で説明したような集積回路製造プロセスの工程中に形成してもよい。
【００２５】
本発明のいずれの態様の実施形態において、基板は、半導体材料でもよく、これを含んでもよい。実施形態において、基板は、シリコンウエハまたはゲルマニウムウエハにできる。好ましくは、基板（例えば、レリーフを示すトポグラフィを有する）は、親水性の表面を有する。好ましくは、表面の親水性は、ヒドロキシル基によって提供される。レリーフを示すトポグラフィは、任意の非平坦な表面にできる。例として、１つ以上の凹部（例えば、ビア(via)、トレンチ、孔、…）及び／又は１つ以上の凸部（例えば、フィン(fin)）を示すトポグラフィがある。
【００２６】
本発明のいずれの態様の実施形態において、前記反射防止膜は、４５ｎｍ未満、好ましくは３０ｎｍ未満、より好ましくは２５ｎｍ未満の厚さを有してもよい。これは、膜のソフト完全エッチングが制限時間内で達成できるという、こうした薄い厚さの利点である。薄い厚さの更なる利点は、幾つかの後続ステップが前記反射防止膜を除去することなく実施できることである。例えば、こうした薄い厚さは、反射防止膜を介して基板のイオン注入を可能にする。本発明の第１態様の方法の実施形態の利点は、反射防止特性およびコンフォーマル性を同時に確保しながら、こうした薄い厚さが達成できることである。
【００２７】
本発明のいずれの態様の実施形態において、前記反射防止膜は、１５０〜５００ｎｍの範囲、好ましくは１９０〜２５０ｎｍの範囲、より好ましくは１９３ｎｍまたは２４８ｎｍで選択された少なくとも１つの波長で少なくとも９０％の光を吸収してもよい。これは、マスク現像を行う範囲の波長であるため、好都合である。現在、２４８ｎｍの光を実際に使用している。次の技術ノードは、１９３ｎｍを使用することになる。良好な反射防止特性が、サブミクロン構造物の寸法制御を維持するために重要である。
【００２８】
本発明のいずれの態様、特に第３態様の実施形態において、前記反射防止膜は、そこに注入されたイオンを有してもよい。注入可能なイオンの例は、ヒ素、ホウ素、リンのイオンであるが、酸素または水素など他の元素のものでもよい。製品では、ホウ素、リン、ヒ素のイオンが容易に検出可能であろう。
【００２９】
前記反射防止膜でのイオン濃度は、例えば、１０２０イオン／ｃｍ３〜１０２１イオン／ｃｍ３の範囲内でもよい。
【００３０】
注入されたイオンを有する反射防止膜が、本発明の幾つかの実施形態に係る方法を使用した特徴である。これは、同じイオンが反射防止膜および基板の両方に見つかった場合に特にそうである。こうした注入された反射防止膜を有する基板が、本発明の方法の実施形態を含む半導体プロセスにおける中間構造である。実施形態において、前記反射防止膜は、１５０〜５００ｎｍの範囲、好ましくは１９０〜２５０ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長、より好ましくは１９３ｎｍまたは２４８ｎｍの波長において、少なくとも０．０２、好ましくは少なくとも０．０５、より好ましくは０．１のｋ値を有してもよい。ｋ値は、屈折率の虚数部である。それは、電磁波がその材料中を伝搬する場合、吸収損失の量を示す。
【００３１】
実施形態において、屈折率ｎの実数部は、１．２〜２．０、好ましくは１．３〜１．６でもよい。
【００３２】
本発明のいずれの態様の実施形態において、反射防止膜は、基板の上にコンフォーマル（等角）に存在する。換言すると、反射防止膜の厚さは、レリーフ構造の上およびこうした構造間の凹部において、そして、こうしたレリーフ構造の両側で同じである。実施形態において、反射防止コーティングの厚さ均一性は、２％未満、好ましくは１％未満、最も好ましくは０．５％未満の相対標準偏差で特徴付けられる。
【００３３】
実施形態において、基板の上にコンフォーマルに存在する反射防止膜は、無機化合物と化学結合した有機化合物を含んでもよく、有機化合物または無機化合物は、基板と結合しており、前記有機化合物は、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する。
【００３４】
無機化合物と化学結合した有機化合物は、好ましくは単分散である。このことは、より均一な厚さのより滑らかな膜を確保し、これによって、より良好な光学特性を提供する。
【００３５】
有機化合物は、有機化合物前駆体を前記無機化合物と反応させることによって提供できる。有機化合物は、互いに２つ以上の有機化合物前駆体の反応生成物でもよく、これらのうちの１つは前記無機化合物と反応する。有機化合物前駆体は、−ＯＨ，−ＯＲ，−Ｏ，−ＣＯＯＨおよび誘導体（例えば、−ＣＯＣｌ，カルボン酸無水物（２つの−ＣＯＯＨを考慮）またはエステル），−ＳＨ，−ＳＯ４Ｈ，−ＳＯ３Ｈ，−ＰＨ２，−ＰＯ４Ｈ，−ＰＯ３Ｈ，−ＰＲＨ，−ＮＨ３Ｉ，−ＳｅＨ，−ＳｅＯ３Ｈ，−ＳｅＯ４Ｈ，−ＴｅＨ，−ＡｓＨ２，−ＡｓＲＨ，−ＳｉＨ３，−ＳｉＲＨ２，−ＳｉＲＲ’Ｈ，−ＧｅＨ３，−ＧｅＲＨ２，−ＧｅＲＲ’Ｈ，アミン（例えば、−ＮＨ２またはアルキルアミン），シリル化(silated)アミン，ハロゲン化アミン，イミド，アジド，ニトロキシルからなるグループから選択される少なくとも２つの反応置換基を有してもよく、ここで基Ｒ，Ｒ’は、Ｃ１−１０のアリール基，アルキル基，シクロアルキル基，アルケニル基，アルキニル基から独立した選択される。好ましい反応基は、−ＯＨ，−ＣＯＯＨおよび誘導体、そしてアミン（特に、−ＮＨ２）である。両方の反応置換基は、異なってもよく、同じでもよい。
【００３６】
実施形態において、有機化合物は、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収してもよい。そのため有機化合物は、好ましくは、少なくとも１つの芳香環（例えば、単環芳香族基、多環芳香族基、または複素環芳香族基）を含む。非芳香族化合物（例えば、ＥＧ）も使用できるが、芳香族化合物とともに得られた混成物（例えば、ＴＭＡ／芳香族化合物から得られるアルコーン(alucone)）の大気安定性がより良好な傾向がある。
【００３７】
実施形態において、有機化合物は、必要に応じて、該少なくとも２つの反応置換基とは他の置換基を有してもよい。
【００３８】
有機化合物前駆体は、好ましくは、気相にできる。そのためその沸点または昇華点は、少なくとも１つの圧力で不活性雰囲気で分解点より低くできる。
【００３９】
実施形態において、反応前駆体は、単官能性でもよく、即ち、全ての反応置換基は同一である。これは、前駆体自体の反応を回避するのに役立つ。他の実施形態において、反応前駆体は、ヘテロ官能性でもよい（例えば、アミノフェノール）。これは、全て（例えば、両方）の官能基が表面で反応し（ダブル反応）、成長の終結をもたらすのを回避するのに役立つ。好ましくは、反応前駆体は、二官能性であり、即ち、２つの反応置換基を有する。実施形態において、反応前駆体は、三官能性でありまたは四官能性でもよい。これは、幾つかの実施形態においてコンフォーマル性に役立つ。好ましくは、反応前駆体は、ホモ二官能性(homobifunctional)前駆体であり、即ち、正確に２つの同一の官能基を有する。
【００４０】
有用な有機化合物前駆体の例は、エチレングリコール、ｐ−テレフタル酸、ハイドロキノン、アミノフェノール、フェニレンジアミン、ｐ−塩化テレフタロイル、無水フタル酸、およびｐ−ナフトヒドロキノンである。
【００４１】
実施形態において、有機化合物は、−Ｏ−，−ＮＲ−，−ＳＯ４−，−ＳＯ３−，−Ｃ（Ｏ）Ｏ−，−Ｃ（Ｏ）ＮＲ−および−ＰＯ４−からなるグループから選択される架橋基を介して無機化合物と結合してもよく、ここでＲは、Ｈ，Ｃ１−１０のアリール基，アルキル基，シクロアルキル基，アルケニル基，およびアルキニル基から選択される。
【００４２】
実施形態において、前記基板の上にコンフォーマルに存在する反射防止膜は、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する単分散の有機化合物でもよい。
【００４３】
本発明のいずれの態様の実施形態において、前記有機化合物および前記無機化合物は、金属アルコキシド、例えばアルミニウムアルコキシドなど、または金属カルボン酸塩を一緒に形成してもよい。金属アルコキシドの使用は有利である。基板との反射防止層の良好な結合を確保するからである。金属カルボン酸塩は、金属アルコキシドより良好な大気安定性という利点を有する。
【００４４】
本発明のいずれの態様の実施形態において、前記有機化合物は、逐次重合に適した前駆体から形成してもよい。例えば、前記有機化合物は、逐次重合によって入手可能なオリゴマーまたはポリマー（ホモポリマーまたはコポリマー）でもよい。このことは、逐次重合によって入手可能なオリゴマーおよびポリマーは、モノマー層ごとに制御された手法でＭＬＤによって堆積可能であるため、好都合である。これにより、単分散のオリゴマーおよびポリマーで構成された有機膜が得られ、従って、層の厚さおよび化学組成について優れた制御を有する。
【００４５】
実施形態において、有機化合物は、第１モノマーと第２モノマーの交互配列したＭＬＤ堆積によって得られる。実施形態において、第１モノマーは、ＭＬＤ条件でそれ自体との反応ではなく、好ましくは、基板または、基板上に前回堆積した無機化合物と反応するようにできる。第２モノマーは、ＭＬＤ条件でそれ自体との反応ではなく、第１モノマーと反応するようにできる。実施形態において、第１モノマーは、第２モノマーの官能基と反応できる２つの同一官能基を有するホモ二官能性モノマーとすることができる。実施形態において、第２モノマーは、第１モノマーの官能基と反応できる２つの同一官能基を有するホモ二官能性モノマーとすることができる。実施形態において、第１および第２モノマーの少なくとも１つは、基板または前記基板上に存在する無機化合物の官能基と反応することができる。第１モノマーの例は、エチレングリコールである。エチレングリコールは、２つのヒドロキシル基を有する。第２モノマーの例は、塩化テレフタロイルである。塩化テレフタロイルは、２つの酸塩化物(acid chloride)基を有する。ヒドロキシル基は、酸塩化物基と反応することによってエステルを形成できる。ヒドロキシル基はまた、トリメチルアルミニウムによって前処理された基板上に存在する金属アルミニウム種とも反応できる。
【００４６】
適切な第１モノマーの例は、第２モノマーの反応基と反応できる反応基を有するホモ二官能性モノマーである。
【００４７】
実施形態において、前記オリゴマーまたはポリマーは、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリ尿素、ポリチオ尿素、およびポリチオールエン(polythiolene)から選択してもよい。
【００４８】
下記は、有機化合物に使用できる有機前駆体の例の非排他的なリストである。エチレングリコール、ｐ−テレフタル酸、ハイドロキノン、アミノフェノール、フェニレンジアミン、ｐ−塩化テレフタロイル、無水フタル酸、およびｐ−ナフトヒドロキノンである。
【００４９】
実施形態において、無機化合物前駆体は、金属アルキル、金属シクロアルキル、金属アリール、金属アミン、金属シリルアミン、金属ハロゲン化物、金属カルボニル、および金属キレートからなるグループから選択してもよく、該金属は、Ａｌ，Ｓｉ，Ｇｅ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｐｂ，アルカリ金属，アルカリ土類金属，３ｄインサーション金属，４ｄインサーション金属，５ｄインサーション金属，ランタノイド，アクチノイドからなるグループから選択される。好ましい金属は、Ａｌ，Ｚｎ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｔｉ，ＶおよびＭｎである。無機化合物前駆体の例は、ＴＭＡ、ジエチル亜鉛、ジルコニウムテトラ-tert-ブトキシド、テトラキス（ジメチルアミド）ハフニウム、ビス（エチルシクロペンタジエニル）マグネシウム、テトラジメチルアミノ錫、トリメチルインジウム、テトラトリメチルアミノチタン、ビス（エチルシクロペンタジエニル）バナジウム、およびビス（エチルシクロペンタジエニル）マンガンである。
【００５０】
第４態様において、本発明は、本発明の第２態様または第３態様のいずれの実施形態に係る構造を備えた集積回路に関する。
【００５１】
本発明の特定の好ましい態様は、添付した独立請求項および従属請求項に記述されている。従属請求項からの特徴は、独立請求項の特徴および他の従属請求項の特徴と、適切に請求項に明示的に記述されていなくても組み合わせてもよい。この分野においてデバイスについての一定の改善、変化および進化があったとしても、本概念は、先行の実践からの発展を含む実質的に新しい新規な改善を表すと考えられ、その結果、より効率的で安定した信頼性のあるこの種のデバイスの提供が実現する。
【００５２】
本発明の上記および他の特性、特徴および利点は、本発明の原理を例として示す添付図面に関連して下記の詳細な説明から明らかになるであろう。この説明は、、本発明の範囲を限定することなく、例示のためだけに供与される。下記に引用した参考図面は、添付図面を参照する。
【図面の簡単な説明】
【００５３】
【図１】先行技術に係るイオン注入方法での構造の斜視図の概略図である。
【図２】（上図）は、先行技術に係る非コンフォーマルＢＡＲＣを含む構造の断面の概略図である。（中央図）は、ＢＡＲＣクリア工程の部分結果を示すもので、ＢＡＲＣは最初にラインの上部において除去される。（下図）は、ＢＡＲＣクリア工程の最終結果を示すもので、ＢＡＲＣがトレンチ内で除去される前に、酸化物はエッチング除去される。
【図３】先行技術に係るＢＡＲＣコーティングの電子顕微鏡写真である。
【図４】先行技術に係る集積回路フロー工程を実施するための方法から生じた損傷したトポグラフィの電子顕微鏡写真である。
【図５】本発明の態様に係る方法の概略図である。
【図６】先行技術に係る裏面反射防止コーティング／レジストのスタックの概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００５４】
本発明は、一定の図面を参照して特定の実施形態に関して説明しているが、本発明はこれに限定されず、請求項によってのみ限定される。記載した図面は、概略的に過ぎず、非限定的なものである。図面において、幾つかの要素のサイズは、説明目的のために誇張したり、縮尺どおり描写していないことがある。寸法および相対寸法は、本発明の実際の実施化に必ずしも対応していない。
【００５５】
さらに、説明および請求項での用語、「第１」、「第２」、「第３」などは、類似の要素を区別するための使用しており、必ずしも時間的、空間的、ランキングまたは他の方法での順番を記述するためではない。こうして用いた用語は、適切な状況下で交換可能であり、ここで説明した本発明の実施形態は、ここで説明したり図示したものとは別の順番で動作可能である。
【００５６】
さらに、説明および請求項での用語「上(top)」、「下(bottom)」、「の上に(over)」、「の下に(under)」等は、説明目的で使用しており、必ずしも相対的な位置を記述するためのものでない。こうして用いた用語は、適切な状況下で交換可能であって、ここで説明した本発明の実施形態がここで説明または図示した以外の他の向きで動作可能である。
【００５７】
請求項で用いた用語「備える、含む(comprising)」は、それ以降に列挙された要素またはステップに限定されるものと解釈すべきでなく、他の要素またはステップを除外していない。記述した特徴、整数、ステップまたは構成要素の存在を、参照したように特定するように解釈する必要があるが、１つ又はそれ以上の他の特徴、整数、ステップまたは構成要素、あるいはこれらのグループの存在または追加を除外していない。こうして表現「手段Ａ，Ｂを備えるデバイス」の範囲は、構成要素Ａ，Ｂのみから成るデバイスに限定すべきでない。本発明に関して、デバイスの関連した構成要素だけがＡ，Ｂであることを意味する。
【００５８】
本明細書を通じて「一実施形態」または「実施形態」への参照は、該実施形態に関連して説明した特定の特徴、構造または特性が、本発明の少なくとも１つの実施形態に含まれることを意味する。こうして本明細書を通じて種々の場所での用語「一実施形態において」または「実施形態において」の出現は、必ずしも全て同じ実施形態を参照していないが、そういうこともある。さらに、特定の特徴、構造または特性は、１つ又はそれ以上の実施形態において、当業者に明らかなように本開示からいずれか適切な方法で組み合わせてもよい。
【００５９】
同様に、本発明の例示の実施形態の説明において、本開示を合理化し、種々の発明の態様の１つ以上の理解を支援す目的で、本発明の種々の特徴が単一の実施形態、図面またはその説明において時には一緒にグループ化されることを理解すべきである。しかしながら、この開示方法は、請求項の発明が、各請求項に明示的に記載されたものより多くの特徴を必要とするという意図を反映していると解釈すべきでない。むしろ、下記の請求項が反映しているように、発明の態様が、単一の前述した実施形態の全ての特徴より少ない点にある。こうして詳細な説明に続く請求項は、ここではこの詳細な説明に明示的に組み込まれており、各請求項は本発明の別個の実施形態としてそれ自体に立脚している。
【００６０】
さらに、ここで説明した幾つかの実施形態が他の実施形態に含まれる幾つかの別でない特徴を含むとともに、異なる実施形態の特徴の組合せが、当業者によって理解されるように、本発明の範囲内にあって異なる実施形態を形成することを意味する。例えば、下記の請求項において、請求した実施形態のいずれもがいずれの組合せで使用できる。
【００６１】
さらに、実施形態の幾つかが、コンピュータシステムのプロセッサによって、またはその機能を実行する他の手段によって実装できる方法または方法の要素の組合せとして、ここでは説明されている。こうした方法または方法の要素を実行するための必要な命令は、該方法または方法の要素を実行するための手段を意味する。さらに、装置の実施形態のここで説明した要素が、本発明を実行する目的で、要素によって実施される機能を実行するための手段の一例である。
【００６２】
ここに用意した説明において、多数の特定の詳細が記述されている。しかしながら、本発明の実施形態が、これらの特定の詳細なしで実施できることは理解されよう。例えば、本説明の理解を曖昧にしないように、周知の方法、構造および手法は詳細には示していない。
【００６３】
下記の用語は、本発明の理解を助けるためだけに提供されている。
【００６４】
ここで使用したように、特に言及していなければ、用語「分子層堆積」または「ＭＬＤ」は、気相化学プロセスの逐次使用をベースとした有機または混成の薄膜堆積技術を参照する。典型的には、ＭＬＤ反応は、通常、前駆体と称される２つの有機薬品を使用する。これらの前駆体は、逐次的で自己制御式の方法で同時に表面のものと反応する。基板全体を飽和させるために、過剰な前駆体が投入される。化学吸着反応の間の各時間では、反応炉は、不活性ガスでパージまたはポンプダウンして、反応副産物および非反応前駆体を除去し、その結果、膜が表面反応によってのみ成長する。前駆体を成長表面に繰り返し曝すことによって有機薄膜が堆積する。
【００６５】
ここで使用したように、特に言及していなければ、用語「原子層堆積」または「ＡＬＤ」は、気相化学プロセスの逐次使用をベースとした無機の薄膜堆積技術を参照する。典型的には、ＡＬＤ反応は、通常、前駆体と称される２つの薬品を使用する。これらの前駆体は、逐次的で自己制御式の方法で同時に表面のものと反応する。基板全体を飽和させるために、過剰な前駆体が投入される。化学吸着反応の間の各時間では、反応炉は、不活性ガスでパージまたはポンプダウンして、反応副産物および非反応前駆体を除去し、その結果、膜が表面反応によってのみ成長する。前駆体を成長表面に繰り返し曝すことによって無機薄膜が堆積する。
【００６６】
本発明のいずれの態様のいずれの実施形態において、１５０〜５００ｎｍの範囲で選択された少なくとも１つの波長の光を吸収する要素に言及した場合、好ましい実施形態が、１５０〜５００ｎｍの範囲と重なる少なくとも１つの吸収バンドを有する要素に関係する。
【００６７】
同様に、本発明のいずれの態様のいずれの実施形態において、１５０〜５００ｎｍの範囲に言及した場合、好ましい実施形態が、１９０〜２５０ｎｍの範囲、より好ましくは１９３及び／又は２４８ｎｍの特定の値に関係する。
【００６８】
本発明は、本発明の幾つかの実施形態の詳細な説明によって説明する。
【００６９】
トランジスタを参照することにする。これらは、ドレインなどの第１主電極、ソースなどの第２主電極、および第１主電極と第２主電極との間の電荷の流れを制御するためのゲートなどの制御電極を有する３端子デバイスである。
【００７０】
本発明は、例えば、これに限定されないが、ＣＭＯＳ，ＢＩＣＭＯＳ，バイポーラ，ＳｉＧｅ  ＢＩＣＭＯＳの技術を含む任意のトランジスタ技術において構成できる同様なデバイスにも適用可能であることは、当業者に明白であろう。
【００７１】
ここでは、好ましい実施形態、特定の構造および構成、材料を本発明に係るデバイスについて議論したが、本発明の範囲および精神から逸脱することなく、形態および詳細について種々の変化または変更が可能であることは理解すべきである。例えば、上記のいずれの式は、使用できる手順の代表的なものに過ぎない。機能性をブロック図に追加または削除してもよく、動作を機能ブロック間で交換してもよい。本発明の範囲内に記載した方法にステップを追加または削除してもよい。
【００７２】
図１は、先行技術の構造の概略斜視図を示し、シリコン基板（１）は、突出したレリーフ（２）を提示している。レリーフ（２）は、例えば、ＦｉｎＦＥＴデバイスのフィン(fin)である。ＢＡＲＣ（３）は、基板（１）の上に非コンフォーマルに設置され、フォトレジスト（４）がＢＡＲＣ（３）の上に設置される。
【００７３】
図６は、先行技術に係るＢＡＲＣ（３）／レジスト（４）のスタックの概略断面図を示す。基板（１）が用意され、レリーフが前記基板（１）に存在している（基板（１）の左側にある段差）。ＢＡＲＣ層（３）（スピンコーティングで設けられる）は、段差で規定された２つの基板（１）レベルの間の遷移レベルでより厚くなるように示されている。レジスト（４）が前記ＢＡＲＣ層（３）の上部に堆積される。２つの光ビームがレジスト層に衝突するように描かれ、１つはレジスト（４）の左側、１つはレジスト（４）の右側にある。両方の光ビームは、各ビームが出会うＢＡＲＣ厚さの差に起因して、レジスト／ＢＡＲＣ界面およびＢＡＲＣ／基板界面で異なって反射するように示されている。
【００７４】
図２は、先行技術に係るＢＡＲＣ（３）クリアプロセスの概略断面図である。最初に、（上の構造を参照）ＢＡＲＣ（３）が、基板（１）の上に溶液のスピンコーティングによって、非コンフォーマルにコートされる。基板（１）は、トレンチで分離されたライン（２）を表すレリーフ（２）を提示する。酸化物（５）が、ライン（２）の上に表現されている。第２に、ＢＡＲＣ（３）は、最初、ライン（２）の上で除去されるように示されている。第３に、ＢＡＲＣ（３）がトレンチ内で除去される前であっても、酸化物（５）はエッチング除去される。従って、この先行技術のプロセスの際、酸化物（５）は損傷を受ける。
【００７５】
図３の電子顕微鏡写真は、非コンフォーマルＢＡＲＣ（３）が上に存在するレリーフ（２）を表す半導体基板（１）を示す。顕微鏡写真は、コーティングの厚さが、レリーフ（２）の外側、レリーフ（２）の上、レリーフ（２）のエッジにおいて異なることを明確に示している。
【００７６】
図４の電子顕微鏡写真は、レリーフ（２）を提示する半導体基板（１）を示す。レリーフ（２）の周りおよびレリーフ（２）の下部にある基板が両方とも、先行技術において必要とされる攻撃的なＢＡＲＣエッチング工程の結果、損傷を受けているように見える。
【００７７】
図５は、本発明の一実施形態に係るＢＡＲＣ（３）クリアプロセスの概略断面図である。最初に、反射防止膜（３）が、レリーフ（２）を提示する基板（１）の上にコンフォーマルに設置される。第２に、時間限定エッチングが、レリーフ（ライン２）の上およびライン間のトレンチ内と同時に、反射防止膜（３）の除去を可能にする。
【００７８】
（例１：トリメチルアルミニウムおよびエチレングリコールを前駆体として用いて得られた反射防止混成膜の設置およびエッチングを伴う、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【００７９】
Ｓｉ親水性基板がＡＬＤ反応炉内に用意される。基板の温度は、８５〜１７５℃の範囲の温度に設定される。第１ステップでは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）がＡＬＤ工程において前記基板と反応し、これにより前記基板の上にアルミニウム種の層を設置する。第２ステップでは、エチレングリコール（ＥＧ）がＭＬＤ工程において前記アルミニウム種と反応し、これによりアルミニウム種の層の上に、有機化合物の層を設置する。
【００８０】
第１ステップおよび第２ステップを交互に行って、密度１．５ｇ／ｃｍ３のＴＭＡ：ＥＧ（１：１）反射防止材料が基板上で得られるまで続ける。ポジのフォトレジスト層が反射防止材料の上に設けられる。フォトレジスト層を１９３ｎｍの光に選択的に露光するためにマスクが用いられる。そして、フォトレジストは現像され、露光エリアの除去をもたらす。現像後にレジストに得られたパターンは、イオン注入に対するバリアとして機能する。反射防止膜は、ドライ酸素プラズマまたはウェット処理によってエッチング除去される。ホウ素イオンが基板に注入される。
【００８１】
（例２：トリメチルアルミニウムおよびエチレングリコールを前駆体として用いて得られた反射防止膜を介して、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【００８２】
反射防止膜がエッチング除去されずに、ホウ素イオンが反射防止膜を介して基板内に注入されることを除いて、例１が繰り返される。
【００８３】
（例３：トリメチルアルミニウム／水およびトリメチルアルミニウム／エチレングリコールのサイクルを（１：１）の比率で用いて得られた反射防止膜を介して、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【００８４】
Ｓｉ親水性基板がＡＬＤ反応炉内に用意される。基板の温度は、１３５℃に設定される。第１ステップでは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）がＡＬＤサイクルの第１サブ工程において前記基板と反応し、これにより前記基板の上にアルミニウム種の層を設置する。そして、前記アルミニウム種の層は、前記ＡＬＤサイクルの第２サブ工程において水と反応し、これにより前記アルミニウム種の上に、ヒドロキシル官能を提供する。第２ステップでは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）が、混合ＡＬＤ−ＭＬＤサイクルの第１サブ工程において前記ヒドロキシル官能と反応し、そして、エチレングリコール（ＥＧ）が、前記混合ＡＬＤ−ＭＬＤサイクルの第２サブ工程において前記アルミニウム種と反応し、これによりアルミニウム種の層の上に、有機化合物の層を設置する。
【００８５】
第１ステップおよび第２ステップを交互に行って、６３３ｎｍで屈折率１．５４を有する、密度１．５〜３ｇ／ｃｍ３の反射防止材料が基板上で得られるまで続ける。ポジのフォトレジスト層が反射防止材料の上に設けられる。フォトレジスト層を１９３ｎｍの光に選択的に露光するためにマスクが用いられる。そして、フォトレジストは現像され、露光エリアの除去をもたらす。現像後にレジストに得られたパターンは、イオン注入に対するバリアとして機能する。反射防止膜は、エッチングしない。ホウ素イオンが反射防止膜を介して基板内に注入される。
【００８６】
（例４：トリメチルアルミニウム／水およびトリメチルアルミニウム／エチレングリコールのサイクルを（１：３）の比率で用いて得られた反射防止膜を介して、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【００８７】
第１ステップを再び行う前に第２ステップを３回連続して行うことを除いて、例３が繰り返される。連続第２ステップ（３Ｘ）、第１ステップ（１Ｘ）を繰り返して、６３３ｎｍで屈折率１．４９を有する、密度１．５〜３ｇ／ｃｍ３の反射防止材料が基板上で得られるまで続ける。
【００８８】
（例５：トリメチルアルミニウム／水およびトリメチルアルミニウム／エチレングリコールのサイクルを（３：１）の比率で用いて得られた反射防止膜を介して、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【００８９】
第２ステップを行う前に第１ステップを３回連続して行うことを除いて、例３が繰り返される。連続第１ステップ（３Ｘ）、第２ステップ（１Ｘ）を繰り返して、６３３ｎｍで屈折率１．５７を有する、密度１．５〜３ｇ／ｃｍ３の反射防止材料が基板上で得られるまで続ける。
【００９０】
（例６：有機反射防止膜を介して、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【００９１】
Ｓｉ親水性基板がＡＬＤ反応炉内に用意される。基板の温度は、１４５〜１７５℃の範囲の温度に設定される。第１ステップでは、塩化テレフタロイル（ＴＣ）がＭＬＤ工程において前記基板と反応し、これにより前記基板の上に第１有機化合物の層を設置する。第２ステップでは、エチレングリコール（ＥＧ）がＭＬＤ工程において第１有機化合物の層と反応し、これにより第１有機化合物の層の上に、第２有機化合物の層を設置する。
【００９２】
第１ステップおよび第２ステップを交互に行って、波長１９３ｎｍで１．３〜１．６の範囲で選択された屈折率を有する反射防止材料が基板上で得られるまで続ける。ポジのフォトレジスト層が反射防止材料の上に設けられる。フォトレジスト層を１９３ｎｍの光に選択的に露光するためにマスクが用いられる。そして、フォトレジストは現像され、露光エリアの除去をもたらす。現像後にレジストに得られたパターンは、イオン注入に対するバリアとして機能する。反射防止膜は、ドライエッチングによってエッチング除去される。ホウ素イオンが基板に注入される。
【００９３】
（例７：トリメチルアルミニウム、水、塩化テレフタロイルおよびエチレングリコールを前駆体として用いて得られた反射防止混成膜の設置および任意のエッチングを伴う、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【００９４】
Ｓｉ親水性基板がＡＬＤ反応炉内に用意される。基板の温度は、１４５〜１７５℃の範囲の温度に設定される。第１ステップでは、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）がＡＬＤサイクルの第１サブ工程において前記基板と反応し、これにより前記基板の上にアルミニウム種の層を設置する。そして、前記アルミニウム種の層は、前記ＡＬＤサイクルの第２サブ工程において水と反応し、これにより前記アルミニウム種の上に、ヒドロキシル官能を提供する。第２ステップでは、塩化テレフタロイル（ＴＣ）が、ＭＬＤサイクルの第１サブ工程において前記基板と反応し、これにより前記基板の上に第１有機化合物の層を設置する。ＭＬＤサイクルの第２サブ工程において、エチレングリコール（ＥＧ）が、ＭＬＤ工程において前記第１有機化合物の層と反応し、これにより第１有機化合物の層の上に第２有機化合物の層を設置する。
【００９５】
第１ステップ（ＡＬＤによるＴＭＡ／Ｈ２Ｏ）および第２ステップ（ＭＬＤによるＴＣ／ＥＧ）を交互に行って、選択した波長１９３ｎｍで、１．３〜１．６の範囲で選択した屈折率を有する反射防止材料が基板上で得られるまで続ける。ポジのフォトレジスト層が反射防止材料の上に設けられる。フォトレジスト層を１９３ｎｍの光に選択的に露光するためにマスクが用いられる。そして、フォトレジストは現像され、露光エリアの除去をもたらす。現像後にレジストに得られたパターンは、イオン注入に対するバリアとして機能する。反射防止膜は、エッチングしない。ホウ素イオンが反射防止膜を介して基板内に注入される。
【００９６】
（例８．１と例８．２：トリメチルアルミニウム、水、塩化テレフタロイルおよび芳香族ジオールを前駆体として用いて得られた反射防止混成膜の設置および任意のエッチングを伴う、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【００９７】
ＥＧをハイドロキノン（例８．１）またはｐ−ナフトヒドロキノン（例８．２）で置き換えることを除いて、例７が繰り返される。
【００９８】
（例９：トリメチルアルミニウム、水、塩化テレフタロイルおよび芳香族ジアミンを前駆体として用いて得られた反射防止混成膜の設置および任意のエッチングを伴う、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【００９９】
ＥＧをフェニレンジアミンで置き換えることを除いて、例７が繰り返される。
【０１００】
（例１０：トリメチルアルミニウム／水およびトリメチルアルミニウム／ハイドロキノンのサイクルを（１：１）の比率で用いて得られた反射防止膜を介して、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【０１０１】
ＥＧをハイドロキノンで置き換えることを除いて、例３が繰り返される。
【０１０２】
（例１１：トリメチルアルミニウム／水およびトリメチルアルミニウム／テレフタル酸のサイクルを（１：１）の比率で用いて得られた反射防止膜を介して、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【０１０３】
ＥＧをテレフタル酸で置き換えることを除いて、例３が繰り返される。
【０１０４】
（例１２：トリメチルアルミニウム／水および無機前駆体／エチレングリコールのサイクルを（１：１）の比率で用いて得られた反射防止膜を介して、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【０１０５】
ＴＭＡの代わりに、ジエチル亜鉛、ジルコニウムテトラ-tert-ブトキシド、テトラキス（ジメチルアミド）ハフニウム、ビス（エチルシクロペンタジエニル）マグネシウム、テトラジメチルアミノ錫、トリメチルインジウム、テトラトリメチルアミノチタン、ビス（エチルシクロペンタジエニル）バナジウム、およびビス（エチルシクロペンタジエニル）マンガンから選択された無機前駆体を用いることを除いて、例３が繰り返される。
【０１０６】
（例１３：トリメチルアルミニウムおよび塩化テレフタロイルを前駆体として用いて得られた反射防止混成膜の設置およびエッチングを伴う、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【０１０７】
ＥＧを塩化テレフタロイルで置き換えることを除いて、例１が繰り返される。
【０１０８】
（例１４：トリメチルアルミニウム／水およびトリメチルアルミニウム／塩化テレフタロイルのサイクルを（１：１）の比率で用いて得られた反射防止膜を介して、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【０１０９】
ＥＧを塩化テレフタロイルで置き換えることを除いて、例３が繰り返される。
【０１１０】
（例１５：トリメチルアルミニウム、水および塩化テレフタロイルを前駆体として用いて得られた反射防止混成膜の設置および任意のエッチングを伴う、Ｓｉ基板中のホウ素イオンの注入）
【０１１１】
ＥＧを水で置き換えることを除いて、例７が繰り返される。
【図１】
2014160820.tif 000003
【図６】
2014160820.tif 000004
【図２】
2014160820.tif 000005
【図３】
2014160820.tif 000006
【図４】
2014160820.tif 000007
【図５】
2014160820.tif 000008
【外国語明細書】
2014160820.tif 000009
2014160820.tif 000010
2014160820.tif 000011
2014160820.tif 000012
2014160820.tif 000013
2014160820.tif 000014
2014160820.tif 000015
2014160820.tif 000016
2014160820.tif 000017
2014160820.tif 000018
2014160820.tif 000019
2014160820.tif 000020
2014160820.tif 000021
2014160820.tif 000022
2014160820.tif 000023
2014160820.tif 000024
2014160820.tif 000025
2014160820.tif 000026
2014160820.tif 000027
2014160820.tif 000028
2014160820.tif 000029
2014160820.tif 000030
2014160820.tif 000031
2014160820.tif 000032
2014160820.tif 000033
2014160820.tif 000034
2014160820.tif 000035
2014160820.tif 000036
2014160820.tif 000037
2014160820.tif 000038
2014160820.tif 000039