(57)【要約】【課題】基板に接着した金属箔を薄化せずにシード層として利用しても、配線パターンが受けるダメージを低減することができ、且つ、配線パターンの線間絶縁の確実性を高めることができる、配線基板の製造方法を実現する。【解決手段】まず、平板状の樹脂基板１の主面に金属箔２を接着する。次に、金属箔２からシード層パターン４と分岐給電パターン５Ａと共通給電パターン５Ｂとを成形する。次に、シード層パターン４が露出する開口６Ａを設けてメッキレジスト６を樹脂基板１の主面に形成する。次に、分岐給電パターン５Ａと共通給電パターン５Ｂとを介してシード層パターン４に給電を行いながら電解めっき法を実施することにより、シード層パターン４上にめっき電極層７を形成する。そして、メッキレジスト６と分岐給電パターン５Ａと共通給電パターン５Ｂとを除去する。【選択図】図１
2014063783.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平板状の樹脂基板の主面に金属箔を接着する金属箔接着工程と、
前記樹脂基板の主面に接着されている前記金属箔からシード層パターンと給電パターンとを成形する金属箔成形工程と、
前記シード層パターンが露出する開口を設けてメッキレジストを前記樹脂基板の主面に形成するメッキレジスト形成工程と、
前記給電パターンから給電を行いながら電解めっき法を実施することにより、前記シード層パターン上にめっき電極層を形成させるめっき工程と、
前記メッキレジストを除去するレジスト除去工程と、
前記給電パターンを除去する給電パターン除去工程と、
を実施する、配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記メッキレジスト形成工程で形成する前記メッキレジストの開口は、前記シード層パターンよりも大きいことを特徴とする、請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
樹脂基板と、前記樹脂基板の主面に接着されているシード層パターンと、前記シード層パターン上に電着されているめっき電極層と、
を備える配線基板であって、
前記シード層パターンは、前記めっき電極層よりも断面の幅が狭く、
前記めっき電極層は、断面視して、少なくとも前記シード層パターン側の角が丸みを帯びている、配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンを有する配線基板の構造と製造方法とに関する。
【背景技術】
【０００２】
配線基板に配線パターンを形成する方法として、セミアディティブ法が知られている。セミアディティブ法では、レジストをパターン形成した基板に対してめっき処理を施し、レジストを取り除くことにより、配線パターンを有する配線基板が形成される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
ここで、特許文献１を参考にした配線基板の製造方法の一例について図９を参照して説明する。
【０００４】
図９は、特許文献１を参考にした配線基板の製造過程での状態を示す模式図である。
【０００５】
図９（Ｓ１０１）に示すように、まず、樹脂等からなる基板１０１が用意され、基板１０１の表面に銅箔１０２が貼り付けられる。次に、図９（Ｓ１０２）に示すように、銅箔１０２を化学研磨によって薄化してシード層１０３が形成される。次に、図９（Ｓ１０３）に示すように、シード層１０３の上にレジスト１０４がパターン成形される。次に、図９（Ｓ１０４）に示すように、シード層１０３に通電しながら電解めっき法を実施し、レジスト１０４から露出するシード層１０３にめっきを電着させ、めっき電極層１０５が形成される。次に、図９（Ｓ１０５）に示すように、レジスト１０４が除去される。そして、図９（Ｓ１０６）に示すように、シード層１０３のレジスト１０４に覆われていた領域、即ち、めっき電極層１０５から露出するシード層１０３を、エッチング（シード層エッチング）により除去する。これにより、シード層パターン１０６が成形される。このようにして、めっき電極層１０５とシード層パターン１０６とからなる配線パターンを有する配線基板が形成される。
【０００６】
上述の方法では、基板１０１に接着した銅箔１０２を薄化してシード層１０３を形成するため、無電解めっき法やスパッタ法を利用してシード層１０３を形成する場合よりも、配線パターンと基板１０１との密着性が高まる。このため配線パターンの微細化が進展した場合にも、配線パターンが基板１０１から脱落や剥離し難くなる。
【０００７】
また、シード層１０３が薄化されているため、図９（Ｓ１０６）で示したシード層エッチングに要する時間が短縮される。これにより、シード層エッチングに際して配線パターンが受けるダメージが低減することになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−７８２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、金属箔を化学研磨によって薄化してシード層を形成する場合には、シード層に膜厚のばらつきが生じて、シード層の厚みを均一にすることが技術的に困難である。特に、無電解めっきやスパッタと同等の0.5μm以下の膜厚を実現しようとする場合には、シード層にピンホールやエッチアウトが発生することが懸念される。すると、配線パターンに成形不良が発生することがある。
【００１０】
また、図９（Ｓ１０６）で示したシード層エッチングにおいて、配線パターンの隣接間隔（線間距離）が狭い箇所と、配線パターンの線間距離が広い箇所とでは、エッチングの進展度合いが異なる。具体的には、配線パターンの線間距離が狭い箇所でエッチングが進展し難くなり、配線パターンの線間絶縁の確実性が低下する。配線パターンの線間絶縁の確実性を高めるためには、エッチングを長時間行う必要があるが、その場合には、配線パターンの線間距離が広い箇所で配線パターンが受けるダメージが大きくなってしまい、特性劣化、特に高周波特性の劣化が引き起こされてしまう。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、基板に接着した金属箔を薄化せずにシード層として利用しても、配線パターンが受けるダメージを低減することができ、且つ、配線パターンの線間絶縁の確実性を高めることができる、配線基板の製造方法を実現することにある。
【００１２】
また、本発明の他の目的は、良好な高周波特性の配線基板の構造を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明に係る配線基板の製造方法は、平板状の樹脂基板の主面に金属箔を接着する金属箔接着工程と、樹脂基板の主面に接着されている金属箔からシード層パターンと給電パターンとを成形する金属箔成形工程と、シード層パターンが露出する開口を設けてメッキレジストを樹脂基板の主面に形成するメッキレジスト形成工程と、給電パターンから給電を行いながら電解めっき法を実施することにより、シード層パターン上にめっき電極層を形成するめっき工程と、メッキレジストを除去するレジスト除去工程と、給電パターンを除去する給電パターン除去工程と、を実施する。
【００１４】
この製造方法によれば、めっき電極層を形成する前に、樹脂基板の主面に接着した金属箔を薄化することなく、シード層パターンと給電パターンとが成形される。そして、シード層パターン上にめっき電極層が形成された後に、給電パターンのみが除去され、配線パターンが形成される。したがって、シード層パターンと給電パターンとの成形時に、配線パターンの線間絶縁を確保することができる。そして、めっき電極層の形成後に、配線パターンが受けるダメージを低減することができる。
【００１５】
上述の配線基板の製造方法において、メッキレジスト形成工程で形成するメッキレジストの開口は、シード層パターンよりも大きいと好適である。
【００１６】
この製造方法によれば、シード層パターンとレジストとの間にギャップ空間ができ、そのギャップ空間ではめっき電極層の表面が自由成長面となって成長するとともに、レジストの隔壁に沿って成長する。これにより、シード層パターン上に形成されるめっき電極層の断面形状は、角が丸みを帯びた矩形状になる。
【００１７】
また、本発明に係る配線基板は、樹脂基板と、樹脂基板の主面に接着されているシード層パターンと、シード層パターン上に電着されているめっき電極層と、を備え、シード層パターンは、めっき電極層よりも断面の幅が狭く、めっき電極層は断面視して少なくともシード層パターン側の角が丸みを帯びている。
【００１８】
このような構造によれば、めっき電極層は、少なくとも下部の角が丸みを帯びた矩形の断面形状になる。これに対して、従来の方法で形成されるめっき電極層は、少なくとも下部の角が直角に近い矩形の断面形状になる。このようなめっき電極層における断面形状の相違は、めっき電極層に高周波信号が伝送される場合に、信号損失の差として現れる。具体的には、高周波信号がめっき電極層の角近傍に集中することで信号損失が増大するので、めっき電極層の角が丸みを帯びていることにより、高周波信号の信号損失を低減することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の製造方法によれば、樹脂基板の主面に接着した金属箔からシード層パターンを成形するので、無電解めっき法やスパッタ法を利用してシード層パターンを形成する場合よりも、めっき電極層と樹脂基板との密着性が高まる。このため、めっき電極層の微細化に伴って接着面積が縮小した場合にも、めっき電極層の脱落や剥離が発生しにくくなる。
【００２０】
また、金属箔を薄化することなくシード層パターンとして利用するので、従来のような化学研磨の工程が不要であり、シード層パターンにピンホールやエッチアウトが発生することが無く、配線パターンに形成不良が発生することも無い。
【００２１】
さらには、めっき電極層を形成する前にシード層をパターン成形するので、めっき電極層を形成した後にシード層パターンをエッチングによって成形する工程が不要である。これにより、配線パターンの線間部分の絶縁性を確実に確保しながら、配線パターンがエッチングされて受けるダメージを低減することができる。仮に、給電パターンを除去するためにエッチングを行うとしても、そのエッチングに要する時間は極めて短いものになるため、配線パターンがエッチングされて受けるダメージを最小限に抑えることができる。
【００２２】
また本発明の、めっき電極層の角が丸みを帯びている構成では、高周波信号の信号損失を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す模式的な断面図である。
【図２】第１の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す模式的な平面図である。
【図３】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す模式的な断面図である。
【図４】第２の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す模式的な平面図である。
【図５】第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す模式的な断面図である。
【図６】第３の実施形態に係る配線基板の製造方法を示す模式的な平面図である。
【図７】配線パターンの断面形状ごとの高周波特性の差を説明するグラフである。
【図８】他の実施形態に係る配線基板の製造方法で用いるシード層パターンおよび給電パターンを示す平面図である。
【図９】従来の配線基板の製造方法を示す模式的な断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
≪第１の実施形態≫
以下、本発明の第１の実施形態に係る配線基板の構造および製造方法の概要について説明する。
【００２５】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る配線基板１０の製造方法を示す模式的な断面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る配線基板１０の製造方法を示す模式的な平面図である。なお、図１に示す断面図は、図２中に一点鎖線で示す位置での断面を示している。図１および図２において、導電性の部材はハッチング表示しており、絶縁性の部材はドット表示している。
【００２６】
本実施形態の製造方法では、まず、金属箔接着工程が実施される。金属箔接着工程では、図１（Ｓ１１）および図２（Ｓ１１）に示すように、平板状の樹脂基板１の少なくとも一方の主面の全面に、金属箔２を接着させる。
【００２７】
樹脂基板１への金属箔２の接着は、例えば、半硬化状態の樹脂基板１に金属箔２を圧着させ、樹脂基板１を硬化させることにより実現できる。例えば、厚みが１μｍ〜５μｍ（一例としては２μｍ)の銅箔からなる金属箔２と、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化樹脂材からなる樹脂基板１とを、真空チャンバー付きのプレス機を用いて、加熱しながら圧着させる。この際のプレス温度は７０〜１５０℃（一例としては１４０℃）であると好適である。プレス圧力は０．５〜１０ＭＰａ（一例としては６．０ＭＰａ）であると好適である。プレス時間は１〜１０ｍｉｎ（一例としては２ｍｉｎ）であると好適である。そして、このようにして金属箔２と樹脂基板１とを圧着させた後に、加熱条件を変えて樹脂基板１を硬化させる。この際のプレス温度は１８０〜２００℃（一例としては１８０℃）であると好適である。プレス圧力は０．５〜１０ＭＰａ（一例としては６．０ＭＰａ）であると好適である。プレス時間は６０〜９０ｍｉｎ（一例としては６０ｍｉｎ）であると好適である。なお、樹脂基板１への金属箔２の接着は、熱硬化性樹脂の加熱硬化による方法の他、接着剤を用いる方法などでも良い。
【００２８】
次に、金属箔成形工程が実施される。金属箔成形工程では、図１（Ｓ１２）および図２（Ｓ１２）に示すように、金属箔２を部分的に除去することにより、金属箔２にシード層パターン４と給電パターンとが成形される。ここでは、給電パターンとして、複数のシード層パターン４それぞれに個別に接続される複数の分岐給電パターン５Ａと、各分岐給電パターン５Ａに共通して接続される単一の共通給電パターン５Ｂとを備えている。
【００２９】
シード層パターン４と分岐給電パターン５Ａと共通給電パターン５Ｂとの成形は、例えばサブストラクティブ法により実現できる。例えば、まず、ドライレジストフィルムが熱ロールラミネーターにより金属箔２の上面に圧着される。この際のプレス温度は９０〜１２０℃（一例としては１１０℃）であると好適である。プレス圧は０．１〜０．５ＭＰａ（一例としては０．４ＭＰａ）であると好適である。プレス搬送速度は０．１〜２．０ｍ／ｍｉｎ（一例としては０．１ｍ／ｍｉｎ）であると好適である。次に、フォトマスクを用いて露光機でエッチングレジストが露光される。この際の露光量は５２〜１０１ｍＪ／ｃｍ２（一例としては７２ｍＪ／ｃｍ２）であると好適である。次に、現像液を用いてエッチングレジストが現像される。この際の現像液は例えば１．０％のＮａ２ＣＯ３水溶液であると好適である。次に、エッチャントを用いてエッチングレジストから露出する金属箔２が除去される。この際のエッチャントは例えば塩化第II鉄溶液であると好適である。そして、レジスト除去液を用いてエッチングレジストが除去される。
【００３０】
なお、サブトラクティブ法では、金属箔２の厚みが厚すぎると、確実なパターン成形が難しくなる。金属箔２の厚みは、線間距離の１／３程度までが限界であり、例えば線間距離が１０μｍの配線パターンを成形する場合には、金属箔２の厚みは約３．３μｍ以下が妥当である。後の工程でのダメージなどを考慮しても、金属箔２の厚みは５μｍ程度が限界である。
【００３１】
次に、メッキレジスト形成工程が実施される。メッキレジスト形成工程では、図１（Ｓ１３）および図２（Ｓ１３）に示すように、分岐給電パターン５Ａと共通給電パターン５Ｂと樹脂基板１の露出部分とを覆うように、メッキレジスト６が形成される。即ち、メッキレジスト６は、シード層パターン４を露出させる開口６Ａを設けて成形される。
【００３２】
メッキレジスト６の形成は、例えば、ドライレジストフィルムを樹脂基板１の上面に圧着させ、露光、現像を経て、開口６Ａをパターン成形することにより実現できる。具体的には、まず、ドライレジストフィルムが熱ロールラミネーターにより樹脂基板１の上面に圧着される。この際のプレス温度は９０〜１２０℃（一例としては１１０℃）であると好適である。プレス圧は０．１〜０．５ＭＰａ（一例としては０．４ＭＰａ）であると好適である。プレス搬送速度は０．１〜２．０ｍ／ｍｉｎ（一例としては０．１ｍ／ｍｉｎ）であると好適である。次に、フォトマスクを用いて露光機でメッキレジスト６が露光される。この際の露光量は５２〜１０１ｍＪ／ｃｍ２（一例としては７２ｍＪ／ｃｍ２）であると好適である。次に、現像液を用いてメッキレジスト６が現像される。この際の現像液は例えば１．０％のＮａ２ＣＯ３水溶液であると好適である。
【００３３】
次に、めっき工程が実施される。めっき工程では、図１（Ｓ１４）および図２（Ｓ１４）に示すように、メッキレジスト６の開口６Ａから露出するシード層パターン４上に、電解めっき法によりめっきが電着されて、めっき電極層７が形成される。より具体的には、分岐給電パターン５Ａと共通給電パターン５Ｂとを介してシード層パターン４に給電を行いながら、電解銅めっき液に樹脂基板１を液浴させることにより、シード層パターン４上にめっき電極層７が形成される。この際の印加電流は、０．５〜３．０Ａ／ｄｍ２(一例としては２．０Ａ／ｄｍ２)であると好適である。
【００３４】
次に、レジスト除去工程が実施される。レジスト除去工程では、図１（Ｓ１５）および図２（Ｓ１５）に示すように、レジスト除去液を用いてメッキレジスト６が除去される。
【００３５】
次に、給電パターン除去工程が実施される。給電パターン除去工程では、図１（Ｓ１６）および図２（Ｓ１６）に示すように、分岐給電パターン５Ａと共通給電パターン５Ｂとが除去される。
【００３６】
分岐給電パターン５Ａと共通給電パターン５Ｂとの除去は、例えば、１０％過硫酸ソーダ水溶液を用いて超音波振動を加えながらエッチングを行うことで実現できる。
【００３７】
以上の製造方法によれば、樹脂基板１の主面に接着した金属箔２からシード層パターン４が成形されるので、無電解めっき法やスパッタ法を利用してシード層パターン４を形成する場合よりも、シード層パターン４と樹脂基板１との密着性が高まる。このため、めっき電極層７の微細化に伴って接着面積が縮小した場合にも、シード層パターン４およびめっき電極層７が樹脂基板１から脱落したり剥離したりすることが殆ど無くなる。
【００３８】
また、金属箔２を薄化することなく、シード層パターン４を成形して利用するので、従来のような化学研磨の工程が不要であり、シード層パターン４にピンホールやエッチアウトが発生することが無く、めっき電極層７に形成不良が発生することも無い。
【００３９】
さらには、めっき電極層７を形成する前にシード層パターン４を成形するので、めっき電極層７を形成した後に、シード層パターン４をエッチングにより成形する工程が不要である。これにより、めっき電極層７の線間部分の絶縁性を確実に確保しながら、めっき電極層７がエッチングされて受けるダメージを低減することができる。分岐給電パターン５Ａと共通給電パターン５Ｂとを除去するためにエッチングを行うが、そのエッチングに要する時間は、シード層がベタパターンとして形成されている場合よりも短いものになるため、めっき電極層７がエッチングされて受けるダメージを最小限に抑えることができる。
【００４０】
また、仮に、無電解めっき法によりシード層を設ける場合には、Ｐｄ、Ａｇ、Ｓｎ等の触媒を用いる必要があり、触媒の残渣がシード層パターン４において触媒層を形成することがある。すると、表皮効果の現れる高周波領域（ＧＨｚ帯）において比抵抗の高い触媒層に信号が流れて、高周波特性が劣化することがある。一方、本実施形態のように、樹脂基板１に金属箔２を接着してシード層として利用する場合には、触媒残渣によって高周波特性が劣化するような問題が発生することがない。
【００４１】
≪第２の実施形態≫
次に、本発明の第２の実施形態に係る配線基板の構造と製造方法とについて説明する。
【００４２】
図３は、本発明の第２の実施形態に係る配線基板２０の製造方法を段階的に示す模式的な断面図である。図４は、本発明の第２の実施形態に係る配線基板２０の製造方法を段階的に示す模式的な平面図である。なお、図３は、図４中に一点鎖線で示す位置での断面図である。図３および図４において、導電性の部材はハッチング表示しており、絶縁性の部材はドット表示している。
【００４３】
本実施形態の製造方法では、まず、金属箔接着工程が実施される。金属箔接着工程では、図３（Ｓ２１）および図４（Ｓ２１）に示すように、平板状の樹脂基板１１の少なくとも一方の主面の全面に、金属箔１２を接着させる。
【００４４】
次に、金属箔成形工程が実施される。金属箔成形工程では、図３（Ｓ２２）および図４（Ｓ２２）に示すように、金属箔１２を部分的に除去することにより、金属箔１２にシード層パターン１４と給電パターンとが成形される。ここでは、給電パターンとして、複数のシード層パターン１４それぞれに個別に接続される複数の分岐給電パターン１５Ａと、各分岐給電パターン１５Ａに共通して接続される単一の共通給電パターン１５Ｂとを備えている。
【００４５】
次に、メッキレジスト形成工程が実施される。メッキレジスト形成工程では、まず、図３（Ｓ２３）および図４（Ｓ２３）に示すように、分岐給電パターン１５Ａおよび樹脂基板１１の露出部分を覆うように、メッキレジスト１６が形成される。即ち、メッキレジスト１６は、共通給電パターン１５Ｂとシード層パターン１４とを露出させる開口１６Ａを設けて成形される。
【００４６】
次に、めっき工程が実施される。めっき工程では、図３（Ｓ２４）および図４（Ｓ２４）に示すように、メッキレジスト１６から露出するシード層パターン１４上および共通給電パターン１５Ｂ上に、電解めっき法によりめっきが電着されて、めっき電極層１７が形成される。より具体的には、共通給電パターン１５Ｂおよび分岐給電パターン１５Ａを介してシード層パターン１４に給電を行いながら、電解銅めっき液に樹脂基板１１を液浴させることにより、めっき電極層１７が形成される。
【００４７】
次に、レジスト除去工程が実施される。レジスト除去工程では、図３（Ｓ２５）および図４（Ｓ２５）に示すように、レジスト除去液を用いてメッキレジスト１６を除去する。
【００４８】
次に、分岐給電パターン除去工程が実施される。分岐給電パターン除去工程では、図３（Ｓ２６）および図４（Ｓ２６）に示すように、分岐給電パターン１５Ａが除去される。
【００４９】
次に、ダイシング工程が実施される。ダイシング工程では、図３（Ｓ２７）および図４（Ｓ２７）に示すように、樹脂基板１１が湿式ダイサー等により切断されて個片化される。この際、前述の共通給電パターン１５Ｂおよび、共通給電パターン１５Ｂ上のめっき電極層１７を除去するように、切断位置を設定すると好適である。
【００５０】
以上の製造方法によって、第１の実施形態と同様に、めっき電極層１７とシード層パターン１４とからなる配線パターンを有する配線基板２０を製造することができる。そして、この配線基板２０においても、めっき電極層１７と樹脂基板１１との密着性が高いものになり、また、シード層パターン１４に膜厚のばらつきが発生することが無い。したがって、めっき電極層１７に形成不良が発生することを防ぐことができる。
【００５１】
その上、分岐給電パターン１５Ａを除去するためにエッチングを行い、共通給電パターン１５Ｂを除去するためにダイシングを行うため、エッチングに要する時間は、第１の実施形態よりもさらに短いものになる。したがって、めっき電極層１７がエッチングされて受けるダメージを、第１の実施形態よりもさらに小さなものにできる。
【００５２】
≪第３の実施形態≫
次に、本発明の第３の実施形態に係る配線基板の構造と製造方法とについて説明する。
【００５３】
図５は、本発明の第３の実施形態に係る配線基板３０の製造方法を段階的に示す模式的な断面図である。図６は、本発明の第３の実施形態に係る配線基板３０の製造方法を段階的に示す模式的な平面図である。なお、図５は、図６中に一点鎖線で示す位置での断面図である。図５および図６において、導電性の部材はハッチング表示しており、絶縁性の部材はドット表示している。
【００５４】
本実施形態の製造方法では、まず、金属箔接着工程が実施される。金属箔接着工程では、図５（Ｓ３１）および図６（Ｓ３１）に示すように、平板状の樹脂基板２１の少なくとも一方の主面の全面に、金属箔２２を接着させる。
【００５５】
次に、金属箔成形工程が実施される。金属箔成形工程では、図５（Ｓ３２）および図６（Ｓ３２）に示すように、金属箔２２を部分的に除去することにより、金属箔２２にシード層パターン２４と給電パターンとが成形される。ここでは、給電パターンとして、複数のシード層パターン２４それぞれに個別に接続される複数の分岐給電パターン２５Ａと、各分岐給電パターン１５Ａに共通して接続される単一の共通給電パターン２５Ｂとを備えている。
【００５６】
次に、メッキレジスト形成工程が実施される。メッキレジスト形成工程では、まず、図５（Ｓ３３）および図６（Ｓ３３）に示すように、分岐給電パターン２５Ａと共通給電パターン２５Ｂと樹脂基板２１の露出部分とを覆うように、メッキレジスト２６が形成される。即ち、メッキレジスト２６は、シード層パターン２４を露出させる開口２６Ａを設けて成形される。ただし、開口２６Ａは、シード層パターン２４よりも若干大きく、例えば、片側１〜１０μｍ（一例としては５μｍ）ずつ大きく開口させる。これにより、シード層パターン２４とメッキレジスト２６との間にギャップ空間を設ける。
【００５７】
次に、めっき工程が実施される。めっき工程では、図５（Ｓ３４）および図６（Ｓ３４）に示すように、メッキレジスト２６から露出するシード層パターン２４上に、電解めっき法によりめっきが電着されて、めっき電極層２７が形成される。シード層パターン２４とメッキレジスト２６との間にギャップ空間が設けられているため、ギャップ空間においてめっき電極層２７の表面が自由成長面となって成長するとともに、レジストの隔壁に沿って成長する。これにより、シード層パターン２４上に形成されるめっき電極層２７の断面形状は、上部の角および下部の角が丸みを帯びた矩形になる。
【００５８】
次に、レジスト除去工程が実施される。レジスト除去工程では、図５（Ｓ３５）および図６（Ｓ３５）に示すように、レジスト除去液を用いてメッキレジスト２６が除去される。
【００５９】
次に、給電パターン除去工程が実施される。給電パターン除去工程では、図５（Ｓ３６）および図６（Ｓ３６）に示すように、分岐給電パターン２５Ａと共通給電パターン２５Ｂとが除去される。
【００６０】
以上の製造方法によって、第１の実施形態と同様に、メッキ電極層２７とシード層パターン２４とからなる配線パターンを有する配線基板３０を製造することができる。そして、この配線基板３０においても、めっき電極層２７と樹脂基板２１との密着性が高いものになり、また、シード層パターン２４に膜厚のばらつきが発生することが無い。したがって、めっき電極層２７に形成不良が発生することを防ぐことができる。
【００６１】
その上、ギャップ空間を設けてメッキレジスト２６に開口２６Ａを設けているため、開口２６Ａの形成位置に、シード層パターン２４の形成位置からのずれがあっても、配線形成不良が発生することを抑制することができる。
【００６２】
ここで、めっき電極層の断面形状と高周波特性との関係について説明する。図７は、めっき電極層の断面形状と高周波特性との関係を説明するための図である。図７（Ａ）には、第１の実施形態や第２の実施形態と同様な構成でのめっき電極層の断面形状、即ち、上部の角と下部の角とが直角である矩形断面を示している。図７（Ｂ）には、第３の実施形態の変形例に係るめっき電極層の断面形状、具体的には、上部の角が直角であるが下部の角が丸みを帯びている矩形断面を示している。図７（Ｃ）には、第３の実施形態に係るめっき電極層の断面形状、具体的には、上部の角および下部の角が丸みを帯びている矩形断面を示している。
【００６３】
図７（Ｄ）は、めっき電極層のＱ値と周波数との関係を、図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に示す断面形状ごとに示すグラフである。図示するように、矩形断面形状の構成に比べて、片側曲面形状または両面曲面形状の構成は、５ＧＨｚから１０ＧＨｚの高周波帯域の全般に亘って、５％程度高いＱ値を実現している。特には、片側曲面形状である場合よりも、両面曲面形状である場合に、より高いＱ値を実現できている。各構成の表面積を比較すると、両側曲面形状の場合に最も表面積が小さく、片側曲面形状、矩形状の順に表面積が大きくなるため、表面積の観点からは、両側曲面形状、片側曲面形状、矩形状の順に、Ｑ値が低い傾向を持つと予想されるが、実際には、両側曲面形状、片側曲面形状、矩形状の順に、Ｑ値が高い傾向を持ち、直角の角を無くすことにより表面積が小さくなっても高いＱ値を実現できることがわかる。
【００６４】
以上に説明したように、第３の実施形態で示しためっき電極層２７の断面形状、即ち、角部に丸みを帯びる断面形状では、高周波伝送ラインとして使用されても高周波信号が角に集中せず、挿入損失の少ない高周波特性のよい配線パターンを構成することが可能となるといえる。
【００６５】
≪その他の実施形態≫
なお、シード層パターンとともに形成する給電パターンの形状は、上述の実施形態で説明した形状以外であってもよい。例えば、図８（Ａ）に示すように、分岐給電パターン３５Ａが幅広でシード層パターン３４の線幅と同程度であってもよい。また、図８（Ｂ）に示すように、シード層パターン４４の形成密度が低い領域については、給電パターン４５をベタパターンで形成するようにしてもよい。さらには、図８（Ｃ）に示すように、他のシード層パターン５４Ａで囲まれていて、給電パターン５５から直接接続することができないシード層パターン５４Ｂが存在する場合には、シード層パターン５４Ａ，５４Ｂ間を接続する接続パターン５６を形成して給電するようにしてもよい。この場合、接続パターン５６をエッチングなどにより除去する工程が必要となるが、接続パターン５６の線幅を細く形成しておくことで、接続パターン５６のエッチングに要する時間を短縮することができる。
【００６６】
以上、本発明に係る配線基板について詳述したが、配線基板の具体的構成などは、適宜設計変更可能であり、上述の実施形態に記載された作用及び効果は、本発明から生じる最も好適な作用及び効果を列挙したに過ぎず、本発明による作用及び効果は、上述の実施形態に記載されたものに限定されるものではない。
【符号の説明】
【００６７】
１，１１，２１…樹脂基板
２，１２，２２…金属箔
４，１４，２４，３４，４４，５４Ａ，５４Ｂ…シード層パターン
５Ａ，１５Ａ，２５Ａ，３５Ａ…分岐給電パターン
５Ｂ，１５Ｂ，２５Ｂ，３５Ｂ…共通給電パターン
４５，５５…給電パターン
５６…接続パターン
６，１６，２６…メッキレジスト
６Ａ，１６Ａ，２６Ａ…開口
７，１７，２７…はんだ電極層
１０，２０，３０…配線基板
【図１】
2014063783.tif 000003
【図２】
2014063783.tif 000004
【図３】
2014063783.tif 000005
【図４】
2014063783.tif 000006
【図５】
2014063783.tif 000007
【図６】
2014063783.tif 000008
【図７】
2014063783.tif 000009
【図８】
2014063783.tif 000010
【図９】
2014063783.tif 000011