(57)【要約】【課題】共振による振動損失を抑制した振動子を提供する。【解決手段】基板と、基板の一方面に設けられた第１電極及び第２電極を有している電極部と、第１電極に対して離間し、一部が重なる様に基部から延設されている第１振動体、及び第２電極に対して離間し、一部が重なる様に第１振動体が延設されている方向と交差する方向に向かって基部から延設されている第２振動体を有している振動部と、基部から延設されている梁部を有している支持部と、第２電極上に設けられ、前記支持部が接続されている固定部と、両端が固定部に接続され第１電極に対して離間し、一部が重なる様に設けられている第１交差部と、一端が第１電極に接続され第２電極に対して離間し、一部が重なる様に設けられている第２交差部と、を備え、振動部の振動周波数と、第１交差部及び第２交差部の共振周波数と、の間に周波数差を有している。【選択図】図１
2014220731.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板の一方面に設けられた第１電極及び第２電極を有している電極部と、
前記第１電極に対して離間し、平面視において少なくとも一部が重なる様に基部から延設されている第１振動体、及び前記第２電極に対して離間し、平面視において少なくとも一部が重なる様に前記第１振動体が延設されている方向と交差する方向に向かって前記基部から延設されている第２振動体を有している振動部と、
前記基部から延設されている梁部を有している支持部と、
前記第２電極上に設けられ、前記支持部が接続されている固定部と、
両端が前記固定部に接続され前記第１電極に対して離間し、平面視において少なくとも一部が重なる様に設けられている第１交差部と、
一端が前記第１電極に接続され前記第２電極に対して離間し、平面視において少なくとも一部が重なる様に設けられている第２交差部と、を備え、
前記振動部の振動周波数と、前記第１交差部及び前記第２交差部の共振周波数と、の間に周波数差を有していることを特徴とする振動子。
【請求項２】
請求項１に記載の振動子において、
前記振動周波数を基準とし、前記振動周波数と、前記共振周波数と、の前記周波数差の割合が１５％を超えることを特徴とする振動子。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の振動子において、
前記交差部が延伸する第１の方向と交差する第２の方向における前記交差部の幅は、少なくとも前記交差部と前記電極部とが離間して平面視において重なる部分において異なることを特徴とする振動子。
【請求項４】
請求項１ないし請求項３のいずれか一項に記載の振動子において、
前記第１の方向及び前記第２の方向と交差する第３の方向における前記交差部の厚みは、少なくとも前記交差部と前記電極部とが離間して平面視において重なる部分において異なることを特徴とする振動子。
【請求項５】
請求項１ないし請求項４のいずれか一項に記載の振動子において、
前記交差部には、少なくとも前記交差部と前記電極部とが離間して平面視において重なる部分に貫通穴が設けられていることを特徴とする振動子。
【請求項６】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載された振動子が搭載されていることを特徴とする発振器。
【請求項７】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載された振動子が搭載されていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
請求項１ないし請求項５のいずれか一項に記載された振動子が搭載されていることを特徴とする移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、振動子、発振器、電子機器、及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、半導体微細加工技術を利用して形成されたＭＥＭＳ（Micro-Electro-Mechanical-System）デバイスと呼ばれる機械的に可動することができる構造体を備えた電気機械系構造体（例えば、振動子、フィルター、センサー、モーター等）が知られている。これらＭＥＭＳデバイスの中でも振動子は、水晶や誘電体を使用した振動子・共振子と比較して、発振回路等を組み込んで製造することが容易であり、微細化、高機能化に対し有利であることから、その利用範囲が広まっている。
【０００３】
従来、振動子の代表例としては、基板の厚さ方向に振動する梁型振動子が知られている。梁型振動子は、基板上に設けられた電極部と、その電極部に対して間隙を置いて設けられた振動部等を含み構成されている。梁型振動子は、振動部の支持の方法によって、片持ち梁型（clamped-free-beam）、両持ち梁型（clamped-clamped-beam）、両端自由梁型（free-free-beam）等が知られている。
【０００４】
上述した振動子の一例として両端自由梁型の振動子は、振動部の振動の節の部分が支持部材によって支持されるため、基板への振動漏れが少なく振動の効率が高い。例えば、特許文献１には、振動部に孔を設けることで振動特性を改善する振動子が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７１７０３６９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
この様な振動子において、電極部と、励振信号を振動部に印加するための導電体と、が交差する部分が生じる構造も検討されている。この様な振動子は、振動部の振動周波数と、当該交差する導電体の共振周波数と、の周波数が接近すると導電体の共振による振動部の振動損失が生じる虞がある。よって、振動部の振動周波数と、電極部と交差する導電体の共振周波数と、を乖離させなければならない。
しかしながら、上述の特許文献に開示されている振動子の様に、振動部に孔を設けた場合には、振動部と電極部との対向面積が減縮されることから振動に伴って振動子から出力される電気信号が低下する虞があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述した課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態、または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例に係る振動子は、基板と、基板の一方面に設けられた第１電極及び第２電極を有している電極部と、第１電極に対して離間し、平面視において少なくとも一部が重なる様に基部から延設されている第１振動体、及び第２電極に対して離間し、一部が重なる様に第１振動体が延設されている方向と交差する方向に向かって基部から延設されている第２振動体を有している振動部と、基部から延設されている梁部を有している支持部と、第２電極上に設けられ、前記支持部が接続されている固定部と、両端が固定部に接続され第１電極に対して離間し、平面視において少なくとも一部が重なる様に設けられている第１交差部と、一端が第１電極に接続され第２電極に対して離間し、平面視において少なくとも一部が重なる様に設けられている第２交差部と、を備え、振動部の振動周波数と、第１交差部及び第２交差部の共振周波数と、の間に周波数差を有していることを特徴とする。
【０００９】
この様な振動子によれば、振動部は、第２振動体と電極部との間に電位（励振信号）が印加されることで第２振動体が電極部に静電吸引され、第１振動体は電極部が設けられた方向とは反対の方向に反る様に撓む。第２振動体と電極部との間の電位を解くと第１振動体及び第２振動体は、復位する。振動部は、第２振動体と電極部との間の電位の印加と解放とを繰り返すことで振動することができる。振動部は、第１の振動体と、第１の振動体と交差する第２の振動体と、の基部が振動振幅の変曲点となる。振動部は、当該基部から延伸する支持部によって固定部に支持されている。
また、この様な振動子は、振動部に励振信号を印加するため、電極部と交差する部分に導電性を有する交差部が設けられている。振動部に印加される励振信号は、交差部を介して印加されるため、電極部と交差部との間に共振が生じ、交差部の共振周波数と振動部の振動周波数とが接近すると交差部の共振によって振動部の振動が打ち消され振動部の振動損失が生じる。
したがって、この様な振動子は、交差部の形状によって、振動部の振動周波数と交差部の共振周波数との間に周波数差を有することで、交差部の共振による振動部の振動損失が抑制された高いＱ値を備えた特性を得ることができる。
また、振動部と電極部とが対応する面積が減縮されないため、振動に伴って出力される電気信号に与える影響を抑制することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例に係る振動子において、振動周波数を基準とし、振動周波数と、共振周波数と、の周波数差の割合が１５％を超えることが好ましい。
【００１１】
この様な振動子によれば、振動部の振動周波数を基準とし、当該振動周波数と、交差部の共振周波数と、の周波数差の割合が１５％を超えることで、交差部の共振による振動部の振動損失を抑制する効果を高めることができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例に係る振動子において、交差部が延伸する第１の方向と交差する第２の方向における交差部の幅は、少なくとも交差部と電極部とが離間して平面視において少なくとも重なる部分において異なることが好ましい。
【００１３】
この様な振動子によれば、少なくとも交差部と電極部とが離間して平面視において少なくとも重なる部分において、交差部の幅が異なって設けられている。例えば、幅が広く設けられている場合には、交差部と電極部とが離間して対向する面積を増加させるとともに、両部間に生じる電荷が増加することで、交差部の共振周波数を調整することができる。また、例えば、幅が狭く設けられている場合には、交差部と電極部とが離間して対向する面積を減少させるとともに、両部間に生じる電荷が減少することで交差部の共振周波数を調整することができる。
したがって、この様な振動子は、交差部の幅を異ならせることで振動部の振動周波数と、交差部の共振周波数とを離間させ、交差部の共振による振動部の振動損失が抑制された高いＱ値を備えた特性を得ることができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例に係る振動子おいて、第１の方向及び第２の方向と交差する第３の方向における交差部の厚みは、少なくとも交差部と電極部とが離間して平面視において少なくとも重なる部分において異なることが好ましい。
【００１５】
この様な振動子によれば、少なくとも交差部と電極部とが離間して平面視において少なくとも重なる部分において交差部の厚みが異なっている。例えば、交差部の厚みを厚く設けた場合は、交差部の靱性が高まることで交差部の共振周波数を調整することができる。また、例えば、交差部の厚みを薄く設けた場合は、交差部の靱性が弱まることで交差部の共振周波数を調整することができる。
したがって、この様な振動子は、交差部の厚みを異ならせることで振動部の振動周波数と、交差部の共振周波数とを離間させ、交差部の共振による振動部の振動損失が抑制された高いＱ値を備えた特性を得ることができる。
【００１６】
［適用例５］
上記適用例に係る振動子において、交差部には、少なくとも交差部と電極部とが離間して平面視において少なくとも重なる部分に貫通穴が設けられていることが好ましい。
【００１７】
この様な振動子によれば、少なくとも交差部と電極部とが離間して平面視において少なくとも重なる部分において交差部を貫通する貫通穴が設けられている。交差部に貫通穴が設けられているため、交差部の靱性が弱まるとともに交差部の共振周波数を調整することができる。
また、この様な振動子は、電極部と対向する交差部に貫通穴が設けられているため、電極部と交差部とが重なる対向面積を減少させるとともに、電極部と交差部との間に生じる電荷を減少させることができる。
したがって、この様な振動子は、電極部と交差部との間に生じる電荷、及び交差部の靱性によって交差部の共振周波数を調整することでき、振動部の振動周波数と交差部の共振周波数とを離間させ、交差部の共振による振動部の振動損失が抑制された高いＱ値を備えた特性を得ることができる。
【００１８】
［適用例６］
本適用例に係る発振器は、上述したいずれかの振動子が搭載されていることを特徴とする。
【００１９】
この様な発振器によれば、交差部の共振による振動損失が抑制された振動子が搭載されることで、振動に伴う電気信号の出力を高めることができる。
【００２０】
［適用例７］
本適用例に係る電子機器は、上述したいずれかの振動子が搭載されていることを特徴とする。
【００２１】
この様な電子機器によれば、交差部の共振による振動損失が抑制された振動子が搭載されることで、電子機器の信頼性を高めることができる。
【００２２】
［適用例８］
本適用例に係る移動体は、上述したいずれかの振動子が搭載されていることを特徴とする。
【００２３】
この様な移動体によれば、交差部の共振による振動損失が抑制された振動子が搭載されることで、移動体の信頼性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１実施形態に係る振動子を模式的に示す平面図。
【図２】第１実施形態に係る振動子を模式的に示す断面図。
【図３】第１実施形態に係る振動子の動作を説明する斜視図。
【図４】第１実施形態に係る振動子の振動周波数と共振周波数と周波数差による振動子の良否判定を行った結果を示す表。
【図５】第１実施形態に係る振動子の製造工程を説明する図。
【図６】第１実施形態に係る振動子の製造工程を説明する図。
【図７】第１実施形態に係る振動子の製造工程を説明する図。
【図８】第１実施形態に係る振動子の製造工程を説明する図。
【図９】第１実施形態に係る振動子の製造工程を説明する図。
【図１０】第１実施形態に係る振動子の製造工程を説明する図。
【図１１】変形例に係る振動子を模式的に示す平面図。
【図１２】変形例に係る振動子を模式的に示す平面図。
【図１３】変形例に係る振動子を模式的に示す平面図。
【図１４】実施例に係る電子機器としてのパーソナルコンピューターを模式的に示す図。
【図１５】実施例に係る電子機器としての携帯電話機を模式的に示す図。
【図１６】実施例に係る電子機器としてのデジタルスチールカメラを模式的に示す図。
【図１７】実施例に係る移動体としての自動車を模式的に示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施形態について各図面を用いて説明する。なお、以下に示す各図においては、各構成要素を図面上で認識され得る程度の大きさとするため、各構成要素の寸法や比率を実際の構成要素とは適宜に異ならせて記載する場合がある。
【００２６】
［実施形態］
実施形態に係る振動子について、図１から図１０を用いて説明する。
図１は、実施形態に係る振動子の概略を模式的に示す平面図である。図２は、図１中の線分Ａ−Ａ’、線分Ｂ−Ｂ’、線分Ｃ−Ｃ’で示す部分の振動子の断面を模式的に示す断面図である。図３は、振動子の動作を説明する斜視図である。図４は、振動子の振動周波数及び交差部の共振周波数の周波数差による振動子の良否判定を行った結果を示す表である。
図５から図７は、図１中の線分Ａ−Ａ’で示す部分の振動子の断面を模式的に示し、その振動子の製造工程を説明する図である。図８から図１０は、図１中の線分Ｂ−Ｂ’で示す部分の振動子の断面を模式的に示し、その振動子の製造工程を説明する図である。
また、図１から図１０では、互いに直交する３つの軸として、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸を図示している。なお、Ｚ軸は、基板に絶縁部等が積層される厚み方向を示す軸である。
【００２７】
（振動子１の構造）
実施形態に係る振動子１は、電極間に生じる静電引力によって振動するいわゆる梁型振動子である。振動子１は、図１及び図２に示す様に基板１０上に、可動電極としての振動部２０と、振動部２０から延設されている支持部４０と、支持部４０が接続されている固定部５０と、が設けられている。また、基板１０上に、電極部３０が設けられている。なお、振動部２０は、電極部３０に対して間隙３５を有し離間させて設けられている。
振動子１において振動部２０は、電極部３０との間に励振信号（電位）が印加されることで、電極部３０に対し静電引力によって誘引され、振動可能となるものである。
【００２８】
（基板１０）
基板１０は、振動部２０や電極部３０等が設けられる基材である。基板１０は、半導体加工技術によって加工容易なシリコン基板を用いると好適である。なお、基板１０は、シリコン基板に限定されることなく、例えば、ガラス基板を用いることができる。
以降の説明において振動部２０等が設けられる基板１０の一方面を主面１０ａと称して振動子１の構成を説明する。
【００２９】
（絶縁部１２）
絶縁部１２は、基板１０の主面１０ａに積層して設けられている。
絶縁部１２は、基板１０と、後述する電極部３０と、の間を電気的に絶縁するために設けられている。絶縁部１２は、その材料として、窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）を含むことが好適である。絶縁部１２の材料は、特に限定されることなく、基板１０と、電極部３０と、の間の絶縁の確保、及び後述する振動部２０等を形成する際に基板１０を保護することができれば適宜変更しても良い。
以降の説明において、振動部２０等が設けられる絶縁部１２の一方面を主面１２ａと称して振動子１の構成を説明する。
【００３０】
（振動部２０、電極部３０、支持部４０、固定部５０）
基板１０には、絶縁部１２の主面１２ａを介して振動部２０と、電極部３０と、振動部２０から延設されている支持部４０と、支持部４０が接続されている固定部５０と、が設けられている。
【００３１】
（振動部２０）
振動部２０は、主面１２ａに対して垂直方向であるＺ軸方向から平面視した場合に、電極部３０に対して間隙３５を有し離間させて、一部が電極部３０と重なる様に設けられている。振動部２０は、電極部３０との間で静電引力が作用することによって振動することができる。なお、振動動作については後述する。
【００３２】
振動部２０は、図１におけるＸ軸方向に延設されている第１振動体２２と、当該第１振動体２２と交差して図１におけるＹ軸方向に延設されている第２振動体２４と、を含み構成されている。
振動部２０は、基部から第１振動体２２と、第２振動体２４と、が延設され、当該基部が振動の節２０ｃとなる。振動部２０は、振動の節２０ｃ（基部）から＋Ｘ軸方向に延設されている第１振動体２２ｂと、−Ｘ軸方向に延設されている第１振動体２２ａと、が一対となって振動することができる。また、振動部２０は、振動の節２０ｃ（基部）から＋Ｙ軸方向に延設されている第２振動体２４ａと、−Ｘ軸方向に延設されている第２振動体２４ｂと、が一対となって振動することができる。
【００３３】
振動部２０は、その材料としてポリシリコン（Polycrystalline-silicon）を含んで構成されている。振動部２０は、その材料が特に限定されるものでなく、アモルファスシリコン（Amorphous-silicon）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）や、これらを含む合金等の導電性部材を用いることができる。振動部２０は、導電部材を用いることで別途に電極膜を設けることなく、電極部３０との間で静電引力を発生させることができる。
【００３４】
（電極部３０、配線部６０）
電極部３０は、図１及び図２に示す様に基板１０上に主面１２ａを介して設けられている。また、電極部３０は、基板１０（主面１２ａ）に対して垂直方向であるＺ軸方向から平面視した場合に、上述した振動部２０と少なくとも一部が重なる様に間隙３５を有し離間させて設けられている。電極部３０は、第１電極３２、第２電極３４、及び第３電極３６で構成されている。第１電極３２は、主に第１振動体２２（２２ａ，２２ｂ）と間隙３５を有し離間させて主面１２ａ上に設けられている。第２電極３４は、主に第２振動体２４（２４ａ，２４ｂ）と間隙３５を有し離間させて設けられている。第３電極３６は、主面１２ａ上に設けられ、固定部５０及び支持部４０を介して振動部２０に接続されている。これにより、振動子１は、振動部２０の振動に応じて第３電極３６に接続された振動部２０と、第１振動体２２と間隙３５を有し設けられている第１電極３２と、の間で静電容量の変化を伴うことができる。また、振動子１は、振動部２０の振動に応じて第３電極３６に接続された振動部２０と、第２振動体２４と間隙３５を有し設けられている第２電極３４と、の間で静電容量の変化を伴うことができる。
【００３５】
配線部６０は、図１及び図２に示す様に基板１０上に主面１２ａを介して設けられている。配線部６０は、第１配線６２、第２配線６４、第３配線６６、及び第４配線６８で構成されている。第１配線６２は、第１電極３２と接続して設けられている。第２配線６４は、第２電極３４と接続して設けられている。第３配線６６は、第１電極３２において振動部２０と対向する面に生じる電界を均一に保つため、第１振動体２２ａ，２２ｂと対向する側のそれぞれの一端と接続されている。第３配線６６は、第１振動体２２ｂと対面する側の第１電極３２と接続され、基板１０の外周縁に沿って第１振動体２２ａと対向する側の第１電極３２に向かって延設されている。第４配線６８は、第３電極３６と接続して設けられている。第１配線６２、第２配線６４、及び第４配線６８は、それぞれ接続される電極部３０に励振信号を印加するために用いられるものであり、図示を省略する回路部等に接続されている。
電極部３０及び配線部６０は、パターニングされた電極及び配線であり、例えば、その材料としてポリシリコンを含んで構成されている。電極部３０は、その材料が特に限定されることなく、アモルファスシリコン、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）や、これらを含む合金等の導電性部材を用いることができる。
なお、電極部３０は配線部６０（第１配線６２，第２配線６４）によって励振信号を発生させる回路部（図示省略）と接続されている。
【００３６】
（支持部４０）
支持部４０は、振動部２０から固定部５０に向かって延設され、振動部２０を固定部５０に支持するために設けられている。支持部４０は、振動部２０から１対延設されている。支持部４０は、第１振動体２２と第２振動体２４とが延設される基部としての振動の節２０ｃから固定部５０に向かって延設されている。より詳細には、支持部４０は、第１振動体２２と、第２振動体２４と、が交わる点から放射状、かつ、第１振動体２２または第２振動体２４が延伸する方向に設定される仮想線（例えば、線分Ｃ−Ｃ’）に対して線対称に固定部５０に向かって延設されている。
支持部４０は、その材料としてポリシリコン、アモルファスシリコン、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）や、これらを含む合金等の導電性部材を用いることができる。
【００３７】
（固定部５０）
固定部５０は、第３電極３６を介して基板１０上に設けられている。固定部５０には、振動部２０から延設されている支持部４０が接続されている。固定部５０は、支持部４０を介して振動部２０を基板１０に支持するために設けられている。固定部５０は、振動部２０から延設されている１対の支持部４０に対応して４つ設けられている。固定部５０は、第３電極３６及び支持部４０と電気的に接続させて設けられている。
固定部５０は、その材料として、ポリシリコン、アモルファスシリコン、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）や、これらを含む合金等の導電性部材を用いることができる。
【００３８】
（交差部７０）
交差部７０は、両端が固定部５０に接続されている第１交差部７２と、一端が第１電極３２に接続され、他端を第３配線６６と接続されている第２交差部７４と、を含み構成されている。
第１交差部７２は、固定部５０間を電気的に接続し、固定部５０間を同電位に保つために設けられている。第１交差部７２は、１の固定部５０から他の固定部５０に向かって電極部３０に対して間隙３５を有し離間させて延設されている。
第２交差部７４は、第３配線６６と第１振動体２２ａと対面する側の第１電極３２と接続され、第２電極３４に対して間隙３５を有し離間させて設けられている。
【００３９】
（振動子１の動作）
図３は、図１に示す振動子１の概略斜視図であり、可動電極としての振動部２０の振動動作を示している。
本実施形態の振動子１は、回路部（不図示）で生成された励振信号（電位）が、振動部２０と第２電極３４とに印加されることで、第２振動体２４と第２電極３４との間に電荷が発生する。第２振動体２４には、電荷によって第２電極３４に対する静電引力が作用する。第２振動体２４は、静電引力によって第２電極３４側に誘引される。即ち、第２振動体２４は、図３に示す矢印αの方向に撓む。
また、第１振動体２２は、当該第１振動体２２と交差する第２振動体２４が第２電極３４側に誘引されることによる応力によって、第２振動体２４が撓む方向とは反対方向である矢印α’の方向に撓む（反る）。
なお、振動部２０と第２電極３４とに印加された電位を解くと、第２振動体２４が復位するとともに、第１振動体２２も復位する。励振信号（電位）の印加と、解放と、を繰り返すことで振動部２０は振動することができる。
【００４０】
ここで、第２振動体２４と、第２電極３４と、の間には静電容量（電荷）が発生する。電荷は、第２振動体２４と第２電極３４との距離（間隔）によって異なる。すなわち、第２振動体２４の振動によって第２電極３４との間に生じる電荷が変化する。振動子１は、この電荷の変位を取り出すことで振動部２０の振動に伴う電気信号を得ることができる。
なお、振動部２０への励振信号の印加は、支持部４０を介して固定部５０から行うことができる。また、振動部２０が振動することによって得られた電気信号を、電極部３０と、振動部２０から延設されている支持部４０を介して固定部５０と、から取り出すことができる。
【００４１】
振動部２０の振動は、第１振動体２２と第２振動体２４とが重なる領域を振動の節２０ｃとして、第１振動体２２及び第２振動体２４の自由端が振動の腹２０ｐとなる撓み動作となる。なお、振動の節２０ｃは、振動（振幅）の変曲点である。
【００４２】
（振動周波数と共振周波数との周波数差）
ところで、振動部２０への励振信号は、支持部４０と固定部５０とを介して第１電極３２から印加されるが、固定部５０間を接続する第１交差部７２にも印加される。
このことから、第１交差部７２と、第１電極３２及び第２電極３４と、の間の電位が異なり、第１交差部７２と、第１電極３２及び第２電極３４と、の間に電荷が発生する。発生した電荷によって第１交差部７２は、第１電極３２及び第２電極３４に静電吸引され、励振信号が解かれると、第１交差部７２は復位する。第１交差部７２には、前述した振動部２０と同様に励振信号の印加によって振動する共振現象が生じる。
【００４３】
また、第２電極３４と間隙３５を有して交差する第２交差部７４には、第１電極３２から励振信号が印加される。
このことから、第２交差部７４と第２電極３４との間の電位が異なり、第２交差部７４と第２電極３４との間に電荷が発生する。発生した電荷によって第２交差部７４には、第１交差部７２と同様に励振信号の印加によって振動する共振現象が生じる。
【００４４】
振動部２０の固有振動周波数ｆ0（以下、単に「振動周波数ｆ0」と称する。）と、第１交差部７２及び第２交差部７４（交差部７０）の共振に伴う共振周波数ｆ1と、が近似すると交差部７０の共振によって振動部２０の振動が打ち消され、振動損失が生じる。よって、振動周波数ｆ0と、共振周波数ｆ1と、を離間させることで振動部２０の振動損失を抑止することができる。
【００４５】
そこで、発明者等によって振動周波数ｆ0と共振周波数ｆ1との周波数差ｆΔを段階的に変化（離間）させて、振動子１の振動の良否判定を行う実験を行った。図４は、振動周波数ｆ0に対して、振動周波数ｆ0と共振周波数ｆ1との周波数差ｆΔを百分率で示し、それぞれの周波数差ｆΔにおける振動子１の振動の良否判定を行った結果を示した表である。
【００４６】
図４に示す様に、周波数差ｆΔの割合が±０％、及び±５％の時には、振動部２０の振動周波数ｆ0が交差部７０の共振によって打ち消されることから、不良（図４において「×」印）の判定をした。周波数差ｆΔの割合が±１０％の時には、振動部２０の振動周波数ｆ0が交差部７０の共振によって打ち消されることが少なからず抑制されることから、可（図４において「△」印）の判定をした。周波数差ｆΔの割合が±１５％を超える場合には、振動部２０の振動周波数ｆ0が交差部７０の共振によって打ち消されることが抑制されることから、良（図４において「○」印）の判定をした。周波数差ｆΔの割合が±２０％を超える場合には、振動部２０の振動周波数ｆ0が交差部７０の共振によって打ち消されることがさらに抑制されることから、優（図４において「◎」印）の判定をした。
【００４７】
上述した実験より、振動部２０の振動周波数ｆ0を基準とし、振動周波数ｆ0と交差部７０の共振周波数ｆ1との周波数差ｆΔの割合が±１５％を超えることが有用であることが確認された。
【００４８】
振動子１は、交差部７０の幅や厚み等を調整することで、振動部２０の振動周波数ｆ0と交差部７０の共振周波数ｆ1との周波数差ｆΔを±１５％以上異ならせている。
【００４９】
（振動子１の製造方法）
次に、振動子１の製造方法について説明する。
図５から図１０は、実施形態に係る振動子１の製造方法を工程順に説明する断面図である。図５から図７は、図１において線分Ａ−Ａ’で示す振動子１の断面を模式的に示すものである。また、図８から図１０は、図おいて線分Ｂ−Ｂ’で示す振動子１の断面を模式的に示すものである。なお、図５から図１０において（ａ）から（ｊ）で示す各図は、それぞれ同じ工程における振動子１の製造過程を示すものである。
【００５０】
本実施形態の振動子１を製造する工程は、絶縁部１２、振動部２０、及び電極部３０等が形成される主面１０ａを有する基板１０を準備する工程を含む。また、振動子１を製造する工程は、基板１０上に絶縁部１２を形成する工程と、絶縁部１２上に電極部３０、固定部５０、及び配線部６０を形成する工程と、を含む。さらに、振動子１を製造する工程は、電極部３０に対して間隙３５を有し離間させて振動部２０と、交差部７０と、を形成する工程と、を含む。
【００５１】
（基板１０の準備工程）
図５（ａ）及び図８（ａ）は、振動子１を形成する基板１０が準備された状態を示している。
基板１０を準備する工程は、後述する各工程で絶縁部１２、振動部２０、電極部３０、等が形成される基板１０を準備する工程である。基板１０は、例えば、シリコン基板を用いることができる。なお、振動子１の製造方法の説明においても絶縁部１２、振動部２０、電極部３０、等が形成される基板１０の一方面を主面１０ａと称して各工程を説明する。
【００５２】
（絶縁部１２の形成工程）
図５（ｂ）及び図８（ｂ）は、基板１０の主面１０ａに絶縁部１２が形成された状態を示している。
絶縁部１２を形成する工程は、上述の工程で準備をした基板１０の主面１０ａに絶縁部１２を形成する工程である。
【００５３】
絶縁部１２を形成する工程は、例えば、絶縁部１２としての窒化シリコン（Ｓｉ3Ｎ4）膜をＣＶＤ法によって形成することができる。絶縁部１２を形成する工程は、ＣＶＤ法に限定されることなく、窒素ガスと水素ガスとの雰囲気中で、基板１０としてのシリコン基板を加熱することで窒化シリコン膜を形成しても良い。
絶縁部１２は、基板１０の主面１０ａに対応して、その略全面に形成されるものである。
なお、振動子１の製造方法の説明においても絶縁部１２が形成された側の一方面を主面１２ａと称して各工程を説明する。
【００５４】
（電極部３０及び配線部６０の形成工程）
図５（ｃ）及び図８（ｃ）は、絶縁部１２の主面１２ａ上に電極部３０及び配線部６０が形成された状態を示している。
電極部３０を形成する工程は、上述した基板１０上に絶縁部１２を介して電極部３０を形成する工程である。
電極部３０を形成する工程は、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）等の導電性材料を含む導電層（不図示）をＣＶＤ法によって形成し、導電層をパターニングすることで第１電極３２と、第２電極３４と、第３電極３６と、を形成することができる。
電極部３０を形成する工程は、ＣＶＤ法によって形成された導電層をパターニングする方法に限定されることなく、電極部３０の形成を欲する部分が開口したマスクパターンを主面１２ａに形成し、ＣＶＤ法やＰＶＤ（Physical-Vapour-Deposition）法を用いて電極部３０を形成しても良い。
【００５５】
配線部６０を形成する工程は、例えば、ポリシリコン、アモルファスシリコン、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）等の導電性材料を含む導電層（不図示）をＣＶＤ法によって形成し、導電層をパターニングすることで第１配線６２、第２配線６４、第３配線６６及び第４配線６８を形成することができる。
配線部６０を形成する工程は、ＣＶＤ法によって形成された導電層をパターニングする方法に限定されることなく、配線部６０の形成を欲する部分が開口したマスクパターンを主面１２ａに形成し、ＣＶＤ法やＰＶＤ（Physical-Vapour-Deposition）法を用いて配線部６０を形成しても良い。また、配線部６０は、上述した電極部３０と同時に同工程で形成しても良い。
【００５６】
（犠牲層２１０の形成工程）
図５（ｄ）及び図８（ｄ）は、振動部２０（図７（ｊ）参照）と電極部３０との間、及び交差部７０（図１０（ｊ）参照）と電極部３０との間に間隙３５を設けるための犠牲層２１０が電極部３０及び配線部６０を覆う様に設けられた状態を示している。振動子１は上述の通り、電極部３０に対して、間隙３５を有し離間させて振動部２０、及び交差部７０が設けられている。振動部２０及び交差部７０は、後述する工程で当該犠牲層２１０上に形成される。また、後の工程によって犠牲層２１０が除去されることで電極部３０と、振動部２０及び交差部７０との間に間隙３５を設けることができる。
【００５７】
犠牲層２１０を形成する工程は、上述した間隙３５を設けるための中間層である犠牲層２１０を形成する工程である。犠牲層２１０を形成する工程は、例えば、酸化シリコンを含む犠牲層２１０をＣＶＤ法によって形成することができる。犠牲層２１０を形成する方法は、ＣＶＤ法に限定されることなく、ＰＶＤ法等を用いて、酸化シリコンを含む犠牲層２１０を形成しても良い。なお、犠牲層２１０を構成する材料は、後述する工程で振動部２０、電極部３０、固定部５０、配線部６０、交差部７０等を残置しつつ、犠牲層２１０を除去するため、選択的に当該犠牲層２１０を除去（エッチング）可能な材料である酸化シリコン、もしくは酸化シリコンを含む化合物を用いることが好適である。犠牲層２１０は、酸化シリコン、もしくは酸化シリコンを含む化合物に限定されることはなく、選択的に当該犠牲層２１０を除去することができる材料であれば適宜変更して良い。
【００５８】
（振動部２０、支持部４０、固定部５０、及び交差部７０の形成工程）
図６（ｅ）及び図９（ｅ）は、先の工程で形成した犠牲層２１０上に、固定部５０及び交差部７０（第２交差部７４）（図７（ｊ），図１０（ｊ）参照）を形成するためのマスクパターン２３０が形成された状態を示している。
振動部２０、支持部４０、固定部５０、及び交差部７０を形成する工程（以下、振動部２０を形成する工程として説明する。）は、最初に、振動部２０を支持する支持部４０が接続される固定部５０を形成する部分の犠牲層２１０の除去を行う。また、第２交差部７４を形成する部分の犠牲層２１０の除去を行う。振動部２０の形成工程は、後の工程で固定部５０を第３電極３６と接続させて形成するため、固定部５０が形成される部分の犠牲層２１０を第３電極３６が露出する様に除去を行う。また、振動部２０の形成工程は、後の工程で第２交差部７４を第１電極３２及び第３配線６６と接続させて形成するため、第２交差部７４が形成される部分の犠牲層２１０を第１電極３２及び第３配線６６が露出する様に除去を行う。
【００５９】
振動部２０を形成する工程は、フォトリソグラフィー法を用いて犠牲層２１０上に固定部５０及び第２交差部７４が形成される部分が開口したマスクパターン２３０を形成する。次に、マスクパターン２３０が開口し犠牲層２１０が露出している部分のエッチングを行うことで固定部５０及び第２交差部７４が形成される部分の犠牲層２１０を除去することができる。
なお、図６（ｆ）及び図９（ｆ）は、固定部５０及び第２交差部７４が形成される部分の犠牲層２１０がエッチングされて、第１電極３２、第３電極３６及び第３配線６６の一部が露出している状態を示している。
【００６０】
図６（ｇ）及び図９（ｇ）は、犠牲層２１０上に振動部２０、支持部４０、固定部５０、及び交差部７０の前駆体としての導電層２５０が形成された状態を示している。
振動部２０を形成する工程は、次に、振動部２０、支持部４０、固定部５０、及び交差部７０の前駆体である導電層２５０を犠牲層２１０上及び、前述の工程で露出をさせた第１電極３２及び第３配線６６上に形成する。振動部２０を形成する工程は、犠牲層２１０上にポリシリコンを含む導電層２５０を、例えば、ＣＶＤ法によって形成することができる。
【００６１】
図６（ｈ）及び図１０（ｈ）は、振動部２０、支持部４０、及び固定部５０の前駆体としての導電層２５０上に、振動部２０、支持部４０、固定部５０、及び交差部７０をパターニングするためのマスクパターン２３５が形成された状態を示している。
次に、振動部２０を形成する工程は、振動部２０、支持部４０、固定部５０及び交差部７０として不要な部分の導電層２５０を除去するためのマスクパターン２３５を形成する。振動部２０を形成する工程は、マスクパターン２３５が形成されていない部分、即ち、振動部２０、支持部４０、固定部５０、及び交差部７０として不要な部分の導電層２５０の除去を行う。マスクパターン２３５の形成、及び導電層２５０の除去は、フォトリソグラフィー法によって行うことができる。
なお、図７（ｉ）及び図１０（ｉ）は、振動部２０、支持部４０、固定部５０、及び交差部７０として不要な部分（導電層２５０）が除去された状態を示している。
【００６２】
（犠牲層２１０の除去工程）
図７（ｊ）及び図１０（ｊ）は、先の工程で形成した犠牲層２１０が除去された状態を示している。
犠牲層２１０を除去する工程は、電極部３０と、振動部２０及び交差部７０と、の間に間隙３５を設けるために中間層として一時的に形成された犠牲層２１０を除去する工程である。
犠牲層２１０を除去する工程は、犠牲層２１０を選択的に除去することが求められる。そこで、犠牲層２１０を除去する工程は、例えば、ウエットエッチング法によって犠牲層２１０のエッチング（除去）を行う。ウエットエッチング法による犠牲層２１０の除去は、フッ酸を含むエッチャント（洗浄液）を用いると好適である。フッ酸を含むエッチャントを用いることで、酸化シリコンを含む犠牲層２１０に対するエッチング速度が、振動部２０、電極部３０、支持部４０、固定部５０、及び交差部７０に対するエッチング速度に比べて早いため、犠牲層２１０を選択的、かつ、効率的に除去することができる。
【００６３】
また、電極部３０及び配線部６０の下地膜である絶縁部１２が耐フッ酸性を有する窒化シリコンを含むことで、当該絶縁部１２は、いわゆるエッチングストッパーとして機能することができる。これにより、振動子１は、犠牲層２１０がエッチングされることによる、基板１０と、電極部３０と、の間の絶縁の低下を抑制することができる。
振動子１は、犠牲層２１０が除去されることで、電極部３０と、振動部２０及び交差部７０と、の間に間隙３５を有し離間させて設けることができる。
なお、犠牲層２１０を除去する工程は、ウエットエッチング法に限定されることなく、ドライエッチング法によって行っても良い。
【００６４】
上述した犠牲層２１０を除去することで、振動子１を製造する工程が完了する。
【００６５】
上述した実施形態によれば、以下の効果が得られる。
この様な振動子１によれば、振動周波数ｆ0と共振周波数ｆ1とを離間させることで、振動部２０の振動損失が抑制された高いＱ値を備えた特性を得ることができる。
また、振動周波数ｆ0を基準とし、振動周波数ｆ0と共振周波数ｆ1との周波数差ｆΔの割合が±１５％を超えることで、さらに振動部２０の振動損失を抑制することができる。
また、この様な振動子１は、振動部２０と電極部３０とが対応する面積が減縮されないため、振動に伴う電気信号を低下させることなく出力することができる。
【００６６】
なお、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００６７】
［変形例］
図１１から図１３は、変形例に係る振動子の交差部を拡大して模式的に示す図であり、図１で示した固定部間に設けられている第１交差部と、第１配線と第３配線との間に設けられている第２交差部と同等の部分を示すものである。
変形例に係る振動子は、交差部の幅や厚み等の形状が異なる。以下に相違点を説明し、同一の構成、及び製造工程については説明を一部省略する。
【００６８】
［変形例１］
図１１は、変形例１に係る振動子の交差部を拡大して示す模式図である。図１１（ａ）は、固定部間に設けられている第１交差部を拡大して示す模式図である。また、図１１（ｂ）は、第１電極と第３配線との間に設けられている第２交差部を拡大して示す模式図である。
変形例１に係る振動子１ａは、交差部７０のうち、電極部３０と間隙３５を有して重なる部分の幅が異なる点で実施形態において上述した振動子１とは異なる。
【００６９】
図１１（ａ）、及び図１１（ｂ）に示す様に、振動子１ａの第１交差部１７２及び第２交差部１７４は、少なくとも電極部３０と間隙３５を有し、平面視において重なる部分の幅が広く設けられている。より詳しくは、交差部７０と電極部３０とが間隙３５を有し、平面視において重なる部分の交差部７０の幅は、交差部７０が延設する第１の方向と交差する第２の方向に広く設けられている。
【００７０】
これにより、電極部３０と交差部７０との対向面積が増加するとともに、電極部３０と交差部７０との間に生じる電荷が増加し、交差部７０の共振周波数ｆ1を変化させることができる。よって、振動部２０の振動周波数ｆ0と交差部７０の共振周波数ｆ1とを異ならせることができる。したがって、この様な振動子１ａは、交差部７０の幅を広くすることで振動部２０の振動周波数ｆ0と、交差部７０の共振周波数ｆ1とを離間させ、振動部２０の振動損失が抑制された高いＱ値を備えた特性を得ることができる。
【００７１】
なお、振動子１ａは、交差部７０の幅は広く設けることに限定されず、その幅を狭く設けても良い。振動子１ａは、交差部７０の幅が狭く設けられている場合には、交差部７０と電極部３０とが離間して対向する面積を減少するとともに、交差部７０と電極部３０との間に生じる電荷が減少することで交差部７０の共振周波数ｆ1を調整することができる。
【００７２】
［変形例２］
図１２は、変形例２に係る振動子の交差部を拡大して示す模式図である。図１２（ａ）は、固定部間に設けられている第１交差部を拡大して示す模式図である。また、図１２（ｂ）は、第１電極と第３固定部との間に設けられている第２交差部を拡大して示す模式図である。
変形例２に係る振動子１ｂは、少なくとも電極部３０と離間して設けられている交差部７０の部分に貫通穴１７６が設けられている点で実施形態、及び変形例１において上述した振動子１，１ａとは異なる。
【００７３】
図１２（ａ）、及び図１２（ｂ）に示す様に、振動子１ｂの第１交差部１７２及び第２交差部１７４は、平面視において電極部３０と離間して重なる部分に貫通穴１７６が設けられている。
【００７４】
これにより、振動子１ｂは、電極部３０と交差部７０との対向面積を貫通穴１７６で調整することができる。よって、振動子１ｂは、電極部３０と交差部７０との間に生じる電荷を調整するとともに、交差部７０の共振周波数ｆ1を変化させることができる。また、振動子１ｂは、交差部７０に貫通穴１７６が設けられていることで、交差部７０の靱性を弱めることで交差部７０の共振周波数ｆ1を調整することができる。
したがって、この様な振動子１ｂは、電極部３０と交差部７０との間に生じる電荷、及び交差部７０の靱性によって交差部７０の共振周波数ｆ1を調整することで、振動子１ｂの振動周波数ｆ0と交差部７０の共振周波数ｆ1とを離間させ、振動部２０の振動損失が抑制された高いＱ値を備えた特性を得ることができる。
【００７５】
［変形例３］
図１３は、変形例３に係る振動子の交差部を拡大して示す模式図である。図１３（ａ）は、固定部間に設けられている第１交差部の断面を拡大して示す模式図である。また、図１３（ｂ）は、第１電極と第３固定部との間に設けられている第２交差部の断面を拡大して示す模式図である。
変形例３に係る振動子１ｃは、平面視において少なくとも、交差部７０と電極部３０とが重なる部分において交差部７０の厚みが異なっている点で実施形態、変形例１、及び変形例２において上述した振動子１，１ａ，１ｂとは異なる。
【００７６】
図１３（ａ）、及び図１３（ｂ）に示す様に、例えば、振動子１ｃの第１交差部２７２及び第２交差部２７４は、電極部３０と間隙３５を有して重なる部分の厚みが厚く設けられている。より詳しくは、交差部７０が延設されている第１の方向、及び当該第１の方向と交差する交差部７０の幅となる第２の方向と、交差する第３の方向における交差部７０の厚みが厚く設けられている。
【００７７】
この様な振動子１ｃは、交差部７０の厚みを厚く設けた場合、交差部７０の靱性が高まることで交差部７０の共振周波数ｆ1を調整することができる。
したがって、この様な振動子１ｃは、交差部７０の厚みを異ならせることで振動周波数ｆ0と、共振周波数ｆ1とを離間させ、振動部２０の振動損失が抑制された高いＱ値を備えた特性を得ることができる。
なお、交差部７０の厚みが異なる部分は、交差部７０を薄く設けても良い。交差部７０の厚みを薄く設けた場合は、交差部７０の靱性が弱まることで交差部７０の共振周波数ｆ1を調整することができる。
【００７８】
なお、上述した振動子１、または振動子１ａから１ｃは、振動部２０へ励振信号を与える励振回路と、振動部２０の振動に伴う電気信号を増幅する増幅回路と、などを含み構成される回路部（不図示）と組合せることで発振器（不図示）として用いることができる。この様な発振器によれば、交差部７０の共振による振動損失が抑制された振動子１、または振動子１ａから１ｃが搭載されることで、振動に伴う電気信号の出力を高めることができる。
【００７９】
［実施例］
本発明の一実施形態に係る振動子１、振動子１ａから１ｃ（以下、総括して振動子１として説明する。）のいずれかを適用した実施例について、図１４から図１７を参照しながら説明する。
【００８０】
［電子機器］
本発明の一実施形態に係る振動子１を適用した電子機器について、図１４から図１６を参照しながら説明する。
【００８１】
図１４は、本発明の一実施形態に係る振動素子を備える電子機器としてのラップトップ型（またはモバイル型）のパーソナルコンピューターの構成の概略を示す斜視図である。この図において、ラップトップ型パーソナルコンピューター１１００は、キーボード１１０２を備えた本体部１１０４と、表示部１００８を備えた表示ユニット１１０６とにより構成され、表示ユニット１１０６は、本体部１１０４に対しヒンジ構造部を介して回動可能に支持されている。この様なラップトップ型パーソナルコンピューター１１００には、そのラップトップ型パーソナルコンピューター１１００に加えられる加速度等を検知して表示ユニット１１０６に加速度等を表示するための加速度センサー等として機能する振動子１が内蔵されている。この様な振動子１を内蔵することで、共振による振動損失が抑制されているため、信頼性の高いラップトップ型パーソナルコンピューター１１００を得ることができる。
【００８２】
図１５は、本発明の一実施形態に係る振動子を備える電子機器としての携帯電話機（ＰＨＳも含む）の構成の概略を示す斜視図である。この図において、携帯電話機１２００は、複数の操作ボタン１２０２、受話口１２０４及び送話口１２０６を備え、操作ボタン１２０２と受話口１２０４との間には、表示部１２０８が配置されている。この様な携帯電話機１２００には、携帯電話機１２００に加えられる加速度等を検知して、当該携帯電話機１２００の操作を補助するための加速度センサー等として機能する振動子１が内蔵されている。この様な振動子１を内蔵することで、共振による振動損失が抑制されているため、信頼性の高い携帯電話機１２００を得ることができる。
【００８３】
図１６は、本発明の一実施形態に係る振動子を備える電子機器としてのデジタルスチールカメラの構成の概略を示す斜視図である。なお、この図には、外部機器との接続についても簡易的に示されている。ここで、通常のカメラは、被写体の光像により銀塩写真フィルムを感光するのに対し、デジタルスチールカメラ１３００は、被写体の光像をＣＣＤ（Charge  Coupled  Device）等の撮像素子により光電変換して撮像信号（画像信号）を生成する。
デジタルスチールカメラ１３００におけるケース（ボディー）１３０２の背面には、表示部１３０８が設けられ、ＣＣＤによる撮像信号に基づいて表示を行う構成になっており、表示部１３０８は、被写体を電子画像として表示するファインダーとして機能する。また、ケース１３０２の正面側（図中裏面側）には、光学レンズ（撮像光学系）やＣＣＤ等を含む受光ユニット１３０４が設けられている。
撮影者が表示部１３０８に表示された被写体像を確認し、シャッターボタン１３０６を押下すると、その時点におけるＣＣＤの撮像信号が、メモリー１３１０に転送・格納される。また、このデジタルスチールカメラ１３００においては、ケース１３０２の側面に、ビデオ信号出力端子１３１２と、データ通信用の入出力端子１３１４とが設けられている。そして、図示される様に、ビデオ信号出力端子１３１２には液晶ディスプレイ１４３０が、データ通信用の入出力端子１３１４にはパーソナルコンピューター１４４０が、それぞれ必要に応じて接続される。さらに、所定の操作により、メモリー１３１０に格納された撮像信号が、液晶ディスプレイ１４３０や、パーソナルコンピューター１４４０に出力される構成になっている。この様なデジタルスチールカメラ１３００には、その落下からデジタルスチールカメラ１３００を保護する機能を動作させるため、落下による加速度を検知する加速度センサーとして機能する振動子１が内蔵されている。この様な振動子１を内蔵することで、共振による振動損失が抑制されているため、信頼性の高いデジタルスチールカメラ１３００を得ることができる。
【００８４】
なお、本発明の一実施形態に係る振動子１は、図１４のラップトップ型パーソナルコンピューター（モバイル型パーソナルコンピューター）、図１５の携帯電話機、図１６のデジタルスチールカメラの他にも、例えば、インクジェット式吐出装置（例えばインクジェットプリンター）、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター等の電子機器に適用することができる。
【００８５】
［移動体］
図１７は移動体の一例としての自動車を概略的に示す斜視図である。自動車１５００は、加速度センサーとして機能する振動子１が各種制御ユニットに搭載されている。例えば、同図に示す様に、移動体としての自動車１５００には、当該自動車１５００の加速度を検知する振動子１を内蔵してエンジンの出力を制御する電子制御ユニット（ＥＣＵ：electronic  Control  Unit）１５０８が車体１５０７に搭載されている。加速度を検知して車体１５０７の姿勢に応じた適切な出力にエンジンを制御することで、燃料等の消費を抑制した効率的な移動体としての自動車１５００を得ることができる。
また、振動子１は、他にも、車体姿勢制御ユニット、アンチロックブレーキシステム（ＡＢＳ）、エアバック、タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム（ＴＰＭＳ：Tire  Pressure  Monitoring  System）、に広く適用できる。
この様な振動子１が搭載されることで、共振による振動損失が抑制されているため、信頼性の高い移動体１５００を得ることができる。
【符号の説明】
【００８６】
１，１ａ，１ｂ，１ｃ…振動子、１０…基板、１０ａ…主面、１２…絶縁部、１２ａ…主面、２０…振動部、２０ｃ…振動の節、２０ｐ…振動の腹、２２…第１振動体、２４…第２振動体、３０…電極部、３２…第１電極、３４…第２電極、３５…間隙、３６…第３電極、４０…支持部、５０…固定部、６０…配線部、６２…第１配線、６４…第２配線、６６…第３配線、６８…第４配線、７０…交差部、７２，１７２，２７２…第１交差部、７４，１７４，２７４…第２交差部、１７６…貫通穴、２１０…犠牲層、２３０，２３５…マスクパターン、２５０…導電層、１１００…ラップトップ型パーソナルコンピューター、１２００…携帯電話機、１３００…デジタルスチールカメラ、１５００…自動車。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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