(57)【要約】【課題】コネクタ部分の接触不良を検出して、半導体スイッチの損傷を防止することが可能な超音波装置を提供する。【解決手段】実施形態の超音波診断装置は、プローブと本体と検出手段とを有し、プローブと本体と検出手段とを有し、プローブは、半導体スイッチに第１コネクタ部分からの所定のバイアス電圧を印加した状態で、第１コネクタ部分から受ける制御信号により、オンした第１スイッチ素子に対応する振動子に高電圧のパルスが送信可能に構成された半導体切替部を備える。本体は、第１コネクタ部分及び第２コネクタ部分を含むコネクタを介して制御信号を半導体スイッチに送信する制御部と、コネクタ及び第１スイッチ素子を介してパルスを振動子に送信するパルス発生部と、を備える。検出手段は、パルス発生部がパルスを送信する前に、制御信号が半導体スイッチに送信されたとき、コネクタを介して受ける所定のバイアス電圧が半導体スイッチに印加されたかどうかを検出する。【選択図】図３
2014176521.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１コネクタ部分と、超音波の送受信を行う複数の振動子と、各振動子に対応する第１スイッチ素子を含む半導体スイッチを有し、前記半導体スイッチに前記第１コネクタ部分からの所定のバイアス電圧を印加した状態で、前記第１コネクタ部分から受ける制御信号により、オンした前記第１スイッチ素子に対応する振動子に高電圧のパルスが送信可能に構成された半導体切替部と、を備えたプローブと、
前記第１コネクタ部分と嵌合する第２コネクタ部分を介して、前記プローブと接続され、前記第１コネクタ部分及び前記第２コネクタ部分を含むコネクタを介して前記制御信号を前記半導体スイッチに送信する制御部と、前記コネクタを介して前記半導体スイッチに所定のバイアス電圧を供給するバイアス電源と、前記コネクタ及び前記第１スイッチ素子を介して前記パルスを前記振動子に送信するパルス発生部と、を備えた本体と、
前記パルス発生部がパルスを送信する前に、前記制御信号が前記半導体スイッチに送信されたとき、前記コネクタを介して受ける前記所定のバイアス電圧が前記半導体スイッチに印加されたかどうかを検出する検出手段と、
を有すること、
を特徴とする超音波診断装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記検出手段が前記所定のバイアス電圧が前記半導体スイッチに印加されないことを検出したとき、前記第１スイッチ素子に前記パルスを送信しないように前記パルス発生部を制御すること、
を特徴とする請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記検出手段が前記所定のバイアス電圧が前記半導体スイッチに印加されたことを検出した後に、前記第１スイッチ素子に前記パルスを送信するように前記パルス発生部を制御すること、
を特徴とする請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項４】
前記半導体スイッチは、前記バイアス電圧が印加される前記半導体スイッチの端子と並列に接続される一方の端子と、前記第２コネクタ部分に接続される他方の端子とを有し、前記一方の端子と前記他方の端子間をオン、オフする第２スイッチ素子をさらに有し、
前記検出手段は、前記制御信号を受けて、前記第２スイッチ素子がオンしたときに、前記コネクタを介して前記第２スイッチ素子の他方の端子側の電圧値を前記本体にて検出すること、
を特徴とする請求項１に記載の超音波診断装置。
【請求項５】
前記バイアス電源は、約２００［Ｖ］であること、
を特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載の超音波診断装置。
【請求項６】
前記制御部は、前記半導体スイッチにおける前記第１スイッチ素子及び前記第２スイッチ素子のオン、オフを制御する前記制御信号を生成する信号生成部を有すること、
を特徴とする請求項４に記載の超音波診断装置。
【請求項７】
一端部が前記第１スイッチ素子に接続され、他端部が前記第１コネクタ部分に接続されるプローブ側のラインと、一端部が前記パルス発生部に接続され、他端部が前記第２コネクタ部分に接続される本体側のラインとを有し、
前記コネクタにより前記プローブ側のラインの他端部と前記本体側のラインの他端部とが接続されたとき、前記パルス発生部から生成された前記パルスを、前記本体側のラインから前記プローブ側のラインに通し、前記第１スイッチ素子に送信可能に構成されること、
を特徴とする請求項４または請求項６に記載の超音波診断装置。
【請求項８】
前記プローブは、複数の前記半導体スイッチを有し、
前記複数の半導体スイッチは、縦列接続されていること、
を特徴とする請求項１から請求項７のいずれかに記載の超音波診断装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、超音波診断装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
超音波診断装置は、超音波パルス反射法により生体内の対象物の断層像を無侵襲に得ることができ、Ｘ線診断装置、Ｘ線ＣＴ装置、ＭＲＩ診断装置、核医学診断装置などの他の診断装置に比べて、小型で安価、リアルタイム表示が可能、Ｘ線などによる被ばくがなく安全性が高い、血流イメージングが可能などの特長を有している。
【０００３】
超音波診断装置は、本体とプローブ（Ｐｒｏｂｅ）とを有している。プローブは、複数の種類が用意され、対象物に対し使い分けられ、本体側のコネクタ部分とプローブ側のコネクタ部分とを互いに嵌合させることにより、本体と接続されて使用される。
【０００４】
プローブは、超音波の送受信を行う複数の振動子と、各振動子に対応して設けられ、振動子を切り換えるスイッチ素子と、スイッチ素子のオン、オフ制御をするロジック回路とを有する。このように、プローブ内に振動子を切り換えるスイッチ素子をもつことにより、本体がもっている送受信回路の数を超える振動子の駆動が可能となる。なお、「超音波の送受信」を、単に「駆動」という場合がある。
【０００５】
図１は、振動子の駆動回路の参照図である。図１に、第１スイッチ素子２５の端子Ｔ１、Ｔ２間に印加されるバイアス電圧の一例を示す。
【０００６】
図１に示すように、振動子２２の駆動回路は、第１スイッチ素子２５を有する。本体１側は、送受信回路１１とバイアス電源１２とを有する。
【０００７】
第１スイッチ素子２５の一例として、金属酸化膜半導体（Ｍｅｔａｌ  Ｏｘｉｄｅ  Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ：ＭＯＳ）アナログスイッチが用いられる。ＭＯＳアナログスイッチの特長としては、アナログスイッチのゲートＧに適正なバイアス電圧がかからないときに（ＭＯＳＦＥＴがＯＦＦ状態時)、送受信回路１１から高電圧のパルスがドレインＤ・ソースＳにかかると、損傷する可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−０５０５３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、プローブ２は、上記のように目的に応じて、あるいは、使用時／収納時に着脱されることが多い。そのようなことから、本体１側のコネクタ部分とプローブ２側のコネクタ部分との接触不良を原因として、プローブ２内の第１スイッチ素子２５の端子間に適正なバイアス電圧が印加されない状態となる、または、ロジック回路に適切な制御信号が入力されないで、第１スイッチ素子２５がＯＦＦ状態となる、という事象が発生する場合がある。このような状態のとき、高電圧のパルス（例えば１００Ｖｐ−ｐ程度）が第１スイッチ素子２５のドレインＤ・ソースＳにかかると、第１スイッチ素子２５が損傷するおそれがあるという問題点があった。
【００１０】
なお、第１スイッチ素子２５が損傷しないように、損傷を防止するための対策を講じると、その分コストが嵩むという問題点もあった。
【００１１】
この実施形態は、上記の問題を解決するものであり、コネクタ部分の接触不良を検出して、半導体スイッチの損傷を防止することが可能な超音波装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、実施形態の超音波診断装置は、プローブと、本体と、検出手段とを有する。プローブは、第１コネクタ部分と、超音波の送受信を行う複数の振動子と、各振動子に対応する第１スイッチ素子を含む半導体スイッチを有し、半導体スイッチに第１コネクタ部分からの所定のバイアス電圧を印加した状態で、第１コネクタ部分から受ける制御信号により、オンした第１スイッチ素子に対応する振動子に高電圧のパルスが送信可能に構成された半導体切替部と、を備えた。本体は、第１コネクタ部分と嵌合する第２コネクタ部分を介して、プローブと接続され、第１コネクタ部分及び第２コネクタ部分を含むコネクタを介して制御信号を半導体スイッチに送信する制御部と、コネクタを介して半導体スイッチに所定のバイアス電圧を供給するバイアス電源と、コネクタ及び第１スイッチ素子を介してパルスを振動子に送信するパルス発生部と、を備えた。検出手段は、パルス発生部がパルスを送信する前に、制御信号が半導体スイッチに入力されたとき、コネクタを介して受ける所定のバイアス電圧が半導体スイッチに印加されたかどうかを検出する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】振動子の駆動回路の参照図。
【図２】振動子の駆動回路の部分図。
【図３】第１実施形態に係る振動子の駆動回路図。
【図４】超音波診断装置の機能ブロック図。
【図５】振動子を駆動するときの一連の動作を示すフローチャート。
【図６】第２実施形態に係る振動子の駆動回路図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
［第１実施形態］
超音波診断装置の第１実施形態について各図を参照して説明する。
先ず、振動子の駆動回路の参照例について、図２を参照して簡単に説明する。図２は、振動子２２の駆動回路の部分図である。
【００１５】
図１に示すように、超音波診断装置は、本体１とプローブ２とを有する。プローブ２は、複数の種類が用意され、対象物に対し使い分けられる。プローブ２は、本体１側のコネクタ部分Ｃ１とプローブ２側のコネクタ部分Ｃ２とを互いに嵌合させることにより、本体１と接続されて使用される。
【００１６】
本体１は、コネクタ部分Ｃ１の他に、送受信回路１１、バイアス電源１２及び制御部１３を有する。プローブ２は、コネクタＣ１に嵌合し、一対のコネクタを形成するコネクタ部分Ｃ２の他に、振動子２２及び半導体切替部２３を有する。振動子２２はプローブ２のヘッド２１に配置される。半導体切替部２３は、半導体スイッチ２４を有する。半導体スイッチ２４は、第１スイッチ素子２５及びロジック回路２７を有する。
【００１７】
（送受信回路）
送受信回路１１は、高電圧のパルスを生成して、コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２およびオン状態の第１スイッチ素子２５を介して振動子２２に送信する（パルス発生部）。また、送受信回路１１は、振動子２２により受波され、電気信号に変換されたエコー信号を受信する。
【００１８】
（バイアス電源）
バイアス電源１２は、正電源（＋１００Ｖ）および負電源（−１００Ｖ）を有し、コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２を介して、半導体スイッチ２４の端子Ｔ１、Ｔ２に印加される。図１に正電源が印加される端子をＴ１（ＨＶＰ）で示し、負電源が印加される端子をＴ２（ＨＶＮ）で示す。半導体スイッチ２４がバイポーラ型のとき、このように、バイアス電源１２が正電源および負電源を有する。仮に、半導体スイッチ２４がユニポーラ型のときには、バイアス電源１２は、正電源（例えば、+２００Ｖ）または負電源（例えば、−２００Ｖ）のいずれかを有する。
【００１９】
（制御部）
制御部１３は、第１スイッチ素子２５及び第２スイッチ素子２６（図３参照）のオン、オフを制御する制御信号を生成する信号生成部を有する。信号生成部により生成された制御信号は、コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２を介して、ロジック回路２７に入力される。
【００２０】
（半導体スイッチ、ロジック回路、第１スイッチ素子）
ロジック回路２７は、制御部１３から制御信号を受けて、第１スイッチ素子２５及び第２スイッチ素子２６（図３参照）のオン、オフを制御する。「制御信号」は、制御部１３から送られてくる信号でいずれかの第１スイッチ素子２５及び第２スイッチ素子２６をオン、オフするか決める制御信号であって、ロジック回路２７から第１スイッチ素子２５及び第２スイッチ素子２６に送られる制御信号が含まれる。なお、第２スイッチ素子２６については後述する。
【００２１】
図２は、半導体スイッチ２４の中の第１スイッチ素子２５または第２スイッチ素子２６の一つを代表して、模式的に示した図である。第１スイッチ素子２５または第２スイッチ素子２６の一例として、ＭＯＳ（金属酸化膜半導体）アナログスイッチが用いられる。
【００２２】
図２では、第１スイッチ素子２５を代表して示す。図２で、第１スイッチ素子２５がそのドレインＤ、ソースＳ間をオン、オフする。ドレインＤ、ソースＳ間をオンするとき、バイアス回路２８は、端子Ｔ１、Ｔ２からバイアス電源１２（図１参照）を受けて、高圧パルスをパスするのに適切なバイアス電圧を生成し、ゲートに印加している。そして、ロジック回路２７は、本体１側の制御部１３からの指示に従い、いずれかの第１スイッチ素子２５をオンオフ制御するための論理信号を生成して、バイアス回路２８のバイアスを制御することで第１スイッチ素子２５のオン、オフの制御をしている。
【００２３】
（各種ライン）
本体１側の制御用ラインＬ１は、一端部が制御部１３に接続され、他端部がコネクタＣ１に接続される。プローブ２側の制御用ラインＬ１は、一端部がロジック回路２７に接続され、他端部がコネクタＣ２に接続される。なお、「制御信号」には、オン、オフ制御を行う制御データの他に、クロック信号ＣＬＫおよびイネーブル信号ＣＬＥが含まれる。
クロック信号の立上がりタイミングで、制御データ（オン／オフ制御データ）が半導体スイッチ２４の内部レジスタに格納され、イネーブル信号が入力される事により半導体スイッチ２４内の全スイッチのオン／オフが動作する。なお、制御用ラインＬ１には、ロジック回路２７にロジック回路用電源（５Ｖまたは３．３Ｖ）を供給するための電源ラインも含まれている。
【００２４】
例えば、コネクタ部分Ｃ１は、プラグまたはソケットの一方でありコネクタ部分Ｃ２は、プラグまたはソケットの他方である。ここで、「接続」とは、制御用ラインＬ１を含む以下の各種ラインを接続することをいう。また、コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２の「嵌合」とは、コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２の端子同士の嵌合をいうものとする。以下、同様である。
【００２５】
また、本体１側のパルス用ラインＬ２は、一端部が送受信回路１１に接続され、他端部がコネクタＣ１に接続される。プローブ２側のパルス用ラインＬ２は、一端部が第１スイッチ素子２５に接続され、他端部がコネクタＣ２に接続される。
【００２６】
さらに、本体１側のバイアス用ラインＬ３は、一端部がバイアス電源１２に接続され、他端部がコネクタＣ１に接続される。プローブ２側のバイアス用ラインＬ３は、一端部が、半導体スイッチ２４内のバイアス回路２８に接続され、他端部がコネクタＣ２に接続される。
【００２７】
コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２を相互に嵌合することにより、本体１側の制御用ラインＬ１とプローブ２側の制御用ラインＬ１とを接続し、さらに、本体１側のパルス用ラインＬ２とプローブ２側のパルス用ラインＬ２とを接続し、さらに、本体１側のバイアス用ラインＬ３とプローブ２側のパルス用バイアスＬ３とを接続するように構成される。
【００２８】
本体１側とプローブ２側との各ラインＬ１、Ｌ２、Ｌ３が接続されることで、制御信号（ロジック回路用電源を含む）、パルス、及び、バイアス電圧が、本体１からプローブ２に送られることとなる。
【００２９】
（コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２の接触不良）
以上のような振動子２２の駆動回路の参照例において、コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２が接触不良のとき、バイアス用ラインＬ３が接続不良となる。また、制御用ラインＬ１が接続不良となる。これらの接続不良により、半導体スイッチ２４に適正なバイアス電圧がかからない状態となる。この状態で、高電圧のパルスを第１スイッチ素子２５にかかると、その第１スイッチ素子２５が損傷してしまうことは、前述した通りである。
【００３０】
コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２が接触不良であるかどうかを、パルスを送信する前に確認する。その確認は、第１スイッチ素子２５に印加された電圧（図１に示す端子Ｔ１、Ｔ２の電圧）を検出すればよい。この検出された電圧が所定のバイアス電圧でないとき、第１スイッチ素子２５にパルスを送信せず、検出された電圧が所定のバイアス電圧であるとき、第１スイッチ素子２５にパルスを送信するように送受信回路を制御することで、第１スイッチ素子２５の損傷を防止することが可能となる。
【００３１】
したがって、第１スイッチ素子２５の損傷を防止するために、例えば、バイアス電圧を検出する検出手段を設け、検出手段による検出信号に基づいて送受信回路１１を制御するように制御部１３を構成する。
【００３２】
図３は振動子の駆動回路図である。図３に、バイアス電圧が印加される端子Ｔ１、T2と並列に接続される一方の端子Ｔ３と、第２コネクタ部分Ｃ２に接続される他方の端子Ｔ４とを有す半導体スイッチ２４を示す。
【００３３】
〔検出手段〕
図３に示すように、検出手段は、第２スイッチ素子２６と、検出用ラインＬ４と、電圧検出回路１４と、を有する。
【００３４】
（第２スイッチ素子２６）
第２スイッチ素子２６は、第１スイッチ素子２５と同じＭＯＳアナログスイッチである。第２スイッチ素子２６は、プローブ２側に配置され、半導体スイッチ２４の端子Ｔ３、Ｔ４間をオン、オフするように構成される。
【００３５】
（検出用ラインＬ４）
検出用ラインＬ４は、一端が端子Ｔ３に接続され、他端がコネクタ部分Ｃ２に接続されるラインと、一端が端子Ｔ４に接続され、他端がコネクタ部分Ｃ２に接続されるラインと、一端が電圧検出回路１４に接続され、他端がコネクタ部分Ｃ１に接続されるラインとを有する。
【００３６】
（電圧検出回路１４）
電圧検出回路１４は、本体１側に配置され、制御信号が送られ、第２スイッチ素子２６がオンしたときに、コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２を介して第２スイッチ素子２６の他方の端子Ｔ４側の電圧値を検出する。
【００３７】
〔制御部１３〕
制御部１３は、前述するように信号生成部を有する。信号生成部は、いずれかの第１スイッチ素子２５をオンするように制御信号を生成するとき、第２スイッチ素子２６をオンするように制御信号を生成する。すなわち、ロジック回路２７が制御信号を受けて、いずれかの第１スイッチ素子２５をオンし、端子Ｔ１、Ｔ２間にバイアス電圧が印加される。このとき、さらに、ロジック回路２７が制御信号を受けて、第２スイッチ素子２６をオンする。このとき、電圧検出回路１４は、第２スイッチ素子２６の端子Ｔ４側の電圧値を検出する。
【００３８】
電圧検出回路１４が所定のバイアス電圧を検出しないとき、パルスを第１スイッチ素子２５に送信しないように送受信回路１１を制御する。バイアス電圧を検出しているとき、パルスを送信していないので、そのままの状態を維持する。電圧検出回路１４が所定のバイアス電圧を検出した後に、パルスを第１スイッチ素子２５に送信するように送受信回路１１を制御する。
【００３９】
次に、超音波診断装置の基本的な構成について図４を参照して説明する。図４は、超音波診断装置の構成ブロック図である。
図４に示すように、超音波診断装置においては、超音波の送受信を行う振動子２２を有するプローブ２が、パルス用ライン（ケーブル）により本体１内の送受信回路１１に接続されている。
【００４０】
送受信回路１１は、振動子２２に印加されるパルス（送信信号）を発生するとともに、振動子２２からの受信信号（受信エコー）の増幅等の処理を行う。この増幅された受信信号（場合によってはデジタルデータへの変換も実施された信号）は、信号処理系３に与えられ、ここでＢモード像、ドプラ像、Ｍモード像のごとき超音波画像用の信号データが得られる。この信号データを表示系４にてビデオフォーマットに変換し、モニタ５等の画像表示機器に超音波画像として出力する。
【００４１】
〔動作〕
以上に、超音波診断装置の構成について説明した。
次に、振動子２２を駆動するときの動作について図５を参照して説明する。図５は、振動子を駆動するときの一連の動作を示すフローチャートである。
【００４２】
図５に示すように、制御部１３が、いずれかの第１スイッチ素子２５をオンするように制御したとき（Ｓ１０１：Ｙｅｓ）、コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２の接触不良でなければ、第１スイッチ素子２５に所定のバイアス電圧（例えば＋１００Ｖ、−１００Ｖ）が送られる。また、第２スイッチ素子２６を経由して本体１側の電圧検出回路１４にバイアス電圧が送られる。さらに、ロジック回路２７に制御信号が送られる。
【００４３】
これとは反対に、コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２の接触不良であれば、第１スイッチ素子２５に所定のバイアス電圧が送られない。また、第２スイッチ素子２６を経由して本体１側の電圧検出回路１４にバイアス電圧が送られない。さらに、ロジック回路２７に制御信号が送られない。
【００４４】
制御部１３が送受信回路１１に対してパルスの送信をさせない。電圧検出回路１４は、第２スイッチ素子２６の端子Ｔ４の電圧値を本体１にて電圧検出回路１４が検出する（Ｓ１０２）。
【００４５】
制御部１３は、検出値が所定のバイアス電圧かどうかを判断する（Ｓ１０３）。制御部１３は、検出値が所定のバイアス電圧であると判断したとき（Ｓ１０３：Ｙｅｓ）、その後、パルスを送信するように送受信回路１１を制御する（Ｓ１０４）。制御部１３は、検出値が所定のバイアス電圧でないと判断したとき（Ｓ１０３：Ｎｏ）、パルスを第１スイッチ素子２５に送信しないように送受信回路１１を制御する（Ｓ１０５）。
【００４６】
したがって、コネクタ部分Ｃ１、Ｃ２の接触不良により、第１スイッチ素子２５にバイアス電圧が供給されなかったり、制御部１３により制御信号が正常に送られなかったりしたとき、電圧検出回路１４が所定のバイアス電圧を検出しないので、制御部１３がパルスを第１スイッチ素子２５に送信しないように送受信回路１１を制御することで、第１スイッチ素子２５の損傷を防止することが可能となる。
【００４７】
［第２実施形態］
次に、第２実施形態に係る振動子の駆動回路について図６を参照して説明する。図６は振動子を駆動するときの一連の動作を示すフローチャートである。
【００４８】
なお、第２実施形態において、第１実施形態と同じ構成については同一番号を付してその説明を省略し、異なる構成について主に説明する。
【００４９】
第１実施形態では、振動子２２に対して設けられる第１スイッチ素子２５を有する半導体スイッチ２４が一つのものを示したが、切り換えるべき振動子２２の数が多い場合や、制御信号の転送時間を短くする場合に、異なる複数の制御信号Ｄｉｎ０、Ｄｉｎ１を使用すればよい。そして、このような場合、複数の半導体スイッチ２４を縦列接続する。
【００５０】
図６に、異なる制御信号を、ＳＷ制御データ＿０（Ｄｉｎ０）とＳＷ制御データ＿１（Ｄｉｎ１）で示し、縦列接続された二つの半導体スイッチ２４を示す。
【００５１】
複数の半導体スイッチ２４が縦列接続されることで、各制御信号が正しく各半導体スイッチ２４に入力されているか否かを検出することができる。また、複数の半導体スイッチ２４に制御信号を並行して転送すれば、複数の半導体スイッチ２４の転送にかかる時間が、一つの半導体スイッチ２４の動作にかかる時間（例えば、１６×４［ｃｌｏｃｋ］）と同じ時間となり、全体の転送時間を短くすることが可能となる。
【００５２】
なお、前記実施形態では、検出手段の一例として、本体１側の電圧検出回路１４で、第２スイッチ素子２６の端子Ｔ４側の電圧値を検出するものを示したが、検出手段は、端子Ｔ４側の電圧値を検出するものであればよく、これに限らない。
【００５３】
検出手段としては、例えば、電圧検出回路１４をプローブ２側に設け、端子Ｔ４の電圧値を検出し、検出結果を本体１側に送るようにし、検出された結果に基づいて、本体１側の制御部１３が制御信号を生成するように構成すればよい。また，検出結果を本体１側へ送る時際にフォトカプラ等の絶縁素子を用いても良い。
【００５４】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、書き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるととともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５５】
Ｃ  コネクタ
Ｃ１  コネクタ部分
Ｃ２  コネクタ部分
Ｌ１  制御用ライン
Ｌ２  パルス用ライン
Ｌ３  バイアス用ライン
Ｌ４  検出用ライン
１  本体
１１  送受信回路
１２  バイアス電源
１３  制御部
１４  電圧検出回路
２  プローブ
２１  ヘッド
２２  振動子
２３  半導体切替部
２４  半導体スイッチ
２５  第１スイッチ素子
２６  第２スイッチ素子
２７  ロジック回路
【図１】
2014176521.tif 000003
【図２】
2014176521.tif 000004
【図３】
2014176521.tif 000005
【図４】
2014176521.tif 000006
【図５】
2014176521.tif 000007
【図６】
2014176521.tif 000008