(57)【要約】【課題】消費電力およびスタートアップ時間を増加させることなく、出力電流又は出力電圧を目標値に調整することができ、出力電流又は出力電圧の温度依存性を最小化できる電流生成回路を提供する。【解決手段】出力電圧又は電流の温度特性を最小化するとともに、出力値を目標値に合わせることができる電流生成回路において、一方の電流調整回路１１を有して第１の方向の温度特性の電流ＩＣ３１を出力する一方の電流源１０と、他方の電流調整回路２２を有して第１の方向とは逆向きである第２の方向の温度特性の電流ＩＣ３２／ｎを出力する他方の電流源２０と、２つの電流源１０，２０で生成した各電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／ｎを温度依存性が最小化する割合ｎ：１で加算する電流加算回路３０とを備え、２つの電流源１０，２０がそれぞれ有する２つの電流調整回路１１，２２を、前記出力値と目標値とに基づいて同時に調整する。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
出力電圧又は電流の温度特性を最小化するとともに、出力値を目標値に合わせることができる電流生成回路において、
一方の電流調整回路を有して第１の方向の温度特性の電流を出力する一方の電流源と、
他方の電流調整回路を有して前記第１の方向とは逆向きである第２の方向の温度特性の電流を出力する他方の電流源と、
前記２つの電流源で生成した各電流を温度依存性が最小化する割合で加算する電流加算回路とを備え、
前記２つの電流源がそれぞれ有する２つの電流調整回路を、前記出力値と前記目標値とに基づいて同時に調整することが可能であることを特徴とする電流生成回路。
【請求項２】
前記２つの電流調整回路は、前記２つの電流源により生成された各電流を、前記最小化する割合を維持しながら調整可能であることを特徴とする請求項１に記載の電流生成回路。
【請求項３】
前記２つの電流調整回路を調整するための制御回路を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の電流生成回路。
【請求項４】
前記制御回路は、前記電流加算回路により加算された電流の値を所望の値に近づけるように前記２つの電流調整回路を連動して調整可能であることを特徴とする請求項３に記載の電流生成回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電流生成回路に関し、より詳細には、温度特性を最小化できる電流生成回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、定電流又は定電圧を供給可能な電流生成回路において、−３０℃から８５℃くらいの雰囲気温度又は部品温度に対して温度特性を考慮することが求められる。そのために、電流生成回路の出力である電圧又は電流が、所望の設定値から、温度特性により変動しないように温度補償を施すことが知られている。
【０００３】
例えば、特許文献１に記載の定電流回路は、製造プロセスや温度特性に起因する出力値の変動を低減させた、複数の定電流を高精度に生成して供給することができる定電流回路である。この定電流回路は、回路を構成するトランジスタの出力電流の温度係数を相殺するため、電源電圧と接地電圧との間に、ＰＭＯＳトランジスタと直列に介挿された抵抗の温度係数を選ぶことによって、トランジスタのドレイン電流に対する温度係数を非常に小さくすることができる。その抵抗の抵抗値および温度係数の製造バラツキは、抵抗値で±５％、温度係数で±５％（−３０℃〜８５℃）程度であるため、これらの変動幅の範囲に、トランジスタの基準電流のバラツキ範囲を管理できる。したがって、この定電流回路は、上述した抵抗の温度係数を適切に選ぶことにより、高精度の基準電流値を得ることができる。
【０００４】
また、特許文献２に記載の定電流回路は、異なる方向の温度特性を有する電流源の出力を加算して温度補償を施した定電流回路である。その定電流回路の定電流出力を負荷抵抗に流して安定な電圧を出力する。その温度補償された定電圧出力により、ニッケル・カドミウム電池などの１Ｖ以下の低い電圧で駆動可能にする。その定電圧回路は、バッテリ１、正の温度係数を持つトランジスタＱ９のコレクタ電流ＩＣ９を出力するバンドギャップ形カレントミラー形定電流源回路３、トランジスタＱ７のベース・エミッタ間電圧ＶＢＥＱ７で規定される負の温度係数を有するトランジスタＱ８のコレクタ電流ＩＣ８を出力する電流源回路５、負荷抵抗素子Ｒ０を有する。ノードＮ０においてコレクタ電流ＩＣ９とコレクタ電流ＩＣ８とが加算される。両者の電流の温度係数が相殺され、ノードＮ０における電流は温度依存性がない。負荷抵抗素子Ｒ０はこの電流を電圧に変換して出力電圧Ｖｏｕｔとして出力する、というものである。
【０００５】
図１は、従来の電流生成回路の構成を説明するためのブロック構成図である。図１に示す電流生成回路５は、出力電圧又は電流の温度特性を最小化して出力端子ＯＵＴ４へ出力するものである。この電流生成回路５は、２組の電流源１，２と、それらの電流源１，２から出力された電流ＩＣ１１，ＩＣ１２／ｎを加算して出力端子ＯＵＴ４へ出力する電流加算回路３とを備えて構成されている。
【０００６】
図２は、図１に示した電流生成回路の動作を説明するための生成電流の温度特性図である。
図２に示すように、電流源１の出力ＩＣ１１は、温度上昇に伴って電流値が増加するという正の温度特性を有する。逆に、電流源２の出力ＩＣ１２は、温度上昇に伴って電流値が大きく減少する負の温度特性を有する。ここで、電流加算回路３は、正の温度特性を有する電流ＩＣ１１と、その−ｎ倍の温度特性を有する電流ＩＣ１２とを、ｎ対１の割合で加算する。つまり、図１の出力端子４から出力されるように示したＩＣ１３＝ＩＣ１１＋ＩＣ１２／ｎと設定することにより、電流加算回路３は、電流ＩＣ１１とＩＣ１２と、互いに逆方向でｎ倍に作用する温度特性を相殺し、温度依存性が最小化された電流ＩＣ１３を生成することができる。その結果、電流生成回路５は、出力端子ＯＵＴ４から温度依存性の無い電流ＩＣ１３を出力する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００６−１０９３４９号公報
【特許文献２】特開平５−２４１６７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述した特許文献１に記載された定電流回路では、ＰＭＯＳトランジスタのドレイン電流の温度係数を小さくするため、電源電圧と接地電圧との間に、ＰＭＯＳトランジスタと直列に挿入された抵抗の温度係数によって相殺するように、適切な温度特性の抵抗を選ぶ必要がある。このように適切な温度特性の抵抗を選ぶ工程は、定電流回路の製造工程において自動的に行われるものではない。したがって、各種要因による温度特性等のバラツキを含んで大量生産される定電流回路に対する自動的な温度補償機能は乏しいという欠点があった。
【０００９】
また、特許文献２に記載された定電流回路は、プロセスバラツキ等の影響を考慮しておらず、ノードＮ０において加算されるコレクタ電流ＩＣ８，ＩＣ９が本来の目標値からずれる可能性もある。
また、図１および図２に示した従来例の定電流回路５は、プロセスバラツキ等の影響を考慮しておらず、生成する電流ＩＣ１３が本来の目標値からずれる可能性もある。更に、バラツキの影響を軽減するため、電流加算回路３の出力端子ＯＵＴ４の後段に、不図示の調整回路等を追加した場合、消費電流、スタートアップ時間が増加するという問題が発生する。
【００１０】
また、図１における電流ＩＣ１１又は電流ＩＣ１２のいずれか片側だけを、電流源１又は電流源２の内部で調整するという、別の構成も考えられる。その場合、消費電流、スタートアップ時間を増加すること無く、ある温度におけるＩＣ１３の電流値を目標値に近づけることができる。しかしながら、その場合は、温度特性を無くすために設定しておいたＩＣ１１とＩＣ１２とを加算する比率が崩れるため、ＩＣ１３に温度依存性が発生するという問題が生じてしまう。
【００１１】
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、消費電力およびスタートアップ時間を増加させることなく、出力電流又は出力電圧を目標値に合わせるとともに、出力電流又は出力電圧の温度依存性を最小化できる電流生成回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、出力電圧又は電流の温度特性を最小化するとともに、出力値を目標値に合わせることができる電流生成回路において、一方の電流調整回路（１１）を有して第１の方向の温度特性の電流（ＩＣ３１）を出力する一方の電流源（１０）と、他方の電流調整回路（２２）を有して前記第１の方向とは逆向きである第２の方向の温度特性の電流（ＩＣ３２／ｎ）を出力する他方の電流源（２０）と、前記２つの電流源（１０，２０）で生成した各電流（ＩＣ３１，ＩＣ３２／ｎ）を温度依存性が最小化する割合（ｎ：１）で加算する電流加算回路（３０）とを備え、前記２つの電流源（１０，２０）がそれぞれ有する２つの電流調整回路（１１，２２）を、前記出力値と前記目標値とに基づいて同時に調整することが可能であることを特徴とする。（図３、図４参照）
【００１３】
また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記２つの電流調整回路（１１，２２）は、前記２つの電流源（１０，２０）により生成された各電流（ＩＣ３１，ＩＣ３２／ｎ）を、前記最小化する割合を維持しながら調整可能であることを特徴とする。（図３、図４参照）
また、請求項３に記載の発明は、請求項１又は２に記載の発明において、前記２つの電流調整回路（１１，２２）を調整するための制御回路（４０）を備えることを特徴とする。
【００１４】
また、請求項４に記載の発明は、請求項３に記載の発明において、前記制御回路（４０）は、前記電流加算回路（３０）により加算された電流の値（ＩＣ３３）を所望の値に近づけるように前記２つの電流調整回路（１１，２２）を連動して調整可能であることを特徴とする。（図３、図４参照）
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、消費電力およびスタートアップ時間を増加させることなく、出力電流又は出力電圧を目標値に合わせるとともに、出力電流又は出力電圧の温度依存性を最小化できる電流生成回路を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】従来の電流生成回路の構成を説明するためのブロック構成図である。
【図２】図１に示した電流生成回路の動作を説明するための生成電流の温度特性図である。
【図３】本発明に係る電流生成回路の実施例の構成を説明するための回路図である。
【図４】図３に示した電流生成回路の実施例の動作を説明するための生成電流の温度特性図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の実施例について説明する。
図３は、本発明に係る電流生成回路の実施例の構成を説明するための回路図である。図３に示す電流生成回路１００は、出力電圧又は電流の温度特性を最小化するとともに、出力値を目標値に合わせるように調整して出力端子ＯＵＴ５０へ出力するものである。電流生成回路１００は、２組の電流源１０，２０と、それら電流源１０，２０がそれぞれ有する電流調整回路１１，２２と、それら電流調整回路１１，２２により調整されて出力された電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／ｎを加算して出力端子ＯＵＴ５０へ出力する電流加算回路３０と、電流調整回路１１，２２を調整する制御回路４０とを備えて構成されている。また、制御回路４０は、出力端子ＯＵＴ５０の出力値と目標値とに基づいて、電流調整回路１１，２２の出力電流値を調整することが可能である。電流源１０は電流ＩＣ３１を出力することに対して、電流源２０がＩＣ３２の１／ｎであるＩＣ３２／ｎを出力する理由およびその設定方法については以下のとおりである。
【００１８】
正の温度特性である電流ＩＣ３１と、その−ｎ倍の温度特性である電流ＩＣ３２とを、適正比率で加算して正負の温度特性を相殺ため、電流ＩＣ３２を１／ｎにして加算する。また、その設定方法については、ＮＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２の大きさをｎ：１にすることが考えられる。すなわち、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のドレインに電流ＩＣ３２が流れている時、ＮＭＯＳトランジスタＭ１の１／ｎの大きさのＮＭＯＳトランジスタＭ２に流れる電流は、ＩＣ３２／ｎとなる。
【００１９】
一方の電流源１０は、一方の電流調整回路１１を有し、第１の方向、すなわち正の温度特性の電流ＩＣ３１を出力する。この電流源１０は、電源電圧ＶＣＣと接地電圧Ｇとの間に、ＮＭＯＳトランジスタＭ３および電流調整回路１１が、直列に介挿されている。ＮＭＯＳトランジスタＭ３のゲートにはオペアンプ１２の出力が接続され、ＮＭＯＳトランジスタＭ３のソースと電流調整回路１１との接続点には、オペアンプ１２の−入力端子が接続され、オペアンプ１２の＋入力端子には、基準電圧ＶＲＥＦが印加されている。また、ＮＭＯＳトランジスタＭ３，Ｍ４は、それぞれのドレインおよびゲートが共通に接続されている。ＮＭＯＳトランジスタＭ３には、ＮＭＯＳトランジスタＭ４がカレントミラー接続されている。電流調整回路１１の調整により、ＮＭＯＳトランジスタＭ３のソースに電流ＩＣ３１が流れると、ＮＭＯＳトランジスタＭ４のソースから、同一値のＩＣ３１が出力され、電流加算回路３０へ入力される。
【００２０】
また、他方の電流源２０は、他方の電流調整回路１２を有し、第１の方向とは逆向きの第２の方向、すなわち負の温度特性を有する電流ＩＣ３２／ｎを出力する。この電流源２０は、電源電圧ＶＣＣと接地電圧Ｇとの間に、ＮＭＯＳトランジスタＭ１、ＰＭＯＳトランジスタＱ３および電流調整回路２２が、直列に介挿されている。また、電源電圧ＶＣＣと接地電圧Ｇとの間に、ＮＭＯＳトランジスタＱ１、ＰＭＯＳトランジスタＱ２およびＰＮＰトランジスタＢｉｐ３が、直列に介挿されている。ＮＭＯＳトランジスタＭ１，Ｍ２，Ｑ１は、それぞれのドレインおよびゲートが共通に接続されている。また、ＰＭＯＳトランジスタＱ２，Ｑ３は、それぞれのゲートが共通に接続されている。そして、ＮＭＯＳトランジスタＭ１、ＰＭＯＳトランジスタＱ３には、ＮＭＯＳトランジスタＱ１、ＰＭＯＳトランジスタＱ２が、カレントミラー接続されている。
【００２１】
ＮＭＯＳトランジスタＭ１、ＰＭＯＳトランジスタＱ３および電流調整回路２２による直列経路には、電流調整回路２２により設定された電流ＩＣ３２が流れている。その電流ＩＣ３２と同一値の電流ＩＣ３２が、ＮＭＯＳトランジスタＱ１、ＰＭＯＳトランジスタＱ２およびＰＮＰトランジスタＢｉｐ３による直列経路にも流れている。また、ＮＭＯＳトランジスタＭ２には、上述した理由により、一例としてＩＣ３２／ｎの電流が流れている。このＩＣ３２／ｎの電流は、ＮＭＯＳトランジスタＭ２のソースから出力され、ＩＣ３１と合流点Ｘで合流することにより電流ＩＣ３３となる。この電流ＩＣ３３＝ＩＣ３１＋ＩＣ３２／ｎが、電流加算回路３０へ入力される。
【００２２】
なお、電流調整回路２２による可変抵抗ＶＲ２の抵抗値に応じて、ＮＭＯＳトランジスタＭ１のドレインに電流ＩＣ３２が流れる。そして、ＮＭＯＳトランジスタであるＭ１とＭ２とのサイズ比により、ＮＭＯＳトランジスタＭ２のソースに電流ＩＣ３２／ｎを流すように設定することは上述したとおりである。
【００２３】
電流加算回路３０は、電流ＩＣ３２／ｎおよび電流ＩＣ３１の合流点Ｘと、接地電圧Ｇとの間に、ＰＭＯＳトランジスタＱ４が介挿されている。ＰＭＯＳトランジスタＱ４と、ＰＭＯＳトランジスタＱ５とは、それぞれのドレインおよびゲートを共通に接続され、カレントミラー接続されている。そのＰＭＯＳトランジスタＱ５のソースは、電流加算回路３０の出力端子ＯＵＴ５０に接続されている。また、ＰＭＯＳトランジスタＱ４，Ｑ５のドレインは、接地電圧Ｇに接続されている。したがって、ＰＭＯＳトランジスタＱ５のソースには、ＰＭＯＳトランジスタＱ４に流れるＩＣ３３と同一値の電流が生成されて出力端子ＯＵＴ５０から出力される。
【００２４】
電流加算回路３０では、２つの電流源１０，２０で生成された各電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／ｎそれぞれが有する正負の温度依存性が相殺されて最小化されるような割合で加算される。なお、電流ＩＣ３１の温度特性に対して、電流ＩＣ３２の温度特性が−ｎ倍だから、電流加算回路３０により加算された電流の値ＩＣ３３＝ＩＣ３１＋ＩＣ３２／ｎにおいて、温度特性が最小化される。このように、各電流ＩＣ３１，ＩＣ３２それぞれが有する正負の温度特性の方向性および程度に応じて、加算する電流の割合を最適に設定する。
【００２５】
制御回路４０は、２つの電流源１０，２０が、それぞれ有する２つの電流調整回路１１，２２を、出力値と目標値とに基づいて同時に調整することが可能である。すなわち、制御回路４０は、電流加算回路３０により加算された電流の値ＩＣ３３を、所望の値に近づけるように２つの電流調整回路１１，２２を連動して調整することが可能である。また、２つの電流調整回路１１，２２は、２つの電流源１０，２０により生成された各電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／ｎを、最小化する割合を維持しながら調整可能である。
【００２６】
これら２つの電流調整回路１１，２２は、電流源１０，２０から出力される電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／ｎを、個別に調整可能であり、電流加算回路３０により加算された電流の値ＩＣ３３を所望の値に近づけるように調整する。以下に電流生成回路１００の動作について説明する。
【００２７】
図４は、本発明に係る電流生成回路の実施例の動作を説明するための生成電流の温度特性図である。一方の電流源１０の出力ＩＣ３１は、温度上昇に伴って電流値が増加するという正の温度特性１０００ｐｐｍ／ｄｅｇを有する。逆に、他方の電流源２０の出力ＩＣ３２は、温度上昇に伴って電流値が減少する負の温度特性−４０００ｐｐｍ／ｄｅｇを有する。つまり、一方の電流源１０の出力ＩＣ３１と、他方の電流源２０の出力ＩＣ３２とは、それぞれの温度特性が、逆方向の関係にある。ここで、電流加算回路３０は、正の温度特性を有する電流ＩＣ３１と、その−４倍の温度特性を有する電流ＩＣ３２／ｎとを、４対１の割合で加算する。つまり、ｎ＝４とし、電流ＩＣ３１＝ＩＣ３２／４に設定することにより、電流加算回路３０は、逆方向で４倍に作用する温度特性を相殺し、温度依存性が最小化された電流ＩＣ３３を生成することができる。その結果、電流ＩＣ３３は、全温度に対して温度特性が最小化し、電流値が一定に近づく。なお、ここに例示した電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４の温度特性が、図４の温度特性図のとおりであれば、電流ＩＣ３３は、−４０〜１２０℃に亘る温度変化に対して温度依存性が無くなる。
【００２８】
しかし、この時、プロセスバラツキ等により、電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４の電流値が目標値からずれた場合、電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４を加算して生成された電流ＩＣ３３も目標値からずれる。この場合、制御回路４０が、２つの電流調整回路１１，２２を関連づけて同時に調整する。これら２つの電流調整回路１１，２２は、電流源１０，２０から出力される電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４を、必要に応じて適切な加算比率となるように、個別に調整可能である。つまり、制御回路４０は、電流の値ＩＣ３３を所望の値に近づけるために、適切な比率を指定して２つの電流調整回路１１，２２から出力された電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４を、電流加算回路３０で加算されるように調整する。すなわち、制御回路４０は、調整回路３１と調整回路３２とを、連動調整して電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４を目標値に調整する。その結果、電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４を加算して生成する電流ＩＣ３３も目標値に調整される。
【００２９】
以下に、調整回路１１と調整回路１２とを連動調整し、電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４，ＩＣ３３を目標値に調整する動作の手順を詳述する。
（１）プロセスバラツキ等により電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４の電流値が、目標値よりも小さくなった場合、電流ＩＣ３３も目標値より小さくなる。この場合、制御回路４０が、出力端子ＯＵＴ５０から出力される電流ＩＣ３３の値をモニタしながら、電流調整回路１１，２２が、それぞれ有する可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を、それぞれの抵抗値が同様の割合で減少するように調整する。制御回路４０は、モニタしている電流ＩＣ３３が、目標値に最も近づいた時、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２それぞれの抵抗値を調整値として決定するとともに、電流値の調整を終了する。
【００３０】
（２）逆に、プロセスバラツキ等により電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４の電流値が目標値よりも大きくなった場合、電流ＩＣ３３も目標値より大きくなる。この場合は出力端子ＯＵＴ５０から出力される電流ＩＣ３３をモニタしながら、電流調整回路１１，２２が、それぞれ有する可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を、それぞれの抵抗値が同様の割合で増加するように調整する。制御回路４０は、モニタしている電流ＩＣ３３が、目標値に最も近づいた時、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２それぞれの抵抗値を調整値として決定するとともに、電流値の調整を終了する。
【００３１】
本実施例によれば、消費電力およびスタートアップ時間を増加させることなく、出力電流又は出力電圧を目標値に合わせるとともに、出力電流又は出力電圧の温度依存性を最小化できる電流生成回路を実現することができる。
なお、図３に例示した電流生成回路１００は、１つの制御回路４０が、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２の抵抗値を同一の変化率で加減することにより、電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４を、同時に調整する構成であるが、その構成に限定するものではない。可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２を同じ割合で連動調整することができる構成であれば他の構成でも構わない。
【００３２】
また、図３に例示した電流生成回路１００は、可変抵抗ＶＲ１，ＶＲ２により、電流ＩＣ３１，ＩＣ３２／４を、連動調整する構成であるが、その構成に限定するものではない。電流ＩＣ３１とＩＣ３２／４との比率を維持したままに同時に調整することができる構成であれば他の構成でも構わない。
【００３３】
例えば、ｐＭＯＳトランジスタであるＭ１とＭ２とのサイズ比、ｐＭＯＳトランジスタであるＭ３とＭ４とのサイズ比を、連動調整することでも同等の機能を実現できる。具体的には、同一の集積回路等において、Ｍ１，Ｍ２，Ｍ３，Ｍ４に相当するｐＭＯＳトランジスタを、それぞれ段階的に異なるサイズ比の組み合わせを余分に形成しておく。そして、サイズ比選択スイッチにより、Ｍ１とＭ２とのサイズ比、およびＭ３とＭ４とのサイズ比を、切換え可能に回路構成する。制御回路４０が、サイズ比選択スイッチを、適宜に切換え制御すれば、電流ＩＣ３１とＩＣ３２／４とを連動調整することができる。
【００３４】
図４に例示した電流生成回路１００において、温度特性が１０００ｐｐｍ／ｄｅｇの出力電流ＩＣ３１と、温度特性が−４０００ｐｐｍ／ｄｅｇの電流ＩＣ３２とを、４：１の割合で加算することを説明した。すなわち、ＩＣ３１はＩＣ３２の４倍の比率であるから、電流ＩＣ３１とＩＣ３２／４とを加算すると説明した。しかし、これは一例に過ぎない。すなわち、電流ＩＣ３１とＩＣ３２とは、相互に逆方向の温度特性であり、それら２つの電流ＩＣ３１，ＩＣ３２とを、適切な比率で加算することにより、正負の温度特性を相殺して、電流ＩＣ３３の温度依存性を最小化できれる設定値であれば良い。
【符号の説明】
【００３５】
１，２，１０，２０  電流源
３，３０  電流加算回路
５，１００  電流生成回路
１１，２２  電流調整回路
１２  オペアンプ
４０  制御回路
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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