(57)【要約】【課題】絶縁層としてのコア層の外面にプリプレグよりなるビルドアップ層を積層し、当該外面に設けられた複数の内層配線をビルドアップ層の樹脂で封止してなる多層基板において、内層配線間におけるボイドの発生を抑制する。【解決手段】コア層２０の表裏面２０ａ、２０ｂに設けられた複数の内層配線５１１、５１２、５２１、５２２は、配線間隔の異なる第１の配線群５１１、５２１と第２の配線群５１２、５２２とに分類されるものであって、第２の配線群の配線間隔ｄ２の方が第１の配線群の配線間隔ｄ１よりも狭いものであり、第２の配線群における内層配線の厚さｔ２は、第１の配線群における内層配線の厚さｔ１よりも薄いものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
電気絶縁性の絶縁層（２０）と、
前記絶縁層の外面（２０ａ、２０ｂ）に間隔を空けて配置され当該外面より突出する複数の内層配線（５１１、５１２、５２１、５２２）と、
ガラスクロス（１）の両面を樹脂（２）で封止してなるプリプレグよりなり、前記複数の内層配線と共に前記絶縁層の外面を覆うように前脂絶縁層に積層されたプリプレグ層（３０、４０）と、を備え、
前記絶縁層の外面では、前記プリプレグ層の前記樹脂が、前記複数の内層配線間に充填された状態で前記複数の内層配線を封止しており、
前記複数の内層配線は、配線間隔の異なる第１の配線群（５１１、５２１）と第２の配線群（５１２、５２２）とに分類されるものであって、前記第２の配線群の前記配線間隔（ｄ２）の方が前記第１の配線群の前記配線間隔（ｄ１）よりも狭いものであり、
前記第２の配線群における前記内層配線の厚さ（ｔ２）は、前記第１の配線群における前記内層配線の厚さ（ｔ１）よりも薄いものであることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記第１の配線群における前記内層配線は、前記第２の配線群における前記内層配線よりも大電流が流れる大電流用の配線であり、
前記第２の配線群における前記内層配線は、前記第１の配線群における前記内層配線よりも小電流が流れる小電流用の配線であることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記プリプレグ層の前記樹脂は、電気絶縁性かつ熱伝導性を有するセラミックよりなるフィラー（３）が含有されたものであることを特徴とする請求項１または２に記載の多層基板。
【請求項４】
請求項１または２のいずれか１つに記載の多層基板（１０）と、
前記プリプレグ層の外面側に搭載された電子部品（１２１〜１２３）と、
前記プリプレグ層の外面側にて前記電子部品を封止するモールド樹脂（１５０）と、を備えることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁層の外面にプリプレグ層を積層し、当該外面に設けられた複数の内層配線をプリプレグ層の樹脂で封止してなる多層基板、および、このような多層基板を備える電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来：この種の多層基板としては、たとえば特許文献１に記載のビルドアップ基板が提案されている。このものは、外面に複数の内層配線を有する樹脂等よりなる電気絶縁性の絶縁層と、内層配線とともに絶縁層の当該外面を覆うように絶縁層に積層されたプリプレグよりなるプリプレグ層とを備える。ここで、複数の内層配線は、絶縁層の外面に間隔を空けて配置され当該外面より突出している。
【０００３】
また、プリプレグ層を構成するプリプレグは、ガラスクロスの両面を樹脂で封止してなるものである。そして、プリプレグ層が絶縁層の外面を覆うことにより、絶縁層の外面では、プリプレグ層の樹脂が、内層配線間に充填された状態で複数の内層配線を封止している。ここで、基板の熱伝導性を確保するために、プリプレグ層の樹脂中には、アルミナやシリカ等の熱伝導性セラミックよりなるフィラーを含有させているのが通常である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００５−１７５１１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、多層基板の熱伝導性を向上させるためには、プリプレグ層として、フィラー充填率の高いプリプレグを使用する必要があるものの、このフィラー充填率が高くなると、プリプレグ層の樹脂の流動性が低下してしまう。
【０００６】
そのため、絶縁層の外面をプリプレグ層の樹脂で封止するときに、当該外面のなかでも内層配線間のような樹脂の流動性が低くなりやすい箇所では、当該樹脂の未充填部分すなわちボイドが発生する可能性が高くなる。
【０００７】
特に隣り合う内層配線の配線間隔が狭くなると、ボイドが発生しやすくなる。そして、内層配線間にボイドが発生すると、このボイドに起因して内層配線間の短絡が発生しやすくなり、絶縁不良が生じやすくなる。
【０００８】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、絶縁層の外面にプリプレグ層を積層し、当該外面に設けられた複数の内層配線をプリプレグ層の樹脂で封止してなる多層基板において、内層配線間におけるボイドの発生を抑制できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、電気絶縁性の絶縁層（２０）と、絶縁層の外面（２０ａ、２０ｂ）に間隔を空けて配置され当該外面より突出する複数の内層配線（５１１、５１２、５２１、５２２）と、ガラスクロス（１）の両面を樹脂（２）で封止してなるプリプレグよりなり、複数の内層配線と共に絶縁層の外面を覆うように絶縁層に積層されたプリプレグ層（３０、４０）と、を備え、絶縁層の外面では、プリプレグ層の樹脂が、複数の内層配線間に充填された状態で複数の内層配線を封止しており、
複数の内層配線は、配線間隔の異なる第１の配線群（５１１、５２１）と第２の配線群（５１２、５２２）とに分類されるものであって、第２の配線群の配線間隔（ｄ２）の方が第１の配線群の配線間隔（ｄ１）よりも狭いものであり、第２の配線群における内層配線の厚さ（ｔ２）は、第１の配線群における内層配線の厚さ（ｔ１）よりも薄いものであることを特徴とする多層基板が提供される。
【００１０】
内層配線の配線間隔が狭くなるほど、プリプレグ層の樹脂が内層配線間に入り込みにくくなる。これについて、本発明によれば、配線間隔の狭い第２の配線群において、内層配線の厚さを第１の配線群よりも薄いものにしているため、内層配線間に当該樹脂が入りやすくなる。そのため、本発明によれば、内層配線間におけるボイドの発生を抑制することができる。
【００１１】
ここで、請求項２に記載の発明では、請求項１の多層基板において、第１の配線群における内層配線は、第２の配線群における内層配線よりも大電流が流れる大電流用の配線であり、第２の配線群における内層配線は、第１の配線群における内層配線よりも小電流が流れる小電流用の配線であることを特徴とする。それによれば、内層配線の厚さに応じた適切な配線の使用形態が実現できる。
【００１２】
なお、特許請求の範囲およびこの欄で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示す一例である。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる電子装置の断面図である。
【図２】（ａ）は図１中のＡ部およびＢ部の拡大図、（ｂ）は図１中のＣ部およびＤ部の拡大図である。
【図３】図１に示される多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図４】図３に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】図４に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】図１に示される多層基板の製造工程のうちの内層配線の形成工程の詳細を示す断面図である。
【図７】図６に続く内層配線の形成工程の詳細を示す断面図である。
【図８】本発明の第２実施形態にかかる多層基板の製造工程のうちの内層配線の形成工程の詳細を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１５】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態にかかる電子装置について、図１、図２を参照して説明する。本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。なお、図２では、モールド樹脂１５０やソルダーレジスト１１０等を一部省略してある。
【００１６】
図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよび他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。
【００１７】
多層基板１０は、コア層２０と、コア層２０の表面２０ａに配置された表面２０ａ側のビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ側に配置された裏面２０ｂ側のビルドアップ層４０とを備える積層基板である。ここで、コア層２０が電気絶縁性の絶縁層として構成され、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂが、絶縁層の外面として構成されている。
【００１８】
また、ビルドアップ層３０、４０は、プリプレグよりなるプリプレグ層として構成されている。このプリプレグは、図２に示されるように、ガラスクロス１の両面をエポキシ樹脂等の樹脂２で封止してなるもので、樹脂２中には、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ熱伝導性を有し、放熱性に優れたセラミックよりなるフィラー３が含有されている。
【００１９】
また、コア層２０は電気絶縁性の材料よりなるものであればよい。ここでは、コア層２０の詳細は図示しないけれども、コア層２０も単層または多層のプリプレグにより構成されている。
【００２０】
そして、コア層２０とビルドアップ層３０との界面において、コア層２０の表面２０ａには、パターニングされた複数の表面側内層配線５１１、５１２が形成されている。同様に、コア層２０とビルドアップ層４０との界面において、コア層２０の裏面２０ｂには、パターニングされた複数の裏面側内層配線５２１、５２２が形成されている。
【００２１】
図１、図２に示されるように、各ビルドアップ層３０、４０は、複数の内層配線５１１、５１２、５２１、５２２と共にコア層２０の外面２０ａ、２０ｂを覆うようにコア層２０に積層されている。
【００２２】
そして、コア層２０の外面２０ａ、２０ｂでは、ビルドアップ層３０、４０の樹脂２が、複数の内層配線５１１、５１２、５２１、５２２間に充填された状態で当該複数の内層配線を封止している。
【００２３】
また、複数の表面側内層配線５１１、５１２は、配線間隔の異なる第１の配線群５１１と第２の配線群５１２とに分類される。一方、複数の裏面側内層配線５２１、５２２も、配線間隔の異なる第１の配線群５２１と第２の配線群５２２とに分類される。図１、図２では、表裏の各内層配線において第１の配線群に属するものに符号５１１、５２１を付し、第２の配線群に属するものに符号５１２、５２２を付してある。
【００２４】
ここで、図２に示されるように、第２の配線群の内層配線５１２、５２２の配線間隔ｄ２の方が、第１の配線群の内層配線５１１、５２１の配線間隔ｄ１よりも狭いものとされている。そして、第２の配線群における内層配線５１２、５２２の厚さｔ２は、第１の配線群における内層配線５１１、５２１の厚さｔ１よりも薄いものとされている。
【００２５】
具体的に、厚い方の第１の配線群における内層配線５１１、５２１は、薄い方の第２の配線群における内層配線５１２、５２２よりも大電流が流れる大電流用の配線である。一方、第２の配線群における内層配線５１２、５２２は、第１の配線群における内層配線５１１、５２１よりも小電流が流れる小電流用の配線である。
【００２６】
このような厚さの相違する内層配線５１１、５１２、５２１、５２２は、部分的にエッチングを行って薄いものを形成する方法や、部分的にめっきを追加して厚いものを形成する方法等により、形成することができる。これらの形成方法の詳細については後述する。
【００２７】
また、図１に示されるように、ビルドアップ層３０の表面３０ａには、パターニングされた表面側表層配線６１〜６３が形成されている。本実施形態では、表面側表層配線６１〜６３は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６２、外部回路と電気的に接続される表面パターン６３とされている。
【００２８】
同様に、ビルドアップ層４０の表面４０ａには、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２が形成されている。本実施形態では、裏面側表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して裏面側内層配線５２１、５２２と接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが備えられるヒートシンク用パターン７２とされている。
【００２９】
なお、ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。
【００３０】
そして、表裏の内層配線５１１、５１２、５２１、５２２、表面側表層配線６１〜６３、裏面側表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。
【００３１】
また、表面側内層配線５１１、５１２と裏面側内層配線５２１、５２１とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア８１は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８１ａの壁面に銅等の貫通電極８１ｂが形成され、貫通孔８１ａの内部に充填材８１ｃが充填されて構成されている。
【００３２】
また、表面側内層配線５１１、５１２と表面側表層配線６１〜６３、および裏面側内層配線５２１、５２２と裏面側表層配線７１、７２とは、適宜各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、１０１を介して電気的および熱的に接続されている。
【００３３】
具体的には、フィルドビア９１、１０１は、各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。
【００３４】
なお、充填材８１ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８１ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。
【００３５】
そして、各ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６３および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６３を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６３のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。
【００３６】
電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等の発熱が大きいパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。
【００３７】
そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６２ともＡｌやＡｕ等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。
【００３８】
ここで、上記した第１の配線群５１１、５２１は、比較的大電流のパワー素子１２１に接続されている表裏の内層配線５１１、５２１であり、一方、上記した第２の配線群５１２、５２２は、比較的小電流の制御素子１２２、受動素子１２３に接続されている表裏の内層配線５１２、５２２である。
【００３９】
なお、ここでは、電子部品１２１〜１２３としてパワー素子１２１、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２１〜１２３はこれらに限定されるものではない。
【００４０】
モールド樹脂１５０は、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。
【００４１】
なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、特に図示していないが、ヒートシンク用パターン７２に放熱グリス等を介してヒートシンクが備えられている。
【００４２】
以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図３〜図７を参照しつつ説明する。なお、図３〜図５は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。また、図６、図７に示される工程は、上記図２（ａ）に対応した部分の断面で示されているが、ビルドアップ層３０については、内部のガラスクロス１やフィラー３を省略して簡略したものとしている。
【００４３】
まず、図３（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。そして、図３（ｂ）に示されるように、ドリル等によって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８１ａを形成する。
【００４４】
その後、図３（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８１ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８１ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８１ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。
【００４５】
続いて、図３（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間に充填材８１ｃを配置する。これにより、貫通孔８１ａ、貫通電極８１ｂ、充填材８１ｃを有する上記貫通ビア８１が形成される。
【００４６】
その後、図４（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８１ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。
【００４７】
こうして、図４（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａ側では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が順次積層された金属層Ｍ１が形成され、裏面２０ｂ側では、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が順次積層された金属層Ｍ２が形成される。
【００４８】
次に、図４（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして表面側内層配線５１１、５１２を形成すると共に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして裏面側内層配線５２１、５２２を形成する。
【００４９】
つまり、本実施形態では、表面側内層配線５１１、５１２は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層された金属層Ｍ１によって構成され、裏面側内層配線５２１、５２２は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層された金属層Ｍ２によって構成されている。
【００５０】
ここにおいて、本実施形態では、図６、図７に示されるように、エッチングを２回行うことにより、上記した各内層配線５１１、５１２、５２１、５２２における配線厚さｔ１、ｔ２の相違を実現している。この図６、図７に示される内層配線の形成工程の詳細について述べる。
【００５１】
なお、図６、図７では、コア層２０の表面２０ａ側の金属層Ｍ１から表面側内層配線５１１、５１２を形成する工程を示しているが、この形成工程は、コア層２０の裏面２０ｂ側の金属層Ｍ２についても同時に行われることで裏面側内層配線５２１、５２２を形成するものである。
【００５２】
ここで、図６、図７および図４（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。
【００５３】
図６（ａ）に示される状態は図４（ａ）の状態と同様であり、コア層２０の表面２０ａに金属層Ｍ１が形成されている。この金属層Ｍ１は、厚い第１の配線群５１１の厚さｔ１に形成されている。
【００５４】
そして、図６（ｂ）に示されるように、この金属層Ｍ１上にレジストＲ１を配置し、エッチングを行うことにより、図６（ｃ）に示されるように、金属層Ｍ１をパターニングして表面側内層配線５１１、５１２のパターンとする。
【００５５】
次に、図６（ｄ）に示されるように、パターニングされた金属層Ｍ１のうち第１の配線群５１１となる部分では、レジストＲ１を残し、第２の配線群５１２となる部分では、レジストＲ１を除去する。そして、図７（ａ）に示されるように、２回目のエッチングを行い、厚さｔ１である厚い第１の配線群５１１と厚さｔ２である薄い第２の配線群５１２とを形成する。
【００５６】
その後、図７（ｂ）に示されるように、すべてのレジストＲ１を除去する。こうして、コア層２０の表面２０ａ側および裏面２０ｂ側において、厚さｔ１、ｔ２の相違する各内層配線５１１、５１２、５２１、５２２が形成される。
【００５７】
その後は、図４（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、表面側内層配線５１１、５１２上にビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、裏面側内層配線５２１、５２２上にビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。
【００５８】
このようにして、上から順に、金属板１６６、ビルドアップ層３０、表面側内層配線５１１、５１２、コア層２０、裏面側内層配線５２１、５２２、ビルドアップ層３０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。なお、ビルドアップ層３０、４０は、この状態では、仮硬化されたもので流動性を有している。
【００５９】
続いて、図４（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、ビルドアップ層３０を構成する樹脂を流動させて表面側内層配線５１１、５１２の間を埋め込むと共に、ビルドアップ層４０を構成する樹脂を流動させて裏面側内層配線５２１、５２２の間を埋め込む。そして、積層体１６８を加熱することにより、ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。
【００６０】
次に、図５（ａ）に示されるように、レーザ等により、金属板１６６、ビルドアップ層３０を貫通して表面側内層配線５１１、５１２に達する貫通孔９１ａを形成する。同様に、図５（ａ）とは別断面において、金属板１６７、ビルドアップ層４０を貫通して裏面側内層配線５２１、５２２に達する貫通孔１０１ａを形成する。
【００６１】
そして、図５（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、１０１ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、ビルドアップ層３０に形成された貫通孔９１ａ、１０１ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極１０１ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１が形成される。なお、次の図５（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。
【００６２】
続いて、図５（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、適宜金属メッキを形成することにより、表面側表層配線６１〜６３および裏面側表層配線７１、７２を形成する。
【００６３】
つまり、本実施形態では、表面側表層配線６１〜６３は、金属板１６６および金属メッキ１６９を有する構成とされ、裏面側表層配線７１、７２は、金属板１６７および金属メッキ１６９を有する構成とされている。
【００６４】
次に、図５（ｄ）に示されるように、ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図５（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。
【００６５】
その後は、特に図示しないが、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１に搭載する。このとき、本実施形態では、ランド６１は、側面６１ｃのはんだ濡れ性が一面６１ａのはんだ濡れ性より低くされているため、はんだ１３０が側面まで濡れ広がることを抑制できる。
【００６６】
そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２とを電気的に接続する。続いて、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂１５０を形成する。これにより、モールド樹脂１５０がランド６１の側面６１ｃに密着した上記電子装置が製造される。
【００６７】
以上説明したように、本実施形態では、表裏の内層配線５１１、５１２、５２１、５２２のうち配線間隔ｄ２の狭い第２の配線群５１２、５２２において、配線の厚さｔ２を第１の配線群５１１、５２１の配線の厚さｔ１よりも薄いものにしている。
【００６８】
そのため、配線間隔が狭い内層配線５１２、５２２であっても、当該内層配線間にビルドアップ層３０、４０の樹脂２が入りやすくなる。よって、本実施形態によれば、内層配線間におけるボイドの発生を抑制することができる。
【００６９】
また、本実施形態によれば、比較的厚い第１の配線群における内層配線５１１、５２１を大電流用の配線とし、比較的薄い第２の配線群における内層配線５１２、５２２を小電流用の配線としている。そのため、配線の厚さに応じた適切な内層配線の使用形態を実現することができる。
【００７０】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態にかかる内層配線５１１、５１２、５２１、５２２の形成工程について、図８を参照して述べる。
【００７１】
本実施形態では、当該内層配線における配線間隔ｄ１、ｄ２の相違に伴う厚さｔ１、ｔ２の相違を、上記図６、図７とは異なる方法で実現するものであり、この点について述べることとする。
【００７２】
図８（ａ）に示される状態は上記図４（ａ）の状態と同様であり、コア層２０の表面２０ａに金属層Ｍ１が形成されている。ここでは、金属層Ｍ１は、薄い第２の配線群５１２の厚さｔ２に形成されている。
【００７３】
そして、図８（ｂ）に示されるように、この金属層Ｍ１上にレジストＲ１を配置し、エッチングを行うことにより、図８（ｃ）に示されるように、金属層Ｍ１をパターニングして表面側内層配線５１１、５１２のパターンとする。
【００７４】
次に、図８（ｄ）に示されるように、金属層Ｍ１上のすべてのレジストＲ１を除去する。そして、図８（ｅ）に示されるように、パターニングされた金属層Ｍ１のうち第２の配線群５１２となる部分の上にレジストＲ１を配置し、第１の配線群５１１となる部分に金属メッキを行う。
【００７５】
これにより、厚さｔ１である厚い第１の配線群５１１と厚さｔ２である薄い第２の配線群５１２とを形成する。その後、すべてのレジストＲ１を除去する。こうして、コア層２０の表面２０ａ側および裏面２０ｂ側において、厚さｔ１、ｔ２の相違する各内層配線５１１、５１２、５２１、５２２が形成される。
【００７６】
その後は、上記第１実施形態と同様に、上記図４（ｃ）以降の製造工程を行うことにより、本実施形態においても、上記図１に示される電子装置が製造される。
【００７７】
（他の実施形態）
なお、上記各実施形態では、コア層２０を本発明で言う絶縁層、表裏のビルドアップ層３０、４０を本発明で言うプリプレグ層とした。ここで、多層基板１０としては、コア層２０の表裏のビルドアップ層３０、４０がそれぞれ、複数、積層されたものであってもよい。
【００７８】
そして、この場合には、積層される２層のビルドアップ層のうちコア層２０側に位置して内層配線を有する方を絶縁層とし、多層基板１０の外側に位置して当該内層配線を被覆する方をプリプレグ層として、適用したものとしてもよい。
【００７９】
また、多層基板としては、外面に複数の内層配線を有する電気絶縁性の絶縁層と、複数の内層配線と共に絶縁層の外面を覆うように絶縁層に積層されたプリプレグ層と、を備えるものであれば、上記実施形態のコア層２０とビルドアップ層３０、４０とよりなる多層基板１０に限定されるものではない。たとえば、絶縁層としては、セラミック等よりなる層であってもよい。
【００８０】
また、プリプレグ層３０、４０の樹脂２としては、フィラー３を含有しないものであってもよい。ただし、上記実施形態のように、放熱性向上のためにフィラー３を含有する樹脂２の方が、含有しないものに比べて流動性が低くなりやすいので、上記実施形態の効果が有効に発揮される。
【００８１】
また、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能であり、また、上記各実施形態は、上記の図示例に限定されるものではない。
【符号の説明】
【００８２】
１      ガラスクロス
２      樹脂
１０    多層基板
２０    絶縁層としてのコア層
２０ａ  絶縁層の外面としてのコア層の表面
２０ｂ  絶縁層の外面としてのコア層の裏面
３０    プリプレグ層としてのビルドアップ層
４０    プリプレグ層としてのビルドアップ層
５１１  第１の配線群としての表面側内層配線
５１２  第２の配線群としての表面側内層配線
５２１  第１の配線群としての裏面側内層配線
５２２  第２の配線群としての裏面側内層配線
ｄ１    第１の配線群の配線間隔
ｄ２    第２の配線群の配線間隔
ｔ１    第１の配線群としての内層配線の厚さ
ｔ２    第２の配線群としての内層配線の厚さ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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