(57)【要約】【課題】半導体製品の歩留を向上すること。【解決手段】製品投入計画を作成する製品投入計画作成部と、製品投入計画を格納する第１データベースと、在庫ウエハの欠陥検査結果を作成する欠陥検査部と、欠陥検査結果を格納する第２データベースと、総合予測歩留が最も高い在庫ウエハと品種の組み合わせを選定するウエハ選定演算部とを備えているウエハ選定システム。ウエハ選定演算部は、製品投入計画を読み取る第１ステップと、欠陥検査結果を読み取る第２ステップと、在庫ウエハに予想される不良チップの数を品種別に求める第３ステップと、在庫ウエハの予測歩留を品種別に算出する第４ステップと、全ての在庫ウエハと全ての品種の組み合わせに対して、総合予測歩留を算出する第５ステップと、総合予測歩留が最も高い在庫ウエハと品種の組み合わせを選定する第６ステップと、を実行するものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体製品の品種名、在庫ウエハの品種別の投入枚数、および品種名に対応したマスクパターンを含む製品投入計画を作成する製品投入計画作成部と、
前記製品投入計画作成部で作成された製品投入計画を格納する第１データベースと、
前記在庫ウエハの欠陥数および欠陥特徴量を検出し、前記在庫ウエハの欠陥検査結果を作成する欠陥検査部と、
前記欠陥検査部で作成された欠陥検査結果を格納する第２データベースと、
総合予測歩留が最も高い在庫ウエハと品種の組み合わせを選定するウエハ選定演算部とを備え、
前記ウエハ選定演算部は、
前記製品投入計画を前記第１データベースから読み取る第１ステップと、
前記在庫ウエハの欠陥検査結果を前記第２データベースから読み取る第２ステップと、
前記マスクパターンと前記欠陥検査結果を照合し、前記在庫ウエハに予想される不良チップの数を品種別に求める第３ステップと、
前記品種別に求めた不良チップの数と前記製品投入計画から、前記在庫ウエハの予測歩留を品種別に算出する第４ステップと、
全ての在庫ウエハと全ての品種の組み合わせを作成し、この作成された組み合わせの全てに対して、前記品種別に算出した予測歩留から前記総合予測歩留を算出する第５ステップと、
前記総合予測歩留が最も高い在庫ウエハと品種の組み合わせを、前記第５ステップで算出した総合予測歩留をもとに前記全ての在庫ウエハと全ての品種の組み合わせの中から選定する第６ステップと、を実行するウエハ選定システム。
【請求項２】
前記第６ステップで選定した総合予測歩留が最も高い在庫ウエハと品種の組み合わせが、複数存在するか否かを判断する第７ステップと、
前記第７ステップで組み合わせが複数存在すると判断した場合、前記総合予測歩留が最も高い在庫ウエハと品種の組み合わせを、組み合わせに含まれる在庫ウエハの総欠陥数をもとに採用する第８ステップとを備えていることを特徴とする請求項１に記載のウエハ選定システム。
【請求項３】
前記欠陥検査結果の中から、指定された欠陥特徴量に一致する欠陥を抽出する第９ステップを備え、
前記第３ステップではこの抽出した欠陥をもとに前記不良チップの数を品種別に求めることを特徴とする請求項１に記載のウエハ選定システム。
【請求項４】
前記第６ステップで選定した組み合わせの総合予測歩留を規格歩留と比較し、前記総合予測歩留が前記規格歩留を下回る場合には、前記選定した組み合わせに標識を立てる第１０ステップを備えていることを特徴とする請求項１に記載のウエハ選定システム。
【請求項５】
前記在庫ウエハの中からロットへの投入を避けるウエハを指定する第１１ステップを備え、
前記ウエハ選定演算部は、この指定されたウエハを除いて、前記在庫ウエハの欠陥検査結果を前記第２データベースから読み取ることを特徴とする請求項１に記載のウエハ選定システム。
【請求項６】
前記半導体製品の少なくとも一部がワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項１ないし５のいずれか１項に記載のウエハ選定システム。
【請求項７】
前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、ダイヤモンドのいずれかの半導体であることを特徴とする請求項６に記載のウエハ選定システム。
【請求項８】
半導体製品の品種名、在庫ウエハの品種別の投入枚数、および品種名に対応したマスクパターンを含む製品投入計画を第１データベースから読み取る第１ステップと、
前記在庫ウエハの欠陥数および欠陥特徴量を含む前記在庫ウエハの欠陥検査結果を第２データベースから読み取る第２ステップと、
前記マスクパターンと前記欠陥検査結果を照合し、前記在庫ウエハに予想される不良チップの数を品種別に求める第３ステップと、
前記品種別に求めた不良チップの数と前記製品投入計画から、前記在庫ウエハの予測歩留を品種別に算出する第４ステップと、
全ての在庫ウエハと全ての品種の組み合わせを作成し、この作成された組み合わせの全てに対して、前記品種別に算出した予測歩留から総合予測歩留を算出する第５ステップと、前記総合予測歩留が最も高い在庫ウエハと品種の組み合わせを、前記第５ステップで算出した総合予測歩留をもとに前記全ての在庫ウエハと全ての品種の組み合わせの中から選定する第６ステップと、を備えている半導体製品の製造方法。
【請求項９】
前記半導体製品の少なくとも一部がワイドバンドギャップ半導体により形成されていることを特徴とする請求項８に記載の半導体製品の製造方法。
【請求項１０】
前記ワイドバンドギャップ半導体は、炭化珪素、窒化ガリウム系材料、ダイヤモンドのいずれかの半導体であることを特徴とする請求項９に記載の半導体製品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウエハ選定システムおよび半導体製品の製造方法に関わり、特に、半導体製品の歩留の向上を目標とする技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
ウエハに元々存在する欠陥は半導体チップなどの半導体製品に不良を引き起こす。特に炭化珪素（ＳｉＣ）ウエハと窒化ガリウム（ＧａＮ）ウエハは、シリコンウエハに比べてウエハ１枚当たりの欠陥数が多く、欠陥が原因で不良になる半導体チップの割合が高い。そのため、半導体製品の製造方法において、欠陥検査により予めウエハに存在する欠陥を検出することが重要になる。検出された欠陥の位置と半導体製品のマスクパターンを照合することにより、欠陥が存在する半導体チップの数が判明し、製品となる半導体チップの歩留を予測できる。
【０００３】
特許文献１は半導体製品の歩留を予測する技術を扱っている。この方法によれば、先ずウエハ表面の画像データを取得し、ウエハに形成するある品種のマスクパターンを選択する。マスクパターン内の回路形成領域に存在する不良原因となる欠陥を抽出した後、チップ総数とキラー欠陥を含むチップ数から歩留を予測する。予測する歩留が規定する歩留に達しない場合、別のマスクパターンを選択する。同様に予測歩留を算出し、規定の歩留に達するウエハとマスクパターンの組み合わせを選択する。
【０００４】
上記の方法では、ウエハの欠陥検査を実施したのち、任意の順番でマスクパターンデータを読み込んでいる。ウエハの欠陥とあるマスクパターンの組み合わせによる予測歩留が設定した規格を越えた場合に合格判定を行い、処理を停止する。そのため、一度に複数枚の半導体製品を投入する計画の場合、検査するウエハの順番とマスクパターンを選択する順番によっては、各ウエハとマスクパターンの組み合わせによる予測歩留が規格に合格していても、予測歩留が最大となるウエハとマスクパターンの組み合わせを見逃す可能性がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開2012-145534号公報（9頁14行〜12頁36行、図7）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、製品投入計画が策定された半導体製品に対して、製品の歩留が最大になるように在庫ウエハを選定する製品投入用のウエハ選定システムと半導体製品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るウエハ選定システムは、半導体製品の品種名、在庫ウエハの品種別の投入枚数、および品種名に対応したマスクパターンを含む製品投入計画を作成する製品投入計画作成部と、製品投入計画作成部で作成された製品投入計画を格納する第１データベースと、在庫ウエハの欠陥数および欠陥特徴量を検出し、在庫ウエハの欠陥検査結果を作成する欠陥検査部と、欠陥検査部で作成された欠陥検査結果を格納する第２データベースと、総合予測歩留が最も高い在庫ウエハと品種の組み合わせを選定するウエハ選定演算部とを備えている。ウエハ選定演算部は、製品投入計画を第１データベースから読み取る第１ステップと、在庫ウエハの欠陥検査結果を第２データベースから読み取る第２ステップと、
マスクパターンと欠陥検査結果を照合し、在庫ウエハに予想される不良チップの数を品種別に求める第３ステップと、品種別に求めた不良チップの数と製品投入計画から、在庫ウエハの予測歩留を品種別に算出する第４ステップと、全ての在庫ウエハと全ての品種の組み合わせを作成し、この作成された組み合わせの全てに対して、品種別に算出した予測歩留から総合予測歩留を算出する第５ステップと、総合予測歩留が最も高い在庫ウエハと品種の組み合わせを、第５ステップで算出した総合予測歩留をもとに全ての在庫ウエハと全ての品種の組み合わせの中から選定する第６ステップと、を実行するものである。
【発明の効果】
【０００８】
この発明によれば、総合予測歩留が最大になるように在庫ウエハを選定できるようになるため、仕上がった半導体製品の歩留が高くなる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１による製品投入用のウエハ選定システムを示す構成図である。
【図２】本発明の実施の形態１による在庫ウエハの選定手順を示すフローチャートを表す図である。
【図３】本発明の実施の形態１による製品投入計画データベースに格納された製品情報を示す図である。
【図４】本発明の実施の形態１による在庫ウエハデータベースに格納された欠陥検査結果を示す図である。
【図５】本発明の実施の形態１による在庫ウエハの欠陥検査結果とマスクパターンの照合結果を示す図である。
【図６】本発明の実施の形態１による在庫ウエハに対する製品の予測歩留を示す図である。
【図７】組み合わせコンポーネントの全てにおいて在庫ウエハと投入品種の関係を示す図である。
【図８】在庫ウエハに対する製品の総合予測歩留が最大となる組み合わせを示す図である。
【図９】在庫ウエハに対する製品の総合予測歩留が最小となる組み合わせを示す図である。
【図１０】本発明の実施の形態２による在庫ウエハの選定手順を示すフローチャートを表す図である。
【図１１】本発明の実施の形態２による在庫ウエハの欠陥検査結果とマスクパターンの照合結果を表す図である。
【図１２】本発明の実施の形態３による在庫ウエハの選定手順を示すフローチャートを表す図である。
【図１３】本発明の実施の形態４による在庫ウエハの選定手順を示すフローチャートを表す図である。
【図１４】本発明の実施の形態５による在庫ウエハの選定手順を示すフローチャートを表す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
以下、本発明に係るウエハ選定システムおよび半導体製品の製造方法について、図面に従い、例を用いて説明する。図１は本発明の実施の形態による製品投入用のウエハ選定システムの全体構成図を示している。ウエハ選定システム１００は、投入用ウエハ選定演算部１０、製品投入計画作成部１１、欠陥検査部１２、製品投入計画データベース１０１、在庫ウエハデータベース１０２などから構成されている。コンピュータ２５は欠陥検査部１２、光電変換素子２４、稼動ステージ２６などを制御している。欠陥検査部１２はベアウエハ２７の欠陥検査を実施する。稼動ステージ２６は、例えばＸＹ方向に移動可能かつθ方向に回転可能である。照射光源２１は、ベアウエハ２７へ照射光２２を照射する。対物レンズ２３は、ベアウエハ２７で反射した光を集光し、結像する。
【００１１】
光電変換素子２４は対物レンズ２３で結像した画像を電気信号に変換する。光電変換素子２４で撮像したベアウエハ２７の画像から、コンピュータ２５が欠陥を検出し、確認できた欠陥の数と欠陥特徴量（欠陥の座標、大きさ、長さ、コントラスト等）を欠陥検査結果として在庫ウエハデータベース１０２に格納する。コンピュータ２５は、欠陥の候補領域の中から、予め欠陥として定義されている大きさとコントラストを有する領域を欠陥と判断する。ここでは欠陥検査部１２の形態として光学顕微鏡を用いた検査装置を例に説明しているが、欠陥検査部１２はウエハ表面の欠陥の位置特定できる他の検査装置も適用できる。
【００１２】
製品投入計画作成部１１は、製造ラインに投入する半導体製品の製品投入計画を管理する。製品投入計画は、半導体製品の品種名、品種別の製品枚数、マスクパターンなどを含み、製品投入計画データベース１０１に格納されている。在庫ウエハデータベース１０２と製品投入計画データベース１０１はネットワーク１３を介して投入用ウエハ選定演算部１０に接続されている。投入用ウエハ選定演算部１０は予測歩留の高い製品とウエハの組み合わせの算出を実施する。図２に予測歩留の高い製品とウエハの組み合わせを算出するためのフローチャートを示す。
【００１３】
まず、投入用ウエハ選定演算部１０は、製品投入計画データベース１０１から、製品の品種名、品種ごとの投入枚数、品種に対応するマスクパターンを読み取る（工程２０１）。図３に製品投入計画データベース１０１の読み込み結果例を示す。製品投入計画によれば、品種Ａに対応するマスクパターン（品種Ａ）４０１を利用してＮａ（＝２）枚の半導体ウエハから半導体チップ４０３ａを製作する。品種Ｂに対応するマスクパターン（品種Ｂ）４０２を利用してＮｂ（＝２）枚の半導体ウエハから半導体チップ４０３ｂを製作する。マスクパターン（品種Ａ）４０１によれば、一枚のベアウエハから３９個の半導体チップ４０３ａが製造できる。マスクパターン（品種Ｂ）４０２によれば、一枚のベアウエハから６８個の半導体チップ４０３ｂが製造できる。
【００１４】
半導体チップ４０３は、珪素（Ｓｉ）によって形成したものの他、珪素に比べてバンドギャップが大きいワイドバンドギャップ半導体によって形成したものも好適に使用することができる。ワイドバンドギャップ半導体としては、炭化珪素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム系材料またはダイヤモンドなどがある。ワイドバンドギャップ半導体を用いた場合、許容電流密度が高く、電力損失も低いため、電力用半導体素子を用いた装置の小型化が可能となる。
【００１５】
次に、在庫ウエハデータベース１０２から、欠陥の座標、大きさ、長さ、コントラスト等の欠陥特徴量を含む欠陥検査結果を読み取る（工程２０２）。図４に在庫ウエハデータベース１０２の読み込み結果例を示す。在庫ウエハとしてウエハＮｏ．１〜ウエハＮｏ．４が存在する。ウエハＮｏ．１に対する欠陥マップ（ウエハＮｏ．１）３０１は、事前の検査工程で確認できた欠陥がゼロであることを示している。ウエハＮｏ．２に対する欠陥マップ（ウエハＮｏ．２）３０２は、事前の検査工程で欠陥を１個確認できたことを示している。ウエハＮｏ．３に対する欠陥マップ（ウエハＮｏ．３）３０３は、事前の検査工程で欠陥が２個確認できたことを示している。ウエハＮｏ．４に対する欠陥マップ（ウエハＮｏ．４）３０４は、事前の検査工程で欠陥が３個確認できたことを示している。
【００１６】
続けて、投入予定のマスクパターン（品種Ａ）４０１とマスクパターン（品種Ｂ）４０２を、ウエハＮｏ．１〜ウエハＮｏ．４の欠陥マップ３０１〜３０４と照合する（工程２０３）。同じマスクパターンを使った製品でも、投入枚数Ｎが複数である場合は異品種の製品として扱う。製品投入計画データベース１０１の読み込み結果（図３参照）と、在庫ウエハデータベース１０２の読み込み結果（図４参照）とを照合した結果を図５に示す。区割り領域に欠陥３０５が認められたチップを不良チップと判断する。図中、不良チップと判断したチップには網掛けしている。
【００１７】
ウエハＮｏ．１に対しては、品種Ａと品種Ｂともに不良チップが発生しないと予想している。ウエハＮｏ．２に対しては、品種Ａでは不良チップが発生しないと予想しているが、品種Ｂでは不良チップが１個発生すると予想している。ウエハＮｏ．３に対しては、品種Ａでは不良チップが１個発生すると予想しているが、品種Ｂでは不良チップが発生しないと予想している。ウエハＮｏ．４に対しては、品種Ａでは不良チップが３個発生すると予想しているが、品種Ｂでは不良チップが２個発生すると予想している。
【００１８】
次に、全ての在庫ウエハに対して品種Ａおよび品種Ｂの予測歩留算出を実施する（工程２０４）。予測歩留はマスクパターンに示すチップ数の内、不良チップが存在しないチップの数の割合から算出する。マスクパターン（品種Ａ）４０１による半導体チップの数は３９個である。マスクパターン（品種Ｂ）４０２による半導体チップの数は６８個である。例えば、品種ＡとウエハＮｏ．３の組み合わせによる予測歩留は97％（＝38／39）と算出できる。同様に、全ての在庫ウエハについて全ての投入品種ごとに予測歩留を算出する。図６にウエハＮｏ．１〜ウエハＮｏ．４に対する予測歩留の算出例を示す。ウエハと品種の組み合わせにより半導体チップと欠陥が重なる組み合わせと、重ならない組み合わせが存在するため予測歩留はばらついている。
【００１９】
最後に、工程２０４で得られた予測歩留から、予測歩留の高い品種とウエハの組み合わせの算出を実行する（工程２０５）。同じマスクパターンを使っても投入枚数（Ｎ）が複数である場合は異品種として扱う。全ての在庫ウエハについて異品種ごとの組み合わせを全て作成する。図６に示した予測歩留の例では、２４通りの組み合わせが存在する。図７は、全ての組み合わせについて、組み合わせコンポーネントごとに、ウエハと品種の関係を示している。全ての組み合わせコンポーネント（Ｎｏ．１〜Ｎｏ．２４）について、予測歩留の総和を求め、最も高くなる組み合わせコンポーネントを、総合予測歩留の高い品種とウエハの組み合わせとして決定する（工程２０６）。
【００２０】
図６に示した予測歩留の算出例に従えば、予測歩留の総和は、３８７ポイントと３９７ポイントの間をばらつく。総合予測歩留が最大となる組み合わせコンポーネントは、ウエハＮｏ．１（品種Ａ）、ウエハＮｏ．２（品種Ａ）、ウエハＮｏ．３（品種Ｂ）、ウエハＮｏ．４（品種Ｂ）から構成される（図８参照）。総合予測歩留が最小となる組み合わせコンポーネントは、ウエハＮｏ．４（品種Ａ）、ウエハＮｏ．３（品種Ａ）、ウエハＮｏ．２（品種Ｂ）、ウエハＮｏ．１（品種Ｂ）から構成される（図９参照）。この結果は投入用ウエハ選定演算部１０から算出結果として出力される。
【００２１】
以上のように投入用ウエハ選定演算部１０が製品投入計画データベース１０１と在庫ウエハデータベース１０２を読み込み、全ての在庫ウエハと製品投入計画に含まれる製品の組み合わせの中から、総合予測歩留の高い在庫ウエハと製品投入計画に含まれる製品の品種の組み合わせを算出する。実施の形態１によれば半導体製品の歩留を高めることが可能となる。
【００２２】
実施の形態２．
実施の形態２による予測歩留の高い製品とウエハの組み合わせの算出は、投入用ウエハ選定演算部１０が図１０に示すフローチャートに従って実施する。実施の形態２が実施の形態１と相違する点は、投入用ウエハ選定演算部１０が総合予測歩留の高い品種とウエハの組み合わせ算出を実施した後、品種とウエハの組み合わせが２通り以上存在した場合に、欠陥数の多いウエハを用いた組み合わせを採用する工程を実施する点である。製品投入用ウエハ選定システムの全体構成図及び投入用ウエハ選定演算部１０が総合予測歩留まりの高い品種とウエハの組み合わせを算出する工程までは実施の形態１と同じである。
【００２３】
実施の形態２に関わる製品投入計画データベース１０１の読み込み結果例を図１１に示す。この図は１枚のマスクパターン（品種Ａ）を使用する場合の、欠陥マップ（ウエハＮｏ．５）と欠陥マップ（ウエハＮｏ．６）を示している。ウエハＮｏ．５には欠陥が４個存在している。ウエハＮｏ．６には欠陥が１個存在している。品種ＡとウエハＮｏ．５の組み合わせにおける予測歩留と、品種ＡとウエハＮｏ．６の組み合わせにおける予測歩留は、共に97％（＝38／39）に等しいため、総合予測歩留の高い組み合わせが２通り以上存在する（工程７０１）。一方ウエハＮｏ．５の欠陥数は４、ウエハＮｏ．６の欠陥数は１である。このとき、欠陥数の多いウエハを用いた組み合わせの採用する工程において、欠陥数の多い、品種ＡとウエハＮｏ．５の組み合わせを採用する（工程７０２）。
【００２４】
ウエハＮｏ．５が在庫として残った場合、次回製品を投入する際、マスクパターンの組み合わせによっては不良チップが最大４個発生する可能性がある。ウエハＮｏ．６が在庫として残った場合、次回製品を投入する際、マスクパターンの組み合わせによっては不良チップが最大１個発生する可能性がある。よって、欠陥数が少ないウエハを残した方が、次回投入する製品の予測歩留が高くなる。
【００２５】
以上のように、総合予測歩留の高い品種とウエハの組み合わせが２通り以上存在した場合、欠陥数の多いウエハを用いた組み合わせを算出結果として出力することで、次回製品を投入する際に、高い予測歩留を得ることが出来る。
【００２６】
実施の形態３．
実施の形態３の予測歩留の高い製品とウエハの組み合わせの算出は、投入用ウエハ選定演算部１０が図１２に示すフローチャートに従って実施する。実施の形態３が実施の形態１と相違する点は、投入用ウエハ選定演算部１０が在庫ウエハデータベースから欠陥検査欠陥の読み取りを実施した後、任意の特徴量を持つ欠陥のみを抽出する工程を実施する点である。工程７０３を除くと、製品投入用ウエハ選定システムの全体構成図及び投入用ウエハ選定演算部１０が総合予測歩留まりの高い製品とウエハの組み合わせを算出する工程２０６までは実施の形態１と同じである。
【００２７】
欠陥検査部１２の測定器や測定レシピによっては、コンピュータ２５が不良に効かない欠陥を検出している場合が想定される。実施の形態３によれば、投入用ウエハ選定演算部１０は工程２０２を実施した後、工程２０３を実施する前に欠陥検査結果から不要な欠陥を取り除く（工程７０３）。投入用ウエハ選定演算部１０に抽出したい欠陥の特徴量を入力することで、任意の特徴量を持つ欠陥のみを抽出する。
【００２８】
以上のように、実施の形態３によれば、任意の特徴量を持つ欠陥のみを抽出する工程を実施することで、精度の高い予測歩留を得て、精度の高い在庫ウエハと投入計画製品の組み合わせを算出できる。
【００２９】
実施の形態４．
実施の形態４の予測歩留の高い製品とウエハの組み合わせの算出は、投入用ウエハ選定演算部１０が図１３に示すフローチャートに従って実施する。実施の形態４が実施の形態１と相違する点は、投入用ウエハ選定演算部１０が規格歩留を入力できる機能を有し、投入用ウエハ選定演算部１０が総合予測歩留の高い品種とウエハの組み合わせ算出を実施した後、規格歩留と前工程で算出した総合予測歩留を比較する規格歩留比較工程を実施する点である。
【００３０】
規格歩留比較工程を除くと、製品投入用ウエハ選定システムの全体構成図及び投入用ウエハ選定演算部１０は実施の形態１と同じである。規格歩留を下回った品種とウエハの組み合わせが存在した場合、投入用ウエハ選定演算部１０は規格歩留を下回った品種とウエハの組み合わせに対し印をつけて結果を出力する（工程７０４）。
【００３１】
以上のように実施の形態４によれば、規格歩留を比較する工程を実施することで、製品投入作業者は投入する製品が規格以上の歩留を満たすか否かを容易に判断できる。
【００３２】
実施の形態５．
実施の形態５の予測歩留の高い製品とウエハの組み合わせの算出は、投入用ウエハ選定演算部１０が図１４に示すフローチャートに従って実施する。実施の形態５が実施の形態１と相違する点は、投入用ウエハ選定演算部１０が在庫ウエハデータベース１０２の中からロットに投入したくないウエハを入力できる機能を有する点である。欠陥検査結果を読み取る前工程において、ロット投入したくないウエハを欠陥検査結果読み取り対照から外す（工程７０５）。
【００３３】
製品投入用ウエハ選定システムの全体構成図及び投入用ウエハ選定演算部１０は実施の形態１と同じである。以上のように実施の形態５によれば、在庫ウエハデータベース１０２の中からロット投入したくないウエハを選択できることで、製品投入用とは異なる目的で使用したいウエハを保護することができる。
【００３４】
半導体チップにＳｉＣを用いた場合、半導体チップはその特徴を生かすべくＳｉの時と比較してより高温で動作させることになる。ＳｉＣデバイスを搭載する半導体チップにおいては、半導体チップとしてより高い信頼性が求められるため、高信頼の半導体チップを実現するという本発明のメリットはより効果的なものとなる。
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、適宜、変形、省略することが可能である。
【符号の説明】
【００３５】
１０：投入用ウエハ選定演算部、１１：製品投入計画作成部、１２：欠陥検査部、１３：ネットワーク、２１：照射光源、２２：照射光、２３：対物レンズ、２４：光電変換素子、２５：コンピュータ、２６：ステージ稼動装置、２７：ベアウエハ、１００：製品投入用ウエハ選定システム、１０１：在庫ウエハデータベース、１０２：製品投入計画データベース、３０１：欠陥マップ（ウエハＮｏ．１）、３０２：欠陥マップ（ウエハＮｏ．２）、３０３：欠陥マップ（ウエハＮｏ．３）、３０４：欠陥マップ（ウエハＮｏ．４）、３０５：欠陥、４０１：マスクパターン（品種Ａ）、４０２：マスクパターン（品種Ｂ）、４０３：半導体チップ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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