(57)【要約】【課題】半導体デバイスにゴミ等が付着することを防止し得る半導体基板の処理方法を提供する。【解決手段】半導体基板の処理方法は、（Ａ）半導体デバイス本体部２１及び接続端子部２２から構成された半導体デバイス２０の複数が、相互に離間した状態で第１面１０Ａに形成された半導体基板１０に、紫外線硬化型の粘着剤層３２が形成された保護フィルム３０を貼り付ける前に、少なくとも半導体デバイス本体部２１と接触する保護フィルム３０の部分に紫外線を照射して粘着剤層３２を硬化させ、次いで、（Ｂ）半導体基板１０の外周部、及び、半導体デバイス２０と半導体デバイス２０との間の半導体基板１０の領域に保護フィルムの未硬化の粘着剤層３４を貼り付け、且つ、半導体デバイス本体部２１に保護フィルムの硬化した粘着剤層の部分３３を接触させる工程から成る。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数が、相互に離間した状態で第１面に形成された半導体基板に、紫外線硬化型の粘着剤層が形成された保護フィルムを貼り付ける前に、少なくとも半導体デバイス本体部と接触する保護フィルムの部分に紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、次いで、
（Ｂ）半導体基板の外周部、及び、半導体デバイスと半導体デバイスとの間の半導体基板の領域に保護フィルムの未硬化の粘着剤層を貼り付け、且つ、半導体デバイス本体部に保護フィルムの硬化した粘着剤層の部分を接触させる、
各工程から成る半導体基板の処理方法。
【請求項２】
工程（Ｂ）の後、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨する請求項１に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項３】
半導体基板の第２面を研磨した後、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせる請求項２に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項４】
半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせた後、保護フィルム及び半導体基板をダイシングする請求項３に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項５】
保護フィルム及び半導体基板をダイシングした後、保護フィルムに紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、保護フィルムを剥離する請求項４に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項６】
半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせた後、保護フィルムに紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、保護フィルムを剥離した後、半導体基板をダイシングする請求項３に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項７】
（Ａ）半導体基板の第１面に、半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数を、相互に離間した状態で形成した後、
（Ｂ）半導体デバイスが形成されていない半導体基板の第１面の領域、及び、接続端子部を除き、半導体デバイス本体部に水溶性保護膜を形成する、
各工程から成る半導体基板の処理方法。
【請求項８】
前記工程（Ｂ）に引き続き、
（Ｃ）水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜を形成する工程を備えている請求項７に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項９】
前記工程（Ｃ）の後、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨する請求項８に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１０】
半導体基板の第２面を研磨した後、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせ、半導体基板をダイシングする請求項９に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１１】
半導体基板をダイシングした後、非水溶性保護膜上に剥離用フィルムを貼り合わせ、次いで、剥離用フィルム及び非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去する請求項１０に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１２】
（Ａ）半導体基板の第１面に、半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数を、相互に離間した状態で形成した後、
（Ｂ）半導体デバイス及び半導体基板の第１面上に研磨保護シートを貼り合わせ、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨し、次いで、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせた後、研磨保護シートを除去し、その後、
（Ｃ）半導体デバイスが形成されていない半導体基板の第１面の領域、及び、接続端子部を除き、半導体デバイス本体部に水溶性保護膜を形成する、
各工程から成る半導体基板の処理方法。
【請求項１３】
前記工程（Ｃ）に引き続き、
（Ｄ）水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜を形成する工程を備えている請求項１２に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１４】
前記工程（Ｄ）に引き続き、半導体基板をダイシングする請求項１３に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１５】
半導体基板をダイシングした後、非水溶性保護膜上に剥離用フィルムを貼り合わせ、次いで、剥離用フィルム及び非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去する請求項１４に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１６】
前記工程（Ｂ）と工程（Ｃ）の間において、半導体基板をダイシングする請求項１３に記載の半導体基板の処理方法。
【請求項１７】
（ａ）半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数が、相互に離間した状態で第１面に形成された半導体基板、及び、
（ｂ）紫外線硬化型の粘着剤層が形成され、半導体基板の第１面を覆う保護フィルム、
から成る半導体基板処理品であって、
半導体デバイス本体部と接触する保護フィルムの部分における粘着剤層は硬化されており、
半導体基板の外周部、及び、半導体デバイスと半導体デバイスとの間に位置する半導体基板の領域に貼り付けられた保護フィルムの粘着剤層は未硬化である半導体基板処理品。
【請求項１８】
保護フィルム及び半導体基板はダイシングされている請求項１７に記載の半導体基板処理品。
【請求項１９】
（ａ）半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数が、相互に離間した状態で第１面に形成された半導体基板、及び、
（ｂ）半導体デバイスが形成されていない半導体基板の第１面の領域、及び、接続端子部を除き、半導体デバイス本体部に形成された水溶性保護膜、
から成る半導体基板処理品。
【請求項２０】
水溶性保護膜及び半導体基板はダイシングされている請求項１９に記載の半導体基板処理品。
【請求項２１】
水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜が形成されている請求項１９に記載の半導体基板処理品。
【請求項２２】
非水溶性保護膜、水溶性保護膜及び半導体基板はダイシングされている請求項２１に記載の半導体基板処理品。
【請求項２３】
第１面と対向する半導体基板の第２面は研磨されている請求項１７乃至請求項２２のいずれか１項に記載の半導体基板処理品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体基板の処理方法及び半導体基板処理品に関し、より具体的には、半導体基板の第１面に半導体デバイスが形成された半導体基板の処理方法及び半導体基板処理品に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、半導体基板の第１面に、半導体プロセスを用いて複数の半導体デバイス（例えば、固体撮像素子）が形成される。そして、この状態で半導体デバイスの特性評価、良／不良評価試験が行われ、良品、不良品の判定がなされる。顧客の要求によっては、この状態で顧客に出荷される。尚、顧客に出荷された場合、それ以降の工程は、例えば、顧客側で行われ、あるいは又、別の工場で行われる。以下の説明においても同様である。次いで、粘着剤層と基材とが積層されて成るバックグラインドテープの粘着剤層を、半導体デバイスが形成された半導体基板の第１面に貼り付けた後、第１面と対向する半導体基板の第２面を、半導体基板が所定の厚さとなるように研削する。顧客の要求によっては、この状態で顧客に出荷される。その後、半導体基板の第２面の全面をダイシングシートの中央部に貼り付け、ウェハリングをダイシングシート外周部に貼り付けた後、バックグラインドテープを剥離する。このとき、バックグラインドテープの粘着剤層が紫外線硬化型の樹脂から構成されている場合、紫外線を照射することで粘着剤層を硬化させて接着性を低下させた状態で、バックグラインドテープを剥離する。
【０００３】
その後、ダイシングシートに貼り付けられた半導体基板を、ウェハリングを支持体としてダイシング装置に搬送する。そして、ダイヤモンド微粒をバインダーで固めた回転ブレードによって、ダイシングラインに沿って半導体基板を切断する。こうして、ダイシングシートが貼り付いている状態で、半導体デバイスを個片化する。顧客の要求によっては、この状態で顧客に出荷される。
【０００４】
場合によっては、バックグラインドテープへの紫外線照射を行わず、バックグラインドテープに貼り付けたままダイシングを行い、その後、紫外線を照射してバックグラインドテープを剥離する場合もある。
【０００５】
次に、ダイシングされた半導体基板を、ウェハリングに取り付けたままチップマウント装置に搬入し、ダイシングシートに紫外線を照射して密着力を低下させた状態で、ダイシングシートを引き延ばしながら裏面側から針状の突上げピンで突き上げ、部分的に剥がす。そして、個片化された（個々に分割された）半導体デバイスをコレットによって吸着・保持する。こうして、半導体デバイスをダイシングシートからピックアップし、別のウェハリングに貼り付けられた支持シート上に移載する。顧客の要求によっては、この状態で顧客に出荷されるが、この出荷形態が一般的である。出荷する場合、ゴミ等の付着を最小限にとどめるため、梱包ケース等に保管して出荷する。
【０００６】
その後、通常、別工場又は顧客側で以下の作業を行う。即ち、ウェハリングに取り付けた状態でチップマウント装置に搬入し、支持シートに紫外線を照射して密着力を低下させた状態で、支持シートを引き延ばしながら裏面側から針状の突上げピンで突き上げて部分的に剥がす。そして、個片化された半導体デバイスをコレットによって吸着・保持する。こうして、半導体デバイスを支持シートからピックアップし、パッケージあるいはプリント配線板上の移載部に塗布された接着剤上に半導体デバイスを置く。そして、接着剤を加熱等によって硬化させ、パッケージあるいはプリント配線板上に半導体デバイスを固定する。次いで、半導体デバイスの接続端子部と、パッケージあるいはプリント配線板に設けられた端子部とを、ワイヤーボンディング等により電気的に接続する。尚、この接続をフリップチップ接続とすることもできる。最後にパッケージの開口部にシール樹脂を塗布し、ガラスあるいはレンズを乗せて、シール樹脂を硬化させることで、半導体デバイスを完成させることができる。
【０００７】
以上に説明した従来の半導体デバイスの製造工程にあっては、バックグラインドテープを剥離するとき、半導体デバイスに粘着剤層が残存してしまう場合がある。即ち、所謂「糊残り」が発生する場合がある。このような糊残りが発生すると、固体撮像素子から半導体デバイスが構成されている場合、斑点状の画像欠陥が画像に発生するといった問題が生じる。また、半導体デバイスの縮小化や半導体デバイスの構成部品の微細化によって、半導体デバイスに粘着剤層が侵入し、半導体デバイスからの粘着剤層の除去が困難となっているし、半導体デバイスへのバックグラインドテープの貼合せ時、半導体デバイスと粘着剤層との間に気泡が入ってしまい、紫外線による粘着剤層の硬化状態が不均一になるといった問題もある。
【０００８】
また、半導体デバイスの製造工程、搬送工程等において半導体デバイスが剥き出しになっていると、半導体デバイスにゴミ等が付着するといった問題もある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開平５−０６２９５０
【特許文献２】特開２００１−１０２３３０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
粘着力の制御可能な保護テープを用い、半導体ウエハの周辺部に対してのみ保護テープを強粘着状態に貼り付ける半導体ウエハへの保護テープ貼り付け方法が、特開平５−０６２９５０から周知である。半導体ウエハの周辺部に対してのみ保護テープを強粘着状態に貼り付けるので、上述した糊残りといった問題は生じない。しかしながら、個々の半導体デバイスの周辺に保護テープが接着されていないので、半導体基板の第２面を研削するとき、問題が生じ易い。即ち、半導体ウエハの中心部において、半導体ウエハと保護テープとの間でずれが生じ、半導体ウエハの表面に傷や凹みが発生する虞がある。また、保護テープに皺が生じ、最悪の場合、半導体ウエハが損傷する。
【００１１】
また、マザーボードに複数の基板を多数面取りし、マザーボードより基板を切り出すに際し、マザーボードの表面に水溶性の第１の保護膜を形成し、次いで、水溶性の第１の保護膜の上に難水溶性の第２の保護膜を形成し、第１，第２の保護膜が形成されたマザーボードを切断して複数の基板を切り出し、切断された基板を溶剤にて洗浄して第２の保護膜を除去し、次いで水にて洗浄して第１の保護膜を除去する基板の製造方法が、特開２００１−１０２３３０から周知である。この技術によれば、基板の切出し時、基板にゴミ等が付着することを防止できる。しかしながら、この技術を上述した半導体デバイスの製造方法に応用した場合、半導体デバイスの接続端子部が第１の保護膜及び第２の保護膜で被覆されることになるので、半導体デバイスの特性評価、良／不良評価試験を行うことができないといった問題がある。
【００１２】
従って、本開示の第１の目的は、半導体デバイスの製造工程や搬送工程において半導体デバイスに糊残りやゴミが付着するといった問題の発生を回避し得る半導体基板の処理方法及び半導体基板処理品を提供することにある。また、本開示の第２の目的は、第１の目的に加えて、半導体デバイスの特性評価、良／不良評価試験を容易に行うことができる半導体基板の処理方法及び半導体基板処理品を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の第１の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る半導体基板の処理方法は、
（Ａ）半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数が、相互に離間した状態で第１面に形成された半導体基板に、紫外線硬化型の粘着剤層が形成された保護フィルムを貼り付ける前に、少なくとも半導体デバイス本体部と接触する保護フィルムの部分に紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、次いで、
（Ｂ）半導体基板の外周部、及び、半導体デバイスと半導体デバイスとの間の半導体基板の領域に保護フィルムの未硬化の粘着剤層を貼り付け、且つ、半導体デバイス本体部に保護フィルムの硬化した粘着剤層の部分を接触させる、
各工程から成る。
【００１４】
上記の第１の目的あるいは第２の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る半導体基板の処理方法は、
（Ａ）半導体基板の第１面に、半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数を、相互に離間した状態で形成した後、
（Ｂ）半導体デバイスが形成されていない半導体基板の第１面の領域、及び、接続端子部を除き、半導体デバイス本体部に水溶性保護膜を形成する、
各工程から成る。
【００１５】
上記の第１の目的あるいは第２の目的を達成するための本開示の第３の態様に係る半導体基板の処理方法は、
（Ａ）半導体基板の第１面に、半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数を、相互に離間した状態で形成した後、
（Ｂ）半導体デバイス及び半導体基板の第１面上に研磨保護シートを貼り合わせ、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨し、次いで、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせた後、研磨保護シートを除去し、その後、
（Ｃ）半導体デバイスが形成されていない半導体基板の第１面の領域、及び、接続端子部を除き、半導体デバイス本体部に水溶性保護膜を形成する、
各工程から成る。
【００１６】
上記の第１の目的を達成するための本開示の第１の態様に係る半導体基板処理品は、
（ａ）半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数が、相互に離間した状態で第１面に形成された半導体基板、及び、
（ｂ）紫外線硬化型の粘着剤層が形成され、半導体基板の第１面を覆う保護フィルム、
から成り、
半導体デバイス本体部と接触する保護フィルムの部分における粘着剤層は硬化されており、
半導体基板の外周部、及び、半導体デバイスと半導体デバイスとの間に位置する半導体基板の領域に貼り付けられた保護フィルムの粘着剤層は未硬化である。
【００１７】
上記の第２の目的を達成するための本開示の第２の態様に係る半導体基板処理品は、
（ａ）半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数が、相互に離間した状態で第１面に形成された半導体基板、及び、
（ｂ）半導体デバイスが形成されていない半導体基板の第１面の領域、及び、接続端子部を除き、半導体デバイス本体部に形成された水溶性保護膜、
から成る。
【発明の効果】
【００１８】
本開示の第１の態様に係る半導体基板の処理方法、あるいは、本開示の第１の態様に係る半導体基板処理品にあっては、半導体デバイスの内、ゴミ等の付着を特に嫌う半導体デバイス本体部と接触する保護フィルムの部分における粘着剤層は硬化されており、半導体基板の外周部、及び、半導体デバイスと半導体デバイスとの間に位置する半導体基板の領域に貼り付けられた保護フィルムの粘着剤層は未硬化である。それ故、半導体デバイス本体部に粘着剤層が残存してしまうといった糊残りの問題、半導体デバイス本体部に粘着剤層が侵入し、紫外線照射による粘着剤層の硬化に伴い半導体デバイス本体部からの粘着剤層の除去が困難となるといった問題の発生を確実に回避することができる。しかも、個々の半導体デバイス本体部の周辺に保護フィルムが接着されているので、半導体基板の第２面を研磨するとき、半導体デバイス本体部へのゴミの侵入等の問題や、半導体デバイス本体部と保護フィルムの硬化した粘着剤層との間で擦れが生じて半導体デバイス本体部に擦れ傷が発生する等の問題も生じ難い。更には、半導体基板に保護フィルムを付着させた状態でダイシングを行う場合、ダイシングに起因したダスト付着を防止することができる。加えて、ダイシングの有無に拘わらず、輸送等、あるいは、ゴミが付着し易い環境に保管されたとしても、半導体デバイス本体部にゴミが付着することもない。逆に、ゴミが付着し易い環境に保管することも可能である。また、半導体デバイス本体部へのゴミ等の付着を防止することができるだけでなく、半導体デバイス本体部と接触する保護フィルムの部分における粘着剤層が硬化した状態にあるので、半導体デバイスの保管期間が長期間となっても、粘着剤層によって、半導体デバイスが糊付着等の悪影響を受けることもない。更には、半導体基板に保護フィルムを付着させた状態でダイシングして半導体デバイスを個片化した場合、半導体基板の外周部、及び、半導体デバイスと半導体デバイスとの間の半導体基板の領域に、保護フィルムが接着されているので、ダイシングダストやゴミの侵入、付着を確実に防止できる。また、例えば、半導体デバイス本体部と保護フィルムとの間に水溶性保護膜が形成されている場合、水溶性保護膜への水の侵入を確実に防止でき、水溶性保護膜の溶解の防止が可能となる。更には、半導体基板に保護フィルムを付着させた状態でダイシングし、半導体デバイスをコレットによって吸着・保持するとき、半導体デバイスに損傷が発生することを確実に防止することができる。
【００１９】
本開示の第２の態様〜第３の態様に係る半導体基板の処理方法、あるいは、本開示の第２の態様に係る半導体基板処理品においては、半導体デバイスが形成されていない半導体基板の第１面の領域、及び、半導体デバイスの内、接続端子部を除き、半導体デバイス本体部に水溶性保護膜を形成するので、特にゴミ付着を嫌う領域である半導体デバイス本体部へのゴミ等の付着を防止しつつ、半導体デバイスの特性評価、良／不良評価試験を行うことができる。また、水溶性保護膜の上にバックグラインドテープを貼り合わせた後、半導体基板の第２面を研磨すれば、水溶性保護膜を介してバックグラインドテープを接着するため、糊残りといった問題が生じることもない。しかも、半導体デバイスの保管期間が長期間となっても、水溶性保護膜によって半導体デバイスが悪影響を受けることもない。また、水溶性保護膜が形成された状態でダイシングし、半導体デバイスをコレットによって吸着・保持するとき、半導体デバイスに損傷が発生することを確実に防止することができる。最終的には、半導体デバイスの接続端子部からの端子引出し処理を行った上で、水洗により水溶性保護膜を除去することが容易に可能である。水溶性保護膜の塗布後に水溶性保護膜上に付着したゴミも、この水洗で洗い流すことができるため、水溶性保護膜の塗布から水洗までの工程を、通常に比べてゴミ付着し易い環境下で実行することが可能となり  ゴミが付着し難いクリーンな環境を整え、維持管理していくといった工数が大幅に削減することができ、より低コストにて生産することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ及び図１Ｅは、実施例１の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図２】図２Ａ、図２Ｂ及び図２Ｃは、図１Ｅに引き続き、実施例１の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図３】図３Ａ及び図３Ｂは、図２Ｃに引き続き、実施例１の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図４】図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ及び図４Ｄは、実施例２の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図５】図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ及び図５Ｄは、実施例３の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図６】図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ及び図６Ｅは、実施例４の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図７】図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ及び図７Ｄは、図６Ｅに引き続き、実施例４の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図８】図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ及び図８Ｄは、実施例５の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図９】図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ及び図９Ｄは、図８Ｄに引き続き、実施例５の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図１０】図１０Ａ、図１０Ｂ及び図１０Ｃは、実施例６の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図１１】図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃ、図１１Ｄ及び図１１Ｅは、実施例７の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図１２】図１２Ａ及び図１２Ｂは、実施例７の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図である。
【図１３】図１３Ａ及び図１３Ｂは、それぞれ、１つの半導体デバイス（固体撮像素子）の模式的な平面図、及び、２つの半導体デバイス（固体撮像素子）の模式的な断面図である。
【図１４】図１４Ａは、保護フィルムの模式的な平面図であり、図１４Ｂ及び図１４Ｃは、保護フィルムの模式的な断面図である。
【図１５】図１５は、露光用マスクの模式的な平面図である。
【図１６】図１６は、半導体基板に貼り合わされた保護フィルムの状態を示す模式図である。
【図１７】図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃ、図１７Ｄ及び図１７Ｅは、ダイシングシートから半導体デバイスをピックアップし、半導体デバイスとして完成させる工程を説明するための半導体基板等の模式的な断面図である。
【図１８】図１８は、図１７Ｅに引き続き、ダイシングシートから半導体デバイスをピックアップし、半導体デバイスとして完成させる工程を説明するための半導体基板等の模式的な断面図である。
【図１９】図１９は、実施例１、実施例２及び実施例３の半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である。
【図２０】図２０は、実施例４の半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である。
【図２１】図２１は、実施例５の半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である。
【図２２】図２２は、実施例６の半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である。
【図２３】図２３は、実施例７の半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、図面を参照して、実施例に基づき本開示を説明するが、本開示は実施例に限定されるものではなく、実施例における種々の数値や材料は例示である。尚、説明は、以下の順序で行う。
１．本開示の第１の態様〜第３の態様に係る半導体基板の処理方法、及び、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る半導体基板処理品、全般に関する説明
２．実施例１（本開示の第１の態様に係る半導体基板の処理方法、及び、本開示の第１の態様に係る半導体基板処理品）
３．実施例２（実施例１の変形）
４．実施例３（実施例１の別の変形）
５．実施例４（本開示の第２の態様に係る半導体基板の処理方法、及び、本開示の第２の態様に係る半導体基板処理品）
６．実施例５（実施例４の変形）
７．実施例６（本開示の第３の態様に係る半導体基板の処理方法、及び、本開示の第２の態様に係る半導体基板処理品）
８．実施例７（実施例６の変形）
９．実施例８（実施例１〜実施例７の変形）
１０．実施例９（実施例１〜実施例８の変形）
１１．実施例１０（固体撮像素子から構成された半導体デバイス）、その他
【００２２】
［本開示の第１の態様〜第３の態様に係る半導体基板の処理方法、及び、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る半導体基板処理品、全般に関する説明］
本開示の第１の態様に係る半導体基板処理品にあっては、保護フィルム及び半導体基板はダイシングされている形態とすることができる。また、本開示の第２の態様に係る半導体基板処理品にあっては、水溶性保護膜及び半導体基板はダイシングされている形態とすることができる。あるいは又、本開示の第２の態様に係る半導体基板処理品にあっては、水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜が形成されている形態とすることができ、この場合、非水溶性保護膜、水溶性保護膜及び半導体基板はダイシングされている形態とすることができる。更には、これらの好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る半導体基板処理品、あるいは又、本開示の第１の態様に係る半導体基板処理品にあっては、第１面と対向する半導体基板の第２面は研磨されている形態とすることが好ましい。更には、半導体基板の第２面にダイシングシートが貼り合わされている形態とすることができるし、半導体基板はダイシングされている形態とすることができる。また、以上に説明した好ましい形態を含む本開示の第２の態様に係る半導体基板処理品にあっては、半導体デバイス不良品から水溶性保護膜が除去されている形態とすることができる。
【００２３】
本開示の第１の態様に係る半導体基板の処理方法においては、工程（Ｂ）の後、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨することが好ましい。そして、この場合、半導体基板の第２面を研磨した後、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせることが好ましい。
【００２４】
そして、更には、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせた後、保護フィルム及び半導体基板をダイシングすることが好ましく、この場合、保護フィルム及び半導体基板をダイシングした後、保護フィルムに紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、保護フィルムを剥離することが好ましい。
【００２５】
更には、この場合、保護フィルムに紫外線を照射した後、保護フィルム上に剥離用フィルムを貼り合わせ、その後、保護フィルムを剥離することが好ましい。あるいは又、この場合、
保護フィルム及び半導体基板をダイシングした後、保護フィルムに紫外線を照射する前に、保護フィルム上に剥離用フィルムを貼り合わせ、
保護フィルムに紫外線を照射する際、剥離用フィルムを介して保護フィルムに紫外線を照射することが好ましい。
【００２６】
あるいは又、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせた後、保護フィルムに紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、保護フィルムを剥離した後、半導体基板をダイシングすることが好ましい。
【００２７】
本開示の第２の態様に係る半導体基板の処理方法においては、前記工程（Ｂ）に引き続き、
（Ｃ）水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜を形成する工程を備えていることが好ましい。そして、この場合、前記工程（Ｃ）の後、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨することが好ましく、更には、半導体基板の第２面を研磨した後、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせ、半導体基板をダイシングすることが好ましく、更には、半導体基板をダイシングした後、非水溶性保護膜上に剥離用フィルムを貼り合わせ、次いで、剥離用フィルム及び非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去することが好ましいが、非水溶性保護膜を構成する材料に依っては、例えば、溶剤を用いて非水溶性保護膜を溶解あるいは剥離することで、非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去することができる。
【００２８】
あるいは又、本開示の第２の態様に係る半導体基板の処理方法においては、前記工程（Ｂ）に引き続き、水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、バックグラインドテープを貼り合わせた後、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨することが好ましく、この場合、半導体基板の第２面を研磨した後、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせ、バックグラインドテープを除去することが好ましく、更には、バックグラインドテープを除去した後、水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜を形成することが好ましく、更には、非水溶性保護膜を形成した後、半導体基板をダイシングすることが好ましく、更には、半導体基板をダイシングした後、非水溶性保護膜上に剥離用フィルムを貼り合わせ、次いで、剥離用フィルム及び非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去することが好ましいが、非水溶性保護膜を構成する材料に依っては、例えば、溶剤を用いて非水溶性保護膜を溶解あるいは剥離することで、非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去することができる。
【００２９】
本開示の第３の態様に係る半導体基板の処理方法においては、前記工程（Ｃ）に引き続き、
（Ｄ）水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜を形成する工程を備えていることが好ましく、この場合、前記工程（Ｄ）に引き続き、半導体基板をダイシングすることが好ましく、更には、半導体基板をダイシングした後、非水溶性保護膜上に剥離用フィルムを貼り合わせ、次いで、剥離用フィルム及び非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去することが好ましいが、非水溶性保護膜を構成する材料に依っては、例えば、溶剤を用いて非水溶性保護膜を溶解あるいは剥離することで、非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去することができる。
【００３０】
あるいは又、本開示の第３の態様に係る半導体基板の処理方法においては、前記工程（Ｂ）と工程（Ｃ）の間において、半導体基板をダイシングすることが好ましく、この場合、半導体基板をダイシングした後、半導体デバイス良品を、支持シートに移すことが好ましい。
【００３１】
以上に説明した好ましい形態、構成を含む本開示の第１の態様〜第３の態様に係る半導体基板の処理方法、あるいは、本開示の第１の態様〜第２の態様に係る半導体基板処理品において、半導体デバイスとして、固体撮像素子、ＭＥＭＳ（Micro Electro Mechanical Systems）、デジタルマイクロミラーデバイス（ＤＭＤ）を例示することができる。半導体基板として、シリコン半導体基板だけでなく、Ｓｉ−Ｇｅ基板や、Ｇｅ基板、Ｃｕ、Ｉｎ、Ｇａ、Ａｌ、Ｓｅ、Ｓ等から成るカルコパイライト系基板（例えば、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ基板）、ＧａＡｓ基板等を挙げることができる。そして、これによって、固体撮像素子から半導体デバイスを構成する場合、固体撮像素子の受光感度波長帯の拡大や変更を図ることができる。半導体デバイスは、周知の製造方法に基づき製造することができる。
【００３２】
保護フィルムの構成、構造として、基材と紫外線硬化型の粘着剤層との積層構造を挙げることができる。粘着剤層は、例えば、支持部材上に形成されている。即ち、使用前の保護フィルム全体としては、支持部材、粘着剤層、基材の積層構造を有する。紫外線硬化型の粘着剤層を構成する材料として、アクリル系樹脂を挙げることができるし、保護フィルムを構成する基材として、低密度ポリエチレン、直鎖低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン等のポリオレフィン；エチレン酢酸ビニル共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン（メタ）アクリル酸エステル共重合体等のエチレン共重合体；ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のポリエステル；ポリ塩化ビニル；アクリルゴム；ポリアミド；ウレタン；ポリイミドを挙げることができる。保護フィルムの貼り付け方法、保護フィルムへの紫外線の照射方法は周知の方法を採用すればよいし、保護フィルムの剥離方法も周知に剥離方法を採用すればよい。研磨保護シートは、例えば、上記の保護フィルムから構成することができる。
【００３３】
水溶性保護膜を構成する材料として、ポリビニルアルコール系樹脂、ポリビニルピロリドン系樹脂、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、ヒドロキシプロピルセルロースを挙げることができるし、非水溶性保護膜を構成する材料として、ゴム系樹脂、ノボラック系樹脂、ヒドロキシレン系樹脂、多価アクリレート系樹脂を挙げることができる。水溶性保護膜、非水溶性保護膜は、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法、オフセット印刷法、反転オフセット印刷法、グラビア印刷法、グラビアオフセット印刷法、凸版印刷、フレキソ印刷、マイクロコンタクト法といった各種印刷法；ディスペンサーを用いる方法：スタンプ法といった各種の塗布法に基づき形成することができる。水溶性保護膜、非水溶性保護膜の剥離方法、除去方法は、水溶性保護膜、非水溶性保護膜を構成する材料に依って、適宜、選択すればよく、水溶性保護膜は、例えば、水や温水を用いて剥離、除去することができるし、非水溶性保護膜は溶剤を用いて剥離、除去することができる。
【００３４】
ダイシングシート、バックグラインドテープ、剥離用フィルムは、周知の構成、構造を有するダイシングシート、バックグラインドテープ、剥離用フィルムを用いればよいし、ダイシングシートやバックグラインドテープ、剥離用フィルムの貼り付け方法、剥離方法、除去方法も、周知の貼り付け方法、剥離方法、除去方法を採用すればよい。半導体基板の第２面の研磨方法、半導体基板等のダイシング方法も、周知の方法を採用すればよい。
【実施例１】
【００３５】
実施例１は、本開示の第１の態様に係る半導体基板の処理方法、及び、本開示の第１の態様に係る半導体基板処理品に関する。図１Ａ、図１Ｂ、図１Ｃ、図１Ｄ、図１Ｅ、図２Ａ、図２Ｂ、図２Ｃ、図３Ａ及び図３Ｂに、実施例１の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図を示す。以下、これらの図面、更には、半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である図１９を参照して、実施例１の半導体基板の処理方法及び半導体基板処理品を説明する。尚、各実施例において、半導体デバイスは、固体撮像素子から成り、シリコン半導体基板から成る半導体基板に形成されている。
【００３６】
［工程−１００］
先ず、周知の方法で、シリコン半導体基板から成る半導体基板１０に、固体撮像素子から成る半導体デバイス２０を製造する（図１Ａ参照）。具体的には、周知の方法で、半導体基板１０の第１面１０Ａに、半導体デバイス本体部２１（具体的には、撮像部）及び接続端子部２２から構成された半導体デバイス２０の複数を、相互に離間した状態で形成する。尚、１つの半導体デバイス２０の模式的な平面図を図１３Ａに示す。半導体デバイス本体部２１（撮像部）の具体的な構成、構造については、後述する。
【００３７】
その後、半導体デバイス２０の特性を評価するために特性評価装置に半導体基板１０を搬入する。そして、各半導体デバイス２０の接続端子部２２に測定用プローブを接触させ、所定の電気的特性評価を個々の半導体デバイスにおいて行い、良品、不良品の判定がなされる。半導体デバイスが固体撮像素子から構成される場合、特性評価のために光を照射して評価を行えばよい。
【００３８】
［工程−１１０］
実施例１にあっては、半導体デバイス本体部２１及び接続端子部２２から構成された半導体デバイス１０の複数が、相互に離間した状態で第１面１０Ａに形成された半導体基板１０に、紫外線硬化型の粘着剤層３２が形成された保護フィルム３０を貼り付ける前に、少なくとも半導体デバイス本体部２１と接触する保護フィルム３０の部分に紫外線を照射して粘着剤層３２を硬化させる。具体的には、図１Ｂに示すように、開口部３７が設けられた露光用マスク３６を用いて、保護フィルム３０に紫外線を照射して粘着剤層３２を選択的に硬化させる。開口部３７は、半導体デバイス本体部２１と接触する保護フィルム３０の部分に対応して設けられている。粘着剤層３２の硬化部分を参照番号３３で示し、粘着剤層３２の未硬化部分を参照番号３４で示す。図１３Ａにおいて、粘着剤層３２の硬化部分３３と未硬化部分３４の境界を点線で示す。ここで、保護フィルム３０は、オレフィン系あるいはポリ塩化ビニル等の透明なフィルムから成る基材３１、及び、基材３１の一方の面に形成されたアクリル系樹脂といった紫外線硬化型の粘着剤から成る粘着剤層３２から構成されている。尚、図１４Ｂあるいは図１４Ｃに示すように、粘着剤層３２は、例えば、ポリエステルフィルムから成る支持部材３５上に形成されている。但し、図１４Ｂ及び図１４Ｃ以外の図面では支持部材３５の図示を省略した。また、図１４Ａに、保護フィルム３０の模式的な平面図を示し、図１４Ｂに、紫外線を照射する前の保護フィルム３０の模式的な断面図を示し、図１４Ｃに、紫外線を照射した後の保護フィルム３０の模式的な断面図を示し、図１５に、露光用マスク３６の模式的な平面図を示す。また、図１６に、紫外線照射後の、半導体基板１０に貼り合わされた保護フィルム３０の状態を模式的に示すが、粘着剤層の未硬化部分３４を斜線を付して示しており、二重の四角で表した部分にあっては、粘着剤層の硬化部分３３を外側の四角の領域で示し、半導体デバイス本体部２１を内側の四角の領域で示している。
【００３９】
［工程−１２０］
次いで、半導体基板１０の外周部、及び、半導体デバイス２０と半導体デバイス２０との間の半導体基板１０の領域に保護フィルム３０の未硬化の粘着剤層３２を貼り付け、且つ、半導体デバイス本体部２１に保護フィルム３０の硬化した粘着剤層３２の部分を接触させる（図１Ｃ及び図１Ｄを参照）。具体的には、支持部材３５を剥離しながら、半導体デバイス本体部２１に、保護フィルム３０の硬化した粘着剤層３２の部分（硬化部分３３）を接触させる。一方、半導体基板１０の外周部、及び、半導体デバイス２０と半導体デバイス２０との間の半導体基板１０の領域、並びに、接続端子部２２に、保護フィルム３０の未硬化の粘着剤層３２（未硬化部分３４）を貼り付ける。
【００４０】
こうして、図１Ｄに示すように、
（ａ）半導体デバイス本体部２１及び接続端子部２２から構成された半導体デバイス２０の複数が、相互に離間した状態で第１面１０Ａに形成された半導体基板１０、及び、
（ｂ）紫外線硬化型の粘着剤層３２が形成され、半導体基板１０の第１面１０Ａを覆う保護フィルム３０、
から成り、
半導体デバイス本体部２１と接触する保護フィルム３０の部分における粘着剤層３２は硬化されており、
半導体基板１０の外周部、及び、半導体デバイス２０と半導体デバイス２０との間に位置する半導体基板１０の領域に貼り付けられた保護フィルム３０の粘着剤層３２は未硬化である半導体基板処理品を得ることができる。
【００４１】
より具体的には、半導体デバイス本体部２１及びその外縁部、更には、半導体デバイス本体部２１に隣接した半導体基板１０の部分における粘着剤層３２は硬化されている。一方、半導体基板１０の外周部、半導体デバイス２０と半導体デバイス２０との間に位置する半導体基板１０の領域、及び、半導体デバイス２０の外周部（接続端子部２２が含まれる）に貼り付けられた保護フィルム３０の粘着剤層３２は未硬化である。
【００４２】
尚、顧客の要求によっては、図１Ｄに示す状態で出荷される。尚、顧客に出荷された場合、それ以降の工程は、例えば、顧客側で行われ、あるいは又、別の工場で行われる。以下の説明においても同様である。
【００４３】
［工程−１３０］
次に、第１面１０Ａと対向する半導体基板の第２面１０Ｂを、周知の方法に基づき、研磨する（図１Ｅ参照）。顧客の要求によっては、図１Ｅに示す状態で出荷される。
【００４４】
［工程−１４０］
その後、半導体基板１０の第２面１０Ｂにダイシングシート４０を貼り合わせる（図２Ａ参照）。具体的には、半導体基板１０の第２面１０Ｂの全面をダイシングシート４０の中央部に貼り付け、ウェハリング４１をダイシングシート４０の外周部に貼り付ける。顧客の要求によっては、図２Ａに示す状態で出荷される。
【００４５】
［工程−１５０］
次いで、保護フィルム３０及び半導体基板１０を、周知のダイシング装置を使用して周知のダイシング方法に基づきダイシングする（図２Ｂ参照）。顧客の要求によっては、図２Ｂに示す状態で出荷される。
【００４６】
［工程−１６０］
その後、保護フィルム３０に紫外線を照射して粘着剤層３２を硬化させ、保護フィルム３０を剥離する。具体的には、保護フィルム３０に紫外線を照射して粘着剤層３２の未硬化部分３４を硬化させ、粘着剤層３２の接着性を低下させる（図２Ｃ参照）。図面においては、未硬化部分３４が硬化した状態を参照番号３４’で示す。次に、保護フィルム３０上に、ポリエチレン、ポリエステル、ポリプロピレン等から成る基材３１に、アクリル系あるいはゴム系の粘着剤層３２が形成されて成る剥離用フィルム４２を貼り合わせ（図３Ａ参照）、その後、保護フィルム３０を剥離する（図３Ｂ参照）。顧客の要求によっては、図２Ｃあるいは図３Ａあるいは図３Ｂに示す状態で出荷される。
【００４７】
このように、実施例１にあっては、半導体デバイス本体部２１と接触する保護フィルム３０の部分における粘着剤層３２（硬化部分３３）が硬化されており、半導体基板１０の外周部、及び、半導体デバイス２０と半導体デバイス２０との間に位置する半導体基板１０の領域、更には、半導体デバイス２０の外周部（接続端子部２２が含まれる）に貼り付けられた保護フィルム３０の粘着剤層３２（未硬化部分３４）は未硬化である。それ故、半導体デバイス本体部２１に粘着剤層３２が残存してしまうといった問題、半導体デバイス本体部２１に粘着剤層３２が侵入し、半導体デバイス本体部２１からの粘着剤層３２の除去が困難となるといった問題の発生を確実に回避することができる。しかも、個々の半導体デバイス２０の外周部に保護フィルム３０が接着されているので、半導体基板１０の第２面１０Ｂを研削、研磨するとき、問題が生じることもない。
【００４８】
また、ダイシング工程において、回転ブレードを用いて水を流しながら半導体基板１０を削って個片化するとき、半導体基板表面を各種の削り滓を含んだ水が流れる。半導体デバイス２０が保護フィルム３０によって覆われていない場合、この滓の一部が半導体デバイス２０に付着する。更に、半導体基板１０の搬送や、個片化後の半導体デバイスの搬送あるいは保管、その他の工程においても、半導体デバイス２０にゴミが付着する。特に、ダイシング工程において、半導体基板１０に欠けが発生し、半導体基板１０の滓が発生し易い。また、半導体デバイス同士の接触によって半導体基板１０に欠けが発生し、半導体基板１０の滓が発生し易い。固体撮像素子から半導体デバイス２０を構成する場合、これらの半導体デバイス２０に付着したゴミや滓は、その後の固体撮像素子の撮像試験で白点や黒点の画像不良の発生原因となり、固体撮像素子の製造歩留り低下の原因となる。
【００４９】
実施例１にあっては、ダイシング時、半導体デバイス２０は保護フィルム３０によって被覆されているので、このような問題が発生することがない。また、半導体基板１０の搬送や、個片化後の半導体デバイス２０の搬送あるいは保管、その他の工程においても、半導体デバイス２０にゴミや滓が付着することを確実に防止することができる。また、半導体デバイス本体部２１と接触する保護フィルム３０の部分における粘着剤層３２は硬化された状態にある。それ故、保護フィルム３０の剥離を半導体デバイスの製造工程の最終段階で行っても、あるいは又、半導体デバイス２０の保管期間が長期間となっても、粘着剤層３２によって半導体デバイス２０が悪影響を受けることがない。しかも、例えば、［工程−１５０］に示した状態で半導体デバイス２０をコレットによって吸着・保持すれば、半導体デバイス２０に損傷が発生することを確実に防止することができるし、コレットによって吸着・保持するときに発生するゴミ（例えば、半導体基板の滓）が半導体デバイス２０に付着することを防止し得る。
【００５０】
通常、［工程−１００］において、半導体デバイス２０が製造された時点で半導体デバイスの特性評価、良／不良評価試験が行われ、良品、不良品の判定がなされる。このときの半導体デバイス２０の歩留りをＹ1とする。また、後述する半導体デバイスの最終組み立て時、即ち、半導体デバイス２０がパッケージに格納された最終製品形態となった時点で、最終製品としての半導体デバイス組立品の特性評価、良／不良評価試験が行われ、良品、不良品の判定がなされる。このときの半導体デバイス２０の最終製品形態における歩留りをＹ2とする。ここで、半導体デバイス２０が製造された時点から、半導体デバイス２０が最終製品形態となるまでに、半導体デバイス２０にゴミ等が付着して半導体デバイス２０が不良品になってしまうと、歩留りＹ1と歩留りＹ2との間に大きな差異が生じてしまう。従って、従来においては、このような歩留りの差異（低下）を見越し、歩留り低下を予測して、半導体デバイス２０の製造数量を決定している。然るに、実施例１にあっては、半導体デバイス２０が製造された時点から、半導体デバイス２０が最終製品形態となるまでに、半導体デバイス２０へのゴミ等の付着に起因した歩留りの低下を防止することができるので、このような歩留り低下の予測が不要となるし、不良発生を見込んだ無駄な生産も不要となる。また、納期の短縮化、ジャストインタイムな生産、半導体デバイス２０の製造トータルコストの低減、製造設備の簡素化、管理工数の低減等にも寄与する。以下に説明する種々の実施例においても同様である。
【実施例２】
【００５１】
実施例２は、実施例１の変形である。図４Ａ、図４Ｂ、図４Ｃ及び図４Ｄに、実施例２の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図を示す。以下、これらの図面、更には、半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である図１９を参照して、実施例２の半導体基板の処理方法を説明する。
【００５２】
［工程−２００］
先ず、実施例１の［工程−１００］〜［工程−１５０］と同様の工程を実行する（図４Ａ参照）。
【００５３】
［工程−２１０］
こうして、保護フィルム３０及び半導体基板１０をダイシングした後、保護フィルム３０上に剥離用フィルム４２を貼り合わせる（図４Ｂ参照）。顧客の要求によっては、図４Ｂに示す状態で出荷される。
【００５４】
［工程−２２０］
次に、剥離用フィルム４２を介して保護フィルム３０に紫外線を照射することで、粘着剤層３２の未硬化部分３４を硬化させ、粘着剤層３２の接着性を低下させる（図４Ｃ参照）。その後、保護フィルム３０を剥離する（図４Ｄ参照）。顧客の要求によっては、図４Ｃあるいは図４Ｄに示す状態で出荷される。
【実施例３】
【００５５】
実施例３も、実施例１の変形である。図５Ａ、図５Ｂ、図５Ｃ及び図５Ｄに、実施例３の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図を示す。以下、これらの図面、更には、半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である図１９を参照して、実施例３の半導体基板の処理方法を説明する。
【００５６】
［工程−３００］
先ず、実施例１の［工程−１００］〜［工程−１４０］と同様の工程を実行する（図５Ａ参照）。
【００５７】
［工程−３１０］
その後、保護フィルム３０に紫外線を照射して粘着剤層３２の未硬化部分３４を硬化させ、粘着剤層３２の接着性を低下させる（図５Ｂ参照）。次いで、保護フィルム３０を剥離する（図５Ｃ参照）。顧客の要求によっては、図５Ｂあるいは図５Ｃに示す状態で出荷される。
【００５８】
［工程−３２０］
その後、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、半導体基板１０をダイシングする（図５Ｄ参照）。
【実施例４】
【００５９】
実施例４は、本開示の第２の態様に係る半導体基板の処理方法、及び、本開示の第２の態様に係る半導体基板処理品に関する。図６Ａ、図６Ｂ、図６Ｃ、図６Ｄ、図６Ｅ、図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃ及び図７Ｄに、実施例４の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図を示す。以下、これらの図面、更には、半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である図２０を参照して、実施例４の半導体基板の処理方法及び半導体基板処理品を説明する。
【００６０】
［工程−４００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、周知の方法で、半導体基板１０の第１面１０Ａに、半導体デバイス本体部２１（具体的には、撮像部）及び接続端子部２２から構成された半導体デバイス２０の複数を、相互に離間した状態で形成する。その後、半導体デバイス２０の特性評価試験を行う。
【００６１】
［工程−４１０］
次に、半導体デバイス２０が形成されていない半導体基板１０の第１面の領域１０Ａ、及び、接続端子部２２を除き、半導体デバイス本体部２１に水溶性保護膜５０を形成する（図６Ａ参照）。具体的には、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）水溶液を、例えば、インクジェット印刷法やスクリーン印刷法に基づき半導体デバイス本体部２１の上に塗布し、乾燥することで、半導体デバイス本体部２１の上に水溶性保護膜５０を形成することができる。尚、水溶性保護膜５０の形成パターンは、半導体基板１０における半導体デバイス本体部２１の形成位置を画像認識した上で、半導体デバイス本体部２１の上に塗布してもよいし、予め、形成パターンを記憶しておき、半導体基板１０における半導体デバイス本体部２１の形成位置を画像認識した上で、半導体デバイス本体部２１の上に塗布してもよい。ピックアップ用のコレットが接触する部分にも水溶性保護膜５０を形成することが好ましい。ダイシング工程においては水を流しながら半導体基板１０を削って個片化するので、スクライブライン近傍には水溶性保護膜５０を形成すべきではない。
【００６２】
こうして、図６Ａに示すように、
（ａ）半導体デバイス本体部２１及び接続端子部２２から構成された半導体デバイス２０の複数が、相互に離間した状態で第１面１０Ａに形成された半導体基板１０、及び、
（ｂ）半導体デバイス２０が形成されていない半導体基板１０の第１面１０Ａの領域、及び、接続端子部２２を除き、半導体デバイス本体部２１に形成された水溶性保護膜５０、
から成る半導体基板処理品を得ることができる。尚、図１３Ａにおいて、水溶性保護膜５０の外縁を点線で示す。
【００６３】
顧客の要求によっては、図６Ａに示す状態で出荷される。
【００６４】
［工程−４２０］
その後、水溶性保護膜５０、接続端子部２２、及び、半導体基板１０の第１面１０Ａの上に、アクリル系樹脂から成る非水溶性保護膜５１をスクリーン印刷法に基づき形成する（図６Ｂ参照）。顧客の要求によっては、図６Ｂに示す状態で出荷される。
【００６５】
［工程−４３０］
次に、非水溶性保護膜５１の上に、バックグラインドテープ５２を貼り合わせる（図６Ｃ参照）。そして、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、半導体基板１０の第１面１０Ａと対向する半導体基板１０の第２面１０Ｂを研磨する（図６Ｄ参照）。顧客の要求によっては、図６Ｃあるいは図６Ｄに示す状態で出荷される。
【００６６】
［工程−４４０］
次いで、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、半導体基板１０の第２面１０Ｂにダイシングシート４０を貼り合わせた後、バックグラインドテープ５２を除去する（図６Ｅ参照）。顧客の要求によっては、図６Ｅに示す状態で出荷される。
【００６７】
［工程−４５０］
その後、実施例１の［工程−１５０］と同様にして、半導体基板１０をダイシングする（図７Ａ参照）。顧客の要求によっては、図７Ａに示す状態で出荷される。
【００６８】
［工程−４６０］
次いで、実施例１の［工程−１６０］と同様にして、非水溶性保護膜５１上に剥離用フィルム４２を貼り合わせ（図７Ｂ参照）、剥離用フィルム４２及び非水溶性保護膜５１を水溶性保護膜５０から除去する（図７Ｃ参照）。水溶性保護膜５０は、更に後の工程で、例えば、温水を用いて除去される。あるいは又、非水溶性保護膜５１に依っては、例えば、溶剤を用いることで、非水溶性保護膜５１を剥離しあるいは溶解することで、非水溶性保護膜５１を除去することができる。
【００６９】
尚、半導体デバイス２０の特性を評価するために特性評価装置に半導体基板１０を搬入する。そして、各半導体デバイス２０の接続端子部２２に測定用プローブを接触させ、所定の電気的特性評価を個々の半導体デバイスにおいて行い、良品、不良品の判定がなされる。半導体デバイスが固体撮像素子から構成される場合、特性評価のために光を照射して評価を行えばよい。
【００７０】
［工程−４７０］
場合によっては、不良品における水溶性保護膜５０を、例えば、温水を用いて除去する（図７Ｄ参照）。これによって、不良品である半導体デバイス２０の区別を明確に行うことができる。
【００７１】
このように、実施例４にあっては、半導体デバイス２０が形成されていない半導体基板１０の第１面１０Ａの領域、及び、接続端子部２２を除き、半導体デバイス本体部２１に水溶性保護膜５０を形成するので、半導体デバイス本体部２１へのゴミ等の付着を防止しつつ、半導体デバイス２０の特性評価、良／不良評価試験を行うことができる。しかも、半導体デバイス本体部２１に水溶性保護膜５０を形成するので、後の製造工程において、半導体デバイス本体部２１に水溶性保護膜５０が残存してしまうといった糊残り問題、水溶性保護膜５０の除去が困難であるといった問題の発生を確実に回避することができるし、半導体基板１０の第２面１０Ｂを研削、研磨するとき、問題が生じることもない。また、ダイシング工程において、水溶性保護膜５０は非水溶性保護膜５１によって被覆されているので、回転ブレードを用いて水を流しながら半導体基板１０を削って個片化するとき、水溶性保護膜５０が除去されることもなく、また、ダイシング工程において、滓が半導体デバイス２０に付着することもない。更には、半導体デバイス２０の保管期間が長期間となっても、あるいは又、水溶性保護膜５０の除去を製造工程の最終段階で行っても、水溶性保護膜５０によって半導体デバイス２０が悪影響を受けることがない。しかも、［工程−４７０］に示した状態で半導体デバイス２０をコレットによって吸着・保持するとき、半導体デバイス２０に損傷が発生することを確実に防止することができるし、コレットによって吸着・保持するときに発生するゴミ（例えば、半導体基板の滓）が半導体デバイス２０に付着することを防止し得る。
【実施例５】
【００７２】
実施例５は、実施例４の変形である。図８Ａ、図８Ｂ、図８Ｃ、図８Ｄ、図９Ａ、図９Ｂ、図９Ｃ及び図９Ｄに、実施例５の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図を示す。以下、これらの図面、更には、半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である図２１を参照して、実施例５の半導体基板の処理方法を説明する。
【００７３】
［工程−５００］
先ず、実施例４の［工程−４００］〜［工程−４１０］と同様の工程を実行する。
【００７４】
［工程−５１０］
その後、水溶性保護膜５０、接続端子部２２、及び、半導体基板１０の第１面１０Ａの上に、バックグラインドテープ５２を貼り合わせる（図８Ａ参照）。
【００７５】
［工程−５２０］
次に、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、第１面１０Ａと対向する半導体基板１０の第２面１０Ｂを研磨する（図８Ｂ参照）。
【００７６】
［工程−５３０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、半導体基板１０の第２面１０Ｂにダイシングシート４０を貼り合わせ（図８Ｃ参照）、バックグラインドテープ５２を除去する（図８Ｄ参照）。顧客の要求によっては、図８Ｃあるいは図８Ｄに示す状態で出荷される。
【００７７】
［工程−５４０］
次いで、水溶性保護膜５０、接続端子部２２、及び、半導体基板１０の第１面１０Ａの上に非水溶性保護膜５１を形成し（図９Ａ参照）、半導体基板１０をダイシングし（図９Ｂ参照）、非水溶性保護膜５１の上に剥離用フィルム４２を貼り合わせ（図９Ｃ参照）、次いで、剥離用フィルム４２及び非水溶性保護膜５１を水溶性保護膜５０から除去する（図９Ｄ参照）。具体的には、実施例４の［工程−４２０］、［工程−４５０］〜［工程−４６０］と同様の工程を実行すればよいし、更には、実施例４の［工程−４７０］と同様の工程を実行すればよい。尚、非水溶性保護膜５１に依っては、例えば、溶剤を用いることで、非水溶性保護膜５１を剥離しあるいは溶解することで、非水溶性保護膜５１を除去することができる。
【００７８】
尚、［工程−５１０］〜［工程−５３０］の代わりに、実施例１の［工程−１１０］〜［工程−１４０］と同様の工程を実行した後、保護フィルム３０の除去を行ってもよい。あるいは又、［工程−５１０］〜［工程−５４０］の代わりに、実施例１の［工程−１１０］〜［工程−１６０］と同様の工程を実行してもよい。
【実施例６】
【００７９】
実施例６は、本開示の第３の態様に係る半導体基板の処理方法、及び、本開示の第２の態様に係る半導体基板処理品に関する。図１０Ａ、図１０Ｂ及び図１０Ｃに、実施例６の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図を示す。以下、これらの図面、更には、半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である図２２を参照して、実施例６の半導体基板の処理方法及び半導体基板処理品を説明する。
【００８０】
［工程−６００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、周知の方法で、半導体基板１０の第１面１０Ａに、半導体デバイス本体部２１（具体的には、撮像部）及び接続端子部２２から構成された半導体デバイス２０の複数を、相互に離間した状態で形成し、半導体デバイス２０の特性評価試験を行う。次いで、半導体デバイス２０及び半導体基板１０の第１面１０Ａの上に、実施例１の［工程−１１０］〜［工程−１２０］と同様にして、保護フィルム３０から成る研磨保護シート５３を貼り合わせる。そして、実施例１の［工程−１３０］〜［工程−１４０］と同様にして、半導体基板１０の第１面１０Ａと対向する半導体基板１０の第２面１０Ｂを研磨し、その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、半導体基板１０の第２面１０Ｂにダイシングシート４０を貼り合わせる（図１０Ａ参照）。
【００８１】
［工程−６１０］
次に、実施例１の［工程−１６０］と同様にして、保護フィルム３０から成る研磨保護シート５３に紫外線を照射して粘着剤層３２を硬化させ、保護フィルム３０から成る研磨保護シート５３を剥離する（図１０Ｂ参照）。
【００８２】
［工程−６２０］
次いで、実施例４の［工程−４１０］と同様にして、半導体デバイス２０が形成されていない半導体基板１０の第１面の領域１０Ａ、及び、接続端子部２２を除き、半導体デバイス本体部２１に水溶性保護膜５０を形成する（図１０Ｃ参照）。
【００８３】
こうして、図１０Ｃに示すように、
（ａ）半導体デバイス本体部２１及び接続端子部２２から構成された半導体デバイス２０の複数が、相互に離間した状態で第１面１０Ａに形成された半導体基板１０、及び、
（ｂ）半導体デバイス２０が形成されていない半導体基板１０の第１面１０Ａの領域、及び、接続端子部２２を除き、半導体デバイス本体部２１に形成された水溶性保護膜５０、
成る半導体基板処理品を得ることができる。
【００８４】
［工程−６３０］
その後、水溶性保護膜５０、接続端子部２２、及び、半導体基板１０の第１面１０Ａの上に非水溶性保護膜５１を形成し（図９Ａ参照）、半導体基板１０をダイシングし（図９Ｂ参照）、非水溶性保護膜５１の上に剥離用フィルム４２を貼り合わせ（図９Ｃ参照）、次いで、剥離用フィルム４２及び非水溶性保護膜５１を水溶性保護膜５０から除去する（図９Ｄ参照）。具体的には、実施例４の［工程−４４０］〜［工程−４６０］と同様の工程を実行すればよいし、更には、実施例４の［工程−４７０］と同様の工程を実行すればよい。尚、非水溶性保護膜５１に依っては、例えば、溶剤を用いることで、非水溶性保護膜５１を剥離しあるいは溶解することで、非水溶性保護膜５１を除去することができる。
【００８５】
このように、実施例６にあっても、半導体デバイス２０が形成されていない半導体基板１０の第１面１０Ａの領域、及び、接続端子部２２を除き、半導体デバイス本体部２１に水溶性保護膜５０を形成するので、半導体デバイス本体部２１へのゴミ等の付着を防止しつつ、半導体デバイス２０の特性評価、良／不良評価試験を行うことができる。しかも、半導体デバイス本体部２１に水溶性保護膜５０を形成するので、後の製造工程において、半導体デバイス本体部２１に水溶性保護膜５０が残存してしまうといった糊残り問題、水溶性保護膜５０の除去が困難であるといった問題の発生を確実に回避することができる。更には、半導体デバイス２０の保管期間が長期間となっても、あるいは又、水溶性保護膜５０の剥離を製造工程の最終段階で行っても、水溶性保護膜５０によって半導体デバイス２０が悪影響を受けることがない。しかも、［工程−６３０］の後、半導体デバイス２０をコレットによって吸着・保持するとき、半導体デバイス２０に損傷が発生することを確実に防止することができるし、コレットによって吸着・保持するときに発生するゴミ（例えば、半導体基板の滓）が半導体デバイス２０に付着することを防止し得る。また、研磨保護シート５３として、実施例１において説明した保護フィルム３０を用いることで、実施例１において説明した各種の利点を得ることができる。
【実施例７】
【００８６】
実施例７は、実施例６の変形である。実施例６にあっては、研磨保護シート５３を保護フィルム３０から構成した。一方、実施例７にあっては、研磨保護シート５３をバックグラインドテープ５２から構成する。図１１Ａ、図１１Ｂ、図１１Ｃ、図１１Ｄ及び図１１Ｅに、実施例７の半導体基板の処理方法を説明するための半導体基板等の模式的な端面図を示す。以下、これらの図面、更には、半導体基板の処理方法を説明するための流れ図である図２３を参照して、実施例７の半導体基板の処理方法を説明する。
【００８７】
［工程−７００］
先ず、実施例１の［工程−１００］と同様にして、周知の方法で、半導体基板１０の第１面１０Ａに、半導体デバイス本体部２１（具体的には、撮像部）及び接続端子部２２から構成された半導体デバイス２０の複数を、相互に離間した状態で形成し、半導体デバイス２０の特性評価試験を行う。その後、半導体デバイス本体部２１、接続端子部２２、及び、半導体基板１０の第１面１０Ａの上に、バックグラインドテープ５２を貼り合わせる（図１１Ａ参照）。
【００８８】
［工程−７１０］
次に、実施例１の［工程−１３０］と同様にして、第１面１０Ａと対向する半導体基板１０の第２面１０Ｂを研磨する（図１１Ｂ参照）。
【００８９】
［工程−７２０］
その後、実施例１の［工程−１４０］と同様にして、半導体基板１０の第２面１０Ｂにダイシングシート４０を貼り合わせ（図１１Ｃ参照）、バックグラインドテープ５２を除去する（図１１Ｄ参照）。
【００９０】
［工程−７３０］
次いで、実施例４の［工程−４１０］と同様にして、半導体デバイス２０が形成されていない半導体基板１０の第１面の領域１０Ａ、及び、接続端子部２２を除き、半導体デバイス本体部２１に水溶性保護膜５０を形成する（図１１Ｅ参照）。
【００９１】
［工程−７４０］
その後、実施例６の［工程−６３０］と同様にして、水溶性保護膜５０、接続端子部２２、及び、半導体基板１０の第１面１０Ａの上に非水溶性保護膜５１を形成し（図９Ａ参照）、半導体基板１０をダイシングし（図９Ｂ参照）、非水溶性保護膜５１の上に剥離用フィルム４２を貼り合わせ（図９Ｃ参照）、次いで、剥離用フィルム４２及び非水溶性保護膜５１を水溶性保護膜５０から除去する（図９Ｄ参照）。具体的には、実施例４の［工程−４４０］〜［工程−４６０］と同様の工程を実行すればよいし、更には、実施例４の［工程−４７０］と同様の工程を実行すればよい。
【実施例８】
【００９２】
実施例８は、本開示の第１の態様に係る半導体基板の処理方法と本開示の第３の態様に係る半導体基板の処理方法の組合せに関する。実施例８においては、水溶性保護膜５０の形成をダイシング後に行う。具体的には、実施例１の［工程−１６０］の後、あるいは又、実施例２の［工程−２２０］の後、あるいは又、実施例３の［工程−３２０］の後、実施例６の［工程−６２０］以降の工程を実行し、あるいは又、実施例７の［工程−７３０］以降の工程を実行する。
【００９３】
但し、これらの場合には、実施例６の［工程−６２０］あるいは実施例７の［工程−７３０］の実行にあっては、ダイシングシート４０が微妙に伸びているため、半導体デバイス本体部２１の上における水溶性保護膜５０の形成位置が微妙にずれる虞がある。そこで、半導体基板等の模式的な端面図を図１２Ａに示すように、半導体デバイス２０が貼り付けられたダイシングシート４０を載置台６１に載置する。載置台６１には多数の孔部６２が設けられており、ダイシングシート４０は載置台６１に真空吸着される。そして、この状態で、撮像カメラを用いて、半導体デバイス本体部２１の位置を求め、係る位置情報に基づきインクジェット印刷装置を制御して、半導体デバイス本体部２１の上に水溶性保護膜５０を形成する（図１２Ｂ参照）。こうして、正確に、半導体デバイス本体部２１の上に水溶性保護膜５０を形成することができる。尚、精度的に問題がなければ、半導体デバイス本体部２１の位置を求めることなく、予め記憶された半導体デバイス本体部２１の位置情報に基づきインクジェット印刷装置を制御して、半導体デバイス本体部２１の上に水溶性保護膜５０を形成してもよい。
【００９４】
また、ダイシングシート４０から支持シート（後述する）に移載した後、支持シートを載置台６１において真空吸着し、半導体デバイス本体部２１の上に水溶性保護膜５０を形成してもよい。
【実施例９】
【００９５】
実施例９は、実施例１〜実施例８の変形であり、実施例１〜実施例８において得られた個片化された半導体デバイス２０をパッケージに格納し最終製品形態とするまでの工程に関する。以下、図１７Ａ、図１７Ｂ、図１７Ｃ、図１７Ｄ、図１７Ｅ及び図１８を参照して、実施例９の半導体デバイスの製造方法を説明する。尚、以下の説明にあっては、半導体デバイス本体部２１の上に水溶性保護膜５０が残された状態とするが、半導体デバイス本体部２１の上に保護フィルム３０が残された状態としておいてもよい。
【００９６】
実施例１〜実施例８において得られた半導体デバイス２０にあっては、ダイシングされた半導体基板１０を、ウェハリング４１に取り付けたまま、チップマウント装置に搬入する。そして、ダイシングシート４０に紫外線を照射して密着力を低下させた状態で、ダイシングシート４０を引き延ばしながら裏面側から針状の突上げピン７２で突き上げ、部分的に剥がす。そして、個片化された（個々に分割された）半導体デバイス２０をコレット７１によって吸着・保持する（図１７Ａ参照）。こうして、半導体デバイス２０をダイシングシート４０からピックアップし、別のウェハリングに貼り付けられた支持シート上に移載する（この状態は図示せず）。顧客の要求によっては、この状態で出荷される。
【００９７】
その後、通常、別工場又は顧客側で以下の作業を行う。即ち、ウェハリング４１に取り付けた状態で半導体基板１０をチップマウント装置に搬入する。そして、支持シートに紫外線を照射して密着力を低下させた状態で、支持シートを引き延ばしながら裏面側から針状の突上げピンで突き上げ、部分的に剥がす。そして、個片化された半導体デバイス２０をコレット７３によって吸着・保持する。こうして、半導体デバイス２０を支持シートからピックアップし、プリント配線板８１の上の移載部に塗布された接着剤８３の上に半導体デバイス２０を置く（図１７Ｂ及び図１７Ｃ参照）。そして、接着剤８３を加熱あるいは紫外線照射等によって硬化させ、プリント配線板８１の上に半導体デバイス２０を固定する。次いで、半導体デバイス２０の接続端子部２２と、プリント配線板８１に設けられた端子部８２とを、ワイヤーボンディング８４等により電気的に接続する（図１７Ｄ参照）。尚、この接続をフリップチップ接続とすることもできる。そして、水溶性保護膜５０を、例えば、水あるいは温水を用いて除去する（図１７Ｅ参照）。尚、水溶性保護膜５０の除去の際、同時に、種々のゴミや滓も水洗される。その後、パッケージ８５の開口部にシール樹脂を塗り、レンズ８６を乗せて、シール樹脂を硬化させることで、半導体デバイスを最終製品として完成させることができる（図１８参照）。
【００９８】
半導体デバイスのピックアップ時、ピックアップ用のコレット７１，７３が半導体デバイス本体部２１に、直接、触れると、半導体デバイス本体部２１に傷が生じるといった問題がある。本来、半導体デバイスのピックアップ時、コレット７１，７３を、最も面積の大きい半導体デバイス本体部２１に接触させて、吸着・保持することが望ましい。しかしながら、半導体デバイス本体部２１に傷が生じると、例えば、画像欠陥が画像に生じる結果、最終製品が不良となる。それ故、従来、コレット７１，７３を半導体デバイス本体部２１以外の部分に接触させている。然るに、近年、半導体デバイスの微小化、配線の微細化等に伴い、半導体デバイス本体部２１以外の部分の面積が小さくなっており、コレット７１，７３が接触できる領域が狭くなってきている。接続端子部２２にコレット７１，７３を接触させることも考え得るが、近年、半導体デバイスの動作電圧の低下に伴い、静電破壊しないための耐電圧が低下しており、接続端子部２２にコレット７１，７３が接触すると、静電破壊が生じ易く、動作不良となり、半導体デバイス最終製品の歩留りが低下する。コレット７１，７３が半導体デバイス２０に接触する部分の面積を小さくする検討も行われているが、コレット７１，７３が半導体デバイス２０に接触する部分の面積を小さくしすぎると、コレット７１，７３を半導体デバイス２０に接触させたとき、半導体デバイス２０に傷が発生し易く、これによっても、動作不良となってしまう。特に、近年、半導体デバイスの最表面に形成される保護膜の厚さも薄くなってきており、コレット７１，７３による半導体デバイスの傷発生は大きな問題となってきている。
【００９９】
実施例９にあっては、保護フィルム３０あるいは水溶性保護膜５０を介して、半導体デバイス２０がコレット７１，７３と接触するので、半導体デバイス本体部２１に傷が発生することを確実に防止することができる。また、保護フィルム３０あるいは水溶性保護膜５０を除去する工程以降の工程（例えば、図１７Ｅに示す工程以降の工程）を高クリーン環境下で行えばよいので、設備投資の低減を図ることができる。尚、コレット７１，７３として、ラバーコレットを使用することもできる。また、保護フィルム３０あるいは水溶性保護膜５０を除去する工程は、半導体デバイス２０の接続端子部２２とプリント配線板８１に設けられた端子部８２とを接続する前であってもよいし、それ以前の工程であってもよい。
【実施例１０】
【０１００】
実施例１０においては、固体撮像素子から構成された半導体デバイスについての説明を、２つの半導体デバイス（固体撮像素子）の模式的な断面図である図１３Ｂを参照して行う。
【０１０１】
実施例１〜実施例９における半導体デバイス２０を構成する固体撮像素子１００は、光電変換素子（受光素子）１１１、及び、光電変換素子１１１の光入射側に設けられた偏光素子１２１を備えている。尚、固体撮像素子１００は、偏光方位が異なる２種類以上の偏光素子１２１を備えている。隣接する固体撮像素子１００Ａ，１００Ｂにおいては、偏光素子１２１Ａ，１２１Ｂにおける透過軸が直交している。光電変換素子１１１の上方にオンチップレンズ１１４が配置されており、オンチップレンズ１１４の上方に偏光素子１２１が設けられている。
【０１０２】
具体的には、固体撮像素子１００は、例えば、シリコン半導体基板１１０に設けられた光電変換素子１１１、並びに、その上に、第１平坦化膜１１２、波長選択層（カラーフィルタ層１１３）、オンチップレンズ１１４、第２平坦化膜１１５、無機絶縁下地層１１６、及び、偏光素子１２１が積層されて成る。第１平坦化膜１１２及び無機絶縁下地層１１６はＳｉＯ2から成り、第２平坦化膜１１５はアクリル系樹脂から成る。光電変換素子１１１は、ＣＣＤ素子やＣＭＯＳイメージセンサー等から構成されている。参照番号１１７は、光電変換素子１１１の近傍に設けられた遮光部である。
【０１０３】
固体撮像素子の配置は、例えば、ベイヤ配置である。即ち、１つの画素は、赤色を受光する１つ副画素、青色を受光する１つの副画素、及び、緑色を受光する２つの副画素から構成されており、各副画素は固体撮像素子を備えている。画素は、行方向及び列方向に２次元マトリクス状に配列されている。１つの画素内における全ての偏光素子の第１の方向（後述する）は同じ方向である。更には、行方向に配列された画素にあっては、偏光素子の第１の方向は全て同じ方向である。一方、列方向に沿って、偏光素子の第１の方向が行方向と平行である画素と、偏光素子の第１の方向が列方向と平行である画素とが、交互に配置されている。
【０１０４】
そして、偏光素子１２１は、複数の帯状部材が並置されて成り、ワイヤグリッド型偏光子としての機能を有する。帯状部材の延びる方向（第１の方向）は、消光させるべき偏光方位と一致しており、帯状部材の繰り返し方向（第２の方向であり、第１の方向と直交する）は、透過させるべき偏光方位と一致している。即ち、偏光素子１２１に入射した光の内、帯状部材の延びる方向（第１の方向）と平行な方向に電界成分を有する偏光波を減衰させ、帯状部材の延びる方向と直交する方向（第２の方向）に電界成分を有する偏光波を透過させる。第１の方向は偏光素子の光吸収軸であり、第２の方向は偏光素子の光透過軸である。尚、偏光素子１２１の配置状態は例示であり、以上の説明に限定するものではない。
【０１０５】
このようなワイヤグリッド型偏光子から構成された偏光素子１２１にあっては、帯状部材と帯状部材との間に粘着剤層が侵入すると、粘着剤層の剥離のために粘着剤層に紫外線を照射して粘着剤層を硬化させたとき、粘着剤層が帯状部材と帯状部材との間から除去できなくなる虞、あるいは又、偏光素子１２１における損傷発生の虞があるが、実施例１〜実施例９に説明した半導体デバイスにあっては、このような問題の発生を確実に回避することができる。
【０１０６】
以上、本開示を好ましい実施例に基づき説明したが、本開示はこれらの実施例に限定するものではない。実施例において説明した半導体基板処理品や半導体デバイス、保護フィルムや水溶性保護膜、非水溶性保護膜の構成、構造、組成等は、例示であり、適宜、変更することができる。また、半導体デバイス最終製品の組み立て方法も例示であり、適宜、変更することができる。尚、バンプ付きの半導体基板処理品や半導体デバイスに対しても、本開示の半導体基板の処理方法が適用できることは云うまでもない。
【０１０７】
尚、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
［１］《半導体基板の処理方法：第１の態様》
（Ａ）半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数が、相互に離間した状態で第１面に形成された半導体基板に、紫外線硬化型の粘着剤層が形成された保護フィルムを貼り付ける前に、少なくとも半導体デバイス本体部と接触する保護フィルムの部分に紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、次いで、
（Ｂ）半導体基板の外周部、及び、半導体デバイスと半導体デバイスとの間の半導体基板の領域に保護フィルムの未硬化の粘着剤層を貼り付け、且つ、半導体デバイス本体部に保護フィルムの硬化した粘着剤層の部分を接触させる、
各工程から成る半導体基板の処理方法。
［２］工程（Ｂ）の後、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨する［１］に記載の半導体基板の処理方法。
［３］半導体基板の第２面を研磨した後、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせる［２］に記載の半導体基板の処理方法。
［４］半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせた後、保護フィルム及び半導体基板をダイシングする［３］に記載の半導体基板の処理方法。
［５］保護フィルム及び半導体基板をダイシングした後、保護フィルムに紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、保護フィルムを剥離する［４］に記載の半導体基板の処理方法。
［６］保護フィルムに紫外線を照射した後、保護フィルム上に剥離用フィルムを貼り合わせ、その後、保護フィルムを剥離する［５］に記載の半導体基板の処理方法。
［７］保護フィルム及び半導体基板をダイシングした後、保護フィルムに紫外線を照射する前に、保護フィルム上に剥離用フィルムを貼り合わせ、
保護フィルムに紫外線を照射する際、剥離用フィルムを介して保護フィルムに紫外線を照射する［５］に記載の半導体基板の処理方法。
［８］半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせた後、保護フィルムに紫外線を照射して粘着剤層を硬化させ、保護フィルムを剥離した後、半導体基板をダイシングする［３］に記載の半導体基板の処理方法。
［９］《半導体基板の処理方法：第２の態様》
（Ａ）半導体基板の第１面に、半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数を、相互に離間した状態で形成した後、
（Ｂ）半導体デバイスが形成されていない半導体基板の第１面の領域、及び、接続端子部を除き、半導体デバイス本体部に水溶性保護膜を形成する、
各工程から成る半導体基板の処理方法。
［１０］前記工程（Ｂ）に引き続き、
（Ｃ）水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜を形成する工程を備えている［９］に記載の半導体基板の処理方法。
［１１］前記工程（Ｃ）の後、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨する［１０］に記載の半導体基板の処理方法。
［１２］半導体基板の第２面を研磨した後、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせ、半導体基板をダイシングする［１１］に記載の半導体基板の処理方法。
［１３］半導体基板をダイシングした後、非水溶性保護膜上に剥離用フィルムを貼り合わせ、次いで、剥離用フィルム及び非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去する［１２］に記載の半導体基板の処理方法。
［１４］前記工程（Ｂ）に引き続き、水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、バックグラインドテープを貼り合わせた後、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨する［９］に記載の半導体基板の処理方法。
［１５］半導体基板の第２面を研磨した後、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせ、バックグラインドテープを除去する［１４］に記載の半導体基板の処理方法。
［１６］バックグラインドテープを除去した後、水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜を形成する［１５］に記載の半導体基板の処理方法。
［１７］非水溶性保護膜を形成した後、半導体基板をダイシングする［１６］に記載の半導体基板の処理方法。
［１８］半導体基板をダイシングした後、非水溶性保護膜上に剥離用フィルムを貼り合わせ、次いで、剥離用フィルム及び非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去する［１７］に記載の半導体基板の処理方法。
［１９］《半導体基板の処理方法：第３の態様》
（Ａ）半導体基板の第１面に、半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数を、相互に離間した状態で形成した後、
（Ｂ）半導体デバイス及び半導体基板の第１面上に研磨保護シートを貼り合わせ、第１面と対向する半導体基板の第２面を研磨し、次いで、半導体基板の第２面にダイシングシートを貼り合わせた後、研磨保護シートを除去し、その後、
（Ｃ）半導体デバイスが形成されていない半導体基板の第１面の領域、及び、接続端子部を除き、半導体デバイス本体部に水溶性保護膜を形成する、
各工程から成る半導体基板の処理方法。
［２０］前記工程（Ｃ）に引き続き、
（Ｄ）水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜を形成する工程を備えている［１９］に記載の半導体基板の処理方法。
［２１］前記工程（Ｄ）に引き続き、半導体基板をダイシングする［２０］に記載の半導体基板の処理方法。
［２２］半導体基板をダイシングした後、非水溶性保護膜上に剥離用フィルムを貼り合わせ、次いで、剥離用フィルム及び非水溶性保護膜を水溶性保護膜から除去する［２１］に記載の半導体基板の処理方法。
［２３］前記工程（Ｂ）と工程（Ｃ）の間において、半導体基板をダイシングする［１９］に記載の半導体基板の処理方法。
［２４］半導体基板をダイシングした後、半導体デバイス良品を、支持シートに移す［２３］に記載の半導体基板の処理方法。
［２５］《半導体基板処理品：第１の態様》
（ａ）半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数が、相互に離間した状態で第１面に形成された半導体基板、及び、
（ｂ）紫外線硬化型の粘着剤層が形成され、半導体基板の第１面を覆う保護フィルム、
から成る半導体基板処理品であって、
半導体デバイス本体部と接触する保護フィルムの部分における粘着剤層は硬化されており、
半導体基板の外周部、及び、半導体デバイスと半導体デバイスとの間に位置する半導体基板の領域に貼り付けられた保護フィルムの粘着剤層は未硬化である半導体基板処理品。
［２６］保護フィルム及び半導体基板はダイシングされている［２５］に記載の半導体基板処理品。
［２７］《半導体基板処理品：第２の態様》
（ａ）半導体デバイス本体部及び接続端子部から構成された半導体デバイスの複数が、相互に離間した状態で第１面に形成された半導体基板、及び、
（ｂ）半導体デバイスが形成されていない半導体基板の第１面の領域、及び、接続端子部を除き、半導体デバイス本体部に形成された水溶性保護膜、
から成る半導体基板処理品。
［２８］水溶性保護膜及び半導体基板はダイシングされている［２７］に記載の半導体基板処理品。
［２９］水溶性保護膜、接続端子部及び半導体基板の第１面上に、非水溶性保護膜が形成されている［２７］に記載の半導体基板処理品。
［３０］非水溶性保護膜、水溶性保護膜及び半導体基板はダイシングされている［２９］に記載の半導体基板処理品。
［３１］コレットが接触する部分に水溶性保護膜が形成されている［２７］乃至［３０］に記載の半導体基板処理品。
［３２］半導体デバイス不良品から水溶性保護膜が除去されている［２７］乃至［３１］のいずれか１項に記載の半導体基板処理品。
［３３］第１面と対向する半導体基板の第２面は研磨されている［２５］乃至［３２］のいずれか１項に記載の半導体基板処理品。
［３４］半導体基板の第２面にダイシングシートが貼り合わされている［２５］又は［２７］に記載の半導体基板処理品。
［３５］半導体基板はダイシングされている［３４］に記載の半導体基板処理品。
【符号の説明】
【０１０８】
１０・・・半導体基板、１０Ａ・・・半導体基板の第１面、１０Ｂ・・・半導体基板の第２面、２０・・・半導体デバイス、２１・・・半導体デバイス本体部、２２・・・接続端子部、３０・・・保護フィルム、３１・・・基材、３２・・・粘着剤層、３３・・・粘着剤層の硬化部分、３４・・・粘着剤層の未硬化部分、３５・・・支持部材、３６・・・露光用マスク、３７・・・開口部、４０・・・ダイシングシート、４１・・・ウェハリング、４２・・・剥離用フィルム、５０・・・水溶性保護膜、５１・・・非水溶性保護膜、５２・・・バックグラインドテープ、５３・・・研磨保護シート、７１，７３・・・コレット、７２・・・突上げピン、８１・・・プリント配線板、８３・・・接着剤、８２・・・端子部、８４・・・ワイヤーボンディング、８５・・・パッケージ、８６・・・レンズ、１００，１００Ａ，１００Ｂ・・・固体撮像素子、１１０・・・シリコン半導体基板、１１１・・・光電変換素子（受光素子）、１１２・・・第１平坦化膜、１１３・・・波長選択層（カラーフィルタ層）、１１４・・・オンチップレンズ、１１５・・・第２平坦化膜、１１６・・・無機絶縁下地層、１１７・・・遮光部、１２１，１２１Ａ，１２１Ｂ・・・偏光素子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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