(57)【要約】【課題】本発明は、より簡易で量産性に優れ、かつ、アンプまたは素子等に制約が少ない構造で、雑音を低減し、安定した高周波特性を得られる光受信モジュールを提供することを目的とする。【解決手段】本発明は、誘電体からなるキャリア２０１と、ＧＮＤ導体４と、受光素子３０と、アンプ１０と、第１キャパシタ（４１）と、第２キャパシタ（４２）とを備える。第２キャパシタ（４２）は、ＧＮＤ導体４が設けられていないキャリア２０１上に配置され、第２キャパシタ（４２）の第１電極面または電極面（４２１、４２２）の法線方向と、ＧＮＤ導体４が設けられた面の法線方向とが異なる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体からなるキャリアと、
前記キャリア表面に部分的に設けられた、ＧＮＤ導体と、
前記ＧＮＤ導体と電気的に接続された、光信号を光電変換する受光素子と、
前記ＧＮＤ導体と電気的に接続された、前記受光素子の第１端子から出力される信号を増幅するアンプと、
第１電極面が前記ＧＮＤ導体に電気的に接続され、前記第１電極面と対向する第２電極面が前記アンプの電源端子側に接続された第１キャパシタと、
第１電極面が前記ＧＮＤ導体に電気的に接続され、前記第１電極面と対向する第２電極面が前記受光素子の第２端子側に接続された第２キャパシタとを備え、
前記第２キャパシタは、前記ＧＮＤ導体が設けられていない前記キャリア上に配置され、
前記第２キャパシタの前記第１または第２電極面の法線方向と、前記ＧＮＤ導体が設けられた面の法線方向とが異なることを特徴とする、
光受信モジュール。
【請求項２】
前記第２キャパシタの前記第１または第２電極面の法線方向と、前記ＧＮＤ導体が設けられた面の法線方向とが直交することを特徴とする、
請求項１に記載の光受信モジュール。
【請求項３】
前記キャリア表面において、前記ＧＮＤ導体とは電気的に分離して設けられた電極パターンをさらに備え、
前記第２キャパシタの前記第２電極面が、前記電極パターンを介して前記受光素子の前記第２端子側に接続されることを特徴とする、
請求項１または２に記載の光受信モジュール。
【請求項４】
前記ＧＮＤ導体が設けられていない前記キャリア上に形成された突起部と、
前記突起部上面に形成された溝とをさらに備え、
前記第２キャパシタは、前記溝に保持され、
前記第２キャパシタの前記第１および第２電極面が、前記溝の一方の側面にそれぞれ接触していることを特徴とする、
請求項１〜３のいずれかに記載の光受信モジュール。
【請求項５】
前記第２キャパシタの前記第１および第２電極面が、導電性接着剤から形成されていることを特徴とする、
請求項１〜４のいずれかに記載の光受信モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光ファイバ通信等で用いられる光受信モジュールの高周波回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
光受信モジュールは、光ファイバ通信等に用いられる受信器であり、受信した光信号を電気信号に変換する。
【０００３】
光受信モジュールは、フォトダイオードとトランスインピーダンスアンプとを備えている。フォトダイオードは、光信号を電流信号に変換する受光素子である。トランスインピーダンスアンプは、フォトダイオードから出力された電流信号を電圧信号に変換するプリアンプである。
【０００４】
トランスインピーダンスアンプは、電圧信号を増幅するメインアンプ、リミッティングアンプ、オートゲイン回路、およびバッファ回路等とともに、ＩｎＰおよびＳｉＧｅ等からなるチップ上に集積されている（当該ＩＣチップを、以下アンプと呼ぶ）。
【０００５】
受光素子およびアンプはキャリア上に実装され、出力信号を伝送する高周波伝送路および電源配線とともにパッケージに収められている。特許文献１および特許文献２には、受光素子とアンプとを備える光受信モジュールが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４１３９５９４号公報
【特許文献２】特開２０１２−６９６８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
光受信モジュールにおいては、感度を高めるために、高利得のトランスインピーダンスアンプを実装することが求められる。
【０００８】
一方で、数十ＧＨｚを上回る高周波数の信号光を受信するため、光受信モジュールには広帯域の高周波特性も求められる。例えば５０ＧｂｐｓのＯＯＫ（ｏｎ−ｏｆｆ−ｋｅｙｉｎｇ）変調信号を受信するためには３０〜３５ＧＨｚの帯域が必要である。このような、２５ＧＨｚを超える高い周波数の信号においては、信号の波長は、光受信モジュールにおけるアンプおよび受光素子等が構成する回路の寸法を下回る。
【０００９】
受光素子の電源配線、アンプの電源配線、および、アンプのＧＮＤ端子は、キャリア表面に設けられたＧＮＤ導体とキャパシタを介してＡＣ接続されており、アンプ内部のＧＮＤ導体を基準電位とすることで、アンプの動作に伴いアンプから放出される雑音の影響を抑制している。しかし、アンプと受光素子とが構成する回路の電気長に対して波長が短くなる数十ＧＨｚを超える高周波でアンプが動作する場合、各素子から見たＧＮＤ電位は同一とならず、雑音の一部が、キャリアのＧＮＤ導体とキャパシタとを経由し受光素子からの入力信号に混入する可能性がある。
【００１０】
このため、高利得かつ広帯域のアンプを用いると、雑音が混入しやすく、かつ、アンプ利得の高い２０〜４０ＧＨｚの高周波特性に発振が発生する場合があった。
【００１１】
このような高周波特性の劣化に対して、特許文献１においては、キャリアが経路に含まれない回路構成として、受光素子とアンプ素子とで形成する電流ループの電気長を高周波信号の波長より短くすることにより、安定した高周波特性を得ている。
【００１２】
特許文献２においては、誘電体からなるキャリア上に設けた金属膜と、抵抗膜により発生する抵抗と、キャパシタンスとを受光素子の給電配線に接続して共振特性を鈍らせることにより、共振のない安定した高周波特性を得ている。
【００１３】
しかしながら、特許文献１においては、アンプのＧＮＤ端子をＧＮＤ電極に接続せずフローティングとしたり、アンプ内にキャパシタを設けたり、受光素子をアンプ上にフリップチップ実装したりする回路構成または実装方法が用いられているため、そもそもこのような構成等を前提に設計されたアンプが必要であり、使用可能なアンプが制限されるという問題があった。また、アンプ内部にキャパシタを設ける構成では、受光素子への印加電圧が、アンプの耐電圧性能またはアンプ電位等により制約を受けるため、任意の電圧を設定できない場合があるという問題があった。
【００１４】
また、特許文献２においては、アンプの入力インピーダンス、受光素子およびワイヤが有する寄生容量、寄生インダクタンス等にあわせたキャパシタ容量を実装する必要があるため、アンプ品種または受光素子品種毎に、キャリアの設計を変更する必要があるという問題があった。
【００１５】
本発明は、上記のような問題を解決するためになされたものであり、より簡易で量産性に優れ、かつ、アンプまたは素子等に制約が少ない構造で、雑音を低減し、安定した高周波特性を得られる光受信モジュールを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明の一態様に関する光受信モジュールは、誘電体からなるキャリアと、前記キャリア表面に部分的に設けられた、ＧＮＤ導体と、前記ＧＮＤ導体と電気的に接続された、光信号を光電変換する受光素子と、前記ＧＮＤ導体と電気的に接続された、前記受光素子の第１端子から出力される信号を増幅するアンプと、第１電極面が前記ＧＮＤ導体に電気的に接続され、前記第１電極面と対向する第２電極面が前記アンプの電源端子側に接続された第１キャパシタと、第１電極面が前記ＧＮＤ導体に電気的に接続され、前記第１電極面と対向する第２電極面が前記受光素子の第２端子側に接続された第２キャパシタとを備え、前記第２キャパシタは、前記ＧＮＤ導体が設けられていない前記キャリア上に配置され、前記第２キャパシタの前記第１または第２電極面の法線方向と、前記ＧＮＤ導体が設けられた面の法線方向とが異なることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１７】
本発明の上記態様によれば、第２キャパシタの第１または第２電極面の法線方向と、ＧＮＤ導体が設けられた面の法線方向とが異なることにより、第２キャパシタの第２電極面とＧＮＤ導体との間の誘電結合が減少し、受光素子を経由してアンプに入力される雑音を抑制することができる。よって、アンプまたは素子等に制約が少ない構造で、雑音を低減し、安定した高周波特性を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態に関する光受信モジュールの斜視図である。
【図２】実施形態に関する光受信モジュールの、電磁界解析から求めた信号および雑音の各高周波特性を示す図である。
【図３】実施形態に関する光受信モジュールの斜視図である。
【図４】実施形態に関する光受信モジュールの、電磁界解析から求めた信号および雑音の各高周波特性を示す図である。
【図５】実施形態に関する光受信モジュールの斜視図である。
【図６】実施形態に関する光受信モジュールの、電磁界解析から求めた信号および雑音の各高周波特性を示す図である。
【図７】前提技術に関する光受信モジュールの回路図である。
【図８】前提技術に関する光受信モジュールの斜視図である。
【図９】前提技術に関する光受信モジュールの高周波特性を示す図である。
【図１０】前提技術に関する光受信モジュールの、電磁界解析から求めた信号および雑音の各高周波特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、添付の図面を参照しながら実施形態について説明する。
【００２０】
まず、本発明の前提技術に関する光受信モジュールについて、図７〜１０を用いて説明する。
【００２１】
図７は、前提技術に関する光受信モジュールの回路図である。図８は、図７に示された回路をキャリア上に実装した例を示す斜視図である。
【００２２】
図７に示されるように、光受信モジュール１０１は、アンプ１０と受光素子３０とを備えている。受光素子３０は、光信号を光電変換する素子である。アンプ１０は、受光素子３０から出力される信号を増幅する素子である。
【００２３】
受光素子３０におけるフォトダイオードのカソード端子５４には電圧Ｖｐｄが印加される。受光素子３０におけるフォトダイオードのアノード端子５５はアンプ１０の入力端子５２に接続される。受光素子３０の電源配線は、第２キャパシタとしてのキャパシタ４２（コンデンサ）を介して導電体からなるキャリアに接続される。
【００２４】
アンプ１０の電源端子５１には電圧Ｖｃｃが印加される。アンプ１０のＧＮＤ端子５３は、ワイヤ２３を介して導電体からなるキャリアに接続される。アンプ１０の電源配線は、第１キャパシタとしてのキャパシタ４１（コンデンサ）を介して導電体からなるキャリアに接続される。アンプ１０において増幅された信号は、アンプ出力端子（第１端子）から出力される。
【００２５】
図８に示されるように、キャリア２００上にアンプ１０、受光素子３０、キャパシタ４１およびキャパシタ４２が搭載されている。キャリア２００は、ＦｅとＮｉの合金からなり、表面にＧＮＤ導体がめっきにより設けられている。アンプ１０および受光素子３０は、ＧＮＤ導体と電気的に接続されている。
【００２６】
キャパシタ４１は、誘電体をベースとするチップキャパシタであり、対向する２表面に電極が設けられている。キャリア２００上面においてキャパシタ４１はアンプ１０に隣接して配置され、アンプ１０の電源端子５１がキャパシタ４１の電極面４１２にワイヤ２１を介して接続される。また、キャパシタ４１の電極面４１１（電極面４１２に対向する電極面）は、ＧＮＤ導体に電気的に接続されている。なおキャパシタ４１は、キャリア２００上に導電性接着剤あるいは半田により接着される。
【００２７】
受光素子３０は、アンプ１０に隣接するキャリア２００上の位置に接着される。そして、アンプ１０の入力端子５２が、ワイヤ２２を介して受光素子３０のアノード端子５５に接続される。
【００２８】
キャパシタ４２は、キャパシタ４１と同様のチップキャパシタである。キャパシタ４２は、受光素子３０に隣接する位置に配置される。そして、受光素子３０のカソード端子５４が、ワイヤ２４を介してキャパシタ４２の電極面４２２に接続される。また、キャパシタ４２の電極面４２２に対向する電極面は、ＧＮＤ導体に電気的に接続されている。なおキャパシタ４２は、キャリア２００上に導電性接着剤あるいは半田により接着される。
【００２９】
キャパシタ４１上面の電極面４１２は、ワイヤ２１を介してアンプ１０の電源端子５１に接続されるとともに、図示されてはいないが、外部の電源にもワイヤで接続される。また、キャパシタ４１を構成する高誘電率の誘電体を介する誘電結合により、電極面４１２は、キャリア２００表面のＧＮＤ導体とＡＣ接続される。
【００３０】
キャパシタ４２上面の電極面４２２は、ワイヤ２４を介して受光素子３０のカソード端子５４に接続されるとともに、図示されてはいないが、外部の電源にもワイヤで接続される。また、キャパシタ４２を構成する高誘電率の誘電体を介する誘電結合により、電極面４２２は、キャリア２００表面のＧＮＤ導体とＡＣ接続される。
【００３１】
受光素子３０のアノード端子５５は、ワイヤ２２を介してアンプ１０の入力端子５２に接続される。また、アンプ１０のＧＮＤ端子５３は、ワイヤ２３を介してキャリア２００のＧＮＤ導体に接続されている。ワイヤ２１〜２４は、ワイヤ長が最短となるようにワイヤボンディングされていることが望ましい。
【００３２】
なお、この例では受光素子３０がＧＳＧ型の電極を有し、カソード端子５４の横方向にキャパシタ４２が配置される構成となっているが、ＧＳ型の電極を有し、アノード端子５５が片側に配置されている受光素子でもよい。
【００３３】
図９は、このような構成の光受信モジュール１０１で得られる高周波特性（Ｓパラメータ）を示した図である。図９（ａ）においては、光受信モジュール１０１のＳパラメータのＳ２１が示され、図９（ｂ）においては、光受信モジュール１０１のＳパラメータのＳ２２が示されている。各図とも、縦軸の単位がｄＢ、横軸が振動数（ＧＨｚ）である。
【００３４】
図９（ａ）に示されるように、Ｓ２１では、２０ＧＨｚ以上では凹凸が見られ、３０ＧＨｚ以上では発振が発生している。また、図９（ｂ）に示されるように、Ｓ２２では、Ｓ２１が凸となった周波数で−５ｄＢ以上まで増大している。
【００３５】
図１０は、このような構成の光受信モジュール１０１の電磁界シミュレーションにより計算された高周波特性を示した図である。図１０（ａ）においては、フォトダイオード部からアノード端子５５に入力された信号がアンプ出力端子（第１端子）から出力される際の、高周波特性（Ｓ２１）が示されている。図１０（ｂ）においては、アンプ出力端子からアンプ１０に入力され、アンプ出力端子に戻り出力される信号の高周波特性（Ｓ２２）が示されている。図１０（ｃ）においては、アンプ１０の電源端子５１からワイヤ２１に入力され、アンプ１０外部を経由してアンプ出力端子から出力される信号（雑音の利得）の高周波特性が示されている。各図とも、縦軸の単位がｄＢ、横軸が振動数（ＧＨｚ）である。
【００３６】
シミュレーションにより計算されるＳ２１は、２５ＧＨｚ近くまで平坦で２５ＧＨｚ以上も大きな凹凸は見られない良好なＳ２１特性を示している。また、Ｓ２２も、−１０ｄＢ以下に抑制され良好な特性が得られている。
【００３７】
これに対し、アンプ１０の電源端子５１から出力される雑音の利得の高周波特性は、１７〜３６ＧＨｚで０ｄＢを上回っている。これは、電源端子５１から出力される雑音が、キャリア２００のＧＮＤ導体から受光素子３０を経由してアンプ１０の入力端子５２に入力され、アンプ１０において当該雑音が混入した信号を増幅してしまっていることを示している。
【００３８】
このような雑音の増幅は、アンプ１０内部のＧＮＤ導体の電位とキャリア２００のＧＮＤ導体の電位とを同一とすることで抑制されているが、信号の波長が短い場合には電位が同一とならないため、抑制できていないことが原因と考えられる。
【００３９】
以上のように、前提技術に関する光受信モジュール１０１においては、電源端子５１から出る雑音の混入が２０ＧＨｚ以上の高周波特性を劣化させている。以下、このような雑音の影響を抑制可能な実施形態について説明する。
【００４０】
なお、本実施形態において、上面または側面等の用語が用いられるが、これらの用語は、各面を便宜上区別するために用いられているものであり、実際の上下左右の方向とは関係しない。
【００４１】
＜第１実施形態＞
＜構成＞
図１は、本実施形態に関する光受信モジュール１００をキャリア上に実装した例を示す斜視図である。なお、光受信モジュール１００の回路図は図７に示されたものと同様であるので、図示を省略する。
【００４２】
キャリア２０１上にアンプ１０、受光素子３０、キャパシタ４１およびキャパシタ４２が搭載されている。キャリア２０１は酸化アルミニウムを含むセラミック等（誘電体）からなり、表面にＧＮＤ導体４が設けられている。
【００４３】
キャパシタ４１は、キャリア２００上面においてアンプ１０に隣接して配置され、アンプ１０の電源端子５１がキャパシタ４１の電極面４１２にワイヤ２１を介して接続される。またキャパシタ４１の電極面４１１（電極面４１２に対向する電極面）は、ＧＮＤ導体４に電気的に接続されている。
【００４４】
ＧＮＤ導体４には、受光素子３０の実装位置に隣接するキャパシタ４２が実装される位置に、キャパシタ４２の寸法に対し数十μｍ大きい寸法の抜きパターンが設けられ、当該抜きパターン内に、ＧＮＤ導体４とは連続しない（電気的に分離した）電極パターン５が設けられている。
【００４５】
電極パターン５は、ワイヤ２４を介して受光素子３０のカソード端子５４に接続されるとともに、図示しない外部の電源にワイヤで接続されている。なお、電極パターン５が形成されていなくてもよい。その場合には、キャパシタ４２の電極面４２２が、受光素子３０のカソード端子５４にワイヤ２４を介して接続されればよい。
【００４６】
キャパシタ４２は、２つの電極面のうち電極面４２２がキャリア２０１の電極パターン５に、電極面４２１がＧＮＤ導体４にそれぞれ電気的に接続されるように配置されている。具体的には、キャパシタ４２の側面（電極面ではない面）がキャリア２０１上の抜きパターンに接するように配置され、キャパシタ４２の電極面４２２（の端部）が電極パターン５に接続され、電極面４２１（の端部）がＧＮＤ導体４に接続される。なお、キャパシタ４２が備えられる個数は、本実施形態に示されたものに限られない。
【００４７】
ここで、本実施形態では、キャパシタ４２の少なくともいずれかの電極面の法線方向がキャリア２０１の平面（ＧＮＤ導体４が設けられた面）の法線方向に対して略９０°となるように（直交するように）キャパシタ４２が実装されている。しかし、キャパシタ４２の電極面の法線方向がキャリア２０１の平面の法線方向に対して略９０°となる場合以外でも、ＧＮＤ導体４とキャパシタ４２の電極面とが、同一平面内に配置されなければよい。さらには、ＧＮＤ導体４が設けられた面の法線方向とキャパシタ４２の電極面の少なくとも一方の法線方向とが、異なっていればよい。
【００４８】
＜動作＞
図２は、光受信モジュール１００の電磁界シミュレーションにより計算された高周波特性を示した図である。図２（ａ）においては高周波特性（Ｓ２１）が示されている。図２（ｂ）においては高周波特性（Ｓ２２）が示されている。図２（ｃ）においては雑音の利得の高周波特性が示されている。各図とも、縦軸の単位がｄＢ、横軸が振動数（ＧＨｚ）である。
【００４９】
図２に示されるように、Ｓ２１およびＳ２２は図１０に示された場合と同様に良好であり、さらに、雑音の利得をおよそ５ｄＢ低下させることができる。
【００５０】
これは、キャパシタ４２の電極パターン５に接続される電極面４２２とＧＮＤ導体４との間の誘電結合が減少し、受光素子３０を経由してアンプ１０に入力される雑音を抑制することができるためである。
【００５１】
＜効果＞
本実施形態によれば、光受信モジュールが、誘電体からなるキャリア２０１と、ＧＮＤ導体４と、受光素子３０と、アンプ１０と、第１キャパシタとしてのキャパシタ４１と、第２キャパシタとしてのキャパシタ４２とを備える。
【００５２】
ＧＮＤ導体４は、キャリア２０１表面に部分的に設けられた導体である。
【００５３】
受光素子３０は、ＧＮＤ導体４と電気的に接続された、光信号を光電変換する素子である。
【００５４】
アンプ１０は、ＧＮＤ導体４と電気的に接続された、受光素子３０の第１端子から出力される信号を増幅する。
【００５５】
第１キャパシタは、第１電極面（電極面４１１に対応）がＧＮＤ導体４に電気的に接続され、第１電極面と対向する第２電極面（電極面４１２に対応）がアンプ１０の電源端子５１側に接続されたキャパシタ４１に対応する。
【００５６】
第２キャパシタは、第１電極面（電極面４２１に対応）がＧＮＤ導体４に電気的に接続され、電極面４２１と対向する第２電極面（電極面４２２に対応）が受光素子３０の第２端子（カソード端子５４に対応）側に接続されたキャパシタ４２に対応する。
【００５７】
キャパシタ４２は、ＧＮＤ導体４が設けられていないキャリア２０１上に配置され、キャパシタ４２の電極面４２１または電極面４２２の法線方向と、ＧＮＤ導体４が設けられた面の法線方向とが異なる。
【００５８】
このような構成によれば、キャパシタ４２の電極パターン５に接続される電極面４２２とＧＮＤ導体４との間の誘電結合が減少し、受光素子３０を経由してアンプ１０に入力される雑音を抑制することができる。
【００５９】
また、本実施形態によれば、キャパシタ４２の電極面４２１または電極面４２２の法線方向と、ＧＮＤ導体４が設けられた面の法線方向とが直交する。
【００６０】
このような構成によれば、キャパシタ４２の電極パターン５に接続される電極面４２２とＧＮＤ導体４との間の誘電結合が効果的に減少し、受光素子３０を経由してアンプ１０に入力される雑音を抑制することができる。
【００６１】
＜第２実施形態＞
＜構成＞
図３は、本実施形態に関する光受信モジュール１０２をキャリア上に実装した例を示す斜視図である。なお、光受信モジュール１０２の回路図は図７に示されたものと同様であるので、図示を省略する。
【００６２】
キャリア２０２上にアンプ１０、受光素子３０、キャパシタ４１およびキャパシタ４２が搭載されている。キャリア２０２は酸化アルミニウムを含むセラミック等（誘電体）からなり、表面にＧＮＤ導体４が設けられている。
【００６３】
キャリア２０２上には、受光素子３０の実装位置に隣接するキャパシタ４２が実装される位置（ＧＮＤ導体４が設けられていない位置）に、受光素子３０の高さと同一の高さを有する突起部３５が設けられている。キャパシタ４２は、突起部３５上に配置される。
【００６４】
突起部３５上面には、溝３６が形成されている。溝３６は、突起部３５上面に向かって上広がりに形成されており、キャパシタ４２の２つの電極面が、溝３６の形成方向と平行に配置される。よって、各電極面が、溝内側の一方の側面にそれぞれ接触している。
【００６５】
溝３６は、キャパシタ４２が配置される突起部３５上面においては、キャパシタ４２の幅（キャパシタ４２の２つの電極面間の距離に対応）よりも広がって形成されている。また、突起部３５上面から下面方向に下るにつれて、溝３６の幅は狭くなり、突起部３５下面に到達するまでのある地点においてキャパシタ４２の幅よりも狭くなる。
【００６６】
突起部３５の、溝３６で分けられた一方の上面（および上面付近の側面）には、電極パターン５が設けられている。また、溝３６で分けられた他方の上面および側面には、電極パターン６が設けられている。電極パターン６は、ＧＮＤ導体４と連続する電極パターンである。ワイヤ長を最短となるようにワイヤボンディングする観点から、電極パターン６がアンプ１０に近い方の上面に形成されることが望ましい。
【００６７】
アンプ１０側の突起部３５上面に形成された電極パターン６は、突起部３５側面を介して、または介さずにＧＮＤ端子５３に接続される。電極パターン５は、ワイヤ２４を介して受光素子３０のカソード端子５４に接続されるとともに、図示しない外部の電源にワイヤで接続されている。
【００６８】
キャパシタ４２は、溝３６内側の側面に各電極面が保持されるよう、溝３６内に挿入される。そして、電極パターン５にキャパシタ４２の電極面４２２が、電極パターン６にキャパシタ４２の電極面４２１がそれぞれ接続され、導電性接着剤によって固定される。
【００６９】
＜動作＞
図４は、光受信モジュール１０２の電磁界シミュレーションにより計算された高周波特性を示した図である。図４（ａ）においては高周波特性（Ｓ２１）が示されている。図４（ｂ）においては高周波特性（Ｓ２２）が示されている。図４（ｃ）においては雑音の利得の高周波特性が示されている。各図とも、縦軸の単位がｄＢ、横軸が振動数（ＧＨｚ）である。
【００７０】
図４に示されるように、Ｓ２１およびＳ２２は図１０に示された場合と同様に良好であり、さらに、雑音の利得がおよそ１５ｄＢ低下させることができることがわかる。
【００７１】
これは、キャパシタ４２の電極パターン５に接続される電極面４２２とＧＮＤ導体４との間の誘電結合が減少し、受光素子３０を経由してアンプ１０に入力される雑音を抑制することができるためである。
【００７２】
また、ＧＮＤ端子５３および電極パターン６を接続するワイヤ２３と、カソード端子５４および電極パターン５を接続するワイヤ２４とを合わせたワイヤ長が短縮されるため、寄生インダクタンスが減少する。よって、第１実施形態の２０ＧＨｚ付近で見られた雑音利得の共振が生じなくなり、より安定した高周波特性が得られる。
【００７３】
＜効果＞
本実施形態によれば、光受信モジュールが、突起部３５と、溝３６とを備える。
【００７４】
突起部３５は、ＧＮＤ導体４が設けられていないキャリア２０２上に形成されている。溝３６は、突起部３５上面に形成されている。
【００７５】
キャパシタ４２は、溝３６に保持され、キャパシタ４２の電極面４２１および電極面４２２が溝３６の一方の側面にそれぞれ接触している。
【００７６】
このような構成によれば、キャパシタ４２の電極パターン５に接続される電極面４２２とＧＮＤ導体４との間の誘電結合が減少し、受光素子３０を経由してアンプ１０に入力される雑音を抑制することができる。
【００７７】
また、ＧＮＤ端子５３および電極パターン６を接続するワイヤ２３と、カソード端子５４および電極パターン５を接続するワイヤ２４とを合わせたワイヤ長が短縮されるため、寄生インダクタンスが減少する。よって、より安定した高周波特性が得られる。
【００７８】
＜第３実施形態＞
＜構成＞
図５は、本実施形態に関する光受信モジュール１０３をキャリア上に実装した例を示す斜視図である。なお、光受信モジュール１０３の回路図は図７に示されたものと同様であるので、図示を省略する。
【００７９】
キャリア２０２上にアンプ１０、受光素子３０、キャパシタ４１および導電性接着剤７０で突起部３５に接着された誘電体小片４３が搭載されている。キャリア２０２は酸化アルミニウムを含むセラミック等（誘電体）からなり、表面にＧＮＤ導体４が設けられている。
【００８０】
キャリア２０２には、受光素子３０の実装位置に隣接する位置に、受光素子３０の高さと同一の高さを有する突起部３５が設けられている。さらに誘電体小片４３が、突起部３５上に配置される。
【００８１】
突起部３５上面には、溝３６が形成されている。溝３６は、突起部３５上面に向かって上広がりに形成されている。
【００８２】
溝３６は、誘電体小片４３が配置される突起部３５上面においては、誘電体小片４３の幅よりも広がって形成されている。また、突起部３５上面から下面方向に下るにつれて、溝３６の幅は狭くなり、突起部３５下面に到達するまでのある地点において誘電体小片４３の幅よりも狭くなる。
【００８３】
突起部３５の、溝３６で分けられた一方の上面（および上面付近の側面）には、電極パターン５が設けられている。また、溝３６で分けられた他方の上面および側面には、電極パターン６が設けられている。電極パターン６は、ＧＮＤ導体４と連続する電極パターンである。ワイヤ長を最短となるようにワイヤボンディングする観点から、電極パターン６がアンプ１０に近い方の上面に形成されることが望ましい。
【００８４】
アンプ１０側の突起部３５上面に形成された電極パターン６は、突起部３５側面を介して、または介さずにＧＮＤ端子５３に接続される。電極パターン５は、ワイヤ２４を介して受光素子３０のカソード端子５４に接続されるとともに、図示しない外部の電源にワイヤで接続されている。
【００８５】
誘電体小片４３は、溝３６内側の側面に保持されるよう溝３６内に挿入される。そして誘電体小片４３は、電極パターン５および電極パターン６に対し導電性接着剤７０によって固定される。そして導電性接着剤７０が、誘電体小片４３を介して対向する電極面として機能する。
【００８６】
なお、図５においては、導電性接着剤７０の形状は塊状となっているが、導電性接着剤７０が固定される形状はこのような形状に限られるものではなく、例えば、誘電体小片４３の対向する両側面全体に形成されていてもよい。
【００８７】
＜動作＞
図６は、光受信モジュール１０３の電磁界シミュレーションにより計算された高周波特性を示した図である。図６（ａ）においては高周波特性（Ｓ２１）が示されている。図６（ｂ）においては高周波特性（Ｓ２２）が示されている。図６（ｃ）においては雑音の利得の高周波特性が示されている。各図とも、縦軸の単位がｄＢ、横軸が振動数（ＧＨｚ）である。
【００８８】
図６に示されるように、Ｓ２１およびＳ２２は図１０に示された場合と同様に良好であり、さらに、雑音の利得がおよそ１５ｄＢ低下させることができることがわかる。
【００８９】
これは、誘電体小片４３両側面に塗布された導電性接着剤７０が誘電体小片４３を介して誘電結合することで、誘電体小片４３および導電性接着剤７０がキャパシタとして機能するために生じるものである。誘電体小片４３および導電性接着剤７０がキャパシタとして機能することで、電極パターン５に接続される電極面とＧＮＤ導体４との誘電結合が減少し、受光素子３０を経由してアンプ１０に入力される雑音を抑制することができる。
【００９０】
＜効果＞
本実施形態によれば、キャパシタの電極面が、導電性接着剤７０から形成されている。
【００９１】
光受信モジュール１０３においては、誘電体小片４３に導電性接着剤７０が塗布されることでキャパシタの機能を果たしているため、キャパシタを実装する際の電極面の方向を考慮する必要がなくなる。よって、容易に実装可能であるとともに、雑音の利得を３５ＧＨｚ以下において第２実施形態と同程度に抑制することができる。
【００９２】
上記実施形態では、各構成要素の材質、材料、実施の条件等についても記載しているが、これらは例示であって記載したものに限られるものではない。
【００９３】
なお本発明は、その発明の範囲内において、各実施形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００９４】
４  ＧＮＤ導体、５，６  電極パターン、１０  アンプ、２１〜２４  ワイヤ、３０  受光素子、３５  突起部、３６  溝、４１，４２  キャパシタ、４３  誘電体小片、５１  電源端子、５２  入力端子、５３  ＧＮＤ端子、５４  カソード端子、５５  アノード端子、７０  導電性接着剤、１００〜１０３  光受信モジュール、２００〜２０２  キャリア、４１１，４１２，４２１，４２２  電極面。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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