(57)【要約】【課題】電子部品を樹脂でモールドしながら、電子部品が受けるモールド樹脂の熱応力を抑制することが可能な樹脂モールド部品を提供する。【解決手段】半導体パッケージ１は、リードフレーム２に実装された第１及び第２の半導体チップ３１，３２、並びに第１及び第２のコンデンサ４１，４２と、第１及び第２の半導体チップ３１，３２を一次モールドしたチップ用モールド成形体５３、及び第１及び第２のコンデンサ４１，４２を一次モールドしたコンデンサ用モールド成形体５４と、チップ用モールド成形体５３及びコンデンサ用モールド成形体５４を二次モールドしたモールド成形体５１とを備え、モールド成形体５３，５４は、モールド成形体５１の熱膨張による応力を受ける面の少なくとも一部が、その応力によってリードフレーム２側に押し付けられるように上面２４ａ及び下面２４ｂに対して傾斜した上面側傾斜面５３ａ，５４ａ及び下面側傾斜面５３ｂ，５４ｂとして形成されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性の金属からなる配線部材と、
前記配線部材の実装面に実装された電子部品と、
前記電子部品を一次モールドした一次モールド樹脂部と、
前記一次モールド樹脂部を二次モールドした二次モールド樹脂部とを備え、
前記一次モールド樹脂部は、前記二次モールド樹脂部の熱膨張による応力を受ける面の少なくとも一部が、前記応力によって前記配線部材側に押し付けられるように前記実装面に対して傾斜した傾斜面として形成されている
樹脂モールド部品。
【請求項２】
前記一次モールド樹脂部の前記傾斜面を含む仮想平面と前記配線部材とが４５度以下の角度で交差する、
請求項１に記載の樹脂モールド部品。
【請求項３】
前記電子部品は半導体チップである、
請求項１又は２に記載の樹脂モールド部品。
【請求項４】
導電性の金属からなる配線部材と、
前記配線部材の実装面に実装された第１電子部品及び第２電子部品と、
前記第１電子部品を一次モールドした第１の一次モールド樹脂部と、
前記第２電子部品を一次モールドした第２の一次モールド樹脂部と、
前記第１の一次モールド樹脂部及び前記第２の一次モールド樹脂部を一括して二次モールドした二次モールド樹脂部とを備え、
前記第１の一次モールド樹脂部は、前記第２の一次モールド樹脂部との間における前記二次モールド樹脂部の熱膨張による応力を受ける面の少なくとも一部が、前記応力によって前記配線部材側に押し付けられるように前記実装面に対して傾斜した傾斜面として形成されている
樹脂モールド部品。
【請求項５】
前記第２の一次モールド樹脂部は、前記第１の一次モールド樹脂部との間における前記二次モールド樹脂部の熱膨張による応力を受ける面の少なくとも一部が、前記応力によって前記配線部材側に押し付けられるように前記実装面に対して傾斜した傾斜面として形成されている、
請求項４に記載の樹脂モールド部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の電子部品を樹脂でモールドした樹脂モールド部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の電子部品を樹脂でモールドしてなる樹脂モールド部品が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に記載のものでは、封止樹脂の温度変化による熱応力に起因する電子部品の損傷、例えばＩＣのワイヤの断線やコンデンサの変形による静電容量の変化を防ぐべく、実装された電子部品を包囲するキャップ状の保護ケースを設け、この保護ケースの外周域を樹脂封止している。この構成によれば、ヒートショック等による封止樹脂の応力が保護ケースで遮断されてＩＣやコンデンサ等の電子部品には及ばないので、これらの電子部品の損傷を防ぐことができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−２６２３４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に記載のものでは、電子部品が樹脂で固定されていないので、例えば車両等の振動が発生する環境で使用される場合には、振動による電子部品の脱落や破損が発生しやすくなる。また、保護ケースの内部は空間であるため、電子部品の熱を放熱させる効果が乏しく、電子部品が過熱しやすくなる。
【０００６】
そこで、本発明は、電子部品を樹脂でモールドしながら、電子部品が受けるモールド樹脂の熱応力を抑制することが可能な樹脂モールド部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、導電性の金属からなる配線部材と、前記配線部材に実装された電子部品と、前記電子部品を一次モールドした一次モールド樹脂部と、前記一次モールド樹脂部を二次モールドした二次モールド樹脂部とを備え、前記一次モールド樹脂部は、前記二次モールド樹脂部の熱膨張による応力を受ける面の少なくとも一部が、前記配線部材とは反対側を指向して前記配線部材に対して傾斜した傾斜面として形成されている樹脂モールド部品を提供する。
【０００８】
また、本発明は、上記課題を解決することを目的として、導電性の金属からなる配線部材と、前記配線部材に実装された第１電子部品及び第２電子部品と、前記第１電子部品を一次モールドした第１の一次モールド樹脂部と、前記第２電子部品を一次モールドした第２の一次モールド樹脂部と、前記第１の一次モールド樹脂部及び前記第２の一次モールド樹脂部を一括して二次モールドした二次モールド樹脂部とを備え、前記第１の一次モールド樹脂部は、前記第２の一次モールド樹脂部との間における前記二次モールド樹脂部の熱膨張による応力を受ける面の少なくとも一部が、前記配線部材とは反対側を指向して前記配線部材に対して傾斜した傾斜面として形成されている樹脂モールド部品を提供する。
【発明の効果】
【０００９】
本発明に係る樹脂モールド部品によれば、電子部品を樹脂でモールドしながら、電子部品が受けるモールド樹脂の熱応力を抑制することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態に係る半導体パッケージの構成例を示す斜視図である。
【図２】半導体パッケージのモールド成形体に保持されるリードフレーム、半導体チップ、及びコンデンサを示した平面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線断面図である。
【図４】図３のＢ部におけるチップ用モールド成形体にかかる応力の分解図である。
【図５】比較例に係るチップ用モールド成形体にかかる応力の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［実施の形態］
図１は、本発明の実施の形態に係る半導体パッケージの構成例を示す斜視図である。図２は、半導体パッケージ１のモールド成形体５１に保持されるリードフレーム２、半導体チップ３１，３２、及びコンデンサ４１，４２を示した平面図である。なお、図２では、モールド成形体５１、チップ用モールド成形体５３、及びコンデンサ用モールド成形体５４を二点鎖線で示し、その内部を実線で示している。図３は、図１のＡ−Ａ線断面図である。
【００１２】
この半導体パッケージ１は、樹脂からなるモールド成形体５１によってモールドされた樹脂モールド部品の一例である。モールド成形体５１は直方体状であり、一側面から複数のリード端子（本実施の形態では、第１〜第５のリード端子１１〜１５）が突出している。
【００１３】
半導体パッケージ１は、図２に示すように、導電性の金属からなる配線部材としてのリードフレーム２と、リードフレーム２に実装された第１電子部品としての第１の半導体チップ３１及び第２の半導体チップ３２と、同じくリードフレーム２に実装された第２電子部品としての第１のコンデンサ４１及び第２のコンデンサ４２とを備える。第１の半導体チップ３１及び第２の半導体チップ３２は、例えば磁界の強度に応じた電圧の信号を出力するホール素子を備えたホールＩＣである。
【００１４】
本実施の形態では、リードフレーム２は、第１の信号線用リードフレーム２１と、第２の信号線用リードフレーム２２と、電源線用リードフレーム２３と、接地線用リードフレーム２４とから構成されている。第１の信号線用リードフレーム２１は、その一端部が第１のリード端子１１として形成されている。第２の信号線用リードフレーム２２は、その一端部が第５のリード端子１５として形成されている。電源線用リードフレーム２３は、その一端部が第３のリード端子１３として形成されている。接地線用リードフレーム２４は、その一端部が第２のリード端子１２として形成され、他端部が第４のリード端子１４として形成されている。第１〜第５のリード端子１１〜１５は、モールド成形体５１の外部に露出している。
【００１５】
接地線用リードフレーム２４は、上面２４ａ（モールド成形体５１の厚さ方向における一方の面）における第２のリード端子１２側に第１の半導体チップ３１が実装され、下面２４ｂ（モールド成形体５１の厚さ方向における他方の面）における第４のリード端子１４側に第２の半導体チップ３２が実装されている。接地線用リードフレーム２４と第１の半導体チップ３１及び第２の半導体チップ３２とは、例えば接着剤による接着等の固定手段により固定されている。
【００１６】
第１の半導体チップ３１は、第１〜第４の電極３１１〜３１４を有している。第１の電極３１１は、第１のボンディングワイヤ６１によって第１の信号線用リードフレーム２１に電気的に接続されている。第２の電極３１２は、第１のボンディングワイヤ６１によって電源線用リードフレーム２３に電気的に接続されている。第３の電極３１３及び第４の電極３１４は、それぞれ第１のボンディングワイヤ６１によって接地線用リードフレーム２４に電気的に接続されている。
【００１７】
同様に、第２の半導体チップ３２は、第１〜第４の電極３２１〜３２４を有している。第１の電極３２１は、第２のボンディングワイヤ６２によって第２の信号線用リードフレーム２２に電気的に接続されている。第２の電極３２２は、第２のボンディングワイヤ６２によって電源線用リードフレーム２３に電気的に接続されている。第３の電極３２３及び第４の電極３２４は、それぞれ第２のボンディングワイヤ６２によって接地線用リードフレーム２４に電気的に接続されている。
【００１８】
第１の半導体チップ３１及び第２の半導体チップ３２は、リードフレーム２の一部と共に、樹脂からなる第１の一次モールド樹脂部としてのチップ用モールド成形体５３によって一次モールドされている。
【００１９】
第１のコンデンサ４１は、電源線用リードフレーム２３と接地線用リードフレーム２４との間に配置され、電源線用リードフレーム２３及び接地線用リードフレーム２４に例えば半田付け等によりそれぞれ電気的に接続されている。第２のコンデンサ４２は、電源線用リードフレームと接地線用リードフレーム２４との間に配置され、電源線用リードフレーム２３及び接地線用リードフレーム２４に例えば半田付け等によりそれぞれ電気的に接続されている。第１のコンデンサ４１は接地線用リードフレーム２４の第２のリード端子１２側に、第２のコンデンサ４２は接地線用リードフレーム２４の第４のリード端子１４側に、それぞれ配置されている。
【００２０】
第１のコンデンサ４１及び第２のコンデンサ４２は、第１の半導体チップ３１及び第２の半導体チップ３２と同様に、リードフレーム２の一部と共に、樹脂からなる第２の一次モールド樹脂部としてのコンデンサ用モールド成形体５４によって一次モールドされている。
【００２１】
チップ用モールド成形体５３及びコンデンサ用モールド成形体５４は、二次モールド樹脂部としてのモールド成形体５１によって一括して二次モールドされている。
【００２２】
図３に示すように、チップ用モールド成形体５３及びコンデンサ用モールド成形体５４は、それぞれリードフレーム２の実装面としての上面（図３では接地線用リードフレーム２４の上面２４ａ）及び下面（図３では接地線用リードフレーム２４の下面２４ｂ）を挟むように形成されている。
【００２３】
チップ用モールド成形体５３は、コンデンサ用モールド成形体５４との間におけるモールド成形体５１の熱膨張による応力を受ける面が、その応力によってリードフレーム２側に押し付けられるように上面２４ａ及び下面２４ｂに対して傾斜した傾斜面（上面側傾斜面５３ａ及び下面側傾斜面５３ｂ）として形成されている。つまり、上面側傾斜面５３ａはリードフレーム２の上面２４ａに対して反対側（モールド成形体５１の上面５１ａ側）を指向し、下面側傾斜面５３ｂはリードフレーム２の下面２４ｂに対して反対側（モールド成形体５１の下面５１ｂ側）を指向している。図３を参照してより具体的に説明する。
【００２４】
上面側傾斜面５３ａは、接地線用リードフレーム２４の上面２４ａに向かい合うことなく、この上面２４ａからモールド成形体５１の上面５１ａ（モールド成形体５１の厚さ方向の両面のうち、接地線用リードフレーム２４の上面２４ａ側の面）に向かって傾斜している。下面側傾斜面５３ｂは、接地線用リードフレーム２４の下面２４ｂに向かい合うことなく、この下面２４ｂからモールド成形体５１の下面５１ｂ（モールド成形体５１の厚さ方向の両面のうち、接地線用リードフレーム２４の下面２４ｂ側の面）に向かって傾斜している。つまり、上面側傾斜面５３ａと下面側傾斜面５３ｂとは、リードフレーム２を起点としてモールド成形体５１の上面５１ａ及び下面５１ｂ方向に広がるように傾斜している。
【００２５】
コンデンサ用モールド成形体５４は、チップ用モールド成形体５３との間におけるモールド成形体５１の熱膨張による応力を受ける面が、その応力によってリードフレーム２側に押し付けられるように上面２４ａ及び下面２４ｂに対して傾斜した傾斜面（上面側傾斜面５４ａ及び下面側傾斜面５４ｂ）として形成されている。つまり、上面側傾斜面５４ａはリードフレーム２の上面２４ａに対して反対側（モールド成形体５１の上面５１ａ側）を指向し、下面側傾斜面５４ｂはリードフレーム２の下面２４ｂに対して反対側（モールド成形体５１の下面５１ｂ側）を指向している。
【００２６】
コンデンサ用モールド成形体５４の上面側傾斜面５４ａ及び下面側傾斜面５４ｂは、チップ用モールド成形体５３の上面側傾斜面５３ａ及び下面側傾斜面５３ｂとは逆向きに傾斜している。つまり、チップ用モールド成形体５３の上面側傾斜面５３ａとコンデンサ用モールド成形体５４の上面側傾斜面５４ａとの間の距離は、モールド成形体５１の上面５１ａ側ほど長くなる。同様に、チップ用モールド成形体５３の下面側傾斜面５３ｂとコンデンサ用モールド成形体５４の下面側傾斜面５４ｂとの間の距離は、モールド成形体５１の下面５１ｂ側ほど長くなる。図３を参照してより具体的に説明する。
【００２７】
上面側傾斜面５４ａは、接地線用リードフレーム２４の上面２４ａに向かい合うことなく、この上面２４ａからモールド成形体５１の上面５１ａに向かって傾斜している。下面側傾斜面５４ｂは、接地線用リードフレーム２４の下面２４ｂに向かい合うことなく、この下面２４ｂからモールド成形体５１の下面５１ｂに向かって傾斜している。つまり、上面側傾斜面５４ａと下面側傾斜面５４ｂとは、リードフレーム２を起点としてモールド成形体５１の上面５１ａ及び下面５１ｂ方向に広がるように傾斜している。
【００２８】
図３に示すように、チップ用モールド成形体５３の傾斜面５３ａとコンデンサ用モールド成形体５４の傾斜面５４ａとがリードフレーム２に沿って向かい合い、チップ用モールド成形体５３の傾斜面５３ｂとコンデンサ用モールド成形体５４の傾斜面５４ｂとがリードフレーム２に沿って向かい合って形成されている。
【００２９】
チップ用モールド成形体５３の上面側傾斜面５３ａとリードフレーム２とがなす角度をθ１とし、チップ用モールド成形体５３の下面側傾斜面５３ｂとリードフレーム２とがなす角度をθ２とし、コンデンサ用モールド成形体５４の上面側傾斜面５４ａとリードフレーム２とがなす角度をθ３とし、コンデンサ用モールド成形体５４の下面側傾斜面５４ｂとリードフレーム２とがなす角度をθ４とすると、角度θ１〜θ４は４５度以下である。本実施の形態では、角度θ１〜θ４がすべて同じ角度（４５度）である。
【００３０】
（実施の形態の作用及び効果）
以上説明した実施の形態による作用及び効果について、図４及び図５を参照して説明する。図４は、図３のＢ部におけるチップ用モールド成形体５３にかかる応力の分解図である。図５は、比較例に係るチップ用モールド成形体５３Ａにかかる応力の説明図である。
【００３１】
モールド成形体５１の熱膨張による応力をＦ、チップ用モールド成形体５３の上面側傾斜面５３ａに対して垂直な方向にかかる力をＦ１、チップ用モールド成形体５３の上面側傾斜面５３ａに対して平行な方向にかかる力をＦ２とする。応力Ｆは、垂直な方向の力Ｆ１と平行な方向の力Ｆ２に分解され、上面側傾斜面５３ａに垂直な方向の力Ｆ１及び上面側傾斜面５３ａに平行な方向の力Ｆ２はそれぞれ以下の式となる。
Ｆ１＝Ｆ・ｓｉｎθ１
Ｆ２＝Ｆ・ｃｏｓθ１
【００３２】
比較例に係るチップ用モールド成形体５３Ａは、モールド成形体５１の熱膨張による応力を受ける面（端面５３Ａａ）が、リードフレーム２（接地線用リードフレーム２４の上面２４ａ）に対して直交するため、応力Ｆが分解されることなく端面５３Ａａに対して垂直に押す力として働く。
【００３３】
一方、本実施の形態では、θ１が４５度以下であるので、上面側傾斜面５３ａに垂直な方向の力Ｆ１と上面側傾斜面５３ａに平行な方向の力Ｆ２との関係は、Ｆ１≦Ｆ２となる。これにより、チップ用モールド成形体５３の上面側傾斜面５３ａに対して垂直に押す力が平行に押す力よりも小さくなるので、比較例に係るチップ用モールド成形体５３Ａの端面５３Ａａが受けるモールド成形体５１の熱膨張による応力と比べて、チップ用モールド成形体５３の上面側傾斜面５３ａが受けるモールド成形体５１の熱膨張による応力を抑制することができる。同様にして、下面側傾斜面５３ｂ及びコンデンサ用モールド成形体５４についても、上記と同様の作用及び効果が得られる。
【００３４】
すなわち、チップ用モールド成形体５３及びコンデンサ用モールド成形体５４は、モールド成形体５１の熱膨張による応力を受ける面が、リードフレーム２とは反対側を指向してリードフレーム２に対して４５度以下の角度で鋭角に傾斜した上面側傾斜面５３ａ及び下面側傾斜面５３ｂ、並びに上面側傾斜面５４ａ及び下面側傾斜面５４ｂとして形成されているため、チップ用モールド成形体５３及びコンデンサ用モールド成形体５４が受けるモールド成形体５１の熱膨張による応力を低減することができ、第１及び第２の半導体チップ３１，３２、並びに第１及び第２のコンデンサ４１，４２の実装における信頼性確保につながる。
【００３５】
また、チップ用モールド成形体５３の上面側傾斜面５３ａとコンデンサ用モールド成形体５４の上面側傾斜面５４ａとがリードフレーム２に沿って向かい合い、チップ用モールド成形体５３の下面側傾斜面５３ｂとコンデンサ用モールド成形体５４の下面側傾斜面５４ｂとがリードフレーム２に沿って向かい合って形成されているため、チップ用モールド成形体５３とコンデンサ用モールド成形体５４との間におけるモールド成形体５１の熱膨張によって、チップ用モールド成形体５３及びコンデンサ用モールド成形体５４が受ける熱応力を抑制することができる。
【００３６】
（実施の形態のまとめ）
次に、以上説明した実施の形態から把握される技術思想について、実施の形態における符号等を援用して記載する。ただし、以下の記載における各符号等は、特許請求の範囲における構成要素を実施の形態に具体的に示した部材等に限定するものではない。
【００３７】
［１］導電性の金属からなる配線部材（リードフレーム２）と、前記配線部材（リードフレーム２）の実装面（上面２４ａ／下面２４ｂ）に実装された電子部品（第１及び第２の半導体チップ３１，３２／第１及び第２のコンデンサ４１，４２）と、前記電子部品（第１及び第２の半導体チップ３１，３２／第１及び第２のコンデンサ４１，４２）を一次モールドした一次モールド樹脂部（チップ用モールド成形体５３／コンデンサ用モールド成形体５４）と、前記一次モールド樹脂部を二次モールドした二次モールド樹脂部とを備え、前記一次モールド樹脂部（チップ用モールド成形体５３／コンデンサ用モールド成形体５４）は、前記二次モールド樹脂部（モールド成形体５１）の熱膨張による応力を受ける面の少なくとも一部が、前記応力によって前記配線部材（リードフレーム２）側に押し付けられるように前記実装面（上面２４ａ／下面２４ｂ）に対して傾斜した傾斜面（上面側傾斜面５３ａ及び下面側傾斜面５３ｂ／上面側傾斜面５４ａ及び下面側傾斜面５４ｂ）として形成されている樹脂モールド部品（半導体パッケージ１）。
【００３８】
［２］前記一次モールド樹脂部（チップ用モールド成形体５３／コンデンサ用モールド成形体５４）の前記傾斜面（上面側傾斜面５３ａ及び下面側傾斜面５３ｂ／上面側傾斜面５４ａ及び下面側傾斜面５４ｂ）を含む仮想平面と前記配線部材（リードフレーム２）とが４５度以下の角度で交差する、［１］に記載の樹脂モールド部品（半導体パッケージ１）。
【００３９】
［３］前記電子部品（第１及び第２の半導体チップ３１，３２）は半導体チップである、［１］又は［２］に記載の樹脂モールド部品（半導体パッケージ１）。
【００４０】
［４］導電性の金属からなる配線部材（リードフレーム２）と、前記配線部材（リードフレーム２）の実装面（上面２４ａ／下面２４ｂ）に実装された第１電子部品（第１及び第２の半導体チップ３１，３２）及び第２電子部品（第１及び第２のコンデンサ４１，４２）と、前記第１電子部品（第１及び第２の半導体チップ３１，３２）を一次モールドした第１の一次モールド樹脂部（チップ用モールド成形体５３）と、前記第２電子部品（第１及び第２のコンデンサ４１，４２）を一次モールドした第２の一次モールド樹脂部（コンデンサ用モールド成形体５４）と、前記第１の一次モールド樹脂部（チップ用モールド成形体５３）及び前記第２の一次モールド樹脂部（コンデンサ用モールド成形体５４）を一括して二次モールドした二次モールド樹脂部（モールド成形体５１）とを備え、前記第１の一次モールド樹脂部（チップ用モールド成形体５３）は、前記第２の一次モールド樹脂部（コンデンサ用モールド成形体５４）との間における前記二次モールド樹脂部（モールド成形体５１）の熱膨張による応力を受ける面の少なくとも一部が、前記応力によって前記配線部材（リードフレーム２）側に押し付けられるように前記実装面（上面２４ａ／下面２４ｂ）に対して傾斜した傾斜面（上面側傾斜面５３ａ／上面側傾斜面５４ａ）として形成されている樹脂モールド部品（半導体パッケージ１）。
【００４１】
［５］前記第２の一次モールド樹脂部（コンデンサ用モールド成形体５４）は、前記第１の一次モールド樹脂部（チップ用モールド成形体５３）との間における前記二次モールド樹脂部（モールド成形体５１）の熱膨張による応力を受ける面の少なくとも一部が、前記応力によって前記配線部材（リードフレーム２）側に押し付けられるように前記実装面（上面２４ａ／下面２４ｂ）に対して傾斜した傾斜面（下面側傾斜面５３ｂ／下面側傾斜面５４ｂ）として形成されている、［４］に記載の樹脂モールド部品（半導体パッケージ１）。
【００４２】
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上記に記載した実施の形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。また、実施の形態の中で説明した特徴の組合せの全てが発明の課題を解決するための手段に必須であるとは限らない点に留意すべきである。
【００４３】
本発明は、その趣旨を逸脱しない範囲で適宜変形して実施することが可能である。例えば、上記実施の形態では、チップ用モールド成形体５３とコンデンサ用モールド成形体５４とが向かい合う面の全体が上面側傾斜面５３ａ，５４ａ及び下面側傾斜面５３ｂ，５４ｂとして形成されていたが、これに限らず、チップ用モールド成形体５３とコンデンサ用モールド成形体５４とが向かい合う面の一部が上面側傾斜面５３ａ，５４ａ及び下面側傾斜面５３ｂ，５４ｂとして形成されていてもよい。この場合、傾斜面を含む仮想平面とリードフレーム２とがなす角度は、４５度以下であることが望ましい。つまり、チップ用モールド成形体５３及びコンデンサ用モールド成形体５４は、モールド成形体５１の熱膨張による応力を受ける面の少なくとも一部が、上面側傾斜面５３ａ，５４ａ及び下面側傾斜面５３ｂ，５４ｂとして形成されていればよい。
【００４４】
また、上記実施の形態では、第１及び第２の半導体チップ３１，３２がホールＩＣである場合について説明したが、これに限らず、例えば各種センサや、記憶素子や演算素子等の半導体チップを含む樹脂モールド部品に対して本発明を適用することが可能である。
【００４５】
また、上記実施の形態では、第２の一次モールド樹脂部としてのコンデンサ用モールド成形体５４が第１及び第２のコンデンサ４１，４２をモールドした場合について説明したが、第２の一次モールド樹脂部は、抵抗器やコイル等の各種の受動素子や、半導体チップをモールドしていてもよい。
【００４６】
また、上記実施の形態では、角度θ１〜θ４は、それぞれ４５度以下（０°＜θ１〜θ４≦４５°）であったが、これに限らず、９０度より小さい角度（０°＜θ１〜θ４＜９０°）であれば効果がある。
【００４７】
また、上記実施の形態では、電子部品として第１及び第２の半導体チップ３１，３２、並びに第１及び第２のコンデンサ４１，４２がリードフレーム２に実装されていたが、これに限らず、他の電子部品が実装されていてもよい。
【００４８】
また、上記実施の形態では、第１〜第５のリード端子１１〜１５は、それぞれリードフレーム２と一体に形成されていたが、これに限らず、リードフレーム２にリード線（電線）等が接続されていてもよい。
【符号の説明】
【００４９】
１…半導体パッケージ（樹脂モールド部品）、２…リードフレーム（配線部材）、１１…第１のリード端子、１２…第２のリード端子、１３…第３のリード端子、１４…第４のリード端子、１５…第５のリード端子、２１…第１の信号線用リードフレーム、２２…第２の信号線用リードフレーム、２３…電源線用リードフレーム、２４…接地線用リードフレーム、２４ａ…上面（実装面）、２４ｂ…下面（実装面）、３１…第１の半導体チップ（第１電子部品）、３２…第２の半導体チップ（第１電子部品）、４１…第１のコンデンサ（第２電子部品）、４２…第２のコンデンサ（第２電子部品）、５１…モールド成形体（二次モールド樹脂部）、５１ａ…上面、５１ｂ…下面、５３，５３Ａ…チップ用モールド成形体（一次モールド樹脂部）、５３ａ…上面側傾斜面、５３ｂ…下面側傾斜面、５３Ａａ…端面、５４…コンデンサ用モールド成形体（一次モールド樹脂部）、５４ａ…上面側傾斜面、５４ｂ…下面側傾斜面、６１…第１のボンディングワイヤ、６２…第２のボンディングワイヤ、３１１，３２１…第１の電極、３１２，３２２…第２の電極、３１３，３２３…第３の電極、３１４，３２４…第４の電極
【図１】
2014220270.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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