(57)【要約】【課題】ターゲットからの脱ガスを常時安定的にゲッタにより吸着し、ターゲットからの脱ガスによる放射線発生管内の真空度の悪化を防止し、長時間使用可能な高い信頼性を持つ放射線発生装置を提供する。【解決手段】透過基材９ａ上にターゲット層９ｂを配置し、該ターゲット層９ｂの周囲に非蒸発型ゲッタ層９ｃを配置することにより、非蒸発型ゲッタ層９ｃにも電子放出源３から放出させた電子線５を照射して活性化する。【選択図】図１
2014220096.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子放出源と、前記電子放出源に対向すると共に、前記電子放出源から放出された電子線の照射により放射線を放出するターゲット層及び前記ターゲット層を支持する透過基材とを備えた透過型ターゲットとを有する放射線発生管と、前記放射線発生管を駆動する駆動回路と、前記放射線発生管と前記駆動回路とを収容し、前記放射線発生管から放出される放射線を取り出すための放出窓を備えた収納容器と、を備えた放射線発生装置であって、
前記透過型ターゲットは、前記透過基材上の前記ターゲット層とは異なる位置であって前記電子放出源から放出される電子線の照射領域に非蒸発型ゲッタ層を有することを特徴とする放射線発生装置。
【請求項２】
前記駆動回路が、前記電子放出源から放出される電子線の前記ターゲット上でのビーム径を調整することが可能な請求項１に記載の放射線発生装置。
【請求項３】
前記非蒸発型ゲッタ層が、前記ターゲット層の周囲に配置されている請求項２に記載の放射線発生装置。
【請求項４】
前記ターゲット層が前記透過基材上において円形であり、前記非蒸発型ゲッタ層が前記ターゲット層の周囲にリング状に配置されている請求項３に記載の放射線発生装置。
【請求項５】
前記駆動回路が、前記電子放出源から放出される電子線の前記透過型ターゲット上でのビームの重心位置を、前記ターゲット層上と非蒸発型ゲッタ層上との間で選択することが可能な請求項１に記載の放射線発生装置。
【請求項６】
前記ターゲット層と前記非蒸発型ゲッタ層とが、前記透過基材上に並んで配置されている請求項５に記載の放射線発生装置。
【請求項７】
前記非蒸発型ゲッタ層が、チタン、ジルコニウム、バナジウムのいずれか或いはこれらの合金からなる請求項１乃至６のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項８】
前記透過型ターゲットが放射線を遮る遮蔽体によって保持されており、前記遮蔽体が前記透過基材を挟んで前記非蒸発型ゲッタ層を遮蔽している請求項１乃至７のいずれか１項に記載の放射線発生装置。
【請求項９】
請求項１又は８のいずれか１項に記載の放射線発生装置と、
前記放射線発生装置から放出され、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、
前記放射線発生装置と前記放射線検出装置とを連携制御する制御装置とを備えたことを特徴とする放射線撮影システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば医療機器、非破壊検査装置等に適用できる放射線発生装置及びそれを用いた放射線撮影システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
放射線源として用いられる放射線発生装置では、真空維持された放射線発生管（放射線放出源）内部で、電子放出源から電子を放出させ、タングステン等の金属材料で構成されるターゲットに電子を衝突させることにより放射線を発生させている。係る放射線発生装置において、電子放出源から電子を効率良く発生させ、放射線発生装置の長寿命化を図るためには、放射線発生管内部を長期間にわたって真空に維持する必要がある。そのため、放射線発生管構成部材からの放出ガスによる真空度低下を回避するために、真空容器内には通常、上記放出ガスを吸着するためのゲッタが配設されている。真空容器内へのガス放出の一つの要因として、放射線を発生させるためにターゲットに電子を衝突させた際に、該ターゲットの表面や中に存在するガスが放出されることがある。ターゲットからの脱ガスへの対応として、特許文献１には電子線が通過する貫通口を備え、ターゲットの一部を覆った隔壁内にゲッタを配置することでターゲットからの放出ガスを発生源であるターゲット近傍で吸着除去できる構造が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２５３７８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ターゲットからの脱ガス対策としては、特許文献１に開示されているように、ターゲット近傍にゲッタを設けることでガスを吸着することができるが、一定量以上のガスを吸着すると、ゲッタが劣化して十分な吸着能力を発揮できなくなる場合がある。
【０００５】
本発明の課題は、ターゲットからの脱ガスを常時安定的にゲッタにより吸着し、ターゲットからの脱ガスによる放射線発生管内の真空度の悪化を防止し、長時間使用可能な高い信頼性を持つ放射線発生装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１は、電子放出源と、前記電子放出源に対向すると共に、前記電子放出源から放出された電子線の照射により放射線を放出するターゲット層及び前記ターゲット層を支持する透過基材とを備えた透過型ターゲットとを有する放射線発生管と、前記放射線発生管を駆動する駆動回路と、前記放射線発生管と前記駆動回路とを収容し、前記放射線発生管から放出される放射線を取り出すための放出窓を備えた収納容器と、を備えた放射線発生装置であって、
前記透過型ターゲットは、前記透過基材上の前記ターゲット層とは異なる位置であって前記電子放出源から放出される電子線の照射領域に非蒸発型ゲッタ層を有することを特徴とする。
【０００７】
本発明の第２は、上記本発明の第１の放射線発生装置と、
前記放射線発生装置から放出され、被検体を透過した放射線を検出する放射線検出装置と、
前記放射線発生装置と前記放射線検出装置とを連携制御する制御装置とを備えたことを特徴とする放射線撮影システムである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、透過基材上に設置した非蒸発型ゲッタ層を電子線照射により再活性化することで、ゲッタがターゲットからの脱ガスを吸着するために必要な性能を長時間維持することができる。そのため、ターゲットからの脱ガスによる放射線発生管内の真空度の悪化を長期にわたって防止することができる。また、非蒸発型ゲッタ層から発生する放射線を遮蔽する遮蔽体を設けることで、本来の放射線の線質汚染を防止することもできる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の放射線発生装置の一実施形態を示す図であり、（ａ）は放射線発生装置の断面模式図、（ｂ）はアノードの断面模式図、（ｃ）はターゲットの平面模式図である。
【図２】本発明の放射線発生装置における放射線発生の様子を説明する模式図である。
【図３】本発明の放射線発生装置における電子線照射の説明図であり、（ａ）はターゲット層のみに照射する様子を示す断面模式図であり、（ｂ）はターゲット層及び非蒸発型ゲッタに電子線を照射する様子を示す断面模式図である。
【図４】本発明の放射線発生装置の他の実施形態におけるターゲットの平面模式図である。
【図５】図４のターゲットを備えた放射線発生装置における電子線照射の説明図であり、（ａ）はターゲット層に電子線を照射する様子を示す断面模式図であり、（ｂ）は非蒸発型ゲッタに電子線を照射する様子を示す断面模式図である。
【図６】本発明の放射線撮影システムの一実施形態を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を用いて本発明の実施形態を説明するが、本発明はこれらの実施形態に限定されない。尚、特に図示又は記載されない部分に関しては当該技術分野の周知又は公知技術を適用する。
【００１１】
図１を用いて本発明の放射線発生装置の構成について説明する。図１（ａ）は本発明の放射線発生装置の一実施形態を示す断面模式図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）におけるアノード１０を拡大して表した断面模式図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）のターゲット９を電子放出源３側から見た平面模式図である。
【００１２】
本発明の放射線発生装置は、放射線放出窓１８を有する外囲器１７内に、放射線発生管１、駆動回路１６が収容され、収納容器である外囲器１７内の余剰空間は通常、絶縁性液体１５で満たされている。
【００１３】
放射線発生管１は、電子放出源３、アノード１０、ゲッタ１２、真空容器６からなる。
【００１４】
電子放出源３は、電子放出部２を含む電子銃本体と電流導入端子４からなる。電子放出源３の電子放出機構としては、真空容器６の外部から電子放出量を制御可能な電子放出源であれば良く、熱陰極型電子放出源、冷陰極型電子放出源等を適宜適用することが可能である。電子放出源３は、真空容器６を貫通するように配置した電流導入端子４を介して、電子放出量及び電子放出のオン・オフ状態を制御可能なように、真空容器６の外部に配置した駆動回路１６に電気的に接続される。
【００１５】
電子放出部２から放出された電子は、不図示の引き出しグリッド、不図示の加速電極により、１０ｋｅＶ乃至２００ｋｅＶ程度のエネルギーを有する電子線５となり、電子放出部２に対向させて配置したターゲット９に入射可能となっている。駆動回路１６によりこれらの引き出しグリッドや加速電極の電圧を制御することで電子線のターゲット９への入射をオン・オフすることや電子線５の径を変化させることが可能である。引き出しグリッド及び加速電極は熱陰極の電子銃管に内蔵してもよい。さらに、電子線５の照射スポット位置及び電子線の収差の調整の為の補正電極を電子放出源３に付加し、外部に配置した不図示の補正回路と接続することも可能である。
【００１６】
以下、図１（ｂ）を用いて、アノード１０の構成を詳細に説明する。アノード１０は、放射線遮蔽体７とターゲット９とから構成され、放射線遮蔽体７とターゲット９はろう材１４で接合されている。ターゲット９は、透過型ターゲットであり、透過基材９ａとターゲット層９ｂと非蒸発型ゲッタ層９ｃとから構成されている。
【００１７】
透過基材９ａは、放射線の透過性が高く、熱伝導が良く、真空封止に耐える必要がある。例えば、ダイヤモンド、窒化ケイ素、炭化ケイ素、窒化アルミ、グラファイト、ベリリウム等を用いることができる。より好ましくは、放射線の透過率がアルミニウムよりも小さく熱伝導率がタングステンよりも大きい、ダイヤモンド、窒化アルミ、窒化ケイ素が望ましい。ターゲット基板９ａの厚さは、上記の機能を満足すれば良く、材料によって異なるが、０．３ｍｍ以上２ｍｍ以下が好ましい。特に、ダイヤモンドは、他の材料に比べて熱伝導性が極めて大きく、放射線の透過性も高く、真空を保持しやすいため、より優れている。しかし、これらの材料は、温度が上昇するにつれて熱伝導率の低下が大きいため、透過基材９ａは、できるだけ温度上昇を抑制しておく必要がある。
【００１８】
ターゲット層９ｂは、通常、原子番号２６以上の金属材料を用いることができる。より好適には、熱伝導率が大きく融点が高いものほど良い。具体的には、タングステン、モリブデン、クロム、銅、コバルト、鉄、ロジウム、レニウム等の金属材料、又はこれらの合金材料を好適に用いることができる。ターゲット層９ｂの厚さは、加速電圧によってターゲット層９ｂへの電子線の浸入深さ即ち放射線の発生領域が異なるため、最適な値は異なるが、１μｍ乃至１５μｍである。
【００１９】
非蒸発型ゲッタ層９ｃは、透過基材９ａ上のターゲット層９ｂと同じ側に形成されている。そのため、ターゲット層９ｂに電子線５を照射する際に発生する脱離ガスが放射線発生管内に拡散する前にターゲット層９ｂ近傍でいち早く吸着することができる。また、本発明においては、非蒸発型ゲッタ層９ｃは、電子線５の照射領域に配置されており、電子放出源３からの電子線５を非蒸発型ゲッタ層９ｃに照射することで、非蒸発型ゲッタ層９ｃの活性化を行うことが可能となっている。そのため、非蒸発型ゲッタ層９ｃが一定量以上のガスを吸着して排気性能が劣化してきた場合にも、電子放出源３からの電子線５を非蒸発型ゲッタ層９ｃに照射して再活性化することで、排気性能を復活させ、高い真空度を維持することができる。
【００２０】
非蒸発型ゲッタ層９ｃはチタン、ジルコニウム、バナジウム等やその合金等の材料を用いることができ、材料の厚さや表面積等の排気速度に係わる設計項目は所望の真空度から計算して決められるが、厚さは０．０５μｍ乃至１ｍｍ程度の範囲から適宜選択できる。
【００２１】
透過基材９ａへのターゲット層９ｂ、非蒸発型ゲッタ層９ｃの一体化は、スパッタ、蒸着、スクリーン印刷、ジェットプリンティング等によって得ることができる。また、別の方法としては、別途、圧延や研磨により所定の厚さのターゲット層９ｂの薄膜を作製し、透過基材９ａに高温高圧下で拡散接合することにより得ることができる。
【００２２】
放射線遮蔽体７は、両端が開口した電子通過路８を有している。電子通過路８の一端（電子放出源３側の端部の開口部）から電子が入射し、電子通過路８の他端側（電子放出源３と反対側）に設けられたターゲット９に電子線５が照射されて放射線が発生する。電子通過路８は、ターゲット９よりも電子放出源３側では、電子線５をターゲット層９ｂの電子線照射領域に導くための通過路になっており、ターゲット９よりも放射線放出窓１８側では放射線１１を外部に放出するための通過路になっている。
【００２３】
図２は図１（ｂ）に示したターゲット９に電子線５を照射した際の、放射線の放出の様子を示す断面模式図である。
【００２４】
図２に示すように、電子線５をターゲット層９ｂと非蒸発型ゲッタ層９ｃとに照射した場合、ターゲット層９ｂから放射線１１ａが放出されると同時に、非蒸発型ゲッタ層９ｃからも放射線１１ｂが放出されるが、放射線１１ｂは本来の必要な放射線ではない。そのため、本発明においては、ターゲット９を保持している放射線遮蔽体７の前面遮蔽体７ａに、透過基材９ａを挟んで非蒸発型ゲッタ層９ｃを遮蔽する領域を設けて、非蒸発型ゲッタ層９ｃから放出される放射線１１ｂを遮蔽することが望ましい。このように、非蒸発型ゲッタ層９ｃから放出される放射線１１ｂを前面遮蔽体７ａで遮蔽することによって、ターゲット層９ａから放出される所望の放射線１１ａに非蒸発ゲッタ層９ｃから放出された不要な放射線１１ｂが混入して線質を汚染することがない。放射線遮蔽体７に用いることができる材料は、放射線を遮蔽するもので、タングステン、タンタルの他、モリブデン、ジルコニウム、ニオブ等、又はこれらの合金を用いることができる。
【００２５】
放射線遮蔽体７とターゲット９の接合は、真空容器６の内部を真空状態に維持する上で重要である。本例では、ターゲット９及び放射線遮蔽体７は、ターゲット９の側面部またはターゲット９の電子照射面側の周縁部の一方もしくは両方で、全周にわたってろう材１４によって接合されている。ターゲット９と放射線遮蔽体７のろう付けにあたっては、予め、ターゲット９の周囲に不図示のメタライズ層を設ける。メタライズ層は、例えば、Ｔｉ、Ｚｒ、或いはＨｆから選ばれた少なくとも１種の元素を含んだ化合物を活性金属成分として含むメタライズ組成物粉末と、樹脂結合材や分散媒を添加してペーストを作製する。その後、メタライズする箇所に塗工し、所定の温度で焼成することにより得られる。次に、ターゲット９の周囲のメタライズした表面に、活性金属ろうを付着させる。例えば、Ｔｉ入り銀銅ろう材を用いることができる。この活性金属ろうを付着させたターゲット９を、予め所定の寸法に形成した放射線遮蔽体７に設けられたターゲット支持部にセットし、所定の温度、時間で焼成する。この焼成条件は、金属活性ろうの種類によって異なる。前述のＴｉ入り銀銅ろう材の場合、約８５０℃で処理するのが好ましい。ろう付けのろう材としては、放射線遮蔽体７の材料や耐熱温度等により、適宜、選択することができる。例えば、ターゲット基板９ａが特に高温になるような場合には、高融点金属用ろう材として、Ｃｒ−Ｖ系、Ｔｉ−Ｔａ−Ｍｏ系、Ｔｉ−Ｖ−Ｃｒ−Ａｌ系、Ｔｉ−Ｃｒ系、Ｔｉ−Ｚｒ−Ｂｅ系、Ｚｒ−Ｎｂ−Ｂｅ系等を選択できる。真空気密をより重視する場合には、高真空機器用のろう材として、Ａｕ−Ｃｕを主成分とするろう材を用いることができる。他に、ニッケルろう、黄銅ろう、銀ろう、パラジウムろう等を用いることができる。
【００２６】
真空容器６はガラスやセラミックス等で構成することができ、真空容器６の内部は、真空排気（減圧）された内部空間となっている。真空容器６の内部空間は、電子の平均自由行程として、電子放出源３と放射線を放出するターゲット層９ｂとの間の距離を、少なくとも電子が飛翔可能なだけの真空度であれば良く、１×１０-4Ｐａ以下の真空度が適用可能である。使用する電子放出源や、動作する温度等を考慮して適宜選択することが可能であり、冷陰極型電子放出源等の場合は、１×１０-6Ｐａ以下の真空度とするのがより好ましい。真空容器６内の真空度の維持のために、ゲッタ１２を内部空間に配置するか、もしくは内部空間に連通している不図示の補助スペースに設置することも可能である。
【００２７】
本発明では、非蒸発型ゲッタ層９ａを、透過基材９ａ上のターゲット層９ｂと同じ側に形成したため、ターゲット層９ｂからの脱離ガスを放射線発生管内に拡散する前に近傍でいち早く吸着することができる。また、電子線５を非蒸発型ゲッタ層９ｃに照射することで、非蒸発型ゲッタ層９ｃを再活性化することが可能となっている。そのため、非蒸発型ゲッタ層９ｃが一定量以上のガスを吸着して排気性能が劣化してきた場合にも、排気性能を復活維持することができる。さらに、非蒸発型ゲッタ層９ｃを遮蔽する位置に前面遮蔽体７ａを配置したため、ターゲット層９ａから発生する必要な放射線１１ａに非蒸発型ゲッタ層９ｃから発生した放射線１１ｂが混入して線質を汚染することがない。本発明の放射線発生装置は、所望の線質で安定して放射線を発生させることができ、長時間連続使用可能な良好な性能の装置である。
【００２８】
図１に示した実施形態では、透過基材９ａ上で円形のターゲット層９ｂの周囲にリング状に非蒸発型ゲッタ層９ｃが配置されている。このように、ターゲット層９ｂを中心にその周囲に非蒸発型ゲッタ層９ｃを配置したターゲット９においては、照射する電子線９のビーム径を調整することで、非蒸発型ゲッタ層９ｃの活性化を必要に応じて行うことができる。具体的には、通常の放射線発生時には、図３（ａ）に示すように、電子線５のビーム径を絞ってターゲット層９ｂのみに電子線６を照射する。そして、非蒸発型ゲッタ層９ｃの活性化が必要な場合には、図３（ｂ）に示すように、電子線５が非蒸発型ゲッタ層９ｃにまで照射されるように、電子線５のビーム径を拡大すればよい。電子線５のビーム径の調整は、駆動回路１６において行えばよい。
【００２９】
また、本発明においてターゲット層９ｂと非蒸発型ゲッタ層９ｃの配置は図１に示した構成に限定されない。例えば、透過基材上に、ターゲット層と非蒸発型ゲッタ層とを並べて配置することも可能である。この場合、駆動回路に電子線のビームの重心位置を透過型ターゲット上で調整しうる手段を持たせ、電子線のビームの重心位置をターゲット層上と非蒸発型ゲッタ層上との間で選択し、それぞれ単独で電子線を照射する。具体的には、図４に示すように、透明基材９ａ上にターゲット層９ｂと非蒸発型ゲッタ層９ｃとを並べて配置するが、図４のようにそれぞれ１個でなくても、２個以上であってもよい。また、円形に限定されない。そして、通常の放射線発生時には、図５（ａ）に示すように、電子線５のビームの重心位置がターゲット層９上に位置するように駆動回路１６によって電子線５の放出方向を調整する。また、非蒸発型ゲッタ層９ｃの活性化が必要な場合には、図５（ｂ）に示すように、電子線５のビームの重心位置を非蒸発型ゲッタ層９ｃ上に移せばよい。このように、ターゲット層９ｂと非蒸発型ゲッタ層９ｃとの間で電子線５のビームの重心位置を移動させることで、効率良く電子線５の照射を行うことができる。また、非蒸発型ゲッタ層９ｃの活性化時にターゲット層９ｂに電子線３を照射しないため、脱ガスの少ない状況で活性化することができる。
【００３０】
上記のように、電子線５のビーム径を調整したり、ビームの重心位置を移動させることで、非蒸発型ゲッタ層９ｃの活性化を必要に応じて行うことにより、非蒸発型ゲッタ９ｃの寿命を延ばすことができる。
【００３１】
次に、図６に基づいて、本発明に係る放射線撮影システムの一実施形態を説明する。
【００３２】
図６に示すように、本発明の放射線発生装置１００は、その放射線放出窓１８部分に設けられた可動絞りユニット３１を備えている。可動絞りユニット３１は、放射線発生装置１００から照射される放射線１１の照射野の広さを調整する機能を有する。また、可動絞りユニット３１として、放射線１１の照射野を可視光により模擬表示できる機能が付加されたものを用いることもできる。
【００３３】
システム制御装置２０２は、放射線発生装置１００と放射線検出装置２０１とを連携制御する。駆動回路１６は、システム制御装置２０２の制御の下に、放射線発生管１に各種の制御信号を出力する。この制御信号により、放射線発生装置１００から放出された放射線１１は、被検体２０４を透過して検出器２０６で検出される。検出器２０６は、検出した放射線を画像信号に変換して信号処理部２０５に出力する。信号処理部２０５は、システム制御装置２０２による制御の下に、画像信号に所定の信号処理を施し、処理された画像信号をシステム制御装置２０２に出力する。システム制御装置２０２は、処理された画像信号に基づいて、表示装置２０３に画像を表示させるための表示信号を表示装置２０３に出力する。表示装置２０３は、表示信号に基づく画像を、被検体２０４の撮影画像としてディスプレイに表示する。放射線の代表例はＸ線であり、本発明の放射線発生ユニット１と放射線撮影システムは、Ｘ線発生ユニットとＸ線撮影システムとして利用することができる。Ｘ線撮影システムは、工業製品の非破壊検査や人体や動物の病理診断に用いることができる。
【実施例】
【００３４】
（実施例１）
図１に示す構成の放射線発生装置を作製した。作製方法を以下に示す。
【００３５】
直径５ｍｍ、厚さ１ｍｍのディスク状（円柱状）の高圧合成ダイヤモンド基板を透過基材９ａとして用意し、ＵＶ−オゾンアッシャにより、ダイヤモンド基板表面の有機物を除去した。このダイヤモンド基板の一方の面上に、スパッタ法により非蒸発ゲッタ層９ｃとして外径４ｍｍ、内径３ｍｍのジルコニウム膜をメタルマスクを使用して形成した。続いて、このダイヤモンド基板の同じ面上に、スパッタ法によりターゲット層９ｂとして直径３ｍｍ、厚さ６μｍのタングステン膜をメタルマスクを使用して形成し、図１（ｂ）、（ｃ）に示したような透過型ターゲット９を作製した。ジルコニウム膜やタングステン膜のパターン形成は本実施例ではメタルマスクを使用して行ったが、フォトリソグラフィを使用してもよいし、印刷法等を使用することも可能である。
【００３６】
このターゲット９の側面周囲にチタンを活性金属成分としたメタライズ層を形成し、その上に、銀、銅、チタンからなるろう材を付けた。また、放射線遮蔽体７としてタングステンを用意し、図１（ｂ）に示すような形状に加工した。この際、前方遮蔽体７ａの外周側の直径は８ｍｍ、内周側の直径は２．８ｍｍ、１．１ｍｍとし、ターゲット９と一体化した際に前面遮蔽体７ａにより非蒸発型ゲッタ層９ｃが遮蔽されるようにした。ろう材を付けたターゲット９を、上記のような形状に加工した放射線遮蔽体７にセットして、８５０℃で焼成し、アノード１０を作製した。
【００３７】
次に、図１（ａ）に示すように、ターゲット９と放射線遮蔽体７を一体としたアノード１０を、電子放出部２を持つ含浸型の熱陰極を有する電子放出源３と対向させて、電子線５がターゲット９に照射できるように位置決めし、真空封止し、放射線発生管１とした。真空容器６内にはゲッタ１２も配置した。
【００３８】
最後に上記の放射線発生管１を用いて放射線発生装置とした。放射線発生装置は、放射線放出窓１８を有する外囲器１７内に、放射線発生管１、駆動回路１６が配置され、外囲器１７内の余剰空間に絶縁性液体１５を満たした。
【００３９】
本実施例においては、電子線５のターゲット９への入射をオン・オフすることで放射線の発生と非蒸発型ゲッタ層９ｃの活性化の制御を行った。具体的には、放射線発生時に、図２に示すようにターゲット層９ｂと非蒸発型ゲッタ層９ｃの双方に電子線が照射されるようにした。そのため、放射線発生時に非蒸発型ゲッタ層９ｃの活性化も同時に実施されることとなる。
【００４０】
本実施例の放射線発生装置から発生した放射線のスペクトルを測定した所、非蒸発型ゲッタ層９ｃに含まれるジルコニウムのスペクトルは観察されない所望のものだった。また、長時間連続使用した場合でも、安定して放射線を発生させることができる良好な性能のものであった。
【００４１】
（実施例２）
駆動回路１６として、ターゲット９に電子線５を照射する際に、図３（ａ），（ｂ）に示すように、ターゲット９上での電子線５のビーム径を変えることができる駆動回路１６を用いた以外は実施例１と同様にして放射線発生装置を作製した。
【００４２】
本実施例においては、図３（ａ）、（ｂ）の如く、電子線５のビーム径を調整することで、非蒸発型ゲッタ層９ｃの活性化を必要最低限の頻度で行うことが可能となる。そのため、非蒸発型ゲッタ層９ｃが常に電子線にさらされる実施例１と比較して、非蒸発型ゲッタ層９ｃをより長寿命に使用することができる。
【００４３】
本実施例の放射線発生装置から発生した放射線のスペクトルを測定した所、非蒸発型ゲッタ層９ｃに含まれるジルコニウムのスペクトルは観察されない所望のものだった。また、長時間連続使用した場合でも、安定して放射線を発生させることができる良好な性能のものであった。
【００４４】
（実施例３）
作製手順は実施例１と同様として放射線発生装置を作製した。本例では、図４に示すように、ターゲット９上のターゲット層９ｂと非蒸発型ゲッタ層９ｃとの配置を横に並べた形とし、ターゲット９の構成に合わせて、前方遮蔽体７ａの形状も図５に示したような形状とした。また、ターゲット９に電子線５を照射する際にターゲット９上での電子線のビームの重心位置を変えることができる補正電極（不図示）と駆動回路１６を持つようにした。
【００４５】
本実施例においては、図５（ａ）、（ｂ）の如く、電子線５のビームの重心位置を調整することで、ターゲット層９ｂからの放射線の放出と非蒸発型ゲッタ層９ｃの活性化とを独立して行うことができる。そのため、非蒸発型ゲッタ層９ｃが常に電子線５にさらされる実施例１と比較して、非蒸発型ゲッタ層９ｃをより長寿命に使用することができる。
【００４６】
また、本実施例においては、非蒸発ゲッタ層９ｃの活性化時にはターゲット層９ｂに電子線５を照射しないため、ターゲット層９ｂに電子線が照射される場合と比較して脱ガスの少ない状況となる。即ち、真空度が悪化していない状況のもとで、非蒸発型ゲッタ層９ｃを活性化することができることから、ゲッタ効率をより向上させることが可能となる。
【００４７】
本実施例の放射線発生装置から発生した放射線のスペクトルを測定した所、非蒸発型ゲッタ層９ｃに含まれるジルコニウムのスペクトルは観察されない所望のものだった。また、長時間連続使用した場合でも、安定して放射線を発生させることができる良好な性能のものであった
【符号の説明】
【００４８】
１：放射線発生管、３：電子放出源、５：電子線、７：放射線遮蔽体、９：ターゲット、９ａ：透過基材、９ｂ：ターゲット層、９ｃ：非蒸発型ゲッタ層、１１：放射線、１６：駆動回路、１８：放射線放出窓、２７：放射線、１００：放射線発生装置、２０１：放射線検出装置、２０２：システム制御装置、２０４：被検体
【図１】
2014220096.tif 000003
【図２】
2014220096.tif 000004
【図３】
2014220096.tif 000005
【図４】
2014220096.tif 000006
【図５】
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【図６】
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