(57)【要約】【課題】電気的絶縁が劣化した箇所を視覚又は聴覚によりリアルタイムで探査するのに好適な放電探査装置を提供する。【解決手段】  固体シンチレータ１をフォトダイオード２の受光面に結合させ，その全体を遮光したセンサ構造体Ｓを備える。当該センサ構造体Ｓは、被測定物から放電により放出された電子が固体シンチレータ１に入射することにより生じた発光をフォトダイオード２が受光してセンサ信号を出力する。さらに、当該センサ信号を増幅するアンプ回路部３と、このアンプ回路部３により増幅されたセンサ信号に基づいて入射した電子の量をカウントする測定回路部４と、この測定回路部４が測定した電子の量を表示する表示部５とを備える。【選択図】図１
2014059188.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
個体シンチレータをフォトダイオードの受光面に結合させ，その全体を遮光したセンサ構造体を備え、当該センサ構造体は、被測定物から放電により放出された電子が前記個体シンチレータに入射することにより生じた発光を前記フォトダイオードが受光してセンサ信号を出力し、
さらに、当該センサ信号を増幅するアンプ回路部と、このアンプ回路部により増幅された前記センサ信号に基づいて前記入射した電子の量をカウントする測定回路部と、この測定回路部が測定した電子の量を表示する表示部とを備えた、放電探査装置。
【請求項２】
前記センサ構造体と前記被測定物との間に、前記電子のセンサ構造体への入射を妨げず、かつ、本装置の感電を防止するための厚みを有する絶縁物を備えた、請求項１に記載の放電探査装置。
【請求項３】
前記個体シンチレータをＣｓＩ（Ｔｉ）個体シンチレータとし、前記フォトダイオードをＰＩＮフォトダイオードとした、請求項１又は２に記載の放電探査装置。
【請求項４】
前記センサ信号に応じた音声を出力する音声出力部を備えた、請求項１から３のいずれか１項に記載の放電探査装置。
【請求項５】
前記被測定物と前記センサ構造体との間に、金属製の内部中空の箱である感知ユニットを装備した、請求項１から４のいずれか１項に記載の放電探査装置。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の放電探査装置を用い、上流の変電所側から下流の機器側に向かって順に送電線路の放電を探査することによって、絶縁劣化による放電を生じている機器を見つける、放電探査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁が劣化した箇所の探査に好適な放電探査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、低圧負荷機器における絶縁の劣化を診断するために、ＦＦＴアナライザが用いられてきた（例えば、特許文献１）。
【０００３】
本願発明者は、電気管理技術者であり、通常の月次点検に行ったときのことである。変電所内においてＢ種接地線に流れる漏洩電流値（ｂ種漏洩電流値）が、いつも１００ｍＡを超える値を出している現場がある。当社が開発したＦＦＴアナライザによる調査で、その原因となる機器を特定し、原因は当該機器から発生する高調波によるものと特定した。しかし、絶縁抵抗値は１Ｍオームを超える値を示しており、その高調波の発生が、機器の特性によるものか、電気的絶縁の劣化によるものか、実証出来ずにいた。そこで、何とか視覚又は聴覚により低圧負荷機器に生じた電気的絶縁の劣化をリアルタイムで探査できないか、と思ったのが本願発明へと至る背景である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１０７１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、電気的絶縁が劣化した箇所を視覚又は聴覚によりリアルタイムで探査するのに好適な放電探査装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した高調波の原因のうち、機器の特性による高調波についてはメーカーに確認することとして、純粋的な絶縁物の劣化だけに注目し、課題の解決にあたった。何故ならそれが電気的には一番危険だからである。
【０００７】
機器内部の電子回路、モーターに入っているコイル、コンデンサー、照明器具に使われる安定器又は機器内部に溜まったカーボンにおいて、絶縁物が劣化すると、放電現象が発生する。ここでは、危険度が高いグロー放電に注目した。
【０００８】
グロー放電は、低圧の気体中で生じる持続的な放電現象であり、主に、α作用及びγ作用により電子が放出される。β作用はα作用の頻度に比べ無視される。ここで、α作用とは、負極・正極間を移動する電子が気体分子を電離させる作用である。β作用とは、正イオンが気体分子を電離させる作用である。γ作用とは、正イオンが負極に衝突することで二次電子を放出させる作用である。
【０００９】
本願発明者は、これらの作用による電子の放出を検出する方法を見出し、以下の構成による放電探査装置を発明した。即ち、本願発明は、以下の構成を採る。
【００１０】
個体シンチレータをフォトダイオードの受光面に結合させ，その全体を遮光したセンサ構造体を備える。当該センサ構造体は、被測定物から放電により放出された電子が前記個体シンチレータに入射することにより生じた発光を前記フォトダイオードが受光してセンサ信号を出力する。さらに本発明は、当該センサ信号を増幅するアンプ回路部と、このアンプ回路部により増幅された前記センサ信号に基づいて前記入射した電子の量をカウントする測定回路部と、この測定回路部が測定した電子の量を表示する表示部とを備えている。
【００１１】
発明者は、低圧負荷機器（下流）の絶縁劣化により放出された電子線が、変電所（上流）に向かってＣＶＴケーブル等のケーブルを遡上することを発見し、また、この遡上の過程において、同ケーブルからも電子線が放出されることを発見した。そこで、本装置を用いて上流側から下流側に向かって電子線の放出を探査してゆくと、絶縁劣化を生じている低圧負荷機器を探し出すことができることを見出した。
上記の構成において、電子線の放出されている箇所に本装置が近付くと、当該箇所から放出された電子線がセンサ構造体に入射し、当該入射した電子の量が測定回路部により測定される。測定された電子の量は表示部に表示される。表示された量に基づいて、被測定物の絶縁劣化箇所を探査することが可能となる。
【００１２】
本装置は、電子線の放出が疑われる機器やケーブルに近づけて使用するため、感電防止等のために、センサ構造体と被測定物との間に、測定を妨げない厚さの絶縁物を装備するとよい。また、個体シンチレータにはＣｓＩ（Ｔｉ）個体シンチレータが、フォトダイオードにはＰＩＮフォトダイオードが適している。また、表示に加え、センサ構造体が捉えた電子の量を音で使用者に知らせてもよい。また、被測定物とセンサ構造体との間に金属製の内部中空の箱として形成された感知ユニットを装備すると、センサ構造体における電子検出の感度が向上する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、電気的絶縁が劣化した箇所を少なくとも視覚によりリアルタイムで探査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態である放電探査装置のブロック構成図。
【図２】図１に示す放電探査装置の筐体の絶縁構造を示す構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１において、センサ構造体Ｓは、個体シンチレータ１をフォトダイオード２の受光面に結合させ，その周囲に電磁シールドを施すことにより構成されている。例えば、センサ構造体Ｓを絶縁物で覆った上から、さらに導体で覆うことにより、センサ構造体Ｓに電磁シールドを施すことができる。当該センサ構造体Ｓでは、被測定物から放電により放出された電子が個体シンチレータ１に入射することにより生じた発光をフォトダイオード２が受光してセンサ信号を出力する。センサ構造体Ｓから出力されたセンサ信号は、アンプ回路部３に入力され増幅される。測定回路部４は、アンプ回路部３により増幅されたセンサ信号に基づき、前記入射した電子の量をカウントする。表示部５は、測定回路部４が測定した電子の量を表示する。符号６は、センサ信号に応じた音声を出力するスピーカ（音声出力部）である。
【００１６】
これを更に詳述すると、本実施形態において、個体シンチレータ１は、ＣｓＩ（Ｔｉ）個体シンチレータである。フォトダイオード２は、Ｓｉ  ＰＩＮフォトダイオードであり、試作品では、浜松ホトニクス株式会社のＳ６７７５を用いた。個体シンチレータ１は、フォトダイオード２の受光面にできるだけ密着させる。アンプ回路部３は、センサ構造体Ｓへの電子の入射によりセンサ構造体Ｓから出力されるパルス信号を増幅する。アンプ回路部３には、低ノイズのチャージアンプを採用するとよい。測定回路部４は、アンプ回路部３により増幅されたパルスをカウントする。測定回路部４は、パルスのカウントに適するようにセンサ信号を整形するフィルタを備えるとよい。表示部５は、例えば液晶表示部とし、センサ構造体に入射した電子の量を所定の単位により数値で表示する。これに関わらず、表示部５は、例えば、センサ構造体に入射した電子の量をレベルメータで表示してもよい。この場合、表示部５は、例えば、複数のＬＥＤによりレベルメータを表示してもよい。スピーカ６は、センサ信号のパルスに反応して発音するようになっている。
【００１７】
各構成要素Ｓ及び３〜６は、ハンディサイズの筐体内に収められる。表示部５は表示を外部から視認できるように筐体に取り付けられる。スピーカ６は、音声が外部に聴こえるように筐体に取り付けられる。センサ構造体Ｓは、筐体内の一方の側に近接させて設けられる。
【００１８】
図２は、筐体の構造を示している。符号１２，１３は筐体の側壁を示す。筐体壁は、薄板上の絶縁体（絶縁物）で形成され、本実施形態において、センサ構造体Ｓが近接する側壁１２の厚みは１ｍｍに設定し、これ以外の筐体壁１３，１３の厚みは２ｍｍに設定する。これは、使用者が手で持つ部分の筐体壁１３，１３は、比較的厚めの絶縁板を採用することにより、本装置の使用時に使用者の手に感電することを防止する。また、センサ構造体Ｓが近接する側壁１２の筐体外側には、感知ユニット１１が固定されている。この感知ユニット１１とセンサ構造体Ｓとの間の筐体壁１２は、１ｍｍ厚の絶縁板を採用することにより、感知ユニット１１とセンサ構造体Ｓとの間の電気的安全を保つ。
【００１９】
感知ユニット１１は、厚さ０．２ｍｍのステンレス板により直方体として形成され、筐体側壁１２の厚み方向における感知ユニット１１の厚みは１０ｍｍに設定されている。感知ユニット１１は内部中空であり、この感知ユニット１１を設けると、同ユニット１１を設けない場合に比べ、センサ構造体Ｓが電子線を捉える感度が向上することを実験により確認した。
【００２０】
感知ユニット１１の筐体壁１２に接する面とは反対側の面は、厚さ１ｍｍの絶縁板１４で覆われている。絶縁板１４の両端部は、感知ユニット１１の側面もカバーするように４５度程度折り曲げられている。この絶縁板１４は、感知ユニット１１を絶縁の劣化した被測定物Ｄに近づけた際に、本装置が表面ショートする事態を防止する。
【００２１】
実験によると、被測定物Ｄとセンサ構造体Ｓとの間に介在する絶縁体の厚みの合計は、３．６ｍｍ以内が好ましい。これ以上厚くなると、放電による電子のセンサ構造体Ｓへの入射が妨げられる割合が増え、測定精度に悪影響を与える。本実施形態では、被測定物Ｄとセンサ構造体Ｓとの間に介在する絶縁板の厚みの合計は、絶縁板１４が１ｍｍ、絶縁板１２が１ｍｍで、合計２ｍｍであり、厚み３．６ｍｍ以内となっている。
【００２２】
次に、本装置の使用方法を説明する。上記の通り、発明者は、低圧負荷機器（下流）の絶縁劣化により放出された電子線が、変電所（上流）に向かってＣＶＴケーブル等のケーブルを遡上することを発見し、また、この遡上の過程において、同ケーブルからも電子線が放出されることを発見した。そこで、本装置を用いて上流側から下流側に向かって電子線の放出を探査してゆくと、絶縁劣化を生じている低圧負荷機器を探し出すことができる。
【００２３】
絶縁劣化による放電が疑われる環境において、本装置を放電が疑われるケーブルや機器等の被測定物に近づけてみる。被測定物は、安全のため、３相交流２００ボルト以内とする。センサ構造体Ｓの側、つまり、感知ユニット１１の側を被測定物Ｄに近づけると、そこで放電を生じている場合、表示部５に表示される電子の量とスピーカ６から発せられる音の頻度が増加するので、本装置が放電箇所に近付いていることが分かる。この際、本装置に施された絶縁物により表面ショートや使用者への手への感電が有効に防止される。
【００２４】
以上説明した本装置によれば、電気的絶縁が劣化した箇所を視覚と聴覚によりリアルタイムで探査することができる。また、本装置が放電箇所に近付いても、絶縁物の装備により表面ショートや感電を防止することができる。このとき、絶縁物の厚みを考慮しているので、放電により放出された電子の測定を妨げない範囲で、測定の安全性を確保することができる。
【００２５】
ここで、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載した発明の範囲である。
【符号の説明】
【００２６】
１  個体シンチレータ
２  フォトダイオード
３  アンプ回路部
４  測定回路部
５  表示部
６  スピーカ（音声出力部）
１１  感知ユニット
１２，１３，１４  絶縁板（絶縁物）
Ｄ  被測定物
ｄ１  導体
Ｓ  センサ構造体
【図１】
2014059188.tif 000003
【図２】
2014059188.tif 000004
【手続補正書】
【提出日】平成25年6月25日(2013.6.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁が劣化した箇所の探査に好適な放電探査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、低圧負荷機器における絶縁の劣化を診断するために、ＦＦＴアナライザが用いられてきた（例えば、特許文献１）。
【０００３】
本願発明者は、電気管理技術者であり、通常の月次点検に行ったときのことである。変電所内においてＢ種接地線に流れる漏洩電流値（ｂ種漏洩電流値）が、いつも１００ｍＡを超える値を出している現場がある。当社が開発したＦＦＴアナライザによる調査で、その原因となる機器を特定し、原因は当該機器から発生する高調波によるものと特定した。しかし、絶縁抵抗値は１Ｍオームを超える値を示しており、その高調波の発生が、機器の特性によるものか、電気的絶縁の劣化によるものか、実証出来ずにいた。そこで、何とか視覚又は聴覚により低圧負荷機器に生じた電気的絶縁の劣化をリアルタイムで探査できないか、と思ったのが本願発明へと至る背景である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１０７１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、電気的絶縁が劣化した箇所を視覚又は聴覚によりリアルタイムで探査するのに好適な放電探査装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上述した高調波の原因のうち、機器の特性による高調波についてはメーカーに確認することとして、純粋的な絶縁物の劣化だけに注目し、課題の解決にあたった。何故ならそれが電気的には一番危険だからである。
【０００７】
機器内部の電子回路、モーターに入っているコイル、コンデンサー、照明器具に使われる安定器又は機器内部に溜まったカーボンにおいて、絶縁物が劣化すると、放電現象が発生する。ここでは、危険度が高いグロー放電に注目した。
【０００８】
グロー放電は、低圧の気体中で生じる持続的な放電現象であり、主に、α作用及びγ作用により電子が放出される。β作用はα作用の頻度に比べ無視される。ここで、α作用とは、負極・正極間を移動する電子が気体分子を電離させる作用である。β作用とは、正イオンが気体分子を電離させる作用である。γ作用とは、正イオンが負極に衝突することで二次電子を放出させる作用である。
【０００９】
本願発明者は、これらの作用による電子の放出を検出する方法を見出し、以下の構成による放電探査装置を発明した。即ち、本願発明は、以下の構成を採る。
【００１０】
固体シンチレータをフォトダイオードの受光面に結合させ，その全体を遮光したセンサ構造体を備える。当該センサ構造体は、被測定物から放電により放出された電子が前記固体シンチレータに入射することにより生じた発光を前記フォトダイオードが受光してセンサ信号を出力する。さらに本発明は、当該センサ信号を増幅するアンプ回路部と、このアンプ回路部により増幅された前記センサ信号に基づいて前記入射した電子の量をカウントする測定回路部と、この測定回路部が測定した電子の量を表示する表示部とを備えている。
【００１１】
発明者は、低圧負荷機器（下流）の絶縁劣化により放出された電子線が、変電所（上流）に向かってＣＶＴケーブル等のケーブルを遡上することを発見し、また、この遡上の過程において、同ケーブルからも電子線が放出されることを発見した。そこで、本装置を用いて上流側から下流側に向かって電子線の放出を探査してゆくと、絶縁劣化を生じている低圧負荷機器を探し出すことができることを見出した。
上記の構成において、電子線の放出されている箇所に本装置が近付くと、当該箇所から放出された電子線がセンサ構造体に入射し、当該入射した電子の量が測定回路部により測定される。測定された電子の量は表示部に表示される。表示された量に基づいて、被測定物の絶縁劣化箇所を探査することが可能となる。
【００１２】
本装置は、電子線の放出が疑われる機器やケーブルに近づけて使用するため、感電防止等のために、センサ構造体と被測定物との間に、測定を妨げない厚さの絶縁物を装備するとよい。また、固体シンチレータにはＣｓＩ（Ｔｉ）固体シンチレータが、フォトダイオードにはＰＩＮフォトダイオードが適している。また、表示に加え、センサ構造体が捉えた電子の量を音で使用者に知らせてもよい。また、被測定物とセンサ構造体との間に金属製の内部中空の箱として形成された感知ユニットを装備すると、センサ構造体における電子検出の感度が向上する。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、電気的絶縁が劣化した箇所を少なくとも視覚によりリアルタイムで探査することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態である放電探査装置のブロック構成図。
【図２】図１に示す放電探査装置の筐体の絶縁構造を示す構成図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１において、センサ構造体Ｓは、固体シンチレータ１をフォトダイオード２の受光面に結合させ，その周囲に電磁シールドを施すことにより構成されている。例えば、センサ構造体Ｓを絶縁物で覆った上から、さらに導体で覆うことにより、センサ構造体Ｓに電磁シールドを施すことができる。当該センサ構造体Ｓでは、被測定物から放電により放出された電子が固体シンチレータ１に入射することにより生じた発光をフォトダイオード２が受光してセンサ信号を出力する。センサ構造体Ｓから出力されたセンサ信号は、アンプ回路部３に入力され増幅される。測定回路部４は、アンプ回路部３により増幅されたセンサ信号に基づき、前記入射した電子の量をカウントする。表示部５は、測定回路部４が測定した電子の量を表示する。符号６は、センサ信号に応じた音声を出力するスピーカ（音声出力部）である。
【００１６】
これを更に詳述すると、本実施形態において、固体シンチレータ１は、ＣｓＩ（Ｔｉ）固体シンチレータである。フォトダイオード２は、Ｓｉ  ＰＩＮフォトダイオードであり、試作品では、浜松ホトニクス株式会社のＳ６７７５を用いた。固体シンチレータ１は、フォトダイオード２の受光面にできるだけ密着させる。アンプ回路部３は、センサ構造体Ｓへの電子の入射によりセンサ構造体Ｓから出力されるパルス信号を増幅する。アンプ回路部３には、低ノイズのチャージアンプを採用するとよい。測定回路部４は、アンプ回路部３により増幅されたパルスをカウントする。測定回路部４は、パルスのカウントに適するようにセンサ信号を整形するフィルタを備えるとよい。表示部５は、例えば液晶表示部とし、センサ構造体に入射した電子の量を所定の単位により数値で表示する。これに関わらず、表示部５は、例えば、センサ構造体に入射した電子の量をレベルメータで表示してもよい。この場合、表示部５は、例えば、複数のＬＥＤによりレベルメータを表示してもよい。スピーカ６は、センサ信号のパルスに反応して発音するようになっている。
【００１７】
各構成要素Ｓ及び３〜６は、ハンディサイズの筐体内に収められる。表示部５は表示を外部から視認できるように筐体に取り付けられる。スピーカ６は、音声が外部に聴こえるように筐体に取り付けられる。センサ構造体Ｓは、筐体内の一方の側に近接させて設けられる。
【００１８】
図２は、筐体の構造を示している。符号１２，１３は筐体の側壁を示す。筐体壁は、薄板上の絶縁体（絶縁物）で形成され、本実施形態において、センサ構造体Ｓが近接する側壁１２の厚みは１ｍｍに設定し、これ以外の筐体壁１３，１３の厚みは２ｍｍに設定する。これは、使用者が手で持つ部分の筐体壁１３，１３は、比較的厚めの絶縁板を採用することにより、本装置の使用時に使用者の手に感電することを防止する。また、センサ構造体Ｓが近接する側壁１２の筐体外側には、感知ユニット１１が固定されている。この感知ユニット１１とセンサ構造体Ｓとの間の筐体壁１２は、１ｍｍ厚の絶縁板を採用することにより、感知ユニット１１とセンサ構造体Ｓとの間の電気的安全を保つ。
【００１９】
感知ユニット１１は、厚さ０．２ｍｍのステンレス板により直方体として形成され、筐体側壁１２の厚み方向における感知ユニット１１の厚みは１０ｍｍに設定されている。感知ユニット１１は内部中空であり、この感知ユニット１１を設けると、同ユニット１１を設けない場合に比べ、センサ構造体Ｓが電子線を捉える感度が向上することを実験により確認した。
【００２０】
感知ユニット１１の筐体壁１２に接する面とは反対側の面は、厚さ１ｍｍの絶縁板１４で覆われている。絶縁板１４の両端部は、感知ユニット１１の側面もカバーするように４５度程度折り曲げられている。この絶縁板１４は、感知ユニット１１を絶縁の劣化した被測定物Ｄに近づけた際に、本装置が表面ショートする事態を防止する。
【００２１】
実験によると、被測定物Ｄとセンサ構造体Ｓとの間に介在する絶縁体の厚みの合計は、３．６ｍｍ以内が好ましい。これ以上厚くなると、放電による電子のセンサ構造体Ｓへの入射が妨げられる割合が増え、測定精度に悪影響を与える。本実施形態では、被測定物Ｄとセンサ構造体Ｓとの間に介在する絶縁板の厚みの合計は、絶縁板１４が１ｍｍ、絶縁板１２が１ｍｍで、合計２ｍｍであり、厚み３．６ｍｍ以内となっている。
【００２２】
次に、本装置の使用方法を説明する。上記の通り、発明者は、低圧負荷機器（下流）の絶縁劣化により放出された電子線が、変電所（上流）に向かってＣＶＴケーブル等のケーブルを遡上することを発見し、また、この遡上の過程において、同ケーブルからも電子線が放出されることを発見した。そこで、本装置を用いて上流側から下流側に向かって電子線の放出を探査してゆくと、絶縁劣化を生じている低圧負荷機器を探し出すことができる。
【００２３】
絶縁劣化による放電が疑われる環境において、本装置を放電が疑われるケーブルや機器等の被測定物に近づけてみる。被測定物は、安全のため、３相交流２００ボルト以内とする。センサ構造体Ｓの側、つまり、感知ユニット１１の側を被測定物Ｄに近づけると、そこで放電を生じている場合、表示部５に表示される電子の量とスピーカ６から発せられる音の頻度が増加するので、本装置が放電箇所に近付いていることが分かる。この際、本装置に施された絶縁物により表面ショートや使用者への手への感電が有効に防止される。
【００２４】
以上説明した本装置によれば、電気的絶縁が劣化した箇所を視覚と聴覚によりリアルタイムで探査することができる。また、本装置が放電箇所に近付いても、絶縁物の装備により表面ショートや感電を防止することができる。このとき、絶縁物の厚みを考慮しているので、放電により放出された電子の測定を妨げない範囲で、測定の安全性を確保することができる。
【００２５】
ここで、本発明は、上記実施形態に限られるものではなく、本発明の範囲は、特許請求の範囲に記載した発明の範囲である。
【符号の説明】
【００２６】
１  固体シンチレータ
２  フォトダイオード
３  アンプ回路部
４  測定回路部
５  表示部
６  スピーカ（音声出力部）
１１  感知ユニット
１２，１３，１４  絶縁板（絶縁物）
Ｄ  被測定物
ｄ１  導体
Ｓ  センサ構造体
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体シンチレータをフォトダイオードの受光面に結合させ，その全体を遮光したセンサ構造体を備え、当該センサ構造体は、被測定物から放電により放出された電子が前記固体シンチレータに入射することにより生じた発光を前記フォトダイオードが受光してセンサ信号を出力し、
さらに、当該センサ信号を増幅するアンプ回路部と、このアンプ回路部により増幅された前記センサ信号に基づいて前記入射した電子の量をカウントする測定回路部と、この測定回路部が測定した電子の量を表示する表示部とを備え、
前記被測定物と前記センサ構造体との間に、金属製の内部中空の箱である感知ユニットを装備した、放電探査装置。
【請求項２】
前記センサ構造体と前記被測定物との間に、前記電子のセンサ構造体への入射を妨げず、かつ、本装置の感電を防止するための厚みを有する絶縁物を備えた、請求項１に記載の放電探査装置。
【請求項３】
前記固体シンチレータをＣｓＩ（Ｔｉ）固体シンチレータとし、前記フォトダイオードをＰＩＮフォトダイオードとした、請求項１又は２に記載の放電探査装置。
【請求項４】
前記センサ信号に応じた音声を出力する音声出力部を備えた、請求項１から３のいずれか１項に記載の放電探査装置。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか１項に記載の放電探査装置を用い、上流の変電所側から下流の機器側に向かって順に送電線路の放電を探査することによって、絶縁劣化による放電を生じている機器を見つける、放電探査方法。