(57)【要約】【課題】磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジが大きく、かつ、検出対象の移動範囲内の広範囲に亘って位置検出精度が高い位置検出装置を提供する。【解決手段】磁石４０は第１磁束伝達部２０の一端と第２磁束伝達部３０の一端との間に設けられる。磁石５０は第１磁束伝達部２０の他端と第２磁束伝達部３０の他端との間に設けられる。ホールＩＣ６０は、隙間１０１において回転体１２に対し相対移動可能なようモールド部９に設けられ、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。第３磁束伝達部４５は、第１磁束伝達部２０、第２磁束伝達部３０および磁石４０に非接触の状態で第１磁束伝達部２０の一端と第２磁束伝達部３０の一端との間に設けられる。第４磁束伝達部５５は、第１磁束伝達部２０、第２磁束伝達部３０および磁石５０に非接触の状態で第１磁束伝達部２０の他端と第２磁束伝達部３０の他端との間に設けられる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基準部材（６，９）に対し相対移動する検出対象（１２、１１０）の位置を検出する位置検出装置（１０）であって、
前記検出対象または前記基準部材の一方に設けられる第１磁束伝達部（２０、２４）と、
前記第１磁束伝達部との間に隙間（１０１、１０２）を形成するよう前記検出対象または前記基準部材の一方に設けられる第２磁束伝達部（３０、３４）と、
前記第１磁束伝達部の一端と前記第２磁束伝達部の一端との間に設けられる第１磁束発生手段（４０）と、
前記第１磁束伝達部の他端と前記第２磁束伝達部の他端との間に設けられる第２磁束発生手段（５０）と、
前記隙間において前記検出対象または前記基準部材の一方に対し相対移動可能なよう前記検出対象または前記基準部材の他方に設けられ、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する磁束密度検出手段（６０）と、
前記第１磁束伝達部、前記第２磁束伝達部および前記第１磁束発生手段に非接触の状態で前記第１磁束伝達部の一端と前記第２磁束伝達部の一端との間に設けられる第３磁束伝達部（４５）と、
前記第１磁束伝達部、前記第２磁束伝達部および前記第２磁束発生手段に非接触の状態で前記第１磁束伝達部の他端と前記第２磁束伝達部の他端との間に設けられる第４磁束伝達部（５５）と、
を備える位置検出装置。
【請求項２】
前記第１磁束伝達部の一端、前記第２磁束伝達部の一端、および、前記第３磁束伝達部をモールドするよう設けられる第１モールド部（４６）と、
前記第１磁束伝達部の他端、前記第２磁束伝達部の他端、および、前記第４磁束伝達部をモールドするよう設けられる第２モールド部（５６）と、
をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載の位置検出装置。
【請求項３】
前記検出対象（１２）は、前記基準部材（６、９）に対し相対回転移動し、
前記第１磁束伝達部（２０）および前記第２磁束伝達部（３０）は、前記検出対象の回転中心を中心とする仮想円弧（Ｃ１、Ｃ２）に沿う形状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の位置検出装置。
【請求項４】
前記検出対象（１１０）は、前記基準部材（９）に対し直線状に相対移動し、
前記第１磁束伝達部（２４）および前記第２磁束伝達部（３４）は、前記検出対象の相対移動方向に延びる仮想直線（Ｓ）に対し平行となる形状に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の位置検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検出対象の位置を検出する位置検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、磁石等の磁束発生手段を用い、基準部材に対し相対移動する検出対象の位置を検出する位置検出装置が知られている。例えば特許文献１に記載された位置検出装置では、２つの磁石および２つの磁束伝達部が基準部材に設けられている。ここで、２つの磁石は、磁極が２つの磁束伝達部の両端部に挟まれている。２つの磁束伝達部間に形成された隙間には、一方の磁束伝達部から他方の磁束伝達部に向かって漏洩磁束が流れている。磁束密度検出手段は、２つの磁束伝達部間の隙間を検出対象とともに移動し、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。これにより、位置検出装置は、磁束密度検出手段から出力される信号に基づき、基準部材に対する検出対象の位置を検出する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１０４０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の位置検出装置では、磁石の周囲に、一方の磁極から他方の磁極に向かって磁束が飛ぶようにして流れている。そのため、２つの磁束伝達部間の隙間の端部、すなわち、磁石近傍では、磁束密度検出手段を通過する磁束の密度の絶対値が急激に大きくなる。これにより、磁束密度検出手段から出力される信号の直線性が悪化し、検出対象の移動範囲の端部における位置の検出精度が低下するおそれがある。
【０００５】
そこで、特許文献１の位置検出装置では、２つの磁束伝達部の両端部にバイパスヨークを設けることにより、磁石の一方の磁極から他方の磁極に飛ぶ磁束を、強制的にバイパスヨークに流している。これにより、２つの磁束伝達部間の隙間の端部における磁束密度の絶対値の急激な上昇を抑え、磁束密度検出手段から出力される信号の直線性を、検出対象の移動範囲内の広範囲に亘って確保している。
【０００６】
しかしながら、特許文献１の位置検出装置では、バイパスヨークが２つの磁束伝達部の端部および磁石に接触するようにして設けられているため、磁石から発生した磁束はバイパスヨークに多くが流れ、２つの磁束伝達部に流れる磁束の量が減少するおそれがある。磁束伝達部に流れる磁束の量が減少すると、磁束伝達部間を流れる漏洩磁束の量も少なくなる。この場合、磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジが小さくなり、位置検出装置による位置検出精度が低下するおそれがある。
【０００７】
本発明は、上述の問題に鑑みてなされたものであり、その目的は、磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジが大きく、かつ、検出対象の移動範囲内の広範囲に亘って位置検出精度が高い位置検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基準部材に対し相対移動する検出対象の位置を検出する位置検出装置であって、第１磁束伝達部と第２磁束伝達部と第１磁束発生手段と第２磁束発生手段と磁束密度検出手段と第３磁束伝達部と第４磁束伝達部とを備えている。
第１磁束伝達部は、検出対象または基準部材の一方に設けられる。第２磁束伝達部は、第１磁束伝達部との間に隙間を形成するよう検出対象または基準部材の一方に設けられる。
【０００９】
第１磁束発生手段は、第１磁束伝達部の一端と第２磁束伝達部の一端との間に設けられる。これにより、第１磁束発生手段から発生した磁束は、第１磁束伝達部または第２磁束伝達部の一端から第１磁束伝達部または第２磁束伝達部の他端へ伝達される。
第２磁束発生手段は、第１磁束伝達部の他端と第２磁束伝達部の他端との間に設けられる。これにより、第２磁束発生手段から発生した磁束は、第１磁束伝達部または第２磁束伝達部の他端から第１磁束伝達部または第２磁束伝達部の一端へ伝達される。
【００１０】
磁束密度検出手段は、第１磁束伝達部と第２磁束伝達部との間の隙間において検出対象または基準部材の一方に対し相対移動可能なよう検出対象または基準部材の他方に設けられる。磁束密度検出手段は、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。ここで、磁束密度検出手段を主に通過する磁束は、第１磁束伝達部と第２磁束伝達部との間の隙間を、第１磁束伝達部から第２磁束伝達部へ、または、第２磁束伝達部から第１磁束伝達部へ流れる漏洩磁束である。
上記構成により、位置検出装置は、磁束密度検出手段が出力した信号に基づき、基準部材に対する検出対象の位置を検出することができる。
【００１１】
第３磁束伝達部は、第１磁束伝達部、第２磁束伝達部および第１磁束発生手段に非接触の状態で第１磁束伝達部の一端と第２磁束伝達部の一端との間に設けられる。これにより、第１磁束発生手段の一方の磁極から他方の磁極へ飛ぶ磁束を、強制的に第３磁束伝達部に流す（第３磁束伝達部を伝達するようにする）ことができる。
第４磁束伝達部は、第１磁束伝達部、第２磁束伝達部および第２磁束発生手段に非接触の状態で第１磁束伝達部の他端と第２磁束伝達部の他端との間に設けられる。これにより、第２磁束発生手段の一方の磁極から他方の磁極へ飛ぶ磁束を、強制的に第４磁束伝達部に流す（第４磁束伝達部を伝達するようにする）ことができる。
【００１２】
第３磁束伝達部および第４磁束伝達部により、第１磁束伝達部と第２磁束伝達部との間の隙間の長手方向の端部における磁束密度の絶対値の急激な上昇を抑え、磁束密度検出手段から出力される信号の直線性を、検出対象の移動範囲内の広範囲に亘って確保することができる。そのため、検出対象の移動範囲内の広範囲に亘って位置検出精度が高い。
【００１３】
また、本発明では、第３磁束伝達部および第４磁束伝達部は、第１磁束伝達部、第２磁束伝達部、第１磁束発生手段および第２磁束発生手段に非接触の状態で設けられる。そのため、第３磁束伝達部および第４磁束伝達部が第１磁束伝達部、第２磁束伝達部、第１磁束発生手段および第２磁束発生手段に接触した状態で設けられる場合と比べ、第１磁束発生手段および第２磁束発生手段から発生した磁束が第３磁束伝達部および第４磁束伝達部に流れる量を抑えることができる。これにより、第１磁束伝達部および第２磁束伝達部へ流れる磁束の量の減少を抑制することができる。その結果、第１磁束伝達部と第２磁束伝達部との間の漏洩磁束の減少を抑制することができ、磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００１４】
このように、本発明では、磁束密度検出手段が検出する磁束密度のダイナミックレンジの低下を抑えつつ、検出対象の移動範囲内の広範囲に亘って位置検出精度を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１実施形態による位置検出装置およびアクチュエータを示す模式的断面図。
【図２】（Ａ）は図１のＩＩ−ＩＩ線断面図、（Ｂ）は第２磁束伝達部、第１モールド部および第２モールド部を第１仮想円弧の径方向外側から見た図。
【図３】本発明の第１実施形態による位置検出装置の第２磁束発生手段近傍を示す部分断面図。
【図４】本発明の第１実施形態および比較例の磁束密度検出手段により検出される磁束密度と基準部材に対する検出対象の位置との関係を示す図。
【図５】比較例１の第２磁束発生手段近傍を示す部分断面図。
【図６】比較例２の第２磁束発生手段近傍を示す部分断面図。
【図７】本発明の第２実施形態による位置検出装置を示す模式的断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の複数の実施形態による位置検出装置、および、これを用いたアクチュエータを図面に基づき説明する。なお、複数の実施形態において実質的に同一の構成部位には同一の符号を付し、説明を省略する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態による位置検出装置、および、これを用いたアクチュエータを図１、２に示す。
【００１７】
アクチュエータ１は、例えば図示しない車両のスロットルバルブを駆動する駆動源として用いられる。アクチュエータ１は、モータ２、ハウジング５、カバー６、電子制御ユニット（以下、「ＥＣＵ」という）１１、回転体１２および位置検出装置１０等を備えている。
【００１８】
図１に示すように、モータ２は、出力軸３およびモータ端子４等を有している。モータ２には、モータ端子４を経由して電力が供給される。これによりモータ２が回転駆動する。モータ２の回転は、出力軸３から出力される。出力軸３は、例えば図示しないギア等を経由してスロットルバルブに接続される。そのため、モータ２が回転駆動することにより、スロットルバルブが回転する。
ハウジング５は、例えば樹脂により有底筒状に形成され、内側にモータ２を収容している。
【００１９】
カバー６は、例えば樹脂により有底筒状に形成され、底部に形成された穴部７に出力軸３が挿通した状態で、開口部がハウジング５の開口部に当接するよう設けられている。これにより、カバー６とモータ２との間に空間１００が形成されている。
【００２０】
カバー６は、筒部から径方向外側へ筒状に延びるコネクタ８を有している。コネクタ８の内側には、モータ端子４の端部が露出している。コネクタ８には、ＥＣＵ１１に接続するワイヤーハーネスの端部が接続される。これにより、図示しないバッテリからの電力がＥＣＵ１１、ワイヤーハーネスおよびモータ端子４を経由してモータ２に供給される。
【００２１】
ＥＣＵ１１は、例えば演算手段としてのＣＰＵ、記憶手段としてのＲＯＭおよびＲＡＭ、ならびに、入出力手段等を備えた小型のコンピュータである。ＥＣＵ１１は、車両の各部に取り付けられたセンサからの信号等に基づき、車両に搭載された各種装置類の作動を制御する。
【００２２】
ＥＣＵ１１は、例えばアクセルペダルの開度信号等に基づき、モータ２に供給する電力を制御する。モータ２に電力が供給されると、モータ２が回転し、スロットルバルブが回転する。これにより、スロットルバルブが吸気通路を開閉し、吸気通路を流れる吸気の量が調整される。なお、本実施形態では、ＥＣＵ１１は、例えばＩＳＣ（アイドルスピードコントロール）機能により、アクセルペダルの開度信号にかかわらず、モータ２への電力の供給を制御する場合がある。
【００２３】
回転体１２は、例えば樹脂により円板状に形成され、空間１００に設けられている。回転体１２は、中心を出力軸３が貫いた状態で出力軸３に固定されている。これにより、出力軸３が回転すると、回転体１２は出力軸３とともに回転する。出力軸３とスロットルバルブとは例えばギア等により接続されているため、回転体１２の回転位置は、スロットルバルブの回転位置に対応している。
【００２４】
本実施形態では、位置検出装置１０は、カバー６に対し相対回転移動する回転体１２の回転位置を検出する。そのため、位置検出装置１０により、カバー６に対し相対回転移動する回転体１２の回転位置を検出すれば、スロットルバルブの回転位置を検出でき、スロットルバルブの開度を検出することができる。よって、位置検出装置１０をスロットルポジションセンサとして用いることができる。
【００２５】
図１、２に示すように、位置検出装置１０は、第１磁束伝達部２０、第２磁束伝達部３０、第１磁束発生手段としての磁石４０、第２磁束発生手段としての磁石５０、磁束密度検出手段としてのホールＩＣ６０、第３磁束伝達部４５、第４磁束伝達部５５、第１モールド部４６、第２モールド部５６、第１集磁部７０、および、第２集磁部８０等を備えている。
【００２６】
第１磁束伝達部２０は、例えばケイ素鋼等、透磁率が比較的高い材料により形成されている。第１磁束伝達部２０は、回転体１２に形成された円弧状の穴部１３に設けられている。第１磁束伝達部２０は、本体２１、一端部２２および他端部２３を有している。本体２１は、長手方向が、回転体１２の回転中心Ｏを中心とする第１仮想円弧Ｃ１に沿う形状に形成されている（図２参照）。一端部２２は、本体２１の一端から第１仮想円弧Ｃ１の径方向外側へ延びるよう形成されている。他端部２３は、本体２１の他端から第１仮想円弧Ｃ１の径方向外側へ延びるよう形成されている。
【００２７】
第２磁束伝達部３０は、第１磁束伝達部２０と同様、例えばケイ素鋼等、透磁率が比較的高い材料により形成されている。第２磁束伝達部３０は、回転体１２に形成された穴部１３に設けられている。第２磁束伝達部３０は、本体３１、一端部３２および他端部３３を有している。本体３１は、長手方向が、回転体１２の回転中心Ｏを中心とし第１仮想円弧Ｃ１より半径が大きい第２仮想円弧Ｃ２に沿う形状に形成されている（図２参照）。一端部３２は、本体３１の一端から第２仮想円弧Ｃ２の径方向内側へ延びるよう形成されている。他端部３３は、本体３１の他端から第２仮想円弧Ｃ２の径方向内側へ延びるよう形成されている。
【００２８】
図１、２に示すように、第１磁束伝達部２０および第２磁束伝達部３０は、本体２１と本体３１とが第１仮想円弧Ｃ１の径方向で対向するよう回転体１２の穴部１３に設けられている。これにより、第１磁束伝達部２０の本体２１と第２磁束伝達部３０の本体３１との間に円弧状の隙間１０１が形成されている（図２参照）。
【００２９】
磁石４０は、例えばネオジム磁石等の永久磁石である。磁石４０は、一端に磁極４１を有し、他端に磁極４２を有している。磁石４０は、磁極４１側がＮ極となるよう、磁極４２側がＳ極となるよう着磁されている。磁石４０は、磁極４１が第１磁束伝達部２０の一端部２２に当接するよう、磁極４２が第２磁束伝達部３０の一端部３２に当接するよう、一端部２２と一端部３２との間に設けられている。これにより、磁石４０の磁極４１から発生した磁束は、第１磁束伝達部２０の一端部２２から本体２１を経由して他端部２３へ伝達される。
【００３０】
磁石５０は、磁石４０と同様、例えばネオジム磁石等の永久磁石である。磁石５０は、一端に磁極５１を有し、他端に磁極５２を有している。磁石５０は、磁極５１側がＮ極となるよう、磁極５２側がＳ極となるよう着磁されている。磁石５０は、磁極５１が第２磁束伝達部３０の他端部３３に当接するよう、磁極５２が第１磁束伝達部２０の他端部２３に当接するよう、他端部３３と他端部２３との間に設けられている。これにより、磁石５０の磁極５１から発生した磁束は、第２磁束伝達部３０の他端部３３から本体３１を経由して一端部３２へ伝達される。
ここで、隙間１０１を第１磁束伝達部２０から第２磁束伝達部３０へ、または、第２磁束伝達部３０から第１磁束伝達部２０へ漏洩磁束が流れている。
【００３１】
なお、本実施形態では、磁石４０と磁石５０とは、体格、種類、材料組成および着磁調整の仕方が同じ永久磁石である。そのため、隙間１０１の長手方向の中心と磁石４０との間では第１磁束伝達部２０から第２磁束伝達部３０へ漏洩磁束が流れ、隙間１０１の長手方向の中心と磁石５０との間では第２磁束伝達部３０から第１磁束伝達部２０へ漏洩磁束が流れる。ここで、隙間１０１の長手方向において、磁石４０または磁石５０に近い位置ほど、磁束密度の絶対値が大きくなる。また、隙間１０１の長手方向の中心では磁束密度が０になる。
【００３２】
また、磁石４０の周囲には、磁極４１から磁極４２に磁束が飛ぶようにして流れている。また、磁石５０の周囲には、磁極５１から磁極５２に磁束が飛ぶようにして流れている。
【００３３】
ホールＩＣ６０は、信号出力素子としてのホール素子６１、封止体６２、および、センサ端子６３等を有している。ホール素子６１は、通過する磁束の密度に応じた信号を出力する。封止体６２は、例えば樹脂により矩形の板状に形成されている。センサ端子６３は、一端がホール素子６１に接続している。封止体６２は、ホール素子６１の全部、および、センサ端子６３の一端側を覆っている。ここで、ホール素子６１は、封止体６２の中央に位置している。
【００３４】
ホールＩＣ６０の封止体６２およびセンサ端子６３の一端側は、モールド部９によりモールドされている。モールド部９は、例えば樹脂により四角柱状に形成されている。ホールＩＣ６０の封止体６２は、モールド部９の一端側に位置するようモールドされている。
【００３５】
モールド部９は、一端が隙間１０１に位置するよう、かつ、他端がカバー６の底部に接続するよう、カバー６に設けられている。これにより、ホールＩＣ６０は、第１磁束伝達部２０と第２磁束伝達部３０との間の隙間１０１において、回転体１２に対し相対回転移動可能である。ここで、カバー６およびモールド部９は特許請求の範囲における「基準部材」に対応し、回転体１２は特許請求の範囲における「検出対象」に対応している。
【００３６】
ホールＩＣ６０のセンサ端子６３は、他端がカバー６のコネクタ８の内側に露出するよう、カバー６にインサート成形されている。そのため、ＥＣＵ１１に接続するワイヤーハーネスの端部がコネクタ８に接続されると、ホールＩＣ６０のホール素子６１とＥＣＵ１１とが接続される。これにより、ホール素子６１からの信号がＥＣＵ１１に伝達される。
【００３７】
ここで、ホールＩＣ６０のホール素子６１を主に通過する磁束は、第１磁束伝達部２０と第２磁束伝達部３０との間の隙間１０１を、第１磁束伝達部２０から第２磁束伝達部３０へ、または、第２磁束伝達部３０から第１磁束伝達部２０へ流れる漏洩磁束である。
【００３８】
上述のように、本実施形態では、隙間１０１の長手方向の中心と磁石４０との間では第１磁束伝達部２０から第２磁束伝達部３０へ漏洩磁束が流れ、隙間１０１の長手方向の中心と磁石５０との間では第２磁束伝達部３０から第１磁束伝達部２０へ漏洩磁束が流れる。また、隙間１０１の長手方向において、磁石４０または磁石５０に近い位置ほど、磁束密度の絶対値が大きくなる。
そのため、例えば第２磁束伝達部３０から第１磁束伝達部２０へ漏洩磁束が流れる方向を負の向きとすると、ホールＩＣ６０の位置が隙間１０１の磁石５０付近から磁石４０付近へ相対回転移動すると、負の値から正の値へと磁束密度が単調増加するため、任意の回転位置に対して磁束密度の値が一意に決まり、それに応じてホールＩＣ６０からの出力も、回転位置に対して一意に決まる。
【００３９】
上記構成により、ＥＣＵ１１は、ホールＩＣ６０が出力した信号に基づき、カバー６に対する回転体１２の回転位置を検出することができる。これにより、スロットルバルブの回転位置および開度を検出することができる。
【００４０】
第１集磁部７０は、例えばパーマロイ合金等、透磁率が比較的高い材料により、６面体状に形成されている。第１集磁部７０は、所定の面７１がホールＩＣ６０の封止体６２の第１磁束伝達部２０側の面の中央に当接または対向した状態でモールド部９にモールドされるよう、モールド部９の一端に設けられている。第１集磁部７０の面７１とは反対側の面７２は、第１磁束伝達部２０の本体２１に対向している。
【００４１】
第２集磁部８０は、第１集磁部７０と同様、例えばパーマロイ合金等、透磁率が比較的高い材料により、６面体状に形成されている。第２集磁部８０は、所定の面８１がホールＩＣ６０の封止体６２の第２磁束伝達部３０側の面の中央に当接または対向した状態でモールド部９にモールドされるよう、モールド部９の一端に設けられている。第２集磁部８０の面８１とは反対側の面８２は、第２磁束伝達部３０の本体３１に対向している。
【００４２】
このように、第１集磁部７０と第２集磁部８０とは、ホールＩＣ６０を間に挟み、第１磁束伝達部２０と第２磁束伝達部３０とが対向する方向と同じ方向で対向するよう設けられている。これにより、第１磁束伝達部２０と第２磁束伝達部３０との間の隙間１０１を流れる漏洩磁束を集中してホールＩＣ６０に流す（通過させる）ことができる。
【００４３】
第３磁束伝達部４５は、第１磁束伝達部２０および第２磁束伝達部３０と同様、例えばケイ素鋼等、透磁率が比較的高い材料により形成されている。第３磁束伝達部４５は、例えば板状に形成され、面方向が第１仮想円弧Ｃ１の径方向に沿うよう、かつ、第１磁束伝達部２０、第２磁束伝達部３０および磁石４０に非接触の状態で本体２１の一端と本体３１の一端との間に設けられている（図２参照）。
【００４４】
第４磁束伝達部５５は、第３磁束伝達部４５と同様、例えばケイ素鋼等、透磁率が比較的高い材料により形成されている。第４磁束伝達部５５は、例えば板状に形成され、面方向が第１仮想円弧Ｃ１の径方向に沿うよう、かつ、第１磁束伝達部２０、第２磁束伝達部３０および磁石５０に非接触の状態で本体２１の他端と本体３１の他端との間に設けられている（図２参照）。
【００４５】
第１モールド部４６は、例えば樹脂により形成され、第１磁束伝達部２０の一端部２２、第２磁束伝達部３０の一端部３２、および、第３磁束伝達部４５をモールドするよう設けられている。
【００４６】
第２モールド部５６は、例えば樹脂により形成され、第１磁束伝達部２０の他端部２３、第２磁束伝達部３０の他端部３３、および、第４磁束伝達部５５をモールドするよう設けられている。
【００４７】
上記構成により、図３に示すように、磁石５０の周囲を磁極５１から磁極５２へ飛ぶようにして流れる磁束ｆ２は、第４磁束伝達部５５を流れる。同様に、磁石４０の周囲を磁極４１から磁極４２へ飛ぶようにして流れる磁束は、第３磁束伝達部４５を流れる。つまり、磁石４０の磁極４１から磁極４２へ飛ぶ磁束、および、磁石５０の磁極５１から磁極５２へ飛ぶ磁束を、強制的に第３磁束伝達部４５または第４磁束伝達部５５に流す（第３磁束伝達部４５または第４磁束伝達部５５を伝達するようにする）ことができる。
【００４８】
ここで、第４磁束伝達部５５の板厚ｔ１は、磁束ｆ２が飽和しない程度に設定されている。また、第４磁束伝達部５５と磁石５０、他端部２３および他端部３３との距離ｇ１、ならびに、第４磁束伝達部５５と本体２１または本体３１との距離ｇ２は、磁石５０の磁極５１から他端部３３、本体３１、第２集磁部８０、ホールＩＣ６０、第１集磁部７０、本体２１および他端部２３を経由して磁極５２へ流れる磁束ｆ１が所定値以上となるよう設定されている。また、第２モールド部５６とモールド部９との距離ｇ３は、回転体１２がモールド部９に対し検出可能範囲の端部に位置するとき、第２モールド部５６とモールド部９とが干渉しない程度に設定されている。第３磁束伝達部４５および第１モールド部４６も、第４磁束伝達部５５および第２モールド部５６と同様に設定されている。
【００４９】
本実施形態では、ホールＩＣ６０により検出される磁束密度は、図４に示すＬ１のとおりとなる。隙間１０１の磁石４０近傍および磁石５０近傍には、第１磁束伝達部２０と第２磁束伝達部３０との間を流れる漏洩磁束に加え、磁石４０の磁極４１から磁極４２へ飛ぶ磁束、および、磁石５０の磁極５１から磁極５２へ飛ぶ磁束が流れている。そのため、Ｌ１は、端部に向かうほど絶対値の変化率が大きくなる。ただし、本実施形態では、磁石４０の磁極４１から磁極４２へ飛ぶ磁束、および、磁石５０の磁極５１から磁極５２へ飛ぶ磁束のうちある程度は、第３磁束伝達部４５または第４磁束伝達部５５を流れるため、Ｌ１は、端部側の絶対値の変化率の上昇が抑えられ、理想直線（図４に破線で示すＬ０）に近い形状となる。ここで、理想直線とは、位置の変化に応じて磁束密度が直線的に変化することを示す直線である。磁束密度と位置との関係を示す線が理想直線に近い程、スロットルバルブの移動範囲内の広範囲に亘り位置検出精度を向上することができる。
【００５０】
なお、本実施形態では、磁束密度と回転体１２の可動範囲（スロットルバルブの全閉位置から全開位置までの範囲）との関係は、図４に示すとおりである。このように、本実施形態では、Ｌ１の直線性が比較的良好な範囲において回転体１２の位置検出を行う。
【００５１】
ここで、比較例１、２による位置検出装置を示すことで、比較例１、２に対する本実施形態の有利な点を明らかにする。
図５に示すように、比較例１では、第４磁束伝達部５５および第２モールド部５６を備えていない。また、第３磁束伝達部４５および第１モールド部４６を備えていない。そのため、磁石５０の周囲を磁極５１から磁極５２へ飛ぶようにして流れる磁束ｆ２は、第１実施形態と比べ、よりホールＩＣ６０に近い位置を流れる。また、磁石４０の周囲を磁極４１から磁極４２へ飛ぶようにして流れる磁束も、第１実施形態と比べ、よりホールＩＣ６０に近い位置を流れる。そのため、比較例１のホールＩＣ６０により検出される磁束密度は、図４に一点鎖線で示すＬ２のとおりとなる。このように、Ｌ２は、Ｌ１と比べ、特に端部側が理想直線Ｌ０から大きく外れた形状となっている。そのため、比較例１では、特にスロットルバルブの全閉位置近傍および全開位置近傍において、位置検出精度が低下するおそれがある。
【００５２】
図６に示すように、比較例２では、第４磁束伝達部５５は、第１磁束伝達部２０の他端部２３、第２磁束伝達部３０の他端部３３および磁石５０に接触した状態で設けられている。第３磁束伝達部４５は、第１磁束伝達部２０の一端部２２、第２磁束伝達部３０の一端部３２および磁石４０に接触した状態で設けられている。そのため、磁石５０の周囲を磁極５１から磁極５２へ飛ぶようにして流れる磁束ｆ２の大部分が第４磁束伝達部５５を流れる。また、磁石４０の周囲を磁極４１から磁極４２へ飛ぶようにして流れる磁束も大部分が第３磁束伝達部４５を流れる。そのため、比較例２のホールＩＣ６０により検出される磁束密度は、図４に二点鎖線で示すＬ３のとおりとなる。このように、Ｌ３は、Ｌ１やＬ０と比べ、磁束密度の絶対値が小さいことを示す形状になっている。つまり、比較例２では、第１実施形態と比べ、ホールＩＣ６０が検出する磁束密度のダイナミックレンジが小さいといえる。
【００５３】
以上より、第１実施形態は、比較例１と比べ、回転体１２（スロットルバルブ）の移動範囲内の広範囲に亘って位置検出精度が高く、比較例２と比べ、ホールＩＣ６０が検出する磁束密度のダイナミックレンジが大きいことがわかる。
【００５４】
以上説明したように、本実施形態では、第３磁束伝達部４５および第４磁束伝達部５５により、第１磁束伝達部２０と第２磁束伝達部３０との間の隙間１０１の長手方向の端部における磁束密度の絶対値の急激な上昇を抑え、ホールＩＣ６０から出力される信号の直線性を、回転体１２（スロットルバルブ）の移動範囲内の広範囲に亘って確保することができる。そのため、回転体１２の移動範囲内の広範囲に亘って位置検出精度が高い。
【００５５】
また、本実施形態では、第３磁束伝達部４５および第４磁束伝達部５５は、第１磁束伝達部２０、第２磁束伝達部３０、磁石４０および磁石５０に非接触の状態で設けられる。そのため、第３磁束伝達部４５および第４磁束伝達部５５が第１磁束伝達部２０、第２磁束伝達部３０、磁石４０および磁石５０に接触した状態で設けられる場合（比較例２）と比べ、磁石４０および磁石５０から発生した磁束が第３磁束伝達部４５および第４磁束伝達部５５に流れる量を抑えることができる。これにより、第１磁束伝達部２０および第２磁束伝達部３０へ流れる磁束の量の減少を抑制することができる。その結果、第１磁束伝達部２０と第２磁束伝達部３０との間の漏洩磁束の減少を抑制することができ、ホールＩＣ６０が検出する磁束密度のダイナミックレンジの低下を抑制することができる。
【００５６】
このように、本実施形態では、ホールＩＣ６０が検出する磁束密度のダイナミックレンジの低下を抑えつつ、回転体１２（スロットルバルブ）の移動範囲内の広範囲に亘って位置検出精度を高くすることができる。
【００５７】
また、本実施形態では、第１モールド部４６は、第１磁束伝達部２０の一端部２２、第２磁束伝達部３０の一端部３２、および、第３磁束伝達部４５をモールドするよう設けられている。また、第２モールド部５６は、第１磁束伝達部２０の他端部２３、第２磁束伝達部３０の他端部３３、および、第４磁束伝達部５５をモールドするよう設けられている。第１モールド部４６および第２モールド部５６により、第３磁束伝達部４５および第４磁束伝達部５５を第１磁束伝達部２０、第２磁束伝達部３０、磁石４０および磁石５０に非接触の状態に保ちつつ、磁石４０および磁石５０を保護することができる。
【００５８】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態による位置検出装置を図７に示す。第２実施形態は、第１磁束伝達部および第２磁束伝達部の形状等が第１実施形態と異なる。
【００５９】
第２実施形態では、検出対象としての移動体１１０は、例えば車両の変速機のシフトを切り替えるマニュアルバルブに取り付けられる。マニュアルバルブは、軸方向に直線状に移動し、変速機のシフトを切り替える。モールド部９は、マニュアルバルブ近傍のマニュアルバルブとは別部材に固定される。すなわち、移動体１１０は、基準部材としてのモールド部９に対し直線状に相対移動する。
【００６０】
本実施形態では、位置検出装置は、モールド部９に対し直線状に相対移動する移動体１１０の位置を検出する。これにより、マニュアルバルブの位置を検出でき、変速機の実際のシフト位置を検出することができる。このように、位置検出装置をストロークセンサ（直線変位センサ）として用いることができる。
【００６１】
図７に示すように、本実施形態では、第１磁束伝達部２４は、移動体１１０に形成された長方形状の穴部１１１に設けられている。第１磁束伝達部２４は、本体２５、一端部２６および他端部２７を有している。本体２４は、移動体１１０の相対移動方向に延びる仮想直線Ｓに対し平行となる形状に形成されている。一端部２６は、本体２５の一端から仮想直線Ｓに対し略垂直に延びるよう形成されている。他端部２７は、本体２５の他端から一端部２６と同じ方向に延びるよう形成されている。
【００６２】
第２磁束伝達部３４は、移動体１１０の穴部１１１に設けられている。第２磁束伝達部３４は、本体３５、一端部３６および他端部３７を有している。本体３５は、本体２５と同様、仮想直線Ｓに対し平行となる形状に形成されている。一端部３６は、本体３５の一端から仮想直線Ｓに対し略垂直に延びて一端部２６に対向するよう形成されている。他端部３７は、本体３５の他端から一端部３６と同じ方向に延びるよう形成されている。
【００６３】
図７に示すように、第１磁束伝達部２４および第２磁束伝達部３４は、本体２５と本体３５とが仮想直線Ｓに垂直な方向で対向するよう移動体１１０の穴部１１１に設けられている。これにより、第１磁束伝達部２４の本体２５と第２磁束伝達部３４の本体３５との間に長方形状の隙間１０２が形成されている。
第２実施形態は、上述した点以外の構成は第１実施形態と同様である。
【００６４】
本実施形態では、ホールＩＣ６０により検出される磁束密度は、図４の「回転位置（θ）」を移動体１１０の相対移動方向の「位置」と読み替えれば、概ね図４に示すＬ１のとおりとなる。
【００６５】
本実施形態においても、第３磁束伝達部４５および第４磁束伝達部５５が設けられているため、ホールＩＣ６０が検出する磁束密度のダイナミックレンジの低下を抑えつつ、移動体１１０（マニュアルバルブ）の移動範囲内の広範囲に亘って位置検出精度を高くすることができる。
【００６６】
（他の実施形態）
本発明の他の実施形態では、第３磁束伝達部および第４磁束伝達部を、第１磁束伝達部、第２磁束伝達部、第１磁束発生手段および第２磁束発生手段に非接触の状態で、第１磁束伝達部の一端と第２磁束伝達部の一端との間、ならびに、第１磁束伝達部の他端と第２磁束伝達部の他端との間に設けることができるのであれば、第１モールド部および第２モールド部を備えていなくてもよい。
【００６７】
また、上述の実施形態では、第１磁束伝達部、第２磁束伝達部、第１磁束発生手段および第２磁束発生手段を検出対象に設け、磁束密度検出手段を基準部材に設ける例を示した。これに対し、本発明の他の実施形態では、第１磁束伝達部、第２磁束伝達部、第１磁束発生手段および第２磁束発生手段を基準部材に設け、磁束密度検出手段を検出対象に設けることとしてもよい。
【００６８】
また、本発明の他の実施形態では、第１磁束伝達部および第２磁束伝達部の両端部間に設けられる磁石を、それぞれの磁極が上述の実施形態とは反対になるように設けてもよい。
また、本発明の他の実施形態では、モータは、回転を減速して出力軸に伝達する減速機を有していてもよい。
【００６９】
また、本発明の他の実施形態では、アクチュエータを、例えばウェストゲートバルブの作動装置、可変容量ターボの可変ベーン制御装置、排気スロットルや排気切替弁のバルブ作動装置、および、可変吸気機構のバルブ作動装置等の駆動源として用いてもよい。
このように、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の形態で実施可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１０  ・・・・・・位置検出装置
２０、２４  ・・・第１磁束伝達部
３０、３４  ・・・第２磁束伝達部
４０  ・・・・・・磁石（第１磁束発生手段）
５０  ・・・・・・磁石（第２磁束発生手段）
６０  ・・・・・・ホールＩＣ（磁束密度検出手段）
４５  ・・・・・・第３磁束伝達部
５５  ・・・・・・第４磁束伝達部
１０１、１０２  ・・・隙間
【図１】
2014126551.tif 000003
【図２】
2014126551.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
2014126551.tif 000007
【図６】
2014126551.tif 000008
【図７】
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