(57)【要約】【課題】充填材を付与する領域を容易に正確に制御し、光部品と基材との間の空隙を所期の状態に形成して低光損失及び電極接合信頼性の両者を確実に確保する信頼性の高い光学ユニット及びその製造方法を実現する。【解決手段】光導波路２１を有する基材２に光素子１２を有する光部品２０が搭載された光学ユニットであって、光部品１０の光軸を含む部位に形成された、疎水性の第１の領域１４と、基材２０の表面における第１の領域１４と対向する部位に形成された、疎水性の第２の領域２４と、光部品２０と基材２０との間で、第１の領域１４及び第２の領域２４の周囲を充填する親水性の充填材４とを含む。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光導波路を有する基材に光部品が搭載された光学ユニットであって、
前記光部品の光軸を含む部位に形成された、疎水性の第１の領域と、
前記基材の表面における前記第１の領域と対向する部位に形成された、疎水性の第２の領域と、
前記光部品と前記基材との間で、前記第１の領域及び前記第２の領域の周囲を充填する親水性の充填材と
を含むことを特徴とする光学ユニット。
【請求項２】
前記充填材により、前記第１の領域と前記第２の領域とが対向する開空間の空隙が形成されることを特徴とする請求項１に記載の光学ユニット。
【請求項３】
前記光部品の複数の第１の接続部と前記基材の複数の第２の接続部とが接続されており、
前記充填材は、複数の前記第１の接続部と複数の前記第２の接続部の一部とを覆う島状に一体形成されていることを特徴とする請求項２に記載の光学ユニット。
【請求項４】
前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記光部品の表面及び前記基材の表面に疎水性基が付与されてなることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光学ユニット。
【請求項５】
前記光部品は、その表面において、前記第１の領域の水に対する接触角が１００°以上であり、前記第１の領域の非形成部位の水に対する接触角が１０°以下であり、
前記基材は、その表面において、前記第２の領域の水に対する接触角が１００°以上であり、前記第２の領域の非形成部位の水に対する接触角が１０°以下であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光学ユニット。
【請求項６】
光導波路を有する基材に光部品が搭載された光学ユニットの製造方法であって、
前記光部品の光軸を含む部位に疎水性の第１の領域を、前記基材の表面における前記第１の領域と対向する部位に疎水性の第２の領域をそれぞれ形成する工程と、
前記光部品を前記基材に、前記第１の領域と前記第２の領域とが対向するように搭載する工程と、
前記光部品と前記基材との間を親水性の充填材で充填する工程と
を含むことを特徴とする光学ユニットの製造方法。
【請求項７】
前記充填材により、前記第１の領域と前記第２の領域とが対向する開空間の空隙が形成されることを特徴とする請求項６に記載の光学ユニットの製造方法。
【請求項８】
前記光部品の複数の第１の接続部と前記基材の複数の第２の接続部とを接続し、
前記充填材は、複数の前記第１の接続部と複数の前記第２の接続部の一部とを覆う島状に一体形成されることを特徴とする請求項７に記載の光学ユニットの製造方法。
【請求項９】
前記光部品の表面及び前記基材の表面に疎水性基を付与して、前記第１の領域及び前記第２の領域を形成することを特徴とする請求項６〜８のいずれか１項に記載の光学ユニットの製造方法。
【請求項１０】
前記第１の領域及び前記第２の領域を形成する工程は、
前記光部品及び前記基材をそれぞれ疎水性溶液に浸漬し、前記光部品の表面及び前記基材の表面に疎水性基を付与する工程と、
前記光部品の表面における前記第１の領域の周囲の前記疎水性基及び前記基材の表面における前記第２の領域の周囲の前記疎水性基を、親水性基にそれぞれ変質する工程と
を含むことを特徴とする請求項９に記載の光学ユニットの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光導波路を有する基材に光素子が搭載された光学ユニット及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年では、消費電力や伝送距離、伝送速度、設計自由度（通信仕様、配線レイアウト、電磁ノイズ）、配線スペース等の点で効果が期待できる、いわゆる光配線が注目されている。光配線は、スーパーコンピュータ、高性能サーバ機、及び携帯端末等への利用が検討されている。
【０００３】
光配線に用いられる光学ユニットとして、光素子（VCSEL/PD）又は光素子及び制御ＩＣ（Driver/AMP）が内蔵された光モジュール（光部品）を、光導波路シートを有する基材にフェイスダウン実装する構造が用いられている。この光学ユニットでは、光導波路シート内に形成されたミラーと、光部品の発光部又は受光部の光軸とを高精度で結合し、且つ電気配線への電気的接合を行うことが必要となる。
【０００４】
光部品を基材にフェイスダウン実装した際には、光部品と基材との間にアンダーフィル材を充填して封止する。この場合、光部品と基材の光導波路シートとの間で光結合を得るべく、アンダーフィル材には光透過率の高い透明の材料が用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−９６７５５号公報
【特許文献２】特開２００４−１７９５７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
光学ユニットに用いるアンダーフィル材には、光吸収、散乱及び異物混入等による光結合損失の抑制と、光部品と基材との電気的接合部位における接合信頼性の確保との両者を共に満たすことが要求される。しかしながら、優れた光結合を得るためには、アンダーフィル材には高い透明性（例えば、透過率≧約９０％）が必要となることから、アンダーフィル材にフィラーを含有することができない等の制約がある。そのため、電気的接合部位の接合信頼性を確保することができないという問題がある。
【０００７】
この問題に対処すべく、高粘度樹脂のアンダーフィル材を用いて、光部品と基材との間で光部品の光軸を含む領域が空隙となるように充填する方法が案出されている。この場合、基材に実装した光部品の側面を固定する手法、光部品の４隅を固定する手法等がある。しかしながらこの場合、光部品と基材との電気的接合部位を確実にアンダーフィル材で覆うことが困難であり、電気的接合部位が露出したり、アンダーフィル材の空隙内への侵入を抑止できないという問題が生じる。
【０００８】
また、シート状のアンダーフィル材を用いて、光部品と基材との間で光部品の光軸を含む領域が空隙となるように充填することも考えられている。しかしながらこの場合、微小な光部品には十分な対処が困難であり、空隙を所期の状態に制御することができないという問題が生じる。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、充填材を付与する領域を容易に正確に制御し、光部品と基材との間の空隙を所期の状態に形成して低光損失及び電極接合信頼性の両者を確実に確保する信頼性の高い光学ユニット及びその製造方法を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
光学ユニットの一態様は、光導波路を有する基材に光部品が搭載された光学ユニットであって、前記光部品の光軸を含む部位に形成された、疎水性の第１の領域と、前記基材の表面における前記第１の領域と対向する部位に形成された、疎水性の第２の領域と、前記光部品と前記基材との間で、前記第１の領域及び前記第２の領域の周囲を充填する親水性の充填材とを含む。
【００１１】
光学ユニットの製造方法の一態様は、光導波路を有する基材に光部品が搭載された光学ユニットの製造方法であって、前記光部品の光軸を含む部位に疎水性の第１の領域を、前記基材の表面における前記第１の領域と対向する部位に疎水性の第２の領域をそれぞれ形成する工程と、前記光部品を前記基材に、前記第１の領域と前記第２の領域とが対向するように搭載する工程と、前記光部品と前記基材との間を親水性の充填材で充填する工程とを含む。
【発明の効果】
【００１２】
上記の諸態様によれば、充填材を付与する領域を容易に正確に制御し、光部品と基材との間の空隙を所期の状態に形成して低光損失及び電極接合信頼性の両者を確実に確保することが可能となり、信頼性の高い光学ユニットが実現する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略断面図である。
【図２】第１の実施形態による光学ユニットの製造に用いる溶液槽を示す概略図である。
【図３】第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略断面図である。
【図４】第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略断面図である。
【図５】第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略断面図である。
【図６】第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略平面図である。
【図７】第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略平面図である。
【図８】第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略断面図である。
【図９】第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略断面図である。
【図１０】第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略平面図である。
【図１１】第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略平面図である。
【図１２】第２の実施形態による光学ユニットの製造方法における主要工程を示す概略断面図である。
【図１３】第２の実施形態による光学ユニットの製造方法における主要工程を示す概略断面図である。
【図１４】第２の実施形態による光学ユニットの製造方法における主要工程を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、光学ユニット及びその製造方法の具体的な諸実施形態について、図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１５】
（第１の実施形態）
本実施形態では、光学ユニットの構成をその製造方法と共に説明する。
図１〜図１１は、第１の実施形態による光学ユニットの製造方法を示す概略図である。
【００１６】
図１（ａ）に示すように、光モジュール（光部品）１０を用意する。
光部品１０は、例えばＳｉ等の基板１１上に、面発光型半導体レーザ（VCSEL）又は面受光型フォトディテクタ（PD）である光素子１２と、光素子１２と電気的に接続されてなり、外部との接続パッドとされた第１の接続部である複数の接続電極１３とが設けられている。
【００１７】
図１（ｂ）に示すように、基材２０を用意する。
基材２０は、光導波路シート２１上にポリイミド等の保護層２２が形成され、保護層２２上に第２の接続部である複数の電気配線２３が形成されている。
光導波路シート２１は、クラッド層２１ａ，２１ｂでコア層２１ｃを挟持してなり、その下面側にダイサ等を用いた切削加工によりＶ型溝２１ｄが形成されている。Ｖ型溝２１ｄは、光素子１２から発する光を反射してコア層２１ｃに導く、或いはコア層２１ｃを通過した光を反射して光素子１２に導くミラーとして機能する。
【００１８】
続いて、光部品１０の表面及び基材２０の表面を疎水性にする。詳細には、図２に示す疎水性溶液を用意する。溶液槽３０には、疎水性溶液として、例えばトルエンを溶媒とした０．３ｍＭのオクタデシルトリクロロシラン（ＯＴＳ）溶液が収容されている。このＯＴＳ溶液は、屈折率が２０℃におけるＤ線（ナトリウムランプ）で１．４５９のものである。
【００１９】
ドライルーム内で、大気圧下において、溶液槽３０内のＯＴＳ溶液に、光部品１０及び基材２０をそれぞれ３０分間程度浸漬する。その後、光部品１０及び基材２０を窒素（Ｎ2）ボックス内で２４時間程度乾燥する。
以上により、図３（ａ）に示すように、光部品１０の表面の全面に疎水性基であるオクタデシル基（Ｓｉ（ＣＨ2）１７ＣＨ3）が付与され、疎水性膜３１が形成される。同様に、図３（ｂ）に示すように、基材２０の表面の全面に疎水性基であるオクタデシル基が付与され、疎水性膜３２が形成される。
【００２０】
続いて、光部品１０の表面において、光素子１２上を含む部分に疎水性膜３１を残存させる。
詳細には、図４（ａ）に示すように、開口４１を有するフォトマスク４０を用意する。
フォトマスク４０は、開口４１が平面視で略Ｌ字状に形成されている。フォトマスク４０を光部品１０の表面上に設置する。フォトマスク４０において、開口４１から複数の接続電極１３上を含む部分が露出し、光素子１２上を含む部分はフォトマスク４０で遮断された状態となる。
【００２１】
図４（ｂ）に示すように、フォトマスク４０に対して、紫外光を照射する。紫外光の照射エネルギーは１０Ｊ／ｃｍ2以下で調節する。フォトマスク４０により、開口４１を通じて複数の接続電極１３上を含む部分（平面視で略Ｌ字状の部分）に紫外光が照射される。紫外光の照射により、疎水性膜３１の複数の接続電極１３上を含む部分において、疎水性基であるオクタデシル基が親水基（ＳｉＯＨ）に変性する。
【００２２】
以上により、図４（ｃ）に示すように、紫外光が遮断された光素子１２上を含む部分には疎水性膜３１が残存し、第１の領域である疎水性領域１４が形成される。一方、疎水性領域１４の周囲、即ち紫外光が照射された接続電極１３上を含む部分には、親水性領域１５が形成される。疎水性領域１４における水に対する接触角は１００°以上となり、十分な疎水性が得られる。親水性領域１５における水に対する接触角は１０°以下となり、十分な親水性が得られる。
【００２３】
続いて、基材２０の表面において、光素子１２と対向することになる光軸を含む部分及び電気配線２３上の部分に疎水性膜３２を残存させる。
詳細には、図５（ａ）に示すように、開口５１を有するフォトマスク５０を用意する。
フォトマスク５０は、開口５１が平面視で略Ｌ字状に形成されている。フォトマスク５０を基材２０の表面上に設置する。フォトマスク５０において、開口５１から複数の電気配線２３上を含む部分が露出し、光軸を含む部分はフォトマスク５０で遮断された状態となる。
【００２４】
図５（ｂ）に示すように、フォトマスク５０に対して、紫外光を照射する。紫外光の照射エネルギーは１０Ｊ／ｃｍ2以下で調節する。フォトマスク５０により、開口５１を通じて複数の電気配線２３上の一部分（平面視で略Ｌ字状の部分）に紫外光が照射される。紫外光の照射により、疎水性膜３２の電気配線２３上の一部分において、疎水性基であるオクタデシル基が親水基（ＳｉＯＨ）に変性する。
【００２５】
以上により、図５（ｃ）に示すように、紫外光が遮断された光軸を含む部分及び電気配線２３上の他部分には疎水性膜３２が残存し、第２の領域である疎水性領域２４が形成される。一方、疎水性領域１４の周囲、即ち紫外光が照射された電気配線２３上の一部分には、親水性領域２５が形成される。疎水性領域２４における水に対する接触角は１００°以上となり、十分な疎水性が得られる。親水性領域２５における水に対する接触角は１０°以下となり、十分な親水性が得られる。
【００２６】
本実施形態では、光部品１０において、親水性領域１５を自在に形成することが可能である。これにより、光素子１２上を疎水性膜３１で覆う疎水性領域１４を所望の位置及び形状に形成することができる。
図６は、本実施形態による光部品において、疎水性領域が形成された状態を示す概略平面図であり、（ａ）が第１の例、（ｂ）が第２の例である。
【００２７】
図６（ａ）に示す第１の例では、光部品１０には、略Ｌ字状の親水性領域１５が形成されており、これにより光素子１２上を包含する疎水性領域１４が形成される。親水性領域１５は、複数の接続電極１３を包含する略Ｌ字の島状に一体形成される。疎水性領域１４は、その一部が開放された矩形状に形成される。
【００２８】
図６（ｂ）に示す第２の例では、光部品１０には、中央部位に親水性領域１５が形成されており、これにより光素子１２上を包含する疎水性領域１４が形成される。親水性領域１５は、複数の接続電極１３について、下方の接続電極１３（図示の例では２つ）を含む島状の部位と、上方の接続電極１３（図示の例では１つ）を含む島状の部位とに分離形成される。疎水性領域１４は、左右の端部で開放された矩形状に形成される。
【００２９】
図６（ａ），（ｂ）では、個々の光部品１０ごとに形成される場合を例示するが、複数、ここでは１２個の光部品１０が並列形成された構成を採る場合もある。
図７は、本実施形態による光部品が複数形成された基体において、疎水性領域が形成された状態を示す概略平面図であり、（ａ）が第１の例、（ｂ）が第２の例である。
【００３０】
図７（ａ）に示す第１の例では、縦長状の例えばＳｉの基体１に、複数の光部品１０が並列して形成されている。各光部品１０には、略Ｌ字状の親水性領域１５が形成されており、これにより光素子１２上を包含する疎水性領域１４が形成される。親水性領域１５は、複数の接続電極１３を包含する略Ｌ字の島状に一体形成される。疎水性領域１４は、その一部が各光部品１０における端部で開放された矩形状に形成される。
【００３１】
図７（ｂ）に示す第２の例では、縦長状の例えばＳｉの基体１に、複数の光部品１０が並列して形成されている。各光部品１０には、中央部位に親水性領域１５が形成されており、これにより光素子１２上を包含する疎水性領域１４が形成される。親水性領域１５は、複数の接続電極１３について、下方の接続電極１３（図示の例では２つ）を含む島状の部位と、上方の接続電極１３（図示の例では１つ）を含む島状の部位とに分離形成される。疎水性領域１４は、各光部品１０における左右の端部で開放された矩形状に形成される。
【００３２】
続いて、図８に示すように、基材２０に光部品１０を実装する。
詳細には、光部品１０の表面と基材２０の表面とを、疎水性領域１４と疎水性領域２４とで対向させて付き合わせ、接続電極１３と電気配線２３とをバンプ２により電気的に接合する。光素子１２の下部には、基材２０の光導波路シート２１のＶ型溝２１ｄが位置整合する。
【００３３】
続いて、図９に示すように、接合された光部品１０と基材２０との間に、充填材であるアンダーフィル材４を付与する。
詳細には、親水性のアンダーフィル材４を、接合された光部品１０と基材２０との間に充填する。アンダーフィル材４としては、高粘度のものを用いる必要はなく、例えば粘度５０ｃＰ以下の低粘度である商品名FTC-LTD1（富士通クオリティラボ製）等を用いる。このとき、アンダーフィル材４は、疎水性領域１４，２４には付与されず、親水性領域１５，２５のみに自己整合的に付与され、接合された光部品１０と基材２０との間を充填する。このとき、疎水性領域１４と疎水性領域２４との対向部位には、アンダーフィル材４で画定された空隙３が形成される。空隙３は、光素子１２の光軸を含むように形成される。
【００３４】
アンダーフィル材４は、親水性領域１５，２５に倣って付与される。ここで、図６（ａ）の第１の例においてアンダーフィル材４が付与された光部品１０の様子を図１０（ａ）に、図６（ｂ）の第２の例においてアンダーフィル材４が付与された光部品１０の様子を図１０（ｂ）に夫々示す。また、図７（ａ）の第１の例においてアンダーフィル材４が付与された光部品１０の様子を図１１（ａ）に、図７（ｂ）の第２の例においてアンダーフィル材４が付与された光部品１０の様子を図１１（ｂ）に夫々示す。
【００３５】
図１０（ａ）に示す第１の例では、光部品１０には、疎水性領域１４を除き、親水性領域１５に選択的に略Ｌ字状にアンダーフィル材４が付与される。アンダーフィル材４は、複数の接続電極１３を連続的に覆う略Ｌ字の島状に一体形成されている。光素子１２の光軸を含む空隙３は、その一部が開放された矩形状の開空間に形成する。
【００３６】
図１０（ｂ）に示す第２の例では、光部品１０には、疎水性領域１４を除き、親水性領域１５に選択的にアンダーフィル材４が付与される。アンダーフィル材４は、複数の接続電極１３について、下方の接続電極１３（図示の例では２つ）を覆う島状の部位と、上方の接続電極１３（図示の例では１つ）を覆う島状の部位とに分離形成されている。光素子１２の光軸を含む空隙３は、その一部が開放された矩形状の開空間に形成する。
【００３７】
図１１（ａ）に示す第１の例では、縦長状の例えばＳｉの基体１において、各光部品１０には、疎水性領域１４を除き、親水性領域１５に選択的に略Ｌ字状にアンダーフィル材４が付与される。アンダーフィル材４は、複数の接続電極１３を連続的に覆う略Ｌ字の島状に一体形成されている。光素子１２の光軸を含む空隙３は、その一部が開放された矩形状の開空間に形成する。
【００３８】
図１１（ｂ）に示す第２の例では、縦長状の例えばＳｉの基体１において、各光部品１０には、疎水性領域１４を除き、親水性領域１５に選択的にアンダーフィル材４が付与される。アンダーフィル材４は、複数の接続電極１３について、下方の接続電極１３（図示の例では２つ）を覆う島状の部位と、上方の接続電極１３（図示の例では１つ）を覆う島状の部位とに分離形成されている。光素子１２の光軸を含む各空隙３は、その一部が開放された矩形状の開空間に形成されている。基体１では、個々の空隙３が結合して帯状の連続的な空隙が形成される。
【００３９】
本実施形態では、予め所期の疎水性領域１４，２４及び親水性領域１５，２５を形成しておくことにより、親水性のアンダーフィル材４を親水性領域１５，２５のみに自己整合的に付与することができる。この構成を採ることにより、可及的に少ない工程数で空隙３の形成位置及び形状を容易且つ正確に制御して、空隙３を所望の状態に形成することができる。
【００４０】
具体的に、図１０（ａ）及び図１１（ａ）に示す第１の例によれば、光部品１０及び基材２０には、複数の接続電極１３及び複数の電気配線２３の一部を連続的に覆うべく、略Ｌ字状にアンダーフィル材４が正確に付与される。これにより、各接続電極１３及び各電気配線２３の一部がアンダーフィル材４により確実に覆われて光部品１０と基材２０との高い接合信頼性が得られる。更に、空隙３を一部が開放された開空間に形成することができ、空隙３の空気が熱膨張する懸念がない。
【００４１】
また、図１０（ｂ）及び図１１（ｂ）に示す第２の例によれば、光部品１０及び基材２０には、光部品１０の中央部位にアンダーフィル材４が正確に付与される。これにより、各接続電極１３及び各電気配線２３の一部がアンダーフィル材４により覆われて光部品１０と基材２０との高い接合信頼性が得られる。更に、空隙３を一部が開放された開空間に形成することができ、空隙３の空気が熱膨張する懸念がない。
【００４２】
以上説明したように、本実施形態によれば、アンダーフィル材４を付与する領域を高精度治具等を用いることなく容易に正確に制御し、高部品１０の光素子１２と基材２０との間の空隙３を所期の状態に形成することができる。これにより、低光損失及び電極接合信頼性の両者を確実に確保することが可能となり、信頼性の高い光学ユニットが実現する。
【００４３】
（第２の実施形態）
本実施形態では、第１の実施形態と同様に、光学ユニットの構成をその製造方法と共に説明するが、親水性領域の形成方法が異なる点で第１の実施形態と相違する。
図１２〜図１４は、第２の実施形態による光学ユニットの製造方法における主要工程を示す概略断面図である。
【００４４】
本実施形態では先ず、第１の実施形態と同様に、図１（ａ）〜図３（ｂ）の各工程を実行する。
【００４５】
続いて、光部品１０の表面において、光素子１２上を含む部分に疎水性膜３１を残存させる。
詳細には、図１２（ａ）に示すように、開口５１を有するフォトマスク６０を用意する。
フォトマスク６０は、開口６１が略Ｌ字状に形成されている。フォトマスク６０を光部品１０の表面上に設置する。フォトマスク６０において、開口６１から光部品１０の複数の接続電極１３上を含む部分が露出し、光素子１２上を含む部分はフォトマスク６０で遮断された状態となる。
【００４６】
図１２（ｂ）に示すように、フォトマスク６０に対して、プラズマを照射する。
詳細には、例えばＡｒガスを５ｍｌ／分の流量で供給し、出力３００Ｗで１８０秒間放電を行う。これにより、開口６１を通じて複数の接続電極１３上を含む部分（平面視で略Ｌ字状の部分）にＡｒプラズマが照射される。Ａｒプラズマの照射により、疎水性膜３１の複数の接続電極１３上を含む部分において、疎水性基であるオクタデシル基が親水基（ＳｉＯＨ）に変性する。
【００４７】
以上により、図１２（ｃ）に示すように、Ａｒプラズマが遮断された光素子１２上を含む部分には疎水性膜３１が残存し、第１の領域である疎水性領域１６が形成される。一方、疎水性領域１６の周囲、即ちＡｒプラズマが照射された接続電極１３上を含む部分には、親水性領域１７が形成される。疎水性領域１６における水に対する接触角は１００°以上となり、十分な疎水性が得られる。親水性領域１７における水に対する接触角は１０°以下となり、十分な親水性が得られる。
【００４８】
続いて、基材２０の表面において、光素子１２と対向することになる光軸を含む部分及び電気配線２３上の部分に疎水性膜３２を残存させる。
詳細には、図１３（ａ）に示すように、開口７１を有するフォトマスク７０を用意する。
フォトマスク７０は、開口７１が略Ｌ字状に形成されている。フォトマスク７０を基材２０の表面上に設置する。フォトマスク７０において、開口７１から複数の電気配線２３上を含む部分が露出し、光軸を含む部分はフォトマスク７０で遮断された状態となる。
【００４９】
図１３（ｂ）に示すように、フォトマスク７０に対して、プラズマを照射する。
詳細には、例えばＡｒガスを５ｍｌ／分の流量で供給し、出力３００Ｗで１８０秒間放電を行う。これにより、開口６１を通じて複数の電気配線２３上の一部分（平面視で略Ｌ字状の部分）にＡｒプラズマが照射される。Ａｒプラズマの照射により、疎水性膜３２の複数の電気配線２３上の一部分において、疎水性基であるオクタデシル基が親水基（ＳｉＯＨ）に変性する。
【００５０】
以上により、図１３（ｃ）に示すように、Ａｒプラズマが遮断された光軸を含む部分及び電気配線２３上の他部分には疎水性膜３２が残存し、第２の領域である疎水性領域２６が形成される。一方、疎水性領域２６の周囲、即ちＡｒプラズマが照射された電気配線２３上の一部分には、親水性領域２７が形成される。疎水性領域２６における水に対する接触角は１００°以上となり、十分な疎水性が得られる。親水性領域２７における水に対する接触角は１０°以下となり、十分な親水性が得られる。
【００５１】
しかる後、第１の実施形態と同様に、図８及び図９の各工程を実行し、図１４に示すように接合された光部品１０と基材２０との間に、充填材であるアンダーフィル材４を付与する。疎水性領域１４と疎水性領域２４との対向部位には、アンダーフィル材４で画定された空隙５が形成される。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態によれば、アンダーフィル材４を付与する領域を高精度治具等を用いることなく容易に正確に制御し、高部品１０の光素子１２と基材２０との間の空隙５を所期の状態に形成することができる。これにより、低光損失及び電極接合信頼性の両者を確実に確保することが可能となり、信頼性の高い光学ユニットが実現する。
【００５３】
以下、光学ユニット及びその製造方法の諸態様を付記としてまとめて記載する。
【００５４】
（付記１）光導波路を有する基材に光部品が搭載された光学ユニットであって、
前記光部品の光軸を含む部位に形成された、疎水性の第１の領域と、
前記基材の表面における前記第１の領域と対向する部位に形成された、疎水性の第２の領域と、
前記光部品と前記基材との間で、前記第１の領域及び前記第２の領域の周囲を充填する親水性の充填材と
を含むことを特徴とする光学ユニット。
【００５５】
（付記２）前記充填材により、前記第１の領域と前記第２の領域とが対向する開空間の空隙が形成されることを特徴とする付記１に記載の光学ユニット。
【００５６】
（付記３）前記光部品の複数の第１の接続部と前記基材の複数の第２の接続部とが接続されており、
前記充填材は、複数の前記第１の接続部と複数の前記第２の接続部の一部とを覆う島状に一体形成されていることを特徴とする付記２に記載の光学ユニット。
【００５７】
（付記４）前記第１の領域及び前記第２の領域は、前記光部品の表面及び前記基材の表面に疎水性基が付与されてなることを特徴とする付記１〜３のいずれか１項に記載の光学ユニット。
【００５８】
（付記５）前記光部品は、その表面において、前記第１の領域の水に対する接触角が１００°以上であり、前記第１の領域の非形成部位の水に対する接触角が１０°以下であり、
前記基材は、その表面において、前記第２の領域の水に対する接触角が１００°以上であり、前記第２の領域の非形成部位の水に対する接触角が１０°以下であることを特徴とする付記１〜４のいずれか１項に記載の光学ユニット。
【００５９】
（付記６）光導波路を有する基材に光部品が搭載された光学ユニットの製造方法であって、
前記光部品の光軸を含む部位に疎水性の第１の領域を、前記基材の表面における前記第１の領域と対向する部位に疎水性の第２の領域をそれぞれ形成する工程と、
前記光部品を前記基材に、前記第１の領域と前記第２の領域とが対向するように搭載する工程と、
前記光部品と前記基材との間を親水性の充填材で充填する工程と
を含むことを特徴とする光学ユニットの製造方法。
【００６０】
（付記７）前記充填材により、前記第１の領域と前記第２の領域とが対向する開空間の空隙が形成されることを特徴とする付記６に記載の光学ユニットの製造方法。
【００６１】
（付記８）前記光部品の複数の第１の接続部と前記基材の複数の第２の接続部とを接続し、
前記充填材は、複数の前記第１の接続部と複数の前記第２の接続部の一部とを覆う島状に一体形成されることを特徴とする付記７に記載の光学ユニットの製造方法。
【００６２】
（付記９）前記光部品の表面及び前記基材の表面に疎水性基を付与して、前記第１の領域及び前記第２の領域を形成することを特徴とする付記６〜８のいずれか１項に記載の光学ユニットの製造方法。
【００６３】
（付記１０）前記第１の領域及び前記第２の領域を形成する工程は、
前記光部品及び前記基材をそれぞれ疎水性溶液に浸漬し、前記光部品の表面及び前記基材の表面に疎水性基を付与する工程と、
前記光部品の表面における前記第１の領域の周囲の前記疎水性基及び前記基材の表面における前記第２の領域の周囲の前記疎水性基を、親水性基にそれぞれ変質する工程と
を含むことを特徴とする付記９に記載の光学ユニットの製造方法。
【００６４】
（付記１１）前記親水性基に変質する工程は、前記疎水性基に紫外線を照射することを特徴とする付記１０に記載の光学ユニットの製造方法。
【００６５】
（付記１２）前記親水性基に変質する工程は、前記疎水性基にプラズマを照射することを特徴とする付記１０に記載の光学ユニットの製造方法。
【００６６】
（付記１３）前記光部品は、その表面において、前記第１の領域の水に対する接触角が１００°以上であり、前記第１の領域の非形成部位の水に対する接触角が１０°以下であり、
前記基材は、その表面において、前記第２の領域の水に対する接触角が１００°以上であり、前記第２の領域の非形成部位の水に対する接触角が１０°以下であることを特徴とする付記６〜１２のいずれか１項に記載の光学ユニットの製造方法。
【符号の説明】
【００６７】
１  基体
２  バンプ
３，５  空隙
４  アンダーフィル材
１０  光部品
１１  基板
１２  光素子
１３  接続電極
１４，１６，２４，２６  疎水性領域
１５，１７，２５，２７  親水性領域
２０  基材
２１  光導波路シート
２１ａ，２１ｂ  クラッド層
２１ｃ  コア層
２１ｄ  Ｖ型溝
２２  保護層
２３  電気配線
３０  溶液槽
３１，３２  疎水性膜
４０，５０，６０，７０  フォトマスク
４１，５１，６１，７１  開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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