(57)【要約】【課題】過充電時における半導体素子の発熱量を抑制することを目的とする。【解決手段】両端が、それぞれＭＯＳＦＥＴ４ａのソース電極およびドレイン電極に接続されるショットキーバリアダイオード３ａを設けることにより、過充電時に流れる電流をショットキーバリアダイオード３ａを介して流すことができるため、電圧を低減でき、過充電時の半導体素子の発熱を抑制することができる。【選択図】図１
2014157888.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の半導体層と、
前記第１導電型半導体層の表面の一部に形成される第２導電型の半導体層と、
前記第２導電型の半導体層に形成されるトランジスタと、
前記第１導電型の半導体層の表面に形成される前記トランジスタのソース電極と、
前記第１導電型の半導体層の表面に前記トランジスタと分離して形成されるショットキーバリアダイオードと
を有し、前記ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部が前記ソース電極の形成領域と前記第１導電型の半導体層との境界部であることを特徴とする半導体素子。
【請求項２】
前記ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部で使用される導電性材料のバリアハイトは、前記ソース電極で使用される導電性材料のバイアハイトよりも低いことを特徴とする請求項１記載の半導体素子。
【請求項３】
前記ショットキーバリアダイオードの周囲に形成される環状のガードリング層により、前記ショットキーバリアダイオードと前記トランジスタとが分離されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体素子。
【請求項４】
前記ガードリング層の内周内に複数のピラー状の拡散領域をさらに備え、
前記ショットキーバリアダイオードが前記拡散領域間に形成されることを特徴とする請求項３記載の半導体素子。
【請求項５】
前記ショットキーバリアダイオードの周囲に形成されるトレンチにより、前記ショットキーバリアダイオードと前記トランジスタとが分離され、
前記トレンチが溝の内表面に形成される絶縁膜と前記絶縁膜の内周部に充填される金属層とで構成されることを特徴とする請求項１または請求項２のいずれかに記載の半導体素子。
【請求項６】
請求項１〜請求項５記載の半導体素子を搭載し、ＣＳＰまたはＢＧＡまたはＬＧＡのいずれかの形状であることを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
ドレイン電極を共通接続するように２つの請求項１〜請求項５記載の半導体素子を直列接続してなり、２つの前記半導体素子を同時に活性化することにより一方向に電流を導通させ、一方の前記半導体素子を非活性化することにより前記一方向に対して逆方向にのみ電流を導通させることを特徴とする保護回路。
【請求項８】
前記半導体素子の活性化／非活性化の制御をコントロール用集積素子で行い、
過充電時に充電式電池の保護を行うことを特徴とする請求項７記載の保護回路。
【請求項９】
請求項７記載の保護回路と、
前記保護回路を搭載するリードフレームと、
前記保護回路と前記リードフレームとを電気的に接続する配線構造と、
前記リードフレーム上の前記保護回路および配線構造を樹脂封止する樹脂と
を有することを特徴とする保護装置。
【請求項１０】
請求項７記載の保護回路と、
前記半導体素子の活性化／非活性化を制御するコントロール用集積素子と、
前記保護回路および前記コントロール用集積素子を混載するリードフレームと、
前記保護回路または前記コントロール用集積素子と前記リードフレームとを電気的に接続する配線構造と、
前記リードフレーム上の前記保護回路および配線構造を樹脂封止する樹脂と
を有することを特徴とする保護装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リチウムイオン電池等の充電式電池の過充電時に、電池を保護する保護回路，保護装置およびこれらに使用する半導体素子，半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来のリチウムイオン電池等の充電式電池の過充電時に、充電式電池を保護する保護回路としては、コントロール用集積素子と２つのＭＯＳＦＥＴからなる保護回路とで構成されていた。
【０００３】
図７は従来の充電式電池の過充電時に充電式電池を保護する保護回路の構成を示す概略図である。
図７において、１００はコントロール用集積素子、１０１は２つのＭＯＳＦＥＴ１０２ａ，１０２ｂからなる保護回路、１０４は保護対象であるリチウムイオン電池である（例えば、特許文献１  参照）。
【０００４】
従来のＭＯＳＦＥＴ２素子からなる保護回路について、図７，図８，図９を用いて説明する。
図７は従来の保護回路全体の等価回路を示す図、図８は従来の保護回路を構成するＭＯＳＦＥＴの構成を示す等価回路、図９は前記ＭＯＳＦＥＴの要部断面図である。
【０００５】
図７，図８，図９において、保護回路１０１を構成するＭＯＳＦＥＴ１０２ａ，１０２ｂは、第一主面にソース電極１１４、第二主面側にドレイン電極（図示なし）を有し、Ｐ
型拡散領域であるチャネル層１０５とＮ＋型エピタキシャル層１０６との間に形成されたｐｎ接合からなる寄生ダイオード１０３が製造工程中に設けられる。
【０００６】
この寄生ダイオード１０３は、従来のリチウムイオン電池等の充電式電池の過充電時においては順方向電流が通電する様な働きを有していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１１−１２９６６２号公報
【特許文献２】実用新案登録  ３１７３５６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、前記従来の構成では、例えばリチウムイオン電池を用いた携帯機器においても小型化が叫ばれているが、これに伴い、例えば、過充電時におけるＭＯＳＦＥＴ１０２ａ，１０２ｂの動作時の発熱量、特に前記ｐｎ接合ダイオードからなる寄生ダイオード１０３のジャンクション温度が高いため、大きな放熱板が必要となり、機器の小型化ができないと言った問題点があった。
【０００９】
本発明は、従来の問題点を解決するために、過充電時における半導体素子の発熱量を抑制することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の半導体素子は、第１導電型の半導体層と、前記第１導電型半導体層の表面の一部に形成される第２導電型の半導体層と、前記第２導電型の半導体層に形成されるトランジスタと、前記第１導電型の半導体層の表面に形成される前記トランジスタのソース電極と、前記第１導電型の半導体層の表面に前記トランジスタと分離して形成されるショットキーバリアダイオードとを有し、前記ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部が前記ソース電極の形成領域と前記第１導電型の半導体層との境界部であることを特徴とする。
【００１１】
また、前記ショットキーバリアダイオードのショットキー接合部で使用される導電性材料のバリアハイトは、前記ソース電極で使用される導電性材料のバイアハイトよりも低いことが好ましい。
【００１２】
また、前記ショットキーバリアダイオードの周囲に形成される環状のガードリング層により、前記ショットキーバリアダイオードと前記トランジスタとが分離されても良い。
また、前記ガードリング層の内周内に複数のピラー状の拡散領域をさらに備え、前記ショットキーバリアダイオードが前記拡散領域間に形成されても良い。
【００１３】
また、前記ショットキーバリアダイオードの周囲に形成されるトレンチにより、前記ショットキーバリアダイオードと前記トランジスタとが分離され、前記トレンチが溝の内表面に形成される絶縁膜と前記絶縁膜の内周部に充填される金属層とで構成されても良い。
【００１４】
また、本発明の半導体装置は、前記半導体素子を搭載し、ＣＳＰまたはＢＧＡまたはＬＧＡのいずれかの形状であることを特徴とする。
また、本発明の保護回路は、ドレイン電極を共通接続するように２つの前記半導体素子を直列接続してなり、２つの前記半導体素子を同時に活性化することにより一方向に電流を導通させ、一方の前記半導体素子を非活性化することにより前記一方向に対して逆方向にのみ電流を導通させることを特徴とする。
【００１５】
また、前記半導体素子の活性化／非活性化の制御をコントロール用集積素子で行い、過充電時に充電式電池の保護を行っても良い。
さらに、本発明の保護装置は、前記保護回路と、前記保護回路を搭載するリードフレームと、前記保護回路と前記リードフレームとを電気的に接続する配線構造と、前記リードフレーム上の前記保護回路および配線構造を樹脂封止する樹脂とを有することを特徴とする。
【００１６】
また、前記保護回路と、前記半導体素子の活性化／非活性化を制御するコントロール用集積素子と、前記保護回路および前記コントロール用集積素子を混載するリードフレームと、前記保護回路または前記コントロール用集積素子と前記リードフレームとを電気的に接続する配線構造と、前記リードフレーム上の前記保護回路および配線構造を樹脂封止する樹脂とを有しても良い。
【発明の効果】
【００１７】
以上のように、両端が、それぞれＭＯＳＦＥＴのソース電極およびドレイン電極に接続されるショットキーバリアダイオードを設けることにより、過充電時に流れる電流をショットキーバリアダイオードを介して流すことができるため、前記ｐｎ接合ダイオードからなる寄生ダイオードに比べて順方向電圧を低減でき、過充電時の半導体素子の発熱を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の充電式電池の過充電時に充電式電池を保護する保護回路全体の構成を示す概略図
【図２】実施の形態１における一方の半導体素子の構成を示す要部断面図と２つの半導体素子からなる保護回路部の断面図
【図３】実施の形態１における２つの半導体素子からなる保護回路部の等価回路と２つの半導体素子が搭載された半導体装置の構成を例示する図
【図４】本発明の保護回路全体の動作を説明する図
【図５】ダイオード特性を説明する図
【図６】実施の形態２における一方の半導体素子の構造を示す要部断面図
【図７】従来の充電式電池の過充電時に充電式電池を保護する保護回路全体の構成を示す概略図
【図８】従来の２つの半導体素子からなる保護回路部の等価回路を示す図
【図９】従来の一方の半導体素子を構成するＭＯＳＦＥＴの構造を示す要部断面図
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。
（実施の形態１）
図１は本発明の充電式電池の過充電時に充電式電池を保護する保護回路全体の構成を示す概略図である。図２は実施の形態１における半導体素子の構成を示す断面図であり、図２（ａ）は一方の半導体素子の構成を示す要部断面図、図２（ｂ）は２つの半導体素子からなる保護回路部全体を示す断面図である。
図３は実施の形態１における保護回路部と２つの半導体素子が搭載された半導体装置の構成を例示する図、図４は本発明の保護回路全体の動作を説明する図、図５はダイオード特性を説明する図である。
【００２０】
図１〜図５に示すように、本発明の保護回路において、リチウムイオン電池２０等の充電式電池は、コントロール用集積素子１００および保護回路１に接続され、コントロール用集積素子１００はリチウムイオン電池２０が過充電状態にあることを検知すると、保護回路１を制御して、リチウムイオン電池２０を放電する方向（図４（ｂ）の方向）に電流を流す。
【００２１】
実施の形態１における半導体素子８は、Ｎ＋＋型シリコン半導体基板７の第一主面にＮ＋型エピタキシャル半導体層６が形成され、第一主面に対する裏面である第二主面に金属電極からなるドレイン電極２６が配置されている。ＴＭＯＳ領域２７の第一主面側には、それぞれ縦型トレンチＭＯＳＦＥＴ等のＭＯＳＦＥＴ４ａまたはＭＯＳＦＥＴ４ｂの１つが形成されており、第一主面側にソース電極１４が形成される。ここではＭＯＳＦＥＴを例に説明するが、他のトランジスタを用いることもできる。ＴＭＯＳ領域２７に隣接するＳＢＤ領域２８には、チャネル層５が設けられておらず、Ｎ＋型エピタキシャル半導体層６表面にＰ型からなる環状のガードリング１５が形成され、その内側の第一主面表面のＮ＋型エピタキシャル半導体層６とソース電極１４との境界がショットキー接合部１６となるショットキーバリアダイオード（略称ＳＢＤ）３ａまたはショットキーバリアダイオード３ｂが形成される。前記ショットキー接合部１６からなるショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂのアノードは前記ソース電極１４と導電し、カソードはＮ＋＋型シリコン半導体基板７を介してドレイン電極２６と導通して構成される。また、実施の形態１における保護回路１は、２つの半導体素子８で形成され、その等価回路は図３（ａ）の様になる。
【００２２】
図３（ａ）に示す本発明の保護回路部の等価回路図における４ａや４ｂは図２（ｂ）に示す２つのＭＯＳＦＥＴであり、２ａや２ｂは、前記それぞれのＭＯＳＦＥＴ４ａ，ＭＯＳＦＥＴ４ｂに製造過程で作り込まれた寄生ダイオードである。寄生ダイオード２ａ，２ｂはＰ型拡散層からなるチャネル層５とＮ＋型エピタキシャル半導体層６との間に形成されたｐｎ接合からなり、アノード側はＭＯＳＦＥＴのソース端子Ｓ１とＳ２にそれぞれ導電されている。
【００２３】
また、３ａと３ｂは、ＭＯＳＦＥＴ４ａ，ＭＯＳＦＥＴ４ｂに対応して形成されるショットキーバリアダイオードであって、それぞれのショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂのアノード側は、前記寄生ダイオードと同様ＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂのソース端子Ｓ１とＳ２にそれぞれ導電されている。
【００２４】
一方、ＤはＮ＋＋型シリコン半導体基板７の下面側に設けられた前記ＭＯＳＦＥＴ４ａとＭＯＳＦＥＴ４ｂに共通接続されるドレイン電極２６であり、かつ、それぞれのショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂのカソードと共通接続されている。
【００２５】
図３（ｂ）は本発明の保護回路１または１つのＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂをパッケージングした半導体装置を例示する外形図で６端子のＬＧＡタイプである。例えば、Ｘ方向の寸法は２．５７ｍｍ、Ｙ方向の寸法は１．６７ｍｍ、厚みはおよそ０．１ｍｍである。ソース端子Ｓ１とＳ２、ゲート端子Ｇ１とＧ２それぞれの端子間の距離Ｗは０．６５ｍｍ、ソース端子Ｓ１，Ｓ２とゲート端子Ｇ１，Ｇ２の直径Ｖは０．３ｍｍである。なお、厚みＺは前記シリコンと電極の厚みを含むものとする。図３（ｂ）に示す半導体装置の例では、前記第一主面側に前記４個のソース端子Ｓ１，Ｓ２と２個のゲート端子Ｇ１，Ｇ２があり、その反対の第二主面全面にドレイン電極２６と接続されるドレイン端子Ｄが配置されている。なお他の実施例として、本発明の保護装置または半導体装置は保護回路１または１つのＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂをリードフレーム（図示せず）上に搭載し、金属ワイヤ（図示せず）もしくは金属クリップ（図示せず）等により配線したものを樹脂封止して形成される。また、保護回路１のみならずコントロール用集積素子１００をリードフレーム（図示せず）上に混載し、金属ワイヤ（図示せず）もしくは金属クリップ（図示せず）等により配線したものを樹脂封止して形成しても良い。
【００２６】
図４はかかる構成の本発明の保護回路を、例えば、携帯電話機の電池パックの保護回路において使用した時の等価回路図である。
電池パックには、過充電からリチウムイオン電池２０を保護するためにコントロール用集積素子１００やノイズ除去用コンデンサ２１やヒューズ１８が本発明の保護回路１と共に構成されている。リチウムイオン電池２０への充電電流をｏｎ／ｏｆｆするためにＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂが構成された双方向の保護回路１を用い、充電時および放電時に流れる電流を完全に遮断するために２素子のＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂをシリーズ接続して両方のＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂをｏｎ／ｏｆｆ制御するものである。
【００２７】
より詳細には、図４（ａ）の充電時の電流経路を示す図に示す。
図４に示すように、本発明の保護回路１は、２つのＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂのドレイン電極を共通接続することにより、ＭＯＳＦＥＴ４ａのソース電極がリチウムイオン電池２０と接続され、ＭＯＳＦＥＴ４ｂのソース電極がコンデンサ２１側に接続される構成となる。そのため、ＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂに形成されるショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂの順方向電流の向きが互いに逆向きとなる構成である。コントロール用集積素子１００は、ＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂのゲート端子と導電されており、リチウムイオン電池２０を充電する際にＭＯＳＦＥＴ４ａとＭＯＳＦＥＴ４ｂは共にｏｎ状態にされ、充電時の電流はＭＯＳＦＥＴ４ａからＭＯＳＦＥＴ４ｂ側（図４（ａ）では左側から右側）へ流れる様にコントロールされる。
【００２８】
なお、リチウムイオン電池２０の電圧が満充電時の電池電圧以上になった場合、電流を遮断して充電電流の流れを強制的に停止させる。また過充電時にはリチウムイオン電池２０の保護のため、放電電流が、図４（ｂ）の様に充電時の電流経路と反対の向きに流れる。この時、ＭＯＳＦＥＴ４ａはｏｎ動作、ＭＯＳＦＥＴ４ｂはｏｆｆ動作となる様に、コントロール用集積素子１００によりコントロールされている。
【００２９】
従来の保護回路部の回路図（図８）においては、過充電時における電流経路は、ＭＯＳＦＥＴ１０２ｂの寄生ダイオード１０３を通ってｄ２の向きに流れるが、本発明の保護回路１では、寄生ダイオード２ｂではなく順方向電圧が寄生ダイオード２ｂよりも更に低いショットキーバリアダイオード３ｂ側に流れる事に大きな特徴を有するものである。
【００３０】
図５は順方向電流と順方向電圧の関係を示す特性図である。図５に示すように、一定の順方向電流時においては、順方向電圧はショットキーバリアダイオード３ｂの方が寄生ダイオード２ｂであるｐｎ接合ダイオードよりも低い特性である。
つまり、導電体であるソース電極１４と半導体層であるＮ＋型エピタキシャル半導体層６とが接合したショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂの方が、半導体層であるチャネル層５とＮ＋型エピタキシャル半導体層６とがｐｎ接合した寄生ダイオード２ａ、２ｂより順方向電圧が低くなる。
【００３１】
したがって、本発明の保護回路１の様に、順方向特性の低いショットキーバリアダイオード３ｂを寄生ダイオード２ｂに並列に配置する事で、過充電時における電流は、ｐｎ接合からなる寄生ダイオード２ｂではなくショットキーバリアダイオード３ｂ側に流れることになる。その結果、過充電時においては、順方向電圧が従来の回路構成（図８）に比べて本発明の回路構成（図３（ａ））の方が低くなるので、ＭＯＳＦＥＴのジャンクション温度（Ｔｊ）は、本発明の保護回路１（図３（ａ））の方が低く抑えられる。
【００３２】
即ち、ＭＯＳＦＥＴと、ＭＯＳＦＥＴから電気的に分離した状態で設けられるショットキーバリアダイオードとから構成される半導体素子８を備える保護回路１では、過充電時におけるＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂの動作時の発熱温度は、寄生ダイオード２ａ、２ｂを電流が流れる場合に比べてショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂを電流が流れる場合の方が順方向電圧の差分だけ温度上昇が抑制できる。これにより、ＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂの動作時に起因する発熱による品質課題、例えば、ＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂやコントロール用集積素１００の特性劣化が防げられたり、リチウムイオン電池２０への熱的負荷を抑制できたり、放熱板の小型軽量化が図れて各種携帯機器の軽薄短小化に寄与する事ができる。
（実施の形態２）
図６は実施の形態２における一方の半導体素子の構造を示す要部断面図である。
【００３３】
実施の形態１ではＳＢＤ領域２８において、環状のＰ型ガードリング１５でＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂから分離されたショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂであった（図２参照）。これに対して、さらに低い順方向電圧を得るために、ＳＢＤ領域２８に代わりジャンクションバリア領域（ＪＢＳ領域と称す）２９に設けられた環状のガードリング１５の内面表面に、ハニカム（メッシュ）あるいは矩形のパターン形状かつ所定の深さに、複数のピラー状（柱状）からなるＰ型層２２で分離されるショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂであってもよい（図６（ａ））。
【００３４】
あるいは、溝内側に絶縁膜２４を形成し更にその内側に金属２５を設けた複数のトレンチ１０で囲まれたトレンチＳＢＤ領域３０にショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂを形成してもよい（図６（ｂ））。
【００３５】
なお、実施の形態１の半導体素子８においては、ショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂが形成されるＳＢＤ領域２８のガードリング１５とショットキー接合部１６は、半導体素子の中央部、即ち半導体素子の左側に記載されたＭＯＳＦＥＴ４ａはＭＯＳＦＥＴ４ａ領域の右側にＳＢＤ領域２８が記載されており、一方の半導体素子の右側に記載されたＭＯＳＦＥＴ４ｂはＭＯＳＦＥＴ４ｂ領域の左側にＳＢＤ領域２８が記載されているが（図２（ｂ）参照）、ショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂの位置は必ずしもＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂの間に限定されず、ショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂの放熱性に問題がなければ、ＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂが中央部、ＳＢＤ領域２８，ＪＢＳ領域２９，トレンチＳＢＤ領域３０が外周領域にあってもよい。
【００３６】
さらに、実施の形態１では、ＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂのソース電極１４とショットキー接合部１６を形成するショットキー電極とは同一の金属材料として説明したが、必ずしも同一の金属に限定するのではなく異なってもよい。具体的にはショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂの金属材料として、ソース電極１４よりも金属障壁（バリアハイト）が低い金属等の導電性材料をソース電極１４内にショットキー接合部１６に接して設けてもよく、これにより、より低い順方向電圧が得られ更に好適である。
【００３７】
さらに、実施の形態１ではＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂはトレンチ構造を有する構成であるが、必ずしも縦型トレンチＭＯＳＦＥＴでなくてもよく、縦型プレーナＭＯＳトランジスタでもよく、その他の任意のトランジスタでもよい。
【００３８】
さらに、ＭＯＳＦＥＴ４ａ，４ｂとショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂとの距離は、動作時に互いに空乏層で影響を受けない様な距離が空いていれば問わない。
さらに、ＭＯＳＦＥＴ４ａとＭＯＳＦＥＴ４ｂとの距離は、動作時に互いに空乏層で影響を受けない様な距離が空いていれば問わない。
【００３９】
さらに、図３（ｂ）に示す様に、パッケージ形状は６端子のＬＧＡに限らず、他のＢＧＡやＣＳＰの形態でもよい。
さらに、図３（ｂ）は６端子のＬＧＡパッケージ形状であったが、６個に電極数に限定するのではなく、４個以上の偶数個であれば問わない。
【００４０】
さらに、シリコンを使用した半導体材料に限定されず、ＳｉＣやＧａＮ等の他の半導体材料を使用した構成であってもよい。
さらに、リードフレーム上にショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂを備えた本発明の半導体素子８をダイボンドし、ワイヤもしくはクリップボンドされた後に樹脂封止してもよい。
【００４１】
さらに、リードフレーム上にショットキーバリアダイオード３ａ，３ｂを備えた本発明の半導体素子８とコントロール用集積素子１００をダイボンドし、ワイヤもしくはクリップボンドされた後に樹脂封止してもよい（図１参照）。
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明は、過充電時におけるＭＯＳＦＥＴの発熱量を抑制することができ、リチウムイオン電池等の充電式電池の過充電時に、電池を保護する保護回路，保護装置およびこれらに使用する半導体素子，半導体装置等に有用である。
【符号の説明】
【００４３】
１    保護回路
２ａ    寄生ダイオード
２ｂ    寄生ダイオード
３ａ    ショットキーダイオード
３ｂ    ショットキーダイオード
４ａ    ＭＯＳＦＥＴ
４ｂ    ＭＯＳＦＥＴ
５    チャネル層
６    N＋型エピタキシャル半導体層
７    N＋＋型シリコン半導体基板
８    半導体素子
１０    トレンチ
１４    ソース電極
１５    ガードリング
１６    ショットキー接合部
１８    ヒューズ
２０    リチウムイオン電池
２１    ノイズ除去用コンデンサ
２２    Ｐ型拡散層
２４    絶縁膜
２５    金属
２６    ドレイン電極
２７    ＴＭＯＳ領域
２８    ＳＢＤ領域
２９    ＪＢＤ領域
３０    トレンチＳＢＤ領域
１００    コントロール用集積素子
１０１    保護回路
１０２ａ    ＭＯＳＦＥＴ
１０２ｂ    ＭＯＳＦＥＴ
１０３    寄生ダイオード
１０４    リチウムイオン電池
１０５    チャネル層
１０６    N＋型エピタキシャル層
１１４    ソース電極
Ｓ１    ソース端子
Ｓ２    ソース端子
Ｇ１    ゲート端子
Ｇ２    ゲート端子
Ｄ    ドレイン端子
【図１】
2014157888.tif 000003
【図２】
2014157888.tif 000004
【図３】
2014157888.tif 000005
【図４】
2014157888.tif 000006
【図５】
2014157888.tif 000007
【図６】
2014157888.tif 000008
【図７】
2014157888.tif 000009
【図８】
2014157888.tif 000010
【図９】
2014157888.tif 000011