(57)【要約】【課題】小型の駆動回路装置を提供する。【解決手段】駆動回路装置は、第１〜第４回路導体層３１ａ〜３１ｄ、及びこれらの間に介在される第１〜第３絶縁層３２ａ〜３２ｃを有する多層構造の回路基板２１と、回路基板２１の熱を外部に放熱するヒートシンク２２，２３とを備える。上段ＦＥＴ１２Ｈｕは、ベアチップの状態で第１絶縁層３２ａに埋設され、下段ＦＥＴ１２Ｌｕは、ベアチップの状態で第２絶縁層３２ｂに埋設される。また、上段ＦＥＴ１２Ｈｕと下段ＦＥＴ１２Ｌｕとは、積層方向において上段ＦＥＴ１２Ｈｕの位置する範囲と下段ＦＥＴ１２Ｌｕの位置する範囲とが重なるように配置される。そして、上段ＦＥＴ１２Ｈｕと下段ＦＥＴ１２Ｌｕとの間に挟まれた第２回路導体層３１ｂの第２回路パターン３３ｂには、回路基板２１から積層方向と直交する方向に引き出され、ヒートシンク２２，２３に熱伝達可能に接続される引出部４１が形成される。【選択図】図２
2014176225.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
直列に接続された第１及び第２スイッチング素子を有する複数のスイッチングアームを並列に接続してなる駆動回路が構成された回路基板と、前記回路基板の熱を外部に放熱する放熱器とを備え、前記回路基板には、導電性材料からなる回路パターンを含む複数の回路導体層間に絶縁層を介在させて積層した多層構造の基板が用いられた駆動回路装置であって、
前記第１及び第２スイッチング素子は、該第１スイッチング素子と該第２スイッチング素子との間に前記回路導体層を介在させるとともに、積層方向において該第１スイッチング素子の位置する範囲と該第２スイッチング素子の位置する範囲とが重なるように前記回路基板に設けられ、
前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との間に介在された回路導体層の回路パターンには、前記回路基板から積層方向と直交する方向に引き出され、前記放熱器に熱伝達可能に接続される引出部が形成されたことを特徴とする駆動回路装置。
【請求項２】
請求項１に記載の駆動回路装置において、
前記第１及び第２スイッチング素子は、それぞれ前記回路基板に埋設され、
前記放熱器は、前記回路基板を積層方向両側から挟み込むように該回路基板に熱伝達可能に接続されたことを特徴とする駆動回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、駆動回路装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に電動モータへの駆動電力の供給は、ＦＥＴ等のスイッチング素子を直列に接続したスイッチングアームを並列に接続してなる駆動回路（インバータ）を用いて行われる。従来、こうした駆動回路を有する駆動回路装置（モータ制御装置）として、回路パターンが形成された複数の回路導体層の間に絶縁層を介在させて積層した多層構造の回路基板を用いることにより、その小型化等を図ったものが知られている（例えば、特許文献１）。
【０００３】
ところで、駆動回路には、電動モータを駆動するための大きな駆動電流が流れることから、発熱量が大きくなって過熱し易いといった問題がある。そこで、上記特許文献１の駆動回路装置では、回路基板の一方の側面にスイッチング素子を実装するとともに、他方の側面にヒートシンク等の放熱器を熱伝達可能に接続することで、駆動回路（スイッチング素子）で発生した熱を効率的に放熱して該駆動回路の過熱を防いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−２７７７２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
近年、駆動回路装置のより一層の小型化が要求されるようになっている。しかし、上記特許文献１のように回路基板の一方の側面にスイッチング素子を実装する構成では、該回路基板に実装面積を確保する必要性から、その小型化には限界がある。そのため、駆動回路装置をより小型化することのできる新たな技術の開発が求められていた。
【０００６】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであって、その目的は、小型の駆動回路装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決する駆動回路装置は、直列に接続された第１及び第２スイッチング素子を有する複数のスイッチングアームを並列に接続してなる駆動回路が構成された回路基板と、前記回路基板の熱を外部に放熱する放熱器とを備え、前記回路基板には、導電性材料からなる回路パターンを含む複数の回路導体層間に絶縁層を介在させて積層した多層構造の基板が用いられたものであって、前記第１及び第２スイッチング素子は、該第１スイッチング素子と該第２スイッチング素子との間に前記回路導体層を介在させるとともに、積層方向において該第１スイッチング素子の位置する範囲と該第２スイッチング素子の位置する範囲とが重なるように前記回路基板に設けられ、前記第１スイッチング素子と前記第２スイッチング素子との間に介在された回路導体層の回路パターンには、前記回路基板から積層方向と直交する方向に引き出され、前記放熱器に熱伝達可能に接続される引出部が形成されたことを要旨とする。
【０００８】
上記構成によれば、積層方向において第１スイッチング素子の位置する範囲と第２スイッチング素子の位置する範囲とが重なるため、回路基板の一方の側面に第１及び第２スイッチング素子を実装する場合に比べ、回路基板を小型化することができる。
【０００９】
ここで、上記構成では、回路基板に第１スイッチング素子と第２スイッチング素子とによって積層方向両側から挟まれた部位が生じる。そして、当該部位には、第１スイッチング素子で発生した熱と第２スイッチング素子で発生した熱の双方が伝達されるため、熱が籠もり易くなってしまう。この点、上記構成では、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子との間に介在された回路導体層の回路パターンには、回路基板の外部に引き出され、放熱器に熱伝達可能に接続される引出部が形成されている。そのため、第１スイッチング素子と第２スイッチング素子とによって積層方向両側から挟まれた部位の熱を回路パターンの引出部を介して効率的に放熱することができる。これにより、高い放熱性能を実現しつつ、回路基板を小型化することができる。
【００１０】
上記駆動回路装置において、前記第１及び第２スイッチング素子は、それぞれ前記回路基板に埋設され、前記放熱器は、前記回路基板を積層方向両側から挟み込むように該回路基板に熱伝達可能に接続されることが好ましい。
【００１１】
上記構成によれば、放熱器を介して回路基板の積層方向両側に効率的に放熱することができ、より高い放熱性能を実現することができる。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、回路基板を小型化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】駆動回路装置の概略を示すブロック図。
【図２】一実施形態の駆動回路装置の部分断面図。
【図３】別例の駆動回路装置の部分断面図。
【図４】別例の駆動回路装置の部分断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、駆動回路装置の一実施形態を図面に従って説明する。
図１に示す駆動回路装置１は、操舵系にアシスト力を付与する電動パワーステアリング装置の駆動源として用いられる電動モータ２に駆動電力を供給するものである。同図に示すように、駆動回路装置１は、電動モータ２に駆動電力を供給する駆動回路３と、駆動回路３の作動を制御する制御回路（マイコン）４とを備えている。つまり、本実施形態の駆動回路装置１は、モータ制御装置（ＥＣＵ）として構成されている。なお、本実施形態の電動モータ２には、三相（Ｕ相，Ｖ相，Ｗ相）のブラシレスモータが採用されている。
【００１５】
駆動回路３は、車載電源（バッテリ）１１に接続される第１スイッチング素子としての上段ＦＥＴ（電界効果型トランジスタ）１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗと、グランドに接続される第２スイッチング素子としての下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗとを有している。そして、駆動回路３は、上段ＦＥＴ１２Ｈｕと下段ＦＥＴ１２Ｌｕとを直列に接続したスイッチングアーム１３ｕ、上段ＦＥＴ１２Ｈｖと下段ＦＥＴ１２Ｌｖとを直列に接続したスイッチングアーム１３ｖ、及び上段ＦＥＴ１２Ｈｗと下段ＦＥＴ１２Ｌｗとを直列に接続したスイッチングアーム１３ｗを並列に接続することにより形成されている。つまり、駆動回路３は、電動モータ２の各相のモータコイル２ｕ，２ｖ，２ｗに対応する３つのスイッチングアーム１３ｕ，１３ｖ，１３ｗを並列に接続してなる周知のＰＷＭインバータとして構成されている。
【００１６】
詳しくは、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗのドレイン電極ｄｅは、電源（ドレイン）配線１５ｕ，１５ｖ，１５ｗを介して車載電源１１にそれぞれ接続されている。下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗのソース電極ｓｅは、接地（ソース）配線１６ｕ，１６ｖ，１６ｗを介してグランドにそれぞれ接続されている。また、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗのソース電極ｓｅと、下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗのドレイン電極ｄｅとは、直列配線１７ｕ，１７ｖ，１７ｗを介して互いに接続されている。そして、直列配線１７ｕ，１７ｖ，１７ｗは、動力線１８ｕ，１８ｖ，１８ｗを介してそれぞれ各相のモータコイル２ｕ，２ｖ，２ｗに接続されている。なお、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗには、ソース電極ｓｅ側からドレイン電極ｄｅ側への通電を許容する寄生ダイオードＤが存在している。
【００１７】
制御回路４は、信号（ゲート）配線１９ｕ，１９ｖ，１９ｗを介して上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗのゲート電極ｇｅにそれぞれ接続されている。そして、各ゲート電極ｇｅにモータ制御信号を出力することにより、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗのオンオフを制御する。すなわち、モータ制御信号は、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗのスイッチング状態を規定するゲートオンオフ信号となっている。なお、本実施形態の制御回路４には、操舵トルク、車速及び電動モータ２の回転角が入力されるようになっており、制御回路４は、これら各状態量に基づいたモータ制御信号を出力することにより電動モータ２の作動を制御する。
【００１８】
このように構成された駆動回路装置１では、モータ制御信号に応答して上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗがオンオフし、各相のモータコイル２ｕ，２ｖ，２ｗへの通電パターンが切り替わることにより、車載電源１１の電源電圧が三相の駆動電力に変換され、電動モータ２へと出力される。
【００１９】
次に、駆動回路３が形成された回路基板２１の構成について説明する。なお、駆動回路装置１におけるスイッチングアーム１３ｕ，１３ｖ，１３ｗ周辺の断面構造は共通しているため、説明の便宜上、Ｕ相のスイッチングアーム１３ｕの構成について説明し、Ｖ相及びＷ相のスイッチングアーム１３ｖ，１３ｗの説明を省略する。
【００２０】
図２に示すように、回路基板２１には、複数の回路導体層間に絶縁層を介在させて積層した多層構造の基板が用いられている。そして、回路基板２１は、積層方向（図２中、上下方向）両側の側面に放熱器としてのヒートシンク２２，２３が熱伝達可能に接続された状態で、駆動回路装置１のケース２４内に収容されている。
【００２１】
詳述すると、ケース２４は、四角箱状に形成されている。また、ヒートシンク２２，２３は、平板状に形成されており、ケース２４の内面に固定されている。なお、ケース２４及びヒートシンク２２，２３は、それぞれアルミニウム合金等の熱伝導率の高い材料により構成されている。
【００２２】
回路基板２１は、第１〜第４回路導体層３１ａ〜３１ｄと、これらの間に介在される第１〜第３絶縁層３２ａ〜３２ｃとを有している。本実施形態では、ヒートシンク２２側（図２中、下側）から順に、第１回路導体層３１ａ、第１絶縁層３２ａ、第２回路導体層３１ｂ、第２絶縁層３２ｂ、第３回路導体層３１ｃ、第３絶縁層３２ｃ及び第４回路導体層３１ｄが積層されている。また、第１回路導体層３１ａとヒートシンク２２との間、及び第４回路導体層３１ｄとヒートシンク２３との間には、シート状の絶縁材２５が介在されている。なお、本実施形態の絶縁材２５は、セラミック等の熱伝導率の高い絶縁性材料により構成されている。
【００２３】
第１〜第４回路導体層３１ａ〜３１ｄは、銅箔等の導電性材料からなる導体箔の一部を除去することにより形成される所定形状の第１〜第４回路パターン３３ａ〜３３ｄをそれぞれ有しており、第１〜第４回路パターン３３ａ〜３３ｄを構成する配線間の隙間は絶縁性樹脂材料により埋められている。第１回路パターン３３ａには、上記電源配線１５ｕが含まれ、第２回路パターン３３ｂには、直列配線１７ｕ及び信号配線１９ｕが含まれ、第３回路パターン３３ｃには、接地配線１６ｕ及び信号配線１９ｕが含まれている。
【００２４】
第１〜第３絶縁層３２ａ〜３２ｃは、絶縁性樹脂材料からなり、第１〜第４回路パターン３３ａ〜３３ｄ間の絶縁を保っている。また、回路基板２１には、所定の回路導体層及び絶縁層を貫通して積層方向に延びるビアホール（層間接続孔）３４が形成されている。そして、ビアホール３４の内周には、銅等の導体材料からなる層間接続部材３５が挿入されており、この層間接続部材３５を介して異なる層の回路パターン同士が互いに電気的に接続されている。
【００２５】
上段ＦＥＴ１２Ｈｕは、ベアチップの状態で第１絶縁層３２ａに埋設され、下段ＦＥＴ１２Ｌｕは、ベアチップの状態で第２絶縁層３２ｂに埋設されている。つまり、上段ＦＥＴ１２Ｈｕと下段ＦＥＴ１２Ｌｕとの間には、第２回路導体層３１ｂが介在されている。また、これら上段ＦＥＴ１２Ｈｕと下段ＦＥＴ１２Ｌｕとは、積層方向において上段ＦＥＴ１２Ｈｕの位置する範囲と下段ＦＥＴ１２Ｌｕの位置する範囲とが重なるように配置されている。
【００２６】
そして、上段ＦＥＴ１２Ｈｕのドレイン電極ｄｅは、第１回路パターン３３ａの電源配線１５ｕに電気的に接続され、ソース電極ｓｅは、第２回路パターン３３ｂの直列配線１７ｕに電気的に接続され、ゲート電極ｇｅは、第２回路パターン３３ｂの信号配線１９ｕに電気的に接続されている。また、下段ＦＥＴ１２Ｌｕのドレイン電極ｄｅは、第２回路パターン３３ｂの直列配線１７ｕに電気的に接続され、ソース電極ｓｅは、第３回路パターン３３ｃの接地配線１６ｕに電気的に接続され、ゲート電極ｇｅは、第３回路パターン３３ｃの信号配線１９ｕに電気的に接続されている。これにより、上段ＦＥＴ１２Ｈｕと下段ＦＥＴ１２Ｌｕとを直列に接続したスイッチングアーム１３ｕが形成されている。
【００２７】
ここで、本実施形態では、上記のように第２回路導体層３１ｂが上段ＦＥＴ１２Ｈｕと下段ＦＥＴ１２Ｌｕとによって積層方向両側から挟まれる。したがって、第２回路導体層３１ｂの上段ＦＥＴ１２Ｈｕと下段ＦＥＴ１２Ｌｕと挟まれた部位には、上段ＦＥＴ１２Ｈｕで発生した熱と下段ＦＥＴ１２Ｌｕで発生した熱の双方が伝達されるため、熱が籠もり易くなってしまう。
【００２８】
この点を踏まえ、第２回路パターン３３ｂには、直列配線１７ｕに連続するとともに、積層方向と直交する直交方向（図２中、左右方向）に延びて回路基板２１の外部に引き出された引出部４１が形成されている。また、ヒートシンク２２，２３には、回路基板２１の縁部よりも直交方向に突出した部位から積層方向に沿って引出部４１側に延びた延出部２２ａ，２３ａがそれぞれ形成されている。そして、引出部４１は、シート状の絶縁材４２を介して延出部２２ａ，２３ａの双方に熱伝達可能に接続されている。
【００２９】
なお、回路基板２１の製造は、先ず第１〜第３絶縁層３２ａ〜３２ｃのいずれかとなる絶縁層の両側に設けられた導体箔の一部をエッチング等により除去することで、第１〜第４回路パターンのいずれかを形成する。続いて、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗを回路パターンに適宜接続するとともに、この回路パターンとの間に絶縁層となる絶縁性樹脂材料を挟み込んで新たな導体箔を積層し、この導体箔に回路パターンを形成する工程を繰り返す。そして、ビアホール３４を形成し、ビアホール３４の内周に層間接続部材３５を設けることにより、回路基板２１が製造されるようになっている。
【００３０】
次に、本実施形態の作用について説明する。
電動モータ２への駆動電力の供給により、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗはそれぞれ発熱する。このとき、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗで発生した熱は、第１回路導体層３１ａを介してヒートシンク２２へと伝達されることにより放熱されるとともに、第２回路導体層３１ｂの引出部４１を介してヒートシンク２２，２３の延出部２２ａ，２３ａへと伝達されることにより放熱される。一方、下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗで発生した熱は、第３回路導体層３１ｃ、第３絶縁層３２ｃ、層間接続部材３５及び第４回路導体層３１ｄを介してヒートシンク２３へと伝達されることにより放熱されるとともに、第２回路導体層３１ｂの引出部４１を介してヒートシンク２２，２３の延出部２２ａ，２３ａへと伝達されることにより放熱される。これにより、回路基板２１全体の熱が効率的に放熱される。
【００３１】
次に、本実施形態の効果について記載する。
（１）上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗの位置する範囲と、下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗの位置する範囲とが積層方向において重なるようにしたため、回路基板２１の面積を小さくすることができる。また、第２回路パターン３３ｂに引出部４１を形成し、引出部４１をヒートシンク２２，２３の延出部２２ａ，２３ａに熱伝達可能に接続したため、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗと下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗとによって積層方向両側から挟まれた部位の熱を引出部４１を介して効率的に放熱することができる。これにより、高い放熱性能を実現しつつ、回路基板２１を小型化することができる。
【００３２】
（２）上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗをベアチップの状態で回路基板２１に埋設し、ヒートシンク２２，２３を積層方向両側から回路基板２１に対して該回路基板２１を積層方向両側から挟み込むように熱伝達可能に接続した。そのため、ヒートシンク２２，２３を介して回路基板２１の積層方向両側に効率的に放熱することができ、より高い放熱性能を実現することができるとともに、回路基板２１をより小型化できる。
【００３３】
なお、上記実施形態は、これを適宜変更した以下の態様にて実施することもできる。
・上記実施形態では、ヒートシンク２２，２３を平板状に形成したが、これに限らず、例えばヒートシンク２２，２３の回路基板２１と反対側の側面にフィン等を形成してもよい。また、ヒートシンク２２，２３の内部に水や空気等の冷媒が通過する流路を形成してもよい。さらに、ヒートシンク２２，２３を別途設けず、回路基板２１をケース２４の内面に固定することで、該ケース２４を放熱器として機能させてもよい。
【００３４】
・上記実施形態では、引出部４１を延出部２２ａ，２３ａの双方に熱伝達可能に接続したが、これに限らず、延出部２２ａ，２３ａのいずれか一方にのみ熱伝達可能に接続してもよい。
【００３５】
・上記実施形態において、回路導体層及び絶縁層の数や各層同士の接続等は適宜変更可能である。具体的には、第１回路導体層３１ａとヒートシンク２２との間に絶縁層及び層間接続部材３５（ビアホール３４）を介して接続される回路導体層を追加したり、下段ＦＥＴ１２Ｌｕが接続された第３回路導体層３１ｃを絶縁材２５を介してヒートシンク２３に熱伝達可能に接続したりしてもよい。また、上段ＦＥＴ１２Ｈｕと下段ＦＥＴ１２Ｌｕとの間に複数層の回路導体層を介在させてもよい。
【００３６】
・上記実施形態では、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗを回路基板２１に埋設したが、これに限らず、上段ＦＥＴ１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ及び下段ＦＥＴ１２Ｌｕ，１２Ｌｖ，１２Ｌｗを露出する態様で設けてもよい。図３に示す例では、下段ＦＥＴ１２Ｌｕが回路基板２１の側面に露出する態様で設けられ、下段ＦＥＴ１２Ｌｕのソース電極ｓｅには接地配線１６ｕとなるバスバー５１が電気的に接続されるとともに、ゲート電極ｇｅには信号配線１９ｕとなるバスバー５２が電気的に接続されている。なお、この場合には、同図に示すように、バスバー５１，５２に対して、絶縁体５３を介してヒートシンク２３を熱伝達可能に接続することが好ましい。
【００３７】
・上記実施形態では、ＦＥＴを用いて駆動回路３を形成したが、これに限らず、例えばＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラ型トランジスタ）等の他のスイッチング素子を用いて駆動回路３を形成してもよい。なお、ＩＧＢＴを用いる構成では、ダイオードを組み合わせて用いることになる。具体的には、図４に示すように、第１回路パターン３３ａの電源配線１５ｕには、上段ＩＧＢＴ５５Ｈｕのコレクタ電極ｃｏｅ及び上段ダイオード５６Ｈｕのカソード電極ｃａｅが電気的に接続される。第２回路パターン３３ｂの直列配線１７ｕには、上段ＩＧＢＴ５５Ｈｕのエミッタ電極ｅｅ、上段ダイオード５６Ｈｕのアノード電極ａｅ、下段ＩＧＢＴ５５Ｌｕのコレクタ電極ｃｏｅ及び下段ダイオード５６Ｌｕのカソード電極ｃａｅが電気的に接続される。第３回路パターン３３ｃの接地配線１６ｕには、下段ＩＧＢＴ５５Ｌｕのエミッタ電極ｅｅ及び下段ダイオード５６Ｌｕのアノード電極ａｅが電気的に接続される。第２回路パターン３３ｂの信号配線１９ｕには、上段ＩＧＢＴ５５Ｈｕのゲート電極ｇｅが接続され、第３回路パターン３３ｃの信号配線１９ｕには、下段ＩＧＢＴ５５Ｌｕのゲート電極ｇｅが接続される。
【００３８】
・上記実施形態において、スイッチング素子としてベアチップを封止材等により封止した（パッケージ化した）ＦＥＴ等を用いてもよい。
・上記実施形態では、駆動回路装置１が制御回路を備える構成としたが、これに限らず、制御回路を備える制御回路装置を別途設け、駆動回路装置１が制御回路を備えない構成としてもよい。
【００３９】
・上記実施形態では、電動モータ２としてブラシレスモータを用いたが、これに限らず、例えばブラシ付き直流モータを用いてもよい。なお、この場合には、駆動回路３を２つのスイッチングアームを並列に接続してなるＨブリッジ回路として構成することになる。
【００４０】
・上記実施形態では、駆動回路装置１を用いてアシスト力を付与するための電動モータ２に駆動電力を供給したが、これに限らず、例えば電動ポンプ装置等、他の装置の駆動源として用いられる電動モータに駆動電力を供給してもよい。
【００４１】
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について、それらの効果とともに以下に追記する。
（イ）前記スイッチング素子は、ベアチップの状態で前記回路基板に埋設されたことを特徴とする駆動回路装置。上記構成によれば、回路基板をより小型化することができる。
【符号の説明】
【００４２】
１…駆動回路装置、３…駆動回路、１２Ｈｕ，１２Ｈｖ，１２Ｈｗ…上段ＦＥＴ、１２Ｌｕ，１２Ｌｖ、１２Ｌｗ…下段ＦＥＴ、１３ｕ，１３ｖ，１３ｗ…スイッチングアーム、１５ｕ，１５ｖ，１５ｗ…電源配線、１６ｕ，１６ｖ，１６ｗ…接地配線、１７ｕ，１７ｖ，１７ｗ…直列配線、１８ｕ，１８ｖ，１８ｗ…動力線、１９ｕ，１９ｖ，１９ｗ…信号配線、２１…回路基板、２２，２３…ヒートシンク、２２ａ，２３ａ…延出部、３１ａ〜３１ｄ…第１〜第４回路導体層、３２ａ〜３２ｃ…第１〜第３絶縁層、３３ａ〜３３ｄ…第１〜第４回路パターン、４１…引出部、５５Ｈｕ…上段ＩＧＢＴ、５５Ｌｕ…下段ＩＧＢＴ、５６Ｈｕ…上段ダイオード、５６Ｌｕ…下段ダイオード。
【図１】
2014176225.tif 000003
【図２】
2014176225.tif 000004
【図３】
2014176225.tif 000005
【図４】
2014176225.tif 000006