(57)【要約】【課題】活物質層の表面にセラミック層を形成可能であり、且つ、セラミック層形成に起因する大型化を抑制できる電極製造装置を提供すること。【解決手段】電極製造装置１０は、帯状の金属箔Ｍを搬送する搬送ローラ２１と、金属箔Ｍに対して、活物質及び溶媒を含むスラリーＳを塗布して活物質層Ｌａを形成するダイ３０と、スラリーＳが塗布される塗布箇所Ｐに対して搬送ローラ２１の回転方向ＲＤの下流側に配置され、活物質層Ｌａの表面にセラミック層Ｌｂを形成するセラミック形成部５０とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
回転することにより、帯状の金属箔を搬送する搬送ローラと、
前記搬送ローラの外周面に沿って搬送される前記金属箔に対して、活物質及び溶媒を含むスラリーを塗布して活物質層を形成する塗布部と、
を備えた電極製造装置において、
前記スラリーが塗布される塗布箇所に対して前記搬送ローラの回転方向の下流側に配置され、前記搬送ローラの外周面に沿って搬送される前記金属箔上の前記活物質層の表面にセラミック層を形成するセラミック形成部を備えていることを特徴とする電極製造装置。
【請求項２】
前記搬送ローラの回転方向において前記塗布部と前記セラミック形成部との間に配置され、前記活物質層を乾燥させる乾燥部を備え、
前記乾燥部は、前記塗布部にて塗布される前記スラリーの溶媒含有量を１００％とした場合、前記活物質層の溶媒含有量を２０％以上５０％以下に乾燥させるものであり、
前記セラミック形成部は、前記乾燥部により乾燥された前記活物質層の表面に対して、セラミック粒子を含む流体を吹き付けることにより、前記セラミック層を形成する請求項１に記載の電極製造装置。
【請求項３】
前記塗布部は、前記スラリーを吐出するダイである請求項１又は請求項２に記載の電極製造装置。
【請求項４】
前記セラミック形成部は、セラミック粒子を含む流体が噴射される噴射口を有するノズルを備え、
前記セラミック形成部は、前記ノズルを前記搬送ローラの軸線方向に往復移動させながら、前記噴射口から前記流体を噴射することにより、前記活物質層の表面に前記流体を吹き付ける請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の電極製造装置。
【請求項５】
前記セラミック形成部は、前記搬送ローラの軸線方向に延びたノズルを備え、
前記ノズルは、セラミック粒子を含む流体が噴射されるものであって、前記搬送ローラの軸線方向に並んでいる複数の噴射口を有し、
前記複数の噴射口から噴射される前記流体の噴射範囲における前記搬送ローラの軸線方向の長さは、前記搬送ローラの軸線方向における前記活物質層の長さ以上である請求項１〜３のうちいずれか一項に記載の電極製造装置。
【請求項６】
前記ノズルは、基端側から先端側に向けて徐々に先細りとなっている先細り部を有し、
前記噴射口は、前記先細り部又は前記先細り部よりも先端側に配置されている請求項４又は請求項５に記載の電極製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電極製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
蓄電装置には、金属箔及び活物質層を有する電極が用いられる。この電極を製造する電極製造装置としては、例えば回転することにより、帯状の金属箔を搬送する搬送ローラと、金属箔に対して、活物質及び溶媒を含むスラリーを塗布して活物質層を形成する塗布部とを備えているものが知られている（例えば特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１８７４６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ここで、蓄電装置における内部短絡を抑制するために、活物質層の表面にセラミック層を形成する場合がある。この場合、活物質層が形成された金属箔を回収し、さらに別途専用の装置でセラミック層を形成しようとすると、電極製造装置が全体として大型化する。
【０００５】
本発明は、上述した事情を鑑みてなされたものであり、活物質層の表面にセラミック層を形成可能であり、且つ、セラミック層形成に起因する大型化を抑制できる電極製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成する電極製造装置は、回転することにより、帯状の金属箔を搬送する搬送ローラと、前記搬送ローラの外周面に沿って搬送される前記金属箔に対して、活物質及び溶媒を含むスラリーを塗布して活物質層を形成する塗布部と、前記スラリーが塗布される塗布箇所に対して前記搬送ローラの回転方向の下流側に配置され、前記搬送ローラの外周面に沿って搬送される前記金属箔上の前記活物質層の表面にセラミック層を形成するセラミック形成部と、を備えていることを特徴とする。
【０００７】
かかる構成によれば、同一搬送ローラ上で、スラリーの塗布と、セラミック層の形成とが行われる。これにより、セラミック層の形成を別の場所で行う構成と比較して、装置の小型化を図ることができる。なお、活物質層には、未乾燥のものや乾燥後のものが含まれる。
【０００８】
上記電極製造装置について、前記搬送ローラの回転方向において前記塗布部と前記セラミック形成部との間に配置され、前記活物質層を乾燥させる乾燥部を備え、前記乾燥部は、前記塗布部にて塗布される前記スラリーの溶媒含有量を１００％とした場合、前記活物質層の溶媒含有量を２０％以上５０％以下に乾燥させるものであり、前記セラミック形成部は、前記乾燥部により乾燥された前記活物質層の表面に対して、セラミック粒子を含む流体を吹き付けることにより、前記セラミック層を形成するとよい。かかる構成によれば、活物質層の溶媒含有量が、スラリーの溶媒含有量の２０％以上５０％以下である比較的流動性が低下した状態にて、セラミック粒子を含む流体を吹き付けることによりセラミック層が形成される。これにより、外周面に沿って湾曲することに起因して安定性が低下している金属箔上の活物質層の表面に、好適にセラミック層を形成することができる。
【０００９】
上記電極製造装置について、前記塗布部は、前記スラリーを吐出するダイであるとよい。かかる構成によれば、塗布部として、比較的小型になり易いダイを採用することにより、搬送ローラの回転方向に占める塗布部のスペースを低減することができる。これにより、セラミック形成部を配置するためのスペースを好適に確保することができる。
【００１０】
上記電極製造装置について、前記セラミック形成部は、セラミック粒子を含む流体が噴射される噴射口を有するノズルを備え、前記セラミック形成部は、前記ノズルを前記搬送ローラの軸線方向に往復移動させながら、前記噴射口から前記流体を噴射することにより、前記活物質層の表面に前記流体を吹き付けるとよい。かかる構成によれば、ノズルを往復移動させながら噴射口から流体を噴射することにより、搬送ローラの軸線方向における流体の噴射範囲の長さが活物質層の長さよりも短い場合であっても、活物質層の表面全体にセラミック層を形成することができる。
【００１１】
また、噴射口から流体を噴射する特性上、搬送ローラの軸線方向に噴射ムラが生じる。これに対して、ノズルを往復移動させることにより、上記噴射ムラに起因するセラミック層のばらつきを軽減することができる。
【００１２】
上記電極製造装置について、前記セラミック形成部は、前記搬送ローラの軸線方向に延びたノズルを備え、前記ノズルは、セラミック粒子を含む流体が噴射されるものであって、前記搬送ローラの軸線方向に並んでいる複数の噴射口を有し、前記複数の噴射口から噴射される前記流体の噴射範囲における前記搬送ローラの軸線方向の長さは、前記搬送ローラの軸線方向における前記活物質層の長さ以上であるとよい。かかる構成によれば、ノズルを、搬送ローラの軸線方向に移動させることなく、活物質層の表面全体にセラミック層を形成することができる。
【００１３】
上記電極製造装置について、前記ノズルは、基端側から先端側に向けて徐々に先細りとなっている先細り部を有し、前記噴射口は、前記先細り部又は前記先細り部よりも先端側に配置されているとよい。かかる構成によれば、流体が先細り部を通過することにより当該流体の圧力が向上する。これにより、噴射口から噴射される流体の圧力を高めることができる。よって、流体を噴射口から好適に噴射させることができる。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、活物質層の表面にセラミック層を形成可能であり、且つ、セラミック層形成に起因する大型化を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】電極製造装置の全体構成を示す模式図。
【図２】ノズルを拡大して示す平面図。
【図３】３−３線断面図。
【図４】活物質層を模式的に示す断面図。
【図５】別例のノズルを拡大して示す平面図。
【図６】６−６線断面図。
【図７】別例のノズルを拡大して示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、電極製造装置の一実施形態について説明する。なお、電極製造装置により製造された電極はセパレータを介して積層又は捲回されて電極組立体となる。当該電極組立体は蓄電装置としての二次電池に用いられる。また、電極としては、正極金属箔及び正極活物質層を有する正極と、負極金属箔及び負極活物質層を有する負極とがある。両者は、材料や大きさ等が異なる点を除いて、基本的には同一であるため、以下の説明においては特に区別することなく説明する。
【００１７】
図１に示すように、電極製造装置１０は、捲回された帯状の金属箔Ｍを取り付け可能な供給ローラ１１と、その金属箔Ｍを巻取可能な巻取ローラ１２とを備えている。各ローラ１１，１２は回転可能に構成されている。電極製造装置１０は、捲回された金属箔Ｍを供給ローラ１１に取り付け、その金属箔Ｍの長尺方向の一端部を巻取ローラ１２に取り付けた状態で、各ローラ１１，１２を回転させることにより、金属箔Ｍを搬送する。
【００１８】
図１に示すように、電極製造装置１０は、金属箔Ｍの搬送経路の途中位置に配置された回転可能な搬送ローラ２１を備えている。搬送ローラ２１は円柱状であり、軸Ｃを有している。金属箔Ｍは、搬送ローラ２１の外周面２１ａに巻きつけられている。電極製造装置１０は、軸Ｃを回転中心として搬送ローラ２１を回転させることにより、金属箔Ｍを搬送ローラ２１の外周面２１ａに沿って搬送する。
【００１９】
なお、図１に示すように、電極製造装置１０は、金属箔Ｍの搬送を補助する補助ローラ２２を備えている。補助ローラ２２は、搬送ローラ２１に対して巻取ローラ１２側に若干離間した位置に配置されている。電極製造装置１０は、搬送ローラ２１と補助ローラ２２との間、及び、補助ローラ２２の下側を通過するよう金属箔Ｍを搬送する。この場合、補助ローラ２２は、搬送ローラ２１の外周面２１ａに沿って搬送される金属箔Ｍの搬送距離が長くなるように、金属箔Ｍの搬送経路を規定している。外周面２１ａに沿う金属箔Ｍの搬送距離は、搬送ローラ２１上にて各種処理を行う機器が配置可能となるよう設定されている。
【００２０】
電極製造装置１０は、搬送ローラ２１の外周面２１ａに沿って搬送される金属箔Ｍに対して、バインダ、活物質及び溶媒を含むスラリーＳを塗布して活物質層Ｌａを形成する塗布部としてのダイ３０を備えている。ダイ３０は、スラリーＳが貯留されるマニホールド３１と、マニホールド３１と繋がっており、マニホールド３１に貯留されるスラリーＳが吐出される吐出口３２とを備えている。吐出口３２は、搬送ローラ２１の外周面２１ａに沿って搬送される金属箔Ｍに対して離間した状態で対向配置されている。ダイ３０は、吐出口３２からスラリーＳを吐出することにより、金属箔ＭにスラリーＳを連続的又は間欠的に塗布する。搬送ローラ２１において金属箔ＭにスラリーＳが塗布される箇所を塗布箇所Ｐとする。なお、ダイ３０は、マニホールド３１と連通した供給口３３を有しており、当該供給口３３からスラリーＳが供給されるようになっている。
【００２１】
図１に示すように、電極製造装置１０は、塗布箇所Ｐに対して搬送ローラ２１の回転方向ＲＤの下流側に配置されるものとして、活物質層Ｌａを乾燥させる乾燥部としての第１乾燥炉４１と、活物質層Ｌａの表面にセラミック層Ｌｂを形成するセラミック形成部５０とを備えている。
【００２２】
第１乾燥炉４１は、搬送ローラ２１の回転方向ＲＤにおいて、ダイ３０とセラミック形成部５０との間に配置されている。第１乾燥炉４１は、搬送ローラ２１の外周面２１ａに沿って湾曲した開口部４１ａを有する箱形状である。第１乾燥炉４１は、開口部４１ａと、搬送ローラ２１の外周面２１ａに沿って搬送される金属箔Ｍとが対向する位置に配置されている。電極製造装置１０は、第１乾燥炉４１の内部に、空気や窒素ガス等といった高温の熱媒体を供給することにより、活物質層Ｌａを加熱し、活物質層Ｌａ内の溶媒を蒸発させる。
【００２３】
ここで、第１乾燥炉４１は、ダイ３０にて塗布されるスラリーＳの溶媒含有量を１００％とした場合、活物質層Ｌａの溶媒含有量を例えば２０％以上５０％以下、好ましくは２０％以上４０％以下にする。以下、ダイ３０にて塗布されるスラリーＳの溶媒含有量を１００％とした場合の活物質層Ｌａの溶媒含有量を「溶媒残量」という。また、上記のように溶媒残量が２０％以上５０％以下の状態を「半乾燥状態」という。
【００２４】
ちなみに、第１乾燥炉４１内の気体が吐出口３２に侵入しないよう、第１乾燥炉４１は、ダイ３０の吐出口３２に対して搬送ローラ２１の回転方向ＲＤの下流側に離間して配置されている。そして、第１乾燥炉４１における開口部４１ａを区画する周縁部は、活物質層Ｌａと接触しない範囲内で近づけて配置されている。
【００２５】
セラミック形成部５０は所謂ショットブラスト式であり、搬送ローラ２１の外周面２１ａに沿って湾曲した開口部５１ａを有するボックス５１と、ボックス５１内に設けられたノズル５２を備えている。電極製造装置１０は、ノズル５２内に、セラミック粒子Ｆａを含む流体Ｆを供給する供給機器５３を備えている。セラミック形成部５０は、搬送ローラ２１の外周面２１ａに沿って搬送される金属箔Ｍ上の活物質層Ｌａに対してノズル５２から流体Ｆを吹き付けることにより、セラミック層Ｌｂを形成する。
【００２６】
なお、流体Ｆは、例えばセラミック粒子Ｆａと圧縮空気との混合物である。圧縮空気は、セラミック粒子Ｆａを搬送するための搬送流体である。また、セラミック粒子Ｆａとは、例えばアルミナ、窒化ケイ素、酸化ジルコニウム、窒化アルミニウム等である。
【００２７】
図１に示すように、電極製造装置１０は、セラミック層Ｌｂが形成された半乾燥状態の活物質層Ｌａを更に乾燥させる第２乾燥炉６１を備えている。第２乾燥炉６１は、補助ローラ２２よりも金属箔Ｍの搬送方向の下流側である巻取ローラ１２側にある。第２乾燥炉６１は、活物質層Ｌａの溶媒残量を、２０％未満、好ましくは１０％未満にする。
【００２８】
更に、電極製造装置１０は、第２乾燥炉６１にて乾燥された活物質層Ｌａをプレスする一対のプレスローラ６２，６３を備えている。一対のプレスローラ６２，６３は、第２乾燥炉６１よりも金属箔Ｍの搬送方向の下流側である巻取ローラ１２側に配置されており、活物質層Ｌａを上下方向からプレスする。
【００２９】
図２及び図３に示すように、セラミック形成部５０のノズル５２は、全体として搬送ローラ２１の軸線方向Ｙに延びた長尺形状である。搬送ローラ２１の軸線方向Ｙは、金属箔Ｍの幅方向であり、金属箔Ｍの搬送方向及び金属箔Ｍの厚さ方向の双方に直交する方向である。
【００３０】
ノズル５２は、供給機器５３側の基端側から搬送ローラ２１の軸線方向Ｙに延出された先端側に向けて徐々に先細りとなった先細り部７１を備えている。本実施形態では、ノズル５２の一部が先細り部７１となっており、その先細り部７１よりも先端側には円筒状の部分がある。そして、ノズル５２において先細り部７１よりも先端側の円筒状の部分には、流体Ｆが噴射される噴射口７２が存在する。噴射口７２は、搬送ローラ２１の軸線方向Ｙに複数、詳細には３つ並設されている。図３に示すように、噴射口７２はノズル５２の内外を貫通している。噴射口７２は、ノズル５２内の流体Ｆが放射状に噴射されるよう、内側から外側に向けて徐々に拡径している。ノズル５２の基端側から流入した流体Ｆは、先細り部７１を介して先端側に流れ、噴射口７２から噴射される。
【００３１】
ちなみに、本実施形態では、図２及び図３に示すように、各噴射口７２から流体Ｆが噴射されることによって生じる流体Ｆの噴射範囲Ｆ１の幅Ｙ１は、活物質層Ｌａの幅Ｙ２よりも短い。噴射範囲Ｆ１の幅Ｙ１は、搬送ローラ２１の軸線方向Ｙにおける噴射範囲Ｆ１の長さであり、活物質層Ｌａの幅Ｙ２は搬送ローラ２１の軸線方向Ｙにおける活物質層Ｌａの長さである。
【００３２】
ここで、ノズル５２の噴射口７２と、活物質層Ｌａの表面との離間距離は、例えば５０ｍｍ以上１５０ｍｍ以下である。また、流体Ｆに含まれるセラミック粒子Ｆａの平均粒子径は、例えば５０ｎｍ以上１０μｍ以下、好ましくは４００ｎｍ以上１μｍ以下である。さらに、噴射口７２から噴射される流体Ｆの圧力は、０．１ＭＰａ以上０．６ＭＰａ以下である。なお、平均粒子径とは、レーザー回折・散乱法によって求めた粒度分布における体積積算値５０％（Ｄ５０）での粒子径である。
【００３３】
セラミック形成部５０によるセラミック層Ｌｂの形成は、常温（５℃以上３５℃以下）で行う。常温は、活物質層Ｌａに含まれる活物質の融点やバインダの熱分解温度（又は融点）よりも低温である。
【００３４】
ノズル５２は、搬送ローラ２１の軸線方向Ｙに移動可能となっている。図２及び図３の２点鎖線に示すように、セラミック形成部５０は、ノズル５２を搬送ローラ２１の軸線方向Ｙに往復移動させながら噴射口７２から流体Ｆを噴射する。この場合、搬送ローラ２１の軸線方向Ｙにおけるノズル５２の移動距離は、流体Ｆが活物質層Ｌａの軸線方向Ｙの一端Ｌａ１から他端Ｌａ２までに亘って噴射されるよう設定されている。
【００３５】
なお、図２及び図３に示すように、活物質層Ｌａの幅Ｙ２は、金属箔Ｍの幅Ｙ３よりも短く設定されており、搬送ローラ２１の軸線方向Ｙにおける活物質層Ｌａの両側には、活物質層Ｌａがなく金属箔Ｍが露出した未塗工部Ｍａがある。この場合、ノズル５２の位置及びノズル５２の移動距離は、未塗工部Ｍａに流体Ｆが噴射されないよう設定されている。但し、これに限られず、未塗工部Ｍａの一部に流体Ｆが噴射されるよう設定されていてもよい。
【００３６】
次に本実施形態の作用について説明する。
搬送ローラ２１の外周面２１ａ上を搬送される金属箔Ｍに対して、スラリーＳの塗布、活物質層Ｌａの半乾燥、及びセラミック粒子Ｆａを含む流体Ｆの吹き付けの３つの工程が行われる。そして、搬送ローラ２１の外周面２１ａ上から離れた金属箔Ｍの活物質層Ｌａは、更に乾燥されるとともにプレスされる。これにより、金属箔Ｍ及び活物質層Ｌａを有する電極Ｅが製造される。
【００３７】
次に、電極製造装置１０にて製造された電極Ｅの断面構造について説明する。
図４に示すように、電極Ｅの活物質層Ｌａは、その表面全体がセラミック粒子Ｆａを含むセラミック層Ｌｂで覆われている。セラミック層Ｌｂは、セラミック粒子Ｆａが堆積された絶縁層である。セラミック層Ｌｂは、蓄電装置の電解液が通過可能な微細な空孔（図示略）を有している。
【００３８】
セラミック粒子Ｆａの一部は活物質層Ｌａ内に埋没しており、セラミック粒子Ｆａは活物質層Ｌａ中に分散している。そして、セラミック粒子Ｆａと活物質層Ｌａの表面とは、バインダを間に介在させない状態で接している。同様に、セラミック層Ｌｂにおいて、セラミック粒子Ｆａ同士は、バインダを間に介在させない状態で接している。
【００３９】
なお、セラミック粒子Ｆａが活物質層Ｌａ中に分散して存在する分散層と、セラミック粒子Ｆａが堆積しているセラミック層Ｌｂとを合わせた厚さｔは、例えば０．５μｍ以上５μｍ以下、好ましくは２μｍ以上４μｍ以下であり、活物質層Ｌａの膜厚よりも薄い。
【００４０】
以上詳述した本実施形態によれば以下の優れた効果を奏する。
（１）電極製造装置１０は、塗布箇所Ｐに対して搬送ローラ２１の回転方向ＲＤの下流側に配置され、搬送ローラ２１の外周面２１ａに沿って搬送される金属箔Ｍ上の活物質層Ｌａの表面にセラミック層Ｌｂを形成するセラミック形成部５０を備えている。これにより、同一の搬送ローラ２１上で、スラリーＳの塗布と、セラミック層Ｌｂの形成とが行われる。よって、セラミック層Ｌｂの形成を別の場所で行う構成と比較して、電極製造装置１０の小型化を図ることができる。
【００４１】
詳細には、例えば巻取ローラ１２にて巻き取られた金属箔Ｍを、別途セラミック層Ｌｂを形成する専用の装置に取り付ける場合、装置全体が大型なものとなるとともに、製造工程が煩雑となる。また、セラミック形成部５０を、搬送ローラ２１よりも金属箔Ｍの搬送方向の下流側に設けることも考えられるが、この場合、セラミック形成部５０を配置する分だけ、搬送経路を長く確保する必要がある。
【００４２】
これに対して、本実施形態では、スラリーＳを塗布するダイ３０に対して搬送ローラ２１の回転方向ＲＤの下流側のデッドスペースにセラミック形成部５０を配置し、搬送ローラ２１の外周面２１ａ上でセラミック層Ｌｂの形成を行う構成とした。これにより、上述した不都合を回避することができ、電極製造装置１０の小型化を図ることができる。
【００４３】
（２）電極製造装置１０は、搬送ローラ２１の回転方向ＲＤにおいてダイ３０とセラミック形成部５０との間に配置され、活物質層Ｌａを乾燥させる第１乾燥炉４１を備えている。そして、第１乾燥炉４１は、活物質層Ｌａの溶媒残量を２０％以上５０％以下に乾燥させる。セラミック形成部５０は、第１乾燥炉４１により乾燥された半乾燥状態の活物質層Ｌａの表面に、セラミック粒子Ｆａを含む流体Ｆを吹き付けることによりセラミック層Ｌｂを形成する。これにより、セラミック層Ｌｂを好適に形成することができる。
【００４４】
詳細には、仮に活物質層Ｌａの溶媒残量が２０％未満である場合には、活物質層Ｌａの乾燥が進行して硬くなることから、活物質層Ｌａに埋没されずに堆積されないセラミック粒子Ｆａが多くなる。一方、活物質層Ｌａの溶媒残量が５０％を超える場合には、活物質層Ｌａの流動性が高いため、流体Ｆの吹き付けによって活物質層Ｌａの表面に凹凸が生じ易い。また、活物質層Ｌａの流動性が高い場合、金属箔Ｍの取り扱い、詳細には搬送が難しい。これに対して、本実施形態のように、活物質層Ｌａの溶媒残量が２０％以上５０％以下とすることにより、上記のような不都合を抑制できる。
【００４５】
特に、搬送ローラ２１の外周面２１ａに沿って湾曲している金属箔Ｍ上の活物質層Ｌａは、金属箔Ｍが水平方向に延びている状況と比較して、不安定である。このような不安定な状態で流体Ｆを吹き付けてセラミック層Ｌｂを形成しようとすると、セラミック層Ｌｂの膜厚ばらつき等といった不都合が生じ得る。この点、本実施形態では、活物質層Ｌａの乾燥を通じて活物質層Ｌａを安定させてから、流体Ｆを吹き付けている。これにより、上述した搬送ローラ２１の外周面２１ａ上にてセラミック層Ｌｂを形成する際の不都合を抑制できる。
【００４６】
また、半乾燥状態おいては溶媒が含まれているため、別途溶媒を用いることなくセラミック層Ｌｂを形成することができる。これにより、溶媒及びセラミック粒子Ｆａを含むコート剤を塗布してセラミック層Ｌｂを形成する構成と比較して、コート剤に含まれる溶媒に起因した活物質層の膨潤を抑制でき、気泡や塗布ムラを抑制できる。
【００４７】
（３）金属箔ＭにスラリーＳを塗布するものとしてダイ３０を採用した。ダイ３０は、スラリーＳを転写するのに用いられるコーティングローラ等と比較して、小型である。これにより、搬送ローラ２１の回転方向ＲＤにおいてスラリーＳを塗布するための構成が占めるスペースを低減することができる。よって、セラミック形成部５０の配置スペースを好適に確保することができる。
【００４８】
（４）セラミック形成部５０は、流体Ｆが噴射される噴射口７２を有するノズル５２を備えている。そして、セラミック形成部５０は、ノズル５２を搬送ローラ２１の軸線方向Ｙに往復移動させながら噴射口７２から流体Ｆを噴射する。これにより、流体Ｆの噴射範囲Ｆ１の幅Ｙ１が活物質層Ｌａの幅Ｙ２よりも短い場合であっても、活物質層Ｌａの表面全体にセラミック層Ｌｂを形成することができる。
【００４９】
また、ノズル５２を往復移動させることにより、噴射口７２から流体Ｆを噴射する関係上生じ得る噴射ムラに起因したセラミック層Ｌｂのばらつきを好適に抑制することができ、均一なセラミック層Ｌｂを形成することができる。
【００５０】
（５）ノズル５２は、基端側から先端側に向けて徐々に先細りとなっている先細り部７１を備え、噴射口７２は、先細り部７１よりも先端側に配置されている。これにより、ノズル５２に供給された流体Ｆは、先細り部７１によって加圧されて、噴射口７２に到達する。よって、噴射口７２から噴射される流体Ｆの圧力を高めることができ、流体Ｆを好適に噴射することができる。
【００５１】
特に、先細り部７１を備えることにより、噴射口７２における流体Ｆの圧力が所望の値となるのに要する供給機器５３の供給圧力を低くすることができる。これにより、供給機器５３として比較的供給圧力が低い小型のタイプを採用することができるため、供給機器５３の小型化を図ることができる。
【００５２】
なお、上記実施形態は以下のように変更してもよい。
○  図５及び図６に示すように、セラミック形成部５０は、流体Ｆの噴射範囲Ｆ１１の幅Ｙ１１が活物質層Ｌａの幅Ｙ２以上であるノズル１０１を備えていてもよい。詳細には、搬送ローラ２１の軸線方向Ｙに延びたノズル１０１は、搬送ローラ２１の軸線方向Ｙに並んだ複数、詳細には９つの噴射口１０２を備えている。そして、複数の噴射口１０２から噴射される流体Ｆの噴射範囲Ｆ１１は、搬送ローラ２１の軸線方向Ｙにおける活物質層Ｌａの一端Ｌａ１から他端Ｌａ２までに亘っている。これにより、ノズル１０１を往復移動させることなく、活物質層Ｌａの表面全体にセラミック層Ｌｂを形成することができる。
【００５３】
○  図７に示すように、活物質層Ｌａの幅Ｙ２よりも短い幅Ｙ１２の噴射範囲Ｆ１２となる３つの噴射口１１２を有するノズル１１１を、噴射範囲Ｆ１２が搬送ローラ２１の軸線方向Ｙにずれた状態で、搬送ローラ２１の回転方向ＲＤに沿って複数配置してもよい。この場合であっても、各ノズル１１１を往復移動させることなく、活物質層Ｌａの表面全体にセラミック層Ｌｂを形成することができる。
【００５４】
○  ノズルの形状は任意である。例えば、図６に示すノズル１０１のように、その全体が先細りとなった円錐状であってもよい。この場合、ノズル全体が先細り部となっており、先細り部に噴射口が配置されることなる。また、図７に示されるノズル１１１のように、先細り部がなく、径が一定の円筒状であってもよい。
【００５５】
○  実施形態にて示した電極製造装置１０は、正極及び負極のいずれを製造するのに用いてもよい。また、電極製造装置１０は、負極の製造の際には活物質層Ｌａの表面にセラミック層Ｌｂを形成する一方、正極の製造の際には活物質層Ｌａの表面にセラミック層Ｌｂを形成しない構成であってもよい。つまり、負極活物質層のみにセラミック層Ｌｂが形成され、正極活物質層にはセラミック層Ｌｂが形成されなくてもよいし、またその逆であってもよい。
【００５６】
○  電極製造装置１０は、実施形態にて製造された帯状の電極Ｅを所定の形状に打ち抜く打ち抜き部を備えていてもよい。
○  第１乾燥炉４１にて、溶媒残量が２０％未満となるように活物質層Ｌａを乾燥させて、第２乾燥炉６１を省略してもよい。この場合、十分に乾燥した状態の活物質層Ｌａにセラミック層Ｌｂが形成される。また、第１乾燥炉４１を省略して、第２乾燥炉６１のみで活物質層Ｌａを乾燥させてもよい。この場合、半乾燥状態よりも溶媒残量が大きい未乾燥状態の活物質層Ｌａにセラミック層Ｌｂが形成される。要は、セラミック層Ｌｂの形成対象となる活物質層Ｌａは、未乾燥状態、半乾燥状態、十分に乾燥した状態のいずれであってもよい。
【００５７】
○  塗布箇所Ｐに対して搬送ローラ２１の回転方向ＲＤの下流側に、搬送ローラ２１と協働して活物質層Ｌａをプレスするプレスローラを設けてもよい。この場合、セラミック形成部５０は、プレスローラに対して搬送ローラ２１の回転方向ＲＤの下流側にあってもよいし上流側にあってもよい。また、一対のプレスローラ６２，６３を省略してもよいし、一対のプレスローラ６２，６３を別装置としてもよい。
【００５８】
○  スラリーＳを塗布するものとしては、ダイ３０に限られず、任意である。例えばスラリーＳを、搬送ローラ２１の外周面２１ａにある金属箔Ｍに転写するコーティングローラであってもよい。
【００５９】
○  また、ノズルは搬送ローラ２１の軸線方向Ｙに延びた形状である必要はなく、例えば上下方向に延びた形状でもよい。この場合、ノズルの先端に噴射口があるとよい。
○  ノズル５２には、噴射口７２が複数存在したが、これに限られず、１つでもよい。
【００６０】
○  スラリーＳにはバインダが含まれていたが、これを省略してもよい。また、スラリーＳは、活物質及び溶媒の他に、導電助剤等他の材料を含んでもよい。
○  セラミック粒子Ｆａを搬送するための搬送流体として、圧縮空気に代えて、窒素等他の気体を用いてもよい。
【００６１】
○  セラミック形成部５０は、平均粒子径が異なる２種類以上のセラミック粒子Ｆａを混合した混合物を吹き付けるものであってもよい。
○  セラミック層Ｌｂの形成手法は任意であり、例えばコールドスプレー法、エアロゾルデポジション法、ワイヤーピーニング法等でもよい。また、セラミック粒子Ｆａ及び溶媒を含むコート剤を塗布してもよい。この場合、溶媒が搬送流体に対応する。
【００６２】
○  電極製造装置１０にて製造された電極Ｅを電気二重層キャパシタに用いてもよい。
○  セラミック形成部５０は、活物質層Ｌａの表面の一部、例えば搬送ローラ２１の軸線方向Ｙにおける活物質層Ｌａの一端Ｌａ１及び他端Ｌａ２に沿う所定の幅を有する領域に、セラミック層Ｌｂを形成する構成であってもよい。
【００６３】
次に、上記実施形態及び別例から把握できる技術的思想について以下に記載する。
（イ）金属箔及び活物質層を有する電極の製造方法であって、単一の搬送ローラの外周面に沿って搬送される前記金属箔に対して、活物質及び溶媒を含むスラリーを塗布して前記活物質層を形成する工程及び前記活物質層の表面にセラミック層を形成する工程の双方を行うことを特徴とする電極の製造方法。
【符号の説明】
【００６４】
１０…電極製造装置、２１…搬送ローラ、２１ａ…搬送ローラの外周面、３０…ダイ、４１…第１乾燥炉（乾燥部）、５０…セラミック形成部、５２…ノズル、６１…第２乾燥炉、７１…先細り部、７２…噴射口、１０１，１１１…別例のノズル、Ｍ…金属箔、Ｓ…スラリー、Ｌａ…活物質層、Ｌｂ…セラミック層、Ｐ…塗布箇所、Ｆ…流体、Ｆａ…セラミック粒子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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