(57)【要約】【課題】主磁極とスピントルク発振素子を独立に最適化しつつ、主磁極とスピントルク発振素子の位置関係を一定に定める。【解決手段】主磁極のトレーリング端の面において、主磁極１０３とその両側のギャップ材料１１０の境目に段差を設け、その上にスピントルク発振素子を形成することにより、段差を利用してスピントルク発振素子を実効的に２つの領域１０９−１，１０９−２に分離する。さらに、スピントルク発振素子の一部を除去して不要な領域１０９−２を不機能化することで、主磁極とスピントルク発振素子の端部の位置がそろったセルフアライメント型の高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの構造を実現する。【選択図】図４
2014049155.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録磁界を発生する主磁極と、
前記主磁極の近傍に設けられたスピントルク発振素子とを有し、
前記スピントルク発振素子の前記主磁極側の面と反対側の面に磁気シールド又は前記スピントルク発振素子に電力を供給する配線が接し、
少なくとも浮上面において、前記主磁極と当該主磁極の両側に配置されたギャップ材料、又は、前記ギャップ材料とそれに接するサイドシールドとは、両者の境界位置においてトレーリング側の面に段差が形成され、
前記スピントルク発振素子は、少なくとも浮上面において前記段差の上に形成されていることを特徴とする高周波磁界アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項２】
請求項１記載の高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
前記スピントルク発振素子は、前記段差を境に前記段差の片側の領域において、一部が膜厚方向に除去されていることを特徴とする高周波磁界アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項３】
請求項１記載の高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
前記スピントルク発振素子は、前記段差を境に前記段差の片側の領域において、素子の２分の１以上が膜厚方向に除去されていることを特徴とする高周波磁界アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項４】
請求項１記載の高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドにおいて、
前記スピントルク発振素子は、高周波磁界発生層とそれ以外の層との積層構造を有し、
前記高周波磁界発生層は前記段差を境に段差の片側の領域において除去されていることを特徴とする高周波磁界アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項５】
記録磁界を発生する主磁極と、
前記主磁極の近傍に設けられたスピントルク発振素子とを有し、
前記スピントルク発振素子は前記主磁極に接して配置され、前記主磁極に接している面と反対側の面には磁気シールド又は前記スピントルク発振素子に電力を供給する配線が接し、
少なくとも浮上面において、前記主磁極の両側に配置されたギャップ材料の端面は前記主磁極の端面よりトレーリング側に突出していて、前記主磁極と前記ギャップ材料のトレーリング側の面には段差が形成され、
前記スピントルク発振素子は、前記主磁極の両側に配置されたギャップ材料の内側に接して形成され、
前記ギャップ材料は電気絶縁体で構成されていることを特徴とする高周波磁界アシスト磁気記録ヘッド。
【請求項６】
主磁極の両側にサイドギャップを形成し、その外側にサイドシールドを形成する工程と、
前記サイドギャップと前記主磁極及び／又は前記サイドシールドとのエッチングレートが異なる条件でエッチバックを行い、前記主磁極と前記サイドギャップ及び／又は前記サイドギャップと前記サイドシールドの境界においてトレーリング側の面に段差を形成する工程と、
前記段差が形成された前記主磁極、前記サイドギャップ及び前記サイドシールドの上にスピントルク発振素子を構成する積層膜を形成する工程と、
少なくとも１つの前記段差を覆うようにエッチング加工用のマスクを形成する工程と、
前記マスクを用いてエッチングを行い、少なくとも１つの前記段差上に位置し、上面に下面の段差に倣った段差を有するスピントルク発振素子を形成する工程と、
上面に段差を有する前記スピントルク発振素子の突出部を削り取る工程と、
を有することを特徴とする高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
【請求項７】
請求項６記載の高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの製造方法において、
前記エッチングにより上面に下面の段差に倣った段差を有するスピントルク発振素子を形成する工程のあとに、
トレーリングギャップとなる膜を前記スピントルク発振素子が十分覆われるように成膜する工程と、
前記トレーリングギャップとなる膜をエッチバックして平坦化する工程と、
前記平坦化された面の上にトレーリングシールドを形成する工程と、
を有することを特徴とする高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波磁界で磁気記録をアシストする高周波磁界アシスト磁気記録ヘッド及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
情報記録装置の１つとして、コンピュータ等に装着されている磁気ディスク装置には、装置を大型化することなく膨大な情報を蓄積するために高記録密度化が求められている。磁気ディスクの高記録密度化には、微小な記録ビットを安定させる必要性から、高保磁力の記録媒体が用いられる。高保磁力の記録媒体に記録するためには、微小領域に強い記録磁界を集中させる必要がある。しかし、高記録密度化が進むと、強い記録磁界を微小領域に集中させることは技術的に困難になる。
【０００３】
この問題を解決する技術として、記録磁界に別のエネルギーを加えてアシストするエネルギーアシスト記録技術が有力視されている。アシストに用いるエネルギーには、現在、実用的に有望なものとして、熱と高周波磁界が考えられている。
【０００４】
熱を用いるエネルギーアシスト記録は、熱アシスト磁気記録、又は光アシスト記録と呼ばれる。記録時に磁界印加と同時に記録媒体（強磁性体）に光を照射して記録媒体のキューリ温度（摂氏数百度程度）付近の温度に加熱し、媒体の保磁力を低減させる。これにより、従来の磁気記録ヘッドでは記録磁界強度が不足して記録が困難であった高保磁力の記録媒体にも記録が容易になる。再生には、従来の磁気記録で用いられている磁気抵抗効果素子を用いる。
【０００５】
熱アシスト磁気記録方式では、媒体を加熱するためのレーザ光を記録ヘッドに導く。レーザ光源には、磁気ディスク装置のパッケージ内で使用する必要性から、小型で低消費電力の半導体レーザダイオードが用いられる。
【０００６】
これに対して、エネルギーに高周波磁界を用いるエネルギーアシスト記録は、高周波磁界アシスト記録、又はマイクロ波アシスト記録と呼ばれる。記録磁界とは別の高周波磁界を記録媒体に照射して、記録媒体の磁化を共鳴させて動きやすくすることにより、記録磁界強度が不足して記録が困難であった高保磁力の記録媒体にも記録が容易になる。再生には、熱アシスト記録と同様に、従来の磁気記録で用いられている磁気抵抗効果素子を用いる。
【０００７】
高周波磁界アシスト記録では、高周波磁界を発生する素子を記録磁極の近傍に配置する。この素子はスピントルク発振素子（ＳＴＯ）と呼ばれる。ＳＴＯは主磁極とトレーリングシールドの間、又は主磁極とＳＴＯを駆動する配線の間に配置される。ＳＴＯを記録磁極近傍に配置した高周波磁界アシスト記録ヘッドは、例えば非特許文献１に開示されている。ＳＴＯは磁気ディスク装置のヘッドに用いられるＧＭＲやＴＭＲといった読み取りセンサに類似した磁性膜の積層構造を有し、従来の磁気ヘッドと一体に容易に形成できることが特長である。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】J. Zhu, et al., “Microwave assisted magnetic recording”, IEEE Transactions on Magnetics, Vol.44 (2008), pp.125-131
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ＳＴＯが発生する高周波磁界は、主磁極が発生する記録磁界のみでは記録できない高保磁力の記録媒体の磁化を共鳴により不安定に動かすことで反転しやすくし、磁気記録を容易にする。このため、主磁極の発生する磁界とＳＴＯの発生する高周波磁界には重なりが必要であり、効率的にアシスト効果を引き出す上で、ＳＴＯと主磁極の位置はできるだけ近接していることが望まれる。このことから、ＳＴＯは主磁極が強い記録磁界を発生するトレーリング側の端部にできるだけ近接して形成されることが望ましい。したがって、主磁極に近接して、主磁極とトレーリングシールドの間にＳＴＯが形成された構造が、高周波磁界アシスト記録ヘッドの記録ヘッド部の基本的な構造である。
【００１０】
ビット方向（オントラック方向ともいう）には、上述したように主磁極とＳＴＯを近接させる構造でよいが、それと垂直な方向であるクロストラック方向でも主磁極とＳＴＯの位置を正確に決める必要がある。磁気ディスクの記録単位であるビットは、クロストラック方向に細長く、主磁極とＳＴＯの位置が、所定の位置からクロストラック方向にずれていると、ＳＴＯからの高周波磁界で十分なアシストができなくなる。また、アシスト効果が得られても、主磁極とＳＴＯの位置が磁気ヘッドごとに一定にならずにずれていると、アシスト効果にバラツキが生じる。したがって、クロストラック方向で主磁極とＳＴＯの位置関係を一定にし、位置ずれによる特性バラツキを生じさせない構造が必要である。
【００１１】
すなわち、通常の記録方式では、主磁極の中心とＳＴＯの中心が一致するようにしたいが、主磁極とＳＴＯは別々のリソグラフィとエッチングプロセスで形成され、リソグラフィの精度で位置の精度が決められるため、両者を完全に一致させることは困難である。この位置の不一致が、高周波磁界アシスト効果を低減させ、位置のバラツキがＳＴＯによるアシスト特性のバラツキを生じさせる要因である。また、瓦記録方式では、主磁極の中心に対し、ＳＴＯの中心をクロストラック方向に一定量オフセットさせて配置する。高周波磁界アシスト記録で瓦記録をするときは、主磁極の端部におけるアシスト効果が必要であり、主磁極とＳＴＯの端部の位置関係が一定になるようにしたい。
【００１２】
主磁極とＳＴＯの位置ずれを生じさせない方法として、主磁極とＳＴＯを一括してエッチングする方法が考えられる。しかし、主磁極とＳＴＯを一括してエッチングする方法では、主磁極とＳＴＯの幅はほぼ同じでなければならない。また、主磁極の側面の角度とＳＴＯの側面の角度を個別に設定することや、浮上面から奥行き方向の形状を別々に形成することが著しく困難になり、主磁極とＳＴＯの特性を最適化する設計に自由度がなくなる。結果として、性能のよい高周波磁界アシスト記録ヘッドの製造は困難になる。
【００１３】
本発明は、高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドにおいて、主磁極とＳＴＯのクロストラック方向の位置関係を正確に決め、高周波磁界アシスト特性にバラツキが生じない構造とその製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドは、記録磁界を発生する主磁極と、主磁極の近傍に設けられたスピントルク発振素子とを有し、スピントルク発振素子の主磁極側の面と反対側の面に磁気シールド又はスピントルク発振素子に電力を供給する配線が接し、少なくとも浮上面において、主磁極と当該主磁極の両側に配置されたギャップ材料、又は、ギャップ材料とそれに接するサイドシールドとは、両者の境界位置においてトレーリング側の面に段差が形成され、スピントルク発振素子は、少なくとも浮上面において段差の上に形成されていることを特徴とする。スピントルク発振素子は、段差を境に段差の片側の領域において一部が膜厚方向に除去されている。
【００１５】
また、本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドは、記録磁界を発生する主磁極と、主磁極の近傍に設けられたスピントルク発振素子とを有し、スピントルク発振素子は主磁極に接して配置され、主磁極に接している面と反対側の面には磁気シールド又はスピントルク発振素子に電力を供給する配線が接し、少なくとも浮上面において、主磁極の両側に配置されたギャップ材料の端面は主磁極の端面よりトレーリング側に突出していて、主磁極とギャップ材料のトレーリング側の面には段差が形成され、スピントルク発振素子は、主磁極の両側に配置されたギャップ材料の内側に接して形成され、ギャップ材料は電気絶縁体で構成されていることを特徴とする。
【００１６】
また、本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの製造方法は、主磁極の両側にサイドギャップを形成し、その外側にサイドシールドを形成する工程と、サイドギャップと主磁極及び／又はサイドシールドとのエッチングレートが異なる条件でエッチバックを行い、主磁極とサイドギャップ及び／又はサイドギャップとサイドシールドの境界においてトレーリング側の面に段差を形成する工程と、段差が形成された主磁極、サイドギャップ及びサイドシールドの上にスピントルク発振素子を構成する積層膜を形成する工程と、少なくとも１つの段差を覆うようにエッチング加工用のマスクを形成する工程と、マスクを用いてエッチングを行い、少なくとも１つの段差上に位置し、上面に下面の段差に倣った段差を有するスピントルク発振素子を形成する工程と、上面に段差を有するスピントルク発振素子の突出部を削り取る工程と、を有する。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、主磁極とＳＴＯのクロストラック方向の位置関係を正確に決定することができ、安定した高周波磁界を記録磁界に重ね合わせて印加する構造を実現できる。その結果、安定した高周波磁界アシスト効果の得られる磁気記録ヘッドを実現することができ、記録密度を向上することができる。
【００１８】
上記した以外の、課題、構成及び効果は、以下の実施形態の説明により明らかにされる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドを備えるスライダの一実施例を示す断面模式図。
【図２】磁極付近を拡大して示した断面模式図。
【図３】高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドのＡＢＳの磁極付近を拡大した断面模式図。
【図４】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドのＡＢＳの磁極付近を拡大した断面模式図。
【図５】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドのＡＢＳの磁極付近を拡大した断面模式図。
【図６】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドのＡＢＳの磁極付近を拡大した断面模式図で、ＳＴＯの層構造を示した模式図。
【図７】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドのＡＢＳの磁極付近を拡大した断面模式図。
【図８】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの形成工程を示した断面模式図。
【図９】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの形成工程を示した断面模式図。
【図１０】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの形成工程を示した断面模式図。
【図１１】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの形成工程を示した断面模式図。
【図１２】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの形成工程を示した断面模式図。
【図１３】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの形成工程を示した断面模式図。
【図１４】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの形成工程を示した断面模式図。
【図１５】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの形成工程を示した断面模式図。
【図１６】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドのＡＢＳの磁極付近を拡大した断面模式図。
【図１７】本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドのＡＢＳの磁極付近を拡大した断面模式図。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
主磁極のトレーリング側の端部にスピントルク発振素子（ＳＴＯ）を形成するウェハプロセスでは、主磁極を形成した後、その上にＳＴＯを形成することになる。主磁極とＳＴＯは別々のリソグラフィで形成されるため、クロストラック方向には、それぞれのリソグラフィの精度に起因する位置バラツキができる。しかし、主磁極とＳＴＯの見かけの端部が実際に一致していなくても、主磁極の端部と実効的にＳＴＯが動作する端部が一致していれば、実効的なセルフアライメント構造が実現でき、主磁極とＳＴＯの位置関係は一意的に定まる。このような構造を実現するため、本発明では以下に述べる方法を採用した。
【００２１】
主磁極は通常、飽和磁束密度の高い材料、例えば鉄とコバルトの合金の形状を浮上面において逆台形や逆三角形になるように成形する。主磁極の周辺は、ギャップ材料である非磁性材料で取り囲んでいる。
【００２２】
ＳＴＯを形成する際、主磁極のトレーリング側の面を平坦にする。その際、主磁極の側面に位置するギャップ材料とさらにその側面に配置されるサイドシールドも同時に平坦にする。主磁極とギャップ材料、ギャップ材料とサイドシールドでは材料が異なるため、ＣＭＰやイオンミリングなどの平坦化プロセスで、エッチングレートの差から、主磁極とギャップ材料の境界で意図的に段差を生じさせることが出来る。この段差の上に形成されたＳＴＯは膜厚方向に下地の段差に起因するオフセットを生じ、段差の大きさを適切に設定することで、段差を挟んだＳＴＯの内部で、２つの領域に跨る交換相互作用を弱めることができ、ＳＴＯを実効的に２つの領域に分割することが出来る。
【００２３】
２つの領域のうち、通常、動作させるＳＴＯは主磁極に接している側のみであり、動作するＳＴＯの端部はおのずと主磁極の端部と一致するため、主磁極とＳＴＯの端部は必ず一致するセルフアライメント構造になる。
【００２４】
ただし、段差が小さければ、交換相互作用を十分に弱めることはできず、ＳＴＯは機能的に分割できないことがある。その場合は、段差によって分かれた領域のうち、主磁極と接していない方の領域で膜厚方向に一部を除去することで、この領域をＳＴＯとして不機能化することができる。ＳＴＯは通常、磁化が回転する高周波磁界発生層において高周波磁界を発生している。この高周波磁界発生層の一部又は全部を除去することで、高周波磁界を発生しなくなり、不要な領域をＳＴＯとして動作させないことができる。具体的には、段差を跨いでＳＴＯの膜構造を積層した後、ＣＭＰやイオンミリングで平坦化する方法で、不機能化させたい領域のＳＴＯの一部又は全部を除去できる。
【００２５】
以上で述べたような方法で、主磁極と実効的に動作するＳＴＯの位置関係を正確に制御して、高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドのアシスト機構の安定動作が実現できるようになる。
【００２６】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態を説明する。
図１は、本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドを備えるスライダの一実施例を示す断面模式図である。図２は、図１の磁極付近を拡大した断面模式図である。実際のスライダの内部構造は複雑なため、図は簡略化して示している。
【００２７】
スライダ１００において、記録ヘッドは、主磁極１０３と補助磁極１０４，１０５を有する単磁極ヘッド、単磁極ヘッドを励磁して主磁極１０３から記録磁界３００を発生させるための励磁用コイル１０８、主磁極からの磁界を適切な大きさにカットして絞り込むためのトレーリングシールド１０６、リーディングシールド１０７、主磁極１０３の近傍に設けられたＳＴＯ１０９を備える。ここでは、主磁極１０３、補助磁極１０４、トレーリングシールド１０６は、ＳＴＯ１０９に電力を共有する配線の役割も果たしている。
【００２８】
また、再生ヘッドは、一対の磁気シールドで挟まれた磁気抵抗効果素子１２０を備える。スライダ１００は、サスペンション４００とジンバル４０１によって支持され、磁気記録媒体の表面上を一定の浮上量を保って飛行する。図示した磁気記録媒体は、基板２００上に記録層２０１が形成された構造を有するが、この他に下地層、配向制御層、軟磁性下地層などを備えていてもよい。
【００２９】
ＳＴＯ１０９は、スピントルクにより磁化が歳差運動をして高周波磁界を発生する素子で、高周波磁界を発生する高周波磁界発生層とその他の層の積層構造で構成される。これらの層は磁性体金属と非磁性体金属の組み合わさった構造である。ＳＴＯ１０９は通常直方体の形状をしており、その断面は、主磁極１０３の浮上面（ＡＢＳ）１０１における断面と同程度のディメンジョンである。このＳＴＯ１０９に主磁極１０３からトレーリングシールド１０６に向けて、ＳＴＯ１０９の積層方向に直流の電流を供給すると、高周波磁界発生層の磁化に歳差運動が起こり、高周波磁界が発生する。主磁極１０３が発生する磁界３００とＳＴＯ１０９が発生する高周波磁界３０１は、磁気記録媒体の記録層２０１に印加される。
【００３０】
図３は、ＳＴＯを備えた高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの課題を示す図であり、浮上面（ＡＢＳ）における拡大断面模式図である。逆三角形形状の主磁極１０３とギャップ材料１１０、サイドシールド１１２の上の面は平坦な同一面になっており、その上にＳＴＯ１０９が形成されている。主磁極とシールド材料は磁性体、ギャップ材料は非磁性体である。通常、主磁極１０３とＳＴＯ１０９は別々のリソグラフィ工程を経て形成されるため、いかに精度の高いリソグラフィ技術を用いても、主磁極１０３とＳＴＯ１０９のクロストラック方向の位置を一定に、再現よく形成することは困難である。
【００３１】
図４は、本発明による高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの浮上面（ＡＢＳ）における拡大断面模式図である。主磁極１０３とギャップ材料１１０は、上の面で同一面上に平坦ではなく、主磁極１０３とギャップ材料１１０の間には段差がある。この段差の上にＳＴＯ１０９が形成されている。
【００３２】
ＳＴＯ１０９は段差を境にして、領域１０９−１と領域１０９−２に実効的に分割されている。領域１０９−２は、領域１０９−１より厚さが薄くなっている。このような形状は、領域１０９−２のみ、トレーリングシールド１０６に接している側を除去することで形成することができる。領域１０９−１と領域１０９−２は、段差によってＳＴＯ１０９を形成する磁性膜の層が膜厚方向にオフセットしており、それぞれの領域の間に働く交換相互作用が弱められている。さらに、領域１０９−２は、ＳＴＯを構成する層の一部が除去されているため、層の一部が適切に除去されているとＳＴＯとして動作しないようにすることができる。したがって、領域１０９−２はＳＴＯとして不機能化することができ、領域１０９−１のみが実効的にＳＴＯとして動作するようにできる。領域１０９−１と領域１０９−２が分割される箇所は、必ず主磁極１０３とＳＴＯ１０９の段差と一致するため、主磁極１０３の端部がＳＴＯとして機能する領域１０９−１の端部と必ず一致するセルフアライメント構造となる。この際、主磁極１０３とギャップ材料１１０の間の段差が大きいほど、２つの領域１０９−１，１０９−２の間の交換相互作用が弱まりやすくなり、かつ、領域１０９−２を削除する部分が大きくなるため、不機能化の効果が大きく現れる。
【００３３】
また、領域１０９−２がＳＴＯとして動作しないためには、ＳＴＯとして機能しない条件を満たすように領域１０９−２の一部を除去すればよい。たとえば、ＳＴＯの層構造のうち高周波磁界発生層を除去すれば、ＳＴＯは発振せず、不機能化される。高周波磁界発生層はＳＴＯの層構造の半分程度を占めているため、領域１０９−２において、図５のように、層の２分の１程度又はそれ以上を除去すれば、領域１０９−２のＳＴＯとしての機能を十分に失わせることができる。
【００３４】
図６は、図５において、ＳＴＯの層構造のうち、領域１０９−２の高周波磁界発生層が除去されていることを明示した模式図である。領域１０９−３は機能している高周波磁界発生層であり、領域１０９−４は、ＳＴＯの層構造のうち、高周波磁界発生層以外の層である。領域１０９−５は、領域１０９−４と同じ層構造の一部であり、段差になっているサイドギャップ１１０の上に形成されているため、領域１０９−４と機能的に分離されている。領域１０９−５の上の高周波磁界発生層は除去されているため、領域１０９−５はＳＴＯとして機能しない。
【００３５】
また、図４には主磁極１０３とギャップ材料１１０の境界に形成された段差の上にＳＴＯ１０９を形成する構造を示したが、主磁極１０３とＳＴＯ１０９に意図的にクロストラック方向に一定の距離を持たせて形成する場合、図７に示すようにギャップ材料とサイドシールドの間に形成される段差を用いても同様のセルフアライメント構造を実現できる。
【００３６】
図８〜１５は、図４に示した構造を形成するプロセスを簡略化して順に説明した、浮上面（ＡＢＳ）における拡大断面模式図である。
【００３７】
図８は、主磁極の元になる構造を形成した状態を示した図である。サイドギャップ材料１１０の内側に主磁極１０３が形成され、その外側にサイドシールド１１２が形成されている。サイドギャップ材料１１０及びサイドシールド１１２はリーディングシールド１０７上に形成されている。主磁極１０３はＦｅＣｏ合金などの強磁性材料、サイドギャップ材料はＡｌ2Ｏ3やＲｕなどの非磁性材料から成る。このような構造は、スパッタリング法や化学気相成長法での成膜やめっき技術によって形成できる。このときの主磁極１１０の大きさは最終的な主磁極の大きさよりも大きく、次の工程で実用的な大きさまで小さく加工される。
【００３８】
図９は、図８の状態から、主磁極の大きさを所定の大きさになるように、上方からエッチバックを行う工程を示した図である。エッチバックの方法は、イオンミリングやＣＭＰである。ただし、ここでは、主磁極１０３、サイドギャップ材料１１０、サイドシールド１１２の境界に意図的に段差を形成する目的から、材料によるエッチングレートの差を利用して段差を形成するのに適したイオンミリングを用いるのが好ましい。この例では、主磁極１０３及びサイドシールド１１２に対するエッチングレートがサイドギャップ材料１１０に対するエッチングレートより大きなエッチング条件でイオンミリング行った。その結果、主磁極１０３及びサイドシールド１１２のトレーリング側の面よりサイドギャップ材料１１０のトレーリング側の面が突出して、主磁極１０３とサイドギャップ材料１１０との境界部分、及びサイドギャップ材料１１０とサイドシールド１１２との境界部分に段差が形成された。
【００３９】
図１０は、段差のある主磁極１０３、サイドギャップ材料１１０、サイドシールド１１２の上にＳＴＯの膜１０９−６を成膜する工程を示した図である。図には簡略化して示したが、ＳＴＯの膜１０９−６は実際には高周波磁界発生層、中間層、スピン注入層などからなる多層積層膜である。
【００４０】
図１１は、ＳＴＯを形成するために、フォトリソグラフィ技術で、ＳＴＯの膜１０９−６の上にエッチング加工用マスク１３０を形成する工程を示した図である。マスク１３０は、段差を覆うような位置に形成する。
【００４１】
次に、図１２に示したように、イオンミリングなどでＳＴＯの膜１０９−６をエッチングする。これにより、主磁極１０３とギャップ材料１１０の間に形成された段差の上にＳＴＯ１０９が形成された。形成されたＳＴＯ１０９の上面は平坦ではなく、ＳＴＯの下面の段差に倣った段差を有する。
【００４２】
次に、図１３に示すように、トレーリングギャップとなる膜１１１をＳＴＯ１０９が十分覆われるように成膜する。このトレーリングギャップ膜１１１は、ＳＴＯ１０９に電力を供給する配線となる主磁極１０３とトレーリングシールドを電気的に分離する必要から、酸化物などの絶縁体で構成される。
【００４３】
次に、図１４に示すように、ＣＭＰやイオンミリングといったエッチバックプロセスを用いて平坦化を行う。この際、ＳＴＯとして機能する主磁極１０３上の領域１０９−１の上面がちょうど出るくらいまで削るように平坦化する。このとき、領域１０９−２の多層膜は上面から一部が削り取られる。
【００４４】
次に、図１５に示すように、平坦化された面の上にトレーリングシールド１０６を形成する。
【００４５】
図１６は、本発明による別の実施形態の高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの浮上面（ＡＢＳ）における拡大断面模式図である。主磁極１０３とギャップ材料１１０の段差は主磁極の左右両側に存在する。図８〜１５と同様のプロセスを用いて、この２つの段差にかかるようにＳＴＯを形成し、ギャップ材料１１０上の領域１０９−２を不機能化すると、ＳＴＯとして機能する領域１０９−１が主磁極１０３の幅と一致したセルフアライメント型の高周波磁界アシスト記録ヘッドが製造できる。
【００４６】
図１７は、本発明による別の実施形態の高周波磁界アシスト磁気記録ヘッドの浮上面（ＡＢＳ）における拡大断面模式図である。この構造は、図１６に示した実施形態よりも主磁極１０３とギャップ材料１１０の間の段差を大きく形成し、ギャップ材料１１０上に形成された領域１０９−２を完全に除去することで実現できる。図示したように、主磁極１０３の両側に配置されたギャップ材料１１０の端面は主磁極１０３の端面よりトレーリング側に突出している。そのため、主磁極１０３とギャップ材料１１０は、トレーリング側の面で段差を有する。この構造では、トレーリングギャップ１１１がなく、ギャップ材料１１０及びサイドシールド１１２とトレーリングシールド１０６が接触してしまうため、ＳＴＯに電力を供給するためには、ギャップ材料１１０を電気絶縁体にすればよい。
【００４７】
なお、本発明は上記した実施例に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施例は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。また、ある実施例の構成の一部を他の実施例の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施例の構成に他の実施例の構成を加えることも可能である。また、各実施例の構成の一部について、他の構成の追加・削除・置換をすることが可能である。例えば、トレーリングシールドの代わりに、電気配線を用いることもできる。
【符号の説明】
【００４８】
１００  スライダ
１０１  スライダの浮上面（ＡＢＳ）
１０３  主磁極
１０４  補助磁極
１０５  補助磁極
１０６  トレーリングシールド
１０７  リーディングシールド
１０８  励磁用コイル
１０９  スピントルク発振素子（ＳＴＯ）
１０９−１  ＳＴＯとして機能する領域
１０９−２  ＳＴＯの不機能化された領域
１０９−３  機能している高周波磁界発生層
１０９−４  高周波磁界発生層以外の層
１０９−５  サイドギャップの上に形成された高周波磁界発生層以外の層
１０９−６  ＳＴＯの膜
１１０  ギャップ材料
１１１  トレーリングギャップ
１１２  サイドシールド
１２０  リードセンサー素子
１３０  エッチング加工用マスク
２００  磁気記録媒体基板
２０１  磁気記録媒体の記録層
３００  記録磁界
３０１  高周波磁界
４００  サスペンション
４０１  ジンバル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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