(57)【要約】      （修正有）【課題】圧電素子片に対する導電部材の接触面積を調整しやすくし、圧電振動片に対しベースから伝わる応力、歪を低減させた電子デバイスを提供する。【解決手段】圧電振動デバイスは、ベース１と、前記ベースの上面に形成される内部電極７と、前記ベースの上面に形成され、前記内部電極７と電気的に接続する導通部と、前記導通部上に配置され、前記導通部と電気的に接続する素子３と、を備える電子デバイス１００において、前記導通部は、前記基板上に形成される弾性部材５と、前記弾性部材に形成されるとともに、導電性を有し、前記内部電極と電気的に接続する中継部材４と、を備え、前記素子は、前記中継部材に配置され、前記中継部材の前記素子に接する部分は、前記弾性部材に比べて、前記ベースの上面からの高さが高くなるように構成した。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースと、前記ベースの上面に形成される内部電極と、前記ベースの上面に形成され、前記内部電極と電気的に接続する導通部と、前記導通部上に配置され、前記導通部と電気的に接続する素子と、を備える電子デバイスにおいて、
前記導通部は、前記内部電極上に形成される弾性部材と、前記弾性体部材上に形成されるとともに、導電性を有し、前記内部電極と電気的に接続する中継部材と、を備え、
前記素子は、前記中継部材上に配置され、
前記中継部材の前記素子に接する部分は、前記弾性部材に比べて、前記ベースの上面からの高さが高いことを特徴とする電子デバイス。
【請求項２】
前記弾性部材は、導電性を有する樹脂で構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項３】
前記弾性部材は、シリコーン樹脂をバインダとし、銀を導電材とした導電ペーストで構成されることを特徴とする請求項１に記載の電子デバイス。
【請求項４】
前記中継部材は、前記素子と前期中継部材が接触する部分の面積が、前記中継部材と前記弾性部材が接触する部分の面積に比べ小さいことを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項５】
前記中継部材は、弾性部材上に形成された金属板と、前記金属板上に形成され、前記素子上の配線と電気的に接続される金属バンプとを備えることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項６】
前記弾性体は、樹脂で構成され、前記中継部材と前記内部電極とは、導電性ワイヤで接続することを特徴とする請求項１から３のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【請求項７】
前記素子は、圧電素子であることを特徴とする請求項１から６のいずれか一項に記載の電子デバイス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、水晶振動子や圧電素子に代表される電子デバイスに関する。
【背景技術】
【０００２】
水晶振動子などの圧電素子に代表される電子デバイスは、温度や湿度といった外部環境の変化によって特性が微妙に変動することや、機械的振動や衝撃によって破損しやすいという特徴を有する。このため、上述した素子は、パッケージに封止して使用に供されている。
【０００３】
ここで、図１０に、従来の電子デバイスの一例（特許文献１参照）を示す。図１０において、従来の圧電振動子では、セラミックパッケージ１３の内部に、ＡＴカット水晶振動子片に代表される圧電振動片１４が収容される。セラミックパッケージ１３は、圧電振動片１４を実装するベース材１３１と、当該ベース材１３１に実装された圧電振動片１４を封止するためのキャップ１３２と、からなっている。圧電振動片１４は、導電接着剤１５によってセラミックパッケージ１４上に支持されるとともに、セラミックパッケージ１４内部から外部へ形成された引き回し電極１６と電気的に接続され、当該引き回し電極１６を介して他の電子機器へ電気信号を出力する。
【０００４】
ところで、上述の圧電振動片１４を保持する導電接着剤１５には、エポキシ、シリコーンといった樹脂をバインダとしたものが用いられている。このような導電接着剤は、柔軟性が大きく、パッケージや導電接着剤といった圧電振動片以外のものからの圧電素子片１４の振動への影響が小さいという利点がある。そのため、導電接着剤は圧電振動片１４の支持部材として広く用いられている。
【０００５】
また、図１１に、従来の別の電子デバイスの一例（特許文献２参照）を図示する。図１１において、パッケージ１７の内部に圧電振動片１８が収容されており、パッケージ１７は、圧電振動片１８を実装するベース材１７１と、当該ベース材１７１に実装された圧電振動片１８を封止するリッド材１７２と、がある。圧電振動片１８は、金属バンプ１９によってパッケージ１７１上に支持されるとともに、パッケージ１７外部に形成された外部電極２２と電気的に接続され、当該外部電極２２を介して他の電子機器へと電気信号を出力する。
【０００６】
上述のように金属バンプで圧電振動片を支持する場合、圧電振動片と金属バンプとの固着強度が非常に強く、長期にわたり安定した支持が可能である。また、圧電振動片と金属バンプが接触する面積が小さくて済むので、圧電振動片の特性を劣化させることなくパッケージの小型化が可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−２５６４１５号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９３２９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、上述した導電接着剤は、一般的にディスペンサによる塗布によって形成されるが、この方法では導電接着剤の小型化が困難である。近年電子デバイスの小型化が進んでおり、圧電素子片自体が小型化するのに対し、導電接着剤は小型化が困難なため、圧電素子に対する導電接着剤の接触面積が増大する。その結果、圧電素子片の特性劣化を引き起こしてしまう。
【０００９】
これに対し、金属バンプを用いた圧電素子片保持では、金属バンプ自体が小さいため圧電素子片との接触面積が小さい。そのため、圧電振動片が小型化しても金属バンプが圧電振動片に与える影響は十分小さい。しかし、金属バンプによる圧電素子片保持は、固着強度が強いため外部の影響を非常に受けやすい。特に、パッケージと圧電素子片の熱膨張率が違うため、温度変化による特性変動が非常におきやすいという欠点がある。ベースと圧電振動片の熱膨張係数の差による応力は、圧電振動片を固着支持している金属バンプ間の距離に大きく依存する。そのため、この応力が圧電振動片に掛かり、圧電振動片の振動特性を大きく変化させてしまうという課題があった。
【００１０】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、圧電素子片などの素子に対する導電部材の接触面積を小さく保ちつつ、圧電振動片に対しベースから伝わる応力、歪を低減させた電子デバイスを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上述した課題を解決するために、本発明は以下の手段を提供する。
請求項１に記載の発明において、本発明の電子デバイスは、ベースと、前記ベースの上面に形成される内部電極と、前記ベースの上面に形成され、前記内部電極と電気的に接続する導通部と、前記導通部上に配置され、前記導通部と電気的に接続する素子と、を備える電子デバイスにおいて、前記導通部は、前記基板上に形成される弾性部材と、前記弾性体部材上に形成されるとともに、導電性を有し、前記内部電極と電気的に接続する中継部材と、を備え、前記素子は、前記中継部材上に配置され、前記中継部材の前記素子に接する部分は、前記弾性部材に比べて、前記ベースの上面からの高さが高いことを特徴とする。
請求項１記載の発明によると、中継部材の素子に接する部分が、弾性部材に比べてベースの上面からの高さが高いため、弾性部材が素子に接することがない。中継部材により、素子と導電部との接触面積の調整が容易になるとともに、弾性部材を介することでベースの応力、歪の影響が素子に伝わるのを最小限に抑えることができる。特にこれまでの金属バンプのみによる素子の保持方法に比べて、素子とベースとが複数点で強固に固定されていないため、ベースから素子に印加される応力、歪変動が減少し素子の特性を安定させることができる。
【００１２】
請求項２に記載の発明において、前記弾性部材は、導電性を有する樹脂で構成されることを特徴とする。
請求項３に記載の発明において、前記弾性部材は、シリコーン樹脂をバインダ、導電材を銀とした導電ペーストで構成されることを特徴とする。
また、請求項２、３記載の発明によると、素子に与える応力、歪変動の影響を抑制することができる。
【００１３】
請求項４に記載の発明において、前記中継部材は、前記素子と前期中継部材が接触する部分の面積が、前記中継部材と前記弾性部材が接触する部分の面積に比べ小さいことを特徴とする。
また、請求項４記載の発明によると、素子と中継部材との接触面をより小さくでき、素子の特性劣化をより低減させることができる。もしくは、中継部材と弾性部材の接触面積が増大するため、より安定して素子を保持することができる。
【００１４】
請求項５に記載の発明において、前記中継部材は、弾性部材上に形成された金属薄板と、前記金属薄板上に形成され、前記素子上の配線と電気的に接続される金属バンプとを備えることを特徴とする。
また、請求項５記載の発明によると、素子と中継部材の接触面積を小さい状態に保ちつつ、弾性部材と中継部材の接触面積を大きくすることができる。
【００１５】
請求項６に記載の発明において、前記弾性体は、樹脂で構成され、前記中継部材と前記内部電極とは、導電性ワイヤで接続することを特徴とする。
また、請求項６記載の発明によると、弾性部材として非導電性の弾性材料を用いることができる。
【００１６】
請求項７に記載の発明において、前記素子は、圧電素子片であることを特徴とする。
また、請求項７記載の発明によると、電子デバイスに圧電素子を搭載することができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によると、中継部材により、素子と導電部との接触面積の調整が容易になるとともに、弾性部材を介することでベースの応力、歪の影響が素子に伝わるのを最小限に抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの断面図及び上面図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図４】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図５】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図６】本発明の第１実施形態に係る電子デバイスの製造工程を示す図である。
【図７】本発明の第２実施形態に係る第２の電子デバイスの断面図である。
【図８】本発明の第３実施形態に係る第３の電子デバイスの断面図である。
【図９】本発明の第４実施形態に係る第４の電子デバイスの断面図である。
【図１０】従来の電子デバイスの断面図である。
【図１１】従来の電子デバイスの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態を図１（ａ）及び図１（ｂ）に基づいて詳細に説明する。図１（ａ）は本発明に係る第１実施形態における電子デバイスの断面図であり、図１（ｂ）は上面図である。なお、図１（ｂ）においては、リッド２及び封止部材１０を省略している。
【００２０】
電子デバイス１００は、凹部を有するベース１と、ベース１に対向させた状態でベース１に接合されたリッド２と、で形成された素子収容部内に、素子３が実装されてなる。素子３は２箇所の導通部を備えている。一方の導通部は素子３の表面に形成された電極１１と、中継部材４とが電気的に接続されている。中継部材４の下には、導電性を有する弾性部材５が形成され、ベース１上に形成された内部電極７と接触しており、中継部材４は、弾性部材５を介してベース１上の素子収容部に形成された内部電極７と電気的に接続されている。もう一方の導通部は、素子３表面に形成された電極１１と、ベース１上の素子収容部に形成された内部電極７とが、導電部材６を介して電気的に接続されている。弾性部材５及び導電部材６は、配線８を介して、プリント基板等に実装される端子である外部電極９と電気的に接続されている。また、ベース１とリッド２は封止部材１０を介して接合されることにより、凹部とリッド２とでキャビティからなる素子収容部を形成し、素子収容部を真空封止している。
【００２１】
ベース１はガラスで構成される。ここで、ベース１は、ガラスに換えて、セラミックやシリコン等を用いて構成してもよい。
リッド２は、ベース１と同様のガラスで構成される。ここで、リッド２は、ガラスに換えて、ベース１とは異なるガラスや金属板、シリコン等を用いて構成してもよい。また、本実施形態において、リッド２は、封止部材１０を介してベース１の側壁部の端部と接合され、ベース１の凹部とリッド２の下面とで構成されるキャビティからなる素子収容部を形成する。素子収容部は、真空封止されている。
【００２２】
封止部材１０は、アルミニウムや多結晶シリコンで構成される。封止部材１０の形成方法として、ベース１もしくはリッド２にスパッタ法とフォトリソ法を組み合わせて形成する。形成した封止部材１０を介して、ベース１とリッド２を陽極接合することにより、素子収容部を真空封止することができる。ここで、封止部材１０として、ベース１やリッド２の材料、及び接合方法によっては別の材料を用いることができる、例えば、ベース１にセラミックを、リッド２に金属板を用いる場合、封止部材１０に表面が金及びニッケルのシールリングで構成することにより、シールリングと金属板をシーム溶接することで素子収容部を真空封止することができる。
【００２３】
素子３は、ＡＴカット水晶振動子片（圧電素子）であり、表面に電極１１が形成されている。当該素子３は、一方を中継部材４及び弾性部材５によって、もう一方を導電部材６によって支持される。なお、素子３は、ＡＴカット水晶振動子片に限らず、半導体回路、ＬＥＤ、各種センサなどを用いることができる。
【００２４】
電極１１は素子３の表面上に形成され、最表面が金で、下地がクロムまたはニッケルで構成される。最表面は、金に限らず、銀や白金等の貴金属を使用して形成される表面層としてもよい。電極１１の形成方法として、スパッタ法とフォトリソ法を組み合わせたものがある。スパッタ法以外の形成方法としては、真空蒸着法やめっき法を用いることができる。
【００２５】
中継部材４は、最表面が金である金属によって構成される。中継部材４は一方の先端部が素子３と接続され、もう一方の先端部が弾性部材５と接続される。中継部材４の材料として、最表面が金であれば内部は絶縁物、半導体等を用いることもできる。また、最表面は金以外には銀、白金といった化学的に安定な貴金属材料を用いることができる。
【００２６】
弾性部材５は、導電接着剤で構成され、銀を導電材とし、シリコーンをバインダとした導電ペーストを用いて形成される。素子３は、この弾性部材５によって、中継部材４を介して支持される。この弾性部材５は、ベース上の内部電極７上に形成され、内部電極７と電気的に接続されている。弾性部材５は、素子３が半導体回路、ＬＥＤといった、自身が機械運動をしない素子の場合には、エポキシやアクリル等をバインダとした導電ペーストを用いることもできる。特に弾性部材５としてシリコーンをバインダとした導電ペーストを用い場合、素子３とベース１の熱膨張係数の違いによる変形によって生じる歪を緩和することができる。
【００２７】
中継部材４は、素子３と接触している部分の高さが、弾性部材に比べて、ベースの上面からの高さが高くなっている。これにより、素子３に接触する部分は導電部材６を除けば中継電部材４のみとなる。弾性部材５が素子３と接して支持する場合、弾性部材５は、素子３との接合時に弾性変形し、接触面積が変化する。この際、想定していた接触面積より大きくなる可能性が高い。一方、本実施形態において、導電部を弾性部材５、中継部材４の２段で形成している。さらに、中継部材４の素子３と接触している部分の高さが、弾性部材に比べて、ベースの上面からの高さが高くなっている。このため、弾性部材５は、素子３に接触することがない。以上により、導電部は、素子３との接触面積を調整しやすい。また、中継部材４が金属バンプで形成される場合、素子３への接触面積を一定に保つことができる。なお、中継部材４の、素子３と接触する部分の面積はできるだけ小さいほうが望ましい。例えば、弾性部材５における中継部材４との接触面で切断した断面積より、中継部材４における素子３との接触面積の方が小さくてもよい。弾性部材５における中継部材４との接触面で切断した断面積は、中継部材４がない場合の素子３と接触する部分となる。そのため、この場合、導電部の素子３と接触する面積を従来に比べ小さくすることができる。
【００２８】
また、弾性部材５は、素子３と直接接触していないため、ベース１上の内部電極７以外のものに接触しない限り、どのような大きさでもその効果を発揮できる。
【００２９】
導電部材６は、金の金属バンプによって構成され、ベース１の上面に内部電極７を介して配置され、素子３の他方の電極１１と接続される。ここで、導電部材６は、シリコーンやエポキシ、アクリル等をバインダとした導電ペーストや、金属はんだを用いてもよい。特に、導電部材６として金属バンプを用いた場合、導電部材６と素子３上の電極１１との接触面積を小さくすることができ、導電部材６の接触による素子３の特性劣化を低減することができる。
【００３０】
内部電極７は、ベース１の上面の素子収容部に設けられる電極である。
外部電極９は、ベース１の下面（外部と接触する位置）に設けられる電極である。
当該内部電極７、外部電極９は、それぞれ金属膜で形成され、最表面に金を、下地にクロムまたはニッケルが用いられる。なお、内部電極７、外部電極９の最表面は、金に限らず、銀や白金等の貴金属を使用して形成される表面層としてもよい。つまり、貴金属は一般に、イオン化傾向が小さく、耐腐食性がある。そのため、電子デバイス１００は、当該貴金属により長期的劣化が抑えられるので、信頼性が向上する。また、下地のクロムまたはニッケルは、貴金属とベース材との密着性を向上させる効果がある。なお、内部電極７、外部電極９は、同一の材料を用いて形成することもできるが、異なる材料を用いて形成してもよい。
【００３１】
ここで、内部電極７、外部電極９の形成方法には、スパッタ法とフォトリソ法を組み合わせたものがある。スパッタ法以外の形成方法としては、真空蒸着法やめっき法を用いることができる。各金属膜は同様の形成方法により形成することもできるが、異なる方法を用いて形成してもよい。
【００３２】
配線８は、ベース１を貫通し、内部電極７と外部電極９とを電気的に接続する貫通電極である。配線８は、鉄−ニッケル合金、コバール合金、鉄−ニッケル−クロム合金等から構成される。なお、当該配線８の材料として、ベース１と熱膨張係数が近く、熱履歴による破壊を防ぐことができるものを用いることで、製品の安定性が向上する。また、配線８の他の形成方法として、ベース１内部を貫通せず、ベース１外部の側壁に薄膜状に形成し、端部で内部電極７、外部電極９とそれぞれ接続する引き回し電極で形成してもよい。この場合、内部電極７や外部電極９と同様の構成及び形成方法をとることができる。接続部材５及び導電部材６は、配線８を介して、プリント基板等に実装される端子である外部電極９と電気的に接続されている。また、内部電極７と接続する配線８は、ベース１の下面から上面まで貫通する。
【００３３】
（電子デバイス１００の製造工程）
次に、電子デバイス１００の製造方法を図２〜図６を用いて説明する。図２〜図６は、個別パッケージで作製され得られる電子デバイス１００の各製造工程を示す。なお、本願発明は、これに限定されず、ウェハレベルで作製され、最後にダイシング等で切断されて得られる製造方法でもよい。
【００３４】
図２（ａ）は、ベース１であるベースガラスを形成する工程を示す図である。ベースガラスは、パッケージ形状にガラスを焼成することで形成される。このときに配線８である貫通電極を同時に埋め込む。貫通電極の別の形成方法として、ガラスにサンドブラスト等で貫通孔を形成した後、貫通電極を挿入して周囲を接着剤等で固着させる工程を用いてもよい。
【００３５】
図２（ｂ）は、内部電極７と外部電極９をそれぞれ配線８の上端と下端にスパッタ法およびフォトリソ法、及びめっき法を用いて形成する工程を示す図である。内部配線７と外部電極９の金属は表層を金とし、下地層にクロムまたはニッケルを用いる。各金属膜は同様の形成方法により形成することもできるが、異なる方法を用いて形成してもよい。
【００３６】
図３（ａ）は封止部材１０であるアルミニウム膜を形成する工程である。アルミニウム膜は、スパッタ法とフォトリソ法を組み合わせて形成される。
【００３７】
図３（ｂ）は、内部電極７上に弾性部材５を形成する工程である。弾性部材５はシリコーン樹脂をバインダ、銀を導電材とした導電ペーストを用いている。弾性部材５はディスペンサを用いて内部電極７上に塗布することにより形成される。また、その他の方法として、スクリーン印刷等を用いる方法がある。ウェハレベルの場合、スクリーン印刷を用いることで多数の内部電極７上に一括で導電ペーストを形成することができる。
【００３８】
図４（ａ）は素子３を形成する工程である。素子３はＡＴカット水晶振動子片であり、必要な周波数や電気特性に合わせて厚み及び外形寸法を決定し、形成を行う。
【００３９】
図４（ｂ）は、素子３の表面に電極１１を形成する工程である。電極１１は、左右の端部がそれぞれ、素子３の上下中心部まで形成されており、素子３の中心部では励振電極として素子３の振動特性を向上させる。電極１１の最表面は金で、下地はクロムまたはニッケルで構成される。また、電極１１の形成方法として、スパッタ法とフォトリソ法を組み合わせたものがある。スパッタ法以外の形成方法としては、真空蒸着法やめっき法を用いることができる。
【００４０】
図５（ａ）は、中継部材４及び導電部材６を形成する工程である。中継部材４及び導電部材６は、金による金属バンプを用いている。中継部材４及び導電部材６は金属ワイヤの先端をボール上に成型し、電極１１上に超音波接合することで形成される。また、その他の方法として、フォトリソ法とめっき法を組み合わせた製法を用いることもできる。この製法では、金属バンプの一括形成が可能であり、さらに、小型化や低背化も可能である。ここで、中継部材４及と導電部材６は同一の部材及び製法を用いて形成しているが、それぞれ異なる部材及び製法を用いてもよい。
【００４１】
図５（ｂ）は、素子３をベース１に実装する工程である。素子３をベース１に搭載後、超音波接合により内部電極７と導電部材６が接合され、電気的に接続される。これにより、素子３は一点のみ強固に固定され、素子３の姿勢が一意に決められる。このとき、中継部材４は弾性部材５と接触及び電気的に接続される。弾性部材５が弾性変形することにより、ベースから圧電振動片に印加される応力、歪変動が減少し圧電振動片の特性を安定させることができる。
【００４２】
図６は、リッド２とベース１とを接合する工程である。リッド２はガラスであり、ベース１上の封止部材１０を介してベース１とリッド２を陽極接合することにより素子収容部内を封止する。このとき接合を真空中で行うことにより、素子収容部内を真空にすることができる。
【００４３】
なお、本実施形態では、図２、図３に示すベースの加工を行った後に、図４（ａ）、図４（ｂ）、図５（ａ）に示す素子の加工を行う場合を例示したが、逆の手順又は同時に加工を行っても良い。
【００４４】
（第２実施形態）
次いで、本発明に係る電子デバイスの第２実施形態について説明する。図７は本実施形態に係る電子デバイス１００ａの断面図である。なお、電子デバイス１００ａのうち、第１実施形態に係る電子デバイス１００と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４５】
第１実施形態に係る電子デバイス１００では、中継部材４と素子３との接触面と、中継部材４と弾性部材５との接触面とが同一面積になるように構成したが、図７に示すように、本実施形態に係る電子デバイス１００ａでは、中継部材４ａと素子３との接触面積が、中継部材４ａと弾性部材５との接触面積よりも小さくなっている。これにより、電子デバイス１００ａは、電子デバイス１００と同様の効果が得られることは勿論、素子３と中継部材４ａとの接触面をより小さくでき、素子３の特性劣化をより低減させることができる。もしくは、中継部材４ａと弾性部材５の接触面積が増大するため、より安定して素子３を保持することができる。この際、中継部材４ａは、金の金属バンプで形成することができる。
【００４６】
（第３実施形態）
次いで、本発明に係る電子デバイスの第３実施形態について説明する。図８は、本実施形態に係る電子デバイス１００ｂを示す図である。なお、電子デバイス１００と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４７】
図８に示す電子デバイス１００ｂでは、中継部材４ｂが金属薄板からなる金属板４１と金属バンプ４２とで構成されている。また、金属板４１上に形成された金属バンプ４２が、素子３上の電極１１と電気的に接続されている。これにより、素子３と中継部材４ｂの接触面積を小さい状態に保ちつつ、弾性部材５と中継部材４ｂの接触面積は大きくすることができる。中継部材４ｂは、素子３上の電極１１に金属バンプ４２を超音波接合により接合し、その後金属薄板４１と金属バンプ４２を超音波接合することにより形成される。本発明の効果を鑑みるに、金属板４１の上面の大きさよりも金属バンプ４２の上面の大きさのほうが小さいことが望ましい。
【００４８】
（第４実施形態）
次いで、本発明に係る電子デバイスの第４実施形態について説明する。図９は、本実施形態に係る電子デバイス１００ｃを示す図である。なお、電子デバイス１００ｃのうち、第１実施形態に係る電子デバイス１００と同一の構成については同一の符号を付して、その説明を省略する。
【００４９】
図９に示すように、電子デバイス１００ｃは、内部電極７と中継部材４とが接続配線１２によって電気的に接続されている。これにより、弾性部材５ｃとして非導電性の弾性素材を用いることができる。特に、ヤング率が低いゴム材を用いることで、電子デバイス１００と同様の効果が得られることは勿論、ベースから圧電振動子に印加される応力、歪変動を大幅に抑制することができる。接続配線１２はワイヤボンディング等で一般的に用いられている金ワイヤを用いることができる。
【００５０】
なお、本発明は、各実施形態に限定されず、ベースと、前記ベースの上面に形成される内部電極と、前記ベースの上面に形成され、前記内部電極と電気的に接続する導通部と、前記導通部上に配置され、前記導通部と電気的に接続する素子と、を備える電子デバイスにおいて、前記導通部は、前記基板上に形成される弾性部材と、前記弾性体部材上に形成されるとともに、導電性を有し、前記内部電極と電気的に接続する中継部材と、を備え、前記素子は、前記中継部材上に配置され、前記中継部材の前記素子に接する部分は、前記弾性部材に比べて、前記ベースの上面からの高さが高い構成となっていればよい。
例えば、導電部が、すべて弾性部材と中継部材とで構成されてもよい。これにより、ベースから素子に印加される応力、歪変動が減少し素子の特性を安定させることができる。
【符号の説明】
【００５１】
１００  電子デバイス
１      ベース
２      リッド
３      素子
４      中継部材
５      弾性部材
６      導電部材
７      内部電極
８      配線
９      外部電極
１０    封止部材
１１    電極
１００ａ  電子デバイス
４ａ      中継部材
１００ｂ  電子デバイス
４ｂ      中継部材
４１      金属板
４２      金属バンプ
１００ｃ  電子デバイス
５ｃ      弾性部材
１２      接続配線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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