(57)【要約】【課題】  本発明はＩＧＺＯ製造に係わる原料粉混合物、もしくはそれらから成る成形体のマイクロ波吸収特性を改善し、マイクロ波加熱による割れの無い高密度なＩＧＺＯ焼結体の製造方法を提供するものである。【解決手段】  Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ及びＺｎＧａ２Ｏ４からなる成形体又は仮焼体をマイクロ波加熱により焼成することを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｉｎ２Ｏ３、ＺｎＯ及びＺｎＧａ２Ｏ４からなる成形体又は仮焼体をマイクロ波加熱により焼成することを特徴とする酸化物焼結体の製造方法。
【請求項２】
酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）粉末と酸化亜鉛（ＺｎＯ）粉末を混合し、７００〜１０００℃で仮焼後、該仮焼粉に酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）粉末を添加混合し、得られた混合粉末を成形体とすることを特徴とする請求項１記載の酸化物焼結体の製造方法。
【請求項３】
酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）の各粉末を圧密混合した後、該圧密粉を７００〜９００℃で仮焼し、該仮焼粉を成形体とすることを特徴とする請求項１記載の酸化物焼結体の製造方法。
【請求項４】
酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）の各粉末を圧密混合し、該圧密粉を成形後、７００〜９００℃で仮焼して仮焼体とすることを特徴とする請求項１記載の酸化物焼結体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明はマイクロ波焼成によるＩＧＺＯ焼結体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、アモルファスシリコンに代わる薄膜トランジスタ材料として酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）および酸化亜鉛（ＺｎＯ）から成るＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ複合酸化物（以降ＩＧＺＯと略する）が注目されている。
【０００３】
ＩＧＺＯ焼結体の一般的な製造方法はＩｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの混合物から成る成形体を常圧焼成法、ホットプレス法、ＨＩＰ法等で焼成するものであるが、これらの焼成法は外部熱源により加熱焼結するため、均一な焼成物を得るためには長時間の焼成が必要であり、エネルギーを多大に消費する製法である。
【０００４】
また、最近はＩＧＺＯスパッタリングターゲットの大型化に伴い、焼結体サイズもより大きなものが求められている。しかし、上記の外部熱源による加熱焼結法では被焼成物が大きいとその内部の温度差も大きくなるため、焼結体中に六方晶層状化合物の結晶構造（ホモロガス結晶構造）をもつＩＧＺＯとは組成の異なる結晶組織が生じる。
【０００５】
この問題を解決するため、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎを含む混合酸化物粉末を一旦仮焼し、該仮焼粉を成形後に本焼成を行なう方法が示されている（特許文献１参照）。
【０００６】
しかし、特許文献１に示された方法では異なる結晶相が生じる問題は解決されるものの、焼結体を高密度化するためには１５００℃以上の高温で長時間焼成する必要があり、その結果、焼結体の平均結晶粒径は大きくなり、機械的強度が著しく低下するという別の問題が発生する。
【０００７】
また、原料の仮焼処理に関しては、Ｇａ２Ｏ３とＺｎＯの混合粉末を仮焼し、該仮焼粉にＩｎ２Ｏ３粉末を添加後、成形し、焼成する方法も開示されている（特許文献２参照）。
【０００８】
特許文献２に示された方法では焼成温度１４００℃以下で比較的高密度な焼結体が製造可能となっている。しかし、この方法では焼結体をホモロガス結晶構造ＩＧＺＯの単相組織にすることは困難である。
【０００９】
ところで近年、マイクロ波やミリ波といった電磁波を用いた自己加熱型焼結がセラミックス材料で検討されている（非特許文献１参照）。
【００１０】
電磁波を用いた自己加熱型焼結では均一加熱、急速焼結による焼成時間短縮といった省エネルギー効果に加え、焼結体の平均結晶粒径の増大を抑えたうえでの高密度化が可能なため、上記の問題を解決する手段となりうる。
【００１１】
しかしながら、電気炉等を用いる常圧焼成法などとは異なり、マイクロ波等の電磁波を用いた加熱では被焼成物の自己発熱を利用しているため、被焼成物の発熱挙動を制御しながら焼成する必要がある。
【００１２】
このことは特に複数の発熱挙動が異なる酸化物を混合して電磁波加熱により焼成する場合に問題となることがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１３】
【特許文献１】特開２０１０−２０２４５１号公報
【特許文献２】特開２０１１−１９５４０６号公報
【非特許文献】
【００１４】
【非特許文献１】豊田中央研究所Ｒ＆Ｄレビュー  Ｖｏｌ．３０  ＮＯ．４（１９９５）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
電磁波加熱のひとつであるマイクロ波加熱で発熱挙動の異なる酸化物を混合して焼成する場合、昇温中に被焼成物内部の温度分布差が大きくなり、被焼成物が破損しやすくなる。ＩＧＺＯ焼結体の製造に使用する酸化物原料粉はそれぞれマイクロ波の吸収特性が異なり、たとえばＩｎ２Ｏ３とＧａ２Ｏ３とＺｎＯの各粉末を含有金属モル比１：１：１で混合したもの、あるいはその成形体にマイクロ波を照射しても一定速度での安定的昇温が難しく、被焼成物に割れが生じやすい。
【００１６】
本発明はＩＧＺＯ製造に係わる原料粉混合物、もしくはそれらから成る成形体のマイクロ波吸収特性を改善し、マイクロ波加熱による割れの無い高密度なＩＧＺＯ焼結体の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明者らはＧａ２Ｏ３とＺｎＯを混合し焼成して得られるＺｎＧａ２Ｏ４は１５０℃以下の低温域で良好なマイクロ波吸収特性を有しており、マイクロ波加熱による安定的な昇温が可能であることを発見した。この知見から本発明者らはＧａ２Ｏ３とＺｎＯを含むＩＧＺＯ製造用混合原料粉または成形体に特定条件での仮焼処理を施すことにより、全体的なマイクロ波吸収性を改善させ、その後、それらをマイクロ波加熱することで割れのない高密度なＩＧＺＯ焼結体が得られることを見出し、本発明を完成した。
【００１８】
すなわち、本発明はＩｎ２Ｏ３、ＺｎＯ及びＺｎＧａ２Ｏ４からなる成形体又は仮焼体をマイクロ波加熱により焼成することを特徴とする酸化物焼結体の製造方法である。
【００１９】
以下、本発明について説明する。
【００２０】
本発明は電磁波を用いて加熱する焼結方法であれば特に限定されないが、電磁波としてはマグネトロンまたはジャイロトロン等から発生する連続またはパルス状の２．４５ＧＨｚのマイクロ波を使用することができる。
【００２１】
ＩＧＺＯ焼結体の製造には一般的に原料粉としてＩｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯが使用されるが、前記３種類の粉末はすべてマイクロ波吸収性が異なる。Ｉｎ２Ｏ３は低温域から高温域（室温〜１５００℃）にかけてマイクロ波吸収性がよいため、マイクロ波照射での自己発熱による安定的な昇温が可能である。
【００２２】
しかし、Ｇａ２Ｏ３は低温域でのマイクロ波吸収性が低く、マイクロ波を照射し続けても自己発熱による温度上昇はほとんど認められない。また、ＺｎＯは基本的に低温域でのマイクロ波吸収性は低いものの、１５０℃以上になるとマイクロ波吸収性が高くなる。
【００２３】
このため、マイクロ波吸収特性の異なる前記３種類の酸化物粉末を含むＩＧＺＯ製造用混合粉、あるいはその成形体はマイクロ波加熱による昇温中に発熱挙動が急激に変動し、被焼成物が破損しやすい。
【００２４】
したがって、マイクロ波加熱でＩＧＺＯ焼結体を製造する場合、Ｇａ２Ｏ３とＺｎＯの低温域でのマイクロ波吸収性を改善し、マイクロ波照射による加熱中に被焼成物が急激な発熱挙動の変化を起こさないようにすることが重要である。
【００２５】
そこで、Ｇａ２Ｏ３とＺｎＯを混合し、該混合粉を仮焼して成るＧａ−Ｚｎ酸化物含有粉がどのようなマイクロ波吸収性を示すか調べた。
【００２６】
Ｇａ２Ｏ３粉末（アジア物性、９９．９９％）とＺｎＯ粉末（ハクスイ、９９．９％）を酸化物モル比１：１の割合で圧密混合し、該混合粉末を電気焼成炉にて大気雰囲気下、加熱温度５００、６００、７００、８００、９００、１０００、１１００℃、昇温速度１００℃／ｈ、保持時間２ｈでそれぞれ仮焼を行なった。
【００２７】
上記の仮焼粉をＸ線回折（ＸＲＤ）により構造解析したところ、仮焼温度７００℃以上においてＧａ２Ｏ３相が消滅し、ＺｎＧａ２Ｏ４相の生成が確認された。次にこれらの仮焼粉末をそれぞれΦ３０×１０ｍｍのサイズにプレス成形後、冷間静水圧プレス（ＣＩＰ）で２０００ｋｇｆ／ｃｍ２にて加圧圧縮し、該成形体に２．４５ＧＨｚのマイクロ波を出力７００Ｗで照射して、その表面温度を測定した。
【００２８】
その結果、仮焼温度が５００、６００℃の成形体は、マイクロ波照射開始後、表面温度は緩やかに上昇し、該表面温度が１５０℃に達した後、急激に温度が上昇した。一方、仮焼温度７００℃以上の粉末から成る成形体は表面温度がマイクロ波の照射時間に対して緩やかに、かつ、ほぼ直線的に上昇した。
【００２９】
上記の結果から加熱温度７００℃以上の仮焼処理によりＧａ２Ｏ３−ＺｎＯ混合物の低温域でのマイクロ波吸収性が改善され、それは仮焼で生成したＺｎＧａ２Ｏ４に起因すると考えられる。
【００３０】
ところで、１０００℃よりも高温で仮焼するとＧａ２Ｏ３粉粒子とＺｎＯ粉粒子の焼結が進行し粗大粒となり容易に粉砕できなくなるため、これら仮焼粉にＩｎ２Ｏ３粉末を添加混合し成形して焼成する場合、ＩＧＺＯ焼結体の密度が低下するおそれがあり、過度の高温仮焼は好ましくない。
【００３１】
次に７００、８００、９００、１０００℃でそれぞれ仮焼した上記のＧａ２Ｏ３とＺｎＯの混合粉末に含有金属元素モル比が１：１：１の割合になるようにＺｎＯ粉末とＩｎ２Ｏ３粉末を添加し、圧密した該混合粉末をΦ３０×１０ｍｍサイズにプレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体について上記と同様にマイクロ波吸収試験を行なったところ、いずれの成形体も表面温度はマイクロ波が照射された時間に対してほぼ直線的に上昇した。
【００３２】
また、Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素のモル比で１：１：１の割合で圧密混合し、Φ３０×１０ｍｍサイズにプレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体についても上記と同様に電気炉にて大気雰囲気下５００、６００、７００、８００、９００、１０００、１１００℃、保持時間２ｈでそれぞれ仮焼し、上記と同様に該成形体のマイクロ波吸収性を調べた。
【００３３】
５００および６００℃で仮焼した成形体はマイクロ波照射開始後、表面温度は緩やかに上昇し、該表面温度が１５０℃に達した後、急激に温度が上昇した。
【００３４】
一方、７００、８００および９００℃で仮焼した成形体は、該成形体の表面温度がマイクロ波の照射時間に対して緩やかに、ほぼ直線的に上昇した。
【００３５】
しかし、１０００℃および１１００℃で仮焼した成形体は、マイクロ波を照射しても表面温度はほとんど上昇しなかった。
【００３６】
これは仮焼温度が１０００℃以上になると仮焼体中に低温域でのマイクロ波吸収性が低いホモロガス構造のＩＧＺＯ相が生成するためと考えられる。
【００３７】
したがって、Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３−ＺｎＯから成る混合物の低温度域でのマイクロ波吸収性を改善するためには仮焼温度はＧａ２Ｏ３相が消滅しＺｎＧａ２Ｏ４が生成する７００℃以上であり、かつ、ホモロガス構造ＩＧＺＯが生成しない９００℃以下に保つことが好ましい。
【００３８】
また、Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３−ＺｎＯ混合粉末を仮焼した後に、該仮焼粉で成形体を作製しマイクロ波焼成を行なう場合でも、Ｉｎ２Ｏ３−Ｇａ２Ｏ３−ＺｎＯ混合粉末の仮焼温度は上記と同様に７００〜９００℃が好ましい。さらに、仮焼した粉末は粉砕処理を施したほうが密度向上のためには好ましい。
【発明の効果】
【００３９】
マイクロ波焼成の特徴である自己発熱による均一加熱、焼成時間短縮により、製造に要するエネルギーを大幅に低減でき、また、スパッタリングターゲットとして好適に使用できる割れのない高密度で均一な組織を持つＩＧＺＯ焼結体を得ることができる。
【実施例】
【００４０】
以下、本発明による実施例を示すが、本発明はこれらの実施例によって何ら限定されるものではない。
【００４１】
実施例１
Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を酸化物モル比１：１の割合で圧密混合し、該混合粉を電気炉にて大気雰囲気下７００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼粉の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相は確認されなかった。次に該仮焼粉にＺｎＯ粉末およびＩｎ２Ｏ３粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１になるように所定量添加し、ボールミルにて混合粉砕した。該混合粉をプレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、割れのない密度９８％の焼結体が得られた。
【００４２】
実施例２
Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を酸化物モル比１：１の割合で圧密混合し、該混合粉を電気炉にて大気雰囲気下１０００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼粉の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相は確認されなかった。次に該仮焼粉にＺｎＯ粉末およびＩｎ２Ｏ３粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１になるように所定量添加し、ボールミルにて混合粉砕した。該混合粉をプレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、割れのない密度９７％の焼結体が得られた。
【００４３】
比較例１
Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を酸化物モル比１：１の割合で圧密混合し、該混合粉を電気炉にて大気雰囲気下６００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼粉の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相が確認された。次に該仮焼粉にＺｎＯ粉末およびＩｎ２Ｏ３粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１になるように所定量添加し、ボールミルにて混合粉砕した。該混合粉をプレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、焼結体に割れが発生した（焼結体密度は９８％）。
【００４４】
比較例２
Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を酸化物モル比１：１の割合で圧密混合し、該混合粉を電気炉にて大気雰囲気下１１００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼粉の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相は確認されなかった。次に該仮焼粉にＺｎＯ粉末およびＩｎ２Ｏ３粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１になるように所定量添加し、ボールミルにて混合粉砕した。該混合粉をプレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、焼結体に割れは発生しなかったが、焼結体密度は９５％に留まった。
【００４５】
実施例３
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、該混合粉を電気炉にて大気雰囲気下７００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼粉の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相およびＩＧＺＯ相は確認されなかった。該仮焼粉をボールミルにて粉砕した後、プレス成形し、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、割れのない密度９８％の焼結体が得られた。
【００４６】
実施例４
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、該混合粉を電気炉にて大気雰囲気下８００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼粉の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相およびＩＧＺＯ相は確認されなかった。該仮焼粉をボールミルにて粉砕した後、プレス成形し、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、割れのない密度９８％の焼結体が得られた。
【００４７】
実施例５
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、該混合粉を電気炉にて大気雰囲気下９００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼粉の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相およびＩＧＺＯ相は確認されなかった。該仮焼粉をボールミルにて粉砕した後、プレス成形し、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、割れのない密度９７％の焼結体が得られた。
【００４８】
比較例３
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、プレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、焼結体に割れが発生した（焼結体密度は９８％）。
【００４９】
比較例４
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、該混合粉を電気炉にて大気雰囲気下６００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼粉の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相が確認された。該仮焼粉をボールミルにて粉砕した後、プレス成形し、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、焼結体に割れが発生した。（焼結体密度は９８％）
比較例５
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、該混合粉を電気炉にて大気雰囲気下１０００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼粉の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相は確認されなかったが、ＩＧＺＯ相が確認された。該仮焼粉をボールミルにて粉砕した後、プレス成形し、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、焼結体に割れが発生した（焼結体密度は９６％）。
【００５０】
実施例６
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、プレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を電気炉にて大気雰囲気下７００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼体の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相およびＩＧＺＯ相は確認されなかった。該仮焼体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、割れのない密度９８％の焼結体が得られた。
【００５１】
実施例７
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、プレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を電気炉にて大気雰囲気下８００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼体の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相およびＩＧＺＯ相は確認されなかった。該仮焼体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、割れのない密度９８％の焼結体が得られた。
【００５２】
実施例８
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、プレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を電気炉にて大気雰囲気下９００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼体の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相およびＩＧＺＯ相は確認されなかった。該仮焼体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、割れのない密度９８％の焼結体が得られた。
【００５３】
比較例６
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、プレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を電気炉にて大気雰囲気下６００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼体の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相が確認された。該仮焼体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、焼結体に割れが発生した（焼結体密度は９８％）。
【００５４】
比較例７
Ｉｎ２Ｏ３、Ｇａ２Ｏ３およびＺｎＯの各粉末を含有金属元素モル比Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１の割合で圧密混合し、プレス成形後、２０００ｋｇｆ／ｃｍ２でＣＩＰ処理した成形体を電気炉にて大気雰囲気下１０００℃、保持時間２ｈで仮焼した。該仮焼体の結晶相をＸＲＤで調べたところ、Ｇａ２Ｏ３相は確認されなかったが、ＩＧＺＯ相が確認された。該仮焼体を昇温速度３００℃／ｈ、焼成温度１４５０℃、保持時間１．５ｈでマイクロ波焼成したところ、焼結体に割れが発生した（焼結体密度は９８％）。