(57)【要約】【課題】感圧ダイアフラムに堆積する汚染物質の量を低減する。【解決手段】第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２との間にスリット状の空間（キャビティ）２０Ａを作る大径の孔５０Ａを支持ダイアフラム５０の中央部に形成する。第１の台座プレート２１の中央部にスリット状の空間（キャビティ）２０Ａに連通する被測定流体の導入孔２１ａを形成する。第２の台座プレート２２にスリット状の空間（キャビティ）２０Ａに連通するとともに被測定流体のセンサダイアフラム３２への導出孔２２ａを複数形成する。第１の台座プレート２１の導入孔２１ａと第２の台座プレート２２の導出孔２２ａとは、第１の台座プレート２１および第２の台座プレート２２の厚み方向において重ならない位置に設ける。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定流体の圧力を受けて撓む感圧ダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップと、前記センサチップを支持する台座プレートと、前記台座プレートを支持する支持ダイアフラムとを有し、前記台座プレートは、第１の台座プレートと第２の台座プレートとからなり、前記支持ダイアフラムは、前記第１の台座プレートと前記第２の台座プレートとの間に挟まれた状態で接合され、前記センサチップは、前記第２の台座プレートの中央部上面に支持されている静電容量型圧力センサにおいて、
前記支持ダイアフラムは、
前記第１の台座プレートと前記第２の台座プレートとの間にスリット状の空間を作る大径の孔をその中央部に有し、
前記第１の台座プレートは、
前記スリット状の空間に連通する前記被測定流体の導入孔を１つ以上有し、
前記第２の台座プレートは、
前記スリット状の空間に連通するとともに前記被測定流体の前記センサチップの感圧ダイアフラムへの導出孔を１つ以上有し、
前記第１の台座プレートの導入孔と前記第２の台座プレートの導出孔とは、前記第１および第２の台座プレートの厚み方向において重ならない位置に設けられている
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
請求項１に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
前記第１の台座プレートの導入孔は、
前記第１の台座プレートの中央部に１つ設けられ、
前記第２の台座プレートの導出孔は、
前記第２の台座プレートの中心から径方向に等距離、かつ周方向に等間隔隔てた周辺部に複数設けられている
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被測定流体の圧力を受けて撓む感圧ダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、被測定流体の圧力を受けて撓む感圧ダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサは広く知られている。例えば、半導体製造装置などにおける製造プロセス中の真空状態を計測するために静電容量型圧力センサが利用されており、この真空状態を計測するための静電容量型圧力センサを真空計と呼んでいる。
【０００３】
この真空計は、被測定流体の導入部を有するハウジングを有し、このハウジングの導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓む感圧ダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する。この真空計において、導入部と感圧ダイアフラムとの間には、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、被測定流体に含まれる不要かつ支障のある物質（以下、この物質を汚染物質と呼ぶ）のダイアフラムへの堆積を防止するバッフルが設けられている。
【０００４】
図５に特許文献１に示された真空計の要部を示す。同図において、１００はセンサチップであり、台座プレート１０１の上面中央部に支持されている。台座プレート１０１は第１の台座プレート１０２と第２の台座プレート１０３とからなり、支持ダイアフラム１０４の上下面に接合され、支持ダイアフラム１０４の外周部はロアハウジング１０５とアッパーハウジング１０６との間に挟まれて接合されている。すなわち、支持ダイアフラム１０４が第１の台座プレート１０２と第２の台座プレート１０３との間に挟まれた状態で、支持ダイアフラム１０４の外周部のみがロアハウジング１０５とアッパーハウジング１０６との間に接合されている。
【０００５】
センサチップ１００は、スペーサ１０７と、スペーサ１０７に接合されかつ圧力の印加に応じてひずみが生じるセンサダイアフラム（感圧ダイアフラム）１０８と、センサダイアフラム１０８に接合して真空の容量室（リファレンス室）１０９Ａを形成するセンサ台座１０９とを有している。なお、真空の容量室１０９Ａはセンサ台座１０９の適所に穿設された図示しない連通孔を介して、アッパーハウジング１０６の内部空間（基準真空室）１０６Ａと共に同一の真空度が保たれている。また、図示を省略しているが、センサダイアフラム１０８の裏面（容量室１０９Ａ側）には可動電極が設けられ、この可動電極と対向するセンサ台座１０９の内面には固定電極が設けられている。
【０００６】
ロアハウジング１０５には被測定流体の導入部１０５Ａが設けられている。また、ロアハウジング１０５の導入部１０５Ａからの被測定流体の出口には、被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させてバッフル１０５Ｂが設けられている。バッフル１０５Ｂの周囲には所定の間隔で被測定流体の導入孔１０５Ｂ１が形成されている。また、台座プレート１０１（１０２，１０３）および支持ダイアフラム１０４の中央部分には、センサチップ１００に被測定流体を導くための導入孔１１０が形成されている。
【０００７】
この真空計では、導入部１０５Ａからの被測定流体（気体）がセンサダイアフラム１０８に到達し、この被測定流体の圧力と真空の容量室１０９Ａとの差圧によってセンサダイアフラム１０８が撓み、センサダイアフラム１０８の裏面とセンサ台座１０９の内面との間に設けられている固定電極と可動電極との間隔が変化し、この固定電極と可動電極で構成されるコンデンサの容量値（静電容量）が変化する。この静電容量の変化を真空計の外部に取り出すことで、被測定流体（気体）の圧力が測定される。
【０００８】
また、この圧力の測定に際し、導入部１０５Ａからの被測定流体（気体）は、バッフル１０５Ｂの中央の板面に当たって迂回し、バッフル１０５Ｂの周囲の導入孔１０５Ｂ１を通過して、台座部プレート１０１（１０２，１０３）および支持ダイアフラム１０４の中央部の導入孔１１０を通って、センサダイアフラム１０８へと送られる。これにより、センサダイアフラム１０８に被測定流体が直接当たることがなく、被測定流体に含まれる汚染物質のセンサダイアフラム１０８への堆積が防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００６−３２３４号公報
【特許文献２】特開２００２−１１１０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、この真空計では、バッフル１０５Ｂが設けられてはいるが、侵入を阻止したい汚染物質がバッフル１０５Ｂの設置点において気体の状態であった場合、内部への侵入を完全に阻止することはできない。例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）と呼ばれる表面吸着反応を前提とした成膜プロセスでは、汚染物質が気体の状態で侵入することがある。
【００１１】
すなわち、台座部プレート１０１（１０２，１０３）および支持ダイアフラム１０４の中央部に設けられている導入孔１１０は１つの貫通孔であって、バッフル１０５Ｂを気体の状態で通過した汚染物質をセンサチップ１００内のセンサダイアフラム１０８へ到達するのを妨げるための特別な機構を有していないので、この導入孔１１０を通って易々と汚染物質がセンサダイアフラム１０８の表面中央部の最も敏感な部分に達する。この部分で汚染物質が析出し堆積すると、真空計の零点シフトを招くことになり、測定精度を劣化させてしまう。
【００１２】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、感圧ダイアフラムに堆積する汚染物質の量を低減することが可能な静電容量型圧力センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
このような目的を達成するために、本発明に係る静電容量型圧力センサは、被測定流体の圧力を受けて撓む感圧ダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップと、センサチップを支持する台座プレートと、台座プレートを支持する支持ダイアフラムとを有し、台座プレートは、第１の台座プレートと第２の台座プレートとからなり、支持ダイアフラムは、第１の台座プレートと第２の台座プレートとの間に挟まれた状態で接合され、センサチップは、第２の台座プレートの中央部上面に支持されている静電容量型圧力センサにおいて、支持ダイアフラムは、第１の台座プレートと第２の台座プレートとの間にスリット状の空間を作る大径の孔をその中央部に有し、第１の台座プレートは、スリット状の空間に連通する被測定流体の導入孔を１つ以上有し、第２の台座プレートは、スリット状の空間に連通するとともに被測定流体のセンサチップの感圧ダイアフラムへの導出孔を１つ以上有し、第１の台座プレートの導入孔と第２の台座プレートの導出孔とは、第１および第２の台座プレートの厚み方向において重ならない位置に設けられていることを特徴とする。
【００１４】
この発明において、第１の台座プレートの導入孔より流入した被測定流体は、支持ダイアフラムの中央部の大径の孔によって作られる第１の台座プレートと第２の台座プレートとの間のスリット状の空間（キャビティ）に入る。このスリット状の空間（キャビティ）に入った被測定流体は、第１の台座プレートの導入孔と第２の台座プレートの導出孔とが第１および第２の台座プレートの厚み方向において重ならない位置に設けられているので、スリット状の空間（キャビティ）を横方向に進まざるを得ない。このとき、被測定流体に気体の状態で混入している汚染物質が第１又は第２の台座プレートの内側表面に堆積する機会が生じる。これにより、最終的に第２の台座プレートの導出孔を抜けて、センサチップの感圧ダイアフラムへ到達する汚染物質の量が少なくなり、感圧ダイアフラム上に堆積する汚染物質の量が低減されるものとなる。
【００１５】
本発明において、第１の台座プレートの導入孔をこの第１の台座プレートの中央部に１つ設け、第２の台座プレートの導出孔をこの第２の台座プレートの中心から径方向に等距離、かつ周方向に等間隔隔てた周辺部に複数設けるようにすると、第２の台座プレートの導出孔を抜けて最終的にセンサチップの感圧ダイアフラムへ到達する汚染物質は、最も感度の高い感圧ダイアフラムの表面の中央部を外れて周辺部にバランスよく堆積するものとなる。これにより、感圧ダイアフラムの表面の中央部への汚染物質の堆積を避け、感圧ダイアフラムへの汚染物質の堆積による零点シフトの影響を大きく緩和することが可能となる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、第１の台座プレートと第２の台座プレートとの間にスリット状の空間（キャビティ）を作る大径の孔を支持ダイアフラムの中央部に設け、第１の台座プレートにスリット状の空間（キャビティ）に連通する被測定流体の導入孔を１つ以上設け、第２の台座プレートにスリット状の空間（キャビティ）に連通するとともに被測定流体のセンサチップの感圧ダイアフラムへの導出孔を１つ以上設け、第１の台座プレートの導入孔と第２の台座プレートの導出孔とを第１および第２の台座プレートの厚み方向において重ならない位置に設けるようにしたので、第１の台座プレートの導入孔より流入した被測定流体がスリット状の空間（キャビティ）を横方向に進まざるを得ないようにして、被測定流体に気体の状態で混入している汚染物質が第１又は第２の台座プレートの内側表面に堆積する機会を生じさせ、最終的に第２の台座プレートの導出孔を抜けて感圧ダイアフラムへ到達する汚染物質の量を少なくして、感圧ダイアフラムに堆積する汚染物質の量を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明に係る静電容量型圧力センサの一実施の形態（真空計）の要部を示す縦断面図である。
【図２】この真空計に用いるバッフルの平面図である。
【図３】この真空計における第１の台座プレートに形成された導入孔と第２の台座プレートに形成された導出孔との位置関係を示す図である。
【図４】第１の台座プレートに形成する導入孔と第２の台座プレートに形成する導出孔の別の例を示す図である。
【図５】特許文献１に示された真空計の要部を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。図１はこの発明に係る静電容量型圧力センサの一実施の形態（真空計）の要部を示す縦断面図である。
【００１９】
この真空計１は、パッケージ１０と、パッケージ１０内に収容された台座プレート２０と、同じくパッケージ１０内に収容され台座プレート２０に接合されたセンサチップ３０と、パッケージ１０に直接取付けられパッケージ１０内外を導通接続する電極リード部４０とを備えている。また、台座プレート２０は、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２とから構成され、パッケージ１０に対して隔間しており、支持ダイアフラム５０のみを介してパッケージ１０に支持されている。
【００２０】
パッケージ１０は、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３から構成されている。なお、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３は、耐食性の金属であるインコネルからなり、それぞれ溶接により接合されている。
【００２１】
ロアハウジング１１は、径の異なる円筒体を連結した形状を備え、その大径部１１ａは支持ダイアフラム５０との接合部を有し、その小径部１１ｂは被測定流体が流入する導入部１０Ａをなしている。
【００２２】
アッパーハウジング１２は略円筒体形状を有し、カバー１３、支持ダイアフラム５０、台座プレート２０、及びセンサチップ３０を介してパッケージ１０内に独立した真空の基準真空室１０Ｂを形成している。なお、基準真空室１０Ｂにはいわゆるゲッター（図示せず）と呼ばれる気体吸着物質が備わり、真空度を維持している。
【００２３】
また、アッパーハウジング１２の支持ダイアフラム５０の取付け側には周方向適所にストッパ１２ａが突出形成されている。なお、このストッパ１２ａは、被測定流体の急激な圧力上昇により台座プレート２０が過度に変移するのを規制する役目を果たしている。
【００２４】
また、カバー１３は円形のプレートからなり、カバー１３の所定位置には電極リード挿通孔１３ａが形成されており、ハーメチックシール６０を介して電極リード部４０が埋め込まれ、この部分のシール性が確保されている。
【００２５】
一方、支持ダイアフラム５０は、ケーシング１０の形状に合わせた外形形状を有するインコネルの薄板からなり、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２との間に挟まれた状態で、その外周部（周囲縁部）が上述したアッパーハウジング１１とロアハウジング１２の縁部に挟まれて溶接等により接合されている。なお、支持ダイアフラム５０の厚さは、例えば本実施形態の場合数十ミクロンであって、各台座プレート２１，２２より充分薄い厚さとなっている。また、支持ダイアフラム５０の中央部には、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２１との間にスリット状の空間（キャビティ）２０Ａを作る大径の孔５０ａが形成されている。
【００２６】
第１の台座プレート２１および第２の台座プレート２２は、酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアからなり、第１の台座プレート２１はケーシング１０の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム５０の下面に接合され、第２の台座プレート２２はケーシング１０の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム５０の上面に接合されている。
【００２７】
また、第１の台座プレート２１には、スリット状の空間（キャビティ）２０Ａに連通する被測定流体の導入孔２１ａがその中央部に形成されており、第２の台座プレート２２には、スリット状の空間（キャビティ）２０Ａに連通するとともにセンサチップ３０のセンサダイアフラム３２への導出孔２２ａが複数（この例では、４つ）形成されている。
【００２８】
図３に第１の台座プレート２１に形成された導入孔２１ａと第２の台座プレート２２に形成された導出孔２２ａとの位置関係を示す。図３（ａ）は図１中の要部を抜き出して示した図（縦断面図）、図３（ｂ）は図３（ａ）を矢印Ａ方向から見た平面図である。図３に示されているように、第１の台座プレート２１の導入孔２１ａと第２の台座プレート２２の導出孔２２ａとは、第１の台座プレート２１および第２の台座プレート２２の厚み方向において重ならない位置に設けられている。この例では、第１の台座プレート２１の中央部に導入孔２１ａが１つ設けられ、第２の台座プレート２２にこの第２の台座プレート２２の中心から径方向に等距離、かつ周方向に等間隔隔てた周辺部に導出孔２２ａが４つ設けられている。
【００２９】
なお、各台座プレート２１，２２は、支持ダイアフラム５０の厚さに対して上述の通り十分に厚くなっており、かつ支持ダイアフラム５０を両台座プレート２１，２２でいわゆるサンドイッチ状に挟み込む構造を有している。これによって、支持ダイアフラム５０と台座プレート２０の熱膨張率の違いによって発生する熱応力でこの部分が反るのを防止している。
【００３０】
また、第２の台座プレート２２の上面には酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアでできた上面視矩形状のセンサチップ３０が酸化アルミニウムベースの接合材を介して接合されている。なお、このセンサチップ３０の接合方法については、特許文献２に詳しく記載されているのでここでの説明は省略する。
【００３１】
センサチップ３０は上面視で１ｃｍ角以下の大きさを有し、四角角型の薄板からなるスペーサ３１と、スペーサ３１に接合されかつ圧力の印加に応じてひずみが生じるセンサダイアフラム（感圧ダイアフラム）３２と、センサダイアフラム３２に接合して真空の容量室（リファレンス室）３０Ａを形成するセンサ台座３３を有している。また、真空の容量室３０Ａと基準真空室１０Ｂとはセンサ台座３３の適所に穿設された図示しない連通孔を介して共に同一の真空度を保っている。
【００３２】
なお、スペーサ３１、センサダイアフラム３２、及びセンサ台座３３はいわゆる直接接合によって互いに接合され、一体化したセンサチップ３０を構成している。
【００３３】
また、センサチップ３０の容量室３０Ａには、センサ台座３３の内面に金又は白金等の導体でできた固定電極（図示せず）が形成されているとともに、これと対向するセンサダイアフラム３２の内面（裏面）上に金又は白金等の導体でできた可動電極（図示せず）が形成されている。また、センサチップ３０の上面には金又は白金からなるコンタクトパッド３５，３６が形成され、容量室３０Ａ内の固定電極や可動電極はコンタクトパッド３５，３６と図示しない配線によって接続されている。
【００３４】
一方、電極リード部４０は電極リードピン４１と金属製のシールド４２とを備え、電極リードピン４１は金属製のシールド４２にガラスなどの絶縁性材料からなるハーメチックシール４３によってその中央部分が埋設され、電極リードピン４１の両端部間で気密状態を保っている。そして、電極リードピン４１の一端はパッケージ１０の外部に露出して図示しない配線によって真空計１の出力を外部の信号処理部に伝達するようになっている。なお、シールド４２とカバー１３との間にも上述の通りハーメチックシール６０が介在している。また、電極リードピン４１の他方の端部には導電性を有するコンタクトバネ４５，４６が接続されている。
【００３５】
コンタクトバネ４５，４６は、導入部１０Ａから被測定流体が急に流れ込むことで発生する急激な圧力上昇により支持ダイアフラム５０が若干変移しても、コンタクトバネ４５，４６の付勢力がセンサチップ３０の測定精度に影響を与えない程度の十分な柔らかさを有している。
【００３６】
この真空計１において、センサチップ３０のセンサダイアフラム３２と導入部１０Ａとの間には、導入部１０Ａからの被測定流体の出口に、被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させて、インコネルからなるバッフル７０が配置されている。図２にバッフル７０の平面図を示す。バッフル７０には、その外周部に所定の角度間隔でタブ７０ａが形成されており、このタブ７０ａ間の隙間７０ｂを被測定流体が通過して、センサダイアフラム３２へと送られる。
【００３７】
次に、この真空計１の動作について説明する。なお、この実施の形態において、真空計１はＡＬＤ成膜装置中の必要な場所に取付けられているものとする。
【００３８】
〔被測定流体の圧力測定〕
この真空計１では、導入部１０Ａからの被測定気体（気体）がセンサダイアフラム３２に到達し、この被測定流体の圧力と真空の容量室３０Ａとの差圧によってセンサダイアフラム３２が撓み、センサダイアフラム３２の裏面とセンサ台座３３の内面との間に設けられている固定電極と可動電極との間隔が変化し、この固定電極と可動電極で構成されるコンデンサの容量値（静電容量）が変化する。この静電容量の変化を真空計１の外部に取り出すことで、被測定流体の圧力が測定される。
【００３９】
〔汚染物質の堆積防止〕
また、この圧力の測定に際し、導入部１０Ａからの被測定流体（気体）は、バッフル７０の板面の中央に当たって迂回し、バッフル７０の周囲の隙間７０ｂを通過して、第１の台座プレート２１の導入孔２１ａより第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２との間のスリット状の空間（キャビティ）２０Ａに流入する。
【００４０】
このスリット状の空間（キャビティ）２０Ａに流入した被測定流体は、第１の台座プレート２１の導入孔２１ａと第２の台座プレート２２の導出孔２２ａとが第１の台座プレート２１および第２の台座プレート２２の厚み方向において重ならない位置に設けられているので、スリット状の空間（キャビティ）２０Ａを横方向に進まざるを得ない。
【００４１】
このスリット状の空間（キャビティ）２０Ａを横方向に進むとき、被測定流体に気体の状態で混入している汚染物質が第１の台座プレート２１又は第２の台座プレート２２の内側表面に堆積する機会が生じる。これにより、最終的に第２の台座プレート２２の導出孔２２ａを抜けて、気体の状態でセンサチップ３０の感圧ダイアフラム３２へ到達する汚染物質の量が少なくなり、感圧ダイアフラム３２上に堆積する汚染物質の量が低減されるものとなる。
【００４２】
また、この実施の形態では、第１の台座プレート２１の中央部に導入孔２１ａが設けられ、第２の台座プレート２２にこの第２の台座プレート２２の中心から径方向に等距離、かつ周方向に等間隔隔てた周辺部に導出孔２２ａが複数設けられているので、第２の台座プレート２２の導出孔２２ａを抜けて最終的にセンサチップ３０のセンサダイアフラム３２へ到達する汚染物質は、最も感度の高いセンサダイアフラム３２の表面の中央部を外れて周辺部にバランスよく堆積するものとなる。これにより、センサダイアフラム３２の表面の中央部への汚染物質の堆積を避け、センサダイアフラム３２への汚染物質の堆積による零点シフトの影響を大きく緩和することができるようになる。
【００４３】
なお、上述した実施の形態では、第１の台座プレート２１の中央部に導入孔２１ａを１つ設け、第２の台座プレート２２の周辺部に導出孔２２ａを複数設けるようにしたが、図４に示すように、第１の台座プレート２１の周辺部に導入孔２１ａを複数設け、第２の台座プレート２２の中央部に導出孔２２ａを１つ設けるようにしてもよい。この場合、第１の台座プレート２１の導入孔２１ａと第２の台座プレート２２の導出孔２２ａとは、第１の台座プレート２１および第２の台座プレート２２の厚み方向において重ならない位置に設けるようにすることは言うまでもない。
【００４４】
また、図３において、第１の台座プレート２１の中央部に設ける導入孔２１ａは１つに限られるものではなく、複数であってもよい。また、第２の台座プレート２２に設ける導出孔２２ａも４個に限られるものではない。
【００４５】
同様に、図４において、第２の台座プレート２２の中央部に設ける導入孔２２ａも１つに限られるものではなく、複数であってもよい。また、第１の台座プレート２１に設ける導出孔２１ａも４個に限られるものではない。
【００４６】
図３の構成と図４の構成とを比較した場合、上述したように最も感度の高いセンサダイアフラム３２の表面の中央部を外れて周辺部にバランスよく汚染物質が堆積するものとなるので、図３の構成の方がよりよい構成であると言える。
【００４７】
〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００４８】
１…真空計（静電容量型圧力センサ）、１０…パッケージ、１０Ａ…導入部、１１…ロアハウジング、１２…アッパーハウジング、１３…カバー、２０…台座プレート、２０Ａ…スリット状の空間（キャビティ）、２１…第１の台座プレート、２１ａ…導入孔、２２…第２の台座プレート、２２ａ…導出孔、３０…センサチップ、３１…スペーサ、３２…センサダイアフラム（感圧ダイアフラム）、３３…センサ台座、５０…支持ダイアフラム、５０ａ…導入孔、７０…バッフル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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