(57)【要約】【課題】ＥＵＶＬマスクやナノインプリントリソグラフィ等の基板に付着した異物を、基板に傷をつけることなく除去できる異物除去装置を提供する。【解決手段】異物除去装置１００は、ＥＵＶＬマスクブランク５００を保持するステージ１１１と、ＥＵＶＬマスクブランク５００に付着した異物を除去する異物除去テープ１２２であって、当該異物除去テープ１２２に含まれる粒子の硬度が、ＥＵＶＬマスクブランク５００の異物を除去する表面の硬度よりも低い異物除去テープ１２２と、異物除去テープ１２２を走行させながらＥＵＶＬマスクブランク５００に対して異物除去処理を行う異物除去部１２０と、異物除去テープ１２２が異物に当接するようにＥＵＶＬマスクブランク５００と異物除去部１２０とを相対的に移動させるように制御する異物除去制御部１８０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する保持部と、
粒子を含み、前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープと、
前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部と、
前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部と、
を備える異物除去装置。
【請求項２】
基板を保持する保持部と、
前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープであって、当該異物除去テープに含まれる粒子の硬度が、前記基板の異物を除去する表面の硬度よりも低い異物除去テープと、
前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部と、
前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部と、
を備える異物除去装置。
【請求項３】
請求項２に記載の異物除去装置において、
前記基板は、ＥＵＶＬ（Extreme Ultra Violet Lithography）マスク又はＥＵＶＬマスクブランクであって、
前記異物除去部は、前記ＥＵＶＬマスク又は前記ＥＵＶＬマスクブランクの反射面とは反対側の裏面に付着した異物を異物除去テープで除去すること、
を特徴とする異物除去装置。
【請求項４】
請求項３に記載の異物除去装置において、
前記粒子は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であること、
を特徴とする異物除去装置。
【請求項５】
請求項２から請求項４までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、
前記基板の異物除去される面は、窒化クロム（ＣｒＮ）膜が形成されており、
前記粒子は、前記窒化クロム膜よりも硬度が低いこと、
を特徴とする異物除去装置。
【請求項６】
基板を保持する保持部と、
粒子を含み、前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープと、
前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部と、
前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部と、
を備える異物除去装置であって、
前記基板は、ナノインプリントリソグラフィに用いられるシリコンウェハであって、
前記異物除去部は、前記シリコンウェハに付着した異物を異物除去テープで除去すること、
を特徴とする異物除去装置。
【請求項７】
請求項６に記載の異物除去装置において、
前記粒子は、少なくとも前記シリコンウェハ上に成膜されている各層中に含まれる異物を除去可能な硬度を有していること、
を特徴とする異物除去装置。
【請求項８】
請求項７に記載の異物除去装置において、
前記粒子は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であること、
を特徴とする異物除去装置。
【請求項９】
請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、
さらに前記基板に付着した異物を検出する異物検出部を有し、
当該異物検出部により得られた当該異物の座標に基づき、
前記制御部を制御することを特徴とする異物除去装置。
【請求項１０】
請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、
さらに前記基板に付着した異物を検出する異物検査装置の検査結果を受取る受信部を有し、
当該受信部により得られた当該異物の座標に基づき、
前記制御部を制御することを特徴とする異物除去装置。
【請求項１１】
請求項９に記載の異物除去装置において、
さらに前記異物検出部により得られた当該異物の寸法から異物除去の要否を判断する判定部を有し、
当該判定部の判断結果により前記基板に対して前記異物除去処理を行うことを特徴とする異物除去装置。
【請求項１２】
請求項１から請求項１１までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、
さらに前記基板に存在する異物の形状を測定する異物計測部と、
当該異物計測部による計測結果から当該異物の除去の要否を判断する判定部を有し、
当該判定部の判断結果により前記基板に対して前記異物除去処理を行うことを特徴とする異物除去装置。
【請求項１３】
請求項１２に記載の異物除去装置において、
前記異物計測部が共焦点光学系を用いた形状測定システムであることを特徴とする異物除去装置。
【請求項１４】
請求項１から請求項１３までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、
前記基板の異物除去対象基準面の位置を計測する基準面計測部を有し、
前記制御部は、前記基準面計測部が計測した前記基板の異物除去対象基準面の位置に基づいて、前記異物除去テープが前記基板の異物除去対象基準面に接触する位置まで前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させること、
を特徴とする異物除去装置。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、
前記異物除去部は、前記基板と前記異物除去テープとが接触する部分に、前記異物除去テープを挟んで前記基板とは反対側に設けられたヘッドを有し、
前記ヘッドから前記異物除去テープを所定距離離して浮上させた状態とする浮上構造を備えること、
を特徴とする異物除去装置。
【請求項１６】
請求項１５に記載の異物除去装置において、
前記浮上構造は、前記ヘッドと前記異物除去テープとの間に気体を流すことにより前記ヘッドから前記異物除去テープを所定距離離して浮上させた状態とすること、
を特徴とする異物除去装置。
【請求項１７】
請求項１から請求項１６までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、
前記異物除去テープは、前記基板と接触する位置において、平面状に展開されていること、
を特徴とする異物除去装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置に用いられるマスク等の基板に付着した異物を除去する異物除去装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体のさらなる微細化を実現する技術として、ＥＵＶＬ（Extreme Ultraviolet Lithography）が知られている。
ＥＵＶＬにおいては、反射型のＥＵＶＬマスクが用いられる。ＥＵＶＬマスクにおいては、許容できない欠陥の最小の大きさが、従来のＡｒＦマスクと比較して極めて小さくなっている。したがって、ＥＵＶＬマスクに僅かな異物の付着があっても欠陥品となってしまう。ＥＵＶＬマスクは、非常に高価なこと、及び、半導体デバイスの低価格化競争の影響もあり、ＥＵＶＬマスクに欠陥が発見された場合に、その欠陥を修復する技術が望まれている。
【０００３】
特許文献１には、パターンの明部であるべき箇所が暗部になってしまっている欠陥があった場合に、その箇所の第二の多層膜反射層を除去することにより、その箇所を明部として、欠陥の修正が可能なＥＵＶＬマスクが開示されている。
また、特許文献２には、多層反射膜を剥離除去して基板を再生する技術が開示されている。
【０００４】
また、半導体のさらなる微細化を実現する技術として、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）と呼ばれる技術も注目されている。
ＮＩＬにおいては、型（原版）を基板に当てて基板上の樹脂に所望の形状が転写される。このとき、基板上に異物が存在していると、その基板が不良となるばかりか、最悪の場合、型が破損するおそれがあった。したがって、ＮＩＬにおいて、基板上の異物を的確に除去することが求められている。ここで、ＮＩＬにおける異物除去では、上述のＥＵＶＬマスクの場合よりもさらに精度の高い処理が要求される。ＮＩＬにおいて許容される異物の高さは、ＥＵＶＬマスクにおいて許容される異物の高さよりも一桁小さいからである。
特許文献３には、ＮＩＬにおいて基板を研磨して異物を除去する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３１３６９４号公報
【特許文献２】特開２００５−１９１３５２号公報
【特許文献３】特開２０１３−２０１４２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の特許文献１及び特許文献２に開示されている技術は、いずれも多層反射膜側、すなわち、ＥＵＶＬマスクの表面側の欠陥を修復する技術である。ＥＵＶＬマスクの表面側、すなわち、パターン面に欠陥がある場合には、パターン欠陥となることから、上述の特許文献１及び特許文献２では、この表面側の欠陥を修復するものである。
しかし、ＥＵＶＬマスクは、その裏面を吸着保持して用いられるため、裏面に異物が僅かでも付着してしまうと、ＥＵＶＬマスクが正しく保持されないおそれがあり、その場合には、ひずみや位置ずれが生じることから、ＥＵＶＬマスクの裏面へ異物が付着した場合も、ＥＵＶＬマスクが欠陥品となってしまうという問題があった。したがって、ＥＵＶＬマスクにおいて、裏面へ異物が付着した場合に、その異物を除去してＥＵＶＬマスクを使用可能な状態とする技術が望まれていた。
【０００７】
また、特許文献３に開示されている技術は、基板の保持手法が従来と異なっており、半導体製造装置全体の構成を大きく変える必要があり、汎用性が低かった。また、特許文献３に開示されている技術は、基板を研磨するときに、従来の研磨と同様に研磨液や純水などの液体を使用しており、基本的には、従来から行われているＣＭＰ等と変らないものであった。したがって、ＣＭＰ等を行ってもなお残存している微小な異物を局所的に除去することができなかった。
【０００８】
本発明の課題は、ＥＵＶＬマスクやナノインプリントリソグラフィ等の基板に付着した異物を、基板に傷をつけることなく除去できる異物除去装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下のような解決手段により、前記課題を解決する。なお、理解を容易にするために、本発明の実施形態に対応する符号を付して説明するが、これに限定されるものではない。
【００１０】
請求項１の発明は、基板（５００，１５００）を保持する保持部（１１１，１１１１）と、粒子を含み、前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープ（１２２，１１２２）と、前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部（１２０，１１２０）と、前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部（１８０，１１８０）と、を備える異物除去装置（１００，１１００）である。
【００１１】
請求項２の発明は、基板（５００）を保持する保持部（１１１）と、前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープであって、当該異物除去テープに含まれる粒子の硬度が、前記基板の異物を除去する表面の硬度よりも低い異物除去テープ（１２２）と、前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部（１２０）と、前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部（１８０）と、を備える異物除去装置（１００）である。
【００１２】
請求項３の発明は、請求項２に記載の異物除去装置において、前記基板（５００）は、ＥＵＶＬ（Extreme Ultra Violet Lithography）マスク又はＥＵＶＬマスクブランクであって、前記異物除去部（１２０）は、前記ＥＵＶＬマスク又は前記ＥＵＶＬマスクブランクの反射面とは反対側の裏面に付着した異物を異物除去テープ（１２２）で除去すること、を特徴とする異物除去装置（１００）である。
【００１３】
請求項４の発明は、請求項３に記載の異物除去装置において、前記粒子は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であること、を特徴とする異物除去装置（１００）である。
【００１４】
請求項５の発明は、請求項２から請求項４までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、前記基板（５００）の異物除去される面は、窒化クロム（ＣｒＮ）膜（５０５）が形成されており、前記粒子は、前記窒化クロム膜よりも硬度が低いこと、を特徴とする異物除去装置（１００）である。
【００１５】
請求項６の発明は、基板（１５００）を保持する保持部（１１１１）と、粒子を含み、前記基板に付着した異物を擦り取って除去する異物除去テープ（１１２２）と、前記異物除去テープを走行させながら前記基板に対して異物除去処理を行う異物除去部（１１２０）と、前記異物除去テープが異物に当接するように前記基板と前記異物除去部とを相対的に移動させるように制御する制御部（１１８０）と、を備える異物除去装置であって、前記基板は、ナノインプリントリソグラフィに用いられるシリコンウェハ（１５００）であって、前記異物除去部は、前記シリコンウェハに付着した異物を異物除去テープで除去すること、を特徴とする異物除去装置（１１００）である。
【００１６】
請求項７の発明は、請求項６に記載の異物除去装置において、前記粒子は、少なくとも前記シリコンウェハ（１５００）上に成膜されている各層（１５０２）中に含まれる異物を除去可能な硬度を有していること、を特徴とする異物除去装置（１１００）である。
【００１７】
請求項８の発明は、請求項７に記載の異物除去装置において、前記粒子は、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）であること、を特徴とする異物除去装置（１１００）である。
【００１８】
請求項９の発明は、請求項１から請求項８までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、さらに前記基板（５００，１５００）に付着した異物を検出する異物検出部を有し、当該異物検出部により得られた当該異物の座標に基づき、前記制御部を制御することを特徴とする異物除去装置（１００，１１００）である。
【００１９】
請求項１０の発明は、請求項１から請求項９までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、さらに前記基板（５００，１５００）に付着した異物を検出する異物検査装置の検査結果を受取る受信部（１８２，１１８２）を有し、当該受信部により得られた当該異物の座標に基づき、前記制御部（１８０，１１８０）を制御することを特徴とする異物除去装置（１００，１１００）である。
【００２０】
請求項１１の発明は、請求項９に記載の異物除去装置において、さらに前記異物検出部により得られた当該異物の寸法から異物除去の要否を判断する判定部を有し、当該判定部の判断結果により前記基板（５００，１５００）に対して前記異物除去処理を行うことを特徴とする異物除去装置（１００，１１００）である。
【００２１】
請求項１２の発明は、請求項１から請求項１１までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、さらに前記基板（５００，１５００）に存在する異物の形状を測定する異物計測部（１３０，１１３０）と、当該異物計測部による計測結果から当該異物の除去の要否を判断する判定部（１８２，１１８２）を有し、当該判定部の判断結果により前記基板に対して前記異物除去処理を行うことを特徴とする異物除去装置（１００，１１００）である。
【００２２】
請求項１３の発明は、請求項１２に記載の異物除去装置において、前記異物計測部（１３０，１１３０）が共焦点光学系を用いた形状測定システムであることを特徴とする異物除去装置（１００，１１００）である。
【００２３】
請求項１４の発明は、請求項１から請求項１３までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、前記基板（５００，１５００）の異物除去対象基準面の位置を計測する基準面計測部（１４０，１１４０）を有し、前記制御部（１８０，１１８０）は、前記基準面計測部が計測した前記基板の異物除去対象基準面の位置に基づいて、前記異物除去テープ（１２２，１１２２）が前記基板の異物除去対象基準面に接触する位置まで前記基板と前記異物除去部（１２０，１１２０）とを相対的に移動させること、を特徴とする異物除去装置（１００，１１００）である。
【００２４】
請求項１５の発明は、請求項１から請求項１４までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、前記異物除去部（１１２０）は、前記基板（１５００）と前記異物除去テープ（１１２２）とが接触する部分に、前記異物除去テープを挟んで前記基板とは反対側に設けられたヘッド（１３００）を有し、前記ヘッドから前記異物除去テープを所定距離離して浮上させた状態とする浮上構造を備えること、を特徴とする異物除去装置（１１００）である。
【００２５】
請求項１６の発明は、請求項１５に記載の異物除去装置において、前記浮上構造は、前記ヘッド（１３００）と前記異物除去テープ（１１２２）との間に気体を流すことにより前記ヘッドから前記異物除去テープを所定距離離して浮上させた状態とすること、を特徴とする異物除去装置（１１００）である。
【００２６】
請求項１７の発明は、請求項１から請求項１６までのいずれか１項に記載の異物除去装置において、前記異物除去テープ（１１２２）は、前記基板（１５００）と接触する位置において、平面状に展開されていること、を特徴とする異物除去装置（１１００）である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、異物除去装置は、ＥＵＶＬマスクやナノインプリントリソグラフィ等の基板に付着した異物を、基板に傷をつけることなく除去できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明による異物除去装置１００の実施形態を示す図である。
【図２】異物除去部１２０の周辺の構成をより詳細に示す図である。
【図３】異物除去制御部１８０に関連する部分の制御ブロック図である。
【図４】ＥＵＶＬマスクブランク５００の層構成を示す断面図である。
【図５】第１実施形態の異物除去装置１００を用いて実際に異物除去処理を行ったときの光学ヘッド１３０による観察画像の例を示す図である。
【図６】第１実施形態の異物除去装置１００を用いて実際に異物除去処理を行ったときの光学ヘッド１３０による観察画像の他の例を示す図である。
【図７】本発明による異物除去装置１１００の第２実施形態を示す図である。
【図８】異物除去部１１２０の周辺の構成をより詳細に示す図である。
【図９】第２実施形態のヘッド１３００及び異物除去テープ１１２２を拡大して異物除去対象側から見た斜視図である。
【図１０】第２実施形態のヘッド１３００を拡大して異物除去対象側から見た斜視図である。
【図１１】第２実施形態のヘッド１３００及び異物除去テープ１１２２を異物除去テープ１１２２に沿って切断して模式的に示した断面図である。
【図１２】第２実施形態の異物除去装置１１００が備える圧縮空気供給構造を説明する図である。
【図１３】異物除去制御部１１８０に関連する部分の制御ブロック図である。
【図１４】シリコンウェハ１５００に異物が付着している状態を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を実施するための最良の形態について図面等を参照して説明する。
【００３０】
（第１実施形態）
図１は、本発明による異物除去装置１００の第１実施形態を示す図である。
なお、図１を含め、以下に示す各図は、模式的に示した図であり、各部の大きさ、形状は、理解を容易にするために、適宜誇張して示している。
また、以下の説明では、具体的な数値、形状、材料等を示して説明を行うが、これらは、適宜変更することができる。
【００３１】
第１実施形態の異物除去装置１００は、ＥＵＶＬ（Extreme Ultra Violet Lithography）マスクブランク５００に付着した異物（パーティクル）を除去する装置である。なお、本発明で異物除去対象の総称として用いる「基板」という文言には、上述のＥＵＶＬマスクブランクに限らず、例えば、ＥＵＶマスクを異物除去対象としても含むものとし、さらに、異物除去対象をこれらに限定するものではない。
第１実施形態の異物除去装置１００は、ＸＹステージ１１０と、異物除去部１２０と、光学ヘッド１３０と、変位計１４０と、コンピュータ１５０と、モニタ１６０と、ＸＹステージ制御部１７０と、異物除去制御部１８０とを備えている。
【００３２】
ＸＹステージ１１０は、ステージ１１１と、ボールネジ機構１１２，１１３とを有している。
ステージ１１１は、異物除去対象であるＥＵＶＬマスクブランク５００をその上面に保持して、ボールネジ機構１１２，１１３によりＸ方向、及び、Ｙ方向に独立して移動可能に構成されている保持部である。
ボールネジ機構１１２，１１３は、それぞれ、不図示のフレームに設けられたモータと、モータの回転軸と同期して回転するネジ軸と、ステージ１１１に設けられたナットとを備え、ステージ１１１をＸ方向、及び、Ｙ方向に独立して移動可能とする機構である。
なお、ＸＹステージ１１０には、不図示のエンコーダが設けられており、後述のコンピュータ１５０の制御により指定された位置に正確に移動するように制御される。
【００３３】
異物除去部１２０は、ステージ１１１に保持されたＥＵＶＬマスクブランク５００に対して異物除去処理を行う。
図２は、異物除去部１２０の周辺の構成をより詳細に示す図である。
異物除去部１２０は、不図示のフレームに連結された固定ベース部材１９０を有する。固定ベース部材１９０には、Ｚ軸方向に延在する２本のガイドレール１９１ａ及び１９１ｂが設けられている。これらガイドレール１９１ａ及び１９１ｂには、可動ベース部材１２１が昇降可能に連結されている。固定ベース部材１９０には、Ｚ軸モータ１９２が取り付けられている。Ｚ軸モータ１９２には、異物除去テープ１２２が異物に当接するようにＥＵＶＬマスクブランク５００と異物除去部１２０とを相対的に移動させる移動部として機能するボールネジ１９３を構成するネジ軸が連結されている。ボールネジ１９３のネジ軸には、可動ベース部材１２１に取り付けられたナットが移動可能に装着されている。したがって、可動ベース部材１２１は、Ｚ軸モータ１９２の駆動によりＺ軸方向に沿って自在に昇降することができる。なお、Ｚ軸駆動装置として、モータとボールネジの組み合わせ以外の各種駆動機構を用いてもよい。
【００３４】
可動ベース部材１２１には、テープカセット１２５が交換可能な状態で装着されている。テープカセット１２５は、異物除去テープ１２２が巻回されている供給リール１２３と巻き取りリール１２４とを有している。
【００３５】
供給リール１２３は、異物除去テープ１２２を送り出す側のリールであり、テンションモータ２１２（図３参照）が接続されている。
テンションモータ２１２は、不図示のエンコーダを有したエンコーダ付きモータである。テンションモータ２１２は、自らの回転数に関する情報をエンコーダから得て、出力する。
【００３６】
巻き取りリール１２４は、異物除去テープ１２２を巻き取る側のリールであり、巻き取りモータ２１１（図３参照）が接続されている。巻き取りモータ２１１は、パルスモータにより構成されている。
【００３７】
異物除去テープ１２２は、例えば４本のガイドローラとヘッドチップ１２６を介して２つのリール間に装着されている。異物除去テープ１２２の詳細については、後述する。
【００３８】
また、ガイドローラの内の１つには、ロータリーエンコーダ１２７が設けられており、走行経路中の異物除去テープ１２２の移動量を検出可能である。
【００３９】
異物除去処理時には、巻き取りモータ２１１が発生する駆動力によって、異物除去テープ１２２が供給リール１２３から巻き取りリール１２４側へと走行する。このとき、後述するＣＰＵ１８５及びコンピュータ１５０は、異物除去テープ１２２に一定のテンションが作用した状態のまま一定速度で走行するように制御を行う。この制御には、供給リール１２３のエンコーダと、ロータリーエンコーダ１２７との３つのエンコーダにより検出された情報を用いる。また、異物除去テープ１２２の走行速度は、例えば、１ｍｍ／ｓｅｃ単位で変更可能である。
【００４０】
光学ヘッド１３０は、可動ベース部材１２１に設けられており、ＥＵＶＬマスクブランク５００に付着した異物の高さ測定と、異物の観察が可能な異物計測部（形状測定システム）である。光学ヘッド１３０は、共焦点光学系により構成される撮像装置を有する。この撮像装置は、集束したライン状の光ビームを発生する照明光学系と、ライン状光ビームによりワーク表面を走査する走査系と、ワーク面からの反射光を受光するラインセンサとを有する。光学ヘッド１３０は、ＥＵＶＬマスクブランク５００の観察面を集束したライン状光ビームにより走査してＥＵＶＬマスクブランク５００の観察面の２次元共焦点画像を撮像する。ラインセンサからの出力信号は、ＥＵＶＬマスクブランク５００の観察面の２次元画像信号として出力され、モニタ１６０上にＥＵＶＬマスクブランク５００の観察面の２次元画像が表示される。したがって、オペレータは、光学ヘッド１３０を介して異物の画像を観察することにより、異物の形状等を把握できる。また、オペレータは、光学ヘッド１３０による観察により、異物除去後のＥＵＶＬマスクブランク５００の状態を把握し、１回の除去処理により異物が適切に除去されたか否か判定が可能である。そして、オペレータは、光学ヘッド１３０による観察結果により異物の除去が不十分であると判定した場合、同一の異物に対して再度の異物除去処理を行うことができる。
【００４１】
共焦点光学系の特性として、照明ビームの集束点を被計測面に対して連続的に変位させてＺ軸走査を行った場合、集束点（焦点）が試料表面上に位置すると受光素子には最大輝度値が検出される。したがって、被計測面上に焦点が位置した時の位置情報と焦点が異物の表面上に位置した時の位置情報とを用いて信号処理を行うことにより、異物の高さを計測することができる。
【００４２】
変位計１４０は、可動ベース部材１２１に設けられており、ＥＵＶＬマスクブランク５００の異物除去対象基準面に対する異物除去部１２０のＺ軸方向の位置を検出可能な基準面計測部である。第１実施形態の変位計１４０は、レーザー光をＥＵＶＬマスクブランク５００の異物除去対象基準面に照射し、異物除去対象基準面から反射して戻って来た反射レーザー光を受光して距離測定を行うレーザー変位計である。なお、変位計としては、レーザー変位計に限らず、例えば、エンコーダを利用した変位計等、他の形態の変位計であってもよい。変位計１４０により読み取られた位置情報は、基準座標系に対する異物除去部１２０のＺ軸方向の位置情報として利用する。
【００４３】
コンピュータ１５０は、異物除去装置１００の動作を統括制御し、かつ、利用者の操作を受け付ける制御部として機能する。コンピュータ１５０には、モニタ１６０が接続されており、光学ヘッド１３０による観察画像等の各種情報の表示が可能である。
【００４４】
ＸＹステージ制御部１７０は、コンピュータ１５０からの指示にしたがい、ＸＹステージ１１０の動作を制御する。
【００４５】
異物除去制御部１８０は、異物除去部１２０の動作を制御する。
図３は、異物除去制御部１８０に関連する部分の制御ブロック図である。
異物除去制御部１８０は、位置制御部１８１と、テープ走行制御部１８４とを有している。
【００４６】
位置制御部１８１は、ＣＰＵ１８２と、ＰＬＤ部１８３とを有している。
【００４７】
ＣＰＵ１８２は、異物除去部１２０の位置に関する制御を主に行う。
【００４８】
ＰＬＤ（Programmable Logic Device）部１８３は、ＣＰＵ１８２と、Ｚ軸モータドライバ１９１と、光学ヘッド１３０と、変位計１４０と、ロードセル２００とに接続されている。ここで、ロードセル２００は、異物除去処理時に異物除去テープ１２２をＥＵＶＬマスクブランク５００に押し付けている状態において異物除去部１２０（ヘッドチップ１２６）に作用する負荷を計測するものである。
【００４９】
テープ走行制御部１８４は、ＣＰＵ１８５と、ＰＬＤ部１８６とを有し、巻き取りモータ２１１と、テンションモータ２１２と、ロータリーエンコーダ１２７と、テープエンドセンサ２１３とに接続されている。
【００５０】
テープエンドセンサ２１３は、供給リール１２３に巻かれている異物除去テープ１２２が無くなったことを検出する。テープエンドセンサ２１３は、供給リール１２３に巻かれている異物除去テープ１２２の量を光センサ等により直接検出してもよいし、異物除去テープ１２２の終端部に設けられた各種マーク（磁気や反射部材等）を検出してもよい。また、テープエンドセンサ２１３を専用の独立したセンサとして設けずに、供給リール１２３のエンコーダ出力を利用してテープエンドを検出してもよい。テープエンドセンサ２１３により異物除去テープ１２２が無くなったことを検出した場合には、モニタ１６０にその旨が表示され、オペレータにテープの交換を促す。
【００５１】
図４は、ＥＵＶＬマスクブランク５００の層構成を示す断面図である。
第１実施形態では、異物除去対象のＥＵＶＬマスクブランク５００として、一辺が１５２ｍｍの正方形に形成され、厚みが６．３５ｍｍであるＥＵＶＬマスクブランクを用いる。
ＥＵＶＬマスクブランク５００は、低熱膨張性ガラスからなる基板５０１を基礎として、複数の層が積層されている。
基板５０１の表面側には、多層膜５０２と、保護膜５０４と、吸収体５０３とが、この順番で基板５０１から表面側に向かって積層形成されている。また、基板５０１の裏面側には、裏面保護膜５０５が積層形成されている。
【００５２】
多層膜５０２は、基板５０１の上に設けられており、ＥＵＶ光の反射ミラーとして機能する層である。多層膜５０２は、通常、モリブデンとシリコンとを交互に数十層積み重ねた構造を有している。この構造により、多層膜５０２に垂直に入射する波長１３．５ｎｍのＥＵＶ光の約６５％を反射することができる。なお、図４では、多層膜５０２が多層構造であることを表現しているが、この図４に示している多層膜５０２の層の数は、簡略化しており、実際とは異なっている。
【００５３】
保護膜５０４は、吸収体５０３と多層膜５０２との間に設けられており、吸収体５０３をエッチングする際に、多層膜５０２を保護する。保護膜５０４は、バッファレイヤー又はキャッピングレイヤーとも呼ばれる。
【００５４】
吸収体５０３は、保護膜５０４の表面側に設けられており、ＥＵＶ光を吸収する。
なお、実際に露光に用いられるＥＵＶＬマスクを作製するには、吸収体５０３上にレジストパターンを形成する。そして、レジストパターンをマスクとしてエッチングを行うことで、パターン付きＥＵＶＬマスクが完成する。
【００５５】
裏面保護膜５０５は、基板５０１の裏面を保護するために設けられたハードコーティング膜である。第１実施形態の裏面保護膜５０５は、窒化クロム（ＣｒＮ）膜により形成されている。窒化クロム膜により形成された裏面保護膜５０５の硬さは、１８００Ｈｖ以上となる。
【００５６】
ここで、異物除去テープ１２２を用いた異物除去処理について説明する。
異物除去テープ１２２は、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）製のテープをベースとして、合成樹脂をバインダとして酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の粒子がテープ上にバインドされている。異物除去テープ１２２は、走行させられながら異物に接触することにより、異物除去テープ１２２に含まれている粒子によって、異物を擦り取って除去するものである。第１実施形態の異物除去テープ１２２は、重量比で、ＰＥＴ：７８％以上、酸化アルミニウム：１４％以上、合成樹脂：８％以下の割合で構成されている。また、異物除去テープ１２２は、その幅が３．８ｍｍ、厚さが２８μｍであり、表面粗さＲａが０．０７μｍから０．２６μｍの間で複数種類のものが利用可能である。
第１実施形態では、異物除去対象の面（異物除去対象基準面）がＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５であり、これを形成する窒化クロム膜の硬さは、上述したように１８００Ｈｖ以上である。
そこで、第１実施形態の異物除去テープ１２２は、硬度Ｈｖ＝１５００の酸化アルミニウムを粒子として選択して用いている。ここで重要な点が、含まれる粒子の硬度が、ＥＵＶＬマスクブランク５００の異物を除去する表面の硬度よりも低い異物除去テープ１２２を用いることである。これにより、異物除去テープ１２２をＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５に接触させて走行させる異物除去処理を行っても、ＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５を損傷することがない。
【００５７】
なお、酸化アルミニウムの硬度は、１４００Ｈｖから１８００Ｈｖ程度の幅を持っているので、ここでは、１５００Ｈｖ以下の酸化アルミニウムを選択して用いている。
【００５８】
第１実施形態では、上記条件を満たす異物除去テープ１２２として、研磨テープとして用いられている材料を利用している。なお、異物除去テープ１２２には、研磨テープに限らず、異物除去テープに含まれる粒子の硬度が、異物を除去する表面の硬度よりも低いテープであれば、他の種類のテープを用いてもよい。
例えば、球状粒子とバインダ材の上塗り構造のテープを用いると、異物除去対象への攻撃性を緩和でき、異物除去対象を損傷するおそれを低減できる。
【００５９】
次に、第１実施形態の異物除去装置１００の異物除去処理の動作について説明する。
別途用意された異物検査装置を用いて異物検査を行った結果、異物が検出されたＥＵＶＬマスクブランク５００を、異物除去装置１００のステージ１１１に保持する。そして、異物検査装置で得られた欠陥座標情報（ＸＹ座標値）を検査結果としてＣＰＵ１８２が受信部となり受け取る。そして、この欠陥座標情報にしたがい、光学ヘッド１３０を異物付近に移動させる。そして、異物が存在する範囲内のＸＹ座標位置において、ＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面を光学ヘッド１３０により自動的にＺ軸方向でスキャンしながら、異物の高さを測定する。この高さの測定を、異物が存在する範囲内においてＸＹ座標位置を検査結果座標に従い移動させて行い、異物の高さを確認する。
次に、異物除去部１２０のヘッドチップ１２６が検出された異物の直上となるように、ＸＹステージ１１０によりステージ１１１と共にＥＵＶＬマスクブランク５００を移動させる。
次に、変位計１４０により、ヘッドチップ１２６の先端からＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５の上面までの距離を測定する。
【００６０】
変位計１４０による距離測定結果にしたがって、異物除去部１２０を下降させ、異物とヘッドチップ１２６との距離が所定距離以下となった時点で、異物除去テープ１２２の走行を開始する。異物除去テープ１２２を走行させながら異物除去部１２０の下降を継続すると、異物に異物除去テープ１２２が接触して、異物を除去できる。なお、異物除去処理は、１回の動作で終了させるのではなく、例えば、異物と異物除去テープ１２２とが所定量接触する位置まで異物除去部１２０を下降させて１回目の処理を終了する。そして、光学ヘッド１３０により異物の存在していた位置を再観察して、２回目の異物除去処理を行うか否かをオペレータが判断する。その結果、必要で有れば、１回目の処理時よりもさらに異物除去部１２０を下降させて２回目以降の処理を行うとよい。
【００６１】
また、異物除去処理中にヘッドチップ１２６に作用する荷重は、ロードセル２００により監視されており、荷重が所定値以上とならないように荷重制御も併せて行われ、例えば、異常な負荷が生じた場合には、警告と共に異物除去部１２０の下降を停止させる等の保安処置を行う。
【００６２】
ここで、上述したように、異物除去テープ１２２に含まれる粒子の硬度は、異物を除去する表面の硬度よりも低い。したがって、数回の異物除去処理によっても異物が除去しきれないような場合には、異物除去テープ１２２をＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５に接触させて走行させて異物除去処理を行ってもよい。異物除去テープ１２２をＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５に接触させて走行させる異物除去処理を行っても、裏面保護膜５０５と異物除去テープ１２２との間に硬度差があることから、ＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５を損傷することがない。また、上述した荷重制御も併せて行うので、ＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５を損傷する危険性がさらに低下する。
【００６３】
図５は、第１実施形態の異物除去装置１００を用いて実際に異物除去処理を行ったときの光学ヘッド１３０による観察画像の例を示す図である。
図５（ａ）は、異物除去処理を行う前の画像を示し、図５（ｂ）は、異物除去処理を行った後の画像を示している。
異物除去処理前には、長さが約５０μｍ、異物除去対象基準面からの高さが約１４μｍの異物が裏面保護膜５０５に付着していたが、異物除去処理後には、異物が完全に取り除かれている。
【００６４】
図６は、第１実施形態の異物除去装置１００を用いて実際に異物除去処理を行ったときの光学ヘッド１３０による観察画像の他の例を示す図である。
図６（ａ）は、異物除去処理を行う前の画像を示し、図６（ｂ）は、１回目の異物除去処理を行った後の画像を示し、図６（ｃ）は、２回目の異物除去処理を行った後の画像を示し、図６（ｄ）は、３回目の異物除去処理を行った後の画像を示している。
異物除去処理前には、長さが約３５μｍ、異物除去対象基準面からの高さが約２μｍの異物が裏面保護膜５０５に付着していた。この例では、合計３回の異物除去処理を行うことによって、異物を完全に除去できた。
【００６５】
以上説明したように、第１実施形態によれば、異物除去テープ１２２に含まれる粒子の硬度を、ＥＵＶＬマスクブランク５００の異物を除去する対象面である裏面保護膜５０５の硬度よりも低く設定した。よって、異物除去テープ１２２をＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５に接触させて走行させる異物除去処理を行っても、ＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５を損傷することがない。また、異物除去テープ１２２をＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５に接触させて走行させることができるので、異物を除去できる確率が非常に高くなる。
【００６６】
（第２実施形態）
図７は、本発明による異物除去装置１１００の第２実施形態を示す図である。
なお、図７を含め、以下に示す各図は、模式的に示した図であり、各部の大きさ、形状は、理解を容易にするために、適宜誇張して示している。
また、以下の説明では、具体的な数値、形状、材料等を示して説明を行うが、これらは、適宜変更することができる。
【００６７】
第２実施形態の異物除去装置１１００は、ナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）に用いられるシリコンウェハ１５００や各膜層に付着した異物（パーティクル）を除去する装置である。
第２実施形態の異物除去装置１１００は、ＸＹステージ１１１０と、異物除去部１１２０と、光学ヘッド１１３０と、変位計１１４０と、コンピュータ１１５０と、モニタ１１６０と、ＸＹステージ制御部１１７０と、異物除去制御部１１８０とを備えている。
【００６８】
ＸＹステージ１１１０は、ステージ１１１１と、ボールネジ機構１１１２，１１１３とを有している。
ステージ１１１１は、異物除去対象であるシリコンウェハ１５００をその上面に保持して、ボールネジ機構１１１２，１１１３によりＸ方向、及び、Ｙ方向に独立して移動可能に構成されている保持部である。
ボールネジ機構１１１２，１１１３は、それぞれ、不図示のフレームに設けられたモータと、モータの回転軸と同期して回転するネジ軸と、ステージ１１１１に設けられたナットとを備え、ステージ１１１１をＸ方向、及び、Ｙ方向に独立して移動可能とする機構である。
なお、ＸＹステージ１１１０には、不図示のエンコーダが設けられており、後述のコンピュータ１１５０の制御により指定された位置に正確に移動するように制御される。
【００６９】
異物除去部１１２０は、ステージ１１１１に保持されたシリコンウェハ１５００に対して異物除去処理を行う。
図８は、異物除去部１１２０の周辺の構成をより詳細に示す図である。
異物除去部１１２０は、不図示のフレームに連結された固定ベース部材１１９０を有する。固定ベース部材１１９０には、Ｚ軸方向に延在する２本のガイドレール１１９１ａ及び１１９１ｂが設けられている。これらガイドレール１１９１ａ及び１１９１ｂには、可動ベース部材１１２１が昇降可能に連結されている。固定ベース部材１１９０には、Ｚ軸モータ１１９２が取り付けられている。Ｚ軸モータ１１９２には、異物除去テープ１１２２が異物に当接するようにシリコンウェハ１５００と異物除去部１１２０とを相対的に移動させる移動部として機能するボールネジ１１９３を構成するネジ軸が連結されている。ボールネジ１１９３のネジ軸には、可動ベース部材１１２１に取り付けられたナットが移動可能に装着されている。したがって、可動ベース部材１１２１は、Ｚ軸モータ１１９２の駆動によりＺ軸方向に沿って自在に昇降することができる。なお、Ｚ軸駆動装置として、モータとボールネジの組み合わせ以外の各種駆動機構を用いてもよい。
【００７０】
可動ベース部材１１２１には、テープカセット１１２５が交換可能な状態で装着されている。テープカセット１１２５は、異物除去テープ１１２２が巻回されている供給リール１１２３と巻き取りリール１１２４とを有している。
【００７１】
供給リール１１２３は、異物除去テープ１１２２を送り出す側のリールであり、テンションモータ１２１２（図１３参照）が接続されている。
テンションモータ１２１２は、不図示のエンコーダを有したエンコーダ付きモータである。テンションモータ１２１２は、自らの回転数に関する情報をエンコーダから得て、出力する。
【００７２】
巻き取りリール１１２４は、異物除去テープ１１２２を巻き取る側のリールであり、巻き取りモータ１２１１（図１３参照）が接続されている。巻き取りモータ１２１１は、パルスモータにより構成されている。
【００７３】
異物除去テープ１１２２は、例えば４本のガイドローラとヘッド１３００を介して２つのリール間に装着されている。異物除去テープ１１２２の詳細については、後述する。
【００７４】
また、ガイドローラの内の１つには、ロータリーエンコーダ１１２７が設けられており、走行経路中の異物除去テープ１１２２の移動量を検出可能である。
【００７５】
図９は、第２実施形態のヘッド１３００及び異物除去テープ１１２２を拡大して異物除去対象側から見た斜視図である。
図１０は、第２実施形態のヘッド１３００を拡大して異物除去対象側から見た斜視図である。
図１１は、第２実施形態のヘッド１３００及び異物除去テープ１１２２を異物除去テープ１１２２に沿って切断して模式的に示した断面図である。
ヘッド１３００は、ヘッド本体１３０１と、蓋部材１３０２と、供給管１３０３とを有している。
【００７６】
ヘッド本体１３０１は、平面部１３０１ａと、凹部１３０１ｂと、溝部１３０１ｃと、オリフィス部１３０１ｄと、案内溝１３０１ｅと、チャンバ１３０１ｆとを備えている。
平面部１３０１ａは、異物除去対象であるシリコンウェハ１５００に対して平行に対向する面である。異物除去テープ１１２２は、この平面部１３０１ａに沿って走行しながら、異物の除去を行う。第２実施形態では、平面部１３０１ａに沿って異物除去テープ１１２２が走行するので、異物除去テープ１１２２は、シリコンウェハ１５００と接触する位置において、平面状に展開されている。したがって、シリコンウェハ１５００に対する異物除去テープ１１２２の接触面積が大きくなり、接触面における圧力を低下させることができる。
【００７７】
凹部１３０１ｂは、異物除去テープ１１２２が通過する位置において、平面部１３０１ａよりも低くザグリ状に形成されている。
【００７８】
溝部１３０１ｃは、凹部１３０１ｂの対向する２箇所の端部に形成されている。溝部１３０１ｃが延在する方向は、異物除去テープ１１２２が走行する方向とは直交する方向である。
【００７９】
オリフィス部１３０１ｄは、凹部１３０１ｂの中央部にチャンバ１３０１ｆまで貫通して形成された貫通孔である。
【００８０】
案内溝１３０１ｅは、平面部１３０１ａの端部に形成された溝であり、異物除去テープ１１２２の走行を案内する。
【００８１】
チャンバ１３０１ｆは、ヘッド本体１３０１の内部に形成された空間であり、供給管１３０３から供給される圧縮空気が一時的に滞留する。
【００８２】
蓋部材１３０２は、ヘッド本体１３０１のチャンバ１３０１ｆに蓋をする部材である。
【００８３】
供給管１３０３は、チャンバ１３０１ｆ内に挿通しており、後述のフィルタを通った圧縮空気をチャンバ１３０１ｆ内に供給する。
【００８４】
第２実施形態のヘッド１３００は、上述の構成により、ヘッド１３００から異物除去テープ１１２２を所定距離だけ離して浮上させた状態とする浮上構造を構成している。
【００８５】
図１２は、第２実施形態の異物除去装置１１００が備える圧縮空気供給構造を説明する図である。
異物除去装置１１００は、上述した構成の他に、エア源１４０１と、レギュレータ１４０２と、電磁弁１４０３と、フィルタ１４０４とを備えている。
エア源１４０１は、例えば、エアコンプレッサや、ガスボンベ等により構成される。エア源１４０１から供給される圧縮空気は、レギュレータ１４０２へ送られる。
レギュレータ１４０２は、圧縮空気の圧力を必要な圧力に調整（減圧）する。
電磁弁１４０３は、後述のＰＬＤ１１８６の指示にしたがい、流路の開閉を行う。
フィルタ１４０４は、電磁弁１４０３を通過してきた圧縮空気中に含まれる塵埃や水分を除去する。フィルタ１４０４を通過した圧縮空気は、供給管１３０３を通ってヘッド１３００へ供給される。
【００８６】
ここで、異物除去テープ１１２２を浮上させる動作について説明する。
異物除去処理時には、供給管１３０３を通ってヘッド１３００へ供給された圧縮空気は、チャンバ１３０１ｆ内において所定圧力で溜まる。また、チャンバ１３０１ｆ内の圧縮空気の一部は、オリフィス部１３０１ｄを通過して速度を増して凹部１３０１ｂに噴射され、平面部１３０１ａと異物除去テープ１１２２との間を高速で流れる。このとき、ベルヌーイの法則にしたがって、この平面部１３０１ａと異物除去テープ１１２２との間の気圧が、大気圧よりも減少する。これにより、異物除去テープ１１２２には、ヘッド１３００へ押し付けられる力Ｆ１が生じる。この力Ｆ１と、異物除去テープ１１２２の自重と、異物除去テープ１１２２に作用する張力Ｆ２とのバランスを適切に設定することにより、異物除去テープ１１２２は、ヘッド１３００から所定の距離だけ離れた位置に浮上した状態となる。
【００８７】
また、異物除去処理時には、巻き取りモータ１２１１が発生する駆動力によって、異物除去テープ１１２２が供給リール１１２３から巻き取りリール１１２４側へと走行する。このとき、後述するＣＰＵ１１８５及びコンピュータ１１５０は、異物除去テープ１１２２に一定のテンションが作用した状態のまま一定速度で走行するように制御を行う。この制御には、供給リール１１２３のエンコーダと、ロータリーエンコーダ１１２７との３つのエンコーダにより検出された情報を用いる。また、異物除去テープ１１２２の走行速度は、例えば、１ｍｍ／ｓｅｃ単位で変更可能である。
【００８８】
光学ヘッド１１３０は、可動ベース部材１１２１に設けられており、シリコンウェハ１５００に付着した異物の高さ測定と、異物の観察が可能な異物計測部（形状測定システム）である。光学ヘッド１１３０は、共焦点光学系により構成される撮像装置を有する。この撮像装置は、集束したライン状の光ビームを発生する照明光学系と、ライン状光ビームによりワーク表面を走査する走査系と、ワーク面からの反射光を受光するラインセンサとを有する。光学ヘッド１１３０は、シリコンウェハ１５００の観察面を集束したライン状光ビームにより走査してシリコンウェハ１５００の観察面の２次元共焦点画像を撮像する。ラインセンサからの出力信号は、シリコンウェハ１５００の観察面の２次元画像信号として出力され、モニタ１１６０上にシリコンウェハ１５００の観察面の２次元画像が表示される。したがって、オペレータは、光学ヘッド１１３０を介して異物の画像を観察することにより、異物の形状等を把握できる。また、オペレータは、光学ヘッド１１３０による観察により、異物除去後のシリコンウェハ１５００の状態を把握し、１回の除去処理により異物が適切に除去されたか否か判定が可能である。そして、オペレータは、光学ヘッド１１３０による観察結果により異物の除去が不十分であると判定した場合、同一の異物に対して再度の異物除去処理を行うことができる。
また、再度の異物除去処理に関しては、オペレータによる判断の他、高さ測定値からの数値スライス判断や、画像処理による異物痕跡判断に基づいて行ってもよい。
【００８９】
共焦点光学系の特性として、照明ビームの集束点を被計測面に対して連続的に変位させてＺ軸走査を行った場合、集束点（焦点）が試料表面上に位置すると受光素子には最大輝度値が検出される。したがって、被計測面上に焦点が位置した時の位置情報と焦点が異物の表面上に位置した時の位置情報とを用いて信号処理を行うことにより、異物の高さを計測することができる。
【００９０】
変位計１１４０は、可動ベース部材１１２１に設けられており、シリコンウェハ１５００の異物除去対象基準面に対する異物除去部１１２０のＺ軸方向の位置を検出可能な基準面計測部である。第２実施形態の変位計１１４０は、レーザー光をシリコンウェハ１５００の異物除去対象基準面に照射し、異物除去対象基準面から反射して戻って来た反射レーザー光を受光して距離測定を行うレーザー変位計である。なお、変位計としては、レーザー変位計に限らず、例えば、エンコーダを利用した変位計等、他の形態の変位計であってもよい。変位計１１４０により読み取られた位置情報は、基準座標系に対する異物除去部１１２０のＺ軸方向の位置情報として利用する。
【００９１】
コンピュータ１１５０は、異物除去装置１１００の動作を統括制御し、かつ、利用者の操作を受け付ける制御部として機能する。コンピュータ１１５０には、モニタ１１６０が接続されており、光学ヘッド１１３０による観察画像等の各種情報の表示が可能である。
【００９２】
ＸＹステージ制御部１１７０は、コンピュータ１１５０からの指示にしたがい、ＸＹステージ１１１０の動作を制御する。
【００９３】
異物除去制御部１１８０は、異物除去部１１２０の動作を制御する。
図１３は、異物除去制御部１１８０に関連する部分の制御ブロック図である。
異物除去制御部１１８０は、位置制御部１１８１と、テープ走行制御部１１８４とを有している。
【００９４】
位置制御部１１８１は、ＣＰＵ１１８２と、ＰＬＤ部１１８３とを有している。
【００９５】
ＣＰＵ１１８２は、異物除去部１１２０の位置に関する制御を主に行う。
【００９６】
ＰＬＤ（Programmable Logic Device）部１１８３は、ＣＰＵ１１８２と、Ｚ軸モータドライバ１１９１と、光学ヘッド１１３０と、変位計１１４０と、ロードセル１２００とに接続されている。ここで、ロードセル１２００は、異物除去処理時に異物除去テープ１１２２をシリコンウェハ１５００に押し付けている状態において異物除去部１１２０（ヘッド１３００）に作用する負荷を計測するものである。
【００９７】
テープ走行制御部１１８４は、ＣＰＵ１１８５と、ＰＬＤ部１１８６とを有し、巻き取りモータ１２１１と、テンションモータ１２１２と、ロータリーエンコーダ１１２７と、テープエンドセンサ１２１３と、電磁弁１４０３とに接続されている。
【００９８】
テープエンドセンサ１２１３は、供給リール１１２３に巻かれている異物除去テープ１１２２が無くなったことを検出する。テープエンドセンサ１２１３は、供給リール１１２３に巻かれている異物除去テープ１１２２の量を光センサ等により直接検出してもよいし、異物除去テープ１１２２の終端部に設けられた各種マーク（磁気や反射部材等）を検出してもよい。また、テープエンドセンサ１２１３を専用の独立したセンサとして設けずに、供給リール１１２３のエンコーダ出力を利用してテープエンドを検出してもよい。テープエンドセンサ１２１３により異物除去テープ１１２２が無くなったことを検出した場合には、モニタ１１６０にその旨が表示され、オペレータにテープの交換を促す。
【００９９】
図１４は、シリコンウェハ１５００に異物が付着している状態を示す断面図である。
シリコンウェハ１５００は、シリコンウェハ本体１５０１と、平坦化層１５０２とを備えている。また、シリコンウェハ本体１５０１と平坦化層１５０２との間には、多層膜が形成されている場合もある。
平坦化層１５０２は、例えば、シリコンウェハ本体１５０１上に複数層の回路を形成するとき等に、回路が形成されて凹凸のあるシリコンウェハ本体１５０１の表面を平坦にするために形成されている。この平坦化層１５０２は、ＣＭＰ処理が行われて研磨された状態となっている。しかし、ＣＭＰ処理を行ってもなお、平坦化層１５０２又は各膜層内に取り込まれて突出した異物が残存する場合がある。図１４には、この残存する異物ｄを模式的に示している。
第２実施形態の異物除去装置１１００では、例えば、異物ｄの高さｈが１００ｎｍ以上ある場合に、これを除去するために利用され、異物ｄの高さｈを１００ｎｍ未満に抑える。異物ｄの高さｈが１００ｎｍ以上あると、ＮＩＬにおいて型（原版）を損傷してしまうおそれがあるからである。
【０１００】
ここで、異物除去テープ１１２２を用いた異物除去処理について説明する。
異物除去テープ１１２２は、ＰＥＴ（Polyethylene terephthalate）製のテープをベースとして、合成樹脂をバインダとして酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の粒子がテープ上にバインドされている。異物除去テープ１１２２は、走行させられながら異物に接触することにより、異物除去テープ１１２２に含まれている粒子によって、異物を擦り取って除去するものである。
第２実施形態では、上記条件を満たす異物除去テープ１１２２として、研磨テープとして用いられている材料を利用している。
【０１０１】
次に、第２実施形態の異物除去装置１１００の異物除去処理の動作について説明する。
別途用意された異物検査装置を用いて異物検査を行った結果、異物ｄが検出されたシリコンウェハ１５００を、異物除去装置１１００のステージ１１１１に保持する。そして、異物検査装置で得られた欠陥座標情報（ＸＹ座標値）を検査結果としてＣＰＵ１１８２が受信部となり受け取る。そして、この欠陥座標情報にしたがい、光学ヘッド１１３０を異物ｄ付近に移動させる。そして、異物ｄが存在する範囲内のＸＹ座標位置において、シリコンウェハ１５００を光学ヘッド１１３０により自動的にＺ軸方向でスキャンしながら、異物ｄの高さを測定する。この高さの測定を、異物ｄが存在する範囲内においてＸＹ座標位置を検査結果座標にしたがい移動させて行い、異物ｄの高さを確認する。
次に、異物除去部１１２０のヘッド１３００が検出された異物ｄの直上となるように、ＸＹステージ１１１０によりステージ１１１１と共にシリコンウェハ１５００を移動させる。
次に、変位計１１４０により、ヘッド１３００の先端からシリコンウェハ１５００の上面までの距離を測定する。
【０１０２】
変位計１１４０による距離測定結果にしたがって、異物除去部１１２０を下降させ、異物ｄとヘッド１３００との距離が所定距離以下となった時点で、異物除去テープ１１２２の走行を開始する。このとき、異物除去テープ１１２２は、ヘッド１３００から浮上した状態で走行する。異物除去テープ１１２２を走行させながら異物除去部１１２０の下降を継続すると、異物ｄに異物除去テープ１１２２が接触して、異物ｄを除去できる。
【０１０３】
ここで、仮に、異物除去テープ１１２２とシリコンウェハ１５００の表面との平行度が低く、シリコンウェハ１５００上の異物以外の部分と異物除去テープ１１２２とが接触してしまったとしても、異物除去テープ１１２２が浮上していることから、シリコンウェハ１５００に対して大きな損傷を与えることを防止できる。
【０１０４】
なお、異物除去処理は、１回の動作で終了させるのではなく、例えば、異物ｄと異物除去テープ１１２２とが所定量接触する位置まで異物除去部１１２０を下降させて１回目の処理を終了する。そして、光学ヘッド１１３０により異物ｄの存在していた位置を再観察して、２回目の異物除去処理を行うか否かをオペレータが判断する。その結果、必要で有れば、１回目の処理時よりもさらに異物除去部１１２０を下降させて２回目以降の処理を行うとよい。
【０１０５】
また、異物除去処理中にヘッド１３００に作用する荷重は、ロードセル１２００により監視されており、荷重が所定値以上とならないように荷重制御も併せて行われ、例えば、異常な負荷が生じた場合には、警告と共に異物除去部１１２０の下降を停止させる等の保安処置を行う。
【０１０６】
以上説明したように、第２実施形態によれば、異物除去テープ１１２２は、ヘッド１３００から浮上した状態で走行して異物の除去を行うので、シリコンウェハ１５００をやさしく撫でるかのように異物除去テープ１１２２がシリコンウェハ１５００に接触する。また、平面部１３０１ａに沿って異物除去テープ１１２２が走行するので、接触面における圧力も低く抑えることができる。よって、仮に異物除去テープ１１２２がシリコンウェハ１５００上で異物が存在していない部分に接触してしまったとしても、シリコンウェハ１５００に大きな損傷を与えることがない。よって、第２実施形態の異物除去装置１１００は、例えば、異物の高さが１００ｎｍ程度という、従来では実現不可能であった微細な異物の除去を、シリコンウェハ１５００を損傷することなく行うことができる。
【０１０７】
（変形形態）
以上説明した実施形態に限定されることなく、種々の変形や変更が可能であって、それらも本発明の範囲内である。
【０１０８】
（１）各実施形態において、異物除去処理の動作として、異物除去部１２０（又は、異物除去部１１２０）を下降させる位置を段階的に変化させて行う例を挙げて説明した。これに限らず、例えば、異物除去処理の動作としては、初回から異物除去テープ１２２（又は、異物除去テープ１１２２）をＥＵＶＬマスクブランク５００の裏面保護膜５０５（又は、シリコンウェハ１５００）に接触させて走行させるようにしてもよい。
【０１０９】
（２）各実施形態において、異物除去テープ１２２（又は、異物除去部１１２０）は、酸化アルミニウムの粒子を有する例を挙げて説明した。これに限らず、例えば、異物除去テープには、二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を異物除去用の粒子として有するようにしてもよい。
【０１１０】
（３）各実施形態において、異物除去対象の基板は、ＥＵＶＬマスク又はＥＵＶＬマスクブランク（又は、シリコンウェハ１５００）である例を挙げて説明した。これに限らず、例えば、異物除去対象の基板は、液晶表示装置用のガラス基板であってもよいし、その他の種類の基板であってもよい。例えば、第２実施形態において、異物除去対象の基板としては、シリコンウェハ１５００の平坦化層１５０２である例を挙げて説明したが、酸化シリコン膜や、窒化シリコン膜、シリコン系膜をはじめとする各膜層中に含まれる異物を除去するものであってもよい。これらの場合、異物除去テープの粒子は、除去対象の異物を除去可能な硬度のものを適宜選択して使用するとよい。なお、異物除去対象の基板が上記実施形態と異なる場合には、異物除去テープが有する粒子の硬度を、基板の硬度よりも低いものを用いることが必要である。
【０１１１】
（４）各実施形態において、別途用意された異物検査装置を用いて異物検査を行った結果に基づいて異物除去を行う例を挙げて説明した。これに限らず、例えば、基板に付着した異物を検出する異物検出部を本異物除去装置にさらに備えてもよい。この場合、この異物検出部により得られた異物の座標に基づき異物除去処理を行うとよい。これにより、基板の載せ替え作業等を省略でき、より効率よく作業を行える。また、この場合において、さらに、異物検出部により得られた異物の寸法から異物除去の要否を判断する判定部としての機能を、例えばＣＰＵ１８２（又は、ＣＰＵ１１８２）に持たせてもよい。この場合、この判定部（ＣＰＵ１８２（又は、ＣＰＵ１１８２））の判断結果により基板に対して異物除去処理を行うようにすることができ、作業者の負担を軽減できる。
【０１１２】
（５）第２実施形態において、異物除去テープ１１２２を浮上させるために圧縮空気を用いる例を挙げて説明した。これに限らず、例えば、窒素等、他の気体を用いてもよい。
【０１１３】
なお、実施形態及び変形形態は、適宜組み合わせて用いることもできるが、詳細な説明は省略する。また、本発明は以上説明した各実施形態によって限定されることはない。
【符号の説明】
【０１１４】
１００    異物除去装置
１１０    ＸＹステージ
１１１    ステージ
１１２，１１３  ボールネジ機構
１２０    異物除去部
１２１    可動ベース部材
１２２    異物除去テープ
１２３    供給リール
１２４    巻き取りリール
１２５    テープカセット
１２６    ヘッドチップ
１２７    ロータリーエンコーダ
１３０    光学ヘッド
１４０    変位計
１５０    コンピュータ
１６０    モニタ
１７０    ステージ制御部
１８０    異物除去制御部
１８１    位置制御部
１８２    ＣＰＵ
１８３    ＰＬＤ部
１８４    テープ走行制御部
１８５    ＣＰＵ
１８６    ＰＬＤ部
１９０    固定ベース部材
１９１    Ｚ軸モータドライバ
１９１ａ，１９１ｂ  ガイドレール
１９２    Ｚ軸モータ
１９３    ボールネジ
２００    ロードセル
２１１    巻き取りモータ
２１２    テンションモータ
２１３    テープエンドセンサ
５００    ＥＵＶＬマスクブランク
５０１    基板
５０２    多層膜
５０３    吸収体
５０４    保護膜
５０５    裏面保護膜
１１００    異物除去装置
１１１０    ＸＹステージ
１１１１    ステージ
１１１２，１１１３  ボールネジ機構
１１２０    異物除去部
１１２１    可動ベース部材
１１２２    異物除去テープ
１１２３    供給リール
１１２４    巻き取りリール
１１２５    テープカセット
１１２７    ロータリーエンコーダ
１１３０    光学ヘッド
１１４０    変位計
１１５０    コンピュータ
１１６０    モニタ
１１７０    ステージ制御部
１１８０    異物除去制御部
１１８１    位置制御部
１１８２    ＣＰＵ
１１８３    ＰＬＤ部
１１８４    テープ走行制御部
１１８５    ＣＰＵ
１１８６    ＰＬＤ部
１１９０    固定ベース部材
１１９１    Ｚ軸モータドライバ
１１９１ａ，１１９１ｂ  ガイドレール
１１９２    Ｚ軸モータ
１１９３    ボールネジ
１２００    ロードセル
１２１１    巻き取りモータ
１２１２    テンションモータ
１２１３    テープエンドセンサ
１３００    ヘッド
１３０１    ヘッド本体
１３０１ａ  平面部
１３０１ｂ  凹部
１３０１ｃ  溝部
１３０１ｄ  オリフィス部
１３０１ｅ  案内溝
１３０１ｆ  チャンバ
１３０２    蓋部材
１３０３    供給管
１４０１    エア源
１４０２    レギュレータ
１４０３    電磁弁
１４０４    フィルタ
１５００    シリコンウェハ
１５０１    シリコンウェハ本体
１５０２    平坦化層
ｄ          異物
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図５】
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【図６】
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