(57)【要約】【課題】移動体と検出電極とのギャップや周囲温度に依らず移動体の変位を精度良く求める構成を簡易に実現することのできる静電容量式検出装置を提供する。【解決手段】対象物と共にｘ方向に沿って移動する移動体１に対向して配置される検出電極２と、検出電極２の近傍において移動体１と対向して配置される参照電極３とを備え、検出電極２を、移動体１のｘ方向に沿った変位に伴って移動体１との間の静電容量が変化する形状に形成し、参照電極３を、移動体１のｘ方向に沿った変位によっては移動体１との間の静電容量が変化しない形状に形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物と共に一の方向に沿って移動する移動体に対向して配置される検出電極と、前記検出電極の近傍において前記移動体と対向して配置される参照電極とを備え、
前記検出電極を、前記移動体の前記一の方向に沿った変位に伴って前記移動体との間の静電容量が変化する形状に形成し、
前記参照電極を、前記移動体の前記一の方向に沿った変位によっては前記移動体との間の静電容量が変化しない形状に形成することを特徴とする静電容量式検出装置。
【請求項２】
前記参照電極を、自身が配置される平面上において、前記一の方向と直交する方向に沿って前記検出電極を挟んだ両側にそれぞれ配置することを特徴とする請求項１記載の静電容量式検出装置。
【請求項３】
前記参照電極は、互いに電気的に独立した複数の電極から成ることを特徴とする請求項１記載の静電容量式検出装置。
【請求項４】
前記参照電極を複数備え、前記各参照電極は、前記移動体との間の静電容量がそれぞれ互いに異なることを特徴とする請求項１記載の静電容量式検出装置。
【請求項５】
前記検出電極及び前記参照電極は、リジッド基板から成る複数の基板を積層して成る多層基板のうち、内側の前記基板に形成することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の静電容量式検出装置。
【請求項６】
前記リジッド基板は、セラミック基板から成ることを特徴とする請求項５記載の静電容量式検出装置。
【請求項７】
前記多層基板の少なくとも一部を樹脂製のケースに一体成形することを特徴とする請求項５又は６記載の静電容量式検出装置。
【請求項８】
前記検出電極を挟んだ前記移動体とは反対側の位置に、前記検出電極と同電位に接続されるシールド電極を配置することを特徴とする請求項１乃至７の何れか１項に記載の静電容量式検出装置。
【請求項９】
前記移動体と前記検出電極との間の静電容量に基づく電圧、及び前記移動体と前記参照電極との間の静電容量に基づく電圧を出力するＣＶ変換回路と、前記ＣＶ変換回路の出力電圧に基づいて前記移動体の前記一の方向の変位を求める演算回路とを有する処理部を備えることを特徴とする請求項１乃至８の何れか１項に記載の静電容量式検出装置。
【請求項１０】
前記処理部は、前記ＣＶ変換回路の出力電圧を所定の電圧に変換して出力する信号処理回路を有し、前記信号処理回路において、前記移動体と前記参照電極との間の静電容量に基づいて前記移動体と前記検出電極との間の静電容量を補正することを特徴とする請求項９記載の静電容量式検出装置。
【請求項１１】
前記処理部は、前記ＣＶ変換回路において、前記移動体と前記参照電極との間の静電容量に基づいて前記移動体と前記検出電極との間の静電容量を補正することを特徴とする請求項９記載の静電容量式検出装置。
【請求項１２】
前記処理部と電気的に接続される金属板から成る端子を有し、前記端子を前記処理部の出力電極に溶接して接続することを特徴とする請求項９乃至１１の何れか１項に記載の静電容量式検出装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電容量式検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、対象物の変位を求める静電容量式の検出装置が知られており、例えば特許文献１に開示されている。特許文献１に記載の差動容量型トランスデューサの信号処理回路は、同一面上に配置された２つの分割電極と、該分割電極と空隙を介して対向してｘ方向に移動可能な共通電極とで構成される差動容量型トランスデューサに用いるものである。各分割電極と共通電極との間には、共通電極のｘ方向の移動により増減する静電容量Ｃａ，Ｃｂがそれぞれ形成される。
【０００３】
この信号処理回路は、２つの静電容量を流れる高周波電流を電圧に変換するＣ−Ｖ変換回路と、各Ｃ−Ｖ変換回路の交流電圧出力を減算する減算回路と、各Ｃ−Ｖ変換回路の交流電圧出力を加算する加算回路とを備える。また、この信号処理回路は、減算回路及び加算回路の交流電圧出力を同期検波し、（Ｃａ−Ｃｂ）と（Ｃａ＋Ｃｂ）に比例した直流出力電圧を得る同期検波回路と、加算回路出力が常に一定の直流電位になるように制御する帰還回路とを備える。
【０００４】
この信号処理回路では、共通電極が平行状態ではなく傾きを持って移動する場合、すなわち各静電容量の変化が１次の誤差を持つ場合の誤差を補償する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−０７７２８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記従来例では、共通電極（移動体）と各分割電極（検出電極）とのギャップや周囲温度が変化した場合に、ギャップや周囲温度に依らずに共通電極の変位量を求めることができる。しかしながら、上記従来例では、一方の分割電極の共通電極（移動体）と対向する面積と、他方の分割電極の共通電極と対向する面積との和が、共通電極の移動に依らず一定となるように各分割電極を形成する必要がある。
【０００７】
このため、共通電極が直線運動する場合には上記のように構成し易いが、例えば共通電極が回転運動する場合には、各分割電極を精密に形成する必要があり、上記のように構成し難いという問題があった。
【０００８】
本発明は、上記の点に鑑みて為されたもので、移動体と検出電極とのギャップや周囲温度に依らず移動体の変位を精度良く求める構成を簡易に実現することのできる静電容量式検出装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の静電容量式検出装置は、対象物と共に一の方向に沿って移動する移動体に対向して配置される検出電極と、前記検出電極の近傍において前記移動体と対向して配置される参照電極とを備え、前記検出電極を、前記移動体の前記一の方向に沿った変位に伴って前記移動体との間の静電容量が変化する形状に形成し、前記参照電極を、前記移動体の前記一の方向に沿った変位によっては前記移動体との間の静電容量が変化しない形状に形成することを特徴とする。
【００１０】
この静電容量式検出装置において、前記参照電極を、自身が配置される平面上において、前記一の方向と直交する方向に沿って前記検出電極を挟んだ両側にそれぞれ配置することが好ましい。
【００１１】
この静電容量式検出装置において、前記参照電極は、互いに電気的に独立した複数の電極から成ることが好ましい。
【００１２】
この静電容量式検出装置において、前記参照電極を複数備え、前記各参照電極は、前記移動体との間の静電容量がそれぞれ互いに異なることが好ましい。
【００１３】
この静電容量式検出装置において、前記検出電極及び前記参照電極は、リジッド基板から成る複数の基板を積層して成る多層基板のうち、内側の前記基板に形成することが好ましい。
【００１４】
この静電容量式検出装置において、前記リジッド基板は、セラミック基板から成ることが好ましい。
【００１５】
この静電容量式検出装置において、前記多層基板の少なくとも一部を樹脂製のケースに一体成形することが好ましい。
【００１６】
この静電容量式検出装置において、前記検出電極を挟んだ前記移動体とは反対側の位置に、前記検出電極と同電位に接続されるシールド電極を配置することが好ましい。
【００１７】
この静電容量式検出装置において、前記移動体と前記検出電極との間の静電容量に基づく電圧、及び前記移動体と前記参照電極との間の静電容量に基づく電圧を出力するＣＶ変換回路と、前記ＣＶ変換回路の出力電圧に基づいて前記移動体の前記一の方向の変位を求める演算回路とを有する処理部を備えることが好ましい。
【００１８】
この静電容量式検出装置において、前記処理部は、前記ＣＶ変換回路の出力電圧を所定の電圧に変換して出力する信号処理回路を有し、前記信号処理回路において、前記移動体と前記参照電極との間の静電容量に基づいて前記移動体と前記検出電極との間の静電容量を補正することが好ましい。
【００１９】
この静電容量式検出装置において、前記処理部は、前記ＣＶ変換回路において、前記移動体と前記参照電極との間の静電容量に基づいて前記移動体と前記検出電極との間の静電容量を補正することが好ましい。
【００２０】
この静電容量式検出装置において、前記処理部と電気的に接続される金属板から成る端子を有し、前記端子を前記処理部の出力電極に溶接して接続することが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明は、移動体の一の方向の変位によっては静電容量が変化しない参照電極を用いることで、移動体と検出電極との間のギャップや周囲温度による静電容量の変化を補償して移動体の変位を求めている。このため、本発明では、検出電極の移動体と対向する面積と、参照電極の移動体と対向する面積との和が一定となるように各電極を形成する必要がない。すなわち、本発明は、移動体と検出電極とのギャップに依らず移動体の変位を精度良く求める構成を簡易に実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態１を示す斜視図である。
【図２】同上の静電容量式検出装置の動作説明図で、（ａ）は処理部の回路概略図で、（ｂ）は各ＣＶ変換回路の動作を示すタイムチャート図である。
【図３】同上の静電容量式検出装置における他の補償手段を利用した処理部を示す回路概略図である。
【図４】同上の静電容量式検出装置における各電極の他の構成を示す図で、（ａ）は斜視図で、（ｂ）はｚ方向から見た平面図である。
【図５】本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態２を示す図で、（ａ）は斜視図で、（ｂ）はｚ方向から見た平面図である。
【図６】同上の静電容量式検出装置における多層基板を構成する各基板を示す平面図である。
【図７】本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態３を示す図で、（ａ）は斜視図で、（ｂ）は移動体が傾いた場合のｘ方向から見た平面図である。
【図８】同上の静電容量式検出装置の動作を示すフローチャート図である。
【図９】本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態４を示す図で、（ａ）は斜視図で、（ｂ）は処理部の回路概略図である。
【図１０】（ａ），（ｂ）は、同上の静電容量式検出装置における他の構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
（実施形態１）
以下、本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態１について図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、図１に示す矢印によりｘ方向、ｙ方向、ｚ方向を規定する。本実施形態は、図１，図２（ａ）に示すように、移動体１と、検出電極２と、参照電極３と、処理部４とを備える。
【００２４】
移動体１は、ｙ方向に沿って長尺な円柱形状に形成され、変位を求める対象物（図示せず）に取り付けられる。なお、移動体１は、対象物に中間部材（図示せず）を介して取り付けられてもよいし、対象物に直接取り付けられてもよい。更には、移動体１が対象物の一部であってもよい。移動体１は、対象物と共にｘ方向（一の方向）に沿って移動する。したがって、この移動体１の変位を求めることで、対象物の変位を求めることができる。
【００２５】
検出電極２は、基板Ｐ１のｚ方向における一方の面（図１における紙面手前側の面）に形成された金属パターンであり、移動体１と対向して配置される。検出電極２は、平面視で三角形状であって、ｘ方向のプラスの向きに向かうにつれてｙ方向の幅寸法が大きくなるように形成している。なお、検出電極２の形状は三角形状に限定されるものではなく、ｙ方向の幅寸法がｘ方向に沿って連続的に変化する形状であればよい。すなわち、検出電極２は、移動体１のｘ方向の変位に伴って移動体１との間の静電容量が変化する形状であればよい。
【００２６】
参照電極３は、検出電極２と同じく基板Ｐ１のｚ方向における一方の面に形成された金属パターンであり、検出電極２の近傍において移動体１と対向して配置される。参照電極３は、平面視でｘ方向に長尺な矩形状であって、ｙ方向の幅寸法が一定となるように形成している。すなわち、参照電極３は、移動体１のｘ方向の変位によっては移動体１との間の静電容量が変化しない。
【００２７】
また、基板Ｐ１のｚ方向における他方の面（図１における紙面奥側の面）には、図示しないが金属パターンから成るシールド電極を形成している。なお、シールド電極は、検出電極２及び参照電極３が形成される基板に形成する構成に限定されるものではなく、各電極２，３を挟んだ移動体１とは反対側の位置に配置する構成であればよい。
【００２８】
基板Ｐ１は、絶縁性を有する材料から成るリジッド基板である。リジッド基板は、フレキシブル基板と比較して剛性が高いので、リジッド基板上に形成される各電極２，３の形状の安定性を向上することができる。また、後述の実施形態２のように、リジッド基板は多層化が容易であるので、シールド電極を配置するのにも適している。
【００２９】
本実施形態では、基板Ｐ１としてセラミック基板を用いている。セラミック基板は、耐熱性、剛性に優れた基板であるため、高温下での使用や製造に対しても形状が安定する。また、セラミック基板は、耐薬品性や耐オイル性にも優れた基板であるため、外気に晒された状態での使用にも耐え得る。
【００３０】
処理部４は、例えば基板Ｐ１とは異なる基板（図示せず）に設けられるもので、図２（ａ）に示すように、第１ＣＶ変換回路４０と、第２ＣＶ変換回路４１と、第１増幅回路４２と、第２増幅回路４３と、演算回路４４とを備える。また、図示しないが、処理部４は後述するスイッチＳＷ１〜ＳＷ５を駆動する駆動回路も備える。
【００３１】
第１ＣＶ変換回路４０は、移動体１と検出電極２との間の静電容量Ｃ０に基づく電圧を出力するもので、オペアンプＯＰ１と、コンデンサＣ１と、スイッチＳＷ１，ＳＷ２とから構成される。検出電極２は、スイッチＳＷ１に接続されている。このスイッチＳＷ１を切り替えることにより、オペアンプＯＰ１の反転入力端子、高インピーダンスの開放位置、接地電位の何れかと検出電極２との間の接続を周期的に切り替える。オペアンプＯＰ１の非反転入力端子は、基準電位Ｖ１に接続される。また、第１ＣＶ変換回路４０は、オペアンプＯＰ１の反転入力端子と出力端子との間にコンデンサＣ１を接続することで負帰還回路を構成している。このコンデンサＣ１と並列にスイッチＳＷ２を接続しており、コンデンサＣ１とスイッチＳＷ２とでスイッチトキャパシタを構成している。
【００３２】
第２ＣＶ変換回路４１は、移動体１と参照電極３との間の静電容量Ｃ０’に基づく電圧を出力するもので、オペアンプＯＰ２と、コンデンサＣ２と、スイッチＳＷ３，ＳＷ４とから構成される。参照電極３は、スイッチＳＷ３に接続されている。このスイッチＳＷ３を切り替えることにより、オペアンプＯＰ２の反転入力端子、高インピーダンスの開放位置、接地電位の何れかと検出電極３との間の接続を周期的に切り替える。オペアンプＯＰ２の非反転入力端子は、基準電位Ｖ１に接続される。また、第２ＣＶ変換回路４１は、オペアンプＯＰ２の反転入力端子と出力端子との間にコンデンサＣ２を接続することで負帰還回路を構成している。このコンデンサＣ２と並列にスイッチＳＷ４を接続しており、コンデンサＣ２とスイッチＳＷ４とでスイッチトキャパシタを構成している。
【００３３】
以下、各ＣＶ変換回路４０，４１の動作について図２（ａ），（ｂ）を用いて説明する。先ず、各電極２，３が、それぞれスイッチＳＷ１，ＳＷ３を介してオペアンプＯＰ１，ＯＰ２の反転入力端子に接続され、且つスイッチＳＷ２，ＳＷ４がオフであるとする。この場合、オペアンプＯＰ１は、静電容量Ｃ０とコンデンサＣ１とのインピーダンス比に応じた電圧を出力する。また、オペアンプＯＰ２は、静電容量Ｃ０’とコンデンサＣ２とのインピーダンス比に応じた電圧を出力する。
【００３４】
次に、スイッチＳＷ２，ＳＷ４がオンに切り替わると、コンデンサＣ１，Ｃ２が蓄積された電荷を放電することにより、各オペアンプＯＰ１，ＯＰ２の出力電圧が一旦リセットされる。このとき、各電極２，３がスイッチＳＷ１，ＳＷ３を介して接地電位に接続されることで、静電容量Ｃ０，Ｃ０’もリセットされる。その後、スイッチＳＷ１，ＳＷ３を切り替えて各電極２，３をそれぞれオペアンプＯＰ１，ＯＰ２の反転入力端子に接続し、且つスイッチＳＷ２，ＳＷ４をオンに切り替える。すると、各オペアンプＯＰ１，ＯＰ２は、それぞれ再び静電容量Ｃ０，Ｃ０’とコンデンサＣ１，Ｃ２とのインピーダンス比に応じた電圧を出力する。上記の動作を繰り返すことで、各オペアンプＯＰ１，ＯＰ２からは、それぞれ静電容量Ｃ０，Ｃ０’に基づく電圧ＶＡ１，ＶＢ１が周期的に出力される。
【００３５】
なお、シールド電極は、スイッチＳＷ５を介して基準電位Ｖ１と接続されている。このスイッチＳＷ５を切り替えることにより、基準電位Ｖ１、接地電位の何れかとシールド電極とが周期的に接続される。ここで、本実施形態では、シールド電極の電位が各電極２，３と常に等電位となるようにスイッチＳＷ５を切り替える。これにより、各電極２，３とシールド電極との間では電荷の充放電が行われない。
【００３６】
したがって、シールド電極を挟んで各電極２，３と反対側の位置に他の物体が存在したとしても、当該物体の存在によって静電容量Ｃ０，Ｃ０’が変化することはない。また、シールド電極を備えることで、ノイズによる静電容量Ｃ０，Ｃ０’の変動も防止することができる。
【００３７】
第１増幅回路４２は、第１ＣＶ変換回路４０の出力電圧ＶＡ１を増幅して出力するもので、第１ＣＶ変換回路４０の出力電圧ＶＡ１を所定の電圧に変換して出力する信号処理回路に相当する。第１増幅回路４２は、オペアンプＯＰ３と、抵抗Ｒ１，Ｒ２と、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるスイッチング素子Ｑ１とから構成される。オペアンプＯＰ３の反転入力端子には、抵抗Ｒ１を介して第１ＣＶ変換回路４０の出力電圧ＶＡ１が入力される。オペアンプＯＰ３の非反転入力端子は、接地電位に接続される。また、第１増幅回路４２は、オペアンプＯＰ３の反転入力端子と出力端子との間に抵抗Ｒ２及びスイッチング素子Ｑ１の直列回路を接続することで負帰還回路を構成している。このスイッチング素子Ｑ１のゲート端子には、後述する電圧Ｖ０’が入力される。
【００３８】
第２増幅回路４３は、第２ＣＶ変換回路４１の出力電圧ＶＢ１を増幅して出力するもので、第２ＣＶ変換回路４１の出力電圧ＶＢ１を所定の電圧に変換して出力する信号処理回路に相当する。第２増幅回路４３は、第１増幅回路４２と同じ構成の他に、オペアンプＯＰ４と、Ｎチャネル型ＭＯＳＦＥＴであるスイッチング素子Ｑ２と、抵抗Ｒ３，Ｒ４とを備える。オペアンプＯＰ４の非反転入力端子は、基準電位Ｖ２に接続される。オペアンプＯＰ４の反転入力端子には、オペアンプＯＰ３の出力電圧が入力される。オペアンプＯＰ４の出力端子には、スイッチング素子Ｑ２のゲート端子が接続される。
【００３９】
スイッチング素子Ｑ２のドレイン端子は、抵抗Ｒ３を介して基準電位Ｖ２０に接続される。スイッチング素子Ｑ２のソース端子は、抵抗Ｒ４を介して接地電位に接続される。抵抗Ｒ３とスイッチング素子Ｑ２との接続点は、スイッチング素子Ｑ１のゲート端子に接続される。したがって、抵抗Ｒ３，Ｒ４及びスイッチング素子Ｑ２のオン抵抗で分圧された電圧Ｖ０’がスイッチング素子Ｑ１のゲート端子に入力される。
【００４０】
以下、各増幅回路４２，４３の動作について説明する。各増幅回路４２，４３のオペアンプＯＰ３は、それぞれ各ＣＶ変換回路４０，４１の出力電圧ＶＡ１，ＶＢ１を増幅して出力するが、この増幅率は、抵抗Ｒ１，Ｒ２及びスイッチング素子Ｑ１のオン抵抗により決定する。そして、スイッチング素子Ｑ１のオン抵抗は、ゲート端子に入力される電圧Ｖ０’により決定する。
【００４１】
第２増幅回路４３では、オペアンプＯＰ４が、オペアンプＯＰ３の出力電圧と基準電位Ｖ２との差分に基づく電圧を出力する。このオペアンプＯＰ４の出力電圧により、スイッチング素子Ｑ２のオン抵抗が定まる。そして、抵抗Ｒ３，Ｒ４及びスイッチング素子Ｑ２のオン抵抗に基づく分圧比により、電圧Ｖ０’が定まり、当該電圧Ｖ０’が各増幅回路４２，４３のスイッチング素子Ｑ１のゲート端子に入力される。すなわち、各増幅回路４２，４３の増幅率は同じであり、この増幅率は、第２増幅回路４３においてオペアンプＯＰ３の出力電圧が基準電位Ｖ２と一致するように制御される。
【００４２】
ここで、第２ＣＶ変換回路４１の出力電圧ＶＢ１は、静電容量Ｃ０’に基づいて変化するが、静電容量Ｃ０’は移動体１の主な変位方向（ｘ方向）の変位によっては変動しない。一方、静電容量Ｃ０’は、移動体１と検出電極２及び参照電極３とのギャップや、周囲温度の変動によって変化する。このギャップや周囲温度に依存する静電容量Ｃ０’の変化量は、静電容量Ｃ０でも同様であると考えられる。したがって、第２増幅回路４３において決定した増幅率を用いて第１ＣＶ変換回路４０の出力電圧ＶＡ１を増幅することで、第１増幅回路４２はギャップや周囲温度の変化を補償した電圧Ｖ０を出力する。
【００４３】
演算回路４４は、例えばマイクロコントローラから成り、出力電圧Ｖ０に基づいて移動体１の変位を求める。例えば、移動体１がｘ方向のプラスの向きに移動すると、移動体１と対向する検出電極２の面積が大きくなり、静電容量Ｃ０が大きくなる。また、移動体１がｘ方向のマイナスの向きに移動すると、移動体１と対向する検出電極２の面積が小さくなり、静電容量Ｃ０が小さくなる。すなわち、移動体１の変位に伴って静電容量Ｃ０が変化するので、出力電圧Ｖ０から移動体１の変位を求めることができる。
【００４４】
上述のように、本実施形態では、移動体１のｘ方向（一の方向）の変位によっては静電容量Ｃ０’が変化しない参照電極３を用いている。これにより、本実施形態では、移動体１と検出電極２との間のギャップや周囲温度による静電容量Ｃ０の変化を補償して移動体１の変位を求めている。このため、本実施形態では、検出電極２の移動体１と対向する面積と、参照電極３の移動体１と対向する面積との和が一定となるように各電極２，３を形成する必要がない。すなわち、本実施形態は、移動体１と検出電極２とのギャップに依らず移動体１の変位を精度良く求める構成を簡易に実現することができる。
【００４５】
また、本実施形態では、移動体１の変位を求める範囲（以下、「有効範囲」と呼ぶ）の何れの位置においても、ギャップや周囲温度の影響を受けずに移動体１の変位を精度良く求めることができる。
【００４６】
ここで、移動体１と検出電極２との間のギャップや周囲温度による静電容量Ｃ０の変化を補償する手段（以下、「補償手段」と呼ぶ）は、既に述べた増幅率を用いた手段に限定される必要はない。以下、他の補償手段を利用した処理部４’について説明する。この処理部４’は、図３に示すように、ピークホールド回路４５，４６と、オペアンプＯＰ５と、正弦波発振回路４７と、カレントミラー回路ＣＭ１と、抵抗Ｒ５と、演算回路４４とを備える。
【００４７】
ピークホールド回路４５は、静電容量Ｃ０に基づく電圧のピーク電圧を保持するもので、ＣＶ変換回路に相当する。このピーク電圧は、演算回路４４に与えられる。なお、静電容量Ｃ０に基づく電圧は、静電容量Ｃ０に供給される電流Ｉ１の積分値を静電容量Ｃ０で除して定まる。ピークホールド回路４６は、静電容量Ｃ０’に基づく電圧のピーク電圧を保持するもので、ＣＶ変換回路に相当する。このピーク電圧は、オペアンプＯＰ５の反転入力端子に与えられる。なお、静電容量Ｃ０’に基づく電圧は、静電容量Ｃ０’に供給される電流Ｉ２の積分値を静電容量Ｃ０’で除して定まる。
【００４８】
オペアンプＯＰ５の非反転入力端子は、基準電位Ｖ３に接続される。オペアンプＯＰ５の出力端子からは、ピークホールド回路４６のピーク電圧と基準電位Ｖ３との差分に基づく電圧が出力され、正弦波発振回路４７に与えられる。正弦波発振回路４７は、正弦波状の交流電圧を発振する。この交流電圧の振幅は、オペアンプＯＰ５の出力電圧によって増減する。
【００４９】
カレントミラー回路ＣＭ１は、ＮＰＮ型トランジスタであるスイッチング素子Ｑ２，Ｑ３と、ＰＮＰ型トランジスタであるスイッチング素子Ｑ４〜Ｑ６とを備える。スイッチング素子Ｑ２のエミッタは、正弦波発振回路４７に接続され、ベースは自身のコレクタと、スイッチング素子Ｑ３のベースとに接続される。また、スイッチング素子Ｑ２のコレクタは、抵抗Ｒ６を介してスイッチング素子Ｑ４〜Ｑ６の各エミッタに接続される。スイッチング素子Ｑ３のエミッタは、抵抗Ｒ５を介して接地電位に接続され、コレクタはスイッチング素子Ｑ４のコレクタ及びベースに接続される。スイッチング素子Ｑ４〜Ｑ６は、それぞれのエミッタ同士を接続し、また、それぞれのベース同士を接続している。
【００５０】
スイッチング素子Ｑ５のコレクタは、検出電極２に接続され、コレクタ電流である電流Ｉ１を静電容量Ｃ０に供給する。また、スイッチング素子Ｑ６のコレクタは、参照電極３に接続され、コレクタ電流である電流Ｉ２を静電容量Ｃ０’に供給する。ここで、電流Ｉ１，Ｉ２は、抵抗Ｒ５を流れる電流によって定まり、抵抗Ｒ５を流れる電流は、正弦波発振回路４７の発振する交流電圧の振幅によって定まる。したがって、処理部４’では、静電容量Ｃ０’に基づく電圧のピーク電圧が基準電位Ｖ３に一致するように、電流Ｉ１，Ｉ２を負帰還制御する。
【００５１】
既に述べたように、静電容量Ｃ０’は、移動体１の主な変位方向（ｘ方向）の変位によっては変動しないが、移動体１と検出電極２及び参照電極３とのギャップや、周囲温度の変動によって変化する。したがって、静電容量Ｃ０’の増減によって変動する電流Ｉ２と同じ電流Ｉ１を静電容量Ｃ０に供給することで、ピークホールド回路４５はギャップや周囲温度の変化を補償したピーク電圧を出力する。演算回路４４では、このピーク電圧に基づいて移動体１の変位を求める。
【００５２】
上述のように、処理部４’の補償手段は、静電容量Ｃ０’に基づく電圧が一定値となるように静電容量Ｃ０’に供給される電流Ｉ２を負帰還制御し、この電流Ｉ２と同じ電流Ｉ１を静電容量Ｃ０に供給するものである。そして、この補償手段により、移動体１と検出電極２との間のギャップや周囲温度の変化を補償することができる。
【００５３】
また、本実施形態では、検出電極２及び参照電極３は移動体１が直線運動する場合の構成となっているが、移動体１が回転運動する場合には、例えば図４（ａ），（ｂ）に示す形状で検出電極２’及び参照電極３’を構成してもよい。この構成では、移動体１は、ｘｙ平面に平行な面上を軸部１０を軸として時計回り又は反時計回りに回動するものとする。なお、処理部４（処理部４’）の構成は既に述べた構成と同じである。
【００５４】
各電極２’，３’は、半円形状の基板Ｐ１’のｚ方向における一方の面に形成している。検出電極２’は、移動体１の回転方向に沿って幅寸法が連続的に変化する形状に形成している。すなわち、検出電極２’は、移動体１の回転方向の変位に伴って移動体１との間の静電容量が変化する形状で形成している。参照電極３’は、移動体１の回転方向に沿って幅寸法が一定となる形状に形成している。すなわち、参照電極３’は、移動体１の回転方向の変位によっては移動体１との間の静電容量が変化しない。
【００５５】
上記のように各電極２’，３’を構成し、処理部４（処理部４’）を用いることで、簡易な構造で移動体１と検出電極２’とのギャップに依らず移動体１の回転方向の変位を精度良く求めることができる。
【００５６】
なお、本実施形態では、有効範囲において、移動体１の主な変位方向（ｘ方向や回転方向）に沿って幅寸法が連続的に変化するように検出電極２，２’を形成している。この検出電極２，２’は、必ずしも有効範囲内において途切れることなく連続した形状である必要はなく、複数の電極に分割したものであってもよい。この構成であっても、有効範囲において、移動体１の変位に伴って移動体１と検出電極２，２’との間の静電容量がほぼ連続的に変化するため、移動体１の変位を求めることができる。
【００５７】
（実施形態２）
以下、本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態２について図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、図５（ａ）に示す矢印によりｘ方向、ｙ方向、ｚ方向を規定する。また、以下の説明では、実施形態１と共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。本実施形態は、図５，６に示すように、基板Ｐ１の代わりに多層基板Ｐ２を用いている。
【００５８】
多層基板Ｐ２は、複数（本実施形態では４枚）の基板Ｐ２０〜Ｐ２３を積層して成る。各基板Ｐ２０〜Ｐ２３は、何れもリジッド基板から成る。本実施形態では、各基板Ｐ２０〜Ｐ２３はセラミック基板である。各基板Ｐ２０〜Ｐ２３は、ｘ方向に沿って長尺な矩形状の主部Ａ１と、主部Ａ１からｙ方向に沿って突出する矩形状の突部Ａ２とを一体に形成して成る。各基板Ｐ２０〜Ｐ２３は、移動体１に近い方から、Ｐ２０，Ｐ２１，Ｐ２２，Ｐ２３の順にｚ方向に沿って積層している。
【００５９】
基板Ｐ２０の突部Ａ２の一面（図６における紙面手前側の面）には、処理部４（処理部４’）を構成する電子部品Ｂ１を実装している。基板Ｐ２１の主部Ａ１の一面（図６における紙面手前側の面）には、検出電極２と、参照電極３とを形成している。各電極２，３は、実施形態１の各電極２，３と同じ形状である。
【００６０】
基板Ｐ２２の主部Ａ１の一面（図６における紙面手前側の面）には、平面視で矩形状のシールド電極Ｓ１を形成している。このシールド電極Ｓ１は、実施形態１のシールド電極と同様の機能を有する。また、各基板Ｐ２０〜Ｐ２３の主部Ａ１と突部Ａ２との境界部には、ｘ方向に沿って一定の間隔を空けて、４つのスルーホールＴ１をそれぞれ貫設している。これらスルーホールＴ１を介して、各電極２，３及びシールド電極Ｓ１を処理部４（処理部４’）と電気的に接続している。
【００６１】
多層基板Ｐ２は、図５（ａ）に示すように、ｘ方向に沿って長尺な樹脂製のケース５に一体成形している。ケース５は、多層基板Ｐ２における主部Ａ１と突部Ａ２との境界部を覆う。したがって、スルーホールＴ１は、ケース５により覆われるために外部に露出することがない。このため、各電極２，３の外部に対する絶縁性を確保することができる。また、ケース５の長手方向の両端部には、それぞれｚ方向に沿って貫通する取付孔５０を設けている。この取付孔５０に取付ねじ（図示せず）を挿入してねじ止めすることにより、本実施形態を任意の場所に取り付けることができる。
【００６２】
上述のように、本実施形態では、多層基板Ｐ２のうち内側の基板Ｐ２１に検出電極２及び参照電極３を形成している。したがって、本実施形態では、各電極２，３が外部に露出することがないため、各電極２，３の外部に対する絶縁性を確保することができる。なお、各電極２，３は、本実施形態のように、多層基板Ｐ２の内側の基板のうち最も移動体１に近い基板に形成するのが望ましい。この構成では、移動体１と各電極２，３との間の静電容量Ｃ０，Ｃ０’を検出し易く、増幅回路が必要である場合にもその増幅率を極力小さく抑えることができる。
【００６３】
（実施形態３）
以下、本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態３について図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、図７（ａ）に示す矢印によりｘ方向、ｙ方向、ｚ方向を規定する。また、以下の説明では、実施形態１と共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。本実施形態は、図７に示すように、１対の検出電極２Ａ，２Ｂと、１対の参照電極３Ｃ，３Ｄとを、基板Ｐ１のｚ方向における一面（図７（ａ）における紙面手前側の面）に形成している。
【００６４】
検出電極２Ａ，２Ｂは、それぞれ平面視で三角形状に形成している。検出電極２Ａは、ｘ方向のマイナスの向きに向かうにつれてｙ方向の幅寸法が大きくなるように形成している。また、検出電極２Ｂは、ｘ方向のプラスの向きに向かうにつれてｙ方向の幅寸法が大きくなるように形成している。なお、各検出電極２Ａ，２Ｂの形状は三角形状に限定されるものではなく、ｙ方向の幅寸法がｘ方向に沿って連続的に変化する形状であればよい。すなわち、各検出電極２Ａ，２Ｂは、移動体１のｘ方向の変位に伴って移動体１との間の静電容量が変化する形状であればよい。
【００６５】
参照電極３Ｃ，３Ｄは、それぞれ平面視で矩形状に形成され、各検出電極２Ａ，２Ｂを挟む形で基板Ｐ１上に配置している。すなわち、各参照電極３Ｃ，３Ｄを、自身が配置される平面上において、ｘ方向と直交するｙ方向に沿って各検出電極２Ａ，２Ｂを挟んだ両側にそれぞれ配置している。各参照電極３Ｃ，３Ｄは、ｙ方向の幅寸法がｘ方向に沿って変化しない。すなわち、各参照電極３Ｃ，３Ｄは、移動体１のｘ方向の変位によっては移動体１との間の静電容量が変化せず、また移動体１との対向面積も変化しない。
【００６６】
本実施形態の処理部４は、実施形態１の第１ＣＶ変換回路４０と同様の構成の４つのＣＶ変換回路（図示せず）と、演算回路（図示せず）とを備える。各ＣＶ変換回路は、移動体１と各検出電極２Ａ，２Ｂとの間の静電容量、及び移動体１と各参照電極との間の静電容量に比例した電圧をそれぞれ出力し、更にＡ／Ｄ変換によりディジタル値に変換する。以下では、移動体１と各検出電極２Ａ，２Ｂとの間の静電容量に基づくディジタル値をそれぞれ「静電容量ＣＡ，ＣＢ」とし、移動体１と各参照電極３Ｃ，３Ｄとの間の静電容量に基づくディジタル値をそれぞれ「静電容量ＣＣ，ＣＤ」とする。
【００６７】
ここで、静電容量ＣＡ，ＣＢは、基本的に移動体１のｘ方向の変位に伴って連続的に変動するが、移動体１と各検出電極２Ａ，２ＢとのギャップＧ１，Ｇ２や周囲温度の変化によっても変動する。一方、静電容量ＣＣ，ＣＤは、何れも移動体１のｘ方向の変位によっては変動しないが、静電容量ＣＡ，ＣＢと同様に、移動体１と各参照電極３Ｃ，３ＤとのギャップＧ３，Ｇ４や周囲温度の変化によっては変動する。また、各静電容量ＣＡ〜ＣＤは、移動体１がｙ方向に傾く場合に、その傾きに伴って変動する。
【００６８】
そこで、本実施形態では、各静電容量ＣＣ，ＣＤに基づいて各静電容量ＣＡ，ＣＢを補正することで、移動体１と各検出電極２Ａ，２Ｂとのギャップや周囲温度の変化、及び移動体１のｙ方向の傾きに依らないｘ方向の変位を求めている。以下、各静電容量ＣＡ，ＣＢを補正する方法について図８を用いて説明する。なお、各電極２Ａ，２Ｂ，３Ｃ，３Ｄは、図７（ｂ）に示すように、ｙ方向に沿って等間隔に配置されているものとする。また、移動体１がｙ方向に傾いていない場合における、各電極２Ａ，２Ｂ，３Ｃ，３Ｄと移動体１とのギャップを「基準ギャップＧ０」とする。
【００６９】
先ず、静電容量ＣＣ，ＣＤ、誘電率ε、各参照電極３Ｃ，３Ｄの移動体１と対向する面積ＳＣ，ＳＤを用いて、次式からギャップＧ３，Ｇ４を演算する。
【００７０】
Ｇ３＝ε・ＳＣ／ＣＣ
Ｇ４＝ε・ＳＤ／ＣＤ
次に、ギャップＧ３，Ｇ４を用いて、次式からギャップＧ１，Ｇ２を演算する。
【００７１】
Ｇ１＝（２・Ｇ３＋Ｇ４）／３
Ｇ２＝（Ｇ３＋２・Ｇ４）／３
そして、静電容量ＣＡ，ＣＢ、ギャップＧ１，Ｇ２、基準ギャップＧ０を用いて、次式から補正した静電容量ＣＡ’，ＣＢ’を演算する。
【００７２】
ＣＡ’＝（Ｇ１／Ｇ０）・ＣＡ
ＣＢ’＝（Ｇ２／Ｇ０）・ＣＢ
最後に、補正した静電容量ＣＡ’，ＣＢ’の差分に基づいて、移動体１のｘ方向の変位を求める。例えば、移動体１がｘ方向のプラスの向きに移動すると、移動体１と対向する検出電極２Ａの面積が小さくなり、移動体１と対向する検出電極２Ｂの面積が大きくなる。したがって、この場合には、静電容量ＣＢ’が静電容量ＣＡ’よりも大きくなる。また、移動体１がｘ方向のマイナスの向きに移動すると、移動体１と対向する検出電極２Ａの面積が大きくなり、移動体１と対向する検出電極２Ｂの面積が小さくなる。したがって、この場合には、静電容量ＣＡ’が静電容量ＣＢ’よりも大きくなる。すなわち、移動体１のｘ方向の変位に伴って各静電容量ＣＡ’，ＣＢ’の差分が変化するので、各静電容量ＣＡ’，ＣＢ’の差分から移動体１のｘ方向の変位を求めることができる。
【００７３】
上述のように、本実施形態では、移動体１と各検出電極２Ａ，２Ｂとのギャップや周囲温度の変化に加えて、移動体１のｙ方向の傾きについても補償して移動体１のｘ方向の変位を求めることができる。
【００７４】
なお、本実施形態では、２つの検出電極２Ａ，２Ｂを用いているが、何れか一方のみを用いてもよい。例えば、１つの検出電極２Ａと、２つの参照電極３Ｃ，３Ｄとを用いる場合であれば、各静電容量ＣＣ，ＣＤに基づいて静電容量ＣＡを補正すればよい。この構成でも、上記と同様の効果を奏することができる。
【００７５】
また、本実施形態では、各参照電極３Ｃ，３Ｄは互いに電気的に独立しているが、各参照電極３Ｃ，３Ｄを電気的に接続してもよい。この構成では、移動体１がｙ方向に沿って傾いたとしても、各参照電極３Ｃ，３Ｄと移動体１との間の合成静電容量は殆ど変化しない。したがって、この合成静電容量に基づいて各静電容量ＣＡ，ＣＢを補正すれば、移動体１と各検出電極２Ａ，２Ｂとのギャップや周囲温度の変化に加えて、移動体１のｙ方向の傾きについても補償して移動体１のｘ方向の変位を求めることができる。
【００７６】
また、本実施形態の各電極２Ａ，２Ｂ，３Ｃ，３Ｄは、基板Ｐ１の代わりに実施形態２の多層基板Ｐ２に形成してもよい。この構成でも、本実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００７７】
（実施形態４）
以下、本発明に係る静電容量式検出装置の実施形態４について図面を用いて説明する。なお、以下の説明では、図９（ａ）に示す矢印によりｘ方向、ｙ方向、ｚ方向を規定する。また、以下の説明では、実施形態１と共通する部位には同一の番号を付して説明を省略する。本実施形態は、図９に示すように、１対の検出電極２Ａ，２Ｂと、１対の参照電極３Ｃ，３Ｄとを、基板Ｐ１のｚ方向における一面（図９（ａ）における紙面手前側の面）に形成している。
【００７８】
検出電極２Ａ，２Ｂは、それぞれ平面視で三角形状に形成している。検出電極２Ａは、ｘ方向のマイナスの向きに向かうにつれてｙ方向の幅寸法が大きくなるように形成している。また、検出電極２Ｂは、ｘ方向のプラスの向きに向かうにつれてｙ方向の幅寸法が大きくなるように形成している。なお、各検出電極２Ａ，２Ｂの形状は三角形状に限定されるものではなく、ｙ方向の幅寸法がｘ方向に沿って連続的に変化する形状であればよい。すなわち、各検出電極２Ａ，２Ｂは、移動体１のｘ方向の変位に伴って移動体１との間の静電容量が変化する形状であればよい。
【００７９】
参照電極３Ｃ，３Ｄは、それぞれ平面視で矩形状に形成している。各参照電極３Ｃ，３Ｄは、ｙ方向の幅寸法がｘ方向に沿って変化しない。すなわち、各参照電極３Ｃ，３Ｄは、移動体１のｘ方向の変位によっては移動体１との間の静電容量が変化せず、また移動体１との対向面積も変化しない。また、各参照電極３Ｃ，３Ｄは、ｙ方向の幅寸法が互いに異なっている。
【００８０】
本実施形態の処理部４は、図９（ｂ）に示すように、２つの第１ＣＶ変換回路４０と、２つの第２ＣＶ変換回路４１と、第１差動増幅回路４８と、第２差動増幅回路４９と、演算回路４４とを備える。各第１ＣＶ変換回路４０は、それぞれ移動体１と各検出電極２Ａ，２Ｂとの間の静電容量ＣＡ，ＣＢに比例した電圧を出力する。また、各第２ＣＶ変換回路４１は、それぞれ移動体１と各参照電極３Ｃ，３Ｄとの間の静電容量ＣＣ，ＣＤに比例した電圧を出力する。
【００８１】
第１差動増幅回路４８は、各第１ＣＶ変換回路４０の出力電圧の差分を出力するもので、オペアンプＯＰ６と、抵抗Ｒ７〜Ｒ１０とから構成される。第１差動増幅回路４８の出力電圧は、静電容量ＣＡ，ＣＢの差分に比例するもので、演算回路４４に与えられる。
【００８２】
第２差動増幅回路４９は、第１差動増幅回路４８と同じ構成の他に、オペアンプＯＰ７を備える。オペアンプＯＰ７の非反転入力端子は、基準電位Ｖ４に接続される。また、オペアンプＯＰ７の反転入力端子には、オペアンプＯＰ６の出力電圧が入力される。オペアンプＯＰ７の出力電圧は、基準電位Ｖ１として各ＣＶ変換回路４０，４１に与えられる。
【００８３】
演算回路４４は、第１差動増幅回路４８の出力電圧、すなわち静電容量ＣＡ，ＣＢの差分に比例した電圧に基づいて、移動体１のｘ方向の変位を求める。例えば、移動体１がｘ方向のプラスの向きに移動すると、移動体１と対向する検出電極２Ａの面積が小さくなり、移動体１と対向する検出電極２Ｂの面積が大きくなる。したがって、この場合には、静電容量ＣＢが静電容量ＣＡよりも大きくなる。また、移動体１がｘ方向のマイナスの向きに移動すると、移動体１と対向する検出電極２Ａの面積が大きくなり、移動体１と対向する検出電極２Ｂの面積が小さくなる。したがって、この場合には、静電容量ＣＡが静電容量ＣＢよりも大きくなる。すなわち、移動体１のｘ方向の変位に伴って各静電容量ＣＡ，ＣＢの差分が変化するので、静電容量ＣＡ，ＣＢの差分から移動体１のｘ方向の変位を求めることができる。
【００８４】
ここで、静電容量ＣＡ，ＣＢの差分は、基本的に移動体１のｘ方向の変位に伴って連続的に変動するが、移動体１と各検出電極２Ａ，２Ｂとのギャップや周囲温度の変化によっても変動する。一方、静電容量ＣＣ，ＣＤの差分は、移動体１のｘ方向の変位によっては変動しないが、移動体１と各参照電極３Ｃ，３Ｄとのギャップや周囲温度の変化によっては変動する。また、外来ノイズが存在する場合には、各検出電極２Ａ，２Ｂ及び各参照電極３Ｃ，３Ｄには、外来ノイズがほぼ等しく重畳する。この場合、外来ノイズにより、静電容量ＣＡ，ＣＢの差分と、静電容量ＣＣ，ＣＤの差分とは等しく変動すると考えられる。
【００８５】
本実施形態では、第２差動増幅回路４９において、静電容量ＣＣ，ＣＤの差分に比例した電圧が、基準電位Ｖ４と一致するように基準電位Ｖ１を制御する。そして、この基準電位Ｖ１を用いて、第１差動増幅回路４８において静電容量ＣＡ，ＣＢの差分に比例した電圧を求める。これにより、第１差動増幅回路４８の出力電圧は、移動体１と各検出電極２Ａ，２Ｂとのギャップや周囲温度の変化、及び外来ノイズに依らず、移動体１のｘ方向の変位に依存した電圧となる。演算回路４４では、当該電圧に基づいて移動体１のｘ方向の変位を求める。
【００８６】
上述のように、本実施形態では、互いにｙ方向の幅寸法が異なる１対の参照電極３Ｃ，３Ｄを用い、静電容量ＣＣ，ＣＤの差分に基づいて静電容量ＣＡ，ＣＢの差分を補正している。これにより、移動体１と各検出電極２Ａ，２Ｂとのギャップや周囲温度の変化、及び外来ノイズに依らない移動体１のｘ方向の変位を求めることができる。なお、参照電極を１つだけ用いる場合でも静電容量ＣＡ，ＣＢの差分をある程度補正することは可能である。但し、本実施形態のように、２つの参照電極３Ｃ，３Ｄを用い、静電容量ＣＣ，ＣＤの差分を用いて補正した方が、より精度良く静電容量ＣＡ，ＣＢの差分を補正することができるので、好ましい。
【００８７】
ここで、本実施形態では、各参照電極３Ｃ，３Ｄのｙ方向の幅寸法を互いに異ならせる構成とすることで、移動体１との間の静電容量ＣＣ，ＣＤをそれぞれ互いに異ならせているが、他の構成でもよい。例えば、図１０（ａ）に示すように、各参照電極３Ｃ，３Ｄのｙ方向の幅寸法を同一とし、各参照電極３Ｃ，３Ｄと対向する部位のｘ方向の幅寸法がそれぞれ互いに異なる移動体１’を用いてもよい。移動体１’は、参照電極３Ｃと対向する部位におけるｘ方向の幅寸法が、参照電極３Ｄと対向する部位におけるｘ方向の幅寸法よりも大きくなる形状で形成している。この構成では、参照電極３Ｃの移動体１’との対向面積が、参照電極３Ｄの移動体１’との対向面積と異なるため、各参照電極３Ｃ，３Ｄと移動体１’との間の静電容量ＣＣ，ＣＤがそれぞれ互いに異なる。
【００８８】
また、図１０（ｂ）に示すように、各参照電極３Ｃ，３Ｄのｙ方向の幅寸法を同一とし、各参照電極３Ｃ，３Ｄと対向する部位のギャップがそれぞれ互いに異なる移動体１’を用いてもよい。移動体１’は、参照電極３Ｃと対向する部位におけるギャップが、参照電極３Ｄと対向する部位におけるギャップよりも大きくなる形状で形成している。この構成でも、各参照電極３Ｃ，３Ｄと移動体１’との間の静電容量ＣＣ，ＣＤがそれぞれ互いに異なる。
【００８９】
なお、上記実施形態１〜４において、処理部４（処理部４’）と電気的に接続される金属板から成る端子を設け、この端子を介して検出装置とは異なる外部の装置に信号を出力する構成としてもよい。そして、この端子は、処理部４（処理部４’）の出力電極に溶接して接続する構成であってもよい。この構成では、半田付けや圧接により端子を出力電極に接続する構成と比較して、機械的な強度を高めることができる。また、この構成では、溶接部位が高温や外部の応力に対しても強いので、検出装置を構成する際に一体成形を用いる場合にも適している。
【００９０】
また、上記実施形態１〜４で述べた補償手段の他に、例えば移動体１と検出電極２との間の静電容量Ｃ０と、移動体１と参照電極３との間の静電容量Ｃ０’との比に基づいて、移動体１のｘ方向の変位を求めてもよい。
【００９１】
また、上記実施形態１〜４では、処理部４（処理部４’）を検出装置の一部としているが、処理部４（処理部４’）は検出装置とは異なる外部の装置に組み込まれるものであってもよい。
【符号の説明】
【００９２】
１  移動体
２  検出電極
３  参照電極
【図１】
2014126456.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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