(57)【要約】【課題】基板を損傷させずに異常析出を防止できる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】触媒吸着膜４の終端に触媒５が接続した触媒膜６を基板２上に設ける工程と、触媒膜６を所定のパターン形状で露光し、露光された場所の触媒吸着膜４の少なくとも一部を残留させて触媒５を離脱させる工程と、触媒膜６を酸素と反応させて、露光された場所の触媒吸着膜４の終端に酸素を接続させる工程と、無電解めっき液に基板２を浸漬することにより、触媒５が接続された触媒吸着膜４に金属を析出させて所定のパターン形状の金属膜を設ける工程と、を有する。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
触媒吸着膜の終端に触媒が接続された触媒膜を基板上に設ける工程と、
前記触媒膜を所定のパターン形状で露光し、露光された場所の前記触媒吸着膜の少なくとも一部を残留させて前記触媒を前記触媒吸着膜から離脱させる工程と、
前記触媒膜と酸素とを反応させて、前記露光された場所の前記触媒吸着膜の終端に酸素を接続させる工程と、
無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記触媒が接続された前記触媒膜に金属を析出させて前記所定のパターン形状の金属膜を設ける工程と、を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記触媒を前記触媒吸着膜から離脱させる工程と前記触媒吸着膜の終端に酸素を接続させる工程とは同時に行われることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の配線基板の製造方法であって、
前記触媒吸着膜の終端に酸素を接続させる工程では酸素を含む雰囲気内で前記触媒膜が露光され、露光する光が酸素を活性化することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記触媒を前記触媒吸着膜から離脱させる工程は真空中にて行われ、
前記触媒を前記触媒吸着膜から離脱させる工程の後で前記触媒吸着膜の終端に酸素を接続させる工程が行われることを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記触媒吸着膜はシラン触媒吸着膜であり、前記触媒を除去する工程で露光する光の波長は１２６ｎｍ以上２５４ｎｍ以下であることを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、配線基板の製造方法は一般に基板上に導体膜を形成し、レジスト塗布、露光、エッチングを行って所定の配線を形成する方法が用いられていた。この工程の生産性を向上する方法が特許文献１に開示されている。それによると、まず、基板上に触媒層を形成する。次に、エキシマレーザービームにて描画して触媒層を除去する。これにより、触媒層を所定のパターン形状に形成する。次に、無電解めっきを行い所定のパターン形状に金属層を形成する。電解めっきを行って金属層の厚みを増して配線を形成していた。
【０００３】
触媒層の事例が特許文献２に開示されている。それによると、触媒層は金属を付着させる触媒と触媒を基板に接続する触媒吸着膜から構成されている。触媒にはパラジウムが用いられ、触媒吸着膜にはシラン系カップリング剤が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平９−１０７１７０号公報
【特許文献２】特開２００８−１３８２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１では、エキシマレーザービームにて描画して触媒層を離脱させていた。このとき、エキシマレーザービームは基板を照射する可能性が高い。エキシマレーザービームが照射された基板はダメージを受けて改質される。そして、改質された基板は脆くなり欠けたり割れる危険性がある。他にも、改質された基板は絶縁性が低下する危険性がある。そこで、エキシマレーザービームの光強度を弱くするとき、触媒吸着膜の一部が基板に残留する確率が高くなる。触媒が残留した触媒吸着膜には触媒が付着する。無電解めっきを行うとき弱い光強度のエキシマレーザービームを照射した場所には金属が析出する異常析出が生じる可能性がある。そこで、基板を損傷させずに異常析出を防止できる配線基板の製造方法が望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］
本適用例にかかる配線基板の製造方法であって、触媒吸着膜の終端に触媒が接続された触媒膜を基板上に設ける工程と、前記触媒膜を所定のパターン形状で露光し、露光された場所の前記触媒吸着膜の少なくとも一部を残留させて前記触媒を前記触媒吸着膜から離脱させる工程と、前記触媒膜と酸素とを反応させて、前記露光された場所の前記触媒吸着膜の終端に酸素を接続させる工程と、無電解めっき液に前記基板を浸漬することにより、前記触媒が接続された前記触媒膜に金属を析出させて前記所定のパターン形状の金属膜を設ける工程と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本適用例によれば、基板上に触媒膜が設けられる。触媒膜では触媒吸着膜に触媒が接続されている。触媒膜は所定のパターン形状で露光される。露光された場所では触媒が触媒吸着膜から離脱させられる。そして、触媒吸着膜は少なくとも一部を基板に残留させている。触媒が離脱した場所では触媒吸着膜の終端に酸素が接続される。露光されなかった場所では触媒が触媒吸着膜から離脱されず、触媒吸着膜の終端に触媒が接続されている。
【０００９】
基板は無電解めっき液に浸漬される。触媒が接続された場所では触媒吸着膜に金属が析出される。そして、所定のパターン形状に金属膜が設けられる。触媒膜に露光するとき、触媒吸着膜の少なくとも一部を残留させる程度の光が照射される。従って、基板が光により損傷することを抑制することができる。触媒が除去された触媒吸着膜には酸素が接続される。従って、触媒が除去された触媒吸着膜に触媒が再接続されることを防止することができる。その結果、光を照射した場所に金属が析出する異常析出を防止することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例にかかる配線基板の製造方法において、前記触媒を前記触媒吸着膜から離脱させる工程と前記触媒吸着膜の終端に酸素を接続させる工程とは同時に行われることを特徴とする。
【００１１】
本適用例によれば、触媒吸着膜から触媒を離脱させる工程と触媒吸着膜の終端に酸素を接続させる工程とは同時に行われる。触媒が離脱した触媒吸着膜を放置すると触媒吸着膜に触媒が再接続することがある。本適用例では、触媒の除去と酸素の接続が同時に行われるので、触媒が離脱した触媒吸着膜に触媒が再接続することを抑制することができる。
【００１２】
［適用例３］
上記適用例にかかる配線基板の製造方法において、前記触媒吸着膜の終端に酸素を接続させる工程では酸素を含む雰囲気内で前記触媒膜が露光され、露光する光が酸素を活性化することを特徴とする。
【００１３】
本適用例によれば、酸素を含む雰囲気内で触媒膜が露光される。露光する光は酸素を含む雰囲気内を通過する。そして、酸素が光により活性化され、活性化された酸素が触媒吸着膜の終端に接続される。従って、確実に触媒吸着膜の終端に酸素を接続させることができる。
【００１４】
［適用例４］
上記適用例にかかる配線基板の製造方法において、前記触媒を前記触媒吸着膜から離脱させる工程は真空中にて行われ、前記触媒を前記触媒吸着膜から離脱させる工程の後で前記触媒吸着膜の終端に酸素を接続させる工程が行われることを特徴とする。
【００１５】
本適用例によれば、触媒を離脱させる工程は真空中にて行われる。従って、真空中で触媒膜が露光される。気体が存在する雰囲気中を通過するときには気体の影響を受けて光の進行が揺らぐ。真空中を光が進行するときは、光が直進するので位置精度良く触媒膜を所定のパターン形状で露光することができる。
【００１６】
［適用例５］
上記適用例にかかる配線基板の製造方法において、前記触媒吸着膜はシラン触媒吸着膜であり、前記触媒を除去する工程で露光する光の波長は１２６ｎｍ以上２５４ｎｍ以下であることを特徴とする。
【００１７】
本適用例によれば、触媒吸着膜がシラン触媒吸着膜のとき、光の波長を２５４ｎｍ以下にすることにより触媒吸着膜の分子鎖を構成するシリコンと酸素との結合を分離することができる。そして、光の波長が１２６ｎｍより短いときには光が減衰し易いので触媒吸着膜に作用する強度の光を照射することが難しい。従って、光の波長を１２６ｎｍ以上２５４ｎｍ以下にすることにより、品質良く触媒吸着膜を構成する分子鎖を切断し触媒を分離することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態にかかわり、（ａ）は、配線基板の構成を示す概略斜視図、（ｂ）は配線基板の構成を示す要部模式側面図。
【図２】配線基板の製造方法のフローチャート。
【図３】配線基板の製造方法を説明するための模式図。
【図４】配線基板の製造方法を説明するための模式図。
【図５】配線基板の製造方法を説明するための模式図。
【図６】配線基板の製造方法を説明するための模式図。
【図７】配線基板の製造方法を説明するための模式図。
【図８】第２の実施形態にかかわり、配線基板の製造方法を説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本実施形態では、配線基板と、特徴的な配線基板の製造方法との例について、図１〜図８に従って説明する。以下、実施形態について図面に従って説明する。尚、各図面における各部材は、各図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各部材毎に縮尺を異ならせて図示している。
（第１の実施形態）
第１の実施形態にかかわる配線基板と配線基板の製造方法について図１〜図７に従って説明する。図１（ａ）は、配線基板の構成を示す概略斜視図であり、図１（ｂ）は配線基板の構成を示す要部模式側面図である。図１（ａ）に示すように、配線基板１は四角形の基板２を備え、基板２上に金属膜としての配線３が配列されている。基板２の形状や配線３のパターン形状は特に限定されない。配線基板１の用途に合わせて基板２の形状や配線のパターン形状を設定することができる。
【００２０】
図１（ｂ）に示すように、基板２上には全面に触媒吸着膜としての触媒吸着膜４が設置され、配線３と触媒吸着膜４との間には触媒５が設置されている。触媒吸着膜４は基板２上に触媒５を設置し易くするための膜であり、触媒５は配線３の材料となる金属を析出し易くする膜である。触媒吸着膜４と触媒５とで触媒膜６が構成されている。触媒膜６において触媒５が設置された場所のパターン形状と配線３のパターン形状とは同じ形状となっている。
【００２１】
基板２の材料は耐熱性のある材料であれば良く、例えば、セラミック板、シリコン基板、ガラス板等を用いることができる。本実施形態では、例えば、基板２の材料にセラミック板を用いている。触媒５にはパラジウム、プラチナ、金、銅等の金属を用いることができる。本実施形態では、例えば、触媒５にパラジウムを用いている。配線３の材料は無電解めっきに適用できる金属であれば良く、ニッケル、銅、白金、金属を用いることができる。本実施形態では例えば、配線３の材料にニッケルを用いている。
【００２２】
次に上述した配線基板１の製造方法について図２〜図７にて説明する。図２は、配線基板の製造方法のフローチャートであり、図３〜図７は配線基板の製造方法を説明するための模式図である。
【００２３】
図２のフローチャートにおいて、ステップＳ１は第１洗浄工程に相当し、基板２の表面に付着した汚れを除去する工程である。次にステップＳ２に移行する。ステップＳ２は、触媒塗布工程に相当する。この工程は、基板２に触媒膜６の原料となる溶液を塗布する工程である。次にステップＳ３に移行する。ステップＳ３は、乾燥工程に相当する。この工程は、触媒膜６の原料となる溶液を乾燥させて触媒膜６を形成する工程である。次にステップＳ４に移行する。
【００２４】
ステップＳ４は、露光工程に相当する。この工程は、基板２に設置された触媒膜６に所定のパターン形状で光を照射する工程である。このとき、酸素を含む雰囲気にて光が照射される。次にステップＳ５に移行する。ステップＳ５は、焼成工程に相当する。この工程は、酸素を含む雰囲気にて加熱する工程である。次にステップＳ６に移行する。ステップＳ６は、第２洗浄工程に相当する。この工程は、基板２から離脱した触媒５を除去する工程である。次にステップＳ７に移行する。ステップＳ７は、無電解めっき工程に相当する。この工程は、基板２に無電解めっきを行う工程である。以上の工程で配線基板１を製造する工程を終了する。
【００２５】
次に、図３〜図７を用いて、図２に示したステップと対応させて、製造方法を詳細に説明する。図３（ａ）はステップＳ１の第１洗浄工程に対応する図である。図３に示すように、基板２と洗浄槽７とを用意し、基板２を洗浄槽７に浸漬する。洗浄槽７は超音波発振機８及びヒーター９を備え、洗浄槽７には超純水１０が投入されている。超純水１０はヒーター９により加熱され超音波発振機８により振動させられている。基板２に付着する脂質等の付着物は加熱された超純水１０により剥離し易くなる。そして、超音波により振動させられることにより基板２から離脱する。離脱した付着物は図示しないフィルターにより回収される。
【００２６】
洗浄方法はこの方法に限らない。ウエット洗浄では、オゾン水に５分〜３０分浸漬する方法を採用しても良い。他にも、ドライ洗浄を行ってもよい。ドライ洗浄は、例えば、窒素雰囲気において３０秒〜９００秒の間紫外線を照射することで洗浄することができる。
【００２７】
図３（ｂ）〜（ｃ）はステップＳ２の触媒塗布工程に対応する図である。図３（ｂ）に示すように、ステップＳ２において、触媒吸着溶液槽１１を用意する。触媒吸着溶液槽１１にはヒーター１２が設置され、触媒吸着溶液１３が投入されている。触媒吸着溶液槽１１には撹拌装置がついていても良い。基板２に配線３を設置する面を触媒吸着溶液１３に浸漬する。
【００２８】
触媒吸着溶液１３は特に限定されない。界面活性剤、シラン系カップリング剤、チタネート系カップリング剤、アルミネート系カップリング剤等を用いることができる。触媒吸着溶液１３に含まれるシラン系カップリング剤としては、たとえばヘキサメチルジシラザンを用いることができる。このときの浸漬時間は１分〜１０分程度とする。
【００２９】
基板２の表面の液中表面電位が負電位の場合には、カチオン系界面活性剤を適用することが好ましい。カチオン系界面活性剤は、他の界面活性剤に比べて基板２に吸着しやすい。カチオン系界面活性剤としては、例えば、アミノシラン系成分を含む水溶性界面活性剤や、アルキルアンモニウム系の界面活性剤等を用いることができる。アルキルアンモニウム系の界面活性剤としては、例えば、セチルトリメチルアンモニウムクロリド、セチルトリメチルアンモニウムブロマイド、セチルジメチルアンモニウムブロマイド等を用いることができる。
【００３０】
次に、操作者は触媒吸着溶液槽１１から基板２を取り出し、洗浄槽７の超純水で洗浄する。その後、操作者は基板２を室温下で自然乾燥する。乾燥した空気を吹き付けて水滴を除去しても良い。続いて、基板２を９０℃〜１２０℃の恒温槽に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。以上の工程により、基板２上に触媒吸着膜４を設けることができる。
【００３１】
次に、図３（ｃ）に示すように触媒溶液槽１４を用意する。触媒溶液槽１４にはヒーター１５が設置され、触媒溶液１６が投入されている。触媒溶液槽１４には撹拌装置が設置されていても良い。操作者は基板２に配線３を設置する面を触媒溶液１６に浸漬する。基板２を触媒溶液１６に浸漬した後、基板２を純水にて水洗するのが好ましい。
【００３２】
触媒溶液１６の調合方法は特に限定されないが、例えば、以下の手順により調合することができる。純度９９．９９％のパラジウムペレットを塩酸と過酸化水素水と純水との混合溶液に溶解させ、パラジウム濃度が０．１〜０．５ｇ／ｌの塩化パラジウム溶液を作成する。次に、塩化パラジウム溶液をさらに純水と過酸化水素水で希釈してパラジウム濃度を０．０１〜０．０５ｇ／ｌとする。続いて、塩化パラジウム溶液に水酸化ナトリウム水溶液等を加えて、塩化パラジウム溶液のｐＨを４．５〜６．８に調整する。尚、触媒が脂溶性のときにはイソプロピルアルコール、エタノール、酢酸エチル等を溶媒として用いることができる。
【００３３】
次に、ステップＳ３の乾燥工程において基板２を、例えば、９０℃〜１２０℃の恒温槽に１０分〜１時間程度放置して乾燥させる。そして、基板２上の水分を除去する。以上の工程により、図３（ｄ）に示すように基板２上に触媒吸着膜４が設置され、触媒吸着膜４の分子鎖の終端に触媒５が積層された触媒膜６が形成される。
【００３４】
図３（ｅ）〜図５（ｂ）はステップＳ４の露光工程に対応する図である。図３（ｅ）に示すように、ステップＳ４において露光装置１７が使用される。露光装置１７は光源２０、光学系２１、光学マスク２２、酸素供給装置２３を備えている。さらに、露光装置１７は図示しないヒーターを備え、ヒーターは基板２を加熱することができる。
【００３５】
光源２０は紫外線の光２４を発光する光源であり、波長が１２６ｎｍ以上２５４ｎｍ以下であるのが好ましい。光の波長が１２６ｎｍより短いときには光が減衰し易いので触媒吸着膜４に作用する強度の光を照射することが難しい。光の波長を２５４ｎｍ以下にすることにより触媒吸着膜４に作用させて触媒吸着膜４の分子鎖を切断することができる。
【００３６】
光源２０の構造は特に限定されないが、例えば、Ｘｅガスを封入した誘電体バリア放電エキシマランプを用いることができる。誘電体バリア放電エキシマランプは、波長１８０ｎｍ以下の紫外線を放射することができる。他にも、フッ化アルゴンエキシマレーザーを用いることにより波長１９３ｎｍの紫外線を放射することができる。
【００３７】
光源２０はレーザー光源を用いても良い。レーザー光は指向性が高いので、効率よく光を基板２に照射することができる。さらに、光源２０にはエキシマレーザーを用いても良い。エキシマレーザーは波長が１８５ｎｍ以下の短波長にすることができるので、触媒吸着膜４に高いエネルギーを供給することができる。
【００３８】
光学系２１は光源２０が射出する紫外線の光２４を平行な光２４にするコリメートレンズの機能を備えている。そして、光２４は光学マスク２２により一部が遮蔽され、一部が光学マスク２２を通過する。これにより、所定のパターン形状の光２４が触媒膜６に照射される。
【００３９】
酸素供給装置２３は触媒膜６に酸素２５を供給する装置である。酸素供給装置２３は酸素２５だけを供給しても良く、酸素２５が含まれる空気やオゾンを供給しても良い。空気は容易に入手できるので、酸素供給装置２３は容易に酸素２５を供給することができる。
【００４０】
操作者は露光装置１７に基板２を設置して、光源２０を点灯する。図４（ａ）に示すように光学マスク２２を通過した光２４は触媒膜６を照射する。同時に、光２４は酸素２５を照射し、照射された酸素２５は活性化し、オゾン、酸素分子または酸原子の形態で触媒膜６の近辺に滞在する。さらに、図示しないヒーターを用いて基板２を加熱し基板２の温度を１２０℃にしても良い。酸素２５と触媒吸着膜４との反応を活性化することができる。
【００４１】
図４（ｂ）に示すように、光２４が照射された触媒膜６ではシリコン原子２６と触媒５の結合するＮＨ2基との腕が切断される。触媒膜６では触媒５と結合するシリコン原子２６と酸素原子との腕が切断される場合もある。切断されたシリコン原子２６の結合の腕には酸素原子が結合する。このとき、シリコン原子２６に直接酸素原子が結合する反応の形態がある。他にも、基板２が加熱されているときにはシリコン原子２６にＯＨ基が結合した後ＯＨ基の水素原子がオゾンや酸素原子により離脱させられて水分子となり、シリコン原子２６に酸素原子が残る反応の形態もある。他にも、触媒吸着膜４の分子鎖中でシリコン原子２６と酸素原子との接続が切断される形態もある。
【００４２】
光２４の強度は触媒吸着膜４の分子鎖の少なくとも一部を残留される強度となっている。従って、基板２は光２４により損傷を与えずに触媒膜６から触媒５を離別させることができる。
【００４３】
シリコン原子２６には結合の腕が４本存在する。そして、酸素原子には結合の腕が２本存在する。分子鎖の端ではシリコン原子２６と酸素原子とは１本の腕で結合し、酸素原子は１本の腕が未結合となる形態もある。他にも、基板２が加熱されているときにはシリコン原子２６と結合するＯＨ基がシリコン原子２６から分離し、分子鎖の端ではシリコン原子２６と酸素原子とが２本の腕で結合する場合もある。
【００４４】
図５（ａ）に示すように、光２４が照射された場所の触媒膜６では触媒５が離脱させられ、触媒５が離脱された場所に酸素２５が結合される。時間の経過とともに触媒５の離脱と酸素２５の設置が進行する。その結果、図５（ｂ）に示すように、光２４が照射された場所の触媒膜６では総ての触媒５が除去され、酸素２５が設置される。
【００４５】
図６（ａ）はステップＳ５の焼成工程に対応する図である。図６（ａ）に示すように、ステップＳ５において、操作者は基板２を恒温槽に設置する。恒温槽内は酸素を含む雰囲気となっている。そして、基板２は酸素またはオゾンを含む雰囲気中に放置される。処理条件は特に限定されないが、本実施形態では基板２は１２０℃の酸素雰囲気内に１時間程度放置される。
【００４６】
触媒吸着膜４の分子鎖の端に位置するシリコン原子２６の中には２つのＯＨ基と２つの酸素原子と結合している物がある。この酸素原子の１つは結合の腕が空いている状態となっている。酸素分子が接近するときＯＨ基が酸化されて酸素分子と水とが生成される。シリコン原子２６の結合の腕は４本のうち２本が１つの酸素原子と結合する。従って、分子鎖の終端でシリコン原子２６と結合する酸素原子は結合の腕を総て結合した状態となる。従って、触媒吸着膜４に触媒５が接近しても結合しなくなる。
【００４７】
尚、ステップＳ４の露光工程で触媒吸着膜４の分子鎖の端に位置するシリコン原子２６が１つのＯＨ基と２つの酸素原子と結合している状態になるときにはステップＳ５の焼成工程を省略しても良い。工程を減らすことにより配線基板１の製造を容易にすることができる。
【００４８】
図６（ｂ）及び図６（ｃ）はステップＳ６の第２洗浄工程に対応する図である。図６（ｂ）に示すように、ステップＳ６において、操作者は基板２を洗浄槽７に設置する。基板２は超音波の振動と超純水１０の水流により洗浄される。そして、触媒吸着膜４と結合せずに基板２の付近に存在した触媒５が洗い流される。これにより、ステップＳ４の露光工程で光２４が照射された場所には触媒５が存在しなくなる。
【００４９】
その結果、図６（ｃ）に示すように、基板２上には触媒吸着膜４が設置され、触媒吸着膜４上には光学マスク２２のパターン形状に触媒５が配置される。光学マスク２２で光２４を遮蔽したパターン形状以外の場所には触媒５が付着していない状態となっている。
【００５０】
図７（ａ）及び図７（ｂ）はステップＳ７の無電解めっき工程に対応する図である。図７（ａ）に示すように、ステップＳ７においてめっき槽２７が使用される。めっき槽２７にはヒーター２８が設置され、めっき槽２７の中には無電解めっき液２９が投入されている。めっき槽２７には撹拌装置が設置されても良い、撹拌装置により効率良くめっきを行うことができる。
【００５１】
無電解めっきにより析出される金属は触媒５により析出する金属であれば良く特に限定されない。析出される金属は白金、金、銅、ニッケルを揚げることができる。本実施形態では、例えば、析出される金属にニッケルを選択している。
【００５２】
無電解めっき液２９の成分は特に限定されない。例えば、無電解めっき液２９は硫酸ニッケル水和物または塩化ニッケル水和物を主成分とし、還元剤として次亜燐酸ナトリウムが含まれた溶液を用いることができる。処理条件は特に限定されないが、例えば、無電解めっき液２９の温度を７０℃〜８０℃にして基板２を１０秒〜１０分程度浸漬する。
【００５３】
無電解めっき液２９に浸漬した後、基板２を水洗する。水洗は、純水を用いて洗浄しもよく、水蒸気を用いて洗浄してもよい。純水及び水蒸気の双方を用いて洗浄してもよい。また、水洗後、基板２を加熱して乾燥してもよい。これにり、めっきされた配線３の基板２に対する密着性を向上させることができる。
【００５４】
その結果、図７（ｂ）に示すように、触媒５上に配線３が形成される。触媒５が配置されていない場所には金属が析出されないので、光学マスク２２のパターン形状に配線３が形成される。配線３以外の場所では触媒５が除去されているので、金属の異常析出を抑制することができる。
【００５５】
さらに、異なる無電解めっき液にて無電解めっきを行い、配線３に金属を積層しても良い。電気めっきを行って配線３を厚くしても良い。以上の工程により配線基板１を製造する工程を終了する。
【００５６】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、触媒膜６を露光するとき、触媒吸着膜４の少なくとも一部を残留させる程度に光２４が照射される。従って、基板２が光２４により損傷することを抑制することができる。
【００５７】
（２）本実施形態によれば、触媒５が除去された触媒吸着膜４には酸素が接続される。従って、触媒５が除去された触媒吸着膜４に触媒５が再接続されることを防止することができる。その結果、露光した場所に金属が析出する異常析出を防止することができる。
【００５８】
（３）本実施形態によれば、ステップＳ４の露光工程では酸素を含む雰囲気中で触媒膜６が露光される。このとき、触媒吸着膜４から触媒５を離脱させる工程と触媒吸着膜４の終端に酸素原子を接続させる工程とは同時に行われる。触媒５が離脱した触媒吸着膜４を放置すると触媒吸着膜４に触媒５が再接続する。本実施形態では、触媒５の離脱と酸素原子の接続が同時に行われるので、触媒５が離脱された触媒吸着膜４に触媒５が再接続することを抑制することができる。
【００５９】
（４）本実施形態によれば、酸素を含む雰囲気内で触媒膜６が露光される。露光する光２４は酸素を含む雰囲気内を通過する。そして、酸素が光により活性化され酸素原子となる。活性化された酸素原子が触媒吸着膜４を構成する分子鎖の終端に接続される。従って、確実に触媒吸着膜４を構成する分子鎖の終端に酸素原子を接続させることができる。
【００６０】
（５）本実施形態によれば、光２４の波長を２５４ｎｍ以下にすることにより触媒吸着膜４の分子鎖を構成するシリコンと酸素との結合を分離することができる。そして、光２４の波長が１２６ｎｍより短いときには光２４が減衰し易いので触媒吸着膜４に作用する強度の光２４を照射することが難しい。従って、光２４の波長を１２６ｎｍ以上２５４ｎｍ以下にすることにより、品質良く触媒吸着膜４の分子鎖を構成するシリコンと酸素との結合を分離することができる。
【００６１】
（第２の実施形態）
次に、配線基板の製造方法の一実施形態について図８の配線基板の製造方法を説明するための模式図を用いて説明する。本実施形態が第１の実施形態と異なるところは、露光するときに真空状態にて行う点にある。尚、第１の実施形態と同じ点については説明を省略する。
【００６２】
図８（ａ）及び図８（ｂ）はステップＳ４の露光工程に対応する図である。すなわち、本実施形態では、図８（ａ）に示すように、ステップＳ４において、露光装置１７では真空状態にて光２４が触媒膜６に照射される。気体が存在する雰囲気中を光２４が通過するときには気体の影響を受けて光２４の進行が揺らぐ。真空中を光が進行するときは、光２４が直進するので位置精度良く触媒膜６を所定のパターン形状で露光することができる。
【００６３】
その結果、図８（ｂ）に示すように、触媒吸着膜４のシリコン原子２６と触媒５に結合するＮＨ2基とが分離され、触媒５が触媒吸着膜４から離脱する。
【００６４】
図８（ｃ）はステップＳ５の焼成工程に対応する図である。図８（ｃ）に示すように、ステップＳ５において、基板２は酸素２５を含む雰囲気中で加熱される。これにより、シリコン原子２６と酸素原子とは結合の腕が２本で結合し、触媒５が触媒吸着膜４と再接続することが防止される。
【００６５】
上述したように、本実施形態によれば、以下の効果を有する。
（１）本実施形態によれば、真空中で基板２が露光される。従って、位置精度良く触媒膜６を所定のパターン形状で露光することができる。
【００６６】
尚、本実施形態は上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有する者により種々の変更や改良を加えることも可能である。変形例を以下に述べる。
（変形例１）
前記第１の実施形態及び前記第２の実施形態では、光学マスク２２を用いて所定のパターン形状に光２４を照射した。他にも、光線を用いて所定のパターン形状に光２４を照射しても良い。光線を基板２上に走査させて配線３を設置しない場所を照射する。光線の軌跡をコンピューターを用いて制御することにより、光学マスク２２を用いずに描画することができる。従って、所定のパターン形状を容易に変更することができる。
【００６７】
（変形例２）
前記第１の実施形態では、基板２に配線３を形成した。配線３を形成する対象物は平坦な物に限らない。配線３を形成する面に触媒膜６を形成して露光することにより凹凸のある物や立体的な物にも配線３を形成することができる。
【００６８】
（変形例３）
前記第１の実施形態及び前記第２の実施形態では、ステップＳ２の触媒塗布工程において基板２を溶液に浸漬させて、触媒吸着溶液１３及び触媒溶液１６を塗布した。塗布方法はこれに限らない。スプレー方式、スピンコート方式、溶液を筆やスポンジに含ませて基板２に塗布する方法等を用いることができる。
【００６９】
（変形例４）
前記第１の実施形態及び前記第２の実施形態では、ステップＳ２の触媒塗布工程において基板２上に触媒吸着膜４を形成し、触媒吸着膜４の分子鎖の終端に触媒５を接続させた。この方法によらず次の方法を用いても良い。まず、触媒吸着溶液１３にパラジウム等の触媒５を付加する。これによりカップリング剤の分子鎖の終端に触媒５を接続させる。次に、触媒５が付加された触媒吸着溶液１３を基板２に塗布し乾燥する。その結果、触媒吸着膜４に触媒５が付加された触媒膜６が形成される。この方法では溶液を基板２に塗布する工程の工程数を減らすことができるので、生産性良く配線基板１を製造することができる。
【符号の説明】
【００７０】
２…基板、３…金属膜としての配線、４…触媒吸着膜としての触媒吸着膜、５…触媒、６…触媒膜。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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