(57)【要約】【課題】非粘着層とダイシング層との界面で剥離を生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープ１の製造方法では、粘接着剤層３と、粘接着剤層３の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ粘接着剤層３側の表面が非粘着性である非粘着層４とを有する積層体を用いる。本発明では、ダイシング層５の非粘着層４側とは反対の表面側から、非粘着層４に紫外線を照射する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得て、前記半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法であって、
粘接着剤層と、前記粘接着剤層の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ前記粘接着剤層側の表面が非粘着性である非粘着層とを有する積層体を用意する工程と
基材と前記基材の一方の表面に積層されている粘着部とを有するダイシング層を用いて、前記非粘着層の前記粘接着剤層側とは反対の表面に、前記ダイシング層を前記粘着部側から貼り付ける工程とを備え、
前記積層体を用いて、前記非粘着層の前記粘接着剤層側とは反対の表面に前記ダイシング層を貼り付けた後に、前記ダイシング層の前記非粘着層側とは反対の表面側から、前記非粘着層に紫外線を照射する工程をさらに備える、ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法。
【請求項２】
前記非粘着層が、前記光重合性化合物としてアクリル系ポリマーを用いて、前記アクリル系ポリマーを架橋させて形成されている、請求項１に記載のダイシング−ダイボンディングテープの製造方法。
【請求項３】
前記アクリル系ポリマーが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーである、請求項２に記載のダイシング−ダイボンディングテープの製造方法。
【請求項４】
前記ダイシング層が、紫外線透過性を有する、請求項１〜３のいずれか１項に記載のダイシング−ダイボンディングテープの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、粘接着剤層付き半導体チップを得るために用いられ、該粘接着剤層付き半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウェーハから半導体チップを切り出して、半導体チップを得るために、ダイシングテープが用いられている。また、半導体チップを基板等にダイボンディングするために、ダイボンディングフィルムである粘接着剤層を有するダイシングテープが用いられている。この粘接着剤層を有するダイシングテープは、ダイシング−ダイボンディングテープと呼ばれている。
【０００３】
下記の特許文献１，２には、上記ダイシング−ダイボンディングテープの一例が開示されている。図４に示すように、特許文献１，２に記載のダイシング−ダイボンディングテープ１０１は、離型フィルム１０２と、ダイボンディングフィルム１０３と、非粘着フィルム１０４と、ダイシングフィルム１０５とがこの順で積層されて構成されている。ダイシングフィルム１０５は、基材１０５Ａと粘着剤層１０５Ｂとを有する。ダイシングフィルム１０５は、粘着剤層１０５Ｂ側から、非粘着フィルム１０４に積層されている。
【０００４】
特許文献１では、ダイボンディングフィルム１０３と非粘着フィルム１０４との剥離強度が１〜６Ｎ／ｍの範囲内であり、ダイボンディングフィルム１０３と非粘着フィルム１０４とのシェア強度が０．３〜２Ｎ／ｍｍ２であることが記載されている。また、特許文献１では、粘着剤層１０５Ｂは、非粘着フィルム１０４とダイシングフィルム１０５との剥離強度が、ダイボンディングフィルム１０３と非粘着フィルム１０４との剥離強度よりも大きくなるように構成されることが記載されている。
【０００５】
特許文献１の実施例９では、ダイシング−ダイボンディングテープ１０１の具体的な製造方法として、離型フィルム１０２上のダイボンディングフィルム１０３の表面に、非粘着フィルム１０４をラミネートした後、非粘着フィルム１０４のダイボンディングフィルム１０３側とは反対の表面に、ダイシングフィルム１０５を貼り付けている。
【０００６】
特許文献２では、非粘着フィルム１０４が、（メタ）アクリル樹脂架橋体を主成分として含むことが記載されている。特許文献２では、非粘着フィルム１０４の作製方法として、非粘着フィルム１０４を構成する材料を離型フィルム上に塗布し、光の照射及び／又は加熱を行い、離型フィルム上に非粘着フィルム１０４を形成した後、離型フィルムを剥離する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２００８／０１０５４７Ａ１
【特許文献２】ＷＯ２００８／１３２８５２Ａ１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１，２に記載のダイシング−ダイボンディングテープでは、ダイボンディングフィルム１０３付き半導体チップを、非粘着フィルム１０４から容易に剥離して、取り出すことができる。
【０００９】
しかし、従来のダイシング−ダイボンディングテープ１０１を製造する方法では、ダイシング−ダイボンディングテープ１０１を得る製造工程において、非粘着フィルム１０４とダイシングフィルム１０５との界面で、剥離が生じることがある。
【００１０】
さらに、近年、非粘着フィルム１０４とダイシングフィルム１０５との界面ではなくダイボンディングフィルム１０３と非粘着フィルム１０４との界面で、ダイボンディングフィルム１０３付き半導体チップを、非粘着フィルム１０４からより一層確実に剥離することを可能にするダイシングーダイボンディングテープが求められている。
【００１１】
本発明の目的は、非粘着層とダイシング層との界面で剥離を生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の広い局面によれば、半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得て、前記半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法であって、粘接着剤層と、前記粘接着剤層の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ前記粘接着剤層側の表面が非粘着性である非粘着層とを有する積層体を用意する工程と、基材と前記基材の一方の表面に積層されている粘着部とを有するダイシング層を用いて、前記非粘着層の前記粘接着剤層側とは反対の表面に、前記ダイシング層を前記粘着部側から貼り付ける工程とを備え、前記積層体を用いて、前記非粘着層の前記粘接着剤層側とは反対の表面に前記ダイシング層を貼り付けた後に、前記ダイシング層の前記非粘着層側とは反対の表面側から、前記非粘着層に紫外線を照射する工程をさらに備える、ダイシング−ダイボンディングテープの製造方法が提供される。
【００１３】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法のある特定の局面では、前記非粘着層が、前記光重合性化合物としてアクリル系ポリマーを用いて、前記アクリル系ポリマーを架橋させて形成されている。
【００１４】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法のある特定の局面では、前記アクリル系ポリマーが、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーである。
【００１５】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法のある特定の局面では、前記ダイシング層が、紫外線透過性を有する。
【発明の効果】
【００１６】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法は、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ上記粘接着剤層側の表面が非粘着性である非粘着層とを有する積層体を用意する工程と、基材と上記基材の一方の表面に積層されている粘着部とを有するダイシング層を用いて、上記非粘着層の上記粘接着剤層側とは反対の表面に、上記ダイシング層を上記粘着部側から貼り付ける工程とを備え、更に、上記積層体を用いて、上記非粘着層の上記粘接着剤層側とは反対の表面にダイシング層を貼り付けた後に、上記ダイシング層の上記非粘着層側とは反対の表面側から、上記非粘着層に紫外線を照射する工程をさらに備えるので、上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離を生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法により得られるダイシングーダイボンディングテープを模式的に示す部分切欠平面図及び部分切欠正面断面図である。
【図２】図２（ａ）〜（ｄ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法の各工程を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｃ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法により得られるダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを製造する各工程の一例を説明するための部分切欠正面断面図である。
【図４】図４は、従来のダイシング−ダイボンディングテープを説明するための部分切欠正面断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１９】
本発明は、半導体ウェーハをダイシングし、半導体チップを得て、上記半導体チップをダイボンディングするために用いられるダイシング−ダイボンディングテープの製造方法である。
【００２０】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法は、粘接着剤層と、上記粘接着剤層の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ上記粘接着剤層側の表面が非粘着性である非粘着層とを有する積層体を用意する工程と、基材と上記基材の一方の表面に積層されている粘着部とを有するダイシング層を用いて、上記非粘着層の上記粘接着剤層側とは反対の表面に、上記ダイシング層を上記粘着部側から貼り付ける工程とを備える。
【００２１】
さらに、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法は、上記積層体を用いて、上記非粘着層の上記粘接着剤層側とは反対の表面に上記ダイシング層を貼り付けた後に、上記ダイシング層の上記非粘着層側とは反対の表面側から、上記非粘着層に紫外線を照射する工程をさらに備える。
【００２２】
本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法では、上述した各工程が備えられているので、非粘着層とダイシング層との界面で剥離が生じ難く、粘接着剤層と非粘着層との界面でより一層確実に剥離させることができ、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることができる。
【００２３】
本発明では、ダイシング−ダイボンディングテープの製造工程において、上記非粘着層と上記ダイシング層との界面での剥離を生じ難くすることができる。さらに、本発明では、ダイシング−ダイボンディングテープを用いて、粘接着剤層付き半導体チップを得る際に、上記非粘着層と上記ダイシング層との界面での剥離を生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性を高めることもできる。
【００２４】
上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高めるために、上記積層体を用いて、上記非粘着層の上記粘接着剤層側とは反対の表面に上記ダイシング層を貼り付けた後に、上記ダイシング層の上記非粘着層側とは反対の表面側から、上記非粘着層に紫外線を照射する。
【００２５】
以下、図面を参照しつつ、本発明の具体的な実施形態及び実施例を説明することにより、本発明を明らかにする。
【００２６】
（ダイシング−ダイボンディングテープ）
図１（ａ）及び（ｂ）は、本発明の一実施形態に係るダイシング−ダイボンディングテープの製造方法により得られるダイシング−ダイボンディングテープを模式的に示す図である。図１（ａ）は部分切欠平面図であり、図１（ｂ）は図１（ａ）中のＩ−Ｉ線に沿う部分切欠正面断面図である。なお、図１及び後述の図では、図示の便宜上、寸法及び大きさは、実際の寸法及び大きさから適宜変更している。
【００２７】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１は、粘接着剤層３と、非粘着層４と、ダイシング層５とを備える。粘接着剤層３の一方の表面（第１の表面）に、非粘着層４が積層されている。粘接着剤層３の他方の表面（第２の表面）に、離型層２が積層されている。非粘着層４の一方の表面（第１の表面）に、粘接着剤層３が積層されている。非粘着層４の粘接着剤層３側とは反対の他方の表面（第２の表面）に、ダイシング層５が積層されている。非粘着層４は、光重合性化合物を用いて形成されている。非粘着層４では、粘接着剤層３側の表面が非粘着性である。非粘着層４では、ダイシング層５側の表面が非粘着性であることが好ましい。ダイシング層５は、基材５Ａと、粘着部５Ｂとを有する。粘着部５Ｂは、基材５Ａの一方の表面に積層されている。ダイシング層５は、粘着部５Ｂ側から非粘着層４の表面に積層されている。
【００２８】
離型層２は、長尺状である。長尺状の離型層２の上面に、粘接着剤層３、非粘着層４、及びダイシング層５を有する複数の積層体が等間隔に配置されている。該積層体の側方において、離型層２の上面に保護シートが設けられていてもよい。
【００２９】
粘接着剤層３及び非粘着層４の平面形状は、略円形である。ダイシング層５の平面形状は略円形である。粘接着剤層３の径は、非粘着層４の径と同じであってもよく、異なってもよい。非粘着層４の径は、粘接着剤層３の径よりも大きいことが好ましい。非粘着層４の外周側面は、粘接着剤層３の外周側面よりも外側に張り出していることが好ましい。また、非粘着層４の外周側面は、粘接着剤層により覆われていないことが好ましい。粘接着剤層３と非粘着層４との大きさがこのような好ましい関係を満足すると、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の非粘着層４が積層されている部分に半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。また、半導体ウェーハを粘接着剤層３に、より一層確実に貼り付けることができる。
【００３０】
ダイシング層５は、粘接着剤層３及び非粘着層４の外周側面よりも外側に張り出している延長部５ｘを有する。ダイシング層５の延長部５ｘの片面が、粘着部５Ｂにより離型層２の上面に貼り付けられている。すなわち、粘接着剤層３及び非粘着層４の外周側面よりも外側の領域で、ダイシング層５が離型層２の上面に貼り付けられている。
【００３１】
ダイシング層５が延長部５ｘを有するのは、粘接着剤層３の他方の表面に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の外周側面よりも外側に位置する延長部５ｘの粘着部５Ｂに、ダイシングリングを貼り付けるためである。
【００３２】
ダイシング層５の径は、粘接着剤層３及び非粘着層４の径よりも大きい。ダイシング層５の外周側面は、粘接着剤層３及び非粘着層４の外周側面よりも外側に張り出している。ダイシング層５と粘接着剤層３及び非粘着層４との大きさがこのような好ましい関係を満足することによっても、粘接着剤層３に半導体ウェーハを貼り付ける際に、粘接着剤層３の非粘着層４が積層されている部分に、半導体ウェーハを正確に位置合わせできる。貼り付けの後には、半導体ウェーハが貼り付けられた粘接着剤層３の一方の表面上に非粘着層４を確実に配置できる。このため、非粘着層４からの粘接着剤層３の剥離性を高めることで、ダイシングの後に、粘接着剤層３付き半導体チップを、非粘着層４から容易に剥離できる。特に、非粘着層４が非粘着性を有することによって、粘接着剤層３付き半導体チップを、非粘着層４からより一層容易に剥離できる。このため、生産ロスを低減でき、歩止まりを向上できる。さらに、ダイシングリングと半導体ウェーハとを異なる層に貼り付けることができるので、粘接着剤層３と非粘着層４とダイシング層５とをそれぞれ最適な材料により構成できる。このため、切削性及びピックアップ性と、ダイボンディング後の接合信頼性とを高くすることができる。
【００３３】
図１に示すダイシング−ダイボンディングテープ１は、例えば、図２（ａ）〜（ｄ）に示す各工程を経て、以下のようにして得ることができる。
【００３４】
先ず、図２（ａ）に示すように、離型層２の上面に、粘接着剤層３が積層された積層体２１を用意する。また、離型層２６上に非粘着層４Ａが積層された積層体２２を用意する。この非粘着層４Ａは、光重合性化合物を用いて形成されている。非粘着層４Ａでは、少なくとも粘接着剤層３側の表面が非粘着性である。非粘着層４Ａの粘接着剤層３側とは反対の表面が、粘着性であってもよい。非粘着層４Ａのダイシング層５が積層される側の表面が、粘着性であってもよい。
【００３５】
次に、積層体２１における離型層２の上面に積層された粘接着剤層３の表面に、積層体２２における非粘着層４Ａを、離型層２６を剥離しながら、又は離型層２６を剥離した後に、積層する。
【００３６】
このようにして、図２（ｂ）に示すように、離型層２と、離型層２の一方の表面に積層された粘接着剤層３と、粘接着剤層３の一方の表面に積層されており、光重合性化合物を用いて形成されており、かつ粘接着剤層３側の表面が非粘着性である非粘着層４Ａとを有する積層体１１を用意する。このように、上記粘接着剤層と上記非粘着層とを有する積層体は、上記離型層を備えることが好ましい。
【００３７】
次に、図２（ｃ）に示すように、基材５Ａと基材５Ａの一方の表面に積層されている粘着部５Ｂとを有するダイシング層５を用いて、非粘着層４Ａの粘接着剤層３側とは反対の表面に、ダイシング層５を粘着部５Ｂ側から貼り付ける。
【００３８】
次に、積層体１１を用いて、非粘着層４Ａの粘接着剤層３側とは反対の表面にダイシング層５を貼り付けた後に、ダイシング層５の非粘着層４Ａ側とは反対の表面側から、非粘着層４Ａに紫外線を照射して、図２（ｄ）に示すように、非粘着層４を形成する。非粘着層４は、紫外線が照射された非粘着層である。
【００３９】
このようにして、ダイシング−ダイボンディングテープ１を得ることができる。このように紫外線を照射することで、非粘着層４とダイシング層５との界面で剥離を生じ難くし、粘接着剤層３付き半導体チップのピックアップ性を十分に高めることができる。
【００４０】
非粘着層４Ａに光に光を照射する際の積算光量は、好ましくは２５００ｍＪ／ｃｍ２以上、より好ましくは３０００ｍＪ／ｃｍ２以上、好ましくは７０００ｍＪ／ｃｍ２以下、より好ましくは５０００ｍＪ／ｃｍ２以下である。
【００４１】
非粘着層４Ａに光を照射するための光源としては、低圧水銀灯、中圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ケミカルランプ、ブラックライトランプ、マイクロウェーブ励起水銀灯、メタルハライドランプ及びＬＥＤランプ等が挙げられる。
【００４２】
以下、本発明に係るダイシング−ダイボンディングテープにおける各層の詳細を説明する。
【００４３】
上記離型層は、例えば、離型フィルムである。上記離型層は、上記粘接着剤層の半導体ウェーハが貼り付けられる面を保護し、ロール状の製品形態で提供するために用いられる。なお、上記離型層は、必ずしも用いられていなくてもよい。
【００４４】
上記離型層の材料としては、プラスチック樹脂が挙げられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂などが挙げられる。
【００４５】
上記離型層の表面は離型処理されていてもよい。上記離型層は単層であってもよく、複数層であってもよい。上記離型層が複数層である場合には、各層は異なる樹脂により形成されていてもよい。
【００４６】
上記離型層の取扱い性又は剥離性をより一層高める観点からは、上記離型層の厚みは、好ましくは１０μｍ以上、好ましくは１００μｍ以下である。
【００４７】
上記粘接着剤層は、半導体チップのダイボンディングに用いられる層である。上記粘接着剤層は、半導体チップを基板又は他の半導体チップ等に接合するために用いられる。
【００４８】
上記粘接着剤層は、例えば適宜の硬化性樹脂などの硬化性化合物を含む硬化性樹脂組成物、又は熱可塑性樹脂等により形成される。硬化前の上記硬化性樹脂組成物は柔らかいので、外力により容易に変形する。上記粘接着剤層付き半導体チップを得た後に、得られた粘接着剤層付き半導体チップを上記粘接着剤層側から基板等の被着体に積層する。その後、熱又は光のエネルギーを与えて、上記粘接着剤層を硬化させることにより、上記粘接着剤層を介して、被着体に半導体チップを強固に接合させることができる。
【００４９】
上記硬化性樹脂組成物を硬化させるために、硬化剤が用いられる。該硬化剤としては、例えば、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸等の加熱硬化型酸無水物系硬化剤、フェノール系硬化剤、アミン系硬化剤もしくはジシアンジアミド等の潜在性硬化剤、及びカチオン系触媒型硬化剤等が挙げられる。硬化速度又は硬化物の物性等を調整するために、上記硬化剤と硬化促進剤とを併用してもよい。
【００５０】
上記粘接着剤層の厚みは特に限定されない。上記粘接着剤層の厚みは、一般的には５μｍ以上、１５０μｍ以下である。半導体装置の設計寸法に応じて、適正な粘接着剤層の厚みが選定される。
【００５１】
上記非粘着層では、上記粘接着剤層側の表面が非粘着性である。ダイシング−ダイボンディングテープでは、上記非粘着層では、上記ダイシング層側の表面が非粘着性であってもよい。なお、「非粘着性」とは、表面が粘着性を有さないだけでなく、表面を指で触ったときにくっつかない程度の粘着性を有する場合も含まれることとする。具体的には、「非粘着」とは、上記非粘着層をステンレス板に貼り付けて、上記非粘着層を３００ｍｍ／分の剥離速度で剥離したときに、粘着力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ幅以下であることを意味する。
【００５２】
上記非粘着層は、例えば、光重合性化合物を用いて形成されている。具体的には、上記非粘着層は、光重合性化合物を含む組成物を用いて形成されている。
【００５３】
上記光重合性化合物としては、アクリル系ポリマー、エポキシ変性アクリレート及びウレタン変性アクリレート及びポリエステル変性アクリレート等が挙げられる。上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記光重合性化合物は、アクリル系ポリマーであることが好ましい。上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記非粘着層は、上記光重合性化合物として上記アクリル系ポリマーを用いて上記アクリル系ポリマーを架橋させて形成されていることが好ましく、上記非粘着層の材料は、アクリル系ポリマーを含む組成物を架橋させた架橋体であることが好ましい。この場合には、上記非粘着層の極性、貯蔵弾性率又は破断伸びを容易に制御及び設計することもできる。
【００５４】
上記アクリル系ポリマーは特に限定されない。上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記アクリル系ポリマーは、（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーであることが好ましい。上記非粘着層と上記ダイシング層との界面で剥離をより一層生じ難くし、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性をより一層高める観点からは、上記アクリル系ポリマーは、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸エステルポリマーであることが好ましい。この（メタ）アクリル酸エステルポリマーは、アルキル基を有し、かつ上記アルキル基の炭素数が１〜１８である（メタ）アクリル酸エステルポリマーである。また、炭素数１〜１８のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルポリマーの使用により、上記非粘着層の極性が充分に低くなり、上記非粘着層の表面エネルギーが低くなり、かつ上記粘接着剤層の上記非粘着層からの剥離性が高くなる。
【００５５】
上記組成物は、光反応開始剤を含むことが好ましい。上記光反応開始剤として、例えば、光ラジカル発生剤又は光カチオン発生剤等を使用できる。上記組成物には、粘着力を制御するためにイソシアネート系架橋剤を添加してもよい。
【００５６】
上記非粘着層の厚みは特に限定されない。上記非粘着層の厚みは、好ましくは５μｍ以上、より好ましくは１０μｍ以上、好ましくは８０μｍ以下、より好ましくは５０μｍ以下である。上記非粘着層の厚みが上記下限以上であると、エクスパンド性がより一層高くなる。上記非粘着層の厚みが上記上限以下であると、厚みがより一層均一になり、ダイシングの精度がよく一層高くなる。上記非粘着層の厚みは、３０μｍ以上、５０μｍ以下であることが特に好ましい。上記非粘着層の厚みが３０μｍ以上、５０μｍ以下であると、粘接着剤層付き半導体チップのピックアップ性がより一層良好になる。
【００５７】
上記ダイシング層は、上記基材と、上記粘着部とを有する。上記粘着部は粘着剤層であることが好ましい。
【００５８】
上記非粘着層と上記ダイシング層との剥離力は、上記粘接着剤層と上記非粘着層との剥離力よりも大きいことが好ましい。このような剥離力を満足するように上記粘着部が構成されていることが好ましい。
【００５９】
上記ダイシング層における上記基材の材料としては、プラスチック樹脂が挙げられ、具体的には、ポリエチレンテレフタレート樹脂等のポリエステル樹脂や、ポリテトラフルオロエチレン樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、ポリメチルペンテン樹脂、ポリビニルアセテート樹脂等のポリオレフィン樹脂や、ポリ塩化ビニル樹脂などが挙げられる。なかでも、エクスパンド性に優れており、環境負荷が小さいため、ポリオレフィン樹脂が好適に用いられる。更に、本発明を設計しやすいため、ポリエチエン樹脂が好適に用いられる。
【００６０】
上記粘着部は特に限定されない。上記粘着部を構成する粘着剤の具体例として、アクリル系粘着剤、特殊合成ゴム系粘着剤、合成樹脂系粘着剤及びゴム系粘着剤等が挙げられる。なかでも、感圧タイプのアクリル系粘着剤が好ましい。感圧タイプのアクリル系粘着剤が用いられた場合、ダイシングリングを上記粘着部からより一層容易に剥離できる。さらに、上記粘着部のコストを低減できる。
【００６１】
上記基材の厚みは特に限定されない。上記基材の厚みは、好ましくは５０μｍ以上、より好ましくは８０μｍ以上、好ましくは２００μｍ以下、より好ましくは１６０μｍ以下である。上記基材の合計の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、半導体ウェーハをより一層精度よくダイシングでき、ピックアップ性をより一層高めることができる。さらに、上記離型層の剥離性及び上記ダイシング層のエクスパンド性がより一層高くなる。
【００６２】
上記粘着部の厚みは特に限定されない。上記粘着部の厚みは、好ましくは２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、好ましくは５０μｍ以下、より好ましくは３０μｍ以下である。上記粘着部の厚みが上記下限以上及び上記上限以下であると、上記非粘着層と上記ダイシング層との剥離力を適度な範囲に制御することが容易になる。
【００６３】
（粘接着剤層付き半導体チップの製造方法）
次に、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープ１を用いた場合の粘接着剤層３付き半導体チップの製造方法の一例を以下説明する。
【００６４】
上述したダイシング−ダイボンディングテープ１と、図３（ａ）に示す半導体ウェーハ４１とを用意する。
【００６５】
半導体ウェーハ４１の平面形状は円形である。半導体ウェーハ４１の表面には、マトリックス状にストリートによって区画された各領域に、個々の半導体チップを構成するための回路が形成されている。半導体ウェーハ４１の厚みは、３０μｍ以上であることが好ましい。半導体ウェーハ４１の厚みが薄いと、研削時又はハンドリング時に、クラック等が発生し、半導体チップが破損しやすくなる。
【００６６】
図３（ａ）に示すように、半導体ウェーハ４１を裏返して、裏返された半導体ウェーハ４１を表面側からステージ３５上に載せる。ステージ３５上には、半導体ウェーハ４１の外周側面から一定間隔を隔てられた位置に、円環状のダイシングリング３６が設けられている。
【００６７】
次に、図３（ａ）に示すように、ダイシング−ダイボンディングテープ１の離型層２を剥離しながら、又は離型層２を剥離した後に、露出した粘接着剤層３の他方の面を、半導体ウェーハ４１の裏面に貼り付ける。また、露出したダイシング層５の外周部分を、ダイシングリング３６に貼り付ける。
【００６８】
次に、図３（ｂ）に示すように、粘接着剤層３が貼り付けられた半導体ウェーハ４１をステージ３５から移して、裏返す。このとき、ダイシングリング３６をダイシング層５の粘着部５Ｂに貼り付けられた状態で取り出す。取り出した半導体ウェーハ４１を表面が上方になるように裏返して、別のステージ３７上に載せる。次に、半導体ウェーハ４１を粘接着剤層３ごとダイシングし、個々の半導体チップに分割する。半導体ウェーハ４１と、粘接着剤層３とを、両面を貫通し、分断するようにダイシングする。ここでは、粘着部５Ｂを、両面を貫通し、分断するようにダイシングしている。但し、粘着部５Ｂは、分断しなくてもよい。
【００６９】
ダイシングの方法としては、ダイシングブレードが用いられる。ダイシング時には、高速回転するブレードを備えるダイシング装置等が用いられる。また、ダイシングに、レーザーダイシングを用いてもよい。
【００７０】
ダイシングの後に、半導体ウェーハ４１に切断部分４１ａが形成され、粘接着剤層３に切断部分３ａが形成され、粘着部５Ｂに切断部分５Ｂａが形成される。ダイシングする工程において、基材５Ａを、分断しないようにかつ基材５Ａに切り込み５Ａａを形成するようにダイシングすることが好ましい。基材５Ａを、両面を貫通しないようにかつ基材５Ａの粘着部５Ｂ側の表面に切り込み５Ａａを形成するようにダイシングすることが好ましい。基材５Ａは切断（分断）されないことが好ましい。
【００７１】
次に、図３（ｃ）に示すように、ダイシング層５を引き延ばして、分割された個々の半導体チップの間隔を拡張する。その後、半導体チップを粘接着剤層３ごと非粘着層４から剥離して、取り出すことにより、粘接着剤層３付き半導体チップを得ることができる。
【００７２】
本実施形態では、ダイシング−ダイボンディングテープ１が上述した製造方法により得られているので、ピックアップ性を高めることができる。
【００７３】
以下、実施例及び比較例を挙げることにより、本発明を具体的に説明する。本発明は、以下の実施例に限定されない。
【００７４】
非粘着層を形成するための組成物を構成する材料として、以下の化合物を用意した。
【００７５】
（アクリル系ポリマー１）
２−エチルヘキシルアクリレート９５重量部、２−ヒドロキシエチルアクリレート５重量部、光ラジカル発生剤であるイルガキュア６５１（チバガイギ社製、５０％酢酸エチル溶液）０．２重量部、及びラウリルメルカプタン０．０１重量部を酢酸エチルに溶解させて、溶液を得た。この溶液に紫外線を照射して重合を行い、ポリマーの酢酸エチル溶液を得た。さらに、この溶液の固形分１００重量部に対して、２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート（昭和電工社製「カレンズＭＯＩ」）３．５重量部を反応させて、アクリル共重合体（アクリル系ポリマー１）を得た。得られたアクリル系ポリマー１の重量平均分子量は７０万であり、酸価は０．８６（ｍｇＫＯＨ／ｇ）であった。
【００７６】
（光重合開始剤）
イルガキュア６５１（チバガイギ社製）
【００７７】
（オリゴマー）
Ｕ３２４Ａ：新中村化学工業社製、ウレタンアクリルオリゴマー（１０官能のウレタンアクリルオリゴマー）、重量平均分子量：１，３００
【００７８】
（実施例１）
実施例１では、図１（ａ），（ｂ）に示すダイシング−ダイボンディングテープを形成した。
【００７９】
非粘着層の作製：
上記アクリル系ポリマー１を１００重量部と、イルガキュア６５１を１重量部と、ウレタンアクリルオリゴマーであるＵ３２４Ａを１５重量部とを配合し、組成物を得た。得られた組成物を離型ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム上に塗工し、１１０℃で５分間乾燥し、溶媒を除去し、組成物層を形成した。
【００８０】
次に、得られた組成物層の表面が露出した状態で、組成物層の全領域に、超高圧水銀灯（オーク製作所社製「ＩＭＬ−４０００」）を用いて、３６５ｎｍの紫外線を積算光量が２５００ｍＪ／ｃｍ２となるように照射し、組成物層を硬化させた。このようにして、非粘着性を有する非粘着層（厚み５０μｍ）を得た。
【００８１】
離型ＰＥＴフィルム／粘接着剤層／非粘着層の積層体の作製：
Ｇ−２０５０Ｍ（日油社製、エポキシ含有アクリルポリマー、重量平均分子量Ｍｗ２０万）１５重量部と、ＨＰ−７２００ＨＨ（ＤＩＣ社製、ジシクロペンタジエン型エポキシ化合物）７０重量部と、ＨＰ−４０３２Ｄ（ＤＩＣ社製、ナフタレン型エポキシ化合物）１５重量部と、ＹＨ−３０９（三菱化学社製、酸無水物系硬化剤）３８重量部と、２ＭＡＯＫ−ＰＷ（四国化成社製、イミダゾール化合物）８重量部と、ＫＢＭ−４０３（信越化学工業社製、エポキシシラン）２重量部と、ＭＴ−１０（トクヤマ社製、表面疎水化ヒュームドシリカ）１０重量部とを配合し、配合物を得た。得られた配合物を溶剤であるメチルエチルケトン（ＭＥＫ）に固形分６０重量％となるように添加し、攪拌し、塗液を得た。
【００８２】
得られた塗液を離型ＰＥＴフィルム上に厚み１００μｍになるように塗工し、１１０℃のオーブン内で８分間加熱乾燥した。このようにして、離型ＰＥＴフィルム上に、粘接着剤層を形成した。その後、粘接着剤層を円形に切り抜いた。
【００８３】
次に、粘接着剤層の離型ＰＥＴフィルム側とは反対の表面上に、得られた非粘着層を６０℃でラミネートした。次に、非粘着層が粘接着剤層よりも大きく、非粘着層が粘接着剤層の外周側面よりも側方に張り出している領域を有するように、非粘着層を円形に切り抜いた。
【００８４】
ダイシング層の作製：
基材として、ポリオレフィン系樹脂フィルム（ＪＳＲトレーディング社製「ＳＰＭ８０」、厚み８０μｍ）を用意した。
【００８５】
粘着部を形成するための材料として、アクリル系粘着剤（綜研化学社製「ＳＫ  ダイン  １２２２Ｈ」）１００重量部と、イソシアネート系硬化剤（日本ポリウレタン工業社製「コロネートＬ−４５」）０．５重量部とを配合して、固形分が２０重量％となるように酢酸エチルを添加して、粘着剤組成物を得た。
【００８６】
次に、上記ポリオレフィン系樹脂フィルムの表面上に、アプリケータを用いて、上記粘着剤組成物を塗布し、１１０℃で５分間乾燥して、厚み１０μｍの粘着部（粘着剤層）を形成した。
【００８７】
このようにして、ポリオレフィン系樹脂フィルム／粘着部の積層構造を有するダイシング層を得た。
【００８８】
ダイシング−ダイボンディングテープの作製：
得られた離型ＰＥＴフィルム／粘接着剤層／非粘着層の積層体における非粘着層の表面上に、ダイシング層を粘着部側から貼り付けた。
【００８９】
その後、ダイシング層を切り抜いた。このようにして、離型ＰＥＴフィルム／粘接着剤層／非粘着層／ダイシング層（非粘着層側に粘着部）がこの順で積層された積層構造を有する積層テープを得た。
【００９０】
次に、得られた積層テープのダイシング層の非粘着層側とは反対側の表面から、非粘着層に対して、超高圧水銀灯（オーク製作所社製「ＩＭＬ−４０００」）を用いて、３６５ｎｍの紫外線を積算光量が５０００ｍＪ／ｃｍ２となるように照射した。このようにして、ダイシング−ダイボンディングテープを得た。
【００９１】
（実施例２）
得られた積層テープに紫外線を照射する際に、積算光量を３０００ｍＪ／ｃｍ２に変更したこと以外は、実施例１と同様にして、ダイシングーダイボンディングテープを得た。
【００９２】
（比較例１）
得られた積層テープに紫外線を照射せずに、得られた積層テープをダイシング−ダイボンディングテープとして得た。
【００９３】
（評価）
（１）非粘着層とダイシング層との接着性（アンカー力）評価
得られたダイシングーダイボンディングテープの離型層を剥離し、露出した粘接着剤層を、非粘着層と粘接着剤層との界面で剥離した。露出した非粘着層の表面にマクセルスリオンテック社製「ポリエステルフィルムテープＮｏ．６２６００１」を補強テープとして貼り付けて、幅２５ｍｍ×長さ約１５ｃｍに切断して、試験片を作製した。試験片のダイシング層の表面にステンレス板を両面テープで貼り付けて、試験片とステンレス板とを接着して、評価サンプルを得た。その後、非粘着層とダイシング層との界面、又は補強テープと非粘着層との界面で剥離が生じるように、評価サンプルを固定した。この固定状態で、評価サンプル２個について、島津製作所社製「引張試験機ＡＧ−ＩＳ」を用いて、３００ｍｍ／分の剥離速度で、剥離界面に対して１８０度方向に、剥離を行った。剥離後の状態を観察し、非粘着層とダイシング層との接着性（アンカー力）を以下の基準で評価した。
【００９４】
［非粘着層とダイシング層との接着性（アンカー力）の判定基準］
○：補強テープと非粘着層との界面で剥離が生じ、非粘着層とダイシング層との界面で剥離が生じていない
△：補強テープと非粘着層との界面での剥離と、非粘着層とダイシング層との界面での剥離との双方が生じる
×：非粘着層とダイシング層との界面で剥離が生じ、補強テープと非粘着層との界面で剥離が生じていない
【００９５】
（２）非粘着層と粘接着剤層との剥離力
得られたダイシングーダイボンディングテープの離型層を剥離し、露出した非粘着層を、ステンレス板と貼り付けて、粘接着剤層とステンレス板とを接着させ、評価サンプルを得た。その後、非粘着層と粘接着剤層との界面で剥離が生じるように、評価サンプルを固定した。この固定状態で、評価サンプル２個について、３００ｍｍ／分の剥離速度で、非粘着層と粘接着剤層との界面に対して１８０度方向に、非粘着層を粘接着剤層から剥離した。このとき剥離に要した力を、島津製作所社製「引張試験機ＡＧ−ＩＳ」を用いて、測定幅２５ｍｍで測定し、得られた値の平均値を剥離強度とした。
【００９６】
（３）切削時の非粘着層と粘接着剤層との界面での浮き
得られたダイシング−ダイボンディングテープの離型層を粘接着剤層から剥離して、粘接着剤層を露出させた。露出した粘接着剤層を直径１２ｉｎｃｈのシリコンウェーハ（厚み８０μｍ）の一方の面に６０℃の温度でラミネートした。
【００９７】
次に、ディスコ社製「ダイシング装置ＤＦＤ６５１」を用いて、送り速度５０ｍｍ／秒で、評価サンプルを１０ｍｍ×１０ｍｍのチップサイズにダイシングした。
【００９８】
ダイシング後に、ダイシング層側から、分割された半導体チップを観察し、非粘着層と粘接着剤層との界面での浮きを下記の基準で判定した。
【００９９】
［切削時の非粘着層と粘接着剤層との界面での浮きの判定基準］
無し：分割された個々のチップ表面のいずれにも、非粘着層と粘接着剤層との界面での浮きが生じていない
有り：分割された個々のチップ表面の１個以上に、非粘着層と粘接着剤層との界面での浮きが生じている
【０１００】
（４）ピックアップ性
ダイシング後に、キャノンマシーナリー社製「ダイボンダーｂｅｓｔｅｍ  Ｄ−０２」を用いて、コレットサイズ９ｍｍ角、突き上げ速度５ｍｍ／秒、ピックアップニードル１９ピン、温度２３℃の条件で、５０個の粘接着剤層付き半導体チップを連続してピックアップした。ピックアップ性を下記の基準で判定した。
【０１０１】
［ピックアップ性の判定基準］
○：ピックアップできなかったダイボンディングフィルム付き半導体チップがない
△：ピックアップできなかったダイボンディングフィルム付き半導体チップが５個未満
×：ピックアップできなかったダイボンディングフィルム付き半導体チップが５個以上
【０１０２】
結果を下記の表１に示す。
【０１０３】
【表１】
2014212185.tif 000003
【符号の説明】
【０１０４】
１…ダイシング−ダイボンディングテープ
２…離型層
３…粘接着剤層
３ａ…切断部分
４…非粘着層
４Ａ…紫外線を照射する前の非粘着層
４ａ…切断部分
５…ダイシング層
５Ａ…基材
５Ａａ…切り込み
５Ｂ…粘着部
５Ｂａ…切断部分
５ｘ…延長部
１１…積層体
２１…積層体
２２…積層体
２６…離型層
３５…ステージ
３６…ダイシングリング
３７…ステージ
４１…半導体ウェーハ
４１ａ…切断部分
【図１】
2014212185.tif 000004
【図２】
2014212185.tif 000005
【図３】
2014212185.tif 000006
【図４】
2014212185.tif 000007