(57)【要約】【課題】隣り合う配線が短絡することを抑制する。【解決手段】配線は、金属層と、金属化合物膜を積層した構造を有している。金属層は第１スパッタリング工程で形成され、金属化合物膜は第２スパッタリング工程で形成される。第１スパッタリング工程及び第２スパッタリング工程は、同一の処理室ＰＲＣ内で行われる。情報処理装置ＤＰＤは、処理室ＰＲＣ４における基板ＳＵＢへの処理が行われるたびに、第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件と、一つ前の基板ＳＵＢに前記第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件とを比較する。そして処理室ＰＲＣ４内の圧力が第１基準値以上下がり、かつ入力電圧が第２基準値以上上がった場合に、警告処理を行う。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属を含有する金属ターゲットを内部に有する反応室内に基板を搬入する工程と、
前記反応室内で前記金属ターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、前記基板に金属層を形成する第１スパッタリング工程と、
前記反応室内に前記金属と反応する反応性ガスを導入し、前記反応室内で前記金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法を行うことにより、前記金属層上に金属化合物膜を形成する第２スパッタリング工程と、
を備え、
前記第２スパッタリング工程において、入力電力値が制御されており、
前記基板に前記第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件と一つ前の前記基板に前記第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件とを比較し、前記反応室内の圧力が第１基準値以上下がり、かつ入力電圧が第２基準値以上上がった場合に警告処理を行う半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記金属ターゲットはＴｉ又はＴａであり、
前記反応性ガスは窒素ガスである半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第１スパッタリング工程の前に、前記基板に配線用金属層を形成する第３スパッタリング工程を備え、
前記金属層は前記配線用金属層の上に形成され、
前記第２スパッタリング工程の後に、前記配線用金属層、前記金属層、及び前記金属化合物膜を選択的に除去することにより配線を形成する配線形成工程を備える半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の半導体装置において、
前記第２スパッタリング工程の後に、前記基板に配線用金属層を形成する第３スパッタリング工程を備え、
前記第３スパッタリング工程の後に、前記金属層、前記金属化合物膜、及び前記配線用金属層を選択的に除去することにより配線を形成する配線形成工程を備える半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１基準値は１０％以上であり、第２基準値は２％以上である半導体装置の製造方法。
【請求項６】
金属を含有する金属ターゲットを内部に有する反応室内に基板を搬入する工程と、
前記反応室内で前記金属ターゲットを用いたスパッタリング法を行うことにより、前記基板に金属層を形成する第１スパッタリング工程と、
前記反応室内に前記金属と反応する反応性ガスを導入し、前記反応室内で前記金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法を行うことにより、前記金属層上に金属化合物膜を形成する第２スパッタリング工程と、
を有する半導体装置の製造方法に用いられ、
前記基板に前記第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件と一つ前の前記基板に前記第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件とを比較し、前記反応室内の圧力が第１基準値以上下がり、かつ入力電圧が第２基準値以上上がった場合に警告処理を行う情報処理装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び情報処理装置に関し、例えばスパッタリング法を用いて金属層を成膜する工程を有する半導体装置の製造方法、及びこの半導体装置の製造方法に用いる情報処理装置に適用可能な技術である。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程の一つに、配線となる金属層を成膜する工程がある。この金属層は、バリアメタル膜、配線用金属層、及びキャップメタル膜をこの順に積層した構成となっている。配線用金属層としては、例えばＡｌが用いられる。また、バリアメタル膜及びキャップメタル膜には、例えば金属（Ｔｉ）からなる膜と、この金属の化合物（例えばＴｉＮ）からなる膜を積層した膜が用いられる。
【０００３】
バリアメタル膜、配線用金属層、及びキャップメタル膜をこの順に積層した配線は、一般的に以下の工程で形成される。まず、これらの積層膜を形成する。次いで、この積層膜上にレジストパターンを形成し、このレジストパターンをマスクとして積層膜をエッチングする。これにより、所望のパターンを有する配線が形成される。
【０００４】
そして特許文献１には、ＴｉとＴｉＮの積層膜を同一の反応室内で形成する装置が記載されている。特許文献１において、この積層膜はスパッタリング法を用いて形成されている。そして特許文献１には、成膜中の電流−電圧特性を、基準となるデータと比較することにより、ターゲットの表面状態及びその変化をリアルタイムで検出できる、と記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１６２８５１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者が検討した結果、バリアメタル膜、配線用金属層、及びキャップメタル膜の積層膜をエッチングすることにより配線を形成する際、隣り合う配線を分離しきれず、これらの間が短絡する可能性があることがわかった。そこで本発明者は、このような問題が発生しないようにすることを検討した。
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一実施の形態によれば、処理室内で基板上に金属層を第１スパッタリング工程で形成し、さらに同一の処理室内でと金属化合物膜を第２スパッタリング工程で形成する場合において、基板に第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件と一つ前の基板に第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件を比較し、反応室内の圧力が第１基準値以上下がり、かつ入力電圧が第２基準値以上上がった場合に警告処理を行う。
【発明の効果】
【０００８】
前記一実施の形態によれば、隣り合う配線が短絡することを抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】実施形態に係る半導体装置の構成を示す図である。
【図２】キャップメタル層の構成を示す図である。
【図３】半導体装置の製造に用いられる半導体製造装置の構成の一例を示す図である。
【図４】半導体製造装置を用いた処理の一例を示すフローチャートである。
【図５】配線を形成する方法を示す断面図である。
【図６】実施形態の作用及び効果を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１１】
（第１の実施形態）
図１は、実施形態に係る半導体装置ＳＤの構成を示す図である。この半導体装置ＳＤは、基板ＳＵＢ上に多層配線層ＭＩＬを形成した構成を有している。基板ＳＵＢにはトランジスタなどの素子が形成されている。このトランジスタは、多層配線層ＭＩＬ中の配線に接続している。また、多層配線層ＭＩＬ内には、必要に応じて、抵抗素子、インダクタ、容量などの素子が形成されている。
【００１２】
多層配線層ＭＩＬは、配線ＩＮＣ１，ＩＮＣ２を有している。配線ＩＮＣ１，ＩＮＣ２は同一層に位置しており、互いに隣り合っている。配線ＩＮＣ１，ＩＮＣ２は、いずれもバリアメタル膜ＵＮＭ、配線用金属層ＩＮＣＬ、及びキャップメタル層ＵＰＭをこの順に積層した構成を有している。配線用金属層ＩＮＣＬは、例えばＡｌ層である。なお、配線ＩＮＣ１，ＩＮＣ２は、グローバル配線層（相対的に上にある層であり、配線幅が太い層）に設けられていても良いし、ローカル配線層（相対的に下にある層であり、配線幅が狭い層）に設けられていても良い。本図に示す例では、配線ＩＮＣ１，ＩＮＣ２は層間絶縁膜ＩＮＳＬ１上に形成されている。そして、層間絶縁膜ＩＮＳＬ１上及び配線ＩＮＣ１，ＩＮＣ２上には、層間絶縁膜ＩＮＳＬ２が形成されている。
【００１３】
図２は、キャップメタル層ＵＰＭの構成を示す図である。キャップメタル層ＵＰＭは、金属層ＭＬ１及び金属化合物層ＭＬ２をこの順に積層した構成を有している。金属化合物層ＭＬ２は、金属層ＭＬ１を構成する金属の化合物からなる層である。例えば金属層ＭＬ１がＴｉ層である場合、金属化合物層ＭＬ２は、ＴｉＮ膜である。また金属層ＭＬ１がＴａ層である場合、金属化合物層ＭＬ２はＴａＮ層である。
【００１４】
なお、バリアメタル膜ＵＮＭもキャップメタル層ＵＰＭと同様の構成を有している。
【００１５】
図３は、半導体装置ＳＤの製造に用いられる半導体製造装置ＳＭＱの構成の一例を示す図である。本図に示す例において、半導体製造装置ＳＭＱはマルチチャンバ方式の処理装置であり、ロードロック室ＬＤＣ、搬送室ＢＵＣ、脱ガス室ＤＧＣ、及び複数の処理室ＰＲＣを有している。本図に示す例では、ロードロック室ＬＤＣ及び脱ガス室ＤＧＣは、いずれも複数設けられている。ただし、ロードロック室ＬＤＣ及び脱ガス室ＤＧＣはそれぞれ一つのみでも良い。ロードロック室ＬＤＣ、脱ガス室ＤＧＣ、及び処理室ＰＲＣは、搬送室ＢＵＣを介して互いに繋がっている。搬送室ＢＵＣ内には基板ＳＵＢを各室内に出し入れする搬送機構が設けられている。
【００１６】
本図に示す半導体製造装置ＳＭＱは、処理室ＰＲＣとして処理室ＰＲＣ１，ＰＲＣ２，ＰＲＣ３，ＰＲＣ４を有している。これらのうち、処理室ＰＲＣ１はバリアメタル膜ＵＮＭを成膜するときに用いられ、処理室ＰＲＣ３は配線用金属層ＩＮＣＬを成膜するときに用いられ、処理室ＰＲＣ４はキャップメタル層ＵＰＭを成膜するときに用いられる。また、処理室ＰＲＣ２は、バリアメタル膜ＵＮＭを成膜した後、配線用金属層ＩＮＣＬを成膜する前に基板ＳＵＢを待機させる待機室として使用される。なお、処理室ＰＲＣ１，ＰＲＣ２，ＰＲＣ３，ＰＲＣ４の配置は本図に示す例に限定されない。
【００１７】
また、各処理室ＰＲＣには、互いに対向する２つの電極が設けられている。これらの電極の一方はスパッタリングターゲットを保持するターゲットホルダであり、他方は基板ＳＵＢを保持するステージである。処理室ＰＲＣ１，ＰＲＣ４のターゲットホルダには、例えばＴｉターゲット又はＴａターゲットが保持されており、処理室ＰＲＣ３のターゲットホルダには、例えばＡｌターゲットが保持されている。
【００１８】
処理室ＰＲＣ内の２つの電極には、電源から電力が入力される。さらに、処理室ＰＲＣには、複数種類のガスが供給できるようになっている。例えば処理室ＰＲＣ１，ＰＲＣ４には、スパッタリングガス（例えばＡｒ）と、金属と反応するガス（例えば窒素）が供給できるようになっている。これらのガスの流量は、互いに独立して制御できるようになっている。さらに、処理室ＰＲＣには、処理条件を検出するためのセンサが設けられている。これらのセンサには、圧力計が含まれる。
【００１９】
半導体製造装置ＳＭＱには、情報処理装置ＤＰＤが電気的に接続している。情報処理装置ＤＰＤは、少なくとも、処理室ＰＲＣ１，ＰＲＣ４が有する各種センサの検出値、及び処理室ＰＲＣ１，ＰＲＣ４に供給される電力の電圧値及び電流値を取得し、処理する。
【００２０】
図４は、半導体製造装置ＳＭＱを用いた処理の一例を示すフローチャートである。まず、基板ＳＵＢをロードロック室ＬＤＣに搬入する（ステップＳ１０）。このとき、基板ＳＵＢにはトランジスタ等の素子、及び多層配線層ＭＩＬのうち層間絶縁膜ＩＮＳＬ１以下の層が形成されている。次に、搬送室ＢＵＣの搬送機構は、基板ＳＵＢをロードロック室ＬＤＣから脱ガス室ＤＧＣに移動させる。脱ガス室ＤＧＣでは、基板ＳＵＢに対して脱ガス処理が行われる（ステップＳ２０）。
【００２１】
脱ガス処理が終了すると、搬送室ＢＵＣの搬送機構は、基板ＳＵＢを脱ガス室ＤＧＣから搬出し、処理室ＰＲＣ１に搬入する。その後、処理室ＰＲＣ１内にはスパッタリングガス（例えばＡｒ）が導入され、処理室ＰＲＣ１内の電極には電力が入力される。これによって処理室ＰＲＣ１内ではスパッタリング処理が行われる。これにより、基板ＳＵＢの層間絶縁膜ＩＮＳＬ１上には、バリアメタル膜ＵＮＭの金属層ＭＬ１（例えばＴｉ層又はＴａ層）が形成される（第１スパッタリング処理）。
【００２２】
その後、処理室ＰＲＣ１内にはスパッタリングガス及び反応性ガスが導入され、処理室ＰＲＣ１内の電極には電力が入力される。これによって処理室ＰＲＣ１内では反応性のスパッタリング処理が行われる。これにより、基板ＳＵＢの金属層ＭＬ１上には、バリアメタル膜ＵＮＭの金属化合物層ＭＬ２（例えばＴｉＮ層又はＴａＮ層）が形成される（第２スパッタリング処理）。これにより、層間絶縁膜ＩＮＳＬ１上にはバリアメタル膜ＵＮＭが形成される（ステップＳ３０）。
【００２３】
なお、第１スパッタリング工程及び第２スパッタリング工程の双方において、処理室ＰＲＣ１内に供給される入力電力は予め定められた値に制御され、また、処理室ＰＲＣ１に供給されるガスの流量及び排気条件も一定に制御される。
【００２４】
次いで、搬送室ＢＵＣの搬送機構は、基板ＳＵＢを処理室ＰＲＣ１から搬出し、処理室ＰＲＣ２に搬入する。そして待機時間が経過した後、搬送室ＢＵＣの搬送機構は、基板ＳＵＢを処理室ＰＲＣ２から搬出し、処理室ＰＲＣ３に搬入する。その後、処理室ＰＲＣ３内にはスパッタリングガスが導入され、処理室ＰＲＣ３内の電極には電力が入力される。これによって処理室ＰＲＣ３内ではスパッタリング処理が行われる（第３スパッタリング工程）。これにより、基板ＳＵＢのバリアメタル膜ＵＮＭ上には、配線用金属層ＩＮＣＬが形成される（ステップＳ４０）。
【００２５】
次いで、搬送室ＢＵＣの搬送機構は、基板ＳＵＢを処理室ＰＲＣ３から搬出し、処理室ＰＲＣ４に搬入する。その後、処理室ＰＲＣ４内にはスパッタリングガス（例えばＡｒ）が導入され、処理室ＰＲＣ４内の電極には電力が入力される。これによって処理室ＰＲＣ４内ではスパッタリング処理が行われる。これにより、基板ＳＵＢの配線用金属層ＩＮＣＬ上には、キャップメタル層ＵＰＭの金属層ＭＬ１（例えばＴｉ膜又はＴａ膜）が形成される（第１スパッタリング処理）。
【００２６】
その後、処理室ＰＲＣ４内にはスパッタリングガス及び反応性ガスが導入され、処理室ＰＲＣ４内の電極には電力が入力される。これによって処理室ＰＲＣ４内では反応性のスパッタリング処理が行われる。これにより、基板ＳＵＢのキャップメタル層ＵＰＭの金属層ＭＬ１上には、キャップメタル層ＵＰＭの金属化合物層ＭＬ２が形成される（第２スパッタリング処理）。これにより、配線用金属層ＩＮＣＬ上にはキャップメタル層ＵＰＭが形成される（ステップＳ５０）。
【００２７】
なお、処理室ＰＲＣ４における第１スパッタリング工程及び第２スパッタリング工程の双方においても、処理室ＰＲＣ４内に供給される電力は予め定められた値に制御され、また、処理室ＰＲＣ４に供給されるガスの流量及び排気条件も一定に制御される。
【００２８】
その後、搬送室ＢＵＣの搬送機構は、基板ＳＵＢを処理室ＰＲＣ４から搬出し、ロードロック室ＬＤＣに基板ＳＵＢを搬入する。その後、基板ＳＵＢはロードロック室ＬＤＣから外部に搬出される（ステップＳ６０）。
【００２９】
上記した処理が行われている間、情報処理装置ＤＰＤは、処理室ＰＲＣ１，ＰＲＣ４における電力及び圧力の推移を記録する。
【００３０】
そして情報処理装置ＤＰＤは、処理室ＰＲＣ１における基板ＳＵＢへの処理が行われるたびに、第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件と、一つ前の基板ＳＵＢに前記第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件とを比較する（ステップＳ７０）。そして処理室ＰＲＣ１内の圧力が第１基準値以上下がり、かつ入力電圧が第２基準値以上上がった場合（ステップＳ８０：Ｙｅｓ）に、警告処理（ステップＳ９０）を行う。
【００３１】
また、情報処理装置ＤＰＤは、処理室ＰＲＣ４における基板ＳＵＢへの処理が行われるたびに、第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件と、一つ前の基板ＳＵＢに前記第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件とを比較する（ステップＳ７０）。そして処理室ＰＲＣ４内の圧力が第１基準値以上下がり、かつ入力電圧が第２基準値以上上がった場合（ステップＳ８０：Ｙｅｓ）に、警告処理（ステップＳ９０）を行う。
【００３２】
なお、前回の処理条件に対する今回の処理条件の変動幅を用いる場合、第１基準値は、例えば１０％以上であり、第２基準値は２％以上である。このようにすると、誤報を少なくすることができる。
【００３３】
ここで行われる警告処理としては、例えば半導体製造装置ＳＭＱに停止命令を出力すること、情報処理装置ＤＰＤに接続している表示装置に警告表示を行わせること、及び情報処理装置ＤＰＤに接続している音声出力装置から警告音を出すことの少なくとも一つが考えられる。半導体製造装置ＳＭＱの各処理室ＰＲＣは、情報処理装置ＤＰＤから停止命令を受信した場合、それぞれ、現在処理している基板ＳＵＢへの処理が終了したタイミングで、動作を終了する。
【００３４】
図５は、バリアメタル膜ＵＮＭ、配線用金属層ＩＮＣＬ、及びキャップメタル層ＵＰＭの積層膜を選択的に除去して配線ＩＮＣ１，配線ＩＮＣ２を形成する方法を示す断面図である。まず、図５（ａ）に示すように、キャップメタル層ＵＰＭ上にレジストパターンＰＲを形成する。次いで、図５（ｂ）に示すように、レジストパターンＰＲをマスクとして、バリアメタル膜ＵＮＭ、配線用金属層ＩＮＣＬ、及びキャップメタル層ＵＰＭをエッチングする。これにより、配線ＩＮＣ１，配線ＩＮＣ２が形成される。
【００３５】
なお、この工程において、キャップメタル層ＵＰＭ、配線用金属層ＩＮＣＬ、及びバリアメタル膜ＵＮＭのいずれかの膜厚が設計値よりも大きくなると、設定されたエッチング条件では、バリアメタル膜ＵＮＭのエッチング残りが発生する可能性がある。この場合、隣り合う配線ＩＮＣ１，配線ＩＮＣ２がバリアメタル膜ＵＮＭを介して互いに短絡する可能性が出てくる。
【００３６】
次に、図６を用いて、本実施形態の作用及び効果について説明する。図６は、金属層ＭＬ１としてＴｉ層を形成し、金属化合物層ＭＬ２としてＴｉＮ層を形成する場合の図である。
【００３７】
本発明者が検討した結果、ロットによってはキャップメタル層ＵＰＭ及びバリアメタル膜ＵＮＭの少なくとも一方の膜厚が設計値よりも大きくなる可能性があることが判明した。そのメカニズムについて、本発明者は以下のように考えた。
【００３８】
上記したように、キャップメタル層ＵＰＭ及びバリアメタル膜ＵＮＭは、金属層ＭＬ１と、金属化合物層ＭＬ２を積層した構成を有している。そして金属層ＭＬ１及び金属化合物層ＭＬ２は、同一の処理室ＰＲＣ内で連続して形成される。金属化合物層ＭＬ２を形成する際、金属ターゲットＴＧの表面は窒化される。
【００３９】
図６（ｂ）に示すようにこの窒化が十分な場合、金属ターゲットＴＧの表面の抵抗は、窒化が不十分な場合と比較して高くなる。これにより、処理室ＰＲＣ内の放電電圧は相対的に低くなる。その結果、金属ターゲットＴＧに引き寄せられて衝突するイオン（本図に示す例ではＡｒ＋）の数が少なくなり、スパッタリングレートも低くなる。
【００４０】
一方、図６（ａ）に示すように金属ターゲットＴＧの窒化が不十分な場合、金属ターゲットＴＧの表面の抵抗は、窒化が十分な場合と比較して低くなる。これにより、処理室ＰＲＣ内の放電電圧は相対的に高くなる。その結果、金属ターゲットＴＧに引き寄せられて衝突するイオン（本図に示す例ではＡｒ＋）の数が多くなり、スパッタリングレートも大きくなる。
【００４１】
通常は、金属ターゲットＴＧの表面は図６（ｂ）の状態になっている。そして、何らかの原因で金属ターゲットＴＧの表面が図６（ａ）の状態になった場合、キャップメタル層ＵＰＭ（又はバリアメタル膜ＵＮＭ）の膜厚は設計値よりも高くなる。その場合、上記したように、隣り合う配線ＩＮＣ１，配線ＩＮＣ２がバリアメタル膜ＵＮＭを介して互いに短絡する可能性が出てくる。
【００４２】
これに対して本実施形態では、情報処理装置ＤＰＤは、処理室ＰＲＣ４における基板ＳＵＢへの処理が行われるたびに、第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件と、一つ前の基板ＳＵＢに前記第２スパッタリング工程を行ったときの処理条件とを比較する（図４のステップＳ７０）。そして処理室ＰＲＣ４内の圧力が第１基準値以上下がり、かつ入力電圧が第２基準値以上上がった場合（図４のステップＳ８０：Ｙｅｓ）に、警告処理（図４ステップＳ９０）を行う。情報処理装置ＤＰＤは、処理室ＰＲＣ１における処理についても、同様の処理を行う。
【００４３】
金属ターゲットＴＧに引き寄せられて衝突するイオンの数が多くなる場合、処理室ＰＲＣ４（又は処理室ＰＲＣ１）内において、圧力計の近傍の気圧は低くなる。このため、圧力計の検出値は低くなる。情報処理装置ＤＰＤは、この現象を、第１基準値を用いて検出する。
【００４４】
また、処理室ＰＲＣ内の放電電圧は相対的に高くなった場合、処理室ＰＲＣ４（または処理室ＰＲＣ１）内の電極に印加する電圧は高くなる。情報処理装置ＤＰＤは、この現象を、第２基準値を用いて検出する。
【００４５】
そして、情報処理装置ＤＰＤは、上記した２つの現象が同時に検出された場合、警告処理を行う。従って、情報処理装置ＤＰＤを用いることにより、隣り合う配線ＩＮＣ１，配線ＩＮＣ２がバリアメタル膜ＵＮＭを介して互いに短絡した製品を製造することを抑制できる。また、上記した２つの現象の一方のみが検出された場合には警告処理を行わないため、誤報を少なくすることができる。
【００４６】
なお、処理室ＰＲＣ４（又は処理室ＰＲＣ１）内の放電電圧の絶対値及び圧力の絶対値を基準値と比較することも考えられる。しかし、処理室ＰＲＣ４（又は処理室ＰＲＣ１）内の状態は処理を重ねるにつれて変化するため、この方法では異常を精度良く検出できない。
【００４７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【符号の説明】
【００４８】
ＢＵＣ 搬送室
ＤＧＣ 脱ガス室
ＤＰＤ 情報処理装置
ＩＮＣＬ 配線用金属層
ＩＮＣ１ 配線
ＩＮＣ２ 配線
ＩＮＳＬ１ 層間絶縁膜
ＩＮＳＬ２ 層間絶縁膜
ＬＤＣ ロードロック室
ＭＩＬ 多層配線層
ＭＬ１ 金属層
ＭＬ２ 金属化合物層
ＰＲ レジストパターン
ＰＲＣ 処理室
ＳＤ 半導体装置
ＳＭＱ 半導体製造装置
ＳＵＢ 基板
ＴＧ 金属ターゲット
ＵＮＭ バリアメタル膜
ＵＰＭ キャップメタル層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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