(57)【要約】【課題】大電流化に対応することができる電気導通抵抗の小さいビア接続部を有し、かつ小型化可能な配線基板を製造することができる配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】第１の銅板２２に凸部２４を形成し、凸部２４の先端部より低い位置まで熱硬化性ポリイミド系樹脂２６を充填する。凸部２４の先端部に第２の銅板２８を押し当てて加圧プレスを行うことにより、凸部２４および第２の銅板２８の凸部２４に接触する部分を塑性変形させて、凸部２４と第２の銅板２８とを結合し、ビア接続部３２とする。熱硬化型ポリイミド系樹脂２６を熱硬化させ、第１の銅板２２および第２の銅板２８をエッチングすることにより、配線パターン３４を形成する。【選択図】図１
2014063981.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の銅板の一方主面に凸部を形成する第１の工程、
第１の銅板の一方主面に形成された凸部の先端部より低い位置まで樹脂を充填する第２の工程、
第１の銅板の一方主面に形成された凸部を第２の銅板の一方主面に押し当て、接触する部分を塑性変形させて、第２の銅板が樹脂に接触するまで加圧する第３の工程、および
第１の銅板の他方主面および第２の銅板の他方主面を加工することにより配線パターンを形成する第４の工程を含む、配線基板の製造方法。
【請求項２】
第１の銅板の一方主面に凸部を形成する第１の工程、
第１の銅板の一方主面に形成された凸部の先端部より低い位置まで樹脂を充填する第２の工程、
第１の銅板の一方主面に形成された凸部を中間の銅板の一方主面に押し当て、接触する部分を塑性変形させて、前記中間の銅板が樹脂に接触するまで加圧する第３の工程、
前記中間の銅板の他方主面を加工することにより凸部および配線パターンを形成する第４の工程、
前記中間の銅板の他方主面に形成された凸部の先端部より低い位置まで樹脂を充填する第５の工程、
前記中間の銅板の他方主面に形成された凸部を第２の銅板の一方主面に押し当て、接触する部分を塑性変形させて、第２の銅板が樹脂に接触するまで加圧する第６の工程、および
第１の銅板の他方主面および第２の銅板の他方主面を加工することにより配線パターンを形成する第７の工程を含む、配線基板の製造方法。
【請求項３】
第１の銅板の一方主面に凸部を形成する第１の工程、
第１の銅板の一方主面に形成された凸部の先端部より低い位置まで樹脂を充填する第２の工程、
第１の銅板の一方主面に形成された凸部を中間の銅板の一方主面に押し当て、接触する部分を塑性変形させて、前記中間の銅板が樹脂に接触するまで加圧する第３の工程、
前記中間の銅板の他方主面を加工することにより凸部および配線パターンを形成する第４の工程、
前記中間の銅板の他方主面に形成された凸部の先端部より低い位置まで樹脂を充填する第５の工程、
第３の工程ないし第５の工程を１回以上繰り返し、第１の銅板上に樹脂を挟んで複数の中間の銅板を積層して前記複数の中間の銅板の他方主面に凸部および配線パターンを形成する第６の工程、
前記複数の中間の銅板のうちの最上層の中間の銅板の他方主面に形成された凸部を第２の銅板の一方主面に押し当て、接触する部分を塑性変形させて、第２の銅板が樹脂に接触するまで加圧する第７の工程、および
第１の銅板の他方主面および第２の銅板の他方主面を加工することにより配線パターンを形成する第８の工程を含む、配線基板の製造方法。
【請求項４】
充填した樹脂と接触する銅板の表面に酸化絶縁皮膜が形成されることを特徴とする、請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記第２の工程の後に、前記第１の銅板の一方主面に形成された前記凸部の先端面にＳｎを含む接合部を形成する工程を備える、請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第４の工程の後に、前記中間の銅板の一方主面に形成された前記凸部の先端面にＳｎを含む接合部を形成する工程を備える、請求項２または請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記接合部を形成する工程が、前記中間の銅板の一方主面に形成された前記凸部の先端面にＳｎを含むペーストを塗布して行われる、請求項５または請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記Ｓｎを含むペーストがＳｎとＣｕ−Ｎｉ合金を含むペーストである、請求項７に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記接合部を形成する工程が、前記中間の銅板の一方主面に形成された前記凸部の先端面にＳｎめっき膜を形成して行われる、請求項５または請求項６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
絶縁層
前記絶縁層を挟んで配置される銅で形成された第１の配線パターンおよび第２の配線パターン、
前記第１の配線パターンと一体的に形成され、前記絶縁層を厚み方向に貫通して前記第２の配線パターンの塑性変形部に接続される凸部、および
前記凸部と前記第２の配線パターンとの界面に形成されるＣｕ−Ｓｎの金属間化合物を含み、
前記凸部と前記Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物とによって前記第１の配線パターンと前記第２の配線パターンとを接続するビア接続部が形成された、配線基板。
【請求項１１】
前記金属間化合物がＣｕ3Ｓｎである、請求項１０に記載の配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、配線基板の製造方法に関し、特にたとえば、スイッチング素子、整流素子、コンデンサ、インダクタ、ＩＣなどのパワーデバイスや制御デバイスを実装するパワーモジュール用の配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
パワーデバイスや制御デバイスを実装するパワーモジュール用の配線基板としては、たとえば、絶縁性樹脂基板の主面および内層に配線パターンが形成され、複数層の配線パターンを層間接続したものが用いられる。近年のパワーデバイスの高容量化に伴い、これらのパワーデバイスを実装してモジュール化するための大電流対応パワーモジュール用の配線基板の開発が進められている。大電流対応とするためには、配線基板に形成される配線パターン、および配線パターンを層間接続するために必用なビア接続部の電気導通抵抗を小さくし、電力損失およびそれに伴う発熱量を極力抑える必要がある。電力損失が大きくなると、電力変換効率の低下に直接つながることは言うまでもない。電力損失に伴う発熱量が大きくなると、基板の絶縁層を形成する樹脂の劣化により配線間の絶縁性が低下したり、基板表面に実装した制御デバイスの性能が低下するなどの問題が生じる。
【０００３】
そこで、パワーモジュール用の配線基板は、大電流化に対応しなければならないため、配線パターンおよび層間接続のためのビア接続部の電気導通抵抗を小さくする必用がある。配線パターンの電気導通抵抗を小さくするためには、配線材料として比抵抗の小さい金属を用い、かつ、配線断面積を大きくすればよい。そこで、樹脂多層基板の場合、配線材料として、一般的に比抵抗の小さい銅が用いられる。また、配線断面積を大きくするために、配線厚が大きく設定される。
【０００４】
図６は、従来の一般的な配線基板の製造方法を示す図解図である。まず、図６（ａ）に示すように、両面に電極１が形成された樹脂基板２が準備される。電極１は、たとえば樹脂基板２の両面に銅箔を貼り付けることによって形成される。樹脂基板２が熱硬化性樹脂で形成される場合、樹脂が流動する温度で銅箔を樹脂基板２に貼り付け、樹脂基板２を熱硬化させた後に室温に戻すことにより、電極１が形成される。樹脂基板２が熱可塑性樹脂で形成される場合、樹脂が流動する温度で銅箔を樹脂基板２に貼り付け、室温に戻すことにより、電極１が形成される。
【０００５】
次に、図６（ｂ）に示すように、レーザーやドリルなどを用いて、両面の電極１を貫通するようにして、樹脂基板２に貫通孔３が形成される。次に、図６（ｃ）に示すように、貫通孔３の内壁に、電解銅めっきにより皮膜４が形成され、樹脂基板２の両面の電極１が電気的に接続される。このとき、貫通孔３の内壁のみでなく、電極１の表面にも電解銅めっきによる皮膜４が形成される。次に、図６（ｄ）に示すように、皮膜４の内側の貫通孔に樹脂を充填することにより、樹脂基板２の両面の電極１を接続するビア接続部５が形成される。そして、図６（ｅ）に示すように、樹脂基板２の両面の皮膜４および電極１にパターンエッチングを施すことにより、配線パターン６が形成される。
【０００６】
配線基板を多層化するためには、図６（ｆ）に示すように、得られた配線パターン６上に、流動する樹脂を流して硬化させることにより、樹脂層７が形成される。樹脂層７上には、たとえば銅箔を貼り付けることにより電極１が形成される。次に、図６（ｇ）に示すように、最上層の電極１から樹脂層７を貫通して配線パターン６に通じる貫通孔３が形成される。次に、図６（ｈ）に示すように、貫通孔３の内壁に電解銅めっきにより皮膜４が形成され、樹脂層７の両面の配線パターン６と電極１とが電気的に接続される。次に、図６（ｉ）に示すように、皮膜４の内側の貫通孔に樹脂が充填されることにより、樹脂層７の両面の配線パターン６と電極１とを接続するビア接続部５が形成される。そして、図６（ｊ）に示すように、樹脂層７上の皮膜４および電極１にエッチングを施すことにより、樹脂層７上に配線パターン６が形成される。
【０００７】
このように、図６（ａ）ないし図６（ｅ）の工程により、１つの樹脂基板２の両面に配線パターン６が形成され、これらの配線パターン６がビア接続部５で接続された配線基板を得ることができる。また、図６（ａ）ないし図６（ｊ）の工程により、３層の配線パターン６が形成され、これらの配線パターン６がビア接続部５で接続された配線基板を得ることができる。さらに、図６（ｆ）ないし図６（ｊ）の工程を繰り返すことにより、多層の配線基板を得ることができる。このような方法では、樹脂が流動する状態で樹脂層を形成することができるため、下部絶縁層表面と膜厚の配線パターン表面との段差を樹脂層で埋めることは容易である。そのため、樹脂多層基板において、配線厚の大きい配線パターンを内蔵させることは、比較的容易である。
【０００８】
このような配線基板の製造方法において、電極１の厚みを大きくすることにより、大電流化に対応することができるが、ビア接続部５における電気導通抵抗を小さくすることは困難である。上述の製造方法では、ビア接続部５における電気的導通部は、電解銅めっきによる皮膜４のみである。このような皮膜４の厚みは小さいため、ビア接続部５の電気導通抵抗は非常に大きい。
【０００９】
なお、ビア接続部５の電気導通抵抗が大きいことから、層間にまたがる配線パターン６を接続するためのビア接続部５を複数個形成し、全体としてのビア接続部５の電気導通抵抗を小さくする構造とすることが考えられる。しかしながら、このような構造の場合、ビア接続部５を複数個形成するための面積が大きくなり、配線基板の面積が大きくなるという問題がある。
【００１０】
そこで、ビア接続部における電気導通抵抗を小さくするために、絶縁基板にスルーホールを形成し、スルーホールの内壁に電解銅めっき皮膜を形成したのち、スルーホール内に金属ペーストを充填してビア接続部を形成する方法がある（特許文献１参照）。金属ペーストの比抵抗は、図６に示す方法において貫通孔を充填するのに用いられた樹脂より小さいため、ビア接続部の電気導通抵抗は小さくなる。しかしながら、金属ペーストの比抵抗は銅の１０倍以上であるため、特許文献１に開示されたビア接続部であっても、大電流化に十分対応できる電気導通抵抗とするためには、ビア接続部の断面積をかなり大きくするか、複数個のビア接続部を形成する必要がある。すなわち、特許文献１に開示されたビア接続部の構造を図６に示す配線基板に適用しても、配線基板の面積が大きくなるという問題を解消することはできない。
【００１１】
また、絶縁基板に形成されたスルーホール内を電解銅めっきで充填する、いわゆるフィルメッキによりビア接続部を形成する方法がある（特許文献２参照）。このような方法を用いた場合、大電流化に十分対応することができる電気導通抵抗を有するビア接続部を形成することができ、ビア接続部の断面積を大きくする必用がないため、配線基板の面積が大きくなるという問題も生じない。
【００１２】
このような方法で配線基板を作製する工程が図７に示される。まず、図７（ａ）に示すように、両面に銅箔１１を貼り付けた樹脂基板１２が準備される。このような樹脂基板１２は、図６に示す製造方法と同様に、樹脂が流動する温度で樹脂基板１２上に銅箔１１を貼り付けることによって得ることができる。
【００１３】
次に、図７（ｂ）に示すように、ビア接続部を形成する位置において、銅箔１１をエッチングにより除去し、露出した樹脂部にレーザーで貫通孔を形成して、スルーホール１３が形成される。次に、図７（ｃ）に示すように、スルーホール１３の内壁に、電解銅めっきを施すことにより、ビア接続部１５が形成される。このとき、スルーホール１３の内壁からめっき皮膜が成長し、スルーホール１３内が銅で埋められることにより、ビア接続部１５が形成される。さらに、スルーホール１３内だけでなく、銅箔１１の表面にもめっき被膜１７が形成される。
【００１４】
次に、図７（ｄ）に示すように、樹脂基板１２の両面に形成された銅箔１１、および銅箔１１上に形成されためっき皮膜１７をパターンエッチングすることにより、配線パターン１６が形成される。
【００１５】
さらに、図７（ｅ）に示すように、配線パターン１６上に樹脂層１８を形成して、樹脂層１８上に銅箔１１を貼り付け、図７（ｆ）に示すように、銅箔１１から配線パターン１６に向かってスルーホール１３を形成し、図７（ｇ）に示すように、ビア接続部１５とめっき皮膜１７とを形成し、図７（ｈ）に示すように、銅箔１１およびめっき皮膜１７にエッチングを施すことにより、配線パターン１６が形成される。このように、図７（ｅ）ないし図７（ｈ）の工程を繰り返すことにより、多層の配線基板を形成することができる。
【００１６】
しかしながら、このようなフィルメッキによりビア接続部を形成する方法では、電解銅めっき皮膜がスルーホールの内壁から成長するため、電解銅めっきで充填されたビア接続部の直上部分が凹形状となる。そのため、図８（ａ）に示すように、ビア接続部の直上部にデバイスを実装することができず、図８（ｂ）に示すように、ビア接続部に接続されるデバイス実装用電極を形成する必要がある。このように、ビア接続部に接続されるデバイス実装用電極を形成する必要があるため、配線基板の小型化には不利である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１７】
【特許文献１】特許第４１４２１７０号公報
【特許文献２】特開２００９−２６０２０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１８】
このように、特許文献１の方法では、金属ペーストをスルーホール内に充填して層間にまたがる配線を接続するためのビア接続部を形成しているが、金属ペーストは金属粉末を含む樹脂であるため、ビア接続部における金属成分が少なく、ビア接続部の電気導通抵抗が大きくなる。このため、配線基板としての大電流化に対応することができない。
【００１９】
また、特許文献２の方法では、フィルメッキによりビア接続部を形成しているが、ビア接続部の直上部は凹形状となり、ビア直上部にデバイスを実装することができないため、配線基板の小型化に対応することができない。なお、図９に示すように、電解銅めっきの工程を長時間化することにより、スルーホール上のめっき皮膜の高さを高くし、研磨によってビア接続部の直上部を平面化することが考えられる。この場合、ビア接続部の直上部にデバイスを実装することができるが、配線基板の工程長時間化やコスト高という問題が生じる。
【００２０】
それゆえに、この発明の主たる目的は、大電流化に対応することができる電気導通抵抗の小さいビア接続部を有し、かつ小型化可能な配線基板を製造することができる配線基板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
この発明は、第１の銅板の一方主面に凸部を形成する第１の工程と、第１の銅板の一方主面に形成された凸部の先端部より低い位置まで樹脂を充填する第２の工程と、第１の銅板の一方主面に形成された凸部を第２の銅板の一方主面に押し当て、接触する部分を塑性変形させて、第２の銅板が樹脂に接触するまで加圧する第３の工程と、第１の銅板の他方主面および第２の銅板の他方主面を加工することにより配線パターンを形成する第４の工程とを含む、配線基板の製造方法である。
第１の銅板に凸部を形成し、第２の銅板を第１の銅板の凸部に押し当てて、第１の銅板の凸部および第２の銅板の凸部に接触する部分を塑性変形させることにより、凸部がビア接続部となって第１の銅板と第２の銅板とを接続する。そのため、第１の銅板と第２の銅板とが、電気導通抵抗の小さいビア接続部で接続される。このとき、第２の銅板の塑性変形する部分は、第１の銅板の凸部に当たる面であって、その反対側の面は平面形状を有している。また、第１の銅板上に樹脂を充填し、第２の銅板を樹脂に接触させて、銅板に配線パターンを形成することにより、樹脂基板の両面に配線パターンが形成された配線基板を得ることができる。ここで、第１の銅板の凸部に押し当てられた第２の銅板の面は塑性変形しているが、その反対側の面は平面状であるため、ビア接続部の直上部分にデバイスを実装することができる。
【００２２】
また、この発明は、第１の銅板の一方主面に凸部を形成する第１の工程と、第１の銅板の一方主面に形成された凸部の先端部より低い位置まで樹脂を充填する第２の工程と、第１の銅板の一方主面に形成された凸部を中間の銅板の一方主面に押し当て、接触する部分を塑性変形させて、中間の銅板が樹脂に接触するまで加圧する第３の工程と、中間の銅板の他方主面を加工することにより凸部および配線パターンを形成する第４の工程と、中間の銅板の他方主面に形成された凸部の先端部より低い位置まで樹脂を充填する第５の工程と、中間の銅板の他方主面に形成された凸部を第２の銅板の一方主面に押し当て、接触する部分を塑性変形させて、第２の銅板が樹脂に接触するまで加圧する第６の工程と、第１の銅板の他方主面および第２の銅板の他方主面を加工することにより配線パターンを形成する第７の工程とを含む、配線基板の製造方法である。
この製造方法によれば、電気導通抵抗の小さいビア接続部で層間接続された配線パターンを有し、ビア接続部の直上部にデバイスを実装することができる、３層の配線パターンが形成された配線基板を得ることができる。
【００２３】
また、この発明は、第１の銅板の一方主面に凸部を形成する第１の工程と、第１の銅板の一方主面に形成された凸部の先端部より低い位置まで樹脂を充填する第２の工程と、第１の銅板の一方主面に形成された凸部を中間の銅板の一方主面に押し当て、接触する部分を塑性変形させて、中間の銅板が樹脂に接触するまで加圧する第３の工程と、中間の銅板の他方主面を加工することにより凸部および配線パターンを形成する第４の工程と、中間の銅板の他方主面に形成された凸部の先端部より低い位置まで樹脂を充填する第５の工程と、第３の工程ないし第５の工程を１回以上繰り返し、第１の銅板上に樹脂を挟んで複数の中間の銅板を積層して複数の中間の銅板の他方主面に凸部および配線パターンを形成する第６の工程と、複数の中間の銅板のうちの最上層の中間の銅板の他方主面に形成された凸部を第２の銅板の一方主面に押し当て、接触する部分を塑性変形させて、第２の銅板が樹脂に接触するまで加圧する第７の工程と、第１の銅板の他方主面および第２の銅板の他方主面を加工することにより配線パターンを形成する第８の工程とを含む、配線基板の製造方法である。
この製造方法によれば、電気導通抵抗の小さいビア接続部で層間接続された配線パターンを有し、ビア接続部の直上部にデバイスを実装することができる、多層の配線パターンが形成された配線基板を得ることができる。
【００２４】
上述のような配線基板において、充填した樹脂と接触する銅板の表面に酸化絶縁皮膜が形成されてもよい。
配線パターンは、樹脂層をはさんで形成されるが、樹脂と接触する銅板の表面に酸化絶縁皮膜を形成することにより、樹脂層が薄くなっても、配線パターン間の電気的ショート不良が発生しにくくなる。
【００２５】
また、第２の工程の後に、第１の銅板の一方主面に形成された凸部の先端面にＳｎを含む接合部を形成する工程を備えていてもよい。
さらに、３層以上の配線パターンを有する配線基板の製造方法において、第４の工程の後に、中間の銅板の一方主面に形成された凸部の先端面にＳｎを含む接合部を形成する工程を備えていてもよい。
第１の銅板の一方主面に形成された凸部あるいは中間の銅板の一方主面に形成された凸部の先端面にＳｎを含む接合部を形成し、銅板同士を押し当てて加圧することにより、接合部が大気圧における融点より低い温度で融解し、凸部や銅板を構成するＣｕと接合部に含まれるＳｎとが反応してＣｕ−Ｓｎの金属間化合物が形成される。このＣｕ−Ｓｎの金属間化合物が形成されることによって、銅板同士が強固に接合される。
Ｓｎを含む接合部はＳｎを含むペーストを塗布することにより形成されてもよい。
また、Ｓｎを含む接合部がＳｎとＣｕ−Ｎｉ合金を含むペーストにより形成されてもよい。接合部を形成するためにＳｎとＣｕ−Ｎｉ合金を含むペーストを用いることにより、Ｃｕ−Ｎｉ合金がＣｕとＳｎとの反応を促進し、短時間でＣｕ−Ｓｎの金属間化合物を生成させることができる。
また、Ｓｎを含む接合部は、Ｓｎめっき膜により形成されてもよい。Ｓｎめっき膜を形成することにより、Ｓｎペーストを塗布する場合より接合部の厚みを薄くでき、また厚みの制御も容易であるため、接合部の抵抗値をより低く抑えることができ、抵抗値のばらつきを小さくすることができる。
【００２６】
また、この発明は、絶縁層と、絶縁層を挟んで配置される銅で形成された第１の配線パターンおよび第２の配線パターンと、第１の配線パターンと一体的に形成され、絶縁層を厚み方向に貫通して第２の配線パターンの塑性変形部に接続される凸部と、凸部と第２の配線パターンとの界面に形成されるＣｕ−Ｓｎの金属間化合物を含み、凸部とＣｕ−Ｓｎの金属間化合物とによって第１の配線パターンと第２の配線パターンとを接続するビア接続部が形成された、配線基板である。
ここで、金属間化合物はＣｕ3Ｓｎであることが好ましい。
絶縁層を挟んでビア接続部を介して銅で形成された配線パターン同士が接合された配線基板において、ビア接続部を構成する凸部と第２の配線パターンとの界面にＣｕ−Ｓｎの金属間化合物が形成されていることにより、凸部と第２の配線パターンとの間に強固な接合を得ることができる。
ここで、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物として安定したＣｕ3Ｓｎが形成されることにより、配線基板の使用中に他の金属間化合物に変化することがなく、接合部における抵抗値や耐熱性などの特性の変化を防止することができる。
【発明の効果】
【００２７】
この発明によれば、ビア接続部の電気導通抵抗が小さく、大電流化に対応することができる配線基板を得ることができる。さらに、ビア接続部の直上部分にデバイスを実装することができるため、ビア接続部を避けてデバイス実装部を形成する必要がなく、面積の小さい配線基板を得ることができる。また、樹脂の熱伝導率は金属と比べて低いため、熱抵抗を下げるためには極力樹脂層の厚みを薄くする必要があるが、充填した樹脂と接触する銅板の表面に酸化絶縁皮膜を形成することにより、樹脂層が薄くなっても、配線パターン間の電気的ショート不良を少なくすることができるため、配線基板の薄型化を図ることができる。さらに、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物が形成されたビア接続部で銅板同士を接合することにより、より強固な接合を得ることができる。
【００２８】
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明を実施するための形態の説明から一層明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】この発明の配線基板の製造方法の一例を示す図解図である。
【図２】この発明の配線基板の製造方法の他の例を示す図解図である。
【図３】この発明の配線基板の製造方法のさらに他の例を示す図解図である。
【図４】図３に示す配線基板の製造方法の中の１つの工程の変形例を示す図解図である。
【図５】この発明の配線基板の製造方法の別の例を示す図解図である。
【図６】従来の一般的な配線基板の製造方法を示す図解図である。
【図７】基板に形成されたスルーホールを電解銅めっき皮膜で埋めることによってビア接続部を形成する配線基板の製造方法を示す図解図である。
【図８】図７に示す製造方法で形成されたビア接続部と、ビア接続部に接続されるデバイス実装用電極とを示す図解図である。
【図９】図７に示す製造方法で形成されたビア接続部の直上部を平面状にする工程を示す図解図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
図１は、この発明の配線基板２０の製造方法の一例を示す図解図である。まず、図１（ａ）に示すように、厚さ０．５ｍｍの第１の銅板２２が準備される。次に、図１（ｂ）に示すように、第１の銅板２２の一方主面をエッチングすることにより、直径１．０ｍｍ、高さ０．３ｍｍの円柱状の凸部２４が形成される。したがって、第１の銅板２２の厚さ０．２ｍｍの平板状の部分から高さ０．３ｍｍの凸部２４が突出した銅板が形成される。
【００３１】
次に、図１（ｃ）に示すように、第１の銅板２２の凸部２４形成面に、熱硬化型ポリイミド系樹脂２６が充填される。熱硬化型ポリイミド系樹脂２６は、凸部２４の先端部から０．０５ｍｍ低い位置まで充填される。したがって、充填された熱硬化型ポリイミド系樹脂２６の厚さは０．２５ｍｍである。
【００３２】
次に、図１（ｄ）に示すように、厚さ０．２ｍｍの第２の銅板２８の一方主面が、第１の銅板２２の凸部２４上に押し当てられ、温度１２０℃〜１４０℃の環境下で加圧プレスされる。ここで、熱硬化型ポリイミド系樹脂２６の厚さが０．２０ｍｍとなるまで、第２の銅板２８が第１の銅板２２側に押し込まれる。このとき、第１の銅板２２の凸部２４および第２の銅板２８の凸部２４に接触する部分において塑性変形が発生し、凸部２４と第２の銅板２８とが強固に接合される。それと同時に、第２の銅板２８と熱硬化型ポリイミド系樹脂２６とが接着する。
【００３３】
この状態で、温度１８０℃〜２００℃の環境下で１２０分熱処理することにより、熱硬化型ポリイミド系樹脂２６が硬化させられる。それにより、硬化した熱硬化型ポリイミド系樹脂２６の両面に第１の銅板２２と第２の銅板２８とが密着した基板３０が形成される。このとき、凸部２４は、第１の銅板２２と第２の銅板２８とを接続するビア接続部３２となる。
【００３４】
次に、図１（ｅ）に示すように、第１の銅板２２の他方主面および第２の銅板２８の他方主面がエッチングされ、厚さ０．２０ｍｍの配線パターン３４が形成される。それにより、熱硬化型ポリイミド系樹脂２６を挟んで配線パターン３４が形成され、熱硬化型ポリイミド系樹脂２６の両側の配線パターン３４がビア接続部３２で接続された配線基板２０が得られる。
【００３５】
このような製造方法で作製される配線基板２０では、第１の銅板２２に形成された凸部２４および第２の銅板２８の凸部２４に接触する部分が、加圧プレスによって塑性変形を起こし、凸部２４と第２の銅板２８とが強固に結合される。それにより、熱硬化型ポリイミド系樹脂２６の両側に形成された配線パターン３４とビア接続部３２とは、一体形成されたものとなる。
【００３６】
なお、凸部２４および第２の銅板２８の凸部２４に接触する部分が塑性変形しない程度のプレス加工である場合、最終的に得られる配線基板のビア接続部は、第２の銅板２８に形成された配線パターン３４との間に十分な接合を得ることができない。そのため、配線基板に機械的または熱的応力が発生したときに、ビア接続部と第２の銅板２８に形成された配線パターン３４とが剥離し、ビア接続部と第２の銅板２８に形成された配線パターン３４との間の電気導通抵抗が大きくなる場合がある。そのため、凸部２４と第２の銅板２８との接触部に塑性変形が発生するまで、第２の銅板２８を第１の銅板２２側に加圧する必要がある。
【００３７】
また、熱硬化型ポリイミド系樹脂２６は、凸部２４の先端部より低い位置まで充填される。これは、凸部の先端部より高い位置まで熱硬化型ポリイミド系樹脂２６を充填すると、加圧プレスの際に、充填した樹脂２６が凸部２４の上面に回り込み、凸部２４と第２の銅板２８との接合が不十分となる可能性があるためである。
【００３８】
さらに、上述の例では、第１の銅板２２上に熱硬化型ポリイミド系樹脂を充填したが、充填される樹脂としては、たとえば、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シアネート樹脂、ポリイミド樹脂、ビスマレイミド樹脂などを用いることができる。特に、ポリイミド樹脂やビスマレイミド樹脂などは、硬化後の耐熱性に優れている点で好ましい。
【００３９】
このように、上述のような製造方法で作製された配線基板２０では、銅で形成されたビア接続部３２が第２の銅板２８と一体形成されているので、ビア接続部３２における電気導通抵抗が小さくなり、大電流化に対応することができる配線基板２０の製造が可能となる。また、平板状の第２の銅板２８が凸部２４に押し当てられて接合されるため、ビア接続部３２の直上部における配線パターン３４の上面が平坦な形状となり、ビア接続部３２の直上部にデバイスを実装することができる。そのため、ビア接続部３２の直上部を避けてデバイスの実装のための電極を形成する必要がなく、小型化に対応することができる配線基板の製造が可能となる。
【００４０】
このような配線基板の製造方法において、第１の銅板２２および第２の銅板２８の熱硬化型ポリイミド系樹脂２６に接触する部分に黒化処理を施し、第１の銅板２２および第２の銅板２８の表面に酸化絶縁皮膜を形成することができる。このような酸化絶縁皮膜を形成することにより、熱硬化型ポリイミド系樹脂２６の厚みが薄い場合であっても、熱硬化型ポリイミド系樹脂２６を挟んで配置される配線パターン３４の間で電気的ショート不良が発生しにくくなる。したがって、第１の銅板２２および第２の銅板２８に酸化絶縁皮膜を形成することにより、熱硬化型ポリイミド系樹脂２６を薄くすることができ、配線基板２０の薄型化を図ることができる。
【００４１】
図２は、この発明の他の例としての配線基板５０の製造方法を示す図解図である。まず、図２（ａ）に示すように、厚さ０．５０ｍｍの第１の銅板５２が準備される。次に、図２（ｂ）に示すように、第１の銅板５２の一方主面をエッチングすることにより、直径１．００ｍｍ、高さ０．３０ｍｍの円柱状の凸部５４が形成される。したがって、第１の銅板５２の厚さ０．２０ｍｍの平板状の部分から高さ０．３０ｍｍの凸部５４が突出した銅板が形成される。
【００４２】
次に、図２（ｃ）に示すように、第１の銅板５２の凸部５４形成面に、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６が充填される。熱硬化型ポリイミド系樹脂５６は、凸部５４の先端面から０．０５ｍｍ低い位置まで充填される。したがって、充填された熱硬化型ポリイミド系樹脂５６の厚さは０．２５ｍｍである。
【００４３】
次に、図２（ｄ）に示すように、厚さ０．５０ｍｍの中間の銅板５８の一方主面が、第１の銅板５２の凸部５４上に押し当てられ、温度１２０℃〜１４０℃の環境下で加圧プレスされる。ここで、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６の厚さが０．２０ｍｍとなるまで、中間の銅板５８が第１の銅板５２側に押し込まれる。このとき、第１の銅板５２の凸部５４および中間の銅板５８の凸部５４に接触する部分において塑性変形が発生し、凸部５４と第２の銅板５８とが強固に接合される。それと同時に、中間の銅板５８と熱硬化型ポリイミド系樹脂５６とが接着する。
【００４４】
この状態で、温度１８０℃〜２００℃の環境下で１２０分熱処理することにより、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６が硬化させられる。それにより、硬化した熱硬化型ポリイミド系樹脂５６の両面に第１の銅板５２と中間の銅板５８とが密着した基板が形成される。このとき、凸部５４は、第１の銅板５２と中間の銅板５８とを接続するビア接続部６０となる。
【００４５】
次に、図２（ｅ）に示すように、中間の銅板５８の他方主面がエッチングされ、凸部５４を有する配線パターン６４が形成される。凸部５４は、直径１．００ｍｍ、高さ０．３０ｍｍの円柱状に形成され、配線パターン６４の厚さは０．２０ｍｍに形成される。また、エッチングにより中間の銅板５８が除去された部分には、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６が露出している。したがって、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６の両側の第１の銅板５２と配線パターン６４とがビア接続部６０で接続される。
【００４６】
次に、図２（ｆ）に示すように、配線パターン６４および露出した熱硬化型ポリイミド系樹脂５６上に、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６が充填される。熱硬化型ポリイミド系樹脂５６は、配線パターン６４の凸部５４の先端部から０．０５ｍｍ低い位置まで充填される。したがって、充填された熱硬化型ポリイミド系樹脂５６の配線パターン６４上の厚さは０．２５ｍｍである。
【００４７】
次に、図２（ｇ）に示すように、厚さ０．２０ｍｍの第２の銅板６６の一方主面が、中間の銅板５８の凸部５４上に押し当てられ、温度１２０℃〜１４０℃の環境下で加圧プレスされる。ここで、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６の配線パターン６４上の厚さが０．２０ｍｍとなるまで、第２の銅板６６が配線パターン６４側に押し込まれる。このとき、配線パターン６４の凸部５４および第２の銅板６６の凸部５４に接触する部分において塑性変形が発生し、凸部５４と第２の銅板６６とが強固に接合される。それと同時に、第２の銅板６６と熱硬化型ポリイミド系樹脂５６とが接着する。
【００４８】
この状態で、温度１８０℃〜２００℃の環境下で１２０分熱処理することにより、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６が硬化させられる。それにより、硬化した熱硬化型ポリイミド系樹脂５６を挟んで配線パターン６４と第２の銅板６６とが配置される。このとき、凸部５４は、配線パターン６４と第２の銅板６６とを接続するビア接続部６０となる。
【００４９】
次に、図２（ｈ）に示すように、第１の銅板５２の他方主面および第２の銅板６６の他方主面がエッチングされ、厚さ０．２０ｍｍの配線パターン６４が形成される。それにより、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６の厚み方向の中間部および両面に配線パターン６４が形成される。そして、第１の銅板５２をエッチングして得られた配線パターン６４と中間部の配線パターン６４とが第１の銅板５２をエッチングして形成したビア接続部６０で接続され、第２の銅板６６をエッチングして得られた配線パターン６４と中間部の配線パターン６４とが中間の銅板５８をエッチングして形成したビア接続部６０で接続される。
【００５０】
このようにして、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６を挟んで３層の配線パターン６４が形成され、隣接する層の配線パターン６４がビア接続部６０で接続された配線基板５０を得ることができる。さらに、図２（ｆ）の工程の後に、図２（ｄ）ないし図２（ｆ）の工程を１回以上繰り返し、最後に図２（ｇ）および図２（ｈ）の工程を実行することにより、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６を挟んで配線パターン６４が多層に形成された配線基板を得ることができる。
【００５１】
このように、配線パターン６４を３層あるいはそれ以上の多層に形成した場合においても、銅板と凸部との接触部が塑性変形するように加圧プレスを行うことにより、強固に接合されたビア接続部を形成することができる。このビア接続部は銅板をエッチングすることにより形成されたものであり、電気導通抵抗の小さい材料で形成されている。しかも、凸部と銅板との接触部が塑性変形するように加圧プレスされることによってビア接続部が形成されているため、配線パターンの層間接続は強固なものである。したがって、ビア接続部における電気導通抵抗を小さくすることができ、配線基板の大電流化に対応することができる。
【００５２】
さらに、この配線基板では、表面に現れた配線パターンは平坦な形状であって、ビア接続部の直上部分が凹状に形成されていない。そのため、ビア接続部の直上部にデバイスを実装することができ、ビア接続部の直上部を避けてデバイス実装部を形成する必要がない。そのため、配線基板の小型化に対応することができる。
【００５３】
このように、配線パターン６４が３層あるいはそれ以上の多層に形成される場合においても、銅板の熱硬化型ポリイミド系樹脂５６に接触する面に黒化処理を行うことにより、銅板の表面に酸化絶縁被膜を形成することができる。このように、銅板の熱硬化型ポリイミド系樹脂５６に接触する面に酸化絶縁被膜を形成することにより、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６の両側にある配線パターン６４間で電気的ショート不良が発生しにくくなる。そのため、熱硬化型ポリイミド系樹脂５６の厚みを薄くすることができ、配線基板５０の薄型化を図ることができる。
【００５４】
さらに、銅板に形成された凸部と、凸部に押し当てられる銅板との間にＳｎを含む接合部を介在させてもよい。図３は、Ｓｎを含む接合部を形成した配線基板８０の製造方法を示す図解図である。この場合、たとえば図３（ａ）に示すように、厚さ０．３ｍｍの第１の銅板８２が準備される。第１の銅板８２の両面には、ドライフィルムレジスト８４が貼着される。次に、図３（ｂ）に示すように、フォトリソグラフィ工程を通してエッチングを行い、第１の銅板８２の一方主面に、直径０．６ｍｍ、長さ０．２ｍｍの円柱状の凸部８６が形成される。
【００５５】
さらに、厚さ０．１５ｍｍの絶縁樹脂８８が準備され、第１の銅板８２に形成された凸部８６に対応する位置において、絶縁樹脂８８に直径０．６ｍｍの円形の孔が形成される。この絶縁樹脂８８は、図３（ｃ）に示すように、第１の銅板８２の一方主面上に積層される。このとき、絶縁樹脂８８に形成された孔に第１の銅板８２に形成された凸部８６が挿通される。
【００５６】
次に、図３（ｄ）に示すように、凸部８６の先端面にＳｎはんだペーストが塗布されてＳｎを含む接合部９０が形成される。そして、図３（ｅ）に示すように、厚さ０．１ｍｍの第２の銅板９２の一方主面が凸部８６上の接合部９０のＳｎはんだペーストに押し当てられ、温度２００℃の環境下において１００ｋＮで１時間加圧プレスされることにより、第１の銅板８２、絶縁樹脂８８および第２の銅板９２が積層成形される。これにより、第１の銅板８２の凸部８６および第２の銅板９２の凸部８６に接触する部分において塑性変形が発生し、第２の銅板９２と凸部８６とが強固に接合される。
【００５７】
さらに、加圧プレスによって、凸部８６と第２の銅板９２との間に挟まれた接合部９０のＳｎはんだペーストが融解する。大気圧の下では、Ｓｎの融点は２３０℃であるが、高圧の下では、大気圧での融点より低い温度でＳｎは融解する。融解したＳｎは、凸部８６や第２の銅板９２のＣｕと反応して、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物９４が形成される。したがって、凸部８６と第２の銅板９２とは、第２の銅板９２の塑性変形によって接合されるとともに、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物９４によっても接合され、より高い接続信頼性を得ることができる。このとき、凸部８６とＣｕ−Ｓｎの金属間化合物９４によって、第１の銅板８２と第２の銅板９２とを接続するビア接続部９６が形成される。
【００５８】
次に、図３（ｆ）に示すように、第１の銅板８２および第２の銅板９２がサブトラクティブ法によってパターン形成され、配線パターン９８が形成される。なお、絶縁樹脂８８の両面の配線パターン９８は、凸部８６とＣｕ−Ｓｎの金属間化合物９４によって形成されたビア接続部９６によって接続される。
【００５９】
なお、接合部９０を形成するために、凸部８６の先端面にＳｎはんだペーストを付与するのではなく、凸部８６の先端面にＳｎめっき膜を形成してもよい。
【００６０】
また、Ｓｎはんだペーストの代わりに、ＳｎとＣｕ−Ｎｉ合金を含むペーストを用いることができる。このようなペーストを用いると、Ｃｕ−Ｎｉ合金がＣｕとＳｎとの反応を促進し、短時間でＣｕ−Ｓｎの金属間化合物を生成させることができる。
また、接合部としてＳｎめっき膜を形成する場合に、Ｓｎめっき膜上にＣｕ−Ｎｉ合金を含むペーストを塗布してもよい。この構成を備えることにより、Ｃｕ−Ｎｉ合金がＣｕとＳｎとの反応を促進し、短時間でＣｕ−Ｓｎの金属間化合物を生成させることができる。また、接合部としてＳｎめっき膜を形成する場合に、図４に示すように、第２の銅板９２の一方主面にＣｕ−Ｎｉ合金層９９を形成してもよい。Ｃｕ−Ｎｉ合金層９９はＣｕ−Ｎｉ合金ペーストを塗布して形成してもよいし、Ｃｕ−Ｎｉ合金めっきにより形成してもよい。これらの場合においても、第１の銅板８２、絶縁樹脂８８および第２の銅板９２の積層体を加圧プレスするときに、Ｃｕ−Ｎｉ合金がＣｕとＳｎとの反応を促進し、短時間でＣｕ−Ｓｎの金属間化合物を生成させることができる。
【００６１】
このようにして得られた配線基板８０は、絶縁層である絶縁樹脂８８を挟んで形成される配線パターン９８を含む。絶縁樹脂８８の一方主面に形成される第１の配線パターン９８には、第１の配線パターン９８と一体的に、絶縁樹脂８８の厚み方向に延びる凸部８６が形成されている。この凸部８６は絶縁樹脂８８を厚み方向に貫通して、絶縁樹脂８８の他方主面に形成される第２の配線パターン９８に接続されている。ここで、凸部８６と第２の配線パターン９８の凸部８６に接する部分には塑性変形が発生しており、凸部８６と第２の配線パターン９８の界面には、Ｃｕ3ＳｎなどのＣｕ−Ｓｎの金属間化合物９４が形成されている。そして、凸部８６とＣｕ−Ｓｎの金属間化合物９４によって、絶縁樹脂８８の両面に形成された第１の配線パターン９８と第２の配線パターン９８とを強固に接続するビア接続部９６が形成されている。
【００６２】
上述のように、この配線基板８０の製造工程において、凸部８６および第２の銅板９２の塑性変形による接合と、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物９４による接合によって、ビア接続部９６が形成されている。ここで、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物９４は、接合部９０のＳｎはんだペーストを融解することにより形成されるが、高圧を加えることにより大気圧におけるＳｎの融点より低い温度でＳｎはんだペーストが融解される。そのため、温度による絶縁樹脂８８の劣化を防止することができる。また、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物９４の融点はＳｎの融点よりも高く、大気圧下において３００℃を超える温度でも変化しない。したがって、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物９４が形成されていない場合、ＭＳＬ試験やヒートサイクル試験などにより、凸部８６と配線パターン９８との接続信頼性が低下する恐れがあるが、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物９４を有する配線基板８０のビア接続部９８においては、高い接続信頼性を得ることができる。
【００６３】
なお、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物９４の生成にあたって、中間生成物であるＣｕ6Ｓｎ5が形成された後、最終生成物としてＣｕ3Ｓｎが形成されるが、配線基板８０の製造時にＣｕ3Ｓｎを形成しておくことが好ましい。たとえば、Ｃｕ6Ｓｎ5が形成された配線基板８０上にＳＩＣやバリスタなどの発熱部品が搭載されている場合、その熱によってビア接続部９８のＣｕ6Ｓｎ5形成部にＣｕが徐々に拡散し、Ｃｕ3Ｓｎに変化してその部分の抵抗値が変化するが、Ｃｕ3Ｓｎは安定しているため、Ｃｕ3Ｓｎが形成された配線基板８０上に発熱部品が搭載されていても、ビア接続部９８の抵抗値が変化しないからである。配線基板８０の製造時にＣｕ3Ｓｎを形成するためには、第１の銅板８２、絶縁樹脂８８、第２の銅板９２の積層体を加圧プレスする際に、１０００ＭＰａ以上の圧力を加えることにより、比較的短時間でＣｕ3Ｓｎを形成することができる。
【００６４】
上述のようにして形成した配線基板８０と、Ｓｎはんだペーストの代わりに導電性接着剤を用いて同様に形成した比較例の配線基板について、高温負荷試験を行った。ここで、凸部８６の先端面にＳｎはんだペーストを塗布して形成した配線基板を実施例１とした。また、凸部８６の先端面に塗布するペーストとしてＳｎとＣｕ−Ｎｉ粒子を含むペーストを使用し、加圧プレスの時間を実施例１の半分にして形成した配線基板を実施例２とした。さらに、凸部８６にはＳｎはんだペーストを塗布せず、一方主面にＳｎめっき層を形成した第２の銅板９２を用いて形成した配線基板を実施例３とした。
【００６５】
これらの実施例１〜３および比較例について、高温下において、ビア接続部で接続された絶縁樹脂８８の両面の配線パターン９８間の抵抗値を測定した。その結果、実施例１ないし実施例３の配線基板では、試験開始後６００時間経過しても、抵抗値の変化が０％であった。それに対して、比較例の配線基板では、試験開始後６００時間を経過した時点で、抵抗値が２％増加した。これは、比較例の配線基板の製造時に用いられた導電性接着剤の接着成分である樹脂の分解が始まり、接合部に隙間が生じ始めたということが考えられる。それに対して、実施例１ないし実施例３の配線基板では、形成されたＣｕ−Ｓｎの金属間化合物９４が安定しているため、抵抗値の変化がなかったものと考えられる。
【００６６】
このようなＣｕ−Ｓｎの金属間化合物９４を有するビア接続部９８は、多層の配線基板１００を製造する際にも形成することができる。たとえば、図５（ａ）に示すように、第１の銅板１０２が準備され、図５（ｂ）に示すように、第１の銅板１０２の一方主面に円柱状の凸部１０４が形成される。そして、図５（ｃ）に示すように、凸部１０４の高さより小さい幅を有する絶縁樹脂１０６が第１の銅板１０２の凸部１０４形成面に配置され、凸部１０４の先端面にＳｎはんだペーストが塗布されてＳｎを含む接合部１０８が形成される。
【００６７】
次に、図５（ｄ）に示すように、凸部１０４上の接合部１０８のＳｎはんだペーストに中間の銅板１１０の一方主面が押し当てられ、１０００ＭＰａ以上の圧力で加圧することにより、第１の銅板１０２の凸部１０４および中間の銅板１１０の凸部１０４に接触する部分において塑性変形が発生し、中間の銅板１１０の一方主面が絶縁樹脂１０６に接触する。このとき、接合部１０８のＳｎはんだペーストに加わる圧力によって、Ｓｎは大気圧における融点より低い温度で融解し、凸部１０４や中間の銅板１１０のＣｕと反応して、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物１１２が形成される。したがって、塑性変形による凸部１０４と中間の銅板１１０との接合と、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物１１２による接合によって、第１の銅板１０２と中間の銅板１１０とを強固に接合するビア接続部１１４が形成される。
【００６８】
次に、図５（ｅ）に示すように、中間の銅板１１０がサブトラクト法によってパターン形成され、配線パターン１１６が形成されるとともに、形成された配線パターン１１６から延びる凸部１０４が形成される。さらに，図５（ｆ）に示すように、配線パターン１１６に形成された凸部１０４より低い位置まで絶縁樹脂１０６が積層され、凸部１０４の先端面にＳｎはんだペーストが塗布されてＳｎを含む接合部１０８が形成される。
【００６９】
さらに、図５（ｇ）に示すように、凸部１０４上の接合部１０８のＳｎはんだペーストに第２の銅板１１８の一方主面が押し当てられ、１０００ＭＰａ以上の圧力で加圧することにより、配線パターン１１６の凸部１０４および第２の銅板１１８の凸部１０４に接触する部分において塑性変形が発生し、第２の銅板１１８の一方主面が絶縁樹脂１０６に接触する。このとき、Ｓｎはんだペーストが融解して、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物１１２が形成される。そして、凸部１０４とＣｕ−Ｓｎの金属間化合物１１２とによって、配線パターン１１６と第２の銅板１１８とを強固に接続するビア接続部１１４が形成される。さらに、図５（ｈ）に示すように、第１の銅板１０２および第２の銅板１１８がサブトラクト法によってパターン形成され、配線パターン１１６が形成される。
【００７０】
このように、第１の銅板１０２によって形成される凸部１０４および中間の銅板１１０によって形成される凸部１０４にＳｎはんだペーストを塗布して接合部１０８を形成することにより、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物１１２を形成することができる。
【００７１】
また、全ての凸部１０４の形成部において、Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物１１２を形成する必要はなく、例えば第１の銅板１０２によって形成された凸部１０４と中間の銅板１１０との接合部にのみＣｕ−Ｓｎの金属間化合物を形成し、中間の銅板１１０によって形成された凸部１０４と第２の銅板１１８との接合は、凸部１０４および第２の銅板１１８の接続部における塑性変形によってのみ行われることも可能である。
【００７２】
図５に示す配線基板の製造方法において、図５（ｆ）の工程の後に、図５（ｄ）ないし図５（ｆ）の工程を１回以上繰り返し、最後に図５（ｇ）および図５（ｈ）の工程を実行することにより、絶縁樹脂１０６を挟んで配線パターン１１６が多層に形成された配線基板を得ることができる。
【００７３】
なお、上述の各例では、各部分の寸法を詳しく記載したが、配線基板の使用目的等に応じて、これらの寸法は自由に設計変更することができる。
【符号の説明】
【００７４】
２０、５０、８０、１００  配線基板
２２、５２、８２、１０２  第１の銅板
２４、５４、８６、１０４  凸部
２６、５６  熱硬化型ポリイミド系樹脂
２８、６６、９２、１１８  第２の銅板
３２、６０、９６、１１４  ビア接続部
３４、６４、９８、１１６  配線パターン
５８、１１０  中間の銅板
８８、１０６  絶縁樹脂
９０、１０８  接合部
９４、１１２  Ｃｕ−Ｓｎの金属間化合物
【図１】
2014063981.tif 000003
【図２】
2014063981.tif 000004
【図３】
2014063981.tif 000005
【図４】
2014063981.tif 000006
【図５】
2014063981.tif 000007
【図６】
2014063981.tif 000008
【図７】
2014063981.tif 000009
【図８】
2014063981.tif 000010
【図９】
2014063981.tif 000011