(57)【要約】【課題】製造効率を向上させたプラズマＣＶＤ装置を提供する。【解決手段】チャンバーと、ロート形状のアノード２０４と、フィラメント状のカソード２０３と、被成膜基板２０１を保持する保持部と、インナーシールド２０８と、第１の直流電源２０７と、交流電源２０５と、第２の直流電源２１２と、チャンバー内にガスを供給するガス供給機構とを具備し、ガス供給機構によって第１の原料ガスをチャンバー内に供給し、チャンバー内でカソードとアノードとの間の放電により第１の原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを被成膜基板の表面に加速衝突させてＤＬＣ膜を成膜し、ガス供給機構によって第２の原料ガス及び窒化剤をチャンバー内に供給し、チャンバー内でカソードとアノードとの間の放電により第２の原料ガス及び窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマをＤＬＣ膜に加速衝突させてＣＮ膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置である。【選択図】  図１
2014114492.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたロート形状またはシリンドリカル形状のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記アノードの内周面の中央部付近で包囲されたフィラメント状のカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
前記アノードに電気的に接続された第１の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第２の直流電源と、
前記チャンバー内にガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記ロート形状のアノードは、その最大内径側を前記被成膜基板に向けており、
前記ガス供給機構によって第１の原料ガスを前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記第１の原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させてＤＬＣ膜を成膜し、前記ガス供給機構によって第２の原料ガス及び窒化剤を前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記第２の原料ガス及び前記窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマを前記ＤＬＣ膜に加速衝突させてＣＮ膜を成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項２】
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたロート形状またはシリンドリカル形状のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記アノードの内周面の中央部付近で包囲されたフィラメント状のカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
前記アノードに電気的に接続された第１の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第２の直流電源と、
前記チャンバー内にガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記ロート形状のアノードは、その最大内径側を前記被成膜基板に向けており、
前記ガス供給機構によって第１の原料ガスを前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記第１の原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させてＤＬＣ膜を成膜し、前記ガス供給機構によって窒化剤を前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマを前記ＤＬＣ膜に加速衝突させて前記ＤＬＣ膜の表面を窒化処理することにより前記ＤＬＣ膜の表面に窒素を導入することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記窒化処理する際に前記ガス供給機構によって供給されるガスが窒化剤及びＡｒであることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記ＤＬＣ膜の表面に窒素を導入した後に、前記ガス供給機構によって第２の原料ガス及び窒化剤を前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記第２の原料ガス及び前記窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマを前記ＤＬＣ膜に加速衝突させてＣＮ膜を成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項において、
前記窒化剤は、Ｎ２、ＮＨ３及びＮ２Ｏの少なくとも一つを有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項６】
チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたロート形状またはシリンドリカル形状のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記アノードの内周面の中央部付近で包囲されたフィラメント状のカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
前記アノードに電気的に接続された第１の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第２の直流電源と、
前記チャンバー内にガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記ロート形状のアノードは、その最大内径側を前記被成膜基板に向けており、
前記ガス供給機構によって原料ガスを前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させてＤＬＣ膜を成膜し、前記ガス供給機構によってＡｒを前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記Ａｒをプラズマ状態とし、このプラズマを前記ＤＬＣ膜に加速衝突させて前記ＤＬＣ膜の表面を処理することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記被成膜基板は、非磁性基板上に少なくとも磁性層が形成された基板であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【請求項８】
請求項１に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いて前記被成膜基板上に前記ＤＬＣ膜を成膜し、前記ＤＬＣ膜上に前記ＣＮ膜を成膜する磁気記録媒体の製造方法において、
前記被成膜基板は、非磁性基板上に少なくとも磁性層が形成された基板であり、
前記ＤＬＣ膜の厚さをＴＤＬＣとし、前記ＣＮ膜の厚さをＴＣＮとした場合、下記の式１及び式２を満たすことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
ＴＤＬＣ／ＴＣＮ≧１  ・・・（式１）
ＴＤＬＣ＋ＴＣＮ≦３ｎｍ  ・・・（式２）
【請求項９】
請求項８において、
前記ＣＮ膜上にフッ化有機膜を形成し、
前記ＣＮ膜は水の接触角が５０°以下である表面を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
請求項８または９において、
前記ＣＮ膜の膜厚は１ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
請求項８乃至１０のいずれか一項において、
前記ＣＮ膜の硬さは６ＧＰａ〜１５ＧＰａであることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
請求項８乃至１１のいずれか一項において、
前記第２の原料ガス及び前記窒化剤を前記チャンバー内に供給する際の前記第２の原料ガスの流量をｃとし、前記窒化剤の流量をｎとした場合、下記式６を満たすことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
０．５≦ｎ／（ｃ＋ｎ）＜１  ・・・（式６）
【請求項１３】
請求項９において、
前記フッ化有機膜は、第３の原料ガスを用いたＣＶＤ法により形成されたＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜であり、
前記第３の原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。
【請求項１４】
請求項１３において、
前記有機物原料ガスが３個以上の炭素を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３または１４において、
前記ＣＮ膜上に前記ＣａＦｂ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ６Ｆ６、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ７Ｆ８、Ｃ７Ｆ１４、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ９Ｆ１８、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ１０Ｆ８、Ｃ１０Ｆ１８、Ｃ１１Ｆ２０、Ｃ１２Ｆ１０、Ｃ１３Ｆ２８、Ｃ１５Ｆ３２、Ｃ２０Ｆ４２、及びＣ２４Ｆ５０の少なくとも一つを有し、
前記ＣＮ膜上に前記ＣａＦｂＮｃ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ３Ｎ３、Ｃ３Ｆ９Ｎ、Ｃ５Ｆ５Ｎ、Ｃ６Ｆ４Ｎ２、Ｃ６Ｆ９Ｎ３、Ｃ６Ｆ１２Ｎ２、Ｃ６Ｆ１５Ｎ、Ｃ７Ｆ５Ｎ、Ｃ８Ｆ４Ｎ２、Ｃ９Ｆ２１Ｎ、Ｃ１２Ｆ４Ｎ４、Ｃ１２Ｆ２７Ｎ、Ｃ１４Ｆ８Ｎ２、Ｃ１５Ｆ３３Ｎ、Ｃ２４Ｆ４５Ｎ３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、
前記ＣＮ膜上に前記ＣａＦｂＯｄ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６Ｏ、Ｃ４Ｆ６Ｏ３、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｃ５Ｆ６Ｏ３、Ｃ６Ｆ４Ｏ２、Ｃ６Ｆ１０Ｏ３、Ｃ８Ｆ４Ｏ３、Ｃ８Ｆ８Ｏ、Ｃ８Ｆ８Ｏ２、Ｃ８Ｆ１４Ｏ３、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ３、及びＣ２Ｆ６Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）ｎ（ＣＦ２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有し、
前記ＣＮ膜上に前記ＣａＦｂＮｃＯｄ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ７Ｆ５ＮＯを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１３乃至１５のいずれか一項において、
前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
請求項１３乃至１６のいずれか一項において、
前記第３の原料ガスを用いたＣＶＤ法は、前記ＣＮ膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記ＣＮ膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を＋１５０Ｖ〜−１５０ＶとしたプラズマＣＶＤ法であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１８】
請求項１３乃至１７のいずれか一項において、
前記いずれかの膜の厚さは３ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プラズマＣＶＤ装置及び磁気記録媒体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１５は、従来の磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。
まず、非磁性基板１０１の上に少なくとも磁性層１０２を形成した被成膜基板１００を用意し、この被成膜基板１００の上に膜厚３ｎｍのＤＬＣ(Diamond Like Carbon)膜１０３をプラズマＣＶＤ（chemical vapor deposition）装置により成膜する。このプラズマＣＶＤ装置は、ロート形状またはシリンドリカル形状のアノードと、このアノードの内周面の中央部付近で包囲されたフィラメント状のカソードを有し、ロート形状のアノードがその最大内径側を被成膜基板に向けている装置であって例えば特許文献１，２に記載されている。
【０００３】
次いで、このＤＬＣ膜１０３の上に厚さ１ｎｍのＣＮ膜１０４をスパッタリング装置により成膜する。
【０００４】
次いで、ＣＮ膜１０４をフッ素系のフォンブリン油にディッピングすることにより、ＣＮ膜１０４の上にはフォンブリン油が塗布される。次に、被成膜基板１００を１５０℃の温度で１時間アニールすることにより、ＣＮ膜１０４上には固体潤滑剤として機能する膜厚４ｎｍのフッ化有機膜１０５が形成される。また、フッ化有機膜１０５の作製方法として蒸着法を用いることもあり、その場合の蒸着温度は１１０℃である。
【０００５】
上記の磁気記録媒体を使用する際にはフッ化有機膜１０５にメディアヘッド（図示せず）を接近させる必要があり、このメディアヘッドと磁性層１０２との距離をより短くすることが要求される。このため、ＤＬＣ膜１０３とＣＮ膜１０４とフッ化有機膜１０５の合計膜厚をより薄くすることが要求される。
【０００６】
また、上記の磁気記録媒体においてＤＬＣ膜１０３をプラズマＣＶＤ法で成膜する理由は次のとおりである。
ＤＬＣ膜をスパッタリングにより成膜し、その膜厚を８ｎｍ以下にすると、磁性層１０２からＣｏなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜１０５に到達する（いわゆるコロージョン）という問題が発生する。そこで、ＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ法により成膜することで、スパッタリングに比べて高密度なＤＬＣ膜を成膜できるため、その膜厚を３ｎｍとしてもコロージョンを防ぐためのバリア性を十分に確保することができる。
【０００７】
また、上記の磁気記録媒体においてＣＮ膜１０４を形成する理由は次のとおりである。
ＤＬＣ膜１０３は水の接触角が８０°程度であるため、ＤＬＣ膜１０３上にフッ化有機膜１０５を塗布するとＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との密着性が悪い。このため、ＤＬＣ膜１０３上にフッ化有機膜１０５を塗布することができない。そこで、ＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との間に、水の接触角が３０°程度であるＣＮ膜１０４を形成することで、ＤＬＣ膜１０３とフッ化有機膜１０５との密着性を高めることができる。ただし、ＣＮ膜１０４はコロージョンを防ぐためのバリア性の機能を有していない。
【０００８】
また、上記の磁気記録媒体の製造方法では、ＤＬＣ膜１０３の成膜をプラズマＣＶＤ装置により行い、ＣＮ膜１０４の成膜をスパッタリング装置により行うというように２つの装置を用いるため、磁気記録媒体の製造効率が悪いという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特許第３９３０１８４号
【特許文献２】特開２０１０−７１２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
本発明の一態様は、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを薄くすることを課題とする。
また、本発明の一態様は、製造効率を向上させることを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
以下に、本発明の種々の態様について説明する。
［１］チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたロート形状またはシリンドリカル形状のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記アノードの内周面の中央部付近で包囲されたフィラメント状のカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
前記アノードに電気的に接続された第１の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第２の直流電源と、
前記チャンバー内にガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記ロート形状のアノードは、その最大内径側を前記被成膜基板に向けており、
前記ガス供給機構によって第１の原料ガスを前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記第１の原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させてＤＬＣ膜を成膜し、前記ガス供給機構によって第２の原料ガス及び窒化剤を前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記第２の原料ガス及び前記窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマを前記ＤＬＣ膜に加速衝突させてＣＮ膜を成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１２】
［２］チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたロート形状またはシリンドリカル形状のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記アノードの内周面の中央部付近で包囲されたフィラメント状のカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
前記アノードに電気的に接続された第１の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第２の直流電源と、
前記チャンバー内にガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記ロート形状のアノードは、その最大内径側を前記被成膜基板に向けており、
前記ガス供給機構によって第１の原料ガスを前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記第１の原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させてＤＬＣ膜を成膜し、前記ガス供給機構によって窒化剤を前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマを前記ＤＬＣ膜に加速衝突させて前記ＤＬＣ膜の表面を窒化処理することにより前記ＤＬＣ膜の表面に窒素を導入することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１３】
［３］上記［２］において、
前記窒化処理する際に前記ガス供給機構によって供給されるガスが窒化剤及びＡｒであることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１４】
［４］上記［２］において、
前記ＤＬＣ膜の表面に窒素を導入した後に、前記ガス供給機構によって第２の原料ガス及び窒化剤を前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記第２の原料ガス及び前記窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマを前記ＤＬＣ膜に加速衝突させてＣＮ膜を成膜することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１５】
［５］上記［１］乃至［４］のいずれか一項において、
前記窒化剤は、Ｎ２、ＮＨ３及びＮ２Ｏの少なくとも一つを有することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１６】
［６］チャンバーと、
前記チャンバー内に配置されたロート形状またはシリンドリカル形状のアノードと、
前記チャンバー内に配置され、前記アノードの内周面の中央部付近で包囲されたフィラメント状のカソードと、
前記チャンバー内に配置され、前記カソード及び前記アノードに対向するように配置される被成膜基板を保持する保持部と、
前記チャンバー内に配置され、前記保持部に保持された前記被成膜基板と前記アノード及び前記カソードそれぞれとの間の空間を覆うように設けられたインナーシールドと、
前記アノードに電気的に接続された第１の直流電源と、
前記カソードに電気的に接続された交流電源と、
前記保持部に保持された前記被成膜基板に電気的に接続された第２の直流電源と、
前記チャンバー内にガスを供給するガス供給機構と、
前記チャンバー内を排気する排気機構と、
を具備し、
前記ロート形状のアノードは、その最大内径側を前記被成膜基板に向けており、
前記ガス供給機構によって原料ガスを前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記原料ガスをプラズマ状態とし、このプラズマを前記保持部に保持された被成膜基板の表面に加速衝突させてＤＬＣ膜を成膜し、前記ガス供給機構によってＡｒを前記チャンバー内に供給し、前記チャンバー内で前記カソードと前記アノードとの間の放電により前記Ａｒをプラズマ状態とし、このプラズマを前記ＤＬＣ膜に加速衝突させて前記ＤＬＣ膜の表面を処理することを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１７】
［７］上記［１］乃至［６］のいずれか一項において、
前記被成膜基板は、非磁性基板上に少なくとも磁性層が形成された基板であることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
【００１８】
［８］上記［１］に記載のプラズマＣＶＤ装置を用いて前記被成膜基板上に前記ＤＬＣ膜を成膜し、前記ＤＬＣ膜上に前記ＣＮ膜を成膜する磁気記録媒体の製造方法において、
前記被成膜基板は、非磁性基板上に少なくとも磁性層が形成された基板であり、
前記ＤＬＣ膜の厚さをＴＤＬＣとし、前記ＣＮ膜の厚さをＴＣＮとした場合、下記の式１及び式２を満たすことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
ＴＤＬＣ／ＴＣＮ≧１  ・・・（式１）
ＴＤＬＣ＋ＴＣＮ≦３ｎｍ  ・・・（式２）
【００１９】
［９］上記［８］において、
前記ＣＮ膜上にフッ化有機膜を形成し、
前記ＣＮ膜は水の接触角が５０°以下（好ましくは４０°以下）である表面を有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２０】
［１０］上記［８］または［９］において、
前記ＣＮ膜の膜厚は１ｎｍ以下（好ましくは、０．５ｎｍ以下）であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
［１１］上記［８］乃至［１０］のいずれか一項において、
前記ＣＮ膜の硬さは６ＧＰａ〜１５ＧＰａ（好ましくは、８ＧＰａ〜１２ＧＰａ）であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２１】
［１２］上記［８］乃至［１１］のいずれか一項において、
前記第２の原料ガス及び前記窒化剤を前記チャンバー内に供給する際の前記第２の原料ガスの流量をｃとし、前記窒化剤の流量をｎとした場合、下記式６を満たすこと、好ましくは下記式６'を満たすことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
０．５≦ｎ／（ｃ＋ｎ）＜１  ・・・（式６）
０．６≦ｎ／（ｃ＋ｎ）≦０．９  ・・・（式６'）
【００２２】
［１３］上記［９］において、
前記フッ化有機膜は、第３の原料ガスを用いたＣＶＤ法により形成されたＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜であり、
前記第３の原料ガスは、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄ，ｅは、自然数である。
【００２３】
［１４］上記［１３］において、
前記有機物原料ガスが３個以上の炭素を含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２４】
［１５］上記［１３］または［１４］において、
前記ＣＮ膜上に前記ＣａＦｂ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ６Ｆ６、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ７Ｆ８、Ｃ７Ｆ１４、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ９Ｆ１８、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ１０Ｆ８、Ｃ１０Ｆ１８、Ｃ１１Ｆ２０、Ｃ１２Ｆ１０、Ｃ１３Ｆ２８、Ｃ１５Ｆ３２、Ｃ２０Ｆ４２、及びＣ２４Ｆ５０の少なくとも一つを有し、
前記ＣＮ膜上に前記ＣａＦｂＮｃ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ３Ｎ３、Ｃ３Ｆ９Ｎ、Ｃ５Ｆ５Ｎ、Ｃ６Ｆ４Ｎ２、Ｃ６Ｆ９Ｎ３、Ｃ６Ｆ１２Ｎ２、Ｃ６Ｆ１５Ｎ、Ｃ７Ｆ５Ｎ、Ｃ８Ｆ４Ｎ２、Ｃ９Ｆ２１Ｎ、Ｃ１２Ｆ４Ｎ４、Ｃ１２Ｆ２７Ｎ、Ｃ１４Ｆ８Ｎ２、Ｃ１５Ｆ３３Ｎ、Ｃ２４Ｆ４５Ｎ３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有し、
前記ＣＮ膜上に前記ＣａＦｂＯｄ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６Ｏ、Ｃ４Ｆ６Ｏ３、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｃ５Ｆ６Ｏ３、Ｃ６Ｆ４Ｏ２、Ｃ６Ｆ１０Ｏ３、Ｃ８Ｆ４Ｏ３、Ｃ８Ｆ８Ｏ、Ｃ８Ｆ８Ｏ２、Ｃ８Ｆ１４Ｏ３、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ３、及びＣ２Ｆ６Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）ｎ（ＣＦ２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有し、
前記ＣＮ膜上に前記ＣａＦｂＮｃＯｄ膜を形成する場合の前記有機物原料ガスは、Ｃ７Ｆ５ＮＯを有することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２５】
［１６］上記［１３］乃至［１５］のいずれか一項において、
前記有機物原料ガスとしてパーフルオロアミン類を用いることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２６】
［１７］上記［１３］乃至［１６］のいずれか一項において、
前記第３の原料ガスを用いたＣＶＤ法は、前記ＣＮ膜を保持電極に保持し、前記保持電極に保持された前記ＣＮ膜に対向する対向電極を配置し、前記保持電極および前記対向電極の一方の電極に電力を供給して直流プラズマを形成する際の直流電圧または高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分を＋１５０Ｖ〜−１５０ＶとしたプラズマＣＶＤ法であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【００２７】
［１８］上記［１３］乃至［１７］のいずれか一項において、
前記いずれかの膜の厚さは３ｎｍ以下であることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【発明の効果】
【００２８】
本発明の一態様によれば、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを薄くすることができる。
また、本発明の一態様によれば、製造効率を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】（Ａ）は本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図、（Ｂ）は本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。
【図３】窒素ガス流量比（Ｎ２／Ｃ７Ｈ８＋Ｎ２）と成膜速度との関係を示す図である。
【図４】窒素ガス流量比（Ｎ２／Ｃ７Ｈ８＋Ｎ２）と窒素濃度（Ｎ／Ｃ＋Ｎ）との関係を示す図である。
【図５】ＣＮ膜の膜厚を０．５ｎｍとした場合の窒素ガス流量比（Ｎ２／Ｃ７Ｈ８＋Ｎ２）とＣＮ膜の水の接触角との関係を示す図である。
【図６】ＣＮ膜の膜厚を１ｎｍとした場合の窒素ガス流量比（Ｎ２／Ｃ７Ｈ８＋Ｎ２）とＣＮ膜の水の接触角との関係を示す図である。
【図７】窒化処理時のＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）及び処理時間それぞれを−１５０Ｖ及び１ｓｅｃとした場合の窒素ガス流量と水の接触角との関係を示す図である。
【図８】窒化処理時の窒素ガス流量及び処理時間それぞれを２ｓｃｃｍ及び１ｓｅｃとした場合のＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）と水の接触角との関係を示す図である。
【図９】窒化処理時の窒素ガス流量及びＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）それぞれを２ｓｃｃｍ及び−１５０Ｖとした場合の処理時間と水の接触角との関係を示す図である。
【図１０】窒化処理直後のＤＬＣ膜の水の接触角と、ＤＬＣ膜を純水に浸漬した後の水の接触角と、窒化処理してから１日経過後の水の接触角を示す図である。
【図１１】Ａｒ処理時のＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）及び処理時間それぞれを−１５０Ｖ及び１ｓｅｃとした場合のＡｒガス流量と水の接触角との関係を示す図である。
【図１２】Ａｒ処理時のＡｒガス流量及び処理時間それぞれを２ｓｃｃｍ及び１ｓｅｃとした場合のＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）と水の接触角との関係を示す図である。
【図１３】Ａｒ処理時のＡｒガス流量及びＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）それぞれを２ｓｃｃｍ及び−１５０Ｖとした場合の処理時間と水の接触角との関係を示す図である。
【図１４】成膜直後のカーボン膜の水の接触角と、カーボン膜を純水に浸漬した後の水の接触角と、カーボン膜を成膜してから１日経過後の水の接触角を示す図である。
【図１５】従来の磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
以下では、本発明の実施形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３１】
［第１の実施形態］
＜プラズマＣＶＤ装置＞
図１（Ａ）は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図である。
このプラズマＣＶＤ装置は被成膜基板（例えばディスク基板）に対して左右対称の構造を有しており、被成膜基板２０１の両面に同時に成膜可能な装置であるが、図１（Ａ）では、被成膜基板２０１に対して左側を示し、右側は省略している。
【００３２】
プラズマＣＶＤ装置はチャンバー２０２を有しており、このチャンバー２０２内には、例えばタンタルからなるフィラメント状のカソード電極（カソードフィラメント）２０３が形成されている。カソードフィラメント２０３の両端はチャンバー２０２の外部に位置するカソード電源（交流電源）２０５に電気的に接続されており、カソード電源２０５はチャンバー２０２に対して絶縁された状態で配置されている。
【００３３】
カソード電源２０５は、図示せぬ制御部によって制御される。これにより、カソードフィラメント２０３に印加される電圧が制御される。カソード電源２０５としては例えば０〜５０Ｖ、１０〜５０Ａ（アンペア）の電源を用いることができる。カソード電源２０５の一端はアース２０６に電気的に接続されている。
【００３４】
チャンバー２０２内には、カソードフィラメント２０３の周囲を囲むようにロート形状を有するアノード電極（アノードコーン）２０４が配置されており、このアノードコーン２０４はスピーカーのような形状とされている。
【００３５】
チャンバー２０２内には、カソードフィラメント２０３及びアノードコーン２０４それぞれと被成膜基板２０１との間の空間を覆うように導電体からなるインナーシールド２０８が配置されている。また、インナーシールド２０８は円筒形状又は多角形状を有している。このインナーシールド２０８は、フロート電位（図示せず）に電気的に接続されており、チャンバー２０２に対して絶縁された状態で配置されている。また、インナーシールド２０８は円筒形状又は多角形状を有しており、その円筒又は多角の内径Ｂが１００ｍｍ以上２００ｍｍ以下である。この内径Ｂを１００ｍｍ以上とすることでアノードコーン２０４の近傍で原料ガスのイオン化を高くでき、遊離カーボン（すなわち、すす）が発生しにくくなるからである。また、内径Ｂを２００ｍｍ以下とすることでアノードコーン２０４の近傍で原料ガスのイオン化が低くなるのを抑制し、緻密な膜を被成膜基板２０１に成膜しやすくでき、また後述するネオジウム磁石を用いた場合に高磁場を作りやすくすることができる。
【００３６】
アノードコーン２０４はアノード電源（ＤＣ（直流）電源）２０７に電気的に接続されており、このＤＣ電源２０７はチャンバー２０２に対して絶縁された状態で配置されている。このＤＣ電源２０７のプラス電位側がアノードコーン２０４に電気的に接続されており、ＤＣ電源２０７のマイナス電位側がアース２０６に電気的に接続されている。
【００３７】
ＤＣ電源２０７は、制御部によって制御される。これにより、アノードコーン２０４に印加される電圧が制御される。なお、ＤＣ電源２０７としては例えば０〜５００Ｖ、０〜７．５Ａ（アンペア）の電源を用いることができる。
【００３８】
インナーシールド２０８の被成膜基板２０１側の端部には膜厚補正板２０８ａが設けられている。膜厚補正板２０８ａはインナーシールド２０８と一体的に形成されている。膜厚補正板２０８ａにより被成膜基板２０１の外周部分に成膜される膜の厚さを制御することができる。なお、図１（Ａ）では膜厚補正板２０８ａをインナーシールド２０８と一体的に形成しているが、膜厚補正板２０８ａがインナーシールド２０８に電気的に接続されていれば膜厚補正板をインナーシールドと分離して形成してもよい。
【００３９】
チャンバー２０２内には被成膜基板２０１が配置されており、この被成膜基板２０１はカソードフィラメント２０３及びアノードコーン２０４に対向するように配置されている。詳細には、カソードフィラメント２０３はアノードコーン２０４の内周面の中央部付近で包囲されており、アノードコーン２０４は、その最大内径側を被成膜基板２０１に向けて配置されている。
【００４０】
カソードフィラメント２０３と被成膜基板２０１との間の距離ｌは、可能な限り長くすることが好ましく、具体的には２００ｍｍ以上３００ｍｍ以下であることが好ましい。この距離ｌを２００ｍｍ未満とすると被成膜基板２０１に成膜される薄膜の硬度が低くなってしまい、距離ｌを３００ｍｍ超とすると成膜レートが遅くなり実用的ではないからである。
【００４１】
被成膜基板２０１は、図示しないホルダー（保持部）および図示しないトランスファー装置（ハンドリングロボットあるいはロータリインデックステーブル）により、図示の位置に、順次供給されるようになっている。
【００４２】
被成膜基板２０１はイオン加速用電源としてのバイアス電源（ＤＣ電源，直流電源）２１２に電気的に接続されており、このＤＣ電源２１２はチャンバー２０２に対して絶縁された状態で配置されている。このＤＣ電源２１２のマイナス電位側が被成膜基板２０１に電気的に接続されており、ＤＣ電源２１２のプラス電位側がアース２０６に電気的に接続されている。
【００４３】
ＤＣ電源２１２は、制御部によって制御される。これにより、被成膜基板２０１に印加される電圧が制御される。なお、ＤＣ電源２１２としては例えば０〜１５００Ｖ、０〜１００ｍＡ（ミリアンペア）の電源を用いることができる。
【００４４】
チャンバー２０２の外側にはネオジウム磁石２０９が配置されている。このネオジウム磁石２０９は例えば円筒形状又は多角形状を有しており、この円筒側面又は多角側面の筒方向の中心を通る内径２１１とカソードフィラメント２０３との距離Ａは５０ｍｍ以内（より好ましくは３５ｍｍ以内）であることが好ましい。この内径２１１の中心は磁石中心２１０となり、この磁石中心２１０はカソードフィラメント２０３の略中心及び被成膜基板２０１の略中心それぞれと対向するように位置している。ネオジウム磁石２０９は、その磁石中心２１０の磁力が５０Ｇ以上２００Ｇ（ガウス）以下であることが好ましく、より好ましくは５０Ｇ以上１５０Ｇ以下である。磁石中心の磁力を２００Ｇ以下とする理由は、ネオジウム磁石では磁石中心の磁力を２００Ｇまで高めるのが製造上の限界であるからである。また、磁石中心の磁力を１５０Ｇ以下とするのがより好ましい理由は、磁石中心の磁力を１５０Ｇ超とすると磁石を作るコストが増大するからである。
【００４５】
また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー２０２内を真空排気する真空排気機構（図示せず）を有している。また、プラズマＣＶＤ装置はチャンバー２０２内に成膜原料ガスを供給するガス供給機構（図示せず）を有している。
【００４６】
なお、本実施形態では、図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いているが、図１（Ｂ）に示すプラズマＣＶＤ装置に変更して実施してもよい。
図１（Ｂ）は、本発明の一態様に係るプラズマＣＶＤ装置を模式的に示す断面図であり、図１（Ａ）と同一部分には同一符号を付し、異なる部分についてのみ説明する。
【００４７】
チャンバー２０２内には、カソードフィラメント２０３の周囲を囲むようにシリンドリカル形状を有するアノード電極（アノードコーン）２０４ａが配置されている。
【００４８】
＜磁気記録媒体の製造方法＞
図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて磁気記録媒体を製造する方法について図２を参照しつつ説明する。図２は、本発明の一態様に係る磁気記録媒体の製造方法を説明するための断面図である。
【００４９】
まず、図２に示す非磁性基板１１上に少なくとも磁性層１２を形成した被成膜基板２を用意し、この被成膜基板２を図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置の保持部に保持させる。なお、被成膜基板２は、例えばバードディスク基板、メディアヘッドなどである。
【００５０】
次いで、真空排気機構を起動させ、チャンバー２０２の内部を所定の真空状態とし、チャンバー２０２の内部にガス供給機構によって第１の原料ガスとして例えばトルエン（Ｃ７Ｈ８）ガスを導入する。チャンバー２０２内が所定の圧力になった後、カソードフィラメント２０３にカソード電源２０５によって交流電流を供給することによりカソードフィラメント２０３が加熱される。
【００５１】
また、被成膜基板２（図１（Ａ）に示す被成膜基板２０１に対応）にＤＣ電源２１２によって直流電流を供給する。また、アノードコーン２０４にＤＣ電源２０７によって直流電流を供給する。
【００５２】
カソードフィラメント２０３の加熱によって、カソードフィラメント２０３からアノードコーン２０４に向けて多量の電子が放出され、カソードフィラメント１０３とアノードコーン２０４との間でグロー放電が開始される。多量の電子によってチャンバー２０２の内部の成膜原料ガスとしてのトルエンガスがイオン化され、プラズマ状態とされる。この際、ネオジウム磁石２０９によってカソードフィラメント２０３の近傍に位置するトルエンガスをプラズマ化する領域に磁場が発生されているので、この磁場によってプラズマを高密度化することができ、イオン化効率を向上させることができる。そして、プラズマ状態の成膜原料分子は、被成膜基板２のマイナス電位によって直接に加速されて、被成膜基板２の方向に向かって飛走して、被成膜基板２の表面に付着される。このようにして、被成膜基板２には薄いＤＬＣ膜が成膜される。この際、被成膜基板２の表面では下記の式５の反応が起きている。
【００５３】
Ｃ７Ｈ８＋ｅ− → ＣａＨｂ ＋ｘＨ２↑  ・・・（式５）
【００５４】
上記のように成膜されるＤＬＣ膜の膜厚が例えば１ｎｍに達した時にガス供給機構によって窒化剤（Ｎ２、ＮＨ３及びＮ２Ｏの少なくとも一つを含むもの）をチャンバー２０２内に供給する。この時、チャンバー２０２内へのトルエンガスの供給は維持されている。即ち、トルエンガスに窒化剤を添加したガスがチャンバー２０２内に供給される。チャンバー内でカソードフィラメント２０３とアノードコーン２０４との間のグロー放電によりトルエンガス及び窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマをＤＬＣ膜に加速衝突させてＣＮ膜を成膜する。このＣＮ膜の膜厚が例えば０．５ｎｍに達した時に成膜を終了させる。
【００５５】
このようにして被成膜基板２の上に膜厚１ｎｍのＤＬＣ膜１３が形成され、このＤＬＣ膜１３上に膜厚０．５ｎｍのＣＮ膜１４が形成される。なお、本明細書においてＣＮ膜１４とは、窒素を含有する炭素膜を意味し、窒素以外に水素を含有する炭素膜も含む。
【００５６】
この後、ＣＮ膜１４をフッ素系のフォンブリン油にディッピングすることにより、ＣＮ膜１４上にはフォンブリン油が塗布される。次に、被成膜基板２を１５０℃の温度で１時間アニールすることにより、ＣＮ膜１４上には固体潤滑剤として機能する膜厚４ｎｍのフッ化有機膜１５が形成される。なお、フッ化有機膜１５の作製方法として蒸着法を用いても良く、その場合の蒸着温度は１１０℃である。
【００５７】
本実施形態によれば、ガス供給機構によって第１の原料ガスとしてのトルエンガスをチャンバー２０２内に供給し、このチャンバー２０２内でカソードフィラメント２０３とアノードコーン２０４との間の放電によりトルエンガスをプラズマ状態とし、このプラズマを保持部に保持された被成膜基板２の表面に加速衝突させてＤＬＣ膜１３を成膜し、ガス供給機構によって第２の原料ガスとしてのトルエンガス及び窒化剤をチャンバー２０１内に供給し、チャンバー２０１内でカソードフィラメント２０３とアノードコーン２０４との間の放電によりトルエンガス及び窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマをＤＬＣ膜１３に加速衝突させてＣＮ膜１４を成膜する。これに対し、従来技術では、被成膜基板上にＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ装置により成膜し、このＤＬＣ膜上にＣＮ膜をスパッタリング装置により成膜する。つまり、本実施形態では、ＤＬＣ膜とＣＮ膜の成膜を図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置で連続的に成膜するため、製造効率を高くできるのに対し、従来技術では、ＤＬＣ膜とＣＮ膜の成膜を別々の装置で成膜するため、製造効率が低くなる。
【００５８】
また、第１の原料ガス及び第２の原料ガスとしてトルエンガスを用いているが、第１の原料ガス及び第２の原料ガスとして炭素と水素を含む他の成膜原料ガスを用いてもよい。また、第１の原料ガスと第２の原料ガスは、同一の成膜原料ガスを用いてもよいし、異なる成膜原料ガスを用いてもよい。
【００５９】
また、本実施形態では、ＣＮ膜１４をプラズマＣＶＤ装置によって成膜するため、スパッタリング装置によって成膜した従来技術のＣＮ膜に比べて高密度なＣＮ膜１４を成膜することができる。このため、ＣＮ膜１４に、磁性層１２からＣｒなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜１５に到達する（いわゆるコロージョン）のを防ぐためのバリア性を持たせることができる。従来はＤＬＣ膜１３だけに持たせていたバリア性をＣＮ膜１４にも持たせることにより、ＤＬＣ膜１３を薄くしてもコロージョンを防ぐことが可能になる。その結果、磁性層１２とフッ化有機膜１５との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。
【００６０】
図２に示すＤＬＣ膜１３の厚さをＴＤＬＣとし、ＣＮ膜１４の厚さをＴＣＮとした場合、下記の式１及び式２を満たすことが好ましく、より好ましくは式１〜式４を満たすことである。
ＴＤＬＣ／ＴＣＮ≧１  ・・・（式１）
ＴＤＬＣ＋ＴＣＮ≦３ｎｍ  ・・・（式２）
ＴＤＬＣ≦２ｎｍ  ・・・（式３）
ＴＣＮ≦１ｎｍ  ・・・（式４）  式４においてさらに好ましくはＴＣＮ≦０．５ｎｍ
【００６１】
式１を満たすことにより、十分なバリア性を確保することができる。式２を満たすことにより、磁性層１２とフッ化有機膜１５との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。
【００６２】
また、ＣＮ膜１４の表面の水の接触角は５０°以下とすることができるため、フッ化有機膜１５とＣＮ膜１４との密着力を十分に確保することができ、フッ化有機膜１５がＣＮ膜１４から剥離することを抑制できる。なお、より好ましくは、ＣＮ膜１４の表面の水の接触角は４０°以下とすることである。
【００６３】
また、ＣＮ膜１４の硬さは６ＧＰａ〜１５ＧＰａ（好ましくは、８ＧＰａ〜１２ＧＰａ）とすることができるため、ＣＮ膜１４が緻密な膜となり、ＣＮ膜１４のバリア性を高くすることができる。
【００６４】
なお、本実施形態では、図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を説明しているが、図１（Ｂ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて本実施形態の磁気記録媒体を製造することも可能である。
【００６５】
また、本実施形態では、ＣＮ膜１４上にフォンブリン油を塗布し、アニールすることにより、ＣＮ膜１４上にフッ化有機膜１５を形成するが、以下の一対の平行平板型電極を有するプラズマＣＶＤ装置によってフッ化有機膜１５を成膜してもよい。
【００６６】
プラズマＣＶＤ装置は、チャンバーと、このチャンバー内に配置された被処理基板を保持する保持電極と、保持電極に電気的に接続された高周波電源と、保持電極に対向して平行の位置に配置され、接地電位に接続されたガスシャワー電極（対向電極）と、ガスシャワー電極に設けられた複数の原料ガス供給口と、チャンバー１の内部を真空排気する排気ポンプと、後述するＣＶＤ成膜処理を行うように装置を制御する制御部を有している。原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることができる。この有機物原料ガスは３個以上の炭素を含むことが好ましい。
【００６７】
上記のプラズマＣＶＤ装置を用いて図２に示すＣＮ膜１４上にフッ化有機膜１５を形成する方法について説明する。
【００６８】
本方法では、フッ化有機膜１５としてＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＯｄ膜及びＣａＦｂＮｃＯｄ膜のいずれかの膜を用いる。ただし、ａ，ｂ，ｃ，ｄは、自然数である。
【００６９】
以下にＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＯｄ膜及びＣａＦｂＮｃＯｄ膜のいずれかの膜の成膜について詳細に説明する。
被成膜基板をチャンバー内に挿入し、このチャンバー内の保持電極上に被成膜基板を保持する。
【００７０】
次に、排気ポンプによってチャンバー内を真空排気する。次いで、ガスシャワー電極の原料ガス供給口からシャワー状の原料ガスを、チャンバー内に導入して被成膜基板の表面に供給する。この供給された原料ガスは、チャンバーの外側へ排気ポンプによって排気される。そして、原料ガスの供給量と排気のバランスにより、所定の圧力、原料ガス流量に制御することによりチャンバー内を原料ガス雰囲気とし、高周波電源により例えば１３．５６ＭＨｚの高周波（ＲＦ）を印加し、プラズマを発生させることにより被成膜基板のＤＬＣ膜１３の上にＣａＦｂ膜１５を成膜する。この際の成膜条件は、圧力が０．０１Ｐａ〜大気圧、処理温度が常温で、高周波プラズマを形成する際の直流電圧成分が＋１５０Ｖ〜−１５０Ｖ（より好ましくは＋５０Ｖ〜−５０Ｖ）である条件で行うことが好ましい。このように直流電圧成分を低く抑えることにより、フッ化有機膜１５より下層の膜へのプラズマダメージを抑制することができる。
【００７１】
次いで、高周波電源からの電力供給を停止し、ガスシャワー電極の供給口からの原料ガスの供給を停止し、成膜処理を終了する。
【００７２】
上記の原料ガスとしては、炭素とフッ素を含む有機物原料ガスを有するものを用いることが好ましい。
【００７３】
有機物原料ガスの具体例は、以下のとおりである。
フッ化有機膜１５としてＣａＦｂ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６、Ｃ４Ｆ６、Ｃ６Ｆ６、Ｃ６Ｆ１２、Ｃ６Ｆ１４、Ｃ７Ｆ８、Ｃ７Ｆ１４、Ｃ７Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１６、Ｃ８Ｆ１８、Ｃ９Ｆ１８、Ｃ９Ｆ２０、Ｃ１０Ｆ８、Ｃ１０Ｆ１８、Ｃ１１Ｆ２０、Ｃ１２Ｆ１０、Ｃ１３Ｆ２８、Ｃ１５Ｆ３２、Ｃ２０Ｆ４２、及びＣ２４Ｆ５０の少なくとも一つを有するものである。
【００７４】
フッ化有機膜１５としてＣａＦｂＮｃ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ３Ｎ３、Ｃ３Ｆ９Ｎ、Ｃ５Ｆ５Ｎ、Ｃ６Ｆ４Ｎ２、Ｃ６Ｆ９Ｎ３、Ｃ６Ｆ１２Ｎ２、Ｃ６Ｆ１５Ｎ、Ｃ７Ｆ５Ｎ、Ｃ８Ｆ４Ｎ２、Ｃ９Ｆ２１Ｎ、Ｃ１２Ｆ４Ｎ４、Ｃ１２Ｆ２７Ｎ、Ｃ１４Ｆ８Ｎ２、Ｃ１５Ｆ３３Ｎ、Ｃ２４Ｆ４５Ｎ３、及びトリヘプタフルオロプロピルアミンの少なくとも一つを有するものである。
【００７５】
フッ化有機膜１５としてＣａＦｂＯｄ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ３Ｆ６Ｏ、Ｃ４Ｆ６Ｏ３、Ｃ４Ｆ８Ｏ、Ｃ５Ｆ６Ｏ３、Ｃ６Ｆ４Ｏ２、Ｃ６Ｆ１０Ｏ３、Ｃ８Ｆ４Ｏ３、Ｃ８Ｆ８Ｏ、Ｃ８Ｆ８Ｏ２、Ｃ８Ｆ１４Ｏ３、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ、Ｃ１３Ｆ１０Ｏ３、及びＣ２Ｆ６Ｏ（Ｃ３Ｆ６Ｏ）ｎ（ＣＦ２Ｏ）ｍの少なくとも一つを有するものである。
【００７６】
フッ化有機膜１５としてＣａＦｂＮｃＯｄ膜を成膜する場合の有機物原料ガスは、Ｃ７Ｆ５ＮＯを有するものである。
【００７７】
なお、本方法では、高周波電源を用いているが、直流電源またはマイクロ波電源を用いても良い。このように直流電源を用いることで直流プラズマを形成する際の直流電圧は、＋１５０Ｖ〜−１５０Ｖ（より好ましくは＋５０Ｖ〜−５０Ｖ）であることが好ましい。
【００７８】
このようにして被成膜基板のＣＮ膜１４の上に成膜されたＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかのフッ化有機膜１５は、その膜厚が３ｎｍ以下（より好ましくは１ｎｍ以下）であり、水の接触角が大きく撥水性であり、固体潤滑剤として機能する。このフッ化有機膜１５はアモルファス膜であることが好ましい。また、フッ化有機膜１５のヤング率は０．１〜３０ＧＰａであることが好ましい。
【００７９】
＜ＣＮ膜１４の成膜の具体例＞
基板上にＣＮ膜を以下の成膜条件により成膜し、そのＣＮ膜の水の接触角を測定した。これらの結果を図３〜図６に示した。
【００８０】
（ＣＮ膜の成膜条件）
成膜装置  ：  図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置
基板（Sub.）  ：  １５ｍｍ□Ｓｉ（厚さ６２５μｍ）
成膜時間  ：  ２ｓｅｃ×５＝１０ｓｅｃ
ＤＣ電源２０７の電圧（Anode Voltage：Ｖｐ）  ：  ７５Ｖ
ＤＣ電源２０７の電流（Anode Current：Ｉｐ）  ：  １６５０ｍＡ
ＤＣ電源２１２の電圧（Sub. Voltage：Ｖｓ）  ：  −２５０Ｖ
原料ガス  ：  Ｃ７Ｈ８＋Ｎ２
Ｃ７Ｈ８＋Ｎ２の合計ガス流量  ：  ８ｓｃｃｍ
圧力  ：  ０．５Ｐａ
カソードフィラメント２０３  ：  タンタルフィラメント
交流電源２０５の出力  ：  ２３０Ｗ
外部磁場  ：  ５０Ｇ
【００８１】
（水の接触角の測定）
装置  ：  協和界面株式会社製接触角計ＤｒｏｐＭａｓｔｅｒ３００
測定方法  ：  液滴法
解析方法  ：  θ／２法
液量  ：  １μｌ
【００８２】
図３は、窒素ガス流量比（Ｎ２／Ｃ７Ｈ８＋Ｎ２）と成膜速度との関係を示す図である。
図４は、窒素ガス流量比（Ｎ２／Ｃ７Ｈ８＋Ｎ２）と窒素濃度（Ｎ／Ｃ＋Ｎ）との関係を示す図である。
【００８３】
図５は、ＣＮ膜の膜厚を０．５ｎｍ（５オングストローム）とした場合の窒素ガス流量比（Ｎ２／Ｃ７Ｈ８＋Ｎ２）とＣＮ膜の水の接触角との関係を示す図である。
図６は、ＣＮ膜の膜厚を１ｎｍ（１０オングストローム）とした場合の窒素ガス流量比（Ｎ２／Ｃ７Ｈ８＋Ｎ２）とＣＮ膜の水の接触角との関係を示す図である。
【００８４】
図５及び図６それぞれは、成膜直後のＣＮ膜の水の接触角と、ＣＮ膜を純水に浸漬した後の水の接触角と、ＣＮ膜を成膜してから１日経過後の水の接触角を示している。
【００８５】
図５及び図６によれば、ＣＮ膜の水の接触角を５０°以下とすることができたことが確認された。また窒素ガス流量比が０．５以上とした場合に純水浸漬後も接触角の上昇がみられないことが確認された。また窒素ガス流量比が０．７５の条件では、１日後の接触角も５０°以下であった。またＡｒ、或いは窒素プラズマ処理と比較すると、カーボン膜へのダメージが少ないと考えられる。
【００８６】
また、本具体例のＣＮ膜１４の硬さは１０．５ＧＰａ〜１１．０ＧＰａであることが測定によって確認されている。
【００８７】
［第２の実施形態］
以下、第２の実施形態について説明するが、第１の実施形態と同一部分の説明は省略する。本実施形態は、ＤＬＣ膜の表面に窒化処理を行うものである。
【００８８】
＜プラズマＣＶＤ装置＞
第１の実施形態と同様に、図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いる。
【００８９】
＜磁気記録媒体の製造方法＞
図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、磁気記録媒体を製造する方法について説明する。
【００９０】
被成膜基板２０１（図２に示す被成膜基板２に相当）に薄いＤＬＣ膜が成膜されるところまでは第１の実施形態と同様である。そして、被成膜基板２０１に成膜されるＤＬＣ膜の膜厚が所定の厚さ（例えば１ｎｍ）に達した時に、チャンバー２０２内へのトルエンガスの供給を停止し、ガス供給機構によって窒化剤（Ｎ２、ＮＨ３及びＮ２Ｏの少なくとも一つを含むもの）をチャンバー２０２内に供給する。チャンバー内でカソードフィラメント２０３とアノードコーン２０４との間のグロー放電により窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマをＤＬＣ膜に加速衝突させて当該ＤＬＣ膜の表面を窒化処理することによりＤＬＣ膜の表面に窒素を導入する。
【００９１】
このようにして被成膜基板２０１の上にＤＬＣ膜が形成され、このＤＬＣ膜の表面に窒素が導入される。
【００９２】
この後、第１の実施形態と同様の方法により、ＤＬＣ膜上には固体潤滑剤として機能するフッ化有機膜が形成される。
【００９３】
本実施形態によれば、ガス供給機構によって原料ガスとしてのトルエンガスをチャンバー２０２内に供給し、このチャンバー２０２内でカソードフィラメント２０３とアノードコーン２０４との間の放電によりトルエンガスをプラズマ状態とし、このプラズマを保持部に保持された被成膜基板２０１の表面に加速衝突させてＤＬＣ膜を成膜し、ガス供給機構によって窒化剤をチャンバー２０１内に供給し、チャンバー２０１内でカソードフィラメント２０３とアノードコーン２０４との間の放電により窒化剤をプラズマ状態とし、このプラズマをＤＬＣ膜に加速衝突させてＤＬＣ膜の表面を窒化処理することによりＤＬＣ膜の表面に窒素を導入する。これに対し、従来技術では、被成膜基板上にＤＬＣ膜をプラズマＣＶＤ装置により成膜し、このＤＬＣ膜上にＣＮ膜をスパッタリング装置により成膜する。つまり、本実施形態では、ＤＬＣ膜の成膜とそのＤＬＣ膜の表面窒化処理を図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置で連続的に行うため、製造効率を高くできるのに対し、従来技術では、ＤＬＣ膜とＣＮ膜を別々の装置で成膜するため、製造効率が低くなる。
【００９４】
また、本実施形態では、ＤＬＣ膜の表面を窒化処理するため、スパッタリング装置によって成膜した従来技術のＣＮ膜に比べて高密度なものとすることができる。このため、従来技術のＣＮ膜に比べて、磁性層からＣｒなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜に到達する（いわゆるコロージョン）のを防ぐためのバリア性を持たせることができる。従って、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。
【００９５】
また、ＤＬＣ膜の表面を窒化処理することによりＤＬＣ膜の表面の水の接触角を低くすることができるため、フッ化有機膜と当該ＤＬＣ膜との密着力を十分に確保することができ、フッ化有機膜が当該ＤＬＣ膜から剥離することを抑制できる。
【００９６】
なお、本実施形態では、ＤＬＣ膜の表面に窒素を導入した後に、ＤＬＣ膜上にフッ化有機膜を形成しているが、ＤＬＣ膜の表面に窒素を導入し、そのＤＬＣ膜上に第１の実施形態と同様のＣＮ膜を成膜した後に、そのＣＮ膜上にフッ化有機膜を形成してもよい。
【００９７】
また、本実施形態では、図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を説明しているが、図１（Ｂ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて本実施形態の磁気記録媒体を製造することも可能である。
【００９８】
＜ＤＬＣ膜の表面窒化処理の具体例＞
基板上にＤＬＣ膜を以下の成膜条件により成膜し、そのＤＬＣ膜の表面に以下の条件により窒化処理を行い、その窒化処理後のＤＬＣ膜の表面の水の接触角を測定した。これらの結果を図７〜図１０に示した。
【００９９】
（ＤＬＣ膜の成膜条件）
成膜装置  ：  図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置
基板（Sub.）  ：  １５ｍｍ□Ｓｉ（厚さ６２５μｍ）
成膜時間  ：  １ｓｅｃ
ＤＣ電源２０７の電圧（Anode Voltage：Ｖｐ）  ：  ７５Ｖ
ＤＣ電源２０７の電流（Anode Current：Ｉｐ）  ：  １６５０ｍＡ
ＤＣ電源２１２の電圧（Sub. Voltage：Ｖｓ）  ：  ２５０Ｖ
原料ガス  ：  Ｃ７Ｈ８
Ｃ７Ｈ８のガス流量  ：  ３．２５ｓｃｃｍ
圧力  ：  ０．３Ｐａ
カソードフィラメント２０３  ：  タンタルフィラメント
交流電源２０５の出力  ：  ２３０Ｗ
外部磁場  ：  ５０Ｇ
【０１００】
（ＤＬＣ膜の窒化処理条件）
装置  ：  図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置
処理時間  ：  ０．５〜２．０ｓｅｃ
ＤＣ電源２０７の電圧（Anode Voltage：Ｖｐ）  ：  １００Ｖ
ＤＣ電源２１２の電圧（Sub. Voltage：Ｖｓ）  ：  ０（アース）〜２５０Ｖ
処理ガス  ：  Ｎ２
Ｎ２のガス流量  ：  ２〜７ｓｃｃｍ
圧力  ：  ０．２〜０．５Ｐａ
カソードフィラメント２０３  ：  タンタルフィラメント
交流電源２０５の出力  ：  ２３０Ｗ
外部磁場  ：  ５０Ｇ
【０１０１】
（水の接触角の測定）
第１の実施形態と同様
【０１０２】
図７は、窒化処理時のＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）及び処理時間それぞれを−１５０Ｖ及び１ｓｅｃとした場合の窒素ガス流量と水の接触角との関係を示す図である。
図８は、窒化処理時の窒素ガス流量及び処理時間それぞれを２ｓｃｃｍ及び１ｓｅｃとした場合のＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）と水の接触角との関係を示す図である。
図９は、窒化処理時の窒素ガス流量及びＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）それぞれを２ｓｃｃｍ及び−１５０Ｖとした場合の処理時間と水の接触角との関係を示す図である。
【０１０３】
図７〜図９それぞれは、窒素プラズマ処理直後のＤＬＣ膜の水の接触角と、窒素プラズマ処理したＤＬＣ膜を純水に浸漬した後の水の接触角と、窒素プラズマ処理してから１日経過後の水の接触角を示している。
【０１０４】
図１０は、窒化処理時のＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）、窒素ガス流量及び処理時間それぞれを−５０Ｖ、７ｓｃｃｍ及び１．５ｓｅｃとした場合の窒化処理直後のＤＬＣ膜の水の接触角と、ＤＬＣ膜を純水に浸漬した後の水の接触角と、窒化処理してから１日経過後の水の接触角を示す図である。図１０によれば、ＤＬＣ膜の水の接触角が５０°以下となることが確認された。
【０１０５】
［第３の実施形態］
以下、第３の実施形態について説明するが、第１の実施形態と同一部分の説明は省略する。本実施形態は、ＤＬＣ膜の表面にＡｒ処理を行うものである。
【０１０６】
＜プラズマＣＶＤ装置＞
第１の実施形態と同様に、図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いる。
【０１０７】
＜磁気記録媒体の製造方法＞
図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、磁気記録媒体を製造する方法について説明する。
【０１０８】
被成膜基板２０１（図２に示す被成膜基板２に相当）に薄いＤＬＣ膜が成膜されるところまでは第１の実施形態と同様である。そして、被成膜基板２０１に成膜されるＤＬＣ膜の膜厚が所定の厚さ（例えば１ｎｍ）に達した時に、チャンバー２０２内へのトルエンガスの供給を停止し、ガス供給機構によってＡｒガスをチャンバー２０２内に供給する。チャンバー内でカソードフィラメント２０３とアノードコーン２０４との間のグロー放電によりＡｒガスをプラズマ状態とし、このプラズマをＤＬＣ膜に加速衝突させて当該ＤＬＣ膜の表面をＡｒ処理する。この際、チャンバー２０２の内面及びカソードフィラメント２０３の表面に付着した原料ガスやＤＬＣ膜を除去することができる（クリーニング効果）。
【０１０９】
このようにして被成膜基板２０１の上にＤＬＣ膜が形成され、このＤＬＣ膜の表面をＡｒ処理する。
【０１１０】
この後、第１の実施形態と同様の方法により、ＤＬＣ膜上には固体潤滑剤として機能するフッ化有機膜が形成される。
【０１１１】
本実施形態では、ＤＬＣ膜の成膜とそのＤＬＣ膜の表面Ａｒ処理を図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置で連続的に行うため、製造効率を高くできるのに対し、従来技術では、ＤＬＣ膜とＣＮ膜を別々の装置で成膜するため、製造効率が低くなる。
【０１１２】
また、本実施形態では、ＤＬＣ膜の表面をＡｒ処理するため、スパッタリング装置によって成膜した従来技術のＣＮ膜に比べて高密度なものとすることができる。このため、従来技術のＣＮ膜に比べて、磁性層からＣｒなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜に到達する（いわゆるコロージョン）のを防ぐためのバリア性を持たせることができる。従って、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。
【０１１３】
また、ＤＬＣ膜の表面をＡｒ処理することによりＤＬＣ膜の表面の水の接触角を低くすることができるため、フッ化有機膜と当該ＤＬＣ膜との密着力を十分に確保することができ、フッ化有機膜が当該ＤＬＣ膜から剥離することを抑制できる。
【０１１４】
また、ＤＬＣ膜の表面をＡｒ処理する際に、チャンバー２０２の内面及びカソードフィラメント２０３の表面に付着した原料ガスやＤＬＣ膜を除去するクリーニング効果を奏するため、プラズマＣＶＤ装置の連続稼働時間を長くすることができる。これにより、製造効率を向上できる。
【０１１５】
なお、本実施形態では、図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を説明しているが、図１（Ｂ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて本実施形態の磁気記録媒体を製造することも可能である。
【０１１６】
＜ＤＬＣ膜の表面Ａｒ処理の具体例＞
基板上にＤＬＣ膜を以下の成膜条件により成膜し、そのＤＬＣ膜の表面に以下の条件によりＡｒ処理を行い、そのＡｒ処理後のＤＬＣ膜の表面の水の接触角を測定した。これらの結果を図１１〜図１３に示した。
【０１１７】
（ＤＬＣ膜の成膜条件）
第２の実施形態のＤＬＣ膜の成膜条件と同様
【０１１８】
（ＤＬＣ膜のＡｒ処理条件）
装置  ：  図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置
処理時間  ：  ０．５〜２ｓｅｃ
ＤＣ電源２０７の電圧（Anode Voltage：Ｖｐ）  ：  １００Ｖ
ＤＣ電源２１２の電圧（Sub. Voltage：Ｖｓ）  ：  ０（アース）〜２５０Ｖ
処理ガス  ：  Ａｒ
Ａｒのガス流量  ：  ２〜８ｓｃｃｍ
圧力  ：  ０．２〜０．５Ｐａ
カソードフィラメント２０３  ：  タンタルフィラメント
交流電源２０５の出力  ：  ２３０Ｗ
外部磁場  ：  ５０Ｇ
【０１１９】
（水の接触角の測定）
第１の実施形態と同様
【０１２０】
図１１は、Ａｒ処理時のＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）及び処理時間それぞれを−１５０Ｖ及び１ｓｅｃとした場合のＡｒガス流量と水の接触角との関係を示す図である。
図１２は、Ａｒ処理時のＡｒガス流量及び処理時間それぞれを２ｓｃｃｍ及び１ｓｅｃとした場合のＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）と水の接触角との関係を示す図である。
図１３は、Ａｒ処理時のＡｒガス流量及びＤＣ電源２１２の電圧（Ｖｓ）それぞれを２ｓｃｃｍ及び−１５０Ｖとした場合の処理時間と水の接触角との関係を示す図である。
【０１２１】
図１１〜図１３それぞれは、Ａｒプラズマ処理直後のＤＬＣ膜の水の接触角と、Ａｒプラズマ処理したＤＬＣ膜を純水に浸漬した後の水の接触角と、Ａｒプラズマ処理してから１日経過後の水の接触角を示している。
【０１２２】
［第４の実施形態］
以下、第４の実施形態について説明するが、第１の実施形態と同一部分の説明は省略する。本実施形態は、ＤＬＣ膜の表面に窒化処理及びＡｒ処理を行うものである。
【０１２３】
＜プラズマＣＶＤ装置＞
第１の実施形態と同様に、図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いる。
【０１２４】
＜磁気記録媒体の製造方法＞
図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて、磁気記録媒体を製造する方法について説明する。
【０１２５】
被成膜基板２０１（図２に示す被成膜基板２に相当）に薄いＤＬＣ膜が成膜されるところまでは第１の実施形態と同様である。そして、被成膜基板２０１に成膜されるＤＬＣ膜の膜厚が所定の厚さ（例えば１ｎｍ）に達した時に、チャンバー２０２内へのトルエンガスの供給を停止し、ガス供給機構によって窒素ガス及びＡｒガスをチャンバー２０２内に供給する。この際の流量比は、例えば窒素ガス３５％とＡｒガス６５％であってもよいし、窒素ガス５０％とＡｒガス５０％であってもよい。チャンバー内でカソードフィラメント２０３とアノードコーン２０４との間のグロー放電により窒素ガス及びＡｒガスをプラズマ状態とし、このプラズマをＤＬＣ膜に加速衝突させて当該ＤＬＣ膜の表面を窒化処理及びＡｒ処理する。この際のＡｒ処理によりチャンバー２０２の内面及びカソードフィラメント２０３の表面に付着した原料ガスやＤＬＣ膜を除去することができる（クリーニング効果）。
【０１２６】
このようにして被成膜基板２０１の上にＤＬＣ膜が形成され、このＤＬＣ膜の表面を窒化処理及びＡｒ処理する。
【０１２７】
この後、第１の実施形態と同様の方法により、ＤＬＣ膜上には固体潤滑剤として機能するフッ化有機膜が形成される。
【０１２８】
本実施形態では、ＤＬＣ膜の成膜とそのＤＬＣ膜の表面窒化処理及び表面Ａｒ処理を図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置で連続的に行うため、製造効率を高くできるのに対し、従来技術では、ＤＬＣ膜とＣＮ膜の成膜を別々の装置で成膜するため、製造効率が低くなる。
【０１２９】
また、本実施形態では、ＤＬＣ膜の表面を窒化処理及びＡｒ処理するため、スパッタリング装置によって成膜した従来技術のＣＮ膜に比べて高密度なものとすることができる。このため、従来技術のＣＮ膜に比べて、磁性層からＣｒなどの不純物が溶け出してフッ化有機膜に到達する（いわゆるコロージョン）のを防ぐためのバリア性を持たせることができる。従って、磁性層とフッ化有機膜との間の膜の厚さを従来のものより薄くすることができる。
【０１３０】
また、ＤＬＣ膜の表面を窒化処理及びＡｒ処理することによりＤＬＣ膜の表面の水の接触角を低くすることができるため、フッ化有機膜と当該ＤＬＣ膜との密着力を十分に確保することができ、フッ化有機膜が当該ＤＬＣ膜から剥離することを抑制できる。
【０１３１】
また、ＤＬＣ膜の表面をＡｒ処理することにより、チャンバー２０２の内面及びカソードフィラメント２０３の表面をクリーニングするため、プラズマＣＶＤ装置の連続稼働時間を長くすることができ、それにより、製造効率を向上できる。
【０１３２】
なお、本実施形態では、図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いた磁気記録媒体の製造方法を説明しているが、図１（Ｂ）に示すプラズマＣＶＤ装置を用いて本実施形態の磁気記録媒体を製造することも可能である。
【０１３３】
［第１〜第４の実施形態に対する比較例］
【０１３４】
＜標準成膜条件によるカーボン膜＞
基板上にカーボン膜を以下の成膜条件により成膜し、チャンバーの内面及びカソードフィラメントの表面をＡｒガスプラズマによって以下の条件によりクリーニングした後のカーボン膜の表面の水の接触角を測定した。この結果を図１４に示した。
【０１３５】
（カーボン膜の成膜条件）
成膜装置  ：  図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置
基板（Sub.）  ：  １５ｍｍ□Ｓｉ（厚さ６２５μｍ）
成膜時間  ：  １ｓｅｃ
膜厚  ：  ２ｎｍ
ＤＣ電源２０７の電圧（Anode Voltage：Ｖｐ）  ：  ７５Ｖ
ＤＣ電源２０７の電流（Anode Current：Ｉｐ）  ：  １６５０ｍＡ
ＤＣ電源２１２の電圧（Sub. Voltage：Ｖｓ）  ：  −２５０Ｖ
原料ガス  ：  Ｃ７Ｈ８
Ｃ７Ｈ８のガス流量  ：  ３．２５ｓｃｃｍ
圧力  ：  ０．３Ｐａ
カソードフィラメント２０３  ：  タンタルフィラメント
交流電源２０５の出力  ：  ２３０Ｗ
外部磁場  ：  ５０Ｇ
【０１３６】
（クリーニング条件）
成膜装置  ：  図１（Ａ）に示すプラズマＣＶＤ装置
クリーニング時間  ：  １ｓｅｃ
ＤＣ電源２０７の電圧（Anode Voltage：Ｖｐ）  ：  １００Ｖ
ＤＣ電源２１２の電圧（Sub. Voltage：Ｖｓ）  ：  ０Ｖ（フロート）
ガス  ：  Ａｒ
Ａｒガス流量  ：  ２ｓｃｃｍ
圧力  ：  ０．２〜０．５Ｐａ
カソードフィラメント２０３  ：  タンタルフィラメント
交流電源２０５の出力  ：  ２３０Ｗ
外部磁場  ：  ５０Ｇ
【０１３７】
（水の接触角の測定）
第１の実施形態と同様
【０１３８】
図１４は、成膜直後のカーボン膜の水の接触角と、カーボン膜を純水に浸漬した後の水の接触角と、カーボン膜を成膜してから１日経過後の水の接触角を示す図である。
【符号の説明】
【０１３９】
１１…非磁性基板
１２…磁性層
１３…ＤＬＣ膜
１４…ＣＮ膜
１５…フッ化有機膜、ＣａＦｂ膜、ＣａＦｂＮｃ膜、ＣａＦｂＨｄ膜、ＣａＦｂＯｅ膜、ＣａＦｂＯｅＨｄ膜、ＣａＦｂＮｃＯｅ膜及びＣａＦｂＮｃＯｅＨｄ膜のいずれかの膜
１００…被成膜基板
１０１…非磁性基板
１０２…磁性層
１０３…ＤＬＣ膜
１０４…ＣＮ膜
１０５…フッ化有機膜
２０１…被成膜基板
２０２…チャンバー
２０３…カソード電極（カソードフィラメント）
２０４，２０４ａ…アノード電極（アノードコーン）
２０５…カソード電源（交流電源）
２０６…アース
２０７…アノード電源（ＤＣ電源，直流電源）
２０８…インナーシールド
２０８ａ…膜厚補正板
２０９…ネオジウム磁石
２１０…磁石中心
２１１…筒方向の中心を通る内径
２１２…バイアス電源（ＤＣ電源，直流電源）
【図１】
2014114492.tif 000003
【図２】
2014114492.tif 000004
【図３】
2014114492.tif 000005
【図４】
2014114492.tif 000006
【図５】
2014114492.tif 000007
【図６】
2014114492.tif 000008
【図７】
2014114492.tif 000009
【図８】
2014114492.tif 000010
【図９】
2014114492.tif 000011
【図１０】
2014114492.tif 000012
【図１１】
2014114492.tif 000013
【図１２】
2014114492.tif 000014
【図１３】
2014114492.tif 000015
【図１４】
2014114492.tif 000016
【図１５】
2014114492.tif 000017