(57)【要約】【課題】液晶中の不純物を効率的にトラップ可能な液晶装置、液晶装置の製造方法、電子機器を提供すること。【解決手段】液晶装置１００は、一対の基板と、対向配置された一対の基板を接着し、一対の基板間に液晶を注入するための第１注入口４２が設けられた第１シール部４１と、第１シール部４１よりも内側に配置され、第１シール部４１の第１注入口４２が設けられた辺部以外の辺部側において画素領域Ｅに連通する第２注入口４４を有して液晶の迂回進入経路４５を第１シール部４１との間で構成する第２シール部４３と、一対の基板の液晶側にそれぞれ設けられた無機配向膜１８，２４と、を有し、一対の基板の少なくとも一方において、迂回進入経路４５の無機配向膜は、画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４よりも膜密度が小さい部分を有する。【選択図】図１
2014010210.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一対の基板と、
対向配置された前記一対の基板を接着し、前記一対の基板間に液晶を注入するための第１注入口が設けられた第１シール部と、
前記第１シール部よりも内側に配置され、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において画素領域に連通する第２注入口を有して前記液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部と、
前記一対の基板の前記液晶側にそれぞれ設けられた無機配向膜と、を有し、
前記一対の基板の少なくとも一方において、前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記画素領域における前記無機配向膜よりも膜密度が小さい部分を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記迂回進入経路のうち前記第１注入口に近い側に前記無機配向膜の膜密度が小さい部分を有することを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記無機配向膜は、前記画素領域と前記迂回進入経路とに亘って形成された第１無機配向膜と、前記画素領域の前記第１無機配向膜に積層され、前記第１無機配向膜よりも膜密度が大きい第２無機配向膜とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記無機配向膜は、前記画素領域と前記迂回進入経路とに亘って形成された第２無機配向膜と、前記迂回進入経路の前記第２無機配向膜に積層され、前記第２無機配向膜よりも膜密度が小さい第１無機配向膜とを有することを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記無機配向膜は、前記迂回進入経路に形成された第１無機配向膜と、前記画素領域に形成され、前記第１無機配向膜よりも膜密度が大きい第２無機配向膜とを有することを特徴とすることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項６】
一対の基板の少なくとも一方において、画素領域と前記画素領域の周辺に亘って第１無機配向膜を形成する工程と、
前記画素領域に前記第１無機配向膜よりも膜密度が大きい第２無機配向膜を形成する工程と、
前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、
前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、
前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、
前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項７】
一対の基板の少なくとも一方において、画素領域と前記画素領域の周辺に亘って第２無機配向膜を形成する工程と、
前記画素領域の周辺に前記第２無機配向膜よりも膜密度が小さい第１無機配向膜を形成する工程と、
前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、
前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、
前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、
前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項８】
一対の基板の少なくとも一方において、画素領域の周辺に第１無機配向膜を形成する工程と、
前記画素領域に前記第１無機配向膜よりも膜密度が大きい第２無機配向膜を形成する工程と、
前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、
前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、
前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、
前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
減圧下で無機配向膜形成材料を斜方蒸着することにより前記第１無機配向膜、前記第２無機配向膜が形成され、
前記第１無機配向膜を形成する工程は、前記第２無機配向膜を形成する工程に対して、斜方蒸着時の圧力、蒸着レート、基板温度のうち少なくとも１つの条件を異ならせることを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の液晶装置を備えたことを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、液晶装置の製造方法、液晶装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶装置は、一対の基板間に挟持された液晶層を有している。液晶装置の製造過程において液晶層に不純物が混じると、不純物の影響で初期的な表示欠陥が生じたり、焼き付きなど長期間に渡っての表示品質の確保が困難になるといった信頼性に纏わる課題が生ずるおそれがあった。
【０００３】
このような不純物による液晶層の汚染を低減するために、特許文献１〜特許文献３には、一対の基板間に液晶を注入するにあたって、専用の流入経路を設け、流入経路の配向膜に不純物をトラップさせ、表示領域に不純物を到達させ難くする方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１−２３７６２０号公報
【特許文献２】特開平６−１７５１４２号公報
【特許文献３】特開２００２−３５０８８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、例えば液晶装置が小型化すると十分な専用の流入経路を設けることが困難になり、流入経路の配向膜に不純物を効率的にトラップさせることができなくなるという課題があった。
また、不純物をトラップさせる配向膜として上記特許文献に示されているポリイミド系の有機配向膜を用いた場合、有機配向膜は外光や照明装置などの光によって劣化し易く、有機配向膜の劣化に伴って一旦トラップされた不純物が表示領域に拡散して、表示品質を低下させるおそれがあった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、一対の基板と、対向配置された前記一対の基板を接着し、前記一対の基板間に液晶を注入するための第１注入口が設けられた第１シール部と、前記第１シール部よりも内側に配置され、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において画素領域に連通する第２注入口を有して前記液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部と、前記一対の基板の前記液晶側にそれぞれ設けられた無機配向膜と、を有し、前記一対の基板の少なくとも一方において、前記迂回進入経路の前記無機配向膜は、前記画素領域における前記無機配向膜よりも膜密度が小さい部分を有することを特徴とする。
【０００８】
本適用例の構成によれば、無機配向膜の膜密度が小さい部分は、基板に対して無機配向膜形成材料が充分に成膜されていない隙間を有する状態となっている。したがって、無機配向膜形成材料が充分に成膜された部分と比べて、実質的な表面積が大きくなっている。ゆえに、迂回進入経路における膜密度が小さい無機配向膜の部分によって、液晶中に含まれる不純物を効率的にトラップすることができる。
また、無機配向膜は有機配向膜に比べて耐光性に優れるので、トラップされた不純物が画素領域に拡散することを低減し、安定した表示品質を有する液晶装置を提供できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記迂回進入経路のうち前記第１注入口に近い側に前記無機配向膜の膜密度が小さい部分を有することが好ましい。
この構成によれば、第１注入口に近い側、すなわち画素領域に連通する第２注入口から離れた側に無機配向膜の膜密度が小さい部分を有しているので、不純物がトラップされ純度が高くなった液晶が画素領域に注入される。すなわち、不純物に起因する表示不良をより低減することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記無機配向膜は、前記画素領域と前記迂回進入経路とに亘って形成された第１無機配向膜と、前記画素領域の前記第１無機配向膜に積層され、前記第１無機配向膜よりも膜密度が大きい第２無機配向膜とを有することが好ましい。
この構成によれば、画素領域は膜密度が高い第２無機配向膜で覆われるので、安定した表示品質が得られる。つまり、膜密度が小さい第１無機配向膜による表示品質への影響を受け難い。
【００１１】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記無機配向膜は、前記画素領域と前記迂回進入経路とに亘って形成された第２無機配向膜と、前記迂回進入経路の前記第２無機配向膜に積層され、前記第２無機配向膜よりも膜密度が小さい第１無機配向膜とを有することが好ましい。
この構成によれば、膜密度が小さい第１無機配向膜に対して基板側に膜密度が大きい第２無機配向膜が存在するため、基板周辺からの水分等の浸入による表示品質の劣化が生じ難い。
【００１２】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記無機配向膜は、前記迂回進入経路に形成された第１無機配向膜と、前記画素領域に形成され、前記第１無機配向膜よりも膜密度が大きい第２無機配向膜とを有するとしてもよい。
この構成によれば、第１無機配向膜と第２無機配向膜とが積層される場合に比べて、画素領域と迂回進入経路との境界において段差が生じ難い。したがって、画素領域と迂回進入経路との境界に第２シール部を配置したとしても、対向配置された一対の基板の隙間を一定に保つことが容易となる。
【００１３】
［適用例６］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板の少なくとも一方において、画素領域と前記画素領域の周辺に亘って第１無機配向膜を形成する工程と、前記画素領域に前記第１無機配向膜よりも膜密度が大きい第２無機配向膜を形成する工程と、前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１４】
本適用例の液晶装置の製造方法によれば、画素領域の周辺に位置する迂回進入経路には画素領域の第２無機配向膜よりも膜密度が小さい第１無機配向膜が形成されるので、液晶の注入時に迂回進入経路において液晶中に含まれる不純物を効果的にトラップすることができる。また、無機配向膜は有機配向膜に比べて耐光性に優れるので、トラップされた不純物が画素領域に拡散することを低減し、安定した表示品質を有する液晶装置を製造することができる。
【００１５】
［適用例７］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板の少なくとも一方において、画素領域と前記画素領域の周辺に亘って第２無機配向膜を形成する工程と、前記画素領域の周辺に前記第２無機配向膜よりも膜密度が小さい第１無機配向膜を形成する工程と、前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１６】
本適用例の液晶装置の製造方法によれば、液晶中に含まれる不純物が迂回進入経路に形成された第１無機配向膜によってトラップされ、安定した表示品質を有する液晶装置を製造することができる。また、第１無機配向膜よりも先に基板に膜密度が大きい第２無機配向膜が形成されるので、基板周辺からの水分等の浸入に対して耐性を有する液晶装置を製造することができる。
【００１７】
［適用例８］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、一対の基板の少なくとも一方において、画素領域の周辺に第１無機配向膜を形成する工程と、前記画素領域に前記第１無機配向膜よりも膜密度が大きい第２無機配向膜を形成する工程と、前記一対の基板うちいずれか一方に、第１注入口を有する第１シール部を形成する工程と、前記第１シール部よりも内側であって、前記第１シール部の前記第１注入口が設けられた辺部以外の辺部側において前記画素領域に連通する第２注入口を有して液晶の迂回進入経路を前記第１シール部との間で構成する第２シール部を形成する工程と、前記一対の基板を対向配置し、前記第１シール部と前記第２シール部とにより接着する工程と、前記第１注入口から前記迂回進入経路を経由して前記一対の基板の隙間に前記液晶を注入する液晶注入工程と、を備えたことを特徴とする。
【００１８】
本適用例の液晶装置の製造方法によれば、液晶中に含まれる不純物が迂回進入経路に形成された第１無機配向膜によってトラップされ、安定した表示品質を有する液晶装置を製造することができる。
【００１９】
［適用例９］上記適用例に係る液晶装置の製造方法において、減圧下で無機配向膜形成材料を斜方蒸着することにより前記第１無機配向膜、前記第２無機配向膜が形成され、前記第１無機配向膜を形成する工程は、前記第２無機配向膜を形成する工程に対して、斜方蒸着時の圧力、蒸着レート、基板温度のうち少なくとも１つの条件を異ならせることを特徴とする。
この方法によれば、比較的容易に第１無機配向膜と第２無機配向膜とを作り分けることができる。
【００２０】
［適用例１０］本適用例に係る電子機器は、上記適用例の液晶装置を備えたことを特徴とする。
これによれば、液晶中の不純物による影響を受け難く、安定した表示品質を有する電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図。
【図２】（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態の液晶装置における無機配向膜を示す概略平面図。
【図３】画素領域における無機配向膜及び液晶分子の配向状態を示す概略断面図。
【図４】液晶装置の製造方法を示すフローチャート。
【図５】斜方蒸着装置の構成を示す概略図。
【図６】斜方蒸着時のワークと蒸着用マスクとの関係を示す図。
【図７】（ａ）〜（ｃ）は、素子基板側の無機配向膜の形成方法を示す概略図。
【図８】（ａ）及び（ｂ）は貼り合わせ工程と液晶注入・封止工程を説明する概略図。
【図９】（ａ）はマザー基板の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ’線に沿った概略断面図。
【図１０】（ａ）〜（ｃ）は第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略図。
【図１１】（ａ）〜（ｃ）は第３実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略図。
【図１２】斜方蒸着における圧力、蒸着レート、基板温度のいずれかの条件を変えたときの無機配向膜の膜密度を示す表。
【図１３】（ａ）及び（ｂ）は無機配向膜の表面が示された電子顕微鏡写真。
【図１４】電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１５】（ａ）〜（ｃ）は変形例の膜密度が小さい無機配向膜の配置を示す概略平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２３】
なお、以下の形態において、「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２４】
（第１実施形態）
本実施形態では、薄膜トランジスター（Thin Film Transistor；ＴＦＴ）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２５】
＜液晶装置＞
まず、本実施形態の液晶装置について、図１〜図３を参照して説明する。図１（ａ）は第１実施形態の液晶装置の構成を示す概略平面図、図１（ｂ）は図１（ａ）に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う概略断面図、図２（ａ）及び（ｂ）は第１実施形態の液晶装置における無機配向膜を示す概略平面図、図３は画素領域における無機配向膜及び液晶分子の配向状態を示す概略断面図である。
【００２６】
図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０及び対向基板２０と、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０とを有する。素子基板１０の基材１０ａ及び対向基板２０の基材２０ａは、いずれも透明な例えば石英基板やガラス基板が用いられている。
【００２７】
本発明における一方の基板としての素子基板１０は他方の基板としての対向基板２０よりも大きく、両基板は、対向基板２０の外縁に沿って配置された第１シール部４１と、第１シール部４１よりも内側に配置された第２シール部４３とを介して接着され、その隙間に負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０が構成されている。第１シール部４１及び第２シール部４３は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。第１シール部４１及び第２シール部４３には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２８】
第２シール部４３の内側に複数の画素Ｐが配列した画素領域Ｅが設けられている。また、第１シール部４１と画素領域Ｅとの間に画素領域Ｅを取り囲んで見切り部２１が設けられている。見切り部２１は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなる。なお、画素領域Ｅは、表示に寄与する複数の画素Ｐに加えて、複数の画素Ｐを囲むように配置されたダミー画素を含むとしてもよい。また、図１では図示省略したが、画素領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光部（ブラックマトリックス；ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００２９】
素子基板１０には、複数の外部接続端子１０４が設けられている。複数の外部接続端子１０４が配列した素子基板１０の部分を第１の辺部と呼ぶ。
素子基板１０の上記第１の辺部に沿った第１シール部４１との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、第１の辺部に対向する第２の辺部に沿った第１シール部４１と第２シール部４３との間に検査回路１０３が設けられている。さらに、第１の辺部と直交し互いに対向する第３及び第４の辺部に沿った第１シール部４１と第２シール部４３との間にそれぞれ走査線駆動回路１０２が設けられている。第２の辺部の第１シール部４１と第２シール部４３との間には、２つの走査線駆動回路１０２を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。
【００３０】
これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２に繋がる配線は、第１の辺部に沿って配列した複数の外部接続端子１０４に接続されている。以降、第１の辺部に沿った方向をＸ方向とし、第３の辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。なお、検査回路１０３の配置はこれに限定されず、データ線駆動回路１０１と画素領域Ｅとの間において第１シール部４１と第２シール部４３との間に設けてもよい。
【００３１】
図１（ｂ）に示すように、基材１０ａの液晶層５０側の表面には、画素Ｐごとに設けられた、例えばＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）などの透明導電膜からなる透光性の画素電極１５及びスイッチング素子である薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと呼称する）３０と、信号配線と、これらを覆う無機配向膜１８とが形成されている。また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における基板としての素子基板１０は、少なくとも基材１０ａと、基材１０ａ上に形成された画素電極１５、ＴＦＴ３０、信号配線、無機配向膜１８を含むものである。
【００３２】
素子基板１０に対向配置される対向基板２０は、少なくとも基材２０ａと、基材２０ａ上に形成された見切り部２１と、これを覆うように成膜された平坦化層２２と、平坦化層２２を覆うように設けられた共通電極２３と、共通電極２３を覆う無機配向膜２４とを含むものである。
【００３３】
見切り部２１は、図１（ａ）に示すように画素領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路１０２、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮蔽して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３４】
平坦化層２２は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して見切り部２１を覆うように設けられている。このような平坦化層２２の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００３５】
共通電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、平坦化層２２を覆うと共に、図１（ａ）に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００３６】
画素電極１５を覆う無機配向膜１８及び共通電極２３を覆う無機配向膜２４は、ＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を気相成長法（蒸着法やスパッタ法など）を用いて成膜することで得られ、負の誘電異方性を有する液晶分子を膜面に対して略垂直配向させるものである。
【００３７】
このような液晶装置１００は透過型であって、画素Ｐが非駆動時に明表示となるノーマリーホワイトモードや、非駆動時に暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。本実施形態ではノーマリーブラックモードが採用されている。
【００３８】
本実施形態の液晶装置１００は、上述したように一対の基板が第１シール部４１と第２シール部４３とによって接着された二重シール構造が採用されている。外側の第１シール部４１のデータ線駆動回路１０１に沿った長辺部に第１注入口４２が設けられている。内側の第２シール部４３の検査回路１０３に沿った長辺部に第２注入口４４が設けられている。第１シール部４１と第２シール部４３とにより画素領域Ｅを取り囲んだ液晶の迂回進入経路４５が構成されている。負の誘電異方性を有する液晶（液晶分子）は、真空注入法を用いて第１注入口４２から注入され、迂回進入経路４５を経て第２注入口４４から画素領域Ｅに充填される。液晶が注入された後に、第１注入口４２は、例えば紫外線硬化型のアクリル系樹脂からなる封止材１０８によって封止される。
【００３９】
また、本実施形態では、画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４の膜密度に対して、迂回進入経路４５における無機配向膜の膜密度を小さくしている。膜密度が小さい無機配向膜は、画素領域Ｅの無機配向膜１８，２４に比べて凹凸が多くなり、実質的な表面積を増やすことができる。これにより、液晶中に不純物が含まれていた場合、液晶注入時に当該不純物を上記迂回進入経路４５の無機配向膜で効率的にトラップすることが可能となる。
なお、「不純物」とは、液晶自体に本来含まれない金属などの無機物や樹脂などの有機物、またはこれらの混合物、あるいはこれらのイオン性物質を指し、主に液晶装置１００の製造の過程で注入前の液晶に含まれるものを指す。
【００４０】
次に、図２を参照して無機配向膜について説明する。図２（ａ）に示すように、素子基板１０側では、画素領域Ｅよりも一回り大きな第１領域Ｅ１に本発明における第２無機配向膜としての無機配向膜１８が形成されている。無機配向膜１８の配向処理方向は、四角形の基材１０ａの右上から左下に向かう実線の矢印で示す方向である。Ｙ方向と当該配向処理方向とがなす角度θａはおよそ４５度である。当該配向処理方向は、無機配向膜１８を成膜するときの成膜方向における方位にほぼ合致している。
【００４１】
第１領域Ｅ１を取り囲む周辺領域である第２領域Ｅ２に本発明における第１無機配向膜としての無機配向膜１９が形成されている。無機配向膜１９の配向処理方向も無機配向膜１８と同じであって、Ｙ方向と当該配向処理方向とがなす角度θａはおよそ４５度である。なお、無機配向膜１９の配向処理方向はこれに限定されるものではなく、配向処理方向が無機配向膜１８に対して異なっていてもよい。無機配向膜１９の膜密度は、無機配向膜１８よりも小さい。
【００４２】
図２（ｂ）に示すように、対向基板２０側では、画素領域Ｅよりも一回り大きな第３領域Ｅ３に本発明における第２無機配向膜としての無機配向膜２４が形成されている。無機配向膜２４の配向処理方向は、四角形の基材２０ａの左下から右上に向かう破線の矢印で示す方向である。Ｙ方向と当該配向処理方向とがなす角度θａは素子基板１０側と同じくおよそ４５度である。当該配向処理方向は、無機配向膜２４を成膜するときの成膜方向における方位にほぼ合致している。
【００４３】
第３領域Ｅ３を取り囲む周辺領域である第４領域Ｅ４に本発明における第１無機配向膜としての無機配向膜２５が形成されている。無機配向膜２５の配向処理方向も無機配向膜２４と同じであって、Ｙ方向と当該配向処理方向とがなす角度θａはおよそ４５度である。
なお、図２（ｂ）は対向基板２０を液晶層５０と反対側から見たときの無機配向膜２４，２５の配向処理方向を示すものである。無機配向膜２５の配向処理方向はこれに限定されるものではなく、配向処理方向が無機配向膜２４に対して異なっていてもよい。無機配向膜２５の膜密度は、無機配向膜２４よりも小さい。
【００４４】
前述した迂回進入経路４５は、素子基板１０側では第２領域Ｅ２に形成され、対向基板２０側では第４領域Ｅ４に形成される。本実施形態では、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２との境界（あるいは第３領域Ｅ３と第４領域Ｅ４の境界）に第２シール部４３（図１（ａ）参照）が配置されている。
【００４５】
素子基板１０側の無機配向膜１８と対向基板２０側の無機配向膜２４とは互いに１８０度反転した配向処理方向を有するものであって、１軸垂直配向処理と呼ばれている。それぞれの配向処理方向は、上述した方向に限定されない。例えば、無機配向膜１８と無機配向膜２４の配向処理方向を入れ替えてもよい。また、基材１０ａ，２０ａの左上から右下に向かう、あるいは右下から左上に向かう配向処理方向として、当該配向処理方向とＹ方向とがなす角度θａを４５度としてもよい。
【００４６】
図３は画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４と液晶層５０における液晶分子ＬＣの配向状態を示すものである。図３に示すように、素子基板１０の画素電極１５を覆う無機配向膜１８は、例えば酸化シリコンを斜方蒸着して得られた酸化シリコンの柱状結晶体１８ａの集合体である。基材１０ａの法線と実線の矢印で示した成膜方向とがなす角度θｂは、およそ４５度である。柱状結晶体１８ａが基材１０ａの表面から成長する方向と法線とがなす角度θｃは必ずしも上記角度θｂと同じにならず、この場合は、およそ２０度である。このような無機配向膜１８の膜面において負の誘電異方性を有する液晶分子ＬＣは長軸が上記成膜方向側に傾いたプレチルトを有して略垂直配向している。基材１０ａの法線と液晶分子ＬＣの長軸とがなすプレチルト角θｐはおよそ４度である。言い換えれば、液晶分子ＬＣのプレチルト角θｐがおよそ４度となるように、柱状結晶体１８ａの基材１０ａに対する成長の角度θｃが制御されている。つまり成膜時の角度θｂが制御されている。
【００４７】
同様に、対向基板２０側の共通電極２３を覆う無機配向膜２４は、例えば酸化シリコンを斜方蒸着して得られた酸化シリコンの柱状結晶体２４ａの集合体である。基材２０ａの法線と破線の矢印で示した成膜方向とがなす角度θｂは、およそ４５度である。無機配向膜２４の膜面（柱状結晶体２４ａ）に対して液晶分子ＬＣは成膜方向側にプレチルトを有した状態で略垂直配向している。柱状結晶体１８ａ，２４ａの成長方向は断面視で平行しており交差していない。以降、柱状結晶体をカラムと称して説明する。
【００４８】
このような無機配向膜１８，２４を有する一対の基板によって液晶層５０が挟持されたものを液晶パネル１１０と呼ぶ。液晶パネル１１０の光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子８１，８２が配置されて用いられる。
基材１０ａ（あるいは基材２０ａ）の法線方向から見た液晶分子ＬＣのプレチルトの所定の方向は、図２（ａ）及び（ｂ）に示したように無機配向膜１８，２４における斜方蒸着の平面的な成膜方向と同じである。このような１軸垂直配向処理の上記所定の方向は、液晶装置１００の光学設計条件に基づいて適宜設定される。本実施形態では、上記所定の方向は光の入射方向と射出方向とに配置される偏光素子８１，８２の透過軸または吸収軸に対して４５°の角度で交わっている。これにより、画素電極１５と共通電極２３との間に所定電位を与えて液晶層５０を駆動したときに最大のコントラストが得られる構成となっている。
【００４９】
迂回進入経路４５における無機配向膜１９，２５は、無機配向膜１８，２４と同様に斜方蒸着によって形成されている。無機配向膜１８，２４の膜密度に対して、無機配向膜１９，２５の膜密度を小さくする方法について、液晶装置の製造方法において詳しく説明する。  
【００５０】
＜液晶装置の製造方法＞
次に、本実施形態の液晶装置１００の製造方法について、図４〜図９を参照して説明する。素子基板１０における画素電極１５、ＴＦＴ３０、データ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０２、検査回路１０３、信号配線などは、公知の方法を用いて形成することができる。同様に、対向基板２０における見切り部２１、平坦化層２２、共通電極２３も公知の方法を用いて形成することができる。ここでは、本発明の特徴部分である無機配向膜１８，１９，２４，２５の形成方法について説明する。
【００５１】
図４は液晶装置の製造方法を示すフローチャートである。図４に示すように、本実施形態の液晶装置１００の製造方法は、素子基板１０側において、画素電極形成工程（ステップＳ１）と、第１無機配向膜形成工程（ステップＳ２）と、第２無機配向膜形成工程（ステップＳ３）と、シール形成工程（ステップＳ４）とを有している。対向基板２０側において、共通電極形成工程（ステップＳ５）と、第３無機配向膜形成工程（ステップＳ６）と、第４無機配向膜形成工程（ステップＳ７）とを有している。また、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる工程（ステップＳ８）と、貼り合わされた素子基板１０と対向基板２０との間に真空注入法を用いて液晶を注入・封止する液晶注入・封止工程（ステップＳ９）とを有している。
【００５２】
前述したように、画素電極１５や共通電極２３を形成する工程（ステップＳ１やステップＳ５）は、ＩＴＯなどの透明導電膜を成膜して、フォトリソグラフィ法により所望の形状にパターニングする公知の方法を適用することができる。
【００５３】
第１〜第４無機配向膜を形成する工程（ステップＳ２，Ｓ３，Ｓ６，Ｓ７）は、酸化シリコンなどの無機材料を気相成長法を用いて成膜する方法を採用することができる。
図５は斜方蒸着装置の構成を示す概略図である。気相成長法の１つである斜方蒸着法では、例えば図５に示すような斜方蒸着装置３００を用いる。
【００５４】
斜方蒸着装置３００は、内部を減圧可能なチャンバー３０１と、チャンバー３０１の底部に設けられた蒸着源３０２とを有している。蒸着源３０２には、無機配向膜を構成するところの酸化シリコンなどの無機材料が例えばペレットとして装着され、これを減圧下で加熱して蒸発させる。チャンバー３０１の蒸着源３０２の上方には、複数のワークＷを配置することが可能となっている。具体的には、ワークＷの被蒸着面が蒸着源３０２に向かう垂線に対して傾斜するように、ワークＷはチャンバー３０１に配置される。蒸着源３０２に向かう垂線と、被蒸着面の法線とがなす角を仰角と呼ぶ。もちろん、前述した蒸着方向における平面的な方位の角度θａ（４５度；図２（ａ）及び（ｂ）参照）と、被蒸着面に対する蒸着方向の角度θｂ（４５度；図３、図４参照）とが得られるようにワークＷは上記仰角が設定されて配置される。本実施形態では、蒸着方向の角度θｂと上記仰角とが同じとなるように設定されている。
【００５５】
蒸着源３０２から蒸発した無機材料はワークＷに到達して結晶化する。このような斜方蒸着を所定の時間行うことで、無機材料の結晶が成長して柱状結晶体（カラム）となり、カラムの集合体である無機配向膜が形成される。
【００５６】
なお、蒸着源３０２の垂線に対して所定の仰角θｂを与えてワークＷを傾斜させるので、被蒸着面に対する蒸着方向の角度θｂは、ワークＷの大きさにも寄るが蒸着源３０２から遠ざかるほど小さくなる。言い換えれば、ワークＷに対する蒸着方向の角度θｂは必ずしも一定ではない。蒸着方向の角度θｂを一定とするために、例えば、ワークＷの被蒸着面に対向するように配置されたスリット状の開口部を有する遮蔽板（図示省略）を設け、蒸着源３０２から飛来する膜成分のビーム平行度を上げる手段がとられる。
【００５７】
図６は斜方蒸着時のワークと蒸着用マスクとの関係を示す図、図７（ａ）〜（ｃ）は、素子基板側の無機配向膜の形成方法を示す概略図である。
図４の第１無機配向膜形成工程（ステップＳ２）では、図７（ａ）に示すように画素電極１５やＴＦＴ３０を始めとする画素の回路構成が形成された基材１０ａに対し、全面に亘って第１無機配向膜としての無機配向膜１９を形成する。膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように無機配向膜１９を形成する。斜方蒸着の平面的な方位は、基材１０ａのＹ方向となす角度がθａであって右上から左下に向かう方向である。基材１０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である。
斜方蒸着による無機配向膜１９の形成条件は、後述する無機配向膜１８の形成条件に対して、チャンバー３０１内の圧力、蒸着レート、基板温度のうち、少なくとも１つの条件を異ならせている。これにより、無機配向膜１９の膜密度を無機配向膜１８よりも小さくすることができる。
【００５８】
次に、図５の第２無機配向膜形成工程（ステップＳ３）では、図６に示すように、無機配向膜１９が形成された基材１０ａ（ワークＷ）に対して、第１領域Ｅ１に相当する開口部ＯＰ１を有する蒸着用マスクＭ１を所定の位置で重ね合わせて、斜方蒸着装置３００のチャンバー３０１内にセットして第２無機配向膜としての無機配向膜１８を形成する。膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように無機配向膜１８を形成する。斜方蒸着の平面的な方位は、基材１０ａのＹ方向となす角度がθａであって右上から左下に向かう方向である。基材１０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である。これにより、図７（ｃ）に示すように、素子基板１０（基材１０ａ）側において無機配向膜１９上に無機配向膜１８が形成される。つまり、第１領域Ｅ１では、先に形成された無機配向膜１９に積層して無機配向膜１８が形成される。第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２には無機配向膜１９が露出した状態となる。
【００５９】
図４の第３無機配向膜形成工程（ステップＳ６）では、素子基板１０側と同様な方法で対向基板２０側に第３無機配向膜としての無機配向膜２５を先に形成する。つまり、共通電極２３が形成された基材２０ａに対し、全面に亘って無機配向膜２５を形成する。斜方蒸着の平面的な方位は、基材２０ａのＹ方向となす角度がθａであって左下から右上に向かう方向である（図２（ｂ）参照）。基材２０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である。
斜方蒸着による無機配向膜２５の形成条件は、後述する無機配向膜２４の形成条件に対して、チャンバー３０１内の圧力、蒸着レート、基板温度のうち、少なくとも１つの条件を異ならせている。これにより、無機配向膜２５の膜密度を無機配向膜２４よりも小さくすることができる。
なお、ここで言うところの第３無機配向膜の意味するところは本発明における第１無機配向膜と同義である。ステップを分けて説明するためにあえて第３無機配向膜とした。
【００６０】
次に、図４の第４無機配向膜形成工程（ステップＳ７）では、無機配向膜２５が形成された基材２０ａに対して、第３領域Ｅ３に相当する開口部ＯＰ１を有する蒸着用マスクＭ１を所定の位置で重ね合わせて、斜方蒸着装置３００のチャンバー３０１内にセットして第４無機配向膜としての無機配向膜２４を形成する（図６参照）。斜方蒸着の平面的な方位は、基材２０ａのＹ方向となす角度がθａであって左下から右下に向かう方向である（図２（ｂ）参照）。基材２０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である。これにより、対向基板２０側においてカラム２４ａの集合体である無機配向膜２４が形成される（図３参照）。つまり、第３領域Ｅ３では、先に形成された無機配向膜２５に積層して無機配向膜２４が形成される。無機配向膜２４，２５の膜厚もそれぞれ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００６１】
次に、図４のシール形成工程（ステップＳ４）では、無機配向膜１８，１９が形成された素子基板１０側に第１シール部４１と第２シール部４３とを形成する。第１シール部４１は、後に貼り合わされる対向基板２０の外縁と重なる位置に形成する。第２シール部４３は、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２の境界と重なる位置に形成する。あるいは第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２の境界に沿った第２領域Ｅ２側に形成する。第１シール部４１及び第２シール部４３の形成方法としては、スクリーンなどを用いた印刷方式やシール部材をノズルから吐出しながらシールパターンを描画する定量吐出方式（ディスペンサー方式）などを採用できる。無機配向膜１８，１９にスクリーンなどが接触することによる配向不良などの欠陥が生じない点では、定量吐出方式（ディスペンサー方式）のほうが望ましい。なお、第１シール部４１や第２シール部４３を対向基板２０側に形成してもよい。あるいは、第１シール部４１と第２シール部４３とをそれぞれ異なる基板に対して形成してもよい。
【００６２】
図８（ａ）及び（ｂ）は貼り合わせ工程と液晶注入・封止工程を説明する概略図である。図４の貼り合わせ工程（ステップＳ８）では、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、第１シール部４１及び第２シール部４３が形成された素子基板１０と対向基板２０とを所定の位置に対向配置し貼り合わせて接着する。第１シール部４１及び第２シール部４３にはスペーサー（図示省略）が含まれているので、例えば一対の基板のうち他方の基板を一方の基板に押しつけて圧着すれば、素子基板１０と対向基板２０とを所望の間隔をおいて接着することができる。
【００６３】
次に、図４の液晶注入・封止工程（ステップＳ９）では、まず、貼り合わされた素子基板１０と対向基板２０との隙間に液晶を注入する。具体的には、貼り合わされた一対の基板を素子基板１０が下方に位置するようにチャンバー内にセットして減圧することにより、上記隙間を略真空状態とする。そして、図８（ａ）及び（ｂ）に示すように、対向基板２０からはみ出した素子基板１０の端子部１０ｂに液晶５０ａを滴下する。液晶５０ａは第１シール部４１の第１注入口４２を塞ぐように所定量が滴下される。そして、チャンバー内を減圧した状態から大気に開放する。そうすると、上記隙間と大気との圧力差により液晶５０ａは、第１注入口４２から迂回進入経路４５に進入し、第２シール部４３の第２注入口４４から画素領域Ｅ内に充填される。
第１〜第４無機配向膜形成工程では、迂回進入経路４５における無機配向膜１９，２５の膜密度が画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４よりも小さくなるように無機配向膜１８，１９，２４，２５を形成する。迂回進入経路４５を液晶５０ａが進入する間に、液晶５０ａに含まれた不純物は、素子基板１０側の無機配向膜１９と対向基板２０側の無機配向膜２５とによって十分にトラップされる。したがって、画素領域Ｅには不純物をほとんど含まない液晶５０ａが充填される。
画素領域Ｅが液晶５０ａによって十分に満たされるまで液晶注入が続行され、その後、第１注入口４２を封止材１０８によって封止する（図１（ａ）参照）。これにより、液晶パネル１１０ができ上がる。
【００６４】
図９（ａ）はマザー基板の構成を示す概略平面図、図９（ｂ）は（ａ）のＪ−Ｊ’線に沿った概略断面図である。なお、図９（ａ）及び（ｂ）は素子基板１０と対向基板２０とが貼り合わされた後のマザー基板を示すものである。
図９（ａ）及び（ｂ）に示すように、上記のような液晶装置１００の製造方法は、実際には複数の素子基板１０が面付けされたマザー基板１０Ｗを用いて行われる。
本実施形態のマザー基板１０Ｗは、ウェハ状の例えば石英基板やガラス基板であって、一部が切り欠かれたオリフラに沿ったＸ方向と、Ｘ方向に直交するＹ方向とにマトリクッス状に素子基板１０が面付けされて加工が進められる。
素子基板１０側における無機配向膜１８，１９の形成は、マザー基板１０Ｗを用いて実施される。一方、対向基板２０側における無機配向膜２４，２５の形成は、複数の対向基板２０を支持体上に吸着固定して斜方蒸着装置３００にセットする方法が挙げられる。また、素子基板１０と同様にマザー基板に面付けした状態で無機配向膜２４，２５を形成した後に、個別の対向基板２０に分割してからマザー基板１０Ｗに面付けされた素子基板１０と個々に貼り合わせる方法が挙げられる。
無機配向膜１８，２４を形成する際に用いられる蒸着用マスクＭ１（図６参照）は、素子基板１０や対向基板２０のマザー基板に対する面付け状態に応じて設計されて用いられる。
液晶注入・封止工程（ステップＳ９）では、チャンバー内にマザー基板１０Ｗが下方になるように配置し、Ｙ方向に配列した複数の対向基板２０の間に液晶５０ａを滴下することになる。
【００６５】
本実施形態の液晶装置１００及びその製造方法の効果は、以下の通りである。
（１）液晶５０ａの迂回進入経路４５における無機配向膜１９，２５の膜密度は、画素領域Ｅにおける無機配向膜１８，２４の膜密度よりも小さい。したがって、無機配向膜１９，２５の実質的な表面積が無機配向膜１８，２４よりも大きくなる。よって、無機配向膜１８，２４をそれぞれ対応する基板全面に形成する場合に比べて、液晶５０ａ中に含まれる不純物は、迂回進入経路４５において無機配向膜１９，２５に効率的にトラップされる。それゆえに、画素領域Ｅには不純物をほとんど含まない液晶５０ａが充填される。
また、不純物を無機配向膜１９，２５にトラップさせるので有機配向膜にトラップさせる場合に比べて、照射された光による劣化を防ぎ、優れた耐光性を有する。すなわち、不純物による初期的な表示不具合を低減すると共に、高い信頼性を有する液晶装置１００及びその製造方法を提供することができる。
（２）液晶装置１００の製造方法では、先に迂回進入経路４５側の無機配向膜１９，２５を形成した後に、蒸着用マスクＭ１を用いて選択的に画素領域Ｅ側の無機配向膜１８，２４を形成する。したがって、先に画素領域Ｅ側の無機配向膜１８，２４を形成する場合に比べて、膜密度が異なる無機配向膜１９，２５を選択的に形成しないので、画素領域Ｅに無機配向膜１９，２５がはみ出すような不具合を防止できる。つまり、画素領域Ｅにおいて安定した液晶分子ＬＣの配向状態を実現できる。
（３）液晶装置１００の製造方法において、液晶注入は、チャンバー内において液晶パネル１１０を素子基板１０側を下方にして略水平に配置して行うので、無機配向膜１８よりも実質的な表面積が大きい無機配向膜１９に不純物を効果的にトラップさせることができる。
【００６６】
（第２実施形態）
次に、第２実施形態の液晶装置とその製造方法について、図１０を参照して説明する。図１０（ａ）〜（ｃ）は第２実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略図である。詳しくは、素子基板１０側における無機配向膜１８，１９の形成方法を示す概略図である。第２実施形態の液晶装置とその製造方法は、第１実施形態に対して、無機配向膜１８，１９の形成の順番を変えたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【００６７】
本実施形態の液晶装置の製造方法は、図１０（ａ）に示すように、まず、画素の回路構成が形成された基材１０ａに対し、全面に亘って第２無機配向膜としての無機配向膜１８を形成する。膜厚が５０ｎｍ〜１００ｎｍとなるように斜方蒸着により無機配向膜１８を形成する。斜方蒸着の平面的な方位は、基材１０ａのＹ方向となす角度がθａであって右上から左下に向かう方向である。基材１０ａに対する蒸着方向の角度θｂは前述したように４５度である。
次に、図１０（ｂ）に示すように、無機配向膜１８が形成された基材１０ａ（ワークＷ）に対して、第１領域Ｅ１に相当するマスク部Ｍ２１と、第２領域Ｅ２に対応する開口部ＯＰ２を有する蒸着用マスクＭ２を所定の位置で重ね合わせて、斜方蒸着装置３００のチャンバー３０１内にセットして第１無機配向膜としての無機配向膜１９を形成する。斜方蒸着による無機配向膜１９の形成条件は、無機配向膜１８の形成条件に対して、チャンバー３０１内の圧力、蒸着レート、基板温度のうち、少なくとも１つの条件を異ならせている。これにより、無機配向膜１９の膜密度を無機配向膜１８よりも小さくすることができる。
なお、蒸着用マスクＭ２には開口部ＯＰ２を横断してマスク部Ｍ２１を周辺部との間で支持するリブＭＲが形成されている。リブＭＲは斜方蒸着で障害にならないように、その幅が規定されている、あるいは、リブＭＲはワークＷに密着しなくてもよい構成となっている。
図１０（ｃ）に示すように、基材１０ａ上において基板全面に無機配向膜１８が形成され、第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２に選択的に無機配向膜１９が形成される。無機配向膜１８，１９の膜厚はそれぞれ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
なお、対向基板２０（基材２０ａ）側の無機配向膜２４，２５も同様にして形成される。つまり、基材２０ａの基板全面に無機配向膜２４が形成され、第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２に選択的に無機配向膜２５が形成される。無機配向膜２４，２５の膜厚はそれぞれ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００６８】
第２実施形態の液晶装置とその製造方法によれば、第１実施形態の効果（１）、（３）に加えて、以下の効果が得られる。
（４）無機配向膜１９，２５よりも先に、膜密度が無機配向膜１９，２５に比べて大きい無機配向膜１８，２４がそれぞれ対応する基材１０ａ，２０ａにおいて基板全面に形成される。したがって、第１実施形態つまり無機配向膜１９，２５を先に基板全面に形成する場合に比べて、素子基板１０や対向基板２０の外側から水分等が浸入して信頼性品質が低下することを抑制することができる。
【００６９】
（第３実施形態）
次に、第３実施形態の液晶装置とその製造方法について、図１１を参照して説明する。図１１（ａ）〜（ｃ）は第３実施形態の液晶装置の製造方法を示す概略図である。詳しくは、素子基板１０側における無機配向膜１８，１９の形成方法を示す概略図である。第３実施形態の液晶装置とその製造方法は、第１実施形態に対して、無機配向膜１８，１９の形成の仕方を変えたものである。したがって、第１実施形態の液晶装置１００と同じ構成には同じ符号を付して詳細の説明は省略する。
【００７０】
本実施形態の液晶装置の製造方法は、図１１（ａ）に示すように、まず、画素の回路構成が形成された基材１０ａに対して、第１領域Ｅ１に相当するマスク部Ｍ２１と、第２領域Ｅ２に対応する開口部ＯＰ２を有する蒸着用マスクＭ２を所定の位置で重ね合わせて、斜方蒸着装置３００のチャンバー３０１内にセットして第１無機配向膜としての無機配向膜１９を形成する。
【００７１】
次に、図１１（ｂ）に示すように、無機配向膜１９が第２領域Ｅ２に形成された基材１０ａに対して、第１領域Ｅ１に相当する開口部ＯＰ１を有する蒸着用マスクＭ１を所定の位置で重ね合わせて、斜方蒸着装置３００のチャンバー３０１内にセットして第２無機配向膜としての無機配向膜１８を形成する。
これにより、図１１（ｃ）に示すように、第１領域Ｅ１に無機配向膜１８が形成され、第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２に無機配向膜１９が形成される。第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２との境界部分をほぼ平坦な状態とすることができる。
【００７２】
斜方蒸着による無機配向膜１９の形成条件は、無機配向膜１８の形成条件に対して、チャンバー３０１内の圧力、蒸着レート、基板温度のうち、少なくとも１つの条件を異ならせている。これにより、無機配向膜１９の膜密度を無機配向膜１８よりも小さくすることができる。無機配向膜１８，１９の膜厚はそれぞれ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
なお、対向基板２０（基材２０ａ）側の無機配向膜２４，２５も同様にして形成される。つまり、基材２０ａの第３領域Ｅ３に無機配向膜２４が形成され、第３領域Ｅ３を囲む第４領域Ｅ４に無機配向膜２５が形成される。無機配向膜２４，２５の膜厚はそれぞれ５０ｎｍ〜１００ｎｍである。
【００７３】
上記第３実施形態の液晶装置とその製造方法によれば、第１実施形態の効果（１）、３）に加えて、以下の効果が得られる。
（５）第３実施形態の液晶装置の製造方法では、蒸着用マスクＭ２を用いて先に迂回進入経路４５を含む第２領域Ｅ２（第４領域Ｅ４）に無機配向膜１９，２５を形成した後に、蒸着用マスクＭ１を用いて選択的に画素領域Ｅ側の第１領域Ｅ１（第３領域Ｅ３）に無機配向膜１８，２４を形成する。したがって、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２との境界（第３領域Ｅ３と第４領域Ｅ４との境界）に無機配向膜の段差が生じ難い。よって、当該境界を含む領域に第２シール部４３を配置しても、当該段差に起因して素子基板１０と対向基板２０との隙間すなわちセルギャップが変動し難い。
【００７４】
次に、無機配向膜において膜密度を変えることが可能な斜方蒸着の条件について、図１２を参照して説明する。図１２は斜方蒸着における圧力、蒸着レート、基板温度のいずれかの条件を変えたときの無機配向膜の膜密度を示す表である。なお、素子基板１０側の画素領域Ｅを含む第１領域Ｅ１と、第１領域Ｅ１を囲む第２領域Ｅ２とにおける無機配向膜１８，１９の形成を例に挙げて検証している。
【００７５】
無機配向膜１８，１９の膜密度を求める方法としては、例えば、ＸＲＲ法（Ｘ線反射率法）を挙げることができる。ＸＲＲ法は、Ｘ線を試料表面に極浅い角度で入射させ、その入射角対鏡面方向に反射したＸ線強度プロファイルを測定する。この測定で得られたプロファイルをシミュレーション結果と比較し、シミュレーションパラメーターを最適化することによって、試料の膜厚や密度を求める手法である。
【００７６】
以下、図１２に示された斜方蒸着の各条件と無機配向膜の膜密度の測定結果について説明する。
【００７７】
［条件１］
無機配向膜１８の形成条件は、前述した斜方蒸着装置３００のチャンバー３０１内の圧力を０．５×１０-2Ｐａ、蒸着レートを１０Å／ｓｅｃ、基板温度を２５度とした。無機配向膜１８の膜密度は、１．９４１ｇ／ｃｍ3であった。これに対して、無機配向膜１９の形成条件は、圧力を１．０×１０-2Ｐａに上昇させ、他の条件は無機配向膜１８と同じとした。無機配向膜１９の膜密度は、１．８９４ｇ／ｃｍ3であった。すなわち、第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とにおける膜密度の差は、０．０４７ｇ／ｃｍ3であった。
【００７８】
［条件２］
無機配向膜１８の形成条件は、条件１と同じである。これに対して、無機配向膜１９の形成条件は、圧力をさらに上昇させ１．５×１０-2Ｐａとした以外は、無機配向膜１８と同じとした。無機配向膜１９の膜密度は、１．８３５ｇ／ｃｍ3であった。第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とにおける膜密度の差は、０．１０６ｇ／ｃｍ3であった。つまり、チャンバー３０１内の圧力を上げると膜密度が低下することが分かる。
【００７９】
［条件３］
無機配向膜１８の形成条件は、チャンバー３０１内の圧力を１．５×１０-2Ｐａ、蒸着レートを１５Å／ｓｅｃ、基板温度を２５度とした。無機配向膜１８の膜密度は、１．８６４ｇ／ｃｍ3であった。これに対して、無機配向膜１９の形成条件は、蒸着レートを１０Å／ｓｅｃとした以外は、無機配向膜１８と同じとした。無機配向膜１９の膜密度は、１．８３５ｇ／ｃｍ3であった。第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とにおける膜密度の差は、０．０２９ｇ／ｃｍ3であった。
【００８０】
［条件４］
無機配向膜１８の形成条件は、条件３と同じである。これに対して、無機配向膜１９の形成条件は、蒸着レートをさらに低下させて５Å／ｓｅｃとした以外は、無機配向膜１８と同じとした。無機配向膜１９の膜密度は、１．８０５ｇ／ｃｍ3であった。第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とにおける膜密度の差は、０．０５９ｇ／ｃｍ3であった。つまり、蒸着レートを低下させると膜密度が低下することが分かる。
【００８１】
［条件５］
無機配向膜１８の形成条件は、チャンバー３０１内の圧力を１．５×１０-2Ｐａ、蒸着レートを１０Å／ｓｅｃ、基板温度を２００度とした。無機配向膜１８の膜密度は、１．９０７ｇ／ｃｍ3であった。これに対して、無機配向膜１９の形成条件は、基板温度を２５℃とした以外は、無機配向膜１８と同じとした。無機配向膜１９の膜密度は、１．８３５ｇ／ｃｍ3であった。第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とにおける膜密度の差は、０．０７２ｇ／ｃｍ3であった。
【００８２】
［条件６］
無機配向膜１８の形成条件は、チャンバー３０１内の圧力を１．５×１０-2Ｐａ、蒸着レートを１０Å／ｓｅｃ、基板温度を１００度とした。無機配向膜１８の膜密度は、１．８８６ｇ／ｃｍ3であった。これに対して、無機配向膜１９の形成条件は、基板温度を２５℃とした以外は、無機配向膜１８と同じとした。無機配向膜１９の膜密度は、１．８３５ｇ／ｃｍ3であった。第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２とにおける膜密度の差は、０．０５１ｇ／ｃｍ3であった。つまり、基板温度を２５℃から上昇させると膜密度が大きくなることが分かる。
【００８３】
図１３は無機配向膜の表面が示された電子顕微鏡写真である。図１３（ａ）は膜密度が１．９４１ｇ／ｃｍ3であり、図１３（ｂ）は膜密度が１．８３５ｇ／ｃｍ3である。
図１３（ａ）及び（ｂ）に示すように、膜密度が低下するにしたがって、無機配向膜の表面にはカラム（柱状結晶体）が形成されていない隙間が増えているのが分かる。つまり、隙間が増えることで実質的な無機配向膜の表面積が増加する。液晶中の不純物はその大きさにもよるが上記隙間に容易にトラップされると考えられる。上記隙間が増えることによって不純物が効率的にトラップされる。
画素領域Ｅを覆う無機配向膜は液晶分子を安定的に配向させる必要があるため、ある程度以上（例えば、１．９ｇ／ｃｍ3以上）の膜密度が求められる。したがって、画素領域Ｅが含まれる第１領域Ｅ１と第２領域Ｅ２との膜密度の差は、上記各条件の結果からおよそ０．０３ｇ／ｃｍ3以上とすることによって、迂回進入経路４５の無機配向膜において不純物を効率よくトラップさせることができる。
【００８４】
本実施形態では、無機配向膜を斜方蒸着により形成するときの条件として、チャンバー３０１内の圧力と、蒸着レート、基板温度を挙げた。特に蒸着レートは、斜方蒸着時のワークＷに対する蒸着角度θｂを制御することにより可変できる。蒸着角度θｂが９０度つまりワークＷの法線方向から蒸着される場合が最も蒸着レートが大きくなり、蒸着角度θｂが９０度よりも小さくなると蒸着レートも小さくなる。また、チャンバー３０１内に導入されるガスとして酸素ガスを用いた場合には、酸素ガス流量を制御することによっても蒸着レートを可変できる。例えば、所定の蒸着レートが得られた酸素ガス流量に対して、酸素ガス流量を増やすと蒸着レートは小さくなる。
無機配向膜の膜密度を変える方法としては、チャンバー３０１内の圧力、蒸着レート、基板温度のうち少なくとも１つの条件を変えればよく、複数の条件を変えてもよい。
【００８５】
（第４実施形態）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について、図１４を参照して説明する。図１４は電子機器としての投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００８６】
図１４に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００８７】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００８８】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００８９】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００９０】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９１】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００９２】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０として、製造工程中で液晶に含まれる不純物が画素領域Ｅに拡散しないように迂回進入経路４５においてトラップされた液晶装置１００を用いているので、優れた表示品質と高い耐光性とが実現されている。
【００９３】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置及び該液晶装置の製造方法ならびに該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【００９４】
（変形例１）迂回進入経路４５の無機配向膜の膜密度を画素領域Ｅよりも小さくする構成は、画素領域Ｅを含む第１領域Ｅ１（第３領域Ｅ３）を囲む第２領域Ｅ２（第４領域Ｅ４）の全体に亘って行われることに限定されない。図１５（ａ）〜（ｃ）は変形例の膜密度が小さい無機配向膜の配置を示す概略平面図である。詳しくは、素子基板１０側における無機配向膜１９の配置の変形例である。
【００９５】
例えば、図１５（ａ）に示すように、第１領域Ｅ１の２つの長辺部のうちの一方と、２つの短辺部に接する部分、すなわち第１領域Ｅ１を３方向から囲む部分に無機配向膜１９を配置してもよい。具体的には、第１領域Ｅ１をマスクするマスク部Ｍ３１と、第１領域Ｅ１を３方向から囲む領域に対応して開口した開口部ＯＰ３とを有する蒸着用マスクＭ３を基材１０ａ（ワークＷ）に所定の位置で重ね合わせて斜方蒸着して無機配向膜１９を形成する。蒸着用マスクＭ３は、蒸着用マスクＭ１に比べてリブＭＲが設けられた部分が少なくなるため、蒸着用マスクＭ３の耐久性を高められる。言い換えれば、高い耐久性を有する蒸着用マスクＭ３を使って無機配向膜１９を形成できる。
【００９６】
また、図１５（ｂ）に示すように、第１領域Ｅ１の２つの短辺部に接する部分に無機配向膜１９を配置してもよい。具体的には、第１領域Ｅ１の２つの短辺部に接する領域に対応して開口した開口部ＯＰ４を有する蒸着用マスクＭ４と基材１０ａ（ワークＷ）とを所定の位置で重ね合わせて斜方蒸着して無機配向膜１９を形成する。このようにすれば、リブＭＲが無くより高い耐久性を有する蒸着用マスクＭ４を使って無機配向膜１９を形成できる。また、基材１０ａにおける第１領域Ｅ１の短辺方向の長さが小さくなっても不純物をトラップ可能な迂回進入経路４５を確保できる。
【００９７】
また、例えば、図１５（ｃ）に示すように、第１領域Ｅ１の２つの長辺部のうち一方に接する部分に無機配向膜１９を配置してもよい。具体的には、第１領域Ｅ１の２つの長辺部のうち一方に接する領域に対応して開口した開口部ＯＰ５を有する蒸着用マスクＭ５と基材１０ａ（ワークＷ）とを所定の位置で重ね合わせて斜方蒸着して無機配向膜１９を形成する。このようにすれば、より高い耐久性を有する蒸着用マスクＭ５を使って無機配向膜１９を形成できる。また、基材１０ａにおける第１領域Ｅ１の長辺方向の長さが小さくなっても不純物をトラップ可能な迂回進入経路４５を確保できる。
【００９８】
また、前述したように第１シール部４１の第１注入口４２は、第１領域Ｅ１の長辺部に沿った部分に形成されているので、図１５（ａ）や図１５（ｃ）のように無機配向膜１９を配置することで、液晶５０ａの注入開始時点から不純物を迂回進入経路４５においてトラップすることができる（図８参照）。言い換えれば、迂回進入経路４５の無機配向膜において膜密度が小さい部分は第１注入口４２に近い側に配置されていることが好ましい。
【００９９】
図１５（ａ）〜（ｃ）では、素子基板１０側における無機配向膜１９の配置を示したが、迂回進入経路４５において膜密度が小さい無機配向膜を設ける構成は、一対の基板の両方において実施することが好ましい。その一方で、液晶装置の製造における生産性を考慮すると、一対の基板のうち一方の基板において迂回進入経路４５の無機配向膜に膜密度が小さい部分を形成しても、液晶中の不純物をトラップできる。その際には、上記実施形態でも述べたように、液晶注入時に下方に配置される基板側の迂回進入経路４５の無機配向膜において膜密度が小さい部分を形成することが望ましい。
【０１００】
（変形例２）上記実施形態の液晶装置１００では、第１シール部４１の第１注入口４２を対向基板２０の２つの長辺のうちの一方に沿った位置に設けたが、これに限定されない。例えば、対向基板２０の２つの短辺のうちの一方に沿った位置に第１注入口４２を設け、他方に第２シール部４３の第２注入口４４を設けてもよい。液晶の迂回進入経路４５が実質的に長くなるように第１注入口４２、第２注入口４４を設ければ、不純物のトラップ性能を向上させることができる。
【０１０１】
（変形例３）上記実施形態の迂回進入経路４５を適用可能な液晶装置は、透過型に限定されない。光反射性を有する画素電極１５を備えた反射型や半透過反射型の液晶装置にも適用可能である。
【０１０２】
（変形例４）液晶装置１００を適用可能な電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置１０００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、電子手帳、ＰＯＳなどの情報端末機器の表示部として好適に用いることができる。
【符号の説明】
【０１０３】
１０…素子基板、１８，２４…第２無機配向膜としての無機配向膜、１９，２５…第１無機配向膜としての無機配向膜、２０…対向基板、４１…第１シール部、４２…第１注入口、４３…第２シール部、４４…第２注入口、４５…迂回進入経路、１００…液晶装置、１０００…電子機器としての投射型表示装置、Ｅ…画素領域。
【図１】
2014010210.tif 000003
【図２】
2014010210.tif 000004
【図３】
2014010210.tif 000005
【図４】
2014010210.tif 000006
【図５】
2014010210.tif 000007
【図６】
2014010210.tif 000008
【図７】
2014010210.tif 000009
【図８】
2014010210.tif 000010
【図９】
2014010210.tif 000011
【図１０】
2014010210.tif 000012
【図１１】
2014010210.tif 000013
【図１２】
2014010210.tif 000014
【図１４】
2014010210.tif 000015
【図１５】
2014010210.tif 000016
【図１３】
2014010210.tif 000017