(57)【要約】【課題】コア層の表面に対して垂直な貫通ビアをコア層に形成した場合と比較して、放熱性を向上させる。【解決手段】コア層２０に設けられた複数の貫通ビア８０のうち、ランド６１の下方に位置する少なくとも２つの貫通ビア８２、８３を、コア層２０の表面２０ａから裏面２０ｂに向かうにつれて互いに離れるように傾斜させる。これによれば、コア層２０内を電子部品１２１側からその反対側に向かって熱が移動する際に、２つの貫通ビア８２、８３に沿って外側へ広がるように熱を拡散させることができる。このため、貫通ビア８０がコア層２０の表面２０ａに対して垂直である場合と比較して、コア層２０における熱移動を促進させることができ、多層基板１０の放熱性を向上させることができる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一面（２０ａ）とその反対側の他面（２０ｂ）とを有するコア層（２０）と、
前記一面上に形成された内層配線（５１）と、
前記一面上に前記内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、
前記ビルドアップ層のうち前記コア層と反対側の表面上（３０ａ）に形成され、電子部品（１２１）が搭載されるランド（６１）と、
前記コア層のうち前記ランドの下方の位置で、前記コア層を貫通して設けられた第１、第２の貫通ビア（８２、８３）と、を備え、
前記コア層は、前記ビルドアップ層よりも厚いものであり、
前記第１、第２の貫通ビアは、前記一面から前記他面に向かうにつれて互いに離れるように、前記一面に対して傾斜していることを特徴とする多層基板。
【請求項２】
前記第１、第２の貫通ビアの前記他面に対する傾斜角度（θ２）は、４５度以上９０度未満であることを特徴とする請求項１に記載の多層基板。
【請求項３】
前記一面において、前記第１、第２の貫通ビアの一面側端部（８２ａ〜８９ａ）が前記ランドの直下領域内に位置し、
前記他面において、前記第１、第２の貫通ビアの他面側端部（８２ｂ〜８９ｂ）が前記ランドの直下領域外に位置することを特徴とする請求項１または２に記載の多層基板。
【請求項４】
請求項１ないし３のいずれか１つに記載の多層基板（１０）と、
前記ランドに搭載された前記電子部品と、
前記電子部品および前記ランドを封止するモールド樹脂（１５０）と、
を備える電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層基板およびこれを用いた電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、この種の電子装置として、次のものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
具体的には、この電子装置は、樹脂等で構成されるコア層とビルドアップ層とが積層され、コア層とビルドアップ層との間に内層配線が形成されていると共にビルドアップ層のうちコア層と反対側の一面にランドが形成された多層基板を備えている。そして、ランド上にパワー素子等の電子部品が搭載されている。この電子装置では、電子部品から発生した熱は、ランドおよびビルドアップ層を介して、コア層の電子部品側とは反対側の表面から放出される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平７−２８３５１５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、コア層に貫通ビアを形成することで、コア層における熱伝導率を向上させることができる。この貫通ビアは、コア層を貫通する貫通孔に導電性材料を配置することで形成される。この場合、コア層がビルドアップ層よりも厚いときでは、ドリル加工によって、貫通孔を形成することになり、ドリル加工の容易性の観点より、貫通孔の貫通方向は、コア層の表面に対して垂直な方向とされることが一般的である。
【０００６】
このようにコア層に貫通ビアを形成することで、コア層における電子部品側からその反対側に向かう方向での熱移動を促進させることができ、放熱性を向上できるが、さらなる放熱性の向上が望まれる。なお、複数の貫通ビアを形成し、隣り合う貫通ビア同士の距離（ピッチ）を狭めることで、放熱性の向上が期待できるが、貫通孔を機械加工によって形成するという性質上、ピッチを狭めることには限界があり、放熱性の向上はあまり期待できない。
【０００７】
本発明は上記点に鑑みて、コア層の表面に対して垂直な貫通ビアをコア層に形成した場合と比較して、放熱性を向上させることができる多層基板およびこれを用いた電子装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、一面（２０ａ）を有するコア層（２０）と、コア層の一面上に形成された内層配線（５１）と、コア層の一面上に内層配線を覆う状態で配置されたビルドアップ層（３０）と、ビルドアップ層のうちコア層と反対側の表面上（３０ａ）に形成され、電子部品（１２１）が搭載されるランド（６１）とを備える多層基板において、次のことを特徴としている。
【０００９】
すなわち、コア層のうちランドの下方の位置で、コア層を貫通して設けられた第１、第２の貫通ビア（８２、８３）を備え、コア層は、ビルドアップ層よりも厚いものであり、第１、第２の貫通ビアは、コア層の一面からその反対側の他面（２０ｂ）に向かうにつれて互いに離れるように、コア層の一面に対して傾斜していることを特徴としている。
【００１０】
これによれば、第１、第２の貫通ビアがコア層の平面方向外側に向かって斜めに配置されているので、コア層内を電子部品側からその反対側に向かって熱が移動する際に、第１、第２貫通ビアに沿って外側へ広がるように熱を拡散させることができる。これにより、貫通ビアがコア層の表面に対して垂直である場合と比較して、コア層における熱移動を促進させることができ、多層基板の放熱性を向上させることができる。
【００１１】
なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１実施形態における電子装置の断面図である。
【図２】図１中の電子部品の下方における貫通ビアの配置を示すためのコア層の上面図である。
【図３】図１中の領域Ａの拡大図であり、図２のＢ−Ｂ断面に対応する断面図である。
【図４】図１に示す多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図５】図４に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図６】図５に続く多層基板の製造工程を示す断面図である。
【図７】図４（ａ）に示す貫通孔の形成工程を示す断面図である。
【図８】図７中の貫通孔の形成方法を説明するための断面図である。
【図９】本発明の比較例における多層基板の部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付して説明を行う。
【００１４】
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態について説明する。なお、本実施形態の電子装置は、例えば、自動車等の車両に搭載され、車両用の各種電子装置を駆動するために適用されると好適である。
【００１５】
図１に示されるように、電子装置は、一面１０ａおよびその反対側の他面１０ｂを有する多層基板１０と、多層基板１０の一面１０ａ上に搭載された電子部品１２１〜１２３と、を備えている。そして、多層基板１０の一面１０ａ側を電子部品１２１〜１２３と共にモールド樹脂１５０で封止することにより、電子装置が構成されている。
【００１６】
多層基板１０は、絶縁樹脂層としてのコア層２０と、コア層２０の表面２０ａ上に配置された表面２０ａ側のビルドアップ層３０と、コア層２０の裏面２０ｂ上に配置された裏面２０ｂ側のビルドアップ層４０とを備える積層基板である。なお、コア層２０の表面２０ａ、裏面２０ｂが、それぞれ、特許請求の範囲に記載の一面とその反対側の他面に対応する。
【００１７】
コア層２０およびビルドアップ層３０、４０は、ガラスクロスの両面を樹脂で封止してなるプリプレグ等で構成される。プリプレグの樹脂としては、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂が挙げられる。なお、プリプレグの樹脂は、本実施形態では熱硬化性樹脂であるが、他の樹脂でもよい。また、プレプレグの樹脂には、必要に応じて、アルミナやシリカ等の電気絶縁性かつ放熱性に優れたフィラーが含有されていてもよい。
【００１８】
そして、コア層２０とビルドアップ層３０との界面には、パターニングされた表面側内層配線５１（以下では、単に内層配線５１という）が形成されている。同様に、コア層２０とビルドアップ層４０との界面には、パターニングされた裏面側内層配線５２（以下では、単に内層配線５２という）が形成されている。
【００１９】
また、ビルドアップ層３０の表面３０ａ上には、パターニングされた表面側表層配線６１〜６３（以下では、単に表層配線６１〜６３という）が形成されている。本実施形態では、表層配線６１〜６３は、電子部品１２１〜１２３が搭載される搭載用のランド６１、電子部品１２１、１２２とボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されるボンディング用のランド６２、外部回路と電気的に接続される表面パターン６３とされている。
【００２０】
同様に、ビルドアップ層４０の表面４０ａ上には、パターニングされた裏面側表層配線７１、７２（以下では、単に表層配線７１、７２という）が形成されている。本実施形態では、表層配線７１、７２は、後述するフィルドビアを介して内層配線５２と接続される裏面パターン７１、放熱用のヒートシンクが搭載されるヒートシンク用パターン７２（以下では、単にＨＳ用パターン７２という）とされている。
【００２１】
なお、ビルドアップ層３０の表面３０ａとは、ビルドアップ層３０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の一面１０ａとなる面のことである。また、ビルドアップ層４０の表面４０ａとは、ビルドアップ層４０のうちコア層２０と反対側の一面のことであり、多層基板１０の他面１０ｂとなる面のことである。そして、内層配線５１、５２、表層配線６１〜６３、表層配線７１、７２は、具体的には後述するが、銅等の金属箔や金属メッキが適宜積層されて構成されている。
【００２２】
内層配線５１と内層配線５２とは、コア層２０を貫通して設けられた貫通ビア８０を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、貫通ビア８０は、コア層２０を厚さ方向に貫通する貫通孔８０ａの壁面に銅等の貫通電極８０ｂが形成され、貫通孔８０ａの内部に充填材８０ｃが充填されて構成されている。本実施形態では、複数の貫通ビア８０のうち電子部品１２１の下方に位置する貫通ビア８０に特徴点を有しており、この特徴点については後述する。
【００２３】
また、内層配線５１と表層配線６１〜６３、および内層配線５２と表層配線７１、７２とは、適宜各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通して設けられたフィルドビア９１、１０１を介して電気的および熱的に接続されている。具体的には、フィルドビア９１、１０１は、各ビルドアップ層３０、４０を厚さ方向に貫通する貫通孔９１ａ、１０１ａが銅等の貫通電極９１ｂ、１０１ｂにて充填された構成とされている。
【００２４】
なお、充填材８０ｃは、樹脂、セラミック、金属等が用いられるが、本実施形態では、エポキシ樹脂とされている。また、貫通電極８０ｂ、９１ｂ、１０１ｂは、銅等の金属メッキにて構成されている。
【００２５】
そして、各ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａには、表面パターン６３および裏面パターン７１を覆うソルダーレジスト１１０が形成されている。なお、表面パターン６３を覆うソルダーレジスト１１０には、図１とは別断面において、表面パターン６３のうち外部回路と接続される部分を露出させる開口部が形成されている。
【００２６】
電子部品１２１〜１２３は、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）やＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）等の発熱が大きいパワー素子１２１、マイコン等の制御素子１２２、チップコンデンサや抵抗等の受動素子１２３である。そして、各電子部品１２１〜１２３は、はんだ１３０を介してランド６１上に搭載されてランド６１と電気的、機械的に接続されている。また、パワー素子１２１および制御素子１２２は、周囲に形成されているランド６２ともアルミニウムや金等のボンディングワイヤ１４１、１４２を介して電気的に接続されている。
【００２７】
なお、ここでは、電子部品１２１〜１２３としてパワー素子１２１、制御素子１２２、受動素子１２３を例に挙げて説明したが、電子部品１２１〜１２３はこれらに限定されるものではない。
【００２８】
モールド樹脂１５０は、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３を封止するものであり、エポキシ樹脂等の一般的なモールド材料が金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等により形成されたものである。
【００２９】
なお、本実施形態では、モールド樹脂１５０は、多層基板１０の一面１０ａのみに形成されている。つまり、本実施形態の電子装置は、いわゆるハーフモールド構造とされている。また、多層基板１０の他面１０ｂ側には、特に図示していないが、ＨＳ用パターン７２に放熱グリス等を介してヒートシンクが備えられている。
【００３０】
以上が本実施形態における電子装置の基本的な構成である。次に、本実施形態の特徴点である電子部品１２１が搭載されるランド６１の下方に存在する貫通ビア８０について説明する。
【００３１】
まず、本実施形態のコア層２０の厚さは、ビルドアップ層３０よりも厚く、ビルドアップ層３０の厚さの２倍以上である。例えば、ビルドアップ層３０の厚さが０．１ｍｍのとき、コア層２０の厚みは０．２ｍｍ以上である。一般的に、樹脂層の厚さが０．１５ｍｍ以下のとき、レーザ照射によって貫通孔を形成する。このため、フィルドビア９１の貫通孔９１ａはレーザ照射によって形成されるが、貫通ビア８０の貫通孔８０ａはドリル加工により形成される。なお、貫通孔８０ａは、ドリル加工で形成されるため、径が均一である。
【００３２】
そして、本実施形態では、図２に示すように、ランド６１の下方に９つの貫通ビア８１〜８９が設けられている。９つの貫通ビア８１〜８９は、中央に位置する中央貫通ビア８１と、その周辺に位置する周辺貫通ビア８２〜８９とによって構成される。中央貫通ビア８１は、コア層２０の表面２０ａに対して垂直に形成されている。周辺貫通ビア８２〜８９は、それぞれ、コア層２０の表面２０ａから裏面２０ｂに向かうにつれてコア層２０の平面方向外側へ放射状に広がるように、斜めに形成されている。
【００３３】
すなわち、図３に示されるように、中央貫通ビア８１の左右両側に位置する周辺貫通ビア８２、８３を通る断面を見たとき、２つの周辺貫通ビア８２、８３は、コア層２０の表面２０ａから裏面２０ｂに向かうにつれて互いに離れるように、コア層２０の表面２０ａに対して傾斜している。換言すると、コア層２０の厚さ方向に対して傾斜している。この２つの周辺貫通ビア８２、８３が、特許請求の範囲に記載の第１、第２の貫通ビアに対応する。
【００３４】
なお、図示しないが、図３中の中央貫通ビア８１の上下両側に位置する２つの周辺貫通ビア８４、８５も、コア層２０の表面２０ａから裏面２０ｂに向かうにつれて互いに離れるように、コア層２０の表面２０ａに対して傾斜している。したがって、この２つの周辺貫通ビア８４、８５が、特許請求の範囲に記載の第１、第２の貫通ビアに対応する。また、２つの図３中の対角線上に位置する２つの周辺貫通ビア８６、８７同士や、２つの周辺貫通ビア８８、８９同士についても、同様のことが言える。
【００３５】
中央貫通ビア８１の貫通孔８０ａの壁面がコア層２０の裏面２０ｂに対してなす角度θ１は、９０度である。一方、周辺貫通ビア８２〜８９のコア層２０の裏面２０ｂに対する傾斜角度θ２、すなわち、貫通孔８０ａの壁面とコア層２０の裏面２０ｂとがランド６１の中央側になす角度θ２は、４５度以上９０度未満であることが好ましい。縦方向に熱が伝搬する際、熱は横方向へ大きく広がって拡散しないという熱の拡散の観点より、傾斜角度θ２を４５度未満とすると、周辺貫通ビア８２〜８９に沿った熱移動が起きにくくなるからである。
【００３６】
また、図２に示されるように、コア層２０の表面２０ａにおいて、周辺貫通ビア８２〜８９の表面側端部８２ａ〜８９ａは、ランド６１の直下領域内に位置している。一方、コア層２０の裏面２０ｂにおいて、周辺貫通ビア８２〜８９の裏面側端部８２ｂ〜８９ｂは、ランド６１の直下領域外に位置するとともに、ＨＳ用パターン７２の直上領域内に位置している。なお、表面２０ａ、裏面２０ｂにおけるランド６１の直下領域とは、表面２０ａ、裏面２０ｂに垂直な方向で、表面２０ａ、裏面２０ｂに対してランド６１を投影したときにランド６１と重複する領域である。裏面２０ｂにおけるＨＳ用パターン７２の直上領域とは、裏面２０ｂに垂直な方向で、裏面２０ｂに対してランド６１を投影したときにランド６１と重複する領域である。
【００３７】
以上が本実施形態における電子装置の構成である。次に、上記電子装置の製造方法について図４〜図６を参照しつつ説明する。なお、図４〜図６は、多層基板１０のうちパワー素子１２１が搭載される部分近傍の断面図である。また、図４〜図６は、電子装置の製造方法の概略を説明するものであるため、本実施形態の特徴点については図示されていない。本実施形態の特徴点については、図７、８に図示されている。
【００３８】
まず、図４（ａ）に示されるように、コア層２０の表面２０ａおよび裏面２０ｂに銅箔等の金属箔１６１、１６２が配置されたものを用意する。
【００３９】
そして、図４（ｂ）に示されるように、ドリルによって金属箔１６１、コア層２０、金属箔１６２を貫通する貫通孔８０ａを形成する。このとき、図７に示すように、コア層２０の表面２０ａのうちランド６１の直下領域においては、周辺貫通ビア８２、８３を構成する貫通孔８０ａ、８０ｂを、コア層２０の表面２０ａに対して斜めに貫通するように形成する。具体的には、図８（ａ）に示されるように、ドリル加工用の台座１７０にコア層２０を載せ、台座１７０ごとコア層２０を傾ける。台座１７０はドリル１７１に対応する位置に貫通孔１７０ａを有している。そして、コア層２０を傾けた状態で、ドリル１７１を鉛直方向に下降させる。これにより、図８（ｂ）に示されるように、斜めに貫通する貫通孔８０ａを形成できる。そして、他の周辺貫通ビア８４〜８９についても、台座１７０もしくはコア層２０を回転させて、同様に斜めに貫通するように形成する。なお、中央貫通ビア８１を構成する貫通孔８０ａについては、コア層２０の表面２０ａに対して垂直に貫通するように形成する。
【００４０】
その後、図４（ｃ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキを行い、貫通孔８０ａの壁面および金属箔１６１、１６２上に銅等の金属メッキ１６３を形成する。これにより、貫通孔８０ａの壁面に、金属メッキ１６３にて構成される貫通電極８０ｂが形成される。なお、無電解メッキおよび電気メッキを行う場合には、パラジウム等の触媒を用いて行うことが好ましい。
【００４１】
続いて、図４（ｄ）に示されるように、金属メッキ１６３で囲まれる空間に充填材８０ｃを配置する。これにより、貫通孔８０ａ、貫通電極８０ｂ、充填材８０ｃを有する上記貫通ビア８０が形成される。
【００４２】
その後、図５（ａ）に示されるように、無電解メッキおよび電気メッキ等でいわゆる蓋メッキを行い、金属メッキ１６３および充填材８０ｃ上に銅等の金属メッキ１６４、１６５を形成する。
【００４３】
次に、図５（ｂ）に示されるように、金属メッキ１６４、１６５上に図示しないレジストを配置する。そして、当該レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行い、金属メッキ１６４、金属メッキ１６３、金属箔１６１を適宜パターニングして内層配線５１を形成すると共に、金属メッキ１６５、金属メッキ１６３、金属箔１６２を適宜パターニングして内層配線５２を形成する。つまり、本実施形態では、内層配線５１は、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４が積層されて構成され、内層配線５２は、金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５が積層されて構成されている。
【００４４】
なお、次の図５（ｃ）以降では、金属箔１６１、金属メッキ１６３、金属メッキ１６４、および金属箔１６２、金属メッキ１６３、金属メッキ１６５をまとめて１層として示してある。
【００４５】
その後、図５（ｃ）に示されるように、コア層２０における表面２０ａ側において、内層配線５１上にビルドアップ層３０および銅等の金属板１６６を積層する。また、コア層２０における裏面２０ｂ側において、内層配線５２上にビルドアップ層４０および銅等の金属板１６７を積層する。このようにして、上から順に、金属板１６６、ビルドアップ層３０、内層配線５１、コア層２０、内層配線５２、ビルドアップ層３０および金属板１６７が順に積層された積層体１６８を構成する。なお、ビルドアップ層３０、４０は、仮硬化されているが、この状態では、流動性を有している。
【００４６】
続いて、図５（ｄ）に示されるように、積層体１６８の積層方向から加圧しつつ加熱することにより積層体１６８を一体化する。具体的には、積層体１６８を加圧することにより、ビルドアップ層３０を構成する樹脂を流動させて内層配線５１の間を埋め込むと共に、ビルドアップ層４０を構成する樹脂を流動させて内層配線５２の間を埋め込む。そして、積層体１６８を加熱することにより、ビルドアップ層３０、４０を硬化して積層体１６８を一体化する。
【００４７】
次に、図６（ａ）に示されるように、レーザ照射により、金属板１６６、ビルドアップ層３０を貫通して内層配線５１に達する貫通孔９１ａを形成する。また、図６（ａ）とは別断面において、金属板１６７、ビルドアップ層４０を貫通して内層配線５２に達する図１に示した貫通孔１０１ａを形成する。
【００４８】
その後、図６（ｂ）に示されるように、無電解メッキや電気メッキ等でいわゆるフィルドメッキを行い、貫通孔９１ａ、１０１ａを金属メッキ１６９で埋め込む。これにより、ビルドアップ層３０に形成された貫通孔９１ａ、１０１ａに埋め込まれた金属メッキ１６９にて貫通電極９１ｂおよび図１に示した貫通電極１０１ｂが構成される。また、貫通孔９１ａ、１０１ａに貫通電極９１ｂ、１０１ｂが埋め込まれたフィルドビア９１、１０１が形成される。なお、次の図６（ｃ）以降では、金属板１６６および金属メッキ１６９をまとめて１層として示してある。
【００４９】
続いて、図６（ｃ）に示されるように、金属板１６６、１６７上に図示しないレジストを配置する。そして、レジストをマスクとしてウェットエッチング等を行って金属板１６６、１６７をパターニングすると共に、適宜金属メッキを形成することにより、表層配線６１〜６３および表層配線７１、７２を形成する。つまり、本実施形態では、表層配線６１〜６３は、金属板１６６および金属メッキ１６９を有する構成とされ、表層配線７１、７２は、金属板１６７および金属メッキ１６９を有する構成とされている。
【００５０】
次に、図６（ｄ）に示されるように、ビルドアップ層３０、４０の表面３０ａ、４０ａにそれぞれソルダーレジスト１１０を配置して適宜パターニングすることにより、上記多層基板１０が製造される。なお、図６（ｄ）に示される範囲内において、表面３０ａ上のソルダーレジスト１１０がすべて除去されているが、図１に示すように他の領域においてソルダーレジスト１１０が残された状態になっている。
【００５１】
その後は、図１に示されるように、はんだ１３０を介して電子部品１２１〜１２３をランド６１に搭載する。そして、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２との間でワイヤボンディングを行い、パワー素子１２１および制御素子１２２とランド６２とを電気的に接続する。続いて、ランド６１、６２および電子部品１２１〜１２３が封止されるように、金型を用いたトランスファーモールド法やコンプレッションモールド法等によってモールド樹脂１５０を形成する。これにより、モールド樹脂１５０がランド６１の側面６１ｃに密着した上記電子装置が製造される。
【００５２】
以上説明したように、本実施形態では、ランド６１の下方に位置する周辺貫通ビア８２〜８９が、それぞれ、コア層２０の表面２０ａから裏面２０ｂに向かうにつれてコア層２０の平面方向外側へ放射状に広がるように、斜めに形成されている。このため、コア層２０内を電子部品１２１側からその反対側に向かって熱が移動する際に、周辺貫通ビア８２〜８９に沿って外側へ広がるように熱を拡散させることができる。
【００５３】
したがって、本実施形態によれば、図９に示される比較例のように、ランド６１の下方に位置する全ての貫通ビア８０が、コア層２０の表面２０ａに対して垂直である場合と比較して、コア層２０における熱移動を促進させることができ、多層基板１０の放熱性を向上させることができる。
【００５４】
さらに、本実施形態では、コア層２０の表面２０ａにおいて、周辺貫通ビア８２〜８９の表面側端部８２ａ〜８９ａがランド６１の直下領域内に位置し、コア層２０の裏面２０ｂにおいて、周辺貫通ビア８２〜８９の裏面側端部８２ｂ〜８９ｂがランド６１の直下領域外に位置している。これにより、電子部品１２１から発生した熱を、コア層２０のうちランド６１の真下の範囲だけでなく、ランド６１の真下の範囲よりも外側に熱を拡散させながら、コア層２０の厚さ方向に移動させることができる。
【００５５】
また、コア層２０の裏面２０ｂにおいて、周辺貫通ビア８２〜８９の裏面側端部８２ｂ〜８９ｂがＨＳ用パターン７２の直上領域内に位置しているので、周辺貫通ビア８２〜８９に沿って移動した熱を、ＨＳ用パターン７２を介してヒートシンクから放出させることができる。
【００５６】
（他の実施形態）
本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。
【００５７】
例えば、第１実施形態では、ランド６１の下方に位置する複数の貫通ビア８０として、９つの貫通ビア８１〜８９を配置したが、貫通ビアの数は任意に変更可能である。
【００５８】
また、第１実施形態では、中央貫通ビア８１の周囲に、周辺貫通ビア８２〜８９を一重に配置したが、周辺貫通ビアを多重に配置してもよい。この場合、多重の周辺貫通ビアを、それぞれ、コア層２０の表面２０ａから裏面２０ｂに向かうにつれてコア層２０の平面方向外側へ放射状に広がるように、斜めに形成する。これにより、第１実施形態よりも放出性を向上させることができる。
【００５９】
また、第１実施形態では、８つの周辺貫通ビア８２〜８９を傾斜させたが、少なくとも２つの貫通ビアを、コア層２０の表面２０ａから裏面２０ｂに向かうにつれて互いに離れるように傾斜させればよい。これにより、ランド６１の下方に位置する全ての貫通ビア８０が、コア層２０の表面２０ａに対して垂直である場合と比較して、コア層２０における熱移動を促進させることができ、多層基板１０の放熱性を向上させることができる。
【００６０】
このとき、少なくとも３つの貫通ビア（第１、第２、第３の貫通ビア）を、それぞれ、コア層２０の表面２０ａから裏面２０ｂに向かうにつれてコア層２０の平面方向外側へ放射状に広がるように傾斜させることが好ましい。
【００６１】
また、第１実施形態では、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０として、プリプレグの単層から構成されるものを図示しているが、コア層２０およびビルドアップ層３０、４０をプリプレグの多層から構成されるものとしてもよい。
【符号の説明】
【００６２】
１０            多層基板
２０            コア層
２０ａ          コア層の表面（一面）
２０ｂ          コア層の裏面（他面）
３０            ビルドアップ層
６１            ランド
８２、８３      周辺貫通ビア（貫通ビア）
１２１          電子部品
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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