(57)【要約】【課題】簡単な構造で、低コストに、導入部からの液体（水）の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減する。【解決手段】被測定流体の導入部１０Ａとセンサダイアフラム３２との間に、被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させて、第１のバッフル（１段目のバッフル）７１と第２のバッフル（２段目のバッフル）７２とを対向配置する。第１のバッフル７１は、第２のバッフル７２よりも被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置し、第２のバッフル７２は、第１のバッフル７１よりも被測定流体の通過方向Ｆの下流側に配置する。また、第１のバッフル７１には、その板面の中央部にのみ開口７１ａを形成し、第２のバッフル７２は、その板面の周辺部に１つ以上の開口７２ａを形成する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被測定流体の導入部を有するハウジングと、
前記導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップと、
前記導入部と前記ダイアフラムとの間に前記被測定流体の通過方向にその板面を直交させて対向配置され前記被測定流体に含まれる汚染物質の前記ダイアフラムへの堆積を防止する第１および第２のバッフルとを備え、
前記第１のバッフルは、
前記第２のバッフルよりも前記被測定流体の通過方向の上流側に配置され、前記板面の中央部にのみ開口を有し、
前記第２のバッフルは、
前記第１のバッフルよりも前記被測定流体の通過方向の下流側に配置され、前記板面の周辺部に１つ以上の開口を有する
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【請求項２】
請求項１に記載された静電容量型圧力センサにおいて、
前記第１および第２のバッフルの少なくとも一方の板面に、
前記第１のバッフルと第２のバッフルとの間の前記被測定流体の通過方向に直交する方向への流体の流れる経路を長くする凹凸が形成されている
ことを特徴とする静電容量型圧力センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する静電容量型圧力センサは広く知られている。例えば、半導体製造装置などにおける製造プロセス中の真空状態を計測するために静電容量型圧力センサが利用されており、この真空状態を計測するための静電容量型圧力センサを隔膜真空計と呼んでいる。
【０００３】
この隔膜真空計は、被測定流体の導入部を有するハウジングを有し、このハウジングの導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出する。この隔膜真空計において、導入部とダイアフラムとの間には、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、被測定流体に含まれる不要かつ支障のある物質（以下、この物質を汚染物質と呼ぶ）のダイアフラムへの堆積を防止するバッフルが設けられている。
【０００４】
図８に従来の隔膜真空計におけるバッフルの取付構造を示す。同図において、１００はハウジング、１００Ａはハウジング１００に設けられた被測定流体の導入部であり、この導入部１００Ａとダイアフラム（図示せず）との間に被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させて円板状の１枚のバッフル１０１を設けている。
【０００５】
バッフル１０１には、その外周部に所定の角度間隔でタブ１０１ａが形成されており、このタブ１０１ａ間の隙間１０１ｂを被測定流体が通過して、ダイアフラムへと送られる。すなわち、導入部１００Ａを通して導かれてくる被測定流体がバッフル１０１の中央の板面に当たって迂回し、バッフル１０１のタブ１０１ａ間の隙間１０１ｂを通過して、ダイアフラムへと送られる。これにより、ダイアフラムに被測定流体が直接当たることがなく、被測定流体に含まれる汚染物質のダイアフラムへの堆積が防止される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１４９９４６号公報
【特許文献２】特許第４６０７８８９号公報
【特許文献３】特開２００２−１１１０１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
このような隔膜真空計は、半導体製造装置の他、凍結乾燥装置などでも利用されている。しかしながら、凍結乾燥装置では、プロセス時の通常環境では被測定流体（気体）がバッフル１０１の隙間１０１ｂを通して導かれるが、ＣＩＰ洗浄と呼ばれる非プロセス時の特殊環境では、ＣＩＰ洗浄時（スプレー）の液体（水）がバッフル１０１の隙間１０１ｂを通して侵入し、ダイアフラムに到達する。このため、零点シフトなどの不具合が発生するという問題が生じていた。
【０００８】
なお、特許文献１には、導入部とダイアフラムとの間に、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、２枚のバッフルを対向配置した構成が示されている。すなわち、図９に示すように、バッフルを２段構成とし、１段目のバッフル１０２を被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置し、２段目のバッフル１０３を被測定流体の通過方向Ｆの下流側に配置するようにしている。
【０００９】
図１０に特許文献１に示された１段目のバッフル１０２の平面図を示す。図１１に特許文献１に示された２段目のバッフル１０３の平面図を示す。１段目のバッフル１０２は、導入口の直径より大きい直径を備える中央部分１０２ａと、この中央部分１０２ａの周囲に形成された多数の周辺開口部１０２ｂとを備えている。中央部分１０２ａには被測定流体が通過する開口は設けられていない。周辺開口部１０２ｂは、円周方向において等間隔の連続したセクタ（長細孔）として形成され、径方向に異なる直径ごとに配列されている。２段目のバッフル１０３は、図８に示したバッフル１０１と同様に、外周部に所定の角度間隔でタブ１０３ａが形成されており、このタブ１０３ａ間の隙間１０３ｂを被測定流体が通過する。
【００１０】
この特許文献１に示された２段構成のバッフルを図８に示した隔膜真空計に採用すると、導入部１００Ａからの液体（水）の侵入に対して有効であると考えられる。すなわち、１段目のバッフル１０２と２段目のバッフル１０３とで流体の通過位置が異なるため、気体に比べると流動性の低い液体（水）が通過しにくくなり、ダイアフラムに到達する液体（水）の量が減少するものと考えられる。
【００１１】
しかしながら、この特許文献１に示された２段構成のバッフルでは、導入部１００Ａからの液体（水）の侵入に対しては有効ではあるが、１段目のバッフル１０２の構造が複雑となり、高コストとなる。
【００１２】
なお、特許文献２には、導入部とダイアフラムとの間に、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、３枚のバッフルを対向配置した構成が示されている。この特許文献２に示された構成も、１段目と２段目のバッフルは特許文献１に示されたものと同じであって、この特許文献２に示された３段構成のバッフルを採用しても、特許文献１に示された２段構成のバッフルを採用した場合と同様の問題が生じる。
【００１３】
本発明は、このような課題を解決するためになされたもので、その目的とするところは、簡単な構造で、低コストに、導入部からの液体（水）の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減することが可能な静電容量型圧力センサを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
このような目的を達成するために、本発明に係る静電容量型圧力センサは、被測定流体の導入部を有するハウジングと、導入部を通して導かれてくる被測定流体の圧力を受けて撓むダイアフラムの変化を静電容量の変化として検出するセンサチップと、導入部とダイアフラムとの間に被測定流体の通過方向にその板面を直交させて対向配置され被測定流体に含まれる汚染物質のダイアフラムへの堆積を防止する第１および第２のバッフルとを備え、第１のバッフルは、第２のバッフルよりも被測定流体の通過方向の上流側に配置され、板面の中央部にのみ開口を有し、第２のバッフルは、第１のバッフルよりも被測定流体の通過方向の下流側に配置され、板面の周辺部に１つ以上の開口を有することを特徴とする。
【００１５】
この発明によれば、ハウジングの導入部とダイアフラムとの間に、被測定流体の通過方向にその板面を直交させて、第１のバッフルと第２のバッフルとが対向配置される。すなわち、バッフルを２段構えの構成とし、第１のバッフル（１段目のバッフル）を被測定流体の通過方向の上流側に配置し、第２のバッフル（２段目のバッフル）を被測定流体の通過方向の下流側に配置する。そして、１段目のバッフルと２段目のバッフルとで流体の通過位置が異なるようにすることで、気体に比べると流動性の低い液体（水）を通過しにくくする。ここまでは、特許文献１と同じである。
【００１６】
このとき、特許文献１では、半導体製造プロセスの特殊物質を想定していたため、１段目のバッフルの中央部分には開口を設けずに、この中央部分の周囲に多数の周辺開口部を設け、中央部分に当てて迂回させた被測定流体を１段目のバッフルの周辺開口部を通過させて２段目のバッフルに送ることにより、半導体製造プロセスの特殊物質の侵入を防いでいる。この構造が結果的に侵入防止対象物質（ＣＩＰ洗浄であれば水）を通過しにくくし、２段目のバッフルに侵入防止対象物質を接触させにくくし、ダイアフラムへの侵入防止対象物質の到達を低減させている。この半導体製造プロセスの特殊物質を想定した構造が１段目のバッフルを複雑化する要因であることに発明者は着眼した。
【００１７】
そして、ＣＩＰ洗浄の用途であれば、２段目のバッフルに侵入防止対象物質である水が接触すること自体は問題ないので、この設計上の制約の差異に基づき構造を簡易化できることに、発明者は想到した。具体的には、１段目のバッフルの被測定流体の通過位置を中央にして、２段目のバッフルの被測定流体の通過位置を周辺部にする。これにより、１段目のバッフルの板面の周辺部に開口を設ける特許文献１の構造に比べ、１段目のバッフルと２段目のバッフルとの間の被測定流体の通過方向に直交する方向への流体の流れる経路が長くなり、流動性の低い液体（水）をさらに通過させにくくすることができるようになる。また、１段目のバッフルは、その板面の中央部にのみ開口を設ければよく、その構造が簡単となる。また、１段目のバッフルと２段目のバッフルの何れかを回転させても流体の通過位置の距離は変わらないので、製造も簡単となる。これにより、特許文献１の２段構成のバッフルよりも、導入部からの液体（水）の侵入をさらに低減するとともに、低コスト化を実現できるようになる。
【００１８】
なお、本発明において、第１および第２のバッフルの少なくとも一方の板面に、第１のバッフルと第２のバッフルとの間の被測定流体の通過方向に直交する方向への流体の流れる経路を長くする凹凸を形成するようにしてもよい。すなわち、第１および第２のバッフルの板面の両方に凹凸を形成するようにしてもよく、第１のバッフルの板面のみに凹凸を形成するようにしてもよく、第２のバッフルの板面のみに凹凸を形成するようにしてもよい。これにより、第１のバッフルと第２のバッフルとの間の被測定流体の通過方向に直交する方向への流体の流れる経路がさらに長くなり、流動性の低い液体（水）をさらに通過させにくくすることができるようになる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、バッフルを２段構えの構成とし、第１のバッフルを被測定流体の通過方向の上流側に配置し、第２のバッフルを被測定流体の通過方向の下流側に配置し、第１のバッフルはその板面の中央部にのみ開口を有するものとし、第２のバッフルはその板面の周辺部に１つ以上の開口を有するものとしたので、簡単な構造で、低コストに、導入部からの液体（水）の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明に係る静電容量型圧力センサの一実施の形態（隔膜真空計）の要部を示す縦断面図である。
【図２】この隔膜真空計に用いる第１のバッフルの平面図である。
【図３】この隔膜真空計に用いる第２のバッフルの平面図である。
【図４】この隔膜真空計に用いる第２のバッフルの変形例を示す図である。
【図５】１段目のバッフルおよび２段目のバッフルの板面の両方に凹凸を形成するようにした例を示す図である。
【図６】１段目のバッフルの板面のみに凹凸を形成するようにした例を示す図である。
【図７】２段目のバッフルの板面のみに凹凸を形成するようにした例を示す図である。
【図８】従来の隔膜真空計におけるバッフルの取付構造を示す斜視図である。
【図９】特許文献１に示された２段構成のバッフルの配置状況を示す図である。
【図１０】特許文献１に示された２段構成のバッフルの１段目のバッフルの平面図である。
【図１１】特許文献１に示された２段構成のバッフルの２段目のバッフルの平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、本発明を図面に基づいて詳細に説明する。図１はこの発明に係る静電容量型圧力センサの一実施の形態（隔膜真空計）の要部を示す縦断面図である。
【００２２】
この隔膜真空計１は、パッケージ１０と、パッケージ１０内に収容された台座プレート２０と、同じくパッケージ１０内に収容され台座プレート２０に接合されたセンサチップ３０と、パッケージ１０に直接取付けられパッケージ１０内外を導通接続する電極リード部４０とを備えている。また、台座プレート２０は、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２とから構成され、パッケージ１０に対して隔間しており、支持ダイアフラム５０のみを介してパッケージ１０に支持されている。
【００２３】
パッケージ１０は、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３から構成されている。なお、ロアハウジング１１、アッパーハウジング１２、及びカバー１３は、耐食性の金属であるインコネルからなり、それぞれ溶接により接合されている。
【００２４】
ロアハウジング１１は、径の異なる円筒体を連結した形状を備え、その大径部１１ａは支持ダイアフラム５０との接合部を有し、その小径部１１ｂは被測定流体が流入する導入部１０Ａをなしている。
【００２５】
アッパーハウジング１２は略円筒体形状を有し、カバー１３、支持ダイアフラム５０、台座プレート２０、及びセンサチップ３０を介してパッケージ１０内に独立した真空の基準真空室１０Ｂを形成している。なお、基準真空室１０Ｂにはいわゆるゲッター（図示せず）と呼ばれる気体吸着物質が備わり、真空度を維持している。
【００２６】
また、アッパーハウジング１２の支持ダイアフラム５０の取付け側には周方向適所にストッパ１２ａが突出形成されている。なお、このストッパ１２ａは、被測定流体の急激な圧力上昇により台座プレート２０が過度に変移するのを規制する役目を果たしている。
【００２７】
また、カバー１３は円形のプレートからなり、カバー１３の所定位置には電極リード挿通孔１３ａが形成されており、ハーメチックシール６０を介して電極リード部４０が埋め込まれ、この部分のシール性が確保されている。
【００２８】
一方、支持ダイアフラム５０はケーシング１０の形状に合わせた外形形状を有するインコネルの薄板からなり、第１の台座プレート２１と第２の台座プレート２２との間に挟まれた状態で、その外周部（周囲縁部）が上述したアッパーハウジング１１とロアハウジング１２の縁部に挟まれて溶接等により接合されている。なお、支持ダイアフラム５０の厚さは、例えば本実施形態の場合数十ミクロンであって、各台座プレート２１，２２より充分薄い厚さとなっている。また、台座プレート２０（２１，２２）および支持ダイアフラム５０の中央部分には、センサチップ３０に被測定流体を導くための導入孔５０ａが形成されている。
【００２９】
第１の台座プレート２１および第２の台座プレート２２は、酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアからなり、第１の台座プレート２１はケーシング１０の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム５０の下面に接合され、第２の台座プレート２２はケーシング１０の内面から離間させた状態で支持ダイアフラム５０の上面に接合されている。
【００３０】
なお、各台座プレート２１，２２は、支持ダイアフラム５０の厚さに対して上述の通り十分に厚くなっており、かつ支持ダイアフラム５０を両台座プレート２１，２２でいわゆるサンドイッチ状に挟み込む構造を有している。これによって、支持ダイアフラム５０と台座プレート２０の熱膨張率の違いによって発生する熱応力でこの部分が反るのを防止している。
【００３１】
また、第２の台座プレート２２には酸化アルミニウムの単結晶体であるサファイアでできた上面視矩形状のセンサチップ３０が酸化アルミニウムベースの接合材を介して接合されている。なお、このセンサチップ３０の接合方法については、特許文献３に詳しく記載されているのでここでの説明は省略する。
【００３２】
センサチップ３０は上面視で１ｃｍ角以下の大きさを有し、四角角型の薄板からなるスペーサ３１と、スペーサ３１に接合されかつ圧力の印加に応じてひずみが生じるセンサダイアフラム３２と、センサダイアフラム３２に接合して真空の容量室（リファレンス室）３０Ａを形成するセンサ台座３３を有している。また、真空の容量室３０Ａと基準真空室１０Ｂとはセンサ台座３３の適所に穿設された図示しない連通孔を介して共に同一の真空度を保っている。
【００３３】
なお、スペーサ３１、センサダイアフラム３２、及びセンサ台座３３はいわゆる直接接合によって互いに接合され、一体化したセンサチップ３０を構成している。このセンサチップ３０の構成要素とされるセンサダイアフラム３２が本発明でいうダイアフラムに相当する。
【００３４】
また、センサチップ３０の容量室３０Ａには、センサ台座３３の凹部３３ａに金又は白金等の導体でできた固定電極３３ｂ，３３ｃが形成されているとともに、これと対向するセンサダイアフラム３２の表面上に金又は白金等の導体でできた可動電極３２ｂ，３２ｃが形成されている。また、センサチップ３０の上面には金又は白金からなるコンタクトパッド３５，３６が形成され、これらの固定電極３３ｂ，３３ｃと可動電極３２ｂ，３２ｃはコンタクトパッド３５，３６と図示しない配線によって接続されている。
【００３５】
一方、電極リード部４０は電極リードピン４１と金属製のシールド４２とを備え、電極リードピン４１は金属製のシールド４２にガラスなどの絶縁性材料からなるハーメチックシール４３によってその中央部分が埋設され、電極リードピン４１の両端部間で気密状態を保っている。そして、電極リードピン４１の一端はパッケージ１０の外部に露出して図示しない配線によって隔膜真空計１の出力を外部の信号処理部に伝達するようになっている。なお、シールド４２とカバー１３との間にも上述の通りハーメチックシール６０が介在している。また、電極リードピン４１の他方の端部には導電性を有するコンタクトバネ４５，４６が接続されている。
【００３６】
コンタクトバネ４５，４６は、導入部１０Ａから被測定流体が急に流れ込むことで発生する急激な圧力上昇により支持ダイアフラム５０が若干変移しても、コンタクトバネ４５，４６の付勢力がセンサチップ３０の測定精度に影響を与えない程度の十分な柔らかさを有している。
【００３７】
この隔膜真空計１において、センサチップ３０のセンサダイアフラム３２と導入部１０Ａとの間には、導入部１０Ａからの被測定流体の出口に、被測定流体の通過方向Ｆにその板面を直交させて、インコネルからなる第１のバッフル７１と第２のバッフル７２とが対向配置されている。すなわち、バッフルを２段構えの構成とし、第１のバッフル７１を被測定流体の通過方向Ｆの上流側に配置し、第２のバッフル７２を被測定流体の通過方向Ｆの下流側に配置している。
【００３８】
図２に第１のバッフル７１の平面図を示す。第１のバッフル７１は、円板状とされ、その板面の中央部にのみ、被測定流体の導通路（流路）として開口７１ａが形成されている。この開口７１ａは小さく絞った穴であり、小さいほど水の侵入は減らせるが、隔膜真空計１の応答速度の仕様を満足させる程度の径をもつこととする。
【００３９】
例えば、凍結乾燥装置におけるＣＩＰ洗浄においては、開口７１ａの径を０．５ｍｍ程度まで小さくすることが好ましい。なお、この例では、開口７１ａの径は、上限として１ｍｍ、下限は応答速度計算を実施して決定することにしている。
【００４０】
図３に第２のバッフル７２の平面図を示す。第２のバッフル７２も、円板状とされ、その板面の周辺部に、被測定流体の導通路（流路）として開口７２ａが形成されている。この例では、第２のバッフル７２の外周部に、１２０゜間隔で３つの切欠が開口７２ａとして形成されている。なお、第２のバッフル７２は、第１のバッフル７１よりもその径がやや大きくされている。
【００４１】
次に、この隔膜真空計１の動作について説明する。なお、この実施の形態において、隔膜真空計１は凍結乾燥装置の必要な場所に取付けられているものとする。
【００４２】
〔プロセス時の通常環境での被測定流体（気体）の微圧測定〕
凍結乾燥装置において、プロセス時の通常環境では、被測定流体（気体）が隔膜真空計１の導入部１０Ａからバッフル７１，７２を通り、導入孔５０ａを通って、センサダイアフラム３２に送られる。
【００４３】
この際、被測定流体（気体）が微圧であっても、センサチップ３０の容量室３０Ａ内は真空のため、センサダイアフラム３２が撓んで、センサチップ３０の固定電極３３ｂ，３３ｃと可動電極３２ｂ，３２ｃとの間隔が変化する。これによって、固定電極３３ｂ，３３ｃと可動電極３２ｂ，３２ｃとで構成されたコンデンサの容量値（静電容量）が変化する。この静電容量の変化を電極リード部４０によって隔膜真空計１の外部に取り出すことで、被測定流体（気体）の微圧を測定することができる。
【００４４】
また、隔膜真空計１の導入部１０Ａからの被測定流体（気体）は、バッフル７１の板面の中央部に形成された７１ａを通り、バッフル７２の板面の中央に当たって迂回し、バッフル７２の周辺部の開口（切欠）７２ａを通過して、導入孔５０ａを通って、センサダイアフラム３２に送られる。これにより、センサダイアフラム３２に被測定流体（気体）が直接当たることがなく、被測定流体（気体）に含まれる汚染物質のセンサダイアフラム３２への堆積が防止される。
【００４５】
〔ＣＩＰ洗浄（非プロセス時の特殊環境）〕
凍結乾燥装置において、ＣＩＰ洗浄（非プロセス時の特殊環境）時には、導入部１０Ａからの液体（水）が隔膜真空計１の内部に侵入しようとする。この場合、第１のバッフル（１段目のバッフル）７１は、その板面の中央部にのみ開口７１ａを有し、第２のバッフル（２段目のバッフル）７２は、その板面の周辺部に３つの開口７２ａを有している。これにより、第１のバッフル７１と第２のバッフル７２とで流体の通過位置が異なるものとなり、気体に比べると流動性の低い液体（水）が通過しにくくなり、センサダイアフラム３２に到達する液体（水）の量が減少する。
【００４６】
特に、本実施の形態では、１段目のバッフル７１の板面の中央部にのみ開口７１ａを有するものとしているため、１段目のバッフルの板面の周辺部に開口を設ける特許文献１の構造（図１０参照）に比べ、１段目のバッフル７１と２段目のバッフル７２との間の被測定流体の通過方向Ｆに直交する方向への流体の流れる経路が長くなり、流動性の低い液体（水）をさらに通過させにくくすることができる。また、１段目のバッフル７１は、その板面の中央部にのみ開口７１ａを設ければよく、その構造が簡単となる。また、１段目のバッフル７１と２段目のバッフル７２の何れかを回転させても流体の通過位置の距離は変わらないので、製造も簡単となる。これにより、特許文献１の２段構ＪＳ成のバッフルよりも、導入部１０Ａからの液体（水）の侵入をさらに低減するとともに、低コスト化が実現されるものとなる。
【００４７】
このようにして、本実施の形態の隔膜真空計１では、簡単な構造で、低コストに、導入部１０Ａからの液体（水）の侵入を防止し、零点シフトなどの不具合の発生を低減することができるようになる。
【００４８】
なお、上述した実施の形態では、２段目のバッフル７２の外周部に１２０゜間隔で３つの切欠を開口７２ａとして形成するようにしたが、図４（ａ）に示すように、開口７２ａとして形成する切欠の数を変更してもよく、図４（ｂ）に示すように、切欠ではなく丸孔を開口７２ａとして形成したりしてもよい。
【００４９】
また、上述した実施の形態において、１段目のバッフル７１および２段目のバッフル７２の少なくとも一方の板面に、１段目のバッフル７１と２段目のバッフル７２との間の被測定流体の通過方向Ｆに直交する方向への流体の流れる経路を長くする凹凸を形成するようにしてもよい。
【００５０】
すなわち、図５に示すように、１段目のバッフル７１および２段目のバッフル７２の板面の両方に凹凸を形成するようにしてもよいし、図６に示すように、１段目のバッフル７１の板面のみに凹凸を形成するようにしてもよいし、図７に示すように、２段目のバッフル７２の板面のみに凹凸を形成するようにしてもよい。
【００５１】
なお、１段目のバッフル７１および２段目のバッフル７２の板面の両方に凹凸を形成する場合（図５）には、１段目のバッフル７１の凹部７１ｂに２段目のバッフル７２の凸部７２ｃを入り込ませ、２段目のバッフル７２の凹部７２ｂに１段目のバッフル７１の凸部７１ｃを入り込ませるようにする。
【００５２】
このような凹凸を形成することにより、１段目のバッフル７１と２段目のバッフル７２との間の被測定流体の通過方向Ｆに直交する方向への流体の流れる経路がさらに長くなり、流動性の低い液体（水）をさらに通過させにくくすることができるようになる。
【００５３】
〔実施の形態の拡張〕
以上、実施の形態を参照して本発明を説明したが、本発明は上記の実施の形態に限定されるものではない。本発明の構成や詳細には、本発明の技術思想の範囲内で当業者が理解し得る様々な変更をすることができる。
【符号の説明】
【００５４】
１…隔膜真空計（静電容量型圧力センサ）、１０…パッケージ、１０Ａ…導入部、１１…ロアハウジング、１２…アッパーハウジング、１３…カバー、２０…台座プレート、２１…第１の台座プレート、２２…第２の台座プレート、３０…センサチップ、３１…スペーサ、３２…センサダイアフラム、３３…センサ台座、５０…支持ダイアフラム、５０ａ…導入孔、７１…第１のバッフル（１段目のバッフル）７１ａ…開口、７１ｂ…凹部、７１ｃ…凸部、７２…第２のバッフル（２段目のバッフル）、７２ａ…開口、７２ｂ…凹部、７２ｃ…凸部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図８】
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