(57)【要約】      （修正有）【課題】ＳｂとＧｅとの合金ターゲットから成膜した記録膜において、ナノオーダサイズの孤立微粒子記録膜に良質な記録・消去を行なうことと、媒体の長期保存性能を両立する。【解決手段】基板１０１と、前記基板上に設けられた記録膜１０３とを少なくとも備え、前記記録膜は、Ｓｂを主成分とする層２０１，２０３と、Ｇｅを主成分とする層２０２，２０４とが交互に積層しており、前記Ｓｂ層の膜厚は１．０ｎｍ、かつ、以上４．０ｎｍ以下であり、前記Ｇｅ層の膜厚は０．１０ｎｍ以上、かつ、０．５０ｎｍ以下であり、より好ましくは、前記Ｓｂ層の膜厚は３．０ｎｍ以上、かつ、３．８ｎｍ以下であり、前記Ｇｅ層の膜厚は０．１２ｎｍ以上、かつ、０．２０ｎｍ以下とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に設けられた記録膜とを少なくとも備え、
前記記録膜は、Ｓｂを主成分とするＳｂ層と、Ｇｅを主成分とするＧｅ層とが交互に積層しており、
前記Ｓｂ層の膜厚は１．０ｎｍ以上、かつ、４．０ｎｍ以下であり、
前記Ｇｅ層の膜厚は０．１０ｎｍ以上、かつ、０．５０ｎｍ以下である
ことを特徴とする光学的情報記録媒体。
【請求項２】
前記Ｓｂ層の膜厚は３．０ｎｍ以上、かつ、３．８ｎｍ以下であり、
前記Ｇｅ層の膜厚は０．１２ｎｍ以上、かつ、０．２０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項３】
記録膜を構成する元素のうち、Ｓｂが占める割合が９０ｍｏｌ％以上である
ことを特徴とする請求項１または２記載の光学的情報記録媒体。
【請求項４】
Ｓｂ層とＧｅ層とを含む記録膜の膜厚が、２ｎｍ以上、かつ、３０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の光学的情報記録媒体。
【請求項５】
記録膜は微粒子状に孤立化されており、
孤立化された微粒子の形状は、円筒形状もしくは楕円体状もしくは多角柱状、もしくは、それら複合した形状のいずれかであり、
前記孤立化された微粒子の任意の一方の外辺ともう一方の外辺とを結ぶ直線の最長距離が、３ｎｍ以上、かつ、８０ｎｍ以下である
ことを特徴とする請求項１から４のいずれかに記載の光学的情報記録媒体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板上に形成された薄膜に、レーザ等の高いエネルギーをもった光を照射することにより、情報信号を記録・再生することのできる光学的情報記録媒体に用いる記録膜に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
情報記録の分野では様々な研究が進められており、中でも光情報記録媒体は、長期間安定して保存できる情報記録媒体として、これまでに多くの研究・開発がなされてきた。現在までに、商品として、ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ｒａｙディスクなどが開発されており、世の中に広く普及している。
【０００３】
さらなる情報記録分野の進歩に伴って、より高密度の光メモリが求められるようになりつつある。ＣＤ、ＤＶＤ、Ｂｌｕ−ｒａｙディスクは最短マーク長をそれぞれ、０．８３μｍ、０．４０μｍ、０．１５μｍと小さくすることによって高密度化を実現してきた。しかしながら現行の光記録方式では、光の回折限界から、これ以上の大幅な記録マークの微小化は困難と考えられている。
【０００４】
近年、近接場光を用いた光記録方式がこの回折限界を打破する技術として大きな注目を集めるようになった。上記近接場光は、光の波長以下の寸法の開口やナノ粒子等に光が入射したとき、それらのごく近傍に局在化した形で、発生する光をいう。この近接場光で形成されるスポット径は、入射光の波長には依らず、入射した開口や微粒子等の寸法で決まる。
【０００５】
従来、先鋭化したファイバーフロープ等に光を入射し、その先端に設けた微小開口に近接場光を発生させる方法が多く採られてきたが、入射光に対する光の利用効率が低いという課題があった。近年、この光利用効率を大幅に向上させる技術として、金属の表面フラズモン共鳴を利用した近接場光発生素子が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００６】
この技術は、微小な金属膜に適当な波長の光を照射して表面プラズモン共鳴を誘起し、金属膜近傍に近接場光を発生させて記録再生を行うものである。また、記録密度を向上させるために、予め基板にパターンを形成しておくことにより安定した記録再生を行う方法も多く提案されている（例えば特許文献２、及び特許文献３参照）。
【０００７】
これらを利用してより微小な記録マークを記録することで、光メモリのさらなる高密度化、大容量化を実現することができる。特に書換型のＣＤ、ＤＶＤ、及びＢｌｕ−ｒａｙディスクでは、記録膜として相変化記録材料が広く用いられている（例えば特許文献４参照）。
【０００８】
この場合、相変化記録材料を光スポットによって加熱・急冷することでアモルファス化する、あるいは加熱・徐冷することで結晶化する等により、マークを記録する。この相変化記録材料の研究及び開発は、これまで広く盛んに行われてきている。現在の光記録媒体における高密度化の限界は、相変化記録材料によるものでなく、現行の光記録方式の回折限界（形成される光スポットの大きさ）で決まっている。従って、より小さな光スポット、あるいは、より小さな加熱領域を形成することができれば、相変化記録材料は高密度記録用材料としてまだまだ大きな可能性を秘めている。よって、相変化記録材料は、今後さらなる高密度光情報記録においても有望な材料であると考えられる。
【０００９】
近接場光により記録再生を行なう際の記録マークの形状については、円錐、３角錐又は４角以上の多角錐等の先端が尖った形状の微粒子、さらには円柱、３角柱又は４角以上の多面柱であっても、先端が丸まったり尖ったりした形状であれば、近接場光が集光または集中しやすいため好ましい形状であり、記録マークのサイズのオーダーとしては、光の回折限界より小さくなるレーリー散乱領域の大きさ（例えば波長λ＝４０５ｎｍの光源を用いる場合、λ／１０＝４０ｎｍ）以下が、近接場光を用いた記録再生に用いる微粒子サイズのひとつの目安と考えられる（例えば特許文献５参照）。
【００１０】
上記方式に適した媒体として、例えば、基板と基板上に孤立した状態で配列された情報記録材料を含む粒子部とを含み、前記粒子部の情報記録方向の幅を３０ｎｍ以下とした媒体が提案されている（例えば、特許文献６参照）。
【００１１】
すなわち、記録領域のサイズをナノオーダーとして、高密度化、大容量化を実現する提案であり、情報記録媒体を含むナノオーダーの微粒子（以降、「ナノ粒子」と称す。）を基板上に孤立した状態で配列することが提案されている。
【００１２】
一方で、記録型光ディスクでは、高い転送速度が求められる。記録材料をナノ粒子化して、高速に結晶化させることが望まれる。
【００１３】
記録膜の結晶化速度を向上させ、より高速での光記録を可能とすることを目的に、Ｓｂを主成分とした記録材料が提案されている（例えば、特許文献７、特許文献８参照）。
【００１４】
また、固体メモリの分野においては、低電流で繰り返し記録回数を増加させる目的で、Ｓｂ層とＧｅ層とが隣接するように超格子構造を構成して積層させる記録膜を有する固体メモリが提案されており、上記Ｓｂ層の膜厚は、Ｇｅ層の膜厚の３倍以上２０倍以下とすることが提案されている（特許文献９参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００３−１１４１８４号公報
【特許文献２】特許第２５８４１２２号公報
【特許文献３】特許第３７９３０４０号公報
【特許文献４】特許第２５７４３２５号公報
【特許文献５】国際公開第２０１２／０２６０９６号
【特許文献６】国際公開第２０１０／１１６７０７号
【特許文献７】特開２００６−９５８４５号公報
【特許文献８】特開２００７−２２０２６９号公報
【特許文献９】特許第４５９９５９８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
従来技術では、記録領域がナノオーダーにおける光記録媒体に用いる記録材料に適用可能な、高速結晶化と長期保存性能を両立する記録材料を実現できないという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
かかる問題に対し、本発明では、基板と、前記基板上に設けられた記録膜とを少なくとも備え、前記記録膜は、Ｓｂを主成分とするＳｂ層と、Ｇｅを主成分とするＧｅ層とが交互に積層しており、前記Ｓｂ層の膜厚は１．０ｎｍ以上、かつ、４．０ｎｍ以下であり、前記Ｇｅ層の膜厚は０．１０ｎｍ以上、かつ、０．５０ｎｍ以下であり、より好ましくは、前記Ｓｂ層の膜厚は３．０ｎｍ以上、かつ、３．８ｎｍ以下が好ましく、前記Ｇｅ層の膜厚は０．１２ｎｍ以上、かつ、０．２０ｎｍ以下であることが好ましく、Ｓｂ層とＧｅ層とから成る記録膜の膜厚は、２ｎｍ以上、かつ、３０ｎｍ以下であることが好ましい。
【００１８】
また、記録膜を構成する元素のうち、Ｓｂが占める割合を９０ｍｏｌ％以上とすることが、より優れた高速結晶化能と長期保存性能とを両立する上でより好ましい。
【００１９】
なお、特許文献７および特許文献８に示されるように、円状の光記録媒体を高線で回転させて記録膜に記録もしくは消去する（高線速で記録・消去する）際には結晶化能を高めることが有効であるが、結晶化能を高める以外にも記録膜の結晶化温度を低くすることで結晶化の促進を補うことができる。
【００２０】
つまり、高線速にするほど、記録マークを形成もしくは消去する際の光照射エネルギーが相対的に低下し、光照射時の記録膜の温度が低下するが、記録膜の結晶化温度を低くすることで、結晶化開始温度を低くして結晶化の促進を補うことができる。
【００２１】
本発明は、特に記録膜を微粒子状に孤立化したときに発揮され、孤立化された微粒子の形状は、円筒形状もしくは楕円体状もしくは多角柱状、もしくは、それら複合した形状のいずれかであり、その形状寸法を、孤立化された微粒子の任意の一方の外辺ともう一方の外辺とを結ぶ直線の最長距離が３ｎｍ以上、かつ、８０ｎｍ以下とすることにより、高速結晶化能と長期保存性能（耐環境性能）が両立する記録媒体を得ることが出来る。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の情報記録媒体に用いる記録膜によれば、記録膜をＳｂ層とＧｅ層との交互に積層することにより形成し、耐環境性能を満足する範囲内でＳｂ層の膜厚を最大とし、かつ、Ｇｅ層の膜厚を最小とすることで、高速結晶化能を補う低結晶化温度と、耐環境性能が両立する記録材料を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施の形態におけるサンプルについての一部断面図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
まず、本発明者らの着眼点について説明する。
【００２５】
記録領域が小さくなればなるほど、記録材料をアモルファスから結晶へと相転移させることが困難となることが知られている。その理由としては、記録材料を結晶化させるきっかけとなりうる記録材料と隣接する材料（以降、「界面膜」と称す。）と、記録材料との接触面積が減るために、確率的に記録材料の結晶化が促進されにくくなること、もしくは、記録材料の容積が減り、記録材料内に含まれる結晶核自体が減るために確率的に記録材料の結晶化が促進されにくくなること、等が挙げられる。
【００２６】
記録膜の結晶化速度の向上を狙いとした特許文献６、および特許文献７に提示された記録材料は、Ｓｂを主成分とした合金ターゲットをスパッタリングにより形成されており、記録材料膜中のＳｂ原子は無秩序に存在することとなる。
【００２７】
記録材料膜中のＳｂ量が多いほど、低温で高速に結晶化する反面、長期保存性能に乏しくなる。
【００２８】
例えば、上記記録材料を有する記録媒体を長期間室温下で保存すると、記録膜がアモルファス状態から結晶状態へと変化しやすくなり、記録した情報が自然と消去されやすくなるといった課題を有する。
【００２９】
この原因としては、Ｓｂ量が多いほどＳｂ原子が膜中に密に存在するため、Ｓｂ原子とＳｂ原子との間隔が統計的に短くなり、室温程度の温度エネルギーによって、比較的容易に安定な結晶状態に相転移し易くなるためと考えられる。
【００３０】
ナノサイズで孤立状で形成された記録材料に記録・消去を行なう際は、記録材料には、より高速な結晶化性能が求められるが、従来のＳｂ含有量を増す方法では、長期保存性能が顕著に課題となる。
【００３１】
なお、特許文献６、および、特許文献７においては、いずれも、記録膜中のＳｂ原子の配置、配列については何ら言及されていない。
【００３２】
また、特許文献８には、高速結晶化能と長期保存性能を確保できるＳｂ層の層厚とＧｅ層の層厚については何ら触れられていない。
【００３３】
以上の着眼点に基づいてなされた本発明の実施の形態について説明する。
【００３４】
（実施の形態）
図１に、本実施の形態１におけるＳｂ層とＧｅ層とを含む記録膜とを含むサンプルの構成について示す。
【００３５】
基板１０１としては、特定の光波長で透明であり、基板上に形成された相変化膜を支持でき、平滑性に優れ、相変化膜の相転移温度以上の耐熱性を有するガラス材料が好ましく、本実施の形態では、波長６８０ｎｍで光学的に透明な石英をφ１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍｔのサイズ上に加工したものを基板とした。
【００３６】
基板上に、順次、第一の界面膜１０２、記録膜１０３、第二の界面膜１０４を、いずれもスパッタリング法より形成した。特にスパッタ法に限らず、蒸着法、ＣＶＤ法等の薄膜形成方法を用いても良い。
【００３７】
第一の界面膜１０２と第二の界面膜１０４は、記録膜１０３の結晶化を促進もしくは制御する目的、および、記録膜１０３の酸化を防止する目的で形成し、記録膜との密着性、耐熱性、耐食性の優れた材料が好ましく、本実施例ではＳｉ３Ｎ４材料から成るφ１００ｍｍ、厚さ６ｍｍｔのターゲットをスパッタリングして、各５ｎｍ形成した。
【００３８】
記録膜１０３はＳｂ層とＧｅ層とが交互に積層された膜から成り、図１には一例として第一のＳｂ層２０１と、第一のＧｅ層２０２と第二のＳｂ層２０３と第二のＧｅ層２０４とから成る構成を示す。
【００３９】
なお、発明を実施するための記録膜の構成としては、図１に示す構成に限らず、基板上にＳｂ層とＧｅ層とが交互に、少なくともそれぞれ１層以上形成されていれば良く、積層する順序も基板上にＧｅ層、Ｓｂ層の順でも良い。
【００４０】
Ｓｂ層は、Ｓｂ材料を主成分として含むφ１００ｍｍ、厚さ６ｍｍｔのターゲットをスパッタリングすることにより任意の膜厚を形成し、Ｇｅ層はＧｅ材料を主成分として含むφ１００ｍｍ、厚さ６ｍｍｔのターゲットをスパッタリングすることにより任意の膜厚を形成した。
【００４１】
なお、Ｓｂ材料を主成分として含むＳｂ層は、Ｓｂ材料のみから成る層であっても良い。また、Ｇｅ材料を主成分として含むＧｅ層は、Ｇｅ材料のみから成る層であっても良い。
【００４２】
Ｓｂ層の膜厚は１．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下が好ましい。
【００４３】
Ｓｂ膜厚が４．０ｎｍよりも厚すぎると、室温程度の温度環境下で長期間アモルファス状態を保つことが困難となる、いわゆる長期保存性能が低下する。
【００４４】
Ｓｂ層厚が薄すぎると、結晶温度が高くなり、短時間のレーザー照射により信号の記録・消去、すなわち高速で記録・消去が困難となる理由から、Ｓｂ膜厚は１．０ｎｍ以上が好ましい。
【００４５】
Ｓｂ層の膜厚のより好ましい範囲は、３．０ｎｍ以上３．８ｎｍ以下が好ましい。
【００４６】
なお、記録膜中のすべてのＳｂ層が同じ膜厚であることが好ましいが、必ずしも、すべての層で同じ膜厚である必要はなく、上記範囲内の膜厚であれば良い。
【００４７】
一方、記録膜を構成する１層あたりのＧｅ層の膜厚については、０．１０ｎｍ以上０．５０ｎｍ以下が好ましい。
【００４８】
Ｇｅ層厚が０．１０ｎｍよりも薄くなると、Ｇｅ層に隣接するＳｂ層間で、Ｓｂ原子が結合し易くなるために、結晶化が促進され易くなる。つまり長期保存性能が低下し易くなる。
【００４９】
また、Ｇｅ層の膜厚が０．５０ｎｍよりも厚いと、結晶化温度が高くなり、高速記録が困難となる。
【００５０】
Ｇｅ層の膜厚のより好ましい範囲は、０．１２ｎｍ以上０．２０ｎｍ以下がより好ましい。
【００５１】
なお、Ｇｅ原子の半径が０．１２ｎｍであることを考慮すると、０．１２ｎｍ以下の膜厚のＧｅ層は、Ｇｅ原子通しが結合した層状（膜）になっていることは考えにくく、Ｇｅ原子がＳｂ表面上に個々に均一に分散されている状態であると考えられる。
【００５２】
したがって、ここで言う膜厚とは、あらかじめ平滑な基板上に、例えば触針式段差計測器等の膜厚測定装置で測定可能な数百ｎｍの膜厚となるように所定時間薄膜を成膜し、計測した薄膜の膜厚と上記所定時間とから算出した成膜レートと成膜時間とから求められる層の厚みのことである。言い換えれば、狙いとする膜厚のことである。
【００５３】
Ｇｅ原子がＳｂ表面上に個々に均一に分散されている状態であっても、Ｓｂ層とＳｂ層との間にＧｅ原子が存在することで、任意のＳｂ層と、Ｇｅ原子を挟んだＳｂ層との間では、Ｓｂ原子どうしが結合しにくくなるものと考えられる。
【００５４】
なお、記録膜中のすべてのＧｅ層が同じ膜厚であることが好ましいが、必ずしも、すべての層で同じ膜厚である必要はなく、上記範囲内の膜厚であれば良い。
【００５５】
Ｓｂ層とＧｅ層は、同じ層数である必要は必ずしもなく、例えば、Ｓｂ層から成膜され、Ｓｂ層で成膜が終了していても良い。
【００５６】
なお、本装置で用いたスパッタ装置としては、ターゲットと基板との距離（ＴＳ距離）が一般的なスパッタ装置と比べて長いロングスロースパッタ装置を用いた。
【００５７】
Ｓｂ層とＧｅ層それぞれをナノサイズ以下の膜厚で精度良く形成させるためには、１層あたりに要するスパッタ時間を長くすることが好ましいが、ＴＳ距離を長くすることによって、ターゲットからスパッタされる粒子の基板への到達確率を減らすことができ、スパッタレートを遅くできる。
【００５８】
一般的なスパッタ装置のＴＳ距離が２００ｍｍ以下であることに対して、本実施例で用いたスパッタ装置のＴＳ距離は３００ｍｍの装置を用いた。
【００５９】
また、別途、スパッタレートを遅くする方法としては、スパッタターゲットに印加するスパッタパワーを放電可能な範囲内で低くすることも有効である。
【００６０】
放電ガスとしてＡｒガスを用い、ターゲット近傍に５ｓｃｃｍの流量で流したとき、放電が維持できる最小の放電パワーが、Ｓｂ、Ｇｅそれぞれ２５Ｗであったことから、それぞれのスパッタパワーを５０Ｗとした。
【００６１】
サンプルの評価項目として結晶化温度を測定した。
【００６２】
なお、１種類のサンプル作成において、１回のスパッタ工程で２枚以上のサンプルを作成し、そのうち１枚は、サンプル作成後直ぐに結晶化温度の測定を行ない、別の１枚は、高温恒湿槽を用いて８０℃２０％ＲＨ−１００ｈの加速試験を実施した後に、結晶化温度を測定した。
【００６３】
すなわち、加速試験前後における結晶化温度の測定を１つの工程で作成した別々のサンプルについて測定を行ない、加速試験前の結晶化温度（Ｔｘ）と、加速試験後の結晶化温度（ＴｘＡ）との差（ΔＴ＝Ｔｘ−ＴｘＡ）を算出し、ΔＴが小さいほど耐食性に優れるものとして評価した。
【００６４】
結晶化温度の測定は、ヒーターを備えたサンプル台にサンプルを膜面下になるように設置し、サンプル上方より６８０ｎｍのレーザ光を照射させてサンプル台を５℃／分の昇温速度で加熱して、アモルファス状態から結晶状態に相変化するときのレーザ光の透過光強度の変化から結晶化温度を読み取った。
【００６５】
波長６８０ｎｍの光源を用いた場合では、本サンプルを透過する光強度は記録膜がアモルファス状態と結晶状態のときでは異なり、アモルファス状態のときの方が透過率は高く、温度上昇により結晶状態になると透過率が低下する変化が観測されるが、この透過光の温度依存性の曲線を温度で微分し、得られた極大値を示す温度を結晶化温度と定義した。
【００６６】
交互積層膜のＴｘとΔＴの優劣を判定する指標として、別途、ＳｂとＧｅとの合金ターゲットからスパッタした膜（合金膜と称す）を記録膜とした種々のサンプルを作製し、それらＴｘとΔＴの結果をもとに、交互積層膜の合金膜に対する優劣を判定した。
【００６７】
表１に合金膜を記録膜としたサンプルの、Ｔｘ、ΔＴを示す。
【００６８】
なお、合金膜のサンプル構成ならびに作成法については、記録膜以外は先に記した交互積層膜におけるサンプル構成ならびに作成法と同じとし、記録膜の作成においては、スパッタ膜の組成がＧｅ１０Ｓｂ９０（ｍｏｌ％）、Ｇｅ８Ｓｂ９２（ｍｏｌ％）、Ｇｅ６Ｓｂ９４（ｍｏｌ％）、Ｇｅ４Ｓｂ９６（ｍｏｌ％）の４種類について行ない、それぞれ合金ターゲットをＡｒ５ｓｃｃｍ、スパッタパワー５０Ｗの条件下で、所定の膜厚をスパッタした。
【００６９】
【表１】
2014010873.tif 000003
【００７０】
Ｇｅ１０Ｓｂ９０（ｍｏｌ％）組成については、ＴｘとΔＴは記録膜厚にさほど依存せず、おおよそ２４１℃であった。
【００７１】
Ｇｅ８Ｓｂ９２（ｍｏｌ％）組成については、Ｔｘは記録膜厚にさほど依存せず、おおよそ２２５℃であり、ΔＴは膜厚５ｎｍのときには０℃であったものが、膜厚２０ｎｍのときに４℃に増加した。
【００７２】
Ｇｅ６Ｓｂ９４（ｍｏｌ％）組成については、Ｔｘは記録膜厚にさほど依存せず、おおよそ１９５℃であり、ΔＴは膜厚５ｎｍのときには１１℃であったものが、膜厚２０ｎｍのときに３０℃であった。
【００７３】
Ｇｅ４Ｓｂ９６（ｍｏｌ％）組成については、Ｔｘは記録膜厚にさほど依存せず、おおよそ１７０℃であったものが、ΔＴは膜厚５ｎｍのときには５０℃であり、膜厚１０ｎｍ、および２０ｎｍのときには、ＴｘＡが測定不能であったため、加速試験前の結晶化温度と同じ値とした。
【００７４】
ＴｘＡが測定不能である原因としては、サンプルの室温での透過率が加速前のサンプルの結晶状態の透過率とほぼ同等であったことから、加速試験によって記録膜が結晶状態に相転移したためであると推測できる。
【００７５】
以上の結果から、交互積層膜のＴｘの優劣の判定としては、ΔＴが５ｎｍから２０ｎｍの範囲内で記録膜厚によらず有限であったＧｅ６Ｓｂ９４（ｍｏｌ％）組成並みの結晶化温度（１９５℃）以下であったものを◎、Ｇｅ１０Ｓｂ９０（ｍｏｌ％）組成の結晶化温度（２４１℃）未満であったものを○、２４１℃以上であったものを×とし、ΔＴの指標としては、加速前後で結晶化温度差のないΔＴ＝０℃であったものを◎、０℃より大きく１０℃以下であったものを○、１０℃より大きかったものを×とした。
【００７６】
Ｔｘ、およびΔＴの優劣判定の結果が、いずれも◎であった場合を、総合判定◎として判定し、いずれか一方の優劣判定が○であった場合を、総合判定○として判定し、いずれか一方の優劣判定が×であった場合を、総合判定×として判定した。
【００７７】
すなわち、総合判定が◎となったサンプルは、Ｇｅ６Ｓｂ９４合金膜と比べて低温で結晶化が促進されるにもかかわらず、耐湿性がＧｅ１０Ｓｂ９０合金膜と同等以上に優れた記録膜であることが言える。
【００７８】
また、総合判定が○であったサンプルは、Ｇｅ１０Ｓｂ９０合金膜以上に低温で結晶化が促進され、耐湿性はＧｅ８Ｓｂ９２合金膜と同等以上に優れた記録膜であることが言える。
【００７９】
以下に実施例と比較例について示す。
【００８０】
［実施例１］
φ１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍｔの石英基板上に、第一の界面膜としてＳｉ３Ｎ４膜を膜厚５ｎｍで形成し、その後、Ｓｂ層およびＧｅ層を各１層ずつ形成した膜を１周期として、計２周期のＳｂ層とＧｅ層とから成る交互積層膜を記録膜として形成した。
【００８１】
すなわち、記録膜としては、順次Ｓｂ層、Ｇｅ層、Ｓｂ層、Ｇｅ層の４層からなる層とした。Ｓｂ層の膜厚は４．００ｎｍとし、Ｇｅ層の膜厚は０．５ｎｍとして、記録膜厚として９．０ｎｍ形成した。
【００８２】
次いで、第二の界面膜としてＳｉ３Ｎ４膜を膜厚５ｎｍで形成して評価用サンプルを作成した。
【００８３】
スパッタ条件は、第一および第二の界面膜については、Ｓｉ３Ｎ４材料ターゲットを用いて、Ａｒ流量３ｓｃｃｍ、放電パワーＲＦ２００Ｗの下で放電させた。あらかじめ調べておいたスパッタレートは０．００６５８ｎｍ／ｓであり、膜厚５ｎｍ形成するに要するスパッタ時間を、狙いの膜厚／スパッタレートにより算出し、７５９．８８秒とした。
【００８４】
Ｓｂ層については、Ｓｂターゲットを用いてＡｒ流量５ｓｃｃｍ、放電パワーＤＣ５０Ｗの下で放電させた。あらかじめ調べておいたスパッタレートは０．１２５１１ｎｍ／ｓであり、膜厚４．００ｎｍ形成するに要するスパッタ時間を、狙いの膜厚／スパッタレートにより算出し、３１．９７秒とした。
【００８５】
Ｇｅ層については、Ｇｅターゲットを用いてＡｒ流量５ｓｃｃｍ、放電パワーＤＣ５０Ｗの下で放電させた。あらかじめ調べておいたスパッタレートは０．０３８８９ｎｍ／ｓであり、膜厚０．５ｎｍ形成するに要するスパッタ時間を、狙いの膜厚／スパッタレートにより算出し、１２．８６秒とした。
【００８６】
Ｓｂ層を４．００ｎｍ、Ｇｅ層を０．５０ｎｍとして交互積層した記録膜の組成については、別途、１０ｍｍ角の石英基板上にＳｂ層とＧｅ層とを上記膜厚で交互に２５０周期、膜厚１１２５ｎｍとなるように積層したサンプル形成し、ＩＣＰ法により記録膜の組成を調べた。
【００８７】
その結果、Ｓｂ量は８５．７ａｔ％、Ｇｅ量は１４．３ａｔ％であった。また、別途膜厚を調べた結果、１１２５ｎｍであった。
【００８８】
本サンプルの各層の膜厚を断面ＴＥＭにより調べた結果、Ｓｂ膜厚はおおむね３．９０ｎｍから４．１０ｎｍの間にあり、平均な膜厚は４．００ｎｍであった。
【００８９】
また、Ｇｅ厚については断面ＴＥＭの分解能以下の膜厚であったため、直接は確認できなかったものの、ＩＣＰサンプルの膜厚が１１２５ｎｍであったことから、おおむね０．５０ｎｍの膜厚で形成されているものと推測できる。
【００９０】
ところで、材料Ａ、材料Ｂからなる２種類の材料層からなる積層膜の組成比率Ａ／Ｂは、以下の式で示される。
【００９１】
Ａ／Ｂ（ａｔ％）＝（Ａ１／Ｂ１）＊（Ｂ２／Ａ２）＊（Ａ３／Ｂ３）  （１）
ここでＡ１，Ｂ１は各材料の膜厚であり、Ａ２，Ｂ２は各材料の分子量であり、Ａ３，Ｂ３は各材料層の比重である。
【００９２】
ＡをＳｂ材料、ＢをＧｅ材料とすると、本ＩＣＰ結果からＡ／Ｂ（ａｔ％）＝５．９９３、膜厚についてはＡ１／Ｂ１＝４．０／０．５＝８．０、分子量についてはＢ２／Ａ２＝１２１．８／７２．６＝０．５９６３、であることから、（１）式を用いて各材料層の比重の比を求めると、Ａ３／Ｂ３＝１．２５６であることが算出される。Ｓｂ（バルク）の比重が６．６９、Ｇｅ（バルク）の比重が５．３２であり、理想的な比重の比が、１．２５８となることから、本ＩＣＰの組成結果は妥当であると言える。
【００９３】
評価用サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝２０６℃であり、判定は○であった。また、ΔＴは３℃であり、判定は○であった。総合判定は○となった。
【００９４】
［実施例２］
Ｇｅ厚を０．４ｎｍとする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【００９５】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様に計算したスパッタ時間を採用した。記録膜厚としては８．８０ｎｍ形成した。
【００９６】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ８８．２％であった。
【００９７】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１９２℃であり判定は◎であった。ΔＴは２℃であり、判定は○であった。総合判定は○となった。
【００９８】
［実施例３］
Ｇｅ厚を０．３ｎｍとする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【００９９】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては８．６０ｎｍ形成した。
【０１００】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９０．９％であった。
【０１０１】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１８５℃であり判定は◎であった。ΔＴは３℃であり、判定は○であった。総合判定は○となった。
【０１０２】
［実施例４］
Ｇｅ厚を０．２ｎｍとする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１０３】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては８．４０ｎｍ形成した。
【０１０４】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９３．７％であった。
【０１０５】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１６４℃であり判定は◎であった。ΔＴは３℃であり、判定は○であった。総合判定は○となった。
【０１０６】
［実施例５］
Ｇｅ厚を０．１５ｎｍとする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１０７】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては８．３０ｎｍ形成した。
【０１０８】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９５．２％であった。
【０１０９】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１５２℃であり判定は◎であった。ΔＴは７℃であり、判定は○であった。総合判定は○となった。
【０１１０】
［実施例６］
Ｇｅ厚を０．１２ｎｍとする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１１１】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては８．２４ｎｍ形成した。
【０１１２】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９６．２％であった。
【０１１３】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１４８℃であり判定は◎であった。ΔＴは７℃であり、判定は○であった。総合判定は○となった。
【０１１４】
［実施例７］
Ｇｅ厚を０．１０ｎｍとする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１１５】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては８．２０ｎｍ形成した。
【０１１６】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９６．８％であった。
【０１１７】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１４６℃であり判定は◎であった。ΔＴは６℃であり、判定は○であった。総合判定は○となった。
【０１１８】
［実施例８］
Ｓｂ厚を３．８０ｎｍとし、Ｇｅ厚を０．２０ｎｍとする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１１９】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては８．００ｎｍ形成した。
【０１２０】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９３．４％であった。
【０１２１】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１７４℃であり判定は◎であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は◎となった。
【０１２２】
［実施例９］
Ｓｂ厚を３．６０ｎｍとし、Ｇｅ厚を０．３０ｎｍとする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１２３】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては７．８０ｎｍ形成した。
【０１２４】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９０．０％であった。
【０１２５】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝２０６℃であり判定は○であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は○となった。
【０１２６】
［実施例１０］
Ｇｅ厚を０．２０ｎｍとする以外は実施例９と同様にサンプルを作成した。
【０１２７】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては７．６０ｎｍ形成した。
【０１２８】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９３．１％であった。
【０１２９】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１８１℃であり判定は◎であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は◎となった。
【０１３０】
［実施例１１］
Ｇｅ厚を０．１５ｎｍとする以外は実施例９と同様にサンプルを作成した。
【０１３１】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては７．５０ｎｍ形成した。
【０１３２】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９４．７％であった。
【０１３３】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１７０℃であり判定は◎であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は◎となった。
【０１３４】
［実施例１２］
Ｇｅ厚を０．１２ｎｍとする以外は実施例９と同様にサンプルを作成した。
【０１３５】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては７．４４ｎｍ形成した。
【０１３６】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９５．７％であった。
【０１３７】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１５５℃であり判定は◎であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は◎となった。
【０１３８】
［実施例１３］
Ｇｅ厚を０．１０ｎｍとする以外は実施例９と同様にサンプルを作成した。
【０１３９】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては７．４０ｎｍ形成した。
【０１４０】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９６．４％であった。
【０１４１】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１４５℃であり判定は◎であった。ΔＴは５℃であり、判定は○であった。総合判定は○となった。
【０１４２】
［実施例１４］
Ｓｂ厚を３．００ｎｍとし、Ｇｅ厚を０．１５ｎｍとし、積層周期を３周期とする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１４３】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては９．４５ｎｍ形成した。
【０１４４】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９３．７％であった。
【０１４５】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１８５℃であり判定は◎であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は◎となった。
【０１４６】
［実施例１５］
Ｓｂ厚を１．８５ｎｍとし、Ｇｅ厚を０．１０ｎｍとし、積層周期を５周期とする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１４７】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては９．７５ｎｍ形成した。
【０１４８】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９３．３％であった。
【０１４９】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝２４０℃であり判定は○であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は○となった。
【０１５０】
［実施例１６］
Ｓｂ厚を１．４０ｎｍとし、Ｇｅ厚を０．１０ｎｍとし、積層周期を５周期とする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１５１】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては７．５０ｎｍ形成した。
【０１５２】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９１．３％であった。
【０１５３】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝２２３℃であり判定は○であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は○となった。
【０１５４】
［実施例１７］
Ｓｂ厚を１．００ｎｍとし、Ｇｅ厚を０．１０ｎｍとし、積層周期を７周期とする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１５５】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては７．７０ｎｍ形成した。
【０１５６】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ８８．２％であった。
【０１５７】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝２４０℃であり判定は○であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は○となった。
【０１５８】
実施例１から実施例１７までをまとめると、Ｓｂ膜厚が１．００ｎｍ以上４．００ｎｍ以下の範囲であり、かつ、Ｇｅ厚が０．１０ｎｍ以上０．５０ｎｍ以下の範囲であれば、結晶化温度が低く、かつ耐湿性も良好であることがわかる。
【０１５９】
特に、Ｓｂ膜厚が３．００ｎｍ以上３．８０ｎｍ以下の範囲であり、かつ、Ｇｅ厚が０．１２ｎｍ以上０．２０ｎｍ以下の範囲では、特に結晶化温度が低く、耐食性が良好であり、総合判定が◎であり、ＧｅＳｂ合金膜サンプルでは両立しにくかった低い結晶化温度と、良好な耐湿性が、交互積層膜で両立しやすくなることがわかる。
【０１６０】
［実施例１８］
Ｓｂ厚を３．６０ｎｍとし、Ｇｅ厚を０．１５ｎｍとし、積層周期を１周期とする以外は実施例１と同様にサンプルを作成した。
【０１６１】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては３．７５ｎｍ形成した。
【０１６２】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９４．７％であった。
【０１６３】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１４９℃であり判定は◎であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は◎となった。
【０１６４】
［実施例１９］
積層周期を４周期とする以外は実施例１８と同様にサンプルを作成し、記録膜厚としては１５．００ｎｍ形成した。
【０１６５】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９４．７％であった。
【０１６６】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１７１℃であり判定は◎であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は◎となった。
【０１６７】
［実施例２０］
積層周期を８周期とする以外は実施例１８と同様にサンプルを作成し、記録膜厚としては３０．００ｎｍ形成した。
【０１６８】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９４．７％であった。
【０１６９】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝１７２℃であり判定は◎であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は◎となった。
【０１７０】
実施例１８から実施例２０までをまとめると、交互積層の周期を変えて、記録膜厚を３．７５ｎｍ〜３０．０ｎｍの範囲内で変えたサンプルすべてにおいて、結晶化温度が低く、かつ耐湿性も良好であり、総合判定が◎となった。
【０１７１】
以上に示した実施例１〜実施例２０までの結果を表２にまとめる。
【０１７２】
【表２】
2014010873.tif 000004
【０１７３】
以上、実施例１から実施例２０までに示したように、基板と、前記基板上に設けられた記録膜とを少なくとも備え、前記記録膜を、Ｓｂから成る層と、Ｇｅから成る層とが交互に積層し、前記Ｓｂ層の膜厚を１．０ｎｍ以上４．０ｎｍ以下とし、前記Ｇｅ層の膜厚を０．１０ｎｍ以上０．５０ｎｍ以下とした記録膜は、合金膜から成る記録膜に対して、低い結晶化温度と、優れた耐環境性能を有することがわかる。
【０１７４】
さらに好ましくは、Ｓｂ層の膜厚を３．０ｎｍ以上３．８ｎｍ以下とし、Ｇｅ層の膜厚を０．１２ｎｍ以上０．２０ｎｍ以下とすることで、本効果がさらに顕著になることがわかる。
【０１７５】
なお、本実施例では、平滑な基板を用いた平滑な記録膜において本発明の効果を検証したが、本発明はナノオーダーの寸法で微粒子状に孤立化された記録膜に適用することで特に効果を発揮するものと推測できる。
【０１７６】
その理由としては、記録膜を合金膜としてＳｂとＧｅとを膜中ランダムに存在させた場合においては、記録膜を微粒子状とすると、記録膜の体積が減少して、記録膜内部の結晶核が減少し、その結果、結晶化が促進されにくくなることが一般的に知られているが、この場合、Ｓｂ含有量を増加させて結晶化温度を低下させようとすると、耐環境性能が著しく低下する。一方、記録膜をＳｂ層とＧｅ層との交互積層膜とした場合では、記録膜を微粒子とすると、結晶化が促進されにくくなるまでは合金膜と同じであるが、Ｓｂ含有量を増加する、すなわちＳｂ層とＧｅ層とをＳｂ含有量が増加する方向に適宜調整することによって、結晶化温度を低下させても、耐環境性能は合金膜と比べてさほど低下しないことは容易に推測できるからである。
【０１７７】
孤立微粒子の形状は、円筒形状もしくは楕円体状もしくは多角柱状、もしくは、それら複合した形状、いずれにおいても近接場光が集光または集中しやすいため好ましく、その形状寸法は、小さければ小さいほど本発明の効果が顕著に現れる点で好ましいが、その上限のひとつの目安としては、近い将来、近接場光を用いた記録媒体に適用されるべき記録領域サイズであり、そのサイズとしては、現在工業的に広範囲で使用されている赤外レーザ（波長λ＝７８０ｎｍ）のレーリー散乱領域以下の大きさ、即ち波長の１／１０程度であり、おおよそ８０ｎｍである。
【０１７８】
また、ピラー微粒子サイズの下限としては、作製上の観点から、小さくしすぎると寸法のバラツキを抑制することが困難となるため、ピラー微粒子の寸法は３ｎｍ以上が好ましく、相変化の観点から、３ｎｍ未満とした場合では、Ｓｂ原子（原子半径０．１４ｎｍ）が微粒子の１辺に約１００個並ぶが、この個数以下の場合、相変化材料の体積エネルギーよりも表面エネルギーが支配的になり、微粒子の結晶化能が低下するので、ピラー微粒子の寸法は３ｎｍ以上が好ましい。
【０１７９】
以下に比較例を示す。
【０１８０】
［比較例１］
Ｇｅ厚を０．５５ｎｍとする以外は実施例９と同様にサンプルを作成した。
【０１８１】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては８．３０ｎｍ形成した。
【０１８２】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ８３．１％であった。
【０１８３】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝２５５℃であり判定は×であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は×となった。
【０１８４】
［比較例２］
Ｇｅ厚を０．０８ｎｍとする以外は実施例９と同様にサンプルを作成した。
【０１８５】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては７．３６ｎｍ形成した。
【０１８６】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９７．１％であった。
【０１８７】
サンプルのＴｘを評価したところ、Ｔｘ＝１２１℃であり判定は◎であった。
【０１８８】
加速後の結晶化温度を測定したところ、室温での透過率が、加速前のサンプルの結晶状態の透過率とほぼ同等であり、本サンプルを昇温しても、透過率の変化は観測されなかった。すなわち加速後の結晶化温度は測定不可であった。この原因としては、加速試験によって、記録膜が結晶状態に相転移したためと思われる。
【０１８９】
加速後の結晶化温度が測定不可であった場合は、ΔＴの値を加速前に測定した結晶化温度と同じ値とした。この場合、ΔＴ＝１２１℃であり、判定は×であった。総合判定は×となった。
【０１９０】
［比較例３］
Ｓｂ厚を４．２０ｎｍとする以外は実施例４と同様にサンプルを作成した。
【０１９１】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては９．２０ｎｍ形成した。
【０１９２】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ９４．０％であった。
【０１９３】
サンプルのＴｘを評価したところ、Ｔｘ＝１５７℃であり判定は◎であった。
【０１９４】
ΔＴは、比較例２と同様に測定不可であり、ΔＴの値を加速前に測定した結晶化温度と同じ値とした。この場合、ΔＴ＝１５７℃であり、判定は×であった。総合判定は×となった。
【０１９５】
［比較例４］
Ｓｂ厚を０．８０ｎｍとし、積層周期を８周期とする以外は実施例４と同様にサンプルを作成した。
【０１９６】
上記膜厚を形成するためのスパッタ時間については、実施例１で算出した方法と同様にスパッタ時間を計算して採用した。記録膜厚としては８．００ｎｍ形成した。
【０１９７】
記録膜の組成については、実施例１の結果を元に計算により求め、Ｓｂ７５．０％であった。
【０１９８】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝２４５℃であり判定は×であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は×となった。
【０１９９】
［比較例５］
積層周期を１周期とする以外は実施例１５と同様にサンプルを作成した。記録膜厚としては１．８６ｎｍ形成した。
【０２００】
サンプルのＴｘおよびΔＴを評価したところ、Ｔｘ＝３７０℃であり判定は×であった。ΔＴは０℃であり、判定は◎であった。総合判定は×となった。
【０２０１】
比較例１〜比較例５までの結果を表３にまとめる。
【０２０２】
【表３】
2014010873.tif 000005
【０２０３】
以上、比較例１から比較例５までに示したように、Ｓｂ層の膜厚を１．０ｎｍよりも薄く、もしくは４．０ｎｍよりも厚くした場合、もしくは、Ｇｅ層の膜厚を０．１０ｎｍよりも薄く、もしくは０．５０ｎｍよりも厚くした場合、もしくは記録膜厚を２ｎｍよりも薄くした場合においては、低い結晶化温度と、優れた耐環境性能を両立することが困難となる。
【０２０４】
以上のように、実施の形態における光学的情報記録媒体は、ある一局面においては、下記の構成を主に有している。
【０２０５】
すなわち、実施の形態における光学的情報記録媒体は、基板と、基板上に設けられた記録膜とを少なくとも備えている。このとき、記録膜は、Ｓｂを主成分とするＳｂ層と、Ｇｅを主成分とするＧｅ層とが交互に積層している。このとき、Ｓｂ層の膜厚は、１．０ｎｍ以上かつ４．０ｎｍ以下である。さらに、Ｇｅ層の膜厚は、０．１０ｎｍ以上かつ０．５０ｎｍ以下である。
【０２０６】
以上の構成によれば、高速結晶化能を補う低い結晶化温度と、耐環境性能とを両立した情報記録材料を実現することができる。
【０２０７】
また、実施の形態における光学的情報記録媒体においては、Ｓｂ層の膜厚は、３．０ｎｍ以上かつ３．８ｎｍ以下であっても良い。さらに、Ｇｅ層の膜厚は、０．１２ｎｍ以上かつ０．２０ｎｍ以下であっても良い。
【０２０８】
以上の構成によれば、高速結晶化能を補う低い結晶化温度と、耐環境性能とを両立できる効果が、より顕著となる。
【０２０９】
また、実施の形態における光学的情報記録媒体においては、記録膜を構成する元素のうち、Ｓｂが占める割合が９０ｍｏｌ％以上であっても良い。
【０２１０】
以上の構成によれば、より優れた高速結晶化能と長期保存性能とを両立できる。
【０２１１】
また、実施の形態における光学的情報記録媒体においては、Ｓｂ層とＧｅ層とを含む記録膜の膜厚が、２ｎｍ以上かつ３０ｎｍ以下であっても良い。
【０２１２】
また、実施の形態における光学的情報記録媒体においては、記録膜は微粒子状に孤立化されていても良い。また、孤立化された微粒子の形状は、円筒形状もしくは楕円体状もしくは多角柱状、もしくは、それら複合した形状のいずれかであっても良い。このとき、孤立化された微粒子の任意の一方の外辺ともう一方の外辺とを結ぶ直線の最長距離が、３ｎｍ以上、かつ、８０ｎｍ以下であっても良い。
【０２１３】
以上の構成によれば、高速結晶化能と長期保存性能（耐環境性能）とを両立した情報記録媒体を実現できる。
【産業上の利用可能性】
【０２１４】
本発明によれば、情報信号を記録・再生することのできる光学的情報記録媒体に利用可能である。
【符号の説明】
【０２１５】
１０１    基板
１０２    第一の界面膜
１０３    記録膜
１０４    第二の界面膜
２０１    第一のＳｂ層
２０２    第一のＧｅ層
２０３    第二のＳｂ層
２０４    第二のＧｅ層
【図１】
2014010873.tif 000006