(57)【要約】【課題】より小型化を図ることのできる半導体物理量センサを得る。【解決手段】半導体物理量センサ１０は、一側２０ａにキャビティ２１が形成され、他側２０ｂにレンズ部２４が形成された半導体基材２０を備えている。また、半導体物理量センサ１０は、キャビティ２１上に配置される誘電体薄板部６１を有し、半導体基材２０の一面２０ａ側に固定される誘電体６０と、誘電体薄板部６１上に配置される受光素子４０と、を備えている。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一側にキャビティが形成され、他側にレンズ部が形成された半導体基材と、
前記キャビティ上に配置される誘電体薄板部を有し、前記半導体基材の一面側に固定される誘電体と、
前記誘電体薄板部上に配置される受光素子と、
を備えることを特徴とする半導体物理量センサ。
【請求項２】
前記レンズ部の表面に高反射膜が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体物理量センサ。
【請求項３】
前記レンズ部の表面が放物面であることを特徴とする請求項２に記載の半導体物理量センサ。
【請求項４】
前記レンズ部の表面に所定の波長の光を選択的に透過させるフィルタが形成されていることを特徴とする請求項１に記載の半導体物理量センサ。
【請求項５】
前記半導体基材が単結晶シリコンで形成されており、前記キャビティは、前記半導体基材の一面側から異方性エッチングを施すことにより形成されていることを特徴とする請求項１〜４のうちいずれか１項に記載の半導体物理量センサ。
【請求項６】
前記受光素子が焦電体であることを特徴とする請求項１〜５のうちいずれか１項に記載の半導体物理量センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体物理量センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、ヒートシンクに形成されたキャビティ上に薄板部を配置し、当該薄板部上にサーモパイルおよび赤外線吸収体を配置した赤外線センサが知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
この特許文献１では、レンズ部が形成されたレンズ基板をヒートシンクに固定することで赤外線吸収体上にレンズ部が配置されるようにしている。そして、赤外線吸収体上にレンズ部を配置することで、赤外線吸収体に赤外線を集光させて温度変化の検出精度を高めるようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２５８０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術では、ヒートシンクとは別体に形成したレンズ基板を用いているため、センサが大型化してしまうという問題がある。
【０００６】
そこで、本発明は、より小型化を図ることのできる半導体物理量センサを得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の特徴は、一側にキャビティが形成され、他側にレンズ部が形成された半導体基材と、前記キャビティ上に配置される誘電体薄板部を有し、前記半導体基材の一面側に固定される誘電体と、前記誘電体薄板部上に配置される受光素子と、を備えることを要旨とする。
【０００８】
本発明の第２の特徴は、前記レンズ部の表面に高反射膜が形成されていることを要旨とする。
【０００９】
本発明の第３の特徴は、前記レンズ部の表面が放物面であることを要旨とする。
【００１０】
本発明の第４の特徴は、前記レンズ部の表面に所定の波長の光を選択的に透過させるフィルタが形成されていることを要旨とする。
【００１１】
本発明の第５の特徴は、前記半導体基材が単結晶シリコンで形成されており、前記キャビティは、前記半導体基材の一面側から異方性エッチングを施すことにより形成されていることを要旨とする。
【００１２】
本発明の第６の特徴は、前記受光素子が焦電体であることを要旨とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、一側にキャビティが形成され、他側にレンズ部が形成された半導体基材のキャビティ上に誘電体薄板部を配置し、当該誘電体薄板部上に受光素子を配置している。その結果、レンズ部を有する部材を半導体基材と別個に設ける必要がなくなるため、半導体物理量センサの小型化を図ることができるようになる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる半導体物理量センサを示す平面図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態にかかる半導体物理量センサを示す要部拡大断面図である。
【図４】図３のＢ−Ｂ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。以下では、半導体物理量センサとして、赤外線センサを例示する。
【００１６】
また、以下の複数の実施形態には、同様の構成要素が含まれている。よって、以下では、それら同様の構成要素には共通の符号を付与するとともに、重複する説明を省略する。
【００１７】
（第１実施形態）
本実施形態にかかる赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０は、図１および図２に示すように、キャビティ２１が形成された半導体基板（半導体基材）２０を備えている。また、赤外線センサ１０は、半導体基板２０のキャビティ２１上に配置される誘電体薄板部６１を有する誘電体６０を備えており、この誘電体６０は、半導体基板２０の表面（一面）２０ａ側に固定されている。そして、誘電体６０の誘電体薄板部６１上には、焦電体（受光素子）４０が配置されている。
【００１８】
半導体基板２０は、単結晶シリコンを用いて形成されており、平面視で輪郭形状が矩形状となるように形成されている。そして、単結晶シリコンで形成された半導体基板２０の任意の部位（本実施形態では、半導体基板２０の一辺の中央部）には、高濃度不純物拡散部２２が形成されており、当該高濃度不純物拡散部２２上に半導体基板２０の電位を取り出す電位取り出し部２３が設けられている。
【００１９】
キャビティ２１は、本実施形態では略四角錐台状をしており、半導体基板（半導体基材）２０の表面（一面）２０ａ側から異方性エッチングを施すことで形成されている。
【００２０】
具体的には、キャビティ２１は、アルカリ性湿式異方性エッチング液（例えば、ＫＯＨ（水酸化カリウム水溶液）、ＴＭＡＨ（テトラメチル水酸化アンモニウム水溶液）等）を用いたシリコン異方性エッチングにより半導体基板（半導体基材）２０の一部を除去することで形成している。このとき、キャビティ２１は、図１および図２に示すように、半導体基板（半導体基材）２０を厚さ方向に貫通しないように凹状に形成されている。
【００２１】
高濃度不純物拡散部２２は、単結晶シリコンで形成された半導体基板２０に、当該半導体基板２０と同一導電型の不純物をイオン注入するあるいは不純物拡散により導入することで形成することができる。このような高濃度不純物拡散部２２を設けることで、当該高濃度不純物拡散部２２に導電性を持たせることができるようになる。
【００２２】
電位取り出し部２３は、Ｃｒ，Ａｕなどの導電性を有する金属材料で形成されており、図示せぬワイヤボンディングを介して、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などのＩＣチップ（図示せず）に電気的に接続されている。本実施形態では、この電位取り出し部２３を介して半導体基板２０が所定の電位（例えば、グランド電位などの基準となる電位）で保持されるようにしている。なお、電位取り出し部２３は、高濃度不純物拡散部２２に設ける必要はなく、半導体基板２０の高濃度不純物拡散部２２以外の部位に設けてもよい。
【００２３】
そして、半導体基板（半導体基材）２０の裏面（他面）２０ｂ側には、レンズ部２４が形成されている。このレンズ部２４は、半導体基板（半導体基材）２０に公知の半導体プロセス（エッチング等）を施すことで形成することができる。
【００２４】
本実施形態では、レンズ部２４は、中央部が下方（他側）に凸となるドーム状に形成されており、上下方向（半導体基板２０の厚さ方向）から視た状態でキャビティ２１と対応する位置にレンズ部２４が形成されている。そして、レンズ部２４は、平面視でキャビティ２１の中央部と対応する部位が最も突出するように、半導体基板２０の裏面２０ｂに形成されている。
【００２５】
このレンズ部２４は、表面２４ａが放物面となるように形成されている。そして、レンズ部２４の焦点がキャビティ上に配置された焦電体（受光素子）４０の中央部よりも若干上方に位置するようにレンズ部２４を形成している。なお、レンズ部２４の表面２４ａの形状は、放物面に限らず、球面の一部や楕円体の表面の一部であってもよい。
【００２６】
また、本実施形態では、レンズ部２４の表面２４ａに所定の波長の光を選択的に透過させるフィルタ２５が形成されている。本実施形態では、検知に必要な波長領域（赤外線）のみ透過させ、それ以外の波長領域の光を透過させないようにしている。
【００２７】
このようなフィルタ２５としては、例えば、Ａｕ，Ａｌなどの金属コーティングを施すことでレンズ部２４の表面２４ａに形成した金属薄膜や、複数層の誘電体をコーティングすることでレンズ部２４の表面２４ａに形成した誘電体多層膜を用いることができる。
【００２８】
誘電体６０は、ガラスや窒化珪素などの材料によって薄板状に形成されており、この誘電体６０の中央部には、略矩形板状の誘電体薄板部６１が形成されている。本実施形態では、誘電体薄板部６１をキャビティ２１よりも小さくなるように形成し、平面視で、誘電体薄板部６１の外周部にキャビティ２１が露出するようにしている。
【００２９】
そして、誘電体薄板部６１の四隅の頂点部分には、はり部６３がそれぞれ対角方向に突出するように形成されており、このはり部６３を半導体基板２０の表面２０ａに固定することで、誘電体６０が半導体基板２０に固定されている。
【００３０】
焦電体４０は、外力を受けない場合においても結晶部内部において自発分極を有する材料であり、結晶の温度が変化した場合に、自発分極の温度依存性に起因した電荷が結晶表面にあらわれる材料である。この焦電体４０の材料としては、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）などの高誘電率材料が一般的に利用されるが、これ以外にも、例えば、ＡＩＮ、ＺｎＯおよびＦ−ＢＡＲなどの材料を用いることができる。
【００３１】
そして、下部電極３０および上部電極５０が焦電体４０の表裏面を挟むように設けられている。
【００３２】
下部電極３０は、例えば、Ｃｒ，Ａｕなどの導電性を有する金属材料を用いて形成することができる。そして、この下部電極３０には金属配線３２が連結されており、この金属配線３２を介して電位取り出し部３１が下部電極３０に電気的に接続されている。この電位取り出し部３１は、誘電体６０を介して半導体基板２０の表面２０ａに配置されている。具体的には、図１に示すように、４つのはり部６３のうちの１つのはり部（図１の左下のはり部）６３の半導体基板２０への取り付け部分に、電位取り出し部３１が配置されており、この電位取り出し部３１と下部電極３０とを連結（電気的に接続）するように金属配線３２が設けられている。なお、金属配線３２は、誘電体６０上（誘電体薄板部６１上および一方のはり部６３上）に設けられている。
【００３３】
そして、この電位取り出し部３１も、Ｃｒ，Ａｕなどの導電性を有する金属材料で形成されており、図示せぬワイヤボンディングを介して、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などのＩＣチップ（図示せず）に電気的に接続されている。こうして、下部電極３０の電位がＩＣチップ（図示せず）に出力されるようにしている。
【００３４】
一方、上部電極５０は、Ｃｒ，Ａｕなどの導電性を有する金属材料を用いて形成することができる。そして、この上部電極５０には金属配線５２が連結されており、この金属配線５２を介して電位取り出し部５１が上部電極５０に電気的に接続されている。この電位取り出し部５１も、誘電体６０を介して半導体基板２０の表面２０ａに配置されている。具体的には、図１に示すように、４つのはり部６３のうち１つのはり部（図１の右上のはり部）６３の半導体基板２０への取り付け部分に、電位取り出し部５１が配置されており、この電位取り出し部５１と上部電極５０とを連結（電気的に接続）するように金属配線５２が設けられている。この金属配線５２も誘電体６０上（誘電体薄板部６１上および他方のはり部６３上）に設けられている。なお、本実施形態では、図１および図２に示すように、誘電体６０側から下部電極３０、焦電体４０、上部電極５０の順に積層されており、この順に１辺の長さが短くなるように形成されている。そのため、上部電極５０から誘電体６０にかけて絶縁層７０を形成し、この絶縁層７０上に金属配線５２を配置することで、上部電極５０と下部電極３０との短絡を防止している。
【００３５】
そして、電位取り出し部５１も、Ｃｒ，Ａｕなどの導電性を有する金属材料で形成されており、図示せぬワイヤボンディングを介して、ＡＳＩＣ（Application Specific Integrated Circuit）などのＩＣチップ（図示せず）に電気的に接続されている。こうして、上部電極５０の電位がＩＣチップ（図示せず）に出力されるようにしている。
【００３６】
かかる構成の赤外線センサ１０を用いることで、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）が赤外線センサ１０の近傍に存在しているか否かを検知することができる。
【００３７】
本実施形態では、上下（半導体基板２０の表面２０ａ側と裏面２０ｂ側）のいずれに被検知物体が存在していても、検知することができるようになっている。
【００３８】
例えば、赤外線センサ１０の上側（半導体基板２０の表面２０ａ側）に被検知物体が存在する場合、当該被検知物体から図２の矢印ａで示されるように赤外線が照射される。
【００３９】
そして、被検知物体から照射された赤外線は、焦電体４０に直接入射したり、焦電体４０の周囲を通過し、レンズ部２４によって反射して間接的に焦電体４０に入射したりする。この場合、レンズ部２４は凹面鏡として機能することとなる。
【００４０】
そして、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）からの赤外線が焦電体４０に入射、吸収されると、焦電体４０内の結晶の温度が変化する。このように、焦電体４０内の結晶の温度が変化すると、自発分極の温度依存性に起因した電荷が結晶表面にあらわれる。そして、結晶表面に電荷があらわれることで、上部電極５０と下部電極３０との電位差が変化し、この電位差の変化がＩＣチップ（図示せず）に出力されることで、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）が赤外線センサ１０の近傍に存在していることが、赤外線センサ１０によって検知される。
【００４１】
一方、赤外線センサ１０の下側（半導体基板２０の裏面２０ｂ側）に被検知物体が存在する場合、当該被検知物体から図２の矢印ｂで示されるように赤外線が照射される。
【００４２】
そして、被検知物体から照射された赤外線は、所定の波長の光を選択的に透過させるフィルタ２５を透過する。このとき、赤外線以外の波長領域の光はフィルタ２５を透過しないため、赤外線のみがフィルタ２５を透過することとなる。そして、フィルタ２５を透過した赤外線がレンズ部２４を透過して焦電体４０に入射する。この場合、レンズ部２４は凸レンズとして機能することとなる。
【００４３】
そして、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）からの赤外線が焦電体４０に入射、吸収されると、焦電体４０内の結晶の温度が変化する。このように、焦電体４０内の結晶の温度が変化すると、自発分極の温度依存性に起因した電荷が結晶表面にあらわれる。そして、結晶表面に電荷があらわれることで、上部電極５０と下部電極３０との電位差が変化し、この電位差の変化がＩＣチップ（図示せず）に出力されることで、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）が赤外線センサ１０の近傍に存在していることが、赤外線センサ１０によって検知される。
【００４４】
このように、レンズ部２４が形成された半導体基板２０を用いると、表裏いずれの側から照射される赤外線であっても、より効率的に焦電体４０に入射させることができ、検知精度をより高めることができる。なお、本実施形態では、レンズ部２４の表面２４ａに所定の波長の光を選択的に透過させるフィルタ２５を形成しているが、フィルタ２５を形成しないようにしてもよい。
【００４５】
以上、説明したように、本実施形態では、表面（一側）２０ａにキャビティ２１が形成され、裏面（他側）２０ｂにレンズ部２４が形成された半導体基板（半導体基材）２０のキャビティ２１上に誘電体薄板部６１を配置している。そして、誘電体薄板部６１上に焦電体（受光素子）４０を配置している。すなわち、レンズ部２４を半導体基板（半導体基材）２０に一体に形成している。その結果、レンズ部を有する部材を半導体基板（半導体基材）２０と別個に設ける必要がなくなるため、赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０の小型化を図ることができるようになる。また、レンズ部を有する部材を別途設ける必要がなくなるためコストの低減を図ることができる。
【００４６】
また、レンズ部２４を設けることで、被検知物体（例えば、人の手など）から照射された赤外線が焦電体（受光素子）４０に入射する量が多くなる。すなわち、焦電体４０が受ける光の放射照度が大きくなるため、焦電体４０の素子面積が小さくても、大きな感度を得ることができるようになる。その結果、焦電体（受光素子）４０の小型化を図ることができる。
【００４７】
また、本実施形態によれば、半導体基板（半導体基材）２０の表面（一面）２０ａ側から異方性エッチングを施すことによりキャビティ２１を形成している。このように、異方性エッチングを利用することで、ドライエッチングを利用して裏面側から掘り込む方法とくらべて、キャビティ２１の形状精度を高めることができる。
【００４８】
また、本実施形態によれば、レンズ部２４の表面２４ａに所定の波長の光を選択的に透過させるフィルタ２５を形成している。そのため、検知に必要な波長域のみを焦電体（受光素子）４０に入射させることができ、他の波長域による雑音の影響を低減することができる。その結果、赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０の検出精度を向上させることができるようになる。
【００４９】
また、受光素子として焦電体４０を用いることで、赤外線センサ１０をより安価に製造することができる。
【００５０】
さらに、本実施形態のように受光素子として平面状に広がる（赤外線を面で受光する）焦電体４０を用いれば、レンズ部２４の焦点の位置ずれをある程度許容することができる。例えば、受光素子として線状のサーモパイルを用いた場合、レンズ部２４の焦点位置が若干ずれた状態で製造された場合に、本来サーモパイルに入射される予定の赤外線がサーモパイルに入射されず、サーモパイルの周囲から逃げてしまうおそれがある。このように、受光素子として線状のサーモパイルを用いた場合、レンズ部の焦点位置を精度よく設定する必要があるため、容易に製造することができないという問題がある。
【００５１】
これに対して、受光素子として平面状に広がる（赤外線を面で受光する）焦電体４０を用いた場合、レンズ部２４の焦点位置が若干ずれた状態で製造されて、赤外線が入射予定位置からずれたとしても、平面状に広がる焦電体４０に入射されることとなる。すなわち、レンズ部２４の焦点位置が若干ずれた状態で製造されたとしても、レンズ部２４を透過した赤外線やレンズ部２４で反射した赤外線が焦電体４０に入射されずに周囲から逃げてしまうのが抑制されることとなる。このように、受光素子として平面状に広がる（赤外線を面で受光する）焦電体４０を用いた場合、レンズ部の焦点位置を精度よく設定する必要がなくなるため、より容易に集光効率を高めた赤外線センサを製造することができるようになるという利点がある。
【００５２】
（第２実施形態）
本実施形態にかかる赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０Ａは、基本的に上記第１実施形態の赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０と同様の構成をしている。
【００５３】
すなわち、赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０Ａは、単結晶シリコンで形成され、キャビティ２１が形成された半導体基板（半導体基材）２０を備えている。また、赤外線センサ１０は、半導体基板２０のキャビティ２１上に配置される誘電体薄板部６１を有する誘電体６０を備えており、この誘電体６０は、半導体基板２０の表面（一面）２０ａ側に固定されている。そして、誘電体６０の誘電体薄板部６１上には、焦電体（受光素子）４０が配置されている。
【００５４】
そして、下部電極３０および上部電極５０が焦電体４０の表裏面を挟むように設けられている。
【００５５】
また、誘電体薄板部６１には、はり部６３が突設されており、このはり部６３の先端を半導体基板２０の表面２０ａに固定することで、誘電体６０を半導体基板２０に固定している。
【００５６】
また、本実施形態においても、キャビティ２１、誘電体薄板部６１、下部電極３０、焦電体４０および上部電極５０が平面視で略矩形状をしている。そして、誘電体薄板部６１をキャビティ２１よりも小さくなるように形成し、平面視で、誘電体薄板部６１の外周部にキャビティ２１が露出するようにしている。
【００５７】
そして、半導体基板（半導体基材）２０の裏面（他面）２０ｂ側には、レンズ部２４が形成されている。このレンズ部２４は、半導体基板（半導体基材）２０に公知の半導体プロセス（エッチング等）を施すことで形成することができる。
【００５８】
本実施形態では、レンズ部２４は、中央部が下方（他側）に凸となるドーム状に形成されており、上下方向（半導体基板２０の厚さ方向）から視た状態でキャビティ２１と対応する位置にレンズ部２４が形成されている。そして、レンズ部２４は、平面視でキャビティ２１の中央部と対応する部位が最も突出するように、半導体基板２０の裏面２０ｂに形成されている。
【００５９】
このレンズ部２４は、表面２４ａが放物面となるように形成されている。そして、レンズ部２４の焦点がキャビティ上に配置された焦電体（受光素子）４０の中央部よりも若干上方に位置するようにレンズ部２４を形成している。なお、レンズ部２４の表面２４ａの形状は、放物面に限らず、球面の一部や楕円体の表面の一部であってもよい。
【００６０】
ここで、本実施形態にかかる赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０Ａが上記第１実施形態の赤外線センサ（半導体物理量センサ）１０と主に異なる点は、レンズ部２４の表面２４ａに高反射膜２６を形成した点にある。
【００６１】
このような高反射膜２６としては、例えば、Ａｕ，Ａｌなどの金属コーティングを施すことでレンズ部２４の表面２４ａに形成した金属薄膜や、複数層の誘電体をコーティングすることでレンズ部２４の表面２４ａに形成した誘電体多層膜を用いることができる。
【００６２】
かかる構成の赤外線センサ１０Ａを用いることで、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）が赤外線センサ１０Ａの近傍に存在しているか否かを検知することができる。
【００６３】
本実施形態では、半導体基板２０の表面２０ａ側に被検知物体が存在している場合に、被検知物体の存在を検知することができるようになっている。
【００６４】
具体的には、赤外線センサ１０Ａの上側（半導体基板２０の表面２０ａ側）に存在する被検知物体から図４の矢印ａで示されるように赤外線が照射されると、赤外線は、焦電体４０に直接入射したり、焦電体４０の周囲およびレンズ部２４を通過し、高反射膜２６によって反射して間接的に焦電体４０に入射したりする。この場合、レンズ部２４の高反射膜２６は凹面鏡として機能することとなる。
【００６５】
そして、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）からの赤外線が焦電体４０に入射、吸収されると、焦電体４０内の結晶の温度が変化する。このように、焦電体４０内の結晶の温度が変化すると、自発分極の温度依存性に起因した電荷が結晶表面にあらわれる。そして、結晶表面に電荷があらわれることで、上部電極５０と下部電極３０との電位差が変化し、この電位差の変化がＩＣチップ（図示せず）に出力されることで、図示せぬ被検知物体（例えば、人の手など）が赤外線センサ１０Ａの近傍に存在していることが、赤外線センサ１０Ａによって検知される。
【００６６】
以上の本実施形態によっても、上記第１実施形態と同様の作用、効果を奏することができる。
【００６７】
また、本実施形態によれば、レンズ部２４の表面２４ａに高反射膜２６を形成したため、半導体基板２０の表面２０ａ側から入射する光（赤外線）で、焦電体４０に当たらずに通り過ぎた光（赤外線）を、対面に形成したレンズ部２４上の高反射膜２６によって反射させることができる。すなわち、レンズ部２４上の高反射膜２６が凹面鏡の役割を果たしており、高反射膜２６によって反射した反射光を焦電体４０に入射させることで、焦電体４０の表面に当たる光（赤外線）の放射照度が大きくなる。そのため、焦電体４０の素子面積が小さくても、大きな感度を得ることができるようになって、焦電体（受光素子）４０の小型化を図ることができる。
【００６８】
また、レンズ部２４の表面２４ａが放物面となるように形成することで、反射光を放物面の焦点で結像させることができ、より効率的に反射光を焦電体４０に入射させることができ、焦電体（受光素子）４０のさらなる小型化を図ることができる。
【００６９】
以上、本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態には限定されず、種々の変形が可能である。
【００７０】
例えば、上記各実施形態では、半導体物理量センサとして赤外線センサを例示したが、これに限ることなく、その他の半導体物理量センサであっても本発明を適用することができる。
【００７１】
また、上記各実施形態では、受光素子として焦電体を用いたものを例示したが、上述したサーモパイルやフォトダイオード、フォトトランジスタ等を受光素子として用いることも可能である。
【００７２】
また、キャビティや誘電体薄板部その他細部のスペック（形状、大きさ、レイアウト等）も適宜に変更可能である。
【符号の説明】
【００７３】
１０，１０Ａ  赤外線センサ（半導体物理量センサ）
２０  半導体基板（半導体基材）
２０ａ  表面（一面）
２０ｂ  裏面（他面）
２１  キャビティ
２４  レンズ部
２４ａ  表面
２５  フィルタ
２６  高反射膜
４０  焦電体（受光素子）
６０  誘電体
６１  誘電体薄板部
【図１】
2014029274.tif 000003
【図２】
2014029274.tif 000004
【図３】
2014029274.tif 000005
【図４】
2014029274.tif 000006