(57)【要約】【課題】特性が良好な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板に不純物を注入する工程と、前記炭化珪素基板の一方の面に有機溶液を塗布する工程と、非酸化性雰囲気中において前記有機溶液を加熱することにより、前記炭化珪素基板の前記一方の面上及び他方の面上にカーボン層を形成する工程と、前記不純物を活性化させる工程と、を備える。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１及び第２の炭化珪素基板にそれぞれ不純物を注入する工程と、
前記第１の炭化珪素基板の一方の面及び前記第２の炭化珪素基板の一方の面に有機溶液を塗布する工程と、
不活性ガス雰囲気中において、前記第１の炭化珪素基板の前記一方の面が、前記第２の炭化珪素基板の他方の面に対向するように、前記第１及び第２の炭化珪素基板を配列させた状態で、前記有機溶液を加熱することにより、前記有機溶液から溶質の一部を気化させ、前記気化した溶質を前記第２の炭化珪素基板の他方の面に付着させて、前記第１及び第２の炭化珪素基板の前記一方の面上及び前記他方の面上にカーボン層を形成する工程と、
前記不純物を活性化させる工程と、
前記カーボン層を除去する工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項２】
炭化珪素基板に不純物を注入する工程と、
前記炭化珪素基板の一方の面に有機溶液を塗布する工程と、
非酸化性雰囲気中において前記有機溶液を加熱することにより、前記炭化珪素基板の前記一方の面上及び他方の面上にカーボン層を形成する工程と、
前記不純物を活性化させる工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記カーボン層を形成する工程において、複数枚の前記炭化珪素基板を、ある前記炭化珪素基板における前記一方の面が、隣の前記炭化珪素基板における前記他方の面に対向するように配列させる請求項２記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記カーボン層を形成する工程において、前記炭化珪素基板から離隔した位置で有機溶液を加熱し、前記有機溶液の溶質を気化させ、前記気化した溶質を前記炭化珪素基板に供給する請求項２または３に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記他方の面にトレンチを形成する工程をさらに備えた請求項２〜４のいずれか１つに記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
炭化珪素基板に不純物を注入する工程と、
有機溶液から気化した溶質を前記炭化珪素基板に供給することにより、カーボン層を形成する工程と、
前記不純物を活性化させる工程と、
を備えた半導体装置の製造方法。
【請求項７】
不純物が注入され、一方の面に有機溶液が塗布された炭化珪素基板が装入され、内部を非酸化性雰囲気とするチャンバーと、
前記チャンバー内に設けられ、前記有機溶液を加熱することにより、前記炭化珪素基板の前記一方の面上及び他方の面上にカーボン層を形成するヒーターと、
を備えた半導体装置の製造装置。
【請求項８】
前記チャンバー内に設けられ、複数枚の前記炭化珪素基板を、ある前記炭化珪素基板における前記一方の面が、隣の前記炭化珪素基板における前記他方の面に対向するように保持するボートをさらに備えた請求項７記載の半導体装置の製造装置。
【請求項９】
前記チャンバーの外部において有機溶液の溶質を気化させて、前記チャンバー内に供給する溶質供給手段をさらに備えた請求項７または８に記載の半導体装置の製造装置。
【請求項１０】
不純物が注入された炭化珪素基板が装入され、内部を非酸化性雰囲気とするチャンバーと、
前記チャンバーの外部において有機溶液の溶質を気化させて、前記チャンバー内に供給する溶質供給手段と、
を備えた半導体装置の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置の製造方法及び製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳｉＣ（炭化珪素、シリコンカーバイド）基板を用いて半導体装置を形成する際には、基板の各部の導電形を調整するために、基板に不純物をイオン注入し、この不純物を活性化させるための活性化アニールを施す必要がある。この活性化アニールの温度は通常、１６００〜２０００℃程度とする必要があり、ＳｉＣの昇華温度は２２００℃であるため、昇華温度近くまで加熱することになる。このため、活性化アニール中にＳｉＣ基板の表面からシリコン（Ｓｉ）原子が脱離し、ＳｉＣ基板の表面モフォロジーが劣化し、半導体装置の特性に問題が生じる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−２８１００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態の目的は、特性が良好な半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置の製造方法は、炭化珪素基板に不純物を注入する工程と、前記炭化珪素基板の一方の面に有機溶液を塗布する工程と、非酸化性雰囲気中において前記有機溶液を加熱することにより、前記炭化珪素基板の前記一方の面上及び他方の面上にカーボン層を形成する工程と、前記不純物を活性化させる工程と、を備える。
【０００６】
実施形態に係る半導体装置の製造装置は、不純物が注入され、一方の面に有機溶液が塗布された炭化珪素基板が装入され、内部を非酸化性雰囲気とするチャンバーと、前記チャンバー内に設けられ、前記有機溶液を加熱することにより、前記炭化珪素基板の前記一方の面上及び他方の面上にカーボン層を形成するヒーターと、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】第１の実施形態に係る半導体装置の製造システムを例示するブロック図である。
【図２】第１の実施形態に係るカーボン層形成装置を例示する断面図である。
【図３】第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【図４】（ａ）〜（ｄ）は、第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｄ）は、第２の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【図６】第３の実施形態に係るカーボン層形成装置を例示する断面図である。
【図７】第４の実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
【図８】第５の実施形態に係るカーボン層形成装置を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、図面を参照しつつ、本発明の実施形態について説明する。
先ず、第１の実施形態について説明する。
図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造システムを例示するブロック図である。
【０００９】
図１に示すように、本実施形態に係る半導体装置の製造システム１００においては、不純物注入装置１０１、有機溶液塗布装置１０２、カーボン層形成装置１、不純物活性化装置１０３、カーボン層除去装置１０４が設けられている。ＳｉＣ基板２０は、炭化珪素（ＳｉＣ）からなる半導体基板であり、例えば、単結晶のＳｉＣウェーハである。
【００１０】
不純物注入装置１０１は、ＳｉＣ基板２０の所定の領域に不純物をイオン注入する装置である。不純物は、ＳｉＣ基板２０の導電形を調整するためのドーパントであり、例えば、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）又はリン（Ｐ）等である。
有機溶液塗布装置１０２は、ＳｉＣ基板２０の表面に有機溶液を塗布する装置であり、例えば、スピンコーターである。
【００１１】
カーボン層形成装置１は、非酸化雰囲気中、例えば不活性ガス雰囲気中でＳｉＣ基板２０を加熱することにより、ＳｉＣ基板２０の表面に塗布された有機溶液を気化させて、ＳｉＣ基板の表面にカーボン層を形成する装置である。カーボン層形成装置１の構成及び動作は後述する。
【００１２】
不純物活性化装置１０３は、ＳｉＣ基板２０を、例えば１６００〜２０００℃の温度に加熱することにより、不純物注入装置１０１によってＳｉＣ基板２０に注入された不純物を活性化させる装置である。
カーボン層除去装置１０４は、酸素雰囲気中でＳｉＣ基板２０を例えば４００〜１０００℃の温度に加熱することにより、カーボン層を除去する装置である。
【００１３】
次に、本実施形態に係るカーボン層形成装置１について説明する。
図２は、本実施形態に係るカーボン層形成装置を例示する断面図である。
図２に示すように、カーボン層形成装置１においては、耐熱性の材料からなるチャンバー１０が設けられている。チャンバー１０の下端は開口している。
【００１４】
チャンバー１０の下方には、円板状の昇降プレート１１が設けられている。昇降プレート１１はボートエレベーター（図示せず）と連結されており、上下方向の移動が可能である。昇降プレート１１がその移動域の上端に位置しているときは、チャンバー１０を封止し、移動域の下端に位置しているときは、チャンバー１０を開放し、昇降プレート１１上にＳｉＣ基板２０を着脱することができる。後述するように、チャンバー１０には、例えば、不純物が注入され、一方の面に有機溶液が塗布されたＳｉＣ基板２０が装入される。
【００１５】
昇降プレート１１上には、ボート１３が設けられている。ボート１３においては、例えば、円板状の底板及び天板の間に、３本又は４本の支柱が相互に平行に設けられている。各支柱の側面には切り込み（図示せず）が形成されており、この切り込みにＳｉＣ基板２０の端部を引っ掛けることにより、ＳｉＣ基板２０を保持することができる。ボート１３の下部には、複数枚の熱遮蔽板１２が挿入されており、ボート１３によって保持されている。熱遮蔽板１２は、チャンバー１０の内部と外部とを熱的に遮蔽するものである。ボート１３の上部には、複数枚のＳｉＣ基板２０が挿入されており、ボート１３によって保持されている。ボート１３は、複数枚のＳｉＣ基板２０を相互に離隔して且つ相互に平行に保持することができる。ボート１３はＳｉＣ基板２０を、その表面が水平になるように保持する。
【００１６】
また、チャンバー１０には、チャンバー１０内に不活性ガスを導入するための給気管１４と、チャンバー１０内のガスを排出するための排気管１５とが取り付けられている。これにより、チャンバー１０の内部を非酸化性雰囲気、具体的には、不活性ガス雰囲気にすることができる。更に、チャンバー１０には、真空引きライン１６の一端が連結されており、真空引きライン１６の他端にはポンプ１７が連結されている。ポンプ１７及び真空引きライン１６により、チャンバー１０内を真空に排気することができる。
【００１７】
更にまた、チャンバー１０の上部及び中央部を構成する壁材の内部には、ヒーター１８が設けられている。ヒーター１８は、チャンバー１０内に装入されたＳｉＣ基板２０を、例えば、２００〜１０００℃の温度まで加熱する。
【００１８】
次に、上述の如く構成された半導体装置の製造システムの動作、すなわち、本実施形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。
図３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
図４（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【００１９】
先ず、図３のステップＳ１及び図４（ａ）に示すように、炭化珪素（ＳｉＣ）からなるＳｉＣ基板２０を用意する。次に、不純物注入装置１０１により、ＳｉＣ基板２０の所定の領域に、不純物２１をイオン注入する。上述の如く、不純物２１は、例えば、ホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）、アルミニウム（Ａｌ）又はリン（Ｐ）等である。
【００２０】
次に、図３のステップＳ２及び図４（ｂ）に示すように、有機溶液塗布装置１０２により、ＳｉＣ基板２０の表面２０ａに有機溶液を塗布して、表面２０ａ上に有機溶液層２２を形成する。有機溶液は、例えば、炭素骨格を有する溶質を有機溶媒に溶かし込んだ溶液であり、例えば、フォトレジストであり、炭素骨格を有する溶質は例えばノボラック系樹脂である。また、塗布の方法は、例えば、スピンコート法である。なお、このとき、ＳｉＣ基板２０の裏面２０ｂには有機溶液を塗布せず、有機溶液層２２を形成しない。
【００２１】
次に、図２、図３のステップＳ３及び図４（ｃ）に示すように、カーボン層形成装置１の昇降プレート１１を下げた状態で、表面２０ａ上に有機溶液層２２が形成された複数枚のＳｉＣ基板２０をボート１３に装着する。このとき、複数枚のＳｉＣ基板２０を一定の隙間を介して相互に平行に、且つ、相互に同じ向きに配列させる。これにより、各ＳｉＣ基板２０において、有機溶液層２２が形成されていない裏面２０ｂが、隣のＳｉＣ基板２０の表面２０ａ上に形成された有機溶液層２２に対向する。なお、図２においては、有機溶液層２２の図示を省略している。また、最も端に配列されたＳｉＣ基板２０の裏面２０ｂに対向するように、表面に有機溶液層２２を形成した基板２４を配置してもよい。
【００２２】
その後、昇降プレート１１を上昇させる。これにより、昇降プレート１１がチャンバー１０の下端に当接し、ＳｉＣ基板２０がチャンバー１０内に装入されると共に、チャンバー１０内が気密状態となる。
【００２３】
次に、ポンプ１７を作動させて、真空引きライン１６を介してチャンバー１０内を真空に引いた後、ポンプ１７を停止させる。次に、給気管１４により不活性ガスをチャンバー１０内に供給しつつ、排気管１５によりチャンバー１０内のガスを排出する。これにより、チャンバー１０内の気体を不活性ガスに置換する。この結果、チャンバー１０内が不活性ガス雰囲気となる。なお、チャンバー１０内の雰囲気は不活性ガス雰囲気には限定されず、非酸化性雰囲気であればよい。
【００２４】
次に、ヒーター１８を作動させ、チャンバー１０内の雰囲気ガスを介して、ＳｉＣ基板２０を加熱する。加熱温度は、例えば、２００〜１０００℃とする。これにより、ＳｉＣ基板２０の表面２０ａ上に形成された有機溶液層２２から有機溶媒が気化すると共に、溶質の一部も気化し、気化した溶質が隙間を介して対向する隣のＳｉＣ基板２０の裏面２０ｂに付着する。その後、ＳｉＣ基板２０に付着した溶質、すなわち有機物が、加熱によって脱水縮合反応を生じることにより、緻密なカーボン層２３が形成される。このときの温度は、例えば、２００〜５００℃とする。ここで、「緻密」とは、実質的に開口部が形成されておらず、ＳｉＣ基板２０と雰囲気との間に連続層として介在している状態をいう。緻密なカーボン層２３の一例としては、全体がグラファイト化して連続したｓｐ２混成軌道の六角板状結晶となった層が挙げられるが、これには限定されず、一部がグラファイト化して残部が他の形態となった層でもよく、全体がダイアモンド等のグラファイト以外の形態となった層でもよい。
【００２５】
この結果、図４（ｄ）に示すように、ＳｉＣ基板２０の全表面上に、カーボン層２３が形成される。すなわち、カーボン層２３は、ＳｉＣ基板２０の表面２０ａ上、裏面２０ｂ上及び端面上に形成される。なお、気化した溶質のうちカーボン層２３を形成しなかった分、及び気化した有機溶媒は、排気管１５を介してチャンバー１０の外部に排出される。その後、ヒーター１８の出力を下げ、ＳｉＣ基板２０及びカーボン層２３を取り出し温度まで冷却した後、昇降プレート１１を下降させてチャンバー１０を開放し、チャンバー１０内からＳｉＣ基板２０を取り出す。
【００２６】
次に、図３のステップＳ４に示すように、ＳｉＣ基板２０を不純物活性化装置１０３に装入し、例えば、不活性ガス雰囲気中で１６００〜２０００℃の温度に加熱する。これにより、ＳｉＣ基板２０内に導入された不純物２１が活性化する。このとき、ＳｉＣ基板２０の表面はカーボン層２３によって被覆されているため、ＳｉＣ基板２０を構成するシリコン原子が加熱によって脱離することを抑制できる。
【００２７】
次に、図３のステップＳ５に示すように、ＳｉＣ基板２０をカーボン層除去装置１０４に装入し、酸素雰囲気中で例えば４００〜１０００℃の温度に加熱する。これにより、カーボン層２３が酸化されて除去される。以後、通常の工程を実施することにより、半導体装置が製造される。
【００２８】
次に、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態においては、ＳｉＣ基板２０を加熱して不純物を活性化させる前に、ＳｉＣ基板２０の表面全体をカーボン層２３によって被覆している。このため、図３のステップＳ４に示す活性化アニールの際に、ＳｉＣ基板２０の表面からシリコン原子が脱離することを抑制でき、ＳｉＣ基板２０の表面モフォロジーの劣化、並びに、製造後の半導体装置の特性、例えば、順方向特性及び逆方向特性の低下を防止できる。
【００２９】
また、本実施形態においては、塗布法によりＳｉＣ基板２０の表面２０ａ上に有機溶液層２２を形成しているため、有機溶液層２２を、簡便、低コスト且つ安全な方法で形成することができる。更に、本実施形態においては、複数枚のＳｉＣ基板２０を相互に平行に且つ離隔して配置し、あるＳｉＣ基板２０の表面２０ａ上に形成した有機溶液層２２から溶質を気化させて、隣のＳｉＣ基板２０の裏面２０ｂに付着させている。このため、ＳｉＣ基板２０の表面２０ａのみに有機溶液を塗布すればよく、生産性が高い。
【００３０】
これに対して、仮に、塗布法のみによってＳｉＣ基板２０の全表面に有機溶液を塗布しようとすると、表面２０ａと裏面２０ｂの同時処理ができないため、少なくとも２回の塗布工程が必要となり、生産性が低下する。また、塗布法以外の方法、例えば、ＣＶＤ（chemical vapor deposition：化学気相成長）法又はスパッタ法によってカーボン層を形成しようとすると、コストが増加する。本実施形態においては、１回の塗布及び加熱によってＳｉＣ基板２０の全表面にカーボン層２３を形成することができるため、処理コストが低い。
【００３１】
次に、第２の実施形態について説明する。
図５（ａ）〜（ｄ）は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示する断面図である。
【００３２】
本実施形態においては、図５（ａ）に示すように、図３のステップＳ２に示す有機溶液を塗布する工程の前、例えば、ステップＳ１に示す不純物を注入する工程の前に、ＳｉＣ基板２０の表面２０ａにトレンチ２６を形成する。
次に、図３のステップＳ２及び図５（ｂ）に示すように、有機溶液をＳｉＣ基板２０の表面２０ａではなく、裏面２０ｂに塗布し、裏面２０ｂ上に有機溶液層２２を形成する。
【００３３】
これにより、図５（ｃ）に示すように、図３のステップＳ３に示すカーボン層を形成する工程において、各ＳｉＣ基板２０の裏面２０ｂ上に形成された有機溶液層２２から溶質が気化し、この気化した溶質が、その裏面２０ｂ側の隣に配置されたＳｉＣ基板２０の表面２０ａに付着する。この結果、図５（ｄ）に示すように、トレンチ２６の内面上を含めたＳｉＣ基板２０の全表面上に、カーボン層２３が形成される。以後の工程は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００３４】
次に、本実施形態の効果について説明する。
ＳｉＣ基板２０において、トレンチ２６が形成された表面２０ａに有機溶液を塗布すると、有機溶液がトレンチ２６内に進入する際に気泡が残存し、被覆率が低下してしまう可能性がある。
【００３５】
そこで、本実施形態においては、有機溶液をトレンチ２６が形成された表面２０ａではなく、裏面２０ｂに塗布している。これにより、表面２０ａ上には、気化した溶質が飛来して付着し、脱水縮合反応によりカーボン層２３が形成される。この結果、トレンチ２６の内面上にも、カーボン層２３を確実且つ均一に形成することができる。
本実施形態における上記以外の装置、製造方法及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００３６】
次に、第３の実施形態について説明する。
図６は、本実施形態に係るカーボン層形成装置を例示する断面図である。
図６に示すように、本実施形態に係るカーボン層形成装置３においては、前述の第１の実施形態に係るカーボン層形成装置１（図２参照）の構成に加えて、溶質供給手段３０が設けられている。
【００３７】
溶質供給手段３０においては、液体状の有機溶液３５を保持する容器３１と、容器３１内に保持された有機溶液３５を加熱するヒーター３２とが設けられている。容器３１内とチャンバー１０内とは、蒸気管３３を介して連通されている。そして、ヒーター３２が容器３１内の有機溶液３５を加熱することにより、有機溶液３５の蒸気を発生させる。有機溶液３５の蒸気には、有機溶液３５に含まれる気化した溶媒及び気化した溶質が含まれる。そして、この蒸気が蒸気管３３を介してチャンバー１０内に供給される。但し、溶質供給手段３０はチャンバー１０の外部に配置されており、チャンバー１０とは熱的にほぼ分離されている。
【００３８】
本実施形態によれば、図４のステップＳ３に示すカーボン層の形成工程において、ＳｉＣ基板２０に対して、隣のＳｉＣ基板２０の表面２０ａ上に形成された有機溶液層２２からだけでなく、溶質供給手段３０からも気化した溶質が供給されるため、材料不足によりカーボン層２３の形成が不十分となることを防止し、ＳｉＣ基板２０をカーボン層２３によって確実に覆うことができる。また、有機溶液３５の溶質を、チャンバー１０内ではなく、チャンバー１０内から熱的にほぼ離隔した溶質供給手段３０において気化させているため、ヒーター１８の熱により、有機溶液３５が過剰に加熱されて固化してしまうことがない。
【００３９】
本実施形態における上記以外の構成、製造方法及び効果は、前述の第１の実施形態と同様である。なお、溶質供給手段３０においては、ヒーター３２の替わりに、超音波発生装置を設けてもよい。また、本実施形態は、前述の第２の実施形態と組み合わせてもよい。
【００４０】
次に、第４の実施形態について説明する。
図７は、本実施形態に係る半導体装置の製造方法を例示するフローチャート図である。
図７に示すように、本実施形態は、前述の第１の実施形態に係る製造方法（図３参照）と比較して、図３のステップＳ２に示す有機溶液の塗布工程及びステップＳ３に示すカーボン層の形成工程が、図７のステップＳ６に示す１つの工程となっている点が異なっている。
【００４１】
すなわち、本実施形態においては、図７のステップＳ１に示すように、ＳｉＣ基板２０に不純物を注入した後、有機溶液を塗布せずに、ステップＳ６に示すように、ＳｉＣ基板２０を図６に示すカーボン層形成装置３に装入する。そして、溶質供給手段３０によって有機溶液３５の気化した溶質をチャンバー１０内に導入しつつ、ヒーター１８によって加熱処理を行い、ＳｉＣ基板２０の全表面上にカーボン層２３を形成する。以後の工程は、前述の第１の実施形態と同様である。
【００４２】
本実施形態によれば、溶質供給手段３０によって有機溶液３５の蒸気をチャンバー１０内に供給することにより、予めＳｉＣ基板２０上に有機溶液層２２を形成しておく必要がなくなるため、有機溶液を塗布する工程を省略することができる。これにより、半導体装置の製造コストをより一層低減することができる。
本実施形態における上記以外の装置構成、製造方法及び効果は、前述の第３の実施形態と同様である。なお、本実施形態は、前述の第２の実施形態と組み合わせてもよい。
【００４３】
次に、第５の実施形態について説明する。
図８は、本実施形態に係るカーボン層形成装置を例示する断面図である。
図８に示すように、本実施形態に係るカーボン層形成装置５においては、複数枚のＳｉＣ基板２０が、その表面が垂直になるように保持される。また、前述の第３の実施形態に係るカーボン層形成装置３（図６参照）と同様に、溶質供給手段３０が設けられている。
【００４４】
本実施形態における上記以外の装置構成、製造方法及び効果は、前述の第３の実施形態と同様である。なお、本実施形態においては、前述の第２の実施形態のように、ＳｉＣ基板２０の表面２０ａにトレンチ２６を形成し、裏面２０ｂ上に有機溶液層２２を形成してもよい。また、前述の第４の実施形態のように、ＳｉＣ基板２０の表面２０ａ及び裏面２０ｂのいずれにも有機溶液を塗布せず、溶質供給手段３０から供給される溶質のみによってカーボン層２３を形成してもよい。
【００４５】
以上説明した実施形態によれば、特性が良好な半導体装置の製造方法及び製造装置を実現することができる。
【００４６】
以上、本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明及びその等価物の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００４７】
１、３、５：カーボン層形成装置、１０：チャンバー、１１：昇降プレート、１２：熱遮蔽板、１３：ボート、１４：給気管、１５：排気管、１６：真空引きライン、１７：ポンプ、１８：ヒーター、２０：ＳｉＣ基板、２０ａ：表面、２０ｂ：裏面、２１：不純物、２２：有機溶液層、２３：カーボン層、２４：基板、２６：トレンチ、３０：溶質供給手段、３１：容器、３２：ヒーター、３３：蒸気管、３５：有機溶液、１００：製造システム、１０１：不純物注入装置、１０２：有機溶液塗布装置、１０３：不純物活性化装置、１０４：カーボン層除去装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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