(57)【要約】【課題】受光素子の光電流を精度良く測定すること。【解決手段】本発明は、共通の半導体基板４２上に設けられた複数の受光素子４０それぞれに対応して個別に設けられ、反転入力端子６４ａに受光素子４０のカソードが接続され、非反転入力端子６４ｂに受光素子４０に印加する電圧が供給されるオペアンプ６２と、複数のオペアンプ６２それぞれの出力端子６６と反転入力端子６４ａとの間に接続された抵抗６８と、抵抗６８の両端のうちの少なくとも反転入力端子６４ａ側に設けられ、受光素子４０の光電流を測定する測定器６９が接続される端子７０と、を備える受光回路１００である。【選択図】図５
2014220748.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
共通の半導体基板上に設けられた複数の受光素子それぞれに対応して個別に設けられ、反転入力端子に前記受光素子のカソードが接続され、非反転入力端子に前記受光素子に印加する電圧が供給されるオペアンプと、
複数の前記オペアンプそれぞれの出力端子と前記反転入力端子との間に接続された抵抗と、
前記抵抗の両端のうちの少なくとも前記反転入力端子側に設けられ、前記受光素子の光電流を測定する測定器が接続される端子と、を備えることを特徴とする受光回路。
【請求項２】
複数の前記抵抗それぞれの両端のうちの少なくとも前記反転入力端子側に、前記受光素子の光電流を測定する測定器が接続される前記端子が設けられていることを特徴とする請求項１記載の受光回路。
【請求項３】
前記複数の受光素子それぞれが受光する光の位相は互いにずれていることを特徴とする請求項１または２記載の受光回路。
【請求項４】
前記複数のオペアンプそれぞれの前記非反転入力端子に共通の前記電圧が供給されることを特徴とする請求項１から３のいずれか一項記載の受光回路。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項記載の受光回路と、
前記複数のオペアンプそれぞれの前記反転入力端子にカソードが接続された前記複数の受光素子と、を備えることを特徴とする光受信器。
【請求項６】
信号光と局部発振光とが入射され、前記信号光と前記局部発振光とを干渉させた干渉光を出射する９０度ハイブリッドを備え、
前記受光素子は、前記９０度ハイブリッドから出射された前記干渉光を受光することを特徴とする請求項５記載の光受信器。
【請求項７】
前記受光素子のアノードに接続されたトランスインピーダンスアンプを備えることを特徴とする請求項５または６記載の光受信器。
【請求項８】
前記トランスインピーダンスは２つの入力端子を有し、
２つの前記受光素子それぞれから出力される光電流が、前記２つの入力端子それぞれに入力されることを特徴とする請求項７記載の光受信器。
【請求項９】
共通の半導体基板上に設けられた複数の受光素子それぞれに対して、反転入力端子に前記受光素子のカソードが接続され、非反転入力端子に前記受光素子に印加する電圧が供給されるオペアンプを個別に接続し、
前記受光素子に光信号を入力した状態で、複数の前記オペアンプそれぞれの前記反転入力端子と出力端子との間を接続する接続線を流れる電流を測定することで、前記複数の受光素子の光電流を測定することを特徴とする受光素子の光電流測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、受光回路、光受信器及び受光素子の光電流測定方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
高速且つ大容量の光通信システムとして、コヒーレント光通信システムが知られている。コヒーレント光通信システムに用いられる光受信器では、一例として、信号光と局部発振光（ＬＯ光）とを９０度ハイブリッドによって分光・遅延・合成して位相変調信号を復調した後、受光素子により光信号から電気信号への変換を行う。
【０００３】
位相変調信号を正確に復調するためには、９０度ハイブリッドの動作が重要となる。そこで、９０度ハイブリッドの位相特性を評価する方法が提案されている。例えば、９０度ハイブリッドの後段に設けられた複数の受光素子それぞれの光電流を測定することで、９０度ハイブリッドの位相特性を評価する方法が提案されている（例えば、非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】立岩義弘、外３名、「９０°ハイブリッド位相評価におけるデータ処理方法の検討」、２０１１年電子情報通信学会通信ソサイエティ大会  通信講演論文集２、２０１１年、Ｂ−１０−５７、ｐ．２７０
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
複数の受光素子それぞれの光電流の測定において、受光素子間にリーク電流が流れてしまうと、受光素子それぞれの光電流を精度良く測定することが難しくなる。本発明は、受光素子の光電流を精度良く測定することが可能な受光回路、光受信器及び受光素子の光電流測定方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、共通の半導体基板上に設けられた複数の受光素子それぞれに対応して個別に設けられ、反転入力端子に前記受光素子のカソードが接続され、非反転入力端子に前記受光素子に印加する電圧が供給されるオペアンプと、複数の前記オペアンプそれぞれの出力端子と前記反転入力端子との間に接続された抵抗と、前記抵抗の両端のうちの少なくとも前記反転入力端子側に設けられ、前記受光素子の光電流を測定する測定器が接続される端子と、を備えることを特徴とする受光回路である。本発明によれば、受光素子の光電流を精度良く測定することができる。
【０００７】
上記構成において、複数の前記抵抗それぞれの両端のうちの少なくとも前記反転入力端子側に、前記受光素子の光電流を測定する測定器が接続される前記端子が設けられている構成とすることができる。
【０００８】
上記構成において、前記複数の受光素子それぞれが受光する光の位相は互いにずれている構成とすることができる。
【０００９】
上記構成において、前記複数のオペアンプそれぞれの前記非反転入力端子に共通の前記電圧が供給される構成とすることができる。
【００１０】
本発明は、上記のいずれかに記載の受光回路と、前記複数のオペアンプそれぞれの前記反転入力端子にカソードが接続された前記複数の受光素子と、を備えることを特徴とする光受信器である。本発明によれば、受光素子の光電流を精度良く測定することができる。
【００１１】
上記構成において、信号光と局部発振光とが入射され、前記信号光と前記局部発振光とを干渉させた干渉光を出射する９０度ハイブリッドを備え、前記受光素子は、前記９０度ハイブリッドから出射された前記干渉光を受光する構成とすることができる。
【００１２】
上記構成において、前記受光素子のアノードに接続されたトランスインピーダンスアンプを備える構成とすることができる。
【００１３】
上記構成において、前記トランスインピーダンスは２つの入力端子を有し、２つの前記受光素子それぞれから出力される光電流が、前記２つの入力端子それぞれに入力される構成とすることができる。
【００１４】
本発明は、共通の半導体基板上に設けられた複数の受光素子それぞれに対して、反転入力端子に前記受光素子のカソードが接続され、非反転入力端子に前記受光素子に印加する電圧が供給されるオペアンプを個別に接続し、前記受光素子に光信号を入力した状態で、複数の前記オペアンプそれぞれの前記反転入力端子と出力端子との間を接続する接続線を流れる電流を測定することで、前記複数の受光素子の光電流を測定することを特徴とする受光素子の光電流測定方法である。本発明によれば、受光素子の光電流を精度良く測定することができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、受光素子の光電流を精度良く測定することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】図１は、比較例１に係る評価系を示すブロック図である。
【図２】図２は、１つのバランスドレシーバに含まれる２つの受光素子の構造を示す断面図である。
【図３】図３（ａ）は、１つのバランスドレシーバに含まれる２つの受光素子と電源との間の接続を示す回路図であり、図３（ｂ）は、オシロスコープで測定された電流の一例を示す図である。
【図４】図４は、受光素子のカソード間にリーク電流が発生した状態を示す回路図である。
【図５】図５は、実施例１に係る受光回路を示す回路図である。
【図６】図６は、受光素子の光電流を測定する方法を示すフローチャート図である。
【図７】図７は、実施例２に係る光受信器を示す上面図である。
【図８】図８は、実施例２の光受信器に備わるバランスドレシーバの受光回路を示す回路図である。
【図９】図９は、実施例３の光受信器に備わるバランスドレシーバの受光回路を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
まず、９０度ハイブリッドの位相特性を評価する評価系について説明する。図１は、比較例１に係る評価系を示すブロック図である。図１のように、光源１０から出射されたＣＷ光（連続光）を、スプリッタ１２によって２つの分岐光に分岐する。一方の分岐光は、アッテネータ１４と偏波コントローラ１６とを経由して、光受信器２０に入射される。他方の分岐光は、位相変調器１８と偏波コントローラ１６とを経由して、光受信器２０に入射される。このように、他方の分岐光には、位相変調器１８によって、低周波の位相変調がかけられる。ここでは、位相変調がかけられた分岐光を局部発振光（ＬＯ光）として用い、位相変調がかけられていない分岐光を信号光として用いる。
【００１８】
光受信器２０は、９０度ハイブリッド２２と、２つの受光素子４０及び１つのトランスインピーダンスアンプ（ＴＩＡ：Transimpedance Amplifier）２４を含む２つのバランスドレシーバ２６と、を備える。１つのバランスドレシーバ２６では、２つの受光素子４０それぞれのアノードは、１つのＴＩＡ２４に接続されている。また、２つのバランスドレシーバ２６に含まれる４つの受光素子４０それぞれのカソードには、共通の電源３０が接続されている。４つの受光素子４０それぞれと電源３０との間には、抵抗２８が接続されている。詳しくは後述するが、受光素子４０で生成される光電流は、抵抗２８の両端の電位変化を測定することによって測定される。
【００１９】
ここで、受光素子について説明する。図２は、１つのバランスドレシーバに含まれる２つの受光素子の構造を示す断面図である。図２のように、２つの受光素子４０は、共通の半導体基板４２上に集積されている。半導体基板４２は、例えばＩｎＰ基板である。受光素子４０はそれぞれ、半導体基板４２上に、ｎ型半導体層４４、光吸収層４６、及びｐ型半導体層４８がこの順に積層されている。ｎ型半導体層４４は、例えばｎ型ＩｎＰ層であり、光吸収層４６は、例えばノンドープＩｎＧａＡｓ層であり、ｐ型半導体層４８は、例えばｐ型ＩｎＰ層である。ｐ型半導体層４８上には、例えばｐ型ＩｎＧａＡｓ層からなるコンタクト層５０が設けられている。光吸収層４６、ｐ型半導体層４８、及びコンタクト層５０の側面には、例えばＩｎＰ膜からなるパッシベーション膜５２が設けられている。
【００２０】
コンタクト層５０上に、オーミック電極であるｐ電極５４が設けられ、ｎ型半導体層４４上に、オーミック電極であるｎ電極５６が設けられている。ｐ電極５４は、例えばコンタクト層５０側からＰｔ、Ｔｉ、Ｐｔ、Ａｕが順に積層された金属層であり、ｎ電極５６は、例えばＡｕＧｅＮｉ層である。半導体基板４２の下面には、例えばＡｕからなる裏面メタル５８が設けられている。ｐ電極５４及びｎ電極５６の上面を露出させ、その他の領域を覆う、例えばＳｉＮ膜からなる絶縁膜６０が設けられている。
【００２１】
なお、図２では、１つのバランスドレシーバ２６に含まれる２つの受光素子４０が同一の半導体基板４２上に集積されている場合を例に示したが、２つのバランスドレシーバ２６に含まれる４つの受光素子４０が同一の半導体基板４２上に集積されていてもよい。即ち、複数の受光素子４０が、共通の半導体基板４２上に集積されていてもよい。
【００２２】
図１に戻り、９０度ハイブリッド２２は、光受信器２０に入射された信号光及び局部発振光を、内部の光導波路において分光・合成・遅延し、干渉光を４つのポートから出射する。４つのポートから出射された干渉光は、同相成分（In-Phase）及び直交位相成分（Quadrature-Phase）それぞれの正成分（positive）と負成分（negative）とに分離された４つの光信号として出射される。受光素子４０は、９０度ハイブリッド２２から出射された干渉光を受光し、光電変換によって、光電流を生成する。１つのバランスドレシーバ２６に含まれる２つの受光素子４０は、同じ位相成分の正成分と負成分の光信号を受光する。つまり、２つの受光素子４０の一方が受光する干渉光が同相成分の正成分である場合、他方が受光する干渉光は同相成分の負成分である。２つの受光素子４０の一方が受光する干渉光が直交位相成分の正成分である場合では、他方が受光する干渉光は直交位相成分の負成分である。このように、１つのバランスドレシーバ２６に含まれる２つの受光素子４０の一方が受光する干渉光と、他方が受光する干渉光とは、位相が１８０°ずれている。
【００２３】
比較例１の評価系では、受光素子４０で生成される光電流を、抵抗２８の両端の電位変化をオシロスコープ３２で測定することによって測定する。これにより、受光素子４０それぞれの光電流の位相特性を評価することができ、その結果、９０度ハイブリッド２２の位相特性を評価することができる。しかしながら、このような構成では、受光素子４０の光電流を精度良く測定することが難しい場合がある。この理由を以下に説明する。
【００２４】
図３（ａ）は、１つのバランスドレシーバに含まれる２つの受光素子と電源との間の接続を示す回路図であり、図３（ｂ）は、オシロスコープで測定された電流の一例を示す図である。図３（ａ）のように、２つの受光素子４０それぞれのカソードに、抵抗２８を介して、電源３０が接続されている。抵抗２８の両端には、受光素子４０それぞれで生成される光電流を測定するためのオシロスコープ３２が接続されている。図３（ｂ）のように、オシロスコープ３２で測定された電流は、互いに位相が１８０°ずれている。これは、上述したように、１つのバランスドレシーバ２６に含まれる２つの受光素子４０は、同じ位相成分の正成分と負成分の光信号を受光するためである。
【００２５】
受光素子４０で生成される光電流は、受光素子４０に入射される干渉光（光信号）の変化に応じて変動することから、受光素子４０それぞれのカソードに印加される電圧は、抵抗２８での電圧降下のために変動し、一定にはならない。この際、図３（ｂ）のように、受光素子４０それぞれで生成される光電流は、互いに位相がずれていることから、受光素子４０それぞれのカソード間に電位差が生じてしまう。図２のように、複数の受光素子４０が共通の半導体基板４２上に集積されている場合、受光素子４０それぞれのカソード（ｎ電極５６）間に電位差が生じると、ｎ電極５６間で半導体基板４２を通じたリーク電流（図２中の矢印）が発生する場合がある。このリーク電流は、半導体基板４２の抵抗が低い場合に発生し易い。
【００２６】
図４は、受光素子４０のカソード間にリーク電流が発生した状態を示す回路図である。図４のように、半導体基板４２の抵抗３４が十分に高くないと、受光素子４０それぞれのカソード間にリーク電流（図４中の矢印）が発生してしまい、オシロスコープ３２では、受光素子４０の光電流にリーク電流が加わった電流が測定されてしまう。このため、受光素子４０の光電流を精度良く測定することが難しくなる。
【００２７】
そこで、以下において、受光素子の光電流を精度良く測定することが可能な実施例を説明する。
【実施例１】
【００２８】
図５は、実施例１に係る受光回路を示す回路図である。なお、図５では、１つのバランスドレシーバに含まれる２つの受光素子に接続される受光回路を例に示す。図５のように、実施例１の受光回路１００は、受光素子４０に接続されるオペアンプ６２を有する。受光素子４０は、図２で説明したように、共通の半導体基板４２に設けられている。オペアンプ６２の２つの入力端子のうちの反転入力端子６４ａが、受光素子４０のカソードに接続されている。オペアンプ６２の非反転入力端子６４ｂには、受光素子４０に印加する電圧ＶＰＤが供給される。オペアンプ６２の出力端子６６と反転入力端子６４ａとは、例えば導線である接続線６７で接続されており、接続線６７中には抵抗６８が接続されている。これにより、非反転増幅回路が形成されている。抵抗６８の両端には、受光素子４０で生成される光電流を測定する測定器６９（例えばオシロスコープ）が接続される端子７０が設けられている。なお、図５で下側に記載された受光素子４０で生成される光電流を測定する測定器６９については、図の明瞭化のために図示を省略している。
【００２９】
抵抗６８と並列にキャパシタ７２が接続されている。オペアンプ６２の出力端子６６とグランドとの間に終端抵抗７４が接続されている。出力端子６６と終端抵抗７４との間の端子とグランドとの間に、抵抗７６とキャパシタ７８とが直列に接続されている。オペアンプ６２の反転入力端子６４ａと受光素子４０との間の端子とグランドとの間に、抵抗８０とキャパシタ８２とが直列に接続されている。また、受光素子４０のカソードに抵抗８４が接続されているが、この抵抗８４は、図２における受光素子４０それぞれのｎ電極５６間に存在する抵抗を表している。
【００３０】
このように、実施例１の受光回路１００では、共通の半導体基板４２上に設けられた複数の受光素子４０それぞれに対応して個別にオペアンプ６２が設けられ、オペアンプ６２の反転入力端子６４ａは受光素子４０のカソードに接続され、非反転入力端子６４ｂには受光素子４０に印加する電圧ＶＰＤが供給される。そして、複数のオペアンプ６２それぞれの出力端子６６と反転入力端子６４ａとの間に抵抗６８が接続され、抵抗６８の両端には、受光素子４０で生成される光電流を測定する測定器６９が接続される端子７０が設けられている。このような構成によれば、出力端子６６から反転入力端子６４ａに負帰還がかけられ、反転入力端子６４ａに入力される電圧が、非反転入力端子６４ｂに入力される電圧と同じ大きさになるように制御される。このため、受光素子４０で生成される光電流の大きさが変動する場合であっても、受光素子４０のカソードに印加される電圧を、非反転入力端子６４ｂに供給される電圧ＶＰＤの大きさに制御することができる。よって、受光素子４０それぞれのカソード間に生じる電位差を抑えることができ、受光素子４０間のリーク電流を抑制することができる。したがって、受光素子４０の光電流を精度良く測定することができる。
【００３１】
図６は、受光素子の光電流を測定する方法を示すフローチャート図である。図５を参照しつつ、図６を用いて受光素子の光電流測定方法を説明する。図６のように、共通の半導体基板４２上に設けられた複数の受光素子４０それぞれに対して、反転入力端子６４ａに受光素子４０のカソードが接続され、非反転入力端子６４ｂに受光素子４０に印加する電圧が供給されるオペアンプ６２を個別に接続する（ステップＳ１０）。そして、受光素子４０に光信号を入力した状態で、複数のオペアンプ６２それぞれの反転入力端子６４ａと出力端子６６との間を接続する接続線６７を流れる電流を測定する（ステップＳ１２）。例えば、抵抗６８の両端の電位差を測定器６９で測定することで、接続線６７を流れる電流を測定してもよいし、その他の方法によって接続線６７を流れる電流を測定してもよい。これにより、受光素子４０で生成される光電流を精度良く測定することができる。
【００３２】
複数の受光素子４０それぞれが受光する光の位相が互いにずれている場合、受光素子４０間のリーク電流が発生し易い。したがって、このような場合、図５のように、複数の受光素子４０それぞれにオペアンプ６２と抵抗６８とが接続されている場合が好ましい。
【００３３】
また、受光素子４０それぞれのカソード間に生じる電位差を抑え、受光素子４０間のリーク電流を抑制するために、図５のように、複数の受光素子４０それぞれに接続された複数のオペアンプ６２それぞれの非反転入力端子６４ｂに共通の電圧ＶＰＤが供給されることが好ましい。
【００３４】
図５のように、複数のオペアンプ６２それぞれの出力端子６６と反転入力端子６４ａとの間にそれぞれ接続された複数の抵抗６８それぞれの両端に端子７０が設けられていることが好ましい。これにより、複数の受光素子４０それぞれの光電流を精度良く測定することができる。
【００３５】
図５のように、抵抗６８に並列にキャパシタ７２が接続され、オペアンプ６２の出力端子６６と終端抵抗７４との間の端子とグランドとの間に抵抗７６とキャパシタ７８とが直列に接続され、反転入力端子６４ａと受光素子４０との間の端子とグランドとの間に抵抗８０とキャパシタ８２とが直列に接続されることが好ましい。これにより、オペアンプ６２のスイッチング動作による発振を抑制することができる。例えば、オペアンプ６２に数ＭＨｚ程度で発振し易いオペアンプを用いた場合、容量が１０ｎＦのキャパシタ７２、抵抗値が１００Ωの抵抗７６、８０、容量が１μＦのキャパシタ７８、８２を用いることで、オペアンプ６２の発振を抑制できる。
【実施例２】
【００３６】
図７は、実施例２に係る光受信器を示す上面図である。光受信器は、例えばコヒーレント光受信器である。図７のように、実施例２の光受信器２００は、偏光分離素子（ＰＢＳ：Polarization beam splitter）３６、例えば平面光導波路（ＰＬＣ：Planar Lightwave Circuit）からなる９０度ハイブリッド２２、及び２つの受光素子４０と１つのＴＩＡ２４とを含む複数のバランスドレシーバ２６を備えている。
【００３７】
偏光分離素子３６は、光受信器２００に入射される信号光と局部発振光（ＬＯ光）とをそれぞれ、互いに直交するＸ偏波とＹ偏波に分離する。Ｘ偏波の光として例えばＴＥ光、Ｙ偏波の光として例えばＴＭ光を用いることができるが、Ｘ偏波の光をＴＭ光、Ｙ偏波の光をＴＥ光としてもよい。
【００３８】
９０度ハイブリッド２２は、偏光分離素子３６によってＸ偏波、Ｙ偏波に分離された信号光及び局部発振光それぞれを、内部の光導波路２３において分光・合成・遅延させ、干渉光を出射する。例えば、Ｘ偏波の信号光は、Ｘ偏波の局部発振光と合成された後に、同相成分（In-Phase）及び直交位相成分（Quadrature-Phase）の正成分（positive）と負成分（negative）とに分離され、４つの光信号（Ｘ−Ｉｐ、Ｘ−Ｉｎ、Ｘ−Ｑｐ、Ｘ−Ｑｎ）として出射される。同様に、Ｙ偏波の信号光は、Ｙ偏波の局部発振光と合成された後に、同相成分及び直交位相成分の正成分と負成分とに分離され、４つの光信号（Ｙ−Ｉｐ、Ｙ−Ｉｎ、Ｙ−Ｑｐ、Ｙ−Ｑｎ）として出射される。
【００３９】
受光素子４０は、９０度ハイブリッド２２から出射された干渉光を受光し、光電変換によって、光電流を生成する。受光素子４０は、例えば、フォトダイオード（ＰＤ：Photodiode）である。光受信器２００に備わる複数の受光素子４０の少なくとも一部は、図２のように、共通の半導体基板４２上に集積されている。１つのバランスドレシーバ２６に含まれる２つの受光素子４０は、同じ位相成分の正成分と負成分の光信号を受光する。ＴＩＡ２４は、２つの受光素子４０から出力された対となる光電流を電圧信号に変換して増幅する。ＴＩＡ２４で増幅された電気信号は、光受信器２００の外部に出力される。
【００４０】
光受信器２００から出力された電気信号は、アナログ−デジタル変換回路（ＡＤＣ：Analog Digital Converter）３８によってデジタル信号に変換される。デジタル信号処理回路（ＤＳＰ：Digital Signal Processing）３９は、変換されたデジタル信号に対し、信号の復調を含む各種の信号処理を行う。
【００４１】
図８は、実施例２の光受信器に備わるバランスドレシーバを示す回路図である。図８のように、実施例２の光受信器２００に備わるバランスドレシーバ２６は、実施例１の図５で示した受光回路１００と、受光回路１００に含まれるオペアンプ６２の反転入力端子６４ａにカソードが接続された受光素子４０と、受光素子４０のアノードに接続されたＴＩＡ２４と、を有する。また、受光素子４０のカソードにキャパシタ８８、９０が接続されている。
【００４２】
上述したように、ＴＩＡ２４は、２つの受光素子４０から出力された対の光電流を電圧信号に変換して増幅することから、２つの入力端子９２と２つの出力端子９４とを有する。つまり、２つの入力端子９２には、２つの受光素子４０それぞれから出力された光電流が入力される。また、ＴＩＡ２４の出力端子９４の後段には、キャパシタ９６が接続されている。
【００４３】
抵抗６８の両端に設けられた端子７０には、実施例１で説明したのと同様に、受光素子４０で生成される光電流を測定する測定器（例えばオシロスコープ）が接続される。なお、測定器の図示は省略している。受光素子４０の光電流は、例えば抵抗６８の両端の電位であるＶＭＯＮ−ａとＶＭＯＮ−ｂとの間の電位変化を測定器で測定することによって測定される。
【００４４】
実施例２によれば、実施例１の受光回路１００と、受光回路１００に含まれる複数のオペアンプ６２それぞれの反転入力端子６４ａにカソードが接続された、共通の半導体基板４２上に設けられた複数の受光素子４０と、を備える。これにより、実施例１と同様に、受光素子４０間のリーク電流を抑制でき、受光素子４０の光電流を精度良く測定することができる。
【００４５】
実施例２の光受信器２００は、図７のように、信号光と局部発振光（ＬＯ光）とが入射され、信号光と局部発振光とを干渉させた干渉光を出射する９０度ハイブリッド２２を備える。そして、受光素子４０は、９０度ハイブリッド２２から出射された干渉光を受光する。このような構成では、複数の受光素子４０それぞれが受光する光の位相は互いにずれている。このため、受光素子４０間のリーク電流が発生し易いことから、図８のように、複数の受光素子４０それぞれにオペアンプ６２と抵抗６８とが接続されている場合が好ましい。
【００４６】
１つのバランスドレシーバ２６に含まれる２つの受光素子４０が正常に動作している場合は、ＴＩＡ２４に入力される光電流は直流成分がほぼ均等になっている。しかしながら、２つの受光素子４０から出力される光電流のバランスが崩れると、ＴＩＡ２４は正常に信号処理が出来なくなる。このため、光受信器２００において、２つの受光素子４０から出力される光電流をモニタし、バランスが崩れている場合にアラームを上げることが好ましい。
【実施例３】
【００４７】
実施例３に係る光受信器は、実施例２の図７と同じであるため説明を省略する。図９は、実施例３の光受信器に備わるバランスドレシーバを示す回路図である。図９のように、実施例２の図８と異なる点は、受光素子４０の光電流を測定する測定器が接続される端子７０が、抵抗６８の両端に設けられてなく、受光素子４０側にだけ設けられている点である。その他の構成は、実施例２の図８と同じであるため説明を省略する。
【００４８】
実施例３のように、抵抗６８の両端のうちの少なくとも反転入力端子６４ａ側に、受光素子４０の光電流を測定する測定器が接続される端子７０が設けられていれば、例えばＶＭＯＮとグランドとの間の電位変化を測定器で測定することによって、受光素子４０の光電流を測定することができる。
【００４９】
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
【符号の説明】
【００５０】
２２  ９０度ハイブリッド
２４  ＴＩＡ
２６  バランスドレシーバ
３６  偏光分離素子
４０  受光素子
４２  半導体基板
６２  オペアンプ
６４ａ  反転入力端子
６４ｂ  非反転入力端子
６６  出力端子
６７  接続線
６８  抵抗
６９  測定器
７０  端子
９２  入力端子
９４  出力端子
１００  受光回路
２００  光受信器
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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