(57)【要約】【課題】レーザ加工装置を提供する。【解決手段】レーザ加工装置は、パルス幅がピコ秒単位以下であるレーザを出力するレーザ出力部と、前記レーザの経路に配置され、前記レーザの位相差を変更させる位相差変更部とを含む。【選択図】図1
2014176894.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルス幅がピコ秒単位以下であるレーザを出力するレーザ出力部と、
前記レーザの経路に配置され、前記レーザの位相差を変更させる位相差変更部とを含むレーザ加工装置。
【請求項２】
前記位相差変更部は、位相遅延フィルムを含む、請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項３】
前記位相遅延フィルムは、前記レーザの位相差を1/4波長分だけ変更させる、請求項２に記載のレーザ加工装置。
【請求項４】
前記位相差変更部は、前記レーザの位相差を1/4波長分だけ変更させる、請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項５】
前記位相差変更部を透過した前記レーザが照射される被加工物が定着されるステージをさらに含む請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項６】
前記被加工物をホールディングするホールディング部をさらに含む請求項５に記載のレーザ加工装置。
【請求項７】
前記レーザ出力部から出力される前記レーザは線偏光状態である、請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項８】
パルス幅がピコ秒単位以下であるレーザを出力するレーザ出力部と、
前記レーザの経路に配置される前記レーザの位相差を継続して変更させる位相差変更部とを含むレーザ加工装置。
【請求項９】
前記位相差変更部は、位相遅延フィルムを含む、請求項８に記載のレーザ加工装置。
【請求項１０】
前記位相遅延フィルムは、回転する、請求項９に記載のレーザ加工装置。
【請求項１１】
前記位相遅延フィルムは、毎分800ないし1600回を回転する、請求項１０に記載のレーザ加工装置。
【請求項１２】
前記位相遅延フィルムの回転軸は、前記レーザの進行方向と平行する、請求項１１に記載のレーザ加工装置。
【請求項１３】
前記位相遅延フィルムは、前記レーザの位相差を1/4波長分だけ変更させる、請求項９に記載のレーザ加工装置。
【請求項１４】
前記位相遅延フィルムは、回転軸を中心に第1方向への回転および前記第1方向と異なる第2方向への回転を繰り返して実施する、請求項９に記載のレーザ加工装置。
【請求項１５】
パルス幅がピコ秒単位以下であるレーザを出力し、前記レーザの振動方向を持続的に可変させるレーザ出力部と、
前記レーザの経路に配置される位相差変更部とを含むレーザ加工装置。
【請求項１６】
前記レーザ出力部は、前記レーザが出力される方向と平行する軸を中心に回転する、請求項１５に記載のレーザ加工装置。
【請求項１７】
前記レーザ出力部は、毎分800ないし1600回を回転する、請求項１６に記載のレーザ加工装置。
【請求項１８】
前記位相差変更部は、前記レーザの位相差を1/4波長分だけ変更させる、請求項１５に記載のレーザ加工装置。
【請求項１９】
パルス幅がピコ秒単位以下であるレーザを出力するレーザ出力部と、
前記レーザ出力部から出力された前記レーザの経路上に配置され、前記レーザの振動方向を継続的に可変させる振動方向制御部と、
前記振動方向制御部を透過した前記レーザの経路に配置される位相差変更部とを含むレーザ加工装置。
【請求項２０】
前記振動方向制御部は、
第1電極、
前記第1電極と対向する第2電極、および
前記第1電極と前記第2電極との間に配置されるTN液晶層を含み、
前記第1電極と前記第2電極との間の電位差は持続的に可変される、請求項１９に記載のレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工装置に関し、より詳細には加工物のリップル(ripple)状態を改善できるレーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子製品または電子製品に使用される部品の小型化の傾向につれ、高精密の加工技術の必要性が増大しつつある。また、製品の製造プロセスの種類および製品の素材の種類も多様化されている。高精密、多様なプロセスおよび多様な素材の加工を実施するためにレーザ加工装置が広く使用されている。
【０００３】
レーザ加工装置にはパルス(pulse)型レーザが使用される。パルス型レーザはパルス幅によってナノ秒レーザ、ピコ秒レーザおよびフェムト秒レーザなどに区分される。レーザは直線偏光（linear polarization）特性が優れた状態で出力されるため、レーザの振幅の変化によって加工物にリップルが発生し得る。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
一般的にはレーザのパルス幅が短いほど熱の発生が少ない。ナノ秒レーザに比べてパルス幅が相対的に短いピコ秒レーザまたはフェムト秒レーザの場合、ナノ秒レーザに比べて加工時の熱の発生が少ない。ピコ秒レーザまたはフェムト秒レーザを利用するレーザ加工装置で加工物を加工する場合、比較的に熱の発生が少ないため、加工部位が溶融されず、加工時に加工物に発生したリップルが残存したりし、加工状態が不良になる場合もある。
【０００５】
そこで、本発明の解決しようとする課題は、加工物で発生するリップルを減少させるレーザ加工装置を提供しようとすることである。
【０００６】
本発明が解決しようとする他の課題は、加工物の加工状態を改善できるレーザ加工装置を提供しようとすることである。
【０００７】
本発明の課題は、以上で言及した技術的課題に制限されず、言及されていないまたその他の技術的課題は、下記の記載から当業者が明確に理解できるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するための本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置は、パルス幅がピコ秒単位以下であるレーザを出力するレーザ出力部と、前記レーザの経路に配置され、前記レーザの位相差を変更させる位相差変更部を含む。
【０００９】
上記課題を解決するための本発明の他の実施形態に係るレーザ加工装置は、パルス幅がピコ秒単位以下であるレーザを出力するレーザ出力部と、前記レーザの経路に配置される前記レーザの位相差を継続して変更させる位相差変更部を含む。
【００１０】
上記課題を解決するための本発明のさらに別の実施形態に係るレーザ加工装置は、パルス幅がピコ秒単位以下であるレーザを出力し、前記レーザの振動方向を持続的に可変させるレーザ出力部と、前記レーザの経路に配置される位相差変更部を含む。
【００１１】
上記課題を解決するための本発明のさらに別の実施形態に係るレーザ加工装置は、パルス幅がピコ秒単位以下であるレーザを出力するレーザ出力部と、前記レーザ出力部から出力された前記レーザの経路上に配置され、前記レーザの振動方向を継続的に可変させる振動方向制御部と、前記振動方向制御部を透過した前記レーザの経路に配置される位相差変更部を含む。
【００１２】
その他の実施形態の具体的な内容は詳細な説明および図面に含まれている。
【発明の効果】
【００１３】
本発明に係る実施形態によれば、少なくとも次のような効果がある。
【００１４】
レーザ加工装置によって加工された被加工物のリップル発生を減らすことができる。
【００１５】
また、レーザ加工装置によって加工された被加工物の加工状態を良好にできる。
本発明に係る効果は、以上で例示された内容によって制限されず、さらに多様な効果が本明細書内に含まれている。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置の側面図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る第1レーザの偏光成分を示すグラフである。
【図３】本発明の一実施形態に係る第1レーザの振動方向を示すグラフである。
【図４】本発明の一実施形態に係る第2レーザの偏光成分を示すグラフである。
【図５】本発明の一実施形態に係る第2レーザの振動方向を示すグラフである。
【図６】本発明の他の実施形態に係る位相差変更部を示す斜視図である。
【図７】本発明の他の実施形態に係る位相差変更部に入射する第1レーザの振動方向を示すグラフである。
【図８】本発明のさらに別の実施形態に係る位相遅延フィルムを示す斜視図である。
【図９】本発明のさらに別の実施形態に係るレーザ加工装置の側面図である。
【図１０】本発明のさらに別の実施形態に係るレーザ加工装置の側面図である。
【図１１】本発明のさらに別の実施形態に係る振動方向制御部の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明の利点及び特徴、そしてこれらを達成する方法は、添付図面と共に詳細に後述する各実施形態を参照すれば、明確になるものである。しかし、本発明は、以下に開示される実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で実現できる。下記の各実施形態は、単に本発明の開示を明確にし、本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者に、本発明の範疇を明確に知らせるために提供されるものであり、本発明の権利範囲は、請求項の記載のみによって定められる。
【００１８】
素子(elements)または層が他の素子または層の「上(on)」と指称された場合、他の素子の真上にまたは中間に他の層または他の素子を介在する場合のすべてを含む。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を指称する。
【００１９】
「第１」、「第２」などが多様な素子、構成要素を叙述するために使用されるが、これら素子、構成要素はこれらの用語によって制限されないことはいうまでもない。これらの用語は、単に一つ構成要素を他の構成要素と区別するために用いるものである。したがって、以下で言及される第１素子または第１構成要素は本発明の技術的思想内で第２素子または第２構成要素であり得ることは勿論である。
【００２０】
以下、添付する図面を参照して本発明の実施形態について説明する。
【００２１】
図1は、本発明の一実施形態に係るレーザ加工装置の側面図である。図1に示すように、レーザ加工装置は、レーザ出力部10および位相差変更部20を含む。
【００２２】
レーザ出力部10は、第1レーザL1を出力する。第1レーザL1はパルス幅がピコ秒単位以下であるレーザである。すなわち、第1レーザL1はピコ秒レーザまたはフェムト秒レーザであり得、またはパルス幅がフェムト秒単位よりさらに短いレーザであり得る。第1レーザL1は直線偏光特性が優れるため、実質的に直線偏光の状態であり得る。
【００２３】
以下、図2および図3を参照して第1レーザL1についてより詳細に説明する。図2は、本発明の一実施形態に係る第1レーザの偏光成分を示すグラフである。図3は、本発明の一実施形態に係る第1レーザの振動方向を示すグラフである。
【００２４】
図2に示すように、第1レーザL1は第1水平偏光成分L1xおよび第1垂直偏光成分L1yに分けられる。第1水平偏光成分L1xと第1垂直偏光成分L1yは相互に垂直になっている。第1レーザL1は直線偏光特性が優れるため、第1水平偏光成分L1xおよび第1垂直偏光成分L1yの位相差は実質的にない。このような場合、第1レーザL1の振幅は図3のようにxy座標系の第2象限（quadrant）および第4象限にかけて直鎖状的に振動する。
【００２５】
いくつかの実施形態によれば、第1水平偏光成分L1xと第1垂直偏光成分L1yは波長の1/2分だけの位相差を有る。このような場合、第1レーザL1の振幅はxy座標係の第1象限および第3象限にかけて直鎖状的に振動する。
【００２６】
再び図1に示すように、位相差変更部20は第1レーザL1の光経路上に配置され、第1レーザL1の位相差を変更させる。位相差変更部20は第1レーザL1の位相差を変更して第2レーザL2に出力できる。ここで、位相差とは、電磁気波の水平偏光成分と垂直偏光成分の位相の差異を意味する。第2レーザL2は第1レーザL1の第1水平偏光成分L1xと第1垂直偏光成分L1yの位相差が変更されて生成される。いくつかの実施形態によれば、位相差変更部20は位相遅延フィルムを含んで形成される。
【００２７】
以下、図4および図5を参照して第2レーザL2についてより詳細に説明する。図4は、本発明の一実施形態に係る第2レーザの偏光成分を示すグラフである。図5は、本発明の一実施形態に係る第2レーザの振動方向を示すグラフである。
【００２８】
図4に示すように、第2レーザL2は第2水平偏光成分L2xおよび第2垂直偏光成分L2yに分けられる。第2水平偏光成分L2xと第2垂直偏光成分L2yは相互に垂直となっている。第2水平偏光成分L2xと第2垂直偏光成分L2yの位相は波長の1/2の倍数ではない位相差を有する。図4では、第2水平偏光成分L2xが第2垂直偏光成分L2yより1/4波長分だけ位相が先んじていることを例示しているが、必ずこれに限定されない。
【００２９】
第2水平偏光成分L2xが第2垂直偏光成分L2yより波長の1/4分だけ位相が先んじる場合、位相差変更部20は第1レーザL1の位相差を1/4波長分だけ変更させることができる。すなわち、位相差変更部20は第1垂直偏光成分L1yを第1水平偏光成分L1xより波長の1/4分だけさらに遅らせる。いくつかの実施形態によれば、位相差変更部20は第1垂直偏光成分L1yを第1水平偏光成分L1xより波長の1/4分だけさらに遅らせる位相遅延フィルムであり得る。
【００３０】
第2水平偏光成分L2xが第2垂直偏光成分L2yより1/4波長分だけ位相が先んじる場合、第2レーザL2の振幅は図5のように円形を描きながら反時計回りに回転する。したがって、第2レーザL2の振幅のサイズの変化は第1レーザL1より小さい場合もある。第1レーザL1を直接加工物PAに照射して加工を実施する場合、直線偏光された第1レーザL1の特定の方向性を有する振幅の変化により加工物PAでリップルが発生する場合があり、第1レーザL1のパルス幅がピコ秒単位以下である場合、加工物PAの加工部位が溶融されず、リップルが残存し得る。本発明の実施形態で、レーザ加工装置は第1レーザL1を直接加工物PAに照射せず、位相差変更部20を経て加工物PAに照射して第1レーザL1の振幅の変化を減少させ、加工物PAに発生するリップルを減少させる。したがって、レーザ加工装置は加工物PAの加工状態を良好に改善できる。
【００３１】
いくつかの実施形態によれば、位相差変更部20は第1水平偏光成分L1xを第1垂直偏光成分L1yより波長の1/4分だけさらに遅らせる。このような場合、第2垂直偏光成分L2yは第2水平偏光成分L2xより波長の1/4分だけさらに先んじ、第2レーザL2の振幅は円形を描きながら時計回りに回転することができる。このような場合にも前記の図4および図5と同様に、第2レーザL2の振幅のサイズの変化は第1レーザL1より小さいため、レーザ加工装置は加工物PAに発生するリップルを減少させ、加工物PAの加工状態を良好にできる。
【００３２】
また他のいくつかの実施形態によれば、位相差変更部20は第1レーザL1の位相差を波長の1/4の倍数ではない分だけ遅らせる。このような場合、第2レーザL2は楕円偏光され得る。第2レーザL2が楕円偏光されても、実質的に直線偏光状態の第1レーザL1より第2レーザL2の振幅のサイズの変化が小さい場合もある。したがって、位相差変更部20は、第1レーザL1の位相差を波長の1/4の倍数ではない分だけ遅らせる場合にも、第2レーザL2の振幅のサイズの変化は第1レーザL1より小さいため、レーザ加工装置は加工物PAで発生するリップルを減少させて加工物PAの加工状態を良好にすることができる。
【００３３】
再び図1に示すように、レーザ加工装置はステージ30およびホールディング部40をさらに含む。ステージ30上には被加工物PAが定着する。ステージ30は第2レーザL2が加工物PAの加工を所望する部位に照射するようにするために移動する。いくつかの実施形態によれば、ステージ30は移動せず、レーザ出力部10が移動して第2レーザL2が加工物PAの加工を所望する部位に照射するようにすることができる。また他のいくつかの実施形態によれば、ステージ30およびレーザ出力部10は何れも移動することができる。ホールディング部40は、加工物PAがステージ30上で流動しないように加工物PAをホールディングする。図1に図示するホールディング部40の形状は例示的なものに過ぎず、実施形態により当業者に知らされた形状に変更できる。
【００３４】
以下、図6および図7を参照して本発明の他の実施形態について説明する。図6は、本発明の他の実施形態に係る位相差変更部を示す斜視図である。図7は、本発明の他の実施形態に係る位相差変更部に入射する第1レーザの振動方向を示すグラフである。図6および図7で図示していないが、本発明の他の実施形態で、レーザ出力部10、ステージ30およびホールディング部40は図１の同一な名称を有する構成の説明と実質的に同一である。
【００３５】
図6に示すように、位相差変更部21は位相遅延フィルムで形成される。位相差変更部21は第1方向r1に回転する。位相差変更部21の第2レーザL2が出力される面の方向から位相差変更部21をみると、第1方向r1は時計回りである。位相差変更部21の回転軸は第1レーザL1または第2レーザL2の進行方向と実質的に平行するが、これに限定されない。位相差変更部21が第1方向r1に回転する場合、位相差変更部21を基準とした位相差変更部21に入射する第1レーザL1の相対的な振動方向は図7のように反時計回りに回転する。このような場合、第2レーザL2の位相差が継続的に変更され、第2レーザL2の偏光状態は継続的に変化する。例えば、第2レーザL2の偏光状態は、直線偏光、楕円偏光、円偏光、楕円偏光および直線偏光の順序に持続的に変更する。第2レーザL2の偏光状態が持続的に変化すると、第2レーザL2の振動方向が特定の方向性を有さず、被加工物PAに第2レーザL2を照射する際、リップルの発生の可能性を減らし、被加工物PAの加工状態を向上させる。
【００３６】
いくつかの実施形態によれば、位相差変更部21は毎分800ないし1600回を回転する。位相差変更部21の回転速度が遅い場合、第2レーザL2の偏光状態の変更速度が遅くなり、第2レーザL2の振動方向によってリップル発生抑制効果が減少する。位相差変更部21の回転速度が過度に速い場合、位相差変更部21を回転させながら発生する振動によって加工物PAの加工状態が不良になる。したがって、位相差変更部21が毎分800ないし1600回を回転する場合、第2レーザL2の偏光状態を持続的に変化させ、リップル発生を減少させ、位相差変更部21の振動による影響を減少させて被加工物PAの加工状態を良好にできる。
【００３７】
いくつかの実施形態によれば、位相差変更部21は第1方向r1と逆方向に回転する。位相差変更部21が第1方向r1と逆方向に回転しても、第2レーザL2の位相差が継続的に変更され、第2レーザL2の偏光状態が継続的に変化することによって、第2レーザL2の振動方向が特定の方向性を有さず、被加工物PAに第2レーザL2を照射する際、リップルの発生の可能性を減らし、被加工物PAの加工状態を向上させる。
【００３８】
図6および図7では第2レーザL2の位相差を継続的に変化させるため、位相遅延フィルムで形成された位相差変更部21を回転させることを例示するが、これは例示に過ぎず、その他に当業者に知らされた方法によって第2レーザL2の位相差を継続的に変化させることができる。例えば、第1レーザL1の第1水平偏光成分L1xと第1垂直偏光成分L1yを分離した後、第1水平偏光成分L1xと第1垂直偏光成分L1yの経路差を持続的に変化させつつ、第1水平偏光成分L1xと第1垂直偏光成分L1yを結合する場合、位相差が継続的に変化する第2レーザL2が生成される。
【００３９】
以下、図8を参照して本発明のさらなる別の実施形態について説明する。図8は、本発明のさらなる別の実施形態に係る位相遅延フィルムを示す斜視図である。図8に図示していないが、本発明のまた他の実施形態において、レーザ出力部10、ステージ30およびホールディング部40に係る説明は、図１の同一な名称を有する構成の説明と実質的に同一である。
【００４０】
図8に示すように、位相差変更部22は位相遅延フィルムで形成される。位相差変更部22は第1方向r1および第2方向r2に繰り返して回転する。すなわち、位相差変更部22は第1方向r1に所定の角度で回転した後、第2方向r2に所定の角度で回転し、再び第1方向r1に所定の角度で回転することを繰り返す。位相差変更部21の第2レーザL2が出力される面の方向から位相差変更部２２をみると、第1方向r1は時計回りであり、第2方向r2は反時計回りである。位相差変更部22は第1方向r1および第2方向r2に繰り返して回転しても、第2レーザL2の偏光状態が持続的に可変されることによって、第2レーザL2の振動方向が特定の方向性を有さず、被加工物PAに第2レーザL2を照射する際、リップルの発生の可能性を減らし、被加工物PAの加工状態を向上させることができる。
【００４１】
以下、図9を参照して本発明のさらなる別の実施形態について説明する。図9は、本発明のさらなる別の実施形態に係るレーザ加工装置の側面図である。
【００４２】
図9に示すように、レーザ出力部11は第1レーザL1の振動方向を継続的に可変させる。第1レーザL1の振動方向は図7と同様に反時計回りに回転したり、または時計回りに回転したりすることもできる。第1レーザL1の振動方向を継続的に可変すると、位相差変更部20に入射する第1レーザL1の振動方向が継続的に可変され、第2レーザL2の位相差が継続的に変化する。したがって、第2レーザL2の偏光状態が継続的に変化するようになり、第2レーザL2の振動方向が特定の方向性を有さず、被加工物PAに第2レーザL2を照射する際、リップルの発生の可能性を減らして被加工物PAの加工状態を向上させることができる。
【００４３】
レーザ出力部11の第1レーザL1の振動方向を継続的に可変させるため、レーザ出力部11は回転する。レーザ出力部11は第1レーザL1の出力方向を軸として回転する。いくつかの実施形態によれば、レーザ出力部11は毎分800ないし1600回を回転することができる。
【００４４】
図9では第1レーザL1の振動方向を継続的に可変させるため、レーザ出力部11が回転することを例示しているが、これは例示的なものに過ぎず、その他に当業者に知らされている方法によってレーザ出力部は振動方向が継続的に可変される第1レーザL1を出力する。
【００４５】
位相差変更部20、ステージ30およびホールディング部40に係る説明は図１の同一な名称を有する構成の説明と実質的に同一であるため、省略する。
【００４６】
以下、図10および11を参照して本発明のさらなる別の実施形態について説明する。図10は、本発明のさらなる別の実施形態に係るレーザ加工装置の側面図である。図11は、本発明のさらなる別の実施形態に係る振動方向制御部の断面図である。
【００４７】
図10に示すように、レーザ加工装置はレーザ出力部10、位相差変更部20、および振動方向制御部50を含む。振動方向制御部50は第1レーザL1の経路上に配置される。振動方向制御部50は第1レーザL1の振動方向を継続的に可変させ第3レーザL3を出力する。第3レーザL3の振動方向は図7と同様に反時計回りに回転したり、時計回りに回転したり、または、時計回りおよび反時計回りに繰り返して回転したりすることもできる。位相差変更部20は第3レーザL3の経路に配置され、第3レーザL3の位相差を可変し、第2レーザL2を出力する。第3レーザL3の位相が継続的に可変されると、第2レーザL2の位相差が継続的に変化するため、第2レーザL2の偏光状態が継続的に変化するようになって、第2レーザL2の振動方向が特定の方向性を有さず、被加工物PAに第2レーザL2を照射する際、リップルの発生の可能性を減らし、被加工物PAの加工状態を向上させることができる。
【００４８】
レーザ出力部10および位相差変更部20に係るその他の説明は図１の同一な名称を有する構成の説明と実質的に同一であるため、省略する。
【００４９】
以下、図11を参照して振動方向制御部50についてより詳細に説明する。図11に示すように、振動方向制御部50は、第1電極51、第2電極52およびTN(twisted nematic)液晶層53を含む。第1電極51および第2電極52は互いに対向するように配置される。第1電極51および第2電極52は透明な導電性物質で形成される。例えば、第1電極51および第2電極52はITO(indium tin oxide)またはIZO(indium zinc oxide)で形成され、これに限定されない。第1電極51と第2電極52との間には電位差Vが形成されるように各々電圧印加され得、電位差Vは継続的に可変され得る。第1電極51に第1レーザL1が入射され得、第2電極52に第3レーザL3が出力され得る。
【００５０】
TN液晶層53は第1電極51と第2電極52との間に配置される。TN液晶層53は電位差Vに対応して透過する電磁気波の振動方向を変更させることができる。電位差Vが継続的に可変されると、TN液晶層53は電位差Vに対応し、透過する電磁気波の振動方向を変更させ得るため、第3レーザL3の振動方向は持続的に可変され得る。第3レーザL3の振動方向が持続的に可変されると、第2レーザL2の位相差が継続的に可変され、第2レーザL2の偏光状態が継続的に変化するようになって、第2レーザL2の振動方向が特定の方向性を有さず、被加工物PAに第2レーザL2を照射する際、リップルの発生の可能性を減らし、被加工物PAの加工状態を向上させることができる。
【００５１】
再び図10に示すように、レーザ加工装置は、ステージ30およびホールディング部20をさらに含み、これに係る説明は図１の同一な名称を有する構成の説明と実質的に同一であるため、省略する。
【００５２】
以上、添付図面を参照して本発明の実施形態について説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、互いに異なる多様な形態で製造され得る。本発明の属する技術分野において通常の知識を有する者は、本発明の技術的思想や必須の特徴を変更せず、他の具体的な形態で実施され得ることを理解することができる。したがって、上記実施形態は、すべての面において例示的なものであり、限定的なものではないと理解しなければならない。
【符号の説明】
【００５３】
10、11  レーザ出力部
20、21、22  位相差変更部
30  ステージ
40  ホールディング部
50  振動方向制御部
51  第1電極
52  第2電極
53  TN液晶層
L1  第1レーザ
L2  第2レーザ
L3  第3レーザ
PA  加工物
【図１】
2014176894.tif 000003
【図２】
2014176894.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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