(57)【要約】【課題】高いレベルの欠陥品質を要求されるリソグラフィー用部材に好適な洗浄処理を含むリソグラフィー用部材の製造方法を提供する。【解決手段】洗浄槽に収容した洗浄液中にリソグラフィー用部材の被洗浄表面が水平となるように該リソグラフィー用部材を水平に保持するとともに、前記被洗浄表面上に近接して対向配置したローラーの回転により、前記被洗浄表面とローラーとの間にせん断流を発生させてリソグラフィー用部材表面の異物を除去する。また、洗浄処理中は、リソグラフィー用部材とローラーとを水平方向に相対的に移動させながら洗浄処理を行う。【選択図】図１
2014109670.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リソグラフィー用部材の洗浄処理を含むリソグラフィー部材の製造方法であって、
前記洗浄処理は、洗浄槽に収容した洗浄液中に前記リソグラフィー用部材の被洗浄表面が水平となるように該リソグラフィー用部材を水平に保持するとともに、前記被洗浄表面上に接近して対向配置したローラーの回転により、前記被洗浄表面と前記ローラーとの間にせん断流を発生させて前記リソグラフィー用部材表面の異物を除去することを特徴とするリソグラフィー用部材の製造方法。
【請求項２】
洗浄処理中は、前記リソグラフィー用部材と前記ローラーとを前記被洗浄表面に対して水平方向に相対的に移動させることを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
【請求項３】
前記ローラーの回転数及び前記ローラーに負荷する荷重の調節によって、前記被洗浄表面と前記ローラーとの間の隙間を制御することを特徴とする請求項１又は２に記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
【請求項４】
前記被洗浄表面と前記ローラーとの間に発生するせん断流の方向と同じ方向に前記洗浄液が洗浄槽内で流れるように前記洗浄液の供給を行うことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
【請求項５】
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
【請求項６】
請求項５に記載の製造方法により製造した前記マスクブランク用基板上に、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体膜とを形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
【請求項７】
請求項５に記載の製造方法により製造した前記マスクブランク用基板上に、転写パターンとなる薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
【請求項８】
請求項６に記載の製造方法により製造した反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜をパターニングすることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
【請求項９】
請求項７に記載の製造方法により製造したマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングすることを特徴とするマスクの製造方法。
【請求項１０】
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板上に、露光光を反射する多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板であることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
【請求項１１】
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板上に、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクブランクであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
【請求項１２】
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板上に、転写パターンとなる薄膜が形成されたマスクブランクであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
【請求項１３】
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板上に、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体膜パターンと、を有する反射型マスクであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
【請求項１４】
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板上に、転写パターンが形成されたマスクであることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
【請求項１５】
洗浄液を収容する洗浄槽と、
前記洗浄液中にリソグラフィー用部材の被洗浄表面が水平となるように該リソグラフィー用部材を水平に保持する保持手段と、
前記被洗浄表面上に対向配置するようにローラーを支持するローラー支持手段と、
前記ローラーを回転駆動するローラー駆動手段と、
前記ローラーに荷重を負荷する荷重負荷手段と、
を備えることを特徴とする洗浄装置。
【請求項１６】
前記ローラーを前記被洗浄表面に対して水平方向に移動するローラー移動手段を有することを特徴とする請求項１５に記載の洗浄装置。
【請求項１７】
前記ローラーの長さが前記リソグラフィー用部材のサイズよりも大きいことを特徴とする請求項１５又は１６に記載の洗浄装置。
【請求項１８】
前記ローラーの回転駆動により前記被洗浄表面と前記ローラーとの間に発生するせん断流の方向と同じ方向に前記洗浄液が洗浄槽内で流れるように前記洗浄液の供給を行う洗浄液供給手段を有することを特徴とする請求項１５乃至１７のいずれかに記載の洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置製造等に使用されるリソグラフィー用部材、例えば、マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、マスクブランク及びマスク、これらの製造方法、及び洗浄装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年における超ＬＳＩデバイスの高密度化、高精度化により、マスクブランク用ガラス基板の平坦度や表面欠陥に対する要求は年々厳しくなる一方である。また、EUV露光用の多層反射膜付き基板や、マスクブランク、マスクについても欠陥に対する要求は年々厳しくなる一方である。
従来のマスクブランク用ガラス基板の表面粗さを低減するための精密研磨方法としては、例えば特開昭６４−４０２６７号公報に記載されているものがあり、この精密研磨方法は、マスクブランク用ガラス基板の表面を酸化セリウムを主材とする研磨剤を用いて研磨した後、コロイダルシリカを用いて仕上げ研磨するものである。
【０００３】
そして、研磨を終えたガラス基板に洗浄処理を行って、基板表面に付着残留する研磨剤などの異物を除去する。従来の基板洗浄方法としては、例えば下記特許文献１に開示されている方法が一般的である。すなわち、基板を低濃度フッ酸水溶液を用いて処理し、更に酸やアルカリ液を用いて洗浄処理し、最後に水洗（リンス）を行う。また、ブラシ等で基板表面の異物を直接除去するスクラブ洗浄（物理的洗浄）も一般的に行われている。
こうして、マスクブランク用ガラス基板は製造され、得られたガラス基板の上面に遮光膜または位相シフト膜などを形成してフォトマスクブランクが得られる。
【０００４】
ところで、近年、半導体デバイスの更なる微細化の要求に伴い、極紫外（Extreme Ultra Violet：以下、EUVと呼称する）光を用いた露光技術であるEUVリソグラフィーが有望視されている。ここで、EUV光とは、軟X線領域又は真空紫外線領域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。このEUVリソグラフィ−において用いられるマスクとしては、たとえば下記特許文献２に記載された露光用反射型マスクが提案されている。
【０００５】
このような反射型マスクは、基板上に露光光を反射する多層反射膜が形成され、該多層反射膜上に露光光を吸収する吸収体膜がパターン状に形成されたものである。露光機（パターン転写装置）に搭載された反射型マスクに入射した光は、吸収体膜のある部分では吸収され、吸収体膜のない部分では多層反射膜により反射された光像が反射光学系を通して半導体基板上に転写される。
【０００６】
このようなＥＵＶ反射型マスクブランク用基板の場合、その表面欠陥に対する要求は極めて厳しい。つまり、基板表面に異物付着等による凸状欠陥が存在するガラス基板を使用して反射型マスクブランク、反射型マスクを作製した場合、マスク面のパターン近傍に凸状欠陥が存在すると、露光光の反射光にはその凸状欠陥に起因した位相の変化が起こる。この位相の変化は転写されるパターンの位置精度やコントラストを悪化させる原因となる。特にＥＵＶ光のような短波長の光を露光光として用いる場合、マスク面上の微細な凹凸に対して位相の変化が非常に敏感となるため、転写像への影響が大きくなり、微細な凹凸に由来する位相の変化は無視できない問題である。実際のところ、露光光として例えば波長１３ｎｍ程度のＥＵＶ光を用いる場合、２ｎｍ程度の凸状欠陥でさえ位相欠陥となりうる。また、ＥＵＶ反射型マスクブランクの場合、基板上に上記多層反射膜として、例えば数ｎｍの厚さのＭｏとＳｉを交互に４０乃至６０周期程度積層させたものが使用されるため、基板表面上では特に問題とならない程度の微小な凸状欠陥が存在していても、上記多層反射膜を成膜した場合に基板表面の欠陥の大きさが拡大されて多層反射膜の表面では位相欠陥となり得るような大きさの凸状欠陥が生じることがある。
このようなわけで、とくにＥＵＶ反射型マスクブランク用基板の場合、表面欠陥に対する非常に高いレベルの条件を満たす必要がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３８７９８２８号公報
【特許文献２】特開２００２−１２２９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
従来の酸やアルカリを用いた薬液洗浄では、基板表面に強固に付着した異物を除去することが困難であるため、近年のマスクブランク用基板に要求される高いレベルの欠陥品質を満足するようなレベルに仕上げることが困難である。この場合、薬液の濃度を上げることで洗浄能力を強化することも可能であるが、精密研磨で高品質に仕上げられた基板表面が洗浄によって劣化するという問題が生じる。
一方、スクラブ洗浄は洗浄能力は高いものの、基板表面に傷が発生したり、除去した異物がスクラブに付着し、そのスクラブが以降の基板に異物を付着させる発塵源となる虞がある。
上述の薬液洗浄の問題は、マスクブランク用基板に限られた話ではなく、EUV露光用の多層反射膜付き基板、マスクブランク、マスクについても同様で、多層反射膜表面や、マスクブランクの転写パターンとなる薄膜表面や転写パターンの薬液洗浄による表面変質による光学特性の変化が起きたり、品質が劣化するという問題が生じる。また、スクラブ洗浄も多層反射膜表面やマスクブランクの転写パターンとなる薄膜表面、転写パターン表面に傷が発生したり、除去した異物がスクラブに付着し、そのスクラブにより多層反射膜付き基板、マスクブランク、マスクに異物を付着させる発塵源となる虞がある。
【０００９】
また、従来、表面微細加工技術としてＥＥＭ（Elastic Emission Machining）が知られている。これは、研磨液を収容する槽の中に被加工面を鉛直方向に保持し、回転球の高速回転により被加工面上に研磨液の高速せん断流を発生させ、そのせん断流を用いて被加工面の微粒子を除去して高平坦な表面を形成する技術であるが、この技術をマスクブランク用基板表面の異物除去に用いることが提案されている。しかし、本発明者の検討によると、従来のＥＥＭ技術をそのままマスクブランク用基板の洗浄処理に適用しても、マスクブランク用基板に要求される高いレベルの欠陥品質を満足するようなレベルに仕上げることができないことがわかった。
【００１０】
そこで本発明の目的は、第一に、高いレベルの欠陥品質要求を満足できる高品質のリソグラフィー用部材の製造方法を提供することであり、第二に、高いレベルの欠陥品質要求を満足できる高品質のリソグラフィー用部材を得るための洗浄装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意研究した結果、本発明を完成したものである。
すなわち、上記課題を解決するため、本発明は以下の構成を有する。
（構成１）
リソグラフィー用部材の洗浄処理を含むリソグラフィー用部材の製造方法であって、前記洗浄処理は、洗浄槽に収容した洗浄液中に前記リソグラフィー用部材の被洗浄表面が水平となるように該リソグラフィー用部材を水平に保持するとともに、前記被洗浄表面上に近接して対向配置したローラーの回転により、前記被洗浄表面と前記ローラーとの間にせん断流を発生させて前記リソグラフィー用部材表面の異物を除去することを特徴とするリソグラフィー用部材の製造方法。
【００１２】
構成１にあるように、洗浄槽に収容した洗浄液中にリソグラフィー用部材の被洗浄表面が水平となるように該リソグラフィー用部材を水平に保持するとともに、被洗浄表面上に近接して対向配置したローラーの回転により、被洗浄表面とローラーとの間にせん断流を発生させ、このせん断流によってリソグラフィー用部材表面の異物を除去することにより、従来の薬液洗浄では取り除くことが困難であった基板表面に強固に付着した異物も除去することができるので、高いレベルの欠陥品質要求を満足できる高品質のリソグラフィー用部材を得ることができる。また、従来の薬液洗浄によるリソグラフィー用部材表面の品質の劣化や、スクラブ洗浄によるリソグラフィー用部材表面の傷等の発生も起こらない。
【００１３】
（構成２）
洗浄処理中は、前記リソグラフィー用部材と前記ローラーとを前記被洗浄表面に対して水平方向に相対的に移動させることを特徴とする構成１に記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
構成２にあるように、洗浄処理中は、リソグラフィー用部材とローラーとを前記被洗浄表面に対して水平方向に相対的に移動させることにより、基板の全面を効率良く洗浄処理することが可能である。
【００１４】
（構成３）
前記ローラーの回転数及び前記ローラーに負荷する荷重の調節によって、前記被洗浄表面と前記ローラーとの間の隙間を制御することを特徴とする構成１又は２に記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
構成３にあるように、ローラーの回転数及びローラーに負荷する荷重の調節によってせん断流を形成し、被洗浄表面とローラーとの間の隙間を制御することができる。
【００１５】
（構成４）
前記被洗浄表面と前記ローラーとの間に発生するせん断流の方向と同じ方向に前記洗浄液が洗浄槽内で流れるように前記洗浄液の供給を行うことを特徴とする構成１乃至３のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
構成４にあるように、被洗浄表面とローラーとの間に発生するせん断流の方向と同じ方向に洗浄液が洗浄槽内で流れるように洗浄液の供給を行うことにより、被洗浄表面から除去された異物が逆流するのを抑制して、リソグラフィー用部材への異物の再付着を防止することが可能である。
【００１６】
（構成５）
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板であることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
本発明は、特に非常に高いレベルの欠陥品質を要求されるマスクブランク用基板の製造に好適である。
【００１７】
（構成６）
構成５に記載の製造方法により製造した前記マスクブランク用基板上に、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体膜とを形成することを特徴とする反射型マスクブランクの製造方法。
本発明により得られる高いレベルの欠陥品質要求を満足するマスクブランク用基板を用いて反射型マスクブランクを製造することにより、欠陥の少ない高品質の反射型マスクブランクが得られる。
【００１８】
（構成７）
構成５に記載の製造方法により製造した前記マスクブランク用基板上に、転写パターンとなる薄膜を形成することを特徴とするマスクブランクの製造方法。
本発明により得られる高いレベルの欠陥品質要求を満足するマスクブランク用基板を用いてマスクブランクを製造することにより、欠陥の少ない高品質のマスクブランクが得られる。
【００１９】
（構成８）
構成６に記載の製造方法により製造した反射型マスクブランクにおける前記吸収体膜をパターニングすることを特徴とする反射型マスクの製造方法。
本発明の反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを製造することにより、特にＥＵＶ露光によるパターン転写時に位相欠陥となり得る凸状欠陥の少ない高品質の反射型マスクが得られる。
【００２０】
（構成９）
構成７に記載の製造方法により製造したマスクブランクにおける前記薄膜をパターニングすることを特徴とするマスクの製造方法。
本発明のマスクブランクを用いてマスクを製造することにより、特にＡｒＦエキシマレーザー光等の短波長露光光によるパターン転写時に位相欠陥となり得る凸状欠陥の少ない高品質のマスクが得られる。
【００２１】
（構成１０）
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板上に、露光光を反射する多層反射膜が形成された多層反射膜付き基板であることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
構成１０によれば、高いレベルの欠陥品質要求を満足できる多層反射膜付き基板を得ることができる。また、従来の薬液洗浄による多層反射膜表面品質の劣化や、スクラブ洗浄による多層反射膜表面の傷等の発生も起こらない。
【００２２】
（構成１１）
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板上に、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体膜と、を有する反射型マスクブランクであることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
構成１１によれば、高いレベルの欠陥品質要求を満足できる反射型マスクブランクを得ることができる。また、従来の薬液洗浄による反射型マスクブランク表面品質の劣化や、スクラブ洗浄による反射型マスクブランク表面の傷等の発生も起こらない。
【００２３】
（構成１２）
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板上に、転写パターンとなる薄膜が形成されたマスクブランクであることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
構成１２によれば、高いレベルの欠陥品質要求を満足できるマスクブランクを得ることができる。また、従来の薬液洗浄によるマスクブランク表面品質の劣化や、スクラブ洗浄によるマスクブランク表面の傷等の発生も起こらない。
【００２４】
（構成１３）
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板上に、露光光を反射する多層反射膜と、露光光を吸収する吸収体膜パターンと、を有する反射型マスクであることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
構成１３によれば、高いレベルの欠陥品質要求を満足できる反射型マスクを得ることができる。また、従来の薬液洗浄による反射型マスク表面品質の劣化や、スクラブ洗浄による反射型マスク表面の傷等の発生も起こらない。
【００２５】
（構成１４）
前記リソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板上に、転写パターンが形成されたマスクであることを特徴とする構成１乃至４のいずれかに記載のリソグラフィー用部材の製造方法。
構成１４によれば、高いレベルの欠陥品質要求を満足できるマスクを得ることができる。また、従来の薬液洗浄によるマスク表面品質の劣化や、スクラブ洗浄によるマスク表面の傷等の発生も起こらない。
【００２６】
（構成１５）
洗浄液を収容する洗浄槽と、前記洗浄液中にリソグラフィー用部材の被洗浄表面が水平となるように該リソグラフィー用部材を水平に保持する保持手段と、前記被洗浄表面上に対向配置するようにローラーを支持するローラー支持手段と、前記ローラーを回転駆動するローラー駆動手段と、前記ローラーに荷重を負荷する荷重負荷手段とを備えることを特徴とする洗浄装置。
構成１５の洗浄装置によれば、洗浄槽に収容した洗浄液中に水平に保持したリソグラフィー用部材の被洗浄表面上に近接して対向配置したローラーの回転により、被洗浄表面とローラーとの間にせん断流を発生させ、このせん断流によってリソグラフィー用部材表面の異物を除去することができ、従来の薬液洗浄では取り除くことが困難であったリソグラフィー用部材表面に強固に付着した異物も除去することができる。
【００２７】
（構成１６）
前記ローラーを前記被洗浄表面に対して水平方向に移動するローラー移動手段を有することを特徴とする請求項１５に記載の洗浄装置。
構成１５の洗浄装置において、構成１６にあるようにローラーを前記被洗浄表面に対して水平方向に移動するローラー移動手段を有することにより、洗浄処理中は、被洗浄表面に対してローラーを水平方向に移動させることができるため、リソグラフィー用部材表面の全面を効率良く洗浄処理することが可能である。
【００２８】
（構成１７）
前記ローラーの長さが前記リソグラフィー用部材のサイズよりも大きいことを特徴とする構成１５又は１６に記載の洗浄装置。
構成１５又は１６の洗浄装置において、構成１７にあるようにローラーの長さが前記リソグラフィー用部材のサイズよりも大きいことにより、リソグラフィー用部材表面の全幅にわたって一度に洗浄処理することが可能である。
【００２９】
（構成１８）
前記ローラーの回転駆動により前記被洗浄表面と前記ローラーとの間に発生するせん断流の方向と同じ方向に前記洗浄液が洗浄槽内で流れるように前記洗浄液の供給を行う洗浄液供給手段を有することを特徴とする構成１５乃至１７のいずれかに記載の洗浄装置。
構成１５乃至１７のいずれかに記載の洗浄装置において、構成１８のように、被洗浄表面とローラーとの間に発生するせん断流の方向と同じ方向に洗浄液が洗浄槽内で流れるように洗浄液の供給を行う洗浄液供給手段を有することにより、リソグラフィー用部材表面から除去された異物が逆流するのを抑制して、基板への異物の再付着を防止することが可能である。
【発明の効果】
【００３０】
本発明によれば、高いレベルの欠陥品質要求を満足できる高品質のリソグラフィー用部材の製造方法を提供することができる。特に、非常に高いレベルの欠陥品質を要求される多層反射膜付き基板や、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク、マスクの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、このようなリソグラフィー用部材を用いた欠陥の少ない反射型マスクブランクの製造方法、マスクブランクの製造方法、反射型マスクの製造方法、及びマスクの製造方法を提供することができる。
また、本発明によれば、高いレベルの欠陥品質要求を満足できる高品質のリソグラフィー用部材を得るための洗浄装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係る洗浄装置の一実施の形態に係る正面図である。
【図２】本発明に係る洗浄装置の一実施の形態に係る側面図である。
【図３】本発明に係る洗浄装置の一実施の形態に係る平面図である。
【図４】洗浄装置における基板保持部の構成を示す平面図である。
【図５】洗浄装置における基板保持部の構成を示す（ａ）側面図及び（ｂ）正面図である。
【図６】反射型マスクブランクの層構成を示す断面図である。
【図７】マスクブランクの層構成を示す断面図である。
【図８】反射型マスクの層構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明を実施の形態により詳細に説明する。
本発明が適用されるリソグラフィー用部材は、高いレベルの欠陥品質が要求されるマスクブランク用基板、例えばＥＵＶ露光用として用いる多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、さらには、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等の露光光として用いるマスクブランク、マスクが挙げられる。
また、本発明が適用されるマスクブランク用基板は、使用する露光光に応じて必要な特性を有する材料が選定される。例えばＥＵＶ露光光を用いる反射型マスクブランクや、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等の露光光を用いるバイナリマスクブランクまたは位相シフト型マスクブランクの場合、一般にガラス材料が用いられる。
上記マスクブランク用基板上に、EUV光を反射する多層反射膜が形成されることにより、多層反射膜付き基板が得られる。必要に応じて、保護膜を形成することもできる。さらに、この多層反射膜又は保護膜の上に、転写パターンとなる薄膜として、EUV光を反射する吸収体膜が形成されることにより、EUV露光用反射型マスクブランクが得られる。
【００３３】
また、上記マスクブランク用基板上に、転写パターンとなる薄膜が形成されることにより、露光用マスクブランクが得られる。具体的には、基板の主表面上に遮光膜を備える構造のバイナリマスクブランク、基板の主表面上に位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備える構造の位相シフト型マスクブランクなどが挙げられ、露光光源としては、例えばＫｒＦエキシマレーザー露光用、あるいはＡｒＦエキシマレーザー露光用のマスクブランクである。
【００３４】
上記マスクブランク用基板は、EUV露光用の場合、露光時の熱によるパターンの歪みを防止するため、０±１．０×１０−７／℃の範囲内、より好ましくは０±０．３×１０−７／℃の範囲内の低熱膨張係数を有するものが好ましく用いられ、この範囲の低熱膨張係数を有する素材としては、例えば、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系ガラス、多成分系ガラスセラミックス等を用いることが出来る。
【００３５】
また、バイナリマスクブランクまたは位相シフト型マスクブランクに使用する場合、上記基板は、使用する露光波長に対して透明性を有するものであれば特に制限されず、合成石英基板、その他各種のガラス基板（例えば、ソーダライムガラス、アルミノシリケートガラス等）が用いられるが、この中でも合成石英基板は、ＡｒＦエキシマレーザー又はそれよりも短波長の領域で透明性が高いので、特に好ましく用いられる。
【００３６】
上記基板の転写パターンが形成される側の主表面は、少なくともパターン転写精度、位置精度を得る観点から高平坦度となるように表面加工されている。例えば、EUV露光用の場合、通常、基板サイズが６インチ角（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ）のガラス基板が使用されるが、基板の転写パターンが形成される側の主表面１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．１μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．０５μｍ以下である。また、転写パターンが形成される側と反対側の主表面は、露光装置にセットする時に静電チャックされる面であって、１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が１μｍ以下、好ましくは０．５μｍ以下である。また、ＫｒＦエキシマレーザー露光用、あるいはＡｒＦエキシマレーザー露光用の場合も同様に、通常、基板サイズが６インチ角（１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ）のガラス基板が使用されるが、基板の転写パターンが形成される側の主表面１４２ｍｍ×１４２ｍｍの領域において、平坦度が０．３μｍ以下であることが好ましく、特に好ましくは０．１μｍ以下である。
【００３７】
また、マスクブランク用基板として要求される表面平滑度は、基板の転写パターンが形成される側の主表面の表面粗さが、二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で０．３ｎｍ以下であることが好ましい。
【００３８】
本発明におけるリソグラフィー用部材がマスクブランク用基板である場合において、本発明によるリソグラフィー用部材（マスクブランク用基板）の製造方法では、所定の大きさに加工された基板の端面を面取加工、及び研削加工した後、その主表面の研磨加工を行い、上記のような所定の表面粗さに仕上げる。主表面の研磨加工の方法としては、たとえば、研磨パッドを貼着した研磨定盤を基板の主表面に押付け、研磨砥粒を含む研磨液を供給しながら上記研磨定盤と基板とを相対的に移動させて、基板表面を研磨する方法が一般的であり、本発明においてもかかる方法を適用して研磨を行うのが好適である。
【００３９】
上記研磨パッドとしては、たとえばスウェードタイプの超軟質ポリシャなどを用いることができる。また、上記研磨砥粒としては、粗研磨、精密研磨など目的に応じて、例えば酸化セリウム砥粒のほか、無水ケイ酸（ヒュームドシリカ）砥粒、含水ケイ酸砥粒、イオン交換法で得られるコロイダルシリカ、アルコキシランから出発して得られる超高純度コロイダルシリカ等のシリカ系砥粒を用いることができる。
なお、基板主表面の研磨は、両面同時研磨、片面ずつの研磨のどちらでも構わない。
【００４０】
上記研磨を終えた上記基板に対して、基板に付着した研磨砥粒等を除去するため、洗浄処理を行う。
次に、本発明の洗浄処理方法について説明する。
従来は、酸やアルカリによる薬液洗浄や、スクラブ洗浄を適宜組み合わせて行っていたが、本発明においては、上記構成１にあるように、洗浄槽に収容した洗浄液中にリソグラフィー用部材の被洗浄表面を水平に保持するとともに、前記リソグラフィー用部材表面上に近接して対向配置したローラーの回転により、前記リソグラフィー用部材表面と前記ローラーとの間にせん断流を発生させて前記リソグラフィー用部材表面の異物を除去する洗浄処理を行う。なお、上記せん断流とは、ローラーとリソグラフィー用部材（例えば基板）表面との間に介在された洗浄液による基板表面への圧力（又は荷重）が加わった状態での基板表面に平行な成分の洗浄液の流れを言う。
【００４１】
このような本発明の洗浄処理方法によれば、従来の薬液洗浄では取り除くことが困難であったリソグラフィー用部材表面に強固に付着した異物も除去することができるので、高いレベルの欠陥品質要求を満足できる高品質のリソグラフィー用部材（マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク、マスク）を得ることができる。特に、非常に高いレベルの欠陥品質を要求されるＥＵＶ露光用の反射型マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスクを得るのに本発明は好適である。また、従来の薬液洗浄による基板表面品質の劣化や、スクラブ洗浄によるリソグラフィー用部材表面の傷等の発生も起こらない。
また、本発明の洗浄処理は、特に、高いレベルの欠陥品質が要求されるリソグラフィー用部材の少なくとも転写パターンが形成される側のマスクブランク用基板表面、多層反射膜表面、反射型マスクブランク表面、反射型マスク表面、マスクブランク表面、マスク表面に対して行うことが最も適しているが、これらの表面と反対側の裏面や、側面の洗浄処理として行なうことができる。
【００４２】
次に、本発明の洗浄処理に好ましく用いることができる洗浄装置（以下、「本発明に係る洗浄装置」と呼ぶ。）について説明する。
図１は本発明に係る洗浄装置の一実施の形態に係る正面図であり、図２は本発明に係る洗浄装置の一実施の形態に係る側面図であり、図３は本発明に係る洗浄装置の一実施の形態に係る平面図である。また、図４は洗浄装置における基板保持部の構成を示す平面図であり、図５は洗浄装置における基板保持部の構成を示す（ａ）側面図及び（ｂ）正面図である。
【００４３】
本発明に係る洗浄装置の一実施の形態は、洗浄液を収容する洗浄槽と、前記洗浄液中にリソグラフィー用部材の被洗浄表面が水平となるように該リソグラフィー用部材を水平に保持する保持手段と、前記リソグラフィー用部材表面上に対向配置するようにローラーを支持するローラー支持手段と、前記ローラーを回転駆動するローラー駆動手段と、前記回転ローラーに荷重を負荷する荷重負荷手段と、前記ローラーを水平方向に移動するローラー移動手段とを備えている。図面を参照しながら詳しく説明する。以下、洗浄装置の説明は、リソグラフィー用部材におけるマスクブランク用基板（以下、単に基板ともいう）を例にとり説明する。
【００４４】
ベース台２上に設置された洗浄槽３は、所要の大きさ（容積）を有する箱形状のもので、例えばアクリル樹脂等で形成されている。この洗浄槽３内には所定量の洗浄液４が収容されている。この洗浄液４としては、純水、アルカリ水溶液等が用いられる。液温は一般には常温（２０℃）程度が好ましい。なお、アルカリ水溶液を用いる場合は、洗浄後の基板の表面粗さを劣化させないようにするため、ガラス基板の場合、例えばｐＨ＝７〜１０．５程度の弱アルカリ水溶液を用いるのが望ましい。
【００４５】
また、上記洗浄槽３の底部には、洗浄液供給口２１が設けられており、該供給口２１から洗浄槽３内に洗浄液４が供給され、所定量の洗浄液４が供給された後にも、常時あるいは間欠的に追加供給される。また、洗浄槽３の一側壁面には洗浄液排出口２２が設けられており、洗浄槽３内の洗浄液４は上記排出口２２からオーバーフローにより流出される。なお、本発明においては、洗浄処理中は、洗浄液４中に基板１及びローラー８を浸漬させた状態とする必要があるため、上記排出口２２を設ける位置はこの点を考慮して決定される。
【００４６】
洗浄処理を施す基板１は、上記洗浄槽３の内部に設置されたステージ５の支持ピン６及び支持ピン７によって水平に保持されている（図４等を参照）。支持ピン６は、基板１の一方の対向する端面をそれぞれ支持しており、本実施の形態では各端面をそれぞれ２箇所で支持している。支持ピン６は、後述のローラー８の進行方向に基板１も一緒にずれることを回避するため、基板１の面内方向のずれを規制するものであり、できる限り遊びを持たせない構造とすることが望ましい（図５（ａ）等を参照）。また、支持ピン６は、基板１の主表面と該主表面と直交する側壁面との間の面取面を支持する構造とすることも可能である。
【００４７】
一方、支持ピン７は、基板１の他方の対向する端面をそれぞれ支持しており、本実施の形態では各端面をそれぞれ１箇所で支持している。支持ピン７は、ローラー８の真柱度による基板１とローラー８との間の隙間（ギャップ）のぶれを補正するため、基板１が上下（垂直方向）に変位できるようにするためのものであり、遊びを持たせて基板を支持するピン構造とすることが望ましい（図５（ｂ）参照）。
これは本発明に使用するローラー８は、表面粗さサブミクロン程度という高い真柱度が必要であるが、ローラー８の材料によってはサブミクロン程度の真柱度を得ることが難しい。従って、この支持ピン７は、ローラー８の真柱度がサブミクロン程度になっていない場合であっても、ローラー８の真柱度を補うようにステージが変位し、ローラー８と基板１間のギャップを均一化させる働きを有している。
【００４８】
また、ローラー８は、アーム１２によって、基板１の表面上に近接して対向配置されるように支持されている。ローラー８は、ステンレス等の材料からなるローラー軸９の表面にゴム等の弾性体を設けた構造になっている。弾性体は、洗浄液４に対して耐薬品性を有する材料が用いる。例えば、弾性体の材料としては、ウレタンゴム、ニトリルゴム、クロロブレンゴム、エチレンゴム、ブチルゴム、フッ素ゴム、シリコンゴム等を使用することができる。弾性体の硬度は、ショアＡ５０以上ショアＡ９５以下とすることが好ましい。ローラー８が基板１の表面に接触した場合の基板ダメージや、せん断流の洗浄効果、耐摩耗性、加工性等の観点から、弾性体の硬度は、ショアＡ６５以上ショアＡ９０以下が好ましい。さらに好ましくは、ショアＡ７０以上ショアＡ９０以下が望ましい。このような硬度を有する弾性体の材料として、ウレタンゴムやフッ素ゴムを使用することが好ましい。なお、ローラー８の長さは上記基板１のサイズ（基板１の辺の長さ）よりも大きいことが望ましい。これにより、基板１の全幅にわたって一度に洗浄処理することが可能である。また、ローラー８の直径は、基板１から除去された異物がスムースに排出口２２に排出されるように設定することが好ましく、ローラー８の直径は、１０ｍｍφ以上５０ｍｍφ以下、さらに好ましくは、２０ｍｍφ以上４０ｍｍφ以下が望ましい。
【００４９】
上記アーム１２は、先端部が二股に分かれて、ローラー８のローラー軸９の両端部をそれぞれ回転自在に支持している。ローラー軸９は、支柱１６に取り付けたローラー駆動装置１１によって回転駆動される。本実施の形態では、洗浄槽３の内と外に取り付けたマグネット１０，１０を介して、洗浄槽３の内と外でローラーの回転を一緒にさせる機構となっており、ローラー駆動装置１１の回転駆動は、上記マグネット１０，１０を介してローラー軸９に伝えられる。
【００５０】
また、アーム１２の他端部はガイド係合部１３に固定され、該ガイド係合部１３は、支柱１６の一側面（洗浄槽３側に向いた側面）に固定されたガイド１７と係合しており、ガイド係合部１３及びアーム１２は、ガイド１７に案内されて上下方向（図１中の矢印Ｃ方向）に所定範囲内で移動可能なように構成されている。上記アーム１２は例えばステンレス等の材質で出来ている。
【００５１】
支柱１６は、ベース台２上に取付けられた台座兼用のレール１８の上に設置されており、これによって支柱１６は、レール１８上を水平方向（本実施の形態では図２中の矢印Ｂ方向）に移動可能となっている。支柱１６の移動速度は、支柱移動制御装置１９によって制御される。
支柱１６の水平方向での移動に伴い、ガイド１７及びガイド係合部１３を介して、アーム１２も同じく水平方向に移動する。これによって、アーム１２の先端に取付けられたローラー８は、基板１の表面上を水平方向に移動（走査）することになる。
【００５２】
また、アーム１２の他端部が固定された上記ガイド係合部１３は、支柱１６の最上部に取り付けた２個のプーリー２０，２０間に架け渡されたワイヤ１４によって重り１５と繋がれている。この重り１５は、例えば２００ｇ以上６０００ｇ以下の範囲内で変更することができる。重り１５の荷重はアーム１２を介してローラー８に負荷される。
【００５３】
次に、上記のように構成された本発明に係る洗浄装置の動作について説明する。
上記ローラー８の回転数とローラー８に負荷する荷重によって、基板１表面とローラー８との間のギャップ（隙間）にせん断流を形成する。形成されるせん断流の流れ方向はローラー８の回転方向（例えば図２中の矢印Ａ方向）と同方向である。ローラー８の回転数はローラー駆動装置１１によって制御されるが、例えば１００ｒｐｍ以上１０００ｒｐｍ以下の範囲の高速回転数に調節されることが適当である。また、ローラー８に負荷する荷重は上記重り１５の荷重によって調節されるが、前記のとおり、例えば２００ｇ以上６０００ｇ以下の範囲で調節されることが好適である。ローラー８の回転数とローラー８に負荷する荷重によって上記ギャップを制御できるが、同時に基板１表面とローラー８との間のギャップ（隙間）に形成されるせん断流の流速も制御される。本発明においては、上記ギャップは１μｍ以下となるように制御されることが好ましい。これによって、基板表面に強固に付着した異物であっても除去することが可能である。
【００５４】
洗浄処理中は、基板１の表面に対してローラー８を水平方向に移動させることにより、基板１の全面を効率良く洗浄処理することが可能である。ローラー８の水平方向の移動速度は支柱１６の移動速度によって決まるが、洗浄能力の観点から、ローラー８の移動速度は例えば０．３ｍｍ／秒以上１０ｍｍ／秒以下の範囲が好適である。
【００５５】
そして、ローラー８が所定位置まで移動し終わったら（１スキャン）、ローラー８を基板から遠ざけた後に、元に戻って再度移動する（再スキャン）動作を繰り返す。また、ローラー８が所定位置まで移動し終わったら、反対方向に移動（つまり往復移動）させることも可能である。
なお、基板１枚当りの洗浄処理に要するローラー８のスキャン回数は、基板サイズ、処理時間等を考慮して適宜設定することができる。
【００５６】
また、ローラー８の回転駆動により基板１とローラー８との間のギャップに発生するせん断流の方向と同じ方向に、洗浄液４が洗浄槽３内で流れるように、洗浄液４の供給を行うことが望ましい。本実施の形態においては、前記のとおり、発生するせん断流の流れ方向側の洗浄槽３側壁に洗浄液排出口２２を設けるとともに、洗浄液供給口２１は上記排出口とは反対側に設けている。これによって、洗浄槽３内で洗浄液４の供給から排出までの流れがせん断流と同じ方向になる。
このように基板１とローラー８との間に発生するせん断流の方向と同じ方向に洗浄液４が洗浄槽３内で流れることにより、基板１表面から除去された異物（通常数十ｎｍ〜１μｍ程度のサイズ）が逆流するのを抑制して、基板１への異物の再付着を好適に防止することが可能である。
【００５７】
以上説明したように、本発明に係る洗浄装置によれば、洗浄槽に収容した洗浄液中にリソグラフィー用部材の被洗浄表面が水平となるようにリソグラフィー用部材を水平に保持し、被洗浄表面上に近接して対向配置したローラーの回転により、被洗浄表面とローラーとの間にせん断流を発生させ、このせん断流によってリソグラフィー用部材表面の異物を除去することができる。また、従来の薬液洗浄では取り除くことが困難であった基板表面に強固に付着した異物も除去することができる。
また、本発明のように、リソグラフィー用部材を水平保持することにより、洗浄装置を簡略化することができ、さらに、ローラーとリソグラフィー用部材の被洗浄表面との隙間（ギャップ）の均一性を保ちやすく、安定した洗浄効果が得られる。
【００５８】
なお、上記洗浄装置を用いて洗浄処理を施すリソグラフィー用部材としては、マスクブランク用基板、多層反射膜付き基板、反射型マスクブランク、反射型マスク、マスクブランク、マスクの他、半導体ウェハ、磁気記録装置（ハードディスクドライブ）に搭載される磁気ディスク用基板、磁気ディスクであってもよい。
【００５９】
また、本発明は、上述の本発明の製造方法により製造したリソグラフィー用部材（マスクブランク用基板）を用いる反射型マスクブランクの製造方法および露光用マスクブランクの製造方法についても提供する。
図６は、反射型マスクブランクの層構成を示す断面図であり、ガラス基板３１上に、EUV光を反射する多層反射膜３２、保護膜（キャッピング層）３３及びEUV光を吸収するパターン形成用の吸収体膜３４が形成されている反射型マスクブランク３０を示す。なお、図示していないが、ガラス基板３１の多層反射膜等が形成されている側とは反対側に裏面導電膜を設けることができる。
ここで、上記ガラス基板３１は、本発明により得られるマスクブランク用基板であり、前述したようにＳｉＯ２−ＴｉＯ２系低熱膨張ガラス基板が好適である。
【００６０】
多層反射膜３２は、屈折率の異なる元素が周期的に積層された多層膜であり、一般的には、重元素又はその化合物の薄膜と、軽元素又はその化合物の薄膜とが交互に４０〜６０周期程度積層された多層膜が用いられる。
例えば、波長１３〜１４ｎｍのＥＵＶ光に対する多層反射膜としては、Ｍｏ膜とＳｉ膜を交互に４０周期程度積層したＭｏ／Ｓｉ周期積層膜が好ましく用いられる。その他に、ＥＵＶ光の領域で使用される多層反射膜として、Ｒｕ／Ｓｉ周期多層膜、Ｍｏ／Ｂｅ周期多層膜、Ｍｏ化合物／Ｓｉ化合物周期多層膜、Ｓｉ／Ｎｂ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜、Ｓｉ／Ｍｏ／Ｒｕ／Ｍｏ周期多層膜、Ｓｉ／Ｒｕ／Ｍｏ／Ｒｕ周期多層膜などがある。露光波長により、材質を適宜選択すればよい。
多層反射膜３２は、ＤＣマグネトロンスパッタ法や、イオンビームスパッタ法などにより、各層を成膜することにより形成できる。上述したＭｏ／Ｓｉ周期多層膜の場合、例えばイオンビームスパッタ法により、まずＳｉターゲットを用いて厚さ数ｎｍ程度のＳｉ膜を成膜し、その後Ｍｏターゲットを用いて厚さ数ｎｍ程度のＭｏ膜を成膜し、これを一周期として、４０〜６０周期積層した後、最後に、Ｓｉ膜を成膜する。
【００６１】
また、通常、上記吸収体膜３４のパターニング或いはパターン修正の際に多層反射膜３２を保護する目的で、多層反射膜３２と吸収体膜３４との間に上記保護膜３３やバッファ膜を設ける。保護膜３３の材料としては、ケイ素のほか、ルテニウムや、ルテニウムにニオブ、ジルコニウム、ロジウムのうち１以上の元素を含有するルテニウム化合物が用いられ、バッファ膜の材料としては、主にクロム系材料が用いられる。
【００６２】
次に、吸収体膜３４は、露光光である例えばＥＵＶ光を吸収する機能を有するもので、例えばタンタル（Ｔａ）単体又はＴａを主成分とする材料を好ましく用いることができる。Ｔａを主成分とする材料は、通常、Ｔａの合金である。このような吸収体膜の結晶状態は、平滑性、平坦性の点から、アモルファス状又は微結晶の構造を有しているものが好ましい。
Ｔａを主成分とする材料としては、ＴａとＢを含む材料、ＴａとＮを含む材料、ＴａとＢを含み、更にＯとＮの少なくとも何れかを含む材料、ＴａとＳｉを含む材料、ＴａとＳｉとＮを含む材料、ＴａとＧｅを含む材料、ＴａとＧｅとＮを含む材料、等を用いることが出来る。ＴａにＢやＳｉ、Ｇｅ等を加えることにより、アモルファス状の材料が容易に得られ、平滑性を向上させることができる。また、ＴａにＮやＯを加えれば、酸化に対する耐性が向上するため、経時的な安定性を向上させることが出来るという効果が得られる。
【００６３】
この中でも特に好ましい材料として、例えば、ＴａとＢを含む材料（組成比Ｔａ／Ｂが８．５／１．５〜７．５／２．５の範囲である）、ＴａとＢとＮを含む材料（Ｎが５〜３０原子％であり、残りの成分を１００とした時、Ｂが１０〜３０原子％）が挙げられる。これらの材料の場合、容易に微結晶或いはアモルファス構造を得ることが出来、良好な平滑性と平坦性が得られる。
このようなＴａ単体又はＴａを主成分とする吸収体膜は、マグネトロンスパッタリングなどのスパッタ法で形成するのが好ましい。例えば、ＴａＢＮ膜の場合、タンタルとホウ素を含むターゲットを用い、窒素を添加したアルゴンガスを用いたスパッタリング法で成膜することができる。
【００６４】
吸収体膜として、Ｔａを主成分とする材料以外では、例えば、ＷＮ、ＴｉＮ、Ｔｉ等の材料が挙げられる。
吸収体膜３４の膜厚は、露光光である例えばＥＵＶ光が十分に吸収できる厚みであれば良いが、通常３０〜１００ｎｍ程度である。なお、吸収体膜３４は、材料や組成の異なる複数層の積層構造（例えばＴａＢＮ膜とＴａＢＯ膜の積層膜）としてもよい。
【００６５】
ＥＵＶ光を露光光に適用する反射型マスクの場合においても、パターン検査を行う時の検査光は、波長１９３ｎｍ、２５７ｎｍ等のＥＵＶ光に比べて長波長の光が用いられる場合が多い。長波長の検査光に対応するためには、吸収体膜の表面反射を低減させる必要がある。この場合、吸収体膜を、基板側から、主としてＥＵＶ光を吸収する機能を有する吸収体層と、主として検査光に対する表面反射を低減する機能を有する低反射層とを積層した構成にするとよい。低反射層としては、吸収体層がＴａを主成分とする材料の場合、ＴａやＴａＢにＯを含有した材料が好適である。
また、上記反射型マスクブランクは、吸収体膜に所定の転写パターンを形成するためのレジスト膜が形成された状態であっても構わない。
【００６６】
図７は露光用マスクブランクの層構成を示す断面図であり、一実施の形態として、本発明により得られるマスクブランク用ガラス基板４１上に遮光膜４２が形成されているバイナリマスクブランク４０を示す。
また、図示していないが、図７のマスクブランク用ガラス基板４１上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備えることにより、位相シフト型マスクブランクが得られる。
この遮光膜は、単層でも複数層（例えば遮光層と反射防止層との積層構造）としてもよい。また、遮光膜を遮光層と反射防止層との積層構造とする場合、この遮光層を複数層からなる構造としてもよい。また、上記位相シフト膜についても、単層でも複数層としてもよい。
【００６７】
このようなマスクブランクとしては、例えば、クロム（Ｃｒ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリマスクブランク、タンタル（Ｔａ）を含有する材料により形成されている遮光膜を備えるバイナリ型マスクブランク、ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料、あるいは遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料により形成されている位相シフト膜を備える位相シフト型マスクブランクなどが挙げられる。
【００６８】
上記クロム（Ｃｒ）を含有する材料としては、クロム単体、クロム系材料（CrO，CrN，CrC，CrON，CrCN，CrOC，CrOCN等）が挙げられる。
上記タンタル（Ｔａ）を含有する材料としては、タンタル単体のほかに、タンタルと他の金属元素（例えば、Ｈｆ、Ｚｒ等）との化合物、タンタルにさらに窒素、酸素、炭素及びホウ素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、TaN、TaO，TaC，TaB，TaON，TaCN，TaBN，TaCO，TaBO，TaBC，TaCON，TaBON，TaBCN，TaBCONを含む材料などが挙げられる。
【００６９】
上記ケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、ケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料、具体的には、ケイ素の窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。
【００７０】
また、上記遷移金属とケイ素（Ｓｉ）を含有する材料としては、遷移金属とケイ素を含有する材料のほかに、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素、酸素及び炭素のうち少なくとも１つの元素を含む材料が挙げられる。具体的には、遷移金属シリサイド、または遷移金属シリサイドの窒化物、酸化物、炭化物、酸窒化物、炭酸化物、あるいは炭酸窒化物を含む材料が好適である。遷移金属には、モリブデン、タンタル、タングステン、チタン、クロム、ハフニウム、ニッケル、バナジウム、ジルコニウム、ルテニウム、ロジウム、ニオブ等が適用可能である。この中でも特にモリブデンが好適である。
また、上記マスクブランクについても、上記薄膜に所定の転写パターンを形成するためのレジスト膜が形成された状態であっても構わない。
【００７１】
本発明により得られる高いレベルの欠陥品質要求を満足するリソグラフィー用部材（マスクブランク用基板）を用いて反射型マスクブランクまたは露光用マスクブランクを製造することにより、欠陥の少ない高品質のマスクブランクが得られる。
【００７２】
また、本発明は、上記構成のマスクブランクを用いる反射型マスクの製造方法および露光用マスクの製造方法についても提供する。
図８は反射型マスクの層構成を示す断面図であり、図６の反射型マスクブランク３０における吸収体膜３４がパターニングされた吸収体膜パターン３４ａを備える反射型マスク５０を示す。
【００７３】
また、図示していないが、図７のバイナリマスクブランク４０における遮光膜４２をパターニングして遮光膜パターンを形成することによりバイナリマスクが得られる。また、上述のマスクブランク用ガラス基板上に、位相シフト膜、あるいは位相シフト膜及び遮光膜を備える構造の位相シフト型マスクブランクにおいても、転写パターンとなる薄膜をパターニングすることにより、位相シフト型マスクが得られる。
マスクブランクにおける転写パターンとなる上記吸収体膜あるいは薄膜をパターニングする方法は、高精細のパターニングを行うことができるフォトリソグラフィー法が最も好適である。
【００７４】
本発明の反射型マスクブランクを用いて反射型マスクを製造することにより、特にＥＵＶ露光によるパターン転写時に位相欠陥となり得る凸状欠陥の少ない高品質の反射型マスクが得られる。
また、本発明のマスクブランクを用いてマスクを製造することにより、特にＡｒＦエキシマレーザー光等の短波長露光光によるパターン転写時に位相欠陥となり得る凸状欠陥の少ない高品質のマスクが得られる。
【実施例】
【００７５】
以下、実施例により、本発明の実施の形態を更に具体的に説明する。
（実施例１）
使用するリソグラフィー用部材は、マスクブランク用基板であり、その基板は、ＳｉＯ２−ＴｉＯ２系のガラス基板（大きさが１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍ）である。
そして、このガラス基板の端面を面取加工、及び研削加工、更に酸化セリウム砥粒を含む研磨液で粗研磨処理を終えたガラス基板を両面研磨装置のキャリアにセットし、研磨液にコロイダルシリカ砥粒を含むアルカリ水溶液を用い、所定の研磨条件で精密研磨を行った。
【００７６】
精密研磨終了後、ガラス基板に対し洗浄処理を行った。
洗浄処理は前述の図１〜図３に示す洗浄装置を用いて行った。ローラーの直径は３０ｍｍφ、ローラーの長さは１６０ｍｍ、ステンレスからなるローラー軸の表面に弾性体としてショアＡ９０の硬度を有するウレタンゴムを有するローラーを使用した。また、洗浄液は純水（液温２０℃）を使用し、ローラーの回転数は、５００ｒｐｍ、ローラーに加える荷重は、４５００ｇとした。また、回転ローラーの水平方向の移動速度は、０．５ｍｍ／秒とした。
最後に、ガラス基板のスピン乾燥を行った。
【００７７】
以上のようにして、ＥＵＶ反射型マスクブランク用ガラス基板を１０枚作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全ての基板において二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で、０．１０ｎｍ以下と良好であった。また、全ての基板において平坦度は、１４２ｍｍ×１４２ｍｍ領域で５０ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られた１０枚のガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ  Ｍ６６４０）を用いて欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、いずれのガラス基板についても３５０ｎｍ以下のサイズの欠陥は３個以下、３５０ｎｍ超サイズの欠陥は０（ゼロ）個で良好であった。
【００７８】
（比較例）
上記実施例１に対する比較例として、上記実施例１と同様にして面取加工、研削加工、粗研磨、及び精密研磨を行ったガラス基板に対して、従来のスクラブ洗浄を行った。さらに、フッ酸処理を行った後、塩酸水溶液を用いて酸洗浄処理を行い、アンモニア水溶液を用いてアルカリ洗浄処理を行い、最後にガラス基板を純水で洗浄し、スピン乾燥を行った。
以上のようにして、ＥＵＶ反射型マスクブランク用ガラス基板を１０枚作製した。
【００７９】
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全ての基板において二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で、０．１５０ｎｍ以下と良好であった。また、全ての基板において平坦度は、１４２ｍｍ×１４２ｍｍ領域で５０ｎｍ以下と良好であった。
また、この得られた１０枚のガラス基板の主表面を上記欠陥検査装置を用いて欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、３５０ｎｍ以下のサイズの欠陥は１枚当り平均１０．７個、３５０ｎｍ超サイズの欠陥は１枚当り平均２．２個と多く、反射型マスクブランク用基板に要求されている非常に高いレベルの欠陥品質を満足していないことが判った。
【００８０】
（実施例２）
実施例１で得られた反射型マスクブランク用ガラス基板上に、多層反射膜を形成した。基板上に形成される多層反射膜は、１３〜１４ｎｍの露光光波長帯域に適した多層反射膜とするために、Ｍｏ膜／Ｓｉ膜周期多層反射膜を採用した。即ち、多層反射膜は、ＭｏターゲットとＳｉターゲットを使用し、イオンビームスパッタリングにより基板上に交互に積層して形成した。Ｓｉ膜を４．２ｎｍ、Ｍｏ膜を２．８ｎｍ、これを一周期として、４０周期積層した後、Ｓｉ膜を４．２ｎｍ成膜した。
この多層反射膜に対し、１３．５ｎｍのＥＵＶ光を入射角６．０度で反射率を測定したところ、反射率は６５．９％であった。
【００８１】
次に、上記多層反射膜上に、ＲｕＮｂからなる保護膜（膜厚２．５ｎｍ）をDCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。
次に、この保護膜上に、吸収体膜として、ＴａＢＮ膜（膜厚５６ｎｍ）とＴａＢＯ膜（膜厚１４ｎｍ）の積層膜をDCマグネトロンスパッタリング法によって成膜した。最後に、基板の裏面にＣｒ膜（膜厚２０ｎｍ）を成膜して、反射型マスクブランクを作製した。
【００８２】
次に、この反射型マスクブランクを用いて、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭ  ｈｐ３２ｎｍ世代のパターンを有するＥＵＶ露光用反射型マスクを以下のように作製した。
まず、上記反射型マスクブランク上に電子線描画用レジスト膜を形成し、電子線描画機を使用して所定のパターン描画を行い、描画後、現像によりレジストパターンを形成した。
次に、このレジストパターンをマスクとして、フッ素系ガス（ＣＦ４ガス）によりＴａＢＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ２ガス）によりＴａＢＮ膜をドライエッチングし、吸収体膜に転写パターンを形成した。
さらに、吸収体膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、反射型マスクを得た。
【００８３】
得られた反射型マスクの最終確認検査を行ったところ、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭ  ｈｐ３２ｎｍ世代のパターンを設計通りに形成でき、欠陥品質も満たしていることが確認できた。
【００８４】
（実施例３）
両面研磨装置を用い、酸化セリウム砥粒やコロイダルシリカ砥粒により段階的に研磨し、低濃度のケイフッ酸で基板表面を表面処理した合成石英基板（大きさが１５２．４ｍｍ×１５２．４ｍｍ、厚さが６．３５ｍｍ）を準備した。
得られたガラス基板に対し洗浄処理を行った。洗浄処理は前述の図１〜図３に示す基板洗浄装置を用いて行い、洗浄条件は実施例１と同様にした。
【００８５】
以上のようにして、バイナリマスクブランク用ガラス基板を１０枚作製した。
この得られたガラス基板の主表面の表面粗さは、全ての基板において二乗平均平方根粗さ（ＲＭＳ）で、０．２ｎｍ以下と良好であった。また、全ての基板において平坦度は、１４２ｍｍ×１４２ｍｍ領域で０．３μｍ以下と良好であった。
また、この得られた１０枚のガラス基板の主表面をレーザー干渉コンフォーカル光学系による欠陥検査装置（レーザーテック社製ＭＡＧＩＣＳ  Ｍ６６４０）を用いて欠陥検査したところ（検査領域１３２ｍｍ×１３２ｍｍ）、いずれのガラス基板についても３５０ｎｍ以下のサイズの欠陥は３個以下、３５０ｎｍ超サイズの欠陥は０（ゼロ）個で良好であった。
【００８６】
次に、上記ガラス基板上に、以下のようにしてＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなる遮光膜を形成した。
ターゲットにタンタル（Ｔａ）ターゲットを用い、キセノン（Ｘｅ）と窒素（Ｎ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．０７６Ｐａ、ガス流量比  Ｘｅ：Ｎ２＝１１sccm：１５sccm）で、ＤＣ電源の電力を１．５ｋＷとし、反応性スパッタリング（ＤＣスパッタリング）により、ＴａＮ膜を膜厚４４．９ｎｍで成膜し、引き続いて、Ｔａターゲットを用い、アルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ２）の混合ガス雰囲気（ガス圧０．３Ｐａ、ガス流量比  Ａｒ：Ｏ２＝５８sccm：３２．５sccm）で、ＤＣ電源の電力を０．７ｋＷとし、ＴａＯ膜を膜厚１３ｎｍで成膜することにより、ＴａＮ膜とＴａＯ膜の積層からなるＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）用遮光膜を形成して、バイナリマスクブランクを作製した。なお、ＡｒＦエキシマレーザーに対する遮光膜の光学濃度は３．０、表面反射率は１９．５％であった。
【００８７】
次に、このバイナリマスクブランクを用いて、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭ  ｈｐ３２ｎｍ世代のパターンを有するバイナリマスクを作製した。
まず、バイナリマスクブランク上に電子線描画用レジストをスピンコーティング法により塗布、ベーキングしてレジスト膜を形成し、このレジスト膜に対して電子線によりマスクパターンを描画、現像を行い、レジストパターンを形成した。
【００８８】
このレジストパターンをマスクとし、フッ素系ガス（ＣＦ４ガス）によりＴａＯ膜を、塩素系ガス（Ｃｌ２ガス）によりＴａＮ膜をエッチング除去して、遮光膜パターンを形成した。
さらに、遮光膜パターン上に残ったレジストパターンを熱硫酸で除去し、バイナリマスクを得た。
この得られたバイナリマスクの最終確認検査を行ったところ、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭ  ｈｐ３２ｎｍ世代のパターンを設計通りに形成できていることが確認できた。
次に、得られた本実施例のバイナリマスクを用いて、半導体基板上へのレジスト膜へのＡｒＦエキシマレーザー光によるパターン転写を行ったところ、本実施例のバイナリマスクは、半導体デザインルールＤＲＡＭ  ｈｐ３２ｎｍ世代での要求精度、欠陥品質を満たしていることが確認できた。
【符号の説明】
【００８９】
１  基板
２  ベース台
３  洗浄槽
４  洗浄液
５  ステージ
６、７  支持ピン
８  ローラー
９  ローラー軸
１０  マグネット
１１  ローラー駆動装置
１２  アーム
１３  ガイド係合部
１４  ワイヤ
１５  重り
１６  支柱
１７  ガイド
１８  レール
１９  支柱移動制御装置
２０  プーリー
２１  洗浄液供給口
２２  洗浄液排出口
３０  反射型マスクブランク
３１  ガラス基板
３２  多層反射膜
３３  保護膜
３４  吸収体膜
４０  マスクブランク
４１  ガラス基板
４２  薄膜
５０  反射型マスク
【図１】
2014109670.tif 000003
【図２】
2014109670.tif 000004
【図３】
2014109670.tif 000005
【図４】
2014109670.tif 000006
【図５】
2014109670.tif 000007
【図６】
2014109670.tif 000008
【図７】
2014109670.tif 000009
【図８】
2014109670.tif 000010