(57)【要約】【課題】ポジゴーストが抑制され、繰り返し使用後の帯電能の低下が抑制された電子写真感光体を提供することにある。【解決手段】積層体、積層体上に形成された正孔輸送層を有する電子写真感光体であって、積層体が、支持体、電子輸送層、および電荷発生層をこの順に有し、該積層体が下記式（２）および（４）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜≦０．３５      （２）０．１０≦｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜≦０．２０      （４）【選択図】図３
2014029501.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
積層体、該積層体上に形成された正孔輸送層を有する電子写真感光体であって、
該積層体が、支持体、該支持体上に形成された膜厚がｄ１（μｍ）である電子輸送層、該電子輸送層上に形成された膜厚がｄ２（μｍ）である電荷発生層を有し、
該積層体が下記式（２）および（４）を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜≦０．３５      （２）
０．１０≦｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜≦０．２０      （４）
（式（２）および（４）中、
Ｖｌ１は、
該電荷発生層の表面電位が下記式（１）で示されるＶｄ１（Ｖ）となるように該電荷発生層の表面を帯電し、
露光してから０．２０秒後の該電荷発生層の表面電位がＶｄ１（Ｖ）に対して２０％減衰するように強度を設定した光を表面電位がＶｄ１（Ｖ）に帯電した該電荷発生層に露光し、露光から０．１８秒後の表面電位を示す。
Ｖｄ１＝−５０×（ｄ１＋ｄ２）      （１）
Ｖｌ２は、
該電荷発生層の表面電位が上記式（１）で示されるＶｄ１（Ｖ）となるように該電荷発生層の表面を帯電し、
該光を表面電位がＶｄ１（Ｖ）に帯電した該電荷発生層に露光し、露光から０．２２秒後の表面電位を示す。
Ｖｌ３は、
該電荷発生層の表面電位が下記式（３）で示されるＶｄ２（Ｖ）となるように該電荷発生層の表面を帯電し、
該光を表面電位がＶｄ２（Ｖ）に帯電した該電荷発生層に露光し、露光から０．２０秒後の表面電位を示す。
Ｖｄ２＝−３０×（ｄ１＋ｄ２）      （３）
【請求項２】
前記電子輸送層の膜厚ｄ１が０．２μｍ以上０．７μｍ以下である請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記式（２）中、｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜が、下記式（９）を満たす請求項１または２に記載の電子写真感光体。
｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜≦  ０．２８      （９）
【請求項４】
前記式（４）中、｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜が、下記式（１０）を満たす請求項１から３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
０．１０≦｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜≦０．１６      （１０）
【請求項５】
前記電子輸送層が、重合性官能基を有する電子輸送物質、重合性官能基を有する熱可塑性樹脂、および架橋剤との組成物を重合させて得られる重合物を含有する請求項１から４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記架橋剤が、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、または−ＣＨ２−ＯＲ１（Ｒ１はアルキル基を示す）で示される１価の基を３〜６個有する請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記重合性官能基を有する電子輸送物質の含有量が、前記組成物の全質量に対して３０質量％以上７０％質量以下である請求項５または６に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記電荷発生層が、フタロシアニン顔料およびアゾ顔料からなる群より選択される少なくとも１種の電荷発生物質を含有する請求項１から７のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
前記正孔輸送層が、トリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物およびスチリル化合物からなる群より選択される少なくとも１種の電荷輸送物質を含有する請求項１から８のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段及びクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であるプロセスカートリッジ。
【請求項１１】
請求項１から９のいずれか１項に記載の電子写真感光体と、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有する電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体、電子写真感光体を有するプロセスカートリッジ及び電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、プロセスカートリッジや電子写真装置に用いられる電子写真感光体としては、有機光導電性物質を含有する電子写真感光体が主流である。電子写真感光体は、一般的に、支持体および支持体上に形成された感光層を有する。そして、支持体側から感光層（電荷発生層）側への電荷注入を抑制し、カブリなどの画像欠陥の発生を抑えることを目的として、支持体と感光層との間には下引き層が設けられている。
【０００３】
近年、電荷発生物質には、より高い感度を有するものが用いられている。しかしながら、電荷発生物質が高感度化するのに伴い、電荷の発生量が多くなることにより電荷が感光層中に滞留し易く、ゴーストが発生しやすいという問題があった。具体的には、出力画像中、前回転時に光が照射された部分のみ濃度が濃くなる、いわゆるポジゴーストという現象が発生しやすい。
【０００４】
このようなゴースト現象を抑制（低減）する技術として、下引き層に電子輸送物質を含有させて下引き層を電子輸送能を有する層（以下、電子輸送層とも称する）とする技術が開示されている。特許文献１には、芳香族テトラカルボニルビスイミド骨格と架橋部位を持つ縮合ポリマー（電子輸送物質）と、架橋剤との重合物を含有する電子輸送層が開示されている。特許文献２には、下引き層に非加水分解性重合性官能基を有する電子輸送性物質の重合物を含有させることが開示されている。特許文献３では、電子輸送能の向上を目的として、下引き層の電子移動度を１０−７ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上にする技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００９−５０５１５６号公報
【特許文献２】特開２００３−３３０２０９号公報
【特許文献３】特開２００５−１８９７６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
近年、電子写真画像の品質に対する要求は高まる一方であり、ポジゴーストに対する許容範囲が格段に厳しくなってきている。本発明者らの検討の結果、ポジゴーストの抑制（低減）に関して、特許文献１から３で開示された技術は、ポジゴーストの低減が十分ではない場合があり、まだ改良の余地があるものであった。同時に、下引き層を電子輸送層としても、電子輸送層の均一性が十分でない場合は、繰り返し使用後の帯電能が低下しやすいため、帯電能の低下を抑制する必要がある。
【０００７】
本発明の目的は、ポジゴーストが抑制され、繰り返し使用後の帯電能の低下が抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、積層体、該積層体上に形成された正孔輸送層を有する電子写真感光体であって、
該積層体が、支持体、該支持体上に形成された膜厚がｄ１（μｍ）である電子輸送層、該電子輸送層上に形成された膜厚がｄ２（μｍ）である電荷発生層を有し、
該積層体が下記式（２）および（４）を満たすことを特徴とする電子写真感光体に関する。
｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜≦０．３５      （２）
０．１０≦｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜≦０．２０      （４）
（式（２）および（４）中、
Ｖｌ１は、
該電荷発生層の表面電位が下記式（１）で示されるＶｄ１（Ｖ）となるように該電荷発生層の表面を帯電し、
露光してから０．２０秒後の該電荷発生層の表面電位がＶｄ１（Ｖ）に対して２０％減衰するように強度を設定した光を表面電位がＶｄ１（Ｖ）に帯電した該電荷発生層に露光し、露光から０．１８秒後の表面電位を示す。
Ｖｄ１＝−５０×（ｄ１＋ｄ２）      （１）
Ｖｌ２は、
該電荷発生層の表面電位が上記式（１）で示されるＶｄ１（Ｖ）となるように該電荷発生層の表面を帯電し、
該光を表面電位がＶｄ１（Ｖ）に帯電した該電荷発生層に露光し、露光から後０．２２秒後の表面電位を示す。
Ｖｌ３は、
該電荷発生層の表面電位が下記式（３）で示されるＶｄ２（Ｖ）となるように該電荷発生層の表面を帯電し、
該光を表面電位がＶｄ２（Ｖ）に帯電した該電荷発生層に露光し、露光から０．２０秒後の表面電位を示す。
Ｖｄ２＝−３０×（ｄ１＋ｄ２）      （３））
【０００９】
また、本発明は、上記電子写真感光体と、帯電手段、現像手段、転写手段およびクリーニング手段からなる群より選択される少なくとも１つの手段とを一体に支持し、電子写真装置本体に着脱自在であることを特徴とするプロセスカートリッジに関する。
【００１０】
また、本発明は、上記電子写真感光体、帯電手段、露光手段、現像手段および転写手段を有することを特徴とする電子写真装置に関する。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ポジゴーストが抑制され、繰り返し使用後の帯電能の低下が抑制された電子写真感光体、ならびに、該電子写真感光体を有するプロセスカートリッジおよび電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の判定法を実施するための判定装置の概略構成の一例を示す図である。
【図２】本発明の判定法を実施するための判定装置の概略構成の別の例を示す図である。
【図３】図３（Ａ）は、Ｖｄ１、Ｖｌ１、およびＶｌ２を説明するための図である。図３（Ｂ）は、Ｖｄ２、Ｖｌ３を説明するための図である。
【図４】図４（Ａ）および（Ｂ）は、本発明の判定法で帯電設定できない比較例を示す図である。
【図５】従来の測定方法を説明するための図である。
【図６】電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す図である。
【図７】図７（Ａ）は、ゴースト画像評価の際に用いる、ゴースト評価用画像を説明する図である。図７（Ｂ）は、１ドット桂馬パターン画像を説明する図である。
【図８】本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
まず、電子写真感光体が、本発明の上記式（１）〜（４）を満足するか否かを判定する判定法（以下「本発明の判定法」とも称する。）について説明する。
【００１４】
本発明の判定法を行うときの温度および湿度条件は、電子写真感光体を有する電子写真装置を使用する環境下であればよい。好ましくは、常温常湿環境下（２３±３℃、５０±２％ＲＨ）環境下である。
【００１５】
上記測定法は、支持体、支持体上に形成された電子輸送層、および電子輸送層上に形成された電荷発生層を有する積層体（以下「判定用電子写真感光体」とも称する。）を用いて上記測定法を行う。
【００１６】
その際には、積層体、および該積層体上に形成された正孔輸送層を有する電子写真感光体から、正孔輸送層を剥離して、これを判定対象として用いることが好ましい。正孔輸送層を剥離する方法としては、正孔輸送層を溶解し、かつ電子輸送層および電荷発生層に難溶な溶媒を用いて電子写真感光体を浸漬し正孔輸送層を剥離する方法と、正孔輸送層を研磨する方法などが挙げられる。
【００１７】
正孔輸送層を溶解し、かつ電子輸送層および電荷発生層が難溶な溶媒は、正孔輸送層用塗布液に用いる溶媒を用いることが好ましい。その溶剤の種類は、後述する。この溶媒中に電子写真感光体を浸漬させて正孔輸送層を溶媒に溶解させ、その後乾燥させることにより判定用電子写真感光体を得ることができる。正孔輸送層が剥離できていることは、例えば、ＦＴＩＲ測定方法の中のＡＴＲ法（全反射法）によって正孔輸送層の樹脂成分が観測されないことにより確認することができる。
【００１８】
また、正孔輸送層を研磨する方法としては、例えば、キヤノン（株）製ドラム研磨装置にてラッピングテープ（Ｃ２０００：富士写真フィルム（株）製）を用いて行う。このとき、正孔輸送層を研磨しすぎて電荷発生層まで研磨しないように膜厚を順次測定し、電子写真感光体の表面を観察しながら正孔輸送層がすべてなくなるところで測定するのが好ましい。また、電荷発生層まで研磨して、電荷発生層の膜厚が０．１０μｍ以上ある時は、電荷発生層までは研磨しない場合と比較しても、上述の判定法でほぼ同じ値が得られることは確認されている。したがって、正孔輸送層だけでなく電荷発生層まで研磨しても、電荷発生層の膜厚が０．１０μｍ以上ある場合は、上述の判定法を用いることができる。
【００１９】
図１に、本発明の判定法を実施するための判定装置の概略構成の一例を示す。
図１中、１０１は判定用電子写真感光体（円筒状の積層体）であり、１０２は帯電装置のコロナ帯電器である。１０３はパルスレーザー光を発振する装置（像露光発振装置）であり、１０３Ｌはパルス光（像露光光）である。１０４Ｐはパルス光１０３Ｌを透過する透明プローブであり、１０４は透明プローブから積層体の電荷発生層の表面の表面電位を測定する電位計である。判定用電子写真感光体１０１は矢印方向に回転駆動され、透明プローブ１０４Ｐの位置で停止する。停止した時点から電位計１０４および透明プローブ１０４Ｐによって判定用電子写真感光体１０１の表面電位が測定される。その後、パルスレーザー光を発振する装置１０３から発振されたパルス光１０３Ｌが透明プローブ１０４Ｐを通して判定用電子写真感光体１０１に露光され、表面電位の時間変化が測定される。
【００２０】
図２に、本発明の判定法を実施するための判定装置の概略構成の別の例を示す。２０１は判定用電子写真感光体（シート状の積層体）であり、２０２は帯電装置のコロナ帯電器であり、２０３はパルスレーザー光を発振する装置（像露光発振装置）であり、２０３Ｌはパルス光（像露光光）である。２０４Ｐはパルス光２０３Ｌを透過する透明プローブであり、２０４は透明プローブから積層体の電荷発生層の表面の表面電位を測定する電位計である。判定用電子写真感光体２０１は矢印方向に駆動され、透明プローブ２０４Ｐの位置で停止する。停止した時点から電位計２０４および透明プローブ２０４Ｐによって判定用電子写真感光体２０１の表面電位が測定される。その後、パルスレーザー光を発振する装置２０３から発振されたパルス光２０３Ｌが透明プローブ２０４Ｐを通して判定用電子写真感光体２０１に露光され、電荷発生層の表面電位の時間変化が測定される。
【００２１】
コロナ帯電器１０２（２０２）による帯電と、パルス光１０３Ｌ（２０３Ｌ）の光照射（露光とも称する）との間の時間が１．００秒になるように、コロナ帯電器の位置、露光の位置、および判定用電子写真感光体の移動速度が設定される。コロナ帯電器１０２（２０２）は、一定の電位を与える特性を持つスコロトロン帯電器が用いることが好ましい。パルス光１０３Ｌ（２０３Ｌ）には、波長７８０ｎｍ、パルス幅１０μｓのレーザーパルス光を用い、光量の調整はＮＤフィルターによって行うことが好ましい。つまり、露光の時間は、１０μｓである。
【００２２】
次に、上記式（１）〜（４）について説明する。
図３（Ａ）は、上記式（１）および（２）のＶｄ１、Ｖｌ１、およびＶｌ２を説明するための図であり、図３（Ｂ）は上記式（３）および（４）のＶｄ２、Ｖｌ３を説明するための図である。
以下の帯電条件Ｃ１、Ｃ２および光Ｅは、電子写真感光体が上記式（１）〜（４）を満足するか否かを判定する前に決定する。
【００２３】
＜帯電条件Ｃ１＞
判定用電子写真感光体（積層体の電荷発生層）の表面を帯電する条件を以下ようにする。コロナ帯電器による帯電から１．００秒後の電荷発生層の表面の表面電位が下記式（１）で示されるＶｄ１（Ｖ）となるように、コロナ帯電器に印加するグリッド電圧の値、放電ワイヤの電流の値を調整する。このグリッド電圧の値、放電ワイヤの電流の値を帯電条件Ｃ１とする。
Ｖｄ１＝−５０×（ｄ１＋ｄ２）      （１）
【００２４】
＜帯電条件Ｃ２＞
判定用電子写真感光体の表面を帯電する条件を以下のようにする。コロナ帯電器による帯電から１．００秒後の電荷発生層の表面の表面電位が下記式（３）で示されるＶｄ２（Ｖ）となるように、コロナ帯電器に印加するグリッド電圧の値、放電ワイヤの電流の値を調整する。
Ｖｄ２＝−３０×（ｄ１＋ｄ２）      （３）
【００２５】
＜光Ｅ＞
帯電条件Ｃ１によって、電荷発生層の表面電位を上記式（１）で示されるＶｄ１（Ｖ）となるように電荷発生層の表面を帯電する。電荷発生層の表面を露光してから０．２０秒後の電荷発生層の表面電位がＶｄ１（Ｖ）に対して２０％減衰するように光の強度をＮＤフィルターによって調整する。この強度を設定した光を光Ｅとする。
【００２６】
図３（Ａ）は、上記の帯電条件Ｃ１で電荷発生層の表面を帯電させ、帯電から１．００秒後に上記光Ｅを照射したときの判定用電子写真感光体（電荷発生層）１０１の表面電位の時間変化を示した図である。Ｖｌ１は、該光Ｅを表面電位がＶｄ１（Ｖ）に帯電した電荷発生層に露光し、露光から０．１８秒後の該電荷発生層の表面電位である。Ｖｌ２は該光Ｅを表面電位がＶｄ１（Ｖ）に帯電した電荷発生層に露光し、露光から０．２２秒後の該電荷発生層の表面電位である。
【００２７】
図３（Ｂ）は、上記の帯電条件Ｃ２で電荷発生層の表面を帯電させ、帯電から１．００秒後に上記光Ｅで照射したときの判定用電子写真感光体（電荷発生層）１０１の表面電位の時間変化を示した図である。Ｖｌ３は、光Ｅを表面電位がＶｄ２（Ｖ）に帯電した電荷発生層に露光し、露光から０．２０秒後の該電荷発生層の表面電位である。
【００２８】
以上のようにして、Ｖｌ１、Ｖｌ２およびＶｌ３が測定される。
【００２９】
上記帯電条件Ｃ１および光Ｅが設定できない場合は、本発明の判定法を満たすことができない。図４（Ａ）は、帯電条件Ｃ１が設定できない例を示す図であり、帯電条件Ｃ１が設定できない例は、比較例で示される実線の部分である。この例は、帯電能が十分でないために帯電から１．００秒後の電荷発生層の表面電位が、上記式（１）で示されるＶｄ１（Ｖ）となるように帯電することができない例である。
【００３０】
図４（Ｂ）は光Ｅが設定できない例を示す図であり、光Ｅが設定できない例は、比較例で示される実線の部分である。この例は、電子移動能が十分ではないために光の強度を大きくしても、露光してから０．２０秒後の該電荷発生層の表面電位がＶｄ１（Ｖ）に対して２０％減衰することができない例である。
【００３１】
上記式（１）に示すＶｄ１（Ｖ）は、膜厚ｄ１である電子輸送層と膜厚ｄ２である電荷発生層との合計膜厚（μｍ）に対して、単位膜厚（μｍ）あたり−５０Ｖになるように電荷発生層の表面電位を設定することを意味する。
【００３２】
下記式（２）中の｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜は、以下の表面電位の変化を示す。電荷発生層で発生した電子が電子輸送層に注入して電子輸送中を移動する電子のうち、露光直後の直線的に減衰する電子移動度を算出する領域での電子はなく、電子移動度の算出に寄与しないそれ以降の遅い領域の電子による表面電位の変化を示すものである。露光直後の直線的に減衰する領域とは、図５中の点線で示した直線と重なる領域であり、一般的に電子移動度とは露光直後この直線的に減衰する領域から算出される。
｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜≦０．３５      （２）
【００３３】
光Ｅで露光してから０．２０秒後の該電荷発生層の表面電位がＶｄ１（Ｖ）に対して２０％減衰するように光の強度が設定されていることは、電荷発生層で発生する電荷量を一定にすることを意味する。２０％という値は、発生した電荷自体により電界を乱さない光の強度であるとともに、電位変化をノイズと区別し観測できる減衰量として満足できる値である。２０％減衰する時間を露光してから０．２０秒後の該電荷発生層の表面電位に設定しているのは、電子写真装置のプロセススピードが早い装置を想定した場合の露光から次の帯電までの時間に相当し、遅い領域の電子による減衰が観測される時間である。｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜が、０．２０秒に対して±０．０２秒後（０．１８秒後、０．２２秒後）の電荷発生層の表面電位の変化量を規定しているのは、次のとおりである。つまり、露光（光照射）直後の直線的に減衰する領域ではなく、遅い領域の電位変化をノイズと区別し観測できる減衰量として規定されている。上記式（２）のように、｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜が０．３５以下であると、遅い領域の電子による移動が低減されて、電荷発生層の表面電位の変化が小さくなることを意味する。そして、露光して次の帯電の時に、電子による移動が低減されていると考えられる。
上記式（３）に示すＶｄ２（Ｖ）は、膜厚ｄ１である電子輸送層と膜厚ｄ２である電荷発生層との合計膜厚（μｍ）に対して、単位膜厚（μｍ）あたり−３０Ｖになるよう電荷発生層の表面電位を設定することを意味する。
【００３４】
下記式（４）中の｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜が示すものは、該光を表面電位がＶｄ２（Ｖ）に帯電した該電荷発生層に露光し、露光から０．２０秒後の該電荷発生層の表面電位をＶｌ３とし、Ｖｄ２からの減衰率を示す。このときの光は、露光してから０．２０秒後の該電荷発生層の表面電位がＶｄ１（Ｖ）の２０％減衰する光の強度と同一の強度である。露光開始時の電荷発生層の表面電位をＶｄ１からＶｄ２に下げたときの、電荷発生層で発生した電子が電子輸送層中へ注入する割合の変化が観測される。Ｖｄ２（Ｖ）が単位膜厚（μｍ）あたり−３０Ｖになるよう電荷発生層の表面電位を設定しているのは、以下のとおりである。すなわち、露光開始時の電荷発生層の表面電位をＶｄ１からＶｄ２に下げた値に設定することにより、電荷発生層で発生した電子が電子輸送層中へ注入する効率の差を観測しやすいためである。また、ノイズと区別し表面電位の減衰が観測できる値だからである。｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜が、０．１０以上であると、電荷発生層で発生した電子が電子輸送層中へ十分に注入して、電子輸送層の内部、電荷発生層と電子輸送層との界面での電子の滞留が抑制されていると考えられる。また、露光してから０．２０秒後の該電荷発生層の表面電位がＶｄ１（Ｖ）の２０％減衰する光の強度と同一の強度で照射しているため、｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜の上限は、０．２０である。
０．１０≦｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜≦０．２０      （４）
【００３５】
本発明者らは、上記式（２）および上記式（４）の両方を満足することによってポジゴーストの抑制、および帯電能の低下が抑制される理由を以下のように推測している。
すなわち、電子写真感光体において、露光光（画像露光光）が当たった部分では、電荷発生層で発生した電荷（正孔、電子）のうち、正孔は正孔輸送層に注入し、電子が電子輸送層に注入し、支持体へ移動すると考えられている。しかしながら、電荷発生層で発生した電子が、次の帯電までに電子輸送層中を移動しきれないと、次の帯電時にもなお電子の移動が生じてしまう。これにより、電子輸送層の内部、電荷発生層と電子輸送層との界面に電子が滞留し、次の帯電時に、支持体から電子輸送層、電荷発生層へ正孔が注入されやすくなる。これらがポジゴーストが発生する原因と考えられる。
【００３６】
これらの原因のうち、電荷発生層で発生した電子が、次の帯電までに電子輸送層中を十分に移動できない電子写真感光体は、上記式（２）を満足することができない。さらに、電子輸送層の内部、電荷発生層と電子輸送層との界面に電子の滞留が発生している電子写真感光体は、上記式（４）を満足することができない。上記式（２）および上記式（４）の両方を満足する電子写真感光体は、上述の電子が次の帯電までに電子輸送層中を十分に移動でき、電子の滞留が抑制されているため、ポジゴーストの抑制がされるものと推測している。
【００３７】
また、特許文献３の下引き層（電子輸送層）の電子移動度を１０−７ｃｍ２／Ｖ・ｓｅｃ以上にする技術では、露光直後この直線的に減衰する領域を改善することを目的としている。しかしながら、電荷発生層で発生した電子が、次の帯電までに電子輸送層中を十分に移動できないというポジゴーストが発生する原因を解決されているものではない場合があった。つまり、遅い領域の電子による移動を制御するというものではなかった。また、特開２０１０−１４５５０６号公報には、正孔輸送層および電子輸送層（下引き層）の電荷移動度を特定の範囲にすることが開示されているが、特許文献３と同様にポジゴーストが発生する原因を解決されているものではない場合があった。さらに、これらの文献では、電子輸送層の電子移動度を測定するために、電荷発生層上に電子輸送層を形成し、電子写真感光体で用いられる層構成とは逆の構成にして、測定を行っている。しかしながら、このような測定では、電子写真感光体が有する電子輸送層の電子の移動を十分に評価できているものと言えるものではなかった。
【００３８】
例えば、下引き層に電子輸送物質を含有させて電子輸送層とする場合は、上層である電荷発生層用塗布液および正孔輸送層用塗布液を塗布して電荷発生層および正孔輸送層を形成する時に、電子輸送物質が溶出してしまう場合がある。この場合では、上述のように電子輸送層と電荷発生層を逆層として電子移動度を測定しても、電子写真感光体では電子輸送物質が溶出しているため、電子写真感光体が有する電子輸送層の電子の移動を十分に評価できていないと考えられる。したがって、電子輸送層上に電荷発生層および正孔輸送層を形成した後に、正孔輸送層を剥離した電子輸送層および電荷発生層で判定することが必要である。
【００３９】
また、支持体上に電子輸送層、電荷発生層、正孔輸送層をこの順に設けてなる電子写真感光体の場合、初期の帯電能の低い電子写真感光体は、主に支持体から電子輸送層側、電荷発生層側へ正孔が注入することで発生すると考えられる。繰り返し使用時の帯電能の低下は、下引き層の内部、電荷発生層と電子輸送層との界面に電荷が滞留することで正孔注入がより促進することで発生すると考えられる。電子輸送物質が顔料として含有されている電子輸送層や、金属酸化物粒子が分散されかつ電子輸送物質が含有されている電子輸送層のような均一性の低い電子輸送層は初期の帯電能が低く、繰り返し使用時の帯電能の低下が生じる場合が多い。このような帯電能の低い電子輸送層は、本発明の判定法において、電荷発生層の表面をＶｄ１に帯電することができない場合がある。このことから、正孔輸送層を剥離した後の電荷発生層の表面をＶｄ１に帯電可能であれば、初期の帯電能が十分であり、繰り返し使用時の帯電能の低下を抑制できると考えられる。
【００４０】
電子輸送層の膜厚ｄ１は、０．２μｍ以上０．７μｍ以下が好ましい。
【００４１】
上記式（２）において、よりポジゴーストを低減する観点から、下記式（９）を満たすことが好ましい。
｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜≦  ０．２８      （９）
【００４２】
上記式（４）において、さらに好ましくは、下記式（１０）を満たす。
０．１０≦｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜≦０．１６      （１０）
【００４３】
本発明の電子写真感光体は、積層体、該積層体上に形成された正孔輸送層を有する。該積層体は、支持体、該支持体上に形成された電子輸送層、該電子輸送層上に形成された電荷発生層を有する。
【００４４】
図８の（ｂ）は、本発明の電子写真感光体の層構成の一例を示す図である。図８の（ｂ）中、２１は支持体であり、２２は電子輸送層であり、２４は電荷発生層、２５は正孔輸送層である。
【００４５】
一般的な電子写真感光体として、円筒状支持体上に感光層（電荷発生層、正孔輸送層）を形成してなる円筒状の電子写真感光体が広く用いられるが、ベルト状、シート状などの形状とすることも可能である。
【００４６】
〔電子輸送層〕
次に、電子輸送層の構成について説明する。
電子輸送層は、電子輸送物質、または電子輸送物質の重合物を含有することが好ましい。さらには、重合性官能基を有する電子輸送物質、重合性官能基を有する熱可塑性樹脂、および架橋剤との組成物を重合させて得られる重合物を含有することが好ましい。
【００４７】
〔電子輸送物質〕
電子輸送物質としては、例えば、キノン化合物、イミド化合物、ベンズイミダゾール化合物、シクロペンタジエニリデン化合物などが挙げられる。
電子輸送物質は、重合性官能基を有する電子輸送物質であることが好ましい。重合性官能基としては、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、メトキシ基などが挙げられる。
【００４８】
以下に、電子輸送物質の具体例を示す。下記式（Ａ１）〜（Ａ９）のいずれかで示される化合物が挙げられる。
【化１】
2014029501.tif 000003
式（Ａ１）〜（Ａ９）中、Ｒ１０１〜Ｒ１０６、Ｒ２０１〜Ｒ２１０、Ｒ３０１〜Ｒ３０８、Ｒ４０１〜Ｒ４０８、Ｒ５０１〜Ｒ５１０、Ｒ６０１〜Ｒ６０６、Ｒ７０１〜Ｒ７０８、Ｒ８０１〜Ｒ８１０、Ｒ９０１〜Ｒ９０８は、それぞれ独立に、下記式（Ａ）で示される１価の基、水素原子、シアノ基、ニトロ基、ハロゲン原子、アルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換のＯ、Ｓ、ＮＨ、ＮＲ１００１（Ｒ１００１はアルキル基）で中断されていても良いアルキル基、置換もしくは無置換のアリール基、置換もしくは無置換の複素環基を示す。該置換のアルキル基の置換基は、アルキル基、アリール基、アルコキシカルボニル基およびハロゲン原子が挙げられる。該置換のアリール基の置換基、および該置換の複素環基の置換基は、ハロゲン原子、ニトロ基、シアノ基、アルキル基およびハロゲン化アルキル基が挙げられる。Ｚ２０１、Ｚ３０１、Ｚ４０１およびＺ５０１は、それぞれ独立に、炭素原子、窒素原子、または酸素原子を示す。Ｚ２０１が酸素原子である場合はＲ２０９およびＲ２１０は存在せず、Ｚ２０１が窒素原子である場合はＲ２１０は存在しない。Ｚ３０１が酸素原子である場合はＲ３０７およびＲ３０８は存在せず、Ｚ３０１が窒素原子である場合はＲ３０８は存在しない。Ｚ４０１が酸素原子である場合はＲ４０７およびＲ４０８は存在せず、Ｚ４０１が窒素原子である場合はＲ４０８は存在しない。Ｚ５０１が酸素原子である場合はＲ５０９およびＲ５１０は存在せず、Ｚ５０１が窒素原子である場合はＲ５１０は存在しない。
【化２】
2014029501.tif 000004
式（Ａ）中、α、β、およびγの少なくとも１つは置換基を有する基であり、該置換基は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基、およびメトキシ基からなる群より選択される少なくとも１種の基である。ｌおよびｍは、それぞれ独立に、０または１であり、ｌとｍの和は、０から２である。
αは、主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基、ベンジル基で置換された主鎖の原子数１〜６のアルキレン基、アルコシキカルボニル基で置換された主鎖の原子数１〜６のアルキレン基、またはフェニル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキレン基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有しても良い。該アルキレン基の主鎖中の炭素原子の１つは、ＯまたはＳまたはＮＨまたはＮＲ１００２（Ｒ１００２はアルキル基である。）で置き換わっていても良い。
βは、フェニレン基、炭素数１〜６のアルキル基置換フェニレン基、ニトロ基置換フェニレン基、ハロゲン基置換フェニレン基、またはアルコキシ基置換フェニレン基を示し、これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有しても良い。
γは、水素原子、主鎖の原子数が１〜６のアルキル基、または炭素数１〜６のアルキル基で置換された主鎖の原子数が１〜６のアルキル基を示す。これらの基は、置換基として、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、およびカルボキシル基からなる群より選択される少なくとも１種の基を有しても良い。該アルキル基の主鎖中の炭素原子の１つは、ＯまたはＳまたはＮＨまたはＮＲ１００３（Ｒ１００３はアルキル基である。）で置き換わっていても良い。
【００４９】
上記式（Ａ−１）〜（Ａ−９）のいずれかで示される電子輸送物質の中でも、Ｒ１０１〜Ｒ１０６の少なくとも１つ、Ｒ２０１〜Ｒ２１０の少なくとも１つ、Ｒ３０１〜Ｒ３０８の少なくとも１つ、Ｒ４０１〜Ｒ４０８の少なくとも１つ、Ｒ５０１〜Ｒ５１０の少なくとも１つ、Ｒ６０１〜Ｒ６０６の少なくとも１つ、Ｒ７０１〜Ｒ７０８の少なくとも１つ、Ｒ８０１〜Ｒ８１０の少なくとも１つ、Ｒ９０１〜Ｒ９０８の少なくとも１つは、上記式（Ａ）で示される１価の基である重合性官能基を有する電子輸送物質がより好ましい。
【００５０】
重合性官能基を有する電子輸送物質は、重合性官能基を有する熱可塑性樹脂、および架橋剤との組成物を重合させて得られる重合物を形成することが好ましい。電子輸送層の形成方法は、重合性官能基を有する電子輸送物質は、重合性官能基を有する熱可塑性樹脂、および架橋剤との組成物を含有する電子輸送層用塗布液の塗膜を形成し、この塗膜を加熱乾燥させることによって、組成物を重合させ、電子輸送層を形成する。塗膜形成後、架橋剤と、熱可塑性樹脂および電子輸送物質の重合性官能基が化学反応により重合するが、その際に加熱することで化学反応が促進され、重合が促進される。
【００５１】
以下に、重合性官能基を有する電子輸送物質の具体例を示す。
電子輸送層用塗布液の塗膜を加熱乾燥させるときの加熱温度は、１００〜２００℃の温度であることが好ましい。
表中、Ａ´は、Ａと同様な構造式で表され、その１価の基の具体例をＡおよびＡ´の欄に示す。
【００５２】
表１−１、表１−２、表１−３、表１−４、表１−５、表１−６に、上記式（Ａ１）で示される化合物の具体例を示す。表中、γが「−」である場合は、水素原子を示し、そのγの水素原子は、αまたはβの欄に示す構造に含めて表示する。
【００５３】
【表１−１】
2014029501.tif 000005
【００５４】
【表１−２】
2014029501.tif 000006
【００５５】
【表１−３】
2014029501.tif 000007
【００５６】
【表１−４】
2014029501.tif 000008
【００５７】
【表１−５】
2014029501.tif 000009
【００５８】
【表１−６】
2014029501.tif 000010
【００５９】
表２−１、表２−２、表２−３に、上記式（Ａ２）で示される化合物の具体例を示す。表中、γが「−」である場合は、水素原子を示し、そのγの水素原子は、αまたはβの欄に示す構造に含めて表示する。
【００６０】
【表２−１】
2014029501.tif 000011
【００６１】
【表２−２】
2014029501.tif 000012
【００６２】
【表２−３】
2014029501.tif 000013
【００６３】
表３−１、表３−２、表３−３に、上記式（Ａ３）で示される化合物の具体例を示す。表中、γが「−」である場合は、水素原子を示し、そのγの水素原子は、αまたはβの欄に示す構造に含めて表示する。
【００６４】
【表３−１】
2014029501.tif 000014
【００６５】
【表３−２】
2014029501.tif 000015
【００６６】
【表３−３】
2014029501.tif 000016
【００６７】
表４−１、表４−２に、上記式（Ａ４）で示される化合物の具体例を示す。表中、γが「−」である場合は、水素原子を示し、そのγの水素原子は、αまたはβの欄に示す構造に含めて表示する。
【００６８】
【表４−１】
2014029501.tif 000017
【００６９】
【表４−２】
2014029501.tif 000018
【００７０】
表５−１、表５−２に、上記式（Ａ５）で示される化合物の具体例を示す。表中、γが「−」である場合は、水素原子を示し、そのγの水素原子は、αまたはβの欄に示す構造に含めて表示する。
【００７１】
【表５−１】
2014029501.tif 000019
【００７２】
【表５−２】
2014029501.tif 000020
【００７３】
表６に、上記式（Ａ６）で示される化合物の具体例を示す。表中、γが「−」である場合は、水素原子を示し、そのγの水素原子は、αまたはβの欄に示す構造に含めて表示する。
【００７４】
【表６】
2014029501.tif 000021
【００７５】
表７−１、表７−２、表７−３に、上記式（Ａ７）で示される化合物の具体例を示す。表中、γが「−」である場合は、水素原子を示し、そのγの水素原子は、αまたはβの欄に示す構造に含めて表示する。
【００７６】
【表７−１】
2014029501.tif 000022
【００７７】
【表７−２】
2014029501.tif 000023
【００７８】
【表７−３】
2014029501.tif 000024
【００７９】
表８−１、表８−２、表８−３に、上記式（Ａ８）で示される化合物の具体例を示す。表中、γが「−」である場合は、水素原子を示し、そのγの水素原子は、αまたはβの欄に示す構造に含めて表示する。
【００８０】
【表８−１】
2014029501.tif 000025
【００８１】
【表８−２】
2014029501.tif 000026
【００８２】
【表８−３】
2014029501.tif 000027
【００８３】
表９−１、表９−２に、上記式（Ａ９）で示される化合物の具体例を示す。表中、γが「−」である場合は、水素原子を示し、そのγの水素原子は、αまたはβの欄に示す構造に含めて表示する。
【００８４】
【表９−１】
2014029501.tif 000028
【００８５】
【表９−２】
2014029501.tif 000029
【００８６】
（Ａ１）の構造を有する誘導体（電子輸送物質の誘導体）は、例えば、米国特許第４４４２１９３号公報、米国特許第４９９２３４９号公報、米国特許第５４６８５８３号公報、Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ  ｏｆ  ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｖｏｌ．１９，Ｎｏ．１１，２７０３−２７０５（２００７）に記載の公知の合成方法を用いて合成することが可能である。また、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なナフタレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成する事が出来る。
【００８７】
（Ａ１）で示される化合物には、架橋剤と重合することが可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。（Ａ１）の構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、直接重合性官能基を導入する方法、前記重合性官能基または、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、以下の方法が挙げられる。ナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。ナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法る方法。ナフチルイミド誘導体のハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。ナフチルイミド誘導体を合成する際の原料として、前記重合性官能基または、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有するナフタレンテトラカルボン酸二無水物誘導体又はモノアミン誘導体を用いる方法がある。
【００８８】
（Ａ２）の構造を有する誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、フェナントレン誘導体またはフェナントロリン誘導体を基に、Ｃｈｅｍ．Ｅｄｕｃａｔｏｒ  Ｎｏ．６，２２７−２３４（２００１）、有機合成化学協会誌，ｖｏｌ．１５，２９−３２（１９５７）、有機合成化学協会誌，ｖｏｌ．１５，３２−３４（１９５７）に記載の合成方法で合成することもできる。マロノニトリルとの反応によりジシアノメチレン基を導入することもできる。
【００８９】
（Ａ２）で示される化合物は、架橋剤と重合可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。（Ａ２）の構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、直接重合性官能基を導入する方法、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、以下の方法が挙げられる。フェナントレンキノンのハロゲン化物を元に、パラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。フェナントレンキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法る方法。フェナントレンキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。
【００９０】
（Ａ３）の構造を有する誘導体は、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、フェナントレン誘導体またはフェナントロリン誘導体を基に、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊｐｎ．，Ｖｏｌ．６５，１００６−１０１１（１９９２）に記載の合成方法で合成することもできる。マロノニトリルとの反応によりジシアノメチレン基を導入することもできる。
【００９１】
（Ａ３）で示される化合物は、架橋剤と重合可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。上記式（Ａ３）の構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、直接重合性官能基を導入する方法、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、以下の方法が挙げられる。フェナントロリンキノンのハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。フェナントロリンキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。フェナントロリンキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。
【００９２】
（Ａ４）の構造を有する誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、アセナフテンキノン誘導体を基にＴｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，４３（１６），２９９１−２９９４（２００２）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，４４（１０），２０８７−２０９１（２００３）に記載の合成方法で合成することもできる。マロノニトリルとの反応により、ジシアノメチレン基を導入することもできる。
【００９３】
式（Ａ４）で示される化合物は、架橋剤と重合可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。（Ａ４）の構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、直接重合性官能基を導入する方法、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、以下の方法が挙げられる。アセナフテンキノンのハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。アセナフテンキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。アセナフテンキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。
【００９４】
（Ａ５）の構造を有する誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。また、フルオレノン誘導体とマロノニトリルを用い、米国特許第４５６２１３２号公報に記載の合成方法を用いて合成することができる。また、フルオレノン誘導体およびアニリン誘導体を用い、特開平５−２７９５８２号公報、特開平７−７００３８号公報に記載の合成方法を用いて合成することもできる。
【００９５】
式（Ａ５）で示される化合物は、架橋剤と重合可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。（Ａ５）の構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、直接重合性官能基を導入する方法、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、以下のような方法が挙げられる。フルオレノンのハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。フルオレノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。フルオレノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。
【００９６】
（Ａ６）の構造を有する誘導体は、例えばＣｈｅｍｉｓｔｒｙ  Ｌｅｔｔｅｒｓ，３７（３），３６０−３６１（２００８）、特開平９−１５１１５７号公報に記載の合成方法を用いて合成することが出来る。また、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。
【００９７】
式（Ａ６）で示される化合物は、架橋剤と重合することが可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。（Ａ６）の構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、ナフトキノン誘導体に直接重合性官能基を導入する方法、ナフトキノン誘導体に重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、以下のような方法が挙げられる。ナフトキノンのハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。ナフトキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法る方法。ナフトキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。
【００９８】
（Ａ７）の構造を有する誘導体は、特開平１−２０６３４９号公報、ＰＰＣＩ／Ｊａｐａｎ  Ｈａｒｄ  Ｃｏｐｙ’９８  予稿集ｐ．２０７（１９９８）に記載の合成方法を用いて合成することができる。例えば、東京化成工業（株）またはシグマアルドリッチジャパン（株）から購入可能なフェノール誘導体を原料として合成することができる。
【００９９】
（Ａ７）で示される化合物は、架橋剤と重合することが可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。（Ａ７）の構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。この方法としては、以下の方法が挙げられる。ジフェノキノンのハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。ジフェノキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法る方法。ジフェノキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。
【０１００】
（Ａ８）の構造を有する誘導体は、例えば、Ｊｏｕｒｎａｌ  ｏｆ  ｔｈｅ  Ａｍｅｒｉｃａｎ  ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｓｏｃｉｅｔｙ，Ｖｏｌ．１２９，Ｎｏ．４９，１５２５９−７８（２００７）に記載の公知の合成方法を用いて合成することができる。また、東京化成工業（株）やシグマアルドリッチジャパン（株）やジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能なペリレンテトラカルボン酸二無水物とモノアミン誘導体との反応で合成する事が出来る。
【０１０１】
式（Ａ８）で示される化合物は、架橋剤と重合可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。（Ａ８）の構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、直接重合性官能基を導入する方法、前記重合性官能基または、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。後述の方法としては、以下のような方法が挙げられる。ペリレンイミド誘導体のハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用いる方法。ペリレンイミド誘導体のハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用いる方法がある。ペリレンイミド誘導体を合成する際の原料として、前記重合性官能基または、重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有するペリレンテトラカルボン酸二無水物誘導体又はモノアミン誘導体を用いる方法がある。
【０１０２】
（Ａ９）の構造を有する誘導体は、例えば、東京化成工業（株）、シグマアルドリッチジャパン（株）またはジョンソン・マッセイ・ジャパン・インコーポレイテッド社から購入可能である。
【０１０３】
式（Ａ９）で示される化合物は、架橋剤と重合可能な重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有する。（Ａ９）の構造を有する誘導体にこれらの重合性官能基を導入する方法としては、購入可能なアントラキノン誘導体に重合性官能基もしくは重合性官能基の前駆体と成り得る官能基を有する構造を導入する方法がある。この方法としては、以下のような方法が挙げられる。アントラキノンのハロゲン化物を元に、例えばパラジウム触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アリール基を導入する方法。アントラキノンのハロゲン化物を元に、ＦｅＣｌ３触媒と塩基を使用したクロスカップリング反応を用い、官能基含有アルキル基を導入する方法。アントラキノンのハロゲン化物を元に、リチオ化を経た後にエポキシ化合物やＣＯ２を作用させ、ヒドロキシアルキル基やカルボキシル基を導入する方法がある。
【０１０４】
〔架橋剤〕
次に架橋剤について説明する。
架橋剤としては、重合性官能基を有する電子輸送物質、および重合性官能基を有する熱可塑性樹脂と重合または架橋する化合物を用いることができる。具体的には、山下晋三，金子東助編「架橋剤ハンドブック」大成社刊（１９８１年）等に記載されている化合物等を用いることができる。
【０１０５】
電子輸送層に用いる架橋剤は、好ましくは、イソシアネート化合物、アミン化合物である。均一な重合物の膜を得る観点から、より好ましくは、イソシアネート基、ブロックイソシアネート基、または−ＣＨ２−ＯＲ１を示される１価の基を３〜６個有する架橋剤（イソシアネート化合物、アミン化合物）である。
【０１０６】
イソシアネート化合物は、分子量が２００〜１３００の範囲であるイソシアネート化合物を用いることが好ましい。さらに、イソシアネート基またはブロックイソシアネート基が３〜６個有しているイソシアネート化合物が好ましい。例えば、トリイソシアネートベンゼン、トリイソシアネートメチルベンゼン、トリフェニルメタントリイソシアネート、リジントリイソシアネートの他、トリレンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、ナフタレンジイソシアネートジフェニルメタンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート、キシリレンジイソシアネート、２，２，４−トリメチルヘキサメチレンジイソシアネート、メチル−２，６−ジイソシアネートヘキサノエート、ノルボルナンジイソシアネート等のジイソシアネートのイソシアヌレート変性体、ビウレット変性体、アロファネート変性体、トリメチロールプロパンやペンタエリストールとのアダクト変性体等が挙げられる。これらの中でもイソシアヌレート変性体とアダクト変性体がより好ましい。
【０１０７】
ブロックイソシアネート基は、−ＮＨＣＯＸ１（Ｘ１は保護基）という構造を有する基である。Ｘ１は、イソシアネート基に導入可能な保護基であれば何れでも良いが、下記式（Ｈ１）〜（Ｈ７）のいずれかで示される基がより好ましい。
【化３】
2014029501.tif 000030
【０１０８】
以下に、イソシアネート化合物の具体例を示す。
【化４】
2014029501.tif 000031
【化５】
2014029501.tif 000032
【０１０９】
アミン化合物としては、下記式（Ｃ１）〜（Ｃ５）のいずれかで示される化合物、および下記式（Ｃ１）〜（Ｃ５）のいずれかで示される化合物のオリゴマーからなる群より選択される少なくとも１種であることが好ましい。
【化６】
2014029501.tif 000033
式（Ｃ１）〜（Ｃ５）中、Ｒ１１〜Ｒ１６、Ｒ２２〜Ｒ２５、Ｒ３１〜Ｒ３４、Ｒ４１〜Ｒ４４、およびＲ５１〜Ｒ５４は、それぞれ独立に、水素原子、ヒドロキシ基、アシル基または−ＣＨ２−ＯＲ１を示される１価の基を示す。Ｒ１１〜Ｒ１６の少なくとも１つ、Ｒ２２〜Ｒ２５の少なくとも１つ、Ｒ３１〜Ｒ３４の少なくとも１つ、Ｒ４１〜Ｒ４４の少なくとも１つ、およびＲ５１〜Ｒ５４の少なくとも１つは、−ＣＨ２−ＯＲ１を示される１価の基である。Ｒ１は、水素原子または炭素数１以上１０以下のアルキル基を示す。アルキル基としてはメチル基、エチル基、プロピル基（ｎ−プロピル基、ｉｓｏ−プロピル基）、ブチル基（ｎ−ブチル基、ｉｓｏ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基）などが、重合性の観点から好ましい。Ｒ２１は、アリール基、アルキル基置換のアリール基、シクロアルキル基、またはアルキル基置換のシクロアルキル基を示す。
【０１１０】
以下に、式（Ｃ１）〜（Ｃ５）のいずれかで示される化合物の具体例を示す。また、式（Ｃ１）〜（Ｃ５）のいずれかで示される化合物のオリゴマー（多量体）を含有していても良い。均一な重合物の膜を得る観点から、アミン化合物の全質量中、式（Ｃ１）〜（Ｃ５）のいずれかで示される化合物（単量体）を１０質量％以上含有していることが好ましい。
【０１１１】
上述の多量体の重合度は、２以上１００以下である事が好ましい。また、上述の多量体及び単量体は、２種以上混合して用いることもができる。
【０１１２】
上記式（Ｃ１）で示される化合物の一般的に購入可能なものをしては、例えば、スーパーメラミＮｏ．９０（日本油脂社製）、スーパーベッカミン（Ｒ）ＴＤ−１３９−６０、Ｌ−１０５−６０、Ｌ１２７−６０、Ｌ１１０−６０、Ｊ−８２０−６０、Ｇ−８２１−６０（ＤＩＣ社製）、ユーバン２０２０（三井化学）、スミテックスレジンＭ−３（住友化学工業）、ニカラックＭＷ−３０、ＭＷ−３９０、ＭＸ−７５０ＬＭ（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。上記式（Ｃ２）で示される化合物の一般的に購入可能なものをしては、例えば、”スーパーベッカミン（Ｒ）Ｌ−１４８−５５、１３−５３５、Ｌ−１４５−６０、ＴＤ−１２６（ＤＩＣ社製）、ニカラックＢＬ−６０、ＢＸ−４０００（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。上記式（Ｃ３）で示される化合物の一般的に購入可能なものをしては、例えば、ニカラックＭＸ−２８０（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。上記式（Ｃ４）で示される化合物の一般的に購入可能なものをしては、例えば、ニカラックＭＸ−２７０（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。上記式（Ｃ５）で示される化合物の一般的に購入可能なものをしては、例えば、ニカラックＭＸ−２９０（日本カーバイド社製）、などが挙げられる。
【０１１３】
以下に、式（Ｃ１）の化合物の具体例を示す。
【化７】
2014029501.tif 000034
【化８】
2014029501.tif 000035
【０１１４】
以下に、式（Ｃ２）の化合物の具体例を示す。
【化９】
2014029501.tif 000036
【０１１５】
以下に、式（Ｃ３）の化合物の具体例を示す。
【化１０】
2014029501.tif 000037
【０１１６】
以下に、式（Ｃ４）の化合物の具体例を示す。
【化１１】
2014029501.tif 000038
【０１１７】
以下に、式（Ｃ５）の化合物の具体例を示す。
【化１２】
2014029501.tif 000039
【０１１８】
〔樹脂〕
次に重合性官能基を有する熱可塑性樹脂について説明する。重合性官能基を有する熱可塑性樹脂としては、下記式（Ｄ）で示される構造単位をする熱可塑性樹脂が好ましい。
【化１３】
2014029501.tif 000040
式（Ｄ）中、Ｒ６１は、水素原子またはアルキル基を示す。Ｙ１は、単結合、アルキレン基またはフェニレン基を示す。Ｗ１は、ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基またはメトキシ基を示す。
【０１１９】
式（Ｄ）で示される構造単位を有する樹脂（以下樹脂Ｄとも称する）は、以下の方法により得られる。シグマアルドリッチジャパン（株）や東京化成工業（株）から購入可能な、重合性官能基（ヒドロキシ基、チオール基、アミノ基、カルボキシル基及びメトキシ基）を有するモノマーを重合させることで得られる。
【０１２０】
また、樹脂として、一般的に購入することも可能である。購入可能な樹脂としては、例えば、日本ポリウレタン工業（株）製ＡＱＤ−４５７、ＡＱＤ−４７３、三洋化成工業（株）製サンニックスＧＰ−４００、ＧＰ−７００などのポリエーテルポリオール系樹脂、日立化成工業（株）製フタルキッドＷ２３４３、ＤＩＣ（株）製ウォーターゾールＳ−１１８、ＣＤ−５２０、ベッコライトＭ−６４０２−５０、Ｍ−６２０１−４０ＩＭ、ハリマ化成（株）製ハリディップＷＨ−１１８８、日本ユピカ社製ＥＳ３６０４、ＥＳ６５３８などのポリエステルポリオール系樹脂、ＤＩＣ（株）製、バーノックＷＥ−３００、ＷＥ−３０４などのポリアクリルポリオール系樹脂、（株）クラレ製クラレポバールＰＶＡ−２０３などのようなポリビニルアルコール系樹脂、積水化学工業（株）製ＢＸ−１、ＢＭ−１、ＫＳ−１、ＫＳ−５などのポリビニルアセタール系樹脂、ナガセケムテックス（株）製トレジンＦＳ−３５０などのポリアミド系樹脂、日本触媒（株）製アクアリック、鉛市（株）製ファインレックスＳＧ２０００などのカルボキシル基含有樹脂、ＤＩＣ（株）製ラッカマイドなどのポリアミン樹脂、東レ（株）製ＱＥ−３４０Ｍなどのポリチオール樹脂などが挙げられる。これらの中でもポリビニルアセタール系樹脂、ポリエステルポリオール系樹脂などが重合性、電子輸送層の均一性の観点からより好ましい。
【０１２１】
樹脂Ｄの重量平均分子量（Ｍｗ）は５０００〜４０００００の範囲であることが好ましい。より、好ましくは、５０００〜３０００００の範囲である。
【０１２２】
樹脂中の重合性官能基の定量法は、例えば以下の方法がある。水酸化カリウムを用いたカルボキシル基の滴定、亜硝酸ナトリウムを用いたアミノ基の滴定、無水酢酸と水酸化カリウムを用いたヒドロキシ基の滴定、５，５’−ジチオビス（２−ニトロ安息香酸）を用いたチオール基の滴定が挙げられる。また、重合性官能基導入比率を変化させた試料のＩＲスペクトルから得られる検量線法が挙げられる。
【０１２３】
以下表１０に、樹脂Ｄの具体例を示す。
【表１０】
2014029501.tif 000041
【０１２４】
重合性官能基を有する電子輸送物質は、重合性官能基を有する電子輸送物質、架橋剤および重合性官能基を有する樹脂との組成物の全質量に対して３０質量％以上７０％質量以下であることが好ましい。
【０１２５】
〔支持体〕
支持体としては、導電性を有するもの（導電性支持体）であることが好ましく、例えば、アルミニウム、ニッケル、銅、金、鉄などの金属または合金製の支持体を用いることができる。ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、ガラスなどの絶縁性支持体上にアルミニウム、銀、金などの金属の薄膜を形成した支持体、または酸化インジウム、酸化スズなどの導電性材料の薄膜を形成した支持体が挙げられる。
支持体の表面には、電気的特性の改善や干渉縞の抑制のため、陽極酸化などの電気化学的な処理や、湿式ホーニング処理、ブラスト処理、切削処理などの処理を施してもよい。
支持体と、後述の下引き層との間には、導電層を設けてもよい。導電層は、導電性粒子を樹脂に分散させた導電層用塗布液の塗膜を支持体上に形成し、乾燥させることで得られる。導電性粒子としては、たとえば、カーボンブラック、アセチレンブラックや、アルミニウム、ニッケル、鉄、ニクロム、銅、亜鉛、銀のような金属粉や、導電性酸化スズ、ＩＴＯのような金属酸化物粉体が挙げられる。
また、樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、アクリル樹脂、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、メラミン樹脂、ウレタン樹脂、フェノール樹脂およびアルキッド樹脂が挙げられる。
導電層用塗布液の溶剤としては、例えば、エーテル系溶剤、アルコール系溶剤、ケトン系溶剤および芳香族炭化水素溶剤が挙げられる。導電層の膜厚は、０．２μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましく、１μｍ以上３５μｍ以下であることがより好ましく、さらには５μｍ以上３０μｍ以下であることがより好ましい。
【０１２６】
〔電荷発生層〕
下引き層（電子輸送層）上には、電荷発生層が設けられる。
電荷発生物質としては、アゾ顔料、ペリレン顔料、アントラキノン誘導体、アントアントロン誘導体、ジベンズピレンキノン誘導体、ピラントロン誘導体、ビオラントロン誘導体、イソビオラントロン誘導体、インジゴ誘導体、チオインジゴ誘導体、金属フタロシアニン、無金属フタロシアニンなどのフタロシアニン顔料や、ビスベンズイミダゾール誘導体などが挙げられる。これらの中でも、アゾ顔料、およびフタロシアニン顔料の少なくとも一方が好ましい。フタロシアニン顔料の中でも、オキシチタニウムフタロシアニン、クロロガリウムフタロシアニン、ヒドロキシガリウムフタロシアニンが好ましい。
電荷発生層に用いられる結着樹脂としては、例えば、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、フッ化ビニリデン、トリフルオロエチレンなどのビニル化合物の重合体および共重合体や、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエステル樹脂、ポリスルホン樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、ポリウレタン樹脂、セルロース樹脂、フェノール樹脂、メラミン樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリビニルアセタール樹脂が好ましく、ポリビニルアセタールがより好ましい。
電荷発生層において、電荷発生物質と結着樹脂との比率（電荷発生物質／結着樹脂）は、１０／１〜１／１０の範囲であることが好ましく、５／１〜１／５の範囲であることがより好ましい。電荷発生層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。
電荷発生層の膜厚は、０．０５μｍ以上５μｍ以下であることが好ましい。
【０１２７】
〔正孔輸送層〕
電荷発生層上には正孔輸送層が形成される。
正孔輸送物質としては、例えば、多環芳香族化合物、複素環化合物、ヒドラゾン化合物、スチリル化合物、ベンジジン化合物、トリアリールアミン化合物、トリフェニルアミンが挙げられる。または、これらの化合物から誘導される基を主鎖または側鎖に有するポリマーが挙げられる。これらの中でもトリアリールアミン化合物、ベンジジン化合物、またはスチリル化合物が好ましい。
正孔輸送層に用いられる結着樹脂としては、例えば、ポリエステル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリメタクリル酸エステル樹脂、ポリアリレート樹脂、ポリサルホン樹脂、ポリスチレン樹脂などが挙げられる。これらの中でも、ポリカーボネート樹脂およびポリアリレート樹脂が好ましい。また、これらの分子量としては、重量平均分子量（Ｍｗ）＝１０，０００〜３００，０００の範囲が好ましい。
正孔輸送層において、正孔輸送物質と結着樹脂との比率（正孔輸送物質／結着樹脂）は、１０／５〜５／１０が好ましく、１０／８〜６／１０がより好ましい。
正孔輸送層の膜厚は、３μｍ以上４０μｍ以下であることが好ましい。電子輸送層との膜厚との観点から、より好ましくは５μｍ以上１６μｍ以下である。正孔輸送層用塗布液に用いられる溶剤は、アルコール系溶剤、スルホキシド系溶剤、ケトン系溶剤、エーテル系溶剤、エステル系溶剤または芳香族炭化水素溶剤などが挙げられる。
【０１２８】
なお、支持体と上記電子輸送層との間や上記電子輸送層と電荷発生層との間に、本発明に係る重合体を含有しない第２の下引き層などの別の層を設けてもよい。
また、正孔輸送層上に表面保護層を形成してもよい。表面保護層は、導電性粒子または電荷輸送物質と結着樹脂とを含有する。また、表面保護層は、潤滑剤などの添加剤をさらに含有してもよい。また、保護層の結着樹脂自体に導電性や電荷輸送性を有させてもよく、その場合、保護層には、当該樹脂以外の導電性粒子や電荷輸送物質を含有させなくてもよい。また、保護層の結着樹脂は、熱可塑性樹脂でもよいし、熱、光、放射線（電子線など）などにより重合させてなる硬化性樹脂であってもよい。
上記各層を形成する方法としては、各層を構成する材料を溶剤に溶解および／または分散させて得られた塗布液を塗布し、得られた塗膜を乾燥および／または硬化させることによって形成する方法が好ましい。塗布液を塗布する方法としては、例えば、浸漬塗布法（浸漬コーティング法）、スプレーコーティング法、カーテンコーティング法、スピンコーティング法などが挙げられる。これらの中でも、効率性および生産性の観点から、浸漬塗布法が好ましい。
【０１２９】
〔プロセスカートリッジおよび電子写真装置〕
図６に、電子写真感光体を備えたプロセスカートリッジを有する電子写真装置の概略構成を示す。
図６において、１は円筒状の電子写真感光体であり、軸２を中心に矢印方向に所定の周速度で回転駆動される。回転駆動される電子写真感光体１の表面（周面）は、帯電手段３（一次帯電手段：帯電ローラーなど）により、正または負の所定電位に均一に帯電される。次いで、スリット露光やレーザービーム走査露光などの露光手段（不図示）からの露光光（画像露光光）４を受ける。こうして電子写真感光体１の表面に、目的の画像に対応した静電潜像が順次形成されていく。
電子写真感光体１の表面に形成された静電潜像は、次いで現像手段５の現像剤に含まれるトナーにより現像されてトナー像となる。次いで、電子写真感光体１の表面に形成担持されているトナー像が、転写手段（転写ローラーなど）６からの転写バイアスによって、転写材（紙など）Ｐに順次転写されていく。なお、転写材Ｐは、転写材供給手段（不図示）から電子写真感光体１と転写手段６との間（当接部）に電子写真感光体１の回転と同期して取り出されて給送される。
トナー像の転写を受けた転写材Ｐは、電子写真感光体１の表面から分離されて定着手段８へ導入されて像定着を受けることにより画像形成物（プリント、コピー）として装置外へプリントアウトされる。
トナー像転写後の電子写真感光体１の表面は、クリーニング手段（クリーニングブレードなど）７によって転写残りの現像剤（トナー）の除去を受けて清浄面化される。次いで、前露光手段（不図示）からの前露光光（不図示）により除電処理された後、繰り返し画像形成に使用される。なお、図６に示すように、帯電手段３が帯電ローラーなどを用いた接触帯電手段である場合は、前露光は必ずしも必要ではない。
上記の電子写真感光体１、帯電手段３、現像手段５、転写手段６およびクリーニング手段７などの構成要素のうち、複数のものを選択して容器に納めてプロセスカートリッジとして一体に結合して構成する。このプロセスカートリッジを複写機やレーザービームプリンターなどの電子写真装置本体に対して着脱自在に構成してもよい。図６では、電子写真感光体１と、帯電手段３、現像手段５およびクリーニング手段７とを一体に支持してカートリッジ化して、電子写真装置本体のレールなどの案内手段１０を用いて電子写真装置本体に着脱自在なプロセスカートリッジ９としている。
【実施例】
【０１３０】
次に、電子写真感光体の作製および評価について示す。
【０１３１】
（実施例１）
長さ２６０．５ｍｍおよび直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（導電性支持体）とした。
次に、酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子（粉体抵抗率：１２０Ω・ｃｍ、酸化スズの被覆率：４０％。）５０部、フェノール樹脂（プライオーフェンＪ−３２５、大日本インキ化学工業（株）製、樹脂固形分：６０％。）４０部、溶剤（分散媒）としてのメトキシプロパノール５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、３時間分散処理することによって、導電層用塗布液（分散液）を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱重合させることによって、膜厚が１６μｍの導電層を形成した。
この導電層用塗布液における酸素欠損型酸化スズが被覆されている酸化チタン粒子の平均粒径を、（株）堀場製作所製の粒度分布計（商品名：ＣＡＰＡ７００）を用い、テトラヒドロフランを分散媒とし、回転数５０００ｒｐｍにて遠心沈降法で測定した。その結果、平均粒径は０．３１μｍであった。
【０１３２】
次に、電子輸送物質（Ａ１０１）４部、架橋剤（Ｂ１、保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））７．３部、樹脂（Ｄ１）０．９部、触媒としてのジオクチルスズラウリレート０．０５部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．５３μｍの電子輸送層（下引き層）を形成した。
電子輸送物質、架橋剤および樹脂の全質量に対する電子輸送物質の含有量は３３質量％であった。
【０１３３】
次に、ＣｕＫα特性Ｘ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２°）の７．５°、９．９°、１２．５°、１６．３°、１８．６°、２５．１°および２８．３°に強いピークを有する結晶形のヒドロキシガリウムフタロシアニン結晶（電荷発生物質）１０部、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学工業（株）製）５部およびシクロヘキサノン２５０部を、直径１ｍｍのガラスビーズを用いたサンドミルに入れ、１．５時間分散処理した。次に、これに酢酸エチル２５０部を加えることによって、電荷発生層用塗布液を調製した。この電荷発生層用塗布液を、電子輸送層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で乾燥させることによって、膜厚が０．１５μｍの電荷発生層を形成した。このようにして、支持体、導電層、電子輸送層、および電荷発生層を有する積層体を形成した。
【０１３４】
次に、下記構造式（１５）で示されるトリアリールアミン化合物（正孔輸送物質）８部、および、下記式（１６−１）で示される繰り返し構造単位と、下記式（１６−２）で示される繰り返し構造単位を５／５の割合で有し、重量平均分子量（Ｍｗ）が１０００００であるポリアリレート１０部を、ジメトキシメタン４０部およびクロロベンゼン６０部の混合溶剤に溶解させることによって、正孔輸送層用塗布液を調製した。この正孔輸送層用塗布液を、電荷発生層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１５μｍの正孔輸送層を形成した。
【化１４】
2014029501.tif 000042
【化１５】
2014029501.tif 000043
このようにして、積層体、および正孔輸送層を有するポジゴーストおよび電位変動評価用の電子写真感光体を製造した。また、上記と同様にしてもう１つ電子写真感光体を製造し、判定用の電子写真感光体とした。
【０１３５】
（判定試験）
上記、判定用の電子写真感光体をジメトキシメタン４０部およびクロロベンゼン６０部の混合溶剤に５分間浸漬させ、正孔輸送層を剥離した。その後、１０分１００℃で乾燥させることによって、支持体、電子輸送層、および電荷発生層をこの順に有する積層体を作製し、判定用感光体とした。ＦＴＩＲ−ＡＴＲ法を用いて表面に正孔輸送層がないことを確認した。
次に、判定用電子写真感光体を温度２５℃、湿度５０％ＲＨ環境下に２４時間放置した後、上述の判定方法を用いて、上述のとおり、Ｖｄ１（式１）、Ｖｄ２（式２）を算出し、Ｖｌ１，Ｖｌ２，Ｖｌ３の測定を行った。そして、｜Ｖｌ２−Ｖｌ１｜および｜（Ｖｄ２−Ｖｌ３）／Ｖｄ２｜を算出した。測定結果を表１１に示した。
【０１３６】
（ポジゴースト、および電位変動の評価）
ポジゴーストおよび電位変動評価用の電子写真感光体を、キヤノン（株）製のレーザービームプリンター（商品名：ＬＢＰ−２５１０）を改造した装置に装着し、以下のプロセス条件を設定した。そして、表面電位の評価（電位変動）および出力画像（ゴースト）の評価を行った。改造としては、プロセススピードを２００ｍｍ／ｓに変更し、暗部電位が−７００Ｖになるようにし、露光光（画像露光光）の光量が可変となるようにした。詳しくは以下のとおりである。
【０１３７】
１．ポジゴーストの評価
温度２３℃、湿度５０％ＲＨの環境下にて、上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジを以下のように改造した。現像位置に電位プローブ（ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８：トレック・ジャパン（株）製）を装着し、ポジゴーストおよび電位変動評価用の電子写真感光体を装着した。さらに、電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。電子写真感光体の表面電位は、暗部電位（Ｖｄ）が−７００Ｖ、明部電位（Ｖｌ）が−２００Ｖになるよう、露光光量を設定した。
次いで、上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジに、上述の電子写真感光体を装着して、そのプロセスカートリッジをシアンのプロセスカートリッジのステーションに装着し、画像を出力した。まず、ベタ白画像１枚、ゴースト評価用画像５枚、ベタ黒画像１枚、ゴースト評価用画像５枚の順に連続して画像出力を行った。
ゴースト評価用画像は図７（Ａ）に示すように、画像の先頭部に「白画像」中に四角の「ベタ画像」を出した後、図７（Ｂ）に示す「１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像」を作成したものである。なお、図７（Ａ）中、「ゴースト」部は、「ベタ画像」に起因するゴーストが出現し得る部分である。
ポジゴーストの評価は、１ドット桂馬パターンのハーフトーン画像の画像濃度と、ゴースト部の画像濃度との濃度差を測定することで行った。分光濃度計（商品名：Ｘ−Ｒｉｔｅ５０４／５０８、Ｘ−Ｒｉｔｅ（株）製）で、１枚のゴースト評価用画像中で濃度差を１０点測定した。この操作をゴースト評価用画像１０枚すべてで行い、合計１００点の平均を算出した。結果を表１１に示す。ゴースト部の濃度が大きいほど、ポジゴーストが強く生じていることになる。マクベス濃度差が小さいほど、ポジゴーストが抑制されたことを意味する。ゴースト画像濃度差（マクベス濃度差）が０．０５以上であると見た目に明らかな差があるレベルであり、０．０５未満であれば見た目に明らかな差はないレベルであった。
【０１３８】
２．電位変動
温度２３℃、湿度５％ＲＨの環境下にて、上記レーザービームプリンターのシアン色用のプロセスカートリッジを以下のように改造した。現像位置に電位プローブ（ｍｏｄｅｌ６０００Ｂ−８：トレック・ジャパン（株）製）を装着し、電子写真感光体の中央部の電位を表面電位計（ｍｏｄｅｌ３４４：トレック・ジャパン（株）製）を使用して測定した。また、暗部電位（Ｖｄ）が−７００Ｖ、明部電位（Ｖｌ）が−２００Ｖになるよう、露光光量を設定した。その状態（現像機の部分に電位プローブがある状態）で上記露光光量において連続１０００枚繰り返し使用を行った。連続１０００枚繰り返し使用後のＶｄ、Ｖｌを表１１に示した。
【０１３９】
（実施例２〜５）
電子輸送層の膜厚を０．５３μｍから０．３８μｍ（実施例２）、０．２５μｍ（実施例３）、０．２０μｍ（実施例４）、０．１５μｍ（実施例５）に変更した以外は実施例１と同様にし電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１１に示す。
【０１４０】
（実施例６）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１１に示す。
電子輸送物質（Ａ１０１）４部、イソシアネート化合物（Ｂ１：保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））５．５部、樹脂（Ｄ１）０．３部、触媒としてのジオクチルスズラウリレート０．０５部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．６１μｍの電子輸送層を形成した。
【０１４１】
（実施例７〜９）
電子輸送層の膜厚を０．６１μｍから０．５２μｍ（実施例７）、０．４０μｍ（実施例８）、０．２６μｍ（実施例９）に変更した以外は実施例６と同様にし電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１１に示す。
【０１４２】
（実施例１０）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１１に示す。
電子輸送物質（Ａ−１０１）５部、アミン化合物（Ｃ１−３）２．３部、樹脂（Ｄ１）３．３部、触媒としてのドデシルベンゼンスルホン酸０．１部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送層塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．５１μｍの電子輸送層を形成した。
【０１４３】
（実施例１１、１２）
電子輸送層の膜厚を０．５１μｍから０．４５μｍ（実施例１１）、０．３４μｍ（実施例１２）に変更した以外は実施例１０と同様にし電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１１に示す。
【０１４４】
（実施例１３）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１１に示す。
電子輸送物質（Ａ−１０１）５部、アミン化合物（Ｃ１−３）１．７５部、樹脂（Ｄ１）２．０部、触媒としてのドデシルベンゼンスルホン酸０．１部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．７０μｍの電子輸送層を形成した。
【０１４５】
（実施例１４〜１６）
電子輸送層の膜厚を０．７０μｍから０．５８μｍ（実施例１４）、０．５０μｍ（実施例１５）、０．３５μｍ（実施例１６）に変更した以外は実施例１３と同様にし電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１１に示す。
【０１４６】
（実施例１７〜３２）
実施例９の電子輸送物質を（Ａ−１０１）から表１１に示す電子輸送物質に変更した以外は実施例９と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１１に示す。
【０１４７】
（実施例３３〜４７）
実施例１６の電子輸送物質を（Ａ−１０１）から表１１、１２に示す電子輸送物質に変更した以外は実施例１６と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１１、１２に示す。
【０１４８】
（実施例４８〜５３）
実施例９の架橋剤（Ｂ１：保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））を表１２に示す架橋剤に変更した以外は実施例９と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０１４９】
（実施例５４、５５）
実施例１６の架橋剤（Ｃ１−３）を表１２に示す架橋剤に変更した以外は実施例１６と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０１５０】
（実施例５６）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
電子輸送物質（Ａ−１０１）４部、アミン化合物（Ｃ１−９）４部、樹脂（Ｄ１）１．５部、触媒としてのドデシルベンゼンスルホン酸０．２部を、ジメチルアセトアミドジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．３５μｍの電子輸送層を形成した。
【０１５１】
（実施例５７、５８）
実施例５６の架橋剤（Ｃ１−９）を表１２に示す架橋剤に変更した以外は実施例５６と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０１５２】
（実施例５９〜６２）
実施例９の樹脂（Ｄ１）を表１２に示す樹脂に変更した以外は実施例９と同様にして電子写真感光体を作成し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０１５３】
（実施例６３）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
電子輸送物質（Ａ−１２４）６部、アミン化合物（Ｃ１−３）２．１部、樹脂（Ｄ１）１．２部、触媒としてのドデシルベンゼンスルホン酸０．１部を、ジメチルアセトアミドジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．４５μｍの電子輸送層を形成した。
【０１５４】
（実施例６４、６５）
実施例６３の電子輸送物質を（Ａ−１２４）から表１２に示す電子輸送物質に変更した以外は実施例６３と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０１５５】
（実施例６６）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
電子輸送物質（Ａ−１２５）６部、アミン化合物（Ｃ１−３）２．１部、樹脂（Ｄ１）０．５部、触媒としてのドデシルベンゼンスルホン酸０．１部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．４９μｍの電子輸送層を形成した。
【０１５６】
（実施例６７）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
電子輸送物質（Ａ−１２５）６．５部、アミン化合物（Ｃ１−３）２．１部、樹脂（Ｄ１）０．４部、触媒としてのドデシルベンゼンスルホン酸０．１部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．４９μｍの電子輸送層を形成した。
【０１５７】
（実施例６８）
電子輸送層の膜厚を０．４９μｍから０．７２μｍに変更した以外は実施例６６と同様にし電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０１５８】
（実施例６９）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
電子輸送物質（Ａ１０１）３．６部、イソシアネート化合物（Ｂ１：保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））７部、樹脂（Ｄ１）１．３部、触媒としてのジオクチルスズラウリレート０．０５部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．３２μｍの電子輸送層を形成した。
【０１５９】
（実施例７０）
電荷発生層の膜厚を０．１５μｍから０．１２μｍに変更した以外は実施例１と同様にし電子写真感光体を作成し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０１６０】
（実施例７１）
電荷発生層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
ＣｕＫαのＸ線回折におけるブラッグ角（２θ±０．２゜）の９．０゜、１４．２゜、２３．９゜及び２７．１゜に強いピークを有するオキシチタニウムフタロシアニン１０部を用い、ポリビニルブチラール（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学社製）を、シクロヘキサノン：水＝９７：３の混合溶媒に溶解し５質量％溶液としたものを１６６部用意した。この溶液と、シクロヘキサノン：水＝９７：３の混合溶媒を１５０部、それぞれ共に１ｍｍφガラスビーズ４００部を用いてサンドミル装置で４時間分散した後、シクロヘキサノン：水＝９７：３の混合溶媒を２１０部及びシクロヘキサノン２６０部を加えて電荷発生層用塗布液を調製した。電荷発生層用塗布液を電子輸送層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を８０℃で１０分間乾燥して膜厚０．２０μｍの電荷発生層を形成した。
【０１６１】
（実施例７２）
電荷発生層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
下記構造式（１７）で表されるビスアゾ顔料の２０部と、ポリビニルブチラール樹脂（商品名：エスレックＢＸ−１、積水化学社製）１０部とを、テトラヒドロフランの１５０部とともに混合分散させて、電荷発生層用塗布液を調製した。そしてこの塗布液を、導電性基材としてのアルミニウム素管上に、ディップコート法にて塗布し、１１０℃で３０分間、加熱乾燥して、膜厚０．３０μｍの電荷発生層を形成した。
【化１６】
2014029501.tif 000044
【０１６２】
（実施例７３）
実施例１のトリアリールアミン化合物（正孔輸送物質）から下記構造式（１８）で示されるベンジジン化合物（正孔輸送物質）に変更して正孔輸送層を形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【化１７】
2014029501.tif 000045
【０１６３】
（実施例７４）
実施例１のトリアリールアミン化合物（正孔輸送物質）から下記構造式（１９）で示されるスチリル化合物（正孔輸送物質）に変更して正孔輸送層を形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【化１８】
2014029501.tif 000046
【０１６４】
（実施例７５、７６）
正孔輸送層の膜厚を１５μｍから１０μｍ（実施例７５）、２５μｍ（実施例７６）に変更した以外は実施例１と同様にし電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０１６５】
（実施例７７）
長さ２６０．５ｍｍおよび直径３０ｍｍのアルミニウムシリンダー（ＪＩＳ−Ａ３００３、アルミニウム合金）を支持体（導電性支持体）とした。
次に、金属酸化物粒子としての酸素欠損型酸化スズ（ＳｎＯ２）が被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子２１４部、結着樹脂としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５。）１３２部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れた。回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して１０質量％になるように、表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子を分散液に添加した。このシリコーン樹脂は、商品名：トスパール１２０、モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ（株）製、平均粒径２μｍである。また、分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して０．０１質量％になるように、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ、東レ・ダウコーニング（株）製。）を分散液に添加して撹拌することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。
【０１６６】
次に、電子輸送物質（Ａ１５７）６．２部、架橋剤（Ｂ１、保護基（Ｈ５）＝５．１：２．９（質量比））８．０部、樹脂（Ｄ２５）１．１部、触媒としてのジオクチルスズラウリレート０．０５部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送層用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．５３μｍの電子輸送層（下引き層）を形成した。電子輸送物質、架橋剤および樹脂の全質量に対する電子輸送物質の含有量は３４質量％であった。
次に、実施例１と同様に膜厚が０．１５μｍの電荷発生層を形成した。
【０１６７】
上記構造式（１５）で示されるトリアリールアミン化合物９部、下記構造式（１８）で示されるベンジジン化合物（正孔輸送物質）１部、下記式（２４）で示される繰り返し構造単位、下記式（２６）で示される繰り返し構造単位と下記式（２５）で示される繰り返し構造単位を７：３の比で有するポリエステル樹脂Ｅ（重量平均分子量９０，０００）３部、および、下記式（２７）で示される繰り返し構造と下記式（２８）で示される繰り返し構造を５：５の比で含有するポリエステル樹脂Ｆ（重量平均分子量１２０，０００）７部を、ジメトキシメタン３０部およびオルトキシレン５０部の混合溶剤に溶解させることによって、正孔輸送層用塗布液を調製した。なお、ポリエステル樹脂Ｅのおける、下記式（２４）で示される繰り返し構造単位の含有量が１０質量％であり、下記式（２５）、（２６）で示される繰り返し構造退位の含有量が９０質量％であった。
【化１９】
2014029501.tif 000047
【化２０】
2014029501.tif 000048
【０１６８】
この正孔輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、これを１時間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１６μｍの正孔輸送層を形成した。形成された正孔輸送層には正孔輸送物質とポリエステル樹脂Ｆを含むマトリックス中にポリエステル樹脂Ｅを含むドメイン構造が含有されていることが確認された。
実施例１と同様に評価した。結果を表１３に示す。
【０１６９】
（実施例７８）
正孔輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１３に示す。
【０１７０】
上記構造式（１５）で示されるトリアリールアミン化合物９部、上記構造式（１８）で示されるベンジジン化合物１部、下記式（２９）で示される繰り返し構造を有するポリカーボネート樹脂Ｇ（重量平均分子量７０，０００）１０部、および、下記式（２９）で示される繰り返し構造、下記式（３０）で示される繰り返し構造および、末端の少なくともいずれか一方に下記式（３１）で示される構造を有するポリカーボネート樹脂Ｈ（重量平均分子量４０，０００）０．３部を、ジメトキシメタン３０部およびオルトキシレン５０部混合溶剤に溶解させることによって、正孔輸送層用塗布液を調製した。なお、ポリカーボネート樹脂Ｈにおける、下記式（３０）と（３１）で示される繰り返し構造単位の合計質量が３０質量％であった。この正孔輸送層用塗布液を電荷発生層上に浸漬塗布し、これを１時間１２０℃で乾燥させることによって、膜厚が１６μｍの正孔輸送層を形成した。
【化２１】
2014029501.tif 000049
【０１７１】
（実施例７９）
実施例７８の正孔輸送層用塗布液において、ポリカーボネート樹脂Ｇ（重量平均分子量７０，０００）１０部を、ポリエステル樹脂Ｆ（重量平均分子量１２０，０００）１０部に変更した以外は実施例７８と同様にし電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１３に示す。
【０１７２】
（実施例８０）
導電層を以下のように形成した以外は実施例７７と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１３に示す。
【０１７３】
金属酸化物粒子としてのリン（Ｐ）がドープされている酸化スズ（ＳｎＯ２）で被覆されている酸化チタン（ＴｉＯ２）粒子２０７部、結着樹脂としてのフェノール樹脂（商品名：プライオーフェンＪ−３２５）１４４部、および、溶剤としての１−メトキシ−２−プロパノール９８部を、直径０．８ｍｍのガラスビーズ４５０部を用いたサンドミルに入れ、回転数：２０００ｒｐｍ、分散処理時間：４．５時間、冷却水の設定温度：１８℃の条件で分散処理を行い、分散液を得た。この分散液からメッシュ（目開き：１５０μｍ）でガラスビーズを取り除いた。
【０１７４】
ガラスビーズを取り除いた後の分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して１５質量％になるように、表面粗し付与材としてのシリコーン樹脂粒子（商品名：トスパール１２０）を分散液に添加した。また、分散液中の金属酸化物粒子と結着樹脂の合計質量に対して０．０１質量％になるように、レベリング剤としてのシリコーンオイル（商品名：ＳＨ２８ＰＡ）を分散液に添加し撹拌することによって、導電層用塗布液を調製した。この導電層用塗布液を支持体上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で乾燥・熱硬化させることによって、膜厚が３０μｍの導電層を形成した。
【０１７５】
（実施例８１〜９９）
実施例７７の電子輸送物質を（Ａ１５７）から表１３に示す電子輸送物質に変更した以外は実施例７７と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１３に示す。
【０１７６】
（比較例１）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。判定法を実施した結果、図４（Ｂ）に示すように露光後Ｖｄ１の２０％まで減衰することができなかった。結果を表１２に示す。
電子輸送物質（Ａ１０１）２．４部、イソシアネート化合物（Ｂ１：保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））４．２部、樹脂（Ｄ１）５．４部、触媒としてのジオクチルスズラウリレート０．０５部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．５３μｍの電子輸送層を形成した。
【０１７７】
（比較例２）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。  電子輸送物質（Ａ１０１）３．２部、イソシアネート化合物（Ｂ１：保護基（Ｈ１）＝５．１：２．２（質量比））５．０部、樹脂（Ｄ１）４．２部、触媒としてのジオクチルスズラウリレート０．０５部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．５３μｍの電子輸送層を形成した。
【０１７８】
（比較例３，４）
電子輸送層の膜厚を０．５３μｍから０．４０μｍ（比較例３）、０．３２μｍ（比較例４）に変更した以外は比較例２と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０１７９】
（比較例５〜８）
電子輸送層の膜厚を０．５３μｍから０．７８μｍ（比較例５）、１．０３μｍ（比較例６）、１．２５μｍ（比較例７）、１．４８μｍ（比較例８）に変更した以外は実施例１と同様にし電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
【０１８０】
（比較例９）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
電子輸送物質（Ａ２２５）４部、ヘキサメチレンジイソシアネート３部、樹脂（Ｄ１）４．０部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が１．００μｍの電子輸送層を形成した。
【０１８１】
（比較例１０）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
電子輸送物質（Ａ１２４）５部、２，４−トルエンジイソシアネート２．５部、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（商品名：マルカリンカー、丸善石油化学社製）２．５質量部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．４０μｍの電子輸送層を形成した。
【０１８２】
（比較例１１）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１２に示す。
電子輸送物質（Ａ１２４）７．０部、２，４−トルエンジイソシアネート２．０部、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（商品名：マルカリンカー、丸善石油化学社製）１．０部を、ジメチルアセトアミド１００部とメチルエチルケトン１００部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１６０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．４０μｍの電子輸送層を形成した。
【０１８３】
【表１１】
2014029501.tif 000050
【０１８４】
【表１２】
2014029501.tif 000051
【０１８５】
【表１３】
2014029501.tif 000052
【０１８６】
（比較例１２）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。判定法を実施した結果、図４（Ｂ）に示すように露光後Ｖｄ１の２０％まで減衰することができなかった。結果を表１４に示す。
電子輸送物質（Ａ９２２）５部、イソシアネート化合物（スミジュール３１７３、住友バイエルンウレタン社製）１３．５部、ブチラール樹脂（ＢＭ−１、積水化学社製）１０部、触媒としてのジオクチルスズラウリレート０．００５質量部を、メチルエチルケトン１２０質量部の溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を４０分間１７０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が１．００μｍの電子輸送層を形成した。
【０１８７】
（比較例１３）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１３に示す。
電子輸送物質（Ａ１０１）５部、メラミン樹脂（ユーバン２０ＨＳ：三井化学製）２．４部を、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）を５０部とメトキシプロパノール５０部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を６０分間１５０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が１．００μｍの電子輸送層を形成した。
【０１８８】
（比較例１４）
電子輸送層の膜厚を１．００μｍから０．５０μｍに変更した以外は比較例１２と同様にし電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
【０１８９】
（比較例１５）
電子輸送層のメラミン樹脂（ユーバン２０ＨＳ：三井化学製）をフェノール樹脂（プライオーフエンＪ３２５：大日本インキ化学製）に変更した以外は比較例１２と同様に電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
【０１９０】
（比較例１６）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
下記式（２０‐１）および（２０‐２）で示される構造を有する２種類の化合物の混合物１０部に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３０部とシクロヘキサノン６０部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で加熱し、重合させることによって、下記式（２０−３）で示される構造単位を有し、膜厚が０．２０μｍの電子輸送層を形成した。
【化２２】
2014029501.tif 000053
【０１９１】
（比較例１７、１８）
電子輸送層の膜厚を０．２０μｍから０．３０μｍ（比較例１７）、０．６０μｍ（比較例１８）に変更した以外は比較例１６と同様にし電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
【０１９２】
（比較例１９）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
下記式（２１）で示される電子輸送物質１０部をトルエン６０部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を加速電圧１５０ｋＶ、照射線量１０Ｍｒａｄの条件で電子線を照射し重合させることによって、膜厚が１．００μｍの電子輸送層を形成した。
【化２３】
2014029501.tif 000054
【０１９３】
（比較例２０）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
上記式（１９）で示される電子輸送物質５部と、トリメチロールプロパントリアクリレート（カヤラッドＴＭＰＴＡ：日本化薬（株）製）５部、ＡＩＢＮ（２，２−アゾビスイソブチロニトリル）０．１部をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）１９０部に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１５０℃で加熱し、重合させることによって、膜厚が０．８０μｍの電子輸送層を形成した。
【０１９４】
（比較例２１）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
上記式（１９）で示される電子輸送物質５部と、下記式（２２）で示される化合物５部をトルエン６０部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を加速電圧１５０ｋＶ、照射線量１０Ｍｒａｄの条件で電子線を照射し重合させることによって、膜厚が１．００μｍの電子輸送層を形成した。
【化２４】
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【０１９５】
（比較例２２）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
下記構造で示されるブロック共重合体、ブロックイソシアネート化合物、および塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体とを用いて電子輸送層（下引き層）を形成（特表２００９−５０５１５６号公報の実施例１の構成）し、０．３２μｍの電子輸送層を形成した。
【化２５】
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【０１９６】
（比較例２３）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
電子輸送物質（Ａ１０１）５部、ポリカーボネート樹脂（Ｚ２００：三菱ガス化学社製）５部を、ジメチルアセトアミド５０質量部とクロロベンゼン５０質量部の混合溶媒に溶解し、電子輸送層用塗布液を調製した。この電子輸送用塗布液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を３０分間１２０℃で加熱し、膜厚が１．００μｍの電子輸送層を形成した。
【０１９７】
（比較例２４）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。判定法を実施した結果、図４（Ａ）に示すようにＶｄ１に帯電することができなかった。結果を表１４に示す。
樹脂（Ｄ１）５部をメチルエチルケトン２００部の混合溶媒に溶解した液に下記構造式（２３）の電子輸送物質（顔料）５部を加え、サンドミルにて３時間分散処理を行い、電子輸送層塗布液を調製した。この電子輸送層液を導電層上に浸漬塗布し、得られた塗膜を１０分間１００℃で加熱し、膜厚が１．５０μｍの電子輸送層を形成した。
【化２６】
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【０１９８】
（比較例２５）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
特開２００４−０９３８０１号公報の実施例１に記載の電子輸送物質の重合体を溶媒に溶解させた電子輸送層用塗布液を用いて、電子輸送層（下引き層）を形成し、膜厚が２．００μｍの電子輸送層を形成した。
【０１９９】
（比較例２６）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。結果を表１４に示す。
特許４５９４４４４号公報の実施例１に記載の電子輸送物質を含有する共重合体の粒子を用いて電子輸送層（下引き層）を形成し、膜厚が１．００μｍの電子輸送層を形成した。
【０２００】
（比較例２７）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。判定法を実施した結果、図４（Ａ）に示すようにＶｄ１に帯電することができなかった。結果を表１４に示す。
【０２０１】
（電子輸送層）
シランカップリング剤表面処理を施した酸化亜鉛顔料、アリザリン（Ａ９２２）、ブロックイソシアネート化合物およびブチラール樹脂を用いて電子輸送層（下引き層）を形成（特開２００６−０３０６９８号公報の実施例１に記載の構成）した。電子輸送層の膜厚は、２５μｍである。
【０２０２】
（比較例２８）
電子輸送層を以下のように形成した以外は実施例１と同様にして電子写真感光体を製造し、同様に評価した。判定法を実施した結果、図４（Ａ）に示すようにＶｄ１に帯電することができなかった。結果を表１４に示す。
【０２０３】
特開平１１−１１９４５８号公報の実施例２５に記載の電子輸送層（電子輸送性顔料、ポリビニルブチラール樹脂、硬化可能なアルコキシシリル基を有する電子輸送物質用いた下引き層）を形成した。
【０２０４】
【表１４】
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【符号の説明】
【０２０５】
１０１  判定用電子写真感光体
１０２  帯電装置（コロナ帯電器）
１０３  像露光発振装置
１０３Ｌ  像露光光（レーザー光）
１０４  電位計
１０４Ｌ  透明プローブ
２０１  判定用電子写真感光体
２０２  帯電装置（コロナ帯電器）
２０３  像露光発振装置
２０３Ｌ  像露光光（レーザー光）
２０４  電位計
１  電子写真感光体
２  軸
３  帯電手段
４  露光光
５  現像手段
６  転写手段
７  クリーニング手段
８  定着手段
９  プロセスカートリッジ
１０  案内手段
Ｐ  転写材
２１  支持体
２２  電子輸送層
２４  電荷発生層
２５  正孔輸送層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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