(57)【要約】【課題】小型化に適した樹脂封止品及び樹脂封止品の製造方法を提供する。【解決手段】基板２０に実装された電子部品により電子回路を形成し、この電子回路と電気的に接続するための電極４０が基板２０の側面２０ａに露出され、基板２０の上面２０ｂは電極４０の上面側４０ａ及び前記電子部品を封止するよう樹脂５０により覆われている樹脂封止品１であって、電極４０は基板２０の側面２０ａから凹状に窪んだ溝部２５を形成しているとともに、溝部２５において、電極４０の下方側４０ｃが拡開されており、電極４０の上方側４０ｂは樹脂５０により前記溝部に沿って封止されて、電極４０の下方側４０ｃのみが露出されている。【選択図】図１
2014220287.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に実装された電子部品により電子回路を形成し、前記電子回路と電気的に接続するための電極が前記基板の側面に露出され、前記基板の上面は前記電極の上面側及び前記電子部品を封止するよう樹脂により覆われている樹脂封止品であって、
前記電極は前記基板の側面から凹状に窪んだ溝部を形成しているとともに、前記溝部において、前記電極の下方側が拡開されており、前記電極の上方側は前記樹脂により前記溝部に沿って封止されて、前記電極の下方側のみが露出されていることを特徴とする樹脂封止品。
【請求項２】
前記電極の下方側はテーパー形状となっていることを特徴とする請求項１に記載の樹脂封止品。
【請求項３】
前記電極の上方側において、前記基板の前記電子回路と接続する配線パターンが前記電極に接続されていることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の樹脂封止品。
【請求項４】
前記基板の側面に露出された前記電極の下方側の高さは、前記基板の厚みの半分以上となっていることを特徴とする請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の樹脂封止品。
【請求項５】
多数個取りでの分割部分に導体を有するスルーホールが設けられている集合基板の上面側に樹脂封止し、前記集合基板を分割して形成する樹脂封止品の製造方法であって、
前記集合基板に貫通孔を形成する基板加工工程と、
前記貫通孔の側壁に前記導体を形成するスルーホール形成工程と、
前記集合基板の上面側において、前記集合基板の上面に当接して樹脂封止する範囲の外枠を規定する上金型と、前記集合基板の下面側において、前記スルーホール内に入り込む突部を有し、少なくとも前記スルーホールの下方側と隙間なく嵌合する下金型と、により前記集合基板を挟んだ状態で樹脂を流し込むことにより前記集合基板の上面を樹脂により封止する樹脂封止工程と、
前記集合基板を所定のカットラインに沿って分割する切断工程と、を含むことを特徴とする樹脂封止品の製造方法
【請求項６】
前記突部は、前記スルーホールの側壁と対向する側面部がテーパー状となっており、先端側が前記スルーホールの径よりも小さく、下端側がスルーホールの径よりも大きい形状に形成されているとともに、前記側面部の表面は鏡面加工されていることを特徴とする請求項５に記載の樹脂封止品の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止品及び樹脂封止品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの電子機器において、基板に実装された電子部品をモールド樹脂で覆った樹脂封止品が使われている。樹脂封止品は、他の回路部品とともに、リフロー半田によってプリント配線基板の表面に実装されることが多く、例えば、基板の端面にスルーホールが設けられた電極構造が採用されている。この電極構造を有する樹脂封止品は、実装面積が小さく、薄型化、高密度化が可能となる。
【０００３】
小型の樹脂封止品については、複数の樹脂封止品を大面積の集合基板によって多数個取りで製造する製造方法が、量産に適している。しかし、多数個取りの樹脂封止品を樹脂封止する際、スルーホールの上方側又は下方側からスルーホール内部に樹脂が充填されてしまうと、露出させなければならない電極側面が塞がれてしまう。この問題は以下のようにして回避されていた。
【０００４】
例えば、特許文献１のチップ型発光ダイオードにおいて、スルーホールを有する電極構造が採用されている。特許文献１では、スルーホールの上部をひさし部で塞ぐことによって、スルーホールの上方側も樹脂封止できるように工夫された。
【０００５】
図９は、特許文献１に開示されたチップ型発光ダイオード１００を示す斜視図である。図１０は、特許文献１における従来の構造例のチップ型発光ダイオード２００を示す斜視図である。図１０に示すように、従来、スルーホール２２４の上方側で上金型により孔を塞ぐとともにそれぞれの区画を区切っているものがあった。チップ型発光ダイオード２００では、スルーホール２２４の上部を樹脂封止できないので、樹脂の上面の面積が小さくなってしまう。
【０００６】
これに対し、チップ型発光ダイオード１００は、図９に示すように、絶縁基板１２１の四隅に設けた表面側電極１２２の一方に発光ダイオ−ド素子１２５を実装し、発光ダイオ−ド素子１２５と他方の表面側電極１２２とを金属細線１２６によってワイヤボンディングしたのち、発光ダイオ−ド素子１２５及び金属細線１２６を透光性樹脂１２７にて封止したものである。あらかじめ、スルーホール１２４の上部に表面側電極１２２の角部を張り出してひさし部１２８を形成しており、このひさし部１２８で四隅のスルーホール１２４の上部を塞いでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許３３１１９１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、基板全面を樹脂封止できるようにスルーホール１２４の上部をひさし部１２８で塞ぐためには、樹脂封止の前にあらかじめ、ひさし部１２８を形成しておく工程が必要であり、製造が容易でないという問題があった。一方、図１０に示すチップ型発光ダイオード２００のように、スルーホール２２４のある端部に対して樹脂封止できない場合には、製造を容易とする反面、上面の吸着面積が確保しづらく、樹脂封止品の小型化に伴って実装が困難となる問題があった。
【０００９】
本発明は、上述した課題を解決するためのものであり、小型化に適した樹脂封止品及び樹脂封止品の製造方法を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の樹脂封止品は、基板に実装された電子部品により電子回路を形成し、前記電子回路と電気的に接続するための電極が前記基板の側面に露出され、前記基板の上面は前記電極の上面側及び前記電子部品を封止するよう樹脂により覆われている樹脂封止品であって、前記電極は前記基板の側面から凹状に窪んだ溝部を形成しているとともに、前記溝部において、前記電極の下方側が拡開されており、前記電極の上方側は前記樹脂により前記溝部に沿って封止されて、前記電極の下方側のみが露出されていることを特徴とする。
【００１１】
この構成によれば、基板の端面にスルーホールが設けられた電極構造によって、基板の側面に凹状に窪んだ溝部が形成されている場合であっても、電極の上方側が樹脂により溝部に沿って封止されて、電極の下方側のみが露出されている。したがって、スルーホールの上部も樹脂が形成され、基板の上面側を均一に樹脂封止できるので、吸着面積を確保できる。さらに、電極の下方側が拡がって、半田付け面積をより大きく確保することができるので、実装が容易である。
【００１２】
また、本発明の樹脂封止品において、前記電極の下方側はテーパー形状となっていることを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、基板の端面にスルーホールが設けられた電極構造であっても、電極の下方側がテーパー形状のため、半田付けしたときの実装面積をさらに小さくできる。
【００１４】
本発明の樹脂封止品は、前記電極の上方側において、前記基板の前記電子回路と接続する配線パターンが前記電極に接続されていることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、電極の下方側を押し潰し加工するとき、基板も押し潰されることとなるが、前記電極の下方側において、前記基板の配線パターンとは接続されておらず、電極の上方側において配線パターンに接続されているので、電極と配線パターンとの接続に影響が無いようになっている。
【００１６】
本発明の樹脂封止品において、前記基板の側面に露出された前記電極の下方側の高さは、前記基板の厚みの半分以上となっていることを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、電極の上方側が樹脂により封止され、電極の下方側が基板の厚みの半分以上露出されているので、半田付けによる実装が容易である。
【００１８】
本発明の樹脂封止品の製造方法は、多数個取りでの分割部分に導体を有するスルーホールが設けられている集合基板の上面側に樹脂封止する樹脂封止品の樹脂封止方法であって、前記集合基板に貫通孔を形成する基板加工工程と、前記貫通孔の側壁に前記導体を形成するスルーホール形成工程と、前記集合基板の上面側において、前記集合基板の上面に当接して樹脂封止する範囲の外枠を規定する上金型と、前記集合基板の下面側において、前記スルーホール内に入り込む突部を有し、少なくとも前記スルーホールの下方側と隙間なく嵌合する下金型と、により前記集合基板を挟んだ状態で樹脂を流し込むことにより前記集合基板の上面を樹脂により封止する樹脂封止工程と、前記集合基板を所定のカットラインに沿って分割する切断工程と、を含むことを特徴とする。
【００１９】
この構成によれば、下金型がスルーホールの下方側と隙間なく嵌合する突部を有し、集合基板を上金型によって挟んだ状態で樹脂を流し込むので、スルーホール下部の導体は樹脂が被ることなく、スルーホール下部の導体を電極として利用できる。スルーホールの上部には樹脂を形成できるので、小型化に適している。
【００２０】
また、本発明の樹脂封止品の製造方法において、前記突部は、前記スルーホールの側壁と対向する側面部がテーパー状となっており、先端側が前記スルーホールの径よりも小さく、下端側がスルーホールの径よりも大きい形状に形成されているとともに、前記側面部の表面は鏡面加工されていることを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、集合基板を上金型と下金型とで挟んだとき、側面部がテーパー状となって、下端側がスルーホールの径よりも大きい形状に形成されている突部は、スルーホールの導体を破断させることなく、押し潰しながら嵌合することができる。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の樹脂封止品は、基板の側面において、電極の下方側が拡開されており、電極の上方側は樹脂により封止されて、電極の下方側のみが露出されている。したがって、基板の端面にスルーホールが設けられた電極構造であっても、電極の上方側が樹脂により封止され、基板の上面側を均一に樹脂封止できるので、吸着面積を確保できる。さらに、電極の下方側が拡がって、半田付け面積をより大きく確保することができるので、実装が容易である。
【００２３】
本発明の樹脂封止品の製造方法は、下金型がスルーホールの下方側と隙間なく嵌合する突部を有し、集合基板を上金型によって挟んだ状態で樹脂を流し込むので、スルーホール下部の導体は樹脂が被ることなく、スルーホール下部の導体を電極として利用できる。したがって、スルーホールの上部に樹脂を形成できるので、小型化に適した樹脂封止品を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の実施形態の樹脂封止品を示す斜視図である。
【図２】本発明の実施形態の樹脂封止品を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態の樹脂封止品を示す正面図である。
【図４】本発明の実施形態の樹脂封止品を示す底面図である。
【図５】図２のＶ−Ｖ線に沿って切断した模式断面図である。
【図６】本発明の実施形態の樹脂封止品の製造方法を説明する模式断面図であり、（ａ）は基板加工工程、（ｂ）はスルーホール形成工程、（ｃ）は樹脂封止工程、（ｄ）は切断工程である。
【図７】樹脂封止工程の説明図であり、（ａ）は上金型を示す模式断面図、（ｂ）は下金型を示す模式断面図、（ｃ）は集合基板を挟んだ状態を示す模式断面図である。
【図８】スルーホールと突部とを示す説明図である。
【図９】従来の樹脂封止品としてチップ型発光ダイオードを示す斜視図である。
【図１０】従来の樹脂封止品の構造例のチップ型発光ダイオードを示す斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
［第１実施形態］
以下に本発明の実施形態における樹脂封止品１について説明する。図１は、本発明の実施形態の樹脂封止品１を示す斜視図である。図２は、本発明の実施形態の樹脂封止品１を示す平面図である。図３は、本発明の実施形態の樹脂封止品１を示す正面図である。図４は、本発明の実施形態の樹脂封止品１を示す底面図である。図５は、図２のＶ−Ｖ線に沿って切断した模式断面図である。なお、説明を分かりやすくするため、本明細書では、Ｚ１側を上方、Ｚ２側を下方と呼ぶことにする。
【００２６】
樹脂封止品１は、図１に示すように、基板２０の上部（Ｚ１側）が樹脂５０により覆われている。基板２０の側面２０ａに露出する電極４０は、基板２０の側面２０ａから上下方向に沿って凹状に窪んだ溝部２５を形成している。溝部２５において、電極４０の下方側４０ｃが基板２０の内方側に向かって拡開されて、テーパー状となっている。溝部２５の上方側には、樹脂５０の埋め込み部５０ｂが形成されている。また、上方から樹脂封止品１を平面視すると、図２に示すように、正方形であり、その外縁まで樹脂５０によって覆われている。
【００２７】
樹脂封止品１は、図２に示すように、基板２０に実装された電子部品３０により電子回路１０を形成し、電子回路１０と電気的に接続するための電極４０が、電子部品３０と接続する配線パターン２２に接続されている。なお、図２では、電子部品３０が半導体回路内蔵基板（例えばシリコン半導体チップ）であり、これをボンディングワイヤ３３により配線パターン２２に接続した事例を示している。樹脂封止品１は、これに限らず、例えば、複数の抵抗器やコンデンサ等が実装された基板を樹脂封止したものや、多数の電子部品を内蔵した多層基板にアンテナパターンが印刷された基板に半導体回路内蔵基板が実装されて樹脂封止したものであってもよい。
【００２８】
このような樹脂封止品１は、大きな面積のプリント配線基板に実装する回路部品のひとつであり、表面実装用のマウンタ（自動実装機）によって移載される。マウンタは樹脂封止品１の天面５０ａを吸着することによって移載動作を行っているため、小型の部品ほど吸着面積を確保しにくいという問題を有している。
【００２９】
本実施形態の樹脂封止品１は、樹脂５０によって覆われているので、小型の部品であっても吸着面積を最大に確保できる。このため、樹脂封止品１は小型化に適している。
【００３０】
次に、本実施形態の樹脂封止品１について、その特徴を詳細に説明する。
【００３１】
図３に示すように、樹脂封止品１は、基板２０の側面２０ａに溝部２５が形成され、溝部２５の一部が埋め込み部５０ｂに覆われている。溝部２５において電極４０の下方側４０ｃが露出している。電極４０の下方側４０ｃは基板２０の底面２０ｃに広がるテーパー形状となっている。図４に示すように、樹脂封止品１における基板２０の底面２０ｃにはリング状の電極４０が露出している。リング状の電極４０は基板２０の側面２０ａから凹状に窪んだ溝部２５を形成している。樹脂封止品１の下方から見て、溝部２５では、電極４０の下方側４０ｃに連続して、樹脂５０の埋め込み部５０ｂがテーパー状に形成されている。埋め込み部５０ｂが形成されていない位置には、埋め込み部５０ｂに連続する閉塞部５０ｃが見えている。
【００３２】
本実施形態においては、図３に示すように、基板２０の側面２０ａに露出された電極４０の下方側４０ｃの高さＨｅｌは、基板２０の厚みＤｓｕｂの半分以上となっている。電極４０の下方側４０ｃが基板２０の厚みＤｓｕｂの半分以上露出されているので、半田付けによる実装が容易である。また、図３に示すように、電極４０の下方側４０ｃがテーパー形状のため、半田付けしたときの実装面積をさらに小さくできる。
【００３３】
図５に示すように、樹脂封止品１は、基板２０の上面２０ｂが樹脂５０により覆われている。基板２０の上面２０ｂには、電子部品３０が接着材３１によって固定され、ボンディングワイヤ３３によって配線パターン２２と電気接続されている。本実施形態においては、電極４０の上面側４０ａが配線パターン２２を兼ねている。
【００３４】
図５に示すように、樹脂封止品１は、基板２０の側面２０ａに露出する電極４０の上方側４０ｂが樹脂５０の埋め込み部５０ｂにより溝部２５に沿って封止されている。電極４０の下方側４０ｃは、基板２０の下方側が内方に向かって押し潰されたように拡開されて、テーパー形状を有している。この電極形状によって、半田付け面積をより大きく確保することができるので、実装が容易である。樹脂５０の埋め込み部５０ｂは、電極４０の下方側４０ｃに連続するテーパー形状を有している。また、閉塞部５０ｃは、基板２０の上面２０ｂと同一平面を形成している。
【００３５】
以下、本実施形態としたことによる効果について説明する。
【００３６】
本実施形態の樹脂封止品１は、電極４０が基板２０の側面２０ａに露出され、基板２０の上面２０ｂは電極４０の上面側４０ａ及び電子部品３０を封止するよう樹脂５０により覆われている。そして、電極４０は基板２０の側面２０ａから凹状に窪んだ溝部２５を形成しているとともに、溝部２５において、電極４０の下方側４０ｃが拡開されており、電極４０の上方側４０ｂは樹脂５０により前記溝部に沿って封止されて、電極４０の下方側４０ｃのみが露出されている。さらに、電極の下方側４０ｃが拡がって、半田付け面積をより大きく確保することができるので、実装が容易である。
【００３７】
この構成によれば、基板２０の端面にスルーホール２１が設けられた電極構造によって、基板２０の側面２０ａに凹状に窪んだ溝部２５が形成されている場合であっても、電極４０の上方側４０ｂが樹脂５０により前記溝部に沿って封止されている。したがって、スルーホール２１の上部も樹脂５０が形成され、基板２０の上面２０ｂ側を均一に樹脂封止できるので、吸着面積を確保できる。
【００３８】
また、本実施形態の樹脂封止品１において、電極４０の下方側４０ｃはテーパー形状となっている。この構成によれば、基板２０の端面にスルーホール２１が設けられた電極構造であっても、電極４０の下方側４０ｃがテーパー形状のため、半田付けしたときの実装面積をさらに小さくできる。
【００３９】
本実施形態の樹脂封止品１において、基板２０の側面に露出された電極４０の下方側４０ｃの高さは、基板２０の厚みの半分以上となっている。この構成によれば、電極４０の上方側４０ｂが樹脂５０により封止され、電極４０の下方側４０ｃが基板２０の厚みの半分以上露出されているので、半田付けによる実装が容易である。
【００４０】
＜製造方法＞
本発明の実施形態における樹脂封止品１の製造方法について説明する。図６は、本発明の実施形態の樹脂封止品の製造方法を説明する模式断面図であり、図６（ａ）は基板加工工程、図６（ｂ）はスルーホール形成工程、図６（ｃ）は樹脂封止工程、図６（ｄ）は切断工程である。図７は、本実施形態における樹脂封止工程の説明図であり、図７（ａ）は上金型７０を示す模式断面図、図７（ｂ）は下金型８０を示す模式断面図、図７（ｃ）は集合基板６０を挟んだ状態を示す模式断面図である。図８は、スルーホール２１と突部８１とを示す説明図である。
【００４１】
本実施形態の樹脂封止品１の製造方法では、図６（ａ）に示すように、基板加工工程において、多数個取りでの集合基板６０を用意し、集合基板６０に円形の貫通孔２３を形成する。このとき、あらかじめ、集合基板６０の上面６０ａに配線パターンが形成されていることが好ましい。
【００４２】
続いて、図６（ｂ）に示すように、スルーホール形成工程において、貫通孔２３の側壁２３ａに導体４１を形成する。これにより、貫通孔２３の側壁２３ａに導体４１を有するスルーホール２１が形成される。なお、この導体４１の形成において、集合基板６０の上面６０ａの配線パターンを同時形成することも可能である。
【００４３】
次に、図６（ｃ）に示すように、樹脂封止工程において、集合基板６０の上面６０ａを樹脂５０により封止する。樹脂封止工程では、図７（ａ）に示す上金型７０と、図７（ｂ）に示す下金型８０とにより、図７（ｃ）に示す集合基板６０を挟んだ状態で、樹脂５０を流し込む。
【００４４】
上金型７０は、図７（ｃ）に示すように、集合基板６０の上面６０ａに当接して樹脂封止する範囲の外枠を規定する。下金型８０は、集合基板６０の下面６０ｂ側において集合基板６０を支持する
【００４５】
下金型８０には、図７（ｂ）に示すように、スルーホール２１内に入り込む突部８１が形成されている。図８に示すように、突部８１は、スルーホール２１の側壁２１ａと対向する側面部８１ａがテーパー状となっており、先端側８１ｂの径Ｄ１がスルーホール２１の径Ｄ３よりも小さく、下端側８１ｃの径Ｄ２がスルーホール２１の径Ｄ３よりも大きい形状に形成されている。また、突部８１の側面部８１ａの表面は鏡面加工されている。図７（ｂ）に示すように、下金型８０の突部８１にスルーホール２１が位置するように、集合基板６０が上金型７０と下金型８０とにより挟まれ、上金型７０によって押圧される。この押圧力によって、突部８１がスルーホール２１の下方側を基板２０の内方側に向かって押し潰しながら、スルーホール２１の下方側と隙間なく嵌合する。なお、上金型７０によって押圧する前に下金型８０に集合基板６０を押圧して、突部８１がスルーホール２１の下方側と隙間なく嵌合するようにしておいてもよい。
【００４６】
本実施形態では、集合基板６０を上金型７０と下金型８０とで挟んだとき、側面部８１ａがテーパー状となって、下端側８１ｃがスルーホール２１の径よりも大きい形状に形成されている突部８１は、スルーホール２１の導体４１を破断させることなく、押し潰しながら嵌合することができる。この後、集合基板６０の上面６０ａと上金型７０との間の空間７２に液化した状態の樹脂５０が封入され、樹脂５０が固化した後に上金型７０及び下金型８０から、樹脂５０により封止された集合基板６０が取り外しされる。
【００４７】
さらに、図６（ｄ）に示すように、切断工程において、集合基板６０を所定のカットラインに沿って分割する。このとき、スルーホール２１は、カットライン上に位置し、隣り合う樹脂封止品１における溝部２５となる。
【００４８】
なお、切断工程においては、カットラインに沿って０．１ｍｍ程度の研削が行われ、溝部２５は平面視で半円より少し削られた形状となっている。
【００４９】
本実施形態では、下金型８０がスルーホール２１の下方側と隙間なく嵌合する突部８１を有し、集合基板６０を上金型７０によって挟んだ状態で樹脂５０を流し込むので、スルーホール２１下部の導体４１は樹脂５０が被ることなく、露出されている下部の導体４１を電極４０の下方側４０ｃとして利用できる。
【００５０】
本実施形態では、下金型８０の突部８１の先端側８１ｂが集合基板６０の上面６０ａと同一平面となる平坦面である。こうすれば、閉塞部５０ｃは、基板２０の上面２０ｂと同一平面を形成する。
【００５１】
下金型８０の突部８１の先端側８１ｂは、集合基板６０の上面６０ａより低い曲面であってもよい。この場合、閉塞部５０ｃは、先端側８１ｂが転写された曲面形状に形成されるが、閉塞部５０ｃが樹脂５０の天面５０ａの形状に影響することはない。
【００５２】
以下、本実施形態の製造方法としたことによる効果について説明する。
【００５３】
本実施形態の樹脂封止品１の製造方法は、多数個取りでの分割部分に導体４１を有するスルーホール２１が設けられている集合基板６０の上面６０ａ側に樹脂封止し、集合基板６０を分割して形成する樹脂封止品１の製造方法であって、集合基板６０に貫通孔２３を形成する基板加工工程と、貫通孔２３の側壁２３ａに導体４１を形成するスルーホール形成工程と、集合基板６０の上面６０ａ側において、集合基板６０の上面６０ａに当接して樹脂封止する範囲の外枠を規定する上金型７０と、集合基板６０の下面６０ｂ側において、スルーホール２１内に入り込む突部８１を有し、少なくともスルーホール２１の下方側と隙間なく嵌合する下金型８０と、により集合基板６０を挟んだ状態で樹脂５０を流し込むことにより集合基板６０の上面６０ａを樹脂５０により封止する樹脂封止工程と、集合基板６０を所定のカットラインに沿って分割する切断工程と、を含むことを特徴とする。
【００５４】
この構成によれば、下金型８０がスルーホール２１の下方側と隙間なく嵌合する突部８１を有し、集合基板６０を上金型７０によって挟んだ状態で樹脂５０を流し込むので、スルーホール２１下部の導体４１は樹脂５０が被ることなく、露出されている下部の導体４１を電極４０として利用できる。
【００５５】
また、本実施形態の樹脂封止品１の製造方法において、突部８１は、スルーホール２１の側壁２１ａと対向する側面部８１ａがテーパー状となっており、先端側８１ｂがスルーホール２１の径よりも小さく、下端側８１ｃがスルーホール２１の径よりも大きい形状に形成されているとともに、側面部８１ａの表面は鏡面加工されていることを特徴とする。
【００５６】
この構成によれば、集合基板６０を上金型７０と下金型８０とで挟んだとき、側面部８１ａがテーパー状となって、下端側８１ｃがスルーホール２１の径よりも大きい形状に形成されている突部８１は、スルーホール２１の導体４１を破断させることなく、押し潰しながら嵌合することができる。
【００５７】
本実施形態の製造方法によって製造された樹脂封止品１は、電極４０の上方側４０ｂにおいて、基板２０の電子部品３０と接続する配線パターン２２に接続されている。この構成によれば、電極４０の下方側４０ｃを押し潰し加工するとき、基板２０も押し潰されることとなるが、電極４０の下方側４０ｃにおいて、基板２０の配線パターン２２とは接続されておらず、電極４０の上方側４０ｂにおいて配線パターン２２に接続されているので、電極４０と配線パターン２２との接続に影響が無いようになっている。
【００５８】
したがって、本実施形態の製造方法によれば、小型化に適した樹脂封止品１を容易に製造することができる。
【００５９】
以上のように、本発明の実施形態に係る樹脂封止品１及び樹脂封止品１の製造方法を具体的に説明したが、本発明は上記の実施形態に限定されるものではなく、要旨を逸脱しない範囲で種々変更して実施することが可能である。例えば次のように変形して実施することができ、これらの実施形態も本発明の技術的範囲に属する。
【００６０】
（１）本実施形態の樹脂封止品において、基板が、電子部品を内蔵した積層基板であってもよい。この場合、基板の上面だけでなく、積層された基板間に電子部品及び配線パターンを有していてもよい。なお、この場合においても、電極４０の上方側４０ｂにおいて配線パターン２２に接続されていることが好適である。
【００６１】
（２）本実施形態の製造方法において、スルーホールが、貫通孔の下部をあらかじめテーパー状に加工した集合基板に形成したものであってもよい。また、貫通孔に形成される導体の膜厚を傾斜させることによってテーパー状にしたものであってもよい。
【００６２】
（３）本実施形態の樹脂封止品及び樹脂封止品の製造方法において、円形の貫通孔であるとしたが、楕円形等の貫通孔であってもよい。また、上方から平面視した形状は矩形であれば、正方形でなくてもよい。
【符号の説明】
【００６３】
１      樹脂封止品
１０    電子回路
２０    基板
２０ａ  側面
２０ｂ  上面
２０ｃ  底面
２１    スルーホール
２１ａ  側壁
２２    配線パターン
２３    貫通孔
２３ａ  側壁
２５    溝部
３０    電子部品
３１    接着材
３３    ボンディングワイヤ
４０    電極
４０ａ  上面側
４０ｂ  上方側
４０ｃ  下方側
４１    導体
５０    樹脂
５０ａ  天面
５０ｂ  埋め込み部
５０ｃ  閉塞部
６０    集合基板
６０ａ  上面
６０ｂ  下面
７０    上金型
８０    下金型
８１    突部
８１ａ  側面部
８１ｂ  先端側
８１ｃ  下端側
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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