(57)【要約】【課題】通電により液晶層５０に混入したイオン性不純物の移動や偏在を抑制し、イオン性不純物に起因する表示上の不具合の発生を抑制する。【解決手段】層間絶縁膜４４の上に形成された複数の画素電極９ａを有する素子基板１０と、絶縁膜２２の上に形成された対向電極２１を有する対向基板２０との間に液晶層５０が挟持され、前記複数の画素電極９ａが配置された画素領域Ｅに光を透過する透過領域と光を瀬切る遮光領域７とを有する液晶装置１００であって、前記遮光領域７において、前記層間絶縁膜４４及び前記絶縁膜２２のうち少なくとも一方に凹部（ダミーコンタクトホール，凹部２６）が形成され、前記素子基板１０の前記液晶層５０と接する面及び前記対向基板２０の前記液晶層５０と接する面のうち少なくとも一方は、前記凹部に対応する領域で窪んでいることを特徴とする。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁膜の上に形成された複数の画素電極を有する素子基板と、第２の絶縁膜の上に形成された対向電極を有する対向基板と、の間に液晶が挟持され、前記複数の画素電極が配置された領域に光を透過する透過領域と光を遮る遮光領域とを有する液晶装置であって、
前記遮光領域において、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜のうち少なくとも一方に凹部が形成され、前記素子基板の前記液晶と接する面及び前記対向基板の前記液晶と接する面のうち少なくとも一方は、前記凹部に対応する領域で窪んでいることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
前記凹部は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜のうち少なくとも一方を貫いて形成されたダミーコンタクトホールであることを特徴とする請求項１に記載の液晶装置。
【請求項３】
前記素子基板は、前記遮光領域において前記第１の絶縁膜の下方に配置された複数のトランジスターを有し、
前記複数のトランジスターの各々は、前記複数の画素電極のいずれかに電気的に接続され、前記凹部の少なくとも一部は、前記複数のトランジスターのチャネル領域と平面的に重なって形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項４】
前記素子基板は、前記複数の画素電極との間で前記第１の絶縁膜を挟むように配置され、前記対向電極と同じ電位または前記画素電極と同じ電位のいずれかが供給された導電膜を有し、
前記凹部は、前記導電膜と平面的に重ならないように形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶装置。
【請求項５】
前記複数の画素電極は、第１の方向、及び前記第１の方向と交差する第２の方向に配列され、
前記凹部は、前記第１の方向及び前記第２の方向のうち少なくとも一方の方向において、前記複数の画素電極のうち一の画素電極と、前記一の画素電極に隣り合う画素電極との間に配置されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項６】
前記複数の画素電極を覆う第１の無機配向膜と、
前記対向電極を覆う第２の無機配向膜と、を有し、
前記液晶は負の誘電異方性を有し、前記第１の無機配向膜と前記第２の無機配向膜とに対してプレチルトが与えられて１軸垂直配向していることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【請求項８】
第１の絶縁膜の上に形成された複数の画素電極を有する素子基板と、第２の絶縁膜の上に形成された対向電極を有する対向基板との間に液晶が挟持され、前記複数の画素電極が配置された領域に光を透過する透過領域と光を遮る遮光領域とを有する液晶装置の製造方法であって、
前記遮光領域において、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜のうち少なくとも一方に凹部を形成する工程を備えていることを特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項９】
前記素子基板は、前記複数の画素電極との間で前記第１の絶縁膜を挟むように配置された複数の中継電極と、前記複数の画素電極のそれぞれと前記複数の中継電極のそれぞれとを電気的に接続するための複数のコンタクトホールとを有し、
前記第１の絶縁膜に前記コンタクトホールと前記凹部とを同じ工程で形成することを特徴とする請求項８に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、当該液晶装置を搭載した電子機器、及び当該液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
画素電極がマトリックス状に配置された画素領域を有する液晶装置は、例えばプロジェクターなどの光変調装置（ライトバルブ）に使用されている。当該液晶装置では、一対の基板がシール材によって所定の間隙を有するように貼り合わされ、シール材で囲まれた領域に液晶が充填されている。液晶を充填する工程や、シール材などから、液晶の中にイオン性不純物が混入した場合に、その後の液晶装置の駆動によってイオン性不純物が、画素領域に拡散、凝集（偏在）し、表示特性の劣化を招くことが知られている。また、イオン性不純物の拡散、偏在は、駆動時の液晶の微小な揺らぎによる液晶の流れ（フロー）が原因とされている。
イオン性不純物の拡散、偏在を抑制するために、例えば特許文献１の方法が提案されている。特許文献１では、画素領域の周辺に複数の電極を隣接して設け、隣接する電極の電位を変化させ、横方向の電界を発生させる。当該横方向の電界は、上述した液晶のフローに加えて、イオン性不純物を移動させる力となり、画素領域内から移動するイオン性不純物を、画素領域の外にすばやく移動させることができるとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−５８４９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１の方法では、液晶装置の駆動条件によってはイオン性不純物が画素領域内の光透過領域（光変調領域）に滞留し、表示不良が発生する場合があった。具体的には、液晶装置を長時間同じパターンで表示した場合、例えば白表示と黒表示との帯状パターンを長時間表示した場合、白表示と黒表示との境界付近にイオン性不純物が滞留し、表示ムラや焼き付きなどの表示不良が発生する場合があった。さらに、表示領域と非表示領域との境界付近においても、イオン性不純物の滞留による同様の表示不良が発生する場合があった。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００６】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、第１の絶縁膜の上に形成された複数の画素電極を有する素子基板と、第２の絶縁膜の上に形成された対向電極を有する対向基板との間に液晶が挟持され、前記複数の画素電極が配置された領域に光を透過する透過領域と光を遮る遮光領域とを有する液晶装置であって、前記遮光領域において、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜のうち少なくとも一方に凹部が形成され、前記素子基板の前記液晶と接する面及び前記対向基板の前記液晶と接する面のうち少なくとも一方は、前記凹部に対応する領域で窪んでいることを特徴とする。
【０００７】
上記適用例に記載の液晶装置では、素子基板の第１の絶縁膜及び対向基板の第２の絶縁膜のうち少なくとも一方に凹部が形成され、素子基板の液晶と接する面及び対向基板の液晶と接する面のうち少なくとも一方が窪んでいる。当該窪んだ領域では、液晶の配向状態が乱れている。一方、液晶装置を駆動すると、素子基板近傍の液晶、及び対向基板近傍の液晶に微小なフロー（流れ）が発生し、液晶中に混入したイオン性不純物が当該フローによって移動（拡散）し、特定箇所に偏在するようになる。素子基板の液晶と接する面の窪んだ領域、及び対向基板の液晶と接する面の窪んだ領域では、液晶の配向状態が乱れている。この液晶の配向状態の乱れは、上記液晶のフローを抑制する方向に働く。液晶のフローを抑制することで、イオン性不純物の移動が抑制され、イオン性不純物の偏在及びイオン性不純物の偏在による表示の不具合を抑制することができる。さらに、凹部は遮光領域に形成されているので、上記液晶の配向状態が乱れた領域も遮光領域に形成される。すなわち、液晶の配向状態が乱れた領域は、遮光領域によって隠されているので、液晶の配向状態が乱れたことによる表示への悪影響を抑制することができる。その結果、優れた表示品位及び高い信頼性の液晶装置を提供することができる。
【０００８】
［適用例２］上記適用例に記載の液晶装置において、前記凹部は、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜のうち少なくとも一方を貫いて形成されたダミーコンタクトホールであることが好ましい。
【０００９】
素子基板の第１の絶縁膜及び対向基板の第２の絶縁膜のうち少なくとも一方を貫いてダミーコンタクトホールを形成することによって、素子基板の液晶と接する面及び対向基板の液晶と接する面のうち少なくとも一方を、より深く窪ませることができる。液晶と接する面により深く窪んだ領域を設けることによって、液晶の配向状態が乱れた領域を大きくし、液晶のフローを強く抑制することができる。
【００１０】
［適用例３］上記適用例に記載の液晶装置において、前記素子基板は前記遮光領域において前記第１の絶縁膜の下方に配置された複数のトランジスターを有し、前記複数のトランジスターの各々は前記複数の画素電極のいずれかに電気的に接続され、前記凹部の少なくとも一部は前記複数のトランジスターのチャネル領域と平面的に重なって形成されていることが好ましい。
【００１１】
素子基板の第１の絶縁膜に形成される凹部の面積を大きくし、素子基板の液晶と接する面の窪んだ領域の面積を大きくすると、液晶の配向状態が乱れた領域が大きくなり、液晶のフローを強く抑制することができる。トランジスターのチャネル領域は、より強く遮光する必要性があるため、遮光領域が広くなっている。トランジスターのチャネル領域と平面的に重なって凹部を形成する、すなわち広くなった遮光領域に凹部を形成することによって、凹部を大面積化し、液晶の配向状態が乱れた領域を大きくし、液晶のフローをより強く抑制することができる。
【００１２】
［適用例４］上記適用例に記載の液晶装置において、前記素子基板は、前記複数の画素電極との間で前記第１の絶縁膜を挟むように配置され、前記対向電極と同じ電位または前記画素電極と同じ電位のいずれかが供給された導電膜を有し、前記凹部は前記導電膜と平面的に重ならないように形成されていることが好ましい。
【００１３】
対向電極と同じ電位が供給された導電膜、または画素電極と同じ電位が供給された導電膜に平面的に重なって凹部を形成すると、これら導電膜に供給されている電位によって生じた電界により、凹部に対応する領域で液晶が電界方向に配向するようになり、液晶の配向状態が乱れた領域が小さくなる。よって、凹部を当該導電膜と平面的に重ならないように形成し、当該電位の影響を受けにくくすることで、液晶の配向状態が乱れた領域を大きくし、液晶のフローを強く抑制することができる。
【００１４】
［適用例５］上記適用例に記載の液晶装置において、前記複数の画素電極は第１の方向及び前記第１の方向と交差する第２の方向に配列され、前記凹部は、前記第１の方向及び前記第２の方向のうち少なくとも一方の方向において、前記複数の画素電極のうち一の画素電極と前記一の画素電極に隣り合う画素電極との間に配置されていることが好ましい。
【００１５】
複数配置された画素電極のうちの１つの画素電極と、当該一つの画素電極に隣り合う画素電極との間に凹部を形成する。すなわち、第１の方向及び第２の方向に複数配置された画素電極の各々に対応して凹部形成することによって、画素電極が配置された領域全体に亘って、液晶の配向状態が乱れた領域を発生させ、液晶のフローを効果的に抑制することができる。
【００１６】
［適用例６］上記適用例に記載の液晶装置において、前記複数の画素電極を覆う第１の無機配向膜と前記対向電極を覆う第２の無機配向膜とを有し、前記液晶は負の誘電異方性を有し、前記第１の無機配向膜と前記第２の無機配向膜とに対してプレチルトが与えられて１軸垂直配向していることが好ましい。
【００１７】
負の誘電異方性を有する液晶は、電圧無印加時に無機配向膜の膜面に対して略垂直に配向し、電圧印加時に無機配向膜の膜面に対して平行となる方向に傾斜する。無機配向膜に接した液晶は、液晶分子の分子鎖の一方が無機配向膜に固定されており、液晶に電圧を印加すると、液晶分子の分子鎖の他方が、無機配向膜の膜面に対して略垂直または略平行という動作を繰り返す。当該動作は、無機配向膜に固定されていない液晶を流動させる力となり、液晶にフローが生じる。このように、無機配向膜によって負の誘電異方性を有する液晶を垂直配向させた液晶装置では、通電によって特定の方向に液晶のフローが発生し、液晶中に混入したイオン性不純物が移動し、特定の場所に偏在し、表示ムラが発生する場合がある。上記適用例に記載の液晶装置では、凹部によって液晶と接する面が窪み、液晶の配向状態が乱れて、上記液晶のフローが抑制され、イオン性不純物の移動や偏在が抑制されているので、優れた表示品質と高い信頼性とを有する垂直配向型の液晶装置を提供することができる。
【００１８】
［適用例７］本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えていることを特徴とする。
【００１９】
本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の液晶装置を備えているので、優れた表示品質及び高い信頼性の表示機能を有する電子機器、例えば、プロジェクター、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器を実現することができる。
【００２０】
［適用例８］本適用例に係る液晶装置の製造方法は、第１の絶縁膜の上に形成された複数の画素電極を有する素子基板と第２の絶縁膜の上に形成された対向電極を有する対向基板との間に液晶が挟持され、前記複数の画素電極が配置された領域に光を透過する透過領域と光を遮る遮光領域とを有する液晶装置の製造方法であって、前記遮光領域において、前記第１の絶縁膜及び前記第２の絶縁膜のうち少なくとも一方に凹部を形成する工程を備えていることを特徴とする。
【００２１】
上記適用例に記載の液晶装置の製造方法では、素子基板の第１の絶縁膜及び対向基板の第２の絶縁膜のうち少なくとも一方に凹部を形成し、素子基板の液晶と接する面及び対向基板の液晶と接する面のうち少なくとも一方に窪み（凹部）を形成する工程を含んでいる。この窪み（窪んだ領域）によって液晶の配向状態が乱れ、液晶装置を駆動することで発生する液晶のフローが抑制される。液晶のフローが抑制されているので、液晶に混入したイオン性不純物が移動し、特定場所に偏在しにくくなる。このイオン性不純物が偏在した領域では、表示ムラや焼き付きなどの表示上の不良が発生するので、イオン性不純物の偏在を抑制することによって、表示ムラや焼き付きなどの表示上の不具合が抑制される。
【００２２】
［適用例９］上記適用例に記載の液晶装置の製造方法において、前記素子基板は、前記複数の画素電極との間で前記第１の絶縁膜を挟むように配置された複数の中継電極と、前記複数の画素電極のそれぞれと前記複数の中継電極のそれぞれとを電気的に接続するための複数のコンタクトホールとを有し、前記第１の絶縁膜に前記コンタクトホールと前記凹部とを同じ工程で形成することが好ましい。
【００２３】
ダミーコンタクトホールとコンタクトホールとを同じ工程で形成するので、ダミーコンタクトホールを形成することによる工数の増加が抑制される。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の概略断面図。
【図２】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図３】液晶の配向状態を示す模式図。
【図４】相隣接する複数の画素の概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図。
【図６】図４のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図。
【図７】対向基板に形成された凹部の形成位置を示す画素の概略平面図。
【図８】素子基板における好ましいダミーコンタクトホールの形成領域を示す画素の概略平面図。
【図９】投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００２６】
（実施形態）
「液晶装置の概要」
本実施形態に係る液晶装置１００は、薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型液晶装置であり、例えば後述する液晶プロジェクターの光変調素子として好適に用いることができるものである。
【００２７】
まず、本実施形態に係る液晶装置１００の全体構成について、図１及び図２を参照して説明する。
図１（ａ）は液晶装置の構成を示す概略平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＨ−Ｈ’線に沿った液晶装置の概略断面図であり、図２は液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２８】
図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０と対向基板２０、これら一対の基板によって挟持された液晶層５０などを有している
【００２９】
素子基板１０は、対向基板２０よりも大きい。また、素子基板１０は、対向基板２０の外周に沿って切れ目なく配置されたシール材５２を介して、対向基板２０と接着されている。シール材５２としては、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が使用されている。シール材５２には、素子基板１０と対向基板２０とを一定の間隔（ギャップ）に保持するスペーサー（図示省略）が混入されている。シール材５２によって囲まれた領域に負の誘電異方性を有する液晶５１が封入され、光変調層としての液晶層５０を構成している。
【００３０】
素子基板１０と対向基板２０との間隙への液晶５１の封入（充填）では、一対の基板のうちの一方の基板の外周に沿ってシール材５２を配置し、シール材５２の内側に所定量の液晶５１を滴下し、液晶５１が滴下された一方の基板と他方の基板とを減圧下で貼り合わせるＯＤＦ（One  Drop  Fill）方式が採用されている。
なお、液晶５１の充填法としては、シール材５２に注入孔を設け、当該注入孔を介して素子基板１０と対向基板２０との間隙に液晶５１を充填する方法、例えば真空注入法や毛細管現象を利用した注入法などであっても良い。
【００３１】
シール材５２の内側には、画素領域Ｅを取り囲むように配置された見切り部５３が設けられている。すなわち、見切り部５３で囲まれた領域が、画素領域Ｅとなる。画素領域Ｅには、複数の画素Ｐがマトリックス状に配置されている。画素領域Ｅは、光を透過する透過領域と、遮光材料によって形成された光を遮る遮光領域７（図４参照）とを有している。
【００３２】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材５２と該１辺部との間にデータ線駆動回路１０１が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材５２と画素領域Ｅとの間に検査回路１０３が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材５２と画素領域Ｅとの間に走査線駆動回路１０４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材５２と画素領域Ｅとの間には、２つの走査線駆動回路１０４を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１、走査線駆動回路１０４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子１０２に接続されている。
【００３３】
以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向、当該Ｘ方向と当該Ｙ方向とに直交し素子基板１０から対向基板２０に向かう方向をＺ方向として説明する。
なお、Ｘ方向は本発明における「第１の方向」の一例であり、Ｙ方向は本発明における「第２の方向」の一例である。
【００３４】
図１（ｂ）に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１０ａ、並びに素子基板本体１０ａの液晶層５０側の面に形成された薄膜トランジスター（Thin  Film  Transistor；以降ＴＦＴと称す）３０や画素電極９ａ、及び画素電極９ａを覆う配向膜１８などを有している。素子基板本体１０ａは、例えば石英基板やガラス基板などの透明材料で構成されている。また、ＴＦＴ３０や画素電極９ａは画素Ｐの構成要素であり、画素ＰはＸ方向及びＹ方向にマトリックス状に配列されている。画素Ｐの詳細は、後述する。
【００３５】
対向基板２０は、対向基板本体２０ａ、並びに対向基板本体２０ａの液晶層５０側の面に順に積層された見切り部５３、絶縁膜２２、対向電極２１、及び配向膜２５などを有している。
【００３６】
対向基板本体２０ａは、例えば石英基板やガラス基板などの透明材料で構成されている。
見切り部５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、図１（ａ）に示すように平面的に走査線駆動回路１０４、検査回路１０３と重なる位置に設けられている。これにより対向基板２０側から入射する光を遮蔽して、これらの駆動回路の誤動作を防止する役割を果たしている。また、不必要な迷光が画素領域Ｅに入射しないように遮光して、画素領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３７】
絶縁膜２２は、透光性の無機絶縁材料であり、例えば常圧または減圧ＣＶＤ法などを用いて形成された酸化シリコンを使用することができる。絶縁膜２２は、対向基板本体２０ａの上に見切り部５３が形成されることで生ずる表面の凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。
絶縁膜２２は、本発明における「第２の絶縁膜」の一例である。
【００３８】
対向電極２１は、絶縁膜２２の上に形成され、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電材料で構成される。また、対向電極２１は、画素領域Ｅに亘って形成される。対向電極２１は、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６により素子基板１０側の引き回し配線（図示省略）に電気的に接続されている。
【００３９】
素子基板１０側の配向膜１８及び対向基板２０側の配向膜２５は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、酸化シリコンなどの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）で構成されている。また、配向膜１８，２５は、ポリイミドなどの有機配向膜を使用してもよい。
配向膜１８は本発明における「第１の無機配向膜」の一例であり、配向膜２５は本発明における「第２の無機配向膜」の一例である。そして、配向膜１８及び配向膜２５は、本発明における「液晶と接する面」を形成している。
【００４０】
図１（ａ）における実線の矢印５５は、電圧無印加時に素子基板１０に対して液晶５１が傾斜する方向の方位（液晶配向方位）を示している。図１（ａ）における破線の矢印５６は、電圧無印加時に対向基板２０に対して液晶５１が傾斜する方向の方位を示している。
液晶５１は、負の誘電異方性を有し、配向膜１８と配向膜２５とに対してプレチルトが与えられた１軸垂直配向となっている。以降、電圧無印加時に液晶５１が傾斜する方向の方位５５，５６を、プレチルト方向５５，５６と称す。
【００４１】
図２に示すように、液晶装置１００は、少なくとも画素領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線１１及び複数のデータ線６ａと、走査線１１に対して平行する容量線３００とを有する。なお、容量線３００の配置はこれに限定されず、データ線６ａに対して平行するように配置してもよい。
【００４２】
走査線１１とデータ線６ａとにより区分された領域に、画素電極９ａと、ＴＦＴ３０と、蓄積容量７０とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４３】
走査線１１はＴＦＴ３０のゲート（ゲート電極３ａ、図４参照）に電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のソース（データ線側ソースドレイン領域１ｄ、図４参照）に電気的に接続されている。画素電極９ａはＴＦＴ３０のドレイン（画素電極側ソースドレイン領域１ｅ、図４参照）に電気的に接続されている。
【００４４】
データ線６ａはデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを各画素Ｐに供給する。走査線１１は走査線駆動回路１０４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。
【００４５】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極９ａに書き込まれる構成となっている。そして、画素電極９ａを介して液晶層５０に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極９ａと液晶層５０を介して対向配置された共通電極として機能する対向電極２１との間で一定期間保持される。
【００４６】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリーク（劣化）するのを防止するため、画素電極９ａと対向電極２１との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量７０が接続されている。蓄積容量７０は、ＴＦＴ３０のドレインと容量線３００との間に設けられている。
【００４７】
なお、図１（ａ）に示した検査回路１０３には、データ線６ａが接続されており、液晶装置１００の製造過程において、上記画像信号を検出することで液晶装置１００の動作欠陥などを確認できる構成となっているが、図２の等価回路では図示を省略している。
【００４８】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素の透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイモードや、電圧が印加されない時の画素の透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が配置されて用いられる。
【００４９】
「液晶層のフロー」
次に、上述の駆動によって生じる液晶層５０のフロー（流動）に関して、図３を参照して説明する。図３は、液晶の配向状態を示す模式図であり、図１（ｂ）の破線で囲まれた領域Ｃに対応している。また、液晶５１の配向状態を分かりやすくするために、図３では液晶５１及び配向膜１８，２５以外の構成要素の図示が省略されている。また、電圧無印加時の液晶５１は実線で、電圧印加時の液晶５１は２点鎖線で図示されている。
【００５０】
電圧無印加時には、液晶５１は、配向膜１８，２５の膜面に対して垂直方向（Ｚ方向）に、詳しくはＺ方向に対して所定のプレチルトを有して配向している。電圧印加時には、液晶５１は、プレチルト方向５５，５６（図１（ａ）参照）に沿って、配向膜１８，２５の膜面に対して平行となる方向に、配向が変化する。液晶５１に印加される電圧は交流であり、１フレーム期間内に極性が正負逆転する。この交流波形に応じて、図中の矢印で示すように液晶５１の配向の方向が微小に揺らぐ。
すると、液晶層５０の中に、微小なフローが生じる。液晶層５０の中間の部分では、液晶分子（液晶５１）の重心を回転軸とした揺らぎとなるため、微小な流動（図中の＋γ、−γ）は相殺される。
【００５１】
一方、素子基板１０の液晶層５０と接する面（配向膜１８）の近傍及び対向基板２０の液晶層５０と接する面（配向膜２５）の近傍では、液晶分子の分子鎖の一方が配向膜１８，２５に固定されているため、配向膜１８，２５の界面を接点とした液晶５１の揺らぎが生じ、微小なフローが液晶５１の配向方向に現れる（図中の＋β、−β）。
【００５２】
具体的には、素子基板１０側ではプレチルト方向５５（図１（ａ）参照）に沿った液晶層５０のフロー（＋β）が生じ、対向基板２０側ではプレチルト方向５６（図１（ａ）参照）に沿った液晶層５０のフロー（−β）が生じる。この液晶層５０のフローは、素子基板１０側と対向基板２０側で逆方向となり、全体として相殺される。
このような現象は、特許文献１に記載されている。
【００５３】
液晶層５０には、液晶５１を充填する工程でイオン性不純物が混入する場合や、シール材５２からの溶出によってイオン性不純物が混入する場合などがある。上述した液晶層５０のフローは、液晶層５０に混入したイオン性不純物を動かす力となる。すなわち、液晶層５０に混入したイオン性不純物は、素子基板１０の近傍ではプレチルト方向５５に沿って移動し、対向基板２０の近傍ではプレチルト方向５６に沿って移動する。その結果、イオン性不純物が、図１（ａ）に示す画素領域Ｅの右上コーナー部や左下コーナー部などに偏在（蓄積）するようになる。液晶層５０の中にイオン性不純物が多く混入し、通電によって画素領域Ｅのコーナー部へのイオン性不純物の蓄積が多くなると、画素領域Ｅのコーナー部に表示ムラが発生する場合がある。
【００５４】
「画素の構成」
図４は相隣接する複数の画素の概略平面図であり、図５は図４のＡ−Ａ’線に沿った概略断面図であり、図６は図４のＢ−Ｂ’線に沿った概略断面図である。図４では、図面を見やすくするために、画素電極９ａより上側に位置する部分の図示が省略され、複数配置されている画素電極９ａの１つが図示され、他の画素電極９ａの図示が省略されている。
以下、図４乃至図６を参照して画素Ｐの具体的な構成について説明する。
【００５５】
図４において、Ｘ方向に沿って走査線１１が設けられ、Ｘ方向に延設された遮光領域７の一部が形成される。Ｙ方向に沿ってデータ線６ａが設けられ、Ｙ方向に延設された遮光領域７の一部が形成される。このように、走査線１１はＸ方向に沿って伸びており、データ線６ａは、走査線１１と交差するように、Ｙ方向に沿って伸びている。走査線１１は、下側遮光膜を兼ねる第１の走査線１１ａと、ゲート電極３ａ（ゲート）と一体的に形成された第２の走査線１１ｂとを含み、Ｘ方向に沿って二重配線されている。第１の走査線１１ａ及び第２の走査線１１ｂが二重配線されているため、走査線１１の電気的な抵抗を全体的に低くすることが可能となる。また、第１の走査線１１ａ及び第２の走査線１１ｂの一方に断線などの不具合が生じても、他方を冗長的に機能させることができるため、液晶装置１００の信頼性を向上させることができる。
【００５６】
ＴＦＴ３０の少なくとも一部は、Ｙ方向に延設された遮光領域７、詳しくは走査線１１及びデータ線６ａが互いに交差する領域に設けられている。ＴＦＴ３０への遮光性を確保するために、ＴＦＴ３０が設けられた領域（走査線１１とデータ線６ａとが交差した領域）で、遮光領域７の面積が大きくなっている。
【００５７】
画素電極９ａの周縁部は、遮光領域７と平面的に重なっている。すなわち、画素電極９ａの周縁部は、Ｙ方向において走査線１１と平面的に重なり、Ｘ方向においてデータ線６ａと平面的に重なっている。なお、遮光領域７と平面的に重なっていない画素電極９ａの領域（遮光領域７で囲まれた領域）が、光を透過する透過領域（光の変調領域）となる。
【００５８】
次に、素子基板１０の基材（素子基板本体１０ａ）に設けられた画素Ｐの積層構造について第１層から順に、説明する。
第１層には、導電性ポリシリコン、高融点金属、高融点金属シリサイドなどにより、例えば２００ｎｍの膜厚で第１の走査線１１ａが設けられている。第１の走査線１１ａは、図３に示すようにＸ方向に沿って伸びる部分と、該部分からＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’と重なるようにＹ方向に沿って伸びる部分とを有している。
【００５９】
第１の走査線１１ａは、図４に示すように、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ（ソース）及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ（ドレイン）に対向する領域を含むように形成される。第１の走査線１１ａは、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’を遮光しており、ＴＦＴ３０の下側に配置された遮光膜である。
第１の走査線１１ａは、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００６０】
図５において、第１層の第１の走査線１１ａと第２層のＴＦＴ３０とは、下地絶縁膜１２によって絶縁されている。下地絶縁膜１２は、第１の走査線１１ａからＴＦＴ３０を絶縁する機能の他、素子基板１０の全面に形成されることにより、素子基板１０の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れなどで画素スイッチング用のＴＦＴ３０の特性の劣化を防止する機能を有する。なお、下地絶縁膜１２は、例えばＴＥＯＳ（珪酸エチル）膜を膜厚３００ｎｍ及びＨＴＯ（High Temperature Oxide）膜を膜厚５０ｎｍで積層してなる２層構造を有する。
【００６１】
第２層には、半導体膜１ａ及びゲート電極３ａを含むＴＦＴ３０が設けられている。
【００６２】
図４及び図５に示すように、半導体膜１ａは、例えばポリシリコンからなり、膜厚が５５ｎｍとして形成され、Ｙ方向に沿ったチャネル長を有するチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅからなる。すなわち、ＴＦＴ３０はＬＤＤ構造を有している。
【００６３】
データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、チャネル領域１ａ’を基準として、Ｙ方向に沿ってほぼミラー対称に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂは、チャネル領域１ａ’及びデータ線側ソースドレイン領域１ｄ間に形成されている。画素電極側ＬＤＤ領域１ｃは、チャネル領域１ａ’及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅ間に形成されている。データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、データ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅは、例えばイオンインプランテーション法などによって半導体膜１ａに不純物を打ち込んでなる不純物領域である。尚、ＴＦＴ３０は、ＬＤＤ構造を有することが好ましいが、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ、画素電極側ＬＤＤ領域１ｃに不純物打ち込みを行わないオフセット構造であってもよい。
【００６４】
図４及び図５において、ゲート電極３ａと一体的に第２の走査線１１ｂが、例えば導電性ポリシリコンとタングステンシリサイド（ＷＳｉ）とを夫々膜厚が６０ｎｍとして積層することにより形成される。第２の走査線１１ｂは、図３に示すように、平面的に見てチャネル領域１ａ’に重なってＹ方向に沿って伸びる部分がゲート電極３ａとして機能すると共に、Ｙ方向に沿って伸びる部分から第１の走査線１１ａに並走してＸ方向に伸びる部分を有している。
ゲート電極３ａ及び第２の走査線１１ｂは、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００６５】
第２の走査線１１ｂにおいて、これと一体的に形成されたゲート電極３ａと半導体膜１ａとはゲート絶縁膜２によって絶縁される。本実施形態では、図４及び図５に示すように、下地絶縁膜１２において、半導体膜１ａの脇にはコンタクトホール８１０が開口される。ゲート電極３ａは、コンタクトホール８１０内にまで連続的に形成されて第１の走査線１１ａと電気的に接続される。
【００６６】
図５において、ＴＦＴ３０より上層側には、第２層と第３層との間を層間絶縁する、層間絶縁膜４１が設けられる。層間絶縁膜４１は、例えば膜厚３００ｎｍのＴＥＯＳ膜により形成される。層間絶縁膜４１には、画素電極側ソースドレイン領域１ｅと蓄積容量７０の下部容量電極７１とを電気的に接続するためのコンタクトホール８３が開口される。また、データ線側ソースドレイン領域１ｄとデータ線６ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８１も、開口される。
【００６７】
層間絶縁膜４１より上層側の第３層には、下部容量電極７１、下部容量電極７１と対向する上部容量電極３００ａ、及び下部容量電極７１と上部容量電極３００ａとで挟まれた誘電体膜７５が配置され、蓄積容量７０が形成される。
【００６８】
上部容量電極３００ａは、容量線３００と一体的に形成される。容量線３００は、例えば、膜厚が５０ｎｍ及び１００ｎｍの各々の窒化チタン（ＴｉＮ）膜で、膜厚が１５０ｎｍのアルミニウム（Ａｌ）膜を挟持してなる３層構造を有する。容量線３００は、その詳細な構成については図示を省略してあるが、画素電極９ａが配置された画素領域Ｅからその周囲に延設され、定電位源と電気的に接続され、固定電位に維持される。容量線３００は、図３において、半導体膜１ａ上において、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃと、画素電極側ソースドレイン領域１ｅとに重なるように、Ｙ方向に沿って伸びる部分と、該部分からＸ方向に沿って伸びる部分とを有し、下部容量電極７１と重なる領域が、上部容量電極３００ａとなる。よって、上部容量電極３００ａは固定電位に維持される、固定電位側容量電極として機能する。
容量線３００及び上部容量電極３００ａは、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００６９】
下部容量電極７１は、例えば膜厚が１００ｎｍとして導電性ポリシリコンより形成される。下部容量電極７１は、図４において、Ｙ方向及びＸ方向の各々に、上部容量電極３００ａと重なるように伸びる部分を有する。そして、Ｙ方向に伸びる部分は、画素電極側ソースドレイン領域１ｅと重なると共に、コンタクトホール８３を介して電気的に接続される。また、Ｘ方向に伸びる部分は、コンタクトホール８４を介して第４層目の中継層９３と電気的に接続される。中継層９３はコンタクトホール８５を介して第５層目の中継層４０２と電気的に接続される。さらに、中継層４０２は、コンタクトホール８６を介して画素電極９ａと電気的に接続される。従って、下部容量電極７１は、画素電位に維持される画素電位側容量電極として機能する。
【００７０】
誘電体膜７５は、例えば膜厚が４ｎｍのＨＴＯ膜及び膜厚が１５ｎｍ窒化シリコン（ＳｉＮ）膜を積層してなる２層構造を有している。
【００７１】
図５において、蓄積容量７０より上層側には、第３層と第４層との間を層間絶縁する層間絶縁膜４２が、例えば膜厚が４００ｎｍのＴＥＯＳ膜により形成される。コンタクトホール８４は、層間絶縁膜４２を貫通して、下部容量電極７１の表面に達するように開口され、コンタクトホール８１は、層間絶縁膜４２及び４１、さらにはゲート絶縁膜２を貫通して開口され、半導体膜１ａの表面に達する。
【００７２】
図４及び図５において、第４層には、データ線６ａ及び中継層９３が設けられる。図５において、データ線６ａは、コンタクトホール８１を介して、半導体膜１ａのデータ線側ソースドレイン領域１ｄと電気的に接続される。また、中継層９３は、コンタクトホール８４を介して下部容量電極７１と電気的に接続される。データ線６ａ及び中継層９３は、例えば膜厚が２０ｎｍのチタン（Ｔｉ）膜、膜厚が５０ｎｍのＴｉＮ膜、膜厚が３５０ｎｍのＡｌ膜、膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜がこの順に積層された４層構造を有する。
データ線６ａ及び中継層９３は、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００７３】
図５において、データ線６ａ及び中継層９３より上層側には、第４層と第５層との間を層間絶縁する層間絶縁膜４３が、例えば膜厚が６００ｎｍのＴＥＯＳ膜により形成される。コンタクトホール８５は、層間絶縁膜４３を貫通して開口され、中継層９３の表面に達する。なお、好ましくは、層間絶縁膜４３の表面に対して、例えばＣＭＰ（化学的機械的研磨）法などによる平坦化処理が行われる。
【００７４】
第５層には、シールド層４００及び中継層４０２が設けられる。図４において、シールド層４００は、データ線６ａと同方向即ちＹ方向に沿って延設され、データ線６ａを覆うように形成されている。半導体膜１ａにおいてチャネル領域１ａ’、データ線側ＬＤＤ領域１ｂ及び画素電極側ＬＤＤ領域１ｃ、並びにデータ線側ソースドレイン領域１ｄ及び画素電極側ソースドレイン領域１ｅに対向する領域に、データ線６ａ及びシールド層４００が形成されている。よって、半導体膜１ａに対して上層側から進行する光を、データ線６ａ及びシールド層４００によって遮光することが可能となる。
【００７５】
このシールド層４００は、定電位源と電気的に接続されることで、固定電位とされている。シールド層４００には、対向基板２０の対向電極２１に供給される定電位源が接続されている。すなわち対向電極２１と同じ電位が供給されている。なお、定電位源としては、データ線駆動回路６に供給される正電源や負電源の定電位源でもよい。このように、データ線６３を覆うように形成され、固定電位とされたシールド層４００によって、データ線６３と画素電極９ａとの間に生じる容量カップリングの影響を排除することが可能となる。
シールド層４００は、本発明における「導電膜」の一例であり、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００７６】
また、図５において、中継層４０２は好ましくはシールド層４００と同一膜により形成され、既に説明したように、画素電極９ａと電気的に接続され、画素電極９ａ及び中継層９３間の電気的接続を中継する。シールド層４００及び中継層４０２は、例えば膜厚が３５０ｎｍのＡｌ膜及び膜厚が１５０ｎｍのＴｉＮ膜を積層してなる２層構造を有する。
中継層４０２は、本発明における「導電膜」及び「中継電極」の一例であり、遮光領域７を構成する構成要素の１つである。
【００７７】
図５において、シールド層４００及び中継層４０２より上層側には、第５層と第６層との間を層間絶縁する層間絶縁膜４４が、例えば膜厚が６００ｎｍのＴＥＯＳ膜及び膜厚が７５ｎｍのＢＳＧ（ボロンシリケートガラス）膜よりなる２層構造により、形成される。コンタクトホール８６は、層間絶縁膜４４を貫通して開口され、中継層４０２の表面に達する。層間絶縁膜４４は、平坦な表面を有するように平坦化処理が施されている。図４に示すように、ＴＦＴ３０と中継層４０２との間の遮光領域７において、層間絶縁膜４４にダミーコンタクトホール９０が形成されている。ダミーコンタクトホール９０の詳細は、後述する。
層間絶縁膜４４は、本発明における「第１の絶縁膜」の一例である。
【００７８】
図４及び図５において、第６層には、画素電極９ａ及び配向膜１８が形成される。画素電極９ａは、層間絶縁膜４４に接して形成され、ＩＴＯなどの透明導電材料で構成されている。配向膜１８は、画素領域Ｅの全域を覆い、上述した酸化シリコンなどの無機配向膜で構成されている。図５に示すように、画素電極９ａは、中継層４０２及び中継層９３と、下部容量電極７１とによって、コンタクトホール８３，８４，８５，８６を介して中継されつつ、半導体膜１ａの画素電極側ソースドレイン領域１ｅに電気的に接続されている。
【００７９】
図４のＢ−Ｂ’線に沿った領域においては、図６に示すように、素子基板本体１０ａには、第１の走査線１１ａ、下地絶縁膜１２、ゲート絶縁膜２、第２の走査線１１ｂ、層間絶縁膜４１、下部容量電極７１、誘電体膜７５、上部容量電極３００ａ、層間絶縁膜４２、層間絶縁膜４３、層間絶縁膜４４、画素電極９ａ、配向膜１８などが、この順で積層されている。また、第１の走査線１１ａと第２の走査線１１ｂと上部容量電極３００ａとは、遮光領域７の構成要素であり、第１の走査線１１ａと第２の走査線１１ｂと上部容量電極３００ａとが平面的に重なって、遮光領域７が形成されている。
【００８０】
層間絶縁膜４４には、遮光領域７に対応する位置にダミーコンタクトホール９０が形成されている。図４に示すように、ダミーコンタクトホール９０は、ＴＦＴ３０（図４では右側のＴＦＴ３０）と中継層４０２との間に設けられ、Ｘ方向に沿って長くなった長方形（矩形）となっている。ダミーコンタクトホール９０は、画素電極９ａの配列方向（Ｙ方向）において、複数の画素電極９ａのうち一つの画素電極９ａと、当該一つの画素電極９ａに隣り合う画素電極９ａとの間に配置されている。また、ダミーコンタクトホール９０は、遮光領域７に対応する位置に形成されていればよく、例えば遮光領域７において画素電極９ａと平面的に重なっていてもよい。
【００８１】
層間絶縁膜４４には、ダミーコンタクトホール９０、及び中継層４０２と画素電極９ａとを電気的に接続するためのコンタクトホール８６（図５参照）が形成されている。ダミーコンタクトホール９０及びコンタクトホール８６は、層間絶縁膜４４を貫いて形成され、同じ工程で一括形成される。すなわち、ダミーコンタクトホール９０とコンタクトホール８６とは、公知技術（ドライエッチング）を用いて、同じ工程で一括形成される。従って、ダミーコンタクトホール９０を形成しても、工程数の増加を招くことはない。
【００８２】
コンタクトホール８６によって、中継層４０２の表面が露出される。中継層４０２の表面を完全に露出するためには、層間絶縁膜４４をオーバーエッチ気味にエッチングする必要がある。層間絶縁膜４４のオーバーエッチ量によっては、ダミーコンタクトホール９０は、層間絶縁膜４４を貫き、さらに層間絶縁膜４３の一部をエッチングして形成される場合もある。すなわち、ダミーコンタクトホール９０は、層間絶縁膜４４を貫いて形成される場合と、層間絶縁膜４４を貫き且つ層間絶縁膜４３の一部をエッチングして形成される場合とがある。
【００８３】
なお、ダミーコンタクトホール９０は、層間絶縁膜４４を貫いて形成するのでなく、層間絶縁膜４４の一部をエッチング除去して形成された凹部であってもよい。
ダミーコンタクトホール９０に対応する領域で、配向膜１８に凹部９１が形成される。その結果、素子基板１０の液晶５１と接する面は、ダミーコンタクトホール９０に対応する領域で窪んでいる。
ダミーコンタクトホール９０は、本発明における「凹部」及び「ダミーコンタクトホール」の一例である。
【００８４】
「対向基板の概要」
図７は、対向基板に形成された凹部の形成位置を示す画素の概略平面図である。図７は、図４に対応しており、遮光領域７と凹部２６（図５参照）とが図示され、他の構成要素の図示が省略されている。図中の、ハッチング領域が遮光領域７となる。
次に、図５及び図７を参照して、特徴点を中心に対向基板２０の概要を説明する。
【００８５】
図５に示すように、対向基板本体２０ａには、絶縁膜２２、対向電極２１、配向膜２５が、この順に積層されている。そして、絶縁膜２２に凹部２６が形成されている。凹部２６は、公知技術（ドライエッチング）を用いて、絶縁膜２２を貫いて形成される。エッチング条件によっては、絶縁膜２２の下地となる対向基板本体２２ａもエッチングされる場合がある。すなわち、凹部２６は、絶縁膜２２を貫いて形成される場合と、絶縁膜２２を貫き且つ対向基板本体２２ａの一部をエッチングして形成される場合とがある。
なお、凹部２６は、絶縁膜２２を貫いて形成するのでなく、絶縁膜２２の一部をエッチング除去することで形成してもよい。
【００８６】
凹部２６に対応する領域で、配向膜２５に凹部２７が形成される。換言すれば、凹部２６によって、対向基板２０の液晶５１と接する面は、凹部２６に対応する領域で窪んでいる。
凹部２６は、本発明における「凹部」及び「ダミーコンタクトホール」の一例である。
【００８７】
上述したように、遮光領域７は、素子基板１０側に形成された遮光材料、すなわち第１の走査線１１ａとゲート電極３ａと第２の走査線１１ｂと容量線３００と上部容量電極３００ａとデータ線６ａと中継層９３と中継層４０２とシールド層４００とが、平面的に重なって形成されている。
なお、遮光領域７は、対向基板２０側に形成された遮光材料を含んでいてもよい。例えば、見切り部５３と同じ工程で、対向基板２０側からＴＦＴ３０に入射する光を遮る遮光層を対向基板２０の画素領域Ｅに形成し、当該遮光層を遮光領域７の構成要素の一つとしてもよい。
【００８８】
図７に示すように、凹部２６は遮光領域７と平面的に重なって形成され、凹部２６の形状はＹ方向に沿って長くなった長方形となっている。また、凹部２６の少なくとも一部は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’と平面的に重なって形成されている。ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’は、ゲート電極３ａからの電圧で電流を制御し、ＴＦＴ３０の性能を左右する重要構成要素である。ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’は、ゲート電極３ａからの電圧以外に、光によっても抵抗が変化するので、外光や迷光が入射を強く抑制する必要がある。このため、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’付近で遮光領域７が広くなっている。換言すれば、凹部２６は、広くなった遮光領域７上に形成されている。
なお、対向基板２０側において、凹部２６は、遮光領域７と平面的に重なって形成されていればよく、例えば走査線１１に対向するように形成されていてもよく、データ線６ａに対向するように形成されていてもよい。
【００８９】
「液晶層のフローの抑制」
素子基板１０の液晶５１と接する面に形成された凹部９１、及び対向基板２０の液晶５１と接する面に形成された凹部２７によって、液晶５１の配向状態が乱れる。この液晶５１の配向状態の乱れ（液晶５１の配向状態が乱れた領域）は、上述した液晶層５０のフロー（＋β、−β、図３参照）を阻害する方向に働く。すなわち、凹部９１，２７の近傍では、液晶５１の配向状態が乱れ、液晶層５０のフローが阻害（抑制）される。液晶層５０のフローが抑制されると、液晶層５０の中のイオン性不純物の移動が抑制される。その結果、イオン性不純物が画素領域Ｅの中を移動し、画素領域Ｅのコーナー部に偏在するという現象が抑制される。従って、液晶装置１００に長時間通電しても、イオン性不純物が画素領域Ｅのコーナー部に偏在しにくくなり、画素領域Ｅのコーナー部における表示ムラを抑制することができる。
【００９０】
さらに、凹部９１，２７の近傍では、液晶５１の配向状態が乱れ、液晶層５０のフローが抑制されているので、凹部９１，２７の近傍でイオン性不純物が滞留するようになる。凹部９１及び凹部２６に配置されている配向膜１８，２５は、イオン性不純物を吸着しやすい性質を有している。よって、凹部９１，２７によってイオン性不純物を滞留させ、凹部９１，２７の配向膜１８，２５にイオン性不純物を吸着（トラップ）させることが可能になる。このように、凹部９１，２７は液晶層５０のフローを阻害するという働き以外に、イオン性不純物をトラップするという働きも有している。
【００９１】
凹部９１，２７は遮光領域７に形成されているので、液晶５１の配向状態が乱れた領域は遮光領域７によって隠され、表示への悪影響が抑制される。また、イオン性不純物は遮光領域７の配向膜１８，２５にトラップされるので、光の透過領域に対するイオン性不純物の悪影響（表示ムラ、焼き付き）を軽減することができる。
【００９２】
凹部９１，２７の面積（Ｘ方向の寸法またはＹ方向の寸法）が大きい方が、さらに凹部９１，２７の深さ（Ｚ方向の寸法）が大きい方が、液晶５１の配向状態が乱れた領域が大きくなる。よって、凹部９１，２７を大面積で（広く）形成する、または凹部９１，２７を深く形成すると、液晶５１の配向状態が乱れた領域が大きくなり、液晶層５０のフローをより強く抑制することができる。但し、液晶５１の配向状態が乱れた領域が大きくなると、液晶５１の配向状態が乱れた領域を遮光領域７で隠すことが難しくなり、表示に悪影響する場合がある。このため、液晶５１の配向状態が乱れた領域を遮光領域７で隠すことができる範囲で、凹部９１，２７を広く形成する、または凹部９１，２７を深く形成することが好ましい。
【００９３】
上述したように、凹部２６は、広くなった遮光領域７の上に形成されているので、ダミーコンタクトホール９０と比べて、凹部２６をより広く形成することができる。その結果、凹部２６によって、対向基板２０側の液晶層５０のフローを、より強く抑制することができる。
【００９４】
また、対向基板２０側の液晶層５０のフロー及び素子基板１０側の液晶層５０のフロー（＋β、図３参照）は、互いに相殺される関係にあるので、液晶層５０のフローを抑制するためには、対向基板２０側の液晶層５０のフロー及び素子基板１０側の液晶層５０のフローのうち少なくとも一方を抑制すればよい。従って、液晶層５０のフローを抑制する構成要素（ダミーコンタクトホール９０、凹部２６）は、素子基板１０及び対向基板２０のうち少なくとも一方に形成すればよい。
【００９５】
素子基板１０に形成される液晶層５０のフローを抑制する構成要素（ダミーコンタクトホール９０）と、対向基板２０に形成される液晶層５０のフローを抑制する構成要素（凹部２６）とは、平面的に重なっていてもよく、平面的に重なっていなくてもよい。要は、素子基板１０及び対向基板２０のうち少なくとも一方に、液晶層５０のフローを抑制する構成要素（ダミーコンタクトホール９０、凹部２６）を形成することが重要である。
【００９６】
「ダミーコンタクトホールの形成領域」
図８は、素子基板側のダミーコンタクトホールの形成領域を示す画素の概略平面図であり、図４に対応している。図８では、シールド層４００で形成される遮光領域が符号７ａで示され、中継層４０２で形成される遮光領域が符号７ｂで示され、シールド層４００及び中継層４０２以外で形成される遮光領域が符号７ｃで図示されている。
以下、図８を参照して素子基板１０側におけるダミーコンタクトホール９０の好ましい形成領域に関して説明する。
【００９７】
シールド層４００の上の層間絶縁膜４４を貫いてダミーコンタクトホール９０を形成すると、ダミーコンタクトホール９０によってシールド層４００が露出し、シールド層４００からの電位が液晶層５０に印加される。具体的には、シールド層４００には、対向電極２１と同じ電位が供給されているので、液晶層５０に対向電極２１と同じ電位が供給され、当該電位によって液晶５１が配向する。また、中継層４０２の上の層間絶縁膜４４を貫いてダミーコンタクトホール９０を形成すると、ダミーコンタクトホール９０によって中継層４０２が露出し、中継層４０２からの電位が液晶層５０に印加される。具体的には、中継層４０２に画素電極９ａと同じ電位が供給されているので、液晶層５０に画素電極９ａと同じ電位が供給され、当該電位によって液晶５１が配向する。
シールド層４００または中継層４０２からの電位によって液晶５１が規則的に配向した領域よりも、このような電位の影響を受けずに液晶５１の配向がランダムになった領域の方が、液晶５１の配向状態が乱れた領域が大きく、液晶層５０のフローをより強く抑制することができる。従って、液晶５１の配向状態の乱れを発生させるダミーコンタクトホール９０は、シールド層４００及び中継層４０２が配置されていない遮光領域７ｃに形成することが好ましい。例えば、ダミーコンタクトホール９０の形成領域として、図８の破線で囲まれた領域Ｎの遮光領域７ｃが好ましい。
【００９８】
また、図８の破線で囲まれた領域Ｍの遮光領域７ａは、ＴＦＴ３０が配置されているので、ＴＦＴ３０への遮光を強くするために、広くなっている。この広くなった遮光領域７ａにダミーコンタクトホール９０を形成すると、シールド層４００が露出しシールド層４００の電位の影響を受けるが、ダミーコンタクトホール９０の面積を大きくできるので、液晶５１の配向状態が乱れた領域を大きくすることができる。従って、ダミーコンタクトホール９０を形成する領域としては、上述したシールド層４００及び中継層４０２が配置されていない遮光領域７ｃ（領域Ｎ）の他に、ＴＦＴ３０が配置され広くなった遮光領域７ａ（領域Ｍ）が好ましい。
【００９９】
図８において円形のダミーコンタクトホール９０が、領域Ｍ及び領域Ｎにそれぞれ複数個形成されている。また、領域Ｍの遮光領域７ａが広くなっているので、領域Ｎのダミーコンタクトホール９０と比べて領域Ｍのダミーコンタクトホール９０が大きくなっている。
ダミーコンタクトホール９０の形状は、円形でも、矩形でもよく、画素Ｐに形成されるダミーコンタクトホール９０の個数は、複数でも単数でも良い。要は、ダミーコンタクトホール９０は、表示に影響しない範囲で、領域Ｍ及び領域Ｎの少なくとも一方に、より広く（大面積で）形成することが好ましい。
【０１００】
以上述べたように、本実施形態に係る液晶装置１００によれば、以下の効果を得ることができる。
【０１０１】
（１）素子基板１０には、ダミーコンタクトホール９０が形成され、液晶５１と接する面が窪んでいる。さらに、対向基板２０には、凹部２６が形成され液晶５１と接する面が窪んでいる。当該窪んだ領域で液晶５１の配向状態が局所的に乱れているので、液晶層５０のフローが阻害され、液晶層５０に混入したイオン性不純物が移動しにくくなる。また、ダミーコンタクトホール９０及び凹部２６は、画素領域Ｅの遮光領域７に配置されているので、遮光領域７によって液晶５１の配向状態が乱れた領域は隠され、表示への悪影響が抑制される。従って、イオン性不純物が移動（拡散）し、特定の箇所に偏在することによる表示ムラなどの表示不具合を抑制し、優れた表示品位及び高い信頼性の液晶装置を提供することができる。
【０１０２】
（２）ダミーコンタクトホール９０及び凹部２６の近傍で液晶５１の配向状態が乱れ、液晶層５０のフローが阻害され、ダミーコンタクトホール９０及び凹部２６の近傍でイオン性不純物が滞留するようになる。凹部９１及び凹部２６に配置されている配向膜１８，２５はイオン性不純物を吸着しやすい性質を有しているので、凹部９１及び凹部２６にイオン性不純物がトラップされる。すなわち、遮光領域７にイオン性不純物がトラップされるので、光の透過領域に対するイオン性不純物の悪影響（表示ムラ、焼き付き）を軽減することができる。その結果、優れた表示品位及び高い信頼性の液晶装置を提供することができる。
【０１０３】
（３）ダミーコンタクトホール９０（図４参照）は、シールド層４００や中継層４０２が形成されていない領域に形成されているので、シールド層４００や中継層４０２からの電位が抑制され、液晶５１の配向状態が乱れた領域をより大きくし、液晶層５０のフローをより強く抑制することができる。
【０１０４】
（４）凹部２６の少なくとも一部は、ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’と平面的に重なって形成されている。ＴＦＴ３０のチャネル領域１ａ’が配置された領域で、遮光領域７が広くなっているので、凹部２６をより広く形成することができる。よって、凹部２６をより広く形成し、液晶５１の配向状態が乱れた領域をより大きくし、液晶層５０のフローをより強く抑制することができる。
【０１０５】
（５）ダミーコンタクトホール９０は、コンタクトホール８６と同じ工程で一括形成されるので、ダミーコンタクトホール９０を形成することによる工数の増加が抑制される。
【０１０６】
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について図９を参照して説明する。図９は電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の構成を示す概略図である。
【０１０７】
図９に示すように、電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調素子としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１０８】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１０９】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１１０】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１１１】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１１２】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【０１１３】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶層５０中のイオン性不純物の偏在が抑制された液晶装置１００を備え、通電による表示ムラが低減され、優れた表示品位と高い信頼性とが実現されている。
【０１１４】
また、電子機器としては、投射型表示装置１０００の他に、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、モニター付きビデオカメラ、カーナビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどの各種電子機器に、本発明に係る液晶装置１００を適用させることができる。
【符号の説明】
【０１１５】
１ａ…半導体膜、１ａ’…チャネル領域、１ｂ…データ線側ＬＤＤ領域、１ｃ…画素電極側ＬＤＤ領域、１ｄ…データ線側ソースドレイン領域、１ｅ…画素電極側ソースドレイン領域、２…ゲート絶縁膜、３ａ…ゲート電極、６ａ…データ線、７，７ａ，７ｂ，７ｃ…遮光領域、９ａ…画素電極、１０…素子基板、１０ａ…素子基板本体、１１…走査線、１１ａ…第１の走査線、１１ｂ…第２の走査線、１２…下地絶縁膜、１８，２５…配向膜、２０…対向基板、２０ａ…対向基板本体、２１…対向電極、２２…絶縁膜、２６，２７，９１…凹部、３０…ＴＦＴ、４１，４２，４３，４４…層間絶縁膜、５０…液晶層、５１…液晶、５２…シール材、５３…見切り部、５５，５６…プレチルト方向、７０…蓄積容量、７１…下部容量電極、７５…誘電体膜、８１，８３，８４，８５，８６…コンタクトホール、９０…ダミーコンタクトホール、９３，４０２…中継層，１００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部接続用端子、１０３…検査回路、１０４…走査線駆動回路、１０５…配線、１０６…上下導通部、３００…容量線、３００ａ…上部容量電極、４００…シールド層、８１０…コンタクトホール、Ｐ…画素、Ｅ…画素領域。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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