(57)【要約】【課題】半導体チップの搭載精度を確保しつつ、信頼性の劣化を引き起こさない半導体装置用の配線基板を提供することを目的とする。【解決手段】ボンディングパッド（１２ｂ）が配列された基板本体（１２ｏ）と、基板本体（１２ｏ）上に形成された矩形状のダイパッド（１２ａ）とを備え、ダイパッド（１２ａ）は、少なくとも２箇所のコーナーにおいてボンディングパッド（１２ｂ）が配列されていない方向（Ｙ）に向かって対向する二辺を突出させて形成した特徴形状部（Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３）を備えることを特徴とする。【選択図】図１
2014063767.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボンディングパッドが配列された基板本体と、前記基板本体上に形成された矩形状のダイパッドと
を備え、
前記ダイパッドは、少なくとも２箇所のコーナーにおいて前記ボンディングパッドが配列されていない方向に向かって対向する二辺を突出させて形成した特徴形状部を備えることを特徴とする
配線基板。
【請求項２】
前記ダイパッドの特徴形状部の表面は導体層であることを特徴とする
請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
前記ダイパッドの特徴形状部は、３箇所のコーナーにおいて設けられたことを特徴とする
請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記ダイパッドの特徴形状部は、４箇所のコーナーにおいて設けられたことを特徴とする
請求項１または請求項２に記載の配線基板。
【請求項５】
前記ダイパッドの特徴形状部は、鉤状の形状であることを特徴とする
請求項１〜請求項４のいずれかに記載の配線基板。
【請求項６】
ボンディングパッドが配列された基板本体と、前記基板本体上に形成された矩形状のダイパッドと、
前記ダイパッドとは分離して前記基板本体上に形成された導体層の特徴形状部を備えることを特徴とする
配線基板。
【請求項７】
前記特徴形状部は、細長い矩形の形状であり、その長辺が、前記基板本体の前記ボンディングパッドが配列されていない側の辺に平行に配置されていることを特徴とする
請求項６記載の配線基板。
【請求項８】
前記特徴形状部は、その長辺が前記基板本体の前記ボンディングパッドが配列されている側の辺に平行に配置されている細長い矩形の形状を有することを特徴とする
請求項６記載の配線基板。
【請求項９】
前記基板本体の前記ダイパッド、前記特徴形状部、前記ボンディングパッドを除いた表面が、絶縁体によって覆われていることを特徴とする
請求項６〜請求項８のいずれかに記載の配線基板。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれかに記載の配線基板と、
前記配線基板のダイパッド上に接着剤を介して固着された矩形状の半導体チップと、
前記半導体チップの対向する二辺に沿って配列されたボンディングパッドと前記配線基板のボンディングパッドを電気的に接続するワイヤと、
前記配線基板の表面を、前記半導体チップ、前記ワイヤとともに封止する封止樹脂と
を備え、前記ダイパッドの外周枠は前記半導体チップの外周枠の外側に近接して存在することを特徴とする
半導体装置。
【請求項１１】
配線基板の中央に接着剤を介して矩形状の半導体チップが固着され、前記半導体チップの対向する二辺に沿って配列された第１のボンディングパッドとこの第１のボンディングパッドに沿って前記配線基板の側に配列された第２のボンディングパッドの間をワイヤで電気的に接続し、前記配線基板の表面を、前記半導体チップ、前記ワイヤとともに封止樹脂によって封止した半導体装置であって、
前記配線基板は、前記半導体チップの第１のボンディングパッドが配列された辺に隣接した辺に近接して、前記半導体チップを挟む２箇所に、配線基板の外形に対して規定の角度方向に延びる特徴形状部を備えていることを特徴とする
半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板上のダイパッドパターンに接着剤を介して半導体チップを固着して形成する半導体装置用の配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に代表されるような光ピックアップ受光素子においては、半導体チップから金線を介して配線基板の表面の電極に接続され、配線基板の表裏をスルーホールが貫通して、基板の表と裏との電極が導通することにより、配線基板の裏面に電極を自由に配置できる。半導体チップは配線基板のダイパッドにＡｇペーストで接着され、半導体チップの表側は封止樹脂により封止されている。
【０００３】
このような半導体装置の製造において、半導体チップは配線基板の所定の位置に正確に搭載されなければならない。所定の位置からずれて搭載されると、半導体チップ上のボンディングパッドと配線基板上のボンディングパッドとをワイヤーボンドする際に、ボンディングパッド位置の認識エラーが発生するからである。また、半導体チップが受光部を備えているので、搭載ズレが発生すると、レーザー光の入射が、受光部から外れて機能しなくなるため、特に半導体チップの搭載ズレに対する要求が厳しい。
【０００４】
半導体チップが配線基板の所定の位置に正確に搭載されているかどうかを判定するためには、配線基板上に形成された配線パターンと半導体チップとの相対的な位置関係を測定する。その位置関係は、一般的にはＸ，Ｙ方向の位置とθ方向の３つのパラメータより記述される。配線基板上のパターンにおいてこれらＸ，Ｙ，θの基準となる位置を見出すには、配線基板上に基準になる特徴パターンが必要である。通常、その特徴パターンとして適しているとされているものは、配線基板に搭載される半導体チップの外形に沿って設計されたダイパッドのパターンである。
【０００５】
図８（ａ）〜図８（ｃ）は、配線基板２上のダイパッド２ａに接着剤３を介して半導体チップ１を固着して形成した従来の半導体装置を示す。半導体チップ１のボンディングパッド１ａと配線基板２のボンディングパッド２ｂの間は、ワイヤ４で接続されている。配線基板２のボンディングパッド２ｂに接続されているランド２ｃはスルーホール２ｄを介して外部端子２ｅに接続されている。５は封止樹脂である。
【０００６】
図９（ａ）はダイパッド２ａに接着剤３を塗布して半導体チップ１を載せる前の状態、図９（ｂ）は半導体チップ１を載せた状態を示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００１−２３０４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、このようにして得られた半導体装置には以下の課題がある。
配線基板上の配線パターンには、ワイヤ４との接続性を確保するために金属のめっきが施されている。めっきと配線基板を封止する封止樹脂との接着力は著しく低い。配線パターンと封止樹脂５との界面にて接着力が低いと、その半導体装置をマザー基板に搭載する際のリフローの熱によって界面剥離が発生し、半導体装置の信頼性を劣化させる。従って、配線基板２上の配線パターンは、その面積を極力小さくするか、あるいはその表面をソルダーレジストで被覆して、封止樹脂５との接着力低下を極力抑えるように設計する。当然、ダイパッド２ａもその対象である。
【０００９】
半導体装置の信頼性を向上させるためにダイパッド２ａの面積を小さくすると、半導体チップ１とダイパッド２ａとを接合する接着剤３のはみ出しが、図９（ｂ）に符号Ａで示すようにダイパッド２ａの外周部に達し、半導体チップ１の搭載位置の精度の確認に必要な、ダイパッド２ａのパターンの外周部の検出が正確にできない。
【００１０】
また、ソルダーレジストでダイパッド２ａを被覆しても、ソルダーレジストは着色されているため、配線パターンの外周部の検出ができない。
本発明は上記の課題を解決するためになされたもので、配線基板に対する半導体チップの搭載精度を確保しつつ、信頼性の劣化を引き起こさない半導体装置用の配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の配線基板は、ボンディングパッドが配列された基板本体と、前記基板本体上に形成された矩形状のダイパッドとを備え、前記ダイパッドは、少なくとも２箇所のコーナーにおいて前記ボンディングパッドが配列されていない方向に向かって対向する二辺を突出させて形成した特徴形状部を備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の配線基板は、ボンディングパッドが配列された基板本体と、前記基板本体上に形成された矩形状のダイパッドと、前記ダイパッドとは分離して前記基板本体上に形成された導体層の特徴形状部を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、ダイパッドの少なくとも２箇所のコーナーにおいてボンディングパッドが配列されていない方向に向かって対向する二辺を突出させて形成した特徴形状部を設ける、または、ダイパッドから分離して特徴形状部を設けることで、半導体チップの搭載精度の向上と高信頼性化とを両立した半導体装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１にかかる半導体装置１０の平面模式図、（ｂ）半導体装置１０の断面図、（ｃ）半導体装置１０の底面図
【図２】（ａ）ダイパッド部１２ａに接着剤１３を塗布し、半導体チップ１１を搭載する前の平面拡大図、（ｂ）半導体チップ１１を搭載して、搭載位置ズレが発生した場合の平面模式図、（ｃ）搭載した半導体チップ１１とはみ出した接着剤１３の平面模式図とその要部拡大図
【図３】（ａ）〜（ｄ）それぞれ本実施の形態１の応用例を示す平面模式図
【図４】（ａ）本発明の実施の形態２にかかる半導体装置２０の平面模式図、（ｂ）ダイパッド部１２ａに接着剤１３を塗布し、半導体チップ１１を搭載する前の平面拡大図、（ｃ）半導体チップ１１を搭載して、搭載位置ズレが発生した場合の平面模式図
【図５】搭載した半導体チップ１１とはみ出した接着剤１３の平面模式図とその要部拡大図
【図６】（ａ）〜（ｄ）それぞれ本実施の形態２の応用例を示す平面模式図
【図７】（ａ）（ｂ）それぞれ本実施の形態３の半導体装置４０，５０の平面模式図
【図８】（ａ）従来の半導体装置の平面模式図、（ｂ）半導体装置の断面図、（ｃ）半導体装置の底面図
【図９】（ａ）ダイパッド部１２ａに接着剤３を塗布し、半導体チップ１を搭載する前の平面拡大図、（ｂ）搭載した半導体チップ１に搭載位置ズレが発生した場合の平面模式図
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の各実施の形態を図１〜図７に基づいて説明する。
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置１０をその上方から見た状態を示す。図１（ｂ）は断面図、図１（ｃ）は底面図である。
【００１６】
外周形状が矩形状の配線基板１２は、基板本体１２ｏの上面にダイパッド１２ａと、ボンディングパッド１２ｂならびにボンディングパッド１２ｂに配線パターンで接続されたランド１２ｃなどからなる配線パターンを設け、基板本体１２ｏの下面に外部端子１２ｅが設けられている。ランド１２ｃと外部端子１２ｅは、図１（ｂ）と図１（ｃ）に示すように、基板本体１２ｏの内部に形成されたスルーホール１２ｄで接続されている。
【００１７】
半導体チップ１１は、配線基板１２のダイパッド１２ａに接着剤１３を介して搭載している。半導体チップ１１のボンディングパッド１１ａと、配線基板１２のボンディングパッド１２ｂとの間がワイヤ１４によって接続されている。この半導体装置１０は、基板本体１２ｏの上面と、半導体チップ１１、ワイヤ１４とともに封止樹脂１５によって封止して構成されている。
【００１８】
この半導体装置１０は、外部電極１２ｅが、ここで図示していないマザー基板の電極と接合されることにより、半導体チップ１１の電気信号を外部に取り出すことができる。
ダイパッド１２ａの形状は、平面形状が四辺形の半導体チップ１１と同じか僅かに大きな四辺形である。また、ダイパッド１２ａに搭載される半導体チップ１１の複数のボンディングパッド１１ａに沿って、複数のボンディングパッド１２ｂがダイパッド１２ａの対向する二辺に設けられている。
【００１９】
ここで、本実施の形態１においてはダイパッド１２ａのコーナー部の形状に特徴がある。
ダイパッド１２ａの外周部は、おおまかには半導体チップ１１の四辺形の形状に沿っており、搭載する半導体チップ１１のボンディングパッド１１ａが配置されていない二辺に平行な辺、すなわち、ボンディングパッド１２ｂに対向していない短辺のコーナー部に、ここでは、ダイパッド１２ａの四隅のうち３つの隅に、ボンディングパッド１２ｂに対向している辺をそのまま延伸した方向（Ｙ方向）に突出させた規定の形状である矩形の特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が形成されている。
基板本体１２ｏのダイパッド１２ａ、特徴形状の特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３、ボンディングパッド１２ｂを除いた表面が、絶縁体のソルダーレジスト（図示せず）によって覆われている。
【００２０】
この構成によると、以下のように半導体装置１０はその信頼性を劣化させること無く、半導体チップ１１をダイパッド１２ａに搭載する精度が向上する。
図２（ａ）は、ダイパッド部１２ａに接着剤１３を塗布し、半導体チップ１１を搭載する前の状態を示している。ここで、接着剤１３は半導体チップ１１をダイパッド１２ａに強固に接合するためにダイパッド１２ａの面積の全面に濡れ広がっている。
【００２１】
半導体チップ１１を高精度に搭載する際には、ダイパッド１２ａの位置を正確に認識しなければならない。従来のダイパッドの形状（図９（ａ）に示す）においては、ダイパッドの外周部を認識しようとしても接着剤３の影響で正確な認識ができず、半導体チップ１１の搭載位置がばらつく。しかし、本実施の形態１に示すようにダイパッド１２ａの３隅に特徴形状の特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３があれば、その３箇所からダイパッド１２ａのＸ軸，Ｙ軸を検出することで、接着剤１３の影響を受けずに半導体チップ１１の搭載位置を正確に算出できる。従って、半導体チップ１１の搭載位置の精度を高めることができる。
【００２２】
ここで特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３をダイパッド１２ａの短辺の隅部に配置する構成には以下の利点がある。
接着剤１３は半導体チップ１１とダイパッド１２ａとを接着するために塗布されるため、ダイパッド１２ａの中心部において量が多く、ダイパッド１２ａの外周部に向かうほどその量が少なくなる。はみ出し量が最も少なくなるのが隅部であり、その隅部に特徴形状部を配置することで、接着剤の影響を最小限にすることができる。
【００２３】
反対に、ダイパッド１２ａの隅部以外、例えばダイパッド１２ａのボンディングパッド１１ａが配置された辺に対向している長辺に特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３を配置した場合、接着剤１３のはみ出しの影響によりその位置の正確な検出ができない虞がある。
【００２４】
さらに、ダイパッド１２ａの３隅の特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３が、ボンディングパッド１２ｂの配置されていないＹ軸方向に突起している構成には、以下の利点がある。
特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３がＹ軸方向に突起していることにより、たとえその特徴形状部において封止樹脂との界面剥離を生じても、その剥離がボンディングパッド１２ｂの方向に延伸する虞は小さく、ワイヤ１４の断線という致命的な不良を防止することができる。また、その方向には、ボンディングパッド１２ｂが配置されておらず配線パターンの密度が低いため、ボンディングパッド１２ｂが配置されている方向に突起させるよりも配線基板１２の面積を低減することができ、半導体装置の小型化に寄与する。
【００２５】
図２（ｂ）に示しているのは、図２（ａ）のように塗布した接着剤１３を介してダイパッド１２ａの上に半導体チップ１１を搭載して、搭載位置ズレが発生した場合の平面模式図である。ここで、ダイパッド１２ａの３箇所の特徴形状である特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３によりダイパッド１２ａのＸ軸とＹ軸が検出され、これに対して半導体チップ１１の外形、もしくは回路等の特徴パターンを認識することによりその搭載位置を確認することができる。従って、たとえ搭載位置ズレが発生したとしても、その後の検査における測定作業により不良品を排除できる。
【００２６】
特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の規定の形状は、認識に対して必要最小限の面積にとどめる事により、ダイパッド１２ａの面積を四辺形の形状のまま接着剤１３の影響を排することができるまで増大させることに比べて、半導体装置１０をマザー基板に実装する際の熱によるダイパッド１２ａとその封止樹脂１５との界面剥離の発生を抑えることができる。つまり、半導体チップ１１の搭載位置の精度向上と高信頼性とを両立させることができる。
【００２７】
具体的な大きさの一例を以下に述べる。
半導体チップ１１の平面寸法は０．５ｍｍ×０．５ｍｍから２ｍｍ×２ｍｍまでの間とし、それを搭載するダイパッド１２ａのサイズは、それに対応する半導体チップ１１の各辺の寸法に対して０μｍから２００μｍまでの範囲で半導体チップ１１の寸法より大きいものとする。半導体チップ１１の厚みとして５０μｍから２００μｍまでの間とし、接着剤１３の半導体チップ１１の側面への這い上がりは、それが半導体チップ１１の表面にまで達するとショートが起きるため、半導体チップ１１の厚みの２／３以下、すなわち３３μｍから１３３μｍまでとする。接着剤１３の半導体チップ１１の外周からのはみ出し寸法は、上記の這い上がりの寸法の１／２から２／２の間なので１６μｍから１３３μｍとなる。従ってダイパッド１２ａの特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３の寸法としては、ダイパッド１２ａの中心に半導体チップ１１が搭載されたとして、その半導体チップ１１の外周部から１３３μｍ以上突起していれば、接着剤１３のはみ出しに影響されることが無いため好ましい。搭載した半導体チップ１１とはみ出した接着剤１３の平面模式図とその要部拡大図を図２（ｃ）に示す。
【００２８】
次に、半導体装置１０の各構成物に使用する材料について説明する。
半導体チップ１１としてはＳｉを想定しているが、その機能に応じてＳｉＣ，ＳｉＧｅ，ＧａＡｓ，ＧａＮ等の化合物であってもよい。配線基板１２は一般的に基板本体１２ｏと導体部とよりなり、基板本体１２ｏとしてはガラス・エポキシ，ＢＴレジン，ポリイミドテープ等に代表される有機材料とアルミナセラミックス基板に代表される無機材料に二分される。導体としては有機の基板本体１２ｏに対してはＣｕ、無機の基板本体１２ｏに対してはＷが代表的である。
【００２９】
本実施の形態１での基板本体１２ｏとしては有機材料を想定しているが、無機材料の適用を除外しているわけではない。Ｃｕ箔の表面にはＣｕの酸化・汚染防止のためのＮｉめっき、更にワイヤ１４との接続性を確保するためのＡｕめっきやＡｇめっきの処理を施すのが一般的である。接着剤１３としてはエポキシ等の樹脂にＡｇフィラーを分散させた導電性のＡｇペーストが一般的であるが、絶縁性のペースト材も一般に使用されており、これを接着剤１３として使用することもできる。
【００３０】
ワイヤ１４としてはＡｕ合金が一般的であるが、Ａｌ，Ｃｕ合金も適用できる。封止樹脂１５としては通常はエポキシ樹脂が使用されるが、ビフェニル樹脂，シリコーン樹脂等の他の樹脂を使用することもできる。
【００３１】
封止樹脂１５は、通常は光による半導体チップ１１の誤動作を防止するため黒色に着色されているのが一般的であるが、受光素子等の光によって機能する半導体チップが搭載されている場合には光を透過する樹脂が使用される。
【００３２】
受光素子の用途としては、光の照度センサー、リモートコントロール機器用の受光センサー、光ディスクドライブのピックアップ用の受光ＩＣ等が挙げられる。特に受光ＩＣにおいては、光ディスクの信号を読み取るレーザー光を正確に受光しなければならないため、その半導体装置１０において半導体チップ１１の搭載位置に高い精度を要求されており、本発明の有用性は高い。
【００３３】
本実施の形態１の応用例を、図３（ａ）〜図３（ｄ）に示す。
図１に示した特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３は、ダイパッド１２ａの３隅に配置されているが、これは図３（ａ）に示すようにダイパッド１２ａの対角の２箇所の特徴形状部Ｐ１，Ｐ３であっても構わない。対角の２箇所の特徴形状部Ｐ１，Ｐ３を認識することでダイパッド１２ａのＸ軸，Ｙ軸を算出できるからである。
【００３４】
また、図３（ｂ）に示すようにダイパッド１２ａの４隅に設けても構わない。４箇所の特徴形状部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４をそれぞれ認識し、Ｘ軸，Ｙ軸を算出すれば、それだけ半導体チップ１１の搭載精度は向上する。但し、認識に要する時間は追加した特徴形状部Ｐ４を認識する時間の分だけ増えるため、生産効率は低下する。
【００３５】
図３（ｃ）では、図３（ａ）と比べて配線パターンに引き出し線１２ｆが追加されている点が異なっている。この引き出し線１２ｆは、ダイパッド１２ａ，ボンディングパッド１２ｂならびにランド１２ｃなどにめっきする場合に使用される。配線基板１２の導体には前記した理由でめっきが施されるのが一般的であり、そのめっきの手法としては大きく電解めっきと無電解めっきとに分けられる。電解めっきの場合は導通が必要なので、配線基板１２上の全ての導体部分には、半導体装置１０の組立に必要な箇所の他に、通電のための引き出し線を設ける必要がある。
【００３６】
この図３（ｃ）では、ダイパッド１２ａに対して設けた引き出し線１２ｆを、ダイパッド１２ａの１つのコーナーに設けているが、この位置に限るものでない。また、半導体チップ１１の機能によっては、グランドなどの基準電位のように電位を同じくするボンディングパッド１２ａを吊リードで接続しても良い。電解めっきは一般的にめっきの組織が緻密で品質が高く、かつコストも低いため有用である。ただし、引き出し線１２ｆに要する面積の分、導体のパターン配置の自由度は減り、微細な導体パターンの必要な配線基板には不向きである。その場合には引き出し線１２ｆの不要な無電解めっきが適用される。
【００３７】
なお、これまでの説明では、ダイパッド１２ａの特徴形状部Ｐ１〜Ｐ３，Ｐ１とＰ３，Ｐ１〜Ｐ４はダイパッド１２ａから外側に突出した矩形の突起状としていたが、規定の形状はこの形状に限らない。図３（ｄ）に示しているのはその別の一例で、特徴形状部Ｐ１，Ｐ３を鉤状の形状としている。配線基板１２の導体は、通常エッチングによりパターニングされるが、その製法上、設計したパターン通りの形状を確保できない場合がある。そうした場合、矩形の突起状のパターンに替えてより複雑な形状の特徴パターンとすることで、特徴形状のユニーク性を確保することができる。
【００３８】
なお、上記の図１（ａ）および図３（ａ）〜図３（ｄ）に述べた実施の形態１の各実施例は、それぞれ示された形状に限定されるものではなく、適宜、組み合わせることができる。
【００３９】
このように、実施の形態１の半導体装置に使用した配線基板１２は、半導体チップ１１の搭載精度の向上と、半導体装置１０としての高信頼性化とを同時に実現することができ、配線基板のダイパッドパターン上に接着剤を介して半導体チップを搭載する構成を備えた半導体装置全般に有用であり、特に半導体チップの搭載ズレに対する要求の厳しいＰＤＩＣ（ photodetector integrated circuit ）等の半導体装置に有用である。
【００４０】
（実施の形態２）
図４（ａ）は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置２０をその上方から見た状態を示す。なお、実施の形態１と同様の作用をなすものには同一の符号を付けて説明する。
【００４１】
実施の形態１では、半導体チップ１１を配線基板１２に高精度に搭載するための特徴形状部Ｐ１〜Ｐ３，Ｐ１とＰ３，Ｐ１〜Ｐ４などをダイパッド１２ａに設けたが、この実施の形態２では、ダイパッド１２ａとは分離して細長い矩形の特徴形状部Ｐ５を設けた点が異なっている。その他は実施の形態１と同じである。
【００４２】
実施の形態１に示すようにダイパッド１２ａに突起状の特徴形状部を設けると、この半導体装置１０をマザー基板に実装する際、この特徴形状部を基点にダイパッド１２ａと封止樹脂１５との界面剥離が発生することがあり得る。その界面剥離はダイパッド１２ａと接着剤１３または接着剤１３と半導体チップ１１との界面の剥離に至り、半導体チップ１１の機能に支障をきたす虞がある。
【００４３】
これに対して、図４（ａ）に示すように特徴形状部Ｐ５とダイパッド１２ａとが分離していると、マザー基板への実装時に特徴形状部Ｐ５と封止樹脂１５との界面がたとえ剥離したとしても、その剥離が接着剤１３や半導体チップ１１まで至ることが無く、半導体チップ１１の機能に支障をきたす虞が小さい。なぜなら、配線基板１２において特徴形状部Ｐ５とダイパッド１２ａとの間の基材表面は、封止樹脂１５との界面の接着力がそれらのめっき部との接着力よりも大きいため、たとえ特徴形状部Ｐ５で界面剥離が発生してもそれがダイパッド１２ａにまで達して半導体チップ１１の故障にまで至る虞が低いからである。
【００４４】
従って、実施の形態２の半導体装置２０は実施の形態１に示した半導体装置１０よりも信頼性を高めることができる。
次に、接着剤１３が図４（ｂ）に示すようにダイパッド１２ａの面積全面に濡れ広がっていても、特徴形状部Ｐ５を認識することにより半導体チップ１１を正確な位置に搭載することができることを説明する。
【００４５】
ここでダイパッド１２ａは、配線基板１２のＸ軸に平行である。直線状の特徴形状部Ｐ５は、その長辺が、基板本体１２ｏのボンディングパッド１２ｂが配列されていない側の辺に平行に配置されているため、この直線状の特徴形状部Ｐ５の、例えば、特徴形状部Ｐ５の中央付近Ｓ１の形状を認識することでダイパッド１２ａ部のＸ軸を検出することができ、そのＸ軸のデータから配線基板１２のＹ軸を仮想的に演算できる。
【００４６】
図４（ｃ）は、接着剤１３を介してダイパッド１２ａの上に半導体チップ１１を搭載して、搭載位置ズレが発生した場合の平面模式図である。ここで、特徴形状部Ｐ５を仮想線で示す中央付近Ｂを認識することにより配線基板１２のＸ軸とＹ軸が検出され、これに対して半導体チップ１１の外形を認識することにより、配線基板１２に対する半導体チップ１１の搭載位置を演算することができる。従って、たとえ搭載位置ズレが発生したとしても、その後の測定作業により不良品を排除できる。
【００４７】
半導体チップ１１の平面寸法が０．５ｍｍ×０．５ｍｍから２ｍｍ×２ｍｍまでの間とし、それを搭載するダイパッド１２ａのサイズは、それに対応する半導体チップ１１の各辺の寸法に対して０μｍから２００μｍまでの範囲で半導体チップ１１の寸法より大きい。接着剤１３の半導体チップ１１からのはみ出し寸法についても実施の形態１と同様に１６μｍから１３３μｍとなる。従って、特徴形状部Ｐ５の配置としては、その半導体チップ１１の外周部から１３３μｍ以上離れた位置に配置されていれば、接着剤１３のはみ出しに影響されることが無く、好ましい。搭載した半導体チップ１１とはみ出した接着剤１３の平面模式図とその要部拡大図を図５に示す。
【００４８】
本実施の形態２の応用例を図６（ａ）〜図６（ｄ）に示す。
図６（ａ）に示した実施例の特徴形状部Ｐ６は、半導体チップ１１のボンディングパッド１１ａが配置されていない二辺に平行な辺、すなわちボンディングパッド１２ｂに対向していないダイパッド１２ａの短辺に直角に、細長い矩形の形状の一つである直線状の特徴形状部Ｐ６が基板本体１２ｏに設けられている。この特徴形状部Ｐ６の中央付近Ｓ２を認識することで配線基板１２のＹ軸を検出し、そのＹ軸を基準にＸ軸を検出して半導体チップ１１の搭載精度を向上させ、また搭載位置ずれが発生した不良品を排除できる。
【００４９】
図６（ｂ）に示した実施例の特徴形状部Ｐ７は、特徴形状部Ｐ６の直線状に変わる他の形状を示している。この特徴形状部Ｐ７の中央付近Ｓ３を認識することで配線基板１２のＹ軸を検出し、そのＹ軸を基準にＸ軸を検出して半導体チップ１１の搭載精度を向上させ、また搭載位置不良品を排除できる。この例は、Ｔ字状の例を示している。この他に、Ｘ軸とＹ軸との平行な直線を組み合わせた形状、例えば十字状、Ｌ字状の形状などが使用できる。
【００５０】
図６（ｃ）に示した実施例の特徴形状部Ｐ８は、図３（ｃ）と同様に、ダイパッド１２ａ，ボンディングパッド１２ｂならびにランド１２ｃなどにめっきする場合に使用される場合で、図４（ａ）に示した特徴形状部Ｐ５の両端に引き出し線１２ｆを追加して形成されている。ダイパッド１２ａ，ボンディングパッド１２ｂならびにランド１２ｃについても引き出し線１２ｆが設けられている。
【００５１】
この図６（ｃ）に示したように、特徴形状部Ｐ５に引き出し線１２ｆを所定角度の例えば直角に、つまり、ダイパッド１２ａのＹ軸に平行に配置すれば、この引き出し線１２ｆを認識することで、ダイパッド１２ａのＹ軸を検出でき、半導体チップ１１の搭載精度の向上に有利である。
【００５２】
なお、特徴形状部Ｐ５およびそれと導通する引き出し線１２ｆの形状としては、ここで示したコの字を９０度回転させた形状のほか、Ｔ字状，Ｌ字状，逆Ｌ字状，カタカナの「ト」字状などのようにダイパッド１２ａのＸ軸，Ｙ軸方向に沿った直線パターンを組み合わせた各種の形状を適用できる。
【００５３】
図６（ｄ）に示した実施例の特徴形状部Ｐ８，Ｐ９は、図６（ｃ）での実施例で見られたダイパッド１２ａが無く、特徴形状部Ｐ８と同様の特徴形状部Ｐ９を、半導体チップ１１を挟んで対象の位置に配置した応用例である。
【００５４】
この実施例を適用できるのは、半導体チップ１１で実現しようとしている機能がダイパッド１２ａを必要としない場合に限られる。ここでダイパッド１２ａを排除し、基板本体１２ｏに半導体チップ１１を直接に接着剤１３にて接合することで、基材に対する接着剤１３の接着力はダイパッド１２ａに対するそれよりも一般的に高いため、半導体装置１０を高信頼性化することができる。更に、半導体チップ１１を挟んで特徴形状部Ｐ８，Ｐ９の２箇所に、配線基板１２の外形に対して規定の角度方向に延びる特徴形状部を配置しているため、搭載精度の向上に寄与する。
【００５５】
なお、図６（ｃ）で特徴形状部Ｐ８および引き出し線１２ｆの形状について述べた説明は、全てこの図６（ｄ）にも適用できる。また、図６（ｄ）は導体パターン表面のめっきが電解めっきの場合を示しているが、これが無電解めっきであってもその効果は同等に得ることができる。
【００５６】
以上の説明において、特徴形状部の配置は、四辺形の形状の半導体装置１０の中で、半導体チップ１１のボンディングパッド１１ａが配置されていない辺に対向した領域に限定した。その理由は、半導体チップ１１のボンディングパッド１１ａが配置されている辺に対向した領域、すなわち、ボンディングパッド１２ｂやランド１２ｃが配置された側に特徴形状部を配置すると、この特徴形状部と封止樹脂１５との間で界面剥離が発生した場合、それが進展してボンディングパッド１２ｂに至り、電気的な接続が損なわれる虞があるからである。
【００５７】
なお、半導体装置１０に使用できる材料については実施の形態１に述べた内容と重複するのでここでの説明は割愛する。
（実施の形態３）
図７（ａ）（ｂ）は、それぞれ本発明の実施の形態３にかかる半導体装置を示す。実施の形態２との違いは、配線基板１２の表面を、ダイパッド１２ａ，ボンディングパッド１２ｂ，特徴形状部を除いて、ソルダーレジスト３０ａ，３０ｂ，３０ｃにて被覆している点である。
【００５８】
前述したように、めっき部は封止樹脂１５との接着力が低いため、必要の無い箇所は封止樹脂１５との界面の面積を極力小さくする方が好ましい。またソルダーレジスト３０ａ，３０ｂ，３０ｃはめっき部よりも封止樹脂１５との界面での接着力が高い。従って、外部に露出することが必要な部分、すなわち、接着剤１３を塗布して半導体チップ１１を搭載するダイパッド１２ａ，ワイヤ１４と接続するボンディングパッド１２ｂ，特徴形状部Ｐ５，Ｐ８，Ｐ９を除いた部分を、ソルダーレジスト３０ａ，３０ｂ，３０ｃで被覆することで、半導体装置１０の信頼性を高めることができる。
【００５９】
図７（ａ）は、図４（ａ）に示した半導体装置に上記の改変を施した実施の形態３の基づく半導体装置４０を示している。
配線基板１２の表面をソルダーレジスト３０ａ，３０ｂ，３０ｃにて被覆し、ソルダーレジスト３０ａの中央でダイパッド１２ａを露出させ、ソルダーレジスト３０ａとソルダーレジスト３０ｂの間でボンディングパッド１２ｂを露出させ、ソルダーレジスト３０ａとソルダーレジスト３０ｃの間でもボンディングパッド１２ｂを露出させている。ソルダーレジスト３０ａ，３０ｂ，３０ｃは互いに分離されている必要はなく、連なっていてもよい。ここでの特徴形状部Ｐ５を認識することで、半導体チップ１１をダイパッド１２ａに高精度で搭載でき、また搭載後の位置の測定ができる。
【００６０】
図７（ｂ）は、同様に図６（ｄ）に示した半導体装置１０に上記の改変を施した実施の形態３の基づく半導体装置５０を示している。図６（ｄ）に示した半導体装置１０の場合にはダイパッド１２ａを有していないため、その部分でのソルダーレジスト３０ａの開口は無く、ソルダーレジスト３０ａの表面上に半導体チップ１１が接着剤１３を介して直接に搭載されている。界面剥離の起点となるダイパッド１２ａが無く、かつ特徴形状部Ｐ８，Ｐ９は、特徴形状部Ｐ５とその両端の引き出し線１２ｆがソルダーレジスト３０ａの開口から露出しているため、高信頼性かつ半導体チップ１１の搭載位置の精度に優れた半導体装置５０を実現できる。
【００６１】
なお、この図７（ｂ）で示す実施例においてダイパッド１２ａが設けられていない別の理由、例えば半導体チップ１１を搭載するソルダーレジスト３０ａの表面の平坦性を確保する等によってダイパッド１２ａを設けてその上をソルダーレジスト３０ａで被覆してもよい。
【００６２】
また、ここでの特徴形状部Ｐ５に代わり、実施の形態１にて説明した特徴形状部Ｐ１〜Ｐ３，Ｐ１とＰ３，Ｐ１〜Ｐ４などを有するダイパッド形状を本実施の形態３に適用できる。
【００６３】
また、ここでの特徴形状部Ｐ５に代わり、実施の形態２にて説明した十字状、Ｔ字状、Ｌ字状、逆Ｌ字状などの、配線基板１２のＸ軸，Ｙ軸に平行な直線部分を組み合わせた特徴形状部などをこの実施の形態３に適用することもできる。
【００６４】
なお、上記の実施の形態１〜３および各々の実施例に記載の構成はあくまで本発明の一例として記載したものであり、発明の内容を記載された実施形態の構成のみに限定するものではない。また、上記の実施の形態１〜３は本発明の主旨を逸脱しない範囲で適宜組み合わせて実施できる。
【産業上の利用可能性】
【００６５】
本発明は、配線基板のダイパッドパターン上に接着剤を介して半導体チップを搭載する構成を備えた半導体装置全般に有用であり、特に半導体チップの搭載ズレに対する要求の厳しいＰＤＩＣ等の半導体装置としての高信頼性化に寄与する。
【符号の説明】
【００６６】
１０，２０，４０，５０    半導体装置
１１    半導体チップ
１１ａ    半導体チップ１１のボンディングパッド
１２    配線基板
１２ｏ    基板本体
１２ａ    ダイパッド
１２ｂ    ボンディングパッド
１２ｃ    ランド
１２ｄ    スルーホール
１２ｅ    外部端子
１２ｆ    引き出し線
１３    接着剤
１４    ワイヤ
１５    封止樹脂
Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３，Ｐ４，Ｐ５，Ｐ６，Ｐ７，Ｐ８，Ｐ９    特徴形状部
３０ａ，３０ｂ，３０ｃ    ソルダーレジスト
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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