(57)【要約】      （修正有）【課題】ＬＥＤディスプレイの製造方法と、ＬＥＤディスプレイを提供する。【解決手段】仮基板１０８が用意され、仮基板１０８は、第１の接着層１１０と第１の接着層１１０の上に実装された複数の第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６とを有する。第１の透明基板２００が用意され、第１の透明基板２００の上には複数のピクセルが配置され、ピクセルの各々は、遮光構造２１０によってそれぞれ包囲される第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルを含む。そして、仮基板１０８及び第１の透明基板２００は合わせて接合され、それにより、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６の各々は、第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルの各々に対応して実装される。その後、仮基板１０８が除去される。【選択図】図１Ｆ
2014212320.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイの製造方法であって、
第１の接着層と、該第１の接着層の上に実装された複数の第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップとを有する仮基板を用意するステップと、
その上に複数のピクセルが配置された第１の透明基板を用意するステップであって、該ピクセルの各々が、遮光構造によってそれぞれ包囲される第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルを含む、ステップと、
前記第１の透明基板に前記仮基板を接合するステップであって、それにより、前記第１のＬＥＤチップ、前記第２のＬＥＤチップ及び前記第３のＬＥＤチップの各々が、前記第１のサブピクセル、前記第２のサブピクセル及び前記第３のサブピクセルの各々に対応して実装される、ステップと、
前記仮基板を除去するステップと、
を含む、発光ダイオードディスプレイの製造方法。
【請求項２】
前記仮基板を除去する前記ステップの後に又はそれと同時に、前記第１の接着層を除去するステップを更に含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第１の接着層は、
ホットメルトプロセス又はレーザーアブレーションプロセスによって除去することができる接着剤と、
そのまま剥離することができる粘着テープと、
ＵＶ光によって硬化させた後に剥離することができる感光性粘着テープと、
からなる群から選択される、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第１の接着層を除去する前記ステップの後に、
第２の透明基板を用意するステップと、
前記複数の第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップを前記第２の透明基板に接合するために、前記第１のサブピクセル、前記第２のサブピクセル及び前記第３のサブピクセルの各々の中に充填されたパッケージング材料を設けるステップと、
を更に含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第１の透明基板に前記仮基板を接合する前記ステップの前に、前記第１のサブピクセル、前記第２のサブピクセル及び前記第３のサブピクセルの各々において、第１の波長変換材料、第２の波長変換材料及び第３の波長変換材料をそれぞれコーティングし、前記第１のサブピクセル、前記第２のサブピクセル及び前記第３のサブピクセルの各々に、第１の波長変換層、第２の波長変換層及び第３の波長変換層をそれぞれ形成する、ステップを更に含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項６】
前記第１のサブピクセル、前記第２のサブピクセル及び前記第３のサブピクセルの各々において、前記第１の波長変換材料、前記第２の波長変換材料及び前記第３の波長変換材料をコーティングする前記ステップの後、前記第１のサブピクセル、前記第２のサブピクセル及び前記第３のサブピクセルの各々において前記第１の波長変換層、前記第２の波長変換層及び前記第３の波長変換層の上に第２の接着層をコーティングするステップであって、それにより、前記第２の接着層によって、前記第１の波長変換層、前記第２の波長変換層及び前記第３の波長変換層の各々の上に前記第１のＬＥＤチップ、前記第２のＬＥＤチップ及び前記第３のＬＥＤチップの各々をそれぞれ実装することができるようにする、ステップを更に含む、請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記第２の接着層によって前記複数の第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップを実装する前記ステップは、前記第２の接着層を硬化させるステップを含む、請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第２の接着層を硬化させる前記ステップは、光硬化プロセス又は熱硬化プロセスによって行われる、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記第１のＬＥＤチップ、前記第２のＬＥＤチップ及び前記第３のＬＥＤチップは紫外線（ＵＶ）ＬＥＤチップである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記第１の波長変換層、前記第２の波長変換層及び前記第３の波長変換層は、ＵＶ光によって励起され、赤色光、緑色光及び青色光をそれぞれ放出することができる蛍光層である、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記第１のＬＥＤチップ、前記第２のＬＥＤチップ及び前記第３のＬＥＤチップは青色ＬＥＤチップである、請求項１〜７のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の波長変換層、前記第２の波長変換層及び前記第３の波長変換層は、青色光によって励起され、赤色光、緑色光及び青色光をそれぞれ放出することができる蛍光層である、請求項１１に記載の製造方法。
【請求項１３】
第１の透明基板と、
前記第１の透明基板の上に形成された複数のピクセルであって、該ピクセルの各々は、
遮光構造によってそれぞれ包囲されている第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルと、
前記第１のサブピクセル内に形成された第１の波長変換層と、
前記第２のサブピクセル内に形成された第２の波長変換層と、
前記第３のサブピクセル内に形成された第３の波長変換層と、
前記第１の波長変換層、前記第２の波長変換層及び前記第３の波長変換層の上に配置された接着層と、
前記第１のサブピクセル、前記第２のサブピクセル及び前記第３のサブピクセルにおいてそれぞれ前記接着層の上に配置された第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップと、
を備える、複数のピクセルと、
前記ピクセルの各々の前記第１のサブピクセル、前記第２のサブピクセル及び前記第３のサブピクセル内に充填されたパッケージング材料と、
前記第１の透明基板に対向しかつ平行である第２の透明基板であって、前記パッケージング材料によって前記第１のＬＥＤチップ、前記第２のＬＥＤチップ及び前記第３のＬＥＤチップに接合される、第２の透明基板と、
を備えるＬＥＤディスプレイ。
【請求項１４】
前記ピクセルの各々の長さ及び幅は２００μｍ以下である、請求項１３に記載のＬＥＤディスプレイ。
【請求項１５】
前記ＬＥＤチップの各々の長さ及び幅は６０μｍ以下である、請求項１３又は１４に記載のＬＥＤディスプレイ。
【請求項１６】
前記第１のＬＥＤチップ、前記第２のＬＥＤチップ及び前記第３のＬＥＤチップはＵＶ  ＬＥＤチップであり、前記第１の波長変換層、前記第２の波長変換層及び前記第３の波長変換層は、ＵＶ光によって励起され、赤色光、緑色光及び青色光をそれぞれ放出することができる蛍光層であるか、又は、前記複数の第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップは青色光ＬＥＤチップであり、前記第１の波長変換層、前記第２の波長変換層及び前記第３の波長変換層は、青色光によって励起され、赤色光、緑色光及び青色光をそれぞれ放出することができる蛍光層である、請求項１３〜１５のいずれか一項に記載のＬＥＤディスプレイ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、包括的には、ディスプレイ及びその製造方法に関する。より詳細には、本発明は、発光ダイオード（ＬＥＤ）ディスプレイ製造方法と、上記方法によって製造されかつ多波長の光を放出することができるＬＥＤディスプレイとに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に見られるフラットパネルディスプレイは、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）及び有機発光ダイオードディスプレイ（ＯＬＥＤ）を含む。
【０００３】
液晶ディスプレイは主流製品であり、関連する技術は十分に開発されており、その価格は低い。しかしながら、液晶ディスプレイは、例えば特許文献１に記載されているもののような追加のバックライトモジュールを必要とし、そのため厚さ又は重量を更に低減することが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】台湾特許第Ｉ３６２５３３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
自発光でありバックライトモジュールを必要としないＯＬＥＤは、ＬＣＤより軽量でありかつ薄い。しかしながら、ＯＬＥＤの発光材料は高価であり、ＯＬＥＤの耐用年数は比較的短く、ＯＬＥＤの製造プロセスは複雑である。したがって、ＯＬＥＤは、依然としてＬＣＤにとって代わり広く使用されるようになることができない。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、ＬＥＤディスプレイ及びその製造方法に関する。本発明によるＬＥＤディスプレイ製造方法では、ＬＥＤチップが仮基板によって設けられる。したがって、ＬＥＤディスプレイを容易に製造することができる。さらに、上記方法によって製造されるＬＥＤディスプレイには、より軽量であり、よりサイズが小さく、より電力消費量が少なく、よりコントラストが高く、より反応速度が高く、より低コストであり、かつより耐用年数が長いという利点がある。
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、ＬＥＤディスプレイの製造方法が開示される。仮基板が用意され、仮基板は、第１の接着層と、第１の接着層の上に実装された複数の第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップとを有する。第１の透明基板が用意され、第１の透明基板の上には複数のピクセルが配置され、ピクセルの各々は、遮光構造によってそれぞれ包囲される第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルを含む。そして、仮基板は第１の透明基板に接合され、それにより、第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップの各々は、第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルの各々に対応して実装される。その後、仮基板が除去される。
【０００８】
本発明の別の実施形態によれば、ＬＥＤディスプレイが開示される。ＬＥＤディスプレイは、第１の透明基板と、第１の透明基板の上に形成された複数のピクセルと、ピクセル内に充填されるパッケージング材料と、第１の透明基板に対向しかつ平行な第２の透明基板とを備えている。ピクセルの各々は、第１のサブピクセル、第２のサブピクセル、第３のサブピクセル、第１の波長変換層、第２の波長変換層、第３の波長変換層、接着層、第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップを備えている。第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセルは、それぞれ遮光構造によって包囲されている。第１の波長変換層、第２の波長変換層及び第３の波長変換層は、それぞれ第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセル内に形成されている。接着層は、第１の波長変換層、第２の波長変換層及び第３の波長変換層の上に配置されている。第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップは、それぞれ第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセル内の接着層の上に配置されている。パッケージング材料は、ピクセルの各々の第１のサブピクセル、第２のサブピクセル及び第３のサブピクセル内に充填されている。第２の透明基板は、パッケージング材料によって第１のＬＥＤチップ、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップに接合されている。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１Ａ】本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイの製造方法を概略的に示す図である。
【図１Ｂ】本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイの製造方法を概略的に示す図である。
【図１Ｃ】本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイの製造方法を概略的に示す図である。
【図１Ｄ】本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイの製造方法を概略的に示す図である。
【図１Ｅ】本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイの製造方法を概略的に示す図である。
【図１Ｆ】本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイの製造方法を概略的に示す図である。
【図１Ｇ】本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイの製造方法を概略的に示す図である。
【図１Ｈ】本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイの製造方法を概略的に示す図である。
【図２Ａ】本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイを概略的に示す図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイを概略的に示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下の詳細な説明では、説明の目的で、開示する実施形態が完全に理解されるために多数の具体的な詳細が示されている。しかしながら、これらの具体的な詳細なしに１つ又は複数の実施形態を実施することができることが明らかであろう。他の例では、図面を簡略化するために、既知の構造及び装置は概略的に示されている。
【００１１】
図１Ａ〜図１Ｈを参照すると、本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイの製造方法が概略的に示されている。明確にするために、図における要素のサイズ及び相対的な寸法は、実際のサイズ及び相対的な寸法に従って示されていない場合があり、図によっては、幾つかの要素及び参照数字が省略されている場合がある。
【００１２】
図１Ａは、その上に複数のＬＥＤがエピタキシャル形成されている基板の上面図と、断面線Ａ−Ａ’に沿った断面図とを示す。図１Ａに示すように、基板（サファイア基板等）１００の上には複数のＬＥＤチップが形成されている。ＬＥＤチップは、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６を含む。第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６は実質的に同じであるが、本発明はそれに限定されない。一実施形態では、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６の各々の長さＬ１及び幅Ｗ１は、６０μｍ以下である。第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６は、波長が３６５ｎｍから４８０ｎｍである光を放出する。言い換えれば、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６は、紫外線（ＵＶ）ＬＥＤチップ又は青色光ＬＥＤチップとすることができる。
【００１３】
図１Ｂに示すように、仮基板１０８が用意される。仮基板１０８の表面１０９には、第１の接着層１１０が配置されている。仮基板１０８は、例えばプラスチック基板、ガラス基板、シリコン基板又はサファイア基板とすることができる。第１の接着層１１０は、接着剤、粘着テープ又は感光性粘着テープとすることができる。
【００１４】
そして、図１Ｃに示すように、図１Ａ及び図１Ｂに示す構造が合わせて接合され、それにより、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６が第１の接着層１１０上に実装される。
【００１５】
その後、図１Ｄに示すように、基板１００が除去される。残された仮基板１０８の表面１０９に第１の接着層１１０があり、第１の接着層１１０の上に第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６が実装されている。
【００１６】
図１Ｅに示すように、第１の透明基板２００が用意される。第１の透明基板２００はプラスチック基板又はガラス基板とすることができ、ＬＥＤディスプレイの発光基板として使用される。第１の透明基板２００の表面２０１には、複数のピクセルＰ（１つのピクセルのみを図示している）が形成されている。ピクセルＰの各々は、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３を含む。一実施形態では、各ピクセルＰの長さＬ２及び幅Ｗ２（図２Ａに示す）は２００μｍ以下である。
【００１７】
ここで、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３の各々の中に第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４及び第３の波長変換層２０６をそれぞれ形成するように、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３の各々の中に、第１の波長変換材料、第２の波長変換材料及び第３の波長変換材料をコーティングすることができる。第１の波長変換材料、第２の波長変換材料及び第３の波長変換材料は、使用されている第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６に応じて選択することができる。例えば、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６がＵＶ  ＬＥＤチップである場合、第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４及び第３の波長変換層２０６は、ＵＶ光によって励起され、赤色光、緑色光及び青色光をそれぞれ放出できる蛍光層とすることができる。第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６が青色ＬＥＤチップである場合、第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４及び第３の波長変換層２０６は、青色光によって励起され、赤色光、緑色光及び青色光をそれぞれ放出できる蛍光層とすることができる。
【００１８】
そして、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３内の第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４及び第３の波長変換層２０６の上に第２の接着層２０８をコーティングし、それにより後続するステップで、第２の接着層２０８によって、第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４及び第３の波長変換層２０６の上に第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６をそれぞれ取り付けることができるようにしてもよい。第２の接着層２０８は、シリコーン等、光硬化材料又は熱硬化材料を使用して形成することができる。
【００１９】
さらに、第１の透明基板２００の表面２０１に、遮光構造２１０が形成される。遮光構造２１０は、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３を包囲し、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３の境界を画定して光を遮蔽するために使用される。第１の波長変換層２０２及びその上に配置された第２の接着層２０８は第１のサブピクセルＰ１内に形成され、第２の波長変換層２０４及びその上に配置された第２の接着層２０８は第２のサブピクセルＰ２内に形成され、第３の波長変換層２０６及びその上に配置された第２の接着層１０８は第３のサブピクセルＰ３内に形成される。
【００２０】
その後、図１Ｆに示すように、図１Ｄ及び図１Ｅに示す構造が合わせて接合される。仮基板１０８が第１の透明基板２００に接合され、それにより、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ及び第３のＬＥＤチップ１０６が、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３にそれぞれ対応するように実装される。
【００２１】
ここで、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６は、第２の接着層２０８によって第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３内にそれぞれ取り付けられる。例えば、第２の接着層２０８が光硬化材料から形成されるという条件のもとでは、第２の接着層１０８を硬化させるステップを、光硬化プロセスによって行うことができる。一方、第２の接着層２０８が熱硬化材料から形成されるという条件のもとでは、第２の接着層２０８を硬化させるステップを、熱硬化プロセスによって行うことができる。
【００２２】
図１Ｇに示すように、仮基板１０８が除去され、第１の接着層１１０もまた除去される。
【００２３】
第１の接着層１１０を除去するステップは、仮基板１０８を除去するステップの後に行ってもよい。例えば、第１の接着層１１０が接着剤（ホットメルト接着剤等）であるという条件のもとでは、仮基板１０８が除去されると、第１の接着層１１０が露出し、第１の接着層１１０をホットメルト（熱溶融）プロセス又はレーザーアブレーションプロセスによって除去することができる。
【００２４】
代替的に、第１の接着層１１０を除去するステップと仮基板１０８を除去するステップとを同時に行ってもよい。例えば、第１の接着層１１０が、そのまま剥離することができる粘着テープであるという条件のもとでは、仮基板１０８が除去されるときに、第１の接着層１１０を第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６から剥離し除去することができる。別の例では、第１の接着層１１０が、ＵＶ光によって硬化させた後に剥離することができる感光性粘着テープであるという条件のもとでは、第１の接着層１１０をＵＶ光で硬化させて第１の接着層１１０の粘度を低減させ、その後、仮基板１０８を除去するステップと、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６から第１の接着層１１０を剥離するステップとを、同時に行うことができる。
【００２５】
ここで、第１の接着層１１０及び第２の接着層２０８は、異なる材料から形成されている。したがって、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６を第１の透明基板２００に取り付ける第２の接着層２０８は、第１の接着層１１０の除去によって損傷を受けない。
【００２６】
その後、図１Ｈに示すように、第２の透明基板３００及びパッケージング材料３０２があてがわれる。
【００２７】
第２の透明基板３００は、例えばプラスチック基板又はガラス基板とすることができる。さらに、走査回路又は駆動回路等、ＬＥＤディスプレイの回路構造を、第２の透明基板３００の上に予め形成することができる。
【００２８】
パッケージング材料３０２は、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３の各々の中に充填され、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６を第２の透明基板３００に接合するために使用される。パッケージング材料３０２は、シリコーン又はエポキシ樹脂とすることができる。パッケージング材料３０２は、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３の残りの空間を充填し、それゆえに、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６を保護することができる。
【００２９】
ＬＥＤディスプレイ４００の構造及び製造方法について上に開示した。
【００３０】
ＬＥＤディスプレイの開示した製造方法によると、基板１００上に形成されたＬＥＤチップは、まずは仮基板１０８に移され、その後、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６が、仮基板１０８を介してＬＥＤディスプレイ４００の第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３の各々に供給される。したがって、製造時間が短縮され、製造効率が向上する。
【００３１】
さらに、基板１００（サファイア基板等）は切断する必要がないため、ＬＥＤチップは、基板１００の硬さのためにＬＥＤチップの長さ及び幅を２００μｍ未満まで縮小することができないという制約を受けない。したがって、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６の各々の長さＬ１及び幅Ｗ１は６０μｍ以下まで縮小させ、各ピクセルＰの長さＬ２及び幅Ｗ２は２００μｍ以下とすることができ、ディスプレイの要件に適合させることができる。
【００３２】
図２Ａ及び図２Ｂを参照すると、本発明の一実施形態によるＬＥＤディスプレイが概略的に示されている。図２Ａ及び図２Ｂは、上記製造方法によって製造されたＬＥＤディスプレイ４００を示す。図２Ａは、ＬＥＤディスプレイ４００の概略図である。図２Ｂは、図２Ａの断面線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図を示す。本発明の特徴を明確に示すために、図における要素のサイズ及び相対的な寸法は、実際のサイズ及び相対的な寸法に従って示されていない場合があり、図によっては、幾つかの要素及び参照数字が省略されている場合がある。
【００３３】
ＬＥＤディスプレイ４００は、互いに平行かつ対向する第１の透明基板２００及び第２の透明基板３００と、複数のピクセルＰと、パッケージング材料３０２とを備えている。第１の透明基板２００は、ガラス基板又はプラスチック基板とすることができる。ＬＥＤディスプレイ４００によって放出される光は、第１の透明基板２００を通り抜けて出る。第２の透明基板３００は、ガラス基板又はプラスチック基板とすることができる。
【００３４】
ピクセルＰは各々、長さＬ２及びＷ２が２００μｍ以下で、第１の透明基板２００の上に形成されている。各ピクセルＰは、それぞれが遮光構造２１０によって包囲されている第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３を含む。各ピクセルＰは、第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４、第３の波長変換層２０６、接着層２０８、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６を更に備えている。第１の波長変換層２０２は、第１のサブピクセルＰ１内に形成されている。第２の波長変換層２０４は、第２のサブピクセルＰ２内に形成されている。第３の波長変換層２０６は、第３のサブピクセルＰ３内に形成されている。接着層２０８は、第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４及び第３の波長変換層２０６の上に、シリコーン等の光硬化材料又は熱硬化材料を含む材料から形成されている。第１のＬＥＤチップ１０２は、第１のサブピクセルＰ１において接着層２０８の上に実装されている。第２のＬＥＤチップ１０４は、第２のサブピクセルＰ２において接着層２０８の上に実装されている。第３のＬＥＤチップ１０６は、第３のサブピクセルＰ３において接着層２０８の上に実装されている。第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６を、各々、長さＬ１（図１Ａに示す）及び幅Ｗ１（図１Ａに示す）が６０μｍ以下であるＵＶ  ＬＥＤチップ又は青色光ＬＥＤチップとすることができる。第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６がＵＶ  ＬＥＤチップである場合、第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４及び第３の波長変換層２０６は、ＵＶ光によって励起され、赤色光、青色光及び緑色光をそれぞれ放出することができる蛍光層とすることができる。第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６が青色光ＬＥＤチップである場合、第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４及び第３の波長変換層２０６は、青色光によって励起され、赤色光、青色光及び緑色光をそれぞれ放出することができる蛍光層とすることができる。
【００３５】
パッケージング材料３０２は、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３の各々の中に充填される。シリコーン又はエポキシ樹脂等のパッケージング材料３０２により、第２の透明基板３００を第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６に接合することができる。パッケージング材料３０２は、第１のサブピクセルＰ１、第２のサブピクセルＰ２及び第３のサブピクセルＰ３の残りの空間を充填し、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６を保護する。
【００３６】
第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６によって自発光であるＬＥＤディスプレイ４００は、いかなる追加のバックライト源も不要であり、したがって軽量かつ薄型である。
【００３７】
さらに、第１のＬＥＤチップ１０２、第２のＬＥＤチップ１０４及び第３のＬＥＤチップ１０６によって放出される光が、第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４及び第３の波長変換層２０６を通過するとき、光は多波長の光に変換される。第１の波長変換層２０２、第２の波長変換層２０４及び第３の波長変換層２０６は、一般に知られているカラーフィルターよりコントラストが高い蛍光層である。
【００３８】
さらに、ＬＥＤディスプレイ４００は、光源としてＬＥＤを使用する。ＯＬＥＤと比較して、ＬＥＤには、より効率が高く、より反応速度が高く、より低コストであり、かつ、より耐用年数が長いという利点がある。したがって、光源としてＬＥＤを使用するＬＥＤディスプレイ４００には、より効率が高く、より反応速度が高く、より低コストであり、かつより耐用年数が長いというこれらの利点がある。
【００３９】
本発明によるＬＥＤディスプレイ製造方法では、ＬＥＤチップは仮基板によって設けられる。したがって、ＬＥＤディスプレイを容易に製造することができる。さらに、上記製造方法によって製造されたＬＥＤディスプレイには、より効率が高く、より反応速度が高く、より低コストであり、かつより耐用年数が長いという利点がある。本発明によるＬＥＤディスプレイは、６インチ〜８インチのフラットパネルディスプレイ等、任意のサイズのフラットパネルディスプレイに適用することができる。しかしながら、本発明はそれに限定されない。
【００４０】
当業者には、開示した実施形態に対して様々な変更及び変形を行うことができることが明らかであろう。明細書及び例は単に例示するものとしてみなされ、本開示の真の範囲は以下の特許請求の範囲及びそれらの均等物によって示されることが意図されている。
【図１Ａ】
2014212320.tif 000003
【図１Ｂ】
2014212320.tif 000004
【図１Ｃ】
2014212320.tif 000005
【図１Ｄ】
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【図１Ｅ】
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【図１Ｆ】
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【図１Ｇ】
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【図１Ｈ】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
2014212320.tif 000012
【外国語明細書】
2014212320000001.pdf