(57)【要約】【課題】消費電力を抑制し、かつ表示装置の画質劣化を低減させる表示装置及び電子機器を提供する。【解決手段】画像表示パネルは、第１副画素、第２副画素、第３副画素及び第４副画素を含む画素の配列であって、第１副画素を含む第１列と、第１列の次列に配列する第２副画素を含む第２列と、第２列の次列に配列される第３列と、が周期的に配列された前記画素の配列を含む。第３列は、第３副画素及び第４副画素が当該第３列に沿う方向に交互に並べられており、かつ第３列の同一行において行方向に沿う方向に隣り合う第３列同士の副画素が第３副画素及び第４副画素を交互に配置している。そして、１つの走査線は、選択可能な第３列の副画素が、第３副画素及び第４副画素のうち、どちらか一方に接続されている。【選択図】図３
2014160232.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の副画素を含む画素の配列であって、第１副画素を含む第１列と、前記第１列の次列に配列され、第２副画素を含む第２列と、前記第２列の次列に配列される第３列と、が周期的に配列された前記画素の配列を含む画像表示パネルと、
前記画像表示パネルに画像を表示する画像表示機能を有する表示機能層と、
前記第１列、前記第２列及び前記第３列の各列に接続された信号線と、
画像信号に基づいて、前記信号線に印加される電圧が隣り合う前記副画素間又は隣り合う前記画素間で異なり、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するカラム反転駆動方式で前記表示機能を駆動する制御装置と、
前記制御装置が前記副画素の各行を順次選択する走査線と、を備え、
前記第３列において、第３副画素及び第４副画素が当該第３列に沿う方向に交互に配置され、かつ前記第３列の同一行において、前記第３副画素及び前記第４副画素が交互に配置され、
前記走査線のそれぞれは、前記第３列において、選択する副画素として、隣り合う前記第３副画素及び隣り合う前記第４副画素のうち、どちらか一方に接続されている、表示装置。
【請求項２】
前記制御装置は、行方向に沿って並んだ１つおきの前記第３列の副画素に伝達する画像信号を同じ行の他の副画素よりも１水平画素分ずらして伝送する、請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記走査線は、隣接した両方の行の第３副画素又は隣接した両方の行の第４副画素に接続されている、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記同一行にある前記第３列の前記副画素が接続する前記走査線が交互に異なる、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記同一行にある前記副画素が接続する前記走査線が、画素毎に交互に異なる、請求項１又は２に記載の表示装置。
【請求項６】
前記画像表示パネルの上に装着又は一体化され、外部から近接する外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置をさらに備える、請求項１から５のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項７】
複数の副画素を含む画素の配列であって、第１副画素を含む第１列と、前記第１列の次列に配列され、第２副画素を含む第２列と、前記第２列の次列に配列される第３列と、が周期的に配列された前記画素の配列を含む画像表示パネルと、
前記画像表示パネルに画像を表示する画像表示機能を有する表示機能層と、
前記第１列、前記第２列及び前記第３列の各列に設けられた信号線と、
画像信号に基づいて、前記信号線に印加される電圧が隣り合う前記副画素間又は隣り合う前記画素間で異なり、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するカラム反転駆動方式で前記表示機能を駆動する制御装置と、
前記制御装置が前記副画素の各行を順次選択する走査線と、を備え、
前記第３列において、第３副画素及び第４副画素が当該第３列に沿う方向に交互に配置され、かつ前記第３列の同一行において、前記第３副画素及び前記第４副画素が交互に配置され、
前記走査線のそれぞれは、前記第３列において、選択する副画素として、隣り合う前記第３副画素及び隣り合う前記第４副画素のうち、どちらか一方に接続されている、表示装置を有する電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、表示装置及びその表示装置を備えた電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、携帯電話及び電子ペーパー等のモバイル機器向け等の表示装置の需要が高くなっている。表示装置では、１つの画素が複数の副画素を備え、当該複数の副画素がそれぞれ異なる色の光を出力し、当該副画素の表示のオン及びオフを切り換えることで、１つの画素で種々の色を表示させている。このような表示装置は、解像度及び輝度といった表示特性も年々向上してきている。しかし、解像度が高くなるにしたがって開口率が低下してくるため、高輝度を達成しようとした場合、バックライトの輝度を高くする必要があり、バックライトの消費電力が増大するという問題がある。これを改善するため、従来の赤、緑、青の副画素に第４の副画素である白副画素を加える技術がある（例えば、特許文献１）。この技術は、白副画素が輝度を向上させる分、バックライトの電流値を下げ、消費電力を低減する。
【０００３】
また、画像表示パネルの駆動方式として、カラム反転駆動方式、ライン反転駆動方式、ドット反転駆動方式、フレーム反転駆動方式などの駆動方式が知られている。カラム反転駆動方式は、副画素又は副画素が組み合わされた画素の隣り合う１ライン（列）が互いに基準の電位に対して電位が異なるように、電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する駆動方式である。これにより、ドット反転駆動方式に比較して、カラム反転駆動方式は信号線における充放電が少なく低消費電力になることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−３３０１４号公報
【特許文献２】特公平５−４３１１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
第４の副画素を加えた画像表示パネルは、画素当たりの面積が大きくなるため、より高精細とする要望がある。そこで、液晶表示パネルは、第１副画素、第２副画素及び第３副画素の３列を順に並べる配置とし、第３列は、第３副画素及び第４副画素が行方向に交互に並べるようにした。その結果、第４の副画素を加えても画素面積の増大を抑制でき、高精細にできる。しかし、特許文献２の技術を適用して、より消費電力を抑制しようとする場合、クロストークとよばれる画質の低下（劣化）を招く可能性がある。
【０００６】
本開示は、消費電力を抑制し、かつ表示装置の画質劣化を低減させる表示装置及び電子機器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本開示の表示装置は、複数の副画素を含む画素の配列であって、第１副画素を含む第１列と、前記第１列の次列に配列され、第２副画素を含む第２列と、前記第２列の次列に配列される第３列と、が周期的に配列された前記画素の配列を含む画像表示パネルと、前記画像表示パネルに画像を表示する画像表示機能を有する表示機能層と、前記第１列、前記第２列及び前記第３列の各列に接続された信号線と、画像信号に基づいて、前記信号線に印加される電圧が隣り合う前記副画素間又は隣り合う前記画素間で異なり、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するカラム反転駆動方式で前記表示機能を駆動する制御装置と、前記制御装置が前記副画素の各行を順次選択する走査線と、を備える。前記第３列において、第３副画素及び第４副画素が当該第３列に沿う方向に交互に配置され、かつ前記第３列の同一行において、前記第３副画素及び前記第４副画素が交互に配置され、前記走査線のそれぞれは、前記第３列において、選択する副画素として、隣り合う前記第３副画素及び隣り合う前記第４副画素のうち、どちらか一方に接続されている。
【０００８】
本開示の電子機器は、本開示の表示装置を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、本実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。
【図２】図２は、本実施形態に係る画像表示パネルの画素配列を示す図である。
【図３】図３は、本実施形態に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。
【図４】図４は、本実施形態の表示装置で再現可能な再現ＨＳＶ色空間の概念図である。
【図５】図５は、再現ＨＳＶ色空間の色相と彩度との関係を示す概念図である。
【図６】図６は、本実施形態に係る画像表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。
【図７】図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。
【図８】図８は、カラム反転駆動方式で駆動した表示領域を説明するための模式図である。
【図９】図９は、カラム反転駆動方式で駆動した表示領域を説明するための模式図である。
【図１０】図１０は、カラム反転駆動方式で駆動した場合の信号線電位と、画素電位との関係を説明するための模式図である。
【図１１】図１１は、比較例に係る画像表示パネルに生じるクロストークを説明するための模式図である。
【図１２】図１２は、比較例に係る画像表示パネルの画素配列を示す模式図である。
【図１３】図１３は、比較例に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の副画素の状態を説明するための模式図である。
【図１４】図１４は、比較例に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の共通電極の信号の波形を説明するための模式図である。
【図１５】図１５は、本実施形態に係る画像表示パネルの画素配列を示す模式図である。
【図１６】図１６は、本実施形態に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の副画素の状態を説明するための模式図である。
【図１７】図１７は、本実施形態に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の共通電極の信号の波形を説明するための模式図である。
【図１８】図１８は、本実施形態の第１変形例に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。
【図１９】図１９は、本実施形態の第２変形例に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。
【図２０】図２０は、本実施形態の第３変形例に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。
【図２１】図２１は、本実施形態の第４変形例に係る画像表示パネルの画素配列を示す図である。
【図２２】図２２は、本実施形態の第４変形例に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。
【図２３】図２３は、本実施形態の第５変形例に係る画像表示パネルの画素配列を示す図である。
【図２４】図２４は、本実施形態の第５変形例に係るカラム反転駆動方式で駆動した表示領域を説明するための模式図である。
【図２５】図２５は、本実施形態の第５変形例に係るカラム反転駆動方式で駆動した表示領域を説明するための模式図である。
【図２６】図２６は、タッチ検出装置が前記画像表示パネルの上に一体化される本実施形態に係る表示装置の概念図である。
【図２７】図２７は、タッチ検出装置が前記画像表示パネルの上に装着される本実施形態に係る表示装置の概念図である。
【図２８】図２８は、図１２に示す比較例に係る表示装置がタッチ検出装置に作用するノイズの一例を説明する説明図である。
【図２９】図２９は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３０】図３０は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３１】図３１は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３２】図３２は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３３】図３３は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３４】図３４は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３５】図３５は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３６】図３６は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３７】図３７は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３８】図３８は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図３９】図３９は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図４０】図４０は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【図４１】図４１は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、発明を実施するための形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は次の順序で行う。
１．表示装置の構成
２．表示装置の処理動作
３．変形例
４．適用例（電子機器）
５．本開示の態様
【００１１】
［１．表示装置の構成］
図１は、本実施形態に係る表示装置の構成の一例を示すブロック図である。図２は、本実施形態に係る画像表示パネルの画素配列を示す図である。図３は、本実施形態に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。
【００１２】
図１に示すように、表示装置１０は、表示装置１０の各部に信号を送り、動作を制御する信号処理部２０と、信号処理部２０から出力された出力信号に基づいて画像を表示させる画像表示パネル３０と、画像表示パネル３０の駆動を制御する画像表示パネル駆動回路４０と、画像表示パネル３０を背面から照明する面状光源装置５０と、面状光源装置５０の駆動を制御する面状光源装置制御回路６０と、を備える。なお、表示装置１０は、特許文献の、特開２０１１−１５４３２３号公報に記載されている画像表示装置組立体と同様の構成であり、特開２０１１−１５４３２３号公報に記載されている各種変形例が適用可能である。
【００１３】
信号処理部２０は、画像表示パネル３０及び面状光源装置５０の動作を制御する演算処理部である。信号処理部２０は、画像表示パネル３０を駆動するための画像表示パネル駆動回路４０、及び、面状光源装置５０を駆動するための面状光源装置制御回路６０と接続されている。信号処理部２０は、外部から入力される入力信号を処理して出力信号及び面状光源装置制御信号を生成する。つまり、信号処理部２０は、入力信号の入力ＨＳＶ色空間の入力値（入力信号）を、第１の色、第２の色、第３の色及び第４の色で再現される再現ＨＳＶ色空間の再現値（出力信号）に変換して生成し、生成した出力信号を画像表示パネル３０に出力する。信号処理部２０は、生成した出力信号を画像表示パネル駆動回路４０に出力し、生成した面状光源装置制御信号を面状光源装置制御回路６０に出力する。
【００１４】
図２、図３に示すように、画像表示パネル３０は、画素４８が、Ｐ０×Ｑ０個（行方向にＰ０個、列方向にＱ０個）、２次元のマトリクス状に配列されている。図２、図３に示す例は、ＸＹの２次元座標系に複数の画素４８がマトリクス状に配列されている例を示している。この例において、行方向がＸ方向、列方向はＹ方向である。
【００１５】
画素４８は、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂ又は第４副画素４９Ｗとを有する。第１副画素４９Ｒは、第１原色（例えば、赤色）を表示する。第２副画素４９Ｇは、第２原色（例えば、緑色）を表示する。第３副画素４９Ｂは、第３原色（例えば、青色）を表示する。第４副画素４９Ｗは、第４の色（具体的には白色）を表示する。以下において、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとをそれぞれ区別する必要がない場合、副画素４９という。
【００１６】
表示装置１０は、より具体的には、透過型のカラー液晶表示装置である。画像表示パネル３０は、カラー液晶表示パネルであり、第１副画素４９Ｒと画像観察者との間に第１原色を通過させる第１カラーフィルタが配置され、第２副画素４９Ｇと画像観察者との間に第２原色を通過させる第２カラーフィルタが配置され、第３副画素４９Ｂと画像観察者との間に第３原色を通過させる第３カラーフィルタが配置されている。また、画像表示パネル３０は、第４副画素４９Ｗと画像観察者との間にカラーフィルタが配置されていない。第４副画素４９Ｗには、カラーフィルタの代わりに透明な樹脂層が備えられていてもよい。このように画像表示パネル３０は、透明な樹脂層を設けることで、第４副画素４９Ｗにカラーフィルタを設けないことによって第４副画素４９Ｗに大きな段差が生じることを抑制することができる。
【００１７】
画像表示パネル３０は、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂ又は第４副画素４９Ｗとを含む副画素を組み合わせた画素４８Ａ及び画素４８Ｂがマトリクス状に配置されている。そして、画像表示パネル３０は、図２及び図３に示すように、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂを有する画素４８Ａと、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第４副画素４９Ｗを有する画素４８Ｂとが行方向及び列方向にそれぞれ交互に配列されている。画像表示パネル３０は、第１副画素４９Ｒを並べた第１列と、この第１列の次列に配列する第２副画素４９Ｇを並べた第２列と、前記第２列の次列に配列される第３列と、が繰り返し配列されている。第３列は、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗが行方向に交互に並べられており、かつ第３列の同一列において、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗが列方向に交互に配置されている。
【００１８】
一般的には、ストライプ配列に類似した配列は、パーソナルコンピュータ等においてデータや文字列を表示するのに好適である。これに対して、モザイク配列に類似した配列は、ビデオカメラレコーダ又はデジタルスチルカメラ等において自然画を表示するのに好適である。
【００１９】
画像表示パネル駆動回路４０は、本実施形態の制御装置であって、信号出力回路４１及び走査回路４２を備えている。画像表示パネル駆動回路４０は、信号出力回路４１によって映像信号を保持し、順次、画像表示パネル３０に出力する。信号出力回路４１は、信号線ＤＴＬによって画像表示パネル３０と電気的に接続されている。画像表示パネル駆動回路４０は、走査回路４２によって、画像表示パネル３０における副画素を選択し、副画素の動作（光透過率）を制御するためのスイッチング素子（例えば、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ；Thin  Film  Transistor））のオン及びオフを制御する。走査回路４２は、走査線ＳＣＬによって画像表示パネル３０と電気的に接続されている。
【００２０】
図３に示すように、第１副画素４９Ｒを並べた第１列と、この第１列の次列に配列する第２副画素４９Ｇを並べた第２列と、第２列の次列に配列される第３列と、が繰り返し配列されている。第３列では、第３副画素４９Ｂ（４９Ｂ’）及び第４副画素４９Ｗ（４９Ｗ’）が行方向に交互に並べられており、第１副画素４９Ｒ及び第２副画素４９Ｇと比較して人間の視感度の低い、青色の第３副画素４９Ｂの輝度を第４の副画素４９Ｗの輝度で補うことができる。また、第３列の同一行において、行方向に沿う方向に隣り合う第３列同士の副画素４９は、第３副画素４９Ｂ’及び第４副画素４９Ｗを交互に配置している。また、第３列の同一行において、行方向に沿う方向に隣り合う第３列同士の副画素４９は、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗ’を交互に配置している。第３列の同一行にある、第３副画素４９Ｂ’と、第４副画素４９Ｗとは、交互に異なる走査線ＳＣＬに接続されている。第３列の同一行にある、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗ’とは、交互に異なる走査線ＳＣＬに接続されている。その結果、１つの走査線ＳＣＬが選択する第３列の副画素４９は、第３副画素４９Ｂ及び第３副画素４９Ｂ’である。又は、１つの走査線ＳＣＬが選択する第３列の副画素４９は、第４副画素４９Ｗ及び第４副画素４９Ｗ’である。
【００２１】
面状光源装置５０は、画像表示パネル３０の背面に配置され、画像表示パネル３０に向けて光を照射することで、画像表示パネル３０を照明する。面状光源装置５０は、画像表示パネル３０の全面に光を照射し、画像表示パネル３０を明るくする。面状光源装置制御回路６０は、面状光源装置５０から出力する光の光量等を制御する。具体的には、面状光源装置制御回路６０は、信号処理部２０から出力される面状光源装置制御信号に基づいて面状光源装置５０に供給する電圧又はｄｕｔｙ比を調整することで、画像表示パネル３０を照射する光の光量（光の強度）を制御する。次に、表示装置１０、より具体的には信号処理部２０が実行する処理動作について説明する。
【００２２】
［２．表示装置の処理動作］
図４は、本実施形態の表示装置で再現可能な再現ＨＳＶ色空間の概念図である。図５は、再現ＨＳＶ色空間の色相と彩度との関係を示す概念図である。信号処理部２０は、外部から表示する画像の情報である入力信号が入力される。入力信号は、各画素に対して、その位置で表示する画像（色）の情報を入力信号として含んでいる。具体的には、Ｐ０×Ｑ０個の画素４８がマトリクス状に配置された画像表示パネル３０において、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８（ただし、１≦ｐ≦Ｐ０、１≦ｑ≦Ｑ０）に対して、信号値がｘ１−（ｐ、ｑ）の第１副画素４９Ｒの入力信号、信号値がｘ２−（ｐ、ｑ）の第２副画素４９Ｇの入力信号及び信号値がｘ３−（ｐ、ｑ）の第３副画素４９Ｂの入力信号（図１参照）が含まれる信号が信号処理部２０に入力される。
【００２３】
図１に示す信号処理部２０は、入力信号を処理することで、第１副画素４９Ｒの表示階調を決定するための第１副画素の出力信号（信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ））、第２副画素４９Ｇの表示階調を決定するための第２副画素の出力信号（信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ））、第３副画素４９Ｂの表示階調を決定するための第３副画素の出力信号（信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ））及び第４副画素４９Ｗの表示階調を決定するための第４副画素の出力信号（信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ））を生成し、画像表示パネル駆動回路４０に出力する。
【００２４】
表示装置１０は、画素４８に第４の色（白色）を出力する第４副画素４９Ｗを備えることで、図４に示すように、ＨＳＶ色空間（再現ＨＳＶ色空間）における明度のダイナミックレンジを広げることができる。つまり、図４に示すように、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂが表示することのできる円柱形状のＨＳＶ色空間に、彩度Ｓが高くなるほど明度Ｖの最大値が低くなる略台形形状となる立体が載っている形状となる。
【００２５】
信号処理部２０は、第４の色（白色）を加えることで、拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）が、信号処理部２０に記憶されている。つまり、信号処理部２０は、図４に示すＨＳＶ色空間の立体形状について、彩度及び色相の座標（値）毎に明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）の値を記憶している。入力信号は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの入力信号を有するため、入力信号のＨＳＶ色空間は、円柱形状、つまり、再現ＨＳＶ色空間の円柱形状部分と同じ形状となる。
【００２６】
次に、信号処理部２０は、少なくとも第１副画素４９Ｒの入力信号（信号値ｘ１−（ｐ、ｑ））及び伸張係数αに基づいて、第１副画素４９Ｒの出力信号（信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ））を算出し、第１副画素４９Ｒへ出力する。また、信号処理部２０は、少なくとも第２副画素４９Ｇの入力信号（信号値ｘ２−（ｐ、ｑ））及び伸張係数αに基づいて第２副画素４９Ｇの出力信号（信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ））を算出し、第２副画素４９Ｇへ出力する。また、信号処理部２０は、少なくとも第３副画素４９Ｂの入力信号（信号値ｘ３−（ｐ、ｑ））及び伸張係数αに基づいて第３副画素４９Ｂの出力信号（信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ））を算出し、第３副画素４９Ｂへ出力する。さらに、信号処理部２０は、第１副画素４９Ｒの入力信号（信号値ｘ１−（ｐ、ｑ））、第２副画素４９Ｇの入力信号（信号値ｘ２−（ｐ、ｑ））及び第３副画素４９Ｂの入力信号（信号値ｘ３−（ｐ、ｑ））に基づいて第４副画素４９Ｗの出力信号（信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ））を算出し、第４副画素４９Ｗへ出力する。
【００２７】
具体的には、信号処理部２０は、第１副画素４９Ｒの伸張係数α及び第４副画素４９Ｗの出力信号に基づいて第１副画素４９Ｒの出力信号を算出し、第２副画素４９Ｇの伸張係数α及び第４副画素４９Ｗの出力信号に基づいて第２副画素４９Ｇの出力信号を算出し、第３副画素４９Ｂの伸張係数α及び第４副画素４９Ｗの出力信号に基づいて第３副画素４９Ｂの出力信号を算出する。
【００２８】
つまり、信号処理部２０は、χを表示装置に依存した定数としたとき、第（ｐ、ｑ）番目の画素（又は第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの組）への第１副画素４９Ｒの出力信号である信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）、第２副画素４９Ｇの出力信号である信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ）及び第３副画素４９Ｂの出力信号である信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ）を、次に示す式（１）〜式（３）から求める。
【００２９】
Ｘ１−（ｐ、ｑ）＝α・ｘ１−（ｐ、ｑ）−χ・Ｘ４−（ｐ、ｑ）・・・（１）
【００３０】
Ｘ２−（ｐ、ｑ）＝α・ｘ２−（ｐ、ｑ）−χ・Ｘ４−（ｐ、ｑ）・・・（２）
【００３１】
Ｘ３−（ｐ、ｑ）＝α・ｘ３−（ｐ、ｑ）−χ・Ｘ４−（ｐ、ｑ）・・・（３）
【００３２】
信号処理部２０は、第４の色を加えることで拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）を求め、複数の画素４８における副画素４９の入力信号値に基づき、これらの複数の画素４８における彩度Ｓ及び明度Ｖ（Ｓ）を求める。
【００３３】
彩度Ｓ及び明度Ｖ（Ｓ）は、Ｓ＝（Ｍａｘ−Ｍｉｎ）／Ｍａｘ及びＶ（Ｓ）＝Ｍａｘで表される。彩度Ｓは０から１までの値をとることができ、明度Ｖ（Ｓ）は０から（２ｎ−１）までの値をとることができる。ｎは、表示階調ビット数である。また、Ｍａｘは、画素４８への第１副画素４９Ｒの入力信号値、第２副画素４９Ｇの入力信号値及び第３副画素４９Ｂの入力信号値のうち、最大値である。Ｍｉｎは、画素４８への第１副画素４９Ｒの入力信号値、第２副画素４９Ｇの入力信号値及び第３副画素４９Ｂの入力信号値のうち、最小値である。また、色相Ｈは、図５に示すように０°から３６０°で表される。０°から３６０°に向かって、赤（Ｒｅｄ）、黄色（Ｙｅｌｌｏｗ）、緑（Ｇｒｅｅｎ）、シアン（Ｃｙａｎ）、青（Ｂｌｕｅ）、マゼンタ（Ｍａｇｅｎｔａ）、赤となる。
【００３４】
本実施形態において、信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）は、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）と伸張係数αとの積に基づき求めることができる。具体的には、下記の式（４）に基づいて信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を求めることができる。式（４）では、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）と伸張係数αとの積をχで除しているが、これに限定するものではない。χについては後述する。また、伸張係数αは、１画像表示フレ−ム毎に決定される。
【００３５】
Ｘ４−（ｐ、ｑ）＝Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）・α／χ・・・（４）
【００３６】
一般に、第（ｐ、ｑ）番目の画素において、第１副画素４９Ｒの入力信号（信号値ｘ１−（ｐ、ｑ））、第２副画素４９Ｇの入力信号（信号値ｘ２−（ｐ、ｑ））及び第３副画素４９Ｂの入力信号（信号値ｘ３−（ｐ、ｑ））に基づき、円柱のＨＳＶ色空間における彩度（Saturation）Ｓ（ｐ、ｑ）及び明度（Brightness）Ｖ（Ｓ）（ｐ、ｑ）は、次の式（５）、式（６）から求めることができる。
【００３７】
Ｓ（ｐ、ｑ）＝（Ｍａｘ（ｐ、ｑ）−Ｍｉｎ（ｐ、ｑ））／Ｍａｘ（ｐ、ｑ）・・・（５）
【００３８】
Ｖ（Ｓ）（ｐ、ｑ）＝Ｍａｘ（ｐ、ｑ）・・・（６）
【００３９】
ここで、Ｍａｘ（ｐ、ｑ）は、（ｘ１−（ｐ、ｑ）、ｘ２−（ｐ、ｑ）、ｘ３−（ｐ、ｑ））の３個の副画素４９の入力信号値の最大値であり、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）は、（ｘ１−（ｐ、ｑ）、ｘ２−（ｐ、ｑ）、ｘ３−（ｐ、ｑ））の３個の副画素４９の入力信号値の最小値である。本実施形態ではｎ＝８とした。すなわち、表示階調ビット数を８ビット（表示階調の値を０から２５５の２５６階調）とした。
【００４０】
白色を表示する第４副画素４９Ｗには、カラーフィルタが配置されていない。第１副画素４９Ｒに第１副画素４９Ｒの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力され、第２副画素４９Ｇに第２副画素４９Ｇの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力され、第３副画素４９Ｂに第３副画素４９Ｂの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力されたときの、画素４８又は画素４８の群が備える第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの集合体の輝度をＢＮ１−３とする。また、画素４８又は画素４８の群が備える第４副画素４９Ｗに、第４副画素４９Ｗの出力信号の最大信号値に相当する値を有する信号が入力されたときの第４副画素４９Ｗの輝度ＢＮ４としたときを想定する。すなわち、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの集合体によって最大輝度の白色が表示され、この白色の輝度がＢＮ１−３で表される。すると、χを表示装置に依存した定数としたとき、定数χは、χ＝ＢＮ４／ＢＮ１−３で表される。
【００４１】
具体的には、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの集合体に、次の表示階調の値を有する入力信号として、信号値ｘ１−（ｐ、ｑ）＝２５５、信号値ｘ２−（ｐ、ｑ）＝２５５、信号値ｘ３−（ｐ、ｑ）＝２５５が入力されたときにおける白色の輝度ＢＮ１−３に対して、第４副画素４９Ｗに表示階調の値２５５を有する入力信号が入力されたと仮定したときの輝度ＢＮ４は、例えば、１．５倍である。すなわち、本実施形態にあっては、χ＝１．５である。
【００４２】
ところで、信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）が、上述した式（４）で与えられる場合、Ｖｍａｘ（Ｓ）は、次の式（７）、式（８）で表すことができる。
【００４３】
Ｓ≦Ｓ０の場合、
Ｖｍａｘ（Ｓ）＝（χ＋１）・（２ｎ−１）・・・（７）
【００４４】
Ｓ０＜Ｓ≦１の場合：
Ｖｍａｘ（Ｓ）＝（２ｎ−１）・（１／Ｓ）・・・（８）
ここで、Ｓ０＝１／（χ＋１）である。
【００４５】
このようにして得られた、第４の色を加えることによって拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）が、例えば、信号処理部２０に一種のルック・アップ・テ−ブルとして記憶されている。あるいは、拡大されたＨＳＶ色空間における彩度Ｓを変数とした明度の最大値Ｖｍａｘ（Ｓ）は、都度、信号処理部２０において求められる。
【００４６】
次に、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における出力信号である信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）、Ｘ２−（ｐ、ｑ）、Ｘ３−（ｐ、ｑ）、Ｘ４−（ｐ、ｑ）の求め方（伸張処理）を説明する。次の処理は、（第１副画素４９Ｒ＋第４副画素４９Ｗ）によって表示される第１原色の輝度、（第２副画素４９Ｇ＋第４副画素４９Ｗ）によって表示される第２原色の輝度、（第３副画素４９Ｂ＋第４副画素４９Ｗ）によって表示される第３原色の輝度の比を保つように行われる。しかも、色調を保持（維持）するように行われる。さらには、階調−輝度特性（ガンマ特性、γ特性）を保持（維持）するように行われる。また、いずれかの画素４８又は画素４８の群において、入力信号値のすべてが０である場合又は小さい場合、このような画素４８又は画素４８の群を含めることなく、伸張係数αを求めればよい。
【００４７】
（第１工程）
まず、信号処理部２０は、複数の画素４８における副画素４９の入力信号値に基づき、これらの複数の画素４８における彩度Ｓ及び明度Ｖ（Ｓ）を求める。具体的には、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８への第１副画素４９Ｒの入力信号である信号値ｘ１−（ｐ、ｑ）、第２副画素４９Ｇの入力信号である信号値ｘ２−（ｐ、ｑ）、第３副画素４９Ｂの入力信号である信号値ｘ３−（ｐ、ｑ）に基づき、式（７）及び式（８）からＳ（ｐ、ｑ）、Ｖ（Ｓ）（ｐ、ｑ）を求める。信号処理部２０は、この処理を、すべての画素４８に対して行う。
【００４８】
（第２工程）
次いで、信号処理部２０は、複数の画素４８において求められたＶｍａｘ（Ｓ）／Ｖ（Ｓ）に基づき伸張係数α（Ｓ）を求める。
【００４９】
α（Ｓ）＝Ｖｍａｘ（Ｓ）／Ｖ（Ｓ）・・・（９）
【００５０】
（第３工程）
次に、信号処理部２０は、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を、少なくとも、信号値ｘ１−（ｐ、ｑ）、信号値ｘ２−（ｐ、ｑ）及び信号値ｘ３−（ｐ、ｑ）に基づいて求める。本実施形態にあっては、信号処理部２０は、信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）、伸張係数α及び定数χに基づいて決定する。より具体的には、信号処理部２０は、上述したとおり、信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を、上記の式（４）に基づいて求める。信号処理部２０は、Ｐ０×Ｑ０個の全画素４８において信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を求める。
【００５１】
（第４工程）
その後、信号処理部２０は、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）を、信号値ｘ１−（ｐ、ｑ）、伸張係数α及び信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）に基づき求め、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ）を、信号値ｘ２−（ｐ、ｑ）、伸張係数α及び信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）に基づき求め、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ）を、信号値ｘ３−（ｐ、ｑ）、伸張係数α及び信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）に基づき求める。具体的には、信号処理部２０は、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）、信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ）及び信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ）を、上記の式（１）〜（３）に基づいて求める。
【００５２】
信号処理部２０は、式（４）に示したとおり、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）の値を伸張係数αによって伸張する。このように、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）の値が伸張係数αによって伸張されることで、白色表示副画素（第４副画素４９Ｗ）の輝度が増加するだけでなく、上記式に示すとおり、赤色表示副画素、緑色表示副画素及び青色表示副画素（それぞれ第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂに対応する）の輝度も増加する。このため、色のくすみが発生するといった問題を回避することができる。すなわち、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）の値が伸張されていない場合と比較して、Ｍｉｎ（ｐ、ｑ）の値が伸張係数αによって伸張されることで、画像全体として輝度はα倍となる。したがって、例えば、静止画等の画像表示を高輝度で行うことができ、好適である。
【００５３】
第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）、信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ）、信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ）及び信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）は、α倍に伸張されている。このため、表示装置１０は、画素４８の輝度を、伸張されていない状態の画素４８の輝度と同じ輝度とするためには、面状光源装置５０の輝度を、伸張係数αに基づき減少させればよい。具体的には、面状光源装置５０の輝度を、（１／α）倍とすればよい。信号処理部２０は、第（ｐ、ｑ）番目の画素４８における信号値Ｘ１−（ｐ、ｑ）、信号値Ｘ２−（ｐ、ｑ）、信号値Ｘ３−（ｐ、ｑ）及び信号値Ｘ４−（ｐ、ｑ）を出力するよう、後述するセレクタ信号ＳＥＬＲ、ＳＥＬＧ、ＳＥＬＢ（ＳＥＬＷ）を演算する。
【００５４】
＜横電界モードの液晶表示装置の例＞
図６は、本実施形態に係る画像表示パネルの回路パターンを説明するための模式図である。図７は、図６のＶＩＩ−ＶＩＩ線断面図である。画像表示パネル３０は、図７に示すように、画素基板７０Ａと、この画素基板７０Ａの表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板７０Ｂと、画素基板７０Ａと対向基板７０Ｂとの間に挿設された液晶層７０Ｃとを備えている。なお、画素基板７０Ａの液晶層７０Ｃとは反対側の面には、バックライトとして上述した面状光源装置５０（図１参照）が配置されている。
【００５５】
液晶層７０Ｃは、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、ＦＦＳ（Fringe  Field  Switching（フリンジフィールドスイッチング））又はＩＰＳ（In-Plane  Switching：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスが用いられる。液晶層７０Ｃは、例えば、ＴＮ（Twisted  Nematic：ツイステッドネマティック）、ＶＡ（Vertical  Alignment：垂直配向）、ＥＣＢ（Electrically  Controlled  Birefringence：電界制御複屈折）等の各種モードの液晶であってもよい。なお、図７に示す液晶層７０Ｃと画素基板７０Ａとの間、及び液晶層７０Ｃと対向基板７０Ｂとの間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
【００５６】
対向基板７０Ｂは、透光性基板７５と、当該透光性基板７５の一方の面に形成されたカラーフィルタ７６を含む。カラーフィルタ７６は、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の４色に着色された色領域を含む。カラーフィルタ７６は、開口部（図示省略）に例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）、白（Ｗ）の４色に着色された色領域を周期的に配列して、各画素にＲ、Ｇ、Ｂ、Ｗの４色の色領域を１組にして画素として対応付けられている。カラーフィルタ７６は、ＴＦＴ基板７１と垂直な方向において、液晶層７０Ｃと対向する。なお、カラーフィルタ７６は、異なる色に着色されていれば、他の色の組み合わせであってもよい。一般に、カラーフィルタ７６は、緑（Ｇ）の色領域の輝度が、赤（Ｒ）の色領域及び青（Ｂ）の色領域の輝度よりも高い。なお、ブラックマトリクスが画素の外周を覆うように形成されていてもよい。このブラックマトリクスは、二次元配置された副画素と副画素との境界に配置されることで、格子形状となる。そして、ブラックマトリクスは、光の吸収率が高い材料で形成される。なお本実施の形態では、透光性基板７５としてガラス基板を用いるが、これに限定されない。透光性基板７５として、ガラス基板に代えて、プラスティック基板等を用いてもよい。
【００５７】
画素基板７０Ａは、回路基板としてのＴＦＴ基板７１と、このＴＦＴ基板７１上にマトリクス状に配設された複数の画素電極７２と、ＴＦＴ基板７１及び画素電極７２の間に形成された共通電極ＣＯＭＬと、画素電極７２と共通電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層７４と、を含む。共通電極ＣＯＭＬは、インジウム錫酸化物（Indium  Tin  Oxide：ＩＴＯ）等の透光性導電材料（透光性導電酸化物）で形成される透光性電極である。なお本実施の形態では、透光性導電材料の例としてＩＴＯを挙げたが、これに限定されない。透光性導電材料として、インジウム亜鉛酸化物（Indium  Zinc  Oxide：ＩＺＯ）等の別の組成を有する導電材料を用いてもよい。
【００５８】
ＴＦＴ基板７１には、上述した各副画素の薄膜トランジスタＴｒが形成された半導体層９２、各画素電極７２に画素信号を供給する信号線ＤＴＬ、薄膜トランジスタＴｒを駆動する走査線ＳＣＬ等の配線が絶縁層７４を介して積層されている。このため、共通電極ＣＯＭＬには、信号線ＤＴＬとカップリング容量Ｃが作用する。なお本実施の形態では、画素電極７２のスイッチング素子としてＴＦＴを用いるが、これに限定されない。画素電極７２のスイッチング素子として、ＴＦＴに代えて、薄膜ダイオード（Thin  Film  Diode）等の素子を用いてもよい。
【００５９】
信号線ＤＴＬは、ＴＦＴ基板７１の表面と平行な平面に延在し、画素に画像を表示するための画素信号を供給する。半導体層９２は、一部が信号線ＤＴＬと接し、他の一部が信号線ＤＴＬと同一の層に形成された台座配線９０と接している。本開示において、走査線ＳＣＬは、アルミニウム等の金属の配線である第１金属配線であり、信号線ＤＴＬは、アルミニウム等の金属の配線である第２金属配線であり、台座配線９０は、アルミニウム等の金属の配線である第３金属配線である。絶縁層７４は、走査線ＳＣＬと半導体層９２との接触する部分又は信号線ＤＴＬと半導体層９２との接触する部分であるコンタクト部２５ａ及びコンタクト部９０ａ（コンタクトホール）を除いて絶縁する。
【００６０】
半導体層９２と、信号線ＤＴＬと、走査線ＳＣＬとは、ＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）の異なる層に形成されている。信号線ＤＴＬと、台座配線９０とは、ＴＦＴ基板７１の表面に垂直な方向（Ｚ方向）の同じ層に形成されている。
【００６１】
信号線ＤＴＬのコンタクト部２５ａは、半導体層９２における、薄膜トランジスタＴｒのソース電極又はドレイン電極の一方に接続されている。また、半導体層９２は、台座配線９０を介して画素電極７２と接続されている。台座配線９０のコンタクト部９０ａは、半導体層９２における、薄膜トランジスタＴｒのソース電極又はドレイン電極の他方に接続されている。図３に示すように、走査線ＳＣＬは、半導体層９２における、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続されている。
【００６２】
ここで、上述したように、走査線ＳＣＬと信号線ＤＴＬとは、線状の金属配線であり、互いに略直交する向きで立体交差するように配置されている。図６に示すように、台座配線９０は、Ｚ方向において、走査線ＳＣＬに沿った第１方向（Ｘ方向）と信号線ＤＴＬに沿った第２方向（Ｙ方向）とに囲まれる領域の縁部に配置されている。
【００６３】
図６に示す、本実施形態に係る画像表示パネル３０は、ＴＦＴ基板７１、走査線ＳＣＬ、半導体層９２、信号線ＤＴＬ、共通電極ＣＯＭＬ、画素電極７２の順に、Ｚ方向に積層されている。また、本実施形態に係る画像表示パネル３０は、半導体層９２がＺ方向において走査線ＳＣＬと信号線ＤＴＬとの間の平面に配置されているボトムゲート構造である。なお本実施形態の薄膜トランジスタＴｒは、薄膜トランジスタＴｒのゲートに接続される走査線ＳＣＬが半導体層９２の下方に配置されるボトムゲート構造であるが、薄膜トランジスタＴｒの構造はこれに限定されない。当該薄膜トランジスタＴｒは、ゲート及び当該ゲートに電気的に接続される走査線ＳＣＬが、半導体層９２の上方に配置されるトップゲート構造であってもよい。
【００６４】
＜カラム反転駆動方式＞
液晶表示パネルの駆動方式として、カラム反転駆動方式、ライン反転駆動方式、ドット反転駆動方式、フレーム反転駆動方式などの駆動方式が知られている。カラム反転駆動方式は、副画素又は副画素が組み合わされた画素の隣り合う１ライン（列）が互いに逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する駆動方式である。これにより、ドット反転駆動方式に比較して、カラム反転駆動方式の駆動方式は信号線における充放電が少なく低消費電力になることが知られている。信号処理部２０は、特公平５−４３１１８号公報に記載されている各種回路が適用可能である。
【００６５】
図８及び図９は、カラム反転駆動方式で駆動した表示領域を説明するための模式図である。図１０は、カラム反転駆動方式で駆動した場合の信号線電位と、画素電位との関係を説明するための模式図である。例えば、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂ（第４副画素４９Ｗ）とに対応する行方向の副画素毎に、例えば共通電極の電位を基準電位とした場合、基準電位に対して高い電位（以下プラス（＋）極性という。）と、基準電位に対して低い電位（以下マイナス（―）極性という。）とで、図８に示す印加状態ＰＣｏｄｄと図９に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態を交互に繰り返す。本実施形態では、基準電位を共通電極の電位としたが、基準電位は、共通電極の電位に限定されず、所定の電位であればよい。このように、カラム反転駆動方式は、副画素４９の隣り合う１ライン（列）が互いに基準の電位に対して電位が異なるように、電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する。そして、隣り合う信号線は、互いに異なる電圧（例えば逆極性）が印加され、印加する当該電圧の極性が所定の周期で反転される。
【００６６】
図１０に示すように、図８に示す印加状態ＰＣｏｄｄの期間Ｆｏｄｄと図９に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態の期間Ｆｅｖｅｎとは、書き込み期間Ｆｇを境に交互に繰り返している。図１１は、比較例に係る画像表示パネルに生じるクロストークを説明するための模式図である。図１２は、比較例に係る画像表示パネルの画素配列を示す模式図である。図１３は、比較例に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の副画素の状態を説明するための模式図である。図１４は、比較例に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の共通電極の信号の波形を説明するための模式図である。ここで、図１１に示すように、画像表示パネル３０は、中央に第３副画素４９Ｂのみを点灯したウインドウ画像３０Ｗを表示する。そして、画像表示パネル３０は、ウインドウ画像３０Ｗの両側に、例えば、第１副画素４９Ｒと、第２副画素４９Ｇと、第３副画素４９Ｂを点灯させ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）及び青（Ｂ）のそれぞれの色味の数値が同じ数値を持つ色味のニュートラルグレー領域などを表示した中間色表示３０Ｃを表示する。図１０に示すように、画素電位の極性反転周期と、信号線電位の極性反転周期とは、期間Ｆｏｄｄ又は期間Ｆｅｖｅｎとほぼ一致する。
【００６７】
図１２に示すように、比較例に係る画像表示パネルは、第３列の同一行にある、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとは、同じ走査線ＳＣＬに接続されている。例えば、図１２及び図１３に示すように、走査回路４２が走査線ＳＣＬのうちＧａｔｅＮ＋１を選択する場合、ＳｉｇＢｅｖｅｎの副画素４９Ｂは、プラス（＋）極性の電位を有しており、前回選択された上の段の副画素４９Ｗは、黒表示なので０Ｖとされ、電圧の変化として増加（プラス）である。ＳｉｇＢｏｄｄの副画素４９Ｗは、黒表示なので０Ｖであり、前回選択された上の段の副画素４９Ｂは、マイナス（−）極性の電位であることから、電圧の変化として増加（プラス）である。
【００６８】
上述したように、共通電極ＣＯＭＬには、信号線ＤＴＬとカップリング容量Ｃが作用している。そうすると、図１４に示すように、ＳｉｇＢｅｖｅｎの副画素４９Ｂ及びＳｉｇＢｏｄｄの副画素４９Ｗの変化、つまり電圧の増加に引きずられて、共通電極ＣＯＭＬは、増加方向に電位の変化が生じることになる。ここで、副画素４９Ｂのセレクタ信号ＳＥＬＢの期間の終了時Ｔｏｆｆまでに、クロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱが収束しない場合、電圧差ＧＱが、第４副画素４９Ｗの実効電圧を大きくしてしまい、中間色表示３０Ｃに本来生じない画像が発現する可能性がある。なお、第４副画素４９Ｗの輝度の変動は、他の副画素４９の輝度の変動よりも大きく影響しやすい傾向にある。
【００６９】
また、隣り合う信号線ＤＴＬが互いに逆極性の電圧が印加され、印加される当該電圧の極性が所定の周期で反転する場合、共通電極ＣＯＭＬは、増加方向に電位の変化が生じることになる。なお、画像表示パネル３０は、セレクタ信号ＳＥＬＲ、ＳＥＬＧに応じて、副画素４９Ｒ、４９Ｇが副画素４９Ｂと共に点灯し、マゼンタ、シアンといった色をウインドウ画像３０Ｗに表示している場合でも、クロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱが収束しない場合、電圧差ＧＱが、第４副画素４９Ｗの実効電圧を大きくしてしまい、中間色表示３０Ｃに本来生じない画像が発現する可能性がある。
【００７０】
図１５は、本実施形態に係る画像表示パネルの画素配列を示す模式図である。図１６は、本実施形態に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の副画素の状態を説明するための模式図である。図１７は、本実施形態に係る画像表示パネルの中央に単色表示をした場合の共通電極の信号の波形を説明するための模式図である。
【００７１】
図１５に示すように、本実施形態に係る画像表示パネル３０は、第３列の同一行にある、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗとは、同じ走査線ＳＣＬに接続されておらず、例えば、走査線ＳＣＬのうちＧａｔｅＮには、第４副画素４９Ｗ及び第４副画素４９Ｗ’が接続されている。このように、走査線ＳＣＬは、隣接した両方の行の第４副画素４９Ｗ及び第４副画素４９Ｗ’が選択可能である。信号処理部２０は、走査線ＳＣＬのうちＧａｔｅＮで選択されている、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第４副画素４９Ｗよりも、１水平画素ずれている画像信号を第４副画素４９Ｗ’に送出している。同様に、走査線ＳＣＬのうちＧａｔｅＮ＋１は、第３副画素４９Ｂ及び第３副画素４９Ｂ’が接続されている。このように走査線ＳＣＬは、隣接した両方の行の第３副画素４９Ｂ及び第３副画素４９Ｂ’が選択可能である。信号処理部２０は、走査線ＳＣＬのうちＧａｔｅＮ＋１で選択されている、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂよりも、１水平画素ずれている画像信号を第３副画素４９Ｂ’に送出している。
【００７２】
例えば、図１５及び図１６に示すように、走査回路４２が走査線ＳＣＬのうちＧａｔｅＮ＋１を選択する場合、ＳｉｇＢｅｖｅｎの第３副画素４９Ｂは、プラス（＋）極性の電位を有しており、前回選択された上の段の第４副画素４９Ｗは、黒表示なので０Ｖとされ、電圧の変化として増加（プラス）である。ＳｉｇＢｏｄｄの第３副画素４９Ｂ’はマイナス（−）極性の電位であり、前回選択された上の段の第４副画素４９Ｗ’が黒表示なので０Ｖとされ、電圧の変化として減少（マイナス）である。そうすると、図１７に示すように、ＳｉｇＢｅｖｅｎの副画素４９Ｂ及びＳｉｇＢｏｄｄの副画素４９Ｂ’の変化がプラスマイナスで打ち消し合い、共通電極ＣＯＭＬの電位の変化が抑制される。
【００７３】
以上説明したように、１つの走査線ＳＣＬは、選択可能な第３列の副画素４９が、第３副画素４９Ｂ及び第３副画素４９Ｂ’である。また、次行の１つの走査線ＳＣＬは、選択可能な第３列の副画素４９が、第４副画素４９Ｗ及び第４副画素４９Ｗ’である。この構造により、共通電極ＣＯＭＬには、信号線ＤＴＬとカップリング容量Ｃが作用しても、カップリング容量の増加と減少とが打ち消し合う。その結果、表示装置１０は、信号処理部２０が信号線ＤＴＬをカラム反転駆動しても、共通電極ＣＯＭＬの電位の変化が抑制される。
【００７４】
図１７に示すように、副画素４９Ｂの表示選択ＳＥＬＢ期間が終了時Ｔｏｆｆまでに、クロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱが収束しているので、中間色表示３０Ｃに本来生じない画像が発現する可能性を抑制できる。その結果、ウインドウ画像３０Ｗの表示の有無によって画素電位の１フレーム当たりの実効電位の変化も小さい。このように、本実施形態に係る表示装置１０は、カラム反転駆動方式により駆動する場合に、ウインドウ画像３０Ｗの表示の有無によって画素電位の１フレーム当たりの実効電位の変化を抑制することができる。そして、表示装置１０は、ドット反転駆動よりもカラム反転駆動する方が、消費電力を抑制することができる。なお、本実施形態に係る画像表示パネル３０は、セレクタ信号ＳＥＬＲ、ＳＥＬＧに応じて、副画素４９Ｒ及び副画素４９Ｇが副画素４９Ｂと共に点灯し、マゼンタ、シアンといった色をウインドウ画像３０Ｗに表示している場合でも、クロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱが抑制されており、中間色表示３０Ｃに本来生じない画像が発現する可能性が低減する。
【００７５】
＜効果＞
以上説明したように、表示装置１０は、赤、緑、青の第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第３副画素４９Ｂ及び第３副画素４９Ｂ’に第４の副画素４９Ｗ及び第４の副画素４９Ｗ’である白副画素を加えることができる。このため、白副画素が輝度を向上させる分、バックライトの電流値を下げ、消費電力を低減する。また、表示装置１０は、カラム反転駆動方式での駆動を行う。このため、信号線ＤＴＬ毎の充放電が抑制され、より消費電力が低減する。
【００７６】
画像表示パネル３０は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの３列を順に並べる配置とし、第３列は、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗが行方向に交互に並べるようにした。その結果、第４副画素４９Ｗを加えても画素面積を抑制でき、高精細にできる。また表示装置１０では、信号処理部２０がカラム反転駆動方式での駆動を行うことにより、隣り合う信号線ＤＴＬにおいて互いに逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転される。これにより、消費電力を抑制することができる。そして、表示装置１０は、クロストークとよばれる画質の低下（劣化）を抑制することができる。
【００７７】
［３．変形例］
（第１変形例）
図１８は、本実施形態の第１変形例に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。本実施形態の第１変形例に係る表示装置は、同じ行にある第３列の画素４８Ａ及び画素４８Ｂを挟んで、副画素４９Ｒ’、副画素４９Ｇ’、副画素４９Ｂ’、副画素４９Ｒ、副画素４９Ｇ、副画素４９Ｂとが接続する走査線ＳＣＬと、副画素４９Ｒ’、副画素４９Ｇ’、副画素４９Ｗ’、副画素４９Ｒ、副画素４９Ｇ、副画素４９Ｗとが接続する走査線ＳＣＬとが交互配列されている。第３列の同一行において、行方向に沿う方向に隣り合う第３列同士の副画素４９は、第３副画素４９Ｂ’及び第４副画素４９Ｗを交互に配置している。また、第３列の同一行において、行方向に沿う方向に隣り合う第３列同士の副画素４９は、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗ’を交互に配置している。第３列の同一行にある、第３副画素４９Ｂ’と、第４副画素４９Ｗとは、交互に異なる走査線ＳＣＬに接続されている。第３列の同一行にある、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗ’とは、交互に異なる走査線ＳＣＬに接続されている。その結果、１つの走査線ＳＣＬが選択する第３列の副画素４９は、第３副画素４９Ｂ及び第３副画素４９Ｂ’である。又は、１つの走査線ＳＣＬが選択する第３列の副画素４９は、第４副画素４９Ｗ及び第４副画素４９Ｗ’である。本実施形態の第１変形例に係る、表示装置は、赤、緑、青の第１副画素４９Ｒ、第１副画素４９Ｒ’、第２副画素４９Ｇ、第２副画素４９Ｇ’、第３副画素４９Ｂ、第３副画素４９Ｂ’に白副画素である第４副画素４９Ｗ、第４副画素４９Ｗ’を加えることができる。このため、白副画素が輝度を向上させる分、バックライトの電流値を下げ、消費電力を低減する。また、表示装置１０は、カラム反転駆動方式での駆動を行う。このため、信号線ＤＴＬ毎の充放電が抑制され、より消費電力が低減する。
【００７８】
画像表示パネル３０は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの３列、第１副画素４９Ｒ’、第２副画素４９Ｇ’及び第３副画素４９Ｂ’の３列を順に並べる配置とし、第３列は、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗ’が列方向に沿う方向に交互に並び、第３副画素４９Ｂ’及び第４副画素４９Ｗが列方向に沿う方向に交互に並ぶようにしている。その結果、第４副画素４９Ｗ及び第４副画素４９Ｗ’を加えても画素面積を抑制でき、高精細にできる。また表示装置１０では、信号処理部２０がカラム反転駆動方式での駆動を行うことにより、隣り合う信号線ＤＴＬにおいて互いに逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転される。これにより、消費電力を抑制することができる。そして、表示装置１０は、クロストークとよばれる画質の低下（劣化）を抑制することができる。
【００７９】
（第２変形例）
図１９は、本実施形態の第２変形例に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。画像表示パネル３０の画素４８Ａ及び画素４８Ｂは、白色の第１副画素４９Ｗを並べた第１列と、この第１列の次列に配列する緑色の第２副画素４９Ｇを並べた第２列と、前記第１列と前記第２列との間に配列される第３列と、が繰り返し配列されている。第３列は、青色の第３副画素４９Ｂ及び赤色の第４副画素４９Ｒが行方向に交互に並べられており、かつ第３列の同一列において、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｒが列方向に交互に配置されている。このような配列とすることにより、白色の第１副画素４９Ｗの輝度が高くなり、より明るい画像表示パネルにすることができる。
【００８０】
（第３変形例）
図２０は、本実施形態の第３変形例に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。画像表示パネル３０の画素４８Ａ及び画素４８Ｂは、赤色の第１副画素４９Ｒを並べた第１列と、この第１列の次列に配列する緑色の第２副画素４９Ｇを並べた第２列と、第２列の次列に配列される第３列と、が繰り返し配列されている。第３列は、青色の第３副画素４９Ｂ及び黄色の第４副画素４９Ｙが行方向に交互に並べられており、かつ第３列の同一列において、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｙが列方向に交互に配置されている。第４副画素４９Ｙは、例えば黄色のカラーフィルタを画像観察者との間に配置している。このような配列とすることにより、より色表現の幅に広い画像表示パネルにすることができる。
【００８１】
（第４変形例）
図２１は、本実施形態の第４変形例に係る画像表示パネルの画素配列を示す図である。図２２は、本実施形態の第４変形例に係る表示装置の画像表示パネル及び画像表示パネル駆動回路の概念図である。画像表示パネル３０の画素４８Ａ及び画素４８Ｂは、赤色の第１副画素４９Ｒを含む第１列と、この第１列の次列に配列する第２列と、第２列の次列に配列される第３列と、が繰り返し、周期的に配列されている。第３列は、青色の第３副画素４９Ｂ及び白色の第４副画素４９Ｗが行方向に交互に並べられており、かつ第３列の同一列において、第３副画素４９Ｂ及び第４副画素４９Ｗが列方向に交互に配置されている。第２列は、緑色の第２副画素４９Ｇ及び黄色の第５副画素４９Ｙが行方向に交互に並べられており、かつ第２列の同一列において、第２副画素４９Ｇ及び第５副画素４９Ｙが列方向に交互に配置されている。第５副画素４９Ｙは、例えば黄色のカラーフィルタを画像観察者との間に配置している。このような配列とすることにより、より色表現の幅に広い画像表示パネルにすることができる。
【００８２】
本実施形態の第４変形例に係る表示装置において、第３列の同一行にある、第３副画素４９Ｂ’と、第４副画素４９Ｗとは、交互に異なる走査線ＳＣＬに接続されている。第３列の同一行にある、第３副画素４９Ｂと、第４副画素４９Ｗ’とは、交互に異なる走査線ＳＣＬに接続されている。その結果、１つの走査線ＳＣＬが選択する第３列の副画素４９は、第３副画素４９Ｂ及び第３副画素４９Ｂ’である。又は、１つの走査線ＳＣＬが選択する第３列の副画素４９は、第４副画素４９Ｗ及び第４副画素４９Ｗ’である。第２列の同一行にある、第２副画素４９Ｇ’と、第５副画素４９Ｙは、交互に異なる走査線ＳＣＬに接続されている。第２列の同一行にある、第２副画素４９Ｇと、第５副画素４９Ｙ’とは、交互に異なる走査線ＳＣＬに接続されている。その結果、１つの走査線ＳＣＬが選択する第２列の副画素４９は、第２副画素４９Ｇ及び第２副画素４９Ｇ’である。又は、１つの走査線ＳＣＬが選択する第２列の副画素４９は、第５副画素４９Ｙ及び第５副画素４９Ｙ’である。本実施形態の第４変形例に係る、表示装置は、赤、緑、青の第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第２副画素４９Ｇ’、第３副画素４９Ｂ、第３副画素４９Ｂ’、に白副画素である第４副画素４９Ｗ、第４副画素４９Ｗ’を加えることができる。このため、白副画素が輝度を向上させる分、バックライトの電流値を下げ、消費電力を低減する。また、本実施形態の第４変形例に係る、表示装置は、赤、緑、青の第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ、第２副画素４９Ｇ’、第３副画素４９Ｂ、第３副画素４９Ｂ’、に黄色画素である第５副画素４９Ｙ、第５副画素４９Ｙ’を加えることができる。このような配列とすることにより、より色表現の幅に広い画像表示パネルにすることができる。また、表示装置１０は、カラム反転駆動方式での駆動を行う。このため、信号線ＤＴＬ毎の充放電が抑制され、より消費電力が低減する。
【００８３】
画像表示パネル３０は、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ及び第３副画素４９Ｂの３列、第１副画素４９Ｒ、第２副画素４９Ｇ’及び第３副画素４９Ｂ’の３列を順に周期的に並べる配置としている。その結果、第４副画素４９Ｗ、第４副画素４９Ｗ’、第５副画素４９Ｙ及び第５副画素４９Ｙ’を加えても画素面積を抑制でき、高精細かつ色表現の幅に広い表示パネルにできる。また表示装置１０では、信号処理部２０がカラム反転駆動方式での駆動を行うことにより、隣り合う信号線ＤＴＬにおいて互いに逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転される。これにより、消費電力を抑制することができる。そして、表示装置１０は、クロストークとよばれる画質の低下（劣化）を抑制することができる。
【００８４】
（第５変形例）
図２３は、本実施形態の第５変形例に係る画像表示パネルの画素配列を示す図である。図２４は、本実施形態の第５変形例に係るカラム反転駆動方式で駆動した表示領域を説明するための模式図である。図２５は、本実施形態の第５変形例に係るカラム反転駆動方式で駆動した表示領域を説明するための模式図である。画像表示パネル３０の画素４８Ａ及び画素４８Ｂは、赤色の第５副画素４９Ｒを含む第４列と、この第４列の次列に配列する緑色の第２副画素４９Ｇを含む第１列と、この第１列の次列に配列する青色の第２副画素４９Ｂを含む第２列と、第２列の次列に配列される第３列と、が繰り返し、周期的に配列されている。第３列は、黄色の第３副画素４９Ｙ及び白色の第４副画素４９Ｗが行方向に交互に並べられており、かつ第３列の同一列において、第３副画素４９Ｙ及び第４副画素４９Ｗが列方向に交互に配置されている。第３副画素４９Ｙは、例えば黄色のカラーフィルタを画像観察者との間に配置している。このような配列とすることにより、より色表現の幅に広い画像表示パネルにすることができる。
【００８５】
図２４及び図２５は、本実施形態の第５変形例に係るカラム反転駆動方式で駆動した表示領域を説明するための模式図である。例えば、第１から第４列に対応する行方向の画素４８Ａ及び画素４８Ｂ毎にプラス（＋）極性と、マイナス（―）極性となる電位で、図２４に示す印加状態ＰＣｏｄｄと図２５に示す印加状態ＰＣｅｖｅｎの状態を交互に繰り返す。そして、画素４８Ａ及び画素４８Ｂが交互に並べられて１列となっており、隣合う画素４８の１列は、互いに逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性が所定の周期で反転される。このように、カラム反転駆動方式では、副画素４９が組み合わされた画素の隣り合う１ライン（列）が互いに基準の電位に対して電位が異なるように、電圧を印加し、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転する。
【００８６】
画像表示パネル３０は、第５副画素４９Ｒ、第１副画素４９Ｇ、第２副画素４９Ｂ及び第３副画素４９Ｙの４列を順に並べる配置とし、第３列は、第３副画素４９Ｙ及び第４副画素４９Ｗが行方向に交互に並べるようにした。その結果、第４副画素４９Ｗを加えても画素面積を抑制でき、高精細にできる。また表示装置１０では、信号処理部２０がカラム反転駆動方式による駆動により、隣り合う画素４８Ａおよび画素４８Ｂにおいて互いに逆極性の電圧が印加され、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転される。これにより、消費電力を抑制することができる。そして、表示装置１０は、クロストークとよばれる画質の低下（劣化）を抑制することができる。
【００８７】
（タッチ検出装置を備える表示装置）
図２６は、タッチ検出装置が前記画像表示パネルの上に一体化される本実施形態に係る表示装置の概念図である。図２６に示すように、表示装置１０は、画素基板２と、この画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置された対向基板３と、画素基板２と対向基板３との間に挿設された液晶層７０Ｃとを備えている。
【００８８】
液晶層７０Ｃは、電界の状態に応じてそこを通過する光を変調するものであり、例えば、ＦＦＳ又はＩＰＳ等の横電界モードの液晶を用いた液晶表示デバイスが用いられる。なお、図２６に示す液晶層７０Ｃと画素基板２との間、及び液晶層７０Ｃと対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設されてもよい。
【００８９】
また、対向基板３は、透光性基板７５と、当該透光性基板７５の一方の面に形成されたカラーフィルタ７６とを含む。透光性基板７５の他方の面には、タッチ検出装置１の検出電極であるタッチ検出電極ＴＤＬが形成され、さらに、このタッチ検出電極ＴＤＬの上には、偏光板７８が配設されている。
【００９０】
画素基板２は、回路基板としてのＴＦＴ基板７１と、このＴＦＴ基板７１上にマトリクス状に配設された複数の画素電極７２と、ＴＦＴ基板７１及び画素電極７２の間に形成された複数の共通電極ＣＯＭＬと、画素電極７２と共通電極ＣＯＭＬとを絶縁する絶縁層７４と、を含む。共通電極ＣＯＭＬは、ＴＦＴ基板７１の表面に対する垂直方向において、画素電極７２に対向している。これにより、タッチ検出デバイスは、対向基板３に設けられた、共通電極ＣＯＭＬ及びタッチ検出電極ＴＤＬにより構成されている。タッチ検出電極ＴＤＬは、共通電極ＣＯＭＬの電極パターンの延在方向と交差する方向に延びるストライプ状の電極パターンから構成されている。そして、タッチ検出電極ＴＤＬは、ＴＦＴ基板７１の表面に対する垂直な方向において、共通電極ＣＯＭＬと対向している。タッチ検出電極ＴＤＬの各電極パターンは、タッチ検出部（図示省略）の入力にそれぞれ接続されている。共通電極ＣＯＭＬとタッチ検出電極ＴＤＬにより互いに交差した電極パターンは、その交差部分に静電容量を生じさせている。
【００９１】
この構成により、タッチ検出装置１は、近接する物体を検出するタッチ検出動作を行う際、画像表示パネル駆動回路４０が、制御装置として共通電極ＣＯＭＬをブロックごとに時分割的に線順次走査するように駆動する。これにより、スキャン方向に共通電極ＣＯＭＬの１検出ブロックは、順次選択される。そして、近接する物体として指が接触（又は近接）した状態（接触状態）では、指によって形成される静電容量Ｃ２として共通電極ＣＯＭＬとタッチ検出電極ＴＤＬの交差部分に作用する静電容量を変化させる。タッチ検出装置１は、変化した静電容量をタッチ検出電極ＴＤＬからタッチ検出信号として出力する。このようにタッチ検出装置１は、１検出ブロック毎のタッチ検出が行われるようになっている。
【００９２】
図２７は、タッチ検出装置が前記画像表示パネルの上に装着される本実施形態に係る表示装置の概念図である。上記説明したものと同じ構成要素には同一の符号を付して重複する説明は省略する。表示装置１０は、共通電極ＣＯＭＬとは別に、駆動電極ＣＯＭＬｔを備えている。このため、共通電極ＣＯＭＬは、表示装置１０の共通電極としてのみ機能し、駆動電極ＣＯＭＬｔは、タッチ検出装置１Ａの駆動電極として機能する。表示装置１０は、画像表示パネルの上に、静電容量型のタッチ検出装置１Ａを装着した装置である。
【００９３】
図２８は、図１２に示す比較例に係る表示装置がタッチ検出装置に作用するノイズの一例を説明する説明図である。図２８に示す縦軸は、画像表示パネルの上に、図２７に示す静電容量型のタッチ検出装置１Ａを装着した場合に、パネル表面がタッチ検出電極ＴＤＬに作用するノイズのピーク間電圧（Ｖ）の例を示している。図２８に示すＢｌｕｅは、副画素４９Ｂのみを点灯して、タッチ検出電極ＴＤＬに作用する静電容量を示している。同様に、図２８に示すＲｅｄは、副画素４９Ｒのみを点灯して、タッチ検出電極ＴＤＬに作用する静電容量を示している。図２８に示すＧｒｅｅｎは、副画素４９Ｇのみを点灯して、タッチ検出電極ＴＤＬに作用する静電容量を示している。図２８に示すＷｈｉｔｅは、副画素４９Ｗのみを点灯して、タッチ検出電極ＴＤＬに作用する静電容量を示している。
【００９４】
図２８に示すＢｌｕｅ及びＷｈｉｔｅは、Ｒｅｄ及びＧｒｅｅｎよりもノイズが大きい。これは、共通電極ＣＯＭＬの電位が、例えば上述した図１４に示すクロストーク成分の電圧ＶｃｏｍＱの影響で揺れることにより、ノイズが増加してしまっていると考えられる。上述したように、本実施形態に係る画像表示パネル３０は、共通電極ＣＯＭＬの電位が安定し、タッチ検出電極ＴＤＬに作用する静電容量が低減する。その結果、本実施形態に係る表示装置１０は、タッチ検出装置１Ａに作用するノイズを低減できる。
【００９５】
［４．適用例］
本開示の適用例として、上述した表示装置１０を電子機器に適用した例を説明する。
【００９６】
図２９乃至図４１は、本実施形態に係る表示装置を備えた電子機器の一例を示す図である。表示装置１０は、テレビジョン装置、ディジタルカメラ、ノート型パーソナルコンピュータ、携帯電話機等の携帯端末装置又はビデオカメラ等のあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。言い換えると、表示装置１０は、外部から入力された映像信号又は内部で生成した映像信号を、画像又は映像として表示するあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【００９７】
（適用例１）
図２９に示す電子機器は、表示装置１０が適用されるテレビジョン装置である。当該テレビジョン装置は、例えば、フロントパネル５１１及びフィルターガラス５１２を含む映像表示画面部５１０を有しており、当該映像表示画面部５１０に、表示装置１０が適用される。すなわち、当該テレビジョン装置の画面は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【００９８】
（適用例２）
図３０及び図３１に示す電子機器は、表示装置１０が適用されるディジタルカメラである。当該ディジタルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部５２１、表示部５２２、メニュースイッチ５２３及びシャッターボタン５２４を有しており、表示部５２２には、表示装置１０が適用されている。したがって、当該ディジタルカメラの表示部５２２は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【００９９】
（適用例３）
図３２に示す電子機器は、表示装置１０が適用されるビデオカメラの外観を表すものである。当該ビデオカメラは、例えば、本体部５３１、当該本体部５３１の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ５３２、撮影時のスタート／ストップスイッチ５３３及び表示部５３４を有している。そして、表示部５３４には、表示装置１０が適用されている。したがって、このビデオカメラの表示部５３４は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【０１００】
（適用例４）
図３３に示す電子機器は、表示装置１０が適用されるノート型パーソナルコンピュータである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５４１、文字等の入力操作のためのキーボード５４２及び画像を表示する表示部５４３を有している。表示部５４３は、表示装置１０が適用されている。このため、当該ノート型パーソナルコンピュータの表示部５４３は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【０１０１】
（適用例５）
図３４乃至図４０に示す電子機器は、表示装置１０が適用される携帯電話機である。当該携帯電話機は、例えば、上側筐体５５１と下側筐体５５２とを連結部（ヒンジ部）５５３で連結したものであり、ディスプレイ５５４、サブディスプレイ５５５、ピクチャーライト５５６及びカメラ５５７を有している。当該ディスプレイ５５４は、表示装置１０が取り付けられている。このため、当該携帯電話機のディスプレイ５５４は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【０１０２】
（適用例６）
図４１に示す電子機器は、携帯型コンピュータ、多機能な携帯電話、音声通話可能な携帯コンピュータ又は通信可能な携帯コンピュータとして動作し、いわゆるスマートフォン、タブレット端末と呼ばれることもある、情報携帯端末である。当該情報携帯端末は、例えば筐体５６１の表面に表示部５６２を有している。当該表示部５６２は、表示装置１０が取り付けられている。当該表示部５６２は、画像を表示する機能の他に、タッチ動作を検出する機能を有していてもよい。
【０１０３】
［５．本開示の態様］
本開示は、次のような態様を含むことができる。
【０１０４】
（１）複数の副画素を含む画素の配列であって、第１副画素を含む第１列と、前記第１列の次列に配列され、第２副画素を含む第２列と、前記第２列の次列に配列される第３列と、が周期的に配列された前記画素の配列を含む画像表示パネルと、
前記画像表示パネルに画像を表示する画像表示機能を有する表示機能層と、
前記第１列、前記第２列及び前記第３列の各列に接続された信号線と、
画像信号に基づいて、前記信号線に印加される電圧が隣り合う前記副画素間又は隣り合う前記画素間で異なり、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するカラム反転駆動方式で前記表示機能を駆動する制御装置と、
前記制御装置が前記副画素の各行を順次選択する走査線と、を備え、
前記第３列において、第３副画素及び第４副画素が当該第３列に沿う方向に交互に配置され、かつ前記第３列の同一行において、前記第３副画素及び前記第４副画素が交互に配置され、
前記走査線のそれぞれは、前記第３列において、選択する副画素として、隣り合う前記第３副画素及び隣り合う前記第４副画素のうち、どちらか一方に接続されている、表示装置。
【０１０５】
（２）前記制御装置は、行方向に沿って並んだ１つおきの前記第３列の副画素に伝達する画像信号を同じ行の他の副画素よりも１水平画素分ずらして伝送する、前記（１）に記載の表示装置。
【０１０６】
（３）前記走査線は、隣接した両方の行の第３副画素又は隣接した両方の行の第４副画素に接続されている、前記（１）又は（２）に記載の表示装置。
【０１０７】
（４）前記同一行にある前記第３列の前記副画素が接続する前記走査線が交互に異なる、前記（１）又は（２）に記載の表示装置。
【０１０８】
（５）前記同一行にある前記副画素が接続する前記走査線が、画素毎に交互に異なる、前記（１）又は（２）に記載の表示装置。
【０１０９】
（６）前記画像表示パネルの上に装着又は一体化され、外部から近接する外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置をさらに備える、前記（１）から（５）のいずれか１つに記載の表示装置。
【０１１０】
（７）複数の副画素を含む画素の配列であって、第１副画素を含む第１列と、前記第１列の次列に配列され、第２副画素を含む第２列と、前記第２列の次列に配列される第３列と、が周期的に配列された前記画素の配列を含む画像表示パネルと、
前記画像表示パネルに画像を表示する画像表示機能を有する表示機能層と、
前記第１列、前記第２列及び前記第３列の各列に設けられた信号線と、
画像信号に基づいて、前記信号線に印加される電圧が隣り合う前記副画素間又は隣り合う前記画素間で異なり、印加する当該電圧の極性を所定の周期で反転するカラム反転駆動方式で前記表示機能を駆動する制御装置と、
前記制御装置が前記副画素の各行を順次選択する走査線と、を備え、
前記第３列において、第３副画素及び第４副画素が当該第３列に沿う方向に交互に配置され、かつ前記第３列の同一行において、前記第３副画素及び前記第４副画素が交互に配置され、
前記走査線のそれぞれは、前記第３列において、選択する副画素として、隣り合う前記第３副画素及び隣り合う前記第４副画素のうち、どちらか一方に接続されている、表示装置を有する電子機器。
【０１１１】
本開示の表示装置は、カラム反転駆動方式で駆動できるので、低消費電力になる。また、本開示の表示装置は、クロストークを作用させる共通電極の信号を抑制できる。このため本開示の表示装置は、画質劣化を低減させ、より高輝度な画像又は映像を提供することができる。また、本開示の電子機器は、本開示の表示装置を備えるので、表示装置の消費電力を抑制し、かつ表示装置の画質劣化を低減させることができる。
【０１１２】
本開示によれば、消費電力を抑制し、かつ表示装置の画質劣化を低減させる表示装置及び電子機器を提供することができる。
【０１１３】
以上、本開示について説明したが、上述した内容により本開示が限定されるものではない。また、上述した本開示の構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のもの、いわゆる均等の範囲のものが含まれる。さらに、上述した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。また、本開示の要旨を逸脱しない範囲で構成要素の種々の省略、置換及び変更を行うことができる。
【符号の説明】
【０１１４】
１０  表示装置
２０  信号処理部
３０  画像表示パネル
４０  画像表示パネル駆動回路
４１  信号出力回路
４２  走査回路
４８  画素
４８Ａ  画素
４８Ｂ  画素
４９  副画素
４９Ｒ  第１副画素
４９Ｇ  第２副画素
４９Ｂ  第３副画素
４９Ｗ  第４副画素
５０  面状光源装置
６０  面状光源装置制御回路
【図１】
2014160232.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図１０】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１１】
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【図２４】
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【図２５】
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