(57)【要約】【課題】表面研摩を行った場合にも複数の内部配線間の絶縁抵抗が低下しづらいプローブカード用基板を提供すること。【解決手段】プローブカード用基板３は、複数のムライト粒子を含む基体１と、基体１内に形成された複数の内部配線２とを含んでいる。複数の内部配線２の距離は、５０〜２５０μｍであり、複数のムライト粒子の平均粒径は、２．０〜３．０μｍである。【選択図】図２
2014160050.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数のムライト粒子を含む基体と、
該基体内に形成された複数の内部配線とを備えており、
前記複数の内部配線の距離が５０〜２５０μｍであり、前記複数のムライト粒子の平均粒径が２．０〜３．０μｍであることを特徴とするプローブカード用基板。
【請求項２】
前記複数のムライト粒子の平均粒径が２．４〜３．０μｍであることを特徴とする請求項１に記載のプローブカード用基板。
【請求項３】
前記基体には最大粒径が１５μｍ以下の粒径を持つ複数のチタン酸マンガン粒子を含んでいることを特徴とする請求項１もしくは請求項２に記載のプローブカード用基板。
【請求項４】
請求項１に記載のプローブカード用基板と、
該プローブカード用基板に設けられたプローブ端子とを備えていることを特徴とするプローブカード。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェハの電気特性を測定するための微細な配線を備えたプローブカード用基板およびこれを用いたプローブカードに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
上記半導体素子の不良品を検出するものとして、半導体ウェハの状態のまま同時に多数の半導体素子の電気特性を一括して検査することができるプローブカードが知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【０００３】
このプローブカードは、絶縁基体の主面および内部に微細な配線が形成されている配線基板と、この配線基板の表面に精度よく配置された複数のプローブピンと呼ばれる測定端子とを含んでおり、このプローブピンを多数の半導体素子の端子にあてて、電圧をかけたときの出力を測定して期待値と比較することで、多数の半導体素子の良否を一括して判定するものである。
【０００４】
このようなプローブカードにおいて、プローブカード用基板と半導体ウェハとの熱膨張係数の差を低減させるために、プローブカード用基板の絶縁基体としてムライト質焼結体を適用する試みが行われている（例えば、特許文献２を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−１６０３５６号公報
【特許文献２】特開２０１２−７３１６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
プローブカード用基板は、焼成直後においては、ムライト質焼結体から成る基体の内部における複数の内部配線間の絶縁抵抗が良好であるが、プローブカード用基板の表面に設けられるプローブピンの先端高さを揃えるために、プローブカード用基板の表面を研摩するとプローブカード用基板の複数の内部配線間の絶縁抵抗が低下することがある、将来、複数の内部配線間の距離が小さくなった場合には、絶縁抵抗に関する課題が顕著となる可能性がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの態様によるプローブカード用基板は、複数のムライト粒子を含む基体と、基体内に形成された複数の内部配線とを含んでいる。複数の内部配線の距離は、５０〜２５０μｍであり、複数のムライト粒子の平均粒径は、２．０〜３．０μｍである。
【０００８】
本発明の他の態様によるプローブカードは、上記構成のプローブカード用基板と、プローブカード用基板に設けられたプローブ端子とを含んでいる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一つの態様によるプローブカード用基板において、複数の内部配線の距離が５０〜２５０μｍであり、複数のムライト粒子の平均粒径が２．０〜３．０μｍであることによって、複数の内部配線間の絶縁抵抗に関して向上されている。すなわち、本発明の一つの態様によるプローブカード用基板は、今後、複数の内部配線の高密度化が進んで、複数の内部配線間の距離が５０〜２５０μｍとなった場合にも、複数の内部配線間の絶縁抵
抗に関して十分な特性を確保することができる。
【００１０】
本発明の他の態様によるプローブカードは、上記構成のプローブカード用基板と、プローブカード用基板に設けられたプローブ端子とを含んでいることによって、半導体ウエハの電気特性の検査精度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は本発明の実施形態におけるプローブカードを示す平面図であり、（ｂ）は（ａ）に示されたプローブカードのＡ−Ａ線における縦断面図である。
【図２】図１（ｂ）に示されたプローブカードにおいて符号Ｂによって示された部分の拡大図である。
【図３】（ａ）は図２に示されたプローブカードの上面図であり、（ｂ）は図２に示されたプローブカードにおいてＣ−Ｃ線によって示された位置の平面図であり、（ｃ）は図２に示されたプローブカードの下面図である。
【図４】プローブカード用基板の基体におけるクラックを説明する模式断面図である。
【図５】プローブカード用基板の基体におけるチタン酸マンガン粒子を説明する模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の例示的な実施形態について図面を参照して説明する。
【００１３】
本発明の実施形態におけるプローブカードは、プローブカード用基板３と、プローブカード用基板３上に設けられたプローブ端子５とを含んでいる。
【００１４】
図１〜図３に示されているように、プローブカード用基板３は、セラミック焼結体からなる基体１と、基体１の内部に設けられた内部配線２（内層パターン２ａとビア導体２ｂとから成る）と、基体１の表面に形成された表面配線層４とを含んでいる。
【００１５】
基体１は、複数のセラミック絶縁層１ａから成るもので、それぞれのセラミック絶縁層１ａは、ムライトを主成分とするセラミック焼結体により形成されている。以下、ムライトを主成分とするセラミック焼結体のことをムライト質焼結体ともいう。
【００１６】
ここで、本実施形態のプローブカード用基板３では、基体１を構成するムライト質焼結体の主成分であるムライトは粒子状に存在している。
【００１７】
本実施形態においては、複数のムライト粒子の平均粒径は２．０〜３．０μｍであることが望ましい。本実施形態のプローブカード用基板３は、このような構成であることによって、今後、複数の内部配線２の高密度化が進んで、複数の内部配線２の間の距離が５０〜２５０μｍとなった場合にも、１×１０９〜１×１０１１Ωという十分な絶縁抵抗を確保することができる。
【００１８】
図４に示されているように、プローブカード用基板３の表面を研摩する際に基体１にクラックは生じることがある。本実施形態のプローブカード用基板３においては、複数のムライト粒子の平均粒径が２．０μｍ以上であることによって、仮にクラックが入りかけたとしても、そのクラックの進行方向において、クラックの進行を妨げるようなムライト粒子の表面が現れる可能性が高く、複数の内部配線２の間の絶縁抵抗の低下にはつながりにくくなっている。なお、後述するように、表面配線層４の形成精度の観点から、複数のムライト粒子の平均粒径は、３．０μｍ以下であることが望ましい。
【００１９】
なお、本実施形態のプローブカード用基板３においては、複数のムライト粒子の平均粒径は、２．４〜３．０μｍであると、複数の内部配線２の間の絶縁抵抗をさらに向上させることができる。
【００２０】
なお、複数のムライト粒子の平均粒径は、インターセプト法によって測定される。具体的にはプローブカード用基板３からムライト質焼結体の部分（基体１の一部）を切り出し、研磨し、エッチングした後にＳＥＭ写真を倍率５００倍で撮影することで断面の組織の写真を得て、さらにその写真上に10本の直線を描き、各ムライト粒子を横切る直線部分の長さの平均値を算出してこれを平均粒径とした。
【００２１】
なお、絶縁基体１がムライト質焼結体であると、絶縁基体１の熱膨張係数（室温〜３００℃）を３〜５×１０−６／℃の範囲にできる。これにより、本実施形態のプローブカード用基板３は、熱負荷試験時において、プローブカード用基板３に設けられた測定端子とＳｉウェハの表面に形成された測定パッドとの位置ずれを低減でき、電気特性の検査に好適に使用できるものとなる。
【００２２】
次に、上記のプローブカード用基板３の製造方法について説明する。
【００２３】
まず、基体１を形成するために、ムライト（３Ａｌ２Ｏ３・２ＳｉＯ２）粉末として、純度が９９％以上、平均粒径が０．５〜２．５μｍのものを用いる。ムライト粉末の平均粒径を０．５μｍ以上とすることでシート成形性を良好なものとし、２．５μｍ以下とすることで１４２０℃以下の温度での焼成によっても緻密化を促進させることが可能となる。
【００２４】
次に、ムライト粉末１００質量部に対して、Ｍｎ２Ｏ３粉末を２．０〜４．０質量部、ＴｉＯ２粉末を４．０〜８．０質量部およびＭｏＯ３粉末を０．４〜２．１質量部添加する。この場合、添加剤として用いるＭｎ２Ｏ３粉末は平均粒径が０．５〜３μｍ、ＴｉＯ２粉末は０．５〜２μｍ、ＭｏＯ３粉末は０．５〜２μｍであるものを用いるのがよい。
【００２５】
なお、Ｍｎ２Ｏ３粉末、ＴｉＯ２粉末、ＭｏＯ３粉末の純度はともに９９質量％以上であるものがよい。これにより、シート成形性を良好なものとし、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｍｏの拡散を向上させ、１３８０℃〜１４２０℃の温度での焼結性を高めることができる。
【００２６】
プローブカード用基板３を製造する場合、ムライト粉末に対して、Ｍｎ２Ｏ３粉末およびＴｉＯ２粉末とともにＭｏＯ３粉末を添加すると、ガラス相の染み出しを抑えられるため、異物付着による外観不良が生じ難くなる。ＭｏＯ３粉末とＴｉＯ２粉末とを所定の割合にしたときには、得られる基体１の配線近傍の白化を抑制でき、これにより基体１と配線との色のコントラストを高めることができ、その結果、配線を検査するときの数値ばらつきを小さくすることが可能になる。
【００２７】
なお、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｍｏは、上述した酸化物粉末以外に焼成によって酸化物を形成しうる炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩等として添加しても良い。
【００２８】
さらに、ムライト質焼結体の緻密化と、基体１および内部配線２との同時焼結性を高めるという理由から、ムライト粉末１００質量部に対して、Ｃａ、Ｓｒ、ＢおよびＣｒの群から選ばれる１種以上の酸化物粉末（ＣａＯ粉末、ＳｒＯ粉末、Ｂ２Ｏ３粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末）または焼成によって酸化物を形成しうる炭酸塩、硝酸塩、酢酸塩からなる粉末を、本実施形態のプローブカード用基板３の熱膨張係数を大きく変化させず、また耐薬品性を著しく劣化させない程度の割合で添加してもよい。
【００２９】
次に、この混合粉末に対して有機バインダ、溶媒を添加してボールミル等を用い十分に混合、分散させることでスラリーを作製した後、これをドクターブレード法、射出法などの成形方法によってグリーンシートを作製する。あるいは、混合粉末に有機バインダを添加し、プレス成形、圧延成形等の方法により所定の厚みのグリーンシートを作製する。なお、グリーンシートの厚みはたとえば５０〜３００μｍとすることができるが、特に限定されない。
【００３０】
そして、適宜、このグリーンシートに対して、金型パンチング、マイクロドリル、レーザー等により直径５０〜２５０μｍの貫通孔を形成する。
【００３１】
このようにして作製されたグリーンシートに対して、銅（Ｃｕ）粉末とタングステン（Ｗ）粉末とを所定の比率（Ｃｕが４０〜６０体積％、Ｗが４０〜６０体積％）となるように混合して導体ペーストを調製し、この導体ペーストを各グリーンシートの貫通孔内に充填しビアホール導体２ｂとなる導体を形成し、またスクリーン印刷、グラビア印刷などの方法により印刷塗布して内層パターン２ａとなるパターンを形成する。
【００３２】
なお、この導体ペースト中には、基体１との密着性を高めるために、上記の金属粉末以外にアルミナ粉末あるいは基体１と同一組成物の混合粉末を添加してもよく、さらにはＴｉ等の活性金属あるいはそれらの酸化物を導体ペースト全体に対して０．０５〜２体積％の割合で添加してもよい。
【００３３】
なお、導体ペーストは、上記組成に限った組成である必要はなく、配線抵抗が小さくなる組成であれば構わない、また、配線抵抗や電気特性に影響の小さい部位については、部分的に組成を変えても構わない。例えば、ビアホール導体２ｂは一般的に内層パターン２ａに比べて断面積が大きくなる傾向があるので、ビアホール導体２ｂや幅の広い内層パターン２ａについては部分的にタングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）やその合金で形成しても構わない。
【００３４】
その後、導体ペーストを印刷塗布したグリーンシートを位置合わせして積層圧着した後、この積層体を非酸化性雰囲気（窒素雰囲気あるいは窒素と水素との混合雰囲気）中で焼成する。
【００３５】
ここで、この焼成中の最高温度を１３８０℃〜１４２０℃とするのがよい。焼成中の最高温度を１３８０℃〜１４２０℃とすると、この範囲の温度において保持時間を調整することにより、ムライト質焼結体を緻密化させることができるようになる。
【００３６】
また、本実施形態のプローブカード用基板３を構成する基体１であるムライト質焼結体では、少なくともＭｎ、ＴｉおよびＭｏを所定量含有させて焼成すると、ムライト粒子のネック成長が抑えられるためムライトの異常粒成長を抑制でき、ヤング率の高いムライト質焼結体を得ることができる。
【００３７】
図５に示されているように、Ｍｎ２Ｏ３粉末およびＴｉＯ２粉末とを配合したムライト質焼結体からなる基体１中には、チタン酸マンガン結晶相（ＭｎＴｉＯ３）が針状の粒子（以下チタン酸マンガン粒子６ともいう）として析出する。このチタン酸マンガン粒子６が基体１に対して質量比で１．１％以上含有されていると、基体１の耐薬品性が向上するので好ましい。
【００３８】
このときの基体１の耐薬品性の指標としては、ムライト質焼結体の初期の質量および１００℃の水酸化カリウム４０質量％水溶液に５時間浸漬させた後のムライト質焼結体の質量を測定し、重量減少率（「ムライト質焼結体の初期質量」−「１００℃の水酸化カリウ
ム４０質量％水溶液に５時間浸漬させた後のムライト質焼結体の質量」）／「ムライト質焼結体の初期質量」×１００［％］を算出し、質量変化率が０．１２質量％以下の場合を合格とする指標とした。
【００３９】
また、チタン酸マンガン粒子６のムライト質焼結体に対する質量比が１．５質量％を超えるようになると、チタン酸マンガン結晶は絶縁抵抗値が低いので、ムライトの平均粒径が上述したような２．４〜３．０μｍであっても、内部配線２間の絶縁抵抗値が１×１０９〜１×１０１１Ωとなり絶縁抵抗が多少低下するようになる。よって、チタン酸マンガン粒子６のムライト質焼結体に対する質量比は１．５質量％以下であることが好ましい。
【００４０】
また、チタン酸マンガン粒子の最大粒径が１５μｍ以下であると、内部配線２間の距離が５０μｍ程度と小さい場合であっても、配線間の絶縁抵抗が低下する可能性を低減できるので好ましい。
【００４１】
すなわち、本実施形態のプローブカード用基板３においては、基体１には最大粒径が１５μｍ以下の粒径を持つ複数のチタン酸マンガン粒子６をムライト質焼結体に対して１．１〜１．５質量％含んでいることによって、複数の内部配線２間の絶縁抵抗に関してより高い特性を確保することができ、内部配線２間の距離が５０μｍ程度と小さい場合であっても、配線間の絶縁性をより安定的に向上させることができるようになる。
【００４２】
基体１中に含まれるチタン酸マンガン粒子６の最大径は、以下のようにして求めることができる。なおチタン酸マンガン粒子６は針状結晶であるため、チタン酸マンガン粒子６の長径をチタン酸マンガン粒子６の粒径とした。まず、分析用に研磨加工した試料の表面の３００μｍ角の領域をＸ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）を付設した走査型電子顕微鏡を用いて観察し、チタン酸マンガン粒子６を確認する。３００μｍ角の領域内で確認できたチタン酸マンガン粒子６の中で、最も大きい粒子の長径を測定し、チタン酸マンガン粒子６の最大径とした。
【００４３】
なお、チタン酸マンガンの結晶相がムライト質焼結体中に含まれる質量比率については、基体１を粉砕し、Ｘ線回折による定量分析を行なって、ムライト質焼結体に対する質量比を算出することによって求めることができる。
【００４４】
また、本実施形態のプローブカード用基板３を作製する場合、ムライト質焼結体を緻密化するという１０００℃から焼成最高温度までの昇温速度は５０℃／ｈｒ〜１５０℃／ｈｒ、特に、７５℃／ｈｒ〜１００℃／ｈｒにすることが望ましく、焼成最高温度から１０００℃までの降温速度は、５０℃／ｈｒ〜３００℃／ｈｒ、特に、５０℃／ｈｒ〜１００℃／ｈｒにすることが望ましい。
【００４５】
またさらに、焼成時の雰囲気は、内部配線２中のＣｕの拡散を抑制するという理由から、水素および窒素を含み、その露点が＋３０℃以下、特に＋２５℃以下の非酸化性雰囲気であることが望ましい。焼成時の露点が＋３０℃以下であると、焼成中に酸化物セラミックスと雰囲気中の水分とが反応し酸化膜を形成しこの酸化膜と銅とが反応してしまう可能性が低減されており、導体の低抵抗化が図られる。なお、この雰囲気には所望によりアルゴンガス等の不活性ガスを混入してもよい。
【００４６】
次に、焼結した配線基板の表面を研磨し、スパッタ法を用いて、配線基板の表面の全面にチタンやクロム等の接合金属層および銅等の主導体層を順に形成し、導電性薄膜層とする。必要に応じてバリア層等を形成しても良い。次に、フォトリソグラフィーにより導電性薄膜層をパターン加工して薄膜配線を形成した。次に、この薄膜配線の表面にニッケルおよび金の電解めっき膜を順に形成して、配線基板の表面に表面配線層４を形成すること
で、プローブカード用基板３とした。
【００４７】
以上述べた方法により作製されたプローブカード用基板３は、ＣｕおよびＷを主成分として含み、配線抵抗の低い内部配線２を有し、熱膨張係数が検査対象であるＳｉウェハの熱膨張係数に近いものとなる。
【００４８】
次に、このプローブカード用基板３の表面に形成した表面配線層４の表面にＳｉ製のプローブ端子５を接合してプローブカードを作製する。
【実施例１】
【００４９】
純度が９９％で平均粒子径が２．１μｍのムライト粉末１００質量部に対して、純度が９９％で平均粒径が１．５μｍのＭｎ２Ｏ３粉末を２質量％、純度が９９％で平均粒径が１．０μｍのＴｉＯ２粉末を４質量％、純度が９９％で平均粒子径が１．０μｍのＭｏＯ３粉末を０．５質量％の割合で混合した後、さらに成形用有機樹脂（有機バインダー）としてアクリル系バインダと、有機溶媒としてトルエンとを混合してセラミックスラリーを作製した後、ドクターブレード法にて厚さ２００μｍのシート状に成形し、セラミックグリーンシートを作製した。
【００５０】
作製したグリーンシートに対して、Ｃｕ粉末とＷ粉末とをＣｕが４５体積％、Ｗが５５体積％となるように調製した導体ペーストを各グリーンシートの表面に印刷等により形成することで内層パターン２ａを形成するとともに貫通孔内に導体ペーストを充填してビアホール導体２ｂが形成されたセラミックグリーンシート構造体を作製した。
【００５１】
このとき、内層パターンの一部に、絶縁抵抗測定用として、焼き上げ後に幅が１００μｍ、長さが１００ｍｍの直線パターンとなり、各パターン距離が表１〜表５の各寸法となる評価パターンを５１本(パターンの距離が５０ケ所測定できるように）計５層に形成し
た。この内層パターン２ａをビアホール導体２ｂに接続するようにし、さらに、内層パターン２ａの端部にはビアホール導体２ｂとの接続用としてランドパターンを形成した。
【００５２】
こうして作製した各セラミックグリーンシート構造体を位置合わせして30層積層圧着して積層体を作製した。
【００５３】
得られた積層体を室温から６００度の温度において、露点を＋２５℃とした窒素水素混合雰囲気にて脱脂を行なった後、引き続き焼成を行った。焼成温度は１３８０℃付近として露点を＋２５℃とした窒素水素混合雰囲気で焼成を行った後冷却して、ムライト質焼結体を得た。基板サイズは３４０ｍｍ×３４０ｍｍ、厚みが５ｍｍであった。
【００５４】
スラリー調整条件、焼成温度、温度プロファイル、キープ時間等の条件を調整することで、ムライト粒子の径の調整を行った。それによって一つの基板中にパターン距離５水準を含んだ、ムライト粒子の平均粒径が１．４μｍ〜３．６μｍまで１２水準のサンプルを作製した。
【００５５】
次に、作製した配線基板の表面を研磨し、スパッタ法を用いて、配線基板の表面の全面に厚みが約２μｍのチタンおよび銅の導電性薄膜を順に形成した。
【００５６】
次に、フォトリソグラフィーによりチタンおよび銅の導電性薄膜をパターン加工して薄膜配線を形成した。評価用表面配線パターンとして、幅が５０μｍ、長さが１００ｍｍの直線パターンを形成した。
【００５７】
金属顕微鏡を用い薄膜形成性の評価を行った。評価用表面配線パターンに幅方向に５μ
ｍ以上のパターン欠けが発生した場合はパターン形成性が不十分と判断して「不良」とし、幅方向のパターン欠け寸法が５μｍ未満の場合は十分なパターン形成性があると判断して「良好」とした。ムライト粒子の平均粒径が３．２μｍ以上では、薄膜パターンの形成性が不十分となったが、これはムライト粒子の平均粒径が大きくなると研摩時にムライト粒子の脱粒が発生し易くなることで、パターン欠けが発生し易くなっていると思われる。
【００５８】
次に、この薄膜配線の表面にニッケルおよび金の電解めっき膜を順に形成して、配線基板の表面に表面配線層４を形成することで、プローブカード用基板３とした。
【００５９】
【表１】
2014160050.tif 000003
【００６０】
【表２】
2014160050.tif 000004
【００６１】
【表３】
2014160050.tif 000005
【００６２】
【表４】
2014160050.tif 000006
【００６３】
【表５】
2014160050.tif 000007
【００６４】
各ムライト粒子の平均粒径の水準毎に内部配線２の距離毎の絶縁抵抗値を測定した。テスト端子間に１００Ｖの電圧を印加して流れた電流を測定することで、絶縁抵抗を測定した。
【００６５】
５０ケ所の測定値全ての内部配線２間の絶縁抵抗範囲が１×１０９〜１×１０１１Ωの場合に高密度回路基板として使用可能と判断し「可」、内部配線２間の絶縁抵抗範囲が１×１０９〜１×１０１２Ωの場合に高密度回路基板として十分な特性を持つと判断して「良好」とし、絶縁抵抗に１×１０９Ωより小さい値が含まれた場合は使用出来ないと判断し「不良」とした。
【００６６】
薄膜パターン形成性と内部配線２間絶縁抵抗が共に可もしくは良好な物をプローブカード用基板３として使用可能と判断し、可もしくは良好と判断した。
【００６７】
以上から、内部配線２の距離を５０〜２５０μｍの高密度に形成しても絶縁抵抗が１×１０９〜１×１０１１Ωとなるので、ムライトの平均粒径は２．０〜３．０μｍであることが望ましい。
【００６８】
また、内部配線２の距離を５０〜２５０μｍの高密度に形成しても絶縁抵抗が１×１０９〜１×１０１２Ωとなるので、ムライトの平均粒径は２．４〜３．０μｍであることがより望ましい。
【実施例２】
【００６９】
内層パターン間距離を５０μｍだけとした評価パターンとした以外は、実施例１と同様にして積層体を作成した。
【００７０】
そして、スラリー調整条件、焼成温度、温度プロファイル、キープ時間等の条件を調整することで、表６〜表８にあるようにムライト粒子の径が２．０μｍ〜３．０μｍで、その各々のムライト粒子径に対してチタン酸マンガン粒子６の最大粒径が５μｍ〜３５μｍとなるように調整を行った以外は、実施例１と同様にして表６〜表８に示す各サンプルを
作成した。それによってパターン間距離が５０μｍで、２．０μｍ、２．４μｍ、３．０μｍのムライト粒子の平均粒径を持つ各々の基板に対して、チタン酸マンガン粒子６の最大粒径が５μｍ〜３５μｍとなる各々７水準のサンプル、計２１種類のサンプルを作製した。
【００７１】
薄膜形成性の評価を実施例１と同様に評価した。全てのサンプルにおいて、パターン欠けは発生しておらず、良好な形成性があることが分かった。実施例１と同様にして配線基板の表面に表面配線層４を形成することで、プローブカード用基板３とした。
【００７２】
【表６】
2014160050.tif 000008
【００７３】
【表７】
2014160050.tif 000009
【００７４】
【表８】
2014160050.tif 000010
【００７５】
研磨加工した各サンプルの表面の３００μｍ角の領域をＸ線マイクロアナライザー（ＥＰＭＡ）を付設した走査型電子顕微鏡を用いて観察し、チタン酸マンガン粒子６を確認することで、サンプルのチタン酸マンガン粒子６の最大径を確認した。
【００７６】
チタン酸マンガンの結晶相のムライト質焼結体中に対する質量比率（含有率）については、基体１から約１ｇを切り出して粉砕し、Ｘ線回折による定量分析を行なって、ムライト質焼結体に対するチタン酸マンガンの結晶相の質量比を算出することによって求めた。なお、切り出す場合には、ムライト質焼結体に対するチタン酸マンガン結晶相の質量比がより正確に測定できるように、内部配線２や表面配線層４が含まれていない部分を切り出すようにするのが良い。
【００７７】
実施例１と同様にして内部配線２間の絶縁抵抗値を測定した。絶縁抵抗値の範囲が１×１０９〜１×１０１１Ωの場合に高密度回路基板として使用可能と判断し「可」、内部配線２間の絶縁抵抗範囲が１×１０１０〜１×１０１1Ωの場合に高密度回路基板として十
分な特性を持つと判断して「良好」とした。内部配線２間の絶縁抵抗範囲が１×１０１０〜１×１０１２Ωの場合には高密度回路基板として優れた絶縁特性を持つと判断して「優良」とした。
【００７８】
実施例２においては、薄膜パターン形成性は全てのサンプルで良好であった。内部配線２間の絶縁抵抗が「可」であるものをプローブカード用基板３として使用可能と判断し、総合判断において「可」とした。同様に、内部配線２間絶縁抵抗が「良好」もしくは「優良」であるものをプローブカード用基板３としてより優れていると判断し、総合判断において「良好」もしくは「優良」とした。
【００７９】
表６〜表８の結果から、複数のチタン酸マンガン粒子６の最大粒径が１５μｍ以下の場合には、内部配線間の絶縁抵抗は、チタン酸マンガン粒子６の最大粒径が２０μｍ以上の場合に比べて、より安定的に向上していることがわかった。このときチタン酸マンガン粒子６の含有率は１．１〜１．５質量％であった。
【００８０】
なお、内部配線２の距離が５０μｍより広い場合には、内部配線２間の絶縁抵抗はより絶縁性が高くなることは明らかである。このことから、ムライトの平均粒径が２．０〜３．０μｍである場合に、内部配線２の距離を５０〜２５０μｍの高密度に形成しても絶縁抵抗が１×１０１０Ω以上となる。
【符号の説明】
【００８１】
１・・・・・基体
１ａ・・・・セラミック絶縁層
２・・・・・内部配線
２ａ・・・・内層パターン
２ｂ・・・・ビアホール導体
３・・・・・プローブカード用基板
４・・・・・表面配線層
５・・・・・プローブ端子
６・・・・・チタン酸マンガン粒子
【図１】
2014160050.tif 000011
【図２】
2014160050.tif 000012
【図３】
2014160050.tif 000013
【図４】
2014160050.tif 000014
【図５】
2014160050.tif 000015