(57)【要約】【課題】検査時間を短縮することのできる半導体装置の検査方法および半導体装置の検査装置を提供する。【解決手段】  複数の高周波電力増幅器ＤＵＴに対して逐次的に検査を行う検査方法であって、測定ステップと計算ステップとを備える。測定ステップでは、高周波電力増幅器ＤＵＴに入力電力Ｐｉｎを与えて出力電力Ｐｏｕｔを測定する。出力電力Ｐｏｕｔが所定範囲内に無い場合には入力電力を調整する。この所定範囲内の出力電力となる入力電力で高周波電力増幅器ＤＵＴに高周波入力信号を与えて前記高周波電力増幅器ＤＵＴの特性を測定する。計算ステップでは、前回までの複数の測定ステップでそれぞれ高周波入力信号を与えたときの入力電力Ｐｉｎの値を検査入力値Ｐｉｎｃとして取得する。第１、２周波数について第１，２検査入力値を複数取得し、回帰分析を行う。【選択図】図４
2014157133.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の半導体装置に対して第１周波数の入力信号および前記第１周波数と異なる第２周波数の入力信号を入力して出力信号を測定する検査を、複数の半導体装置に逐次的に行う半導体装置の検査方法であって、
第１入力電力に対する半導体装置の第１出力電力を測定し、測定した前記第１出力電力が第１所定範囲内に無い場合には前記第１出力電力が前記第１所定範囲内となるように前記第１入力電力を調整し、前記第１所定範囲内の前記第１出力電力となる前記第１入力電力で前記第１周波数の第１入力信号を前記半導体装置に与え、前記半導体装置の特性を測定する第１測定ステップと、
第２入力電力に対する前記半導体装置の第２出力電力を測定し、測定した前記第２出力電力が第２所定範囲内に無い場合には前記半導体装置の第２出力電力が前記第２所定範囲内となるように前記第２入力電力を調整し、前記第２所定範囲内の前記第２出力電力となる前記第２入力電力で前記第２周波数の第２入力信号を前記半導体装置に与え、前記第２入力信号に応じた前記半導体装置の特性を測定する第２測定ステップと、
前記第１入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である第１検査入力値と前記第２入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である第２検査入力値との組を半導体装置ごとに求め、半導体装置ごとに求めた複数の前記第１検査入力値および複数の前記第２検査入力値の組から、回帰分析を行う回帰分析ステップと、
前記第１測定ステップを行った半導体装置に対して、前記第１検査入力値を前記回帰分析の結果にあてはめて算出した電力値を、前記第２測定ステップの第２入力電力の初期値とする算出ステップと、
をさらに備えることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項２】
複数の半導体装置に対して逐次的に検査を行う半導体装置の検査方法であって、
半導体装置に入力電力を与えて前記入力電力に対する前記半導体装置の出力電力を測定し、測定した出力電力が所定範囲内に無い場合には出力電力が前記所定範囲内となるように前記半導体装置への入力電力を調整して、前記所定範囲内の出力電力となる入力電力で前記半導体装置に入力信号を与えて前記半導体装置の特性を測定する測定ステップと、
前回までの複数の前記測定ステップでそれぞれ前記入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である検査入力値を取得し、前記検査入力値の代表値を計算し、前記代表値に基づいて、次に検査すべき半導体装置に対する前記測定ステップの入力電力の初期値を計算する計算ステップと、
を備えることを特徴とする半導体装置の検査方法。
【請求項３】
前記代表値は、複数の前記検査入力値の平均値、複数の前記検査入力値の中央値、および複数の前記検査入力値の最頻値からなる群から選択した１つの値であることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項４】
前記第１測定ステップの前に前記半導体装置を加熱する加熱ステップを、さらに備えることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項５】
前記加熱ステップは、前記半導体装置に対して定格の直流バイアス電圧および定格電力の入力信号を与える試験である定格試験により前記半導体装置を自己発熱させるステップを含むことを特徴とする請求項４に記載の半導体装置の検査方法。
【請求項６】
入力端子と出力端子を備える半導体装置を設置し、前記入力端子と接続すべき入力電極および前記出力端子と接続すべき出力電極を備えた設置部と、
前記入力電極に入力信号を与える信号発生器と、
前記出力電極からの出力電力を測定する電力測定器と、
前記半導体装置の特性を測定する検査手段と、
前記電力測定器の測定結果に基づいて前記信号発生器を制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
第１入力電力に対する半導体装置の第１出力電力を測定し、測定した前記第１出力電力が第１所定範囲内に無い場合には前記第１出力電力が前記第１所定範囲内となるように前記第１入力電力を調整し、前記第１所定範囲内の前記第１出力電力となる前記第１入力電力で前記第１周波数の第１入力信号を前記半導体装置に与え、前記半導体装置の特性を測定する第１測定処理と、
第２入力電力に対する前記半導体装置の第２出力電力を測定し、測定した前記第２出力電力が第２所定範囲内に無い場合には前記半導体装置の第２出力電力が前記第２所定範囲内となるように前記第２入力電力を調整し、前記第２所定範囲内の前記第２出力電力となる前記第２入力電力で前記第２周波数の第２入力信号を前記半導体装置に与え、前記第２入力信号に応じた前記半導体装置の特性を測定する第２測定処理と、
を実行し、
前記コントローラは、前記第１入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である第１検査入力値と前記第２入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である第２検査入力値について、複数の前記第１検査入力値および複数の前記第２検査入力値の関係を定めた情報を記憶しており、
前記第１測定処理を行った半導体装置に対して、前記第１検査入力値を前記回帰分析の結果にあてはめて算出した電力値を、前記第２測定処理の第２入力電力の初期値とする算出処理をさらに備えることを特徴とする半導体装置の検査装置。
【請求項７】
入力端子と出力端子を備える半導体装置を設置し、前記入力端子と接続すべき入力電極および前記出力端子と接続すべき出力電極を備えた設置部と、
前記入力電極に入力信号を与える信号発生器と、
前記出力電極からの出力電力を測定する電力測定器と、
前記半導体装置の特性を測定する検査手段と、
前記電力測定器の測定結果に基づいて前記信号発生器を制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
半導体装置に入力電力を与えて前記入力電力に対する前記半導体装置の出力電力を測定し、測定した出力電力が所定範囲内に無い場合には出力電力が前記所定範囲内となるように前記半導体装置への入力電力を調整して、前記所定範囲内の出力電力となる入力電力で前記半導体装置に入力信号を与えて前記半導体装置の特性を測定する測定処理と、
前回までの複数の前記測定処理でそれぞれ前記入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である検査入力値を取得し、前記検査入力値の代表値を計算し、前記代表値に基づいて、次に検査すべき半導体装置に対する前記測定ステップの入力電力の初期値を計算する計算処理と、
を実行することを特徴とする半導体装置の検査装置。
【請求項８】
前記計算処理は、
複数の前記検査入力値の平均値を計算し、前記平均値を代表値とする処理と、
複数の前記検査入力値のなかから中央値を選択し、前記中央値を代表値とする処理と、
複数の前記検査入力値のなかから最頻値を選択し、前記最頻値を代表値とする処理と、
からなる群から選択した１つの処理であることを特徴とする請求項７に記載の半導体装置の検査装置。
【請求項９】
前記設置部が、前記半導体装置の電源端子に接続すべき電源電極を備え、
前記電源電極に直流電圧を与える直流電源を備え、
前記コントローラは、
前記第１測定処理の前に、前記半導体装置に定格試験を実施するための電圧を前記直流電源に発生させ且つ前記半導体装置に定格試験を実施するための入力電力を与えるように前記信号発生器を制御する定格試験処理をさらに実行することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の半導体装置の検査装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の検査方法および半導体装置の検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、特開昭６０−４２６６４号公報に開示されているように、ロット単位で所定数量の半導体装置に対して測定を行った後、測定結果に統計的な処理を行って、検査の短縮を図った半導体装置の検査方法が知られている。この公報にかかる従来技術では、１ロット中に含まれる所定数量の半導体装置に検査を行って、検査項目について、測定値の平均値等の統計データを求めている。一方、過去の測定結果についても同様に検査項目の統計データを求めておき、今回の統計データと過去の統計データとを比較している。
【０００３】
この２つの統計データを検査項目についてそれぞれ比較した結果、統計データの分布が所定範囲内にある特定の検査項目については、その後の試験を省略することとしている。これにより、製造品質の保証と試験時間の短縮の両立を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６０−４２６６４号公報
【特許文献２】特開２００７−２４８２００号公報
【特許文献３】特開２００３−２２７８６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記従来の技術は、統計的に見て製造品質が保証されている蓋然性が高い検査項目については、所定個数の半導体装置への検査を終えた時点で残りの検査を省略するものである。上記従来の技術は、検査の対象とする半導体装置の個数の削減、検査回数の削減にかかるものであり、一単位の検査に要する時間を短縮する観点においてはいまだ改善の余地が残されていた。
【０００６】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、検査時間を短縮することのできる半導体装置の検査方法および半導体装置の検査装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
第１の発明は、半導体装置の検査方法であって、
同一の半導体装置に対して第１周波数の入力信号および前記第１周波数と異なる第２周波数の入力信号を入力して出力信号を測定する検査を、複数の半導体装置に逐次的に行う半導体装置の検査方法であって、
第１入力電力に対する半導体装置の第１出力電力を測定し、測定した前記第１出力電力が第１所定範囲内に無い場合には前記第１出力電力が前記第１所定範囲内となるように前記第１入力電力を調整し、前記第１所定範囲内の前記第１出力電力となる前記第１入力電力で前記第１周波数の第１入力信号を前記半導体装置に与え、前記半導体装置の特性を測定する第１測定ステップと、
第２入力電力に対する前記半導体装置の第２出力電力を測定し、測定した前記第２出力電力が第２所定範囲内に無い場合には前記半導体装置の第２出力電力が前記第２所定範囲内となるように前記第２入力電力を調整し、前記第２所定範囲内の前記第２出力電力となる前記第２入力電力で前記第２周波数の第２入力信号を前記半導体装置に与え、前記第２入力信号に応じた前記半導体装置の特性を測定する第２測定ステップと、
前記第１入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である第１検査入力値と前記第２入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である第２検査入力値との組を半導体装置ごとに求め、半導体装置ごとに求めた複数の前記第１検査入力値および複数の前記第２検査入力値の組から、回帰分析を行う回帰分析ステップと、
前記第１測定ステップを行った半導体装置に対して、前記第１検査入力値を前記回帰分析の結果にあてはめて算出した電力値を、前記第２測定ステップの第２入力電力の初期値とする算出ステップと、
をさらに備えることを特徴とする。
【０００８】
第２の発明は、半導体装置の検査方法であって、
複数の半導体装置に対して逐次的に検査を行う半導体装置の検査方法であって、
半導体装置に入力電力を与えて前記入力電力に対する前記半導体装置の出力電力を測定し、測定した出力電力が所定範囲内に無い場合には出力電力が前記所定範囲内となるように前記半導体装置への入力電力を調整して、前記所定範囲内の出力電力となる入力電力で前記半導体装置に入力信号を与えて前記半導体装置の特性を測定する測定ステップと、
前回までの複数の前記測定ステップでそれぞれ前記入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である検査入力値を取得し、前記検査入力値の代表値を計算し、前記代表値に基づいて、次に検査すべき半導体装置に対する前記測定ステップの入力電力の初期値を計算する計算ステップと、
を備えることを特徴とする。
【０００９】
第３の発明は、半導体装置の検査装置であって、
入力端子と出力端子を備える半導体装置を設置し、前記入力端子と接続すべき入力電極および前記出力端子と接続すべき出力電極を備えた設置部と、
前記入力電極に入力信号を与える信号発生器と、
前記出力電極からの出力電力を測定する電力測定器と、
前記半導体装置の特性を測定する検査手段と、
前記電力測定器の測定結果に基づいて前記信号発生器を制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
第１入力電力に対する半導体装置の第１出力電力を測定し、測定した前記第１出力電力が第１所定範囲内に無い場合には前記第１出力電力が前記第１所定範囲内となるように前記第１入力電力を調整し、前記第１所定範囲内の前記第１出力電力となる前記第１入力電力で前記第１周波数の第１入力信号を前記半導体装置に与え、前記半導体装置の特性を測定する第１測定処理と、
第２入力電力に対する前記半導体装置の第２出力電力を測定し、測定した前記第２出力電力が第２所定範囲内に無い場合には前記半導体装置の第２出力電力が前記第２所定範囲内となるように前記第２入力電力を調整し、前記第２所定範囲内の前記第２出力電力となる前記第２入力電力で前記第２周波数の第２入力信号を前記半導体装置に与え、前記第２入力信号に応じた前記半導体装置の特性を測定する第２測定処理と、
を実行し、
前記コントローラは、前記第１入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である第１検査入力値と前記第２入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である第２検査入力値について、複数の前記第１検査入力値および複数の前記第２検査入力値の関係を定めた情報を記憶しており、
前記第１測定処理を行った半導体装置に対して、前記第１検査入力値を前記回帰分析の結果にあてはめて算出した電力値を、前記第２測定処理の第２入力電力の初期値とする算出処理をさらに備えることを特徴とする。
【００１０】
第４の発明は、半導体装置の検査装置であって、
入力端子と出力端子を備える半導体装置を設置し、前記入力端子と接続すべき入力電極および前記出力端子と接続すべき出力電極を備えた設置部と、
前記入力電極に入力信号を与える信号発生器と、
前記出力電極からの出力電力を測定する電力測定器と、
前記半導体装置の特性を測定する検査手段と、
前記電力測定器の測定結果に基づいて前記信号発生器を制御するコントローラと、
を備え、
前記コントローラは、
半導体装置に入力電力を与えて前記入力電力に対する前記半導体装置の出力電力を測定し、測定した出力電力が所定範囲内に無い場合には出力電力が前記所定範囲内となるように前記半導体装置への入力電力を調整して、前記所定範囲内の出力電力となる入力電力で前記半導体装置に入力信号を与えて前記半導体装置の特性を測定する測定処理と、
前回までの複数の前記測定処理でそれぞれ前記入力信号を与えたときの入力電力の値と電力制御値のいずれかの値である検査入力値を取得し、前記検査入力値の代表値を計算し、前記代表値に基づいて、次に検査すべき半導体装置に対する前記測定ステップの入力電力の初期値を計算する計算処理と、
を実行することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明にかかる半導体装置の検査方法および半導体装置の検査装置によれば、検査時間を短縮することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置である検査装置の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法におけるロットの概念を説明するための図である。
【図３】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法の内容を説明するための図である。
【図４】本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法のフローチャートであり、実施の形態１において検査装置のコントローラが実行するルーチンのフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の検査方法のフローチャートであり、実施の形態２において検査装置のコントローラが実行するルーチンのフローチャートである。
【図６】本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の検査方法を説明するためのグラフである。
【図７】本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の検査方法のフローチャートであり、実施の形態３において検査装置のコントローラが実行するルーチンのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
本実施の形態にかかる半導体装置の検査方法は、複数の半導体装置に対して逐次的に検査を行う検査方法であり、その基本技術は下記のとおりである。すなわち、本実施の形態では、携帯電話用パワーアンプなどの高周波電力増幅器を対象とした検査方法を説明する。高周波電力増幅器は、所定周波数および所定出力電力値での検査（性能試験）を行い、その検査結果に照らして性能の保証を行う。
【００１４】
この検査を実施するためには、高周波電力増幅器の出力電圧が所定範囲内に収まっていることが要求される。そこで、検査のための準備として、高周波電力増幅器に入力する入力電力（電流または電圧）を変化させ、所望の出力電力が得られるように入力電力の調整作業を行い、高周波電力増幅器の出力電圧が所定範囲内に収まった状態を作り出している。
【００１５】
実施の形態１．
［実施の形態１の装置の構成］
図１は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置である検査装置１０の構成を示すブロック図である。本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法は、この検査装置１０を用いて実施される。
実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法は、上記の第２の発明にかかる半導体装置の検査方法の一実施形態に相当している。実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置は、上記の第４の発明にかかる半導体装置の検査装置の一実施形態に相当している。
【００１６】
図２は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法におけるロットの概念を説明するための図である。図２に示すように、本実施の形態では、ウエハ単位でロットを区切るものとし、１枚の半導体ウエハＷｆから得られた複数の高周波電力増幅器ＤＵＴが、同一のロットに属するものとする。
【００１７】
一般に、高周波電力増幅器ＤＵＴ（Device Under Test）は、同一の半導体ウエハＷｆに形成された半導体増幅素子（増幅回路）から、数十個〜数千個を１つのロットとして製造される。同一半導体ウエハＷｆ上に形成された半導体増幅素子は、製造プロセスが共通であったり基板材料が同じである等の理由から、素子性能の傾向が似ている。ここでいう「素子性能」とは、具体的には、所定の高周波出力電力を得るために必要となる高周波入力電力を意味している。本実施形態にかかる半導体装置の検査方法では、この傾向を利用して検査時間の短縮を図る。
【００１８】
図１に示すように、検査装置１０は、設置部１２を備えている。設置部１２は、検査時に高周波電力増幅器ＤＵＴが搭載されるテスト治具である。高周波電力増幅器ＤＵＴは、入力端子Ｅｉｎ、出力端子Ｅｏｕｔ、および電源端子Ｅｐを備える。検査装置１０は、設置部１２、入力電極１２ａ、出力電極１２ｂ、および電源電極１２ｃを備えている。高周波電力増幅器ＤＵＴを搭載したときに、ちょうど入力端子Ｅｉｎと入力電極１２ａが接触し、出力端子Ｅｏｕｔと出力電極１２ｂとが接触し、電源端子Ｅｐと電源電極１２ｃとが接触する。これにより検査時の電気的接続が確立される。
【００１９】
検査装置１０は、信号発生器１４を備えている。信号発生器１４は、高周波電力増幅器ＤＵＴに与えるべき検査用高周波入力信号を発生させることができる。信号発生器１４は、その高周波入力信号の周波数および電力値をそれぞれ変化させることができる。信号発生器１４は、入力電極１２ａに対して電気的に接続し、入力電極１２ａを介して高周波電力増幅器ＤＵＴに高周波入力信号を与える。
【００２０】
検査装置１０は、電力測定器２０および波形分析器２２を備えている。検査装置１０では、設置部１２の出力電極１２ｂが方向性結合器１８に接続しており、方向性結合器１８で出力電力を分岐することができる。一部の出力電力が電力測定器２０に入力され、残部の出力電力が波形分析器２２にそれぞれ入力される。これにより、電力測定器２０は、出力電極１２ｂからの出力電力Ｐｏｕｔを測定することができる。また、波形分析器２２は、出力電極１２ｂからの出力信号波形を計測でき、信号測定器としての役割を果たす。
【００２１】
検査装置１０は、電源電極１２ｃと接続する直流電源１６を備えている。直流電源１６は、電源電極１２ｃに直流電圧を与えることができる。
【００２２】
検査装置１０は、コントローラ２４を備えている。コントローラ２４は、ＣＰＵ、ＲＯＭ、ＲＡＭおよび入出力インターフェースＩ／Ｏを備えている。コントローラ２４のＲＯＭには、後述する図４のフローチャートを用いて説明するルーチンがあらかじめ記憶されている。このルーチンを実行することで、コントローラ２４が、電力測定器２０の測定結果に基づいて信号発生器１４を制御することができる。
【００２３】
［実施の形態１にかかる検査方法の内容］
図３は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法の内容を説明するための図であり、ｎ個の高周波電力増幅器ＤＵＴ１〜ＤＵＴｎを検査する場合を説明する。ｎは３以上の整数であり、例えばｎ＝数１０〜数１０００の範囲の値をとるのが一般的である。
【００２４】
（１）１回目の検査
１回目の検査では、先ず、高周波電力増幅器ＤＵＴ１に対して、信号発生器１４で入力電力Ｐｉｎが入力され、電力測定器２０により出力電力Ｐｏｕｔの計測が行われる。前述したように、高周波電力増幅器は、所定の周波数および所定の出力電力値での検査（性能試験）を行い、その検査結果に照らして性能の保証を行う。先ず、入力電力の初期値Ｐｉｎ０をあらかじめ定めておき、この初期値Ｐｉｎ０を高周波電力増幅器ＤＵＴ１に入力する。その結果、ある値の出力電力Ｐｏｕｔが得られる。
【００２５】
もし、このＰｏｕｔが所定範囲内に収まっていれば、その入力電力初期値Ｐｉｎ０の高周波入力信号を高周波電力増幅器ＤＵＴ１に与えて、「高周波電力増幅器ＤＵＴ１の特性」を検査すればよい。
【００２６】
実施の形態１では、波形分析器２２で出力波形を計測する。「高周波電力増幅器ＤＵＴ１の特性」としては次のものが含まれ、これらが実施の形態１にかかる検査の各検査項目となっている。
・電源端子Ｅｐに流れる電流（消費電流）
・隣接チャンネル漏洩電力
・高調波歪
【００２７】
消費電流は、直流電源１６に内蔵された電流計で電流値を読み取ることにより測定できる。隣接チャンネル漏洩電力および高調波歪は、波形分析器２２により波形を読み取ることにより測定することができる。
【００２８】
なお、高周波信号の入力端子Ｅｉｎの電力反射（リターンロス）も、検査項目に含めてもよい。この場合には、図１の信号発生器１４と設置部１２の入力電極１２ａとの間に、方向性結合器および電力測定器を設けて、電力反射を測定すればよい。これらの各検査項目を測定する手段が、上記第３および第４の発明にかかる「検査手段」に相当している。
【００２９】
一方、初期値Ｐｉｎ０に応じた出力電力Ｐｏｕｔが所定範囲内に収まっていない場合には、入力電力の調整が必要となる。つまり、高周波電力増幅器ＤＵＴ１の出力電力Ｐｏｕｔが所定範囲内に収まるように、入力電力Ｐｉｎをフィードバック的に調節する作業が行われる。この作業を行うことで、上記所定範囲内に収まるある１つの出力電力Ｐｏｕｔ１が求まる。この出力電力Ｐｏｕｔ１を得たときの入力電力Ｐｉｎ１で、高周波入力信号を高周波電力増幅器ＤＵＴ１の入力端子Ｅｉｎに与える。この状態で、上述した第２測定ステップの検査項目を実施する。１回目の検査での検査項目測定時において、高周波入力信号を高周波電力増幅器ＤＵＴ１に与えたときの入力電力Ｐｉｎ１の値を、「検査入力値Ｐｉｎｃ１」とも称す。
【００３０】
（２）２回目の検査
次に、検査の対象を交換して、高周波電力増幅器ＤＵＴ２に対しての検査が行われる。これが２回目の検査である。上記の高周波電力増幅器ＤＵＴ１について行ったのと同様に、図２の２回目の欄にあるように「所定範囲内に収まった出力電力Ｐｏｕｔ２」および「Ｐｏｕｔ２を実現した入力電力Ｐｉｎ２」が定まる。この出力電力Ｐｏｕｔ２を実現した入力電力Ｐｉｎ２の高周波入力信号を生成し、高周波電力増幅器ＤＵＴ２に入力し、上記検査項目を実施する。２回目の検査での検査項目測定時において、高周波入力信号を高周波電力増幅器ＤＵＴ１に与えたときの入力電力Ｐｉｎ２の値を、「検査入力値Ｐｉｎｃ２」とも称す。
【００３１】
（３）３回目以降の検査
上記の１回目、２回目の検査を終えて、２つの検査入力値Ｐｉｎｃ１、Ｐｉｎｃ２が得られたものとする。この場合、本実施の形態では、次の３回目の検査（高周波電力増幅器ＤＵＴ３の検査）における入力電力値に、初期値Ｐｉｎ０ではなく、検査入力値Ｐｉｎｃ１、Ｐｉｎｃ２の平均（算術平均値）を計算した平均値Ｐａｖｅを用いることとする。
【００３２】
この平均値Ｐａｖｅの値を入力電力Ｐｉｎ３の初期値として、高周波電力増幅器ＤＵＴ３に対して同様に検査を行う。平均値Ｐａｖｅを入力電力としたときの高周波電力増幅器ＤＵＴ３の出力電力Ｐｏｕｔが上記の所定範囲内に収まれば、そのまま検査項目の検査を実施すればよい。
【００３３】
一方、そうでない場合には、先ず、１回目、２回目の検査と同様に入力電力を調整したうえで、上記所定範囲内の出力電力Ｐｏｕｔ３となる入力電力値を求めればよい。３回目の検査での検査項目測定時において、高周波入力信号を高周波電力増幅器ＤＵＴ１に与えたときの入力電力Ｐｉｎ３を、「検査入力値Ｐｉｎｃ３」とも称す。以下同様に、４、５、・・・、ｎ回目の検査を実施したときの入力電力Ｐｉｎ４、Ｐｉｎ５、・・・Ｐｉｎｎの値を、「検査入力値Ｐｉｎｃ４、Ｐｉｎｃ５、・・・Ｐｉｎｃｎ」とも称す。
【００３４】
４回目以降の検査は、３回目の検査と同様に行えば良い。平均値Ｐａｖｅを、検査入力値Ｐｉｎｃ１，Ｐｉｎｃ２、Ｐｉｎｃ３・・・の平均とするように更新してもよい。このようにして、ｎ回目の検査では、平均値Ｐａｖｅは、ｎ−１回目までに得られた複数の検査入力値Ｐｉｎｃ１、Ｐｉｎｃ２、・・・Ｐｉｎｃｎ−１の平均となる。
【００３５】
なお、毎回の検査で常に入力電力の調整が必要とはかぎらないので、例えばｋ回目（ｋはｎ未満の整数とする）の検査においては調整がなかった場合には、入力電力Ｐｉｎｋ（＝前回ｋ−１回目までの検査結果から求めた平均値Ｐａｖｅ））の値がそのまま検査入力値Ｐｉｎｃｋとなる。理想的には、検査の回数（検査した高周波電力増幅器ＤＵＴの個数）が多くなるにつれ平均値Ｐａｖｅがロット内の傾向を表すある一定の最適値に収束していき、最適値となれば以降の入力電力値の調整が不要となる。
【００３６】
以上説明した本実施の形態にかかる検査方法によれば、検査時間を短縮することができる。すなわち、１ロット内の複数の高周波電力増幅器ＤＵＴについて、検査のための適切な入力電力Ｐｉｎ（所定範囲内の出力電力Ｐｏｕｔが得られる入力電力Ｐｉｎ）の平均値Ｐａｖｅを求めることができる。
【００３７】
平均値Ｐａｖｅを、次の検査における入力電力の初期値に設定することができる。そうすることで、１ロット内の高周波電力増幅器ＤＵＴの素子性能の傾向が反映されるようになり、検査の際に当初から出力電力Ｐｏｕｔが所定範囲内に収まりやすくなる。つまり、適正な入力電力Ｐｉｎからの乖離が少なくなるため、調整回数を減らすことができ、検査時間を短縮することができる。
【００３８】
仮に、本実施の形態に対する比較例として、常に一定値の初期値Ｐｉｎ０を用いて毎回の検査を行う場合を想定する。そうすると、このような場合には、１ロット内の高周波電力増幅器ＤＵＴの素子性能の傾向が反映されない。この場合、出力電力値を測定し所望の出力電力値に到達するまで繰り返し入力電力の調整を行う回数がより多くなる。本実施の形態によれば、このような一定値を初期値に用いる場合と比べて、調整回数を減らすことができ、１つの高周波電力増幅器ＤＵＴにかける試験時間を短縮することができる。
【００３９】
［実施の形態１の検査フローおよび実施の形態１の装置の具体的処理］
図４は、本発明の実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法のフローチャートである。また、このフローチャートは、実施の形態１において検査装置１０のコントローラ２４が実行するルーチンのフローチャートでもある。以下の説明では、フローチャートの各ステップについて、検査方法の内容とともに、検査装置１０のコントローラ２４が実行する具体的処理を説明する。
【００４０】
図４のフローチャートでは、先ず、高周波電力増幅器ＤＵＴに入力電力Ｐｉｎを与える（ステップＳ１００）。一回目の測定の場合には、この入力電力Ｐｉｎは、あらかじめ定めた初期値Ｐｉｎ０とする。次いで、入力電力Ｐｉｎに対する高周波電力増幅器ＤＵＴの出力電力Ｐｏｕｔを測定する（ステップＳ１０２）。
具体的処理としては、コントローラ２４は、先ず、信号発生器１４の入力信号の電力である入力電力Ｐｉｎを決定する処理を実行する。ルーチンの初回の入力電力Ｐｉｎは、初期値Ｐｉｎ０とする。入力電力Ｐｉｎに対する高周波電力増幅器ＤＵＴの出力電力Ｐｏｕｔを測定する。
【００４１】
次に、ステップＳ１０２で測定した出力電力Ｐｏｕｔが、所定範囲内にあるかどうかが判定される（ステップＳ１０４）。本実施の形態にかかる所定範囲とは、所定の設定値Ｐｒｅｆ（単位ｄＢｍ）に対しての差分がプラスマイナス０．０２ｄＢ以下である範囲とする。具体的処理としては、コントローラ２４が、電力測定器２０で測定された電力値が予めＲＯＭに記憶した上記所定範囲内に収まっているかどうかの判定処理を行う。
【００４２】
ステップＳ１０４の判定の結果、ステップＳ１０２で測定した出力電力Ｐｏｕｔが所定範囲内に無い場合には、高周波電力増幅器ＤＵＴの出力電力Ｐｏｕｔが所定範囲内となるように入力電力Ｐｉｎを調整する（ステップＳ１０６）。具体的処理としては、コントローラ２４は、設定値Ｐｒｅｆと今回計測した出力電力Ｐｏｕｔとの差分を計算し、計算した差分が減少するように入力電力Ｐｉｎを所定の変化分ΔＰｉｎだけ増加または減少させる。その後再び、ステップＳ１０２で再度の出力電力Ｐｏｕｔの計測、ステップＳ１０４での判定が行われる。このループ処理が繰り返されて、ステップＳ１０４の条件成立となれば、ステップＳ１０８へ進む。
【００４３】
ステップＳ１０４の判定の結果、ステップＳ１０２で測定した出力電力Ｐｏｕｔが所定範囲内にある場合には、ステップＳ１０４の条件は肯定（ＹＥＳ）となり、ステップＳ１０８へ進む。
【００４４】
ステップＳ１０８では、波形分析器２２を用いて高周波特性の測定が行われる。調整した入力電力Ｐｉｎで高周波電力増幅器ＤＵＴに高周波入力信号を与えて、高周波入力信号に応じた出力信号波形を測定する。具体的処理としては、コントローラ２４は、調整後の入力電力Ｐｉｎの高周波入力信号を信号発生器１４に発生させる。波形分析器２２が、この高周波入力信号に応じた出力信号を測定する。ステップＳ１０８において高周波入力信号を生成した入力電力Ｐｉｎ１の値が、「検査入力値Ｐｉｎｃ１」である。
【００４５】
次に、今回のロットの全数について測定が完了したかどうかが判定される（ステップＳ１１０）。これは、現段階までに検査した高周波電力増幅器ＤＵＴの個数が、ロット中の全サンプル数に達したかどうかが判定される。なお、仮に全数検査をしない場合は、本ステップでは全数未満の所定数量に達したかどうかが判定される。これはカウンタ等のプログラムを組んで、測定回数を数えればよい。このステップで測定完了と判定された場合は、今回の検査が終了する。
【００４６】
ステップＳ１１０で検査回数が全数に満たないと判定された場合は、次の未検査の高周波電力増幅器ＤＵＴに交換する（ステップＳ１１３）。高周波電力増幅器ＤＵＴの交換は、手動で行うか、あるいは、アーム等で自動制御による交換を行っても良い。
【００４７】
次いで、平均値Ｐａｖｅを計算するステップを行う（ステップＳ１１２）。平均値Ｐａｖｅの計算は、前回までの複数の検査で得られた複数の検査入力値Ｐｉｎｃ１、Ｐｉｎｃ２、・・・を足し合わせてサンプル数で除算する計算である（算術平均）。具体的処理としては、コントローラ２４は、それまでの複数の検査で得られた複数の検査入力値Ｐｉｎｃ１、Ｐｉｎｃ２、・・・をＲＡＭに記憶し、その合計値を計算する処理を実行する。そして、足し合わせた検査入力値Ｐｉｎｃの個数で合計値を除算する処理を実行する。
【００４８】
次に、次回の高周波電力増幅器ＤＵＴに対するステップＳ１００の入力電力初期値を、直前のステップＳ１１２で計算した平均値Ｐａｖｅとする。その後は、同様に、ステップＳ１０２以降の内容が行われる。
【００４９】
［実施の形態１の変形例］
実施の形態１では、複数の検査入力値Ｐｉｎｃの平均値を利用した。しかしながら本発明はこれに限られず、複数の検査入力値Ｐｉｎｃの代表値を用いることができる。「代表値」とは、統計の分野において、統計調査によってデータ全体の様子を一つの数値で代表させるために用いられる数値である。典型的には、平均値、中央値、および最頻値がある。本発明においても、平均値に代えて、複数の検査入力値Ｐｉｎｃの中央値や最頻値を、次回の入力電力の初期値として用いても良い。なお、平均値、中央値、および最頻値の算出方法は公知の計算手順およびこれを実現する計算プログラムで実施可能であるから、詳細な説明は省略する。
【００５０】
複数の検査入力値Ｐｉｎｃの個数は、必ずしもロットの高周波電力増幅器ＤＵＴの全数でなくてもよいが、統計的に有意な個数であることが好ましい。上記統計処理に用いる数量は、統計的に当該ロットの特性を示せる数量でよく、ロット全数を処理しなくともよい。検査入力値Ｐｉｎｃの平均がなだらかに変動する場合は、統計処理の対象を全数未満の所定個数に限定しても良い。統計処理に有意な数量の検査入力値Ｐｉｎｃを用いることで統計処理の信頼性を確保しつつ、より検査時間の短縮に効果が得られる。
【００５１】
本実施の形態では、高周波電力増幅器ＤＵＴの検査を一つ行うごとに、検査入力値Ｐｉｎｃの代表値（具体的には平均値）を更新するものとした。しかしながら、本発明はこれに限られるものではなく、統計的に有意な個数の検査入力値Ｐｉｎｃの平均が得られていれば、更新を省略してもよい。
【００５２】
実施の形態１では、ステップＳ１０８で高周波電力増幅器ＤＵＴに与えた高周波入力信号の入力電力の値そのものを、検査入力値Ｐｉｎｃとして用いている。しかしながら、本発明はこれに限られるものではない。
【００５３】
実施の形態１にかかる高周波電力増幅器ＤＵＴは、入力電力そのものの大きさを変化させて出力電力を調節する製品である。一方、高周波電力増幅器のなかには、入力端子、電源端子、出力端子のほかに電力制御端子を備える製品もある。この種の製品では、入力端子への入力電力は一定とし、電力制御端子に与える電圧（「電力制御電圧」と称す）を調整して出力電力を調節する。
【００５４】
このような製品の場合でも、実施の形態１と同様に、出力電力を所定範囲内に収めた状態でステップＳ１０８の検査項目を実施することが求められる。その場合には、出力電力を所定範囲内に収めるように、ステップＳ１０４で出力電力値を判定し、これが所定範囲内でない場合にはステップＳ１０６で電力制御電圧をフィードバック的に調節していくことになる。
【００５５】
そこで、実施の形態１のステップＳ１１２にかかる平均値Ｐａｖｅの計算を、入力電力の値ではなく電力制御電圧の値を検査入力値として用いて行うことができる。図４のフローチャートにおいて、ステップＳ１００、Ｓ１０６，およびＳ１１２の内容を、入力電力ではなく電力制御電圧を検査入力値として行えばよい。このようにすることで、実施の形態１において入力電力の調整頻度を減らして検査時間短縮を行ったのと同じように、電力制御電圧の調整頻度を減らして検査時間短縮を行うことができる。この「電力制御電圧」は、出力電力を制御する制御値であり、上記第１および第２の発明にかかる「電力制御値」に相当している。
【００５６】
なお、上記説明した変形例では、電力制御電圧による入力電力制御が可能な高周波電力増幅器を説明した。一方、原理的に、電圧ではなく電流により出力電力を制御する高周波電力増幅器も想定される。この場合には、入力端子への入力電力は一定とし、電力制御端子に供給する電流（「電力制御電流」）の大きさによって、出力電力を調節する。この「電力制御電流」も、出力電力を制御する制御値であり、上記第１および第２の発明にかかる「電力制御値」に相当している。
【００５７】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の検査装置は、実施の形態１にかかる検査装置１０と同様のハードウェア構成を備えている。ただし、実施の形態１と実施の形態２とではその検査方法の内容が異なり、これに伴って実施の形態２においてコントローラ２４が実行する処理内容が異なる。以下の説明では、主に実施の形態１と実施の形態２の相違点を説明するものとし、実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置と同一又は相当する構成については実施の形態１と同一の符号を付して説明する。
実施の形態２にかかる半導体装置の検査方法は、上記の第１の発明にかかる半導体装置の検査方法の一実施形態に相当している。実施の形態２にかかる半導体装置の検査装置は、上記の第３の発明にかかる半導体装置の検査装置の一実施形態に相当している。
【００５８】
実施の形態２にかかる半導体装置の検査方法は、同一の高周波電力増幅器ＤＵＴに対して第１周波数ｆ１の高周波入力信号および、ｆ１より高い第２周波数ｆ２の高周波入力信号をそれぞれ入力して高周波電力増幅器ＤＵＴの特性を検査するものである。この周波数ｆ１、ｆ２についての検査を一単位として、この一単位の検査を複数の高周波電力増幅器ＤＵＴに対して逐次的に行う。
【００５９】
図５は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の検査方法のフローチャートである。また、このフローチャートは、実施の形態１において検査装置１０のコントローラ２４が実行するルーチンのフローチャートでもある。
【００６０】
実施の形態２にかかる半導体装置の検査方法は、実施の形態１にかかる半導体装置の検査方法と共通するステップを含んでいる。そのステップは、図４における、ステップＳ１００の入力電力初期値の印加、ステップＳ１０２の出力電力の測定、ステップＳ１０４の出力電力の判定、ステップＳ１０６の入力電力の調整、およびステップＳ１０８の高周波特性の測定である。
【００６１】
実施の形態１と異なるのは、第１、２条件という二つの異なる条件で同一の高周波電力増幅器ＤＵＴに２回の検査を行っている点である。そして、実施の形態２で特徴的なのは、ステップＳ２１０については、実施の形態１のＳ１００とは異なる内容のステップとなっていることである。
【００６２】
図５のフローチャートでは、先ず、高周波電力増幅器ＤＵＴ１に対して、「第１条件」で、ステップＳ２００、Ｓ２０２、Ｓ２０４，Ｓ２０６およびＳ２０８が行われる。これらの各ステップは、それぞれ実施の形態１にかかる上記ステップＳ１００〜Ｓ１０８と同様である。「第１条件」とは、出力電力Ｐｏｕｔの設定値をＰｒｅｆ１とし、ステップＳ２０８の高周波入力信号の周波数をｆ１とした条件である。各ステップの詳細な内容は実施の形態１で説明したものと同様なので省略する。高周波電力増幅器ＤＵＴ１に対してステップＳ２０８を実施すると、「検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃ１」が決まる。
【００６３】
次に、ステップＳ２１０に進み、「第２条件」での検査に移る。「第２条件」とは、出力電力の設定値をＰｒｅｆ２とし、ステップＳ２０８の高周波入力信号の周波数をｆ２とした条件である。Ｐｒｅｆ１とＰｒｅｆ２は異なる値であり、第２周波数ｆ２は、第１周波数ｆ１よりも高い周波数であるものとする。
【００６４】
ステップＳ２１０では、第２条件にかかる高周波電力増幅器ＤＵＴへの入力電力の初期値を決定し、高周波電力増幅器ＤＵＴに与える。ここで、高周波電力増幅器ＤＵＴ１は最初の検査対象であり、今回は１回目の測定なので、予め定めた初期値が用いられる。
【００６５】
次に、第２条件で、高周波電力増幅器ＤＵＴ１に、図５のＳ２１２、Ｓ２１４，Ｓ２１６およびＳ２１８のステップが行われる。これらの各ステップは、第２条件で上記ステップＳ１０２〜Ｓ１０８を行うものである。各ステップの詳細な内容は実施の形態１で説明したものと同様なので省略する。高周波電力増幅器ＤＵＴ１に対してステップＳ２１８を実施すると、「検査入力値Ｐｆ２ｉｎｃ１」が決まる。
【００６６】
その後、図４のフローチャートと同様に、図５のフローチャートにおいても、ステップＳ１１０の全数測定が完了したかどうかの判定がされる。現時点では全数の測定が終了していないので、高周波電力増幅器ＤＵＴ２への交換（ステップＳ１１３）をした後、平均値Ｐａｖｅの計算および初期値への設定（ステップＳ２２２）が行われ、高周波電力増幅器ＤＵＴ２に対して、再度ステップＳ２００移行の内容が適用される。
【００６７】
ここで、ステップＳ２２２は実施の形態１のステップＳ１１２の内容と同様であるが、平均値の計算のために用いるべき検査入力値Ｐｉｎｃは、ステップＳ２０８における高周波入力信号（第１周波数ｆ１の信号）の入力電力値である。これにより、実施の形態１と同様に、ステップＳ２００〜Ｓ２０６にかけての入力電力値の調整に要する時間を短縮することができる。
【００６８】
上記のように、ステップＳ２００からＳ２１８の一連の内容が、複数の高周波電力増幅器ＤＵＴに対してそれぞれ逐次的に適用されていく。その結果、複数の高周波電力増幅器ＤＵＴ１、２、・・・それぞれについて、ステップＳ２０８で第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃ１、Ｐｆ１ｉｎｃ２、・・・が決まり、ステップＳ２１８で第２検査入力値Ｐｆ２ｉｎｃ１、Ｐｆ２ｉｎｃ２、・・・が決まる。
【００６９】
実施の形態２では、高周波電力増幅器ＤＵＴごとの第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃと第２検査入力値Ｐｆ２ｉｎｃの組を複数個求め、複数の第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃおよび第２検査入力値Ｐｆ２ｉｎｃの組から、回帰分析（具体的には、本実施の形態では、最小二乗法）を行う。
【００７０】
図６は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の検査方法で行う回帰直線を表すグラフである。最小二乗法によって得られた回帰直線がそれぞれ図示されている。図６（ａ）〜（ｃ）は互いに相対的に消費電力が異なっている。消費電力とは、直流電源１６内臓の電流計で計測される消費電流と直流電源１６が与える直流電圧の積から、出力電力を差し引いた値のことである。
【００７１】
図６（ａ）は消費電力が大きい場合の複数の第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃ＿Ｈおよび第２検査入力値Ｐｆ２ｉｎｃ＿Ｈを、図６（ｂ）は消費電力が中程度の場合の複数の第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃ＿Ｍおよび第２検査入力値Ｐｆ２ｉｎｃ＿Ｍを、図６（ｃ）は消費電力が小さい場合の複数の第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃ＿Ｌおよび第２検査入力値Ｐｆ２ｉｎｃ＿Ｌを、それぞれプロットしたものである。消費電力の違いにより相関性が異なっており、低消費電力であるほど相関性が高くなっている。
【００７２】
本実施の形態では、この回帰直線にあてはめて、ステップＳ２０８で定まった第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃから、ステップＳ２１０で用いるべき入力電力の初期値の値を計算する。例えば、今回がｋ番目の測定であるとする。但し、ｋは２より十分に大きくかつｎ未満の整数である。信頼性の観点からは、ｋは回帰分析を得るために統計的に有意な数値であることが好ましい。
【００７３】
この時点において、ｋ−１個のデータから求めた回帰直線が得られているものとする。ｋ番目の測定では、高周波電力増幅器ＤＵＴｋに対して先ずステップＳ２００〜ステップＳ２０８が適用され、ステップＳ２０８で第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃｋが決まる。実施の形態２では、回帰直線に第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃｋの値をあてはめて、続いて行うべき高周波電力増幅器ＤＵＴｋに対するステップＳ２１０の入力電力の初期値を計算する。
【００７４】
数式で表すと下記のとおりである。
Ｐｆ２ｉｎｋ０＝ａ×Ｐｆ１ｉｎｃｋ＋ｂ      ・・・（１）
但し、Ｐｆ２ｉｎｋ０は、高周波電力増幅器ＤＵＴｋに対するステップＳ２１０の入力電力の初期値である。
Ｐｆ１ｉｎｃｋは、高周波電力増幅器ＤＵＴｋに対するステップＳ２０８における、第１周波数ｆ１の高周波入力信号の入力電力値である。
ａは、高周波電力増幅器ＤＵＴ１〜ＤＵＴｋまでの検査で得た検査入力値のデータ（第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃ１、Ｐｆ１ｉｎｃ２、・・・Ｐｆ１ｉｎｃｋ−１および第２検査入力値Ｐｆ２ｉｎｃ１、Ｐｆ２ｉｎｃ２、・・・Ｐｆ２ｉｎｃｋ−１）からもとめた回帰直線の傾きである。ｂは、この回帰直線の切片である。
【００７５】
コントローラ２４は、この回帰直線のデータ（相関データ）を計算するプログラムをＲＯＭに記憶しており、このプログラムを実行することで上記回帰直線を得ることができる。回帰直線を得た後は、その後の検査で、上記（１）式に従って、ステップＳ２１０の入力電力Ｐｆ２ｉｎを算出する算出処理を実行する。
【００７６】
以上説明した検査方法によれば、検査時間を短縮することができる。すなわち、実施の形態１で述べたように、同一半導体ウエハＷｆ上に形成された半導体増幅素子は、製造プロセスが共通であったり基板材料が同じである等の理由から、素子性能の傾向が似ている。このため、図６に示すような相関関係が成立する。この相関関係を利用してステップＳ２１０における入力電力の初期値を設定することで、入力電力の調整を繰り返す頻度を減らすことができる。
【００７７】
なお、実施の形態２においても、実施の形態１の変形例で説明したのと同様に、入力電力の値ではなく電力制御値（電力制御電圧又は電力制御電流の値）を検査入力値として用いることができる。この場合には、複数の高周波電力増幅器ＤＵＴ１、２、・・・それぞれについて、ステップＳ２０８で第１周波数ｆ１の高周波入力信号を生成したときの電力制御値が、それぞれ第１検査入力値Ｐｆ１ｉｎｃ１、Ｐｆ１ｉｎｃ２、・・・となる。そして、複数の高周波電力増幅器ＤＵＴ１、２、・・・それぞれについて、ステップＳ２１８で第２周波数ｆ２の高周波入力信号を生成したときのそれぞれの電力制御値が、第２検査入力値Ｐｆ２ｉｎｃ１、Ｐｆ２ｉｎｃ２、・・・となる。これらの検査入力値を用いて回帰分析を行い、回帰直線を得て、この回帰直線を用いてステップＳ２０８の電力制御電圧からステップＳ２１８の電力制御値の初期値を算出すればよい。
【００７８】
このようにすることで、実施の形態２において入力電力の調整頻度を減らして検査時間短縮を行ったのと同じように、電力制御値の調整頻度を減らして検査時間短縮を行うことができる。
【００７９】
なお、測定温度などの測定環境条件が変動すると、各周波数での測定値が変化し、相関が弱くなると。従って、強い相関を得るためには、第１周波数ｆ１の入力信号での検査と第２周波数ｆ２の入力信号での検査とを連続的に行うことにより、環境条件の変化を最小限にすることが好ましい。
【００８０】
なお、低消費電力であれば自己発熱が小さくなる。図６に消費電力ごとの相関を示したように、消費電力の違いにより相関性が異なっており、低消費電力であるほど相関性が高くなっている。自己発熱による熱的な環境条件の変化を無視できる程度に低い消費電力の検査は、実施の形態１および実施の形態２にかかる検査方法に適している。そこで、消費電力が所定値以下であるか否かを判定し、所定値以下の場合に限り、実施の形態１および実施の形態２にかかる検査方法を行ったり検査装置１０のコントローラ２４に検査処理を実行させたりしても良い。
【００８１】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３にかかる半導体装置の検査装置は、実施の形態１にかかる検査装置１０と同様のハードウェア構成を備えている。以下の説明では、主に実施の形態１と実施の形態３の相違点を説明するものとし、実施の形態１にかかる半導体装置の検査装置と同一又は相当する構成については実施の形態１と同一の符号を付して説明する。
【００８２】
実施の形態１にかかる検査方法によれば、入力電力の調整に要する時間が省略又は短縮されるので、高周波入力信号を与えて行う検査を速やかに行うことができる。しかしながら、このような時間短縮によれば、次のような不都合が生じうる。すなわち、一般に半導体素子は電力が与えられて動作することで自己発熱する。この自己発熱により、動作温度はやがて定常的な状態となる。つまり、入力電力の調整にある程度長時間を要する状況下であれば、その調整中に半導体素子が自己発熱して動作温度が定常的な値となる。
【００８３】
これに対し、実施の形態１にかかる検査方法では入力電力の調整時間が省略又は短縮されるので、このような自己発熱による温度条件の定常化が行われない。そうすると、検査中に高周波電力増幅器の検査中の自己発熱により測定条件が変化するなどして、これが検査結果に影響を及ぼすおそれがある。そこで、実施の形態３では、検査前に定格試験を行い、高周波電力増幅器を自己発熱させて、高周波電力増幅器の温度条件を確保することとした。
【００８４】
図７は、本発明の実施の形態２にかかる半導体装置の検査方法のフローチャートである。また、このフローチャートは、実施の形態１において検査装置１０のコントローラ２４が実行するルーチンのフローチャートでもある。ステップＳ３００が追加されている点を除き、図７のフローチャートの内容は、図４に示した実施の形態１の検査方法のフローチャートと同じ内容である。
【００８５】
図７のフローチャートでは、先ず、ステップＳ１００の前に、高周波電力増幅器ＤＵＴを加熱する加熱ステップをさらに備える（ステップＳ３００）。加熱ステップは、高周波電力増幅器ＤＵＴに対して定格の直流バイアス電圧および定格電力の入力信号を与える試験である定格試験により高周波電力増幅器ＤＵＴを自己発熱させるステップである。
【００８６】
具体的処理としては、ステップＳ３００では、コントローラ２４は、定格試験用の定格電圧を直流電源１６に発生させる。また、コントローラ２４は、信号発生器１４を制御して、定格試験を実施するための定格入力電力を信号発生器１４に発生させる。
【００８７】
これにより、定格試験を行うとともに、高周波電力増幅器ＤＵＴを加熱することができる。その結果、高周波電力増幅器の温度変化が検査に影響をおよぼすことを抑制することができる。
【００８８】
なお、実施の形態３にかかる加熱ステップ（Ｓ３００）を、実施の形態２にかかるフローチャートのステップＳ２００の手前に挿入しても良い。これにより、実施の形態２にかかる検査方法においても、検査前に定格試験を行い高周波電力増幅器を十分に自己発熱させることができる。その結果、高周波電力増幅器の温度変化が検査に影響をおよぼすことを抑制することができる。
【符号の説明】
【００８９】
ＤＵＴ  高周波電力増幅器、Ｅｉｎ  入力端子、Ｅｏｕｔ  出力端子、Ｅｐ  電源端子、Ｗｆ  半導体ウエハ、１０  検査装置、１２  設置部、１２ａ  入力電極、１２ｂ  出力電極、１２ｃ  電源電極、１４  信号発生器、１６  直流電源、１８  方向性結合器、２０  電力測定器、２２  波形分析器、２４  コントローラ
【図１】
2014157133.tif 000003
【図２】
2014157133.tif 000004
【図３】
2014157133.tif 000005
【図４】
2014157133.tif 000006
【図５】
2014157133.tif 000007
【図６】
2014157133.tif 000008
【図７】
2014157133.tif 000009