(57)【要約】【課題】レーザ光を適切に照射することによってウォブルの発生を抑制することが可能な光スキャナの製造方法および光スキャナを提供する。【解決手段】光スキャナの製造工程では、はじめに、ミラー部、および一対の支持部を備えた構造体と基台とが重ねられ、レーザスポット溶接が行われる。溶接部分に溶接痕が形成される。溶接痕によって、構造体と基台とは接続される（Ｓ１９）。一対の支持部のそれぞれのうち最も高い部分である突出部が特定される。ミラー部の一方側から延びる第一支持部の突出部の高さと、ミラー部の他方側から延びる第二支持部の突出部の高さとが測定され（Ｓ２５）、高さの差分が算出される。高さの差分が所定のしきい値Ｔｈ１以上である場合（Ｓ２７：ＹＥＳ）、高さの低い突出部を有する支持部の近傍に形成された溶接痕に対して、レーザが照射される（Ｓ２９）。【選択図】図５
2014010206.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
揺動軸を中心として揺動することで光を走査するミラー部、および、前記ミラー部を支持する一対の部材であって、前記ミラー部から前記揺動軸の軸線方向に沿って両側に延びる一対の支持部を備えた構造体と、前記一対の支持部のうち前記ミラー部に接続する側と反対側の端部の近傍に配置する一対の接続部分で前記構造体と接続し、前記構造体を支持する基台とを備えた光スキャナの製造方法であって、
前記光スキャナを準備する準備工程と、
前記準備工程によって準備された前記構造体の前記一対の支持部のそれぞれのうち、静止した状態の前記ミラー部の反射面に対して直交する方向である高さ方向に最も突出した部分である突出部の前記高さ方向の位置を、前記一対の支持部のそれぞれについて測定し、前記一対の支持部のそれぞれの前記突出部の前記高さ方向の位置の差分を算出する解析工程と、
前記解析工程によって算出された前記差分が所定のしきい値よりも大きい場合に、前記一対の接続部分を通り且つ静止した状態の前記ミラー部の反射面に平行な平面である基準平面により近い前記突出部を有する支持部の端部の近傍の接続部分に、レーザを照射する照射工程と
を備えたことを特徴とする光スキャナの製造方法。
【請求項２】
揺動軸を中心として揺動することで光を走査するミラー部、および、前記ミラー部を支持する一対の部材であって、前記ミラー部から前記揺動軸の軸線方向に沿って両側に延びる一対の支持部を備えた構造体と、前記一対の支持部のうち前記ミラー部に接続する側と反対側の端部の近傍に配置する一対の接続部分で前記構造体と接続し、前記構造体を支持する基台とを備えた光スキャナの製造方法であって、
前記光スキャナを準備する準備工程と、
前記準備工程によって準備された前記構造体の前記ミラー部が、前記揺動軸と直交する軸である直交軸を中心として揺動する場合の程度を示すウォブル量を取得する取得工程と、
前記取得工程によって取得された前記ウォブル量が所定のしきい値よりも大きい場合、前記一対の支持部のそれぞれのうち、静止した状態の前記ミラー部の反射面に対して直交する方向である高さ方向に最も突出した部分である突出部の前記高さ方向の位置を、前記一対の支持部のそれぞれについて測定し、測定された前記高さ方向の位置が、前記一対の接続部分を通り且つ静止した状態の前記ミラー部の反射面に平行な平面である基準平面により近い前記突出部を有する支持部の端部の近傍の接続部分に、レーザを照射する照射工程と
を備えたことを特徴とする光スキャナの製造方法。
【請求項３】
前記準備工程は、
前記構造体と前記基台とを、レーザスポット溶接によって接続する接続工程と、
前記接続工程によって接続された前記構造体と前記基台との隙間に接着剤を充填する充填工程とを備え、
前記照射工程は、
前記レーザスポット溶接によって形成された溶接痕に前記レーザを照射することを特徴とする請求項１または２に記載の光スキャナの製造方法。
【請求項４】
前記一対の接続部分のそれぞれは、前記レーザスポット溶接によって形成された溶接痕であることを特徴とする請求項３に記載の光スキャナの製造方法。
【請求項５】
前記照射工程は、
前記差分に基づいて、前記揺動軸から前記レーザの照射位置までの距離を調整する調整工程を備え、
前記調整工程によって調整された前記距離に基づいて特定される照射位置に前記レーザを照射することを特徴とする請求項１に記載の光スキャナの製造方法。
【請求項６】
揺動軸を中心として揺動することで光を走査するミラー部、および、前記ミラー部を支持する一対の部材であって、前記ミラー部から前記揺動軸の軸線方向に沿って両側に延びる一対の支持部を備えた構造体と、
前記構造体を支持する基台と、
前記一対の支持部のそれぞれのうち前記ミラー部に接続する側と反対側の端部の近傍で、前記基台に前記構造体を接続する溶接痕であって、前記一対の支持部のうち一方の端部の近傍に配置される第一溶接痕、および、前記一対の支持部のうち他方の端部の近傍に配置される第二溶接痕とを有する溶接痕と、
を備えた光スキャナであって、
前記溶接痕の形状は、前記揺動軸を対称軸とした場合に対称であり、且つ、前記第一溶接痕の形状と前記第二溶接痕の形状とは、前記揺動軸の軸線上のうち前記第一溶接痕および前記第二溶接痕から等距離にある点を通って前記揺動軸と直交する対称面に対して非対称であることを特徴とする光スキャナ。
【請求項７】
前記溶接痕は、
少なくとも一つの第一溶接痕および少なくとも一つの第二溶接痕を備え、
前記少なくとも一つの第一溶接痕および前記少なくとも一つの第二溶接痕の数量は同一であることを特徴とする請求項６に記載の光スキャナ。
【請求項８】
前記溶接痕は、
前記構造体および前記基台にレーザを照射することによって形成され、
前記第一溶接痕および前記第二溶接痕は、それぞれ異なる照射条件で前記レーザを照射することによって形成されることを特徴とする請求項６または７に記載の光スキャナ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ミラー部を振動させることでレーザ等の光を走査する光スキャナの製造方法、および光スキャナに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ミラー部を振動させることで光を走査方向に走査する光スキャナが知られている。例えば特許文献１では、レーザ光を支持部に照射することによって支持部を削り取り、ミラー部の共振周波数を調整する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２０９３３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光スキャナの性能を低下させる要因の一つとして、ウォブルの発生が挙げられる。ここでウォブルとは、走査方向に対して交差する方向（例えば、直交方向）にも光が揺れ動く現象を意味する。例えば、一次元方向に走査が行われる光スキャナの場合、ウォブルの発生によって、光の走査軌跡は直線にならず、走査方向に対して交差する方向に幅を持つ。
【０００５】
ウォブルが発生する原因の一つとして、ミラー部を支持する支持部の撓みが考えられる。例えば、特許文献１の技術を応用し、支持部を削り取ることによって支持部の撓みを解消できれば、ウォブルの発生を抑制できるとも考えられる。なお特許文献１では、レーザ光を照射して支持部を幅方向に削り取り、支持部の幅方向の長さを調節することによって、ミラー部の共振周波数が調整されている。しかしながらこの方法をそのまま応用し、支持部の幅方向の長さを調節しても、支持部の撓みは解消できないという問題点がある。
【０００６】
本発明の目的は、レーザ光を適切に照射することによってウォブルの発生を抑制することが可能な光スキャナの製造方法および光スキャナを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第一態様に係る光スキャナの製造方法は、揺動軸を中心として揺動することで光を走査するミラー部、および、前記ミラー部を支持する一対の部材であって、前記ミラー部から前記揺動軸の軸線方向に沿って両側に延びる一対の支持部を備えた構造体と、前記一対の支持部のうち前記ミラー部に接続する側と反対側の端部の近傍に配置する一対の接続部分で前記構造体と接続し、前記構造体を支持する基台とを備えた光スキャナの製造方法であって、前記光スキャナを準備する準備工程と、前記準備工程によって準備された前記構造体の前記一対の支持部のそれぞれのうち、静止した状態の前記ミラー部の反射面に対して直交する方向である高さ方向に最も突出した部分である突出部の前記高さ方向の位置を、前記一対の支持部のそれぞれについて測定し、前記一対の支持部のそれぞれの前記突出部の前記高さ方向の位置の差分を算出する解析工程と、前記解析工程によって算出された前記差分が所定のしきい値よりも大きい場合に、前記一対の接続部分を通り且つ静止した状態の前記ミラー部の反射面に平行な平面である基準平面により近い前記突出部を有する支持部の端部の近傍の接続部分に、レーザを照射する照射工程とを備えている。
【０００８】
光スキャナでは、一対の支持部のそれぞれの突出部の高さ方向の位置の差分が大きくなる程、ウォブルが発生し易くなる。従って第一態様では、光スキャナの製造工程において、突出部の高さ方向の位置の差分が大きい場合に、接続部分にレーザが照射される。レーザを照射した接続部分の近傍に配置する支持部は、基準平面に対して高さ方向に高くなる。このため、一対の支持部のそれぞれの突出部の高さ方向の位置は、レーザの照射前と比較して近接し、差分は小さくなる。従って、ウォブルの発生は抑制されるので、光スキャナの性能を向上させることが可能となる。
【０００９】
本発明の第二態様に係る光スキャナの製造方法は、揺動軸を中心として揺動することで光を走査するミラー部、および、前記ミラー部を支持する一対の部材であって、前記ミラー部から前記揺動軸の軸線方向に沿って両側に延びる一対の支持部を備えた構造体と、前記一対の支持部のうち前記ミラー部に接続する側と反対側の端部の近傍に配置する一対の接続部分で前記構造体と接続し、前記構造体を支持する基台とを備えた光スキャナの製造方法であって、前記光スキャナを準備する準備工程と、前記準備工程によって準備された前記構造体の前記ミラー部が、前記揺動軸と直交する軸である直交軸を中心として揺動する場合の程度を示すウォブル量を取得する取得工程と、前記取得工程によって取得された前記ウォブル量が所定のしきい値よりも大きい場合、前記一対の支持部のそれぞれのうち、静止した状態の前記ミラー部の反射面に対して直交する方向である高さ方向に最も突出した部分である突出部の前記高さ方向の位置を、前記一対の支持部のそれぞれについて測定し、測定された前記高さ方向の位置が、前記一対の接続部分を通り且つ静止した状態の前記ミラー部の反射面に平行な平面である基準平面により近い前記突出部を有する支持部の端部の近傍の接続部分に、レーザを照射する照射工程とを備えている。
【００１０】
光スキャナでは、一対の支持部のそれぞれの突出部の高さ方向の位置の差分が大きくなる程、ウォブルが発生し易くなる。従って第二態様では、光スキャナの製造工程において、ウォブル量が大きい場合に、接続部分にレーザが照射される。レーザを照射した接続部分の近傍に配置する支持部は、基準平面に対して高さ方向に高くなる。このため、一対の支持部のそれぞれの突出部の高さ方向の位置は、レーザの照射前と比較して近接し、差分は小さくなる。従って、ウォブルの発生は抑制されるので、光スキャナの性能を向上させることが可能となる。
【００１１】
第一態様または第二態様において、前記準備工程は、前記構造体と前記基台とを、レーザスポット溶接によって接続する接続工程と、前記接続工程によって接続された前記構造体と前記基台との隙間に接着剤を充填する充填工程とを備え、前記照射工程は、前記レーザスポット溶接によって形成された溶接痕に前記レーザを照射してもよい。これによって、溶接痕以外の部分にレーザを照射させた場合に発生するスパッタ飛散を抑止できる。
【００１２】
第一態様又は第二態様において、前記一対の接続部分のそれぞれは、前記レーザスポット溶接によって形成された溶接痕であってもよい。これによって、構造体と基台とを適切に接続することが可能となる。
【００１３】
第一態様において、前記照射工程は、前記差分に基づいて、前記揺動軸から前記レーザの照射位置までの距離を調整する調整工程を備え、前記調整工程によって調整された前記距離に基づいて特定される照射位置に前記レーザを照射してもよい。光スキャナの製造工程において、揺動軸からレーザの照射位置までの距離を変化させると、レーザ照射時の支持部の高さ方向への変化量も変化する。従って、レーザの照射位置を調整することによって、一対の支持部の高さ方向の位置を、突出部の高さ方向の位置の差分が小さくなるように適切に調整することが可能となる。
【００１４】
本発明の第三態様に係る光スキャナは、揺動軸を中心として揺動することで光を走査するミラー部、および、前記ミラー部を支持する一対の部材であって、前記ミラー部から前記揺動軸の軸線方向に沿って両側に延びる一対の支持部を備えた構造体と、前記構造体を支持する基台と、前記一対の支持部のそれぞれのうち前記ミラー部に接続する側と反対側の端部の近傍で、前記基台に前記構造体を接続する溶接痕であって、前記一対の支持部のうち一方の端部の近傍に配置される第一溶接痕、および、前記一対の支持部のうち他方の端部の近傍に配置される第二溶接痕とを有する溶接痕とを備えた光スキャナであって、前記溶接痕の形状は、前記揺動軸を対称軸とした場合に対称であり、且つ、前記第一溶接痕の形状と前記第二溶接痕の形状とは、前記揺動軸の軸線上のうち前記第一溶接痕および第二溶接痕から等距離にある点を通って前記揺動軸と直交する対称面に対して非対称であることを特徴とする。
【００１５】
光スキャナは、一対の支持部のそれぞれの突出部の高さ方向の位置の差分が大きくなる程、ウォブルが発生し易くなる。このため第三態様では、第一溶接痕の形状と第二溶接痕の形状とが対称面に対して非対称となるようにすることで、一対の支持部のそれぞれの突出部の高さ方向の位置の差分が小さくなるように調節される。また、揺動軸に対して溶接痕の形状を対称とすることによって、静止した状態のミラー部を安定化させる。これらによって、光スキャナにおけるウォブルの発生は抑制されるので、光スキャナの性能を向上させることが可能となる。
【００１６】
第三態様において、前記溶接痕は、少なくとも一つの前記第一溶接痕および少なくとも一つの前記第二溶接痕を備え、前記少なくとも一つの第一溶接痕および前記少なくとも一つの第二溶接痕の数量は同一であってもよい。これによって、基台と構造体との接続条件を、一対の支持部の一方側と他方側とで均一化させることが可能となる。従って、一対の支持部のそれぞれの突出部の高さ方向の位置の差分を最小限に抑えることが可能となる。
【００１７】
第三態様において、前記溶接痕は、前記構造体および前記基台にレーザを照射することによって形成され、前記第一溶接痕および前記第二溶接痕は、それぞれ異なる照射条件でレーザを照射することによって形成されてもよい。これによって、第一溶接痕および第二溶接痕の形状を容易に相違させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】光スキャナ１の斜視図である。
【図２】光スキャナ１の平面図である。
【図３】図２のＡ−Ａ線矢視方向断面図である。
【図４】図２におけるＢ−Ｂ線矢視方向断面図である。
【図５】製造工程の第一例を示すフローチャートである。
【図６】製造工程の第二例を示すフローチャートである。
【図７】突出部の高さの測定結果を示すグラフである。
【図８】第二照射前の痕跡の様子を示す写真である。
【図９】第二照射後の痕跡の様子を示す写真である。
【図１０】高さの差分とウォブル値との関係を示すグラフである。
【図１１】第二照射前のミラー部２１の角度と通過位置との関係を示すグラフである。
【図１２】第二照射後のミラー部２１の角度と通過位置との関係を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の一実施形態について、図面を参照して説明する。図１から図３を参照して、光スキャナ１の構成について説明する。図１の上側、下側、左斜め上側、右斜め下側、左斜め下側、および右斜め上側を、それぞれ、光スキャナ１の上側、下側、前側、後側、左側、および右側という。図１および図２に示すように、光スキャナ１は構造体２および基台４を有する。なお図２の平面図では、構造体２と基台４とが重なる重複領域３７を明示するために、構造体２を点線で示している。
【００２０】
構造体２について説明する。構造体２は、ＳＵＳ等の金属によって形成される平面視矩形の板状部材である。構造体２は、ミラー部２１、一対の支持部２２、本体部２３、および圧電素子５等を含む。
【００２１】
本体部２３は、左右方向を長手方向とする平面視略長方形の平板である。本体部２３は、第一中空部２４を備える。第一中空部２４は、前後方向を長手方向とする長方形状の穴である。第一中空部２４は、本体部２３の左右方向略中央に設けられる。第一中空部２４は、後述するミラー部２１が共振揺動するための空間である。
【００２２】
第一中空部２４の前側の辺の左右方向略中央部分と、後側の辺の左右方向略中央部分との間に、一対の支持部２２が架け渡される。一対の支持部２２は、前後方向に延びる細長い平板上の部材である。一対の支持部２２の前後方向略中央部分の上面に、ミラー部２１が固定される。一対の支持部２２は、ミラー部２１との接続部分から前側に延びる第一支持部２２Ａ、および、ミラー部２１との接続部分から後側に延びる第二支持部２２Ｂを備える。一対の支持部２２は、ミラー部２１を弾性的に支持する。一対の支持部２２の延びる位置および方向に揺動軸Ｏを定義した場合、ミラー部２１は、この揺動軸Ｏを中心として共振揺動する。一対の支持部２２は、ミラー部２１を、揺動軸Ｏを中心として揺動可能に支持するトーションバーとして機能する。なお、一対の支持部２２の形状は変更できる。例えば一対の支持部２２は、棒状部材によって形成してもよい。一対の支持部２２は、前後方向に分割されてもよい。第一支持部２２Ａおよび第二支持部２２Ｂは、それぞれ、ミラー部２１の前後端の側面から前後方向に延びていてもよい。
【００２３】
ミラー部２１の形状は、平面視矩形である。ミラー部２１は、レーザ等の光を反射する反射面２１１を上面に備える。ミラー部２１が静止した状態では、反射面２１１と、構造体２および基台４の平面とは平行になる。反射面２１１は、アルミニウム、銀等の金属薄膜が成膜されたサファイヤ、ダイヤモンド等の誘電体を、反射面２１１としてミラー部２１の表面に貼り付けることによって形成される。なお、ミラー部２１の形状は変更できる。例えば、ミラー部２１を平面視円形、楕円形、多角形等に形成してもよい。また、反射面２１１の形成方法は変更できる。例えば反射面２１１は、誘電体の別部材を設けることなく、ミラー部２１の表面が鏡面研磨されることで形成されてもよい。
【００２４】
本体部２３は、第一中空部２４の左側および右側に一対の素子固定部２７を備える。素子固定部２７の上面に、ミラー部２１を共振揺動させるための駆動部である圧電素子５が接合される。圧電素子５は、例えば、厚さ３０μｍ〜１００μｍの平板状に成形されたチタン酸ジルコン酸鉛等の圧電材料の両面に、０．２μｍ〜０．６μｍの金、白金等が電極層として積層されることで形成される。圧電素子５は、導電性接着剤で素子固定部２７に接着される。圧電素子５の上面には、金等の金属細線（図示せず）がワイヤボンディング等で接続される。
【００２５】
本体部２３は、第一中空部２４および一対の素子固定部２７の前側および後側に、一対の対辺３０を備える。一対の対辺３０は、本体部２３の前側および後側の辺に沿って左右方向に延びる。一対の対辺３０は、第一中空部２４および一対の素子固定部２７を間に挟むように配置される。一対の対辺３０の内側（第一中空部２４に面する側）に、一対の支持部２２の外側（ミラー部２１と接続する側と反対側）の端部が固定される。一対の対辺３０は、一対の支持部２２およびミラー部２１を保持する。
【００２６】
一対の対辺３０のそれぞれは、第二中空部２５を備える。第二中空部２５は、対辺３０の前後方向略中央部分を左右方向に延びる。第二中空部２５は節連結部３１を備える。節連結部３１は、第二中空部２５のうち第一中空部２４側（内側）の長辺と、第一中空部２４側と反対側（外側）の長辺とを連結する、細長い平板状の部材である。節連結部３１は、揺動軸Ｏと同一直線上に配置される。節連結部３１は、ミラー部２１および一対の支持部２２の上下方向の変位を抑制する。なお、第二中空部２５は、複数の節連結部を備えてもよい。この場合、節連結部３１を除く他の節連結部を、揺動軸Ｏに対して対称に配置するとよい。また、第二中空部２５の形状は変更できる。
【００２７】
基台４について説明する。図１および図２に示すように、基台４の形状は矩形枠状である。基台４の左右方向および前後方向の長さは、構造体２の左右方向および前後方向の長さよりも長い。図３に示すように、基台４の厚みは構造体２の厚みに比べて大きい。従って、構造体２が振動しても、基台４は殆ど変形することなく構造体２を支持する。基台４は、構造体２と同様、ＳＵＳ等の金属によって形成される。なお、基台４の形状は変更できる。例えば、揺動軸Ｏに垂直な方向に延びる一対の対辺のみによって基台を構成してもよい。基台４を構成する枠状の部材に、内側へ突出して構造体２を支持する突出部を形成してもよい。
【００２８】
図１および図２に示すように、構造体２における一対の対辺３０のそれぞれのうち、第二中空部２５の外側（ミラー部２１側とは反対側）が、基台４の上面に接続される。従って、図２に示すように、構造体２と基台４とが上下方向において重なる重複領域３７は、構造体２の前後方向両端部における矩形の領域となる。本実施形態では、矩形枠状の基台４を構成する４つの内辺のうち前後方向に延びる２つの内辺の間隔は、構造体２の左右方向の内辺の長さよりも長い。従って構造体２は、素子固定部２７と基台４との間に隙間が生じた状態で基台４に接続される。なお、基台４に対する構造体２の接続構造は変更できる。例えば、構造体２の左右方向における両端部が基台４に固定されてもよい。
【００２９】
基台４に対する構造体２の接続構造について説明する。図１および図２に示すように、構造体２は、レーザスポット溶接によって形成される複数の溶接痕３５、３６によって、基台４に接続される。溶接痕３５は、２つの重複領域３７の各々における左右方向の両端部に対するレーザスポット溶接によって形成される。溶接痕３６は、２つの重複領域３７の各々における左右方向の略中央部に対するレーザスポット溶接によって形成される。
【００３０】
溶接痕３６（第一溶接痕３６Ａおよび第二溶接痕３６Ｂ）は、一対の支持部２２のうちミラー部２１と接続する側と反対側の端部の外側近傍に配置する。具体的には、溶接痕３６は、一対の対辺３０のうち第二中空部２５の外側の領域、且つ、一対の支持部２２のそれぞれの外側の端部に最も近接した領域に配置される。第一溶接痕３６Ａは、第一支持部２２Ａの前端よりも前側に配置され、第二溶接痕３６Ｂは、第二支持部２２Ｂの後端よりも後側に配置される。
【００３１】
溶接痕３５、３６は、それぞれ、一定間隔をおいて左右方向に３つずつ並ぶ痕跡を含む。溶接痕３５に含まれる痕跡の数は同一となる。また、第一溶接痕３６Ａに含まれる痕跡の数と、第二溶接痕３６Ｂに含まれる痕跡の数とは同一となる。それぞれの痕跡の形状は略円形である。溶接痕３５に含まれる複数の痕跡の形状は略同一である。一方、第一溶接痕３６Ａに含まれる３つの痕跡のうち、中央の痕跡と、左右の痕跡とでは、形状が異なる場合がある。同様に、第二溶接痕３６Ｂに含まれる３つの痕跡のうち、中央の痕跡と、左右の痕跡とでは、形状が異なる場合がある。理由は、レーザスポット溶接後、第一溶接痕３６Ａに含まれる痕跡の一部または全部、または、第二溶接痕３６Ｂに含まれる痕跡の一部または全部に対してレーザが再度照射され、一方の溶接痕３６に含まれる痕跡のうち一部の形状が変形する場合があるためである。詳細は後述する。
【００３２】
溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のうち中央に配置する痕跡の左右中心を、揺動軸Ｏが通過する。第一溶接痕３６Ａおよび第二溶接痕３６Ｂのそれぞれの形状は、揺動軸Ｏを対称軸とした場合に対称となる。また、揺動軸Ｏの軸線上のうち第一溶接痕３６Ａおよび第二溶接痕３６Ｂから等距離にある点、即ちミラー部２１の中心を通って揺動軸Ｏと直交する平面を対称面とした場合、第一溶接痕３６Ａの形状と第二溶接痕３６Ｂの形状とは非対称になる。その理由は、上述したように、痕跡に対するレーザの再照射によって、第一溶接痕３６Ａに含まれる痕跡のうち少なくとも一部の形状、または、第二溶接痕３６Ｂに含まれる痕跡のうち少なくとも一部の形状が変形するためである。
【００３３】
なお、溶接痕３５、３６の配置は変更できる。例えば溶接痕３５は、２の重複領域３７のそれぞれの左右方向の両端部以外の部分に配置されてもよい。また例えば溶接痕３６は、２つの重複領域３７のそれぞれの前後方向中央に配置されてもよいし、前側又は後側に配置されてもよい。溶接痕３５、３６に含まれる痕跡の数は変更できる。例えば溶接痕３５、３６に含まれる痕跡の数は、１、２、および４以上であってもよい。痕跡の形状は、レーザスポット溶接によって形成される形状であれば円形以外であってもよい。なお溶接痕３６に含まれる痕跡の数が３つ以外である場合、その形状は、揺動軸Ｏを対称軸とした場合に対称となる。また、第一溶接痕３６Ａの形状と第二溶接痕３６Ｂの形状とは、対象面に対して非対称になる。
【００３４】
図１、図３、および図４に示すように、構造体２と基台４の重複領域３７（図２参照）における隙間には、接着剤３２が設けられる。接着剤３２は弾性を有するため、ミラー部２１の振動によって生じる構造体２から基台４への衝撃を緩衝する。光スキャナ１の製造工程では、構造体２と基台４の隙間に対して接着剤３２が充填される。
【００３５】
光スキャナ１の動作について説明する。圧電素子５は、揺動軸Ｏを中心として一対の支持部２２を共振揺動させる。一対の支持部２２の共振揺動に伴い、一対の支持部２２に支持されたミラー部２１は共振揺動する。レーザ等の光が、ミラー部２１の反射面２１１に照射される。反射面２１１によって反射された光は、ミラー部２１の揺動に伴って左右方向（主走査方向）に射出する。光スキャナ１は、光の射出方向を左右方向に往復移動させることによって、光を主走査方向に走査する。
【００３６】
第一支持部２２Ａおよび第二支持部２２Ｂが、ミラー部２１に対して非対称となる場合がある。非対称性は主に、一対の支持部２２のそれぞれが上下方向に撓み、且つ、撓みの程度が第一支持部２２Ａおよび第二支持部２２Ｂで異なることによって生じる。一対の支持部２２が撓む理由の一つとして、光スキャナ１の製造過程で一対の支持部２２に力や熱等が加えられることが考えられる。ミラー部２１は一対の支持部２２の揺動に伴って動作するため、一対の支持部２２のそれぞれがミラー部２１に対して非対称となった場合、反射面２１１によって反射される光は、主走査方向だけでなく前後方向（副走査方向）にも射出される。ミラー２１は、揺動軸Ｏを中心として揺動すると同時に、揺動軸Ｏと直交する軸である直交軸を中心として揺動することになる。この場合、射出された光の軌跡は、主走査方向に延びる直線上に配置せず、副走査方向に幅を持つことになる。
【００３７】
このように、反射面２１１で反射された光が主走査方向だけでなく副走査方向に揺らいで射出される現象を、ウォブル現象という。副走査方向への光の射出の程度を示す値を、ウォブル値という。ウォブル値は、反射面２１１で反射した光が主走査方向にのみ射出された状態を基準とした場合の、副走査方向に射出する光の角度（単位  角度秒、１秒＝（１／３６００）度）によって示される。ミラー部２１が共振揺動した場合に測定される複数のウォブル値のうち最大のウォブル値と最小のウォブル値との差分を、ウォブル量という。ウォブル量の増加は、光スキャナ１の特性を劣化させる。このため、第一支持部２２Ａおよび第二支持部２２Ｂの撓みの程度の差異を小さくすることによって、第一支持部２２Ａおよび第二支持部２２Ｂの非対称性を抑制し、ウォブル量を小さくすることが好ましい。
【００３８】
本実施の形態では、第一支持部２２Ａおよび第二支持部２２Ｂの撓みの程度の差異を小さくするために、第一溶接痕３６Ａまたは第二溶接痕３６Ｂに含まれる痕跡のうち少なくとも一部にレーザが照射される。詳細は後述するが、溶接痕３６にレーザが照射された場合、この溶接痕３６の近傍に端部が配置する支持部２２（第一支持部２２Ａまたは第二支持部２２Ｂ）は、上下方向に更に大きく撓む。例えば第一溶接痕３６Ａに対してレーザが照射された場合、第一溶接痕３６Ａの近傍に前端部が配置する第一支持部２２Ａは上下方向に更に大きく撓む。第二溶接痕３６Ｂに対してレーザが照射された場合、第二溶接痕３６Ｂの近傍に後端部が配置する第二支持部２２Ｂは上下方向に更に大きく撓む。従って、撓みの程度が小さい支持部２２の外側端部の近傍に配置する溶接痕３６にレーザを照射し、撓みの程度を大きくすることによって、一対の支持部２２の撓みの程度の差異を小さくすることができる。これによってウォブル量は小さくなるので、光スキャナ１の特性は向上する。
【００３９】
図５および図６を参照し、光スキャナ１の製造工程について説明する。以下、静止した状態のミラー部２１の反射面２１１と同一面上に仮想的に定義した平面を、基準平面という。一対の支持部２２のうち、基準平面から最も上下方向に離隔した部分を、突出部という。第一支持部２２Ａの突出部を第一突出部といい、第二支持部２２Ｂの突出部を第二突出部という。
【００４０】
はじめに図５を参照し、光スキャナ１の製造工程の第一例について説明する。第一例では、基準平面に対して直交する方向を高さ方向とした場合の、基準平面から第一突出部および第二突出部までの距離（以下、単に「高さ」という。）が測定される。双方の高さの差分が大きい場合、第一支持部２２Ａおよび第二支持部２２Ｂの上下方向の撓みの程度の差異は大きいことになる。この場合、ウォブル量は大きくなり、光スキャナ１は良好な特性を示さない可能性がある。従って、双方の高さの差分を小さくするために、溶接痕３６にレーザが照射される。以下詳説する。
【００４１】
製造工程が開始されると、はじめに構造体２が作成される（Ｓ１１）。詳細には、構造体２を構成する金属板（例えば、ＳＵＳ４３０）が、構造体２の外形と等しい大きさに分割される。分割された金属板のうち、本体部２３（一対の支持部２２、一対の素子固定部２７、および一対の対辺３０）に対応する位置に、マスキングのためのレジスト膜が形成される。ウェットエッチングによって構造体２が形成され、レジスト膜が除去される。なお、構造体２の外形よりも十分大きい金属板に、複数の構造体２を形成してもよい。ウェットエッチングでなく、プレス加工等の機械的な除去加工によって構造体２を形成してもよい。
【００４２】
次に、構造体２に圧電素子５が接合される（Ｓ１３）。例えば、予め両面に電極層が積層された圧電素子５が、導電性接着剤によって構造体２に接合される。導電性接着剤には、エポキシ系、アクリル系、シリコン系等の合成樹脂材料に金属フィラー等の導電材を含有させたもの等を用いることができる。より具体的には、本体部２３に導電性接着剤が塗布され、塗布された導電性接着剤の上に圧電素子５が設置される。その後、１００℃〜２００℃の雰囲気に保たれた加熱炉内に、構造体２が３０分〜６０分間挿入されることで、導電性接着剤が硬化して圧電素子５が接合される。なお、圧電素子５と構造体２との間の接着部分の線膨張係数が不均一である場合、加熱処理によって一対の支持部２２が撓む可能性がある。圧電素子５の上面に、金属細線がワイヤボンディングによって接続される（Ｓ１５）。次に、一対の支持部２２の前後方向中央に、反射面２１１が予め形成されたミラー部２１が固定される（Ｓ１７）。
【００４３】
基台４が作成される。基台４の外形は、構造体２の場合と同様に、金属板に対してエッチング、プレス等の除去加工が行われることで形成される。次いで、Ｓ１１〜Ｓ１７の工程によって準備された構造体２を、基台４の所定位置に重ね、構造体２と基台４の重複領域３７に対してレーザスポット溶接が行われる。これによって、溶接痕３５、３６が形成され、構造体２は基台４に接続される（Ｓ１９）。
【００４４】
レーザスポット溶接によって構造体２と基台４が接続された後、接続された構造体２と基台４との隙間に接着剤３２が充填される（Ｓ２１）。具体的には、構造体２と基台４における重複領域３７の輪郭部分に、接着剤３２が塗布される。輪郭部分に塗布された接着剤３２は、毛管現象によって重複領域の内部まで充填される。接着剤３２の塗布後、毛管現象によって接着剤３２を重複領域３７の内部まで十分に充填させるために必要な時間（待機時間）分待機される。充填待機時間が経過すると、接着剤３２は硬化する。
【００４５】
圧電素子５に対して分極処理が施される（Ｓ２３）。分極処理は、圧電素子５に対して一定方向に高電圧（約２００Ｖ）を印加することにより行われる。分極処理によって圧電体の分極方向が揃えられる。これによって圧電素子５は、圧電特性を示すようになる。以上までで、光スキャナ１の準備は完了する。
【００４６】
一対の支持部２２のそれぞれの撓みの程度の差異を抑制するために、次の工程が実行される（Ｓ２５〜Ｓ２９）。はじめに、Ｓ１１〜Ｓ２３の工程によって準備された光スキャナ１が、顕微鏡によって観察される。一対の支持部２２のそれぞれのうち突出部（第一突出部および第二突出部）が特定される。次に、基準平面から第一突出部および第二突出部までの高さが測定される（Ｓ２５）。具体的には次のようにして測定される。顕微鏡において、観測対象物（例えば、光スキャナ１の基台４の上面）にピントを合わせた状態での対物レンズと観測対象物との間の距離（第一距離）が予め実測される。また、構造体２、基台４、およびミラー部２１の厚さを加算した値が、基台４の下面から基準平面までの間の距離（第二距離）として予め実測される。顕微鏡によって光スキャナ１が観察され、一対の支持部２２の突出部に対するピントが合う状態となるように、顕微鏡の支持台の高さが調節される。突出部に対するピントが合った状態での支持台と対物レンズとの間の距離（第三距離）が特定される。第三距離から、第一距離および第二距離が減算される。算出された距離が、突出部の高さに相当する。なお、突出部の高さを測定する方法は変更できる。例えば、ミクロメータが使用された顕微鏡で、光スキャナ１を側面から観察することによって、基準平面から突出部までの高さが直接測定されてもよい。
【００４７】
測定された第一突出部の高さおよび第二突出部の高さのうち、大きい側から小さい側が減算されることによって、第一突出部の高さおよび第二突出部の高さの差分（以下、単に「高さの差分」という。）が算出される。算出された高さの差分と、所定の第一しきい値Ｔｈ１（例えば４μｍ）とが比較される（Ｓ２７）。高さの差分が第一しきい値Ｔｈ１よりも小さい場合（Ｓ２７：ＮＯ）、一対の支持部２２のそれぞれの撓みの程度の差異は十分小さいため、ウォブル量は小さい。この場合、光スキャナ１の特性は良好であることになるので、そのまま製造工程は終了する。
【００４８】
一方、高さの差分が第一しきい値Ｔｈ１以上である場合（Ｓ２７：ＹＥＳ）、一対の支持部２２のそれぞれの撓みの程度の差異は大きいため、ウォブル量は大きい。この場合、第一突出部および第二突出部のうち、高さがより低い側を含む支持部２２が特定される。特定された支持部２２の外側の端部に近接する溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のうち中央の痕跡に対して、レーザが照射される（Ｓ２９）。例えば、第一突出部の高さが第二突出部の高さよりも小さい場合、第一溶接痕３６Ａに含まれる３つの痕跡のうち中央の痕跡に対してレーザが照射される。一方、第二突出部の高さが第一突出部の高さよりも小さい場合、第二溶接痕３６Ｂに含まれる３つの痕跡のうち中央の痕跡に対して、レーザが照射される。なお、レーザの光源および照射条件は、Ｓ１９でレーザスポット溶接が行われる場合の光源および照射条件と同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００４９】
溶接痕３６の痕跡に対するレーザの照射後、Ｓ２５の工程に戻る。第一突出部および第二突出部の位置が再度特定され、第一突出部および第二突出部の高さが再度測定される（Ｓ２５）。Ｓ２９の工程でのレーザ照射によって、一対の支持部２２のうちいずれかの撓みの程度が大きくなり、高さの差分が第一しきい値Ｔｈ１未満になったとする（Ｓ２７：ＮＯ）。この場合、溶接痕３６の痕跡に対するレーザ照射によってウォブル量が抑制されたことになるので、製造工程は終了する。
【００５０】
Ｓ２９の工程で、溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のうち中央の痕跡にレーザが照射された後も、高さの差分が第一しきい値Ｔｈ１以上である場合（Ｓ２７：ＹＥＳ）、溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のうち左右に配置する２つの痕跡に対してレーザが照射される（Ｓ２９）。処理はＳ２５の工程に戻り、第一突出部および第二突出部の高さが再度測定される（Ｓ２５）。高さの差分が第一しきい値Ｔｈ１未満になった場合、製造工程は終了する。
【００５１】
一方、溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のすべてに対してレーザが照射された後も、高さの差分が第一しきい値Ｔｈ１以上である場合、Ｓ２９の工程では、中央の痕跡→左右の痕跡→中央の痕跡の順で、レーザが繰り返し照射される。この工程は、高さの差分が第一しきい値Ｔｈ１未満となるまで繰り返される。
【００５２】
なお、Ｓ２９の工程で痕跡にレーザを照射する順番は変更できる。例えば最初に、溶接痕３６に含まれる痕跡のうち左右の痕跡に対してレーザが照射され、高さの差分が第一しきい値Ｔｈ１以上である場合に、次いで中央の痕跡に対してレーザが照射されてもよい。また例えば、溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のすべてに対して同時にレーザが照射される処理が繰り返されてもよい。
【００５３】
また、高さの差分と第一しきい値Ｔｈ１とを比較する工程は、例えば次に示す別の方法によって行われてもよい。顕微鏡によって光スキャナ１が観察され、第一突出部に対するピントが合う状態での支持台の高さと、第二突出部に対するピントが合う状態での支持台の高さとが特定される。特定された２つの支持台の高さの差分が算出される。算出された高さの差分と第一しきい値Ｔｈ１とが比較される。この方法によっても、前述と同様、第一突出部の高さおよび第二突出部の高さの差分を第一しきい値Ｔｈ１と比較することができる。
【００５４】
次に、図６を参照して、光スキャナ１の製造工程の第二例について説明する。第二例では、ウォブル量が直接算出される。算出されたウォブル量が大きい場合、一対の支持部２２のそれぞれの撓みの程度の差異は大きいことになる。この場合、高さの差分を小さくしてウォブル量を抑制するために、溶接痕３６にレーザが照射される。以下詳説する。なお、第二例の工程のうちＳ１１〜Ｓ２３の工程については、第一例の工程（図５参照）と同一であるので、説明を省略する。
【００５５】
一対の支持部２２のそれぞれの撓みの程度の差異を抑制するために、次の工程が実行される（Ｓ３１〜Ｓ３７）。はじめに、Ｓ１１〜Ｓ２３の工程によって準備された光スキャナ１のウォブル値が測定される。ウォブル値は、ミラー部２１の反射面２１１で反射した光の、主走査方向を基準とした場合の副走査方向の角度を、反射面２１１によって反射された光の通過位置を特定することによって測定される。光の通過位置は、光スキャナ１の周囲に配置したＣＣＤラインセンサが検出した光の位置に基づいて特定される。具体的には、副走査方向に整列した複数の画素を有するＣＣＤラインセンサが、主走査方向の所定の角度位置に配置される。この状態でミラー部２１を共振揺動させ、所定の角度位置における副走査方向の走査位置が計測される。主走査方向のそれぞれの角度位置に対して、ミラー部２１が共振揺動する場合の副走査方向の走査位置が複数回測定され、主走査方向のそれぞれの角度位置におけるウォブル値とされる。
【００５６】
次に、複数回測定されたウォブル値のうち最大のウォブル値と最小のウォブル値との差分が、ウォブル量として算出される（Ｓ３１）。算出されたウォブル量と、所定の第二しきい値Ｔｈ２（例えば２００角度秒（１／１８度））とが比較される。ウォブル量が第二しきい値Ｔｈ２よりも小さい場合（Ｓ３３：ＮＯ）、光スキャナ１の特性は良好であることになるので、そのまま製造工程は終了する。
【００５７】
一方、ウォブル量が第二しきい値Ｔｈ２以上である場合（Ｓ３３：ＹＥＳ）、光スキャナ１の特性を改善させるために次の工程（Ｓ３５、Ｓ３７）が実行される。はじめに、Ｓ１１〜Ｓ２３の工程によって準備された光スキャナ１が、顕微鏡によって観察され、一対の支持部２２のそれぞれのうち突出部（第一突出部および第二突出部）が特定される。次に、第一突出部および第二突出部の高さが測定される（Ｓ３５）。第一突出部および第二突出部の高さは、第一例と同一の方法で測定される（Ｓ２５、図５参照）。第一突出部および第二突出部のうち、高さがより低い側を含む支持部２２が特定される。特定された支持部２２の外側の端部に近接する溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のうち中央の痕跡に対して、レーザが照射される（Ｓ３７）。
【００５８】
溶接痕３６の痕跡に対するレーザの照射後、Ｓ３１の工程に戻り、ウォブル値が再度測定され、ウォブル量が算出される（Ｓ３１）。ウォブル量が第二しきい値Ｔｈ２未満になった場合（Ｓ３３：ＮＯ）、光スキャナ１の特性は改善されたことになるので、製造工程は終了する。一方、Ｓ３７の工程で、溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のうち中央の痕跡にレーザが照射された後も、ウォブル量が第二しきい値Ｔｈ２以上である場合（Ｓ３３：ＹＥＳ）、溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のうち左右に配置する２つの痕跡に対してレーザが照射される（Ｓ３７）。処理はＳ３１の工程に戻る。ウォブル量が第二しきい値Ｔｈ２未満になった場合（Ｓ３３：ＮＯ）、製造工程は終了する。一方、溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のすべてに対してレーザが照射された後も、ウォブル量が第二しきい値Ｔｈ２以上である場合、Ｓ３７の工程では、中央の痕跡→左右の痕跡→中央の痕跡の順で、レーザが繰り返し照射される。この工程は、ウォブル量が第二しきい値Ｔｈ２未満となるまで繰り返される。
【００５９】
なお、第一例（図５参照）における説明で例示した変形例を、第二例に対しても同様に適用することが可能であることはいうまでもない。
【実施例１】
【００６０】
上述した第一例に基づいて光スキャナ１を作成し評価した結果について、図７から図１０を参照して説明する。以下、Ｓ１９（図５参照）の工程において行われる、レーザスポット溶接を行うためのレーザ照射を、「第一照射」という。Ｓ２９（図５参照）およびＳ３７（図６参照）の工程において行われる、第一突出部および第二突出部の高さの差分を小さくするためのレーザ照射を、「第二照射」という。構造体２および基台４として、ＳＵＳ４３０が用いられた。第一照射および第二照射のための光源として、周波数１０６４ｎｍのＹＡＧレーザが使用された。レーザ強度０．７ｋＷ、および、スポット径０．５ｍｍの条件で２ｍｓ間、レーザが照射されることによって、第一照射および第二照射が行われた。
【００６１】
図７は、第一照射によって形成された第二溶接痕３６Ｂに対し、第二照射によってレーザが照射された場合に、第一突出部および第二突出部の高さが変化する様子を示している。図７の横軸は、第一支持部２２Ａの前側の端部の位置を基準位置（０ｍｍ）とした場合の、後方向の距離を示している。図７の縦軸は、一対の支持部２２の基準平面に対する高さを示している。基準位置からの距離が０〜８ｍｍである場合の高さは、第一支持部２２Ａの高さを示している。基準位置からの距離が１０〜１８ｍｍである場合の高さは、第二支持部２２Ｂの高さを示している。第一支持部２２Ａの高さのうち最大となる点（点４１）は、第一突出部の高さを示し、第二支持部２２Ｂの高さのうち最大となる点（点４２）は、第二突出部の高さを示している。なお、基準位置からの距離が８〜１０ｍｍである部分については、ミラー部２１の位置に相当するため、高さは省略されている。
【００６２】
Ｓ１１〜Ｓ２３（図５参照）の工程によって準備された光スキャナ１を用いた測定結果（一点鎖線）から、第一支持部２２Ａおよび第二支持部２２Ｂが上方に撓んでいることがわかった。また、第一突出部の高さは約１０．５μｍであり、第二突出部の高さは約５．５μｍであることがわかった。この場合、第一突出部の高さと第二突出部の高さとの差分は約５．０μｍになる。
【００６３】
次に、Ｓ２９（図５参照）の工程により、溶接痕３６Ｂに含まれる３つの痕跡のうち中央の痕跡に対して第二照射が行われた状態の光スキャナ１について、一対の支持部２２のそれぞれの高さが測定された（点線）。結果、第二突出部の高さは約９．５μｍに増加し、第一突出部の高さ（約１２μｍ）と第二突出部の高さとの差分は約２．５μｍに縮まった。この結果から、第二照射が行われた溶接痕３６Ｂの近傍に後端が配置する第二支持部２２Ｂは、第二照射によって撓みの程度が大きくなることが明らかになった。なお、第二突出部の高さだけでなく第一突出部の高さも増加した理由は、第二照射によって第二支持部２２Ｂが上方向に撓んだことに追従し、第一支持部２２Ａも上方向に移動したためであることが推察される。
【００６４】
次に、２度目のＳ２９（図５参照）の工程が実行された結果、溶接痕３６Ｂに含まれる３つの痕跡のすべてに対して第二照射が行われた状態の光スキャナ１について、一対の支持部２２のそれぞれの高さが測定された（実線）。結果、第二突出部の高さは約１４μｍに増加し、第一突出部の高さ（約１３μｍ）と第二突出部の高さとの差分は約１．０μｍに更に縮まった。以上の結果から、溶接痕３６Ｂに含まれる複数の痕跡に対して選択的に第二照射を行うことによって、第二突出部の上方への撓みの程度を調節することが可能であることがわかった。
【００６５】
図８および図９は、溶接痕３６に含まれる痕跡が、構造体２側から観察された様子を示している。図８は、第一照射によって形成された溶接痕３６に含まれる痕跡を示し、図９は、第二照射後の痕跡を示している。図８で示される痕跡には、レーザの照射によって年輪状の模様が痕跡内に形成されている。この模様は、構造体２と基台４とを構成する材料（ＳＵＳ４３０）がレーザ照射による熱で一旦溶解した後、外側から徐々に冷却することによって形成されたものと推察される。
【００６６】
一方、図９で示される痕跡は、図８の痕跡と比較して、外径が上側に大きくなった。このことは、第一照射によって形成された痕跡が、第二照射によってさらに溶解し、上側に広がったことを示している。このように、第一照射によって形成された痕跡に対して第二照射が行われた場合、痕跡の形状は変形することがわかった。なお、一対の支持部２２の撓みの程度が第二照射によって大きくなる理由は、第一照射によって形成された痕跡の形状が、第二照射によって変形することに起因しているものと推察される。
【００６７】
図１０は、一対の支持部２２のそれぞれの突出部の高さの差分と、ウォブル値との関係を示している。なお、図１０における各プロットは、矢印４４の両端に配置する二つの囲み点線４５で囲まれるプロットを除き、それぞれ、別々の光スキャナ１を用いて測定された結果を示している。一方、二つの囲み点線４５で示される二つのプロットは、同一の光スキャナ１を用いて測定された結果を示している。矢印４３で示されるように、高さの差分が大きくなるに従い、ウォブル値も大きくなる傾向があることが確認された（矢印４３）。従って、第二照射によって高さの差分を小さくする（矢印４４（約５．０μｍ→約１．０μｍ、図７参照））ことによって、ウォブル値を抑制できることがわかった。なお、ウォブル値が抑制される場合、その差分として算出されるウォブル量も抑制されることになるので、以上の結果から、溶接痕３６に対して第二照射を行い、一対の支持部２２のそれぞれの高さの差分を小さくすることによって、ウォブル量を抑制でき、光スキャナ１の特性を向上させることが可能であることがわかった。
【実施例２】
【００６８】
上述した第二例に基づいて光スキャナ１を作成し評価した結果について、図１１および図１２を参照して説明する。図１１および図１２は、ミラー部２１の反射面２１１によって反射された光の通過位置を測定した結果を示している。横軸は、静止したミラー部２１の反射面２１１に対して直交する方向を基準方向（０ｄｅｇ）とした場合の、ミラー部２１の揺動角度を示している。縦軸は、ミラー部２１の反射面２１１によって反射された光の射出方向を、通過位置として示している。
【００６９】
通過位置は、ウォブル値を測定する場合と同様の測定系を用いて測定された。即ち、光スキャナ１の周囲に配置したＣＣＤラインセンサが検出した光の位置に基づいて、通過位置が特定された。通過位置は、ミラー部２１が共振揺動する場合の角度毎に複数回測定された。図１１は、第二照射が行われていない状態の光スキャナ１を用いて評価が行われた結果を示している。図１２は、第二溶接痕３６Ｂに含まれる３つの痕跡の全てに対して第二照射が行われた状態の光スキャナ１を用いて評価が行われた結果を示している。
【００７０】
図１１では、通過位置は最小約３．３ｍｍから最大約３．６５ｍｍの間で推移した。通過位置の平均は約３．４５ｍｍとなった。通過位置の最小値と最大値との差分は約０．３５ｍｍとなった。一方、図１２では、通過位置は最小約３．５５ｍｍから最大約３．７ｍｍの間で推移した。通過位置の平均は約３．６ｍｍとなった。通過位置の最小値と最大値との差分は約０．１５ｍｍとなり、第二照射前の差分（約０．３５ｍｍ）と比較して、約０．２０ｍｍ小さくなった。なお、通過位置とウォブル値とは同一の測定系で測定されており、双方には相関関係がある。このため、通過位置の最小値と最大値との差分が小さい程、ウォブル量も小さくなる。従って以上の結果から、溶接痕３６の痕跡に対して第二照射を行うことによって、ウォブル量を抑制できることがわかった。
【００７１】
また図１０で示されたように、第一支持部２２Ａおよび第二支持部２２Ｂの高さの差分が大きくなる程、ウォブル値も大きくなる傾向にある。またウォブル値が大きい場合、その差分として算出されるウォブル量も大きくなる。このため、光スキャナ１の製造方法の第二例（図６参照）で示されるように、算出されたウォブル量が大きい場合に溶接痕３６に対して第二照射を行うことによって、第一突出部および第二突出部の高さの差分が大きい場合にこの差分を小さくすることができることになる。従って、光スキャナ１の製造方法の第二例では、ウォブル量を効果的に抑制し、光スキャナ１の特性を効率的に向上させることが可能であることが明らかになった。
【００７２】
以上説明したように、本実施形態における光スキャナ１の製造方法の第一例（図５参照）では、一対の支持部２２のそれぞれの突出部の高さの差分が大きい場合に、溶接痕３６にレーザが照射される。レーザが照射された溶接痕３６の近傍に配置する支持部２２は、基準平面に対して高さ方向に高くなる。このため、一対の支持部２２のそれぞれの突出部の高さ方向の差分は、第二照射前と比較して小さくなる。従って、ウォブル現象の発生は抑制されるので、光スキャナ１の性能を向上させることが可能となる。
【００７３】
また、本実施形態における光スキャナ１の製造方法の第二例（図６参照）では、ウォブル量が大きい場合に、溶接痕３６にレーザが照射される。レーザが照射された溶接痕３６の近傍に配置する支持部２２は、基準平面に対して高さ方向に高くなる。このため、一対の支持部２２のそれぞれの突出部の高さ方向の差分は、第二照射前と比較して小さくなる。従って、ウォブル現象の発生は抑制されるので、第一例と同様、光スキャナ１の性能を向上させることが可能となる。
【００７４】
また、本実施形態における光スキャナ１の製造方法の第一例および第二例では、第一照射によって形成された溶接痕３６に対して第二照射が行われる。ここで、溶接痕３６以外の部分に対して第二照射が行われた場合、構造体２と基台４との間に充填された接着剤３２が周囲に飛散するスパッタ飛散が生じる可能性がある。飛散したスパッタが光スキャナ１に付着した場合、光スキャナ１の光学的、機械的特性を変化させる懸念がある。これに対し、第一照射によって形成された溶接痕３６に対して第二照射が行われることによって、スパッタ飛散を抑制することができるので、溶接によって光スキャナの光学的、機械的特性が変化することを防止できる。
【００７５】
また、本実施形態における光スキャナ１の製造方法に基づいて作成された光スキャナ１における溶接痕３６の形状は、揺動軸Ｏを対称軸とした場合に対称となる。理由は、第二照射の際、揺動軸Ｏに対して対称位置にある痕跡に対しては、レーザが同時期に照射され、一方にのみレーザが照射されることがないためである。このため、第二照射によって痕跡の形状が変形しても、溶接痕３６の形状は対称軸に対して対称となる。従って、溶接痕３６によって一対の支持部２２に働く力は、左右方向で均等になるので、反射面２１１で反射した光の射出方向が副走査方向に向くことを抑制できる。従って、ウォブル量を抑制することができるので、光スキャナ１の特性を向上させることができる。
【００７６】
また光スキャナ１の第一溶接痕３６Ａの形状と第二溶接痕３６Ｂの形状とは、対称面に対して非対称となる。この理由は、第一溶接痕３６Ａに含まれる痕跡、または、第二溶接痕３６Ｂに含まれる痕跡に対して第二照射が実行されることによって、いずれか一方の溶接痕３６に含まれる痕跡の形状が変形するためである。第二照射によって突出部の高さの差分は小さくなるので、ウォブル量を抑制することができ、光スキャナ１の特性を向上させることができる。
【００７７】
なお、光スキャナ１のうち第一溶接痕３６Ａと第二溶接痕３６Ｂとで、含まれる痕跡の数は等しくなる。このため、構造体２と基台４との接続条件を、第一支持部２２Ａおよび第二支持部２２Ｂとで均一化させることが可能となる。これによって、第一突出部および第二突出部の高さの差分を最小限に押えることが可能となる。
【００７８】
なお、本発明は上記実施形態に限定されず、種々の変形が可能である。上述で説明した光スキャナ１の製造方法の第一例では、一対の支持部２２の突出部の上方向の高さが測定された。本発明では、一対の支持部２２の突出部の基準平面に対する下方向の位置が測定されてもよい。そして、測定された下方向の位置がより基準平面に近い支持部２２の近傍に配置する溶接痕３６に対して、Ｓ２９（図６参照）の工程でレーザが照射されてもよい。
【００７９】
上述で説明した光スキャナ１の製造方法の第一例における第一しきい値Ｔｈ１、および、第二例における第二しきい値Ｔｈ２は、一対の支持部２２の材質、形状、および、溶接痕３６の形成条件、数量等に応じて切り替えられてもよい。
【００８０】
上述で説明した光スキャナ１の製造方法の第二例において、ウォブル量は他の方法で取得されてもよい。例えばウォブル量は、通過位置とウォブル量とが対応付けられたテーブルに基づいて特定されてもよい。具体的には、ウォブル値の代わりに通過位置が測定された後、測定された通過位置に対応するウォブル位置がテーブルに基づいて特定されてもよい。さらに本発明は、通過位置（図１１、図１２参照）の差分をウォブル量として測定してもよい。
【００８１】
上述で説明した光スキャナ１の製造方法の第一例において、高さの差分に応じて、レーザを照射する痕跡を変更してもよい。例えば、高さの差分が第三しきい値Ｔｈ３以上第四しきい値Ｔｈ４未満（Ｔｈ１＜Ｔｈ３＜Ｔｈ４）である場合には、溶接痕３６に含まれる３つの痕跡のうち左右の痕跡に対してはじめにレーザが照射されてもよい。また、高さの差分が第四しきい値Ｔｈ４以上第五しきい値Ｔｈ５未満（Ｔｈ４＜Ｔｈ５）である場合には、３つの痕跡のうち中央の痕跡にレーザがはじめに照射されてもよい。また、高さの差分が第五しきい値Ｔｈ５以上である場合に、３つの痕跡の全てに対して同時にレーザが照射されてもよい。揺動軸Ｏからレーザの照射位置までの距離に応じて、レーザ照射時の突出部の高さ方向への移動量は変化する。具体的には、揺動軸Ｏに近い位置にある痕跡に対してレーザが照射された場合、揺動軸Ｏから遠い位置にある痕跡に対してレーザが照射された場合と比較して、支持部２２の更なる撓みの程度は大きくなる。このため上述のように、高さの差分に応じてレーザの照射位置を調整することによって、一対の支持部２２のそれぞれの突出部の高さ方向の位置を、差分が小さくなるように効率的に調整できる。なお同様に、上述で説明した光スキャナ１の製造方法の第二例において、ウォブル量に応じて、レーザを照射する痕跡を変更してもよい。
【００８２】
上述の実施形態では、レーザスポット溶接によって形成された溶接痕３６に対し、必要に応じて再度レーザが照射された。これに対し、構造体２および基台４を貫通する固定部材によって、構造体２および基台４が接続されてもよい。また、ウォブル現象の発生を抑制する目的で照射されるレーザは、この固定部材によって照射されてもよい。
【００８３】
上述の実施形態では、ミラー部２１を共振揺動させるための駆動部として、圧電素子５が用いられた。しかし、駆動部の構成は、ミラー部２１を共振揺動させることが可能であれば、圧電素子５に限定されない。たとえば、ミラー部２１の下面にコイルパターン及び磁石の一方が設けられ、ミラー部２１の下面に対向する位置にコイルパターン及び磁石の他方が設けられるような、電磁駆動方式が採用されてもよい。あるいは、ミラー部２１に対向する位置に電極が設けられ、ミラー部２１と電極との間に電圧を印加されるような静電駆動方式が採用されてもよい。
【００８４】
なお、Ｓ１１〜Ｓ２３の工程が本発明の「準備工程」に相当する。Ｓ２５の工程が本発明の「解析工程」に相当する。Ｓ２９、およびＳ３７の工程が本発明の「照射工程」に相当する。Ｓ３１の工程が本発明の「取得工程」に相当する。Ｓ１９の工程が本発明の「接続工程」に相当する。Ｓ２１の工程が本発明の「充填工程」に相当する。Ｓ２９、およびＳ３７でレーザを照射する位置を調整する工程が本発明の「調整工程」に相当する。
【符号の説明】
【００８５】
１      光スキャナ
２      構造体
４      基台
５      圧電素子
２１    ミラー部
２２    一対の対支持部
２２Ａ  第一支持部
２２Ｂ  第二支持部
３１    節連結部
３５、３６  溶接痕
３６Ａ  第一溶接痕
３６Ｂ  第二溶接痕
３６Ｂ    第一溶接痕
３６Ｂ    第二溶接痕
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図８】
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【図９】
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