(57)【要約】【課題】排気ガス中のアンモニア量に変動が生じた場合でも、その変動に応じて、排気ガス中のアンモニアを水素との反応で適切に除害できるようにした除害装置を提供する。  【解決手段】  除害装置１Ａは、排気ガスを排出する複数のプロセス装置Ｐの下流に接続したマニホールド２と、マニホールドの下流に接続した燃焼炉３と、燃焼炉に水素を導入する水素供給手段４と、マニホールドと燃焼炉を接続するガス配管の途中に設けたガスセンサ５と、燃焼炉での燃焼を制御する制御手段６と、を備え、燃焼炉はアンモニアを水素との反応によって除害し、ガスセンサは、アンモニアと水素の濃度を測定し、その測定情報を制御手段へ出力し、制御手段は、ガスセンサからの測定情報に基づき、水素供給手段から燃焼炉への水素の導入量を設定する機能を有している。【選択図】図１
2014126342.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともアンモニアを含む排気ガスの除害装置であって、
前記排気ガスを排出する複数のプロセス装置の下流に接続したマニホールドと、
前記排気ガスを除害する燃焼炉と、
前記除害装置に水素を導入する水素供給手段と、
前記マニホールドと前記燃焼炉を接続するガス配管の途中又は前記マニホールドに設けたガスセンサと、
前記水素供給手段を制御する制御手段と、を備え、
前記ガスセンサは、前記ガス配管内のアンモニアと水素の濃度を測定し、その測定情報を前記制御手段へ出力し、
前記制御手段は、前記測定情報に基づき、前記水素供給手段から導入される前記水素の導入量を設定する機能を有すること
を特徴とする除害装置。
【請求項２】
前記測定情報より得られるアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下のとき、前記制御手段は、前記除害装置への前記水素の前記導入量を０に設定し、それ以外のとき、前記制御手段は、前記濃度比率が２以下となるように、前記除害装置への前記水素の前記導入量を設定すること
を特徴とする請求項１に記載の除害装置。
【請求項３】
少なくともアンモニアを含む排気ガスの除害装置であって、
前記排気ガスを排出するプロセス装置の下流に接続した燃焼炉と、
前記除害装置に水素を導入する水素供給手段と、
前記プロセス装置と前記燃焼炉を接続するガス配管と、
前記除害装置に導入するガスのガス情報を出力する出力手段と、
前記水素供給手段を制御する制御手段と、を備え、
前記出力手段は、前記ガス情報として、少なくとも水素とアンモニアの流量を出力し、
前記制御手段は、前記ガス情報に基づき、前記水素供給手段から導入される前記水素の導入量を設定する機能を有すること
を特徴とする除害装置。
【請求項４】
前記プロセス装置は複数備えられており、
前記ガス配管はマニホールドを形成しており、
前記ガス情報は複数の前記プロセス装置からの出力をまとめた情報であり、
前記導入量は前記ガス情報に基づき設定されること
を特徴とする請求項３に記載の除害装置。
【請求項５】
前記ガス情報より得られるアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下のとき、前記制御手段は、前記除害装置への前記水素の前記導入量を０に設定し、それ以外のとき、前記制御手段は、前記濃度比率が２以下となるように、前記除害装置への前記水素の前記導入量を設定すること
を特徴とする請求項３又は請求項４に記載の除害装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、少なくともアンモニアを含む排気ガスの除害装置に関し、特に、排気ガス中のアンモニア量に変動が生じた場合でも、その変動に応じて適切に、排気ガス中のアンモニアを水素との反応で除害できるようにしたものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、緑色、青色、白色の発光素子を製造する半導体製造装置においては、ＣＶＤ（化学気相蒸着）プロセス装置を使用し、同装置のプロセスチャンバ内で基板上に窒化ガリウム（ＧａＮ）を堆積させる処理などを行い、処理ガスとしてアンモニアを含む排気ガスを排出する。
【０００３】
ところで、この種のアンモニアを含む排気ガスの除害装置としては、例えば、特許文献１に開示のガス燃焼装置が知られている。このガス燃焼装置は、燃焼チャンバ内に前記排気ガスを導入し、導入した排気ガスに水素を加え、排気ガス中のアンモニアを水素との反応により除害するものである。
【０００４】
ところで、前記のようなＣＶＤプロセス装置から排出される排気ガス中のアンモニアの量は、プロセスごとに異なり変動する、または、プロセスの進行状況に応じて変動する場合がある。
【０００５】
しかしながら、特許文献１に開示のガス燃焼装置によると、前記のようなアンモニア量の変動に対して、加える水素の量を適切に調整するなど、アンモニアの変動に対する対策がなされておらず、排気ガス中のアンモニア量が変動した場合に、アンモニアと水素の濃度比率が変化し、水素との反応で排気ガス中のアンモニアを適切に除害することができないという問題点がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特表２００８−５４０９９０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は前記問題点を解決するためになされたもので、その目的は、排気ガス中のアンモニア量に変動が生じた場合でも、その変動に応じて適切に、排気ガス中のアンモニアを水素との反応で除害できるようにした除害装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記目的を達成するために、第１の本発明は、少なくともアンモニアを含む排気ガスの除害装置であって、前記排気ガスを排出する複数のプロセス装置の下流に接続したマニホールドと、前記排気ガスを除害する燃焼炉と、前記除害装置に水素を導入する水素供給手段と、前記マニホールドと前記燃焼炉を接続するガス配管の途中又は前記マニホールドに設けたガスセンサと、前記水素供給手段を制御する制御手段と、を備え、前記ガスセンサは、前記ガス配管内のアンモニアと水素の濃度を測定し、その測定情報を前記制御手段へ出力し、前記制御手段は、前記測定情報に基づき、前記水素供給手段から導入される前記水素の導入量を設定する機能を有することを特徴とする。
【０００９】
前記第１の本発明において、前記測定情報より得られるアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下のとき、前記制御手段は、前記除害装置への前記水素の前記導入量を０に設定し、それ以外のとき、前記制御手段は、前記濃度比率が２以下となるように、前記除害装置への前記水素の前記導入量を設定するように構成してもよい。
【００１０】
第２の本発明は、少なくともアンモニアを含む排気ガスの除害装置であって、前記排気ガスを排出するプロセス装置の下流に接続した燃焼炉と、前記除害装置に水素を導入する水素供給手段と、前記プロセス装置と前記燃焼炉を接続するガス配管と、前記除害装置に導入するガスのガス情報を出力する出力手段と、前記水素供給手段を制御する制御手段と、を備え、前記出力手段は、前記ガス情報として、少なくとも水素とアンモニアの流量を出力し、前記制御手段は、前記ガス情報に基づき、前記水素供給手段から導入される前記水素の導入量を設定する機能を有することを特徴とする。
【００１１】
前記第２の本発明において、前記プロセス装置は複数備えられており、前記ガス配管はマニホールドを形成しており、前記ガス情報は複数の前記プロセス装置からの出力をまとめた情報であり、前記導入量は前記ガス情報に基づき設定されるようにしてもよい。
【００１２】
前記第２の発明において、前記ガス情報より得られるアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下のとき、前記制御手段は、前記除害装置への前記水素の前記導入量を０に設定し、それ以外のとき、前記制御手段は、前記濃度比率が２以下となるように、前記除害装置への前記水素の前記導入量を設定するように構成してもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明にあっては、除害装置の具体的な構成として、ガスセンサが、排気ガス中のアンモニアと水素の濃度を測定し、その測定情報を制御手段へ出力する、又は出力手段が、前記除害装置に導入するガスのガス情報として、少なくとも水素とアンモニアの流量を出力する構成、および、制御手段が、前記ガスセンサからの測定情報、又は前記出力手段からのガス情報に基づき、除害装置への水素の導入量を設定する構成を採用したため、排気ガス中のアンモニア量に変動が生じた場合でも、その変動に応じて適切に、排気ガス中のアンモニアを除害することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】図１（ａ）は本発明の第１の実施形態である除害装置の機器構成を示したブロック図、同図（ｂ）は同図（ａ）の制御手段における処理動作のフローチャート図。
【図２】図２（ａ）は本発明の第２の実施形態である除害装置の機器構成を示したブロック図、同図（ｂ）は同図（ａ）の制御手段における処理動作のフローチャート図。
【図３】図３（ａ）は本発明の第３の実施形態である除害装置の機器構成を示したブロック図、同図（ｂ）は同図（ａ）の制御手段における処理動作のフローチャート図。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１５】
以下、本発明を実施するための最良の形態について、添付した図面を参照しながら詳細に説明する。
【００１６】
図１（ａ）は、本発明の第１の実施形態である除害装置の機器構成を示したブロック図である。
【００１７】
図１（ａ）の除害装置１Ａは、少なくともアンモニアを含む排気ガスの除害装置として構成したものであり、その具体的な機器構成は、同図（ａ）に示したように、排気ガスを排出する複数のプロセス装置Ｐの下流に接続したマニホールド２と、排気ガスを除害する燃焼炉３と、除害装置１Ａに水素を導入する水素供給手段４と、マニホールド２を介してプロセス装置Ｐと燃焼炉３とを接続するガス配管と、マニホールド２と燃焼炉３を接続するガス配管に設けたガスセンサ５と、水素供給手段４を制御する制御手段６と、を備えた構成になっている。なお、図１（ａ）の制御手段６は燃焼炉３も制御する。つまり、図１（ａ）では、一つの制御手段６が水素供給手段４と燃焼炉３の双方を制御する方式になっているが、この水素供給手段４と燃焼炉３は別構成の制御手段によって制御しても良い。
【００１８】
前記複数のプロセス装置Ｐはいずれも、プロセスチャンバＣＨとこれに接続された真空ポンプＰＭを備えている。プロセスチャンバＣＨでは、プロセスガスが導入され、そのプロセスガスによる所定の処理が行われる。この処理に使用された前記プロセスガスや、その処理による反応で生成されたガス等、少なくともアンモニアを含む排気ガスは、それぞれのプロセスチャンバＣＨから真空ポンプＰＭを介して前記マニホールド２へ排出される。この種のプロセス装置Ｐの具体例は、半導体製造装置におけるＣＶＤプロセス装置である。
【００１９】
前記マニホールド２には、前記のように複数のプロセス装置Ｐから各々排出された排気ガスが集められて混合する構成になっている。このマニホールド２での排気ガスの混合方式としては、例えば、真空ポンプＰＭからマニホールド２に圧送されてくる排気ガスそれ自身の気流を利用して混合する方式を採用してもよいし、排気ガスの混合に必要な気流をマニホールド２内に強制的に発生させる装置を使用してもよい。
【００２０】
前記燃焼炉３は、例えば図示しない起動スイッチのＯＮにより、炉内への空気とパイロットガスの供給が始まり、図示しない点火スイッチのＯＮにより、前記パイロットガスが種火として燃焼する構成になっている。
【００２１】
また、この燃焼炉３は、下記式１の反応によって排気ガス（特に、排気ガス中のアンモニア）を除害する。この除害の反応では、後で詳細に説明するが、第１の例として、排気ガス中に含まれている水素のみを使用する場合、第２の例として、水素供給手段４から導入された水素のみを使用する場合、第３の例として、その双方の水素（排気ガス中に含まれている水素と水素供給手段４から導入された水素）を使用する場合がある。
【００２２】
《式１》
２ＮＨ３  →  Ｎ２＋３Ｈ２
【００２３】
前記水素供給手段４は、水素を蓄積した図示しないタンクと前記マニホールド２を接続する経路の途中に設けたバルブＢ１を有し、かつ、制御手段６からの開閉信号に基づき前記バルブＢ１を開閉し、図示しないタンクから当該バルブＢ１を介してマニホールド２内へ水素を供給する。
【００２４】
前記ガスセンサ５は、少なくともアンモニアと水素の濃度を測定し、その測定情報を制御手段６へ出力する。図１（ａ）の除害装置１Ａでは、マニホールド２と燃焼炉３を接続するガス配管に当該ガスセンサ５を設置することにより、そのガス配管を流れる排気ガス中のアンモニアと水素の濃度比率を検出できるようにしているが、これとは別に、マニホールド２内に当該ガスセンサ５を設置する構成を採用してもよいし、また、前記のようなガス配管とマニホールド２内の双方に前記ガスセンサ５を設置する構成を採用することも可能である。
【００２５】
前記制御手段６は、ガスセンサ５からの測定情報に基づき、水素供給手段４から燃焼炉３への水素の導入量を設定する機能を有している。この設定機能をより具体的に説明すると、ガスセンサ５での測定情報より得られるアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下のとき、前記制御手段６は、除害装置１Ａへの水素の導入量を０に設定する一方、それ以外のとき、前記制御手段６は、燃焼炉３でのアンモニアと水素の濃度比率が２以下となるように、除害装置１Ａへの水素の導入量を設定する。
【００２６】
前記プロセス装置Ｐにおいては、プロセスチャンバＣＨで使用するプロセスガス中に水素を含んでいる場合や、プロセスチャンバＣＨでの反応により水素が生成される場合もある。この場合、プロセス装置Ｐから排出される排気ガス中にはアンモニアのほか、水素も含まれている。このため、その排気ガス中のアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下であるなら、アンモニアの除害に必要十分な水素が存在するため、前記制御手段６は除害装置１Ａへの水素の導入量を０に設定する。したがって、この場合には、排気ガス中に含まれている水素のみを使用して、排気ガス中のアンモニアを除害することになる。このことは後述する図２（ａ）、図３（ａ）の除害装置１Ｂ、１Ｃでも同様である。
【００２７】
この一方、プロセス装置Ｐから排出される排気ガス中に水素が含まれていない場合もある。この場合、制御手段６は、排気ガス中に含まれているアンモニアに対する水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下となるように、除害装置１Ａへの水素の導入量を設定する。したがって、この場合には、その設定に従って水素供給手段４から導入された水素のみを使用して、排気ガス中のアンモニアを除害することになる。このことは後述する図２（ａ）、図３（ａ）の除害装置１Ｂ、１Ｃでも同様である。
【００２８】
また、プロセス装置Ｐから排気される排気ガス中に、アンモニアのほか、水素が含まれているものの、そのアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下でない場合もある。この場合、前記制御手段６は、その濃度比率が２以下となるように、除害装置１Ａへの水素の導入量を設定する。従って、この場合は、その設定に従って水素供給手段４から導入された水素と、排気ガス中に含まれている水素との双方を使用して、排気ガス中のアンモニアを除害することになる。このことは後述する図２（ａ）、図３（ａ）の除害装置１Ｂ、１Ｃでも同様である。
【００２９】
前記のように水素の導入量が０に設定された場合は、制御手段６から水素供給手段４に対しバルブＢ１を閉とする信号が出力され、該バルブＢ１が閉じられることで、水素供給手段４からマニホールド２内への水素の導入は停止する。
【００３０】
一方、ガスセンサ５での測定情報より得られるアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下でない場合は、制御手段６から水素供給手段４に対してバルブＢ１を開とする信号が出力され、当該バルブＢ１が開となることにより、水素供給手段４からマニホールド２内へ水素が導入される。
【００３１】
図１（ｂ）は、同図（ａ）の制御手段６における処理動作のフローチャート図である。
【００３２】
図１（ｂ）のフローチャートは、例えば、同図（ａ）の制御手段６がＣＰＵを備え、かつ、ＣＰＵによる一連の処理動作として実行されるものであり、前述した燃焼炉３の起動スイッチ（図示省略）ＯＮをトリガとしてスタートする。なお、このフローチャートのスタート時に、ガスセンサ５は測定動作を開始する。
【００３３】
図１（ｂ）のフローチャートによると、同図（ａ）の制御手段６は、最初に、ガスセンサ５からの測定情報を読取り（ステップ１００）、次に、その読取った測定情報よりアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）を算出するとともに、その濃度比率が閾値“２”以下か否かを判定する（ステップ１０２）。
【００３４】
そして、前記ステップ１０２において、濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が閾値“２”以下である場合には、アンモニアの除害に必要十分な水素が存在するため、図１（ａ）の制御手段６は、除害装置１Ａへの水素の導入量を０に設定し、このフローチャートの処理は終了する（ステップ１０２のＹＥＳ）。
【００３５】
この一方、前記ステップ１０２において、濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が閾値“２”以下でない場合は、アンモニアの除害に必要な水素が不足しているため、図１（ａ）の制御手段６は、水素供給手段４に対してバルブＢ１を開とする信号を出力し（ステップ１０４のＮＯ）、ステップ１００に戻る。前記バルブＢ１の開により、水素供給手段４からマニホールド２を介して除害装置１Ａの燃焼炉３に水素が所定量導入される（ステップ１０４のＮＯ）。
【００３６】
前記ステップ１００、１０２、１０４の処理が繰り返し行われることで、濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が閾値“２”以下になると、アンモニアの除害に必要十分な水素が存在することとなったので、制御手段６は、水素供給手段４に対してバルブＢ１を閉とする信号を出力し、このフローチャートの処理を終了する（ステップ１０２のＹＥＳ）。
【００３７】
以上説明した第１の実施形態の除害装置１Ａによると、その具体的な構成として、前記の通り、ガスセンサ５が、排気ガス中のアンモニアと水素の濃度を測定し、その測定情報を制御手段６へ出力する構成、および、制御手段６が、ガスセンサ５からの測定情報に基づき、除害装置１Ａへの水素の導入量を設定する構成を採用したため、排気ガス中のアンモニア量に変動が生じた場合でも、その変動に応じて、排気ガス中のアンモニアを水素との反応で適切に除害することができる。
【００３８】
図２（ａ）は、本発明の第２の実施形態である除害装置の機器構成を示したブロック図である。
【００３９】
この図２（ａ）の除害装置１Ｂもまた、少なくともアンモニアを含む排気ガスの除害装置として構成したものである。なお、その具体的な機器構成として、排気ガスを排出する複数のプロセス装置Ｐの下流に接続したマニホールド２と、排気ガスを除害する燃焼炉３と、除害装置１Ｂに水素を導入する水素供給手段４と、水素供給手段４を制御する制御手段６と、を備えるとともに、前記プロセス装置Ｐと前記燃焼炉３が前記マニホールド２を介してガス配管で接続される点は、先に説明した図１（ａ）の除害装置１Ａと同様であるため、図２（ａ）において図１（ａ）と同一部材には同一の符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００４０】
図２（ａ）の除害装置１Ｂが図１（ａ）の除害装置１Ａと異なる点は、前記除害装置１Ｂに導入するガスのガス情報を出力する出力手段として、プロセス装置Ｐごとにマスフローコントローラ７を備える点である。
【００４１】
これらのマスフローコントローラ７は、ガス情報として、プロセス装置Ｐで使用する各種ガスのうち、少なくとも水素とアンモニアの流量を入力する手段と、その入力されたガス情報（少なくとも水素とアンモニアの流量）を出力する手段と、を備えている。
【００４２】
前記マスフローコントローラ７は、それぞれのプロセス装置Ｐに付属している場合もあり、この場合はその付属のマスフローコントローラを使用することができるし、また、マスフローコントローラ７を別途後付で設けることもできる。
【００４３】
図２（ａ）の除害装置１Ｂにおいて、制御手段６は、マスフローコントローラ７からのガス情報に基づき、水素供給手段４から除害装置１Ｂへの水素の導入量を設定する機能を有している。この設定機能をより具体的に説明すると、マスフローコントローラ７のガス情報より得られるアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下のとき、制御手段６は、除害装置１Ｂへの水素の導入量を０に設定する一方、それ以外のとき、前記制御手段６は、燃焼炉３でのアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が２以下となるように、除害装置１Ｂへの水素の導入量を設定するものである。この場合の水素の導入量は、例えば、マスフローコントローラ７のガス情報より得られる現在のアンモニアと水素の濃度比率、及び、水素供給手段４からの水素の供給流量などに基づいて、算出することができる。
【００４４】
図２（ｂ）は、同図（ａ）の制御手段６における処理動作のフローチャート図である。
【００４５】
図２（ｂ）のフローチャートは、例えば、図２（ａ）の制御手段６がＣＰＵを備え、かつ、ＣＰＵによる一連の処理動作として実行されるものであり、前述した燃焼炉の起動スイッチ（図示省略）ＯＮをトリガとしてスタートする。なお、このフローチャートのスタート時に、マスフローコントローラ７にはガス情報が入力されている。
【００４６】
図２（ｂ）のフローチャートによると、図２（ａ）の制御手段６は、最初に、全てのプロセス装置Ｐのマスフローコントローラ７からその出力であるガス情報（少なくとも水素とアンモニアの流量）を読取り、読取った出力（ガス情報）をまとめる。このまとめは具体的には、読取ったガス情報に含まれている水素とアンモニアそれぞれの流量を積算するものである（ステップ２００）。次に、前記水素とアンモニアそれぞれの流量積算値、すなわち、複数のプロセス装置Ｐからの出力（ガス情報）をまとめた情報よりアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）を算出するとともに、その濃度比率が閾値“２”以下か否かを判定する（ステップ２０２）。
【００４７】
そして、前記ステップ２０２において、濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が閾値“２”以下である場合には、アンモニアの除害に必要十分な水素が存在するため、図２（ａ）の制御手段６は、除害装置１Ｂへの水素の導入量を０に設定する（ステップ２０２のＹＥＳ）。
【００４８】
この一方、前記ステップ２０２において、濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が閾値“２”以下でない場合は、アンモニアの除害に必要な水素が不足しているため、図２（ａ）の制御手段６は、水素供給手段４に対してバルブＢ１を開とする信号を出力し（ステップ２０４のＮＯ）、ステップ２００に戻る。前記バルブＢ１の開により、水素供給手段４からマニホールド２を介して除害装置１Ｂの燃焼炉３に水素が所定量導入される（ステップ２０４のＮＯ）。
【００４９】
前記ステップ２００、２０２、２０４の処理が繰り返し行われることで、濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が閾値“２”以下になると、アンモニアの除害に必要十分な水素が存在することとなったので、制御手段６は、水素供給手段４に対してバルブＢ１を閉とする信号を出力し、このフローチャートの処理を終了する（ステップ２０２のＹＥＳ）。
【００５０】
図３（ａ）は、本発明の第３の実施形態である除害装置の機器構成を示したブロック図である。
【００５１】
図３（ａ）の除害装置１Ｃもまた、少なくともアンモニアを含む排気ガスの除害装置として構成したものである。図２（ａ）の除害装置１Ｂは、複数のプロセス装置Ｐから排出される排気ガスをマニホールド２に集め、マニホールド２から燃焼炉３へ排気ガスを送るように構成したものであり、プロセス装置Ｐと燃焼炉３がマニホールド２を介してガス配管で接続される構成であったが、図３（ａ）の除害装置１Ｃは、前記マニホールド２を省略し、プロセス装置Ｐと燃焼炉３をガス配管で接続することにより、複数のプロセス装置Ｐの下流に燃焼炉３が接続され、それぞれのプロセス装置Ｐから燃焼炉３に排気ガスを直接送るように構成したものである。
【００５２】
また、この図３（ａ）の除害装置１Ｃでは、マニホールド２を省略しているので、それぞれのプロセス装置Ｐと燃焼炉３とを接続するガス配管の途中にバルブＢ１を設け、このバルブＢ１を介して水素供給手段４が図示しないタンクから前記ガス配管に水素を供給するように構成してある。
【００５３】
更に、この図３（ａ）の除害装置１Ｃでは、前記のようにマニホールド２が省略されていることとの関係より、プロセス装置Ｐから燃焼炉３までの一連の排気ガスのガス配管系統がプロセス装置Ｐごとに独立していることと、これに対応して制御手段６をプロセス装置Ｐごとに設けている点が、図２（ａ）の除害装置１Ｂとは異なっている。
【００５４】
なお、図３（ａ）の除害装置１Ｃについて以上説明した構成以外の他の構成は、先に説明した図２（ａ）の除害装置１Ｂと同様であるため、図３（ａ）において図２（ａ）と同一部材には同一符号を付し、その詳細説明は省略する。
【００５５】
図３（ｂ）は、同図（ａ）の制御手段６における処理動作のフローチャート図である。
【００５６】
図３（ｂ）のフローチャートは、例えば、図３（ａ）の制御手段６がＣＰＵを備え、かつ、ＣＰＵによる一連の処理動作として実行されるものであり、前述した燃焼炉３の図示しない起動スイッチのＯＮをトリガとしてスタートする。なお、このフローチャートのスタート時に、マスフローコントローラ７にはガス情報が入力されている。
【００５７】
図３（ｂ）のフローチャートによると、図３（ａ）の各制御手段６は、最初にマスフローコントローラ７からその出力であるガス情報（少なくとも水素とアンモニアの流量）を読取り（ステップ３００）、次に、読取ったガス情報よりアンモニアと水素の濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）を算出するとともに、その濃度比率が閾値“２”以下か否かを判定する（ステップ３０２）。
【００５８】
そして、前記ステップ３０２において、濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が閾値“２”以下である場合には、アンモニアの除害に必要十分な水素が存在するため、図３（ａ）の制御手段６は、水素供給手段４から燃焼炉３への水素の導入量を０に設定する（ステップ３０２のＹＥＳ）。
【００５９】
この一方、前記ステップ３０２において、濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が閾値“２”以下でない場合は、アンモニアの除害に必要な水素が不足しているため、図３（ａ）の各制御手段６は、水素供給手段４に対してバルブＢ１を開とする信号を出力し（ステップ３０４のＮＯ）、ステップ３００に戻る。前記バルブＢ１の開により、水素供給手段４から燃焼炉３に水素が所定量導入される（ステップ３０４のＮＯ）。
【００６０】
前記ステップ３００、３０２、３０４の処理が繰り返し行われることで、濃度比率（アンモニアの濃度／水素の濃度）が閾値“２”以下になると、アンモニアの除害に必要十分な水素が存在することとなったので、各制御手段６は、水素供給手段４に対してバルブＢ１を閉とする信号を出力し、このフローチャートの処理を終了する（ステップ３０２のＹＥＳ）。
【００６１】
以上説明した第２及び第３の実施形態の除害装置１Ｂ、１Ｃによると、その具体的な構成として、前記の通り、マスフローコントローラ７（出力手段）が、プロセス装置Ｐで使用されるガス情報として、少なくとも水素とアンモニアの流量を出力する構成、および、制御手段６が、マスフローコントローラ７（出力手段）からのガス情報に基づき、水素供給手段４から燃焼炉３への水素の導入量を設定する構成を採用したため、排気ガス中のアンモニア量に変動が生じた場合でも、その変動に応じて、排気ガス中のアンモニアを水素との反応で適切に除害することができる。
【００６２】
なお、前記ガス情報はプロセス装置Ｐのマスフローコントローラ７からの情報としたが、除害装置１Ｂ、１Ｃに導入されるガスのガス情報が分かればよく、これに限定しない。例えば、除害装置１Ｂ、１Ｃに至る配管に取付けた図示しない流量計などからのガス情報を使用しても良い。
【符号の説明】
【００６３】
１Ａ、１Ｂ、１Ｃ  除害装置
２  マニホールド
３  燃焼炉
４  水素供給手段
５  ガスセンサ
６  制御手段
７  マスフローコントローラ
Ｂ１  バルブ
Ｐ  プロセス装置
ＣＨ  プロセスチャンバ
ＰＭ  真空ポンプ
【図１】
2014126342.tif 000003
【図２】
2014126342.tif 000004
【図３】
2014126342.tif 000005