(57)【要約】【課題】加熱された際の金属支持体と絶縁層との間の剥離を抑制することができる絶縁放熱基板および配線基板の提供。【解決手段】金属支持体と絶縁層との界面は、平均開口径０．０１μｍ超０．５μｍ以下の小波構造と、平均開口径５μｍ超１００μｍ以下の大波構造および平均開口径０．５μｍ超５μｍ以下の中波構造の少なくとも１つとが重畳された形状を有し、原子間力顕微鏡を用いて、界面の５μｍ×５μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから波長０．０２μｍ以上０．２μｍ以下の成分を抽出して得られるデータにおける傾斜度４５°以上の部分の面積率である急峻度ａ４５5(0.02-0.2)が、２０％以上である絶縁放熱基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属支持体と、前記金属支持体の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁放熱基板であって、
前記絶縁層は、体積固有抵抗が１０5Ω・ｃｍ以上であり、
前記金属支持体と前記絶縁層との界面は、平均開口径０．０１μｍ超０．５μｍ以下の小波構造と、平均開口径５μｍ超１００μｍ以下の大波構造および平均開口径０．５μｍ超５μｍ以下の中波構造の少なくとも１つとが重畳された形状を有し、
原子間力顕微鏡を用いて、前記界面の５μｍ×５μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから波長０．０２μｍ以上０．２μｍ以下の成分を抽出して得られるデータにおける傾斜度４５°以上の部分の面積率である急峻度ａ４５5(0.02-0.2)が、２０％以上であることを特徴とする絶縁放熱基板。
【請求項２】
前記金属支持体と、前記絶縁層との線膨張係数の差が１５ｐｐｍ／℃〜２２ｐｐｍ／℃である請求項１に記載の絶縁放熱基板。
【請求項３】
前記絶縁層は、樹脂層である請求項１または２に記載の絶縁放熱基板。
【請求項４】
前記金属支持体と前記絶縁層との界面は、前記小波構造と前記中波構造と前記大波構造とが重畳された形状である請求項１〜３のいずれか１項に記載の絶縁放熱基板。
【請求項５】
前記金属支持体と前記絶縁層との界面の、前記小波構造のピットの１０％以上が略正方形または略長方形である請求項１〜４のいずれか１項に記載の絶縁放熱基板。
【請求項６】
前記金属支持体は、アルミニウムまたは銅である請求項１〜５のいずれか１項に記載の絶縁放熱基板。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれか１項に記載の絶縁放熱基板と、前記絶縁放熱基板の前記絶縁層上に設けられる、発熱性電気素子および前記発熱性電気素子への電気信号伝送のための金属配線層とを有する配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子や半導体等に用いられる絶縁放熱基板、および、これを用いた配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ＬＥＤ素子や半導体等の発熱性電気素子の基板として、金属支持体上に絶縁層を形成してなる絶縁放熱基板が用いられている。
絶縁放熱基板の絶縁層としては、主に樹脂層が用いられるが、金属支持体と樹脂層との密着が悪いという問題があった。そのため、金属支持体の表面を粗面化してアンカー効果により樹脂層との密着性を向上させることが行われている。
【０００３】
例えば、特許文献１には、『一主面に導体回路が形成された絶縁性基板と、放熱板とを含んで構成されたモジュール用基板であって、放熱板には、半導体素子を、接合層を介して直接搭載するための領域が確保され、絶縁性基板は、少なくとも導体回路が形成された部分を含む領域に、２以上に分割されて設けられているとともに、放熱板と接着層を介して接合され、さらに、放熱板は、常温〜３００℃における熱伝導率が１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の金属又は合金からなり、接合層及び接着層との界面に粗化面が形成されるとともに、その内部に冷却媒体を循環させるための流路が設けられていることを特徴とするモジュール用基板。』が記載されている（請求項１参照）。
【０００４】
また、特許文献２には、『粗面化する方法としては、バフ、スクラブ等で機械的に表面を削って粗面化する方法や、硫酸及び過酸化水素を含む粗面化処理液や過硫酸アンモニウムを含む粗面化処理液等で化学的に表面をエッチングしたり酸化して粗面化する』ことが記載されている（段落［００１９］参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−０３７２３１号公報
【特許文献２】特開平１０−１５４７７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明者らは、従来の、金属支持体と絶縁層（樹脂層）との界面が粗面に形成された絶縁放熱基板について検討を行ったところ、発熱性電気素子の基板として用いられる絶縁放熱基板は、発熱性電気素子の発熱により加熱されるため、金属支持体と樹脂層との界面が粗面に形成されていても、金属支持体と樹脂層との、熱による膨張率の差（線膨張係数の差）により、金属支持体と樹脂層との間で剥離が生じることわかった。
【０００７】
そこで、本発明は、加熱された際の金属支持体と絶縁層との間の剥離を抑制することができる絶縁放熱基板および配線基板を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意検討した結果、金属支持体と絶縁層との界面を、特定の平均開口径からなる２種以上の波構造を重畳させた表面を有する構造とすることにより、熱による層間剥離を抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、以下の（１）〜（７）を提供する。
【０００９】
（１）金属支持体と、金属支持体の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁放熱基板であって、
絶縁層は、体積固有抵抗が１０5Ω・ｃｍ以上であり、
金属支持体と絶縁層との界面は、平均開口径０．０１μｍ超０．５μｍ以下の小波構造と、平均開口径５μｍ超１００μｍ以下の大波構造および平均開口径０．５μｍ超５μｍ以下の中波構造の少なくとも１つとが重畳された形状を有し、
原子間力顕微鏡を用いて、界面の５μｍ×５μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから波長０．０２μｍ以上０．２μｍ以下の成分を抽出して得られるデータにおける傾斜度４５°以上の部分の面積率である急峻度ａ４５5(0.02-0.2)が、２０％以上であることを特徴とする絶縁放熱基板。
【００１０】
（２）金属支持体と、絶縁層との線膨張係数の差が１５ｐｐｍ／℃〜２２ｐｐｍ／℃である（１）に記載の絶縁放熱基板。
【００１１】
（３）絶縁層は、樹脂層である（１）または（２）に記載の絶縁放熱基板。
【００１２】
（４）金属支持体と絶縁層との界面は、小波構造と中波構造と大波構造とが重畳された形状である（１）〜（３）のいずれかに記載の絶縁放熱基板。
【００１３】
（５）金属支持体と絶縁層との界面の、小波構造のピットの１０％以上が略正方形または略長方形である（１）〜（４）のいずれかに記載の絶縁放熱基板。
【００１４】
（６）金属支持体は、アルミニウムまたは銅である（１）〜（５）のいずれかに記載の絶縁放熱基板。
【００１５】
（７）（１）〜（６）のいずれかに記載の絶縁放熱基板と、絶縁放熱基板の絶縁層上に設けられる、発熱性電気素子および発熱性電気素子への電気信号伝送のための金属配線層とを有する配線基板。
【発明の効果】
【００１６】
以下に説明するように、本発明によれば、加熱された際の金属支持体と絶縁層との間の剥離を抑制することができる絶縁放熱基板および配線基板を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の絶縁放熱基板の一例を概念的に示す断面図である。
【図２】図１に示す絶縁放熱基板の界面の形状を概念的に示す断面図である。
【図３】（Ａ）および（Ｂ）は、図１に示す絶縁放熱基板の効果を説明するための、界面の形状を概念的に示す断面図である。
【図４】本発明の絶縁放熱基板の作製における電気化学的粗面化処理に用いられる交番波形電流波形図の一例を示すグラフである。
【図５】本発明の絶縁放熱基板の作製における交流を用いた電気化学的粗面化処理におけるラジアル型セルの一例を示す概略図である。
【図６】本発明の絶縁放熱基板を用いる本発明の配線基板の一例を概念的に示す断面図である。
【図７】機械粗面化処理に用いられる装置を概念的に示す側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
［絶縁放熱基板］
以下に、本発明の絶縁放熱基板の構成について、詳細に説明する。
本発明の絶縁反射基板は、金属支持体と、金属支持体の表面の少なくとも一部に設けられる絶縁層とを有する絶縁放熱基板であって、絶縁層は、体積固有抵抗が１０5Ω・ｃｍ以上であり、金属支持体と絶縁層との界面は、平均開口径０．０１μｍ超０．５μｍ以下の小波構造と、平均開口径５μｍ超１００μｍ以下の大波構造および平均開口径０．５μｍ超５μｍ以下の中波構造の少なくとも１つとが重畳された形状を有し、原子間力顕微鏡を用いて、界面の５μｍ×５μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから波長０．０２μｍ以上０．２μｍ以下の成分を抽出して得られるデータにおける傾斜度４５°以上の部分の面積率である急峻度ａ４５5(0.02-0.2)が、２０％以上である絶縁反射基板である。
以下に、本発明の絶縁反射基板の構成について、図１〜３を用いて説明する。
【００１９】
図１は、本発明の絶縁放熱基板の一例を概念的に示す断面図である。なお、絶縁放熱基板の構成は、図示例に特に限定されるものではなく、例えば、必要に応じて、各層間にプライマー層や接着層を設けていてもよい。
図１に示すように、本発明の絶縁放熱基板３０は、金属支持体３２と、金属支持体３２上に積層される絶縁層としての樹脂層３４とを有する。
【００２０】
＜界面形状＞
図２は、金属支持体３２と樹脂層３４との界面を拡大して示す断面図である。
図２に示すように、絶縁放熱基板３０は、金属支持体３２と樹脂層３４との界面の構造が、平均開口径０．０１μｍ超０．５μｍ以下の小波構造３と、平均開口径０．５μｍ超５μｍ以下の中波構造２と、平均開口径５μｍ超１００μｍ以下の大波構造１と、が重畳された形状を有し、急峻度ａ４５5(0.02-0.2)が、２０％以上である。
ここで、急峻度ａ４５5(0.02-0.2)は、界面における波構造（主に小波構造３）のとがり具合を表すファクターである。すなわち、急峻度ａ４５が２０％以上であることは、界面に垂直な方向の断面における小波構造３のピット形状が長方形（正方形）に近い形状であることを意味する。
本発明の絶縁放熱基板３０は、このような界面形状を有することにより、加熱された際の、金属支持体３２と樹脂層３４との間の剥離を抑制することができる。
なお、急峻度ａ４５5(0.02-0.2)については、後に詳述する。
【００２１】
上記の界面形状による効果について、図３を用いてより詳しく説明する。
図３（Ａ）は、急峻度ａ４５が小さい、従来の絶縁放熱基板１３０の場合の、金属支持体１３２と樹脂層１３２との界面の断面を拡大して示す模式図であり、（Ｂ）は、急峻度ａ４５が大きい場合（本発明の絶縁放熱基板３０）の、金属支持体３２と樹脂層３４との界面の断面を拡大して示す模式図である。
図３（Ａ）に示すように、急峻度ａ４５が小さい場合には、ピットがなだらかに連続しているため、大きな領域で膨張量の差Ｐ１が表れる。そのため、金属支持体１３２と樹脂層１３４との膨張率（線膨張係数）に差があると、金属支持体１３２と樹脂層１３４との膨張量の差Ｐ１が大きくなり、剥離が発生する。
【００２２】
これに対して、図３（Ｂ）に示すように、急峻度ａ４５が大きい場合は、ピットが急峻に立ち上がっているため、ピットによって微小な領域に区切られたような状態になる。そのため、金属支持体３２と樹脂層３４との膨張率に差があっても、微小な領域ごとの膨張量の差Ｐ２は小さくなる。
このように、平均開口径が小さい小波構造３のピットの急峻度ａ４５を上記の範囲とすることで、金属支持体３２と樹脂層３４の膨張量の差を小さくすることができ、加熱された際の、金属支持体３２と樹脂層３４との間の剥離を抑制することができる。
【００２３】
なお、金属支持体３２の線膨張係数と、樹脂層３４の線膨張係数との差は、１５ｐｐｍ／℃〜２２ｐｐｍ／℃であることが好ましい。
線膨張係数の差が１５ｐｐｍ／℃以上の場合には、金属支持体３２と樹脂層３４との界面で熱による剥離が発生しやすくなるため、本発明の絶縁放熱基板を好適に用いることができる。
また、線膨張係数の差を２２ｐｐｍ／℃以下とすることにより、本発明の効果との相乗効果で、金属支持体３２と樹脂層３４の膨張量の差を小さくして、熱による剥離の発生を抑制することができる。
【００２４】
また、図示例の絶縁放熱基板３０は、界面の形状を、小波構造３と中波構造２と大波構造１とが重畳された構造としたが、本発明は、これに限定はされず、小波構造３と中波構造２とが重畳された構造としてもよいし、小波構造３と大波構造１とが重畳された構造としてもよい。
なお、金属支持体３２と樹脂層３４との密着性がより向上する点で、小波構造３と中波構造２と大波構造１とが重畳された構造とするのがより好ましい。
【００２５】
ここで、上記大波構造、上記中波構造および上記小波構造の平均開口径の測定方法は、以下の通りである。
（１）大波構造の平均開口径（平均波長）
触針式粗さ計で２次元粗さ測定を行い、ＩＳＯ４２８７に規定されている平均山間隔Ｓmを５回測定し、その平均値を平均開口径とする。
（２）中波構造の平均開口径
高分解能走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてアルミニウム基材の表面を真上から倍率２０００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真において、周囲が環状に連なっている中波構造のピット（凹凸）を少なくとも５０個抽出し、その直径を読み取って開口径とし、平均開口径を算出する。
（３）小波構造の平均開口径
高分解能走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてアルミニウム基材の表面を真上から倍率５００００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真において、小波構造のピット（凹凸）を少なくとも５０個抽出し、その直径を読み取って開口径とし、平均開口径を算出する。
【００２６】
本発明においては、上記大波構造は、金属支持体と樹脂層との接触面積が増加して密着性がより良好となることから、平均開口径が７〜７５μｍであるのが好ましく、平均開口径が１０〜５０μｍであるのがより好ましい。
また、上記中波構造は、金属支持体と樹脂層との接触面積が増加して密着性がより良好となることから、平均開口径が０．７〜４μｍであるのが好ましく、平均開口径が１〜３μｍであるのがより好ましい。
更に、上記小波構造は、加熱された際の、金属支持体３２と樹脂層３４との間の膨張量の差を小さくすることができ、密着性を向上できることから、平均開口径が０．０１５〜０．４μｍであるのが好ましく、平均開口径が０．０２〜０．３μｍであるのがより好ましい。また、平均開口径が０．０２μｍ未満の場合には、ピット毎の微細領域が相対的に少なくなり、加熱された際の金属支持体と樹脂層との間の剥離を抑制する効果が小さくなるため、平均開口径は０．０２μｍ以上とするのが好ましい。
【００２７】
ここで、急峻度ａ４５5(0.02-0.2)について説明する。
前述のとおり、ａ４５5(0.02-0.2)は、界面の微細な形状のとがり具合を表すファクターである。具体的には、原子間力顕微鏡を用いて、表面の５μｍ×５μｍの範囲を５１２×５１２点測定して得られる３次元データから近似三点法により得られる実面積Ｓxに対する角度４５°以上の大きさの傾斜（傾斜度４５°以上）を有する部分の面積率である。
【００２８】
本発明においては、急峻度ａ４５5(0.02-0.2)を求めるために、原子間力顕微鏡（Ａｔｏｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｅ：ＡＦＭ）により表面形状を測定し、３次元データを求める。測定は、例えば、以下の条件で行うことができる。
すなわち、樹脂層を溶剤等により除去した金属支持体を１ｃｍ角の大きさに切り取って、ピエゾスキャナー上の水平な試料台にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、ＸＹ方向にスキャンし、その際、試料の表面形状（波構造）をＺ方向のピエゾの変位でとらえる。ピエゾスキャナーは、ＸＹ方向について１５０μｍ、Ｚ方向について１０μｍ、走査可能なものを使用する。カンチレバーは共振周波数１２０〜４００ｋＨｚ、バネ定数１２〜９０Ｎ／ｍのもの（ＳＩ−ＤＦ２０、セイコーインスツルメンツ社製、ＮＣＨ−１０、ＮＡＮＯＳＥＮＳＯＲＳ社製、または、ＡＣ−１６０ＴＳ、オリンパス社製）を用い、ＤＦＭモード（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｏｄｅ）で測定する。また、求めた３次元データを最小二乗近似することにより試料のわずかな傾きを補正し基準面を求める。計測の際は、表面の５μｍ×５μｍの範囲を５１２×５１２点測定する。ＸＹ方向の分解能は０．０１μｍ、Ｚ方向の分解能は０．１５ｎｍ、スキャン速度は５μｍ／ｓｅｃとする。
【００２９】
上記で求められた３次元データ（ｆ（ｘ，ｙ））を用い、隣り合う３点を抽出し、その３点で形成される微小三角形の面積の総和を求め、実面積Ｓxとする。
ａ４５5(0.02-0.2)の算出には、上記で求められた表面の５μｍ×５μｍの測定に基づく３次元データから波長０．０２μｍ以上０．２μｍ以下の成分を抽出したものを用いる。波長０．０２μｍ以上０．２μｍ以下の成分の抽出は、上記で求められた３次元データを高速フーリエ変換をして周波数分布を求め、ついで、波長０．０２μｍ未満の成分および波長０．２μｍを超える成分を除去した後、フーリエ逆変換をすることにより行う。
波長０．０２μｍ以上０．２μｍ以下の成分を抽出した三次元データ（ｆ（ｘ，ｙ））を用い、各基準点と所定の方向（例えば、右と下）の隣接する２点との３点で形成される微小三角形と基準面とのなす角を各基準点について算出する。微小三角形の傾斜度が４５度以上の基準点の個数を、全基準点の個数（全データの個数である５１２×５１２点から所定の方向の隣接する２点がない点の個数を減じた個数、すなわち、５１１×５１１点）で除して、傾斜度４５度以上の部分の面積率ａ４５5(0.02-0.2)を算出する。
【００３０】
また、金属支持体３２と樹脂層３４との界面は、界面から垂直な方向から見た際に、小波構造３のピットのうち１０％以上が、略正方形または略長方形であることが好ましい。小波構造３のピットの性状が上記を満たすと、ａ４５5(0.02-0.2)が２０％以上となりやすい。
【００３１】
上述したピットの性状の測定方法は、以下の通りである。
高分解能走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いて支持体の表面を真上から倍率５００００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真において平均円相当径０．５μｍ以下のピットの総数を数える。ついで、ＳＥＭ写真において、真円でないピットであって、角部の曲率半径（Ｒ）がそのピットの円相当径の１／４以下であるものを略正方形または長方形であるとして、その個数を数える。略正方形または長方形のピットの個数を平均円相当径０．５μｍ以下のピットの総数で除して、略正方形または長方形のピットの割合を算出する。
【００３２】
＜金属支持体＞
金属支持体としては、アルミニウム基板、銅基板、鋼板、等を利用することができる。特に、放熱性が良好である等の点で、アルミニウム基板、銅基板が好適に用いられる。
また、金属支持体の厚みは、その形状や用途等によっても左右されるため特に限定されない。
【００３３】
アルミニウム基板としては、公知のアルミニウム基板を用いることができる。ここでアルミニウム基板は、寸度的に安定なアルミニウムを主成分とする金属であり、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる。純アルミニウム板のほか、アルミニウムを主成分とし微量の異元素を含む合金板を用いることもできる。
【００３４】
このように金属支持体として用いられるアルミニウム基板は、その組成が特定されるものではなく、アルミニウムの純度は特に問わないが、通常板材として用いられる１０００系、３０００系、５０００系の合金を用いることができる。
【００３５】
アルミニウム合金を板材に製造する方法、ＤＣ鋳造法、連続鋳造法、アルミニウム基板の表面の結晶組織、アルミニウム基板の金属間化合物については、国際公開ＷＯ２０１０／１５０８１０号の段落［００３９］〜［００５０］に記載されている。
【００３６】
また、銅基板としては、公知の銅基板を用いることができる。銅基板は、寸度的に安定な銅を主成分とする金属であればよく、純銅板のほか、銅合金板を用いることもできる。
【００３７】
本発明の絶縁放熱基板は、例えば、金属支持体に粗面化処理を含む表面処理を行い、樹脂層を積層することによって得ることができる。
【００３８】
＜表面処理＞
上記金属支持体を製造する際の表面処理は、少なくとも粗面化処理を含む処理であれば、粗面化処理以外の各種の工程を含んでいてもよい。
上述した表面形状を形成させるための代表的方法として、例えば、金属支持体にアルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理および電解液を用いた電気化学的粗面化処理を順次施す方法；金属支持体にアルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理および異なる電解液を用いた電気化学的粗面化処理を複数回施す方法；金属支持体に機械的粗面化処理、アルカリエッチング処理、酸によるデスマット処理および電解液を用いた電気化学的粗面化処理を順次施す方法；等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されない。これらの方法において、電気化学的粗面化処理の後、更に、アルカリエッチング処理および酸によるデスマット処理を施してもよい。
【００３９】
具体的には、他の処理（アルカリエッチング処理等）の条件にもよるが、大波構造および小波構造が重畳した表面形状を形成させるには、例えば、機械的粗面化処理を施した後、塩酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理を施す方法；硝酸を主体とする電解液を用い、周波数を小さくした電気化学的粗面化処理を施した後、塩酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理を施す方法；塩酸を主体とする電解液を用い、アノード反応にあずかる電気量の総和を大きくした電気化学的粗面化処理のみを施して一括して形成する方法；等が好適に挙げられる。
また、中波構造および小波構造が重畳した表面形状を形成させるには、例えば、硝酸を主体とする電解液を用い、周波数および電気量を大きくした電気化学的粗面化処理を施した後、塩酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理を施す方法；硝酸を主体とする電解液を用い、周波数および電気量を大きくした電気化学的粗面化処理を施した後、塩酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理を施す方法；硝酸を主体とする電解液を用い、周波数および電気量を大きくした電気化学的粗面化処理を施した後、塩酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理を施す方法；等が好適に挙げられる。
また、大波構造、中波構造および小波構造が重畳した表面形状を形成させるには、例えば、上述した方法により大波構造および中波構造を重畳した表面形状を形成した後に、塩酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理を施す方法が好適に挙げられる。
以下、表面処理の各工程について、詳細に説明する。
【００４０】
（機械的粗面化処理）
機械的粗面化処理は、電気化学的粗面化処理と比較してより安価に、平均開口径５〜１００μｍの凹凸のある表面を形成することができるため、粗面化処理の手段として有効である。
機械的粗面化処理方法としては、例えば、金属支持体を金属ワイヤーでひっかくワイヤーブラシグレイン法、研磨球と研磨剤で金属支持体表面を砂目立てするボールグレイン法、特開平６−１３５１７５号公報および特公昭５０−４００４７号公報に記載されているナイロンブラシと研磨剤で表面を砂目立てするブラシグレイン法を用いることができる。
また、凹凸面を金属支持体に圧接する転写方法を用いることもできる。即ち、特開昭５５−７４８９８号、特開昭６０−３６１９５号、特開昭６０−３６１９６号、特開昭６０−２０３４９６号、特開昭６１−１６２３５１号、特公平４−３０３５８号の各公報に記載されている方法のほか、転写を数回行うことを特徴とする特開平６−５５８７１号公報、表面が弾性であることを特徴とした特願平４−２０４２３５号明細書（特開平６−０２４１６８号公報）に記載されている方法も適用可能である。
後述するように、ブラシグレイン法では、特にナイロンブラシを複数用いるのが好ましく、研磨剤としては、後述の種々のものを用いることができるが、パミストン、ケイ砂、水酸化アルミニウム等を用いるのが好ましい。また、転写方法では、ブラシを回転させる駆動モータの回転数、負荷等を適宜調整するのが好ましい。
【００４１】
また、放電加工、ショットブラスト、レーザ、プラズマエッチング等を用いて、微細な凹凸を食刻した転写ロールを用いて繰り返し転写を行う方法や、微細粒子を塗布した凹凸のある面を、金属支持体に接面させ、その上より複数回繰り返し圧力を加え、金属支持体に微細粒子の平均直径に相当する凹凸パターンを複数回繰り返し転写させる方法を用いることもできる。転写ロールへ微細な凹凸を付与する方法としては、特開平３−８６３５号、特開平３−６６４０４号、特開昭６３−６５０１７号の各公報等に記載されている公知の方法を用いることができる。また、ロール表面にダイス、バイト、レーザ等を使って２方向から微細な溝を切り、表面に角形の凹凸をつけてもよい。このロール表面には、公知のエッチング処理等を行って、形成させた角形の凹凸が丸みを帯びるような処理を行ってもよい。
また、表面の硬度を上げるために、焼き入れ、ハードクロムメッキ等を行ってもよい。
そのほかにも、機械的粗面化処理としては、特開昭６１−１６２３５１号公報、特開昭６３−１０４８８９号公報等に記載されている方法を用いることもできる。
本発明においては、生産性等を考慮して上述したそれぞれの方法を併用することもできる。これらの機械的粗面化処理は、電気化学的粗面化処理の前に行うのが好ましい。
【００４２】
以下、機械的粗面化処理として好適に用いられるブラシグレイン法について説明する。
ブラシグレイン法は、一般に、円柱状の胴の表面に、ナイロン（商標名）、プロピレン、塩化ビニル樹脂等の合成樹脂からなる合成樹脂毛等のブラシ毛を多数植設したローラ状ブラシを用い、回転するローラ状ブラシに研磨剤を含有するスラリー液を噴きかけながら、上記金属支持体の表面の一方または両方を擦ることにより行う。上記ローラ状ブラシおよびスラリー液の代わりに、表面に研磨層を設けたローラである研磨ローラを用いることもできる。
ローラ状ブラシを用いる場合、曲げ弾性率が好ましくは１０，０００〜４０，０００ｋｇ／ｃｍ2、より好ましくは１５，０００〜３５，０００ｋｇ／ｃｍ2であり、かつ、毛腰の強さが好ましくは５００ｇ以下、より好ましくは４００ｇ以下であるブラシ毛を用いる。ブラシ毛の直径は、一般的には、０．２〜０．９ｍｍである。ブラシ毛の長さは、ローラ状ブラシの外径および胴の直径に応じて適宜決定することができるが、一般的には、１０〜１００ｍｍである。
本発明では、ナイロンブラシは複数本用いるのが好ましく、具体的には、３本以上がより好ましく、４本以上が特に好ましい。ブラシの本数を調整することにより、金属支持体表面に形成される凹部の波長成分を調整できる。
また、ブラシを回転させる駆動モータの負荷は、ブラシローラを金属支持体に押さえつける前の負荷に対して１ｋＷプラス以上が好ましく、２ｋＷプラス以上がより好ましく、８ｋＷプラス以上が特に好ましい。該負荷を調整することにより、金属支持体表面に形成される凹部の深さを調製することができる。ブラシの回転数は、１００回転以上が好ましく、２００回転以上が特に好ましい。
【００４３】
研磨剤は公知の物を用いることができる。例えば、パミストン、ケイ砂、水酸化アルミニウム、アルミナ粉、炭化ケイ素、窒化ケイ素、火山灰、カーボランダム、金剛砂等の研磨剤；これらの混合物を用いることができる。中でも、パミストン、ケイ砂が好ましい。特に、ケイ砂は、パミストンに比べて硬く、壊れにくいので粗面化効率に優れる点で好ましい。また、水酸化アルミニウムは過度の荷重がかかると粒子が破損するため、局所的に深い凹部を生成させたくない場合に好適である。
研磨剤の平均粒径は、粗面化効率に優れ、かつ、砂目立てピッチを狭くすることができる点で、３〜５０μｍであるのが好ましく、６〜４５μｍであるのがより好ましい。研磨剤の平均粒径を調製することにより、金属支持体表面に形成される凹部の深さを調製することができる。
研磨剤は、例えば、水中に懸濁させて、スラリー液として用いる。スラリー液には、研磨剤のほかに、増粘剤、分散剤（例えば、界面活性剤）、防腐剤等を含有させることができる。スラリー液の比重は０．５〜２であるのが好ましい。
機械的粗面化処理に適した装置としては、例えば、特公昭５０−４００４７号公報に記載された装置を挙げることができる。
【００４４】
（電気化学的粗面化処理）
次に、電気化学的粗面化処理について詳細に説明する。
電気化学的粗面化処理（以下、「電解粗面化処理」ともいう。）には、通常の交流を用いた電気化学的粗面化処理に用いられる電解液を用いることができる。中でも、塩酸または硝酸を主体とする電解液を用いるのが、上述した表面形状を得やすいので好ましい。
【００４５】
金属支持体としてアルミニウム基板を用いる場合の、電解粗面化処理は、例えば、特公昭４８−２８１２３号公報および英国特許第８９６，５６３号明細書に記載されている電気化学的グレイン法（電解グレイン法）に従うことができる。この電解グレイン法は、正弦波形の交流電流を用いるものであるが、特開昭５２−５８６０２号公報に記載されているような特殊な波形を用いて行ってもよい。また、特開平３−７９７９９号公報に記載されている波形を用いることもできる。また、特開昭５５−１５８２９８号、特開昭５６−２８８９８号、特開昭５２−５８６０２号、特開昭５２−１５２３０２号、特開昭５４−８５８０２号、特開昭６０−１９０３９２号、特開昭５８−１２０５３１号、特開昭６３−１７６１８７号、特開平１−５８８９号、特開平１−２８０５９０号、特開平１−１１８４８９号、特開平１−１４８５９２号、特開平１−１７８４９６号、特開平１−１８８３１５号、特開平１−１５４７９７号、特開平２−２３５７９４号、特開平３−２６０１００号、特開平３−２５３６００号、特開平４−７２０７９号、特開平４−７２０９８号、特開平３−２６７４００号、特開平１−１４１０９４の各公報に記載されている方法も適用できる。また、前述のほかに、電解コンデンサーの製造方法として提案されている特殊な周波数の交番電流を用いて電解することも可能である。例えば、特開昭５８−２０７４００号公報、米国特許第４，２７６，１２９号明細書および同第４，６７６，８７９号明細書に記載されている。
【００４６】
電解槽および電源については、種々提案されているが、米国特許第４２０３６３７号明細書、特開昭５６−１２３４００号、特開昭５７−５９７７０号、特開昭５３−１２７３８号、特開昭５３−３２８２１号、特開昭５３−３２８２２号、特開昭５３−３２８２３号、特開昭５５−１２２８９６号、特開昭５５−１３２８８４号、特開昭６２−１２７５００号、特開平１−５２１００号、特開平１−５２０９８号、特開昭６０−６７７００号、特開平１−２３０８００号、特開平３−２５７１９９号の各公報等に記載されているものを用いることができる。また、特開昭５２−５８６０２号、特開昭５２−１５２３０２号、特開昭５３−１２７３８号、特開昭５３−１２７３９号、特開昭５３−３２８２１号、特開昭５３−３２８２２号、特開昭５３−３２８３３号、特開昭５３−３２８２４号、特開昭５３−３２８２５号、特開昭５４−８５８０２号、特開昭５５−１２２８９６号、特開昭５５−１３２８８４号、特公昭４８−２８１２３号、特公昭５１−７０８１号、特開昭５２−１３３８３８号、特開昭５２−１３３８４０号号、特開昭５２−１３３８４４号、特開昭５２−１３３８４５号、特開昭５３−１４９１３５号、特開昭５４−１４６２３４号の各公報等に記載されているもの等も用いることができる。
【００４７】
電解液である酸性溶液としては、硝酸、塩酸のほかに、米国特許第４，６７１，８５９号、同第４，６６１，２１９号、同第４，６１８，４０５号、同第４，６００，４８２号、同第４，５６６，９６０号、同第４，５６６，９５８号、同第４，５６６，９５９号、同第４，４１６，９７２号、同第４，３７４，７１０号、同第４，３３６，１１３号、同第４，１８４，９３２号の各明細書等に記載されている電解液を用いることもできる。
【００４８】
酸性溶液の濃度は０．５〜２．５質量％であるのが好ましいが、上記のスマット除去処理での使用を考慮すると、０．７〜２．０質量％であるのが特に好ましい。また、液温は２０〜８０℃であるのが好ましく、３０〜６０℃であるのがより好ましい。
【００４９】
塩酸または硝酸を主体とする水溶液は、濃度１〜１００ｇ／Ｌの塩酸または硝酸の水溶液に、硝酸アルミニウム、硝酸ナトリウム、硝酸アンモニウム等の硝酸イオンを有する硝酸化合物または塩化アルミニウム、塩化ナトリウム、塩化アンモニウム等の塩酸イオンを有する塩酸化合物の少なくとも一つを１ｇ／Ｌから飽和するまでの範囲で添加して使用することができる。また、塩酸または硝酸を主体とする水溶液には、鉄、銅、マンガン、ニッケル、チタン、マグネシウム、シリカ等のアルミニウム基板中に含まれる金属が溶解していてもよい。好ましくは、塩酸または硝酸の濃度０．５〜２質量％の水溶液にアルミニウムイオンが３〜５０ｇ／Ｌとなるように、塩化アルミニウム、硝酸アルミニウム等を添加した液を用いることが好ましい。
【００５０】
更に、Ｃｕと錯体を形成しうる化合物を添加して使用することによりＣｕを多く含有するアルミニウム基板に対しても均一な砂目立てが可能になる。Ｃｕと錯体を形成しうる化合物としては、例えば、アンモニア；メチルアミン、エチルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、トリメチルアミン、シクロヘキシルアミン、トリエタノールアミン、トリイソプロパノールアミン、ＥＤＴＡ（エチレンジアミン四酢酸）等のアンモニアの水素原子を炭化水素基（脂肪族、芳香族等）等で置換して得られるアミン類；炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸水素カリウム等の金属炭酸塩類が挙げられる。また、硝酸アンモニウム、塩化アンモニウム、硫酸アンモニウム、リン酸アンモニウム、炭酸アンモニウム等のアンモニウム塩も挙げられる。温度は１０〜６０℃が好ましく、２０〜５０℃がより好ましい。
【００５１】
電気化学的粗面化処理に用いられる交流電源波は、特に限定されず、サイン波、矩形波、台形波、三角波等が用いられるが、矩形波または台形波が好ましく、台形波が特に好ましい。台形波とは、図４に示したものをいう。この台形波において電流がゼロからピークに達するまでの時間（ＴＰ）は１〜３ｍｓｅｃであるのが好ましい。１ｍｓｅｃ未満であると、アルミニウム基板の進行方向と垂直に発生するチャタマークという処理ムラが発生しやすい。ＴＰが３ｍｓｅｃを超えると、特に硝酸電解液を用いる場合、電解処理で自然発生的に増加するアンモニウムイオン等に代表される電解液中の微量成分の影響を受けやすくなり、均一な砂目立てが行われにくくなる。
【００５２】
台形波交流のｄｕｔｙ比は１：２〜２：１のものが使用可能であるが、特開平５−１９５３００号公報に記載されているように、アルミニウム基板にコンダクタロールを用いない間接給電方式においてはｄｕｔｙ比が１：１のものが好ましい。台形波交流の周波数は０．１〜１２０Ｈｚのものを用いることが可能であるが、５０〜７０Ｈｚが設備上好ましい。５０Ｈｚよりも低いと、主極のカーボン電極が溶解しやすくなり、また、７０Ｈｚよりも高いと、電源回路上のインダクタンス成分の影響を受けやすくなり、電源コストが高くなる。
【００５３】
電解槽には１個以上の交流電源を接続することができる。主極に対向するアルミニウム基板に加わる交流の陽極と陰極との電流比をコントロールし、均一な砂目立てを行うことと、主極のカーボンを溶解することとを目的として、図５に示したように、補助陽極を設置し、交流電流の一部を分流させることが好ましい。図５において、１１はアルミニウム基板であり、１２はラジアルドラムローラであり、１３ａおよび１３ｂは主極であり、１４は電解処理液であり、１５は電解液供給口であり、１６はスリットであり、１７は電解液通路であり、１８は補助陽極であり、１９ａおよび１９ｂはサイリスタであり、２０は交流電源であり、２１は主電解槽であり、２２は補助陽極槽である。整流素子またはスイッチング素子を介して電流値の一部を二つの主電極とは別の槽に設けた補助陽極に直流電流として分流させることにより、主極に対向するアルミニウム基板上で作用するアノード反応にあずかる電流値と、カソード反応にあずかる電流値との比を制御することができる。主極に対向するアルミニウム基板上で、陰極反応と陽極反応とにあずかる電気量の比（陰極時電気量／陽極時電気量）は、０．３〜０．９５であるのが好ましい。
【００５４】
電解槽は、縦型、フラット型、ラジアル型等の公知の表面処理に用いる電解槽が使用可能であるが、特開平５−１９５３００号公報に記載されているようなラジアル型電解槽が特に好ましい。電解槽内を通過する電解液は、アルミニウムウェブの進行方向に対してパラレルであってもカウンターであってもよい。
【００５５】
（硝酸電解）
硝酸を主体とする電解液を用いた電気化学的粗面化処理により、平均開口径０．５μｍ超５μｍ以下の中波構造を形成させることができる。ただし、電気量を比較的多くしたときは、電解反応が集中し、波長５μｍを超える大波構造も生成する。
このような表面形状を得るためには、電解反応が終了した時点でのアルミニウム基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、１〜１０００Ｃ／ｄｍ2であるのが好ましく、５０〜３００Ｃ／ｄｍ2であるのがより好ましい。この際の電流密度は２０〜１００Ａ／ｄｍ2であるのが好ましい。
また、例えば、高濃度、例えば、硝酸濃度１５〜３５質量％の硝酸電解液を用いて３０〜６０℃で電解を行ったり、硝酸濃度０．７〜２質量％の硝酸電解液を用いて高温、例えば、８０℃以上で電解を行ったりすることで、平均波長０．２０μｍ以下の小波構造を形成させることもできる。
【００５６】
（塩酸電解）
塩酸はそれ自身のアルミニウム溶解力が強いため、わずかな電解を加えるだけで表面に微細な小波構造を形成させることが可能である。この微細な小波構造は、平均開口径０．０１μｍ超０．５μｍ以下であり、アルミニウム基板の表面の全面に均一に生成する。
このような表面形状を得るためには電解反応が終了した時点でのアルミニウム基板のアノード反応にあずかる電気量の総和が、１〜１００Ｃ／ｄｍ2であるのが好ましく、２０〜７０Ｃ／ｄｍ2であるのがより好ましい。この際の電流密度は２０〜５０Ａ／ｄｍ2であるのが好ましい。
【００５７】
このような塩酸を主体とする電解液での電気化学的粗面化処理では、アノード反応にあずかる電気量の総和を４００〜２０００Ｃ／ｄｍ2と大きくすることでクレーター状の大きなうねりを同時に形成することも可能である。この場合は平均開口径５μｍ超１００μｍ以下の大波構造に重畳して平均開口径０．０１μｍ超０．５μｍ以下の微細な小波構造が全面に生成する。この場合、平均開口径０．５μｍ超５μｍ以下の中波構造は生成しない。
【００５８】
上記の硝酸、塩酸等の電解液中で行われる電解粗面化処理の前および／または後に、アルミニウム基板に陰極電解処理を行うことが好ましい。この陰極電解処理により、アルミニウム基板表面にスマットが生成するとともに、水素ガスが発生してより均一な電解粗面化処理が可能となる。
陰極電解処理は、酸性溶液中で陰極電気量が好ましくは３〜８０Ｃ／ｄｍ2、より好ましくは５〜３０Ｃ／ｄｍ2で行われる。陰極電気量が３Ｃ／ｄｍ2未満であると、スマット付着量が不足する場合があり、また、８０Ｃ／ｄｍ2を超えると、スマット付着量が過剰となる場合がある。電解液は、電解粗面化処理で使用する溶液と同一であっても異なっていてもよい。
【００５９】
（アルカリエッチング処理）
アルカリエッチング処理は、上記金属支持体をアルカリ溶液に接触させることにより、表層を溶解させる処理である。
電解粗面化処理より前に行われるアルカリエッチング処理は、金属支持体の表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等を除去することを目的として行われる。
【００６０】
アルカリエッチング処理のエッチング量は、０．０５〜１０ｇ／ｍ2であるのが好ましく、１〜５ｇ／ｍ2であるのがより好ましい。エッチング量が０．０５ｇ／ｍ2未満であると、表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等が残存する場合があるため、後段の電解粗面化処理において均一な波構造が生成できずムラが発生してしまう場合がある。一方、エッチング量が１〜１０ｇ／ｍ2であると、表面の圧延油、汚れ、自然酸化皮膜等の除去が十分に行われる。上記範囲を超えるエッチング量とするのは、経済的に不利となる。
【００６１】
電解粗面化処理の直後に行うアルカリエッチング処理は、酸性電解液中で生成したスマットを溶解させることと、電解粗面化処理により形成された波構造のエッジ部分を溶解させることを目的として行われる。電解粗面化処理で形成される波構造は電解液の種類によって異なるためにその最適なエッチング量も異なるが、電解粗面化処理後に行うアルカリエッチング処理のエッチング量は、０．１〜５ｇ／ｍ2であるのが好ましい。硝酸電解液を用いた場合、塩酸電解液を用いた場合よりもエッチング量は多めに設定する必要がある。電解粗面化処理が複数回行われる場合には、それぞれの処理後に、必要に応じてアルカリエッチング処理を行うことができる。
【００６２】
アルカリ溶液に用いられるアルカリとしては、例えば、カセイアルカリ、アルカリ金属塩が挙げられる。具体的には、カセイアルカリとしては、例えば、カセイソーダ、カセイカリが挙げられる。また、アルカリ金属塩としては、例えば、タケイ酸ソーダ、ケイ酸ソーダ、メタケイ酸カリ、ケイ酸カリ等のアルカリ金属ケイ酸塩；炭酸ソーダ、炭酸カリ等のアルカリ金属炭酸塩；アルミン酸ソーダ、アルミン酸カリ等のアルカリ金属アルミン酸塩；グルコン酸ソーダ、グルコン酸カリ等のアルカリ金属アルドン酸塩；第二リン酸ソーダ、第二リン酸カリ、第三リン酸ソーダ、第三リン酸カリ等のアルカリ金属リン酸水素塩が挙げられる。中でも、エッチング速度が速い点および安価である点から、カセイアルカリの溶液、および、カセイアルカリとアルカリ金属アルミン酸塩との両者を含有する溶液が好ましい。特に、カセイソーダの水溶液が好ましい。
【００６３】
アルカリ溶液の濃度は、エッチング量に応じて決定することができるが、１〜５０質量％であるのが好ましく、１０〜３５質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液中にアルミニウムイオンが溶解している場合には、アルミニウムイオンの濃度は、０．０１〜１０質量％であるのが好ましく、３〜８質量％であるのがより好ましい。アルカリ溶液の温度は２０〜９０℃であるのが好ましい。処理時間は１〜１２０秒であるのが好ましい。
【００６４】
金属支持体をアルカリ溶液に接触させる方法としては、例えば、金属支持体をアルカリ溶液を入れた槽の中を通過させる方法、金属支持体をアルカリ溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、アルカリ溶液を金属支持体の表面に噴きかける方法が挙げられる。
【００６５】
（デスマット処理）
電解粗面化処理またはアルカリエッチング処理を行った後、表面に残留する汚れ（スマット）を除去するために酸洗い（デスマット処理）が行われるのが好ましい。
用いられる酸としては、例えば、硝酸、硫酸、リン酸、クロム酸、フッ化水素酸、ホウフッ化水素酸が挙げられる。上記デスマット処理は、例えば、上記アルミニウム基板を塩酸、硝酸、硫酸等の濃度０．５〜３０質量％の酸性溶液（アルミニウムイオン０．０１〜５質量％を含有する。）に接触させることにより行う。金属支持体を酸性溶液に接触させる方法としては、例えば、金属支持体を酸性溶液を入れた槽の中を通過させる方法、金属支持体を酸性溶液を入れた槽の中に浸せきさせる方法、酸性溶液を金属支持体の表面に噴きかける方法が挙げられる。デスマット処理においては、酸性溶液として、上述した電解粗面化処理において排出される硝酸を主体とする水溶液もしくは塩酸を主体とする水溶液の廃液、または、後述する陽極酸化処理において排出される硫酸を主体とする水溶液の廃液を用いることができる。デスマット処理の液温は、２５〜９０℃であるのが好ましい。また、処理時間は、１〜１８０秒であるのが好ましい。デスマット処理に用いられる酸性溶液には、アルミニウムおよびアルミニウム合金成分が溶け込んでいてもよい。
【００６６】
（陽極酸化処理）
金属支持体としてアルミニウム基板を用いる場合には、以上のように処理されたアルミニウム基板に対して、腐食防止の観点から、必要に応じて陽極酸化処理を施してもよい。また、形成される陽極酸化膜は、アルミニウムよりも線膨張係数が小さいので、樹脂層との膨張率の差が小さくなる点でも好ましい。
陽極酸化処理は、従来行われている方法で行えばよく、特開昭５４−８１１３３号、特開昭５７−４７８９４号、特開昭５７−５１２８９号、特開昭５７−５１２９０号、特開昭５７−５４３００号、特開昭５７−１３６５９６号、特開昭５８−１０７４９８号、特開昭６０−２００２５６号、特開昭６２−１３６５９６号、特開昭６３−１７６４９４号、特開平４−１７６８９７号、特開平４−２８０９９７号、特開平６−２０７２９９号、特開平５−２４３７７号、特開平５−３２０８３号、特開平５−１２５５９７号、特開平５−１９５２９１号の各公報等に記載されている方法を使用することができる。
【００６７】
（水洗処理）
本発明においては、上述した各処理の工程終了後には水洗を行うのが好ましい。水洗には、純水、井水、水道水等を用いることができる。処理液の次工程への持ち込みを防ぐためにニップ装置を用いてもよい。
【００６８】
＜樹脂層＞
樹脂層は特に限定されず、体積固有抵抗が１０5Ω・ｃｍ以上で、絶縁性有するものであればよく、例えば、熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂などを使用することができ、従来公知の汎用プラスチックまたはエンジニアリングプラスチックを使用することができる。
【００６９】
熱硬化性樹脂としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリイミド樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミド樹脂、ポリオレフィン樹脂、イソシアネート樹脂、シリコーン樹脂、ＰＴＦＥ等が挙げられる。
熱可塑性樹脂としては、例えば、フェノキシ樹脂、ポリエーテルスルフォン、ポリスルフォン、ポリフェニレンスルフォン、ポリフェニレンサルファイド、ポリフェニルエーテル、ポリエーテルイミド、ＡＢＳ樹脂、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、ポリカーボネート、ポリスチレン、ポリエチレン、ポリメタクリル酸メチル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアミド、ポリ乳酸、シクロオレフィンコポリマー（ＣＯＰ）、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等が挙げられる。
【００７０】
また、樹脂層の厚みは、所望の絶縁性を発現できれば、特に限定されないが、通常、０．０２ｍｍ〜１．０ｍｍであるのが好ましい。
【００７１】
上記のように表面処理された金属支持体上に、樹脂層を積層する方法には、特に限定はなく、上述した熱可塑性樹脂や熱硬化性樹脂を含有する硬化性組成物を金属反射層上に塗布した後、紫外線照射による光硬化や加熱による加熱硬化する方法等が挙げられる。
【００７２】
［配線基板］
以下に、本発明の配線基板について詳細に説明する。
図６に、本発明の配線基板の一例を概念的に示す断面図を示す。
本発明の配線基板は、上述した本発明の絶縁反射基板３０と、絶縁反射基板３０の樹脂層３４側の上部に設けられる金属配線層４２と、発熱性電気素子４４とを有する配線基板である。
【００７３】
金属配線層４２の材料は、電気を通す素材であれば特に限定されず、その具体例としては、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、ニッケル（Ｎｉ）等が挙げられ、これらを１種単独で使用してもよく２種以上を併用してもよい。
これらのうち、電気抵抗が低い理由からＣｕを用いるのが好ましい。なお、Ｃｕによる配線層の表層には、ワイヤボンディングの容易性を高める観点から、Ａｕ層やＮｉ／Ａｕ層を設けていてもよい。
【００７４】
本発明の配線基板４０においては、金属配線層４２の厚さは、導通信頼性およびパッケージのコンパクト性の観点から、０．５〜１０００μｍが好ましく、１〜５００μｍがより好ましく、５〜２５０μｍが特に好ましい。
【００７５】
本発明においては、金属配線層４２の形成方法は特に限定されず、必要に応じてマスク層を設けた後に、例えば、電解めっき処理、無電解めっき処理、置換めっき処理などの種々めっき処理；スパッタリング処理；蒸着処理；等を施す方法が挙げられる。
【００７６】
発熱性電気素子４４は、例えば、ＬＥＤ発光素子や半導体素子、車載用のＩＣ・電子機器部材等の発熱性の電気素子である。発熱性電気素子４４は、絶縁反射基板３０の樹脂層３４側の上部に接着されており、外部接続用の電極を兼ねた金属配線層４２にワイヤボンディングされている。
ＬＥＤ発光素子としては、例えば、青色ＬＥＤ発光素子と、青色ＬＥＤ発光素子の少なくとも上部に設けられる蛍光発光体とを具備し、蛍光発光体によって励起された光と青色ＬＥＤの残光とにより、白色系光が発光される白色系ＬＥＤ発光素子が利用可能である。
【実施例】
【００７７】
以下に実施例を示して本発明を具体的に説明する。ただし、本発明はこれらに限定されない。
（実施例１）
＜絶縁放熱基板の作製＞
金属支持体として、厚さ０．８ｍｍのアルミニウム基板（ＪＩＳ  Ａ１０５０材）を用い、以下に示す表面処理（ａ１）〜（ｇ１）に供した後に、樹脂層を積層して絶縁放熱基板を作製した。
【００７８】
（ａ１）機械的粗面化処理（大波構造の形成）
図７に示す装置を用いて、研磨剤（パミス）と水との懸濁液（比重１．１２）を研磨スラリー液としてアルミニウム基板の表面に供給しながら、回転するローラ状ナイロンブラシにより機械的粗面化処理を行った。図７において、１００はアルミニウム基板、１０２および１０４はローラ状ブラシ、１０３は研磨スラリー液、１０５、１０６、１０７および１０８は支持ローラである。研磨剤の平均粒径は４０μｍ、最大粒径は１００μｍであった。ナイロンブラシの材質は６・１０ナイロン、毛長は５０ｍｍ、毛の直径は０．３ｍｍであった。ナイロンブラシはφ３００ｍｍのステンレス製の筒に穴をあけて密になるように植毛した。回転ブラシは３本使用した。ブラシ下部の２本の支持ローラ（φ２００ｍｍ）の距離は３００ｍｍであった。ブラシローラはブラシを回転させる駆動モータの負荷が、ブラシローラをアルミニウム基板に押さえつける前の負荷に対して７ｋＷプラスになるまで押さえつけた。ブラシの回転方向はアルミニウム基板の移動方向と同じであった。ブラシの回転数は２００ｒｐｍに設定した。
【００７９】
（ｂ１）アルカリエッチング処理
次いで、アルミニウム基板をカセイソーダ濃度２６質量％、アルミニウムイオン濃度５質量％、温度７０度の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を１０ｇ／ｍ2溶解した。その後、スプレーによる水洗を行った。
【００８０】
（ｃ１）デスマット処理
次いで、温度３０℃の硝酸濃度１質量％水溶液で、スプレーによるデスマット処理を１０秒間行い、その後、スプレーによる水洗を行った。デスマット処理に用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的処理を行う工程の廃液を用いた。
【００８１】
（ｄ１）電気化学的粗面化処理（中波構造の形成）
次いで、６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、硝酸１０．５ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを５ｇ／Ｌ、アルミニウムいおんを０.００７質量％含む。）、温度５０℃であった。交流電源波形は図４に示した波形であり、電流値がゼロからピークに達するまでの時間ＴＰが０．８ｍｓｅｃ、ｄｕｔｙ比１：１、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。使用した電解槽は図５に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で３０Ａ／ｄｍ2、電気量はアルミニウム基板が陽極時の電気量の総和で１７５Ｃ／ｄｍ2であった。その後、スプレーによる水洗を行った。
【００８２】
（ｅ１）アルカリエッチング処理
次いで、アルミニウム基板をカセイソーダ濃度２６質量％、アルミニウムイオン濃度５質量％、温度７０度の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を１０ｇ／ｍ2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸構造のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【００８３】
（ｆ１）デスマット処理
次いで、温度３０℃の硝酸濃度１質量％水溶液で、スプレーによるデスマット処理を１０秒間行い、その後、スプレーによる水洗を行った。デスマット処理に用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的処理を行う工程の廃液を用いた。
【００８４】
（ｇ１）電気化学的粗面化処理（小波構造の形成）
次いで、６０Ｈｚの交流電圧を用いて連続的に電気化学的な粗面化処理を行った。このときの電解液は、塩酸７．５ｇ／Ｌ水溶液（アルミニウムイオンを５ｇ／Ｌ含む。）、温度３５℃であった。交流電源波形は図４に示した波形であり、電流値がゼロからピークに達するまでの時間ＴＰが０．８ｍｓｅｃ、ｄｕｔｙ比１：１、台形の矩形波交流を用いて、カーボン電極を対極として電気化学的粗面化処理を行った。補助アノードにはフェライトを用いた。使用した電解槽は図５に示すものを使用した。電流密度は電流のピーク値で２５Ａ／ｄｍ2、電気量はアルミニウム基板が陽極時の電気量の総和で６００Ｃ／ｄｍ2であった。その後、スプレーによる水洗を行った。
【００８５】
（ｈ１）アルカリエッチング処理
次いで、アルミニウム基板をカセイソーダ濃度２６質量％、アルミニウムイオン濃度５質量％、温度７０℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を１０ｇ／ｍ2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸構造のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【００８６】
（ｉ１）デスマット処理
次いで、温度３０℃の硝酸濃度１質量％水溶液で、スプレーによるデスマット処理を１０秒間行い、その後、スプレーによる水洗を行った。
【００８７】
（ｊ１）樹脂層形成
上記表面処理を施した金属支持体上に、エポキシ樹脂（ビスフェノール）の樹脂層を形成した。樹脂層は、塗布法により金属支持体に材料を塗布し、８０℃で、１０分間乾燥し、その後、１８０℃の温度条件下において６０分間で硬化して、厚さ０．１ｍｍの膜を形成した。
なお、樹脂層の材料の塗布液は、ＤＩＣ製ＥＰＩＣＬＯＮ／ＨＰ−４７１０を用いた。尚、硬化剤は、ＤＩＣ製ＦＨＥＮＯＬＩＴＥ／ＴＤ−２１３１とした。
【００８８】
（実施例２）
上記（ｄ１）〜（ｆ１）の各処理を施さず、中波構造を形成しなかった以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【００８９】
（実施例３）
上記（ａ１）〜（ｃ１）の各処理に代えて、下記（ａ２）機械化粗面化処理、（ｂ２）アルカリエッチング処理、（ｃ２）デスマット処理を施した以外は、実施例２と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【００９０】
（ａ２）機械的粗面化処理（大波構造の形成）
ブラシの回転数を１００ｒｐｍに設定した以外は、（ａ１）の処理と同様の方法により処理した。
【００９１】
（ｂ２）アルカリエッチング処理
アルミニウム基板をカセイソーダ濃度５質量％、アルミニウムイオン濃度０．５質量％、温度７０度の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を５ｇ／ｍ2溶解した。その後、スプレーによる水洗を行った。
【００９２】
（ｃ２）デスマット処理
次いで、温度６０℃の硝酸濃度２質量％水溶液で、スプレーによるデスマット処理を１０秒間行い、その後、スプレーによる水洗を行った。デスマット処理に用いた硝酸水溶液は、硝酸水溶液中で交流を用いて電気化学的処理を行う工程の廃液を用いた。
【００９３】
（実施例４）
上記（ａ１）〜（ｃ１）の各処理を施さず、大波構造を形成しなかった以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【００９４】
（実施例５）
上記（ｄ１）および（ｅ１）の各処理に代えて、下記（ｄ２）電気化学的粗面化処理、および、（ｅ２）アルカリエッチング処理を施した以外は、実施例４と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【００９５】
（ｄ２）電気化学的粗面化処理（中波構造の形成）
アルミニウム基板が陽極時の電気量の総和を２７０Ｃ／ｄｍ2とした以外は、（ｄ１）の処理と同様の方法により処理した。
【００９６】
（ｅ２）アルカリエッチング処理
アルミニウム基板をカセイソーダ濃度５質量％、アルミニウムイオン濃度０．５質量％、温度７０度の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を５ｇ／ｍ2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸構造のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【００９７】
（実施例６）
上記（ｊ１）処理に代えて、下記（ｊ２）樹脂層形成を行った以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【００９８】
（ｊ２）樹脂層形成
上記表面処理を施した金属支持体上に、シリコーン樹脂の樹脂層を形成した。樹脂層は、塗布法により金属支持体に材料を塗布し、１００℃で、５分間乾燥し、その後、２００℃の温度条件下において３０分間で硬化して、厚さ０．１ｍｍの膜を形成した。
なお、樹脂層の形成材料は、信越シリコーン製ＫＥＲ−６０００Ａとした。
【００９９】
（実施例７）
上記（ｊ１）処理に代えて、下記（ｊ３）樹脂層形成を行った以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１００】
（ｊ３）樹脂層形成
上記表面処理を施した金属支持体上に、ＰＴＦＥ（ポリテトラフルオロエチレン）の樹脂層を形成した。樹脂層は、塗布法により金属支持体に材料を塗布し、１２０℃で、１分間乾燥し、その後、２００℃の温度条件下において３０分間で硬化して、厚さ０．１ｍｍの膜を形成した。
なお、樹脂層の形成材料は、旭硝子製Ｆｌｕｏｎ／Ｇ１６３とした。
【０１０１】
（実施例８）
上記（ｊ１）処理に代えて、下記（ｊ４）樹脂層形成を行った以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１０２】
（ｊ４）樹脂層形成
上記表面処理を施した金属支持体上に、ポリプロピレンの樹脂層を形成した。樹脂層は、塗布法により金属支持体に材料を塗布し、８０℃で、３分間乾燥し、その後、１５０℃の温度条件下において３０分間で硬化して、厚さ０．１ｍｍの膜を形成した。
なお、樹脂層の形成材料は、関東化学製ポリ（プロピレングリコール）４０００とした。
【０１０３】
（実施例９）
上記（ｇ１）および（ｈ１）の各処理に代えて、下記（ｇ２）電気化学的粗面化処理、および、（ｈ２）アルカリエッチング処理を施した以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１０４】
（ｇ２）電気化学的粗面化処理（小波構造の形成）
アルミニウム基板が陽極時の電気量の総和を４００Ｃ／ｄｍ2とした以外は、（ｇ１）の処理と同様の方法により処理した。
【０１０５】
（ｈ２）アルカリエッチング処理
アルミニウム基板をカセイソーダ濃度２６質量％、アルミニウムイオン濃度５質量％、温度７０℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を３ｇ／ｍ2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸構造のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１０６】
（実施例１０）
上記（ｈ１）の処理に代えて、下記（ｈ３）アルカリエッチング処理を施した以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１０７】
（ｈ３）アルカリエッチング処理
アルミニウム基板をカセイソーダ濃度２６質量％、アルミニウムイオン濃度０．５質量％、温度７０℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を０．５ｇ／ｍ2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸構造のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１０８】
（実施例１１）
上記（ｈ１）の処理に代えて、下記（ｈ４）アルカリエッチング処理を施した以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１０９】
（ｈ４）アルカリエッチング処理
アルミニウム基板をカセイソーダ濃度５質量％、アルミニウムイオン濃度５質量％、温度７０℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を３ｇ／ｍ2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸構造のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１１０】
（実施例１２）
上記（ｇ１）および（ｈ１）の各処理に代えて、下記（ｇ３）電気化学的粗面化処理、および、（ｈ５）アルカリエッチング処理を施した以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１１１】
（ｇ３）電気化学的粗面化処理（小波構造の形成）
アルミニウム基板が陽極時の電気量の総和を１００Ｃ／ｄｍ2とした以外は、（ｇ１）の処理と同様の方法により処理した。
【０１１２】
（ｈ５）アルカリエッチング処理
アルミニウム基板をカセイソーダ濃度５質量％、アルミニウムイオン濃度０．５質量％、温度７０℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、アルミニウム基板を０．５ｇ／ｍ2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化アルミニウムを主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸構造のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１１３】
（実施例１３）
金属支持体として、厚さ０．８ｍｍの銅基板（ＪＩＳ  Ｃ１０２０材）を用い、上記（ｂ１）および（ｈ１）の各処理に代えて、下記（ｂ３）アルカリエッチング処理、および、（ｈ６）アルカリエッチング処理を施した以外は、実施例２と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１１４】
（ｂ３）アルカリエッチング処理
銅基板をカセイソーダ濃度２６質量％、温度７０度の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、銅基板を１０ｇ／ｍ2溶解した。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１１５】
（ｈ６）アルカリエッチング処理
銅基板をカセイソーダ濃度２６質量％、温度７０℃の水溶液を用いてスプレーによるエッチング処理を行い、銅基板を５ｇ／ｍ2溶解し、前段の交流を用いて電気化学的粗面化処理を行ったときに生成した水酸化銅を主体とするスマット成分を除去し、また、生成した凹凸構造のエッジ部分を溶解してエッジ部分を滑らかにした。その後、スプレーによる水洗を行った。
【０１１６】
（実施例１４）
上記（ｊ１）の処理に代えて、上記（ｊ３）樹脂層形成を施した以外は、実施例１３と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１１７】
（比較例１）
上記（ａ１）〜（ｉ１）の各処理を施さず、大波構造、中波構造および小波構造を形成しなかった以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１１８】
（比較例２）
上記（ｄ１）〜（ｉ１）の各処理を施さず、中波構造および小波構造を形成しなかった以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１１９】
（比較例３）
上記（ａ１）〜（ｃ１）の各処理、および、上記（ｇ１）〜（ｉ１）の各処理を施さず、大波構造および小波構造を形成しなかった以外は、実施例１と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１２０】
（比較例４）
上記（ａ１）〜（ｆ１）の各処理を施さず、大波構造および中波構造を形成しなかった以外は、実施例１２と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
【０１２１】
（比較例５）
上記（ａ１）〜（ｉ１）の各処理を施さず、大波構造、中波構造および小波構造を形成しなかった以外は、実施例１３と同様の方法により、絶縁放熱基板を作製した。
各実施例および比較例の表面処理の処理条件を表１に示し、樹脂層の種類を表２に示す。
【０１２２】
＜絶縁放熱基板の界面形状の測定＞
作製した絶縁放熱基板の界面の形状として、金属支持体に上記の表面処理を行った後、樹脂層を形成する前の金属支持体の表面形状について、下記（１）〜（３）の測定を行って大波構造、中波構造および小波構造の平均開口径を算出し、各波構造が形成されているか否かを測定した。
結果を第２表に示す。なお、第１表中、「−」は、該当する平均開口径の波構造がなかったことを示す。
【０１２３】
（１）大波構造の平均開口径
触針式粗さ計（ｓｕｆｃｏｍ５７５、東京精密社製）で２次元粗さ測定を行い、ＩＳＯ４２８７に規定されている平均山間隔Ｓmを５回測定し、その平均値を平均開口径とした。
２次元粗さ測定は、以下の条件で行った。
＜測定条件＞
・カットオフ値：０．８ｍｍ
・傾斜補正：ＦＬＡＴ−ＭＬ
・測定長：３ｍｍ
・縦倍率：１００００倍
・走査速度：０．３ｍｍ／ｓｅｃ
・触針先端径：２μｍ
【０１２４】
（２）中波構造の平均開口径
高分解能走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてアルミニウム基材の表面を真上から倍率２０００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真において周囲が環状に連なっている中波構造のピット（凹凸）を５０個抽出し、その直径を読み取って平均開口径を算出した。
【０１２５】
（３）小波構造の平均開口径
高分解能走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）を用いてアルミニウム基材の表面を真上から倍率５００００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真において小波構造のピット（凹凸）を５０個抽出し、その直径を読み取って平均開口径を算出した。
【０１２６】
＜絶縁放熱基板の急峻度ａ４５の測定＞
作製した各絶縁放熱基板の界面の急峻度ａ４５5(0.02-0.2)として、金属支持体に上記の表面処理を行った後、樹脂層を形成する前の金属支持体の表面の急峻度ａ４５5(0.02-0.2)を求めた。急峻度ａ４５5(0.02-0.2)は、原子間力顕微鏡（ＳＰ１３７００、セイコー電子工業社製）により表面形状を測定し、３次元データを求めた。以下、具体的な手順を説明する。
【０１２７】
アルミニウム基材を１ｃｍ角の大きさに切り取って、ピエゾスキャナー上の水平な試料台にセットし、カンチレバーを試料表面にアプローチし、原子間力が働く領域に達したところで、ＸＹ方向にスキャンし、その際、試料の表面形状（波構造）をＺ方向のピエゾの変位でとらえた。ピエゾスキャナーは、ＸＹ方向について１５０μｍ、Ｚ方向について１０μｍ、走査可能なものを使用した。カンチレバーは共振周波数１２０〜４００ｋＨｚ、バネ定数１２〜９０Ｎ／ｍのもの（ＳＩ−ＤＦ２０、セイコーインスツルメンツ社製）を用い、ＤＦＭモード（Ｄｙｎａｍｉｃ Ｆｏｒｃｅ Ｍｏｄｅ）で測定した。また、求めた３次元データを最小二乗近似することにより試料のわずかな傾きを補正し基準面を求めた。
計測の際は、表面の５μｍ×５μｍの範囲を５１２×５１２点測定した。ＸＹ方向の分解能は０．１μｍ、Ｚ方向の分解能は０．１５ｎｍ、スキャン速度は５０μｍ／ｓｅｃとした。
【０１２８】
急峻度ａ４５5(0.02-0.2)の算出には、上記で求められた表面の５μｍ×５μｍの測定に基づく３次元データから波長０．０２μｍ以上０．２μｍ以下の成分を抽出したものを用いた。波長０．０２μｍ以上０．２μｍ以下の成分の抽出は、上記で求められた３次元データを高速フーリエ変換をして周波数分布を求め、ついで、波長０．０２μｍ未満の成分および波長０．２μｍを超える成分を除去した後、フーリエ逆変換をすることにより行った。
【０１２９】
波長０．０２μｍ以上０．２μｍ以下の成分を抽出して得られた３次元データ（ｆ（ｘ，ｙ））を用い、各基準点と所定の方向（例えば、右と下）の隣接する２点との３点で形成される微小三角形と基準面とのなす角を各基準点について算出する。微小三角形の傾斜度が４５度以上の基準点の個数を、全基準点の個数（全データの個数である５１２×５１２点から所定の方向の隣接する２点がない点の個数を減じた個数、すなわち、５１１×５１１点）で除して、傾斜度４５度以上の部分の面積率ａ４５を算出する。
【０１３０】
＜略長方形ピット形成率の測定＞
また、平均開口径０．０１μｍ超０．５μｍ以下のピット（小波構造のピット）の有無および略正方形または長方形のピットの割合を以下のようにして求めた。
ＦＥ−ＳＥＭ（Ｓ−９００、日立製作所社製）を用いて支持体の表面を真上から倍率５００００倍で撮影し、得られたＳＥＭ写真においてＳＥＭ写真の１．６μｍ×１．８μｍの視野を３視野観察して、平均開口径０．０１μｍ超０．５μｍ以下のピットの総数を数えた。ついで、ＳＥＭ写真において、真円でないピットであって、角部の曲率半径（Ｒ）がそのピットの円相当径の１／４以下であるものを略正方形または略長方形であるとして、その個数を数えた。略正方形または略長方形のピットの個数を平均開口径０．０１μｍ超０．５μｍ以下のピットの総数で除して、略正方形または略長方形のピットの割合を算出した。
【０１３１】
＜密着性の評価＞
また、作製した各絶縁放熱基板を２００℃で２００時間加熱し、その後、金属支持体と樹脂層との密着性を目視で観察し、以下の基準で評価した。
Ａ：剥離が見られなかった。
Ｂ：樹脂層が一部剥離した。
Ｃ：樹脂層が完全に剥離した。
【０１３２】
＜ピール強度の測定＞
また、上記加熱後の各絶縁放熱基板について、金属支持体と樹脂層との間におけるピール強度を測定した。
絶縁放熱基板の樹脂層に５ｍｍの間隔を開けて、平行に１３０ｍｍの切り込みを入れ、その端部をカッターにて切り込みを入れ１０ｍｍ立ち上げた。引張試験機（(株)エー・アンド・ディー製、ＲＴＭ−１００）を用いて、剥がした樹脂層端部をつかんで９０°ピール強度を測定した（引張速度１０ｍｍ／ｍｉｎ）。
各測定および評価結果を第２表に示す。
また、表２には、金属支持体の材料および樹脂層の材料の線膨張係数、ならびに、これらの線膨張係数の差を記載する。
【０１３３】
【表１】
2014212169.tif 000003
【０１３４】
【表２】
2014212169.tif 000004
【０１３５】
表２に示す結果から、金属支持体と樹脂層との界面が、小波構造と、大波構造および中波構造の少なくとも１つとが重畳された形状を有し、かつ、急峻度ａ４５5(0.02-0.2)が２０％以上となる本発明の実施例１〜１４は、粗面を形成しない比較例１、５や、大波構造または中波構造または小波構造のいずれか１つを形成した実施例２〜４と比較して、ピール強度が高く密着性が良くなることがわかる。
小波構造と大波構造とを重畳した実施例２、小波構造と中波構造とを重畳した実施例４と、３つの波構造を重畳した実施例１との対比から、３つの波構造を重畳することにより、ピール強度が高くなり、好ましいことがわかる。
また、実施例１、実施例６〜８の対比から、金属支持体と樹脂層との線膨張係数の差は、２２ｐｐｍ／℃以下であることが好ましいことがわかる。
また、実施例１、実施例９〜１２の対比から、急峻度ａ４５5(0.02-0.2)が高いほど、ピール強度が高い傾向にあり好ましく、また、略正方形、略長方形のピット形成率が高いほどピール強度が高い傾向にあり好ましいことがわかる。
以上の結果から本発明の効果は明らかである。
【符号の説明】
【０１３６】
１  大波構造
２  中波構造
３  小波構造
１１  アルミニウム基板
１２  ラジアルドラムローラ
１３ａ、１３ｂ  主極
１４  電解処理液
１５  電解液供給口
１６  スリット
１７  電解液通路
１８  補助陽極
１９ａ、１９ｂ  サイリスタ
２０  交流電源
２１  主電解槽
２２  補助陽極槽
３０  絶縁放熱基板
３２  金属支持体
３４  樹脂層
４０  配線基板
４２  金属配線層
４４  発熱性電気素子
１００  アルミニウム基板
１０２、１０４  ローラ状ブラシ
１０３  研磨スリラー液
１０５、１０６、１０７、１０８  支持ローラ
【図１】
2014212169.tif 000005
【図２】
2014212169.tif 000006
【図３】
2014212169.tif 000007
【図４】
2014212169.tif 000008
【図５】
2014212169.tif 000009
【図６】
2014212169.tif 000010
【図７】
2014212169.tif 000011