(57)【要約】【課題】半導体装置に接続子をはんだ電極を介して接合した場合でも、逆方向リーク電流の増加を抑制する。【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２の主面２ａから所定の深さにわたって設けられたカソード領域３と、主面２ｂからカソード領域３に達するように設けられたドリフト領域４と、主面２ｂから半導体基板２の内部に向かう方向に設けられた複数のトレンチ領域５と、複数のトレンチ領域５の露出面５ａを含む活性領域８を被覆するように主面２ｂ上に設けられ、ドリフト領域４とショットキー接合を形成するバリア金属層９と、バリア金属層９の上に設けられたアノード電極層１０と、主面２ｂ側に設けられ、はんだの付着を防止するように構成されたはんだ排除部１１と、アノード電極層９の上面のうちはんだ排除部１１により区画されたはんだ電極形成領域１０ａに設けられたはんだ電極１２とを備える。【選択図】図１
2014212265.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面、および前記第１の主面と反対側の第２の主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の主面から所定の深さにわたって設けられ、第１導電型の不純物を含有するカソード領域と、
前記半導体基板の前記第２の主面から前記カソード領域に達するように設けられ、前記カソード領域よりも低濃度の不純物を含有する第１導電型のドリフト領域と、
前記第２の主面から前記半導体基板の内部に向かう方向に前記ドリフト領域よりも浅く設けられ、内部には前記ドリフト領域との境界面に形成された絶縁膜を介して導電材が充填された複数のトレンチ領域と、
前記複数のトレンチ領域の前記第２の主面に露出した露出面を含む活性領域を被覆するように前記第２の主面上に設けられ、前記ドリフト領域とショットキー接合を形成するバリア金属層と、
前記バリア金属層の上に設けられたアノード電極層と、
前記第２の主面側に設けられ、はんだの付着を防止するように構成された、はんだ排除部と、
前記アノード電極層の上面のうち前記はんだ排除部により区画されたはんだ電極形成領域に設けられた、はんだ電極と、
を備えることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記はんだ排除部は、第１の方向に走る第１のはんだ排除部と、前記第１の方向と直交する第２の方向に走る第２のはんだ排除部とを有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１のはんだ排除部と前記第２のはんだ排除部とは、前記活性領域の中央において交わることを特徴とする請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記はんだ排除部は、所定の間隔を隔てて所定の方向に走る第１〜第ｎのはんだ排除部を有することを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記各トレンチ領域は、前記第１〜第ｎのはんだ排除部が走る方向と直交する方向に延在するように設けられていることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の上に設けられた絶縁層からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項７】
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の表面をレーザ加工することにより形成された酸化膜からなることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項８】
前記はんだ排除部は、前記バリア金属層の上に設けられた絶縁層からなり、前記アノード電極層は前記はんだ排除部により分割されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項９】
前記はんだ排除部は、前記半導体基板の前記第２の主面上に設けられた絶縁層からなり、前記バリア金属層および前記アノード電極層は前記はんだ排除部により分割されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記はんだ排除部を跨いで前記はんだ排除部の両側に位置する前記はんだ電極により、前記アノード電極層に電気的に接続された接続子をさらに備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項１１】
第１の主面から所定の深さにわたって設けられ、第１導電型の不純物を含有するカソード領域と、前記第１の主面と反対側の第２の主面から前記カソード領域に達するように設けられ、前記カソード領域よりも低濃度の不純物を含有する第１導電型のドリフト領域とを有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の前記第２の主面から前記半導体基板の内部に向かう方向に前記ドリフト領域よりも浅い複数の凹部を形成し、前記凹部内に絶縁膜を介して導電材を充填することにより、複数のトレンチ領域を形成する工程と、
前記複数のトレンチ領域の前記第２の主面に露出した露出面を含む活性領域を覆うように、前記第２の主面上にバリア金属層を形成する工程と、
前記バリア金属層の上にアノード電極層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第２の主面側に、はんだの付着を防止するように構成されたはんだ排除部を形成する工程と、
前記アノード電極層の上面のうち前記はんだ排除部により区画されたはんだ電極形成領域に、はんだ電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を所定の形状にパターニングすることにより形成することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の表面をレーザ加工により酸化することにより形成することを特徴とする請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置およびその製造方法、例えば、逆方向リーク電流を低減するために形成された複数のトレンチ領域を備えるトレンチショットキーバリアダイオードおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の一つとして、ショットキーバリアダイオードの一種であるトレンチショットキーバリアダイオードが知られている。このトレンチショットキーバリアダイオードでは、逆方向リーク電流を低減するために、シリコン基板などの半導体基板に複数のトレンチ領域が形成されている。各トレンチ領域の内部には、シリコン酸化膜などの絶縁膜を介してポリシリコンなどの導電材が充填されている。
【０００３】
なお、特許文献１には、トレンチ領域間のメサ領域に、ｎ＋型半導体領域を形成することで、順方向電圧および逆方向リーク電流のトレードオフを改善したトレンチショットキーバリアダイオードが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１４０９６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のトレンチショットキーバリアダイオードを搭載した半導体パッケージを組立てる際、トレンチショットキーバリアダイオードが作製された半導体装置に、外部と電気的に接続するための接続子を、はんだ電極を介して接合する必要がある。接続子は、例えば、金属プレートからなる接続用クリップなどである。
【０００６】
しかし、接続子を接合する際、溶融したはんだ電極の固化に伴って引っ張り力が発生し、半導体基板（半導体チップ）に反りが生じてしまう。このように半導体基板に反りが生じると、ショットキー接合面に応力が発生し、この応力に起因して逆方向リーク電流が増大するという課題があった。
【０００７】
そこで、本発明は、半導体装置に接続子をはんだ電極を介して接合した場合でも、逆方向リーク電流の増加を抑制することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一態様に係る半導体装置は、
第１の主面、および前記第１の主面と反対側の第２の主面を有する半導体基板と、
前記半導体基板の前記第１の主面から所定の深さにわたって設けられ、第１導電型の不純物を含有するカソード領域と、
前記半導体基板の前記第２の主面から前記カソード領域に達するように設けられ、前記カソード領域よりも低濃度の不純物を含有する第１導電型のドリフト領域と、
前記第２の主面から前記半導体基板の内部に向かう方向に前記ドリフト領域よりも浅く設けられ、内部には前記ドリフト領域との境界面に形成された絶縁膜を介して導電材が充填された複数のトレンチ領域と、
前記複数のトレンチ領域の前記第２の主面に露出した露出面を含む活性領域を被覆するように前記第２の主面上に設けられ、前記ドリフト領域とショットキー接合を形成するバリア金属層と、
前記バリア金属層の上に設けられたアノード電極層と、
前記第２の主面側に設けられ、はんだの付着を防止するように構成された、はんだ排除部と、
前記アノード電極層の上面のうち前記はんだ排除部により区画されたはんだ電極形成領域に設けられた、はんだ電極と、
を備えることを特徴とする。
【０００９】
また、前記半導体装置において、
前記はんだ排除部は、第１の方向に走る第１のはんだ排除部と、前記第１の方向と直交する第２の方向に走る第２のはんだ排除部とを有するようにしてもよい。
【００１０】
また、前記半導体装置において、
前記第１のはんだ排除部と前記第２のはんだ排除部とは、前記活性領域の中央において交わるようにしてもよい。
【００１１】
また、前記半導体装置において、
前記はんだ排除部は、所定の間隔を隔てて所定の方向に走る第１〜第ｎのはんだ排除部を有するようにしてもよい。
【００１２】
また、前記半導体装置において、
前記各トレンチ領域は、前記第１〜第ｎのはんだ排除部が走る方向と直交する方向に延在するように設けられているようにしてもよい。
【００１３】
また、前記半導体装置において、
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の上に設けられた絶縁層からなるようにしてもよい。
【００１４】
また、前記半導体装置において、
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の表面をレーザ加工することにより形成された酸化膜からなるようにしてもよい。
【００１５】
また、前記半導体装置において、
前記はんだ排除部は、前記バリア金属層の上に設けられた絶縁層からなり、前記アノード電極層は前記はんだ排除部により分割されているようにしてもよい。
【００１６】
また、前記半導体装置において、
前記はんだ排除部は、前記半導体基板の前記第２の主面上に設けられた絶縁層からなり、前記バリア金属層および前記アノード電極層は前記はんだ排除部により分割されているようにしてもよい。
【００１７】
また、前記半導体装置において、
前記はんだ排除部を跨いで前記はんだ排除部の両側に位置する前記はんだ電極により、前記アノード電極層に電気的に接続された接続子をさらに備えてもよい。
【００１８】
本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法は、
第１の主面から所定の深さにわたって設けられ、第１導電型の不純物を含有するカソード領域と、前記第１の主面と反対側の第２の主面から前記カソード領域に達するように設けられ、前記カソード領域よりも低濃度の不純物を含有する第１導電型のドリフト領域とを有する半導体基板を準備する工程と、
前記半導体基板の前記第２の主面から前記半導体基板の内部に向かう方向に前記ドリフト領域よりも浅い複数の凹部を形成し、前記凹部内に絶縁膜を介して導電材を充填することにより、複数のトレンチ領域を形成する工程と、
前記複数のトレンチ領域の前記第２の主面に露出した露出面を含む活性領域を覆うように、前記第２の主面上にバリア金属層を形成する工程と、
前記バリア金属層の上にアノード電極層を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第２の主面側に、はんだの付着を防止するように構成されたはんだ排除部を形成する工程と、
前記アノード電極層の上面のうち前記はんだ排除部により区画されたはんだ電極形成領域に、はんだ電極を形成する工程と、
を備えることを特徴とする。
【００１９】
前記半導体装置の製造方法において、
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を所定の形状にパターニングすることにより形成するようにしてもよい。
【００２０】
前記半導体装置の製造方法において、
前記はんだ排除部は、前記アノード電極層の表面をレーザ加工により酸化することにより形成するようにしてもよい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の一態様に係る半導体装置では、はんだ排除部により区画されたはんだ電極形成領域に設けられた各はんだ電極は、従来のはんだ電極に比べて体積が小さくなる。これにより、はんだ電極を介して半導体装置に接続子を接合させる際、半導体基板の反りが緩和されてショットキー接合面に加わる応力が低減する。
【００２２】
よって、本発明によれば、半導体装置に接続子をはんだ電極を介して接合した場合でも、逆方向リーク電流の増加を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の、図１中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図４】図３に続く、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明するための工程断面図である。
【図５】本発明の第１の実施形態に係る半導体装置に接続子を接合した状態を示す平面図である。
【図６】（ａ）は第１の実施形態に係る半導体装置の、図５中のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、（ｂ）は該半導体装置の、図５中のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図７】第１の実施形態の変形例に係る、バリア金属層上に設けられたはんだ排除部を備える半導体装置の断面図である。
【図８】第１の実施形態の変形例に係る、半導体基板上に設けられたはんだ排除部を備える半導体装置の断面図である。
【図９】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置の平面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態に係る半導体装置に接続子を接合した状態を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態について説明する。なお、各図において同等の機能を有する構成要素には同一の符号を付し、特に断る場合を除き、同一符号の構成要素の詳しい説明は繰り返さない。
【００２５】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態に係る半導体装置について、図１および図２を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る半導体装置の平面図である。図２は、第１の実施形態に係る半導体装置の、図１中のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【００２６】
半導体装置１は、逆方向リーク電流を低減するために形成された複数のトレンチ領域を備えるトレンチショットキーバリアダイオードである。この半導体装置１は、シリコン基板等の半導体基板２と、カソード領域３と、ドリフト領域４と、複数のトレンチ領域５と、バリア金属層９と、アノード電極層１０と、はんだ排除部１１と、はんだ電極１２と、環状絶縁膜１３とを備えている。
【００２７】
以下、半導体装置１の上記各構成要素について詳しく説明する。
【００２８】
半導体基板２は、図２に示すように、主面２ａと、主面２ａと反対側の主面２ｂとを有する。半導体基板２は、シリコン（Ｓｉ）の他、炭化ケイ素（ＳｉＣ）や化合物半導体（ＧａＮなど）であってもよい。
【００２９】
カソード領域３は、図２に示すように、半導体基板２の主面２ａから所定の深さにわたって設けられ、第１導電型の不純物を含有する。カソード領域３は、例えばｎ型であり、リン（Ｐ）を不純物として含有する。
【００３０】
ドリフト領域４は、図２に示すように、半導体基板２の主面２ｂからカソード領域３に達するように設けられている。このドリフト領域４は、カソード領域３よりも低濃度の不純物を含有する第１導電型の領域である。ドリフト領域４、カソード領域３と同じｎ型であり、リン（Ｐ）を不純物として含有する。
【００３１】
トレンチ領域５は、図２に示すように、複数設けられている。各トレンチ領域５は、主面２ｂから半導体基板２の内部に向かう方向にドリフト領域４よりも浅く設けられている。また、各トレンチ領域５の内部には、ドリフト領域４との境界面に形成された絶縁膜６を介して導電材７が充填されている。絶縁膜６は、シリコン酸化膜などの酸化膜である。導電材７は、例えばポリシリコンである。
【００３２】
なお、各トレンチ領域５の形状は、特に限定されるものではない。例えば、半導体基板２を平面視したときに、所定の方向に延在する線状、同心円状、あるいはスポット状に設けられていてもよい。
【００３３】
また、各トレンチ領域５の内部には、第２の導電型（例えばｐ型）の半導体材料が充填されていてもよい。この場合、充填された半導体材料とドリフト領域４との境界面にｐｎ接合が形成され、このｐｎ接合の空乏層が絶縁膜６となる。
【００３４】
バリア金属層９は、図２に示すように、半導体基板２の主面２ｂ上に設けられている。このバリア金属層９は、例えばモリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）またはニッケル（Ｎｉ）からなり、ドリフト領域４とショットキー接合を形成する。なお、バリア金属層９は、図２に示すように、活性領域を被覆するように設けられる。ここで、活性領域は、後ほど図３を参照して説明するが、複数のトレンチ領域５の、主面２ｂに露出した露出面５ａを含む領域（活性領域８）を指す。
【００３５】
アノード電極層１０は、図２に示すように、バリア金属層９の上に設けられており、例えば、アルミニウム（Ａｌ）膜／ニッケル（Ｎｉ）膜などの積層膜からなる。
【００３６】
はんだ排除部１１は、半導体基板２の主面２ｂ側に設けられており、はんだの付着を防止するように構成されている。例えば、はんだ排除部１１は、図２に示すように、アノード電極層１０の上に設けられた絶縁層（ポリイミド層など）からなる。あるいは、はんだ排除部１１は、アノード電極層１０の表面をレーザ加工することにより形成された酸化膜であってもよい。
【００３７】
図１に示すように、はんだ排除部１１は、第１の方向（図１において水平方向）に走るはんだ排除部１１ａと、第１の方向と直交する第２の方向（図１において垂直方向）に走るはんだ排除部１１ｂとを有する。これにより、アノード電極層１０の上面は４つの領域（はんだ電極形成領域）に区画される。
【００３８】
はんだ電極１２は、はんだ排除部１１を避けるようにアノード電極層１０上に設けられている。換言すれば、はんだ電極１２は、アノード電極層１０の上面のうち、はんだ排除部１１により区画されたはんだ電極形成領域１０ａに設けられている。このことは、はんだ排除部１１により、１つのはんだ電極が複数のはんだ電極に分割されたとも言える。
【００３９】
なお、はんだ電極１２を構成するはんだの種類は、特に限定されるものではなく、例えばＰｂフリーはんだでもよい。
【００４０】
環状絶縁膜１３は、半導体基板２の主面２ｂ上に設けられ、バリア金属層９を囲む環状の絶縁膜である。この環状絶縁膜１３は、半導体装置１の耐湿性や防水性の向上等のために設けられている。
【００４１】
上記の本実施形態に係る半導体装置１では、各々のはんだ電極１２は、従来のはんだ電極に比べて体積が小さくなる。これにより、はんだ電極１２を介して半導体装置１に接続子を接合させる際、半導体基板２の反りが緩和されてショットキー接合面に加わる応力が低減する。その結果、本実施形態によれば、半導体装置１に接続子をはんだ電極を介して接合した場合でも、逆方向リーク電流の増加を抑制することができる。
【００４２】
なお、はんだ排除部１１ａとはんだ排除部１１ｂとは、活性領域の中央において交わることが好ましい。これにより、各はんだ電極１２に流れる電流を均一化することができる。
【００４３】
次に、図３および図４を参照して半導体装置１の製造方法について説明する。図３及び図４は、第１の実施形態に係る半導体装置１の製造方法を説明するための工程断面図である。
【００４４】
まず、図３（１）に示すように、カソード領域３と、ドリフト領域４とを有する半導体基板２を準備する。
【００４５】
次に、図３（１）に示すように、半導体基板２の主面２ｂ上に絶縁膜１３Ａを形成する。この絶縁膜１３Ａは、半導体基板２を熱酸化して得られる酸化膜（シリコン酸化膜など）である。そして、フォトリソグラフィおよびエッチングにより絶縁膜１３Ａを環状に加工して、図３（２）に示すように環状絶縁膜１３を形成する。環状絶縁膜１３に囲われた領域が活性領域８となる。
【００４６】
次に、図３（２）に示すように、複数のトレンチ領域５を形成する。これらのトレンチ領域５は、まず、半導体基板２の主面２ｂから半導体基板２の内部に向かう方向にドリフト領域４よりも浅い複数の凹部を形成し、その後、この凹部内に絶縁膜６を介して導電材７を充填することにより形成する。各トレンチ領域５は、主面２ｂに露出した露出面５ａを有する。活性領域８は、図３（２）に示すように、各トレンチ領域５の露出面５ａを含む。
【００４７】
なお、凹部の形成は、例えば、フォトリソグラフィおよび異方性エッチングにより行う。絶縁膜６および導電材７の形成は、例えば、熱酸化により凹部内および主面２ｂ上にシリコン酸化膜を形成した後、化学気相成長法（ＣＶＤ法）により凹部内および主面２ｂ上にポリシリコンを形成し、主面２ｂ上のシリコン酸化膜とポリシリコンを化学的機械的研磨（ＣＭＰ）により除去することにより行う。
【００４８】
次に、図３（３）に示すように、活性領域８を覆うように主面２ｂ上にバリア金属層９を形成する。このバリア金属層９の形成は、蒸着法などにより、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）またはニッケル（Ｎｉ）などの金属層を形成することにより行う。
【００４９】
次に、図４（１）に示すように、バリア金属層９の上にアノード電極層１０を形成する。このアノード電極層１０の形成は、蒸着法などにより、アルミニウム（Ａｌ）膜／ニッケル（Ｎｉ）膜などの積層膜を形成することにより行う。
【００５０】
次に、図４（２）に示すように、半導体基板２の主面２ｂ側に、はんだの付着を防止するように構成されたはんだ排除部１１を形成する。これにより、アノード電極層１０の上面は、はんだ排除部１１により、複数のはんだ電極形成領域１０ａに区画される。
【００５１】
はんだ排除部１１は、例えば、アノード電極層１０上にポリイミドなどの絶縁層を形成した後、絶縁層をフォトリソグラフィにより所定の形状にパターニングすることにより形成する。ポリイミドなどの絶縁物ははんだを弾くため、はんだ排除部１１を形成することが可能である。
【００５２】
また、はんだ排除部１１は、アノード電極層１０の表面をレーザ加工により酸化することにより形成してもよい。金属の酸化膜についてもはんだを弾くため、このようにしてもはんだ排除部１１を形成することができる。
【００５３】
次に、図４（３）に示すように、はんだ電極形成領域１０ａに、はんだ電極１２を形成する。はんだ排除部１１ははんだを排除する性質を有するため、はんだ電極１２の形成は、従来と同様、アノード電極層１０の上面にはんだをベタ印刷することにより行うことができる。この後、図示しないが、カソード領域３上（半導体基板２の主面２ａ上）に、例えばチタン（Ｔｉ）膜／ニッケル（Ｎｉ）膜／銀（Ａｇ）膜の積層膜からなるカソード電極層が形成される。
【００５４】
上記の工程を経て、図１および図２に示す半導体装置１を製造することができる。
【００５５】
次に、図５および図６を参照して、接続子が取付けられた半導体装置１の一例について説明する。図５は半導体装置１に接続子を接合した状態を示す平面図であり、図６（ａ）は半導体装置１の、図５中のＡ−Ａ線に沿う断面図であり、図６（ｂ）は半導体装置１の、図５中のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【００５６】
この例では、図５に示すように２つの接続子１４が半導体装置１に接合されている。接続子１４は、図６（ｂ）に示すように、はんだ排除部１１を跨いではんだ排除部１１ａの両側に位置するはんだ電極１２，１２により、アノード電極層１０に電気的に接続されている。本実施形態によれば、上記のように半導体装置１に接続子１４をはんだ電極１２を介して接合した場合でも、逆方向リーク電流の増加を抑制することができる。
【００５７】
次に、本実施形態の第１および第２の変形例について、それぞれ図７および図８を参照して説明する。
【００５８】
第１の変形例では、図７に示すように、はんだ排除部１１は、バリア金属層９の上に設けられた絶縁層（ポリイミド層など）からなる。この場合、アノード電極層１０は、はんだ排除部１１により分割されている。
【００５９】
第２の変形例では、図８に示すように、はんだ排除部１１は、半導体基板２の主面２ｂ上に設けられた絶縁層（ポリイミド層など）からなる。この場合、バリア金属層９およびアノード電極層１０は、はんだ排除部１１により分割されている。
【００６０】
第１および第２の変形例による場合についても、前述の作用効果を得ることができる。はんだ排除部１１は、アノード電極層１０上のはんだを分割するように設けられていれば、アノード電極層１０上に形成される場合に限らない。このように、はんだ排除部１１は、半導体基板２の主面２ｂ側に設けられていればよい。
【００６１】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態に係る半導体装置について図９および図１０を参照して説明する。図９は本実施形態に係る半導体装置１Ａの平面図であり、図１０は半導体装置１Ａに接続子１４を接合した状態を示す平面図である。
【００６２】
第２の実施形態の第１の実施形態との相違点の一つは、はんだ排除部１１の形状である。図９に示すように、はんだ排除部１１は、所定の間隔を隔てて所定の方向（図９において水平方向）に走るはんだ排除部１１−１，１１−２，・・・，１１−１０を有する。即ち、はんだ排除部１１は、第１の実施形態では十字状に形成されていたのに対し、第２の実施形態ではストライプ状に形成される。なお、はんだ排除部の本数は上記の値（１０本）に限るものではない。
【００６３】
このようにはんだ排除部１１がストライプ状に設けられている場合でも、各々のはんだ電極１２は従来のはんだ電極に比べて体積が小さくなるため、第１の実施形態と同様、半導体装置１Ａに接続子をはんだ電極を介して接合した場合でも、逆方向リーク電流の増加を抑制することができる。
【００６４】
なお、接続子１４は、図１０に示すように、複数のはんだ排除部を跨いで複数のはんだ電極１２により、アノード電極層１０に電気的に接続されている。
【００６５】
また、本実施形態において、各トレンチ領域５は、はんだ排除部１１−１，１１−２，・・・，１１−ｎが走る方向と直交する方向（図９において垂直方向）に延在するように設けられていることが好ましい。これにより、はんだ電極１２が図９に示すようにトレンチ領域５と直交する方向に延在するようになるため、トレンチ領域５に対する半導体基板２の反りの影響が軽減され、逆方向リーク電流の増加をさらに抑制することができる。
【００６６】
上記の記載に基づいて、当業者であれば、本発明の追加の効果や種々の変形を想到できるかもしれないが、本発明の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではない。異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。特許請求の範囲に規定された内容及びその均等物から導き出される本発明の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更及び部分的削除が可能である。
【符号の説明】
【００６７】
１，１Ａ  半導体装置
２  半導体基板
２ａ，２ｂ  主面
３  カソード領域
４  ドリフト領域
５  トレンチ領域
５ａ  露出面
６  絶縁膜
７  導電材
８  活性領域
９  バリア金属層
１０  アノード電極層
１０ａ  はんだ電極形成領域
１１，１１ａ，１１ｂ，１１−１，１１−２，１１−ｎ  はんだ排除部
１２  はんだ電極
１３Ａ  絶縁膜
１３  環状絶縁膜
１４  接続子
【図１】
2014212265.tif 000003
【図２】
2014212265.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014212265.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
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