(57)【要約】【課題】コア基板を薄くしてもねじれや反りの発生を防止できる配線基板を提供する。【解決手段】第１配線層２０を備えたコア基板１０と、コア基板１０の上に形成された繊維補強材含有樹脂層３０と、繊維補強材含有樹脂層３０の上に形成されたプライマー層３２とにより形成され、第１配線層２０に到達するビアホールＶＨ１を備えた層間絶縁層４０と、プライマー層３２の上に形成され、ビアホールＶＨ１を介して第１配線層２０に接続される第２配線層２２とを含む。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１配線層を備えたコア基板と、
前記コア基板の上に形成された繊維補強材含有樹脂層と、前記繊維補強材含有樹脂層の上に形成されたプライマー層とにより形成され、前記第１配線層に到達するビアホールを備えた層間絶縁層と、
前記プライマー層の上に形成され、前記ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層とを有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記コア基板の厚みは、１００μｍ〜２００μｍであることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記プライマー層の表面は粗化面となっており、前記第２配線層は前記粗化面の上に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の配線基板。
【請求項４】
前記第１配線層は、前記コア基板の両面側に形成されて、前記コア基板のスルーホールに形成された導体層を介して相互接続されており、
前記コア基板の両面側に、前記層間絶縁層及び前記第２配線層がそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の配線基板。
【請求項５】
第１配線層を備えたコア基板の上に、繊維補強材含有樹脂層及びプライマー層が順に積層された積層体を形成して層間絶縁層を得る工程と、
前記層間絶縁層を加工することにより、前記第１配線層に到達するビアホールを形成する工程と、
前記プライマー層の上に、前記ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層を形成する工程と有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記コア基板の厚みは、１００μｍ〜２００μｍであることを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記ビアホールを形成する工程の後に、前記ビアホール内をデスミア処理する工程を有し、前記デスミア処理によって前記プライマー層の表面を粗化面とすることを特徴とする請求項５又は６に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１配線層は前記コア基板の両面側に形成され、前記コア基板のスルーホールに形成された導体層を介して相互接続されており、
前記層間絶縁層を得る工程、前記ビアホールを形成する工程、及び前記第２配線層を形成する工程は、前記コア基板の両面側で行われることを特徴とする請求項５乃至７のいずれか一項に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体チップなどの電子部品を搭載するための配線基板がある。そのような配線基板の一例では、ガラスエポキシ樹脂などのコア基板の両面側にビルドアップ配線が形成されている。近年では、電子部品装置の小型化及び高性能化などが要求されており、それに対応するために配線基板のコア基板の薄型化が進められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−１８１６３０号公報
【特許文献２】特開２０１０−２３２４１８号公報
【特許文献３】特開２０１０−１０３２９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
後述する予備的事項の欄で説明するように、配線基板のコア基板を薄くすると十分な剛性が得られないため、配線基板の製造工程での加熱処理などによって配線基板にねじれや反りが発生する問題がある。
【０００５】
コア基板を薄くしてもねじれや反りの発生を防止できる配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
以下の開示の一観点によれば、第１配線層を備えたコア基板と、前記コア基板の上に形成された繊維補強材含有樹脂層と、前記繊維補強材含有樹脂層の上に形成されたプライマー層とにより形成され、前記第１配線層に到達するビアホールを備えた層間絶縁層と、前記プライマー層の上に形成され、前記ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層とを有する配線基板が提供される。
【０００７】
また、その開示の他の観点によれば、第１配線層を備えたコア基板の上に、繊維補強材含有樹脂層及びプライマー層が順に積層された積層体を形成して層間絶縁層を得る工程と、前記層間絶縁層を加工することにより、前記第１配線層に到達するビアホールを形成する工程と、前記プライマー層の上に、前記ビアホールを介して前記第１配線層に接続される第２配線層を形成する工程と有する配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
以下の開示によれば、配線基板では、コア基板の上に繊維補強材含有樹脂層が形成されて、コア基板の剛性が補強されている。これにより、配線基板を製造する工程で加熱処理などが繰り返し行われるとしても、コア基板にねじれや反りが発生することが防止される。
【０００９】
また、繊維補強材含有樹脂層の上にエポキシ樹脂などから形成されるプライマー層を密着層として形成している。プライマー層はその表面を容易に粗化できるため、アンカー効果によって配線層をプライマー層の上に密着性よく形成することができる。
【００１０】
このように、コア基板を繊維補強材含有樹脂層で補強し、その上にプライマー層を形成することにより、コア基板のねじれや反りの発生を防止できると共に、配線層２２の密着性を確保することでできる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】図１は予備的事項に係る配線基板を示す断面図である。
【図２】図２は予備的事項に係る配線基板の問題点を説明するための断面図である。
【図３】図３（ａ）〜（ｅ）は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その１）である。
【図４】図４（ａ）〜（ｄ）は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その２）である。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その３）である。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図（その４）である。
【図７】図７は実施形態の配線基板を示す断面図である。
【図８】図８は図７の配線基板を使用する半導体装置の一例を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、実施の形態について、添付の図面を参照して説明する。
【００１３】
実施形態を説明する前に、基礎となる予備的事項について説明する。図１に示すように、予備的事項に係る配線基板１００では、厚み方向の中央部にコア基板２００が配置されている。コア基板２００にはスルーホールＴＨが形成されており、スルーホールＴＨの内壁にスルーホールめっき層２２０が形成されている。さらに、スルーホールＴＨの残りの孔に樹脂２４０が充填されている。
【００１４】
また、コア基板２００の両面側には、スルーホールめっき層２２０を介して相互接続された第１配線層３００がそれぞれ形成されている。さらに、コア基板２００の両面側において、第１配線層３００の上には第２、第３、第４配線層３２０，３４０，３６０がそれぞれ積層されている。
【００１５】
両面側の第１〜第４配線層３００，３２０，３４０，３６０は、各々の間に配置された層間絶縁層４００を介して積層されている。そして、第１〜第４配線層３００，３２０，３４０，３６０は、各層間絶縁層４００に形成されたビアホールＶＨを介して接続されている。
【００１６】
また、コア基板２００の両面側において、第４配線層３６０の接続部上に開口部４２０ａが設けられたソルダレジスト４２０がそれぞれ形成されている。
【００１７】
コア基板２００はガラスエポキシ樹脂から形成され、その厚みは４００μｍ〜８００μｍである。コア基板２００は比較的厚い厚みを有するリジッド基板であり、十分な剛性を有する。このため、配線基板の製造工程で加熱処理などを繰り返し行っても、配線基板にねじれや反りが発生することはない。
【００１８】
近年では、電子部品装置の小型化及び高性能化などが要求されており、それに対応するために配線基板１００のコア基板２００の薄型化が進められている。
【００１９】
図２には、図１の配線基板１００において、コア基板２００の厚みを１００μｍ〜２００μｍに薄くした配線基板１２０が示されている。図２においてその他の要素は図１と同一である。
【００２０】
配線基板１２０のコア基板２００の厚みが１００μｍ〜２００μｍに薄くなると、剛性がかなり弱くなり、リジッド基板ではなくなってしまう。このため、図２に示すように、配線基板の製造工程で加熱処理などを繰り返し行うと、内部に発生する熱応力に対してコア基板２００が耐えることができず、配線基板１２０にねじれや反りが発生する問題がある。
【００２１】
以下に説明する実施形態では、前述した不具合を解消することができる。
【００２２】
（実施形態）
図３〜図６は実施形態の配線基板の製造方法を示す断面図、図７は実施形態の配線基板を示す断面図である。以下、実施形態の配線基板の製造方法を説明しながら配線基板の構造について説明する。
【００２３】
実施形態の配線基板の製造方法では、図３（ａ）に示すように、まず、絶縁樹脂材料から形成されるコア基板１０を用意する。コア基板１０は、好適にはガラスエポキシ樹脂などの繊維補強材含有樹脂から形成されるが、ポリイミドフィルムなどの樹脂フィルムから形成されてもよい。コア基板１０は１００μｍ〜２００μｍ程度の厚みに薄型化されており、十分な剛性を有していない。
【００２４】
次いで、図３（ｂ）に示すように、ルータ又は金型プレス機などによってコア基板１０を厚み方向に貫通加工することにより、スルーホールＴＨを形成する。スルーホールＴＨの直径は例えば５０μｍ〜１００μｍ程度である。多面取り用の大型のコア基板１０を使用する場合は、複数で画定された製品領域ごとにスルーホールＴＨがそれぞれ形成される。
【００２５】
続いて、図３（ｃ）に示すように、コア基板１０の両面及びスルーホールＴＨの内壁に無電解めっきにより銅層などのシード層２０ａを形成する。さらに、図３（ｄ）に示すように、コア基板１０の両面側及びスルーホールＴＨの内壁のシード層２０ａの上に、シード層２０ａをめっき給電経路に利用する電解めっきにより金属めっき層２０ｂを形成する。金属めっき層２０ｂはスルーホールＴＨ内を埋め込んで形成される。
【００２６】
さらに、図３（ｅ）に示すように、コア基板１０の両面側において、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングによって金属めっき層２０ｂ及びシード層２０ａをパターニングすることにより、第１配線層２０を形成する。
【００２７】
第１配線層２０はシード層２０ａ及び金属めっき層２０ｂから形成され、その全体の厚みは例えば２０μｍ〜５０μｍである。両面側の第１配線層２０は、スルーホールＴＨに充填された貫通電極ＴＥを介して相互接続される。
【００２８】
なお、図３（ｅ）の例の他に、貫通電極ＴＥがスルーホールＴＨの内壁にスルーホールめっき層として形成され、スルーホールＴＨの残りの孔が樹脂で充填されていてもよい。つまり、両面側の第１配線層２０はスルーホールＴＨに形成された導体層を介して相互接続されていればよい。
【００２９】
次いで、図４（ａ）に示すように、繊維補強材含有樹脂フィルム３０ａの一方の面にプライマーフィルム３２ａが接着された積層フィルムＭＦを用意する。
【００３０】
繊維補強材含有樹脂フィルム３０ａはガラス繊維、アラミド繊維、炭素繊維などの繊維補強材に熱硬化性樹脂、例えばエポキシ樹脂を含浸させ、加熱乾燥することによって半硬化状態（Ｂステージ）にしたものである。繊維補強材含有樹脂フィルム３０ａは、薄膜のコア基板１０に十分な剛性をもたせるための補強材として使用される。
【００３１】
プライマーフィルム３２ａは、半硬化状態（Ｂステージ）のエポキシ樹脂又はポリイミド樹脂などから形成され、配線層を密着性よく形成するための密着層として機能する。
【００３２】
繊維補強材含有樹脂フィルム３０ａ及びプライマーフィルム３２ａの両者において、樹脂の中にシリカフィラーが分散されていてもよい。
【００３３】
そして、図３（ｅ）の構造体の両面に、積層フィルムＭＦの繊維補強材含有樹脂フィルム３０ａの面をそれぞれ配置し、１９０℃〜２００℃の温度で金型などによって熱プレスする。これにより、コア基板１０の両面側において、繊維補強材含有樹脂フィルム３０ａ及びプライマーフィルム３２ａが溶融して流動化した後に、硬化する。
【００３４】
このようにして、図４（ｂ）に示すように、コア基板１０の両面側に、繊維補強材含有樹脂フィルム３０ａから形成された繊維補強材含有樹脂層３０がそれぞれ得られる。また、両面側の繊維補強材含有樹脂層３０は、外面にプライマーフィルム３２ａから形成されたプライマー層３２が接着された状態でそれぞれ形成される。
【００３５】
例えば、繊維補強材含有樹脂層３０の厚みは４０μｍ〜６０μｍであり、プライマー層３２の厚みは１０μｍ〜２０μｍである。
【００３６】
繊維補強材含有樹脂フィルム３０ａが溶融して流動化することによって、第１配線層２０の間のスペース領域が埋め込まれて第１配線層２０の段差が解消される。その結果、両面側のプライマー層３２の外面が平坦になって形成される。
【００３７】
薄型化されて剛性の低いコア基板１０の両面に繊維補強材含有樹脂層３０を形成することにより、コア基板１０の剛性が補強される。従って、後の多層配線の各種の製造工程で加熱処理などを繰り返し行っても、コア基板１０にねじれや反りが発生することが防止される。
【００３８】
また、本実施形態では、繊維補強材含有樹脂層３０の上にプライマー層３２を形成している。後述するように、プライマー層３２の上にめっき法に基づいて配線層が形成される。配線層を信頼性よく形成するためには、配線層の下地層の表面を粗化面としてアンカー効果によって密着性を確保する必要がある。
【００３９】
繊維補強材含有樹脂層３０の表面は適度に粗化することが困難であるため、繊維補強材含有樹脂層３０の上に配線層を直接形成すると、配線層の十分な密着性が得られない。
【００４０】
このため、本実施形態では、表面を容易に粗化できるエポキシ樹脂などのプライマー層３２を繊維補強材含有樹脂層３０の上に形成し、プライマー層３２の上に配線層を密着性よく形成するようにしている。
【００４１】
なお、図４（ａ）及び（ｂ）の例では、積層フィルムＭＦを貼り付けることにより、繊維補強材含有樹脂層３０及びプライマー層３２ａを形成したが、コア基板１０の両面側に繊維補強材含有樹脂層３０を形成した後に、その上にプライマー層３２を積層してもよい。
【００４２】
つまり、コア基板１０の両面側に、内側から順に、繊維補強材含有樹脂層３０及びプライマー層３２が積層された積層体を形成すればよい。
【００４３】
このようにして、コア基板１０の両面側に、維補強材含有樹脂層３０及びプライマー層３２から形成される第１層間絶縁層４０が得られる。
【００４４】
次いで、図４（ｃ）に示すように、コア基板１０の両面側において、プライマー層３２及び維補強材含有樹脂層３０をレーザで加工することにより、第１配線層２０に到達する第１ビアホールＶＨ１をそれぞれ形成する。
【００４５】
その後に、図４（ｄ）に示すように、過マンガン酸法などのデスミア処理によって、第１ビアホールＶＨ１内の樹脂スミアを除去してクリーニングする。このとき、プライマー層３２の表面が同時にデスミア処理される。
【００４６】
これにより、図４（ｄ）の部分拡大断面図に示すように、プライマー層３２の表面は、凹凸が形成されて粗化面Ｒとなる。プライマー層３２の表面粗さ（Ｒａ）は例えば１００ｎｍ〜６００ｎｍとなり、配線層を形成する際に十分なアンカー効果が得られる。
【００４７】
あるいは、デスミア処理は、ＣＦ4などのガスを使用するプラズマ処理によって行ってもよい。この場合も、プライマー層３２の表面を適度な粗化面Ｒとすることができる。プラズマ処理はドライエッチング装置によって行われる。
【００４８】
また、デスミア処理だけでは粗化が足りない場合は、デスミア処理を行った後に、さらにプライマー層３２の表面をプラズマ処理などで粗化してもよい。
【００４９】
続いて、図５（ａ）に示すように、コア基板１０の両面側の第１層間絶縁層４０の上に、第１ビアホールＶＨ１を介して第１配線層２０に接続される第２配線層２２をそれぞれ形成する。第２配線層２２は、例えばセミアディティブ法によって形成される。
【００５０】
詳しく説明すると、まず、図４（ｄ）の構造体の両面側において、プライマー層３２の上及び第１ビアホールＶＨ１の内壁に無電解めっき又はスパッタ法によって銅層などのシード層（不図示）を形成する。
【００５１】
続いて、第２配線層２２が配置される第１ビアホールＶＨ１を含む領域に開口部が設けられためっきレジスト（不図示）をシード層の上に形成する。続いて、シード層をめっき給電経路に利用する電解めっきにより、めっきレジストの開口部に銅層などの金属めっき層（不図示）を形成する。
【００５２】
さらに、めっきレジストを除去した後に、金属めっき層をマスクにしてシード層をエッチングすることにより第２配線層２２を得る。
【００５３】
次いで、図５（ｂ）に示すように、コア基板１０の両面側において、第１層間絶縁層４０及び第２配線層２２の上に未硬化の樹脂フィルムを熱プレスで貼り付けることにより、第２層間絶縁層４２をそれぞれ形成する。
【００５４】
さらに、図５（ｃ）に示すように、コア基板１０の両面側において、第２層間絶縁層４２をレーザで加工することにより、第２配線層２２に到達する第２ビアホールＶＨ２をそれぞれ形成する。
【００５５】
続いて、図６（ａ）に示すように、図５（ａ）の第２配線層２２の形成方法と同様な方法により、コア基板１０の両面側の第２層間絶縁層４２の上に、第２ビアホールＶＨ２を介して第２配線層２２に接続される第３配線層２４をそれぞれ形成する。
【００５６】
次いで、図６（ｂ）に示すように、コア基板１０の両面側において、第２層間絶縁層４２及び第３配線層２４の上に未硬化の樹脂フィルムを熱プレスで貼り付けることにより、第３層間絶縁層４４をそれぞれ形成する。さらに同様に、コア基板１０の両面側において、第３層間絶縁層４４をレーザで加工することにより、第３配線層２４に到達する第３ビアホールＶＨ３をそれぞれ形成する。
【００５７】
続いて、図６（ｃ）に示すように、図５（ａ）の第２配線層２２の形成方法と同様な方法により、コア基板１０の両面側の第３層間絶縁層４４の上に、第３ビアホールＶＨ３を介して第３配線層２４に接続される第４配線層２６をそれぞれ形成する。
【００５８】
その後に、図７に示すように、コア基板１０の両面側の第３層間絶縁層４４の上に、第４配線層２６の接続部上に開口部４６ａが設けられたソルダレジスト４６をそれぞれ形成する。さらに、必要に応じて、両面側の第４配線層２６の接続部にニッケル／金めっき層を形成するなどしてコンタクト層（不図示）を形成する。
【００５９】
以上により、実施形態の配線基板１が得られる。多面取り用の大型のコア基板１０を使用する場合は、各製品領域から個々の配線基板１が得られるように最上のソルダレジスト４６から最下のソルダレジスト４６まで切断される。
【００６０】
図７に示すように、実施形態の配線基板１では、厚み方向の中央部にコア基板１０が配置されている。コア基板１０の厚みは１００μｍ〜２００μｍ程度に薄型化されている。
【００６１】
コア基板１０には厚み方向に貫通するスルーホールＴＨが形成されている。コア基板１０の両面側には第１配線層２０がそれぞれ形成されている。両面側の第１配線層２０はスルーホールＴＨ内に充填された貫通電極ＴＥを介して相互接続されている。
【００６２】
コア基板１０の両面側には繊維補強材含有樹脂層３０がそれぞれ形成されている。繊維補強材含有樹脂層３０は薄型化されたコア基板１０の剛性を強化する補強材として機能する。また、両面側の繊維補強材含有樹脂層３０の上にプライマー層３２がそれぞれ形成されている。繊維補強材含有樹脂層３０及びプライマー層３２により第１層間絶縁層４０が形成される。
【００６３】
コア基板１０の両面側において、第１層間絶縁層４０には第１配線層２０に到達する第１ビアホールＶＨ１がそれぞれ形成されている。また、両面側の第１層間絶縁層４０の上には、第１ビアホールＶＨ１を介して第１配線層２０に接続される第２配線層２２がそれぞれ形成されている。
【００６４】
プライマー層３２は、第２配線層２２を密着性よく繊維補強材含有樹脂層３０の上に形成するための密着層として機能する。プライマー層３２の表面は粗化面Ｒ（図４（ｄ））となっており、アンカー効果によって第２配線層２２がプライマー層３２の上に密着性よく形成されている。
【００６５】
また、コア基板１０の両面側の第１層間絶縁層４０及び第２配線層２２の上に、第２配線層２２に到達する第２ビアホールＶＨ２を備えた第２層間絶縁層４２がそれぞれ形成されている。さらに、両面側の第２層間絶縁層４２の上には、第２ビアホールＶＨ２を介して第２配線層２２に接続された第３配線層２４がそれぞれ形成されている。
【００６６】
また同様に、コア基板１０の両面側の第２層間絶縁層４２及び第３配線層２４の上に、第３配線層２４に到達する第３ビアホールＶＨ３を備えた第３層間絶縁層４４がそれぞれ形成されている。さらに、両面側の第３層間絶縁層４４の上には、第３ビアホールＶＨ３を介して第３配線層２４に接続された第４配線層２６がそれぞれ形成されている。
【００６７】
また、コア基板１０の両面側の第３層間絶縁層４４の上に、第４配線層２６の接続部上に開口部４６ａが設けられたソルダレジスト４６がそれぞれ形成されている。
【００６８】
実施形態の配線基板１では、コア基板１０が薄型化されるとしても、コア基板１０が繊維補強材含有樹脂層３０で補強されているため十分な剛性を有する。従って、配線基板１の製造工程において樹脂フィルムを熱プレスする際の加熱処理などが繰り返し行われるとしても、コア基板１０は内部に発生する熱応力に耐えることができる。
【００６９】
これにより、配線基板１にねじれや反りが発生することが防止される。また、コア基板１０の剛性が補強されているので、コア基板１０のハンドリング性や搬送の信頼性を向上させることができる。
【００７０】
また、繊維補強材含有樹脂層３０の表面を適度に粗化することは困難であるため、繊維補強材含有樹脂層３０の上にプライマー層３２を密着層として形成している。前述したように、エポキシ樹脂などから形成されるプライマー層３２は、デスミア処理を行うこことで容易に粗化面Ｒが得られるため、アンカー効果によって第２配線層２２を密着性よく形成することができる。
【００７１】
このように、本実施形態の配線基板１では、コア基板１０を繊維補強材含有樹脂層３０で補強し、その上にプライマー層３２を形成することにより、コア基板１０の反りの発生を防止できると共に、第２配線層２２の密着性を確保することでできる。これにより、配線基板１が薄型化される場合であっても十分な信頼性を確保することができる。
【００７２】
本実施形態の例では、コア基板１０両面側に、貫通電極ＴＥを介して相互接続される第１〜第４配線層２０，２２、２４，２６を形成しているが、配線層の積層数は任意に設定することができる。
【００７３】
また、コア基板１０の片面のみに繊維補強材含有樹脂層３０及びプライマー層３２を含む多層配線を形成してもよい。
【００７４】
そして、図８に示すように、図７の配線基板１の上面側の第４配線層２６の接続部に半導体チップ５０のバンプ電極５２がフリップチップ接続される。さらに、半導体チップ５０と配線基板１との隙間にアンダーフィル樹脂５４が充填される。また、配線基板１の下面側の第４配線層２６の接続部にはんだボールを搭載するなどして外部接続端子５６を設ける。
【００７５】
これにより、本実施形態の配線基板を使用する半導体装置５が得られる。配線基板１の両面側の第１〜第４配線層２０，２２，２４、２６によって、半導体チップ５０のバンプ電極５２の狭ピッチが実装基板の接続電極の広ピッチに対応するようにピッチ変換される。
【００７６】
そして、半導体装置５の外部接続端子５６がマザーボードなどの実装基板の接続電極に接続される。
【符号の説明】
【００７７】
１…配線基板、５…半導体装置、１０…コア基板、２０ａ…シード層、２０ｂ…金属めっき層、２０…第１配線層、２２…第２配線層、２４…第３配線層、２６…第４配線層、３０…繊維補強材含有樹脂層、３０ａ…繊維補強材含有樹脂フィルム、３２…プライマー層、３２ａ…プライマーフィルム、４０…第１層間絶縁層、４２…第２層間絶縁層、４４…第３層間絶縁層、４６…ソルダレジスト、４６ａ…開口部、５０…半導体チップ、５２…バンプ電極、５４…アンダーフィル樹脂、５６…外部接続端子、ＭＦ…積層フィルム、ＴＥ…貫通電極、ＴＨ…スルーホール、ＶＨ１…第１ビアホール、ＶＨ２…第２ビアホール、ＶＨ３…第３ビアホール。
【図１】
2014003054.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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