(57)【要約】【課題】有機ＥＬ装置において、電気的混色（クロストーク）の発生を軽減すること。【解決手段】ベース層２と、ベース層２の表面部において、ベース層２の表面に沿う横方向に間隔を空けて配置された複数の下部電極３と、有機発光材料を含有し、複数の下部電極３を一括して覆うようにベース層２上に配置され、複数の下部電極３のそれぞれに対応する複数の画素５に区画された有機層８と、有機層８を挟んで下部電極３に対向する上部電極９と、ベース層２の表面部において、互いに隣り合う下部電極３間の領域に配置され、当該下部電極３間の漏れ電流を遮断するためのシールド電極４とを形成する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース層と、
前記ベース層の表面部において、前記ベース層の表面に沿う横方向に間隔を空けて配置された複数の下部電極と、
有機発光材料を含有し、前記複数の下部電極を一括して覆うように前記ベース層上に配置され、前記複数の下部電極のそれぞれに対応する複数の画素に区画された有機層と、
前記有機層を挟んで前記下部電極に対向する上部電極と、
前記ベース層の前記表面部において、互いに隣り合う前記下部電極間の領域に配置され、当該下部電極間の漏れ電流を遮断するためのシールド電極とを含む、有機ＥＬ装置。
【請求項２】
前記有機ＥＬ装置は、前記シールド電極と前記上部電極との電位差を、前記有機層の閾値電圧未満の大きさに制御するための電位制御回路をさらに含む、請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記電位制御回路は、前記シールド電極と前記上部電極との電位差を、グランド電位を超える大きさに制御する、請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記シールド電極は、前記ベース層の前記表面の法線方向から見た平面視において、前記下部電極を取り囲むように形成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
前記シールド電極は、その表面が前記ベース層の前記表面よりも高い位置になるように、前記ベース層の前記表面に形成された突出シールド電極を含む、請求項１〜４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記シールド電極は、その表面が前記ベース層の前記表面と同一平面または前記表面よりも低い位置になるように、前記ベース層に埋め込まれた埋め込みシールド電極を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記下部電極は、その表面が前記ベース層の前記表面と同一平面または前記表面よりも低い位置になるように、前記ベース層に埋め込まれた埋め込み下部電極を含む、請求項１〜６のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記ベース層は、複数の回路素子が形成された表面を有する基板と、前記基板上に配置され、その表面部に前記複数の下部電極が配置されていて、前記複数の回路素子と前記複数の下部電極とを電気的に接続する配線が形成された層間膜とを含む、請求項１〜７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記配線は、前記基板の前記表面に沿って配置された配線層と、前記配線層と前記下部電極とを接続するビアとを含み、
前記シールド電極は、前記ビアと同一層に形成されたビア電極を含む、請求項８に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
前記下部電極がモリブデン（Ｍｏ）からなり、前記シールド電極がアルミニウム（Ａｌ）からなる、請求項１〜９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１１】
前記下部電極間の領域の幅は、２μｍ以下である、請求項１〜１０のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１２】
前記複数の下部電極は、行列状に配列されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１３】
前記複数の下部電極は、ハニカム状に配列されている、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１４】
前記有機ＥＬ装置は、前記有機層で発生した光が前記有機層から前記上部電極へ向かう方向に取り出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置を含み、
前記上部電極は、前記光が通過可能な透明電極を含む、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１５】
前記上部電極は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）からなる、請求項１４に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１６】
前記有機ＥＬ装置は、前記上部電極上に配置されたカラーフィルタをさらに含む、請求項１４または１５に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１７】
前記有機ＥＬ装置は、前記有機層で発生した光が前記有機層から前記ベース層へ向かう方向に取り出されるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を含み、
前記上部電極は、前記光が反射可能な反射膜を兼ねている、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１８】
前記上部電極は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金からなる、請求項１７に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１９】
前記有機ＥＬ装置は、前記ベース層の裏面側に配置されたカラーフィルタをさらに含む、請求項１７または１８に記載の有機ＥＬ装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、トップエミッション方式のアクティブマトリックス型カラー有機ＥＬ(Electro Luminescence)ディスプレイを開示している。当該カラー有機ＥＬディスプレイは、色変換フィルタ基板と有機ＥＬ素子を貼り合わせた構造を有する。有機ＥＬ素子は、支持基板上に、ＴＦＴ（Thin Film Transistor）と、平坦化層と、下部電極と、その上に設けられた有機発光層と、上部電極とを有する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−１２３０８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に係るカラー有機ＥＬディスプレイでは、下部電極は、互いに間隔を空けて複数設けられている。そのため、隣り合う画素間において、上部電極をゲート、一方の画素の下部電極をソース、他方の画素の下部電極をドレインとする寄生トランジスタが形成される。その結果、一方の下部電極（ソース）から他方の下部電極（ドレイン）へ向かって漏れ電流が流れ、本来発光しないはずの画素が発光するという電気的混色（クロストーク）が誘発されるおそれがある。混色の発生は、有機ＥＬディスプレイの画質を低下させ、また、ＮＴＳＣ（National Television System Committee）比（色域）を低下させる。そして、この電気的混色は、寄生トランジスタのみが要因で起こるものでなく、たとえば、下部電極の狭ピッチ化や有機発光層中の不純物等が要因で起こる場合もある。
【０００５】
そこで、本発明の目的は、電気的混色（クロストーク）の発生を軽減することができる有機ＥＬ装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の有機ＥＬ装置は、ベース層と、前記ベース層の表面部において、前記ベース層の表面に沿う横方向に間隔を空けて配置された複数の下部電極と、有機発光材料を含有し、前記複数の下部電極を一括して覆うように前記ベース層上に配置され、前記複数の下部電極のそれぞれに対応する複数の画素に区画された有機層と、前記有機層を挟んで前記下部電極に対向する上部電極と、前記ベース層の前記表面部において、互いに隣り合う前記下部電極間の領域に配置され、当該下部電極間の漏れ電流を遮断するためのシールド電極とを含む（請求項１）。
【０００７】
この構成によれば、シールド電極に適切な大きさの電圧を印加しておくことによって、或る下部電極から隣の下部電極へ向かって漏れ電流が流れても、その漏れ電流の一部または全部をシールド電極で吸い出すことができる。そのため、当該漏れ電流が隣の画素に流れることをなくすか、または少なくすることができる。その結果、電気的混色（クロストーク）の発生を軽減することができる。
【０００８】
前記有機ＥＬ装置は、前記シールド電極と前記上部電極との電位差を、前記有機層の閾値電圧未満の大きさに制御するための電位制御回路をさらに含むことが好ましい（請求項２）。
この構成によれば、有機層のシールド電極と上部電極との間の部分での発光を防止することができる。そのため、シールド電極に隣接する画素へ余計な光が混入することを防止できるので、光学的混色（クロストーク）の発生を抑制することができる。
【０００９】
前記電位制御回路は、前記シールド電極と前記上部電極との電位差を、グランド電位を超える大きさに制御することがさらに好ましい（請求項３）。
この構成によれば、下部電極とシールド電極との電位差を低く抑えることができるので、不要な漏れ電流の増加を抑制することができる。
前記シールド電極は、前記ベース層の前記表面の法線方向から見た平面視において、前記下部電極を取り囲むように形成されていることが好ましい（請求項４）。
【００１０】
この構成によれば、下部電極の周囲にシールド電極が配置されているので、下部電極から四方八方どの方向に漏れ電流が流れても、当該漏れ電流を確実に吸い出すことができる。その結果、電気的混色を一層軽減することができる。
前記シールド電極は、その表面が前記ベース層の前記表面よりも高い位置になるように、前記ベース層の前記表面に形成された突出シールド電極を含んでいてもよい（請求項５）。
【００１１】
また、前記シールド電極は、その表面が前記ベース層の前記表面と同一平面または前記表面よりも低い位置になるように、前記ベース層に埋め込まれた埋め込みシールド電極を含むことが好ましい（請求項６）。
この構成によれば、互いに隣り合う下部電極間の領域、つまり、各画素（発光ピクセル）に近い場所において、ベース層の表面からシールド電極が突出することによる段差をなくすことができる。そのため、各画素で発生した光が、シールド電極で反射して、意図しない方向に進むことを防止することができる。その結果、各画素における光の偏りや、光学的混色の発生を軽減することができる。
【００１２】
前記下部電極は、その表面が前記ベース層の前記表面と同一平面または前記表面よりも低い位置になるように、前記ベース層に埋め込まれた埋め込み下部電極を含むことが好ましい（請求項７）。
この構成によれば、下部電極がベース層に埋め込まれているので、各画素で発生した光が、下部電極で反射して、意図しない方向に進むことを防止することができる。その結果、各画素における光の偏りや、光学的混色（クロストーク）の発生を軽減することができる。
【００１３】
前記ベース層は、複数の回路素子が形成された表面を有する基板と、前記基板上に配置され、その表面部に前記複数の下部電極が配置されていて、前記複数の回路素子と前記複数の下部電極とを電気的に接続する配線が形成された層間膜とを含んでいてもよい（請求項８）。
この場合、前記配線は、前記基板の前記表面に沿って配置された配線層と、前記配線層と前記下部電極とを接続するビアとを含み、前記シールド電極は、前記ビアと同一層に形成されたビア電極を含むことが好ましい（請求項９）。
【００１４】
この構成によれば、シールド電極が、層間膜中のビアと同一層にあるビア電極であるため、ビアを作製するときの微細化技術を利用して、シールド電極を微細化することができる。また、各下部電極に電気を供給するビアと同一工程で形成することができるので、製造工程を簡略化することができる。
本発明の有機ＥＬ装置では、前記下部電極が、モリブデン（Ｍｏ）からなり、前記シールド電極がアルミニウム（Ａｌ）からなることが好ましい（請求項１０）。
【００１５】
熱処理後の特性に関してモリブデンとアルミニウムとを比べると、モリブデンは、酸素存在下の熱処理によって、正孔（ホール）を注入し易い特性を有する酸化モリブデン（ＭｏＯ２）に変質する。一方、アルミニウムは、当該熱処理によって酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）に変質するが、酸化アルミニウムは、正孔を注入し難いものである。したがって、アルミニウムをシールド電極に用いることによって、余計な正孔が有機層内に注入されることを抑制することができるので、各画素における発光を安定させることができる。一方、モリブデンを下部電極に用いることによって、正孔を効率よく注入可能な陽極としての下部電極が形成し易くなる。このように、シールド電極および下部電極（陽極として用いる場合）に要求される特性は互いに反対の関係にあるが、その特性を効率よく発現させるためのプロセスは、酸素存在下の熱処理という点で同じである。そのため、共通の熱処理工程を経ることによって、シールド電極および下部電極それぞれに要求される特性を同時に発現させることができる。
【００１６】
また、前記下部電極間の領域の幅は、２μｍ以下であってもよい（請求項１１）。すなわち、本発明による漏れ電流の吸い出し効果は、下部電極の狭ピッチ化によって漏れ電流が隣接画素に流入しやすいマイクロディスプレイにおいて、特に発揮することができる。
また、前記複数の下部電極は、行列状に配列されていてもよいし（請求項１２）、ハニカム状に配列されていてもよい（請求項１３）。
【００１７】
前記有機ＥＬ装置は、前記有機層で発生した光が前記有機層から前記上部電極へ向かう方向に取り出されるトップエミッション型の有機ＥＬ装置を含み、前記上部電極は、前記光が通過可能な透明電極を含んでいてもよい（請求項１４）。
この場合、前記上部電極は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、マグネシウム銀（ＭｇＡｇ）、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）または酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）からなることが好ましい（請求項１５）。
【００１８】
また、前記有機ＥＬ装置は、前記上部電極上に配置されたカラーフィルタをさらに含んでいてもよい（請求項１６）。
この構成によれば、有機層で発生した光をカラーフィルタに通すことによって良好な発色を得ることができる。
前記有機ＥＬ装置は、前記有機層で発生した光が前記有機層から前記ベース層へ向かう方向に取り出されるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を含み、前記上部電極は、前記光が反射可能な反射膜を兼ねていてもよい（請求項１７）。
【００１９】
この場合、前記上部電極は、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）、白金（Ｐｔ）またはこれらの合金からなることが好ましい（請求項１８）。
また、前記有機ＥＬ装置は、前記ベース層の裏面側に配置されたカラーフィルタをさらに含んでいてもよい（請求項１９）。
この構成によれば、有機層で発生した光および上部電極で反射した光をカラーフィルタに通すことによって良好な発色を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の模式的な平面図である。
【図２】図２は、図１の切断面線II−IIから見た断面図である。
【図３】図３の（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る下部電極およびシールド電極の構成を得るための模式的な工程図である。
【図４】図４は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置の模式的な断面図である。
【図５】図５の（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る下部電極およびシールド電極の構成を得るための模式的な工程図である。
【図６】図６は、本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置の模式的な断面図である。
【図７】図７は、本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ装置の模式的な断面図である。
【図８】図８は、本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ装置の模式的な断面図である。
【図９】図９は、本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ装置の模式的な断面図である。
【図１０】図１０は、前記第１〜第６実施形態に係る画素配列の変形例を示す有機ＥＬ装置の模式的な平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下では、本発明の実施の形態を、添付図面を参照して詳細に説明する。
図１は、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置の模式的な平面図である。
第１実施形態に係る有機ＥＬ装置１は、いわゆるトップエミッション方式のアクティブマトリクス型の有機ＥＬ装置を示している。
有機ＥＬ装置１は、ベース層２と、下部電極３と、シールド電極４と、複数の画素５と、カラーフィルタ６とを含む。なお、下部電極３は、陽極または陰極として用いることができるが、本実施形態では、その一例として、下部電極３が陽極からなる場合について説明する。
【００２２】
下部電極３は、ベース層２の表面に沿う横方向に互いに間隔を開けて複数設けられている。複数の下部電極３の配列パターンは、この実施形態では、行列状（たとえば正方行列状）である。互いに隣り合う下部電極３間の領域の幅Ｗ１は、２μｍ以下であることが好ましい。下部電極３は、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）もしくは白金（Ｐｔ）などの高反射率を有する金属材料、または、これらの高反射率を有する金属材料を主成分とする合金材料（たとえば、アルミニウム合金（ＡｌＣｕ））からなる。
【００２３】
シールド電極４は、ベース層２の表面を法線方向から見た平面視において、各下部電極３から所定の間隔を開けて、各下部電極３を取り囲むように形成されている。本実施形態では、シールド電極４は、その配置の一例として、各画素５の境界７上に格子状に配置されている。これにより、互いに隣り合う下部電極３で挟まれたシールド電極４は、当該下部電極３によって共有されている。シールド電極４は、下部電極３間の漏れ電流を遮断する機能を有している。
【００２４】
シールド電極４は、下部電極３と同一材料により形成することができるが、下部電極３が陽極であり、かつ、モリブデン（Ｍｏ）からなる場合、シールド電極４は、アルミニウム（Ａｌ）からなることが好ましい。
複数の画素５は、各下部電極３に対応するように行列状（正方行列状）に配置されている。具体的には、各下部電極３は互いに所定の間隔を開けて規則的に配置され、各下部電極３の動作は互いに独立している。これにより、隣り合う各下部電極３の間には境界７が設定される。この境界７に囲まれた部分によって、画素５が設定される。
【００２５】
カラーフィルタ６は、各画素５を一括して覆うように配置されている。カラーフィルタ６は、Ｒ（Ｒｅｄ：赤色）用フィルタ６ａと、Ｇ（Ｇｒｅｅｎ：緑色）用フィルタ６ｂと、Ｂ（Ｂｌｕｅ：青色）用フィルタ６ｃとからなるＲＧＢフィルタを含む。各フィルタ６（６ａ，６ｂ，６ｃ）は各画素５に対応するように行列状に配列されている。本実施形態では、各フィルタ６の配列の一例として、Ｒ用フィルタ６ａと、Ｇ用フィルタ６ｂと、Ｂ用フィルタ６ｃとが規則的に一列になるように配列された構成を示している。なお、各フィルタ６の配列は、本実施形態の配列に限定されず、たとえば、Ｒ用フィルタ６ａおよびＢ用フィルタ６ｃの２つを互いに対向配置し、他方の対角において２つのＧ用フィルタ６ｂを互いに対角配置してもよい。
【００２６】
次に、有機ＥＬ装置１の断面構造を説明する。図２は、図１の切断面線II−IIから見た断面図である。また、図３の（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１実施形態に係る下部電極３およびシールド電極４の構成を得るための模式的な工程図である。
図２に示すように、有機ＥＬ装置１は、ベース層２とカラーフィルタ６との間に配置された有機層８、上部電極９および封止層１０をさらに含む。有機層８、上部電極９および封止層１０は、ベース層２の表面からこの順に積層されている。
【００２７】
ベース層２は、基板１１と、電位制御回路１２と、層間膜１３とを含む。基板１１は、本実施形態では、ｐ型シリコン基板である。なお、基板１１は、たとえば、ｎ型シリコン基板、ガラスまたはガラスバリア膜付プラスティックフィルムなどであってもよい。
電位制御回路１２は、回路素子１４ａ，１４ｂと、層間膜１３内に配置された第１配線１５および第２配線１６とを含む。回路素子１４ａは、第１配線１５を介して下部電極３と電気的に接続され、回路素子１４ｂは、第２配線１６を介してシールド電極４と電気的に接続される。図２では、各回路素子１４ａ，１４ｂの一例として、ｎ型のＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）を示している。
【００２８】
各回路素子１４ａ，１４ｂは、基板１１の表面部に形成されている。各回路素子１４ａ，１４ｂは、基板１１の表面部に選択的に形成されたソース層１７およびドレイン層１８と、ソース層１７とドレイン層１８の間に配置されたゲート電極１９とを含む。基板１１上には、ゲート電極１９を覆うように層間膜１３が配置されている。また、ゲート電極１９と基板１１との間には、ゲート絶縁膜２０が配置されている。各回路素子１４ａ，１４ｂの間の基板１１の表面部には、絶縁層２１が配置されており、各回路素子１４ａ，１４ｂの動作は互いに独立している。
【００２９】
第１配線１５は、第１配線層２２と、第１ビア電極２３と、第２ビア電極２４とを含む。第１配線層２２は、層間膜１３の表面に沿う横方向に互いに間隔を開けて、層間膜１３の厚さ方向中間部に複数配置されている。複数の第１配線層２２の配列パターンは、この実施形態では、行列状（たとえば正方行列状）である。
第１ビア電極２３は、第１配線層２２の裏面から層間膜１３の厚さ方向に延び、回路素子１４ａと接続されている。また、第２ビア電極２４は、第１配線層２２の表面から層間膜１３の表面（下部電極３の裏面）に向けて延び、下部電極３に接続されている。
【００３０】
これにより、各下部電極３は、第１配線１５を介して対応する各回路素子１４ａと電気的に接続される。つまり、各下部電極３は、シールド電極４とは独立して、回路素子１４ａおよび第１配線１５を含む電位制御回路１２により印加される電圧が制御される。
第２配線１６は、第２配線層２５と、第３ビア電極２６と、第４ビア電極２７とを含む。第２配線層２５は、ベース層２の表面を法線方向から見た平面視において、各第１配線層２２から所定の間隔を開けて、各第１配線層２２を取り囲むように各第１配線層２２と同一の層に配置されている。なお、第２配線層２５は、第１配線層２２に対して上側（下部電極３に近い側）または下側（基板１１に近い側）に配置されていてもよい。
【００３１】
第３ビア電極２６は、第２配線層２５の裏面から層間膜１３の厚さ方向に延び、回路素子１４ｂと接続されている。また、第４ビア電極２７は、第２配線層２５の表面から層間膜１３の表面（シールド電極４の裏面）に向けて延び、シールド電極４に接続されている。
これにより、シールド電極４は、第２配線１６を介して対応する各回路素子１４ｂと電気的に接続される。つまり、シールド電極４は、各下部電極３とは独立して、回路素子１４ｂおよび第２配線１６を含む電位制御回路１２により印加される電圧が制御される。
【００３２】
下部電極３は、層間膜１３上に配置されている。下部電極３は、層間膜１３の表面から有機層８に向けて突出しており、下部電極３の底面から上面に向けてその幅は徐々に狭まるテーパ形状を有している。
また、下部電極３は、前述したように電位制御回路１２と電気的に接続されており、下部電極３に印加される電圧のＯＮとＯＦＦとが電位制御回路１２によって制御される。下部電極３がＯＮの場合、下部電極３には有機層８が導通するように所定の定電圧（正の電圧）が印加され、下部電極３から正孔が有機層８へと注入される。また、下部電極３がＯＦＦの場合は、下部電極３はオープン状態となる。
【００３３】
シールド電極４は、層間膜１３上において各画素５の境界７上に配置されている。つまり、シールド電極４は、境界７を横切るように配置されている。シールド電極４は、層間膜１３の表面から有機層８に向けて突出しており、シールド電極４の底面から上面に向けてその幅は徐々に狭まるテーパ形状を有している。また、シールド電極４は、下部電極３と同じ層厚を有している。
【００３４】
また、シールド電極４は、前述したように電位制御回路１２と電気的に接続されており、下部電極３に印加される電圧とは異なる所定の定電圧（正の電圧）が常時印加されている。この場合、シールド電極４に印加される電圧と、上部電極９に印加される電圧との電位差が有機層８の閾値電圧を超えると、有機層８は導通するので、光が生成される。そのため、上部電極９に印加される電圧に対するシールド電極４に印加される電圧は、有機層８の閾値電圧未満であることが好ましい。これにより、有機層８のシールド電極４と上部電極９との間の部分での発光を防止することができる。そのため、シールド電極４に隣接する画素５へ余計な光が混入することを防止できるので、光学的混色（クロストーク）の発生を抑制することができる。
【００３５】
一方、シールド電極４がグランド電位に固定されている場合、下部電極３とシールド電極４との間の電圧降下は大きくなるので、意図しない漏れ電流の増加を招く。したがって、シールド電極４に印加される電圧はシールド電極４と上部電極９との電位差を、グランド電位を超える大きさに制御される必要がある。これにより、下部電極３とシールド電極４との電位差を低く抑えることができるので、不要な漏れ電流の増加を抑制することができる。
【００３６】
このような下部電極３とシールド電極４の構成を得るためには、たとえば、まず、スパッタ法によりアルミニウム（Ａｌ）をベース層２の表面に堆積させて、アルミニウム層を形成する（図３の（ａ）参照）。次いで、フォトリソグラフィによりレジスト膜をアルミニウム層上に形成した後、エッチング処理を施すことにより、所定形状のシールド電極４を形成する（図３の（ｂ）参照）。次いで、ベース層２（層間膜１３）とシールド電極４とを覆うように、スパッタ法によりモリブデン（Ｍｏ）を堆積させて、モリブデン層を形成する（図３の（ｃ）参照）。次いで、フォトリソグラフィによりレジスト膜をモリブデン層上に形成した後、モリブデン層についてエッチング処理を施す。これにより、所定形状の下部電極３が形成される。（図３の（ｄ）参照）。
【００３７】
下部電極３およびシールド電極４が形成された後、酸素存在下で熱処理が行われ、各電極の表面に酸化膜が形成される。つまり、下部電極３の表面には、酸化モリブデン（ＭｏＯ２）が形成され、シールド電極４の表面には、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）が形成される。
熱処理後の特性に関して、下部電極３の表面に形成された酸化モリブデンは、正孔（ホール）を注入し易い特性を有し、一方、シールド電極４の表面に形成された酸化アルミニウムは、正孔を注入し難い特性を有している。したがって、アルミニウムをシールド電極４に用いることによって、余計な正孔が有機層８内に注入されることを抑制することができるので、各画素５における発光を安定させることができる。一方、モリブデンを下部電極３に用いることによって、正孔を効率よく注入可能な陽極としての下部電極３が形成し易くなる。
【００３８】
このように、シールド電極４および下部電極３に要求される特性は互いに反対の関係にあるが、その特性を効率よく発現させるためのプロセスは、酸素存在下の熱処理という点で同じである。そのため、共通の熱処理工程を経ることによって、シールド電極４および下部電極３それぞれに要求される特性を同時に発現させることができる。
一方、下部電極３とシールド電極４とが同一材料からなる場合には、下部電極３材料をベース層２（層間膜１３）上に堆積させた後、フォトリソグラフィにより所定のレジスト膜を形成した後、エッチング処理を施すことにより、下部電極３とシールド電極４とを同時に形成することができる。したがって、この場合には、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００３９】
有機層８は、下部電極３とシールド電極４とを一括して覆うようにベース層２上に配置されている。有機層８には、正孔輸送層（ＨＴＬ：Hole Transport Layer）と、電子輸送層（ＥＴＬ：Electron Transport Layer）と、正孔輸送層と電子輸送層との間に介在する有機発光層（ＬＥＬ：Light Emitting Layer）とが含まれている。
正孔輸送層は、下部電極３とシールド電極４とを一括して覆うようにベース層２上に配置されている。有機層８の閾値電圧を超える電圧が下部電極３に印加されると、正孔輸送層を介して有機発光層内に正孔が注入される。正孔輸送層は、たとえば、４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル−１−）Ｎ−フェニル−アミノ]−ビフェニルなどからなる。
【００４０】
電子輸送層は、上部電極９の裏面に接するように配置されている。有機層８の閾値電圧を超える電圧が下部電極３に印加されると、電子輸送層を介して有機発光層内に電子が注入される。電子輸送層は、たとえば、アルミニウム（８−ヒドロキシキノリネート）などからなる。
有機発光層は、たとえば、アルミニウム（８−ヒドロキシキノリネート）からなる有機発光材料を含む。また、有機発光材料には、そのドーパントとして、たとえば、ルブレンや遷移金属原子を含む錯体などが含まれる。この場合、有機発光層は白色発光する。
【００４１】
有機発光層は、正孔輸送層と電子輸送層との間に介在している。正孔輸送層を介して有機発光層に注入された正孔と、電子輸送層を介して有機発光層に注入された電子は、この有機発光層内で結合する。この結合により生じたエネルギーにより、有機発光層を形成する有機発光材料が励起される。励起された有機発光材料が基底状態に移行する時に、光が生成される。そして、その光は、有機発光層から上部電極９側へ向かい、カラーフィルタ６を通って基板１１の表面側から取り出される。
【００４２】
上部電極９は、有機層８を挟んで下部電極３に対向するように配置されている。上部電極９は、たとえば、グランド電位に固定されている。したがって、この場合、有機層８の閾値電圧を超える電圧が下部電極３に印加されると、有機層８は導通する。
上部電極９は、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）もしくはマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）からなる金属薄膜層、または、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）もしくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）からなる金属酸化膜層を含む。
【００４３】
上部電極９が金属薄膜層からなる場合、上部電極９は、光透過性を有する電極である。この場合、上部電極９の層厚は、０．１ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。また、上部電極９が金属酸化膜層からなる場合、上部電極９は、透明電極である。この場合、上部電極９の層厚は、１ｎｍ〜５００ｎｍが好ましい。
封止層１０は、上部電極９上に配置されている。封止層１０は、上部電極９とカラーフィルタ６とを接着するために設けられているとともに、上部電極９が大気雰囲気に曝されることにより、酸化したり腐食したりすることから防止するために設けられている。封止層１０は、たとえば、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＸＮＹ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）または酸化アルミニウム（ＡｌＯＸ）などの無機絶縁層を含む。
【００４４】
カラーフィルタ６は、封止層１０上に配置されている。カラーフィルタ６は、Ｒ用フィルタ６ａと、Ｇ用フィルタ６ｂと、Ｂ用フィルタ６ｃとを含むＲＧＢフィルタである。各フィルタ６（６ａ，６ｂ，６ｃ）は、各画素５に対応するように配置されている。これにより、有機発光層で生成された光や下部電極３で反射された光は、カラーフィルタ６を通過して、対応した異なる波長の光となる。カラーフィルタ６には、たとえば、顔料をベースとしたカラーレジスト、ナノインプリント技術を用いて形成した透過型レジストまたはゼラチン膜などを適用できる。
【００４５】
この構成によれば、シールド電極４に適切な大きさの電圧を印加しておくことによって、或る下部電極３から隣の下部電極３へ向かって漏れ電流が流れても、その漏れ電流の一部または全部をシールド電極４で吸い出すことができる。そのため、当該漏れ電流が隣の画素５に流れることをなくすか、または少なくすることができる。その結果、電気的混色（クロストーク）の発生を軽減することができる。しかも、各下部電極３の周囲を取り囲むようにシールド電極４が配置されているので、下部電極３から四方八方どの方向に漏れ電流が流れても、当該漏れ電流を確実に吸い出すことができる。
【００４６】
また、本発明に係るシールド電極４による漏れ電流の吸い出し効果は、下部電極３間の領域の幅Ｗ１を狭くする狭ピッチ化によって漏れ電流が隣接画素５に流入しやすいマイクロディスプレイにおいて、特に発揮することができる。
図４は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置３１の模式的な断面図である。また、図５の（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第２実施形態に係る下部電極３３およびシールド電極３４の構成を得るための模式的な工程図である。図４において、図２に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
【００４７】
第２実施形態に係る有機ＥＬ装置３１では、前記第１実施形態の構成と異なり、シールド電極３４が、ベース層２の表面部に埋め込まれた構成を有している。具体的には、層間膜１３の表面部に埋め込まれている。
このような構成を得るためには、たとえば、まず、層間膜１３の表面部にエッチング処理を施すことにより、シールド電極３４を埋め込むため溝部３２を選択的に形成する（図５の（ａ）参照）。次いで、スパッタ法により溝部３２を埋め戻すように、アルミニウムからなるシールド電極材料を層間膜１３上に堆積させて、アルミニウム層を形成する（図５の（ｂ）参照）。次いで、ＣＭＰ法によりアルミニウム層の表面が層間膜１３の表面と同一平面になるように研磨する（図５の（ｃ）参照）。これにより、シールド電極３４がベース層２に埋め込まれた構成を得ることができる。次いで、スパッタ法により、モリブデン（Ｍｏ）からなる下部電極材料を、シールド電極３４を覆うように層間膜１３上に堆積させてモリブデン層を形成する。次いで、フォトリソグラフィにより所定のレジスト膜をモリブデン層上に形成した後、エッチング処理を施すことにより、所定形状の下部電極３３を形成する（図５の（ｄ））。なお、この場合、シールド電極３４の表面は、層間膜１３の表面よりも下方に位置していてもよい。
【００４８】
この構成によれば、互いに隣り合う下部電極３３間の領域、つまり、各画素５に近い場所において、層間膜１３の表面からシールド電極３４が突出することによる段差をなくすことができる。そのため、各画素５で発生した光が、シールド電極３４で反射して、意図しない方向に進むことを防止することができる。その結果、各画素５における光の偏りや、光学的混色の発生を軽減することができる。
【００４９】
図６は、本発明の第３実施形態に係る有機ＥＬ装置４１の模式的な断面図である。図６において、図２および図４に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
第３実施形態に係る有機ＥＬ装置４１は、前記第２実施形態の構成と同様に層間膜１３の表面部に埋め込まれたシールド電極４４と、層間膜１３の表面部に埋め込まれた下部電極４３とを有している。
【００５０】
この構成によれば、下部電極４３が層間膜１３に埋め込まれているので、各画素５で発生した光が、下部電極４３で反射して、意図しない方向に進むことを防止することができる。その結果、各画素５における光の偏りや、光学的混色（クロストーク）の発生を軽減することができる。なお、この場合、シールド電極４４および下部電極４３の各々の表面は、層間膜１３の表面よりも下方に位置していてもよい。
【００５１】
また、各下部電極４３およびシールド電極４４は、テーパ形状に形成される必要はないため、有機ＥＬ装置４１を一層微小化することができる。
なお、本実施形態の下部電極４３は、図５（ａ）〜（ｄ）の工程に倣って形成することができる。たとえば、下部電極４３とシールド電極４４が互いに異なる材料である場合には、図５（ｃ）に示すシールド電極４４の形成後、シールド電極４４の埋め込みと同様の方法によって下部電極４３を層間膜１３に埋め込めばよい。一方、下部電極４３とシールド電極４４が互いに同じ材料である場合には、図５（ａ）〜（ｃ）に示すシールド電極４４の埋め込みと並行して、下部電極４３を埋め込めばよい。つまり、この場合にはシールド電極４４と下部電極４３とを同時に形成できるので、製造工程の簡略化を図ることができる。
【００５２】
図７は、本発明の第４実施形態に係る有機ＥＬ装置５１の模式的な断面図である。図７において、図２に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
第４実施形態に係る有機ＥＬ装置５１では、前記第１実施形態からシールド電極４が取り除かれた構成を有しており、第４ビア電極２７の表面が層間膜１３の表面に露出している。
【００５３】
第４ビア電極２７は、第２配線層２５の配置に倣って、その表面から層間膜１３の表面に向けて延びるように形成されている。より具体的には、第２配線層２５は、ベース層２の表面を法線方向から見た平面視において、各第１配線層２２から所定の間隔を開けて、各第１配線層２２を取り囲むように、各第１配線層２２と同一の層に配置されている。また、第４ビア電極２７も同様に、ベース層２の表面を法線方向から見た平面視において、各下部電極３から所定の間隔を開けて、各下部電極３を取り囲むように、第２配線層２５に倣って形成されている。
【００５４】
第４ビア電極２７は、第２配線層２５を介して回路素子１４ｂと電気的に接続されており、下部電極３に印加される電圧とは異なる所定の定電圧（正の電圧）が常時印加されている。つまり、本実施形態では、第４ビア電極２７が、シールド電極５４としての機能を有している。第４ビア電極２７（シールド電極５４）は、たとえば、タングステン（Ｗ）からなる。
【００５５】
この構成によれば、第４ビア電極２７をシールド電極５４として利用することができるため、下部電極３と接続される第２ビア電極２４の形成工程と同一の工程でシールド電極５４を形成することができる。そのため、第２ビア電極２４を作製するときの微細化技術を利用して、シールド電極５４を微細化することができる。
また、シールド電極を形成するための工程を別途設ける必要はなく、さらに、各画素５を同時に作り込むことができるため、製造工程を簡略化することができる。
【００５６】
また、シールド電極５４は、当初から層間膜１３に埋め込まれているので、各画素５で発生した光が、シールド電極で反射して、意図しない方向に進むことを防止することができる。その結果、各画素５における光の偏りや、光学的混色（クロストーク）の発生を軽減することができる。
図８は、本発明の第５実施形態に係る有機ＥＬ装置６１の模式的な断面図である。図８において、図２、図４、図６および図７に示す各部に相当する部分には、それらの各部に付した参照符号と同一の参照符号を付し、それらの部分については説明を省略する。
【００５７】
第５実施形態に係る有機ＥＬ装置６１は、前記第４実施形態の構成に加えて、さらに、第３実施形態と同様に層間膜１３の表面部に埋め込まれた下部電極６３を有している。
この構成によれば、下部電極６３が層間膜１３に埋め込まれているので、各画素５で発生した光が、下部電極６３で反射して、意図しない方向に進むことを防止することができる。その結果、各画素５における光の偏りや、光学的混色（クロストーク）の発生を軽減することができる。
【００５８】
図９は、本発明の第６実施形態に係る有機ＥＬ装置７１の模式的な断面図である。
第６実施形態に係る有機ＥＬ装置７１では、いわゆるボトムエミッション型の有機ＥＬ装置を示している。
有機ＥＬ装置７１は、ベース層７２と、下部電極７３と、シールド電極７４と、有機層７８と、上部電極７９と、封止層８０と、カラーフィルタ７６とを含む。有機層７８、上部電極７９および封止層８０は、ベース層７２の表面からこの順に積層されている。また、カラーフィルタ７６は、ベース層７２の裏面に配置されている。なお、下部電極７３は、陽極または陰極として用いることができるが、本実施形態では、その一例として、下部電極７３が陽極からなる場合について説明する。
【００５９】
ベース層７２は、基板８１と、電位制御回路８２と、層間膜８３とを含む。基板８１は、たとえば、ガラスまたはガラスバリア膜付プラスティックフィルムなどであってもよい。
電位制御回路８２は、回路素子８４ａ，８４ｂと、層間膜８３内に配置された第１配線８５および第２配線８６とを含む。回路素子８４ａは、第１配線８５を介して下部電極７３と電気的に接続され、回路素子８４ｂは、第２配線８６を介してシールド電極７４と電気的に接続される。図９では、各回路素子８４ａ，８４ｂの一例として、ｎ型のＴＦＴ（Thin Film Transistor）を示している。
【００６０】
各回路素子８４ａ，８４ｂは、基板８１の表面に形成されている。各回路素子８４ａ，８４ｂは、基板８１の表面に選択的に配置された複数のゲート電極８９と、各ゲート電極８９の表面を覆うゲート絶縁膜９０と、ゲート絶縁膜９０上に選択的に配置されたソース層８７とドレイン層８８とを含む。また、ゲート絶縁膜９０上におけるソース層８７とドレイン層８８とに挟まれる領域には、チャネル層９８が配置されている。なお、ＴＦＴは、たとえば、ゲート電極８９、ゲート絶縁膜９０、ソース層８７およびドレイン層８８が透明材料（透明電極）からなる透明酸化物半導体ＴＦＴであることが好ましい。各回路素子８４ａ，８４ｂは層間膜８３に覆われており、各回路素子８４ａ，８４ｂの動作は互いに独立している。
【００６１】
第１配線８５は、第１配線層９２と、第１ビア電極９３と、第２ビア電極９４とを含む。第１配線層９２は、層間膜８３の表面に沿う横方向に互いに間隔を開けて、層間膜８３の厚さ方向中間部に複数設けられている。複数の第１配線層９２の配列パターンは、この実施形態では、行列状（たとえば正方行列状）である。
第１ビア電極９３は、第１配線層９２の裏面から層間膜８３の厚さ方向に延び、回路素子８４ａと接続されている。また、第２ビア電極９４は、第１配線層９２の表面から層間膜８３の表面（下部電極７３の裏面）に向けて延び、下部電極７３に接続されている。
【００６２】
これにより、各下部電極７３は、第１配線８５を介して対応する各回路素子８４ａと電気的に接続される。つまり、各下部電極７３は、シールド電極７４とは独立して、回路素子８４ａおよび第１配線８５を含む電位制御回路８２により印加される電圧が制御される。
第２配線８６は、第２配線層９５と、第３ビア電極９６と、第４ビア電極９７とを含む。第２配線層９５は、ベース層７２の表面を法線方向から見た平面視において、各第１配線層９２から所定の間隔を開けて、各第１配線層９２を取り囲むように、各第１配線層９２と同一の層に配置されている。なお、第２配線層９５は、第１配線層９２に対して上側（下部電極７３に近い側）または下側（基板８１に近い側）に配置されていてもよい。
【００６３】
第３ビア電極９６は、第２配線層９５の裏面から層間膜８３の厚さ方向に延び、回路素子８４ｂと接続されている。また、第４ビア電極９７は、第２配線層９５の表面から層間膜８３の表面に向けて延び、シールド電極７４に接続されている。
これにより、シールド電極７４は、第２配線８６を介して対応する各回路素子８４ｂと電気的に接続される。つまり、シールド電極７４は、各下部電極７３とは独立して、回路素子８４ｂおよび第２配線８６を含む電位制御回路８２により印加される電圧が制御される。
【００６４】
下部電極７３は、層間膜８３上に配置されている。より具体的には、下部電極７３は、ベース層７２の表面に沿う横方向に互いに間隔を開けて複数設けられている。複数の下部電極７３の配列パターンは、この実施形態では、行列状（たとえば正方行列状）である。互いに隣り合う下部電極７３間の領域の幅Ｗ２は、２μｍ以下であることが好ましい。下部電極７３は、たとえば、下部電極７３は、層間膜８３の表面から有機層７８に向けて突出しており、下部電極７３の底面から上面に向けてその幅は徐々に狭まるテーパ形状を有している。
【００６５】
また、下部電極７３は、前述したように電位制御回路８２と電気的に接続されており、下部電極７３に印加される電圧のＯＮとＯＦＦとが電位制御回路８２によって制御される。下部電極７３がＯＮの場合、下部電極７３には有機層７８が導通するように所定の定電圧（正の電圧）が印加され、下部電極７３から正孔が有機層７８へと注入される。また、下部電極７３がＯＦＦの場合は、下部電極７３はオープン状態となる。
【００６６】
シールド電極７４は、ベース層７２の表面を法線方向から見た平面視において、各下部電極７３から所定の間隔を開けて、各下部電極７３を取り囲むように形成されている。本実施形態では、シールド電極７４は、その配置の一例として、各画素７５の境界７７上に格子状に配置されている。また、シールド電極７４は、層間膜８３の表面から有機層７８に向けて突出しており、シールド電極７４の底面から上面に向けてその幅は徐々に狭まるテーパ形状を有している。また、シールド電極７４は、下部電極７３と同じ層厚を有している。これにより、互いに隣り合う下部電極７３で挟まれたシールド電極７４は、当該下部電極７３によって共有されている。シールド電極７４は、下部電極７３間の漏れ電流を遮断する機能を有している。
【００６７】
また、シールド電極７４は、前述したように電位制御回路８２と電気的に接続されており、下部電極７３に印加される電圧とは異なる所定の定電圧（正の電圧）が常時印加されている。この場合、シールド電極７４に印加される電圧と、上部電極７９に印加される電圧との電位差が有機層７８の閾値電圧を超えると、有機層７８は導通するので、光が生成される。そのため、上部電極７９に印加される電圧に対するシールド電極７４に印加される電圧は、有機層７８の閾値電圧未満であることが好ましい。これにより、有機層７８のシールド電極７４と上部電極７９との間の部分での発光を防止することができる。そのため、シールド電極７４に隣接する画素７５へ余計な光が混入することを防止できるので、光学的混色（クロストーク）の発生を抑制することができる。
【００６８】
一方、シールド電極７４がグランド電位に固定されている場合、下部電極７３とシールド電極７４との間の電圧降下は大きくなるので、意図しない漏れ電流の増加を招く。したがって、シールド電極７４に印加される電圧はシールド電極７４と上部電極７９との電位差を、グランド電位を超える大きさに制御される必要がある。これにより、下部電極７３とシールド電極７４との電位差を低く抑えることができるので、不要な漏れ電流の増加を抑制することができる。
【００６９】
下部電極７３およびシールド電極７４は、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）もしくはマグネシウム銀（ＭｇＡｇ）からなる光透過性の電極、または、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）もしくは酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）からなる透明電極を含む。
有機層７８は、下部電極７３とシールド電極７４とを一括して覆うようにベース層７２上に配置されている。有機層７８には、正孔輸送層（ＨＴＬ）と、電子輸送層（ＥＴＬ）と、正孔輸送層と電子輸送層との間に介在する有機発光層（ＬＥＬ）とが含まれている。
【００７０】
正孔輸送層は、下部電極７３とシールド電極７４とを一括して覆うようにベース層７２上に配置されている。有機層７８の閾値電圧を超える電圧が下部電極７３に印加されると、正孔輸送層を介して有機発光層内に正孔が注入される。正孔輸送層は、たとえば、４，４’−ビス[Ｎ−（１−ナフチル−１−）Ｎ−フェニル−アミノ]−ビフェニルなどからなる。
【００７１】
電子輸送層は、上部電極７９の裏面に接するように配置されている。有機層７８の閾値電圧を超える電圧が下部電極７３に印加されると、電子輸送層を介して有機発光層内に電子が注入される。電子輸送層は、たとえば、アルミニウム（８−ヒドロキシキノリネート）などからなる。
有機発光層は、たとえば、アルミニウム（８−ヒドロキシキノリネート）からなる有機発光材料を含む。また、有機発光材料には、そのドーパントとして、たとえば、ルブレンや遷移金属原子を含む錯体などが含まれる。この場合、有機発光層は白色発光する。
【００７２】
有機発光層は、正孔輸送層と電子輸送層との間に介在している。正孔輸送層を介して有機発光層に注入された正孔と、電子輸送層を介して有機発光層に注入された電子は、この有機発光層内で結合する。この結合により生じたエネルギーにより、有機発光層を形成する有機発光材料が励起される。励起された有機発光材料が基底状態に移行する時に、光が生成される。そして、その光は、有機発光層から下部電極７３側へ向かい、または上部電極７９で反射されてベース層７２の裏面側から取り出される。
【００７３】
上部電極７９は、有機層７８を挟んで下部電極７３に対向するように配置されている。上部電極７９は、たとえば、グランド電位に固定されている。したがって、この場合、有機層７８の閾値電圧を超える電圧が下部電極７３に印加されると、有機層７８は導通する。
上部電極７９は、たとえば、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銀（Ａｇ）もしくは白金（Ｐｔ）などの高反射率を有する金属材料、または、これらの高反射率を有する金属材料を主成分とする合金材料（たとえば、アルミニウム合金（ＡｌＣｕ））からなる。
【００７４】
封止層８０は、上部電極７９上に配置されている。封止層８０は、上部電極７９が大気雰囲気に曝されることにより、酸化したり腐食したりすることから防止するために設けられている。封止層８０は、たとえば、窒化シリコン（ＳｉＮＸ）、酸窒化シリコン（ＳｉＯＸＮＹ）、酸化シリコン（ＳｉＯＸ）または酸化アルミニウム（ＡｌＯＸ）などの無機絶縁層を含む。
【００７５】
カラーフィルタ７６は、ベース層７２（基板８１）の裏面に配置されている。カラーフィルタ７６は、Ｒ用フィルタ７６ａと、Ｇ用フィルタ７６ｂと、Ｂ用フィルタ７６ｃとを含むＲＧＢフィルタである。各フィルタ７６（７６ａ，７６ｂ，７６ｃ）は、各画素７５に対応するように配置されている。これにより、ベース層７２の裏面側から取り出された光は、カラーフィルタ７６を通過して、対応した異なる波長の光となる。カラーフィルタ７６には、たとえば、顔料をベースとしたカラーレジスト、ナノインプリント技術を用いて形成した透過型レジストまたはゼラチン膜などを適用できる。
【００７６】
このようなボトムエミッション型の有機ＥＬ装置７１においても、前記第１から第５実施形態と同様の効果を発揮することができる。
図１０は、前記第１〜第６実施形態に係る画素配列の変形例を示す有機ＥＬ装置１０１の模式的な平面図である。
有機ＥＬ装置１０１は、ベース層１０２と、下部電極１０３と、シールド電極１０４と、複数の画素１０５と、カラーフィルタ１０６とを含む。
【００７７】
有機ＥＬ装置１０１では、複数の下部電極１０３は、所定の間隔を開けてハニカム状に配列されている。つまり、複数の画素１０５も、複数の下部電極１０３に対応するように、ハニカム状に配列されている。互いに隣り合う下部電極１０３間の領域の幅Ｗ３は、２μｍ以下であることが好ましい。
シールド電極１０４は、法線方向から見た平面視において、各下部電極１０３から所定の間隔を開けて、各下部電極１０３を取り囲むようにベース層１０２上に形成されている。本実施形態では、シールド電極１０４は、その配置の一例として、各画素１０５の境界１０７上に配置されている構成を示している。
【００７８】
また、ＲＧＢフィルタを有するカラーフィルタ１０６も同様に、Ｒ用フィルタ１０６ａと、Ｇ用フィルタ１０６ｂと、Ｂ用フィルタ１０６ｃとが、各画素１０５の配列に対応するようにハニカム状に配列されている。
ＲＧＢフィルタは、たとえば、１つのＲ用フィルタ１０６ａの周りにＧ用フィルタ１０６ｂとＢ用フィルタ１０６ｃとが互いに交互になるように３つずつ配列されている。また、同様に、１つのＧ用フィルタ１０６ｂの周りにＲ用フィルタ１０６ａとＢ用フィルタ１０６ｃとが互いに交互になるように３つずつ配列されている。また、同様に、１つのＢ用フィルタ１０６ｃの周りにＲ用フィルタ１０６ａとＧ用フィルタ１０６ｂとが互いに交互になるように３つずつ配列されている。
【００７９】
このような画素１０５の配列によれば、隣接する画素１０５には、全て異なる色域を有するフィルタ１０６（１０６ａ，１０６ｂ，１０６ｃ）が配置されているので、発色が偏ることがない。したがって、この画素１０５の配列を前記第１〜第６実施形態に適用することにより、良好な発色の有機ＥＬ装置を得ることができる。
以上、本発明の実施形態を説明したが、本発明は、他の形態で実施することもできる。
【００８０】
たとえば、前述の第１〜第７実施形態では、有機層（８，７８）は、ベース層（２，７２，１０２）の表面からこの順により形成された正孔輸送層（ＨＴＬ）／有機発光層（ＬＥＬ）／電子輸送層（ＥＴＬ）を含むが、必要に応じて、正孔注入層（ＨＩＬ：Hole Injection Layer）、電子注入層（ＥＩＬ：Electron Injection Layer）、正孔阻止層（ＨＢＬ：Hole Blocking Layer）および／または電子阻止層（ＥＢＬ：Electron Blocking Layer）が含まれていてもよい。
【００８１】
また、前述の第１〜第６実施形態では、各下部電極（３，３３，４３，６３，７３）が陽極、上部電極（９，７９）が陰極である場合の構成について述べたが、各下部電極が陰極、上部電極が陽極であってもよい。この場合、各下部電極には、負の定電圧が印加される。したがって、各下部電極に対応する回路素子（１４，８４）などの極性も逆になる。たとえば、前述の第１〜第５実施形態では、ｎ型のＭＯＳＦＥＴを示しているが、ｐ型のＭＯＳＦＥＴが適用される。また、前述の第６実施形態では、ｎ型のＴＦＴを示しているが、ｐ型のＴＦＴが適用される。
【００８２】
また、前述の第１〜第６実施形態では、各下部電極、および／または、シールド電極（４，３４，５４，７４，１０４）は、層間膜（１３，８３）の表面から突出するようにテーパ状に形成されているが、各電極の形状はテーパ形状に限定されず、たとえば、平面視矩形状（長方形状）に形成されていてもよい。
また、前述の第１〜第６実施形態では、ベース層内には、電位制御回路（１２、８２）が形成されているが、下部電極とシールド電極の電位を個別制御できればどのような電位制御回路が形成されていてもよい。したがって、たとえば、基板（１１，８１，９１）上には、ＭＯＳＦＥＴまたはＴＦＴに替わり、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）が形成されていてもよい。また、層間膜内には、キャパシタ、レジスタ等の各種回路素子が形成されていてもよい。また、これらの回路素子と配線（１５，１６，８５，８６）などの組み合わせによって、ＬＳＩ（Large Scale Integration）、ＳＳＩ（Small Scale Integration）、ＭＳＩ（Medium Scale Integration）、ＶＬＳＩ（Very Large Scale Integration）、ＵＬＳＩ（Ultra-Very Large Scale Integration）等の集積回路を構成していてもよい。
【００８３】
また、前述の第６実施形態では、各下部電極７３およびシールド電極７４は、有機層７８に向けて突出するように形成されているが、各下部電極７３およびシールド電極７４の表面が層間膜８３の表面と同一、または、それよりも低い位置になるように埋め込まれていてもよい。また、このとき、シールド電極７４は、第４ビア電極９７を含んでいてもよい。
【００８４】
また、層間膜１３，８３内に形成された配線層は、前述の実施形態のように１層だけでもよいが、たとえば、２層、３層およびそれ以上の多層配線層であってもよい。
その他、特許請求の範囲に記載された事項の範囲で種々の設計変更を施すことが可能である。
【符号の説明】
【００８５】
１        有機ＥＬ装置
２        ベース層
３        下部電極
４        シールド電極
５        画素
６        カラーフィルタ
８        有機層
９        上部電極
１１      基板
１２      電位制御回路
１３      層間膜
１４      回路素子
１５      第１配線
１６      第２配線
２４      第２ビア電極
２７      第４ビア電極
３１      有機ＥＬ装置
３３      下部電極
３４      シールド電極
４１      有機ＥＬ装置
４３      下部電極
４４      シールド電極
５１      有機ＥＬ装置
５４      シールド電極
６１      有機ＥＬ装置
６３      下部電極
７１      有機ＥＬ装置
７２      ベース層
７３      下部電極
７４      シールド電極
７５      画素
７６      カラーフィルタ
７８      有機層
７９      上部電極
８１      基板
８２      電位制御回路
８３      層間膜
８４      回路素子
８５      第１配線
８６      第２配線
１０１    有機ＥＬ装置
１０２    ベース層
１０３    下部電極
１０４    シールド電極
１０５    画素
１０６    カラーフィルタ
Ｗ１       互いに隣り合う下部電極間の領域の幅
Ｗ２       互いに隣り合う下部電極間の領域の幅
Ｗ３       互いに隣り合う下部電極間の領域の幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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