(57)【要約】【課題】高輝度化と製品寿命の長期化を実現することが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、素子基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程が、画素に対応して陽極を形成する工程と、前記陽極の上面及び端面に高分子材料を付着させることにより、前記高分子材料からなる高分子有機層を形成する工程と、前記高分子有機層上に、少なくとも発光層を有する有機層を形成する工程と、前記有機層上に陰極を形成する工程と、を有することを特徴とする。【選択図】図３
2014123628.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
素子基板上にトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程と、を有し、
前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程が、
画素に対応して陽極を形成する工程と、
前記陽極の上面及び端面に高分子材料を付着させることにより、前記高分子材料からなる高分子有機層を形成する工程と、
前記高分子有機層上に、少なくとも発光層を有する有機層を形成する工程と、
前記有機層上に陰極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記トランジスタを形成する工程と前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程の間に、
前記トランジスタ上を覆う、絶縁性を有する平坦化膜を形成する工程と、
前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールを前記平坦化膜に形成する工程と、を有し、
前記高分子有機層を形成する工程において、
前記高分子材料を前記コンタクトホールに充填することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項３】
素子基板上にトランジスタを形成する工程と、
前記トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程と、を有し、
前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程が、
画素に対応して陽極を形成する工程と、
斜方蒸着により前記陽極の上面及び端面に低分子材料を付着させることにより、前記低分子材料からなる低分子有機層を形成する工程と、
前記高分子有機層上に、少なくとも発光層を有する有機層を形成する工程と、
前記有機層上に陰極を形成する工程と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法において、
前記トランジスタを形成する工程と前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程の間に、
前記トランジスタ上を覆う、絶縁性を有する平坦化膜を形成する工程と、
前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールを前記平坦化膜に形成する工程と、を有し、
前記陽極を形成する工程と前記低分子有機層を形成する工程の間に、
絶縁材料を前記コンタクトホールに充填することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
【請求項５】
素子基板と、
前記素子基板上に形成されたトランジスタと、
前記トランジスタ上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、を有し、
前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子が、
画素に対応して形成された陽極と、
前記陽極の上面及び端面に付着された高分子材料からなる高分子有機層と、
前記高分子有機層上に形成された、少なくとも発光層を有する有機層と、
前記有機層上を覆う陰極と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項６】
請求項５に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記トランジスタと前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子の間に形成された、絶縁性を有する平坦化膜と、
前記平坦化膜に形成された、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールと、を有し、
前記コンタクトホール内に前記高分子材料が充填されることにより、前記コンタクトホールと前記陰極が絶縁されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項７】
素子基板と、
前記素子基板上に形成されたトランジスタと、
前記トランジスタ上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、を有し、
前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子が、
画素に対応して形成された陽極と、
前記陽極の上面及び端面に付着された低分子材料からなる低分子有機層と、
前記高分子有機層上に形成された、少なくとも発光層を有する有機層と、
前記有機層上を覆う陰極と、
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【請求項８】
請求項７に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、
前記トランジスタと前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子の間に形成された、絶縁性を有する平坦化膜と、
前記平坦化膜に形成された、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールと、を有し、
前記コンタクトホール内に絶縁材料が充填されることにより、前記コンタクトホールと前記陰極が絶縁されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は有機エレクトロルミネッセンス表示装置及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄型で軽量な発光源として、有機エレクトロルミネッセンス（organic light emitting diode）、すなわち有機エレクトロルミネッセンス発光（electro luminescent）素子が注目を集めており、多数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子を備える画像表示装置が開発されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子は、有機材料で形成された少なくとも一層の有機薄膜が、画素電極と対向電極とで挟まれた構造を有する。近年、このような有機エレクトロルミネッセンス発光素子を有する有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、その高輝度化と製品寿命の長期化が要求されている。
【０００３】
有機エレクトロルミネッセンス表示装置としては、例えば、素子基板と、素子基板に対向するように配置された対向基板と、を有している。素子基板上には、トランジスタと、トランジスタ上に設けられた平坦化膜と、画素に対応してマトリクス状に配列された、平坦化膜上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、が設けられている。また、トランジスタと有機エレクトロルミネッセンス発光素子は平坦化膜に設けられたコンタクトホールを介して電気的に接続されている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子は陽極（画素電極）と発光層を有する有機層と透明な陰極（対向電極）とを有しており、隣接する各有機エレクトロルミネッセンス発光素子同士の間には、絶縁体からなるバンクが形成されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２８７５４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
このようにバンクが設けられた有機エレクトロルミネッセンス表示装置においては、バンクが設けられた領域の分、発光領域が少なくなる。このため、有機エレクトロルミネッセンス発光素子同士の間にバンクを設けずに有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する方法が検討されている。
【０００６】
しかし、バンクを設けずに有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成すると、陽極の端部がバンクに覆われずに露出するため、陽極の端部と平坦化膜との間に、陽極の厚さの分、段差が生じる。このため、陽極上に有機層と陰極を形成すると、陽極の端部の側面（端面）と平坦膜上に付着した陰極の材料とが接触する。このため、陽極と陰極との間に短絡が発生し、有機エレクトロルミネッセンス発光素子の製品寿命が短縮するおそれが生じる。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、高輝度化と製品寿命の長期化を実現することが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
（１）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、素子基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程が、画素に対応して陽極を形成する工程と、前記陽極の上面及び端面に高分子材料を付着させることにより、前記高分子材料からなる高分子有機層を形成する工程と、前記高分子有機層上に、少なくとも発光層を有する有機層を形成する工程と、前記有機層上に陰極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
（２）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（１）において、前記トランジスタを形成する工程と前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程の間に、前記トランジスタ上を覆う、絶縁性を有する平坦化膜を形成する工程と、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールを前記平坦化膜に形成する工程と、を有し、前記高分子有機層を形成する工程において、前記高分子材料を前記コンタクトホールに充填してもよい。
【００１０】
（３）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、素子基板上にトランジスタを形成する工程と、前記トランジスタ上に有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程が、画素に対応して陽極を形成する工程と、斜方蒸着により前記陽極の上面及び端面に低分子材料を付着させることにより、前記低分子材料からなる低分子有機層を形成する工程と、前記高分子有機層上に、少なくとも発光層を有する有機層を形成する工程と、前記有機層上に陰極を形成する工程と、前記有機層上に陰極を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１１】
（４）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法は、（３）において、前記トランジスタを形成する工程と前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子を形成する工程の間に、前記トランジスタ上を覆う、絶縁性を有する平坦化膜を形成する工程と、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールを前記平坦化膜に形成する工程と、を有し、前記陽極を形成する工程と前記低分子有機層を形成する工程の間に、絶縁材料を前記コンタクトホールに充填してもよい。
【００１２】
（５）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、素子基板と、前記素子基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタ上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子が、画素に対応して形成された陽極と、前記陽極の上面及び端面に付着された高分子材料からなる高分子有機層と、前記高分子有機層上に形成された、少なくとも発光層を有する有機層と、前記有機層上を覆う陰極と、を有することを特徴とする。
【００１３】
（６）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（５）において、前記トランジスタと前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子の間に形成された、絶縁性を有する平坦化膜と、前記平坦化膜に形成された、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールと、を有し、前記コンタクトホール内に前記高分子材料が充填されることにより、前記コンタクトホールと前記陰極が絶縁されていてもよい。
【００１４】
（７）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、素子基板と、前記素子基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタ上に形成された有機エレクトロルミネッセンス発光素子と、を有し、前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子が、画素に対応して形成された陽極と、前記陽極の上面及び端面に付着された低分子材料からなる低分子有機層と、前記高分子有機層上に形成された、少なくとも発光層を有する有機層と、前記有機層上を覆う陰極と、を有することを特徴とする。
【００１５】
（８）本発明の有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、（７）において、前記トランジスタと前記有機エレクトロルミネッセンス発光素子の間に形成された、絶縁性を有する平坦化膜と、前記平坦化膜に形成された、前記トランジスタと前記陽極を接続するコンタクトホールと、を有し、前記コンタクトホール内に絶縁材料が充填されることにより、前記コンタクトホールと前記陰極が絶縁されていてもよい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明における有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法によれば、陽極の端面に高分子材料を付着させることにより、高分子材料からなる高分子有機層を形成することにより、陽極の端面と陰極との接触が防がれる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、陽極と陰極の短絡の発生を防ぐことができる。また、平坦化膜上にバンクを設ける工程を有する製造方法と比べ、発光領域の大きい有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。以上により、高輝度化と製品寿命の長期化を実現することが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の概略平面図である。
【図２】図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。
【図３】図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ領域の部分拡大図である。
【図４】図４は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置のＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図５】図５は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図６】図６は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図７】図７は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図８】図８は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【図９】図９は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法を示す、ＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面に基づいて説明する。明細書中に出現する構成要素のうち同一機能を有するものには同じ符号を付し、その説明を省略する。なお、以下の説明において参照する図面は、特徴をわかりやすくするために便宜上特徴となる部分を拡大して示している場合があり、各構成要素の寸法比率などは実際と同じであるとは限らない。また、以下の説明において例示される材料等は一例であって、各構成要素はそれらと異なっていてもよく、その要旨を変更しない範囲で変更して実施することが可能である。
【００１９】
はじめに、本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１について説明する。図１は本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の概略平面図であり、図２は図１に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩ−ＩＩ切断線における概略断面図である。本実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、素子基板１０と、フレキシブル回路基板２と、駆動ドライバ３と、素子基板１０上に設けられた有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、対向基板５０と、を有している。
【００２０】
素子基板１０は、例えば低温ポリシリコン層が形成された矩形の基板（以下、低温ポリシリコン基板という）であり、その上面１０ａに複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が設けられている。なお、ここでいう「低温ポリシリコン」とは、摂氏６００℃以下の条件下で形成されたポリシリコンをいう。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、例えば平面視で素子基板１０よりも小さい外周を有する表示領域Ｄに設けられており、その外側の領域には、例えば光不透過膜からなるブラックマトリクスＢＭが配置されている。
【００２１】
素子基板１０の上面１０ａのうち、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成されていない領域１０ａ１には、フレキシブル回路基板２が接続され、さらに、駆動ドライバ３が設けられている。駆動ドライバ３は、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の外部からフレキシブル回路基板２を介して画像データを供給されるドライバである。駆動ドライバ３は画像データを供給されることにより、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０に、図示しないデータ線を介して表示データを供給する。
【００２２】
次に、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の表示領域Ｄの構成について、その詳細を説明する。図３は図２に示す有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩＩ領域の部分拡大図である。このＩＩＩ領域は、表示領域Ｄにおける１つの画素Ｐに対応する領域である。ＩＩＩ領域の素子基板１０上には、トランジスタ（薄膜トランジスタ）１１と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０と、封止膜４０と、対向基板５０とが積層されている。
【００２３】
薄膜トランジスタ１１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を駆動するためのトランジスタであり、素子基板１０上に画素Ｐごとに設けられている。薄膜トランジスタ１１は、例えば、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート線（ゲート電極）１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅ、第２の絶縁膜１１ｆから構成されている。
【００２４】
薄膜トランジスタ１１上には、絶縁性を有する平坦化膜１３が薄膜トランジスタ１１上を覆うように形成されている。平坦化膜１３は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等からなる。平坦化膜１３が薄膜トランジスタ１１上に設けられていることにより、隣接する薄膜トランジスタ１１間や、薄膜トランジスタ１１と有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の間が電気的に絶縁される。
【００２５】
平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域には、反射膜３１が設けられている。反射膜３１は、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０から発出した光を封止膜４０側へ向けて反射するために設けられている。反射膜３１は、光反射率が高いほど好ましく、例えばアルミニウムや銀（Ａｇ）等からなる金属膜を用いることができる。
【００２６】
有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、例えば反射膜３１を介して平坦化膜１３上に設けられている。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０は、平坦化膜１３上（反射膜３１上）に形成された陽極３２と、高分子有機層３３ａと、少なくとも発光層３３ｃを有する有機層３３ｂと、有機層３３ｂ上を覆うように形成された陰極３４と、から概略構成されている。
【００２７】
陽極３２は、各画素Ｐに対応して、マトリクス状に形成されている。陽極３２は例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透光性及び導電性を有する材料からなり、反射膜３１上を覆うように形成されている。反射膜３１が銀等の金属からなり、かつ、陽極３２に接触するものであれば、反射膜３１は陽極３２の一部となる。
【００２８】
陽極３２は、平坦化膜１３に形成されたコンタクトホール３２ａを介して、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続されている。このような構成を有することにより、薄膜トランジスタ１１から供給される駆動電流は、陽極３２を介して高分子有機層３３ａと有機層３３ｂに注入される。
【００２９】
高分子有機層３３ａは、陽極３２の上面３２ｂ及び端面３２ｃに付着された高分子材料から形成されている。この高分子材料は、端面３２ｃの全面にわたって付着されており、隣接する陽極３２同士の接触と、陽極３２と陰極３４との接触を防いでいる。高分子有機層３３ａは、例えば、陽極３２から注入されたホール（正孔）を発光層に伝達する、ホール注入層やホール輸送層の機能を有していてもよい。
【００３０】
また、高分子材料は平坦化膜１３の表面に付着されることにより、平坦化膜１３上にも高分子有機層３３ａを構成している。このような構成を有することにより、隣接する陽極３２同士の接触が防がれている。
【００３１】
なお、本実施形態における端面３２ｃとは、陽極３２を対向基板５０の方向から見た場合の外周の側面を示す。なお、高分子有機層３３ａは高分子材料からなり、陽極３２からの電流を有機層３３ｂに送ることが可能であれば、その材料は限定されない。また、金属からなる反射膜３１が陽極３２と接触する構成の場合は、反射膜３１の端面も、その全面にわたって高分子材料が付着されていることが好ましい。
【００３２】
また、高分子有機層３３ａを構成する高分子材料は、コンタクトホール３２ａ内に充填されている。このような構成を有することにより、コンタクトホール３２ａは陰極３４と絶縁されている。
【００３３】
有機層３３ｂは、高分子有機層３３ａ上を覆うように形成されている。有機層３３ｂは例えば、陽極３２側から順に、発光層３３ｃ、図示しない電子輸送層、電子注入層が積層してなる。なお、有機層３３ｂの積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層３３ｃを有するものであれば、その積層構造は特定されない。また、有機層３３ｂは、低分子材料からなる層の積層構造でも、高分子材料からなる層の積層構造でも、これらの層の組み合わせからなるものであってもよい。
【００３４】
発光層３３ｃは、例えば、正孔と電子とが結合することによって発光する有機エレクトロルミネッセンス物質から構成されている。発光層３３ｃは白色光を発するものであっても、その他の色の光を発するものであってもよい。
【００３５】
陰極３４は、有機層３３ｂ（発光層３３ｃ）上を覆うように形成されている。陰極３４は複数の有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０の有機層３３ｂに共通に接触する、透明な共通電極である。陰極３４は、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる。
【００３６】
陰極３４の上面は、封止膜４０によって覆われている。封止膜４０は、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）層を有していることが好ましいが、例えばＳｉＯ層、ＳｉＯＮ層、樹脂層などを有していてもよい。また、封止膜４０は、これらの材料からなる単層膜であっても、積層構造であってもよい。
【００３７】
封止膜４０の上面は、例えば対向基板５０によって覆われている。対向基板５０は、例えば平面視で第１基板１０よりも小さい外周を有するガラス基板であり、封止膜４０を介して素子基板１０と対向するように設けられている。なお、対向基板５０に代えて、封止膜４０の表面を保護する、膜状の保護膜が封止膜４０上に形成されていてもよい。
【００３８】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、陽極３２の端面３２ｃに高分子材料が付着されることにより高分子有機層３３ａが形成されている。これにより、隣接する陽極３２同士の間にバンクが形成されていなくても、陽極３２の端面３２ｃと陰極３４との接触が防がれる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、発光領域が広く、かつ、陽極３２と陰極３４の短絡の発生を防ぐことができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高輝度化と製品寿命の長期化を実現することができる。
【００３９】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、コンタクトホール３２ａ内に充填された高分子材料により、コンタクトホール３２ａと陰極３４との接触が防がれる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、コンタクトホール３２ａと陰極３４の短絡の発生が防がれ、製品寿命の長期化を実現することができる。
【００４０】
次いで、第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１について説明する。図４は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１のＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、コンタクトホール３２ａ内が絶縁材料３５により充填され、陽極３２の上面３２ｂ及び端面３２ｃが、上面３２ｂ及び端面３２ｃに付着した低分子材料からなる低分子有機層３３ｄで覆われ、有機層３３ｂが低分子有機層３３ｄを覆うように形成されている点が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１と異なっている。以下、絶縁材料３５と低分子有機層３３ｄに関する構成について説明し、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１と同様の構成についてはその説明を省略する。
【００４１】
絶縁材料３５は、コンタクトホール３２ａ内に充填されている。絶縁材料３５の上面３５ａは、陽極３２の上面３２ｂよりも下に位置し、かつ、上面３２ｂに近い位置にあるほど好ましい。絶縁材料３５は、絶縁性を有し、コンタクトホール３２ａと陰極３４を絶縁できるものであれば、その材料は制限されない。このような構成を有することにより、コンタクトホール３２ａと陰極３４との接触が防がれる。
【００４２】
低分子有機層３３ｄは、陽極３２の上面３２ｂ及び端面３２ｃに付着された低分子材料から形成されている。この低分子材料は、端面３２ｃの全面にわたって付着されており、隣接する陽極３２同士の接触と、陽極３２と陰極３４との接触を防いでいる。
【００４３】
また、低分子材料は平坦化膜１３の表面に付着されることにより、平坦化膜１３上にも低分子有機層３３ｄを構成している。このような構成を有することにより、隣接する陽極３２同士の接触が防がれている。
【００４４】
低分子有機層３３ｄは低分子材料からなり、陽極３２からの電流を有機層３３ｂ（発光層３３ｃ）に送ることが可能であれば、その材料は限定されない。また、低分子有機層３３ｄは、例えば、陽極３２から注入されたホール（正孔）を発光層に伝達する、ホール注入層やホール輸送層の機能を有していてもよい。また、金属からなる反射膜３１が陽極３２と接触する構成の場合は、反射膜３１の端面も、その全面にわたって低分子材料が付着されていることが好ましい。
【００４５】
低分子有機層３３ｄ上は、少なくとも発光層３３ｃを有する有機層３３ｂによって覆われている。また、有機層３３ｂ上には、陰極３４と封止膜４０と対向基板５０が積層されている。
【００４６】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、陽極３２の端面３２ｃに低分子材料が付着されることにより低分子有機層３３ｄが形成されている。これにより、隣接する陽極３２同士の間にバンクが形成されていなくても、陽極３２の端面３２ｃと陰極３４との接触が防がれる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、発光領域が広く、かつ、陽極３２と陰極３４の短絡の発生を防ぐことができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高輝度化と製品寿命の長期化を実現することができる。
【００４７】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１は、コンタクトホール３２ａ内に充填された絶縁材料３５により、コンタクトホール３２ａと陰極３４との接触が防がれる。このため、コンタクトホール３２ａと陰極３４の短絡の発生を防ぐことができる。また、絶縁材料３５の上面３５ａが低分子有機層３３ｄによって覆われていることにより、コンタクトホール３２ａと有機層３３ｂとの短絡の発生を防ぐことができる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置と比べ、製品寿命の長期化を実現することができる。
【００４８】
次いで、本発明の第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法について図面を用いて説明する。図５、図６は第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法を示す、ＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【００４９】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、素子基板１０上に薄膜トランジスタ１１を形成する工程と、平坦化膜１３を形成する工程と、コンタクトホール３２ａを形成する工程と、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する工程と、封止膜４０を形成する工程と、対向基板５０を配置する工程と、を有する。
【００５０】
初めに、素子基板１０上に薄膜トランジスタ１１を形成する。まず、例えば矩形の低温ポリシリコン基板である素子基板１０を用意する。次いで、素子基板１０の表示領域Ｄ上に、ポリシリコン半導体層１１ａ、ゲート絶縁層１１ｂ、ゲート線（ゲート電極）１１ｃ、ソース・ドレイン電極１１ｄ、第１の絶縁膜１１ｅ、第２の絶縁膜１１ｆなどを積層することにより、薄膜トランジスタ１１を形成する。
【００５１】
次いで、薄膜トランジスタ１１上を覆うように、絶縁性を有する平坦化膜１３を形成する。平坦化膜１３の材料は、例えばＳｉＯ２やＳｉＮ、アクリル、ポリイミド等を用いることができる。次いで、薄膜トランジスタ１１のソース・ドレイン電極１１ｄを露出するコンタクトホール３２ａを形成する。この後、アルミニウムや銀（Ａｇ）等の金属膜からなる反射膜３１を平坦化膜１３上の各画素Ｐに対応する領域に形成する。
【００５２】
次いで、平坦化膜１３上（反射膜３１上）の各画素Ｐに対応する領域に有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する。有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０を形成する工程は、陽極３２を形成する工程と、高分子有機層３３ａを形成する工程と、少なくとも発光層３３ｃを有する有機層３３ｂを形成する工程と、陰極３４を形成する工程と、を有する。
【００５３】
まず、画素Ｐに対応して、平坦化膜１３上（反射膜３１上）を覆うように、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる陽極３２を形成する。これにより、陽極３２は、コンタクトホール３２ａを介して、薄膜トランジスタ１１に電気的に接続される。なお、金属からなる反射膜３１の上面に接するように陽極３２を形成した場合、反射膜３１は陽極３２の一部となる。
【００５４】
次いで、例えばインクジェット法により、陽極３２の上面３２ｂ及び端面３２ｃの全面に高分子材料を付着させることにより、高分子材料からなる高分子有機層３３ａを形成する。これにより、隣接する陽極３２同士の接触と、陽極３２と陰極３４との接触が防がれる。
【００５５】
また、平坦化膜１３の表面にも高分子材料を付着させることにより、平坦化膜１３上にも高分子有機層３３ａを形成する。これにより、隣接する陽極３２同士の接触が防がれる。なお、金属からなる反射膜３１が陽極３２と接触する構成の場合は、反射膜３１の端面にも、その全面にわたって高分子材料を付着させることが好ましい。
【００５６】
この高分子有機層３３ａは、例えば、陽極３２から注入されたホール（正孔）を発光層３３ｃに伝達する、ホール注入層やホール輸送層の機能を有していてもよい。また、高分子材料は、陽極３２からの電流を有機層３３ｂに送ることが可能であれば、その材料は限定されない。なお、高分子有機層３３ａを形成する際に、その材料である高分子材料をコンタクトホール３２ａに充填することが好ましい。
【００５７】
次いで、図６に示すように、高分子有機層３３ａ上を覆うように、少なくとも発光層３３ｃを有する有機層３３ｂを形成する。有機層３３ｂを形成する方法としては例えば、真空蒸着法により、低分子の有機材料を高分子有機層３３ａ上に蒸着させる方法を用いることができる。
【００５８】
有機層３３ｂは例えば、陽極３２側から順に、発光層３３ｃ、電子輸送層、電子注入層を積層することにより形成される。なお、有機層３３ｂの積層構造はここに挙げたものに限られず、少なくとも発光層３３ｃを有するものであれば、その積層構造は特定されない。また、有機層３３ｂは、低分子材料からなる層を積層させても、高分子材料からなる層を積層させても、または、これらの層を組み合わせることにより形成してもよい。
【００５９】
次いで、有機層３３ｂ上（発光層３３ｃ）上を覆うように、例えばＩＴＯ等の透光性及び導電性を有する材料からなる陰極３４を形成する。以上により、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される。
【００６０】
次いで、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０（陰極３４）の上面を覆うように、例えば、窒化珪素（ＳｉＮ）層を有する封止膜４０を形成する。次いで、封止膜４０の上面を覆うように、例えばガラス基板からなる対向基板５０を配置する。本実施形態における対向基板５０は、平面視で第１基板１０よりも小さい外周を有する。なお、対向基板５０に代えて、封止膜４０の表面を保護する、膜状の保護膜を封止膜４０上に形成してもよい。
【００６１】
その後、素子基板１０の上面に、図１のフレキシブル回路基板２と駆動ドライバ３を設けることにより、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１が形成される。
【００６２】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、高分子材料を陽極３２の端面３２ｃの全面にわたって付着させることにより高分子有機層３３ａを形成する。これにより、隣接する陽極３２同士の間にバンクを形成することなく、陽極３２の端面３２ｃと陰極３４との接触を防ぐことができる。このため、本工程を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、発光領域が広く、かつ、陽極３２と陰極３４の短絡の発生を防ぐことが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造することができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高輝度化と製品寿命の長期化を実現することができる。
【００６３】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、コンタクトホール３２ａ内に高分子材料を充填することにより、コンタクトホール３２ａと陰極３４の短絡の発生を防ぐことができる。このため、本工程を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製品寿命の長期化を実現することができる。
【００６４】
次いで、本発明の第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法について図面を用いて説明する。図７乃至９は第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法を示す、ＩＩＩ領域に対応する領域の部分拡大図である。
【００６５】
第２の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、コンタクトホール３２ａに絶縁材料３５を充填する工程と、低分子材料からなる低分子有機層３３ｄを形成する工程を有する点が、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法と異なっている。以下、低分子有機層３３ｄを形成する工程と、コンタクトホール３２ａに絶縁材料３５を充填する工程について説明し、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法と同様の工程についてはその詳細な説明を省略する。
【００６６】
まず、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法と同様に、素子基板１０上に薄膜トランジスタ１１と平坦化膜１３と反射膜３１と陽極３２を順次形成する。これらの工程は、第１の実施形態に係る有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法と同様であるため、その詳細な説明については省略する。
【００６７】
次いで、図７に示すように、例えばインクジェット法により、コンタクトホール３２ａ内に絶縁材料３５を充填する。絶縁材料３５の充填量は、絶縁材料３５の上面３５ａが、陽極３２の上面３２ｂよりも下に位置し、かつ、上面３２ｂに近い位置になるように適宜設定することが好ましい。また、絶縁材料３５を充填する方法は、インクジェット法に限られず、その他の方法を用いてもよい。なお、絶縁材料３５は、絶縁性を有するものであれば、その材料は制限されない。
【００６８】
次いで、蒸着方向Ｓからの斜方蒸着によって、陽極３２の上面３２ｂ及び端面３２ｃの全面に低分子材料を付着させることにより、低分子材料からなる低分子有機層３３ｄを形成する。また、平坦化膜１３の表面にも低分子材料を付着させることにより、平坦化膜１３上にも低分子有機層３３ｄを形成する。
【００６９】
なお、この蒸着方向Ｓと陽極３２の上面３２ｂの成す角度を角度θとすると、角度θは鋭角（θ＜９０°）となる。角度θの値については、端面３２ｃの全面に低分子材料が付着するように、陽極３２の厚さに応じて適宜設定すればよい。また、金属からなる反射膜３１が陽極３２と接触する構成の場合は、反射膜３１の端面の全面にも低分子材料を付着させることが好ましい。また、本工程においては、素子基板１０を回転させながら斜方蒸着を行っても良い。
【００７０】
次いで、図８に示すように、低分子有機層３３ｄ上を覆うように、少なくとも発光層３３ｃを有する有機層３３ｂを形成する。次いで、図９に示すように、有機層３３ｂ上（発光層３３ｃ）上を覆うように陰極３４を形成する。以上により、有機エレクトロルミネッセンス発光素子３０が形成される。
【００７１】
その後、封止膜４０と対向基板５０を形成し、素子基板１０の上面に図１に示すフレキシブル回路基板２と駆動ドライバ３を設けることにより、本実施形態の有機エレクトロルミネッセンス表示装置１が形成される。
【００７２】
本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、陽極３２の端面３２ｃに低分子材料を付着させることにより低分子有機層３３ｄを形成する。これにより、隣接する陽極３２同士の間にバンクを形成することなく、陽極３２の端面３２ｃと陰極３４との接触を防ぐことができる。このため、本工程を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、発光領域が広く、かつ、陽極３２と陰極３４の短絡の発生を防ぐことが可能な有機エレクトロルミネッセンス表示装置１を製造することができる。以上により、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の高輝度化と製品寿命の長期化を実現することができる。
【００７３】
また、本実施形態における有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法は、コンタクトホール３２ａ内に絶縁材料３５を充填することにより、コンタクトホール３２ａと陰極３４の短絡の発生を防ぐことができる。このため、本工程を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法と比べ、有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製品寿命の長期化を実現することができる。
【００７４】
また、本工程においては、素子基板１０を回転させながら斜方蒸着を行うことにより、本工程を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法よりも、陽極３２の端面３２ｃに付着する低分子材料が多くなる。このため、本構成を有さない有機エレクトロルミネッセンス表示装置１の製造方法と比べて端面３２ｃに形成される低分子有機層３３ｄが厚くなり、陽極３２の端面３２ｃと陰極３４との短絡の発生をより確実に防ぐことができる。
【００７５】
以上、本発明の実施形態を説明してきたが、本発明は、上述した実施形態には限られない。例えば、上述した実施形態で説明した構成は、実質的に同一の構成、同一の作用効果を奏する構成、又は同一の目的を達成することができる構成により置き換えてもよい。
【符号の説明】
【００７６】
１  有機エレクトロルミネッセンス表示装置、２  フレキシブル回路基板、３  駆動ドライバ、１０  素子基板、１０ａ  上面、１１  薄膜トランジスタ、１３  平坦化膜、３０  有機エレクトロルミネッセンス発光素子、３１  反射膜、３２  陽極、３２ａ  コンタクトホール、３２ｂ  上面、３２ｃ  端面、３３ａ  高分子有機層、３３ｂ  有機層、３３ｃ  発光層、３３ｄ  低分子有機層、３４  陰極、３５  絶縁材料、４０  封止膜、５０  対向基板、Ｄ  表示領域、Ｐ  画素、Ｓ  蒸着方向、θ  角度。
【図１】
2014123628.tif 000003
【図２】
2014123628.tif 000004
【図３】
2014123628.tif 000005
【図４】
2014123628.tif 000006
【図５】
2014123628.tif 000007
【図６】
2014123628.tif 000008
【図７】
2014123628.tif 000009
【図８】
2014123628.tif 000010
【図９】
2014123628.tif 000011