(57)【要約】【課題】半導体素子搭載面に半導体素子を搭載する際に熱ストレスが偏ることにより多層配線板が反り半導体素子の搭載が困難になる問題を解決する。【解決手段】複数の層間絶縁樹脂層が積層され、前記層間絶縁樹脂層の間に配線パターンの層を有し、前記配線パターンの層間をビアホールで電気接続された多層配線構造を有する多層配線板であって、片面に半導体素子が搭載され、前記層間絶縁樹脂層の厚さを、前記半導体素子を搭載する面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成した多層配線板を製造する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の層間絶縁樹脂層が積層され、前記層間絶縁樹脂層の間に配線パターンの層を有し、前記配線パターンの層間をビアホールで電気接続された多層配線構造を有する多層配線板であって、片面に半導体素子が搭載され、前記層間絶縁樹脂層の厚さを、前記半導体素子を搭載する面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成したことを特徴とする多層配線板。
【請求項２】
請求項１記載の多層配線板であって、前記ビアホールの内部は金属にて充填されており、該ビアホールは前記ビアホールの前記半導体素子搭載面から遠い側の配線パターンの層に設けられるランドと一体構造となることを特徴とする多層配線板。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の多層配線板であって、前記半導体素子を搭載する面側の層間絶縁樹脂層に対する前記半導体素子を搭載する面から最も遠ざかった側の層間絶縁樹脂層の厚さの比が５倍以下であることを特徴とする多層配線板。
【請求項４】
絶縁樹脂シートの外側に、該絶縁樹脂シートよりも寸法が小さく、両面に複数の金属層が剥離可能に積層されて成る積層金属シートを重ねて形成した積層基板を製造する工程と、
前記積層金属シートの外側に第１の層間絶縁樹脂層を積層し、第１の層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって前記積層金属シートの前記積層金属シートに達するビアホール下穴を形成し、該ビアホール下穴を銅めっきにより充填することでビアホールを形成する工程と、
第１の層間絶縁樹脂層の外側に、内側の層間絶縁樹脂層よりも厚い層間絶縁樹脂層を積層し、該層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって該層間絶縁樹脂層にビアホール下穴を形成し、該ビアホール下穴を銅めっきにより充填することでビアホールを形成する工程を繰り返すことで外側に順次に層間絶縁樹脂層とビアホールを形成する工程と、
前記積層金属シートの金属層を剥離することで、第１の層間絶縁樹脂層とその外側の層間絶縁樹脂層と、前記第１の層間絶縁樹脂層及び前記その外側の層間絶縁樹脂層の中のビアホールと配線パターンから成る多層配線構造を、前記積層基板から分離する工程を有することを特徴とする多層配線板の製造方法。
【請求項５】
請求項４記載の多層配線板の製造方法であって、前記第１の層間絶縁樹脂層に対する最も外側の層間絶縁樹脂層の厚さの比が５倍以下であることを特徴とする多層配線板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子搭載用パッケージに用いる板厚が極めて薄い多層配線板とその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、軽量化、多機能化が一段と進み、これに伴ない、配線の高集積化と小型化が急速に進み、配線の微細化が進んでいる。また、半導体チップとほぼ同等のサイズの、いわゆるチップサイズパッケージ（ＣＳＰ；Ｃｈｉｐ  Ｓｉｚｅ／Ｓｃａｌｅ  Ｐａｃｋａｇｅ）などの小型化したパッケージへの要求が強くなっている。
【０００３】
そのため、近年では、コア層を有しない多層配線板をビルドアップ法で製造する技術の開発が行われている。しかし、コア層を有しない多層配線板では、樹脂よりなる絶縁層と金属よりなる配線層の熱膨張差に起因して、反りが発生するという問題があった。
【０００４】
この問題の解決のために、特許文献１の技術では、多層配線板で一方の側の面に半導体素子搭載面が形成された多層配線板を、その内層の絶縁樹脂層の強度を強くすることで多層配線板の反りを抑制している。特に、特許文献１の第２の実施形態では、内層の２つの絶縁樹脂層のうち、半導体素子搭載面から遠い側の絶縁樹脂層の厚さを半導体素子搭載面に近い側の絶縁樹脂層より厚くする技術が記載されている。それにより応力を積極的にアンバランスにすることで、多層配線板のビアホールや配線の密度のアンバランスに起因する応力を打ち消して、多層配線板全体での反りを抑制している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−０１４８４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１の技術では、半導体素子搭載面に半導体素子を搭載する際に偏る熱ストレスにより多層配線板が反る問題を考慮せず、そのように熱ストレスが偏ることにより、多層配線板が反り半導体素子の搭載が困難になる問題を解決する多層配線板の構造が考慮されていなかった。
【０００７】
本発明の課題は、上記の、半導体素子搭載面に半導体素子を搭載する際に熱ストレスが偏ることにより多層配線板が反り半導体素子の搭載が困難になる問題を解決し、半導体素子を半導体素子搭載面に確実に搭載できる多層配線板を得ることにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、上記課題を解決するために、複数の層間絶縁樹脂層が積層され、前記層間絶縁樹脂層の間に配線パターンの層を有し、前記配線パターンの層間をビアホールで電気接続された多層配線構造を有する多層配線板であって、片面に半導体素子が搭載され、前記層間絶縁樹脂層の厚さを、前記半導体素子を搭載する面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成したことを特徴とする多層配線板である。
【０００９】
また、本発明は、上記の多層配線板であって、前記ビアホールの内部は金属にて充填されており、該ビアホールは前記ビアホールの前記半導体素子搭載面から遠い側の配線パターンの層に設けられるランドと一体構造となることを特徴とする多層配線板である。
【００１０】
また、本発明は、上記の多層配線板であって、前記半導体素子を搭載する面側の層間絶縁樹脂層に対する前記半導体素子を搭載する面から最も遠ざかった側の層間絶縁樹脂層の厚さの比が５倍以下であることを特徴とする多層配線板である。
【００１１】
また、本発明は、絶縁樹脂シートの外側に、該絶縁樹脂シートよりも寸法が小さく、両面に複数の金属層が剥離可能に積層されて成る積層金属シートを重ねて形成した積層基板を製造する工程と、
前記積層金属シートの外側に第１の層間絶縁樹脂層を積層し、第１の層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって前記積層金属シートの前記積層金属シートに達するビアホール下穴を形成し、該ビアホール下穴を銅めっきにより充填することでビアホールを形成する工程と、
第１の層間絶縁樹脂層の外側に、内側の層間絶縁樹脂層よりも厚い層間絶縁樹脂層を積層し、該層間絶縁樹脂層の外側から穴あけ加工用レーザー光線によって該層間絶縁樹脂層にビアホール下穴を形成し、該ビアホール下穴を銅めっきにより充填することでビアホールを形成する工程を繰り返すことで外側に順次に層間絶縁樹脂層とビアホールを形成する工程と、
前記積層金属シートの金属層を剥離することで、第１の層間絶縁樹脂層とその外側の層間絶縁樹脂層と、前記第１の層間絶縁樹脂層及び前記その外側の層間絶縁樹脂層の中のビアホールと配線パターンから成る多層配線構造を、前記積層基板から分離する工程を有することを特徴とする多層配線板の製造方法である。
【００１２】
また、本発明は、上記の多層配線板の製造方法であって、前記第１の層間絶縁樹脂層に対する最も外側の層間絶縁樹脂層の厚さの比が５倍以下であることを特徴とする多層配線板の製造方法である。
【発明の効果】
【００１３】
本発明により、多層配線板の半導体素子搭載面側に半導体素子を半田付けするビアホールが設けられ、前記層間絶縁樹脂層の厚さを、前記半導体素子搭載面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成する。
【００１４】
このように、多層配線板の層間絶縁樹脂層の厚さを、半導体素子搭載面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成することで、半導体素子搭載面に半導体素子を半田付けする熱ストレスがその面に偏って加えられる場合に、半導体素子搭載面側に凸になるように反る熱ストレスを、アンバランスな厚さの層間絶縁樹脂層の構造により半導体素子搭載面側に凹になるように反るストレスを発生させることで打ち消して、多層配線板全体での反りを抑制できる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その１）。
【図２】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その２）。
【図３】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その３）。
【図４】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その４）。
【図５】本発明の製造方法の実施形態を示す部分断面図である（その５）。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を説明する。図１から図６の側断面図に、本発明の多層配線板の製造方法の一実施形態を工程順に示す。
【００１７】
（工程１：積層金属シートを支持基板へ積層する工程）
図１（ａ）のように、サイズが例えば６１０×５１０ｍｍの支持基板１０を中心にし、その支持基板１０の外側に、平面視で支持基板１０と同じサイズの寸法が６１０×５１０ｍｍのプリプレグもしくは樹脂フィルムから成る半硬化絶縁樹脂シート１２ａを重ね、その外側に、半硬化絶縁樹脂シート１２ａより小さいサイズの寸法が６００×５００ｍｍの多層構造の積層金属シート１３を重ねる。そして、その積層金属シート１３の外側に離型フィルム２０を重ねて、真空積層プレスにより、支持基板１０の外側に半硬化絶縁樹脂シート１２ａを介して積層金属シート１３を積層する。
【００１８】
真空積層プレス装置によって加熱・加圧する積層処理によって、図１（ｂ）のように、支持基板１０の外側の半硬化絶縁樹脂シート１２ａを硬化させて絶縁樹脂材料１２にし、その支持基板１０と絶縁樹脂材料１２とからなる支持基板の外側の面に積層金属シート１３が一体となった積層基板１００を製造する。
【００１９】
（支持基板）
この工程で用いる支持基板１０としては、厚み０．０４ｍｍから０．４ｍｍの基板で、両面に厚み１８μｍの銅箔１１を有する、有機樹脂をガラスやポリイミド、液晶などから成る補強繊維に含浸させた材料から成る銅張積層板（例えば、サイズが６１０×５１０ｍｍ）を用いる。
【００２０】
この支持基板１０を構成する有機樹脂材料は、エポキシ系、アクリル系、ウレタン系、エポキシアクリレート系、フェノールエポキシ系、ポリイミド系、ポリアミド系、シアネート系、液晶系を主体とする有機樹脂を用いることができる。また、その有機樹脂にシリカやブチル系有機材料、炭酸カルシウムなどによるフィラーを含ませた基板を用いることもできる。
【００２１】
（変形例１）
支持基板１０の他の例（変形例１）として、ガラス（青板、無アルカリガラス、石英）、又は、金属（ステンレス、鉄、銅、チタン、タングステン、マグネシウム、アルミニウム、クロム、モリブデンなどを主体とする）を用いることもできる。
【００２２】
（半硬化絶縁樹脂シート）
この工程で用いる半硬化絶縁樹脂シート１２ａとしては、厚さが０．０４ｍｍから０．４ｍｍの（例えば厚さが０．０７ｍｍの）、有機樹脂が補強繊維に含浸されて成るプリプレグを半硬化絶縁樹脂シート１２ａとして用いる。プリプレグは、樹脂リッチに調整している方が好ましい。必要なハンドリング性を確保できる場合は、補強繊維を含まない樹脂フィルムの半硬化絶縁樹脂シート１２ａを用いても構わない。
【００２３】
半硬化絶縁樹脂シート１２ａの有機樹脂の材料としては、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）、ポリイミド樹脂、ＰＰＥ樹脂、フェノール樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＯ樹脂、シアネート樹脂、シアネートエステル樹脂などの有機樹脂を使用することができる。
【００２４】
また、補強繊維は、ガラス繊維、アラミド不織布やアラミド繊維、ポリエステル繊維、ポリアミド繊維、液晶繊維などを用いることができる。また、半硬化絶縁樹脂シート１２ａの有機樹脂には、シリカやブチル系有機材料、炭酸カルシウムなどによるフィラーを含ませることもできる。
【００２５】
（積層金属シート）
この工程で用いる積層金属シート１３は、複数の金属層が剥離可能に積層されて成る多
層構造の積層金属シート１３である。この積層金属シート１３には、例えば、厚さ１０μｍ〜３５μｍ（例えば１８μｍ）のキャリア銅箔層１３ａの金属層に、厚さ１μｍ〜８μｍ（例えば５μｍ）の極薄銅箔層１３ｂの金属層を剥離可能に積層したピーラブル金属箔を用いる。キャリア銅箔層１３ａと極薄銅箔層１３ｂの金属層を剥離可能に積層する手段は、剥離可能に接着剤で接着する方法や、その他の剥離可能な積層方法を用いる。
【００２６】
（離型フィルム）
この工程で用いる離型フィルム２０としては、ポリフェニレンスルフィド、ポリイミド等の樹脂材料とステンレス、真鍮等の金属材料とを組み合わせた複合材料からなるフィルムを用いる。
【００２７】
離型フィルム２０の熱収縮率は、加熱加圧処理を施す温度において、０．０１〜０．９％の熱収縮率を持つ離型フィルム２０を用いる。また、離型フィルム２０の加熱加圧処理後における伸びの低下率が加熱加圧処理前の３０％以下である離型フィルム２０を用いる。
【００２８】
離型フィルム２０の形態は、厚みが、１０〜２００μｍの樹脂材料からなり、特に、離型フィルム２０の表面に、ＪＩＳ  Ｂ０６０１に規定される平均粗さＲａを３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下に粗面化処理（マット処理）を施した離型フィルム２０を用いる。
【００２９】
工程１の真空積層プレス加工の準備として、積層金属シート１３を、図１（ａ）のように、支持基板１０の外側に、樹脂リッチに調整した半硬化絶縁樹脂シート１２ａを重ね、その外側に積層金属シート１３を重ね、その外側に、平均粗さＲａを３００ｎｍ以上１５００ｎｍ以下に粗面化処理（マット処理）した離型フィルム２０を重ねた積層体を、真空積層プレス装置のステンレス製のプレス板の間に挟む。
【００３０】
真空積層プレス加工処理の段階では、真空積層プレス装置のプレス板でその積層体を加熱・加圧して積層体を溶融・硬化させることで、支持基板１０の外側に半硬化絶縁樹脂シート１２ａを介して積層金属シート１３を積層した積層基板１００を製造する。また、積層金属シート１３は、その極薄銅箔層１３ｂを外側にしキャリア銅箔層１３ａを内側にして半硬化絶縁樹脂シート１２ａの外側に重ねる。
【００３１】
真空積層プレス加工の条件は、適用する半硬化絶縁樹脂シート１２ａの材料に合わせて昇温速度や圧力、加圧タイミングを調整して実施する。流動性が高い材料を用いる場合は、昇温速度や加圧タイミングを遅くする調整を施しても構わない。
【００３２】
これにより、積層基板１００を、積層金属シート１３のサイズが、積層基板１００全体のサイズより小さく形成する。そして、積層金属シート１３の外側である額縁部１４の絶縁樹脂材料１２が、積層金属シート１３の内側の面との外周部分とを、一体に覆うようにする。
【００３３】
そして、半硬化絶縁樹脂シート１２ａを硬化させて絶縁樹脂材料１２にした後に離型フィルム２０を剥離して、図１（ｂ）のように、サイズ６００×５００ｍｍの積層金属シート１３の外周部を絶縁樹脂材料１２による幅５ｍｍの額縁部１４が囲んだ支持基板である積層基板１００を製造する。これにより、積層金属シート１３の内側の面、側壁が一体の絶縁樹脂材料で覆われる。
【００３４】
（変形例２）
変形例２として、積層基板１００を他の構成で構成できる。変形例２では、支持基板１０を用いずに、２枚の積層金属シート１３の間に、その積層金属シート１３より大きいサイズの、積層による硬化後に剛性が十分に確保できる厚さ及び剛性を有する絶縁樹脂材料１２になる半硬化絶縁樹脂シートを挟んだ積層体を、真空積層プレス装置のステンレス製のプレス板の間に挟む。
【００３５】
真空積層プレス装置のプレス板でその積層体を加熱・加圧して積層体を溶融・硬化させることで、図１（ｃ）のような積層基板１００を製造する。その積層基板１００は、２枚の積層金属シート１３の間に絶縁樹脂材料１２が形成された構造であり、その２枚の積層金属シート１３のサイズは積層基板１００のサイズより小さい。結局、変形例２によっても、積層金属シート１３の内側の面と積層金属シート１３の側壁が一体構造に形成された絶縁樹脂材料１２で覆われている積層基板１００を製造することができる。
【００３６】
（工程２：層間絶縁樹脂層３１の形成工程）
次に、層間絶縁樹脂層３１の形成のための前処理として、積層基板１００の外側の積層金属シート１３の表面を、粒界腐食のエッチング処理により粗化処理するか、酸化還元処理による黒化処理、又は、過水硫酸系のソフトエッチング処理により粗化処理する。
【００３７】
次に、図２（ｄ）のように、積層金属シート１３上に層間絶縁樹脂層３１を、真空ラミネート、ロールラミネートまたは積層プレスで熱圧着させる。例えば厚さ４５μｍのエポキシ樹脂を真空ラミネートする。ガラスエポキシ樹脂を使う場合は任意の厚さの銅箔を重ね合わせ積層プレスで熱圧着させる。
【００３８】
層間絶縁樹脂層３１の樹脂材料として、エポキシ樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂（以下、ＢＴ樹脂と称す）、ポリイミド樹脂、ＰＰＥ樹脂、フェノール樹脂、ＰＴＦＥ樹脂、珪素樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリエステル樹脂、メラミン樹脂、ユリア樹脂、ＰＰＳ樹脂、ＰＰＯ樹脂、シアネート樹脂、シアネートエステル樹脂などの有機樹脂を使用することができる。また、これらの樹脂単独でも、複数樹脂を混合しあるいは化合物を作成するなどの樹脂の組み合わせも使用できる。更に、これらの材料に、ガラス繊維の補強材を混入させた層間絶縁樹脂層３１を用いることができる。補強材には、アラミド不織布やアラミド繊維、ポリエステル繊維を用いることができる。
【００３９】
（工程３：ビアホール下穴の形成工程）
次に、図２（ｅ）のように、層間接続用のビアホール下穴３２ａを、穴あけ加工用レーザー光線によって形成する。なお、層間絶縁樹脂層３１の熱圧着に銅箔を使用した場合は、ビアホール下穴３２ａを形成する前処理として、その銅箔を全面エッチングするか、銅箔にビアホール下穴３２ａ用の開口を形成するエッチング処理を行うか、あるいは、銅箔の表面処理を行うことでビアホール下穴３２ａ部分の銅箔のレーザー吸収性を改善してレーザー光線によってビアホール下穴３２ａを形成する。このビアホール下穴３２ａは外側の穴径を８０μｍ程度にし穴底の穴径を５０μｍ程度に加工し、外側の穴径が穴底の径より大きい、円錐台を逆さにした形状に形成する。
【００４０】
（工程４：めっき工程）
次に、図２（ｆ）のように、ビアホール下穴３２ａの壁面および層間絶縁樹脂層３１の表面に無電解めっきを施し、その外側に電解銅めっきの層を形成し、銅めっきで充填したビアホール３２を形成する。ビアホール３２は、支持基板側を上側にし基板の外側を下側にすると、円錐台状に形成される。
【００４１】
（工程５：配線パターンの形成工程）
次に、電解銅めっきの層の面に感光性めっきレジストフィルムを形成して露光・現像することで、エッチングレジストのパターンを形成し、そのエッチングレジストで保護して電解銅めっきのパターンをエッチングし、次に、エッチングレジストのパターンを剥離す
ることで、図３（ｇ）のように、層間絶縁樹脂層３１上にビアホールと一体構造を成すランド３２ｂと配線パターン３３を形成する。
【００４２】
（工程６：層間絶縁樹脂層３４の形成工程）
次に、図３（ｈ）のように、その配線パターン３３とランド３２ｂと層間絶縁樹脂層３１の上に、工程２と同様のビルドアップ処理で層間絶縁樹脂層３４を形成する。この層間絶縁樹脂層３４は、工程２で形成した層間絶縁樹脂層３１よりも厚く形成する。
【００４３】
（工程７：ビアホール３５の形成工程）
次に、工程３から５と同様にして、層間絶縁樹脂層３４に、ランド３２ｂ又は配線パターン３３に達するビアホール下穴を形成した上で、銅めっき層を形成することでビアホール下穴を埋めてビアホール３５を形成し、銅めっきの層をエッチングすることでビアホールと一体構造を成すランド３５ｂと配線パターン３５ｃを形成する。
【００４４】
（工程８：層間絶縁樹脂層３６の形成工程）
次に、図４（ｉ）のように、ランド３５ｂと配線パターン３５ｃと層間絶縁樹脂層３４の上に、工程２と同様のビルドアップ処理で層間絶縁樹脂層３６を形成する。この層間絶縁樹脂層３６は、工程６で形成した層間絶縁樹脂層３４よりも更に厚く形成する。
【００４５】
（工程９：ビアホール３７の形成工程）
次に、工程３から５と同様にして、層間絶縁樹脂層３６に、ランド３５ｂ又は配線パターン３５ｃに達するビアホール下穴を形成した上で、銅めっき層を形成することでビアホール下穴を埋めてビアホール３７を形成し、銅めっきの層をエッチングすることでビアホールと一体構造を成すランド３７ｂと配線パターンを形成する。
【００４６】
こうして、図４（ｉ）のように、積層基板１００上に、層間絶縁樹脂層３１とビアホール３２、層間絶縁樹脂層３４とビアホール３５、層間絶縁樹脂層３６とビアホール３７との複数層をビルドアップした多層配線構造３０を形成する。
【００４７】
この多層配線構造３０は、半導体素子搭載面側の層間絶縁樹脂層３１よりも、層間絶縁樹脂層３４が厚く、更に半導体素子搭載面から遠い側の層間絶縁樹脂層３６を更に厚く厚さをアンバランスに形成している。特に、半導体素子搭載面側の層間絶縁樹脂層３１の厚さを最も薄くすることが望ましい。
【００４８】
ここで、最も薄い層間絶縁樹脂層３１に対して最も厚い層間絶縁樹脂層３６の厚さの比は５倍以下にすることが望ましい。その理由は、最も厚い層間絶縁樹脂層３６の厚さが、最も薄い層間絶縁樹脂層３１の厚さの５倍を超えると、層間絶縁樹脂層３６に形成するビアホール３７の製造が困難になるためである。すなわち、厚い層間絶縁樹脂層３６のビアホール３７の下穴に、銅めっき層が十分に充填できずにビアホール３７が層間絶縁樹脂層３６の上下の面を接続できない、ビアホールのオープン不具合が発生するからである。
【００４９】
このように、多層配線板の層間絶縁樹脂層の厚さを、半導体素子搭載面から遠ざかるにつれ順次に厚く形成することで、半導体素子搭載面に半導体素子を半田付けする熱ストレスがその面に偏って加えられる場合に、半導体素子搭載面側に凸になるように反る熱ストレスを、アンバランスな厚さの層間絶縁樹脂層の構造により半導体素子搭載面側に凹になるように反るストレスを発生させることで打ち消して、多層配線板全体での反りを抑制できる効果がある。
【００５０】
（工程１０：ソルダーレジスト形成工程）
次に、多層配線構造３０の表面をマイクロエッチング剤で粗化処理した上にアゾール化
合物の厚い被膜を形成させてソルダーレジストの接着性を向上させる処理を行う。粗化処理後に多層配線構造３０とソルダーレジスト３８との密着が確保できる場合は、アゾール化合物による処理は実施しなくても構わない。次に、感光性のソルダーレジストをロールコーター又は印刷により多層配線構造３０の外面に塗布し、７０℃で乾燥させてソルダーレジスト３８の膜を形成する。
【００５１】
次に、ソルダーレジスト３８の膜に露光・現像し、図４（ｊ）のように、パッド部分にソルダーレジスト開口部３８ａを設けたソルダーレジスト３８のパターンを形成する。このソルダーレジスト３８のパターンを１８０℃で加熱硬化させ、その後に１００ｍＪ／ｃｍ２の紫外線照射処理によりソルダーレジスト３８の膜の絶縁化処理を行う。
【００５２】
（工程１１：多層配線構造３０分離工程）
次に、多層配線構造３０の表面に、所望のサイズのエッチングレジストを張り付け、図４（ｉ）の切断線４０で多層配線構造３０と積層基板１００を切断することで額縁部１４を切り離し、その切断面に積層金属シート１３の剥離の境界線を露出させる。そして、図５（ｋ）のように、露出させた剥離の境界線から積層金属シート１３のキャリア銅箔層１３ａから極薄銅箔層１３ｂを剥離することで、厚さ０．４ｍｍの積層基板１００から多層配線構造３０を分離する。
【００５３】
（工程１２：銅箔層１３ｂ除去工程）
次に、そうして分離した多層配線構造３０に対し、多層配線構造３０の極薄銅箔層１３ｂをクイックエッチングで除去し、図５（ｌ）のように、層間絶縁樹脂層３１に埋め込まれた逆円錐台状のビアホール３２の、下底の径８０μｍよりも径が小さい径が５０μｍの上底を外側に露出させた多層配線構造３０を得る。
【００５４】
この露出させたビアホール３２の上面（上底）の径は５０μｍ程度で小さいので、そのビアホール３２の上底に半導体素子のバンプ（接続端子）を半田付け接続することで、ピッチが１３０μｍ程度の半導体素子の高密度の部品端子と高い信頼性で電気接続することができる効果がある。
【００５５】
（変形例３）
ここで、変形例３として、積層金属シート１３のキャリア銅箔層１３ａと極薄銅箔層１３ｂの順を逆にして工程１で加工して積層基板１００を作る。そして工程２から工程１１までの各工程で加工する。次に、上記の工程１２の替りに、多層配線構造３０に残った銅箔層（キャリア銅箔層１３ａ）をエッチングレジストパターンで保護してエッチングすることで、図５（ｍ）のように凸端子１を形成する。すなわち、層間絶縁樹脂層３１に埋め込まれた逆円錐台状のビアホール３２の上面（上底）の上に凸端子１のパターンを形成する。この変形例３の場合は、凸端子１の上に半導体素子のバンプ（接続端子）を半田付け接続する。
【００５６】
この多層配線構造３０は、層間絶縁樹脂層の厚さが、半導体素子のバンプを半田付け接続する側の面から、その反対側の面まで、層間絶縁樹脂層の厚さが順次に厚く形成されている。その半導体素子のバンプを多層配線構造３０のビアホール３２の上底（あるいはその上の凸端子１）に半田付けして半導体素子を搭載する場合に、層間絶縁樹脂層３１側に偏って熱が加わり、その熱ストレスにより、半導体素子の搭載面側を凸にするように多層配線構造３０が反る。
【００５７】
一方、半導体素子搭載面から遠いほど層間絶縁樹脂層を厚く形成することで、半導体素子の搭載面から遠い層間絶縁樹脂層に熱が伝導するとその層間絶縁樹脂層が大きく膨張することで、半導体素子の搭載面側を凹にするように多層配線構造３０が反るストレスが働
く。そのストレスが、層間絶縁樹脂層３１側に偏って熱が加わることによる熱ストレスに対抗する。それにより、半導体素子搭載面に偏った熱ストレスを、アンバランスな厚さの層間絶縁樹脂層が、半導体素子搭載面側に凹になるように反るストレスを発生させることで打ち消して、多層配線板全体での反りを抑制できる効果がある。
【００５８】
（ランド部分のめっき）
次に、ソルダーレジスト開口部３８ａのランド３７ｂの面、及び、ビアホール３２の上底面（あるいは凸端子１の面）に、無電解Ｎｉめっきを３μｍ以上形成し、その上に無電解Ｐｄめっきを介して無電解Ａｕめっきを０．０３μｍ以上形成する。無電解Ａｕめっきは１μｍ以上形成しても良い。更にその上にはんだをプリコートすることも可能である。
【００５９】
あるいは、ソルダーレジスト開口部３８ａに、電解Ｎｉめっきを３μｍ以上形成し、その上に電解Ａｕめっきを０．５μｍ以上形成しても良い。更に、ソルダーレジスト開口部３８ａに、金属めっき以外に、有機防錆皮膜を形成しても良い。
【００６０】
（外形加工）
次に、多層配線構造３０の外形をダイサーなどで加工して個片の多層配線板に分離する。
【００６１】
なお、以上の実施形態では、図４及び図５で、３層の層間絶縁樹脂層の多層配線構造３０を形成して多層配線板を製造する場合を示したが、その多層配線構造３０に形成する層間絶縁樹脂層は３層に限らず、最終的に製造する多層配線板の構造の必要に応じて適宜、２層、あるいは４層以上の層数の層間絶縁樹脂層の多層配線構造３０を形成することができる。
【符号の説明】
【００６２】
１・・・凸端子
１０・・・支持基板
１１・・・銅箔
１２・・・絶縁樹脂材料
１２ａ・・・半硬化絶縁樹脂シート
１３・・・積層金属シート
１３ａ・・・キャリア銅箔層
１３ｂ・・・極薄銅箔層
１４・・・額縁部
２０・・・離型フィルム
３０・・・多層配線構造
３１、３４、３６・・・層間絶縁樹脂層
３２、３５、３７・・・ビアホール
３２ａ・・・ビアホール下穴
３２ｂ、３５ｂ、３７ｂ・・・ビアホールのランド
３３、３５ｃ・・・配線パターン
３８・・・ソルダーレジスト
３８ａ・・・ソルダーレジスト開口部
４０・・・切断線
１００・・・積層基板
【図１】
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【図２】
2014154631.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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