(57)【要約】      （修正有）【課題】照射光のエネルギー制御が容易な膜の加熱方法等を提供する。【解決手段】光吸収層である白金膜１３の一方の側に被加熱層であるアモルファスＰＺＴ膜１４を形成する工程と、光吸収層１３の一方の側の反対側である他方の側から光吸収層１３に連続発振のレーザ光７１ｘを照射して光吸収層１３を加熱する工程と、を有する。白金膜１３の熱は、白金膜１３の一方の側に形成されているアモルファスＰＺＴ膜１４に伝わり（拡散し）、アモルファスＰＺＴ膜１４は、白金膜１３側から局部的に加熱される。アモルファスＰＺＴ膜１４の加熱された部分は膜質が変えられ（結晶化され）、結晶質ＰＺＴ１５となる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光吸収層の一方の側に被加熱層を形成する工程と、
前記光吸収層の一方の側の反対側である他方の側から前記光吸収層に光を照射して前記光吸収層を加熱する工程と、を有する加熱方法。
【請求項２】
前記加熱する工程では、前記光吸収層の熱を前記被加熱層に伝えて前記被加熱層の膜質を変える請求項１記載の加熱方法。
【請求項３】
前記光吸収層の他方の側には支持基板が形成されており、
前記加熱する工程では、前記支持基板を透過する光を前記光吸収層に照射する請求項１又は２記載の加熱方法。
【請求項４】
前記加熱する工程では、前記光吸収層に照射する光と前記光吸収層とを相対的に移動させながら前記被加熱層の膜質を変える請求項１乃至３の何れか一項記載の加熱方法。
【請求項５】
膜質を変えられた領域を含む前記被加熱層上に、他の被加熱層を積層する工程と、
前記光吸収層の他方の側から前記光吸収層に光を照射して前記光吸収層を加熱し、前記光吸収層の熱を前記被加熱層及び前記他の被加熱層に伝えて前記他の被加熱層の膜質を変える工程と、を有する請求項１乃至４の何れか一項記載の加熱方法。
【請求項６】
前記加熱する工程では、非晶質の被加熱層を結晶質に変える請求項１乃至５の何れか一項記載の加熱方法。
【請求項７】
前記加熱する工程では、結晶質である被加熱層において、結晶粒を増大させる請求項１乃至５の何れか一項記載の加熱方法。
【請求項８】
前記被加熱層を形成する工程では、前記光吸収層の一方の側に接して前記被加熱層を形成する請求項１乃至７の何れか一項記載の加熱方法。
【請求項９】
前記被加熱層を形成する工程では、前記光吸収層の一方の側に他の層を介して前記被加熱層を形成する請求項１乃至７の何れか一項記載の加熱方法。
【請求項１０】
前記光吸収層は、融点が１０００℃以上の耐熱性の膜であり、Ｐｔ、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｕの何れかの金属を含む金属膜、前記何れかの金属の合金を含む金属合金膜、又は、前記金属膜若しくは前記金属合金膜を任意に選択して複数層積層した積層膜である請求項１乃至９の何れか一項記載の加熱方法。
【請求項１１】
支持基板の一方の側に形成された光吸収層である下部電極膜上に複合酸化物膜を形成する工程と、
前記支持基板の一方の側の反対側である他方の側から前記支持基板を透過する光を前記下部電極膜に照射して前記下部電極膜を加熱する工程と、を有する圧電膜の製造方法。
【請求項１２】
前記加熱する工程では、前記下部電極膜の熱を前記複合酸化物膜に伝えて前記複合酸化物膜の結晶性を変える請求項１１記載の圧電膜の製造方法。
【請求項１３】
前記複合酸化物膜は鉛を含有する請求項１２記載の圧電膜の製造方法。
【請求項１４】
前記複合酸化物膜は非鉛複合酸化物膜である請求項１２記載の圧電膜の製造方法。
【請求項１５】
前記加熱する工程では、非晶質の複合酸化物膜を、ＡＢＯ３型ペロブスカイト型結晶質膜に変える請求項１２乃至１４の何れか一項記載の圧電膜の製造方法。
【請求項１６】
前記加熱する工程では、ＡＢＯ３型ペロブスカイト型結晶質膜である複合酸化物膜において、結晶粒を増大させる請求項１２乃至１４の何れか一項記載の圧電膜の製造方法。
【請求項１７】
請求項１２乃至１６の何れか一項記載の圧電膜の製造方法における前記加熱する工程の後に、前記複合酸化物膜上に上部電極膜を形成する工程を有する圧電素子の製造方法。
【請求項１８】
光吸収層に光を照射する光照射手段を有する光照射装置であって、
前記光照射手段は、一方の側に被加熱層が形成された前記光吸収層に対して、前記光吸収層の一方の側の反対側である他方の側から光を照射することを特徴とする光照射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、膜等の加熱方法、圧電膜及び圧電素子の製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出装置、及び光照射装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電気炉やＲＴＡ（Rapid Thermal Annealing）装置等を用いて、基板上に形成した膜を一定時間、一定温度以上に加熱する処理が行われている。このような加熱処理においては、膜だけではなく、基板全体も加熱される。
【０００３】
しかしながら、基板全体が加熱される場合には、耐熱性の基板を用いる等の制約が生じる。又、基板上に他の構造や素子等を有する場合には、加熱処理が不要な他の部材（他の構造や素子等）まで加熱され、熱的なダメージや熱応力による寸法精度のずれ等が生じ、性能を著しく低下させるおそれがある。
【０００４】
ところで、シリコンを用いたデバイスについて、例えば、太陽電池の多結晶シリコン膜の形成や、パワーデバイス中のイオン注入層における不純物の活性化等に、レーザ照射による加熱処理が行われている。レーザ照射による加熱処理の目的は、加熱対象物に直接レーザ光を照射してエネルギーを吸収させ、加熱対象物を一度溶融して再結晶化することである。
【０００５】
酸化物圧電膜（例えば、ＰＺＴ膜）の製造工程においても、レーザ照射による加熱処理が行われている例がある。例えば、スパッタリング法で形成したアモルファス状のＰＺＴ膜に、ＫｒＦエキシマパルスレーザを照射することにより、結晶化させることが例示されている（例えば、非特許文献１参照）。
【０００６】
又、白金電極とチタン層を有する石英基板上にゾルゲル法で形成したＰＺＴ膜を３５０℃で熱処理する。そして、その後、表面側（ＰＺＴ膜が形成されている側）から波長５３２ｎｍの連続波グリーンレーザを照射し、白金電極の加熱によりＰＺＴ膜を結晶化させることが例示されている（例えば、非特許文献２参照）。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、非特許文献１に記載の方法では、ＫｒＦエキシマレーザでＰＺＴ膜を加熱処理する場合、レーザ光は殆どＰＺＴ膜の表面に吸収され、表面で生じた熱の拡散により周辺のＰＺＴ膜を結晶化させる。そのため、表面温度が高いと、蒸発しやすいＰｂがＰＺＴ膜から離脱し、形成したＰＺＴ結晶膜に組成ずれが生じる。
【０００８】
又、非特許文献２に記載の方法では、ＰＺＴ膜の厚さが変わるとＰＺＴ膜の反射率が変わるため、白金電極表面に当たるレーザ光のエネルギーも変わる。そのため、特に、多層構造又は所定の表面形状を有する（膜厚が一定でない）ＰＺＴ膜において、表面及び界面の何れか一方又は双方の影響により、白金電極表面に到達するレーザ光のエネルギー制御が困難である。
【０００９】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、照射光のエネルギー制御が容易な膜の加熱方法等を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本加熱方法は、光吸収層の一方の側に被加熱層を形成する工程と、前記光吸収層の一方の側の反対側である他方の側から前記光吸収層に光を照射して前記光吸収層を加熱する工程と、を有することを要件とする。
【発明の効果】
【００１１】
開示の技術によれば、照射光のエネルギー制御が容易な膜の加熱方法等を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】第１の実施の形態に係る加熱方法を説明するための断面図である。
【図２】第２の実施の形態に係る加熱方法を説明するための断面図である。
【図３】第３の実施の形態に係る加熱方法を説明するための断面図である。
【図４】第４の実施の形態に係る加熱方法を説明するための断面図である。
【図５】第５の実施の形態に係る圧電素子の製造方法を説明するための断面図である。
【図６】第６の実施の形態に係る液滴吐出ヘッドを例示する断面図（その１）である。
【図７】第６の実施の形態に係る液滴吐出ヘッドを例示する断面図（その２）である。
【図８】第６の実施の形態に係る薄膜製造装置を例示する斜視図である。
【図９】第６の実施の形態に係る圧電膜の製造方法を例示する図（その１）である。
【図１０】第６の実施の形態に係る圧電膜の製造方法を例示する図（その２）である。
【図１１】比較例に係る圧電膜の製造方法を例示する図である。
【図１２】インクジェット記録装置を例示する斜視図である。
【図１３】インクジェット記録装置の機構部を例示する側面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１４】
〈第１の実施の形態〉
第１の実施の形態では、光吸収層である白金膜（Ｐｔ膜）上に積層した被加熱層であるアモルファスＰＺＴ膜（非晶質ＰＺＴ膜）を結晶化させる加熱方法について説明する。なお、ＰＺＴとはジルコン酸鉛（ＰｂＺｒＯ３）とチタン酸鉛（ＰｂＴｉＯ３）の固溶体であり、ＰｂＺｒＯ３とＰｂＴｉＯ３の比率によって、ＰＺＴの特性が異なる。例えば、ＰｂＺｒＯ３とＰｂＴｉＯ３の比率が５３：４７の割合で、化学式で示すとＰｂ（Ｚｒ０．５３、Ｔｉ０．４７）Ｏ３、一般にはＰＺＴ（５３／４７）と示されるＰＺＴ等を使用することができる。
【００１５】
図１は、第１の実施の形態に係る加熱方法を説明するための断面図である。まず、図１（ａ）に示す工程では、光吸収層である白金膜１３を準備する。白金膜１３の膜厚は、照射されるレーザ光を吸収するのに十分な厚さであればよく、例えば、１００ｎｍ程度とすることができる。
【００１６】
次に、図１（ｂ）に示す工程では、光吸収層である白金膜１３の一方の側に被加熱層であるアモルファスＰＺＴ膜１４を形成する。アモルファスＰＺＴ膜１４は、例えば、スパッタリング法やＣＳＤ（Chemical Solution Deposition）法等を用いて、白金膜１３の一方の側に形成できる。なお、本実施の形態では、アモルファスＰＺＴ膜１４は、光吸収層である白金膜１３の一方の側に直接形成されている。アモルファスＰＺＴ膜１４の膜厚は、例えば、６０ｎｍ程度とすることができる。
【００１７】
ＣＳＤ法によりアモルファスＰＺＴ膜１４を形成する場合には、まず、例えば、酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド化合物、チタンアルコキシド化合物を出発材料に使用し、共通溶媒としてメトキシエタノールに溶解させて均一溶媒を作製する。この均一溶媒をＰＺＴ前駆体溶液と称する。ＰＺＴ前駆体溶液の複合酸化物固体分濃度は、例えば、０．１〜０．７モル／リットルとすることができる。なお、酢酸鉛、ジルコニウムアルコキシド化合物、チタンアルコキシド化合物の混合量は、所望のＰＺＴの組成（ＰｂＺｒＯ３とＰｂＴｉＯ３の比率）に応じて、当業者が適宜選択できるものである。例えば、前述のＰＺＴ（５３／４７）を用いることができる。
【００１８】
次に、例えば、スピンコート法等により、白金膜１３の一方の側にＰＺＴ前駆体溶液を塗布して塗布膜を形成する。そして、塗布膜を例えば１２０℃程度のホットプレートで１分間程度熱処理した後、１８０℃〜５００℃程度のホットプレートで１〜１０分間程度熱処理することにより、白金膜１３の一方の側にアモルファスＰＺＴ膜１４が形成される。
【００１９】
次に、図１（ｃ）に示す工程では、白金膜１３の一方の側の反対側である他方の側（アモルファスＰＺＴ膜１４が形成されていない側）から光吸収層である白金膜１３に、例えば連続発振のレーザ光７１ｘを局部的に照射する。
【００２０】
レーザ光７１ｘの波長は、光吸収層である白金膜１３に吸収されやすい波長を適宜選択できるが、本実施の形態では、波長９８０ｎｍ付近とする。なお、レーザ光７１ｘのスポット形状は、例えば、略長方形とすることができる。又、その場合の略長方形の大きさは、例えば、０．３５ｍｍ×１ｍｍ程度とすることができる。
【００２１】
白金膜１３は、波長９８０ｎｍ付近の吸収係数が非常に大きく、およそ７×１０５ｃｍ−１である。又、例えば、膜厚１００ｎｍの白金膜１３において、波長９８０ｎｍ付近の光の透過率は１％以下である。従って、白金膜１３に照射された波長９８０ｎｍ付近のレーザ光７１ｘの光エネルギーは殆ど白金膜１３に吸収される。なお、図１（ｃ）では、レーザ光７１ｘを白金膜１３に斜めに照射しているが、レーザ光７１ｘを白金膜１３に垂直に照射してもよい。
【００２２】
白金膜１３に吸収されたレーザ光７１ｘの光エネルギーは、熱に変わって白金膜１３を加熱する。白金膜１３の熱は、白金膜１３の一方の側に形成されているアモルファスＰＺＴ膜１４に伝わり（拡散し）、アモルファスＰＺＴ膜１４は、白金膜１３側から局部的に加熱される。アモルファスＰＺＴ膜１４の加熱された部分は膜質が変えられ（結晶化され）、結晶質ＰＺＴ１５となる。
【００２３】
一般的に、アモルファスＰＺＴ膜の結晶化温度は約６００℃〜８５０℃であり、白金の融点（１７６８℃）よりかなり低い。従って、白金膜１３に入射するレーザ光７１ｘのエネルギー密度及び照射時間の制御によって、白金膜１３にダメージを与えることなく、アモルファスＰＺＴ膜１４を局部的に加熱して結晶化できる。レーザ光７１ｘのエネルギー密度は、例えば、１×１０２〜１×１０６Ｗ／ｃｍ２程度とすることができる。レーザ光７１ｘの照射時間は、例えば、１ｍｓ〜２００ｍｓ程度とすることができる。
【００２４】
なお、図１（ｃ）では、結晶質ＰＺＴ１５の上側にアモルファスＰＺＴ膜１４が残存しているが、レーザ光７１ｘのエネルギー密度及び照射時間の制御によって結晶質ＰＺＴ１５とすることができる。
【００２５】
このように、第１の実施の形態に係る加熱方法では、光吸収層である白金膜１３の一方の側に、被加熱層であるアモルファスＰＺＴ膜１４を形成する。そして、白金膜１３の他方の側から、白金膜１３に吸収されやすい波長のレーザ光７１ｘを局部的に照射する。
【００２６】
これにより、光吸収層である白金膜１３がレーザ光７１ｘの光エネルギーを吸収して局部的に加熱され、光吸収層に積層されているアモルファスＰＺＴ膜１４も局部的に加熱される。アモルファスＰＺＴ膜１４の局部的に加熱された部分は、膜質を変えられて（結晶化されて）、結晶質ＰＺＴ１５となる。
【００２７】
第１の実施の形態に係る加熱方法によれば、光吸収層である白金膜１３に殆ど熱の影響を及ぼすことなく、被加熱層であるアモルファスＰＺＴ膜１４から局部的に結晶質ＰＺＴ１５を形成できる。つまり、被加熱層であるアモルファスＰＺＴ膜１４を局部的に加熱し結晶化できる。
【００２８】
そのため、被加熱層以外の構造や素子等を有するデバイスに適用する場合であっても、加熱処理が不要な他の部材（他の構造や素子等）まで加熱されないので、熱的なダメージや熱応力による寸法精度のずれ等が生じ難く、デバイスの性能低下を回避できる。
【００２９】
従って、第１の実施の形態に係る加熱方法を、被加熱層以外の構造や素子等を有するデバイスであるセンサやアクチュエータ等に適用すると好適であり、特に精密制御が行われる微小デバイスに適用すると好適である。
【００３０】
なお、上記説明では、光吸収層である白金膜１３に連続発振のレーザ光７１ｘを照射したが、連続発振のレーザ光７１ｘに代えて、パルス発振のレーザ光を照射してもよい。
【００３１】
又、上記説明では、光吸収層である白金膜１３の一方の側に被加熱層であるアモルファスＰＺＴ膜１４を積層したが、白金膜１３に代わる光吸収層として、融点が１０００℃以上の他の耐熱性の膜を用いてもよい。他の耐熱性の膜としては、例えば、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｕの何れかの金属を含む金属膜を挙げられる。又、前記何れかの金属の合金を含む金属合金膜、又は、前記金属膜若しくは前記金属合金膜を任意に選択して複数層積層した積層膜等を挙られる。又、アモルファスＰＺＴ膜１４に代えて、ＰＺＴ以外の材料、例えば、ＢａＴｉＯ３やＳｉ等を用いてもよい。例えば、Ｓｉの微結晶にレーザ光を照射し、結晶粒の粒径を増大させることができる。
【００３２】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、光吸収層である白金膜と直接接していないアモルファスＰＺＴ膜を結晶化させる加熱方法について説明する。
【００３３】
図２は、第２の実施の形態に係る加熱方法を説明するための断面図である。まず、図２（ａ）に示す工程では、支持基板となる厚さ６５０μｍ程度のシリコン基板１０を準備する。そして、シリコン基板１０の一方の側に、周知の方法により、膜厚６００ｎｍ程度のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）１１、膜厚２０ｎｍ程度のチタン膜（Ｔｉ膜）１２、膜厚１００ｎｍ程度の白金膜１３を順次積層する。そして、更に、白金膜１３上に結晶質ＰＺＴ１５１を積層する。なお、シリコン基板１０には、１×１０１７／ｃｍ３程度の濃度の不純物Ｂ（ボロン）がドーピングされている。
【００３４】
次に、図２（ｂ）に示す工程では、第１の実施の形態と同様に、例えば、スパッタリング法やＣＳＤ（Chemical Solution Deposition）法等を用いて、結晶質ＰＺＴ１５１上にアモルファスＰＺＴ膜１４を形成する。アモルファスＰＺＴ膜１４の膜厚は、例えば、６０ｎｍ程度とすることができる。
【００３５】
次に、図２（ｃ）に示す工程では、図２（ｂ）に示す構造体に、シリコン基板１０の他方の側（シリコン酸化膜１１が形成されていない側）から、例えば連続発振のレーザ光７１ｘ（例えば、波長：１４００ｎｍ付近）を局部的に照射する。レーザ光７１ｘのエネルギー密度は、例えば、１×１０２〜１×１０６Ｗ／ｃｍ２程度とすることができる。レーザ光７１ｘの照射時間は、例えば、１ｍｓ〜２００ｍｓ程度とすることができる。
【００３６】
シリコン基板１０及びシリコン酸化膜１１は波長１４００ｎｍ付近の光に対して透過性があるので、シリコン基板１０に侵入したレーザ光７１ｘの光エネルギーの９０％以上は、チタン膜１２と白金膜１３の積層膜で構成した光吸収層に吸収される。
【００３７】
このように、光吸収層は、融点が１０００℃以上の耐熱性金属膜を積層した構成（本実施の形態では、チタン膜１２と白金膜１３の積層膜）としてもよい。前述のように、光吸収層として、例えば、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ａｕの何れかの金属を含む金属膜を用いてもよい。又、前記何れかの金属の合金を含む金属合金膜、又は、前記金属膜若しくは前記金属合金膜を任意に選択して複数層積層した積層膜等を用いてもよい。
【００３８】
チタン膜１２と白金膜１３の積層膜で構成した光吸収層に吸収されたレーザ光７１ｘの光エネルギーは、熱に変わってチタン膜１２と白金膜１３を加熱する。チタン膜１２と白金膜１３の熱は、白金膜１３の一方の側に形成されている結晶質ＰＺＴ１５１及びアモルファスＰＺＴ膜１４に伝わり（拡散し）、結晶質ＰＺＴ１５１及びアモルファスＰＺＴ膜１４は、白金膜１３側から局部的に加熱される。結晶質ＰＺＴ１５１の加熱された部分は膜質が変えられ（結晶粒の粒径が増大し）、結晶品質が向上する。又、アモルファスＰＺＴ膜１４の加熱された部分は膜質が変えられ（結晶化され）、結晶質ＰＺＴ１５２となる。
【００３９】
このように、第２の実施の形態に係る加熱方法では、シリコン基板１０の一方の側に、光吸収層であるチタン膜１２と白金膜１３の積層膜を形成する。そして、光吸収層であるチタン膜１２と白金膜１３の積層膜に、シリコン基板１０の他方の側から、チタン膜１２と白金膜１３の積層膜に吸収されやすい波長のレーザ光７１ｘを局部的に照射する。
【００４０】
これにより、光吸収層であるチタン膜１２と白金膜１３の積層膜がレーザ光７１ｘの光エネルギーを吸収して局部的に加熱され、光吸収層に積層されている結晶質ＰＺＴ１５１及びアモルファスＰＺＴ膜１４も局部的に加熱される。
【００４１】
結晶質ＰＺＴ１５１の局部的に加熱された部分は、膜質が変えられ（結晶粒の粒径が増大し）、結晶品質が向上する。アモルファスＰＺＴ膜１４の局部的に加熱された部分は、膜質を変えられて（結晶化されて）、結晶質ＰＺＴ１５２となる。
【００４２】
第２の実施の形態に係る加熱方法によれば、第１の実施の形態に係る加熱方法の奏する効果に加えて、更に以下の効果を奏する。
【００４３】
すなわち、レーザ光照射によりアモルファス膜を結晶化し結晶質膜を形成し、その後、結晶質膜上においてアモルファス膜の形成とレーザ光照射による結晶化を繰り返して、複数の結晶質膜を積層する場合を考える。
【００４４】
このような場合に、仮に、光吸収層のアモルファス膜が形成される側からレーザ光を照射すると、下層の結晶質膜を形成する際と上層の結晶質膜を形成する際でレーザ光を照射する層の総厚が異なるため、レーザ光を照射する層の光吸収率が変化する。従って、下層の結晶質膜を形成する際と上層の結晶質膜を形成する際に、結晶化されるアモルファス膜を同一温度とするためには、照射するレーザ光のパワーをレーザ光を照射する層の総厚に対応して設定しなければならない。
【００４５】
レーザ光のパワーは、例えば、レーザ光を照射する層の総厚と光吸収率との関係を予め測定し、それに基づいて設定できる。しかしながら、照射するレーザ光のパワーをレーザ光を照射する層の総厚に対応して設定すると、極めて煩雑な製造工程となる。又、実際に形成された膜の状態（膜厚のばらつき等）が理想的でないと、予め行った測定に基づいた設定が最適ではなくなり、結晶性が均一な結晶質膜が形成できない場合がある。
【００４６】
一方、本実施の形態のように、一方の側にアモルファス膜が形成された光吸収層の他方の側から光吸収層にレーザ光を照射すると、レーザ光が光吸収層を加熱し、光吸収層の熱がアモルファス膜に伝わって（拡散して）アモルファス膜が加熱されて結晶化される。この際、レーザ光は殆ど光吸収層に吸収され、光吸収層を透過してアモルファス膜に達するレーザ光は殆どないため、結晶質膜とアモルファス膜が複数積層されて総厚が変わっても光吸収率の変化の影響を考慮する必要がない。
【００４７】
つまり、本実施の形態のように、光吸収層の他方の側から光吸収層にレーザ光を照射すると、光吸収層の一方の側に形成される膜の厚さに関係なく、一定パワーのレーザ光を照射してアモルファス膜を結晶化することができる。すなわち、本実施の形態に係る加熱方法では、光吸収層の一方の側に形成される膜の厚さを考慮することなく照射するレーザ光のエネルギーを容易に制御できる。その結果、結晶性が均一な結晶質膜を形成できる。
【００４８】
なお、上記説明では、シリコン基板１０等に連続発振のレーザ光７１ｘを照射したが、連続発振のレーザ光７１ｘに代えて、パルス発振のレーザ光を照射してもよい。又、波長が１２００ｎｍ以上であれば、１４００ｎｍ以外の波長のレーザ光７１ｘを照射してもよい。
【００４９】
又、上記説明では、白金膜１３上にアモルファスＰＺＴ膜１４を積層したが、前述のように、光吸収層として、白金膜１３に代えて、例えば、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｕの何れかの金属を含む金属膜を用いてもよい。又、前記何れかの金属の合金を含む金属合金膜、又は、前記金属膜若しくは前記金属合金膜を任意に選択して複数層積層した積層膜等を用いてもよい。又、アモルファスＰＺＴ膜１４に代えて、ＰＺＴ以外の材料、例えば、ＢａＴｉＯ３やＳｉ等を用いてもよい。
【００５０】
なお、結晶質ＰＺＴ１５１及び結晶質ＰＺＴ１５２を便宜上別符号としたが、これらは同一組成とすることができる。
【００５１】
〈第３の実施の形態〉
第３の実施の形態では、光吸収層に照射するレーザ光と光吸収層とを相対的に移動させながらレーザ光を照射し、アモルファスＰＺＴ膜の全面を結晶化させる加熱方法について説明する。
【００５２】
図３は、第３の実施の形態に係る加熱方法を説明するための断面図である。まず、図３（ａ）に示す工程では、支持基板となる厚さ５００μｍ程度のシリコン基板１０を準備する。そして、シリコン基板１０の一方の側に、周知の方法により、膜厚６００ｎｍ程度のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）１１、膜厚５０ｎｍ程度の酸化チタン膜（ＴｉＯｘ膜）１６、膜厚１００ｎｍ程度の白金膜１３を順次積層する。なお、シリコン基板１０には、１×１０１６／ｃｍ３程度の濃度の不純物Ｂ（ボロン）がドーピングされている。
【００５３】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、第１の実施の形態と同様に、例えば、スパッタリング法やＣＳＤ（Chemical Solution Deposition）法等を用いて、白金膜１３上にアモルファスＰＺＴ膜１４を積層する。アモルファスＰＺＴ膜１４の膜厚は、例えば、６０ｎｍ程度とすることができる。
【００５４】
次に、図３（ｃ）に示す工程では、図３（ｂ）に示す構造体の紙面左端の領域に、シリコン基板１０の他方の側（シリコン酸化膜１１が形成されていない側）から、例えば連続発振のレーザ光７１ｘ（例えば、波長：１０．６μｍ）を局部的に照射する。レーザ光７１ｘのエネルギー密度は、例えば、１×１０２〜１×１０６Ｗ／ｃｍ２程度とすることができる。レーザ光７１ｘの照射時間は、例えば、１ｍｓ〜２００ｍｓ程度とすることができる。
【００５５】
シリコン基板１０、シリコン酸化膜１１、及び酸化チタン膜１６は波長１０．６μｍ付近の光に対して透過性があるので、シリコン基板１０に侵入したレーザ光７１ｘの光エネルギーの９０％以上は、白金膜１３で構成した光吸収層に吸収される。なお、酸化チタン膜１６は絶縁膜であり、光吸収層ではない。
【００５６】
白金膜１３で構成した光吸収層に吸収されたレーザ光７１ｘの光エネルギーは熱に変わり、白金膜１３上に形成されているアモルファスＰＺＴ膜１４は、白金膜１３側から局部的に加熱される。アモルファスＰＺＴ膜１４の加熱された部分は膜質が変えられ（結晶化され）、結晶質ＰＺＴ１５となる。
【００５７】
更に、レーザ光７１ｘと照射対象物である図３（ｂ）に示す構造体とを相対的に移動させながらレーザ光７１ｘを照射対象物に照射する。例えば、アモルファスＰＺＴ膜１４を紙面左側前面の領域から紙面奥行き方向に順次結晶化する。これにより、点線で仕切られた紙面左側の１つが結晶化される。そして、同様な動作を紙面右側の部分についても順次実行する。これにより、アモルファスＰＺＴ膜１４が順次結晶化し、最終的にアモルファスＰＺＴ膜１４の全面が結晶化し、白金膜１３上の全面に結晶質ＰＺＴ１５が形成される。
【００５８】
なお、白金膜１３上の全面に結晶質ＰＺＴ１５を形成した後、更に図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すプロセスを繰り返し実行することにより、膜厚６０ｎｍ程度の結晶質ＰＺＴ１５を複数層積層することができる。例えば、図３（ａ）から図３（ｃ）のプロセスを３０回程度繰り返すことにより、総厚２μｍ程度の厚い結晶質ＰＺＴ１５の膜を作製できる。
【００５９】
このように、第３の実施の形態に係る加熱方法では、光吸収層である白金膜１３の一方の側に、被加熱層であるアモルファスＰＺＴ膜１４を形成する。そして、光吸収層である白金膜１３の所定領域に、光吸収層の他方の側からレーザ光７１ｘを照射し、レーザ光と照射対象物とを相対的に移動させる。これにより、光吸収層上に形成されたアモルファスＰＺＴ膜１４の全面を結晶化させ、光吸収層上の全面に結晶質ＰＺＴ１５を形成できる。
【００６０】
第３の実施の形態に係る加熱方法によれば、第１の実施の形態に係る加熱方法の奏する効果に加えて、更に以下の効果を奏する。すなわち、レーザ光と照射対象物とを相対的に移動させることにより、アモルファス膜の全面に順次レーザ光を照射可能となり、アモルファス膜の全面を結晶性が均一な結晶質膜とすることができる。
【００６１】
なお、上記説明では、シリコン基板１０等に連続発振のレーザ光７１ｘを照射したが、連続発振のレーザ光７１ｘに代えて、パルス発振のレーザ光を照射してもよい。又、波長が１２００ｎｍ以上であれば、１０．６μｍ以外の波長のレーザ光７１ｘを照射してもよい。
【００６２】
又、上記説明では、白金膜１３上にアモルファスＰＺＴ膜１４を積層したが、前述のように、光吸収層として、白金膜１３に代えて、例えば、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｕの何れかの金属を含む金属膜を用いてもよい。又、前記何れかの金属の合金を含む金属合金膜、又は、前記金属膜若しくは前記金属合金膜を任意に選択して複数層積層した積層膜等を用いてもよい。又、アモルファスＰＺＴ膜１４に代えて、ＰＺＴ以外の材料、例えば、ＢａＴｉＯ３やＳｉ等を用いてもよい。
【００６３】
〈第４の実施の形態〉
第４の実施の形態では、表面が所定の形状である（膜厚分布を有する）アモルファスＰＺＴ膜を結晶化させる加熱方法について説明する。
【００６４】
図４は、第４の実施の形態に係る加熱方法を説明するための断面図である。まず、図４（ａ）に示す工程では、支持基板となる厚さ５００μｍ程度のシリコン基板１０を準備する。そして、シリコン基板１０の一方の側に、周知の方法により、膜厚６００ｎｍ程度のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）１１、膜厚５０ｎｍ程度の酸化チタン膜（ＴｉＯｘ膜）１６、膜厚１００ｎｍ程度の白金膜１３を順次積層する。そして、更に、白金膜１３上に、パターン化されたＳｒＲｕＯ３膜１７を形成する。なお、シリコン基板１０には、１×１０１６／ｃｍ３程度の濃度の不純物Ｂ（ボロン）がドーピングされている。
【００６５】
次に、図４（ｂ）に示す工程では、インクジェット法（Inkjet printing）等を用いて、パターン化されたＳｒＲｕＯ３膜１７上にＰＺＴ前駆体溶液（ゾルゲル液）を塗布し、加熱処理後、表面が所定の形状であるアモルファスＰＺＴ膜１４を形成する。なお、アモルファスＰＺＴ膜１４の表面の断面形状は、例えば、中心が凸となる曲面状等とすることができる。アモルファスＰＺＴ膜１４の膜厚（最厚部）は、例えば、６０ｎｍ程度とすることができる。
【００６６】
次に、図４（ｃ）に示す工程では、図４（ｂ）に示す構造体に、シリコン基板１０の他方の側（シリコン酸化膜１１が形成されていない側）から、例えば連続発振のレーザ光７１ｘ（例えば、波長：１３００ｎｍ付近）を局部的に照射する。なお、レーザ光７１ｘは、シリコン基板１０の他方の側の、パターン化されたＳｒＲｕＯ３膜１７に対応する部分に照射する。レーザ光７１ｘのエネルギー密度は、例えば、１×１０２〜１×１０６Ｗ／ｃｍ２程度とすることができる。レーザ光７１ｘの照射時間は、例えば、１ｍｓ〜２００ｍｓ程度とすることができる。
【００６７】
シリコン基板１０、シリコン酸化膜１１、及び酸化チタン膜１６は波長１３００ｎｍ付近の光に対して透過性があるので、シリコン基板１０に侵入したレーザ光７１ｘの光エネルギーの９０％以上は、白金膜１３で構成した光吸収層に吸収される。なお、酸化チタン膜１６は絶縁膜であり、光吸収層ではない。
【００６８】
白金膜１３で構成した光吸収層に吸収されたレーザ光７１ｘの光エネルギーは熱に変わり、白金膜１３上に形成されているＳｒＲｕＯ３膜１７及びアモルファスＰＺＴ膜１４は、白金膜１３側から加熱される。アモルファスＰＺＴ膜１４の加熱された部分は膜質が変えられ（結晶化され）、結晶質ＰＺＴ１５となる。
【００６９】
このように、第４の実施の形態に係る加熱方法では、光吸収層の一方の側の所定領域にパターン化されたＳｒＲｕＯ３膜１７及び表面が所定の形状であるアモルファスＰＺＴ膜１４を形成する。そして、光吸収層の他方の側のＳｒＲｕＯ３膜１７に対応する部分からレーザ光７１ｘを照射し、ＳｒＲｕＯ３膜１７を介して光吸収層の一方の側に形成された表面が所定の形状であるアモルファスＰＺＴ膜１４を結晶化させ、結晶質ＰＺＴ１５を形成できる。
【００７０】
第４の実施の形態に係る加熱方法によれば、第１の実施の形態に係る加熱方法の奏する効果に加えて、更に以下の効果を奏する。
【００７１】
すなわち、仮に、光吸収層の一方の側の所定領域に形成された表面が所定の形状であるアモルファス膜に、光吸収層の一方の側（アモルファス膜が形成されている側）からレーザ光を照射する場合を考える。アモルファス膜は表面が所定の形状であり、膜厚が厚い部分と膜厚が薄い部分が存在し、膜厚が厚い部分と膜厚が薄い部分では光吸収率が異なる。そのため、アモルファス膜にレーザ光が照射されると、アモルファス膜の膜厚が厚い部分と膜厚が薄い部分に温度分布が生じ（アモルファス膜内の温度が均一にならず）、結晶性が均一な結晶質膜が形成できない。
【００７２】
一方、本実施の形態のように、一方の側にアモルファス膜が形成された光吸収層の他方の側から光吸収層にレーザ光を照射すると、レーザ光が光吸収層を加熱し、光吸収層の熱がアモルファス膜に伝わって（拡散して）アモルファス膜が加熱されて結晶化される。
【００７３】
この際、レーザ光は殆ど光吸収層に吸収され、光吸収層を透過してアモルファス膜に達するレーザ光は殆どないため、アモルファス膜に膜厚が厚い部分と膜厚が薄い部分が存在し、膜厚が厚い部分と膜厚が薄い部分で光吸収率が異なることを考慮する必要がない。
【００７４】
つまり、本実施の形態のように、光吸収層の他方の側から光吸収層にレーザ光を照射すると、光吸収層の一方の側に形成される膜の形状（厚さのばらつき）に関係なく、一定パワーのレーザ光を照射してアモルファス膜を結晶化することができる。すなわち、本実施の形態に係る加熱方法では、光吸収層の一方の側に形成される膜の形状（膜厚のばらつき）を考慮することなく照射するレーザ光のパワーを容易に制御できる。その結果、結晶性が均一な結晶質膜を形成できる。
【００７５】
なお、上記説明では、シリコン基板１０等に連続発振のレーザ光７１ｘを照射したが、連続発振のレーザ光７１ｘに代えて、パルス発振のレーザ光を照射してもよい。又、波長が１２００ｎｍ以上であれば、１３００ｎｍ以外の波長のレーザ光７１ｘを照射してもよい。
【００７６】
又、上記説明では、ＳｒＲｕＯ３膜１７を介して白金膜１３上にアモルファスＰＺＴ膜１４を積層した。しかし、前述のように、光吸収層として、白金膜１３に代えて、例えば、Ｉｒ、Ｐｄ、Ｒｈ、Ｗ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｚｒ、Ｔｉ、Ａｕの何れかの金属を含む金属膜を用いてもよい。又、前記何れかの金属の合金を含む金属合金膜、又は、前記金属膜若しくは前記金属合金膜を任意に選択して複数層積層した積層膜等を用いてもよい。又、アモルファスＰＺＴ膜１４に代えて、ＰＺＴ以外の材料、例えば、ＢａＴｉＯ３やＳｉ等を用いてもよい。
【００７７】
〈第５の実施の形態〉
第５の実施の形態では、第１〜第４の実施の形態に係る加熱方法を用いて圧電素子を作製する例を示す。
【００７８】
図５は、第５の実施の形態に係る圧電素子の製造方法を説明するための断面図である。まず、図５（ａ）に示す工程では、支持基板となる厚さ５００μｍ程度のシリコン基板１０を準備する。そして、シリコン基板１０の一方の側に、周知の方法により、膜厚６００ｎｍ程度のシリコン酸化膜（ＳｉＯ２膜）１１、膜厚５０ｎｍ程度の酸化チタン膜（ＴｉＯｘ膜）１６、膜厚１００ｎｍ程度の白金膜１３を順次積層する。なお、シリコン基板１０には、１×１０１６／ｃｍ３程度の濃度の不純物Ｂ（ボロン）がドーピングされている。
【００７９】
そして、更に、白金膜１３上に、パターン化されたアモルファスＰＺＴ膜１４を形成する。パターン化されたアモルファスＰＺＴ膜１４の具体的な形成方法については、第６の実施の形態において詳説する。アモルファスＰＺＴ膜１４の膜厚は、例えば、６０ｎｍ程度とすることができる。
【００８０】
次に、図５（ｂ）に示す工程では、シリコン基板１０の他方の側（シリコン酸化膜１１が形成されていない側）から、例えば連続発振のレーザ光７１ｘ（例えば、波長：１３００ｎｍ付近）を局部的に照射する。なお、レーザ光７１ｘは、シリコン基板１０の他方の側の、アモルファスＰＺＴ膜１４に対応する部分の紙面左端の領域に照射する。レーザ光７１ｘのエネルギー密度は、例えば、１×１０２〜１×１０６Ｗ／ｃｍ２程度とすることができる。レーザ光７１ｘの照射時間は、例えば、１ｍｓ〜２００ｍｓ程度とすることができる。
【００８１】
更に、レーザ光７１ｘと照射対象物である図５（ｂ）に示す構造体とを相対的に移動させて、アモルファスＰＺＴ膜１４を紙面左側の領域から順次結晶化する。そして、最終的にアモルファスＰＺＴ膜１４の全面を結晶化させ、白金膜１３上の所定領域に結晶質ＰＺＴ１５を形成する。
【００８２】
更に、白金膜１３上の所定領域に結晶質ＰＺＴ１５を形成した後、第３の実施の形態の図３（ｂ）及び図３（ｃ）に示すプロセスを繰り返し実行することにより、膜厚６０ｎｍ程度の結晶質ＰＺＴ１５を複数層積層する。例えば、図３（ｂ）及び図３（ｃ）のプロセスを１５回程度繰り返すことにより、総厚１μｍ程度の厚い結晶質ＰＺＴ１５の膜を作製できる。
【００８３】
次に、図５（ｃ）に示す工程では、結晶質ＰＺＴ１５上の所定領域に、例えば、スパッタリング法等を用いて、膜厚１００ｎｍ程度の白金膜１８を形成し、圧電素子を完成させる。なお、図５（ｃ）に示す圧電素子において、白金膜１３が下部電極、結晶質ＰＺＴ１５が圧電膜、白金膜１８が上部電極として機能する。すなわち、下部電極として機能する白金膜１３と上部電極として機能する白金膜１８との間に電圧が印加されると、圧電膜である結晶質ＰＺＴ１５が機械的に変位する。
【００８４】
このように、第５の実施の形態に係る圧電素子では、製造プロセスにおいて、結晶質ＰＺＴ１５を局部的な加熱により形成した。そのため、加熱処理が不要な他の部材まで加熱されないので、熱的なダメージや熱応力による寸法精度のずれ等が生じ難く、圧電素子の性能低下を回避できる。
【００８５】
〈第６の実施の形態〉
第６の実施の形態では、第１〜第５の実施の形態の応用例として、圧電素子を用いた液滴吐出ヘッドの例を示す。
【００８６】
［液滴吐出ヘッド］
図６は、第６の実施の形態に係る液滴吐出ヘッドを例示する断面図である。図６を参照するに、液滴吐出ヘッド１は、ノズル板２０と、圧力室基板３０と、振動板４０と、圧電素子５０とを有する。ノズル板２０には、インク滴を吐出するノズル２１が形成されている。
【００８７】
ノズル板２０は、例えばＮｉ電鋳等で形成できる。ノズル板２０、圧力室基板３０、及び振動板４０により、ノズル２１に連通する圧力室３１（インク流路、加圧液室、加圧室、吐出室、液室等と称される場合もある）が形成されている。振動板４０は、インク流路の壁面の一部を形成している。換言すれば、圧力室３１は、ノズル２１が連通してなり、圧力室基板３０（側面を構成）、ノズル板２０（下面を構成）、振動板４０（上面を構成）で区画されてなる。
【００８８】
圧力室３１は、例えば、エッチングを利用してシリコン単結晶基板を加工することにより作製できる。この場合のエッチングとしては、異方性エッチングを用いると好適である。異方性エッチングとは結晶構造の面方位に対してエッチング速度が異なる性質を利用したものである。例えばＫＯＨ等のアルカリ溶液に浸漬させた異方性エッチングでは、（１００）面に比べて（１１１）面は約１／４００程度のエッチング速度となる。その後、ノズル２１を有するノズル板２０を接合する。なお、図６において、液体供給手段、流路、流体抵抗等についての記述は省略している。
【００８９】
圧電素子５０は、密着層５１と、下部電極５２（下部電極膜）と、圧電膜５３と、上部電極５４（上部電極膜）とを含んで構成され、圧力室３１内のインクを加圧する機能を有する。密着層５１は、例えばＴｉ、ＴｉＯ２、ＴｉＮ、Ｔａ、Ｔａ２Ｏ５、Ｔａ３Ｎ５等からなる層であり、下部電極５２と振動板４０との密着性を向上する機能を有する。但し、密着層５１は、圧電素子５０の必須の構成要素ではない。
【００９０】
圧電素子５０において、下部電極５２と上部電極５４との間に電圧が印加されると、圧電膜５３が機械的に変位する。圧電膜５３の機械的変位にともなって、振動板４０が例えば横方向（ｄ３１方向）に変形変位し、圧力室３１内のインクを加圧する。これにより、ノズル２１からインク滴を吐出させることができる。
【００９１】
なお、図７に示すように、液滴吐出ヘッド１を複数個並設し、液滴吐出ヘッド２を構成することもできる。
【００９２】
圧電膜５３の材料としては、例えば、ＡＢＯ３型ペロブスカイト型結晶質膜を用いることができる。ＡＢＯ３型ペロブスカイト型結晶質膜としては、例えば、前述のＰＺＴ等の鉛を含有する複合酸化物膜を用いることができる。ＡＢＯ３型ペロブスカイト型結晶質膜として、例えば、チタン酸バリウム等の非鉛複合酸化物膜を用いても構わない。この場合は、バリウムアルコキシド、チタンアルコキシド化合物を出発材料にし、共通溶媒に溶解させることでチタン酸バリウム前駆体溶液を作製することが可能である。
【００９３】
これら材料は一般式ＡＢＯ３で記述され、Ａ＝Ｐｂ、Ｂａ、Ｓｒ  Ｂ＝Ｔｉ、Ｚｒ、Ｓｎ、Ｎｉ、Ｚｎ、Ｍｇ、Ｎｂを主成分とする複合酸化物が該当する。その具体的な記述として（Ｐｂ１−ｘ、Ｂａ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３、（Ｐｂ１−ｘ、Ｓｒ）（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ３、と表され、これはＡサイトのＰｂを一部ＢａやＳｒで置換した場合である。このような置換は２価の元素であれば可能であり、その効果は熱処理中の鉛の蒸発による特性劣化を低減させる作用を示す。
【００９４】
下部電極５２の材料としては、高い耐熱性を有し、下記に示すアルカンチオールとの反応により、ＳＡＭ膜を形成する金属等を用いることができる。具体的には、低い反応性を有するルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、パラジウム（Ｐｄ）、オスミウム（Ｏｓ）、イリジウム（Ｉｒ）、白金（Ｐｔ）等の白金族の金属膜や、これら白金族金属を含む合金材料等の金属膜を用いることができる。
【００９５】
又、これらの金属膜を作製した後に、導電性酸化物膜を積層して使用することも可能である。導電性酸化物としては、具体的には、化学式ＡＢＯ３で記述され、Ａ＝Ｓｒ、Ｂａ、Ｃａ、Ｌａ、  Ｂ＝Ｒｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、を主成分とする複合酸化物であるＳｒＲｕＯ３やＣａＲｕＯ３、これらの固溶体である（Ｓｒ１−ｘ  Ｃａｘ）Ｏ３を挙げられる。他の例としては、ＬａＮｉＯ３やＳｒＣｏＯ３、更にはこれらの固溶体である（Ｌａ，  Ｓｒ）（Ｎｉ１−ｙ  Ｃｏｙ）Ｏ３  （ｙ＝１でも良い）を挙げられる。それ以外の酸化物材料として、ＩｒＯ２、ＲｕＯ２も挙げられる。
【００９６】
下部電極５２は、例えば、スパッタリング法や真空蒸着等の真空成膜法等の方法により作製することができる。下部電極５２は、圧電素子５０に信号入力する際の共通電極として電気的接続をするので、その下部にある振動板４０は絶縁体又は表面が絶縁処理された導体を用いることができる。
【００９７】
振動板４０の具体的な材料としては、例えば、シリコンを用いることができる。又、振動板４０の表面を絶縁処理する具体的な材料としては、例えば、厚さ約数百ｎｍ〜数μｍ程度のシリコン酸化膜、窒化シリコン膜、酸化窒化シリコン膜又はこれらの膜を積層した膜等を用いることができる。又、熱膨張差を考慮し、酸化アルミニウム膜、ジルコニア膜等のセラミック膜を用いてもよい。振動板４０の表面を絶縁処理するシリコン系絶縁膜は、ＣＶＤ法やシリコンの熱酸化処理等により形成できる。又、振動板４０の表面を絶縁処理する酸化アルミニウム膜等の金属酸化膜は、スパッタリング法等により形成できる。
【００９８】
［薄膜製造装置］
次に、第６の実施の形態に係る薄膜製造装置の構造について説明する。図８は、第６の実施の形態に係る薄膜製造装置を例示する斜視図である。図８を参照するに、薄膜製造装置３において、架台６０上にはＹ軸駆動手段６１が設置されている。Ｙ軸駆動手段６１上には、基板５を搭載するステージ６２が、Ｙ軸方向に駆動可能なように設置されている。
【００９９】
なお、ステージ６２には通常、真空又は静電気等を利用した図示しない吸着手段が付随されており、これにより基板５を固定することができる。又、ステージ６２にＺ軸を中心に回転する図示しない駆動手段を搭載し、後述するインクジェットヘッド６７及びレーザ装置７１と、基板５との相対的な傾きを補正できる構成としても良い。
【０１００】
又、架台６０上には、Ｘ軸駆動手段６３を支持するためのＸ軸支持部材６４が設置されている。Ｘ軸駆動手段６３には、Ｚ軸駆動手段６５が設置され、Ｚ軸駆動手段６５上にはヘッドベース６６が取り付けられ、Ｘ軸及びＺ軸方向に移動できるようにされている。
【０１０１】
Ｚ軸駆動手段６５は、後述するインクジェットヘッド６７と基板５との距離を制御することができる。ヘッドベース６６の上には、機能性インク（例えば、ＰＺＴ前駆体溶液）を吐出させるインクジェットヘッド６７が搭載されている。インクジェットヘッド６７には、各インクタンク６８から図示しないインク供給用パイプを介して機能性インクが供給される。
【０１０２】
Ｘ軸駆動手段６３には、他のＺ軸駆動手段６９が取り付けられ、Ｚ軸駆動手段６９にはレーザ支持部材７０が取り付けられている。レーザ支持部材７０には、光照射手段であるレーザを有するレーザ装置７１（光照射装置）が取り付けられている。光照射手段であるレーザは、一方の側に被加熱層が形成された光吸収層に対して、光吸収層の一方の側の反対側である他方の側から光を照射する機能を有する。なお、レーザ装置７１は、連続照射レーザ装置でもパルス照射レーザ装置でも構わない。Ｚ軸駆動手段６９は、レーザ装置７１と基板５との距離を制御することができる。
【０１０３】
なお、図８は、ステージ６２がＹ方向の１軸の自由度を有し、インクジェットヘッド６７及びレーザ装置７１がＸ方向の１軸の自由度を有する構成を示しているが、この形態には限定されない。例えば、ステージ６２がＸ及びＹ方向の２軸の自由度を有し、インクジェットヘッド６７及びレーザ装置７１を固定する構成であっても良い。又、ステージ６２がＹ方向の１軸の自由度を有し、インクジェットヘッド６７及びレーザ装置７１をＹ軸方向に一列に並べる構成であっても良い。
【０１０４】
又、基板５を固定し、インクジェットヘッド６７及びレーザ装置７１がＸ及びＹ方向の２軸の自由度を有する構成であっても良い。又、Ｘ軸及びＹ軸は、Ｘ軸及びＹ軸ベクトルにより、１平面を表現できれば直交する必要はなく、例えば、Ｘ軸ベクトルとＹ軸ベクトルは３０度、４５度、６０度の角度を有しても良い。
【０１０５】
薄膜製造装置３は、図示しない装置制御部を有し、インクジェットヘッド６７の機能性インクの吐出条件及びレーザ装置７１のレーザ照射条件を制御することができる。又、装置制御部は図示しない記録部を有し、機能性インクの結晶状態やレーザの最適な照射条件等を記録部に記録することができる。
【０１０６】
［圧電膜の製造方法］
次に、第６の実施の形態に係る圧電膜の製造方法について説明する。
【０１０７】
〔ＳＡＭ膜のパターニング〕
まず、図９に示すように、下部電極５２の表面に所定パターンのＳＡＭ（Ｓｅｌｆ  Ａｓｓｅｍｂｌｅｄ  Ｍｏｎｏｌａｙｅｒ）膜５８を形成する。具体的には、図９（ａ）に示す工程では、例えば、下部電極５２を準備する。下部電極５２としては、例えば、白金膜を用いることができる。以下、下部電極５２が白金膜であるとして説明する。
【０１０８】
次に、図９（ｂ）に示す工程では、下部電極５２をアルカンチオール等からなるＳＡＭ材料で浸漬処理する。これにより、下部電極５２の一方の側の表面には、ＳＡＭ材料が反応しＳＡＭ膜５８が付着し、下部電極５２の一方の側の表面を撥水化することができる。アルカンチオールは、分子鎖長により反応性や疎水（撥水）性が異なるが、通常、炭素数６〜１８の分子を、アルコール、アセトン又はトルエン等の有機溶媒に溶解させて作製する。通常、アルカンチオールの濃度は数モル／リットル程度である。所定時間後に下部電極５２を取り出し、余剰な分子を溶媒で置換洗浄し、乾燥する。
【０１０９】
次に、図９（ｃ）に示す工程では、開口部５９ｘを有するマスク５９を介して、下部電極５２の他方の側（ＳＡＭ膜５８が付着していない側）から、下部電極５２に対して、例えば連続発振のレーザ光７１ｘ（例えば、波長：９８０ｎｍ付近）を照射する。
【０１１０】
第１の実施の形態で説明したように、白金膜は波長９８０ｎｍ付近のレーザ光７１ｘの光エネルギーを殆ど吸収する。従って、開口部５９ｘ内の白金膜からなる下部電極５２に照射された波長９８０ｎｍ付近のレーザ光７１ｘの光エネルギーは、殆ど白金膜からなる下部電極５２に吸収され、開口部５９ｘ内の白金膜からなる下部電極５２が局部的に加熱される。
【０１１１】
下部電極５２に吸収されたレーザ光７１ｘの光エネルギーは熱に変わり、開口部５９ｘ内の下部電極５２の一方の側に形成されているＳＡＭ膜５８を加熱する。加熱された部分の（開口部５９ｘ内の）ＳＡＭ膜５８は消失する。これにより、図９（ｄ）に示すように、下部電極５２の一方の側の表面に所定パターンのＳＡＭ膜５８が形成される。
【０１１２】
なお、レーザ光７１ｘの照射は、下部電極５２の他方の側（ＳＡＭ膜５８が付着していない側）からレーザ光７１ｘの照射が可能なレーザ装置を用いて行うことができる。或いは、図８に示す薄膜製造装置３のステージ６２上に、一方の側の表面全体にＳＡＭ膜５８が付着した下部電極５２をＳＡＭ膜５８がステージ６２側を向くように搭載する。そして、下部電極５２の他方の側（ＳＡＭ膜５８が付着していない側）からレーザ装置７１でレーザ光７１ｘを照射してもよい。
【０１１３】
シリコン基板の一方の側に形成された下部電極５２上にＳＡＭ膜５８を形成した場合には、例えば、第２の実施の形態等で説明したシリコン基板等を透過する波長１４００ｎｍ付近のレーザ光７１ｘを、シリコン基板の他方の側から照射すればよい。
【０１１４】
図９（ｄ）に示す工程において、下部電極５２の表面のＳＡＭ膜５８が形成されている領域は、疎水性となる。一方、ＳＡＭ膜５８が除去されて下部電極５２の表面が露出している領域は、親水性となる。この表面エネルギーのコントラストを利用して、下記で詳述するＰＺＴ前駆体溶液の塗り分けが可能となる。なお、所定パターンのＳＡＭ膜５８は、レーザ光を用いない周知の方法（例えば、フォトリソグラフィ法やドライエッチング法等を組み合わせた方法）で形成することもできる。
【０１１５】
〔圧電膜の形成〕
次に、図１０に示すように、下部電極５２上に圧電膜５３を形成する。具体的には、図１０（ａ）に示す工程では、薄膜製造装置３のステージ６２上に、表面に所定パターンのＳＡＭ膜５８が形成された下部電極５２（図８の基板５に相当）を載置する。そして、周知のアライメント装置（ＣＣＤカメラやＣＭＯＳカメラ等）等を用いて、下部電極５２の位置や傾き等をアライメントする。
【０１１６】
そして、インクジェットヘッド６７をＸ軸に駆動させ、下部電極５２が載置されたステージ６２をＹ軸に駆動させて、ステージ６２上にインクジェットヘッド６７を配置する。そして、インクジェットヘッド６７から下部電極５２の表面のＳＡＭ膜５８が存在しない領域（親水性の領域）に機能性インク５３ａを吐出させる。この際、表面エネルギーのコントラストにより、機能性インク５３ａはＳＡＭ膜５８が存在しない領域（親水性の領域）のみに濡れ広がる。
【０１１７】
このように、表面エネルギーのコントラストを利用して機能性インク５３ａをＳＡＭ膜５８が存在しない領域（親水性の領域）のみに形成する。これにより、塗布する溶液の使用量をスピンコート法等のプロセスよりも減らすことができると共に、工程を簡略化することが可能となる。なお、機能性インク５３ａとしては、例えば、前述のＰＺＴ前駆体溶液を用いることができる。機能性インク５３ａはアモルファス状態である。
【０１１８】
次に、図１０（ｂ）に示す工程（乾燥工程）では、一方の側の表面に機能性インク５３ａ及びＳＡＭ膜５８が形成された下部電極５２をホットプレート（図示せず）上に載置し、例えば、１００〜３００℃程度に加熱する。これにより、溶媒が蒸発し、機能性インク５３ａは、熱分解された機能性インク５３ｂとなる。機能性インク５３ｂはアモルファス状態である。なお、熱分解された機能性インク５３ｂは固体であるから、例えば、機能性インク５３ｂが下側を向くように下部電極５２を配置しても、機能性インク５３ｂが変形等することはない。
【０１１９】
次に、図１０（ｃ）に示す工程では、薄膜製造装置３のステージ６２上に、一方の側に機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８が形成された下部電極５２（図８の基板５に相当）を、機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８がステージ６２側を向くように載置する。そして、周知のアライメント装置（ＣＣＤカメラやＣＭＯＳカメラ等）等を用いて、下部電極５２の位置や傾き等をアライメントする。
【０１２０】
そして、上側（下部電極５２のインク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８が形成されていない他方の側）からレーザ装置７１でレーザ光７１ｘを照射する。なお、レーザ光７１ｘは、一方の側に機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８が形成された下部電極５２を、機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８が上側を向くように配置し、所定のレーザ装置を用いて、下部電極５２の下側（他方の側）から照射してもよい。或いは、機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８が形成された下部電極５２を、機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８が水平に対して所定の角度（例えば、９０℃）を向くように配置し、所定のレーザ装置を用いて、下部電極５２の他方の側から照射してもよい。
【０１２１】
レーザ光７１ｘとしては、例えば、波長９８０ｎｍ付近の連続発振レーザを用いることができるが、パルス発振レーザを用いてもよい。レーザ光７１ｘのエネルギー密度は、例えば、１×１０２〜１×１０６Ｗ／ｃｍ２程度とすることができる。レーザ光７１ｘの照射時間は、例えば、１ｍｓ〜２００ｍｓ程度とすることができる。
【０１２２】
第１の実施の形態で説明したように、白金膜は波長９８０ｎｍ付近のレーザ光７１ｘの光エネルギーを殆ど吸収する。従って、白金膜からなる下部電極５２に照射された波長９８０ｎｍ付近のレーザ光７１ｘの光エネルギーは、殆ど白金膜からなる下部電極５２に吸収され、白金膜からなる下部電極５２が局部的に加熱される。
【０１２３】
下部電極５２に吸収されたレーザ光７１ｘの光エネルギーは熱に変わり、下部電極５２上に形成されている機能性インク５３ｂ（アモルファスＰＺＴ）は、下部電極５２側から局部的に加熱される。加熱された部分は膜質が変えられ（結晶化され）、結晶質ＰＺＴである機能性インク５３ｃとなる。
【０１２４】
その後、ステージ６２を所定位置に移動させて、レーザ装置７１と照射対象物である下部電極５２との相対的位置を調整し、再度レーザ光７１ｘを照射し、機能性インク５３ｂ（アモルファスＰＺＴ）の全領域を結晶質ＰＺＴである機能性インク５３ｃとする。なお、図１０（ｃ）に示す工程において、ＳＡＭ膜５８は消失する。
【０１２５】
シリコン基板の一方の側に形成された下部電極５２上に機能性インク５３ｂを形成した場合には、例えば、第２の実施の形態等で説明したシリコン基板等を透過する波長１４００ｎｍ付近のレーザ光７１ｘを、シリコン基板の他方の側から照射すればよい。
【０１２６】
図１０（ｃ）に示す工程で結晶化した機能性インク５３ｃ（例えば、ＰＺＴ薄膜）の膜厚は、数１０ｎｍ程度である。この膜厚では不十分であるため、図１０（ｃ）に示す工程の後、更に図９（ｂ）〜図１０（ｃ）に示す工程を必要数繰り返す。これにより、結晶質ＰＺＴである機能性インク５３ｃが積層され、下部電極５２上に任意のパターンと厚さ（例えば、数μｍ程度）の結晶化した機能性インク膜、すなわち圧電膜５３が作製される。
【０１２７】
ここで、図１１を参照しながら、比較例として、機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８が形成された下部電極５２に、機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８側からレーザ光を照射する例を示す。
【０１２８】
図１１（ａ）に示す工程では、図１０（ｂ）に示す機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８が形成された下部電極５２に、機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８側から、レーザ装置７１でレーザ光７１ｘを照射する。これにより、機能性インク５３ｂ（アモルファスＰＺＴ）は、結晶質ＰＺＴである機能性インク５３ｃとなる。
【０１２９】
次に、図１１（ｂ）に示す工程では、図１１（ａ）に示す工程後に図９（ｂ）〜図１０（ｂ）に示す工程を再度実行し、機能性インク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８側から、再度レーザ装置７１でレーザ光７１ｘを照射する。これにより、機能性インク５３ｂ（アモルファスＰＺＴ）は、結晶質ＰＺＴである機能性インク５３ｃとなる。この工程では、２層の機能性インク５３ｃが形成される。
【０１３０】
ところで、図１１（ｂ）に示す工程では、機能性インク５３ｃが積層されて膜厚が厚くなるため、機能性インク５３ｃの光吸収率が変化する。光吸収率が変化すると同じパワーのレーザ光を照射しても、加熱される温度が異なる。従って、図１１（ａ）に示す工程と図１１（ｂ）に示す工程において、機能性インク５３ｃを一定温度に加熱するためには、機能性インク５３ｃに照射するレーザ光のパワーを機能性インク５３ｃが積層された回数に対応して設定しなければならない。すなわち、機能性インク５３ｃの膜厚に対応して、機能性インク５３ｃに照射するレーザ光のパワーを設定しなければならない。
【０１３１】
レーザ光のパワーは、例えば、膜厚と光吸収率との関係を予め測定し、それに基づいて設定できる。しかしながら、機能性インク５３ｃに照射するレーザ光のパワーを機能性インク５３ｃが積層された回数に対応して設定すると、極めて煩雑な製造工程となる。又、その結果として、圧電素子や液滴吐出ヘッドの製造コストの上昇にもつながり好ましくない。
【０１３２】
一方、本実施の形態では、下部電極５２のインク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８が形成されていない側）からレーザ光を照射して、機能性インク５３ｂ（アモルファスＰＺＴ）を結晶化する。このような場合には、第２の実施の形態でも説明したように、レーザ光が光吸収層である下部電極５２を加熱し、光吸収層の熱がアモルファス膜である機能性インク５３ｂに伝わって機能性インク５３ｂが加熱されて結晶化される。
【０１３３】
この際、レーザ光は殆ど光吸収層である下部電極５２に吸収され、光吸収層を透過してアモルファス膜である機能性インク５３ｂに達するレーザ光は殆どない。そのため、結晶質膜とアモルファス膜が複数積層されて総厚が変わっても光吸収率の変化の影響を考慮する必要がない。
【０１３４】
つまり、本実施の形態のように、光吸収層の他方の側から光吸収層にレーザ光を照射すると、光吸収層の一方の側に形成される膜の厚さに関係なく、一定パワーのレーザ光を照射してアモルファス膜を結晶化することができる。すなわち、本実施の形態に係る加熱方法では、光吸収層の一方の側に形成される膜の厚さを考慮することなく照射するレーザ光のパワーを容易に制御できる。その結果、結晶性が均一な結晶質膜を形成できる。
【０１３５】
又、図１１（ｃ）は、機能性インク５３ｂ上に異物５００が付着している例を示している。機能性インク５３ｂ上に異物５００が付着している場合、異物５００付近では、光吸収率が変化するため、機能性インク５３ｂが均一に加熱されない。その結果、結晶性が均一な結晶質膜が形成できず、圧電素子の歩留まりが低下する。
【０１３６】
一方、本実施の形態では、下部電極５２のインク５３ｂ及びＳＡＭ膜５８が形成されていない側）からレーザ光を照射して、機能性インク５３ｂ（アモルファスＰＺＴ）を結晶化する。つまり、光吸収層からの熱の拡散により被加熱層が加熱されるので、光吸収率の変化を考慮する必要はなく、異物が付着していても問題とはならない。
【０１３７】
なお、光吸収層のレーザ光照射側に異物が付着していても問題とはならない。光吸収層のレーザ光照射側に異物が付着していても、光吸収層からの被加熱層への熱の拡散は妨げられないからである。
【０１３８】
このように、第６の実施の形態によれば、第１〜第５の実施の形態に係る加熱方法を用いて圧電素子を作製することにより、結晶性が均一な圧電膜を有する液滴吐出ヘッドを実現できるため、安定したインク滴吐出特性が得られる。
【０１３９】
〈第７の実施の形態〉
第７の実施の形態では、薄膜製造装置３で製造した液滴吐出ヘッド２（図７参照）を備えた液滴吐出装置の一例としてインクジェット記録装置を例示する。図１２は、インクジェット記録装置を例示する斜視図である。図１３は、インクジェット記録装置の機構部を例示する側面図である。
【０１４０】
図１２及び図１３を参照するに、インクジェット記録装置４は、記録装置本体８１の内部に主走査方向に移動可能なキャリッジ９３、キャリッジ９３に搭載した液滴吐出ヘッド２の一実施形態であるインクジェット記録ヘッド９４を収納する。又、インクジェット記録装置４は、インクジェット記録ヘッド９４へインクを供給するインクカートリッジ９５等で構成される印字機構部８２等を収納する。
【０１４１】
記録装置本体８１の下方部には、多数枚の用紙８３を積載可能な給紙カセット８４（或いは給紙トレイでもよい）を抜き差し自在に装着することができる。又、用紙８３を手差しで給紙するための手差しトレイ８５を開倒することができる。給紙カセット８４或いは手差しトレイ８５から給送される用紙８３を取り込み、印字機構部８２によって所要の画像を記録した後、後面側に装着された排紙トレイ８６に排紙する。
【０１４２】
印字機構部８２は、図示しない左右の側板に横架したガイド部材である主ガイドロッド９１と従ガイドロッド９２とでキャリッジ９３を主走査方向に摺動自在に保持する。キャリッジ９３には、インクジェット記録ヘッド９４を、複数のインク吐出口（ノズル）を主走査方向と交差する方向に配列し、インク滴吐出方向を下方に向けて装着している。なお、インクジェット記録ヘッド９４は、イエロー（Ｙ）、シアン（Ｃ）、マゼンタ（Ｍ）、ブラック（Ｂｋ）の各色のインク滴を吐出する。又、キャリッジ９３は、インクジェット記録ヘッド９４に各色のインクを供給するための各インクカートリッジ９５を交換可能に装着している。
【０１４３】
インクカートリッジ９５は、上方に大気と連通する図示しない大気口、下方にはインクジェット記録ヘッド９４へインクを供給する図示しない供給口を、内部にはインクが充填された図示しない多孔質体を有している。多孔質体の毛管力によりインクジェット記録ヘッド９４へ供給されるインクをわずかな負圧に維持している。又、インクジェット記録ヘッド９４としてここでは各色のヘッドを用いているが、各色のインク滴を吐出するノズルを有する１個のヘッドを用いてもよい。
【０１４４】
キャリッジ９３は、用紙搬送方向下流側を主ガイドロッド９１に摺動自在に嵌装し、用紙搬送方向上流側を従ガイドロッド９２に摺動自在に載置している。そして、このキャリッジ９３を主走査方向に移動走査するため、主走査モータ９７で回転駆動される駆動プーリ９８と従動プーリ９９との間にタイミングベルト１００を張装し、主走査モータ９７の正逆回転によりキャリッジ９３が往復駆動される。タイミングベルト１００は、キャリッジ９３に固定されている。
【０１４５】
又、インクジェット記録装置４には、給紙カセット８４から用紙８３を分離給装する給紙ローラ１０１、フリクションパッド１０２、用紙８３を案内するガイド部材１０３、給紙された用紙８３を反転させて搬送する搬送ローラ１０４を設けている。更に、インクジェット記録装置４には、搬送ローラ１０４の周面に押し付けられる搬送コロ１０５、搬送ローラ１０４からの用紙８３の送り出し角度を規定する先端コロ１０６を設けている。これにより、給紙カセット８４にセットした用紙８３を、インクジェット記録ヘッド９４の下方側に搬送される。搬送ローラ１０４は副走査モータ１０７によってギヤ列を介して回転駆動される。
【０１４６】
用紙ガイド部材である印写受け部材１０９は、キャリッジ９３の主走査方向の移動範囲に対応して搬送ローラ１０４から送り出された用紙８３をインクジェット記録ヘッド９４の下方側で案内する。この印写受け部材１０９の用紙搬送方向下流側には、用紙８３を排紙方向へ送り出すために回転駆動される搬送コロ１１１、拍車１１２を設けている。更に、用紙８３を排紙トレイ８６に送り出す排紙ローラ１１３及び拍車１１４と、排紙経路を形成するガイド部材１１５、１１６とを配設している。
【０１４７】
画像記録時には、キャリッジ９３を移動させながら画像信号に応じてインクジェット記録ヘッド９４を駆動することにより、停止している用紙８３にインクを吐出して１行分を記録し、用紙８３を所定量搬送後次の行の記録を行う。記録終了信号又は用紙８３の後端が記録領域に到達した信号を受けることにより、記録動作を終了させ用紙８３を排紙する。
【０１４８】
キャリッジ９３の移動方向右端側の記録領域を外れた位置には、インクジェット記録ヘッド９４の吐出不良を回復するための回復装置１１７を有する。回復装置１１７はキャップ手段と吸引手段とクリーニング手段を有する。キャリッジ９３は、印字待機中に回復装置１１７側に移動されてキャッピング手段でインクジェット記録ヘッド９４をキャッピングされ、吐出口部を湿潤状態に保つことによりインク乾燥による吐出不良を防止する。又、記録途中等に、記録と関係しないインクを吐出することにより、全ての吐出口のインク粘度を一定にし、安定した吐出性能を維持する。
【０１４９】
吐出不良が発生した場合等には、キャッピング手段でインクジェット記録ヘッド９４の吐出口を密封し、チューブを通して吸引手段で吐出口からインクとともに気泡等を吸い出す。又、吐出口面に付着したインクやゴミ等はクリーニング手段により除去され吐出不良が回復される。更に、吸引されたインクは、本体下部に設置された図示しない廃インク溜に排出され、廃インク溜内部のインク吸収体に吸収保持される。
【０１５０】
このように、インクジェット記録装置４は、薄膜製造装置３で製造した液滴吐出ヘッド２の一実施形態であるインクジェット記録ヘッド９４を搭載している。そのため、振動板駆動不良によるインク滴吐出不良がなく、安定したインク滴吐出特性が得られ、画像品質を向上できる。
【０１５１】
以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
【０１５２】
例えば、本実施の形態に係る圧電素子は、前述のように、インクジェット記録装置等において使用する液滴吐出ヘッドの構成部品として用いることができるが、これには限定されない。本実施の形態に係る圧電素子を、例えば、マイクロポンプ、超音波モータ、加速度センサ、プロジェクター用２軸スキャナ、輸液ポンプ等の構成部品として用いてもよい。
【０１５３】
又、光吸収層に照射する光はレーザ光には限定されず、光吸収層を加熱できる光（光吸収層に吸収される光）であれば、どのようなものを用いてもよい。例えば、フラッシュランプ等を用いることができる。
【符号の説明】
【０１５４】
１、２  液滴吐出ヘッド
３  薄膜製造装置
４  インクジェット記録装置
５  基板
１０  シリコン基板
１１  シリコン酸化膜
１２  チタン膜
１３、１８  白金膜
１４  アモルファスＰＺＴ膜
１５、１５１、１５２  結晶質ＰＺＴ
１６  酸化チタン膜
１７  ＳｒＲｕＯ３膜
２０  ノズル板
２１  ノズル
３０  圧力室基板
３１  圧力室
４０  振動板
５０  圧電素子
５１  密着層
５２  下部電極
５３  圧電膜
５３ａ、５３ｂ、５３ｃ  機能性インク
５４  上部電極
５８  ＳＡＭ膜
５９  マスク
５９ｘ  開口部
６０  架台
６１  Ｙ軸駆動手段
６２  ステージ
６３  Ｘ軸駆動手段
６４  Ｘ軸支持部材
６５、６９  Ｚ軸駆動手段
６６  ヘッドベース
６７  インクジェットヘッド
６８  インクタンク
７０  レーザ支持部材
７１  レーザ装置
７１ｘ  レーザ光
８１  記録装置本体
８２  印字機構部
８３  用紙
８４  給紙カセット（或いは給紙トレイ）
８５  手差しトレイ
８６  排紙トレイ
９１  主ガイドロッド
９２  従ガイドロッド
９３  キャリッジ
９４  インクジェット記録ヘッド
９５  インクカートリッジ
９７  主走査モータ
９８  駆動プーリ
９９  従動プーリ
１００  タイミングベルト
１０１  給紙ローラ
１０２  フリクションパッド
１０３  ガイド部材
１０４  搬送ローラ
１０５  搬送コロ
１０６  先端コロ
１０７  副走査モータ
１０９  印写受け部材
１１１  搬送コロ
１１２  拍車
１１３  排紙ローラ
１１４  拍車
１１５、１１６  ガイド部材
１１７  回復装置
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０１５５】
【非特許文献１】"Highly textured laser annealed Pb(Zr0.52Ti0.48)O3 thin films"， Applied Physics Letter，99，042903(2011)
【非特許文献２】"Ferroelectric properties of Lead Zirconate Titanate thin film on glass substrate crystallized by continuous-wave green laser annealing", Japanese Journal of Applied Physics, 49, 04DH14(2010)
【図１】
2014154581.tif 000003
【図２】
2014154581.tif 000004
【図３】
2014154581.tif 000005
【図４】
2014154581.tif 000006
【図５】
2014154581.tif 000007
【図６】
2014154581.tif 000008
【図７】
2014154581.tif 000009
【図８】
2014154581.tif 000010
【図９】
2014154581.tif 000011
【図１０】
2014154581.tif 000012
【図１１】
2014154581.tif 000013
【図１２】
2014154581.tif 000014
【図１３】
2014154581.tif 000015