(57)【要約】【課題】外部装置からのノイズに対する耐性を向上させ、あるいは、外部装置とのインピーダンスのミスマッチを低減させることが可能なパッケージ構造の物理量センサー等を提供すること。【解決手段】物理量センサー１は、センサー素子２０と、センサー素子２０と電気的に接続されている集積回路１０と、集積回路１０が搭載されているセラミックパッケージ３０（基体）と、を含む。セラミックパッケージ３０の一方の面に、外部との電気的接続を行うための第１の導体パターン（配線パターン６１）が設けられている。配線パターン６１と電気的に接続されている第２の導体パターンが設けられている。第２の導体パターンは、セラミックパッケージ３０の内部を通過する配線パターン６３と、セラミックパッケージ３０の他方の面に露出しているメタライズ領域７０と、を有し、配線パターン６３は、セラミックパッケージ３０の一方の面と他方の面との間の距離よりも長い。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
センサー素子と、
前記センサー素子と電気的に接続されている集積回路と、
前記集積回路が搭載されている基体と、を含み、
前記基体の一方の面に、外部との電気的接続を行うための第１の導体パターンが設けられており、
前記第１の導体パターンと電気的に接続されている第２の導体パターンが設けられており、
前記第２の導体パターンは、
前記基体の内部を通過する第１の配線パターンと、前記基体の他方の面に露出している第２の配線パターンと、を有し、
前記第１の配線パターンは、前記一方の面と前記他方の面との間の距離よりも長い、物理量センサー。
【請求項２】
請求項１において、
前記基体の平面視において、
前記第１の配線パターンは、少なくとも前記集積回路の一端側から他端側へ延出されている、物理量センサー。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第１の配線パターンは、
直線形状を含んでいる、物理量センサー。
【請求項４】
請求項１または２において、
前記第１の配線パターンの少なくとも一部は、
メアンダ形状を含んでいる、物理量センサー。
【請求項５】
請求項１または２において、
前記基体は、第１の層と第２の層と、を含み、
前記第１の配線パターンは、
前記第１の層と前記第２の層との間に設けられている複数の第３の配線パターンと、
前記第１の層に配置され、前記第１の層において前記複数の第３の配線パターンと反対側に設けられている複数の第４の配線パターンと、
前記複数の第３の配線パターンと前記複数の第４の配線パターンとを電気的に接続する複数のビアと、を有し、
前記第１の配線パターンは、前記基体の側面視において、メアンダ形状を含んでいる、物理量センサー。
【請求項６】
請求項１または２において、
前記基体は、第１の層と第２の層と、を含み、
前記第１の配線パターンは、
前記第１の層と前記第２の層との間に設けられている複数の第３の配線パターンと、
前記第１の層に配置され、前記第１の層において前記複数の第３の配線パターンと反対側に設けられている複数の第４の配線パターンと、
前記複数の第３の配線パターンと前記複数の第４の配線パターンとを電気的に接続する複数のビアと、を有し、
前記第１の配線パターンは、前記基体の平面視において、メアンダ形状を含んでいる、物理量センサー。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一項において、
前記第２の導体パターンの一部は、
シート抵抗値が前記第１の導体パターンよりも高い材料で構成されている、物理量センサー。
【請求項８】
請求項１乃至７のいずれか一項において、
前記基体の内部に、一定電位の第３の導体パターンが設けられており、
前記第３の導体パターンは、
前記第１の配線パターンの少なくとも両側に設けられている、物理量センサー。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の物理量センサーを含む、電子機器。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の物理量センサーを含む、移動体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、物理量センサー、電子機器及び移動体に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、様々なシステムや電子機器において、加速度を検出する加速度センサーや角速度を検出するジャイロセンサー等、種々の物理量を検出可能な物理量センサーが広く利用されている。特に、近年ではスマートフォン等の携帯機器に角速度センサーや加速度センサーが内蔵されるようになり、センサーパッケージの小型化・薄型化が重要になっている。
【０００３】
従来のセンサーパッケージの一例として、特許文献１には、ＩＣ基板の外面に他端側が露出して外部に電気的に接続される外部電極部を備えている半導体気密パッケージが記載されている。また、特許文献２には、センサー素子およびＩＣの電極部にワイヤーボンディングを介してセラミックパッケージ内部電極に接続され、セラミックパッケージ内の配線を介して外部電極に接続される構造のパッケージが記載されている。いずれの例でも、パッケージは、内部デバイスの保護・気密確保と併せ、内部と外部との電気的導通を確保する役目を担っている。このため、一般的なパッケージ内配線では、配線抵抗を極力低くした電気的配線が望まれ、電圧降下が少ない状態で信号の入出力がされている。このように配線抵抗を極力低くした配線構造および配線材料の場合、電源ラインや通信ラインの配線には電圧降下が少なく好都合である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−５９９４１号公報
【特許文献２】特開２００９−４１９６２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来のセンサーパッケージをマイコンや増幅回路などの外部回路に接続した場合、電源ノイズや通信ノイズに対する耐性はない。このため、電源ラインの場合には、センサー内部にノイズが混入して誤動作や機能異常になる可能性がある。また、通信ラインの場合には、外部回路との配線によって生じる寄生成分やインピーダンスのミスマッチにより信号波形にオーバーシュートやアンダーシュートが発生して通信不良となる問題があった。
【０００６】
本発明は、以上のような問題点に鑑みてなされたものであり、外部装置からのノイズに対する耐性を向上させ、あるいは、外部装置とのインピーダンスのミスマッチを低減させることが可能なパッケージ構造の物理量センサー、並びに当該物理量センサーを用いた電子機器及び移動体を提供することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は前述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の態様または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例に係る物理量センサーは、センサー素子と、前記センサー素子と電気的に接続されている集積回路と、前記集積回路が搭載されている基体と、を含み、前記基体の一方の面に、外部との電気的接続を行うための第１の導体パターンが設けられており、前記第
１の導体パターンと電気的に接続されている第２の導体パターンが設けられており、前記第２の導体パターンは、前記基体の内部を通過する第１の配線パターンと、前記基体の他方の面に露出している第２の配線パターンと、を有し、前記第１の配線パターンは、前記一方の面と前記他方の面との間の距離よりも長い。
【０００９】
本適用例に係る物理量センサーは、例えば、加速度センサー、ジャイロセンサー（角速度センサー）、速度センサー等の慣性センサーであってもよいし、重力に基づいて傾斜角を計測する傾斜計であってもよい。
【００１０】
本適用例に係る物理量センサーによれば、外部との電気的接続を行うための第１の導体パターンと電気的に接続されている第２の導体パターンは、従来のように、外部から最短経路で（上側に直線状に）形成されている導体パターンよりも長いため、第２の導体パターンの抵抗値は、従来の導体パターンよりも高くなり、ノイズ耐性が向上する。
【００１１】
従って、例えば、第２の導体パターンが電源ラインの場合には、物理量センサーの内部にノイズが混入して誤動作や機能異常になる可能性を低減することができる。また、第２の導体パターンが通信ラインの場合には、外部回路との配線によって生じる寄生成分やインピーダンスのミスマッチにより信号波形にオーバーシュートやアンダーシュートが発生して通信不良となる可能性を低減することができる。
【００１２】
また、本適用例に係る物理量センサーによれば、電磁両立性（ＥＭＣ）の観点からも、外部へのノイズ放射を小さくできるとともに、外部からの強い電磁波ノイズに対しても誤動作しない耐量を得ることができる。
【００１３】
さらに、本適用例に係る物理量センサーによれば、基体の内層配線を利用しているため、外付け部品を用いることなく低コストで実装面積を増やすことなく実現することができる。
【００１４】
［適用例２］
上記適用例に係る物理量センサーは、前記基体の平面視において、前記第１の配線パターンは、少なくとも前記集積回路の一端側から他端側へ延出されていてもよい。
【００１５】
本適用例に係る物理量センサーによれば、基体の幅を大きくしなくても、第１の配線パターンを長く設けることができるので、抵抗値の高い配線パターンを効率良く形成することができる。従って、ノイズ耐性やインピーダンスマッチングを高めることができる。
【００１６】
［適用例３］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第１の配線パターンは、直線形状を含んでいてもよい。
【００１７】
本適用例に係る物理量センサーによれば、基体の内層配線を利用して抵抗値の高い配線パターンを効率よく形成することができる。従って、ノイズ耐性やインピーダンスマッチングを高めることができる。
【００１８】
［適用例４］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第１の配線パターンの少なくとも一部は、メアンダ形状を含んでいてもよい。
【００１９】
本適用例に係る物理量センサーによれば、基体の内層配線を利用して、直線形状の配線パターンよりも抵抗値の高い配線パターンを効率よく形成することができる。従って、ノ
イズ耐性やインピーダンスマッチングをより高めることができる。
【００２０】
［適用例５］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基体は、第１の層と第２の層と、を含み、前記第１の配線パターンは、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられている複数の第３の配線パターンと、前記第１の層に配置され、前記第１の層において前記複数の第３の配線パターンと反対側に設けられている複数の第４の配線パターンと、前記複数の第３の配線パターンと前記複数の第４の配線パターンとを電気的に接続する複数のビアと、を有し、前記第１の配線パターンは、前記基体の側面視において、メアンダ形状を含んでいてもよい。
【００２１】
第１の層は、第２の層の上側の層であってもよいし、第２の層の下側の層であってもよい。
【００２２】
本適用例に係る物理量センサーによれば、基体の２つの層を利用して、１つの層に形成された直線形状の配線パターンよりも抵抗値の高い配線パターンを効率よく形成することができる。従って、ノイズ耐性やインピーダンスマッチングをより高めることができる。
【００２３】
［適用例６］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基体は、第１の層と第２の層と、を含み、前記第１の配線パターンは、前記第１の層と前記第２の層との間に設けられている複数の第３の配線パターンと、前記第１の層に配置され、前記第１の層において前記複数の第３の配線パターンと反対側に設けられている複数の第４の配線パターンと、前記複数の第３の配線パターンと前記複数の第４の配線パターンとを電気的に接続する複数のビアと、を有し、前記第１の配線パターンは、前記基体の平面視において、メアンダ形状を含んでいてもよい。
【００２４】
第１の層は、第２の層の上側の層であってもよいし、第２の層の下側の層であってもよい。
【００２５】
本適用例に係る物理量センサーによれば、基体の２つの層を利用して、１つの層に形成された直線形状の配線パターンよりも抵抗値の高い配線パターンを効率よく形成することができる。従って、ノイズ耐性やインピーダンスマッチングをより高めることができる。
【００２６】
［適用例７］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記第２の導体パターンの一部は、シート抵抗値が前記第１の導体パターンよりも高い材料で構成されていてもよい。
【００２７】
本適用例に係る物理量センサーによれば、実装面積を増やすことなく抵抗値の高い配線パターンを容易に形成することができる。従って、ノイズ耐性やインピーダンスマッチングをより高めることができる。
【００２８】
［適用例８］
上記適用例に係る物理量センサーにおいて、前記基体の内部に、一定電位の第３の導体パターンが設けられており、前記第３の導体パターンは、前記第１の配線パターンの少なくとも両側に設けられていてもよい。
【００２９】
本適用例に係る物理量センサーによれば、第２の導体パターンを構成する第１の配線パターンの周辺を低インピーダンスにすることができるので、第２の導体パターンにノイズが重畳しにくくすることができる。
【００３０】
［適用例９］
本適用例に係る電子機器は、上記のいずれかの物理量センサーを含む。
【００３１】
［適用例１０］
本適用例に係る移動体は、上記のいずれかの物理量センサーを含む。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本実施形態の物理量センサーの機能ブロック図の一例を示す図。
【図２】本実施形態の物理量センサー１の外観（センサーパッケージ）の斜視図。
【図３】センサーパッケージの分解斜視図。
【図４】第１実施形態におけるセラミックパッケージの縦構造を示す図。
【図５】第１実施形態における配線パターンの一例を示す図。
【図６】従来の内部導体パターンと第１実施形態の内部導体パターンに矩形波信号が伝搬した時の２つの波形の一例を示す図。
【図７】第２実施形態における配線パターンの一例を示す図。
【図８】従来の内部導体パターン、第１実施形態の内部導体パターン及び第２実施形態の内部導体パターンに矩形波信号が伝搬した時の２つの波形の一例を示す図。
【図９】第３実施形態におけるセラミックパッケージの縦構造を示す図。
【図１０】第３実施形態における配線パターンの一例を示す図。
【図１１】第４実施形態におけるセラミックパッケージの縦構造を示す図。
【図１２】第４実施形態における配線パターンの一例を示す図。
【図１３】図１２（Ａ）の上に図１２（Ｂ）を重ねた図。
【図１４】第５実施形態におけるセラミックパッケージの縦構造を示す図。
【図１５】第５実施形態における配線パターンの一例を示す図。
【図１６】本実施形態の電子機器の機能ブロック図。
【図１７】本実施形態の電子機器の外観の一例を示す図。
【図１８】本実施形態の移動体の一例を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の好適な実施形態について図面を用いて詳細に説明する。なお、以下に説明する実施の形態は、特許請求の範囲に記載された本発明の内容を不当に限定するものではない。また以下で説明される構成の全てが本発明の必須構成要件であるとは限らない。
【００３４】
１．物理量センサー
１−１．第１実施形態
図１は、本実施形態の物理量センサーの機能ブロック図の一例である。図１に示すように、本実施形態の物理量センサー１は、集積回路（ＩＣ）１０及びセンサー素子２０を含む。
【００３５】
図１では、センサー素子２０は、２本のＴ型の駆動振動腕とともにその間に１本の検出振動腕を有するいわゆるダブルＴ型の水晶振動片に２つの駆動電極と２つの検出電極が形成された、振動式の圧電型の角速度検出素子である。
【００３６】
センサー素子２０の２本の駆動振動腕は、駆動信号として交流電圧信号が与えられると、逆圧電効果によって、互いの先端が接近と離間を繰り返す屈曲振動（励振振動）をする。この２本の駆動振動腕の屈曲振動の振幅が等しければ、２本の駆動振動腕は検出振動腕に対して常に線対称な関係で屈曲振動をするので、検出振動腕は振動を起こさない。
【００３７】
この状態で、センサー素子２０の励振振動面に垂直な軸を回転軸とする角速度が加わる
と、２本の駆動振動腕は、屈曲振動の方向と回転軸の両方に垂直な方向にコリオリの力を得る。その結果、２本の駆動振動腕の屈曲振動の対称性が崩れ、検出振動腕は、バランスを保つように屈曲振動をする。このコリオリ力に伴う検出振動腕の屈曲振動と駆動振動腕の屈曲振動（励振振動）とは位相が９０°ずれている。そして、圧電効果によってこれらの屈曲振動に基づく逆位相（位相が１８０°異なる）の交流電荷が２つの検出電極に発生する。この交流電荷は、コリオリ力の大きさ（言い換えれば、センサー素子２０に加わる角速度の大きさ）に応じて変化する。
【００３８】
なお、センサー素子２０の振動片は、ダブルＴ型でなくてもよく、例えば、音叉型やくし歯型であってもよいし、三角柱、四角柱、円柱状等の形状の音片型であってもよい。また、センサー素子２０の振動片の材料としては、水晶（ＳｉＯ2）の代わりに、例えば、タンタル酸リチウム（ＬｉＴａＯ3）、ニオブ酸リチウム（ＬｉＮｂＯ3）等の圧電単結晶やジルコン酸チタン酸鉛（ＰＺＴ）等の圧電セラミックスなどの圧電性材料を用いてもよいし、シリコン半導体を用いてもよい。また、例えば、シリコン半導体の表面の一部に、駆動電極に挟まれた酸化亜鉛（ＺｎＯ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等の圧電薄膜を配置した構造であってもよい。
【００３９】
また、センサー素子２０は、圧電型のセンサー素子に限らず、動電型、静電容量型、渦電流型、光学型、ひずみゲージ型等の振動式のセンサー素子であってもよい。あるいは、センサー素子２０の方式は、振動式に限らず、例えば、光学式、回転式、流体式であってもよい。また、センサー素子２０が検出する物理量は、角速度に限らず、角加速度、加速度、速度、圧力、力などであってもよい。
【００４０】
図１に示すように、本実施形態では、センサー素子２０の２つの駆動電極は、それぞれ集積回路（ＩＣ）１０のＤＳ端子とＤＧ端子に接続されている。また、センサー素子２０の２つの検出電極は、それぞれ集積回路（ＩＣ）１０のＳ１端子とＳ２端子に接続されている。
【００４１】
集積回路（ＩＣ）１０は、駆動回路１１、検出回路１２、温度センサー１３、電源電圧センサー１４、基準電圧回路１５、シリアルインターフェース回路１６、不揮発性メモリー１７、切替制御回路１８、端子機能切替回路１９を含んで構成されている。なお、本実施形態の集積回路（ＩＣ）１０は、図１に示した要素の一部を省略又は変更し、あるいは他の要素を追加した構成としてもよい。
【００４２】
基準電圧回路１５は、ＶＤＤ端子より供給される電源電圧から基準電位（アナロググランド電圧）などの定電圧や定電流を生成し、駆動回路１１、検出回路１２、温度センサー１３に供給する。
【００４３】
駆動回路１１は、センサー素子２０を励振振動させるための駆動信号を生成し、ＤＳ端子を介してセンサー素子２０の一方の駆動電極に供給する。また、駆動回路１１は、センサー素子２０の励振振動により他方の駆動電極に発生する駆動電流（水晶電流）がＤＧ端子を介して入力され、この駆動電流の振幅が一定に保持されるように駆動信号の振幅レベルをフィードバック制御する。また、駆動回路１１は、駆動信号と位相が９０°ずれた信号を生成し、検出回路１２に供給する。
【００４４】
検出回路１２は、Ｓ１端子とＳ２端子を介して、センサー素子２０の２つの検出電極の各々に発生する交流電荷（検出電流）がそれぞれ入力され、これらの交流電荷（検出電流）に含まれる角速度成分のみを検出し、角速度の大きさに応じた電圧レベルの信号（角速度信号）を生成する。本実施形態では、検出回路１２はＳ１、Ｓ２端子より入力された検出電流を電圧に変換し、駆動回路１１から供給される信号（駆動信号と位相が９０°ずれ
た信号）をサンプリングクロックとしてさらにＡ／Ｄ変換した後、デジタル処理により検出信号（角速度信号）を生成する。
【００４５】
温度センサー１３は、電圧が温度変化に対してほぼ線形に変化する信号を生成し、この信号をＡ／Ｄ変換して出力する。温度センサー１３は、例えば、バンドギャップリファレンス回路を利用して実現することができる。
【００４６】
電源電圧センサー１４は、ＶＤＤ端子より供給される電源電圧値をＡ／Ｄ変換して出力する。
【００４７】
不揮発性メモリー１７は、駆動回路１１、検出回路１２、温度センサー１３に対する各種の調整データや補正データを保持している。不揮発性メモリー１７は、例えば、ＭＯＮＯＳ（Metal Oxide Nitride Oxide Silicon）型メモリーによって実現することができる。
【００４８】
検出回路１２は、角速度信号の生成処理において、温度センサー１３及び電源電圧センサー１４からのデジタル出力信号と不揮発性メモリー１７に記憶されている補正データを用いて、角速度信号の０点電源電圧補正、０点温度補正及び感度温度補正を行う。
【００４９】
検出回路１２が生成した角速度信号（デジタル信号）は、シリアルインターフェース回路１６に供給される。
【００５０】
端子機能切替回路１９は、ＩＯ１，ＩＯ２，ＩＯ３，ＩＯ４の４端子の接続先を切り替える。例えば、端子機能切替回路１９は切替制御回路１８の制御のもと、駆動回路１１、検出回路１２、基準電圧回路１５の出力信号や内部信号を選択し、ＩＯ１，ＩＯ２，ＩＯ３，ＩＯ４のいずれかから外部出力し、あるいは、ＩＯ１，ＩＯ２，ＩＯ３，ＩＯ４のいずれかから外部入力された信号を、駆動回路１１、検出回路１２、基準電圧回路１５に供給することができる。
【００５１】
切替制御回路１８は、シリアルインターフェース回路１６から受け取った設定値に応じて、ＩＯ１，ＩＯ２，ＩＯ３，ＩＯ４の４端子の接続先の切り替えを制御する。
【００５２】
本実施形態の物理量センサー１は、集積回路（ＩＣ）１０とジャイロセンサー素子２０がパッケージに封止されて構成されている。図２は、本実施形態の物理量センサー１の外観（センサーパッケージ）の斜視図であり、図３は、センサーパッケージの分解斜視図である。
【００５３】
図２及び図３に示すように、物理量センサー１は、複数の層が積層されたセラミックパッケージ３０（基体の一例）の開口部に集積回路（ＩＣ）１０が配置され、セラミックパッケージ３０の上面にセンサー素子保持部材４０が配置され、その上にセンサー素子２０が振動可能に保持され、セラミックパッケージ３０の上面に設けられたシームリングに蓋部（リッド）５０が接着された構造のセンサーパッケージとして実装されている。セラミックパッケージ３０は、集積回路（ＩＣ）１０及びセンサー素子２０のケーシングの役割を果たすとともに、集積回路（ＩＣ）１０及びセンサー素子２０と外部との電気的な接続を担っている。
【００５４】
図４は、セラミックパッケージ３０の縦構造を示す図である。図４に示すように、セラミックパッケージ３０は、例えば、５つのセラミック基板３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ，３１Ｅが積層されている。例えば、セラミックパッケージ３０の厚さ（セラミック基板３１Ａ,３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ，３１Ｅの各々の厚さの和）は、例えば１ｍｍ程度で
あり、セラミック基板３１Ｅの表面の一辺の長さは、例えば５ｍｍ程度である。
【００５５】
各セラミック基板の表面（本実施形態では上面だが、下面でもよい）には導電性の配線パターンが形成されている。隣り合う２つのセラミック基板の表面にそれぞれ形成された配線パターンの一部は、スルーホール（孔）に形成されたビアを介して電気的に接続される。「ビア」は、例えば、スルーホール（孔）の内壁に導電膜を設けて基板の表面側と裏面側とを電気的に接続するものであってもよいし、スルーホール（孔）の内部に導電性材料を充填して基板の表面側と裏面側とを電気的に接続するものであってもよい。最下層のセラミック基板３１Ｅの下面（セラミックパッケージ３０の底面）には外部端子として機能する配線パターン（外部導体パターン）が形成されている。外部導体パターン（外部端子）はプリント基板（不図示）にはんだ付けされ、外部装置と電気的に接続される。
【００５６】
セラミック基板３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃには、中央に開口部が設けられており、この開口部に集積回路（ＩＣ）１０が配置されている。セラミック基板３１Ｂの上面には配線パターンの少なくとも一部に、金やニッケルなどの材料でメタライズされたメタライズ領域が形成されており、集積回路（ＩＣ）１０の端子（電極）とメタライズ領域がワイヤーでボンディングされている。
【００５７】
このように、外部導体パターンは、セラミック基板３１Ａ，３１Ｂ，３１Ｃ，３１Ｄ，３１Ｅの表面に形成された複数の配線パターンと当該複数の配線パターンを電気的に接続する複数のビアから成る導体パターン（内部導体パターン）を介して、集積回路（ＩＣ）１０と電気的に接続されている。
【００５８】
各セラミック基板の表面に形成される配線パターンやビアには、タングステン材料やシート抵抗値が低い銀や銅などの材料が用いられる。なお、図４では、配線パターンには斜線が、ビアには縦線がそれぞれ施されている。
【００５９】
本実施形態では、セラミック基板３１Ｅの下面（セラミックパッケージ３０の底面（一方の面）に配線パターン６１が形成されており、ビア６２を介して、セラミック基板３１Ｅの上面において少なくとも集積回路（ＩＣ）１０の一端側から他端側へ延出されている配線パターン６３と電気的に接続されている。配線パターン６３は、ビア６４を介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５と電気的に接続されている。配線パターン６５は、ビア６６を介して、セラミック基板３１Ｃの上面に形成された配線パターン６７と電気的に接続されている。配線パターン６７は、ビア６８を介して、セラミック基板３１Ｂの上面に形成された配線パターン６９と電気的に接続されている。そして、セラミックパッケージ３０の上面（他方の面）に露出するように、配線パターン６９の上面の一部にメタライズ領域７０が設けられており、集積回路（ＩＣ）１０の端子（電極）とワイヤーボンディングされている。
【００６０】
すなわち、外部導体パターンである配線パターン６１（第１の導体パターン）は、ビア６２、配線パターン６３（第１の配線パターンの一例）、ビア６４、配線パターン６５、ビア６６、配線パターン６７、ビア６８、配線パターン６９及びメタライズ領域７０（第２の配線パターンの一例）から成る内部導体パターン（第２の導体パターン）を介して、集積回路（ＩＣ）１０と電気的に接続されている。なお、配線パターン６１は、例えば、図１に示した集積回路（ＩＣ）１０のＶＤＤ端子、ＶＳＳ端子、シリアル通信用の端子（ＳＳ，ＳＣＬＫ，ＳＩ，ＳＯ）、ＩＯ端子（ＩＯ１，ＩＯ２，ＩＯ３，ＩＯ４）のいずれかに接続される。
【００６１】
図５は、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３の一例を示す図である。図５に示すように、本実施形態における配線パターン６３は、セラミック基板３１
Ｅの上面に、直線形状（略直線状）で形成されており、セラミックパッケージ３０の底面（一方の面）と上面（他方の面）との間の距離、すなわち、セラミックパッケージ３０の厚さ（例えば１ｍｍ程度）よりも長い。従って、配線パターン６３を含んでいる第２の導体パターンは、従来のように、外部導体パターンから最短経路で（上側に直線状に）形成されている内部導体パターン（その長さはセラミック基板の厚さ程度）よりも長く、少なくとも約２倍以上の長さになっている。そのため、第２の導体パターンの抵抗値は、従来の内部導体パターンの約２倍以上となっている。なお、第２の導体パターンの抵抗値を高くするためには、配線パターン６３は、少なくともセラミック基板３１Ｅの表面の一辺の長さ（例えば５ｍｍ程度）の半分よりも長いのが好ましい。
【００６２】
また、セラミックパッケージ３０は、例えば、ＶＳＳ端子あるいはＶＤＤ端子に接続され、一定電位の内部導体パターン（第３の導体パターン）が形成されており、配線パターン６３は、ともに第３の導体パターンの一部である配線パターン７１と配線パターン７２に挟まれている。ここで、一定電位は、例えば電源であってもよいし、グランドであってもよい。従って、配線パターン６３の周辺は低インピーダンスであり、配線パターン６３にノイズが重畳しにくくなっている。
【００６３】
図６（Ａ）は、従来のように最短で配線された内部導体パターンと本実施形態の内部導体パターン（第２の導体パターン）を通信ラインに使用し、それぞれに矩形波信号（クロック信号）が伝搬した時の２つの波形の一例を示す図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大した図である。Ｇ１は、最短で配線された内部導体パターンに矩形波信号が伝搬した時の波形であり、Ｇ２は、本実施形態の内部導体パターン（第２の導体パターン）に矩形波信号が伝搬した時の波形である。
【００６４】
本実施形態のように、１つの層に、セラミックパッケージ３０の厚さよりも長い直線形状（略直線状）の配線パターンを形成することで内部導体パターンを長くした場合、従来のように内部導体パターンを最短で配線した場合に比べて、矩形波の立ち上がり・立ち下がりで生じるリンギングの振幅が小さく、またリンギングの減衰も大きく（速く）なっている。
【００６５】
通常、このようなリンギングは、センサーパッケージと外部回路（マイコン等）を結ぶ伝送線路を電気信号が往復することで生じる。そして、オーバーシュートやアンダーシュートの振幅は、センサーパッケージのインピーダンス、伝送線路の特性インピーダンス、そして外部回路のインピーダンスで決められる。したがって、これら３つのインピーダンスを合わせることが、リンギングの発生を抑え込む有効な手段となる。
【００６６】
本実施形態のように、内部導体パターン（第２の導体パターン）の一部を１つの層で直線形状（略直線状）に配置形成することで、最短で配線した場合に比べて抵抗値が大きくなるため、センサーパッケージ３０のインピーダンスを、伝送線路の特性インピーダンスおよび外部回路のインピーダンスに近づけることができる。また、この配線抵抗分は伝送線路のインピーダンスのＱの増大を抑えることができる。すなわち、センサーパッケージと外部回路が伝送線路で接続されることにより、伝送線路の等価インダクタンス成分と等価キャパシタンス成分によって構成されるＬＣ共振回路が作られるが、内部導体パターンの抵抗値を大きくすることでＬＣ共振回路のＱが抑えられ、リンギングの振動を早く減衰させることができる。つまり、内部導体パターンの一部を１つの層で直線形状（略直線状）に形成することは、ダンピング抵抗を形成していることと等価な効果が得られる。
【００６７】
また、例えば、本実施形態の内部導体パターン（第２の導体パターン）を電源ラインに使用することで、電源ラインのノイズ耐性を向上させることができる。
【００６８】
以上に説明したように、第１実施形態の物理量センサーによれば、外部端子に接続される少なくとも１つの内部導体パターン（第２の導体パターン）の一部が、セラミックパッケージ３０の１つの層において直線形状（略直線状）に配線されているため、ノイズ耐性を高めることができ、また、外部回路を接続した場合でもリンギングの発生を抑えられ、通信不良や誤動作が少なく、高い信頼性を実現することができる。また、電磁両立性（ＥＭＣ）の観点からもノイズ放射を小さくできるため、他の機器またはその機器自身などへの影響を小さくすることができる。また、外部からの強い電磁波ノイズに対しても誤動作しない耐量を得ることができる。
【００６９】
さらに、第１実施形態の物理量センサーによれば、セラミックパッケージ３０の内層配線を利用しているため、外付け部品を用いることなく低コストで実装面積を増やすことなく実現することができる。
【００７０】
１−２．第２実施形態
第２実施形態の物理量センサーは、セラミック基板３１Ｅの上面において少なくとも集積回路（ＩＣ）１０の一端側から他端側へ延出されている配線パターン６３の形状が第１実施形態と異なる。図７は、第２実施形態における配線パターン６３の一例を示す図である。図７に示すように、第２実施形態における配線パターン６３（第１の配線パターンの一例）は、セラミック基板３１Ｅの上面に、その一部がメアンダ形状（蛇行状）で形成されており、第１実施形態の配線パターン６３よりも長い。従って、配線パターン６３を含んでいる第２の導体パターンは、従来のように、外部導体パターンから最短経路で（上側に直線状に）形成されている内部導体パターン（その長さはセラミック基板の厚さ程度）よりも長く、少なくとも約２倍以上の長さになっている。そのため、第２の導体パターンの抵抗値は、従来の内部導体パターンの約２倍以上となっている。なお、第２の導体パターンの抵抗値を高くするためには、配線パターン６３は、少なくともセラミック基板３１Ｅの表面の一辺の長さ（例えば５ｍｍ程度）の半分よりも長いのが好ましい。
【００７１】
また、第２実施形態における配線パターン６３は、第１実施形態と同様に、ともに一定電位の第３の導体パターンの一部である配線パターン７１と配線パターン７２に挟まれている。従って、配線パターン６３の周辺は低インピーダンスであり、配線パターン６３にノイズが重畳しにくくなっている。
【００７２】
なお、第２実施形態の物理量センサー１のその他の構成は、第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００７３】
図８（Ａ）は、従来のように最短で配線された内部導体パターン、第１実施形態における内部導体パターン（第２の導体パターン）及び第２実施形態における内部導体パターン（第２の導体パターン）を通信ラインに使用し、それぞれに矩形波信号（クロック信号）が伝搬した時の２つの波形の一例を示す図であり、図８（Ｂ）は、図８（Ａ）の破線で囲まれた部分を拡大した図である。Ｇ１は、最短で配線された内部導体パターンに矩形波信号が伝搬した時の波形であり、Ｇ２は、第１実施形態の内部導体パターン（第２の導体パターン）に矩形波信号が伝搬した時の波形であり、Ｇ３は、第２実施形態の内部導体パターン（第２の導体パターン）に矩形波信号が伝搬した時の波形である。
【００７４】
第２実施形態のように、１つの層に、セラミックパッケージ３０の厚さよりも長く、その一部がメアンダ形状（蛇行状）である配線パターンを形成することで内部導体パターンを長くした場合、従来のように内部導体パターンを最短で配線した場合や第１実施形態のように内部導体パターンの一部を１つの層で直線形状（略直線状）に形成した場合に比べて、矩形波の立ち上がり・立ち下がりで生じるリンギングの振幅が小さく、またリンギングの減衰も大きく（速く）なっている。
【００７５】
第２実施形態のように、内部導体パターン（第２の導体パターン）の一部を１つの層でメアンダ形状（蛇行状）に配置形成することで、最短で配線した場合に比べて抵抗値がさらに大きくなるため、センサーパッケージ３０のインピーダンスを、伝送線路の特性インピーダンスおよび外部回路のインピーダンスにより近づけることができる。また、この配線抵抗分は伝送線路のインピーダンスのＱの増大を抑えることができるため、リンギングの振動を素早く減衰させることができる。
【００７６】
また、例えば、第２実施形態の内部導体パターン（第２の導体パターン）を電源ラインに使用することで、電源ラインのノイズ耐性をより向上させることができる。
【００７７】
以上に説明したように、第２実施形態の物理量センサーによれば、外部端子に接続される少なくとも１つの内部導体パターン（第２の導体パターン）の一部が、セラミックパッケージ３０の１つの層においてメアンダ形状（蛇行状）に配線されているため、ノイズ耐性を高めることができ、また、外部回路を接続した場合でもリンギングの発生を抑えられ、通信不良や誤動作が少なく、高い信頼性を実現することができる。また、電磁両立性（ＥＭＣ）の観点からもノイズ放射を小さくできるため、他の機器またはその機器自身などへの影響を小さくすることができる。また、外部からの強い電磁波ノイズに対しても誤動作しない耐量を得ることができる。
【００７８】
さらに、第２実施形態の物理量センサーによれば、セラミックパッケージ３０の内層配線を利用しているため、外付け部品を用いることなく低コストで実装面積を増やすことなく実現することができる。
【００７９】
１−３．第３実施形態
第３実施形態の物理量センサーは、第２の導体パターンが、配線パターン６３に代えて、複数の層の表面に形成されている複数の配線パターンと当該複数の配線パターンを電気的に接続する複数のビアとを有する点が第１実施形態と異なる。
【００８０】
図９は、第３実施形態におけるセラミックパッケージ３０の縦構造を示す図である。図９に示すように、第３実施形態では、セラミック基板３１Ｅの下面（セラミックパッケージ３０の底面）に形成された配線パターン６１は、ビア６２を介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ａと電気的に接続されている。配線パターン６３Ａは、ビア６４Ａを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ａと電気的に接続されている。配線パターン６５Ａは、ビア６４Ｂを介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ｂと電気的に接続されている。配線パターン６３Ｂは、ビア６４Ｃを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ｂと電気的に接続されている。配線パターン６５Ｂは、ビア６４Ｄを介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ｃと電気的に接続されている。配線パターン６３Ｃは、ビア６４Ｅを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ｃと電気的に接続されている。配線パターン６５Ｃは、ビア６４Ｆを介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ｄと電気的に接続されている。配線パターン６３Ｄは、ビア６４Ｇを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ｄと電気的に接続されている。配線パターン６５Ｄは、ビア６６を介して、セラミック基板３１Ｃの上面に形成された配線パターン６７と電気的に接続されている。配線パターン６７は、ビア６８を介して、セラミック基板３１Ｂの上面に形成された配線パターン６９と電気的に接続されている。配線パターン６９の上面の一部には、メタライズ領域７０が設けられており、集積回路（ＩＣ）１０の端子（電極）とワイヤーボンディングされている。
【００８１】
すなわち、外部導体パターンである配線パターン６１（第１の導体パターン）は、ビア６２、配線パターン６３Ａ〜６３Ｄ、ビア６４Ａ〜６４Ｇ、配線パターン６５Ａ〜６５Ｄ、ビア６６、配線パターン６７、ビア６８、配線パターン６９及びメタライズ領域７０から成る内部導体パターン（第２の導体パターン）を介して、集積回路（ＩＣ）１０と電気的に接続されている。そして、図９に示すように、第２の導体パターンの少なくとも一部は、セラミックパッケージ３０の側面視において（底面に平行な方向から視た時に）メアンダ形状になっている。
【００８２】
図１０（Ａ）は、セラミック基板３１Ｅ（第２の層の一例）の上面（セラミック基板３１Ｅとセラミック基板３１Ｄとの間）に形成された配線パターン６３Ａ〜６３Ｄ（第３の配線パターンの一例）の一例を示す図であり、図１０（Ｂ）は、セラミック基板３１Ｄ（第１の層の一例）の上面（セラミック基板３１Ｄにおいて配線パターン６３Ａ〜６３Ｄと反対側）に形成された配線パターン６５Ａ〜６５Ｄ（第４の配線パターンの一例）の一例を示す図である。図１０（Ａ）及び図１０（Ｂ）に示すように、第３実施形態における配線パターン６３Ａ〜６３Ｄ及び６５Ａ〜６５Ｄは、すべて直線形状で形成されており、配線パターン６３Ａ〜６３Ｄ、ビア６４Ａ〜６４Ｇ及び配線パターン６５Ａ〜６５Ｄからなる配線パターン（第１の配線パターンの一例）の長さは、セラミックパッケージ３０の底面（一方の面）と上面（他方の面）との間の距離、すなわち、セラミックパッケージ３０の厚さ（例えば１ｍｍ程度）よりも長い。従って、配線パターン６３Ａ〜６３Ｄ、ビア６４Ａ〜６４Ｇ及び配線パターン６５Ａ〜６５Ｄからなる配線パターンを含んでいる第２の導体パターンは、従来のように、外部導体パターンから最短経路で（上側に直線状に）形成されている内部導体パターン（その長さはセラミック基板の厚さ程度）よりも長く、少なくとも約２倍以上の長さになっている。そのため、第２の導体パターンの抵抗値は、従来の内部導体パターンの約２倍以上となっている。なお、第２の導体パターンの抵抗値を高くするためには、配線パターン６３Ａ〜６３Ｄ及び６５Ａ〜６５Ｄの長さの和は、少なくともセラミック基板３１Ｅの表面の一辺の長さ（例えば５ｍｍ程度）の半分よりも長いのが好ましい。
【００８３】
また、第３実施形態における配線パターン６３Ａ〜６３Ｄは、第１実施形態と同様に、ともに一定電位の第３の導体パターンの一部である配線パターン７１と配線パターン７２に挟まれている。また、第３実施形態における配線パターン６５Ａ〜６５Ｄは、当該第３の導体パターンの一部である配線パターン７３と配線パターン７４に挟まれている。従って、配線パターン６３Ａ〜６３Ｄ及び６５Ａ〜６５Ｄの周辺は低インピーダンスであり、配線パターン６３Ａ〜６３Ｄ及び６５Ａ〜６５Ｄにノイズが重畳しにくくなっている。
【００８４】
なお、第３実施形態の物理量センサー１のその他の構成は、第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００８５】
以上に説明したように、第３実施形態の物理量センサーによれば、外部端子に接続される少なくとも１つの内部導体パターン（第２の導体パターン）の一部が、セラミックパッケージ３０の複数の層において配線された複数の配線パターンと当該複数の配線パターンを接続する複数のビアにより、セラミックパッケージ３０の底面に平行な方向から視た時にメアンダ形状（蛇行状）になる導体パターンであるため、ノイズ耐性を高めることができ、また、外部回路を接続した場合でもリンギングの発生を抑えられ、通信不良や誤動作が少なく、高い信頼性を実現することができる。また、電磁両立性（ＥＭＣ）の観点からもノイズ放射を小さくできるため、他の機器またはその機器自身などへの影響を小さくすることができる。また、外部からの強い電磁波ノイズに対しても誤動作しない耐量を得ることができる。
【００８６】
そして、第３実施形態の物理量センサーによれば、第２の導体パターンの長さを第１実
施形態よりも長くすることができるので、第２の導体パターンの抵抗値がより高くなり、上記の各効果について第１実施形態よりも高い効果が期待できる。
【００８７】
さらに、第３実施形態の物理量センサーによれば、セラミックパッケージ３０の内層配線を利用しているため、外付け部品を用いることなく低コストで実装面積を増やすことなく実現することができる。
【００８８】
１−４．第４実施形態
第４実施形態の物理量センサーは、第２の導体パターンが、配線パターン６３に代えて、複数の層の表面に形成されている複数の配線パターンと当該複数の配線パターンを電気的に接続する複数のビアとを有する点が第２実施形態と異なる。
【００８９】
図１１は、第４実施形態におけるセラミックパッケージ３０の縦構造を示す図である。図１１に示すように、第４実施形態では、セラミック基板３１Ｅの下面（セラミックパッケージ３０の底面）に形成された配線パターン６１は、ビア６２を介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ａと電気的に接続されている。配線パターン６３Ａは、ビア６４Ａを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ａと電気的に接続されている。配線パターン６５Ａは、ビア６４Ｂを介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ｂと電気的に接続されている。配線パターン６３Ｂは、ビア６４Ｃを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ｂと電気的に接続されている。配線パターン６５Ｂは、ビア６４Ｄを介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ｃと電気的に接続されている。配線パターン６３Ｃは、ビア６４Ｅを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ｃと電気的に接続されている。配線パターン６５Ｃは、ビア６４Ｆを介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ｄと電気的に接続されている。配線パターン６３Ｄは、ビア６４Ｇを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ｄと電気的に接続されている。配線パターン６５Ｄは、ビア６４Ｈを介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ｅと電気的に接続されている。配線パターン６３Ｅは、ビア６４Ｉを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ｅと電気的に接続されている。配線パターン６５Ｅは、ビア６４Ｊを介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ｆと電気的に接続されている。配線パターン６３Ｆは、ビア６４Ｋを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ｆと電気的に接続されている。配線パターン６５Ｆは、ビア６４Ｌを介して、セラミック基板３１Ｅの上面に形成された配線パターン６３Ｇと電気的に接続されている。配線パターン６３Ｇは、ビア６４Ｍを介して、セラミック基板３１Ｄの上面に形成された配線パターン６５Ｇと電気的に接続されている。配線パターン６５Ｇは、ビア６６を介して、セラミック基板３１Ｃの上面に形成された配線パターン６７と電気的に接続されている。配線パターン６７は、ビア６８を介して、セラミック基板３１Ｂの上面に形成された配線パターン６９と電気的に接続されている。配線パターン６９の上面の一部には、メタライズ領域７０が設けられており、集積回路（ＩＣ）１０の端子（電極）とワイヤーボンディングされている。
【００９０】
すなわち、外部導体パターンである配線パターン６１（第１の導体パターン）は、ビア６２、配線パターン６３Ａ〜６３Ｇ、ビア６４Ａ〜６４Ｍ、配線パターン６５Ａ〜６５Ｇ、ビア６６、配線パターン６７、ビア６８、配線パターン６９及びメタライズ領域７０から成る内部導体パターン（第２の導体パターン）を介して、集積回路（ＩＣ）１０と電気的に接続されている。
【００９１】
図１２（Ａ）は、セラミック基板３１Ｅ（第２の層の一例）の上面（セラミック基板３１Ｅとセラミック基板３１Ｄとの間）に形成された配線パターン６３Ａ〜６３Ｇ（第３の
配線パターンの一例）の一例を示す図であり、図１２（Ｂ）は、セラミック基板３１Ｄ（第１の層の一例）の上面（セラミック基板３１Ｄにおいて配線パターン６３Ａ〜６３Ｄと反対側）に形成された配線パターン６５Ａ〜６５Ｇ（第４の配線パターンの一例）の一例を示す図である。図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示すように、第４実施形態における配線パターン６３Ａ〜６３Ｇ及び６５Ａ〜６５Ｇは、すべて直線形状で形成されており、配線パターン６３Ａ〜６３Ｇ、ビア６４Ａ〜６４Ｍ及び配線パターン６５Ａ〜６５Ｇからなる配線パターン（第１の配線パターンの一例）の長さは、セラミックパッケージ３０の底面（一方の面）と上面（他方の面）との間の距離、すなわち、セラミックパッケージ３０の厚さ（例えば１ｍｍ程度）よりも長い。従って、配線パターン６３Ａ〜６３Ｇ、ビア６４Ａ〜６４Ｍ及び配線パターン６５Ａ〜６５Ｇからなる配線パターンを含んでいる第２の導体パターンは、従来のように、外部導体パターンから最短経路で（上側に直線状に）形成されている内部導体パターン（その長さはセラミック基板の厚さ程度）よりも長く、少なくとも約２倍以上の長さになっている。そのため、第２の導体パターンの抵抗値は、従来の内部導体パターンの約２倍以上となっている。なお、第２の導体パターンの抵抗値を高くするためには、配線パターン６３Ａ〜６３Ｇ及び６５Ａ〜６５Ｇの長さの和は、少なくともセラミック基板３１Ｅの表面の一辺の長さ（例えば５ｍｍ程度）の半分よりも長いのが好ましい。
【００９２】
また、第４実施形態における配線パターン６３Ａ〜６３Ｇは、第２実施形態と同様に、ともに一定電位の第３の導体パターンの一部である配線パターン７１と配線パターン７２に挟まれている。また、第４実施形態における配線パターン６５Ａ〜６５Ｇは、当該第３の導体パターンの一部である配線パターン７３と配線パターン７４に挟まれている。従って、配線パターン６３Ａ〜６３Ｇ及び６５Ａ〜６５Ｇの周辺は低インピーダンスであり、配線パターン６３Ａ〜６３Ｇ及び６５Ａ〜６５Ｇにノイズが重畳しにくくなっている。
【００９３】
そして、図１２（Ａ）の上に図１２（Ｂ）を重ねた図である図１３に示すように、第３実施形態では、第２の導体パターンの少なくとも一部は、セラミックパッケージ３０の平面視において（底面に垂直な方向から視た時に）メアンダ形状になっている。
【００９４】
なお、第４実施形態の物理量センサー１のその他の構成は、第２実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
【００９５】
以上に説明したように、第４実施形態の物理量センサーによれば、外部端子に接続される少なくとも１つの内部導体パターン（第２の導体パターン）の一部が、セラミックパッケージ３０の複数の層において配線された複数の配線パターンと当該複数の配線パターンを接続する複数のビアにより、セラミックパッケージ３０の底面に垂直な方向から視た時にメアンダ形状（蛇行状）になる導体パターンであるため、ノイズ耐性を高めることができ、また、外部回路を接続した場合でもリンギングの発生を抑えられ、通信不良や誤動作が少なく、高い信頼性を実現することができる。また、電磁両立性（ＥＭＣ）の観点からもノイズ放射を小さくできるため、他の機器またはその機器自身などへの影響を小さくすることができる。また、外部からの強い電磁波ノイズに対しても誤動作しない耐量を得ることができる。
【００９６】
そして、第４実施形態の物理量センサーによれば、第２の導体パターンの長さを第２実施形態よりも長くすることができるので、第２の導体パターンの抵抗値がより高くなり、上記の各効果について第２実施形態よりも高い効果が期待できる。
【００９７】
また、第４実施形態の物理量センサーでは、第２の導体パターンを通信ラインに使用した場合、通信周波数が高くなるほど、配線パターン６３Ａ〜６３Ｇ，６５Ａ〜６５Ｇがインダクタンスとして振る舞う。そして、このインダクタンスと、配線パターン６３Ａ〜６
３Ｇと一定電位の配線パターン７１，７２との間で形成される静電容量及び配線パターン６５Ａ〜６５Ｇと一定電位の配線パターン７３，７４との間で形成される静電容量とにより、ＬとＣのローパスフィルタの等価回路構成が構造的にできあがり、高周波ノイズを除去できるという効果が生じる。通信周波数が高くなればローパスフィルタの効果をより顕著に発揮することができる。
【００９８】
さらに、第４実施形態の物理量センサーによれば、セラミックパッケージ３０の内層配線を利用しているため、外付け部品を用いることなく低コストで実装面積を増やすことなく実現することができる。
【００９９】
１−５．第５実施形態
第５実施形態の物理量センサーは、第２の導体パターンの一部が、シート抵抗値が第１の導体パターンよりも高い材料で構成されている点が第１実施形態〜第４実施形態と異なる。ここで、シート抵抗値Ｒ‘＝ρ／ｄ[Ω／□]である。ρは導体パターンの抵抗率、ｄは導体パターンの厚さである。以下では、第５実施形態の物理量センサーの具体例として、第１実施形態を変形した例を挙げるが、他の実施形態を変形してもよい。
【０１００】
図１４は、第５実施形態におけるセラミックパッケージ３０の縦構造を示す図である。また、図１５は、セラミック基板３１Ｂの上面に形成された配線パターンの一例を示す図である。図１４に示すように、第５実施形態では、配線パターン６１，６３，６５，６７，６９、ビア６２，６４，６６，６８及びメタライズ領域７０の構成は、第１実施形態と同様である。さらに、第５実施形態では、図１４及び図１５に示すように、メタライズ領域７０の一部に、シート抵抗値が配線パターン６１（第１の導体パターン）よりも高い高抵抗材料８０が塗布されている。高抵抗材料８０としては、例えば、ルテニウム（Ｒｕ）系酸化物として二酸化ルテニウム（ＲｕＯ2）等の抵抗体ペーストによる高抵抗材料を用いることができる。
【０１０１】
すなわち、外部導体パターンである配線パターン６１（第１の導体パターン）は、ビア６２、配線パターン６３Ａ〜６３Ｄ、ビア６４Ａ〜６４Ｇ、配線パターン６５Ａ〜６５Ｄ、ビア６６、配線パターン６７、ビア６８、配線パターン６９、メタライズ領域７０及び高抵抗材料８０から成る内部導体パターン（第２の導体パターン）を介して、集積回路（ＩＣ）１０と電気的に接続されている。
【０１０２】
また、図１５に示すように、セラミック基板３Ｂの上面の大半の部分に、一定電位（グランド電位）の導体パターンの一部である低インピーダンスの配線パターン７５が形成されており、配線パターン６９にノイズが重畳しにくくなっている。
【０１０３】
なお、第５実施形態の物理量センサー１のその他の構成は、第１実施形態と同様であるため、その説明を省略する。
【０１０４】
以上に説明したように、第５実施形態の物理量センサーによれば、外部端子に接続される少なくとも１つの内部導体パターン（第２の導体パターン）が、セラミックパッケージ３０の少なくとも１つの層の表面に形成されている、セラミックパッケージ３０の厚さよりも長い配線パターンを有するとともに、第２の導体パターンの一部が、シート抵抗値が第１の導体パターンよりも高い材料で構成されているため、ノイズ耐性を高めることができ、また、外部回路を接続した場合でもリンギングの発生を抑えられ、通信不良や誤動作が少なく、高い信頼性を実現することができる。また、電磁両立性（ＥＭＣ）の観点からもノイズ放射を小さくできるため、他の機器またはその機器自身などへの影響を小さくすることができる。また、外部からの強い電磁波ノイズに対しても誤動作しない耐量を得ることができる。
【０１０５】
そして、第５実施形態の物理量センサーによれば、高抵抗材料８０を添付することで第２の導体パターンの抵抗値を第１実施形態よりも高くすることができるので、上記の各効果について第１実施形態よりも高い効果が期待できる。
【０１０６】
さらに、第５実施形態の物理量センサーによれば、セラミックパッケージ３０の内層配線を利用しているため、外付け部品を用いることなく低コストで実装面積を増やすことなく実現することができる。
【０１０７】
２．電子機器
図１６は、本実施形態の電子機器の機能ブロック図である。また、図１７は、本実施形態の電子機器の一例であるスマートフォンの外観の一例を示す図である。
【０１０８】
本実施形態の電子機器３００は、物理量センサー３１０、ＣＰＵ（Central Processing
Unit）３２０、操作部３３０、ＲＯＭ（Read Only Memory）３４０、ＲＡＭ（Random Access Memory）３５０、通信部３６０、表示部３７０、音出力部３８０を含んで構成されている。なお、本実施形態の電子機器は、図１６の構成要素（各部）の一部を省略又は変更し、あるいは他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０１０９】
物理量センサー３１０は、物理量を検出し、検出した物理量に応じたレベルの信号（物理量信号）を出力する装置であり、例えば、加速度、角速度、速度等の物理量の少なくとも一部を検出する慣性センサーであってもよいし、傾斜角を計測する傾斜計であってもよい。物理量センサー３１０として、例えば、上述の各実施形態の物理量センサー１を適用することができる。
【０１１０】
ＣＰＵ３２０は、ＲＯＭ３４０等に記憶されているプログラムに従い、物理量センサー３１０が出力する物理量信号を用いて各種の計算処理や制御処理を行う。その他、ＣＰＵ３２０は、操作部３３０からの操作信号に応じた各種の処理、外部とデータ通信を行うために通信部３６０を制御する処理、表示部３７０に各種の情報を表示させるための表示信号を送信する処理、音出力部３８０に各種の音を出力させる処理等を行う。
【０１１１】
操作部３３０は、操作キーやボタンスイッチ等により構成される入力装置であり、ユーザーによる操作に応じた操作信号をＣＰＵ３２０に出力する。
【０１１２】
ＲＯＭ３４０は、ＣＰＵ３２０が各種の計算処理や制御処理を行うためのプログラムやデータ等を記憶している。
【０１１３】
ＲＡＭ３５０は、ＣＰＵ３２０の作業領域として用いられ、ＲＯＭ３４０から読み出されたプログラムやデータ、操作部３３０から入力されたデータ、ＣＰＵ３２０が各種プログラムに従って実行した演算結果等を一時的に記憶する。
【０１１４】
通信部３６０は、ＣＰＵ３２０と外部装置との間のデータ通信を成立させるための各種制御を行う。
【０１１５】
表示部３７０は、ＬＣＤ（Liquid Crystal Display）、あるいは有機ＥＬディスプレイ等により構成される表示装置であり、ＣＰＵ３２０から入力される表示信号に基づいて各種の情報を表示する。表示部３７０には操作部３３０として機能するタッチパネルが設けられていてもよい。
【０１１６】
音出力部３８０は、スピーカー等の音を出力する装置である。
【０１１７】
物理量センサー３１０として上述した本実施形態の物理量センサー１を組み込むことにより、より信頼性の高い電子機器を実現することができる。
【０１１８】
このような電子機器３００としては種々の電子機器が考えられ、例えば、パーソナルコンピューター（例えば、モバイル型パーソナルコンピューター、ラップトップ型パーソナルコンピューター、ノート型パーソナルコンピューター、タブレット型パーソナルコンピューター）、携帯電話機などの移動体端末、ディジタルスチールカメラ、インクジェット式吐出装置（例えば、インクジェットプリンター）、ルーターやスイッチなどのストレージエリアネットワーク機器、ローカルエリアネットワーク機器、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳（通信機能付も含む）、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ゲーム用コントローラー、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、ＰＯＳ端末、医療機器（例えば、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡）、魚群探知機、各種測定機器、計器類（例えば、車両、航空機、船舶の計器類）、フライトシミュレーター、ヘッドマウントディスプレイ、モーショントレース、モーショントラッキング、モーションコントローラー、ＰＤＲ（歩行者位置方位計測）等が挙げられる。
【０１１９】
３．移動体
図１８は、本実施形態の移動体の一例を示す図（上面図）である。図１８に示す移動体４００は、物理量センサー４１０，４２０，４３０、コントローラー４４０，４５０，４６０、バッテリー４７０を含んで構成されている。なお、本実施形態の移動体は、図１８の構成要素（各部）の一部を省略又は変更してもよいし、他の構成要素を付加した構成としてもよい。
【０１２０】
物理量センサー４１０，４２０，４３０、コントローラー４４０，４５０，４６０は、バッテリー４７０から供給される電源電圧で動作する。
【０１２１】
物理量センサー４１０，４２０，４３０は、物理量を検出し、検出した物理量に応じたレベルの信号（物理量信号）を出力する装置であり、それぞれ、例えば、角速度センサー、加速度センサー、速度センサー、傾斜計等である。
【０１２２】
コントローラー４４０，４５０，４６０は、それぞれ、物理量センサー４１０，４２０，４３０が出力する物理量信号の一部又は全部を用いて、姿勢制御システム、横転防止システム、ブレーキシステム等の各種の制御を行う。
【０１２３】
物理量センサー４１０，４２０，４３０として、上述の各実施形態の物理量センサー１を適用することができ、これにより高い信頼性を確保することができる。
【０１２４】
このような移動体４００としては種々の移動体が考えられ、例えば、自動車（電気自動車も含む）、ジェット機やヘリコプター等の航空機、船舶、ロケット、人工衛星等が挙げられる。
【０１２５】
４．変形例
本発明は本実施形態に限定されず、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が可能である。
【０１２６】
例えば、上述した実施形態では、いずれも、第２の導体パターンの一部は、セラミックパッケージ３０の底面と垂直又は平行な方向から視た時に、直線形状（略直線状）又はメ
アンダ形状になっているが、Ｌ字形状や階段状など、直線形状（略直線状）やメアンダ形状以外の形状であってもよい。
【０１２７】
上述した各実施形態及び変形例は一例であって、これらに限定されるわけではない。例えば、各実施形態及び変形例を適宜組み合わせることも可能である。
【０１２８】
本発明は、実施の形態で説明した構成と実質的に同一の構成（例えば、機能、方法及び結果が同一の構成、あるいは目的及び効果が同一の構成）を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成の本質的でない部分を置き換えた構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成と同一の作用効果を奏する構成又は同一の目的を達成することができる構成を含む。また、本発明は、実施の形態で説明した構成に公知技術を付加した構成を含む。
【符号の説明】
【０１２９】
１  物理量センサー、１０  集積回路（ＩＣ）、１１  駆動回路、１２  検出回路、１３
温度センサー、１４  電源電圧センサー、１５  基準電圧回路、１６  シリアルインターフェース回路、１７  不揮発性メモリー、１８  切替制御回路、１９  端子機能切替回路、２０  センサー素子、３０  セラミックパッケージ、４０  センサー素子保持部材、５０  蓋部（リッド）、３１Ａ〜３１Ｅ  セラミック基板、６１，６３，６３Ａ〜６３Ｇ，６５，６５Ａ〜６５Ｇ，６７，６９，７１〜７５  配線パターン、６２，６４，６４Ａ〜６４Ｍ，６６，６８  ビア、７０  メタライズ領域、８０  高抵抗材料、３００  電子機器、３１０  物理量センサー、３２０  ＣＰＵ、３３０  操作部、３４０  ＲＯＭ、３５０  ＲＡＭ、３６０  通信部、３７０  表示部、３８０  音出力部、４００  移動体、４１０，４２０，４３０  物理量センサー、４４０，４５０，４６０  コントローラー、４７０  バッテリー
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図６】
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【図８】
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【図１４】
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【図１５】
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