(57)【要約】【課題】冷媒の漏出による主電極端子同士の短絡を防止しつつ、確実かつ早期に漏電を検出することができる電力変換装置を提供すること。【解決手段】電力変換装置１は、半導体ユニット１０と、半導体ユニット１０を収容する導電性を備えるケース４と、半導体ユニット１０と対向するように、半導体ユニット１０の下方に配されたベースプレート４２と、ベースプレート４２と半導体モジュール２との間における通電を検出する通電検出手段とを有している。半導体ユニット１０は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール２と、内部に冷媒を流通させる冷却チューブ３１を備え半導体モジュール２を冷却する冷却装置３とを有している。半導体モジュール２における３つの主電極端子２３のうち、正極端子２４は、他の主電極端子２３よりも、ベースプレート４２に向かって突出した突出部２４１を備えている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール（２）と、内部に冷媒を流通させる冷却チューブ（３１）を備え上記半導体モジュール（２）を冷却する冷却装置（３）とを有する半導体ユニット（１０）と、
該半導体ユニット（１０）を収容する導電性を備えるケース（４）と、
該ベースプレート（４２）と上記半導体モジュール（２）との間における通電を検出する通電検出手段とを有しており、
上記半導体ユニット（１０）の下方には、該半導体ユニット（１０）と対向するようにベースプレート（４２）が配されており、
上記半導体モジュール（２）における複数の主電極端子（２３）のうち、正極端子（２４）、負極端子（２５）、又は出力端子（２６）のいずれか１つが、他の主電極端子（２３）よりも、上記ベースプレート（４２）に向かって突出した突出部（２４１）を備えていることを特徴とする電力変換装置（１）。
【請求項２】
上記ベースプレート（４２）における上記半導体ユニット（１０）との対向面（４５）には、上記半導体ユニット（１０）に向かって、板状のリブ（４６、４６１、４６２、４６３）が少なくとも１つ立設していることを特徴とする請求項１に記載の電力変換装置（１）。
【請求項３】
上記ベースプレート（４２）の上記対向面（４５）に直交する方向から見たとき、上記リブ（４６、４６１、４６２、４６３）は、上記突出部（２４１）を有する主電極端子（２３）を囲うように周状に形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電力変換装置（１）。
【請求項４】
上記リブ（４６、４６１、４６２、４６３）の先端部は、上記突出部（２４１）における上記ベースプレート（４２）側に配された先端部よりも、上記半導体ユニット（１０）側の位置に配されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の電力変換装置（１）。
【請求項５】
上記突出部（２４１）は、上記ベースプレート（４２）の上記対向面（４５）に沿うように延設された拡大検出部（２４２）を有していることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の電力変換装置（１）。
【請求項６】
上記ケース（４）における上記ベースプレート（４２）よりも下方には、補助電源装置（５１）と該補助電源装置（５１）を冷却するための補助冷却装置（５２）とが配されており、上記補助冷却装置（５２）は、冷媒を流通する補助冷媒流路（５３）を備えており、該補助冷媒流路（５３）における天井面（５３５）の少なくとも一部が、上記ベースプレート（４２）の上記対向面（４５）によって形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載の電力変換装置（１）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力変換装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気自動車やハイブリッド自動車等には、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュールを備えた半導体ユニットと、半導体ユニットを収容するケースとを備えた電力変換装置が用いられている。半導体ユニットは、半導体モジュールと、半導体モジュールを冷却するための冷却装置とを有している。この冷却装置は、内部に冷媒を流通する冷却水路を備えており、冷却水路を流通する冷媒と半導体モジュールとの間において熱交換を行うことで、半導体モジュールを冷却するよう構成されている。
【０００３】
このような電力変換装置において、万が一、冷媒が冷却水路から漏れ出ると、冷媒によって半導体モジュールの主電極端子における短絡が生じるおそれがある。そのため、電力変換装置と、電力変換装置が接続された電気回路との間には、定格以上の電流が流れることを防止するヒューズが設けられている。
【０００４】
また、冷媒による主電極端子の短絡を防止する構造としては、例えば、特許文献１に開示されたものがある。特許文献１に示された電力変換装置は、複数の半導体モジュールと、該半導体モジュールを収容するケースと、該ケース内に形成された冷却水路とを備えている。
ケースは、複数の半導体モジュールをそれぞれ収容する上段収容部、中段部及び下段収容部を有しており、上段収容部と中段部との間には、隔壁が形成されている。
【０００５】
この隔壁は、上段収容部と中段部及び下段収容部との間を繋ぐように貫通形成されると共に電気線を挿通する連通孔と、冷媒を流通する冷却水路と、連通孔と冷却水路との間に形成された溝とを有している。つまり、隔壁は、複数の半導体モジュールを冷却する冷却装置を兼ねるものである。また、溝を設けることにより、隔壁内部において、冷却水路から連通孔側に向かって冷媒が漏れ出した際に、冷媒を溝内に流通させることでケース外部へと排出しようとしている。これにより、連通孔を介して冷媒がケース内へと漏れ出ることを防ぎ、電力変換装置における漏電の防止を図っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−１９３３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記の電力変換装置には以下の課題がある。
上記の電力変換装置においては、冷却水路から漏れ出た冷媒が全て溝から外部へ排出されればよいが、ケース内の他の箇所へ冷媒が漏出すると、主電極端子同士が短絡することも考えられる。この場合、電力変換装置から、接続された電気回路へと定格以上の電流が流れようとするため、両者の間に配されたヒューズが溶断する。そのため、電力変換装置の修理、交換に加えて、ヒューズの交換を行う必要が生じる。
【０００８】
本発明は、かかる背景に鑑みてなされたものであり、冷媒の漏出による主電極端子同士の短絡を防止しつつ、確実かつ早期に漏電を検出することができ、電力変換装置を提供しようとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一態様は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュールと、内部に冷媒を流通させる冷却チューブを備え上記半導体モジュールを冷却する冷却装置とを有する半導体ユニットと、
該半導体ユニットを収容する導電性を備えるケースと、
上記半導体ユニットと対向するように、上記半導体ユニットの下方に配されたベースプレートと、
該ベースプレートと上記半導体モジュールとの間における通電を検出する通電検出手段とを有しており、
上記半導体モジュールにおける複数の主電極端子のうち、正極端子、負極端子、又は出力端子のいずれか１つが、他の主電極端子よりも、上記ベースプレートに向かって突出した突出部を備えていることを特徴とする電力変換装置にある。
【発明の効果】
【００１０】
上記電力変換装置においては、上記ベースプレートと上記突出部を備えた主電極端子とを備えている。そのため、上記主電極端子同士の短絡が生じる前に、上記通電検出手段によって、上記半導体モジュールと上記ケースとの間における漏電を早期に検出することができる。
すなわち、上記電力変換装置の上記冷却装置において、冷媒の漏出が発生した際に、漏出した冷媒は下方に落下する。そして、落下した冷媒は、上記半導体ユニットの下方に対向して配された、上記ベースプレート上に滞留する。
【００１１】
上記ベースプレート上に滞留した冷媒は、上記ベースプレートと上記突出部との間に位置すると、該ベースプレートと該突出部とを電気的に接続する。このとき、上記突出部を有する上記主電極端子は、正極端子、負極端子、出力端子のいずれか一つであるため、その一つの主電極端子が上記ベースプレートとの間において通電する一方で、各主電極端子間における短絡は生じない。
【００１２】
上記ベースプレートと上記主電極端子との間における通電を、上記通電検出手段によって検出することにより、上記電力変換装置における冷媒の漏出を、上記主電極端子同士に短絡を生じさせることなく、確実かつ早期に検知することができる。
【００１３】
以上のごとく、上記電力変換装置によれば、冷媒の漏出による主電極端子同士の短絡を防止しつつ、確実かつ早期に漏電を検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施例１における、電力変換装置の断面図。
【図２】図１における、II−II矢視断面図。
【図３】図２における、III−III矢視断面図。
【図４】実施例１における、ケースの断面図（図１における、II−II矢視断面相当）。
【図５】実施例２における、電力変換装置の部分断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
上記電力変換装置において、上記ベースプレートにおける上記半導体ユニットとの対向面には、上記半導体ユニットに向かって、板状のリブが少なくとも１つ立設していてもよい。この場合には、上記ベースプレート上に滞留した冷媒が、該ベースプレートから流れ落ちることを防止することができる。これにより、上記突出部と上記冷媒とを接触させやすくし、冷媒漏出時の検出精度を向上することができる。
【００１６】
また、上記ベースプレートの上記対向面に直交する方向から見たとき、上記リブは、上記突出部を有する主電極端子を囲うように周状に形成されていることが好ましい。この場合には、周状に形成された上記リブの内周に冷媒を貯留することができる。これにより、冷媒漏出時の検出精度を、さらに向上することができる。
【００１７】
また、上記リブの先端部は、上記突出部における上記ベースプレート側に配された先端部よりも、上記半導体ユニット側の位置に配されていることが好ましい。この場合には、上記ベースプレート上に滞留した冷媒と、上記突出部とを、より確実に接触させることができる。これにより、冷媒漏出時の検出精度を、向上することができる。
【実施例】
【００１８】
（実施例１）
上記電力変換装置にかかる実施例について、図１〜図４を参照して説明する。
図１〜図３に示すごとく、本例の電力変換装置１は、半導体ユニット１０と、半導体ユニット１０を収容する導電性を備えるケース４と、半導体ユニット１０と対向するように、半導体ユニット１０の下方に配されたベースプレート４２と、ベースプレート４２と半導体モジュール２との間における通電を検出する通電検出手段（図示略）とを有している。
半導体ユニット１０は、スイッチング素子を内蔵した半導体モジュール２と、内部に冷媒を流通させる冷却チューブ３１を備え半導体モジュール２を冷却する冷却装置３とを有している。
半導体モジュール２における３つの主電極端子２３のうち、正極端子２４は、他の主電極端子２３よりも、ベースプレート４２に向かって突出した突出部２４１を備えている。
【００１９】
以下、さらに詳細に説明する。
本例においては、図１及び図２に示すごとく、半導体モジュール２と冷却装置３の冷却チューブ３１とが積層された方向を積層方向Ｘ、冷却チューブ３１の長手方向を横方向Ｙ、また、積層方向Ｘ及び横方向Ｙの両方に対して直交する方向を高さ方向Ｚとして、以下説明する。
また、積層方向Ｘにおいて、冷媒導入管３４１及び冷媒排出管３４２がケース４から突出した先端部側を前方とし、反対側を後方とする。また、高さ方向Ｚにおいて、後述するＤＣ−ＤＣコンバータが配される側を下方とし、反対側を上方とする。
【００２０】
本例の電力変換装置１は、例えば、ハイブリッド自動車等において、直流電源から、三相交流モータ（図示略）に通電する駆動電流（Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相）を生成するための装置である。
図１〜図３に示すごとく、電力変換装置１は、複数の半導体モジュール２を備えた半導体ユニット１０と、半導体ユニット１０と共に電力変換回路を構成する電子部品６と、直流電圧を変圧するための補助電源装置５１と、補助電源装置５１を冷却する補助冷却装置５２と、これらを内包するケース４とを有している。
【００２１】
図１〜図３に示すごとく、ケース４は、アルミニウム合金によって形成されており、周状に配された４つの壁部４１と、壁部４１に囲まれた空間を上下に分割するベースプレート４２と、壁部４１における上端及び下端の開口部を覆う上方蓋体４７１及び下方蓋体４７２とを有している。
【００２２】
図１〜図３に示すごとく、４つの壁部４１は、高さ方向Ｚに沿って延びる略角筒状をなしており、上端及び下端が開口している。壁部４１の内側の空間は、高さ方向Ｚにおける略中央に配されたベースプレート４２によって、上下に２分割されており、上方に配された上段収容部４０１と、下方に配された下段収容部４０２とを形成している。尚、本例において、上段収容部４０１には、半導体ユニット１０と、半導体ユニット１０共に電力変換回路を構成する電子部品６であるコンデンサ６１の上方側及びリアクトル６２が収容されている。また、下段収容部４０２には、補助電源装置５１であるＤＣ−ＤＣコンバータと、コンデンサ６１の下方側が配されている。
【００２３】
図４に示すごとく、ベースプレート４２は、リアクトル６２が配置されるリアクトル配置部４３と、コンデンサ６１が挿通配置されるコンデンサ配置孔４４と、半導体ユニット１０と対向する対向面４５とを有している。また、ベースプレート４２の内部には、冷媒を流通可能な補助冷媒流路５３が形成されている。
【００２４】
図２及び図４に示すごとく、ベースプレート４２の上面側に形成されたリアクトル配置部４３は、円柱状をなすリアクトル６２の外径よりも若干大きい内径を有する円筒状をなしており、内側にリアクトル６２を配置可能に形成されている。
コンデンサ配置孔４４は、積層方向Ｘに並んで配されたリアクトル配置部４３及びコンデンサ配置孔４４の横方向Ｙに形成されている。コンデンサ配置孔４４は、長手方向が積層方向Ｘとなる略長方形状をなしている。コンデンサ配置孔４４に挿通配置されたコンデンサ６１は、上方側が上段収容部４０１に配され、下方側が下段収容部４０２に配される。
【００２５】
図１、図３及び図４に示すごとく、半導体ユニット１０と高さ方向Ｚにおいて対向する対向面４５は、上方から見たとき、リアクトル配置部４３の前方側に形成されている。対向面４５は、半導体ユニット１０における積層部１１の外形よりも大きく形成されており、対向面４５上には、半導体ユニット１０側に向かってリブ４６が立設している。
【００２６】
図１〜図４に示すごとく、リブ４６は、コンデンサ配置孔４４との境界及び、リアクトル配置部４３との境界にそれぞれ形成された外側リブ４６１、後方リブ４６２と、対向面４５の横方向Ｙにおける略中央位置において積層方向Ｘに沿って形成された内側リブ４６３とを有している。また、本例において、前方側に配された前方壁部４１１は、リブ４６を兼ねるものである。
【００２７】
図１〜図３に示すごとく、外側リブ４６１は、対向面４５におけるコンデンサ配置孔４４側の外周縁に、前方に配された壁部４１と後方リブ４６２とをつなぐように形成されている。
【００２８】
図１〜図３に示すごとく、後方リブ４６２は、リアクトル配置部４３との境界において、外側リブ４６１と直交して形成されている。後方リブ４６２の高さ方向Ｚにおける高さ寸法は、外側リブ４６１及び内側リブ４６３よりも大きく設定してある。また、外側リブ４６１の一端は、後方リブ４６２の内周面につながるように形成されており、外側リブ４６１の他端は、前方壁部４１１の内周面と当接している。また、後方リブ４６２の他端は、横方向Ｙにおけるコンデンサ配置孔４４と反対側に配された壁部４１の内周面から離れた位置に配されている。つまり、壁部４１との間には空隙が形成されている。
【００２９】
図２及び図３に示すごとく、内側リブ４６３は、対向面４５における横方向Ｙの略中央位置において、積層方向Ｘに延びるように形成されており、一端が前方壁部４１１の内周面と繋がり、他端が後方リブ４６２と繋がっている。つまり、前方壁部４１１、外側リブ４６１、後方リブ４６２及び内側リブ４６３は、対向面４５上に周状に形成されており、その内側に液体を貯留可能に構成されている。また、本例において、内側リブ４６３の高さは、後方リブ４６２の高さと同一に設定してある。
【００３０】
図１〜図４に示すごとく、ベースプレート４２の内部において、対向面４５及びリアクトル配置部４３の下方には、冷媒を流通する補助冷媒流路５３が形成されている。したがって、対向面４５は、補助冷媒流路５３の天井面５３５の一部を構成している。
前方壁部４１１には、補助冷媒流路５３と連通した補助冷媒導入口５３３及び補助冷媒排出口５３４が形成されており、補助冷媒導入口５３３から積層方向Ｘに沿って後方側に延びる往路５３１と、リアクトル配置部４３の下方において往路５３１から折り返して補助冷媒導入口５３３へと延びる復路５３２とを有している。したがって、補助冷媒流路５３内に冷媒を流通させることにより、ベースプレート４２によって補助電源装置５１を冷却することができる。つまり、ベースプレート４２が、補助電源装置５１を冷却する補助冷却装置５２をなしている。
【００３１】
図１及び図３に示すごとく、ケース４の下段収容部４０２に配された補助電源装置５１は、ベースプレート４２の下面に当接するように固定されている。したがって、補助電源装置５１は、ベースプレート４２からなる補助冷却装置５２によって、効果的に冷却される。
また、本例においては、ベースプレート４２によって、リアクトル配置部４３に配されたリアクトル６２に対しても冷却効果を得ることができる。
【００３２】
図１〜図３に示すごとく、ケース４の上段収容部４０１に収容された半導体ユニット１０は、スイッチング素子を内蔵した複数の半導体モジュール２と、半導体モジュール２を冷却する冷却装置３とを備えている。
【００３３】
図１〜図３に示すごとく、冷却装置３は、半導体モジュール２の両面に配された冷却チューブ３１と、冷却チューブ３１へ冷媒を循環させるための冷媒導入管３４１及び冷媒排出管３４２を有している。本例において、冷却チューブ３１は、アルミニウム等の金属によって構成されており、内部に冷媒を流通する冷媒流路３２を有している。複数の冷却チューブ３１は、半導体モジュール２を両面から挟持するように配されており、隣り合う冷却チューブ３１は、横方向Ｙの両端部付近において連結管３３によって、互いに連結されている。そして、冷却チューブ３１と半導体モジュール２とが交互に積層されることによって、積層部１１が形成されている。
【００３４】
図１〜図３に示すごとく、冷媒導入管３４１及び冷媒排出管３４２は、積層部１１の前端部に配された冷却チューブ３１の前面から、前方に向かって突出するよう設けてある。冷媒導入管３４１から導入された冷媒は、適宜連結管３３を通り、各冷却チューブ３１に分配されると共にその長手方向（横方向Ｙ）に流通する。そして、各冷却チューブ３１を流れる間に、冷媒は半導体モジュール２との間で熱交換を行う。熱交換により温度上昇した冷媒は、下流側の連結管３３を通り、冷媒排出管３４２に導かれ排出される。冷媒としては、例えば、水やアンモニア等の自然冷媒、エチレングリコール系の不凍液を混入した水、フロリナート等のフッ化炭素系冷媒、ＨＣＦＣ１２３、ＨＦＣ１３４ａ等のフロン系冷媒、メタノール、アルコール等のアルコール系冷媒、アセトン等のケトン系冷媒等の冷媒を用いることができる。
【００３５】
図１〜図３に示すごとく、半導体モジュール２は、スイッチング素子を有する本体部２１と、本体部２１から上方に向かって延びる複数の制御端子２２と、本体部２１から下方に向かって延びる複数の主電極端子２３とを有している。
【００３６】
図１〜図３に示すごとく、半導体ユニット１０を構成する半導体モジュール２としては、例えばＩＧＢＴ（絶縁ゲートバイポーラトランジスタ）、ＭＯＳＦＥＴ（ＭＯＳ型電界効果トランジスタ）等のスイッチング素子を内蔵してなる。本例の半導体モジュール２における本体部２１は、平板状をなしており、２つのスイッチング素子を樹脂モールドして形成されている。
本体部２１から上方に延びるよう形成された制御端子２２は、制御回路基板７と接続されており、スイッチング素子を制御する制御電流が入力される。
【００３７】
図３に示すごとく、本体部２１から下方に延びるよう形成された主電極端子２３は、正極端子２４、負極端子２５及び出力端子２６の３つからなる。尚、各半導体モジュール２の出力端子２６は、複数のスイッチング素子によって形成されたブリッジ回路において、Ｕ相、Ｖ相、Ｗ相のいずれかを出力するように設定してある。
【００３８】
図１及び図３に示すごとく、本例の正極端子２４には、負極端子２５及び出力端子２６よりもベースプレート４２側に突出した突出部２４１が形成されている。突出部２４１は、正極端子２４の先端からベースプレート４２側に向かって延設されており、上方から見たとき、周状に形成されたリブ４６の内側に配されている。また、高さ方向Ｚにおいて、外側リブ４６１及び内側リブ４６３の先端部が、突出部２４１の先端部よりも半導体ユニット１０側の位置に配されている。つまり、突出部２４１は、高さ方向Ｚにおいても、周状に形成されたリブ４６の内側の位置に配されている。本例においては、半導体ユニット１０を構成する半導体モジュール２の正極端子２４すべてに突出部２４１を形成してある。
尚、負極端子２５及び出力端子２６の先端部は、いずれも外側リブ４６１及び内側リブ４６３の先端部よりも半導体ユニット１０側の位置に配されている。
【００３９】
上述のケース４及び半導体モジュール２には、図示しない通電検出手段が接続されている。この通電検出手段は、ケース４と半導体モジュール２との間における通電を検出可能に構成されており、ベースプレート４２上に冷媒が滞留し、突出部２４１と冷媒とが接触することにより、突出部２４１とベースプレート４２とが電気的に接続されたことを検出することができる。尚、通電検出手段は、電力変換装置１に一体に設けてあってもよいし、別体として、例えば、車両側の電気回路に組み込まれていてもよい。
【００４０】
次に、本例の作用効果について説明する。
電力変換装置１においては、ベースプレート４２と突出部２４１を備えた主電極端子２３とを備えている。そのため、主電極端子２３同士の短絡が生じる前に、通電検出手段によって、半導体モジュール２とケース４との間における漏電を早期に検出することができる。
すなわち、電力変換装置１の冷却装置３において、冷媒の漏出が発生した際に、漏出した冷媒は下方に落下する。そして、落下した冷媒は、半導体ユニット１０の下方に対向して配された、ベースプレート４２上に滞留する。
【００４１】
ベースプレート４２上に滞留した冷媒は、ベースプレート４２と突出部２４１との間に位置すると、ベースプレート４２と突出部２４１とを電気的に接続する。このとき、突出部２４１を有する主電極端子２３は、正極端子２４のみであるため、正極端子２３とベースプレート４２との間に通電する一方で、各主電極端子２３の間において短絡は生じない。
【００４２】
ベースプレート４２と主電極端子２３との間における通電を、通電検出手段によって検出することにより、電力変換装置１における冷媒の漏出を、主電極端子２３同士に短絡を生じさせることなく、確実かつ早期に検知することができる。
【００４３】
電力変換装置１において、ベースプレート４２における半導体ユニット１０との対向面４５には、半導体ユニット１０に向かって、板状のリブ４６が少なくとも１つ立設している。そのため、ベースプレート４２上に滞留した冷媒が、ベースプレート４２から流れ落ちることを防止することができる。これにより、突出部２４１と冷媒とを接触させやすくし、冷媒漏出時の検出精度を向上することができる。
【００４４】
また、ベースプレート４２の対向面４５に直交する方向から見たとき、リブ４６は、突出部２４１を有する主電極端子２３を囲うように周状に形成されている。そのため、周状に形成されたリブ４６の内周に冷媒を貯留することができる。これにより、冷媒漏出時の検出精度を、さらに向上することができる。
【００４５】
また、リブ４６の先端部は、突出部２４１におけるベースプレート４２側に配された先端部よりも、半導体ユニット１０側の位置に配されている。そのため、ベースプレート４２上に滞留した冷媒と、突出部２４１とをより確実に接触させることができる。これにより、冷媒漏出時の検出精度を、向上することができる。
【００４６】
また、ケース４におけるベースプレート４２よりも下方には、補助電源装置５１と補助電源装置５１を冷却するための補助冷却装置５２とが配されており、補助冷却装置５２は、冷媒を流通する補助冷媒流路５３を備えており、補助冷媒流路５３における天井面５３５の少なくとも一部が、ベースプレート４２によって形成されている。そのため、補助冷却装置５２内の冷媒が、ベースプレート４２側に漏出した際にも、突出部２４１によって漏出を検出することができる。
【００４７】
以上のごとく、本例の電力変換装置１によれば、冷媒の漏出による主電極端子２３同士の短絡を防止しつつ、確実かつ早期に漏電を検出することができる。
【００４８】
また、本例においては、主電極端子２３自体を延長したが、複数の主電極端子２３を同一の突出量とし、別部材を接合することによって突出部２４１を形成してもよい。
また、本例においては、半導体ユニット１０を構成するすべての半導体モジュール２の正極端子２４に突出部２４１を形成したが、これに限るものではなく、一部の半導体モジュール２の正極端子２４に突出部２４１を形成してもよい。また、正極端子２４に突出部２４１を形成したが、負極端子２５又は出力端子２６に突出部２４１を形成してもよい。
【００４９】
（実施例２）
本例は、実施例１における電力変換装置１の構造を一部変更した例である。
図５に示すごとく、本例の突出部２４１は、主電極端子２３から延設された突出本体部２４３と、突出本体部２４３から横方向Ｙ両側に延設された拡大検出部２４２とを有している。
拡大検出部２４２は、ベースプレート４２における対向面４５に沿うように、ベースプレート４２に対して一定の間隔を介して配されている。尚、本例に示す突出部２４１は、主電極端子２３と別体で形成されたものを接合してある。
【００５０】
また、図５に示すごとく、対向面４５上には、横方向Ｙにおいて、互いに対向するよう一対のリブ４６が形成されている。一対のリブ４６の間の距離は、冷却チューブ３１における横方向Ｙの長さ寸法と略同一に設定してある。
尚、本例又は本例に関する図面に用いた符号のうち、実施例１において用いた符号と同一のものは、特に示さない限り、実施例１と同様の構成要素等を表す。
【００５１】
本例に示す、突出部２４１は、ベースプレート４２の対向面４５に沿うように突出部２４１から延設された拡大検出部２４２を有していてもよい。この場合には、突出部２４１における、冷媒との接触可能な範囲を拡大することができる。これにより、冷媒の漏出を、より確実に検知することができる。
【００５２】
本例においては、横方向Ｙ両側に延びるように拡大検出部２４２を形成したが、これに限るものではなく、横方向Ｙの一方又は積層方向Ｘに延びるように形成してもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１  電力変換装置
１０  半導体ユニット
２  半導体モジュール
２３  主電極端子
２４  正極端子
２４１  突出部
２５  負極端子
２６  出力端子
３  冷却装置
３１  冷却チューブ
４  ケース
４２  ベースプレート
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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