(57)【要約】【課題】  基板にスルーホールが形成されていても、スルーホールを通る気流の影響を排除または軽減して、基板に対して作用を施すことが可能な基板処理装置を提供する。【解決手段】  ステージに、スルーホールが形成された基板が保持される。保持された基板を吸引する複数の吸引孔が、ステージの保持面に開口している。搬送装置が、基板をステージの保持面まで搬送する。制御装置が搬送装置を制御する。制御装置は、ステージに保持される基板に形成されているスルーホールの位置、ステージに形成されている吸引孔の位置を記憶する記憶部を含む。さらに、搬送装置を制御して、記憶部に記憶されているスルーホールの位置及び吸引孔の位置に基づいて、基板を吸引するスルーホールが吸引孔と重ならないように、基板をステージに対して位置決めしてステージに載せる。【選択図】  図５
2014116391.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スルーホールが形成された基板を保持面に保持し、保持された基板を吸引する複数の吸引孔が前記保持面に開口しているステージと、
基板を、前記ステージの保持面まで搬送する搬送装置と、
前記搬送装置を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記ステージに保持される基板に形成されているスルーホールの位置、前記ステージに形成されている前記吸引孔の位置を記憶する記憶部を含み、
前記搬送装置を制御して、前記記憶部に記憶されている前記スルーホールの位置及び前記吸引孔の位置に基づいて、前記基板を吸引する前記スルーホールが前記吸引孔と重ならないように、前記基板を前記ステージに対して位置決めして、前記ステージに載せる基板処理装置。
【請求項２】
前記ステージは、複数の前記吸引孔の相対位置関係を変化させる相対位置調整機構を含む請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
さらに、前記相対位置調整機構によって相対位置関係が調整された前記吸引孔の相対位置関係を前記制御装置に入力するための入力装置を有し、
前記制御装置は、前記入力装置から入力された前記吸引孔の相対位置関係に基づいて、前記スルーホールが前記吸引孔と重ならないように、前記基板を前記ステージに対して位置決めする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記ステージは複数のサブステージを含み、前記吸引孔は、複数の前記サブステージの各々に形成されており、
前記相対位置調整機構は、複数の前記サブステージを、前記保持面の面内の一方向に相対的に移動可能に支持する請求項２または３に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記ステージは、複数の前記吸引孔のうち一部の吸引孔を塞ぐ閉塞機構を有する請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項６】
さらに、前記閉塞機構によって閉塞された前記吸引孔の位置情報を前記制御装置に入力するための入力装置を有し、
前記制御装置は、前記入力装置から入力された前記位置情報に基づいて、塞がれた前記吸引孔と前記スルーホールとの重なりを許容する条件で、前記基板を前記ステージに対して位置決めする請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記閉塞機構は、前記保持面の上または下に重ねて配置される閉塞板を含み、前記閉塞板は、複数の前記吸引孔のうち一部の吸引孔の流路を塞ぐ請求項５または６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
さらに、
前記ステージに保持された基板に対向し、前記基板に向けて薄膜材料の液滴を吐出させるノズルユニットと、
前記ノズルユニット及び前記ステージの一方を他方に対して、前記保持面に平行な方向に移動させる移動機構と
を有する請求項１乃至７のいずれか１項に記載の基板処理装置。
【請求項９】
保持面に複数の吸引孔が開口したステージの前記保持面に、スルーホールが形成された基板を載せて、前記吸引孔を通して前記基板を吸引して固定する工程と、
前記基板を前記ステージに固定した後、前記基板の表面に向けて、薄膜材料の液滴を吐出することにより薄膜を形成する工程と
を有し、
前記薄膜材料の液滴を吐出する前に、前記スルーホールに重なる前記吸引孔を塞ぐ工程を有する基板製造方法。
【請求項１０】
前記吸引孔を塞ぐ工程において、前記保持面の上または下に、複数の前記吸引孔のうち一部の吸引孔の流路を塞ぐ閉塞板を配置する請求項９に記載の基板製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板をステージに吸着して基板に作用を施す基板処理装置及び基板製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ノズルヘッドから薄膜パターン形成用の材料を含んだ液滴を吐出して、基板の表面に薄膜パターンを形成する技術が知られている（例えば特許文献１）。
【０００３】
このような薄膜形成技術において、例えば、基板にはプリント配線基板が用いられ、薄膜材料にはソルダーレジストが用いられる。プリント配線基板は、基材及び配線を含み、所定の位置に電子部品等がはんだ付けされる。ソルダーレジストは、電子部品等をはんだ付けする導体部分を露出させ、はんだ付けが不要な部分を覆う。全面にソルダーレジストを塗布した後、フォトリソグラフィ技術を用いて開口を形成する方法に比べて、製造コストの低減を図ることが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−１０４１０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通常、薄膜形成時に、基板が真空チャック等によってステージに吸着される。プリント基板には、一般的に、基板の両面に形成された配線同士を電気的に接続するためのスルーホールが形成されている。基板のスルーホールが真空チャックの吸引孔に重なると、スルーホールを通して気流が生じる。この気流が、薄膜パターンの形成に悪影響を与える場合がある。
【０００６】
本発明の目的は、基板にスルーホールが形成されていても、スルーホールを通る気流の影響を排除または軽減して、基板に対して作用を施すことが可能な基板処理装置及び基板製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一観点によると、
スルーホールが形成された基板を保持面に保持し、保持された基板を吸引する複数の吸引孔が前記保持面に開口しているステージと、
基板を、前記ステージの保持面まで搬送する搬送装置と、
前記搬送装置を制御する制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記ステージに保持される基板に形成されているスルーホールの位置、前記ステージに形成されている前記吸引孔の位置を記憶する記憶部を含み、
前記搬送装置を制御して、前記記憶部に記憶されている前記スルーホールの位置及び前記吸引孔の位置に基づいて、前記基板を吸引する前記スルーホールが前記吸引孔と重ならないように、前記基板を前記ステージに対して位置決めして、前記ステージに載せる基板処理装置が提供される。
【０００８】
本発明の他の観点によると、
保持面に複数の吸引孔が開口したステージの前記保持面に、スルーホールが形成された
基板を載せて、前記吸引孔を通して前記基板を吸引して固定する工程と、
前記基板を前記ステージに固定した後、前記基板の表面に向けて、薄膜材料の液滴を吐出することにより薄膜を形成する工程と
を有し、
前記薄膜材料の液滴を吐出する前に、前記スルーホールに重なる前記吸引孔を塞ぐ工程を有する基板製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
スルーホールと吸引孔とが重ならない条件で基板をステージに保持することにより、スルーホールを通る気流の発生を防止することができる。これにより、気流による悪影響を回避して、薄膜パターンを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、実施例１による基板製造装置の概略正面図である。
【図２】図２は、実施例１による基板製造装置の塗布ステーションの概略図である。
【図３】図３は、ノズルユニットの斜視図である。
【図４】図４Ａは、ステージの平面図であり、図４Ｂは、基板の平面図である。
【図５】図５Ａは、実施例１による方法でステージに基板を保持したときの吸引孔とスルーホールとの位置関係を示す線図であり、図５Ｂは、ステージ、基板、及びノズルヘッドの断面図である。
【図６】図６Ａは、比較例による方法でステージに基板を保持したときの吸引孔とスルーホールとの位置関係を示す線図であり、図６Ｂは、ステージ、基板、及びノズルヘッドの断面図である。
【図７】図７Ａは、実施例２による基板製造装置のステージの平面図であり、図７Ｂ及び図７Ｃは、それぞれ図７Ａの一点鎖線７Ｂ−７Ｂ、７Ｃ−７Ｃにおける断面図である。
【図８】図８Ａ及び図８Ｂは、実施例２による基板製造装置のステージ及び基板の平面図である。
【図９】図９Ａは、実施例３による基板製造装置のステージ及び基板の平面図であり、図９Ｂは、閉塞板の平面図である。
【図１０】図１０は、図９Ａの一点鎖線１０−１０における断面図である。
【図１１】図１１は、実施例３による基板製造装置のステージ及び閉塞板の斜視図である。
【図１２】図１２は、実施例４による基板製造装置のステージ及び基板の断面図である。
【図１３】図１３は、実施例５による基板製造装置のステージ及び基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
［実施例１］
【００１２】
図１に、実施例１による基板製造装置の概略正面図を示す。実施例１による薄膜形成装置は、搬入ステーション１０、仮位置決めステーション１１、塗布ステーション１２、本硬化ステーション１３、及び搬送装置１４を含む。水平面をｘｙ面とし、鉛直上方をｚ軸の正の向きとするｘｙｚ直交座標を定義する。搬入ステーション１０、仮位置決めステーション１１、塗布ステーション１２、及び本硬化ステーション１３が、ｘ軸の正の向きに向かってこの順番に配置されている。制御装置７０が、搬入ステーション１０、仮位置決めステーション１１、塗布ステーション１２、本硬化ステーション１３内の各装置、及び搬送装置１４を制御する。制御装置７０は、基板２７に形成すべき薄膜パターンの平面形状を定義する画像データを記憶している。この画像データは、ガーバーフォーマットの画
像データに基づいて生成されたラスタフォーマットの画像データである。
【００１３】
第１の搬送ローラ１５が、処理対象の基板２７を搬入ステーション１０から仮位置決めステーション１１まで、ｘ軸の正の向きに搬送する。第１の搬送ローラ１５で搬送されている基板２７の先端がストッパ１７に接触することにより、搬送方向（ｘ方向）に関して基板２７の位置決めが行われる。さらに、ｙ方向に関しても、位置決めが行われる。例えば、エアシリンダ等で基板２７を、ｙ方向用のストッパに接触するまでｙ方向に移動させることにより、ｙ方向に関する位置決めを行うことができる。
【００１４】
搬送装置１４が、仮位置決めステーション１１から塗布ステーション１２まで、及び塗布ステーション１２から本硬化ステーション１３まで基板２７を搬送する。搬送装置１４は、ガイド５０、及び２台のリフタ５１、５２を含む。リフタ５１、５２がガイド５０に案内されて、ｘ方向に移動する。リフタ５１、５２は、基板２７の上面に接触して、基板２７を吸着することにより、基板２７を保持して昇降させる。一方のリフタ５１は、仮位置決めステーション１１から塗布ステーション１２まで基板２７を搬送し、他方のリフタ５２は、塗布ステーション１２から本硬化ステーション１３まで基板２７を搬送する。
【００１５】
塗布ステーション１２にステージ２２が配置されている。ステージ２２は、移動機構２１により定盤２０に支持されている。移動機構２１は、ステージ２２をｘ方向及びｙ方向に移動させることができる。塗布ステーション１２で、基板２７の表面に、液状の薄膜材料が塗布される。塗布後、薄膜材料に硬化用の光、例えば紫外線が照射されることにより、その表層部が硬化する。基板２７に塗布された薄膜材料の表層部を硬化させ処理を「仮硬化」ということとする。これに対し、基板２７に塗布された薄膜材料の内部まで硬化させる処理を「本硬化」ということとする。
【００１６】
本硬化ステーション１３に、第２の搬送ローラ１６及び本硬化用光源１８が配置されている。第２の搬送ローラ１６が基板２７を搬送するときに、基板２７が本硬化用光源１８の下方を通過する。このとき、基板２７の表面に塗布されている薄膜に、本硬化用の光、例えば紫外線が照射される。これにより、基板２７に塗布されている薄膜材料が本硬化する。
【００１７】
図２に、実施例１による基板製造装置の塗布ステーション１２の概略図を示す。定盤２０の上に、移動機構２１によりステージ２２が支持されている。ステージ２２の上面（保持面）に、プリント配線板等の基板２７が保持される。移動機構２１は、ステージ２２をｘ方向及びｙ方向に移動させる。
【００１８】
定盤２０の上方に、ノズルユニット３０及び撮像装置２８が、支持部材２４よって支持されている。ノズルユニット３０及び撮像装置２８は、ｙ方向に関して、搬送装置１４（図１）と異なる位置に配置される。ノズルユニット３０は、ノズルユニット支持機構３１を介して支持部材２４に支持されており、ステージ２２に対して昇降可能である。搬送装置１４によって基板２７がステージ２２に載せられた後、ステージ２２がｙ方向に移動することにより、基板２７がノズルユニット３０及び撮像装置２８に対向する位置に配置される。
【００１９】
撮像装置２８は、基板２７の表面に形成されている配線パターン、アライメントマーク、基板２７に形成された薄膜パターン等を撮像する。撮像されて得られた画像データが、制御装置７０に入力される。ノズルユニット３０は、複数のノズル孔から基板２７に向けて、光硬化性（例えば紫外線硬化性）の薄膜材料の液滴（例えばソルダーレジスト等の液滴）を吐出する。吐出された薄膜材料が、基板２７の表面に付着する。
【００２０】
制御装置７０が、移動機構２１、ノズルユニット３０、及び撮像装置２８を制御する。制御装置７０は、基板２７に形成すべき薄膜パターンの形状を定義するラスタフォーマットの画像データ等を記憶する記憶部７３を含む。オペレータが、入力装置７１を通して制御装置７０に、種々の指令（コマンド）や、制御に必要な数値データを入力する。制御装置７０は、出力装置７２からオペレータに対して各種情報を出力する。
【００２１】
図３に、ノズルユニット３０（図２）の斜視図を示す。ノズルホルダ３５に複数、例えば４個のノズルヘッド３４がｙ方向に並んで取り付けられている。ノズルヘッド３４の各々の、ステージ２２に対向する面（以下、「ノズル面」という。）３８に、複数のノズル孔３７が開口している。複数のノズル孔３７は、ｘ方向に２列に並んでいる。４個のノズルヘッド３４の複数のノズル孔３７は、ｘ方向に関して異なる位置に配置され、全体としてｘ方向に関して等間隔に分布する。
【００２２】
ノズルヘッド３４の間、及び両端のノズルヘッド３４の外側に、それぞれ硬化用光源３６が取り付けられている。硬化用光源３６は、基板２７（図２）に硬化用の光、例えば紫外線を照射する。
【００２３】
以下、薄膜パターンの形成方法について説明する。基板２７（図２）をｙ方向に移動させながら、形成すべき薄膜パターンの画像データに基づいて、ノズル孔３７から薄膜材料の液滴を吐出させる。この動作を、「走査」ということとする。ノズル孔３７から吐出された薄膜材料の液滴が基板２７に着弾する。基板２７に着弾した薄膜材料に、硬化用光源３６から硬化用の光が照射される。これにより、薄膜材料の表層部が硬化する。基板２７（図２）とノズルユニット３０とのｘ方向の相対位置を変えて、複数回の走査を行うことにより、基板２７の表面に薄膜パターンを形成することができる。
【００２４】
図４Ａにステージ２２の平面図を示す。ステージ２２の保持面２３に、複数の吸引孔４０が開口している。吸引孔４０は、例えば保持面２３の面内に行列状に分布する。図４Ｂに、基板２７の平面図を示す。基板２７に複数のスルーホール２９が形成されている。
【００２５】
制御装置７０の記憶部７３（図２）に、ステージ２２に形成されている吸引孔４０の位置情報、及び基板２７に形成されているスルーホール２９の位置情報が記憶されている。移動機構２１（図２）に取り付けられているエンコーダからの情報が制御装置７０に入力される。制御装置７０は、エンコーダからの情報に基づき、ステージ２２の位置を検知することができるステージ２２の位置と、記憶部７３に記憶されている吸引孔４０の位置情報とに基づいて、ノズルユニット３０に対する吸引孔４０の位置を算出することができる。
【００２６】
図５Ａに、ステージ２２（図２）に基板２７を保持したときの吸引孔４０とスルーホール２９との位置関係を示す。吸引孔４０を破線で表し、スルーホール２９を太い実線で表す。制御装置７０は、記憶部７３（図２）に記憶されているスルーホール２９の位置情報、吸引孔４０の位置情報、及びステージ２２（図２）の現在位置に基づいて、スルーホール２９が吸引孔４０と重ならないように基板２７を位置決めして、ステージ２２に載せる。
【００２７】
図５Ｂに、ステージ２２、基板２７、及びノズルヘッド３４の断面図を示す。ステージ２２内に複数の吸引孔４０が形成されており、吸引孔４０が保持面２３に開口している。ステージ２２内に共通流路４１が形成されている。複数の吸引孔４０が共通流路４１に接続されている。例えば、ｘ方向に並ぶ１行分の吸引孔４０が、１本の共通流路４１に接続される。吸引装置４５、例えば真空ポンプが、共通流路４１を介して吸引孔４０内を排気し、負圧にする。これにより、基板２７が保持面２３に吸着される。スルーホール２９が
吸引孔４０と重ならないように、基板２７の位置合わせが行われている。
【００２８】
ノズルヘッド３４のノズル面３８に形成されている複数のノズル孔３７から、薄膜材料の液滴３２が基板２７に向けて吐出される。ノズル孔３７から吐出された薄膜材料の液滴が基板２７に着弾した後、硬化用光源３６（図３）から、基板２７上の薄膜材料に硬化用の光が照射される。
【００２９】
次に、図６Ａ及び図６Ｂを参照して、比較例による基板製造方法について説明する。図６Ａに、比較例による方法で基板２７（図２）をステージ２２に載せたときの、吸引孔４０とスルーホール２９との位置関係を示す。比較例では、一部のスルーホール２９が吸引孔４０と重なっている。
【００３０】
図６Ｂに、比較例による方法で基板２７をステージ２２に載せたときの、ステージ２２、基板２７、及びノズルヘッド３４の断面図を示す。スルーホール２９が吸引孔４０と重なっていると、基板２７を保持面２３に吸着した状態で、ノズル面３８と基板２７との間の空気がスルーホール２９を通して吸引孔４０に流入する。これにより、スルーホール２９に向かう気流が発生する。この気流によって、薄膜材料の液滴３２の飛翔経路が曲げられる。このため、薄膜材料の液滴３２の着弾位置が、目標位置からずれてしまう。
【００３１】
実施例１では、スルーホール２９が吸引孔４０と重ならないため、ノズル面３８と基板２７との間に、スルーホール２９に流入する気流が発生しない。このため、薄膜材料の液滴３２を目標位置に着弾させることができる。実施例１では、基板２７を設計するときに、スルーホール２９が吸引孔４０と重ならない条件で基板２７を位置決めすることが可能なように、スルーホール２９の位置が決定される。
【００３２】
［実施例２］
図７Ａ〜図８Ｂを参照して、実施例２による基板製造装置について説明する。以下、実施例１との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例１では、ステージ２２に形成されている吸引孔４０（図４Ａ）の相対位置が固定されていた。実施例２では、ステージ２２が、吸引孔４０の相対位置関係を変化させる相対位置調整機構を含む。
【００３３】
図７Ａに、実施例２による基板製造装置のステージ２２の平面図を示す。実施例２による基板製造装置のステージ２２は、複数のサブステージ２２Ａで構成される。サブステージ２２Ａの各々に、複数の吸引孔４０が形成されている。一例として、サブステージ２２Ａの各々はｘ方向に長い平面形状を有し、吸引孔４０の１つの行に対応して、１つのサブステージ２２Ａが配置される。
【００３４】
複数のサブステージ２２Ａは、ｘ方向に相対的に移動可能である。サブステージ２２Ａが相対的にｘ方向に移動することにより、吸引孔４０の相対位置関係を変化させることができる。吸引孔４０の行ごとに、共通流路４１が形成されている。吸引装置４５が共通流路４１を介して吸引孔４０に接続されている。
【００３５】
図７Ｂに、図７Ａの一点鎖線７Ｂ−７Ｂにおける断面図を示す。ステージ２２が、ベース２２Ｂとサブステージ２２Ａを含む。複数のサブステージ２２Ａがベース２２Ｂの上に配置されている。共通流路４１は、ベース２２Ｂの上面に形成された溝と、溝の開口部を塞ぐサブステージ２２Ａとにより画定される。サブステージ２２Ａがｘ方向に移動しても、吸引孔４０と共通流路４１との接続状態が維持される。
【００３６】
図７Ｃに、図７Ａの一点鎖線７Ｃ−７Ｃにおける断面図を示す。ベース２２Ｂに、断面
がＶ字状の溝が形成されており、この溝により共通流路４１が画定される。ベース２２Ｂの上面に、ｘ方向に伸びる凸部４２が形成され、サブステージ２２Ａの底面に、ｘ方向に伸びる凹部４３が形成されている。凸部４２と凹部４３とが相互に嵌合することにより、サブステージ２２Ａがｘ方向に移動可能にベース２２Ｂに支持される。凸部４２及び凹部４３が、複数のサブステージ２２Ａの相対位置関係を変化させる相対位置調整機構としての役割を持つ。
【００３７】
図８Ａに、実施例２による基板製造装置のステージ２２及び基板２７の平面図を示す。図８Ａでは、サブステージ２２Ａの間で、吸引孔４０のｘ方向の位置が揃っている状態を示している。一部のスルーホール２９Ａが吸引孔４０と重なっている。この例では、全てのスルーホール２９が吸引孔４０と重ならないように基板２７を位置決めすることができない。すなわち、吸引孔４０に重なっているスルーホール２９Ａが吸引孔４０に重ならないように基板２７をずらしたとしても、他の少なくとも１つのスルーホール２９Ａがいずれかの吸引孔４０に重なってしまう。
【００３８】
図８Ｂに示すように、スルーホール２９Ａに重なっている吸引孔４０を含むサブステージ２２Ａをｘ方向に移動させることにより、スルーホール２９Ａが吸引孔４０に重なった状態を解消することができる。
【００３９】
薄膜を形成する前に、サブステージ２２Ａを図８Ｂに示したようにずらしておく。これにより、全てのスルーホール２９が吸引孔４０と重ならないように基板２７を位置決めすることが可能になる。サブステージ２２Ａをずらした後の吸引孔４０の相対位置関係が、入力装置７１を通して制御装置７０に入力される。制御装置７０は、入力装置７１から入力された吸引孔４０の相対位置関係に基づいて、スルーホール２９が吸引孔４０と重ならないように、基板２７をステージ２２に対して位置決めする。
【００４０】
吸引孔４０の相対的な位置関係を変化させることにより、スルーホール２９の配置が異なる種々の基板２７を、スルーホール２９が吸引孔４０と重ならないように位置決めすることが可能になる。
【００４１】
［実施例３］
図９Ａ〜図１０を参照して、実施例３による基板製造装置について説明する。以下、実施例１との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。実施例１では、ステージ２２に形成されている吸引孔４０（図４Ａ）の相対位置が固定されており、全ての吸引孔４０が動作していた。実施例３では、ステージ２２が、一部の吸引孔４０を塞ぐ閉塞機構を含む。
【００４２】
図９Ａに、実施例３による基板製造装置のステージ２２及び基板２７の平面図を示す。ステージ２２の保持面２３の下に、閉塞板５５が配置されている。図９Ｂに閉塞板５５の平面図を示す。閉塞板５５に、複数の開口５６が形成されている。図９Ａに示すように、開口５６は、大部分の吸引孔４０を内包するが、一部の吸引孔４０は、開口５６と重ならない。
【００４３】
図１０に、図９Ａの一点鎖線１０−１０における断面図を示す。ステージ２２が、ベース２２Ｃ及び保持板２２Ｄを含む。ベース２２Ｃの上に閉塞板５５が配置され、その上に保持板２２Ｄが配置されている。保持板２２Ｄに、厚さ方向に貫通する複数の吸引孔４０が形成されている。ベース２２Ｃの上面に、ｘ方向に伸びる複数の溝が形成されている。この溝が、共通流路４１を画定する。閉塞板５５に形成された開口５６と重なる位置に形成されている吸引孔４０は、開口５６を介して共通流路４１に繋がる。開口５６と重ならない位置に形成された吸引孔４０は、閉塞板５５で塞がれて、共通流路４１に繋がらない
。
【００４４】
閉塞板５５で塞がれた吸引孔４０は、基板２７を吸引しない。このため、基板２７に形成されたスルーホール２９と、閉塞板５５で塞がれた吸引孔４０との重なりを許容する条件で、基板２７を位置決めして、ステージ２２に保持してもよい。
【００４５】
図１１に、ステージ２２と閉塞板５５との斜視図を示す。ステージ２２の側面に、閉塞板５５を挿入するための挿入口５７が設けられている。閉塞板５５を挿入口５７からステージ２２内に挿入することにより、ベース２２Ｃと保持板２２Ｄ（図１０）との間に閉塞板５５が配置される。このため、閉塞板５５を容易に交換することができる。スルーホール２９の配置が異なる基板２７の種別ごとに、閉塞板５５が準備されている。
【００４６】
閉塞板５５によって塞がれている吸引孔４０の位置情報が、入力装置７１（図２）を通して制御装置７０に入力される。制御装置７０は、基板２７に形成されているスルーホール２９（図４Ｂ）と、閉塞板５５で塞がれている吸引孔４０との重なりを許容する条件で、ステージ２２に対する基板２７の位置決めを行う。これにより、スルーホール２９がいずれの吸引孔４０とも重ならない条件で基板２７の位置決めを行うことが困難な場合でも、スルーホール２９と重なる吸引孔４０を塞ぐことにより、スルーホール２９を通過する気流の発生を防止することができる。
【００４７】
薄膜を形成する対象の基板２７の種別が新たに追加された場合でも、追加された種別の基板２７に形成されているスルーホール２９の配置に対応して閉塞板５５を作製することにより、基板２７の種別の追加に、容易に対応することができる。
【００４８】
［実施例４］
図１２に、実施例４による基板製造装置のステージ２２及び基板２７の断面図を示す。以下、実施例３との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。
【００４９】
実施例３では、閉塞板５５（図１０）が、ステージ２２のベース２２Ｃと保持板２２Ｄとの間（すなわち、保持面２３の下）に配置されていた。実施例４では、図１１に示すように、ステージ２２の保持面２３の上に、閉塞板５８が配置される。閉塞板５８の上に、基板２７が配置される。閉塞板５８に、複数の開口５９が形成されている。閉塞板５８として、可撓性を有するシートを使用してもよい。
【００５０】
実施例４では、保持面２３の上に載せられた閉塞板５８によって吸引孔４０が塞がれる。このため、スルーホール２９を通過する気流の発生を防止することができる。基板２７の種別に応じて開口５９の配置の異なる閉塞板５５を準備しておくことにより、実施例３と同様に、基板２７の種別の追加に、容易に対応することができる。
【００５１】
［実施例５］
図１３に、実施例５による基板製造装置のステージ２２及び基板２７の断面図を示す。以下、実施例１との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。
【００５２】
実施例５による基板製造装置においては、吸引孔４０ごとに電磁弁６０が配置されている。電磁弁６０の開閉は、制御装置７０（図２）からの指令により行われる。電磁弁６０が閉じると、吸引孔４０の流路が塞がれる。制御装置７０は、記憶部７３（図２）に記憶されているスルーホール２９の位置情報に基づいて、スルーホール２９と重なる位置の吸引孔４０に配置されている電磁弁６０Ｃを閉じる。これにより、スルーホール２９を通過する気流の発生を防止することができる。
【００５３】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００５４】
１０  搬入ステーション
１１  仮位置決めステーション
１２  塗布ステーション
１３  本硬化ステーション
１４  搬送装置
１５  第１の搬送ローラ
１７  ストッパ
１８  本硬化用光源
２０  定盤
２１  移動機構
２２  ステージ
２２Ａ  サブステージ
２２Ｂ  ベース
２２Ｃ  ベース
２２Ｄ  保持板
２３  保持面
２４  支持部材
２７  基板
２８  撮像装置
２９  スルーホール
２９Ａ  吸引孔に重なったスルーホール
３０  ノズルユニット
３１  ノズルユニット支持機構
３２  薄膜材料の液滴
３４  ノズルヘッド
３５  ノズルホルダ
３６  硬化用光源
３７  ノズル孔
３８  ノズル面
４０  吸引孔
４１  共通流路
４２  凸部
４３  凹部
４５  吸引装置
５０  ガイド
５１、５２  リフタ
５５  閉塞板
５６  開口
５７  挿入口
５８  閉塞板
５９  開口
６０  電磁弁
６０Ｃ  閉じた電磁弁
７０  制御装置
７１  入力装置
７２  出力装置
７３  記憶部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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