(57)【要約】【課題】視野角の広さや開口率の高さ等に加え、従来のＦＦＳ方式などに比べて、応答速度や表示品質などを向上することができる表示装置を提供する。【解決手段】本表示装置は、アレイ基板に、誘電体膜を介して上電極と下電極との電極層が形成され、上電極または下電極の一方は画素電極、他方は共通電極であり、電極層の平面視での形状により液晶層で横電界を発生させるための開口部５０Ａが形成されている。ＣＦ基板には横ＢＭ部２２Ａを含む遮光膜（ＢＭ）を有する。開口部５０Ａは、Ｘ方向の複数のスリットＳを有し、画素ごとに、Ｙ方向の最外のスリットＳの端部が、Ｚ方向での横ＢＭ部２２Ａの重なりにより隠される構造である。【選択図】図１２
2014071309.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向する第１の基板及び第２の基板の間に液晶層を有する表示装置であって、
画面に対応する基板面内方向を第１、第２の方向とし、垂直方向を第３の方向とした場合、
対向する上電極と下電極とを有するとともに、当該上電極または下電極に前記第１の方向に延在する複数のスリットを有する開口部が形成された電極層と、
前記第１または第２の基板に設けられた、前記第１の方向に延在する第１の遮光膜部と、を有し、
前記液晶層は、前記電極層上に設けられ、前記開口部のスリットの幅方向において対向する一方の側および他方の側の近傍領域の液晶分子が互いに逆方向に回転して配向し、
前記開口部は、画素ごとに、前記第２の方向の少なくとも一方の最外のスリットの端部の少なくとも一部が、前記第３の方向での前記第１の遮光膜部の重なりにより隠されること、を特徴とする表示装置。
【請求項２】
請求項１記載の表示装置において、
前記電極層と前記液晶層との間には配向膜が設けられ、
前記配向膜には、前記スリットの延在方向である第１の方向と概略平行方向に配向処理がなされていること、を特徴とする表示装置。
【請求項３】
請求項２記載の表示装置において、
前記第１の基板は、前記電極層と、前記電極層と前記液晶層との間の第１の配向膜と、を有し、前記第２の基板は、前記液晶層との間の第２の配向膜を有し、
前記第１の配向膜は、前記配向処理として、前記第１の方向と概略平行方向である第１のラビング方向にラビング処理され、
前記第２の配向膜は、前記配向処理として、前記第１の配向膜の第１のラビング方向と逆方向である第２のラビング方向にラビング処理され、
前記液晶層の液晶の初期配向状態として、前記第１のラビング方向に前記液晶層の液晶分子の長軸が並び、
前記開口部のスリットにおいて、前記上電極及び下電極に対する電圧印加のＯＦＦ時には、前記液晶分子の長軸が前記第１のラビング方向に並んで配向し、前記電圧印加のＯＮ時には、前記スリットの幅方向で対向する長辺の対において、一方の側の第１の長辺を含む近傍領域では液晶分子の回転方向が右回りで、他方の側の第２の長辺を含む近傍領域では液晶分子の回転方向が左回りで、基板面内方向で回転しながら、前記第３の方向に立ち上がるように配向すること、を特徴とする表示装置。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第１の遮光膜部の前記第２の方向の幅は、前記開口部の前記最外のスリットの端部の線から外側へ所定の距離までの幅以上であること、を特徴とする表示装置。
【請求項５】
請求項４記載の表示装置において、
前記第１の基板は、前記画素を構成する要素である、前記第１の方向に延在する第１の電極線、及び前記第１の電極線に接続されるスイッチング素子を有し、
前記第１の遮光膜部は、前記第１の電極線及びスイッチング素子の上に重なるように配置され、
前記第１の遮光膜部の前記第２の方向の幅は、前記第１の電極線及びスイッチング素子を隠す幅であること、を特徴とする表示装置。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記上電極は、画素ごとに開口を有する共通電極であり、前記下電極は、画素ごとの電極部を有する画素電極であり、前記画面に対応する平面視で前記上電極の開口の領域が前記開口部となること、を特徴とする表示装置。
【請求項７】
請求項１〜５のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記上電極は、画素ごとの電極部を有する画素電極であり、前記下電極は、共通電極であり、前記画面に対応する平面視で前記上電極の外側の領域が前記開口部となること、を特徴とする表示装置。
【請求項８】
請求項６または７に記載の表示装置において、
前記画素ごとに前記開口部は、前記第２の方向に延在する連通開口部と、前記連通開口部の両側にそれぞれ接続される前記第１の方向に延在する複数のスリットとを有し、
前記連通開口部の一方側に前記第１の方向に延在する第１のスリットが第２の方向に複数並んで配置され、他方側に前記第１の方向に延在する第２のスリットが第２の方向に複数並んで配置され、
前記スリットの長辺は、一方端は前記上電極により閉じられた角部であり、他方端は前記連通開口部に開口された角部であり、
前記連通開口部の両側のそれぞれの複数のスリットは、前記第２の方向で位置をずらして互い違いに配置され、
前記連通開口部の一方側に接続される第１のスリットの長辺と、他方側に接続される第２のスリットの長辺とが、前記第１の方向のライン上で整列していること、を特徴とする表示装置。
【請求項９】
請求項６または７に記載の表示装置において、
前記画素ごとに前記開口部は、前記第２の方向に延在する連通開口部と、前記連通開口部の片側に接続される前記第１の方向に延在する複数のスリットとを有し、
前記連通開口部の片側に前記第１の方向に延在するスリットが第２の方向に複数並んで配置され、
前記スリットの長辺は、一方端は前記上電極により閉じられた角部であり、他方端は前記連通開口部に開口された角部であること、を特徴とする表示装置。
【請求項１０】
請求項８または９に記載の表示装置において、
前記上電極は、前記複数のスリットを構成するための複数の突出部を有し、
前記スリット及び前記突出部は、前記第１の方向に長く画素内部側が上辺となる台形であること、を特徴とする表示装置。
【請求項１１】
請求項８または９に記載の表示装置において、
前記上電極は、前記複数のスリットを構成するための複数の突出部を有し、
前記スリット及び前記突出部は、前記第１の方向に長い矩形であること、を特徴とする表示装置。
【請求項１２】
請求項８記載の表示装置において、
前記第１の基板の前記電極層と前記液晶層との間に有する第１の配向膜は、前記第１の方向と概略平行方向である第１のラビング方向にラビング処理され、
前記ラビング方向に沿って、前記画素ごとに前記第１、第２のスリットの順で配置され、
前記第１のスリットよりも前記第２のスリットの方が長いこと、を特徴とする表示装置。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第１の基板において、前記第１の方向に並行する第１の電極線、前記第２の方向に並行する第２の電極線、前記画素ごとに前記第１の電極線及び第２の電極線に接続されるスイッチング素子を有し、前記スイッチング素子に対して前記上電極または下電極の一方である画素電極が接続され、
前記第１または第２の基板において、前記第１の方向に延在する第１の遮光膜部と、前記第２の方向に延在する第２の遮光膜部とを有し、
前記第１の遮光膜部は、前記第１の電極線及びスイッチング素子の上に重なり、
前記第２の遮光膜部は、前記第２の電極線の上に重なり、
前記第１の遮光膜部の幅が前記第２の遮光膜の幅よりも大きいこと、を特徴とする表示装置。
【請求項１４】
請求項１，８，９のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記開口部において、前記複数のスリットの前記第２の方向のピッチｐは、
ｐ＜９μｍであること、を特徴とする表示装置。
【請求項１５】
請求項１０記載の表示装置において、
前記上電極の突出部及び前記開口部のスリットの台形における、前記第１の方向を０度としたときの斜辺の成す角度θは、θ＞０．５度であること、を特徴とする表示装置。
【請求項１６】
請求項８または９に記載の表示装置において、
前記開口部の前記連通開口部の第１の方向の幅Ｗは、Ｗ≦４μｍであること、を特徴とする表示装置。
【請求項１７】
請求項１記載の表示装置において、
前記液晶層におけるセル厚をｄ、屈折率差をΔｎとして、
前記液晶層のリタデーションＲ＝Δｎ×ｄは、
Ｒ≧０．１１×ｄであること、を特徴とする表示装置。
【請求項１８】
請求項１記載の表示装置において、
前記液晶層の液晶の基板面内の回転に関する弾性定数Ｋ２２は、
Ｋ２２＞７．２であること、を特徴とする表示装置。
【請求項１９】
請求項１〜１８のいずれか一項に記載の表示装置において、
前記第１の基板、第２の基板、及び液晶層を含んで成るパネルと、
前記パネルの第１の電極線に接続され駆動する第１のドライバと、
前記パネルの第２の電極線に接続され駆動する第２のドライバと、
前記パネルの上電極及び下電極に接続され駆動する第３のドライバと、
前記第１〜第３のドライバを駆動制御するコントローラと、を有すること、を特徴とする表示装置。
【請求項２０】
請求項１９記載の表示装置と、
前記表示装置に対する表示制御処理を行う制御部と、前記表示装置に与える表示データを記憶する記憶部と、を有すること、を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表示装置及び電子機器の技術に関する。特に、横電界型で液晶分子を制御する液晶表示装置（ＬＣＤと略す）などに関する。
【背景技術】
【０００２】
各種の電子機器などに搭載される液晶表示装置において、横電界型として、ＩＰＳ（In-Plane-Switching）やＦＦＳ（Fringe Field Switching）などの方式（モードともいう）がある。横電界型は、縦電界型に比べ、視野角の広さや開口率（１画素領域のうち表示に有効な領域の面積率）などの点で有利である。
【０００３】
ＦＦＳに関する先行技術例として、特開２００８−５２１６１号公報（特許文献１）等がある。特許文献１（「液晶装置及び電子機器」）では、構成を複雑にすることなく開口率の高い明るい表示を実現するＦＦＳ方式の液晶装置について記載されている。
【０００４】
ＩＰＳモードでは画素電極と共通電極とが同層に設けられており、電界は主に基板面と平行な方向（Ｘ，Ｙ方向とする）に発生する。このため、画素電極の直上の領域には電界が形成され難く、この直上の領域の液晶分子を駆動し難い。
【０００５】
これに対しＦＦＳモードでは、基板面に垂直な方向（Ｚ方向とする）で誘電体膜を介在して画素電極と共通電極とが重ねて設けられており、主に基板面に対して斜め方向または放物線状の電界（フリンジ電界ともいう）が発生する。このため、画素電極の直上の領域の液晶分子も駆動がし易い。即ち、ＦＦＳモードではＩＰＳモードよりも高い開口率が得られる。なお以下、上記重なりの上側に設けられる方の電極を上電極（第１の電極）と称し、下側に設けられる方の電極を下電極（第２の電極）と称する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００８−５２１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述のＦＦＳ方式の液晶表示装置などにおいても、応答速度の遅さ等の課題がある。尚ここでいう応答速度とは、画素（上下電極を含む）に対する電圧印加時に、液晶の透過率を所定レベル間で遷移させる際の速度である。即ちＯＦＦ状態（例えば透過率＝０）からＯＮ状態（透過率＝１）へ遷移する際、あるいはその逆の遷移の際に要する時間で規定される。
【０００８】
以上を鑑み、本発明の主な目的は、視野角の広さや開口率の高さ等に加え、従来のＦＦＳ方式などに比べて、応答速度や表示品質などを向上することができる新方式の表示装置などを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明のうち代表的な形態は、表示装置及び電子機器などであって、以下に示す構成を有することを特徴とする。
【００１０】
（１）  本形態の表示装置は、対向する第１の基板及び第２の基板の間に液晶層を有する表示装置であって、画面に対応する基板面内方向を第１、第２の方向とし、垂直方向を第３の方向とした場合、対向する上電極と下電極とを有するとともに、当該上電極または下電極に前記第１の方向に延在する複数のスリットを有する開口部が形成された電極層と、前記第１または第２の基板に設けられた、前記第１の方向に延在する第１の遮光膜部と、を有する。前記液晶層は、前記電極層上に設けられ、前記開口部のスリットの幅方向において対向する一方の側および他方の側の近傍領域の液晶分子が互いに逆方向に回転して配向する。前記開口部は、画素ごとに、前記第２の方向の少なくとも一方の最外のスリットの端部の少なくとも一部が、前記第３の方向での前記第１の遮光膜部の重なりにより隠される。
【００１１】
特に、前記第１の基板は、前記電極層と、前記電極層と前記液晶層との間の第１の配向膜と、を有する。前記第２の基板は、前記液晶との間の第２の配向膜を有し、前記第１の配向膜は、前記第１の方向と概略平行方向である第１のラビング方向にラビング処理され、前記第２の配向膜は、前記第１の配向膜の第１のラビング方向と逆方向である第２のラビング方向にラビング処理され、前記液晶層の液晶の初期配向状態として、前記第１のラビング方向に液晶分子の長軸が並ぶ。
【００１２】
特に、前記第１の遮光膜部の前記第２の方向の幅は、前記開口部の最外のスリットの端部の線から外側へ所定の距離までの幅（Ｈ）以上である。言い換えると第１の遮光膜部の第２の方向の幅は、最低限この所定の距離までの幅（Ｈ）の部分を隠すことができる大きさである。
【００１３】
特に、前記第１の基板は、前記画素を構成する要素である、前記第１の方向に延在する第１の電極線、及び前記第１の電極線に接続されるスイッチング素子を有し、前記第１の遮光膜部は、前記第１の電極線及びスイッチング素子の上に重なるように配置され、前記第１の遮光膜部の前記第２の方向の幅は、前記第１の電極線及びスイッチング素子を隠す幅である。
【００１４】
（構成Ａ）  特に、前記上電極は、画素ごとに開口を有する共通電極であり、前記下電極は、画素ごとの電極部を有する画素電極であり、平面視で前記上電極の開口の領域が前記開口部となる。
【００１５】
（構成Ｂ）  特に、前記上電極は、画素ごとの電極部を有する画素電極であり、前記下電極は、共通電極であり、平面視で前記上電極の外側の領域が前記開口部となる。
【００１６】
（構成α）  特に、前記画素ごとに前記開口部は、前記第２の方向に延在する連通開口部と、前記連通開口部の両側にそれぞれ接続される前記第１の方向に延在する複数のスリットとを有する。前記連通開口部の一方側に前記第１の方向に延在する第１のスリットが第２の方向に複数並んで配置され、他方側に前記第１の方向に延在する第２のスリットが第２の方向に複数並んで配置される。前記スリットの長辺は、一方端は前記上電極により閉じられた角部であり、他方端は前記連通開口部に開口された角部である。前記連通開口部の両側のそれぞれの複数のスリットは、前記第２の方向で位置をずらして互い違いに配置される。前記連通開口部の一方側に接続される第１のスリットの長辺と、他方側に接続される第２のスリットの長辺とが、前記第１の方向のライン上で整列している。
【００１７】
（構成β）  特に、前記画素ごとに前記開口部は、前記第２の方向に延在する連通開口部と、前記連通開口部の片側に接続される前記第１の方向に延在する複数のスリットとを有する。前記連通開口部の片側に前記第１の方向に延在するスリットが第２の方向に複数並んで配置される。前記スリットの長辺は、一方端は前記上電極により閉じられた角部であり、他方端は前記連通開口部に開口された角部である。
【００１８】
（形状ａ）  特に、前記上電極は、前記複数のスリットを構成するための複数の突出部を有し、前記スリット及び前記突出部は、前記第１の方向に長く画素内部側が上辺となる台形である。
【００１９】
（形状ｂ）  特に、前記上電極は、前記複数のスリットを構成するための複数の突出部を有し、前記スリット及び前記突出部は、前記第１の方向に長い矩形である。
【００２０】
（２）  特に、パネル構成として、前記第１の基板において、前記第１の方向に並行する第１の電極線、前記第２の方向に並行する第２の電極線、前記画素ごとに前記第１の電極線及び第２の電極線に接続されるスイッチング素子を有し、前記スイッチング素子に対して画素電極が接続される。前記第２の基板において、遮光膜は、前記第１の方向に延在する第１の遮光膜部と、前記第２の方向に延在する第２の遮光膜部とを有する。前記第１の遮光膜部は、前記第１の電極線及びスイッチング素子の上に重なり、前記第２の遮光膜部は、前記第２の電極線の上に重なる。そして前記第１の遮光膜部の幅が前記第２の遮光膜の幅よりも大きい。
【００２１】
（３）  本表示装置は、上記構成のパネルと、前記パネルの第１の電極線に接続され駆動する第１のドライバと、前記パネルの第２の電極線に接続され駆動する第２のドライバと、前記パネルの上電極及び下電極に接続され駆動する第３のドライバと、前記第１〜第３のドライバを駆動制御するコントローラと、を有する。
【００２２】
（４）  本電子機器は、上記表示装置と、前記表示装置に対する表示制御処理を行う制御部と、前記表示装置に与える表示データを記憶する記憶部と、を有する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明のうち代表的な形態によれば、視野角の広さや開口率の高さ等に加え、従来のＦＦＳ方式などに比べて、応答速度や表示品質などを向上することができる。新方式（高速横電界モード）の液晶表示装置などを提供できる。画素における応答速度、明るさ、配向安定性などを向上でき、画素の特性の均一化により、表示品質の向上などが実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施の形態の表示装置及び電子機器のブロック構成を示す図である。
【図２】本実施の形態の表示装置の液晶パネルの画素の断面の概略構造を示す図である。
【図３】画素（構成βの場合）の開口部・電極の形状などを示す図であり、（Ａ）は縦方向スリットの場合、（Ｂ）は横方向スリット（本実施の形態）の場合を示す。
【図４】画素（構成αの場合）の開口部・電極の形状などを示す図であり、（Ａ）は縦方向スリットの場合、（Ｂ）は横方向スリット（本実施の形態）の場合を示す。
【図５】本方式（図４（Ｂ））での液晶配向性などを説明するための図である。
【図６】図５の一部拡大で液晶配向性などを説明するための図であり、（ａ）は電圧ＯＦＦ時、（ｂ）は電圧ＯＮ時を示す。
【図７】図５のＡ−Ａ´断面で液晶配向性について説明するための図であり、（ａ）は電圧ＯＦＦ時、（ｂ）は電圧ＯＮ時を示す。
【図８】本実施の形態の液晶パネルの画素及びＢＭ等の平面構成例を示す図である。
【図９】本実施の形態での上下電極の構成例をまとめて示す図である。
【図１０】実施の形態１の表示装置（液晶パネル）の画素平面構造を示す図である。
【図１１】実施の形態１の表示装置（液晶パネル）の画素断面構造を示す図である。
【図１２】実施の形態１での第１の遮光の構成例を示す図である。
【図１３】実施の形態１での第２の遮光の構成例を示す図である。
【図１４】実施の形態１での第３の遮光の構成例を示す図である。
【図１５】実施の形態１での画素のスリット端付近などを示す図である。
【図１６】実施の形態２の表示装置（液晶パネル）の画素平面構造を示す図である。
【図１７】実施の形態２の表示装置（液晶パネル）の画素断面構造を示す図である。
【図１８】実施の形態２での遮光の構成例を示す図である。
【図１９】実施の形態２での画素のスリット端付近などを示す図である。
【図２０】第１の特性（遮光の幅）に関する模擬用の画素構成例を示す図である。
【図２１】第１の特性に関する模擬結果の面内輝度分布を示す図である。
【図２２】第１の特性に関する模擬結果の断面明るさ分布を示す図である。
【図２３】第２〜第４の特性に関する開口部の一部拡大を示す図である。
【図２４】第２の特性（スリットピッチ）に関する模擬結果のグラフを示す。
【図２５】第３の特性（櫛歯角度）に関する模擬結果の表を示す。
【図２６】第４の特性（縦スリット幅）に関する模擬結果のグラフを示す。
【図２７】第５の特性（リタデーションＲ＝Δｎｄ）に関する説明図であり、（ａ）はセル厚ｄなどを示し、（ｂ）はセル厚ｄとリタデーションＲとの関数を示す。
【図２８】第５の特性に関する模擬結果のＲに応じた明るさのグラフを示す。
【図２９】第６の特性（液晶の弾性定数）に関する模擬結果のグラフを示す。
【図３０】本実施の形態の表示装置の好適な特性の条件についてまとめた図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお実施の形態を説明するための全図において同一部には原則として同一符号を付しその繰り返しの説明は省略する。また図面では特徴をわかりやすく示すため、断面ハッチングは適宜省略し、主要な構成要素を強調して示し、寸法比率などは実際とは異なる場合がある。
【００２６】
＜概要等＞
本実施の形態は、画面にカラー動画像を表示可能な液晶表示装置（ＬＣＤ）及びそれを搭載する電子機器に適用した場合を説明する。図１〜図９では、前提を含め基本的な実施の形態を説明する。それに基づき図１０〜図１５では実施の形態１、図１６〜図１９では実施の形態２を説明する。図２０〜図３０では更に好適な特性の条件について説明する。
【００２７】
本実施の形態の液晶パネル１は、図２のように基本的には横電界モードであるが、例えば図４（Ｂ），図１０，図１２等に示すように、スリット５０Ａの延在方向（Ｘ）と平行方向にアンチパラレル配向のラビング処理を施した新方式（従来のＦＦＳ方式とは異なる高速横電界モード）である。この高速横電界モードの詳細については後述する。本実施の形態の液晶パネル１は、この高速横電界モードに対応した、上下電極（３１，３２）により形成される開口部（スリットともいう）５０Ａ等を有する構造である。この開口部５０Ａは、複数の横（Ｘ）方向のスリットＳを有する櫛歯形状である。そして、更に本実施の形態の液晶パネル１は、画素の開口部（スリット）５０Ａにおける縦（Ｙ）方向の端部（Ａ１等）を、ＢＭ２２（遮光膜）における幅が大きい方（横ＢＭ部２２Ａ）によって隠す構成となっている。これは、スリット５０Ａの端部（Ａ１等）においては、上述の高速横電界モードで期待される高速な応答などは実現されず、従来のＦＦＳモードと同程度の応答速度などとなっていたためである。即ち、ＢＭ２２でスリット５０Ａの端部（Ａ１等）を隠すことで、画素の端部の領域（図４（Ｂ）のＱ２）の特性（スリット５０Ａの端部では従来のＦＦＳ方式と同程度の応答速度などとなってしまうという第２の特性）を抑え、画素の内部の領域（Ｑ１）の特性（高速横電界モードにより高速な応答速度などを実現する第１の特性）に均一化する。
【００２８】
［電子機器・液晶表示装置］
図１は、本実施の形態の表示装置である液晶表示装置１００、及びそれを搭載して成る電子機器２００のブロック構成を示す。本電子機器２００は、液晶表示装置（言い換えるとＬＣＤモジュール）１００、制御部２０１、記憶部２０２、入力部２０３、出力部２０４、及び表示Ｉ/Ｆ（インタフェース）部２０５、等を含んで成る構成である。制御部２０１は、例えばＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭ、及びそれらの上で動作するプログラム等で構成される。例えばＣＰＵはＲＯＭからＲＡＭへロードしたプログラムに従う演算処理により電子機器２００の制御処理を行う。記憶部５０２は、一次メモリや二次メモリ、及びそれらに格納される映像データなどを含むデータ情報などで構成される。入力部２０３は、ボタン等の入力装置及びそのＩ/Ｆ処理部で構成される。出力部２０４は、表示装置以外の出力装置及びそのＩ/Ｆ処理部で構成される。表示Ｉ/Ｆ部２０５は、液晶表示装置１００を接続し、そのＩ/Ｆ処理を行う。その他図示しない通信Ｉ/Ｆ部や電源部などを有する。
【００２９】
液晶表示装置（ＬＣＤモジュール）１００は、液晶パネル１と、主駆動制御を行うＬＣＤドライバ１０１（言い換えるとＬＣＤコントローラ）と、液晶パネル１の各電極線を駆動する各ドライバ（ゲートドライバ１１１、データドライバ１１２、上下電極ドライバ１１３）とを有する構成である。各ドライバは、例えばＩＣチップを搭載したフレキシブルプリント回路基板や、液晶パネル１のガラス基板上の回路などで実装される。なお各ドライバを適宜統合や分離した形態としてもよい。
【００３０】
制御部２０１は、例えば外部から映像信号を入力、あるいは内部で映像信号を生成する。制御部２０１から表示Ｉ/Ｆ部２０５を介して映像信号や制御指示情報をＬＣＤドライバ１０１へ与える。ＬＣＤドライバ１０１は、各ドライバ（１１１〜１１３）へ映像／画像データや例えばタイミング信号などの制御信号を与えて制御する。ゲートドライバ１１１は、制御に従い、液晶パネル１のゲート線（ＧＬ）群に走査信号を与える。データドライバ１１２は、制御に従い、液晶パネル１のデータ線（ＤＬ）群にデータ信号を与える。上下電極ドライバ１１３は、制御に従い、液晶パネル１の上電極３１及び下電極３２（図２）に対して、対応する電圧信号（即ち画素電極ＰＩＸに対する画素電圧、共通電極ＣＯＭに対する共通電圧）を与える。
【００３１】
電子機器５００の例としては、テレビジョン装置（言い換えると液晶ＴＶ装置）、ＰＣ用ディスプレイ、デジタルカメラ／ビデオカメラ、ノートＰＣ、スマートフォンなどの携帯電話機やタブレットなどの携帯端末、カーナビのディスプレイ等、各種適用可能である。例えば液晶ＴＶ装置やＰＣ用ディスプレイの場合、ＬＣＤモジュール１００に前面のフィルターガラス等を加え筐体で保持した構造となる。例えばデジタルカメラやビデオカメラの場合、ファインダ／モニタ等の表示部をＬＣＤモジュール１００で構成する。例えばノートＰＣの場合、画面部をＬＣＤモジュール１００で構成する。例えば携帯電話機の場合、画面部をＬＣＤモジュール１００で構成する。
【００３２】
［液晶パネル−断面］
図２に、図１の液晶パネル１の基本構造として、画素のＹ−Ｚ方向の断面の概要構成を示している。本液晶パネル１は、大きくは、第１の基板であるアレイ基板１０と、第２の基板であるＣＦ基板２０（対向基板ともいう）と、それらの間に挟持・封止される液晶層３０とを有する構成である。なお図２は概要構成であり、絶縁膜、配向膜、偏光板、バックライト、その他の公知要素については図示省略している。
【００３３】
アレイ基板１０は、視線に対して背面側の構造及びガラス基板１１を含んで成る基板構造体である。Ｚ方向で、ガラス基板１１上に、下電極３２、誘電体膜３３、上電極３１が積層されている。詳細にはゲート線やＴＦＴ部なども有するが後述する。図示のように上電極３１と下電極３２との対向面における電極部（ここでは上電極３１）の重なりの有無があり、この平面視（Ｘ−Ｙ）での形状によりスリットＳを含む開口部（図３，図４等の５０）が形成される。この開口部を含む上下電極（３１，３２）の電極層上で、液晶層３０の液晶の配向が基板面内方向（Ｘ−Ｙ）で制御される方式（即ち横電界モード）である。
【００３４】
上下電極（３１，３２）は、一方が画素電極（ＰＩＸとする）、他方が共通電極（ＣＯＭとする）である。上下電極（３１，３２）は、液晶層３０でフリンジ電界を形成するための電極部である。これらの組合せの構成例については各種可能であり、後述図９でまとめている。共通電極ＣＯＭは、複数画素領域（例えば画面）の全体にわたって基本的にベタ層で形成され、共通電圧の印加により画素に拠らず共通電位に制御される。画素電極ＰＩＸは、画素ごとに矩形などの層で構成され、画素ごとの電圧が供給され、画素ごとの電位に制御される。上下電極（３１，３２）は、ＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）などの可視光透過性及び導電性を有する材料（言い換えると透明電極）で構成される。なお共通電極ＣＯＭは、全面ベタ層ではなく複数のブロックなどで構成される場合はそれらが共通電極線で接続される構成となる。
【００３５】
ＣＦ基板２０は、視線に対して前面側の構造及びガラス基板２１を含んで成る基板構造体である。例えば、Ｚ方向で、ガラス基板２１上、内面側（液晶層３０に近い側を指す）に、ＢＭ２２、及びＣＦ２３などの層が形成される。なお図２ではＢＭ２２及びＣＦ２３を同層にしているが別層でもよい。ＢＭ２２及びＣＦ２３上（内面側）には、図示しない平坦化・保護層としての機能を有するオーバーコート層などを設けてもよい。またＣＦ基板２０の前面側には、偏光板の他、静電防止層などを設けてもよい。
【００３６】
ＢＭ２２は、遮光膜（黒膜ともいう）であり、画素間のクロストークを低減し、遮光性（光吸収性ないし低透過性）の材料、例えばＣｒなどの金属材料や、各色のカラーフィルタの重ね合わせ等で構成される。ＢＭ２２は、画素を区画する格子状に形成される。ＣＦ２３は、画素配列に応じて配置されるカラーフィルタであり、例えばＲ，Ｇ，Ｂの３色の各層で構成される（後述図８）。なお本実施の形態ではＢＭ２２はＣＦ基板２０側に形成されるが、他の形態としてＢＭ２２がアレイ基板１０側（上下電極（３１，３２）の電極層よりも上側）に形成されてもよい。
【００３７】
液晶層３０は、上下の基板（１０，２０）間で配向膜を介してネマティック液晶が封止された層である。液晶パネル１の額縁部などで封止材により上下の基板（１０，２０）間が接続され内部に液晶が封止される。液晶層３０は、配向膜に対して所定のラビング処理（後述）が施されることで、液晶が所定の初期配向状態となる。
【００３８】
ドライバ側（図１）からの上下電極（３１，３２）に対する電圧印加により、誘電体膜３３を介した上下電極（３１，３２）間に、画素の液晶の透過率の変調に応じた所定の電位差を与える。当該電位差により、液晶層３０における画素の開口部（５０）の付近においてフリンジ電界を発生させ、液晶分子を主に基板面内方向（Ｘ，Ｙ方向）で回転させるように配向状態を制御する。
【００３９】
アレイ基板１０の背面側及びＣＦ基板２０の前面側にはそれぞれ偏光板が配置され、透過光の偏光状態が制御される。上下の偏光板の透過軸は直交の関係（ノーマリブラック構成）であり、一方はラビング方向（後述）と同じである。
【００４０】
アレイ基板１０の背面側にはバックライト等が配置され、図示しないバックライト制御用のドライバから、ＬＣＤ制御に合わせて、バックライト照明状態などが制御される。バックライトからの出射光をもとに液晶パネル１で画素状態に応じて透過及び偏光が制御されることで前面側の画面に画像が形成される。
【００４１】
［ラビング方向］
液晶層３０の液晶は、高速横電界モードに対応した所定の初期配向性を持つように、液晶層３０の上下の配向膜（第１、第２の配向膜）において所定のラビング方向にラビング処理が施される。アレイ基板１０側の電極層（３１，３２）と液晶層３０との間の第１の配向膜では、スリットＳ等の延在のＸ方向と概略平行方向である第１のラビング方向にラビング処理される（図３（Ｂ），図４（Ｂ）のＲｕｂ、図示の左から右への方向）。ＣＦ基板２０側の液晶層３０との間の第２の配向膜は、第１の配向膜の第１のラビング方向とは逆方向である第２のラビング方向にラビング処理される。このアンチパラレル配向により高速横電界モードが構成される。これにより、液晶層３０の液晶の初期配向状態として、第１のラビング方向（Ｒｕｂ）に沿って液晶分子の長軸が並ぶ。
【００４２】
液晶層３０の液晶は、例えば負の誘電率異方性を持つネマティック液晶から成る。この場合、ラビング方向（Ｒｕｂ）は、上記のように、スリットＳ等の延在のＸ方向と平行とする。なお正の誘電率異方性を持つネマティック液晶を用いる場合は、ラビング方向（Ｒｕｂ）を直交方向（Ｙ）と平行とする。なお上記ラビング方向（Ｒｕｂ）は、スリットＳ等のＸ方向と完全に平行には限らず、ある程度までの角度（例えば１度）は許容される。
【００４３】
［製造方法］
液晶パネル１の製造方法は例えば以下のプロセスとなる。なお構成Ａ（図９）の場合とする。アレイ基板１０側では、ガラス基板１１上に、ゲート線、データ線、及びＴＦＴ部などの層を形成する。その上に平坦化層としての機能を持つ絶縁膜を形成する。絶縁膜はポリイミドや酸化シリコン等の材料で構成される。絶縁膜上に、ＩＴＯのフォトエッチング等によるパターニングによる下電極３２（画素電極ＰＩＸ）を形成する。画素電極ＰＩＸの厚さは例えば５００〜１５００Åである。下電極３２の上に、誘電体膜３３を全面ベタ層で形成する。誘電体膜３３は、絶縁性及び保護性を持ち、例えば窒化シリコンや酸化シリコン等の材料で構成され、プラズマＣＶＤ法などで形成される。誘電体膜３３の厚さは例えば１００〜１０００Åである。誘電体膜３３上に、ＩＴＯによる上電極３１（共通電極ＣＯＭ）を形成する。例えば、スパッタ法、エッチング等により、スリット（開口部）を持つベタ層による共通電極ＣＯＭを形成する。共通電極ＣＯＭの厚さは例えば１００〜１０００Åである。上電極３１上には、所定のラビング方向のラビング処理による第１の配向膜が形成される。配向膜は、ポリイミド等の高分子材料にラビング処理を施したもので構成される。
【００４４】
ＣＦ基板２０側では、ガラス基板２１上に、ＣＦ２３やＢＭ２２の層を形成し、その上にオーバーコート層などを形成し、その上に所定のラビング方向のラビング処理による第２の配向膜を形成する。上記アレイ基板１０とＣＦ基板２０を対向させ、その間に液晶を注入し、額縁部で封止することで、液晶層３０を形成する。液晶パネル１の背面側には偏光板やバックライトなどが取り付けられ、前面側には偏光板などが取り付けられる。液晶パネル１の額縁部の電極端には各ドライバ（図１）が接続され、液晶表示装置１００が構成される。
【００４５】
［画素（構成Ｂ，構成β）］
図３は、図９の構成Ｂ，構成βの場合で、画素の電極及び開口部などのＸ−Ｙ平面の構成を示し、スリット端部の特性などについて説明する。構成Ｂは、上電極３１が画素電極ＰＩＸで下電極３２が共通電極ＣＯＭの場合、構成βは、片側櫛歯形状の場合である。図３（Ａ）は、従来のＦＦＳ方式で存在する縦方向スリットを持つ場合、図３（Ｂ）は、本実施の形態の横方向スリット（Ｓ）を持つ場合を示す。なお構成βの方が構成αよりも簡素な形状なので先に説明する。
【００４６】
図３（Ａ）で、４０１は、上電極（画素電極ＰＩＸ）の電極部を示す。Ｚ方向で対向する下電極（共通電極ＣＯＭ）はベタ層であるため図示省略する。４０２は、４０１の領域に対応した概略画素領域を示す。４００は、上下電極により形成されるスリット（言い換えると開口部）の領域であり、電極部４０１の外側の領域であり、上電極（ＰＩＸ）部分が重ならず下電極（ＣＯＭ）部分のみの領域である。なお画素電極の形や櫛歯の数などは画素設計に応じて調整される。図３（Ａ）では図３（Ｂ）と対比してわかりやすいように横長としているが、縦長の画素にする場合は縦長の形状になる。
【００４７】
Ｓは、個別の縦（Ｙ）方向のスリット（言い換えると開口、間隙など）である。なお４００は画素全体でのスリット（開口部）を指すものとし、複数の個別のスリットＳを含んでいる。Ｓ１，Ｓ２は、複数の同一形状のスリットＳのうちＸ方向で左右の最外のスリットである。各スリットＳは、一方端（図示上側）が電極部４０１により閉じられ他方端（図示下側）が開口されてつながっている。Ｅ１，Ｅ２，Ｅ３は電極部４０１のうちのＹ方向に延在する突出部（言い換えると櫛歯）である。ここでは櫛歯は矩形の場合である。Ｘ方向で隣接する櫛歯の対によりスリットＳが形成されている。Ｅｗは、電極部４０１のうち、幅が広い突出部であって言い換えると画素電極端部を示している。ａ０は画素（４０１，Ｅｗ）の端の線である。ａ１は、スリット端部（最外スリットＳ１の端部）のスリット端ＳＥの線である。Ｓ２，ｂ１（ＳＥ）も同様である。
【００４８】
ａ１（ＳＥ），ｂ１（ＳＥ）付近を境に、Ｒ１は、画素内部領域であり、前述の第１の特性が確保される領域である。Ｒ２は、Ｒ１（ＳＥ）の外側の画素端部領域であり、Ｒ１の第１の特性とは異なる、相対的に応答が低速な前述の第２の特性となる領域である。
【００４９】
なお図３（Ａ）では、アレイ基板側のラビング方向（Ｒｕｂ）は、縦（Ｙ）方向のスリットＳの閉じた先端側へ向かう方向（図示の下から上）となる。
【００５０】
図３（Ｂ）は、図３（Ａ）を右に９０度回転させた構成に概略相当する（画素電極の詳細などは除く）。５０Ｂは、構成Ｂの場合の、上下電極（４０１，４０２）により形成される画素全体での開口部（スリット）の領域を示す。４０１は上電極３１（ＰＩＸ）に対応し、４０２は下電極３２（ＣＯＭ）のうちの概略画素領域に対応する。なお４０３は、後述のＴＦＴ部４３（それに接続されるコンタクト受け４４）との接続部の例を示す。なおＬ０はスリットＳの長さである。図３（Ｂ）のような上下電極（３１，３２）及び開口部５０Ｂの構成は、ＬＣＤに適用した場合、スリット端ＳＥを境に、Ｒ１の領域は、本実施の形態の新方式（高速横電界モード）に対応した高速な応答性などを持つ前述の第１の特性となる。しかし、Ｒ２の領域は、相対的に低速な応答性などを持つ前述の第２の特性となる。詳しくは、Ｒ１に比べＲ２の領域では、電圧印加時の応答速度が遅いだけでなく、輝度カーブ及び配向安定性などが異なる。またＲ１とＲ２では初期配向状態が異なるので、Ｒ２では配向異常による表示上の乱れが起きる可能性もある。
【００５１】
そこで、本実施の形態（後述の実施の形態２）では、Ｒ２の領域を、ＢＭ２２（横ＢＭ部２２Ａ）で重ねて隠す候補の領域とする。即ちＲ２の領域を太い幅の横ＢＭ部２２Ａにより隠すような画素構成とする。これにより画素において応答速度などの特性を向上及び均一化した新方式（高速横電界モード）を実現できる。応答性だけでなく、輝度カーブや配向安定性も均一化でき、表示品質を向上できる。
【００５２】
図３（Ｂ）のように、横（Ｘ）方向のスリットＳを持つ開口部５０Ｂの構成とすることで、後述（図８）のように幅が大きい横ＢＭ部２２Ａによる画素端部領域（Ｒ２）の遮光がしやすく、効率的な画素構成が実現できる。例えば画素の表示に有効な領域を広くとることができる。なお比較として図３（Ａ）で画素の左右の端部の領域（Ｒ２）をＢＭ２２（縦ＢＭ部２２Ｂ）により隠す場合、画素の表示に有効な領域を広くとることができず、非効率的な画素構成になるデメリットがある。
【００５３】
上記のように画素の両端のＲ２領域に対応するスリット端部が画素間にくる場合に、Ｒ１，Ｒ２の特性の違い（例えば当該特性の違いから生じる漏れ光）を効率的に隠すことができるように、図３（Ｂ）のようにＸ方向のスリットＳを持つ開口部５０Ｂを横ＢＭ部２２Ａの構成に合わせて配置する構成である（後述図１６等）。
【００５４】
［画素（構成Ａ，構成α）］
図４は、図９の構成Ａ，構成αの場合で、画素の電極及び開口部などのＸ−Ｙ平面の構成を示し、スリット端部の特性などについて説明する。構成Ａは、上電極３１が共通電極ＣＯＭで下電極３２が画素電極ＰＩＸの場合、構成αは、両側櫛歯形状の場合である。図４（Ａ）は、縦方向スリットを持つ場合、図４（Ｂ）は、本実施の形態の横方向スリット（Ｓ）を持つ場合を示す。
【００５５】
図４（Ａ）で、５０１は、上電極（ＣＯＭ）の電極部を示す。５０２は、下電極（ＰＩＸ）の矩形の領域を示し、概略画素領域に対応する。５００は、上下電極（５０１，５０２）により形成される画素全体での開口部（スリット）の領域を示し、電極部５０１の外側の領域であり、上電極（ＣＯＭ）部分が重ならず下電極（ＰＩＸ）部分のみの領域である。５０３（Ｋａ）は、電極部５０１のうち上側へ長く延在する突出部（櫛歯）、５０４（Ｋｂ）は、下側へ長く延在する突出部（櫛歯）である。ここでは櫛歯は矩形の場合である。Ｘ方向で隣接する櫛歯の対により個別のスリット（Ｓａ，Ｓｂ）が形成されている。５０８は、横（Ｘ）方向に延在する電極部であり、複数の突出部（Ｋａ，Ｋｂ）の一方端側を接続している。このようにＸ方向の軸（５０８）を中心に上下の両側に櫛歯（Ｋａ，Ｋｂ）が互い違いに出る両側櫛歯形状である。
【００５６】
５０５（Ｓａ）は、開口部５００のうち、上側へ長く延在する個別の縦（Ｙ）方向のスリット、５０６（Ｓｂ）は、下側へ長く延在する個別の縦（Ｙ）方向のスリットである。５０７は、横（Ｘ）方向に延在するスリット（連通開口部ともいう）であり、複数のスリット（Ｓａ，Ｓｂ）の一方端側を接続している。各スリット（Ｓａ，Ｓｂ）は、一方端が電極部５０１により閉じられ他方端が開口されて連通開口部５０７につながっている。このようにＸ方向の軸（５０７）を中心に上下の両側にスリット（Ｓａ，Ｓｂ）が互い違いに出る両側櫛歯形状である。
【００５７】
Ａ１は、画素の開口部５００のＸ方向での左右の端部の領域であり、Ａ１を境に、前述同様に、特性の異なる領域になる。図４（Ａ）では、アレイ基板側のラビング方向（Ｒｕｂ）は、縦（Ｙ）方向のスリットと同じ平行方向（図示の上から下）である。
【００５８】
図４（Ｂ）は、図４（Ａ）を左に９０度回転させた構成に概略相当する（画素電極の詳細などは除く）。５０Ａは、構成Ａの場合の、上下電極（３１（ＣＯＭ），３２（ＰＩＸ））により形成される画素全体での開口部（スリット）の領域であり、上電極３１（ＣＯＭ）の外側の領域であり、上電極３１（ＣＯＭ）部分が重ならず下電極３２（ＰＩＸ）部分のみの領域である。なお開口部５０（５０Ａ，５０Ｂ）は、画素領域のうちの表示に有効な領域といった意味ではなく、平面視（Ｘ−Ｙ）において上下電極（３１，３２）の重なりで上電極３１部分が無いことで下電極３２部分のみが開口して存在する領域のことを指している。５３（Ｋａ）は、電極部（３１）のうち左側へ長く延在する突出部（櫛歯）、５４（Ｋｂ）は、右側へ長く延在する突出部（櫛歯）である。Ｙ方向で隣接する櫛歯の対により個別のスリットＳ（Ｓａ，Ｓｂ）が形成されている。５８は、上電極３１のうち、縦（Ｙ）方向に延在する電極部であり、複数の突出部（Ｋａ，Ｋｂ）の一方端側を接続している。即ち上電極３１（ＣＯＭ）は、Ｙ方向の軸（５８）に対して左右の両側に櫛歯（Ｋａ，Ｋｂ）が互い違いに突出する両側櫛歯形状である。
【００５９】
５５（Ｓａ）は、開口部５０Ａのうち、左側へ長く延在する個別のＸ方向のスリット、５６（Ｓｂ）は、右側へ長く延在する個別のＸ方向のスリットである。５７は、縦（Ｙ）方向に延在するスリット（連通開口部ともいう）であり、複数のスリットＳ（Ｓａ，Ｓｂ）の一方端側を接続し、連続的な開口を形成している。各スリットＳは、一方端が電極部（３１）により閉じられ他方端が開口されて連通開口部５７につながっている。
【００６０】
開口部５０Ａにおいて、Ｘ方向位置が同じであるＹ方向の列に配置される複数のスリットＳは、左右の端の位置が揃っており同じ形状であり、Ｙ方向で一定のピッチで並んでいる。Ｘ方向で隣接する列のスリットＳ群は、Ｙ方向の連通開口部（縦方向スリット）５７を軸に、その左右の両側に、スリットＳがＹ方向で互い違いにずれて配置される両側櫛歯形状である。このずれは、スリットＳのＹ方向のピッチの１／２分である（後述図２３）。この互い違いの両側櫛歯形状は、概略的にはスリットＳと突出部（電極部）とが千鳥状に配置された構造とも言える。
【００６１】
スリット端ＳＥは、画素の上下電極（３１，３２）による開口部（スリット）５０の構成においてＹ方向で最も外側に存在するスリット（最外スリットと称す）の外側の辺（線）を示す。ＳＥは、ここでは下電極３２（ＰＩＸ）の矩形の辺に対応する。端部（スリット端部ともいう）Ａ１は、画素の開口部５０ＡのＹ方向での上下の端部の領域であり、スリット端ＳＥの線を中心に含んだ付近の領域である。
【００６２】
図４（Ｂ）では、アレイ基板１０側のラビング方向（Ｒｕｂ）は、横（Ｘ）方向のスリットＳの構造に対応した、Ｘ方向と平行方向（図示の左から右）である。なおＬ０は開口部５０ＡのＸ方向のスリット（Ｓａ，Ｓｂ及び５７の幅を含む）のトータルのＸ方向の長さである。Ｌ１，Ｌ２は左右の各スリット（Ｓａ，Ｓｂ）の長さである。
【００６３】
図４（Ｂ）のような上下電極（３１，３２）及び開口部５０Ａの構成は、ＬＣＤに適用した場合、前述同様に、Ａ１（ＳＥ）を境に、その内外の画素内部領域Ｑ１と画素端部領域Ｑ２では、応答速度などの特性が異なってくる。Ｑ１の領域は、新方式（高速横電界モード）に対応した高速な応答性などを持つ前述の第１の特性となる。しかしＱ２の領域は、前述の第２の特性（スリットの端部では従来のＦＦＳ方式と同程度の応答速度などとなってしまうという第２の特性）となる。理由の１つは上下電極（３１，３２）などの形状・有無が異なるためである。詳しくは、Ｑ１に比べＱ２の領域では、電圧印加時の応答速度が遅いだけでなく、輝度カーブ及び配向安定性などが異なってくる。またＱ１とＱ２では初期配向状態が異なるので、Ｑ２では配向異常による表示上の乱れが起きる可能性もある。
【００６４】
そこで、本実施の形態（後述の実施の形態１）では、画素のＹ方向の端部Ａ１（スリット端ＳＥ）付近を境にした、Ｑ２のような領域を対象として、Ｚ方向の上方に後述（図８等）のＢＭ２２（特に横ＢＭ部２２Ａ）を重ねる配置により、Ｑ２領域を隠して第２の特性を隠す構成である。即ちＱ２領域の第２の特性を幅が太い横ＢＭ部２２Ａにより隠すような画素構成とする。これにより各画素においてＱ２領域の特性（応答速度、輝度カーブ、及び配向安定性など）を抑え、Ｑ１領域の特性に均一化することができ、表示品質を向上できる。
【００６５】
図４（Ｂ）のように、横（Ｘ）方向のスリットＳを持つ開口部５０Ａの構成とすることで、後述（図８）のように幅が大きい横ＢＭ部２２Ａにより端部（Ａ１）の領域（Ｑ２）の遮光がしやすく、効率的な画素構成が実現できる。例えば画素の表示に有効な領域を広くとることができる。比較として図４（Ａ）で左右の端部（Ａ１）の領域を縦ＢＭ部２２Ｂにより隠す場合、画素の表示に有効な領域を広くとることができず、非効率的な画素構成になるデメリットがある。
【００６６】
なお図４（Ｂ）でスリット（Ｓａ）の長さＬ１を０にすれば、構成β（図３）のような片側櫛歯形状となる。また図４（Ｂ）では、開口部５０Ａが画素ごとに閉じずにＹ方向の画素ラインにわたって連続的に開口の場合を示しているが、後述のように画素ごとに閉じた形状としてもよい。いずれの構成でも、画素単位の形状でみると、矩形の画素電極ＰＩＸ等の存在により、スリット端部Ａ１ないしスリット端ＳＥが生じ、その内外の領域で特性の違いが生じる。
【００６７】
［液晶配向性］
図５〜図７を用いて本実施の形態の方式における液晶層３０の液晶配向性などについて説明する。
【００６８】
図５では、図４（Ｂ）と同様に開口部（スリット）５０Ａの構成を示す。このような両側櫛歯形状により、Ｘ方向における各スリットＳの長辺（スリットＳの幅方向で対向する一方の側及び他方の側）の近傍領域（Ｆ１，Ｆ２）は、Ｘ方向で概略同じライン上に並んでいる。これらスリットＳの長辺の領域（Ｆ１，Ｆ２）は、基板面内（Ｘ，Ｙ）での液晶分子の回転方向として、Ｆ１（実線），Ｆ２（破線）で示す２種類の回転方向がある。そしてＸ方向のライン上では同じ回転方向の領域が並んでいる。Ｙ方向では２種類の領域（Ｆ１，Ｆ２）が交互に配置されている。Ｘ方向で隣接する列同士及びＸ方向ライン上で、液晶回転方向が揃っているので、配向安定性が高い。
【００６９】
図６は、図５の一部拡大で２種類の液晶配向性の領域（Ｆ１，Ｆ２）を示す。（ａ）は電圧ＯＦＦ時及び初期配向状態、（ｂ）は電圧ＯＮ時である。７０１は液晶分子のイメージを示す。Ｆ１は、Ｘ−Ｙ平面における液晶のツイストないし回転の方向が右回りの領域を示し、Ｆ２は左回りの領域を示す。Ｆ１，Ｆ２は、スリットＳ（Ｓａ，Ｓｂ）の対向する２つの長辺（対応する突出部の長辺）を中心とする近傍領域を示す。例えばある左側のスリット５５（Ｓａ）の上側の長辺ａ１、下側の長辺ａ２を有する。またそのスリット５５（Ｓａ）の右側にある突出部５３（Ｋａ）の上側の長辺ａ３、下側の長辺ａ４を有する。そしてＸ方向で長辺ａ１，ａ３は概略同じライン上に並び、長辺ａ２，ａ４は概略同じライン上に並ぶ。
【００７０】
スリットＳの一方端の短辺は縦方向スリット５７に開口で接続されており、スリットＳの各長辺は、縦方向スリット５７につながる角部を有する。この角部は、電界制御機能（言い換えると液晶配向を安定化させる機能）を持つ。即ち、各スリットＳの長辺（例：ａ１）では、電極部（５８）により閉じられた一方端の角部から、開口される他方端の角部までの線において、液晶の回転方向が同じ（例：Ｆ１）になり、配向が安定化する。これはＹ方向の連通開口部５７に対して左右のスリットＳ（Ｓａ，Ｓｂ）で同様である。例えばスリットＳａの長辺ａ１の隣に存在するスリットＳｂの長辺ａ３においても、同様に角部の電界制御機能を持つので、当該長辺ａ３でも液晶の回転方向が同じ（Ｆ１）になり、配向が安定化する。またスリットＳの他方側の長辺（ａ２，ａ４）においては、一方側の長辺（ａ２，ａ４）に対して逆の回転方向の領域（Ｆ２）となり、配向が安定化する。
【００７１】
図６（ａ）の状態では、各液晶分子は、横（Ｘ）方向に長軸が沿って配向している。上下電極（３１，３２）に対する電圧印加により、（ａ）から（ｂ）の状態へ遷移する。この際、発生するフリンジ電界により、液晶分子は図示のようにＸ−Ｙ平面で各方向（右回り、左回り）に回転しながらＺ方向へ立ち上がる。なおスリットＳのＦ１，Ｆ２の間の領域では回転方向が混在する。
【００７２】
そして図６（ｂ）の状態では、各スリットＳの辺（例：ａ１〜ａ４）で、Ｘ方向ライン上、液晶の配向の状態が概略揃う。よって本方式では、電圧印加時の応答速度が速く（応答時間が短く）、配向安定性が高く、表示品質が高くなる。
【００７３】
図７は、図５のＡ−Ａ´断面でのＺ方向での液晶配向状態を示す。（ａ）は電圧ＯＦＦ時及び初期配向状態、（ｂ）は電圧ＯＮ時である。（ａ）では、アレイ基板１０におけるラビング方向Ｒｕｂ（左から右）により、８００のように所定のプレチルト角によるプレチルト方向で液晶分子が初期配向している。液晶分子は、ラビング方向Ｒｕｂの進行方向（右）側に対応した長軸の一方端がＺ方向で少し上になる。
【００７４】
図７（ａ）から電圧印加により図７（ｂ）の状態へ遷移する。この際、液晶分子が図６のように面内（Ｘ，Ｙ）で回転しながら図７のようにＺ方向で立ち上がる。図７（ｂ）で、スリットＳ（Ｓａ，Ｓｂ）上の領域で、ａ線は連通開口部５７の位置に対応する。ａ線から右側（８０１）では、プレチルト方向（８００）に対応した正の方向に液晶が立ち上がり、左側（８０２）では、逆の方向に液晶が立ち上がる。即ち、左側の領域（８０２）の方が右側（８０１）よりも立ち上がりがしにくく応答性が不利である。
【００７５】
これに対応して、図４（Ｂ）のように、本方式では、開口部５０Ａにおいて左右のスリット（Ｓａ，Ｓｂ）の長さ（Ｌ１，Ｌ２）を変え、Ｌ１＜Ｌ２として、Ｌ１部分の割合を低減した構成である。これにより応答の特性を向上できる。
【００７６】
［高速横電界モード］
本実施の形態の液晶パネル１に用いられている高速横電界モードについて図４等を参照しながら説明する。例えば構成Ａの場合、共通電極ＣＯＭは、各画素に跨り画面全体にわたって面状に設けられ、所定の長さの長辺及び所定の幅の短辺を持つ矩形状の開口（スリットＳ）が、画素電極ＰＩＸに対向する位置に複数設けられている（図４（Ｂ）等）。複数の開口（Ｓ）は、互いにその延在の方向が同一（図４（Ｂ）ではＸ方向）で配置されている。本実施の形態では、電圧印加時には開口（Ｓ）の幅方向（図４（Ｂ）ではＹ方向）において対向する長辺の一方の側および他方の側の近傍領域（図５，図６のＦ１，Ｆ２）の液晶層３０の液晶分子が互いに逆方向の回転でねじれて配向するようになっている。これにより応答速度の特性が改善される。
【００７７】
上記開口（Ｓ）の長さは例えば１０〜６０μｍであり、４０μｍ未満であることが好ましい。４０μｍ未満とした場合、液晶分子の回転方向が安定化しやすいためである。上記開口（Ｓ）の幅は例えば２〜５μｍであり、開口（Ｓ）のピッチは例えば４〜１０μｍである。応答速度を高めるためには、開口（Ｓ）の幅やピッチはより小さいことが好ましい（これらを考慮した特性については後述図２３等）。
【００７８】
同じライン（図４（Ｂ）では縦の列）に配置された複数の開口（Ｓ）は、両端の位置が揃った同じ形状であり、隣り合うライン同士では、個々の開口（Ｓ）が互い違いにずれて配置されている。ずれの大きさは、例えば図４（Ｂ）ではＹ方向にピッチの１／２分である。このような互い違いの配置（言い換えると概略千鳥状の配置）により、隣り合うラインの開口（Ｓ）同士では、図５，図６のように同じ方向に回転する液晶分子が近くなる。２種類の回転方向（右，左）の領域（Ｆ１，Ｆ２）がそれぞれ概略同じライン上に整列する。画面内では２種類の回転方向の領域（Ｆ１，Ｆ２）のラインがＹ方向で交互に配置される形となる。このような配置により画面における配向が安定化する。
【００７９】
上記共通電極ＣＯＭには、同じライン（縦の列）において幅方向で隣り合って配置される複数の開口（Ｓ）同士を接続する連通開口部５７を有する。連通開口部５７は、隣り合うラインで互い違いに配置される複数の開口（Ｓ）同士を、それぞれ一方端の短辺が開口となる形で連結する。１つの開口（Ｓ）における幅方向で対向する２つの長辺は、それぞれ、一方端は電極部（５８）により閉じられた角部となり、他方端は連通開口部５７に開かれた角部となる。
【００８０】
１つの開口（Ｓ）における幅方向で対向する２つの長辺は、連通開口部５７との交点に２つの角部を有する。これら角部は、電界制御部としての機能を有する。この電界制御部である角部は、開口（Ｓ）の長辺の延在方向において、一方端の閉じた角部から他方端の開いた角部までの近傍領域において、液晶分子の回転方向を同一にし、配向を安定化する。上記のように連通開口部５７を設けた互い違いの櫛歯形状の開口部５０により、個々の開口（Ｓ）に電界制御部としての角部を設けることで、配向安定性を高めている。
【００８１】
なお連通開口部５７を設けない形状（例えば各開口（Ｓ）が島状に独立する形状など）も可能であるが、連通開口部５７を設けることで製造の容易性が上がる。連通開口部５７を設けない形状とする場合、配向安定性を高くする場合は、開口（Ｓ）の長辺を短めにするとよい（例えば２０μｍ以下）。
【００８２】
配向膜（第１、第２の配向膜）は、液晶層３０の液晶分子を、上記電極及び開口の形状に対応した所定の方向に配向させるように、各開口（Ｓ）の延在方向（Ｘ方向）と概略平行方向に、アンチパラレル配向のラビング処理が施される。即ち第１の配向膜は前述のラビング方向Ｒｕｂで、第２の配向膜はその逆方向で、ラビング処理が施される。
【００８３】
これにより、液晶層３０の液晶は、図６（ａ）のように電圧印加前、初期配向状態では、開口（Ｓ）の幅方向で対向する各長辺において、開口（Ｓ）上の液晶分子の長軸が略同一方向（Ｘ）を向いて配向する。図６（ｂ）のように電圧印加時には、開口（Ｓ）の幅方向で対向する長辺の一方の側および他方の側の近傍領域（Ｆ１，Ｆ２）における液晶分子は、互いに逆方向に回転して配向する。開口（Ｓ）の長辺の一方の側の近傍領域（Ｆ１）では、閉じた角部から開いた角部まで、液晶分子が右回りに回転して配向し、他方の側の近傍領域（Ｆ２）では、閉じた角部から開いた角部まで、液晶分子が左回りに回転して配向する。対応してＺ方向では図７（ａ）から（ｂ）のように液晶分子の長軸が立ち上がるように配向する。また開口（Ｓ）の対向する長辺における中間の領域では、それぞれの方向（右，左）に回転する液晶分子が混在する。上記のように、上下電極（３１，３２）の電極層（開口部５０を含む）上の液晶層３０の液晶分子は、各回転方向（右，左）の領域（Ｆ１，Ｆ２）に分けられた形で配向が制御される。したがって電圧印加時の応答速度が高速となる。
【００８４】
［画素・ＢＭ構成］
次に、図８は、液晶パネル１における画素（セルともいう）及びＢＭ２２等のＸ−Ｙ平面の構成例を示す。ＢＭ２２（２２Ａ，２２Ｂ）の幅などについて説明する。本実施の形態では、ＢＭ２２は、Ｘ方向に並行する横ＢＭ部２２Ａと、Ｙ方向に並行する縦ＢＭ部２２Ｂとから成る。
【００８５】
アレイ基板１０側に、Ｘ方向に並行するゲート線４１（ＧＬ）と、Ｙ方向に並行するデータ線４２（ＤＬ）との交差による画素（サブ画素ともいう）の領域が構成される。９０１は主な画素電極ＰＩＸに対応した概略画素領域、言い換えるとＢＭ２２部分を除く画素の開口の領域を示し、縦長の矩形の場合である。画素配列としてＲＧＢの３色のストライプ配列の場合を示す。ＣＦ２３は、液晶層３０の透過光を色分離する層であり、本例では、画素の設計に応じて、Ｙ方向の画素ラインごとにＲ（赤），Ｇ（緑），Ｂ（青）に色分けされた層である２３ｒ，２３ｇ，２３ｂで構成される。なお他の画素配列として、デルタ配列、ダイアゴナル配列、レクタングル配列なども可能である。またＲＧＢの３色に限らず、１色、２色、４色などの構成も可能である。
【００８６】
ゲート線４１とデータ線４２との交差付近位置（本例では画素左上）にはＴＦＴ部４３が配置されている。ＴＦＴ部４３は、ＴＦＴ素子を含んで成り、ソース端子にデータ線４２が接続され、ゲート端子にゲート線４１が接続され、ドレイン端子に接続部（コンタクト受け等という）４４を介して画素電極ＰＩＸが接続される。接続部（コンタクト受け）４４の上に、画素電極ＰＩＸの一部が重なって接続される。
【００８７】
ＢＭ２２（２２Ａ，２２Ｂ）は、ゲート線４１、データ線４２、ＴＦＴ部４３等の部分を平面視（Ｘ−Ｙ）で隠すようにそれらの上に重なって配置される。横ＢＭ部２２Ａは、Ｘ方向のゲート線４１上及びＴＦＴ部４３上に重なる配置である。縦ＢＭ部２２Ｂは、Ｙ方向のデータ線４２上に重なる配置である。そのため、横ＢＭ部２２Ａの幅（ｈ１）は、縦ＢＭ部２２Ｂの幅（ｈ２）よりも太くなっている（ｈ１＞ｈ２）。特にＴＦＴ部４３を隠す必要や、所定のサイズ・比率等の画素（９０１）を構成する必要から、上記のように幅が異なるＢＭ２２（２２Ａ，２２Ｂ）の構成となる。
【００８８】
このような画素及びＢＭ２２の構成に応じて、本方式では、前述図３，図４等のように横（Ｘ）方向のスリットＳを持つ開口部５０の構造とし、かつ、各画素のＹ方向上下のスリット端部（図４（Ｂ）のＡ１等）を、幅が大きい方の横ＢＭ部２２Ａによって隠す構成である。
【００８９】
なお他の画素構成、例えば縦ＢＭ部２２Ｂの方が幅が大きい構造の場合、それに応じて、縦（Ｙ）方向のスリットを持つ開口部の構造とし、かつ各画素のＸ方向左右のスリット端部を縦ＢＭ部２２Ｂにより隠す構成、なども可能である。
【００９０】
［上下電極構成］
図９は、上下電極（３１，３２）に関する構成例をまとめている。なおＲＧＢの３画素分の概略形状を示す。ラビング方向Ｒｕｂ及びスリット方向はＸ方向である。実施の形態１では構成Ａ及び構成α、実施の形態２では構成Ｂ及び構成βを採る。
【００９１】
構成Ａは、上電極３１（３１Ａ）が共通電極ＣＯＭであり、下電極３２（３２Ａ）が画素電極ＰＩＸである。上電極３１Ａ（ＣＯＭ）の形状は、複数画素領域などの全面でのベタ層を基本として画素ごとに開口（５０Ａ）を有する形状である。下電極３１Ｂ（ＰＩＸ）の形状は、画素ごとに矩形であり、格子状などで規則的に配置され、また上端側にコンタクト受け４４との接続部となる張り出し部（１００１）を持つ。
【００９２】
構成Ｂは、上電極３１（３１Ｂ）が画素電極ＰＩＸであり、下電極３２（３２Ｂ）が共通電極ＣＯＭである。上電極３１Ｂ（ＰＩＸ）の形状は、画素ごとに矩形を基本としてスリット（５０Ｂ）を有する形状であり、また上端側にコンタクト受け４４との接続部（１００１）を持つ。下電極３２Ｂ（ＣＯＭ）の形状は、複数画素領域などの全面でのベタ層であり、接続部（１００１）の位置に対応して画素ごとに導通孔（１００２）を持つ。
【００９３】
また、上下電極（３１，３２）及びスリット（開口部）５０の形状として、構成αは、横（Ｘ）方向スリットＳ（特に台形）による両側櫛歯形状であり、構成βは、横（Ｘ）方向スリットＳ（特に矩形）による片側櫛歯形状である。構成α（両側櫛歯形状）は、図４，図１０等で示す。構成β（片側櫛歯形状）は、図３，図１６等で示す。
【００９４】
上記形態に限らず詳しくは各種の組合せの形態が可能である。例えば、構成Ａの上電極３１Ａ（ＣＯＭ）の開口の形状を片側櫛歯形状にしてもよいし、構成Ｂの上電極３１Ｂ（ＰＩＸ）の形状を両側櫛歯形状にしてもよい。構成αの櫛歯を矩形にしてもよいし、構成βの櫛歯を台形にしてもよい。
【００９５】
＜実施の形態１＞
次に、図１０〜図１５を用いて、実施の形態１の液晶表示装置１００及び液晶パネル１について説明する。実施の形態１は、図９の通り、構成Ａ（上電極３１Ａが共通電極ＣＯＭ、下電極３２Ａが画素電極ＰＩＸ）、及び構成α（両側櫛歯形状）である。
【００９６】
［構成Ａ，α−平面］
図１０は、実施の形態１の液晶パネル１（１Ａ）における画素及びＢＭ２２等のＸ−Ｙ平面の構造を示す。ＲＧＢ３画素分を示す。これは、図８の構成に、構成αのような電極形状（図１２等）を適用した構成である。特に、幅（ｈ１）が太い横ＢＭ部２２Ａにより、各画素で開口部５０ＡのＹ方向のスリット端部（その少なくとも一部）を隠す構成である。詳しくは図１２以下で説明する。
【００９７】
下電極３２Ａ（画素電極ＰＩＸ）は、上端側の張り出し部１１０１でコンタクト受け４４と接続される。下電極３２Ａ（ＰＩＸ）及び上電極３１Ａ（ＣＯＭ）による開口部５０Ａは、両側櫛歯形状であり、概略的には図４（Ｂ）の矩形を台形に変えたものに相当する。上電極３１Ａ（ＣＯＭ）による横（Ｘ）方向の台形状の複数のスリットＳが下電極３２Ａ（ＰＩＸ）の矩形の面上に設けられる。下電極３２Ａ（ＰＩＸ）の平面における上電極３１Ａ（ＣＯＭ）が重ならない部分が開口部５０Ａとなる。
【００９８】
本方式では、開口部５０ＡのスリットＳの方向（Ｘ）に対して、平行方向に延在する横ＢＭ部２２Ａと、垂直方向に延在する縦ＢＭ部２２Ｂとで、横ＢＭ部２２Ａの方が縦ＢＭ部２２Ｂよりも幅が太い構成である（ｈ１＞ｈ２）。言い換えると、幅（ｈ１）が太い横ＢＭ部２２Ａの方向（Ｘ）に合わせるように、開口部５０のスリットＳの方向を設計している。そして、画素ごとに開口部（スリット）５０のスリット端部（図１２のＡ１，Ａ２）を、幅（ｈ１）が太い横ＢＭ部２２Ａにより隠す構成である。これにより前述（図４（Ｂ））のような画素端部領域Ｑ２の第２の特性を抑え、画素内部領域Ｑ１の第１の特性に均一化する。なおＸ方向のスリットＳに対する横ＢＭ部２２Ａの延在の方向は、必ずしも同一方向に限らず、ある程度まで斜めになってもよい。例えばスリットＳ／櫛歯の台形の傾きに合わせてもよい。
【００９９】
［構成Ａ−断面］
図１１は、実施の形態１の液晶パネル１（１Ａ）における画素及びＢＭ２２等のＸ−Ｚ断面の構造を示す。図１０のＡ−Ａ´断面に相当する。アレイ基板１０は、下側から、ガラス基板１１上に、ゲート線４１（非図示）、データ線４２（１２０１）、ＴＦＴ部４３、下電極３２Ａ（ＰＩＸ）、誘電体膜３３、上電極３１Ａ（ＣＯＭ）、その他の絶縁膜１２などが形成される。絶縁膜１２による平坦化された層上に下電極３２Ａ（ＰＩＸ）の層が形成され、平坦な誘電体膜３３上に上電極３１Ａ（ＣＯＭ）の層が形成される。共通電極ＣＯＭの面と画素電極ＰＩＸの面は、誘電体膜３３を介して平行に対向する。
【０１００】
ＴＦＴ部４３は、例えば、ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体膜、及びソース・ドレイン電極を含むＴＦＴ素子で構成される。１２０１は、ＴＦＴ部４３の端子に接続されるデータ線４２ないしそれに接続される画素電極ＰＩＸの線を示す。１２０２は、Ｚ方向、上下層（１２０１，３２Ａ）の導通部である。なおＴＦＴ素子はボトムゲート型・トップゲート型のいずれでもよい。半導体膜は、アモルファスシリコン、酸化物半導体、有機半導体のいずれで構成されてもよい。
【０１０１】
［遮光構成例（１）］
図１２は、図１０の１画素分のみに対応して、横ＢＭ部２２Ａによる第１の遮光の構成例を示す。画素のスリット（開口部）５０Ａにおいて、Ｙ方向の上下のスリット端部の領域Ａ１，Ａ２を有する。ＳＥはスリット端である。第１の遮光の構成例では、上側のスリット端部Ａ１のＳＥ線よりも上側の張り出し部１１０１を含む領域を、横ＢＭ部２２Ａにより隠した構成である。また下側のスリット端部Ａ２についても同様に、ＳＥ線よりも下側を横ＢＭ部２２Ａにより隠した構成である。横ＢＭ部２２Ａの幅ｈ１は特にｈ１ａとする。なおＹ方向の上下の一方の端部のみ隠した構成としても相応の効果は得られる。
【０１０２】
個々の櫛歯である突出部及び個々のスリットＳは台形状である。Ｋ１，Ｋ２は、Ｙ方向上側の左右の最外の櫛歯である。なお櫛歯の台形は、画素の内側が短い上辺、外側が長い下辺である。Ｓａ１はＹ方向上側における左側の最外（Ｓｗは除く）のスリット、Ｓｂ１は右側の最外（Ｓｗは除く）のスリットである。Ｓｗは、開口部５０のＹ方向上側の最外の大きなスリット（言い換えると櫛歯Ｋ１，Ｋ２の外側の大きなスリット）である。Ｓａ１，Ｓｂ１から下は同一形状のスリットＳとなる。なおスリットＳの台形は、画素の内側が長い下辺、外側が短い上辺である。
【０１０３】
横ＢＭ部２２Ａの幅ｈ１（ｈ１ａ）は、画素のスリット端ＳＥから外側へ所定距離の幅（後述の幅Ｈ）以上となる構成である。即ち、横ＢＭ部２２Ａの幅ｈ１は、ゲート線４１やＴＦＴ部４４を隠すと共に、スリット端ＳＥから外側へ所定距離までの幅（Ｈ）の領域を最低限隠すことができる大きさである。この幅ｈ１をより大きくする構成（図１３以下）としてもよい。その分、スリット端部Ａ１等を隠すことになり、画素の開口率は少し下がる代わりに、画素端部領域Ｑ２の第２の特性の影響を低減し、画素の特性の均一性を高めることができる。
【０１０４】
［遮光構成例（２）］
図１３は、第２の遮光の構成例を示す。これは、図１２の構成に対し、横ＢＭ部２２Ａの幅ｈ１をより大きくし（ｈ１ｂ）、スリット端部Ａ１等をより隠すようにした構成である。横ＢＭ部２２Ａの幅ｈ１ｂ（下辺側）は、上側のスリット端ＳＥから少し内側の位置（図１５のａ３）までを含んでいる。この位置は、最外スリットＳｗの付近（右側の最外の櫛歯Ｋ１の少し外側）である。同様に、下側のスリット端部Ａ２についても、スリット端ＳＥから少し内側の所定の位置までを隠す構成である。
【０１０５】
［遮光構成例（３）］
図１４は、第３の遮光の構成例を示す。更に横ＢＭ部２２Ａの幅ｈ１を大きくし（ｈ１ｃ）、スリット端部Ａ１等をより隠すようにした構成である。横ＢＭ部２２Ａの幅ｈ１ｃ（下辺側）は、上側のスリット端ＳＥから内側の位置（図１５のａ４）までを含んでいる。この位置は、右側の最外の櫛歯Ｋ１の中心線付近（左側の最外の櫛歯Ｋ２の少し外側）である。同様に、下側のスリット端部Ａ２についても、スリット端ＳＥから内側の所定の位置までを隠す構成である。
【０１０６】
なおＹ方向の櫛歯（突出部）の位置をずらして最外の開口（Ｓｗ）部分を小さくした構成としてもよい。
【０１０７】
［補足］
図１５は、上記開口部５０Ａの場合のスリット端ＳＥや遮光の構成例に関する補足を示す。Ａ１はスリット端ＳＥを中心に含んだスリット端部の領域である。Ａ３は最外スリットＳｗ付近の領域である。最小限には、スリット端ＳＥ（ａ１）から所定の幅Ｈ（ａ２）までをＢＭ２２で隠すことで、画素端部領域Ｑ２の第２の特性（応答速度、輝度カーブ、及び配向安定性など）を隠す効果がある。そして図８のような横ＢＭ部２２Ａが存在するので、それに合わせて、横ＢＭ部２２Ａの幅ｈ１を、幅Ｈを含んだ幅ｈ１ａなどにする。これによりＢＭ２２を含む効率的な画素構成と共に、画素の特性を均一化・向上することができる。
【０１０８】
＜実施の形態２＞
次に、図１６〜図１９を用いて、実施の形態２の液晶表示装置１００及び液晶パネル１について説明する。実施の形態２は、図９の通り、構成Ｂ（上電極３１Ｂが画素電極ＰＩＸ、下電極３２Ｂが共通電極ＣＯＭ）、及び構成β（片側櫛歯形状）である。
【０１０９】
［構成Ｂ，β−平面］
図１６は、実施の形態２の液晶パネル１（１Ｂ）における画素及びＢＭ２２等のＸ−Ｙ平面の構造を示す。ＲＧＢ３画素分を示す。これは、図８の構成に、構成βのような電極形状（図１８等）を適用した構成である。特に、幅（ｈ１）が太い横ＢＭ部２２Ａにより、各画素で開口部５０ＢのＹ方向のスリット端部（その少なくとも一部）を隠す構成である。
【０１１０】
下電極３２Ｂ（ＣＯＭ）は、全面ベタ層である。上電極３１Ｂ（ＰＩＸ）は、画素ごとの矩形を基本として、左側に矩形のスリットＳが設けられた形状である。上電極３１Ｂ（ＰＩＸ）による横（Ｘ）方向の矩形の複数の突出部（櫛歯）により形成される複数のスリットＳが下電極３２Ｂ（ＣＯＭ）の面上に設けられる。上電極３１Ｂ（ＰＩＸ）は、上端側の一部（接続部１００１）で、ＴＦＴ部４３からのコンタクト受け４４に接続されている。下電極３２Ｂ（ＣＯＭ）の平面における上電極３１Ｂ（ＰＩＸ）が重ならない部分が開口部５０Ｂとなる。
【０１１１】
本方式は、図１０（実施の形態１）の場合と同様に、画素ごとに、開口部（スリット）５０ＢのＹ方向のスリット端部（図１８のＡ１，Ａ２）を、幅（ｈ１）が太い横ＢＭ部２２Ａにより隠す構成である。これにより前述（図３（Ｂ））のような画素端部領域Ｒ２の第２の特性を抑え、画素内部領域Ｒ１の第１の特性に均一化する。
【０１１２】
［構成Ｂ−断面］
図１７は、実施の形態２の液晶パネル１（１Ｂ）における画素及びＢＭ２２等のＸ−Ｚ断面の構造を示す。図１６のＢ−Ｂ´断面に相当する。アレイ基板１０は、下側から、ガラス基板１１上に、ゲート線４１（非図示）、データ線４２（１８０１）、ＴＦＴ部４３（非図示）、下電極３２Ｂ（ＣＯＭ）、誘電体膜３３、上電極３１Ｂ（ＰＩＸ）、その他の絶縁膜１２などが形成される。絶縁膜１２による平坦化された層上に下電極３２Ｂ（ＣＯＭ）の層が形成され、平坦な誘電体膜３３上に上電極３１Ｂ（ＰＩＸ）の層が形成される。
【０１１３】
１８０１は、ＴＦＴ部４３の端子に接続されるデータ線４２ないしそれに接続される画素電極ＰＩＸの線を示す。１８０２は、Ｚ方向、上下層（１８０１，３１Ｂ）の導通部である。１８０３は、下電極３２Ｂ（ＣＯＭ）に設けられる導通孔（１００２）の部分である。
【０１１４】
［遮光構成例］
図１８は、図１６の１画素分のみに対応して、横ＢＭ部２２Ａによる遮光の構成例を示す。なおこの画素電極ＰＩＸの形状などは図３（Ｂ）と同様である。画素のスリット（開口部）５０Ｂにおいて、Ｙ方向の上下のスリット端部の領域Ａ１，Ａ２を有する。ＳＥはスリット端の線である。本遮光の構成例では、上側のスリット端部Ａ１のＳＥ線よりも上側の前述の突出部Ｅｗを含む領域を、横ＢＭ部２２Ａにより隠した構成である。また下側のスリット端部Ａ２についても同様に、ＳＥ線よりも下側を横ＢＭ部２２Ａにより隠した構成である。横ＢＭ部２２Ａの幅ｈ１は特にｈ１ｄとする。なおＹ方向の上下の一方のスリット端部のみ隠した構成としても相応の効果は得られる。
【０１１５】
［補足］
図１９は、上記開口部５０Ｂの場合のスリット端ＳＥや遮光の構成例に関する補足を示す。前記図３と対応した内容である。Ｅｗは画素電極ＰＩＸの上端部の幅広の突出部であり接続部１００１を有する部分である。Ｅ１は、Ｙ方向上の最外（Ｅｗを除く）の櫛歯である突出部である。Ｓ１はＹ方向上の最外のスリットである。ａ０は画素電極ＰＩＸの端部の辺である。ａ１はスリット端ＳＥである。最小限には、スリット端ＳＥ（ａ１）から所定の幅Ｈ（ａ２）までをＢＭ２２で隠すことで、画素端部領域Ｒ２の第２の特性（応答速度、輝度カーブ、及び配向安定性など）を隠す効果がある。そして図８のような横ＢＭ部２２Ａが存在するので、それに合わせて、横ＢＭ部２２Ａの幅を、幅Ｈを含んだ幅ｈ１ｄにする。これによりＢＭ２２を含む効率的な画素構成と共に、画素の特性を均一化・向上することができる。その他、実施の形態１の場合と同様に、遮光の幅（ｈ１）をより大きくとった構成としてもよい。
【０１１６】
［特性］
次に、図２０〜図３０を用いて、上述した本実施の形態の液晶表示装置１００の方式における好適な画素（セル）の設計の特性、条件及び具体的な値などについて説明する。なお図３０に代表的な特性についてまとめて示している。なお実施の形態１の場合で説明するが、実施の形態１，２で同様に適用可能である。
【０１１７】
［特性（１）−遮光幅］
図２０〜図２２を用いて、前述の画素のスリット端部付近を隠すＢＭ２２（横ＢＭ部２２Ａ）の幅（ｈ１）の特性について説明する。前述の最小限の遮光の幅Ｈ（スリット端ＳＥから外側への所定距離）の条件として、Ｈ≧セル厚ｄ×５／３μｍ、ｈ１＞Ｈとなる。
【０１１８】
図２０に、当該遮光の条件を模擬（シミュレーション）計算するためのモデルとなる画素構成例（構成Ｃとする）を示す。この構成Ｃは、上電極が共通電極ＣＯＭ、下電極が画素電極ＰＩＸであり、片側櫛歯形状であり、スリット及び櫛歯が台形の場合である。２１００は概略画素領域、２１０１は電極部（ＣＯＭ）、２１０２は背面側の画素電極ＰＩＸの矩形、５０Ｃは開口部（スリット）である。ｙ１は、Ｙ方向の画素端部（開口部５０Ｃの開口の端部）、ｙ２は、画素電極ＰＩＸの辺、即ち前述のスリット端ＳＥに相当する線である。なお本構成Ｃの模擬計算結果をもとに構成Ａ，Ｂ等について容易に条件を導出可能である。
【０１１９】
図２１に、図２０のモデル（構成Ｃ）をもとに面内輝度分布を計算した結果を示す。白色は輝度が高いことを示す。図示のように、スリット端部（ｙ２）よりも内側の領域２２０１（前記Ｒ１，Ｑ１に相当）では、各スリットＳに対応した輝度（白）の横長の領域が縦に整然と並び、均一性が高く表示上の乱れが無い。一方、スリット端部（ｙ２）よりも外側の領域２２０２（前記Ｒ２，Ｑ２に相当）では、領域２２０１とは特性が異なり、均一性が低い。
【０１２０】
図２２に、図２１のＣ−Ｃ´断面の明るさ分布を示す。Ｙ方向位置に応じた透過率の分布の形で示す。図示のように、スリット端部（ｙ２）よりも内側の範囲２３０１では、概ね一定の明るさ（透過率）の分布となる。ｙ２よりも外側の範囲２３０２では、明るさ（透過率）が減衰する。よって、ｙ２よりも外側の範囲２３０２を含めてＢＭ２２で隠す構成とする。また更に、ｙ３からｙ２までの範囲２３０３に明るさの低下ないし乱れがみられる。よって更にこの範囲２３０３も含めＢＭ２２で隠す構成としてもよい。
【０１２１】
上記結果に基づき、画素のＹ方向のスリット端ＳＥからある程度の距離までの部分をＢＭ２２で隠すことが望ましい。この距離を幅Ｈとする。横ＢＭ部２２Ａの幅ｈ１は、この幅Ｈを含むようにする（ｈ１＞Ｈ）。セル厚をｄ（図２７）とする。明るさの広がる部分（ｙ２よりも外側の領域）はセル厚ｄに比例する。幅Ｈは、スリット端ＳＥから、ｄ×５／３μｍ以上とすることが望ましい。例えばｄ＝３．０μｍであり、その場合、Ｈ≧ｄ×５／３μｍ＝５μｍとなる。
【０１２２】
［特性（２）−スリットピッチ］
図２３，図２４を用いて、上下電極（３１，３２）の形状におけるスリットＳのピッチ（ｐ）等の特性について説明する。図２３は構成Ａ，αの開口部５０Ａの一部拡大を示す。まずＸ方向のトータルのスリット長Ｌ０は、例えば１０〜６０μｍ、特に４０μｍ未満、例えば２０μｍなどが好適である。Ｌ０を短くすれば液晶の配向安定性が高くなり、逆に長くすれば輝度が高くなる。左右のスリットＳ（Ｓａ，Ｓｂ）のスリット長Ｌ１，Ｌ２については、前述のようにラビング方向Ｒｕｂに合わせてＬ１＜Ｌ２が好適である（なお図２３ではＬ１＝Ｌ２の場合）。スリットＳの短辺の方の幅（ｐ−ｗ２）は、例えば２〜５μｍとし、細い方が、応答速度が高くなる。
【０１２３】
ｐは、複数のスリットＳのＹ方向のピッチである。Ｗは、縦方向スリット（連通開口部）５７のＸ方向の幅である。Ｄ１は、縦方向の電極部（５８）のＸ方向の幅である。ｗ１は、櫛歯（突出部）Ｋａ，Ｋｂの台形の上辺の幅、ｗ２は下辺の幅である。ｘ０はスリットＳの一方端である閉じられた側の上辺、櫛歯の下辺、及び電極部（５８）の両辺のＸ方向位置、ｘ１はスリットＳの他方端である開いた側の下辺、櫛歯の上辺、及び連通開口部５７の両辺のＸ方向位置である。θは、櫛歯（Ｋａ，Ｋｂ）の台形におけるＸ方向と斜辺との成す角度であり、スリットＳの斜辺の角度にも対応する。
【０１２４】
図２４は、スリットピッチ（ｐ）に関する模擬結果の応答速度特性のグラフを示す。ピッチ（ｐ）に対する応答時間（Ｔ）を示す。菱形（◆）の点（ton25）は、温度２５℃での電圧ＯＮ時（ＯＦＦ状態→ＯＮ状態）の応答時間（秒）、三角（△）の点（ton0）は、温度０℃での電圧ＯＮ時（ＯＦＦ状態→ＯＮ状態）の応答時間（秒）である。Ｔ＝１は従来のＦＦＳ方式の応答時間を１とした場合である。この結果から、スリットピッチ（ｐ）は、長くなると応答速度が遅くなることがわかる。よって従来ＦＦＳ方式よりも応答性を向上できる条件として、ｐ＜９μｍとなる。
【０１２５】
［特性（３）−櫛歯角度］
図２５を用いて、図２３の形状における櫛歯（台形）の角度θなどの特性について説明する。図２５は、当該櫛歯形状に関する模擬の結果の表を示す。右側スリットＳｂのスリット長Ｌ２と角度θとの組合せで配向安定性を判定した。なお配向安定性として、表示上（平面視）の輝度分布の品質（均一性など）を判定した。二重丸（◎）は安定、バツ（×）は不安定、三角（△）は安定／不安定でばらつくものを示す。この実験の結果、角度θと配向安定性とに関係性があることがわかった。即ち、角度θに応じて、前記図５，図６等で示した配向の特性（液晶分子の回転方向がライン上で揃うこと等）に影響する。上記の安定（◎）の結果をもとに、角度θの条件は、θ＞０．５度となる。
【０１２６】
なお液晶パネル１の製造上の誤差によりラビング方向（Ｒｕｂ）がＸ方向（０度）から少しずれる場合、上記櫛歯の台形の傾斜（角度θ）により、そのずれを許容して配向安定性を維持できる効果がある。
【０１２７】
［特性（４）−縦スリット幅］
図２６を用いて、図２３の形状における縦方向スリット（連通開口部）５７の幅Ｗなどの特性について説明する。図２６は、縦方向スリット５７の幅Ｗに関する模擬結果（縦方向スリット５７付近の明るさ）のグラフを示す。図２１の分布、及び図２３のＡ−Ａ´線に対応するグラフである。ｘ１の線は、図２３の左側のスリット（Ｓａ）及び櫛歯（Ｋｂ）の開口側の端部の線である。２７０１は、ｘ１よりも左の櫛歯（Ｋｂ）の領域、２７０２は、ｘ１より右の縦方向スリット５７（幅Ｗ）の領域である。ｘ１付近を境に、２７０２の領域では明るさ（透過率）が０（黒）に近付く。例えばｘ１から右に３．５μｍ以上の位置では殆ど０となる。よって幅Ｗは短い方がよい。本結果から、縦方向スリット５７の幅Ｗの条件は、例えばＷ≦７μｍ、特にＷ≦４μｍが好適である。
【０１２８】
なお、縦方向スリット５７の幅Ｗ≦０とした構成も可能である。即ち、Ｗ＝０の場合、開口部５０Ａで複数の櫛歯（突出部）の先端がＹ方向の一列に並び、先端同士はＹ方向で間隙を持ち複数のスリットＳが連通開口される形状となる。更にＷ＜０の場合、複数の各々の櫛歯（突出部）の先端がＸ方向で隣のスリットＳの中に入る形状、言い換えると互い違いに食い込む形状となる。
【０１２９】
［特性（５）−リタデーション］
図２７，図２８を用いて、液晶層３０におけるΔｎｄ（リタデーションＲ＝Δｎ×ｄ）の特性について説明する。図２７は、リタデーションＲ（Δｎｄ）に関して、（ａ）はセル厚ｄ及び屈折率差Δｎを示し、（ｂ）はセル厚ｄとＲ（Δｎｄ）の関係を示す。
【０１３０】
リタデーションＲ（Δｎｄ）は、複屈折性（屈折率異方性ともいう）を持つ液晶層３０を光が透過する際の位相差を表す。Ｒ＝Δｎ×ｄとする。Ｒ（Δｎｄ）＝ｍλ（ｍ：整数，λ：光波長）で透過光の強度が最大となる。ｄはセル厚であり、図２７（ａ）のように液晶層３０のＺ方向長さである。Δｎは液晶層３０の液晶の屈折率差であり、Δｎ＝（ｎｅ−ｎｏ）である。ネマティック液晶の屈折率（ｎｅ，ｎｏ）として、ｎｅは異常光屈折率（液晶分子長軸方向に平行な屈折率）、ｎｏは常光屈折率（液晶分子長軸方向に垂直な屈折率）である。
【０１３１】
本方式では、他の多くの液晶モードとは異なり、セル厚ｄに応じて最適なＲ（Δｎｄ）が異なる。この関係は、図２７（ｂ）のように、セル厚ｄをｘ、Ｒ（Δｎｄ）をｙとして、関数：ｙ＝０．１１ｘで示される。
【０１３２】
図２８は、模擬結果としてＲ（Δｎｄ）に応じた明るさ（透過率）のグラフを示す。四角（■）の点はｄ＝２．９μｍの場合、菱形（◆）の点はｄ＝２．５μｍの場合である。例えば画素の色（ＣＦ２３）等により最大透過率よりも暗いＲ（Δｎｄ）を採用する。これを鑑み、本方式では、明るさ（輝度）が８０％程度のＡ線以上のＲ（Δｎｄ）値を採用する。即ち、好適なＲ（Δｎｄ）の条件は、Ｒ（Δｎｄ）≧０．１１×ｄとなる。例えばｄ＝２．５μｍの場合はＲ≧０．２７５μｍ、ｄ＝２．９μｍの場合はＲ≧０．３１９μｍとなる。このＲ条件に従い液晶層３０の液晶のΔｎ及びセル厚ｄが決定される。
【０１３３】
［特性（６）−弾性定数］
図２９を用いて、本方式の液晶層３０の液晶の弾性の特性について説明する。図２９は、模擬結果として、液晶の弾性定数（特にＫ２２）に応じた時間と明るさの関係のグラフを示す。本方式の液晶層３０の液晶分子（ネマティック液晶）の弾性定数Ｋとして、特にツイスト弾性定数：Ｋ２２とする。Ｋ２２は、液晶分子がＸ−Ｙ平面内で回転（ツイスト）する際の弾性定数に相当する。
【０１３４】
図２９では、各弾性定数Ｋ２２の値に応じて、時間（ミリ秒）に対する明るさの関係のグラフを示す。時間は、前述の電圧ＯＦＦ→ＯＮ時の明るさ（透過率）の遷移に要する応答時間、言い換えると液晶分子の回転に要する時間である。明るさは最大を１として規格化している。３００１は、弾性定数Ｋ２２＞７．２の場合の曲線群である。３００２は、Ｋ２２＝７．２の場合の曲線である。
【０１３５】
本方式では、液晶の弾性エネルギーの積極的な利用により応答の高速化を実現する。特に図５，図６等のようにＸ−Ｙ平面内での液晶の回転を利用する。そのため本方式では弾性定数Ｋ（特にＫ２２）が極力大きい方がよい。弾性定数Ｋ２２が小さすぎる場合は、好ましくない挙動が起きる。例えば３００２のようにＫ２２＝７．２の場合、応答速度が遅いことがわかる。したがって本方式では、図２９から、好適な弾性定数Ｋ２２の条件として、Ｋ２２＞７．２を採用する。
【０１３６】
＜効果等＞
以上説明したように、各実施の形態の液晶表示装置１００等によれば、視野角の広さや開口率の高さ等に加え、従来のＦＦＳ方式などに比べて、応答速度や表示品質などを向上することができる。新方式（高速横電界モード）の液晶表示装置１００などを提供できる。画素における応答速度、明るさ、配向安定性などを向上でき、画素の特性の均一化により、表示品質の向上などが実現できる。
【０１３７】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることは言うまでもない。例えば上下電極（３１，３２）による開口部５０の形状などに関して以下のような各種の変形例が可能である。
【０１３８】
（１）  スリットＳ及び櫛歯の形状は、矩形、台形、三角形など、各種可能である。例えば図２３で櫛歯の上辺の幅ｗ１を０として三角形としてもよい。
【０１３９】
（２）  構成αで、左右のスリットＳ／櫛歯は、互い違いの配置に限らず、Ｙ方向の位置を揃えた配置でもよい。また互い違いの配置のずれはスリットピッチ（ｐ）の１／２に限らなくてもよい。また、Ｙ方向のスリット（５７）／電極部（５８）に対するＸ方向の左右のスリットＳ／櫛歯の長さだけでなくＹ方向の幅やピッチ等を異ならせてもよい。
【０１４０】
（３）  開口部５０のスリットＳの方向は、Ｘ方向（例えばゲート線４１及び横ＢＭ部２２Ａの延在方向）を０度としたとき、少し角度（例えば５度）を設けて斜めにしてもよい。またこの角度を２種類以上設け、画素内で混在させてもよい。
【０１４１】
（４）  スリットＳ及び櫛歯の形状に応じて、遮光する横ＢＭ部２２Ａ側の形状を変えてもよい。例えば単純な一定幅のラインではなく画素ごとに幅（ｈ１）を変えてもよい。例えば画素のスリットＳ及び櫛歯の矩形／台形のＹ方向位置に合わせて幅（ｈ１）を変えてもよい。例えば櫛歯の台形の斜辺に合わせて横ＢＭ部２２Ａの幅（辺）を斜めに沿う形状にしてもよい。また例えば構成αで画素の左右の最外の櫛歯のＹ方向位置に合わせて２種類の幅（ｈ１）を設けてもよい。例えば図１５の右側スリット部分ではａ３位置までの幅、左側スリット部分ではａ４位置までの幅といったようにしてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１４２】
本発明は、液晶タッチパネル等を含む液晶表示装置などに利用可能である。
【符号の説明】
【０１４３】
１…液晶パネル、１０…アレイ基板、１１，２１…ガラス基板、２０…ＣＦ基板（対向基板）、２２…ＢＭ（遮光膜）、２２Ａ…横ＢＭ部、２２Ｂ…縦ＢＭ部、２３…ＣＦ（カラーフィルタ）、３０…液晶層、３１…上電極、３２…下電極、３３…誘電体膜、４１…ゲート線（ＧＬ）、４２…データ線（ＤＬ）、４３…ＴＦＴ部、４４…コンタクト受け、５０…開口部（スリット）、１００…液晶表示装置、２００…電子機器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図３０】
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【図２１】
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【図２８】
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【図２９】
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