(57)【要約】【課題】  廃棄物の生成を抑制し、かつ高精度なアライメントマークを形成することができるアライメントマーク形成方法を提供する。【解決手段】  （ａ）基板の表面のうち、アライメントマークを配置すべき領域にインクを吐出して、インクからなるアライメントマーク用薄膜を形成する。（ｂ）アライメントマーク用薄膜の内部の一部の領域に光を照射し、光が照射された領域のアライメントマーク用薄膜を硬化させるか、または除去することにより、光が照射された領域にアライメントマークを形成する。【選択図】  図４−１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）基板の表面のうち、アライメントマークを配置すべき領域にインクを吐出して、前記インクからなるアライメントマーク用薄膜を形成する工程と、
（ｂ）前記アライメントマーク用薄膜の内部の一部の領域に光を照射することにより、前記光が照射された領域にアライメントマークを形成する工程と
を有するアライメントマーク形成方法。
【請求項２】
前記工程（ａ）において、前記基板をステージに保持し、前記インクを吐出するノズルヘッドと前記ステージとの一方を他方に対して相対的に移動させながら、前記インクを前記基板の表面に吐出し、
さらに、
前記ステージに前記基板を保持し、前記ノズルヘッドと前記ステージとの一方を他方に対して相対的に移動させながら、画像データに基づいて、前記ノズルヘッドから前記インクを吐出させることにより、前記基板の表面に、前記インクからなるパターンを形成する工程を有する請求項１に記載のアライメントマーク形成方法。
【請求項３】
前記インクは、光硬化性樹脂であり、
前記工程（ｂ）は、
前記アライメントマーク用薄膜が液状の状態で、前記アライメントマーク用薄膜の内部の一部の領域に光を照射することにより、光が照射された領域の前記アライメントマーク用薄膜を硬化させる工程と、
硬化しなかった領域の前記アライメントマーク用薄膜を前記基板の上から取り除く工程と
を含む請求項１または２に記載のアライメントマーク形成方法。
【請求項４】
前記インクは、光硬化性樹脂であり、
前記工程（ｂ）は、
前記アライメントマーク用薄膜を硬化させる工程と、
硬化した前記アライメントマーク用薄膜の内部の一部の領域に前記光を入射させることにより、前記光が入射した領域の前記アライメントマーク用薄膜を除去する工程と
を有する請求項１または２に記載のアライメントマーク形成方法。
【請求項５】
基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に向けてインクを吐出するノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドと前記ステージとの一方を他方に対して相対的に移動させるステージ移動機構と、
前記基板の表面に付着した前記インクからなるアライメントマーク用薄膜の内部の一部の領域に光を入射させるアライメントマーク用光源と、
前記基板の表面において、アライメントマークを形成すべき位置を記憶している制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記ステージ移動機構、前記ノズルヘッド、及び前記アライメントマーク用光源を制御して、
前記基板の表面のうち、前記アライメントマークを形成すべき位置を内部に含む領域に、前記ノズルヘッドからインクを吐出してアライメントマーク用薄膜を形成し、
前記アライメントマーク用薄膜の内部のうち、前記アライメントマークを形成すべき位置に、前記アライメントマーク用光源から光を入射させることにより、アライメントマークを形成するアライメントマーク形成装置。
【請求項６】
前記制御装置は、前記基板に形成すべきパターンを定義する画像データを記憶しており、
前記制御装置は、前記ステージ移動機構、及び前記ノズルヘッドを制御して、前記基板の表面に、前記画像データに基づいて前記インクを付着させることにより前記パターンを形成する請求項５に記載のアライメントマーク形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にアライメントマークを形成する方法、及びアライメントマーク形成装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に、基板にフォトレジストを塗布し、フォトレジストを露光することによりアライメントマークを形成する技術が開示されている。特許文献２に、インクジェット方式によってアライメントマークを形成する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−９９９３９号公報
【特許文献２】特開２００７−４７３０５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板の全面にフォトレジストを塗布して露光を行う方法では、フォトレジストを現像した後、アライメントマーク以外の領域のフォトレジストを廃棄しなければならない。このため、廃棄物が多くなってしまう。インクジェット方式でアライメントマークを形成する方法では、基板に着弾したインクの液滴が面内方向に広がるため、アライメントマークの外周線の形状を、目標とする形状に高精度に一致させることが困難である。また、一滴のインクが広がる範囲よりも小さなアライメントマークを形成することができない。
【０００５】
本発明の目的は、廃棄物の生成を抑制し、かつ高精度なアライメントマークを形成することができるアライメントマーク形成方法を提供することである。本発明の他の目的は、廃棄物の生成を抑制し、かつ高精度なアライメントマークを形成することができるアライメントマーク形成装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によると、
（ａ）基板の表面のうち、アライメントマークを配置すべき領域にインクを吐出して、前記インクからなるアライメントマーク用薄膜を形成する工程と、
（ｂ）前記アライメントマーク用薄膜の内部の一部の領域に光を照射することにより、前記光が照射された領域にアライメントマークを形成する工程と
を有するアライメントマーク形成方法が提供される。
【０００７】
本発明の他の観点によると、
基板を保持するステージと、
前記ステージに保持された基板に向けてインクを吐出するノズルヘッドと、
前記ノズルヘッドと前記ステージとの一方を他方に対して相対的に移動させるステージ移動機構と、
前記基板の表面に付着した前記インクからなるアライメントマーク用薄膜の内部の一部の領域に光を入射させるアライメントマーク用光源と、
前記基板の表面において、アライメントマークを形成すべき位置を記憶している制御装置と
を有し、
前記制御装置は、前記ステージ移動機構、前記ノズルヘッド、及び前記アライメントマ
ーク用光源を制御して、
前記基板の表面のうち、前記アライメントマークを形成すべき位置を内部に含む領域に、前記ノズルヘッドからインクを吐出してアライメントマーク用薄膜を形成し、
前記アライメントマーク用薄膜の内部のうち、前記アライメントマークを形成すべき位置に、前記アライメントマーク用光源から光を入射させることにより、アライメントマークを形成するアライメントマーク形成装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
基板の表面の一部分であるアライメントマークを配置すべき領域に、アライメントマーク用薄膜を形成するため、基板表面の全域にアライメントマーク用薄膜を形成する場合に比べて、廃棄物の生成を抑制することができる。光照射によってアライメントマークを形成するため、インクの面内方向の広がりの影響を受けず、高精度なアライメントマークを形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、実施例１によるアライメントマーク形成装置の平面図である。
【図２】図２Ａは、図１の一点鎖線２Ａ−２Ａにおける概略断面図であり、図２Ｂは、ノズルユニットの底面図である。
【図３】図３Ａは、図１の一点鎖線３Ａ−３Ａにおける断面図であり、図３Ｂは、アライメントマーク用光源の概略図である。
【図４−１】図４Ａ、図４Ｃ、図４Ｅは、実施例１によるアライメントマーク形成方法の途中段階における基板の平面図であり、図４Ｂ、図４Ｄ、図４Ｆは、それぞれ図４Ａの一点鎖線４Ｂ−４Ｂ、図４Ｃの一点鎖線４Ｄ−４Ｄ、図４Ｅの一点鎖線４Ｆ−４Ｆにおける断面図である。
【図４−２】図４Ｇ、図４Ｉは、実施例１によるアライメントマーク形成方法の途中段階における基板の平面図であり、図４Ｈ、図４Ｊは、それぞれ図４Ｇの一点鎖線４Ｈ−４Ｈ、図４Ｉの一点鎖線４Ｊ−４Ｊにおける断面図である。
【図４−３】図４Ｋは、アライメントマークが形成された基板の平面図であり、図４Ｌは、センサチップが形成された半導体ウエハの平面図であり、図４Ｍ及び図４Ｎは、ＣＭＯＳイメージセンサの製造途中段階における断面図である。
【図５】図５Ａは、実施例１によるアライメントマーク形成方法の途中段階で形成されるアライメントマーク用薄膜の平面図であり、図５Ｂは、アライメントマーク用薄膜及び光が入射した領域の平面図であり、図５Ｃはアライメントマークの平面図であり、図５Ｄは、比較例による方法で形成したアライメントマークの平面図である。
【図６】図６Ａは、実施例２によるアライメントマーク形成方法の途中段階で形成されるアライメントマーク用薄膜の平面図であり、図６Ｂは、図６Ａの一点鎖線６Ｂ−６Ｂにおける断面図であり、図６Ｃは、実施例２によるアライメントマーク形成方法の途中段階で形成されるアライメントマーク用薄膜及びアライメントマークの平面図であり、図６Ｄは、図６Ｃの一点鎖線６Ｄ−６Ｄにおける断面図及びアライメントマーク用光源の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［実施例１］
図１に、実施例１によるアライメントマーク形成装置の平面図を示す。水平面をｘｙ面とし、鉛直上方をｚ軸の正方向とするｘｙｚ直交座標系を定義する。基台１０の上に、ステージ移動機構１１によってステージ２０が支持されている。ステージ２０に、アライメントマークを形成する対象物である基板４０、例えばガラス基板が保持される。ステージ移動機構１１は、ｙ方向ガイド１２を含み、ステージ２０をｙ方向に移動させる。さらに、ステージ移動機構１１は、後に図２Ａを参照して説明するように、ステージ２０をｘ方向にも移動させることができる。
【００１１】
ステージ２０の移動経路の上方に、撮像装置２２、ノズルユニット３１、及びアライメントマーク用光源３６が配置されている。撮像装置２２及びノズルユニット３１は、支持機構３０により、基台１０に対して昇降可能に支持されている。アライメントマーク用光源３６は、支持機構３５により、基台１０に支持されている。撮像装置２２は、基板４０の表面に既に形成されているアライメントマークを撮像する。
【００１２】
制御装置１５が、ステージ移動機構１１、ノズルユニット３１、及びアライメントマーク用光源３６を制御する。制御装置１５は記憶装置１６を含む。記憶装置１６に、基板４０に形成するアライメントマークの位置情報、及び基板４０に形成すべきパターンを定義する画像データが記憶されている。さらに、制御装置１５は、撮像装置２２で取得されたアライメントマークの画像を解析することにより、アライメントマークの位置を検出する。
【００１３】
ノズルユニット３１は、基板４０に向けて、形成すべきパターンの材料の液滴、及びアライメントマークの材料の液滴を吐出する。実施例１では、アライメントマークの材料は、パターンの材料と同一である。以下、パターンの液状の材料、及びアライメントマークの液状の材料を、「インク」という。ステージ２０をｙ方向に移動させながら、ノズルユニット３１からインクの液滴を吐出することにより、基板４０の表面の所望の領域にインクを着弾させ、薄膜を形成することができる。ノズルユニット３１の制御は、記憶装置１６に記憶されている画像データ、及びアライメントマークの位置情報に基づいて行われる。
【００１４】
図２Ａに、図１の一点鎖線２Ａ−２Ａにおける概略断面図を示す。基台１０の上に、ステージ移動機構１１を介してステージ２０が支持されている。ステージ２０の上面に基板４０が保持される。ステージ移動機構１１は、ステージ２０を、ｙ方向ガイド１２に沿ってｙ方向に移動させるとともに、ｘ方向ガイド１３に沿ってｘ方向にも移動させることができる。ステージ２０の上方に、支持機構３０により、ノズルユニット３１及び撮像装置２２が昇降可能に支持されている。
【００１５】
図２Ｂに、ノズルユニット３１の底面図を示す。ノズルユニット３１は、ノズルヘッド３２及び複数の硬化用光源３４を含む。ノズルヘッド３２は、下方を向く面（ステージ２０に対向する面）に、複数のノズル孔３３を有する。複数のノズル孔３３は、ｘ方向に等間隔で配列されている。ノズル孔３３の各々から、基板４０（図２Ａ）に向けてインクの液滴が吐出される。インクとして、光硬化性樹脂、例えば紫外線硬化性樹脂が用いられる。ノズルヘッド３２の両側（ｙ方向の正の側及び負の側）に、それぞれ硬化用光源３４が配置されている。硬化用光源３４は、基板４０（図２Ａ）に付着したインクに硬化用の光を照射する。
【００１６】
図２Ｂでは、ノズルユニット３１が１つのノズルヘッド３２を含む例を示したが、複数のノズルヘッド３２で１つのノズルユニット３１を構成してもよい。複数のノズルヘッド３２をｘ方向に並べることにより、１回の走査でパターンを形成することができる領域のｘ方向の寸法を大きくすることができる。複数のノズルヘッド３２をｙ方向に並べ、各ノズルヘッド３２のｘ方向の位置をずらして配置することにより、ｘ方向に関する解像度を向上させることができる。
【００１７】
図３Ａに、図１Ａの一点鎖線３Ａ−３Ａにおける概略断面図を示す。ステージ２０の上方に、アライメントマーク用光源３６が、支持機構３５により支持されている。
【００１８】
図３Ｂに、アライメントマーク用光源３６の概略図を示す。アライメントマーク用光源
３６は、紫外線ランプ３７、マスク３８、及び結像レンズ３９を含む。紫外線ランプ３７には、例えば高圧水銀ランプが用いられる。紫外線ランプ３７から放射された紫外線がマスク３８に入射する。マスク３８に形成された開口を透過した紫外線が、結像レンズ３９により収束されて基板４０に入射する。結像レンズ３９は、マスク３８の開口を基板４０の表面に結像させる。
【００１９】
図４Ａ〜図４Ｎを参照して、実施例１によるアライメントマーク形成方法について説明する。以下、ＣＭＯＳイメージセンサの製造を例にとって説明する。図４Ａ、図４Ｃ、図４Ｅ、図４Ｇ、及び図４Ｉは、アライメントマークを形成する対象である基板の平面図を示す。図４Ｂ、図４Ｄ、図４Ｆ、図４Ｈ、及び図４Ｊは、それぞれ図４Ａの一点鎖線４Ｂ−４Ｂにおける断面図、図４Ｃの一点鎖線４Ｄ−４Ｄにおける断面図、図４Ｅの一点鎖線４Ｆ−４Ｆにおける断面図、図４Ｇの一点鎖線４Ｈ−４Ｈにおける断面図、及び図４Ｉの一点鎖線４Ｊ−４Ｊにおける断面図を示す。
【００２０】
図４Ａ及び図４Ｂに、それぞれ実施例１による方法でアライメントマークを形成する前の基板４０の平面図及び断面図を示す。基板４０は、例えば、赤外線カットフィルタ等が貼り付けられた円形のガラス基板である。基板４０の表面に、アライメントマークを配置すべき領域４１が確保されている。
【００２１】
図４Ｃ及び図４Ｄに示すように、アライメントマークを配置すべき領域４１（図４Ａ、図４Ｂ）に、アライメントマーク用薄膜４２を形成する。以下、アライメントマーク用薄膜４２の形成方法について説明する。
【００２２】
記憶装置１６（図１）に、アライメントマークを配置すべき領域４１の位置情報及び形状情報が記憶されている。制御装置１５（図１）が、アライメントマークを配置すべき領域４１の位置情報及び形状情報に基づいて、ステージ移動機構１１及びノズルヘッド３２（図２Ｂ）を制御する。具体的には、ステージ移動機構１１によってステージ２０（図１）をｙ方向に移動させながら、ノズルヘッド３２の一部のノズル孔３３（図２Ｂ）からインクを吐出させる。これにより、アライメントマークを形成すべき領域４１にアライメントマーク用薄膜４２が形成される。この時点で、アライメントマーク用薄膜４２は硬化しておらず、液体の状態である。
【００２３】
図４Ｅ及び図４Ｆに示すように、液状のアライメントマーク用薄膜４２の内部の一部に、アライメントマーク用光源３６（図１、図３）からの光を入射させる。光の入射位置は、記憶装置１６（図１）に記憶されているアライメントマークの位置情報に基づいて決定される。光が入射した領域４３のアライメントマーク用薄膜４２が硬化する。
【００２４】
図４Ｇ及び図４Ｈに示すように、液状のアライメントマーク用薄膜４２（図４Ｅ、図４Ｆ）を拭き取る。拭き取りは、例えば、吸水性を有する布４４を、液状のアライメントマーク用薄膜４２に押し付けることにより行うことができる。液状のアライメントマーク用薄膜４２が基板４０から取り除かれ、硬化した部分がアライメントマーク４５として基板４０の表面に残る。
【００２５】
図４Ｉ及び図４Ｊに示すように、基板４０の表面に、格子状のパターン４８を形成する。以下、パターン４８の形成方法について説明する。
【００２６】
パターン４８の平面形状は、記憶装置１６（図１）に画像データとして記憶されている。制御装置１５（図１）が、この画像データに基づいて、ステージ移動機構１１、ノズルヘッド３２、及び硬化用光源３４（図２Ｂ）を制御する。具体的には、硬化用光源３４を点灯させた状態で、ステージ移動機構１１によってステージ２０（図１）をｙ方向に移動
させながら、ノズルヘッド３２の一部のノズル孔３３（図２Ｂ）からインクを吐出させる。これにより、パターン４８が形成される。硬化用光源３４を点灯させているため、パターン４８は硬化している。
【００２７】
図４Ｋに、パターン４８を形成した後の基板４０の平面図を示す。図４Ｌに、ＣＭＯＳイメージセンサの回路が形成された半導体ウエハ５０の平面図を示す。半導体ウエハ５０の表面に、センサチップ５１が行列状に配置されている。センサチップ５１は、フォトダイオード、ＣＭＯＳ回路等を含む。センサチップ５１の間にストリート領域５３が確保されている。ストリート領域５３の平面形状は、パターン４８（図４Ｋ）の平面形状に整合する。半導体ウエハ５０の表面に、アライメントマーク５２が形成されている。
【００２８】
図４Ｍに示すように、基板４０と半導体ウエハ５０とを、パターン４８を介して貼り合わせる。図４Ｍは、図４Ｋ及び図４Ｌの一点鎖線４Ｍ−４Ｍにおける断面図に相当する。パターン４８は、基板４０と半導体ウエハ５０との間に間隙を確保するためのスペーサとして機能する。貼り合わせ時に、基板４０に形成されているアライメントマーク４５（図４Ｋ）と、半導体ウエハ５０に形成されているアライメントマーク５２（図４Ｌ）とを用いて、基板４０と半導体ウエハ５０との位置合わせを行う。
【００２９】
図４Ｎに示すように、基板４０及び半導体ウエハ５０を、パターン４８の中心線に沿ってダイシングする。これにより、複数のＣＭＯＳイメージセンサ５５が得られる。
【００３０】
図５Ａ〜図５Ｄを参照して、実施例１の効果について説明する。図５Ａに、図４Ｃに示した工程後のアライメントマーク用薄膜４２の平面図を示す。図５Ｂに、図４Ｅに示した工程後のアライメントマーク用薄膜４２の平面図を示す。アライメントマーク用薄膜４２の内部のうち、光が入射した領域４３が硬化している。図５Ｃに、アライメントマーク４５の平面図を示す。
【００３１】
光が入射した領域４３（図５Ｂ）の外周線は、マスク３８（図３Ｂ）の開口が結像レンズ３９（図３Ｂ）によって投影された像の外周線によって決定される。マスク３８の開口が円形であるとき、光が入射した領域４３の平面形状は円形になる。
【００３２】
図５Ｄに、ノズルヘッド３２（図２Ｂ）から、アライメントマークを形成すべき位置にインクの液滴を着弾させ、その後硬化させることにより形成されたアライメントマーク４５Ａの平面形状の一例を示す。インクの液滴が基板４０（図２Ａ）に着弾すると、硬化するまでの間にインクが面内方向に広がる。インクが広がる方位によって、広がり速度にばらつきが生じるため、硬化後のアライメントマークの真円度が低下してしまう。アライメントマークの真円度が低下すると、アライメントマークの中心位置の精度が低下してしまう。
【００３３】
実施例１においては、アライメントマーク用薄膜４２（図５Ａ）の外周線の形状が崩れても、アライメントマーク４５の外周線の形状は目標の形状に維持され、外周線の位置精度は低下しない。このため、真円度及び位置精度の高いアライメントマーク４５を形成することが可能である。
【００３４】
アライメントマーク４５の形成とパターン４８の形成とを、異なる装置で行う場合には、パターン４８とアライメントマーク４５との位置ずれが生じやすい。実施例１においては、アライメントマーク４５（図４Ｇ）の形成と、パターン４８（図４Ｉ）の形成とが、同一のステージ２０に基板４０を保持した状態で行われる。このため、パターン４８とアライメントマーク４５との相対的な位置のずれが生じにくい。
【００３５】
実施例１では、アライメントマーク４５（図４Ｇ）を形成した後に、パターン４８（図４Ｉ）を形成したが、アライメントマーク４５（図４Ｇ）を形成する前に、パターン４８（図４Ｉ）を形成しておいてもよい。
【００３６】
［実施例２］
図６Ａ〜図６Ｄを参照して、実施例２によるアライメントマークの形成方法について説明する。以下、実施例１との相違点について説明し、同一の構成については説明を省略する。
【００３７】
図６Ａ及び図６Ｂに示すように、基板４０の上にアライメントマーク用薄膜４２を形成する。図６Ｂは、図６Ａの一点鎖線６Ｂ−６Ｂにおける断面図である。アライメントマーク用薄膜４２の形成時に、硬化用光源３４（図２Ｂ）を点灯させておく。実施例１では、アライメントマーク用薄膜４２（図５Ａ）が液体状態であったが、実施例２では、アライメントマーク用薄膜４２の全域が硬化される。
【００３８】
図６Ｃ及び図６Ｄに示すように、アライメントマーク用薄膜４２の内部の一部の領域にレーザビームを入射させることにより、アライメントマーク用薄膜４２のうちレーザビームが入射した部分を除去する。図６Ｄは、図６Ｃの一点鎖線６Ｄ−６Ｄにおける断面図、及びアライメントマーク用光源３６（図３Ａ）の概略図である。レーザビームの入射位置は、記憶装置１６（図１）に記憶されているアライメントマークの位置情報に基づいて決定される。
【００３９】
アライメントマーク用光源３６は、レーザ光源６０、ベンディングミラー６１、マスク６２、及び結像レンズ６３を含む。レーザ光源６０から放射されたレーザビームが、ベンディングミラー６１により下方に向けて反射され、アライメントマーク用薄膜４２に入射する。レーザビームの経路上に、マスク６２及び結像レンズ６３が配置されている。結像レンズ６３は、マスク６２の開口をアライメントマーク用薄膜４２の表面に結像させる。
【００４０】
アライメントマーク用薄膜４２が除去されて形成された円形の開口がアライメントマーク４５として用いられる。実施例２においても、アライメントマーク４５の外周線は、インクの面内方向の広がりの影響を受けない。このため、実施例１と同様に、真円度及び位置精度の高いアライメントマーク４５を形成することが可能である。
【００４１】
実施例１では、アライメントマーク用薄膜４２（図４Ｃ）の形成と、パターン４８（図４Ｉ）の形成とを、別々の工程で行なった。これは、アライメントマーク用薄膜４２の形成は、硬化用光源３４（図２Ｂ）を消灯させた状態で行い、パターン４８の形成は、硬化用光源３４（図２Ｂ）を点灯させた状態で行うためである。実施例２では、アライメントマーク用薄膜４２の形成も、硬化用光源３４（図２Ｂ）を点灯させた状態で行う。このため、パターン４８の形成時に、アライメントマーク用薄膜４２を並行して形成することが可能である。
【００４２】
上記実施例１及び実施例２では、ＣＭＯＳイメージセンサの製造工程を例に取り上げたが、上記実施例１及び実施例２によるアライメントマークの形成方法は、その他の製造工程にも適用することが可能である。例えば、プリント基板へのアライメントマークの形成にも適用可能である。ノズルヘッド３２（図２Ｂ）から吐出するインクとして、液状のソルダーレジストを用いることにより、ソルダーレジストの形成、及びアライメントマークの形成を、同一のステージに保持した状態で行うことができる。
【００４３】
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
【符号の説明】
【００４４】
１０  基台
１１  ステージ移動機構
１２  ｙ方向ガイド
１３  ｘ方向ガイド
１５  制御装置
１６  記憶装置
２０  ステージ
２２  撮像装置
３０  支持機構
３１  ノズルユニット
３２  ノズルヘッド
３３  ノズル孔
３４  硬化用光源
３５  支持機構
３６  アライメントマーク用光源
３７  紫外線ランプ
３８  マスク
３９  結像レンズ
４０  基板
４１  アライメントマークを配置すべき領域
４２  アライメントマーク用薄膜
４３  光が入射した領域
４４  吸水性を有する布
４５、４５Ａ  アライメントマーク
４８  パターン（スペーサ）
５０  半導体ウエハ
５１  センサチップ
５２  アライメントマーク
５３  ストリート領域
５５  ＣＭＯＳイメージセンサ
６０  レーザ光源
６１  ベンディングミラー
６２  マスク
６３  結像レンズ
【図１】
2014154567.tif 000003
【図２】
2014154567.tif 000004
【図３】
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【図４−１】
2014154567.tif 000006
【図４−２】
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【図４−３】
2014154567.tif 000008
【図５】
2014154567.tif 000009
【図６】
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