(57)【要約】【課題】歪みを生ずることなくウエハをロードする。【解決手段】ウエハステージは、ウエハＷを保持するウエハホルダＷＨと、ウエハホルダＷＨを介してウエハＷを支持する複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃと、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを駆動してウエハホルダＷＨの上面から出し入れする駆動装置９４を備えている。ここで、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのうちの少なくとも１つの上下動ピンが他の上下動ピンよりも短く、複数の上下動ピンに保持されたウエハＷがウエハホルダＷＨの上面に対して傾くようになっている。これにより、歪みを生ずることなく、ウエハＷをウエハホルダＷＨ上にロードすることが可能となる。【選択図】図３
2014003259.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にパターン形成面を有する基板を基板保持部材上にロードするロード方法であって、
前記基板保持部材の基板載置面から突出する複数の突出部材のそれぞれの突出量が、前記基板保持部材の一側から他側に向かって徐々に増加又は減少する第１の状態で、基板載置面から突出した前記複数の突出部材に前記基板の裏面を支持させることと、
前記複数の突出部材のうち前記基板載置面からの突出量が少ない突出部材から順に、前記基板載置面の下方に下げ、前記基板載置面に前記基板を載置することと、を含むロード方法。
【請求項２】
前記支持させることに先立って、前記複数の突出部材を上昇させるとともに、前記基板の裏面の前記基板載置面と平行な基準面との距離を複数ヶ所で計測することをさらに含み、
前記第１の状態は、前記計測することの結果に基づいて設定される請求項１に記載のロード方法。
【請求項３】
前記第１の状態における前記複数の突出部材のうちの２つの突出部材の位置関係と前記基板載置面からの突出量とで定まる傾斜角度に基づいて前記第１の状態にある前記複数の突出部材で前記基板を支持した際の前記基板のずれ量を求めることをさらに含む請求項１又は２に記載のロード方法。
【請求項４】
前記基板載置面に載置され前記基板載置面に接した前記基板の部分から吸着を開始することをさらに含む請求項１〜３のいずれか一項に記載のロード方法。
【請求項５】
基板を保持する基板保持装置であって、
前記基板が載置される載置面と、前記載置面から突出する第１位置と前記載置面から突出しない第２位置との間で移動する複数の突出部材とを有する基板保持部材と、
前記複数の突出部材の前記載置面からの突出量を調整するため、前記複数の突出部材及び前記基板保持部材の少なくとも一方を駆動し、前記基板の前記基板保持部材へのロードに際し、前記基板保持部材の載置面から突出する前記複数の突出部材のそれぞれの突出量が、前記基板保持部材の一側から他側に向かって徐々に増加又は減少する第１の状態に設定する駆動装置と、を備える基板保持装置。
【請求項６】
前記複数の突出部材は、それぞれが前記第１位置にあるとき前記第１の状態と同じ状態となるように、前記水平面に平行な前記載置面からの突出量がそれぞれ設定されている請求項５に記載の基板保持装置。
【請求項７】
前記複数の突出部材は、それぞれが前記第１位置にあるとき前記水平面に平行な状態に設定された前記載置面からの突出量が同一になるようにそれぞれの長さが同一長さに設定されており、
前記基板保持部材は、前記水平面に対してチルト可能に構成され、前記駆動装置は、前記基板保持部材を水平面に対してチルト駆動することで、前記複数の突出部材を、前記第１の状態に設定する請求項５に記載の基板保持装置。
【請求項８】
前記複数の突出部材は、個別に上下動可能であり、
前記駆動装置は、前記複数の突出部材を個別に駆動する請求項５〜７のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項９】
前記複数の突出部材の上昇時に前記基板の裏面の前記載置面又はこれに平行な基準面との距離を複数ヶ所で計測する複数のセンサをさらに備え、
前記駆動装置は、前記複数のセンサの計測結果に基づいて、前記複数の突出部材及び前記基板保持部材の少なくとも一方を駆動する請求項８に記載の基板保持装置。
【請求項１０】
前記複数の突出部材は、前記基板保持部材の前記載置面と平行な面内でも駆動可能に構成されている請求項５〜９のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１１】
前記駆動装置は、前記第１の状態における前記複数の突出部材のうちの２本の突出部材の位置関係と前記載置面からの突出量とで定まる傾斜角に基づいて前記第１の状態にある前記複数の突出部材で前記基板を支持した際の前記基板のずれ量に応じた距離及び方向に前記複数の突出部材を前記基板保持部材の前記載置面と平行な面内で駆動する請求項１０に記載の基板保持装置。
【請求項１２】
前記複数の突出部材のそれぞれは、前記第１位置にあるときに、基板搬送系との間での受け渡しのため前記基板を支持する請求項５〜１１のいずれか一項に記載の基板保持装置。
【請求項１３】
エネルギビームにより基板を露光する露光装置であって、
前記基板が前記載置面に載置される請求項５〜１２のいずれか一項に記載の基板保持装置と、
前記基板上に前記エネルギビームを照射して前記基板上にパターンを形成するパターン生成装置と、を備える露光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ロード方法、基板保持装置、及び露光装置に係り、特に、基板を基板保持部材上にロードするロード方法、該ロード方法の実施に好適な基板保持装置、及び該基板保持装置を備える露光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子、液晶表示素子等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、主として、ステップ・アンド・リピート方式の縮小投影露光装置（いわゆるステッパ）、あるいはステップ・アンド・スキャン方式の縮小投影露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが用いられている。
【０００３】
この種の露光装置では、基板ステージ上に露光対象の基板を保持する基板保持部材（ホルダ）が設けられており、このホルダに対し、基板搬送系を用いて基板の交換が行われる。基板交換は、概略次の手順で行われるのが一般的である。すなわち、ホルダに保持された露光済みの基板が、基板ステージ上に設けられた上下動部材によりホルダを介して上下動部材により下方から持ち上げられ、その基板がアンロードアーム（基板搬送系の一部）に受け渡される。次いで、アンロードアームがホルダ上方から退避することによって、露光済みの基板が基板ステージ（ホルダ）から搬送される。次いで、ロードアーム（基板搬送系の一部）が露光前の基板を基板ステージ（ホルダ）の上方に搬送し、上下動部材が上昇してその基板をロードアームから受け取って更に上昇する。次いで、ロードアームの退避後、上下動部材が下降することで、基板がホルダ上に載置され、ホルダによって吸着保持される（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
しかるに、基板、例えば半導体素子の製造に用いられるウエハは、次第に大型化しており、直径４５０ｍｍの４５０ミリウエハ時代の到来がすぐそこに迫っている。現在の３００ミリウエハでも、例えばロードアームの退避後、上下動部材に支持されたウエハの外周縁部が垂れ下がり、上下動部材の下降とともにホルダによりウエハを真空吸引すると、ウエハの周縁部から吸着が開始されて徐々に中心に向かう結果、吸着後にウエハの中心部に歪みが残ってしまうことがある。このウエハの中心部の歪みは、４５０ミリウエハでは、ますます生じ易くなるものと予想される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２００９／０２１３３４７号明細書
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の態様によれば、表面にパターン形成面を有する基板を基板保持部材上にロードするロード方法であって、前記基板保持部材の基板載置面から突出する複数の突出部材のそれぞれの突出量が、前記基板保持部材の一側から他側に向かって徐々に増加又は減少する第１の状態で、基板載置面から突出した前記複数の突出部材に前記基板の裏面を支持させることと、前記複数の突出部材のうち前記基板載置面からの突出量が少ない突出部材から順に、前記基板載置面の下方に下げ、前記基板載置面に前記基板を載置することと、を含むロード方法が、提供される。
【０００７】
これによれば、基板に残存歪を生じさせることなく、その基板を基板保持部材上にロードすることが可能となる。
【０００８】
本発明の第２の態様によれば、基板を保持する基板保持装置であって、前記基板が載置される載置面と、前記載置面から突出する第１位置と前記載置面から突出しない第２位置との間で移動する複数の突出部材とを有する基板保持部材と、前記複数の突出部材の前記載置面からの突出量を調整するため、前記複数の突出部材及び前記基板保持部材の少なくとも一方を駆動し、前記基板の前記基板保持部材へのロードに際し、前記基板保持部材の載置面から突出する前記複数の突出部材のそれぞれの突出量が、前記基板保持部材の一側から他側に向かって徐々に増加又は減少する第１の状態に設定する駆動装置と、を備える基板保持装置が、提供される。
【０００９】
これによれば、基板に残存歪を生じさせることなく、その基板を基板保持部材の保持部上にロードすることが可能となる。
【００１０】
本発明の第３の態様によれば、エネルギビームにより基板を露光する露光装置であって、前記基板が前記載置面に載置される上記基板保持装置と、前記基板上に前記エネルギビームを照射して前記基板上にパターンを形成するパターン生成装置と、を備える露光装置が、提供される。
【００１１】
これによれば、基板の露光精度の向上が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。
【図２】図１のウエハステージを示す平面図である。
【図３】ウエハステージの構成を部分的に断面し、かつ一部省略して示す図である。
【図４】一実施形態の露光装置の制御系を中心的に構成する主制御装置の入出力関係を示すブロック図である。
【図５】図５（Ａ）及び図５（Ｂ）は、ウエハのウエハステージ（ウエハホルダ）上へのロードを説明するための図（その１）である。
【図６】図６（Ａ）及び図６（Ｂ）は、ウエハのウエハステージ（ウエハホルダ）上へのロードを説明するための図（その２）である。
【図７】図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は、それぞれ、第１及び第２の変形例に係るウエハステージの構成を説明するための図である。
【図８】図８（Ａ）は、ウエハホルダにギャップセンサを設けた第３の変形例に係るウエハステージの基本構成を説明するための図、図８（Ｂ）及び図８（Ｃ）は、それぞれ、第１及び第２の変形例に係るウエハステージにギャップセンサを設けた場合のウエハのロード動作を説明するための図である。
【図９】図９（Ａ）は第４の変形例に係るウエハステージを示す平面図、図９（Ｂ）はウエハのウエハステージ（ウエハホルダ）上へのロードを説明するための図である。
【図１０】第５の変形例に係るウエハステージを示す平面図である。
【図１１】図１１（Ａ）〜図１１（Ｃ）は第５の変形例に係るウエハステージ（ウエハホルダ）上へのウエハのロードを説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、一実施形態について、図１〜図６（Ｂ）に基づいて説明する。
【００１４】
図１には、一実施形態に係る露光装置１００の概略的な構成が示されている。露光装置１００は、ステップ・アンド・スキャン方式の投影露光装置、いわゆるスキャナである。後述するように、本実施形態では投影光学系ＰＬが設けられており、以下においては、投影光学系ＰＬの光軸ＡＸｐと平行な方向をＺ軸方向、これに直交する面内でレチクルとウエハとが相対走査される走査方向をＹ軸方向、Ｚ軸及びＹ軸に直交する方向をＸ軸方向とし、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸回りの回転（傾斜）方向をそれぞれθｘ、θｙ、及びθｚ方向として説明を行う。
【００１５】
露光装置１００は、照明系ＩＯＰ、レチクルＲを保持するレチクルステージＲＳＴ、レチクルＲに形成されたパターンの像を感応剤（レジスト）が塗布されたウエハＷ上に投影する投影ユニットＰＵ、ウエハＷを保持してＸＹ平面内を移動するウエハステージＷＳＴ、及びこれらの制御系等を備えている。
【００１６】
照明系ＩＯＰは、光源、及び光源に送光光学系を介して接続された照明光学系を含み、レチクルブラインド（マスキングシステム）で制限（設定）されたレチクルＲ上でＸ軸方向（図１における紙面直交方向）に細長く伸びるスリット状の照明領域ＩＡＲを、照明光（露光光）ＩＬによりほぼ均一な照度で照明する。照明系ＩＯＰの構成は、例えば米国特許出願公開第２００３／００２５８９０号明細書などに開示されている。ここで、照明光ＩＬとして、一例として、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）が用いられる。
【００１７】
レチクルステージＲＳＴは、照明系ＩＯＰの図１における下方に配置されている。レチクルステージＲＳＴ上には、そのパターン面（図１における下面）に回路パターンなどが形成されたレチクルＲが載置されている。レチクルＲは、例えば真空吸着によりレチクルステージＲＳＴ上に固定されている。
【００１８】
レチクルステージＲＳＴは、例えばリニアモータ等を含むレチクルステージ駆動系１１（図１では不図示、図４参照）によって、水平面（ＸＹ平面）内で微小駆動可能であるとともに、走査方向（図１における紙面内左右方向であるＹ軸方向）に所定ストローク範囲で駆動可能となっている。レチクルステージＲＳＴのＸＹ平面内の位置情報（θｚ方向の回転情報を含む）は、レチクルレーザ干渉計（以下、「レチクル干渉計」という）１４によって、移動鏡１２（又はレチクルステージＲＳＴの端面に形成された反射面）を介して、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時検出される。レチクル干渉計１４の計測情報は、主制御装置２０（図１では不図示、図４参照）に供給される。
【００１９】
投影ユニットＰＵは、レチクルステージＲＳＴの図１における下方に配置されている。投影ユニットＰＵは、鏡筒４５と、鏡筒４５内に保持された投影光学系ＰＬとを含む。投影光学系ＰＬとしては、例えば、Ｚ軸方向と平行な光軸ＡＸｐに沿って配列される複数の光学素子（レンズエレメント）から成る屈折光学系が用いられている。投影光学系ＰＬは、例えば両側テレセントリックで、所定の投影倍率（例えば１／４倍、１／５倍又は１／８倍など）を有する。このため、照明系ＩＯＰからの照明光ＩＬによってレチクルＲ上の照明領域ＩＡＲが照明されると、投影光学系ＰＬの第１面（物体面）とパターン面がほぼ一致して配置されるレチクルＲを通過した照明光ＩＬにより、投影光学系ＰＬ（投影ユニットＰＵ）を介してその照明領域ＩＡＲ内のレチクルＲの回路パターンの縮小像（回路パターンの一部の縮小像）が、投影光学系ＰＬの第２面（像面）側に配置される、表面にレジスト（感応剤）が塗布されたウエハＷ上の前記照明領域ＩＡＲに共役な領域（以下、露光領域とも呼ぶ）ＩＡに形成される。そして、レチクルステージＲＳＴとウエハステージＷＳＴとの同期駆動によって、照明領域ＩＡＲ（照明光ＩＬ）に対してレチクルＲを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動させるとともに、露光領域ＩＡ（照明光ＩＬ）に対してウエハＷを走査方向（Ｙ軸方向）に相対移動させることで、ウエハＷ上の１つのショット領域（区画領域）の走査露光が行われ、そのショット領域にレチクルのパターンが転写される。
【００２０】
ウエハステージＷＳＴは、図１に示されるように、ステージ本体５２と、該ステージ本体５２上に搭載されたウエハテーブルＷＴＢとを備えている。ウエハステージＷＳＴは、例えばリニアモータ等を含むステージ駆動系２４によって、ステージベース２２上をＸ軸方向、Ｙ軸方向に所定ストロークで駆動されるとともに、Ｚ軸方向、θｘ方向、θｙ方向、及びθｚ方向に微小駆動される。なお、ステージ駆動系を磁気浮上型の平面モータによって構成しても良い。
【００２１】
ウエハＷは、ウエハテーブルＷＴＢ上にウエハホルダＷＨ（図１では不図示、図２参照）を介して例えば真空吸着により固定されている。
【００２２】
図２には、ウエハＷが無い状態におけるウエハステージＷＳＴの平面図が、ウエハホルダＷＨの給排気機構とともに示されている。また、図３には、図２のＡ−Ａ線断面図が一部省略して示されている。
【００２３】
図２に示されるように、ウエハステージＷＳＴの上面、すなわちウエハテーブルＷＴＢ上面の中央に、ウエハＷとほぼ同じ大きさのウエハホルダＷＨが固定されている。
【００２４】
ウエハホルダＷＨは、図２の平面図に示されるように、ベース部２６、該ベース部２６の上面（図２における紙面手前側の面）の外周部近傍の所定幅の環状領域を除く中央部の所定面積の領域に所定の間隔で設けられた複数の突起状のピン部３２、これら複数のピン部３２が配置された前記領域を取り囲む状態で外周縁近傍に設けられた環状の凸部（以下、「リム部」と総称する）２８等を備えている。
【００２５】
ウエハホルダＷＨは、低膨張率の材料、例えばセラミックス等より成り、全体として円盤状のセラミックス等の材料の表面をエッチングすることによって、底面部を構成する円形板状のベース部２６と、このベース部２６上面に凸設されたリム部２８及び複数のピン部３２が一体的に形成されている。リム部２８は、その外径がウエハＷの外径よりも僅かに小さく、例えば１〜２ｍｍ程度小さく設定され、その上面は、ウエハＷが載置された際に、ウエハＷの裏面との間に隙間が生じないよう、水平且つ平坦に加工されている。
【００２６】
ピン部３２は、図３に示されるように、それぞれの先端部分がリム部２８とほぼ同一面上に位置するようにされた突起状の形状を有している。これらピン部３２は、ベース部２６上の基準点、ここでは中心点を中心とする多重の同心円に沿って配置されている。
【００２７】
このようにして構成されるウエハホルダＷＨでは、その製造段階において、前述の如く、ベース部２６、ピン部３２及びリム部２８を一体成形した後に、最終的にウエハＷとの接触面となる、複数のピン部３２の上端面及びリム部２８の上面とに、研磨装置、砥粒等を用いて、研磨加工が施されている。この結果、それらの複数のピン部３２の上端面とリム部２８の上面とはほぼ同一平面上に位置している。本実施形態では、複数のピン部３２の上端面を結ぶ面（リム部２８の上面に一致）によって、ウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳが形成される。
【００２８】
図２に戻り、ベース部２６の中央部近傍には、ほぼ正三角形の各頂点の位置に上下方向（紙面直交方向）の３つの貫通孔８４（図２では不図示、図３参照）が、ピン部３２と機械的に干渉しない状態で形成されている。これら３つの貫通孔８４は、図３に示されるように、ウエハホルダＷＨのベース部２６及びウエハテーブルＷＴＢをＺ軸方向（上下方向）に貫通して形成されている。３つの貫通孔８４それぞれには、円柱形状を有する上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃがそれぞれ挿入されている。３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃは、後述する駆動装置９４により駆動されることにより、貫通孔８４をそれぞれ介して、上端部がウエハ載置面ＷＭＳ（すなわち、複数のピン部３２の上端面を結ぶ面）の上方へ突出する第１位置（上限移動位置）と、上端部がウエハ載置面ＷＭＳの上方へは突出しない第２位置（下限移動位置）との間で上下動可能である。本実施形態では、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃそれぞれの下限移動位置は、ベース部２６上面と同一位置又はその下方の位置に設定されている。３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃは、図３に示されるように、駆動装置９４（これについては後述する）の一部を構成する、ＸＹ平面に平行に配置された板状部材９２の上面にそれぞれ固定されている。本実施形態では、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのＺ軸方向の長さ（高さ）は、一様ではなく、一例として、図３に示されるように、最も＋Ｙ側に位置する上下動ピン３４ａの高さが最も低く、最も−Ｙ側に位置する上下動ピン３４ｃの高さが最も高く、残りの上下動ピン３４ｂが、これらの中間の高さとなっている。より具体的には、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃの上端面は、それぞれを結ぶ面が、ＹＺ平面に直交し、かつＸＹ平面に対して所定角度θをなす平面に平行な平面となるようにそれぞれの高さが設定されている。
【００２９】
３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃは、駆動装置９４により駆動されることで、上下方向（Ｚ軸方向）に同時に同一量だけ、昇降自在となっている。従って、本実施形態では、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃそれぞれの上述した第１位置、第２位置は、互いに異なる位置である。
【００３０】
後述するウエハロード、ウエハアンロード時には、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃが駆動装置９４により駆動されることで、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃによってウエハＷを下方から支持したり、ウエハＷを支持した状態で上下動させたりすることができるようになっている。なお、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのそれぞれとして、管状部材を用いることも可能である。この場合、各上下動ピンの下端をバキュームポンプ等の真空装置（不図示）に接続し、ウエハＷを支持する際に真空装置を作動させることによりウエハＷを吸着保持することができる。
【００３１】
図２に戻り、ベース部２６の上面には、複数の給排気口３６が、ベース部２６上面の中心部近傍から放射方向（ほぼ１２０°の中心角の間隔を有する３本の半径の方向）に沿って、所定間隔で形成されている。これら給排気口３６も、ピン部３２と機械的に干渉しない位置に形成されている。給排気口３６は、ベース部２６内部に形成された給排気路３８Ａ，３８Ｂ，３８Ｃをそれぞれ介して、ベース部２６の外周面に接続された給排気枝管４０ａ、４０ｂ、４０ｃと連通状態とされている。給排気枝管４０ａ、４０ｂ、４０ｃは後述する給排気機構８０の一部を構成する。
【００３２】
給排気路３８Ａ、３８Ｂ、３８Ｃのそれぞれは、ベース部２６の外周面からベース部２６の中心部近傍にかけて半径方向に沿って形成された幹路と、該幹路から半径方向に所定間隔を隔てて、それぞれ＋Ｚ方向に分岐された複数の分岐路とから成る。この場合、複数の分岐路それぞれの上端の開口端が、前述した給排気口３６となっている。
【００３３】
ウエハホルダＷＨには、ウエハホルダＷＨ上に載置され、複数のピン部３２及びリム部２８によって下方から支持されたウエハＷを、複数のピン部３２及びリム部２８それぞれの上端面（上端部）に対して吸着保持する真空吸着機構を含む給排気機構８０が接続されている。
【００３４】
給排気機構８０は、図２に示されるように、真空ポンプ４６Ａ及び給気装置４６Ｂと、これらの真空ポンプ４６Ａ及び給気装置４６Ｂを前記給排気路３８Ａ〜３８Ｃにそれぞれ接続する給排気管４０とを備えている。
【００３５】
給排気管４０は、給排気本管４０ｄと、該給排気本管４０ｄの一端から３つに枝分かれした前述の給排気枝管４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、給排気本管４０ｄの他端から２つに枝分かれした排気枝管４０ｅ及び給気枝管４０ｆとから構成されている。
【００３６】
排気枝管４０ｅの給排気本管４０ｄとは反対側の端部には、真空ポンプ４６Ａが接続されている。また、給気枝管４０ｆの給排気本管４０ｄとは反対側の端部には、給気装置４６Ｂが接続されている。
【００３７】
また、給排気本管４０ｄの一部には、給排気管４０内部の気圧を計測するための圧力センサ９７（図２では図示せず、図４参照）が接続されている。この圧力センサ９７の計測値は主制御装置２０に供給され、主制御装置２０は、圧力センサ９７の計測値とウエハのロード、アンロードの制御情報とに基づいて、真空ポンプ４６Ａ及び給気装置４６Ｂのオン・オフ（作動／非作動）を制御する。なお、真空ポンプ４６Ａ及び給気装置４６Ｂのオン・オフの制御を行う代わりに、排気枝管４０ｅ、給気枝管４０ｇにそれぞれ電磁バルブ等の不図示のバルブを介して真空ポンプ４６Ａ及び給気装置４６Ｂを接続し、これらのバルブの開閉制御を行っても良い。また、本実施形態の給排気機構８０に代えて、例えば米国特許第６，７１０，８５７号明細書に開示されるような、通常時の真空排気用の第１真空ポンプ、ウエハロード時に用いられる高速排気用の真空室及び第２真空ポンプ、及び給気装置を備えた給排気機構を用いても良い。
【００３８】
駆動装置９４は、図３に示されるように、板状部材９２の下面に一端（上端）が固定された駆動軸９３と、該駆動軸９３を上下方向に駆動する駆動機構９５とを有している。駆動機構９５は、駆動源として例えばモータ（回転モータ又はリニアモータ）を含み、該モータの駆動力により動力伝達機構を介して駆動軸９３を上下方向に駆動する。駆動機構９５は、ステージ本体５２の底壁５２ａ上に固定されている。
【００３９】
図１に戻り、ウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置情報（回転情報（ヨーイング量（θｚ方向の回転量θｚ）、ピッチング量（θｘ方向の回転量θｘ）、ローリング量（θｙ方向の回転量θｙ））を含む）は、レーザ干渉計システム(以下、「干渉計システム」と略述する)１８によって、移動鏡１６を介して、例えば０．２５ｎｍ程度の分解能で常時検出されている。ここで、ウエハステージＷＳＴには、実際には、図２に示されるように、Ｙ軸に直交する反射面を有するＹ移動鏡１６ＹとＸ軸に直交する反射面を有するＸ移動鏡１６Ｘとが、固定されている。そして、これに対応して、Ｙ移動鏡１６Ｙ及びＸ移動鏡１６Ｘのそれぞれに測長ビームを照射するＹ干渉計及びＸ干渉計を含んで干渉計システム１８が構成されるが、図１では、これらが代表的に移動鏡１６、干渉計システム１８として図示されている。
【００４０】
干渉計システム１８の計測情報は、主制御装置２０に供給される（図４参照）。主制御装置２０は、干渉計システム１８の計測情報に基づいて、ステージ駆動系２４を介してウエハステージＷＳＴのＸＹ平面内の位置（θｚ方向の回転を含む）を制御する。
【００４１】
また、図１では図示が省略されているが、ウエハホルダＷＨに保持されたウエハＷの表面のＺ軸方向の位置及び傾斜量は、例えば米国特許第５，４４８，３３２号明細書等に開示される斜入射方式の多点焦点位置検出系から成るフォーカスセンサＡＦ（図４参照）によって計測される。このフォーカスセンサＡＦの計測情報も主制御装置２０に供給される（図４参照）。
【００４２】
また、ウエハステージＷＳＴ上には、その表面がウエハＷの表面と同じ高さである基準板ＦＰ（図２参照）が固定されている。この基準板ＦＰの表面には、後述するレチクルアライメント検出系で検出される一対の第１マーク、及びアライメント検出系ＡＳのベースライン計測等に用いられる第２マークを含む複数の基準マークが形成されている。
【００４３】
さらに、投影ユニットＰＵの鏡筒４５の側面には、ウエハＷに形成されたアライメントマーク及び基準マークを検出するアライメント検出系ＡＳが設けられている。アライメント検出系ＡＳとして、一例としてハロゲンランプ等のブロードバンド（広帯域）光でマークを照明し、このマーク画像を画像処理することによってマーク位置を計測する画像処理方式の結像式アライメントセンサの一種であるＦＩＡ（Field Image Alignment）系が用いられている。
【００４４】
露光装置１００では、さらに、レチクルステージＲＳＴの上方に、例えば米国特許第５，６４６，４１３号明細書等に開示される、露光波長の光を用いたＴＴＲ（Through The Reticle）アライメント系から成る一対のレチクルアライメント検出系１３（図１では不図示、図４参照）が設けられている。レチクルアライメント検出系１３の検出信号は、主制御装置２０に供給される（図４参照）。
【００４５】
図４には、露光装置１００の制御系を中心的に構成し、構成各部を統括制御する主制御装置２０の入出力関係を示すブロック図が示されている。主制御装置２０は、ワークステーション（又はマイクロコンピュータ）等を含み、露光装置１００の構成各部を統括制御する。
【００４６】
次に、上述のようにして構成された露光装置１００で行われる一連の動作を、ウエハ交換動作（ウエハのロード及びアンロード動作）を中心として説明する。
【００４７】
例えばロット先頭のウエハの処理に際しては、最初に、レチクルＲがレチクルステージＲＳＴ上にロードされ、主制御装置２０によって一対のレチクルアライメント検出系１３及び基準板ＦＰ上の一対の第１マーク、及び第２マークを用いて、例えば米国特許第５，６４６，４１３号明細書などに開示される手順に従ってレチクルアライメント及びアライメント検出系ＡＳのベースライン計測が行われる。
【００４８】
次いで、ウエハ交換位置（不図示）において、露光装置１００に例えばインライン接続されたコータ・デベロッパ（不図示）により感応材（レジスト）が塗布されたウエハＷがウエハステージＷＳＴのウエハホルダＷＨ上にロードされる。このウエハＷのロードは、以下の手順で行われる。なお、以下の説明では、ロードアーム、アンロードアーム、上下動ピン等によるウエハの吸着及び吸着解除については、その説明を省略する。
【００４９】
まず、図５（Ａ）中に白抜き矢印で示されるように、ウエハ搬送系の一部を構成するロードアーム９６ＡによりウエハＷがウエハホルダＷＨ上方に搬送される。次いで、主制御装置２０により、図５（Ｂ）中に黒塗り矢印で示されるように、駆動装置９４を介して上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃが前述の上限移動位置に向けて＋Ｚ方向に駆動される。この移動の途中でロードアーム９６Ａに支持されているウエハＷが上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃによって下方から支持され、さらに上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃが上昇駆動されることで、ウエハＷがロードアーム９６Ａから上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃに受け渡される。
【００５０】
本実施形態では、上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃの上端面の高さが、順に直線的に高くなるように設定されているので、ウエハＷは、図５（Ｂ）に示されるように、ウエハホルダＷＨ上面（ＸＹ平面）に対して角θをなす状態で（＋Ｙ側が下に傾けられて）、上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃに下方から支持される。
【００５１】
次いで、図５（Ｂ）中に白抜き矢印で示されるように、ロードアーム９６ＡがウエハホルダＷＨの上方から退避する。このロードアーム９６Ａの退避後、主制御装置２０により、図６（Ａ）中に黒塗り矢印で示されるように、駆動装置９４を介して上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃが前述の下限移動位置の近傍に向けて−Ｚ方向に駆動される。これにより、図６（Ａ）に示されるように、ウエハホルダＷＨ上面に対し、上下動ピン３４ａが、他の上下動ピン３４ｂ、３４ｃより高さが低いため、ウエハＷの＋Ｙ側がウエハホルダＷＨの上面（リム部２８及び複数のピン部３２の上面）に当接する。さらに、駆動装置９４により上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃが−Ｚ方向に駆動されると、図６（Ｂ）に示されるように、ウエハホルダＷＨ上面より低い位置に、上下動ピン３４ａが移動し、さらに、ウエハホルダＷＨに対し、上下動ピン３４ｂが、他の上下動ピン３４ｃより高さが低いため、ウエハＷの＋Ｙ側から−Ｙ側へと順にウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳに当接し、ウエハＷがウエハホルダＷＨ上にロードされる。このとき、主制御装置２０によって、前述の真空ポンプ４６Ａが作動されており、ウエハＷは、ウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳに接した部分から順にウエハホルダＷＨに真空吸着される。この場合、ウエハＷは、周辺部から中心部ではなく、＋Ｙ側から−Ｙ側に順次ウエハホルダＷＨによって吸着されるので、残留歪みを生ずることなく、ウエハホルダＷＨにより吸着保持される。
なお、本実施形態では、ウエハＷがＸＹ平面に対して角θをなす状態として、＋Ｙ側が下に傾けられた状態、すなわち＋Ｙ側から−Ｙ側に徐々に高さが高くなる状態を例に説明したが、−Ｙ側が下に傾けられた状態、すなわち＋Ｙ側から−Ｙ側に徐々に高さが低くなる状態で、ウエハＷをウエハホルダＷＨ上にロードすることもできる。また、＋Ｙ側及び−Ｙ側に限らず、ウエハＷは、ＸＹ平面に対して角θをなす状態として、＋Ｘ側、−Ｘ側、またはその他の方向に傾けられた状態にすることもできる。
【００５２】
ウエハＷのロード後、主制御装置２０により、アライメント検出系ＡＳを用いて、ウエハＷ上の複数のアライメントマークを検出するアライメント計測（例えばＥＧＡ）が実行される。これにより、ウエハＷ上の複数のショット領域の配列座標が求められる。なお、アライメント計測（ＥＧＡ）の詳細は、例えば、米国特許第４，７８０，６１７号明細書等に開示されている。
【００５３】
次いで、主制御装置２０により、アライメント計測の結果に基づいて、ウエハＷ上の複数のショット領域の露光のための加速開始位置にウエハＷを移動するショット間ステッピング動作と、前述の走査露光動作とを繰り返すステップ・アンド・スキャン方式の露光動作が行われ、ウエハＷ上の全ショット領域に、順次、レチクルＲのパターンが転写される。なお、ステップ・アンド・スキャン方式の露光動作は、従来と異なる点はないので、詳細説明は省略する。
【００５４】
露光が終了すると、露光済みのウエハＷが、以下の手順でウエハステージＷＳＴのウエハホルダＷＨからアンロードされる。
【００５５】
すなわち、まず、ウエハステージＷＳＴが所定のウエハ交換位置に移動し、主制御装置２０により、真空ポンプ４６Ａの作動が停止されるとともに給気装置４６Ｂの作動が開始され、給気装置４６Ｂから給排気口３６を介して加圧空気がウエハＷの裏面側に噴出される。これにより、ウエハＷがウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳから浮上される、ウエハＷのウエハホルダＷＨによる真空吸着が解除される。次いで、主制御装置２０により、駆動装置９４を介して上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃが、前述の移動上限位置に向けて＋Ｚ方向に駆動される。この上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃの上昇の途中で、ウエハＷが上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃに下方から支持され、上限移動位置まで持ち上げられる。なお、上下動ピン３４ａ、３４ｂ、３４ｃが上昇する際に、上下動ピン３４ａ、３４ｂ、３４ｃのそれぞれは、ウエハＷの裏面を吸着保持することができる。
【００５６】
次いで、搬送系の一部を構成するアンロードアーム（不図示）が、上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃに支持されたウエハＷの下方に挿入される。次いで、主制御装置２０により上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃが所定の待機位置（上限移動位置と下限移動位置との間の所定の位置）まで下降駆動される（−Ｚ方向に駆動される）。この上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃの下降の途中で、ウエハＷが上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃからアンロードアームに受け渡される。その後、アンロードアームは、ウエハＷを保持して退避する。その後、上述したウエハＷのロード以降の動作が、繰り返し行われて、ロット内の複数のウエハが順次処理される。ロットの処理の終了後、同様の処理が次のロットのウエハに対して繰り返し行われる。
【００５７】
以上説明したように、本実施形態に係る露光装置１００では、ウエハステージＷＳＴが、載置されるウエハＷを支持するリム部２８及び複数のピン部３２、及びこれらがその上面に設けられたベース部２６を有するウエハホルダＷＨと、ウエハホルダＷＨが固定されたウエハテーブルＷＴＢとを備えている。ベース部２６及びウエハテーブルＷＴＢには、これらを上下に貫通する複数（例えば３つ）の貫通孔８４が形成されている。ウエハステージＷＳＴは、複数の貫通孔８４のそれぞれを介してその上端部がウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳ上方へ突出する上限移動位置とウエハ載置面ＷＭＳの上方へは突出しない下限移動位置との間でそれぞれ上下動可能な複数（例えば３本）の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃと、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのウエハ載置面ＷＭＳからの突出量を調整するため、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを駆動する駆動装置９４と、をさらに備えている。また、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃは、水平面に平行な板状部材９２の上面に固定され、それぞれの上端面の高さ（Ｚ位置）が順に高くなっている。
【００５８】
そして、主制御装置２０により、ウエハＷをウエハホルダＷＨ上にロードするロード方法が大略次の手順で行われる。すなわち、ロードアーム９６ＡによりウエハＷがウエハホルダＷＨの上方に搬送されると、ウエハホルダＷＨ及びウエハテーブルＷＴＢに形成された貫通孔８４を介して３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを上昇駆動することで、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃそれぞれのウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳからの突出量がウエハホルダＷＨの＋Ｙ側から−Ｙ側に向かって徐々に増加する状態に設定される。３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃがさらに上昇駆動されることで、ウエハ載置面ＷＭＳから突出された３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃにウエハＷが下方から支持される。そして、ロードアーム９６Ａの退避後、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのうち、ウエハ載置面ＷＭＳからの突出量が少ない上下動ピン３４ａから順にウエハ載置面ＷＭＳの下方に下げる。これにより、ウエハＷは、その裏面が＋Ｙ側から−Ｙ側の順にウエハ載置面ＷＭＳに接し、ウエハホルダＷＨ上にロードされる。このとき、ウエハＷは、その裏面がウエハ載置面ＷＭＳに接した部分から順にウエハホルダＷＨによる吸着が開始される。この結果、保持後に残留歪を生ずることなく、ウエハＷをウエハホルダＷＨ上にロードすることが可能となる。
【００５９】
また、本実施形態に係る露光装置１００によると、残留歪を生ずること無く、ウエハＷをウエハホルダＷＨ上にロードすることができるので、露光精度の向上が期待される。
【００６０】
なお、上記実施形態では、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃの長さを異ならせることで、上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃそれぞれのウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳからの突出量がウエハホルダＷＨの＋Ｙ側から−Ｙ側に向かって徐々に増加する状態に設定することで、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃに支持（保持）されたウエハＷがウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳに対して傾くようにしたが、これに限らず、例えば、図７（Ａ）に示される第１の変形例に係るウエハステージのように、ウエハホルダＷＨを、ウエハテーブルＷＴＢと一体で（あるいは、ウエハホルダＷＨのみを）、不図示の駆動機構を介してステージ本体５２に対して傾斜（チルト）駆動可能に構成しても良い。この場合、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃの長さを上記実施形態のように異ならせても良いが、同じ長さにしても良い。後者の場合であっても、図７（Ａ）に示されるように、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃが支持するウエハＷに対してウエハホルダＷＨを、ウエハテーブルＷＴＢと一体で（あるいは、ウエハホルダＷＨのみを）、例えばウエハホルダＷＨの＋Ｙ側が−Ｙ側に比べて高くなるように、θｘ方向に所定角度傾けることで、３本の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを、それぞれのウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳからの突出量がウエハホルダＷＨの＋Ｙ側から−Ｙ側に向かって徐々に増加する状態に設定しても良い。この場合、そのウエハホルダＷＨ（ウエハテーブルＷＴＢ）の傾きを維持して、駆動装置９４を介して複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを−Ｚ方向に駆動することで、ウエハＷを＋Ｙ側から−Ｙ側に順にウエハホルダＷＨの上面に当接させ、残留歪を生じさせることなく、ウエハＷをウエハホルダＷＨ上にロードすることができる。
【００６１】
第１の変形例に係るウエハステージでは、ウエハホルダＷＨ（及びウエハテーブルＷＴＢ）に設けられる上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを挿入するための貫通孔８４と上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃとの隙間寸法によりウエハホルダＷＨ（及びウエハテーブルＷＴＢ）の傾斜可能な角度が定まる。従って、必要な傾斜角が得られるように、上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃの直径及びウエハホルダＷＨ（及びウエハテーブルＷＴＢ）の厚さを考慮して、貫通孔の直径を定めることが望ましい。なお、ウエハホルダＷＨと上下動ピン３４ａ、３４ｂ、３４ｃとは、相対的に傾斜すればよいので、ウエハホルダＷＨに対して、上下動ピン３４ａ、３４ｂ、３４ｃを傾斜させることもできる。
【００６２】
この他、図７（Ｂ）に示される第２の変形例に係るウエハステージのように、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのそれぞれを支持部材９２１を介して個別に駆動する複数の駆動装置９４を設けても良い。かかる場合、複数の駆動装置９４のそれぞれにより、例えば複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのそれぞれの上端面の位置が、＋Ｙ側から−Ｙ側に向かって徐々に高くなるように調整する（すなわち、上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのウエハ載置面ＷＭＳからの突出量を調整する）ことで、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃに保持されたウエハＷをウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳに対して傾ける。その傾きを維持して、複数の駆動装置９４により上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを同期して−Ｚ方向に駆動することで、ウエハＷを＋Ｙ側から−Ｙ側に順にウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳに当接させ、歪みを生ずることなく、ウエハＷをウエハホルダＷＨ上にロードすることができる。
【００６３】
さらに、上述した第１、第２の変形例に係るウエハステージにおいて、図８（Ａ）に示されるように、ウエハホルダＷＨ（あるいはウエハテーブルＷＴＢ）に複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃの支持対象物であるウエハＷとウエハホルダＷＨのベース部２６上面（ウエハ載置面ＷＭＳと平行な面）のギャップを測定するギャップセンサ９６を複数設け、それらギャップセンサ９６によりウエハＷの面形状を測定する面形状測定器を構成することとしても良い。この場合、主制御装置２０は、例えば、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃが、ロードアーム９６Ａに支持されているウエハＷを受け取るために上昇しているときに、面形状測定器（ギャップセンサ９６）によりウエハＷの面形状（裏面の面形状）を測定する。上記の測定は、上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃがロードアーム９６ＡからウエハＷを受け取った後ロードアーム９６Ａが退避するまで続行されることが望ましい。そして、例えば前述の第１の変形例に係るウエハステージ（図７（Ａ）参照）の場合、その測定結果に基づいて、図８（Ｂ）に示されるように、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃが保持するウエハＷに対してウエハホルダＷＨ（ウエハテーブルＷＴＢ）の＋Ｙ側を上げかつ−Ｙ側を下げる（図８（Ｂ）中の黒塗り矢印参照）ことで、上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのウエハ載置面ＷＭＳからの突出量を異ならせ、ウエハＷをウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳに対して傾ける。
【００６４】
あるいは、例えば前述の第２の変形例に係るウエハステージ（図７（Ｂ）参照）の場合、面形状測定器（ギャップセンサ９６）の測定結果に基づいて、図８（Ｃ）に示されるように、複数の駆動装置９４により、＋Ｙ側に配置された上下動ピン３４ａを−Ｚ方向に、−Ｙ側に配置された上下動ピン３４ｃを＋Ｚ方向にそれぞれ駆動する（図８（Ｃ）中の黒塗り矢印参照）ことで、上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのウエハ載置面ＷＭＳからの突出量を異ならせ、ウエハＷをウエハホルダＷＨのウエハ載置面ＷＭＳに対して傾ける。
【００６５】
そして、図８（Ｂ）及び図８（Ｃ）のいずれの場合も、ウエハＷの傾きを保って複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを−Ｚ方向に駆動して、ウエハＷを＋Ｙ側から−Ｙ側に順にウエハホルダＷＨの上面に当接させることで、歪みを生ずることなく、ウエハＷをウエハホルダＷＨ上にロードすることができる。
【００６６】
また、上述のようにウエハＷをウエハホルダＷＨの上面に対して傾けることにより、ウエハＷ（の端部）のＸＹ平面内の位置がずれる。例えば、図９（Ｂ）に示されるように、ウエハＷをＸ軸周りに傾けた場合には、Ｙ軸方向の位置がずれる。そのずれをΔＹとする。そこで、上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃをＹ軸方向（及びＸ軸方向）に微小駆動する別の駆動装置を設けるなどすることにより、図９（Ａ）中に矢印で示されるように、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのそれぞれをＸ軸及びＹ軸方向に微小駆動可能に構成する。そして、図９（Ｂ）に示されるように、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃのそれぞれを＋Ｙ方向に距離ΔＹ駆動することで、ウエハＷの傾きによる位置ずれΔＹを補正することとしても良い。なお、位置ずれΔＹは、上述の面形状測定器（ギャップセンサ９６）を用いてウエハＷの傾斜を測定し、その測定結果を用いて計算を行うことで、求めることができる。
【００６７】
この他、図１０の平面図に示されるように、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃとは別にウエハホルダＷＨ（及びウエハテーブルＷＴＢ）を介してウエハＷの裏面を真空吸着等で吸着保持し、それぞれ独立にＺ軸方向に駆動可能な複数の支持部材９８を、さらに設けても良い。図１０の変形例に係るウエハステージＷＳＴでは、ウエハホルダＷＨの中心を中心として放射状に、具体的には、中心角４５°毎の８本の直線上に複数の支持部材９８が配置されている。なお、複数の支持部材９８の数及び配置は、図１０に示される数、配置に限られるものではない。かかる場合、主制御装置２０は、図１１（Ａ）に示されるように、複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃでウエハＷを支持した状態で、面形状測定器（ギャップセンサ９６）によりウエハＷの面形状（裏面の面形状）を測定する。そして、その測定結果に基づいて、複数の支持部材９８のそれぞれを＋Ｚ方向に駆動する。複数の支持部材９８は、それぞれの先端がウエハＷの裏面に当接すると真空吸着等によりウエハＷを吸着支持する。そして、主制御装置２０は、図１１（Ｂ）に示されるように、複数の支持部材９８及び複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを、それらの上端の位置が同じ位置になるように、＋Ｚ方向又は−Ｚ方向に駆動する。これにより、図１１（Ｃ）に示されるように、ウエハＷがウエハホルダＷＨ上方でウエハ載置面ＷＭＳに平行にかつ平坦に支持される。そして、その状態を保って複数の支持部材９８及び複数の上下動ピン３４ａ，３４ｂ，３４ｃを−Ｚ方向に駆動することで、歪みを生ずることなく、ウエハＷをウエハホルダＷＨ上にロードすることができる。
【００６８】
なお、上記実施形態及び変形例（以下、上記実施形態と略記する）では、露光装置が、液体（水）を介さずにウエハＷの露光を行うドライタイプの露光装置である場合について説明したが、これに限らず、例えば、欧州特許出願公開第１,４２０,２９８号明細書、国際公開第２００４／０５５８０３号、米国特許第６,９５２,２５３号明細書などに開示されているように、投影光学系とウエハとの間に照明光の光路を含む液浸空間を形成し、投影光学系及び液浸空間の液体を介して照明光でウエハを露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。
また、ウエハＷをウエハホルダＷにロードする際、ウエハに生じる残留歪を低減するために、ウエハホルダＷのリム部２８及び／又は複数のピン部３２の表面に低摩擦材（例えば、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）等）をコーティングすることができる。
【００６９】
また、上記実施形態では、露光装置が、ステップ・アンド・スキャン方式等の走査型露光装置である場合について説明したが、これに限らず、ステッパなどの静止型露光装置であっても良い。また、ショット領域とショット領域とを合成するステップ・アンド・スティッチ方式の縮小投影露光装置、プロキシミティー方式の露光装置、又はミラープロジェクション・アライナーなどにも上記実施形態は適用することができる。
【００７０】
また、上記実施形態の露光装置における投影光学系は縮小系のみならず等倍及び拡大系のいずれでも良いし、投影光学系ＰＬは屈折系のみならず、反射系及び反射屈折系のいずれでも良いし、その投影像は倒立像及び正立像のいずれでも良い。また、前述の照明領域及び露光領域はその形状が矩形であるものとしたが、これに限らず、例えば円弧、台形、あるいは平行四辺形などでも良い。
【００７１】
なお、上記実施形態の露光装置の光源は、ＡｒＦエキシマレーザに限らず、ＫｒＦエキシマレーザ（出力波長２４８ｎｍ）、Ｆ2レーザ（出力波長１５７ｎｍ）、Ａｒ2レーザ（出力波長１２６ｎｍ）、Ｋｒ2レーザ（出力波長１４６ｎｍ）などのパルスレーザ光源、ｇ線（波長４３６ｎｍ）、ｉ線（波長３６５ｎｍ）などの輝線を発する超高圧水銀ランプなどを用いることも可能である。また、ＹＡＧレーザの高調波発生装置などを用いることもできる。この他、例えば米国特許第７,０２３,６１０号明細書に開示されているように、真空紫外光としてＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。
【００７２】
また、上記実施形態では、露光装置の照明光ＩＬとしては波長１００ｎｍ以上の光に限らず、波長１００ｎｍ未満の光を用いても良いことはいうまでもない。例えば、軟Ｘ線領域（例えば５〜１５ｎｍの波長域）のＥＵＶ（Extreme Ultraviolet）光を用いるＥＵＶ露光装置に上記実施形態を適用することができる。その他、電子線又はイオンビームなどの荷電粒子線を用いる露光装置にも、上記実施形態は適用できる。
【００７３】
さらに、例えば米国特許第６，６１１，３１６号明細書に開示されているように、２つのレチクルパターンを、投影光学系を介してウエハ上で合成し、１回のスキャン露光によってウエハ上の１つのショット領域をほぼ同時に二重露光する露光装置にも上記実施形態を適用することができる。
【００７４】
なお、上記実施形態でパターンを形成すべき物体（エネルギビームが照射される露光対象の物体）はウエハに限られるものでなく、ガラスプレート、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど他の物体でも良い。
【００７５】
露光装置の用途としては半導体製造用の露光装置に限定されることなく、例えば、角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置や、有機ＥＬ、薄膜磁気ヘッド、撮像素子（ＣＣＤ等）、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるレチクル又はマスクを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも上記実施形態を適用できる。
【００７６】
半導体素子などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたレチクルを製作するステップ、シリコン材料からウエハを製作するステップ、前述した実施形態の露光装置（パターン形成装置）及びその露光方法によりマスク（レチクル）のパターンをウエハに転写するリソグラフィステップ、露光されたウエハを現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ（ダイシング工程、ボンディング工程、パッケージ工程を含む）、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ウエハ上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。
【符号の説明】
【００７７】
２０…主制御装置、２４…ステージ駆動系、３４ａ、３４ｂ、３４ｃ…上下動ピン、９４…駆動装置、９６…ギャップセンサ、１００…露光装置、ＩＬ…照明光、ＩＯＰ…照明系、ＰＬ…投影光学系、ＰＵ…投影ユニット、Ｗ…ウエハ、ＷＨ…ウエハホルダ、ＷＭＳ…ウエハ載置面、ＷＳＴ…ウエハステージ、ＷＴＢ…ウエハテーブル。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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