(57)【要約】【課題】ウェットエッチングプロセス環境下から発光層を保護し、安定的な製造を可能にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板上に、下部電極を設ける領域に開口を有するパターニング部材を形成する工程と、少なくとも前記下部電極を覆うように有機化合物層を形成する工程と、少なくとも前記パターニング部材の一部と、前記有機化合物層と、を覆うようにエッチストップ層を形成する工程と、少なくとも前記パターニング部材の一部と、前記エッチストップ層と、を覆うように犠牲層を形成する工程と、前記パターニング部材と、前記パターニング部材の上に形成された前記有機化合物層と前記エッチストップ層と前記犠牲層とからなる積層体と、を除去する工程と、前記犠牲層を除去する工程と、共通有機化合物層を形成する工程と、前記共通有機化合物層上に上部電極を形成する工程と、を有する。【選択図】図２
2014123441.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に設けられた下部電極と、
前記下部電極上に形成され、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成される上部電極からなる有機ＥＬ素子を有し、
前記有機化合物層が所定のパターン形状を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
基板上に、下部電極を設ける領域に開口を有するパターニング部材を形成する工程と、
少なくとも前記パターニング部材の一部と、前記下部電極と、を覆うように有機化合物層を形成する工程と、
少なくとも前記パターニング部材の一部と、前記有機化合物層と、を覆うようにエッチストップ層を形成する工程と、
少なくとも前記パターニング部材の一部と、前記エッチストップ層と、を覆うように犠牲層を形成する工程と、
前記パターニング部材と、前記パターニング部材の上に形成された前記有機化合物層と前記エッチストップ層と前記犠牲層とからなる積層体と、を除去する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、
共通有機化合物層を形成する工程と、
前記共通有機化合物層上に上部電極を形成する工程と、を有し、
前記エッチストップ層が、前記基板に鉛直な方向と前記有機化合物層の蒸発分子の最大入射角とでなす角度よりも大きい入射角度成分の蒸発分子を含むように形成される層であり、
前記犠牲層が、前記基板に鉛直な方向と前記エッチストップ層の蒸発分子の最大入射角とでなす角度よりも、大きい入射角度成分の蒸発分子を含むように形成される層であり、
前記エッチストップ層が、前記犠牲層を溶解する溶媒に対するエッチングレートが、前記犠牲層よりも遅いことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項２】
基板と、
前記基板上に設けられる複数種類の画素と、を有し、
前記画素が、前記基板上に設けられた下部電極と、前記下部電極上に設けられ所定のパターン形状を有する有機化合物層と、前記有機化合物層上に設けられる上部電極と、からなる有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置において、
前記基板上に、第一有機化合物層と、エッチストップ層と、犠牲層と、がこの順に積層されてなる第一の積層体を形成する工程と、
前記第一の積層体の上に所定の画素が設けられている領域に対応する領域に開口を有するパターニング部材を形成する工程と、
前記第一有機化合物層を加工して、前記所定の画素が設けられている領域に設けられている下部電極を表出させる工程と、
表出された前記下部電極上に、第二有機化合物層と、エッチストップ層と、犠牲層と、がこの順に積層されてなる第二の積層体を形成する工程と、
前記パターニング部材を除去する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、
共通有機化合物層を形成する工程と、
前記共通有機化合物層上に上部電極を形成する工程と、を有し、
前記エッチストップ層が、前記基板に鉛直な方向と前記有機化合物層の蒸発分子の最大入射角とでなす角度よりも大きい入射角度成分の蒸発分子を含むように形成される層であり、
前記犠牲層が、前記基板に鉛直な方向と前記エッチストップ層の蒸発分子の最大入射角とでなす角度よりも、大きい入射角度成分の蒸発分子を含むように形成される層であり、
前記エッチストップ層が、前記犠牲層を溶解する溶媒に対するエッチングレートが、前記犠牲層よりも遅いことを特徴とする、有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記パターニング部材に有機化合物が含まれていることを特徴とする、請求項１又は２に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記パターニング部材が、所定の溶媒で溶解する中間層を有し、
前記中間層を溶解させることで前記パターニング部材を除去することを特徴とする、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記パターニング部材が、保護層を有し、
前記保護層が、前記中間層の上に形成されることを特徴とする、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記パターニング部材を形成する工程が、中間層を形成する工程と、
前記中間層の上に保護層を形成する工程と、
前記保護層の上にレジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層の露光・現像工程と、
前記レジスト層に覆われていない領域に設けられている前記保護層を、前記基板側が狭くなるテーパー形状で加工する工程と、
前記中間層を、前記保護層の加工領域よりも広い領域で加工する工程と、を有することを特徴とする、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の有機ＥＬ表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ表示装置は、有機ＥＬ素子を単数あるいは複数有する装置である。一般に、有機ＥＬ素子は、陽極と陰極と、陽極と陰極との間に設けられ正孔輸送層、発光層、電子輸送層等を有する有機化合物層と、を有する電子素子である。陽極側から注入された正孔と、陰極側から注入された電子とが、それぞれ電荷輸送層（正孔輸送層、電子輸送層）を介して発光層で再結合することにより、有機ＥＬ素子は発光を得る。
【０００３】
この有機ＥＬ表示装置を製造する方法の一つとして、真空蒸着法が知られている。具体的には、有機材料をルツボに入れ、真空装置内で蒸着材料の気化温度以上に加熱することで蒸着材料の蒸気を発生させ、この蒸気を有機ＥＬ表示装置の基体となる基板に堆積させることで有機化合物層等の薄膜層を形成する製造プロセスである。
【０００４】
真空蒸着法を利用して有機ＥＬ表示装置を製造する場合、一般的には所定の領域に開口を有するメタルマスクを用いて所定のパターン形状を有する発光層を成膜・形成する。これにより、例えば、赤、緑、青のいずれかを発光する有機ＥＬ素子が得られる。しかし、メタルマスクを用いたパターニング方法では、メタルマスクの開口幅を狭くすると、各開口幅を同じ幅に揃えることが難しくなることから、精細度に限界があることが問題となっていた。
【０００５】
この精細度の問題を解決するための方法として、特許文献１にて開示されている方法が提案されている。具体的には、レジスト層を用いたフォトリソグラフィ法を利用する方法が提案されている。尚、特許文献１の製造プロセスでは、プロセスの途中でレジスト層の上に発光層を含む有機化合物層が形成されているがリフトオフを利用してレジスト層ごと除去している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第４５７８０２６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで特許文献１にて提案されている技術では、レジスト層を除去する目的でレジストを溶解させる溶媒が使用されている。一方、レジスト層を除去する際において、除去されるレジスト層の一部では発光層の端部が表出されている場合がある。この場合、レジスト層を除去する溶媒によって発光層が浸食される場合があり、これが有機ＥＬ表示装置を安定的に製造する上で支障となるおそれがあった。
【０００８】
本発明は、上記のような課題を解決するために成されたものであり、その目的は、ウェットエッチングプロセス環境下から発光層を保護し、安定的な製造を可能にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法は、基板と、
前記基板上に設けられた下部電極と、
前記下部電極上に形成され、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、
前記有機化合物層上に形成される上部電極からなる有機ＥＬ素子を有し、
前記有機化合物層が所定のパターン形状を有する有機ＥＬ表示装置の製造方法において、
基板上に、下部電極を設ける領域に開口を有するパターニング部材を形成する工程と、
少なくとも前記パターニング部材の一部と、前記下部電極と、を覆うように有機化合物層を形成する工程と、
少なくとも前記パターニング部材の一部と、前記有機化合物層と、を覆うようにエッチストップ層を形成する工程と、
少なくとも前記パターニング部材の一部と、前記エッチストップ層と、を覆うように犠牲層を形成する工程と、
前記パターニング部材と、前記パターニング部材の上に形成された前記有機化合物層と前記エッチストップ層と前記犠牲層とからなる積層体と、を除去する工程と、
前記犠牲層を除去する工程と、
共通有機化合物層を形成する工程と、
前記共通有機化合物層上に上部電極を形成する工程と、を有し、
前記エッチストップ層が、前記基板に鉛直な方向と前記有機化合物層の蒸発分子の最大入射角とでなす角度よりも大きい入射角度成分の蒸発分子を含むように形成される層であり、
前記犠牲層が、前記基板に鉛直な方向と前記エッチストップ層の蒸発分子の最大入射角とでなす角度よりも、大きい入射角度成分の蒸発分子を含むように形成される層であり、
前記エッチストップ層が、前記犠牲層を溶解する溶媒に対するエッチングレートが、前記犠牲層よりも遅いことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、ウェットエッチングプロセス環境下から発光層を保護し、安定的な製造を可能にする有機ＥＬ表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の例を示す模式図であり、（ａ）は、斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡＡ’断面図である。
【図２】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。
【図３】有機化合物層と、エッチストップ層と、犠牲層と、を、それぞれ異なる蒸着角で蒸着した場合における各層の成膜の様子を示す断面模式図である。
【図４】有機化合物層と、エッチストップ層と、犠牲層と、を、同一の蒸着角で蒸着した場合における各層の成膜の様子を示す断面模式図である。
【図５Ａ】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【図５Ｂ】本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の製造方法は、基板と、基板上に設けられた下部電極と、下部電極上に形成され、少なくとも発光層を含む有機化合物層と、有機化合物層上に形成される上部電極からなる有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置を製造する方法である。本発明において、有機化合物層は、所定のパターン形状を有している。
【００１３】
本発明の製造方法は、少なくとも下記（１）乃至（８）に示される工程を有する。
（１）基板上に、下部電極を設ける領域に開口を有するパターニング部材を形成する工程（パターニング部材の形成工程）
（２）少なくともパターニング部材の一部と、下部電極と、を覆うように有機化合物層を形成する工程（有機化合物の形成工程）
（３）少なくともパターニング部材の一部と、有機化合物層と、を覆うようにエッチストップ層を形成する工程（エッチストップ層の形成工程）
（４）少なくともパターニング部材の一部と、エッチストップ層と、を覆うように犠牲層を形成する工程（犠牲層の形成工程）
（５）パターニング部材と、このパターニング部材の上に形成され、有機化合物層とエッチストップ層と犠牲層とからなる積層体と、を除去する工程（リフトオフ工程）
（６）犠牲層を除去する工程（犠牲層の除去工程）
（７）共通有機化合物層を形成する工程（共通有機化合物層の形成工程）
（８）共通有機化合物層上に上部電極を形成する工程（上部電極の形成工程）
【００１４】
本発明において、エッチストップ層は、基板に鉛直な方向と有機化合物層の蒸発分子の最大入射角とでなす角度よりも大きい入射角度成分の蒸発分子を含むように形成される層である。本発明において、犠牲層は、基板に鉛直な方向とエッチストップ層の蒸発分子の最大入射角とでなす角度よりも、大きい入射角度成分の蒸発分子を含むように形成される層である。本発明において、エッチストップ層が、犠牲層を溶解する溶媒に対するエッチングレートが、犠牲層よりも遅い層である。
【００１５】
また本発明の製造方法を用いれば、発光色が異なる複数種類の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置を製造することができる。本発明において、発光色が異なる複数種類の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置を製造する方法としては、下記（ｉ）乃至（ｖｉｉｉ）に示される工程を有する製造方法がある。
（ｉ）基板上に、第一有機化合物層と、エッチストップ層と、犠牲層と、がこの順に積層されてなる第一の積層体を形成する工程（第一の積層体の形成工程）
（ｉｉ）第一の積層体の上に所定の画素が設けられている領域に対応する領域に開口を有するパターニング部材を形成する工程（パターニング部材の形成工程）
（ｉｉｉ）第一有機化合物層を加工して、上記所定の画素が設けられている領域に設けられている下部電極を表出させる工程（第一有機化合物層の加工工程）
（ｉｖ）表出された下部電極上に、第二有機化合物層と、エッチストップ層と、犠牲層と、がこの順に積層されてなる第二の積層体を形成する工程（第二の積層体の形成工程）
（ｖ）パターニング部材を除去する工程（パターニング部材の除去工程）
（ｖｉ）犠牲層を除去する工程（犠牲層の除去工程）
（ｖｉｉ）共通有機化合物層を形成する工程（共通有機化合物層の形成工程）
（ｖｉｉｉ）共通有機化合物層上に上部電極を形成する工程（上部電極の形成工程）
【００１６】
本発明において、上記（ｉ）乃至（ｖｉｉｉ）に示される工程のうち、（ｉｉ）乃至（ｖ）に示される工程については、有機ＥＬ表示装置に含まれる有機ＥＬ素子の種類に応じて適宜繰り返して行うことができる。例えば、発光色がそれぞれ異なる三種類の有機ＥＬ素子を有する有機ＥＬ表示装置を作製する場合は、（ｉｉ）乃至（ｖ）に示される工程を２回繰り返せばよい。
【００１７】
以下、適宜図面を参照しながら、本発明の実施形態について説明するが、以下に説明する実施形態はあくまでも具体例であり、本発明はこれら実施形態に限定されるものではない。
【００１８】
［有機ＥＬ表示装置］
図１は、本発明の製造方法によって製造される有機ＥＬ表示装置の例を示す模式図であり、（ａ）は、斜視図であり、（ｂ）は、（ａ）のＡＡ’断面図である。図１の有機ＥＬ表示装置１は、支持基板１０上に、第一副画素２０ａと第二副画素２０ｂと第三副画素２０ｃとからなる画素２０がマトリックス状に設けられている。そしてこれら三種類の画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を設ける領域には、それぞれ第一有機ＥＬ素子２１ａ、第二有機ＥＬ素子２１ｂ、第三有機ＥＬ素子２１ｃが設けられている。ここで三種類の有機ＥＬ素子（２１ａ、２１ｂ、２１ｃ）の発光色が光の３原色（ＲＧＢ）のいずれかである場合、図１の有機ＥＬ表示装置１はフルカラー表示が可能な表示装置となる。ただ本発明においては、有機ＥＬ素子の種類は特に限定されるものではない。
【００１９】
図１の有機ＥＬ表示装置１において、第一有機ＥＬ素子２１ａは、基板１０上に設けられる下部電極２２ａと、第一有機化合物層２３ａと、電荷注入輸送層２４ａと、共通有機化合物層２５と、上部電極２６とがこの順で積層されてなる素子である。図１の有機ＥＬ表示装置１において、第二有機ＥＬ素子２１ｂは、基板１０上に設けられる下部電極２２ｂと、第二有機化合物層２３ｂと、電荷注入輸送層２４ｂと、共通有機化合物層２５と、上部電極２６とがこの順で積層されてなる素子である。図１の有機ＥＬ表示装置１において、第三有機ＥＬ素子２１ｃは、下部電極２２ｃと、第三有機化合物層２３ｃと、電荷注入輸送層２４ｃと、共通有機化合物層２５と、上部電極２６とがこの順で積層されてなる素子である。尚、共通有機化合物層２５及び上部電極２６は、全ての画素（副画素）に共通して形成される層である。
【００２０】
［有機ＥＬ表示装置の製造方法］
（１）第一の実施形態
図２は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第一の実施形態を示す断面模式図である。以下、図２に基づいて、本発明の第一の実施形態に含まれる製造プロセスについて説明する。
【００２１】
（１−１）電極付基板の形成工程（図２（ａ））
まず下部電極２２を備えた基板１０を作製する（図２（ａ））。
【００２２】
基板１０としては、ガラス、高分子材料で作られたフィルム、Ｓｉウェハ等からなる基材（１０ａ）そのものを用いてもよいが、図２（ａ）のように、基材上に駆動回路１１やコンタクト部１２を設けた回路付基板も好適に使用できる。尚、基材上に駆動回路１１やコンタクト部１２を設ける際には、駆動回路１１等を設ける際に生じた凹凸を埋めるための平坦化層１０ｂを設けるのが望ましい。
【００２３】
コンタクト部１２の構成材料としては、下部電極２２とオーミックコンタクトがとれる金属であることが好ましい。また、コンタクト部１２は、基板１０内に予め作りこまれた有機ＥＬ表示装置を駆動するための駆動回路１１と電気接続されている。コンタクト部１２の形状は、下部電極２２と電気的に導通が取れていれば、特に限定されない。
【００２４】
下部電極２２の構成材料としては、光の取り出し方向に応じて適宜選択することができる。基板１０上にトップエミッション型の有機ＥＬ素子を設ける場合では、有機化合物層２３から発せられる発光について波長帯を制限することなく効率よく反射する材料（Ａｌ、Ａｇ等）が好ましいが、これに限定されない。基板１０上にボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を設ける場合では、有機化合物層２３から発せられる発光について波長帯を限定することなく効率よく透過する材料（ＩＴＯ等）が好ましいが、これに限定されない。
【００２５】
（１−２）中間層の形成工程（図２（ｂ））
次に、基板１０上に中間層１４を形成する（図２（ｂ））。中間層１４は、後の工程で形成する保護層１５、及びこの保護層１５上に形成される有機化合物層２３、エッチストップ層１６及び犠牲層１７を、リフトオフを利用して除去することを目的として形成される層である。中間層１４の構成材料は、水を含む溶媒に溶解される材料が好ましく、例えば、ＬｉＦ、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール等がよい。ただし、特定の極性溶媒に溶解し、中間層１４の上に形成された層を効率的にリフトオフできるのであれば、上述した材料に限定されない。中間層１４は、後で説明するリフトオフ工程で、基板１０と共に溶媒の中に浸漬することで、中間層１４上の膜を選択的に除去することが可能となる。中間層１４の形成方法としては、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法等が挙げられるが、これに限定されない。
【００２６】
（１−３）保護層の形成工程（図２（ｃ））
次に、中間層１４の上に、保護層１５を形成する（図２（ｃ））。保護層１５は、中間層１４が、レジスト層３０の構成材料であるレジスト材料を溶解する溶媒によって溶解する等のダメージを受け得る場合に設ける層である。即ち、保護層１５は、後述するレジスト層の形成工程において中間層１４にダメージを与えないようにする目的で形成される。保護層１５の構成材料としては、溶媒等の液体が浸透しないよう防湿性が高くドライエッチングにより除去が可能な無機材料（窒化ケイ素、酸化ケイ素等）が好ましい。保護層１５を形成する方法としては、プラズマＣＶＤ法等が挙げられるが、これに限定されない。
【００２７】
（１−４）レジスト層の形成工程（図２（ｄ））
次に、保護層１５の上にレジスト層３０を形成する（図２（ｄ））。レジスト層３０は、露光時の下層への影響を考えた場合、ポジ型のフォトレジストが好ましいが、これに限定されない。レジスト層３０の形成方法としては、スピンコート法、スリットコート法、インクジェット法、印刷法等を用いることができるが、これに限定されない。
【００２８】
（１−５）露光・現像工程（図２（ｅ））
次に、下部電極２２及びその周辺の領域に設けられているレジスト層３０に光を照射（露光）し、次いで現像処理を行う。これにより、下部電極２２及びその周辺の領域に設けられているレジスト層３０を部分的に除去する（図２（ｅ））ことができる。
【００２９】
（１−６）保護層・中間層の加工工程（図２（ｆ））
次に、レジスト層３０が部分的に除去されることによって露出した保護層１５をドライエッチングにより加工する。ドライエッチングによる保護層１５の加工を行う際には、保護層１５の構成材料を考慮して、保護層１５の構成材料を効率的にエッチングできる反応ガスを選択すればよい。例えば、保護層１５の構成材料をＳｉＮとした場合は、ＣＦ4ガス、ＣＨＦ3等のフッ素系ガス（フッ化炭素系ガス）を用いればよい。尚、上述した露光・現像工程を終えた段階で残留しているレジスト層３０を除去する目的で、反応ガス中に酸素を一定の濃度で混合させてもよい。
【００３０】
本発明において、保護層１５の加工を行う際には、断面形状として、図２（ｅ）に示されるように、保護層の天面側１５ａが保護層の基板側１５ｂよりも広くなるテーパー形状が形成されるように保護層１５を加工する。このテーパー形状は、後述する有機化合物層の形成工程において、蒸着分子の入射角の許容範囲を決める上で重要なものであるが、その詳細については、後述する。
【００３１】
次に、保護層１５を加工することで表出した中間層１４についてドライエッチングにより加工する。これにより、下部電極２２の表層が表出すると共に、下部電極２２及びその周辺の領域に開口を有するパターニング部材１６が形成される（図２（ｆ））。ドライエッチングによる中間層１４の加工を行う際には、中間層１４の構成材料を考慮して、中間層１４の構成材料を効率的にエッチングできる反応ガスを選択すればよい。例えば、中間層１４の構成材料として有機化合物を用いた場合は、Ｏ2ガス等を用いればよい。尚、保護層１５の加工工程においてレジスト層３０が残存している場合であっても、この中間層の加工工程において完全に除去される。
【００３２】
本発明において、中間層１４の加工を行う際には、その加工領域が保護層１５よりも広くなるように中間層１４を加工する。この中間層１４の加工態様は、加工された保護層１５の断面形状と同様に、後述する有機化合物層の形成工程において、蒸着分子の入射角の許容範囲を決める上で重要なものであるが、その詳細については、後述する。また加工領域が保護層１５よりも広くなるように中間層１４を加工することで、加工された中間層１４及び保護層１５からなるパターニング部材１６は、上述した保護層１５の断面形状と相俟って庇状の断面形状を有している。
【００３３】
（１−７）有機化合物層の形成工程（図２（ｇ））
次に、下部電極２２の上に、発光材料を含む発光層を有する有機化合物層２３を形成する（図２（ｇ））。このとき有機化合物層２３は、パターニング部材１６を用いて、下部電極２２を設ける領域及びその周辺の領域に選択的に形成される。
【００３４】
本発明において、有機化合物層２３は、少なくとも発光層を有する単層あるいは複数の層からなる積層体である。有機化合物層２３は、好ましくは、発光層を有する複数の層からなる積層体である。有機化合物層２３が複数の層からなる積層体である場合、有機化合物層２３が有する発光層以外の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。尚、有機化合物層２３が発光層以外の層を有する場合、有機化合物層２３が有する層としては、下部電極２２の特性を考慮して適宜選択される。ここで下部電極２２が陽極である場合、有機化合物層２３が有する層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられ、主に下部電極と発光層との間に設けられる層として存在する。一方、下部電極２２が陰極である場合、有機化合物層２３が有する層として、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられ、主に下部電極と発光層との間に設けられる層として存在する。
【００３５】
有機化合物層２３に含まれる発光層の構成材料としては、金属錯体系（アルミ錯体、イリジウム錯体）の材料等の発光材料を用いることができる。ただし、これらの材料に限定されない。
【００３６】
有機化合物層２３に含まれる正孔を注入・輸送する層（正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等）の構成材料としては、フタロシアニン系材料、トリフェニルジアミン系材料などを用いる事ができる。ただし、これらの材料に限定されない。
【００３７】
有機化合物層２３に含まれる電子を注入・輸送する層（電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等）の構成材料としては、オキサゾール誘導体、トリアゾール誘導体などを用いることができる。ただし、これらの材料に限定されない。
【００３８】
有機化合物層２３の形成方法としては、成膜時における材料の直進性が高い真空蒸着法が好適に用いられる。材料の直進性が高いと、パターニング部材１６の側壁部（特に、保護層１５の側壁部）への着膜量が減少するので、有機化合物層２３等のパターニングが行い易くなる。
【００３９】
（１−８）エッチストップ層の形成工程（図２（ｈ））
次に、有機化合物層２３の上に、エッチストップ層を形成する（図２（ｈ））。エッチストップ層は、有機化合物層２３と同様に有機ＥＬ表示装置に含まれる有機ＥＬ素子を構成する層、具体的には、図１の有機ＥＬ表示装置１中の電荷注入輸送層２４として機能する。以下、エッチストップ層の説明に関しては、電荷注入輸送層と同じ符号（符号２４）を付して説明する。
【００４０】
ところで、電荷注入輸送層として機能するエッチストップ層２４の特性は、後の工程で作製される上部電極２６の特性に依存する。即ち、上部電極２６が陽極である場合、エッチストップ層２４は、正孔を発光層へ輸送・注入する層（正孔輸送層、正孔注入層、電子ブロック層等）となる。一方、上部電極２６が陰極である場合、エッチストップ層２４は、電子を発光層へ輸送・注入する層（電子輸送層、電子注入層、正孔ブロック層等）となる。
【００４１】
本発明において、エッチストップ層２４は、次の工程で形成される犠牲層３１を除去する際に用いる溶媒に不溶な材料からなる層である。このため、エッチストップ層２４は、犠牲層３１を除去する際に用いる溶媒から有機化合物層２３を保護する層として機能する。
【００４２】
（１−９）犠牲層の形成工程（図２（ｉ））
次に、エッチストップ層２４の上に、犠牲層３１を形成する（図２（ｉ））。犠牲層３１の構成材料は、中間層１４を除去する際に用いる溶媒に不溶な材料であれば、特に限定されるものではない。例えば、中間層１４の構成材料として、水溶性の材料（水溶性の無機材料や有機材料）を用いた場合、犠牲層３１の構成材料としては、水に不溶な材料を用いればよい。
【００４３】
（１−１０）蒸着成膜に関する諸条件
図３は、有機化合物層２３と、エッチストップ層２４と、犠牲層３１と、を、それぞれ異なる蒸着角で蒸着した場合における各層の成膜の様子を示す断面模式図である。
【００４４】
ところで、有機化合物層２３を形成する際に、有機化合物層２３の蒸発分子の入射角（蒸着角）を一定の範囲に制御する。これは有機化合物層２３を、下部電極２２の上面及び側面を覆いつつ効率よく成膜するためである。ここで基板１０に鉛直な方向に対する有機化合物層２３の蒸発分子の入射角の最大値をθαとする。本発明において、エッチストップ層２４を有機化合物層２３の上に形成する際には、基板１０に鉛直な方向に対するエッチストップ層２４の蒸発分子の入射角の最大値θβを、上記θαよりも大きく設定する。このような条件設定の下でエッチストップ層２４を形成すると、有機化合物層２３の端部をエッチストップ層２４で確実に覆うことができる。この結果、後の工程で形成される犠牲層３１を除去する際に用いる溶媒から、有機化合物層２３の端部を保護することができる。また犠牲層３１を形成する際には、基板１０に鉛直な方向に対する犠牲層３１の蒸発分子の入射角の最大値θγを、上記θβよりも大きく設定する。このような条件設定の下で犠牲層３１を形成すると、エッチストップ層２４の端部を犠牲層３１で確実に覆うことができる。この結果、後の工程で犠牲層３１の除去工程を行う際に、ウェットエッチングレートにバラツキがあったとしても、エッチストップ層２４の端部を覆って犠牲層３１が成膜されているので、エッチストップ層２４が犠牲層３１を溶解する溶媒に直接曝されなくなる。これにより、犠牲層３１の除去プロセスにおいて、エッチストップ層２４へのウェットエッチングプロセスによるダメージが抑制される。
【００４５】
図４は、有機化合物層と、エッチストップ層と、犠牲層と、を、同一の蒸着角で蒸着した場合における各層の成膜の様子を示す断面模式図である。仮に、有機化合物層２３、エッチストップ層２４、犠牲層３１をそれぞれ成膜する際に、基板に鉛直な方向に対する蒸発分子入射角の最大値を全て同じ角度（θ）で設定する。すると、有機化合物層２３、エッチストップ層２４及び犠牲層３１の各層の成膜態様は、図４に示す通りとなる。ここで基板に鉛直な方向に対する蒸発分子入射角の最大値を全て同じ角度（θ）で設定した場合、有機化合物層２３の側面上に形成されるエッチストップ層２３及び犠牲層３１の膜厚は有機化合物層２３と比較して薄い。このため、有機化合物層２３は、中間層１４及び犠牲層３１のいずれかを溶解する溶媒によるダメージを受け易くなる。
【００４６】
本発明において、有機化合物層２３、エッチストップ層２４及び犠牲層３１を形成する際には、真空蒸着法が採用されている。ただし真空蒸着の具体的な方法としては特に限定されるものではなく、基板を回転させながら成膜を行う基板回転成膜や、基板と蒸着源との相対位置を逐次変化させて成膜を行う搬送成膜等を用いることができる。
【００４７】
（１−１１）リフトオフ工程（図２（ｊ）〜（ｋ））
次に、基板１０を溶媒中に浸漬して、基板１０上に設けられる中間層１４を溶解する。中間層１４が溶解されて基板１０から除去されると、中間層１４上に設けられた膜も中間層１４と共に除去される（図２（ｊ）〜（ｋ））。ただし、犠牲層３１自体は中間層１４を溶解する溶媒に対しては不溶であるため、下部電極２２の上に形成されている犠牲層３１は除去されることはない。また本工程において、下部電極２２の上に形成されている犠牲層３１は除去されないため、犠牲層３１が被覆するエッチストップ層２４及びエッチストップ層２４が被覆する有機化合物層２３は除去されずに残存する。従って、犠牲層３１は、エッチストップ層２４や有機化合物層２３を保護する層として機能する。
【００４８】
（１−１２）犠牲層の除去工程（図２（ｌ））
次に、基板１０を前工程（リフトオフ工程）で使用した溶媒と異なる溶媒中に浸漬することで、基板１０上に設けられている犠牲層３１を溶解して除去する（図２（ｌ））。この際、エッチストップ層２４は犠牲層３１を溶解する溶媒に対しては不溶であるため、本工程において除去されることなく残存する。従って、エッチストップ層２４は、有機化合物層２３を保護する層として機能する。また本発明において、エッチストップ層２４は、図３に示されるように、有機化合物層２３の端部や側壁面を覆っている。このため、有機化合物層２３の端部や側壁面は本工程（犠牲層の除去工程）で使用された溶媒によってダメージを受けることなく、また本工程で使用された溶媒によって膜減り、膜剥離等が発生することがない。
【００４９】
（１−１３）共通有機化合物層の形成工程（図２（ｍ））
次に、エッチストップ層２４の上に、共通有機化合物層２５を形成する（図２（ｍ））。共通有機化合物層２５は、有機化合物層２３に効率よくキャリアを注入できる有機化合物からなる層であれば、その構成材料は特に限定されない。具体的には、光の取り出しの方式（トップエミッション方式、ボトムエミッション方式）、有機化合物層２３に注入乃至輸送するキャリアの性質（正孔注入輸送性、電子注入輸送性）等を考慮して構成材料を適宜選択できる。共通有機化合物層２４を形成する際には、真空蒸着法を用いることができるが、これに限定されない。
【００５０】
（１−１４）上部電極の形成工程（図２（ｎ））
次に、共通有機化合物層２５の上に、上部電極２６を形成することで、有機ＥＬ表示装置が完成する（図２（ｎ））。上部電極２６は、光の取り出し方向を考慮して適宜選択することができる。トップエミッション型の有機ＥＬ素子を作製する場合、上部電極２６の構成材料としては、有機化合物層２３から発せられる発光を阻害しない材料であれば特に限定されない。例えば、透明酸化物材料（ＩＴＯ、インジウム亜鉛酸化物、ＩＷＺＯ等）が挙げられる。ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を作製する場合、上部電極２６の構成材料としては、有機化合物層２３から発せられる発光を反射する材料であれば特に限定されない。例えば、金属材料（Ａｌ、Ａｇ等）が挙げられる。上部電極２６の形成方法としては、スパッタリング法、真空蒸着法等を用いることができるが、これらに限定されない。
【００５１】
以上説明したように、本発明の製造方法は、有機化合物層２３上に、有機化合物層２３の表面及び端部を耐溶媒性能がそれぞれ異なる複数の層（エッチストップ層２４、犠牲層３１）で保護している。このため、有機化合物層２３をウェットエッチングプロセスから保護することができる。
【００５２】
（第二の実施形態）
図５は、本発明の有機ＥＬ表示装置の製造方法における第二の実施形態を示す断面の式図である。また図５に示される製造プロセスは、図１の有機ＥＬ表示装置を製造するための製造プロセスでもある。以下、本実施形態について、第一の実施形態との相違点を中心に説明する。
【００５３】
（２−１）電極付基板の形成工程（図５（ａ））
本実施形態において、基板１０上に設けられる下部電極２２は、副画素の種類（３種類）に応じて少なくとも３つ（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）形成する必要がある。以下、第一副画素２０ａに下部電極２２ａが、第二副画素２０ｂに下部電極２２ｂが、第三副画素２０ｃに下部電極２２ｃが、それぞれ設けられている電極付基板について説明する。また図５（ａ）のように、基材１０ａ上に駆動回路１１やコンタクト部１２を設けた回路付基板を作製する際には、１つの画素に対して１組の駆動回路１１と１つのコンタクト部１２とをそれぞれ形成する。
【００５４】
（２−２）第一有機化合物層の形成工程（図５（ｂ））
次に、基板１０全面に、第一有機化合物層２３ａを形成する（図５（ｂ））。第一有機化合物層２３ａは、第一副画素２０ａが有する第一有機ＥＬ素子２１ａに含まれ、少なくとも所定の波長の光を出力する発光層を有する単層あるいは複数の層からなる積層体である。第一有機化合物層２３ａは、好ましくは、複数の層からなる積層体である。第一有機化合物層２３ａが複数の層からなる積層体である場合、第一有機化合物層２３ａが有する発光層以外の層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層、正孔ブロック層、電子輸送層、電子注入層等が挙げられる。尚、第一有機化合物層２３ａが発光層以外の層を有する場合、第一有機化合物層２３ａが有する層としては、下部電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）の特性を考慮して適宜選択される。ここで下部電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）が陽極である場合、第一有機化合物層２３ａが有する層として、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層等が挙げられ、主に下部電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）と発光層との間に設けられる層として存在する。一方、下部電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）が陰極である場合、第一有機化合物層２３ａが有する層として、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層等が挙げられ、主に下部電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）と発光層との間に設けられる層として存在する。
【００５５】
（２−３）エッチストップ層の形成工程（図５（ｃ））
次に、第一有機化合物層２３ａの上に、エッチストップ層２４ａを形成する（図５（ｃ））。ここで第一有機化合物層２３ａの上に形成されるエッチストップ層２４ａは、第一副画素２０ａが有する第一有機ＥＬ素子２１ａに含まれる層となる。
【００５６】
（２−４）犠牲層の形成工程（図５（ｄ））
次に、エッチストップ層２４ａの上に、犠牲層３１ａを形成する（図５（ｄ））。犠牲層３１ａは、後の工程で形成される中間層１４を除去する際に用いる溶媒に不溶であれば、その構成材料は限定されない。例えば、中間層１４の構成材料として水洗により除去できる材料（水溶性の無機材料や有機材料）を用いた場合、犠牲層３１ａとして、水に不溶な材料を用いる。
【００５７】
（２−５）蒸着分子の入射角について
ところで第一有機化合物層２３ａを形成する際に、第一有機化合物層２３ａの蒸発分子の入射角（蒸着角）を一定の範囲に制御する。具体的には、図３に示されるように、基板１０に鉛直な方向に対する第一有機化合物層２３ａの蒸発分子の入射角の最大値を所定の値（θα）となるように制御する。次に、エッチストップ層２４ａを第一有機化合物層２３ａの上に形成する際には、基板１０に鉛直な方向に対するエッチストップ層２４ａの蒸発分子の入射角の最大値θβを、上記θαよりも大きく設定する。また犠牲層３１ａを形成する際には、基板１０に鉛直な方向に対する犠牲層３１ａの蒸発分子の入射角の最大値θγを、上記θβよりも大きく設定する。このような条件設定の下で、第一有機化合物層２３ａ、エッチストップ層２４ａ及び犠牲層３１ａを形成することで、犠牲層（３１ａ）の除去プロセスにおいて、エッチストップ層（２４ａ）へのウェットエッチングプロセスによるダメージが抑制される。
【００５８】
（２−６）中間層の形成工程（図５（ｅ））
次に、犠牲層３１の上に中間層１４を形成する（図５（ｅ））。本工程で形成される中間層１４の構成材料及び形成方法としては、第一の実施形態と同様の材料、方法を採用することができる。
【００５９】
（２−７）保護層の形成工程（図５（ｆ））
次に、中間層１４の上に保護層１５を形成する（図５（ｆ））。本工程で形成される保護層１５の構成材料及び形成方法としては、第一の実施形態と同様の材料、方法を採用することができる。
【００６０】
（２−８）レジスト層の形成工程（図５（ｇ））
次に、保護層１５の上にレジスト層３０を形成する（図５（ｇ））。本工程で形成されるレジスト層３０の構成材料及び形成方法としては、第一の実施形態と同様の材料、方法を採用することができる。尚、以下の説明においては、ポジ型レジストを用いてレジスト層を形成した場合について説明する。
【００６１】
（２−９）露光・現像工程（図５（ｈ））
次に、第二副画素２０ｂを設ける領域及びその周辺の領域に選択的に光を照射（露光）してから現像を行い、第二副画素２０ｂを設ける領域に設けられているレジスト層３０を選択的に除去する。これにより第二副画素２０ｂを設ける領域に設けられている保護層１５が露出されることとなる（図５（ｈ））。本工程で実施されるレジスト層３０の露光・現像の具体的方法としては、第一の実施形態と同様の方法を採用することができる。
【００６２】
（２−１０）保護層等の加工工程（図５（ｉ））
次に、レジスト層３０が部分的に除去されることによって露出した保護層１５をドライエッチングにより加工する。次に、保護層１５を加工することで表出した中間層１４についてドライエッチングにより加工する。そして中間層１４に続いて犠牲層３１、エッチストップ層２４及び第一有機化合物層２３ａを、順次加工する。これにより、第二副画素２０ｂが有する第二有機ＥＬ素子２１ｂの構成部材となる下部電極２２ｂの表層が表出すると共に、下部電極２２ｂ及びその周辺の領域に開口を有するパターニング部材が形成されることになる（図２（ｉ））。本工程で実施される保護層１５及び中間層１４の具体的な加工方法としては、第一の実施形態と同様の方法を採用することができる。また本工程において、犠牲層３１、エッチストップ層２４及び第一有機化合物層２３ａの加工方法としては、中間層１４の加工の際に採用した方法をそのまま採用することができる。本工程により、保護層１５の断面形状は、図５（ｉ）に示されるように、保護層の天面側１５ａが保護層の基板側１５ｂよりも広くなるテーパー形状となる。一方、本工程により、中間層１４は、保護層１５よりも広い領域にわたって加工される。以上のように保護層１５等の部材を加工することで、加工された部材（１４、１５、３１、２４、２３ａ）からなるパターニング部材１６は、上述した保護層１５の断面形状と相俟って庇状の断面形状を有している。尚、現像工程において残存したレジスト層３０は、保護層１５又は中間層１４の加工の際に同時に除去される。
【００６３】
（２−１１）第二有機化合物層、エッチストップ層、犠牲層の形成工程（図５（ｊ）（ｌ））
次に、下部電極２２ｂ上に、第二有機化合物層２３ｂ、エッチストップ層２４ｂ及び犠牲層３１ｂを順次形成する（図５（ｊ）〜（ｌ））。ここで第二有機化合物層２３ｂは、第一有機化合物層２３ａから出力される光とは種類が異なる光が出力される。
【００６４】
ところで第二有機化合物層２３ｂを形成する際に、第二有機化合物層２３ｂの蒸発分子の入射角（蒸着角）を一定の範囲に制御する。具体的には、図３に示されるように、基板１０に鉛直な方向に対する第二有機化合物層２３ｂの蒸発分子の入射角の最大値を所定の値（θα）となるように制御する。次に、エッチストップ層２４ｂを第二有機化合物層２３ｂの上に形成する際には、基板１０に鉛直な方向に対するエッチストップ層２４ｂの蒸発分子の入射角の最大値θβを、上記θαよりも大きく設定する。また犠牲層３１ｂを形成する際には、基板１０に鉛直な方向に対する犠牲層３１ｂの蒸発分子の入射角の最大値θγを、上記θβよりも大きく設定する。このような条件設定の下で、第一有機化合物層２３ｂ、エッチストップ層２４ｂ及び犠牲層３１ｂを形成することで、犠牲層（３１ｂ）の除去プロセスにおいて、エッチストップ層（２４ｂ）へのウェットエッチングプロセスによるダメージが抑制される。
【００６５】
本実施形態において、第二有機化合物層２３ｂ、エッチストップ層２４ｂ及び犠牲層３１ｂの構成材料及び形成方法としては、第一の実施形態と同様にすることができる。
【００６６】
（２−１２）リフトオフ工程（図５（ｍ））
次に、基板１０を溶媒中に浸漬して、基板１０上に設けられる中間層１４を溶解させる。中間層１４が溶解されて基板１０から除去されると、中間層１４上に設けられた膜も中間層１４と共に除去される（図５（ｍ））。
【００６７】
（２−１３）第三有機化合物層の形成工程等（図５（ｎ）〜（ｗ））
以上の製造プロセスにより、第一副画素２０ａを設ける領域には第一有機化合物層２３ａが、第二副画素２０ｂを設ける領域には第二有機化合物層２３ｂが、それぞれ形成される。ここで本発明においては、上記（２−６）乃至（２−１２）のプロセスを繰り返すことにより、複数種類（具体的には、三種類以上）ある副画素のうち、所定の副画素を設ける領域に、所望の色を出力する有機化合物層を選択的に形成することができる。本実施形態においては、上記（２−６）乃至（２−１２）のプロセスをもう１回繰り返すことにより、第三副画素２０ｃを設ける領域には第三有機化合物層２３ｃが形成される（図５（ｎ）〜（ｖ））。
【００６８】
（２−１４）犠牲層の除去工程（図５（ｘ））
次に、基板１０の全面に形成されている犠牲層（３１ａ、３１ｂ、３１ｃ）を除去する（図５（ｘ））。犠牲層（３１ａ、３１ｂ、３１ｃ）の除去の具体的方法としては、第一の実施形態と同様の方法を用いることができる。
【００６９】
（２−１５）共通有機化合物層、上部電極の形成工程（図５（ｙ）〜（ｚ））
次に、エッチストップ層（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）の上に、全ての画素に共通して設けられる共通有機化合物層２５を形成し（図５（ｙ））、さらに共通有機化合物層２５上に上部電極２６を形成する（図５（ｚ））。以上のプロセスにより、図１に示される三種類の画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）を有する有機ＥＬ表示装置１が得られる。
【００７０】
このように、本発明では、所定の画素を設ける領域に有機化合物層を形成する際にパターニング部材１６を形成し、当該有機化合物層を形成した後パターニング部材１６を除去する工程を繰り返し行っている。これにより、所望の発光色で発光する発光層材料を含む有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）を、所望の領域（所望の画素領域）にて形成することができる。
【００７１】
以上説明した製造プロセスにおいて、より好ましくは、互いに隣接する副画素にそれぞれ含まれる有機化合物層２３の端部が、いずれもエッチストップ層２４にて保護されるように有機化合物層２３とエッチストップ層２４とを成膜する。例えば、図５（ｋ）のように、第二有機化合物層２３ｂの端部がエッチストップ層２４ｂで保護するようにエッチストップ層２４ｂを成膜する。また図２（ｔ）のように、第三有機化合物層２３ｃの端部がエッチストップ層２４ｃで保護するようにエッチストップ層２４ｃを成膜する。
【００７２】
特に好ましくは、互いに隣接する画素にそれぞれ設けられる有機化合物層同士を接触させないようにして各有機化合物層を形成する。このように形成すると、各副画素にそれぞれ設けられる有機化合物層（２３ａ、２３ｂ、２３ｃ）は、副画素単位で分離した積層体として形成されることとなる。このため、互いに隣接する画素にそれぞれ設けられる有機化合物層間で発生し得るキャリア移動によって隣接する他の副画素が発光する、いわゆるクロストーク発光が発生しなくなる。
【実施例１】
【００７３】
図２に示される製造プロセスに従って有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００７４】
（１−１）電極付基板の作製工程（図２（ａ））
まず基材１０ａ上に設けられる駆動回路１１と、コンタクト部１２と、を有する基板１０を用意した（図２（ａ））。尚、この基板１０上には、Ａｇ膜とＩＴＯ膜とをこの順で積層してなる下部電極２２が設けられており、駆動回路１１と下部電極２２とがコンタクト部１２にて電気接続されていた。
【００７５】
（１−２）中間層の形成工程（図２（ｂ））
次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して塗布液を調製した。次に、この塗布液を基板１０上に滴下した後、スピンコート法により、基板１０の全面にポリビニルピロリドン膜を成膜することで中間層１４を形成した（図２（ｂ））。このとき中間層１４の膜厚は５００ｎｍであった。
【００７６】
（１−３）保護層の形成工程（図２（ｃ））
次に、プラズマＣＶＤ法により、中間層１４上に、ＳｉＮ膜を成膜することで保護層１５を形成した（図２（ｃ））。このとき保護層１５の膜厚を１０００ｎｍとした。
【００７７】
（１−４）レジスト層の形成工程（図２（ｄ））
次に、スピンコート法により、保護層１５上に、ポジ型フォトレジストであるＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製  ＡＺ１５００を成膜してレジスト層３０を形成した（図２（ｄ））。このときレジスト層３０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【００７８】
（１−５）露光・現像工程（図２（ｅ））
次に、露光装置を用いて、下部電極２２及びその周辺の領域を対象に露光を行った。このときの露光時間は、４０秒とした。次に、ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、３１２ＭＩＦを水で希釈することで現像液（濃度５０％）を調製した。次に、この現像液を用いて、露光されたレジスト層３０を除去した。このとき現像時間は、６０秒とした。この現像工程により、下部電極２２及びその周辺の領域に設けられていたレジスト層が除去される一方で、この領域以外の領域に設けられているレジスト層３０ａは残存していた（図２（ｅ））。
【００７９】
（１−６）保護層・中間層の加工工程（図２（ｆ））
次に、フッ素系ガスを用いたドライエッチングにより、レジスト層３０に被覆されていない領域に設けられている保護層１５を部分的に除去することにより保護層１５を加工した。このとき、加工された保護層１５の断面形状が、保護層１５の天面側１５ａ側の開口が保護層１５の基板側１５ｂの開口よりも大きいテーパー形状となるようにエッチングの速度や範囲を制御した。
【００８０】
次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより、露出している中間層１４を加工することで、下部電極２２が表出すると共に、基板１０上にパターニング部材１６が形成された（図２（ｆ））。このときエッチングガス（Ｏ2ガス）の流量を２０ｓｃｃｍとし、エッチング装置内の圧力を８Ｐａとし、エッチング装置の出力を１５０Ｗとし、エッチング時間を３００秒とした。尚、中間層１４のエッチングの際には、中間層１４の加工領域が保護層１５の基板側１５ｂの開口よりも広くなるようにエッチング条件の最適化を行った。また本工程を終えた段階で、レジスト層３０は完全に除去された。
【００８１】
（１−７）有機化合物層の形成工程（図２（ｇ））
次に、表出した下部電極２２を有する基板１０全面に対して、パターニング部材１６を用いて真空蒸着法により、正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を１２０ｎｍとした。次に、真空蒸着法により、正孔輸送層上に、青色発光層を形成した。このとき青色発光層の膜厚を２０ｎｍとした。尚、正孔輸送層と青色発光層とからなる積層体は、有機化合物層２３として機能する（図２（ｇ））。また正孔輸送層及び青色発光層を形成する際に、基板１０に鉛直な方向に対する各層の蒸発分子の最大入射角を１０°に設定した。
【００８２】
（１−８）エッチストップ層の形成工程（図２（ｈ））
次に、真空蒸着法により、有機化合物層２３上に、エッチストップ層２４（正孔ブロック層）を形成した（図２（ｈ））。このときエッチストップ層２４の膜厚を１０ｎｍとし、基板に鉛直な方向に対するエッチストップ層２４の蒸発分子の最大入射角を１５°に設定した。
【００８３】
（１−９）犠牲層の形成工程（図２（ｉ））
次に、真空蒸着法により、エッチストップ層２４上に犠牲層３１を形成した（図２（ｉ））。このとき犠牲層３１の膜厚を４０ｎｍとし、基板に鉛直な方向に対する犠牲層３１の蒸発分子の最大入射角を２０°に設定した。
【００８４】
（１−１０）リフトオフ工程（図２（ｊ）〜（ｋ））
次に、基板１０を水中に浸漬した。このとき中間層１４が水溶性のポリビニルピロリドンで形成されている層であるため、中間層１４は溶解され、中間層１４上に形成された層は中間層１４が溶解する過程で基板１０からリフトオフされた（図２（ｊ）〜（ｋ））。
【００８５】
（１−１１）犠牲層の除去工程（図２（ｋ））
次に、溶媒（水以外の極性溶媒）中に基板１０を浸漬することで犠牲層３１を除去した（図２（ｋ））。
【００８６】
（１−１２）共通有機化合物層の形成工程（図２（ｍ））
次に、真空蒸着法により、エッチストップ層２４上に、共通有機化合物層２５（電子注入層）を形成した（図２（ｍ））。このとき共通有機化合物層２５の膜厚を２０ｎｍとした。
【００８７】
（１−１３）上部電極の形成工程（図２（ｎ））
次に、スパッタリング法により、共通有機化合物層２５上にＡｇを成膜して上部電極２６を形成した（図２（ｎ））。このとき上部電極２６の膜厚を１６ｎｍとした。
【００８８】
（１−１４）封止工程
次に、基板１０を窒素雰囲気下に移し、紫外線硬化樹脂を用いて、基板１０と封止ガラス板（不図示）とを貼り合わせ、窒素封止構造を形成し、有機ＥＬ表示装置が外気に曝されないよう保護した。以上により有機ＥＬ表示装置を得た。
【００８９】
（１−１５）装置の評価
得られた有機ＥＬ表示装置について、装置内に備える有機ＥＬ素子の特性を、真空一貫環境下でメタルマスク蒸着法を用いて作製した有機ＥＬ表示装置に含まれる有機ＥＬ素子比較しながら評価した。本実施例にて作製した有機ＥＬ素子（青色発光素子）の各特性（発光色度、電流効率、長期駆動時の輝度劣化）は、メタルマスク蒸着法を用いたパターニングによって作成された有機ＥＬ素子と同等であることがわかった。また、本発明の方法で作製された有機ＥＬ表示装置の発光状態は良好であり、発光層端部における発光ムラ等も発生していなかった。以上述べたように、本発明の製造方法により、有機化合物層を所定の領域に所定のパターン形状にて作製することができ、ウェットエッチングプロセスにおけるダメージも無く、素子特性も問題ないことがわかった。
【実施例２】
【００９０】
図５に示される製造プロセスに従って、図１の有機ＥＬ表示装置を作製した。
【００９１】
（２−１）電極付基板の作製工程（図５（ａ））
まず基材１０ａ上に設けられる駆動回路１１と、コンタクト部１２と、をそれぞれ複数有する基板１０を用意した（図５（ａ））。尚、この基板１０には、図５（ａ）に示されるように、分離された下部電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）が少なくとも３つ設けられている。また各下部電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、基板１０上に、Ａｇ膜とＩＴＯ膜とをこの順で積層してなる積層電極層であり、各下部電極（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）は、それぞれ１組の駆動回路（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）とコンタクト部１２にて電気接続されている。
【００９２】
（２−２）第一有機化合物層の形成工程（図５（ｂ））
次に、真空蒸着法により、基板１０全面に、正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を１２０ｎｍとした。次に、真空蒸着法により青色発光層を形成した。このとき青色発光層の膜厚を２０ｎｍとした。尚、正孔輸送層と青色発光層とからなる積層体は第一有機化合物層２３ａとして機能する（図５（ｂ））。また、基板１０に鉛直な方向に対する正孔輸送層及び青色発光層の蒸発分子の入射角の最大値を１０°に設定した。
【００９３】
（２−３）エッチストップ層の形成工程（図５（ｃ））
次に、真空蒸着法により、第一有機化合物層２３ａ上に、エッチストップ層２４ａ（ホールブロック層）を形成した（図５（ｃ））。このときエッチストップ層２４ａの膜厚を１０ｎｍとし、基板１０に鉛直な方向に対するエッチストップ層２４ａの蒸発分子の入射角の最大値を１５°に設定した。
【００９４】
（２−４）犠牲層の形成工程（図５（ｄ））
次に、真空蒸着法により、エッチストップ層２４ａ上に、電子輸送性材料を成膜して犠牲層３１を形成した（図５（ｄ））。このとき犠牲層３１の膜厚を２０ｎｍとし、基板１０に鉛直な方向に対する犠牲層３１の蒸発分子の入射角の最大値を２０°に設定した。
【００９５】
（２−５）中間層の形成工程（図５（ｅ））
次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して塗布液を調製した。次に、犠牲層３１上に、上記塗布液を滴下した後、スピンコート法により、ポリビニルピロリドンを成膜して中間層１４を形成した（図５（ｅ））。このとき中間層１４の膜厚は５００ｎｍであった。
【００９６】
（２−６）保護層の形成工程（図５（ｆ））
次に、プラズマＣＶＤ法により、中間層１４上に、ＳｉＮ膜を成膜して保護層１５を形成した（図５（ｆ））。このとき保護層１５の膜厚を１０００ｎｍとした。
【００９７】
（２−７）レジスト層の形成工程（図５（ｇ））
次に、保護層１５上に、ポジ型フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ１５００）を塗布した後、スピンコート法により薄膜を成膜してレジスト層３０を形成した（図５（ｇ））。このときレジスト層３０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【００９８】
（２−８）露光・現像工程（図５（ｈ））
次に、露光装置を用いて、第二副画素２０ｂを設ける領域に開口を有するフォトマスクを用いて露光を行った。この時の露光時間は、４０秒とした。次に、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、３１２ＭＩＦを水で希釈し、濃度５０％とした物）を用いて現像処理を行うことにより、第二副画素２０ｂを設ける領域に設けられているレジスト層３０を除去した（図５（ｈ））。このときの現像時間は、６０秒とした。
【００９９】
（２−９）第一有機化合物層等の加工工程（図５（ｉ））
次に、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチング法により、レジスト層３０に覆われていない保護層１５を除去することで保護層１５を加工した。このときＣＦ4ガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、エッチング装置内の圧力を１０Ｐａとし、エッチング装置の出力を１５０Ｗとし、エッチング時間を４２０秒とした。また加工された保護層１５の断面形状が、保護層１５の天面側１５ａ側の開口が保護層１５の基板側１５ｂの開口よりも大きいテーパー形状となるようにエッチングの速度や範囲を制御した。
【０１００】
次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチング法により、保護層１５に覆われていない中間層１４、犠牲層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａを順次除去した。これにより、中間層１４、犠牲層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａをそれぞれ加工した。このときＯ2ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、エッチング装置内の圧力を８Ｐａとし、エッチング装置の出力を１５０Ｗとし、エッチング時間を３００秒とした。尚、中間層１４、犠牲層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａのエッチングの際には、被エッチング部材（１４、３１、２４ａ、２３ａ）の加工領域が保護層１５の基板側１５ｂの開口よりも広くなるようにエッチング条件の最適化を行った。以上のようにして中間層１４、犠牲層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａを加工したことにより、パターニング部材１６が形成されると共に、第二副画素２０ｂに含まれる下部電極２２ｂが表出した（図５（ｉ））。
【０１０１】
（２−１０）第二有機化合物層の形成工程（図５（ｊ））
次に、真空蒸着法により、表出した下部電極２２ｂを含めた基板１０の全面において、正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を１６０ｎｍとした。次に、真空蒸着法により、正孔輸送層上に、緑色発光層を形成した。このとき緑色発光層の膜厚を３０ｎｍとした。尚、正孔輸送層と緑色発光層とからなる積層体は、第二有機化合物層２３ｂとして機能する（図５（ｊ））。また、基板１０に鉛直な方向に対する正孔輸送層及び緑色発光層の蒸発分子の入射角の最大値を１０°に設定した。
【０１０２】
（２−１１）エッチストップ層の形成工程（図５（ｋ））
次に、真空蒸着法により、第二有機化合物層２３ｂ上に、エッチストップ層２４ｂ（ホールブロック層）を形成した（図５（ｋ））。このときエッチストップ層２４ｂの膜厚を１０ｎｍとし、基板１０に鉛直な方向に対するエッチストップ層２４ｂの蒸発分子の入射角の最大値を１５°に設定した。
【０１０３】
（２−１２）犠牲層の形成工程（図５（ｌ））
次に、真空蒸着法により、エッチストップ層２４ｂ上に、電子輸送性材料を成膜して犠牲層３１を形成した（図５（ｌ））。このとき犠牲層３１の膜厚を２０ｎｍとし、基板１０に鉛直な方向に対する犠牲層３１の蒸発分子の入射角の最大値を２０°に設定した。
【０１０４】
（２−１３）リフトオフ工程（図５（ｍ））
次に、基板１０を水中に浸漬した。このとき中間層１４が水溶性のポリビニルピロリドンで形成されている層であるため、中間層１４は溶解され、中間層１４上に形成された層は中間層１４が溶解する過程で基板１０からリフトオフされた（図５（ｍ））。
【０１０５】
（２−１４）中間層の形成工程（図５（ｎ））
次に、ポリビニルピロリドンと水とを混合して塗布液を調製した。次に、犠牲層３１上に、上記塗布液を滴下した後、スピンコート法により、ポリビニルピロリドンを成膜して中間層１４を形成した（図５（ｎ））。このとき中間層１４の膜厚は５００ｎｍであった。
【０１０６】
（２−１５）保護層の形成工程（図５（ｏ））
次に、プラズマＣＶＤ法により、中間層１４上に、ＳｉＮ膜を成膜して保護層１５を形成した（図５（ｏ））。このとき保護層１５の膜厚を１０００ｎｍとした。
【０１０７】
（２−１６）レジスト層の形成工程（図５（ｐ））
次に、保護層１５上に、ポジ型フォトレジスト（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、ＡＺ１５００）を塗布した後、スピンコート法により薄膜を成膜してレジスト層３０を形成した（図５（ｐ））。このときレジスト層３０の膜厚は１０００ｎｍであった。
【０１０８】
（２−１７）露光・現像工程（図５（ｑ））
次に、露光装置を用いて、第三副画素２０ｃを設ける領域に開口を有するフォトマスクを用いて露光を行った。この時の露光時間は、４０秒とした。次に、現像液（ＡＺエレクトロニックマテリアルズ社製、３１２ＭＩＦを水で希釈し、濃度５０％とした物）を用いて現像処理を行うことにより、第三副画素２０ｃを設ける領域に設けられているレジスト層３０を除去した（図５（ｑ））。このときの現像時間は、６０秒とした。
【０１０９】
（２−１８）第一有機化合物層等の加工工程（図５（ｒ））
次に、ＣＦ4ガスを用いたドライエッチング法により、レジスト層３０に覆われていない保護層１５を除去することで保護層１５を加工した。このときＣＦ4ガスの流量を３０ｓｃｃｍとし、エッチング装置内の圧力を１０Ｐａとし、エッチング装置の出力を１５０Ｗとし、エッチング時間を４２０秒とした。また加工された保護層１５の断面形状が、保護層１５の天面側１５ａ側の開口が保護層１５の基板側１５ｂの開口よりも大きいテーパー形状となるようにエッチングの速度や範囲を制御した。
【０１１０】
次に、Ｏ2ガスを用いたドライエッチング法により、保護層１５に覆われていない中間層１４、犠牲層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａを順次除去した。これにより、中間層１４、犠牲層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａをそれぞれ加工した。このときＯ2ガスの流量を２０ｓｃｃｍとし、エッチング装置内の圧力を８Ｐａとし、エッチング装置の出力を１５０Ｗとし、エッチング時間を３００秒とした。尚、中間層１４、犠牲層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａのエッチングの際には、被エッチング部材（１４、３１、２４ａ、２３ａ）の加工領域が保護層１５の基板側１５ｂの開口よりも広くなるようにエッチング条件の最適化を行った。以上のようにして中間層１４、犠牲層３１、エッチストップ層２４ａ及び第一有機化合物層２３ａを加工したことにより、パターニング部材１６が形成されると共に、第三副画素２０ｃに含まれる下部電極２２ｃが表出した（図５（ｒ））。
【０１１１】
（２−１９）第三有機化合物層の形成工程（図５（ｓ））
次に、真空蒸着法により、表出した下部電極２２ｃを含めた基板１０の全面において、正孔輸送層を形成した。このとき正孔輸送層の膜厚を２００ｎｍとした。次に、真空蒸着法により、正孔輸送層上に、赤色発光層を形成した。このとき赤色発光層の膜厚を３０ｎｍとした。尚、正孔輸送層と赤色発光層とからなる積層体は、第三有機化合物層２３ｃとして機能する（図５（ｓ））。また、基板１０に鉛直な方向に対する正孔輸送層及び赤色発光層の蒸発分子の入射角の最大値を１０°に設定した。
【０１１２】
（２−２０）エッチストップ層の形成工程（図５（ｔ））
次に、真空蒸着法により、第三有機化合物層２３ｃ上に、エッチストップ層２４ｃ（ホールブロック層）を形成した（図５（ｔ））。このときエッチストップ層２４ｃの膜厚を１０ｎｍとし、基板１０に鉛直な方向に対するエッチストップ層２４ｃの蒸発分子の入射角の最大値を１５°に設定した。
【０１１３】
（２−２１）犠牲層の形成工程（図５（ｕ））
次に、真空蒸着法により、エッチストップ層２４ｂ上に、電子輸送性材料を成膜して犠牲層３１を形成した（図５（ｕ））。このとき犠牲層３１の膜厚を２０ｎｍとし、基板１０に鉛直な方向に対する犠牲層３１の蒸発分子の入射角の最大値を２０°に設定した。
【０１１４】
（２−２２）リフトオフ工程（図５（ｖ）〜（ｗ））
次に、基板１０を水中に浸漬した。このとき中間層１４が水溶性のポリビニルピロリドンで形成されている層であるため、中間層１４は溶解され、中間層１４上に形成された層は中間層１４が溶解する過程で基板１０からリフトオフされた（図５（ｖ）〜（ｗ））。
【０１１５】
（２−２３）犠牲層の除去工程（図５（ｗ））
次に、溶媒（水以外の極性溶媒）中に基板１０を浸漬することで犠牲層３１を除去した（図５（ｗ））。
【０１１６】
（２−２４）共通有機化合物層の形成工程（図５（ｙ））
次に、真空蒸着法により、エッチストップ層２４上に、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通して設けられる共通有機化合物層２５（電子注入層）を形成した（図５（ｙ））。このとき共通有機化合物層２５の膜厚を２０ｎｍとした。
【０１１７】
（２−２５）上部電極の形成工程（図５（ｚ））
次に、スパッタリング法により、共通有機化合物層２５上にＡｇを成膜して、各副画素（２０ａ、２０ｂ、２０ｃ）に共通して設けられる上部電極２６を形成した（図５（ｎ））。このとき上部電極２６の膜厚を１６ｎｍとした。
【０１１８】
（２−２７）封止工程
次に、基板１０を窒素雰囲気下に移し、紫外線硬化樹脂を用いて、基板１０と封止ガラス板（不図示）とを貼り合わせ、窒素封止構造を形成し、有機ＥＬ表示装置が外気に曝されないよう保護した。以上により有機ＥＬ表示装置を得た。
【０１１９】
（２−２８）装置の評価
得られた有機ＥＬ表示装置について、真空一貫環境下でメタルマスク蒸着法を用いて赤、緑、青の有機化合物層をパターニングした有機ＥＬ表示装置との素子特性を比較した。各色において、発光色度、電流効率、長期駆動時の輝度劣化の各特性は、メタルマスク蒸着法を用いてパターニングされた素子と同等であることがわかった。また、本発明の方法で作製された有機ＥＬ表示装置の発光状態は良好であり、発光層端部における発光ムラ等も発生していなかった。以上述べたように、本発明の方法により、有機化合物層をパターニングでき、ウェットエッチングプロセスにおけるダメージも無く、素子特性も問題ないことがわかった。
【符号の説明】
【０１２０】
１：有機ＥＬ表示装置、１０：基板、１１（１１ａ、１１ｂ、１１ｃ）：駆動回路、１２（１２ａ、１２ｂ、１２ｃ）：コンタクトホール、１４：中間層、１５：保護層、１６：パターニング部材、２０：画素、２０ａ：第一副画素、２０ｂ：第二副画素、２０ｃ：第三副画素、２１ａ：第一有機ＥＬ素子、２１ｂ：第二有機ＥＬ素子、２１ｃ：第三有機ＥＬ素子、２２（２２ａ、２２ｂ、２２ｃ）：下部電極、２３：有機化合物層、２３ａ：第一有機化合物層、２３ｂ：第二有機化合物層、２３ｃ：第三有機化合物層、２４（２４ａ、２４ｂ、２４ｃ）：電荷注入輸送層（エッチストップ層）、２５：共通有機化合物層、２６：上部電極、３０：レジスト層、３１：犠牲層
【図１】
2014123441.tif 000003
【図２】
2014123441.tif 000004
【図３】
2014123441.tif 000005
【図４】
2014123441.tif 000006
【図５Ａ】
2014123441.tif 000007
【図５Ｂ】
2014123441.tif 000008