(57)【要約】【課題】主面に段差を有する基板に対して、段差を吸収することによって、段差に起因するプロセス異常やばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】一方の主面に凹凸を有する半導体基板を準備する工程（Ｓ１０１）と、主面に保護ペーストをスクリーン印刷して、凹凸を保護ペーストで埋め込む工程（Ｓ１０２）とを備える。上記埋め込む工程（Ｓ１０２）は、開口部を有する印刷マスクを介して、主面に保護ペーストを供給する工程を含む。上記印刷マスクは、開口部の側壁の高さが開口部以外の領域の厚さよりも大きくなるように形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
一方の主面に凹凸を有する半導体基板を準備する工程と、
前記主面に保護ペーストをスクリーン印刷して、前記凹凸を前記保護ペーストで埋め込む工程とを備え、
前記埋め込む工程は、開口部を有する印刷マスクを介して、前記主面に前記保護ペーストを供給する工程を含み
前記印刷マスクは、前記開口部の側壁の高さが前記開口部以外の領域の厚さよりも大きくなるように形成されている、半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記側壁の高さと前記開口部以外の領域の厚さの差（単位：ｍ）の値は、前記保護ペーストの粘度（単位：ｃＰ）の値に１０-9を乗じた値以上である、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記開口部の前記側壁は、ＰＴＦＥ樹脂で覆われている、請求項１または２に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記埋め込む工程は、前記主面に前記保護ペーストをスキージで塗布する工程を含み、
前記スキージの移動速度（単位：ｍｍ／ｓ）の値を、前記ペーストのせん断速度（単位：１／ｓ）の値で割って算出した比率が、１／２０以上である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記埋め込む工程は、前記主面に前記保護ペーストをスキージで塗布する工程を含み、
前記スキージの速度（単位：ｍｍ／ｓ）の値を、前記ペーストのせん断速度（単位：１／ｓ）の値で割って算出した比率が、１以下である、請求項４に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記埋め込む工程は、前記主面に前記保護ペーストをスキージで塗布する工程を含み、
前記スキージの速度（単位：ｍｍ／ｓ）の値を、前記ペーストのせん断速度（単位：１／ｓ）の値で割って算出した比率が、１以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法に関し、より詳しくは、厚みの薄い薄肉部を有する基板を用いる、半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造方法において、近年、薄肉化した基板を用いることへの要求がある。ＬＳＩでは３次元実装等によるパッケージの高密度化を達成するために、プロセス完成時の基板の厚さは２５μｍ程度にまで薄肉化が進んでいる。
【０００３】
また、産業用モータや自動車用モータなどのインバータ回路、大容量サーバの電源装置、および無停電電源装置などにおいて、主として数百キロワットから数メガワットまでの比較的大きな電力を取り扱うための電力用半導体装置が用いられることがある。その際に用いる電力用半導体装置としては、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ−Ｏｘｉｄｅ−Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ  Ｆｉｅｌｄ−Ｅｆｆｅｃｔ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）やＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ  Ｇａｔｅ  Ｂｉｐｏｌａｒ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体スイッチがある。ＩＧＢＴとしては、従来は平面ゲート型のものが広く用いられていたが、近年は高集積化のためにトレンチゲートを用いた縦型のＩＧＢＴが使われるようになっている。
【０００４】
これらのパワー半導体装置は、オン特性などに代表される通電性能を改善するために、半導体基板を薄く加工することが行われている。近年では、コスト面・特性面を改善するため、ＦＺ（Ｆｌｏａｔｉｎｇ  Ｚｏｎｅ）法により作製されたウエハ材料を素に、６０μｍ程度まで薄型化された極薄ウエハプロセスによりデバイスが製造されている。
【０００５】
一般に、ウエハの薄型加工には、バックグラインドやポリッシュによる研磨、および機械研磨で発生した加工歪みを除去するためのウエットエッチングやドライエッチングが適用される。その後、裏面側にイオン注入や熱処理による拡散層形成を行った後、蒸着やスパッタ法等により電極形成がなされる。ダイシングシートにウエハをマウントした後、ダイシングブレード等を用いて個々のチップに個片化される。その際、従来は薄型化されたウエハの補強部材として、例えばポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）を主にした保護テープ等が用いられており、デバイスの表面に形成されたトレンチゲートや電極材料による表面段差については、保護テープによりその段差を吸収し、薄型加工を行ってきた。
【０００６】
しかし、近年の薄型デバイスの場合においては、デバイスの総厚に占める表面段差の割合が大きくなってきており、保護テープによる段差吸収では不十分であり、研削加工時にウエハ割れが発生する場合があった。
【０００７】
このような問題に対して、ウエハ表面に保護テープを貼りあわせた後に、加熱処理を行うことで、ウエハ表面に存在する段差を表面保護テープの変形により緩和し、半導体素子作製時のウエハ割れを抑制する方法が提案されている（特開２００５−３１７５７０号公報参照）。
【０００８】
また、表面に存在する高段差を解消する方法として、熱可塑性樹脂層を供えたフィルムを用いて、ウエハおよびフィルムの加圧によって、段差と熱可塑性樹脂をなじませることとによって、高段差を解消する方法も提案されている（特開平５−１１４５９３公報参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００５−３１７５７０号公報
【特許文献２】特開平５−１１４５９３公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
しかしながら、上記の２つの方法は、半導体装置に形成されるパターン段差が高い場合には、いずれも段差に対して十分な埋め込み性を有していない。
【００１１】
特開２００５−３１７５７０号公報のような方法では、段差に対する埋め込み性を向上するためには、段差を追従可能とする程度に保護テープを柔らかくするか、あるいは保護テープの糊剤の厚みを厚くする必要がある。このとき、保護テープを柔らかくすると、保護テープの剛性が低下する。この結果、厚みの薄い薄肉部を有するウエハにおいて、プロセス中に発生するたわみによって、ウエハの反り量が増大し、プロセス装置でのウエハ搬送ができなくなる問題があった。また、基板主面に形成された段差の高さによっては、保護テープの糊剤の厚みを十分に形成することができず、段差吸収が不十分となる場合がある。
【００１２】
特開平５−１１４５９３公報のように熱可塑性樹脂を用いる方法では、段差に対する埋め込み性を向上するためには、樹脂に流動性を持たせる必要がある。このとき、流動性を有する樹脂を用いた場合には、ウエハ薄肉化後のイオン注入工程や、蒸着・スパッタ工程等の真空中で熱負荷のかかるプロセスにおいて、工程中に熱可塑性樹脂からの脱ガスによる注入不良や膜質のばらつき発生等の問題があった。
【００１３】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものである。本発明の主たる目的は、主面に段差を有する基板に対して、段差を吸収することによって、段差に起因するプロセス異常やばらつきを抑制可能な半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
本発明に係る半導体装置の製造方法は、一方の主面に凹凸を有する半導体基板を準備する工程と、主面に保護ペーストをスクリーン印刷して、凹凸を保護ペーストで埋め込む工程とを備える。上記埋め込む工程は、開口部を有する印刷マスクを介して、主面に保護ペーストを供給する工程を含む。上記印刷マスクは、開口部の側壁の高さが開口部以外の領域の厚さよりも大きくなるように形成されている。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の半導体装置の製造方法によれば、主面に段差を有する基板に対して、段差を吸収して主面を平坦化し、その状態でプロセスを流動させることができるため、段差に起因するプロセス異常やばらつきを抑制可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法を示すフローである。
【図２】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の工程（Ｓ１０１）を説明するための図である。
【図３】工程（Ｓ１０２）を説明するための図である。
【図４】工程（Ｓ１０２）において用いるスクリーン印刷装置の概略上面図である。
【図５】図４に示すスクリーン印刷装置を説明するための断面図である。
【図６】工程（Ｓ１０２）を説明するための他の図である。
【図７】図４に示すスクリーン印刷装置の変形例を示す図である。
【図８】図４に示すスクリーン印刷装置の他の変形例を示す図である。
【図９】本実施の形態における印刷マスクの確認実験の結果を示す図である。
【図１０】本実施の形態における印刷マスクの他の確認実験の結果を示す図である。
【図１１】印刷マスクの開口部の側壁の角度を説明するための図である。
【図１２】本実施の形態における印刷マスクのさらに他の確認実験の結果を示す図である。
【図１３】本実施の形態に係る半導体装置の製造方法に関する確認実験の結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。なお、なお、以下の図面において同一または相当する部分には、同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００１８】
（実施の形態）
はじめに、図１を参照して、本実施の形態における半導体装置の製造方法の概略フローを説明する。まず、ステップ１０１（Ｓ１０１）にて、一方の主面（以下、表面という）に段差を有する半導体ウエハを準備する。次に、ステップ１０２（Ｓ１０２）にて、ウエハ表面に保護ペーストをスクリーン印刷する。その後、ステップ１０３（Ｓ１０３）にて、保護ペーストを介して表面に保護テープを貼りつける。ステップ１０４（Ｓ１０４）にて、他方の主面（以下、裏面という）を研削してウエハを薄化する。ウエハ薄化後、ステップ１０５（Ｓ１０５）にて、裏面に拡散層を形成する。次に、ステップ１０６（Ｓ１０６）にて、保護テープを剥離する。保護テープの剥離後、ステップ１０７（Ｓ１０７）にて、裏面に電極を形成する。ステップ１０８（Ｓ１０８）にて、基板の裏面をダイシングテープにマウントし、ステップ１０９（Ｓ１０９）にて、ダイシングを行う。個々のチップに個片化された後、ステップ１１０（Ｓ１１０）にて、保護ペーストを除去する。
【００１９】
これにより、ステップ１０２にて半導体ウエハ１の主面にスクリーン印刷した保護ペースト１０を、ステップ１０９まで用いることができ、半導体ウエハ１の表面に形成された素子構造を保護した状態で、ウエハ薄化からダイシングまで行うことができる。また、素子構造に依らず、保護テープを均一に貼りつけることができるため、ステップ１０４のウエハ薄化工程においてウエハへ印加される応力を低減でき、ウエハの割れや反りを抑制することができる。
【００２０】
以下、図１に示す各ステップについて、図を参照して説明する。
まず、図２を参照して、一方の主面に段差を有する半導体ウエハ１を準備する工程（Ｓ１０１）では、表面にトランジスタ構造が形成された半導体ウエハ１を準備する。
【００２１】
次に、図３を参照して、ウエハ表面に保護ペースト１０をスクリーン印刷する（Ｓ１０２）。具体的には、トランジスタ構造によりウエハ表面に生じた段差を保護ペースト１０で被覆し、平準化する。ペースト材料としては、半導体装置の製造方法において、後の工程のプロセス条件によって選択することができる。本実施の形態の保護ペースト１０の材料としては、フッ酸や硝酸からなる混酸に耐性がある材料とする。本工程では、このような保護ペースト１０を、図４に示すスクリーン印刷装置を用いて半導体ウエハ１の表面に供給する。
【００２２】
ここで、図４および図５を参照して、スクリーン印刷装置について説明する。表面にトランジスタ構造が形成された半導体ウエハ１は、ウエハカセット１２にセットされる。その後、半導体ウエハ１は、ウエハ搬送ロボットにより搬送され、ＸＹＺ方向に移動可能に設けられたステージ３上に固定されたウエハセットステージ４の開口部に設置される。ウエハセットステージ４の開口部は、半導体ウエハ１を嵌めこむことが可能なように、半導体ウエハ１の大きさに合わせて設けられる。ウエハセットステージ４の厚みは、半導体ウエハ１の厚みより薄く構成されている。半導体ウエハ１は、ステージ３により紙面右側へ移動して、ウエハセットステージ４と一体で印刷マスク５の下方に配置される。
【００２３】
図５は、半導体ウエハ１が印刷マスク５の下方に配置されたときの、スクリーン印刷装置の構成を説明するための図である。印刷マスク５には、半導体ウエハ１の表面において保護ペースト１０を供給する必要のある領域に応じた形状、面積を有した開口部が形成されている。本実施の形態において、印刷マスク５の厚みは、半導体ウエハ１の表面に供給する保護ペースト１０の厚みを決定するため、半導体ウエハ１の表面の保護に必要な保護ペースト１０の厚みに応じて設けられる。よって、印刷マスク５を構成する材料としては、剛性の高い材料が好ましい。本実施の形態においては、印刷マスク５に、厚さ１００μｍのニッケルを採用している。印刷マスク５がこのように薄い金属製板とする必要があるため、スキージ７と印刷マスク５とを当接させてスクリーン印刷する際の、印刷マスク５の変形を抑制するために、印刷マスク５は保持フレーム６によって保持されている。
【００２４】
印刷マスク５の上部には、スキージ７が設けられている。スキージ７の形状は平型であり、半導体ウエハ１の外径以上の幅を有している。スキージ７は、スキージ移動機構８に接続されて移動可能に設けられている。
【００２５】
なお、本実施の形態においては、スクリーン印刷装置は、正面（図４における紙面下側、図５における矢印２０側）から装置内部を観察可能に設けられている。
【００２６】
本工程（Ｓ１０２）において、保護ペースト１０は、半導体ウエハ１とスキージ７との間に位置する、印刷マスク５の上面の開口部近傍に準備される。本実施の形態では、保護ペースト１０は、印刷マスク５の上面において、スキージ７と平行して、半導体ウエハ１の外径に相当する長さにわたって準備される。これにより、上述のスキージ７を半導体ウエハ１の表面上に一度移動させることで、半導体ウエハ１の表面全体に保護ペースト１０を供給できる。なお、保護ペースト１０を印刷マスク５上面の所定の位置に準備するタイミングは、半導体ウエハ１を印刷マスク５の下部に配置する前でも後でもよい。印刷マスク５の上面に準備される保護ペースト１０の量は、半導体ウエハ１の表面を平坦化するのに必要な量以上であれば、任意の量とすることができる。
【００２７】
印刷マスク５の下部に半導体ウエハ１が配置され、印刷マスク５の上面に保護ペースト１０が準備された後、図６を参照して、半導体ウエハ１の表面に保護ペースト１０を供給する。
【００２８】
図６（ａ）を参照して、まず、半導体ウエハ１を載置したステージ３を、半導体ウエハ１において保護ペースト１０を供給する領域が印刷マスク５の開口部から露出するように横方向に移動させる。さらにステージ３を、半導体ウエハ１の表面と印刷マスク５の下面が接触するまで縦方向に移動させる。このとき、上述のように、ウエハセットステージ４の厚みが半導体ウエハ１の厚みよりも薄いため、半導体ウエハ１の表面と印刷マスク５の下面とは確実に接触させることができる。これにより、この後、保護ペースト１０をスクリーン印刷した際に、印刷マスク５の下面への保護ペースト１０の回りこみを防止することができる。
【００２９】
次に、図６（ｂ）を参照して、スキージ７を、スキージ移動機構８によって印刷マスク５の上面上を開口部を跨いで移動させる。このとき、スキージ７は、印刷マスク５の上面に当接しながら移動する。保護ペースト１０はスキージ７によって半導体ウエハ１の表面に導かれ、供給されると同時に平坦化される。こうして、半導体ウエハ１の表面に保護ペースト１０をスクリーン印刷することができる。
【００３０】
次に、図６（ｃ）を参照して、スクリーン印刷後にステージ３を下降させて、印刷マスク５と半導体ウエハ１とを離間させる。このとき、保護ペースト１０は、まだ流動性を有しているため、半導体ウエハ１と印刷マスク５が接着して離れなくなったり、無理に剥がした際にウエハの破損が発生する場合がある。そのため、印刷マスク５において開口部の側壁をＰＴＦＥ樹脂等によって被覆しておくことで、保護ペースト１０を介した半導体ウエハ１と印刷マスク５との接着を抑制し、印刷マスク５の版離れを向上することができる。
【００３１】
次に、保護ペースト１０が供給された半導体ウエハ１を熱処理して、保護ペースト１０を固化する。このとき、保護ペースト１０の材料に応じて、固化する処理の条件を採用すればよい。以上のようにして、工程（Ｓ１０２）によって、半導体ウエハ１の表面に保護ペースト１０を供給して、表面を平坦化することができる。
【００３２】
次に、保護ペースト１０によって平坦化した半導体ウエハ１の表面に、保護テープを張り付ける（Ｓ１０３）。保護テープの材料としては、例えば、ポリエチレンテレフタラート（ＰＥＴ）基材およびアクリル系のり材とする。本工程（Ｓ１０３）においては、半導体ウエハ１の表面が保護ペースト１０により平坦化され、かつ保護されているため、保護テープを容易に、かつ均一に半導体ウエハ１の表面に貼りつけることができる。
【００３３】
次に、半導体ウエハ１を薄化する（Ｓ１０４）。本実施の形態では、半導体ウエハの裏面を研削処理により機械的に薄化加工を施した後、機械的な加工で発生した破砕層をフッ酸および硝酸を含む混酸を用いて、ウエットエッチングする。先の工程（Ｓ１０３）において、半導体ウエハ１の表面に保護テープを均一に貼りつけできているため、研削加工時に半導体ウエハ１にかかる応力を低減することができる。このため、本工程（Ｓ１０４）処理中における半導体ウエハ１の割れ等を抑制することができる。
【００３４】
次に、裏面拡散層を形成する（Ｓ１０５）。本工程（Ｓ１０５）では、半導体ウエハ１の裏面にイオン注入を行い、さらに電気炉、レーザ等を用いた活性化処理を行う。このようにして、裏面拡散層を形成する。
【００３５】
次に、保護テープを剥離する（Ｓ１０６）。先の工程（Ｓ１０３）にて半導体ウエハ１の表面に貼りつけた保護テープは、先の工程（Ｓ１０４）以降の任意のタイミングで剥離することができるが、本実施の形態においては、後の工程（Ｓ１０７）にて行う加熱処理への保護テープの耐性を考慮して、本工程（Ｓ１０６）において剥離する。
【００３６】
次に、裏面電極を形成する（Ｓ１０７）。裏面電極は、例えば、蒸着やスパッタ処理を用いて、アルミニウム、チタン、ニッケル、金などの金属膜をウエハ裏面に形成する。その後、拡散層の形成されたシリコンとアルミの電気的な接続を確実に実施するため、例えば、３００〜４５０℃の熱処理を施して、シリコンとアルミを相互に拡散させる。
【００３７】
次に、半導体ウエハ１をダイシングフレームにマウントする（Ｓ１０８）。半導体ウエハ１の裏面をダイシングテープの粘着面に貼着させるように、ダイシングフレームにマウントする。
【００３８】
次に、半導体ウエハ１をダイシングする（Ｓ１０９）。ダイシングは、ブレードやレーザを用いたダイシング装置を用いて行う。
【００３９】
次に、半導体ウエハ１の表面から保護ペースト１０を除去する（Ｓ１１０）。保護ペースト１０の除去は、有機溶剤をダイシングフレーム上から滴下することで溶解させることにより行う。
【００４０】
以上のように、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法は、表面に段差が形成された半導体ウエハに対して、保護ペーストを用いて表面を平坦化し、かつ保護することができ、さらにこの状態で製造プロセスを流動させることができる。この結果、従来の製造方法において、半導体ウエハ表面に形成された段差に起因して生じていたプロセス異常を抑制することができる。
【００４１】
本実施の形態に係る半導体装置の製造方法で用いたスクリーン印刷装置では、スキージ７は、半導体ウエハ１（または印刷マスク５の開口部）に対してスクリーン印刷装置の手前側に設けられているが、これに限られるものではない。例えば、図７を参照して、矢印２０に示すように、作業者からみて半導体ウエハ１に対して奥側に設けられてもよい。これにより、作業者は、スキージ７によって、半導体ウエハ１へ保護ペースト１０が印刷される様子を、スクリーン印刷装置正面から観察することができるため、プロセスの異常が生じた場合には、早期に発見することができる。また、図８を参照して、スキージ７Ａ、７Ｂは、半導体ウエハ１に対して印刷マスク５の手前側と奥側の両方に複数設けられてもよい。これにより、半導体ウエハ１に保護ペースト１０を複数回印刷する場合には、スキージ７Ａを用いて印刷後、対向するもう一方のスキージ７Ｂを用いることができる。これにより、保護ペースト１０を再度準備することなく、残った保護ペースト１０を用いてスクリーン印刷をすることができる。
【００４２】
また、本実施の形態では、ペースト材料として、フッ酸や硝酸からなる混酸に耐性がある材料としたが、これに限られるものではない。例えば、電極形成時の３００〜４５０℃の高温に耐性がある材料として、ポリイミドや炭化水素を用いた樹脂材料を使用することができる。
【００４３】
また、本実施の形態では、半導体ウエハ１の表面に保護テープを貼りつけたが、これに限られるものではない。切削加工時の応力低減の役割を保護ペースト１０に代用させてもよい。
【００４４】
また、本実施の形態では、保護ペースト１０の除去に有機溶剤を用いたが、これに限られるものではない。例えば、酸素を含むプラズマを用いて樹脂部材を炭化することによる除去（いわゆるアッシング処理）を行うことも可能である。また、ペースト材料をバイトなどを用いた切削加工により除去し、表面電極を露出させてもよい。
【００４５】
以下、図９〜１２を参照して、本願発明者らが行った、工程（Ｓ１０２）における最適条件確認実験の結果を示す。
【００４６】
図９は、図５に示す印刷マスク５において、印刷マスク５の開口部の側壁（開口端部）の高さと、該印刷マスク５によって半導体ウエハ１表面に形成された保護ペースト１０の厚みについて、半導体ウエハ最外周部とウエハ中央部の膜厚比を示したものである。横軸に、印刷マスクの開口部の側壁の高さと印刷マスクの開口部以外の領域の厚さの差を示し、縦軸に半導体ウエハの最外周の厚みに対する中央部の厚みの比を示す。図９において、ペースト材料の粘度が１０００ｃＰ（センチポアズ）である場合には、印刷マスクの開口端部の厚みと周辺スクリーンの厚みを１μｍ以上にすることで、ペースト厚みの面内均一性を向上させる事ができることが確認できた。また、ペースト材料の粘度が３０００ｃＰの場合には、印刷マスクの開口端部の厚みと周辺スクリーンの厚みは３μｍ以上とすることで、ペースト厚みの面内均一性を向上させる事ができることが確認できた。これらのことから、ペースト材料の粘度をｃＰ横軸はペースト材料の粘度の単位をｃＰ（センチポアズ）に変換し、その値に１０−９を乗じた値を、印刷マスクの開口端部の厚みと周辺スクリーンの厚みの差（単位：ｍ）とすることにより、半導体ウエハ１上に均一性よく保護ペースト１０を塗布することができることが分かった。
【００４７】
図１１には、印刷マスク５の開口部の側壁の角度と保護ペースト裏面回り込みの関係を示している。具体的には、図５に示される装置構成にて、８インチウエハに対して、ペースト材料をスクリーン印刷した後、ウエハ裏面に付着した保護ペーストを目視観察し、その付着面積の総和を算出したものである。横軸に印刷マスクの開口部の側壁「開口端部）の角度を示し、縦軸に半導体ウエハの裏面における保護ペーストの付着面積の総和を示す。このとき、図１０を参照して、印刷マスク開口部の側壁（開口端部）の角度とは、印刷マスク５の下面と側壁とが成す角θを指す。図１０より明らかなように、印刷マスクの開口端部角度を９０度以上かつ１３５度以下にすることによって、ウエハ裏面に付着するペーストの量を低減することができることが分かった。
【００４８】
図１２は、図５に示される装置構成にて、スキージ７の移動速度と塗布された保護ペースト１０の膜厚の面内均一性との関係を示したものである。横軸にはスキージの移動速度（単位：ｍｍ／ｓ）の値を、ペーストのせん断速度（単位：１／ｓ）の値で割って算出した比率を示し、縦軸に保護ペーストの膜厚面内均一性を示している。上記比率を１／２０（５％）以上、かつ、１以下にすることで、塗布膜厚をウエハ面内で均一にすることができることが分かった。
【００４９】
以下、図１３を参照して、本願発明者らによる、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法の有効性の確認実験の結果を示す。図１３は、半導体ウエハの薄化処理後、半導体ウエハの面内の厚み分布を、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法と従来の半導体装置の製造方法とで比較した結果である。試験サンプル１、２は、いずれも表面段差１０μｍのシリコン基板である。横軸に半導体ウエハの中心からの距離を示し、縦軸にＳｉ基板の厚みを示す。
【００５０】
試験サンプル１は、本実施の形態に係る半導体装置の製造方法に準じて処理した。具体的には、スクリーン印刷によりポリイミドからなるペーストを４０μｍ塗布した後に、２００℃３分間の熱処理にてイミド化を行った。また、薄化加工にあたっては、インフィード式グラインダ装置にて８５μｍまで研削を行った後、フッ酸・硝酸・硫酸・燐酸からなる混酸で６５μｍまでエッチングを行った。
【００５１】
試験サンプル２は、従来の半導体装置の製造方法によって処理した。具体的には、ペーストを印刷せず、代わりに、厚さ１２０μｍの表面保護テープのみを貼り付け、試験サンプル１と同様の薄化加工を施した。
【００５２】
評価方法は、非接触の赤外光を用いた厚み測定装置（浜松ホトニクス製、ＯｐｔｉｃａｌＭｉｃｒｏＧａｕｇｅ）を用いて、ウエハの直径方向について加工後のシリコン厚みを測定した。図１３（ａ）には、試験サンプル１の結果を示し、図１３（ｂ）には、試験サンプル２の結果を示す。本実施の形態の半導体装置の製造方法によれば、保護ペーストにより、表面段差の影響を受けずに、均一にシリコン厚みを薄化できることが分かった。
【００５３】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５４】
１  半導体ウエハ、３  ステージ、４  ウエハセットステージ、５  印刷マスク、６  保持フレーム、７，７Ａ，７Ｂ  スキージ、８  スキージ移動機構、１０  保護ペースト、１２  ウエハカセット、２０  矢印。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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