(57)【要約】【課題】各光ビーム照射領域の各ミラーの描画中心点位置を周期性が生じないよう分散させて、均一に近い露光量で基板全面に亘ってパターンを形成する。【解決手段】複数のミラーを直交する二方向に配列した空間的光変調器により描画データに基づいてフォトレジストが塗布された基板に光ビームを照射して描画する光ビーム照射装置と前記基板とを相対的に走査し、前記一定の描画領域内の前記各ミラーの描画中心点位置を分布に周期性が生じないよう分散させることを特徴とする。【選択図】図１４
2014071350.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
二方向に配列された複数のミラー群を描画データに基づいて駆動する空間的光変調器を用いて光ビームを変調し、樹脂膜の塗布された基材を保持するステージ手段を相対的に移動させながら前記光ビームを照射することによって前記基材の前記樹脂膜に前記描画データに基づいたパターンを形成するパターン形成方法であって、
相対的に移動する前記ステージ手段の位置を検出し、
前記パターン形成時に前記ミラー群の描画中心点位置を前記ステージ手段の位置に対応して設定された分散データに基づいて分散して前記光ビームを照射することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載のパターン形成方法において、前記ステージ手段の相対的な移動方向及び前記移動方向に垂直な方向の二方向に対して傾斜した方向に配列された前記複数のミラー群を用いて、前記光ビームを前記分散データに基づいて前記二方向の少なくとも一方向に沿って分散して照射することを特徴とするパターン形成方法。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のパターン形成方法において、前記分散データは、前記描画データの分解能と描画間隔との不整合によって生じる描画中心点位置と描画データ位置との第1の誤差と、描画データの分解能と図形間隔との不整合によって生じる図形位置と図形データ位置との第２の誤差とに基づいて所定の演算処理にて決定されることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のパターン形成方法において、前記分散データは、前記描画データの分解能の範囲内で乱数発生器に基づいてランダムに決定されることを特徴とするパターン形成方法。
【請求項５】
二方向に配列された複数のミラー群を描画データに基づいて駆動する空間的光変調器を用いて光ビームを変調し、樹脂膜の塗布された基材を保持するステージ手段を相対的に移動させながら前記光ビームを照射することによって前記基材の前記樹脂膜に前記描画データに基づいたパターンを形成するパターン形成装置であって、
相対的に移動する前記ステージ手段の位置を検出する位置検出手段と、
前記パターン形成時に前記ミラー群の描画中心点位置を前記ステージ手段の位置に対応して設定された分散データに基づいて分散して前記光ビームを照射する光ビーム照射手段と
を備えたことを特徴とするパターン形成装置。
【請求項６】
請求項５に記載のパターン形成装置において、前記光ビーム照射手段は、前記ステージ手段の相対的な移動方向及び前記移動方向に垂直な方向の二方向に対して傾斜した方向に配列された前記複数のミラー群を用いて、前記光ビームを前記分散データに基づいて前記二方向の少なくとも一方向に沿って分散して照射することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項７】
請求項５又は６に記載のパターン形成装置において、前記光ビーム照射手段は、前記分散データを、前記描画データの分解能と描画間隔との不整合によって生じる描画中心点位置と描画データ位置との第1の誤差と、描画データの分解能と図形間隔との不整合によって生じる図形位置と図形データ位置との第２の誤差とに基づいて所定の演算処理にて決定することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項８】
請求項５又は６に記載のパターン形成装置において、前記光ビーム照射手段は、前記分散データを、前記描画データの分解能の範囲内で乱数発生器に基づいてランダムに決定することを特徴とするパターン形成装置。
【請求項９】
請求項１から４までのいずれか１に記載のパターン形成方法又は請求項５から８までのいずれか１に記載のパターン形成装置を用いて基材の露光を行うことを特徴とする露光装置。
【請求項１０】
請求項１から４までのいずれか１に記載のパターン形成方法又は請求項５から８までのいずれか１に記載のパターン形成装置を用いて、表示用パネルを製造することを特徴とする表示用パネル製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特定の波長の光によって重合や硬化などの化学反応を起こす樹脂材の塗布された基材へ光ビームを照射し、光ビームにより基材を走査して、基材に所定のパターンを描画するパターン形成方法及び装置、露光装置並びに表示用パネル製造方法に係り、特に複数のミラーを二軸に配列した空間的光変調器を用いて光ビームを変調照射することによって基材表面の樹脂に所定のパターンを描画するパターン形成方法及び装置、露光装置並びに表示用パネル製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
表示用パネルとして用いられる液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）基材やカラーフィルタ基材、プラズマディスプレイパネル用基材、有機ＥＬ（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）表示パネル用基材等の製造は、露光装置を用いて、フォトリソグラフィー技術により基材上にパターンを描画形成して行われる。露光装置としては、従来、レンズ又は鏡を用いてマスクのパターンを基材上に投影するプロジェクション方式と、マスクと基材との間に微小な間隙（プロキシミティギャップ）を設けてマスクのパターンを基材へ転写するプロキシミティ方式があった。
近年、フォトレジストが塗布された基材へ光ビームを照射し、光ビームにより基材を走査して、基材にパターンを描画する露光装置が開発されている。光ビームにより基材を走査して、基材にパターンを直接描画するため、高価なマスクが不要となる。また、描画データ及び走査のプログラムを変更することにより、さまざまな種類の表示用パネル基材に対応することができる。このような露光装置として、例えば、特許文献１，２記載のものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００３−３３２２２１号公報
【特許文献２】特開２０１２−０３８７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光ビームにより基材にパターンを描画する際、光ビームの変調には、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）等の空間的光変調器が用いられる。ＤＭＤは、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成され、各ミラーの角度を変更することにより、基材へ照射する光ビームを変調する。現在市販されているＤＭＤは、各ミラーの寸法が１０〜１５［μｍ］角程度であり、隣接するミラー間には１［μｍ］程度の隙間が設けられている。ＤＭＤを光ビームによる基材の走査方向と平行に配置すると、各ミラーの配列方向（直交する二方向）が基材の走査方向と平行及び垂直になるので、隣接するミラー間の間隙と基材とが相対的に平行に移動し、この間隙に対応する箇所ではパターンの描画ができない。そのため、ＤＭＤは、特許文献１，２に記載のように光ビームによる基材の走査方向に対して所定角度傾けて使用されている。
【０００５】
ＤＭＤにより変調された光ビームは、光ビーム照射装置の照射光学系を含むヘッド部から、基材へ照射される。ＤＭＤの各ミラーに対応する各光ビーム照射領域は、ミラーの形状と同じ正方形であり、基材に描画されるパターンは、微小な正方形のドットを並べたものとなる。特許文献１に記載の方法によれば、基材上の或る大きさの正方形領域内における各光ビーム照射領域の中心点の分布は、理想的には図１１に示すようになる。図１１の黒点が各光ビーム照射領域の中心点に対応する。しかし、一般に規則正しく周期性を持った模様はモアレの原因になり易く、図１１に示すような理想的な分布はモアレの原因になり得ることがわかった。
【０００６】
本発明は、上述の点に鑑みなされたものであり、各光ビーム照射領域の各ミラーの描画中心点位置を周期性が生じないように分散させて、均一に近い露光量で基材全面に亘ってパターンを形成できるパターン形成方法及び装置、露光装置並びに表示用パネル製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るパターン形成方法の第１の特徴は、二方向に配列された複数のミラー群を描画データに基づいて駆動する空間的光変調器を用いて光ビームを変調し、樹脂膜の塗布された基材を保持するステージ手段を相対的に移動させながら前記光ビームを照射することによって前記基材の前記樹脂膜に前記描画データに基づいたパターンを形成するパターン形成方法であって、相対的に移動する前記ステージ手段の位置を検出し、前記パターン形成時に前記ミラー群の描画中心点位置を前記ステージ手段の位置に対応して設定された分散データに基づいて分散して前記光ビームを照射することにある。分散データは、ステージ手段の位置に対応して設定されている。従って、相対的にステージ手段が移動すると、その移動位置に対応して描画データに基づいて光ビームが変調照射されると共にミラーの描画中心点位置が分散データに基づいて分散照射されるようになる。これによって、光ビーム照射領域（描画領域）の各ミラーの描画中心点位置に周期性が生じないようにバラツキ、さらに均一に近い露光量で基材全面に亘ってパターンが形成されるようになるので、高品質で高画質なパターンを基材に形成することができる。
【０００８】
本発明に係るパターン形成方法の第２の特徴は、前記第１の特徴に記載のパターン形成方法において、前記ステージ手段の相対的な移動方向及び前記移動方向に垂直な方向の二方向に対して傾斜した方向に配列された前記複数のミラー群を用いて、前記光ビームを前記分散データに基づいて前記二方向の少なくとも一方向に沿って分散して照射することにある。
【０００９】
本発明に係るパターン形成方法の第３の特徴は、前記第２の特徴に記載のパターン形成方法において、前記分散データは、前記描画データの分解能と描画間隔との不整合によって生じる描画中心点位置と描画データ位置との第1の誤差と、描画データの分解能と図形間隔との不整合によって生じる図形位置と図形データ位置との第２の誤差とに基づいて所定の演算処理にて決定されることにある。
【００１０】
本発明に係るパターン形成方法の第４の特徴は、前記第３の特徴に記載のパターン形成方法において、前記分散データは、前記描画データの分解能の範囲内で乱数発生器に基づいてランダムに決定されることにある。
【００１１】
本発明に係るパターン形成装置の第１の特徴は、二方向に配列された複数のミラー群を描画データに基づいて駆動する空間的光変調器を用いて光ビームを変調し、樹脂膜の塗布された基材を保持するステージ手段を相対的に移動させながら前記光ビームを照射することによって前記基材の前記樹脂膜に前記描画データに基づいたパターンを形成するパターン形成装置であって、相対的に移動する前記ステージ手段の位置を検出する位置検出手段と、前記パターン形成時に前記ミラー群の描画中心点位置を前記ステージ手段の位置に対応して設定された分散データに基づいて分散して前記光ビームを照射する光ビーム照射手段とを備えたことにある。これは、前記パターン形成方法の第１の特徴に記載のものを実現したパターン形成装置の発明である。
【００１２】
本発明に係るパターン形成装置の第２の特徴は、前記第１の特徴に記載のパターン形成装置において、前記光ビーム照射手段は、前記ステージ手段の相対的な移動方向及び前記移動方向に垂直な方向の二方向に対して傾斜した方向に配列された前記複数のミラー群を用いて、前記光ビームを前記分散データに基づいて前記二方向の少なくとも一方向に沿って分散して照射することにある。これは、前記パターン形成方法の第２の特徴に記載のものを実現したパターン形成装置の発明である。
【００１３】
本発明に係るパターン形成装置の第３の特徴は、前記第２の特徴に記載のパターン形成装置において、前記光ビーム照射手段は、前記分散データを、前記描画データの分解能と描画間隔との不整合によって生じる描画中心点位置と描画データ位置との第1の誤差と、描画データの分解能と図形間隔との不整合によって生じる図形位置と図形データ位置との第２の誤差とに基づいて所定の演算処理にて決定することにある。これは、前記パターン形成方法の第３の特徴に記載のものを実現したパターン形成装置の発明である。
【００１４】
本発明に係るパターン形成装置の第４の特徴は、前記第３の特徴に記載のパターン形成装置において、前記光ビーム照射手段は、前記分散データを、前記描画データの分解能の範囲内で乱数発生器に基づいてランダムに決定することにある。これは、前記パターン形成方法の第４の特徴に記載のものを実現したパターン形成装置の発明である。
【００１５】
本発明に係る露光装置の特徴は、前記第１から第４までのいずれか１の特徴に記載のパターン形成方法、又は第１から第４までのいずれか１の特徴に記載のパターン形成装置を用いて基材の露光を行うことにある。これは、前記パターン形成方法又はパターン形成装置のいずれか１の特徴に記載のものを用いて、露光を行なうようにしたものである。
【００１６】
本発明に係る表示用パネル製造方法の特徴は、前記第１から第４までのいずれか１の特徴に記載のパターン形成方法、又は第１から第４までのいずれか１の特徴に記載のパターン形成装置を用いて、表示用パネルを製造することにある。これは、前記パターン形成方法又はパターン形成装置のいずれか１の特徴に記載のものを用いて、表示用パネルを製造するようにしたものである。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、各光ビーム照射領域の各ミラーの描画中心点位置を周期性が生じないよう分散させて、均一に近い露光量で基材全面に亘ってパターンを形成することができるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の一実施の形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。
【図２】図１に示す露光装置の側面図である。
【図３】図２に示す露光装置の正面図である。
【図４】光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。
【図５】ゲート上に搭載された光ビーム照射装置の詳細構成を示す上面図である。
【図６】ゲート上に搭載された光ビーム照射装置の詳細構成を示す側面図である。
【図７】ＤＭＤの走査方向に対する傾きを説明する図である。
【図８】図１の露光装置に設けられたレーザー測長システムの動作を説明する図である。
【図９】図１、図４及び図８に示す主制御装置７０の概略構成を示すブロック図である。
【図１０】傾斜配置されたＤＭＤ２５の光ビームによって描画されるパターン２ａの一例を示す図である。
【図１１】或る大きさの正方形領域内におけるＤＭＤ２５の各ミラーに対応する各光ビーム照射領域２６ａの中心点の理想的な分布の一例を示す図である。
【図１２】描画データ分解能と描画間隔との不整合によって生じる描画中心点位置と描画データ位置との誤差の一例を示す図である。
【図１３】描画データ分解能と図形間隔Ｄｐとの不整合によって生じる図形位置と図形データ位置との誤差の一例を示す図である。
【図１４】この実施の形態に係る描画間隔の分散処理のフローを示す図である。
【図１５】図１２及び図１３に示した条件で走査方向１ラインの各描画位置Ｉの描画間隔Ｐｐ、描画中心点位置Ｐｉ、描画データ位置Ｐｒ、誤差Ｅｒｒ１、誤差Ｅｒｒ２、論理フラグＦ及び分散データＰｄの値をそれぞれ示す図である。
【図１６】分散データの別の例を示す図である。
【図１７】光ビームに係る基板の走査を説明する１番目の図である。
【図１８】光ビームに係る基板の走査を説明する２番目の図である。
【図１９】光ビームに係る基板の走査を説明する３番目の図である。
【図２０】光ビームに係る基板の走査を説明する４番目の図である。
【図２１】液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【図２２】液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。この実施の形態では、パターン形成装置の一例として露光装置を例に説明する。図１は、本発明の一実施の形態に係る露光装置の概略構成を示す図である。図２は、図１に示す露光装置の側面図、図３は、図２に示す露光装置の正面図である。露光装置は、ベース３、Ｘガイド４、Ｘステージ５、Ｙガイド６，１６、Ｙステージ７，１７、θステージ８，１８、チャック１０、ゲート１１、光ビーム照射装置２０、リニアスケール３１，３３、エンコーダ３２，３４、レーザー測長システムのレーザー測長システム制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０を含んで構成されている。なお、図２及び図３では、レーザー測長システムのレーザー光源４１、レーザー測長システム制御装置４０、ステージ駆動回路６０、及び主制御装置７０を省略している。露光装置は、これらの他に、基板１をチャック１０へ搬入し、また基板１をチャック１０から搬出する基板搬送ロボット、装置内の温度管理を行う温度制御ユニット等を備えているが、これらの図示も省略している。なお、図１〜図３における実施の形態では、Ｘ方向及びＹ方向は例示であって、これらのＸ方向とＹ方向とを互いに入れ替えてもよいことは言うまでもない。
【００２０】
図１〜図３に示すように、チャック１０は、基板１の受け渡しを行う受け渡し位置にある。受け渡し位置において、図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０へ搬入され、また図示しない基板搬送ロボットにより基板１がチャック１０から搬出される。チャック１０は、基板１の裏面を真空吸着して支持する。基板１の表面には、フォトレジストなどの紫外線硬化樹脂が塗布されている。
【００２１】
基板１の露光を行う露光位置の上空に、ベース３を跨ぐようにゲート１１が設けられている。ゲート１１には、複数の光ビーム照射装置２０が搭載されている。なお、この実施の形態は、８つの光ビーム照射装置２０を用いた露光装置の例を示しているが、光ビーム照射装置の数はこれに限らず、１つ又は２つ以上の光ビーム照射装置を用いた露光装置に適用される。
【００２２】
図４は、光ビーム照射装置の概略構成を示す図である。光ビーム照射装置２０は、光ファイバー２２、レンズ２３、ミラー２４、ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）２５、投影レンズ２６、及びＤＭＤ駆動回路２７を含んで構成されている。光ファイバー２２は、レーザー光源ユニット２１から発生された紫外線光ビームを、光ビーム照射装置２０内へ導入する。光ファイバー２２から射出された光ビームは、レンズ２３及びミラー２４を介して、ＤＭＤ２５へ照射される。ＤＭＤ２５は、光ビームを反射する複数の微小なミラーを直交する二方向に配列して構成された空間的光変調器であり、各ミラーの角度を変更して光ビームを変調する。ＤＭＤ２５により変調された光ビームは、投影レンズ２６を含むヘッド部２０ａによって基板１の表面に照射される。ＤＭＤ駆動回路２７は、主制御装置７０から供給される描画データに基づいて、ＤＭＤ２５の各ミラーの角度を変更する。
【００２３】
図５は、ゲート上に搭載された光ビーム照射装置の詳細構成を示す上面図である。図６は、ゲート上に搭載された光ビーム照射装置の詳細構成を示す側面図である。すなわち、図６は、図５の側面図である。なお、この実施の形態では、光ビーム照射装置２０からの光ビームによる基板１の走査方向（Ｘ方向）に１つの光ビーム照射装置２０が設けられているが、走査方向に２つ以上の光ビーム照射装置２０を設けてもよい。また、この実施の形態では、走査方向と直交する方向（Ｙ方向）に８組の光ビーム照射装置２０が設けられているが、走査方向と直交する方向にこれ以外の１又は複数の光ビーム照射装置を設けてもよい。
【００２４】
図５において、ゲート１１の上面には、Ｙ方向へ伸びる２対のＹガイド１６が設けられている。各Ｙガイド１６には、Ｙステージ１７がそれぞれ搭載されており、各Ｙステージ１７は、各Ｙガイド１６に沿ってＹ方向へ移動する。各Ｙステージ１７には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構が設けられており、各駆動機構は、図１のステージ駆動回路６０により駆動される。図６において、各Ｙステージ１７には、図面奥行き方向に８つのθステージ１８がそれぞれ搭載されており、各θステージ１８には、光ビーム照射装置２０がそれぞれ搭載されている。各θステージ１８は、後述するモータ及びエンコーダを備え、主制御装置７０の制御により、図５に示すようにθ方向へ回転して、各光ビーム照射装置２０をθ方向へ回転させる。
【００２５】
図１の主制御装置７０は、図５に示す８つの光ビーム照射装置２０を搭載した各θステージ１８をそれぞれ制御して、各θステージ１８に搭載された光ビーム照射装置２０を同じ角度だけ回転させることにより、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５が、走査方向に対して所定角度だけ傾いて配置されることになる。
【００２６】
図７は、ＤＭＤの走査方向に対する傾きを説明する図である。ＤＭＤ２５のミラー部２５ａには、例えば、一辺が１０〜１５［μｍ］の正方形のミラーが、ＤＭＤ２５の長辺方向に１０２４個、ＤＭＤ２５の短辺方向に２５６個配列されている。一例として、ミラーの寸法が１０［μｍ］、隣接するミラー間の隙間が１［μｍ］のとき、ミラーのピッチ（各ミラーの中心間の距離）は、１１［μｍ］となる。図７において、図４の各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５は、走査方向に対して角度θだけ傾いて配置されている。
【００２７】
図１〜図３に示すように、チャック１０は、θステージ８の上側に搭載されている。θステージ８の下側にはＸステージ５及びＹステージ７が設けられている。Ｘステージ５は、ベース３の上面に設けられた４本のＸガイド４上に搭載され、Ｘガイド４に沿ってＸ方向へ移動するようになっている。Ｙステージ７は、Ｘステージ５の上面に設けられた２本のＹガイド６上に搭載され、Ｙガイド６に沿ってＹ方向へ移動するようになっている。θステージ８は、Ｙステージ７上に搭載され、チャック１０をθ方向へ回転制御している。Ｘステージ５、Ｙステージ７及びθステージ８には、ボールねじ及びモータや、リニアモータ等の図示しない駆動機構がそれぞれ設けられており、各駆動機構は、図１のステージ駆動回路６０によって駆動制御されている。
【００２８】
θステージ８がチャック１０をθ方向へ回転することによって、チャック１０に搭載された基板１は、それぞれの直交する二辺がＸ方向及びＹ方向へ合致するように回転制御される。Ｘステージ５は、Ｘ方向へ移動することによって、チャック１０を受け渡し位置と露光位置との間で移動させる。露光位置において、Ｘステージ５がＸ方向へ移動することによって、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される光ビームが、基板１の表面をＸ方向へ走査することになる。また、Ｙステージ７がＹ方向へ移動することによって、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される光ビームのＸ方向の操作領域がＹ方向へ移動することになる。図１に示すように、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０に制御信号を出力し、ステージ駆動回路６０を制御することによって、θステージ８のθ方向の回転量及び回転位置、Ｘステージ５のＸ方向の移動量及び移動位置、及びＹステージ７のＹ方向の移動量及び移動位置の制御を行なう。
【００２９】
なお、この実施の形態では、チャック１０はＸステージ５と共にＸ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームを用いた基板１の走査が行なわれているが、光ビーム照射装置２０を移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームを用いた基板１の走査が行なわれるようにしてもよい。また、チャック１０及び光ビーム照射装置２０の両方をＸ方向に移動するようにしてもよい。同様に、チャック１０はＹステージ７と共にＹ方向へ移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームを用いた基板１の走査領域が変更されるようにしているが、光ビーム照射装置２０を移動することによって、光ビーム照射装置２０からの光ビームを用いた基板１の走査領域の変更が行なわれるようにしてもよい。この場合も同様に、チャック１０及び光ビーム照射装置２０の両方をＹ方向へ移動するようにしてもよい。
【００３０】
図１〜図３に示すように、ベース３の側縁部上には、Ｘ方向へ伸びるリニアスケール３１が設置されている。リニアスケール３１は、Ｘステージ５のＸ方向への移動量を検出するためのエンコーダ３２用の目盛を備えている。また、Ｘステージ５の側縁部上には、Ｙ方向へ伸びるリニアスケール３３が設置されている。リニアスケール３３は、Ｙステージ７のＹ方向への移動量を検出するためのエンコーダ３４用の目盛を備えている。
【００３１】
図１〜図３に示すように、Ｘステージ５の一側面には、リニアスケール３１の目盛に対向して、エンコーダ３２が取り付けられている。エンコーダ３２は、リニアスケール３１の目盛を検出し、その検出パルス信号を主制御装置７０へ出力する。Ｙステージ７の一側面には、リニアスケール３３の目盛に対向して、エンコーダ３４が取り付けられている。エンコーダ３４は、リニアスケール３３の目盛を検出し、その検出パルス信号を主制御装置７０へ出力する。主制御装置７０は、エンコーダ３２，３４からのパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向及びＹステージ７のＹ方向の移動量を検出し、その位置を特定する。
【００３２】
図８は、図１の露光装置に設けられたレーザー測長システムの動作を説明する図である。図８において、図１と同じ構成のものには同一の符号が付してあるので、その説明は省略する。また、図８では、レーザー測長システムの動作説明に必要なデバイスのみを示し、図１のゲート１１及び光ビーム照射装置２０などは省略してある。レーザー測長システムは、公知のレーザー干渉式の測長システムで構成されており、レーザー光源４１、レーザー干渉計４２，４４、及びバーミラー４３，４５を含んで構成されている。バーミラー４３は、チャック１０のＹ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。また、バーミラー４５は、チャック１０のＸ方向へ伸びる一側面に取り付けられている。
【００３３】
レーザー干渉計４２は、レーザー光源４１から出射され、ハーフミラー４６及びミラー４７によって導入されたレーザー光を受光する。レーザー干渉計４２は、受光したレーザー光をバーミラー４３へ照射し、バーミラー４３により反射されたレーザー光を受光する。レーザー干渉計４２は、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４３によって反射されたレーザー光との干渉を、Ｙ方向の２箇所で測定する。レーザー干渉計４２は、Ｙ方向の２箇所で干渉をそれぞれ測定することによって、チャック１０の回転を検出している。レーザー測長システム制御装置４０は、主制御装置７０の制御によって、レーザー干渉計４２の測定結果を取り込み、チャック１０のＸ方向の位置及び回転を検出する。
【００３４】
レーザー干渉計４４は、レーザー光源４１から出射され、ハーフミラー４６及びミラー４８によって導入されたレーザー光を受光する。レーザー干渉計４４は、受光したレーザー光をバーミラー４５へ照射し、バーミラー４５により反射されたレーザー光を受光する。レーザー干渉計４４は、レーザー光源４１からのレーザー光とバーミラー４５により反射されたレーザー光との干渉を測定する。レーザー測長システム制御装置４０は、主制御装置７０の制御によって、レーザー干渉計４４の測定結果を取り込み、チャック１０のＹ方向の位置を検出する。なお、レーザー干渉計４４によってＸ方向の２箇所で干渉を測定することによってチャック１０の回転を検出するようにしてもよい。また、レーザー干渉計４２，４４の両方でチャック１０の回転を検出してもよい。
【００３５】
図９は、図１、図４及び図８に示す主制御装置７０の概略構成を示すブロック図である。図９に示すように、主制御装置７０は、光ビーム照射装置２０の８個のＤＭＤ駆動回路２７へ描画データを供給する描画制御部７１を有する。なお、主制御装置７０はこれ以外の構成手段を含んで構成されているが、ここでは描画制御部７１について説明する。描画制御部７１は、描画データ用メモリ７２、設計値マップ用メモリ７６、バンド幅設定部７３、中心点座標決定部７４、座標決定部７５、座標分散部７８、分散データ部７９及び描画データ作成部７７を含んで構成されている。
【００３６】
各θステージ１８は、モータ１８ａ及びエンコーダ１８ｂをそれぞれ備えている。モータ１８ａは、主制御装置７０により駆動され、各θステージ１８をθ方向へ回転させる。エンコーダ１８ｂは、モータ１８ａの回転量を検出して、モータ１８ａの回転量に応じたパルス信号を主制御装置７０へ出力する。なお、図６の図面奥行き方向に８つのθステージ１８がそれぞれ設けられているが、図９では、８つのθステージ１８をそれぞれまとめて１つのθステージ１８として示している。また、各θステージ１８は、モータを用いずに、手動で回転させる構成としてもよい。この場合、図８のエンコーダ１８ｂの代わりに、θステージ１８の回転量を示すデータを入力する入力装置が設けられる。
【００３７】
設計値マップ用メモリ７６は、設計値マップを格納している。設計値マップは、描画データをＸＹ座標で示すものである。描画データ作成部７７は、各θステージ１８のエンコーダ１８ｂからのパルス信号をカウントして、各θステージ１８の回転量を検出し、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５の走査方向に対する傾きθを検出する。そして、描画データ作成部７７は、検出した傾きθに基づき、設計値マップ用メモリ７６に格納された設計値マップから、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データを作成する。描画データ用メモリ７２は、描画データ作成部７７が作成した描画データを、そのＸＹ座標をアドレスとして記憶する。バンド幅設定部７３は、描画データ用メモリ７２から読み出す描画データのＹ座標の範囲を決定することにより、光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射される光ビームのＹ方向のバンド幅を設定する。
【００３８】
レーザー測長システム制御装置４０は、露光位置における基板１の露光を開始する前のチャック１０のＸＹ方向の位置を検出する。中心点座標決定部７４は、レーザー測長システム制御装置４０が検出したチャック１０のＸＹ方向の位置に基づいて、基板１の露光を開始する前のチャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。図１に示すように、光ビーム照射装置２０から出射される光ビームを用いて基板１の走査を行う場合、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｘステージ５によってチャック１０をＸ方向へ移動させる。基板１の走査領域を変更する場合、主制御装置７０は、ステージ駆動回路６０を制御して、Ｙステージ７によりチャック１０をＹ方向へ移動させる。図９において、中心点座標決定部７４は、エンコーダ３２，３４からのパルス信号をカウントして、Ｘステージ５のＸ方向への移動量及びＹステージ７のＹ方向への移動量をそれぞれ検出し、チャック１０の中心点のＸＹ座標を決定する。
【００３９】
座標決定部７５は、中心点座標決定部７４が決定したチャック１０の中心点のＸＹ座標に基づき、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データのＸＹ座標を決定する。座標分散部７８は、座標決定部７５が決定した描画データのＸＹ座標と分散データ部７９の分散データから各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給する描画データのＸＹ座標を決定する。描画データ用メモリ７２は、座標分散部７８が決定したＸＹ座標をアドレスとして入力し、そのＸＹ座標のアドレスに記憶された描画データを、各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ出力する。
【００４０】
以下、本発明の一実施の形態に係るパターン形成方法が実行する描画方法の一例について説明する。この実施の形態では、図７において、図５の各光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５を、走査方向に対してミラーの間隔分だけ傾けて配置してある。図１０は、傾斜配置されたＤＭＤ２５の光ビームによって描画されるパターン２ａの一例を示す図である。図１０において、灰色で塗りつぶした正方形の部分は、ＤＭＤ２５の各ミラーに対応する各光ビーム照射領域２６ａを示している。
【００４１】
この実施の形態では、図５の光ビーム照射装置２０によって、図１０に示すようなパターン２ａが描画される。図５の光ビーム照射装置２０のＤＭＤ２５を、走査方向に対してミラーの間隔分だけ傾けて配置すると、直交する二方向の内の走査方向に近い方向に配列された複数のミラーのいずれかが、隣接するミラー間の隙間に対応する箇所をカバーすることになるので、パターンの描画を隙間無く行うことができる。なお、この実施の形態において図１０のＤＭＤ２５の各ミラーに対応する各光ビーム照射領域２６ａは互いに隣り合っているが、異なる実施の形態として各光ビーム照射領域２６ａは互いに重なり合っていてもよい。
【００４２】
図１１は、或る大きさの正方形領域内におけるＤＭＤ２５の各ミラーに対応する各光ビーム照射領域２６ａの中心点の理想的な分布の一例を示す図である。基板１に描画(露光)されるパターンを高画質に描画(露光)するためには、ＤＭＤ２５の各ミラーに対応する各光ビーム照射領域２６ａの描画中心点位置を図１１に示すように均一に分布させなければならない。しかしながら、発明が解決しようとする課題の項で説明したように、図１１に示すような理想的な分布は、モアレの原因になり得ることが判明した。
【００４３】
図１２は、描画データ分解能と描画間隔との不整合によって生じる描画中心点位置と描画データ位置との誤差の一例を示す図である。例えば、Ｘステージ５のエンコーダ３２の分解能Ｒｓｌが０．０８［μｍ］、描画間隔Ｐｐが１６．０８［μｍ］、図形間隔Ｄｐが４０．２０［μｍ］、描画データ分解能が０．５［μｍ］の場合について説明する。描画間隔Ｐｐは１６．０８［μｍ］なので、その描画中心点位置Ｐｉはこの描画間隔Ｐｐの整数倍となる。一方、描画データ分解能が０．５［μｍ］なので、描画中心点位置Ｐｉをこの描画データ分解能に近似するように丸めると、描画データ位置Ｐｒが算出される。描画データ位置Ｐｒから描画中心点位置Ｐｉを減算した値が描画中心点位置と描画データ位置との誤差Ｅｒｒ１を示す。
【００４４】
図１３は、描画データ分解能と図形間隔Ｄｐとの不整合によって生じる図形位置と図形データ位置との誤差の一例を示す図である。図形間隔Ｄｐは４０．２０［μｍ］なので、その図形位置Ｄｉはこの図形間隔Ｄｐの整数倍となる。一方、描画データ分解能が０．５［μｍ］なので、図形位置Ｄｉをこの描画データ分解能に近似するように丸めると、図形データ位置Ｄｒが算出される。図形位置Ｄｉから図形データ位置Ｄｒを減算した値が誤差Ｅｒｒ２を示す。これらの誤差Ｅｒｒ１，Ｅｒｒ２は、周期性を伴いモアレの原因になり得る。
【００４５】
従って、この実施の形態では、描画間隔を分散して描画(露光)することで、各光ビーム照射領域の中心点の分布が周期性のない分布となるように制御する。分散させる方向としては、走査方向または走査方向に対して垂直方向、あるいは両方向が考えられる。以下、その一例として、走査方向に分散させる場合について説明する。
【００４６】
図１４は、この実施の形態に係る描画間隔の分散処理のフローを示す図である。図１５は、図１２及び図１３に示した条件で走査方向１ラインの各描画位置Ｉの描画間隔Ｐｐ、描画中心点位置Ｐｉ、描画データ位置Ｐｒ、誤差Ｅｒｒ１、誤差Ｅｒｒ２、論理フラグＦ及び分散データＰｄの値をそれぞれ示す図である。図１５の各データに基づいて図１４の分散処理フローが実行される。図１５において、論理フラグＦは、誤差Ｅｒｒ１と誤差Ｅｒｒ２との論理式を決定するフラグであり、任意又は機械的にランダムに設定される。論理フラグＦが「０」の場合は、誤差Ｅｒｒ１と誤差Ｅｒｒ２を加算し、論理フラグＦが「１」の場合は、誤差Ｅｒｒ１から誤差Ｅｒｒ２を減算し、それぞれの値を分散データＰｄとする。なお、これ以外に誤差Ｅｒｒ２から誤差Ｅｒｒ１を減算するようなフラグ、誤差Ｅｒｒ１と誤差Ｅｒｒ２とを乗算するフラグ等を設定してもよい。
【００４７】
このようにして設定され描画位置Ｉの分散データＰｄをＰｄ［Ｉ］として示すと、描画位置Ｉ＝０〜３１までの分散データＰｄ［０］〜Ｐｄ［３１］は、Ｐｄ［０］＝０．００、Ｐｄ［１］＝−０．０８、Ｐｄ［２］＝−０．１６、Ｐｄ［３］＝−０．０４、Ｐｄ［４］＝−０．０２、Ｐｄ［５］＝０．２０、Ｐｄ［６］＝０．１２、Ｐｄ［７］＝０．０４、Ｐｄ［８］＝−０．０４、Ｐｄ［９］＝−０．３２、Ｐｄ［１０］＝０．００、Ｐｄ［１１］＝０．３２、Ｐｄ［１２］＝０．２４、Ｐｄ［１３］＝−０．０４、Ｐｄ［１４］＝−０．１２、Ｐｄ［１５］＝−０．２０、Ｐｄ［１６］＝０．０２、Ｐｄ［１７］＝−０．０６、Ｐｄ［１８］＝、Ｐｄ［１８］＝０．１６、Ｐｄ［１９］＝−０．１２、Ｐｄ［２０］＝−０．２０、Ｐｄ［２１］＝−０．２８、Ｐｄ［２２］＝０．３４、Ｐｄ［２３］＝０．３６、Ｐｄ［２４］＝−０．１２、Ｐｄ［２５］＝０．００、Ｐｄ［２６］＝−０．０８、Ｐｄ［２７］＝−０．１６、Ｐｄ［２８］＝−０．０４、Ｐｄ［２９］＝０．３８、Ｐｄ［３０］＝０．２０、Ｐｄ［３１］＝０．１２のようになる。これらの値からも分かるように、分散データＰｄは、それぞれ誤差Ｅｒｒ１，Ｅｒｒ２の有していた周期性を失い、分散したランダムな値である。このような分散データＰｄによって、周期性に伴うモアレの発生原因を有効に取り除くことが可能となる。
【００４８】
図１４の分散処理について、図１５の分散データＰｄを用いて説明する。図１４において、パラメータとなる分散パターン長ＰＬとしては、例えば「３１」が設定される。分散データＰｄは図１５のものが使用される。これによって走査方向における分散量がランダムに変更されるようになる。最初のステップＳ１４１では、分散データ長ＰＬとして「３１」が取得される。ステップＳ１４２では、図1５に示すような分散データＰｄを描画間隔データ長に相当する値として取得する。ステップＳ１４３では、描画位置Ｉに「０」を格納し、その値をリセットする。ステップＳ１４４では、現在の描画間隔Ｐｐを取得する。ステップＳ１４５では、描画間隔Ｐｐを分散データＰｄ［Ｉ］に相当するだけずらして描画(露光)する。ステップＳ１４６では、描画位置Ｉを「１」だけインクリメント処理し、次の描画位置Ｉを設定する。ステップＳ１４７では、描画位置Ｉが描画間隔データ長ＰＬと等しいか否かを判定し、等しくない（ｎｏ）場合はステップＳ１４４にリターンし、描画位置Ｉが描画間隔データ長ＰＬと等しくなるまで処理を繰り返し、等しい（ｙｅｓ）場合は一連の分散処理を終了してリターンする。このような処理をすることによって描画データ分解能による周期性のある誤差によるモアレの発生を解消することが可能となる。
【００４９】
図１６は、分散データの別の例を示す図である。図１４では、誤差Ｅｒｒ１，Ｅｒｒ２に基づいて分散データＰｄを算出する場合を示したが、この変形例では、分散データを描画データ分解能の０．５［μｍ］の範囲で分散するように、分散データＰｄを±０．２５［μｍ］の範囲でランダムにその値が変化するように乱数発生器を用いて、分散データＰｄを発生するようにした。すなわち、このようにして設定され描画位置Ｉの分散データＰｄをＰｄ［Ｉ］として示すと、描画位置Ｉ＝０〜３１までの分散データＰｄ［０］〜Ｐｄ［３１］は、図１６に示す通りである。このように乱数発生器を用いて分散データＰｄを発生することによって、モアレの原因となる誤差Ｅｒｒ１，Ｅｒｒ２は、全く規則性に依存しない分散化した分散データＰｄを生成することができ、モアレの発生を有効に解消することが可能となる。この場合、分散データ部７９に乱数発生器を内蔵することによって実現可能である。また、乱数発生器を用いる場合、描画間隔データ長ＰＬ毎に分散データＰｄの値を変更することによって、よりモアレの発生を抑制することが可能となる。また、この実施の形態によれば、各光ビーム照射領域(描画領域)の各ミラーの描画中心点位置をデジタル値に変換する際に、周期的な偏りが生じないよう分散させて、均一に近い露光量で基板全面に亘って描画することができる。これにより、高品質で高画質な表示用パネルを製造することが可能となる。
【００５０】
図１７〜図２０は、光ビームに係る基板の走査を説明する図である。図１７〜図２０は、８つの光ビーム照射装置２０からの８本の光ビームにより、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示している。図１７〜図２０においては、各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａが破線で示されている。各光ビーム照射装置２０のヘッド部２０ａから照射された光ビームは、Ｙ方向にバンド幅Ｗを有し、Ｘステージ５のＸ方向への移動によって、基板１を矢印で示す方向へ走査する。
【００５１】
図１７は、１回目の走査を示し、Ｘ方向への１回目の走査により、図１７に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。１回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１８は、２回目の走査を示し、Ｘ方向への２回目の走査により、図１８に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。２回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図１９は、３回目の走査を示し、Ｘ方向への３回目の走査により、図１９に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われる。３回目の走査が終了すると、Ｙステージ７のＹ方向への移動により、基板１がＹ方向へバンド幅Ｗと同じ距離だけ移動される。図２０は、４回目の走査を示し、Ｘ方向への４回目の走査により、図２０に灰色で示す走査領域でパターンの描画が行われ、基板１全体の走査が終了する。
【００５２】
複数の光ビーム照射装置２０からの複数の光ビームにより基板１の走査を並行して行うことにより、基板１全体の走査に掛かる時間を短くすることができ、タクトタイムを短縮することができる。なお、図１７〜図２０では、基板１のＸ方向の走査を４回行って、基板１全体を走査する例を示したが、走査の回数はこれに限らず、基板１のＸ方向の走査を３回以下又は５回以上行って、基板１全体を走査してもよい。
【００５３】
以上説明した実施の形態によれば、露光領域の同じ位置の描画データを、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ複数回供給し、複数回供給する描画データの一部を、露光領域の隣接する位置の描画データとして、光ビーム照射装置２０のＤＭＤ駆動回路２７へ供給することにより、パターンのエッジのぎざぎざを目立たなくし、またモアレの発生を抑制して、描画品質を向上させることができる。
【００５４】
本発明の露光装置又は露光方法を用いて基板の露光を行うことにより、パターンのエッジのぎざぎざを目立たなくし、またモアレの発生を抑制して、描画品質を向上させることができるので、高品質な表示用パネル基板を製造することができる。
【００５５】
例えば、図２１は、液晶ディスプレイ装置のＴＦＴ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。薄膜形成工程（ステップＳ１９１）では、スパッタ法やプラズマ化学気相成長（ＣＶＤ）法等により、基板上に液晶駆動用の透明電極となる導電体膜や絶縁体膜等の薄膜を形成する。レジスト塗布工程（ステップＳ１９２）では、ロール塗布法等によりフォトレジストを塗布して、薄膜形成工程（ステップＳ１９１）で形成した薄膜上にフォトレジスト膜を形成する。露光工程（ステップＳ１９３）では、露光装置を用いて、フォトレジスト膜にパターンを形成する。現像工程（ステップＳ１９４）では、シャワー現像法等により現像液をフォトレジスト膜上に供給して、フォトレジスト膜の不要部分を除去する。エッチング工程（ステップＳ１９５）では、ウエットエッチングにより、薄膜形成工程（ステップＳ１９１）で形成した薄膜の内、フォトレジスト膜でマスクされていない部分を除去する。剥離工程（ステップＳ１９６）では、エッチング工程（ステップＳ１９５）でのマスクの役目を終えたフォトレジスト膜を、剥離液によって剥離する。これらの各工程の前又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。これらの工程を数回繰り返して、基板上にＴＦＴアレイが形成される。
【００５６】
また、図２２は、液晶ディスプレイ装置のカラーフィルタ基板の製造工程の一例を示すフローチャートである。ブラックマトリクス形成工程（ステップＳ２０１）では、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、剥離等の処理により、基板上にブラックマトリクスを形成する。着色パターン形成工程（ステップＳ２０２）では、染色法や顔料分散法等により、基板上に着色パターンを形成する。この工程を、Ｒ、Ｇ、Ｂの着色パターンについて繰り返す。保護膜形成工程（ステップＳ２０３）では、着色パターンの上に保護膜を形成し、透明電極膜形成工程（ステップＳ２０４）では、保護膜の上に透明電極膜を形成する。これらの各工程の前、途中又は後には、必要に応じて、基板の洗浄／乾燥工程が実施される。
【００５７】
図２１に示したＴＦＴ基板の製造工程では、露光工程（ステップＳ１９３）において、図２２に示したカラーフィルタ基板の製造工程では、ブラックマトリクス形成工程（ステップＳ２０１）及び着色パターン形成工程（ステップＳ２０２）の露光処理において、本発明の露光装置又は露光方法を適用することができる。
【００５８】
上述の実施の形態では、紫外線硬化樹脂の塗布された基板としてＴＦＴ基板やカラーフィルタ基板を例に説明したが、これ以外に光硬化樹脂の塗布された基板上に、光ビームを空間的光変調器を用いて変調照射することによって光硬化樹脂に所定のパターンを描画するものに適用することが可能である。
【００５９】
なお、本明細書中において、基材とは、板状（通常基板と呼ばれるもの）やフィルム状のものを含む概念である。また、特定の波長の光によって重合や硬化などの化学反応を起こす樹脂とは、フォトレジストなどの紫外線硬化樹脂、スクリーン印刷等の製版に使用される樹脂、ホログラフィーの記録媒体用樹脂、ラピッドプロトタイピングの樹脂などを含むものである。
【００６０】
この実施の形態に係るパターン形成方法及び装置は、印刷（プリンタブル）技術によってフレキシブル基板などに、表示回路あるいは電子部品を作成するプリンタブルエレクトロニクス分野で使用される印刷技術によって基材（基板、フィルムなどの樹脂性のものを含む）に印刷用の版（マスク）をパターンニングする技術分野に応用可能である。また、画像データに応じて変調された光を感光層上に結像させて、該感光層を露光し、パッケージ基材を含むプリント配線基材分野あるいは半導体分野における高精細な永久パターン（保護膜、層間絶縁膜、及びソルダーレジストパターン）を効率よく形成するパターン形成装置にも応用可能である。このような印刷技術で作成される回路としては、例えば、電子ペーパ、電子看板、プリンタブルＴＦＴなどがある。
【００６１】
この実施の形態に係るパターン形成方法は、特定の波長の光によって重合や硬化などの化学反応を起こす樹脂を用いた基材の表面改質の分野にも応用可能である。また、半導体のＳｉ貫通電極（ｔｈｒｏｕｇｈ−ｓｉｌｉｃｏｎ  ｖｉａ、ＴＳＶ）のチップ間の（リペア）配線などのパターンを形成する分野にも応用可能である。
さらに、これ以外にも、印刷の版を作成する装置、輪転機の版作成装置、リソグラフやプリポート等のステンシル印刷又は孔版印刷装置などにも応用可能である。スクリーン印刷等の製版装置、半導体装置のリペア方法及び装置、パッケージ基材を含むプリント配線基材製造装置、フラットパネルディスプレイやプリント基材などの微細な電極パターン、あるいは露光用マスクのパターン作成装置にも応用可能である。
基材には、ウエハ、プリント基材、フラットパネルディスプレイ、マスク、レチクルなど、さらには雑誌、新聞、本の複写に用いられる板型、これらをフィルム状にしたものなどが含まれる。
【符号の説明】
【００６２】
１…基板
１０…チャック
１１…ゲート
１６…Ｙガイド
１７…Ｙステージ
１８…θステージ
１８ａ…モータ
１８ｂ…エンコーダ
２０…光ビーム照射装置
２０ａ…ヘッド部
２１…レーザー光源ユニット
２２…光ファイバー
２３…レンズ
２４…ミラー
２５…ＤＭＤ（Ｄｉｇｉｔａｌ  Ｍｉｃｒｏｍｉｒｒｏｒ  Ｄｅｖｉｃｅ）
２５ａ…ミラー
２６…投影レンズ
２６ａ…光ビーム照射領域
２７…ＤＭＤ駆動回路
３…ベース
３１，３３…リニアスケール
３２，３４…エンコーダ
４…Ｘガイド
４０…レーザー測長システム制御装置
４１…レーザー光源
４２，４４…レーザー干渉計
４３，４５…バーミラー
４６…ハーフミラー
４７，４８…ミラー
５…Ｘステージ
６…Ｙガイド
６０…ステージ駆動回路
７…Ｙステージ
７０…主制御装置
７１…描画制御部
７２…描画データ用メモリ
７３…バンド幅設定部
７４…中心点座標決定部
７５…座標決定部
７６…設計値マップ用メモリ
７７…描画データ作成部
７８…座標分散部
７９…分散データ部
８…θステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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