(57)【要約】    【課題】  高いインダクタンスを有する電子機器搭載基板の提供    【解決手段】  ＩＣチップ搭載部の直下のプリント配線板の裏面にインダクタ部品が実装される。そして、プリント配線板とインダクタ部品間の距離が１５０μｍ以上である。【選択図】  図６
2014154712.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面と前記表面と反対側の裏面と前記表面に形成されていてＩＣチップを搭載するためのパッド群と前記パッド群の直下の前記裏面に形成されているインダクタ部品を搭載するための複数のパッドとを有するプリント配線板と、
前記インダクタ部品を搭載するためのパッドを介して前記プリント配線板に搭載されているインダクタ部品とを有する電子部品搭載基板であって、
前記インダクタ部品を搭載するためのパッドと前記インダクタ部品との間の距離は１５０μｍ以上である。
【請求項２】
請求項１の電子部品搭載基板であって、さらに、前記インダクタ部品を搭載するためのパッドと同じ層に形成されているプレーン層を有し、前記プレーン層は前記インダクタ部品の直上に形成されていて複数に分割されている。
【請求項３】
請求項１の電子部品搭載基板であって、前記インダクタ部品は、第１面と前記第１面と反対側の第２面を有するとともに貫通孔を有する基板と前記基板の第１面上に形成されている第１導体回路と前記基板の第２面上に形成されている第２導体回路と前記貫通孔に形成されていて前記第１導体回路と前記第２導体回路とを接続しているスルーホール導体で形成されていて、前記第１導体回路と前記スルーホール導体と前記第２導体回路でソレノイドコイルが形成されている。
【請求項４】
請求項３の電子部品搭載基板であって、前記基板は磁性粒子と樹脂で形成されている。
【請求項５】
請求項３の電子部品搭載基板であって、前記基板は磁性材料で形成されている。
【請求項６】
請求項１の電子部品搭載基板であって、前記インダクタ部品は、第１のコイル層と第２のコイル層と前記第１のコイル層と前記第２のコイル層との間に形成されている樹脂絶縁層と前記樹脂絶縁層に形成され前記第１のコイル層と前記第２のコイル層とを接続しているビア導体で形成されている。
【請求項７】
請求項６のプリント配線板であって、前記樹脂絶縁層は磁性粒子を含んでいる。
【請求項８】
請求項６のプリント配線板であって、前記インダクタ部品は、さらに、前記樹脂絶縁層と前記第１のコイル層との間に樹脂と磁性粒子とからなる磁性体層を有する。
【請求項９】
請求項１の電子部品搭載基板であって、前記インダクタ部品は、樹脂と磁性粒子とからなる磁性体層で覆われている。
【請求項１０】
請求項１の電子部品搭載基板であって、前記インダクタ部品は、磁性材料で形成されている磁性体膜で覆われている。
【請求項１１】
請求項１の電子部品搭載基板であって、前記プリント配線板の裏面と前記インダクタ部品との間にチップコンデンサが配置されている。
【請求項１２】
請求項１の電子部品搭載基板と
前記電子部品搭載基板を搭載するためのマザーボードとからなる電子機器であって、
前記マザーボードは前記電子部品搭載基板のインダクタ部品を収容するためのキャビティ−を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線板とインダクタ部品とからなる電子部品搭載基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１に開示されているように、ＩＣパッケージに様々な受動部品が実装されている。そして、特許文献１の図１は、ＩＣパッケージにチップ型のコイルを搭載する例を示している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−５３３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の図１では、チップ型のコイルはＩＣチップと同じ面に実装されている。ＩＣチップが大きくなると部品を実装するためのエリアが小さくなるので、ＩＣチップの横にチップ型のコイルを搭載することが難しくなる。また、ＩＣチップの横にチップ型のコイルが実装されると、ＩＣチップとチップ型のコイル間の配線距離が長くなるので、ＩＣチップに安定な電源を供給することが難しくなると考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、ＩＣチップに安定な電源を供給することができる電子部品搭載基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電子部品搭載基板は、表面と前記表面と反対側の裏面と前記表面に形成されていてＩＣチップを搭載するためのパッド群と前記パッド群の直下の前記裏面に形成されているインダクタ部品を搭載するための複数のパッドとを有するプリント配線板と、前記インダクタ部品を搭載するためのパッドを介して前記プリント配線板に搭載されているインダクタ部品とを有する。そして、前記インダクタ部品を搭載するためのパッドと前記インダクタ部品との間の距離は１５０μｍ以上である。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
【図１】本発明の第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図２】図２（Ａ）は第１実施形態のインダクタ部品の平面図、図２（Ｂ）は側面図、図２（Ｃ）はインダクタ部品の模式図。
【図３】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態に係る電子部品搭載基板の断面図。
【図７】第１実施形態に係る電子部品搭載基板の応用例の断面図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の最下の導体層の平面図。
【図９】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１０】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１１】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１２】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１３】第１実施形態に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１４】第１実施形態に係るプリント配線板を示す断面図。
【図１５】第１実施形態の改変例に係る電子部品搭載基板の応用例の断面図。
【図１６】本発明の第２実施形態に係る電子部品搭載基板の断面図。
【図１７】第２実施形態に係る電子部品搭載基板の応用例の断面図。
【図１８】第２実施形態のインダクタ部品の断面図。
【図１９】第２実施形態に係るインダクタ部品の各インダクタパターンを示す平面図。
【図２０】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図２１】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図２２】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図２３】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図２４】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図２５】本発明の第２実施形態の改変例に係る電子部品搭載基板の応用例の断面図。
【図２６】第２実施形態の改変例に係るインダクタ部品の断面図。
【図２７】第２実施形態の改変例に係るインダクタ部品の断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係る電子部品搭載基板３１０の断面が図６に示される。プリント配線板２１０の裏面にインダクタ部品１１０が実装されている。プリント配線板２１０は、第１面（Ｆ）とその第１面と反対側の第２面（Ｓ）とを有するコア基板３３０を有している。図６で、第１面は上側であり第２面は下側である。
【０００９】
コア基板３３０はスルーホール導体用の貫通孔３２８を有する絶縁基板３３と絶縁基板の第１面Ｆ上の第１導体層３３４Ａと絶縁基板の第２面Ｓ上の第２導体層３３４Ｂとスルーホール導体用の貫通孔に形成され第１導体層と第２導体層を接続しているスルーホール導体３３６で形成されている。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。
【００１０】
コア基板３３０の第１面Ｆ上に上側のビルドアップ層が形成されている。上側のビルドアップ層は、コア基板３３０の第１面Ｆ上に形成されている絶縁層（上側の絶縁層）３５０Ａと、その絶縁層３５０Ａ上の導体層（上側の導体層）３５８Ａと、絶縁層３５０Ａを貫通し導体層３５８Ａと第１導体層３３４Ａやスルーホール導体３３６とを接続するビア導体（上側のビア導体）３６０Ａとを有する。
【００１１】
上側のビルドアップ層は、さらに絶縁層３５０Ａ及び導体層３５８Ａ上に形成されている絶縁層（最上の絶縁層）３５０Ｃと、絶縁層３５０Ｃ上の導体層（最上の導体層）３５８Ｃと、絶縁層３５０Ｃを貫通し導体層３５８Ｃと導体層３５８Ａやビア導体３６０Ａとを接続するビア導体（最上のビア導体）３６０Ｃとを有する。
【００１２】
コア基板３３０の第２面Ｓ上に下側のビルドアップ層が形成されている。下側のビルドアップ層は、コア基板３３０の第２面Ｓ上に形成されている絶縁層（下側の絶縁層）３５０Ｂと、その絶縁層３５０Ｂ上の導体層（下側の導体層）３５８Ｂと、絶縁層３５０Ｂを貫通し導体層３５８Ｂと第２導体層３３４Ｂやスルーホール導体３３６とを接続するビア導体（下側のビア導体）３６０Ｂとを有する。
【００１３】
下側のビルドアップ層は、さらに絶縁層３５０Ｂ及び導体層３５８Ｂ上に形成されている絶縁層（最下の絶縁層）３５０Ｄと、絶縁層３５０Ｄ上の導体層（最下の導体層）３５８Ｄと、絶縁層３５０Ｄを貫通し導体層３５８Ｄと導体層３５８Ｂやビア導体３６０Ｂとを接続するビア導体（最下のビア導体）３６０Ｄとを有する。
【００１４】
上側のビルドアップ層上と下側のビルドアップ層上に開口３７１を有するソルダーレジスト層３７０Ｆ、３７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層の開口により露出している導体層３５８Ｃ、３５８Ｄやビア導体３６０Ｃ、３６０Ｄはパッドとして機能する。上側のビルドアップ層に属するパッドはＣ４パッドであり、複数のＣ４パッドでＣ４パッド群が形成されている。パッド上に後述される半田バンプが形成される。パッド上にＮｉ／Ａｕ又はＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの金属膜３７２が形成され、その金属膜上に半田バンプ３７６Ｕ、３７６Ｄ、３７６ＤＤが形成されている。図７に示されるように上側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ３７６Ｕを介してＩＣチップ３９０がプリント配線板２１０に搭載される。下側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ３７６Ｄを介してプリント配線板２１０はマザーボード３８０に搭載される。マザーボード３８０は、インダクタ部品を収容するためのキャビティ３８４を有する。
【００１５】
図６に示されるように、プリント配線板２１０の裏面に半田バンプ３７６ＤＤを介してインダクタ部品１１０が実装されている。インダクタ部品１１０は、第１面ＦＦとその第１面と反対側の第２面ＳＳとを有すると共に貫通孔２２を有する基板２０と基板の第１面上に形成されている第１導体回路５８Ｆと基板の第２面上に形成されている第２導体回路５８Ｓと貫通孔２２に形成されているスルーホール導体３６で形成されている。スルーホール導体３６は第１導体回路５８Ｆと第２導体回路５８Ｓを接続している。第１導体回路５８Ｆとスルーホール導体３６と第２導体回路５８Ｓでソレノイドコイルが形成されている。基板２０の第１面はプリント配線板２１０の裏面と対向している。基板２０は磁性材料で形成されてもよい。基板２０は磁性材料からなる板状の磁性板２００とその磁性板を挟む樹脂で形成されてもよい。インダクタンスやＱ値が高くなる。安定な電源がＩＣチップに供給される。
【００１６】
第１実施形態のプリント配線板は、Ｃ４パッド群の直下であって、プリント配線板の裏面にインダクタ部品１１０を搭載するためのパッドを有する。そのパッドを介してインダクタ部品１１０がプリント配線板に実装される。プリント配線板とインダクタ部品で電子部品搭載基板が形成される。ＩＣチップ直下にインダクタ部品が搭載されるので、ＩＣチップ３９０とインダクタ部品１１０との間の距離が短くなる。伝送損失を軽減することができる。ＩＣチップに安定な電源が供給される。ＩＣチップの各プロセッサコアに安定な電源が供給される。ＩＣチップの誤動作や消費電力が低下する。インダクタ部品はプリント配線板の裏面に搭載されるので、大きなインダクタ部品を実装することができる。大きなＱ値を有するインダクタ部品を実装することができる。高周波における損失が小さくなる。
【００１７】
第１実施形態に係る電子部品搭載基板では、プリント配線板の裏面と、インダクタ部品との間の距離Ｄが１５０μｍ以上離れている。プリント配線板の最下の導体層とインダクタ部品の第１導体回路との間の距離Ｄ１が１５０μｍ以上であることが望ましい。インダクタ部品に電流が流れると、インダクタ部品から発生する磁力線によりプリント配線板の導体層に渦電流が発生することがある。その渦電流は、インダクタ部品から発生する磁力線を打ち消すように発生する。そのため、インダクタ部品のインダクタンスの値やＱ値が下がる。距離Ｄや距離Ｄ１が１５０μｍ以上であると、インダクタンスの値やＱ値が低下し難い。ＩＣチップに安定な電源が供給される。消費電力が減少する。誤動作が防止される。ＩＣチップに瞬時に電源が供給される。
距離Ｄや距離Ｄ１が５００μｍ以下であることが望ましい。距離Ｄや距離Ｄ１が５００μｍを越えると、インダクタ部品からＩＣチップまでの距離が長くなるので、ＩＣチップに供給される電源にノイズが含まれやすい。ＩＣチップに誤動作が発生しやすい。さらに、距離Ｄ、Ｄ１は３００μｍ以下であることが望ましい。電子部品搭載基板や電子機器の厚みが薄くなる。
【００１８】
図８は、インダクタ部品と対向している部分のプリント配線板の最下の導体層３５８Ｄを示している。図８は、最下の導体層３５８Ｄの一部を示している平面図である。インダクタ部品と対向している導体層３５８Ｄは、プレーン層（plane layer）３５８ＤＰである。プレーン層は、グランドプレーン（ground plane）、または、パワープレーン（power plane）である。図８に示されているようにインダクタ部品と対向しているプレーン層（インダクタ部品直上のプレーン層）は複数に分割されていることが好ましい。図８では、インダクタ部品直上のプレーン層は、プレーン層３５８ＤＰ１とプレーン層３５８ＤＰ２に分割されている。分割されているプレーン層の間にスペース３５９Ｄが形成されている。プレーン層の中に、ビア導体３６０Ｄのビアランド（via land）３６０ＤＬと該ビアランドに接続されている配線３５８ＤＬが形成されても良い。ビアランド３６０ＤＬとプレーン層の間や配線３５８ＤＬとプレーン層との間にスペース３５９Ｄが形成されている。インダクタ部品直上のプレーン層を分割することで、インダクタンスの値やＱ値の低下が抑制される。その理由はインダクタ部品からの磁束による渦電流の影響が小さくなるからと考えられる。なお、シミュレーションの結果によれば、インダクタ部品直上のプレーン層は２つに分割されることが最適である。例えば、ビアランド３６０ＤＬ上に半田バンプ３７６ＤＤが形成される。
【００１９】
図２（Ｂ）は、第１実施形態に係るインダクタ部品の断面図であり、図２（Ａ）はインダクタ部品の基板の第１面と第１導体回路を示している平面図である。図２（Ｃ）は第１導体回路とスルーホール導体と第２導体回路で形成されているコイルを模式的に示している。
図６に示されているインダクタ部品１１０は、基板２０と、第１導体回路５８Ｆと、第２導体回路５８Ｓと、第１導体回路５８Ｆと第２導体回路５８Ｓを接続するスルーホール導体３６と、第１導体回路と基板の第１面上に形成されている第１ソルダーレジスト層７０Ｆと、第２導体回路と基板の第２面上に形成されている第２ソルダーレジスト層７０Ｓで形成されている。第１ソルダーレジストは第１導体回路を露出する開口７１Ｆを有している。開口の数は２つであって、１つの開口により、入力電極ＩＤが露出され、別の開口で出力電極ＯＤが露出される。入力電極を介して、電源からの電力がインダクタ部品に入り、出力電極を通って負荷であるＩＣチップやＬＳＩに伝達される。第２ソルダーレジスト層は開口を有していない。図２に示されている基板２０はガラスクロスなどの補強材とエポキシなどの樹脂を含み磁性を有していない。基板は磁性材料で形成されてもよい。
第１導体回路５８Ｆは、スルーホール導体３６の直上に形成されるスルーホールランド５８ＦＲと、スルーホールランド５８ＦＲとスルーホールランド５８ＦＲとを接続する配線５８ＦＬとから成る。第２導体回路５８Ｓは、スルーホール導体３６の直下に形成されるスルーホールランド５８ＳＲと、スルーホールランド５８ＳＲとスルーホールランド５８ＳＲとを接続する配線５８ＳＬとから成る。図２（Ｃ）に示されるようにスルーホール導体とスルーホール導体間の第１導体回路５８Ｆと第２導体回路５８Ｓでソレノイドコイルが形成されている。図２（Ｃ）等に示されているコイルは回転しながら基板の第１面と平行な方向に進んでいる。第１実施形態のコイルはヘリカルコイルを含む。
【００２０】
図１（Ａ）は、図６のインダクタ部品を示している。図１（Ａ）では、基板２０が３つのシート２００、５０Ｆ、５０Ｓで形成されている。それ以外、図１（Ａ）のインダクタ部品と図２（Ｂ）のインダクタ部品は同様である。中心のシート２００は第１面と第１面と反対側の第２面を有し、磁性材料で形成されていて、磁性材料からなるシート２００を挟んでいるシート５０Ｆ、５０Ｓはエポキシなどの樹脂とシリカ等の無機粒子で形成されている。シート２００の第１面上に第１樹脂絶縁層が形成されている。シート２００の第２面上に第２樹脂絶縁層が形成されている。シート５０Ｆは第１樹脂絶縁層であり第２シートは第２樹脂絶縁層である。図１（Ａ）では、スルーホール導体は第１樹脂絶縁層と磁性材料からなるシートと第２樹脂絶縁層を貫通している。そして、第１導体回路は第１樹脂絶縁層上に形成されていて、第２導体回路は第２樹脂絶縁層上に形成されている。プリント配線板の技術で磁性材料からなるシート上に直接導体回路を形成することは難しいが、樹脂絶縁層上に導体回路を形成することは容易である。基板と導体回路間で剥がれが発生しがたい。
【００２１】
図１（Ｂ）に示されているインダクタ部品は図１（Ａ）に示されているインダクタ部品の改良例である。図１（Ａ）に示されているインダクタ部品では、第１樹脂絶縁層上に配線５８ＦＬとスルーホールランド５８ＦＲとからなる第１導体回路が形成されていて、第２樹脂絶縁層上に配線５８ＳＬとスルーホールランド５８ＳＲとからなる第２導体回路が形成されているが、図１（Ｂ）に示されているインダクタ部品では、第１樹脂絶縁層上にスルーホールランド５８ＦＲが形成されていて、第２樹脂絶縁層上にスルーホールランド５８ＳＲが形成されている。図１（Ｂ）に示されているインダクタ部品では、第１樹脂絶縁層上に配線５８ＦＬが形成されておらず、第２樹脂絶縁層上に配線５８ＳＬが形成されていない。第１樹脂絶縁層とスルーホールランド５８ＦＲ上に第３樹脂絶縁層１５０Ｆが形成されている。そして、第３樹脂絶縁層上に第３樹脂絶縁層に形成されているビア導体（第１ビア導体）１６０Ｆのランド１６０ＦＲと隣接するビア導体を繋ぐ配線５８ＦＬが形成されている。ビア導体のランド１６０ＦＲと配線５８ＦＬで第１導体回路が形成されている。図１（Ａ）、図１（Ｂ）と図２（Ｂ）で配線５８ＦＬは同様である。ビア導体１６０Ｆはスルーホールランド５８ＦＲの直上に形成されている。第３樹脂絶縁層に形成されているビア導体の内、１つのビア導体はコイルの一端に繋がっていて、別のビア導体はコイルの他端に繋がっている。それらの内、一方が入力電極として機能し、もう一方が出力電極として機能する。第２樹脂絶縁層とスルーホールランド５８ＳＲ上に第４樹脂絶縁層１５０Ｓが形成されている。そして、第４樹脂絶縁層上に第４樹脂絶縁層に形成されているビア導体（第２ビア導体）１６０Ｓのランド１６０ＳＲと隣接するビア導体を繋ぐ配線５８ＳＬが形成されている。ビア導体のランド１６０ＳＲと配線５８ＳＬで第２導体回路が形成されている。図１（Ａ）、図１（Ｂ）と図２（Ｂ）で配線５８ＳＬは同様である。ビア導体１６０Ｓはスルーホールランド５８ＳＲの直上に形成されている。第３樹脂絶縁層と第１導体回路上に入力電極や出力電極を露出するための開口７１Ｆを有するソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。第４樹脂絶縁層と第２導体回路上にソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｓは開口を有していない。図１（Ｂ）のインダクタ部品では、スルーホール導体とスルーホール導体を挟むビア導体で電力は、シート２００の第1面に垂直な方向に伝送され、第１導体回路と第２導体回路でシート２００の第１面に平行な方向に伝送される。第１導体回路と第１ビア導体とスルーホール導体と第２ビア導体と第２導体回路でソレノイドコイルが形成される。コイルの半径が大きくなるのでインダクタンスが大きくなる。
図１（Ａ）では、基板の裏表に第１や第２導体回路が形成されている。それに対し、図１（Ｂ）では、基板は樹脂絶縁層で挟まれていて、第１や第２導体回路は樹脂絶縁層上に形成されている。
【００２２】
図２７は図１（Ｂ）の改良例である。この例では、コイルの一端と他端以外にビア導体が形成されていない。第３樹脂絶縁層上にそれらのビア導体と接続する配線を形成することができる。そして、配線の一部を入力電極や出力電極として使用することが出来る。出力電極や入力電極の位置を自由に変更することができる。図２７のインダクタ部品は第４樹脂絶縁層にビア導体を形成する必要がない。第４樹脂絶縁層を削除することができる。図２７のインダクタ部品は第３樹脂絶縁層上にソルダーレジスト層（第１ソルダーレジスト層）７０Ｆが形成されていて、第４樹脂絶縁層上にソルダーレジスト層（第２ソルダーレジスト層）７０Ｓが形成されている。第１ソルダーレジスト層は出力電極や入力電極を露出するための開口７１Ｆを有している。第２ソルダーレジスト層は開口を有していない。
【００２３】
インダクタ部品の基板に形成されているスルーホール導体用の貫通孔はめっきで充填さてもよい。スルーホール導体用の貫通孔の内壁にスルーホール導体３６が形成され、スルーホール導体の内側に充填樹脂４６が充填されてもよい。
【００２４】
図１や図２などに示されている第１実施形態のインダクタ部品の基板２０やシート２００が磁性体であると、ソレノイドコイルやヘリカルコイルが磁性体の周りに形成される。そのため、インダクタ部品のインダクタンスが高くなる。同様に、基板が板状の磁性体とそれを挟む樹脂絶縁層で形成されると、インダクタ部品のインダクタンスが高くなる。この場合、樹脂絶縁層上に第１と第２導体回路などの導体が形成されるので、導体回路が基板から剥がれ難い。
図１や図２に示されているインダクタ部品のソルダーレジスト層は樹脂と磁性粒子で形成されても良い。ソレノイドコイルの上下に磁性粒子を含む樹脂層が形成されるので、磁束の漏れが抑制される。インダクタ部品のインダクタンスの値やＱ値の低下が抑制される。
【００２５】
[第１実施形態のインダクタ部品の製造方法]
図３〜図６に第１実施形態のインダクタ部品の製造方法が示される。
第１面Ｆ１と第１面と反対側の第２面Ｓ１を有する磁性シート２００が準備される（図３（Ａ））。磁性シートの厚さは０．２mm〜０．８mmである。磁性シートは、樹脂と磁性粒子で形成されている。磁性粒子は樹脂中に分散されている。磁性シートの代わりに板状の磁性体が準備されてもよい。磁性体は磁性材料で形成されている。磁性シート２００に開口２２が形成される（図３（Ｂ））。開口２２の大きさは後述されるスルーホール導体の径より大きく、開口の中にスルーホール導体が形成される。磁性シート２００の平面図が図３（Ｃ）に示されている。
【００２６】
磁性シート２００の第１面Ｆ１上に第１樹脂絶縁層５０Ｆ用のフィルムと銅箔４８が積層される。磁性シート２００の第２面Ｓ上に第２樹脂絶縁層５０Ｓ用のフィルムと銅箔４８が積層される。その後、加熱プレスにより、磁性シートの第１面Ｆ１上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成され、磁性シートの第２面Ｓ１上に樹脂絶縁層５０Ｓが形成される。同時に、開口に充填樹脂２４が充填される（図４（Ａ））。開口を樹脂絶縁層用フィルムの樹脂で充填することで充填樹脂２４が形成される。
レーザ又はドリルで、充填樹脂と充填樹脂を挟む樹脂絶縁層にスルーホール導体用の貫通孔２６が形成される（図４（Ｂ））。銅箔４８上、及び、貫通孔２６の内壁に無電解めっき及び電解めっきから成るめっき膜５２が形成される。貫通孔２６を充填しているめっき膜５２がスルーホール導体３６を構成する（図４（Ｃ））。
【００２７】
めっき膜５２上にエッチングレジスト５４が形成され（図５（Ａ））、エッチングレジストから露出するめっき膜５２と銅箔４８が除去される。エッチングレジストが除去される。第１導体回路５８Ｆと第２導体回路５８Ｓが形成される（図５（Ｂ））。樹脂絶縁層５０Ｆ及び第１導体回路５８Ｆ上にコイルの入力電極や出力電極を露出するための開口を有する第１ソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、樹脂絶縁層５０Ｓ及び第２導体回路５８Ｓ上に第２ソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図５（Ｃ））。第２ソルダーレジスト層は開口を有していない。第１と第２ソルダーレジスト層は樹脂と磁性粒子で形成されている。
インダクタ部品の基板は磁性を有しなくても良く、エポキシ等の樹脂とガラスクロスなどの補強材で形成されていても良い。
ソルダーレジスト層は、磁性を有していないシリカ等の粒子とエポキシ等の樹脂で形成されていてもよい。
インダクタ部品が完成する（図５（Ｃ））。第１実施形態のインダクタ部品は、プリント配線板と同様な製造方法で製造されるので、製造が容易である。
ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆから露出する入力電極や出力電極上に、ニッケル層と金層が形成されている（図示なし）。
【００２８】
引き続き、図６に示されているプリント配線板１０の製造方法が図９〜図１４を参照して説明される。
（１）厚さ０．１５ｍｍのガラスエポキシ樹脂またはＢＴ（ビスマレイミドトリアジン）樹脂からなる絶縁基板３３０と絶縁基板の両面にラミネートされている銅箔３２２とからなる銅張積層板３２０Ａが出発材料である（図９（Ａ））。銅箔の厚みは３μｍ〜１５μｍである。絶縁基板は第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓとを有する。
【００２９】
（２）絶縁基板３３０の第１面Ｆ側から絶縁基板にＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板３３０の第１面Ｆ側にスルーホール導体用貫通孔を形成するための第１開口部３２８ａが形成される（図９（Ｂ））。ここで、第１開口部３２８ａは、第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパしている。
【００３０】
（３）絶縁基板３３０の第２面Ｓ側から絶縁基板にＣＯ２レーザが照射される。絶縁基板の第２面側に第１開口部３２８ａに繋がる第２開口部３２８ｂが形成される。第１開口部と第２開口部でスルーホール導体用貫通孔３２８が形成される（図９（Ｃ））。ここで、第２開口部３２８ｂは第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパしている。
【００３１】
（４）スルーホール導体用貫通孔３２８の内壁と出発材料の表面に無電解めっき処理により無電解めっき膜３３１が形成される（図１０（Ａ））。
【００３２】
（５）無電解めっき膜３３１上にめっきレジスト３４０が形成される（図１０（Ｂ））。
【００３３】
（６）電解めっき処理により、めっきレジスト３４０から露出する無電解めっき膜３３１上に電解めっき膜３３２が形成される。同時に、貫通孔３２８が電解めっき膜で充填される。スルーホール導体３３６が形成される（図１０（Ｃ））。
【００３４】
（７）めっきレジスト３４０が除去される。電解めっき膜から露出する無電解めっき膜３３１と銅箔３２２がエッチングにより除去される。第１や第２導体層３３４Ａ、３３４Ｂ及びスルーホール導体３３６が形成され、コア基板３３０が完成する（図１１（Ａ））。
【００３５】
（８）コア基板３３０の両面に上側と下側の絶縁層３５０Ａ、３５０Ｂが形成される（図１１（Ｂ）参照）。
【００３６】
（９）次に、ＣＯ２ガスレーザにて絶縁層３５０Ａ、３５０Ｂにビア導体用の開口３５１が形成される（図１１（Ｃ）参照）。
【００３７】
（１０）開口３５１の内壁と絶縁層３５０Ａ、３５０Ｂ上に無電解めっき膜３５２が形成される（図１１（Ｄ））。
【００３８】
（１１）無電解めっき膜３５２上にめっきレジスト３５４が形成される（図１２（Ａ））。
【００３９】
（１２）電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜３５６が形成される（図１２（Ｂ）参照）。
【００４０】
（１３）めっきレジスト３５４が５％ＮａＯＨで除去される。電解めっき膜３５６から露出する無電解めっき膜３５２がエッチングにて除去される。無電解めっき膜３５２と電解めっき膜３５６とからなる上側と下側の導体層３５８Ａ、３５８Ｂ及び上側と下側のビア導体３６０Ａ、３６０Ｂが形成される（図１２（Ｃ））。
【００４１】
（１４）上記（８）〜（１３）と同様の工程で、最上と最下の絶縁層３５０Ｃ、３５０Ｄと最上と最下の導体層３５８Ｃ、３５８Ｄと最上と最下のビア導体３６０Ｃ、３６０Ｄが形成される（図１３（Ａ））。上側と下側のビルドアップ層が完成する。最下の導体層はマザーボードと接続するためのパッドとインダクタ部品を実装するためのパッドを有する。最上の導体層はＩＣチップを搭載するためのパッド（Ｃ４パッド）を有する。複数のＣ４パッドでＣ４パッド群が形成されている。Ｃ４パッド群の直下にインダクタ部品を実装するためのパッドが形成されている。マザーボードと接続するためのパッドＰａ１の大きさＰＡ１は、インダクタ部品を実装するためのパッドＰａ２の大きさＰＡ２より大きいことが好ましい。パッドＰａ１とパッドＰａ２上に同じ半田ボールが搭載されてもパッドＰａ２上の半田バンプの高さが高くなる。インダクタ部品を搭載するための半田バンプの高さがマザーボードと接続するための半田バンプの高さより高くなる。インダクタ部品とプリント配線板間の距離が長くなる。
【００４２】
（１５）上側と下側のビルドアップ層上にパッドを露出するための開口を有する上側と下側のソルダーレジスト層３７０Ｆ、３７０Ｓが形成される（図１３（Ｂ））。
【００４３】
（１６）パッド上にニッケルめっき層が形成される。ニッケルめっき層上に、金めっき層が形成される（図１３（Ｃ））。パッド上にパラジウム層とパラジウム層上の金層とからなる金属膜３７２が形成されても良い。プリント配線板２１０が完成する。
【００４４】
（１７）パッド上に半田ボールが搭載され、リフローが行われる。上側のビルドアップ層上に半田バンプ（Ｃ４バンプ）３７６Ｕが形成される。下側のビルドアップ層上に半田バンプ３７６Ｄ、バンプ３７６ＤＤが形成される。半田バンプを有するプリント配線板２１００が完成する（図１４）。半田バンプ３７６Ｄを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。半田バンプ（インダクタ部品実装用半田バンプ）３７６ＤＤを介してプリント配線板にインダクタ部品が実装される（図６）。電子部品搭載基板３１０が完成する。パッドＰａ２上の半田バンプの高さはパッドＰａ１上の半田バンプの高さより高いことが好ましい。インダクタ部品とプリント配線板との間の距離が確保される。
【００４５】
Ｃ４バンプ３７６Ｕを介してＩＣチップ３９０がプリント配線板２１０へ実装される。そして、プリント配線板の半田バンプ３７６Ｄを介してプリント配線板がマザーボード３８０に搭載される。
図７に示されているようにマザーボードはインダクタ部品を収容するためのキャビティ３８４を有する。そのため、インダクタ部品が実装されているプリント配線板がマザーボード３８０に搭載されても電子部品搭載基板とマザーボードで形成されている電子機器４１０の厚みが薄くなる。インダクタ部品とマザーボードとの間の距離Ｚは１５０μｍ以上であることが好ましい。インダクタ部品の第２導体回路とインダクタ部品と対向していてインダクタ部品に最も近いマザーボードの導体層との間の距離は１５０μｍ以上であることが好ましい。インダクタ部品のインダクタンスの値やＱ値が低下しない。
マザーボードはインダクタ部品を収容するための開口３８５を有しても良い（図１５）。図１５では、インダクタ部品を収容するための開口３８５はマザーボード３８０を貫通している。
インダクタ部品の側壁とマザーボードとの間の距離Ｙは１５０μｍ以上であることが好ましい。インダクタ部品のインダクタンスの値やＱ値が低下しない。
インダクタ部品の側壁が磁性体膜または磁性体層で覆われることが好ましい。磁性体膜は磁性材料で形成されている。インダクタ部品のインダクタンスの値やＱ値が低下しない。距離Ｙや距離Ｚは５００μｍ以下であることが好ましく、電子機器の大きさが小さくなる。
【００４６】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係る電子部品搭載基板３１０の断面が図１６に示される。
プリント配線板２１０は、第１実施形態と同様である。プリント配線板２１０の裏面に実装されるインダクタ部品１１０は、インダクタパターン１５８Ｇ、１５８Ｅと樹脂層１５０Ｇ、１５０Ｅで形成されていて、インダクタパターンと樹脂層が交互に積層されている。なお、第２実施形態のプリント配線板では、第１実施形態と同様に、プリント配線板の裏面とインダクタ部品との間の間隔Ｄは１５０μｍ以上である。第１実施形態と同様にインダクタ部品のインダクタパターンとプリント配線板の導体層間の距離Ｄ１は１５０μｍ以上である。ここで、第１実施形態と第２実施形態の距離Ｄ１はプリント配線板内の最下の導体層とその最下の導体層に最も近いインダクタ部品内の回路間の距離である。第２実施形態では、インダクタ部品内の回路はインダクタパターンである。第１実施形態では、回路はインダクタ部品内のソレノイドコイルを形成している導体回路であって、入力電極や出力電極は除かれる。
また、距離Ｄや距離Ｄ１は、第１実施形態と同様に５００μｍ以下であることが好ましい。更に、距離Ｄや距離Ｄ１は３００μｍ以下であることが好ましい。
【００４７】
第２実施形態に係る電子部品搭載基板では、プリント配線板の裏面とインダクタ部品との間に、磁性粒子を含む樹脂からなるアンダーフィル１９０が充填されている。第１実施形態の電子部品搭載基板に同様なアンダーフィルを形成してもよい。磁性粒子を含む樹脂がインダクタ部品の外周を覆っても良い。インダクタ部品の磁束密度が高まり、インダクタンスの値が高くなる。
【００４８】
図１７は、第２実施形態に係るプリント配線板の応用例を示す。上側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ３７６Ｕを介してＩＣチップ３９０がプリント配線板２１０に搭載される。下側のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ３７６Ｄを介してプリント配線板２１０はマザーボード３８０に搭載される。マザーボード３８０にインダクタ部品を収容するためのキャビティ３８４が形成されている。第２実施形態のインダクタ部品は基板を有していない。そのため、第２実施形態の電子部品搭載基板や電子機器の厚みは第１実施形態よりも薄くなる。
【００４９】
第２実施形態のインダクタ部品１１０の拡大図が図１８に示される。
第２実施形態のインダクタ部品１１０は、最下の樹脂層（支持層）１５０Ｇと、樹脂層１５０Ｇ上に形成されている第１のインダクタパターン１５８Ｇと、第１のインダクタパターン１５８Ｇと最下の樹脂層１５０Ｇ上に形成されている第１樹脂層１５０Ｅと、第１樹脂層１５０Ｅ上に形成されている第２のインダクタパターン１５８Ｅと、第１樹脂層を貫通し第１のインダクタパターンと第２のインダクタパターンとを接続している第１のビア導体１６００１を有する。インダクタ部品は、さらに、第１のインダクタパターンの一部を露出するための開口を有し、第１のインダクタパターン上に形成されている磁性体層（第１の磁性体層）１７４Ｅを有する。この場合、第１の磁性体層は第１樹脂層と第１のインダクタパターンで挟まれる。第１のビア導体は第１樹脂層を貫通している。インダクタ部品のＱ値やインダクタンスの値が高くなる。
インダクタ部品は、さらに、第１のインダクタパターンと磁性体層との間に絶縁膜１７５Ｇを有しても良い。この場合、第１のビア導体は第１樹脂層と絶縁膜１７５Ｇを貫通している。磁性体層とインダクタパターン間の剥がれが防止される。
第１の磁性体層１７４Ｅの開口内に第１のビア導体は形成されている。第１のビア導体は第１の磁性体層と接しないことが好ましい。インダクタ部品内のビア導体が磁性体層を貫通していないので、ビア導体とインダクタパターン間の接続信頼性が向上する。最下の樹脂層は必須でない。第１のインダクタパターンまたは第２のインダクタパターンは入力電極や出力電極を有する。
インダクタパターンの一部が電極を形成し、電極を有するインダクタパターン上に磁性体層や磁性体膜が形成される時、磁性体層や磁性体膜は電極を露出するための開口を有する。プリント配線板とインダクタ部品間の接続信頼性が高くなる。インダクタ部品のインダクタンスの値やＱ値の低下が防止される。
図２６に示されるように、第１のインダクタパターンの表裏に磁性体層１７４Ｅ、１７４ＥＥが形成され、第２のインダクタパターンの上面に電極を露出するための開口を有する磁性体層が形成されることが好ましい。薄くて高いＱ値を有するインダクタ部品が得られる。
【００５０】
絶縁膜１７５Ｇは、樹脂と無機粒子とを含んでいる。絶縁膜１７５Ｇを構成する樹脂としてエポキシ樹脂、フェノール樹脂、ポリオレフィン樹脂等が挙げられる。無機粒子としてシリカ、アルミナ等が挙げられる。
【００５１】
磁性体層１７４Ｅは、樹脂と磁性粒子とを含んでいる。磁性体層１７４Ｅを構成する樹脂としてエポキシ樹脂、フェノール樹脂、シクロオレフィン樹脂等が挙げられる。磁性体層１７４Ｅに含まれる磁性粒子として鉄、ニッケル、コバルト、パーマロイ、マグネタイト等が挙げられる。
【００５２】
第１樹脂層などの樹脂層や絶縁膜１７５Ｇを形成する樹脂は、上述の磁性体層１７４Ｅに含有される樹脂と同じ材料から形成されることが好ましい。これにより、磁性体層１７４Ｅと絶縁膜１７５Ｇとの密着性が向上する。磁性体層１７４Ｅと樹脂層との密着性が向上する。更に、絶縁膜１７５Ｇの熱膨張係数と磁性体層の熱膨張係数とが等しくなるように、磁性体層と絶縁膜１７５Ｇ中の粒子の量が調整されることが望ましい。熱膨張差に起因するクラックの発生を抑えることができる。同様に、樹脂層と絶縁膜１７５Ｇ中の粒子の量が調整されることが望ましい。各層に含まれる粒子の量は３０Ｖｏｌ％から６０Ｖｏｌ％である。
【００５３】
第１のインダクタパターン１５８Ｇを電解めっき膜で形成することができる。その他、第１のインダクタパターンを銅箔５３５と銅箔５３５上の無電解めっき膜５３７と無電解めっき膜５３７上の電解めっき膜５３９で形成することができる。第２のインダクタパターン１５８Ｅは、第１樹脂層１５０Ｅ上の無電解めっき膜１５４と無電解めっき膜１５４上の電解めっき膜１５６で形成されている。第２のインダクタパターン１５８Ｅは、さらに、第１樹脂層と無電解めっき膜との間に金属箔１５２を有しても良い。
【００５４】
磁性体層１７４Ｅは、開口１７４Ｅａを有している。開口の内部には樹脂層（第２樹脂層）１５０ＥＥが充填されている。本実施形態では、この第２樹脂層１５０ＥＥは、第１樹脂層１５０Ｅの一部である。すなわち、第１樹脂層１５０Ｅが開口１７４Ｅａの内部に入り込んでいる。
【００５５】
第１樹脂層１５０Ｅは、開口１７４Ｅａから露出するインダクタパターン１５８Ｇに至るビア導体用の開口１５０Ｅａを有している。開口１５０Ｅａの内部には、無電解めっき膜１５４とその上の電解めっき膜１５６とからなるビア導体１６００１が形成されている。このビア導体１６００１により、インダクタパターン１５８Ｇとインダクタパターン１５８Ｅとが接続されている。
【００５６】
インダクタパターン１５８Ｅ上に絶縁膜１７５Ｅと磁性体層１７４Ｃが順次形成されている。絶縁膜は無くても良い。磁性体層と絶縁膜はインダクタパターン（最上のインダクタパターン）１５８Ｅの電極を露出する開口１７４Ｃａを有する。その開口から露出する電極にプリント配線板の半田バンプ３７６ＤＤが接続する。絶縁膜１７５Ｅと磁性層の代わりにソルダーレジスト層が形成されてもよい。
【００５７】
第２実施形態では、磁性粒子を含む樹脂から成る磁性体層１７４Ｅが異なる層に位置するインダクタパターンの間に形成されているので、透磁率が増大する。これによりインダクタパターンの層数が少なくても、第２実施形態のインダクタ部品によれば、所望のインダクタンスの値やＱ値を得ることができる。
【００５８】
また、インダクタ部品内のビア導体１６００１は、磁性体層１７４Ｅの開口１７４Ｅａを充填している充填樹脂（第２樹脂層）１５０ＥＥと充填樹脂１５０ＥＥ上の第１樹脂層を貫通している。インダクタパターン１５８Ｅ、１５８Ｇ同士を接続するビア導体１６００１の側面が、磁性体層と接触せず、樹脂層とのみ接している。ビア導体の接続信頼性を高くすることができる。磁性体層は磁性粒子を含むため、ビア導体と磁性体層間の密着強度が弱い。それに対し、充填樹脂と第１樹脂層は磁性粒子を含まないので、ビア導体と樹脂間の密着強度が強い。また、磁性体層を樹脂層と絶縁膜で挟むことで、磁性体層とインダクタパターンが直接接触しない。そのため、インダクタパターンと磁性体層間で剥がれが発生しがたい。接続信頼性が向上する。
【００５９】
絶縁膜１７５Ｇ、１７５Ｅの厚みは、０．５〜１０μｍである。インダクタパターンと磁性体層が所定の距離（０．５〜１０μｍ）離れることで、距離の二乗に反比例する電磁力が弱くなる。そのため、インダクタパターンの表面に発生する渦電流が小さくなる。渦電流よるインダクタパターンの抵抗の増加が小さくなる。そのため、インダクタ部品のＱ値が小さくならない。絶縁膜の厚みが０．５μｍ未満であると、渦電流を小さくすることができない。絶縁膜の厚みが１０μｍを越えると、インダクタパターンと磁性体層との間の距離が大きくなる。そのため、磁性体層によるインダクタンスの値の増加の効果が小さくなる。インダクタパターン上に磁性体層が直接形成されると、渦電流によるＱ値の低下が予想されるが、第２実施形態では、絶縁膜を介在させることで、Ｑ値の低下を防ぐことができる。
【００６０】
インダクタパターンの表面に粗面を形成することができる。インダクタパターン上に形成される絶縁膜や磁性体層や樹脂層との剥がれが防止される。粗面によりインダクタパターン上に直接磁性体層を形成することができる。インダクタンスの値が大きくなる。
【００６１】
インダクタ部品のインダクタパターンの例が図１９に示されている。
図１７に示されている半田バンプ３７６ＤＤが、入力側の第２のインダクタパターン（入力側の最上のインダクタパターン）１５８Ｅ１の電極（入力電極）１５８Ｅ１Ｉに接続され、電源からの電力がインダクタ部品に入る。そして、電流は反時計回りに略半周流れて、入力側の第２のインダクタパターン１５８Ｅ１の出力接続部Ｖ４Ｏに至る（図１９（Ａ））。入力側の第２のインダクタパターン１５８Ｅ１は、ビア導体１６００１を介して第１のインダクタパターン（最下のインダクタパターン）１５８Ｇの入力パッドＰ１Ｉに接続される。電流は反時計回りに略１周流れて第１のインダクタパターンの出力ビアパッドＰ１Ｏに至る（図１９（Ｂ））。出力ビアパッドＰ１Ｏ上のビア導体１６００１を介して出力側の第２のインダクタパターン１５８Ｇ２の入力接続部Ｖ４Ｉに至る（図１９（Ａ））。その後、電流は反時計回りに略半周流れて、出力側の第２のインダクタパターン１５８Ｅ２の出力電極１５８Ｅ２Ｏに至る。図１９（Ａ）、（Ｂ）に示されている２つのインダクタパターンで１つの積層コイルが形成される。１つの積層コイルが完成する。入力電極や出力電極はインダクタパターンの一端に形成されている。入力電極や出力電極はプリント配線板の半田バンプ３７６ＤＤに繋がる。電源からの電力が、半田バンプ３７６ＤＤと入力電極を介してインダクタ部品に入る。そして、その電力は、インダクタ部品と出力電極と半田バンプ３７６ＤＤを介してプリント配線板に戻る。さらに、その電力はＩＣチップに至る。
【００６２】
インダクタ部品が複数の積層コイルで形成されている時、第２の出力側のインダクタパターン１５８Ｅ２は入力接続部Ｖ４Ｉと反対側の端に形成されている接続配線Ｌ１０に繋がっている（図１９（Ｃ））。接続配線Ｌ１０により複数の積層コイルは並列もしくは直列で接続される。
並列で複数の積層コイルが繋げられる場合、各積層コイルは共通な出力電極１５８ＧＤＣＯに接続配線で繋げられる（図１９（Ｃ））。もしくは、各積層コイルが出力電極を有し、それらがプリント配線板内で繋げられる。
直列で複数の積層コイルが繋げられる場合、最初の積層コイルが入力電極を有し、最後の積層コイルが出力電極を有する。各積層コイルは接続配線で直列に繋げられる。
抵抗が低くなるので並列が好ましい。
【００６３】
第２実施形態では、積層コイルは隣接する同形状の積層コイルと接続配線Ｌ１０を介して接続される。第２実施形態のインダクタ部品１１０は、２個の積層インダクタで形成されている。図１９（Ｃ）では、２つの積層コイルは並列で繋がっている。この場合、半田バンプ３７６ＤＤは入力電極１５８Ｅ１Ｉと共通な出力電極１５８ＧＤＣＯと接続する。
各積層コイル同士は、下側のビルドアップ層内の導体パターンで並列に接続されていてもよい。複数のインダクタが並列で繋げられると、各インダクタに流れる電流が分散される、その結果、インダクタ単体における抵抗が低くなり、特性（Ｑ値）が向上すると考えられる。
インダクタ部品のインダクタパターンはプリント配線板と別に製造される。そのため、インダクタパターンの厚みを厚くすることでインダクタ部品の抵抗を小さくすることが出きる。
【００６４】
樹脂層の層数やインダクタパターンの層数を調整することでインダクタ部品の厚みが調整される。
【００６５】
図２０〜図２４は第２実施形態のインダク部品の製造工程を示す。
（磁性粒子を含むペースト材の作成）
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７など）８５ｇと酸化鉄（III）などの磁性粒子が添加され、ペースト材料が調製される。磁性粒子の例として、クロム酸化鉄（フェリクロム）、コバルト酸化鉄、バリウムフェライトなどが挙げられる。
【００６６】
市販の両面銅張り積層板５３０と銅箔５３４Ａ、５３４Ｂが準備され、両面銅張り積層板の両面に銅箔が積層される。超音波で銅箔の外周部と支持板としての両面銅張り積層板５３０の外周部が接合される（図２０（Ａ））。図２０（Ａ）では接合部は５３６Ａ、５３６Ｂで示されている。銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ上に支持層用のフィルムが積層される。このフィルムは、表面に銅箔５３５を有している。
その後、そのフィルムを硬化することで最下の樹脂層１５０Ｇが形成される（図２０（Ｂ））。
【００６７】
続いて、銅箔５３５上に無電解めっき膜５３７と電解めっき膜５３９が順次形成される（図２０（Ｃ））。電解めっき膜５３９上にエッチングレジスト５４１が形成される（図２０（Ｄ））。そして、エッチングレジストから露出する銅箔５３５、無電解めっき膜５３７及び電解めっき膜５３９がエッチング液を用いて除去される。支持層１５０Ｇ上にインダクタパターン１５８Ｇが形成される（図２１（Ａ））。
図２１（Ｂ）はインダクタパターン１５８Ｇの平面図であり、図２１（Ａ）は図２１（Ｄ）のＧ１とＧ２間の断面図である。
【００６８】
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７など）とシリカ粒子を含む樹脂がインダクタパターン１５８Ｇ及びインダクタパターンから露出する樹脂層１５０Ｇ上に塗布される。その後、その樹脂が硬化され絶縁膜１７５Ｇが形成される（図２１（Ｃ））。
【００６９】
樹脂層１７５Ｇ上に上述のペースト材料が印刷される。このとき、ビア導体１６００１が形成される箇所に開口１７４Ｅａが設けられるようにペースト材が印刷される。その後、ペースト材が所定温度で乾燥され、磁性体層１７４Ｅが形成される（図２１（Ｄ））。
【００７０】
磁性体層１７４Ｅ上にフィルムが積層される。その一部が磁性体層１７４Ｅの開口１７４Ｅａ内に充填され、樹脂層１５０Ｅが形成される（図２２（Ａ））。レーザにより開口１５０Ｅａが形成される。開口１５０Ｅａは、充填樹脂１５０ＥＥ、樹脂層１５０Ｅ及び絶縁膜１７５Ｇを貫通している（図２２（Ｂ））。本実施形態では、樹脂部分にレーザが照射される。磁性体層にレーザが照射されない。そのため、短時間で開口を形成することができる。また、その開口の側壁に過剰な凹凸が形成されない。
【００７１】
樹脂層１５０Ｅ上、及び、開口１５０Ｅａの内壁に無電解めっき膜１５４が形成される（図２２（Ｃ））。無電解めっき膜上にめっきレジスト１５５が形成される（図２３（Ａ））。
【００７２】
めっきレジストから露出する無電解めっき膜１５４上に電解めっき膜１５６が形成される（図２３（Ｂ））。その後、めっきレジストが除去され電解めっき膜１５６間の無電解めっき膜が除去される（図２３（Ｃ））。無電解めっき膜１５４と無電解めっき膜上の電解めっき膜１５６で形成されるインダクタパターン１５８Ｅが形成される（図２３（Ｃ））。図２３（Ｄ）はインダクタパターン１５８Ｅの平面図であり、図２３（Ｄ）のＥ１とＥ２の間の断面が図２３（Ｃ）に示される。
【００７３】
図２０（Ａ）に示されている接合箇所５３６Ａ、５３６Ｂの内側に沿って図２３（Ｃ）に示される積層体がルータなどで切断される（図２４（Ａ））。図２４（Ａ）に示されているように積層体は切断面（Ｚ１−Ｚ２）に沿って切断される。積層体が銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ付の積層コイルと両面銅張り積層板５３０に分離される（図２４（Ｂ））。最外のインダクタパターン１５８Ｅ１、１５８Ｅ２と最上の樹脂層１５０Ｅ上にＰＥＴフィルムが貼られ、銅箔５３４Ａがエッチングで除去される。その後、ＰＥＴフィルムが剥離され、インダクタ部品１１０が完成する（図１８（Ａ））。インダクタパターン１５８Ｅ１、１５８Ｅ２の形成後、樹脂層１５０Ｅとインダクタパターン１５８Ｅ１、１５８Ｅ２上に絶縁膜１７５Ｅを形成することができる。さらに、インダクタパターン１５８Ｅ１、１５８Ｅ２上に開口１７４Ｃａを有する磁性体層１７４Ｃを形成することができる。その後、図２４に示されている方法と同様な方法でインダクタ部品が製造される。図１８（Ｂ）に示されるインダクタ部品が完成する。開口１７４Ｃａは電極上に形成され、少なくとも磁性体層を貫通している。
【００７４】
[第２実施形態の応用例]
図２５は、第２実施形態の応用例に係る電子機器の断面図である。第２実施形態の改変例では、プリント配線板２１０とインダクタ部品１１０との間にチップコンデンサ４４０が実装されている。第２実施形態の応用例では、インダクタ部品とチップコンデンサ４４０が近くに配置されている。そのため、ＩＣチップに安定な電源が供給される。ＩＣチップの消費電力が小さくなる。インダクタ部品とチップコンデンサとで所望の電気特性を得ることができる。
【符号の説明】
【００７５】
１０  プリント配線板
２０  基板
２２  貫通孔
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、  ５０Ｓ  樹脂絶縁層
５８Ｆ  第１導体回路
５８Ｓ  第２導体回路
１１０  インダクタ部品
１５０Ｅ  第１樹脂層
１５８Ｇ  インダクタパターン
１６０Ｆ  ビア導体
１７４Ｃ、１７４Ｅ  磁性体層
２１０  プリント配線板
３１０  電子部品搭載基板
３３０  コア基材
３３４Ａ、３３４Ｂ  導体層
３５０Ａ、３５０Ｂ  絶縁層
３５８Ａ、３５８Ｂ  導体層
３６０Ａ、３６０Ｂ  ビア導体
【図１】
2014154712.tif 000003
【図２】
2014154712.tif 000004
【図３】
2014154712.tif 000005
【図４】
2014154712.tif 000006
【図５】
2014154712.tif 000007
【図６】
2014154712.tif 000008
【図７】
2014154712.tif 000009
【図８】
2014154712.tif 000010
【図９】
2014154712.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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