(57)【要約】【課題】高電流密度動作における所望の色バランスおよび高信頼性動作の可能な紫色発光ＬＥＤを得る。【解決手段】高密度発光材料層でコーティングされた紫色発光ＬＥＤのアレイを作製する際、ＬＥＤ光源の発光効率を向上させるために、高アスペクト比のフォトレジストを用いてキャビティを生成し、これを蛍光体で満たす。この方法により、ＬＥＤダイの側部が蛍光体によって被覆されたデバイスが得られる。【選択図】図５
2014123738.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイの配列をサブマウント構造へ取り付け、
前記１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイのうちの少なくともいくつかの厚さが高さより大きい特徴を有するフォトレジストを被着させ、
前記１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイのうちの少なくともいくつかの周囲の前記フォトレジストに第１のキャビティ穴を開口し、
第１のキャビティ穴に発光材料を施し、
前記フォトレジストを剥離して、高密度発光材料でコーティングされた１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイを得る、高密度発光材料で紫色発光ＬＥＤダイをコーティングする方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法において、前記紫色発光ＬＥＤはＧａＮバルクの基板上に成長させる方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法において、さらに、
前記高密度発光材料でコーティングされた１つ以上のＬＥＤダイ上に第２のフォトレジストを施し、第２のフォトレジストの高さは、前記高密度発光材料でコーティングされた１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイの高さより大きく、
前記１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイのうちの少なくともいくつかの周囲の前記フォトレジストに第２のキャビティ穴を開口し、第２のキャビティ穴の幅は第１のキャビティ穴の幅より大きく、
第２の発光材料を第２のキャビティ穴に施し、
第２のフォトレジストを剥離して、高密度発光材料でコーティングされた１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイを形成し、該紫色発光ＬＥＤダイは発光材料含有層を２つ含む方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法において、前記１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイの上方の前記フォトレジストの高さは、前記フォトレジストの前記剥離の縁部からの距離とは等しくないようにして、高密度発光材料でコーティングされた１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイをフォトレジストキャビティ壁部へ形成する方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法において、前記１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイのうちの異なるそれぞれには、異なる１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイの周囲に赤色発光材料、緑色発光材料または青色発光材料を堆積させる方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法において、前記紫色発光ＬＥＤダイのうちの異なるそれぞれは、冷白色発光材料コーティング、温白色発光材料コーティング、赤色発光材料コーティング、緑色発光材料コーティングまたは青色発光材料コーティングを選択された比率で有し、これによって色調整可能な白色光源を得る方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法において、前記発光材料は、紫色発光ＬＥＤダイの線状配列の周囲において線状ストリップ形状に堆積される方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法において、前記配列は、三角形状ＬＥＤダイの線状アレイを含み、該三角形状の紫色発光ＬＥＤダイのうちの少なくともいくつかは、該三角形状ＬＥＤダイの一辺が前記サブマウントの短辺に面する三角形状の紫色発光ＬＥＤダイの第１のストリップに並置される方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法において、前記配列は三角形状ＬＥＤダイの第１のストリップを含み、該三角形状の紫色発光ＬＥＤダイの一辺は前記サブマウントの長辺に面する方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法において、さらに、前記１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイを第１の発光材料でコーティングした後、さらなるキャビティ開口ステップを行い、前記ダイを第２の発光材料でコーティングする方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法において、さらに、前記サブマウントに貫通穴ビアを形成する方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の方法において、さらに、発光材料でコーティングされた紫色発光ＬＥＤダイを前記サブマウントからダイシングして個別の紫色発光ＬＥＤとする方法。
【請求項１３】
請求項１に記載の方法において、発光材料でコーティングされた１組の紫色発光ＬＥＤダイの周囲に反射ダムを配置する方法。
【請求項１４】
サブマウントと、
該サブマウントに取り付けられた紫色発光ＬＥＤダイとを含み、該ダイの外縁は１つの領域を形成し、さらに、
前記紫色発光ＬＥＤダイの少なくとも１つの表面を被覆するコーティングを含み、該コーティングは少なくとも１つの発光材料を含む装置。
【請求項１５】
請求項１４に記載の装置において、さらに、前記サブマウントに取り付けられた第２の紫色発光ＬＥＤダイを含む装置。
【請求項１６】
請求項１４に記載の装置において、さらに、前記サブマウントに取り付けられた１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイを含む装置。
【請求項１７】
請求項１６に記載の装置において、前記１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイは少なくとも１つの線状アレイを形成している装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の装置において、前記１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイの少なくとも１つの面は、矩形サブマウントの長縁に実質的に平行に配列されている装置。
【請求項１９】
請求項１４に記載の装置において、前記紫色発光ＬＥＤダイ中の電流密度は、少なくとも１７５アンペア／ｃｍ２である装置。
【請求項２０】
ランプ基部と、
サブマウントと、
該サブマウントに取り付けられ、前記ランプ基部に電気的に接続された紫色発光ＬＥＤダイとを含み、該紫色発光ＬＥＤダイの外縁は三角形領域を形成し、さらに、
前記紫色発光ＬＥＤダイの少なくとも１つの表面を被覆するコーティングを含み、該コーティングは少なくとも１つの発光材料を含む装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、ＬＥＤ照明の分野に関し、より詳細には、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤのアレイを製造する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
白色ＬＥＤ光源の従来の実施態様は、青色ＬＥＤダイのアレイを反射性白色ダムで包囲し、ダムの内側領域をシリコーン蛍光体混合物で満たすことにより構成されてきた。この従来方式の場合、青色ＬＥＤダイが発光材料含有シリコーンによって囲繞されることになるが、得られた従来の実施態様には、顕著な欠陥がいくつか発生する。第１に、ＬＥＤダイから遠い位置にある発光材料からの発光は、何回も散乱して初めて構造体を出ることができる。その過程でこの光は、他の発光材料粒子、隣接するＬＥＤダイ（存在すれば）および／または構造体の基部を形成する材料（すなわち、サブマウント材料）によって吸収されることがある。サブマウント材料の反射率は、例えば高反射率の白色コーティングまたは高反射金属（例えば、銀）でサブマウント表面をコーティングすることにより、特別に処理してきたが、この光の一部が熱に変換され、そのため発光効率が低下する。より望ましい光学構成として、ＬＥＤダイ自体に極めて近接した空間領域内に発光材料粒子を並置させてこのような光源を作製したものがある。このようにして、ダイから離れた位置にある発光材料粒子による光散乱、およびサブマウント材料による吸収を低減することができ、そのような光源の効率を向上させることができる。例えば、ダイの形状に沿って蛍光体材料でコーティングするためには、蛍光体が含浸されたシリコーンまたは他のバインダの薄層シートをＬＥＤダイに熱間圧延する。この方法の場合、ＬＥＤダイ側部への被覆が貧弱であるため、光出力が低下するという欠点がある。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
しかし、ＬＥＤダイ自体に極めて近接した空間領域へ発光材料粒子を閉じ込めるのに必要なことは、発光材料の１つ以上のコンフォーマル層（例えば、コーティング層）をＬＥＤダイの周囲に被着させてＬＥＤ光源の発光効率を向上させるとともに、高電流密度動作における所望の色バランスおよび高信頼性動作を得る低コストの方法である。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
ＬＥＤ光源の発光効率を向上させるために、高アスペクト比のフォトレジストを用いてキャビティを生成し、これを蛍光体で満たす。この方法により、ＬＥＤダイの側部が蛍光体によって被覆されたデバイスが得られる。
【０００５】
第１の態様によれば、高密度発光材料で紫色発光ＬＥＤダイをコーティングする次のような方法が提供される。すなわち本方法では、１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイの配列をサブマウント構造に取り付け、その１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイのうちの少なくともいくつかの厚さが高さより大きいという特徴を有するフォトレジストを被着させ、その１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイのうちの少なくともいくつかの周囲のフォトレジストに第１のキャビティ穴を開口し、第１のキャビティ穴に発光材料を施し、フォトレジストを剥離して高密度発光材料でコーティングされた１つ以上の紫色発光ＬＥＤダイを形成する。
【０００６】
第２の態様では、次のような装置が提供される。すなわち本装置は、サブマウントと、このサブマウントに取り付けられた紫色発光ＬＥＤダイとを含み、ダイの外縁は１つの領域を形成し、本装置はさらに、紫色発光ＬＥＤダイの少なくとも１つの表面を被覆するコーティングを含み、このコーティングは少なくとも１つの発光材料を含む。
【０００７】
第３の態様では、次のような装置が提供される。すなわち本装置は、ランプ基部と、サブマウントと、このサブマウントに取り付けられランプ基部に電気的に接続された紫色発光ＬＥＤダイとを含み、紫色発光ＬＥＤダイの外縁は三角形領域を形成し、本装置はさらに、紫色発光ＬＥＤダイの少なくとも１つの表面を被覆するコーティングを含み、このコーティングは少なくとも１つの発光材料を含む。
本出願は、米国特許法第１１９条（ｅ）項の下における米国仮出願第６１／７４０，９３７号（出願日：２０１２年１２年２１日）の特典を請求する。
当業者であれば、ここに説明する図面は、あくまで例示目的であることを理解しよう。これらの図面は、本開示の範囲を限定することを意図していない。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】は、シリコンまたはセラミックのサブマウントに取り付けられ電気的に接続された一連のＬＥＤダイを呈するＬＥＤダイアレイの図である。
【図２Ａ】は、いくつかの実施形態による紫色ＬＥＤダイの並置を示す図であり、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤのアレイの作製に用いるシリコンまたはセラミックのサブマウントに紫色発光ＬＥＤダイが取り付けられている。
【図２Ｂ】は、いくつかの実施形態によるコーティングされた紫色ＬＥＤダイを示す図であり、コーティングされた紫色発光ＬＥＤダイがシリコンまたはセラミックのサブマウントに取り付けられ、サブマウントは紫色ＬＥＤダイの上面より肉厚なフォトレジスト層でコーティングされている。
【図２Ｃ】は、いくつかの実施形態において、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイを作製するプロセスにおいて各ＬＥＤダイの周囲に形成されたフォトレジストのキャビティの図である。
【図２Ｄ】は、いくつかの実施形態において、高密度発光材料でキャビティを満たし、発光材料層上にシリコーンを施すことによりこれらの材料の位置を固定する組立てステップを示す
【図２Ｅ】は、いくつかの実施形態において、フォトレジスト層を剥離して、発光材料コーティングを紫色ＬＥＤダイ上に残す組立てステップを示す。
【図３】は、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイを作製するプロセスにおいて、コーティングされた紫色ＬＥＤダイの光抽出効率の改善用透明シリコーンによる封入を示す図である。
【図４】は、いくつかの実施形態による発光材料コーティングされた紫色ＬＥＤダイの円形アレイの上面図である。
【図５】は、いくつかの実施形態において、赤色、緑色および青色の発光材料含有層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイ配列の図である。
【図６Ａ】は、いくつかの実施形態において、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイから形成され、ダイレベルで封入されたデバイスの側断面図である。
【図６Ｂ】は、いくつかの実施形態において、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイの作製後に形成され、ダイレベルで封入された側壁成型デバイスの上面図である。
【図７Ａ】は、いくつかの実施形態において、三角形状の紫色ＬＥＤダイ７０４の一連の線状アレイの上面図であり、線状アレイは、フォトレジスト層によって囲繞され、発光材料層によって被覆されている。
【図７Ｂ】は、いくつかの実施形態において、フォトレジスト層の除去後に発光材料層で被覆された三角形状の紫色ＬＥＤダイの一連の線状アレイの上面図である。
【図８Ａ】は、発光材料層で被覆された三角形状の紫色ＬＥＤダイによって構成された線状光源の一例を示し、線状光源は、いくつかの実施形態では、２行の三角形状の紫色ＬＥＤダイによって構成され、各ＬＥＤダイの一辺が光源の長辺に面することにより、発光均一性を向上させている。
【図８Ｂ】は、いくつかの実施形態において、三角形状の紫色ＬＥＤダイによって構成された線状光源の一例を示し、線状光源は、発光材料層によって被覆された１行の三角形状の紫色ＬＥＤダイで構成され、各ＬＥＤダイの一辺が線状アレイの短辺に面することにより、発光均一性を向上させている。
【図９Ａ】は、いくつかの実施形態において発光材料を満たす前の線状光源の上面図である。
【図９Ｂ】は、いくつかの実施形態において、発光材料堆積用領域を発光材料で被覆した後に透明レンズキャップでさらに被覆した後の線状光源の側面図である。
【図１０Ａ−１０Ｄ】いくつかの実施形態において、単一のＬＥＤダイを複数回コーティングするプロセスを示す。
【図１０Ｅ−１０Ｇ】は、いくつかの実施形態において、単一のＬＥＤダイを複数回コーティングするプロセスを示す。
【図１０Ｈ−１０Ｉ】は、いくつかの実施形態において、単一のＬＥＤダイを複数回コーティングするプロセスを示す。
【図１１Ａ−１１Ｄ】は、いくつかの実施形態において、第１の発光材料の単一のコーティングを第１の単一の紫色ＬＥＤダイに行い、第２の発光材料の単一のコーティングを第２の単一の紫色ＬＥＤダイに行うプロセスを示す。
【図１１Ｅ−１１Ｇ】は、いくつかの実施形態において、第１の発光材料の単一のコーティングを第１の単一の紫色ＬＥＤダイに行い、第２の発光材料の単一のコーティングを第２の単一の紫色ＬＥＤダイに行うプロセスを示す。
【図１１Ｈ−１１Ｉ】は、いくつかの実施形態において、第１の発光材料の単一のコーティングを第１の単一の紫色ＬＥＤダイに行い、第２の発光材料の単一のコーティングを第２の単一の紫色ＬＥＤダイに行うプロセスを示す。
【図１２Ａ】および
【図１２Ｂ】は、いくつかの実施形態による単一の紫色ＬＥＤダイを示し、コンフォーマルコーティングが粗の分布アレイ状に配置されている。
【図１３Ａ】および
【図１３Ｂ】および
【図１３Ｃ】は、いくつかの実施形態による稠密分布アレイ状の複数の紫色ＬＥＤダイを示す。
【図１３Ｄ】は、いくつかの実施形態において、ある波長領域にわってスペクトル処理して調整した色バランスと、その結果の出射光の品質がスペクトル処理された色域を有することを示す図である。
【図１３Ｅ】は、いくつかの実施形態において、コーティング厚のばらつきに起因する青色光漏洩のばらつきが白色点のばらつきを生ずる様子を示す図である。
【図１３Ｆ１−１３Ｆ２】は、いくつかの実施形態において、Ｎ、Ｓ、ＥおよびＷ、ならびにＴｏｐとして記載された寸法を示し、これらの寸法を用いてＬＥＤダイの周囲の蛍光体層厚を定義する。
【図１３Ｇ１】および
【図１３Ｇ２】は、色のばらつきと蛍光体層の非対称性との比較を示し、これらのばらつきは、青色ベースＬＥＤに比べて紫色ベースＬＥＤの方が数倍小さい。
【図１４】は、いくつかの実施形態において、封入された紫色ＬＥＤダイベースの白色発光線状光源を生成するシステムのフローチャートである。
【図１５】は、いくつかの実施形態において、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイを作製するシステムのフローチャートである、
【図１６Ａ１−１６Ａ３】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｂ１】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｂ２】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｂ３】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｃ１−１６Ｃ３】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｄ１】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｄ２】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｅ１−１６Ｅ２】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｆ１】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｆ２】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｆ３】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｇ１】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｇ２】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｇ３】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｇ４】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｈ】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１６Ｉ】は、本開示を照明用途に適用可能な実施形態を示す図である。
【図１７】は、照明用途にて本開示の実施形態を実現するのに用いられるランプ装置を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
「例示的」という用語は、一例、場合または例示を示すために用いられる。本明細書において「例示的」として記載される任意の態様または設計は、必ずしも他の態様または設計に比して好適または有利と解釈すべきではない。むしろ、「例示的」という用語を用いる場合、概念を具体的に示すことを意味する。
【００１０】
「または」という用語は、排他的な「または」というより、内包的な「または」を意味することを企図している。すなわち、とくに断らない限り、または文脈から明らかでない限り、「ＸがＡまたはＢを用いる」という表現は、自然な内包的置換の任意のものを意味する。すなわち、ＸがＡを用いるか、ＸがＢを用いるか、またはＸがＡおよびＢを両方とも用いるならば、これらのどの場合でも「ＸがＡまたはＢを用いる」という条件を満たす。加えて、本出願および添付の特許請求の範囲において、数を特定しない名詞は、とくに断らない限り、または文脈から単数であることが明らかでない限り、一般的に「１または複数」として解釈すべきである。
次に、特定の実施形態を詳細に説明する。開示する実施形態は、特許請求の範囲を限定することを意図していない。
本開示において記載の波長変換材料の組成は、様々な発光材料を含む。また、本開示において記載の発光材料の組成は、様々な波長変換材料を含む。
【００１１】
波長変換材料は、波長変換を行うセラミックまたは半導体粒子状蛍光体、セラミックまたは半導体板状蛍光体、有機または無機のダウンコンバータ、アップコンバータ（反ストーク）、ナノ粒子、および他の材料であってよい。いくつかの例を以下に羅列する。
（Ｓｒｎ、Ｃａ１−ｎ）１０（ＰＯ４）６＊Ｂ２Ｏ３：Ｅｕ２＋（ただし、０≦ｎ≦１）
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）５（ＰＯ４）３（Ｃｌ、Ｆ、Ｂｒ、ＯＨ）：Ｅｕ２＋、Ｍｎ２＋
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＢＰＯ５：Ｅｕ２＋、Ｍｎ２＋
Ｓｒ２Ｓｉ３Ｏ８＊２ＳｒＣｌ２：Ｅｕ２＋
（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、Ｍｎ２＋
ＢａＡｌ８Ｏ１３：Ｅｕ２＋
２ＳｒＯ＊０．８４Ｐ２Ｏ５＊０．１６Ｂ２Ｏ３：Ｅｕ２＋
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＭｇＡｌ１０Ｏ１７：Ｅｕ２＋、Ｍｎ２＋
Ｋ２ＳｉＦ６：Ｍｎ４＋
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）Ａｌ２Ｏ４：Ｅｕ２＋
（Ｙ、Ｇｄ、Ｌｕ、Ｓｃ、Ｌａ）ＢＯ３：Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）２（Ｍｇ、Ｚｎ）Ｓｉ２Ｏ７：Ｅｕ２＋
（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｚｎ）２Ｓｉ１−ｘＯ４−２ｘ：Ｅｕ２＋（ただし、０≦ｘ≦０．２）
（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）ＭｇＳｉ２Ｏ６：Ｅｕ２＋
（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ）（Ａｌ、Ｇａ）２Ｓ４：Ｅｕ２＋
（Ｃａ、Ｓｒ）８（Ｍｇ、Ｚｎ）（ＳｉＯ４）４Ｃｌ２：Ｅｕ２＋、Ｍｎ２＋
Ｎａ２Ｇｄ２Ｂ２Ｏ７：Ｃｅ３＋、Ｔｂ３＋
（Ｓｒ、Ｃａ、Ｂａ、Ｍｇ、Ｚｎ）２Ｐ２Ｏ７：Ｅｕ２＋、Ｍｎ２＋
（Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕ、Ｌａ）２Ｏ３：Ｅｕ３＋、Ｂｉ３＋
（Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕ、Ｌａ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋、Ｂｉ３＋
（Ｇｄ、Ｙ、Ｌｕ、Ｌａ）ＶＯ４：Ｅｕ３＋、Ｂｉ３＋
（Ｃａ、Ｓｒ）Ｓ：Ｅｕ２＋、Ｃｅ３＋
（Ｙ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｌａ、Ｓｍ、Ｐｒ、Ｌｕ）３（Ｓｃ、Ａｌ、Ｇａ）５−ｎＯ１２−３／２ｎ：Ｃｅ３＋（ただし、０≦ｎ≦０．５）
ＺｎＳ：Ｃｕ＋、Ｃｌ−
（Ｙ、Ｌｕ、Ｔｈ）３Ａｌ５Ｏ１２：Ｃｅ３＋
ＺｎＳ：Ｃｕ＋、Ａｌ３＋
ＺｎＳ：Ａｇ＋、Ａｌ３＋
ＺｎＳ：Ａｇ＋、Ｃｌ−
Ｃａ１−ｘＡｌｘ−ｘｙＳｉ１−ｘ＋ｘｙＮ２−ｘ−ｘｙＣｘｙ：Ａ
Ｃａ１−ｘ−ｚＮａｚＭ（ＩＩＩ）ｘ−ｘｙ−ｚＳｉ１−ｘ＋ｘｙ＋ｚＮ２−ｘ−ｘｙＣｘｙ：Ａ
Ｍ（ＩＩ）１−ｘ−ｚＭ（Ｉ）ｚＭ（ＩＩＩ）ｘ−ｘｙ−ｚＳｉ１−ｘ＋ｘｙ＋ｚＮ２−ｘ−ｘｙＣｘｙ：Ａ
Ｍ（ＩＩ）１−ｘ−ｚＭ（Ｉ）ｚＭ（ＩＩＩ）ｘ−ｘｙ−ｚＳｉ１−ｘ＋ｘｙ＋ｚＮ２−ｘ−ｘｙ−２ｗ／３ＣｘｙＯｗ−ｖ／２Ｈｖ：Ａ
Ｍ（ＩＩ）１−ｘ−ｚＭ（Ｉ）ｚＭ（ＩＩＩ）ｘ−ｘｙ−ｚＳｉ１−ｘ＋ｘｙ＋ｚＮ２−ｘ−ｘｙ−２ｗ／３−ｖ／３ＣｘｙＯｗＨｖ：Ａ
【００１２】
ただし、０＜ｘ＜１、０＜ｙ＜１、０≦ｚ＜１、０≦ｖ＜１、０＜ｗ＜１、ｘ＋ｚ＜１、ｘ＞ｘｙ＋ｚ、および０＜ｘ−ｘｙ−ｚ＜１であり、Ｍ（ＩＩ）は、少なくとも１つの二価陽イオンであり、Ｍ（Ｉ）は、少なくとも１つの一価陽イオンであり、Ｍ（ＩＩＩ）は、少なくとも１つの三価陽イオンであり、Ｈは、少なくとも１つの一価陰イオン、Ａは、結晶構造中にドープされた発光アクティベータである。
ＬａＡｌ（Ｓｉ６-ｚＡｌｚ）（Ｎ１０-ｚＯｚ）：Ｃｅ３＋（ただし、ｚ＝１）
（Ｃａ、Ｓｒ）Ｇａ２Ｓ４：Ｅｕ２＋
ＡｌＮ：Ｅｕ２＋
ＳｒＹ２Ｓ４：Ｅｕ２＋
ＣａＬａ２Ｓ４：Ｃｅ３＋
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）ＭｇＰ２Ｏ７：Ｅｕ２＋、Ｍｎ２＋
（Ｙ、Ｌｕ）２ＷＯ６：Ｅｕ３＋、Ｍｏ６＋
ＣａＷＯ４
（Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ）２Ｏ２Ｓ：Ｅｕ３＋
（Ｙ、Ｇｄ、Ｌａ）２Ｏ３：Ｅｕ３＋
（Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ）ｎＳｉｎＮｎ：Ｅｕ２＋（ただし、２ｎ＋４＝３ｎ）
Ｃａ３（ＳｉＯ４）Ｃｌ２：Ｅｕ２＋
（Ｙ、Ｌｕ、Ｇｄ）２−ｎＣａｎＳｉ４Ｎ６＋ｎＣ１−ｎ：Ｃｅ３＋、（ただし、０≦ｎ≦０。５）
（Ｌｕ、Ｃａ、Ｌｉ、Ｍｇ、Ｙ）ａｌｐｈａ−ＳｉＡｌＯＮｄｏｐｅｄｗｉｔｈＥｕ２＋および／またはＣｅ３＋
（Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ）ＳｉＯ２Ｎ２：Ｅｕ２＋、Ｃｅ３＋
Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋、Ｍｎ２＋
（Ｓｒ、Ｃａ）ＡｌＳｉＮ３：Ｅｕ２＋
ＣａＡｌＳｉ（ＯＮ）３：Ｅｕ２＋
Ｂａ３ＭｇＳｉ２Ｏ８：Ｅｕ２＋
ＬａＳｉ３Ｎ５：Ｃｅ３＋
Ｓｒ１０（ＰＯ４）６Ｃｌ２：Ｅｕ２＋
（ＢａＳｉ）Ｏ１２Ｎ２：Ｅｕ２＋
Ｍ（ＩＩ）ａＳｉｂＯｃＮｄＣｅ：Ａ
【００１３】
ただし、（６＜ａ＜８、８＜ｂ＜１４、１３＜ｃ＜１７、５＜ｄ＜９、０＜ｅ＜２）であり、Ｍ（ＩＩ）は、（Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｐｄ、Ｔｍ、Ｃｄ）の二価陽イオンであり、Ａは（Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｍｎ、Ｂｉ、Ｓｂ）のうちのどれかであり、
ＳｒＳｉ２（Ｏ、Ｃｌ）２Ｎ２：Ｅｕ２＋
ＳｒＳｉ９Ａｌ１９ＯＮ３１：Ｅｕ２＋
（Ｂａ、Ｓｒ）Ｓｉ２（Ｏ、Ｃｌ）２Ｎ２：Ｅｕ２＋
ＬｉＭ２Ｏ８：Ｅｕ３＋（ただし、Ｍ＝（ＷまたはＭｏ））。
【００１４】
本出願の目的について理解されるのは、発光材料が２つ以上のドーパントイオン（すなわち、上記発光材料のうちコロン「：」の後に記載したイオン）を有する場合、これは、これらのドーパントイオンのうちの少なくとも１つ（ただし、必ずしも全部ではない）を材料中に含むことを意味することである。すなわち、当業者であれば理解するように、この種の表記は、発光材料が式中のドーパントとしてこれらの特定のイオンのうちのいずれか、またはすべてのイオンを含み得ることを意味する。
【００１５】
さらに、ナノ粒子、量子ドット、半導体粒子および他の種類の材料を波長変換材料として用いることが可能であることが理解される。上記のリストは代表的なものであり、本明細書中に記載される実施形態内で用いることが可能な材料をすべて含むものとして解釈すべきでない。
【００１６】
改良すべきものを挙げると、発光材料粒子の加熱により効率の低下および寿命の短縮が生じ得る高電流密度／高出力ＬＥＤの用途がある。このような用途におけるＬＥＤダイから、大きな光子流が出射され、ＬＥＤダイを囲繞する発光材料粒子によってこれらの光子が吸収されると、光子のダウンコンバートプロセスに起因して発光材料粒子中に大きな熱が発生する。このダウンコンバートによって発生した熱は発光材料粒子中に蓄積することが多いが、これは、発光材料粒子が分散されたシリコーンは熱伝導率が低いことに起因する。蓄熱の１つの結果として、発光材料粒子の温度が大幅に上昇する。このような温度上昇に起因して、光子のダウンコンバート効率が低下し、囲繞封入部シリコーンの分解（例えば、褐色化または亀裂）が生ずる。この問題に対する１つの解決法として、発光材料をＬＥＤダイの周囲に密にパックすることにより、材料の相互間の熱的接触、ならびにサブマウントおよびＬＥＤダイ表面に対する熱的接触を維持する方法がある。そこでこの構成では、発光材料粒子からの熱をサブマウントおよびＬＥＤダイ自体を通して効率的に伝達させ、パッケージの後部から放出させることができる（例えば、発光材料粒子およびＬＥＤダイの双方の熱伝導率がシリコーン封入材料の伝導率よりも高い場合）。
【００１７】
従来技術によりＬＥＤウェーハ面上への層堆積を行うことができ、後にこれをダイシングして個々のＬＥＤダイを得ることができる。しかし、このコーティングプロセスは、三次元ＬＥＤダイには適していない。本明細書で開示されるのは、三次元紫色ＬＥＤダイを発光材料粒子の高密度層でコーティングするやり方である。
【００１８】
１つのやり方として、電気泳動堆積（ＥＰＤ）プロセスを用いてＬＥＤダイを形状に沿ってコーティングする方法がある。しかし、青色発光ＬＥＤダイを用いる場合は、高精度制御された発光材料堆積プロセスが必要になる。なぜならば、最終白色スペクトルへの青色漏洩を極めて高精度に制御する必要があるからである。ＥＰＤ堆積システムは複雑であるため、このコーティングプロセスは、（特に多層コーティングが望まれる場合）高価になる。青色発光ＬＥＤダイの代わりに紫色発光ＬＥＤダイを用いることにより、このような超高精度の発光材料厚制御の必要性が低減し、その結果、複雑さの少ない発光材料堆積プロセスの利用が可能になる。いくつかのケースでは、高密度発光材料層を用いると、選択された発光材料の特性に少なくとも部分的に基づいた熱制御が得られる。コーティング層内の発光材料の密度を不十分にすることでこれらの材料間の合理的な熱的接触を可能にすると、熱伝導性があって光学的に透明な材料をコーティング層へ被着させて、層の全体的熱伝導率を向上させることができる。熱伝導性があり光学的に透明な例示的材料を表１に列挙する。
【００１９】
【表１】
2014123738.tif 000003
【００２０】
表１の例に加えて、例えば以下のような他の材料も用いることが可能である。
フッ化亜鉛−ＺｎＦ２、フッ化鉄−ＦｅＦ２、フッ化セリウム−ＣｅＦ３、リン酸二水素カリウム−ＫＨ２ＰＯ４、リン酸アルミニウム−ＡｌＰＯ４、および硫酸カリウム（Ｋ２ＳＯ４）。
さらに、所望の範囲内の特性を有する複数の材料群が存在する（例えば、複合フッ化物（例えば、ＫＭｅＦ３）、リン酸塩および硫酸塩）。
ここで、上記した図２Ａ〜図２Ｅおよび図３を参照すると、発光材料堆積プロセスは、以下のステップのうちの任意の１つ以上を含んでもよい。
１）紫色ＬＥＤダイ２１０（例えば、フリップチップＬＥＤダイ）をサブマウント２２０構造（例えば、シリコンまたはセラミックのサブマウント）へ取り付ける。
【００２１】
２）レジスト層（例えば、肉厚フィルム）をＬＥＤダイアレイに被着させる。図示のように、レジスト層厚Ｇは、ＬＥＤダイの高さよりも若干大きい。この構成において、レジストの高さは、ダイ上面の材料コーティングの最終厚に実質的に影響を与え得る。よって、ダイ上の発光材料コーティングの厚さは、ダイの側部の発光材料コーティングの厚さに無関係に調節することができる。ダイの側部の発光材料コーティングの厚さは、レジスト層の開口部のサイズによって制御することができる。
【００２２】
３）フォトリソグラフィを用いて、ＬＥＤダイの周囲のレジストに穴をあける。非フリップチップ設計により、ワイヤボンドパッド周囲のレジストに開口穴を設けてもよい。
４）必要に応じて、ダイをワイヤボンドする（例えば、フリップチップ構造ではない場合）。
【００２３】
５）ＬＥＤを包囲するキャビティ（例えば、キャビティ２４０）内およびＬＥＤダイの頂部に発光材料の高密度層を施す。この高密度層は、発光材料の粉末層、または発光材料と透明熱伝導性粒子の組合せ（表１を参照）から成っていてもよい。あるいは、発光材料を溶媒溶液中に調合した後、この材料を蒸発させて高密度発光材料層を得ることも可能であり、あるいはシリコーンの超高密度混合物中へ発光材料を直接調製してもよい。
【００２４】
６）シリコーン（例えば、シリコーン２５０）、ゾルゲルまたは他の安定した結合材料を発光材料（シリコーン中に既に事前混合や調合されていない限り）に対して（例えば、調合針２７０を用いて）堆積させることにより、発光材料をＬＥＤダイの周囲に固定させる。
【００２５】
７）例えば、Ｏ２プラズマエッチ方式で肉厚フィルム（または他の）レジスト材料を剥離する。フォトレジストを選択する場合、結合材料のエッチ速度を低速にし、レジストを選択的に除去して各ＬＥＤダイを包囲する発光材料コーティング層が残るようにする。そのため、結合材料のエッチ速度は、フォトレジスト２３０のエッチ速度の、例えば１０倍未満にすべきである。
【００２６】
８）いくつかの実施形態（例えば、図３を参照）では、発光材料でコーティングされたダイを透明シリコーン３１０中に浸漬させ、ダイを特定の空間配向（例えば、上下逆さまに）にて硬化させ、各コーティングされたＬＥＤダイの周囲に小型レンズを生成する。これにより光抽出効率が向上する。あるいは、小さいシリコーンレンズキャップを各ダイ上に成型してもよい。
【００２７】
９）いくつかの実施形態では、サブマウント上の１組のダイの周囲に反射ダムを配置し、少量の拡散物質が充填された透明シリコーン３１０またはシリコーンでダムを満たす（例えば、光源均一性を向上させるために）。
１０）シリコンまたはセラミックのサブマウントをダイシングして、個別の光源とする。
１１）いくつかの実施形態では、反射ダムを用いた場合は大きいレンズを反射ダムに固定して、光抽出効率をさらに向上させる。
【００２８】
上記各ステップを行うと、高密度発光材料層でコーティングされた２次元配列の紫色ＬＥＤダイの形態をした光源装置が得られる。他の実施形態（図５を参照）では、複数の層がコーティングされる。このようなＬＥＤ光源は、発光材料「パドル」方式で達成可能な光抽出効率より高い光抽出効率が得られる。さらに、その結果得られた装置は、高ＬＥＤ電流密度動作が容易な熱伝達特性を有する。さらに、本明細書に記載の方法を用いれば、（例えば、パネルレベルまたはウェーハレベルの発光材料被着プロセスにおいて）多数のＬＥＤダイアレイを同時にコーティングすることが可能になる。
図１のＬＥＤダイアレイ１００は、シリコンまたはセラミックのサブマウントへ取り付けられ電気的に接続された一連のＬＥＤダイを呈している。
図示のように、ＬＥＤダイアレイの周囲にダムを配置し、蛍光体を充填したシリコーンでこのダム満たす。
【００２９】
図２Ａは、紫色ＬＥＤダイ２１０の並置を示す図２Ａ００であり、紫色発光ＬＥＤダイは、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイの作製用シリコンまたはセラミックのサブマウント２２０に装着されている。紫色ＬＥＤダイは、任意の空間構成でサブマウント上に配置してよい。例えば、紫色ＬＥＤダイは、線形構成または２次元矩形または円形構成にて配置することができる。
【００３０】
図２Ｂは、サブマウント上にあって紫色ＬＥＤダイ２１０より肉厚な、つまり高さのあるフォトレジスト層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイ２１０を示す図２Ｂ００である。
【００３１】
図２Ｃは、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイの作製プロセスにおいて、各紫色ＬＥＤダイの周囲にあるフォトレジスト２３０のキャビティ（例えば、キャビティ２４０）の図２Ｃ００である。
【００３２】
図２Ｄは、高密度発光材料でキャビティ（例えば、キャビティ２４０）を満たし、形成された発光材料層２６０上に少量のシリコーンを施すことでキャビティの位置を固定する組立てステップ２Ｄ００である。
【００３３】
図２Ｅは、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイの作製プロセスにおいて、フォトレジスト層を剥離して、紫色ダイを覆う発光材料層を残す組立てステップ２Ｅ００を示す。
【００３４】
図３は、発光材料でコーティングされた紫色ＬＥＤダイの高密度パックアレイの作製プロセスにおいて、コーティングされた紫色ダイを透明シリコーン３１０で封入して光抽出効率を向上させる様子を示す図３００である。
【００３５】
図４は、サブマウント上に配置された発光材料でコーティングされた紫色ＬＥＤダイ２１０の円形アレイの上面図４００である。このアレイは、三角形ダイ、または菱形状ダイ、直線状ダイまたは任意の形状のダイで形成してもよい。
【００３６】
図５は、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイの作製から得られた赤色（例えば、赤色層２６０Ｒ）含有層、緑色（例えば、緑色層２６０Ｇ）含有層、および青色（例えば、青色層２６０Ｂ）の発光材料含有層でコーティングされた配列を示す図５００である。
【００３７】
図６Ａは、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイの作製によって形成されたダイレベルで封入されたデバイスの側断面図６Ａ００である。
【００３８】
図６Ｂは、高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイの作製後に形成された整形後の側壁ダイレベル封入デバイスの上面図６Ｂ００である。図７Ａは三角形状の紫色ＬＥＤダイ７０４の一連の線状アレイの上面図７００であり、これらは、線状アレイ電極７０６を被覆するフォトレジスト層７０８で囲繞されている。フォトレジスト層７０８は、内側に高密度発光材料層７０２が形成される領域の外縁を画成し、フォトレジスト層は、外縁にわたって分配されることがある電極パッドを保護する。フォトレジストを除去した後、個々の線状アレイを単体化することができる。
【００３９】
図７Ｂは、フォトレジスト層除去後の三角形状紫色ＬＥＤダイ７０４の一連の線状アレイの上面図７５０である。フォトレジストを除去した後、（例えば、発光材料層を含むデバイスを切ることにより）個々の線状アレイを単体化することができる。
【００４０】
図８Ａは、いくつかの実施形態において、三角形状の紫色ＬＥＤダイによって構成された線状光源の例８００を示し、線状光源は２行の三角形状の紫色ＬＥＤダイによって構成され、各紫色ＬＥＤダイの一辺が光源の長辺に面して、発光均一性を向上させている。
【００４１】
図８Ｂは、いくつかの実施形態において、三角形状の紫色ＬＥＤダイによって構成された線状光源の例８５０を示す。ここで、線状光源は、１行の三角形状の紫色ＬＥＤダイによって構成され、各紫色ＬＥＤダイの一辺は、線状アレイの短寸法辺に面して、発光均一性を向上させている。
図９Ａは、発光材料を満たす前の線状光源の上面図９００である。
図９Ａおよび図９Ｂに示すように、様々な実施形態が以下のように形成される。すなわち、
−シリコンまたはセラミックのサブマウントを設ける。
−紫色ＬＥＤダイをサブマウント上に線状アレイとして配置する（紫色発光ＬＥＤダイ９０４を参照）。
−線状アレイを形成する紫色ＬＥＤダイの間とその周囲付近の領域により、発光材料堆積９０２用の領域の境界を形成する。
−図９Ｂに示すようなさらなる処理ステップを行う。
図９Ｂは、発光材料堆積用の領域を発光材料で被覆し、透明レンズキャップ９０８でさらに被覆した後の線状光源の側面９５０を示す。
いくつかの実施形態では、以下のステップが行われる。
−透明シリコーンダム９０６をＬＥＤダイの線状配列の周囲に配置する。
−発光材料堆積用の領域にわたって（例えば、封止材料中に）１層以上の発光材料層を堆積させる（発光材料層２６０を参照）。
−発光材料層およびダム上に、透明レンズキャップ９０８を施す。
【００４２】
図示のように、ダムは、ＬＥＤダイの周囲に堀を形成するとともに発光材料層の外形を画成する。ＬＥＤダイを包囲するダムは、可視光に対して透明な材料（例えば、透明シリコーン）によって構成されている。このような実施形態において、ダムは、線状光源の側部の封止部材として機能する。またダムは、透明シリコーンレンズキャップをかぶせることのできる透明基部を形成している（図９Ｂを参照）。その結果得られる実施形態は、完全封入された線状光源である。このやり方により、封入された線状光源を製作するウェーハレベル法が可能になる。場合によっては、複数の透明ダムを一緒に一体成型した後、サブマウント上に一体的に取り付けることも可能である。このような構造により、個々の光源が容易に単体化され、すなわちサブマウントダイシング工程中に単体化を行うことが可能になる。
【００４３】
高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイのアレイを作製する上記の技術は、ダイのアレイ上に層を堆積させることを含む。他の技術で個々のＬＥＤダイをコーティングする。詳細には、以下に開示される実施形態は、発光材料でコーティングされた個々のＬＥＤダイの作製をフォトリソグラフィプロセスを用いて行う方法に関連する。ここに開示の方法は、ダムの必要性を無くし、または低減させるような様態で発光材料を個々のＬＥＤダイ上に被着させることが可能な技術を含む。また、フォトリソグラフィプロセスを調整して、個々の単一または複数のＬＥＤダイのアレイの上部または側部にある発光材料の厚さを変えることも可能である。調整は、光出力条件に応じて行ってもよい。場合によっては、ワイヤボンドの形成後、発光材料を個々のＬＥＤダイ上に被着させる。さらに、発光材料を個々のＬＥＤダイ上に被着させる特定の技術は、発光材料の後方散乱を低下させる機能がある（例えば、効率を高めることになる）。さらに、発光材料を被着させる特定の技術によれば、より高い発光材料充填が得られ、その結果、動作温度の低下が可能になる（例えば、発光材料混合物中に高屈折率シリコーンを一体化できる）。
上記した技術および特性により、以下の可能性が開ける。すなわち、
−広領域の発光構造の実装、
−発光材料の層状構造の形成、および
−発光材料の様々な組合せを用いたＬＥＤ画素のアレイの形成である。
【００４４】
これまで説明し、また以下に説明するように、発光材料でコーティングされた個別のＬＥＤダイは、フォトリソグラフィを用いて形成される。厳密に例示的であるが、本プロセスは、以下のように進行してもよい。すなわち、
【００４５】
−複数のスピンプロセス（例えば、スピン１＝３００ｒｐｍで２０秒、スピン２＝１０００ｒｐｍで３．５秒、スピン３：５００ｒｐｍで１４秒）を用いて、厚さ３５０μｍを達成する。
−連続する焼成プロセス（例えば、高温プレート（１３５°Ｃ）をスピン２後に３０分間、スピン３後に４０分間）において、サブマウントを焼成する。
−電極マスクアライナでマスクを使って基板をパターニングして、ダイの周囲に穴を開口する。
−露光ギャップ５０μｍで近接接点を用いる。
−露光時間およびドウェル時間を交互に設けた複数回の露光を用いて、照射線量を７８００ｍＪ／ｃｍ２に設定する。
−レジスト（例えば、ＡＺ３００ＭＩＦを５．５分間にわたって常温でパドル現像を用いて）を現像することにより、ダイの周囲のフォトレジストを除去する。
−その後、発光材料（例えば、シリコーンベースのスラリ中に調剤されたもの）をダイの周囲の開口部内に施す。
−後続の真空ガス抜きステップを行うことにより、発光材料混合物から不要な気泡を除去する。
−このアセンブリを対流式オーブン中において１５０°Ｃで１５分間焼成し、シリコーンを硬化させる。
【００４６】
−（例えば、８０°Ｃで３０分間または超音波剥離を行って）第１のＡＺ３００ＭＩＦを用い、次にＡＺ４００Ｔ（例えば、８０°Ｃで１０分間）を用いてフォトレジストを剥離する。
−基板を脱イオン水で入念に洗浄した後、窒素で送風乾燥する。
−脱水焼成を１５０°Ｃで５分間行った後、部品の試験／評価を行う。
【００４７】
いくつかの実施形態では、ダイをコーティングする２層の発光材料を含む。１つの特定の処理フローにおいて、特定のスピンステップを、より低いスピン速度（例えば、スピンを３００ｒｐｍで２０秒、９００ｒｐｍで３．５秒、４００ｒｐｍで１４秒）で行う。多層発光材料の組合せについては、第２の層のフォトレジストをスピンさせて第１の層よりも若干肉厚（例えば、約０．５μｍだけ肉厚）になるようにし、これにより、第１の層の処理時、パターニングされた発光材料がわずかに被覆されるようにする。
【００４８】
発光材料でコーティングされたＬＥＤダイをフォトリソグラフィプロセスを用いて作製するいくつかの可能な技術を図１０Ａ〜図１０Ｉ（単一のＬＥＤダイを覆う多重コーティング）、および図１１Ａ〜図１１Ｉ（隣接する単一のＬＥＤダイを覆う個別の単一コーティング）に示す。
【００４９】
図１０Ａ〜図１０Ｉは、単一のダイ上に多重コーティングを生成するプロセスを示す。図示のように、発光材料の多重コーティングは、以下のようにして単一のＬＥＤダイへ被着される。
【００５０】
サブアセンブリ１０Ａ００に対してフォトレジスト・スピンオンプロセスを行って、サブアセンブリ１０Ｂ００を形成する。その後、マスクおよびフォトレジストプロセスを用いて、サブアセンブリ１０Ｃ００を形成する。フォトレジストの洗浄後に形成された凹部内に第１の層の発光材料を堆積（例えば、分注で）させて、サブアセンブリ１０Ｄ００を形成する。そこで、このサブアセンブリをさらに洗浄して、サブアセンブリ１０Ｅ００を形成する。さらに他の一連のフォトレジストステップ、露光ステップおよび洗浄ステップにより、サブアセンブリ１０Ｆ００を形成（フォトレジスト被着）し、（マスク２を用いた洗浄後に）サブアセンブリ１０Ｇ００を形成する。サブアセンブリ１０Ｇ００の形成後に形成された凹部内に第２の層の発光材料を堆積（例えば、調剤で）させ、その後サブアセンブリ１Ｈ００をさらに洗浄して、サブアセンブリ１０Ｉ００を形成する。このサブアセンブリは、２層の発光材料コーティングが単一のＬＥＤダイに被着している。別のマスクでさらなるステップを行い、第３の層またはｎ番目の層の発光材料を付加することができる。
【００５１】
図１１Ａ〜図１１Ｉは、第１の発光材料の単一のコーティングを第１の単一のＬＥＤダイ上に生成し、第２の発光材料の単一のコーティングを第２の単一のＬＥＤダイ上に生成するプロセスを示す。図示のように、波長変換材料の複数のコーティングを以下のようにして単一のＬＥＤダイへ被着させる。
【００５２】
サブアセンブリ１１Ａ００に対してフォトレジスト・スピンオンプロセスを行って、サブアセンブリ１１Ｂ００を形成する。その後、マスクおよびフォトレジストプロセスを用いて、サブアセンブリ１１Ｃ００を形成し、これに第１のＬＥＤダイを露光する。フォトレジストの洗浄後に形成された凹部内に第１の発光材料層を堆積（例えば、分注で）させて、サブアセンブリ１１Ｄ００を形成する。そこで、このサブアセンブリをさらに洗浄して、サブアセンブリ１１Ｅ００を形成する。さらに別の一連のフォトレジストステップ、露光ステップおよび洗浄ステップを行って、サブアセンブリ１１Ｆ００を（例えば、フォトレジスト被着で）形成し、（マスク２を用いた洗浄後に）サブアセンブリ１１Ｇ００を形成する。第２の発光材料の層を第２のＬＥＤダイ上に（例えば、サブアセンブリ１１Ｇ００の形成後に形成された凹部内に）堆積（例えば、分注で）させる。その後、このサブアセンブリをさらに洗浄してサブアセンブリ１１Ｉ００を形成する。このサブアセンブリは、第１のＬＥＤダイと第２のＬＥＤダイ（例えば、図示のような隣接ダイ）とでは被着された発光材料コーティングが異なっている。この技術を用いれば、厚さの異なる様々な発光材料をコンフォーマルコーティングとして別々の（例えば、隣接の）ＬＥＤダイへ被着させることが可能になる。
【００５３】
図１２Ａおよび図１２Ｂは、粗な分布アレイ状にコンフォーマルコーティングが配置された単一のＬＥＤダイを示す。より詳細には、図１２Ａは、例示的なワイヤボンドＬＥＤダイを（例示的な三角平面形状で）示す。このワイヤボンドＬＥＤダイは、パターニングされたレジスト層によって囲繞され、例示したＬＥＤダイにはキャビティ／堀が隣接している。図１２Ｂは、発光材料のコンフォーマルコーティングが施された同じ例示的ＬＥＤダイを示す。
【００５４】
図１３Ａ〜図１３Ｃは、稠密分布アレイ状の複数のダイを示す。より詳細には、図１３Ａは、例示的なワイヤボンドＬＥＤダイ配列（例示的な三角平面形状を有する）を示す。このダイ配列は、パターニングされたレジスト層によって囲繞され、キャビティ／堀が各ＬＥＤダイに隣接している。図１３Ｂは、発光材料のコンフォーマルコーティングが施された同じ例示的ＬＥＤダイ配列を示す。図１３Ｃは、コンフォーマルコーティングされたＬＥＤダイの幾何学的配列の電源オン状態を示す。
【００５５】
図１３Ｄは、ある波長領域にわたってスペクトル処理で調整した色バランスと、その結果の出射光の品質がスペクトル処理された色域を有することを示す。ここに記載の実施形態は、従来のＬＥＤにおける青色過剰な色バランスの問題（例えば、青色光成分が多いという問題）を出射スペクトルの処理によって解消する。スペクトル処理は、例えばＬＥＤの発光スペクトルの選択（例えば、紫色発光ＬＥＤの選択）により行うことができる。スペクトル処理はまた、特定の発光材料を選択し、ＬＥＤの近くに特定の構造を生成するような特定の方法でその発光材料を堆積させることによって行うことができる。こうして、このような構造によれば、１つ以上の光子ダウンコンバートから高精度な波長変換光プロセスを容易に行うことができる。
【００５６】
スペクトル処理の結果の測定（および、例えば、出射光の品質の評価）を行う１つの可能な方法として、光源の色域を明らかにする事がある。実験設定では、１５個までの反射率サンプル（例えば、色品質スケール［Ｄａｖｉｓ１０］から採ったもの）を考慮に入れ、採用するサンプル測定を選択する。一連の測定から、色度を導出および計算することができ、その結果に基づいて、色域点をプロットすることができる。
【００５７】
図１３Ｄは、基準黒体放射体の色域を相関色温度（ＣＣＴ）３０００Ｋと重畳させた２つの例を示す。一連の実験を併せると分かるように、青色発光ＬＥＤを用いた場合、青色が過剰な色域が生ずる。青色ＬＥＤを用いた場合、発光材料のばらつき、および発光材料を堆積させる技術のばらつきに起因して、ＬＥＤの近くに特定の構造が生じ、そのような構造でも、青色が過剰な色域（例えば、青色過剰色域１３８１）が発生する。
【００５８】
図１３Ｄにも示す改良色域１３８４は、紫色発光ＬＥＤと、緑色領域および赤色領域に所望の飽和を生じるように選択した発光材料との構成を利用して得られたものである。このような所望の色域を達成するために、発光材料を選択し、次に高精度制御された構造（例えば、発光材料コーティングの厚さ）のＬＥＤの近傍にその発光材料を堆積させる。例えば、上記した図１０Ａ〜図１０Ｉの処理ステップおよび構造、ならびに上記した図１１Ａ〜図１１Ｉの処理ステップおよび構造により、堆積された構造の厚さおよび高さを高精度に制御することができる。図１０および図１１の実施形態では、上記したプロセスにより、また以下の特定のステップで、ＬＥＤの包囲構造を達成することができる。すなわち、
【００５９】
−レジスト層（例えば、肉厚フィルム）をＬＥＤダイアレイへ被着させる（レジスト層厚は、ＬＥＤダイ高さよりも大きい）。この構成では、レジストの高さは、ダイ上面の発光材料コーティングの最終厚さに実質的に影響を与えることができる。
【００６０】
−ダイ上部の発光材料コーティングの厚さを調節して、ダイ側部の発光材料コーティングの厚さと比較して相対的な厚さ内に収まるようにする。ダイ側部の発光材料コーティングの厚さは、レジスト層の開口部のサイズによって制御することができる。
紫色ＬＥＤの周囲のコーティング厚のばらつきに応じたさらなる色のばらつきが以下の図から特徴付けられる。
図１３Ｅに示すグラフは、コーティング厚のばらつきに起因する青色光漏洩のばらつきで白色点のぱらつきが発生する様子を示す。
【００６１】
図１３Ｆは、Ｎ、Ｓ、ＥおよびＷ、ならびにＴｏｐとして記載された寸法を示し、これらの寸法を用いて、ＬＥＤダイの周囲の蛍光体層厚を定義する。本願の図のうちのいくつかは、Ｎ、Ｓ、ＥまたはＷの方向から見たものに相当する側面図である。
【００６２】
図１３Ｇは、蛍光体層非対称性から色のばらつきを比較したグラフである。これらのばらつきは、青色ベースＬＥＤに比べて紫色ベースＬＥＤの方が数倍小さい。紫色発光ＬＥＤの各面を覆うコーティングを以下の表に例示する。以下の表に示すように、厚さに対応する色点ばらつきを図１３Ｇの右側に示す。
【００６３】
【表２】
2014123738.tif 000004
【００６４】
図１４は、封入された紫色ＬＥＤダイベースの白色発光線状光源を生成するシステム１４００のフローチャートである。この生成は、以下のステップによって行われる。すなわち、紫色発光ＬＥＤダイをｎｘｍ（ただしｎ＞ｍ）アレイのシリコンまたはセラミックのサブマウントに取り付けるステップ（ステップ１４２０を参照）と、２次元アレイのダムを成型またはスタンプするステップと、このダムアレイをサブマウントへ固定するステップ（ステップ１４３０を参照）と、発光材料が充填されたシリコーンを紫色発光ＬＥＤダイの周囲に施すステップ（ステップ１４４０を参照）と、透明ないし白色の光レンズキャップをダム上面および発光材料変換層の上面の両方に施して透明レンズキャップを形成するステップ（ステップ１４５０を参照）と、サブマウントおよびダム間接続部の両方をダイシングするステップ（ステップ１４５０を参照）である。
【００６５】
図１５は、高密度発光材料でコーティングされた紫色ＬＥＤダイの作製を行うシステム１５００のフローチャートである。本システムにおける各ステップは、システム１５００内の方法動作を個別に、または組み合わせて行うことができる。システム１５００内において行われるいずれの動作も、特許請求の範囲で指定しない限り、任意の順序で行うことが可能である。図示のように、本システムは以下のステップを行う。すなわち、紫色ＬＥＤダイをサブマウント構造へ取り付けるステップ（モジュール１５２０を参照）と、ダイの高さよりも肉厚なレジスト層を紫色ＬＥＤダイアレイへ被着させるステップ（モジュール１５３０を参照）と、紫色ＬＥＤダイの周囲のレジストにキャビティ穴を開口するステップ（モジュール１５４０を参照）と、発光材料層をキャビティ穴内に施すステップと、各紫色ＬＥＤダイを包囲する発光材料のコーティング層を残してレジスト材料を剥離するステップ（モジュール１５５０を参照）と、サブマウントをダイシングして個別の部分を得るステップ（モジュール１５６０を参照）である。
【実施例】
【００６６】
以下の実施例は、本願に開示の実施形態の構成要素の例を詳述するものである。当業者は、多数の改変例を材料および方法のいずれについても本開示の範囲から逸脱することなく想到可能であることを理解しよう。
【実施例１】
【００６７】
実施例１は、上記した個別の白色ダイアレイを作製する上述の方式の態様を示す。この方式は、高電流密度領域にて用いられるＧａＮバルクの基板をベースとした紫色発光ＬＥＤを用いる作製に適用される。いくつかの実施形態は、ＧａＮバルクの上に成長させた紫色ＬＥＤダイと共に構築されたこのような白色ダイアレイを含み、またいくつかの実施形態は、高電流密度（例えば、１５０アンペア／ｃｍ２を超える密度または１７５アンペア／ｃｍ２を超える密度）で駆動される個別の紫色ＬＥＤダイを含む。
【実施例２】
【００６８】
実施例１の技術によって形成された装置はさらに、各紫色ＬＥＤダイの周囲に堆積させた単色の赤色発光材料、緑色発光材料および青色発光材料を含み、発光材料の混合した白色光源中に存在する光吸収を低下させる。これは、このような光源のｌｍ／Ｗ効率を増加させる効果を有することがある。赤色、緑色、青色および白色（ＲＧＢＷ）コーティングされた紫色ＬＥＤダイの混合物も生成でき、色混合を増すことができる。
【実施例３】
【００６９】
実施例１の技術によって形成された装置は、アレイ状の個々の紫色ＬＥＤダイの周囲に単色発光材料を堆積させることにより形成される。よって、明るい単色光源を生成することができる。
【実施例４】
【００７０】
実施例１の技術によって形成された装置はさらに、本明細書中に記載のプロセス（図５を参照）を繰り返すことにより多層発光材料スタックを成長させるステップを含む。いくつかのこのような実施形態では、レジストの開口部を段階的に大きくして、次の発光材料層が堆積できるようにしてもよい。個々の層の厚さは、発光効率に合わせて最適化することができる。加えて、紫色ＬＥＤダイの頂部の層の高さは、紫色ＬＥＤダイの側部上の層の幅とは無関係に変えることができる。
【実施例５】
【００７１】
実施例１の技術によって形成される装置はさらに、ダイの周囲の色分離された層構造中に発光材料を堆積させるステップを含む。例えば、赤色発光材料層を堆積してから青色および緑色発光材料層に取りかかることにより、紫色ＬＥＤダイ中の光吸収を低減することができる。なぜならば、吸収され易い短波長光が散乱によって紫色ＬＥＤダイ中へ戻ることはほとんどないからである。標準的なフォトリソグラフィ技術によって達成可能なアライメント精度は、各ダイの周囲に層構造を生成するのに適した精度を超えていある。厳密に一例にすぎないが、堆積した第１の層は、サブマウント上のダイ間配置のばらつきを充分考慮した広さで、しかも下の発光材料層は充分肉薄になるように形成されている。
【実施例６】
【００７２】
実施例１の技術によって形成された装置はさらに、２層発光材料スタックを含み、このスタックは、レジスト層中の元の開口部を所望の最初に堆積すべき発光材料で「ダスティング」するステップと、次に、上記したようなさらなる発光材料でキャビティを満たすステップとにより構成される。
【実施例７】
【００７３】
実施例１の技術によって形成された装置はさらに、個別に処理可能な別のダイの周囲に堆積させた温白色発光材料および冷白色（青味白色）発光材料を含み、色点調整可能な光源を生成する。いくつかの変形例では、紫色ＬＥＤダイのうちの異なるそれぞれは、冷白色、温白色、赤色、緑色または青色発光材料コーティングを有し、これらのコーティングを特定の比率で選択して色調整可能な白色光源を得る。
【実施例８】
【００７４】
実施例１の技術によって形成された装置はさらに、ダイレベルの封入を繰り返すことを含む。この場合、肉厚フィルムレジストを被着させ、発光材料でコーティングされたダイの周囲に適切な側壁形状を得る穴を開口し、アレイ状の各コーティングされた紫色ＬＥＤダイの上とその周囲に透明シリコーンを施す（図６を参照）。透明シリコーン封入部のサイズおよび形状を最適化すれば、ダイアレイから最大の性能を引き出すことができる。このような構造は、もちろん、例えば真空オーバーモールドを用いて紫色ＬＥＤダイの周囲に成型することができる。例示的実施形態では、キャビティ穴の開口ステップを、先に行った層のキャビティ穴の次に大きなキャビティ穴に次々と繰り返して、一連の個別色発光層を堆積させる。
【実施例９】
【００７５】
実施例１の技術によって形成された装置は、背面電気接続用にサブマウントに形成されたビアを含む。この技術を用いれば、ダイサイズより若干大きく個々にコーティングされたピースとしてサブマウントをダイシングすることにより、単一ダイの白色ＬＥＤの作製ステップが容易化される。このようなダイによって形成されたランプは、３発光材料の紫色励起された白色光源の光出力を呈し、色が一致する。このようなダイによって形成されたランプは、自動車用昼間走行ランプの用途に要求される高動作温度で高い光出力を呈することができた。
【実施例１０】
【００７６】
実施例１の技術によって形成された装置は、個別のダイの線状ストリップ（例えば、矩形状ストリップ）として配置することができ、線状ストリップは、タングステンフィラメント様の光源として用いることができる。浸漬させた透明シリコーンキャップの場合、Ａ字形ランプフィラメント様の光源用封入をさらに行う必要はないであろう。このような線状ストリップは、現在自動車用前照灯の用途に用いられる充分な表面照度を持つことができる。このような線状ストリップは、矩形に形成されたサブマウント上（またはサブマウントの矩形形成領域上）に三角形状の紫色ＬＥＤの線状アレイを含んでもよく、その場合、紫色ＬＥＤダイは、三角形ＬＥＤダイの一辺がサブマウントの短辺に面するように配置されている。
高密度発光材料層でコーティングされた紫色ＬＥＤダイを作製するプロセスは、以下を含む。すなわち、
ａ．紫色ＬＥＤダイをサブマウント構造へ取り付け、
ｂ．レジスト層の上面を紫色ＬＥＤダイの上面の上方に設けるようにして紫色ＬＥＤダイへレジスト層を被着させ、
ｃ．紫色ＬＥＤダイの周囲のレジスト層にキャビティ穴を開口し、
ｄ．発光材料層をキャビティ穴内に施し、
ｅ．レジスト層を剥離して、紫色ＬＥＤダイを包囲する発光材料コーティング層を得、
ｆ．サブマウントを個々の部分にダイシングすることである。
実施例１１のプロセスにおいて、紫色ＬＥＤはＧａＮバルクの基板上で成長する。
【００７７】
実施例１２のプロセスにおいて、発光材料層を施した後、キャビティ穴の開口工程を、先に行った層のキャビティ穴の次に大きなキャビティ穴に次々と繰り返して、一連の別個色発光層を堆積させる。
実施例１３のプロセスにおいて、ＬＥＤダイの上方のレジスト層の高さは、紫色ＬＥＤダイの縁部からフォトレジストキャビティ壁部への距離と等しくない。
【００７８】
実施例１４のプロセスにおいて、発光材料層を施す工程は、紫色ＬＥＤダイのうちの特定のものの周囲に青色発光材料を施し、紫色ＬＥＤダイのうちの特定のものの周囲に緑色発光材料を施し、紫色ＬＥＤダイのうちの特定のものの周囲に赤色発光材料を施すことを含む。
実施例１５のプロセスにおいて、紫色ＬＥＤダイのうちの異なるそれぞれを別々に駆動するように構成して、色調整可能な光源を得る。
【００７９】
実施例１６のプロセスにおいて、発光材料層を施す工程は、冷白色または温白色の発光材料を紫色ＬＥＤダイのうちの特定のものの周囲に施す工程を含み、紫色ＬＥＤダイのうちの異なるそれぞれが別々に駆動されるよう構成して、色温度調整が可能な光源を得る。
【００８０】
実施例１７のプロセスにおいて、発光材料層を施す工程は、冷白色発光材料、温白色発光材料、赤色発光材料、緑色発光材料または青色発光材料をＬＥＤダイのうちの特定のものの周囲に、選択された比率で施す工程を含み、色調整可能な白色光源を得る。
実施例１８のプロセスにおいて、発光材料は、紫色ＬＥＤダイの線状配列の周囲で線状ストリップに堆積される。
実施例１９のプロセスにおいて、キャビティ穴は、線状配置された紫色ＬＥＤダイの周囲に線状ストリップを含む。
【００８１】
実施例２０のプロセスにおいて、紫色ＬＥＤは三角形状であり、これらの紫色ＬＥＤは線状アレイ状に配置され、三角形紫色ＬＥＤの一辺がサブマウントの短辺に面している。
【００８２】
実施例２１のプロセスにおいて、紫色ＬＥＤは三角形状であり、これらの紫色ＬＥＤは紫色ＬＥＤの２重ストリップ状に配置され、三角形状の紫色ＬＥＤの一辺がサブマウントの短辺に面している。
実施例２２のプロセスはさらに、紫色ＬＥＤダイをシリコーン中に封入し、硬化により封入デバイスを生成する工程を含む。
【００８３】
実施例２３のプロセスはさらに、さらなるキャビティ開口工程を含み、このキャビティ開口工程は、紫色ＬＥＤダイを第１の発光材料でコーティングした後に行われ、さらに紫色ＬＥＤダイを第２の発光材料でコーティングする。
実施例２４のプロセスはさらに、サブマウントに貫通穴ビアを形成する工程を含む。
実施例２５のプロセスはさらに、発光材料でコーティングされたダイをサブマウントからダイシングして個別のＬＥＤを得る工程を含む。
実施例２６のプロセスにおいて、１組の発光材料でコーティングされたダイの周囲に反射ダムを配置する。
実施例２７のプロセスにおいて、発光材料の層は、厚さ約５０μｍ〜約４５０μｍである。
実施例２８のプロセスはさらに、発光材料層上にシリコーンを施す工程を含む。
実施例２９のプロセスはさらに、発光材料を溶媒と混合した後に発光材料上にシリコーンを施す工程を含む。
実施例３０のプロセスはさらに、発光材料をシリコーンと混合してから発光材料層をキャビティ穴内に施す工程を含む。
ｎｘｍアレイ（ただし、ｎ＞ｍ）状に配置された紫色発光ＬＥＤダイを用いて光源を形成する。そこで、
(i) ダイアレイを透明ないし白色の光ダム材料で包囲し、
(ii) ダムの内側の紫色ＬＥＤダイの周囲に、発光変換材料がロードされたシリコーンを施し、
(iii) ダムおよび発光材料変換層の両方の上に、透明ないし白色の光レンズキャップを施す。
実施例３２の光源において、紫色発光ＬＥＤダイをＧａＮバルクの基板上に成長させる。
実施例３３の光源において、白色光透明ダム材料に少数の散乱中心を形成して、光源のオフ時の外観を改善し、および／または発光パターンを変える。
実施例３４の光源において、紫色発光ＬＥＤダイをコンフォーマル発光材料層で個々にコーティングした後、白色光透明ダムを配置する。
実施例３５の光源において、形状に沿ってコーティングされたダイの周囲およびダムの上に白色光透明シリコーンを施して、レンズキャップを生成する。
封入された紫色ダイベースの白色発光線状光源を生成する方法は、以下のステップによって行われる。すなわち、
(i) 紫色発光ＬＥＤダイをｎｘｍ（ただし、ｎ＞ｍ）アレイ状にシリコンまたはセラミックのサブマウントへ取り付け、
(ii) 透明ないし白色の光ダムの２次元アレイを成型またはスタンプし、このダムアレイをサブマウントへ固定し、
(iii) 発光材料がロードされたシリコーンを紫色発光ＬＥＤダイの周囲に施し、
(iv) ダムの上面と発光材料変換層の上面の両方に透明ないし白色の光レンズキャップを施して透明レンズキャップを形成し、
(v) サブマウントおよびダム間接続部の両方をダイシングする。
実施例３７の光源において、紫色発光ＬＥＤダイをＧａＮバルクの基板上に成長させる。
【００８４】
実施例３８の方法において、白色光透明ダム材料に少数の散乱中心を形成することにより、光源のオフ時の外観を改善し、および／または発光パターンを変える。
実施例３８の方法において、紫色発光ＬＥＤダイをコンフォーマル発光材料層で個々にコーティングした後、白色光透明ダムを配置する。
【００８５】
実施例４０の方法において、形状に沿ってコーティングされた紫色ＬＥＤダイの周囲およびダムの上へ白色光透明シリコーンを施し、レンズキャップを生成する。
【００８６】
図１６Ａ〜図１６Ｉは、照明用途に適用可能な本開示の実施形態を示す。これらの実施形態では、本開示にて教示されるように、１つ以上の発光ダイオード１６Ａ１０を被覆すなわちコーティングし、および／またはパターニングすることができ、サブマウントまたはパッケージに装着して電気的相互接続を得る。サブマウントまたはパッケージは、セラミック、酸化物、窒化物、半導体、金属、またはそれらの組合せでよく、様々な被覆ＬＥＤの電気的相互接続機能１６Ａ２０を含む。サブマウントまたはパッケージは、熱インターフェースを介してヒートシンク部材１６Ｂ５０へ取り付けることができる。ＬＥＤは、所望の発光スペクトルを生ずるように構成できるが、これは、様々なＬＥＤからの主発光を混合し、またはＬＥＤ光励起波長ダウンコンバート材料（例えば、蛍光体、半導体もしくは半導体ナノ粒子（「量子ドット」）、または上記のうちのいずれかの組合せ）を有することにより、行われる。
【００８７】
ＬＥＤと何らかのダウンコンバート材料との合計発光表面（ＬＥＳ）が光源１６Ａ３０を形成することができる。１つ以上の光源をアレイ１６Ｂ２０状に相互接続することができ、次にアレイ１６Ｂ２０をコネクタ１６Ｂ１０と電気的に接触させ、アセンブリ１６Ｂ３０に入れる。１つ以上のレンズ要素１６Ｂ４０を光源へ光学的に結合してもよい。レンズ設計および特性を選択して、照明製品の所望の指向光パターンが所与のＬＥＳで得られるようにすることができる。指向性照明製品は、ＬＥＤモジュール、レトロフィットランプ１６Ｂ７０、または固定照明灯１６Ｃ３０でもよい。レトロフィットランプの場合、電子駆動回路には包囲部材１６Ｂ６０を設けてもよく、駆動回路は、外部電源からの電力を調整してＬＥＤ光源に適した電力にする。駆動回路は、レトロフィットランプ内に組み込んでもよい。固定照明灯の場合、外部電源からの電力を調整してＬＥＤ光源に適したものにする電子駆動回路が設けられているが、駆動回路は、固定照明灯に組み込まれ、または固定照明灯の外部に設けられている。モジュールの場合、外部電源からの電力を調整してＬＥＤ光源に適したものにする電子駆動回路が設けられているが、駆動回路は、モジュールに組み込み、またはモジュールの外部に設けられている。適した外部電源の例を挙げると、交流電源（例えば、１２０ＶｒｍｓＡＣまたは２４０ＶｒｍｓＡＣ）、低電圧交流（例えば、１２ＶＡＣ）、および低電圧直流（例えば、１２ＶＤＣ）がある。レトロフィットランプの場合、照明製品全体を標準フォームファクタ（例えば、ＡＮＳＩフォームファクタ）に適合するように設計してもよい。レトロフィットランプ製品の例を挙げると、ＬＥＤベースのＭＲ１６、ＰＡＲ１６、ＰＡＲ２０、ＰＡＲ３０、ＰＡＲ３８、ＢＲ３０、Ａ１９および他の様々な種類のランプがある。固定照明灯の例を挙げると、ハロゲンベース、およびセラミック金属ハロゲン化物ベースの指向性固定照明灯に代えて使用されるものがある。
【００８８】
いくつかの実施形態において、本開示は、非指向性照明用途に適用することができる。これらの実施形態では、本開示によって教示されるような１つ以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）をサブマウントまたはパッケージ上に取り付けて電気相互接続を得ることができる。サブマウントまたはパッケージは、例えば、セラミック、酸化物、窒化物、半導体、金属、またはそれらのいずれかの組合せでよく、様々なＬＥＤの電気相互接続機能を含む。サブマウントまたはパッケージは、熱インターフェースを介してヒートシンク部材へ取り付けることができる。これらのＬＥＤは、様々なＬＥＤからの主発光を混合し、またはＬＥＤ光励起波長ダウンコンバート材料（例えば、蛍光体、半導体もしくは半導体ナノ粒子（「量子ドット」）またはこれらの組合せ）を有することにより、所望の発光スペクトルを生成するように構成することができる。これらのＬＥＤは、所望の形状の光源が得られるように分配することができる。例えば、１つの一般的な形状として、従来の線状蛍光管ランプに代わる線状光源がある。１つ以上の光学素子をＬＥＤへ接続して、所望の非指向性光分布を得ることができる。非指向性照明製品は、ＬＥＤモジュール、レトロフィットランプまたは固定照明灯でよい。レトロフィットランプの場合、電子駆動回路を設けて外部電源からの電力を調整し、ＬＥＤ光源に適した電力にする。駆動回路は、レトロフィットランプ内に組み込む。固定照明灯の場合、電子駆動回路を設けて外部電源からの電力を調整し、ＬＥＤ光源に適した電力にする。駆動回路は、固定照明灯内に組み込むか、固定照明灯の外部に設ける。モジュールの場合、電子駆動回路を設けて外部電源からの電力を調整し、ＬＥＤ光源に適した電力にすることができる。駆動回路は、モジュール内に組み込むか、モジュールの外部に設ける。外部電源の例を挙げると、交流電源（例えば、１２０ＶｒｍｓＡＣまたは２４０ＶｒｍｓＡＣ）、低電圧交流（例えば、１２ＶＡＣ）、および低電圧直流（例えば、１２ＶＤＣ）がある。レトロフィットランプの場合、照明製品全体を標準フォームファクタ（例えば、ＡＮＳＩフォームファクタ）に適合するように設計してもよい。レトロフィットランプ製品の例を挙げると、様々な直管、円形管または曲管蛍光ランプに代わるＬＥＤベースの代替物がある。非指向性照明製品の例を図１６Ｃに示す。このような固定照明灯には、蛍光ベースの反射型照明器具に代わる代替物がある。この実施形態では、ＬＥＤはパッケージ１６Ｃ１０へ機械的に組み込まれ、複数のパッケージが適切な形状（例えば、線状アレイ１６Ｃ２０）に配置される。
【００８９】
本開示のいくつかの実施形態は、フラットパネルディスプレイ用のバックライトに適用することができる。これらの実施形態では、本開示に教示のように、サブマウントまたはパッケージに１つ以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）を装着して電気相互接続を得てもよい。サブマウントまたはパッケージは、セラミック、酸化物、窒化物、半導体、金属またはそれらのいずれかの組合せでよく、様々なＬＥＤの電気相互接続機能を含む。サブマウントまたはパッケージは、熱インターフェースを介してヒートシンク部材へ取り付けることができる。これらのＬＥＤは、様々なＬＥＤからの主発光を混合し、またはＬＥＤ光励起波長ダウンコンバート材料（例えば、蛍光体、半導体もしくは半導体ナノ粒子（「量子ドット」）またはこれらの組合せ）を有することにより、所望の発光スペクトルを生成するように構成することができる。これらのＬＥＤは、所望の形状の光源が得られるように分配することができる。１つの一般的な形状として、線状光源がある。この光源は、バックライト用導光路へ光学的に接続される。これは、導光路の縁部に光結合する（エッジ点灯）か、または導光路の背後から光結合する（直接点灯）することにより達成することができる。導光路は、制御可能な表示装置（例えば、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）パネル）の方へ光を均一に分配する。表示装置は、光透過とその色を電気的に制御してＬＥＤ光を所望の画像に変換する。色の１つの制御法として、フィルタ（例えば、色フィルタ基板１６Ｄ４０）の利用がある。あるいは、複数のＬＥＤを用いてパルスモードで駆動し、所望の主発光色を順番に駆動してもよい（例えば、赤色ＬＥＤ１６Ｄ３０、緑色ＬＥＤ１６Ｄ１０および青色ＬＥＤ１６Ｄ２０を用いて）。任意の輝度強調膜をバックライト「スタック」内に設けてもよい。輝度強調膜は、フラットパネルディスプレイの発光束を絞ることにより明るさを増加させるが、画面に対する視野角は悪くなる。電子駆動回路を設けて外部電源からの電力を調整し、バックライト用ＬＥＤ光源に適した電力にしてもよい。この調整は、ＬＥＤの位置ごとの何らかの色の順番または輝度の変化（例えば、１次元または２次元の減光）を含む。外部電源の例を挙げると、交流電源（例えば、１２０ＶｒｍｓＡＣまたは２４０ＶｒｍｓＡＣ）、低電圧交流（例えば、１２ＶＡＣ）、および低電圧直流（例えば、１２ＶＤＣ）がある。バックライト製品の例を図１６Ｄ１、図１６Ｄ２、図１６Ｅ１および図１６Ｅ２に示す。
【００９０】
本開示のいくつかの実施形態は、図１６Ｆに示すように自動車用前照灯の用途に適用することができる（例えば、自動車用前照灯製品１６Ｆ３０の例を参照）。これらの実施形態では、１つ以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）をサブマウント、または剛体もしくは半剛体パッケージ１６Ｆ１０に装着し、電気相互接続を得ることができる。サブマウントまたはパッケージは、セラミック、酸化物、窒化物、半導体、金属、またはそれらのいずれかの組合せであり、様々なＬＥＤ用の電気相互接続機能を含む。サブマウントまたはパッケージは、熱インターフェースを介してヒートシンク部材へ取り付けることができる。これらのＬＥＤは、様々なＬＥＤからの主発光を混合し、またはＬＥＤ光励起波長ダウンコンバート材料（例えば、蛍光体、半導体もしくは半導体ナノ粒子（「量子ドット」）またはこれらの組合せを有することにより、所望の発光スペクトルを生成するように構成することができる。ＬＥＤと何らかのダウンコンバート材料との合計発光表面（ＬＥＳ）が光源を形成する。１つ以上のレンズ要素１６Ｆ２０を光源へ光学的に結合してもよい。レンズ設計および特性を選択して、自動車用前照灯用途の所望の指向性光パターンが所与のＬＥＤで得られるようにすることができる。電子駆動回路を設けて外部電源からの電力を調整し、ＬＥＤ光源に適した電力とすることができる。自動車用用途の電源には、低電圧直流（例えば、１２ＶＤＣ）がある。ＬＥＤ光源は、ハイビーム機能、ロービーム機能、サイドビーム機能またはこれらの任意の組合せを実現することができる。
【００９１】
いくつかの実施形態において、本開示は、携帯電話およびデジタルスチルカメラ用フラッシュなどの撮像用途に適用することができる（例えば、図１６Ｇを参照）。これらの実施形態では、本開示にて教示されるような１つ以上の発光ダイオード（ＬＥＤ）をサブマウントまたはパッケージ１６Ｇ１０に装着し、電気相互接続を得ることができる。サブマウントまたはパッケージは、セラミック、酸化物、窒化物、半導体、金属、またはそれらのいずれかの組合せでよく、様々なＬＥＤの電気相互接続機能を含む。サブマウントまたはパッケージは、回路基板部材に装着し、装着用パッケージ１６Ｇ２０へ、またはその内部に取り付けてもよい。これらのＬＥＤは、様々なＬＥＤからの主発光を混合し、またはＬＥＤ光励起波長ダウンコンバート材料（例えば、蛍光体、半導体もしくは半導体ナノ粒子（「量子ドット」）またはこれらの組合せ）を有することにより、所望の発光スペクトルを生成するように構成することができる。ＬＥＤと何らかのダウンコンバート材料との合計発光表面（ＬＥＳ）により、光源が形成される。１つ以上のレンズ要素を光源へ光学的に結合してもよい。レンズ設計および特性を選択して、所与のＬＥＳに対して撮像用途の所望の指向性光パターンを達成するようにすることができる。電子駆動回路を設けて外部電源からの電力を調整し、ＬＥＤ光源に適した電力とすることができる。撮像用途に適した外部電源の例を挙げると、低電圧直流（例えば、５ＶＤＣ）がある。ＬＥＤ光源は、低輝度機能１６Ｇ３０、高輝度機能１６Ｇ４０またはこれらの任意の組合せを実現するものでよい。
【００９２】
本開示のいくつかの実施形態は、携帯端末用途に適用することができる。図１６Ｈは携帯端末を示す（スマートフォンアーキテクチャ１６Ｈ００を参照）。図示のように、スマートフォン１６Ｈ０６は、ハウジング、表示画面およびインターフェース部を含む。インターフェース部は、ボタン、マイクロホンおよび／またはタッチスクリーンを含んでよい。特定の実施形態において、電話機は、様々なモードで使用可能な高解像度カメラ部を有する。スマートフォンの一例は、アップル  インコーポレーテッド（米国カリフォルニア州クーパティノ）製のｉＰｈｏｎｅでよい。あるいは、サムソン製のＧａｌａｘｙなどのスマートフォンでもよい。
【００９３】
ある例では、スマートフォンは、以下の機能のうちの１つ以上を含んでよい（これらの機能はアップル  インコーポレーテッド製のｉＰｈｏｎｅ４に見受けられるが、他の変形例もあり得る）。ｗｗｗ．ａｐｐｌｅ．ｃｏｍを参照されたい。
【００９４】
−ＧＳＭモデル：ＵＭＴＳ／ＨＳＤＰＡ／ＨＳＵＰＡ（８５０、９００、１９００、２１００ＭＨｚ）;&#8232;ＧＳＭ／ＥＤＧＥ（８５０、９００、１８００、１９００ＭＨｚ）
−ＣＤＭＡモデル：ＣＤＭＡＥＶ−ＤＯ  Ｒｅｖ．Ａ（８００、１９００ＭＨｚ）
−８０２．１１ｂ／ｇ／ｎ  Ｗｉ−Ｆｉ（８０２．１１ｎ  ２．４ＧＨｚのみ）
−ブルートゥース２．１＋ＥＤＲ無線技術
−アシステッドＧＰＳ
−デジタルコンパス
−Ｗｉ−Ｆｉ
−セルラ
−Ｒｅｔｉｎａディスプレイ
−３．５インチ（対角）ワイドスクリーン・マルチタッチディスプレイ
−８００：１コントラスト比（典型例）
−最大輝度５００ｃｄ／ｍ２（典型例）
−前面および後面の耐指紋撥油性コーティング
−多言語および文字の同時表示をサポート
−５メガピクセルｉＳｉｇｈｔカメラ
−３０フレーム／秒までのＨＤ（７２０ｐ）音声同時ビデオ録画
−フロントカメラによるＶＧＡ品質の静止画および３０フレーム／秒までの動画
−タップしてビデオまたは静止画の合焦
−ＬＥＤフラッシュ
−静止画およびビデオの位置情報付加
−再充電可能リチウムイオンバッテリ内蔵
−コンピュータシステムまたは電源アダプタとのＵＳＢによる充電
−通話時間：３Ｇでは最長１６時間、２Ｇ（ＧＳＭ）では最長１４時間
−待機時間：最大３００時間
−インターネット利用：３Ｇで最長６時間、Ｗｉ−Ｆｉで最長１０時間
−ビデオ再生：最長１０時間
−オーディオ再生：最長４０時間
−周波数応答：１６Ｈｚ〜１６，０００Ｈｚ
【００９５】
−サポートされるオーディオフォーマット：ＡＡＣ（８〜３２０Ｋｂｐｓ）、保護されたＡＡＣ（ｉＴｕｎｅｓ  Ｓｔｏｒｅから）、ＨＥ−ＡＡＣ、ＭＰ３（８〜３２０Ｋｂｐｓ）、ＭＰ３ＶＢＲ、可聴（フォーマット２、３、４、可聴強化型オーディオ、ＡＡＸ、およびＡＡＸ＋）、Ａｐｐｌｅロスレス、ＡＩＦＦ、およびＷＡＶ
−ユーザ構成可能な最大音量制限
【００９６】
−ＡｐｐｌｅデジタルＡＶアダプタまたはＡｐｐｌｅＶＧＡアダプタによる１６２０ｐまでのビデオ出力サポート可能、ＡｐｐｌｅコンポーネントＡＶケーブルによる５７６ｐおよび４８０ｐが可能、ＡｐｐｌｅコンポジットＡＶケーブル（別売ケーブル）による５７６ｉおよび４８０ｉが可能
【００９７】
−サポートされるビデオフォーマット：Ｈ．２６４ビデオが１６２０ｐまで、３０フレーム／秒、主要プロファイルレベル３．１がＡＡＣ−ＬＣオーディオで１６０Ｋｂｐｓ、４８ｋＨｚまで、ステレオオーディオ（．ｍ４ｖ、．ｍｐ４、および．ｍｏｖ  ファイルフォーマット）、ＭＰＥＧ−４ビデオが２．５Ｍｂｐｓまで、６４０×４８０画素、３０フレーム／秒、単純プロファイルがＡＡＣ−ＬＣオーディオで１６０Ｋｂｐｓ／チャネル、４８ｋＨｚまで、ステレオオーディオ（．ｍ４ｖ、．ｍｐ４、および．ｍｏｖファイルフォーマット）、モーションＪＰＥＧ（Ｍ−ＪＰＥＧ）が３５Ｍｂｐｓまで、１２８０×１６２０画素、３０フレーム／秒、オーディオ（ｕｌａｗ、ＰＣＭステレオオーディオが．ａｖｉファイルフォーマット）
−３軸ジャイロ
−加速度センサ
−近接センサ
−周囲光センサ
−その他
【００９８】
本開示の実施形態は、他の電子デバイスと共に用いることができる。適切な電子デバイスの例を挙げると、ポータブル電子デバイス（例えば、メディアプレーヤ、セルラ電話、携帯情報端末ＰＤＡ）。このような実施形態において、ポータブル電子デバイスは、このようなデバイスの各機能の組合せを含んでもよい。加えて、電子デバイスによりユーザは、インターネットまたは他のネットワーク（例えば、ローカルエリアネットワークまたは広域ネットワーク）を通して接続および通信を行うことが可能になる。例えば、ポータブル電子デバイスにより、ユーザがインターネットへアクセスし、電子メール、テキストメッセージング、インスタントメッセージングまたは他の形態の電子通信を用いて通信を行うことが可能になる。例示目的であるが、電子デバイスは、アップル  インコーポレーテッドから発売の表示画面付きｉＰｏｄまたはｉＰｈｏｎｅでよい。
【００９９】
特定の実施形態において、デバイスは、１つ以上の再充電可能、および／または交換可能なバッテリによって給電してもよい。このような実施形態は携帯性に優れているため、旅行、仕事、エクササイズなどにおいてユーザが電子デバイスを携行することが可能になる。このようにして、電子デバイスによって提供される機能に応じて、ユーザは、デバイスを持って自由に動きながら、音楽鑑賞、ゲームまたはビデオの再生、ビデオの録画または静止画撮影、発着信、通信、その他のデバイス操作（例えば、リモート制御および／またはブルートゥース機能経由で）などを行うことができる。加えて、デバイスは、ポケットまたはユーザの手に比較的容易に入るようなサイズでよい。なお、本開示の特定の実施形態をポータブル電子デバイスについて述べてきたが、本開示の技術は、グラフィカルデータを扱うように構成された他のポータブル性の低い広範な電子デバイスおよびシステム（例えば、デスクトップコンピュータ）にも適用可能である。
【０１００】
図示のように、図１６Ｈは、本開示の実施形態によるＬＥＤを有するスマートフォンを含むシステム図である。スマートフォン１６Ｈ０６は、任意の形態のハンドヘルド電子デバイスと電子通信するサーバ１６Ｈ０２と通信するように構成されている。このようなハンドヘルド電子デバイスの例示的なものは、プロセッサ１６Ｈ０８、メモリ１６Ｈ１０、グラフィックスアクセラレータ１６Ｈ１２、加速度センサ１６Ｈ１４、通信インターフェース１６Ｈ１１（アンテナ１６Ｈ１６も含むことがある）、コンパス１６Ｈ１８、ＧＰＳチップ１６Ｈ２０、表示画面１６Ｈ２２、および入力部１６Ｈ２４などの機能部を含む。いずれのデバイスも、これらの例示的機能部に限定されない。これらの機能部は、ハードウェア、ソフトウェアまたはこれら両者の組合せでよい。
【０１０１】
いくつかの例では、電子撮像用途における諸機能の実行をプロセッサ１６Ｈ０８に指示する入力部１６Ｈ２４を通して命令をハンドヘルド電子デバイスへ入力することができる。１つの命令としてあり得るのは、ユーザの身体の一部を撮影した画像からサムネールを生成するものがある。この場合、プロセッサ１６Ｈ０８は通信インターフェース１６Ｈ１１に指示してサーバ１６Ｈ０２と通信（例えば、恐らくはクラウド１６Ｈ０４を経由するか、これを利用して）し、データ（例えば、画像データ）を転送させる。このデータは、通信インターフェース１６Ｈ１１によって転送され、撮像直後にプロセッサ１６Ｈ０８によって処理され、またはメモリ１６Ｈ１０に蓄積されて後に使用されるか、あるいはその両方が行われる。プロセッサ１６Ｈ０８はまた、表示画像の属性についての情報を受信し、例えば加速度センサ１６Ｈ１４からのデータおよび／または他の外部データ（例えば、コンパス１６Ｈ１８からのコンパスの方角、またはＧＰＳチップ１６Ｈ２０からのＧＰＳ位置情報）を用いてデバイスの向きを計算することができ、次にプロセッサは、この情報を用いて、その例に応じて画像を表示する向きを決定する。
【０１０２】
撮像した画像は、プロセッサ１６Ｈ０８、グラフィックスアクセラレータ１６Ｈ１２またはこれら２つの組合せによって処理することができる。いくつかの実施形態において、このプロセッサはグラフィックスアクセラレータ１６Ｈ１２でよい。画像は、先ずメモリ１６Ｈ１０に保存してもよいし、あるいは、可能であれば、メモリをグラフィックスアクセラレータ１６Ｈ１２と直接対応させてもよい。ここに記載する方法は、プロセッサ１６Ｈ０８、グラフィックスアクセラレータ１６Ｈ１２、またはこれら２つの組合せによって実現して、画像とその関連サムネールを生成することができる。画像またはサムネールは、表示画面１６Ｈ２２に表示してもよい。
【０１０３】
図１６Ｉは、電子デバイス１６Ｉ００内の機能部の相互接続を示す。電子デバイスの例を挙げると、上記した機能部の相互接続に加えて、筺体またはハウジング、表示装置、ユーザ入力機構、および入力／出力接続部がある。筺体は、プラスチック、金属、複合材料もしくは他の適切な材料、またはこれらの任意の組合せから形成してもよい。筺体は、電子デバイスの内部機能部を物理的損傷から保護することができ、また内部機能部を電磁干渉（ＥＭＩ）からも保護することができる。
【０１０４】
表示装置は、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）、発光ダイオード（ＬＥＤ）ベースのディスプレイ、有機発光ダイオード（ＯＬＥＤ）ベースのディスプレイ、または他のいくつかの適切なディスプレイでよい。本開示の特定の実施形態によれば、ディスプレイは、ユーザインターフェースおよび様々な他の画像（例えば、ロゴ、アバター、写真、アルバムアート）を表示することができる。さらに、特定の実施形態において、表示装置は、ユーザがユーザインターフェースと相互に対話できるタッチスクリーンを含んでもよい。表示装置はまた、ユーザへフィードバック（例えば、電力状態、通話状態、メモリ状態）する様々な機能および／またはシステム表示部を含んでもよい。これらの表示部は、表示部に表示されたユーザインターフェースに含めてもよい。
【０１０５】
特定の実施形態では、ユーザ入力機構のうちの１つ以上を、例えば、動作モード、出力レベル、出力タイプなどの制御によってデバイスを制御するように構成することができる。例えば、ユーザ入力機構は、デバイスのオンオフ切換えボタンを含んでもよい。さらに、ユーザ入力機構により、ユーザは、表示装置上のユーザインターフェースと相互に対話することができる。ポータブル電子デバイスの実施形態を挙げると、任意の数のユーザ入力機構があり、これらは、ボタン、スイッチ、操作パッド、スクロールホイール、または他の任意の適切な入力機構である。ユーザ入力機構は、デバイス上に表示されたユーザインターフェースと協働して、デバイスの機能、および／またはデバイスに接続された、もしくはデバイスが使用する何らかのインターフェースの機能を制御することができる。例えば、ユーザ入力機構によりユーザは、表示されたユーザインターフェースをナビゲートし、またはこのような表示されたユーザインターフェースをデフォルト画面もしくはホーム画面へ戻すことができる。
【０１０６】
特定のデバイスはまた、別のデバイスを接続可能な様々な入力ポートおよび出力ポートを含んでもよい。例えば、ポートは、ヘッドフォンの接続が可能なヘッドフォンジャックでもよい。さらに、ポートは、ヘッドセット（例えば、ヘッドフォンおよびマイクロホンの組合せ）の接続用の入出力機能を有してもよい。本開示の実施形態は、任意の数の入力ポートおよび／または出力ポートを含んでよい。例えば、ヘッドフォンおよびヘッドセットジャック、ユニバーサルシリアルバス（ＵＳＢ）ポート、ＩＥＥＥ−１３９４ポート、ならびにＡＣ電力コネクタおよび／またはＤＣ電力コネクタである。さらに、デバイスは、他の任意のデバイス（例えば、他のポータブル電子デバイス、パーソナルコンピュータ、プリンタ）に接続されデータの送受信をする入力および出力ポートを用いてもよい。例えば、１つの実施形態において、本デバイスは、パーソナルコンピュータへＩＥＥＥ−１３９４接続を介して接続され、データファイル（例えば、メディアファイル）を送受信してもよい。
【０１０７】
電子デバイス１６Ｉ００の説明は、本開示の実施形態によるスマートフォンシステム図を包んでいる。電子デバイス１６Ｉ００は、上記開示事項を実現に利用可能なコンピュータハードウェア、ソフトウェア、およびファームウェアの例示により説明する。図示のシステムはプロセッサ１６Ｉ２６を含み、これは任意の数の物理的および／または論理的に別個の資源を表し、各資源は、所期の計算を行うように構成されたソフトウェア、ファームウェア、およびハードウェアを実現することができる。プロセッサ１６Ｉ２６は、プロセッサ１６Ｉ２６とのの入出力を制御することが可能なチップセット１６Ｉ２８を含む。この例において、チップセット１６Ｉ２８は、情報を表示画面１６Ｉ４２へ出力し、また不揮発性メモリ１６Ｉ４４に対して情報を読み出し、書き込むことができる。不揮発性メモリ１６Ｉ４４は、例えば、磁気媒体および固体記憶媒体、ならびに／または他の半固定記憶媒体を含んでよい。チップセット１６Ｉ２８も、ＲＡＭ１６Ｉ４６に対して情報を読み出したり、書き込んだりすることができる。様々なユーザインターフェース部とインターフェースするブリッジ１６Ｉ３２を設けて、チップセット１６Ｉ２８とインターフェースすることができる。このようなユーザインターフェース部は、キーボード１６Ｉ３４、マイクロホン１６Ｉ３６、タッチ検出・処理回路１６Ｉ３８、ポインティングデバイス１６Ｉ４０（例えば、マウス）などを含んでよい。一般に、システムへの入力は、多様なマシン生成情報源および／または人間生成情報源のうちのいずれからも発生し得る。
【０１０８】
チップセット１６Ｉ２８はまた、異なる物理インターフェースを持つことが可能な１つ以上のデータネットワーク・インターフェース１６Ｉ３０とインターフェースすることができる。このようなデータネットワーク・インターフェース１６Ｉ３０は、有線および無線のローカルエリアネットワーク用インターフェース、広帯域無線ネットワーク用インターフェース、ならびにパーソナルエリアネットワーク用インターフェースを含んでもよい。本明細書に開示のＧＵＩの生成、表示および利用の方法のいくつかの用途を挙げると、物理インターフェース１６Ｉ３１を介してデータを受信すること、あるいは不揮発性メモリ１６Ｉ４４および／またはメモリもしくはＲＡＭ１６Ｉ４６に保存されたデータを分析するプロセッサ１６Ｉ２６によってマシン自体でデータを生成することがある。さらに、マシンは、キーボード１６Ｉ３４、マイクロホン１６Ｉ３６、タッチ検出・処理回路１６Ｉ３８およびポインティングデバイス１６Ｉ４０などのデバイスを介してユーザから入力を受信し、プロセッサ１６Ｉ２６を用いてこれらの入力を解釈することにより、ブラウジング機能などの該当機能を実行することができる。
【０１０９】
図１７は、照明用途に適用可能な本開示の実施形態を示す。配列１７００は、いくつかのランプ種別（例えば、図示のようなランプシリーズ）に分類されたランプを示す。これらの様々なランプのうちのいくつか（例えば、「Ａシリーズ」、「ＰＳシリーズ」、「Ｂシリーズ」、「Ｃシリーズ」）は、異なるランプ基部を有する。このようなランプ基部は任意の基準に適合することができ、そのうちのいくつかを以下の表に示す（表３および表４を参照）。
【０１１０】
【表３】
2014123738.tif 000005
【０１１１】
さらに、ランプ基部の部材は、電気接続をサポートするように構成された任意のフォームファクタでよい。これらの電気接続は、１組のタイプまたは基準のいずれかに適合するものでよい。例えば表４は、基準（「タイプ」を参照）および対応する特性を示す（例えば、第１のピン（例えば、電力ピン）と第２のピン（例えば、接地ピン）との間の機械的間隔）。
【０１１２】
【表４】
2014123738.tif 000006
2014123738.tif 000007
2014123738.tif 000008
【０１１３】
上記のリストはひとえに例示であり、本明細書中に記載される実施形態の範囲内で利用可能な基準またはフォームファクタをすべて含むものと捉えるべきでない。
【０１１４】
最後に、本明細書に開示の実施形態を実現する他の方法が存在する点に留意されたい。よって、各実施形態は、制限的ではなく例示的なものと考えるべきであり、本明細書に記載の細部まで特許請求の範囲を限定すべきでなく、その範囲内および均等内において変更することが可能である。
【符号の説明】
【０１１５】
１０２  ＬＥＤダイ
１０４  白色ダム
１０６  蛍光体充填シリコーン
１０８  Ｓｉまたはセラミックのサブマウント
２３０  フォトレジスト
【図１】
2014123738.tif 000009
【図２Ａ】
2014123738.tif 000010
【図２Ｂ】
2014123738.tif 000011
【図２Ｃ】
2014123738.tif 000012
【図２Ｄ】
2014123738.tif 000013
【図２Ｅ】
2014123738.tif 000014
【図３】
2014123738.tif 000015
【図４】
2014123738.tif 000016
【図５】
2014123738.tif 000017
【図６Ａ】
2014123738.tif 000018
【図６Ｂ】
2014123738.tif 000019
【図７Ａ】
2014123738.tif 000020
【図７Ｂ】
2014123738.tif 000021
【図８Ａ】
2014123738.tif 000022
【図８Ｂ】
2014123738.tif 000023
【図９Ａ】
2014123738.tif 000024
【図９Ｂ】
2014123738.tif 000025
【図１０Ａ−１０Ｄ】
2014123738.tif 000026
【図１０Ｅ−１０Ｇ】
2014123738.tif 000027
【図１０Ｈ−１０Ｉ】
2014123738.tif 000028
【図１１Ａ−１１Ｄ】
2014123738.tif 000029
【図１１Ｅ−１１Ｇ】
2014123738.tif 000030
【図１１Ｈ−１１Ｉ】
2014123738.tif 000031
【図１２Ａ】
2014123738.tif 000032
【図１２Ｂ】
2014123738.tif 000033
【図１３Ａ】
2014123738.tif 000034
【図１３Ｂ】
2014123738.tif 000035
【図１３Ｃ】
2014123738.tif 000036
【図１３Ｄ】
2014123738.tif 000037
【図１３Ｅ】
2014123738.tif 000038
【図１３Ｆ１−１３Ｆ２】
2014123738.tif 000039
【図１３Ｇ１】
2014123738.tif 000040
【図１３Ｇ２】
2014123738.tif 000041
【図１４】
2014123738.tif 000042
【図１５】
2014123738.tif 000043
【図１６Ａ１−１６Ａ３】
2014123738.tif 000044
【図１６Ｂ１】
2014123738.tif 000045
【図１６Ｂ２】
2014123738.tif 000046
【図１６Ｂ３】
2014123738.tif 000047
【図１６Ｃ１−１６Ｃ３】
2014123738.tif 000048
【図１６Ｄ１】
2014123738.tif 000049
【図１６Ｄ２】
2014123738.tif 000050
【図１６Ｅ１−１６Ｅ２】
2014123738.tif 000051
【図１６Ｆ１】
2014123738.tif 000052
【図１６Ｆ２】
2014123738.tif 000053
【図１６Ｆ３】
2014123738.tif 000054
【図１６Ｇ１】
2014123738.tif 000055
【図１６Ｇ２】
2014123738.tif 000056
【図１６Ｇ３】
2014123738.tif 000057
【図１６Ｇ４】
2014123738.tif 000058
【図１６Ｈ】
2014123738.tif 000059
【図１６Ｉ】
2014123738.tif 000060
【図１７】
2014123738.tif 000061
【外国語明細書】
2014123738000001.pdf