(57)【要約】【課題】本発明は、シーム溶接によるスプラッシュの影響がキャビティ内に及ばない圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供する。【解決手段】圧電デバイス（１００）は、底面（１２１ａ）及び側壁（１２１ｂ）により囲まれるキャビティ（１２１）を有し、長辺及び短辺を有するパッケージ（１２０）と、キャビティに載置される圧電振動片（１１０）と、側壁の上面に配置され、上面の全外周で側壁の外側側面（１２８ｂ）まで延出したメタライズ膜（１５０）と、メタライズ膜に全周が溶接されてキャビティを密封する金属リッド（１３０）と、を含む。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
底面及び側壁により囲まれるキャビティを有し、長辺及び短辺を有するパッケージと、
前記キャビティに載置される圧電振動片と、
前記側壁の上面に配置され、前記上面の全外周で前記側壁の外側側面まで延出したメタライズ膜と、
前記メタライズ膜に全周が溶接されて前記キャビティを密封する金属リッドと、
を含む圧電デバイス。
【請求項２】
前記メタライズ膜は、タングステン膜と、前記タングステン膜の表面に形成されるニッケル膜と、前記ニッケル膜の表面に形成される金膜と、を有する請求項１に記載の圧電デバイス。
【請求項３】
前記圧電振動片を発振させる集積回路を有する請求項１又は請求項２に記載の圧電デバイス。
【請求項４】
長辺及び短辺を有し、底面及び側壁により囲まれるキャビティが形成されるパッケージを用意する工程と、
前記側壁の上面に、前記上面の全外周で前記側壁の外側側面まで延出したメタライズ膜を形成するメタライズ膜形成工程と、
前記キャビティに圧電振動片を載置する圧電振動片載置工程と、
前記メタライズ膜に、金属リッドの全周を溶接して前記キャビティを密封する工程と、
を有する圧電デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記メタライズ膜形成工程では、前記メタライズ膜が前記側壁の外側側面にも形成される請求項４に記載の圧電デバイスの製造方法。
【請求項６】
前記メタライズ膜形成工程は、
前記側壁の上面にタングステン膜をスクリーン印刷により形成する工程と、
前記タングステン膜の表面にニッケルメッキを施す工程と、
前記ニッケルメッキの膜の表面に金メッキにより金を形成する工程と、
を含む請求項４又は請求項５に記載の圧電デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、金属リッドがパッケージに形成されるメタライズ膜にシーム溶接される圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
底面及び側壁により囲まれるキャビティが形成されるパッケージに圧電振動片が載置され、金属リッドが側壁の上面に形成されるメタライズ膜にシーム溶接されることによりキャビティが密封される圧電デバイスが知られている。特許文献１では、メタライズ膜と金属リッドとの溶接にメタライズ膜に直接金属リッドをシーム溶接するダイレクトシーム法を用いる旨の説明がされている。ダイレクトシーム法では、シールリングを用いない分パッケージ全体を低背化でき、また、パッケージのコストを下げることが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−１１４７１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、圧電デバイスの小型化によりパッケージの大きさも小さくなっており、メタライズ膜が形成されるキャビティの側壁の上面の幅も狭くなってきている。そのため特許文献１に示されるようなダイレクトシーム法では、メタライズ膜と金属リッドとをシーム溶接する最中にスプラッシュ（金属が溶けたもの）がキャビティ内に飛び、異物付着等の問題が発生して圧電デバイスの不良の原因となることがあった。
【０００５】
そこで本発明は、シーム溶接によるスプラッシュの影響がキャビティ内に及ばない圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
第１観点の圧電デバイスは、底面及び側壁により囲まれるキャビティを有し、長辺及び短辺を有するパッケージと、キャビティに載置される圧電振動片と、側壁の上面に配置され、上面の全外周で側壁の外側側面まで延出したメタライズ膜と、メタライズ膜に全周が溶接されてキャビティを密封する金属リッドと、を含む。
【０００７】
第２観点の圧電デバイスは、第１観点において、メタライズ膜が、タングステン膜と、タングステン膜の表面に形成されるニッケル膜と、ニッケル膜の表面に形成される金膜と、を有する。
【０００８】
第３観点の圧電デバイスは、第１観点及び第２観点において、圧電振動片を発振させる集積回路を有する。
【０００９】
第４観点の圧電デバイスの製造方法は、長辺及び短辺を有し、底面及び側壁により囲まれるキャビティが形成されるパッケージを用意する工程と、側壁の上面に、上面の全外周で側壁の外側側面まで延出したメタライズ膜を形成するメタライズ膜形成工程と、キャビティに圧電振動片を載置する圧電振動片載置工程と、メタライズ膜に、金属リッドの全周を溶接してキャビティを密封する工程と、を有する。
【００１０】
第５観点の圧電デバイスの製造方法は、第４観点において、メタライズ膜形成工程では、メタライズ膜が側壁の外側側面にも形成される。
【００１１】
第６観点の圧電デバイスの製造方法は、第４観点及び第５観点において、メタライズ膜形成工程が、側壁の上面にタングステン膜をスクリーン印刷により形成する工程と、タングステン膜の表面にニッケルメッキを施す工程と、ニッケルメッキの膜の表面に金メッキにより金を形成する工程と、を含む。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、シーム溶接によるスプラッシュの影響がキャビティ内に及ばない圧電デバイス及び圧電デバイスの製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】圧電デバイス１００の分解斜視図である。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図である。
【図３】圧電デバイス１００の製造方法を示したフローチャートである。
【図４】メタライズ膜形成工程のフローチャートである。
【図５】接合面１２２にタングステン膜１５１が形成されたパッケージ１２０の上面図である。
【図６】シーム溶接されている圧電デバイス１００の概略斜視図である。
【図７】（ａ）は、図６のＣ−Ｃ断面図である。  （ｂ）は、図７（ａ）の点線１６２の拡大図である。
【図８】圧電デバイス２００の分解斜視図である。
【図９】図８のＤ−Ｄ断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、本発明の範囲は以下の説明において特に本発明を限定する旨の記載がない限り、これらの形態に限られるものではない。
【００１５】
（第１実施形態）
＜圧電デバイス１００の構成＞
図１は、圧電デバイス１００の分解斜視図である。圧電デバイス１００は主に、圧電振動片１１０と、パッケージ１２０と、金属リッド１３０と、により形成されている。圧電振動片１１０には、例えば、ＡＴカットの水晶振動片を用いることができる。ＡＴカットの水晶振動片は、主面（ＹＺ面）が結晶軸（ＸＹＺ）のＹ軸に対して、Ｘ軸を中心としてＺ軸からＹ軸方向に３５度１５分傾斜されている。以下の説明では、ＡＴカットの水晶振動片の軸方向を基準とし、傾斜された新たな軸をＹ’軸及びＺ’軸として用いる。すなわち、圧電デバイスは、長辺が伸びる方向をＸ軸方向、短辺が伸びる方向をＺ’軸方向、高さ方向をＹ’軸方向として説明される。このときＸ軸方向、Ｙ’軸方向、及びＺ’軸方向は、互いに垂直になっている。
【００１６】
圧電振動片１１０は、矩形形状に形成されている。圧電振動片１１０の＋Ｙ’軸側の面及び−Ｙ’軸側の面にはそれぞれ励振電極１１１が形成され、各励振電極１１１からは−Ｘ軸側の辺の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側の角にそれぞれ引出電極１１２が引き出されている。
【００１７】
パッケージ１２０は、Ｘ軸方向に伸びる長辺、及びＺ’軸方向に伸びる短辺を有している。また、−Ｙ’軸側の面の＋Ｘ軸側及び−Ｘ軸側にはそれぞれ外部電極１２５が形成されている。＋Ｙ’軸側の面には、底面１２１ａ及び側壁１２１ｂにより囲まれ、圧電振動片１１０が配置されるキャビティ１２１が形成されている。また、キャビティ１２１の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側にはそれぞれ載置部１２３が形成されており、載置部１２３の＋Ｙ’軸側の面である上面には接続電極１２４が形成されている。圧電振動片１１０はこの載置部１２３上に載置される。
【００１８】
パッケージ１２０は、例えばセラミックを基材としたセラミックパッケージであり、第１層１２０ａ、第２層１２０ｂ、及び第３層１２０ｃの３つの層が重ね合わされることにより形成されている。第１層１２０ａはパッケージ１２０の−Ｙ’軸側の面及びキャビティ１２１の底面１２１ａを形成する。第２層１２０ｂは第１層１２０ａの＋Ｙ’軸側の面に配置され、キャビティ１２１内に載置部１２３を形成すると共にキャビティ１２１の側壁１２１ｂの一部を形成する。第３層１２０ｃは第２層１２０ｂの＋Ｙ’軸側の面に配置され、＋Ｙ’軸側の面に接合面１２２を形成すると共にキャビティ１２１の側壁１２１ｂの一部を形成する。接合面１２２にはメタライズ膜１５０が形成される。
【００１９】
金属リッド１３０は、平面形状に形成されており、パッケージ１２０の接合面１２２に形成されるメタライズ膜１５０にシーム溶接される。これにより、金属リッド１３０はキャビティ１２１を密封する。金属リッド１３０は、例えばコバール等の金属が基材とされ、その表面にニッケルメッキが施されてニッケル膜（不図示）が形成されている。
【００２０】
図２は、図１のＡ−Ａ断面図である。パッケージ１２０は、第１層１２０ａによりキャビティ１２１の底面１２１ａが形成され、第２層１２０ｂ及び第３層１２０ｃによりキャビティ１２１の側壁１２１ｂが形成されている。側壁１２１ｂは、キャビティ１２１側に面する内側側面１２８ａ及びキャビティ１２１とは反対側の外側側面１２８ｂを有している。また、側壁１２１ｂの＋Ｙ’軸側の面である上面は接合面１２２であり、接合面１２２にはメタライズ膜１５０が形成されている。メタライズ膜１５０は側壁１２１ｂの外側側面１２８ｂまで延出した延出部１５０ａを有しており、このメタライズ膜１５０に金属リッド１３０が溶接されている。圧電デバイス１００のキャビティ１２１内の載置部１２３には、引出電極１１２が導電性接着剤１４０を介して接続電極１２４に接合されることにより圧電振動片１１０が載置される。接続電極１２４は、パッケージ１２０を貫通する貫通電極１２７を介して外部電極１２５に電気的に接続されている。これにより、圧電振動片１１０の励振電極１１１は外部電極１２５に電気的に接続される。
【００２１】
＜圧電デバイス１００の製造方法＞
図３は、圧電デバイス１００の製造方法を示したフローチャートである。以下、このフローチャートを用いて圧電デバイス１００の製造方法について説明する。
【００２２】
図３のステップＳ１０１では、パッケージ１２０が用意される。ステップＳ１０１は、パッケージを用意する工程である。ステップＳ１０１で用意されるパッケージ１２０は、第１層１２０ａ、第２層１２０ｂ、及び第３層１２０ｃが重ね合され、接続電極１２４、貫通電極１２７、及び外部電極１２５等が形成されている。ステップＳ１０１では、メタライズ膜１５０はまだ形成されていない。
【００２３】
ステップＳ１０２では、接合面１２２にメタライズ膜１５０が形成される。ステップＳ１０２は、メタライズ膜形成工程である。メタライズ膜１５０は、例えば、タングステン膜１５１、ニッケル膜１５２、及び金膜１５３により構成される。以下、図４及び図５を参照してメタライズ膜１５０の形成方法について説明する。
【００２４】
図４は、メタライズ膜形成工程のフローチャートである。また、図４では、フローチャートの右隣りにフローチャートの各ステップを説明するための接合面１２２を含んだ部分断面図が示されている。この部分断面図は、後述する図５のＢ−Ｂ断面を含んだ図である。
【００２５】
図４のステップＳ２０１では、接合面１２２にタングステン膜１５１がスクリーン印刷により形成される。ステップＳ２０１は、タングステン膜をスクリーン印刷により形成する工程である。図４（ａ）は、接合面１２２にタングステン膜１５１が形成された状態の接合面１２２を含んだ部分断面図である。図４（ａ）では、側壁１２１ｂの＋Ｙ’軸側の一部が示されており、側壁１２１ｂの＋Ｘ軸側にキャビティ１２１が形成されている。そのため図４（ａ）では、側壁１２１ｂの＋Ｘ軸側の面が内側側面１２８ａ、側壁１２１ｂの−Ｘ軸側の面が外側側面１２８ｂとなっている。側壁１２１ｂの＋Ｙ’軸側の面である接合面１２２にはタングステン膜１５１がスクリーン印刷により形成されている。また、タングステン膜１５１は接合面１２２から外側側面１２８ｂ側にはみ出して印刷される。そのため、タングステン膜１５１がスクリーン印刷された直後では、タングステン膜１５１は、接合面１２２から外側側面１２８ｂ側にはみ出したはみ出し部１５１ａが形成される。その後、はみ出し部１５１ａは自重により−Ｙ’軸方向に垂れ下がり、外側側面１２８ｂに貼り付いてタングステン膜１５１の延出部１５１ｂとなる。
【００２６】
図５は、接合面１２２にタングステン膜１５１が形成されたパッケージ１２０の上面図である。パッケージ１２０の＋Ｚ’軸側の接続電極１２４は、底面１２１ａ及び貫通電極１２７を介して＋Ｘ軸側に形成される外部電極１２５に電気的に接続されている。また、図５では、スクリーン印刷によりパッケージ１２０の接合面１２２に形成されるタングステン膜１５１が点線で示されている。タングステン膜１５１は接合面１２２の全周に渡って形成されている。また、タングステン膜１５１は接合面１２２の外側側面１２８ｂ側の全外周で外側側面１２８ｂ側に延出して形成されている。そのため、タングステン膜１５１の延出部１５１ｂは、接合面１２２を取り囲むように形成される。タングステン膜１５１の内周側の端１５１ｃは、図５に示されるように、接合面１２２上の内側側面１２８ａから僅かに外側側面１２８ｂ側に寄るように形成されている。タングステン膜１５１の内周側の端１５１ｃは、図５において内側側面１２８ａと重なるように形成されていても良い。
【００２７】
パッケージ１２０のキャビティ１２１のＸ軸方向の長さを長さＬ１、Ｚ’軸方向の長さを長さＳ１、パッケージ１２０の全体のＸ軸方向の長さを長さＬ２、Ｚ’軸方向の長さを長さＳ２とする。このとき、タングステン膜１５１の外周のＸ軸方向の長さを長さＬ４としＺ’軸方向の長さを長さＳ４とすると、タングステン膜１５１は接合面１２２の外側側面１２８ｂ側の全外周で外側側面１２８ｂ側に延出して形成されているため、長さＬ４は長さＬ２よりも長く、長さＳ４は長さＳ２よりも長い。また、タングステン膜１５１の内周のＸ軸方向の長さを長さＬ３とし、内周のＺ’軸方向の長さを長さＳ３とすると、タングステン膜１５１は接合面１２２上に形成されていることから、長さＬ３は長さＬ１以上に長くて長さＬ２よりも短く、長さＳ４は長さＳ１以上に長くて長さＳ２よりも短い。
【００２８】
図４のフローチャートに戻って、ステップＳ２０２では、タングステン膜１５１の表面にニッケル膜１５２がニッケルメッキにより形成される。ステップＳ２０２は、ニッケルメッキを施す工程である。図４（ｂ）は、タングステン膜１５１の表面にニッケル膜１５２が形成された接合面１２２を含む部分断面図である。ニッケル膜１５２は、タングステン膜１５１の表面にニッケルメッキを施すことにより形成される。そのため、ニッケル膜１５２はタングステン膜１５１の表面を覆うように形成される。
【００２９】
ステップＳ２０３では、ニッケル膜１５２の表面に金膜１５３が形成される。ステップＳ２０３は、金メッキにより金を形成する工程である。図５（ｃ）は、ニッケル膜１５２の表面に金膜１５３が形成された接合面１２２を含む部分断面図である。ニッケル膜１５２の表面に金膜１５３が金メッキにより形成されることにより、ニッケル膜１５２の表面を覆うように金膜１５３が形成される。これにより、接合面１２２にメタライズ膜１５０が形成される。
【００３０】
図３に戻って、ステップＳ１０３では、パッケージ１２０に圧電振動片１１０が載置される。ステップＳ１０３は圧電振動片載置工程である。図２に示されるように、圧電振動片１１０は、引出電極１１２が導電性接着剤１４０を介して接続電極１２４に接合されることによりパッケージ１２１内に載置され、同時に引出電極１１２と接続電極１２４とが電気的に接続される。
【００３１】
ステップＳ１０４では、金属リッド１３０によりキャビティ１２１が密封される。ステップＳ１０４は、キャビティを密封する工程である。キャビティ１２１の封止は、接合面１２２に形成されるメタライズ膜１５０の上面に金属リッド１３０を載置し、金属リッド１３０とメタライズ膜１５０とを溶接させることにより行う。金属リッド１３０のＸ軸方向の長さは長さＬ２であり、Ｚ’軸方向の長さは長さＳ２であることができる。また、金属リッド１３０は、金属リッド１３０の外周と接合面１２２の外周とがＹ’軸方向に重なるように載置される。金属リッド１３０とメタライズ膜１５０との溶接は、金属リッド１３０とメタライズ膜１５０とを直接シーム溶接するダイレクトシーム法により行われる。
【００３２】
図６は、シーム溶接されている圧電デバイス１００の概略斜視図である。シーム溶接は、一対の電極ローラ１６０で金属リッド１３０を押さえ込み、電極ローラ１６０を回転させながら金属リッド１３０の辺上を移動させることにより連続的に抵抗溶接を行う溶接である。電極ローラ１６０が金属リッド１３０の辺上を移動している最中は、一対の電極ローラ１６０間に電流を流してジュール熱を発生させている。このジュール熱により金属リッド１３０とメタライズ膜１５０とが溶接される。また、電極ローラ１６０が金属リッド１３０上を移動している最中は、電極ローラ１６０によって常に金属リッド１３０に圧力が加えられながら行われている。電極ローラ１６０は、例えば金属リッド１３０の±Ｘ軸側の辺を移動して±Ｘ軸側の溶接を行い、その後±Ｚ’軸側の辺を移動して±Ｚ’軸側の溶接を行うことにより、金属リッド１３０の全ての辺が溶接される。
【００３３】
図７（ａ）は、図６のＣ−Ｃ断面図である。図７（ａ）には、点線で一対の電極ローラ１６０が示されている。図７（ａ）では、一対の電極ローラ１６０が、金属リッド１３０の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側の辺に互いに向かい合うように配置されている状態が示されている。各電極ローラ１６０はそれぞれ金属リッド１３０の角部１３１に接しながら移動することにより金属リッド１３０とメタライズ膜１５０との溶接を行っている。
【００３４】
図７（ｂ）は、図７（ａ）の点線１６２の拡大図である。圧電デバイス１００のシーム溶接ではメタライズ膜１５０に接する金属リッド１３０の全ての領域が溶接されるわけではなく、主に電極ローラ１６０とメタライズ膜１５０とが近接する領域１６３の範囲内のメタライズ膜１５０と金属リッド１３０とが溶接される。シーム溶接では、メタライズ膜１５０のニッケル膜１５２が融けて金属リッド１３０の側面に盛り上がる盛り上がり部１５４を形成する。このメタライズ膜１５０と金属リッド１３０とが互いに溶接される領域１６３とメタライズ膜１５０のキャビティ１２１側の端１５０ｃとの間の長さを長さＬＳとすると、圧電デバイス１００では、メタライズ膜１５０が外側側面１２８ｂまで延出されていることにより長さＬＳの長さを大きく取ることができる。シーム溶接では溶接の最中にスプラッシュ（金属が溶けたもの）が発生することがあるが、圧電デバイス１００では長さＬＳの長さを大きく取ることができるためスプラッシュがキャビティ１２１内に届くことが防がれ、これにより圧電デバイス１００にショート等の不良が発生することが防がれている。
【００３５】
従来はメタライズ膜の印刷ずれを考慮して金属リッドを小さく設計する必要があったが、圧電デバイス１００ではメタライズ膜１５０が接合面１２２の外側側面１２８ｂに延出して形成されることにより、メタライズ膜１５０の印刷ずれを考慮せず最大の寸法で金属リッド１３０を設計でき、シーム溶接する領域である封止位置も最大限外側にすることができる。また、以上に説明したように、圧電デバイス１００では、メタライズ膜１５０が接合面１２２の外側側面１２８ｂに延出して形成されることにより、シーム溶接する領域をキャビティ１２１から離れた場所に形成することができる。キャビティ１２１から離れた場所でシーム溶接が行われるため、シーム溶接時に発生するスプラッシュ等の火花がキャビティ１２１内に飛び散ることが防がれる。
【００３６】
上記の実施形態では、金属リッド１３０の辺と外側側面１２８ｂとが必ずしもＹ’軸方向に一致せず、金属リッド１３０の辺が外側側面１２８ｂよりもキャビティ１２１側に形成されていても良い。また、メタライズ膜１５０のキャビティ１２１側の端１５０ｃと内側側面１２８ａとが必ずしもＹ’軸方向に一致していなくても良く、メタライズ膜１５０のキャビティ１２１側の端１５０ｃが内側側面１２８ａよりも外側側面１２８ｂ側に寄った位置に形成されていても良い。但し、溶接される領域１６３とキャビティ１２１との間の距離が十分に取られることが望ましい。
【００３７】
（第２実施形態）
圧電デバイスは圧電振動片を発振させる集積回路を含んで圧電発振器として形成されても良い。以下に集積回路を有する圧電デバイス２００について説明する。また、以下の説明においては、第１実施形態と同じ部分については第１実施形態と同じ番号を付してその説明を省略する。
【００３８】
図８は、圧電デバイス２００の分解斜視図である。圧電デバイス２００は、表面実装型の圧電デバイスであり、プリント基板等に実装されて使用される。図８に示される圧電デバイス２００は主に、圧電振動片１１０と、集積回路２７０と、パッケージ２２０と、金属リッド１３０と、により形成されている。
【００３９】
パッケージ２２０は、Ｘ軸方向に伸びる長辺、及びＺ’軸方向に伸びる短辺を有している。また、パッケージ２２０は、−Ｙ’軸側に配置される第１層２２０ａ、第１層２２０ａの＋Ｙ’軸側に配置される第２層２２０ｂ、及び第２層２２０ｂの＋Ｙ’軸側に配置される第３層２２０ｃから成る。パッケージ２２０の−Ｙ’軸側の面の四隅にはそれぞれ外部電極２２５が形成されており、＋Ｙ’軸側の面には底面２２１ａ及び側壁２２１ｂにより囲まれ圧電振動片１１０及び集積回路２７０が配置されるキャビティ２２１が形成されている。キャビティ２２１の−Ｘ軸側の＋Ｚ’軸側及び−Ｚ’軸側にはそれぞれ載置部２２３が形成されている。載置部２２３の上面には接続電極２２４が形成され、さらにその上面には導電性接着剤１４０を介して圧電振動片１１０の引出電極１１２が接合される。また、底面２２１ａには集積回路２７０が載置される。キャビティ２２１の＋Ｘ軸側には、圧電振動片１１０の傾きを抑え、たわみに起因する衝撃を緩和する枕部２２９が形成されている。パッケージ２２０の＋Ｙ’軸側の面のキャビティ２２１の周りには接合面２２２が形成されており、接合面２２２にはメタライズ膜２５０が形成されている。
【００４０】
集積回路２７０は、圧電振動片１１０と電気的に接続されて発振回路が形成される。集積回路２７０は−Ｙ’軸側の面に複数の端子が形成されており、これらの端子が圧電振動片１１０の引出電極１１２又はパッケージ２２０に形成される外部電極２２５に電気的に接続される。
【００４１】
図９は、図８のＤ−Ｄ断面図である。圧電デバイス２００は、金属リッド１３０が接合面２２２に形成されるメタライズ膜２５０に第１実施形態と同様のシーム溶接がされることによりキャビティ２２１が密封されている。パッケージ２２０の底面２２１ａには、接続電極２２４に電気的に接続される圧電電極２４２、及び外部電極２２５に電気的に接続される回路電極２４３が形成されている。圧電電極２４２及び回路電極２４３は集積回路２７０に形成される圧電端子２７１及び回路端子２７２に金属バンプ１４１を介して接合される。また、パッケージ２２０の側壁２２１ｂがキャビティ２２１側に形成される内側側面２２８ａと、キャビティ２２１の反対側に形成される外側側面２２８ｂと、を有しており、圧電デバイス２００においても圧電デバイス１００と同様に、メタライズ膜２５０が接合面２２２の全外周において外側側面２２８ｂまで延出されて延出部２５０ａが形成される。また、メタライズ膜２５０は図７（ｂ）に示されるメタライズ膜１５０と同様に、タングステン膜、ニッケル膜、及び金膜により形成される。
【００４２】
上記の圧電デバイス２００に示されるように、集積回路２７０を有する圧電デバイスにおいてもメタライズ膜が接合面の全外周において側壁の外側側面に延出して形成されることにより、シーム溶接する領域をキャビティ２２１から離れた場所に形成することができる。これにより、シーム溶接時に発生するスプラッシュ等の火花がキャビティ２２１内に飛び散ることが防がれ、圧電デバイス２００にショート等の不良が発生することが防がれている。
【００４３】
以上、本発明の最適な実施形態について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において実施形態に様々な変更・変形を加えて実施することができる。
【００４４】
例えば、上記の実施形態では圧電振動片にＡＴカットの水晶振動片である場合を示したが、同じように厚みすべりモードで振動するＢＴカットの水晶振動片などであっても同様に適用できる。さらに圧電振動片は水晶材のみならず、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムあるいは圧電セラミックを含む接合材に基本的に適用できる。
【符号の説明】
【００４５】
１００、２００  …  圧電デバイス
１１０  …  圧電振動片
１１１  …  励振電極
１１２  …  引出電極
１２０、２２０  …  パッケージ
１２０ａ  …  第１層
１２０ｂ  …  第２層
１２０ｃ  …  第３層
１２１、２２１  …  キャビティ
１２１ａ、２２１ａ  …  底面
１２１ｂ、２２１ｂ  …  側壁
１２２  …  接合面
１２３、２２３  …  載置部
１２４、２２４  …  接続電極
１２５、２２５  …  外部電極
１２７  …  貫通電極
１２８ａ、２２８ａ  …  内側側面
１２８ｂ、２２８ｂ  …  外側側面
１３０  …  金属リッド
１３１  …  角部
１４０  …  導電性接着剤
１４１  …  金属バンプ
１５０、２５０  …  メタライズ膜
１５０ａ、２５０ａ  …  延出部
１５０ｃ  …  メタライズ膜の内周側の端
１５１  …  タングステン膜
１５１ａ  …  はみ出し部
１５１ｂ  …  タングステン膜の延出部
１５１ｃ  …  タングステン膜の内周側の端
１５２  …  ニッケル膜
１５３  …  金膜
１５４  …  盛り上がり部
１６０  …  電極ローラ
１６３  …  溶接される領域
２２９  …  枕部
２４２  …  圧電電極
２４３  …  回路電極
２７０  …  集積回路
２７１  …  圧電端子
２７２  …  回路端子
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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