(57)【要約】      （修正有）【課題】複合材ウェハおよびその製造方法を提供する。【解決手段】複合材ウェハ１０が、基板１１と、ＳｉＣベース機能層１８とを含む。基板は、多孔質炭素基板コアと、基板コア１２を密封するカプセル化層１４とを含む。ＳｉＣベース機能層は、カプセル化層との界面領域に、ＳｉＣベース機能層の一部と炭化物およびケイ化物生成金属との反応によって生成される炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを含む。機能層の厚さにわたって合計した炭化物およびケイ化物生成金属の量は、１０−４ｍｇ／ｃｍ２〜０．１ｍｇ／ｃｍ２である。【選択図】図１
2014154885.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質炭素基板コアと、基本的に酸素を通さないように前記基板コアを密封するカプセル化層とを備える基板と、
前記基板に結合されたＳｉＣベース機能層とを備える複合材ウェハであって、前記ＳｉＣベース機能層が、前記カプセル化層との界面領域に、前記ＳｉＣベース機能層の一部と炭化物およびケイ化物生成金属との反応によって生成される炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを含み、前記機能層の厚さにわたって合計した前記炭化物よびケイ化物生成金属の量が１０−４ｍｇ／ｃｍ２〜０．１ｍｇ／ｃｍ２である
複合材ウェハ。
【請求項２】
前記界面領域が、その間にさらなる連続層を有することなく、前記カプセル化層と直接接触する請求項１に記載の複合材ウェハ。
【請求項３】
前記炭化物およびケイ化物生成金属が、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、およびＣｒからなる群から選択される少なくとも１つの元素である請求項１に記載の複合材ウェハ。
【請求項４】
前記カプセル化層が、少なくとも１５００℃までの温度にわたって基本的に酸素密閉性である請求項１に記載の複合材ウェハ。
【請求項５】
前記カプセル化層が、ＳｉＣ、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ、Ｔｉ酸化物、およびＳｉ３Ｎ４の少なくとも１つを含む請求項１に記載の複合材ウェハ。
【請求項６】
前記多孔質炭素基板コアの孔が、孔栓材料によって閉じられ、前記孔栓材料が、前記カプセル化層の材料とは異なり、前記カプセル化層の材料によって密封される請求項１に記載の複合材ウェハ。
【請求項７】
前記基板が、最大で５ｇ／ｃｍ３の質量密度を有する請求項１に記載の複合材ウェハ。
【請求項８】
前記機能層に面する前記基板の側と、前記機能層とは反対の前記基板の側とをつなぐ前記カプセル化層の少なくとも一部が、導電性である請求項１に記載の複合材ウェハ。
【請求項９】
さらに、前記機能層とは反対の前記基板の側にはんだ部分を備え、前記はんだ部分が、前記ＳｉＣ機能層と電気的に接触する請求項８に記載の複合材ウェハ。
【請求項１０】
ＳｉＣベース機能層を備えるウェハであって、前記ＳｉＣベース機能層が、片側に、前記ＳｉＣベース機能層の一部と炭化物およびケイ化物生成金属との反応によって生成される炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを含み、前記機能層の厚さにわたって合計した前記炭化物およびケイ化物生成金属の量が、１０−４ｍｇ／ｃｍ２〜０．１ｍｇ／ｃｍ２であるウェハ。
【請求項１１】
前記ウェハが、未反応の炭化物およびケイ化物生成金属の連続層を有さない請求項１０に記載のウェハ。
【請求項１２】
前記炭化物およびケイ化物生成金属が、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、およびＣｒからなる群から選択される少なくとも１つの元素である請求項１０に記載のウェハ。
【請求項１３】
さらに、前記ＳｉＣ機能層と電気的に接触するはんだ部分を備える請求項１０に記載のウェハ。
【請求項１４】
複合材ウェハを製造するための方法であって、
多孔質炭素基板コアを準備し、
カプセル化層を使用して前記基板コアを密封し、それにより基板を得、
ＳｉＣベース機能層を設け、
前記ＳｉＣベース機能層の上、または前記カプセル化層の一部の上に炭化物およびケイ化物生成金属を含み、１ｎｍ〜１０ｎｍの間の厚さを有する接着層を形成し、
前記接着層が前記カプセル化層と前記機能層との間に挟まれるように、前記ＳｉＣベース機能層を前記基板に位置決めし、
前記接着層の前記炭化物およびケイ化物生成金属の少なくとも一部が前記機能層の前記ＳｉＣの一部と反応して炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを生成することで、前記ＳｉＣベース機能層を前記基板に結合させて、前記カプセル化層に基本的に酸素を通さないように前記基板コアを密封させること
を含む方法。
【請求項１５】
結合が、前記接着層の前記炭化物およびケイ化物生成金属の基本的にすべてを前記機能層の前記ＳｉＣの一部と反応させて炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを生成して、未反応の炭化物およびケイ化物生成金属の連続層が、前記機能層と前記カプセル化層との間に残っていない請求項１に記載の複合材ウェハ。
【請求項１６】
前記密封が、スパッタリング、亜鉛めっき、およびＣＶＤ堆積の任意の１つのやり方による前記カプセル化層の形成を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記密封が、非晶質または多結晶Ｓｉ層の形成を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
前記密封が、さらに、反応による、前記Ｓｉ層からＳｉＯ２層またはＳｉＣ層の形成を含む請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
さらに、前記機能層とは反対の前記基板の側にはんだ部分を形成し、それにより、前記はんだ部分を、前記カプセル化層を介して前記ＳｉＣ機能層と電気的に接続させることを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
さらに、前記基板の少なくとも部分的な除去を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２１】
さらに、前記機能層とは反対の前記ウェハの側にはんだ部分を形成し、それにより、前記はんだ部分を、前記ＳｉＣ機能層と電気的に接続させることを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
さらに、前記ＳｉＣ機能層を処理することを含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
多孔質炭素基板コアと、反応により生成されたＳｉＣを含み、基本的に酸素を通さないように前記基板コアを密封するカプセル化層とを備える基板と、
前記基板に結合されたＳｉＣベース機能層と
を備える複合材ウェハであって、前記ＳｉＣベース機能層が、前記カプセル化層の界面領域に、炭化物、ケイ化物、および両方の混合物の少なくとも１つを含む複合材ウェハ。
【請求項２４】
複合材ウェハを製造するための方法であって、
多孔質炭素基板コアを準備し、
前記基板コアにＳｉ層を形成し、前記Ｓｉ層からＳｉＣ層を反応により形成して、前記基板コアを、前記ＳｉＣ層を有するカプセル化層内に、基本的に酸素を通さないように密封して基板を得、
ＳｉＣベース機能層を設け、
炭化物およびケイ化物生成金属を含む接着層を、前記ＳｉＣベース機能層または前記カプセル化層の一部の上に形成し、
前記接着層が前記カプセル化層と前記機能層との間に挟まれるように、前記ＳｉＣベース機能層を前記基板に位置決めし、
前記接着層の前記炭化物およびケイ化物生成金属の少なくとも一部が前記機能層の前記ＳｉＣの一部と反応して炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを生成することで、前記ＳｉＣベース機能層を前記基板に結合させること
を含む方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本明細書で述べる実施形態は、ウェハ、特に基板と、基板上に配置されたＳｉＣベース機能層とを有する複合材ウェハ、およびそのようなウェハを製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＳｉＣベース半導体デバイスは、シリコンウェハから形成されるより一般的なデバイスに比べていくつかの利点を提供する。例えば、高温に耐え、広いバンドギャップを有するＳｉＣは、パワーエレクトロニクスデバイスや高温センサなど高温電子機器での用途によく適している。
【０００３】
ＳｉＣのコストは高いので、ＳｉＣベースデバイスに関して、薄いＳｉＣベース機能層が望ましい。機能層は、基板上に配置することができ、基板は、バルク材料を提供し、ＳｉＣ層の処理中、および場合によってはさらに最終的なデバイスにおいて、十分な機械的および熱的安定を可能にする。基板は、ＳｉＣよりも安価であることに加えて、ＳｉＣに良く接着すべきであり、取り扱いやすく、高温などの処理条件に耐えることができるべきであり、また、望ましくない物質によって処理機器を汚染しないものであるべきである。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の一実施形態によれば、複合材ウェハが、多孔質炭素基板コア、および基本的に酸素を通さないように基板コアを密封するカプセル化層を備える基板と、基板に結合されたＳｉＣベース機能層とを備える。ＳｉＣベース機能層は、カプセル化層との界面領域に、ＳｉＣベース機能層の一部と炭化物およびケイ化物生成金属との反応によって生成される炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを含む。機能層の厚さにわたって合計した炭化物よびケイ化物生成金属の量は、１０−４ｍｇ／ｃｍ２〜０．１ｍｇ／ｃｍ２である。
【０００５】
本発明の一実施形態によれば、ウェハは、基板に結合されたＳｉＣベース機能層を備え、ＳｉＣベース機能層は、ＳｉＣベース機能層の一部と炭化物およびケイ化物生成金属との反応によって生成される炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを片側に含む。機能層の厚さにわたって合計した炭化物よびケイ化物生成金属の量は、１０−４ｍｇ／ｃｍ２〜０．１ｍｇ／ｃｍ２である。
【０００６】
本発明の一実施形態によれば、複合材ウェハを製造するための方法が提供される。この方法は、多孔質炭素基板コアを準備し、カプセル化層を使用して基板コアを密封し、それにより基板を得、ＳｉＣベース機能層を設け、ＳｉＣベース機能層の上、またはカプセル化層の一部の上に炭化物およびケイ化物生成金属を含み、厚さが、１ｎｍ〜１０ｎｍの間または１ｎｍ〜１００ｎｍの間の接着層を形成し、接着層がカプセル化層と機能層との間に挟まれるように、ＳｉＣベース機能層を基板に位置決めし、接着層の炭化物およびケイ化物生成金属の少なくとも一部が機能層のＳｉＣの一部と反応して炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを生成することで、ＳｉＣベース機能層を基板に結合させることを含む。この複合材ウェハでは、カプセル化層は、基本的に酸素を通さないように基板コアを密封する。
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、複合材ウェハが、多孔質炭素基板コアと、反応により生成されたＳｉＣを含み、基本的に酸素を通さないように基板コアを密封するカプセル化層とを備える基板と、基板に結合されたＳｉＣベース機能層とを備える。ＳｉＣベース機能層は、カプセル化層の界面領域に、炭化物、ケイ化物、および両方の混合物の少なくとも１つを含む。
【０００８】
本発明の一実施形態によれば、複合材ウェハを製造するための方法が提供される。この方法は、多孔質炭素基板コアを準備し、基板コアにＳｉ層を形成し、Ｓｉ層からＳｉＣ層を反応により生成して、それにより、基板コアを、ＳｉＣ層を備え、基本的に酸素を通さないカプセル化層内に密封して基板を得、ＳｉＣベース機能層を設け、炭化物およびケイ化物生成金属を含む接着層を、ＳｉＣベース機能層またはカプセル化層の一部の上に形成し、接着層がカプセル化層と機能層との間に挟まれるように、ＳｉＣベース機能層を基板に位置決めし、接着層の炭化物およびケイ化物生成金属の少なくとも一部が機能層のＳｉＣの一部と反応して炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを生成することで、ＳｉＣベース機能層を基板に結合させることを含む。
【０００９】
当業者は、以下の詳細な説明を読み、添付図面を見れば、さらなる特徴および利点を理解されよう。
【００１０】
図面中の構成要素は、必ずしも正確な尺度ではなく、必ずしもすべての詳細を含まない。そうではなく、図面は概略的であり、本発明の原理を例示するためのものである。さらに、図面中、同様の参照符号は、対応する部分を表す。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】一実施形態による複合材ウェハの概略側面図である。
【図２】さらなる実施形態による複合材ウェハの概略側面図である。
【図３】さらなる実施形態による複合材ウェハの概略側面図である。
【図４】図４ａ−ｂは、さらなる実施形態による、基板が完全にまたは部分的に取り除かれた複合材ウェハの概略側面図である。
【図５】図５ａ−ｃは、さらなる実施形態による、基板が完全にまたは部分的に取り除かれた複合材ウェハの概略側面図である。
【図６】図６ａ−ｅは、さらなる実施形態による複合材ウェハを製造するための方法を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下の詳細な説明では添付図面を参照する。添付図面は、本明細書の一部を成し、本発明を実施することができる具体的な実施形態を例示する。これに関し、方向を表す用語、例えば、「上」、「下」、「前」、「後」などは、説明する図面の向きに関して使用される。実施形態の構成要素は、多くの異なる向きで位置決めすることができるので、方向を表す用語は、例示の目的で使用されており、なんら限定するものではない。他の実施形態を利用することもでき、本発明の範囲から逸脱することなく構造的または論理的な変更を行うこともできることを理解されたい。したがって、以下の詳細な説明は、限定の意味合いとみなすべきではなく、本発明の範囲は、添付の特許請求の範囲によって定義される。説明する実施形態に特定の用語を使用するが、これは、添付の特許請求の範囲を限定するものと解釈すべきでない。
【００１３】
本明細書で述べる様々な例示的実施形態の特徴は、特に指示しない限り、互いに組み合わせることができることを理解されたい。例えば、１つの態様または実施形態の一部として例示または説明する特徴を、他の態様または実施形態の特徴と合わせて使用して、さらなる態様または実施形態を生み出すことができる。本説明は、そのような修正形態および変形形態を含むものと意図される。
【００１４】
用語「複合材ウェハ」は、（本明細書ではＳｉＣベースの）機能層と、界面領域など機能層の中または外にある追加の要素とを有する任意のウェハに関する。特に、用語「複合材ウェハ」は、機能層と、その層が結合された基板とを有するウェハを表す。別の実施形態では、基板が除去されており、界面領域だけが残されていることもある。
【００１５】
本明細書で使用する用語「垂直」は、半導体基板の主表面に垂直に配置された向きを表すことを意図する。
【００１６】
本明細書で使用する用語「機能層」は、場合によっては機能層のさらなるドーピング、層状化、構造化、または他の種類の処理後のその半導体特性により、センサ、ダイオード、および／またはトランジスタなど半導体デバイスの機能に直接寄与する層を表すことを意図する。半導体デバイスに言及するとき、通常は少なくとも２端子のデバイスが意味され、その一例はダイオードである。また、半導体デバイスは、３端子デバイスでもよく、例としていくつか挙げると、電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、接合電界効果トランジスタ（ＪＦＥＴ）、およびサイリスタである。また、半導体デバイスは、４つ以上の端子を含むこともできる。一実施形態によれば、半導体デバイスは、パワーデバイスである。
【００１７】
本明細書で使用する用語「ＳｉＣベース」層は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、すなわちケイ素と炭素の化合物を含む層を表すことを意図する。これは、他の元素の存在を除外しない。本明細書では、ＳｉＣベース機能層は、任意の結晶構成、例えば積層構成で、主にＳｉＣを含む（５０％超のＳｉＣ、好ましくは８０％超のＳｉＣを含む）ものと理解される。この文献では、任意の元素の濃度または比は、特に断りのない限り、粒子数（原子または分子の数）に基づく。
【００１８】
本明細書で使用する用語「炭化物生成金属」は、Ｃと反応するときに、特にＳｉＣベース層と反応させられるときに、炭化物を生成することが可能な金属元素を表すことを意図する。炭化物生成金属は、化合物、特に窒素Ｎを含有する化合物、例えば窒化チタンの中に存在することもある。反応は、高温、例えば７００℃超でのみ生じることがある。このとき、生じる炭化物は、（より低温でも）安定である。同様に、用語「ケイ化物生成金属」は、Ｓｉと反応するときに、特にＳｉＣベース層と反応させられるときに、ケイ化物を生成することが可能な金属元素を表すことを意図する。この定義に含まれる材料は、例えば、周期表の第４族〜第１０族の１つからの遷移金属である。この特性を有する具体的な金属としては、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、およびＣｒが挙げられる。ケイ化物生成金属は、化合物、特にＳｉを含む化合物、例えばケイ化モリブデンの中に存在することもある。用語「炭化物およびケイ化物生成金属の量」は、任意の化合物中に存在する金属の量を含み、特に、ＳｉＣベース層の炭化物およびケイ化物中に存在する金属の量を含む。
【００１９】
本明細書で使用する用語「酸素を通さない」とは、電子構成要素の処理および使用条件下（例えば１５００℃または１５５０℃までの温度）で基本的に酸素を通さない材料を表すことを意図する。本明細書で使用する「基本的に酸素を通さない」とは、例えば１ｍｇＯ２／ｃｍ２／ｈ未満、場合によってはさらに０．１ｍｇ／ｃｍ２／ｈ未満の無視できる量の酸素のみを許容するものと理解される。
【００２０】
本明細書で使用する用語「カプセル化」層は、基板コアをすべての側からコーティングする層を表すことを意図する。層は、様々な副層、例えば、各側に関して１つの副層、または一方が他方の外側に配置された副層を含むことがある。また、「密封」は、カプセル化層（副層）が、完全に開いた隙間を有さないことを示唆する。
【００２１】
機能層が基板に「結合」されるという用語は、結合、特に熱的な結合によって得ることができる任意の接続を含み、２つの層の間にある追加の層、例えば結合材料層を除外はしないが、機能層が基板に直接接触することが好ましい。本明細書では、用語「直接接触する」は、機能層が、間に連続する他の層を有さずに（例えば、未反応の炭化物およびケイ化物生成金属の連続層がなく）基板に直に隣接することを意味する。これは、機能層と基板との界面に存在する未反応の金属または他の材料のいくらかの局所的な不純物もしくはアイランド、例えば炭化物および／またはケイ化物アイランドを除外しない。好ましくは、そのようなアイランドは、界面表面の２０％未満を占める。
【００２２】
本明細書で述べる具体的な実施形態は、限定はしないが、基板とＳｉＣベース機能層とを含む複合材ウェハに関し、ここで、基板は、多孔質炭素基板コアと、基板コアを密封するカプセル化層（酸素バリア層）とを含み、ＳｉＣベース機能層は、炭化物およびケイ化物生成金属の薄い接着層を結合層として反応させることによって基板に結合されている。それにより、炭化物およびケイ化物生成金属は、ＳｉＣベース機能層と化学的に反応する炭化物および／またはケイ化物を生成する。接着層は十分に薄く（厚さ１ｎｍ〜１０ｎｍ）、典型的には接着層の材料がＳｉＣと完全に反応して、炭化物およびケイ化物を生成し、次いで炭化物およびケイ化物がＳｉＣ層に接着する。それにも関わらず、接着層の薄さにより、金属（例えば、反応していない金属、または炭化物および／またはケイ化物中に結合された金属）は、ＳｉＣ層内への拡散がごく限られたものになるほど少量しか存在せず（１０−４ｍｇ／ｃｍ２〜０．１ｍｇ／ｃｍ２未満）、それにより、金属は、ＳｉＣバルク材料内にあまり拡散せず、基本的に界面層に限られる。したがって、少量の金属は、ＳｉＣ層の働きに対して悪影響を及ぼさない。他方、意外にも、接着層は、結合時に完全に反応するほど薄い場合でさえ、（ＳｉＣ層内への金属のより大きな拡散を引き起こすことになる）より厚い接着層の接着効果と同様の強い接着効果を依然として有することが発見されている。本明細書で述べる他の実施形態は、上述したようなウェハであるが、そこから基板が完全にまたは部分的に除去されているウェハに関する。
【００２３】
図１を参照して、複合材ウェハ１０の第１の実施形態を述べる。基板１１は、多孔質炭素基板コア１２と、カプセル化層１４とを含む。カプセル化層は、酸素バリアとして働き、基本的に酸素を通さないように基板コア１２を密封する。
【００２４】
さらに、ＳｉＣベース機能層１８が、基板１１上に配置（結合）される。機能層１８において、カプセル化層１４との界面に界面領域１７を見ることができる。界面領域１７は、ＳｉＣベース機能層の一部と炭化物およびケイ化物生成金属との反応によって生成される炭化物および／またはケイ化物を含有し、任意選択で、いくらかの残りの未反応の炭化物およびケイ化物生成金属も含む。この実施形態では、炭化物およびケイ化物生成金属（炭化物およびケイ化物中に存在する金属、およびまた任意選択で未反応形態の金属）の量は、機能層の厚さにわたって合計して、すなわちカプセル化層１４と機能層１８との間の界面の平面に垂直な方向で合計して、１０−４ｍｇ／ｃｍ２〜０．１ｍｇ／ｃｍ２である。
【００２５】
多孔質炭素コア１２を有する基板１１を使用することによって、多孔質炭素の小さな質量密度により、基板１１の質量を小さく保つことができる。これは、純粋なＭｏからなる物質など、同様に良好な接着性を有する他の基板に勝る大きな利点である。Ｍｏの密度は比較的高く（１０．２ｇ／ｃｍ３）、したがって、Ｍｏ基板は、その重量により、取扱いおよび輸送が難しい。Ｓｉウェハの質量に関して最適化されている市販の半導体処理機器は、多くの場合、Ｍｏ基板を高信頼性で取り扱い、輸送することはできないことがある。同じことが、他の金属からなる物質にも当てはまる。対照的に、図１に示される複合材ウェハ１０は、標準的なプロセス機器を使用して取り扱うことができる。
【００２６】
しかし、炭素担体は、特に高温で、例えば炉内プロセス中に、酸素に非常に敏感である。炭素が酸素と反応する（燃料する）場合、生じるＣＯ２が膨張して、保護層の破壊を引き起こすことがある。この問題は、酸素から炭素基板コア１２を保護するカプセル化層１４によって解決される。多孔質炭素コア１２の別の利点は、多様な材料によく接着することであり、したがって、カプセル化層１４は、一般に炭素コア１２によく接着する。
【００２７】
図２の複合材ウェハは、そうでないことを明記する場合以外は、図１のものと同様である。すなわち、図２の複合材ウェハは、カプセル化層１４と機能層１８との間に追加の接着層１５が挟まれる点で、図１の複合材ウェハとは異なる。それにより、接着をさらに改良することができる。接着層は、好ましくは、機能層への拡散が少ない耐高温性材料からなる。例えば、接着層１５は、機能層および／またはカプセル化層１４とは異なる結晶構造を有するＳｉＣから形成されることがある。
【００２８】
図３の複合材ウェハは、そうでないことを明記する場合以外は、図１のものと同様である。すなわち、図３のウェハは、さらに、基板１１の底部側、すなわち機能層１８とは反対の側にはんだ部分２０を備える。はんだ部分は、コア１２を介して、またはカプセル化層１４を介して、ＳｉＣ機能層１８と電気的な接触を成す。このために、基板１１の上部側（機能層１８に面する側）と、基板１１の底部側（機能層１８とは反対の側）とをつなぐカプセル化層１４の少なくとも一部が導電性である。本明細書では、導電性とは、１０−３Ω・ｍ未満の抵抗を有することと定義される。
【００２９】
以下、図１〜図３を参照して、本発明のいくつかの全般的な態様を論じる。本明細書では、これらの図は例示のためのものであり、それぞれの全般的な態様は、任意選択で任意の他の全般的な態様と組み合わせて、図１〜図３の実施形態以外の実施形態で実現することもできることを理解されたい。
【００３０】
まず、ＳｉＣベース機能層１８のいくつかの全般的な態様を論じる。ＳｉＣベース機能層１８は、主に、ケイ素と炭素との化合物を含む。これは、他の元素の存在、例えばドープされた層または他の層の場合には、拡散された金属の存在を除外せず、一態様によれば、層内のＳｉとＣとの合計の含有量が８０％以上である。一態様によれば、ＳｉＣ層は、さらには、基本的に純粋な、すなわちＳｉとＣとの合計の含有量が９９％以上のＳｉＣ層でよい。好ましくは、機能層は、純粋なＳｉＣと、炭化物と、ケイ化物と、未反応の炭化物およびケイ化物生成金属と、最大で１％のドーパントおよび／または不純物とからなる。ＳｉとＣとの比は、必ずしもそうする必要はないが、好ましくは、約１：１、例えば０．９〜１．１の間である。一般に、ＳｉＣ化合物は、層状化された結晶構造を有するが、ＳｉＣの任意の他の結晶構造を有することもある。
【００３１】
さらなる態様によれば、機能層は、少なくとも１μｍ、または５μｍ〜２０μｍの厚さを有する。
【００３２】
さらなる態様によれば、機能層は、ダイオード、Ｊ−ＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴなど、ＳｉＣのベースにあるパワー半導体デバイスの一部でよい。さらなる態様によれば、機能層は、高温センサなど高温半導体デバイスの一部でよい。
【００３３】
さらなる態様によれば、ＳｉＣベース機能層は、プロトン誘発分割によってＳｉＣウェハから分割されており、これは、基板１１、２１とは反対の機能層の側にある分割表面から、および／または基板内に注入されたプロトンの痕跡から見ることができる。
【００３４】
次に、炭化物およびケイ化物生成金属と、界面領域１７とのいくつかの全般的な態様を論じる。一態様によれば、界面領域１７は、間にさらなる連続層を有さずに、カプセル化層と直接接触する。特に、未反応の炭化物およびケイ化物生成金属の連続層が存在しない。しかし、これは、連続層を形成しない限り、未反応の金属のいくらかの局所的な不純物を除外しない。
【００３５】
一態様によれば、機能層１８の厚さにわたって合計した炭化物およびケイ化物生成金属の量は、１０−４ｍｇ／ｃｍ２〜０．１ｍｇ／ｃｍ２である。さらなる態様によれば、炭化物およびケイ化物生成金属の量は、（界面領域１７で）基板１１の側に主に集中され、炭化物およびケイ化物生成金属の５０％超、好ましくは８０％超がその界面領域内に存在する。一態様によれば、界面領域は、３００ｎｍ以下の厚さを有する（プロセス前には、厚さは、好ましくはさらに１００ｎｍ未満である）。
【００３６】
界面領域１７内の適切な金属からの炭化物およびケイ化物の生成は、機能層１８と基板１１との良好な接着を保証するという利点を有する。特に、界面領域１７は、場合によっては高温処理の後に、薄い金属層の金属と機能層１８からのＳｉおよびＣとを反応させて炭化物および／またはケイ化物を生成することによって形成されることがある。この反応は、特に良好な接着力を保証し、その際、例えば非晶質または多結晶ＳｉＣ層１８の場合に、ＳｉＣ層がそのＣ面で接触される（したがって主に炭化物が生成される）か、そのＳｉ面で接触されるか、または混合面で接触されるかは関係ない。それにより、一態様によれば、基板１１と機能層１８との接着力は、５〜１０ＭＰａよりも高い。追加として、または代替として、接着力は、炭素層１２内部の接着力よりも強いことさえあり、それにより、結合された機能層が強い力で引っ張られるとき、基板１１と機能層１８との界面ではなく、炭素層が破断される。
【００３７】
さらなる態様によれば、炭化物およびケイ化物生成金属は、この特性を有する周期表の第４族〜第１０族の１つからの遷移金属である。例えば、炭化物およびケイ化物生成金属は、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、およびＣｒからなる群から選択される少なくとも１つの元素を含むことがあり、またはそのような元素でよい。Ｔｉ、Ｍｏ、およびＷは、それらの耐高温性により、特に有利である。さらなる適切な材料は、炭化物およびケイ化物を生成することが可能な金属−シリコンの二層または他の金属化合物である。
【００３８】
さらなる態様によれば、基板１１へのＳｉＣベース機能層１８の結合中、界面領域１７は、接着が強いことを保証するだけでなく、結晶構造が転移されず、したがって機能層内に欠陥が誘発されないことも保証する。したがって、界面領域１７が、機能層１８の結晶構造とは異なる結晶構造を有することが有利である。
【００３９】
さらなる態様によれば、界面領域１７は、複数の異なる中間層を含む。特に、中間層は、炭化物およびケイ化物生成金属とＳｉＣベース機能層との反応生成物、例えば、少なくとも１つの炭化物相および／または少なくとも１つのケイ化物相を含む。例えば、炭化物およびケイ化物生成金属がＭｏである場合、相は、ＭｏＣＳｉ相、ＭｏＳｉ相、およびＭｏＣ相の１つまたは複数を含むことがある。一般に、これらの相は、構成要素を適度にのみ（７００℃未満、例えば５００〜７００℃の範囲内に）加熱することによって得ることができ、得られる炭化物相および／またはケイ化物相は、それにも関わらず、一般に耐高温性を有し、高温でのさらなる処理ステップおよび作業条件にもよく適している。
【００４０】
一態様によれば、界面領域１７は、導電性を有し、特に１０−３Ω・ｍ未満の抵抗を有する。
【００４１】
次に、カプセル化層１４のいくつかの全般的な態様を論じる。一態様によれば、カプセル化層１４は、ＳｉＣ、Ｓｉ酸化物、Ｓｉ、Ｔｉ酸化物、および窒化物（例えばＳｉ３Ｎ４）または金属窒化物（例えばＴｉＮやＴａＮ）の少なくとも１つを含む（それらから形成することができる、またはそれらからなる副層を有する）。好ましい態様によれば、カプセル化層（またはその副層）は、Ｓｉ層から反応により得られたＳｉからなる。
【００４２】
さらなる態様によれば、カプセル化層１４は、複数の副層を含む複数層構造でよい。例えば、カプセル化層の第１の副層は、本明細書で述べるＳｉＣ層でよく、第２の副層は、Ｓｉ３Ｎ４層でよい。副層は、互いに並べて配置されることがあり、それにより基板コア１２を共同して密封し、および／または互いに重ねて配置されることがあり、例えば第２の副層が第１の副層の外側に配置される。この場合、副層の１つは、酸素バリア副層（例えば、ＳｉＣ）でよく、他の副層は、別の機能を有することがあり、例えば接着力または化学的不活性を改良する。
【００４３】
一態様によれば、カプセル化層１４は、少なくとも１５００℃の温度までの耐温度性を有する。一態様によれば、カプセル化層１４は、少なくとも１５００℃までの温度に関して基本的に酸素密閉性である。さらなる態様によれば、カプセル化層は、少なくとも３００ｎｍの厚さを有する。一態様によれば、カプセル化層１４は、機能層１８の熱膨張係数と１５％未満だけ異なる熱膨張係数を有する。
【００４４】
次に、基板１１、２１のいくつかの全般的な態様を論じる。一態様によれば、炭素基板コア１２は、最大５ｇ／ｃｍ３、より好ましくは最大３ｇ／ｃｍ３の質量密度を有する。さらなる態様によれば、基板（接着層を含む基板コア）は、最大５ｇ／ｃｍ３の質量密度（すなわち総質量を総体積で割った値）を有する。別の態様によれば、グラファイトコアの空隙率は、５％以下、８％以下、またはさらには１０％以下である。したがって、空隙率により、炭素基板コア１２の密度は、グラファイトの通常の密度（約２〜３ｇ／ｃｍ３）未満になることさえある。
【００４５】
一態様によれば、基板コア１２は、最大３０μｍの平均孔直径を有する。典型的な孔径は、５〜２５μｍである。また、他の材料／製造業者も存在する。一態様によれば、炭素基板コア１２の表面にある孔の少なくともいくつかが、孔栓材料によって閉じられる。それにより、基板コア１２の表面が平滑化され、カプセル化層１４に対する接着力が改良される。
【００４６】
さらなる態様によれば、基板コアは、以下の寸法の少なくとも１つを有する。少なくとも３００μｍもしくは少なくとも６００μｍ、および／または最大２ｍｍもしくは最大１ｍｍの厚さ。基板コアは、厚さによって離された２つの平行な面を有することがある。面は、実質的に円形状でよい。基板コアの直径は、半導体処理で利用可能な機器に適合するように、約１００ｍｍ、１５０ｍｍ、２００ｍｍ、３００ｍｍ、または４５０ｍｍなど市販のシリコンウェハの直径に対応することがある（本明細書において、「約」は、「最大５％の偏差」と定義する）。他の直径も可能である。全般的な態様によれば、直径は、８０ｍｍ〜６００ｍｍの間である。他の例では、基板コアの形状は、円形、楕円形、多角形、もしくは長方形でよく、および／または上述したのとは異なる直径を有することもある。
【００４７】
複合構成要素またはその任意の部分、例えば基板１０が、本明細書で述べた層に加えてさらなる層を含むこともあることに留意されたい。例えば、機能層は、埋め込まれた断熱層、および／または機能層を保護するための少なくとも１つの保護層など、追加の層を含むことがある。
【００４８】
図４ａおよび図４ｂは、さらなる実施形態によるウェハを示し、このウェハは、図１の機能層１８のみを有する。しかし、図１の基板１１は除去される。したがって、ＳｉＣベース機能層１８は、片側（界面領域１７を有する底部側）に、ＳｉＣベース機能層の一部と炭化物およびケイ化物生成金属との反応によって生成される炭化物およびケイ化物の少なくとも１つを含み、機能層の厚さにわたって合計した炭化物およびケイ化物生成金属の量は、１０−４ｍｇ／ｃｍ２〜０．１ｍｇ／ｃｍ２である。また、機能層１８は、いくらかの残りの未反応の炭化物およびケイ化物生成金属を含むこともあるが、特定の態様によれば、ウェハは、未反応の炭化物およびケイ化物生成金属の連続層を有さない。特定の態様では、基板の除去による除去痕（例えば研磨痕）が、界面領域１７の底部側で検出可能である。
【００４９】
さらに、図４ｂの実施形態では、いくらかの研磨されたＳｉＣ材料１４’も見ることができ、これは、図１における前のカプセル化層１４の一部である。特定の態様では、基板の残りの除去による除去痕（例えば研磨痕）が、材料１４’の底部側で検出可能である。特定の態様では、材料１４’の結晶構造は、機能層１８の結晶構造とは異なる。
【００５０】
図１に関して述べたように、炭化物およびケイ化物生成金属は、例えば、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、および／またはＣｒでよい。また、図１〜図３に示される実施形態および態様の他の説明も、図４ａおよび図４ｂと矛盾しない限り当てはまる。
【００５１】
図５ａおよび図５ｂは、上述した図４ａおよび図４ｂに対応し、以下の相違点を有する。すなわち、追加として、ウェハが、ＳｉＣ機能層１８と電気的に接触するはんだ部分２０を備える。はんだ部分は、界面部分１７のウェハの側に配置される。はんだ部分は、界面部分１７を介して、ＳｉＣ機能層１８と電気的に接触する。
【００５２】
図５ｃの複合材ウェハは、以下の相違点以外は図２のものと同様である。すなわち、図２の基板１１の一部が除去され、基板の一部（図２における前のカプセル化層１４からの基板コア１２およびＳｉＣ材料１４’の部分）が残っている。
【００５３】
さらに、図５ｃのウェハは、基板１１の底部側、すなわち機能層１８とは反対の側にはんだ部分２０をさらに備える。それにより、はんだ部分２０は、基板の一部が除去されたときに露出されていた基板コア１２の側を基本的に酸素を通さないように覆う。したがって、材料１４’（例えば、反応により生成されたＳｉＣを含む第１の副層）と、はんだ部分２０（第２の副層）とが、基板コア１２を密封するカプセル化層１４を構成する。さらに、上述した図３の実施形態と同様に、はんだ部分は、コア１２を介して、またはカプセル化層１４の材料１４’を介して、ＳｉＣ機能層１８と電気的に接触する。
【００５４】
代替実施形態では、図５ｃのはんだ部分２０が２層構造によって置き換えられ、第１の副層は、（例えばＳｉＣからなる）基本的に酸素密閉性の層であり、第１の副層の下（外側）に配置された第２の副層は、はんだ部分である。得られるウェハは、図３のものと同様であるが、基板コア１２の下面にある除去痕を有し、カプセル化層１４が２つの副層（図５ｃの層１４’と、上述した第１の副層と）から構成される。
【００５５】
次に、図６ａ〜図６ｃを参照して、さらなる実施形態による複合材ウェハを製造するための方法を述べる。図６ａに示されるように、多孔質カーボン基板コア１２が準備される。次いで、図６ｂに示されるように、基板コア１２は、カプセル化層１４を使用して密封される。
【００５６】
カプセル化層は、スパッタリング、亜鉛めっき、ＣＶＤ堆積、層を塗布する任意の他の方法、またはそれらの組合せなど、任意の方法を使用して塗布することができる。場合によっては、基板コア１２をすべての側から密封するために、２つ以上の層状化ステップが行われる。任意選択で、層を化学的に反応させるなど追加のプロセスステップが、カプセル化層１４の酸素密閉性を高めるために行われる。例えば、カプセル化層１４は、非晶質または多結晶Ｓｉ層として形成することができ、（場合によっては以下に述べる結合後の）後続のステップで、ＳｉＣ層を形成するように反応させられることがある。代替実施形態では、Ｓｉ層は、Ｏ２と反応させられることがあり、それにより基本的に酸素密閉性のＳｉＯ２層が形成される。任意選択で、Ｓｉ層および／またはカプセル化層１４は、特に機能層が結合されることになる面で平坦化することができる。これらの技法の任意のものにより、（場合によっては結合など追加のプロセスステップの後に）基本的に酸素密閉性のカプセル化層１４が得られる。
【００５７】
本発明の特に好ましい全般的な実施形態によれば、カプセル化層は、反応により生成されたＳｉＣからなり、このＳｉＣは、ＳｉＣの反応生成前に少なくとも一部が平坦化されたＳｉ層から反応されたものである。そのようなカプセル化層は、Ｓｉ（これは比較的軟質である）の平坦化がＳｉＣの平坦化とは異なる痕を残すので、直接生成されたＳｉＣ層とは区別することができる。ＳｉＣへの反応が行われる前に初期Ｓｉ層を平坦化することによって、結合前のＳｉＣのより難しい平坦化をなくす、または少なくとも減少させることができる。
【００５８】
図６ｃに示されるさらなる方法ステップとして、ＳｉＣベース機能層１８が提供される。これは、図６ａおよび図６ｂに示されるプロセスステップの前、後、またはそれらと並行して行うことができる。次いで、接着層１６が、スパッタリング、亜鉛めっき、ＣＶＤ堆積など任意の層状化方法を使用して機能層１８の上に形成され、それにより、接着層１６は、ＳｉＣベース機能層１８に（直接）接触する。接着層１６は、炭化物およびケイ化物生成金属を含み、１ｍｍ〜１０ｍｍの間の厚さを有する。
【００５９】
次いで、図６ｄに示されるように、接着層１６が形成されているＳｉＣベース機能層１８は、接着層１６がカプセル化層１４と機能層１８との間に挟まるように基板１１に配置される。
【００６０】
代替実施形態では、接着層は、図６ｃに示されるようにＳｉＣベース機能層に形成されるのではなく、カプセル化層１４の上部に形成されることがある。この代替実施形態では、ＳｉＣベース機能層１８は、次いで、接着層１６がカプセル化層１４と機能層１８との間に挟まれるように基板１１上に配置され、すなわち、図５ｄの構成が得られる。以下に説明する残りのステップは、どちらの実施形態に関しても同じである。
【００６１】
代替実施形態では、接着層の一部が、カプセル化層１４の上部に形成されることがあり、接着層の一部が、図６ｃに示されるようにＳｉＣベース機能層に形成されることがある。接着層１６の両方の部分は、同じ材料からなることも、異なる材料からなることもある。この代替実施形態では、ＳｉＣベース機能層１８は、次いで、接着層１６の２つの部分がカプセル化層１４と機能層１８との間に挟まれるように基板１１上に配置され、すなわち、図５ｄの構成が得られる。以下に説明する残りのステップは、３つの実施形態およびそれらの変形形態すべてに関して同じである。
【００６２】
図６ｅに示されるように、次いで、結合反応が行われる。結合反応は熱処理でよく、図６ｄに示される構成要素は、接着層１６の炭化物およびケイ化物生成金属または接着層１６の２つの部分がＳｉＣベース機能層１８とそれらの界面で反応できるようになる温度まで加熱される。例えば、温度は、５００℃〜７００℃の範囲内でよい。結合反応（熱処理）により、少なくとも１つの炭化物相および／または少なくとも１つのケイ化物相が形成される。
【００６３】
接着層１６は薄いので、結合反応中、接着層１６の炭化物およびケイ化物生成金属の基本的にすべてが、機能層１８のＳｉＣのいくらかと反応して炭化物および／またはケイ化物を生成し、したがって、層１６の未反応の金属は、（場合によってはいくらか生じる、未反応の材料または不純物の局所的なアイランドを除いて）基本的に残らない。すなわち、未反応の炭化物およびケイ化物生成金属の連続層は、機能層１８とカプセル化層１４との間に残らない。その結果、連続層としての接着層１６が消え、その代わりに、炭化物相および／または少なくとも１つのケイ化物相が生成され、機能層１８の界面領域１７を一部形成する。
【００６４】
特定の実施形態では、カプセル化層１４がＳｉ層として塗布された場合、Ｓｉ層は、反応させられることがあり、それにより、熱処理中に酸素密閉性の層を形成する。例えば、上で説明したように、Ｓｉ層は、ＳｉＣを生成する反応を起こされることがある。
【００６５】
以下、図６ａ〜図６ｅを参照して、本発明のいくつかの全般的な態様を論じる。本明細書では、これらの図は例示のためのものにすぎず、全般的な態様を他の実施形態で実現することもできる。
【００６６】
一態様によれば、密封ステップの前に、接着／孔栓材料を基板コア１２に塗布する追加のステップを含むことができる。追加として、または代替として、基板コア１２は、平坦化されることがある。
【００６７】
一態様によれば、密封ステップは、以下の任意の１つを使用して行うことができる。
（ｉ）多孔質炭素基板コア１２が、密封材料をスパッタリング、亜鉛めっき、および／または堆積することによって密封される。
（ｉｉ）多孔質炭素基板コア１２が、前駆体材料をスパッタリング、亜鉛めっき、および／または堆積し、次いで、カプセル化層を得るために前駆体材料を反応させることによって密封される。
【００６８】
方法（ｉ）では、カプセル化層１４は、基本的に酸素密閉性の層として塗布することができる。方法（ｉｉ）では、カプセル化層（前駆体材料）は、基本的に酸素密閉性になるように後で反応を起こされることがある。方法（ｉ）は、Ｍｏ、Ｔａ、Ｎｂ、Ｖ、Ｔｉ、Ｗ、Ｎｉ、Ｃｒ、または別の適切な炭化物およびケイ化物形成材料を塗布するために使用することができる。方法（ｉｉ）は、Ｓｉ酸化物またはＳｉＣ層を塗布するために使用することができる。ここで、まず、Ｓｉ層（例えば、非晶質または多結晶Ｓｉ層）が、基板コア１２（任意選択で、追加の接着／孔栓材料が塗布されている）に塗布されることがあり、次いで、Ｓｉ酸化物またはＳｉＣ層が、Ｓｉ層から反応により生成される。例えば、ＳｉＣ層は、Ｓｉ層が反応してＳｉＣになる環境内で、１０００℃〜２０００℃、好ましくは１３００℃〜１５００℃での加熱プロセスを使用して生成することができる。加熱時間は、望みの厚さに応じて、２分〜２時間の間で変えることができる。ＳｉＣ層は、本明細書で述べる実施形態に関して特に適切である。任意選択で、前駆体材料は、少なくとも接着層１６に接触することになる表面で平坦化されることがある。
【００６９】
一態様によれば、ＳｉＣベース機能層１８は、プロトン誘発切断（「スマートカット」とも呼ばれる）を使用して設けることができる。このプロトン誘発切断ステップによれば、まず、プロトンが高強度で注入されているＳｉＣベースウェハの一部として、ＳｉＣベース機能層が提供される。次いで、本明細書で述べるように、ＳｉＣウェハが基板１１に結合される。次いで、高温プロセスが行われ、（基板１１が結合されている）機能層がＳｉＣベースウェハから分割される。任意選択で、機能層１８の上面（すなわち基板１１とは反対の表面）が、研磨または他の方法で処理される。この技法は、機能層内に注入されたプロトンによって（いくつかの場合には上面の形状によって）構成要素から確認することができる。
【００７０】
一態様によれば、方法は、さらに、例えば、エピタキシ；ドーピング；エッチング；互いからのデバイスの隔離；接触；および／またはパッケージングなど１つまたは複数の処理ステップによってＳｉＣ機能層１８を処理するステップを含む。例えば、機能層は、ダイオード、Ｊ−ＦＥＴ、ＩＧＢＴ、ＭＯＳＦＥＴ、ＳｉＣ−ＳＯＩデバイス、または本明細書で述べる任意の他のデバイスなど、ＳｉＣのベースにあるパワー半導体デバイスが得られるように処理されることがある。
【００７１】
また、図１〜図３に関して述べた態様の任意のものを、本明細書で述べる方法に関して使用することができる。
【００７２】
図６ａ〜図６ｅの方法の追加の任意選択のプロセスステップとして、機能層１８とは反対の基板１１の側にはんだ部分を形成することができる。このとき、このステップにより、図２に示される構成が得られる。はんだ部分２０は、例えば亜鉛めっきまたは電気めっきによって形成されることがある。はんだ部分２０は、例えば銅、または鉛フリーはんだを含む。
【００７３】
一態様によれば、カプセル化層１４の少なくとも一部が導電性であり、したがって、カプセル化層１４を介して、ＳｉＣ機能層１８とはんだ部分２０との間に少なくとも１つの導電性経路が形成される。また、はんだ部分２０は、異なる材料または層のスタックを備えることがある。また、はんだ部分２０は、複数のはんだ接点を有することがあり、各はんだ接点とＳｉＣ機能層１８のそれぞれの部分との間に、カプセル化層１４を介して（互いに電気的に隔離された）それぞれの導電性経路を形成することができる。
【００７４】
図６ａ〜図６ｅの方法の追加の任意選択のプロセスステップとして、基板１１または機能層１８に追加の接着層１５を塗布することができ、それにより、図６ｄの構成で、基板１１と接着層１６との間に追加の接着層１５が挟まれる。追加の層１５は、例えば、カプセル化層１４の材料とは異なる結晶構造を有するＳｉＣ、または非晶質のＳｉＣから形成されることがある。その結果、図３の複合材ウェハが得られる。
【００７５】
図６ａ〜図６ｅの方法の追加の任意選択のプロセスステップとして、図６ｄまたは図６ｅのステップの後、および任意選択で機能層１８の処理に関するさらなる処理ステップの後、基板１１は、ここでも例えば研磨によって部分的にまたは完全に除去されることがある。その結果、図４ａまたは図４ｂに示される構造が得られる。
【００７６】
あるいは、基板は、部分的にのみ除去されることがある。基板が部分的にのみ除去される場合、残りの基板部分にさらなる層を塗布することができ、それにより、残りの基板部分は、例えば図５ｃに示されるように、やはり酸素を通さないように密封される。
【００７７】
追加の任意選択のプロセスステップとして、基板１１または基板１１の一部が除去されている複合材ウェハの側にはんだ部分２０が形成されることがある。はんだ部分２０は、亜鉛めっきによって形成されることがある。はんだ部分２０は、ＳｉＣ機能層１８と電気的に接触するように形成されることがある。この任意選択のステップにより、図５ａまたは図５ｂに示される構造を得ることができる。
【００７８】
本明細書で述べる様々な例示的実施形態の特徴は、特に断りのない限り、互いに組み合わせることができることを理解されたい。
【００７９】
本明細書で使用する際、用語「有する」、「含有する」、「含む」、「備える」などは、制約のない用語であり、指定の要素または特徴の存在を示すが、追加の要素または特徴を除外しない。不定冠詞および定冠詞は、文脈に別段に明記されない限り、複数も単数も含むものと意図される。
【００８０】
上記の範囲の変更および用途を念頭に置いて、本発明は、前述の説明によって限定されず、また添付図面によっても限定されないことを理解すべきである。そうではなく、本発明は、添付の特許請求の範囲およびそれらの法的な均等形態によってのみ限定される。
【符号の説明】
【００８１】
１０  複合材ウェハ
１１  基板
１２  基板コア
１４  カプセル化層
１４’  ＳｉＣ材料
１５  接着層
１７  界面領域
１８  ＳｉＣベース機能層
２０  はんだ部分
【図１】
2014154885.tif 000003
【図２】
2014154885.tif 000004
【図３】
2014154885.tif 000005
【図４】
2014154885.tif 000006
【図５】
2014154885.tif 000007
【図６】
2014154885.tif 000008
【外国語明細書】
2014154885000001.pdf
2014154885000002.pdf
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