(57)【要約】【課題】半導体ウェーハの素子形成面に保護テープを貼着することなくチャックテーブルで保持可能することにより、素子形成面に積層欠陥が発生することを防止する。【解決手段】半導体ウェーハにおいて素子形成面（表面１１０）とは反対側の裏面１４０を研削面として裏面１４０を研削する半導体ウェーハの研削方法であって、スクライブラインに沿って凹部１２０が形成され、凹部１２０に軟性部材１３０が埋設されている半導体ウェーハ１００Ａを準備する工程と、軟性部材１３０を突き刺すことが可能な突起部２２０が凹部１２０に沿って形成されているチャックテーブル２００Ａを準備する工程とを有し、半導体ウェーハ１００Ａの表面１１０とチャックテーブル２００Ａとを対面配置させて、軟性部材１３０にチャックテーブル１００Ａの突起部２２０を突き刺した状態で、裏面１４０を研削する。【選択図】図１
2014116374.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウェーハにおいて素子を形成する素子形成面とは反対側の面を研削面として当該研削面を研削する半導体ウェーハの研削方法であって、
前記素子形成面のスクライブラインに沿って凹部が形成され、当該凹部に軟性を有する軟性部材が埋設されている半導体ウェーハを準備する工程と、
前記軟性部材を突き刺すことが可能な突起部が前記半導体ウェーハの凹部に沿って形成されている半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルを準備する工程と、
を有し、
前記半導体ウェーハの素子形成面と前記チャックテーブルとを対面配置させて、前記半導体ウェーハの凹部に埋設されている軟性部材に前記チャックテーブルの突起部を突き刺した状態で、前記研削面を研削することを特徴とする半導体ウェーハの研削方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体ウェーハの研削方法において、
前記軟性部材は、軟性を有する金属、レジスト又はポリイミド樹脂であることを特徴とする半導体ウェーハの研削方法。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体ウェーハの研削方法において、
前記軟性部材は、前記半導体ウェーハをダイシングするためのダイシングブレードを研ぐ効果を有する部材であることを特徴とする半導体ウェーハの研削方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の半導体ウェーハの研削方法において、
前記チャックテーブルの前記突起部が形成されている側の面には、前記半導体ウェーハの表面を保護するための樹脂層が形成されていることを特徴とする半導体ウェーハの研削方法。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれかに記載の半導体ウェーハの研削方法において、
前記突起部には粘着層が形成されていることを特徴とする半導体ウェーハの研削方法。
【請求項６】
半導体ウェーハにおいて素子を形成する素子形成面とは反対側の面を研削面として当該研削面を研削する半導体ウェーハの研削方法であって、
前記素子形成面のスクライブラインに沿って凹部が形成されている半導体ウェーハを準備する工程と、
前記半導体ウェーハの凹部に沿って突起部が形成され、当該突起部には前記半導体ウェーハの凹部に埋設可能となる軟性部材が取り付けられている半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルを準備する工程と、
を有し、
前記半導体ウェーハの素子形成面と前記チャックテーブルとを対面配置させて、前記半導体ウェーハの凹部に前記チャックテーブルの突起部に取り付けられている軟性部材を埋設するように前記チャックテーブルの突起部を前記半導体ウェーハの凹部に挿入した状態で、前記研削面を研削することを特徴とする半導体ウェーハの研削方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体ウェーハの研削方法において、
前記軟性部材は、軟性を有する金属、レジスト又はポリイミド樹脂であることを特徴とする半導体ウェーハの研削方法。
【請求項８】
請求項６に記載の半導体ウェーハの研削方法において、
前記軟性部材は、前記半導体ウェーハをダイシングするためのダイシングブレードを研ぐ効果を有する部材であることを特徴とする半導体ウェーハの研削方法。
【請求項９】
請求項６〜８のいずれかに記載の半導体ウェーハの研削方法において、
前記チャックテーブルの前記突起部が形成されている側の面には、前記半導体ウェーハの表面を保護するための樹脂層が形成されていることを特徴とする半導体ウェーハの研削方法。
【請求項１０】
素子形成面のスクライブラインに沿って凹部が形成され、当該凹部に軟性を有する軟性部材が埋設されている半導体ウェーハの前記素子形成面とは反対側の面を研削面として当該研削面を研削する際に前記半導体ウェーハを保持する半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルであって、
前記半導体ウェーハの凹部に埋設されている前記軟性部材を突き刺すことが可能な突起部が前記半導体ウェーハの凹部に沿って形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル。
【請求項１１】
請求項１０に記載の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルにおいて、
前記チャックテーブルの前記突起部が形成されている側の面には、前記半導体ウェーハの表面を保護するための樹脂層が形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル。
【請求項１２】
請求項１０又は１１に記載の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルにおいて、
前記突起部には粘着層が形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル。
【請求項１３】
素子形成面のスクライブラインに沿って凹部が形成されている半導体ウェーハの前記素子形成面とは反対側の面を研削面として当該研削面を研削する際に前記半導体ウェーハを保持する半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルであって、
前記半導体ウェーハの凹部に沿って突起部が形成され、当該突起部には前記半導体ウェーハの凹部に埋設可能となる軟性部材が取り付けられていることを特徴とする半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル。
【請求項１４】
請求項１３に記載の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルにおいて、
前記軟性部材は、軟性を有する金属、レジスト又はポリイミド樹脂であることを特徴とする半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル。
【請求項１５】
請求項１３に記載の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルにおいて、
前記軟性部材は、前記半導体ウェーハをダイシングするためのダイシングブレードを研ぐ効果を有する部材であることを特徴とする半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル。
【請求項１６】
請求項１３〜１５のいずれかに記載の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルにおいて、
前記チャックテーブルの前記突起部が形成されている側の面には、前記半導体ウェーハの表面を保護するための樹脂層が形成されていることを特徴とする半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル。
【請求項１７】
半導体ウェーハをスクライブラインに沿ってダイシングすることによって製造される半導体装置であって、
前記半導体ウェーハは、請求項１〜５のいずれかに記載の半導体ウェーハの研削方法によって研削された半導体ウェーハであることを特徴とする半導体装置。
【請求項１８】
半導体ウェーハをスクライブラインに沿ってダイシングすることによって製造される半導体装置であって、
前記半導体ウェーハは、請求項６〜９のいずれかに記載の半導体ウェーハの研削方法によって研削された半導体ウェーハであることを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの研削方法、半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル及び半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体ウェーハの研削面を研削する際には、半導体ウェーハの素子形成面（表面ともいう。）を半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル（以下では、単に「チャックテーブル」と略記する場合もある。）に対面配置させ、当該チャックテーブルにより半導体ウェーハを真空吸着した状態で、半導体ウェーハの表面とは反対側の裏面を研削する。このとき、従来においては、半導体ウェーハの表面を保護するための保護テープを半導体ウェーハの表面に貼着した状態でチャックテーブルに真空吸着させる（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
図６は、特許文献１に開示されている半導体ウェーハの研削方法を説明するために示す図である。特許文献１に開示されている半導体ウェーハの研削方法（以下、従来の半導体ウェーハの研削方法という。）は、図６に示すように、半導体ウェーハ９１０の表面に保護テープ９２０を貼着した状態で、当該半導体ウェーハ９１０をチャックテーブル９３０に真空吸着させる。そして、研削ユニット９４０に取り付けられている砥石９５０を回転させることによって半導体ウェーハ９１０の裏面９１１を研削する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−４０５１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、従来の半導体ウェーハの研削方法は、図６に示すように、半導体ウェーハ９１０の表面に保護テープ９２０が貼着されているため、研削終了後に、半導体ウェーハ９１０から保護テープ９２０を引き剥がす必要があるが、半導体ウェーハ９１０から保護テープ９２０を引き剥がす際に、半導体ウェーハ９１０の表面に積層欠陥と呼ばれる欠陥が発生するおそれがある。
【０００６】
このため、図６に示すような従来の半導体ウェーハの研削方法によって研削された半導体ウェーハを用いて半導体装置を製造すると、製造された半導体装置の品質に問題が生じてしまう場合もある。特に、ＳｉＣ（炭化珪素）を用いた半導体ウェーハ（ＳｉＣ半導体ウェーハという。）は、接触に敏感であるため、積層欠陥が生じやすく、積層欠陥が生じている半導体ウェーハを用いて半導体装置を製造した場合、製造された半導体装置は品質に問題が生じる。このような課題は、ＳｉＣ半導体ウェーハだけでなく、他の半導体材料（Ｓｉなど）を用いた半導体ウェーハにおいても起こり得る。
【０００７】
そこで、本発明は、半導体ウェーハを半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルで保持させる際に、半導体ウェーハの素子形成面に保護テープを貼着することなく半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルで保持可能とすることにより、半導体ウェーハの素子形成面に積層欠陥が発生することを防止できる半導体ウェーハの研削方法及び半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルを提供するとともに、高品質な半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
［１］本発明における半導体ウェーハの研削方法（本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法とする。）は、半導体ウェーハにおいて素子を形成する素子形成面とは反対側の面を研削面として当該研削面を研削する半導体ウェーハの研削方法であって、前記素子形成面のスクライブラインに沿って凹部が形成され、当該凹部に軟性を有する軟性部材が埋設されている半導体ウェーハを準備する工程と、前記軟性部材を突き刺すことが可能な突起部が前記半導体ウェーハの凹部に沿って形成されている半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルを準備する工程と、を有し、前記半導体ウェーハの素子形成面と前記チャックテーブルとを対面配置させて、前記半導体ウェーハの凹部に埋設されている軟性部材に前記チャックテーブルの突起部を突き刺した状態で、前記研削面を研削することを特徴とする。
【０００９】
［２］本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法においては、前記軟性部材は、軟性を有する金属、レジスト又はポリイミド樹脂であることが好ましい。
【００１０】
［３］本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法においては、前記軟性部材は、前記半導体ウェーハをダイシングするためのダイシングブレードを研ぐ効果を有する部材であることが好ましい。
【００１１】
［４］本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法においては、前記チャックテーブルの前記突起部が形成されている側の面には、前記半導体ウェーハの表面を保護するための樹脂層が形成されていることが好ましい。
【００１２】
［５］本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法においては、前記突起部には粘着層が形成されていることが好ましい。
【００１３】
［６］本発明における半導体ウェーハの研削方法（本発明における第２の半導体ウェーハの研削方法とする。）は、半導体ウェーハにおいて素子を形成する素子形成面とは反対側の面を研削面として当該研削面を研削する半導体ウェーハの研削方法であって、前記素子形成面のスクライブラインに沿って凹部が形成されている半導体ウェーハを準備する工程と、前記半導体ウェーハの凹部に沿って突起部が形成され、当該突起部には前記半導体ウェーハの凹部に埋設可能となる軟性部材が取り付けられている半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルを準備する工程と、を有し、前記半導体ウェーハの素子形成面と前記チャックテーブルとを対面配置させて、前記半導体ウェーハの凹部に前記チャックテーブルの突起部に取り付けられている軟性部材を埋設するように前記チャックテーブルの突起部を前記半導体ウェーハの凹部に挿入した状態で、前記研削面を研削することを特徴とする。
【００１４】
［７］本発明における第２の半導体ウェーハの研削方法においては、前記軟性部材は、軟性を有する金属、レジスト又はポリイミド樹脂であることが好ましい。
【００１５】
［８］本発明における第２の半導体ウェーハの研削方法においては、前記軟性部材は、前記半導体ウェーハをダイシングするためのダイシングブレードを研ぐ効果を有する部材であることが好ましい。
【００１６】
［９］本発明における第２の半導体ウェーハの研削方法においては、前記チャックテーブルの前記突起部が形成されている側の面には、前記半導体ウェーハの表面を保護するための樹脂層が形成されていることが好ましい。
【００１７】
［１０］本発明における半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル（本発明における第１の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルとする。）は、素子形成面のスクライブラインに沿って凹部が形成され、当該凹部に軟性を有する軟性部材が埋設されている半導体ウェーハの前記素子形成面とは反対側の面を研削面として当該研削面を研削する際に前記半導体ウェーハを保持する半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルであって、前記半導体ウェーハの凹部に埋設されている前記軟性部材を突き刺すことが可能な突起部が前記半導体ウェーハの凹部に沿って形成されていることを特徴とする。
【００１８】
［１１］本発明における第１の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルにおいては、前記チャックテーブルの前記突起部が形成されている側の面には、前記半導体ウェーハの表面を保護するための樹脂層が形成されていることが好ましい。
【００１９】
［１２］本発明における第１の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルにおいては、前記突起部には粘着層が形成されていることが好ましい。
【００２０】
［１３］本発明における半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル（本発明における第２の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルとする。）は、素子形成面のスクライブラインに沿って凹部が形成されている半導体ウェーハの前記素子形成面とは反対側の面を研削面として当該研削面を研削する際に前記半導体ウェーハを保持する半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルであって、前記半導体ウェーハの凹部に沿って突起部が形成され、当該突起部には前記半導体ウェーハの凹部に埋設可能となる軟性部材が取り付けられていることを特徴とする。
【００２１】
［１４］本発明における第２の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルにおいては、前記軟性部材は、軟性を有する金属、レジスト又はポリイミド樹脂であることが好ましい。
【００２２】
［１５］本発明における第２の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルにおいては、前記軟性部材は、前記半導体ウェーハをダイシングするためのダイシングブレードを研ぐ効果を有する部材であることが好ましい。
【００２３】
［１６］本発明における第２の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルにおいては、前記チャックテーブルの前記突起部が形成されている側の面には、前記半導体ウェーハの表面を保護するための樹脂層が形成されていることが好ましい。
【００２４】
［１７］本発明における半導体装置（本発明における第１の半導体装置とする。）は、半導体ウェーハをスクライブラインに沿ってダイシングすることによって製造される半導体装置であって、前記半導体ウェーハは、前記［１］〜［５］のいずれかに記載の半導体ウェーハの研削方法によって研削された半導体ウェーハであることを特徴とする。
【００２５】
［１８］本発明における半導体装置（本発明における第２の半導体装置とする。）は、半導体ウェーハをスクライブラインに沿ってダイシングすることによって製造される半導体装置であって、前記半導体ウェーハは、前記［６］〜［９］のいずれかに記載の半導体ウェーハの研削方法によって研削された半導体ウェーハであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法は、半導体ウェーハの凹部に埋設されている軟性部材にチャックテーブルの突起部を突き刺すことにより半導体ウェーハをチャックテーブルで保持した状態として、半導体ウェーハの裏面（研削面）を研削するようにしている。このため、本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法によれば、半導体ウェーハの素子形成面に保護テープを貼着することなく半導体ウェーハをチャックテーブルで確実に保持することができる。これにより、「保護テープを引き剥がす際に、半導体ウェーハの表面に積層欠陥が生じてしまう」ということがなくなる。
【００２７】
また、本発明にける第１の半導体ウェーハの研削方法によれば、半導体ウェーハの凹部に埋設されている軟性部材にチャックテーブルの突起部を突き刺すことにより半導体ウェーハを保持しているため、研削時において、半導体ウェーハの水平面上（チャックテーブルの表面上）に沿った動きを確実に規制することができるといった効果も得られる。すなわち、半導体ウェーハを研削する際は、半導体ウェーハに対して垂直方向に沿った力に加えて水平面上に沿った力も加わるため、半導体ウェーハの水平面上に沿った動きが確実に規制されることにより、半導体ウェーハの研削を高精度に行うことができる。
【００２８】
また、本発明における第２の半導体ウェーハの研削方法は、半導体ウェーハの凹部に埋設可能となる軟性部材を突起部に取り付けたチャックテーブルを準備し、半導体ウェーハの素子形成面とチャックテーブルとを対面配置させて、半導体ウェーハの凹部に突起部の側の軟性部材を埋設するようにしてチャックテーブルの突起部を凹部に挿入した状態で、前記研削面を研削するようにしている。このため、本発明における第２の半導体ウェーハの研削方法においても、上記した本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法によって得られる効果と同様の効果が得られる。
【００２９】
また、本発明における第１の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルは、半導体ウェーハの凹部に埋設されている軟性部材を突き刺すことが可能な突起部が半導体ウェーハの凹部に沿って形成されている。このように構成されている本発明における第１の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブを用いることにより、上記した本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法を実現することができ、上記した本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法によって得られる効果と同様の効果が得られる。
【００３０】
また、本発明における第２の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルは、半導体ウェーハの凹部に沿って突起部が形成され、当該突起部には凹部に埋設可能となる軟性部材が取り付けられている。このように構成されている本発明における第２の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブを用いることにより、上記した本発明における第２の半導体ウェーハの研削方法を実現することができ、上記した本発明における第２の半導体ウェーハの研削方法によって得られる効果と同様の効果、すなわち、上記した本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法によって得られる効果と同様の効果が得られる。
【００３１】
また、本発明における第１の半導体装置は、上記した[１］〜［５］のいずれかに記載の半導体ウェーハの研削方法によって研削された半導体ウェーハを用いて製造されているため、高品質な半導体装置とすることができる。すなわち、上記した[１］〜［５］のいずれかに記載の半導体ウェーハの研削方法によって研削された半導体ウェーハは、研削工程時において、保護テープを半導体ウェーハの表面に貼着して研削を行う必要がないため、「保護テープを引き剥がす際に、半導体ウェーハの表面に積層欠陥が生じてしまう」といったことがなくなる。したがって、このような研削工程によって研削された半導体ウェーハは積層欠陥のない高品質な半導体ウェーハとすることができ、このような高品質な半導体ウェーハを用いて製造された半導体装置は高品質なものとなる。
【００３２】
また、本発明における第２の半導体装置は、上記した[６］〜［９］のいずれかに記載の半導体ウェーハの研削方法によって研削された半導体ウェーハを用いて製造されているため、上記した本発明における第１の半導体装置と同様の理由により、高品質な半導体装置とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法を説明するために示す図である。
【図２】実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａを説明するために示す図である。
【図３】実施形態２に係るチャックテーブル２００Ｂを説明するために示す図である。
【図４】実施形態４に係る半導体ウェーハの研削方法を説明するために示す図である。
【図５】実施形態４に係るチャックテーブル２００Ｃを説明するために示す図である。
【図６】特許文献１に開示されている半導体ウェーハの研削方法を説明するために示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の形態について説明する。なお、以下に示す各実施形態においては、半導体ウェーハはＳｉＣ半導体ウェーハであるとして説明する。
【００３５】
［実施形態１］
図１は、実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法を説明するために示す図である。なお、図１（ａ）〜（ｃ）は実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａの裏面１４０（研削面）を研削する際の各工程を模式的に示す図であり、図１（ａ）は半導体ウェーハ１００Ａを準備する半導体ウェーハ準備工程、図１（ｂ）は半導体ウェーハ保持用のチャックテーブル２００Ａを準備するチャックテーブル準備工程、図１（ｃ）は半導体ウェーハ１００Ａの裏面１４０を研削する研削工程を示す図である。
【００３６】
また、図１（ａ）における（ａ１）は半導体ウェーハ１００Ａにおける表面１１０（素子形成面）を平面視した図であり、図１（ａ）における（ａ２）は（ａ１）のｘ−ｘ線矢視断面図であり、図１（ａ）における（ａ３）は（ａ１）のｙ−ｙ線矢視断面図である。また、図１（ｂ）における（ｂ１）はチャックテーブル２００Ａの表面２１０を平面視した図であり、図１（ｂ）における（ｂ２）は（ｂ１）のｘ−ｘ線矢視断面図であり、図１（ｂ）における（ｂ３）は（ｂ１）のｙ−ｙ線矢視断面図である。また、図１（ｃ）は研削工程を示す側面図である。
【００３７】
実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法は、前述した本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法に対応するものであり、まず、半導体ウェーハ１００Ａを準備する半導体ウェーハ準備工程（図１（ａ）参照。）と、チャックテーブル２００Ａを準備するチャックテーブル準備工程（図１（ｂ）参照。）とを行い、その後、半導体ウェーハ１００Ａの裏面１４０を研削する研削工程（図１（ｃ）参照。）を行う。
【００３８】
半導体ウェーハ１００Ａは、図１（ａ）に示すように、当該半導体ウェーハ１００Ａの表面１１０には、ｘ軸方向及びｙ軸方向に沿った格子状のスクライブラインに沿って凹部１２０が形成されており、当該凹部１２０には軟性部材１３０が埋設されている。なお、軟性部材１３０としては、軟性を有する金属、レジスト又はポリイミド樹脂などを用いることができる。
【００３９】
図１（ａ）に示すような半導体ウェーハ１００Ａとするには、まず、半導体ウェーハ１００Ａのスクライブラインに沿って凹部１２０を形成する。当該凹部１２０は、例えば、フォトリソグラフィを行う際に必要なマーカーを設ける場合などにおいて、スクライブラインに沿って凹部を形成する工程があるが、当該工程によって形成される凹部を用いることができる。このように形成される凹部１２０の寸法としては、半導体ウェーハ１００Ａの厚み方向の深さ（ｚ軸方向に沿った深さであり、高さという場合もある。）ｈ１が約０．５μｍ〜１μｍであり、幅ｗ１が約５０μｍ〜２００μｍである。
【００４０】
なお、スクライブラインに沿って凹部１２０は、フォトリソグラフィを行う際に必要なマーカーを設ける工程によって形成されるものに限られるものではなく、他の工程において同様の凹部を形成する工程があれば、それによって形成される凹部を用いてもよく、また、本発明を実施するための専用の凹部を形成するようにしてもよい。また、凹部１２０の寸法も上記した寸法に限られるものではない。
【００４１】
そして、半導体ウェーハ１００Ａに形成された凹部１２０に軟性部材１３０を埋め込む。軟性部材１３０を埋め込む方法としては、種々の方法を採用することができる。例えば、半導体ウェーハ１００Ａの表面全体に軟性部材（例えばレジスト）を塗布し、マスキングを行って露光することにより、半導体ウェーハの表面全体に塗布されている軟性部材上にスクラブラインに対応したパターンを転写して、現像を行うといった方法を採用することができる。このようにすることにより、図１（ａ）に示すように、スクライブラインに沿った凹部１２０に軟性部材１３０が埋設された半導体ウェーハ１００Ａとすることができる
【００４２】
半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０に埋設する軟性部材１３０の量は、凹部１２０の内側面と突起部２２０との間が軟性部材で埋まることによって、突起部２２０と凹部１２０の側壁面との間に空間が生じない程度の量とすることが好ましい。実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法においては、凹部１２０の底面から開口面（半導体ウェーハの表面１１０と同一平面）までの間が軟性部材１３０によって充填されるようにしている。
【００４３】
一方、チャックテーブル２００Ａは、図１（ｂ）に示すように、チャックテーブル２００Ａの表面２１０には、半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０に沿うような山型の突起部２２０が形成されている。突起部２２０は、軟性部材１３０に突き刺すことができるように、当該突起部２２０の端面側から見た形状がくさび形（三角形）となっている。
【００４４】
図２は、実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａを説明するために示す図である。実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａは、前述した本発明における第１の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルに対応するものである。なお、図２（ａ）はチャックテーブル２００Ａの一部を拡大して示す斜視図である。また、図２（ｂ）及び図２（ｃ）はチャックテーブル２００Ａのある１つの突起部２２０と半導体ウェーハ１００Ａのある１つの凹部１２０との関係を示す断面図であり、図２（ｂ）は突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ａの軟性部材１３０に突き刺す前の状態を示しており、図２（ｃ）は突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ａの軟性部材１３０に突き刺した状態を示している。
【００４５】
実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａは、多孔質のセラミックスなどからなり、半導体ウェーハ１００Ａを真空吸着することができるようになっている。なお、チャックテーブル２００Ａの材質はセラミックスに限られるものではなく、他の材質からなるものであってもよい。
【００４６】
また、チャックテーブル２００Ａの表面２１０には、ポリエチレンテフタレート（ＰＥＴ）やポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などの樹脂層２３０が形成されている。なお、樹脂層２３０は半導体ウェーハ１００Ａの表面１１０を保護する保護テープとしての役目をなすが、樹脂層２３０の表面（半導体ウェーハ１００Ａの表面１１０に対向する側の面）は、粘着性を有していない。
【００４７】
チャックテーブル２００Ａの突起部２２０は、図２に示すように、端面側から見た形状がくさび型をなし、半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０に沿うように連続的な山型をなすように形成されている。このように、突起部２２０が半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０に沿った連続的な山型をなしていることにより、半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０に沿って当該凹部１２０全体を突起部２２０で保持することができる。それによって、半導体ウェーハ１００Ａを確実に保持することができる。
【００４８】
また、突起部２２０の先端部は、図２（ｂ）に示すように、軟性部材１３０に突き刺し易くするように尖っている。一方、突起部２２０の根元部（チャックテーブル２００Ａの表面２１０との付け根部）は、その幅ｗ２が、図２（ｂ）に示すように、半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０の幅ｗ１とほぼ同じか、半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０の幅ｗ１よりもわずかに広く設定しておくことが好ましい。また、突起部２２０の高さｈ２は、半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０の深さ（高さ）ｈ１と同じか、半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０の深さ（高さ）ｈ１よりもわずかに低く設定しておくことが好ましい。
【００４９】
実施形態１においては、突起部２２０の根元部の幅ｗ２は、半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０の幅ｗ１よりもわずかに広く設定し、突起部２２０の高さｈ２は、半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０の高さ（深さ）ｈ１よりもわずかに低く設定してあるものとする。
【００５０】
このように構成されている半導体ウェーハ１００Ａとチャックテーブル２００Ａとを用いて、図２（ｃ）に示すように、チャックテーブル２００Ａの表面２１０と半導体ウェーハ１００Ａの表面１１０とを対面配置させて、チャックテーブル２００Ａの突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０に埋設されている軟性部材１３０に突き刺した状態とすると、半導体ウェーハ１００Ａはチャックテーブル２００Ａにより、確実に保持された状態となる。
【００５１】
また、このとき、チャックテーブル２００Ａの表面２１０と半導体ウェーハ１００Ａの表面１１０との間には樹脂層２３０が介在された状態となる。このように、半導体ウェーハ１００Ａの表面１１０とチャックテーブル２００Ａとの間には、保護テープとして役目をなす樹脂層２３０が介在されているため、半導体ウェーハ１００Ａの表面１１０は保護される。
【００５２】
図１に説明が戻る。図１（ａ）に示す半導体ウェーハ準備工程及び図１（ｂ）に示すチャックテーブル準備工程の後に、図１（ｃ）に示すような研削工程を行う。研削工程は、図１（ｃ）に示すように、チャックテーブル２００Ａの突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０に埋設されている軟性部材１３０に突き刺すことにより、チャックテーブル２００Ａで半導体ウェーハ１００Ａを保持した状態とする。
【００５３】
このように、チャックテーブル２００Ａで半導体ウェーハ１００Ａを保持した状態として、研削ユニット３００に取り付けられている砥石３１０を回転させて、半導体ウェーハ１００Ａの研削面すなわち裏面１４０を研削する。なお、半導体ウェーハ１００Ａは、研削工程によって例えば１００μｍ程度の厚みとする。
【００５４】
ところで、図１（ｃ）に示すように、チャックテーブル２００Ａで半導体ウェーハ１００Ａを保持した状態とする際には、チャックテーブル２００Ａの突起部２２０と半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０との位置が合うように、半導体ウェーハ１００Ａとチャックテーブル２００Ａとを正確に位置決めする必要がある。
【００５５】
この位置決めは、例えば、半導体ウェーハ１００Ａの表面において何らかの処理を行うために形成したマーカー（例えば、前述したように、フォトリソグラフィを行う際に用いるマーカー）を位置決め用として用いることができる。すなわち、ＳｉＣを用いた半導体ウェーハは光の透過性が高く、可視光を透過することができるため、チャックテーブル２００Ａの突起部２２０と半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０とを位置決めする際は、半導体ウェーハ１００Ａのマーカーを半導体ウェーハ１００Ａの裏面１４０側から見ながら、チャックテーブル２００Ａの突起部２２０と半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０とを位置決めすることができる。このため、半導体ウェーハ１００Ａの裏面１４０に専用のマーカーを形成する必要がない。
【００５６】
このようにして研削工程が終了すると、研削工程が終了した半導体ウェーハに対して、種々の工程を施した後に、ダイシング工程を行うことによって個片化し、さらに、種々の工程を施すことによって半導体装置を製造することができる。
【００５７】
以上説明したように、実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法は、チャックテーブル２００Ａの突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０に埋設されている軟性部材１３０に突き刺すことにより、チャックテーブル２００Ａで半導体ウェーハ１００Ａを保持した状態とする。そして、研削ユニット３００に取り付けられている砥石３１０を回転させて、半導体ウェーハ１００Ａの裏面１４０を研削するようにしている。このため、チャックテーブル２００Ａで半導体ウェーハ１００Ａを保持する際に、半導体ウェーハ１００Ａの表面１１０（素子形成面）に保護テープを貼着する必要がなく、「保護テープを引き剥がす際に、半導体ウェーハの表面（素子形成面）に積層欠陥が生じてしまう」ということがなくなる。
【００５８】
また、実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法によれば、チャックテーブル２００Ａの突起部２２０が半導体ウェーハ１００Ａの軟性部材１３０に突き刺さった状態で研削を行うため、研削時において、半導体ウェーハ１００Ａの水平面上（ｘｙ平面上）すなわちチャックテーブル２００Ａの表面上に沿った動きを確実に規制することができる効果も得られる。すなわち、半導体ウェーハ１００Ａを研削する際は、半導体ウェーハ１００Ａに対して垂直方向に沿った力に加えて水平面上に沿った力も加わるため、半導体ウェーハ１００Ａの水平面上に沿った動きが確実に規制されることにより、半導体ウェーハ１００Ａの研削を高精度に行うことができる。
【００５９】
また、実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａによれば、当該チャックテーブル２００Ａの突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０に埋設されている軟性部材１３０に突き刺すことにより、半導体ウェーハ１００Ａを確実に保持した状態とすることができる。これによって、上記実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法において得られる効果と同様の効果が得られる。
【００６０】
［実施形態２］
図３は、実施形態２に係るチャックテーブル２００Ｂを説明するために示す図である。実施形態２に係るチャックテーブル２００Ｂも、実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａと同様に、前述した本発明における第１の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルに対応するものであるが、実施形態２に係るチャックテーブル２００Ｂは、突起部２２０の表面に粘着層２４０が形成されている点が実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａと異なっている。
【００６１】
実施形態２に係るチャックテーブル２００Ｂが実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａ（図２参照。）と異なるのは、突起部２２０の表面（傾斜面）に粘着層２４０が形成されている点であり、それ以外は、実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａと同様であるため、実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａと同一部分には同一符号が付されている。
【００６２】
実施形態２に係るチャックテーブル２００Ｂを用いることによっても、図１（ａ）〜図１（ｂ）に示すような各工程を実施することができる。すなわち、実施形態２に係る半導体ウェーハの研削方法は、チャックテーブル準備工程（図１（ｂ）参照。）において準備するチャックテーブルが、図３に示すようなチャックテーブル２００Ｂである点が異なるだけであるため、実施形態２に係る半導体ウェーハの研削方法における各工程の図示及び説明は省略する。
【００６３】
実施形態２に係るチャックテーブル２００Ｂは、図３に示すように、突起部２２０の表面に粘着層２４０が形成されている。粘着層２４０は例えば粘着剤を塗布することによって形成することができる。チャックテーブル２００Ｂにおける突起部２２０の表面に図３に示すような粘着層２４０が形成されていることにより、研削工程（図１（ｃ）参照。）の終了後において、チャックテーブル２００Ｂを半導体ウェーハ１００Ａから引き離すと、チャックテーブル２００Ｂの突起部２２０に形成されている粘着層２４０に軟性部材１３０が貼り付いた状態で突起部２２０とともに凹部１２０から引き抜かれる。
【００６４】
このとき、突起部２２０には凹部１２０に埋設されている軟性部材１３０の殆どが引き抜かれる場合もあり、また、凹部１２０に埋設されている軟性部材１３０の一部のみが引き抜かれる場合もある。これは、粘着層２４０の原料となる粘着剤の材質などの違いによる粘着力の大きさや軟性部材１３０の材質などによって異なってくる。
【００６５】
いずれも場合であっても、研削工程の終了後において、チャックテーブル２００Ｂを半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０から引き離したときには、半導体ウェーハ１００Ａの凹部１２０には軟性部材１３０の殆ど又は一部が除去された状態となっている。このため、研削工程のあとにおいて、ダイシングブレード（図示せず。）によるダイシング工程を行う際には、ダイシングブレードに軟性部材１３０が貼り付いたまま軟性部材を引きずった状態でダイシングを行うといったことがなくなり、ダイシングを円滑に行うことができる。
【００６６】
［実施形態３］
実施形態３に係る半導体ウェーハの研磨方法においては、半導体ウェーハの凹部１２０に埋め込む軟性部材１３０を、ダイシングブレード（図示せず。）の目立て（研磨）を行う効果（ドレス効果という。）を有する部材とする。なお、当該ドレス効果を有する部材は、チャックテーブルの突起部２２０で突き刺すことができ、かつ、半導体ウェーハの凹部１２０の内部壁面に密着するような軟性を有する部材とする。なお、このようなドレス効果を有する軟性部材１３０が凹部１２０に埋め込まれている半導体ウェーハを半導体ウェーハ１００Ｂ（図示は省略する。）とする。
【００６７】
なお、実施形態３に係る半導体ウェーハの研削方法も、実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法と同様に、前述した本発明における第１の半導体ウェーハの研削方法に対応するものであるが、実施形態３に係る半導体ウェーハの研削方法は、半導体ウェーハ準備工程（図１（ａ）参照。）において準備する半導体ウェーハが、半導体ウェーハ１００Ｂである点が実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法と異なっている。半導体ウェーハ準備工程において準備する半導体ウェーハが、半導体ウェーハ１００Ｂである点以外は、実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法と同様であるため、実施形態３に係る半導体ウェーハの研削方法における各工程の図示及び説明は省略する。
【００６８】
半導体ウェーハ１００Ｂは、凹部１２０に埋設されている軟性部材１３０がドレス効果を有する部材であるため、研磨工程が終了してダイシング工程を行う場合、ダイシングブレードが半導体ウェーハ１００Ｂを切断する前に、まず、ドレス効果のある軟性部材を切断することとなる。このため、この段階で、ダイシングブレードの刃が自生発刃作用を促進こととなり、それによって、ダイシングブレードの刃を良好な状態に保持できる。
【００６９】
なお、凹部１２０に埋設されている軟性部材１３０がこのようなドレス効果を有する部材である場合には、ダイシング工程を行う際に、凹部１２０に軟性部材１３０が残存している必要がある。
【００７０】
このため、チャックテーブルは、突起部２２０に粘着層２４０が形成されていないチャックテーブル（実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａ）であることが好ましい。ただし、粘着層２４０の粘着力が比較的弱いものであれば、粘着層２４０が形成されていても差し支えない場合もある。例えば、チャックテーブルの突起部２２０を軟性部材１３０から引き抜く際に、軟性部材１３０が突起部２２０に貼り付くことなく突起部２２０のみが引き抜かれる程度の粘着力を有する粘着剤を用いれば、突起部２２０に粘着層２４０が形成されているチャックテーブル（例えば、実施形態２に係るチャックテーブル２００Ｂ）を用いることも可能である。
【００７１】
ところで、上記実施形態１〜３に係る半導体ウェーハの研削方法のいずれかの半導体ウェーハの研削方法により研削された半導体ウェーハを用いて製造された半導体装置は、高品質な半導体装置とすることができる。
【００７２】
すなわち、上記実施形態１〜３に係る半導体ウェーハの研削方法を用いて研削された半導体ウェーハは、前述したように、研削工程（図１（ｃ）参照。）時において、保護テープを半導体ウェーハの表面に貼着して研削を行う必要がないため、「保護テープを引き剥がす際に、半導体ウェーハの表面に積層欠陥が生じてしまう」といったことがなくなる。したがって、このような研削工程が終了した半導体ウェーハに対して、種々の工程を施した後に、ダイシング工程を行うことによって個片化し、さらに、種々の工程を施すことによって半導体装置を製造することができるが、このようにして製造された半導体装置は高品質なものとなる。
【００７３】
なお、上記実施形態１〜３に係る半導体ウェーハの研削方法のいずれかの半導体ウェーハの研削方法により研削された半導体ウェーハを用いて製造された半導体装置は、前述した本発明における第１の半導体装置に対応するものである。
【００７４】
［実施形態４］
図４は、実施形態４に係る半導体ウェーハの研削方法を説明するために示す図である。なお、図４（ａ）〜（ｃ）は実施形態４に係る半導体ウェーハの裏面１４０（研削面）を研削する際の各工程を模式的に示す図であり、図４（ａ）は半導体ウェーハ１００Ｃを準備する半導体ウェーハ準備工程、図４（ｂ）はチャックテーブル２００Ｃを準備するチャックテーブル準備工程、図４（ｃ）は半導体ウェーハ１００Ｃの裏面１４０を研削する研削工程を示す図である。
【００７５】
また、図４（ａ）における（ａ１）は半導体ウェーハ１００Ｃにおける表面１１０（素子形成面）を平面視した図であり、図４（ａ）における（ａ２）は（ａ１）のｘ−ｘ線矢視断面図であり、図４（ａ）における（ａ３）は（ａ１）のｙ−ｙ線矢視断面図である。また、図４（ｂ）における（ｂ１）はチャックテーブル２００Ｃの表面２１０を平面視した図であり、図４（ｂ）における（ｂ２）は（ｂ１）のｘ−ｘ線矢視断面図であり、図４（ｂ）における（ｂ３）は（ｂ１）のｙ−ｙ線矢視断面図である。また、図４（ｃ）は研削工程を示す側面図である。
【００７６】
実施形態４に係る半導体ウェーハの研削方法は、前述した本発明における第２の半導体ウェーハの研削方法に対応するものであり、まず、半導体ウェーハ１００Ｃを準備する半導体ウェーハ準備工程（図４（ａ）参照。）と、チャックテーブル２００Ｃを準備するチャックテーブル準備工程（図４（ｂ）参照。）とを行い、その後、半導体ウェーハ１００Ｃの裏面１４０を研削する研削工程（図４（ｃ）参照。）を行う。
【００７７】
半導体ウェーハ１００Ｃの表面１１０には、実施形態１に係る半導体ウェーハ１００Ａと同様の凹部１２０が形成されているが、実施形態４に係る半導体ウェーハの研削方法においては、半導体ウェーハ１００Ｃの凹部１２０には軟性部材１３０は埋設されていない。
【００７８】
一方、チャックテーブル２００Ｃは、実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａと同様の突起部２２０を有しているが、実施形態４に係る半導体ウェーハの研削方法においては、チャックテーブル２００Ｃの突起部２２０には軟性部材１３０が取り付けられている。なお、軟性部材１３０としては、実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法と同様に、軟性を有する金属、レジスト又はポリイミド樹脂などを例示することができる。
【００７９】
また、チャックテーブル２００Ｃの表面（突起部２２０以外の面）には、実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａと同様に、ポリエチレンテフタレート（ＰＥＴ）やポリ塩化ビニル（ＰＶＣ）などの樹脂層２３０が形成されている。
【００８０】
図５は、実施形態４に係るチャックテーブル２００Ｃを説明するために示す図である。実施形態４に係るチャックテーブル２００Ｃは、前述した本発明における第２の半導体ウェーハ保持用のチャックテーブルに対応するものである。なお、図５（ａ）はチャックテーブル２００Ｃの一部を拡大して示す斜視図である。また、図５（ｂ）及び図５（ｃ）はチャックテーブル２００Ｃのある１つの突起部２２０と半導体ウェーハ１００Ｃのある１つの凹部１２０との関係を示す断面図であり、図５（ｂ）は突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ｃの凹部１２０に挿入する前の状態を示し、図５（ｃ）は突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ｃの凹部１２０に挿入した状態を示している。
【００８１】
実施形態４に係るチャックテーブル２００Ｃは、実施形態１に係るチャックテーブル２００Ａと同様に、多孔質のセラミックスなどが用いられ、半導体ウェーハ１００Ｃを真空吸着することができるようになっている。なお、チャックテーブル２００Ｃの材質はセラミックスに限られるものではなく、他の材質からなるものであってもよい。
【００８２】
図５に示すように、チャックテーブル２００Ｃの突起部２２０には軟性部材１３０が取り付けられている。軟性部材１３０は、突起部２２０の長手方向に沿って当該突起部２２０を覆うように取り付けられている。このような軟性部材１３０は、突起部２２０の根元側から突起部２２０の先端側に行くほど幅が狭まるような形状となっていることが好ましい。
【００８３】
具体的には、図５（ｂ）に示すように、端面側から見た形状（突起部２２０を包含した形状）が台形をなし、上辺の幅ｗ３が半導体ウェーハ１００Ｃの凹部１２０の幅ｗ１よりもわずかに小さくなるように設定している。ただし、突起部２２０に取り付けたときの軟性部材１３０の形状（端面側から見たときの形状）は厳密に台形とする必要はなく、突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ｃの凹部１２０挿入する際に、突起部２２０の軟性部材１３０が凹部１２０に入り込み易く、かつ、半導体ウェーハ１００Ｃの凹部１２０と突起部２２０との間に隙間が生じることなく、凹部１２０が軟性部材１３０で充填されるような形状とすればよい。
【００８４】
また、突起部２２０に取り付ける軟性部材１３０の量は、凹部１２０の内側面と突起部２２０との間が軟性部材で埋まることによって、突起部２２０と凹部１２０の側壁面との間に空間が生じない程度の量とすればよい。
【００８５】
このように構成されている半導体ウェーハ１００Ｃとチャックテーブル２００Ｃとを用いて、図５（ｃ）に示すように、チャックテーブル２００Ｃの表面２１０と半導体ウェーハ１００Ｃの表面１１０とを対面配置させて、チャックテーブル２００Ｃの突起部２２０に取り付けられている軟性部材１３０を半導体ウェーハ１００Ｃの凹部１２０に挿入する。
【００８６】
このとき、突起部２２０に取り付けられている軟性部材１３０の上辺の幅ｗ３が、半導体ウェーハ１００Ｃの凹部１２０の幅ｗ１よりもわずかに小さく設定されているために、軟性部材１３０を容易に凹部１２０に挿入させることができる。また、突起部２２０に取り付けられている軟性部材１３０の量は、突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ｃの凹部１２０に挿入したときに、凹部１２０と突起部２２０との間に隙間が生じることなく、凹部１２０が軟性部材１３０で充填される程度となっている。このため、突起部２２０と凹部１２０の側壁面との間に空間が生じることなく、半導体ウェーハ１００Ｃを確実に保持することができる。
【００８７】
また、半導体ウェーハ１００Ｃの表面１１０とチャックテーブル２００Ｃとの間には、保護テープとして役目をなす樹脂層２３０が介在されているため、半導体ウェーハ１００Ｃの表面１１０は保護される。
【００８８】
図４に説明が戻る。図４（ａ）に示す半導体ウェーハ準備工程及び図４（ｂ）に示すチャックテーブル準備工程の後に、図４（ｃ）に示すような研削工程を行う。研削工程は、図４（ｃ）に示すように、チャックテーブル２００Ｃの突起部２２０を半導体ウェーハ１００Ｃの凹部１２０に挿入することにより、凹部１２０と突起部２２０との間に隙間が生じることなく凹部１２０が軟性部材１３０で充填された状態となる。これにより、突起部２２０が凹部１２０において「がたつく」ことがなく、半導体ウェーハ１００Ｃを確実に保持することができる。
【００８９】
このように、チャックテーブル２００Ｃで半導体ウェーハ１００Ｃを保持した状態として、研削ユニット３００に取り付けられている砥石３１０を回転させて、半導体ウェーハ１００Ｃの裏面１４０（研削面）を研削する。なお、半導体ウェーハ１００Ｃは、実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法の場合と同様に、研削工程によって例えば１００μｍ程度の厚みとする。
【００９０】
また、半導体ウェーハ１００Ｃとチャックテーブル２００Ｃとを位置合わせするための位置決めは、実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法の場合と同様に行うことができる。
【００９１】
このようにして研削工程が終了すると、研削工程が終了した半導体ウェーハに対して、種々の工程を施した後に、ダイシング工程を行うことによって個片化し、さらに、種々の工程を施すことによって半導体装置を製造することができる。
【００９２】
実施形態４に係る導体ウェーハの研削方法及び実施形態４に係るチャックテーブル２００Ｃにおいても、実施形態１に係る半導体ウェーハの研削方法において得られる効果と同様の効果が得られる。
【００９３】
また、実施形態４に係る半導体ウェーハの研削方法においても、実施形態３に係る半導体ウェーハの研削方法において説明したように、軟性部材１３０はドレス効果を有する部材とすることが可能である。
【００９４】
また、実施形態４に係る半導体ウェーハの研削方法により研削された半導体ウェーハを用いて半導体装置を製造することにより、製造された半導体装置を高品質なものとすることができる。すなわち、実施形態４に係る半導体ウェーハの研削方法を用いて研削された半導体ウェーハは、前述したように、研削工程時において、保護テープを半導体ウェーハの表面に貼着して研削を行う必要がないため、「保護テープを引き剥がす際に、半導体ウェーハの表面に積層欠陥が生じてしまう」といったことがなくなる。したがって、このような研削工程が終了した半導体ウェーハに対して、種々の工程を施した後に、ダイシング工程を行うことによって個片化し、さらに、種々の工程を施すことによって半導体装置を製造することができる、このようにして製造された半導体装置は高品質なものとなる。
【００９５】
上記実施形態４に係る半導体ウェーハの研削方法により研削された半導体ウェーハを用いて製造された半導体装置は、前述した本発明における第２の半導体装置に対応するものである。
【００９６】
なお、本発明は上述の実施形態に限られるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変形実施可能となるものである。たとえば、下記に示すような変形実施も可能である。
【００９７】
(１)上記各実施形態においては、チャックテーブル（チャックテーブル２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ）の表面２１０には樹脂層２３０を形成するようにしたが、これら各チャックテーブルの表面２１０とそれぞれ対応する半導体ウェーハ（半導体ウェーハ１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ）の表面１１０とが非接触の状態で各チャックテーブルがそれぞれ対応する半導体ウェーハを確実に保持できるようにすれば、樹脂層２３０を形成しなくてもよい。
【００９８】
（２）上記各実施形態においては、突起部２２０の根元の幅を凹部１２０の幅よりもわずかに大きくした場合を例示したが、突起部２２０の根元の幅を凹部１２０の幅と同じかわずかに小さくして、突起部２２０の根元までが凹部１２０に挿入できるようにしてもよい。
【００９９】
（３）上記各実施形態においては、チャックテーブル（チャックテーブル２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ）に設けられる突起部２２０は、半導体ウェーハ（半導体ウェーハ１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ）の凹部１２０に沿って連続的に山型をなすような形状としたが、例えば、角錐形状や円錐形状の突起部を半導体ウェーハのスクライブラインに沿うように断続的に多数形成するようにしてもよい。
【０１００】
（４）半導体ウェーハ（半導体ウェーハ１００Ａ，１００Ｂ）の凹部１２０に埋設する軟性部材１３０の量及びチャックテーブル２００Ｃの突起部２２０に取り付ける軟性部材１３０の量は、適宜設定可能である。
【０１０１】
すなわち、上記実施形態１〜３においては、凹部１２０の底面から開口面（半導体ウェーハの表面１１０と同一平面）までの間が軟性部材１３０によって充填されるように、軟性部材１３０を埋設する場合を例示したが、半導体ウェーハ１００Ａ，１００Ｂの凹部１２０に埋設する軟性部材１３０の量は、凹部１２０の内側面と突起部２２０との間が軟性部材で埋まることによって、突起部２２０と凹部１２０の側壁面との間に空間が生じない程度の量とすればよい。このことは、実施形態４においても同様である。
【０１０２】
（５）上記各実施形態においては、半導体ウェーハ１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃは、ＳｉＣ半導体ウェーハである場合を例示したが、ＳｉＣ半導体ウェーハに限られるものではなく、例えば、Ｓｉを用いた半導体ウェーハなど他の半導体材料を用いた半導体ウェーハであってもよい。
【符号の説明】
【０１０３】
１００Ａ，１００Ｂ，１００Ｃ・・・半導体ウェーハ、１１０・・・半導体ウェーハの表面（素子形成面）、１２０・・・凹部、１３０・・・軟性部材、１４０・・・半導体ウェーハの裏面（研削面）、２００Ａ，２００Ｂ，２００Ｃ・・・チャックテーブル、２１０・・・チャックテーブルの表面、２２０・・・突起部、２３０・・・樹脂層、２４０・・・粘着層
【図１】
2014116374.tif 000003
【図２】
2014116374.tif 000004
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図３】
2014116374.tif 000008