(57)【要約】【課題】防湿体とアレイ基板との接着品位を向上させる。【解決手段】放射線検出器１１はアレイ基板１２とシンチレータ層１３と防湿体１５と接着層９１とを有する。アレイ基板１２は、基板上に光電変換素子を二次元配列したものである。シンチレータ層１３は、アレイ基板１２の光電変換素子が配列された領域を覆い放射線を蛍光に変換する。防湿体１５は、シンチレータ層を覆う成形体であって、アレイ基板１２のシンチレータ層１３を囲む部分に対向する鍔部５０を備える。接着層９１は、鍔部５０とアレイ基板１２との間に形成されて防湿体１５とアレイ基板１２とを接着させる。鍔部５０の接着層９１に接する接着面は、他の部分に比べて表面粗さが大きい。【選択図】図１
2014215159.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に光電変換素子を二次元配列したアレイ基板と、
前記アレイ基板の前記光電変換素子が配列された領域を覆い放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、
前記シンチレータ層を覆う成形体であって前記アレイ基板の前記シンチレータ層を囲む部分に対向する鍔部を備えた防湿体と、
前記鍔部と前記アレイ基板との間に形成されて前記防湿体と前記アレイ基板とを接着させる接着層と、
を具備し、
前記鍔部の前記接着層に接する接着面は他の部分に比べて表面粗さが大きいことを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
前記接着面の表面粗さが１．０〜２．０μｍＲａであることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記防湿体はアルミニウムまたはアルミニウム合金の箔または薄板で形成されていることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
基板上に光電変換素子を二次元配列したアレイ基板を形成するアレイ基板形成工程と、
前記アレイ基板の前記光電変換素子が配列された領域を覆い放射線を蛍光に変換するシンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、
前記アレイ基板の前記シンチレータ層を囲む部分に対向する接着面を備えた防湿体を形成する防湿体形成工程と、
前記接着面を前記防湿体の他の部分よりも表面を粗くする表面処理工程と、
前記接着面と前記アレイ基板との間に接着層を介在させて前記接着面と前記アレイ基板を接着させる接着工程と、
を具備することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項５】
前記表面処理工程は前記接着面をサンドブラストおよびサンドペーパーによる研磨のいずれかの方法で研磨する工程を含むことを特徴とする請求項４に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項６】
前記表面処理工程は前記接着面をシランカップリング剤または金属キレート剤により処理する工程を含むことを特徴とする請求項４または請求項５に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項７】
前記表面処理工程は前記接着面を脱脂処理およびＵＶ処理する工程を含むことを特徴とする請求項４ないし請求項６のいずれか１項に記載の放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本実施形態は、概して、放射線検出器およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
新世代のＸ線診断用検出器として、アクティブマトリクスを用いた平面形のＸ線検出器が開発されている。このＸ線検出器に照射されたＸ線を検出することにより、Ｘ線撮影像、あるいはリアルタイムのＸ線画像がデジタル信号として出力される。そして、このＸ線検出器では、Ｘ線をシンチレータ層により可視光すなわち蛍光に変換させ、この蛍光をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）フォトダイオード、あるいはＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）などの光電変換素子で信号電荷に変換することで画像を取得している。
【０００３】
シンチレータ層の材料としては、一般的にヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：ナトリウム（Ｎａ）、ヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、ヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）、あるいは酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）などが用いられる。Ｇｄ２Ｏ２Ｓは、焼結体の粉体をバインダ樹脂と混合して塗膜により形成したり、一体の焼結体として用いたりする。また、これらの塗膜または焼結体にダイシングなどにより溝を形成して解像度を上げる方法なども考えられている。ＣｓＩ：Ｔｌ膜やＣｓＩ：Ｎａ膜は、真空蒸着法により柱状構造が形成されるようにすることで、解像度特性を向上させることができる。シンチレータの材料としては上述の通り種々のものがあり、用途や必要な特性によって使い分けられる。
【０００４】
シンチレータ層の上部には、蛍光の利用効率を高めて感度特性を改善するために、反射膜を形成する場合がある。すなわち、シンチレータ層で発光した蛍光のうち光電変換素子側に対して反対側に向かう蛍光を反射膜で反射させて、光電変換素子側に到達する蛍光を増大させるものである。
【０００５】
反射膜の例としては、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属層をシンチレータ層上に成膜する方法や、ＴｉＯ２などの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る光散乱反射性の反射膜を塗布形成する方法などが知られている。また、シンチレータ膜上に形成するのではなく、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ層に密着させてシンチレータ光を反射させる方式も実用化されている。
【０００６】
シンチレータ層や反射層あるいは反射板などを外部雰囲気から保護して湿度などによる特性の劣化を抑えるための防湿構造は、検出器を実用的な製品とする上で重要な構成要素となる。特に湿度に対して劣化の大きい材料であるＣｓＩ：Ｔｌ膜やＣｓＩ：Ｎａ膜をシンチレータ層とする場合には高い防湿性能が要求される。
【０００７】
防湿構造としては、ポリパラキシリレンのＣＶＤ膜を用いる方法、あるいは、シンチレータの周囲を包囲部材で囲って防湿層との組み合わせで封止する構造などがある。更に高い防湿性能を得られる構造として、防湿性能の優れたアルミニウム箔などを、シンチレータ層を包含するハット状に加工して、シンチレータの周辺で接着層により封止する構造などが知られている。この防湿構造で、接着層に無機フィラーを添加したシール材を用いた場合には、更に優れた防湿性能を得ることも可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】米国特許第６２６２４２２号明細書
【特許文献２】特開平５−２４２８４７号公報
【特許文献３】特開２００９−１２８０２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
シンチレータなどの防湿体としてハット形状の金属箔または薄板を用い、ハット鍔部と基板表面を接着封止する方法が一般的に知られている。基板は、ガラス基板にＴＦＴやフォトダイオードの画素を形成したものである。
【００１０】
防湿体と基板との接着には、紫外線硬化型または熱硬化型の樹脂接着剤が使用される。しかし、Ａｌなどの金属箔は表面エネルギーが小さく、濡れ性が低いため、樹脂接着剤との付着力が悪い。よって、通常の圧延材料のままでは、十分な密着力の確保が難しい。
【００１１】
また、ハット形状の防湿体を基板と接着封止させる構造では、有効画素が存在するエリアから基板エッジまでの距離が限られている場合が多く、十分の接着幅が得られず、付着力不足になる可能性が高い。防湿層接着部の密着力低下によって、防湿構造内部へのリークパスが発生した場合、シンチレータ層の吸湿による解像度低下などの重大な問題を引き起こす。
【００１２】
そこで、実施形態は、放射線検出器の防湿体と基板との接着品位を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の目的を達成するため、実施形態によれば、放射線検出器は、基板上に光電変換素子を二次元配列したアレイ基板と、前記アレイ基板の前記光電変換素子が配列された領域を覆い放射線を蛍光に変換するシンチレータ層と、前記シンチレータ層を覆う成形体であって前記アレイ基板の前記シンチレータ層を囲む部分に対向する鍔部を備えた防湿体と、前記鍔部と前記アレイ基板との間に形成されて前記防湿体と前記アレイ基板とを接着させる接着層と、を具備し、前記鍔部の前記接着層に接する接着面は他の部分に比べて表面粗さが大きいことを特徴とする。
【００１４】
また、実施形態によれば、放射線検出器の製造方法は、基板上に光電変換素子を二次元配列したアレイ基板を形成するアレイ基板形成工程と、前記アレイ基板の前記光電変換素子が配列された領域を覆い放射線を蛍光に変換するシンチレータ層を形成するシンチレータ層形成工程と、前記アレイ基板の前記シンチレータ層を囲む部分に対向する接着面を備えた防湿体を形成する防湿体形成工程と、前記接着面を前記防湿体の他の部分よりも表面を粗くする表面処理工程と、前記接着面と前記アレイ基板との間に接着層を介在させて前記接着面と前記アレイ基板を接着させる接着工程と、を具備することを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。
【図２】一実施形態による放射線検出器のアレイ基板の回路図である。
【図３】一実施形態による放射線検出装置のブロック図である。
【図４】一実施形態による放射線検出器の断面の一部拡大断面図である。
【図５】一実施形態による放射線検出器の上面図である。
【図６】一実施形態による放射線検出器の側面図である。
【図７】一実施形態による放射線検出器の外周部近傍の拡大断面図である。
【図８】サンドブラスト処理前のＡＬ箔表面のＳＥＭ像である。
【図９】サンドブラスト処理後のＡＬ箔表面のＳＥＭ像である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
一実施形態による放射線検出器を、図面を参照して説明する。なお、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
【００１７】
図１は、一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。図２は、本実施形態による放射線検出器のアレイ基板の回路図である。図３は、本実施形態による放射線検出装置のブロック図である。図４は、本実施形態による放射線検出器の断面の一部拡大断面図である。図５は、本実施形態による放射線検出器の上面図である。図６は、本実施形態による放射線検出器の側面図である。
【００１８】
本実施形態の放射線検出器１１は、放射線像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサであり、たとえば一般医療用途などに用いられる。放射線検出装置１０は、この放射線検出器１１と、支持板３１と、回路基板３０と、フレキシブル基板３２とを有している。放射線検出器１１は、アレイ基板１２とシンチレータ層１３とを有している。放射線検出器１１は、入射したＸ線を検出して蛍光に変換し、その蛍光を電気信号に変換する。放射線検出装置１０は、放射線検出器１１を駆動し、放射線検出器１１から出力された電気信号を画像情報として出力する。放射線検出装置１０が出力した画像情報は、外部のディスプレイなどに表示される。
【００１９】
アレイ基板１２は、蛍光を電気信号に変換する光電変換基板である。アレイ基板１２は、ガラス基板１６を有している。ガラス基板１６の表面には、複数の微細な画素２０が正方格子状に配列されている。画素２０は、たとえば対角線の長さが１３インチの長方形の画素領域（アクティブ領域）内にマトリクス状に配列される。それぞれの画素２０は、薄膜トランジスタ２２とフォトダイオード２１とを有している。また、ガラス基板１６の表面には、画素２０が配列された正方格子の行に沿って制御ライン１８が各画素２０の間を延びている。さらに、ガラス基板１６の表面には、画素２０が配列された正方格子の列に沿って同数のデータライン１９が各画素２０の間を延びている。シンチレータ層１３は、アレイ基板１２の画素２０が配列された領域の表面に形成されている。
【００２０】
シンチレータ層１３は、アレイ基板１２の表面に設けられ、Ｘ線が入射すると可視光領域の蛍光を発生する。発生した蛍光は、アレイ基板１２の表面に到達する。
【００２１】
シンチレータ層１３は、たとえばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）、あるいはヨウ化ナトリウム（ＮａＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを真空蒸着法で柱状構造に形成したものである。たとえば、シンチレータ層１３にはＣｓＩ：Ｔｌの蒸着膜を用い、その膜厚は約６００μｍである。ＣｓＩ：Ｔｌの柱状構造結晶の柱（ピラー）の太さは、最表面でたとえば８〜１２μｍ程度である。あるいは、酸硫化ガドリニウム（Ｇｄ２Ｏ２Ｓ）蛍光体粒子をバインダ材と混合し、アレイ基板１２上に塗布して焼成および硬化し、ダイサによりダイシングするなどで溝部を形成して四角柱状に形成してシンチレータ層１３を形成してもよい。これらの柱間には、大気、あるいは酸化防止用の窒素（Ｎ２）などの不活性ガスが封入され、あるいは真空状態としてもよい。
【００２２】
アレイ基板１２は、シンチレータ層１３で発生した蛍光を受光して電気信号を発生する。その結果、入射したＸ線によってシンチレータ層１３で発生した可視光像は、電気信号で表現された画像情報に変換される。
【００２３】
放射線検出器１１は、シンチレータ層１３が形成された面の反対側の面と支持板３１とが接触するように、支持板３１に支持されている。回路基板３０は、支持板３１の放射線検出器１１に対して反対側に配置されている。放射線検出器１１と回路基板３０との間は、フレキシブル基板３２で電気的に接続されている。
【００２４】
それぞれのフォトダイオード２１は、スイッチング素子である薄膜トランジスタ２２を介して制御ライン１８およびデータライン１９に接続されている。また、それぞれのフォトダイオード２１には、下部に対向して配置され、矩形平板状に形成された蓄積キャパシタ２７が並列に接続されている。なお、蓄積キャパシタ２７は、フォトダイオード２１の容量が兼ねる場合もあり、必ずしも必要ではない。
【００２５】
フォトダイオード２１およびそれに並列に接続された蓄積キャパシタ２７は、薄膜トランジスタ２２のドレイン電極２５に接続されている。薄膜トランジスタ２２のゲート電極２３は、制御ライン１８に接続されている。薄膜トランジスタ２２のソース電極２４は、データライン１９に接続されている。
【００２６】
配列の同じ行に位置する画素２０の薄膜トランジスタ２２のゲート電極２３は、同一の制御ライン１８に接続されている。配列の同じ列に位置する画素２０の薄膜トランジスタ２２のソース電極２４は、同一のデータライン１９に接続されている。
【００２７】
各薄膜トランジスタ２２は、フォトダイオード２１への蛍光の入射にて発生した電荷を蓄積および放出させるスイッチング機能を担う。薄膜トランジスタ２２は、結晶性を有する半導体材料である非晶質半導体としてのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、あるいは多結晶半導体であるポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料にて少なくとも一部が構成されている。
【００２８】
なお、図１および図２において、画素は５行５列あるいは４行４列分しか記載していないが、実際にはもっと多く、解像度、撮像面積に応じて必要な画素が形成されている。
【００２９】
放射線検出装置１０は、放射線検出器１１と、ゲートドライバー３９と、行選択回路３５と、積分アンプ３３と、Ａ／Ｄ変換器３４と、並列／直列変換器３８と、画像合成回路３６とを有している。ゲートドライバー３９は、放射線検出器１１の各制御ライン１８に接続されている。ゲートドライバー３９は、各薄膜トランジスタ２２の動作状態、すなわちオンおよびオフを制御する。ゲートドライバー３９は、たとえばアレイ基板１２の表面における行方向に沿った側縁に実装されている。積分アンプ３３は、放射線検出器１１の各データライン１９に接続されている。
【００３０】
行選択回路３５は、ゲートドライバー３９に接続されている。並列／直列変換器３８は、積分アンプ３３に接続されている。Ａ／Ｄ変換器３４は、並列／直列変換器３８に接続されている。Ａ／Ｄ変換器３４は、画像合成回路３６に接続されている。
【００３１】
積分アンプ３３は、たとえば放射線検出器１１と回路基板３０とを接続するフレキシブル基板３２上に設けられている。その他の素子は、たとえば回路基板３０上に設けられている。
【００３２】
ゲートドライバー３９は行選択回路３５からの信号を受信して、各薄膜トランジスタ２２の動作状態、すなわちオンおよびオフを制御する。つまり、制御ライン１８の電圧を順番に変更していく。行選択回路３５は、Ｘ線画像を走査する所定の行を選択するための信号をゲートドライバー３９へと送る。積分アンプ３３は、アレイ基板１２からデータライン１９を通じて出力される極めて微小な電荷信号を増幅し出力する。
【００３３】
アレイ基板１２の表面には、フォトダイオード２１および薄膜トランジスタ２２などの検出素子、並びに、制御ライン１８およびデータライン１９などの金属配線を覆う絶縁性の保護膜が形成されている。シンチレータ層１３は、保護膜の表面に、画素２０が配列された領域を覆うように形成されている。
【００３４】
シンチレータ層１３の表面には、反射膜１４が設けられている場合が多い。反射膜１４は、シンチレータ層１３で発生した蛍光のうちアレイ基板１２から遠ざかっていくものをアレイ基板１２側へ反射させる。これにより、フォトダイオード２１に到達する蛍光光量が増大する。
【００３５】
反射膜１４は、銀合金やアルミニウムなど蛍光反射率の高い金属をシンチレータ層１３上に成膜する方法で形成される。あるいは、アルミなどの金属表面を持つ反射板をシンチレータ層１３に密着させたもの、ＴｉＯ２などの光散乱性物質とバインダ樹脂とから成る拡散反射性の反射膜１４を塗布形成してもよい。なお、反射膜１４は、放射線検出器１１に求められる解像度、輝度などの特性により、必ずしも必要ではない。
【００３６】
放射線検出器１１には、シンチレータ層１３および反射膜１４を覆うように、防湿体１５が設けられている。
【００３７】
防湿体１５は、中央部が盛り上がったハット状に形成されている。防湿体１５の周辺部分は、平坦な帯状の鍔部５０となっている。鍔部５０は、アレイ基板１２の表面のシンチレータ層１３が形成された領域の外側を取り囲む帯状に形成される。鍔部５０の内側には、天板部５１が形成されている。天板部５１は、シンチレータ層１３よりも若干大きい平板状の部分である。鍔部５０と天板部５１との間には、斜面部５２が形成されている。
【００３８】
鍔部５０は、アレイ基板１２と対向している。鍔部５０とアレイ基板１２との間は接着されている。アレイ基板１２上に形成されたシンチレータ層１３および反射膜１４は、防湿体１５の天板部５１および斜面部５２で覆われている。防湿体１５は、シンチレータ層１３および反射膜１４を外気や湿度から保護し、湿度などによる特性劣化を抑制する。
【００３９】
防湿体１５は、たとえばアルミニウムやアルミニウム合金の箔で形成されている。本実施例として防湿体１５は、０．１ｍｍのＡ１Ｎ３０−Ｏ材（純アルミニウム系材料のアニール材）により形成される。鍔部５０の幅は、たとえば２〜５ｍｍである。
【００４０】
アレイ基板１２には、制御ライン１８およびデータライン１９のそれぞれの端部が露出したパッド２９が配列されて、端子群２６が形成されている。端子群２６は、アレイ基板１２の辺に沿って配列されている。制御ライン１８につながる端子群２６と、データライン１９につながる端子群２６は、異なる辺に沿って配列されている。これらの端子群２６は、フレキシブル基板３２を介して、回路基板３０と電気的に接続されている。さらに、これらを筐体構造に組み込んで、放射線検出装置１０が完成する。
【００４１】
図７は、本実施形態による放射線検出器の外周部近傍の拡大断面図である。
【００４２】
アレイ基板１２の中央部のＸ線画像を取得するアクティブエリアから、基板周辺部に配列されたパッド２９までのそれぞれには、リード配線６２が延びている。アレイ基板１２の最表層には保護膜２８が形成されている。リード配線としては、ＴＦＴ駆動のための制御ライン１８、Ｘ線画像に対応する電荷を読み出すデータライン１９、および、フォトダイオード２１を動作させるためのバイアス電圧を加えるためのバイアス線がある。
【００４３】
防湿体１５は、ＡＬ合金箔のロール材を裁断後、プレス加工してハット状とする。防湿体１５とアレイ基板１２とは、接着層９１によって接着されている。防湿体１５の鍔部５０のアレイ基板１２に対向する面は、すなわち防湿体１５の接着層９１に接する部分は、他の部分に比べて表面粗さが大きい。防湿構造は、ＡＬハット状の防湿体１５の鍔部５０に接着剤をディスペンサーにより塗布し、シンチレータ層１３および反射膜１４の形成されたアレイ基板１２と貼り合せた構造をとる。接着層９１を形成する接着剤は、一般に市販されている加熱硬化型または紫外線硬化型のエポキシ系の接着材である。
【００４４】
アルミニウムは、表面エネルギーが小さく濡れ性が低い。また、アルミニウムの圧延材は、表面積が小さく、十分な接着面積が確保できない。このため、ＡＬ合金箔とエポキシ系の接着材の付着力は低く、このままでは十分な密着力の確保が難しい。また、本実施形態の本防湿構造では、有効画素が存在するエリアからアレイ基板１２のエッジまでの間に接着エリアが必要である。防湿体１５の鍔部５０の幅が小さい狭額縁構造で、接着エリアの確保が難しい場合、狭い接着幅で十分な強度を得る必要があり、接着面積の確保がより厳しくなる。防湿層接着部の付着力不足は、防湿構造内部へのリークパスが発生し、シンチレータ層の吸湿による解像度低下などの重大な問題を引き起こす。
【００４５】
そこで、本実施形態では、ＡＬハットとエポキシ系接着剤との付着力を改善するために、防湿体１５の鍔部５０の接着面側表面に適切な表面処理を施している。防湿体１５の鍔部５０の表面処理としては、接着表面積を増やすために表面を荒らすことが上げられる。表面粗しの方法としては、サンドペーパーによる研磨、サンドブラストなどが上げられる。
【００４６】
図８は、サンドブラスト処理前のＡＬ箔表面のＳＥＭ像である。図９は、サンドブラスト処理後のＡＬ箔表面のＳＥＭ像である。
【００４７】
サンドブラスト処理前は、圧延方向と直角方向でＲａ＝０．５μｍ程度、圧延方向と平行方向でＲａ＝０．１μｍ以下となっている。＃３２０アルミナビーズ（平均粒径４０μｍ、ブラスト圧：０．０８ＭＰａでのサンドブラスト処理後の表面は、全面が面方向によらずＲａ＝１．０μｍ以上となっている。サンドブラスト処理したＡＬ表面は、表面凹凸によって、表面積が格段に大きくなり、接着面積増による付着力が向上する。
【００４８】
ここで、ブラスト圧は０．０８ＭＰａ〜０．２０ＭＰａで実験を行ったが、ブラスト圧が大きいと、ＡＬの変形を引き起こしてしまい、防湿体１５の鍔部５０の撓みによる接着不良に繋がってしまうため、低ブラスト圧でＲａ＝１．０〜２．０μｍが得られる条件がよい。
【００４９】
サンドブラストにより表面を荒らして、表面積を大きくしたＡＬ表面には、圧延時およびブラスト処理時の汚染があるため、接着材塗布前には、表面洗浄が必要となる。まずアセトンなどによって払拭し、表面を脱脂する。続いて、化学反応により電気的極性を持つ官能基を表面に形成して、親水性と接着力を高めるＵＶオゾン洗浄を行う。
【００５０】
サンドブラスト処理、脱脂処理、ＵＶオゾン洗浄を実施した防湿体１５の鍔部５０は、接着表面積確保とアンカー効果、化学反応の効果によってエポキシ系接着剤と強固に密着する。また、防湿体１５の鍔部５０をシランカップリング剤または金属キレート剤にて処理して密着層を形成することは、本実施形態のようにサンドブラスト処理などにより表面を荒らした防湿体１５でも密着力向上に有効である。
【００５１】
防湿体１５の材質は、ＡＬやＡＬ合金に限らず、他の金属材料を用いてもよい。ＡＬ又はＡＬ合金箔材の場合には、金属材料としてはＸ線吸収係数が小さいため、防湿体１５内でのＸ線吸収ロスを抑えることができる点でメリットが大きく、ハット状に加工する場合にも加工性に優れる。
【００５２】
防湿体１５のアレイ基板１２への接着を減圧雰囲気にて行うと、飛行機輸送を想定した減圧下での機械的強度に優れた防湿構造を形成できる点でも有効である。減圧雰囲気下で封止した場合は、防湿体１５が外部大気圧で押されるため、接着層９１の破壊のリスクは増大する。しかし、本実施の形態によれば、防湿体１５とアレイ基板１２との接着強度が増大するため、減圧雰囲気下で封止した場合の接着部信頼性向上にもつながる。
【００５３】
狭額縁構造の放射線検出器１１では、広い有効エリアを確保できるが、ハット状の防湿体１５の接着エリアが狭くなり、付着力低下により接着部の信頼性は下がってしまう傾向にある。しかし、本実施形態のように、接着面の表面を荒らすことで、狭い接着エリアでも、実質的な接着面積を広く取る事ができるため、狭額縁構造における接着部信頼性向上に大変有効である。
【００５４】
このように、本実施形態によれば、防湿体１５とアレイ基板１２との接着品位が改善され、信頼性の高い放射線検出器１１が得られる。
【００５５】
本発明の一実施形態を説明したが、この実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。この新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５６】
１０…放射線検出装置、１１…放射線検出器、１２…アレイ基板、１３…シンチレータ層、１４…反射膜、１５…防湿体、１６…ガラス基板、１８…制御ライン、１９…データライン、２０…画素、２１…フォトダイオード、２２…薄膜トランジスタ、２３…ゲート電極、２４…ソース電極、２５…ドレイン電極、２６…端子群、２７…蓄積キャパシタ、２８…保護膜、２９…パッド、３０…回路基板、３１…支持板、３２…フレキシブル基板、３３…積分アンプ、３４…Ａ／Ｄ変換器、３５…行選択回路、３６…画像合成回路、３８…並列／直列変換器、３９…ゲートドライバー、５０…鍔部、５１…天板部、５２…斜面部、６２…リード配線、９１…接着層
【図１】
2014215159.tif 000003
【図２】
2014215159.tif 000004
【図３】
2014215159.tif 000005
【図４】
2014215159.tif 000006
【図５】
2014215159.tif 000007
【図６】
2014215159.tif 000008
【図７】
2014215159.tif 000009
【図８】
2014215159.tif 000010
【図９】
2014215159.tif 000011