(57)【要約】【課題】接続端子の狭ピッチ化に対応できる配線基板及び該配線基板の製造方法を提供する。【解決手段】本発明に係る配線基板は、絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層体を有する配線基板であって、前記積層体上に形成され、上面の面積が互いに対向する各側面の面積よりも小さい複数の接続端子と、前記複数の接続端子間に充填された充填部材と、を備え、前記複数の接続端子は、前記上面の面積が、前記充填部材から露出する各側面の面積よりも大きく、前記上面には、半田を含む接合層が形成されていることを特徴とする。【選択図】図３
2014078551.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層体を有する配線基板であって、
前記積層体上に形成され、上面の面積が互いに対向する各側面の面積よりも小さい複数の接続端子と、
前記複数の接続端子間に充填された充填部材と、
を備え、
前記複数の接続端子は、
前記上面の面積が、前記充填部材から露出する各側面の面積よりも大きく、
前記上面には、半田を含む接合層が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記複数の接続端子の側面には、
前記充填部材から露出した部分に前記接続端子の構成金属と前記半田の構成金属との合金である合金層が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記合金層は、銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）とを含むことを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法であって、
前記積層体上に、前記上面の面積が互いに対向する各側面の面積よりも小さい前記複数の接続端子を形成する工程と、
前記複数の接続端子の上面の面積が、露出する各側面の面積よりも大きくなるように前記複数の接続端子間に前記充填部材を充填する工程と、
前記複数の接続端子の前記充填部材から露出する部分に前記半田を含む金属層を形成する工程と、
熱処理により、溶融する前記金属層を前記複数の接続端子の上面に凝集させて前記接合層を形成するとともに、前記接続端子の側面に、前記接続端子の構成金属と前記半田の構成金属との合金である前記合金層を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項５】
Ｓｎめっきを施すことにより前記金属層を形成することを特徴とする請求項４に記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、主面に半導体チップを接続するための複数の接続端子が形成された配線基板及び配線基板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、配線基板の主面（表面）には、半導体チップとの接続用の端子（以下、接続端子と称する）が形成されている。近年では、この接続端子の高密度化が進んでおり、配置される接続端子の間隔（ピッチ）が狭くなっている。このため、複数の接続端子をソルダーレジストの同一開口内に配置したＮＳＭＤ（ノン・ソルダー・マスク・ディファインド）を採用した配線基板が提案されている。
【０００３】
ところが、複数の接続端子を狭ピッチで同一開口内に配置した場合、接続端子表面にコートされた半田が隣接する接続端子に流出し、接続端子間が短絡（ショート）する虞がある。そこで、従来の配線基板には、接続端子表面にコートされた半田が隣接する接続端子に流出するのを防止するために、各接続端子間を絶縁性樹脂で充填したものがある（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１９２６９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１では、接続端子を絶縁性樹脂からどの程度露出させるかについては開示されていない。このため、接続端子の上面の面積と、絶縁性樹脂から露出する接続端子の各側面の面積との関係によっては、接続端子にコートされる半田が、表面張力により球形（ボール形状）となる虞がある。その結果、各接続端子にコートされる半田の直径が大きくなるため、接続端子の間隔を広くとる必要があり、さらなる狭ピッチに対応することが難しい。
【０００６】
本発明は、上記の事情に対処してなされたものであり、接続端子間の短絡を防止するとともに、接続端子の狭ピッチ化に対応できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成すべく、本発明の発明基板は、
絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層体を有する配線基板であって、前記積層体上に形成され、上面の面積が互いに対向する各側面の面積よりも小さい複数の接続端子と、前記複数の接続端子間に充填された充填部材と、を備え、前記複数の接続端子は、前記上面の面積が、前記充填部材から露出する各側面の面積よりも大きく、前記上面には、半田を含む接合層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明によれば、接続端子間が充填部材で充填されている。このため、半導体チップと接続した際に、半導体チップと配線基板との隙間に充填されることとなるアンダーフィルやＮＣＰ（Non-Conductive Paste）、ＮＣＦ（Non-Conductive Film）の接続端子間におけるボイドの発生を防止することができる。また、各接続端子は、上面の面積が、充填部材から露出する各側面の面積よりも大きい。このような構成とすることにより、半田の熱処理時に、面積の大きな上面に半田が集まり、面積の小さな側面の露出面には半田が集まりにくくなる。つまり、接続端子の上面に半田が集まりやすいため、半導体チップとの接合に必要な量の接合層を確保することができる。また、接続端子の側面には、半田が集まりにくいので、半田が横方向に広がらず、接続端子間をさらに狭ピッチ化することができる。
【０００９】
なお、本発明の一態様においては、前記複数の接続端子の側面には、前記充填部材から露出した部分に前記接続端子の構成金属と前記半田の構成金属との合金である合金層が形成されていることを特徴とする。さらに、本発明の他の態様においては、前記合金層は、銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）とを含むことを特徴とする。
【００１０】
銅と錫との合金は、半田の構成金属である錫との濡れ性が悪い。このため、銅と錫とを含む合金層を接続端子の側面に形成することで、半田が接続端子の側面に集まりにくく、接続端子の上面に半田がより集まりやすくなる。つまり、接続端子の側面に形成された合金層が表面に露出しているため、接合層に含まれる半田を溶融させる熱履歴がかかったとしても、接続端子の上面に形成された接合層が接続端子の側面に流れ出すことを抑制することができる。このため、半導体チップとの接合に必要な量の接合層を接続端子の上面に効果的に確保することができる。また、半田が横方向に広がることを効果的に抑止し、接続端子間をさらに狭ピッチ化することができる。
【００１１】
また、本発明の発明基板の製造方法は、
前記積層体上に、前記上面の面積が互いに対向する各側面の面積よりも小さい前記複数の接続端子を形成する工程と、前記複数の接続端子の上面の面積が、露出する各側面の面積よりも大きくなるように前記複数の接続端子間に前記充填部材を充填する工程と、前記複数の接続端子の前記充填部材から露出する部分に前記半田を含む金属層を形成する工程と、熱処理により、溶融する前記金属層を前記複数の接続端子の上面に凝集させて前記接合層を形成するとともに、前記接続端子の側面に、前記接続端子の構成金属と前記半田の構成金属との合金である前記合金層を形成する工程と、を有することを特徴とする。
【００１２】
本発明によれば、配線基板の発明と同様に、アンダーフィルやＮＣＰ（Non-Conductive Paste）、ＮＣＦ（Non-Conductive Film）の接続端子間におけるボイドの発生を防止することができる。また、接続端子の上面に半田が集まりやすいため、半導体チップとの接合に必要な量の接合層を確保することができる。また、接続端子の側面には、半田が集まりにくいので、半田が横方向に広がらず、接続端子間をさらに狭ピッチ化することができる。
【００１３】
なお、本発明の一態様においては、Ｓｎめっきを施すことにより前記金属層を形成することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
以上説明したように、本発明によれば、接続端子の狭ピッチ化に対応できる配線基板及び配線基板の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】第１の実施形態に係る配線基板の平面図（表面側）。
【図２】第１の実施形態に係る配線基板の一部断面図。
【図３】第１の実施形態に係る配線基板の表面側の接続端子の拡大断面図。
【図４】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（コア基板工程）。
【図５】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。
【図６】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（ビルドアップ工程）。
【図７】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（充填工程）。
【図８】第４の充填方法の説明図。
【図９】第４の充填方法の説明図である。
【図１０】第１の実施形態に係る配線基板の製造工程図（ソルダーレジスト層工程）。
【図１１】その他の実施形態に係る配線基板の充填部材の上面形状を示す図。
【図１２】実施例及び比較例に係る接続端子の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施形態について図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下の説明では、コア基板上にビルドアップ層を形成した配線基板を例に、本発明の実施形態を説明するが、上面及び側面が露出してなる複数の接続端子が形成された配線基板であればよく、例えば、コア基板を有しない配線基板であってもよい。
【００１７】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態における配線基板１００の平面図（表面側）である。図２は、図１の線分Ｉ−Ｉにおける配線基板１００の一部断面図である。図３は、配線基板１００の表面側に形成された接続端子Ｔ１の拡大断面図である。なお、以下の説明では、半導体チップが接続される側を表面側（上面側）とし、マザーボードやソケット等（以下、マザーボード等と称する）が接続される側を裏面側（下面側）とする。
【００１８】
（配線基板１００の構成）
図１〜３に示す配線基板１００は、コア基板２と、半導体チップ（不図示）との接続端子Ｔ１が複数形成され、コア基板２の表面側に積層されるビルドアップ層３（表面側）と、ビルドアップ層３に積層され、複数の接続端子Ｔ１間を充填する充填部材４と、充填部材４に積層され、接続端子Ｔ１の少なくとも一部を露出する開口５ａが形成されたソルダーレジスト層５と、マザーボード等（不図示）との接続端子Ｔ１１が複数形成され、コア基板２の裏面側に積層されるビルドアップ層１３（裏面側）と、ビルドアップ層１３に積層され、接続端子Ｔ１１の少なくとも一部を露出する開口１４ａが形成されたソルダーレジスト層１４と、を備える。
【００１９】
コア基板２は、耐熱性樹脂板（たとえばビスマレイミド−トリアジン樹脂板）や、繊維強化樹脂板（たとえばガラス繊維強化エポキシ樹脂）等で構成された板状の樹脂製基板である。コア基板２の表面及び裏面には、金属配線Ｌ１，Ｌ１１をなすコア導体層２１，２２がそれぞれ形成されている。また、コア基板２には、ドリル等により穿設されたスルーホール２３が形成され、その内壁面にはコア導体層２１，２２を互いに導通させるスルーホール導体２４が形成されている。さらに、スルーホール２３は、エポキシ樹脂等の樹脂製穴埋め材２５により充填されている。
【００２０】
（表面側の構成）
ビルドアップ層３は、コア基板２の表面側に積層された樹脂絶縁層３１，３３及び導体層３２，３４からなる。樹脂絶縁層３１は、熱硬化性樹脂組成物からなり、表面に金属配線Ｌ２をなす導体層３２が形成されている。また、樹脂絶縁層３１には、コア導体層２１と導体層３２とを電気的に接続するビア３５が形成されている。樹脂絶縁層３３は、熱硬化性樹脂組成物からなり、表層に複数の接続端子Ｔ１を有する導体層３４が形成されている。また、樹脂絶縁層３３には、導体層３２と導体層３４とを電気的に接続するビア３６が形成されている。ここで、樹脂絶縁層３１，３３及び導体層３２は積層体を構成する。
【００２１】
ビア３５，３６は、それぞれ、ビアホール３７ａとその内周面に設けられたビア導体３７ｂと、底面側にてビア導体３７ｂと導通するように設けられたビアパッド３７ｃと、ビアパッド３７ｃと反対側にてビア導体３７ｂの開口周縁から外向きに張り出すビアランド３７ｄとを有している。
【００２２】
接続端子Ｔ１は、半導体チップと接続するための帯状の接続端子である。接続端子Ｔ１は、半導体チップの実装領域Ｒの内周に沿って配置された、いわゆるペリフェラル型の接続端子である。半導体チップは、この接続端子Ｔ１と電気的に接続されることにより配線基板１００に実装される。各接続端子Ｔ１は、後述する充填部材４との接着性を向上させるために、その表面が粗化されている。
【００２３】
また、各接続端子Ｔ１は、上面Ｓ１の面積が互いに対向する各側面Ｓ２，Ｓ３の面積よりも小さく形成されている。また、各接続端子Ｔ１は、上面Ｓ１の面積が、後述する充填部材４から露出する各側面Ｓ２，Ｓ３の面積よりも大きい。さらに、各接続端子Ｔ１の露出面には、例えば、接合層として錫（Ｓｎ）を含む半田Ｈ（たとえばＳｎ、Ｓｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田）がコートされている。なお、各接続端子Ｔ１の半田Ｈのコート面には、半田Ｈの加熱溶融時に、接続端子Ｔ１の構成金属である銅（Ｃｕ）と、半田Ｈの構成金属である錫（Ｓｎ）とを含む合金層Ｍが形成される。半導体チップを配線基板１００に実装する際には、接続端子Ｔ１にコートされた半田Ｈをリフローすることで半導体チップの接続端子と接続端子Ｔ１とが接続される。
【００２４】
充填部材４は、ビルドアップ層３に積層される絶縁性部材であり、その材質は、ソルダーレジスト層５と同じであることが好ましい。充填部材４は、ビルドアップ層３の表層に形成された各接続端子Ｔ１の側面と密着した状態で、接続端子Ｔ１間に充填されている。また、充填部材４の厚みＤ１は、接続端子Ｔ１の厚み（高さ）Ｄ２よりも薄くなっている。さらに、上述したように、充填部材４は、各接続端子Ｔ１間に、上面Ｓ１の面積が、充填部材４から露出する各側面Ｓ２，Ｓ３の面積よりも大きくなるように充填されている。
【００２５】
ソルダーレジスト層５は、接続端子Ｔ１と接続される配線パターンを覆うとともに、半導体チップの実装領域Ｒの内周に沿って配置された接続端子Ｔ１を露出させる開口５ａを有している。ソルダーレジスト層５の開口５ａは、同一開口内に複数の接続端子Ｔ１を配置するＮＳＭＤ形状となっている。
【００２６】
（裏面側の構成）
ビルドアップ層１３は、コア基板２の裏面側に積層された樹脂絶縁層１３１，１３３及び導体層１３２，１３４からなる。樹脂絶縁層１３１は、熱硬化性樹脂組成物からなり、裏面に金属配線Ｌ１２をなす導体層１３２が形成されている。また、樹脂絶縁層１３１には、コア導体層２２と導体層１３２とを電気的に接続するビア１３５が形成されている。樹脂絶縁層１３３は、熱硬化性樹脂組成物からなり、表層に１以上の接続端子Ｔ１１を有する導体層１３４が形成されている。また、樹脂絶縁層１３３には、導体層１３２と導体層１３４とを電気的に接続するビア１３６が形成されている。
【００２７】
ビア１３５，１３６は、それぞれ、ビアホール１３７ａとその内周面に設けられたビア導体１３７ｂと、底面側にてビア導体１３７ｂと導通するように設けられたビアパッド１３７ｃと、ビアパッド１３７ｃと反対側にてビア導体１３７ｂの開口周縁から外向きに張り出すビアランド１３７ｄとを有している。
【００２８】
接続端子Ｔ１１は、配線基板１００をマザーボード等に接続するための裏面ランド（ＰＧＡパッド、ＢＧＡパッド）として利用されるものであり、配線基板１００の略中心部を除く外周領域に形成され、前記略中央部を囲むようにして矩形状に配列されている。また、接続端子Ｔ１１の表面の少なくとも一部には、合金層Ｍが形成されている。
【００２９】
ソルダーレジスト層１４は、フィルム状をなし、ソルダーレジストとして機能する感光性の絶縁性樹脂をビルドアップ層１３の表面上に積層して形成されている。ソルダーレジスト層１４には、各接続端子Ｔ１１の表面の一部を露出させる開口１４ａが形成されている。このため、各接続端子Ｔ１１は、表面の一部が開口１４ａによりソルダーレジスト層１４から露出した状態となっている。つまり、ソルダーレジスト層１４の開口１４ａは、各接続端子Ｔ１１の表面の一部を露出したＳＭＤ（ソルダー・マスク・ディファインド）形状となっている。なお、ソルダーレジスト層５の開口５ａとは異なり、ソルダーレジスト層１４の開口１４ａは、接続端子Ｔ１１毎に形成されている。
【００３０】
開口１４ａ内には、たとえばＳｎ−Ａｇ、Ｓｎ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕ、Ｓｎ−Ｓｂなど実質的にＰｂを含有しない半田からなる半田ボールＢが接続端子Ｔ１１上に形成されている。なお、接続端子Ｔ１１と半田ボールＢとの間には、半田ボールＢの形成時に、接続端子Ｔ１１の材料である銅（Ｃｕ）と、半田に含まれる錫（Ｓｎ）とを含む合金層Ｍが形成される。配線基板１００をマザーボード等に実装する際は、配線基板１００の半田ボールＢをリフローすることで、接続端子Ｔ１１がマザーボード等の接続端子に電気的に接続される。
【００３１】
（配線基板の製造方法）
図４〜図１０は、第１の実施形態に係る配線基板１００の製造工程を示す図である。以下、図１，図４〜図１０を参照して、配線基板１００の製造方法について説明する。
【００３２】
（コア基板工程：図４）
板状の樹脂製基板の表面及び裏面に銅箔が貼付された銅張積層板を準備する。また、銅張積層板に対してドリルを用いて孔あけ加工を行い、スルーホール２３となる貫通孔を所定位置にあらかじめ形成しておく。そして、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことでスルーホール２３内壁にスルーホール導体２４を形成し、銅張積層板の両面に銅めっき層を形成する（図４（ａ）参照）。
【００３３】
その後、スルーホール導体２４内をエポキシ樹脂等の樹脂穴埋め材２５で充填する。さらに、銅張積層板の両面の銅箔上に形成された銅めっきを所望の形状にエッチングして銅張積層板の表面及び裏面に金属配線Ｌ１，Ｌ１１をなすコア導体層２１，２２をそれぞれ形成し、コア基板２を得る（図４（ｂ）参照）。なお、スルーホール２３形成工程の後、加工部分のスミアを除去するデスミア処理を行うことが望ましい。
【００３４】
（ビルドアップ工程：図５〜図６）
コア基板２の表面及び裏面に、樹脂絶縁層３１，１３１となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料をそれぞれ重ね合わせて配置する。そして、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、従来周知のレーザー加工装置を用いてレーザー照射を行い、樹脂絶縁層３１，１３１にビアホール３７ａ，１３７ａをそれぞれ形成する（図５（ａ）参照）。
【００３５】
続いて、樹脂絶縁層３１，１３１の表面を粗化した後、無電解めっきを行い、ビアホール３７ａ，１３７ａの内壁を含む樹脂絶縁層３１，１３１上に無電解銅めっき層を形成する。次にフォトレジストを樹脂絶縁層３１，１３１上に形成された無電解銅めっき層上にラミネートして、露光・現像を行い、所望の形状にめっきレジストを形成する。
【００３６】
その後、このめっきレジストをマスクとして、電解めっきにより、銅をめっきして、所望の銅めっきパターンを得る。次に、めっきレジストを剥離して、めっきレジスト下に存在していた無電解銅めっき層を除去して、金属配線Ｌ２，Ｌ１２をなす導体層３２，１３２を形成する。また、この際に、ビア導体３７ｂ，１３７ｂ、ビアパッド３７ｃ，１３７ｃ及びビアランド３７ｄ，１３７ｄからなるビア３５，１３５も形成される（図５ｂ参照）。
【００３７】
次に、導体層３２，１３２上に、樹脂絶縁層３３，１３３となるエポキシ樹脂を主成分とするフィルム状絶縁樹脂材料をそれぞれ重ね合わせて配置する。そして、この積層物を真空圧着熱プレス機で加圧加熱し、フィルム状絶縁樹脂材料を熱硬化させながら圧着する。次に、従来周知のレーザー加工装置を用いてレーザー照射を行い、樹脂絶縁層３３，１３３にビアホール３７ａ，１３７ａをそれぞれ形成する（図６（ａ）参照）。
【００３８】
続いて、導体層３２，１３２を形成した時と同様にして、ビアホール３７ａ，１３７ａが形成された樹脂絶縁層３３，１３３に、接続端子Ｔ１，Ｔ１１を有する導体層３４，１３４及びビア３６，１３６をそれぞれ形成する（図６（ｂ）参照）。
【００３９】
（充填工程：図７）
次に、ビルドアップ層３の表層をなす複数の接続端子Ｔ１間を、接続端子Ｔ１の上面よりも低い位置まで充填部材４で充填する。なお、充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する際には、図３を参照して説明したように、上面Ｓ１の面積が、充填部材４から露出する各側面Ｓ２，Ｓ３の面積よりも大きくなるように充填部材４を充填する。
【００４０】
また、接続端子Ｔ１間を充填部材４で充填する前に、接続端子Ｔ１の表面（特に、側面）を粗化しておくことが好ましい。接続端子Ｔ１の表面は、例えば、メックエッチボンド（メック社製）等のエッチング液で処理することで粗化することができる。
【００４１】
接続端子Ｔ１間に充填部材４を充填する方法としては、種々の手法を採用することができる。以下、この充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する充填方法について説明する。なお、下記の第１〜第４の充填方法において、充填部材４となる絶縁性樹脂をコートする方法として、印刷、ラミネート、ロールコート、スピンコート等種々の手法を用いることができる。
【００４２】
（第１の充填方法）
この第１の充填方法では、表層に接続端子Ｔ１が形成されたビルドアップ層３の表面に熱硬化性の絶縁性樹脂を薄くコートして熱硬化させた後、硬化した絶縁性樹脂を接続端子Ｔ１よりも低くなるまで研磨することで、充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する。
【００４３】
（第２の充填方法）
この第２の充填方法では、表層に接続端子Ｔ１が形成されたビルドアップ層３の表面に熱硬化性の絶縁性樹脂を薄くコートした後、絶縁性樹脂を溶融する溶剤で、接続端子Ｔ１上面を覆う余分な絶縁性樹脂を除去した後、熱硬化させることで充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する。
【００４４】
（第３の充填方法）
この第３の充填方法では、表層に接続端子Ｔ１が形成されたビルドアップ層３の表面に熱硬化性の絶縁性樹脂を厚くコートして熱硬化させた後、半導体素子の実装領域Ｒ以外の領域をマスクし、接続端子Ｔ１よりも低くなるまで絶縁性樹脂をＲＩＥ（Reactive Ion Etching）等によりドライエッチングすることで、充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する。なお、この第３の充填方法で、充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する場合、充填部材４とソルダーレジスト層５とが一体的に形成される。
【００４５】
（第４の充填方法）
図８、図９は、第４の充填方法の説明図である。以下、図８及び図９を参照して、第４の充填方法について説明する。第４の充填方法では、表層に接続端子Ｔ１が形成されたビルドアップ層３の表面に光硬化性の絶縁性樹脂を厚くコートした後（図８（ａ）参照）、後にソルダーレジスト層の開口５ａとなるべき領域の内側領域をマスクして絶縁性樹脂を露光・現像して、開口５ａの外側領域となるべき絶縁性樹脂を光硬化させる（図８（ｂ）参照）。次に、炭酸ナトリウム水溶液（濃度１重量％）に、この製造途中の配線基板１００を短時間（未感光部の絶縁性樹脂表面が若干膨潤する程度の時間）浸漬する（図８（ｃ）参照）。その後、水洗して膨潤した絶縁性樹脂を乳化させる（図９（ｄ）参照）。次に、膨潤・乳化した絶縁性樹脂を製造途中の配線基板１００から除去する（図９（ｅ）参照）。光硬化していない絶縁性樹脂の上端の位置が、各接続端子Ｔ１の上端より低い位置、かつ、上面Ｓ１の面積が、充填部材４から露出する各側面Ｓ２，Ｓ３の面積よりも大きくなるまで上記浸漬及び水洗を、それぞれ１回、又はそれぞれ数回繰り返す。その後、熱または紫外線により絶縁性樹脂を硬化させる。なお、この第４の充填方法で、充填部材４を接続端子Ｔ１間に充填する場合、充填部材４とソルダーレジスト層５とが一体的に形成される。
【００４６】
（ソルダーレジスト層工程：図１０）
充填部材４及びビルドアップ層１３の表面に、それぞれフィルム状をなす感光性の絶縁性樹脂をプレスして積層する。積層したフィルム状のソルダーレジストを露光・現像して、各接続端子Ｔ１の表面及び側面を露出させるＮＳＭＤ形状の開口５ａが形成されたソルダーレジスト層５と、各接続端子Ｔ１１の表面の一部を露出させるＳＭＤ形状の開口１４ａが形成されたソルダーレジスト層１４とを得る。なお、充填工程において上述した第３，第４の充填方法を採用した場合、充填部材４及びソルダーレジスト層５が一体的に形成されるため、この工程において、ソルダーレジスト層５を積層する必要はない。
【００４７】
（バックエンド工程：図１）
接続端子Ｔ１，Ｔ１１の露出面を過硫酸ナトリウム等によりエッチングして、接続端子Ｔ１，Ｔ１１表面の酸化膜等の不純物を除去した後、無電解めっきにより錫（Ｓｎ）をめっきすることにより半田を含む金属層を形成した後、所定の温度で金属層を溶融させる熱処理を行い、接続端子Ｔ１上に半田Ｈを形成する。なお、熱処理の際に、接続端子Ｔ１，Ｔ１１にそれぞれ合金層Ｍが形成され、接続端子Ｔ１の各側面Ｓ２、Ｓ３に形成された合金層Ｍが表面に露出する。その後、接続端子Ｔ１１に半田ボールＢを載置しリフローを行うことで、接続端子Ｔ１１に半田ボールＢが接合される。
【００４８】
以上のように、第１の実施形態に係る配線基板１００は、接続端子Ｔ１間が充填部材４で充填されている。このため、半導体チップと接続した際に、半導体チップと配線基板との隙間に充填されることとなるアンダーフィルやＮＣＰ（Non-Conductive Paste）、ＮＣＦ（Non-Conductive Film）の接続端子間におけるボイドの発生を防止することができる。また、各接続端子Ｔ１は、上面Ｓ１の面積が、充填部材４から露出する各側面Ｓ２，Ｓ３の面積よりも大きい。このような構成とすることにより、半田を含む金属層の熱処理時に、面積の大きな上面Ｓ１に半田Ｈが集まり、面積の小さな側面Ｓ２，Ｓ２の露出面には半田Ｈが集まりにくい。つまり、接続端子Ｔ１の上面Ｓ１に半田Ｈが集まりやすいため、半導体チップとの接合に必要な量の半田Ｈ（接合層）を確保することができる。また、接続端子Ｔ１の側面Ｓ２，Ｓ３には、半田Ｈが集まりにくいので、半田Ｈが横方向に広がらず、接続端子Ｔ１間をさらに狭ピッチ化することができる。
【００４９】
さらに、各接続端子Ｔ１の側面Ｓ２，Ｓ３には、金属層の熱処理により、充填部材４から露出した部分に接続端子Ｔ１の構成金属（銅（Ｃｕ））と半田Ｈの構成金属（錫（Ｓｎ））との合金である合金層Ｍが形成される。銅と錫との合金は、半田Ｈの構成金属である錫（Ｓｎ）との濡れ性が悪い。このため、銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）とを含む合金層Ｍを接続端子Ｔ１の側面Ｓ２，Ｓ３に形成することで、半田Ｈが接続端子Ｔ１の側面Ｓ２，Ｓ３に集まりにくくなり、結果として、接続端子Ｔ１の上面Ｓ１に半田Ｈがより集まりやすくなる。つまり、接続端子Ｔ１の側面Ｓ２、Ｓ３に形成された合金層Ｍが表面に露出しているため、半田Ｈを溶融させる熱履歴がかかったとしても、接続端子の上面Ｓ１に形成された半田Ｈが接続端子Ｔ１の側面Ｓ２、Ｓ３に流れ出すことを抑制することができる。このため、半導体チップとの接合に必要な量の半田Ｈを接続端子Ｔ１の上面Ｓ１に効果的に確保することができる。また、半田Ｈが横方向に広がることを効果的に抑止し、接続端子Ｔ１間をさらに狭ピッチ化することができる。
【００５０】
（その他の実施形態）
図１〜図１０を参照して説明した配線基板１００を参照して説明した配線基板１００では、接続端子Ｔ１間にそれぞれ充填する充填部材４の上面は、平坦（フラット）となっていたが、充填部材４の上面は、必ずしも平坦（フラット）である必要はなく、例えば、図１１に示すように、充填部材４の上面が丸みを帯びた、いわゆるフィレット形状となっていても、同様の効果を得ることができる。
【００５１】
以上、本発明を具体例を挙げながら詳細に説明してきたが、本発明は上記内容に限定されるものではなく、本発明の範疇を逸脱しない限りにおいてあらゆる変形や変更が可能である。例えば、上記具体例では、配線基板１００が半田ボールＢを介してマザーボード等と接続するＢＧＡ基板である形態について説明しているが、半田ボールＢの代わりにピンもしくはランドを設けた、いわゆるＰＧＡ（Pin Grid Array）基板もしくはＬＧＡ（Land Grid Array）基板として配線基板１００をマザーボード等と接続するようにしてもよい。
【００５２】
また、本実施例では、第１の充填方法や第２の充填方法を採用した場合、充填部材４を形成した後にソルダーレジスト層５を形成しているが、ソルダーレジスト層５を形成した後に充填部材４を形成するようにしても良い。
【実施例】
【００５３】
次に、実施例を挙げて、本発明をより詳細に説明する。発明者らは、上面の面積が互いに対向する各側面の面積よりも大きい接続端子（実施例）と、上面の面積が互いに対向する各側面の面積よりも小さい接続端子（比較例）とを作製し、各接続端子上に無電解めっきにより錫（Ｓｎ）をめっきした後、錫（Ｓｎ）を加熱溶融させる熱処理を行った。その後、各接続端子断面の拡大写真を撮影した。
【００５４】
図１２（a）は、実施例に係る接続端子の画像である。図１２（ｂ）は、比較例に係る接続端子の画像である。図１２（ａ）からは、実施例に係る接続端子では、熱処理後の錫（Ｓｎ）が、接続端子の上面に集まって厚くなっていることがわかる。また、図１２（ｂ）からは、比較例に係る接続端子では、コートされている錫（Ｓｎ）が、接続端子の上面、側面ともに厚くなっていることがわかる。
【００５５】
図１２からは、上面の面積を、互いに対向する各側面の面積よりも大きくすることで、接続端子の上面に半田を集めて厚みを厚くするとともに、側面の半田の厚みを薄くできることがわかった。
【符号の説明】
【００５６】
２…コア基板、３…ビルドアップ層、４…充填部材、５…ソルダーレジスト層、５ａ…開口、１３…ビルドアップ層、１４…ソルダーレジスト層、１４ａ…開口、２１，２２…コア導体層、２３…スルーホール、２４…スルーホール導体、２５…樹脂製穴埋め材、３１，１３１…樹脂絶縁層、３２，１３２…導体層、３３，１３３…樹脂絶縁層、３４，１３４…導体層、３５，１３５…ビア、３６，１３６…ビア、３７ａ，１３７ａ…ビアホール、３７ｂ，１３７ｂ…ビア導体、３７ｃ，１３７ｃ…ビアパッド、３７ｄ，１３７ｄ…ビアランド、１００…配線基板、Ｂ…半田ボール、Ｈ…半田、Ｌ１，Ｌ１１…金属配線、Ｌ２，Ｌ１２…金属配線、Ｍ…合金層、Ｒ…実装領域、Ｓ１…上面、Ｓ２，Ｓ２…側面、Ｔ１，Ｔ１１…接続端子。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【手続補正書】
【提出日】平成26年2月7日(2014.2.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層及び導体層がそれぞれ１層以上積層された積層体を有する配線基板であって、
前記積層体上に形成され、上面の面積が互いに対向する各側面の面積よりも小さい複数の接続端子と、
前記複数の接続端子間に充填された充填部材と、
を備え、
前記複数の接続端子は、前記上面の面積が、前記充填部材から露出する各側面の面積よりも大きく、前記上面には、半田を含む接合層が形成されており、
前記複数の接続端子の側面において前記充填部材から露出した部分には、前記接続端子の構成金属と前記半田の構成金属との合金であって銅（Ｃｕ）と錫（Ｓｎ）とを含む合金層が形成されていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１に記載の配線基板の製造方法であって、
前記積層体上に、前記上面の面積が互いに対向する各側面の面積よりも小さい前記複数の接続端子を形成する工程と、
前記複数の接続端子の上面の面積が、露出する各側面の面積よりも大きくなるように前記複数の接続端子間に前記充填部材を充填する工程と、
前記複数の接続端子の前記充填部材から露出する部分に前記半田を含む金属層を形成する工程と、
熱処理により、溶融する前記金属層を前記複数の接続端子の上面に凝集させて前記接合層を形成するとともに、前記接続端子の側面に、前記接続端子の構成金属と前記半田の構成金属との合金である前記合金層を形成する工程と、
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項３】
Ｓｎめっきを施すことにより前記金属層を形成することを特徴とする請求項２に記載の配線基板の製造方法。