(57)【要約】    【課題】  高いインダクタンスの値を有するプリント配線板の提供    【解決手段】  プリント配線板１０のビルドアップ層にコイル層５８ＢＬ、５８ＤＬが形成されるとともに、プリント配線板のコア基板にインダクタ部品が内蔵される。【選択図】  図１
2014154813.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インダクタ部品を収容するための開口を有すると共に第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１コア基板と、
前記第１コア基板の前記開口内に収容されているインダクタ部品と、
前記第１コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１のビルドアップ層と、
前記第１コア基板の第２面と前記インダクタ部品上に形成されていて第３コイル層を有している第２のビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２コア基板と、前記第２コア基板の第４面上に形成されていて第２コイル層を有している第４のビルドアップ層で形成されていて、
前記第２コイル層と前記第３コイル層は前記第２のビルドアップ層のビア導体で接続されている。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記インダクタ部品は、前記第２コア基板の第４面上と前記第４のビルドアップ層内のみにコイル層を有する。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、
前記第２コア基板は、絶縁基板と、前記絶縁基板を貫通している第２スルーホール導体と、前記絶縁基板の第３面上に形成されていて前記第２スルーホール導体の周りに形成されている第２スルーホール導体のランドと、前記絶縁基板の第４面上に形成されている第１コイル層で形成され、
前記インダクタ部品は、さらに、前記絶縁基板の第３面上に形成されている第３のビルドアップ層を有し、
前記第３のビルドアップ層は、前記絶縁基板の第３面と前記第２スルーホール導体のランド上に形成されている前記インダクタ部品内の上側の層間樹脂絶縁層と、前記インダクタ部品内の前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されている電極と、前記インダクタ部品内の前記上側の層間樹脂絶縁層を貫通し前記電極と前記第２スルーホール導体とを接続する前記インダクタ部品内の上側のビア導体とで形成され、
前記第４のビルドアップ層は、前記絶縁基板の第４面と前記第１コイル層上に形成されている前記インダクタ部品内の下側の層間樹脂絶縁層と、前記インダクタ部品内の前記下側の層間樹脂絶縁層上に形成されている前記第２コイル層と、前記インダクタ部品内の前記下側の層間樹脂絶縁層を貫通し前記第１コイル層と前記第２コイル層とを接続する前記インダクタ部品内の下側のビア導体とで形成されている。
【請求項４】
請求項３のプリント配線板であって、前記インダクタ部品は、前記絶縁基板の第４面上と前記第４のビルドアップ層内のみにコイル層を有する。
【請求項５】
請求項１のプリント配線板であって、前記第４面は前記第１面より前記第２面に近い。
【請求項６】
請求項１のプリント配線板であって、前記第２コア基板は、絶縁基板を有し、前記絶縁基板の厚みは１００μｍ以上である。
【請求項７】
請求項１のプリント配線板であって、前記第１のビルドアップ層は、前記第１コア基板上に形成されている上側の層間樹脂絶縁層と前記上側の層間樹脂絶縁層上に形成されている上側の導体層とを有し、前記上側の導体層と前記第２コア基板の第４面との間の距離は１００μｍ以上である。
【請求項８】
インダクタ部品を収容するための開口を有すると共に第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１コア基板と、
前記第１コア基板の前記開口内に収容されているインダクタ部品と、
前記第１コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１のビルドアップ層と、
前記第１コア基板の第２面と前記インダクタ部品上に形成されていて第３コイル層を有している第２のビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する絶縁基板と、前記絶縁基板の第３面上に形成されている電極と前記絶縁基板の第４面上に形成されている第１コイル層を有し、
前記第２コイル層と前記第３コイル層は前記前記第２のビルドアップ層のビア導体で接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタを内蔵するプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
電圧調整用のＶＲＭがＩＣチップを実装しているプリント配線板上に形成することが電源ラインの短縮化のために求められている。一般にＶＲＭとＩＣチップとの間にデカップリング用のインダクタが設けられる。特許文献１はインダクタを内蔵するプリント配線板を開示している。特許文献１は、インダクタを金属板から製造することを開示している。そして、特許文献１では、そのインダクタが基板に接着され、特許文献１の図６に示されているように、インダクタ内蔵基板が製造されている。また、特許文献１は、プレス加工によりインダクタを製造することで、インダクタの厚みを厚くすることができると述べている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２７０５３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、基板上に厚いインダクタが接着されるので、インダクタを内蔵するための層間絶縁層が厚くなると考えられる。そのため、インダクタ内蔵基板の厚みが厚くなると推察される。
インダクタの厚みが厚いので、インダクタを内蔵するための層間絶縁層の厚みはそれ以外の層間絶縁層の厚みより厚いと考えられる。そのため、インダクタ内蔵基板に反りが発生すると考えられる。
特許文献１の図１１に示されるように、特許文献１のインダクタ内蔵基板は、インダクタを内蔵するための層間絶縁層やそれ以外の層間絶縁層にビア導体を有している。インダクタを内蔵するための層間絶縁層の厚みはそれ以外の層間絶縁層の厚みより厚いと考えられるので、インダクタを内蔵するための層間絶縁層に形成されるビア導体用の開口が深くなると考えられる。そのため、接続信頼性が低下すると考えられる。
また、インダクタ部品が基板に接着されるので、配線の設計の自由度が低下すると予想される。
特許文献１は、インダクタを基板に接着している。そのため、特許文献１の方法では、複数のコイル層で形成されるインダクタを内蔵することは難しいと考えられる。従って、特許文献１では、高いインダクタンスを得ることが難しいと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、高いインダクタンスやＱ値を有するインダクタを内蔵しているプリント配線板を提供することである。別の目的は、インダクタを内蔵しているプリント配線板の反りを小さくすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、インダクタ部品を収容するための開口を有すると共に第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１コア基板と、前記第１コア基板の前記開口内に収容されているインダクタ部品と、前記第１コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１のビルドアップ層と、前記第１コア基板の第２面と前記インダクタ部品上に形成されていて第３コイル層を有している第２のビルドアップ層と、を有する。そして、前記インダクタ部品は、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する第２コア基板と、前記第２コア基板の第４面上に形成されていて第２コイル層を有している第４のビルドアップ層で形成されている。また、前記第２コイル層と前記第３コイル層は前記第２のビルドアップ層のビア導体で接続されている。
【０００７】
本発明の別の観点に係るプリント配線板は、インダクタ部品を収容するための開口を有すると共に第１面と前記第１面と反対側の第２面とを有する第１コア基板と、前記第１コア基板の前記開口内に収容されているインダクタ部品と、前記第１コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１のビルドアップ層と、前記第１コア基板の第２面と前記インダクタ部品上に形成されていて第３コイル層を有している第２のビルドアップ層と、を有する。そして、前記インダクタ部品は、第３面と前記第３面と反対側の第４面とを有する絶縁基板と、前記絶縁基板の第３面上に形成されている電極と前記絶縁基板の第４面上に形成されている第１コイル層を有している。また、前記第２コイル層と前記第３コイル層は前記前記第２のビルドアップ層のビア導体で接続されている。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図２】図２（Ａ）は第１実施形態のインダクタ部品の断面図、図２（Ｂ）はコイル層の平面図、図２（Ｃ）は第２スルーホール導体を示す断面図。
【図３】第１実施形態の各コイル層の平面図。
【図４】第１実施形態のインダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図５】第１実施形態のインダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図６】第１実施形態のインダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を説明するための図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を説明するための図。
【図９】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を説明するための図。
【図１０】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を説明するための図。
【図１１】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を説明するための図。
【図１２】第２実施形態のインダクタ部品の断面図。
【図１３】第２実施形態のインダクタ部品の一部を示す図。
【図１４】第１実施形態の改変例に係る各コイル層の平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図１は、第１実施形態に係るプリント配線板１０の断面図である。プリント配線板１０は、第１面Ｆと、第１面とは反対側の第２面Ｓとを有する第１コア基板３０と、第１コア基板３０の第１面Ｆ上に形成されている第１のビルドアップ層５５Ｆと、第１コア基板３０の第２面Ｓ上に形成されている第２のビルドアップ層５５Ｓとを有する。
【００１０】
第１コア基板は、第１面と第１面と反対側の第２面とを有する絶縁性基材（基材）２０と絶縁性基材２０の第１面上に形成されている第１導体層３４Ａと絶縁性基材の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｂと絶縁性基材を貫通し、第１導体層と第２導体層を接続するスルーホール導体３６で形成されている。絶縁性基材の第１面と第１コア基板の第１面は同じ面であり、絶縁性基材の第２面と第１コア基板の第２面は同じ面である。
【００１１】
第１のビルドアップ層５５Ｆは、第１コア基板の第１面Ｆ上に形成されている上側の層間絶縁層５０Ａと、上側の層間絶縁層５０Ａ上に形成されている上側の導体層５８Ａと、上側の層間絶縁層５０Ａを貫通し第１導体層３４Ａと上側の導体層５８Ａとを接続する上側のビア導体６０Ａと、上側の導体層５８Ａと上側の層間絶縁層５０Ａ上に形成されている最上の層間絶縁層５０Ｃと、最上の層間絶縁層５０Ｃ上に形成されている最上の導体層５８Ｃと、最上の層間絶縁層５０Ｃを貫通し上側の導体層５８Ａと最上の導体層５８Ｃとを接続する最上のビア導体６０Ｃと、で形成されている。
第１のビルドアップ層上に最上のビア導体や最上の導体層を露出するための開口を有する第１のソルダーレジスト層７０Ｆが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆの開口から露出する最上のビア導体や最上の導体層はパッドとして機能する。
【００１２】
第２のビルドアップ層５５Ｓは、第１コア基板の第２面Ｓ上に形成されている下側の層間絶縁層５０Ｂと、下側の層間絶縁層５０Ｂ上に形成されている下側の導体層５８Ｂと、下側の層間絶縁層５０Ｂを貫通し第２導体層３４Ｂと下側の導体層５８Ｂとを接続する下側のビア導体６０Ｂと、下側の導体層５８Ｂと下側の層間絶縁層５０Ｂ上に形成されている最下の層間絶縁層５０Ｄと、最下の層間絶縁層５０Ｄ上に形成されている最下の導体層５８Ｄと、最下の層間絶縁層５０Ｄを貫通し下側の導体層５８Ｂと最下の導体層５８Ｄとを接続する最下のビア導体６０Ｄと、で形成されている。
第２のビルドアップ層上に最下のビア導体や最下の導体層を露出するための開口を有する第２のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｓの開口から露出する最下のビア導体や最下の導体層はパッドとして機能する。
層間絶縁層と層間樹脂絶縁層は同じである。
【００１３】
絶縁性基材２０はインダクタ部品を収容するためのキャビティ（開口）２２を有する。絶縁性基材は、ガラスクロスなどの補強材とエポキシなどの樹脂で形成されている。絶縁性基材２０の厚みＴは１２０μｍから３００μｍである。実施形態に内蔵されているインダクタのインダクタンスの値やＱ値が第１のビルドアップ層の導体層により小さくならない。ＩＣチップに安定な電力が供給される。実施形態のプリント配線板が薄くなる。図１に示されるように、キャビティ２２は絶縁性基材を貫通していて、その中にインダクタ部品が収容される。
【００１４】
図２は、インダクタ部品１１０の断面図である。
インダクタ部品１１０は、第３面ＦＦと第３面と反対側の第４面ＳＳとを有する第２コア基板１３０と第２コア基板の第４面上に形成されている第４のビルドアップ層とを有する。第２コア基板の第３面が第１コア基板の第１面を向くようにインダクタ部品は第１コア基板に収容される。
【００１５】
第２コア基板は、第３面ＦＦと第３面と反対側の第４面ＳＳとを有すると共に第２スルーホール導体用の貫通孔１３１を有する絶縁基板１２０と第２スルーホール導体用の貫通孔に形成されている第２スルーホール導体１３６と絶縁基板１２０の第３面上に形成され第２スルーホール導体の周りに形成されている第２スルーホール導体のランド１３４Ａを含む第３導体層と絶縁基板１２０の第４面上に形成されている第１コイル層１３４ＢＬで形成されている。第２コア基板の第３面と絶縁基板の第３面は同じ面であり、第２コア基板の第４面と絶縁基板の第４面は同じ面である。図２（Ａ）や図２（Ｃ）に示されているように、第２スルーホール導体のランドは第２スルーホール導体用の貫通孔１３１上に形成されている導体を含んでも良い。第３導体層は第２スルーホール導体のランド以外の導体回路を含まないことが好ましい。
【００１６】
第４のビルドアップ層は、インダクタ部品内の下側の樹脂絶縁層（層間樹脂絶縁層）１５０Ｂとインダクタ部品内の下側の樹脂絶縁層上に形成されている第２コイル層１５８ＢＬとインダクタ部品内の下側の樹脂絶縁層を貫通し第１コイル層と第２コイル層とを接続するインダクタ部品内の下側のビア導体１６０Ｂを有する。第２コイル層は第２電極を有する。その第２電極は第２入力電極と第２出力電極を含む。第２電極上に第２のビルドアップ層のビア導体（第２接続ビア導体）が形成される。第２電極を介して、インダクタ部品内のコイル層と第２のビルドアップ層内のコイル層が接続される。第１コア基板内のインダクタ部品と第２のビルドアップ層がコイル層を有するので、コイル層の層数が多くなる。インダクタンスの値が大きくなる。また、第１コア基板内のインダクタ部品にコイル層が形成されるので、実施形態のプリント配線板によれば、薄いプリント配線板に高いインダクタンスを有するインダクタが形成される。
【００１７】
インダクタ部品が第２コア基板の第３面上にビルドアップ層を有さない場合、インダクタ部品は、第２コア基板の第３面に第１電極を有する。その第１電極は第１入力電極と第１出力電極を含む。第１電極上に第１のビルドアップ層のビア導体が形成される。第１電極は第２スルーホール導体のランドであることが好ましい。第２コア基板の第３面上に電極以外の導体回路が形成されないことが好ましい。実施形態のプリント配線板に内蔵されているインダクタのインダクタンスの値やＱ値が低下しない。インダクタ部品が第３ビルドアップ層を有していないなら、インダクタ部品は絶縁基板と絶縁基板の第３面上の電極と絶縁基板の第４面上の第１コイル層と第１コイル層と電極を繋ぐスルーホール導体で形成されていることが好ましい。
【００１８】
インダクタ部品は第２コア基板の第３面上に第３のビルドアップ層を有しても良い。第３のビルドアップ層は、インダクタ部品内の上側の層間樹脂絶縁層（樹脂絶縁層）１５０Ａとインダクタ部品内の上側の樹脂絶縁層上のインダクタ部品内の上側の導体層１５８Ａとインダクタ部品内の上側の樹脂絶縁層を貫通しインダクタ部品内の上側の導体層と第３導体層を接続するインダクタ部品内の上側のビア導体１６０Ａを有する。インダクタ部品内の上側の導体層はインダクタ部品内の上側のビア導体の周りに形成されているインダクタ部品内の上側のビア導体のランド以外の導体回路を含まないことが好ましい。インダクタ部品内の上側の樹脂絶縁層を越えているインダクタ部品内の上側のビア導体はインダクタ部品内の上側のビア導体のランドに含まれる。インダクタ部品が第３のビルドアップ層を有する場合、インダクタ部品は、インダクタ部品内の上側の樹脂絶縁層上に第１電極を有する。その第１電極は第１入力電極と第１出力電極を含む。インダクタ部品内の上側の導体層は第１電極以外の導体回路を有しないことが好ましい。第１電極上に第１のビルドアップ層のビア導体（第１接続ビア導体）が形成される。第１電極はインダクタ部品内の上側のビア導体のランドであることが好ましい。実施形態のプリント配線板に形成されているインダクタのインダクタンスの値やＱ値が低下しない。
【００１９】
第２のビルドアップ層の下側の導体層５８Ｂは、図３（Ｃ）に示されているインダクタパターン（コイル層）５８ＢＬを有する。図３は各コイル層の平面図である。最下の導体層５８Ｄは、図３（Ｄ）に示されているインダクタパターン（コイル層）５８ＤＬを有する。インダクタ部品内の第２電極と第２のビルドアップ層内のコイル層５８ＢＬは下側の層間絶縁層に形成されている下側のビア導体（第２接続ビア導体）で繋がっている。また、コイル層５８ＢＬとコイル層５８ＤＬは最下の層間樹脂絶縁層に形成されているビア導体で繋がっている。
実施形態では、第２のビルドアップ層内のコイルとインダクタ部品内のコイルが繋げられている。そのため、コイル層の数が多くなる。
第２コア基板の第３面と第１コア基板の第１面との間の距離は、第２コア基板の第４面と第１コア基板の第２面との間の距離より長い。第２コア基板の第４面は第１コア基板の第２面に寄っている。第１コア基板の中心線Ｃ（図１）と第２コア基板の中心線Ｃ１（図２（Ａ））は重ならず、中心線Ｃ１は第１コア基板の第２面に近い。中心線は各コア基板の表面（第１面、第３面）に平行で、各コア基板の絶縁体（絶縁性基材、絶縁基板）の中心を通る。
【００２０】
第１のビルドアップ層５５Ｆ上の第１のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１ＦによりＣ４パッドが露出され、Ｃ４パッド上にＩＣチップ実装用のＣ４バンプ７６Ｆが形成されている。第２のビルドアップ層上のソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１ＳによりＢＧＡパッドが露出され、ＢＧＡパッド上にマザーボード実装用のＢＧＡバンプ７６Ｓが形成されている。
【００２１】
絶縁性基材２０に第１スルーホール導体用の貫通孔３１が形成され、貫通孔３１に第１スルーホール導体３６が形成されている。第１スルーホール導体により第１導体層と第２導体層が接続されている。
【００２２】
絶縁基板１２０は、絶縁性基材２０と同様にガラスクスなどの補強材とエポキシなどの樹脂で形成されている。絶縁基板１２０の厚みｔは絶縁性基材２０の厚みＴの１／２から３／４である。これにより、インダクタ部品内のコイル層と第１のビルドアップ層の上側の導体層との間の干渉が弱くなる。インダクタンスの値やＱ値の値が小さくならない。
【００２３】
インダクタ部品の樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂやビルドアップ層の層間絶縁層５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄは、例えば、プリプレグを硬化することで形成される。プリプレグは、補強材と樹脂で形成されている。
【００２４】
図３はインダクタ部品内のインダクタパターン（コイル層）１３４ＢＬ、１５８ＢＬと第２のビルドアップ層内のインダクタパターン（コイル層）５８ＢＬ、５８ＤＬを示している。各コイル層は配線パターンで形成されている。各インダクタパターンは一つの平面上に概ねリング状の導体パターンで形成されている。各層のインダクタパターンは略１周の導体パターンで形成されている。これにより、４ターンのインダクタが形成される。各インダクタパターンに流れる電流の向きは同じである。図中の矢印は電流の向きを示している。この例では、向きは反時計回りである。また、各インダクタパターンは断面方向で重なることが好ましい。図３は１つの積層コイルの各コイル層の平面図である。各コイル層１３４ＢＬ、１５８ＢＬ、５８ＢＬ、５８ＤＬは繋がっていて、これらで１つの積層コイルが形成されている。
【００２５】
インダクタ部品内の第１コイル層１３４ＢＬは、一端に第２スルーホール導体１３６のランドＰ１Ｉを有する。ランドＰ１Ｉは第２スルーホール導体の周りであって第２コア基板の第４面上に形成さている。ランドＰ１Ｉは、第２スルーホール導体用の貫通孔１３１を覆う導体を含む。ランドＰ１Ｉの形状は概ね円である。第１コイル層１３４ＢＬはランドＰ１Ｉと反対側の端に樹脂絶縁層１５０Ｂに形成されているビア導体１６０Ｂと接続している接続部Ｖ１を有する。ビア導体１６０Ｂを介して第１コイル層１３４ＢＬと第２コイル層１５８ＢＬは繋がっている。第２コイル層１５８ＢＬはビア導体１６０Ｂ接続するためのビアランドＰ２を有している。ビアランドＰ２は第２コイル層１５８ＢＬの一端に形成されている。第２コイル層１５８ＢＬはビアランドＰ２と反対側の端に第２のビルドアップ層の層間絶縁層５０Ｂに形成されているビア導体６０Ｂと接続している接続部（第２電極）Ｖ２を有する。接続部Ｖ２上に下側のビア導体（第２接続ビア導体）６０Ｂが形成される。
【００２６】
下側のビア導体６０Ｂを介してインダクタ部品内の第２コイル層１５８ＢＬと下側の導体層内の第３コイル層５８ＢＬは繋がっている。第３コイル層５８ＢＬは下側のビア導体６０Ｂと接続するためのビアランドＰ３を有している。ビアランドＰ３は第３コイル層５８ＢＬの一端に形成されている。第３コイル層５８ＢＬはビアランドＰ３と反対側の端に最下のビア導体６０Ｄと接続している接続部Ｖ３を有する。
【００２７】
第４コイル層５８ＤＬと第３コイル層５８ＢＬは最下のビア導体を介して繋がっている。第４コイル層５８ＤＬは最下のビア導体６０Ｄと接続するためのビアランドＰ４を有している。ビアランドＰ４は第４コイル層５８ＤＬの一端に形成されている。第４コイル層５８ＤＬはビアランドＰ４と反対側の端に形成されている接続配線Ｌ１０に繋がっている。第１コイル層と第２コイル層、第３コイル層、第４コイル層を含む第１積層コイルが完成する。そして、接続配線Ｌ１０を介して、第１積層コイルは隣接する第２積層コイルに繋がる。第１積層コイルの各コイル層と第２積層コイルの各コイル層は同様である。第２積層コイルの一端（接続配線と反対側の端）は第２スルーホール導体のランドＬＯに繋がっている（図５（Ｂ））。ランドＬＩ、ＬＯと第２コア基板の第３面上に第３のビルドアップ層が形成されている。第３のビルドアップ層はランドＬＩ、ＬＯの直上にビア導体を有する。そのビア導体の上面が第１電極として機能する。ランドＬＩ上のビア導体が第１入力電極Ｄ１（Ｄ１Ｉ）であり、ランドＬＯ上のビア導体が第１出力電極Ｄ１（Ｄ１Ｏ）である。第１積層コイル内の第２コイル層の接続部Ｖ２が第２電極（第２出力電極）であり、第２積層コイル内の第２コイル層の接続部Ｖ２が第２電極（第２入力電極）である（図５（Ｂ））。ランドＬＩ、ＬＯは第２コア基板の第３面上に形成されている。ランドＬＩとランドＰ１Ｉは同じスルーホール導体に繋がっていて、ランドＬＩはランドＰ１Ｉと反対側のランドである。
【００２８】
電源からの電力が、上側のビア導体（第１接続ビア導体）を介してインダクタ部品の入力電極に至る。その後、その電力はインダクタ部品内のコイル層と下側のビア導体（第２接続ビア導体）を介して第２のビルドアップ層内のコイル層に伝達される。さらに、その電力は、下側のビア導体（第２接続ビア導体）を介してインダクタ部品内のコイル層に伝達される。そして、インダクタ部品の出力電極と上側のビア導体（第１接続ビア導体）、第１のビルドアップ層内の導体層やビア導体を介して、その電力はＩＣチップに伝達される。
積層コイルはＩＣチップの直下に存在している。積層コイルはＩＣチップのプロセッサコア直下に存在することが好ましい。ＩＣチップとインダクタ間の距離が短いので、ＩＣチップに安定な電力が供給される。ＩＣチップに瞬時に電力が供給される。ＩＣチップの誤動作が発生しない。
【００２９】
実施形態のプリント配線板によれば、インダクタが第２のビルドアップ層内のコイル層とインダクタ部品内のコイル層で形成されている。そのため、ビルドアップ層内にのみコイル層を有するプリント配線板と実施形態のプリント配線板が比較されると、実施形態のプリント配線板は高いインダクタンスを有する。
【００３０】
インダクタ部品が第２コア基板を有し、インダクタ部品が第２コア基板の第３面に第２スルーホール導体のランド以外の導体回路を有していない。プリント配線板内の導体層が、プリント配線板内のインダクタに与える影響が小さくなる。プリント配線板内のインダクタと第１のビルドアップ層内の上側の導体層との間の距離が長くなる。第１のビルドアップ層内の上側の導体層とインダクタ間の干渉が小さくなる。プリント配線板内のインダクタのインダクタンスの値やＱ値が低くならない。
【００３１】
インダクタ部品が第２コア基板とインダクタ部品内の上側の樹脂絶縁層を有している場合、インダクタ部品が第２コア基板の第３面に第２スルーホール導体のランド以外の導体回路を有しておらず、上側の樹脂絶縁層上に電極以外の導体回路有していない。プリント配線板内の導体層が、プリント配線板内のインダクタに与える影響が小さくなる。プリント配線板内のインダクタと第１のビルドアップ層内の上側の導体層との間の距離が長くなる。第１のビルドアップ層内の上側の導体層とインダクタ間の干渉が小さくなる。プリント配線板内のインダクタのインダクタンスの値やＱ値が低くならない。
【００３２】
第２コア基板の第４面と第１コア基板の第２面との間の距離は、第２コア基板の第３面と第１コア基板の第１面との間の距離より短い。第２のビルドアップ層内にコイル層が形成されると、第２のビルドアップ層内の導体層の体積は第１のビルドアップ層内の導体層の体積より小さくなる。その差によりプリント配線板に反りが発生しやすい。実施形態では、第２コア基板の第４面側にのみコイル層が形成される。従って、第１のビルドアップ層がコイル層を有さず、第２のビルドアップ層がコイル層を有しても、プリント配線板の中心線Ｃ（図１参照）の上下で導体の体積の差が小さくなる。プリント配線板の反りが小さくなる。第４面が第２面に寄っていると、第２のビルドアップ層側の導体層を効率的に多くすることができる。
【００３３】
インダクタ部品は無機粒子を含む樹脂膜で覆われても良い。樹脂膜は磁性を有していない。樹脂膜は粒子以外にエポキシなどの樹脂を含む。インダクタ部品と充填樹脂との接合強度が高くなる。インダクタ部品と充填樹脂間での剥がれによるプリント配線板内の導体層の断線などの不具合が防止される。磁性を有さない無機粒子としてシリカ粒子やアルミナ粒子が挙げられる。
【００３４】
インダクタ部品内の樹脂絶縁層の層数やコイル層の層数を調整することでインダクタ部品の厚みが調整される。インダクタンスの値を自由に調整することができる。
【００３５】
第１実施形態では、ビルドアップ層とインダクタ部品がプリント配線板の技術分野で使われている技術で製造されている。ビルドアップ層とインダクタ部品が別々に製造されているので、インダクタ部品内のコイル層の厚みを第１や第２のビルドアップ層内の導体層の厚みより厚くすることができる。そのため抵抗値の低いインダクタ部品がプリント配線板に内蔵される。微細な導体回路を有するビルドアップ層が製造される。インダクタ部品のＱ値が高くなる。
【００３６】
第１実施形態では、キャビティ２２の側壁とインダクタ部品との間に充填されている充填樹脂５０は磁性粒子を含むことが好ましい。インダクタ部品のインダクタンスの値の低下が抑えられる。
【００３７】
第１実施形態のプリント配線板では、第２のビルドアップ層にコイル層が形成されていて、更に、第１コア基板３０にコイル層を有するインダクタ部品１１０が内蔵される。ビルドアップ層に配線を形成するためのスペースが増えるので、プリント配線板の配線自由度が高くなる。所望のインダクタ特性（Ｌ、Ｑ）を得ることができる。半導体素子への電源強化が可能となる。インダクタ部品１１０を第１コア基板に内蔵することで、プリント配線板の厚みを薄くできる。インダクタ部品内のコイル層と、第２のビルドアップ層内のコイル層とを接続することで、容易にインダクタ特性を調整することができる。
【００３８】
[インダクタ部品の製造方法]
図４〜図６にインダクタ部品の製造工程が示される。
図４（Ａ）に示されるように絶縁基板１２０の両面に銅箔１３２が積層されている銅張積層板１３０Ｚが準備される。絶縁基板は第３面ＦＦと第３面ＦＦと反対側の第４面ＳＳを有している。銅張積層板１３０Ｚに、例えばＣＯ２レーザを用いて、貫通孔１３１が形成される（図４（Ｂ））。銅張積層板１３０Ｚに無電解銅めっきが施される。これにより、銅張積層板１３０Ｚの表面、及び貫通孔１３１の内壁に、シード層としての無電解めっき膜１３３が形成される（図４（Ｃ））。
【００３９】
次に、めっきレジスト１３５が形成される（図４（Ｄ））。電解銅めっきが施され、めっきレジスト１３５から露出する無電解めっき膜１３３上に電解めっき膜１３７が形成される。貫通孔１３１内に第２スルーホール導体１３６が形成される（図５（Ａ））。
【００４０】
めっきレジスト１３５が除去され、電解めっき膜１３７間の無電解めっき膜１３３と銅箔１３２が除去される。絶縁基板の第３面に第２スルーホール導体のランド１３４Ａが形成される。また、絶縁基板の第４面に第１コイル層が形成される。第１コイル層は第２スルーホール導体のランドＰ１Ｉに繋がっている。図５（Ｂ）の図は図５（Ｄ）に示されているＷ１とＷ２間のコイル層を含んでいる。第２コア基板１３０が完成する（図５（Ｂ））。
【００４１】
第２コア基板１３０の第３面ＦＦと第４面ＳＳ上にＢ−ステージのプリプレグと銅箔１４８が積層される。絶縁基板の第３面と第４面上のプリプレグが硬化される。絶縁基板の第３面と第４面上に絶縁層（樹脂絶縁層）１５０Ａ、１５０Ｂが形成される（図５（Ｃ））。
【００４２】
第３面側からＣＯ２ガスレーザにて樹脂絶縁層１５０Ａにインダクタ部品の第２スルーホール導体のランド１３４Ａに至る開口１５１Ａが形成される。樹脂絶縁層１５０Ｂにインダクタ部品の第１コイル層１３４ＢＬの接続部Ｖ１に至る開口１５１Ｂが形成される（図６（Ａ））。
【００４３】
無電解めっき処理により、ビア導体用の開口１５１Ａ、１５１Ｂの内壁と樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂ上に形成されている銅箔上に無電解めっき膜１５２が形成される（図６（Ｂ））。
【００４４】
無電解めっき膜１５２上にめっきレジスト１５４が形成される（図６（Ｃ））。電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜１５６が形成される（図６（Ｄ））。
【００４５】
めっきレジスト１５４が５％ＮａＯＨで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解めっき膜１５２と銅箔１４８がエッチングにて除去される。銅箔１４８と無電解めっき膜１５２、電解めっき膜１５６とからなる電極Ｄ１がインダクタ部品内の上側の樹脂絶縁層上に形成される。図６（Ｅ）の左側の電極が第１入力電極Ｄ１Ｉで、右側の電極が第１出力電極Ｄ１Ｏである。銅箔１４８と無電解めっき膜１５２、電解めっき膜１５６とからなる第２コイル層１５８ＢＬがインダクタ部品内の下側の樹脂絶縁層上に形成される。電極Ｄ１と第２スルーホール導体のランド（スルーホールランド）１３４Ａがインダクタ部品内の上側のビア導体で接続される。電極Ｄ１はスルーホールランド１３４の直上に形成されている。電極はインダクタ部品内の上側のビア導体とその周りのランドで形成されることが好ましい。第１コイル層と第２コイル層はインダクタ部品内の下側のビア導体で接続される。ビア導体は無電解めっき膜１５２と電解めっき膜１５６で形成されている。第２コイル層は一端に第２電極を有する。インダクタ部品が完成する（図６（Ｅ））。図６（Ｅ）の左側のコイル層は第１積層コイルに含まれ、右側のコイル層は第２積層コイルに含まれる。
【００４６】
[プリント配線板の製造方法]
図７〜図１１にプリント配線板１０の製造方法が示される。
（１）第１面Ｆと第１面と反対側の第２面Ｓを有する出発基板２０が準備される。出発基板は両面銅張積層板であることが好ましい。両面銅張積層板は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する絶縁性基材２０とその両面に積層されている金属箔３２、３２とからなる（図７（Ａ））。第１実施形態の出発基板は両面銅張積層板である。金属箔３２、３２の厚みは２μｍである。両面銅張積層板として住友ベークライト社製のＥＬＣ４７８５ＴＨ−Ｇを用いることができる。銅箔３２の表面に黒化処理が施される。絶縁性基材は樹脂と補強材で形成されていて、その補強材として例えばガラスクロス、アラミド繊維、ガラス繊維などが挙げられる。
【００４７】
（２）出発基板の第１面ＦにＣＯ２レーザが照射され、出発基板の第１面Ｆ側に第１スルーホール導体用の貫通孔を形成するための第１開口部３１ａが形成される（図７（Ｂ））。ここで、第１開口部３１ａは、第１面Ｆから第２面Ｓに向かってテーパしている。
【００４８】
（３）出発基板の第２面ＳにＣＯ２レーザが照射され、第１開口部３１ａに繋がる第２開口部３１ｂが形成される。第１スルーホール導体用の貫通孔３１が形成される（図７（Ｃ））。ここで、第２開口部３１ｂは、第２面Ｓから第１面Ｆに向かってテーパしている。
【００４９】
（４）無電解めっき処理により出発材料の表面と貫通孔の内壁にシード層としての無電解めっき膜３３が形成される（図７（Ｄ））。
【００５０】
（５）シード層３３上にめっきレジスト３５が形成される（図８（Ａ））。
【００５１】
（６）電解めっき処理により、めっきレジスト３５から露出するシード層上に電解めっき膜３７が形成される。同時に貫通孔３１がめっきにより充填され第１スルーホール導体３６が形成される（図８（Ｂ））。
【００５２】
（７）めっきレジスト３５が除去され、電解めっき膜３７間の無電解めっき膜３３と銅箔３２が除去される。
【００５３】
（８）絶縁性基材２０の中央部にインダクタ部品を収容するためのキャビティ（開口）２２がレーザにより形成される（図８（Ｄ））。キャビティ（開口）２２は絶縁性基材２０を貫通している。第１導体層３４Ａと第２導体層３４Ｂとキャビティ２２を有する第１コア基板３０が完成する（図８（Ｄ））。
【００５４】
（９）第１コア基板３０の第２面Ｓにテープ９４が貼られる。開口２２はテープで塞がれる（図９（Ａ））。テープ９４の例としてＰＥＴフィルムが挙げられる。
【００５５】
（１０）開口２２により露出するテープ９４上にインダクタ部品１１０が置かれる（図９（Ｂ））。第１コア基板の開口２２に収容されるインダクタ部品の厚みＴＩ（図２（Ａ）参照）は絶縁性基材の厚みＴの３０％〜１００％である。第１コア基板の第２面に第２コア基板の第４面が向くようにインダクタ部品はテープ上に置かれる。
【００５６】
（１１）第１コア基板３０の第１面Ｆ上にＢ−ステージのプリプレグと銅箔３２０が積層される。加熱プレスによりプリプレグから樹脂が開口内にしみ出て、開口２２が充填剤（充填樹脂）５０で充填される（図９（Ｃ））。開口の内壁とインダクタ部品間の隙間が充填剤で満たされる。インダクタ部品が絶縁性基材に固定される。プリプレグの代わりに層間絶縁層用樹脂フィルムが積層されてもよい。プリプレグはガラスクロスなどの補強材を有するが層間絶縁層用樹脂フィルムは補強材を有していない。両者ともシリカ粒子などの無機粒子を含むことが好ましい。充填剤はシリカなどの無機粒子を含んでいる。磁性粒子を含む樹脂を開口２２の側壁とインダクタ部品との間に充填することができる。
【００５７】
（１２）テープ剥離後（図９（Ｄ））、第１コア基板３０の第２面Ｓ上にＢ−ステージのプリプレグと銅箔３２０が積層される。絶縁性基材の第１面と第２面上のプリプレグが硬化される。絶縁性基材の第１面と第２面上に層間絶縁層（層間樹脂絶縁層）５０Ａ、５０Ｂが形成される（図９（Ｅ））。
【００５８】
（１３）第１面側からＣＯ２ガスレーザにて層間樹脂絶縁層５０Ａにインダクタ部品１１０の第１電極Ｄ１に至る第１接続ビア導体用の開口５１Ａが形成される。同時に、第１導体層３４Ａや第１スルーホール導体３６に至るビア導体用の開口５１が形成される。第２面側から層間樹脂絶縁層５０Ｂにインダクタ部品１１０の第２電極Ｖ２に至る第２接続ビア導体用の開口５１Ｂが形成される。同時に、第２導体層３４Ｂや第１スルーホール導体３６に至るビア導体用の開口５１が形成される（図１０（Ａ））。
【００５９】
（１４）無電解めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と層間樹脂絶縁層上に形成されている銅箔上に無電解めっき膜５２が形成される（図１０（Ｂ））。
【００６０】
（１５）無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図１０（Ｃ））。
【００６１】
（１６）次に、電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜５６が形成される（図１０（Ｄ））。
【００６２】
（１７）続いて、めっきレジスト５４が５％ＮａＯＨで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解めっき膜５２と銅箔３２０がエッチングにて除去される。無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６、銅箔３２０とからなる上側や下側の導体層５８Ａ、５８Ｂが形成される。導体層５８Ａ、５８Ｂは複数の導体回路やビア導体のランドを含み、導体層５８Ｂは、例えば、図１１（Ｅ）に示されるコイル層５８ＢＬを含む。同時に、無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６とからなるビア導体６０Ａ、６０Ｂや接続ビア導体６０Ａａ、６０Ｂｂが形成される（図１１（Ａ））。ビア導体６０Ａ、６０Ｂは第１コア基板の導体層やスルーホール導体と絶縁層上の導体層５８Ａ、５８Ｂを接続している。第１接続ビア導体６０Ａａはインダクタ部品の第１電極（入力電極、出力電極）と上側の導体層５８Ａを接続している。第２接続ビア導体６０Ｂｂはインダクタ部品の第２電極（入力電極、出力電極）とコイル層５８ＢＬを接続している。
【００６３】
（１８）図９（Ｅ）〜図１１（Ａ）の処理が繰り返され、層間絶縁層５０Ａ、５０Ｂ上に最上と最下の層間樹脂絶縁層５０Ｃ、５０Ｄが形成される。最上と最下の層間樹脂絶縁層５０Ｃ、５０Ｄ上に最上と最下の導体層５８Ｃ、５８Ｄが形成される。最上と最下の層間樹脂絶縁層５０Ｃ、５０Ｄに最上と最下のビア導体６０Ｃ、６０Ｄが形成され、導体層５８Ａ、５８Ｂと導体層５８Ｃ、５８Ｄはそれらのビア導体６０Ｃ、６０Ｄで接続される（図１１（Ｂ））。導体層５８Ｄは、例えば、図１１（Ｅ）に示される形状のコイル層５８ＤＬを含む。絶縁性基材の第１面上に第１のビルドアップ層が形成され、絶縁性基材の第２面上に第２のビルドアップ層が形成される。各ビルドアップ層は絶縁層と導体層と異なる導体層を接続するためのビア導体を有する。第１実施形態では、第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層はさらに接続ビア導体を有する。
【００６４】
（１９）第１と第２のビルドアップ層上に開口７１を有するソルダーレジスト層７０が形成される（図１１（Ｃ））。開口７１は導体層やビア導体の上面を露出する。その部分はパッドとして機能する。
【００６５】
（２０）パッド上にニッケル層７２とニッケル層７２上の金層７４で形成される金属膜が形成される（図１１（Ｄ））。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる金属膜が挙げられる。
【００６６】
（２１）この後、第１のビルドアップ層のパッドに半田バンプ７６Ｆが形成され、第２のビルドアップ層のパッドに半田バンプ７６Ｓが形成される。半田バンプを有するプリント配線板１０が完成する（図１）。
【００６７】
図１４は、第１実施形態の改変例に係るプリント配線板のコイル層の平面図である。
図１４（Ａ）に示されるコイル層（入力側の第１コイル層）１３４ＢＬ１の入力Ｑ１１に入力される電流は反時計回りに半周して出力Ｖ１１に至る。入力Ｑ１１は第２スルーホール導体のランドである。出力Ｖ１１からビア導体１６０Ｂ（図１参照）を介して図１４（Ｂ）に示されるコイル層（入力側の第２コイル層）１５８ＢＬ１の入力Ｑ２１に入力される。電流はコイル層１５８ＢＬ１を反時計回りに半周して出力（第２出力電極）Ｖ２１に至る。出力（第２出力電極）Ｖ２１からビア導体６０Ｂ（図１参照）を介して図１４（Ｃ）に示されるコイル層（入力側の第３コイル層）５８ＢＬ１の入力Ｑ３１に入力される。電流はコイル層５８ＢＬ１を反時計回りに半周して出力Ｖ３１に至る。出力Ｖ３１からビア導体６０Ｄ（図１参照）を介して図１４（Ｄ）に示されるコイル層（第４コイル層）５８ＤＬの入力Ｑ４に入力される。電流はコイル層５８ＤＬを反時計回りに１周して出力Ｖ４に至る。出力Ｖ４からビア導体６０Ｄ（図１参照）を介して図１４（Ｃ）に示されるコイル層（出力側の第３コイル層）５８ＢＬ２の入力Ｑ３２に入力される。電流はコイル層５８ＢＬ２を反時計回りに半周して出力Ｖ３２に至る。出力Ｖ３２からビア導体６０Ｂ（図１参照）を介して図１４（Ｂ）に示されるコイル層（出力側の第２コイル層）１５８ＢＬ２の入力（第２入力電極）Ｑ２２に入力される。電流はコイル層１５８ＢＬ２を反時計回りに半周して出力Ｖ２２に至る。出力Ｖ２２からビア導体１６０Ｂ（図１参照）を介して図１４（Ａ）に示されるコイル層（出力側の第１コイル層）１３４ＢＬ２の入力Ｑ１２に入力される。電流はコイル層１３４ＢＬ２を反時計回りに半周して接続線Ｌ１Ｏに至る。図１４に示される積層コイルは接続線を介して隣接する同様な積層コイル層と繋がっている。コイル層１３４ＢＬ１とコイル層１３４ＢＬ２は第２コア基板の第４面上に形成され、コイル層１５８ＢＬ１とコイル層１５８ＢＬ２はインダクタ部品内の下側の樹脂絶縁層上に形成され、コイル層５８ＢＬ１とコイル層５８ＢＬ２は第２のビルドアップ層の下側の層間樹脂絶縁層上に形成され、コイル層５８ＤＬは第２のビルドアップ層の最下の層間樹脂絶縁層上に形成される。接続線Ｌ１Ｏは第２スルーホール導体のランドに繋がってもよい。複数の積層コイルが並列で接続される。複数の積層コイルが１つの第２スルーホール導体のランドに繋がっている。
図１４に示されている第１コイル層と第２コイル層と第３コイル層はそれぞれ入力側のコイル層と出力側のコイル層で形成されている。第１コイル層は入力側の第１コイル層と出力側の第１コイル層で形成され、第２コイル層は入力側の第２コイル層と出力側の第２コイル層で形成され、第３コイル層は入力側の第３コイル層と出力側の第３コイル層で形成されている。
【００６８】
[第２実施形態]
図１２は、第２実施形態に係るプリント配線板のインダクタ部品１１０を示す。第２実施形態のインダクタ部品では、絶縁基板３２０に磁性粒子が含まれている。また、インダクタ部品内の下側の樹脂絶縁層３５０Ｂは磁性粒子を含んでいる。第２実施形態のプリント配線板では、更に高いインダクタンスを得ることができる。図１２に示されるインダクタ部品が第１実施形態と同様に第１コア基板に内蔵される。
図１３に示されているように各実施形態や改変例でコイル層ＣＯ上に２層の絶縁層ＩＬ、ＭＬを形成することができる。２層の絶縁層は磁性粒子と樹脂とを含む磁性体層ＭＬと磁性粒子以外の無機粒子と樹脂とからなる樹脂膜ＩＬで形成されている。コイル層ＣＯ上に磁性体層ＭＬが形成される。そして、磁性体層ＭＬ上に樹脂膜ＩＬが形成され、樹脂膜上にコイル層ＣＯや導体層ＤＬが形成される（図１３）。
【符号の説明】
【００６９】
１０  プリント配線板
２２  開口
３０  第１コア基板
３４Ａ、３４Ｂ  導体層
５０Ａ、５０Ｂ、５０Ｃ、５０Ｄ  層間絶縁層
５８Ａ、５８Ｂ、５８Ｃ、５８Ｄ  導体層
５８ＢＬ、５８ＤＬ  コイル層
６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ、６０Ｄ  ビア導体
１１０  インダクタ部品
１３０  第２コア基板
１３４Ａ  ランド
１３４ＢＬ  コイル層
１５０Ａ、１５０Ｂ  樹脂絶縁層
１５８Ａ  ビア導体のランド
１５８ＢＬ  コイル層
１６０Ａ、１６０Ｂ  ビア導体
【図１】
2014154813.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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