(57)【要約】【課題】電流検出回路を用いることなく、受信信号を得る際の増倍率を好適に調整することが可能なレーダ装置を提供する。【解決手段】レーザレーダ１では、制御部３０が、非測距期間に、ＡＰＤ２０ａにおける受信感度の増倍率が所定の目標増倍率の範囲内となるように、逆電圧の設定電圧値を変更する電圧設定処理を行う。この電圧設定処理では、受信部２０により目標増倍率で受信した場合の信号レベルが既知である筐体２のコーナー部２ｂに向けて発光部１０のレーザ光（校正用のレーザ光）を照射させ、そのレーザ光が反射された反射光に関する信号レベル（対象信号レベル）を信号処理部３０ｂにて検出し、その対象信号レベルが目標信号レベルの所定誤差範囲内となるように、電圧印加部４０に対して設定する設定電圧値を変更する構成とした。【選択図】図１
2014215157.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レーダ波を照射する照射手段（１０）と、
前記照射手段によるレーダ波の照射方向から到来する該レーダ波の反射波を示す信号を受信する受信手段（２０）と、
前記受信手段による受信信号に基づいて、前記レーダ波を反射した物標との相対関係を示す相対値を測定する制御手段（３０）と、
を備えるレーダ装置であって、
予め設定された電圧を印加する電圧印加部（４０）をさらに備え、
前記受信手段は、
前記電圧印加部により印加された電圧に応じて、当該受信手段における信号の受信感度を増倍させる増倍部（２０ａ）を有し、
前記制御手段は、
前記相対値の非測定時に、前記増倍部における前記受信感度の増倍率が所定の目標増倍率の範囲内となるように、前記増倍部に印加するための設定電圧値を変更する電圧設定処理を実行し、
前記電圧設定処理では、
前記受信手段により前記目標増倍率で受信した場合の信号レベルが既知である物標を対象物標（２ｂ）、その既知である信号レベルを目標信号レベルとし、該対象物標に向けて前記照射手段にレーダ波を照射させ、該レーダ波が該対象物標に反射された反射波に関する信号レベルを対象信号レベルとして検出して、該対象信号レベルが前記目標信号レベルの所定誤差範囲内となるように前記設定電圧値を変更することを特徴とするレーダ装置。
【請求項２】
前記電圧設定処理では、
前記設定電圧値を算出するために用いられる２つの電圧値のうち、高い方の電圧値を高レベル電圧値、低い方の電圧値を低レベル電圧値とし、
前記対象信号レベルが前記目標信号レベルよりも低い場合には、前回設定した前記設定電圧値を前記低レベル電圧値として、該低レベル電圧値と予め直近に記憶された前記高レベル電圧値との平均値を新たな前記高レベル電圧値として記憶するとともに、該新たな高レベル電圧値に前記設定電圧値を変更し、
前記対象信号レベルが前記目標信号レベルよりも高い場合には、前回設定した前記設定電圧値を前記高レベル電圧値として、該高レベル電圧値と予め直近に記憶された前記低レベル電圧値との平均値を新たな前記低レベル電圧値として記憶するとともに、該新たな低レベル電圧値に前記設定電圧値を変更することを特徴とする請求項１に記載のレーダ装置。
【請求項３】
前記電圧設定処理では、
前記設定電圧値を算出するために用いられる２つの電圧値のうち、高い方の電圧値を高レベル電圧値、低い方の電圧値を低レベル電圧値、前記設定電圧値を算出するために用いられる２つの信号レベルのうち、高い方の信号レベルを高信号レベル、低い方の信号レベルを低信号レベルとし、
前記設定電圧値を予め設定された初期設定電圧値にして前記対象物標からの反射波を示す信号を前記受信手段により受信した場合に、前記対象信号レベルが前記目標信号レベルよりも高いときには、前記初期設定電圧値を前記高レベル電圧値、該対象信号レベルを前記高信号レベルとすると共に、前記目標信号レベルよりも低い前記対象信号レベルを検出するために予め設定された最小設定電圧値に前記設定電圧値を変更し、前記対象信号レベルが前記目標信号レベルよりも低いときには、前記初期設定電圧値を前記低レベル電圧値、該対象信号レベルを前記低信号レベルとすると共に、前記目標信号レベルよりも高い前記対象信号レベルを検出するために予め設定された最大設定電圧値を前記高レベル電圧値として、該最大設定電圧値に前記設定電圧値を変更し、
前記設定電圧値を前記最大設定電圧値に変更した場合には、前記最大設定電圧値および該対象信号レベルと、前記低レベル電圧値および該低信号レベルとの関係を線形に示す直線式を用いて、前記目標信号レベルに対応する電圧値を近似して得られる算出電圧値に前記設定電圧値を変更し、
以降、前回設定した前記設定電圧値および該対象信号レベルと、前記高レベル電圧値および該高信号レベルとの関係を線形に示す直線式を用いて、前記目標信号レベルに対応する電圧値を近似して得られる算出電圧値に前記設定電圧値を変更することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のレーダ装置。
【請求項４】
前記電圧設定処理では、
前記対象信号レベルが前記目標信号レベルの所定誤差範囲内となったときの前記設定電圧値および前記対象信号レベルをそれぞれ前回電圧値および前回信号レベルとし、
前記対象信号レベルが前記目標信号レベルの前記所定誤差範囲外となった場合、該対象信号レベル、前記前回信号レベル、前記前回電圧値、および前記増倍部による増倍前の信号レベルに基づいて前記前回電圧値を補正して得られる補正電圧値に前記設定電圧値を変更することを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載のレーダ装置。
【請求項５】
コンピュータに請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の前記電圧設定処理を実行させるためのプログラム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーダ波を反射した物標との相対関係を示す相対値を測定するレーダ装置およびプログラムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種のレーダ装置として、レーザ光を照射し、レーザ光を照射したタイミングと、そのレーザ光の照射方向から到来するレーザ光の反射光を受光したタイミングの時間差を測定することにより、レーザ光を反射した物標との距離を測定する測距装置が知られている。
【０００３】
このような測距装置においては、物標との距離が遠くなるに従い、反射光の強度が弱くなるので、微弱な光を高感度で検出する必要がある。例えば、このような要求に応える光電変換素子としてアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）が用いられている。
【０００４】
なお、ＡＰＤは、図９に示すように、印加される逆電圧（バイアス）の大きさに応じて一定温度における増倍率が大きくなり、温度が上昇すると一定バイアスにおける増倍率が小さくなる受光感度特性を有している。
【０００５】
このため、ＡＰＤを用いた測距装置では、ＡＰＤの周囲の温度が変化すると、増倍率が小さくなり過ぎて、物標からの反射光を検出できなくなったり、増倍率が大きくなり過ぎて、反射光を示す受信信号が飽和してしまい、物標との距離を正しく測定できなくなったりする懸念があった。
【０００６】
これに対し、印加されたバイアスに対応してＡＰＤに流れる電流を検出する電流検出回路を備え、所定電流値までバイアスを増加させて基準バイアス電圧値を測定し、基準バイアス電圧値に所定比を掛けた値をバイアス電圧値とすることで増倍率を一定にする構成が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−３２４９０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載のような従来の構成では、ＡＰＤの特性上、印加するバイアスの増加に伴って電流が急激に増加し、電流検出回路にて電流を検出するための抵抗が急激に発熱し、ＡＰＤの周囲に温度変化をもたらすことにより、正確な基準バイアス電圧値を測定できない可能性がある。その結果、所望の増倍率に設定するためのバイアス電圧値を正確に算出できず、距離測定時に、実際の増倍率が所望の増倍率よりも低くなってしまい、物標からの反射光を検出できなくなる可能性が考えられた。
【０００９】
本発明は、このような懸念に鑑みてなされたものであり、電流検出回路を用いることなく、受信信号を得る際の増倍率を好適に調整することが可能なレーダ装置およびプログラムの提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するためになされた本発明は、レーダ波を照射する照射手段と、照射手段によるレーダ波の照射方向から到来するレーダ波の反射波を示す信号を受信する受信手段と、受信手段による受信信号に基づいて、レーダ波を反射した物標との相対関係を示す相対値を測定する制御手段とを備えるレーダ装置である。
【００１１】
そして、本発明は、予め設定された電圧を印加する電圧印加部をさらに備え、受信手段は、電圧印加部により印加された電圧に応じて、当該受信手段における信号の受信感度を増倍させる増倍部を有する。
【００１２】
ここで、本発明では、制御手段が、前述した相対値の非測定時に、増倍部における受信感度の増倍率が所定の目標増倍率の範囲内となるように、増倍部に印加するための設定電圧値を変更する電圧設定処理を行う。この電圧設定処理では、受信手段により目標増倍率で受信した場合の信号レベルが既知である物標を対象物標、その既知である信号レベルを目標信号レベルとし、この対象物標に向けて照射手段にレーダ波を照射させ、そのレーダ波が対象物標に反射された反射波に関する信号レベルを対象信号レベルとして検出して、その対象信号レベルが目標信号レベルの所定誤差範囲内となるように設定電圧値を変更する構成とした。
【００１３】
つまり、物標との相対距離や相対速度といった相対値の非測定時を利用し、増倍部により目標増倍率で増倍された受信信号の信号レベルが実験や事前の処理等により既知の物標（対象物標）に向けてレーダ波を照射したときの信号レベル（対象信号レベル）と、その既知の信号レベル（目標信号レベル）とを比較しながら、増倍部に印加すべき設定電圧値を探索する構成とした。
【００１４】
このような構成によれば、設定電圧値を探索する動作に起因して増倍部の周囲の温度が変化することがない分、増倍部の受信感度特性において温度変化による増倍率の変動を抑制することができ、ひいては増倍率を安定させることができる。
【００１５】
したがって、本発明によれば、電流検出回路を用いることなく、受信信号を得る際の増倍率を好適に調整することができ、これにより、物標との相対距離や相対速度といった相対値の測定を精度よく行うことができる。
【００１６】
なお、本発明は、レーダ波としてレーザ光を用いるレーザレーダ装置や、レーダ波としてミリ波を用いるミリ波レーダ装置や、その他のレーダ波を用いる各種のレーダ装置に適用することができる。また、本発明は、増倍部として、例えばアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）を有する構成等、アバランシェ降伏を利用して信号の受信感度を増倍させる構成を含む各種のレーダ装置にも適用することができる。さらに、本発明は、レーダ波を照射したタイミングと、そのレーダ波の照射方向から到来するレーダ波の反射波を受光したタイミングとの時間差を測定し、物標との相対距離や相対速度といった相対値を算出してもよいし、受信信号の信号レベルの大きさによってこれらの相対値を算出してもよい。
【００１７】
なお、制御手段が実行する電圧設定処理では、対象信号レベルが目標信号レベルよりも低い場合には電圧を上げる処理を行い、対象信号レベルが目標信号レベルよりも高い場合には電圧を下げる処理を行う。電圧を上げ下げする方法としては、対象信号レベルを繰り返し測定し、前回値と今回値との平均値を算出しながら確実に目標信号レベルに収束させる方法（実施例１）や、対象信号レベルを繰り返し測定し、直線近似式を利用して設定電圧値を算出しながら目標信号レベルに収束させる方法（実施例２）、対象信号レベルを繰り返し測定することなく、パラメータと数式により設定電圧値を算出する方法（実施例３）がある。
【００１８】
なお、本発明は、コンピュータに電圧設定処理を実行させるためのプログラムとして市場に流通させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】（ａ）は、レーダ装置の全体構成を例示する概略図であり、（ｂ）は、その光学部品の構成を例示する概略図である。
【図２】（ａ）は、制御手段が行う処理の概要を例示するフローチャートであり、（ｂ）は、制御手段が行う指令制御処理の内容を例示するフローチャートである。
【図３】制御手段が行う電圧設定処理の内容を例示する第１のフローチャートである。
【図４】レーダ装置の図３に対応する動作を例示するタイミングチャートである。
【図５】制御手段が行う電圧設定処理の内容を例示する第２のフローチャートである。
【図６】図５における設定電圧値と対象信号レベルとの関係性を例示する第１のグラフである。
【図７】設定電圧値と対象信号レベルとの関係性を例示する第２のグラフである。
【図８】制御手段が行う電圧設定処理の内容を例示する第３のフローチャートである。
【図９】アバランシェフォトダイオードの受光感度特性を例示するグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下に、本発明を適用した実施形態としてのレーザレーダを図面と共に説明する。なお、本実施形態のレーザレーダは、例えば自車両の前端中央付近に設置され、自車両の前方に位置する他車両や歩行者、障害物などの物標を検出し、これらの物標と自車両との相対距離や相対速度を測定する測距装置として構成されている。
【００２１】
＜全体構成＞
図１（ａ）に示すように、本実施形態のレーザレーダ１は、レーザ光を照射する発光部１０と、発光部１０によるレーザ光の照射方向から到来するレーザ光の反射光を受光するアバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）２０ａを有する受信部２０と、受信部２０による受信信号に基づいて、レーザ光を反射した物標との相対関係を示す相対値（相対距離や相対速度など）を測定する制御部３０とを備える。
【００２２】
また、レーザレーダ１は、ＡＰＤ２０ａに予め設定された逆電圧を印加する電圧印加部４０と、発光部１０により出射されるレーザ光の走査、および入射される反射光をＡＰＤ２０ａに導く光路の調整を行う光学部品５０と、光学部品５０を駆動する駆動部６０とを備える。
【００２３】
そして、レーザレーダ１は、これらの各部１０，２０，３０，４０，５０，６０が筐体２に収容されることにより構成されている。なお、筐体２には、レーザ光を筐体２の外部（自車両の前方）に出射し、筐体２の外部（自車両の前方）から到来する反射光を入射するためのスリット２ａと、スリット２ａの上方に後述する校正用のレーザ光を光学部品５０に向けて反射する角度を有するコーナー部２ｂとが設けられている。
【００２４】
本実施形態の光学部品５０は、図１（ｂ）に示すように、発光部１０の後方に位置する反射ミラー５ａと、反射ミラー５ａの上方に位置する回転ポリゴンミラー５ｂと、反射ミラー５ａの後方に位置し、ＡＰＤ２０ａの前方に位置する受光レンズ５ｃとによって構成される。
【００２５】
反射ミラー５ａは、発光部１０から出射されたレーザ光（出射光）を反射し、出射光の光路を進行方向に対して上方に変化させることによって、出射光を回転ポリゴンミラー５ｂに導くとともに、回転ポリゴンミラー５ｂを介して入射されたレーザ光（入射光）を反射し、入射光の光路を進行方向に対して後方に変化させることによって、入射光を受光レンズ５ｃに導くように配置されている。
【００２６】
受光レンズ５ｃは、反射ミラー５ａを介して入射されたレーザ光（入射光）を集束させることによって、入射光をＡＰＤ２０ａに導くように配置されている。
回転ポリゴンミラー５ｂは、駆動部６０によって駆動されると、一定の回転速度で回転する。回転ポリゴンミラー５ｂは、回転軸に対する倒れ角がそれぞれ異なる複数のミラー面を有し、回転することによって、反射ミラー５ａを介して出射されたレーザ光（出射光）を左右方向（ヨー方向）に走査させ、出射光が当たるミラー面が変わる毎に、出射光を上下方向（ピッチ方向）に走査させるように構成されている。
【００２７】
駆動部６０は、図示しないモータおよび駆動回路によって構成され、制御部３０からの指令に従った方向にレーザ光を照射させるように、回転ポリゴンミラー５ｂを駆動する。
発光部１０は、図示しない半導体レーザダイオードおよび駆動回路によって構成され、制御部３０からの指令に従ったタイミング（周期）でレーザ光を照射する。
【００２８】
電圧印加部４０は、高電圧を発生する高電圧回路を有して構成され、制御部３０により設定された電圧値（設定電圧値ＶＮ）の逆電圧（バイアス）をＡＰＤ２０ａに印加する。
ＡＰＤ２０ａは、電圧印加部４０により印加された逆電圧にてアバランシェ降伏を起こすことにより、受光感度を増倍させるフォトダイオードである。なお、アバランシェ降伏とは、半導体中に大きな電界があると、光子の衝突によって発生する電子が加速され、他の半導体原子と衝突して複数の電子が弾き出され、ここで弾き出された電子が電界によって加速され、他の半導体原子に衝突してさらに電子を弾き出す連鎖によって、移動する電子が増える現象をいう。また、ＡＰＤ２０ａは、前述したように、印加バイアスの大きさに応じて一定温度における増倍率が大きくなり、温度が上昇すると一定バイアスにおける増倍率が小さくなる受光感度特性を有している（図９参照）。
【００２９】
受信部２０は、電圧印加部４０により印加された電圧値に応じて変化する増倍率（１倍を含む）で受光した光量を増倍した電気的信号を制御部３０に供給する。
制御部３０は、ＣＰＵ，ＲＯＭ，ＲＡＭを有する周知のマイクロコンピュータ（以下「マイコン部」という）３０ａと、受信部２０から供給される受信信号の強度（信号レベル）を測定し、その測定結果をマイコン部３０ａに伝達する信号処理部３０ｂとを備えて構成される。ちなみに、制御部３０は、マイコン３０ａではなく、ＦＰＧＡ（Field-programmable gate array）やロジックＩＣなどのハードウェアによって各種処理を行う構成でもよい。
【００３０】
マイコン部３０ａでは、ＣＰＵが、ＲＯＭに記憶されたプログラムに基づいて、ＲＡＭを作業エリアとして用い、レーザ光を反射した物標との距離を測定する測距処理や、ＡＰＤ２０ａに印加する逆電圧の値（設定電圧値ＶＮ）を可変制御するための電圧設定処理を実行する。なお、プログラムは、ＲＯＭに限らず、ＣＰＵにて読み取り可能なあらゆる形態の記録媒体に記録されて用いられる。この記録媒体としては、例えば、持ち運び可能な半導体メモリ（例えばＵＳＢメモリ、メモリカード（登録商標）等）などが含まれる。
【００３１】
また、マイコン部３０ａは、駆動部６０にレーザ光の照射方向を示す指令（照射方向指令）を出力することにより駆動部６０を制御し、発光部１０にレーザ光の照射タイミングを示す指令（照射タイミング指令）を出力することにより発光部１０を制御するように構成されている。
【００３２】
具体的には、マイコン部３０ａは、自車両のバッテリから電源が供給された状態で、例えばユーザの操作によって立ち上げられると、図２（ａ）に示すように、測距処理を開始し（Ｓ１１０）、所定時間が経過して非測距期間になると（Ｓ１２０；ＹＥＳ）、測距処理を中断するとともに、電圧設定処理を開始する（Ｓ１３０）。さらに所定時間が経過して測距期間になると（Ｓ１４０；ＹＥＳ）、電圧設定処理を中断するとともに、測距処理に戻る（Ｓ１１０）。このように、所定の周期毎に、測距処理と電圧設定処理とを交互に行うようになっている。なお、本実施形態では、非測距期間が測距期間よりも長く設定されている。
【００３３】
また、マイコン部３０ａは、測距処理を行う際には、筐体２のスリット２ａを抜けて自車両の外部（前方）にレーザ光を照射させる照射方向指令を駆動部６０に出力し、発光部１０に所定のタイミングで照射タイミング指令を出力することにより、レーザ光を自車両の前方に照射させる。そして、測距処理では、レーザ光を照射したタイミング（照射タイミング指令を出力したタイミング）と、そのレーザ光の照射方向から到来するレーザ光の反射光を受光したタイミング（受信部２０から増倍後の受信信号を入力したタイミング）との時間差に基づいて、レーザ光を反射した物標と自車両との距離を測定する。また、駆動部６０に出力した照射方向指令が、レーザ光の照射方向（つまり、物標の方位）を示すため、物標との距離（相対距離）および物標の方位によって、自車両に対する物標の位置を特定することができ、同一の物標の位置を連続的に検出することによって、物標の移動方向や速度（相対速度）を測定することができる。
【００３４】
＜第１実施形態＞
次に、非測距期間にマイコン部３０ａが行う第１実施形態の電圧設定処理について説明する。なお、本実施形態の電圧設定処理では、図２（ｂ）に示す指令制御処理を行うようになっている。
【００３５】
具体的には、この指令制御処理では、マイコン部３０ａが、まず、筐体２のコーナー部２ｂにレーザ光を照射させる照射方向指令を駆動部６０に出力することで、レーザ光がコーナー部２ｂにて反射された反射光（内部反射光）を受信部２０（ＡＰＤ２０ａ）にて受光できる光路が形成されるように、レーザ光の照射方向を変更する（Ｓ２１０）。
【００３６】
次に、発光部１０に所定のタイミングで照射タイミング指令を出力することにより、レーザ光をコーナー部２ｂに照射させることで、このときの内部反射光が受信部２０（ＡＰＤ２０ａ）によって受光される（Ｓ２２０）。なお、ここで発光部１０によって照射されるレーザ光が前述した校正用のレーザ光を指している。
【００３７】
そして、信号処理部３０ｂから伝達される測定結果に基づいて、Ｓ２２０で照射したレーザ光が筐体２のコーナー部２ｂに反射された反射光（ＡＰＤ２０ａで受光した反射光）に関する信号レベル（以下「対象信号レベル」という）Ｓを検出する（Ｓ２３０）。
【００３８】
その後、Ｓ２３０における対象信号レベルＳの検出回数をカウントするための検出カウンタＮ（非図示）をインクリメントし（Ｓ２４０）、終了する。
＜電圧設定処理＞
次に、本実施形態の電圧設定処理の内容を、図３のフローチャートに沿って説明する。なお、マイコン部３０ａのＲＡＭには、現在、ＡＰＤ２０ａに印加されている設定電圧値ＶＮと、後述する高レベル電圧値ＶＨおよび低レベル電圧値ＶＬとをそれぞれ記憶する領域が設けられている。但し、設定電圧値ＶＮのＮは、検出カウンタＮに１を減算した値（Ｎ−１）に対応する数字で表されるものとする。
【００３９】
本実施形態では、マイコン部３０ａ（ＣＰＵ）は、電圧設定処理が開始されると、まず、Ｓ３１０では、高レベル電圧値ＶＨとしてその初期値ＶＭＡＸ、低レベル電圧値ＶＬとしてその初期値ＶＭＩＮをＲＡＭに記憶し、検出カウンタＮをゼロにリセットする。
【００４０】
そして、続くＳ３１５では、設定電圧値ＶＮをゼロバイアスである電圧Ｖ０に設定することにより、電圧印加部４０を介してＡＰＤ２０ａに電圧Ｖ０を印加する。また、続くＳ３２０では、前述の指令制御処理を開始する。なお、指令制御処理が終了する毎に、対象信号レベルが検出され、検出カウンタＮが加算されることになる。
【００４１】
次に、続くＳ３２１では、検出カウンタＮが１であるか否かを判断し、ここで肯定判断した場合には、Ｓ３２５に移行し、否定判断した場合（つまり、Ｎが２以上の場合）には、Ｓ３３５に移行する。
【００４２】
Ｓ３２５では、検出カウンタＮが１のときの設定電圧値ＶＮ（電圧Ｖ０）の状態で検出された対象信号レベルＳ０（図４参照。つまり、ＡＰＤ２０ａによる増倍前の対象信号レベルＳ０）に、レーザレーダ１の仕様上求められるＡＰＤ２０ａの所定の増倍率（以下「目標増倍率」という）Ｍを乗じることにより、目標信号レベルＳＴを算出し、Ｓ３３０に移行する。
【００４３】
Ｓ３３０では、設定電圧値ＶＮを前回ＲＡＭに記憶された設定電圧値（初期設定電圧値）Ｖ１に変更することにより、電圧印加部４０を介してＡＰＤ２０ａに初期設定電圧値Ｖ１を印加し、Ｓ３２０に戻る。なお、初期設定電圧値Ｖ１は、前述したゼロバイアスである電圧Ｖ０の前にＲＡＭに記憶された設定電圧値が採用される。
【００４４】
Ｓ３３５では、検出カウンタＮが２以上である場合に移行する処理であるため、目標信号レベルＳＴが既知である。例えば、検出カウンタＮが２である場合には、Ｓ３２０の指令制御処理によって、設定電圧値ＶＮがＳ３３０で変更された初期設定電圧値Ｖ１の状態で検出された対象信号レベルＳ１（図４参照）が得られている。ここで、目標信号レベルＳＴと、Ｓ３２０で検出された対象信号レベルＳとの差分値（絶対値）が、予め設定された誤差値ΔＳ以下であるか否かを判断し、誤差値ΔＳ以下である場合には、Ｓ３４０に移行し、誤差値ΔＳを上回る場合には、Ｓ３４５に移行する。
【００４５】
Ｓ３４０では、前回ＲＡＭに記憶された設定電圧値ＶＮ（つまり、現在の設定電圧値ＶＮ）のまま維持することにより、電圧印加部４０を介してＡＰＤ２０ａに現在の設定電圧値ＶＮを印加し続け、本処理を終了する。
【００４６】
Ｓ３４５では、Ｓ３３５における対象信号レベルＳが、目標信号レベルＳＴを下回るか否かを判断し、目標信号レベルＳＴを下回る場合には、Ｓ３５０に移行し、目標信号レベルＳＴ以上である場合には、Ｓ３７５に移行する。
【００４７】
Ｓ３５０では、検出カウンタＮが、２であるか否かを判断し、２である場合には、Ｓ３５５に移行し、２でない場合（ここでは、３以上の場合）には、Ｓ３６０に移行する。
Ｓ３５５では、前回ＲＡＭに記憶された設定電圧値ＶＮ（つまり、現在の設定電圧値ＶＮである初期設定電圧値Ｖ１）を低レベル電圧値ＶＬとしてＲＡＭに記憶し、Ｓ３６０に移行する。
【００４８】
Ｓ３６０では、後述するＳ３６５およびＳ３８０のうち直近にＲＡＭに記憶された高レベル電圧値ＶＨ（但し、Ｎ＝２の場合には初期値ＶＭＡＸを用いる）と、Ｓ３５５および後述するＳ３９０のうち直近にＲＡＭに記憶された低レベル電圧値ＶＬとを平均して得られる平均電圧値に、設定電圧値ＶＮを変更することにより、電圧印加部４０を介してＡＰＤ２０ａにこの平均電圧値を印加し、Ｓ３６５に移行する。
【００４９】
Ｓ３６５では、Ｓ３６０で算出した平均電圧値を高レベル電圧値ＶＨとしてＲＡＭに記憶し、Ｓ３２０に戻る。
Ｓ３７５では、Ｓ３３５における対象信号レベルＳが、目標信号レベルＳＴ以上の状態である。ここでは、検出カウンタＮが、２であるか否かを判断し、２である場合には、Ｓ３８０に移行し、２でない場合（ここでは、３以上の場合）には、Ｓ３８５に移行する。
【００５０】
Ｓ３８０では、前回ＲＡＭに記憶された設定電圧値ＶＮ（つまり、現在の設定電圧値ＶＮである初期設定電圧値Ｖ１）を高レベル電圧値ＶＬとしてＲＡＭに記憶し、Ｓ３８５に移行する。
【００５１】
Ｓ３８５では、Ｓ３６５およびＳ３８０のうち直近にＲＡＭに記憶された高レベル電圧値ＶＨと、Ｓ３５５および後述するＳ３９０のうち直近にＲＡＭに記憶された低レベル電圧値ＶＬ（但し、Ｎ＝２の場合には初期値ＶＭＩＮを用いる）とを平均して得られる平均電圧値に、設定電圧値ＶＮを変更することにより、電圧印加部４０を介してＡＰＤ２０ａにこの平均電圧値を印加し、Ｓ３９０に移行する。
【００５２】
Ｓ３９０では、Ｓ３８５で算出した平均電圧値を低レベル電圧値ＶＬとしてＲＡＭに記憶し、Ｓ３２０に戻る。
このように、本実施形態の電圧設定処理では、対象信号レベルＳが目標信号レベルＳＴよりも低い場合には、前回設定した設定電圧値ＶＮを低レベル電圧値ＶＬとし、この低レベル電圧値ＶＬと、予め直近に記憶された高レベル電圧値ＶＨとの平均値を新たな高レベル電圧値ＶＨとして記憶するとともに、その新たな高レベル電圧値ＶＨに設定電圧値ＶＮを変更する。
【００５３】
そして、対象信号レベルＳが目標信号レベルＳＴよりも高い場合には、前回設定した設定電圧値ＶＮを高レベル電圧値ＶＨとし、この高レベル電圧値ＶＨと、予め直近に記憶された低レベル電圧値ＶＬとの平均値を新たな低レベル電圧値ＶＬとして記憶するとともに、その新たな低レベル電圧値ＶＬに設定電圧値ＶＮを変更する。
【００５４】
よって、図４に示すように、対象信号レベルＳが、目標信号レベルＳＴに対して高くなったり、低くなったりしながら、確実に目標信号レベルＳＴに近づく（収束していく）ように、設定電圧値ＶＮ（Ｖ１〜Ｖ６）を変更することができるため、設定電圧値ＶＮを繰り返し変更することにより、ＡＰＤ２０ａにおける受信感度の増倍率を目標増倍率Ｍの所定誤差範囲内にすることができる。
【００５５】
また、レーザレーダ１の構成によれば、逆電圧の設定電圧値ＶＮを探索する動作に起因してＡＰＤ２０ａの周囲の温度が変化することがない分、ＡＰＤ２０ａの受信感度特性において温度変化による増倍率の変動を抑制することができ、ひいては増倍率を安定させることができる。
【００５６】
したがって、電流検出回路を用いることなく、受信信号を得る際の増倍率を好適に調整することができ、これにより、物標との相対距離や相対速度といった相対値の測定を精度よく行うことができる。
【００５７】
＜第２実施形態＞
次に、非測距期間にマイコン部３０ａが行う第２実施形態の電圧設定処理について説明する。なお、本実施形態の電圧設定処理では、第１実施形態と同じ指令制御処理を行うようになっている。
【００５８】
＜電圧設定処理＞
本実施形態の電圧設定処理の内容を、図５のフローチャートに沿って説明する。なお、マイコン部３０ａのＲＡＭには、現在、ＡＰＤ２０ａに印加されている設定電圧値ＶＮと、後述する高レベル電圧値ＶＨおよび低レベル電圧値ＶＬ、高信号レベルＳＨおよび低信号レベルＳＬ、目標信号レベルよりも高い対象信号レベルを検出するために予め設定された最大設定電圧値ＶＭＡＸ、目標信号レベルよりも低い対象信号レベルを検出するために予め設定された最小設定電圧値ＶＭＩＮをそれぞれ記憶する領域が設けられている。但し、設定電圧値ＶＮのＮ、および対象信号レベルＳＮのＮは、検出カウンタＮの加算値に対応する数字で表されるものとする。
【００５９】
本実施形態では、マイコン部３０ａ（ＣＰＵ）は、電圧設定処理が開始されると、まず、Ｓ４１０では、検出カウンタＮをゼロにリセットする。
次に、続くＳ４２０では、前述の指令制御処理を開始する。なお、指令制御処理が終了する毎に、対象信号レベルが検出され、検出カウンタＮが加算されることになる。
【００６０】
そして、続くＳ４２５では、目標信号レベルＳＴと、直近に検出した対象信号レベルＳとの差分値（絶対値）が、予め設定された誤差値ΔＳ以下であるか否かを判断し、誤差値ΔＳ以下である場合には、Ｓ４３０に移行し、誤差値ΔＳを上回る場合には、Ｓ４３５に移行する。なお、目標信号レベルＳＴは、製品出荷前の工程や実験や第１実施形態のＳ３２５の処理などによって、ＡＰＤ２０ａが目標増倍率で筐体２のコーナー部２ｂからの反射光を増倍したときの対象信号レベルＳとして既知の値が用いられる。
【００６１】
Ｓ４３０では、前回ＲＡＭに記憶された設定電圧値ＶＮ（つまり、現在の設定電圧値ＶＮ）のまま維持することにより、電圧印加部４０を介してＡＰＤ２０ａに現在の設定電圧値ＶＮを印加し続け、本処理を終了する。
【００６２】
Ｓ４３５では、検出カウンタＮが、１であるか否かを判断し、１である場合には、Ｓ４４０に移行し、１でない場合（ここでは、２以上の場合）には、Ｓ４６５に移行する。
Ｓ４４０では、Ｓ４２０で検出された対象信号レベルＳ１が、目標信号レベルＳＴを下回るか否かを判断し、目標信号レベルＳＴを下回る場合には、Ｓ４４５に移行し、目標信号レベルＳＴ以上である場合には、Ｓ４５５に移行する。
【００６３】
Ｓ４４５では、最大設定電圧値ＶＭＡＸを後述する直線式に用いる高レベル電圧値ＶＨとしてＲＡＭに記憶する。また、現在、ＡＰＤ２０ａに印加されている設定電圧値Ｖ１を低レベル電圧値ＶＬ、Ｓ４２０で検出された対象信号レベルＳ１を低信号レベルＳＬとしてＲＡＭに記憶し、Ｓ４５０に移行する。
【００６４】
Ｓ４５０では、設定電圧値Ｖ２が最大設定電圧値ＶＭＡＸとなるように現在の設定電圧値Ｖ１を変更することにより、電圧印加部４０を介してＡＰＤ２０ａに最大設定電圧値ＶＭＡＸを印加し、Ｓ４２０に戻る。
【００６５】
Ｓ４５５では、最小設定電圧値ＶＭＩＮを後述する直線式に用いる低レベル電圧値ＶＬとしてＲＡＭに記憶する。また、現在、ＡＰＤ２０ａに印加されている設定電圧値Ｖ１を高レベル電圧値ＶＨ、Ｓ４２０で検出された対象信号レベルＳ１を高信号レベルＳＬとしてＲＡＭに記憶し、Ｓ４６０に移行する。
【００６６】
Ｓ４６０では、設定電圧値Ｖ２が最小設定電圧値ＶＭＩＮとなるように現在の設定電圧値Ｖ１を変更することにより、電圧印加部４０を介してＡＰＤ２０ａに最小設定電圧値ＶＭＩＮを印加し、Ｓ４２０に戻る。
【００６７】
Ｓ４６５では、検出カウンタＮが２以上の状態である。ここでは、検出カウンタＮが、２であるか否かを判断し、２である場合には、Ｓ４７０に移行し、２でない場合（ここでは、３以上の場合）には、Ｓ４７５に移行する。
【００６８】
Ｓ４７０では、Ｓ４２０で検出された対象信号レベルＳ２が、目標信号レベルＳＴを下回るか否かを判断し、目標信号レベルＳＴ以上である場合には、Ｓ４７１に移行し、目標信号レベルＳＴを下回る場合には、Ｓ４７２に移行する。
【００６９】
Ｓ４７１では、対象信号レベルＳ２が目標信号レベルＳＴ以上、つまり、設定電圧値Ｖ２が最大設定電圧値ＶＭＡＸの状態である。ここでは、設定電圧値Ｖ２（＝最大設定電圧値ＶＭＡＸ）において検出された対象信号レベルＳ２を高信号レベルＳＨとしてＲＡＭに記憶し、Ｓ４８０に移行する。これにより、ＲＡＭには、低レベル電圧値ＶＬとして設定電圧値Ｖ１、低信号レベルとして対象信号レベルＳ１、高レベル電圧値ＶＨとして設定電圧値Ｖ２（＝最大設定電圧値ＶＭＡＸ）、高信号レベルとして対象信号レベルＳ２がそれぞれ記憶されることになる。
【００７０】
一方、Ｓ４７２では、対象信号レベルＳ２が目標信号レベルを下回る、つまり、設定電圧値Ｖ２が最小設定電圧値ＶＭＩＮの状態である。ここでは、設定電圧値Ｖ２（＝最小設定電圧値ＶＭＩＮ）において検出された対象信号レベルＳ２を低信号レベルＳＬとしてＲＡＭに記憶し、Ｓ４８０に移行する。これにより、ＲＡＭには、低レベル電圧値ＶＬとして設定電圧値Ｖ２（＝最小設定電圧値ＶＭＩＮ）、低信号レベルとして対象信号レベルＳ２、高レベル電圧値ＶＨとして設定電圧値Ｖ１、高信号レベルとして対象信号レベルＳ１がそれぞれ記憶されることになる。
【００７１】
Ｓ４７５では、検出カウンタＮが３以上の状態である。ここでは、現在、ＡＰＤ２０ａに印加されている設定電圧値ＶＮを低レベル電圧値ＶＬ、Ｓ４２０で検出された対象信号レベルＳＮを低信号レベルＳＬとしてＲＡＭに記憶し、Ｓ４８０に移行する。
【００７２】
Ｓ４８０では、図６および図７に示すように、設定電圧値ＶＮをＸ軸、対象信号レベルＳＮをＹ軸としたＸＹ座標において、ＲＡＭに記憶されている最新の低レベル電圧値ＶＬおよび低信号レベルＳＬで表される点ＰＬと、高レベル電圧値ＶＨおよび高信号レベルＳＨで表される点ＰＨとの２点を通る直線式（傾きＡおよび切片Ｂ）を算出し、Ｓ４８５に移行する。
【００７３】
Ｓ４８５では、Ｓ４８０で算出した直線式上において、Ｙ軸座標を目標信号レベルＳＴとした場合のＸ軸座標の値を算出電圧値とし、この算出電圧値を設定電圧値ＶＮに変更して、Ｓ４２０に戻る。
【００７４】
このように、本実施形態の電圧設定処理では、設定電圧値Ｖ１にて筐体２のコーナー部２ｂからの反射波を示す信号を受信した場合に、対象信号レベルＳ１が目標信号レベルＳＴよりも高いときには、設定電圧値Ｖ１を高レベル電圧値ＶＨ、その対象信号レベルＳ１を高信号レベルＳＨとすると共に、最小設定電圧値ＶＭＩＮとなる設定電圧値Ｖ２に設定電圧値Ｖ１を変更する。
【００７５】
そして、以降に検出した対象信号レベルＳＮが目標信号レベルＳＴより低い場合（但し、高くなることはない）には、図６に示すように、前回設定した設定電圧値ＶＮ（低レベル電圧値ＶＬ）およびその対象信号レベルＳＮ（低信号レベルＳＬ）と、設定電圧値Ｖ１（高レベル電圧値ＶＨ）およびその対象信号レベルＳ１（高信号レベルＳＨ）との関係を線形に示す直線式を用いて、目標信号レベルＳＴに対応する電圧値を近似して得られる算出電圧値に設定電圧値ＶＮを変更する。
【００７６】
一方、設定電圧値Ｖ１にて筐体２のコーナー部２ｂからの反射波を示す信号を受信した場合に、対象信号レベルＳ１が目標信号レベルＳＴよりも低いときには、設定電圧値Ｖ１を低レベル電圧値ＶＬ、その対象信号レベルＳ１を低信号レベルＳＬとすると共に、最大設定電圧値ＶＭＡＸとなる設定電圧値Ｖ２に設定電圧値Ｖ１を変更する。
【００７７】
そして、次に、設定電圧値Ｖ２（最大設定電圧値ＶＭＡＸ）にて筐体２のコーナー部２ｂからの反射波を示す信号を受信した場合に検出した対象信号レベルＳ２が、目標信号レベルＳＴより高くなるので、図７に示すように、設定電圧値Ｖ１（低レベル電圧値ＶＬ）およびその対象信号レベルＳ１（低信号レベルＳＬ）と、設定電圧値Ｖ２（高レベル電圧値ＶＨ）およびその対象信号レベルＳ２（高信号レベルＳＨ）との関係を線形に示す直線式を用いて、目標信号レベルＳＴに対応する電圧値を近似して得られる算出電圧値となる設定電圧値Ｖ３に設定電圧値Ｖ２を変更する。
【００７８】
そして、以降に検出した対象信号レベルＳＮが目標信号レベルＳＴより低い場合（但し、高くなることはない）には、図７に示すように、前回設定した設定電圧値ＶＮ（低レベル電圧値ＶＬ）およびその対象信号レベルＳＮ（低信号レベルＳＬ）と、設定電圧値Ｖ２（高レベル電圧値ＶＨ）およびその対象信号レベルＳ２（高信号レベルＳＨ）との関係を線形に示す直線式を用いて、目標信号レベルＳＴに対応する電圧値を近似して得られる算出電圧値に設定電圧値ＶＮを変更する。
【００７９】
よって、図６および図７に示すように、対象信号レベルＳＮが、目標信号レベルＳＴよりも低いところから段階的に上がりながら、確実に目標信号レベルＳＴに近づく（収束していく）ように、設定電圧値ＶＮを変更することができる。このため、設定電圧値ＶＮを繰り返し変更することにより、ＡＰＤ２０ａにおける受信感度の増倍率を目標増倍率Ｍの所定誤差範囲内にすることができる。
【００８０】
＜第３実施形態＞
次に、非測距期間にマイコン部３０ａが行う第３実施形態の電圧設定処理について説明する。
【００８１】
＜電圧設定処理＞
本実施形態の電圧設定処理の内容を、図８のフローチャートに沿って説明する。なお、本実施形態では、前回の非測距期間において、対象信号レベルＳが目標信号レベルＳＴの所定誤差範囲内となる条件を満たしており、そのときの設定電圧値ＶＮを前回電圧値Ｖ０、そのときの対象信号レベルＳを前回信号レベルＳ０とし、加えて目標信号レベルＳＴと目標増倍率から算出されたＫ（増倍前の信号レベルに相当）がマイコン部３０ａのＲＡＭに記憶されているものとする。
【００８２】
本実施形態では、マイコン部３０ａ（ＣＰＵ）は、電圧設定処理が開始されると、まず、筐体２のコーナー部２ｂにレーザ光を照射させる照射方向指令を駆動部６０に出力することで、レーザ光がコーナー部２ｂにて反射された反射光（内部反射光）を受信部２０（ＡＰＤ２０ａ）にて受光できる光路が形成されるように、レーザ光の照射方向を変更する（Ｓ５１０）。
【００８３】
次に、発光部１０に所定のタイミングで照射タイミング指令を出力することにより、レーザ光をコーナー部２ｂに照射させることで、このときの内部反射光が受信部２０（ＡＰＤ２０ａ）によって受光される（Ｓ５２０）。
【００８４】
そして、信号処理部３０ｂから伝達される測定結果に基づいて、Ｓ２２０で照射したレーザ光が筐体２のコーナー部２ｂに反射された反射光のうち、ＡＰＤ２０ａで受光した反射光に関する信号レベル（以下「対象信号レベル」という）Ｓを検出する（Ｓ５３０）。
【００８５】
その後、Ｓ５４０では、目標信号レベルＳＴと、Ｓ５３０で検出した対象信号レベルＳとの差分値（絶対値）が、予め設定された誤差値ΔＳ以下であるか否かを判断し、誤差値ΔＳ以下である場合には、Ｓ５５０に移行し、誤差値ΔＳを上回る場合には、Ｓ５６０に移行する。なお、目標信号レベルＳＴは、実験や第１実施形態のＳ３２５の処理などによって、ＡＰＤ２０ａが目標増倍率で筐体２のコーナー部２ｂからの反射光を増倍したときの対象信号レベルＳとして既知の値が用いられる。
【００８６】
Ｓ５５０では、ＲＡＭに記憶されている前回電圧値Ｖ０（つまり、現在の設定電圧値ＶＮ）のまま維持することにより、電圧印加部４０を介してＡＰＤ２０ａに現在の設定電圧値ＶＮを印加し続け、本処理を終了する。
【００８７】
Ｓ５６０では、Ｓ５３０で検出した対象信号レベルＳおよびＡＰＤ２０ａによる増倍前の信号レベルＫ（既知の値）と、ＲＡＭに記憶されている前回信号レベルＳ０および前回電圧値Ｖ０とに基づいて、現在の設定電圧値ＶＮ（前回信号レベルＳ０）を補正する電圧算出処理を行う。
【００８８】
続くＳ５７０では、Ｓ５６０の電圧算出処理によって得られた算出電圧値に設定電圧値ＶＮを変更することにより、電圧印加部４０を介してＡＰＤ２０ａにその設定電圧値ＶＮを印加し、本処理を終了する。
【００８９】
＜電圧算出処理＞
ここで、Ｓ５６０で行う電圧算出処理で用いる数式の導き方（考え方）について説明する。
【００９０】
まず、ＡＰＤ２０ａにおける増倍率Ｍと逆電圧Ｖとの関係は、Ｍｉｌｌｅｒの実験式に基づいて、次式（１）によって表される。
【００９１】
【数１】
2014215157.tif 000003
なお、式（１）において、ＶＢは、ＡＰＤ２０ａ固有の降伏電圧であり、ｎは、ＡＰＤ２０ａの仕様に応じておよそ０〜６付近の値が用いられるパラメータである。つまり、ＶＢおよびｎは、ＡＰＤ２０ａにおいて既知の値である。
【００９２】
ここで、ＶＢは、ＡＰＤ２０ａの周囲の温度によって変化する値であることから、温度が変化する前に対象信号レベルＳが目標信号レベルＳＴの所定誤差範囲内となる条件を満たしていたときの、前回信号レベルＳ０と前回電圧値Ｖ０との関係は、増倍率をＭ０として、式（１）を代入することにより、次式（２）によって表される。
【００９３】
【数２】
2014215157.tif 000004
なお、式（２）において、Ｋは、ＡＰＤ２０ａによる増倍前の信号レベルを表す。
【００９４】
同様に、ＡＰＤ２０ａの周囲の温度が変化してＶＢ０がＶＢ１になったときの、対象信号レベルＳ１と前回電圧値Ｖ０との関係は、そのときの増倍率をＭ１として、式（１）を代入することにより、次式（３）によって表される。
【００９５】
【数３】
2014215157.tif 000005
この式（３）をＶＢ１について解くと、次式（４）が得られる。
【００９６】
【数４】
2014215157.tif 000006
温度が変化した場合であっても対象信号レベルＳ１として前回信号レベルＳ０を得るためには、Ｓ０＝Ｓ１にそれぞれ式（２）および（３）を代入して、次式（５）の関係性を満たせばよいことになる。
【００９７】
【数５】
2014215157.tif 000007
この式（５）を満たすＶ１は、次式（６）によって表される。
【００９８】
【数６】
2014215157.tif 000008
したがって、式（６）より、変更すべき設定電圧値Ｖ１は、前回信号レベルＳ０、前回電圧値Ｖ０、ＡＰＤ２０ａによる増倍前の信号レベルＫ、パラメータｎ（例えばｎ＝１）、対象信号レベルＳ１を入力パラメータとして求めることができる。
【００９９】
このように、本実施形態の電圧設定処理によれば、対象信号レベルＳ１、前回信号レベルＳ０、前回電圧値Ｖ０、およびＡＰＤ２０ａによる増倍前の信号レベルＫを入力パラメータとする数式によって、設定電圧値Ｖ１（ＶＮ）を算出することにより、必ずしも設定電圧値ＶＮを繰り返し変更することなく、ＡＰＤ２０ａにおける受信感度の増倍率を目標増倍率Ｍの範囲内にする際の効率性を上げることができる。
【０１００】
＜他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において、様々な態様にて実施することが可能である。
【０１０１】
例えば、上記第３実施形態の電圧算出処理では、ＶＢ０を、式（２）に基づいて、前回信号レベルＳ０、前回電圧値Ｖ０、ＡＰＤ２０ａによる増倍前の信号レベルＫ、パラメータｎによって求まる値として用いているが、これに限定されるものではなく、ＡＰＤ２０ａの周囲の温度を測定し、この測定温度に基づいてＶＢ０の温度依存性を示すデータを参照することにより、ＶＢ０を直接的に求めてもよい。
【０１０２】
また、上記第３実施形態の電圧設定処理では、非測距期間に電圧算出処理を一度だけ行う例を説明したが、これに限定されるものではなく、電圧算出処理によって得られた算出電圧値に設定電圧値ＶＮを変更した後に、Ｓ５２０（Ｓ５１０でも可）に戻り、再びＳ５４０において、対象信号レベルＳが目標信号レベルＳＴの所定誤差範囲内となるまで、繰り返し設定電圧値ＶＮを算出（変更）するようにしてもよい。
【０１０３】
また、上記第１〜第３実施形態のレーザレーダ１では、受信部２０が、ＡＰＤ２０ａが受光した増倍前の受信信号を生成可能に構成されているが、これに限定されるものではなく、例えば、ＡＰＤ２０ａとフォトダイオード（ＰＤ）とを備え、受光レンズ５ｃの後方に、受光レンズ５ｃを介して入射する反射光の光路を、ＡＰＤ２０ａ側とＰＤ側とに分岐させる光路変更器をさらに備えてもよい。
【０１０４】
また、上記第１〜第３実施形態のレーザレーダ１では、校正用のレーザ光を筐体２のコーナー部２ｂに照射させるように構成されているが、これに限定されるものではなく、校正用のレーザ光を照射する物標（対象物標）は、筐体２の内部に限らず、ＡＰＤ２ａが目標増倍率Ｍで受光した場合の信号レベルが既知である物標であれば、いずれの場所であってもよい。
【０１０５】
また、上記第１〜第３実施形態のレーザレーダ１では、校正用のレーザ光を照射する際に、回転ポリゴンミラー５ｂを回転駆動することにより、レーザ光の照射方向を変更させているが、これに限定されるものではなく、例えばレーザ光の照射方向を変更させる代わりに、筐体２を発光部１０等の構成品に対して回転駆動して、筐体２の内部の対象物標に校正用のレーザ光を照射させてもよい。
【０１０６】
また、上記第１〜第３実施形態のレーザレーダ１では、回転ポリゴンミラー５ｂによってレーザ光を走査しているが、これに限定されるものではなく、例えばＭＥＭＳミラー等、各種の走査装置を代用することができる。
【０１０７】
また、上記第１〜第３実施形態では、それぞれ異なる態様の電圧設定処理について、独立的に説明したが、これらを適宜組み合わせて行うことができる。
なお、上記第１〜第３実施形態では、本発明をレーザレーダ１に適用する例について説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、レーダ波としてミリ波を用いるミリ波レーダ装置や、その他のレーダ波を用いる各種のレーダ装置に適用することができる。
【０１０８】
また、上記第１〜第３実施形態では、アバランシェ増倍部としてバランシェフォトダイオード（ＡＰＤ）２０ａを有する構成について説明したが、これに限定されるものではなく、例えばアバランシェダイオードを有する構成等、アバランシェ降伏を利用して信号の受信感度を増倍させる構成を含む各種のレーダ装置に適用することができる。さらに言えば、アバランシェ降伏以外の増倍現象を利用する構成を含むレーダ装置にも適用することができる。
【０１０９】
また、上記第１〜第３実施形態では、レーダ波を照射したタイミングと、そのレーダ波の照射方向から到来するレーダ波の反射波を受光したタイミングとの時間差を測定し、物標との相対距離や相対速度といった相対値を算出する例について説明したが、これに限定されるものではなく、例えば、受信信号の信号レベルの大きさによってこれらの相対値を算出してもよい。
【符号の説明】
【０１１０】
１…レーザレーダ、２…筐体、２ａ…スリット、２ｂ…コーナー部、５ａ…反射ミラー、５ｂ…回転ポリゴンミラー、５ｃ…受光レンズ、１０…発光部、２０…受信部、３０…制御部、３０ａ…マイコン部、３０ｂ…信号処理部、４０…電圧印加部、５０…光学部品、６０…駆動部。
【図１】
2014215157.tif 000009
【図２】
2014215157.tif 000010
【図３】
2014215157.tif 000011
【図４】
2014215157.tif 000012
【図５】
2014215157.tif 000013
【図６】
2014215157.tif 000014
【図７】
2014215157.tif 000015
【図８】
2014215157.tif 000016
【図９】
2014215157.tif 000017