(57)【要約】【課題】工程数を増やすことなく、半導体デバイスの小型化を達成することができる半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスを提供する。【解決手段】パッケージ基板５１上に半導体受光素子５２をチップ・マウントするマウント工程と、マウント工程の後、ボンディングワイヤー５５により半導体受光素子５２をワイヤーボンドするボンディング工程と、ボンディング工程の後、透光性接着剤５６を介して、半導体受光素子５２の受光面５２ａにフィルター５３を接着する部材接着工程と、部材接着工程の後、フィルター５３の表面が露出するように、フィルター５３、半導体受光素子５２およびボンディングワイヤー５５を非透光性の封止樹脂５４で封止する封止工程と、を備えたものである。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
パッケージ基板上に半導体光学素子をチップ・マウントするマウント工程と、
前記マウント工程の後、ボンディングワイヤーにより前記半導体光学素子をワイヤーボンドするボンディング工程と、
前記ボンディング工程の後、透光性接着剤を介して、前記半導体光学素子の光学機能面に透光性光学部材を接着する部材接着工程と、
前記部材接着工程の後、前記透光性光学部材の表面が露出するように、前記透光性光学部材、前記半導体光学素子および前記ボンディングワイヤーを非透光性の封止樹脂で封止する封止工程と、を備えたことを特徴とする半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記透光性光学部材が、特定波長の光をカットするフィルターであることを特徴とする請求項１に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項３】
前記半導体光学素子が、受光素子および発光素子のいずれかであることを特徴とする請求項１または２に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記半導体光学素子および前記透光性光学部材は矩形に形成され、且つ前記透光性光学部材が前記半導体光学素子より小さく形成されており、
前記部材接着工程は、前記透光性接着剤を、前記光学機能面の１の辺側にはみ出して塗布する塗布工程と、
前記接着剤塗布工程の後、前記透光性光学部材を１の辺を前記光学機能面の１の辺に合致させてマウントする接着工程と、を有していることを特徴とする請求項１ないし３のいずれかに記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
請求項１ないし４のいずれかに記載の半導体デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする半導体デバイス。  
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子や受光素子等の半導体光素子を、パッケージ基板に実装してパッケージングする半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、この種の半導体デバイスの製造方法として、固体撮像素子をパッケージングする撮像装置の製造方法が知られている（特許文献１参照）。この製造方法では、固体撮像素子を支持基板に接着する工程と、固体撮像素子上に保護ガラスを接着する工程と、接着により一体化した保護ガラス、固体撮像素子および支持基板をパッケージ基板に実装する工程と、支持基板を介して固体撮像素子をワイヤーボンドする工程と、保護ガラスの表面を露出させた状態で、保護ガラス、固体撮像素子および支持基板を封止樹脂により封止する工程と、を備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−４９２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような、従来の撮像装置の製造方法では、保護ガラス、固体撮像素子および支持基板をパッケージ基板に実装した後、ワイヤーボンドを行うようにしている。このため、ワイヤーボンドに際し、ワイヤーを保持するボンダーのキャピラリが、保護ガラスや固体撮像素子と干渉するおそれがある。したがって、電極パッドを形成した支持基板（ダイパッド）を大きくする必要があり、その分デバイスが大型化するという問題があった。
【０００５】
本発明は、工程数を増やすことなく、半導体デバイスの小型化を達成することができる半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスを提供することを課題としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の半導体デバイスの製造方法は、パッケージ基板上に半導体光学素子をチップ・マウントするマウント工程と、マウント工程の後、ボンディングワイヤーにより半導体光学素子をワイヤーボンドするボンディング工程と、ボンディング工程の後、透光性接着剤を介して、半導体光学素子の光学機能面に透光性光学部材を接着する部材接着工程と、部材接着工程の後、透光性光学部材の表面が露出するように、透光性光学部材、半導体光学素子およびボンディングワイヤーを非透光性の封止樹脂で封止する封止工程と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
この場合、透光性光学部材が、特定波長の光をカットするフィルターであることが好ましい。
【０００８】
また、半導体光学素子が、受光素子および発光素子のいずれかであることが好ましい。
【０００９】
さらに、半導体光学素子および透光性光学部材は矩形に形成され、且つ透光性光学部材が半導体光学素子より小さく形成されており、部材接着工程は、透光性接着剤を、光学機能面の１の辺側にはみ出して塗布する塗布工程と、接着剤塗布工程の後、透光性光学部材を１の辺を光学機能面の１の辺に合致させてマウントする接着工程と、を有していることが好ましい。
【００１０】
本発明の半導体デバイスは、上記した半導体デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態に係る受光デバイスの断面図である。
【図２】第１実施形態に係る受光デバイスの製造方法を表した説明図である。
【図３】第２実施形態に係る受光デバイスの断面図である。
【図４】第２実施形態に係る受光デバイスの製造方法を表した説明図である。
【図５】第３実施形態に係る受光デバイスの断面図である。
【図６】実施形態に係る発光デバイスの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、添付の図面を参照して、本発明の一実施形態に係る半導体デバイスの製造方法および半導体デバイスを適用した、半導体受光デバイスおよび半導体受光デバイスの製造方法、併せて半導体発光デバイスについて説明する。この半導体受光デバイスは、例えば特定色（Ｒ・Ｇ・Ｂ）のＬＥＤ光を受光するセンサーであり、誤検出を防止すべく、フィルターにより赤外光（近赤外光）をカットするようになっている。
【００１３】
図１は、第１実施形態に係る半導体受光デバイス（以下、「受光デバイス」と言う）の断面図である。同図に示すように、この受光デバイス１０Ａは、基板フレームやリードフレーム（実施形態のものは、基板フレーム）から成るパッケージ基板５１と、パッケージ基板５１上に実装したチップ構成の受光素子５２（半導体光学素子）と、接着剤５６を介して受光素子５２上に接着したフィルター５３（透光性光学部材）と、パッケージ基板５１上において、受光素子５２を封止する非透光性の封止樹脂５４と、を備えている。
【００１４】
パッケージ基板５１（基板フレーム）は、ガラスエポキシや有機材料の基板で構成されており、その表面には、接着剤等により受光素子５２がダイボンドされている。
【００１５】
受光素子５２は、表面を受光面５２ａ（光学機能面）とするフォトダイオード等のチップで構成されている。そして、受光素子５２の電極パッド５７とパッケージ基板５１上の配線パターン５８（ランド）とは、ボンディングワイヤー５５（金線、銅線、パラジューム被覆した銅線、アルミニウム線等）で接続されている。なお、フォトダイオードに代えて、フォトトランジスタを用いてもよい。
【００１６】
フィルター５３は、赤外光（近赤外）をカットするものであり、吸収型或いは反射型が用いられる。もっとも、本実施形態のフィルター５３は、一義的には受光素子５２を物理的に保護することができればよく、石英ガラス（実質的には、紫外線カットフィルター）等であってもよい。この場合には、紫外線のカットにより、接着剤５６の劣化を抑制することができる。
【００１７】
接着剤５６は、熱硬化性のシリコン系樹脂接着剤で構成されており、透光性であって、３２５ｍＰａ・ｓ程度の低い粘度のものが用いられる。もっとも、このシリコン系樹脂接着剤に代えて、エポキシ系樹脂接着剤やアクリル系樹脂接着剤を用いることも可能である。受光素子５２およびフィルター５３はいずれも矩形に形成され、且つフィルター５３が受光素子５２の受光領域に合わせて小さく形成されている。このため、接着剤５６は、受光領域の中心部に円形を為すように塗布され、フィルター５３のマウントにより、フィルター５３の形状に合致するように濡れ広がる（詳細は、後述する）。
【００１８】
封止樹脂５４は、不透明（可視光や赤外光に対し不透明）なエポキシ系樹脂やシリコン系樹脂等で構成されており、フィルター５３の表面を露出させた状態で、フィルター５３、受光素子５２およびボンディングワイヤー５５を覆っている（封止）。したがって、受光素子５２の受光面５２ａには、フィルター５３を透過した光のみが入射する。また、詳細は後述するが、封止樹脂５４はポッティングにより形成される（詳細は、後述する）。このため、封止樹脂５４は、３５Ｐａ・ｓ程度の高い粘性のものが用いられる。
【００１９】
次に、図２を参照して、第１実施形態に係る受光デバイス１０Ａの製造方法について説明する。なお、この製造方法では、その樹脂封止５４において、いわゆるウェーハレベルパッケージとしており、最終的に個々の受光デバイス１０Ａとなるようにダイシングされる。
【００２０】
この製造方法は、パッケージ基板５１（同図（ａ））に複数の受光素子５２をマトリクス状にダイボンドするダイボンド工程（同図（ｂ））と、ダイボンド工程の後、各受光素子５２をワイヤーボンドするワイヤーボンド工程（同図（ｃ））と、ワイヤーボンド工程の後、各受光素子５２の受光面５２ａに、フィルター５３を接着するための接着剤５６を塗布する塗布工程（同図（ｄ）および（ｅ））と、塗布工程の後、各受光面５２ａにそれぞれフィルター５３を接着する接着工程（同図（ｆ））と、接着工程の後、パッケージ基板５１上の複数の受光素子５２等を、封止樹脂５４により一括して封止する封止工程（同図（ｇ）および（ｈ））と、封止工程の後、ウェーハを個々の受光デバイス１０Ａに分断するダイシング工程（同図（ｉ）および（ｊ））と、を備えている。
【００２１】
図２（ｂ）のダイボンド工程では、既知のダイボンディング装置を用い、各受光素子５２を、パッケージ基板５１上の所定の位置に接着剤等によりダイボンド（チップ・マウント）する。
図２（ｃ）のワイヤーボンド工程では、既知のワイヤーボンディング装置を用い、例えばボールボンディング方式で、各受光素子５２をワイヤーボンドする。すなわち、各受光素子５２にフィルター５３を接着する前に、受光素子５２のワイヤーボンドを実施する。
【００２２】
図２（ｄ）および（ｅ）の塗布工程では、シリンジ等を用い、各受光素子５２の受光面５２ａに接着剤５６を塗布する。この場合、受光面５２ａ上において、その中心位置に円形に盛り上げるように接着剤５６を塗布し、或いはフィルター５３の大きさに合わせて接着剤５６を塗布する。
図２（ｆ）の接着工程では、塗布した接着剤５６の上からフィルター５３をマウントする。このマウントにより、接着剤５６はフィルター５３の平面形状に合わせて均一に濡れ広がる。その後、接着剤５６を、オーブン加熱等により硬化させる。なお、実施形態における硬化後の接着剤５６の厚みは、０．０２ｍｍ程度としている。
【００２３】
図２（ｇ）および（ｈ）の封止工程では、パッケージ基板５１の表面全域に封止樹脂５４のポッティングを行う。このポッティングにおける封止樹脂５４は、フィルター５３の上面を残して、フィルター５３の周囲、受光素子５２およびボンディングワイヤー５５が埋没する深さとする。その後、ポッティングした封止樹脂５４を、オーブン加熱等により硬化させる。なお、ポッティングに代えて、金型を用いてモールドを行うようにしてもよい。
図２（ｉ）および（ｊ）のダイシング工程では、既知のダイサを用い、受光デバイス１０Ａをマトリクス状に作り込んだウェーハを、ダイシングブレードにより縦横に分断（フルダイシング）し、個々の受光デバイス１０Ａを切り出す。
【００２４】
このように、第１実施形態の受光デバイス１０Ａの製造方法では、フィルター５３の受光素子５２への接着に先行して、受光素子５２のワイヤーボンドを実施するようにしているため、ワイヤーボンド工程において、ボンディングワイヤー５５を保持するボンダーのキャピラリが、フィルター５３と干渉することがない。したがって、電極パッド５７を形成した受光素子５２を、干渉を見越して大きくする必要がなく、全体として受光デバイス１０Ａの大型化を抑制することができる。すなわち、工程順を変更するだけで、言い換えれば工程数を増やすことなく、受光デバイス１０Ａの小型化を達成することができる。
【００２５】
また、ワイヤーボンド後の電極パッド５７に接着剤５６が付着することがあっても、接続状態に問題を生ずることはない。したがって、マウントされるフィルター５３の位置精度は、ラフであってもよい。
【００２６】
さらに、不透明な封止樹脂５４とフィルター５３により、受光デバイス１０Ａに、十分な指向性を持たせることができる（ノイズ光を遮蔽）と共に、特定波長の光を遮蔽することができる。これにより、所望の検出光を効率良く受光することができ、センシング精度を向上させることができる。
【００２７】
しかも、フィルター５３により、受光素子５２の前側に所定厚の封止樹脂５４をポッティングする必要がなく、封止樹脂５４の劣化によるセンシング精度の経時的な低下を抑制することができる。
【００２８】
図３は、第２実施形態に係る受光デバイス１０Ｂの断面図であり、以下、主に第１実施形態の受光デバイス１０Ａと異なる部分について説明する。同図に示すように、第２実施形態の受光デバイス１０Ｂは、受光素子５２に対しフィルター５３が、平面視一方に偏って接着されている。具体的には、略正方形に形成されている第１実施形態のフィルター５３に対し、第２実施形態のフィルター５３は長方形に形成されており、その一方の短辺が、受光素子５２の１の辺（電極パッド５７の無い一方の辺）に合致する形態で接着されている。
【００２９】
図４は、第２実施形態に係る受光デバイス１０Ｂの製造方法における塗布工程および接着工程を表している。同図に示すように、塗布工程では、受光素子５２に対し、円形を為す接着剤５６が上記の１の辺に掛かるように、具体的には接着剤５６が上記の１の辺から僅かにはみ出すように、塗布される。これに対応して、接着工程では、フィルター５３の上記一方の短辺が、受光素子５２の上記１の辺に合致するように接着される（図４（ａ）参照）。
【００３０】
このようにして、フィルター５３を受光素子５２に接着すると、接着剤５６の表面張力（フィレットの引力）により、フィルター５３の位置が安定する。したがって、接着剤５６が熱硬化するまでの間に、振動等によりフィルター５３が位置ズレすることがない。すなわち、フィルター５３の受光素子５２へのマウントが位置精度的にラフであっても、フィルター５３の上記一方の短辺が、受光素子５２の上記１の辺に合致するように、フィルター５３をマウント（接着）することができる。なお、フィルター５３を長方形とすることで、受光効率が低下することはない。
【００３１】
図５は、第３実施形態に係る受光デバイス１０Ｃの断面図であり、以下、主に第１実施形態の受光デバイス１０Ａと異なる部分について説明する。同図に示すように、第３実施形態の受光デバイス１０Ｃは、フィルター５３がレンズの機能を兼ね備えている。
【００３２】
図５（ａ）のフィルター５３Ａは、下半部（ポッティングされる部分）が円柱状に形成され、上半部が半球状或いは冠球状に形成されている。この場合も、フィルター５３Ａは、接着剤５６により、受光素子５２の受光面５２ａに接着されている。これにより、フィルター５３Ａの上半部が球面レンズとして機能するため、受光デバイス１０Ｃの受光効率を向上させることができる。
【００３３】
図５（ｂ）のフィルター５３Ｂは、半球状或いは冠球状に形成されおり、フィルター５３Ｂは、接着剤５６により、受光素子５２の受光面５２ａに接着されている。この場合も、フィルター５３Ｂが球面レンズとして機能するため、受光デバイス１０Ｃの受光効率を向上させることができる。
【００３４】
図６は、実施形態に係る半導体発光デバイス（以下、「発光デバイス」と言う）の断面図である。この発光デバイス２０Ａは、第１実施形態の受光デバイス１０Ａ（図１参照）に対応するものであり、この場合には、パッケージ基板５１上に受光素子５２に代えて、発光素子６１がチップ・マウントされている。また、フィルター５３に代えて、同形の透明な保護ガラス６２が接着されている。そして、この発光デバイス２０Ａにおいて、パッケージ基板５１、接着剤５６および封止樹脂５４は、第１実施形態の受光デバイス１０Ａと同様の形態を有している。
【００３５】
この構成でも、保護ガラス６２の発光素子６１への接着に先行して、発光素子６１のワイヤーボンドを実施するようにしているため（図示省略）、ワイヤーボンド工程において、ボンディングワイヤー５５を保持するボンダーのキャピラリが、フィルター５３と干渉することがない。したがって、工程数を増やすことなく、発光デバイス２０Ａの小型化を達成することができる。また、不透明な封止樹脂５４と保護ガラス６２により、発光デバイス２０Ａに、十分な指向性を持たせることができる。さらに、保護ガラス６２により、封止樹脂５４の劣化による発光光量の経時的な低下を抑制することができる。
【符号の説明】
【００３６】
１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ  受光デバイス、２０Ａ  発光デバイス、５１  パッケージ基板、５２  受光素子、５２ａ  発光面、５３，５３Ａ  フィルター、５４  封止樹脂、５５  ボンディングワイヤー、５６  接着剤、６１  発光素子、６２  保護ガラス
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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