(57)【要約】【課題】信号伝送に係る構成をＥＭＩの抑制と設置の自由度の確保を図りつつ低コストに実現する。【解決手段】接地端子とデータ端子とを有する端子部（２１）が形成されたコネクタ側基板（２０）と、コネクタ側基板に搭載され前記データ端子を介して入力又は出力されるデータ信号よりも周波数の高い高周波信号を処理する信号処理部（２３）とを有するコネクタ部（２）と、前記接地端子と電気的に接続されたケーブル側グランド層（３０Ｇ）と前記高周波信号が伝送される信号線（３０Ｄ）とが形成された可撓性を有するケーブル側基板（３０）を有し、前記高周波信号に基づく信号を伝送する伝送ケーブル部（３）とを備え、ケーブル側基板のケーブル側グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて信号線の少なくとも下方及び上方にケーブル側グランド層が配されている。【選択図】図７
2014236174.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
接地端子とデータ端子とを有する端子部が形成されたコネクタ側基板と、前記コネクタ側基板に搭載され前記データ端子を介して入力又は出力されるデータ信号よりも周波数の高い高周波信号を処理する信号処理部とを有するコネクタ部と、
前記接地端子と電気的に接続されたケーブル側グランド層と前記高周波信号が伝送される信号線とが形成された可撓性を有するケーブル側基板を有し、前記高周波信号に基づく信号を伝送する伝送ケーブル部とを備え、
前記ケーブル側基板の前記ケーブル側グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記信号線の少なくとも下方及び上方に前記ケーブル側グランド層が配されている
伝送モジュール。
【請求項２】
前記信号線の下方、上方及び側方に前記ケーブル側グランド層が配されている
請求項１に記載の伝送モジュール。
【請求項３】
前記ケーブル側グランド層は、
複数箇所が切り欠かれた形状を有している
請求項１に記載の伝送モジュール。
【請求項４】
前記コネクタ側基板と前記ケーブル側基板とが同一材料による一体の基板として構成されている
請求項１に記載の伝送モジュール。
【請求項５】
前記コネクタ側基板には、前記接地端子と電気的に接続されたコネクタ側グランド層が形成され、
前記コネクタ側基板における前記コネクタ側グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記高周波信号に基づき電磁波ノイズが生じる部分の少なくとも下方及び上方に前記コネクタ側グランド層が配されている
請求項４に記載の伝送モジュール。
【請求項６】
前記信号処理部はＲＦチップであり、
前記コネクタ側基板における前記コネクタ側グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記ＲＦチップの少なくとも下方及び上方に前記コネクタ側グランド層が配されている
請求項５に記載の伝送モジュール。
【請求項７】
前記伝送ケーブル部を介して伝送される信号の搬送波がミリ波とさている
請求項１に記載の伝送モジュール。
【請求項８】
前記ケーブル側基板又は前記コネクタ側基板がＬＣＰで構成されている
請求項１に記載の伝送モジュール。
【請求項９】
接地端子とデータ端子とを有する端子部が形成されたコネクタ側基板と、前記コネクタ側基板に搭載され前記データ端子を介して入力又は出力されるデータ信号よりも周波数の高い高周波信号を処理する信号処理部とを有するコネクタ部と、前記接地端子と電気的に接続されたケーブル側グランド層と前記高周波信号が伝送される信号線とが形成された可撓性を有するケーブル側基板を有し、前記高周波信号に基づく信号を伝送する伝送ケーブル部とを備えた伝送モジュールについて、前記ケーブル側基板の前記ケーブル側グランド層を含む一部を折り畳んで前記信号線の少なくとも下方及び上方に前記ケーブル側グランド層を配することで、前記信号線をシールドする
シールド方法。
【請求項１０】
グランド層と信号線とが形成された可撓性を有する基板を備え、
前記基板の前記グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記信号線の少なくとも下方及び上方に前記グランド層が配されている
伝送ケーブル。
【請求項１１】
接地端子とデータ端子とを有する端子部と、前記接地端子と電気的に接続されたグランド層とが形成された可撓性を有する基板と、
前記基板に搭載され前記データ端子を介して入力又は出力されるデータ信号よりも周波数の高い高周波信号を処理する信号処理部とを備え、
前記基板における前記グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記高周波信号に基づき電磁波ノイズが生じる部分の少なくとも下方及び上方に前記グランド層が配されている
コネクタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、伝送モジュール、シールド方法、伝送ケーブル及びコネクタに関するものであり、特に、ミリ波などの高周波信号の伝送時に生じる電磁波ノイズを抑制するための技術分野に関する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００２】
【特許文献１】特開２００６−２８６３１８号公報
【背景技術】
【０００３】
近年、電子機器の小型化、高機能化が進んでおり、これに対応して伝送信号の周波数も数ＧＨｚ（ギガヘルツ）〜数十ＧＨｚの帯域まで高周波化が進んでいる。このような高周波信号による高容量の伝送を行うにあたっては、ＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）の抑制が大きな課題の一つとなる。
現在の基準の一つとしては、ＥＭＩを例えば５ｍＶ／ｍ以下に抑制することが要求されている。
【０００４】
なお、上記特許文献１には、シールド膜を形成することでＥＭＩの抑制を図ったフラットケーブルが開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ここで、高周波信号の伝送には、導波管や基板上誘電体導波路などが用いられるが、一般的にそれらはフレキシブルではないため配線の取り回し自由度が低く、機器内での設置に制約を受ける。
設置の自由度を考慮すると、特許文献１に記載されるフラットケーブルのように柔軟で屈曲性に優れた伝送ケーブルを用いることが望ましい。
【０００６】
しかしながら、特許文献１に記載のケーブルは、電磁波のシールドのための層を形成するために追加の部材を要しており、この点でコストアップを助長する。
【０００７】
そこで、本技術では、上記した問題点を克服し、信号伝送に係る構成をＥＭＩの抑制と設置の自由度の確保を図りつつ低コストに実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本技術に係る伝送モジュールは、第１に、接地端子とデータ端子とを有する端子部が形成されたコネクタ側基板と、前記コネクタ側基板に搭載され前記データ端子を介して入力又は出力されるデータ信号よりも周波数の高い高周波信号を処理する信号処理部とを有するコネクタ部と、前記接地端子と電気的に接続されたケーブル側グランド層と前記高周波信号が伝送される信号線とが形成された可撓性を有するケーブル側基板を有し、前記高周波信号に基づく信号を伝送する伝送ケーブル部とを備え、前記ケーブル側基板の前記ケーブル側グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記信号線の少なくとも下方及び上方に前記ケーブル側グランド層が配されているものである。
【０００９】
これにより、伝送ケーブル部の信号線がシールドされる。
【００１０】
第２に、上記した本技術に係る伝送モジュールにおいては、前記信号線の下方、上方及び側方に前記ケーブル側グランド層が配されていることが望ましい。
これにより、より高いシールド効果が得られる。
【００１１】
第３に、上記した本技術に係る伝送モジュールにおいては、前記ケーブル側グランド層は、複数箇所が切り欠かれた形状を有していることが望ましい。
これにより、ケーブル側グランド層の曲げ剛性が弱められる。
【００１２】
第４に、上記した本技術に係る伝送モジュールにおいては、前記コネクタ側基板と前記ケーブル側基板とが同一材料による一体の基板として構成されていることが望ましい。
これにより、コネクタ部と伝送ケーブル部とを備えた伝送モジュールが一体の基板を用いて製造される。
【００１３】
第５に、上記した本技術に係る伝送モジュールにおいては、前記コネクタ側基板には、前記接地端子と電気的に接続されたコネクタ側グランド層が形成され、前記コネクタ側基板における前記コネクタ側グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記高周波信号に基づき電磁波ノイズが生じる部分の少なくとも下方及び上方に前記コネクタ側グランド層が配されていることが望ましい。
これにより、伝送ケーブル部のみでなくコネクタ部においても高周波信号に基づく電磁波ノイズについてのシールド効果が得られる。
【００１４】
第６に、上記した本技術に係る伝送モジュールにおいては、前記信号処理部はＲＦチップであり、前記コネクタ側基板における前記コネクタ側グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記ＲＦチップの少なくとも下方及び上方に前記コネクタ側グランド層が配されていることが望ましい。
これにより、ＲＦチップにおいて生じる電磁波ノイズについてのシールド効果が得られる。
【００１５】
第７に、上記した本技術に係る伝送モジュールにおいては、前記伝送ケーブル部を介して伝送される信号の搬送波がミリ波とさていることが望ましい。
これにより、ミリ波帯の高周波信号を扱う場合に対応して生じる電磁波ノイズについてのシールド効果が得られる。
【００１６】
第８に、上記した本技術に係る伝送モジュールにおいては、前記ケーブル側基板又は前記コネクタ側基板がＬＣＰで構成されていることが望ましい。
これにより、ケーブル側基板又はコネクタ側基板がノイズ抑制効果に優れた材料で構成される。
【００１７】
本技術に係るシールド方法は、接地端子とデータ端子とを有する端子部が形成されたコネクタ側基板と、前記コネクタ側基板に搭載され前記データ端子を介して入力又は出力されるデータ信号よりも周波数の高い高周波信号を処理する信号処理部とを有するコネクタ部と、前記接地端子と電気的に接続されたケーブル側グランド層と前記高周波信号が伝送される信号線とが形成された可撓性を有するケーブル側基板を有し、前記高周波信号に基づく信号を伝送する伝送ケーブル部とを備えた伝送モジュールについて、前記ケーブル側基板の前記ケーブル側グランド層を含む一部を折り畳んで前記信号線の少なくとも下方及び上方に前記ケーブル側グランド層を配することで、前記信号線をシールドするものである。
【００１８】
上記本技術に係るシールド方法によっても、上記した本技術に係る伝送モジュールと同様に伝送ケーブル部の信号線がシールドされる。
【００１９】
本技術に係る伝送ケーブルは、グランド層と信号線とが形成された可撓性を有する基板を備え、前記基板の前記グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記信号線の少なくとも下方及び上方に前記グランド層が配されているものである。
【００２０】
上記本技術に係る伝送ケーブルによっても、上記した本技術に係る伝送モジュールと同様に信号線がシールドされる。
【００２１】
本技術に係るコネクタは、接地端子とデータ端子とを有する端子部と、前記接地端子と電気的に接続されたグランド層とが形成された可撓性を有する基板と、前記基板に搭載され前記データ端子を介して入力又は出力されるデータ信号よりも周波数の高い高周波信号を処理する信号処理部とを備え、前記基板における前記グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記高周波信号に基づき電磁波ノイズが生じる部分の少なくとも下方及び上方に前記グランド層が配されているものである。
【００２２】
これにより、コネクタにおいて高周波信号に基づく電磁波ノイズが生じる部分がシールドされる。
【発明の効果】
【００２３】
本技術によれば、信号伝送に係る構成を、ＥＭＩの抑制と設置の自由度の確保を図りつつ低コストに実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】第１の実施の形態の伝送モジュールの概略外観斜視図である。
【図２】伝送モジュールが備えるコネクタ側基板及びケーブル側基板の構成を表す概略斜視図である。
【図３】コネクタ側基板及びケーブル側基板の断面構造を説明するための概略縦断面図である。
【図４】コネクタ側基板におけるチップの搭載手法について説明するための概略縦断面図である。
【図５】伝送モジュールが備える伝送ケーブル部を図２に示すＡ−Ａ’断面で切断した際の概略断面図である。
【図６】コネクタ側基板とケーブル側とを含むフレキシブル基板の概略上面図（図６Ａ）と、コネクタ側基板とケーブル側基板の境界部分の拡大図（図６Ｂ）である。
【図７】折り曲げ器を用いた側部の折り畳みの様子を模式的に表した図である。
【図８】ケーブル側グランド層の構造例についての説明図である。
【図９】第２の実施の形態の伝送モジュールが備えるコネクタ側基板及びケーブル側基板の構成を表す概略斜視図である。
【図１０】第２の実施の形態のシールド構造についての説明図である。
【図１１】第２の実施の形態としてのシールド構造の作成手法についての説明図である。
【図１２】伝送ケーブル部のシールド構造の変形例についての説明図である。
【図１３】コネクタ部のシールド構造の変形例についての説明図である。
【図１４】グランド層をノイズ源の上方及び下方のみに配する変形例についての説明図である。
【図１５】ケーブル側基板の側部を折り曲げたことによるシールド構造についての説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本技術に係る実施の形態について説明する。
なお、説明は以下の順序で行う。
＜１．第１の実施の形態＞
［1-1．伝送モジュールの構成］
［1-2．作成手法］
［1-3．第１の実施の形態のまとめ］
＜２．第２の実施の形態＞
［2-1．伝送モジュールの構成及び作成手法］
［2-2．第２の実施の形態のまとめ］
＜３．変形例＞
＜４．本技術＞
【００２６】
＜１．第１の実施の形態＞
［1-1．伝送モジュールの構成］
以下、添付図面を参照して本技術に係る実施の形態について説明していく。
図１乃至図５は、本技術に係る第１の実施の形態としての伝送モジュール１の構成について説明するための図であり、図１は伝送モジュール１の概略外観斜視図、図２は伝送モジュール１が備えるコネクタ側基板２０及びケーブル側基板３０の構成を表す概略斜視図、図３はコネクタ側基板２０及びケーブル側基板３０の断面構造を説明するための概略縦断面図、図４はコネクタ側基板２０におけるチップの搭載手法について説明するための概略縦断面図、図５は伝送モジュール１が備える伝送ケーブル部３を図２に示すＡ−Ａ’断面で切断した際の概略断面図である。
なお、図３では、図中の縦破線を境にコネクタ側基板２０の断面構造とケーブル側基板３０の断面構造とを併せて示している。
【００２７】
本例の伝送モジュール１は、例えば所定の電子機器の内部に設けられて機器内の信号伝送に用いられる。
【００２８】
伝送モジュール１は、コネクタ部２，２と、これらコネクタ部２，２の間を繋ぐ伝送ケーブル部３とを備えて構成されている（図１参照）。コネクタ部２，２には、それぞれ端子部２１が形成されている。端子部２１，２１にはそれぞれ所定の端子が形成され、これら端子がそれぞれ電子機器内の所定のコネクタの端子に対して接続されることで、伝送モジュール１を介した信号伝送が可能な状態となる。
なお、コネクタ部２，２はそれぞれ同一構成とされることから、以下では一方のコネクタ部２のみについて説明を行う。
【００２９】
コネクタ部２は、コネクタ側基板２０を有し、伝送ケーブル部３０はケーブル側基板３０を有する（図２参照）。詳しくは後述するが、本実施の形態の場合、コネクタ側基板２０とケーブル側基板３０は同一材料による一体の基板として構成されている。これらコネクタ側基板２０とケーブル側基板３０とが一体化された基板は、可撓性を有するフレキシブル基板（フレキシブル基板１０）として構成されている。本例の場合、フレキシブル基板１０の材料にはＬＣＰ（Liquid Crystal Polymer：液晶ポリマー）が用いられている。
【００３０】
コネクタ側基板２０が有する端子部２１には、少なくとも伝送対象のデータ信号が入力又は出力されるデータ端子と、接地端子とが設けられている（それぞれ図示は省略）。
【００３１】
コネクタ側基板２０上には、信号伝送を行う上で必要とされる半導体チップや抵抗素子、コンデンサなどの各種の電子部品が実装されている。特に、本例のコネクタ側基板２０には、所定の通信規格に従った信号伝送を行う上で必要とされる半導体チップとして、ベースバンドチップ２２とＲＦ（Radio Frequency）チップ２３が搭載されている。
【００３２】
ベースバンドチップ２２は、端子部２１に設けられたデータ端子と電気的に接続されており、当該データ端子を介して入力されるデータ信号を入力可能とされている。ベースバンドチップ２２は、データ端子を介して入力されたデータ信号を通信規格に従った所定形式の信号（通信信号）に変換（エンコード）する。
【００３３】
ＲＦチップ２３は、ベースバンドチップ２２と電気的に接続されており、ベースバンドチップ２２から入力された通信信号を周波数変換し、前記データ信号よりも周波数の高い伝送信号を生成する。本例の場合、伝送信号は、その搬送波が３０ＧＨｚ（ギガヘルツ）〜３００ＧＨｚ程度のミリ波とされた比較的高周波な信号とされる。この伝送信号が、伝送ケーブル部３を介して他方のコネクタ部２側に伝送される。
【００３４】
なお、伝送ケーブル部３を介して伝送信号が入力される受信側のコネクタ部２においては、ＲＦチップ２３は、当該伝送信号についての周波数変換を行って通信信号を生成する。また、受信側のコネクタ部２に設けられたベースバンドチップ２２は、ＲＦチップ２３から入力された通信信号をデコードしてデータ信号に復調する。復調されたデータ信号は端子部２１のデータ端子に供給される。
【００３５】
図３の断面図に模式的に表すように、コネクタ側基板２０の内部には、信号線２０Ｄとコネクタ側グランド層２０Ｇが形成されており、ケーブル側基板３０の内部には、信号線３０Ｄとケーブル側グランド層３０Ｇが形成されている。
図示は省略したが、コネクタ側グランド層２０Ｇは、端子部２１における接地端子と電気的に接続されている。また、ケーブル側グランド層３０Ｇは、コネクタ側グランド層２０Ｇと電気的に接続され、これにより接地端子に対しても電気的に接続されている。なお、本例ではコネクタ側基板２０とケーブル側基板３０とが一体とされていることから、これらコネクタ側グランド層３０Ｇとケーブル側グランド層３０Ｇとしても一体に形成されている。
【００３６】
ＲＦチップ２３と電気的に接続された信号線２０Ｄは、ケーブル側基板３０に形成された信号線３０Ｄと電気的に接続されている。また、コネクタ側グランド２０Ｇとケーブル側グランド層３０Ｇが電気的に接続されている。
これにより、上記で説明したようなＲＦチップ２３から伝送ケーブル部３を介した信号伝送、及び伝送ケーブル部３を介したＲＦチップ２３への信号伝送が可能とされている。
【００３７】
なお、図３はあくまで模式図であり、実際のコネクタ側基板２０においては、信号線２０Ｄが多層にわたって形成されている。具体的には、所定形状にパターニングされた信号線２０Ｄを有する導体層が絶縁層を介して積層され、基板の厚さ方向に延在するビアによって絶縁層を隔てて配される導体層（信号線２０Ｄ）同士が電気的に接続されている。
【００３８】
ここで、コネクタ側基板２０に対するベースバンドチップ２２やＲＦチップ２３などの半導体チップの実装は、図４Ａに示されるようなフリップチップ接続で行われる。具体的には、複数の半田ボール２４，２４・・・を介してコネクタ側基板２０に形成された電極とベースバンドチップ２２やＲＦチップ２３などの半導体チップに形成された電極とを接続するものである。
【００３９】
なお、図４Ａではコネクタ側基板２０に形成された電極とベースバンドチップ２２やＲＦチップ２３などの半導体チップに形成された電極とを半田ボール２４，２４・・・で直接的に接続する場合を例示したが、これに代えて、図４Ｂに示すように配線基板（インターポーザ）２５を介した接続を行うこともできる。この場合、コネクタ側基板２０に形成された電極に対しては、配線基板２５の下側電極が半田ボール２４，２４・・・を介して接続され、ベースバンドチップ２２やＲＦチップ２３などの半導体チップに形成された電極に対しては配線基板２５の上側電極が半田ボール２４，２４・・・を介して接続される。
配線基板２５を介した接続とすることで、コネクタ側基板２０の層数を削減することができる。
【００４０】
ここで、本例のようにミリ波帯の高周波信号が伝送される場合には、伝送ケーブル部３についてＥＭＩ（Electro Magnetic Interference）の抑制が図られることが望ましい。
そこで、本実施の形態では、伝送ケーブル部３の構造として、図５の断面図に示すように信号線３０Ｄの周囲をケーブル側グランド層３０Ｇで覆った構造を採用している。具体的には、ケーブル側基板３０の両側部がそれぞれ折り畳まれたことで、信号線３０Ｄの周囲がケーブル側グランド層３０Ｇで覆われているものである。
【００４１】
［1-2．作成手法］
図６乃至８を参照して、図５に示すようなシールド構造の作成手法を説明する。
図６Ａは、コネクタ側基板２０とケーブル側３０とを含むフレキシブル基板１０の概略上面図であり、図６Ｂは、コネクタ側基板２０とケーブル側基板３０の境界部分の拡大図である。
【００４２】
図５に示したシールド構造を実現するにあたっては、コネクタ側基板２０とケーブル側基板３０との境界に対して、ケーブル側基板３０の幅方向に平行な２つの切り込みＫ，Ｋを形成しておく。これら２つの切り込みＫ，Ｋは、それぞれケーブル側基板３０の側方端から内側に向かって形成する。
２つのコネクタ側基板２０，２０を有するフレキシブル基板１０全体で見れば、切り込みＫは合計で４カ所形成される。
【００４３】
なお、図６Ａ中に拡大して示すように、各切り込みＫの先端部には切り込み止めＫｓを形成しておく。切り込み止めＫｓは、例えば円形等の所定形状により切り込み幅をより拡大した部分として形成する。
このような切り込み止めＫｓを形成しておくことで、後述する折り畳み時のストレス等により切り込みＫの長さが不要に長くなってしまうことを防止できる。
【００４４】
上記のような４つの切り込みＫ，Ｋ，Ｋ，Ｋが形成されることで、ケーブル側基板３０の両側部がそれぞれ折り曲げ可能な状態となる。このように折り曲げ可能とされたケーブル側基板３０の両側部を、側部３０Ｓ，３０Ｓと表記する。また、ケーブル側基板３０におけるこれら側部３０Ｓ，３０Ｓを除いた部分を本体部３０Ｂと表記する。
なお、本体部３０Ｂは、信号線３０Ｄを含む部分と換言することができる。
【００４５】
図５に示すシールド構造を実現するべく、本例における切り込みＫの長さｋは次の条件を満たすように設定されている。
ｋ＝Ｗ／４
但し、Ｗはケーブル側基板３０の幅を意味する。
【００４６】
上記のように切り込みＫ，Ｋ，Ｋ，Ｋが与えられたフレキシブル基板１０を用意した上で、当該フレキシブル基板１０に対し、図６Ｂに示すように接着用材料１００を塗布する。
本例では、接着用材料１００として熱硬化性樹脂をディスペンサーにより塗布する。例えば、接着用材料１００の塗布は、図のように側部３０Ｓ，３０Ｓと本端部３０Ｂとの境界部分に対してそれぞれ行う。
【００４７】
このように接着用材料１００を塗布した状態のフレキシブル基板１０を折り曲げ器にセットし、側部３０Ｓ，３０Ｓを順次折り畳む。
図７Ａ、図７Ｂは、折り曲げ器を用いた側部３０Ｓの折り畳みの様子を模式的に表している。先ずは図７Ａに示すように、一方の側部３０Ｓを折り畳む。折り畳みは、図のように折り曲げ器が有する折り曲げ治具１０１によって行われる。
次いで、折り曲げ器に対しフレキシブル基板１０を図７Ａの場合とは反対向きにセットし、図７Ｂに示すように他方の側部３０Ｓについても折り曲げ治具１０１による折り畳みを行う。
【００４８】
このように双方の側部３０Ｓが折り畳まれた状態のフレキシブル基板１０を炉に投入し、所定の時間及び温度による加熱処理を施す。これにより、熱硬化性樹脂としての接着用材料１００が硬化し、側部３０Ｓ，３０Ｓが折り畳まれた状態が維持される。
【００４９】
このようにして、図５に示したシールド構造、すなわち信号線３０Ｄの周囲をケーブル側グランド層３０Ｇで覆った構造が実現される。
【００５０】
ここで、本例においては、ケーブル側グランド層３０Ｇの構造として折り畳みの容易性を考慮した構造を採用している。具体的には、図８Ａに示されるように、ケーブル側グランド層３０Ｇの双方の側部に対してそれぞれ側方端から内側に向けて伸びるスリットＳを複数形成した構造である。
或いは、折り畳みの容易性の向上を図る上では、図８Ｂに示すようなメッシュ構造によるケーブル側グランド層３０Ｇとしてもよい。
【００５１】
なお、ケーブル側グランド層３０Ｇの構造は、これら図８Ａ，図８Ｂに示したものに限定されるものではない。折り畳みの容易性を向上させるにあたっては、複数箇所が切り欠かれた形状を有するようにケーブル側グランド層３０Ｇを形成すればよい。これにより、ケーブル側グランド層３０Ｇの曲げ剛性が弱められて、折り畳みが容易となる。
【００５２】
［1-3．第１の実施の形態のまとめ］
上記で説明したように第１の実施の形態では、データ信号よりも周波数が高い高周波信号が伝送される伝送ケーブル部３において、ケーブル側基板３０のケーブル側グランド層３０Ｇを含む一部が折り畳まれたことに応じて信号線３０Ｄの周囲にケーブル側グランド層３０Ｇが配されている。
【００５３】
これにより、伝送ケーブル部３の信号線３０Ｄがシールドされ、ＥＭＩの抑制が図られる。なお、実験の結果、ＥＭＩの測定値は０．１ｍＶ／ｍであった。
ここで、本実施の形態における信号線３０Ｄのシールドは、ケーブル側グランド層３０Ｇが形成されたケーブル側基板３０の一部が折り畳まれて実現されるので、シールド膜を追加的に設ける従来例のように別途の部材を追加する必要性はない。すなわち、通常よりもケーブル側基板３０を幅広に形成すれば足り、別途の追加部材は不要である。
また、本実施の形態では、フレキシブル基板１０を用いていることから、柔軟で屈曲性に優れた伝送ケーブルが実現されている。
これらの点より、本実施の形態によれば、信号伝送に係る構成を、ＥＭＩの抑制と設置の自由度の確保を図りつつ低コストに実現することができる。
【００５４】
また、本実施の形態では、信号線３０Ｄの周囲がケーブル側グランド層３０Ｇで覆われていることで、信号線３０Ｄの下方、上方及び側方にケーブル側グランド層３０Ｇが配されている。
これにより、高いシールド効果が得られ、ＥＭＩの抑制効果を高めることができる。
【００５５】
さらに、本実施の形態では、ケーブル側グランド層３０Ｇは、複数箇所が切り欠かれた形状を有している。
これにより、ケーブル側グランド層３０Ｇの曲げ剛性が弱められて折り畳みが容易となり、シールド構造の作成を容易に行うことができる。従って、伝送モジュール１の製造効率を向上できる。
【００５６】
さらにまた、本実施の形態では、コネクタ側基板２０とケーブル側基板３０とが同一材料による一体のフレキシブル基板１０として構成されている。
これにより、コネクタ部２と伝送ケーブル部３とを備えた伝送モジュール１が一体のフレキシブル基板１０を用いて製造される。このように一体の基板を用いた製造とされることで、伝送モジュール１の製造効率が向上する。
【００５７】
加えて、本実施の形態では、伝送ケーブル部３を介して伝送される信号の搬送波がミリ波とさている。
これにより、ミリ波帯の高周波信号を扱う場合に対応して生じる電磁波ノイズについてのシールド効果が得られる。すなわち、ミリ波帯の高周波信号を扱う場合に対応してＥＭＩを抑制できる。
【００５８】
また、本実施の形態では、ケーブル側基板３０及びコネクタ側基板２０がＬＣＰで構成されている。
これにより、ケーブル側基板３０及びコネクタ側基板２０がノイズ抑制効果に優れた材料で構成され、ＥＭＩの更なる抑制が図られる。
【００５９】
＜２．第２の実施の形態＞
［2-1．伝送モジュールの構成及び作成手法］
続いて、第２の実施の形態の伝送モジュール１’について説明する。
なお、以下の説明では、既に第１の実施の形態で説明済みとなった部分と同様となる部分については同一符号を付して説明を省略する。
また、第２の実施の形態の伝送モジュール１’の外観は伝送モジュール１と同様となるため改めての図示は省略する。
【００６０】
図９は、伝送モジュール１’が備えるコネクタ側基板２０’及びケーブル側基板３０の構成を表す概略斜視図である。
図９に示されるように、伝送モジュール１’においては、コネクタ側基板２０’の一部として形成されたフラップ部２０’Ｓが折り畳まれたことに応じて、ＲＦチップ２３の周囲がコネクタ側基板２０’の一部によって覆われている。
図１０Ａの概略斜視図に示すように、フラップ部２０’Ｓは、コネクタ側基板２０’の側面の一部が外側へ突出されて形成された部分となる。このフラップ部２０’Ｓが、図中の矢印Ｄで表すように折り畳まれることで、ＲＦチップ２３がフラップ部２０’Ｓとしてのコネクタ側基板２０’の一部によって覆われている。
【００６１】
図１０Ｂの概略縦断面図に示すように、フラップ部２０’Ｓにおいてもコネクタ側グランド層２０Ｇが形成されている。このため、上記のようにフラップ部２０’Ｓによって覆われたＲＦチップ２３は、その周囲がコネクタ側グランド層２０Ｇによって覆われている。すなわち、その下方、上方及び側方にコネクタ側グランド層２０Ｇが配されている。
なお、先の説明からも理解されるように、ＲＦチップ２３は、高周波信号に基づき電磁波ノイズが生じる部分である。従って、ＲＦチップ２３の周囲がコネクタ側グランド層２０Ｇで覆われることで、ＥＭＩの抑制効果が得られる。
【００６２】
図１１は、上記のような第２の実施の形態としてのシールド構造の作成手法についての説明図であり、図１１Ａはコネクタ側基板２０’とケーブル側基板３０とが一体に形成されたフレキシブル基板１０’の概略上面図、図１１Ｂはフラップ部２０’Ｓが折り畳まれた状態でのコネクタ側基板２０’の概略縦断面図である。
【００６３】
先ず、図１０Ｂに示したようなシールド構造を実現するにあたっては、図１１Ａに示されるようにフラップ部２０’Ｓを有するコネクタ側基板２０’が形成されたフレキシブル基板１０’を用意しておく。
ここで、コネクタ側基板２０’におけるフラップ部２０’Ｓが形成された以外の部分を、図のように本端部２０’Ｂと表記する。
【００６４】
折り畳みを行うにあたっては、先ず、コネクタ側基板２０’の本端部２０’Ｂ、又はフラップ部２０’Ｓの少なくとも何れかに接着用材料１００を塗布しておく（図示は省略）。接着用材料１００は、フラップ部２０’Ｓが折り畳まれた際にＲＦチップ２３の周囲を覆うことができる位置に塗布しておく（図１１Ｂ参照）。
なお、本実施の形態においても、接着用材料１００としては例えば熱硬化性樹脂を用いている。
【００６５】
接着用材料１００を塗布した上で、フラップ部２０’Ｓを第１の実施の形態の場合と同様の折り曲げ器を用いて折り畳み、フラップ部２０’Ｓが折り畳まれた状態のフレキシブル基板１０’を炉に投入して所定の時間及び温度による加熱処理を施す。これにより、熱硬化性樹脂としての接着用材料１００が硬化し、フラップ部２０’Ｓの折り畳み状態が維持される。
【００６６】
なお、上記のようなフラップ部２０’Ｓの固定のための加熱処理は、伝送ケーブル部３側の側部３０Ｓ，３０Ｓの固定のための加熱処理と共通に（同時に）行うことができる。
【００６７】
［2-2．第２の実施の形態のまとめ］
上記のように第２の実施の形態では、コネクタ側基板２０’についても、その一部が折り畳まれたことに応じて高周波信号に基づき電磁波ノイズが生じる部分の周囲にコネクタ側グランド層２０Ｇが配されるようにしている。
これにより、伝送ケーブル部３のみでなくコネクタ部２においても高周波信号に基づく電磁波ノイズについてのシールド効果が得られ、伝送モジュール１’全体としてＥＭＩの更なる抑制が図られる。
【００６８】
また、第２の実施の形態では、ＲＦチップ２３（信号処理部）の周囲にコネクタ側グランド層２０Ｇが配されるようにしている。
これにより、ＲＦチップ２３において生じる電磁波ノイズについてのシールド効果が得られる。特に、受信側のコネクタ部２においては、ＲＦチップ２３においてミリ波による高周波信号が生成されるので、ＲＦチップ２３をシールドすることはＥＭＩを抑制する上で有効である。
【００６９】
＜３．変形例＞
以上、本技術に係る実施の形態について説明したが、本技術は上記により説明した具体例に限定されるべきものではなく、多様な変形例が考えられる。
例えば、上記ではケーブル側基板３０の両側部に設けられた側部３０Ｓ，３０Ｓをそれぞれ折り畳んでシールド構造を実現する例として、ｋ＝Ｗ／４とする例、すなわち折り畳まれた側部３０Ｓ，３０Ｓの先端同士が当接する（図５参照）例を挙げた。しかしながら、側部３０Ｓを２つ設ける場合の例としてはこれに限定されるべきものではなく、少なくとも何れか一方の側部３０Ｓの長さを第１の実施の形態の場合よりも長くして、他方の側部３０Ｓ（先に折り畳まれた方の側部３０Ｓ）の上に当該一方の側部３０Ｓ（次に折り畳まれた方の側部３０Ｓ）が乗り上げた構造とすることもできる。
なお、その場合、乗り上げた部分の接着が可能となるように接着用材料１００を塗布することが望ましい。
【００７０】
或いは、２つの側部３０Ｓ，３０Ｓを折り畳む例に限定されず、例えば図１２の断面図に示すように、本体部３０Ｂの倍以上の幅を有する１つの側部３０Ｓのみを形成しておき、当該側部３０Ｓを折り畳むことで信号線３０Ｄの周囲にケーブル側グランド層３０Ｇが配されるようにしてもよい。
【００７１】
また、第２の実施の形態では、フラップ部２０’Ｓを折り畳んで本体部２０’Ｓに形成されたＲＦチップ２３を覆う例を挙げたが、図１３Ａに示すようにフラップ部２０’Ｓ側にＲＦチップ２３を形成しておき、当該フラップ部２０’Ｓを本体部２０’Ｂ側に折り畳んでＲＦチップ２３の周囲がケーブル側基板２０’の一部で覆われるようにすることもできる。これによっても、ＲＦチップ２３の周囲にケーブル側グランド層２０Ｇが配されるようにできる。
【００７２】
さらに、本体部２０’Ｂから外側に突出したフラップ２０’Ｓを折り畳む例に限定されず、例えば図１３Ｂに示すように本体部２０’Ｂの外縁よりも内側となる部分に略コの字の切り込みＫｉを入れてフラップ部２０’Ｓｉを形成し、当該フラップ部２０’Ｓｉを折り畳たむことでＲＦチップ２３を覆うようにすることもできる。
【００７３】
或いは、図１３Ｃに示すように、フラップ部２０’Ｓｉに対してＲＦチップ２３を形成しておき、当該フラップ部２０’Ｓｉを本体部２０’Ｂ側に折り畳んでＲＦチップ２３の周囲がケーブル側基板２０’の一部で覆われるようにすることもできる。
【００７４】
また、これまでの説明では、高周波信号に基づく電磁波ノイズの抑制にあたり、ノイズ源の周囲（下方、上方及び側方）にグランド層が配されるようにする例を挙げたが、本技術において、グランド層は少なくともノイズ源の上方及び下方に配されていればよい。
例えば、図１４Ａの上部の斜視図に示されるように側部３０Ｓが折り畳まれた状態のケーブル側基板３０について、図中の破線Ｅｄで囲ったケーブル側基板３０の側方端部付近（つまり側部３０Ｓの略Ｕ字状の折り返し部分）を縦方向に切断するなどして、図中の下部の側面図に示すように側部３０Ｓが本体部３０Ｂから切り離された状態とすることもできる。この拡大図における実線Ｃは、側部３０Ｓと本体部３０Ｂとの境界線を表している。この状態では、ノイズ源としての信号線３０Ｄの下方と上方のみにケーブル側グランド層３０Ｇが配されることになるが、これによっても一定のシールド効果を得ることができる。すなわち、これまでで例示した周囲を覆う場合よりは劣るものの、一定のＥＭＩ抑制効果を得ることができる。
【００７５】
また、このことはコネクタ部２側のシールド構造についても当てはまる。すなわち、例えば図１４Ｂの斜視図に示すように、フラップ部２０’Ｓが折り畳まれた状態のコネクタ側基板２０’について、フラップ部２０’Ｓの折り返し部分を縦方向に切断するなどして、本体部２０’Ｂとフラップ部２０’Ｓとが別体とされるようにしてもよい（図中の拡大図では本体部２０’Ｂとフラップ部２０’Ｓとの境界線を実線Ｃで表している）。これによっても、第２の実施の形態のようにＲＦチップ２３の周囲を覆う場合よりは劣るものの、一定のＥＭＩ抑制効果を得ることができる。
【００７６】
なお、上記のように側部３０Ｓやフラップ部２０’Ｓの折り畳みを行った後にそれらの折り返し部分が切断されたとしても、折り畳みに応じてノイズ源の下方及び上方にグランド層が配されるに至ったことに変わりはない。
この点からも理解されるように、本技術は、基板（ケーブル側基板３０又はコネクタ側基板２０’）におけるグランド層（ケーブル側グランド層３０Ｇ又はコネクタ側グランド層３０Ｇ）を含む一部が折り畳たまれたことに応じて、ノイズ源の少なくとも上方及び下方にグランド層が配されるようにしたものであればよく、これにより、ＥＭＩの抑制効果を得ることができる。
【００７７】
或いは、ＥＭＩ抑制効果を得るという観点においては、側部３０Ｓは必ずしも折り畳む必要性はない。図１５Ａには、図１１Ａと同様に側部３０Ｓ，３０Ｓが形成されたフレキシブル基板１０を示しているが、このフレキシブル基板１０について、側部３０Ｓ，３０Ｓをそれぞれ所定角度（例えば９０°）だけ折り曲げて、図１５Ｂの断面図に示すように信号線３０Ｄの下方及び両側方のみにケーブル側グランド層３０Ｇが配された状態とすることが考えられる。これによっても、ＥＭＩの抑制効果は得られる。
【００７８】
また、第２の実施の形態では、コネクタ部２においてシールドを行う対象をＲＦチップ２３としたが、ＲＦチップ２３だけでなくＲＦ線路（ＲＦチップ２３に対する入／出力が行われる信号線）やカプラなどの他のノイズ源に対して本技術のシールド構造を採用することもできる。
【００７９】
また、折り畳みは、必ずしも基板の全層を折り畳むのではなく、グランド層を含む一部の層のみを折り畳むようにしてもよい。
【００８０】
また、これまでの説明では、接着用材料１００として熱硬化性樹脂を用いる例を挙げたが、例えば二液硬化性樹脂など他の硬化性樹脂を用いることもできる。或いは、メタル圧着により金属分子同士を噛み合わせて接合するなど、樹脂以外の材料を用いることも可能である。なお、メタル圧着時の接着用材料１００の例としては、例えば銅や金などを挙げることができる。
【００８１】
また、ケーブル側基板３０とコネクタ側基板２０（２０’）は別体で構成することもできる。
【００８２】
＜４．本技術＞
なお、本技術は以下のような構成を採ることもできる。
（１）
接地端子とデータ端子とを有する端子部が形成されたコネクタ側基板と、前記コネクタ側基板に搭載され前記データ端子を介して入力又は出力されるデータ信号よりも周波数の高い高周波信号を処理する信号処理部とを有するコネクタ部と、
前記接地端子と電気的に接続されたケーブル側グランド層と前記高周波信号が伝送される信号線とが形成された可撓性を有するケーブル側基板を有し、前記高周波信号に基づく信号を伝送する伝送ケーブル部とを備え、
前記ケーブル側基板の前記ケーブル側グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記信号線の少なくとも下方及び上方に前記ケーブル側グランド層が配されている
伝送モジュール。
（２）
前記信号線の下方、上方及び側方に前記ケーブル側グランド層が配されている
前記（１）に記載の伝送モジュール。
（３）
前記ケーブル側グランド層は、
複数箇所が切り欠かれた形状を有している
前記（１）又は（２）に記載の伝送モジュール。
（４）
前記コネクタ側基板と前記ケーブル側基板とが同一材料による一体の基板として構成されている
前記（１）乃至（３）の何れかに記載の伝送モジュール。
（５）
前記コネクタ側基板には、前記接地端子と電気的に接続されたコネクタ側グランド層が形成され、
前記コネクタ側基板における前記コネクタ側グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記高周波信号に基づき電磁波ノイズが生じる部分の少なくとも下方及び上方に前記コネクタ側グランド層が配されている
前記（４）に記載の伝送モジュール。
（６）
前記信号処理部はＲＦチップであり、
前記コネクタ側基板における前記コネクタ側グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記ＲＦチップの少なくとも下方及び上方に前記コネクタ側グランド層が配されている
前記（５）に記載の伝送モジュール。
（７）
前記伝送ケーブル部を介して伝送される信号の搬送波がミリ波とさている
前記（１）乃至（６）の何れかに記載の伝送モジュール。
（８）
前記ケーブル側基板又は前記コネクタ側基板がＬＣＰで構成されている
前記（１）乃至（７）の何れかに記載の伝送モジュール。
（９）
接地端子とデータ端子とを有する端子部が形成されたコネクタ側基板と、前記コネクタ側基板に搭載され前記データ端子を介して入力又は出力されるデータ信号よりも周波数の高い高周波信号を処理する信号処理部とを有するコネクタ部と、前記接地端子と電気的に接続されたケーブル側グランド層と前記高周波信号が伝送される信号線とが形成された可撓性を有するケーブル側基板を有し、前記高周波信号に基づく信号を伝送する伝送ケーブル部とを備えた伝送モジュールについて、前記ケーブル側基板の前記ケーブル側グランド層を含む一部を折り畳んで前記信号線の少なくとも下方及び上方に前記ケーブル側グランド層を配することで、前記信号線をシールドする
シールド方法。
（１０）
グランド層と信号線とが形成された可撓性を有する基板を備え、
前記基板の前記グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記信号線の少なくとも下方及び上方に前記グランド層が配されている
伝送ケーブル。
（１１）
接地端子とデータ端子とを有する端子部と、前記接地端子と電気的に接続されたグランド層とが形成された可撓性を有する基板と、
前記基板に搭載され前記データ端子を介して入力又は出力されるデータ信号よりも周波数の高い高周波信号を処理する信号処理部とを備え、
前記基板における前記グランド層を含む一部が折り畳まれたことに応じて前記高周波信号に基づき電磁波ノイズが生じる部分の少なくとも下方及び上方に前記グランド層が配されている
コネクタ。
【符号の説明】
【００８３】
１,１’…伝送モジュール、２…コネクタ部、２０,２０’…コネクタ側基板、２０Ｄ…信号線、２０Ｇ…コネクタ側グランド層、２０’Ｂ…本体部、２０’Ｓ,２０’Ｓｉ…フラップ部、２１…端子部、２３…ＲＦチップ、３…伝送ケーブル部、３０…ケーブル側基板、３０Ｄ…信号線、３０Ｇ…ケーブル側グランド層、３０Ｂ…本体部、３０Ｓ…側部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
2014236174.tif 000012
【図１１】
2014236174.tif 000013
【図１２】
2014236174.tif 000014
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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