(57)【要約】  【課題】  電子写真感光体の使用に伴って表面層が薄膜化したとしても、画像むらなどの画像欠陥が発生することを防止することが可能な電子写真感光体を提供することを目的とする。  【解決手段】  円筒状基体１０と、円筒状基体１０上に形成された少なくとも光導電層を含む感光層１１と、感光層１１上に形成された表面層１２とを備えた電子写真感光体１であって、表面層１２は、電子写真感光体１の使用による表面層１２の摩耗度合いを検知するための検知領域１２ａを有しており、検知領域１２ａに隣接する領域における表面層１２の厚みに対する検知領域１２ａにおける表面層１２の厚みの比が２０〜８０％である。検知領域１２ａによって表面層１２の摩耗度合いを検知できることから、画像むらなどの画像欠陥が発生することを防止することが可能な電子写真感光体１が実現される。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
円筒状基体と、該円筒状基体上に形成された少なくとも光導電層を含む感光層と、該感光層上に形成された表面層とを備えた電子写真感光体であって、
前記表面層は、前記電子写真感光体の使用による前記表面層の摩耗度合いを検知するための検知領域を有しており、該検知領域に隣接する領域における前記表面層の厚みに対する前記検知領域における前記表面層の厚みの比が２０〜８０％であることを特徴とする電子写真感光体。
【請求項２】
前記表面層の表面側から見て、前記検知領域の大きさはφ２０μｍ以上であることを特徴とする請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記検知領域の大きさはφ１００μｍ未満であることを特徴とする請求項１または２に記載の電子写真感光体。
【請求項４】
前記検知領域は、前記表面層の円周方向に沿って連続的に配置されていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記検知領域は、複数種類の検知領域を有し、それぞれの種類の検知領域に隣接する領域における前記表面層の厚みに対する前記それぞれの種類の検知領域における前記表面層の厚みの比がそれぞれ異なっていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記表面層は、電荷を付与する帯電手段によって帯電する帯電領域を有し、
前記検知領域は、前記円筒状基体の長さ方向における前記帯電領域の両端から２０ｍｍ以内の前記帯電領域内に配置されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか１項に記載の電子写真感光体を備えることを特徴とする画像形成装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体およびこれを備えた画像形成装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、電子写真感光体は、例えば特許文献１に記載されているように円筒状などの基体の表面に、光導電層および表面層などを堆積膜として形成することによって製造されている。堆積膜の形成方法としては、高周波グロー放電によって原料ガスを分解したときの分解生成物を基体に被着させる方法（プラズマＣＶＤ法）が広く採用されている。
【０００３】
しかしながら、このような電子写真感光体は、使用に伴って表面層が摩耗することによって薄膜化して電子写真感光体の帯電能が低下し、結果として画像むらなどの画像欠陥が発生するという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開昭６３−１２９３４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、電子写真感光体の使用に伴って表面層が薄膜化したとしても、画像むらなどの画像欠陥が発生することを防止することが可能な電子写真感光体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の電子写真感光体は、円筒状基体と、該円筒状基体上に形成された少なくとも光導電層を含む感光層と、該感光層上に形成された表面層とを備えた電子写真感光体であって、前記表面層は、前記電子写真感光体の使用による前記表面層の摩耗度合いを検知するための検知領域を有しており、該検知領域に隣接する領域における前記表面層の厚みに対する前記検知領域における前記表面層の厚みの比が２０〜８０％であることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の電子写真感光体は、上記構成において、前記表面層の表面側から見て、前記検知領域の大きさはφ２０μｍ以上であることを特徴とする。
【０００８】
さらに、本発明の電子写真感光体は、上記構成において、前記検知領域の大きさはφ１００μｍ未満であることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の電子写真感光体は、上記構成において、前記検知領域は、前記表面層の円周方向に沿って連続的に配置されていることを特徴とする。
【００１０】
さらに、本発明の電子写真感光体は、上記構成において、前記検知領域は、複数種類の検知領域を有し、それぞれの種類の検知領域に隣接する領域における前記表面層の厚みに対する前記それぞれの種類の検知領域における前記表面層の厚みの比がそれぞれ異なっていることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の電子写真感光体は、上記構成において、前記表面層は、電荷を付与する帯電手段によって帯電する帯電領域を有し、前記検知領域は、前記円筒状基体の長さ方向
における前記帯電領域の両端から２０ｍｍ以内の前記帯電領域内に配置されていることを特徴とする。
【００１２】
本発明の画像形成装置は、上記いずれかの電子写真感光体を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１３】
本発明の電子写真感光体によれば、円筒状基体と、該円筒状基体上に形成された少なくとも光導電層を含む感光層と、該感光層上に形成された表面層とを備えた電子写真感光体であって、前記表面層は、前記電子写真感光体の使用による前記表面層の摩耗度合いを検知するための検知領域を有しており、該検知領域に隣接する領域における前記表面層の厚みに対する前記検知領域における前記表面層の厚みの比が２０〜８０％であることから、電子写真感光体の使用に伴って表面層が薄膜化したとしても、画像むらなどの画像欠陥が発生することを防止することが可能な電子写真感光体を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は本発明の電子写真感光体の一例を示す断面図である。（ｂ）は（ａ）の要部断面図である。
【図２】堆積膜形成装置の縦断面図である。
【図３】本発明の画像形成装置の断面図である。
【図４】図１に示した電子写真感光体の第１変形例を示す展開図である。
【図５】図１に示した電子写真感光体の第２変形例を示す展開図である。
【図６】図１に示した電子写真感光体の第３変形例を示す展開図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の電子写真感光体およびこれを備えた画像形成装置の実施の形態の例について、図面を参照しつつ説明する。なお、以下の例は本発明の実施の形態を例示するものであって、本発明はこれらの実施の形態の例に限定されるものではない。
【００１６】
（電子写真感光体）
図１に示した電子写真感光体１は、円筒状基体１０の外周面に電荷注入素子層１１ａおよび光導電層１１ｂを順次形成した感光層１１を有しており、感光層１１上には表面層１２が被着されている。
【００１７】
円筒状基体１０は、感光層１１の支持体となるものであり、少なくとも表面に導電性を有するものとして形成される。この円筒状基体１０は、例えばアルミニウム（Ａｌ）、ステンレス（ＳＵＳ）、亜鉛（Ｚｎ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、チタン（Ｔｉ）、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）、スズ（Ｓｎ）、金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）などの金属材料あるいはこれら例示した金属材料を含む合金材料により、全体が導電性を有するものとして形成されている。円筒状基体１０は、また、樹脂、ガラスあるいはセラミックスなどの絶縁体の表面に、例示した金属材料ならびにＩＴＯ（Indium Tin Oxide）あるいはＳｎＯ２などの透明導電性材料による導電性膜を被着したものであってもよい。例示した材料のうち、円筒状基体１０を形成するための材料としては、アルミニウム（Ａｌ）系材料を用いるのが最も好ましく、また円筒状基体１０の全体をアルミニウム（Ａｌ）系材料で形成するのが好ましい。そうすれば、電子写真感光体１を軽量かつ低コストで製造可能であり、その上、電荷注入阻止層１１ａおよび光導電性層１１ｂをアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成する場合には、それらの層と円筒状基体１０との間の密着性が高くなって信頼性を向上させることができる。
【００１８】
電荷注入阻止層１１ａは、円筒状基体１０からのキャリア（電子）の注入を阻止するためのものであり、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成されている。こ
の電荷注入阻止層１１ａは、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）にドーパントとしてホウ素（Ｂ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）を含有させたものとして形成されており、その厚みは２μｍ以上１０μｍ以下とされている。
【００１９】
光導電層１１ｂは、レーザ光などの光照射によってキャリアを発生させるためのものであり、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料ならびにＳｅ−ＴｅあるいはＡｓ２Ｓｅ３などのアモルファスセレン（ａ−Ｓｅ）系材料で形成されている。ただし、電子写真特性（例えば光導電特性、高速応答性、繰り返し安定性、耐熱性あるいは耐久性）および表面層１２をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系の材料で形成した場合における表面層１２との整合性を考慮した場合には、光導電層１１ｂは、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）ならびにアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）に炭素（Ｃ）、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）などを加えたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成するのが好ましく、本例ではドーパントとしてホウ素（Ｂ）を含有させたものとして形成している。
【００２０】
また、光導電層１１ｂの厚みは、使用する光導電性材料および所望の電子写真特性に応じて適宜設定すればよく、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料を用いて光導電層１１ｂを形成する場合には、光導電層１１ｂの厚みは、例えば５μｍ以上１００μｍ以下、好適には１０μｍ以上８０μｍ以下とされる。
【００２１】
表面層１２は、感光層１１の表面を保護するためのものであり、画像形成装置内での摺擦による摩耗に対して耐性の高い、例えばアモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）あるいはアモルファス窒化シリコン（ａ−ＳｉＮ）などのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料ならびにアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）などで形成されている。この表面層１２は、電子写真感光体１に照射されるレーザ光などの光が吸収されることのないように、照射される光に対して充分広い光学バンドギャップを有しており、また、画像形成における静電潜像を保持でき得る抵抗値（一般的には１０１１Ω・ｃｍ以上）を有している。
【００２２】
しかしながら、表面層１２に画像形成装置内での摺擦による摩耗に対する耐性の高い材料を選択したとしても、摺擦による摩耗によって表面層１２が薄くなっていくことは避けられない。
【００２３】
本例の表面層１２は、厚みが１μｍ程度に形成されており、上述の通り、抵抗値は１０１１Ω・ｃｍ以上を有していることから、画像形成における静電潜像を保持できる。ところが、摺擦による摩耗によって表面層１２が薄くなると、当然のことながら抵抗値は低くなり、帯電能が低下する。よって、画像むらなどの画像欠陥が発生する。
【００２４】
そこで、表面層１２に電子写真感光体１の使用による表面層１２の摩耗度合いを検知するための検知領域１２ａを配置して、表面層１２が画像形成装置内での摺擦による摩耗によって薄膜化したことを検知する。検知した結果を受けて、画像むらなどの画像欠陥が発生する前に電子写真感光体１の交換を行なうことによって、画像むらなどの画像欠陥が発生するのを防止することが可能になる。
【００２５】
検知領域１２ａにおける表面層１２の厚みは、検知領域１２ａに隣接する領域における表面層１２の厚みに対して２０〜８０％の厚みに設定している。言い換えると、検知領域１２ａに隣接する領域における表面層１２の厚みに対する検知領域１２ａにおける表面層１２の厚みの比は２０〜８０％である。
【００２６】
画像形成装置内での摺擦によって摩耗する、検知領域１２ａに隣接する領域における表面層１２の厚みと、検知領域１２ａにおける表面層１２の厚みとは略等しいことが経験上分かっていることから、予め検知領域１２ａにおける表面層１２の厚みを検知領域１２ａ
に隣接する領域における表面層１２の厚みに対して２０〜８０％の厚みに初期設定することによって、検知領域１２ａにおける表面層１２の厚みが検知領域１２ａに隣接する領域における表面層１２の厚みよりも常に略初期設定分だけ薄くなる。よって、画像形成装置内での摺擦による摩耗によって、検知領域１２ａにおける表面層１２の厚みは、検知領域１２ａに隣接する領域における表面層１２の厚みよりも、画像むらなどの画像欠陥が発生する帯電能となる厚みに早く到達する。したがって、電子写真感光体１を画像形成装置に組み込んで使用する場合には、検知領域１２ａに対応する記録媒体の領域に形成された画像を確認することによって電子写真感光体１を画像むらなどの画像欠陥が発生する前に交換することが可能となる。ここでは記録媒体に形成された画像を確認する方法を例示したが、検知領域１２ａにおける表面層１２に付着したトナーの濃度を確認することによって、電子写真感光体１を画像むらなどの画像欠陥が発生する前に交換することも可能となる。
【００２７】
ここで、画像の確認およびトナー濃度の確認とは、例えば、本来は画像が形成されない領域に画像が形成されたり、本来は画像が形成される領域に画像が形成されなかったりすると、その色調によって帯電能の低下度合いが確認されること、あるいは本来はトナーが付着されない領域にトナーが付着されたり、本来はトナーが付着される領域にトナーが付着されなかったりすると、その付着度合い、すなわちトナー濃度によって帯電能の低下度合いが確認されることをいう。
【００２８】
検知領域１２ａの大きさは、表面層１２の表面側から見て、φ２０μｍ以上であることが望ましい。検知領域１２ａの大きさがφ２０μｍ未満である場合には、記録媒体に形成された画像の確認する際に、目視あるいは拡大鏡を利用した目視によって行なう場合であっても画像認識装置によって行なう場合であっても、誤認識をする可能性が高くなるためである。
【００２９】
また、検知領域１２ａの大きさは、表面層１２の表面側から見て、φ１００μｍ未満であることが望ましい。検知領域１２ａの大きさがφ１００μｍ以上である場合には、記録媒体に形成された画像が目視で十分に認識可能となるため、本来は画像が形成されてはならないところに画像が形成されたり、本来は画像が形成されるところに画像が形成されなかったりするなどして印刷品質の低下を引き起こすためである。
【００３０】
なお、検知領域１２ａの形状は円形状に限られず、大きさがφ２０μｍ以上であれば、多角形状、星型状あるいは不定形状などのいかなる形状であってもよい。
【００３１】
電子写真感光体１における電荷注入阻止層１１ａ、光導電層１１ｂおよび表面層１２は、例えば図２に示したプラズマＣＶＤ装置２を用いて形成される。
【００３２】
（プラズマＣＶＤ装置）
プラズマＣＶＤ装置２は、支持体３を真空反応室４に収容したものであり、回転手段５、原料ガス供給手段６および排気手段７をさらに備えている。
【００３３】
支持体３は、円筒状基体１０を支持するためのものである。この支持体３は、フランジ部３０を有する中空状に形成されているとともに、円筒状基体１０と同様な導電性材料で全体が導体として形成されている。本例の場合において、支持体３は、２つの円筒状基体１０を支持できる長さに形成されており、導電性支柱３１に対して着脱自在とされている。そのため、支持体３では、支持した２つの円筒状基体１０の表面に直接触れることなく、真空反応室４に対して２つの円筒状基体１０の出し入れを行なうことができる。
【００３４】
導電性支柱３１は、円筒状基体１０と同様な導電性材料で全体が導体として形成されて
おり、真空反応室４（後述する円筒状電極４０）の中心において、後述するプレート４２に対して絶縁材３２を介して固定されている。導電性支柱３１には、導板３３を介して直流電源３４が接続されている。この直流電源３４は、制御部３５によってその動作が制御されている。制御部３５は、直流電源３４を制御することにより、導電性支柱３１を介して、支持体３にパルス状の直流電圧を供給させるように構成されている。
【００３５】
導電性支柱３１の内部には、セラミックパイプ３６を介してヒータ３７が収容されている。セラミックパイプ３６は、絶縁性および熱伝導性を確保するためのものである。ヒータ３７は、円筒状基体１０を加熱するためのものである。ヒータ３７としては、例えばニクロム線あるいはカートリッジヒーターを使用することができる。
【００３６】
ここで、支持体３の温度は、例えば支持体３あるいは導電性支柱３１に取り付けられた熱電対（図示を省略）によってモニタされており、この熱電対におけるモニタ結果に基づいてヒータ３７をオン・オフさせることによって、円筒状基体１０の温度が目的範囲、例えば２００℃以上４００℃以下から選択される一定の範囲に維持される。
【００３７】
真空反応室４は、円筒状基体１０に対して堆積膜を形成するための空間であり、円筒状電極４０および一対のプレート４１、４２によって規定されている。
【００３８】
円筒状電極４０は、支持体３の周囲を囲む円筒状に形成される。この円筒状電極４０は、円筒状基体１０と同様な導電性材料で中空に形成されており、絶縁部材４３、４４を介して一対のプレート４１、４２に接合されている。
【００３９】
円筒状電極４０は、支持体３に支持させた円筒状基体１０と円筒状電極４０との間の距離Ｄ１が１０ｍｍ以上１００ｍｍ以下となるような大きさに形成されている。これは、円筒状基体１０と円筒状電極４０との距離Ｄ１が１０ｍｍよりも小さい場合には、真空反応室４に対する円筒状基体１０の出し入れなどにおいて作業性を充分に確保できず、また円筒状基体１０と円筒状電極４０との間で安定した放電を得ることが困難となり、逆に、円筒状基体１０と円筒状電極４０との距離Ｄ１が１００ｍｍよりも大きい場合には、プラズマＣＶＤ装置２が大きくなってしまい、単位設置面積当たりの生産性が悪くなるためである。
【００４０】
円筒状電極４０は、ガス導入口４５ａ、４５ｂおよび複数のガス吹き出し孔４６が設けられているとともに、その一端において接地されている。なお、円筒状電極４０は、必ずしも接地する必要はなく、直流電源３４とは別の基準電源に接続してもよい。円筒状電極４０を直流電源３４とは別の基準電源に接続する場合には、基準電源における基準電圧は−１５００Ｖ以上１５００Ｖ以下とされる。
【００４１】
ガス導入口４５ａは、真空反応室４に供給すべき光導電層１１ｂのドーパント専用の原料ガスを導入するためのものであり、ガス導入口４５ｂは、真空反応室４に供給すべき原料ガスを導入するためのものであり、いずれのガス導入口４５ａ、４５ｂも原料ガス供給手段６に接続されている。ガス導入口４５ａは、真空反応室４の略中央の高さ位置に設置されていて、ガス導入口４５ｂは、真空反応室４内に設置される支持体３の両端位置に相当する高さ位置にそれぞれ設置されている。
【００４２】
複数のガス吹き出し孔４６は、円筒状電極４０の内部に導入された原料ガスを円筒状基体１０に向けて吹き出すためのものであり、図の上下方向に等間隔になるように配置されているとともに、周方向にも等間隔で配置されている。複数のガス吹き出し孔４６は、同一形状の円形に形成されており、その孔径は、例えば０．５ｍｍ以上２ｍｍ以下とされている。
【００４３】
プレート４１は、真空反応室４が開放された状態と閉塞された状態とを選択可能とするためのものであり、プレート４１を開閉することによって真空反応室４に対する支持体３の出し入れが可能とされている。プレート４１は、円筒状基体１０と同様な導電性材料で形成されているが、下面側に防着板４７が取着されている。これにより、プレート４１に対して堆積膜が形成されるのを防止している。この防着板４７もまた、円筒状基体１０と同様な導電性材料で形成されているが、防着板４７はプレート４１に対して着脱自在とされている。そのため、防着板４７は、プレート４１から取り外すことにより洗浄が可能であり、繰り返し使用することができる。
【００４４】
プレート４２は、真空反応室４のベースとなるものであり、円筒状基体１０と同様な導電性材料で形成されている。プレート４２と円筒状電極４０との間に介在する絶縁部材４４は、円筒状電極４０とプレート４２との間にアーク放電が発生するのを抑える役割を有するものである。このような絶縁部材４４は、例えばガラス材料（ホウ珪酸ガラス、ソーダガラス、耐熱ガラスなど）、無機絶縁材料（セラミックス、石英、サファイヤなど）あるいは合成樹脂絶縁材料（四フッ化エチレンなどのフッ素樹脂、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリアミド、ビニロン、エポキシ、マイラー、ＰＥＥＫ材など）で形成することができるが、絶縁性を有し、使用温度で充分な耐熱性があり、真空中でガスの放出が小さい材料であれば特に限定はない。ただし、絶縁部材４４は、成膜体の内部応力あるいは成膜時の温度上昇に伴って生じるバイメタル効果に起因する応力によって反りが発生して使用できなくなるのを防止するために、一定以上の厚みを有するものとして形成されている。例えば、絶縁部材４４を四フッ化エチレンのような熱膨張率が３×１０−５／Ｋ以上１０×１０５／Ｋ以下の材料で形成する場合には、絶縁部材４４の厚みは１０ｍｍ以上に設定される。このような範囲に絶縁部材４４の厚みを設定した場合には、絶縁部材４４と円筒状基体１０に成膜される１０μｍ以上３０μｍ以下のアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜との界面に発生する応力に起因する反り量が、水平方向（円筒状基体１０の軸方向に略直交する半径方向）の長さ２００ｍｍに対して、水平方向における端部と中央部との軸方向における高さの差で1ｍｍ以下とすることができ、絶縁部材４４を繰り返し使用することが
可能となる。
【００４５】
プレート４２および絶縁部材４４には、ガス排出口４２Ａ、４４Ａおよび圧力計４９が設けられている。排気口４２Ａ、４４Ａは、真空反応室４の内部の気体を排出するためのものであり、排気手段７に接続されている、圧力計４９は、真空反応室４の圧力をモニタリングするためのものであり、公知の種々のものを使用することができる。
【００４６】
図２に示したように、回転手段５は、支持体３を回転させるためのものであり、回転モータ５０および回転力伝達機構５１を有している。回転手段５によって支持体３を回転させて成膜を行なった場合には、支持体３とともに円筒状基体１０が回転するために、円筒状基体１０の外周に対して均等に原料ガスの分解成分を堆積させることが可能となる。
【００４７】
回転モータ５０は、円筒状基体１０に回転力を付与するものである。この回転モータ５０は、例えば円筒状基体１０を１ｒｐｍ以上１０ｒｐｍ以下で回転させるように動作制御される。回転モータ５０としては、公知の種々のものを使用することができる。
【００４８】
回転力伝達機構５１は、回転モータ５０からの回転力を円筒状基体１０に伝達・入力するためのものであり、回転導入端子５２、絶縁軸部材５３および絶縁平板５４を有している。
【００４９】
回転導入端子５２は、真空反応室４内の真空を保ちながら回転力を伝達するためのもの
である。このような回転導入端子５２としては、回転軸を二重もしくは三重構造としてオイルシールあるいはメカニカルシール等の真空シール手段を用いることができる。
【００５０】
絶縁軸部材５３および絶縁平板５４は、支持体３とプレート４１との間の絶縁状態を維持しつつ、回転モータ５０からの回転力を支持体３に入力するためものであり、例えば絶縁部材４４などの同様な絶縁材料で形成されている。ここで、絶縁軸部材５３の外径Ｄ２は、成膜時において、支持体３の外径（後述する上ダミー基体３８Ｃの内径）Ｄ３よりも小さくなるように設定されている。より具体的には、成膜時における円筒状基体１０の温度が２００℃以上４００℃以下に設定される場合であれば、絶縁軸部材５３の外径Ｄ２は、支持体３の外径（後述する上ダミー基体３８Ｃの内径）Ｄ３よりも０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下、好適には３ｍｍ程度大きくなるように設定される。この条件を満たすために、非成膜時（常温環境下（例えば１０℃以上４０℃以下））においては、絶縁軸部材５３の外径Ｄ２と支持体３の外径（後述する上ダミー基体３８Ｃの内径）Ｄ３との差は、０．６ｍｍ以上５．５ｍｍ以下に設定される。
【００５１】
絶縁平板５４は、プレート４１を取り外しするときに上方から落下するゴミや粉塵などの異物が円筒状基体１０へ付着するのを防止するためのものであり、上ダミー基体３８Ｃの内径Ｄ３より大きな外径Ｄ４を有する円板状に形成されている。絶縁平板５４の直径Ｄ４は、円筒状基体１０の直径Ｄ３の１．５倍以上３倍以下とされ、例えば円筒状基体１０として直径Ｄ３が３０ｍｍのものを用いる場合には、絶縁平板５４の直径Ｄ４は５０ｍｍ程度とされる。
【００５２】
このような絶縁平板５４を設けた場合には、円筒状基体１０に付着した異物に起因する異常放電を抑制することができるため、成膜欠陥の発生を抑制することができる。これにより、電子写真感光体１を形成する際の歩留まりを向上させ、また電子写真感光体１を用いて画像形成する場合における画像不良の発生を抑制することができる。
【００５３】
図２に示したように、原料ガス供給手段６は、複数の原料ガスタンク６０、６１、６２、６３、光導電層１１ｂのドーパント専用ガスタンク６４、複数の配管６０Ａ、６１Ａ、６２Ａ、６３Ａ、６４Ａ、バルブ６０Ｂ、６１Ｂ、６２Ｂ、６３Ｂ、６４Ｂ、６０Ｃ、６１Ｃ、６２Ｃ、６３Ｃ、６４Ｃおよび複数のマスフローコントローラ６０Ｄ、６１Ｄ、６２Ｄ、６３Ｄ、６４Ｄを備えたものであり、配管６５ａ、６５ｂおよびガス導入口４５ａ、４５ｂを介して円筒状電極４０に接続されている。各原料ガスタンク６０〜６４は、例えばＢ２Ｈ６、Ｈ２（またはＨｅ）、ＣＨ４あるいはＳｉＨ４が充填されたものである。バルブ６０Ｂ〜６４Ｂ、６０Ｃ〜６４Ｃおよびマスフローコントローラ６０Ｄ〜６４Ｄは、真空反応室４に導入する各原料ガス成分または光導電層１１ｂのドーパント専用ガス成分の流量、組成およびガス圧を調整するためのものである。もちろん、原料ガス供給手段６においては、各原料ガスタンク６０〜６４に充填すべきガスの種類、あるいは複数の原料タンク６０〜６４の数は、円筒状基体１０に形成すべき膜の種類あるいは組成に応じて適宜選択すればよい。
【００５４】
排気手段７は、真空反応室４のガスをガス排出口４２Ａ、４４Ａを介して外部に排出するためのものであり、メカニカルブースタポンプ７１およびロータリーポンプ７２を備えている。これらのポンプ７１、７２は、圧力計４９でのモニタリング結果に応じて動作制御されるものである。すなわち、排気手段７では、圧力計４９でのモニタリング結果に基づいて、真空反応室４を真空に維持できるとともに、真空反応室４のガス圧を目的値に設定することができる。真空反応室４の圧力は、例えば１．０Ｐａ以上１００Ｐａ以下とされる。
【００５５】
（堆積膜の形成方法）
次に、プラズマＣＶＤ装置２を用いた堆積膜の形成方法について、円筒状基体１０に感光層１１としてアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜が形成された電子写真感光体１（図１を参照）を作製する場合を例にとって説明する。
【００５６】
まず、円筒状基体１０に堆積膜（ａ−Ｓｉ膜）を形成するにあたっては、プラズマＣＶＤ装置２のプレート４１を取り外した上で、複数の円筒状基体１０（図面上は２つ）を支持した支持体３を真空反応室４の内部にセットし、再びプレート４１を取り付ける。
【００５７】
支持体３に対する２つの円筒状基体１０の支持にあたっては、フランジ部３０上に、支持体３の主要部を覆って下ダミー基体３８Ａ、円筒状基体１０、中間ダミー基体３８Ｂ、円筒状基体１０および上ダミー基体３８Ｃが順次積み上げられる。
【００５８】
各ダミー基体３８Ａ〜３８Ｃとしては、製品の用途に応じて、導電性または絶縁性基体の表面に導電処理を施したものが選択されるが、通常は、円筒状基体１０と同様な材料で円筒状に形成されたものが使用される。
【００５９】
ここで、下ダミー基体３８Ａは、円筒状基体１０の高さ位置を調整するためのものである。中間ダミー基体３８Ｂは、隣接する円筒状基体１０の端部間で生じるアーク放電に起因する円筒状基体１０に成膜不良が発生するのを抑制するためのものである。この中間ダミー基体３８Ｂとしては、その長さがアーク放電を防止できる最低限の長さ（本例では１ｃｍ）以上を有し、その表面側角部が曲面加工で曲率０．５ｍｍ以上または端面加工でカットされた部分の軸方向の長さおよび深さ方向の長さが０．５ｍｍ以上となるように面取りされたものが使用される。上ダミー基体３８Ｃは、支持体３に堆積膜が形成されるのを防止し、成膜中に一旦被着した成膜体の剥離に起因する成膜不良の発生を抑制するためのものである。上ダミー基体３８Ｃは、一部が支持体３の上方に突出した状態とされる。
【００６０】
次いで、真空反応室４を密閉状態とし、回転手段５によって支持体３を介して円筒状基体１０を回転させるとともに、円筒状基体１０を加熱し、排気手段７によって真空反応室４を減圧する。
【００６１】
円筒状基体１０の加熱は、例えばヒータ３７に対して外部から電力を供給してヒータ３７を発熱させることによって行なわれる。このようなヒータ３７の発熱によって、円筒状基体１０が目的とする温度に昇温される。円筒状基体１０の温度は、その表面に形成すべき膜の種類および組成によって選択されるが、例えばアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）膜を形成する場合には２５０℃以上３００℃以下の範囲に設定され、ヒータ３７をオン・オフすることによって略一定に維持される。
【００６２】
一方、真空反応室４の減圧は、排気手段７によってガス排出口４２Ａ、４４Ａを介して真空反応室４からガスを排出させることによって行なわれる。真空反応室４の減圧の程度は、圧力計４９（図２を参照）での真空反応室４の圧力をモニタリングしつつ、メカニカルブースタポンプ７１（図２を参照）およびロータリーポンプ７２（図２参照）の動作を制御することにより、例えば１０−３Ｐａ程度とされる。
【００６３】
次いで、円筒状基体１０の温度が所望温度となり、真空反応室４の圧力が所望圧力となった場合には、原料ガス供給手段６によって真空反応室４に原料ガスを供給するとともに、円筒状電極４０と支持体３との間にパルス状の直流電圧を印加する。これにより、円筒状電極４０と支持体３（円筒状基体１０）との間にグロー放電が起こり、原料ガス成分が分解され、原料ガスの分解成分が円筒状基体１０の表面に堆積する。
【００６４】
一方、排気手段７においては、圧力計４９のモニタリングをしつつ、メカニカルブース
タポンプ７１およびロータリーポンプ７２の動作を制御することにより、真空反応室４におけるガス圧を目的範囲に維持する。すなわち、真空反応室４の内部は、原料ガス供給手段６におけるマスフローコントローラ６０Ｄ〜６３Ｄと排気手段７におけるポンプ７１、７２とによって安定したガス圧に維持される。真空反応室４におけるガス圧は、例えば１Ｐａ以上１００Ｐａ以下とされる。
【００６５】
真空反応室４への原料ガスの供給は、バルブ６０Ｂ〜６４Ｂ、６０Ｃ〜６４Ｃの開閉状態を適宜制御しつつ、マスフローコントローラ６０Ｄ〜６４Ｄを制御することにより、原料ガスタンク６０〜６４の原料ガスを所望の組成および流量で配管６０Ａ〜６４Ａ、６５ａ、６５ｂおよびガス導入口４５ａ、４５ｂを介して円筒状電極４０の内部に導入することによって行なわれる。円筒状電極４０の内部に導入された原料ガスは、複数のガス吹き出し孔４６を介して円筒状基体１０に向けて吹き出される。そして、バルブ６０Ｂ〜６４Ｂ、６０Ｃ〜６４Ｃおよびマスフローコントローラ６０Ｄ〜６４Ｄによって原料ガスの組成を適宜切り替えることによって、円筒状基体１０の表面には、電荷注入阻止層１１、光導電層１１ｂおよび表面層１２が順次積層形成される。
【００６６】
円筒状電極４０と支持体３との間へのパルス状の直流電圧を印加は、制御部３５によって直流電源３４を制御することによって行なわれる。
【００６７】
一般に、１３．５６ＭＨｚのＲＦ帯域以上の高周波電力を使用した場合は、空間で生成されたイオン種が電界によって加速され、正負の極性に応じた方向に引き寄せられることになるが、高周波交流によって電界が連続して反転することから、前記イオン種が円筒状基体１０あるいは放電電極に到達するよりも前に、空間中で再結合を繰り返し、再度ガスまたはポリシリコン粉体などのシリコン化合物となって排気される。
【００６８】
これに対して、円筒状基体１０側が正負いずれかの極性になるようなパルス状の直流電圧を印加してカチオンを加速させて円筒状基体１０に衝突させ、その衝撃によって表面の微細な凹凸をスパッタリングしながらアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の成膜を行なった場合には、極めて凹凸の少ない表面を持ったアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）が得られる。本発明者らはこの現象を“イオンスパッタリング効果”と名付けた。
【００６９】
このようなプラズマＣＶＤ法において効率よくイオンスパッタリング効果を得るには、極性の連続的な反転を避けるような電力を印加することが必要であり、前記パルス状の矩形波の他には、三角波、直流電力あるいは直流電圧が有用である。また、全ての電圧が正負いずれかの極性になるように調整された交流電力等でも同様の効果が得られる。印加電圧の極性は、原料ガスの種類によってイオン種の密度および堆積種の極性などから決まる成膜速度などを考慮して自由に調整できる。
【００７０】
ここで、パルス状電圧によって効率よくイオンスパッタリング効果を得るには、支持体３（円筒状基体１０）と円筒状電極４０との間の電位差は、例えば５０Ｖ以上３０００Ｖ以下の範囲内とされ、成膜レートを考慮した場合には、好ましくは５００Ｖ以上３０００Ｖ以下の範囲内とされる。
【００７１】
より具体的には、制御部３５は、円筒状電極４０が接地されている場合には、支持体（導電性支柱３１）に対して、−３０００Ｖ以上−５０Ｖ以下の範囲内の負のパルス状直流電位Ｖ１を供給し、あるいは５０Ｖ以上３０００Ｖ以下の範囲内の正のパルス状直流電位Ｖ１を供給する。
【００７２】
一方、円筒状電極４０が基準電極（図示を省略）に接続されている場合には、支持体（導電性支柱３１）に対して供給するパルス状直流電位Ｖ１は、目的とする電位差ΔＶと基
準電源から供給される電位Ｖ２との差の値（ΔＶ−Ｖ２）とされる。基準電源から供給する電位Ｖ２は、支持体３（円筒状基体１０）に対して負のパルス状電圧を印加する場合には、−１５００Ｖ以上１５００Ｖ以下とされ、支持体３（円筒状基体１０）に対して正のパルス状電圧を印加する場合には、−１５００Ｖ以上１５００Ｖ以下とされる。
【００７３】
制御部３５はまた、直流電圧の周波数（１／Ｔ（ｓｅｃ））が３００ｋＨｚ以下に、ｄｕｔｙ比（Ｔ１／Ｔ）が２０％以上９０％以下になるように直流電源３４を制御する。
【００７４】
なお、本発明におけるｄｕｔｙ比とは、パルス状の直流電圧の１周期（Ｔ）（円筒状基体１０と円筒状電極４０との間に電位差が生じた瞬間から、次に電位差が生じた瞬間までの時間）における電位差発生Ｔ１が占める時間割合と定義される。例えば、ｄｕｔｙ比２０％とは、パルス状の電圧を印加する際の、１周期に占める電位差発生（ＯＮ）時間が１周期全体の２０％であることをいう。
【００７５】
このイオンスパッタリング効果を利用して得られたアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）の光導電層１１ｂは、その厚みが１０μｍ以上となっても、表面の微細凹凸が小さく平滑性がほとんど損なわれない。そのため、光導電層１１ｂ上に表面層１２であるアモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）を１μｍ程度積層した場合の表面層１２の表面形状は、光導電層１１ｂの表面形状を反映した滑らかな面とすることが可能となる。その一方で、表面層１２を積層する場合においても、イオンスパッタリグ効果を利用することにより、表面層１２を微細凹凸が小さい平滑な膜として形成することができる。
【００７６】
ここで、電荷注入阻止層１１、光導電層１１ｂおよび表面層１２の形成にあたっては、原料ガス供給手段６におけるマスフローコントローラ６０Ｄ〜６３Ｄおよびバルブ６０Ｂ〜６３Ｂ、６０Ｃ〜６３Ｃを制御し、目的とする組成の原料ガスが真空反応室４に供給されるのは上述の通りである。
【００７７】
例えば、電荷注入阻止層１１をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系の堆積膜として形成する場合には、原料ガスとして、ＳｉＨ４（シランガス）などのシリコン（Ｓｉ）含有ガス、Ｂ２Ｈ６などのドーパント含有ガスおよび水素（Ｈ２）あるいはヘリウム（Ｈｅ）などの希釈ガスの混合ガスが用いられる。ドーパント含有ガスとしては、ホウ素（Ｂ）含有ガスの他に、窒素（Ｎ）および酸素（Ｏ）含有ガスを用いることもできる。
【００７８】
光導電層１１ｂをアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系の堆積膜として形成する場合には、原料ガスとして、ＳｉＨ4（シランガス）などのシリコン（Ｓｉ）含有ガスおよび水
素（Ｈ２）あるいはヘリウム（Ｈｅ）などの希釈ガスの混合ガスが用いられる。光導電層１１ｂにおいては、ダングリングボンド終端用に水素（Ｈ）あるいはハロゲン元素（Ｆ、Ｃｌ）を膜中に１原子％以上４０原子％以下含有させるように、希釈ガスとして水素ガスを用い、あるいは原料ガス中にハロゲン化合物を含ませておいてもよい。また、原料ガスには、暗導電率および光導電率などの電気的特性および光学的バンドギャップなどについて所望の特性を得るために、ドーパントとして周期表第１２族、第１３族元素（以下「第１２族元素」、「第１３族元素」と略す）あるいは周期表第１５族、第１６族元素（以下「第１５族元素」、「第１６族元素」と略す）を含有させ、上記諸特性を調整するために炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）などの元素を含有させてもよい。
【００７９】
例えば、第１３族元素および第１５族元素としては、それぞれホウ素（Ｂ）およびリン（Ｐ）が共有結合性に優れて半導体特性を敏感に変え得る点、および優れた光感度が得られるという点で望ましい。電荷注入阻止層１１に対して第１３族元素あるいは第１５族元素を炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）などの元素とともに含有させる場合には、第１３族元素の含有量は０．１ｐｐｍ以上２００００ｐｐｍ以下、第１５族元素の含有量は０．１ｐｐ
ｍ以上１００００ｐｐｍ以下となるように調整される。また、光導電層１１ｂに対して第１３族元素あるいは第１５族元素を炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）等の元素とともに含有させる場合には、あるいは、電荷注入阻止層１１および光導電層１１ｂに対して炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）等の元素を含有させない場合には、第１３族元素は０．０１ｐｐｍ以上２００ｐｐｍ以下、第１５族元素は０．０１ｐｐｍ以上１００ｐｐｍ以下となるように調整される。なお、原料ガスにおける第１３属元素あるいは第１５属元素の含有量を経時的に変化させることによって、これらの元素の濃度について層厚方向にわたって勾配を設けるようにしてもよい。この場合には、光導電層１１ｂにおける第１３族元素あるいは第１５族元素の含有量は、光導電層１１ｂの全体における平均含有量が上記範囲内であればよい。
【００８０】
また、光導電層１１ｂについては、アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料に微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）を含んでいてもよく、この微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）を含ませた場合には、暗導電率および光導電率を高めることができるので、光導電層２２の設計自由度が増すといった利点がある。このような微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）は、先に説明した成膜方法を採用し、その成膜条件を変えることによって形成することができる。例えば、グロー放電分解法では、円筒状基体１０の温度および直流パルス電力を高めに設定し、希釈ガスとしての水素流量を増すことによって形成できる。また、微結晶シリコン（μｃ−Ｓｉ）を含む光導電層１１ｂにおいても、先に説明したのと同様な元素（第１３族元素、第１５族元素、炭素（Ｃ）および酸素（Ｏ）など）を添加してもよい。
【００８１】
表面層１２をアモルファス炭化シリコン（ａ−ＳｉＣ）系の堆積膜として形成する場合には、原料ガスとして、ＳｉＨ４（シランガス）などのシリコン（Ｓｉ）含有ガスおよびＣＨ４などのＣ含有ガスの混合ガスを供給する。原料ガスにおけるシリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）との組成比については、連続的あるいは間欠的に変化させてもよい。すなわち、Ｃの比率が高くなるほど成膜速度が遅くなる傾向があるため、表面層１２における光導電層１１ｂに近い部分についてはＣ比率が低くなるようにしつつ、自由表面側についてはＣ比率が高くなるように表面層１２を形成するようにしてもよい。例えば、表面層１２の光導電層１１ｂ側（界面側）においては、水素化アモルファスシリコンカーバイド（ａ−Ｓｉ１−ｘＣｘ：Ｈ）におけるｘ値（炭素比率）が０を超えて０．８未満の比較的シリコン（Ｓｉ）構成比の高い第１の炭化シリコン（ＳｉＣ）層を堆積した後、ｘ値（炭素比率）が０．９５以上１．０未満程度までＣ濃度を高くした第２の炭化シリコン（ＳｉＣ）層を堆積した２層構造であってもよい。
【００８２】
第１の炭化シリコン（ＳｉＣ）層は、その膜厚が、耐電圧、残留電位および膜強度などから決定され、通常０．１μｍ以上２μｍ以下、好適には０．２μｍ以上１μｍ以下、最適には０．３μｍ以上０．８μｍ以下とされる。第２の炭化シリコン（ＳｉＣ）層は、その膜厚が、耐電圧、残留電位、膜強度および寿命（耐摩耗性）等から決定され、通常０．０１μｍ以上２μｍ以下、好適には０．０２μｍ以上１μｍ以下、最適には０．０５μｍ以上０．８μｍ以下とされる。
【００８３】
表面層１２は、上述のようにａ−Ｃ層として形成することもできる。この場合、原料ガスとしては、Ｃ２Ｈ２（アセチレンガス）あるいはＣＨ４（メタンガス）などのＣ含有ガスが用いられる。また、表面層１２は、その膜厚が、通常０．１μｍ以上２μｍ以下、好適には０．２μｍ以上１μｍ以下、最適には０．３μｍ以上０．８μｍ以下とされる。
【００８４】
表面層１２をａ−Ｃ層として形成した場合には、Ｓｉ−Ｏ結合に比べてＣ−Ｏ結合の方が結合エネルギーが小さいため、表面層１２をアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）系材料で形成する場合に比べて、表面層１２の表面が酸化することをより確実に抑制できる。そのため、表面層１２をアモルファスカーボン（ａ−Ｃ）層として形成した場合には、印刷
時のコロナ放電により発生するオゾンなどによって表面層１２の表面が酸化されることが適切に抑制されるため、高温高湿環境下などでの画像流れの発生を抑制することができる。
【００８５】
円筒状基体１０に対する膜形成が終了した場合には、支持体３から円筒状基体１０を抜き取ることにより、図１に示した電子写真感光体１を得ることができる。そして、成膜後は、成膜残渣を取り除くため、真空反応室４内の各部材を分解し、酸、アルカリあるいはブラスト等の洗浄を行ない、次回の成膜時に欠陥不良となる発塵が無いようにウエットエッチングを行なう。また、ウエットエッチングに代えて、ハロゲン系（ＣｌＦ３、ＣＦ４、ＮＦ３、ＳｉＦ６またはこれらの混合ガス）のガスを用いてガスエッチングを行なうことも有効である。
【００８６】
このように堆積膜を形成した後に、表面層１２に検知領域１２ａを形成する。検知領域１２ａの形成は、ＣＯ２レーザ、ＹＡＧレーザ、ＵＶレーザあるいはエキシマレーザなどのレーザによって除去加工を行なうか、水酸化カリウム（ＫＯＨ）溶液あるいは水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）溶液などによってウェットエッチング除去加工で行なえる。
【００８７】
また、次のような方法でも検知領域１２ａは形成可能である。上述の表面層１２を所定厚みに形成した後に、支持体３から円筒状基体１０を抜き取り、所定の位置にポリイミドテープなどでマスキングを行ない、再び円筒状基体１０を支持した支持体３を真空反応室４にセットして、表面層１２をさらに堆積させる。その後、支持体３から円筒状基体１０を抜き取り、マスキングしたポリイミドなどを除去して検知領域１２ａが形成される。このように表面層１２を２回に分けて堆積させ、１回目に堆積させる厚みと２回目に堆積させる厚みとを制御して、検知領域１２ａに隣接する領域における表面層１２の厚みに対する検知領域１２における表面層１２の厚みの比を２０〜８０％となるように調整する。
【００８８】
（画像形成装置）
図３に示す画像形成装置は、画像形成方式としてカールソン法を採用したものであり、電子写真感光体１、帯電器１１１、露光器１１２、現像器１１３、転写器１１４、定着器１１５、クリーニング器１１６および除電器１１７を備えている。
【００８９】
帯電器１１１は、電子写真感光体１の表面を負極性に帯電する役割を担うものである。帯電電圧は、例えば２００Ｖ以上１０００Ｖ以下に設定される。本実施形態において帯電器１１１は、例えば芯金を導電性ゴムあるいはＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）によって被覆して構成される接触型帯電器が採用されているが、これに代えて、放電ワイヤを備える非接触型帯電器（例えばコロナ帯電器）を採用してもよい。
【００９０】
露光器１１２は、電子写真感光体１に静電潜像を形成する役割を担うものである。具体的には、露光器１１２は、画像信号に応じて特定波長（例えば６５０ｎｍ以上７８０ｎｍ以下）の露光光（例えばレーザ光）を電子写真感光体１に照射することによって、帯電状態にある電子写真感光体１の露光光照射部分の電位を減衰させて静電潜像を形成する。露光器１１２としては、例えば複数のＬＥＤ素子（波長：６８０ｎｍ）を配列させてなるＬＥＤヘッドを採用することができる。
【００９１】
もちろん、露光器１１２の光源としては、ＬＥＤ素子に代えてレーザ光を出射可能なものを使用することもできる。つまり、ＬＥＤヘッドなどの露光器１１２に代えて、ポリゴンミラーを含んでなる光学系を使用してもよい。あるいは、原稿からの反射光を通すレンズおよびミラーを含んでなる光学系を採用することによって、複写機の構成の画像形成装置とすることもできる。
【００９２】
現像器１１３は、電子写真感光体１の静電潜像を現像してトナー像を形成する役割を担うものである。本例における現像器１１３は、現像剤（トナー）Ｔを磁気的に保持する磁気ローラ１１３Ａを備えている。
【００９３】
現像剤Ｔは、電子写真感光体１の表面上に形成されるトナー像を構成するものであり、現像器１１３において摩擦帯電する。現像剤Ｔとしては、例えば、磁性キャリアおよび絶縁性トナーを含んでなる二成分系現像剤と、磁性トナーを含んでなる一成分系現像剤とが挙げられる。
【００９４】
磁気ローラ１１３Ａは、電子写真感光体１の表面（現像領域）に現像剤を搬送する役割を担うものである。磁気ローラ１１３Ａは、現像器１１３において摩擦帯電した現像剤Ｔを一定の穂長に調整された磁気ブラシの形で搬送する。この搬送された現像剤Ｔは、電子写真感光体１の現像領域において、静電潜像との静電引力によって電子写真感光体１の表面に付着してトナー像を形成する（静電潜像を可視化する）。トナー像の帯電極性は、正規現像によって画像形成が行なわれる場合には電子写真感光体１の表面の帯電極性と逆極性とされ、反転現像によって画像形成が行なわれる場合には電子写真感光体１の表面の帯電極性と同極性とされる。
【００９５】
なお、現像器１１３は、本例においては乾式現像方式を採用しているが、液体現像剤を用いた湿式現像方式を採用してもよい。
【００９６】
転写器１１４は、電子写真感光体１と転写器１１４との間の転写領域に供給された記録媒体Ｐに、電子写真感光体１のトナー像を転写する役割を担うものである。本例における転写器１１４は、転写用チャージャ１１４Ａおよび分離用チャージャ１１４Ｂを備えている。転写器１１４では、転写用チャージャ１１４Ａにおいて記録媒体Ｐの背面（非記録面）がトナー像とは逆極性に帯電され、この帯電電荷とトナー像との静電引力によって、記録媒体Ｐ上にトナー像が転写される。また、転写器１１４では、トナー像の転写と同時的に、分離用チャージャ１１４Ｂにおいて記録媒体Ｐの背面が交流帯電され、記録媒体Ｐが電子写真感光体１の表面から速やかに分離させられる。
【００９７】
転写器１１４としては、電子写真感光体１の回転に従動し、且つ、電子写真感光体１とは微小間隙（通常、０．５ｍｍ以下）を介して配置された転写ローラを用いることも可能である。この転写ローラは、例えば直流電源により、電子写真感光体１上のトナー像を記録媒体Ｐ上に引きつけるような転写電圧を印加するように構成される。転写ローラを用いる場合には、分離用チャージャ１１４Ｂのような転写分離装置は省略することもできる。
【００９８】
定着器１１５は、記録媒体Ｐに転写されたトナー像を記録媒体Ｐに定着させる役割を担うものであり、一対の定着ローラ１１５Ａ、１１５Ｂを備えている。定着ローラ１１５Ａ、１１５Ｂは、例えば金属ローラ上に四フッ化エチレンなどで表面被覆したものである。定着器１１５では、一対の定着ローラ１１５Ａ、１１５Ｂの間を通過させる記録媒体Ｐに対して熱および圧力などを作用させることによって、記録媒体Ｐにトナー像を定着させることができる。
【００９９】
クリーニング器１１６は、電子写真感光体１の表面に残存するトナーを除去する役割を担うものであり、クリーニングブレード１１６Ａを備えている。クリーニングブレード１１６Ａは、電子写真感光体１の表面から残留トナーを掻きとる役割を担うものである。クリーニングブレード１１６Ａは、例えばポリウレタン樹脂を主成分としたゴム材料で形成されている。
【０１００】
除電器１１７は、電子写真感光体１の表面電荷を除去する役割を担うものであり、特定
波長（例えば７８０ｎｍ以上）の光を出射可能とされている。除電器１１７は、例えばＬＥＤなどの光源によって電子写真感光体１の表面の軸方向全体を光照射することにより、電子写真感光体１の表面電荷（残余の静電潜像）を除去するように構成されている。
【０１０１】
本例の画像形成装置１００では、電子写真感光体１の有する上述の効果を奏することができる。
【０１０２】
以上、本例について説明したが、本発明は実施形態に示したものだけに限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で改良や変更ができることは言うまでもない。
【０１０３】
例えば、図４（ａ）、（ｂ）に示す第１変形例のように、検知領域１２ａは表面層１２の円周方向に沿って連続的に配置されているのが好ましい。このように配置することで、表面層１２の厚みに円周方向のばらつきがあったとしても、表面層１２の厚みが最も薄い部分に対応する検知領域１２ａにおける表面層１２の厚みが、画像むらなどの画像欠陥が発生する帯電能となる厚みに達することから、画像むらなどの画像欠陥が発生する前に電子写真感光体１の交換が行なえるので、結果として画像むらなどの画像欠陥の発生を防止することが可能になる。
【０１０４】
図４（ａ）に示す例では、複数の検知領域１２ａが表面層１２の円周方向に沿って連続的に配置されており、図４（ｂ）に示す例では、１つの検知領域１２ａが表面層１２の円周方向に沿って配置されており、いずれの変形例でも同様の効果を得ることができる。
【０１０５】
また、図５に示す第２変形例のように、複数種類の検知領域１２ａを有していてもよい（第１変形例の場合は検知領域１２ａ１，１２ａ２，１２ａ３の３種類）。図５は表面層１２を円筒状基体１０の軸方向に沿って切り開いた展開図である。そして、それぞれの検知領域１２ａ１，１２ａ２，１２ａ３における表面層１２の厚みを異ならせている。つまり、検知領域１２ａは複数種類のものからなっており、それぞれの種類の検知領域１２ａ１，１２ａ２，１２ａ３に隣接する領域における表面層１２の厚みに対するそれぞれの種類の検知領域１２ａ１，１２ａ２，１２ａ３における表面層１２の厚みの比がそれぞれ異なっている。このような構成とすることで、表面層１２の厚みの摩耗による減少度合いを段階的に検知することができ、不意に電子写真感光体１を交換しなければならないという事態を避けることができる。具体的には、検知領域１２ａ１における表面層１２の厚みを検知領域１２ａ１に隣接する領域における表面層１２の厚みに対して８０％の厚みとし、同様に検知領域１２ａ２における表面層１２の厚みを６０％の厚みとし、検知領域１２ａ３における表面層１２の厚みを４０％の厚みとする。
【０１０６】
なお、第２変形例では３種類の検知領域１２ａ１，１２ａ２，１２ａ３としたが、３種類に限定されず、種類の数はいくつであってもよい。
【０１０７】
さらに、図６に示す第３変形例のように、表面層１２が電荷を付与する帯電手段によって帯電する帯電領域を有しており、検知領域１２ａが円筒状基体１０の長さ方向における帯電領域の両端から２０ｍｍ以内の帯電領域内に配置されていてもよい。このような構成とすることで、検知領域１２ａにおける表面層１２の厚みが画像むらなどの画像欠陥が発生する帯電能となる厚みになり、記録媒体にその旨を通知する画像が描画されたとしても、画像品質に与える影響を抑えることができる。なぜならば、特徴的な画像は記録媒体の中心付近に配置されることが多いためである。
【符号の説明】
【０１０８】
１  電子写真感光体
１０  円筒状基体
１１  感光層
１１ａ  電荷注入阻止層
１１ｂ  光導電層
１２  表面層
１２ａ  検知領域
１００  画像形成装置
１１１  帯電器
１１２  露光器
１１３  現像器
１１４  転写器
１１５  定着器
１１６  クリーニング器
１１７  除電器
【図１】
2014071253.tif 000003
【図２】
2014071253.tif 000004
【図３】
2014071253.tif 000005
【図４】
2014071253.tif 000006
【図５】
2014071253.tif 000007
【図６】
2014071253.tif 000008