(57)【要約】【課題】レーザ加工時に発生するデブリスを排除し、レーザ加工を高効率に行うことの可能なレーザ加工装置を提供する。【解決手段】レーザ発振器３が発振したパルス光は集光レンズ５によって被加工物２に集光される。一対の電極６，７は、集光レンズ５と被加工物２との間の光路Ｌにスパークによる爆発エネルギを供給し、レーザ加工時に被加工物２から発生するデブリスを光路Ｌから排除する。これにより、レーザ発振器３から発振されたパルス光がデブリスに吸収されることなく被加工物２に照射される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物（２）に光を照射してレーザ加工を行うレーザ加工装置（１）において、
パルス光を発振するレーザ発振器（３）と、
前記レーザ発振器が発振した光を前記被加工物に集光する集光レンズ（５）と、
前記集光レンズと前記被加工物との間の光路（Ｌ）に集光またはスパークによるエネルギを供給し、レーザ加工時に前記被加工物から発生するデブリスを前記光路から排除する排除手段（６，７，８，１１，３０，３１，３２，３３）と、を備えることを特徴とするレーザ加工装置。
【請求項２】
前記排除手段（６，７，８，１１）は、前記集光レンズと前記被加工物との間の光路上またはその光路の周囲でスパークを発生させ、前記光路にスパークによる爆発エネルギを供給することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項３】
前記排除手段（３０，３１，３２，３３）は、前記集光レンズと前記被加工物との間の光路上またはその光路の周囲で集光し、前記光路に集光による爆発エネルギを供給することを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工装置。
【請求項４】
前記排除手段（３０，３１）は、
パルス光を発振する第２レーザ発振器（３０）と、
前記第２レーザ発振器から発振されたパルス光を前記レーザ発振器から発振された光の光路またはその周囲に集光する第２集光レンズ（３１）と、を有することを特徴とする請求項３に記載のレーザ加工装置。
【請求項５】
前記排除手段（３１，３２，３３）は、
前記レーザ発振器と前記集光レンズとの間で、前記レーザ発振器から発振された光の一部を透過し、残りの光を反射する分光ミラー（３２）と、
前記分光ミラーで反射した反射光を、前記分光ミラーを透過した光の光路に集光する第２集光レンズ（３１）と、
前記分光ミラーで反射した反射光が集光する位置に到達する時間を遅延することの可能な遅延手段（３３）と、を有することを特徴とする請求項３に記載のレーザ加工装置。
【請求項６】
前記レーザ発振器が発振するパルス光と、前記排除手段の集光またはスパークによるエネルギ供給とを同期させることの可能な制御手段（１２）を備えることを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
【請求項７】
前記制御手段は、
前記レーザ発振器がパルス光を照射していないとき、前記排除手段から前記レーザ発振器のパルス光の光路へ集光またはスパークによるエネルギを供給し、
前記レーザ発振器がパルス光を照射しているとき、前記排除手段から前記レーザ発振器のパルス光の光路への集光またはスパークによるエネルギ供給を停止することを特徴とする請求項６に記載のレーザ加工装置。
【請求項８】
前記レーザ発振器から照射された光を透過する透過部（１４）、および、前記被加工物側に向けて開口する開口部（１５）を有し、前記排除手段の集光またはスパークによるエネルギによって膨張した空気を貯留することの可能な気圧貯留手段（１３）を備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
【請求項９】
前記排除手段がスパークを生成し又は集光した後、前記排除手段によるスパーク位置または集光位置よりも光路から遠い位置にスパークによるエネルギを供給し、デブリスをさらに光路の外側へ移動することの可能な第２排除手段（１６，１７，２２，２５）を備えることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
【請求項１０】
前記被加工物に光が照射される位置の近傍に液体を流すデブリス回収手段（３６，３７）を備えることを特徴とする請求項１〜９のいずれか一項に記載のレーザ加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光を被加工物に照射し、微細溝または微細孔等の加工を行うレーザ加工装置が知られている。レーザ加工では、レーザ光を被加工物に照射したときのレーザアブレーションにより、被加工物から加工飛散物（以下「デブリス」という。）が発生する。
特許文献１に記載のレーザ加工装置は、被加工物にレーザ光が照射された加工点の周囲にアシストガスによる旋回流を発生させ、レーザ加工時に発生したデブリスをアシストガスとともにノズルに吸引している。このとき、比較的質量の大きい液状のデブリスは、遠心力により旋回流の外側へ移動し、レーザ光の光路から除外される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３３７９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、レーザ加工装置に使用するレーザ光のパルス幅を例えば１０ピコ秒以下の超短パルスとした場合、レーザ加工時に発生するデブリスが粒子の小さい粉状になり、高速で移動する。この場合、特許文献１に記載の技術では、デブリスが移動するエネルギに対し、デブリスを吸引するエアのエネルギが小さいので、ノズルにデブリスを吸引することが困難になる。ノズルに回収されなかったデブリスがレーザ光の光路上に存在すると、そのデブリスがレーザ光のエネルギを吸収し、加工効率が低下するという問題が生じる。
本発明は、上記問題に鑑みてなされたものであり、レーザ加工時に発生するデブリスを排除し、レーザ加工を高効率に行うことの可能なレーザ加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、レーザ発振器から発振された光を被加工物に照射して加工を行うレーザ加工装置において、集光レンズと被加工物との間の光路に集光またはスパークによるエネルギを供給し、レーザ加工時に被加工物から発生するデブリスを光路から排除することを特徴とする。
集光またはスパークによる爆発エネルギによって空気の膨張が生じ、光路からデブリスが排除される。これにより、レーザ発振器から発振された光がデブリスに吸収されることなく被加工物に照射される。したがって、レーザ発振器から発振される光のエネルギ損失が低減され、レーザ加工の加工効率を高めることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本発明の第１実施形態によるレーザ加工装置の構成図である。
【図２】レーザ発振器のパルス光と電極のスパークとの関係を示すグラフである。
【図３】本発明の第２実施形態によるレーザ加工装置の構成図である。
【図４】本発明の第３実施形態によるレーザ加工装置の構成図である。
【図５】図４のＶ方向から見た要部拡大図である。
【図６】本発明の第４実施形態によるレーザ加工装置の構成図である。
【図７】第１レーザ発振器のパルス光と第２レーザ発振器のパルス光との関係を示すグラフである。
【図８】本発明の第５実施形態によるレーザ加工装置の構成図である。
【図９】本発明の第６実施形態によるレーザ加工装置の構成図である。
【図１０】本発明の第７実施形態によるレーザ加工装置の構成図である。
【図１１】図１０のＸＩ−ＸＩ線の要部拡大図である。
【図１２】本発明の第８実施形態によるレーザ加工装置の構成図である。
【図１３】参考形態によるレーザ加工装置の構成図である。
【図１４】図１３のＸＩＶ−ＸＩＶ線の要部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
（第１実施形態）
本発明の第１実施形態を図１及び図２に示す。本実施形態によるレーザ加工装置１は、金属または半導体などの被加工物２にレーザ光を照射し、レーザアブレーションによって被加工物２に微細溝または微細孔の加工を行うものである。
【０００８】
図１に示すように、レーザ加工装置１は、レーザ発振器３、ミラー４、集光レンズ５、一対の電極６，７及びスイッチ８などを備えている。
レーザ発振器３は、パルス幅が１０ピコ秒以下の超短パルス光を発振するものである。レーザ発振器３が発振した光は、ミラー４に反射し、載置台９に設置された被加工物２に向けて照射される。
ミラー４と被加工物２との間に設けられた集光レンズ５は、レーザ発振器３が発振した光を被加工物２の加工点１０に集光する。被加工物２の加工点１０では、プラズマの発生とともに表面の構成物質が分子、原子、クラスタ等となって爆発的に放出される。これにより、被加工物２の加工点１０に、例えば直径数十〜数百μｍの微細溝または微細孔の加工が行われる。このレーザ加工時には、被加工物２の加工点１０から粒子の小さい粉状のデブリスが発生する。
【０００９】
１対の電極６，７は、集光レンズと被加工物２との間の光路上またはその光路の周囲でスパークするように設けられている。ここで「光路の周囲」とは、スパークによる爆発エネルギを光路に供給することの可能な範囲をいう。図１において、レーザ発振器３が発振したパルス光の光路を符号Ｌで示している。
電極６，７に電気的に接続されたスイッチ８がオンされると、電源１１から電極６，７に電圧が印加され、電極間にスパークが生じる。このスパークによる爆発エネルギ、即ち、空気の膨張及び衝撃力により、矢印Ａに示すように、光路からデブリスが排除される。電極間のスパークは、被加工物２の加工点１０の近傍で行われることが好ましい。
第１実施形態において、電極６，７、スイッチ８および電源１１は、特許請求の範囲に記載の「排除手段」を構成する。
【００１０】
制御手段１２は、コンピュータなどから構成され、レーザ発振器３のパルス光の照射と、電極６，７のスイッチ８のオンオフとが同期するように制御する。
図２に示すように、制御手段１２は、レーザ発振器３がパルス光を照射していないとき、電極６，７のスイッチ８をオンする。これにより、電極間にスパークが生じ、その爆発エネルギがパルス光の光路へ供給される。
一方、制御手段１２は、レーザ発振器３がパルス光を照射しているとき、電極６，７のスイッチ８をオフする。これにより、電極間のスパークが消滅する。
【００１１】
レーザ加工装置１による被加工物２の加工方法を説明する。
載置台９に被加工物２を設置し、レーザ発振器３からパルス光を発振する。そのパルス光は、ミラー４に反射し、集光レンズ５によって被加工物２の加工点１０に集光する。これにより、被加工物２の加工点１０にレーザ加工が行われると共に、その加工点１０からデブリスが飛散する。
【００１２】
レーザ発振器３がパルス光を照射していないとき、制御手段１２が電極６，７のスイッチ８をオンする。すると、電極間でスパークが生じ、その爆発エネルギにより、矢印Ａに示すように、光路からデブリスが排除される。
次にレーザ発振器３がパルス光を照射するとき、制御手段１２は、電極６，７のスイッチ８をオフする。このとき、パルス光の光路上にデブリスが存在することなく、パルス光は被加工物２に直接照射される。
レーザ発振器３からパルス光が断続的に被加工物２に照射され、被加工物２の加工点１０に微細溝または微細孔が形成される。
【００１３】
第１実施形態では、以下の作用効果を奏する。
（１）第１実施形態では、レーザ発振器３から発振されたパルス光の光路にスパークによる爆発エネルギを供給し、光路からデブリスを排除する。これにより、レーザ発振器３が発振した光がデブリスに吸収されることなく被加工物２に照射される。したがって、レーザ発振器３から被加工物２に照射される光のエネルギ損失が低減され、レーザ加工の加工効率を高めることができる。
【００１４】
（２）第１実施形態では、光路上またはその光路の周辺にスパークする一対の電極６，７を有する。これにより、スパークによる爆発エネルギ、即ち空気の膨張及び衝撃力を光路に供給することで、光路からデブリスを排除することができる。
【００１５】
（３）第１実施形態では、制御手段１２は、レーザ発振器３が発振するパルス光と、電極６，７のスイッチ８のオンオフとを同期させる。これにより、レーザ発振器３から照射されたパルス光が停止し、次のパルス光が照射されるまでの時間にスパークにより光路からデブリスが排除される。したがって、レーザ発振器３がパルス光を発振するとき、その光路上にデブリスが存在することなく、パルス光を被加工物２に高効率に照射することができる。
また、レーザ加工に用いるパルス光と、スパークとが緩衝することなく、レーザ加工の加工効率を高めることができる。
【００１６】
（第２実施形態）
本発明の第２実施形態を図３に示す。以下、複数の実施形態において上述した第１実施形態と実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
第２実施形態では、レーザ加工装置は気圧貯留手段としての容器１３を備えている。この容器１３は、集光レンズ５と被加工物２との間に設けられる。この容器１３は、レーザ発振器３から照射されたパルス光を透過することの可能な透過部１４を有する。また、容器１３は、被加工物２側に開口部１５が設けられている。容器１３は、開口部以外が密閉されており、その内側に高圧の空気を貯留することが可能である。
一対の電極６，７は、気圧貯留手段の開口部１５に取り付けられる。
【００１７】
第２実施形態においても、制御手段１２は、レーザ発振器３のパルス光の照射と、電極６，７のスイッチ８のオンオフとが同期するように制御する。
第２実施形態では、レーザ加工の開始時に、電極間で生じたスパークの爆発エネルギによって容器１３の内側の気圧が高くなる。この間に容器１３の内側に入るデブリスは、無視できる程度に少量である。
【００１８】
容器１３の内側の気圧が高くなると、スパークによる爆発エネルギによって発生した圧力は容器１３の内側から外側へ伝播する。そのため、被加工物２から発生したデブリスは、矢印Ｂに示すように、容器１３の内側と外側との圧力差により光路から排除される。
第２実施形態では、レーザ発振器３が発振するパルス光の光路上に容器１３を備えることで、容器１３の内側および外側において、光路上のデブリスを排除することが可能である。したがって、レーザ発振器３が発振するパルス光を被加工物２に高効率に照射することができる。
【００１９】
（第３実施形態）
本発明の第３実施形態を図４及び図５に示す。第３実施形態では、レーザ加工装置は、１対の電極を４組備えている。
集光レンズ５と被加工物２との間の光路上またはその光路の周囲でスパークするように設けられた１対の電極６，７を第１電極組６，７と称する。
光路から一方向へ遠ざかるように並べられた電極を、順に、第２電極組１６，１７、第３電極組１８，１９、第４電極組２０，２１と称する。
第１〜第４電極組には、それぞれに電源１１，２２，２３，２４およびスイッチ８，２５，２６，２７が接続されている。
第２電極組１６，１７と、その電源２２及びスイッチ２５は、特許請求の範囲に記載の「第２排除手段」を構成する。
制御手段１２は、レーザ発振器３のパルス光の照射と、第１〜第４電極組のスイッチのオンオフとが同期するように制御する。
【００２０】
レーザ加工時、レーザ発振器３から発振したパルス光は、被加工物２の加工点１０に集光する。このとき、制御手段１２は、第１電極組６，７のスイッチをオフする。
レーザ発振器３がパルス光を照射していないとき、制御手段１２は、第１電極組６，７のスイッチをオンする。すると、第１電極組６，７のスパークの爆発エネルギにより光路からデブリスが排除される。光路から排除されたデブリスは、第２電極組１６，１７よりも遠くへ移動する。
【００２１】
続いて制御手段１２は、第２電極組１６，１７のスイッチをオンする。すると、第２電極組１６，１７のスパークの爆発エネルギにより、光路から排除されたデブリスは、その位置からさらに遠くへ移動する。このようにして、制御手段１２が第３電極組１８，１９、第４電極組２０，２１のスイッチを順にオンすると、矢印Ｃに示すように、デブリスは光路から遠くへ移動する。
そのため、次にレーザ発振器３がパルス光を照射するとき、パルス光の光路上にデブリスが存在することなく、パルス光は被加工物２に直接照射される。
【００２２】
第３実施形態では、第１電極組６，７のスパークによって光路から排除されたデブリスは、第２〜第４電極組のスパークによって光路からさらに遠くに移動する。したがって、一旦光路から排除したデブリスが再び光路上に戻ることを防ぐことができる。
なお、第３実施形態において、レーザ加工装置は、電極組を２組以上備えていればよい。
また、第３実施形態の構成において、被加工物２を移動して被加工物２に線形の加工をする場合、その移動方向は矢印Ｄに示すように、第１電極組６，７から見て第２電極組１６，１７の反対側へ移動することが好ましい。
【００２３】
（第４実施形態）
本発明の第４実施形態を図６及び図７に示す。第４実施形態では、レーザ加工装置は、一対の電極及びスイッチを備えていない。その代り、レーザ加工装置は、第２レーザ発振器３０、第２集光レンズ３１及び遮蔽板２８などを備えている。
第４実施形態において、第２レーザ発振器３０及び第２集光レンズ３１は、特許請求の範囲に記載の「排除手段」を構成する。
なお、第４実施形態において、被加工物２にパルス光を照射するレーザ発振器３を第１レーザ発振器３と称する。
【００２４】
第２レーザ発振器３０が発振した光は、第２集光レンズ３１によって、第１レーザ発振器３が発振したパルス光の光路またはその光路の周囲で集光する。
ここで「光路の周囲」とは、集光による爆発エネルギを第１レーザ発振器３が発振したパルス光の光路に供給することの可能な範囲をいう。
第２レーザ発振器３０が発振した光が集光すると、その集光による爆発エネルギ、即ち、空気の膨張及び衝撃力により、矢印Ｅに示すように、第１レーザ発振器３が発振したパルス光の光路からデブリスが排除される。第２レーザ発振器３０が発振した光の集光は、被加工物２の加工点１０の近傍で行われることが好ましい。
なお、第２レーザ発振器３０が発振した光は、集光した後、遮蔽板２８に照射される。
【００２５】
制御手段１２は、第１レーザ発振器３のパルス光の照射と、第２レーザ発振器３０のパルス光の照射とが同期するように制御する。
図７に示すように、制御手段１２は、第１レーザ発振器３がパルス光を照射していないとき、第２レーザ発振器３０からパルス光を照射させる。これにより、第２レーザ発振器３０のパルス光の集光による爆発エネルギが、第１レーザ発振器３のパルス光の光路に供給される。
一方、制御手段１２は、第１レーザ発振器３がパルス光を照射しているとき、第２レーザ発振器３０のパルス光の照射を停止する。
【００２６】
（１）第４実施形態では、第１レーザ発振器３から発振されたパルス光の光路に、第２レーザ発振器３０のパルス光の集光による爆発エネルギを供給し、光路からデブリスを排除する。これにより、第１レーザ発振器３が発振した光がデブリスに吸収されることなく被加工物２に照射される。したがって、第１レーザ発振器３から被加工物２に照射される光のエネルギ損失が低減され、レーザ加工の加工効率を高めることができる。
【００２７】
（２）第４実施形態では、第１レーザ発振器３のパルス光の光路上またはその光路の周辺に、第２レーザ発振器３０のパルス光を集光する。これにより、集光による爆発エネルギを、第１レーザ発振器３のパルス光の光路に供給することで、その光路からデブリスを排除することができる。
【００２８】
（３）第４実施形態では、制御手段１２は、第１レーザ発振器３が発振するパルス光と、第２レーザ発振器３０が発振するパルス光とを同期させる。これにより、第１レーザ発振器３から発振されたパルス光が停止し、次のパルス光が発信されるまでの時間に光路からデブリスが排除される。したがって、第１レーザ発振器３がパルス光を照射するとき、その光路上にデブリスが存在することなく、パルス光を被加工物２に高効率に照射することができる。
【００２９】
（第５実施形態）
本発明の第５実施形態を図８に示す。第５実施形態では、レーザ加工装置は、分光ミラーとしてのビームサンプラー３２、第２集光レンズ３１及び遅延手段３３を備える。第５実施形態において、ビームサンプラー３２、第２集光レンズ３１及び遅延手段３３は、特許請求の範囲に記載の「排除手段」を構成する。
ビームサンプラー３２は、レーザ発振器３と集光レンズ５との間の光路に設けられ、レーザ発振器３が発振した光の一部を反射し、残りの光を透過する。図８において、ビームサンプラー３２が反射した光の光路を符号Ｌ２で示している。
ビームサンプラー３２で反射した反射光は、遅延手段３３を通過し、第２ミラー２９に反射し、コリメータ３４を経由した後、第２集光レンズ３１によって、ビームサンプラー３２を透過した光の光路上またはその光路の周囲で集光する。この反射光の集光による爆発エネルギ、即ち、空気の膨張及び衝撃力により、矢印Ｆに示すように、光路からデブリスが排除される。
【００３０】
遅延手段３３は、複数のミラーから構成され、光の移動距離を長くするものである。遅延手段３３は、ビームサンプラー３２で反射した反射光が集光する位置に到達するまでの時間を遅延する。このため、ビームサンプラー３２を透過したパルス光が被加工物２に照射されるとき、ビームサンプラー３２で反射した反射光は集光しない。一方、ビームサンプラー３２を透過したパルス光が被加工物２に照射されないとき、ビームサンプラー３２で反射した反射光が集光する。このタイミングは、第４実施形態の図７で示したものと同じである。
【００３１】
第５実施形態では、１個のレーザ発振器３により、レーザ加工とデブリスの排除が可能になる。さらに、第４実施形態で設置した２個のレーザ発振器を同期させるための制御手段１２を廃止することが可能になる。したがって、レーザ加工装置の製造コストを低減することができる。
【００３２】
（第６実施形態）
本発明の第６実施形態を図９に示す。第６実施形態では、レーザ加工装置は、気圧貯留手段としての容器１３を備えている。この容器１３は、レーザ発振器３からビームサンプラー３２を透過したパルス光を透過することの可能な第１透過部１４を有する。また、この容器１３は、レーザ発振器３からビームサンプラー３２で反射した反射光を透過することの可能な第２透過部３５を有する。容器１３は、被加工物２側に開口部１５が設けられており、開口部以外が密閉されている。
【００３３】
第６実施形態では、レーザ加工時に、ビームサンプラー３２で反射した反射光が第２透過部３５を透過し、容器１３の内側で集光する。そのため、この集光による爆発エネルギによって容器１３の内側の気圧が高くなる。
容器１３の内側の気圧が高くなると、集光による爆発エネルギによって発生した圧力は容器１３の内側から外側へ伝播する。そのため、被加工物２から発生したデブリスは、矢印Ｇに示すように、容器１３の内側と外側との圧力差により光路から排除される。
第６実施形態では、レーザ発振器３が発振するパルス光の光路上に容器１３を備えることで、容器１３の内側および外側において、光路上のデブリスを排除することが可能である。したがって、レーザ発振器３が発振し、ビームサンプラー３２を透過したパルス光を被加工物２に高効率に照射することができる。
【００３４】
（第７実施形態）
本発明の第７実施形態を図１０及び図１１に示す。第７実施形態では、レーザ加工装置は、デブリス回収手段としての水流発生器３６および水流回収器３７を備えている。
水流発生器３６は被加工物２の加工点１０の周りに水流３８をつくり、水流回収器３７は水流発生器３６の流した水を回収するものである。
【００３５】
図１１に示すように、水流発生器３６のつくる水流３８は、被加工物２を上から見て、２個の円弧状となる。この円弧状の水流３８の切れ間に電極６，７が設けられる。レーザ加工で発生したデブリスは、電極間のスパークによる爆発エネルギによって光路から排除される。このデブリスは、矢印Ｈのように移動し、水流発生器３６のつくる水流に入り込み、水流と共に水流回収器３７に回収される。
第７実施形態では、光路から排除されたデブリスを液体によって回収する。したがって、一旦光路から排除されたデブリスが再び光路上に戻ることを防ぐことができる。
なお、第７実施形態において、電極６，７によるスパークの代わりに、集光による爆発エネルギを用いてデブリスを光路から排除する構成としてもよい。
【００３６】
（第８実施形態）
本発明の第８実施形態を図１２に示す。第８実施形態では、レーザ加工装置は、針金のような棒状の被加工物３９にレーザ加工を行うものである。
この場合、水流発生器３６は、被加工物３９の加工点１０の集光レンズ５側から載置台９側に亘り水流３８をつくることが可能である。そのため、電極間のスパークによって光路から排除されたデブリスは、水流発生器３６のつくる水流３８によって確実に回収される。したがって、一旦光路から排除されたデブリスが再び光路上に戻ることを防ぐことができる。
【００３７】
（参考形態）
本発明の参考形態を図１３及び図１４に示す。参考形態では、レーザ加工装置は、水流発生器３６および水流回収器３７を備えているが、レーザ発振器３が発振するパルス光の光路にスパークまたは集光する手段を備えていない。水流発生器３６のつくる水流は、図１４に示すように、上から見て、加工点を囲む円形である。
この構成においても、レーザ加工によって被加工物３９から飛散したデブリスは、矢印Ｉのように移動し、水流発生器３６のつくる水流３８に回収される。そのため、レーザ発振器３が発振したパルス光の光路上に存在するデブリスの量を少なくすることが可能である。したがって、レーザ発振器３から被加工物３９に照射される光のエネルギ損失が低減され、レーザ加工の加工効率を高めることができる。
【００３８】
（他の実施形態）
上述した実施形態では、レーザ発振器３が発振したパルス光の光路上、またはその近傍の一カ所でスパーク、または集光を行うようにした。これに対し、他の実施形態では、パルス光の光路上の複数カ所、またはその近傍の複数カ所でスパーク、または集光を行うようにしても良い。また、レーザ発振器３のパルス光が照射されていない間に、複数回の放電又は集光を行うようにしてもよい。
【００３９】
上述した第３実施形態では、レーザ加工装置は、第２排除手段として複数組の電極を備えた。これに対し、他の実施形態では、レーザ加工装置は、第２排除手段として複数組の第２レーザ発振器３０及び第２集光レンズ３１を備えるように構成してもよい。
このように、本発明は、上記実施形態に限定されるものではなく、上記複数の実施形態を組み合わせることに加え、発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の形態で実施することができる。
【符号の説明】
【００４０】
１    ・・・レーザ加工装置
２    ・・・被加工物
３    ・・・レーザ発振器
５    ・・・集光レンズ
６，７・・・電極（排除手段）
８    ・・・スイッチ（排除手段）
１１  ・・・電源（排除手段）
３０  ・・・第２レーザ発振器（排除手段）
３１  ・・・第２集光レンズ（排除手段）
３２  ・・・ビームサンプラー（分光ミラー、排除手段）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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