(57)【要約】      （修正有）【課題】放出した光の収率が改善されたＬＥＤを提供する。【解決手段】ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５からなるＧａＮｐ−ｎ接合１を備えた発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、メタル層電極２がｐ型ＧａＮ層に沿って設けられ、メタル層電極は、付着層３によってｐ型ＧａＮ層に導電的に付着し、そしてｐ−ｎ接合が放出した光を反射するように設けられ、付着層は、ｐ型ＧａＮ層およびメタル層電極の両方に近接して両者の間に設けられ、ｐ−ｎ接合が放出した光の透過を許容するように設けられ、付着層は、遷移金属酸化物を含み、付着層は実質的に遷移金属酸化物で作成される。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｐ型ＧａＮ層（４）およびｎ型ＧａＮ層（５）からなるＧａＮ  ｐ−ｎ接合（１）を備えた発光ダイオード（ＬＥＤ）であって、
メタル層電極（２）がｐ型ＧａＮ層（４）に沿って設けられ、該メタル層電極（２）は、付着層（３）によってｐ型ＧａＮ層（４）に導電的に付着し、そしてｐ−ｎ接合（１）が放出した光を反射するように設けられ、
付着層（３）は、ｐ型ＧａＮ層（４）およびメタル層電極（２）の両方に近接して両者の間に設けられ、ｐ−ｎ接合（１）が放出した光の透過を許容するように設けられ、
付着層（３）は、遷移金属酸化物を含み、該付着層は実質的に遷移金属酸化物で作成されることを特徴とするＬＥＤ。
【請求項２】
遷移金属酸化物は、モリブデン酸化物、好ましくはＭｏＯ３、タングステン酸化物、好ましくはＷＯ３、バナジウム酸化物（Ｖ２Ｏ５）、ニッケル酸化物（ＮｉＯｘ）、レニウム酸化物（ＲｅＯ３）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯ２）のうち１つ又は２つ又はそれ以上を含み、より好ましくはモリブデン酸化物、好ましくはＭｏＯ３を含む請求項１記載のＬＥＤ。
【請求項３】
メタル電極は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）のうち１つ又は２つ又はそれ以上を含み、より好ましくはＡｇを含み、最も好ましくは実質的に銀（Ａｇ）で作成される請求項１または２記載のＬＥＤ。
【請求項４】
付着層の厚さは、５０ｎｍより小さく、好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍである請求項１〜３のいずれかに記載のＬＥＤ。
【請求項５】
ｎ型ＧａＮ層（５）は、ｐ型ＧａＮ層（４）の下方に延在し、
第１メタル電極層（２）がｐ型ＧａＮ層（４）と接触するのと同じｐ−ｎ接合（１）の側に、追加の第２メタル電極層（６）がｎ型ＧａＮ層（５）と電気的に接触している請求項１〜４のいずれかに記載のＬＥＤ。
【請求項６】
追加の第２付着層が、第２メタル電極層およびｎ型ＧａＮ層（５）の両方に近接し、両者の間に設けられる請求項５記載のＬＥＤ。
【請求項７】
請求項１〜６のいずれかに記載のＬＥＤを製造する方法。
【請求項８】
基板（７）の上に、ｐ型ＧａＮ層（１）およびｎ型ＧａＮ層（５）からなるＧａＮ  ｐ−ｎ接合（１）が作成され、ｎ型ＧａＮ層（５）はｐ型ＧａＮ層（４）の下方に延在し、第１メタル層電極（２）がｐ型ＧａＮ層（４）に沿って設けられ、第１メタル層電極（２）は、遷移金属酸化物を含む第１付着層（３）によってｐ型ＧａＮ層（４）に導電的に付着し、そしてｐ−ｎ接合（１）が放出した光をＬＥＤの発光側（８）へ反射するように設けられ、第１付着層（３）は、ｐ型ＧａＮ層（４）および第１メタル層電極（２）の両方に近接して両者の間に設けられ、ｐ−ｎ接合（１）が放出した光の透過を許容するように設けられ、第２メタル電極層（６）が、第１メタル層電極（２）がｐ型ＧａＮ層（４）と接触するのと同じｐ−ｎ接合（１）の側にｎ型ＧａＮ層（５）と導電的に接触し、その後、基板（７）はｐ−ｎ接合（１）の下方から少なくとも実質的に除去され、ｐ−ｎ接合（１）からＬＥＤの発光側（８）を通る光の透過を許容している請求項７記載の方法。
【請求項９】
基板（７）は、ＬＥＤの発光側（８）とは反対にある、第１メタル層電極（２）および第２メタル層電極（６）に沿ったＬＥＤの片側へ移される請求項８記載の方法。
【請求項１０】
ＬＥＤの発光側（８）は、粗面化される請求項８または９記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、第１請求項の前文に係るＬＥＤに関する。本開示はまた、本開示に係るＬＥＤの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
こうしたＬＥＤは、当業者に既に知られている。例えば、文献（"Suppression of Ag Agglomeration on Pt-capped ITO/Ag Reflectors for Vertical-type Light-Emitting Diodes", Tak JEONG, Sang Hern LEE, Hyung Haeng LEE, Seong Hun JEONG, Jung Geun JHIN and Jong Hyeob BAEK, Si-Hyun PARK, June Key LEE, Journal of the Korean Physical Society, Vol. 55, No. 4, October 2009, pp. 1615-1620）は、ｐ型ＧａＮ層およびｎ型ＧａＮ層のＧａＮ  ｐ−ｎ接合を備えた垂直型発光ダイオード（ＶＬＥＤ）を説明している。銀メタル層電極がｐ型ＧａＮ層に沿って設けられる。メタル層電極は、ｐ型ＧａＮ層への付着層によって導電的に付着している。メタル層電極は、ｐ−ｎ接合が放出した光を反射するように設けられる。付着層は、ｐ型ＧａＮ層と銀メタル層電極との間に設けられ、ｐ−ｎ接合が放出した光の透過を許容するように設けられる。この付着層は、透明導電性酸化物層（ＩＴＯ）の形態である。しかしながら、ＬＥＤが放出した光の収率(yield)はしばしば不充分である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
従って、本開示に係るＬＥＤの目的は、ＬＥＤが放出した光に対して、ＬＥＤの改善した収率を提示するＬＥＤを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
これは、第１請求項の特徴部に係るＬＥＤによって達成される。
【０００５】
さらに、付着層は、遷移金属酸化物（ＴＭＯ）を含む。
【０００６】
こうした付着層は、ＬＥＤの発光側への、接合が放出した光の改善した反射を提供し、その結果、ＬＥＤが発光した光の改善した収率が得られることが判明した。
【０００７】
例えば、実験は、モリブデン酸化物（ＭｏＯ３）の付着層を銀（Ａｇ）メタル層電極との組合せで用いることによって、接合が放出した光の反射が４５５ｎｍの波長を有する光では９４％までかなり残留できることを示しており、これは、４５５ｎｍの波長を有する光で付着層としてＩＴＯを用いて測定した７５％より高い。さらに驚くことに、モリブデン酸化物（ＭｏＯ３）付着層の厚さは、付着層の厚さで１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内では、メタル層電極および付着層の組合せが放出する光の反射を実質的に変更しないことが判明した。
【０００８】
何れの理論で束縛されるのを望むことなく、本発明者は、ＬＥＤが放出した光の収率の減少は、多分にＩＴＯ層およびメタル層電極の組合せの減少した反射によって生じていることを発見した。これは多分に、劣った透過率を有するＩＴＯによって生じ、接合が放出した光についてのＩＴＯによる増加した吸光度に起因する可能性によることも発明者によって判明した。
【０００９】
ＴＭＯ、特にＭｏＯ３のようなモリブデン酸化物が、ＩＴＯの透過率と比べて、４５５ｎｍの光の改善した透過率、例えば、８０％超の透過率を有し、一方、ＩＴＯを通過する４５５ｎｍの光の透過率は、約７５％に過ぎない。
【００１０】
さらにＴＭＯ、特にＭｏＯ３のようなモリブデン酸化物が、６ｅＶ超の増加した仕事関数を有するため（ＩＴＯの仕事関数（約４．６ｅＶ）と比べて、特にＭｏＯ３のようなモリブデン酸化物について）、メタル層電極とのコンタクト抵抗は減少し、ＬＥＤの特性をさらに改善する。
【００１１】
さらに、しばしば遷移金属、例えば、ＭｏＯ３のようなモリブデン酸化物が、インジウムよりも容易に入手できるため、本開示に係るＬＥＤの製造がより容易になる。
【００１２】
さらに、本開示に係るＬＥＤでの改善した結果は、驚くべきことが判明した。ＴＭＯの抵抗率は、通常、約１０２Ω・ｃｍ〜約１０１０Ω・ｃｍの範囲であり、一方、ＩＴＯのの抵抗率は、１０−５Ω・ｃｍ〜約１０−３Ω・ｃｍの範囲であり、メタル層電極とｐ型ＧａＮ層との間の良好な電気コンタクトが通常は望まれる。
【００１３】
ＴＭＯ、特にＭｏＯ３の幾つかの態様、例えば、これらの仕事関数、４５５ｎｍの光についてこれらの透過率特性、これらの導電性は先行技術に既に記載されているが、上述したように、メタル層電極との組合せで４５５ｎｍの光の反射率の特有の増加、特に、ｐ−ｎ接合が放出した光について上述したように、ＴＭＯを含む付着層およびメタル層電極の組合せの反射率の非依存性は、先行技術には記載されていない。
【００１４】
本開示の好ましい実施形態によれば、遷移金属酸化物は、モリブデン酸化物、好ましくはＭｏＯ３、タングステン酸化物、好ましくはＷＯ３、バナジウム酸化物（Ｖ２Ｏ５）、ニッケル酸化物（ＮｉＯｘ）、レニウム酸化物（ＲｅＯ３）、ルテニウム酸化物（ＲｕＯ２）のうち１つ又は２つ又はそれ以上を含み、より好ましくはモリブデン酸化物、好ましくはＭｏＯ３を含む。
【００１５】
本開示の好ましい実施形態によれば、メタル電極は、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ニッケル（Ｎｉ）、プラチナ（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニオブ（Ｎｂ）、タンタル（Ｔａ）、チタン（Ｔｉ）、金（Ａｕ）、ルテニウム（Ｒｕ）のうち１つ又は２つ又はそれ以上を含み、より好ましくはＡｇを含み、最も好ましくは実質的に銀（Ａｇ）で作成される。
【００１６】
本開示のより好ましい実施形態によれば、メタル電極は、実質的に銀（Ａｇ）で作成され、遷移金属酸化物はＭｏＯ３を含む。
【００１７】
本開示によれば、付着層は、実質的に遷移金属酸化物で作成され、または遷移金属酸化物で作成される。
【００１８】
本開示のより好ましい実施形態によれば、付着層の厚さは、５０ｎｍより小さく、好ましくは１ｎｍ〜１０ｎｍ、より好ましくは１ｎｍ〜５ｎｍである。
【００１９】
本開示に係るより好ましい実施形態によれば、ｎ型ＧａＮ層は、ｐ型ＧａＮ層の下方に延在し、より好ましくは、追加の第２電極層、例えば、メタル電極層が、第１メタル電極層がｐ型ＧａＮ層と接触するのと同じｐ−ｎ接合１の側にｎ型ＧａＮ層と電気的に接触し、こうした構成では、追加の第２電極層は、ＬＥＤの発光側とは反対にあるｐ−ｎ接合の側に位置決めされる。こうした構成において、追加の第２電極層は、第１メタル電極層とは反対にｐ−ｎ接合に沿って位置決めされておらず、これにより接合の少なくとも一部の閉塞、およびＬＥＤが放出する光の量の減少を回避している。
【００２０】
本開示に係るより好ましい実施形態によれば、追加の第２付着層が、第２メタル電極層およびｎ型ＧａＮ層の両方に近接し、両者の間に設けられる。
【００２１】
本開示はまた、本開示に係るＬＥＤを製作する方法に関する。
【００２２】
本開示に係る方法の好ましい実施形態によれば、基板の上に、ｐ型ＧａＮ層およびｎ型ＧａＮ層からなるＧａＮ  ｐ−ｎ接合が作成され、ｎ型ＧａＮ層はｐ型ＧａＮ層の下方に延在し、第１メタル層電極がｐ型ＧａＮ層に沿って設けられ、第１メタル層電極は、遷移金属酸化物を含む第１付着層によってｐ型ＧａＮ層に導電的に付着し、そしてｐ−ｎ接合が放出した光をＬＥＤの発光側へ反射するように設けられ、第１付着層は、ｐ型ＧａＮ層および第１メタル層電極の両方に近接して両者の間に設けられ、ｐ−ｎ接合が放出した光の透過を許容するように設けられ、第２電極層、好ましくは第２メタル電極層が、第１メタル層電極がｐ型ＧａＮ層と接触するのと同じｐ−ｎ接合の側にｎ型ＧａＮ層と導電的に接触し、その後、基板はｐ−ｎ接合の下方から少なくとも実質的に除去され、ｐ−ｎ接合からＬＥＤの発光側を通る光の透過を許容している。
【００２３】
本開示の好ましい実施形態によれば、基板は、ＬＥＤの発光側とは反対にある、第１メタル層電極および第２メタル層電極に沿ったＬＥＤの片側へ移される。
【００２４】
本開示の好ましい実施形態によれば、ＬＥＤの発光側は粗面化され、こうした粗面化した表面は、ＬＥＤの発光側での光出力を改善することが判明した。
【００２５】
本開示は、下記の説明および添付図面を用いてさらに明らかになるであろう。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１ａ〜図１ｒは、本開示に係る方法の一実施形態を示す。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
下記の詳細な説明において、多数の具体的な詳細について説明し、本開示の完全な理解および特定の実施形態でどのように実施できるかを提供している。しかしながら、本開示は、これらの具体的な詳細なしで実施できることは理解されよう。別の例では、本開示を曖昧にしないために、周知の方法、手順、および技法は詳細には示していない。本開示は、特定の実施形態に関して一定の図面を参照して説明するが、本開示はこれに限定されない。ここで含まれ記載した図面は、概略的であり、本開示の範囲を限定するものでない。図面において、幾つかの要素のサイズは、説明目的のために誇張したり、縮尺どおり描写していないことがあることに留意する。
【００２８】
本開示は、特定の実施形態に関して一定の図面を参照して説明するが、本開示はこれに限定されず、請求項によってのみ限定される。記載した図面は、概略的かつ非限定的なものに過ぎない。図面において、幾つかの要素のサイズは、説明目的のために誇張したり、縮尺どおり描写していないことがある。寸法および相対寸法は、必ずしも本発明の実際の具体化に対応していない。
【００２９】
さらに、説明および請求項での用語「第１」「第２」「第３」などは、類似の要素を区別するために使用しており、必ずしも順次的または時間的な順番を記述するためではない。用語は、適切な状況下で交換可能であり、ここで本開示の実施形態は、ここで説明したり図示したものとは別の順番で動作可能である。
【００３０】
さらに、説明および請求項での用語「上(top)」、「下(bottom)」、「の上に(over)」、「の下に(under)」等は、説明目的で使用しており、必ずしも相対的な位置を記述するためのものでない。こうして用いた用語は、適切な状況下で交換可能であって、ここで説明した本開示の実施形態がここで説明または図示した以外の他の向きで動作可能であると理解すべきである。
【００３１】
用語「備える、含む(comprising)」は、それ以降に列挙された手段に限定されるものと解釈すべきでなく、他の要素またはステップを除外していないことに留意する。記述した特徴、整数、ステップまたは構成要素の存在を、参照したように特定するように解釈する必要があるが、１つ又はそれ以上の他の特徴、整数、ステップまたは構成要素、あるいはこれらのグループの存在または追加を除外していない。こうして表現「手段Ａ，Ｂを備えるデバイス」の範囲は、構成要素Ａ，Ｂのみから成るデバイスに限定すべきでない。
【００３２】
図１ａ〜図１ｒは、本開示に係る方法の好ましい実施形態を示す。図は、基板７、好ましくはＳｉ基板の上に、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５からなるＧａＮ  ｐ−ｎ接合１がどのように作成されるかを示しており、ｎ型ＧａＮ層５はｐ型ＧａＮ層４の下方に延在し、第１メタル層電極２がｐ型ＧａＮ層４に沿って設けられ、第１メタル層電極２は、遷移金属酸化物を含む第１付着層３によってｐ型ＧａＮ層４に導電的に付着し、そしてｐ−ｎ接合１が放出した光をＬＥＤの発光側８へ反射するように設けられ、第１付着層３は、ｐ型ＧａＮ層４および第１メタル層電極２の両方に近接して両者の間に設けられ、ｐ−ｎ接合１が放出した光の透過を許容するように設けられ、第２電極層６、好ましくは第２メタル電極層６が、第１メタル層電極２がｐ型ＧａＮ層４と接触するのと同じｐ−ｎ接合１の側にｎ型ＧａＮ層５と導電的に接触し、その後、基板７はｐ−ｎ接合１の下方から少なくとも実質的に除去され、ｐ−ｎ接合１からＬＥＤの発光側８を通る光の透過を許容している。
【００３３】
図１ａにおいて、基板７、好ましくはＳｉ基板の上に、ｐ型ＧａＮ層４およびｎ型ＧａＮ層５からなるＧａＮ  ｐ−ｎ接合１が作成されている。判るように、ｐ型ＧａＮ層４はｎ型ＧａＮ層５の上に位置決めされる。こうしたＧａＮ  ｐ−ｎ接合１は、例えば、有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によって成長される。しかしながら、これは本開示にとって決定的ではなく、任意のタイプの応用方法が当業者にとって適切なものとみなされ、使用可能である。
【００３４】
好ましくは、マグネシウムドーパントが用いられる。しかしながら、これは本発明にとって決定的ではなく、任意のタイプのドーパントが当業者にとって適切なものとみなされ、使用可能である。例えば、ドーパントは、Ｎ２中で１０分間、７５０℃のアニールを用いて活性化される。
【００３５】
図１ｂ〜図１ｄにおいて、好ましい実施形態が示されており、レジスト１４がｐ−ｎ接合１のｐ型ＧａＮ層４に付与される。続いて、ｐ−ｎ接合１の一部、即ち、レジスト１４の隣り、好ましくは、接合１のｎ型層を露出し、レジスト１４で覆われていない層が除去される。その結果は、図１ｃに示すように、ｎ型ＧａＮ層５は、ｐ型ＧａＮ層４の下方に延在している。続いて、図１ｄに示すように、レジスト１４は除去され、接合１のｐ型層４を再び露出させる。
【００３６】
図１ｅ〜図１ｆは、第２メタル電極層６を付与するための好ましい実施形態を示す。図１ｄに続いて、図１ｅにおいてレジスト１５がｐ−ｎ接合１の上に、第２メタル電極層１６のための開口が残るように付与され、続いて、図１ｆに示すように、レジスト１５は除去され、第２、好ましくはメタルの電極層６が残るようにする。第２メタル電極層６は、ｎ型層５に直接付与することが可能であるが、追加の第２付着層を第２メタル電極層およびｎ型ＧａＮ層５の両方に近接して両者の間に設けることが可能である。さらに、例えば、第２メタル電極６を付与する前に、第２付着層がｎ型層５に付与される。
【００３７】
図１ｇ〜図１ｈは、第１メタル電極２および付着層３を付与するための好ましい実施形態を示す。図１ｆに続いて、図１ｈにおいてレジスト１６がｐ−ｎ接合１の上に、付着層３およびその上の第１メタル層電極２のための開口が残るように付与され、続いて、図１ｈに示すように、レジスト１６は除去され、第１メタル電極２がその下方の付着層３とともに残るようにする。付着層３のための好ましい材料の１つとして、ＭｏＯ３は水溶性であり、レジスト１６を除去することは、付着層３がＭｏＯ３または他の水溶性材料を含む場合、好ましくは水を必要としない。
【００３８】
図１ｉ〜図１ｎは、ｐ−ｎ接合１からＬＥＤの発光側８を通る光の通過を許容するように、ｐ−ｎ接合１の下方から少なくとも実質的に基板７を除去する前の更なる好ましいステップを示す。
【００３９】
図１ｉは、酸化物１３、例えば、ＳｉＯ２が好ましくは、ｐ−ｎ接合１、第１メタル電極２および第２メタル電極６の上に付与され、例えば、環境からのＬＥＤの電気絶縁を改善するようにする。
【００４０】
図１ｊ〜図１ｍは、第１メタル電極２および第２メタル電極６との電気コンタクト１１，１２を製作する好ましい実施形態を示す。特に、図１ｊは、酸化物１３の一部を除去する前のレジスト１７の付与を示すもので、そして、図１ｋに示すように、開口を形成し、図１ｌに示すように、電気コンタクト１１，１２を付与する。最後に図１ｍにおいて、得られた構造を酸化物、好ましくはＳｉＯ２を用いて再び被覆する好ましいステップを示している。電気コンタクト１１，１２は、例えば、ＴｉＷ／Ａｕ／ＴｉＷを含み、本発明にとって決定的ではなく、導電性のメタルなどを含んでもよい。
【００４１】
図１ｎは、第２キャリア９、例えば、ＳｉキャリアがＬＥＤ、好ましくは、図１ｍに示すようなＬＥＤの上部に付与されることを示す。好ましくは、さらに、第２キャリア９をＬＥＤ、例えば、図１ｍのＬＥＤに結合するためのボンディング材料が使用される。ボンディング材料１０は、例えば、ＬＥＤの上部および、ＬＥＤに面する第２キャリア９の底部の両方に付与される。ボンディング材料１０は、例えば、ＴｉＷ（１２ｎｍ）／Ａｕ（１７０ｎｍ）／Ｉｎ（８０００ｎｍ）層を含み、またはそれである。続いて、第２キャリア９およびＬＥＤは、例えば、いわゆるＦＣ６（フリップチップ）Ｋａｒｌ  Ｓｕｓｓ  ｂｏｎｄｅｒを用いて互いに接合される。
【００４２】
図１ｏは、好ましい得られたＬＥＤを示す。図１ｏと図１ｐは、第１初期基板７の好ましい除去を示し、基板７は、ＬＥＤの発光側８とは反対にある、第１メタル層電極２および第２メタル層電極６に沿ったＬＥＤの片側へ移される。図１ｏは、例えば、化学機械研磨（ＣＭＰ）を用いて、第１基板７をある深さまで研磨する好ましいステップを示す。但し、例えば、得られたＬＥＤをガラスキャリアプレートに接着した後、他の手法も可能である。基板７は、約２０μｍ直径の粒子を持つＡｌ２Ｏ３をベースとしたスラリーを用いて、例えば、１．１５ｍｍから１００μｍに薄くする。但し、他の手法、例えば、ＣＭＰ法も可能である。続いて、第１基板７の最終除去は、例えば、エッチング手法、例えば、ＳＦ６ドライエッチング手法、そして好ましくはウェットエッチング手法、より効率的であると判るように、より好ましくは（３：４：５）（ＨＦ：ＨＮＯ３：ＣＨ３ＣＯＯＨ）をベースとしたものを用いて行われる。但し、他の手法も可能である。しかしながら、図１ｏに示すステップは省略可能であり、第１初期基板７全体が例えば、単一の手法、例えば、エッチングを用いて除去可能である。
【００４３】
図１ｑにおいて、ＬＥＤの発光側８は、好ましくは、例えば、エッチング手法を用いて、例えば、ウェットエッチング手法を用いて、例えば、ＫＯＨをベースとして粗面化されることを示している。但し、他の手法、例えば、ドライエッチング手法、例えば、Ｃｌ２をベースとしたものが可能である。
【００４４】
図１ｒにおいて、ＬＥＤを追加の電気コンタクトと電気接続するために、好ましいパッド開口１８が電気コンタクト１１，１２に向けて作成されことを示している。パッド開口１８は、例えば、エッチング、例えば、ドライエッチング、例えば、Ｃｌ２をベースとしたものを用いて生成できる。但し、他の手法も使用できる。
【００４５】
前層上部への層の付与、例えば、第１メタル層電極２、第２メタル層電極６、付着層３、電気コンタクト１１，１２、ボンディング材料１０などの付与では、例えば、物理的気相成長法、溶解ベースの手法（ゾル−ゲル法、ナノ粒子）、スパッタ堆積、パルスレーザ堆積、電子ビーム堆積、物理的気相成長法、化学的気相成長法、原子層堆積など、任意のタイプの方法が使用できる。代替として、付着層３は、例えば、遷移金属層をｐ型層４の上に付与し、続いて遷移金属層を酸化して、例えば、ＴＭＯ層、即ち、付着層３を形成することによって形成できる。
【図１】
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【外国語明細書】
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