(57)【要約】【課題】同時露光を必要としない方法で、透明導電性積層体の両面に透明電極パターンを精度良く容易に形成できる透明導電性積層体の製造方法を提供する。【解決手段】透明導電性積層体の製造方法は、透明基板１と、透明基板１の一方の面に積層された第１の透明電極パターン３１ａと、透明基板１の他方の面に積層された透明導電層３ｂとを有する積層体を形成する工程と、透明導電層３ｂを第２の透明電極パターン３１ｂに加工する際に、積層体において第１の透明電極パターン３１ａが形成された位置に基づいて調節した位置に、第２の透明電極パターン３１ｂを形成する工程とを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と、前記透明基板の一方の面に積層された第１の透明電極パターンと、前記透明基板の他方の面に積層された透明導電層とを有する積層体を形成する工程と、
前記透明導電層を第２の透明電極パターンに加工する際に、前記積層体において前記第１の透明電極パターンが形成された位置に基づいて調節した位置に、前記第２の透明電極パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
【請求項２】
前記積層体を形成する工程は、
第１の透明基板の一方の面に少なくとも第１の透明導電層を形成する工程と、
前記第１の透明導電層を前記第１の透明電極パターンに加工する工程と、
第２の透明基板の一方の面に少なくとも第２の透明導電層を形成する工程と、
前記第１の透明基板の他方の面と前記第２の透明基板の他方の面を貼り合わせる工程とを含むことを特徴とする請求項１に記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項３】
透明基板の一方の面に第１の透明導電層を積層し、前記透明基板の他方の面に第２の透明導電層を積層する工程と、
前記第１の透明導電層の表面に第１のレジストを積層する工程と、
前記第１のレジストに対して露光と現像を順番に行った後に、前記第１のレジストに覆われていない前記第１の透明導電層をエッチングすることにより、第１の透明電極パターンを形成する工程と、
前記第２の透明導電層の表面に第２のレジストを積層する工程と、
前記透明基板において前記第１の透明電極パターンが形成された位置に基づいて、前記第２のレジストにおいて露光によって感光させる予定の位置を調整して、前記第２のレジストに対して露光と現像を順番に行った後に、前記第２のレジストに覆われていない前記第２の透明導電層をエッチングすることにより、第２の透明電極パターンを形成する工程と、
前記第１の透明電極パターン上の前記第１のレジストのパターンを剥離する工程と、
前記第２の透明電極パターン上の前記第２のレジストのパターンを剥離する工程とを備えていることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法。
【請求項４】
前記透明導電層が、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、導電ポリマー、グラフェン、カーボンナノチューブ、またはナノ銀のいずれかを含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１つに記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項５】
前記透明導電層が、酸化インジウムスズを含むことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１つに記載の透明導電性積層体の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れか１つに記載された製造方法で製造された透明導電性積層体を用いた電子機器。
【請求項７】
請求項１乃至５の何れか１つに記載された製造方法で製造された透明導電性積層体を用いた静電容量式タッチパネル。
【請求項８】
透明基板に透明導電層を積層する積層手段と、
前記透明導電層を透明電極パターンに加工するパターン化手段と、
前記積層手段および前記パターン化手段によって形成された積層体であって、前記透明基板の一方の面に第１の透明電極パターンが積層されて前記透明基板の他方の面に透明導電層が積層された積層体の前記透明導電層を第２の透明電極パターンに加工する際に、前記積層体において前記第１の透明導電パターンが形成された位置に基づいて、前記パターン化手段によって前記第２の透明電極パターンを形成する位置の調節を行う手段とを備えることを特徴とする透明導電性積層体の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、透明導電性積層体の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年は、スマートフォンやタブレットＰＣなど、携帯型の電子機器が普及してきている。操作者が画面に触れて操作をする種類のものが多く、このような種類のものは、操作に馴染み易いため人気がある。それらの多くに入力装置として、静電容量式タッチパネルが、液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）などの画像表示装置の表示部上に配置されている。タッチパネルは、タッチパッドやタッチスクリーン、ポインティングディバイスなどとも言われるが、操作者が画面の表面を触る事で装置への入力操作を行う入力装置の役割を果たす。タッチパネルには、代表的なものとして、静電容量式、抵抗膜式、光学式や超音波式などの方式がある。静電容量式は、タッチパネルに指などが近づく事により、検出器の電気的な変化から入力位置を特定する方式である。以前は、タッチパネルが押された位置の内部で接触する電極から、操作者が押した入力位置を特定する抵抗膜式が主流であった。現在でも、携帯用端末、携帯ゲーム機などにも使用されているが、これらの機器に静電容量式タッチパネルが使用されていく可能性は高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特許４６８３１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
静電容量式タッチパネルでは、２層の透明電極パターンが距離をおいて形成されている。静電容量式タッチパネルとしては、１枚の透明基板の両面に透明電極パターンがそれぞれ形成されたタイプ、または、片面に透明電極パターンが形成された２枚の透明基板を貼り合せたタイプが一般的である。
【０００５】
静電容量式タッチパネルでは、第１の透明電極パターンの位置と、その反対側に位置する第２の透明電極パターンとの位置関係に高い精度が求められる。特に、２枚の透明基板を貼り合わせるタイプでは、それぞれの透明電極パターンの位置関係には、数〜数十ミクロン程度の精度が求められる。
【０００６】
透明基板がフィルムの場合、透明電極パターンを形成した透明基板は、ロール状で用意することが出来る。透明電極パターンは、フォトリソグラフィ法などを用い、一般的にバッチ処理で形成する。しかしながら、バッチ毎にわずかな位置のズレが生じる。その為、ロール状の透明基板同士を単純に貼り合わせるのでは、精度を確保することが困難であり、シート状に断裁した透明基板同士を、透明電極パターンの位置を調整しながら貼り合わせるのが一般的である。
【０００７】
特許文献１では、透明電極パターンを形成する前の透明基板同士を粘着層で貼り合わせ、その後に、フォトリソグラフィ法により両面を同時に露光し、エッチングにより透明電極パターンを形成している。この場合、露光する際に反対面のレジストが感光しないように、透明基板もしくは粘着層に光を吸収させる必要がある。
【０００８】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、同時露光を必要としない方法で、透明導電性積層体の両面に透明電極パターンを精度良く容易に形成できる透明導電性積層体の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明のうち、第１の発明は、次の特徴を持つ。
【００１０】
第１の発明は、透明基板と、透明基板の一方の面に積層された第１の透明電極パターンと、透明基板の他方の面に積層された透明導電層とを有する積層体を形成する工程と、透明導電層を第２の透明電極パターンに加工する際に、積層体において第１の透明電極パターンが形成された位置に基づいて調節した位置に、第２の透明電極パターンを形成する工程とを含むことを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。
【００１１】
上記目的を達成するために、本発明のうち、第２の発明は、次の特徴を持つ。
【００１２】
第２の発明は、第１の発明において、積層体を形成する工程は、第１の透明基板の一方の面に少なくとも第１の透明導電層を形成する工程と、第１の透明導電層を第１の透明電極パターンに加工する工程と、第２の透明基板の一方の面に少なくとも第２の透明導電層を形成する工程と、第１の透明基板の他方の面と第２の透明基板の他方の面を貼り合わせる工程とを含むことを特徴とする。
【００１３】
次に、本発明のうち、第３の発明は、次の特徴を持つ。
【００１４】
第３の発明は、透明基板の一方の面に第１の透明導電層を積層し、透明基板の他方の面に第２の透明導電層を積層する工程と、第１の透明導電層の表面に第１のレジストを積層する工程と、第１のレジストに対して露光と現像を順番に行った後に、第１のレジストに覆われていない第１の透明導電層をエッチングすることにより、第１の透明電極パターンを形成する工程と、第２の透明導電層の表面に第２のレジストを積層する工程と、透明基板において第１の透明電極パターンが形成された位置に基づいて、第２のレジストにおいて露光によって感光させる予定の位置を調整して、第２のレジストに対して露光と現像を順番に行った後に、第２のレジストに覆われていない第２の透明導電層をエッチングすることにより、第２の透明電極パターンを形成する工程と、第１の透明電極パターン上の第１のレジストを剥離する工程と、第２の透明電極パターン上の第２のレジストを剥離する工程とを備えていることを特徴とする透明導電性積層体の製造方法である。
【００１５】
次に、本発明のうち、第４の発明は、第１乃至第３の何れか１つの発明において、透明導電層が、酸化インジウムスズ、酸化亜鉛、導電ポリマー、グラフェン、カーボンナノチューブ、またはナノ銀のいずれかを含むことを特徴とする。
【００１６】
次に、本発明のうち、第５の発明は、第１乃至第３の何れか１つの発明において、透明導電層が酸化インジウムスズを含むことを特徴とする。
【００１７】
次に、本発明のうち、第６の発明は、第１乃至第５の何れか１つの発明の製造方法で製造された透明導電性積層体を用いたことを特徴とする電子機器である。
【００１８】
次に、本発明のうち、第７の発明は、第１乃至第５の何れか１つの発明の製造方法で製造された透明導電性積層体を用いたことを特徴とする静電容量式タッチパネルである。
【００１９】
次に、本発明のうち、第８の発明は、透明基板に透明導電層を積層する積層手段と、透明導電層を透明電極パターンに加工するパターン化手段と、積層手段およびパターン化手段によって形成された積層体であって、透明基板の一方の面に第１の透明電極パターンが積層されて透明基板の他方の面に透明導電層が積層された積層体の透明導電層を第２の透明電極パターンに加工する際に、積層体において第１の透明導電パターンが形成された位置に基づいて、パターン化手段によって第２の透明電極パターンを形成する位置の調節を行う手段とを備えることを特徴とする透明導電性積層体の製造装置である。
【発明の効果】
【００２０】
本発明では、既に形成した第１の透明電極パターンを認識して位置調整を行うため、第１の透明電極パターンに対して、第２の透明電極パターンを高い位置精度で形成することが出来る。
【００２１】
さらに、本発明では、例えば第２の透明電極パターンを形成するための露光を行う前に、既に第１の透明電極パターンが形成されている。つまり、透明導電層から第１の透明電極パターンを形成する過程で、第１の透明電極パターンがない領域のレジストが除去されている。ここで、レジストがある場合は、第２の透明電極パターンを形成するためのレジストを露光する際に、第１の透明電極パターンの周りのレジストが感光しないように、透明基板（もしくは、２枚の透明基板を粘着層で貼り合せる場合は、透明基板又は粘着層）が光を吸収する必要がある。それに対して、本発明では、第１の透明電極パターンの周りのレジストは除去されている為、その必要が無い。そのため、同時露光を必要としない方法で、透明導電性積層体の両面に透明電極パターンを精度良く容易に形成できる透明導電性積層体の製造方法を提供することができる。
【００２２】
また、本発明では、両面に透明電極パターンが形成された透明基板をロール状で作製することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施形態における透明導電性積層体の製造過程を示す断面図
【図２】本発明の一実施形態における透明導電性積層体において、第１の透明電極パターンと第２の透明電極パターンの位置関係の一例を示す図
【図３】第２の透明電極パターンを形成する工程において、露光マスクの位置を調節している途中の状態を示す図
【図４】透明導電性積層体の製造装置の概略構成図
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明に係る一実施形態（以下、「本実施形態」と記載する）について、図面を参照しつつ説明する。本実施形態は本発明の一例である。
【００２５】
（透明導電性積層体の構成）
ここで、図１は、本実施形態における透明導電性積層体の製造過程を示す断面図である。この製造過程を経て製造された透明導電性積層体１０（図１の右下）は、透明基板１と、第１の光学調整層２ａと、第２の光学調整層２ｂと、第１の透明電極パターン３１ａと、第２の透明電極パターン３１ｂとを備えている。透明基板１の一方の面には、第１の光学調整層２ａと、第１の透明電極パターン３１ａとがこの順番で積層されている。透明基板１の他方の面には、第２の光学調整層２ｂと、第２の透明電極パターン３１ｂとがこの順番で積層されている。第１の透明電極パターン３１ａは、第１の透明導電層３ａを加工することで形成されている。第２の透明電極パターン３１ｂは、第２の透明導電層３ｂを加工することで形成されている。
【００２６】
図２に、透明導電性積層体１０を真上から見た場合の第１の透明電極パターン３１ａと第２の透明電極パターン３１ｂの位置関係の一例を示す。本実施の形態では、第１の透明電極パターン３１ａと第２の透明電極パターン３１ｂがダイヤモンドパターンであるが、これに限定されない。第１の透明電極パターン３１ａと第２の透明電極パターン３１ｂは、透明導電性積層体１０を真上から見た場合に、互いのひし形部分（ダイヤマーク）が重ならないように配置される。
【００２７】
透明導電性積層体１０の製造方法は、透明基板１の一方の面に第１の透明導電層３ａ、対向するもう一方の面に第２の透明導電層３ｂを形成する工程と、第１の透明導電層３ａを第１の透明電極パターン３１ａに加工する工程と、第２の透明導電層３ｂを第２の透明電極パターン３１ｂに加工する際に、第１の透明導電パターン３１ａを認識して加工する位置調整を行う工程を含む。
【００２８】
具体的に、透明導電性積層体１０の製造方法は、透明基板１の一方の面に少なくとも第１の透明導電層３ａを形成する工程と、透明基板１の他方の面に少なくとも第２の透明導電層３ｂを形成する工程とを行う。これらの工程を行うことで、第１の積層体１１が形成される。
【００２９】
さらに、この製造方法は、第１の透明導電層３ａの表面に第１のレジスト４ａを積層する工程を行う。この工程を行うことで、第２の積層体１２が形成される。図１では、さらに、第２の透明導電層３ｂの表面に保護フィルム５を積層する工程が行われている。
【００３０】
さらに、この製造方法は、第１の透明導電層３ａに第１の透明電極パターン３１ａを形成するための光源と光をカットする光学フィルターと露光マスクをそれぞれ光源側から順に配置し、第１のレジスト４ａを露光する工程と、感光した第１のレジスト４ａを現像する工程と、第１のレジスト４ａに覆われていない第１の透明導電層３ａをエッチングする工程とを行う。これらの工程を行うことで、第１の透明電極パターン３１ａが形成された第３の積層体１３が得られる。第１の透明電極パターン３１ａ上には、第１のレジストのパターン４１ａが残存している。
【００３１】
さらに、この製造方法は、第２の透明導電層３ｂの表面に第２のレジスト４ｂを積層する工程を行う。この工程を行うことで、第４の積層体１４が形成される。
【００３２】
さらに、この製造方法は、第１の透明電極パターン３１ａを認識して露光により感光させる位置を調整する工程と、第２の透明導電層３ｂに第２の透明電極パターン３１ｂを形成するための光源と光をカットする光学フィルターとマスクをそれぞれ光源側から順に配置し、第２のレジスト４ｂを露光する工程と、感光した第２のレジスト４ｂを現像する工程と、第２のレジスト４ｂに覆われていない第２の透明導電層３ｂをエッチングする工程とを行う。これらの工程を行うことで、第２の透明電極パターン３１ｂが形成された第５の積層体１５が得られる。第２の透明電極パターン３１ｂ上には、第２のレジストのパターン４１ｂが残存している。
【００３３】
さらに、この製造方法は、第１のレジストのパターン４１ａを剥離する工程と、第２のレジストのパターン４１ｂを剥離する工程とを行う。これらの工程を行うことで、透明導電性積層体１０が得られる。
【００３４】
本実施形態で用いる透明基板１は、ガラスの他に、樹脂からなるプラスチックフィルムを用いることができる。プラスチックフィルムとしては、成膜工程および後工程において十分な強度があり、表面の平滑性が良好であれば、特に限定されないが、例えば、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリブチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルム、ポリエーテルスルホンフィルム、ポリスルホンフィルム、ポリアリレートフィルム、環状ポリオレフィンフィルム、ポリイミドフィルムなどを用いることができる。透明基板１の厚さは、部材の薄型化と基材自身の可撓性を考慮し、例えば１０μｍ〜２００μｍ程度とすることができる。
【００３５】
光学調整層２は、各透明電極パターン３１が目立たないようにする目的で積層されている。光学調整層２には、透明基板１の屈折率と、透明導電層３の屈折率に合わせた材料を用いる。光学調整層２は、１層でも複数層でも構わないが透明なものが好ましい。光学調整層２は、有機系化合物を数十ｎｍから数ミクロン程度塗布する、もしくは、無機酸化物の薄膜を積層することにより形成される。
【００３６】
透明導電層３の材料には、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化スズのいずれか、または、それらの２種類もしくは３種類の混合酸化物、または、その他添加物が加えられた物などを使用できるが、目的・用途により種々の材料を使用でき、特に限定されるものではない。導電性ポリマー、カーボンナノチューブ、ナノ銀、グラフェンなども用いることができる。その場合は、これらの材料を分散させた液を塗布し、その後硬化させて透明導電層３を形成することが出来るし、グラフェンの場合は化学気相成長（ＣＶＤ）法で形成することも出来る。現在のところ、最も信頼性が高く、多くの実績のある材料は、酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。製造方法としては、膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法でも良く、真空蒸着法、スパッタリングなどの物理的気相析出法やＣＶＤ法のような化学的気相析出法を用いることができる。特に大面積に均一な膜質の薄膜を形成するために、プロセスが安定し、薄膜が緻密化するスパッタリング法が好ましい。
【００３７】
なお、本実施形態で述べている透明電極とは、透明導電層３を加工したもののことを言う。透明導電層３は、パターンがなく、光学調整層上に均一に形成された薄膜である。透明電極は、電子機器への情報入力の為の電極として機能する。透明導電層３を均一に形成した後、エッチング法などで、透明電極として残さない部分を除去する方法が主流であるが、最初から透明電極として用いる透明導電層３のみを形成することも可能である。この場合、透明導電層３がそのまま透明電極となる。また、透明電極は、単純もしくは複雑なパターン形状である。その為、透明電極を形成することを、透明電極パターン３１を形成すると表現している。なお、第１の透明導電層３ａをエッチングする場合、適宜保護フィルム５等で第２の透明導電層３ｂを覆うことが好ましい。
【００３８】
透明基板１の両面に光学調整層２及び透明導電層３を積層させるには、同時でなくても良い。例えば、光学調整層２及び透明導電層３を積層した透明基板を２枚用いて、この２枚の透明基板を粘着層で貼り合わせる方法でも、両面に光学調整層２及び透明導電層３が積層された積層体を得ることができる。粘着層に用いられる樹脂としては、アクリル系樹脂、シリコーン系樹脂、ゴム系樹脂などが挙げられ、クッション性や透明性に優れた樹脂を用いることが好ましい。粘着層の厚みは、例えば数十μｍから１００μｍ程度とすることができる。
【００３９】
本実施形態では、透明電極パターン３１の形成方法として、例えばフォトリソグラフィ法を用いることができる。フォトリソグラフィ法では、レジストを積層するために、ドライフィルムフォトレジストと呼ばれる、レジスト（感光層）がフィルムに挟まれたものを貼る方法が一般的に使用されている。しかし、この方法だけでなく、液状のレジストを積層することで、レジスト４を透明導電層３に積層しても良い。
【００４０】
また、レジスト４を感光させる為の光源とマスクなどは、一般的に知られているものを用いることができる。露光工程、エッチング工程、及びレジストを剥離する工程も、公知の方法を用いることができる。
【００４１】
本実施形態では、第１の透明電極パターン３１ａを形成した後に、第２の透明電極パターン３１ｂを形成する工程が行われる。この工程において、第１の透明電極パターン３１ａと、第２の透明電極パターン３１ｂの形成用の露光マスク５０との相対的な位置が一定になるように、露光マスク５０には、図３に示すように、アライメントパターン５１（お互いに目印になるパターン）が用意されている。なお、アライメントパターン５１の数及び形状は、図３に記載の数及び形状に限定されない。
【００４２】
第２の透明電極パターン３１ｂを形成する工程において、第１の透明電極パターン３１ａと露光マスク５０の位置関係を調節する際には、第１の透明電極パターン３１ａを検出して、検出した第１の透明電極パターン３１ａに露光マスク５０のアライメントパターン５１が重なるように、露光マスク５０の位置を調整する。図３は、露光マスク５０の位置を調節している途中の状態を示す。図３の状態から、少しだけ右へ露光マスク５０を移動させると、第１の透明電極パターン３１ａのダイヤマーク３５に、アライメントパターン５１が重なる状態になる。なお、露光マスク５０ではなく、第１の透明電極パターン３１ａが形成された積層体１４の位置を調節してもよい。第１の透明電極パターン３１ａを検出する手法としては、カメラ７３による画像検出を用いることができる。
【００４３】
図４に、透明導電性積層体１０の製造装置の概略構成図を示す。透明導電性積層体１０の製造装置は、成膜装置６１と、第１パターン形成装置７１と、第２パターン形成装置７２と、剥離装置８１などを備えている。成膜装置６１は、透明基材１から第１の積層体１１を形成する積層手段である。第１パターン形成装置７１は、第１のレジスト４ａの積層、露光、及び現像と、第１のレジスト４ａ及び第１の透明導電層３ａのエッチングを行う装置であり、第１の積層体１１から、第２の積層体１２を経て第３の積層体１３を形成する。第２パターン形成装置７２は、第２のレジスト４ｂの積層、露光、及び現像と、第２のレジスト４ｂ及び第２の透明導電層３ｂのエッチングを行う装置であり、第３の積層体１３から、第４の積層体１４を経て第５の積層体１５を形成する。第１パターン形成装置７１及び第２パターン形成装置７２は、パターン化手段である。剥離装置８１は、第５の積層体１５から透明導電性積層体１０を形成する。
【００４４】
第２パターン形成装置７２は、図４に示すように、レジストの積層、露光、現像、及びエッチングを行う各装置以外に、例えば、カメラ７３と、移動装置７４と、制御装置（図示省略）とを備えている。カメラ７３は、例えば第４の積層体１４の撮像データを制御装置へ出力する。制御装置は、カメラ７３からの撮像データに基づいて移動装置７４を制御して、第１の透明電極パターン３１ａのダイヤマーク３５にアライメントパターン５１が重なるように露光マスク５０を移動させる。なお、第２パターン形成装置７２の操作者が、カメラ７３が撮影した画像を見ながら、移動装置７４を操作してもよい。
【００４５】
（実施例１）
実施例１について図１を用いて説明する。
【００４６】
透明基板１としてポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、厚み：１００μｍ）を用い、スパッタリング法により、透明基板１の各面にそれぞれ、光学調整層２ａ、２ｂとしてＳｉＯ２を３０ｎｍ、第１の透明導電層３ａ及び第２の透明導電層３ｂとしてＩＴＯをそれぞれ３０ｎｍ成膜した。その後、第１の透明導電層３ａには第１のレジスト４ａを積層させ、第２の透明導電層３ｂには保護フィルム５を貼り合わせた。その後、フォトリソグラフィ法を用いて、以下の露光条件で、第１の透明導電層３ａに対して露光を行った。
【００４７】
［露光条件］
光源：超高圧水銀ランプ（ウシオ電機社製）
光学フィルター：３８０−６００ｎｍの範囲の波長をカット
【００４８】
露光後、第１のレジスト４ａの現像を行い、さらに第１の透明導電層３ａの内、透明電極として使用しない部分（第１の透明電極パターン３１ａとなる領域以外の部分）をエッチングした。これにより、光学調整層２ａに、第１の透明電極パターン３１ａと、その第１の透明電極パターン３１ａと同じ形状の第１のレジストのパターン４１ａとが積層された状態になった。
【００４９】
その後、第２の透明導電層３ｂ上の保護フィルム５を剥がし、第２のレジスト４ｂを積層させた。続いて、第１の透明導電層３ａに対して行った露光と同じ露光条件で、第２の透明導電層３ｂに対して露光を行った。その際、第１の透明電極パターン３１ａをカメラで検出し、第１の透明電極パターン３１ａと露光マスク５０のアライメントパターン５１とが重なるように位置の調整を行った。その後、第２の透明導電層３ｂの内、透明電極として使用しない部分（第２の透明電極パターン３１ｂとなる領域以外の部分）をエッチングした。これにより、光学調整層２ｂに、第２の透明電極パターン３１ｂと、その第２の透明電極パターン３１ｂと同じ形状の第２のレジストのパターン４１ｂとが積層された状態になった。そして、第１のレジストのパターン４１ａと第２のレジストのパターン４１ｂをそれぞれ剥離し、透明導電性積層体１０を得た。
【００５０】
（実施例２）
第１の透明基板としてポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、厚み：１００μｍ）を用い、第１の透明基板の一方の面にスパッタリング法により、第１の光学調整層としてＳｉＯ２を３０ｎｍ、第１の透明導電層としてＩＴＯを３０ｎｍ成膜した。その後フォトリソグラフィ法を用いて、実施例１と同じ露光条件で露光を行った。
【００５１】
露光後、レジストの現像を行い、さらに第１の透明導電層の内、透明電極として使用しない部分をエッチングした。これにより、第１の光学調整層に、第１の透明電極パターンと、その第１の透明電極パターンと同じ形状の第１のレジストのパターンとが積層された状態になった。
【００５２】
第１の透明基板と同様に、第２の透明基板としてポリエチレンテレフタレートフィルム（東レ社製、厚み：１００μｍ）を用い、第２の透明基板の一方の面にスパッタリング法により、第２の光学調整層としてＳｉＯ２を３０ｎｍ、第２の透明導電層としてＩＴＯを３０ｎｍ成膜した。
【００５３】
第１の透明基板と第２の透明基板を、それぞれＩＴＯが形成されていない面同士を対向させ、粘着層として高透明性接着剤転写テープ（住友スリーエム社製、厚み：２５μｍ）を用いて貼り合わせた。
【００５４】
そして、第２の透明導電層に第２のレジストを積層させ、第１の透明基板に対して行った露光と同じ露光条件で露光した。その際、第１の透明電極パターンをカメラで検出し、第１の透明電極パターンと露光マスクのアライメントパターンとが重なるように位置の調整を行った。その後、第２の透明導電層の内、透明電極として使用しない部分をエッチングした。これにより、第２の光学調整層に、第２の透明電極パターンと、その第２の透明電極パターンと同じ形状の第２のレジストパターンとが積層された状態になった。そして、第１レジストパターンと第２のレジストパターンをそれぞれ剥離し、透明導電性積層体１０を得た。
【産業上の利用可能性】
【００５５】
本発明は、透明導電性積層体を用いた電子機器や静電容量式タッチパネルなどに利用可能である。
【符号の説明】
【００５６】
１      透明基板
２ａ    光学調整層
２ｂ    光学調整層
３ａ    第１の透明導電層
３ｂ    第２の透明導電層
４ａ    第１のレジスト
４ｂ    第２のレジスト
５      保護フィルム
１０    透明導電性積層体
３１ａ  第１の透明電極パターン
３１ｂ  第２の透明電極パターン
４１ａ  第１のレジストパターン
４１ｂ  第２のレジストパターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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