(57)【要約】【課題】メッキ膜に生ずるクラックを抑制し、高品質な半導体装置を提供する。  【解決手段】この半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成される金属電極と、前記金属電極上に形成されるメッキ膜とを備える。そして、このメッキ膜は、前記金属電極上に分散して配置され、且つ少なくとも一部において円弧又は楕円弧状の外周形状を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
半導体基板上に形成される金属電極と、
前記金属電極上に形成されるメッキ膜と、
を備え、
前記メッキ膜は、前記金属電極上に分散して配置され、且つ少なくとも一部において円弧又は楕円弧状の外周形状を有する
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記金属電極上に形成されるパシベーション膜を更に備え、
前記パシベーション膜は、前記金属電極の表面に達する、少なくとも一部において円弧又は楕円弧状の外周形状を有する複数の開口部を備え、
前記メッキ膜は、前記複数の開口部に埋め込まれるように形成されている
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記メッキ膜は、略円形の外周形状を有する請求項１又は２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記メッキ膜は、略楕円形の外周形状を有する請求項１又は２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施の形態は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置においては、半導体基板上に形成されたトランジスタ等の半導体素子の各端子に接続するための金属電極を、半導体基板上に有している。このような金属電極と外部の配線とを接続するため、金属電極の表面にはメッキ層が形成されることがある。
このような半導体装置において、組立工程中に行う加熱処理の際にメッキ層と下地の金属電極との間に応力が発生することがある。その際、メッキ層と金属電極との間で熱膨張率が異なるため、メッキ層のコーナー部に応力が集中し、メッキ層にクラックが発生することがあり得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−３６８１７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、メッキ膜に生ずるクラックを抑制し、高品質な半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
以下に説明する実施の形態の形態に係る半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成される金属電極と、前記金属電極上に形成されるメッキ膜とを備える。そして、このメッキ膜は、前記金属電極上に分散して配置され、且つ少なくとも一部において円弧又は楕円弧状の外周形状を有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ’断面図である。
【図３】第１の実施の形態の変形例を示す。
【図４】第１の実施の形態の変形例を示す。
【図５】第１の実施の形態の変形例を示す。
【図６】第２の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態に係る半導体装置について説明する。実施形態中の説明で使用する図は、説明を容易にするための模式的なものであり、図中の各要素の形状、寸法、大小関係などは、実際の実施においては必ずしも図に示されたとおりとは限らず、本発明の効果が得られる範囲内で適宜変更可能である。半導体としては、シリコン（Ｓｉ）を一例に説明するが、炭化シリコン（ＳｉＣ）や窒化物半導体（ＧａＮ）などの化合物半導体にも適用可能である。酸化膜、絶縁膜としては、酸化シリコン、窒化シリコンを一例に説明するが、酸窒化シリコン、アルミナなどの他の絶縁体を用いることも可能である。
【０００８】
［第１の実施の形態］
図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置の平面図であり、図２は、図１のＩ−Ｉ’断面図である。この半導体装置は、メッキ膜１、パシベーション膜２、パッド３、金属電極５、層間絶縁膜６、酸化膜７、及び半導体基板８を備える。
【０００９】
半導体基板８上には、例えば酸化シリコンからなる酸化膜７、層間絶縁膜６が堆積され、この酸化膜７及び層間絶縁膜６を貫通して形成された開口部に、金属電極５が形成されている。金属電極５は、半導体基板８上に形成された半導体素子（ダイオード等。図示せず）の各端子に接続される。この金属電極５上には、窒化シリコン等からなるパシベーション膜２が形成され、このパシベーション膜２には金属電極５に達する開口部Ｐが形成されている。そして、この開口部Ｐにおいて露出した金属電極５の表面に埋め込まれるようにメッキ膜１が形成されている。
【００１０】
この開口部Ｐは、図１に示すように、パシベーション膜２の表面に、例えばマトリクス状に多数形成されている。そして、このマトリクス状に並んだ円形の開口部Ｐにおいて露出した金属電極５の表面に、メッキ膜１が形成されている。すなわち、メッキ膜１は、金属電極５の表面に分散して配置され、且つ各開口部Ｐにおいて略円形の形状に形成されている。なお、図１において、半導体基板８の端部において形成されている開口部Ｐに形成されるメッキ膜１は、小信号パッド３を構成し、その他のメッキ膜１は、例えばダイオードのエミッタパッドを構成する。なお、ここでいう「略円形」とは、縦横比が１に限定されるという意味ではなく、クラックの発生が十分に抑制することができる範囲において、縦横比は１よりも大きくても良い。例えば、図３に示すように、開口部Ｐ及びそこに埋め込まれるメッキ膜１の形状を、楕円形とすることも可能である。このような楕円形状でも、クラックの発生を十分に抑制することができる。
【００１１】
また、開口部Ｐ及びメッキ膜１の形状は、円形、楕円形以外にも、その少なくとも一部に円弧又は楕円弧が含まれる形状であればよい。例えば、図４に示すように、円形の一部が直線状に切り取られた形状を有していても良い。また、図５に示すように、楕円形の一部が直線状に切り取られた形状を有していてもよい。更に、異なる形状のメッキ膜１を１つの半導体基板上に混合的に形成することも可能である。
【００１２】
図１に戻って説明を続ける。本実施の形態では、上記のようにパシベーション膜２において複数の略円形の開口部Ｐが形成され、その略円形の開口部Ｐに埋め込まれるようにメッキ膜１が形成されている。図１では、複数の開口部Ｐがマトリクス状に配置されているが、これに限定されるものではなく、複数の開口部Ｐが半導体基板８及び金属電極５上に分散して配置されていればよい。例えば、千鳥格子状に開口部Ｐを配置することも可能である。
【００１３】
金属電極５の上に大面積に亘りメッキ膜を形成した場合、メッキ膜１と金属電極５との間で熱膨張率が異なることにより、メッキ膜１の端部において応力が集中し、クラックが発生することがある。しかし、本実施の形態では、メッキ膜１はパシベーション膜１において少なくとも一部において円弧又は楕円弧状の外周形状を有する複数の開口部Ｐ、例えば複数の略円形の開口部Ｐが形成され、その略円形の開口部Ｐに埋め込まれるようにメッキ膜１が形成されているので、応力は分散される。従って、メッキ膜１にクラックが発生することを抑制することができる。
【００１４】
［第２の実施の形態］
次に、第２の実施の形態に係る半導体装置を、図６を参照して説明する。図１、図２と同一の構成要素については、図１と同一の符号を付しているので、重複する説明は省略する。図６は、第２の実施の形態に係る半導体装置の平面図である。図６のＩ−Ｉ´断面図の形状は、図２と略同一であるので、省略する。
【００１５】
この第２の実施の形態の半導体装置は、略円形の開口部Ｐが多数形成されている点では第１の実施の形態の半導体装置と同一であるが、半導体基板８の中央付近に、開口部Ｐよりも大きい矩形の開口部Ｐ’が形成され、この開口部Ｐ’に矩形状のメッキ膜１Ｌが形成されている点で、第１の実施の形態と異なっている。この開口部Ｐ’の面積は、開口部Ｐの面積よりも大きい。このような大型の開口部Ｐ’、及びそこに埋め込まれる矩形状のメッキ膜１Ｌが存在しても、その大きさが適当であれば、上述のクラックの発生等の問題は生じない。また、分散的に配置された略円形形状の複数のメッキ膜１においては、第１の実施の形態と同様に応力が分散される。さらに、この実施の形態の開口部Ｐ’は、半導体基板８の中央付近にあるため、熱膨張率の差による影響は限定的である。したがって、この実施の形態によっても、第１の実施の形態と同様の効果を期待することができる。
【００１６】
以上、本発明のいくつかの実施の形態を説明したが、これらの実施の形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施の形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施の形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００１７】
１・・・・・・パシベーション膜、  ３・・・パッド、    ５・・・金属電極、  ６・・・層間絶縁膜、  ７・・・酸化膜、  ８・・・半導体基板。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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