(57)【要約】【課題】有機半導体の発光強度を向上させた発光素子を提供すること。作製が容易で、大面積化が可能な構造の発光素子を提供すること。【解決手段】第１の金属層と、前記第１の金属層の上に存在する誘電体層と、前記誘電体層の上に存在する第２の金属層と、前記第２の金属層の上に存在する有機半導体層とを含む発光素子。前記第２の金属層と、有機半導体層の間に第２の半導体層が形成されている発光素子。第１の金属層と、前記誘電体層と、前記第２の金属層のうち少なくとも一層が、ドライコーティング法により製造される、発光素子の製造方法。第１の金属層の厚みが５０ｎｍ〜５００ｎｍであり、誘電体層の共鳴波長位置が２００ｎｍ〜９００ｎｍであり、第２の金属層の厚みが５ｎｍ〜５０ｎｍである積層体。【選択図】図１
2014116390.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の金属層と、前記第１の金属層の上に存在する誘電体層と、前記誘電体層の上に存在する第２の金属層と、前記第２の金属層の上に存在する有機半導体層とを含む、ことを特徴とする発光素子。
【請求項２】
前記第１の金属層が、金、銀、銅、およびアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属からなる層である、請求項１に記載の発光素子。
【請求項３】
前記第２の金属が、金、銀、銅、およびアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属からなる層である、請求項１または請求項２に記載の発光素子。
【請求項４】
前記誘電体層が、実質的に、マグネシウム、アルミニウム、ケイ素、チタン、亜鉛、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ、ハフニウム、タンタル、タングステンからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素と、酸素、窒素、フッ素からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素とを含む化合物からなる層である、請求項１〜３のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項５】
前記第１の金属層の厚みが５０ｎｍ〜５００ｎｍあり、前記誘電体層の共鳴波長位置が２００ｎｍ〜９００ｎｍであり、前記第２の金属層の厚みが５ｎｍ〜５０ｎｍである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項６】
前記第２の金属層と、有機半導体層の間に第２の半導体層を含む、請求項１〜５のいずれか一項に記載の発光素子。
【請求項７】
前記第１の金属層と、前記誘電体層と、前記第２の金属層のうち少なくとも一層が、ドライコーティング法により製造される、請求項１〜６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
第１の金属層の厚みが５０ｎｍ〜５００ｎｍであり、誘電体層の共鳴波長位置が２００ｎｍ〜９００ｎｍであり、第２の金属層の厚みが５ｎｍ〜５０ｎｍである、積層体。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機薄膜太陽電池は、柔軟性に富むとともに、大面積化、軽量化、および簡易で安価な製造法が期待できるため有望な次世代太陽電池と考えられている。しかし、有機薄膜太陽電池では有機半導体の膜厚が非常に薄く、入射光を効率的に吸収して発電することが困難であった。そこで、従来から、金属微粒子を光電変換装置に組み込むことで、光電変換効率を向上させる試みがなされてきた。
【０００３】
一方、金属の微粒子に光を照射すると、微粒子中の電子が光と相互作用し、局在型表面プラズモン共鳴が起こり、結果として、微粒子表面における電場が著しく増強されることが知られている。そして、この局在型表面プラズモン共鳴を利用して、太陽電池の光電変換効率を高める技術が提案されている。
【０００４】
例えば、特許文献１に開示された光増強素子は、誘電体層上に金属微粒子がランダムに配列された増強電磁場形成層が形成されていて、金属微粒子間に発生する局在型表面プラズモンを利用して発光強度を向上させている（特許文献１の図１参照）。
【０００５】
また、非特許文献１に開示された有機薄膜太陽電池は、金属層上に周期構造が形成されていて、金属の周期構造間に発生する局在型表面プラズモンを利用して発光強度を向上させている（非特許文献１のＦｉｇ２  ｃ参照）。
【０００６】
しかしながら、従来の局在型表面プラズモンを利用した発光強度の向上技術では、金属微粒子を周期的に配置した構造や、グレーティング構造を形成させねばならず、その微細な凹凸構造のため、後段プロセスにおける均質性や被覆性が悪く、製造が困難であった。また、従来の微細な凹凸構造は、フォトリソグラフィ等の手法を用いて作製されるため、大面積化が困難であった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１２−１３２８０４号公報
【非特許文献】
【０００８】
【非特許文献１】Ｈ．Ａ．Ａｔｗａｔｅｒ，Ａ．Ｐｏｌｍａｎ，”Ｐｌａｓｍｏｎｉｃｓ  Ｆｏｒ  Ｉｍｐｒｏｖｅｄ  Ｐｈｏｔｏｖｏｌｔａｉｃ  Ｄｅｖｉｃｅｓ”，Ｎａｔｕｒｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌｓ  ９，２０５（２０１０）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明が解決しようとする課題は、有機半導体の発光強度を向上させた発光素子を提供することである。本発明が解決しようとする他の課題は、作製が容易で、大面積化が可能な構造の発光素子を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の発光素子は、第１の金属層と、前記第１の金属層の上に存在する誘電体層と、前記誘電体層の上に存在する第２の金属層と、前記第２の金属層の上に存在する有機半導体層とを含むことを特徴とする。
【００１１】
前記第１の金属層が、金、銀、銅、およびアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属からなる層であることが好ましい。
【００１２】
前記第２の金属層が、金、銀、銅、およびアルミニウムからなる群より選ばれる少なくとも一種の金属からなる層であることが好ましい。
【００１３】
前記誘電体層が、実質的に、マグネシウム、アルミニウム、ケイ素、チタン、亜鉛、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ、ハフニウム、タンタル、タングステンからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素と、酸素、窒素、フッ素からなる群より選ばれる少なくとも一種の元素とを含む化合物からなる層であることが好ましい。
【００１４】
前記第１の金属層の厚みが５０ｎｍ〜５００ｎｍであり、前記誘電体層の共鳴波長位置が２００ｎｍ〜９００ｎｍであり、前記第２の金属層の厚みが５ｎｍ〜５０ｎｍであることを特徴とする。
【００１５】
前記第２の金属層と、有機半導体層の間に第２の半導体層が形成されていることを特徴とする。
【００１６】
前記第１の金属層と、前記誘電体層と、前記第２の金属層のうち少なくとも一層が、ドライコーティング法により製造されることを特徴とする。
【００１７】
積層体が、第１の金属層の厚みが５０ｎｍ〜５００ｎｍであり、誘電体層の共鳴波長位置が２００ｎｍ〜９００ｎｍであり、第２の金属層の厚みが５ｎｍ〜５０ｎｍであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の発光素子によれば、第１の金属層、誘電体層、第２の金属層構造からなる積層体の上に形成されている有機半導体層での発光強度が向上する。
また、微細な凹凸構造など加工が不要なため、表面の均質性、被覆性を損なうことなく、作製が容易で、大面積化が可能な構造の発光素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の発光素子の構成を概略的に示した断面図である。
【図２】本発明の発光素子の第２の構成を概略的に示した断面図である。
【図３】実施例において作製された発光素子の構成を概略的に示した断面図である。
【図４】本発明の発光素子を用いた、有機薄膜太陽電池の構成を概略的に示した断面図である。
【図５】実施例において作製された例４および例８の発光素子を用いて測定された、励起光の波長３５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける放射光の発光強度を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、図面を参照して、本発明の構成について詳しく説明する。
【００２１】
（発光素子）
図１に示す発光素子１０を構成する各層について詳しく説明する。
図１に示すように、本発明の発光素子１０は、第１の金属層１１と、前記第１の金属層１１の上に存在する誘電体層１２と、前記誘電体層１２の上に存在する第２の金属層１３と、前記第２の金属層１３の上に存在する有機半導体層１４により構成される。
【００２２】
（第１の金属層１１）
第１の金属層１１は、可視光域で誘電率が負となる材料から形成されうる。例えば、金、銀、銅、アルミニウム等から選ばれる少なくとも一種の金属からなる層であることが好ましい。
第１の金属層１１の成膜方法は、特に限られない。第１の金属層１１の形成方法としては、例えばドライコーティング法が用いられる。ドライコーティング法としては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法が挙げられる。ＰＶＤ法の中でも、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法が好ましく、これらの中でも、密着性と平坦性に優れた膜の作製が可能で、商業的に広く用いられている点でスパッタ法が特に好ましい。
第１の金属層１１の厚みは、５０ｎｍ〜５００ｎｍが好ましく、８０ｎｍ〜３００ｎｍがより好ましい。
【００２３】
（誘電体層１２）
誘電体層１２は、可視光域で光の吸収がなく、電気伝導性のない材料から形成されうる。例えば、実質的にマグネシウム、アルミニウム、ケイ素、チタン、亜鉛、ニオブ、モリブデン、インジウム、スズ、ハフニウム、タンタル、タングステンからなる群より選ばれる少なくとも一種の元素と、酸素、窒素、フッ素からなる群より選ばれる少なくとも一種の非金属元素とを含む化合物からなる層であることが好ましい。
【００２４】
誘電体層１２は、実質的に金属酸化物、金属窒化物、金属酸窒化物、または金属フッ化物からなる層であることが好ましい。
実質的にとは、９９％以上前記の化合物からなることが好ましいことを意味する。
【００２５】
金属酸化物としては、酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、二酸化ケイ素、酸化チタン、酸化亜鉛、酸化ニオブ、酸化モリブデン、酸化インジウム、酸化スズ、酸化ハフニウム、酸化タンタル、酸化タングステン等から選ばれる少なくとも一種の金属酸化物であることが好ましい。
金属窒化物としては、窒化マグネシウム、窒化アルミニウム、窒化ケイ素、窒化チタン、窒化亜鉛、窒化ニオブ、窒化モリブデン、窒化インジウム、窒化スズ、窒化ハフニウム、窒化タンタル、窒化タングステン等から選ばれる少なくとも一種の金属窒化物であることが好ましい。
金属酸窒化物としては、酸窒化マグネシウム、酸窒化アルミニウム、酸窒化ケイ素、酸窒化チタン、酸窒化亜鉛、酸窒化ニオブ、酸窒化モリブデン、酸窒化インジウム、酸窒化スズ、酸窒化ハフニウム、酸窒化タンタル、酸窒化タングステン等から選ばれる少なくとも一種の金属酸窒化物であることが好ましい。
金属フッ化物としては、フッ化マグネシウムであることが好ましい。
【００２６】
誘電体層１２の成膜方法は、特に限られない。誘電体層１２の形成方法としては、例えばドライコーティング法が用いられる。ドライコーティング法としては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法が挙げられる。ＰＶＤ法の中でも、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法が好ましく、これらの中でも、密着性と平坦性に優れた膜の作製が可能で、商業的に広く用いられている点でスパッタ法が特に好ましい。
【００２７】
本発明における積層構造では、光の多重反射による共鳴（ファブリペロー共鳴）が生じ、光の反射率がある特定波長でのみ急激に低下する。光の多重反射による共鳴が生じる共鳴波長位置は、誘電体層の厚みと屈折率から決まる。誘電体層１２となる材料を決めれば、膜厚を変えることによって、共鳴波長位置を制御することができる。
共鳴波長位置は、可視光域とその周辺にあることが好ましい。また、有機半導体層１４での発光強度を向上させるためには、共鳴波長位置を制御することが好ましい。例えば、前記有機半導体層１４がポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）の場合、共鳴波長位置は２００ｎｍ〜９００ｎｍが好ましく、３００ｎｍ〜４５０ｎｍまたは５５０ｎｍ〜８００ｎｍがより好ましい。
【００２８】
（第２の金属層１３）
第２の金属層１３は、可視光域で誘電率が負となる材料から形成されうる。例えば、金、銀、銅、アルミニウム等から選ばれる少なくとも一種の金属からなる層であることが好ましい。
【００２９】
第２の金属層１３の成膜方法は、特に限られない。第２の金属層１３の形成方法としては、例えばドライコーティング法が用いられる。ドライコーティング法としては、ＰＶＤ法、ＣＶＤ法が挙げられる。ＰＶＤ法の中でも、真空蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法が好ましく、これらの中でも、密着性と平坦性に優れた膜の作製が可能で、商業的に広く用いられている点でスパッタ法が特に好ましい。
第２の金属層１３の厚みは、５ｎｍ〜５０ｎｍが好ましく、１０ｎｍ〜４０ｎｍがより好ましい。
【００３０】
（有機半導体層１４）
有機半導体層１４は、有機半導体を含む層である。例えば、テトラセン、ペンタセン、ルブレン、６，１３−ビス（トリイソプロピルシリルエチニル）ペンタセン、ペンタセン−Ｎ−スルフィニル−ｔｅｒｔ−ブチルカルバミン酸、１３，６−Ｎ−スルフィニルアセトアミドペンタセン、２，５−ジ（２−チエニル）チオフェン、α−セキシチオフェン、フタロシアニン銅（ＩＩ）、テトラチアフルバレン、ジベンゾテトラチアフルバレン 、ビス（エチレンジチオ）テトラチアフルバレン、ポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（３−ドデシルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（３−オクチルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ（３−ドデシルチオフェン−２，５−ジイル）、ポリ［２−メトキシ−５−（２−エチルヘキシルオキシ）−１，４−フェニレンビニレン］、ポリ［ビス（４−フェニル）（２，４，６−トリメチルフェニル）アミン］、ポリ［（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ａｌｔ−（ベンゾ［２，１，３］チアジアゾール−４，８−ジイル）］、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレニル−２，７−ジイル）−ｃｏ−ビチオフェン］、ポリ（３−オクチルチオフェン−２，５−ジイル−ｃｏ−３−デシロキシチオフェン−２，５−ジイル）等から選ばれる少なくとも一種の有機半導体からなる層であることが好ましい。
【００３１】
有機半導体層１４の成膜方法は、特に限られない。例えば、前記有機半導体と溶媒とを含む溶液を一方の電極上に塗布して成膜する方法が挙げられるが、真空蒸着法により薄膜を形成してもよい。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スピンコート法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法およびディスペンサー印刷法が好ましい。
【００３２】
有機半導体層１４の厚みは、太陽電池で用いられているような膜厚であればよく、１０ｎｍ〜１００ｎｍが好ましい。
【００３３】
（第２の半導体層１５）
本発明においては、図２に示すように、光電変換機能を発揮させるため、前記第２の金属層１３と、有機半導体層１４の間に第２の半導体層１５が形成されていてもよい。
【００３４】
第２の半導体層は、７，７，８，８−テトラシアノキノジメタン、テトラフルオロテトラシアノキノジメタン、銅−ヘキサデカフルオロ−フタロシアニン、ナフタレン−１，４，５，８−テトラカルボン酸二無水物、３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボン酸二無水物、またはフラーレンの誘導体からなる層であることが好ましい。具体的にはフラーレンＣ６０、フラーレンＣ７０、フラーレンＣ８４、（１，２−メタノフラーレンＣ６０）−６１−カルボン酸、Ｃ６０ピロリジントリス−酸エチルエステル、ニペコチン酸エチル−スモールギャップフラーレン等から選ばれる少なくとも一種の半導体からなる層であることが好ましい。
【００３５】
第２の半導体層１５の成膜方法は、特に限られない。例えば、前記半導体と溶媒とを含む溶液を一方の電極上に塗布して成膜する方法が挙げられるが、真空蒸着法により薄膜を形成してもよい。溶液からの成膜には、スピンコート法、キャスティング法、マイクログラビアコート法、グラビアコート法、バーコート法、ロールコート法、ワイアーバーコート法、ディップコート法、スプレーコート法、スクリーン印刷法、フレキソ印刷法、オフセット印刷法、インクジェット印刷法、ディスペンサー印刷法、ノズルコート法、キャピラリーコート法等の塗布法を用いることができ、スピンコート法、フレキソ印刷法、インクジェット印刷法およびディスペンサー印刷法が好ましい。
【００３６】
第２の半導体層１５はｎ型半導体でも、ｐ型半導体でもよく、有機半導体層１３と第２の半導体層１５は、それぞれの材料をブレンドして広い接触界面を有するバルクヘテロジャッンクションであっても良い。
【００３７】
第２の半導体層の厚みは、２００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。
【００３８】
（基板１６）
図３に示すように、基板１６が存在していてもよい。基板１６は、前記発光素子を支持する基板であれば良く、具体的にはガラス、樹脂、金属等から選ばれる少なくとも一種の基板材料であることが好ましい。
表面の形状は平坦であればよい。
【００３９】
（本発明の応用例）
図４は、本発明の発光素子を用いた有機薄膜太陽電池２０を表す。有機薄膜太陽電池２０は、第１の金属層１１と、前記第１の金属層１１の上に存在する誘電体層１２と、前記誘電体層１２の上に存在する第２の金属層１３と、前記第２の金属層１３の上に存在する第２の半導体層１５と、第２の半導体層の上に存在する有機半導体層１４と、有機半導体層１４の上に存在する導電性ポリマー電極２１と、導電性ポリマー電極２１の上に存在する透明導電膜２２と、透明導電膜２２の上に存在する基板１６により、構成される。
【００４０】
図４に示す有機薄膜太陽電池２０に用いられる導電性ポリマー電極２１は、ポリフェニレン、ポリフェニレンビニレン、ポリシラン、ポリチオフェン、ポリカルバゾール、ポリビニルカルバゾール、ポルフィリン、ポリアセチレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリフルオレン、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセン、およびこれらの誘導体、ならびにこれらの共重合体、あるいは、フタロシアニン含有ポリマー、カルバゾール含有ポリマー、有機金属ポリマー等からなることが好ましい。上記の中でも、チオフェン−フルオレン共重合体、ポリアルキルチオフェン、フェニレンエチニレン−フェニレンビニレン共重合体、フェニレンエチニレン−チオフェン共重合体、フェニレンエチニレン−フルオレン共重合体、フルオレン−フェニレンビニレン共重合体、チオフェン−フェニレンビニレン共重合体等が好ましく用いられる。
【００４１】
図４に示す有機薄膜太陽電池２０に用いられる透明導電膜２２は、酸化インジウム錫、酸化亜鉛、酸化インジウム錫等からなることが好ましい。
図４に示す有機薄膜太陽電池２０に用いられる基板１６は、ガラス、樹脂等透明な部材であればよい。
【実施例】
【００４２】
以下、例１〜７は本発明の実施例であり、例８、９は比較例である。
【００４３】
（積層体の作製条件）
ガラス基板上にスパッタ法を用いて第１の金属層、誘電体層、第２の金属層から成る積層体を作製した。スパッタ装置はトッキ株式会社製スパッタリング装置を用い、ターゲットは６インチφのサイズを使用した。
ガラス基板上に第１の金属層として純銀、またはアルミニウムを成膜し、その上に誘電体層として酸化亜鉛を成膜し、最後に、第２の金属層として銀を成膜し、積層体を得た。
各層の成膜条件は表１の通りである。得られた第１の金属層、誘電体層、第２の金属層の膜厚は、スパッタの成膜時間により制御した。
【００４４】
【表１】
2014116390.tif 000003
【００４５】
（有機半導体層の成膜条件）
８ｍｇのポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）に対し、１ｍｌのクロロベンゼンを加え、４０℃で６時間以上攪拌し、溶解混合を行った。得られた溶液を、０．５μｍのメンブレンフィルターにてろ過し、有機半導体層の塗布液を得た。得られた塗布液を、スピンコータを用い、回転数６００ｒｐｍで３０秒の条件で、第１の金属層、誘電体層、第２の金属層から成る積層体に塗布し、６０分間窒素ガス中で風乾し、有機半導体層を形成した。得られた有機半導体層の膜厚を、ＦＩＢにて加工した断面サンプルをＳＥＭ観察することにより求めた。上記条件で得られた有機半導体層の膜厚は４０ｎｍであった。
【００４６】
〔例１〕
ガラス基板上に第１の金属層として、厚さ２００ｎｍの銀を成膜し、第１の金属層の上に、誘電体層として厚さ８０ｎｍの酸化亜鉛を成膜し、誘電体層の上に、第２の金属層として厚さ２０ｎｍの銀を成膜し、第２の金属層の上に、有機半導体層として厚さ４０ｎｍのポリ（３−ヘキシルチオフェン−２，５−ジイル）を成膜し、発光素子を得た。
【００４７】
〔例２〕
誘電体層の厚さを８５ｎｍ、第２の金属層の厚さを３０ｎｍとした以外は、例１と同様にして発光素子を得た。
【００４８】
〔例３〕
誘電体層の厚さを８６ｎｍ、第２の金属層の厚さを４０ｎｍとした以外は、例１と同様にして発光素子を得た。
【００４９】
〔例４〕
誘電体層の厚さを４０ｎｍ、第２の金属層の厚さを２０ｎｍとした以外は、例１と同様にして発光素子を得た。
【００５０】
〔例５〕
誘電体層の厚さを１０３ｎｍ、第２の金属層の厚さを２０ｎｍとした以外は、例１と同様にして発光素子を得た。
【００５１】
〔例６〕
誘電体層の厚さを１２０ｎｍ、第２の金属層の厚さを２０ｎｍとした以外は、例１と同様にして発光素子を得た。
【００５２】
〔例７〕
第１の金属層としてアルミニウムを成膜した以外は、例１と同様にして発光素子を得た。
【００５３】
発光強度の算出のため、比較素子としてガラス基板上に第１の金属層として厚さ２００ｎｍの銀のみを成膜したリファレンス素子（例８）と、第１の金属層として厚さ２００ｎｍのアルミニウムのみを成膜したリファレンス素子（例９）を用意した。
【００５４】
（共鳴波長位置の測定方法）
分光器（日本分光株式会社製、ＡＲＭ−５００Ｎ）を用いて、発光素子またはリファレンス素子の反射スペクトルを測定した。励起光３１を、発光素子またはリファレンス素子の成膜面側から、成膜面に対して４５度の方向から入射させた。３００ｎｍから８００ｎｍの波長の範囲の励起光３１を１ｎｍ刻みで入射させ、反射角４５度の反射率を測定した。反射率の極小から、多重反射によるファブリペロー共鳴波長位置を算出した。
【００５５】
（発光強度の測定方法）
分光蛍光光度計（株式会社日立製作所製、Ｆ−７０００）を用いて、発光素子またはリファレンス素子の発光強度を測定した。励起光３１を、発光素子またはリファレンス素子の成膜面側から、成膜面に対して４５度の方向から入射させた。３００ｎｍ〜８００ｎｍ波長の範囲の励起光３１を５ｎｍ刻みで入射させ、４５度で放出された蛍光の強度を測定した。６６０ｎｍにおける蛍光強度を発光強度とした。
図５は、励起光３１の波長が６６０ｎｍにおける、例４および例８の発光強度の測定結果のグラフである。図５において、実線は、励起光３１の波長３５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける例４の発光強度を示しており、点線は、励起光３１の波長３５０ｎｍ〜６５０ｎｍにおける例８の発光強度を示している。
【００５６】
（発光強度の算出方法）
上記記載の方法により発光素子の発光強度を測定し、同一波長の励起光を入射した場合のリファレンス素子の発光強度と比較することで、最大の発光強度と平均の発光強度を算出した。
励起光３１の波長３５０ｎｍ〜６２０ｎｍにおいて、放射光３２の発光強度の最も高い値を最大値とし、励起光３１の波長３５０ｎｍ〜６２０ｎｍにおける放射光３２の各発光強度の平均を平均値とした。
【００５７】
表２から明らかなように、例１〜６は例８に対して発光強度が向上していることがわかる。また、例７は例９に対して、発光強度が向上していることがわかる。
【００５８】
【表２】
2014116390.tif 000004
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明の発光素子は、例えば有機薄膜太陽電池の光電変換層に有用である。
【符号の説明】
【００６０】
１０  発光素子
１１  第１の金属層
１２  誘電体層
１３  第２の金属層
１４  有機半導体層
１５  第２の半導体層
１６  基板
２０  有機薄膜太陽電池
２１  導電性ポリマー電極
２２  透明導電膜
３１  励起光
３２  放射光
【図１】
2014116390.tif 000005
【図２】
2014116390.tif 000006
【図３】
2014116390.tif 000007
【図４】
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【図５】
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