(57)【要約】【課題】発光装置のクロストーク現象の発生を抑制する。【解決手段】絶縁層４１６と、前記絶縁層上に形成された第１の下部電極４２１ａと、前記絶縁層上に形成された第２の下部電極４２１ｂと、前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する隔壁４１８と、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された発光物質を含む発光層及び発光層よりも導電性の高い層を含む積層膜４２３と、前記積層膜上に形成された上部電極４２２と、前記隔壁下に形成され、前記第１の下部電極及び前記第２の下部電極それぞれと重ならない位置に形成されたシールド電極４１９と、を具備する発光装置である。【選択図】図２
2014154426.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、
前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、
前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する隔壁と、
前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成され、発光物質を含む発光層と、前記発光層よりも導電性の高い層とを、含む積層膜と、
前記積層膜上に形成された上部電極と、
前記隔壁下に形成され、前記第１の下部電極及び前記第２の下部電極それぞれと重ならない位置に形成された第３の電極と、
を具備することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第３の電極は、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間を仕切るように配置されていることを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記第３の電極は、前記絶縁層上に形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第３の電極は、前記第１の下部電極と同一層によって形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項３において、
前記第１の下部電極と前記積層膜との間、及び前記第２の下部電極と前記積層膜との間の少なくとも一方に形成された光学調整層を有し、
前記第３の電極は、前記第１の下部電極と同一層によって形成された層と前記光学調整層と同一層によって形成された層の積層体であることを特徴とする発光装置。
【請求項６】
請求項１または２において、
前記第３の電極は、前記絶縁層下に形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記絶縁層下に形成されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有し、
前記第３の電極は、前記ソース電極と同一層によって形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６において、
前記絶縁層下に形成されたトランジスタを有し、
前記トランジスタは、半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有し、
前記第３の電極は、前記ゲート電極と同一層によって形成されていることを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第３の電極は電気的にフローティング状態であることを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至８のいずれか一項において、
前記第３の電極には、前記第１の下部電極と前記上部電極に挟持された前記発光層を発光させる場合に当該第１の下部電極と前記上部電極に印加される電圧のうち高電位側の電圧未満の電圧が印加されることを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第３の電極には、前記第１の下部電極と前記上部電極に印加される電圧のうち低電位側の電圧と、前記発光層が発光を開始するしきい値電圧と、の合計電圧以下の電圧が印加されることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一項において、
前記隔壁上に位置する前記上部電極と近接または接するカラーフィルタを有し、
前記カラーフィルタは、前記第１の下部電極と重なる第１の色と、前記第２の下部電極と重なる第２の色を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１３】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された複数の下部電極と、
前記絶縁層上に形成され、前記複数の下部電極の相互間に位置し、且つ前記複数の下部電極それぞれを囲むように配置された隔壁と、
前記複数の下部電極及び前記隔壁の上に形成された、発光物質を含む発光層及び前記発光層よりも導電性の高い層を含む積層膜と、
前記積層膜上に形成された上部電極と、
前記隔壁下に形成され、前記複数の下部電極それぞれと重ならない位置に形成され、且つ前記複数の下部電極それぞれを囲むように配置された第３の電極と、
を具備することを特徴とする発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を有する発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイの商品化が加速している。屋外での使用にも耐えられるよう、ディスプレイに求められる輝度は年々増加している。
一方、有機ＥＬ素子の発光輝度は電流に比例して大きくなることが知られており、高い輝度で発光させることが可能である。
【０００３】
しかし、大きな電流を流すと有機ＥＬ素子の劣化を早めてしまう。このため、少ない電流で高い輝度を得ることができれば、発光素子の寿命を延ばすことが可能である。そこで、少ない電流で高い輝度が得られる発光素子として、複数の発光ユニットが積層されたタンデム素子が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
なお、本明細書において、発光ユニットとは、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層または積層体をいう。
【０００５】
例えば、二つの発光ユニットを含むタンデム素子は、発光ユニットが一つである発光素子の半分の密度の電流を流すことによって、同等の発光を得ることができる。また、例えば電極間に一の構成の発光ユニットをｎ個積層する構成とすれば、電流密度を上昇させることなくｎ倍の輝度を実現できる。
【０００６】
隣接してタンデム素子が設けられた発光パネルにおいては、クロストーク現象の発生という課題がある。クロストーク現象とは、複数の副画素間で、発光層と発光層よりも導電性の高い層とを共通して含む場合に、当該導電性の高い層を介して隣接する副画素に電流がリークしてしまう現象である。例えば、第１の発光層を含む第１の発光ユニットと、第２の発光層を含む第２の発光ユニットとの間に、第１及び第２の発光層よりも導電性の高い層である中間層が設けられたタンデム素子では、当該中間層を介して隣接するタンデム素子に電流がリークして発光してしまう。
なお、キャリア注入層（正孔注入層又は電子注入層）を共通とするシングル素子についても、これと同様にクロストーク現象の発生という課題がある。
【０００７】
タンデム素子では、導電性の高い中間層を介して複数の層を積層しており、構造上導電性の高い層と導電性の低い層とを有する。また、タンデム素子では、駆動電圧の上昇を抑制するために有機化合物と金属酸化物との混合層や導電性高分子等の導電性の高いキャリア注入層を用いることが多い。また、タンデム素子はシングル素子と比較して陽極と陰極極間の電気抵抗が高く、導電性の高い層を経由して隣接画素へ電流が広がりやすい。
【０００８】
図８（Ａ）は、導電性の高い中間層８６によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図である。白色を呈する光を発するタンデム素子が３本のストライプ状に設けられた発光パネル（白色パネル）において、第２のタンデム素子のみ駆動させた様子を示す断面図である。
【０００９】
発光パネルは、互いに隣接して配置された第１〜第３のタンデム素子を有している。第１のタンデム素子は、上部電極８１と第１の下部電極８２との間に配置されている。第２のタンデム素子は、上部電極８１と第２の下部電極８３との間に配置されている。第３のタンデム素子は、上部電極８１と第３の下部電極８４との間に配置されている。
【００１０】
第１〜第３のタンデム素子それぞれは、第１の発光ユニット８５、中間層８６及び第２の発光ユニット８７が順に積層されている。例えば、第１の発光ユニット８５は青色を呈する光を発する発光層を有し、第２の発光ユニット８７は緑色を呈する光を発する発光層及び赤色を呈する光を発する発光層を有する構成とすれば、白色を呈する発光を得ることができる。
【００１１】
透光性を有する上部電極を用いる場合、上部電極上に対向ガラス基板８８を配置することができ、反射性を有する電極を下部電極に用いることができる。対向ガラス基板８８は図示されていない青色カラーフィルタ、赤色カラーフィルタ及び緑色カラーフィルタを有している。赤色カラーフィルタは第１の下部電極８２に重ねられ、青色カラーフィルタは第２の下部電極８３に重ねられ、緑色カラーフィルタは第３の下部電極８４に重ねられている。
【００１２】
上記の発光パネルにおいて第２の下部電極８３と上部電極８１に電圧を印加して青ライン（第２のタンデム素子）のみを駆動する際に、導電性の高い中間層８６を介して隣接する第１のタンデム素子または第３のタンデム素子に電流がリークし、赤ライン（第１のタンデム素子）または緑ライン（第３のタンデム素子）が発光してクロストーク現象が発生することがある。
【００１３】
図８（Ｂ）は、導電性の高いキャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）８９によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図であり、発光パネル（白色パネル）において青ライン（第２のタンデム素子）のみ駆動させた様子を示す図である。
【００１４】
第１〜第３のタンデム素子それぞれは、導電性の高いキャリア注入層８９を含む第１の発光ユニット８５と、中間層８６と、第２の発光ユニット８７と、が順に積層されている。キャリア注入層８９としては例えば有機化合物と金属酸化物との混合材料や導電性高分子等を用いた導電性の高い層が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００８−２３４８８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の一態様は、発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一態様は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する隔壁と、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成され、発光物質を含む発光層と、前記発光層よりも導電性の高い層とを、含む積層膜と、前記積層膜上に形成された上部電極と、前記隔壁下に形成され、前記第１の下部電極及び前記第２の下部電極それぞれと重ならない位置に形成された第３の電極と、を具備することを特徴とする発光装置である。
【００１８】
また、上記の本発明の一態様において、前記第３の電極は、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間を仕切るように配置されているとよい。
【００１９】
また、上記の本発明の一態様において、前記第３の電極は、前記絶縁層上に形成されているとよい。
【００２０】
また、上記の本発明の一態様において、前記第３の電極は、前記第１の下部電極と同一層によって形成されているとよい。
【００２１】
また、上記の本発明の一態様において、前記第１の下部電極と前記積層膜との間、及び前記第２の下部電極と前記積層膜との間の少なくとも一方に形成された光学調整層を有し、前記第３の電極は、前記第１の下部電極と同一層によって形成された層と前記光学調整層と同一層によって形成された層の積層体であるとよい。
【００２２】
また、上記の本発明の一態様において、前記第３の電極は、前記絶縁層下に形成されているとよい。前記絶縁層は、単一の層でもよいし、複数の層の積層体でもよい。
【００２３】
また、上記の本発明の一態様において、前記絶縁層下に形成されたトランジスタを有し、前記トランジスタは、半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記第３の電極は、前記ソース電極と同一層によって形成されているとよい。
【００２４】
また、上記の本発明の一態様において、前記絶縁層下に形成されたトランジスタを有し、前記トランジスタは、半導体層、ゲート電極、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記第３の電極は、前記ゲート電極と同一層によって形成されているとよい。
【００２５】
また、上記の本発明の一態様において、前記第３の電極は電気的にフローティング状態であってもよい。
【００２６】
また、上記の本発明の一態様において、前記第３の電極には、前記第１の下部電極と前記上部電極に挟持された前記発光層を発光させる場合に当該第１の下部電極と前記上部電極に印加される電圧のうち高電位側の電圧未満の電圧が印加されるとよい。
【００２７】
また、上記の本発明の一態様において、前記第３の電極には、前記第１の下部電極と前記上部電極に印加される電圧のうち低電位側の電圧と、前記発光層が発光を開始するしきい値電圧と、の合計電圧以下の電圧が印加されるとよい。
【００２８】
また、上記の本発明の一態様において、前記隔壁上に位置する前記上部電極と近接または接するカラーフィルタを有し、前記カラーフィルタは、前記第１の下部電極と重なる第１の色と、前記第２の下部電極と重なる第２の色を有するとよい。
【００２９】
本発明の一態様は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された複数の下部電極と、前記絶縁層上に形成され、前記複数の下部電極の相互間に位置し、且つ前記複数の下部電極それぞれを囲むように配置された隔壁と、前記複数の下部電極及び前記隔壁の上に形成された、発光物質を含む発光層及び前記発光層よりも導電性の高い層を含む積層膜と、前記積層膜上に形成された上部電極と、前記隔壁下に形成され、前記複数の下部電極それぞれと重ならない位置に形成され、且つ前記複数の下部電極それぞれを囲むように配置された第３の電極と、を具備することを特徴とする発光装置である。
【００３０】
なお、本明細書中における発光装置は、発光素子を画素（または副画素）に備える表示装置を含むものとする。また、発光パネルは、発光素子を備える画素が隣接して設けられる表示パネルを含むものとする。なお、発光素子は発光層を含む発光ユニットを備える。
【発明の効果】
【００３１】
本発明の一態様を適用することで、クロストーク現象の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】（Ａ）は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図、（Ｂ）は（Ａ）の切断線Ａ−ＢおよびＣ−Ｄにおける断面を含む構造の側面図。
【図２】（Ａ）は画素の上面図、（Ｂ）は（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける断面を含む構造の側面図、（Ｃ）及び（Ｄ）は副画素４０２Ｇの等価回路図。
【図３】（Ａ）及び（Ｂ）は、画素の上面図。
【図４】（Ａ），（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆに相当する断面図。
【図５】（Ａ），（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆに相当する断面図。
【図６】実施例で作製した表示パネルの画素部の拡大図。
【図７】実施例の第１の発光素子５５０Ｂを発光させた場合の発光パネル輝度色度特性とシールド電極５４９の電位との関係を示す図。
【図８】（Ａ）は導電性の高い中間層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図、（Ｂ）は導電性の高いキャリア注入層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３４】
（実施の形態１）
＜表示パネルの構成＞
本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を図１に示す。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ａ−ＢおよびＣ−Ｄにおける断面を含む構造の側面図である。
【００３５】
本実施の形態で例示して説明する表示パネル４００は、第１の基板４１０上に表示部４０１を有し、表示部４０１には画素４０２が複数設けられている。また、画素４０２には複数（例えば３つ）の副画素が設けられている（図１（Ａ）参照）。また、第１の基板４１０上には表示部４０１と共に当該表示部４０１を駆動するソース側の駆動回路部４０３ｓ、ゲート側の駆動回路部４０３ｇが設けられている。なお、駆動回路部を第１の基板４１０上ではなく外部に形成することもできる。
【００３６】
表示パネル４００は外部入力端子を備え、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。
【００３７】
シール材４０５は、第１の基板４１０と第２の基板４４０を貼り合わせ、その間に形成された空間４３１に表示部４０１が封止されている（図１（Ｂ）参照）。
【００３８】
表示パネル４００の断面を含む構造を図１（Ｂ）参照して説明する。表示パネル４００は、ソース側の駆動回路部４０３ｓと、画素４０２に含まれる副画素４０２Ｇと、引き回し配線４０８を備える。なお、本実施の形態で例示する表示パネル４００の表示部４０１は、図中に示す矢印の方向に光を射出して、画像を表示する。
【００３９】
ソース側の駆動回路部４０３ｓはｎチャネル型トランジスタ４１３と、ｐチャネル型トランジスタ４１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を含む。ｎチャネル型トランジスタ４１３及びｐチャネル型トランジスタ４１４は絶縁層４１７内に形成されている。なお、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路またはＮＭＯＳ回路で構成しても良い。
【００４０】
引き回し配線４０８は外部入力端子から入力される信号をソース側の駆動回路部４０３ｓおよびゲート側の駆動回路部４０３ｇに伝送する。
【００４１】
副画素４０２Ｇは、スイッチング用のトランジスタ４１１と電流制御用のトランジスタ４１２と第２の発光素子４２０ｂとカラーフィルタ４４１Ｇを有する。スイッチング用のトランジスタ４１１及び電流制御用のトランジスタ４１２は絶縁層４１７内に形成されている。また、副画素４０２Ｇと、隣接する副画素との間には、第３の電極（以下「シールド電極」ともいう。）４１９が設けられている。絶縁層４１７及びトランジスタ４１１等の上には、絶縁層４１６と隔壁４１８とが形成されている。なお、図１ではシールド電極４１９は、端子部４１９ａにおいて駆動回路部４０３ｓと電気的に接続している。
【００４２】
第２の発光素子４２０ｂは、第２の下部電極４２１ｂと上部電極４２２と、これらに挟持された発光性の有機化合物を含む層（以下「ＥＬ層」ともいう。）４２３とを有する。第２の発光素子４２０ｂにおいて光射出側に設ける電極には、ＥＬ層４２３からの発光に対して透光性を有する電極を用い、光射出側とは反対に設ける電極には、該発光に対して反射性を有する材料を用いる。また、光射出側にカラーフィルタ４４１Ｇが設けられている。本実施の形態で例示する第２の発光素子４２０ｂでは、第２の下部電極４２１ｂが反射性を有し、上部電極４２２が透光性を有する構成とする。なお、表示部４０１が画像を表示する方向は、第２の発光素子４２０ｂが発する光が取り出される方向により決定される。
【００４３】
また、カラーフィルタ４４１Ｇを囲むように遮光性の膜４４２が形成されている。遮光性の膜４４２は表示パネル４００が外光を反射する現象を防ぐ膜であり、表示部４０１が表示する画像のコントラストを高める効果を奏する。なお、カラーフィルタ４４１Ｇと遮光性の膜４４２は、第２の基板４４０に形成されている。
【００４４】
絶縁層４１６は、トランジスタ４１１等の構造に由来して生じる段差を平坦化、または、トランジスタ４１１等への不純物の拡散を抑制するための、絶縁性の層であり、単一の層であっても複数の層の積層体であってもよい。隔壁４１８は開口部を有する絶縁性の層であり、第２の発光素子４２０ｂは隔壁４１８の開口部に形成される。
【００４５】
＜トランジスタの構成＞
図１に例示する表示パネル４００には、トップゲート型のトランジスタが適用されているがこれに限られず、ボトムゲート型のトランジスタも適用することができる。ソース側の駆動回路部４０３ｓ、ゲート側の駆動回路部４０３ｇ並びに副画素にはさまざまな構造のトランジスタを適用できる。また、これらのトランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。酸化物半導体の一例としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体を挙げることができ、ＩｎとＺｎを含む酸化物半導体が好ましい。また、これらの酸化物半導体が、ガリウム（Ｇａ）またはスズ（Ｓｎ）から選ばれた一種または複数を含むと、特に好ましい。
【００４６】
トランジスタのチャネルが形成される領域に単結晶半導体を用いると、トランジスタサイズを微細化することが可能となるため、表示部において画素をさらに高精細化することができる。
【００４７】
半導体層を構成する単結晶半導体としては、単結晶シリコン基板などの半導体基板の他、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。
【００４８】
＜封止構造＞
本実施の形態で例示する表示パネル４００は、第１の基板４１０、第２の基板４４０、およびシール材４０５で囲まれた空間４３１に、発光素子を封止する構造を備える（図１参照）。
【００４９】
空間４３１は、不活性気体（窒素やアルゴン等）で充填される場合の他、樹脂で充填される場合もある。また、不純物（代表的には水および／または酸素）の吸着材（例えば、乾燥剤など）を空間４３１に導入しても良い。
【００５０】
シール材４０５および第２の基板４４０は、大気中の不純物（代表的には水および／または酸素）をできるだけ透過しない材料であることが望ましい。シール材４０５にはエポキシ系樹脂や、ガラスフリット等を用いることができる。
【００５１】
第２の基板４４０に用いることができる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板や、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）等をその例に挙げることができる。
【００５２】
＜画素の構成１＞
表示部４０１に設けられた画素４０２の構成について、図２を参照して説明する。図２（Ａ）は画素４０２の平面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける断面図であり、図２（Ｃ）は副画素４０２Ｂの等価回路図である。なお、図２（Ａ）の平面図においては、画素４０２の構成要素の一部（例えば、カラーフィルタ４４１Ｂ〜４４１Ｒなど）を図面の煩雑を避けるために、省略してある。
【００５３】
本実施の形態で例示する画素４０２は青色を呈する光Ｂを射出する副画素４０２Ｂ、緑色を呈する光Ｇを射出する副画素４０２Ｇ、赤色を呈する光Ｒを射出する副画素４０２Ｒを有する。副画素４０２Ｂは、駆動用トランジスタと第１の発光素子４２０ａとカラーフィルタ４４１Ｂを備える。副画素４０２Ｇは、駆動用トランジスタと第２の発光素子４２０ｂとカラーフィルタ４４１Ｇを備える。副画素４０２Ｒは、駆動用トランジスタと第３の発光素子４２０ｃとカラーフィルタ４４１Ｒを備える。第１の発光素子４２０ａは、第１の下部電極４２１ａと、上部電極４２２と、ＥＬ層４２３とを有する。第２の発光素子４２０ｂは、第２の下部電極４２１ｂと、上部電極４２２と、ＥＬ層４２３とを有する。第３の発光素子４２０ｃは、第３の下部電極４２１ｃと、上部電極４２２と、ＥＬ層４２３とを有する。
【００５４】
ＥＬ層４２３は、発光物質を含む発光層と、発光層よりも導電性の高い層とを、少なくとも含む積層膜である。発光層よりも導電性の高い層としては、例えば、キャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）または、中間層が挙げられる。本実施の形態において、ＥＬ層４２３は、第１の発光ユニットと、第２の発光ユニットと、第１の発光ユニットと第２の発光ユニットの間に設けられた中間層と、を含む。中間層の導電性は、第１及び第２の発光ユニットより高い。
【００５５】
なお、発光ユニットは、発光物質を含む発光層を少なくとも１つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。
【００５６】
副画素４０２Ｂは、第１の発光素子４２０ａと重なるように上部電極４２２の側に、青色の光を取り出すことが可能なカラーフィルタ４４１Ｂを含む（図２（Ｂ）参照）。同様に、副画素４０２Ｇは、第２の発光素子４２０ｂと重なるように緑色の光を取り出すことが可能なカラーフィルタ４４１Ｇを含む。また、副画素４０２Ｒは、第３の発光素子４２０ｃと重なるように赤色の光を取り出すことが可能なカラーフィルタ４４１Ｒを含む。各副画素に含まれる第１〜第３の発光素子４２０ａ，４２０ｂ，４２０ｃの構成は、副画素間で共通している。第１〜第３の発光素子４２０ａ，４２０ｂ，４２０ｃとして、赤、青及び緑色の光を含んで白色に発光する発光素子を用いることで、フルカラー表示が可能な表示パネルとすることができる。
【００５７】
≪シールド電極４１９≫
副画素４０２Ｂ，４０２Ｇ，４０２Ｒそれぞれの周囲にはシールド電極４１９が設けられており、シールド電極４１９は副画素４０２Ｂ，４０２Ｇ，４０２Ｒそれぞれを囲むように格子状に配置されている。別言すれば、シールド電極４１９は、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれを囲むように形成されている（図２（Ａ），（Ｂ）参照）。
【００５８】
シールド電極４１９は、絶縁層４１６上に形成され、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃと同一層によって形成されている。ここでいう「同一層によって形成され」とは、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃと同じ工程で形成されることを意味する。
【００５９】
シールド電極４１９は、隔壁４１８下に形成され、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれと重ならない位置に形成されている。シールド電極４１９は隔壁４１８によって覆われている。
【００６０】
なお、本画素の構成１では、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれを囲むようにシールド電極４１９を形成しているが、この構成に限定されるものではない。例えば図３（Ａ）及び図３（Ｂ）に示すように、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれの相互間にのみシールド電極４１９を形成してもよい。別言すれば、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれの相互間を仕切るようにシールド電極４１９を配置してもよい。つまり、異色の副画素間にシールド電極４１９を形成し、同色の副画素間にはシールド電極を形成しない構成を採用してもよい。なお、図３（Ａ）に示す構成は、一つの副画素に対応して、一つのシールド電極５１９Ａを配置した例であり、この場合、シールド電極５１９Ａの電位はフロート電位とする。また、図３（Ｂ）は、異色の副画素間にストライプ状にシールド電極５１９Ｂを配置した例であり、この場合、シールド電極５１９Ｂの電位はフロート電位としてもよいし、シールド電極５１９Ｂを駆動回路部４０３ｓと電気的に接続してもよい。
【００６１】
例えば、第２の下部電極４２１ｂと上部電極４２２に挟持されたＥＬ層４２３を発光させる場合、即ち副画素４０２Ｇを発光させ、副画素４０２Ｂ，４０２Ｒを発光させない場合、シールド電極４１９には、電位を印加せずに、フロート電位（電気的にフローティング状態）としてもよい。副画素間にシールド電極４１９を設けることで、シールド電極４１９がフロート電位であっても、隣接する副画素４０２Ｂ，４０２ＲのＥＬ層４２３（特に、ＥＬ層４２３中の、発光層よりも導電性の高い層）にリーク電流が流れることを抑制することができる。よって、シールド電極４１９を設けることで発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することができる。なお、シールド電極４１９をフロート電位とする場合は、シールド電極４１９を駆動回路部４０３ｓと電気的に接続しない。
【００６２】
また、副画素４０２Ｇを発光させ、副画素４０２Ｂ，４０２Ｒを発光させない場合、シールド電極４１９に印加される電圧を、第２の発光素子４２０ｂに印加される高電位側（陽極）の印加電圧未満とすることが好ましく、低電位側（陰極）の印加電圧と、第２の発光素子４２０ｂのしきい値電圧との合計の電圧以下とすることがより好ましい。例えば、第２の下部電極４２１ｂを陽極として用い、上部電極４２２を陰極として用いて第２の発光素子４２０ｂを発光させる場合、シールド電極４１９に印加される電圧は、第２の下部電極４２１ｂに印加される電圧未満であることが好ましく、上部電極４２２に印加される電圧と、第２の発光素子４２０ｂのしきい値電圧との合計電圧以下とすることがより好ましい。
【００６３】
この際のシールド電極４１９への電位の印加は、駆動回路部４０３ｓから端子部４１９ａを介して実行される。これにより、副画素４０２Ｇの第２の下部電極４２１ｂの電流が、隣接する副画素４０２Ｂ，４０２ＲのＥＬ層４２３（特に、ＥＬ層４２３中の、発光層よりも導電性の高い層）に流れるのを抑制でき、隣接する副画素４０２Ｂ，４０２Ｒの発光を抑制することができる。従って、発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することができる。
【００６４】
なお、ここで、発光装置の消費電力を低減するためには、シールド電極４１９に印加される電圧は、第２の発光素子４２０ｂを発光させる場合の低電位側（陰極）の電圧以上高電位側（陽極）の印加電圧未満の電圧とすることがより好ましい。特に、シールド電極４１９に印加される電圧を、第２の発光素子４２０ｂを発光させる場合の低電位側の電圧と同じ電圧とすることで、外部電源を低電位側の電源と共通とすることが可能であるため、外部接続端子までの配線数を削減することが可能となり好ましい。
【００６５】
図２（Ｃ）では、スイッチング用トランジスタ４１１と電流制御用のトランジスタ４１２に、ｐチャネル型のトランジスタを適用する場合を例示する。青色の副画素４０２Ｇのスイッチング用のトランジスタ４１１の一方の端子は、オン時またはオフ時の画素階調データ信号電圧を印加する信号線Ｖｄａｔａに電気的に接続されている。スイッチング用のトランジスタ４１１のゲート電極は、画素選択電圧を印加する選択線Ｖｇｌに電気的に接続されている。スイッチング用のトランジスタ４１１の他方の端子は、電流制御用のトランジスタ４１２のゲート電極に電気的に接続されている（図２（Ｃ）参照）。第２の発光素子４２０ｂの高電位側の印加電圧は電流制御用トランジスタ４１２のドレイン端子電圧であり、該トランジスタのゲート電圧に依存した電圧となり、低電位側の印加電圧はＶｂｔｍである。但し、暗階調を表示する場合（例えば、階調レベル０）は、第２の発光素子４２０ｂの高電位側の電圧は、Ｖｂｔｍ＋Ｖｔｈである。なお、Ｖｔｈは第２の発光素子４２０ｂの発光しきい値電圧である。また、副画素４０２Ｂと、他の副画素（図２（Ｃ）には図示せず）との間には、シールド電極４１９が設けられ、印加電圧Ｖｈｏが供給される。この場合、Ｖｈｏ≦Ｖｂｔｍ＋Ｖｔｈを満たすＶｈｏを供給すればよい。但し、シールド電極４１９を電気的にフローティング状態としてもよい。
【００６６】
なお、図２（Ｃ）の副画素の構成に加えて、第２の発光素子４２０ｂの一方の電極と、電流制御用のトランジスタ４１２のゲート電極との電気的に接続された補助容量を有していてもよい。
【００６７】
また、図２（Ｄ）では、スイッチング用トランジスタ４１１と電流制御用のトランジスタ４１２に、ｎチャネル型のトランジスタを適用する場合を例示する。図２（Ｄ）において第２の発光素子４２０ｂの高電位側の印加電圧がＶｔｏｐであり、低電位側の印加電圧がＶｂｔｍである。また、副画素４０２Ｂと、他の副画素（図２（Ｄ）には図示せず）との間には、シールド電極４１９が設けられ、印加電圧Ｖｈｏが供給される。この場合、印加電圧Ｖｈｏは、高電位側の印加電圧Ｖｔｏｐ未満とすればよく、Ｖｈｏ≦Ｖｔｏｐ−Ｖｔｈを満たすＶｈｏを供給することがより好ましい。但し、シールド電極４１９を電気的にフローティング状態としてもよい。また、スイッチング用トランジスタ４１１と電流制御用のトランジスタ４１２には、ｎチャネル型のトランジスタを適用した場合であっても、図２（Ｃ）に示す等価回路図と同じ配置としてもよい。その場合、シールド電極４１９への印加電圧Ｖｈｏは、図２（Ｃ）の場合と同様とすればよい。
【００６８】
＜画素の構成２＞
表示部に設けられた画素４５２の構成について、図４（Ａ）を参照して説明する。図４（Ａ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆに相当する断面図である。図４（Ａ）に示された画素４５２、副画素４５２Ｂ，４５２Ｇ，４５２Ｒ、シールド電極４２９は、それぞれ図２（Ａ）に示された画素４０２、副画素４０２Ｂ，４０２Ｇ，４０２Ｒ、シールド電極４１９に対応する。
なお、図４（Ａ）において上記の画素の構成１と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００６９】
≪シールド電極４２９≫
シールド電極４２９は、絶縁層４１７上に形成され、絶縁層４１６によって覆われ、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれと重ならない位置に形成されている。ここでいう「重ならない位置」とは、図２（Ａ）に示すような平面として視た場合にシールド電極４２９が第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれと重ならないことを意味する。
【００７０】
絶縁層４１６下にはトランジスタが配置されており、このトランジスタは絶縁層４１７内に形成されている。このトランジスタは、半導体層３０１、ゲート電極３０２、ソース電極３０３及びドレイン電極３０４を有する。シールド電極４２９は、ソース電極３０３及びドレイン電極３０４と同一層によって形成されている。別言すれば、シールド電極４２９は、ソース電極３０３及びドレイン電極３０４と同じ工程で形成されている。このトランジスタは、例えば副画素４５２Ｂ，４５２Ｇ，４５２Ｒに含まれる、駆動用のトランジスタ（スイッチング用のトランジスタ又は電流制御用のトランジスタ）である。
【００７１】
副画素４５２Ｂ，４５２Ｇ，４５２Ｒそれぞれの周囲にはシールド電極４２９が設けられており、シールド電極４２９は副画素４５２Ｂ，４５２Ｇ，４５２Ｒそれぞれを囲むように格子状に配置されている。別言すれば、シールド電極４２９は、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれを囲むように形成されている。
【００７２】
なお、本画素の構成２では、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれを囲むようにシールド電極４２９を形成しているが、この構成に限定されるものではなく、例えば第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれの相互間にのみシールド電極４２９を形成してもよい。別言すれば、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれの相互間を仕切るようにシールド電極４２９を配置してもよい。
【００７３】
シールド電極４２９に印加される電位は、上記の画素の構成１と同様であり、第２の下部電極４２１ｂの電位と上部電極４２２の電位との間の電位、またはフロート電位とすることができる。例えば、副画素４５２Ｇが図２（Ｃ）に示す等価回路図と同様の配置である場合には、シールド電極４２９に印加される電位は、第２の下部電極４２１ｂの電位と上部電極４２２の電位との間の電位で且つ第２の下部電極４２１ｂの電位より上部電極４２２の電位に近い電位とするとよい。または、副画素４５２Ｇが図２（Ｄ）に示す等価回路図と同様の配置である場合には、シールド電極４２９に印加される電位は、第２の下部電極４２１ｂの電位と上部電極４２２の電位との間の電位で且つ上部電極４２２の電位より下部電極４２１ｂの電位に近い電位とするとよい。これにより、発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することができる。
【００７４】
＜画素の構成３＞
表示部に設けられた画素４６２の構成について、図４（Ｂ）を参照して説明する。図４（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆに相当する断面図である。図４（Ｂ）に示された画素４６２、副画素４６２Ｂ，４６２Ｇ，４６２Ｒ、シールド電極４３９は、それぞれ図２（Ａ）に示された画素４０２、副画素４０２Ｂ，４０２Ｇ，４０２Ｒ、シールド電極４１９に対応する。
なお、図４（Ｂ）において上記の画素の構成１と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００７５】
≪シールド電極４３９≫
シールド電極４３９は、絶縁層４１６下に形成され、絶縁層４１７によって覆われ、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれと重ならない位置に形成されている。
【００７６】
トランジスタは、半導体層３０１、ゲート電極３０２、ソース電極３０３及びドレイン電極３０４を有する。シールド電極４３９は、ゲート電極３０２と同一層によって形成されている。別言すれば、シールド電極４３９は、ゲート電極３０２と同じ工程で形成されている。このトランジスタは、例えば副画素４６２Ｂ，４６２Ｇ，４６２Ｒに含まれる、駆動用のトランジスタ（スイッチング用のトランジスタ又は電流制御用のトランジスタ）である。
【００７７】
副画素４６２Ｂ，４６２Ｇ，４６２Ｒそれぞれの周囲にはシールド電極４３９が設けられており、シールド電極４３９は副画素４６２Ｂ，４６２Ｇ，４６２Ｒそれぞれを囲むように格子状に配置されている。別言すれば、シールド電極４３９は、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれを囲むように形成されている。
【００７８】
なお、本画素の構成３では、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれを囲むようにシールド電極４３９を形成しているが、この構成に限定されるものではなく、例えば第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれの相互間にのみシールド電極４３９を形成してもよい。別言すれば、第１〜第３の下部電極４２１ａ〜４２１ｃそれぞれの相互間を仕切るようにシールド電極４３９を配置してもよい。
【００７９】
シールド電極４３９に印加される電位は、上記の画素の構成１と同様であり、第２の下部電極４２１ｂの電位と上部電極４２２の電位との間の電位、またはフロート電位とすることができる。例えば、副画素４６２Ｇが図２（Ｃ）に示す等価回路図と同様の配置である場合には、シールド電極４３９に印加される電位は、第２の下部電極４２１ｂの電位と上部電極４２２の電位との間の電位で且つ第２の下部電極４２１ｂの電位より上部電極４２２の電位に近い電位とするとよい。または、副画素４６２Ｇが図２（Ｄ）に示す等価回路図と同様の配置である場合には、シールド電極４３９に印加される電位は、第２の下部電極４２１ｂの電位と上部電極４２２の電位との間の電位で且つ上部電極４２２の電位より下部電極４２１ｂの電位に近い電位とするとよい。これにより、発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することができる。
【００８０】
＜画素の構成４＞
表示部に設けられた画素４７２の構成について、図５（Ａ）を参照して説明する。
画素４７２は、図２に示すカラーフィルタに代えて、微小共振器を設けた例である。
【００８１】
図５（Ａ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆに相当する断面図である。図５（Ａ）に示された画素４７２、副画素４７２Ｂ，４７２Ｇ，４７２Ｒ、シールド電極４４９は、それぞれ図２（Ａ）に示された画素４０２、副画素４０２Ｂ，４０２Ｇ，４０２Ｒ、シールド電極４１９に対応する。
なお、図５（Ａ）において上記の画素の構成１と同一部分には同一符号を付し、同一部分の説明は省略する。
【００８２】
図５（Ａ）で例示する画素４７２は青色を呈する光を射出する副画素４７２Ｂ、緑色を呈する光を射出する副画素４７２Ｇ、赤色を呈する光を射出する副画素４７２Ｒを有する。副画素４７２Ｂは、駆動用トランジスタと第１の発光素子４５０Ｂとを備える。副画素４７２Ｇは、駆動用トランジスタと第２の発光素子４５０Ｇとを備える。副画素４７２Ｒは、駆動用トランジスタと第３の発光素子４５０Ｒとを備える。また、それぞれの副画素の間には、第１のシールド電極４４９ａ及び第２のシールド電極４４９ｂを含むシールド電極４４９が設けられている。
【００８３】
副画素４７２Ｂ，４７２Ｇ，４７２Ｒに含まれる第１〜第３の発光素子４５０Ｂ，４５０Ｇ，４５０Ｒは、反射膜と半透過・半反射膜とを重ねることで微小共振器を形成し、その間にＥＬ層４２３を設けた構成を有する。図５（Ａ）では、反射膜として反射性を有する第１〜第３の下部電極４５４ａ，４５４ｂ，４５４ｃを設け、半透過・半反射膜として半透過・半反射性を有する上部電極４５６を設ける。このような構成とすることで、半透過・半反射性を有する上部電極４５６から特定の波長の光を効率良く取り出せる。また、取り出す光が強め合うように微小共振器の光学距離を設けると、光を取り出す効率を高められる。取り出す光の波長は、反射膜と半透過・半反射膜の間の距離に依存し、その距離は、反射膜と半透過・半反射膜の間に光学調整層を形成して調整できる。なお、ＥＬ層４２３及び上部電極４５６は、各副画素間で共通している。
【００８４】
副画素４７２Ｂに含まれる第１の発光素子４５０Ｂは、反射性を有する第１の下部電極４５４ａと、半透過・半反射性を有する上部電極４５６との間に、青色の光（４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長の光）を強め合うように第１の下部電極４５４ａと上部電極４５６との光学距離を調整するための光学調整層４３１Ｂを含む。光学調整層４３１Ｂを設けることで、青色の光を効率良く取り出すことができる。
【００８５】
副画素４７２Ｇに含まれる第２の発光素子４５０Ｇは、反射性を有する第２の下部電極４５４ｂと、半透過・半反射性を有する上部電極４５６との間に、緑色の光（５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長の光）を強め合うように第２の下部電極４５４ｂと上部電極４５６との光学距離を調整するための光学調整層４３１Ｇを含む。光学調整層４３１Ｇを設けることで、緑色の光を効率良く取り出すことができる。
【００８６】
副画素４７２Ｒに含まれる第３の発光素子４５０Ｒは、反射性を有する第３の下部電極４５４ｃと、半透過・半反射性を有する上部電極４５６との間に、赤色の光（６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長の光）を強め合うように第３の下部電極４５４ｃと上部電極４５６との光学距離を調整するための光学調整層４３１Ｒを含む。光学調整層４３１Ｒを設けることで、赤色の光を効率良く取り出すことができる。
【００８７】
このような構成の第１〜第３の発光素子４５０Ｂ，４５０Ｇ，４５０Ｒは、反射膜と半透過・半反射膜の間でＥＬ層４２３が発する光が干渉し合い、４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光のうち特定の光が強め合う。
【００８８】
光学調整層に用いることができる材料としては、可視光に対して透光性を有する導電膜の他、発光性の有機化合物を含む層を適用できる。例えば、電荷発生領域の厚さを調整することにより、電荷発生領域が光学調整層を兼ねる構成としてもよい。または、正孔輸送性の高い物質と正孔輸送性の物質に対してアクセプター性の物質を含む領域の厚さを調整することにより、当該混合材料層が光学調整層を兼ねる構成としてもよく、この構成を用いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。
【００８９】
光学調整層の厚さは、発光素子から取り出す光の波長の長さに応じて調整する。
【００９０】
≪シールド電極４４９≫
図５（Ａ）において副画素間に設けられるシールド電極４４９は、第１〜第３の発光素子４５０Ｂ，４５０Ｇ，４５０Ｒそれぞれの第１〜第３の下部電極４５４ａ，４５４ｂ，４５４ｃと同じ工程で作製される第１のシールド電極４４９ａと、第３の発光素子４５０Ｒの光学調整層４３１Ｒと同じ工程で作製される第２のシールド電極４４９ｂとの積層構造を含む場合を例に示す。但し、本発明の実施の形態はこれに限られず、例えば、第１のシールド電極４４９ａと、第１の発光素子４５０Ｂの光学調整層４５０Ｂと同じ工程で作製される電極層との積層構造としてもよいし、また第１のシールド電極４４９ａと、第２の発光素子４５０Ｇの光学調整層４５０Ｇと同じ工程で作製される電極層との積層構造としてもよい。
【００９１】
＜画素の構成５＞
表示部に設けられた画素４８２の構成について、図５（Ｂ）を参照して説明する。
図５（Ｂ）に示す画素４８２は、図５（Ａ）の画素４７２の変形例であり、第２の基板４４０側にカラーフィルタ４４１Ｂ，４４１Ｇ，４４１Ｒと遮光性の膜４４２を設けた構成である。つまり、画素４８２は、カラーフィルタと微小共振器の双方を設けた例である。
【００９２】
図５（Ｂ）において副画素４８２Ｂは、駆動用トランジスタと、第１の発光素子４５０Ｂと、青色を呈する光を透過するカラーフィルタ４４１Ｂとを含む。また、副画素４７２Ｇは、駆動用トランジスタと、第２の発光素子４５０Ｇと、緑色を呈する光を透過するカラーフィルタ４４１Ｇとを含む。また、副画素４７２Ｒは、駆動用トランジスタと、第３の発光素子４５０Ｒと、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタ４４１Ｒとを含む。
【００９３】
図５（Ａ）に示す構成にさらにカラーフィルタを設けることで、該カラーフィルタが不要な光を吸収するため色純度を高めることができる。
なお、カラーフィルタ以外の構成は、図５（Ａ）と同様であるため、詳細な説明は省略する。
【実施例】
【００９４】
本実施例では、副画素間にシールド電極を配置した本発明の一態様の表示パネルを作製し、クロストークの有無について検証した結果を示す。
【００９５】
図６に本実施例で作製した表示パネルの画素部の拡大図を示す。図６（Ａ）は、表示パネルの画素部の平面図であり、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＧ−Ｈにおける断面図である。また、図６（Ｃ）は、副画素５７２Ｂにおける等価回路図である。
【００９６】
なお、図６（Ａ）では、画素電極として機能する第１の下部電極５５４ａと、第１の下部電極５５４ａと同じ層で形成された第１のシールド電極５４９ａと、の配置を明確に示すために、構成要素の一部（例えば、上部電極５５６、ＥＬ層５２３、隔壁５１８等）を省略して図示している。また、図６（Ａ）において、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃ内部に配置された点線は、画素の開口部を示す。
【００９７】
本実施例で作製した表示パネルの画素５７２は、駆動用トランジスタを含む素子形成層５１４が設けられた第１の基板５１０上に、絶縁層５１６を介して形成した。第１の基板５１０としては、板厚７００μｍのガラス基板を用いた。また、素子形成層５１４の膜厚は、１５６０ｎｍであり、絶縁層５１６には樹脂絶縁材料を用いて膜厚を２．５μｍとした。
【００９８】
画素５７２は、青色を呈する光を射出する副画素５７２Ｂ（青色の副画素とも表記する）と、緑色を呈する光を射出する副画素５７２Ｇ（緑色の副画素とも表記する）と、赤色を呈する光を射出する副画素５７２Ｒ（赤色の副画素とも表記する）と、各副画素間に格子状に配置されたシールド電極５４９と、を含む。副画素５７２Ｂ，５７２Ｇ，５７２Ｒはそれぞれ、第１〜第３の発光素子５５０Ｂ，５５０Ｇ，５５０Ｒを含む。
【００９９】
第１〜第３の発光素子５５０Ｂ，５５０Ｇ，５５０Ｒは、反射性を有する第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃと半透過・半反射性を有する上部電極５５６との間に、光学調整層と、ＥＬ層５２３とを有する。各発光素子間で、ＥＬ層５２３及び上部電極５５６は共通して設けられている。本実施例においては、膜厚２００ｎｍのＥＬ層５２３上に、膜厚８５ｎｍの銀又はアルミニウム合金膜でなる上部電極５５６を形成した。
【０１００】
第１〜第３の下部電極５５４ａ〜５５４ｃ及び第１のシールド電極５４９ａには、膜厚１００ｎｍの酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜上に、膜厚１００ｎｍのアルミニウム膜が積層された積層膜をフォトリソグラフィによってパターニングして用いた。
【０１０１】
第１の発光素子５５０Ｂにおいては、第１の下部電極５５４ａ上に、光学調整層５３１Ｂとして膜厚１９ｎｍの酸化インジウム−酸化亜鉛膜を形成した。
【０１０２】
第２の発光素子５５０Ｇにおいては、第２の下部電極５５４ｂ上に、膜厚４０ｎｍの酸化インジウム−酸化亜鉛膜と、膜厚１９ｎｍの酸化インジウム−酸化亜鉛膜を積層させ、光学調整層５３１Ｇとした。なお、同種材料の酸化インジウム−酸化亜鉛膜の積層構造は各層の境界が不明確となる場合があるため、図６（Ｂ）においては、境界を模式的に点線で図示している。
【０１０３】
第３の発光素子５５０Ｒにおいては、第３の下部電極５５４ｃ上に、膜厚４０ｎｍの酸化インジウム−酸化亜鉛膜と、膜厚４０ｎｍの酸化インジウム−酸化亜鉛膜と、膜厚１９ｎｍの酸化インジウム−酸化亜鉛膜を積層させ、光学調整層５３１Ｒとした。
【０１０４】
シールド電極５４９は、第１〜第３の発光素子それぞれの第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃと同じ工程で作製される第１のシールド電極５４９ａと、第３の発光素子５５０Ｒの光学調整層５３１Ｒと同じ工程で作製される第２のシールド電極５４９ｂの積層構造とした。すなわち、シールド電極５４９は、膜厚１００ｎｍのＩＴＯ膜上に、膜厚１００ｎｍのアルミニウム膜が積層された第１のシールド電極５４９ａと、膜厚４０ｎｍの酸化インジウム−酸化亜鉛膜、膜厚４０ｎｍの酸化インジウム−酸化亜鉛膜、及び膜厚１９ｎｍの酸化インジウム−酸化亜鉛膜が積層された第２のシールド電極５４９ｂとを含む。
【０１０５】
なお、図６（Ａ）に示すように、第１〜第３の下部電極５５４ａ，５５４ｂ，５５４ｃそれぞれは、コンタクトホール５６０を介して、素子形成層５１４に設けられたトランジスタと電気的に接続している。また、第１のシールド電極５４９ａは、コンタクトホール５６１を介して素子形成層５１４に設けられたトランジスタと電気的に接続している。
【０１０６】
シールド電極５４９を覆う隔壁５１８には、樹脂絶縁材料を用い、その膜厚を２μｍとした。
【０１０７】
第１〜第３の発光素子５５０Ｂ，５５０Ｇ，５５０Ｒ上には、膜厚５〜７μｍの充填用の樹脂材料を介して第２の基板５４０が配置されている。第２の基板５４０には、板厚７００μｍのガラス基板を用いた。
【０１０８】
本実施例で作製した表示パネルでは、副画素のサイズを１１４μｍ□とし、副画素間に配置されるシールド電極５４９の幅を３μｍとし、シールド電極５４９と副画素との間隔を３μｍとし、第１〜第３の下部電極５５４ａ〜５５４ｃそれぞれの端部から開口部の端部までの距離を４μｍとした。
【０１０９】
以上の構成を有する本実施例の表示パネルについて、クロストークの有無を評価した。具体的には、青色の副画素５７２Ｂを発光させた際の、画素５７２当たりの輝度色度特性を測定し、赤色及び緑色成分の輝度比を評価した。測定条件について以下に示す。
【０１１０】
青色の副画素５７２Ｂのスイッチング用のトランジスタ５１１と電流制御用のトランジスタ５１２には、ｐチャネル型のトランジスタを適用した（図６（Ｃ）参照）。そして、第１の発光素子５５０Ｂの高電位側の印加電圧Ｖｔｏｐを６Ｖ、低電位側の印加電圧Ｖｂｔｍを−２Ｖとし、画素選択電圧Ｖｇｌを−６Ｖとし、オン時の画素階調データ信号電圧Ｖｄａｔａを−６Ｖ、オフ時の画素階調データ信号電圧Ｖｄａｔａを６Ｖとして、第１の発光素子５５０Ｂからの発光を得た。また、シールド電極５４９の電位は１０Ｖから、−１４Ｖまで２Ｖ刻みで変化させた。さらに、シールド電極５４９の電位を定めないフロート電位（オープン）の状態も確認した。
【０１１１】
表示パネルの発光は、ＣＣＤ（Ｃｈａｒｇｅ  Ｃｏｕｐｌｅｄ  Ｄｅｖｉｃｅ）を搭載した輝度カメラで撮像し、撮像された画素列の輝度値のデジタル画像データをソフトウェアで加工することによって評価した。
【０１１２】
輝度カメラには、Ｒａｄｉａｎｔ  Ｉｍａｇｉｎｇ社製の「Ｐｒｏｍｅｔｒｉｃ  １４００  Ｃｏｌｏｒ」を用いた。撮影時のレンズ面とサンプル間の距離は約７０ｍｍとした。また、デジタル画像データの加工には、Ｒａｄｉａｎｔ  Ｉｍａｇｉｎｇ社製の「Ｐｒｏｍｅｔｒｉｃソフトウェア」を用いた。
【０１１３】
図７に、本実施例の第１の発光素子５５０Ｂを発光させた場合の発光パネル輝度色度特性とシールド電極５４９の電位との関係を示す。図７において、縦軸は、画素領域輝度（赤色、緑色及び青色の成分を含む光の輝度）に対する、赤色成分及び緑色成分の輝度比率を示し、値が０に近い程、赤色及び緑色の発光が抑えられ、クロストークが低減していることを表す。また、図７において横軸は、シールド電極５４９の電位を示す。なお、図７においてｎｏｒｍａｌの値は、比較例としてシールド電極５４９を形成しない画素における赤色成分及び緑色成分の輝度比率である。
【０１１４】
図７より、ｎｏｍａｌの画素では、赤色成分及び緑色成分の輝度比率が０．２９であるのに対して、本実施例の発光パネルにおいては、シールド電極５４９がフロート電位（オープン）であっても赤色成分及び緑色成分の輝度比率が０．２４と、減少していることが確認された。すなわち、本実施例の発光パネルにおいてシールド電極５４９を配置することは、副画素間のクロストークの低減に効果的であることが示された。
【０１１５】
また、シールド電極５４９の電圧をおよそ４Ｖ以下とすることで、赤色成分及び緑色成分の輝度比率が０．１７程度と著しく減少していることが確認された。本実施例で用いた第１の発光素子５５０Ｂのしきい値電圧はおよそ６Ｖであるため、シールド電極５４９の電位を発光素子のしきい値電圧と発光素子の低電位側の印加電圧の合計電圧以下とすることで、クロストークの抑制効果がより得られることが示された。
【符号の説明】
【０１１６】
８１    上部電極
８２    第１の下部電極
８３    第２の下部電極
８４    第３の下部電極
８５    第１の発光ユニット
８６    中間層
８７    第２の発光ユニット
８８    対向ガラス基板
８９    キャリア注入層
３０１    半導体層
３０２    ゲート電極
３０３    ソース電極
３０４    ドレイン電極
４００    表示パネル
４０１    表示部
４０２    画素
４０２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
４０２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
４０２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
４０３ｇ  ゲート側の駆動回路部
４０３ｓ  ソース側の駆動回路部
４０５    シール材
４０８    引き回し配線
４０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０    第１の基板
４１１    スイッチング用のトランジスタ
４１２    電流制御用のトランジスタ
４１３    ｎチャネル型トランジスタ
４１４    ｐチャネル型トランジスタ
４１６    絶縁層
４１７    絶縁層
４１８    隔壁
４１９    シールド電極
４１９ａ  端子部
４２０ａ  第１の発光素子
４２０ｂ  第２の発光素子
４２０ｃ  第３の発光素子
４２１ａ    第１の下部電極
４２１ｂ    第２の下部電極
４２１ｃ    第３の下部電極
４２２    上部電極
４２３    ＥＬ層（積層膜）
４２９    シールド電極
４３１    空間
４３１Ｂ，４３１Ｇ，４３１Ｒ  光学調整層
４３９    シールド電極
４４０    第２の基板
４４１Ｂ，４４１Ｇ，４４１Ｒ  カラーフィルタ
４４２    遮光性の膜
４４９    シールド電極（第３の電極）
４４９ａ  第１のシールド電極
４４９ｂ  第２のシールド電極
４５０Ｂ  第１の発光素子
４５０Ｇ  第２の発光素子
４５０Ｒ  第３の発光素子
４５２    画素
４５２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
４５２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
４５２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
４５４ａ    第１の下部電極
４５４ｂ    第２の下部電極
４５４ｃ    第３の下部電極
４５６    上部電極
４６２    画素
４６２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
４６２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
４６２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
４７２    画素
４７２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
４７２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
４７２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
４８２    画素
４８２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
４８２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
４８２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
５１０    第１の基板
５１１    スイッチング用のトランジスタ
５１２    電流制御用のトランジスタ
５１４    素子形成層
５１６    絶縁層
５１８    隔壁
５２３    ＥＬ層
５３１Ｂ    光学調整層
５３１Ｇ    光学調整層
５３１Ｒ    光学調整層
５４０    基板
５４９    シールド電極
５４９ａ    第１のシールド電極
５４９ｂ    第２のシールド電極
５５０Ｂ    第１の発光素子
５５０Ｇ    第２の発光素子
５５０Ｒ    第３の発光素子
５５４ａ  第１の下部電極
５５４ｂ  第２の下部電極
５５４ｃ  第３の下部電極
５５６    上部電極
５６０、５６１  コンタクトホール
５７２    画素
５７２Ｂ    副画素
５７２Ｇ    副画素
５７２Ｒ    副画素
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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