(57)【要約】【課題】電子部品を内蔵する多層配線基板において、設計の自由度を向上させる【解決手段】多層配線基板１は、上面の側から下面の側に向うに従って縮径した形状を有するビア導体３３，３４，３５，３６が内部に形成された絶縁層２３，２４，２５，２６と、導体層１３，１４，１５，１６とを積層して構成された第１積層体と、第１積層体内に埋め込まれた電子部品５１と、第１積層体上に積層され、上面の側から下面の側に向うに従って縮径した形状を有するビア導体３７が内部に形成された絶縁層２７と、導体層１７，１８とを積層して構成された第２積層体とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して構成され、前記絶縁層の上面と下面とを電気的に接続するために前記絶縁層内に形成されるビア導体を備える多層配線基板であって、
前記上面の側から前記下面の側に向うに従って縮径した形状を有する前記ビア導体が内部に形成された複数の前記絶縁層と、複数の前記導体層とを積層して構成された第１積層体と、
前記第１積層体内に埋め込まれた電子部品と、
前記第１積層体上に積層され、前記上面の側から前記下面の側に向うに従って縮径した形状を有する前記ビア導体が内部に形成された少なくとも１層の前記絶縁層と、少なくとも１層の前記導体層とを積層して構成された第２積層体とを有する
ことを特徴とする多層配線基板。
【請求項２】
前記第１積層体内において、前記電子部品の下部と接する金属層が前記電子部品の下方に形成されている
ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板。
【請求項３】
前記第１積層体内に複数の前記電子部品が埋め込まれ、
複数の前記電子部品は互いに、前記第１積層体の積層方向に垂直な平面上での位置が異なる
ことを特徴とする請求項１または請求項２に記載の多層配線基板。
【請求項４】
前記第１積層体内に埋め込まれた複数の前記電子部品のうち、１つの前記電子部品を第１電子部品とし、前記第１電子部品とは別の１つの前記電子部品を第２電子部品とし、
前記第１積層体を構成する複数の前記絶縁層のうち、前記第１電子部品が埋め込まれていない前記絶縁層を非埋込絶縁層として、
前記第２電子部品は、前記第１積層体を構成する複数の前記絶縁層のうち、前記非埋込絶縁層内にも埋め込まれている
ことを特徴とする請求項３に記載の多層配線基板。
【請求項５】
前記電子部品の上部で該電子部品と接続される前記ビア導体は、前記第１積層体の積層方向に沿った長さが、該ビア導体が貫通している前記絶縁層よりも長い
ことを特徴とする請求項１〜請求項４の何れか１項に記載の多層配線基板。
【請求項６】
前記第１積層体内にガラス繊維層が積層されており、
前記電子部品は、前記ガラス繊維層を貫通して埋め込まれている
ことを特徴とする請求項１〜請求項５の何れか１項に記載の多層配線基板。
【請求項７】
前記電子部品を前記第１積層体内に埋め込む前に前記第１積層体内に前記電子部品を収容するために前記第１積層体内に形成される収容孔は、前記上面の側から前記下面の側に向うに従って縮径した形状を有する
ことを特徴とする請求項１〜請求項６の何れか１項に記載の多層配線基板。
【請求項８】
複数の絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して構成され、前記絶縁層の上面と下面とを電気的に接続するために前記絶縁層内に形成されるビア導体を備える多層配線基板の製造方法であって、
前記上面の側から前記下面の側に向うに従って縮径した形状を有する前記ビア導体が内部に形成された複数の前記絶縁層と、複数の前記導体層とを積層して構成された第１積層体を作製する第１積層体作製工程と、
前記第１積層体作製工程の途中で、前記第１積層体内において前記電子部品が埋め込まれる領域に金属層を形成する金属層形成工程と、
前記第１積層体の上面の側から、前記第１積層体内の前記金属層に向けてレーザを照射することにより、前記第１積層体の積層方向に延びて前記金属層を貫通することなく前記金属層に到る収容孔を形成する収容孔形成工程と、
前記収容孔内に電子部品を収容する収容工程と、
前記収容孔内に前記電子部品を収容した後に、前記第１積層体上に絶縁層を積層する絶縁層積層工程とを有する
ことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記収容孔を形成した後であり且つ前記収容孔内に前記電子部品を収容する前に、前記金属層を除去する除去工程を有する
ことを特徴とする請求項８に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して構成される多層配線基板およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、複数の絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して構成される多層配線基板において、複数の絶縁層を貫通する穴部を多層配線基板の表面に形成し、この穴部内に電子部品を収容することにより電子部品を内蔵する技術が知られている（例えば、特許文献１を参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−９９６１０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、上記特許文献１に記載の技術では、電子部品を内蔵する領域が配線基板の表面に限定されるため、配線基板の設計（配線基板内における配線の配置等）の自由度が低下するおそれがある。
【０００５】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものであり、電子部品を内蔵する多層配線基板において、設計の自由度を向上させることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するためになされた本発明は、複数の絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して構成され、絶縁層の上面と下面とを電気的に接続するために絶縁層内に形成されるビア導体を備える多層配線基板であって、上面の側から下面の側に向うに従って縮径した形状を有するビア導体が内部に形成された複数の絶縁層と、複数の導体層とを積層して構成された第１積層体と、第１積層体内に埋め込まれた電子部品と、第１積層体上に積層され、上面の側から下面の側に向うに従って縮径した形状を有するビア導体が内部に形成された少なくとも１層の絶縁層と、少なくとも１層の導体層とを積層して構成された第２積層体とを有することを特徴とする多層配線基板である。
【０００７】
このように構成された多層配線基板では、電子部品が第１積層体内に埋め込まれており、この第１積層体上に、少なくとも１層の絶縁層と少なくとも１層の導体層とを積層して構成された第２積層体が更に積層されている。すなわち、第２積層体を構成する絶縁層の数が少ない場合には、電子部品は、多層配線基板の上面に近い領域に内蔵される。また、第２積層体を構成する絶縁層の数が多い場合には、電子部品は、多層配線基板の上面から離れた領域に内蔵される。
【０００８】
従って、本発明の多層配線基板によれば、電子部品を内蔵する領域が多層配線基板の上面に限定されないため、設計の自由度を向上させることができる。
また、本発明の多層配線基板において、第１積層体内において、電子部品の下部と接する金属層が電子部品の下方に形成されているようにしてもよい。
【０００９】
このように構成された多層配線基板では、電子部品が発する熱が金属層へ伝導して電子部品の外部へ放出されるため、電子部品の放熱性を向上させることができる。
また、本発明の多層配線基板において、第１積層体内に複数の電子部品が埋め込まれ、複数の電子部品は互いに、第１積層体の積層方向に垂直な平面上での位置が異なるようにしてもよい。
【００１０】
このように構成された多層配線基板では、第１積層体内に埋め込まれている複数の電子部品の位置が、第１積層体の積層方向に垂直な平面における特定の一箇所に限定されない。このため、多層配線基板内に複数の電子部品を内蔵する場合に、その内蔵位置の自由度を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明の多層配線基板において、第１積層体内に埋め込まれた複数の電子部品のうち、１つの電子部品を第１電子部品とし、第１電子部品とは別の１つの電子部品を第２電子部品とし、第１積層体を構成する複数の絶縁層のうち、第１電子部品が埋め込まれていない絶縁層を非埋込絶縁層として、第２電子部品は、第１積層体を構成する複数の絶縁層のうち、非埋込絶縁層内にも埋め込まれているようにしてもよい。
【００１２】
このように構成された多層配線基板では、非埋込絶縁層内において上記積層方向に沿って第１電子部品と対向する領域に配線を形成することができるため、非埋込絶縁層内における配線密度を向上させることができる。
【００１３】
また、本発明の多層配線基板において、電子部品の上部で電子部品と接続されるビア導体は、第１積層体の積層方向に沿った長さが、ビア導体が貫通している絶縁層よりも長いようにしてもよい。
【００１４】
このように構成された多層配線基板では、電子部品の上部が埋め込まれている絶縁層を第１絶縁層とし、この第１絶縁層上に積層されている絶縁層を第２絶縁層とした場合に、ビア導体は第２絶縁層を貫通し更に第１絶縁層内を通過して電子部品と接続されている。このため、第１絶縁層を積層し更に第２絶縁層を積層した後に、第２絶縁層を貫通し更に第１絶縁層内を通過して電子部品に到るビアホールを形成するという工程を用いることによりビア導体を形成すればよい。すなわち、第１絶縁層を積層した後に第１ビア導体を形成し、さらに、第２絶縁層を積層した後に第２ビア導体を形成するという工程を用いる必要がない。このため、ビア導体を形成する工程を簡略化することができる。
【００１５】
また、本発明の多層配線基板において、第１積層体内にガラス繊維層が積層されており、電子部品は、ガラス繊維層を貫通して埋め込まれているようにしてもよい。これにより、多層配線基板内において、電子部品が埋め込まれている部分（すなわち、第１積層体）の剛性を高めることができる。
【００１６】
また、本発明の多層配線基板において、電子部品を第１積層体内に埋め込む前に第１積層体内に電子部品を収容するために第１積層体内に形成される収容孔は、上面の側から下面の側に向うに従って縮径した形状を有するようにしてもよい。これにより、収容孔の開口部が収容孔の底部よりも広くなるため、収容孔の開口部側から電子部品を収容孔内に収容し易くなり、電子部品を確実に多層配線基板内に搭載することができる。
【００１７】
また、上記目的を達成するためになされた本発明は、複数の絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して構成され、絶縁層の上面と下面とを電気的に接続するために絶縁層内に形成されるビア導体を備える多層配線基板の製造方法であって、上面の側から下面の側に向うに従って縮径した形状を有するビア導体が内部に形成された複数の絶縁層と、複数の導体層とを積層して構成された第１積層体を作製する第１積層体作製工程と、第１積層体作製工程の途中で、第１積層体内において電子部品が埋め込まれる領域に金属層を形成する金属層形成工程と、第１積層体の上面の側から、第１積層体内の金属層に向けてレーザを照射することにより、第１積層体の積層方向に延びて金属層を貫通することなく金属層に到る収容孔を形成する収容孔形成工程と、収容孔内に電子部品を収容する収容工程と、収容孔内に電子部品を収容した後に、第１積層体上に絶縁層を積層する絶縁層積層工程とを有することを特徴とする多層配線基板の製造方法である。
【００１８】
この製造方法は、本発明の多層配線基板を製造する方法であり、当該方法を実行することで、本発明の多層配線基板と同様の効果を得ることができる。
また、第１積層体内の金属層に向けてレーザを照射することにより、金属層を貫通することなく金属層に到る収容孔を形成するため、収容孔の深さを、金属層を形成する位置に応じて精度よく制御することができる。
【００１９】
また、収容孔を形成した後に収容孔内に電子部品を収容することにより、電子部品の下部と金属層とが接した状態で電子部品が埋め込まれる。このため、電子部品が発する熱が金属層へ伝導して電子部品の外部へ放出され、電子部品の放熱性を向上させることができる。
【００２０】
一方、電子部品が発する熱を金属層を介して放出する必要がない場合には、本発明の多層配線基板の製造方法において、収容孔を形成した後であり且つ収容孔内に電子部品を収容する前に、金属層を除去する除去工程を有するようにしてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態の多層配線基板１の概略構成を示す断面図である。
【図２】第１実施形態の多層配線基板１の製造工程を示す第１の断面図である。
【図３】第１実施形態の多層配線基板１の製造工程を示す第２の断面図である。
【図４】第１実施形態の多層配線基板１の製造工程を示す第３の断面図である。
【図５】第１実施形態の多層配線基板１の製造工程を示す第４の断面図である。
【図６】第１実施形態の多層配線基板１の製造工程を示す第５の断面図である。
【図７】第１実施形態の多層配線基板１の製造工程を示す第６の断面図である。
【図８】第１実施形態の多層配線基板１の製造工程を示す第７の断面図である。
【図９】第１実施形態の多層配線基板１の製造工程を示す第８の断面図である。
【図１０】第２実施形態の多層配線基板１の概略構成を示す断面図である。
【図１１】第３実施形態の多層配線基板１の概略構成を示す断面図である。
【図１２】第４実施形態の多層配線基板１の概略構成を示す断面図である。
【図１３】第５実施形態の多層配線基板１の概略構成を示す断面図である。
【図１４】第６実施形態の多層配線基板１の概略構成を示す断面図である。
【図１５】別の実施形態の多層配線基板の概略構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
（第１実施形態）
以下に本発明の第１実施形態を図面とともに説明する。
本発明が適用された第１実施形態の多層配線基板１は、図１に示すように、複数層（本実施形態では８層）の導体層１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８と、導体層１１〜１８より１層少ない層数（本実施形態では７層）の絶縁層２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７とが積層方向ＳＤに沿って交互に積層されて構成される。
【００２３】
そして、多層配線基板１を構成する絶縁層２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７内にはそれぞれ、積層方向ＳＤに延びて形成されるビア導体３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７が設けられる。これにより、導体層１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７はそれぞれ、導体層１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８と電気的に接続される。
【００２４】
さらに、絶縁層２１を挟んで絶縁層２２とは反対側において絶縁層２１を覆うようにソルダーレジスト層４１が積層されるとともに、絶縁層２７を挟んで絶縁層２６とは反対側において絶縁層２７を覆うようにソルダーレジスト層４２が積層される。なお、ソルダーレジスト層４１，４２はそれぞれ、導体層１１，１８が配置されている領域に開口部４１０，４２０が形成される。また、開口部４２０内における導体層１８上にはＮｉ／Ａｕ層４３が積層される。
【００２５】
また、多層配線基板１を構成する絶縁層２３，２４，２５，２６内には、電子部品５１が埋め込まれている。
次に、本発明が適用された多層配線基板１の製造方法を説明する。
【００２６】
図２に示すように、まず、支持基板６０を用意する。支持基板６０は、例えばガラス繊維にエポキシ樹脂を含侵させた板状部材であり、高い剛性を有する。なお、本実施形態の製造方法では、支持基板６０の両面に導体層１１〜１８および絶縁層２１〜２７等を積層することにより多層配線基板１を製造するが、製造方法を説明する図（図２〜図９）では、図示の簡略化のために支持基板６０の下面側の図示を省略する。
【００２７】
そして、支持基板６０の両面のそれぞれについて、接着剤層であるプリプレグ（不図示）を介して剥離シート６１を配置した状態で、例えば真空熱プレスにより剥離シート６１を支持基板６０に対して圧着することにより、剥離シート６１を積層する。剥離シート６１は、金属層６１１（本実施形態では銅）と金属層６１２（本実施形態では銅）とを積層して構成されている。なお、金属層６１１と金属層６１２との間には金属メッキ（例えばＣｒメッキ）が施されているため、金属層６１１と金属層６１２は互いに剥離可能な状態で積層されている。
【００２８】
また、支持基板６０の両面のそれぞれについて、剥離シート６１上にフィルム状の樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を配置し、真空下において加圧加熱することにより樹脂材料を硬化させてソルダーレジスト層４１を形成する。これにより、剥離シート６１上がソルダーレジスト層４１に被覆された状態になる。
【００２９】
そして、支持基板６０の両面のそれぞれについて、ソルダーレジスト層４１の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、ソルダーレジスト層４１内に開口部４１０を形成する。さらに、開口部４１０の形成により開口部４１０内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキを行うことにより、ソルダーレジスト層４１上に薄い無電解メッキ層（本実施形態では銅）を形成する。そして、無電解メッキ層上に、導体層１１の配線パターンに対応する所定のレジストパターンを形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、レジストに覆われていない領域にメッキ層（本実施形態では銅）を形成する。その後、不要な無電解メッキ層とレジストをエッチングにより除去する。これにより、開口部４１０内に金属導体６２が形成されるとともに、所定の配線パターンを有する導体層１１が形成される。
【００３０】
そして、支持基板６０の両面のそれぞれについて、ソルダーレジスト層４１上にフィルム状の樹脂材料（例えばエポキシ樹脂）を配置し、真空下において加圧加熱することにより樹脂材料を硬化させて絶縁層２１を形成する。
【００３１】
その後、絶縁層２１の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、絶縁層２１内に複数のビアホールを形成する。さらに、ビアホールの形成によりビアホール内に生成されたスミアを除去するための処理（デスミア処理）を行う。その後、無電解メッキを行うことにより、絶縁層２１上に薄い無電解メッキ層（本実施形態では銅）を形成する。そして、無電解メッキ層上に、導体層１２の配線パターンに対応する所定のレジストパターンを形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、レジストに覆われていない領域にメッキ層（本実施形態では銅）を形成する。その後、不要な無電解メッキ層とレジストをエッチングにより除去する。これにより、ビアホール内にビア導体３１が形成されるとともに、所定の配線パターンを有する導体層１２が形成される。
【００３２】
さらに、絶縁層２１と導体層１２とビア導体３１の形成と同様の工程を用いることで、絶縁層２１上に、絶縁層２２，２３，２４，２５と導体層１３，１４，１５，１６とビア導体３２，３３，３４，３５を形成する。
【００３３】
なお、導体層１３は、所定の配線パターン１３１と深さ制御用パターン１３２とから構成される。さらに、導体層１４，１５，１６は、積層方向ＳＤに沿って深さ制御用パターン１３２と非対向となるように配置される。
【００３４】
その後、絶縁層２５の表面上における、積層方向ＳＤに沿って深さ制御用パターン１３２と対向する位置にレーザを照射することにより、図３に示すように、絶縁層２５と絶縁層２４を貫通して絶縁層２３内の深さ制御用パターン１３２の上面に到る有底孔６３を形成する。この有底孔６３は、レーザ加工により形成されるため、絶縁層２５の上面から深さ制御用パターン１３２に向うに従って縮径した形状を有する。
【００３５】
そして、図４に示すように、導体層１６の配線パターンを覆う所定のレジストパターン６４を形成し、エッチングを行う。これにより、図５に示すように、深さ制御用パターン１３２が除去される。
【００３６】
その後、図６に示すように、有底孔６３内に電子部品５１を収容する。そして、絶縁層２１，２２，２３，２４，２５の形成と同様の工程を用いることで、絶縁層２５上に、絶縁層２６を形成する。これにより、図７に示すように、絶縁層２５の上面と導体層１６が絶縁層２６に被覆されるとともに、有底孔６３と電子部品５１との間の隙間に絶縁層２６が充填された状態になり、有底孔６３内に電子部品５１が埋め込まれる。
【００３７】
さらに、絶縁層２６の表面上における所定の位置にレーザを照射することにより、図８に示すように、絶縁層２１内に複数のビアホール６５を形成する。そして、ビアホール６５内に生成されたスミアを除去するデスミア処理を行う。その後、無電解メッキを行うことにより、絶縁層２６上に薄い無電解メッキ層（本実施形態では銅）を形成する。そして、無電解メッキ層上に、導体層１７の配線パターンに対応する所定のレジストパターンを形成する。さらに、電気メッキを行うことにより、レジストに覆われていない領域にメッキ層（本実施形態では銅）を形成する。その後、不要な無電解メッキ層とレジストをエッチングにより除去する。これにより、図９に示すように、ビアホール６５内にビア導体３６が形成されるとともに、所定の配線パターンを有する導体層１７が形成される。
【００３８】
次に、絶縁層２１と導体層１２とビア導体３１の形成と同様の工程を用いることで、絶縁層２６上に、絶縁層２７と導体層１８とビア導体３７を形成する。
そして、エポキシ樹脂等の有機樹脂材料で構成されたソルダーレジストを絶縁層２７と導体層１８を覆うように塗布した後に、このソルダーレジストをパターニングする。これにより、導体層１８が配置されている領域に開口部４２０を有するソルダーレジスト層４２が絶縁層２７上に形成される。さらに、無電解メッキを行うことにより、導体層１８上にＮｉ／Ａｕ層４３を形成する。
【００３９】
次に、金属層６１１を金属層６１２から剥離することにより、金属層６１２上に導体層１１〜１８および絶縁層２１〜２７等が積層された積層体２を、支持基板６０から分離する。これにより、２個の積層体２を得ることができる。
【００４０】
その後、金属層６１２と金属導体６２をエッチングにより除去する。これにより、図１に示すように、導体層１１が配置されている領域に開口部４１０を有するソルダーレジスト層４１が絶縁層２１上に形成され、多層配線基板１を得ることができる。
【００４１】
このように構成された多層配線基板１は、上面の側から下面の側に向うに従って縮径した形状を有するビア導体３３，３４，３５，３６が内部に形成された絶縁層２３，２４，２５，２６と、導体層１３，１４，１５，１６とを積層して構成された第１積層体と、第１積層体内に埋め込まれた電子部品５１と、第１積層体上に積層され、上面の側から下面の側に向うに従って縮径した形状を有するビア導体３７が内部に形成された絶縁層２７と、導体層１７，１８とを積層して構成された第２積層体とを有する。
【００４２】
このため、第２積層体を構成する絶縁層の数が少ない場合には、電子部品５１は、多層配線基板１の上面に近い領域に内蔵される。また、第２積層体を構成する絶縁層の数が多い場合には、電子部品５１は、多層配線基板１の上面から離れた領域に内蔵される。
【００４３】
従って、多層配線基板１によれば、電子部品５１を内蔵する領域が多層配線基板１の上面に限定されないため、設計の自由度を向上させることができる。
また、多層配線基板１の製造方法は、上面の側から下面の側に向うに従って縮径した形状を有するビア導体３３，３４，３５，３６が内部に形成された絶縁層２３，２４，２５，２６と、導体層１３，１４，１５，１６とを積層して構成された第１積層体を作製する第１積層体作製工程と、第１積層体作製工程の途中で、第１積層体内において電子部品５１が埋め込まれる領域に深さ制御用パターン１３２を形成する深さ制御用パターン形成工程と、第１積層体の上面の側から、第１積層体内の深さ制御用パターン１３２に向けてレーザを照射することにより、積層方向ＳＤに延びて深さ制御用パターン１３２を貫通することなく深さ制御用パターン１３２に到る有底孔６３を形成する有底孔形成工程と、有底孔６３内に電子部品５１を収容する収容工程と、有底孔６３内に電子部品５１を収容した後に、第１積層体上に絶縁層２６を積層する絶縁層積層工程とを有する。
【００４４】
このように構成された多層配線基板１の製造方法では、第１積層体内の深さ制御用パターン１３２に向けてレーザを照射することにより、深さ制御用パターン１３２を貫通することなく深さ制御用パターン１３２に到る有底孔６３を形成するため、有底孔６３の深さを、深さ制御用パターン１３２を形成する位置に応じて精度よく制御することができる。
【００４５】
また、有底孔６３は、上面の側から下面の側に向うに従って縮径した形状を有する。これにより、有底孔６３の開口部が有底孔６３の底部よりも広くなるため、有底孔６３の開口部側から電子部品５１を収容孔内に収容し易くなり、電子部品５１を確実に多層配線基板１内に搭載することができる。
【００４６】
以上説明した実施形態において、深さ制御用パターン１３２は本発明における金属層、有底孔６３は本発明における収容孔である。
（第２実施形態）
以下に本発明の第２実施形態を図面とともに説明する。なお第２実施形態では、第１実施形態と異なる部分を説明する。
【００４７】
第２実施形態の多層配線基板１は、図１０に示すように、多層配線基板１に埋め込まれている電子部品５２が追加された点と、深さ制御用パターン１３２，１４２が追加された点以外は第２実施形態と同じである。
【００４８】
なお、電子部品５１が絶縁層２３，２４，２５，２６の内部に埋め込まれているのに対し、電子部品５２は絶縁層２４，２５，２６の内部に埋め込まれている。
深さ制御用パターン１３２は、絶縁層２２上に形成されている。そして有底孔６３は、絶縁層２５と絶縁層２４を貫通して絶縁層２３内の深さ制御用パターン１３２の上面に到る有底孔である。このため電子部品５１は、その下部が深さ制御用パターン１３２に接した状態で、絶縁層２３，２４，２５，２６の内部に埋め込まれている。
【００４９】
深さ制御用パターン１４２は、絶縁層２３上に形成されている。そして有底孔６６は、絶縁層２５を貫通して絶縁層２４内の深さ制御用パターン１４２の上面に到る有底孔である。このため電子部品５２は、その下部が深さ制御用パターン１４２に接した状態で、絶縁層２４，２５，２６の内部に埋め込まれている。
【００５０】
次に、電子部品５１，５２を埋め込む方法を説明する。
まず、第１実施形態で示したように、絶縁層２１上に、絶縁層２２，２３，２４，２５と導体層１３，１４，１５，１６とビア導体３２，３３，３４，３５を形成する。なお、導体層１３は、所定の配線パターン１３１と深さ制御用パターン１３２とから構成される。さらに、導体層１４は、所定の配線パターン１４１と深さ制御用パターン１４２とから構成される。
【００５１】
その後、絶縁層２５の表面上における、深さ制御用パターン１３２，１４２と対向する位置にレーザを照射する。これにより、絶縁層２５と絶縁層２４を貫通して絶縁層２３内の深さ制御用パターン１３２の上面に到る有底孔６３と、絶縁層２５を貫通して絶縁層２４内の深さ制御用パターン１４２の上面に到る有底孔６６を形成する。
【００５２】
その後、有底孔６３内に電子部品５１を収容するとともに、有底孔６６内に電子部品５２を収容する。そして、絶縁層２５上に絶縁層２６を形成する。これにより、有底孔６３内に電子部品５１が埋め込まれるとともに、有底孔６６内に電子部品５２が埋め込まれる。
【００５３】
このように構成された多層配線基板１では、電子部品５１，５２の下部と接する深さ制御用パターン１３２，１４２が電子部品５１，５２の下方に形成されている。これにより、電子部品５１，５２が発する熱が深さ制御用パターン１３２，１４２へ伝導して電子部品５１，５２の外部へ放出されるため、電子部品５１，５２の放熱性を向上させることができる。
【００５４】
（第３実施形態）
以下に本発明の第３実施形態を図面とともに説明する。なお第３実施形態では、第２実施形態と異なる部分を説明する。
【００５５】
第３実施形態の多層配線基板１は、図１１に示すように、深さ制御用パターン１３２，１４２が省略された点以外は第２実施形態と同じである。
すなわち電子部品５１は、その下部が絶縁層２２に接した状態で、絶縁層２３，２４，２５，２６の内部に埋め込まれている。また電子部品５２は、その下部が絶縁層２３に接した状態で、絶縁層２４，２５，２６の内部に埋め込まれている。
【００５６】
なお、電子部品５１，５２を埋め込む方法は、レーザ照射により有底孔６３，６５を形成した後に、エッチングにより深さ制御用パターン１３２，１４２を除去する工程が追加された点以外は第２実施形態と同じである。
【００５７】
このように構成された多層配線基板１では、多層配線基板１内に電子部品５１，５２が埋め込まれ、電子部品５１，５２は互いに、積層方向ＳＤに垂直な平面上での位置が異なる。これにより、多層配線基板１内に埋め込まれている電子部品５１，５２の位置が、積層方向ＳＤに垂直な平面における特定の一箇所に限定されない。このため、多層配線基板１内に電子部品５１，５２を内蔵する場合に、その内蔵位置の自由度を向上させることができる。
【００５８】
（第４実施形態）
以下に本発明の第４実施形態を図面とともに説明する。なお第４実施形態では、第３実施形態と異なる部分を説明する。
【００５９】
第４実施形態の多層配線基板１は、図１２に示すように、電子部品５１が絶縁層２２，２３，２４，２５の内部に埋め込まれている点以外は第３実施形態と同じである。
次に、電子部品５１，５２を埋め込む方法を説明する。
【００６０】
まず、第１実施形態で示したように、ソルダーレジスト層４１上に、絶縁層２１，２２，２３，２４と導体層１１，１２，１３，１４，１５とビア導体３１，３２，３３，３４を形成する。なお、導体層１２は、所定の配線パターン１２１と深さ制御用パターン１２２とから構成される。さらに、導体層１４は、所定の配線パターン１４１と深さ制御用パターン１４２とから構成される。
【００６１】
その後、絶縁層２５の表面上における、深さ制御用パターン１２２と対向する位置にレーザを照射する。これにより、絶縁層２４と絶縁層２３を貫通して絶縁層２２内の深さ制御用パターン１２２の上面に到る有底孔６７を形成する。
【００６２】
そして、導体層１５の配線パターンを覆う所定のレジストパターンを形成し、エッチングを行う。これにより、深さ制御用パターン１２２が除去される。
その後、有底孔６７内に電子部品５１を収容する。そして、絶縁層２４上に、絶縁層２５を形成する。これにより、絶縁層２４の上面と導体層１５が絶縁層２５に被覆されるとともに、有底孔６７と電子部品５１との間の隙間に絶縁層２５が充填された状態になり、有底孔６７内に電子部品５１が埋め込まれる。そして、絶縁層２５内にビア導体３５を形成するとともに絶縁層２５上に導体層１６を形成する。
【００６３】
その後、絶縁層２５の表面上における、深さ制御用パターン１４２と対向する位置にレーザを照射する。これにより、絶縁層２５を貫通して絶縁層２４内の深さ制御用パターン１４２の上面に到る有底孔６６を形成する。
【００６４】
そして、導体層１６の配線パターンを覆う所定のレジストパターンを形成し、エッチングを行う。これにより、深さ制御用パターン１４２が除去される。
その後、有底孔６６内に電子部品５２を収容する。そして、絶縁層２５上に、絶縁層２６を形成する。これにより、絶縁層２５の上面と導体層１６が絶縁層２６に被覆されるとともに、有底孔６６と電子部品５２との間の隙間に絶縁層２６が充填された状態になり、有底孔６６内に電子部品５２が埋め込まれる。その後の工程は第１実施形態と同様である。
【００６５】
このように構成された多層配線基板１では、電子部品５１は、電子部品５２が埋め込まれていない絶縁層２２，２３内にも埋め込まれている。このため、電子部品５１が埋め込まれている絶縁層２２，２３内において積層方向ＳＤに沿って電子部品５２と対向する領域に配線を形成することができるため、電子部品５１が埋め込まれている絶縁層２２，２３内における配線密度を向上させることができる。
【００６６】
（第５実施形態）
以下に本発明の第５実施形態を図面とともに説明する。なお第５実施形態では、第１実施形態と異なる部分を説明する。
【００６７】
第５実施形態の多層配線基板１は、図１３に示すように、電子部品５１の高さが異なる点と、電子部品５１と導体層１７とを接続するビア導体３６の代わりにビア導体６８が設けられている点以外は第１実施形態と同じである。
【００６８】
まず電子部品５１の高さ（積層方向ＳＤに沿った長さ）は、有底孔６３の高さより小さい。このため、第１実施形態の電子部品５１が絶縁層２３，２４，２５，２６の内部に埋め込まれているのに対して、第５実施形態の電子部品５１は絶縁層２３，２４，２５の内部に埋め込まれている。
【００６９】
そしてビア導体６８は、電子部品５１と導体層１７とを電気的に接続し、積層方向ＳＤに沿った長さが、ビア導体６８が貫通している絶縁層２６よりも長い。
このため、絶縁層２５を積層し更に絶縁層２６を積層した後に、絶縁層２６を貫通し更に絶縁層２５内を通過して電子部品５１に到るビアホールを形成するという工程を用いることによりビア導体６８を形成すればよい。すなわち、ビア導体６８を形成するために、絶縁層２５を積層した後にビア導体３５を形成し、さらに、絶縁層２６を積層した後にビア導体３６を形成するという工程を用いる必要がない。このため、ビア導体６８を形成する工程を簡略化することができる。
【００７０】
（第６実施形態）
以下に本発明の第６実施形態を図面とともに説明する。なお第６実施形態では、第１実施形態と異なる部分を説明する。
【００７１】
第６実施形態の多層配線基板１は、図１４に示すように、絶縁層２４内にガラス繊維層６９が含まれている点以外は第１実施形態と同じである。
したがって、有底孔６３とビア導体３４は、ガラス繊維層６９を貫通して形成されている。
【００７２】
このように構成された多層配線基板１では、絶縁層２４内にガラス繊維層６９が積層されており、電子部品５１は、ガラス繊維層６９を貫通して埋め込まれている。これにより、多層配線基板１内において、電子部品５１が埋め込まれている部分の剛性を高めることができる。
【００７３】
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、本発明の技術的範囲に属する限り種々の形態を採ることができる。
例えば上記実施形態では、多層配線基板内に電子部品が埋め込まれているものを示したが、図１５に示すように、電子部品５１が埋め込まれている多層配線基板１０１を支持するコア基板１０２内に電子部品５３が更に埋め込まれるようにすることも可能である。
【符号の説明】
【００７４】
１…多層配線基板、１１，１２，１３，１４，１５，１６，１７，１８…導体層、２１，２２，２３，２４，２５，２６，２７…絶縁層、３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７，６８…ビア導体、５１，５２…電子部品、６３，６６，６７…有底孔、６９…ガラス繊維層、１３２，１４２…深さ制御用パターン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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