(57)【要約】【課題】歩留まりを向上させることができるとともに、製造コストの低減や製造効率の向上を図ることができる多層配線基板製造用の支持基板を提供すること。【解決手段】多層配線基板の製造に用いられる支持基板７０は、支持基板本体７１及び積層金属シート体８１を備える。支持基板本体７１は基板主面７２を有する。積層金属シート体８１は、基板主面７２に配置され、下地側金属層８２と表層側金属層８３とを剥離可能な状態で密着させてなる。なお、下地側金属層８２の外形寸法は、表層側金属層８３の外形寸法よりも大きく設定されている。【選択図】図３
2014154794.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して多層化した構造を有する多層配線基板の製造に用いられる支持基板であって、
基板主面を有する支持基板本体と、
前記基板主面に配置され、下地側金属層と表層側金属層とを剥離可能な状態で密着させてなる積層金属シート体と
を備え、
前記下地側金属層の外形寸法が、前記表層側金属層の外形寸法よりも大きく設定されている
ことを特徴とする多層配線基板製造用の支持基板。
【請求項２】
前記下地側金属層において前記表層側金属層の外周縁の直下となる箇所に、前記下地側金属層の表面において開口する切込部が形成され、
前記表層側金属層の外周縁部が前記下地側金属層側に曲げられている
ことを特徴とする請求項１に記載の多層配線基板製造用の支持基板。
【請求項３】
前記支持基板本体は、前記基板主面と、前記基板主面の反対側に位置する基板裏面とを有し、
前記積層金属シート体は、前記基板主面及び前記基板裏面にそれぞれ配置される
ことを特徴とする請求項１または２に記載の多層配線基板製造用の支持基板。
【請求項４】
前記切込部は、前記下地側金属層を分断していないことを特徴とする請求項２に記載の多層配線基板製造用の支持基板。
【請求項５】
前記表層側金属層の厚さは、前記下地側金属層の厚さよりも大きいことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の多層配線基板製造用の支持基板。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか１項に記載の多層配線基板製造用の支持基板を用いて多層配線基板を製造する方法であって、
前記基板主面に前記積層金属シート体を設ける積層金属シート設置工程と、
前記表層側金属層の外周部を機械的に除去することにより、前記下地側金属層の外周部及び前記表層側金属層を表面に露出させる外周金属層除去工程と、
前記複数の樹脂絶縁層及び前記複数の導体層を積層して、前記多層配線基板となるべき配線積層部を前記下地側金属層の外周部上及び前記表層側金属層上に有する積層構造体を得る積層工程と、
前記積層工程後、前記配線積層部よりも外側に位置する周囲部を前記積層構造体から前記支持基板本体ごと除去する除去工程と、
前記配線積層部と前記支持基板本体とを前記下地側金属層と前記表層側金属層との界面にて分離する分離工程と
を含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記外周金属層除去工程では、前記表層側金属層の外周部を切断すると同時に、前記下地側金属層において前記表層側金属層の外周縁の直下となる箇所に、前記下地側金属層の表面において開口する切込部を形成し、前記表層側金属層の外周縁部を前記下地側金属層側に曲げることを特徴とする請求項６に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記外周金属層除去工程では、前記切込部を、前記支持基板本体に到達する程度の深さに形成することを特徴とする請求項７に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記外周金属層除去工程では、前記切込部を、前記下地側金属層を分断しない程度の深さに形成することを特徴とする請求項７に記載の多層配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記多層配線基板はコア基板を有さず、前記複数の樹脂絶縁層に形成されたビア導体は、前記樹脂絶縁層の各層において同一方向に拡径していることを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層と交互に積層して多層化した構造を有する多層配線基板製造用の支持基板、及び、支持基板を用いた多層配線基板の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
コンピュータのマイクロプロセッサ等として使用される半導体集積回路素子（ＩＣチップ）は、近年ますます高速化、高機能化しており、これに付随して端子数が増え、端子間ピッチも狭くなる傾向にある。一般的にＩＣチップの底面には多数の端子が密集してアレイ状に配置されており、このような端子群はマザーボード側の端子群に対してフリップチップの形態で接続される。但し、ＩＣチップ側の端子群とマザーボード側の端子群とでは端子間ピッチに大きな差があることから、ＩＣチップをマザーボード上に直接的に接続することは困難である。そのため、通常はＩＣチップをＩＣチップ搭載用配線基板上に搭載してなる半導体パッケージを作製し、その半導体パッケージをマザーボード上に搭載するという手法が採用される。
【０００３】
この種のパッケージを構成するＩＣチップ搭載用配線基板としては、コア基板の表面及び裏面にビルドアップ層を形成した多層配線基板が実用化されている。この多層配線基板においては、コア基板として、例えば、補強繊維に樹脂を含浸させた樹脂基板（ガラスエポキシ基板など）が用いられている。そして、そのコア基板の剛性を利用して、コア基板の表面及び裏面に樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層することにより、ビルドアップ層が形成されている。つまり、この多層配線基板において、コア基板は、補強の役割を果たしており、ビルドアップ層と比べて非常に厚く形成されている。また、コア基板には、表面及び裏面に形成されたビルドアップ層間の導通を図るための配線（具体的には、スルーホール導体など）が貫通形成されている。
【０００４】
ところで近年では、半導体集積回路素子の高速化に伴い、使用される信号周波数が高周波帯域となってきている。この場合、コア基板を貫通する配線が大きなインダクタンスとして寄与し、高周波信号の伝送ロスや回路誤動作の発生につながり、高速化の妨げとなってしまう。そこで、多層配線基板を、コア基板を有しないコアレス配線基板とすることが提案されている。このようにすれば、比較的厚いコア基板を省略することにより全体の配線長が短くなるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。
【０００５】
なお、コアレス配線基板は、例えば以下の手法によって製造される（例えば特許文献１参照）。図１０に示されるように、まず、ガラスエポキシ樹脂からなる支持基板１０１、及び、下地側金属箔１０２と表層側金属箔１０３とを剥離可能な状態で密着させてなる積層金属シート体１０４（ピーラブル銅箔）を準備する。次に、支持基板１０１の基板主面１０５及び基板裏面１０６に積層金属シート体１０４を設ける積層金属シート設置工程を行う。その後、積層金属シート体１０４上に複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を交互に積層して多層化する積層工程（ビルドアップ工程）を行うことにより、積層構造体（ビルドアップ層）を得る。さらに、積層構造体において製品エリアよりも外側に位置する周囲部を支持基板１０１ごと除去する除去工程を行うことにより、積層金属シート体１０４の剥離界面（下地側金属箔１０２と表層側金属箔１０３との界面）を露出させる。その後、下地側金属箔１０２と表層側金属箔１０３との界面で分離する分離工程を行うことにより、支持基板１０１から積層構造体が分離され、コア基板を有しない薄型の多層配線基板が得られる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−２１４４２７号公報（段落［００５５］図１２等）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ところで、図１０に示される積層金属シート体１０４は、以下のようにして形成される。まず、支持基板１０１のそれぞれの面１０５，１０６に対して、面１０５，１０６と面積及び形状が等しい金属箔１０７，１０８からなる積層体１０９を配置する（図１１参照）。次に、金属箔１０８上にエッチング用のマスクであるドライフィルム（図示略）をラミネートするラミネート工程を行う。さらに、フォトマスクを介してドライフィルムを露光する露光工程と、露光されたドライフィルムを現像して、ドライフィルムの外周部を除去する現像工程とを行い、積層体１０９の外周部を表面に露出させる。そして、エッチングを行って金属箔１０７，１０８の外周部を除去することにより、面１０５，１０６の外周部を表面に露出させるエッチング工程を行う。その後、ドライフィルムを除去するドライフィルム除去工程を行うことにより、図１０に示される積層金属シート体１０４が形成される。
【０００８】
ところが、金属箔１０７，１０８に対するエッチングを行うと、金属箔１０７と金属箔１０８との界面にエッチング液が侵入する可能性があるため、不良品発生率が高くなって歩留まりが低下するという問題がある。例えば、支持基板１０１を製造ラインで搬送しながらエッチングを行う場合、ガイドローラなどが金属箔１０７，１０８の外周縁に接触することがある。このとき、金属箔１０８の外周部分がめくれてしまうと、金属箔１０８が一気に剥がれるため、多量のエッチング液が界面に侵入してしまうという問題がある。また、積層金属シート体１０４を形成する際には、ラミネート工程、露光工程、現像工程、エッチング工程、ドライフィルム除去工程といった多数の工程（計５工程）が必要となるため、工数の増加が避けられなくなり、製造コストの上昇や製造効率の低下に繋がってしまうという問題もある。
【０００９】
本発明は上記の課題に鑑みてなされたものであり、その第１の目的は、歩留まりを向上させることができるとともに、製造コストの低減や製造効率の向上を図ることができる多層配線基板製造用の支持基板を提供することにある。また、第２の目的は、上記の支持基板を用いた好適な多層配線基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記課題を解決するための手段（手段１）としては、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して多層化した構造を有する多層配線基板の製造に用いられる支持基板であって、基板主面を有する支持基板本体と、前記基板主面に配置され、下地側金属層と表層側金属層とを剥離可能な状態で密着させてなる積層金属シート体とを備え、前記下地側金属層の外形寸法が、前記表層側金属層の外形寸法よりも大きく設定されていることを特徴とする多層配線基板製造用の支持基板がある。
【００１１】
従って、手段１の多層配線基板製造用の支持基板によると、積層金属シート体は、表層側金属層の外周部を機械的に除去して、下地側金属層の外形寸法を表層側金属層の外形寸法よりも大きくすることにより、得られる構造である。即ち、積層金属シート体は、表層側金属層の外周部を例えばエッチングなどによって除去しなくても得られる構造であるため、下地側金属層と表層側金属層との界面にエッチング液が侵入するなどの問題自体が生じなくなる。ゆえに、不良品発生率が低く抑えられるため、製造される多層配線基板の歩留まりが高くなる。また、機械的な加工によって積層金属シート体を形成する場合には、表層側金属層を切断する工程や、切断した表層側金属層の外周部を除去する工程のみを行うだけで済むようになる。その結果、エッチングを行って積層金属シート体を形成する場合よりも工数が減るため、多層配線基板の製造コストを低減できるとともに、多層配線基板の製造効率が向上する。
【００１２】
なお、上記多層配線基板は、コスト性、加工性、絶縁性、機械的強度などを考慮して適宜選択することができる。多層配線基板としては、複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して多層化した構造を有するものが使用される。なお、このような多層配線基板に加えて、例えば、樹脂絶縁層と導体層とを交互に積層してなるビルドアップ層をコア基板の片面または両面に有するビルドアップ多層配線基板を用いることも許容される。このようにすれは、多層配線基板の高密度化を図りやすくなる。
【００１３】
多層配線基板を構成する複数の樹脂絶縁層は、絶縁性、耐熱性、耐湿性等を考慮して適宜選択することができる。各樹脂絶縁層を形成するための高分子材料の好適例としては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、ウレタン樹脂、シリコーン樹脂、ポリイミド樹脂などの熱硬化性樹脂、ポリカーボネート樹脂、アクリル樹脂、ポリアセタール樹脂、ポリプロピレン樹脂などの熱可塑性樹脂等が挙げられる。
【００１４】
多層配線基板を構成する複数の導体層は主として銅からなり、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法などといった公知の手法によって形成される。具体的に言うと、例えば、銅箔のエッチング、無電解銅めっきまたは電解銅めっきなどの手法が適用される。なお、スパッタやＣＶＤ等の手法により薄膜を形成した後にエッチングを行うことで導体層を形成したり、導電性ペースト等の印刷により導体層を形成したりすることも可能である。
【００１５】
そして、多層配線基板製造用の支持基板は、基板主面を有する支持基板本体を備える。支持基板本体としては、完全硬化した樹脂材料からなる樹脂板を用いてもよいし、金属材料からなる金属板を用いてもよい。なお、支持基板本体を形成するための樹脂材料や金属材料としては、低コストで比較的硬い材料を用いればよい。但し、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層してなる積層構造体を支持基板本体ごと切断する場合には、切断が容易な樹脂基板を支持基板として用いることがよい。
【００１６】
さらに、支持基板は、基板主面に配置され、下地側金属層と表層側金属層とを剥離可能な状態で密着させてなる積層金属シート体を備える。ここで、下地側金属層及び表層側金属層の厚さは特に限定されないが、表層側金属層の厚さを下地側金属層の厚さよりも大きくすれば、表層側金属層を下地側金属層から剥す際に、表層側金属層が破れにくくなる。
【００１７】
なお、支持基板本体は、基板主面と、基板主面の反対側に位置する基板裏面とを有し、積層金属シート体は、基板主面及び基板裏面にそれぞれ配置されていてもよい。このようにすれば、１つの支持基板から２つの多層配線基板を製造できるため、多層配線基板の製造効率がよりいっそう向上する。
【００１８】
上記課題を解決するための別の手段（手段２）としては、上記手段１に記載の多層配線基板製造用の支持基板を用いて多層配線基板を製造する方法であって、前記基板主面に前記積層金属シート体を設ける積層金属シート設置工程と、前記表層側金属層の外周部を機械的に除去することにより、前記下地側金属層の外周部及び前記表層側金属層を表面に露出させる外周金属層除去工程と、前記複数の樹脂絶縁層及び前記複数の導体層を積層して、前記多層配線基板となるべき配線積層部を前記下地側金属層の外周部上及び前記表層側金属層上に有する積層構造体を得る積層工程と、前記積層工程後、前記配線積層部よりも外側に位置する周囲部を前記積層構造体から前記支持基板本体ごと除去する除去工程と、前記配線積層部と前記支持基板本体とを前記下地側金属層と前記表層側金属層との界面にて分離する分離工程とを含むことを特徴とする多層配線基板の製造方法がある。
【００１９】
従って、手段２の多層配線基板の製造方法によると、外周金属層除去工程において表層側金属層の外周部を機械的に除去することにより、下地側金属層の外形寸法が表層側金属層の外形寸法よりも大きい積層金属シート体を形成している。即ち、表層側金属層の外周部を例えばエッチングなどによって除去しなくても、積層金属シート体が得られるため、下地側金属層と表層側金属層との界面にエッチング液が侵入するなどの問題自体が生じなくなる。ゆえに、不良品発生率が低く抑えられるため、製造される多層配線基板の歩留まりが高くなる。また、外周金属層除去工程では機械的な加工を行うため、表層側金属層を切断する工程と切断した表層側金属層の外周部を除去する工程とからなる外周金属層除去工程のみを行うだけで、積層金属シート体を形成することができる。その結果、エッチングを行って積層金属シート体を形成する場合よりも工数が減るため、多層配線基板の製造コストを低減できるとともに、多層配線基板の製造効率が向上する。
【００２０】
以下、多層配線基板の製造方法について説明する。
【００２１】
積層金属シート設置工程では、支持基板本体の基板主面に積層金属シート体を設ける。
【００２２】
続く外周金属層除去工程では、表層側金属層の外周部を機械的に除去することにより、下地側金属層の外周部及び表層側金属層を表面に露出させる。ここで、表層側金属層の外周部を機械的に除去する方法としては、表層側金属層の外周部を切断する方法や、表層側金属層の外周部の表面を研磨する方法などが挙げられる。表層側金属層の外周部を切断する方法としては、カッターナイフによる切断加工、パンチング装置を用いたパンチ加工、レーザー装置を用いたレーザー加工などがある。また、表層側金属層の外周部の表面を研磨する方法としては、サンドブラストや、サンドペーパーによる研磨などが挙げられる。
【００２３】
なお、外周金属層除去工程では、表層側金属層の外周部を切断すると同時に、下地側金属層において表層側金属層の外周縁の直下となる箇所に、下地側金属層の表面において開口する切込部を形成し、表層側金属層の外周縁部を下地側金属層側に曲げるようにしてもよい。このようにすれば、下地側金属層と表層側金属層との界面が切込部内に押し込まれるため、下地側金属層からの表層側金属層の剥れを確実に防止することができる。ゆえに、不良品発生率がより低く抑えられるため、製造される多層配線基板の歩留まりがよりいっそう高くなる。
【００２４】
さらに、外周金属層除去工程では、切込部を、支持基板本体に到達する程度の深さに形成してもよいし、下地側金属層を分断しない程度の深さに形成してもよい。切込部を支持基板本体に到達する程度の深さに形成する場合、下地側金属層と表層側金属層との界面が切込部内により深く押し込まれるため、下地側金属層からの表層側金属層の剥れをより確実に防止することができる。一方、切込部を下地側金属層を分断しない程度の深さに形成する場合、支持基板本体に深い切り込みが入ることに起因する支持基板本体の強度低下を防止することができる。さらに、切込部の深さを下地金属層を分断しない程度にしておけば、下地金属層をシード層として用いることができるため、シード層の形成工程を省略することができる。
【００２５】
続く積層工程では、複数の樹脂絶縁層及び複数の導体層を積層して、多層配線基板となるべき配線積層部を下地側金属層の外周部上及び表層側金属層上に有する積層構造体を得る。
【００２６】
なお、多層配線基板はコア基板を有さず、複数の樹脂絶縁層に形成されたビア導体は、樹脂絶縁層の各層において同一方向に拡径していてもよい。即ち、多層配線基板は、同一の樹脂絶縁層を主体として形成され、同一方向に拡径したビア導体のみによりそれぞれの導体層を接続するコアレス配線基板であってもよい。このようにすれば、比較的厚いコア基板を省略することにより配線の配線長が短くなるため、高周波信号の伝送ロスが低減され、半導体集積回路素子を高速で動作させることが可能となる。
【００２７】
積層工程後の除去工程では、配線積層部よりも外側に位置する周囲部を積層構造体から支持基板本体ごと除去する。続く分離工程では、配線積層部と支持基板本体とを下地側金属層と表層側金属層との界面にて分離する。この時点で、所望の多層配線基板を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施形態における半導体パッケージの概略構成を示す概略断面図。
【図２】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図３】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図４】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図５】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図６】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図７】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図８】多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図９】他の実施形態における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１０】従来技術における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【図１１】従来技術における多層配線基板の製造方法を示す説明図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、本発明を具体化した一実施形態を図面に基づき詳細に説明する。
【００３０】
図１に示されるように、本実施形態の半導体パッケージ１０は、多層配線基板１１と、半導体集積回路素子であるＩＣチップ２１とからなるＢＧＡ（ボールグリッドアレイ）である。なお、半導体パッケージ１０の形態は、ＢＧＡのみに限定されず、例えばＰＧＡ（ピングリッドアレイ）やＬＧＡ（ランドグリッドアレイ）等であってもよい。ＩＣチップ２１は、縦１５．０ｍｍ×横１５．０ｍｍ×厚さ０．８ｍｍの矩形平板状であって、熱膨張係数が４．２ｐｐｍ／℃のシリコンからなる。
【００３１】
一方、多層配線基板１１は、コア基板を有さず、エポキシ樹脂からなる４層の樹脂絶縁層４３，４４，４５，４６と銅からなる導体層５１とを交互に積層して多層化した配線積層部４０を有している。本実施形態の配線積層部４０は、縦５０．０ｍｍ×横５０．０ｍｍ×厚さ０．４ｍｍの平面視略矩形状である。本実施形態において、樹脂絶縁層４３〜４６の熱膨張係数は、１０〜６０ｐｐｍ／℃程度（具体的には２０ｐｐｍ／℃程度）となっている。なお、樹脂絶縁層４３〜４６の熱膨張係数は、３０℃〜ガラス転移温度（Ｔｇ）間の測定値の平均値をいう。
【００３２】
図１に示されるように、配線積層部４０の主面４１上（第４層の樹脂絶縁層４６の表面上）には、端子パッド５２がアレイ状に配置されている。さらに、端子パッド５２の表面上には、複数のはんだバンプ５４が配設されている。各はんだバンプ５４には、ＩＣチップ２１の端子２２が面接続されている。即ち、ＩＣチップ２１は、配線積層部４０の主面４１側に搭載されている。なお、各端子パッド５２及び各はんだバンプ５４が形成されている領域は、ＩＣチップ２１を搭載可能なＩＣチップ搭載領域２３である。
【００３３】
一方、配線積層部４０の裏面４２上（第１層の樹脂絶縁層４３の下面上）には、ＢＧＡ用パッド５３がアレイ状に配設されている。また、樹脂絶縁層４３の下面は、ソルダーレジスト４７によってほぼ全体的に覆われている。ソルダーレジスト４７の所定箇所には、ＢＧＡ用パッド５３を露出させる開口部４８が形成されている。各ＢＧＡ用パッド５３の表面上には、マザーボード接続用の複数のはんだバンプ５５が配設されており、各はんだバンプ５５により、配線積層部４０は図示しないマザーボード上に実装される。
【００３４】
図１に示されるように、各樹脂絶縁層４３〜４６には、それぞれビア穴５６及びビア導体５７が設けられている。各ビア穴５６は、円錐台形状をなし、各樹脂絶縁層４３〜４６に対してＹＡＧレーザーまたは炭酸ガスレーザーを用いた穴あけ加工を施すことで形成される。各ビア導体５７は、樹脂絶縁層４３〜４６の各層において同一方向（図１では下方向）に拡径した形状を有し、各導体層５１、端子パッド５２及びＢＧＡ用パッド５３を相互に電気的に接続している。
【００３５】
次に、多層配線基板１１の製造方法について説明する。
【００３６】
まず、十分な強度を有する支持基板（ガラスエポキシ基板など）を準備し、その支持基板上に、樹脂絶縁層４３〜４６及び導体層５１をビルドアップして配線積層部４０を形成する。
【００３７】
詳述すると、まず、基材７４の両面にプリプレグ７５を貼り付けることにより、基材７４及びプリプレグ７５からなる支持基板本体７１を得る（図２参照）。なお、プリプレグ７５は、ガラスクロスにフィラーを含有しない樹脂（本実施形態では、熱硬化性樹脂であるエポキシ樹脂）を含浸させることによって形成されている。また、支持基板本体７１は、基板主面７２と、基板主面７２の反対側に位置する基板裏面７３とを有している。
【００３８】
そして、積層金属シート設置工程を行い、支持基板本体７１に対して積層金属シート体８１を設置する（図２参照）。なお、積層金属シート体８１は、下地側銅箔８２（下地側金属層）と表層側銅箔８３（表層側金属層）とを剥離可能な状態で密着させてなり、下地側銅箔８２の裏面（プリプレグ７５に接触する面）全体には接着層が設けられている。また、下地側銅箔８２の厚さは３μｍに設定され、表層側銅箔８３の厚さは１８μｍに設定されているため、表層側銅箔８３の厚さは下地側銅箔８２の厚さよりも大きくなっている。
【００３９】
続く外周金属層除去工程では、表層側銅箔８３の外周部を機械的に除去することにより、下地側銅箔８２の外周部及び表層側銅箔８３を表面に露出させる（図３，図４参照）。具体的には、表層側銅箔８３の外周部をカッターナイフを用いて切断すると同時に、下地側銅箔８２において表層側銅箔８３の外周縁８４の直下となる箇所に、下地側銅箔８２の表面８５において開口する切込部８６を形成する（図４参照）。これに伴い、表層側銅箔８３の外周縁部８７が下地側銅箔８２側に曲げられるとともに、下地側銅箔８２と表層側銅箔８３との界面が切込部８６内に押し込まれるようになる。なお、本実施形態の切込部８６は、下地側銅箔８２を分断しない程度の深さ（２μｍ）に形成されるため、支持基板本体７１に到達することはない。その後、表層側銅箔８３の外周部を除去すれば、下地側銅箔８２の外周部及び表層側銅箔８３が表面に露出するようになる。この時点で、下地側銅箔８２の外形寸法は、表層側銅箔８３の外形寸法よりも大きくなる。
【００４０】
続く積層工程では、両積層金属シート体８１の上にシート状の絶縁樹脂基材を積層し、真空圧着熱プレス機（図示略）を用いて真空下にて加圧加熱した後、硬化させることにより、下地側銅箔８２の外周部及び表層側銅箔８３を被覆する第４層の樹脂絶縁層４６を形成する（図５参照）。そして、レーザー加工を施すことによって、樹脂絶縁層４６の所定の位置にビア穴５６を形成し、次いで各ビア穴５６内のスミアを除去するデスミア処理を行う。
【００４１】
次に、従来公知の手法に従って無電解銅めっき及び電解銅めっきを行うことで、各ビア穴５６内にビア導体５７を形成する。さらに、従来公知の手法（例えばセミアディティブ法）によってエッチングを行うことで、樹脂絶縁層４６上に導体層５１をパターン形成する。
【００４２】
また、第１層〜第３層の樹脂絶縁層４３〜４５及び導体層５１についても、上述した第４層の樹脂絶縁層４６及び導体層５１と同様の手法によって形成し、樹脂絶縁層４６上に積層していく。そして、ＢＧＡ用パッド５３が形成された樹脂絶縁層４３上に感光性エポキシ樹脂を塗布して硬化させることにより、ソルダーレジスト４７を形成する。次に、所定のマスクを配置した状態で露光及び現像を行い、ソルダーレジスト４７に開口部４８をパターニングする。以上の製造工程によって、支持基板７０の両側にそれぞれ積層金属シート体８１、樹脂絶縁層４３〜４６及び導体層５１を積層した積層構造体９０が形成される（図６参照）。なお、図６に示されるように、積層構造体９０において積層金属シート体８１上（具体的には表層側銅箔８３上）に位置する領域が、配線積層部４０となる。
【００４３】
積層工程後の除去工程では、この積層構造体９０をダイシング装置（図示略）により切断し、配線積層部４０よりも外側に位置する周囲部９１を、積層構造体９０から支持基板本体７１ごと除去する。この際、配線積層部４０と周囲部９１との境界部分（図６の一点鎖線参照）において、配線積層部４０を支持基板７０ごと切断する（図７参照）。この切断によって、樹脂絶縁層４６にて封止されていた表層側銅箔８３の外縁部が露出した状態となる。
【００４４】
続く分離工程では、積層構造体９０を配線積層部４０と支持基板７０とに分離し、下地側銅箔８２及び表層側銅箔８３を露出させる。具体的に言うと、積層金属シート体８１を下地側銅箔８２と表層側銅箔８３との界面にて剥離し、配線積層部４０を支持基板７０から分離する（図８参照）。
【００４５】
次に、第４層の樹脂絶縁層４６上に端子パッド５２を形成する。具体的には、配線積層部４０（樹脂絶縁層４６）の主面４１上にある表層側銅箔８３に対してエッチングによるパターニングを行うことにより、樹脂絶縁層４６における主面４１上の領域に端子パッド５２を形成する。
【００４６】
さらに、最表層の樹脂絶縁層４６上に形成された複数の端子パッド５２上に、ＩＣチップ２１接続用のはんだバンプ５４を形成する。具体的には、図示しないはんだボール搭載装置を用いて各端子パッド５２上にはんだボールを配置した後、はんだボールを所定の温度に加熱してリフローすることにより、各端子パッド５２上にはんだバンプ５４を形成する。同様に、樹脂絶縁層４３上に形成された複数のＢＧＡ用パッド５３上に、はんだバンプ５５を形成する。
【００４７】
その後、配線積層部４０のＩＣチップ搭載領域２３にＩＣチップ２１を載置する。このとき、ＩＣチップ２１側の端子２２と、配線積層部４０側のはんだバンプ５４とを位置合わせするようにする。そして、加熱して各はんだバンプ５４をリフローすることにより、端子２２とはんだバンプ５４とが接合され、配線積層部４０にＩＣチップ２１が搭載される。
【００４８】
従って、本実施形態によれば以下の効果を得ることができる。
【００４９】
（１）本実施形態の多層配線基板１１の製造方法によれば、外周金属層除去工程において表層側銅箔８３の外周部を機械的に除去することにより、下地側銅箔８２の外形寸法が表層側銅箔８３の外形寸法よりも大きい積層金属シート体８１を形成している。即ち、表層側銅箔８３の外周部を例えばエッチングなどによって除去しなくても、積層金属シート体８１が得られるため、下地側銅箔８２と表層側銅箔８３との界面にエッチング液が侵入するなどの問題自体が生じなくなる。ゆえに、不良品発生率が低く抑えられるため、製造される多層配線基板１１の歩留まりが高くなる。
【００５０】
また、外周金属層除去工程では機械的な加工を行うため、表層側銅箔８３を切断する工程と切断した表層側銅箔８３の外周部を除去する工程とからなる外周金属層除去工程のみを行うだけで、積層金属シート体８１を形成することができる。その結果、エッチングを行って積層金属シート体を形成する場合よりも工数が減るため、多層配線基板１１の製造コストを低減できるとともに、多層配線基板１１の製造効率が向上する。
【００５１】
（２）本実施形態の外周金属層除去工程では、表層側銅箔８３の外周部を切断すると同時に、下地側銅箔８２において表層側銅箔８３の外周縁８４の直下となる箇所に切込部８６を形成し、表層側銅箔８３の外周縁部８７を下地側銅箔８２側に曲げるようにしている。その結果、下地側銅箔８２と表層側銅箔８３との界面が切込部８６内に押し込まれるため、下地側銅箔８２からの表層側銅箔８３の剥れを確実に防止することができる。ゆえに、不良品発生率がより低く抑えられるため、製造される多層配線基板１１の歩留まりがよりいっそう高くなる。
【００５２】
（３）本実施形態では、下側の銅箔（下地側銅箔８２）が上側の銅箔（表層側銅箔８３）よりも外径が大きく、上側の銅箔が下側の銅箔の外周部からはみ出さないように支持基板７０上に配置されている。この場合、絶縁樹脂基材を上側から押さえ付けても、上側の銅箔の平坦度を十分に確保することができる。従って、配線積層部４０の表面に露出する表層側銅箔８３をパターニングすることにより、平坦度の高い端子パッド５２を形成することができ、端子パッド５２の接続信頼性を十分に確保することができる。
【００５３】
（４）本実施形態では、配線積層部４０と支持基板７０とを分離するために利用した表層側銅箔８３をパターニングすることにより、端子パッド５２が形成されている。このようにすれば、端子パッド５２を別の銅箔または銅めっきによって形成する場合と比較して、多層配線基板１１の製造コストを抑えることができる。
【００５４】
なお、本実施形態を以下のように変更してもよい。
【００５５】
・上記実施形態の外周金属層除去工程では、表層側銅箔８３の外周部をカッターナイフを用いて切断することによって切込部８６を形成していたが、切込部の形成方法はこれに限定される訳ではなく、他の方法を用いて切込部を形成してもよい。例えば、表層側銅箔１８３の外周部をレーザーを用いて切断することによって、切込部１８６（図９参照）を形成してもよい。さらに、切込部１８６を、支持基板本体１７１に到達する程度の深さに形成すれば、表層側銅箔１８３の外周縁１８４と下地側銅箔１８２の外周縁１８５とがレーザーの熱で繋がるようになる（図９の領域Ａ１参照）。その結果、下地側銅箔１８２からの表層側銅箔１８３の剥れが確実に防止されるため、不良品発生率がより低く抑えられ、製造される多層配線基板１１の歩留まりがよりいっそう高くなる。
【００５６】
・上記実施形態の外周金属層除去工程では、切込部８６を、下地側銅箔８２を分断してない程度の深さに形成していたが、支持基板本体７１に到達する程度の深さに形成してもよい。このようにした場合、表層側銅箔８３の外周部をカッターナイフを用いて切断するのであれば、下地側銅箔８２と表層側銅箔８３との界面が切込部８６内により深く押し込まれるため、下地側銅箔８２からの表層側銅箔８３の剥れをより確実に防止することができる。
【００５７】
・上記実施形態では、支持基板７０の両側に配線積層部４０を形成したが、支持基板７０の片側のみに配線積層部４０を形成してもよい。
【００５８】
・上記実施形態では、表層側銅箔８３をパターニングすることによって端子パッド５２を形成していたが、これに限定されるものではない。例えば、積層工程において、表層側銅箔８３上に、端子パッド５２をあらかじめパターン形成しておく。そして、分離工程後、配線積層部４０の主面４１に露出する表層側銅箔８３をエッチングによって完全に除去する。このようにしても、コア基板を有しない多層配線基板を製造することができる。
【００５９】
・上記実施形態では、導体層５１、端子パッド５２及びＢＧＡ用パッド５３は、主面４１側から裏面４２側に向かうに従って拡径したビア導体５７により互いに接続されていたが、これに限定されるものではない。ビア導体は同一方向に拡径した形状であればよく、裏面４２側から主面４１側に向かうに従って拡径したビア導体により、導体層５１、端子パッド５２及びＢＧＡ用パッド５３を互いに接続してもよい。
【００６０】
・上記実施形態の積層金属シート体８１は、下地側銅箔８２の外形寸法が、表層側銅箔８３の外形寸法よりも大きく設定されていた。しかし、下地側銅箔８２の外形寸法と表層側銅箔８３の外形寸法とが互いに等しい積層金属シート体に変更してもよい。
【００６１】
次に、前述した実施形態によって把握される技術的思想を以下に列挙する。
【００６２】
（１）上記手段１において、前記下地側金属層において前記表層側金属層の外周縁の直下となる箇所に、前記下地側金属層の表面において開口する切込部が形成され、前記切込部の深さは、前記支持基板本体に到達する程度に設定されていることを特徴とする多層配線基板製造用の支持基板。
【００６３】
（２）複数の樹脂絶縁層と複数の導体層とを交互に積層して多層化した構造を有する多層配線基板の製造に用いられる支持基板であって、基板主面を有する支持基板本体と、前記基板主面に配置され、下地側金属層と表層側金属層とを剥離可能な状態で密着させてなる積層金属シート体とを備え、前記下地側金属層において前記表層側金属層の外周縁の直下となる箇所に、前記下地側金属層の表面において開口する切込部が形成されることを特徴とする多層配線基板製造用の支持基板。
【符号の説明】
【００６４】
１１…多層配線基板
４０…配線積層部
４３，４４，４５，４６…樹脂絶縁層
５１…導体層
５７…ビア導体
７０…支持基板
７１，１７１…支持基板本体
７２…基板主面
７３…基板裏面
８１…積層金属シート体
８２，１８２…下地側金属層としての下地側銅箔
８３，１８３…表層側金属層としての表層側銅箔
８４，１８４…表層側金属層の外周縁
８５…下地側金属層の表面
８６，１８６…切込部
８７…表層側金属層の外周縁部
９０…積層構造体
９１…周囲部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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