(57)【要約】【課題】端子電極と素体との密着性を維持しつつ、酸性液の浸入を低減できる積層コンデンサを提供する。【解決手段】積層コンデンサ１は、素体２と、第１及び第２端子電極５，６と、第１及び第２内部電極３，４とを備え、第１及び第２の内部電極３，４は、互いに対向する主電極部３ａ，４ａと、主電極部３ａ，４ａから体２の端面２ａ，２ｂ又は側面２ｅ，２ｆに引き出され対応する端子電極に接続される引き出し部３ｂ，４ｂとをそれぞれ有し，第１及び第２の端子電極５，６は、少なくとも引き出し部３ｂ，４ｂを覆って配置され且つガラス成分を含む導電性ペーストを焼付けて形成された第１焼付電極層５ａ，６ａと、少なくとも第１焼付電極層５ａ，６ａ上に配置され且つ導電性ペーストを焼付けて形成された第２焼付電極層５ｂ，６ｂを有する。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに対向する一対の端面と、前記一対の端面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の主面と、前記一対の主面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の側面とを有し、前記一対の主面の間の寸法が前記一対の端面の間の寸法、及び前記一対の側面の間の寸法よりも小さい素体と、
前記素体の両端部に位置し、前記主面と前記端面及び前記側面の少なくとも一方とにわたって連続して配置される第１及び第２の端子電極と、
前記第１及び第２の端子電極のうち対応する端子電極に接続され、前記一対の主面が対向する方向で互いに対向するように前記素体内に配置される第１及び第２の内部電極と、を備え、
前記第１及び第２の内部電極は、互いに対向する主電極部と、前記主電極部から前記素体の前記端面又は前記側面に引き出されて前記対応する端子電極に接続される引き出し部と、をそれぞれ有し、
前記第１及び第２の端子電極は、少なくとも前記引き出し部を覆って配置され且つガラス成分を含む導電性ペーストを焼付けて形成された第１焼付電極層と、少なくとも前記第１焼付電極層上に配置され且つ導電性ペーストを焼付けて形成された第２焼付電極層と、をそれぞれ有することを特徴とする積層コンデンサ。
【請求項２】
前記第２焼付電極層は、ガラス成分を含む前記導電性ペーストを焼付けて形成されており、
前記第１焼付電極層の前記ガラス成分の含有比率は、前記第２焼付電極層の前記ガラス成分の含有比率よりも高いことを特徴とする請求項１記載の積層コンデンサ。
【請求項３】
前記第１焼付電極層は、前記素体の前記主面と前記引き出し部が引き出された前記素体の前記端面又は前記側面とにわたって連続して配置され、
前記第２焼付電極層は、前記第１焼付電極層が配置された前記素体の前記端面側又は前記側面側に配置されていることを特徴とする請求項１又は２記載の積層コンデンサ。
【請求項４】
前記第１焼付電極層は、前記引き出し部が引き出された前記素体の前記端面又は前記側面に配置され、
前記第２焼付電極層は、前記素体の前記主面と前記第１焼付電極層が配置された前記素体の前記端面側又は前記側面側とにわたって連続して配置されることを特徴とする請求項１又は２記載の積層コンデンサ。
【請求項５】
前記引き出し部は、前記側面に引き出されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の積層コンデンサ。
【請求項６】
前記主面に配置される前記第１及び第２端子電極の前記一対の側面の対向方向での幅は、前記第１端子電極と前記第２端子電極との離間距離よりも大きいことを特徴とする請求項１〜５のいずれか一項記載の積層コンデンサ。
【請求項７】
前記主面に配置される前記第１及び第２端子電極の前記一対の端面の対向方向での幅は、前記第１端子電極と前記第２端子電極との離間距離よりも大きいことを特徴とする請求項１〜６のいずれか一項記載の積層コンデンサ。
【請求項８】
前記第１及び第２の内部電極のうち一方の前記主面に最も近い内部電極と一方の前記主面との間の寸法、及び、前記第１及び第２の内部電極のうち他方の前記主面に最も近い内部電極と他方の前記主面との間の寸法は、前記一方の前記主面に最も近い内部電極と前記他方の前記主面に最も近い内部電極との間の寸法と略同等であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一項記載の積層コンデンサ。
【請求項９】
前記第１及び第２焼付電極層上にめっき層が配置されていることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項記載の積層コンデンサ。
【請求項１０】
前記第１及び第２焼付電極層の少なくとも一方と回路基板のビア導体とが直接接続されることを特徴とする請求項１〜８のいずれか一項記載の積層コンデンサ。
【請求項１１】
互いに対向する一対の端面と、前記一対の端面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の主面と、前記一対の主面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の側面とを有し、前記一対の主面の間の寸法が前記一対の端面の間の寸法、及び前記一対の側面の間の寸法よりも小さい素体と、
前記素体の両端部に位置し、前記主面と前記端面及び前記側面の少なくとも一方とにわたって連続して配置される第１及び第２の端子電極と、
前記第１及び第２の端子電極のうち対応する端子電極に接続され、前記一対の主面が対向する方向で互いに対向するように前記素体内に配置される第１及び第２の内部電極と、を備え、
前記第１及び第２の内部電極は、互いに対向する主電極部と、前記主電極部から前記素体の前記端面又は前記側面に引き出され前記対応する端子電極に接続される引き出し部と、をそれぞれ有し、
前記第１及び第２の端子電極は、ガラス成分を含み且つ前記引き出し部との接合領域に配置される第１の領域と、当該第１及び第２の端子電極の外表面側に配置される第２の領域と、をそれぞれ有することを特徴とする積層コンデンサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、積層コンデンサに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の積層コンデンサとしては、例えば特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載の積層コンデンサは、素体と、素体内に配置された内部電極と、素体の両端部に配置され且つ内部電極が接続される端子電極と、を備えている。この積層コンデンサでは、端子電極は、導電性ペーストを焼き付けて形成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１２９７３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の積層コンデンサのように、導電性ペーストを焼き付けて端子電極を形成する構成では、端子電極と素体との密着性を確保するために、端子電極にガラス成分を多く含ませることがある。また、積層コンデンサには、基板に実装された際にビア導体との接続強度を確保するアンカー効果を得るために粗化処理が実施されたり、めっき処理が実施されたりする。このとき、ガラス成分を多く含む端子電極では、粗化処理液やめっき液などの酸性液によりガラス成分が溶解し、端子電極に孔が多数形成されることがある。これにより、その孔から酸性液が浸入して素体内に酸性液が浸入し、積層コンデンサの特性が劣化してしまうおそれがある。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、端子電極と素体との密着性を維持しつつ、酸性液の浸入を低減できる積層コンデンサを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る積層コンデンサは、互いに対向する一対の端面と、一対の端面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の主面と、一対の主面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の側面とを有し、一対の主面の間の寸法が一対の端面の間の寸法、及び一対の側面の間の寸法よりも小さい素体と、素体の両端部に位置し、主面と端面及び側面の少なくとも一方とにわたって連続して配置される第１及び第２の端子電極と、第１及び第２の端子電極のうち対応する端子電極に接続され、一対の主面が対向する方向で互いに対向するように素体内に配置される第１及び第２の内部電極と、を備え、第１及び第２の内部電極は、互いに対向する主電極部と、主電極部から素体の端面又は側面に引き出されて対応する端子電極に接続される引き出し部と、をそれぞれ有し、第１及び第２の端子電極は、少なくとも引き出し部を覆って配置され且つガラス成分を含む導電性ペーストを焼付けて形成された第１焼付電極層と、少なくとも第１焼付電極層上に配置され且つ導電性ペーストを焼付けて形成された第２焼付電極層と、をそれぞれ有することを特徴とする。
【０００７】
この積層コンデンサでは、第１焼付電極層がガラス成分を含んでいるため、第１焼付電極層により素体との密着性が確保される。その結果、第１及び第２端子電極と素体との密着性を維持できる。また、積層コンデンサでは、第１焼付電極層により素体との密着性を確保できるため、第２焼付電極層は、ガラス成分を含まない、あるいはガラス成分の含有量が少なくてもよい。したがって、積層コンデンサでは、粗化処理やめっき処理の際に酸性液に浸された場合であっても、ガラス成分の溶解による孔の形成が抑制される。これにより、積層コンデンサでは、酸性液の浸入を低減できる。その結果、積層コンデンサでは、特性の劣化を防止でき、信頼性を維持できる。
【０００８】
第２焼付電極層は、ガラス成分を含む導電性ペーストを焼付けて形成されており、第１焼付電極層のガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層のガラス成分の含有比率よりも高いことが好ましい。このように、積層コンデンサでは、第２焼付電極層がガラス成分を多少含むことにより、第１焼付電極層と第２焼付電極層との密着性の向上が図れる。
【０００９】
また、積層コンデンサでは、素体は、一対の主面の間の寸法が一対の端面の間の寸法、及び一対の側面の間の寸法よりも小さい。このように、いわゆる低背型の積層コンデンサとして構成し、第１及び第２の端子電極を少なくとも主面に配置することにより、回路基板への内蔵やＬＳＩ（Large Scale Integration）への埋め込み実装が可能となる。また、積層コンデンサを埋め込む構造では、主面の端子電極とビア導体が接続される。このような実装構造では、端子電極の電流ループ距離が短くなるため、等価直列インダクタンス（ＥＳＬ）を低くできる。
【００１０】
第１焼付電極層は、素体の主面と引き出し部が引き出された素体の端面又は側面とにわたって連続して配置され、第２焼付電極層は、第１焼付電極層が配置された素体の端面側又は側面側に配置されていてもよい。このような構成により、積層コンデンサでは、第１焼付電極層と素体との接触面積が確保されるため、素体と第１及び第２の端子電極との密着性を良好に確保できる。また、積層コンデンサでは、引き出し部が引き出された端面側又は側面側に第２焼付電極層が配置されるため、端面又は側面に露出する引き出し部に酸性液が浸入することを防止できると共に、第１及び第２の端子電極の主面側の厚みを小さくできる。
【００１１】
第１焼付電極層は、引き出し部が引き出された素体の端面又は側面に配置され、第２焼付電極層は、素体の主面と第１焼付電極層が配置された素体の端面側又は側面側とにわたって連続して配置されていてもよい。このような構成により、積層コンデンサでは、引き出し部が引き出された端面又は側面に第１焼付電極層が配置されるため、第１及び第２の端子電極の主面側の厚みを小さくできる。また、積層コンデンサでは、第１焼付電極層を覆うように第２焼付電極層が主面に配置されるため、第１及び第２の端子電極の主面側の平滑性を確保できる。
【００１２】
引き出し部は、側面に引き出されていることが好ましい。このような構成により、積層コンデンサでは、第１及び第２の端子電極の引き出し部の間の距離を小さくすることができるので、低ＥＳＬとすることができる。
【００１３】
主面に配置される第１及び第２端子電極の一対の側面の対向方向での幅は、第１端子電極と第２端子電極との離間距離よりも大きいことが好ましい。このような構成により、積層コンデンサでは、端子電極の主面側の面積が大きくなるため、回路基板に内蔵実装する際に、ビア導体との接続をより確実に行うことができる。
【００１４】
主面に配置される第１及び第２端子電極の一対の端面の対向方向での幅は、第１端子電極と第２端子電極との離間距離よりも大きいことが好ましい。このような構成により、積層コンデンサでは、端子電極の主面側の面積が大きくなるため、回路基板に内蔵実装する際に、ビア導体との接続をより確実に行うことができる。
【００１５】
第１及び第２の内部電極のうち一方の主面に最も近い内部電極と一方の主面との間の寸法、及び、第１及び第２の内部電極のうち他方の主面に最も近い内部電極と他方の主面との間の寸法は、一方の主面に最も近い内部電極と他方の主面に最も近い内部電極との間の寸法と略同等であることが好ましい。このような構成により、積層コンデンサでは、外層厚みと内層厚みの両方を厚くできるので、応力緩和しつつ静電容量を大きくできる。
【００１６】
第１及び第２焼付電極層上にめっき層が配置されていることが好ましい。このような構成により、積層コンデンサでは、回路基板に実装する際、ビア導体とめっき層とが接続されるため、ビア導体と端子電極との接続強度を確保できる。
【００１７】
第１及び第２焼付電極層の少なくとも一方と回路基板のビア導体とが直接接続される構成とすることができる。このような構成によれば、めっき層の形成が不要となる。
【００１８】
本発明に係る積層コンデンサは、互いに対向する一対の端面と、一対の端面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の主面と、一対の主面間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の側面とを有し、一対の主面の間の寸法が一対の端面の間の寸法、及び一対の側面の間の寸法よりも小さい素体と、素体の両端部に位置し、主面と端面及び側面の少なくとも一方とにわたって連続して配置される第１及び第２の端子電極と、第１及び第２の端子電極のうち対応する端子電極に接続され、一対の主面が対向する方向で互いに対向するように素体内に配置される第１及び第２の内部電極と、を備え、第１及び第２の内部電極は、互いに対向する主電極部と、主電極部から素体の端面又は側面に引き出され対応する端子電極に接続される引き出し部と、をそれぞれ有し、第１及び第２の端子電極は、ガラス成分を含み且つ引き出し部との接合領域に配置される第１の領域と、当該第１及び第２の端子電極の外表面側に配置される第２の領域と、をそれぞれ有することを特徴とする。
【００１９】
この積層コンデンサでは、ガラス成分を含む第１領域が引き出し部との接合領域に配置されているため、第１領域により素体との密着性が確保される。その結果、第１及び第２端子電極と素体との密着性を維持できる。また、積層コンデンサでは、第１及び第２の端子電極の外表面側に、第２領域が配置されている。積層コンデンサでは、第１領域により素体との密着性を確保できるため、第２領域は、ガラス成分を含まない、あるいはガラス成分の含有量が少なくてもよい。したがって、積層コンデンサでは、粗化処理やめっき処理の際に酸性液に浸された場合であっても、ガラス成分の溶解による孔の形成が抑制される。これにより、積層コンデンサでは、酸性液の浸入を低減できる。その結果、積層コンデンサでは、特性の劣化を防止でき、信頼性を維持できる。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、端子電極と素体との密着性を維持しつつ、酸性液の浸入を低減できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】第１実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。
【図２】図１に示す積層コンデンサのＩＩ−ＩＩ線での断面構成を示す図である。
【図３】図１に示す積層コンデンサのＩＩＩ−ＩＩＩ線での断面構成を示す図である。
【図４】図１に示す積層コンデンサの素体の分解斜視図である。
【図５】図１に示す積層コンデンサの実装構造の断面構成を示す図である。
【図６】積層コンデンサの変形例の断面構成を示す図である。
【図７】図６に示す積層コンデンサの実装構造の断面構成を示す図である。
【図８】第２実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。
【図９】図８に示す積層コンデンサの実装構造の断面構成を示す図である。
【図１０】積層コンデンサの変形例の断面構成を示す図である。
【図１１】図１０に示す積層コンデンサの実装構造の断面構成を示す図である。
【図１２】第３実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。
【図１３】（ａ）は図１２に示す積層コンデンサのａ−ａ線での断面構成を示す図であり、（ｂ）は図１２に示す積層コンデンサのｂ−ｂ線での断面構成を示す図である。
【図１４】図１２に示す積層コンデンサの素体の分解斜視図である。
【図１５】第４実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。
【図１６】（ａ）は図１５に示す積層コンデンサのａ−ａ線での断面構成を示す図であり、（ｂ）は図１５に示す積層コンデンサのｂ−ｂ線での断面構成を示す図である。
【図１７】図１５に示す積層コンデンサの素体の分解斜視図である。
【図１８】第５実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。
【図１９】（ａ）は図１８に示す積層コンデンサのａ−ａ線での断面構成を示す図であり、（ｂ）は図１８に示す積層コンデンサのｂ−ｂ線での断面構成を示す図である。
【図２０】第６実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。
【図２１】（ａ）は図２０に示す積層コンデンサのａ−ａ線での断面構成を示す図であり、（ｂ）は図２０に示す積層コンデンサのｂ−ｂ線での断面構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、添付図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、図面の説明において同一又は相当要素には同一符号を付し、重複する説明は省略する。
【００２３】
［第１実施形態］
図１は、第１実施形態に係る積層コンデンサを示す斜視図である。図２は、図１に示す積層コンデンサのＩＩ−ＩＩ線での断面構成を示す図である。図３は、図１に示す積層コンデンサのＩＩＩ−ＩＩＩ線での断面構成を示す図である。図４は、図１に示す積層コンデンサの素体の分解斜視図である。
【００２４】
図１に示すように、積層コンデンサ１は、略直方体形状に構成された素体２と、素体２内に配置された第１及び第２内部電極３，４と、素体２の両端部側に配置された第１及び第２端子電極５，６と、を備えている。積層コンデンサ１は、例えば、長さＬが０．４ｍｍ〜１．６ｍｍ程度に設定され、幅Ｗが０．２ｍｍ〜０．８ｍｍ程度に設定され、高さＨが０．１０ｍｍ〜０．３５ｍｍ程度に設定されている。積層コンデンサ１は、いわゆる低背型コンデンサとして構成されている。
【００２５】
素体２は、素体２の長手方向に向かい合って互いに平行をなす一対の第１及び第２端面２ａ，２ｂと、第１及び第２端面２ａ，２ｂ間を連結するように伸び且つ互いに対向する一対の第１及び第２主面２ｃ，２ｄと、第１及び第２主面２ｃ，２ｄを連結するように伸び且つ互いに対向する一対の第１及び第２側面２ｅ，２ｆと、を有する。素体２は、第１及び第２主面２ｃ，２ｄの間の寸法が、第１及び第２端面２ａ，２ｂの間の寸法、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆの間の寸法よりも小さい。
【００２６】
素体２は、図４に示すように、複数の長方形板状の誘電体層７と、複数（ここではそれぞれ３つ）の第１内部電極３及び第２内部電極４とが積層された積層体として構成されている。第１内部電極３と第２内部電極４とは、素体２内において誘電体層７の積層方向、すなわち素体２の第１主面２ｃと第２主面２ｄとが対向する方向に沿ってそれぞれ一層ずつ配置されている。第１内部電極３と第２内部電極４とは、少なくとも一層の誘電体層７を挟むように対向配置されている。実際の積層コンデンサ１では、複数の誘電体層７は、互いの間の境界が視認できない程度に一体化されている。
【００２７】
第１内部電極３は、主電極部３ａと、引き出し部３ｂと、を有している。主電極部３ａは、第２内部電極４（主電極部４ａ）と対向配置されている。主電極部３ａは、略矩形形状を呈している。引き出し部３ｂは、主電極部３ａから第１端子電極５の配置された素体２の第１端面２ａに伸び、第１端面２ａに露出して第１端子電極５（第１焼付電極層５ａ）と直接的に接続されている。これにより、第１内部電極３と第１端子電極５とは、電気的に接続されることとなる。引き出し部３ｂは、主電極部３ａと同等の幅を有している。これにより、第１内部電極３は、全体として略矩形形状を呈している。
【００２８】
第２内部電極４は、主電極部４ａと、引き出し部４ｂと、を有している。主電極部４ａは、第１内部電極３（主電極部３ａ）と対向配置されている。主電極部４ａは、略矩形形状を呈している。引き出し部４ｂは、主電極部４ａから第２端子電極６の配置された素体２の第２端面２ｂに伸び、第２端面２ｂに露出して第２端子電極６（第１焼付電極層６ａ）と直接的に接続されている。これにより、第２内部電極４と第２端子電極６とは、電気的に接続されることとなる。引き出し部４ｂは、主電極部４ａと同等の幅を有している。これにより、第２内部電極４は、全体として略矩形形状を呈している。
【００２９】
図２に示すように、積層コンデンサ１の素体２において、最上部（第１主面２ｃに最も近い位置）に配置された第１内部電極３と、最下部（第２主面２ｄに最も近い位置）に配置された第１内部電極３との間の内層寸法を「Ｄ１」とする。また、素体２において、素体２の第１主面２ｃを構成する誘電体層７の最上層（保護層）と、最上部に配置された第１内部電極３との間の外層寸法を「Ｄ２」とする。素体２における外層寸法Ｄ２の部分は、複数の誘電体層７が積層されて構成されている。素体２の主面２ｄを構成する誘電体層７の最下層と、最下部に配置された第１内部電極３との間の外層寸法を「Ｄ３」とする。素体２における外層寸法Ｄ３の部分は、複数の誘電体層７が積層されて構成されている。
【００３０】
積層コンデンサ１の素体２では、内層寸法Ｄ１と外層寸法Ｄ２及び外層寸法Ｄ３とが以下の関係を満たしている。
Ｄ１≒Ｄ２，Ｄ３
すなわち、内層寸法Ｄ１と外層寸法Ｄ２，Ｄ３とは略同等であり、内層の厚みと、それを挟む一対の外層の厚みとは略同等である。なお、ここで言う略同等とは、例えば５μｍ程度の誤差を含む。
【００３１】
図１〜図３に示すように、第１端子電極５は、第１端面２ａ、第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されている。第１端子電極５は、第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。第１端子電極５は、第１焼付電極層５ａと、第２焼付電極層５ｂと、めっき層５ｃと、を有している。
【００３２】
第１焼付電極層５ａは、内部電極３の引き出し部３ｂが引き出される素体２の第１端面２ａと、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆとに配置されている。第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第１焼付電極層５ａは、第２端面２ｂ側に延在している。第１焼付電極層５ａは、金属（例えば、Ｃｕ，Ｎｉ，Ａｇ、Ｐｄ、Ａｕ、又はＰｔなど）とガラス成分（例えば、ホウケイ酸ガラスなど）とを含有する導電性ペーストを例えばディップ工法により素体２に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第１焼付電極層５ａのガラス成分の含有比率は、例えば５〜１０％である。
【００３３】
第２焼付電極層５ｂは、第１焼付電極層５ａ上に配置されている。第２焼付電極層５ｂは、第１焼付電極層５ａ上において、素体２の第１端面２ａに対応する位置と、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに対応する位置の縁部とに配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第２焼付電極層５ｂの長さ寸法は、第１焼付電極層５ａの長さ寸法よりも小さい。
【００３４】
第２焼付電極層５ｂは、金属を含有する導電性ペースト、あるいは金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えばディップ工法により第１焼付電極層５ａ上に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第２焼付電極層５ｂのガラス成分の含有比率は、例えば０〜５％である。すなわち、第１焼付電極層５ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層５ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【００３５】
めっき層５ｃは、第１焼付電極層５ａ及び第２焼付電極層５ｂの全体を覆って配置されている。めっき層５ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。また、最外層は、Ｓｎめっき、もしくは、Ｃｕめっきであることが好ましい。
【００３６】
第２端子電極６は、第２端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されている。第２端子電極６は、第２端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。図２に示す第１端子電極５と第２端子電極６との離間距離Ｇは、図２に示す第１及び第２端子電極５，６の第１及び第２端面２ａ，２ｂの対向方向の長さ（幅）Ｈ１、及び、図３に示す第１及び第２端子電極５，６の第１及び第２側面２ｅ，２ｆの対向方向の長さ（幅）Ｈ２よりも小さい。
【００３７】
第２端子電極６は、第１焼付電極層６ａと、第２焼付電極層６ｂと、めっき層６ｃと、を有している。第１焼付電極層６ａは、内部電極４の引き出し部４ｂが引き出される素体２の第１端面２ｂと、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆとに配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第１焼付電極層６ａは、第２端面２ａ側に延在している。第１焼付電極層６ａは、第１焼付電極層５ａと同様に形成されている。
【００３８】
第２焼付電極層６ｂは、第１焼付電極層６ａ上に配置されている。第２焼付電極層６ｂは、第１焼付電極層６ａ上において、素体２の第１端面２ｂに対応する位置と、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに対応する位置の縁部とに配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第２焼付電極層６ｂの長さ寸法は、第１焼付電極層６ａの長さ寸法よりも小さい。第２焼付電極層６ｂは、第１焼付電極層６ｂと同様に形成されている。第１焼付電極層６ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層６ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【００３９】
めっき層６ｃは、第１焼付電極層６ａ及び第２焼付電極層６ｂの全体を覆って配置されている。めっき層６ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【００４０】
図５は、図１に示す積層コンデンサの実装構造の断面構成を示す図である。図５に示すように、積層コンデンサ１は、基板（回路基板）１０に埋め込まれて実装される。基板１０は、絶縁性の複数の樹脂シート１１が積層されて構成されている。積層コンデンサ１は、基板１０の表面に形成された電極１３，１４とビア導体１５，１６により電気的に接続されている。
【００４１】
積層コンデンサ１の実装構造では、基板１０に積層コンデンサ１を埋め込んだ後、レーザでビアホールＨを形成し、そのビアホールＨに無電解めっきでビア導体１５，１６が形成される。積層コンデンサ１の実装構造では、ビア導体１５，１６が形成された後、ビア導体１５，１６と物理的且つ電気的に接続されるように基板１０上に電極１３，１４が形成される。
【００４２】
第１端子電極５には、ビア導体１５が物理的且つ電気的に接続されている。このとき、第１端子電極５が素体２の主面２ｃに配置されているため、第１端子電極５とビア導体１５との接続を確実に行うことができる。これにより、第１端子電極５と電極１３とが電気的に接続されている。第２端子電極６には、ビア導体１６が物理的且つ電気的に接続されている。このとき、第２端子電極６が素体２の主面２ｃに配置されているため、第２端子電極６とビア導体１６との接続を確実に行うことができる。これにより、第２端子電極６と電極１４とが電気的に接続されている。
【００４３】
以上説明したように、本実施形態の積層コンデンサ１では、第１及び第２端子電極５，６の第１焼付電極層５ａ，６ａのガラス成分の含有比率は、第１焼付電極層５ａ，６ａ上に配置される第２焼付電極層５ｂ，６ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。これにより、積層コンデンサ１では、第１焼付電極層５ａ，６ａのガラス成分の含有比率が比較的高いため、素体２と第１焼付電極層５ａ，６ａとの密着性を確保できる。また、積層コンデンサ１では、第２焼付電極層５ｂ，６ｂのガラス成分の含有比率が比較的低いため、めっき層５ｃ，６ｃを形成する際、めっき液によりガラス成分が溶解して孔が多数形成されることが抑制され、めっき液の浸入を抑制できる。したがって、積層コンデンサ１では、第１及び第２端子電極５，６と素体２との密着性を維持しつつ、第１及び第２端子電極５，６へのめっき液（酸性液）の浸入を低減できる。これにより、積層コンデンサ１の信頼性を維持できる。
【００４４】
本実施形態の積層コンデンサ１では、第１焼付電極層５ａ，６ａは、素体２の第１、第２端面２ａ，２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置されており、第２焼付電極層５ｂ，６ｂは、素体２の第１、第２端面２ａ，２ｂ側の縁部に配置されている。このように、積層コンデンサ１では、第１焼付電極層５ａ，６ａが素体２の第１、第２端面２ａ，２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置されて接触面積を確保されているため、素体２と第１及び第２端子電極５，６の密着性を良好に確保できる。また、積層コンデンサ１では、第２焼付電極層５ｂ，６ｂが素体２の第１及び第２主面２ｃ，２ｄにほとんど形成されないため、第１及び第２端子電極５，６の実装面の厚みを小さくできる。
【００４５】
本実施形態の積層コンデンサ１では、第１及び第２主面２ｃ，２ｄに配置される第１及び第２端子電極５，６の幅Ｈ１，Ｈ２は、第１端子電極５と第２端子電極６との離間距離Ｇよりも大きい。これにより、積層コンデンサ１では、第１及び第２端子電極５，６の面積が確保されている。そのため、積層コンデンサ１では、基板１０に実装する際に、ビア導体１５，１６との接触領域を大きくできるため、ビア導体１５，１６との接続をより確実に行うことができる。
【００４６】
本実施形態の積層コンデンサ１では、Ｄ１≒Ｄ２，Ｄ３の関係を満たしている。これにより、積層コンデンサ１では、第１内部電極３と第１及び第２主面２ｃ，２ｄとの間の厚みを比較的大きくしているため、この厚み部分が保護層として機能し、積層コンデンサ１において構造欠陥を抑制できる。また、この構成の積層コンデンサ１では、静電容量を確保できる。
【００４７】
上記実施形態では、第１端子電極５及び第２端子電極６がめっき層５ｃ，６ｃをそれぞれ有している構成を一例に説明したが、めっき層５ｃ，６ｃは設けられなくてもよい。図６は、積層コンデンサの変形例の断面構成を示す図である。図６に示すように、積層コンデンサ１Ａは、素体２と、第１及び第２内部電極３，４と、第１及び第２端子電極５Ａ，６Ａと、を備えている。
【００４８】
第１端子電極５Ａは、第１焼付電極層５Ａａと、第２焼付電極層５Ａｂと、を有している。第２焼付電極層５Ａｂは、第２端面２ｂ側に伸びている。第２端子電極６Ａは、第１焼付電極層６Ａａと、第２焼付電極層６Ａｂと、を有している。第２焼付電極層６Ａｂは、第１端面２ａ側に伸びている。
【００４９】
図７は、積層コンデンサの実装構造の断面構成を示す図である。図７に示すように、第１端子電極５Ａの第２焼付電極層５Ａｂには、ビア導体１５が物理的且つ電気的に直接接続されている。このとき、第２焼付電極層５Ａｂは、ガラス成分の含有比率が比較的低い（金属の含有量が多い）ため、ビア導体１５と確実にめっき等で接続される。第２端子電極６Ａの第２焼付電極層６Ａｂには、ビア導体１６が物理的且つ電気的に直接接続されている。このとき、第２焼付電極層６Ａｂは、ガラス成分の含有比率が比較的低いため、ビア導体１６と確実にめっき等で接続される。これにより、第２端子電極６Ａと電極１４とが電気的に接続されている。
【００５０】
以上説明したように、積層コンデンサ１Ａでは、めっき層を有していないため、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ側の第１及び第２端子電極５Ａ，６Ａの厚みを小さくすることができる。また、ガラス成分の含有比率が低い第２焼付電極層５Ａｂ，６Ａｂとビア導体１５，１６とを接続、すなわち金属成分が比較的多い第２焼付電極層５Ａｂ，６Ａｂとビア導体１５，１６とを接続するため、第１及び第２端子電極５Ａ，６Ａとビア導体１５，１６との接続強度を確保できる。
【００５１】
積層コンデンサ１Ａは、基板１０に実装される前に、粗化処理のために粗化処理液（酸性液）に浸される。粗化処理液はガラス成分を溶解するため、その部分に孔が形成されることがある。これにより、その孔から粗化処理液が浸入し、素体２内に浸入することで特性が劣化するおそれがある。
【００５２】
これに対して、積層コンデンサ１Ａでは、ガラス成分の含有比率が比較的低い第２焼付電極層５Ａｂ，６Ａｂが第１焼付電極層５Ａａ，６Ａａを覆っているため、粗化処理液によるガラス成分溶解での孔の形成が低減され、粗化処理液が素体２内に浸入することを抑制できる。したがって、積層コンデンサ１Ａでは、信頼性が維持できる。
【００５３】
［第２実施形態］
続いて、第２実施形態について説明する。図８は、第２実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図８に示すように、積層コンデンサ２０は、略直方体形状に構成された素体２と、素体２内に配置された第１及び第２内部電極３，４と、素体２の両端部側に配置された第１及び第２端子電極２１，２２と、を備えている。
【００５４】
第１端子電極２１は、第１焼付電極層２１ａと、第２焼付電極層２１ｂと、めっき層２１ｃと、を有している。第１焼付電極層２１ａは、第１内部電極３の引き出し部３ｂが引き出される第１端面２ａと、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆの縁部とを覆うように配置されている。第１焼付電極層２１ａは、第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。
【００５５】
第１焼付電極層２１ａは、金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えばディップ工法により素体２に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第１焼付電極層２１ａのガラス成分の含有比率は、例えば５〜１０％である。
【００５６】
第２焼付電極層２１ｂは、第１焼付電極層２１ａ上に配置されていると共に、素体２の第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆ上に配置されている。第２焼付電極層２１ｂは、第１焼付電極層２１ａを覆うと共に、第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにおいて、第２端面２ｂ側に延在している。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第２焼付電極層２１ｂの長さ寸法は、第１焼付電極層２１ａの長さ寸法よりも大きい。
【００５７】
第２焼付電極層２１ｂは、金属を含有する導電性ペースト、あるいは金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えばディップ工法により第１焼付電極層２１ａ上及び素体２の第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆ上に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第２焼付電極層２１ｂのガラス成分の含有比率は、例えば０〜５％である。すなわち、第１焼付電極層２１ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層２１ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【００５８】
めっき層２１ｃは、第２焼付電極層２１ｂの全体を覆って配置されている。めっき層２１ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【００５９】
第２端子電極２２は、第１焼付電極層２２ａと、第２焼付電極層２２ｂと、めっき層２２ｃと、を有している。第１焼付電極層２２ａは、第２内部電極４の引き出し部４ｂが引き出される第１端面２ｂと、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆの縁部とを覆うように配置されている。第１焼付電極層２２ａは、第１焼付電極層２２ｂと同様に形成されている。
【００６０】
第２焼付電極層２２ｂは、第１焼付電極層２１ａ上に配置されていると共に、素体２の第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆ上に配置されている。第２焼付電極層２２ｂは、第１焼付電極層２２ａを覆うと共に、第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにおいて、第１端面２ａ側に延在している。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第２焼付電極層２２ｂの長さ寸法は、第１焼付電極層２２ａの長さ寸法よりも大きい。第２焼付電極層２２ｂは、第２焼付電極層２１ｂと同様に形成されている。第１焼付電極層２２ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層２２ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【００６１】
めっき層２２ｃは、第２焼付電極層２２ｂの全体を覆って配置されている。めっき層２１ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【００６２】
図９は、図８に示す積層コンデンサの実装構造の断面構成を示す図である。図９に示すように、積層コンデンサ２０は、基板１０に埋め込まれて実装される。第１端子電極２１には、ビア導体１５が物理的且つ電気的に接続されている。このとき、第１端子電極２１が素体２の主面２ｃに配置されているため、第１端子電極２１とビア導体１５との接続を確実に行うことができる。これにより、第１端子電極２１と電極１３とが電気的に接続されている。第２端子電極２２には、ビア導体１６が物理的且つ電気的に接続されている。このとき、第２端子電極２２が素体２の主面２ｃに配置されているため、第２端子電極２２とビア導体１６との接続を確実に行うことができる。これにより、第２端子電極２２と電極１４とが電気的に接続されている。
【００６３】
本実施形態の積層コンデンサ２０では、第１焼付電極層２１ａ，２２ａは、素体２の第１、第２端面２ａ，２ｂ側の縁部に配置されており、第２焼付電極層２１ｂ，２２ｂは、第１焼付電極層２１ａ，２２ａ上と、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆとに配置されている。このように、積層コンデンサ２０では、第１焼付電極層２１ａ，２２ａが素体２の第１及び第２主面２ｃ，２ｄにほとんど形成されないため、第１及び第２端子電極２１，２２の実装面の厚みを小さくできる。また、積層コンデンサ１では、第２焼付電極層２１ｂ，２２ｂが第１焼付電極層２１ａ，２２ａを覆って第１及び第２主面２ｃ，２ｄに配置されているため、第１及び第２端子電極２１，２２の第１及び第２主面２ｃ，２ｄ側の平滑性を確保できる。
【００６４】
上記実施形態では、第１端子電極２１及び第２端子電極２２がめっき層２１ｃ，２２ｃをそれぞれ有している構成を一例に説明したが、めっき層２１ｃ，２２ｃは設けられなくてもよい。図１０は、積層コンデンサの変形例の断面構成を示す図である。図１０に示すように、積層コンデンサ２０Ａは、素体２と、第１及び第２内部電極３，４と、第１及び第２端子電極２１Ａ，２２Ａと、を備えている。
【００６５】
第１端子電極２１Ａは、第１焼付電極層２１Ａａと、第２焼付電極層２１Ａｂと、を有している。第２端子電極２２Ａは、第１焼付電極層２１Ａａと、第２焼付電極層２２Ａｂと、を有している。
【００６６】
図１１は、図１０に示す積層コンデンサの実装構造の断面構成を示す図である。図１１に示すように、第１端子電極２１Ａの第２焼付電極層２１Ａｂには、ビア導体１５が物理的且つ電気的に直接接続されている。このとき、第２焼付電極層２１Ａｂは、ガラス含有比率が比較的低い（金属の含有量が多い）ため、ビア導体１５と確実にめっき等で接続される。第２端子電極２２Ａの第２焼付電極層２２Ａｂには、ビア導体１６が物理的且つ電気的に直接接続されている。このとき、第２焼付電極層２２Ａｂは、ガラス含有比率が比較的低いため、ビア導体１６と確実にめっき等で接続される。これにより、第２端子電極２２Ａと電極１４とが電気的に接続されている。
【００６７】
［第３実施形態］
続いて、第３実施形態について説明する。図１２は、第３実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図１３（ａ）は、図１２に示す積層コンデンサのａ−ａ線での断面構成を示す図であり、図１３（ｂ）は、図１２に示す積層コンデンサのｂ−ｂ線での断面構成を示す図である。図１４は、図１２に示す積層コンデンサの素体の分解斜視図である。
【００６８】
図１２に示すように、積層コンデンサ３０は、略直方体形状に構成された素体２と、素体２内に配置された第１及び第２内部電極３３，３４と、素体２の両端部側に配置された第１及び第２端子電極３１，３２と、を備えている。
【００６９】
図１４に示すように、第１内部電極３３は、主電極部３３ａと、引き出し部３３ｂと、を有している。主電極部３３ａは、第２内部電極３４（主電極部３４ａ）と対向配置されている。主電極部３３ａは、略矩形形状を呈している。引き出し部３３ｂは、主電極部３３ａから第１端子電極３１の配置された素体２の第１及び第２側面２ｅ，２ｆのそれぞれに伸び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに露出して第１端子電極３１（第１焼付電極層３１ａ）と直接的に接続されている。これにより、第１内部電極３３と第１端子電極３１とは、電気的に接続されることとなる。
【００７０】
第２内部電極３４は、主電極部３４ａと、引き出し部３４ｂと、を有している。主電極部３４ａは、第１内部電極３３（主電極部３３ａ）と対向配置されている。主電極部３４ａは、略矩形形状を呈している。引き出し部３４ｂは、主電極部３４ａから第２端子電極３２の配置された素体２の第１及び第２側面２ｅ，２ｆのそれぞれに伸び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに露出して第２端子電極３２（第１焼付電極層３２ａ）と直接的に接続されている。これにより、第２内部電極３４と第２端子電極３２とは、電気的に接続されることとなる。
【００７１】
図１２及び図１３に示すように、第１端子電極３１は、第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されている。第１端子電極３１は、第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。第１端子電極３１は、第１焼付電極層３１ａと、第２焼付電極層３１ｂと、めっき層３１ｃと、を有している。
【００７２】
第１焼付電極層３１ａは、素体２の第１端面２ａと、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１内部電極３３の引き出し部３３ｂが引き出される第１及び第２側面２ｅ，２ｆとに配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第１焼付電極層３１ａは、第２端面２ｂ側に延在している。第１焼付電極層３１ａは、金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えばディップ工法により素体２に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第１焼付電極層３１ａのガラス成分の含有比率は、例えば５〜１０％である。
【００７３】
第２焼付電極層３１ｂは、第１焼付電極層３１ａ上に配置されている。第２焼付電極層３１ｂは、第１焼付電極層３１ａ上において、素体２の第１及び第２側面２ｅ，２ｆに対応する位置に配置されている。なお、第２焼付電極層３１ｂは、素体２の第１主面２ｃの縁部と第２主面２ｄの縁部に跨っていてもよい。
【００７４】
第２焼付電極層３１ｂは、金属を含有する導電性ペースト、あるいは金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えば転写により第１焼付電極層３１ａ上に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第２焼付電極層３１ｂのガラス成分の含有比率は、例えば０〜５％である。すなわち、第１焼付電極層３１ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層３１ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【００７５】
めっき層３１ｃは、第１焼付電極層３１ａ及び第２焼付電極層３１ｂの全体を覆って配置されている。めっき層３１ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【００７６】
第２端子電極３２は、第２端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されている。第２端子電極３２は、第２端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。第２端子電極３２は、第１焼付電極層３２ａと、第２焼付電極層３２ｂと、めっき層３２ｃと、を有している。
【００７７】
第１焼付電極層３２ａは、素体２の第２端面２ｂと、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第２内部電極３４の引き出し部３４ｂが引き出される第１及び第２側面２ｅ，２ｆとに配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第１焼付電極層３２ａは、第１端面２ａ側に延在している。第１焼付電極層３２ａは、第１焼付電極層３１ａと同様に形成されている。
【００７８】
第２焼付電極層３２ｂは、第１焼付電極層３２ａ上に配置されている。第２焼付電極層３２ｂは、第１焼付電極層３２ａ上において、素体２の第１及び第２側面２ｅ，２ｆに対応する位置に配置されている。なお、第２焼付電極層３１ｂは、素体２の第１主面２ｃの縁部と第２主面２ｄの縁部に跨っていてもよい。第２焼付電極層３２ｂは、第２焼付電極層３１ｂと同様に形成されている。第１焼付電極層３２ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層３２ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【００７９】
めっき層３２ｃは、第１焼付電極層３２ａ及び第２焼付電極層３２ｂの全体を覆って配置されている。めっき層３２ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【００８０】
以上説明したように、本実施形態に係る積層コンデンサ３０では、第１及び第２内部電極３３，３４の引き出し部３３ｂ，３４ｂが素体２の第１及び第２側面２ｅ，２ｆに引き出されている。これにより、積層コンデンサ３０では、引き出し部３３ｂと引き出し部３４ｂとの間の距離を小さくすることができるので、低ＥＳＬとすることができる。
【００８１】
なお、積層コンデンサ３０では、第１及び第２端子電極３１，３２が素体２の第１、第２端面２ａ，２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されているが、端子電極は、第１、第２端面２ａ，２ｂには形成されなくてもよいし、第１及び第２主面２ｃ，２ｄのいずれか一方の主面だけに形成されてもよい。この場合、例えば印刷工法などで端子電極を形成すればよい。
【００８２】
［第４実施形態］
続いて、第４実施形態について説明する。図１５は、第４実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図１６（ａ）は、図１５に示す積層コンデンサのａ−ａ線での断面構成を示す図であり、図１６（ｂ）は、図１５に示す積層コンデンサのｂ−ｂ線での断面構成を示す図である。図１７は、図１５に示す積層コンデンサの素体の分解斜視図である。
【００８３】
図１５に示すように、積層コンデンサ４０は、略直方体形状に構成された素体２と、素体２内に配置された第１及び第２内部電極４３，４４と、素体２の両端部側に配置された第１及び第２端子電極４１，４２と、を備えている。
【００８４】
図１７に示すように、第１内部電極４３は、主電極部４３ａと、引き出し部４３ｂと、を有している。主電極部４３ａは、第２内部電極４４（主電極部４４ａ）と対向配置されている。主電極部４３ａは、略矩形形状を呈している。引き出し部４３ｂは、主電極部４３ａから第１端子電極４１の配置された素体２の第２側面２ｆに伸び、第２側面２ｆに露出して第１端子電極４１（第１焼付電極層４１ａ）と直接的に接続されている。これにより、第１内部電極４３と第１端子電極４１とは、電気的に接続されることとなる。
【００８５】
第２内部電極４４は、主電極部４４ａと、引き出し部４４ｂと、を有している。主電極部４４ａは、第１内部電極４３（主電極部４３ａ）と対向配置されている。主電極部４４ａは、略矩形形状を呈している。引き出し部４４ｂは、主電極部４４ａから第２端子電極４２の配置された素体２の第２側面２ｆに伸び、第２側面２ｆに露出して第２端子電極４２（第１焼付電極層４２ａ）と直接的に接続されている。これにより、第２内部電極４４と第２端子電極４２とは、電気的に接続されることとなる。
【００８６】
図１５及び図１６に示すように、第１端子電極４１は、第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されている。第１端子電極４１は、第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。第１端子電極４１は、第１焼付電極層４１ａと、第２焼付電極層４１ｂと、めっき層４１ｃと、を有している。
【００８７】
第１焼付電極層４１ａは、素体２の第１端面２ａと、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆとに配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第１焼付電極層４１ａは、第２端面２ｂ側に延在している。第１焼付電極層４１ａは、金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えばディップ工法により素体２に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第１焼付電極層４１ａのガラス成分の含有比率は、例えば５〜１０％である。
【００８８】
第２焼付電極層４１ｂは、第１焼付電極層４１ａ上に配置されている。第２焼付電極層４１ｂは、第１焼付電極層４１ａ上において、素体２の第２側面２ｆに対応する位置に配置されている。
【００８９】
第２焼付電極層４１ｂは、金属を含有する導電性ペースト、あるいは金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えば転写により第１焼付電極層４１ａ上に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第２焼付電極層４１ｂのガラス含有比率は、例えば０〜５％である。すなわち、第１焼付電極層４１ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層４１ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【００９０】
めっき層４１ｃは、第１焼付電極層４１ａ及び第２焼付電極層４１ｂの全体を覆って配置されている。めっき層４１ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【００９１】
第２端子電極４２は、第２端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されている。第２端子電極４２は、第２端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。第２端子電極４２は、第１焼付電極層４２ａと、第２焼付電極層４２ｂと、めっき層４２ｃと、を有している。
【００９２】
第１焼付電極層４２ａは、素体２の第２端面２ｂと、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆとに配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第１焼付電極層４２ａは、第１端面２ａ側に延在している。第１焼付電極層４２ａは、第１焼付電極層４１ａと同様に形成されている。
【００９３】
第２焼付電極層４２ｂは、第１焼付電極層４２ａ上に配置されている。第２焼付電極層４２ｂは、第１焼付電極層４１ａ上において、素体２の第２側面２ｆに対応する位置に配置されている。第２焼付電極層４２ｂは、第２焼付電極層４１ｂと同様に形成されている。第１焼付電極層４２ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層４２ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【００９４】
めっき層４２ｃは、第１焼付電極層４２ａ及び第２焼付電極層４２ｂの全体を覆って配置されている。めっき層４２ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【００９５】
以上説明したように、本実施形態に係る積層コンデンサ４０では、第１及び第２内部電極４３，４４の引き出し部４３ｂ，４４ｂが素体２の第２側面２ｆに引き出されている。これにより、積層コンデンサ３０では、引き出し部４３ｂと引き出し部４４ｂとの間の距離を小さくすることができるので、低ＥＳＬとすることができる。
【００９６】
なお、積層コンデンサ４０では、第１及び第２端子電極４１，４２が素体２の第１、第２端面２ａ，２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されているが、端子電極は、第１、第２端面２ａ，２ｂには形成されなくてもよいし、第１及び第２主面２ｃ，２ｄのいずれか一方の主面だけに形成されてもよい。この場合、例えば印刷工法などで端子電極を形成すればよい。
【００９７】
［第５実施形態］
続いて、第５実施形態について説明する。図１８は、第５実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図１９（ａ）は、図１８に示す積層コンデンサのａ−ａ線での断面構成を示す図であり、図１９（ｂ）は、図１８に示す積層コンデンサのｂ−ｂ線での断面構成を示す図である。
【００９８】
図１８に示すように、積層コンデンサ５０は、略直方体形状に構成された素体２と、素体２内に配置された第１及び第２内部電極３３，３４と、素体２の両端部側に配置された第１及び第２端子電極５１，５２と、を備えている。
【００９９】
図１８及び図１９に示すように、第１端子電極５１は、第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されている。第１端子電極５１は、第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。第１端子電極５１は、第１焼付電極層５１ａと、第２焼付電極層５１ｂと、めっき層５１ｃと、を有している。
【０１００】
第１焼付電極層５１ａは、第１内部電極３３の引き出し部３３ｂが引き出される素体２の第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置されている。なお、第１焼付電極層５１ａは、素体２の第１主面２ｃの縁部と第２主面２ｄの縁部に跨っていてもよい。第１焼付電極層５１ａは、金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えば転写により第１及び第２側面２ｅ，２ｆに付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第１焼付電極層５１ａのガラス成分の含有比率は、例えば５〜１０％である。
【０１０１】
第２焼付電極層５１ｂは、素体２の第１端面２ａ、及び、第１及び第２主面２ｃ，２ｄと、第１焼付電極層５１ａ上（第１及び第２側面２ｅ，２ｆに対応する位置）に配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第２焼付電極層５１ｂは、第２端面２ｂ側に延在している。第２焼付電極層５１ｂは、金属を含有する導電性ペースト、あるいは金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えばディップ工法により素体２及び第１焼付電極層５１ａ上に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第２焼付電極層５１ｂのガラス成分の含有比率は、例えば０〜５％である。すなわち、第１焼付電極層５１ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層５１ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【０１０２】
めっき層５１ｃは、第２焼付電極層５１ｂの全体を覆って配置されている。めっき層５１ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【０１０３】
第２端子電極５２は、第２端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されている。第２端子電極５２は、第２端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。第２端子電極５２は、第１焼付電極層５２ａと、第２焼付電極層５２ｂと、めっき層５２ｃと、を有している。
【０１０４】
第１焼付電極層５２ａは、第１内部電極３４の引き出し部３４ｂが引き出される素体２の第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置されている。なお、第１焼付電極層５２ａは、素体２の第１主面２ｃの縁部と第２主面２ｄの縁部に跨っていてもよい。第１焼付電極層５２ａは、第１焼付電極層５１ａと同様に形成されている。
【０１０５】
第２焼付電極層５２ｂは、素体２の第１端面２ｂ、及び、第１及び第２主面２ｃ，２ｄと、第１焼付電極層５２ａ上（第１及び第２側面２ｅ，２ｆに対応する位置）に配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第２焼付電極層５２ｂは、第２端面２ａ側に延在している。第２焼付電極層５２ｂは、第２焼付電極層５１ｂと同様に形成されている。第１焼付電極層５２ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層５２ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【０１０６】
めっき層５２ｃは、第２焼付電極層５２ｂの全体を覆って配置されている。めっき層５２ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【０１０７】
以上説明したように、本実施形態に係る積層コンデンサ５０では、第１及び第２内部電極３３，３４の引き出し部３３ｂ，３４ｂが素体２の第１及び第２側面２ｅ，２ｆに引き出されている。これにより、積層コンデンサ５０では、引き出し部３３ｂと引き出し部３４ｂとの間の距離を小さくすることができるので、低ＥＳＬとすることができる。
【０１０８】
なお、積層コンデンサ５０では、第１及び第２端子電極５１，５２が素体２の第１、第２端面２ａ，２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されているが、端子電極は、第２、第２端面２ａ，２ｂには形成されなくてもよいし、第１及び第２主面２ｃ，２ｄのいずれか一方の主面だけに形成されてもよい。この場合、例えば印刷工法などで端子電極を形成すればよい。
【０１０９】
［第６実施形態］
続いて、第６実施形態について説明する。図２０は、第６実施形態に係る積層コンデンサの断面構成を示す図である。図２１（ａ）は、図２０に示す積層コンデンサのａ−ａ線での断面構成を示す図であり、図２１（ｂ）は、図２０に示す積層コンデンサのｂ−ｂ線での断面構成を示す図である。
【０１１０】
図２０に示すように、積層コンデンサ６０は、略直方体形状に構成された素体２と、素体２内に配置された第１及び第２内部電極４３，４４と、素体２の両端部側に配置された第１及び第２端子電極６１，６２と、を備えている。
【０１１１】
図２０及び図２１に示すように、第１端子電極６１は、第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されている。第１端子電極６１は、第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。第１端子電極６１は、第１焼付電極層６１ａと、第２焼付電極層６１ｂと、めっき層６１ｃと、を有している。
【０１１２】
第１焼付電極層６１ａは、第１内部電極４３の引き出し部４３ｂが引き出される素体２の第２側面２ｆに配置されている。なお、第１焼付電極層６１ａは、素体２の第１主面２ｃの縁部と第２主面２ｄの縁部に跨っていてもよい。第１焼付電極層６１ａは、金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えば転写により第２側面２ｆに付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第１焼付電極層６１ａのガラス成分の含有比率は、例えば５〜１０％である。
【０１１３】
第２焼付電極層６１ｂは、素体２の第１端面２ａ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び第１側面２ｅと、第１焼付電極層６１ａ上（第２側面２ｆに対応する位置）に配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第２焼付電極層６１ｂは、第２端面２ｂ側に延在している。第２焼付電極層６１ｂは、金属を含有する導電性ペースト、あるいは金属とガラス成分とを含有する導電性ペーストを例えばディップ工法により素体２及び第１焼付電極層６１ａ上に付与し、その導電性ペーストを所定の温度で焼き付けて形成されている。第２焼付電極層６１ｂのガラス成分の含有比率は、例えば０〜５％である。すなわち、第１焼付電極層６１ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層６１ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【０１１４】
めっき層６１ｃは、第２焼付電極層６１ｂの全体を覆って配置されている。めっき層６１ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【０１１５】
第２端子電極６２は、第２端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されている。第２端子電極６２は、第２端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆにわたって連続して配置されている。第２端子電極６２は、第１焼付電極層６２ａと、第２焼付電極層６２ｂと、めっき層６２ｃと、を有している。
【０１１６】
第１焼付電極層６２ａは、第１内部電極４４の引き出し部４４ｂが引き出される素体２の第２側面２ｆに配置されている。なお、第１焼付電極層６２ａは、素体２の第１主面２ｃの縁部と第２主面２ｄの縁部に跨っていてもよい。第１焼付電極層６２ａは、第１焼付電極層６１ａと同様に形成されている。
【０１１７】
第２焼付電極層６２ｂは、素体２の第１端面２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び第２側面２ｅと、第１焼付電極層６２ａ上（第２側面２ｆに対応する位置）に配置されている。第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆに配置された第２焼付電極層６２ｂは、第２端面２ａ側に延在している。第２焼付電極層６２ｂは、第２焼付電極層６１ｂと同様に形成されている。第１焼付電極層６２ａのガラス成分の含有比率は、第２焼付電極層６２ｂのガラス成分の含有比率よりも高い。
【０１１８】
めっき層６２ｃは、第２焼付電極層６２ｂの全体を覆って配置されている。めっき層６２ｃは、例えば、Ｃｕめっき、Ｎｉめっき、Ｓｎめっきなどの単層構造又はこれらを組み合わせた多層構造である。
【０１１９】
以上説明したように、本実施形態に係る積層コンデンサ６０では、第１及び第２内部電極４３，４４の引き出し部４３ｂ，４４ｂが素体２の第２側面２ｆに引き出されている。これにより、積層コンデンサ６０では、引き出し部４３ｂと引き出し部４４ｂとの間の距離を小さくすることができるので、低ＥＳＬとすることができる。
【０１２０】
なお、積層コンデンサ６０では、第１及び第２端子電極６１，６２が素体２の第１、第２端面２ａ，２ｂ、第１及び第２主面２ｃ，２ｄ、及び、第１及び第２側面２ｅ，２ｆを覆うように配置されているが、端子電極は、第１、第２端面２ａ，２ｂには形成されなくてもよいし、第１及び第２主面２ｃ，２ｄのいずれか一方の主面だけに形成されてもよい。この場合、例えば印刷工法などで端子電極を形成すればよい。
【０１２１】
本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。例えば、第１実施形態では、第１及び第２端子電極５，６が第１焼付電極層５ａ，６ａと第２焼付電極層５ｂ，６ｂとをそれぞれ有し、第１焼付電極層５ａ，６ａのガラス含有比率が第２焼付電極層５ｂ，６ｂのガラス含有比率よりも高い構成を一例に説明したが、第１及び第２端子電極５，６が、ガラス成分の含有量の多い第１の領域と、ガラス成分の含有量の少ない第２の領域とを有する構成であってもよい。この構成の場合、第１の領域は、引き出し部との接合領域（接合部分）に配置されており、第２の領域は、第１及び第２の端子電極の外表面側に配置される。第２，３，４，５，６実施形態についても同様である。
【符号の説明】
【０１２２】
１，１Ａ，２０，２０Ａ，３０，４０，５０，６０…積層コンデンサ、２…素体、２ａ，２ｂ…第１、第２端面、２ｃ，２ｄ…第１、第２主面、２ｅ，２ｆ…第１、第２側面、３，４，３３，３４，４３，４４…内部電極、３ａ，４ａ，３３ａ，３４ａ，４３ａ，４４ａ…主電極部、３ｂ，４ｂ，３３ｂ，３４ｂ，４３ｂ，４３ｂ…引き出し部、５，６，２１，２２，３１，３２，４１，４２，５１，５２，６１，６２…第１、第２端子電極、５ａ，６ａ，５Ａａ，６Ａａ，２１ａ，２２ａ，２１Ａａ，２２Ａａ，３１ａ，３２ａ，４１ａ，４２ａ，５１ａ，５２ａ，６１ａ，６２ａ…第１焼付電極層、５ｂ，６ｂ，５Ａｂ，６Ａｂ，２１ｂ，２２ｂ，２１Ａｂ，２２Ａｂ，３１ｂ，３２ｂ，４１ｂ，４２ｂ，５１ｂ，５２ｂ，６１ｂ，６２ｂ…第２焼付電極層、５ｃ，６ｃ，２１ｃ，２２ｃ，３１ｃ，３２ｃ，４１ｃ，４２ｃ，５１ｃ，５２ｃ，６１ｃ，６２ｃ…めっき層、１０…基板（回路基板）、１５，１６…ビア導体。
【図１】
2014116501.tif 000003
【図２】
2014116501.tif 000004
【図３】
2014116501.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014116501.tif 000009
【図８】
2014116501.tif 000010
【図９】
2014116501.tif 000011
【図１０】
2014116501.tif 000012
【図１１】
2014116501.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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