(57)【要約】【課題】電気的に中性なデブリの発生を抑制する。【解決手段】この極端紫外光生成システムは、パルスレーザ光の光路を、プラズマ生成領域でパルスレーザ光が集光される第１の光路と、プラズマ生成領域の外をパルスレーザ光が通る第２の光路と、のいずれかに略一致させるように構成された光学装置と、レーザ装置が所定時間にわたってパルスレーザ光を出力するようにトリガ信号をレーザ装置に出力するとともに、光学装置が、上記所定時間の開始後のタイミング信号に含まれるパルス数が所定値となるまでの間にわたってパルスレーザ光の光路を第２の光路とし、パルス数が上記所定値となった後上記所定時間の終了までにわたってパルスレーザ光の光路を第１の光路とするように、制御信号を光学装置に出力するように構成された制御部と、を備えてもよい。【選択図】図２Ａ
2014078394.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、
前記チャンバ内のプラズマ生成領域に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記パルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、
前記パルスレーザ光の光路を、前記プラズマ生成領域で前記パルスレーザ光が集光される第１の光路と、前記プラズマ生成領域の外を前記パルスレーザ光が通る第２の光路と、のいずれかに略一致させるように構成された光学装置と、
前記レーザ装置が所定時間にわたって前記パルスレーザ光を出力するように、前記ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に所定の遅延時間が与えられたトリガ信号を前記レーザ装置に出力するとともに、前記タイミング信号に含まれるパルス数をカウントし、前記光学装置が、前記所定時間の開始後の前記パルス数が所定値となるまでの間にわたって前記パルスレーザ光の光路を前記第２の光路とし、前記パルス数が前記所定値となった後前記所定時間の終了までにわたって前記パルスレーザ光の光路を前記第１の光路とするように、制御信号を前記光学装置に出力するように構成された制御部と、
を備える極端紫外光生成システム。
【請求項２】
パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、
前記チャンバ内のプラズマ生成領域に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記パルスレーザ光を前記プラズマ生成領域に集光するように構成された集光光学系と、
前記レーザ装置が所定時間にわたって前記パルスレーザ光を出力するように、前記ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に第１及び第２の遅延時間のいずれか一方が与えられたトリガ信号を前記レーザ装置に出力するとともに、前記タイミング信号に含まれるパルス数をカウントするように構成された制御部であって、前記所定時間の開始後の前記パルス数が所定値となるまでの間にわたって、前記プラズマ生成領域にターゲットが到達する到達タイミングから外れたタイミングで前記プラズマ生成領域に前記パルスレーザ光が集光されるように前記タイミング信号に前記第１の遅延時間を与えて前記トリガ信号を出力し、前記パルス数が前記所定値となった後前記所定時間の終了までにわたって、前記プラズマ生成領域にターゲットが到達する到達タイミングで前記プラズマ生成領域に前記パルスレーザ光が集光されるように前記タイミング信号に前記第２の遅延時間を与えて前記トリガ信号を出力するように構成された制御部と、
を備える極端紫外光生成システム。
【請求項３】
パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、
前記チャンバ内に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記パルスレーザ光をプラズマ生成領域に集光するように構成された集光光学系と、
前記ターゲット供給部が供給するターゲットの軌道を、前記プラズマ生成領域をターゲットが通る第１の軌道と、前記プラズマ生成領域の外をターゲットが通る第２の軌道と、のいずれかに略一致させるように構成された偏向装置と、
前記レーザ装置が所定時間にわたって前記パルスレーザ光を出力するように、前記ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に所定の遅延時間が与えられたトリガ信号を前記レーザ装置に出力するとともに、前記タイミング信号に含まれるパルス数をカウントし、前記偏向装置が、前記所定時間の開始後の前記パルス数が所定値となるまでの間にわたってターゲットの軌道を前記第２の軌道とし、前記パルス数が前記所定値となった後前記所定時間の終了までにわたってターゲットの軌道を前記第１の軌道とするように、制御信号を前記偏向装置に出力するように構成された制御部と、
を備える極端紫外光生成システム。
【請求項４】
パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、
前記チャンバ内のプラズマ生成領域に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記パルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、
前記パルスレーザ光の光路を、前記プラズマ生成領域で前記パルスレーザ光が集光される第１の光路と、前記プラズマ生成領域の外を前記パルスレーザ光が通る第２の光路と、のいずれかに略一致させるように構成された光学装置と、
前記レーザ装置が第１の所定時間にわたって前記パルスレーザ光を出力するように、前記ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に所定の遅延時間が与えられたトリガ信号を前記レーザ装置に出力するとともに、前記第１の所定時間より短い第２の所定時間を計測し、前記光学装置が前記第１の所定時間の開始後前記第２の所定時間にわたって前記パルスレーザ光の光路を前記第２の光路とし、前記第２の所定時間の終了後前記第１の所定時間の終了までにわたって前記パルスレーザ光の光路を前記第１の光路とするように、制御信号を前記光学装置に出力するように構成された制御部と、
を備える極端紫外光生成システム。
【請求項５】
パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、
前記チャンバ内のプラズマ生成領域に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記パルスレーザ光を前記プラズマ生成領域に集光するように構成された集光光学系と、
前記レーザ装置が第１の所定時間にわたって前記パルスレーザ光を出力するように、前記ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に第１及び第２の遅延時間のいずれか一方が与えられたトリガ信号を前記レーザ装置に出力するとともに、前記第１の所定時間より短い第２の所定時間を計測するように構成された制御部であって、前記第１の所定時間の開始後前記第２の所定時間にわたって、前記プラズマ生成領域にターゲットが到達する到達タイミングから外れたタイミングで前記プラズマ生成領域に前記パルスレーザ光が集光されるように前記タイミング信号に前記第１の遅延時間を与えて前記トリガ信号を出力し、前記第２の所定時間の終了後前記第１の所定時間の終了までにわたって、前記プラズマ生成領域にターゲットが到達する到達タイミングで前記プラズマ生成領域に前記パルスレーザ光が集光されるように前記タイミング信号に前記第２の遅延時間を与えて前記トリガ信号を出力するように構成された制御部と、
を備える極端紫外光生成システム。
【請求項６】
パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、
前記パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、
前記チャンバ内に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、
前記パルスレーザ光をプラズマ生成領域に集光するように構成された集光光学系と、
前記ターゲット供給部が供給するターゲットの軌道を、前記プラズマ生成領域をターゲットが通る第１の軌道と、前記プラズマ生成領域の外をターゲットが通る第２の軌道と、のいずれかに略一致させるように構成された偏向装置と、
前記レーザ装置が第１の所定時間にわたって前記パルスレーザ光を出力するように、前記ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に所定の遅延時間が与えられたトリガ信号を前記レーザ装置に出力するとともに、前記第１の所定時間より短い第２の所定時間を計測し、前記偏向装置が前記第１の所定時間の開始後前記第２の所定時間にわたってターゲットの軌道を前記第２の軌道とし、前記第２の所定時間の終了後前記第１の所定時間の終了までにわたってターゲットの軌道を前記第１の軌道とするように、制御信号を前記偏向装置に出力するように構成された制御部と、
を備える極端紫外光生成システム。
【請求項７】
前記ターゲット供給部は、ターゲットに電荷を付与する電荷付与部を含み、
前記偏向装置は、前記ターゲット供給部と前記プラズマ生成領域との間に配置された一対の電極と、前記一対の電極の間に電圧を印加するように構成された電源と、を含み、前記ターゲット供給部が供給するターゲットの進行方向と交差する方向の電界を前記制御信号に応じて生成するように構成された、
請求項３記載の極端紫外光生成システム。
【請求項８】
前記ターゲット供給部が供給するターゲットを検出して前記タイミング信号を出力するように構成されたターゲットセンサをさらに備え、
前記制御部は、前記タイミング信号に応じて前記トリガ信号を出力するように構成された、
請求項１記載の極端紫外光生成システム。
【請求項９】
前記タイミング信号を出力するように構成されたクロック回路をさらに備え、
前記ターゲット供給部は、前記タイミング信号に応じて前記チャンバ内にターゲットを供給するように構成され、
前記制御部は、前記タイミング信号に応じて前記トリガ信号を出力するように構成された、
請求項１記載の極端紫外光生成システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、極端紫外光生成システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体プロセスの微細化に伴って、半導体プロセスの光リソグラフィにおける転写パターンの微細化が急速に進展している。次世代においては、７０ｎｍ〜４５ｎｍの微細加工、さらには３２ｎｍ以下の微細加工が要求されるようになる。このため、例えば３２ｎｍ以下の微細加工の要求に応えるべく、波長１３ｎｍ程度の極端紫外（ＥＵＶ）光を生成するための装置と縮小投影反射光学系とを組み合わせた露光装置の開発が期待されている。
【０００３】
ＥＵＶ光生成装置としては、ターゲット物質にレーザ光を照射することによって生成されるプラズマが用いられるＬＰＰ（Laser Produced Plasma）式の装置と、放電によって生成されるプラズマが用いられるＤＰＰ（Discharge Produced Plasma）式の装置と、軌道放射光が用いられるＳＲ（Synchrotron Radiation）式の装置との３種類の装置が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許第７０６８３６７号明細書
【特許文献２】米国特許第７５８９３３７号明細書
【特許文献３】米国特許出願公開第２０１２／００８０５８４号明細書
【概要】
【０００５】
本開示の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、パルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、パルスレーザ光の光路を、プラズマ生成領域でパルスレーザ光が集光される第１の光路と、プラズマ生成領域の外をパルスレーザ光が通る第２の光路と、のいずれかに略一致させるように構成された光学装置と、レーザ装置が所定時間にわたってパルスレーザ光を出力するように、ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に所定の遅延時間が与えられたトリガ信号をレーザ装置に出力するとともに、タイミング信号に含まれるパルス数をカウントし、光学装置が、上記所定時間の開始後のパルス数が所定値となるまでの間にわたってパルスレーザ光の光路を第２の光路とし、パルス数が上記所定値となった後上記所定時間の終了までにわたってパルスレーザ光の光路を第１の光路とするように、制御信号を光学装置に出力するように構成された制御部と、を備えてもよい。
【０００６】
本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、パルスレーザ光をプラズマ生成領域に集光するように構成された集光光学系と、レーザ装置が所定時間にわたってパルスレーザ光を出力するように、ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に第１及び第２の遅延時間のいずれか一方が与えられたトリガ信号をレーザ装置に出力するとともに、タイミング信号に含まれるパルス数をカウントするように構成された制御部であって、上記所定時間の開始後のパルス数が所定値となるまでの間にわたって、プラズマ生成領域にターゲットが到達する到達タイミングから外れたタイミングでプラズマ生成領域にパルスレーザ光が集光されるようにタイミング信号に第１の遅延時間を与えてトリガ信号を出力し、パルス数が上記所定値となった後上記所定時間の終了までにわたって、プラズマ生成領域にターゲットが到達する到達タイミングでプラズマ生成領域にパルスレーザ光が集光されるようにタイミング信号に第２の遅延時間を与えてトリガ信号を出力するように構成された制御部と、を備えてもよい。
【０００７】
本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、チャンバ内に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、パルスレーザ光をプラズマ生成領域に集光するように構成された集光光学系と、ターゲット供給部が供給するターゲットの軌道を、プラズマ生成領域をターゲットが通る第１の軌道と、プラズマ生成領域の外をターゲットが通る第２の軌道と、のいずれかに略一致させるように構成された偏向装置と、レーザ装置が所定時間にわたってパルスレーザ光を出力するように、ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に所定の遅延時間が与えられたトリガ信号をレーザ装置に出力するとともに、タイミング信号に含まれるパルス数をカウントし、偏向装置が、上記所定時間の開始後のパルス数が所定値となるまでの間にわたってターゲットの軌道を第２の軌道とし、パルス数が上記所定値となった後上記所定時間の終了までにわたってターゲットの軌道を第１の軌道とするように、制御信号を偏向装置に出力するように構成された制御部と、を備えてもよい。
【０００８】
本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、パルスレーザ光を集光するように構成された集光光学系と、パルスレーザ光の光路を、プラズマ生成領域でパルスレーザ光が集光される第１の光路と、プラズマ生成領域の外をパルスレーザ光が通る第２の光路と、のいずれかに略一致させるように構成された光学装置と、レーザ装置が第１の所定時間にわたってパルスレーザ光を出力するように、ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に所定の遅延時間が与えられたトリガ信号をレーザ装置に出力するとともに、第１の所定時間より短い第２の所定時間を計測し、光学装置が第１の所定時間の開始後第２の所定時間にわたってパルスレーザ光の光路を第２の光路とし、第２の所定時間の終了後第１の所定時間の終了までにわたってパルスレーザ光の光路を第１の光路とするように、制御信号を光学装置に出力するように構成された制御部と、を備えてもよい。
【０００９】
本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、チャンバ内のプラズマ生成領域に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、パルスレーザ光をプラズマ生成領域に集光するように構成された集光光学系と、レーザ装置が第１の所定時間にわたってパルスレーザ光を出力するように、ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に第１及び第２の遅延時間のいずれか一方が与えられたトリガ信号をレーザ装置に出力するとともに、第１の所定時間より短い第２の所定時間を計測するように構成された制御部であって、第１の所定時間の開始後第２の所定時間にわたって、プラズマ生成領域にターゲットが到達する到達タイミングから外れたタイミングでプラズマ生成領域にパルスレーザ光が集光されるようにタイミング信号に第１の遅延時間を与えてトリガ信号を出力し、第２の所定時間の終了後第１の所定時間の終了までにわたって、プラズマ生成領域にターゲットが到達する到達タイミングでプラズマ生成領域にパルスレーザ光が集光されるようにタイミング信号に第２の遅延時間を与えてトリガ信号を出力するように構成された制御部と、を備えてもよい。
【００１０】
本開示の他の１つの観点に係る極端紫外光生成システムは、パルスレーザ光を出力するように構成されたレーザ装置と、パルスレーザ光を導入するための少なくとも１つの貫通口が設けられたチャンバと、チャンバ内に複数のターゲットを順次供給するように構成されたターゲット供給部と、パルスレーザ光をプラズマ生成領域に集光するように構成された集光光学系と、ターゲット供給部が供給するターゲットの軌道を、プラズマ生成領域をターゲットが通る第１の軌道と、プラズマ生成領域の外をターゲットが通る第２の軌道と、のいずれかに略一致させるように構成された偏向装置と、レーザ装置が第１の所定時間にわたってパルスレーザ光を出力するように、ターゲット供給部によるターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号に所定の遅延時間が与えられたトリガ信号をレーザ装置に出力するとともに、第１の所定時間より短い第２の所定時間を計測し、偏向装置が第１の所定時間の開始後第２の所定時間にわたってターゲットの軌道を第２の軌道とし、第２の所定時間の終了後第１の所定時間の終了までにわたってターゲットの軌道を第１の軌道とするように、制御信号を偏向装置に出力するように構成された制御部と、を備えてもよい。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
本開示のいくつかの実施形態を、単なる例として、添付の図面を参照して以下に説明する。
【図１】図１は、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。
【図２Ａ】図２Ａは、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。
【図２Ｂ】図２Ｂは、図２Ａに示されたＥＵＶ光生成システムのＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図である。
【図３】図３は、図２Ａに示されたＥＵＶ光生成制御部及びレーザシステムを示すブロック図である。
【図４】図４は、図３に示された光シャッタの構成例を示す。
【図５】図５Ａ〜図５Ｆは、図３の各部における信号と、ＥＵＶ光生成システムによって生成されるＥＵＶ光とのタイミングチャートである。
【図６】図６は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部を示すブロック図である。
【図７】図７は、ターゲット検出時と、第１及び第２の遅延時間が設定された場合のパルスレーザ光の集光時と、におけるターゲットの位置を示す。
【図８】図８Ａ〜図８Ｆは、図６の各部における信号と、ＥＵＶ光生成システムによって生成されるＥＵＶ光とのタイミングチャートである。
【図９】図９は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部、ターゲット供給部及び偏向装置を示す一部断面図である。
【図１０】図１０Ａ〜図１０Ｆは、図９の各部における信号と、ＥＵＶ光生成システムによって生成されるＥＵＶ光とのタイミングチャートである。
【図１１】図１１は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部及びレーザシステムを示すブロック図である。
【図１２】図１２は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部及びレーザシステムを示すブロック図である。
【図１３】図１３は、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部、レーザシステム及びターゲット供給部を示す一部断面図である。
【図１４】図１４は、第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部及びレーザシステムを示すブロック図である。
【実施形態】
【００１２】
＜内容＞
１．概要
２．用語の説明
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１  構成
３．２  動作
４．パルスレーザ光の光路を変更するＥＵＶ光生成システム
４．１  概略構成
４．２  光路を変更する構成
４．３  光シャッタの詳細
４．４  作用
５．パルスレーザ光の出力タイミングを変更するＥＵＶ光生成システム
６．ターゲットの軌道を変更するＥＵＶ光生成システム
７．プリパルスレーザ光の光路を変更するＥＵＶ光生成システム
８．プリパルスレーザ光の出力タイミングを変更するＥＵＶ光生成システム
９．オンデマンドでターゲットを供給するＥＵＶ光生成システム
１０．タイマを含むＥＵＶ光生成システム
【００１３】
以下、本開示の実施形態について、図面を参照しながら詳しく説明する。以下に説明される実施形態は、本開示のいくつかの例を示すものであって、本開示の内容を限定するものではない。また、各実施形態で説明される構成及び動作の全てが本開示の構成及び動作として必須であるとは限らない。なお、同一の構成要素には同一の参照符号を付して、重複する説明を省略する。
【００１４】
１．概要
ＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムにおいては、ターゲット供給部がターゲットを出力し、チャンバ内のプラズマ生成領域に到達させてもよい。ターゲットがプラズマ生成領域に到達した時点で、レーザ装置がターゲットにパルスレーザ光を照射することで、ターゲットがプラズマ化し、このプラズマからＥＵＶ光が放射され得る。
【００１５】
ＥＵＶ光生成システムにおいては、所定の繰り返し周波数（例えば、１００ｋＨｚ）で、所定の時間にわたってＥＵＶ光を生成することが求められ得る。ＥＵＶ光生成システムが所定の繰り返し周波数でＥＵＶ光を生成するために、ターゲット供給部が上記所定の繰り返し周波数でターゲットを出力してもよい。このターゲットの供給タイミングに応じて、レーザ装置がパルスレーザ光を出力してもよい。レーザ装置が出力するパルスレーザ光の繰り返し周波数は、上記所定の繰り返し周波数と同等であり得る。このような所定の繰り返し周波数で所定の時間にわたってパルスレーザ光を出力することを、バーストと称することもある。
【００１６】
本発明者らは、レーザ装置がバーストを行う場合に、パルスレーザ光のエネルギーが、バーストの開始当初は不安定であり得ることを見出した。このようにエネルギーが不安定な状態でパルスレーザ光をターゲットに照射すると、ターゲットが十分にプラズマ化されないという問題が起こり得る。すなわち、ターゲットがイオン化する割合（イオン化率）が減少し、電気的に中性なデブリとなる割合が増加し得る。電気的に中性なデブリは、蒸気、クラスター、微細な液滴等であり得る。
【００１７】
本開示の１つの観点によれば、バーストの開始当初におけるパルスレーザ光の光路が、プラズマ生成領域の外を通る光路とされてもよい。
本開示のもう１つの観点によれば、バーストの開始当初におけるパルスレーザ光が、プラズマ生成領域にターゲットが到達するタイミングから外れたタイミングでプラズマ生成領域に集光されてもよい。
本開示のさらにもう１つの観点によれば、パルスレーザ光のバーストの開始当初におけるターゲットの軌道が、プラズマ生成領域の外を通る軌道とされてもよい。
【００１８】
このような構成によれば、バーストの開始当初におけるパルスレーザ光がターゲットに照射されることが抑制され、電気的に中性なデブリの発生が抑制され得る。
【００１９】
２．用語の説明
本願において使用される幾つかの用語を以下に説明する。
ターゲットの「軌道」は、ターゲット供給部から出力されるターゲットの理想的な経路、あるいは、ターゲット供給部の設計に従ったターゲットの経路であってもよい。
ターゲットの「軌跡」は、ターゲット供給部から出力されたターゲットの実際の経路であってもよい。
「プラズマ生成領域」は、ＥＵＶ光を生成するためのプラズマの生成が開始される領域を意味し得る。プラズマ生成領域においてプラズマの生成が開始されるためには、プラズマ生成領域にターゲットが供給され、かつ、ターゲットがプラズマ生成領域に到達するタイミングでプラズマ生成領域にパルスレーザ光が集光される必要があり得る。
【００２０】
３．ＥＵＶ光生成システムの全体説明
３．１  構成
図１に、例示的なＬＰＰ式のＥＵＶ光生成システムの構成を概略的に示す。ＥＵＶ光生成装置１は、少なくとも１つのレーザシステム３と共に用いられてもよい。本願においては、ＥＵＶ光生成装置１及びレーザシステム３を含むシステムを、ＥＵＶ光生成システム１１と称する。図１に示し、かつ、以下に詳細に説明するように、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２、ターゲット供給部２６を含んでもよい。チャンバ２は、密閉可能であってもよい。ターゲット供給部２６は、例えば、チャンバ２の壁を貫通するように取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６から供給されるターゲット物質の材料は、スズ、テルビウム、ガドリニウム、リチウム、キセノン、又は、それらの内のいずれか２つ以上の組合せを含んでもよいが、これらに限定されない。
【００２１】
チャンバ２の壁には、少なくとも１つの貫通孔が設けられていてもよい。その貫通孔には、ウインドウ２１が設けられてもよく、ウインドウ２１をレーザシステム３から出力されるパルスレーザ光３２が透過してもよい。チャンバ２の内部には、例えば、回転楕円面形状の反射面を有するＥＵＶ集光ミラー２３が配置されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、第１及び第２の焦点を有し得る。ＥＵＶ集光ミラー２３の表面には、例えば、モリブデンとシリコンとが交互に積層された多層反射膜が形成されていてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、例えば、その第１の焦点がプラズマ生成領域２５に位置し、その第２の焦点が中間集光点（ＩＦ）２９２に位置するように配置されるのが好ましい。ＥＵＶ集光ミラー２３の中央部には貫通孔２４が設けられていてもよく、貫通孔２４をパルスレーザ光３３が通過してもよい。
【００２２】
ＥＵＶ光生成装置１は、ＥＵＶ光生成制御部５、ターゲットセンサ４等を含んでもよい。ターゲットセンサ４は、撮像機能を有してもよく、ターゲット２７の存在、軌跡、位置、速度等を検出するよう構成されてもよい。
【００２３】
また、ＥＵＶ光生成装置１は、チャンバ２の内部と露光装置６の内部とを連通させる接続部２９を含んでもよい。接続部２９内部には、アパーチャが形成された壁２９１が設けられてもよい。壁２９１は、そのアパーチャがＥＵＶ集光ミラー２３の第２の焦点位置に位置するように配置されてもよい。
【００２４】
さらに、ＥＵＶ光生成装置１は、レーザ光進行方向制御部３４、レーザ光集光ミラー２２、ターゲット２７を回収するためのターゲット回収部２８等を含んでもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、レーザ光の進行方向を規定するための光学素子と、この光学素子の位置、姿勢等を調整するためのアクチュエータとを備えてもよい。
【００２５】
３．２  動作
図１を参照に、レーザシステム３から出力されたパルスレーザ光３１は、レーザ光進行方向制御部３４を経て、パルスレーザ光３２としてウインドウ２１を透過してチャンバ２内に入射してもよい。パルスレーザ光３２は、少なくとも１つのレーザ光経路に沿ってチャンバ２内を進み、レーザ光集光ミラー２２で反射されて、パルスレーザ光３３として少なくとも１つのターゲット２７に照射されてもよい。
【００２６】
ターゲット供給部２６は、ターゲット２７をチャンバ２内部のプラズマ生成領域２５に向けて出力するよう構成されてもよい。ターゲット２７には、パルスレーザ光３３に含まれる少なくとも１つのパルスが照射されてもよい。パルスレーザ光が照射されたターゲット２７はプラズマ化し、そのプラズマから放射光２５１が放射され得る。放射光２５１に含まれるＥＵＶ光２５２は、ＥＵＶ集光ミラー２３によって選択的に反射されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３によって反射されたＥＵＶ光２５２は、中間集光点２９２で集光され、露光装置６に出力されてもよい。なお、１つのターゲット２７に、パルスレーザ光３３に含まれる複数のパルスが照射されてもよい。
【００２７】
ＥＵＶ光生成制御部５は、ＥＵＶ光生成システム１１全体の制御を統括するよう構成されてもよい。ＥＵＶ光生成制御部５は、ターゲットセンサ４によって撮像されたターゲット２７のイメージデータ等を処理するよう構成されてもよい。また、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、ターゲット２７が供給されるタイミング、ターゲット２７の出力方向等を制御するよう構成されてもよい。さらに、ＥＵＶ光生成制御部５は、例えば、レーザシステム３の発振タイミング、パルスレーザ光３２の進行方向、パルスレーザ光３３の集光位置等を制御するよう構成されてもよい。上述の様々な制御は単なる例示に過ぎず、必要に応じて他の制御が追加されてもよい。
【００２８】
４．パルスレーザ光の光路を変更するＥＵＶ光生成システム
４．１  概略構成
図２Ａは、第１の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムの構成を示す一部断面図である。図２Ｂは、図２Ａに示されたＥＵＶ光生成システムのＩＩＢ−ＩＩＢ線における断面図である。図３は、図２Ａに示されたＥＵＶ光生成制御部及びレーザシステムを示すブロック図である。図４は、図３に示された光シャッタの構成例を示す。図５Ａ〜図５Ｆは、図３の各部における信号と、ＥＵＶ光生成システムによって生成されるＥＵＶ光とのタイミングチャートである。
【００２９】
図２Ａに示されるように、チャンバ２の内部には、レーザ光集光光学系２２ａと、ＥＵＶ集光ミラー２３と、ターゲット回収部２８と、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１と、プレート８２及び８３とが設けられてもよい。
【００３０】
チャンバ２には、プレート８２が固定されてもよい。プレート８２には、プレート８３が固定されてもよい。ＥＵＶ集光ミラー２３は、ＥＵＶ集光ミラーホルダ８１を介してプレート８２に固定されてもよい。
【００３１】
レーザ光集光光学系２２ａは、軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２と、ホルダ２２３及び２２４とを含んでもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２は、それぞれ、ホルダ２２３及び２２４によって保持されてもよい。ホルダ２２３及び２２４は、プレート８３に固定されてもよい。軸外放物面ミラー２２１及び平面ミラー２２２によって反射されたパルスレーザ光３３がプラズマ生成領域２５で集光されるように、これらのミラーの位置及び姿勢が保持されてもよい。ターゲット回収部２８は、ターゲット２７の軌道の延長線上に配置されてもよい。
【００３２】
チャンバ２には、ターゲット供給部２６が取り付けられてもよい。ターゲット供給部２６は、リザーバ６１を有していてもよい。リザーバ６１は、図示しないヒータを用いてターゲットの材料を溶融した状態で内部に貯蔵してもよい。リザーバ６１には、開口６２が形成されていてもよい。リザーバ６１の一部が、チャンバ２の壁面に形成された貫通孔２ａを貫通しており、リザーバ６１に形成された開口６２の位置がチャンバ２の内部に位置していてもよい。ターゲット供給部２６は、開口６２を介して、溶融したターゲットの材料をドロップレット状のターゲット２７としてチャンバ２内のプラズマ生成領域２５に供給してもよい。貫通孔２ａの周囲のチャンバ２の壁面には、リザーバ６１のフランジ部６１ａが密着して固定されてもよい。
【００３３】
チャンバ２には、ターゲットセンサ４と発光部４５とが取り付けられてもよい。ターゲットセンサ４は、光センサ４１と、集光光学系４２と、容器４３とを含んでもよい。容器４３はチャンバ２の外部に固定され、この容器４３内に、光センサ４１及び集光光学系４２が固定されてもよい。発光部４５は、光源４６と、集光光学系４７と、容器４８とを含んでもよい。容器４８はチャンバ２の外部に固定され、この容器４８内に、光源４６及び集光光学系４７が固定されてもよい。光源４６の出力光は、集光光学系４７によって集光され得る。その集光位置はターゲット２７のほぼ軌道上であってもよい。
【００３４】
ターゲットセンサ４と発光部４５とは、ターゲット２７の軌道を挟んで互いに反対側に配置されていてもよい。チャンバ２にはウインドウ２１ａ及び２１ｂが取り付けられていてもよい。ウインドウ２１ａは、発光部４５とターゲット２７の軌道との間に位置していてもよい。発光部４５は、ウインドウ２１ａを介してターゲット２７の軌道の所定位置に光を集光してもよい。ウインドウ２１ｂは、ターゲット２７の軌道とターゲットセンサ４との間に位置していてもよい。ターゲット２７が発光部４５による光の集光位置を通過するときに、ターゲットセンサ４は、ターゲット２７の軌道及びその周囲を通る光の変化を検出し、ターゲット検出信号ＶＢを出力してもよい。図５Ｂに示されるように、１つのターゲット２７が検出される毎に、ターゲット検出信号ＶＢとして１つのパルスが出力されてもよい。本例では、ターゲット検出信号ＶＢを、ターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号としてもよい。
【００３５】
ターゲットセンサ４によって検出されるターゲット２７の中心位置を、以下の説明においてターゲット検出位置４０とする。図２Ａに示された例において、ターゲット検出位置４０は、発光部４５による光の集光位置とほぼ一致し得る。
【００３６】
チャンバ２の外部には、レーザ光進行方向制御部３４と、ＥＵＶ光生成制御部５ａとが設けられてもよい。レーザ光進行方向制御部３４は、高反射ミラー３４１及び３４２と、ホルダ３４３及び３４４とを含んでもよい。高反射ミラー３４１及び３４２は、それぞれ、ホルダ３４３及び３４４によって保持されてもよい。
【００３７】
ＥＵＶ光生成制御部５ａは、露光装置６（図１）がＥＵＶ光生成信号ＶＡを出力した場合に、当該ＥＵＶ光生成信号ＶＡを受信してもよい。ＥＵＶ光生成信号ＶＡは、第１の所定時間にわたってＥＵＶ光を生成すべきことをＥＵＶ光生成システム１１に指示する信号であってもよい。ＥＵＶ光生成信号ＶＡは、図５Ａに示されるように、高電位（ＯＮ）又は低電位（ＯＦＦ）となり得る。ＥＵＶ光生成信号ＶＡは、ＥＵＶ光を生成すべき第１の所定時間においてはＯＮとなり、第１の所定時間の終了後ＥＵＶ光を生成しなくてよい時間においてはＯＦＦとなる信号であってもよい。
【００３８】
図２Ｂに示されるように、チャンバ２の外部に磁場発生器１８が設けられてもよい。磁場発生器１８は、一対の磁石を含んでもよい。これらの磁石は、トロイダル状のコイルを含む電磁石でもよい。磁場発生器１８は、これらのコイルの中心軸がターゲット２７の進行方向とほぼ直交するように配置されてもよい。磁場発生器１８は、チャンバ２の内部に磁場１８ａを形成するように構成されてもよい。磁場１８ａは、磁場発生器１８に含まれる２つのコイルの中心軸周りに軸対称であってもよい。磁場１８ａは、プラズマ生成領域２５の周辺に形成されるのが好ましい。
【００３９】
プラズマ生成領域２５において生成されるプラズマには、ターゲット物質（スズ等）のイオン（Ｓｎ２＋等の陽イオン）及び電子が含まれ得る。磁場１８ａが無い場合、これらのイオン及び電子は、プラズマ生成領域２５から放射状に拡散し得る。
【００４０】
磁場発生器１８によって形成される磁場の中を、イオン及び電子が移動しようとすると、これらのイオン及び電子は、磁場の方向と、イオン及び電子の移動方向と、イオン及び電子の電荷とに応じたローレンツ力を受け得る。その結果、プラズマに含まれるイオン及び電子は、このローレンツ力を受けて、磁場に沿ってらせん状に移動し、イオン回収部２８ａによって回収され得る。
【００４１】
これにより、イオン及び電子がＥＵＶ集光ミラー２３に向かって飛散することが抑制され得る。従って、ＥＵＶ集光ミラー２３がイオン及び電子によって汚染されることが抑制され得る。
【００４２】
４．２  光路を変更する構成
図３に示されるように、ＥＵＶ光生成制御部５ａは、ＥＵＶコントローラ５１と、ＡＮＤ回路５２と、遅延回路５３と、ワンショット回路５４と、カウンタ５５と、フリップフロップ５６とを含んでもよい。カウンタ５５は、信号入力端子Ｃと、リセット入力端子Ｒ１とを含んでもよい。フリップフロップ５６は、セット入力端子Ｓと、リセット入力端子Ｒ２と、出力端子Ｑとを含んでもよい。
【００４３】
レーザシステム３ａは、マスターオシレータ３５と、第１、第２及び第３の増幅器３６、３７及び３８とを含んでもよい。マスターオシレータ３５と第１〜第３の増幅器３６、３７及び３８とは、直列に接続されてもよい。マスターオシレータ３５によって生成されたパルスレーザ光は、増幅器３６によって増幅されてもよい。増幅器３６によって増幅されて出力されたパルスレーザ光は、増幅器３７によってさらに増幅され、増幅器３７によって増幅されて出力されたパルスレーザ光が、増幅器３８によってさらに増幅されてもよい。
【００４４】
レーザシステム３ａは、光シャッタ３９を光学装置として含んでもよい。光シャッタ３９は、例えば、増幅器３８によって増幅されて出力されたパルスレーザ光の光路に配置されてもよい。その光路は、増幅器３８とプラズマ生成領域２５との間の光路であり得る。あるいは、光シャッタは、マスターオシレータ３５と増幅器３６との間、増幅器３６と増幅器３７との間、又は、増幅器３７と増幅器３８との間のパルスレーザ光の光路に配置されてもよい（図示せず）。
【００４５】
光シャッタ３９は、パルスレーザ光の光路を、第１の光路Ｂ１と第２の光路Ｂ２とに切り替えてもよい。第１の光路Ｂ１は、パルスレーザ光が、プラズマ生成領域２５で集光される光路であってもよい。第２の光路Ｂ２は、パルスレーザ光が、プラズマ生成領域２５の外を通ってレーザダンパ（図示せず）に吸収される光路であってもよい。光シャッタ３９は、このようにパルスレーザ光の光路Ｂ１と光路Ｂ２とを切り替えることにより、プラズマ生成領域２５への光路を開閉してもよい。
【００４６】
ＥＵＶコントローラ５１は、露光装置６が出力したＥＵＶ光生成信号ＶＡを、ＡＮＤ回路５２及びワンショット回路５４に出力してもよい。ＥＵＶコントローラ５１は、ターゲットセンサ４が出力したターゲット検出信号ＶＢを、ＡＮＤ回路５２に出力してもよい。ＥＵＶコントローラ５１は、遅延回路５３に、遅延時間Ｄｔの設定情報を含む制御信号を出力してもよい。遅延時間Ｄｔについては後述する。ＥＵＶコントローラ５１は、カウンタ５５に、設定カウント数（例えば、２０パルス）の情報を含む制御信号を出力してもよい。
【００４７】
ＡＮＤ回路５２は、露光装置６が出力したＥＵＶ光生成信号ＶＡと、ターゲットセンサ４が出力したターゲット検出信号ＶＢとを、ＥＵＶコントローラ５１を介して受信してもよい。ＡＮＤ回路５２は、受信したＥＵＶ光生成信号ＶＡ及びターゲット検出信号ＶＢのＡＮＤ信号ＶＣを生成してもよい。図５Ｃに示すように、このＡＮＤ信号ＶＣは、ＥＵＶ光生成信号ＶＡがＯＮである期間に出力されたターゲット検出信号ＶＢと同等の信号であり得る。ＡＮＤ回路５２は、このＡＮＤ信号ＶＣを、遅延回路５３と、カウンタ５５の信号入力端子Ｃと、に出力してもよい。
【００４８】
遅延回路５３は、ＥＵＶ光生成信号ＶＡ及びターゲット検出信号ＶＢのＡＮＤ信号ＶＣを、ＡＮＤ回路５２から受信してもよい。遅延回路５３は、ＡＮＤ信号ＶＣに基づいてトリガ信号ＶＤを生成し、このトリガ信号ＶＤをマスターオシレータ３５に出力してもよい。図５Ｄに示すように、トリガ信号ＶＤは、ＡＮＤ信号ＶＣに、ＥＵＶコントローラ５１によって設定された遅延時間Ｄｔが与えられた信号であってもよい。
【００４９】
遅延時間Ｄｔは、ターゲットセンサ４によって検出されたターゲット２７がプラズマ生成領域２５に到達するタイミングで、パルスレーザ光がプラズマ生成領域２５に集光されるような遅延時間であり得る。遅延時間Ｄｔは、例えば、以下の式によって与えられ得る。
Ｄｔ＝Ｌ／ｖ−α
ここで、Ｌは、ターゲット検出位置４０からプラズマ生成領域２５の中心位置までの距離でもよい。ｖは、ターゲットの速度でもよい。αは、トリガ信号ＶＤが出力されてから、パルスレーザ光がプラズマ生成領域２５で集光されるまでの所要時間でもよい。
【００５０】
ワンショット回路５４は、露光装置６が出力したＥＵＶ光生成信号ＶＡを、ＥＵＶコントローラ５１を介して受信してもよい。ワンショット回路５４は、ＥＵＶ光生成信号ＶＡの立下りエッジを検出し、この立下りエッジの検出タイミングを示すパルス信号を生成してもよい。すなわち、ワンショット回路５４は、ＥＵＶ光生成信号ＶＡがＯＮからＯＦＦになったタイミングで、パルス信号を生成してもよい。ワンショット回路５４は、このパルス信号を、カウンタ５５のリセット入力端子Ｒ１と、フリップフロップ５６のリセット入力端子Ｒ２と、に出力してもよい。
【００５１】
カウンタ５５の信号入力端子Ｃは、ＥＵＶ光生成信号ＶＡ及びターゲット検出信号ＶＢのＡＮＤ信号ＶＣを、ＡＮＤ回路５２から受信してもよい。カウンタ５５は、ＡＮＤ信号ＶＣに含まれるパルスの数が、ＥＵＶコントローラ５１によって設定された設定カウント数に達するまで、ＡＮＤ信号ＶＣに含まれるパルスの数をカウントしてもよい。カウンタ５５は、ＡＮＤ信号ＶＣに含まれるパルスの数をカウントすることにより、実質的に、ＥＵＶ光生成信号ＶＡがＯＮとなった後のターゲット検出信号ＶＢに含まれるパルスの数をカウントし得る。また、カウンタ５５は、ＡＮＤ信号ＶＣに含まれるパルスの数をカウントすることにより、実質的に、第２の所定時間を計測し得る。
【００５２】
カウンタ５５は、ＡＮＤ信号ＶＣに含まれるパルスの数が設定カウント数に達したときに、カウントを中止するとともに、出力パルス信号を生成してもよい。カウンタ５５は、この出力パルス信号をフリップフロップ５６のセット入力端子Ｓに出力してもよい。
【００５３】
カウンタ５５のリセット入力端子Ｒ１は、ＥＵＶ光生成信号ＶＡの立下りエッジの検出タイミングを示すパルス信号を、ワンショット回路５４から受信してもよい。カウンタ５５は、リセット入力端子Ｒ１においてパルス信号を受信した場合に、すでにカウントされたパルスの数をリセットし、新たに信号入力端子Ｃにおいて受信したＡＮＤ信号ＶＣに含まれるパルスの数をカウントしてもよい。ＡＮＤ信号ＶＣに含まれるパルスの数が設定カウント数に達したときのカウンタ５５の動作は、上述の通りでよい。
【００５４】
フリップフロップ５６のセット入力端子Ｓは、ＡＮＤ信号ＶＣに含まれるパルスの数が設定カウント数に達したことを示す出力パルス信号を、カウンタ５５から受信してもよい。フリップフロップ５６のリセット入力端子Ｒ２は、ＥＵＶ光生成信号ＶＡの立下りエッジの検出タイミングを示すパルス信号を、ワンショット回路５４から受信してもよい。
【００５５】
フリップフロップ５６の出力端子Ｑは、光シャッタ３９に、光シャッタ開信号ＶＥ（図５Ｅ）を出力してもよい。光シャッタ開信号ＶＥは、高電位（ＯＮ）又は低電位（ＯＦＦ）となり得る。フリップフロップ５６は、セット入力端子Ｓが出力パルス信号を受信した後、リセット入力端子Ｒ２がパルス信号を受信するまでの間、光シャッタ開信号ＶＥをＯＮにしてもよい。フリップフロップ５６は、リセット入力端子Ｒ２がパルス信号を受信した後、セット入力端子Ｓが出力パルス信号を受信するまでの間、光シャッタ開信号ＶＥをＯＦＦにしてもよい。
【００５６】
すなわち、光シャッタ開信号ＶＥは、ＡＮＤ信号ＶＣの出力が開始されてから、ＡＮＤ信号ＶＣに含まれるパルスの数が設定カウント数に達するまで（第２の所定時間の間）、ＯＦＦであってもよい。そして、光シャッタ開信号ＶＥは、ＡＮＤ信号ＶＣに含まれるパルスの数が設定カウント数に達したときから、ＥＵＶ光生成信号ＶＡの立下りのタイミングまでの間、ＯＮであってもよい。光シャッタ開信号ＶＥは、ＥＵＶ光生成信号ＶＡの立下りのタイミングで、再びＯＦＦとなってもよい。
【００５７】
光シャッタ３９は、ＥＵＶ光生成制御部５ａのフリップフロップ５６から光シャッタ開信号ＶＥを受信してもよい。光シャッタ３９は、光シャッタ開信号ＶＥがＯＮである場合に、パルスレーザ光の光路を第１の光路Ｂ１としてもよい。この場合に、パルスレーザ光がターゲット２７に照射され、図５Ｆに示されるように、ＥＵＶ光が生成されてもよい。光シャッタ３９は、光シャッタ開信号ＶＥがＯＦＦである場合に、パルスレーザ光の光路を第２の光路Ｂ２としてもよい。この場合に、パルスレーザ光がターゲット２７に照射されず、ＥＵＶ光が生成されなくてもよい。
【００５８】
４．３  光シャッタの詳細
図４に示されるように、光シャッタ３９は、高電圧電源３９３と、ポッケルスセル３９４と、偏光子３９６とを含んでいてもよい。ポッケルスセル３９４は、電気光学結晶を挟んで対向する位置に設けられた一対の電極３９５を含んでもよい。
【００５９】
高電圧電源３９３は、ＥＵＶ光生成制御部５ａに含まれるフリップフロップ５６から、光シャッタ開信号ＶＥを受信してもよい。高電圧電源３９３は、光シャッタ開信号ＶＥがＯＮである場合に所定の電圧（０Ｖとは異なる電圧）を生成し、その電圧をポッケルスセル３９４の一対の電極３９５間に印加してもよい。高電圧電源３９３は、光シャッタ開信号ＶＥがＯＦＦである場合に、ポッケルスセル３９４の一対の電極３９５間に印加する電圧を０Ｖにしてもよい。
【００６０】
レーザシステム３ａの増幅器３８から出力されたパルスレーザ光は、偏光方向が紙面に垂直な直線偏光であってもよい。増幅器３８から出力されたパルスレーザ光は、一対の電極３９５の間を透過してもよい。ポッケルスセル３９４は、一対の電極３９５間に電圧が印加されたときに、パルスレーザ光の直交する偏光成分の位相差を１８０度変えて（偏光方向を９０度回転させて）透過させてもよい。ポッケルスセル３９４は、一対の電極３９５間に電圧が印加されていないときに、パルスレーザ光の直交する偏光成分の位相差を変えずに透過させてもよい。
【００６１】
偏光子３９６は、偏光方向が紙面に平行な直線偏光であるパルスレーザ光を、高い透過率で透過させてもよい。すなわち、フリップフロップ５６から受信した光シャッタ開信号ＶＥがＯＮである場合に、ポッケルスセル３９４によって偏光方向が回転させられたパルスレーザ光を、偏光子３９６が透過させてもよい。これにより、パルスレーザ光の光路は、第１の光路Ｂ１となり得る。
【００６２】
偏光子３９６は、偏光方向が紙面に垂直な直線偏光であるパルスレーザ光を、高い反射率で反射してもよい。すなわち、フリップフロップ５６から受信した光シャッタ開信号ＶＥがＯＦＦである場合に、偏光方向が回転させられずにポッケルスセル３９４を透過したパルスレーザ光を、偏光子３９６が反射してもよい。これにより、パルスレーザ光の光路は、第２の光路Ｂ２となり得る。
【００６３】
４．４  作用
第１の実施形態によれば、トリガ信号ＶＤがマスターオシレータ３５に出力されることにより、第１の所定時間にわたってバーストが行われ得る。しかし、バーストの開始当初（第２の所定時間）におけるパルスレーザ光は、プラズマ生成領域２５の外に導かれ得る。これにより、エネルギーが不安定なパルスレーザ光がターゲット２７に照射されることが抑制され、電気的に中性なデブリの発生が抑制され得る。
【００６４】
第１の所定時間より短い第２の所定時間が経過すると、光シャッタ開信号ＶＥがＯＮとなり、パルスレーザ光は、プラズマ生成領域２５に導かれ得る。これにより、エネルギーが安定したパルスレーザ光がターゲット２７に照射され、エネルギーが安定したＥＵＶ光が生成され得る。
【００６５】
また、第１の実施形態によれば、電気的に中性なデブリの発生が抑制されることにより、相対的に、電荷を有するデブリ（イオン等）の発生割合が増加し得る。すなわち、以下の式で与えられるイオン化率が増加し得る。
（イオン化率）＝（電荷を有するデブリ量）／（総デブリ量）×１００
上述のように、チャンバ２の外部に磁場発生器１８（図２Ｂ）が設けられている場合には、電荷を有するデブリは効率的に回収され得る。従って、ＥＵＶ集光ミラー２３等がデブリによって汚染されることが抑制され得る。
【００６６】
第１の実施形態においては、ＥＵＶ光生成制御部５ａが、ワンショット回路５４、カウンタ５５、フリップフロップ５６等の論理回路を含んでいるが、本開示はこれに限定されない。ＥＵＶ光生成制御部５ａは、上述の機能と同様の機能を発揮するようにプログラムされたＦＰＧＡ（フレキシブル  プログラマブル  ゲートアレイ）等の集積回路を含んでもよい。
【００６７】
第１の実施形態においては、光シャッタ３９が、高電圧電源３９３と、ポッケルスセル３９４と、偏光子３９６とを含んでいるが、本開示はこれに限定されない。光シャッタ３９は、音響光学素子と、圧電素子と、高周波電源と（いずれも図示せず）を含んでもよい。上記高周波電源は、上記圧電素子に所定周波数の交流電圧を印加してもよい。上記圧電素子は、印加された交流電圧に応じた振動を上記音響光学素子に与えてもよい。上記音響光学素子は、与えられた振動に応じて、パルスレーザ光を回折させてもよい。これにより、パルスレーザ光の光路が、プラズマ生成領域２５で集光される第１の光路と、プラズマ生成領域２５の外を通ってレーザダンパ（図示せず）に吸収される第２の光路とに切り替えられてもよい。
【００６８】
５．パルスレーザ光の出力タイミングを変更するＥＵＶ光生成システム
図６は、第２の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部を示すブロック図である。図７は、ターゲット検出時と、第１及び第２の遅延時間が設定された場合のパルスレーザ光の集光時と、におけるターゲットの位置を示す。図８Ａ〜図８Ｆは、図６の各部における信号と、ＥＵＶ光生成システムによって生成されるＥＵＶ光とのタイミングチャートである。
【００６９】
ＥＵＶ光生成制御部５ｂは、ＥＵＶコントローラ５１と、ＡＮＤ回路５２と、第１の遅延回路５３ａと、第２の遅延回路５３ｂと、ワンショット回路５４と、カウンタ５５と、フリップフロップ５６ａと、第１のアナログスイッチ５７ａと、第２のアナログスイッチ５７ｂとを含んでもよい。カウンタ５５は、信号入力端子Ｃと、リセット入力端子Ｒ１とを含んでもよい。フリップフロップ５６ａは、セット入力端子Ｓと、リセット入力端子Ｒ２と、出力端子Ｑと、反転出力端子ＱＮとを含んでもよい。反転出力端子ＱＮは、出力端子Ｑが出力する信号を反転した信号を出力してもよい。
レーザシステム３は、光シャッタを含まなくてもよい。
他の構成は、第１の実施形態と同様でよい。
【００７０】
ＥＵＶコントローラ５１は、第１の遅延回路５３ａに、第１の遅延時間Ｄｔ１の設定情報を含む制御信号を出力してもよい。第１の遅延時間Ｄｔ１は、プラズマ生成領域２５にターゲット２７が存在しないタイミングで、当該領域にパルスレーザ光が集光されるような遅延時間であり得る。
【００７１】
ＥＵＶコントローラ５１は、第２の遅延回路５３ｂに、第２の遅延時間Ｄｔ２の設定情報を含む制御信号を出力してもよい。第２の遅延時間Ｄｔ２は、プラズマ生成領域２５にターゲット２７が到達するタイミングで、当該領域にパルスレーザ光が集光されるような遅延時間であり得る。
【００７２】
ＡＮＤ回路５２は、ＥＵＶ光生成信号ＶＩＩＩＡ及びターゲット検出信号ＶＩＩＩＢのＡＮＤ信号ＶＩＩＩＣ（図８Ａ〜図８Ｃ参照）を、第１の遅延回路５３ａと、第２の遅延回路５３ｂと、カウンタ５５の信号入力端子Ｃと、に出力してもよい。本例では、ターゲット検出信号ＶＩＩＩＢを、ターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号としてもよい。
【００７３】
第１の遅延回路５３ａは、ＥＵＶ光生成信号ＶＩＩＩＡ及びターゲット検出信号ＶＩＩＩＢのＡＮＤ信号ＶＩＩＩＣを、ＡＮＤ回路５２から受信し、ＡＮＤ信号ＶＩＩＩＣに基づいて第１の遅延信号を生成してもよい。第１の遅延信号は、ＡＮＤ信号ＶＩＩＩＣに第１の遅延時間Ｄｔ１が与えられた信号であってもよい。第１の遅延信号は図８Ｅに示される第２の所定時間内におけるトリガ信号ＶＩＩＩＥとなり得る。第１の遅延回路５３ａは、第１の遅延信号を第１のアナログスイッチ５７ａに出力してもよい。
【００７４】
第２の遅延回路５３ｂは、ＥＵＶ光生成信号ＶＩＩＩＡ及びターゲット検出信号ＶＩＩＩＢのＡＮＤ信号ＶＩＩＩＣを、ＡＮＤ回路５２から受信し、ＡＮＤ信号ＶＩＩＩＣに基づいて第２の遅延信号を生成してもよい。第２の遅延信号は、ＡＮＤ信号ＶＩＩＩＣに第２の遅延時間Ｄｔ２が与えられた信号であってもよい。第２の遅延信号は図８Ｅに示される第２の所定時間経過後、第１の所定時間経過前におけるトリガ信号ＶＩＩＩＥとなり得る。第２の遅延回路５３ｂは、第２の遅延信号を第２のアナログスイッチ５７ｂに出力してもよい。
【００７５】
フリップフロップ５６ａの反転出力端子ＱＮは、第１のアナログスイッチ５７ａに、第１のスイッチ閉信号を出力してもよい。第１のスイッチ閉信号は、高電位（ＯＮ）又は低電位（ＯＦＦ）となり得る。第１のスイッチ閉信号は、セット入力端子Ｓが出力パルス信号を受信した後、リセット入力端子Ｒ２がパルス信号を受信するまでの間、ＯＦＦとなってもよい。第１のスイッチ閉信号は、リセット入力端子Ｒ２がパルス信号を受信した後、セット入力端子Ｓが出力パルス信号を受信するまでの間、ＯＮとなってもよい。
【００７６】
フリップフロップ５６ａの出力端子Ｑは、第２のアナログスイッチ５７ｂに、第２のスイッチ閉信号ＶＩＩＩＤ（図８Ｄ）を出力してもよい。第２のスイッチ閉信号ＶＩＩＩＤは、高電位（ＯＮ）又は低電位（ＯＦＦ）となり得る。第２のスイッチ閉信号ＶＩＩＩＤは、セット入力端子Ｓが出力パルス信号を受信した後、リセット入力端子Ｒ２がパルス信号を受信するまでの間、ＯＮとなってもよい。第２のスイッチ閉信号ＶＩＩＩＤは、リセット入力端子Ｒ２がパルス信号を受信した後、セット入力端子Ｓが出力パルス信号を受信するまでの間、ＯＦＦとなってもよい。
【００７７】
第１のアナログスイッチ５７ａは、フリップフロップ５６ａの反転出力端子ＱＮが出力する第１のスイッチ閉信号を受信してもよい。第１のアナログスイッチ５７ａは、第１のスイッチ閉信号がＯＮである場合に、閉状態となってもよい。第１のアナログスイッチ５７ａが閉状態である場合には、第１のアナログスイッチ５７ａは、第１の遅延回路５３ａから出力される第１の遅延信号を、トリガ信号ＶＩＩＩＥとしてレーザシステム３に伝送してもよい。第１のアナログスイッチ５７ａは、第１のスイッチ閉信号がＯＦＦである場合に、開状態となってもよい。第１のアナログスイッチ５７ａが開状態である場合には、第１のアナログスイッチ５７ａは、第１の遅延信号をレーザシステム３に対して遮断してもよい。
【００７８】
第２のアナログスイッチ５７ｂは、フリップフロップ５６ａの出力端子Ｑが出力する第２のスイッチ閉信号ＶＩＩＩＤを受信してもよい。第２のアナログスイッチ５７ｂは、第２のスイッチ閉信号ＶＩＩＩＤがＯＮである場合に、閉状態となってもよい。第２のアナログスイッチ５７ｂが閉状態である場合には、第２のアナログスイッチ５７ｂは、第２の遅延回路５３ｂから出力される第２の遅延信号を、トリガ信号ＶＩＩＩＥとしてレーザシステム３に伝送してもよい。第２のアナログスイッチ５７ｂは、第２のスイッチ閉信号ＶＩＩＩＤがＯＦＦである場合に、開状態となってもよい。第２のアナログスイッチ５７ｂが開状態である場合には、第２のアナログスイッチ５７ｂは、第２の遅延信号をレーザシステム３に対して遮断してもよい。
【００７９】
図８Ｅに示されるように、ＡＮＤ信号ＶＩＩＩＣの出力が開始されてから第２の所定時間が経過するまでは、第１の遅延時間Ｄｔ１が与えられた第１の遅延信号がトリガ信号ＶＩＩＩＥとしてレーザシステム３に出力され得る。第２の所定時間が経過すると、第２の遅延時間Ｄｔ２が与えられた第２の遅延信号がトリガ信号ＶＩＩＩＥとしてレーザシステム３に出力され得る。
【００８０】
次に、図７を参照しながら、遅延時間の設定について説明する。
まず、ターゲットセンサ４によってターゲット２７が検出された後、ターゲット検出信号ＶＩＩＩＢに第２の遅延時間Ｄｔ２が与えられてトリガ信号ＶＩＩＩＥが生成された場合を考える。第２の遅延時間Ｄｔ２は、プラズマ生成領域２５においてターゲット２７にパルスレーザ光３３が集光されるような遅延時間であり得る。第２の遅延時間Ｄｔ２は、以下の式によって与えられ得る。
Ｄｔ２＝Ｌ／ｖ−α      ・・・（式１）
ここで、Ｌは、ターゲット検出位置４０からプラズマ生成領域２５までの距離でもよい。ｖは、ターゲットの速度でもよい。αは、トリガ信号ＶＩＩＩＥが出力されてから、パルスレーザ光３３が集光されるまでの所要時間でもよい。上述の（式１）に示される第２の遅延時間Ｄｔ２が設定されることにより、プラズマ生成領域２５にターゲット２７が到達するタイミングで、パルスレーザ光３３が集光され得る。
【００８１】
第１の遅延時間Ｄｔ１は、複数のターゲット２７及び２７ａの間に、パルスレーザ光３３が集光されるような遅延時間であり得る。先行するターゲット２７ａの中心位置と、その次のターゲット２７の中心位置との間隔Ｌｄｄは、以下の式によって与えられ得る。
Ｌｄｄ＝ｖ／ｆ      ・・・（式２）
ここで、ｆは、チャンバ２内に供給されるターゲットの繰り返し周波数でもよい。
【００８２】
ターゲット２７が検出された後、ターゲット検出信号ＶＩＩＩＢに第１の遅延時間Ｄｔ１が与えられてトリガ信号ＶＩＩＩＥが生成された場合を考える。このトリガ信号ＶＩＩＩＥに基づいて生成されたパルスレーザ光３３が集光される時点でのターゲット２７の中心位置は、ターゲット検出位置４０から（ｖ・（Ｄｔ１＋α））の距離だけ離れた位置であり得る。これと同じ時点で、先行するターゲット２７ａの中心位置は、ターゲット検出位置４０から（ｖ・（Ｄｔ１＋α）＋Ｌｄｄ）の距離だけ離れた位置であり得る。これらの位置の間にプラズマ生成領域２５が位置するための条件は、以下の式で与えられ得る。
ｖ・（Ｄｔ１＋α）＜Ｌ
Ｌ＜ｖ・（Ｄｔ１＋α）＋Ｌｄｄ
【００８３】
そこで、プラズマ生成領域２５におけるパルスレーザ光３３のビーム径Ｓｐと、ターゲットの直径Ｄとを考慮すると、パルスレーザ光３３がターゲット２７又は２７ａに照射されない条件は、以下の式で与えられ得る。
ｖ・（Ｄｔ１＋α）＋（Ｓｐ＋Ｄ）／２＜Ｌ          ・・・（式３）
Ｌ＜ｖ・（Ｄｔ１＋α）−（Ｓｐ＋Ｄ）／２＋Ｌｄｄ  ・・・（式４）
【００８４】
上述の（式１）〜（式４）から、第１の遅延時間Ｄｔ１の範囲は、以下の式で与えられ得る。
Ｄｔ１＜Ｄｔ２−（Ｓｐ＋Ｄ）／２ｖ                ・・・（式５）
Ｄｔ２＋（Ｓｐ＋Ｄ）／２ｖ−１／ｆ＜Ｄｔ１        ・・・（式６）
【００８５】
但し、パルスレーザ光３３がターゲット２７又は２７ａに照射されないもう１つの条件として、以下の関係式が与えられ得る。
Ｓｐ＋Ｄ＜Ｌｄｄ
【００８６】
第１の遅延時間Ｄｔ１の値は、上述の（式５）及び（式６）で与えられる範囲の中心の値であることが望ましい。そのような中心の値は、以下の式によって与えられ得る。
Ｄｔ１＝Ｄｔ２−１／２ｆ
【００８７】
第２の実施形態によれば、トリガ信号ＶＩＩＩＥがマスターオシレータ３５に出力されることにより、第１の所定時間にわたってバーストが行われ得る。しかし、バーストの開始当初（第２の所定時間）におけるパルスレーザ光は、プラズマ生成領域２５にターゲット２７が到達するタイミングから外れたタイミングで当該領域に集光され得る。これにより、エネルギーが不安定なパルスレーザ光がターゲット２７に照射されることが抑制され、電気的に中性なデブリの発生が抑制され得る。
【００８８】
第１の所定時間より短い第２の所定時間が経過すると、パルスレーザ光は、プラズマ生成領域２５にターゲット２７が到達するタイミングで、当該領域に集光され得る。これにより、エネルギーが安定したパルスレーザ光がターゲット２７に照射され、エネルギーが安定したＥＵＶ光が生成され得る。
【００８９】
６．ターゲットの軌道を変更するＥＵＶ光生成システム
図９は、第３の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部、ターゲット供給部及び偏向装置を示す一部断面図である。図１０Ａ〜図１０Ｆは、図９の各部における信号と、ＥＵＶ光生成システムによって生成されるＥＵＶ光とのタイミングチャートである。図１０Ａ〜図１０Ｄに示される信号は、それぞれ、図５Ａ〜図５Ｄに示される信号と同様であり得る。図１０Ｆに示されるＥＵＶ光の出力タイミングは、図５Ｆに示されるＥＵＶ光の出力タイミングと同様であり得る。本例では、ターゲット検出信号ＶＢを、ターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号としてもよい。第３の実施形態において、ＥＵＶ光生成システム１１は、ターゲット２７の軌道の近傍に偏向装置６３を備えていてもよい。
【００９０】
ＥＵＶ光生成制御部５ｃは、ＥＵＶコントローラ５１と、ＡＮＤ回路５２と、遅延回路５３と、ワンショット回路５４と、カウンタ５５と、フリップフロップ５６ａとを含んでもよい。カウンタ５５は、信号入力端子Ｃと、リセット入力端子Ｒ１とを含んでもよい。フリップフロップ５６は、セット入力端子Ｓと、リセット入力端子Ｒ２と、出力端子Ｑと、反転出力端子ＱＮとを含んでもよい。
レーザシステム３は、光シャッタを含まなくてもよい。
【００９１】
ターゲット供給部２６ｃは、引出電極６４と、リザーバ内電極６５と、高電圧電源６７とを含んでもよい。ターゲット供給部２６ｃのリザーバ６１には、ターゲットの出力側に突き出た先端部６２ａが形成されていてもよい。リザーバ６１の開口６２は、この先端部６２ａに形成されていてもよい。引出電極６４は、ターゲットに電荷を付与する電荷付与部を構成してもよい。
【００９２】
引出電極６４は、リザーバ６１の先端部６２ａに対向して配置されてもよい。引出電極６４には、貫通孔６４ａが形成されていてもよい。引出電極６４は、一定の電位（例えば、接地電位）に接続されていてもよい。
【００９３】
リザーバ内電極６５は、リザーバ６１内に貯蔵されたターゲット物質に接触することにより、リザーバ６１内のターゲット物質に電気的に接続されていてもよい。リザーバ内電極６５は、さらに、高電圧電源６７の出力端子に電気的に接続されていてもよい。
【００９４】
ＥＵＶ光生成制御部５ｃに含まれるＥＵＶコントローラ５１は、高電圧電源６７にターゲット制御信号を出力するよう構成されてもよい。高電圧電源６７は、ＥＵＶコントローラ５１から出力されるターゲット制御信号に応じて、リザーバ内電極６５を介してターゲット物質に高電位を印加してもよい。これにより、リザーバ内電極６５と引出電極６４との間に電位差が与えられ得る。
【００９５】
リザーバ内電極６５と引出電極６４との電位差によって、リザーバ６１内のターゲット物質と引出電極６４との間に電界が発生し得る。そして、このターゲット物質と引出電極６４との間にクーロン力が発生し得る。
【００９６】
特に、先端部６２ａに形成された開口６２付近に位置するターゲット物質の周囲には電界が集中するので、開口６２付近に位置するターゲット物質と引出電極６４との間には、より強力なクーロン力が発生し得る。このクーロン力により、ターゲット２７が、帯電したドロップレットの状態で、開口６２からプラズマ生成領域２５に向かって出力され得る。
【００９７】
偏向装置６３は、一対の偏向電極６６ａ及び６６ｂと、偏向電極電源６８とを含んでもよい。一対の偏向電極６６ａ及び６６ｂは、開口６２からプラズマ生成領域２５に向かって出力されたターゲット２７の軌道を挟んで対向するように配置されてもよい。一方の偏向電極６６ａが一定の電位（例えば、接地電位）に電気的に接続され、他方の偏向電極６６ｂが偏向電極電源６８の出力端子に電気的に接続されてもよい。
【００９８】
偏向電極電源６８は、ターゲット偏向信号ＸＥ（後述）に応じて、偏向電極６６ｂに第１の電位及び第２の電位を切り替えて印加してもよい。
第１の電位は、偏向電極６６ａに接続された電位（例えば、接地電位）と同等の電位であってもよい。偏向電極６６ｂに第１の電位が印加された場合に、ターゲット２７は、一対の偏向電極６６ａ及び６６ｂの間をほぼ直進してもよい。偏向電極６６ｂに第１の電位が印加された場合に、ターゲット２７は、一対の偏向電極６６ａ及び６６ｂの間を通過した後に、プラズマ生成領域２５に向かう第１の軌道Ｗ１を通ってもよい。
【００９９】
第２の電位は、偏向電極６６ａに接続された電位（例えば、接地電位）と異なる電位であってもよい。偏向電極６６ｂに第２の電位が印加された場合に、一対の偏向電極６６ａ及び６６ｂの間に電界が発生し得る。帯電した状態で開口６２から出力されたターゲット２７は、一対の偏向電極６６ａ及び６６ｂの間を通るときにその電界に沿った方向のクーロン力を受け得る。このクーロン力により、ターゲット２７は、その進行方向を変えられてもよい。進行方向を変えられたターゲット２７は、一対の偏向電極６６ａ及び６６ｂの間を通過した後に、プラズマ生成領域２５の外を通過する第２の軌道Ｗ２を通ってもよい。
【０１００】
ＥＵＶ光生成制御部５ｃに含まれるフリップフロップ５６ａの反転出力端子ＱＮは、偏向電極電源６８に、ターゲット偏向信号ＸＥ（図１０Ｅ）を出力してもよい。ターゲット偏向信号ＸＥは、高電位（ＯＮ）又は低電位（ＯＦＦ）となり得る。ターゲット偏向信号ＸＥは、セット入力端子Ｓが出力パルス信号を受信した後、リセット入力端子Ｒ２がパルス信号を受信するまでの間、ＯＦＦとなってもよい。ターゲット偏向信号ＸＥは、リセット入力端子Ｒ２がパルス信号を受信した後、セット入力端子Ｓが出力パルス信号を受信するまでの間、ＯＮとなってもよい。
【０１０１】
ターゲット偏向信号ＸＥがＯＮである場合、偏向電極電源６８は、偏向電極６６ｂに第２の電位を印加してもよい。これにより、ターゲット２７は第２の軌道Ｗ２を通り得る。偏向制御信号がＯＦＦである場合、偏向電極電源６８は、偏向電極６６ｂに第１の電位を印加してもよい。これにより、ターゲット２７は第１の軌道Ｗ１を通り得る。
その他の点については、第１の実施形態と同様でよい。
【０１０２】
第３の実施形態によれば、トリガ信号ＶＤがマスターオシレータ３５に出力されることにより、第１の所定の時間にわたってバーストが行われ得る。しかし、バーストの開始当初（第２の所定時間）におけるターゲット２７の軌道が、プラズマ生成領域２５の外を通る第２の軌道Ｗ２とされ得る。これにより、エネルギーが不安定なパルスレーザ光がターゲット２７に照射されることが抑制され、電気的に中性なデブリの発生が抑制され得る。
【０１０３】
第１の所定時間より短い第２の所定時間が経過すると、偏向電極６６ｂに第１の電位が印加され、ターゲット２７の軌道が、プラズマ生成領域２５を通る第１の軌道Ｗ１とされ得る。これにより、エネルギーが安定したパルスレーザ光がターゲット２７に照射され、エネルギーが安定したＥＵＶ光が生成され得る。
【０１０４】
７．プリパルスレーザ光の光路を変更するＥＵＶ光生成システム
図１１は、第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部及びレーザシステムを示すブロック図である。第４の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、レーザシステム３ｄがプリパルスレーザ装置３ｐをさらに含み、ＥＵＶ光生成制御部５ｄが遅延回路５３ｄをさらに含む点で、第１の実施形態と異なってもよい。
【０１０５】
レーザシステム３ｄは、マスターオシレータ３５と、増幅器３６、３７及び３８と、光シャッタ３９とを含んでいてもよい。マスターオシレータ３５によって出力され、増幅器３６、３７及び３８によって増幅されたパルスレーザ光を、本実施形態においてはメインパルスレーザ光と称することがある。第１の実施形態において説明されたのと同様に、光シャッタ３９は、メインパルスレーザ光の光路を、第１の光路Ｂ１と第２の光路とに切り替えてもよい。図１１において、第２の光路の図示は省略されている。メインパルスレーザ光の第１の光路Ｂ１には、ダイクロイックミラー３４５が配置されていてもよい。メインパルスレーザ光は、ダイクロイックミラー３４５の図中左側の面に入射してもよい。ダイクロイックミラー３４５は、メインパルスレーザ光を高い透過率で図中右側に透過させてもよい。
【０１０６】
プリパルスレーザ装置３ｐは、プリパルスレーザ光を出力してもよい。プリパルスレーザ光は、メインパルスレーザ光に含まれる波長成分と異なる波長成分を含んでもよい。プリパルスレーザ光の光路には、光シャッタ３９ｄが配置されていてもよい。光シャッタ３９ｄは、光シャッタ３９と同様に、フリップフロップ５６の出力に応じて、プリパルスレーザ光の光路を第１の光路Ｂ３と第２の光路とに切り替えてもよい。図１１において、第２の光路の図示は省略されている。プリパルスレーザ光の第１の光路Ｂ３には、高反射ミラー３４６が配置されてもよい。高反射ミラー３４６は、プリパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。
【０１０７】
高反射ミラー３４６によって反射されたプリパルスレーザ光は、ダイクロイックミラー３４５に図中上側から入射してもよい。ダイクロイックミラー３４５は、プリパルスレーザ光を高い反射率で図中右側に向けて反射してもよい。これにより、メインパルスレーザ光と、プリパルスレーザ光とは、いずれもプラズマ生成領域２５に導かれ得る。
【０１０８】
遅延回路５３は、プリパルスレーザ装置３ｐと、遅延回路５３ｄとにトリガ信号を出力してもよい。遅延回路５３ｄは、このトリガ信号にさらに所定の遅延時間を与えることによりメインパルストリガ信号を生成して、マスターオシレータ３５に出力してもよい。これにより、メインパルスレーザ光は、プリパルスレーザ光の出力タイミングからさらに遅れたタイミングで出力されてもよい。
【０１０９】
遅延回路５３ｄには、ＥＵＶコントローラ５１によって所定の遅延時間の設定情報を含む制御信号が与えられてもよい。遅延回路５３ｄに設定される遅延時間は、プリパルスレーザ光を照射されたターゲット２７が拡散して所定の拡散ターゲットとなるのに要する時間と同等であってもよい。
【０１１０】
フリップフロップ５６は、光シャッタ３９だけでなく、光シャッタ３９ｄにも光シャッタ開信号を出力し得る。
その他の点については、第１の実施形態と同様でよい。
【０１１１】
第４の実施形態によれば、それぞれの遅延時間が与えられたトリガ信号がプリパルスレーザ装置３ｐ及びマスターオシレータ３５に出力されることにより、第１の所定時間にわたってバーストが行われ得る。しかし、バーストの開始当初におけるプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、プラズマ生成領域２５の外に導かれ得る。これにより、エネルギーが不安定なプリパルスレーザ光がターゲット２７に照射されることが抑制され、エネルギーが不安定なメインパルスレーザ光が拡散ターゲットに照射されることが抑制され得る。従って、電気的に中性なデブリの発生が抑制され得る。
【０１１２】
第１の所定時間より短い第２の所定時間が経過すると、光シャッタ開信号がＯＮとなり、プリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、プラズマ生成領域２５に導かれ得る。これにより、エネルギーが安定したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光がそれぞれターゲット２７及び拡散ターゲットに照射され、エネルギーが安定したＥＵＶ光が生成され得る。
【０１１３】
８．プリパルスレーザ光の出力タイミングを変更するＥＵＶ光生成システム
図１２は、第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部及びレーザシステムを示すブロック図である。第５の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、レーザシステム３ｅがプリパルスレーザ装置３ｐをさらに含み、ＥＵＶ光生成制御部５ｅが遅延回路５３ｄをさらに含む点で、第２の実施形態と異なってもよい。
【０１１４】
レーザシステム３ｅは、マスターオシレータ３５と、増幅器３６、３７及び３８とを含んでいてもよい。マスターオシレータ３５によって出力され、増幅器３６、３７及び３８によって増幅されたパルスレーザ光を、本実施形態においてはメインパルスレーザ光と称することがある。メインパルスレーザ光の光路には、光シャッタが配置されなくてもよい。メインパルスレーザ光の光路には、ダイクロイックミラー３４５が配置されていてもよい。メインパルスレーザ光は、ダイクロイックミラー３４５の図中左側の面に入射し、図中右側に透過してもよい。
【０１１５】
プリパルスレーザ装置３ｐは、プリパルスレーザ光を出力してもよい。プリパルスレーザ光は、メインパルスレーザ光に含まれる波長成分と異なる波長成分を含んでもよい。プリパルスレーザ光の光路には、高反射ミラー３４６が配置されてもよい。高反射ミラー３４６は、プリパルスレーザ光を高い反射率で反射してもよい。高反射ミラー３４６によって反射されたプリパルスレーザ光は、ダイクロイックミラー３４５に図中上側から入射してもよい。ダイクロイックミラー３４５は、プリパルスレーザ光を高い反射率で図中右側に向けて反射してもよい。これにより、メインパルスレーザ光と、プリパルスレーザ光とは、いずれもプラズマ生成領域２５に導かれ得る。
【０１１６】
第１又は第２のアナログスイッチ５７ａ又は５７ｂは、プリパルスレーザ装置３ｐと、遅延回路５３ｄとに、第１又は第２の遅延信号をトリガ信号として出力してもよい。遅延回路５３ｄは、このトリガ信号にさらに所定の遅延時間を与えることによりメインパルストリガ信号を生成して、マスターオシレータ３５に出力してもよい。これにより、メインパルスレーザ光は、プリパルスレーザ光の出力タイミングからさらに遅れたタイミングで出力されてもよい。
【０１１７】
遅延回路５３ｄには、ＥＵＶコントローラ５１によって所定の遅延時間の設定情報を含む制御信号が与えられてもよい。遅延回路５３ｄに設定される遅延時間は、プリパルスレーザ光を照射されたターゲット２７が拡散して所定の拡散ターゲットとなるのに要する時間と同等であってもよい。
その他の点については、第２の実施形態と同様でよい。
【０１１８】
第５の実施形態によれば、それぞれの遅延時間が与えられたトリガ信号がプリパルスレーザ装置３ｐ及びマスターオシレータ３５に出力されることにより、第１の所定時間にわたってバーストが行われ得る。しかし、バーストの開始当初におけるプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光は、プラズマ生成領域２５にターゲット２７が到達するタイミングから外れたタイミングで当該領域に集光され得る。これにより、エネルギーが不安定なプリパルスレーザ光がターゲット２７に照射されることが抑制され、エネルギーが不安定なメインパルスレーザ光が拡散ターゲットに照射されることが抑制され得る。従って、電気的に中性なデブリの発生が抑制され得る。
【０１１９】
第１の所定時間より短い第２の所定時間が経過すると、プリパルスレーザ光は、プラズマ生成領域２５にターゲット２７が到達するタイミングで当該領域に集光され得る。そして、メインパルスレーザ光は、所望の拡散ターゲットが生成されるタイミングで当該拡散ターゲットに集光され得る。これにより、エネルギーが安定したプリパルスレーザ光及びメインパルスレーザ光がターゲット２７又は拡散ターゲットに照射され、エネルギーが安定したＥＵＶ光が生成され得る。
【０１２０】
なお、第３の実施形態におけるレーザシステム３（図９）が、プリパルスレーザ装置をさらに含んでもよい。その場合に、バーストの開始当初におけるターゲットの軌道を偏向するための構成は、第３の実施形態と同様でよい。
【０１２１】
９．オンデマンドでターゲットを供給するＥＵＶ光生成システム
図１３は、第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部、レーザシステム及びターゲット供給部を示す一部断面図である。第６の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、ターゲットセンサを含まなくてもよい。第６の実施形態においては、ＥＵＶ光生成制御部５ｆが、基準クロック発生器５８を含んでもよい。
【０１２２】
基準クロック発生器５８は、所定の繰り返し周波数による複数のパルスを含む基準クロック信号を生成し、ＥＵＶコントローラ５１に出力してもよい。ここで、所定の繰り返し周波数の値は、露光装置６（図１）から与えられるＥＵＶ光の繰り返し周波数の設定値に応じた値でもよい。
ＥＵＶコントローラ５１は、ＡＮＤ回路５２及びパルス電圧生成器６９（後述）の両者に、基準クロック発生器５８から受信した基準クロック信号を出力してもよい。
【０１２３】
ターゲット供給部２６ｆは、引出電極６４と、リザーバ内電極６５と、高電圧電源６７と、パルス電圧生成器６９とを含んでもよい。ターゲット供給部２６ｆのリザーバ６１には、ターゲットの出力側に突き出た先端部６２ａが形成されていてもよい。リザーバ６１の開口６２は、この先端部６２ａに形成されていてもよい。
【０１２４】
引出電極６４は、リザーバ６１の先端部６２ａに対向して配置されてもよい。引出電極６４には、貫通孔６４ａが形成されていてもよい。引出電極６４は、パルス電圧生成器６９の出力端子に電気的に接続されていてもよい。
【０１２５】
パルス電圧生成器６９は、基準クロック発生器５８からＥＵＶコントローラ５１を介して受信した基準クロック信号に応じて、パルス状に変化する電位を引出電極６４に印加してもよい。この電位は、例えば、基準クロック信号に含まれる各パルスに対応する時間における電位Ｖ１と、１つのパルスと次のパルスとの間の時間における電位Ｖ２との間で変化する電位であってもよい。
【０１２６】
リザーバ内電極６５は、リザーバ６１内に貯蔵されたターゲット物質に接触することにより、リザーバ６１内のターゲット物質に電気的に接続されていてもよい。リザーバ内電極６５は、さらに、高電圧電源６７の出力端子に電気的に接続されていてもよい。
ＥＵＶコントローラ５１は、高電圧電源６７にターゲット制御信号を出力するよう構成されてもよい。高電圧電源６７は、ＥＵＶコントローラ５１から受信したターゲット制御信号に応じて、リザーバ内電極６５を介してターゲット物質に高電位ＶＨを印加してもよい。
【０１２７】
これらの電位Ｖ１、Ｖ２及びＶＨは、Ｖ１＜Ｖ２≦ＶＨの関係であってもよい。これにより、リザーバ内電極６５と引出電極６４との間に電位差が与えられ得る。この電位差は、引出電極６４に電位Ｖ１が与えられた瞬間には、電位Ｖ２が与えられている時に比べて、大きな電位差となり得る。
【０１２８】
リザーバ内電極６５と引出電極６４との電位差によって、リザーバ６１内のターゲット物質と引出電極６４との間に電界が発生し、このターゲット物質と引出電極６４との間にクーロン力が発生し得る。
【０１２９】
特に、先端部６２ａに形成された開口６２付近に位置するターゲット物質の周囲には電界が集中するので、開口６２付近に位置するターゲット物質と引出電極６４との間には、より強力なクーロン力が発生し得る。このクーロン力により、ターゲット２７が、基準クロック信号に同期して、開口６２からプラズマ生成領域２５に向かって放出され得る。このように、基準クロック信号に基づいてターゲットの供給タイミングが決定されてもよい。本例では、この基準クロック信号を、ターゲットの供給タイミングを示すタイミング信号としてもよい。
【０１３０】
ＡＮＤ回路５２は、第１の実施形態において説明されたターゲット検出信号の代わりに、基準クロック信号を用いてもよい。すなわち、ＡＮＤ回路５２は、ＥＵＶ光生成信号と基準クロック信号とのＡＮＤ信号を生成してもよい。
その他の点については、第１の実施形態と同様でよい。
【０１３１】
基準クロック信号に基づいてターゲットの供給タイミングが決定される場合のターゲット供給方法は、引出電極６４及びパルス電圧生成器６９を用いたものに限定されない。例えば、圧電素子（図示せず）に基準クロック信号に基づく電圧信号を与えてターゲット物質の流路を変形又は振動させることにより、ターゲットを供給する方法が用いられてもよい。
【０１３２】
なお、上述の第２の実施形態において、基準クロック信号に基づいてターゲットの供給タイミングが決定されるようにしてもよい。この場合に、図７を参照しながら説明された遅延時間を決定する場合には、ターゲットセンサによるターゲット検出位置４０の代わりに、基準クロックの発生時におけるターゲットの位置が用いられてもよい。基準クロックの発生と同時にターゲットが開口６２から出力されると仮定した場合には、基準クロックの発生時におけるターゲットの位置は、開口６２の位置でもよい。
また、上述の第３〜第５の実施形態において、基準クロック信号に基づいてターゲットの供給タイミングが決定されるようにしてもよい。
【０１３３】
１０．タイマを含むＥＵＶ光生成システム
図１４は、第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムにおけるＥＵＶ光生成制御部及びレーザシステムを示すブロック図である。第７の実施形態に係るＥＵＶ光生成システムは、ＥＵＶ光生成制御部５ｇが、カウンタ５５（図３）の代わりにタイマ５５ａを含む点で、第１の実施形態と異なってもよい。
【０１３４】
タイマ５５ａは、ＡＮＤ信号ＶＣが出力開始されてからの時間を計測してもよい。ＡＮＤ信号ＶＣが出力開始されたときは、ＥＵＶ光生成信号ＶＡがＯＮとなったときであり得る。タイマ５５ａは、ＡＮＤ信号ＶＣが出力開始されてからの第２の所定時間を計測し、第２の所定時間が経過したときに、計測を中止するとともに、出力パルス信号を生成してもよい。タイマ５５ａは、この出力パルス信号をフリップフロップ５６のセット入力端子Ｓに出力してもよい。
【０１３５】
タイマ５５ａのリセット入力端子Ｒ１は、ＥＵＶ光生成信号ＶＡの立下りエッジの検出タイミングを示すパルス信号を、ワンショット回路５４から受信してもよい。タイマ５５ａは、リセット入力端子Ｒ１においてパルス信号を受信した場合に、すでに計測された時間をリセットし、新たにＡＮＤ信号ＶＣが出力開始されてからの第２の所定時間を計測してもよい。
その他の点については、第１の実施形態と同様でよい。
【０１３６】
上記の説明は、制限ではなく単なる例示を意図したものである。従って、添付の特許請求の範囲を逸脱することなく本開示の実施形態に変更を加えることができることは、当業者には明らかであろう。
【０１３７】
本明細書及び添付の特許請求の範囲全体で使用される用語は、「限定的でない」用語と解釈されるべきである。例えば、「含む」又は「含まれる」という用語は、「含まれるものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。「有する」という用語は、「有するものとして記載されたものに限定されない」と解釈されるべきである。また、本明細書及び添付の特許請求の範囲に記載される修飾句「１つの」は、「少なくとも１つ」又は「１又はそれ以上」を意味すると解釈されるべきである。
【符号の説明】
【０１３８】
１…ＥＵＶ光生成装置、２…チャンバ、２ａ…貫通孔、３、３ａ、３ｄ、３ｅ…レーザシステム、３ｐ…プリパルスレーザ装置、４…ターゲットセンサ、５、５ａ、５ｂ、５ｃ、５ｄ、５ｅ、５ｆ、５ｇ…ＥＵＶ光生成制御部、６…露光装置、１１…ＥＵＶ光生成システム、１８…磁場発生器、１８ａ…磁場、２１、２１ａ、２１ｂ…ウインドウ、２２…レーザ光集光ミラー、２２ａ…レーザ光集光光学系、２３…ＥＵＶ集光ミラー、２４…貫通孔、２５…プラズマ生成領域、２６、２６ｃ、２６ｆ…ターゲット供給部、２７、２７ａ…ターゲット、２８…ターゲット回収部、２８ａ…イオン回収部、２９…接続部、３１、３２、３３…パルスレーザ光、３４…レーザ光進行方向制御部、３５…マスターオシレータ、３６、３７、３８…増幅器、３９、３９ｄ…光シャッタ、４０…ターゲット検出位置、４１…光センサ、４２…集光光学系、４３…容器、４５…発光部、４６…光源、４７…集光光学系、４８…容器、５１…ＥＵＶコントローラ、５２…ＡＮＤ回路、５３、５３ａ、５３ｂ、５３ｄ…遅延回路、５４…ワンショット回路、５５…カウンタ、５５ａ…タイマ、５６、５６ａ…フリップフロップ、５７ａ、５７ｂ…アナログスイッチ、５８…基準クロック発生器、６１…リザーバ、６１ａ…フランジ部、６２…開口、６２ａ…先端部、６３…偏向装置、６４…引出電極、６４ａ…貫通孔、６５…リザーバ内電極、６６ａ、６６ｂ…偏向電極、６７…高電圧電源、６８…偏向電極電源、６９…パルス電圧生成器、８１…ＥＵＶ集光ミラーホルダ、８２、８３…プレート、２２１…軸外放物面ミラー、２２２…平面ミラー、２２３、２２４…ホルダ、２５１…放射光、２５２…ＥＵＶ光、２９１…壁、２９２…中間集光点、３４１、３４２…高反射ミラー、３４３、３４４…ホルダ、３４５…ダイクロイックミラー、３４６…高反射ミラー、３９３…高電圧電源、３９４…ポッケルスセル、３９５…電極、３９６…偏光子、Ｃ…信号入力端子、Ｒ１…リセット入力端子、Ｓ…セット入力端子、Ｒ２…リセット入力端子、Ｑ…出力端子、ＱＮ…反転出力端子、Ｄ…ターゲットの直径、Ｓｐ…ビーム径、Ｂ１…第１の光路、Ｂ２…第２の光路、Ｂ３…第１の光路、Ｄｔ１…第１の遅延時間、Ｄｔ２…第２の遅延時間、Ｗ１…第１の軌道、Ｗ２…第２の軌道
【図１】
2014078394.tif 000003
【図２Ａ】
2014078394.tif 000004
【図２Ｂ】
2014078394.tif 000005
【図３】
2014078394.tif 000006
【図４】
2014078394.tif 000007
【図５】
2014078394.tif 000008
【図６】
2014078394.tif 000009
【図７】
2014078394.tif 000010
【図８】
2014078394.tif 000011
【図９】
2014078394.tif 000012
【図１０】
2014078394.tif 000013
【図１１】
2014078394.tif 000014
【図１２】
2014078394.tif 000015
【図１３】
2014078394.tif 000016
【図１４】
2014078394.tif 000017