(57)【要約】【課題】半導体材料の再成長処理を用いて、高い信頼性で、同一半導体基板上に複数の光学素子を形成することが可能な光半導体素子を提供する。【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０に成長された半導体活性層１１と、半導体基板１１を基準として半導体活性層１１の上部に成長され、半導体活性層１１の歪量よりも大きい歪量を有する転位誘導層１３と、半導体活性層１１との間で光信号が伝送される光導波路層３１と、を備え、光導波路層３１は、半導体活性層１１に形成されたメサ面１１ａと接するように再成長されることで、半導体活性層１１に突き合せ接続され、転位誘導層１３は、突き合せ接続された再成長界面に生じる転位を誘導することを特徴とする。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板に成長された半導体活性層と、
前記半導体基板を基準として前記半導体活性層の上部及び下部の少なくとも一方に成長され、当該半導体活性層の歪量よりも大きい歪量を有する転位誘導層と、
前記半導体活性層との間で光信号が伝送される光導波路層と、を備え、
前記光導波路層は、前記半導体活性層に形成されたメサ面と接するように再成長されることで、当該半導体活性層に突き合せ接続され、
前記転位誘導層は、前記突き合せ接続された再成長界面に生じる転位を誘導することを特徴とする光半導体素子。
【請求項２】
前記突き合せ接続された再成長界面による転位を、前記光導波路層から前記転位誘導層に亘って連続して誘導することを特徴とする請求項１記載の光半導体素子。
【請求項３】
前記転位誘導層の組成波長は、前記光信号の波長よりも短いことを特徴とする請求項１又は２記載の光半導体素子。
【請求項４】
前記転位誘導層の層厚は、当該転位誘導層の歪量に対応した臨界膜厚よりも小さいことを特徴とする請求項１乃至３のうちいずれか１項記載の光半導体素子。
【請求項５】
前記転位誘導層は、当該転位誘導層に形成されたメサ面に接するように、半導体層が再成長されていることを特徴とする請求項１乃至４のうちいずれか１項記載の光半導体素子。
【請求項６】
前記半導体活性層と前記転位誘導層との間に成長され、当該半導体活性層よりもバンドギャップの大きい半導体クラッド層を更に備えることを特徴とする請求項１乃至５のうちいずれか１項記載の光半導体素子。
【請求項７】
前記半導体基板はＩｎＰであり、
前記半導体活性層の材料は、ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＡｓ，ＡｌＩｎＡｓ，ＩｎＡｓＰのうち、いずれかであり、
前記転位誘導層の材料は、ＧａＩｎＡｓＰ，ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＡｓのうち、いずれかであることを特徴とする請求項１乃至６のうちいずれか１項記載の光半導体素子。
【請求項８】
前記転位誘導層は、前記半導体基板を基準として前記半導体活性層の上部に成長されていることを特徴とする請求項１乃至７のうちいずれか１項記載の光半導体素子。
【請求項９】
前記転位誘導層は、１以上のクラッド層により分離された多層構造からなることを特徴とする請求項１乃至８のうちいずれか１項記載の光半導体素子。
【請求項１０】
半導体基板と、当該半導体基板に成長された半導体活性層と、当該半導体基板を基準として当該半導体活性層の上部及び下部の少なくとも一方に成長され、当該半導体活性層の歪量よりも大きい歪量を有する転位誘導層と、からなる積層体を用意するステップと、
前記半導体活性層との間で光信号が伝送される光導波路層を、当該半導体活性層に突き合せ接続するステップと、を有し、
前記突き合わせ接続するステップでは、
前記半導体活性層に形成されたメサ面と接するように前記光導波路層を再成長して、当該光導波路層に当該半導体活性層を突き合わせ接続し、
前記突き合せ接続された再成長界面に生じる転位を前記転位誘導層に誘導することを特徴とする光半導体素子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体材料の再成長処理によって同一半導体基板上に複数の光学素子が形成された光半導体素子と、この光半導体素子の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から同一半導体基板上に複数の光学素子を形成した光半導体素子が用いられている。このような光半導体素子の一例として、特許文献１には、同一基板上にリッジ型半導体導波路がアレイ状に配列された集積型半導体レーザ素子が記載されている。
【０００３】
特許文献１では、集積型半導体レーザ素子の製造方法として、まず、電流注入により発光する能動素子として、半導体基板上に、バッファ層、活性コア層、上部クラッド層、エッチストップ層、ＧａＩｎＡｓＰ層、およびキャップ保護層を順次成長する。次に、半導体基板上の所定の領域をエッチングして、エッチングした領域に光を導波する受動素子を形成する。具体的には、下部クラッド層、受動コア層、上部クラッド層、およびエッチストップ層を順次バットジョイント成長によって再成長する。以上の製造工程を行うことで、能動素子と受動素子を同一半導体基板上に形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−６９８００号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された集積型半導体レーザ素子のように、半導体積層構造を有する半導体基板の一部に対して、エッチング処理と再成長処理とを行うことで、同一半導体基板上に複数の光学素子を形成することができる。しかしながら、再成長処理において、再成長界面から加えられる力などの影響によって結晶構造に転位が生じてしまう場合があった。例えば特許文献１に記載された活性コア層の結晶構造に転位が生じると、活性コア層に電流を注入しても発光しないなど、所定の機能を発揮することができず、光半導体素子の信頼性が大きく損なわれてしまった。
【０００６】
本発明の目的は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、半導体材料の再成長処理を用いて、高い信頼性で、同一半導体基板上に複数の光学素子を形成することが可能な光半導体素子、および、この光半導体素子の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
（第１の態様）
本発明の第１の態様に係る光半導体素子は、半導体基板と、半導体基板に成長された半導体活性層と、半導体基板を基準として半導体活性層の上部及び下部の少なくとも一方に成長され、半導体活性層の歪量よりも大きい歪量を有する転位誘導層と、半導体活性層との間で光信号が伝送される光導波路層と、を備え、光導波路層は、半導体活性層に形成されたメサ面と接するように再成長されることで、半導体活性層に突き合せ接続され、転位誘導層は、突き合せ接続された再成長界面に生じる転位を誘導することを特徴とする。
【０００８】
上記第１の態様において、メサ面とは、エッチングしたときに現れる面であって、再成長層側との間の界面を形成する斜面である。上記第１の態様によれば、再成長界面に生じる転位を転位誘導層に誘導して、転位が半導体活性層に伝搬することを防止する。半導体活性層に転位が伝搬しないので、半導体活性層の結晶構造を保護することができる。また、上記第１の態様によれば、長期的な素子動作過程で再成長界面に生じた転位を転位誘導層に誘導して、半導体活性層の結晶構造を保護することができる。
【０００９】
このようにして、上記第１の態様によれば、半導体材料を再成長させる処理を利用し、高い信頼性で、同一半導体基板上に複数の光学素子を形成することができる。
【００１０】
（第２の態様）
本発明の第１の態様に係る光半導体素子は、突き合せ接続された再成長界面による転位を、光導波路層から転位誘導層に亘って連続して誘導することを特徴とする。
【００１１】
上記第２の態様によれば、再成長界面に生じる転位を、光導波路層から転位誘導層に亘って連続して誘導することができる。これにより、上記第２の態様によれば、再成長界面の周囲に生じうる線欠陥を転位誘導層に誘導することができる。
【００１２】
（第３の態様）
上記第３の態様によれば、上記第１又は第２の態様において、転位誘導層の組成波長は、光信号の波長よりも短いことを特徴とする。
【００１３】
上記第３の態様によれば、光信号が転位誘導層に吸収されることなく、高効率で光信号を伝送することができる。
【００１４】
（第４の態様）
上記第４の態様によれば、上記第１乃至第３の態様において、転位誘導層の層厚は、転位誘導層の歪量に対応した臨界膜厚よりも小さいことを特徴とする。
【００１５】
上記第４の態様によれば、転位誘導層の結晶構造自体に転位が生じることを防止することで、より確実に再成長界面に生じる転位を転位誘導層に誘導することができる。
【００１６】
（第５の態様）
上記第５の態様によれば、上記第１乃至第４の態様において、転位誘導層は、転位誘導層に形成されたメサ面に接するように、半導体層が再成長されていることを特徴とする。
【００１７】
上記第５の態様によれば、転位誘導層のメサ面が再成長界面となることで、より確実に再成長界面に生じる転位を転位誘導層に誘導することができる。
【００１８】
（第６の態様）
上記第６の態様によれば、上記第１乃至第５の態様において、半導体活性層と転位誘導層との間に成長され、半導体活性層よりもバンドギャップの大きい半導体クラッド層を更に備えることを特徴とする。
【００１９】
上記第６の態様によれば、半導体クラッド層により、半導体活性層で発光される光信号を吸収することなく、転位誘導層に誘導された転位が半導体活性層に伝搬することを防止できる。すなわち、半導体活性層の結晶構造をより確実に保護することができる。
【００２０】
（第７の態様）
上記第７の態様によれば、半導体基板はＩｎＰであり、半導体活性層の材料は、ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＡｓ，ＡｌＩｎＡｓ，ＩｎＡｓＰのうち、いずれかであり、転位誘導層の材料は、ＧａＩｎＡｓＰ，ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＡｓのうち、いずれかであることを特徴とする。
【００２１】
上記第７の態様によれば、０．９〜２．０μｍの波長帯の光信号を伝送する光半導体素子において、再成長界面に生じる転位を確実に転位誘導層に誘導することができる。
【００２２】
（第８の態様）
上記第８の態様によれば、上記第１乃至第７の態様において、転位誘導層は、半導体基板を基準として半導体活性層の上部に成長されていることを特徴とする。
【００２３】
上記第８の態様によれば、半導体活性層の成長後に転位誘導層が成長するので、転位誘導層の結晶構造に起因して、半導体活性層の積層位置がずれることを防止できる。これにより、上記第８の態様によれば、半導体活性層の積層位置および結晶性を高精度に維持することができ、光半導体素子の信頼性を高めることができる。
【００２４】
（第９の態様）
上記第９の態様によれば、上記第１乃至第８の態様において、転位誘導層は、１以上のクラッド層により分離された多層構造からなることを特徴とする。
【００２５】
上記第９の態様によれば、転位誘導層を多層構造とすることで、歪量の設計自由度が高まり、より確実に、再成長界面に生じる転位を当該転位誘導層に誘導して、転位が半導体活性層に伝搬することを防止することができる。
【００２６】
（他の態様）
また、以上のような本発明は、上記光半導体素子の態様に限らず、他の態様、すなわち光半導体素子の製造方法によって実現することも可能である。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、半導体材料を再成長させる処理を利用し、高い信頼性で、同一半導体基板上に複数の光学素子を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本実施形態に係る製造方法により製造される集積型半導体レーザ素子の構成を説明するための斜視図である。
【図２】本実施形態に係る光半導体素子の製造工程について説明するための図である。
【図３】本実施形態に係る光半導体素子の再成長界面に発生する転位について説明するための図である。
【図４】本実施形態に係る光半導体素子を構成する能動素子のバンド構造について説明するための図である。
【図５】変形例に係る光半導体素子の構成を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
本発明を実施するための形態（以下、本実施形態という。）について具体例を示して説明する。本実施形態は、半導体材料を再成長する処理行程を利用して同一半導体基板上に複数の光学素子が形成された光半導体素子と、その製造方法に関するものである。
【００３０】
（１）全体構成
図１は、本実施形態に係る製造方法よって製造される光半導体素子の一例として、ＤＦＢレーザアレイ１１０を備えた集積型半導体レーザ素子１００である。
【００３１】
図１に示すように、この集積型半導体レーザ素子１００は、ＤＦＢレーザアレイ１１０と、ＤＦＢレーザアレイ１１０と接続した多モード干渉（Ｍｕｌｔｉ−Ｍｏｄｅ  Ｉｎｔｅｒｆｅｒｅｎｃｅ：ＭＭＩ）型の光合流器１２０と、光合流器１２０と接続した半導体光増幅器１３０とが、半導体基板１００ａ上にモノリシックに集積されたものである。
【００３２】
ＤＦＢレーザアレイ１１０は、波長１５３０ｎｍ〜１６３０ｎｍにおいて互いに異なるレーザ発振波長を有するＤＦＢレーザ１１０−１〜１１０−１２を一方向に並べて配置したものである。
【００３３】
この集積型半導体レーザ素子１００は、以下のように動作する。まず、ＤＦＢレーザ１１０−１〜１１０−１２のうち選択されたいずれか一つに電流を注入してレーザ光を出力する。ＤＦＢレーザアレイ１１０から出力されたレーザ光は、光合流器１２０の内部を導波して半導体光増幅器１３０に入力され、半導体光増幅器１３０により増幅されて出力される。また、集積型半導体レーザ素子１００は、ＤＦＢレーザ１１０−１〜１１０−１２を変更することによって、波長可変の光送信器として機能することができる。
【００３４】
以上のような構成からなる集積型半導体レーザ素子１００において、光合流器１２０と半導体光増幅器１３０との接続部であるバットジョイント接続部１４０、言い換えれば、突き合わせされた接続の部分は、その界面に加わる外力などによって、素子内部に転位が生じてしまう。素子内部に生じる転位が発生すると、素子が所定の機能を発揮できず、信頼性が損なわれるおそれがある。
【００３５】
（２）本実施形態に係る光半導体素子の製造方法
このような素子内部に生じる転位によって、素子の信頼性が損なわれることを防止するため、本実施形態では、次に示すような製造方法により、同一半導体基板上に複数の光学素子が形成された光半導体素子を製造する。
【００３６】
図２は、本実施形態に係る製造方法の一例として、上述した光合流器１２０に対応する受動素子１ｂと、半導体光増幅器１３０に対応する能動素子１ａとを同一半導体基板１０上に製造する製造工程を示している。
【００３７】
まず、図２（Ａ）に示す行程において、半導体光増幅器１３０に対応する能動素子として、次のような積層体２１を形成する。すなわち、ＩｎＰからなる半導体基板１０を下部クラッド層として、半導体活性層１１、第１の上部クラッド層１２、転位誘導層１３、及び第２の上部クラッド層１３を順次成長させることで、図２（Ａ）に示すような能動素子１ｂに相当する積層体２１を形成する。
【００３８】
半導体活性層１１は、量子井戸を複数重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ：ｍｕｌｔｉ  ｑｕａｎｔｕｍ  ｗｅｌｌ）構造を有する。例えば、半導体活性層１１は、ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＡｓ，ＡｌＩｎＡｓ，ＩｎＡｓＰのうち、いずれかを結晶成長させた層であり、内部に電流が注入されることで、０．９〜２．０μｍの波長帯の光が発光する。
【００３９】
第１の上部クラッド層１２、及び第２の上部クラッド層１４は、半導体基板１０と同様、例えばＩｎＰを結晶成長させた層である。
【００４０】
転位誘導層１３は、半導体活性層１１の歪量よりも大きい歪量を有する半導体材料、例えばＧａＩｎＡｓＰ，ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＡｓのうち、いずれかを結晶成長させた層である。具体的に、半導体活性層１１の量子井戸層の引張歪率が０．３％でバリア層の圧縮歪率が１％の場合、転位誘導層１３の引張歪率ｘを、１％＜ｘ＜３．２％の範囲で調整する。
【００４１】
また、転位誘導層の層厚は、転位誘導層の歪量に対応した臨界膜厚よりも小さくすることが特に好ましい。具体的に、転位誘導層１３の引張歪率ｘが１％＜ｘ＜３．２％の場合、転位誘導層１３の層厚が５〜１６ｎｍとなるように、転位誘導層１３を成長する。このように層厚を調整するのは、層厚を５ｎｍ以下にすると、層厚制御が良くないためである。また、層厚を１６ｎｍ以上にすると、引張歪率に対応する臨界膜厚を超えてしまい、転位誘導層１３の結晶構造自体に転位が生じてしまうためである。
【００４２】
したがって、転位誘導層１３の層厚を転位誘導層１３の引張歪率に対応した臨界膜厚よりも小さくすることによって、転位誘導層の結晶構造に転位が生じることを防止し、より確実に再成長界面に生じる転位を転位誘導層に誘導することができる。
【００４３】
さらに、転位誘導層１３は、１以上のクラッド層により分離された多層構造とすることで、引張歪率、すなわち歪量の設計自由度が高まり、後述する製造工程などによって再成長界面に生じる転位を、より確実に転位誘導層１３に誘導できる点で特に好ましい。
【００４４】
次に、図２（Ｂ）に示す行程において、積層体２１の一部をエッチングして、受動素子１ｂに相当する積層構造を再成長するため、エッチング領域２２を形成する。具体的には、第２の上部クラッド層１４から下部クラッド層１０の一部に到達するまで、深さ方向Ｈにエッチングしてエッチング領域２２を形成する。このようなエッチング処理により、能動素子１ａに対応する積層構造２１を構成する各層には、エッチング領域２２側に露出したメサ面が形成される。メサ面とは、エッチングしたときに現れる面であって、再成長層側との間の界面を形成する斜面である。具体的に、半導体活性層１１、第１の上部クラッド層１２、転位誘導層１３、及び第２の上部クラッド層１４にはそれぞれメサ面１１ａ、１２ａ、１３ａ、１４ａが形成される。
【００４５】
次に、図２（Ｃ）に示す行程において、半導体活性層１１のメサ面１１ａ及び第１の上部クラッド層１２のメサ面１２ａの一部に接するようにして、エッチング領域２２に光導波路層３１を再成長する。光導波路層３１は、例えばＧａＩｎＡｓＰを結晶成長させた層であり、１．５５μｍ帯のレーザ光を伝搬する。この再成長行程により、メサ面１１ａを再成長界面として半導体活性層１１に光導波路層３１を突き合わせ接続することで、半導体活性層１１と光導波路層３１との間で光信号を伝送することができる。
【００４６】
次に、図２（Ｄ）に示す行程において、第１の上部クラッド層１２のメサ面１２ａの一部、転位誘導層１３のメサ面１３ａ、及び第２の上部クラッド層１４のメサ面１４ａに接するようにして、エッチング領域２２に第３の上部クラッド層３２を再成長する。第１の上部クラッド層１２、及び第２の上部クラッド層１４は、半導体基板１０と同様、例えばＩｎＰを結晶成長させた層である。
【００４７】
以上のような図２（Ａ）乃至図２（Ｄ）に示す製造工程により、能動素子１ａと受動素子１ｂが同一半導体基板１０上に形成された光半導体素子１を製造する。
【００４８】
製造された光半導体素子１は、上述したように半導体活性層１１の歪量に対して転位誘導層１３の歪量が相対的に大きい。このような歪量の差によって、例えば図３に示すように、再成長処理により形成された光導波路層３１の内部に発生した転位４０を、光導波路層３１に接続された半導体活性層１１ではなく、転位誘導層１３に誘導することができる。再成長界面に生じる転位４０を転位誘導層１３に誘導することで、転位が半導体活性層１１に伝搬することを防止することができる。さらに、転位４０が半導体活性層１１に伝搬しないので、半導体活性層１１の結晶構造を保護することができる。特に図３に示すように、再成長界面に生じる転位を、光導波路層から転位誘導層に亘って連続して誘導することができる。これにより、再成長界面の周囲に生じうる線欠陥を転位誘導層に誘導することができる。
【００４９】
また、光半導体素子１は、長期的な素子動作過程で再成長界面に生じた転位を転位誘導層１３に誘導して、半導体活性層１１の結晶構造を保護することができる。
【００５０】
以上のようにして、光半導体素子１は、半導体材料を再成長させる処理を利用し、高い信頼性で、同一半導体基板１０上に複数の光学素子を形成することができる。
【００５１】
特に、光半導体素子１では、転位誘導層１３を、半導体基板１０を基準として、半導体活性層１１の上部に成長することで、転位誘導層１３の結晶構造に起因して半導体活性層１１の積層位置がずれることを防止できる。すなわち、転位誘導層１３より前に半導体基板１０に半導体活性層１１を成長させることで、半導体基板１０の積層位置および結晶性を高精度に維持することができ、光半導体素子１の信頼性をより高めることができる。
【００５２】
また、光半導体素子１では、転位誘導層１３に対するエッチング処理によりメサ面１３ａが形成され、このメサ面１３ａが再成長界面となることで、より確実に再成長界面に生じる転位を転位誘導層１３に誘導することができる。
【００５３】
（３）光半導体素子のバンド構造
図４は、光半導体素子１のうち、能動素子１ａの厚み方向で区分される各結晶構造を横軸に示し、各結晶構造内の電子に対するエネルギ順位を縦軸に示したものである。図５では、半導体活性層１１の量子井戸のバンドギャップエネルギＥｇｗと比較して、第１の上部クラッド層１２のバンドギャップエネルギＥｃｄ、及び、転位誘導層１３のバンドギャップエネルギＥｇｄが大きいことを示している。このようなバンドギャップエネルギの相対関係に基づいて、転位誘導層１３の組成波長を、転位誘導層１３を伝送する光信号の波長よりも短くすることで、光信号が転位誘導層１３に吸収されることなく、高効率で光信号を伝送することができる。
【００５４】
また、半導体活性層１１よりもバンドギャップの大きい第１の半導体クラッド層１２を、半導体活性層１１と転位誘導層１３との間に成長することで、半導体クラッド層１２が半導体活性層１１で発光される光信号を吸収することなく、転位誘導層１３に誘導された転位を半導体活性層１１に伝搬しないようにすることができる。すなわち、半導体活性層１１の結晶構造をより確実に保護することができる。
【００５５】
（４）変形例
なお、転位誘導層１３は、図５（Ａ）に示す変形例に係る光半導体素子２のように、半導体基板１０を基準として半導体活性層１１の下側に成長させても、再成長界面に生じる転位を誘導することができる。
【００５６】
すなわち、第１の行程として、半導体基板１０の一部にエッチング処理を施した第１の下部クラッド層に、転位誘導層１３、第２の下部クラッド層１５、半導体活性層１１、及び上部クラッド層１６を順次成長させて能動素子２ａを形成する。続いて第２の行程として、上部クラッド層１６から半導体基板１０に亘ってエッチング処理を行う。次に第３の行程として、エッチング処理後に能動素子２ａに形成されたメサ面に接するように、光導波路層３１および上部クラッド層３２を順次再成長する。このような第１乃至第３の工程により製造された光半導体素子２は、例えば図５（Ｂ）に示すように、再成長処理により形成された光導波路層３１の内部に発生した転位５０を、光導波路層３１に接続された半導体活性層１１ではなく、転位誘導層１３に誘導することができる。
【００５７】
（５）その他
なお、上述した実施形態では、１．５５μｍ帯の波長帯の光信号を伝送する光半導体素子の具体的な半導体材料として、半導体基板がＩｎＰであり、半導体活性層が、ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＡｓＰ，ＧａＩｎＡｓ，ＡｌＩｎＡｓ，ＩｎＡｓＰのうちのいずれかであり、転位誘導層がＧａＩｎＡｓＰ，ＡｌＧａＩｎＡｓ，ＧａＩｎＡｓのうちのいずれかであるものとして説明したが、これに限定されるものではない。すなわち、本発明が適用された光半導体素子は、伝送対象となる波長帯に応じて、種々の半導体材料を選択する際に、半導体活性層の歪量よりも大きい歪量を有する転位誘導層を半導体活性層の上部又は下部に成長させることで、半導体活性層に光導波路層が突き合わせ接続された再成長界面に生じる転位を誘導することができる。
【符号の説明】
【００５８】
１  光半導体素子
１０  半導体基板
１１  半導体活性層
１１ａ  メサ面
１３  転位誘導層
３１  光導波路層
【図１】
2014154795.tif 000003
【図２】
2014154795.tif 000004
【図３】
2014154795.tif 000005
【図４】
2014154795.tif 000006
【図５】
2014154795.tif 000007