(57)【要約】【課題】半導体素子の性能に影響を及ぼすことなく、簡易な方法で接着強度を向上しうる半導体装置接続構造を提供する。【解決手段】本発明の半導体装置接続構造１００は、板状をなし、表面に外部接続電極４を有するシリコン基板１と、シリコン基板１の裏面に接着され、接着面がシリコン基板１と略同一形状の柱状をなし、その厚さがシリコン基板１より厚い支持部材２と、内部に外部接続電極４と接続されるインナーリード５を有するフレキシブル基板３と、を備え、フレキシブル基板３はシリコン基板１の側面に配置されるとともに、フレキシブル基板３は支持部材２と接着剤７により接着されることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状をなし、表面に外部接続電極を有する半導体素子と、
前記半導体素子に積層されて前記半導体素子と接着され、接着面が前記半導体素子と略同一形状の柱状をなし、積層方向の厚さが前記半導体素子より厚い支持部材と、
前記外部接続電極と接続されるフレキシブル基板と、
を備え、前記フレキシブル基板は、前記半導体素子および前記支持部材の側面に配置されるとともに、前記支持部材と接着剤により接着されることを特徴とする半導体装置接続構造。
【請求項２】
前記支持部材の前記半導体素子との接着面近傍に接着剤溜り部を設けることを特徴とする請求項１に記載の半導体装置接続構造。
【請求項３】
前記支持部材の接着面の前記フレキシブル基板と接しない辺の長さは、前記半導体素子の前記フレキシブル基板と接しない辺の長さより短いことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置接続構造。
【請求項４】
前記支持部材と前記フレキシブル基板とにアライメントマークが形成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか一つに記載の半導体装置接続構造。
【請求項５】
前記支持部材に回路が形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載の半導体装置接続構造。
【請求項６】
前記アライメントマークは電極であることを特徴とする請求項４に記載の半導体装置接続構造。
【請求項７】
前記支持部材が中空部を有することを特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載の半導体装置接続構造。
【請求項８】
前記半導体素子は超音波振動子であり、
前記支持部材内部の中空部に超音波の伝播を吸収するバッキング材を配置することを特徴とする請求項７に記載の半導体装置接続構造。
【請求項９】
表面に外部接続電極を有し、角柱状をなす複数の超音波素子と、
長手方向に直交する方向に複数配列された前記複数の超音波振動子に積層されて該超音波素子と接着され、積層方向の厚さが前記超音波振動子より厚い支持部材と、
前記外部接続端子と接続されるフレキシブル基板と、
を備え、前記フレキシブル基板は前記超音波振動子および前記支持部材の側面に配置されるとともに、前記支持部材と接着剤により接着されることを特徴とする超音波モジュール。
【請求項１０】
請求項９に記載の超音波モジュールを備えていることを特徴とする超音波内視鏡システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体素子とフレキシブル基板とを接続する半導体装置接続構造および超音波モジュールおよび超音波モジュールを搭載した超音波内視鏡システムに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、インナーリードおよびベースフィルムを有するフレキシブル基板と、外部接続電極を有する基板とを接続した半導体装置であって、該基板の側面側においてベースフィルムを接着剤により接着する技術が開示されている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
また、撮像素子と可撓性基板とを有する撮像モジュールであって、撮像素子の裏面に沿って延出する部分を備えたガイド部材により前記撮像素子と前記可撓性基板とを固定する技術が開示されている（たとえば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第４１００９６５号公報
【特許文献２】特開２００９−１８８８０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、近年、半導体素子は薄型化する傾向にあるため、側面で接着する特許文献１の記載の技術では、接着強度が不十分な場合がある。
【０００６】
一方、特許文献２の技術では、ガイド部材として接着剤を使用した場合、撮像素子の裏面に沿って延出する部分により接着面積を稼げるものの、接着剤が半導体素子表面に回りこむことにより、半導体素子の性能に悪影響を及ぼすおそれがある。
【０００７】
本発明は、上記に鑑みてなされたものであって、半導体素子の性能に影響を及ぼすことなく、簡易な方法で接着強度を向上しうる半導体装置接続構造を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明にかかる半導体装置接続構造は、板状をなし、表面に外部接続電極を有する半導体素子と、前記半導体素子に積層されて前記半導体素子と接着され、接着面が前記半導体素子と略同一形状の柱状をなし、積層方向の厚さが前記半導体素子より厚い支持部材と、前記外部接続電極と接続されるフレキシブル基板と、を備え、前記フレキシブル基板は、前記半導体素子および前記支持部材の側面に配置されるとともに、前記支持部材と接着剤により接着されることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明の半導体装置接続構造は、上記発明において、前記支持部材の前記半導体素子との接着面近傍に接着剤溜り部を設けることを特徴とする。
【００１０】
また、本発明の半導体装置接続構造は、上記発明において、前記支持部材の接着面の前記フレキシブル基板と接しない辺の長さは、前記半導体素子の前記フレキシブル基板と接しない辺の長さより短いことを特徴とする。
【００１１】
また、本発明の半導体装置接続構造は、上記発明において、前記支持部材と前記フレキシブル基板とにアライメントマークが形成されることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明の半導体装置接続構造は、上記発明において、前記支持部材に回路が形成されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明の半導体装置接続構造は、上記発明において、前記アライメントマークは電極であることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の半導体装置接続構造は、上記発明において、前記支持部材が中空部を有することを特徴とする。
【００１５】
また、本発明の半導体装置接続構造は、上記発明において、前記半導体素子は超音波振動子であり、前記支持部材内部の中空部に超音波の伝播を吸収するバッキング材を配置することを特徴とする。
【００１６】
また、本発明の超音波モジュールは、表面に外部接続電極を有し、角柱状をなす複数の超音波素子と、長手方向に直交する方向に複数配列された前記複数の超音波振動子に積層されて該超音波素子と接着され、積層方向の厚さが前記超音波振動子より厚い支持部材と、前記外部接続端子と接続されるフレキシブル基板と、を備え、前記フレキシブル基板は前記超音波振動子および前記支持部材の側面に配置されるとともに、前記支持部材と接着剤により接着されることを特徴とする。
【００１７】
また、本発明の超音波内視鏡システムは、先端部に上記超音波モジュールを搭載していることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、半導体素子および支持部材の側面に配置したフレキシブル基板と、半導体素子に積層されて接着された支持部材とを接着することにより、半導体素子の性能に影響を及ぼすことなく、接着強度を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置接続構造の斜視図である。
【図２】図２は、図１の半導体装置接続構造のＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図３は、本発明の実施の形態１の変形例１に係る半導体装置接続構造の斜視図である。
【図４】図４は、図３の半導体装置接続構造のＢ−Ｂ線断面図である。
【図５】図５は、本発明の実施の形態１の変形例２に係る半導体装置接続構造の断面図である。
【図６】図６は、本発明の実施の形態１の変形例３に係る半導体装置接続構造の断面図である。
【図７】図７は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置接続構造の斜視図である。
【図８】図８は、図７の半導体装置接続構造のＣ−Ｃ線断面図である。
【図９】図９は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置接続構造の斜視図である。
【図１０】図１０は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置接続構造のフレキシブル基板接着前の構造を示す斜視図である。
【図１１】図１１は、図９の半導体装置接続構造のＤ−Ｄ線断面図である。
【図１２】図１２は、本発明の実施の形態３の変形例に係る半導体装置接続構造を説明する斜視図である。
【図１３】図１３は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置接続構造の斜視図である。
【図１４】図１４は、図１３の半導体装置接続構造のＥ−Ｅ線断面図である。
【図１５】図１５は、本発明の実施の形態４の変形例に係る半導体装置接続構造の断面図である。
【図１６】図１６は、本発明の実施の形態５の超音波モジュールに使用される超音波振動子の構成を示す模式図である。
【図１７】図１７は、本発明の実施の形態５の超音波モジュールを模式的に示す斜視図である。
【図１８】図１８は、超音波モジュールを使用した超音波内視鏡システムの全体構成である。
【図１９】図１９は、図１８の超音波内視鏡システムの挿入部の先端部の構造を示す図である。
【図２０】図２０は、図１９の先端部における超音波モジュールの構造を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、添付図面を参照して、本発明を実施するための形態（以下、「実施の形態」という）を説明する。なお、この実施の形態によりこの発明が限定されるものではない。また、図面の記載において、同一部分には同一の符号を付している。また、図面は模式的なものであり、各部材の厚みと幅との関係、各部材の比率などは、現実と異なることに留意する必要がある。図面の相互間においても、互いの寸法の関係や比率が異なる部分が含まれている。
【００２１】
（実施の形態１）
図１は、本発明の実施の形態１に係る半導体装置接続構造の斜視図である。図２は、図１の半導体装置接続構造のＡ−Ａ線断面図である。本発明の実施の形態１に係る半導体装置接続構造１００は、シリコン基板１と、支持部材２と、フレキシブル基板３と、を備える。
【００２２】
シリコン基板１は、板状をなし、表面に外部接続電極４を備える。図２では２つの外部接続電極４を有するシリコン基板１を示しているが、外部接続電極４の数はこれに限定されるものではない。なお、シリコン基板１は、本発明における半導体素子に含まれる。
【００２３】
支持部材２は、シリコン基板１に積層されて、シリコン基板１と接着されるものであって、支持部材２のシリコン基板１との接着面は、シリコン基板１の接着面と略同一形状の柱状である。本実施の形態１において、支持部材２の積層方向の厚さは、シリコン基板１の積層方向の厚さより厚く形成される。支持部材２の厚さは、好ましくは、０．５ｍｍ程度以上の厚さとすることが好適である。
【００２４】
支持部材２は、例えば樹脂等により形成され、所定の形状に加工された支持部材２を、接着剤によりシリコン基板１に積層して接着する。あるいは、未硬化の樹脂を硬化して支持部材２を形成する際、シリコン基板１に接着してもよい。なお、支持部材２の材料は、絶縁性を担保できる材料であれば樹脂に限定されるものではない。
【００２５】
フレキシブル基板３は、内部にインナーリード５を有し、屈曲可能な絶縁性フィルム６によりインナーリード５を被覆してなる。フレキシブル基板３は、シリコン基板１および支持部材２の側面に配置され、絶縁性フィルム６により覆われていないインナーリード５を折り曲げることにより、シリコン基板１の外部接続電極４と接続される。インナーリード５と外部接続電極４との接続は、例えば半田のような導電性接合材料で、電気的に接続される。
【００２６】
支持部材２とフレキシブル基板３は、接着剤７により接着される。本実施の形態１において、支持部材２の積層方向の厚さをシリコン基板１の積層方向の厚さより厚く形成しているため、接着面積が大きくなり、固定強度を向上することができる。
【００２７】
また、本実施の形態１では、シリコン基板１の側面とフレキシブル基板３とを接着しないため、接着剤７がシリコン基板１の表面に回り込むことがなく、シリコン基板１の性能に影響を及ぼすことがない。
【００２８】
上記の実施の形態１にかかる半導体装置接続構造１００は、シリコン基板１の１つの側面にフレキシブル基板３を配置し、接続しているが、対向する２つの側面に個別のフレキシブル基板３を配置し、接続してもよい。
【００２９】
図３は、本発明の実施の形態１の変形例１に係る半導体装置接続構造の斜視図である。図４は、図３の半導体装置接続構造のＢ−Ｂ線断面図である。変形例１に係る半導体装置接続構造１００Ａは、シリコン基板１Ａの対向する側面に、個別のフレキシブル基板３が配置され、各フレキシブル基板３は、シリコン基板１Ａに積層されて接着された支持部材２の側面に、接着剤７で接着されている。
【００３０】
実施の形態１にかかる変形例１は、実施の形態１と同様に、支持部材２の積層方向の厚さをシリコン基板１Ａの積層方向の厚さより厚く形成することにより、接着面積が大きくなり、固定強度を向上することができる。また、変形例１において、実施の形態１と同様に、接着剤７がシリコン基板１Ａの表面に回り込むことがないため、シリコン基板１Ａの性能に影響を及ぼすことがないという効果を奏する。
【００３１】
また、接着剤のシリコン基板への回り込みを防止するために、支持部材に接着剤溜り部を形成してもよい。図５は、本発明の実施の形態１の変形例２に係る半導体装置接続構造の断面図である。変形例２に係る半導体装置接続構造１００Ｂは、支持部材２Ｂのシリコン基板１Ａとの接触面側に溝状の接着剤溜り部８が形成されている。
【００３２】
実施の形態１にかかる変形例２によれば、支持部材２Ｂの積層方向の厚さをシリコン基板１Ａの積層方向の厚さより厚く形成することにより、接着面積が大きくなり、固定強度を向上することができ、また、接着剤溜り部８を形成したことにより、接着剤７のシリコン基板１表面への回り込みを効果的に抑制できるため、シリコン基板１Ａの性能に影響を及ぼすことがないという効果を奏する。
【００３３】
さらにまた、接着剤のシリコン基板への回り込みを防止するために、支持部材をシリコン基板より小さく、たとえば、支持部材のシリコン基板との接着面のフレキシブル基板と接しない辺の長さをシリコン基板より短くなるように形成する。図６は、本発明の実施の形態１の変形例３に係る半導体装置接続構造の断面図である。実施の形態１の変形例３では、支持部材２Ｃのシリコン基板１Ａとの接着面のフレキシブル基板３と接しない辺の長さｒ２をシリコン基板１Ａのフレキシブル基板３と接しない辺の長さｒ１より短くなるように形成する。
【００３４】
実施の形態１にかかる変形例３によれば、支持部材２Ｃの積層方向の厚さをシリコン基板１Ａの積層方向の厚さより厚く形成することにより、接着面積が大きくなり、固定強度を向上することができ、支持部材２Ｃのシリコン基板１Ａとの接着面のフレキシブル基板３と接しない辺の長さｒ２をシリコン基板１Ａのフレキシブル基板３と接しない辺の長さｒ１より短くすることにより、シリコン基板１Ａとフレキシブル基板３とがなす間隔が狭くなるため、接着剤７のシリコン基板１Ａ表面への回り込みを効果的に抑制でき、シリコン基板１Ａの性能に影響を及ぼすことがないという効果を奏する。なお、図６では、シリコン基板１Ａとフレキシブル基板３との間には隙間を有していないが、シリコン基板１Ａとフレキシブル基板３との間には、隙間があってもよい。
【００３５】
（実施の形態２）
図７は、本発明の実施の形態２に係る半導体装置接続構造の斜視図である。図８は、図７の半導体装置接続構造のＣ−Ｃ線断面図である。本実施の形態２に係る半導体装置接続構造２００は、支持部材２Ｄにフレキシブル基板３Ｄを位置合わせするためのアライメントマークが形成されている点で、実施の形態１と異なる。
【００３６】
支持部材２Ｄには、アライメントマークとして位置合わせ用突起９が形成される。また、フレキシブル基板３Ｄには、位置合わせ用突起９に嵌め合わせる位置合わせ用孔部１０が形成される。
【００３７】
実施の形態２によれば、支持部材２Ｄの厚さをシリコン基板１の厚さより厚く形成することにより、接着面積が大きくなり、固定強度を向上することができ、シリコン基板１の側面とフレキシブル基板３Ｄとを接着しないため、接着剤７がシリコン基板１の表面に回り込むことがなく、シリコン基板１の性能に影響を及ぼすことがない。さらに、位置合わせ用突起９と位置合わせ用孔部１０とを位置合わせして、嵌め合わせることにより、簡易に位置合わせ可能であり、接続を容易に行なうことができる。なお、図８では、シリコン基板１とフレキシブル基板３Ｄとの間には隙間を有していないが、シリコン基板１とフレキシブル基板３Ｄとの間には、隙間があってもよい。
【００３８】
（実施の形態３）
図９は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置接続構造の斜視図である。図１０は、本発明の実施の形態３に係る半導体装置接続構造のフレキシブル基板接着前の構造を示す斜視図である。図１１は、図９の半導体装置接続構造のＤ−Ｄ線断面図である。本実施の形態３に係る半導体装置接続構造３００は、支持部材２Ｅに回路が形成されている点で、実施の形態１および２と異なる。
【００３９】
図９および図１０に示すように、支持部材２Ｅには配線１１および接続電極１２等の回路が形成される。支持部材２Ｅは、回路が形成されたシリコン基板、樹脂上に回路が形成されたＭＩＤ（Ｍｏｌｄｅｄ  Ｉｎｔｅｒｃｏｎｎｅｃｔ  Ｄｅｖｉｃｅ）、回路が形成されたガラエポ基板またはセラミック基板等で作製することができる。
【００４０】
また、図１１に示すように、接続電極１２は、フレキシブル基板３Ｅに形成された接続電極１３と接続される。
【００４１】
実施の形態３によれば、支持部材２Ｅの厚さをシリコン基板１の厚さより厚く形成することにより、接着面積が大きくなり、固定強度を向上することができ、シリコン基板１の側面とフレキシブル基板３Ｅとを接着しないため、接着剤７がシリコン基板１の表面に回り込むことがなく、シリコン基板１の性能に影響を及ぼすことがない。さらに、支持部材２Ｅに回路が形成されているため、配線引き回しの自由度が高い。また、支持部材２Ｅ上に電子部品を実装することも可能となるため、空間を有効利用することができ、これにより小型化も可能となる。なお、図１１では、シリコン基板１とフレキシブル基板３Ｅとの間には隙間を有していないが、シリコン基板１とフレキシブル基板３Ｅとの間には、隙間があってもよい。
【００４２】
また、図１２に示すように、支持部材２Ｆに形成した位置合わせ用電極１２Ａおよびフレキシブル基板３Ｆに形成した位置合わせ用電極１３Ａをアライメントマークとして形成することにより、位置合わせが容易となり、半導体装置接続構造３００Ｆを簡易に製造することができる。
【００４３】
（実施の形態４）
図１３は、本発明の実施の形態４に係る半導体装置接続構造の斜視図である。図１４は、図１３の半導体装置接続構造のＥ−Ｅ線断面図である。本発明の実施の形態に係る半導体装置接続構造４００の支持部材２Ｇは、内部が中空である点で実施の形態１と異なる。
【００４４】
半導体装置接続構造４００は、支持部材２Ｇの内部を中空とすることにより、電子部品１５等を該空間に実装することができる。
【００４５】
実施の形態４によれば、支持部材２Ｇの厚さをシリコン基板１の厚さより厚く形成することにより、接着面積が大きくなり、固定強度を向上することができ、シリコン基板１の側面とフレキシブル基板３とを接着しないため、接着剤７がシリコン基板１の表面に回り込むことがなく、シリコン基板１の性能に影響を及ぼすことがない。さらに、支持部材２Ｇの内部を中空とすることにより、電子部品１５を実装することも可能となるため、空間を有効利用することができ、これにより小型化も可能となる。
【００４６】
また、半導体装置として超音波振動子を使用する場合、支持部材内の中空部分にバッキング材を配置することが可能となる。図１５は、本発明の実施の形態４の変形例１に係る半導体装置接続構造の断面図である。ここで、バッキング材１６は、超音波振動子１４の超音波振動発生部の真裏面に配置されている。
【００４７】
変形例１に係る半導体装置接続構造４００Ｈは、超音波振動子１４を支持する支持部材２Ｈの内部を中空とし、該空間にバッキング材１６を配置することにより、必要な振動の減衰を確保が可能となり超音波特性がよくなるので、超音波画像の高画質化を実現できる。
【００４８】
さらに変形例１によれば、支持部材２Ｈの厚さを超音波振動子１４の厚さより厚く形成することにより、接着面積が大きくなり、固定強度を向上することができ、超音波振動子１４の側面とフレキシブル基板３とを接着しないため、超音波振動子１４の機械的な変形を阻害することがない。
【００４９】
（実施の形態５）
図１６は、本発明の実施の形態５に係る超音波モジュールに使用される超音波振動子の構成を示す模式図である。図１７は、本発明の実施の形態５の超音波モジュールを模式的に示す斜視図である。なお、図１７は、超音波モジュール５００の接続構造部分のみを示し、超音波モジュール５００の下方部分は省略している。
【００５０】
図１６および図１７に示すように、本実施の形態５の超音波モジュール５００において、超音波振動子１４Ｉは角柱状をなし、複数の超音波振動子１４Ｉが、長手方向に直交する方向に複数配列されて、支持部材２Ｉと接着されている。支持部材２Ｉの超音波振動子１４Ｉが接着される面を湾曲形状に形成することにより、複数の超音波振動子１４Ｉが湾曲形状に配置される。支持部材２Ｉは、実施の形態４の支持部材２Ｈと同様に、内部が中空に形成され、該中空内部にはバッキング材を配置することが好ましい。
【００５１】
超音波振動子１４Ｉの両端には外部接続電極４がそれぞれ形成され、外部接続電極４は、所定の形状に形成されたフレキシブル基板３Ｉ内のインナーリード５と接続される。
【００５２】
実施の形態５によれば、支持部材２Ｉの厚さを超音波振動子１４Ｉの厚さより厚く形成することにより、接着面積が大きくなり、固定強度を向上することができ、超音波振動子１４Ｉの側面とフレキシブル基板３Ｉとを接着しないため、超音波振動子１４Ｉの機械的な変形を阻害することがない。また、超音波振動子１４Ｉを角柱状として、複数配置することにより、所望の形状の超音波モジュール５００を容易に作製することができる。
【００５３】
また、上述した本実施の形態５にかかる超音波モジュール５００は、例えば、図１７に示す超音波内視鏡システム２０の超音波内視鏡３０の先端に設けられる。図１８は、超音波モジュールを使用した超音波内視鏡システムの全体構成である。図１９は、図１８の超音波内視鏡システムの挿入部の先端部の構造を示す図である。図２０は、図１９の先端部における超音波モジュールの構造を示す図である。
【００５４】
まず、超音波内視鏡システム２０の全体構成に関して説明する。図１８に示す超音波内視鏡システム２０は、超音波内視鏡３０と、超音波観測装置４０と、モニタ５０と、を具備して構成されている。また、超音波内視鏡３０は、体内に挿入される細長の挿入部６０と挿入部６０の基端に連設された操作部７０と、操作部７０の側部から延出したユニバーサルコード８０と、を具備して構成されている。
【００５５】
ここで、ユニバーサルコード８０の基端部には、光源装置（図示せず）に接続されるコネクタ８１が配設されている。コネクタ８１からは、カメラコントロールユニット（図示せず）にコネクタ８２ａを介して接続されるケーブル８２と、超音波観測装置４０にコネクタ８３ａを介して着脱自在に接続されるケーブル８３と、が延出されている。そして、超音波内視鏡３０には、コネクタ８３ａを介して超音波観測装置４０が接続され、さらに、超音波観測装置４０を介してモニタ５０が接続されている。
【００５６】
挿入部６０は、先端側から順に、先端硬性部（以下、「先端部」という）６１と、先端部６１の後端に位置する湾曲部６２と、湾曲部６２の後端に位置して操作部７０に至る細径かつ長尺で可撓性を有する可撓管部６３と、が連設されて要部が構成されている。
【００５７】
図１９に示すように、先端部６１の先端側には、超音波モジュール５００Ａが配設されている。超音波モジュール５００Ａは、実施の形態５の変形例にかかる超音波モジュールである。また、超音波モジュール５００Ａよりも基部側において、先端部６１には、照明光学系を構成する照明用レンズ６６と、観察光学系の観察用レンズ６７と、吸引口を兼用する先端開口である鉗子口６８は、処置具挿通路の導出口である。鉗子口６８には処置具起上台（図示せず）が配設されている。処置具起上台には図示しない操作ワイヤが接続され、図示しない鉗子起上ノブを操作することによって、操作ワイヤが牽引されて、処置具挿通路から導出される穿刺針の導出角度の調整を行えるようになっている。
【００５８】
操作部７０には、湾曲部６２を所望の方向に湾曲制御するアングルノブ７１と、送気および送水操作を行う送気送水ボタン７２と、吸引操作を行う吸引ボタン７３と、体内に導入する処置具の入口となる処置具挿入口７４と、が配設されている。
【００５９】
ここで処置具挿入口７４は、挿入部６０の内部に設けられた処置具挿通チャンネル（図示せず）を介して鉗子口６８に連通されている。この処置具挿入口７４には、超音波用処置具（図示せず）のシースを挿入することが可能となっている。そして、シース内に挿通された穿刺針６９を鉗子口６８から突出させることにより、超音波モジュール５００Ａの観察視野内に穿刺針６９を進退可能に配置させることが可能となっている。
【００６０】
図２０に示すように、超音波モジュール５００Ａの超音波振動子アレイ４５は、例えば、平面視矩形状をなす複数の超音波振動子エレメント４６を有し、これら超音波振動子エレメント４６の長辺が互いに連結されて円弧形状に湾曲配置されたコンベックス型振動子群によって構成されている。すなわち、超音波アレイ４５では、例えば、半径５ｍｍの円弧の側面に、短辺が０．１ｍｍ以下の超音波振動子エレメント４６が１００個、１８０度方向に配設されている。なお、図２０に示す超音波振動子アレイ４５はコンベックス型を採用しているが、例えば、２次元配列を施したラジアルタイプや湾曲していないリニア型振動子群を採用することも可能である。
【００６１】
円弧状の超音波アレイ４５の一端部には各超音波振動子エレメント４６の一端部に設けられた電極端子４１が配列されており、これら電極端子５１は、同軸ケーブル束４７から分岐された各信号線４８とフレキシブル基板（ＦＰＣ基板）を介してそれぞれ接続されている。一方、超音波アレイ４５の他端部には各超音波振動子エレメント４６の他端部に設けられた電極端子４２が配列されており、これら電極端子５２は、同軸ケーブル束４７から分岐されたグランド線４９とそれぞれ接続されている。
【００６２】
上述したように構成された超音波内視鏡システム２０によって、挿入部６０の先端に超音波の送受信を行なう超音波モジュール５００Ａを設け、この挿入部６０を被検体の体内に挿入して得られる臓器等の超音波画像をモニタ５０の表示部に表示するとともに、内視鏡観察機能によって撮像された体内画像を表示部に表示することで、診断対象の観察・診断等を行なうことが可能となる。
【産業上の利用可能性】
【００６３】
以上のように、本発明の半導体装置接続構造は、各種半導体素子を実装する半導体装置に有用であり、特に被検者の臓器内部を観察するための超音波探触子を備える内視鏡システムなどに適している。
【符号の説明】
【００６４】
１、１Ａ  シリコン基板
２、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄ、２Ｅ、２Ｆ、２Ｇ、２Ｈ、２Ｉ  支持部材
３、３Ｄ、３Ｅ、３Ｆ、３Ｉ  フレキシブル基板
４  外部接続電極
５  インナーリード
６  絶縁性フィルム
７  接着剤
８  接着剤溜り部
９  位置合わせ用突起
１０  位置合わせ用孔部
１１  配線
１２、１３  接続電極
１２Ａ、１３Ａ  位置合わせ用電極
１４、１４Ｉ  超音波振動子
１５  電子部品
１６  バッキング材
２０  超音波内視鏡システム
３０  超音波内視鏡
４０  超音波観測装置
４１、４２  電極端子
４４  超音波振動子アレイ
４６  超音波振動子エレメント
４７  同軸ケーブル束
４８  信号線
４９  グランド線
５０  モニタ
６０  挿入部
６１  先端硬質部
６２  湾曲部
６３  可撓管部
６６  照明用レンズ
６７  観察用レンズ
６８  鉗子口
６９  穿刺針
７０  操作部
７１  アングルノブ
７２  送気送水ボタン
７３  吸引ボタン
７４  処置具挿入口
８０  ユニバーサルコード
８１、８２ａ、８３ａ  コネクタ
８２、８３  ケーブル
１００、１００Ａ、１００Ｂ、１００Ｃ、２００、３００、３００Ｆ、４００、４００Ｈ  半導体装置接続構造
５００、５００Ａ  超音波モジュール
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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