(57)【要約】【課題】基板の割れの発生を減少させることができるレーザーアニール方法を提供する。【解決手段】吸着ステージ１５において予め区画されている吸着エリア２１（１）および吸着エリア２１（２）に跨るように、吸着ステージ１５上に基板１１を載置した後、その基板１１を、吸着エリア２１（２）では吸着ステージ１５に吸着され（吸着ＯＮ）、その一方で吸着エリア２１（１）では吸着ステージ１５に吸着されていない（吸着ＯＦＦ）状態にし、その基板１１の吸着エリア２１（１）に対応する位置に、レーザー光を照射する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着ステージの第１吸着エリアおよび第２吸着エリアに跨るように、前記吸着ステージ上に基板を載置し、
前記第２吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着され前記第１吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着されていない状態の前記基板に対して、その基板の前記第１吸着エリア上の領域にレーザー光を照射する
ことを特徴とするレーザーアニール方法。
【請求項２】
前記基板の前記第１吸着エリア上の領域にレーザー光を照射した後に、
前記基板を前記第２吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着されていない状態にし、
前記基板の前記第２吸着エリア上の領域にレーザー光を照射する
請求項１記載のレーザーアニール方法。
【請求項３】
前記基板の前記第２吸着エリア上の領域にレーザー光を照射するとき、前記レーザー光のスポットが前記第２吸着エリア内に全て含まれる請求項２記載のレーザーアニール方法。
【請求項４】
前記基板の前記第１吸着エリア上の領域にレーザー光を照射するとき、前記レーザー光のスポットが前記第１吸着エリア内に全て含まれる請求項１〜３のいずれかに記載のレーザーアニール方法。
【請求項５】
前記第１吸着エリアと前記第２吸着エリアが隣接している請求項１〜４のいずれかに記載のレーザーアニール方法。
【請求項６】
前記基板に照射されるレーザー光の波長が５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である請求項１〜５のいずれかに記載のレーザーアニール方法。
【請求項７】
第１吸着エリアと第２吸着エリアとを有する吸着ステージと、
前記第１吸着エリアおよび前記第２吸着エリアに跨るように前記吸着ステージ上に載置された基板にレーザー光を照射するレーザー照射手段と、
前記吸着ステージと前記レーザー照射手段の動作を制御することにより、前記第２吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着され前記第１吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着されない状態にある前記基板の前記第１吸着エリア上の領域にレーザー光を照射させる制御装置と、
を備えるレーザーアニール装置。
【請求項８】
前記基板に照射されるレーザー光の照射位置を移動させるためのレーザー光移動機構をさらに備え、
前記制御装置は、前記吸着ステージと前記レーザー照射手段と前記レーザー光移動機構の動作を制御することにより、前記基板が前記第１吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着されない状態にある場合は前記基板の前記第１吸着エリア上の領域にレーザー光を照射させ、前記基板が前記第２吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着されない状態にある場合は前記基板の前記第２吸着エリア上の領域にレーザー光を照射させる
請求項７記載のレーザーアニール装置。
【請求項９】
前記基板の前記第２吸着エリア上の領域にレーザー光を照射する場合、前記レーザー光のスポットが前記第２吸着エリア内に全て含まれる請求項８記載のレーザーアニール装置。
【請求項１０】
前記基板の前記第１吸着エリア上の領域にレーザー光を照射する場合、前記レーザー光のスポットが前記第１吸着エリア内に全て含まれる請求項７〜９のいずれかに記載のレーザーアニール装置。
【請求項１１】
前記レーザー照射手段から照射されるレーザー光の波長が５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下である請求項７〜１０のいずれかに記載のレーザーアニール装置。
【請求項１２】
前記第１吸着エリアと前記第２吸着エリアが隣接している請求項７〜１１のいずれかに記載のレーザーアニール装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザーアニール方法およびレーザーアニール装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、グリーンレーザー（波長が緑色領域内のレーザー光）を用いる従来のレーザーアニール装置が提案されている（例えば、特許文献１を参照。）。このレーザーアニール装置によれば、アモルファスシリコンを結晶化してＴＦＴ（薄膜トランジスタ）を形成することができる。グリーンレーザーの発振には、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガリウム）などを用いた固体レーザーが使用されている。
【０００３】
図６にグリーンレーザーを用いる従来のレーザーアニール装置の構成を示す。図６に示す従来のレーザーアニール装置は、全面吸着ステージ６２と、全面吸着ステージ６２上に載置された基板６１に照射されるレーザー光（グリーンレーザー）６３を出射するレーザーヘッド６４と、を備える。レーザー光６３は、基板６１上でライン状のレーザースポットを形成する。さらに、この従来のレーザーアニール装置は、互いに直交するＸ軸６５、Ｙ軸６６およびＺ軸６７を有するステージ６８を備える。
【０００４】
以上のように構成された従来のレーザーアニール装置において、基板６１は、その全面が全面吸着ステージ６２によって吸着固定される。基板６１を吸着固定する全面吸着ステージ６２は、Ｙ軸６６によって、Ｙ軸方向において移動できる。レーザー光６３を出射するレーザーヘッド６４は、Ｘ軸６５によって、Ｘ軸方向において移動できる。したがって、レーザー光６３を走査して、基板６１の全面において、アモルファスシリコンを結晶化するアニール処理を実施できる。なお、Ｚ軸６７は、レーザー光６３の集光位置を基板６１に合わせるために備えられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１０−１１８４０９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
図３は、ＴＦＴを形成するためのアニール処理の対象となる基板の一部拡大断面図である。図３に示すように、アニール対象の基板は、ガラス基板３１と、ガラス基板３１上に成膜された電極３２と、電極３２が埋設されるようにガラス基板３１を覆うゲート絶縁膜３３と、ゲート絶縁膜３３上に積層（堆積）された半導体層（アモルファスシリコン層）３４と、から構成されており、半導体層３４がアニール処理により結晶化されることで、ＴＦＴが形成される。
【０００７】
このように構成された基板の半導体層３４に、レーザー光（グリーンレーザー）を照射すると、グリーンレーザーの透過率特性により、半導体層３４だけではなく、ゲート絶縁膜３３及び電極３２を透過して、ガラス基板３１にまでレーザー光が到達する。このため、これらの部材（半導体層３４、ゲート絶縁膜３３、電極３２およびガラス基板３１）は、レーザー光により熱せられて、体積が膨張する。これらの部材の中で膨張係数の大きいガラス基板３１は、特に大きく膨張しようとする。
【０００８】
しかしながら、従来のレーザーアニール装置では、図６に示すように、全面吸着ステージ６２によって基板６１のガラス基板（図３に示すガラス基板３１）がその全体を固定されるため、基板６１のガラス基板は伸びることができない。この結果、基板６１に内部応力が発生し、その応力により基板６１が割れるおそれがある。
【０００９】
本発明は、上記した問題に鑑み、従来に比べて基板の割れの発生を軽減させることができるレーザーアニール方法およびレーザーアニール装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のレーザーアニール方法は、吸着ステージの第１吸着エリアおよび第２吸着エリアに跨るように、前記吸着ステージ上に基板を載置し、前記第２吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着され前記第１吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着されていない状態の前記基板に対して、その基板の前記第１吸着エリア上の領域にレーザー光を照射することを特徴とする。
【００１１】
また、本発明のレーザーアニール装置は、第１吸着エリアと第２吸着エリアとを有する吸着ステージと、前記第１吸着エリアおよび前記第２吸着エリアに跨るように前記吸着ステージ上に載置された基板にレーザー光を照射するレーザー照射手段と、前記吸着ステージと前記レーザー照射手段の動作を制御することにより、前記第２吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着され前記第１吸着エリアでは前記吸着ステージに吸着されていない状態にある前記基板の前記第１吸着エリア上の領域にレーザー光を照射させる制御装置と、を備えることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、アニール処理による基板の割れの発生を軽減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施の形態に係るレーザーアニール装置の構成を示す全体図
【図２】本発明の実施の形態に係るレーザーアニール装置の構成を示す一部拡大図
【図３】アニール対象の基板の一部拡大断面図
【図４】本発明の実施の形態に係る吸着エリアを説明するための平面図
【図５】本発明の実施の形態に係るレーザーアニール装置の動作を説明するための平面図
【図６】一般的なレーザーアニール装置の構成を示す図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照しながら説明する。但し、同じ構成要素には同じ符号を付与することによって重複する説明を省略する。また、図面は、理解し易くするために、それぞれの構成要素を模式的に図示している。また図示された各構成要素の形状、厚み、長さ、個数等は図面作成の都合上から、実際とは異なる。なお、以下の実施の形態で示す各構成要素の材質や形状、寸法等は一例であって特に限定されるものではなく、本発明の効果から実質的に逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【００１５】
図１は本実施の形態に係るレーザーアニール装置の構成を示す全体図である。このレーザーアニール装置は、アモルファスシリコンが堆積されている基板１１にグリーンレーザーを照射して、アモルファスシリコンを結晶化し、基板１１にＴＦＴを形成できるように構成されている。
【００１６】
具体的には、図１において、レーザー発振器１２は、波長が５００ｎｍ以上６００ｎｍ以下のレーザー光（グリーンレーザー）１６を発振する。レーザー発振器１２には、例えば、ＹＡＧ（イットリウム・アルミニウム・ガーネット）のロッド型結晶やディスク状結晶などを用いた固体レーザーを使用することができる。なお、ＹＡＧレーザーではなく、半導体レーザーを用いてもよい。
【００１７】
レーザー発振器１２が発振したレーザー光１６は、光ファイバ１３内を伝送し、レーザーヘッド１４へ導かれる。レーザーヘッド１４は、吸着ステージ１５上に載置され、吸着ステージ１５により吸着固定された基板１１にレーザー光１６を照射する。レーザーヘッド１４から出射されるレーザー光１６の出力（単位時間当たりの放射エネルギー）は、例えば、５Ｗ以上２５０Ｗ以下とする。
【００１８】
このように、この実施の形態に係るレーザーアニール装置では、基板１１にレーザー光（グリーンレーザー）を照射するレーザ照射手段が、レーザ発振器１２と光ファイバ１３とレーザーヘッド１４によって構成されている。
【００１９】
さらに、レーザーヘッド１４は、吸着ステージ１５上に載置された基板１１の表面におけるレーザースポットの形状が所望の形状となるようにレーザー光１６を整形する。例えば、レーザースポットの形状を、矩形状にする。矩形状にする場合、その長軸は０．５ｍｍ以上１０ｍｍ以下にし、その短軸は５μｍ以上１００μｍ以下にする。矩形状のレーザースポットを形成するレーザー光１６を基板１１上で走査することで、基板１１の全面にムラなくレーザー光１６を照射することができ、アニールムラの発生を防止できる。
【００２０】
なお、レーザー光１６のエネルギー密度は、基板１１上で５ｋＷ／ｃｍ２以上３００ｋＷ／ｃｍ２以下になることが望ましい。５ｋＷ／ｃｍ２未満では基板１１のアモルファスシリコン層を十分に結晶化することができず、３００ｋＷ／ｃｍ２より大きいエネルギー密度では一度に与えるエネルギー量が大き過ぎて、基板１１に反りや割れ等の欠陥が発生してしまうからである。
【００２１】
吸着ステージ１５の材質としては、レーザー光１６を走査する際に基板１１とレーザー光１６の焦点との距離が変化しないように、平面度が高いものがよい。さらに、熱変形しないように、熱膨張係数の小さいものが望ましい。これらの観点から、グラナイトを吸着ステージ１５の材質に選択するのが好適である。ただし、十分な平面度を有し、かつ、使用環境下で熱膨張の問題が生じない場合は、アルミニウムやステンレス鋼などの金属を吸着ステージ１５の材質に用いることができる。
【００２２】
この実施の形態に係るレーザーアニール装置では、基板１１に対してレーザー光１６を走査するのに、ステージ１７に搭載されたＸ軸１８およびＹ軸１９を用いる。ステージ１７には、さらにＺ軸２０が設けられている。Ｘ軸１８、Ｙ軸１９およびＺ軸２０は互いに直交しており、吸着ステージ１５はＹ軸１９上に配置されている。また、レーザーヘッド１４はＺ軸２０上に配置されており、そのＺ軸２０がＸ軸１８に搭載されている。吸着ステージ１５は、Ｙ軸１９によって、Ｙ軸方向において移動できる。レーザーヘッド１４は、Ｘ軸１８によって、Ｘ軸方向において移動できる。したがって、レーザーヘッド１４から出射されるレーザー光１６によって基板１１上に形成されるレーザースポットを、Ｘ軸１８およびＹ軸１９によって基板１１の全面で走査して、基板１１の全面にレーザー光１６を照射することができ、基板１１の全面において、アモルファスシリコンを結晶化するアニール処理を実施できる。
【００２３】
基板１１上でのレーザー光１６の照射位置を移動させるレーザー光移動機構であるＸ軸１８およびＹ軸１９には、例えば、ＬＭガイド（登録商標）やボールスプライン等を用いることができる。これに対して速度ムラは発生しやすいが、ボールねじを用いることもできる。
【００２４】
Ｚ軸２０は、基板１１の厚みのバラツキに応じてレーザーヘッド１４と基板１１との間の距離を一定に保つために、オートフォーカス機能を備える。なお、Ｚ軸２０には、Ｘ軸１８やＹ軸１９と同様に、ＬＭガイド（登録商標）、ボールスプライン又はボールねじ等を採用できる。
【００２５】
ここで、図３を用いて、アニール対象である基板について説明する。図３に示すように、アニール対象である基板は、ガラス基板３１と、ガラス基板３１上に成膜された電極３２と、電極３２が埋設されるようにガラス基板３１を覆うゲート絶縁膜３３と、ゲート絶縁膜３３上に積層（堆積）された半導体層（アモルファスシリコン層）３４と、から構成されている。ガラス基板３１には、例えば、厚みが約０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ以下の無アルカリガラスなどが用いられる。電極３２は、例えばモリブデンタングステン（ＭｏＷ）などから構成され、例えば厚みが１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下程度で、幅が１０μｍ以上３００μｍ以下となるように、ガラス基板３１上に形成される。ゲート絶縁膜３３は、例えば厚みが１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下のＳｉＯ２で構成される。半導体層３４は、厚みが約１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下となるようにゲート絶縁膜３３上に堆積される。
【００２６】
次に、吸着ステージ１５の詳細について、図２および図４を用いて説明する。
【００２７】
図２に示すように、吸着ステージ１５は、予め複数の異なる吸着エリア２１に分けられており、各吸着エリア２１に各吸引用配管２２の一端が接続されている。これらの吸引用配管２２のそれぞれの他端は、各吸着エリア２１に対応して設けられた各真空ポンプ（図示せず）にそれぞれ連結されている。これらの図示しない真空ポンプのそれぞれの動作は、制御装置２３によって独立に制御される。したがって、制御装置２３は、各吸着エリア２１において独立して吸引動作（吸着動作）の有無を制御することができる。なお、複数の吸着エリア２１は、隣り合う吸着エリア２１同士の間に所定の間隔があくように区画してもよいし、隣り合う吸着エリア２１同士が密接するように区画してもよい。
【００２８】
各吸着エリア２１には、吸着ステージ１５の表面に開口する複数の吸着穴（図示せず）が形成されており、各吸着エリア２１に設けられた複数の吸着穴（図示せず）は、各吸引用配管２２を介して、各吸着エリア２１に対応して設けられた各真空ポンプ（図示せず）に繋がっている。吸着ステージ１５の表面における吸着穴（図示せず）の開口径は、例えば０．２ｍｍから１．０ｍｍ程度である。また、吸着穴（図示せず）の数は、例えば、１０ｍｍから３０ｍｍ角に１個程度とする。
【００２９】
このように、この実施の形態のレーザーアニール装置では、吸着ステージ１５において複数の吸着エリア２１が予め区画されており、各吸着エリア２１に吸着機構が備え付けられている。つまり、この実施の形態のレーザーアニール装置は、全面吸着ステージの吸着機構が複数のエリアによって区切られて、各エリアにおける吸引動作（吸着動作）の有無を切り換えることができるように構成されている。なお、各吸引用配管２２にそれぞれバルブを設け、これらのバルブを制御装置２３が独立して制御することで、各吸着エリア２１における吸引動作の有無を切り換えてもよい。
【００３０】
更に、吸着ステージ１５について説明する。図４は、吸着ステージ１５上に載置された基板１１を上部（図１のＺ軸方向）からみた平面図である。図４において、ＤＬは前述したレーザー光１６の主走査方向を示す。
【００３１】
吸着ステージ１５は、吸着ステージ１５上に載置された基板１１を、各吸着エリア２１において吸着することができる。なお、図４には、２１個の吸着エリア２１によって吸着ステージ１５が区切られている例を示しているが、吸着エリア２１の数は、特に限定されるものではない。図４に示すように、複数の吸着エリア２１は、隣り合う吸着エリア２１間の境界がレーザー光１６の主走査方向ＤＬと平行になるように区画される。
【００３２】
この実施の形態に係るレーザーアニール装置は、基板１１に対してアニール処理を実施するとき、例えば前述したレーザー光１６を照射する位置（レーザースポットの照射位置）が複数の吸着エリア２１のうちの一つである吸着エリア２１（１）（第１吸着エリアの一例）に対応する位置である場合には、前述した制御装置２３が、その吸着エリア２１（１）における基板１１の吸着を停止し、その吸着エリア２１（１）以外の吸着エリア、例えば、吸着エリア２１（２）（第２吸着エリアの一例）等において基板１１が吸着ステージ１５に吸着されるように、吸着ステージ１５の吸着動作を制御する。これにより、レーザー光１６（レーザースポット）が照射されている領域では基板１１が固定されないため、この固定されない領域において基板１１は熱膨張することが可能となる。したがって、基板１１に内部応力が蓄積されるのを防止できる。さらに、レーザー光１６（レーザースポット）が照射されていない領域では基板１１が吸着ステージ１５に吸着されているため、基板１１の位置ずれは生じない。
【００３３】
続いて、レーザー光１６の照射位置と各吸着エリア２１における吸着動作の有無との関係について図５を用いて説明する。図５（ａ）〜図５（ｃ）は、図４に示す基板１１の端部４１を拡大して示す図である。図５において、矢印Ｌｓはレーザースポット５１の走査の軌跡を示している。レーザースポット５１は、基板１１に前述したレーザー光１６が照射されることにより形成される。また、図５では、各吸着エリア２１における吸着動作の有無をＯＮ、ＯＦＦで示している。また、ここでは、レーザースポット５１が矩形状である場合について説明する。
【００３４】
本実施の形態において、吸着エリア２１の幅Ｗｓは、レーザースポット５１の長軸方向の照射幅ＷＬよりも大きいことが望ましい。吸着エリア２１の幅Ｗｓがレーザースポット５１の照射幅ＷＬより小さい場合、レーザースポット５１が照射されている箇所において基板１１が固定されるため、基板１１の熱膨張が妨げられ、結果として基板１１に内部応力が蓄積されてしまい、基板１１に割れを生じさせる場合があるからである。
【００３５】
また、吸着エリア２１の幅Ｗｓの下限は、レーザースポット５１の照射幅ＷＬと等しくなる。基板１１において、レーザースポット５１が位置する箇所のみが熱膨張するからである。したがって、レーザースポット５１（レーザー光１６のスポット）を吸着エリア２１内に完全に含ませる必要がある。このようにすれば、レーザースポット５１が照射されている吸着エリア２１において吸着動作を停止することで、レーザースポット５１が照射されている箇所において基板１１は熱膨張できる。
【００３６】
一方、吸着エリア２１の幅Ｗｓの上限は、基板１１のサイズに依存する。例えば、２．０ｍ×２．０ｍを超えるような大型の基板１１においては、吸着エリア２１の幅Ｗｓは４００ｍｍ以下であることが望ましい。それ以上の幅を持つ吸着エリア２１において吸着動作を停止させると、基板１１の保持が難しくなる（基板１１に位置ずれが生じる）からである。つまり、吸着エリア２１の幅Ｗｓの上限は基板１１の幅の２０％以下となる。
【００３７】
続いて、各吸着エリア２１における吸着動作の制御の一例について説明する。ここではレーザースポット５１の照射幅ＷＬが５．０ｍｍ、各吸着エリア２１の幅Ｗｓが２０ｍｍである場合について説明する。
【００３８】
最初に、図５（ａ）に示すように、予め複数の吸着エリア（吸着エリア２１（１）、吸着エリア２１（２）、吸着エリア２１（３）を含む）に区画されている吸着ステージ１５の各領域に跨るように、基板１１を吸着ステージ１５に載置する。その後、基板１１のうちの吸着エリア２１（１）に対応する箇所（被吸着エリア）で、レーザースポット５１が走査される。これにより、基板１１において吸着エリア２１（１）に対応する箇所が、レーザースポット５１（レーザー光１６）によってアニールされる。このとき、吸着エリア２１（１）における吸着動作を停止し、その他の吸着エリアにおいて基板１１を吸着ステージ１５に吸着させる。これにより、吸着エリア２１（１）に対応する箇所において、基板１１の熱変形のための自由度を確保できる。自由度を確保することで、レーザー光１６により熱せられた基板１１は、吸着エリア２１（１）に対応する箇所（被吸着エリア）において、紙面上下方向に伸びることが可能となる。また、その他の吸着エリアにおいて基板１１は吸着ステージ１５に吸着されているので、基板１１の位置ずれは生じない。なお、吸着エリア２１（１）に対応する箇所とは、基板１１における吸着エリア２１（１）上の領域（被吸着エリア）を示し、この領域は、吸着エリア２１（１）と同形・同サイズである。
【００３９】
次に、基板１１において、吸着エリア２１（１）に対応する箇所（被吸着エリア）のアニール処理が終了すると、図５（ｂ）に示すように、吸着エリア２１（１）に隣接する吸着エリア２１（２）において吸着動作を停止させる一方で、吸着エリア２１（１）の吸着機構を作動させる。吸着エリア２１（１）の吸着機構を作動させるタイミングは、例えば、基板１１における吸着エリア２１（１）上の領域へのレーザー光１６の照射を停止した後、１０ｍｓ以降とする。本実施の形態において、基板１１は、レーザー光１６が照射された位置（レーザースポット５１の照射位置）において、温度が８００Ｋから１６００Ｋ程度になるまで加熱される。この加熱された領域は、レーザー光１６が照射されなくなってから０．１ｍｓから１０ｍｓ程度で常温まで冷却される。基板１１の温度が室温まで冷却されると、吸着機構を作動しても基板１１に残留応力は発生しない。
【００４０】
基板１１において、吸着エリア２１（２）に対応する箇所（被吸着エリア）のアニール処理が終了すると、図５（ｃ）に示すように、図５（ｂ）の場合と同様に、吸着エリア２１（２）に隣接する吸着エリア２１（３）において吸着動作を停止させる一方で、吸着エリア２１（２）における吸着動作を再開させる。
【００４１】
以上のように、アニールされる箇所における吸着動作を停止させ、アニールが終了すると吸着機構を作動させることを繰り返していき、基板１１の全面でアニール処理を実施する。これにより基板１１に内部応力をほとんど発生させることなく、レーザーアニールを実施できる。結果的に、レーザーアニールによる基板１１の割れの発生を減少させることができる。
【００４２】
なお、図１に示すレーザーアニール装置は、Ｘ軸１８およびＹ軸１９を駆動して、レーザーヘッド１４および基板１１（吸着ステージ１５）を移動させることにより、基板１１に対して照射されるレーザー光１６を走査している。このとき、Ｘ軸１８およびＹ軸１９の駆動の制御は、制御装置２３によって実行される。ただし、レーザー光１６を走査するための機構は、これに限るものではなく、例えばレーザーヘッド１４のみを移動させる機構を用いてもよい。
【００４３】
また、この実施の形態では、図４に示すように、複数の吸着エリア２１を、隣り合う吸着エリア２１間の境界がレーザー光１６の主走査方向ＤＬと平行になるように区画する場合について説明したが、複数の吸着エリアをマトリクス状に分布させて、レーザースポット５１（図５）が存在する位置のみにおいて、吸着動作を停止させてもよい。これは、レーザースポット５１の照射位置の変化に合わせて、マトリクス状に分布している各吸着エリアの吸着機構の停止と作動を、前述した制御装置２３によって制御することにより実施することができる。
【００４４】
また、基板１１を吸着エリアにおいて吸着する手段として、真空吸着の他に、静電吸着を採用してもよい。
【００４５】
また、図５を用いて、ある吸着エリア２１に対応する基板１１上の領域をアニール処理する際に、このアニール処理の直前にアニール処理を終えた基板１１上の領域に対応する吸着エリア２１の吸着動作を作動させる動作例を説明したが、その吸着エリア２１の吸着動作を作動させなくても、他の吸着エリア２１の吸着動作によって基板１１に位置ずれが生じないのであれば、その吸着エリア２１の吸着動作を必ず作動させる必要はない。
【産業上の利用可能性】
【００４６】
本発明にかかるレーザーアニール方法およびレーザーアニール装置は、有機ＥＬディスプレイや液晶ディスプレイ等のフラットパネルディスプレイの製造や、太陽電池などの半導体の製造に有用である。
【符号の説明】
【００４７】
１１      基板
１２      レーザー発振器
１３      光ファイバ
１４      レーザーヘッド
１５      吸着ステージ
１６      レーザー光
１７      ステージ
１８      Ｘ軸
１９      Ｙ軸
２０      Ｚ軸
２１、２１（１）、２１（２）、２１（３）      吸着エリア
２２      吸引用配管
２３      制御装置
３１      ガラス基板
３２      電極
３３      ゲート絶縁膜
３４      半導体層
５１      レーザースポット
【図１】
2014003248.tif 000003
【図２】
2014003248.tif 000004
【図３】
2014003248.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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