(57)【要約】【課題】分割後のチップにクラックや欠けを生じさせることなく、ウェーハを良好に分割すること。【解決手段】本発明のウェーハの加工方法は、ウェーハ（Ｗ）の表面で交差する第１、第２の分割予定ライン（１４ａ、１４ｂ）に沿って、ウェーハ（Ｗ）を個々のチップ（Ｃ）に分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハ（Ｗ）の内部に第１の分割予定ライン（１４ａ）に沿った第１の改質層（２５ａ）を形成する第１の改質層形成工程と、第１の改質層（２５ａ）よりもウェーハ（Ｗ）の表面側に第２の分割予定ライン（１４ｂ）に沿った第２の改質層（２５ｂ）を形成する第２の改質層形成工程と、裏面側からウェーハ（Ｗ）を研削して所定厚み（Ｌ）に薄化すると共に、第１、第２の改質層（２５ａ、２５ｂ）に研削荷重を付与してウェーハ（Ｗ）を第１、第２の分割予定ライン（１４ａ、１４ｂ）に沿って分割する研削工程とを有する構成とした。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面に所定の方向に延びる複数の第１の分割予定ラインと該複数の第１の分割予定ラインと交差して形成された複数の第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの内部に改質層を形成し、仕上げ厚みまで薄化し該改質層を起点として該第１の分割予定ラインおよび該第２の分割予定ラインに沿ってウェーハを分割するウェーハの加工方法であって、
ウェーハの表面側にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着工程と、
該エキスパンドテープ貼着工程の後に、該エキスパンドテープ側を保持し、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側から集光点をウェーハの内部の該仕上げ厚みに相当する位置よりも裏面側に位置付けて第１の分割予定ラインに沿って照射し、ウェーハの内部に第１の分割予定ラインに沿って第１の改質層を形成する第１の改質層形成工程と、
該第１の改質層形成工程の後に、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側から集光点を、該第１の改質層が形成された領域と該仕上げ厚みに相当する位置の間に位置付けて第２の分割予定ラインに沿って第２の改質層を形成する第２の改質層形成工程と、
該第１の改質層形成工程及び該第２の改質層形成工程を実施した後、該エキスパンドテープ側を保持してウェーハの裏面から研削手段により研削し仕上げ厚みへと薄化するとともに研削動作により該第１の改質層及び該第２の改質層を起点としてウェーハの表面に至るクラックを該第１の分割予定ライン及び該第２の分割予定ラインに沿って成長させる研削工程と、
該研削工程の後に、外力を付与して該第１の分割予定ライン及び該第２の分割予定ラインに沿ってチップ間を離間させるエキスパンド工程と、
を備えることを特徴とするウェーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハや光デバイスウェーハを個々のチップに分割するウェーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、ウェーハを個々のチップに分割する加工方法として、レーザー加工によりウェーハを分割する技術が注目されている。レーザー加工として、ウェーハに対して透過性を有するレーザー光線を照射してウェーハ内部に脆弱な層（改質層）を形成し、この強度が低下した改質層を分割起点とする加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。この加工方法では、直交する第１、第２の分割予定ラインに沿ってレーザー光線が照射され、ウェーハの内部に直線状の改質層が形成される。そして、脆弱な改質層に外力が加わることで、改質層に沿ってウェーハが個々のチップに分割される。このレーザー加工では、ダイシングソー等によるメカニカルダイシングとは異なり、切削屑の発生がなく、切り代もほとんどないためストリートの縮小化に対応可能である。
【０００３】
ところで、ウェーハの厚みが数十μｍ以下に薄くなるとレーザー光線がウェーハを透過し、ウェーハの内部の適切な位置に適切な改質層を形成することが困難となる。そこで、薄化前のウェーハの内部に改質層を形成し、改質層の形成後に仕上げ厚みまで研削する加工方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。特許文献２の加工方法では、仕上げ厚みよりも高い位置となる被研削面側に改質層が形成される。よって、ウェーハの内部の適切な位置に適切な改質層を形成することができ、改質層も除去されるため、光デバイスウェーハの加工時には輝度が向上され、半導体ウェーハの加工時には抗折強度が向上される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２０１２−４９１６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記加工方法によると、直交する第１、第２の分割予定ラインのうち、第１の分割予定ラインに沿って第１の改質層を形成する際には、ウェーハの内部に適切に第１の改質層を形成することが可能である。しかしながら、第２の分割予定ラインに沿って第２の改質層を形成する際には、先に形成された第１の改質層の影響により、第１、第２の分割予定ラインの交差点箇所の近傍では第２の改質層が不充分に形成される場合がある。このため、後段の研削工程では、ウェーハは第１の改質層を起点とした分割は良好だが、第２の改質層を起点とした分割が不完全になり、コーナークラックや欠けの原因になるという問題があった。
【０００６】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、直交する分割予定ラインに沿ってウェーハを適切に分割できるウェーハの加工方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のウェーハの加工方法は、表面に所定の方向に延びる複数の第１の分割予定ラインと該複数の第１の分割予定ラインと交差して形成された複数の第２の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されたウェーハの内部に改質層を形成し、仕上げ厚みまで薄化し該改質層を起点として該第１の分割予定ラインおよび該第２の分割予定ラインに沿ってウェーハを分割するウェーハの加工方法であって、ウェーハの表面側にエキスパンドテープを貼着するエキスパンドテープ貼着工程と、該エキスパンドテープ貼着工程の後に、該エキスパンドテープ側を保持し、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側から集光点をウェーハの内部の該仕上げ厚みに相当する位置よりも裏面側に位置付けて第１の分割予定ラインに沿って照射し、ウェーハの内部に第１の分割予定ラインに沿って第１の改質層を形成する第１の改質層形成工程と、該第１の改質層形成工程の後に、ウェーハに対して透過性を有する波長のレーザー光線をウェーハの裏面側から集光点を、該第１の改質層が形成された領域と該仕上げ厚みに相当する位置の間に位置付けて第２の分割予定ラインに沿って第２の改質層を形成する第２の改質層形成工程と、該第１の改質層形成工程及び該第２の改質層形成工程を実施した後、該エキスパンドテープ側を保持してウェーハの裏面から研削手段により研削し仕上げ厚みへと薄化するとともに研削動作により該第１の改質層及び該第２の改質層を起点としてウェーハの表面に至るクラックを該第１の分割予定ライン及び該第２の分割予定ラインに沿って成長させる研削工程と、該研削工程の後に、外力を付与して該第１の分割予定ライン及び該第２の分割予定ラインに沿ってチップ間を離間させるエキスパンド工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、ウェーハの内部に第１の改質層が形成された後に、第１の改質層と仕上げ厚みに相当する位置との間に第２の改質層が形成される。この場合、第１の改質層は、第２の改質層よりも先にウェーハの内部に形成されるため、第２の改質層の影響を受けることない。また、第２の改質層は、第１の改質層の後にウェーハの内部に形成されるため、第１、第２の分割予定ラインの交差点付近で第１の改質層の影響を受け、第１、第２の分割予定ラインの交差点付近で不充分に形成される場合がある。一方で、第２の改質層は、第１の改質層よりも仕上げ厚みの近くの割れ易い位置に形成される。このため、第２の改質層が第１、第２の分割予定ラインの交差点以外で割れ易くなり、交差点以外の割れに引きずられて交差点付近も割れ易くなる。よって、第１、第２の改質層の割れ易さを同等にして、ウェーハを個々のチップに適切に分割できる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、ウェーハの内部に第１の改質層が形成された後に、第１の改質層と仕上げ厚みに相当する位置との間に第２の改質層を形成することで、直交する分割予定ラインに沿ってウェーハを適切に分割できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本実施の形態に係るエキスパンドテープ貼着工程の一例を示す図である。
【図２】本実施の形態に係るウェーハの斜視図である。
【図３】本実施の形態に係る第１、第２の改質層形成工程の一例を示す図である。
【図４】本実施の形態に係る改質層形成後のウェーハの部分断面図である。
【図５】本実施の形態に係る研削工程の一例を示す図である。
【図６】本実施の形態に係るエキスパンド工程の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本実施の形態に係るウェーハの加工方法について説明する。本実施の形態に係るウェーハの加工方法は、交差する第１、第２の分割予定ラインに沿ってウェーハを個々のチップに分割する方法であり、テープ貼着装置によるエキスパンドテープ貼着工程、レーザー加工装置による第１、第２の改質層形成工程、研削装置による研削工程、テープ拡張装置によるエキスパンド工程を経て実施される。エキスパンドテープ貼着工程では、デバイスが形成されたウェーハの表面側にエキスパンドテープが貼着される。
【００１２】
第１の改質層形成工程では、第１の分割予定ラインに沿ってウェーハの内部の仕上げ厚みよりも裏面側（上側）に第１の改質層が形成される。第２の改質層形成工程では、第２の分割予定ラインに沿ってウェーハの内部の第１の改質層が形成された領域と仕上げ厚みとの間に第２の改質層が形成される。このとき、第２の改質層は、第１、第２の分割予定ラインの交差点付近で、先に形成された第１の改質層の影響を受けるが、仕上げ厚みに近付けられている分だけ交差点付近でも割れ易くなっている。
【００１３】
研削工程では、研削手段によりウェーハが仕上げ厚みへと薄化されるとともに、研削動作により第１、第２の改質層が起点となってウェーハが分割予定ラインに沿って個々のチップに分割される。このとき、第１、第２の分割予定ラインの交差点付近でも、割れ易い位置に形成された第２の改質層の割れに引きずられることで、第１、第２の改質層が同等に分割される。エキスパンド工程では、エキスパンドテープに外力が付与され、ウェーハが第１、第２の分割予定ラインに沿ってチップ間が離間される。
【００１４】
以下、本実施の形態に係るウェーハの加工方法の詳細について説明する。図１及び図２を参照して、エキスパンドテープ貼着工程について説明する。図１は、本実施の形態に係るエキスパンドテープ貼着工程の一例を示す図である。図２は、本実施の形態に係るウェーハの斜視図である。
【００１５】
図１及び図２に示すように、エキスパンドテープ貼着工程では、略円板状のウェーハＷの表面１１側にリングフレーム１５に張られたエキスパンドテープ１６が貼着される。このエキスパンドテープ１６の貼着により、後工程のレーザー加工時に被照射面側となるウェーハＷの裏面１２が露出されると共に、被保持面となるウェーハＷの表面１１がエキスパンドテープ１６で保護される。エキスパンドテープ１６の貼着後のウェーハＷは、レーザー加工装置（不図示）に搬入される。なお、エキスパンドテープ１６は、伸張可能であればよく、例えばポリ塩化ビニルからなるシート基材の一面に粘着剤を塗布して形成される。
【００１６】
エキスパンドテープ１６に被覆されたウェーハＷの表面１１には、所定方向に延びる第１の分割予定ライン１４ａと第１の分割予定ライン１４ａと交差して延びる第２の分割予定ライン１４ｂとが形成されている。この第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂに区画された領域にはデバイス１３が形成されている。なお、ウェーハＷは、シリコン、ガリウム砒素等の半導体基板にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成された半導体ウェーハでもよいし、セラミック、ガラス、サファイア系の無機材料基板にＬＥＤ等の光デバイスが形成された光デバイスウェーハでもよい。
【００１７】
図３及び図４を参照して第１、第２の改質層形成工程の一例について説明する。図３は、本実施の形態に係る第１、第２の改質層形成工程の説明図である。図４は、本実施の形態に係る改質層形成後のウェーハの部分断面図である。なお、図３Ａ及び図３Ｂは第１の改質層形成工程を示し、図３Ｃ及び図３Ｄは第２の改質層形成工程を示す。図３Ａ及び図３Ｂでは第１の分割予定ラインがＹ軸方向に延在し、第２の分割予定ラインがＸ軸方向に延在しているものとする。また、図３Ｃ及び図３Ｄでは、第２の分割予定ラインがＹ軸方向に延在し、第１の分割予定ラインがＸ軸方向に延在しているものとする。
【００１８】
図３Ａに示すように、上記したエキスパンドテープ貼着工程の後には第１の改質層形成工程が実施される。第１の改質層形成工程では、レーザー加工装置（不図示）のチャックテーブル２１上にエキスパンドテープ１６を介してウェーハＷが保持される。また、加工ヘッド２２の出射口がウェーハＷの第１の分割予定ライン１４ａ（図２参照）に位置付けられ、加工ヘッド２２によってウェーハＷの裏面１２側からレーザー光線が照射される。レーザー光線は、ウェーハＷに対して透過性を有する波長であり、ウェーハＷの内部の仕上げ厚みＬよりも裏面１２側の第１の高さ位置Ｈ１に集光するように調整される。
【００１９】
そして、ウェーハＷに対して加工ヘッド２２がＹ軸方向に相対移動されることで、ウェーハＷの内部の第１の高さ位置Ｈ１に第１の分割予定ライン１４ａに沿った第１の改質層２５ａが形成される。このレーザー加工は、全ての第１の分割予定ライン１４ａに沿って繰り返される。第１の高さ位置Ｈ１に第１の改質層２５ａが形成されると、図３Ｂに示すように、レーザー光線の集光点が上動されて第２の高さ位置Ｈ２に集光するように調整される。第２の高さ位置Ｈ２にも、同様に全ての第１の分割予定ライン１４ａに沿って第１の改質層２５ａが形成される。
【００２０】
図３Ｃに示すように、上記した第１の改質層形成工程の後には第２の改質層形成工程が実施される。第２の改質層形成工程では、チャックテーブル２１が９０度回転され、第１の分割予定ライン１４ａに直交する第２の分割予定ライン１４ｂがＹ軸方向に合わせられる。また、加工ヘッド２２の出射口がウェーハＷの第２の分割予定ライン１４ｂ（図２参照）に位置付けられ、加工ヘッド２２によってウェーハＷの裏面１２側からレーザー光線が照射される。レーザー光線は、ウェーハＷに対して透過性を有する波長であり、ウェーハＷの内部の仕上げ厚みＬと第１の高さ位置Ｈ１との間の第３の高さ位置Ｈ３に集光するように調整される。
【００２１】
そして、ウェーハＷに対して加工ヘッド２２がＹ軸方向に相対移動されることで、ウェーハＷの内部の第３の高さ位置Ｈ３に第２の分割予定ライン１４ｂに沿った第２の改質層２５ｂが形成される。このレーザー加工は、全ての第２の分割予定ライン１４ｂに沿って繰り返される。第３の高さ位置Ｈ３に第２の改質層２５ｂが形成されると、図３Ｄに示すように、レーザー光線の集光点が上動されて、第３の高さ位置Ｈ３と第１の高さ位置Ｈ１との間の第４の高さ位置Ｈ４に集光するように調整される。第４の高さ位置Ｈ４にも、同様に全ての第２の分割予定ライン１４ｂに沿って第２の改質層２５ｂが形成される。
【００２２】
この場合、第２の改質層２５ｂは、先に形成された第１の改質層２５ａの影響を受けて、第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂの交差点１７付近では良好に改質されない。一方で、第１の改質層２５ａは、第２の改質層２５ｂよりも先にウェーハＷの内部に形成されるため、第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂの交差点１７でも良好に改質されている。このため、本実施の形態では、図４Ａに示すように、第１の改質層２５ａよりも第２の改質層２５ｂを仕上げ厚みＬに近付けて、第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂを同等な割れ易さに調整している。
【００２３】
第２の改質層２５ｂは、ウェーハＷの内部において仕上げ厚みＬに近付けられており、分割に最適な高さ位置に形成される。第１の改質層２５ａは、第２の改質層２５ｂよりも仕上げ厚みＬから裏面１２側に離れた分だけ、第２の改質層２５ｂと比較して割れ難くなっている。このため、第２の改質層２５ｂは、第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂの交差点１７以外では第１の改質層２５ａよりも割れ易くなる。また、第２の改質層２５ｂは、第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂの交差点１７付近では、良好に改質されないものの、交差点１７付近以外の割れにつられて割れる程度に改質されている。
【００２４】
このため、第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂの割れ易さが同等になり、ウェーハＷが第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂに沿って良好に分割される。これに対し、図４Ｂに示す比較例ように、第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂが同じ高さ位置に形成される場合には、第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂが最適位置に形成されていても適切に分割されない。比較例では、第２の改質層２５ｂの形成時には、先に形成された第１の改質層２５ａの存在により、レーザー光線が散乱して交差点１７付近が不充分に改質される。このように、比較例では、第２の改質層２５ｂの交差点１７付近は不充分に改質される一方で、第１の改質層２５ａの交差点１７付近では適切に改質されている。このため、第１の分割予定ライン１４ａが先に分割されることで、第２の分割予定ライン１４ｂの特に交差点１７付近が割れ難くなり、分割後のチップのコーナーエッジに欠けが生じるおそれがある。
【００２５】
ところで、ウェーハＷに数十μｍ以上の厚みがないと、レーザー光線がウェーハＷを透過し過ぎて、ウェーハＷの内部を良好に改質できない場合がある。このため、本実施の形態では、研削工程によるウェーハＷの薄化前に第１、第２の改質層形成工程を実施することで、ウェーハＷの内部に良好な第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂを形成することを可能にしている。
【００２６】
なお、第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂは、レーザー光線の照射によってウェーハＷの内部の密度、屈折率、機械的強度やその他の物理的特性が周囲と異なる状態となり、周囲よりも強度が低下する領域のことをいう。第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂは、例えば、溶融処理領域、クラック領域、絶縁破壊領域、屈折率変化領域であり、これらが混在した領域でもよい。
【００２７】
図５を参照して、研削工程について説明する。図５は、本実施の形態に係る研削工程の一例を示す図である。
【００２８】
図５に示すように、第２の改質層形成工程の後には研削工程が実施される。図５Ａに示すように、研削工程では、研削装置（不図示）のチャックテーブル３１上にエキスパンドテープ１６を介してウェーハＷが保持される。また、チャックテーブル３１に保持されたウェーハＷの上方に研削手段３２が位置付けられる。そして、研削手段３２の研削ホイール３３がＺ軸回りに回転しながらチャックテーブル３１に近付けられ、研削ホイール３３とウェーハＷの裏面１２とが平行状態で回転接触することでウェーハＷが研削される。研削加工中は、ハイトゲージ（不図示）によってウェーハＷの厚みがリアルタイムに測定される。そして、ハイトゲージの測定結果が仕上げ厚みＬに近付くように研削手段３２の送り量が制御される。
【００２９】
図５Ｂに示すように、研削動作によって第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂに対して研削ホイール３３から研削負荷が強く作用する。これにより、第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂを起点としてウェーハＷの表面１１に至るクラックが生じる。ウェーハＷの内部に生じたクラックが第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂに沿って成長されることで、ウェーハＷが個々のチップＣに分割される。そして、ウェーハＷが仕上げ厚みＬまで薄化されると、研削動作が停止される。
【００３０】
このようにして、ウェーハＷが所望の仕上げ厚みＬまで薄化されながら、第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂに沿って個々のチップＣに分割される。この場合、ウェーハＷが仕上げ厚みＬまで薄化されることで、仕上げ厚みＬよりも裏面１２側に形成された第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂがウェーハＷから除去される。これにより、ウェーハＷが光デバイスウェーハの場合には輝度が向上され、ウェーハＷが半導体ウェーハの場合には抗折強度が向上される。
【００３１】
図６を参照して、エキスパンド工程について説明する。図６は、本実施の形態に係るエキスパンド工程の一例を示す図である。
【００３２】
図６に示すように、上記した研削工程の後には、エキスパンド工程が実施される。図６Ａに示すように、テープ拡張装置（不図示）の環状テーブル４１上にリングフレーム１５が載置され、クランプ部４２によって環状テーブル４１にリングフレーム１５が保持される。また、拡張ドラム４３の外径はリングフレーム１５の内径より小さくなっており、拡張ドラム４３の内径はウェーハＷの外径より大きくなっている。このため、拡張ドラム４３の上端部がウェーハＷとリングフレーム１５との間でエキスパンドテープ１６に当接される。
【００３３】
図６Ｂに示すように、環状テーブル４１と共にリングフレーム１５が下降することで、拡張ドラム４３が環状テーブル４１に対して相対的に上昇される。この結果、エキスパンドテープ１６が放射方向に拡張されて、チップＣがエキスパンドテープ１６から剥離し易いようにチップ間隔が広げられる。チップ間隔が広げられると、ピックアップコレット（不図示）にチップＣが吸着されてエキスパンドテープ１６から剥離される。
【００３４】
以上のように、本実施の形態に係るウェーハの加工方法によれば、ウェーハＷの内部に第１の改質層２５ａが形成された後に、第１の改質層２５ａと仕上げ厚みＬに相当する位置との間に第２の改質層２５ｂが形成される。この場合、第１の改質層２５ａは、第２の改質層２５ｂよりも先にウェーハＷの内部に形成されるため、第２の改質層２５ｂの影響を受けることない。また、第２の改質層２５ｂは、第１の改質層２５ａの後にウェーハＷの内部に形成されるため、第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂの交差点１７付近で第１の改質層２５ａの影響を受け、交差点１７付近で不充分に形成される場合がある。一方で、第２の改質層２５ｂは、第１の改質層２５ａよりも仕上げ厚みＬの近くの割れ易い位置に形成される。このため、第２の改質層２５ｂが第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂの交差点１７以外で割れ易くなり、交差点１７以外の割れに引きずられて交差点１７付近も割れ易くなる。よって、第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂの割れ易さを同等にして、ウェーハを個々のチップに適切に分割できる。
【００３５】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００３６】
例えば、本実施の形態では、改質層形成工程において第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂが第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂに沿って連続的に形成される構成としたが、この構成に限定されない。ウェーハＷが第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂに沿って分割可能であれば、第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂは第１、第２の分割予定ライン１４ａ、１４ｂに沿って断続的に形成されてもよい。
【００３７】
また、本実施の形態においては、レーザー光線の集光点を上動させて所定の厚みの第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂを形成したが、この構成に限定されない。第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂは、レーザー加工の加工条件を調整することにより、一度のレーザー光線の照射によって形成することも可能である。また、ウェーハＷの内部に、厚み方向に複数層の第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂを形成する構成としたが、厚み方向に１層の第１、第２の改質層２５ａ、２５ｂを形成してもよい。
【００３８】
また、本実施の形態においては、エキスパンドテープ貼着工程がテープ貼着装置、第１、第２の改質層形成工程がレーザー加工装置、研削工程が研削装置、エキスパンド工程がテープ拡張装置で実施されるが、一部の工程又は全ての工程が１つの装置で行われてもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
以上説明したように、本発明は、直交する分割予定ラインに沿ってウェーハを適切に分割できるという効果を有し、特に、半導体ウェーハや光デバイスウェーハを個々のチップに分割するウェーハの加工方法に有用である。
【符号の説明】
【００４０】
１１  表面
１２  裏面
１３  デバイス
１４ａ  第１の分割予定ライン
１４ｂ  第２の分割予定ライン
１６  エキスパンドテープ
１７  交差点
２５ａ  第１の改質層
２５ｂ  第２の改質層
３２  研削手段
Ｗ  ウェーハ
Ｃ  チップ
【図１】
2014078556.tif 000003
【図２】
2014078556.tif 000004
【図３】
2014078556.tif 000005
【図４】
2014078556.tif 000006
【図５】
2014078556.tif 000007
【図６】
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