(57)【要約】【課題】良好な放熱性を備え、配線パターンの溝を精度よく形成する。【解決手段】絶縁性を有する基板の一方の面上に設けられた金属層を、第１の間隔を有する溝により互いに隔てた一対の配線パターンを形成し、一対の配線パターンにそれぞれ接触し、基板の一方の面と反対側の面に露出するように、基板に設けられた一対の貫通孔にそれぞれ金属を充填して、第２の間隔を隔てて一対の充填部を形成し、一対の配線パターンを形成するときは、金属層の表面から所定深さまでをウェットエッチング加工し、所定深さから金属層を貫通する深さまでをレーザ加工することで第１の間隔を有する溝を形成し、一対の充填部を形成するときは、充填部の面積がそれぞれ配線パターンの面積の５０％以上となるよう一対の充填部を形成する。【選択図】図１
2014123609.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性を有する基板の一方の面上に設けられた金属層を、第１の間隔を有する溝により分割して、互いに隔てられた一対の配線パターンを形成し、
前記基板を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔を第２の間隔を隔てて形成し、
前記一対の配線パターンにそれぞれ接触するとともに、前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔にそれぞれ金属を充填して、前記第２の間隔を隔てて一対の充填部を形成し、
前記一対の配線パターンを形成するときは、
前記金属層の表面から所定深さまでをウェットエッチングにより加工し、
前記所定深さから前記金属層を貫通する深さまでをレーザにより加工することで前記第１の間隔を有する溝を形成し、
前記一対の充填部を形成するときは、
前記充填部の面積がそれぞれ前記配線パターンの面積の５０％以上となるよう前記一対の充填部を形成する
ことを特徴とする発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項２】
前記一対の配線パターンを形成するときは、
少なくとも前記配線パターンの表面において、前記溝が有する第１の間隔に対する前記配線パターンの厚さの比率が１以上１０以下となるよう前記溝を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項３】
前記一対の配線パターンを形成するときは、
エッチング阻害剤を添加したエッチング液により前記ウェットエッチングを行う
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項４】
前記ウェットエッチングにより加工される前記所定深さは、前記溝が有する第１の間隔と等しい
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項５】
前記配線パターンの厚さは３０μｍ以上１００μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１の間隔を有する溝の長さは０．３ｍｍ以上である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項７】
前記一対の充填部を形成するときは、
前記基板の前記一方の面側から見たとき、前記一対の配線パターンから外側にはみ出したはみ出し部を有するよう前記一対の充填部を形成する
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載の発光素子搭載用基板の製造方法。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれかに記載の方法で製造された発光素子搭載用基板の前記一対の配線パターンに発光素子を搭載し、
前記発光素子を封止樹脂で封止し、
前記発光素子が封止された前記発光素子搭載用基板を個片化する
ことを特徴とする発光素子パッケージの製造方法。
【請求項９】
前記発光素子搭載用基板は請求項７に記載の方法で製造され、
前記発光素子搭載用基板を個片化するときは、
前記一対の充填部が有する前記はみ出し部の少なくとも一部の端面が前記発光素子パッ
ケージの外形の少なくとも一部を構成するように、前記発光素子パッケージを個片化することを特徴とする請求項８に記載の発光素子パッケージの製造方法。
【請求項１０】
絶縁性を有する基板と、
前記基板の一方の面上に形成され、第１の間隔を有する溝により互いに隔てられた一対の配線パターンと、
前記基板を厚さ方向に貫通し、第２の間隔を有して互いに隔てられた一対の貫通孔と、
前記一対の配線パターンにそれぞれ接触するとともに、前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔にそれぞれ充填された金属からなり、前記第２の間隔を有して互いに隔てられた一対の充填部と、を備え、
前記充填部の面積は、
それぞれ前記配線パターンの面積の５０％以上であり、
前記溝が有する前記第１の間隔は、
少なくとも前記配線パターンの表面における前記第１の間隔に対する前記配線パターンの厚さの比率が１以上１０以下を満たす値を有する
ことを特徴とする発光素子搭載用基板。 
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子搭載用基板の製造方法、発光素子パッケージの製造方法、及び発光素子搭載用基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、発光面の面積を広く取って発光効率を向上させるため、例えば発光面とは反対側の面に一対の電極を備える発光素子が用いられるようになってきている。基板と配線パターンとを備える発光素子搭載用基板上に、このような発光素子を搭載する際には、発光素子の電極面を発光素子搭載用基板側に向けたフリップチップ方式で発光素子が搭載される（例えば特許文献１）。
【０００３】
発光素子搭載用基板は、例えば絶縁性を有する基板と、所定間隔を有する溝により互いに隔てられた一対の配線パターンとを備える。一対の配線パターンには、例えば発光素子が備える一対の電極がそれぞれ接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−０４０４８８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
発光素子の小型化が進む中、発光素子が備える一対の電極間の間隔も狭小化している。これに合わせて、発光素子搭載用基板が備える一対の配線パターン間の間隔も狭めなければならない。
【０００６】
一方で、発光素子における発光の高効率化も進んでおり、発光素子の動作時の発熱量が増している。これに対し、発光素子搭載用基板の配線パターンを厚膜化し、放熱部材として用いる方策が採られることがある。
【０００７】
このため、厚膜の配線パターンに、配線パターンを隔てる溝を狭間隔で設けなければならず、精度よく溝を形成することが困難となっている。溝の加工精度が不充分であると、例えば溝を貫通させることができずに配線パターン間で短絡してしまったり、溝の間隔が広がって発光素子が搭載できなくなってしまったりという不具合が起きてしまう。
【０００８】
本発明の目的は、良好な放熱性を備え、配線パターンの溝を精度よく形成することが可能な発光素子搭載用基板の製造方法、それを用いた発光素子パッケージの製造方法および発光素子搭載用基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、
絶縁性を有する基板の一方の面上に設けられた金属層を、第１の間隔を有する溝により分割して、互いに隔てられた一対の配線パターンを形成し、
前記基板を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔を第２の間隔を隔てて形成し、
前記一対の配線パターンにそれぞれ接触するとともに、前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔にそれぞれ金属を充填して、前記第２の間隔を隔てて一対の充填部を形成し、
前記一対の配線パターンを形成するときは、
前記金属層の表面から所定深さまでをウェットエッチングにより加工し、
前記所定深さから前記金属層を貫通する深さまでをレーザにより加工することで前記第１の間隔を有する溝を形成し、
前記一対の充填部を形成するときは、
前記充填部の面積がそれぞれ前記配線パターンの面積の５０％以上となるよう前記一対の充填部を形成する
発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の第２の態様によれば、
前記一対の配線パターンを形成するときは、
少なくとも前記配線パターンの表面において、前記溝が有する第１の間隔に対する前記配線パターンの厚さの比率が１以上１０以下となるよう前記溝を形成する
第１の態様に記載の発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第３の態様によれば、
前記一対の配線パターンを形成するときは、
エッチング阻害剤を添加したエッチング液により前記ウェットエッチングを行う
第１又は第２の態様に記載の発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第４の態様によれば、
前記ウェットエッチングにより加工される前記所定深さは、前記溝が有する第１の間隔と等しい
第１〜第３の態様のいずれかに記載の発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第５の態様によれば、
前記配線パターンの厚さは３０μｍ以上１００μｍ以下である
第１〜第４の態様のいずれかに記載の発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の第６の態様によれば、
前記第１の間隔を有する溝の長さは０．３ｍｍ以上である
第１〜第５の態様のいずれかに記載の発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の第７の態様によれば、
前記一対の充填部を形成するときは、
前記基板の前記一方の面側から見たとき、前記一対の配線パターンから外側にはみ出したはみ出し部を有するよう前記一対の充填部を形成する
第１〜第６の態様のいずれかに記載の発光素子搭載用基板の製造方法が提供される。
【００１６】
本発明の第８の態様によれば、
第１〜第７の態様のいずれかに記載の方法で製造された発光素子搭載用基板の前記一対の配線パターンに発光素子を搭載し、
前記発光素子を封止樹脂で封止し、
前記発光素子が封止された前記発光素子搭載用基板を個片化する
発光素子パッケージの製造方法が提供される。
【００１７】
本発明の第９の態様によれば、
前記発光素子搭載用基板は第７の態様に記載の方法で製造され、
前記発光素子搭載用基板を個片化するときは、
前記一対の充填部が有する前記はみ出し部の少なくとも一部の端面が前記発光素子パッ
ケージの外形の少なくとも一部を構成するように、前記発光素子パッケージを個片化する第８の態様に記載の発光素子パッケージの製造方法が提供される。
【００１８】
本発明の第１０の態様によれば、
絶縁性を有する基板と、
前記基板の一方の面上に形成され、第１の間隔を有する溝により互いに隔てられた一対の配線パターンと、
前記基板を厚さ方向に貫通し、第２の間隔を有して互いに隔てられた一対の貫通孔と、
前記一対の配線パターンにそれぞれ接触するとともに、前記基板の前記一方の面と反対側の面に露出するように前記一対の貫通孔にそれぞれ充填された金属からなり、前記第２の間隔を有して互いに隔てられた一対の充填部と、を備え、
前記充填部の面積は、
それぞれ前記配線パターンの面積の５０％以上であり、
前記溝が有する前記第１の間隔は、
少なくとも前記配線パターンの表面における前記第１の間隔に対する前記配線パターンの厚さの比率が１以上１０以下を満たす値を有する発光素子搭載用基板が提供される。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、良好な放熱性を備え、配線パターンの溝を精度よく形成することが可能な発光素子搭載用基板の製造方法、それを用いた発光素子パッケージの製造方法および発光素子搭載用基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る発光素子搭載用基板の製造方法を１つのユニットパターンの断面図で示す工程図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る発光素子搭載用基板が備える１つのユニットパターンの構成図であって、（ａ）は係る発光素子搭載用基板の断面図であり、（ｂ）は係る発光素子搭載用基板の平面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る発光素子パッケージの構成図であって、（ａ）は係る発光素子パッケージの断面図であり、（ｂ）は係る発光素子パッケージの平面図である。
【図４】本発明の第１実施形態の変形例に係る発光素子パッケージの平面図である。
【図５】本発明の第２実施形態に係る発光素子パッケージの平面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る発光素子パッケージの構成図であって、（ａ）は係る発光素子パッケージの断面図であり、（ｂ）は係る発光素子パッケージの平面図である。
【図７】本発明の第３実施形態に係る発光素子搭載用基板を個片化する際の打ち抜きエリアを示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜本発明の第１実施形態＞
図２を参照して、本発明の第１実施形態に係る発光素子搭載用基板１ｔは、絶縁性を有する基板２０と、基板２０の一方の面上に形成された一対の配線パターン１１ｐ，１１ｐ（以下、「一対の配線パターン１１ｐ」とも記載）と、を備える。
【００２２】
基板２０は、例えば長尺状に構成されている。長尺状の基板２０上には、一対の配線パターン１１ｐを１つのユニットとするユニットパターン１ｕが、例えばマトリックス状に形成されている。発光素子搭載用基板１ｔの詳細構造については後述する。
【００２３】
（１）発光素子搭載用基板の製造方法
まずは、本発明の第１実施形態に係る発光素子搭載用基板１ｔの製造方法について、図１を用いて説明する。図１は、本発明の第１実施形態に係る発光素子搭載用基板１ｔの製造方法を１つのユニットパターン１ｕの断面図で示す工程図である。長尺状の発光素子搭載用基板１ｔには、例えばロール・ツー・ロール方式による製造工程が適用される。
【００２４】
（基板準備工程）
図１（ａ）に示されているように、樹脂フィルム２１と、樹脂フィルム２１の一方の面に接着剤を塗布した接着層２２とを備える絶縁性の基板２０を準備する。樹脂フィルム２１としては、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミド等の樹脂からなり、例えば厚さが５０μｍ程度のフィルムを用いることができる。基板２０は可撓性を有し、例えば半径５０ｍｍで曲げてもクラックが発生しないよう構成されている。接着層２２としては、例えばエポキシ系の熱硬化型接着剤シート等を樹脂フィルム２１にラミネートして用いることができる。
【００２５】
（貫通孔形成工程）
次に、図１（ｂ）に示されているように、基板２０を厚さ方向に貫通する一対の貫通孔２０ｈ，２０ｈ（以下、「一対の貫通孔２０ｈ」とも記載）を、例えば打ち抜き金型により、所定間隔ｄ２を隔てて形成する。このとき、所定間隔ｄ２は、例えば０．３ｍｍ以下、好ましくは０．２ｍｍ以下の狭小な間隔である。したがって、貫通孔２０ｈを形成する際には、剛性のある高精度の打ち抜き金型を用いることが好ましい。
【００２６】
なお、上記の貫通孔２０ｈを設ける際、必要に応じて搬送用のスプロケット穴２０ｓ（図２（ｂ）を参照）を基板２０の幅方向の両端部に沿って複数設けてもよい。また、図示しないアライメント用の穴を設けてもよい。
【００２７】
（金属層形成工程）
続いて、図１（ｃ）に示されているように、熱伝導率が３９６Ｗ／ｍｋの銅（Ｃｕ）の薄層である金属層としての銅箔１１を基板２０の一方の面上に形成する。このように、金属層としては、銅や銅合金、その他の熱伝導率が例えば３５０Ｗ／ｍｋ以上の金属を用いることが好ましい。
【００２８】
銅箔１１を形成するには、例えば電解銅箔または圧延銅箔を基板２０の接着層２１を有する面上にラミネートする。このとき、銅箔１１の厚さを、例えば３０μｍ以上、好ましくは３０μｍ以上１００μｍ以下とする。また、銅箔１１の基板２０との貼り合わせ面側の表面粗さが、算術平均粗さＲａで３μｍ〜５μｍ程度以下であることが好ましい。算術平均粗さＲａを所定値以下とすることで、後述する配線パターン形成工程において、一対の配線パターン１１ｐを分割する溝１１ｔを所定の加工精度に形成することが容易となる。
【００２９】
ラミネートには、常圧または減圧環境下のロールラミネータを使用するのが好ましい。この他、ダイヤフラム式、平板プレス式、スチールベルト式のラミネータを用いることもできる。ラミネート時の条件は、例えば基板２０に用いる接着層２２に用いる接着剤のメーカが示す参考条件を基準に選定すればよい。また、熱硬化型接着剤等を用いる場合、ラミネート終了後、例えば１５０℃以上の温度でポストキュアを行うことが好ましい。
【００３０】
（充填部形成工程）
次に、図１（ｄ）に示されているように、一対の貫通孔２０ｈにそれぞれ所定の金属、例えば熱伝導率が３９６Ｗ／ｍｋの銅を充填し、所定間隔ｄ２を隔てて一対の充填部２０ｆ，２０ｆ（以下、「一対の充填部２０ｆ」とも記載）を形成する。このように、金属層としては、銅や銅合金、その他の熱伝導率が例えば３５０Ｗ／ｍｋ以上の金属を用いるこ
とが好ましい。また、このとき、一対の貫通孔２０ｈからそれぞれ露出する銅箔１１の底面にそれぞれ接触するとともに、基板２０の一方の面と反対側に露出するよう、銅を充填する。銅の充填は、例えば電解銅めっきで行う。
【００３１】
具体的には、例えば銅箔１１の一部に給電線を接続し、そこを給電部として電解銅めっきを行う。銅箔１１面には、給電部を除いてめっき用マスキングテープでマスキングしておく。めっき液の種類やめっき条件を調整することで、充填部２０ｆの厚さ制御が可能である。充填部２０ｆの厚さは、基板２０を構成する樹脂フィルム２１の厚さの１／２以上あればよく、図１（ｄ）に示されているように、基板２０の一方の面と反対側、つまり、他方の面と同一高さとしてもよい。或いは、基板２０の他方の面から突出させてもよい。また、基板２０の他方の面側に露出する充填部２０ｆの露出面の形状を例えば凸状、凹状、平坦状等に制御することができる。
【００３２】
（配線パターン形成工程）
続いて、図１（ｅ），（ｆ）に示されているように、基板２０の一方の面上に設けられた銅箔１１を、所定間隔ｄ１を有する溝１１ｔにより分割して、互いに隔てられた一対の配線パターン１１ｐを形成する。
【００３３】
このとき、配線パターン形成工程では、銅箔１１の表面から所定深さまでをウェットエッチングにより加工する工程と、所定深さから銅箔１１を貫通する深さまでをレーザにより加工する工程とにより、所定間隔ｄ１を有する溝を形成する。
【００３４】
図１（ｅ）に示されているように、ウェットエッチングを行うときは、例えばフォトレジストを銅箔１１上に塗布し、露光、現像してレジストパターン１１ｒを形成する。また、銅箔１１とは基板２０の反対側にある充填部２０ｈの露出面には、マスキングテープ、或いは、裏止め材を塗布しておく。レジストパターン１１ｒをマスクとし、例えばスプレイ方式等を用いて銅箔１１のウェットエッチングを行う。なお、フォトレジストの代わりにドライフィルム等を銅箔１１上に貼り付けて用いてもよい。ウェットエッチングの終了後、レジストパターン１１ｒやマスキングテープ等を剥離する。
【００３５】
従来技術によるウェットエッチングにおいては、等方的にエッチングが進行し、最終的に得られる溝の銅箔表面における開口幅が所定間隔ｄ１となり難い。一対の配線パターンの形状も裾広がりとなってしまい、短絡が起き易くなってしまう。
【００３６】
そこで、本実施形態においては、ウェットエッチングに例えばエッチング阻害剤を添加したエッチング液を用いる。エッチング液としては、例えば塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）系溶液や塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）系溶液等を用いることができる。また、エッチング阻害剤（Ｉｎｈｉｂｉｔｅｒ）としては、例えばアミン類、エーテル類、グリコール類、アゾール類等の化合物を用いることができる。
【００３７】
このようなエッチング阻害剤を添加したエッチング液が銅箔１１の露出面に触れると、エッチング液により銅が溶解されると共に、エッチング阻害剤により銅箔１１の露出面に難溶性化合物が形成される。エッチング液はスプレイ等により銅箔１１に向けて垂直に噴射されるので、銅箔１１の深さ方向に対しては噴射圧が加わり、難溶性化合物にほとんど阻害されることなく深さ方向へとエッチングが進行していく。一方、スプレイによる噴射圧がほとんど加わらない側壁には難溶性化合物による保護膜が形成され、水平方向のエッチングはほとんど進行しない。
【００３８】
これにより、垂直な側壁を保ったまま、所定深さまでウェットエッチングをすることができる。このとき、所定深さは、例えば溝１１ｔの所定間隔ｄ１と等しい深さである。換
言すれば、例えば溝１１ｔの所定間隔ｄ１と等しい所定深さまでであれば、垂直な側壁を保ち、また、少なくとも銅箔１１の表面における溝１１ｔの所定間隔ｄ１を保ったまま、エッチングすることができる。つまり、例えば所定深さまでエッチングされた、アスペクト比が１の溝１１ｔを得ることができる。ここで、アスペクト比は、溝１１ｔの所定間隔ｄ１に対するエッチング深さ、つまり、所定深さの比率である。これを式で示せば、アスペクト比＝所定深さ／溝１１ｔの所定間隔ｄ１となる。
【００３９】
但し、垂直な側壁を保ち、また、少なくとも銅箔１１の表面における溝１１ｔの間隔を保ったまま、エッチングすることができる所定深さは、エッチング阻害剤を添加したエッチング液の配合や、含まれる化合物や、液温、基板２０に対するスプレイの角度、強度等によって変動し得る。したがって、所定深さが溝１１ｔの所定間隔ｄ１と等しい場合や、或いは、溝１１ｔのアスペクト比が１の場合には、このような変動値の範囲も含む。
【００４０】
また、所定間隔ｄ１の値が小さくなるほど、垂直な側壁や溝１１ｔの所定間隔ｄ１を維持することが困難となる。上記のような所定間隔ｄ１と所定深さとの関係は、所定間隔ｄ１が比較的狭小な場合の例である。本実施形態においては、所定間隔ｄ１は、例えば（配線パターン１１ｐの厚さ＋１０μｍ）以下、好ましくは、上記レジストパターン１１ｒの露光限界幅以上（配線パターン１１ｐの厚さ＋１０μｍ）以下、例えば４μｍ以上５０μｍ以下の値である。つまり、本実施形態においては、ウェットエッチングにより到達できる上述の所定深さは、配線パターン１１ｐの厚さに届かず、配線パターン１１ｐを貫通することができない。
【００４１】
このような所定深さを超えて、更にエッチングを継続した場合、例えば垂直な側壁や溝１１ｔの所定間隔ｄ１を保つことが困難となってしまう。或いは、溝１１ｔのエッチング底面におけるスプレイの噴射圧が弱まり、エッチング底面にも次第に難溶性化合物が堆積され、深さ方向へのエッチングの進行が極度に遅くなるか、完全に停止してしまう。この結果、溝１１ｔのエッチング底面には銅箔１１の残膜が生じ、配線パターン１１ｐ同士が完全に分離されないままとなってしまう。これにより、配線パターン１１ｐ間に短絡が生じてしまう。
【００４２】
そこで本実施形態では、ウェットエッチング後の銅箔１１にレーザＬを照射する。
【００４３】
すなわち、図１（ｆ）に示されているように、銅箔１１の形成された基板２０の一方の面側から、銅箔１１に形成された所定深さの溝１１ｔのエッチング底面に向けて、レーザＬを垂直に照射する。レーザＬとしては、例えば第２高調波（ＳＨＧ：Second Harmonic Generation）技術によりＹＡＧ（イットリウム（Ｙ）・アルミニウム（Ａｌ）・ガーネット（Ｇ））レーザを基本波である１０６４ｎｍの半分の波長である５３２ｎｍとし、銅に対する吸収率を高めた、所謂グリーンレーザ等を用いることができる。グリーンレーザとしては、ＹＡＧレーザの他、ＹＶＯ４（イットリウム（Ｙ）・バナジウム（Ｖ）・オキサイド（Ｏ））レーザや、ＹＡＧ／ＹＶＯ４との複合結晶やＹＡＧ又はＹＶＯ４とＮｄ（ネオジウム）との複合結晶等のレーザを用いることができる。
【００４４】
このとき、溝１１ｔ内に照準を合わせやすいよう、小径レーザを用いることが好ましい。また、所望の加工深さ及び加工形状が得られるよう、レーザＬの出力、発振モード（連続波／パルス波等）、パルス幅等を適宜調整し、銅箔１１を貫通させる。なお、パルス波を用いる際には、パルス幅が微細加工性に優れる１０ｐｓ（ピコ秒）以下の短パルスレーザとすることが好ましい。
【００４５】
但し、加工深さや加工形状については、例えば銅箔１１が残渣なく完全に貫通し、垂直な側壁を維持している必要はない。つまり、一対の配線パターン１１ｐ間に短絡が生じな
い程度に銅箔１１の残膜が除去されればよい。
【００４６】
以上により、溝１１ｔによって分離された一対の配線パターン１１ｐが形成される。
【００４７】
このとき、一対の配線パターン１１ｐを分離する溝１１ｔは、少なくとも銅箔１１の表面における所定間隔ｄ１に対する銅箔１１の厚さの比率（アスペクト比）が、例えば１以上１０以下となる所定間隔ｄ１を有している。
【００４８】
また、このように形成された一対の配線パターン１１ｐが、１つのユニットパターン１ｕ内、つまり、発光素子搭載用基板１ｔが個片化された発光素子パッケージ内において、例えば５０％以上の面積を占めていることが好ましい。
【００４９】
また、一対の配線パターン１１ｐのそれぞれ面積に対し、上述の充填部２０ｆの面積がそれぞれ５０％以上、好ましくは７５％以上となる。また、好ましくは、一対の充填部２０ｆが一対の配線パターン１１ｐと接触する面積が、配線パターン１１ｐのそれぞれの面積の５０％以上、より好ましくは７５％以上となる。つまり、基板２０の一方の面側から見たとき、一対の配線パターン１１ｐと充填部２０ｆとが重なる部分の面積が５０％以上となることが好ましい。
【００５０】
（めっき工程）
次に、一対の配線パターン１１ｐ及び一対の充填部２０ｆの表面に、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）等の少なくともいずれかの金属を含むめっきを行う（図示せず）。また、めっきにより、これらの金属のうち幾つかを積層させてもよい。このようなめっきとしては、給電線が不要な無電解めっきを用いることが好ましい。但し、電解めっき等を用いてもよい。
【００５１】
（絶縁層形成工程）
続いて、図１（ｇ）に示されているように、一対の配線パターン１１ｐの露出面を覆うように絶縁層１２を形成する。絶縁層１２としては、例えばフォトタイプの白色レジストを印刷、露光、現像して形成することができる。これにより、発光素子搭載用基板１ｔの一方の面側、すなわち、発光素子が搭載される側の反射率を高めることができ、後述の発光素子パッケージ全体での発光効率を高めることができる。このとき、白色レジストの厚さを例えば２０μｍ以上、好ましくは３０μ以上とすることで、８０％以上の反射率を得ることができる。係る反射率は、例えば硫酸バリウム（ＢａＳＯ４）の反射率を基準に、４５０ｎｍ〜７００ｎｍまで２ｎｍ間隔で分光反射率を測定した場合の全ての波長において反射率が８０％となっていることを意味する。
【００５２】
なお、係る反射率は、例えば従来技術において基板として用いられるセラミック基板等と同等である。
【００５３】
（開口部形成工程）
次に、図１（ｈ）に示されているように、絶縁層１２に開口部１２ｈを設け、一対の配線パターン１１ｐのめっきが付された一部の表面をそれぞれ露出させる。すなわち、所定の露光機を用いて、白色レジスト等より構成される絶縁層１２を露光、現像し、例えばそれぞれの配線パターン１１ｐの溝１１ｔ側の端部近傍をそれぞれ露出させる。係る露出面に、発光素子が電気的に接続されることとなる。したがって、開口部１２ｈの面積は、発光素子との電気的導通を充分にとることができる大きさであればよい。具体的には、開口部１２ｈの直径を０．０５ｍｍ以上０．３ｍｍ以下、好ましくは０．１ｍｍ以上０．２ｍｍとする。つまり、開口部１２ｈの面積を０．００２ｍｍ２以上０．０７ｍｍ２以下、好ましくは０．００８ｍｍ２以上０．０３ｍｍ２以下等とする。
【００５４】
このように形成された開口部１２ｈを含み、一対の配線パターン１１ｐに跨る領域が、発光素子が搭載される搭載部３０ｍとなる。
【００５５】
以上により、本実施形態に係る長尺状の発光素子搭載用基板１ｔが製造される。
【００５６】
（２）発光素子搭載用基板の構造
図２は、本発明の第１実施形態に係る発光素子搭載用基板１ｔの構成図であって、（ａ）は発光素子搭載用基板１ｔが備える１つのユニットパターン１ｕの断面図であり、（ｂ）は発光素子搭載用基板１ｔの平面図である。
【００５７】
上記のように製造される発光素子搭載用基板１ｔは、図２に示されているように、例えば搬送用のスプロケット穴２０ｓが両端部に沿って複数設けられた長尺状に構成されている。基板２０上には、一対の配線パターン１１ｐを１つのユニットとするユニットパターン１ｕが、例えばマトリックス状に形成されている。発光素子等が搭載される際、発光素子搭載用基板１ｔは、マトリックス状に配列された所定数のユニットパターン１ｕを１つの集合体とするブロック１ｂごとに扱われる。それぞれのブロック１ｂは、例えば発光素子搭載用基板１ｔの長手方向に配列されている。
【００５８】
発光素子搭載用基板１ｔは、１つのユニットパターン１ｕに、絶縁性を有する基板２０と、基板２０の一方の面に形成され、所定間隔ｄ１を有する溝１１ｔにより互いに隔てられた一対の配線パターン１１ｐとを備える。また、発光素子搭載用基板１ｔは、基板２０を厚さ方向に貫通し、所定間隔ｄ２を有して互いに隔てられた一対の貫通孔２０ｈを備える。それぞれの貫通孔２０ｈには、一対の配線パターン１１ｐにそれぞれ接触するとともに、基板２０の一方の面と反対側の面に露出するように、例えば銅からなる一対の充填部２０ｆが充填されている。
【００５９】
一対の充填部２０ｆの面積は、それぞれの配線パターン１１ｐの面積の５０％以上、好ましくは７５％以上である。また、好ましくは、一対の充填部２０ｆが一対の配線パターン１１ｐと接触する面積が、それぞれの配線パターン１１ｐの面積の５０％以上、より好ましくは７５％以上となっている。
【００６０】
一対の配線パターン１１ｐを互いに隔てる溝１１ｔにおいては、少なくとも配線パターン１１ｐの表面における溝１１ｔの所定間隔ｄ１に対する配線パターン１１ｐの厚さの比率（アスペクト比）が、１以上１０以下となっている。
【００６１】
また、発光素子搭載用基板１ｔは、一対の配線パターン１１ｐの露出面を覆うように設けられた絶縁層１２を備える。絶縁層１２には、例えばそれぞれの配線パターン１１ｐの溝１１ｔ側の端部近傍をそれぞれ露出させる開口部１２ｈが設けられている。開口部１２ｈが形成された領域を含み、一対の配線パターン１１ｐに跨る所定領域は、発光素子が搭載される搭載部３０ｍとなっている。
【００６２】
（３）発光素子パッケージの製造方法
次に、本発明の第１実施形態に係る発光素子パッケージの製造方法について、図２及び図３を参照しながら説明する。図３は、本発明の第１実施形態に係る発光素子パッケージ１ｐの構成図であって、（ａ）は係る発光素子パッケージ１ｐの断面図であり、（ｂ）は係る発光素子パッケージ１ｐの平面図である。ここで、図３（ｂ）では、絶縁層１２と封止樹脂５０とが省略されている。
【００６３】
まずは、図２（ｂ）に示されるブロック１ｂごとに、発光素子搭載用基板１ｔを切断す
る。次に、図３（ａ）に示されているように、発光素子としての発光ダイオード（ＬＥＤ：Light Emitting Diode）３０を、所定のマウンタを用いたフリップチップ方式で、各ユニットパターン１ｕの搭載部３０ｍに搭載する。
【００６４】
すなわち、発光面とは反対側の面に、例えばアルミニウム（Ａｌ）等からなる一対の電極３０ｅ，３０ｅ（以下、「一対の電極３０ｅ」とも記載）を備える０．３ｍｍ〜１．０ｍｍ各程度の大きさのＬＥＤ３０を準備する。一対の電極３０ｅ上には、金（Ａｕ）めっきやハンダにより構成されるバンプ４０が設けられている。このＬＥＤ３０の電極面を下に向け、一対の電極３０ｅと、各ユニットパターン１ｕの絶縁層１２が備える開口部１２ｈから露出する一対の配線パターン１１ｐとを対向させる。続いて、金（Ａｕ）めっきやハンダにより構成されるバンプ４０を介して、一対の電極３０ｅと、配線パターン１１ｐの露出部分とをそれぞれ接続する。
【００６５】
次に、必要に応じて、大気圧下でのプラズマクリーニングや、ＬＥＤ３０のアンダーフィリングを行う。
【００６６】
その後、例えばコンプレッションモールド装置等により、ＬＥＤ３０を封止樹脂５０により封止（Compression Molding）する。このとき、表面が曲面となった球状等に封止樹
脂５０を形成すると、ＬＥＤ３０の発する光に指向性を持たせることができる。但し、封止樹脂５０の形状はこれに限られない。封止樹脂５０としては、例えばシリコーン樹脂等を用いることができる。また、封止樹脂５０に蛍光体を含有させてもよい。或いは、蛍光体を含有させた樹脂をＬＥＤ３０上にポッティングした後、封止樹脂５０によりＬＥＤ３０を封止してもよい。
【００６７】
次に、複数のユニットパターン１ｕの集合体であるブロック１ｂをユニットパターン１ｕごとに個片化（分割）する。このとき、回転砥石（ダイサ）によるダイシング等の方式を用いることができる。または、ビグ刃等で押し切りしてもよい。
【００６８】
以上により、本実施形態に係る発光素子パッケージ１ｐが製造される。
【００６９】
（４）発光素子パッケージの構造
上記のように製造される発光素子パッケージ１ｐは、図３に示されているように、例えばユニットパターン１ｕの１つ分の発光素子搭載用基板１ｔと、発光面とは反対側の面に一対の電極３０ｅを備え、発光素子搭載用基板１ｔの配線パターン１１ｐにバンプ４０を介して接続されるＬＥＤ３０と、ＬＥＤ３０を封止する封止樹脂５０とを備える。
【００７０】
また、発光素子パッケージ１ｐが備える一対の配線パターン１１ｐは、個片化された発光素子パッケージ１ｐ内において、例えば５０％以上の面積を占めていることが好ましい。
【００７１】
発光素子パッケージ１ｐは、この後、例えば実装基板に実装される。すなわち、発光素子パッケージ１ｐの露出した充填部２０ｆをはんだペースト等を介して実装基板の給電用パターンと接合することにより、ＬＥＤ３０が実装基板と電気的に接続される。
【００７２】
実装用基板の給電用パターンにＬＥＤ３０の駆動電力を付与すると、発光素子パッケージ１ｐが備える一対の充填部２０ｆ、一対の配線パターン１１ｐ、ＬＥＤ３０が備えるバンプ４０、一対の電極３０ｅを介して、係る駆動電力がＬＥＤ３０に印加される。これにより、ＬＥＤ３０が発光し、封止樹脂５０を介して光を外部に射出する。
【００７３】
（５）本実施形態の効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００７４】
（ａ）本実施形態によれば、一対の配線パターン１１ｐを形成するときは、銅箔１１の表面から所定深さまでをウェットエッチングにより加工し、所定深さから銅箔１１を貫通する深さまでをレーザにより加工する。これにより、上述のような高アスペクト比の溝１１ｔを形成することができる。
【００７５】
エッチング阻害剤を用いないウェットエッチングでは、溝を所定幅ｄ１に保ったまま加工を行うことができず、高アスペクト比の溝を形成することは困難である。また、エッチング阻害剤を用いても、溝のアスペクト比は１程度が限界である。
【００７６】
本実施形態では、上記構成により、例えば厚膜の配線パターン１１ｐに形成される、１以上１０以下の高アスペクト比の溝１１ｔにおいて、少なくとも銅箔１１の表面における溝１１ｔの所定幅ｄ１を維持することができる。また、少なくとも一対の配線パターン１１ｐ間に短絡が生じない程度に両者を分離することができる。よって、電極３０ｅ間の間隔が狭小であり、微細なＬＥＤ３０等であっても精度よく搭載することができる。
【００７７】
（ｂ）また、本実施形態によれば、ウェットエッチングとレーザとを併用することで、配線パターン形成工程の時間を短縮することができる。
【００７８】
すなわち、レーザによる加工では、加工精度の高い形状が得られ易いが、加工速度がウェットエッチングの速度より極端に劣る。このため、当初はウェットエッチングにより所定深さまで溝１１ｔを形成し、それ以降レーザ加工に切りかえることで、例えばウェットエッチングを用いず全体をレーザにより加工した場合より、配線パターン形成工程の時間を短縮することができる。
【００７９】
本実施形態では、ウェットエッチングとレーザとの切り替えを行う所定深さを、例えばウェットエッチングでエッチングし得る最大深さ程度としたので、配線パターン形成工程の時間が一層短縮される。
【００８０】
（ｃ）また、本実施形態によれば、ウェットエッチングとレーザとを併用することで、配線パターン１１ｐの表面荒れを抑制し、ＬＥＤ３０と配線パターン１１ｐとの短絡を抑制することができる。
【００８１】
すなわち、当初はウェットエッチングを用いることで、当初よりレーザを用いた場合に溝の銅箔表面における開口縁に生じ得るギザギザの突起、所謂、バリを抑制し、比較的平滑な開口縁を得ることができる。よって、例えば溝１１ｔに跨るように搭載されるＬＥＤ３０と、バリとが接触し、電気的に導通してしまうのを抑制することができる。
【００８２】
（ｄ）また、本実施形態によれば、一対の配線パターン１１ｐは、発光素子パッケージ１ｐ内において５０％以上の面積を占めている。また、一対の配線パターン１１ｐの厚さは、３０μｍ以上、好ましくは３０μｍ以上１００μｍ以下である。
【００８３】
（ｅ）また、本実施形態によれば、一対の充填部２０ｆの面積は、それぞれの配線パターン１１ｐの面積の５０％以上、好ましくは７５％以上である。また、一対の充填部２０ｆの厚さは、樹脂フィルム２１の厚さの１／２以上である。
【００８４】
これにより、銅等の熱伝導率の高い部材、すなわち、銅や銅合金の容積や表面積が増加することとなり、発光素子パッケージ１ｐの放熱性を向上させることができる。
【００８５】
すなわち、ＬＥＤ３０に駆動電力が印加されると、ＬＥＤ３０は発光するとともに発熱する。係る熱は、例えばＬＥＤ３０が備える電極３０ｅ、バンプ４０、発光素子パッケージ１ｐが備える一対の配線パターン１１ｐ、一対の充填部２０ｆへと伝達していき、実装基板側に放熱される。上記構成とすることで、係る放熱が促進される。
【００８６】
（ｆ）また、本実施形態によれば、一対の充填部２０ｆは、一対の配線パターン１１ｐと接触する面積が、それぞれの配線パターン１１ｐの面積の５０％以上、より好ましくは７５％以上である。このように、一対の配線パターン１１ｐと一対の充填部２０ｆとの接触面積を増やすことで、両部材間の伝熱量を増大させることができ、また、熱がより短い経路で伝わり易くなる。よって、発光素子パッケージ１ｐにおける放熱の効果が一層得られ易くなる。
【００８７】
（ｇ）また、本実施形態によれば、基板２０の一方の面側に反射率が８０％以上の絶縁層１２を備える。これにより、発光素子パッケージ１ｐ全体としての発光効率を向上させることができる。すなわち、フリップチップ方式で搭載されたＬＥＤ３０から発生した光のうち、発光面とは反対側、つまり、発光素子搭載用基板１ｔ側へと射出された光を、絶縁層１２で発光面側へと反射することができる。
【００８８】
（ｈ）また、本実施形態によれば、一対の充填部２０ｆは、所定間隔ｄ２、すなわち、０．３ｍｍ以下、好ましくは０．２ｍｍ以下の狭小な間隔を隔てて形成される。つまり、ＬＥＤ３０等の搭載位置の下方に位置する基板２０の幅は、所定間隔ｄ２と等しい。このように、ＬＥＤ３０等の搭載位置の下方において、熱伝導率の低い基板２０の面積を低減することができ、発光素子パッケージ１ｐの放熱性を更に向上させることができる。
【００８９】
（６）本実施形態の変形例
次に、本実施形態の変形例に係る発光素子パッケージについて、図４を用いて説明する。図４は、本発明の第１実施形態の変形例に係る発光素子パッケージの平面図である。図４において、図３等で説明した構成と実質的に同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。また、図４では、絶縁層１２と封止樹脂５０とが省略されている。
【００９０】
（変形例１）
図４（ａ）に示されているように、変形例１では、発光素子搭載用基板上に複数のＬＥＤ３０を搭載する点が上述の実施形態とは異なる。図４（ａ）は、ＬＥＤ３０が例えば３つ搭載された例である。
【００９１】
つまり、変形例１に係る発光素子パッケージは、複数のＬＥＤ３０を搭載する搭載部１３０ｍを備えている。搭載部１３０ｍは一対の配線パターン１１ｐに跨って形成され、搭載部１３０ｍの中央には溝１１ｔが配置されている。また、搭載部１３０ｍの各ＬＥＤ３０の搭載位置には、図示しない開口部が絶縁層１２に設けられ、各ＬＥＤ３０と配線パターン１１ｐとが接続可能に構成されている。搭載部１３０ｍには、３つのＬＥＤ３０が、一対の配線パターン１１ｐに跨って、溝１１ｔの長さ方向に沿って配列されている。
【００９２】
（変形例２）
図４（ｂ）に示されているように、変形例２では、発光素子搭載用基板上に、発光素子として、フリップチップ型のＬＥＤ３０に加え、ワイヤボンディング型のＬＥＤ３１が搭載され、更に、他の電子部品として、静電破壊防止素子としてのツェナーダイオード６０が搭載されている点が上述の実施形態とは異なる。
【００９３】
つまり、変形例２に係る発光素子パッケージは、ＬＥＤ３０を搭載する搭載部３０ｍの他に、ＬＥＤ３１を搭載する搭載部３１ｍと、ツェナーダイオード６０を搭載する搭載部
６０ｍとを備える。ＬＥＤ３０およびツェナーダイオード６０は、一対の配線パターン１１ｐに跨って発光素子搭載用基板上に搭載され、図示しない開口部を通して一対の配線パターン１１ｐに接続されている。ＬＥＤ３１は、発光面に電極３１ｅを備え、ワイヤ３１ｗにより図示しない開口部を通して一方の配線パターン１１ｐとワイヤボンディングされる。また、ＬＥＤ３１は、発光面とは反対側の面に、銀（Ａｇ）ペースト等により図示しない開口部を通して一方の配線パターン１１ｐとダイボンディングされる図示しない電極を備え、係る配線パターン１１ｐ上に搭載される。
【００９４】
このように、フリップチップ型以外の発光素子や、他の電子部品等を搭載するよう発光素子搭載用基板を構成することも可能である。
【００９５】
（変形例３）
図４（ｃ）に示されているように、変形例３では、発光素子搭載用基板上に、発光素子として、ツェナーダイオード６０と、上記変形例２とは異なるタイプのワイヤボンディング型のＬＥＤ３２と、を搭載する点が上述の実施形態とは異なる。また、このとき、ＬＥＤ３２を１つ又は複数、搭載することができる。図４（ｃ）は、ＬＥＤ３２が例えば３つ搭載された例である。
【００９６】
つまり、変形例３に係る発光素子パッケージは、ツェナーダイオード６０を搭載する搭載部６０ｍと、ＬＥＤ３２を搭載する搭載部３２ｍとを備える。ツェナーダイオード６０は、一対の配線パターン１１ｐに跨って発光素子搭載用基板上に搭載され、図示しない開口部を通して一対の配線パターン１１ｐに接続されている。ＬＥＤ３２は、一対の電極３２ｅを発光面に備え、反対面が接着剤等によって一方の配線パターン１１ｐ上に接合されている。
【００９７】
図中、上側に位置するＬＥＤ３２の一方の電極３２ｅは、ワイヤ３２ｗにより図示しない開口部を通して一方の配線パターン１１ｐに接続され、他方の電極３２ｅは、ワイヤ３２ｗにより中央に位置するＬＥＤ３２の同じ側の電極３２ｅに接続される。中央に位置するＬＥＤ３２の他方の電極３２ｅは、図中、下側に位置するＬＥＤ３２の同じ側の電極３２ｅに、ワイヤ３２ｗにより接続される。下側に位置するＬＥＤ３２の他方の電極３２ｅは、ワイヤ３２ｗにより図示しない開口部を通して他方の配線パターン１１ｐに接続される。
【００９８】
なお、上記いずれの変形例１〜３においても、搭載されるＬＥＤ３０，３１，３２、ツェナーダイオード６０は、すべて充填部２０ｆと重なる領域に設けられた搭載部３０ｍ，３１ｍ，３２ｍ，６０ｍに搭載される。よって、変形例１〜３のいずれの発光素子パッケージにおいても、上述の実施形態と同様、良好な放熱特性が得られる。
【００９９】
＜本発明の第２実施形態＞
次に、第２実施形態に係る発光素子パッケージについて、図５を用いて説明する。図５は、本発明の第２実施形態に係る発光素子パッケージ２ｐの平面図である。図５において、図３等で説明した構成と実質的に同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。また、図５では、絶縁層１２と封止樹脂５０とが省略されている。
【０１００】
図５に示されているように、本実施形態では、一対の配線パターン２１１ｐが、それぞれ凸部２１１ｓを備える点が上述の実施形態とは異なる。
【０１０１】
一対の配線パターン間に形成される溝は、ＬＥＤ等を搭載するに足るだけの長さ、つまり、搭載部と略同じだけの長さがあればよい。そこで、本実施形態では、一対の配線パターン２１１ｐをある程度離間して形成し、ＬＥＤ３０を搭載する搭載部３０ｍの近傍のみ
、それぞれ凸部２１１ｓを備えるように構成する。つまり、一対の配線パターン２１１ｐが備える凸部２１１ｓに挟まれた領域が、本実施形態における溝２１１ｔを構成している。溝２１１ｔは、少なくとも一対の配線パターン２１１ｐの表面において所定間隔ｄ１を有する。
【０１０２】
またこのとき、凸部２１１ｓの長さを、ＬＥＤ３０等を搭載するに足るだけの長さ、例えばそれぞれ０．３ｍｍ以上などとすることができる。
【０１０３】
これにより、一対の配線パターン２１１ｐ間が狭小となる部分を短くすることができるので、配線パターン２１１ｐの形成が容易となり、溝２１１ｔの所定間隔ｄ１を維持し易く、また、配線パターン２１１ｐ間をより確実に分離することができる。よって、より精度よく配線パターン２１１ｐを形成することができる。
【０１０４】
また、ウェットエッチングの条件を、エッチングレートの疎密差が大きくなる条件とすることで、一層の効果が得られる。つまり、一対の配線パターン２１１ｐ間の溝２１１ｔのような狭小な部分（疎）のエッチングレートが遅く、それ以外の部分（密）のエッチングレートが速いウェットエッチング条件とする。これにより、ウェットエッチング開始から所定時間後には、例えば溝２１１ｔの中にだけ銅箔１１の残膜が存在し、それ以外の部分では、銅箔１１が完全に除去された状態となる。よって、ごく短い溝２１１ｔの中だけをレーザ加工すればよく、配線パターン形成工程の時間を一層短縮することができる。
【０１０５】
また、一対の充填部２２０ｆが、それぞれ凸部２２０ｓを備えるように構成してもよい。この場合、一対の充填部２２０ｆが備える凸部２２０ｓに挟まれた領域が、所定間隔ｄ２を有する。また、凸部２２０ｓの長さを例えばそれぞれ０．３ｍｍ以上などとすることができる。
【０１０６】
これにより、一対の充填部２２０ｆ間が狭小となる部分を短くすることができるので、充填部２２０ｆが設けられる貫通孔の形成が容易となり、より精度よく充填部２２０ｆを形成することができる。また、より広い面積の基板２０が残るので、本実施形態に係る発光素子搭載用基板や発光素子パッケージの機械的強度が向上する。
【０１０７】
なお、凸部２１１ｓ，２２０ｓの形状は、上述の例によらず、例えば多段形状であってもよいし、テーパ形状等であってもよい。また、凸部を各配線パターンや各充填部の複数個所に設けてもよい。
【０１０８】
＜本発明の第３実施形態＞
次に、第３実施形態に係る発光素子パッケージについて、主に図６を用いて説明する。図６は、本発明の第３実施形態に係る発光素子パッケージ３ｐの構成図であって、（ａ）は係る発光素子パッケージ３ｐの断面図であり、（ｂ）は係る発光素子パッケージ３ｐの平面図である。図６において、図３等で説明した構成と実質的に同一の構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。また、図６では、絶縁層１２と封止樹脂５０とが省略されている。
【０１０９】
図６に示されているように、本実施形態では、一対の充填部３２０ｆがはみ出し部３２０ｓを備える点が上述の実施形態とは異なる。
【０１１０】
すなわち、発光素子パッケージ３ｐが備える一対の充填部３２０ｆは、基板２０の前記一方の面側から見たとき、一対の配線パターン１１ｐから外側にはみ出したはみ出し部３２０ｓをそれぞれ備えている。本実施形態では、はみ出し部３２０ｓは、例えば充填部３２０ｆ同士が向かい合う辺を除く他の３辺にそれぞれ形成されている。
【０１１１】
これにより、一対の充填部２２０ｆが一対の配線パターン１１ｐよりも大きな面積を有することとなり、発光素子パッケージ３ｐの放熱性をより一層向上させることができる。このとき、一対の充填部２２０ｆの面積を、配線パターン１１ｐの面積の例えば１．１倍以上１．３倍以下、好ましくは１．１倍以上１．５倍以下とすることができる。
【０１１２】
また、一対の充填部３２０ｆの端面、つまり、はみ出し部３２０ｓの端面が直接外気と接した状態となるため、発光素子パッケージ３ｐの放熱性をより一層向上させることができる。
【０１１３】
また、上記のように構成することで、図７に示されているように、発光素子パッケージ３ｐの個片化が容易となる。図７は、本発明の第３実施形態に係る発光素子パッケージ３ｐを個片化する際の打ち抜きエリア２０Ａを示す平面図である。
【０１１４】
図７（ａ）に示されているように、ＬＥＤ３０が搭載された個片化前の状態において、発光素子パッケージ３ｐに個片化される際の外形は、充填部３２０ｆが備えるはみ出し部３２０ｓの端面と略一致している。はみ出し部３２０ｓの端面と切り離されるべき基板２０との境界は、回転砥石を用いなくとも分離可能な状態となっている。つまり、切り離されるべき基板２０と繋がっているのは、溝１１ｔの両端部と、配線パターン１１ｐや充填部３２０ｆに電解めっきを施す際に配線パターン１１ｐに接続された給電線１２ｗの部分のみである。この部分が含まれる所定領域を打ち抜きエリア２０Ａとして設定し、打ち抜き金型等により打ち抜くことで、発光素子パッケージ３ｐを押し出すことなどにより、回転砥石を用いることなく発光素子パッケージ３ｐを個片化することができる。
【０１１５】
また、図７（ｂ）に示されているように、電解めっき時の給電を四方から行った場合には、発光素子パッケージ３ｐの４辺にあたる部分に打ち抜きエリア２０Ａを設けて打ち抜くことで、回転砥石を用いることなく発光素子パッケージ３ｐを個片化することができる。
【０１１６】
以上により、一対の充填部３２０ｆが有するはみ出し部３２０ｓの少なくとも一部の端面が、少なくとも一部の外形を構成する発光素子パッケージ３ｐが製造される。
【０１１７】
このように、本実施形態によれば、発光素子パッケージ３ｐの個片化が容易となる。
【０１１８】
なお、個片化の際、発光素子搭載用基板を加熱してもよい。これにより、充填部３２０ｆを構成する銅と、基板２０を構成する樹脂との熱膨張量に差が生じ、基板２０からの発光素子パッケージ３ｐの分離が一層容易となる。
【０１１９】
また、個片化の際、回転砥石を補助的に用いてもよい。これにより、基板２０からの発光素子パッケージ３ｐの分離が一層容易となる。また、このように補助的に回転砥石を用いたとしても、通常のダイシングにおけるよりもダイシング時間を短縮し、また、回転砥石の消耗量を低減することが可能である。
【０１２０】
また、充填部３２０ｆが備えるはみ出し部３２０ｓは３辺全てに形成されていることとしたが、１つ以上の辺にはみ出し部が形成されていれば、所定の効果を得ることができる。
【０１２１】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１２２】
例えば、上述の実施形態および変形例によらず、少なくとも配線パターンと充填部の幅方向の両端面、或いは、少なくとも幅方向と垂直な方向の両端面を揃え、これらと発光素子パッケージの外形とを一致させてもよい。これにより、互いに隣り合う発光素子パッケージの配線パターン同士および充填部同士を接触させた状態とし、複数個の発光素子パッケージを１つの発光素子アレイとして構成することができる。
【０１２３】
また、上述の実施形態および変形例によらず、例えばモールド樹脂等により、発光素子パッケージの配線パターン上にすり鉢型の反射板（リフレクタ）等を設けてもよい。これにより、発光効率が更に向上する。また、このとき、モールド樹脂を発光素子パッケージの裏面側へと回り込ませれば、反射板が剥がれ難くなるよう構成することができる。
【０１２４】
また、上述の実施形態および変形例によらず、発光素子パッケージの充填部が設けられた側にソルダレジスト層を形成してもよい。これにより、発光素子パッケージをはんだリフロー等により実装用基板に実装する際、はんだブリッジ等を抑制することができる。ソルダレジスト層は、例えば液状レジストをスクリーン印刷して形成することができ、形状をＩ型としたり、Ｈ型としたり、パッケージ外周を囲むような形状としたりすることができる。
【０１２５】
また、上述の実施形態および変形例によらず、発光素子パッケージの充填部が設けられた側にヒートシンク等を接続してもよい。このとき、ＬＥＤへの電力印加は、例えば配線パターン等を介して行うことができる。
【０１２６】
また、上述の実施形態および変形例によらず、発光素子搭載用基板に搭載される発光素子は、ＬＥＤに限られない。例えば、レーザダイオード（ＬＤ：Light Emitting Diode）等を発光素子搭載用基板に搭載してもよい。
【０１２７】
また、上述の実施形態および変形例によらず、発光素子搭載用基板の製造工程の手順等は適宜変更可能である。例えば、基板に金属層を形成した後、レーザ等により基板をくり抜いて貫通孔を設けてもよい。また、発光素子パッケージの製造工程の手順についても適宜変更可能である。例えば、発光素子搭載用基板をブロック化することなく発光素子の実装等を行ってもよく、ブロック化、発光素子の搭載、封止、個片化等の順番を適宜入れ替えてもよい。
【符号の説明】
【０１２８】
１ｂ  ブロック
１ｐ，２ｐ，３ｐ  発光素子パッケージ
１ｔ  発光素子搭載用基板
１ｕ  ユニットパターン
１１    銅箔
１１ｐ，２１１ｐ  配線パターン
１１ｔ，２１１ｔ  溝
１２    絶縁層
１２ｈ  開口部
１２ｗ  給電線
２０    基板
２０Ａ  打ち抜きエリア
２０ｆ，２２０ｆ，３２０ｆ  充填部
２０ｈ  貫通孔
２０ｓ  スプロケット穴
２１    樹脂フィルム
２２    接着層
３０    ＬＥＤ（発光素子）
３０ｍ，３１ｍ，３２ｍ，１３０ｍ，  搭載部
３０ｅ，３１ｅ，３２ｅ  電極
３１ｗ，３２ｗ  ワイヤ
４０    バンプ
５０    封止樹脂
２１１ｔ，２２０ｓ  凸部
３２０ｓ  はみ出し部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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