(57)【要約】【課題】Ｘ線画像検出器に設けられた蛍光体層を容易に除去できるようにする。【解決手段】放射線検出器１１に、Ｘ線を蛍光に変換する蛍光体層１３と、蛍光を電気信号に変換するフォトダイオード２１が二次元配列されたＴＦＴ回路基板１２と、ＴＦＴ回路基板１２と蛍光体層１３との間に設けられた中間層１７とを備える。中間層１７はたとえばＣｓＩで形成され、たとえばＴｌＩを添加したＣｓＩで形成された蛍光体層１３よりも水溶性が高い。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｘ線を蛍光に変換する蛍光体層と、
前記蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が二次元配列された光電変換パネルと、
前記光電変換パネルと前記蛍光体層との間に設けられた前記蛍光体層よりも水溶性が高い中間層と、
を具備することを特徴とする放射線検出器。
【請求項２】
前記中間層の主成分は前記蛍光体層の主成分と同じであることを特徴とする請求項１に記載の放射線検出器。
【請求項３】
前記中間層の主成分はＣｓＩであることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の放射線検出器。
【請求項４】
前記蛍光体層はＣｓＩ（沃化セシウム）およびＴｌＩ（沃化タリウム）の混合物からなることを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項５】
前記中間層および前記蛍光体層は真空蒸着法によって形成されていることを特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の放射線検出器。
【請求項６】
可視光を電気信号に変換する光電変換素子を基板上に二次元配列して光電変換パネルを形成する工程と、
蛍光を透過する中間層を前記光電変換パネルの表面に真空蒸着法で形成する中間層形成工程と、
前記中間層よりも水溶性が低くＸ線を前記蛍光に変換する蛍光体層を前記中間層の表面に真空蒸着法で形成する蛍光体層形成工程と、
を具備することを特徴とする放射線検出器の製造方法。
【請求項７】
前記蛍光体層形成工程の後に前記蛍光体層の異常を検査する検査工程と、
前記検査工程で前記蛍光体層に異常が発見された場合に前記中間層を水に溶かして前記蛍光体層を前記光電変換パネルから分離する分離工程と、
をさらに具備することを特徴とする請求項６に記載の放射線検出器の製造方法。
【請求項８】
前記中間層形成工程は前記中間層を形成する物質を入れた第１の坩堝と前記蛍光体層を形成する物質を入れた第２の坩堝とを収めた真空容器中に光電変換パネルを配置して前記第１の坩堝を加熱する工程を含み、
前記蛍光体層形成工程は前記中間層形成工程後に前記第１の坩堝を加熱したまま前記第２の坩堝を加熱する工程を含む、
ことを特徴とする請求項６または請求項７に記載の放射線検出器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
実施形態は、概して、放射線検出器およびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
Ｘ線画像検出器はＸ線フィルムに置き換わるＸ線画像診断機器として普及が拡大している。Ｘ線フィルムに対してＸ線画像検出器はＸ線撮影から画像確認までの時間が非常に短く、画像のダイナミックレンジが広く、フィルム現像に必要な薬液も必要が無いという利点を有している。
【０００３】
現在実用化されているＸ線画像検出器の多くが間接変換方式を採用している。間接型Ｘ線画像検出器においては、人体などを透過したＸ線画像をＸ線画像検出器に入射し、その画像情報を電気信号に変換する。この際、Ｘ線を可視光に変換する蛍光変換膜によってＸ線を可視光に変換し、その光を格子状に配置された複数の光検出器によって二次元的な画像情報として検出し、外部に電気信号として出力する。
【０００４】
間接式Ｘ線検出器は液晶表示装置の製造工程に類似しているＴＦＴパネル製造工程により、ガラス基板上に信号配線とＴＦＴ（薄膜トランジスタ：Thin Film Transistorを形成する。その上に入力面からの蛍光を検出するフォトダイオード素子を格子状に形成する。フォトダイオード素子の出力を下部に配置されているＴＦＴに電気的に接続することで画素を形成する。
【０００５】
画素は、ガラス基板上に格子状に配置され、各画素のスイッチング素子は行を表す選択線と列を表す信号線に接続されている。選択線および信号線は、格子状に配置され、格子状に配置している各画素に接続されることで、平面型光検出器（ＴＦＴ回路基板）となる。
【０００６】
ＴＦＴ回路基板上にＸ線を可視光に変換する蛍光体を積層することにより、外部から入射したＸ線は蛍光体内部にて可視光に変換される。蛍光体内部で発生した可視光は、ＴＦＴ回路基板内部のフォトダイオードに入射する。フォトダイオードに入射した可視光は、フォトダイオード内部にて電荷に変換され、フォトダイオード内部もしくは並列接続されている容量素子内部に蓄積される。
【０００７】
電荷に変換されたＸ線画像情報は、フォトダイオードに接続されているスイッチング素子（ＴＦＴ）を通して基板外部へと伝達される。選択線の電位が変化することで電位の変化した選択線に接続されたＴＦＴは導通状態となる。導通状態となったＴＦＴに接続されているフォトダイオードもしくは容量素子内部に蓄積された電荷は、ＴＦＴを通して外部に排出される。外部に排出された電荷は、ＴＦＴに接続している信号線を通してガラス基板外部へと排出される。
【０００８】
ガラス基板外部に排出された電荷信号は、各信号線に接続された積分増幅器へと入力される。積分増幅器に入力された電荷情報は増幅され、電位信号に変換されて出力される。積分増幅器から出力された電位信号はＸ線画像検出器内部に設置された回路基板上のアナログ、デジタル変換器にてデジタル値に変換され、必要な画像処理を加えられて最終的には画像信号として編集されてＸ線画像検出器の外部へと出力される。
【０００９】
実用化されているＸ線画像検出器の多くの蛍光体にはＴｌＩ（沃化タリウム）を添加したＣｓＩ（沃化セシウム）を用いている。この物質はＸ線を可視光に変換する効率が高く、微弱なＸ線を検出することに適した性能を有している。そして真空蒸着技術を用いＴＦＴ基板上に沃化タリウム添加沃化セシウム蛍光体（ＣｓＩ：Ｔｌ）膜を数百μｍの厚みに形成することで、ＴＦＴ回路基板に密着した柱状構造をもつ蛍光体層が得られる。
【００１０】
柱状構造を持ちＴＦＴ回路基板に密着した蛍光体膜はＸ線の入射により発生した可視光の拡散を抑えることから、入射Ｘ線の持つ解像度を劣化させることなくＴＦＴ回路基板上に形成された画素に蛍光を導くことができ、解像度の高いＸ線画像を得ることが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開平５−２４２８４１号公報
【特許文献２】特許第４７６４４０７号公報
【特許文献３】米国特許第６２６２４２２号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
Ｘ線画像検出器においてＴＦＴ回路基板上に形成した画素と蛍光体を光学的に密着することは、解像度特性の向上に重要である。画素と蛍光体層との間に空隙が形成されて、両者が光学的に分離している場合、蛍光体層内部にて発生した蛍光の一部が画素へ到達せずに蛍光体層内部にて拡散し、解像度劣化の原因となる。
【００１３】
多くのＸ画像検出器において、真空蒸着技術を用いてＣｓＩ：ＴｌをＴＦＴ基板上に被着させて蛍光体層を形成している。この蛍光体層形成時にＴＦＴ回路基板表面に微細な異物が存在した場合、異物の上に蒸着技術により形成されるＣｓＩ：Ｔｌ膜の結晶が異常成長を起こし、大きな塊状となることが知られている。この異常成長を起こした部分の蛍光体周辺では入射Ｘ線により発生した蛍光の伝達が乱れ、隣接する画素へ入射する蛍光が大きく減少したり、増加することがある。
【００１４】
このような現象が発生した場合、異常成長を起こした蛍光体周辺のＸ線画像の乱れが発生する。特に大きな異常成長を起こした場合には不良品となり、蛍光体を形成したＴＦＴ回路基板全体は製品に使用できないこととなる。
【００１５】
ＴＦＴパネル製造技術を利用して作られるＴＦＴ回路基板は、微細な画素構造を有しており、製造コストが非常に高い。そのため、上述のような異常成長をおこし、不良品となったＴＦＴ基板から異常成長を起こした蛍光体を除去し、ＴＦＴ回路基板を再利用すると、Ｘ線画像検出器のコスト上昇を抑制できる。
【００１６】
しかし、ＴＦＴ回路基板表面に形成された蛍光体のＣｓＩ：Ｔｌ層には不溶性であるＴｌＩが多く含まれている。このため、ＴＦＴ回路基板に付着している蛍光体を水洗作業により除去するのは困難である。また、ＴｌＩは多くの溶剤、溶液に対して難溶性であるため、一般的な洗浄技術では蛍光体層の除去が困難である。
【００１７】
その結果、難溶性であるＴｌＩを含む蛍光体の除去には長時間を要し、特殊な技術が必要である。このため、ＴＦＴ回路基板の再利用にかかるコストが上昇する。また、蛍光体層を除去したＴＦＴ回路基板表面にＴｌＩを主成分とする異物が多数残る。その結果、真空蒸着技術を用いて蛍光膜を再度形成した場合に、多数の異常成長が発生して再び不良品となる可能性が非常に高い。
【００１８】
そこで、実施形態は、Ｘ線画像検出器に設けられた蛍光体層を容易に除去できるようにすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１９】
上述の目的を達成するため、実施形態によれば、放射線検出器は、Ｘ線を蛍光に変換する蛍光体層と、前記蛍光を電気信号に変換する光電変換素子が二次元配列された光電変換パネルと、前記光電変換パネルと前記蛍光体層との間に設けられた前記蛍光体層よりも水溶性が高い中間層と、を具備することを特徴とする。
【００２０】
また、実施形態によれば、放射線検出器の製造方法は、可視光を電気信号に変換する光電変換素子を基板上に二次元配列して光電変換パネルを形成する工程と、蛍光を透過する中間層を前記光電変換パネルの表面に真空蒸着法で形成する中間層形成工程と、前記中間層よりも水溶性が低くＸ線を前記蛍光に変換する蛍光体層を前記中間層の表面に真空蒸着法で形成する蛍光体層形成工程と、を具備する。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。
【図２】一実施形態による放射線検出器の回路図である。
【図３】一実施形態による放射線検出装置のブロック図である。
【図４】一実施形態による放射線検出器の上面図である。
【図５】一実施形態による放射線検出器の側面図である。
【図６】一実施形態による放射線検出器の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、一実施形態による放射線検出器を、図面を参照して説明する。なお、同一または類似の構成には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。なお、この実施の形態は単なる例示であり、本発明はこれに限定されない。
【００２３】
図１は、一実施形態による放射線検出装置の模式的斜視図である。図２は、本実施形態による放射線検出器の回路図である。図３は、本実施形態による放射線検出装置のブロック図である。図４は、本実施形態による放射線検出器の上面図である。図５は、本実施形態による放射線検出器の側面図である。
【００２４】
本実施形態の放射線検出器１１は、放射線像であるＸ線画像を検出するＸ線平面センサであり、たとえば一般医療用途などに用いられる。放射線検出装置１０は、この放射線検出器１１と、支持板３１と、回路基板３０と、フレキシブル基板３２とを有している。放射線検出器１１は、ＴＦＴ回路基板１２と蛍光変換膜１３とを有している。放射線検出器１１は、人体などの被検査物を透過して入射したＸ線４１を検出して蛍光に変換し、その蛍光を電気信号に変換する。放射線検出装置１０は、放射線検出器１１を駆動し、放射線検出器１１から出力された電気信号を画像情報として出力する。放射線検出装置１０が出力した画像情報は、外部のディスプレイなどに表示される。
【００２５】
ＴＦＴ回路基板１２は、蛍光変換膜１３で発生した光を電気信号に変換する光電変換素子をガラス基板１６上に配列した光電変換パネルである。ガラス基板１６の表面には、複数の微細な画素２０が正方格子状に配列されている。それぞれの画素２０は、薄膜トランジスタ２２とフォトダイオード２１とを有している。また、ガラス基板１６の表面には、画素２０が配列された正方格子の行と同数のゲートライン１８が各画素２０の間を延びている。さらに、ガラス基板１６の表面には、画素２０が配列された正方格子の列の数と同数のデータライン１９が各画素２０の間を延びている。蛍光変換膜１３は、ＴＦＴ回路基板１２の画素２０が配列された領域の表面に形成されている。
【００２６】
蛍光変換膜１３は、ＴＦＴ回路基板１２の表面に設けられ、Ｘ線４１が入射するとそのＸ線４１を吸収し、可視光領域の蛍光を発生する。この蛍光の強度は、入射Ｘ線強度に比例する。発生した蛍光は、ＴＦＴ回路基板１２の表面に到達する。
【００２７】
蛍光変換膜１３は、たとえばヨウ化セシウム（ＣｓＩ）：タリウム（Ｔｌ）などを真空蒸着法で柱状構造に形成したものである。これらの柱間には、大気、あるいは酸化防止用の窒素（Ｎ２）などの不活性ガスが封入され、あるいは真空状態としてもよい。
【００２８】
ＴＦＴ回路基板１２は、蛍光変換膜１３で発生した蛍光を受光して電気信号を発生する。その結果、入射したＸ線によって蛍光変換膜１３で発生した可視光像は、電気信号で表現された画像情報に変換される。
【００２９】
放射線検出器１１は、蛍光変換膜１３が形成された面の反対側の面と支持板３１とが接触するように、支持板３１に支持されている。回路基板３０は、支持板３１の放射線検出器１１に対して反対側に配置されている。放射線検出器１１と回路基板３０との間は、フレキシブル基板３２で電気的に接続されている。
【００３０】
それぞれのフォトダイオード２１には、蓄積キャパシタ２７が並列に接続されている。なお、蓄積キャパシタ２７は、フォトダイオード２１の容量が兼ねる場合もあり、必ずしも必要ではない。フォトダイオード２１およびそれに並列に接続された蓄積キャパシタ２７は、薄膜トランジスタ２２を介してデータライン１９に接続されている。薄膜トランジスタ２２のゲート電極は、ゲートライン１８に接続されている。
【００３１】
配列の同じ行に位置する画素２０の薄膜トランジスタ２２は、同一のゲートライン１８に接続されている。配列の同じ列に位置する画素２０の薄膜トランジスタ２２は、同一のデータライン１９に接続されている。
【００３２】
各薄膜トランジスタ２２は、フォトダイオード２１への蛍光の入射にて発生した電荷を蓄積および放出させるスイッチング機能を担う。薄膜トランジスタ２２は、結晶性を有する半導体材料である非晶質半導体としてのアモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）、あるいは多結晶半導体であるポリシリコン（Ｐ−Ｓｉ）などの半導体材料にて少なくとも一部が構成されている。
【００３３】
なお、図１および図２において、画素は５行５列あるいは４行４列分しか記載していないが、実際にはもっと多く、解像度、撮像面積に応じて必要な画素が形成されている。
【００３４】
放射線検出装置１０は、放射線検出器１１と、ゲートドライバー３９と、行選択回路３５と、積分アンプ３３と、Ａ／Ｄ変換器３４と、並列／直列変換器３８と、画像合成回路３６とを有している。ゲートドライバー３９は、放射線検出器１１の各ゲートライン１８に接続されている。ゲートドライバー３９は、各薄膜トランジスタ２２の動作状態、すなわちオンおよびオフを制御する。積分アンプ３３は、放射線検出器１１の各データライン１９に接続されている。
【００３５】
行選択回路３５は、ゲートドライバー３９に接続されている。並列／直列変換器３８は、積分アンプ３３に接続されている。Ａ／Ｄ変換器３４は、並列／直列変換器３８に接続されている。Ａ／Ｄ変換器３４は、画像合成回路３６に接続されている。
【００３６】
積分アンプ３３は、たとえば放射線検出器１１と回路基板３０とを接続するフレキシブル基板３２上に設けられている。その他の素子は、たとえば回路基板３０上に設けられている。
【００３７】
ゲートドライバー３９は行選択回路３５からの信号を受信して、ゲートライン１８の電圧を順番に変更していく。行選択回路３５は、Ｘ線画像を走査する所定の行を選択するための信号をゲートドライバー３９へと送る。積分アンプ３３は、放射線検出器１１からデータライン１９を通じて出力される極めて微小な電荷信号を増幅し出力する。
【００３８】
放射線検出器１１には、蛍光変換膜１３を包囲するように、防湿体１５が設けられている。
【００３９】
防湿体１５は、中央部が盛り上がったハット状に形成されている。防湿体１５の周辺部分は、平坦な帯状の鍔部５０となっている。鍔部５０は、ＴＦＴ回路基板１２の表面の蛍光変換膜１３が形成された領域の外側を取り囲む帯状に形成される。鍔部５０の内側には、天板部５１が形成されている。天板部５１は、蛍光変換膜１３よりも若干大きい平板状の部分である。鍔部５０と天板部５１との間には、斜面部５２が形成されている。
【００４０】
鍔部５０は、ＴＦＴ回路基板１２と対向している。鍔部５０とＴＦＴ回路基板１２との間は接着されている。ＴＦＴ回路基板１２上に形成された蛍光変換膜１３は、防湿体１５の天板部５１および斜面部５２で覆われている。防湿体１５は、蛍光変換膜１３を外気や湿度から保護する。
【００４１】
防湿体１５は、たとえば厚さ０．１ｍｍのアルミニウム合金箔で形成されている。防湿体１５は、Ａ１Ｎ３０−Ｏ材などのアルミニウム合金箔やアルミニウム箔で形成される。鍔部５０の幅は、たとえば５ｍｍである。
【００４２】
ＴＦＴ回路基板１２には、ゲートライン１８およびデータライン１９のそれぞれの端部が露出した端子群２６が設けられている。端子群２６は、ＴＦＴ回路基板１２の辺に沿って配列されている。ゲートライン１８につながる端子群２６と、データライン１９につながる端子群２６は、異なる辺に沿って配列されている。これらの端子群２６は、フレキシブル基板３２を介して、回路基板３０と電気的に接続されている。
【００４３】
図６は、本実施形態による放射線検出器の断面図である。図６において、防湿体１５の図示は省略している。
【００４４】
放射線検出器１１は、ＴＦＴ回路基板１２と蛍光変換膜１３とを有している。ＴＦＴ回路基板１２は、ガラス基板１６の表面に薄膜トランジスタ２２（図１参照）およびフォトダイオード２１などを設けたものである。薄膜トランジスタ２２は、ガラス基板１６の表面に形成されたＴＦＴ回路層４２に設けられている。ＴＦＴ回路層４２の表面にはフォトダイオード２１が設けられている。フォトダイオード２１およびＴＦＴ回路層４２は、ＴＦＴ保護膜４３で覆われている。ゲートライン１８（図１参照）およびデータライン１９（図１参照）などの配線、並びに、蓄積キャパシタ２７などは、ＴＦＴ回路層４２などに設けられている。
【００４５】
ＴＦＴ回路基板１２と蛍光変換膜１３との間には、中間層１７が設けられている。中間層１７は、蛍光変換膜１３よりも水に対して溶解度が高い物質によって形成されている。蛍光変換膜１３はたとえばＣｓＩ（沃化セシウム）にＴｌＩ（沃化タリウム）を数１００ｐｐｍ程度添加した層であり、中間層１７はたとえば純粋なＣｓＩの層である。
【００４６】
本実施形態による放射線検出器１１は、次の方法で製造される。
【００４７】
まず、ＴＦＴ回路基板１２を製造する。次に、その表面に、真空蒸着技術を用いて中間層１７および蛍光変換膜１３を順次形成する。その後、必要に応じて反射膜（図示せず）を形成した後、防湿体１５をＴＦＴ回路基板１２に接着して放射線検出器１１とする。
【００４８】
中間層１７および蛍光変換膜１３の形成の際には、真空容器を備えた真空蒸着装置を用いる。真空容器中には、それぞれ独立して温度制御可能な第１の坩堝と第２の坩堝とを配置可能としておく。
【００４９】
この真空容器中に、ＣｓＩが入った第１の坩堝とＴｌＩが入った第２の坩堝とを配置する。また、その真空容器中に、ＴＦＴ回路基板１２を配置する。
【００５０】
次に、真空容器を真空にする。真空容器中が所定の真空度となった後、ＣｓＩが入った第１の坩堝を加熱し、ＣｓＩの蒸気を発生させる。この際、ＴｌＩが入った第２の坩堝は加熱しない。
【００５１】
ＣｓＩが入った第１の坩堝を先に加熱することで、ＴＦＴ回路基板１２の表面には、ＴｌＩが混入していない、純粋なＣｓＩからなる中間層１７が形成される。中間層１７を所定の厚さに形成した後、ＣｓＩが入った第１の坩堝を加熱した状態のまま、ＴｌＩが入った第２の坩堝の加熱を開始する。これにより、ＴｌＩの蒸気も発生する。
【００５２】
これにより、真空容器中には、ＣｓＩの蒸気およびＴｌＩの蒸気が存在することとなる。その結果、中間層１７の表面にＣｓＩとＴｌＩが混合した柱状結晶の蛍光変換膜１３が形成される。
【００５３】
第１の坩堝および第２の坩堝を所定の温度に制御することにより、発生するＣｓＩとＴｌＩの蒸気量が制御される。その結果、中間層１７の表面に到達するＣｓＩとＴｌＩの比率が制御される。したがって、蛍光変換膜１３中のＣｓＩとＴｌＩを所定の混合比とすることができる。このようにして、Ｘ線４１（図１参照）を蛍光に変換する効率が最大となるように、ＣｓＩとＴｌＩとの混合比を定めることができる。このときのＴｌＩの濃度は、数１００ｐｐｍ程度である。
【００５４】
このようにして、中間層１７および蛍光変換膜１３を形成した後、蛍光変換膜１３を検査する。この検査では、蛍光変換膜１３の柱状結晶に異常成長が発生していないかなど調べる。
【００５５】
検査によって、蛍光変換膜１３に異常がなければ、後工程に進む。後工程では、ＴＦＴ回路基板１２の表面に防湿体１５を接着して放射線検出器１１を完成させる。その後、フレキシブル基板３２などで回路基板３０（図１参照）と放射線検出器１１とを接続するなどし、支持板３１などとともに筐体（図示せず）に収めて放射線検出装置１０（図１参照）が完成する。
【００５６】
蛍光変換膜１３の検査によって、蛍光変換膜１３に異常が見つかった場合には、蛍光変換膜１３が被着したＴＦＴ回路基板１２を純水中に入れる。これにより、溶解性の高いＣｓＩのみによって形成された中間層１７が純水に溶解する。その結果、溶解性の低い蛍光変換膜１３を中間層１７とともに、ＴＦＴ回路基板１２から迅速かつ容易に分離することができる。その後、蛍光変換膜１３を分離したＴＦＴ回路基板１２を再利用する。
【００５７】
真空蒸着技術によって形成される蛍光変換膜１３は、それが形成される基体の表面状態によって品質が大きく左右される。蛍光変換膜１３を直接ＴＦＴ回路基板１２の表面に形成する場合、ＴＦＴ回路基板１２表面に異物などが付着していると、異物の無いＴＦＴ回路基板１２表面上の蛍光変換膜１３とは異なる結晶成長を引き起こす。異常成長を起こした蛍光変換膜では柱状結晶構造が乱れ、蛍光変換膜１３の表面に凸形状や凹形状の欠陥が生じる場合がある。
【００５８】
このような欠陥が存在すると、欠陥付近に入射したＸ線によって発生する蛍光が拡散、減衰するため、出力されるＸ線画像の解像度低下や輝度不足が発生する。したがって、欠陥のある蛍光変換膜を有するＴＦＴ回路基板１２を製品に用いることはできない。
【００５９】
ＴＦＴ回路基板１２は非常に高価であり、Ｘ線画像検出器１１のコストに大きく影響を及ぼす部品である。そのため、単に蛍光変換膜１３に欠陥があるだけのＴＦＴ回路基板１２を再利用することなく破棄すると、製品の価格に転嫁され、Ｘ線画像検出器１１の製造コストが増大してしまう。
【００６０】
Ｘ線画像検出器１１の製造コストを下げるためには、欠陥の発生した蛍光変換膜１３が被着したＴＦＴ回路基板１２から蛍光変換膜１３のみを除去し、ＴＦＴ回路基板１２を再利用することが好ましい。しかし、蛍光変換膜１３は水や有機溶媒に難溶性であるＴｌＩを多く含むため、水洗や有機溶媒処理による蛍光変換膜の除去は困難である。また、長時間の処理によって蛍光変換膜１３を除去しても、基板表面にＴｌＩを主成分とする異物が多数残る。このため、再度、蛍光変換膜１３の形成を行うと、その異物が原因となって蛍光変換膜１３に多数の異常成長が発生してしまう。また、蛍光変換膜１３は微細な回路が形成されているＴＦＴ回路基板１２表面に強固に付着しているため、欠陥の発生した蛍光変換膜１３を機械的に除去するとＴＦＴ回路基板１２内部のＴＦＴ回路層４２やフォトダイオード２１にダメージを与え、ＴＦＴ回路基板１２が使用不能になる可能性が高い。
【００６１】
本実施形態においても、ＴＦＴ回路基板１２表面に異物が存在した場合、蛍光変換膜１３の結晶に異常成長が発生することは避けられない。しかし、異常成長を起こした蛍光変換膜１３が形成されたＴＦＴ回路基板１２を純水中に入れることで、溶解性が低い蛍光変換膜１６とＴＦＴ回路基板１２とを迅速かつ容易に分離することが可能である。
【００６２】
また、ＴＦＴ回路基板１２の表面には、難溶性のＴｌＩ成分が存在しない。このため、蛍光変換膜１８を除去した後において、ＴＦＴ回路基板１２表面にＴｌＩを主成分とする異物が残る可能性を低減できる。つまり、その後に、再度、蛍光変換膜１３を形成する際に異物を原因とする結晶の異常成長を抑制できる。
【００６３】
中間層１７の主成分は、蛍光変換膜１３の主成分と同じであることが好ましい。本実施形態では、中間層１７に蛍光変換膜１３の主成分であるＣｓＩを用いている。
【００６４】
その結果、中間層１７と蛍光変換膜１３の結晶性は、非常に近い。このため、中間層１７を形成した後に蛍光変換膜１３を連続して形成する際に、蛍光変換膜１３の結晶成長への悪影響が非常に少ないという利点がある。つまり、中間層１７は、蛍光変換膜１３として形成される柱状結晶と、結晶性が類似する結晶であることが好ましい。
【００６５】
また、中間層１７と蛍光変換膜１３を形成する設備においても、ＣｓＩが入った第１の坩堝とＴｌＩが入った第２の坩堝の加熱の時期をずらすだけであるため、製造コストへの影響はほとんど無い。
【００６６】
このように、本実施形態によれば、Ｘ線画像検出器に設けられた蛍光体層を容易に除去できる。その結果、Ｘ線画像検出器を構成するＴＦＴ回路基板の再利用が容易になり、蛍光変換膜の製造不良による製品価格の上昇が抑制される。
【符号の説明】
【００６７】
１０…放射線検出装置、１１…放射線検出器、１２…ＴＦＴ回路基板、１３…蛍光変換膜、１５…防湿体、１６…ガラス基板、１７…中間層、１８…ゲートライン、１９…データライン、２０…画素、２１…フォトダイオード、２２…薄膜トランジスタ、２６…端子群、２７…蓄積キャパシタ、３０…回路基板、３１…支持板、３２…フレキシブル基板、３３…積分アンプ、３４…Ａ／Ｄ変換器、３５…行選択回路、３６…画像合成回路、３８…並列／直列変換器、３９…ゲートドライバー、４１…Ｘ線、４２…ＴＦＴ回路層、４３…ＴＦＴ保護膜、５０…鍔部、５１…天板部、５２…斜面部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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