(57)【要約】【課題】狭ピッチ化に対応できる樹脂封止型半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】リード２のインナーリード３とアウターリード４のそれぞれに金属メッキ層８，９を設け、ダイパッド１上に半導体チップを搭載し、半導体チップ表面の電極とインナーリード３とを金属細線で接続し、アウターリード４が露出するように半導体チップ６や金属細線７などを封止樹脂１１で封止した後、デフォーカスしたレーザーにて樹脂バリを除去し、リードに付着した金属をリフトオフする。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
インナーリードとアウターリードをそれぞれ有する複数のリードおよびダイパッドを有するリードフレームを用意する工程と、
前記ダイパッドおよび前記複数のリードの前記インナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程と、
前記金属メッキ層が形成された前記ダイパッド上に前記半導体チップを搭載する工程と、
前記半導体チップと前記インナーリードとを金属細線で接続する工程と、
前記ダイパッド上の前記半導体チップと前記金属細線と前記インナーリードとを封止樹脂により樹脂封止して前記アウターリードを露出する工程と、
隣り合う前記アウターリード間に形成された樹脂バリをレーザー照射にて除去する樹脂バリ除去工程と、
前記封止樹脂から露出した前記金属メッキ層を除去する金属メッキ層除去工程と、
前記金属メッキ層が除去された前記アウターリードにはんだメッキ層を形成する工程と、
からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記樹脂バリ除去工程は、前記リードからデフォーカスすることを特徴とする請求項１記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項３】
前記金属メッキ層に続いて、ライトエッチング工程を施すことを特徴とする請求項１または請求項２記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記インナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程において、前記金属メッキ層を前記リードの上面のみに被覆することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記インナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程において、前記金属メッキ層を前記リードの上面と側面に被覆することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記インナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程において、前記金属メッキ層を前記リードの上面と側面と底面に被覆することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記インナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程において、前記インナーリード表面の金属メッキ層と前記アウターリード表面の金属メッキ層は離間していることを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項記載の樹脂封止型半導体装置の製造方法。
【請求項８】
インナーリードとアウターリードをそれぞれ有する複数のリードおよびダイパッドを有するリードフレームであって、前記インナーリードとアウターリードの表面に同一の金属メッキ層が形成されていることを特徴とするリードフレーム。
【請求項９】
前記金属メッキ層が、前記リードの上面のみに被覆されていることを特徴とする請求項８記載のリードフレーム。
【請求項１０】
前記金属メッキ層が、前記リードの上面と側面に被覆されていることを特徴とする請求項８記載のリードフレーム。
【請求項１１】
前記金属メッキ層が、前記リードの上面と側面と底面に被覆されていることを特徴とする請求項８記載のリードフレーム。
【請求項１２】
前記インナーリード表面の金属メッキ層と前記アウターリード表面の金属メッキ層が離間していることを特徴とする請求項９乃至１１のいずれか１項記載のリードフレーム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂封止型半導体装置の製造方法およびリードフレームに関する、特に、樹脂封止型半導体装置の樹脂バリおよび付着金属除去方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化に対応するために、電子機器内に装着される電子デバイスの高密度実装が要求されている。電子デバイスの中には、トランジスタ等の素子を搭載したチップをリードなどの配線用部材とともに封止樹脂内に封止した樹脂封止型デバイスがあるが、この樹脂封止型デバイスの小型、薄型化も進んでいる。それに伴って、樹脂封止型デバイスにおけるリードのピッチの縮小化が進められており、ついには、リードレスデバイスの出現など、電子デバイスの実装方法にも多様化が進みつつある。そこで、電子デバイスの実装を含めた新たな製造方法が求められている。
【０００３】
以下、従来の封止型半導体装置の構造および製造方法について説明する。
図７は、従来の樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの平面図である。従来のリードフレーム４０は、四角形の外枠と、外枠で囲まれる領域のほぼ中央部に設けられ半導体チップが載置される四角形のダイパッド２１と、外枠とダイパッド１とを接続する吊りリード２５と、半導体チップが載置された状態で金属細線等の接続手段により半導体チップと電気的に接続されるインナーリード２３と、インナーリード２３に連続して設けられ、外部端子との接続のためのアウターリード２４とにより構成されている。複数のリード２２は、タイバー３２によって互いに連結されている。銀などからなる金属メッキ層２８はダイパッド２１およびリード２２のインナーリード２３に選択的に被覆されている。また、点線で囲った部分は封止樹脂３１によって封止される領域となる。なお、リードフレーム４０は、図６に示した構成よりなるパターンが１つだけ独立してあるわけではなく、大量生産のため複数個が図で左右、上下に連続して配列されたものである。
【０００４】
図８は、従来の樹脂封止型半導体装置の平面透視図であって、図７に示したリードフレーム４０のダイパッド２１上に半導体チップ２６を搭載し、半導体チップ２６表面の電極（図示しない）とインナーリード２３とを金属細線２７で接続し、アウターリード２４が露出するように半導体チップ２６や金属細線２７などを封止樹脂３１で封止したものである。この図では封止樹脂３１は透明である。アウターリード２４の間にあるのは、タイバー３２や樹脂封止の際にハミ出した樹脂を除去するときにレーザーを利用した場合に、リードフレームが発熱・溶融して飛散した金属の一部が付着金属３４として付着したものである。このような付着金属は電気特性不良の原因となる可能性が高い。これを回避するために、レーザーカット工程では切断部分にテープ部材を密着させ、溶融金属の一部をテープ部材に転写させ、製品部位に付着させない方法などが提案されている。（例えば、特許文献１参照）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平１１−２６０９８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記製法方法では、テープ部材および貼り付け・剥がし工程追加により製造コストが上昇するという懸念がある。
【０００７】
本発明は、上記製造方法に代えて、被加工部へのレーザーの照射により発熱・溶融した金属の一部が他の部位に付着しやすいという上記課題を解決することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するために、本発明では以下のような手段を用いた。
まず、ダイパッドと複数のリードからなるリードフレームと、半導体チップと、封止樹脂とからなる樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、前記リードフレームおよび前記リードのインナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程と、前記ダイパッド上に前記半導体チップを搭載する工程と、前記半導体チップと前記インナーリードとを金属細線で接続する工程と、前記ダイパッド上の前記半導体チップと前記金属細線と前記リードとを樹脂封止して前記アウターリードを露出する工程と、隣合う前記アウターリード間に形成された樹脂バリをレーザー照射にて除去する樹脂バリ除去工程と、前記封止樹脂から露出した前記金属メッキ層を除去工程と、前記アウターリードにはんだメッキ層を形成する工程と、からなることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を用いた。
【０００９】
また、前記レーザー照射工程は、前記リードからデフォーカスすることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記金属メッキ層に続いて、ライトエッチング工程を施すことを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記リードのインナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程において、前記金属メッキ層を前記リードの上面のみに被覆することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を用いた。
【００１０】
また、前記リードのインナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程において、前記金属メッキ層を前記リードの上面と側面に被覆することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記リードのインナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程において、前記金属メッキ層を前記リードの上面と側面と底面に被覆することを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を用いた。
また、前記リードのインナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層を形成する工程において、前記インナーリード表面の金属メッキ層と前記アウターリード表面の金属メッキ層は離間していることを特徴とする樹脂封止型半導体装置の製造方法を用いた。
【００１１】
また、ダイパッドと、複数のリードとからなるリードフレームであって、少なくとも前記リードのインナーリードとアウターリードの表面に金属メッキ層が形成されていることを特徴とするリードフレームとした。
また、前記金属メッキ層が、前記リードの上面のみに被覆されていることを特徴とするリードフレームとした。
また、前記金属メッキ層が、前記リードの上面と側面に被覆されていることを特徴とするリードフレームとした。
【００１２】
また、前記金属メッキ層が、前記リードの上面と側面と底面に被覆されていることを特徴とするリードフレームとした。
そして、前記インナーリード表面の金属メッキ層と前記アウターリード表面の金属メッキ層が離間していることを特徴とするリードフレームとした。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの平面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図３】図２に続く、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の平面透視図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの平面図である。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の平面透視図である。
【図７】従来の樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの平面図である。
【図８】従来の樹脂封止型半導体装置の平面透視図である。
【図９】本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの断面図である。
【図１０】本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
本発明の樹脂封止型デバイスの製造方法の第１の実施形態について、図面を参照しながら説明する。
【００１５】
図１は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの平面図である。リードフレーム２０は、四角形の外枠と、外枠で囲まれる領域のほぼ中央部に設けられ半導体チップが載置される四角形のダイパッド１と、外枠とダイパッド１とを接続する吊りリード５と、半導体チップが載置された状態で金属細線等の接続手段により半導体チップと電気的に接続されるインナーリード３と、インナーリード３に連続して設けられ、外部端子との接続のためのアウターリード４とにより構成されている。複数のリード２は、タイバー１２によって互いに連結されている。銀などからなる金属メッキ層８はダイパッド１の全領域およびリード２の全領域、すなわちインナーリード３からアウターリード４にかけ、タイバー１２の近傍まで連続的に被覆している。この時、金属メッキ層８はタイバー１２に達しても良い。また、点線で囲った部分は封止樹脂１１によって封止される領域となる。なお、リードフレーム２０は、図１に示した構成よりなるパターンが１つではなく、複数個、左右、上下に連続して配列されたものである。
【００１６】
図２および図３は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の製造工程を示す断面図であって、図１のＡ−Ａにおける断面を示したものである。
図２（ａ）は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの断面図である。ダイパッド１とリード２は離間して配置され、その表面は金属メッキ層８によって被覆されている。
図２（ｂ）は、ダイパッド１の表面に接着剤（図示しない）を介して半導体チップ６を搭載し、半導体チップ６表面の電極（図示しない）とリード２とを金属細線７を用いて電気的に接続している。
【００１７】
図３（ｃ）は、ダイパッド１上の半導体チップ６やリード２と接続する金属細線７を封止樹脂１１によって封止された工程後の断面図である。ダイパッド１の底面やリード２の一部が封止樹脂２から露出する構成となっている。また、リード２上の金属メッキ層８の一部も封止樹脂１１から露出している。従来の封止樹脂型半導体装置では金属メッキ層が封止樹脂によって完全に封止されていたが、本発明では金属メッキ層８領域が従来の封止樹脂型半導体装置より広く、封止樹脂からハミ出す構成となっている。
【００１８】
図３（ｄ）は、樹脂封止工程において、上金型と下金型の隙間からハミ出し、隣り合うアウターリード間に形成された樹脂バリをレーザー照射１３によって除去する工程を示す断面図である。レーザーがリード２で焦点を結ばないようにデフォーカスさせる。リード上面よりも高い位置にレーザー焦点を有することが望ましい。このようにすることで、レーザーエネルギーの一点への集中が防止され、エネルギー密度の減衰したレーザーが広範囲に照射されることになり、レーザー照射１３によって効率の良い樹脂バリ除去がされるとともにリードフレームの一部が溶融して飛散することを抑制できる。このときに、僅かながら飛散した付着金属１４は金属メッキ層８の上に付着することになる。樹脂バリが完全でない場合はレーザー照射の後にアルカリ処理やウォータージェット処理などを追加することで完全なものとなる。
【００１９】
図３（ｅ）は、前工程で発生した金属メッキ層８上の付着金属を除去し、新たにはんだメッキ層１０を被覆形成した後の断面図である。封止樹脂１１がマスクとなりリード上の封止樹脂１１から露出した金属メッキ層８は完全に除去されることになるが、このときに付着金属がリード上からリフトオフされる。なお、金属除去工程は、金属メッキ層をエッチングするための脱メッキ層工程、ライトエッチング工程からなり、脱メッキ層工程でリフトされなかった僅かな残渣は、後のライトエッチング工程で除去されることになる。なお、金属メッキ層が銀メッキである場合には脱メッキ層工程には硝酸第二鉄溶液やトップリップ（奥野製薬工業社製）などが用いられ、フレームが銅の場合はライトエッチング工程には塩化第二鉄溶液やメルポリッシュ（メルテック社製）などが用いられる。はんだメッキ層の成膜工程では、スズを主成分としビスマスや銀を添加した被膜が形成される。
【００２０】
図３（ｆ）は、タイバーを含むリードフレーム外枠をカットして樹脂型半導体装置をリードフレームの外枠から分離した状態を示す断面図である。図に示すように、はんだメッキ層１０がリード２の底面とアウターリード４の上面に被覆され、個片化したときのカット面であるアウターリード４の側端面は覆われていない。
【００２１】
図４は、本発明の第１の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の平面透視図である。
ダイパッド１上に半導体チップ６を搭載し、半導体チップ６表面の電極（図示しない）とインナーリード３とを金属細線７で接続し、アウターリード４が露出するように半導体チップ６や金属細線７などを封止樹脂１１で封止したものである。アウターリード４の上面には、はんだメッキ層１０が被覆されている。
【００２２】
以上の工程を経ることで、被加工部へのレーザーの照射により発熱・溶融した金属の一部が他の部位に付着しやすいという課題を解決する、本発明の樹脂封止型半導体装置が完成する。
【００２３】
図５は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの平面図である。図１に示すリードフレームとの違いはリード上面の金属メッキ層である。本実施形態ではインナーリード上の金属メッキ層である第１の金属メッキ層８とアウターリード上の第２の金属メッキ層９を離間して配置した点である。このようなリードフレームを用いることで、封止樹脂端から金属メッキ層が露出することがなくなり、信頼性の良好な樹脂封止型半導体装置となる。
【００２４】
図６は、本発明の第２の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置の平面透視図である。
ダイパッド１上に半導体チップ６を搭載し、半導体チップ６表面の電極（図示しない）とインナーリード３とを金属細線７で接続し、アウターリード４が露出するように半導体チップ６や金属細線７などを封止樹脂１１で封止したものである。アウターリード４の上面には、はんだメッキ層１０が被覆されているが、インナーリード３上の第１の金属メッキ層８とアウターリード４上のはんだメッキ層１０は離間して、第１の金属メッキ層８は封止樹脂１１によって完全に封止され、その端面から露出することはないため、信頼性が向上する。
【００２５】
これまでの説明は。金属メッキ層をリードの上面に被覆するという実施例について行ったが、金属メッキ層を上面だけではなく、リードの側面にも被覆したり、さらにリード底面にも被覆したりすることで、付着金属の除去をより確実なものとすることができる。
【００２６】
図９は、本発明の第３の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの断面図であり、リードの上面だけでなく、リード２側面および底面にも金属メッキ層８を被覆している。図９（ａ）ではダイパッド１の上面だけに金属メッキ層８を被覆し、図９（ｂ）ではリード２同様、側面および底面にも金属メッキ層８を設けている。
【００２７】
図１０は、本発明の第４の実施形態に係る樹脂封止型半導体装置を製造するために用いられるリードフレームの断面図であり、第２の実施形態の変形例である。リードの上面だけでなく、リード２側面および底面にも金属メッキ層８を被覆している。図１０（ａ）ではダイパッド１の上面だけに第１の金属メッキ層８と第２の金属メッキ層９とを離間して配置し、図１０（ｂ）ではリード２同様、側面および底面にも金属メッキ層８を設けている。
【符号の説明】
【００２８】
１、２１    ダイパッド
２、２２    リード
３、２３    インナーリード
４、２４    アウターリード
５、２５    吊りリード
６、２６    半導体チップ
７、２７    金属細線
８    第１の金属メッキ層
９    第２の金属メッキ層
１０、３０  はんだメッキ層
１１、３１  封止樹脂
１２、３２  タイバー
１３  レーザー照射
１４、３４  付着金属
２０、４０  リードフレーム
２８  金属メッキ層
【図１】
2014154848.tif 000003
【図２】
2014154848.tif 000004
【図３】
2014154848.tif 000005
【図４】
2014154848.tif 000006
【図５】
2014154848.tif 000007
【図６】
2014154848.tif 000008
【図７】
2014154848.tif 000009
【図８】
2014154848.tif 000010
【図９】
2014154848.tif 000011
【図１０】
2014154848.tif 000012