(57)【要約】      （修正有）【課題】生産性を大幅に低下させることなく、基板の反りを低減、除去することが可能な基板の反りの低減方法を提供。【解決手段】反りを有する基板１４について遊離砥粒を用いて研磨加工を行う第１の研磨工程と、前記第１の研磨工程を行った基板１４について、固定砥粒を用いて研磨加工を行う第２の研磨工程と、熱処理工程と、基板１４の主平面について研磨を行うポリッシュ工程と、を有する、基板１４の反りの低減方法を提供する。【選択図】図２
2014213403.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
反りを有する基板について遊離砥粒を用いて研磨加工を行う第１の研磨工程と、
前記第１の研磨工程を行った基板について、固定砥粒を用いて研磨加工を行う第２の研磨工程と、熱処理工程と、基板の主平面について研磨を行うポリッシュ工程と、を有する、基板の反りの低減方法。
【請求項２】
前記第１の研磨工程における研磨圧力が８ｇ／ｃｍ２以上１５ｇ／ｃｍ２以下である請求項１に記載の基板の反りの低減方法。
【請求項３】
前記第１の研磨工程において、遊離砥粒の研磨材として炭化硼素または炭化珪素を用いる請求項１または２に記載の反りを有する基板の反りの低減方法。
【請求項４】
前記第２の研磨工程における固定砥粒の研磨材がダイヤモンドである請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板の反りの低減方法。
【請求項５】
前記第２の研磨工程における研磨圧力が１００ｇ／ｃｍ２以上２５０ｇ／ｃｍ２以下である請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板の反りの低減方法。
【請求項６】
請求項１乃至５いずれか一項に記載の基板の反りの低減方法を用いた基板の製造方法。
【請求項７】
前記基板がサファイア基板であり、
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板の反りの低減方法が施されたサファイア基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の反りの低減方法、基板の製造方法、サファイア基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置や、結晶成長用基板等の様々な用途において各種基板が用いられている。
【０００３】
このような基板は一般的には円柱状の結晶をマルチワイヤーソー等により板状にスライスして製造される。
【０００４】
しかしながら、このように円柱状の結晶を板状にスライスして得られた基板は反りを有する場合があり、用途や、その反りの程度によっては、反りの程度の低減、除去を行う必要があることから、反りの低減、除去方法について従来から各種検討がなされてきた。
【０００５】
特許文献１には、ラッピング加工の前または後に１２００〜１６５０℃の温度で３時間以上のアニールをすることにより反り量の少ないサファイア基板の製造方法が開示されている。
【０００６】
また、特許文献２には、研磨を開始してから終了するまでの間に、下部定盤上のウェハーを繰り返し反転させると共に、研磨を開始してから終了するまでの間にウェハーに印加される押圧力を研磨の進捗にあわせ、所定の押圧力の１／２以下から所定の押圧力間で段階的に増加させるウェハーの研磨方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００９−０５１６７８号公報
【特許文献２】特開平５−１２３９６５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１に開示されたサファイア基板の製造方法によれば、高温でのアニールを長時間実施するため、生産性の低下とエネルギーコストの増加が問題であった。
【０００９】
また、特許文献２に開示されたウェハーの研磨方法では、ラッピング初期の研磨圧力を通常の１／２以下とすることで、反り形状を制御しているが、研磨速度が低下して研磨時間が大幅に増加してしまうというという問題があった。さらに、研磨中、ウェハーを繰り返し反転させるため、研磨の操作を複数回中断する必要があり、生産性に問題があった。
【００１０】
そこで、本発明は、上記従来技術が有する問題に鑑み、生産性を大幅に低下させることなく、基板の反りを低減、除去することが可能な基板の反りの低減方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するため本発明は、反りを有する基板について遊離砥粒を用いて研磨加工を行う第１の研磨工程と、前記第１の研磨工程を行った基板について、固定砥粒を用いて研磨加工を行う第２の研磨工程と、熱処理工程と、基板の主平面について研磨を行うポリッシュ工程と、を有する、基板の反りの低減方法を提供することを目的とする。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、生産性を大幅に低下させることなく、基板の反りを低減、除去することが可能な基板の反りの低減方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る両面研磨装置の上面図
【図２】本発明の第１の実施形態に係る両面研磨装置の断面図
【図３】反りを有する基板を研磨する際の研磨工程の説明図
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明を実施するための形態について図面を参照して説明するが、本発明は、下記の実施形態に制限されることはなく、本発明の範囲を逸脱することなく、下記の実施形態に種々の変形および置換を加えることができる。
［第１の実施形態］
本実施形態においては、本発明の基板の反りの低減方法の構成例及び該基板の反りの低減方法を施されたサファイア基板について説明する。
【００１５】
本実施形態の基板の反りの低減方法は、反りを有する基板について遊離砥粒を用いて研磨加工を行う第１の研磨工程と、
前記第１の研磨工程を行った基板について、固定砥粒を用いて研磨加工を行う第２の研磨工程と、熱処理工程と、基板の主平面について研磨を行うポリッシュ工程と、を有している。
【００１６】
本実施形態の基板の反りの低減方法の各工程について説明する。
【００１７】
まず、第１の研磨工程は上記のように、反りを有する基板について遊離砥粒を用いて研磨加工を行う工程である。
【００１８】
第１の研磨工程は、例えば図１、２に示すような両面研磨装置を用いて行うことができる。図１は、両面研磨装置の上面図を示しており、内部の構造が分かり易いように上定盤を取り外した状態を示している。図２は、図１のＡ−Ａ´線における断面図を示している。この場合には、上定盤も含めて示している。
【００１９】
図１に示すように、両面研磨装置１０のサンギア１２、インターナルギア１３とかみ合わさることにより、キャリア１１が自転、公転できるように、その周囲にギアを有するキャリア１１を用意する。該キャリア１１に複数個設けられた貫通孔内に研磨対象の基板１４を設置し、基板１４を設置したキャリア１１を両面研磨装置１０にセットする。このようにキャリアに基板１４を設置することによりその両面研磨を行う際に基板の水平方向の移動を規制し、基板の両面（上下面）について研磨を行うことが可能になる。
【００２０】
キャリアにセットした基板１４は、図２に示すように、両面研磨装置において上面側、下面側からそれぞれ上定盤２１１、下定盤２２１が押し当てられる。そして、その状態で定盤２１１、２２１と基板１４との間には、図示しない供給口から遊離砥粒（研磨液）が供給され、サンギア３２とインターナルギア３３を所望の速度で回転させることにより、キャリアを両面研磨装置内で公転および自転させて基板１４の研磨加工を行うことができる。
【００２１】
遊離砥粒を用いて研磨加工を行う場合には、上記の様に定盤２１１、２２１と基板１４との間に遊離砥粒（研磨液）を供給しながら研磨を行うことになる。この場合、研磨圧力を高くすると、遊離砥粒を均一に基板１４上に供給することは困難となり、基板１４の中心部は研磨されにくくなる。そして、研磨後の基板は中心部の厚さが周辺部の厚さよりも厚い、凸形状になってしまう。そのため、定盤間にかけられる研磨圧力は限られてしまい、後述する固定砥粒を用いた研磨の場合のように極端に大きくすることができない。従って、基板１４に対する研磨圧力も弱くなるため、図２に示すように、反りを有する基板の反りを過度に矯正することなく研磨を行うことができる。
【００２２】
なお、固定砥粒を用いた場合でも低い研磨圧力で基板の両面研磨を実施することはできるが、この場合、砥石の自生効果が働かないため、研磨材である砥粒のみが磨滅し、著しく研磨速度が低下し、生産性が大幅に低下する。このため、上記のように第１の研磨工程は低い研磨圧力でも適切な研磨速度が得られる遊離砥粒による研磨を行う。
【００２３】
ここで、反りを有する基板について研磨を行い、反りを低減（除去）するとは、例えば、図３（Ａ）に示すように、反りを有する基板１４について、研磨を最後まで行った場合に点線部３２、３３で示す部分が上面、下面になる様に研磨を行い、反った部分を除去して平坦面を形成するものである。このため、後述する固定砥粒を用いる研磨のように最初から高い研磨圧力で研磨を行うと、例えば図３（Ｂ）にブロック矢印で示すように高い圧力をかけ、反った基板を平坦な状態にして研磨を行うことになる。この場合、圧力により形状を矯正した基板の上下面を研磨しているに過ぎず、研磨により反った部分を除去できないため、研磨後圧力を除去すると元の反った形状に戻ってしまう。
【００２４】
これに対して、本実施形態の研磨方法においては、第１の研磨工程として遊離砥粒を用いて研磨加工を行うため、上述のように反りを有する状態の基板に対して研磨を行うこととなる。このため、第１の研磨工程によって、例えば、図３（Ｃ）に示すように上面中央の上に凸の部分と、下面両端部の下に凸の部分とを除去することができる。この状態にしてから後述する第２の研磨工程を行った場合、第１の研磨工程により形成された面３４と面３５に固定砥粒を当てることができるため、基板に対して高い研磨圧力を加えても、反った形状を維持し、係る面に従って研磨を行うことができる。このため、反りを低減（除去）することが可能になる。
【００２５】
第１の研磨工程においては、遊離砥粒による研磨を行っているため、上述のように基板の反りを過度に矯正することなく研磨を行うことができる。このため、第１の研磨工程における研磨圧力（押圧力）は特に限定されるものではないが、第１の研磨工程における研磨圧力が８ｇ／ｃｍ２以上１５ｇ／ｃｍ２以下であることが好ましい。これは、研磨圧力が上記範囲にある場合には各種基板においてその反った形状を過度に矯正することなく、生産性を大幅に落とさない研磨速度で研磨を行うことができるためである。特に基板の形状を過度に矯正することなく、生産性を大幅に落とさない研磨速度とするために、第１の研磨工程における研磨圧力は、１０ｇ／ｃｍ２以上１５ｇ／ｃｍ２以下であることがより好ましい。なお、ここでいう研磨圧力とは、図２における上定盤２１１と、下定盤２２１とにより基板が押圧される圧力のことを意味している。
【００２６】
また、第１の研磨工程において用いる遊離砥粒の種類としては特に限定されるものではなく、研磨する基板の種類に応じて選択することができる。例えば遊離砥粒の研磨材として、ダイヤモンド、アルミナ、炭化硼素、炭化珪素等を好ましく用いることができる。中でも、コストや研磨速度の観点から炭化硼素または炭化珪素をより好ましく用いることができる。
【００２７】
次に、第２の研磨工程について説明する。第２の研磨工程は、上記のように前記第１の研磨工程を行った基板について、固定砥粒を用いた研磨加工を行う工程である。
【００２８】
上記のように第１の研磨工程は遊離砥粒を用いた研磨であるため、研磨圧力が低い状態で研磨を行っており、反った基板の形状を過度に矯正することなく研磨を行うことができる。このため、図３（Ｃ）に示すように、基板の反った部分の一部を除去し、第２の研磨工程を行う際の面を出すことができる。
【００２９】
しかしながら、第１の研磨工程は遊離砥粒を用いた研磨であるため、固定砥粒による研磨と比較して研磨速度が遅く、第１の研磨工程のみで目的の形状まで研磨を行うと研磨時間が長くなり、生産性の点で問題がある。
【００３０】
そこで、第１の研磨工程後、固定砥粒を用いた第２の研磨工程を行うことにより、研磨速度を上げて生産性を高めることができる。また、上述のように第１の研磨工程において形成された面に固定砥粒を当てることができるため、第２の研磨工程において基板に対して高い研磨圧力を加えても、反った形状を維持し、係る第１の研磨工程で形成された面に従って研磨を行い、反りを低減（除去）することが可能になる。
【００３１】
第２の研磨工程においては、第１の研磨工程の際に説明した両面研磨装置と同様の研磨装置を用いて研磨を行うことができる。ただし、第２の研磨工程においては固定砥粒を用いることから、上定盤２１１、下定盤２２１の基板と対向する面に固定砥粒を配置した構成となる。また、研磨の際には固定砥粒と基板との間に、研磨面を冷却するためのクーラント（研削液）を供給しながら行うことが好ましい。
【００３２】
第２の研磨工程において用いる固定砥粒の種類は特に限定されるものではなく、研磨対象である基板の種類等により選択することができる。特に生産性の観点から固定砥粒の研磨材（砥粒）としてダイヤモンドを好ましく用いることができる。
【００３３】
第２の研磨工程における研磨条件は特に限定されるものではなく、基板の種類や反りの程度に応じて選択することができ、特に限定されるものではない。
【００３４】
第２の研磨工程における研磨圧力については特に限定されるものではなく、固定砥粒により生産性を大幅に低下させない程度に研磨を行える条件であれば良い。例えば、第２の研磨工程における研磨圧力としては、１００ｇ／ｃｍ２以上２５０ｇ／ｃｍ２以下であることが好ましく、１７０ｇ／ｃｍ２以上２００ｇ／ｃｍ２以下であることがより好ましい。
【００３５】
また、第１の研磨工程と、第２の研磨工程とを行う程度については特に限定されるものではなく、第２の研磨工程において固定砥粒による研磨を行った際に、固定砥粒が第１の研磨工程で形成した面に当たる程度に、第１の研磨工程を行えばよい。
【００３６】
例えば、第１の研磨工程および第２の研磨工程において研磨を行う総研磨量を１００％とした場合に、第１の研磨工程において、５０％以上８０％以下の範囲で行い、残りを第２の研磨工程で行うことが、より確実に基板の反りを低減（除去）し、生産性を高める観点から好ましい。また、第１の研磨工程において、６０％以上７５％以下の範囲で行い、残りを第２の研磨工程で行うことがより好ましい。上記範囲で第１の研磨工程、第２の研磨工程を行うことにより、生産性を大幅に低下させることなく、基板の反りをより確実に低減（除去）することが可能になる。
【００３７】
なお、ここでいう、第１の研磨工程および第２の研磨工程において研磨を行う総研磨量とは、反りを有する基板の反り量と、研磨後に許容される反り量との関係から算出、選択することができ、第１の研磨工程および第２の研磨工程での全両面研磨加工量を意味している。
【００３８】
また、上記第１の研磨工程、第２の研磨工程の後に、熱処理工程を行うことができる。
【００３９】
熱処理工程は、第１の研磨工程、第２の研磨工程により反りを除去した後の基板に、熱を加えて基板内のひずみを除去することによって、より反りを低減、除去し、基板を平坦にするための工程である。熱処理工程の温度条件は、基板の種類により選択することができ、特に限定されるものではない。また、熱処理工程の際の雰囲気についても限定されるものではなく、基板を構成する材料が化学反応を示さない雰囲気により行うことが好ましい。なお、後述のポリッシュ工程においても基板の反りが変化する場合があることから、ポリッシュ工程における基板の変形を加味して熱処理工程の条件を選択することが好ましい。
【００４０】
例えば、基板がサファイア基板の場合には、１２５０℃以上１６５０℃以下の温度範囲で熱処理を行うことが好ましく、１３００℃以上１６００℃以下の温度範囲で熱処理を行うことがより好ましい。また、この際の雰囲気としては、大気雰囲気または酸素雰囲気において行うことが好ましい。
【００４１】
さらに、熱処理工程の後、基板の主平面について研磨を行うポリッシュ工程を行うことができる。ここで、主平面とは基板の上面及び下面のことを意味しており、第１、第２の研磨工程で研磨した面である。ポリッシュ工程は、第１の研磨工程、第２の研磨工程で研磨を行った主平面について、所望の表面粗さになるように研磨を行う工程である。係る工程の詳細は特に限定されるものではないが、例えば主平面のうち、一方の面を鏡面研磨し、他方の面を粗面加工することができる。この際、基板の形状は鏡面側が凹形状となり、粗面側が凸形状となる傾向があることから、熱処理工程後、主平面のうち凸面となっている面を鏡面に、凹面となっている面を粗面とすることによって、基板の反りをより低減、除去することもできる。
【００４２】
また、基板によっては、基板の主平面両面について同じ表面粗さに加工することもできる。この場合には、ポリッシュ工程において基板の反りの程度に変化は生じないため、熱処理工程までに基板の反り量を所定の範囲となるように加工することが好ましい。
【００４３】
以上に本実施形態の基板の反りの低減方法を説明してきたが、本実施形態の基板の反りの低減方法に供することができる反りを有する基板の材質は特に限定されるものではない。反りを有しており、反りを低減、除去することが求められている基板であればあらゆる基板について、本実施形態の基板の反りの低減方法を適用することができる。
【００４４】
上述のように、基板は一般的に円柱状の結晶をマルチワイヤーソー等により板状にスライスすることにより製造されるが、円柱状の結晶を板状にスライスして得られた基板に反りを有する場合があり、用途によっては反りを低減（除去）することが求められていた。このため、このように円柱状の結晶（インゴット）をスライスして生産された基板についてより好ましく適用することができる。
【００４５】
特に、近年、青色や白色発光ダイオードに用いる窒化物半導体の成長用基板材料として、サファイア基板が用いられているが、サファイア基板上に窒化物半導体層をエピタキシャル成長させるため、基板材料と成長層の材料とが異なるヘテロエピタキシャル成長となる。
【００４６】
このように、サファイア基板に窒化物半導体をヘテロエピタキシャル成長する場合、成長後の基板を室温まで冷却すると、基板材料とエピタキシャル層との格子定数および熱膨張係数の違いから、エピタキシャル面側が大きく凸形状に反りが発生する。このため、冷却後の基板の反り形状が均一になるよう、エピタキシャル成長に用いる前に、基板から反りを低減（除去）しておくことが要求される場合がある。
【００４７】
しかしながら、サファイア基板を円柱状の結晶からウェハー状に切断する際に、切断中に発生する熱による温度変化等の影響を受けて、切断直後のサファイア基板には反りや、うねりが発生しやすく、切断ごとのばらつきも大きい。さらに、サファイア基板を両面ラッピング加工する際に高い圧力を加えると、基板が弾性変形してしまうことから、従来の方法では、生産性良く反りのないサファイア基板とすることが困難であった。
【００４８】
これに対して、本実施形態の基板の反りの低減方法によれば、このように弾性変形しやすい基板であっても生産性良く反りを低減（除去）することができる。このため、本実施形態の基板の反りの低減方法に供する基板として、サファイア基板をより好ましく用いることができる。
【００４９】
そして、本実施形態の基板の反りの低減方法が施されたサファイア基板は、従来のサファイア基板と比較して平坦度の高い基板とすることが可能になる。
【００５０】
以上の本実施形態の基板の反りの低減方法においては、遊離砥粒を用いて研磨を行う第１の研磨工程、固定砥粒を用いて研磨を行う第２の研磨工程を有している。第１の研磨工程により、圧力を加えた場合でも反り形状が矯正されない形状に加工することができる。そして、第２の研磨工程においては、第１の研磨工程において加工された基板について、反った形状を維持しつつ、研磨圧力を加えて十分な研磨速度で研磨を行うことが可能となる。また、熱処理工程、ポリッシュ工程を行うことにより、さらに基板の反りを低減することが可能になる。このため、生産性を大幅に低下させることなく、基板の反りを低減（除去）することが可能となる。
［第２の実施形態］
本実施形態では、第１の実施形態で説明した基板の反りの低減方法を用いた基板の製造方法について説明する。
【００５１】
基板は、例えば以下の工程を有する製造方法により製造することができる。
（ａ）円柱状の結晶（インゴット）からウェハー形状に切断する工程
（ｂ）基板の反りを低減する工程
なお、上記工程に限定されるものではなく、必要に応じて例えば、基板の端面を研磨する工程等、各種工程を付加することができる。
【００５２】
そして、第１の実施形態で説明した基板の反りの低減方法は、上記（ｂ）工程において適用することができる。
【００５３】
本実施形態の基板の製造方法によれば、生産性を大幅に低下させることなく、基板の反りを低減（除去）することが可能となるため、反りを低減（除去）した平坦度の高い基板を生産性良く製造することが可能になる。
【実施例】
【００５４】
以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【００５５】
以下の手順により基板を製造し、その評価を行った。試料１〜７が実施例、試料８〜１０が比較例となっている。
（試料１）
直径６インチc面の円柱状のサファイア結晶を、マルチワイヤーソー装置を使用してウェハー形状に切断した。この時、得られた基板の反り量は８０μｍであった。
【００５６】
得られた基板について、遊離砥粒を用いた第１の研磨工程を実施した。第１の研磨工程においては、遊離砥粒の研磨材として炭化珪素を用い、研磨圧力を１０ｇ／ｃｍ２とし、研磨量は第１の研磨工程及び第２の研磨工程における全両面研磨加工量のうち７０％とした。
【００５７】
次いで、第１の研磨工程を行った基板について、固定砥粒を用いた第２の研磨工程を行った。第２の研磨工程においては、固定砥粒の研磨材としてダイヤモンドを用いたメタルボンド砥石を用い、研磨圧力を１８０ｇ／ｃｍ２とし、研磨量は第１の研磨工程及び第２の研磨工程における全両面研磨加工量のうち３０％とした。
【００５８】
上記研磨加工後、一般的なサファイア基板の熱処理温度（１６００℃）で大気雰囲気下、３時間熱処理をすることにより基板に加工する際に生じた応力を低減（除去）する処理を行った。次いで、基板のそれぞれの面について所望の表面粗さとするため、熱処理工程後の基板のうち、凸面側を鏡面研磨加工、他方の凹面側を粗面加工した。鏡面研磨加工の最終工程ではコロイダルシリカを使用した。最終形状の反り量は１０μｍであった。
【００５９】
（試料２）
第１の研磨工程における研磨圧力を１５ｇ／ｃｍ２とした以外は試料１と同様にしてサファイア基板を製造した。最終形状の反り量は１２μｍであった。
【００６０】
（試料３）
第１の研磨工程における研磨圧力８ｇ／ｃｍ２とした以外は試料１と同様にしてサファイア基板を製造した。最終形状の反り量は８μｍであった。
【００６１】
（試料４）
第２の研磨工程における研磨圧力を２５０ｇ／ｃｍ２とした以外は試料１と同様にしてサファイア基板を製造した。最終形状の反り量は１０μｍであった。
【００６２】
（試料５）
第２の研磨工程における研磨圧力を１００ｇ／ｃｍ２とした以外は試料１と同様にしてサファイア基板を製造した。最終形状の反り量は１０μｍであった。
【００６３】
（試料６）
第２の研磨工程における研磨圧力を２６０ｇ／ｃｍ２とした以外は試料１と同様にしてサファイア基板を製造した。最終形状の反り量は１０μｍであった。
【００６４】
（試料７）
第２の研磨工程における研磨圧力を９０ｇ／ｃｍ２とした以外は試料１と同様にしてサファイア基板を製造した。最終形状の反り量は１０μｍであった。
【００６５】
（試料８）
第１の研磨工程において、第１の研磨工程及び第２の研磨工程における全両面研磨加工量のうち２０％研磨し、第２の研磨工程においても遊離砥粒を用いて研磨圧力を５０ｇ／ｃｍ２として研磨を行い、第１の研磨工程及び第２の研磨工程における全両面研磨加工量のうち８０％を研磨した以外は試料１と同様にしてサファイア基板を製造した。
最終形状の反り量は２０μｍであった。
【００６６】
（試料９）
第２の研磨工程においても遊離砥粒を用いて研磨を行った以外は試料１と同様にして研磨を行った。
【００６７】
第２の研磨工程においては、研磨圧力を５０ｇ／ｃｍ２とし、研磨量は全両面研磨加工量のうち３０％としてサファイア基板を製造した。なお、第１の研磨工程における条件や、第２の研磨工程後の操作は上述のように試料１と同様である。最終形状の反り量は１７μｍであった。
【００６８】
（試料１０）
第１の研磨工程において固定砥粒を用いて研磨を行った以外は試料１と同様にして研磨を行った。
【００６９】
第１の研磨工程においては、固定砥粒の研磨材としてダイヤモンドを用いたメタルボンド砥石を用い、研磨圧力を１０ｇ／ｃｍ２とし、研磨量は第１の研磨工程及び第２の研磨工程における全両面研磨加工量のうち７０％としてサファイア基板を製造した。なお、第２の研磨工程における研磨条件や、第２の研磨工程後の操作は上述のように試料１と同様である。最終形状の反り量は１０μｍであった。
【００７０】
上記各試料について試料作製条件、加工前後での基板反り量、研磨時間について表１に示す。なお、研磨時間とは、第１の研磨工程、第２の研磨工程を行うのに要した時間である。
【００７１】
【表１】
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これによると、試料１、２については、３時間程度の短い研磨時間で、切断後基板に生じていた反りをほぼ低減（除去）できていることが確認できた。
【００７２】
試料３については、さらに低圧で第１の研磨工程を行うことで反り量をさらに低減できる。研磨時間が増加するので多少コスト面で劣るが、実用上問題の無い範囲である。
【００７３】
試料４については、反り量の低減と研磨時間に関しては良好な結果であった。ただし、第１の研磨工程で研磨する研磨量の比率が高いため、第２の研磨工程において研磨圧力を高くしたことよる時間短縮の効果があまり見られず、むしろ、第２の研磨工程のメタルボンド砥石の磨耗量が増大するので、試料１〜３に比べてコスト面で多少劣るが、実用上問題の無い範囲である。
【００７４】
試料５については、反り量については良好な結果であった。第２の研磨圧が低いため研磨時間が増加するので、試料１〜４に比べてコスト面で多少劣るが、実用上問題の無い範囲である。
【００７５】
試料６については、反り量の低減と研磨時間に関しては良好な結果であった。ただし、第１の研磨工程で研磨する研磨量の比率が高いため、第２の研磨工程において研磨圧力を高くしたことよる時間短縮の効果があまり見られず、むしろ、第２の研磨工程のメタルボンド砥石の磨耗量が極端に増大した。このため、試料１〜５に比べコスト面で劣るが、実用上問題ない範囲である。
【００７６】
試料７については、反り量について良好な結果が得られた。ただし、第２の研磨圧が低いため研磨時間が増加した。このため、試料１〜５に比べてコスト面で大幅に劣るが、実用上問題ない範囲であった。
【００７７】
試料８、９については研磨後反り量が増大するため不適であった。試料８、９においては、遊離砥粒を用いて第２の研磨工程を行った際に、研磨時間を短くするため第１の研磨工程よりも研磨圧力を高めた結果、研磨液が均一に行き渡らなかったため、反り量が増大した。
【００７８】
試料１０については、固定砥粒を用いて低圧力で基板の両面研磨を実施しようとすると、砥石の自生効果が働かないため、研磨材である砥粒のみが磨滅し、著しく研磨速度が低下することになるため生産性が低下する。このため、上記のように第１の研磨工程は遊離砥粒による研磨を行う必要がある。
【符号の説明】
【００７９】
１４  基板
【図１】
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【図２】
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【図３】
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