(57)【要約】【課題】基板上の残渣物の発生と、可動構造体と基板との固着との双方を抑制し、平坦性に優れ歩留まりおよび信頼性を向上させることのできるマイクロデバイスの製造方法を提供する。【解決手段】基板１Ａ上に、少なくともリンを含む酸化物からなりかつ貫通孔を有する犠牲絶縁膜４と、貫通孔６内を埋め込む支柱部５ｆと、犠牲絶縁膜４および支柱部５ｆ上に位置する可動部用導電体膜５ａとが形成される。上記犠牲絶縁膜４が液相処理により除去され、可動部用導電体膜５ａが基板１Ａに対して支柱部５ｆで支持される。上記支柱部５ｆが気相処理により除去され、支柱部５ｆが形成されていた領域において可動部用導電体膜５ａを基板１Ａから浮かせる。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に、少なくともリンを含む酸化物からなりかつ貫通孔を有する犠牲絶縁膜と、前記貫通孔内を埋め込む支柱部と、前記犠牲絶縁膜および前記支柱部上に位置する可動部用導電体膜とを形成する工程と、
前記犠牲絶縁膜を液相処理により除去し、前記可動部用導電体膜を前記基板に対して前記支柱部で支持する工程と、
前記支柱部を気相処理により除去して、前記支柱部が形成されていた領域において前記可動部用導電体膜を前記基板から浮かせる工程とを備えた、マイクロデバイスの製造方法。
【請求項２】
前記支柱部を前記気相処理により除去する工程は、
前記支柱部を熱酸化する工程と、
熱酸化された前記支柱部を除去する工程とを含む、請求項１に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【請求項３】
前記犠牲絶縁膜を液相処理により除去する工程の前に、
前記基板が酸化されるのを防止するための第１の保護絶縁膜を前記犠牲絶縁膜の前記基板側の表面を覆うように形成する工程と、
前記可動部用導電体膜の下面が酸化されるのを防止するための第２の保護絶縁膜を前記犠牲絶縁膜の前記基板側と反対側の表面を覆うように形成する工程とをさらに備える、請求項２に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【請求項４】
前記貫通孔は前記第１および第２の保護絶縁膜を貫通するように形成され、
前記犠牲絶縁膜の前記貫通孔は前記第２の保護絶縁膜の前記貫通孔よりも横寸法が小さく、前記第１の保護絶縁膜の前記貫通孔は前記犠牲絶縁膜の前記貫通孔よりも横寸法が小さい、請求項３に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【請求項５】
前記犠牲絶縁膜と前記支柱部とを形成する工程は、
前記基板上に前記支柱部を形成する工程と、
前記支柱部を形成した後に、前記支柱部の側面全周を覆うように前記犠牲絶縁膜を形成する工程とを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【請求項６】
前記犠牲絶縁膜と前記支柱部とを形成する工程は、
前記基板上に前記犠牲絶縁膜を形成する工程と、
前記犠牲絶縁膜を貫通する前記貫通孔を形成する工程と、
前記貫通孔内を埋め込むように前記支柱部を形成する工程とを含む、請求項１〜４のいずれか１項に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【請求項７】
前記可動部用導電体膜を形成する工程は、
前記犠牲絶縁膜上に導電体膜を形成する工程と、
前記導電体膜をパターニングすることにより前記可動部用導電体膜と、前記基板に支持されかつ前記可動部用導電体膜を支持する支持部用導電体膜とを前記導電体膜から形成する工程を含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【請求項８】
前記支柱部を前記気相処理により除去する工程は、熱酸化された前記支柱部を除去することにより、前記支柱部が形成されていた箇所において前記基板から前記可動部用導電体膜を浮かせ、前記基板と対向する前記可動部用導電体膜の面、および前記可動部用導電体膜と対向する前記基板の面の少なくとも一方に凸部を形成する工程を含む、請求項２に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【請求項９】
前記可動部用導電体膜が酸化されるのを防止するための第３の保護絶縁膜を前記可動部用導電体膜の上面および側面を覆うように形成する工程を含む、請求項３または４に記載のマイクロデバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、マイクロデバイスの製造方法に関し、特に、加速度センサ、角速度センサ、マイクロミラーなどのマイクロデバイスの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
基板に対して垂直方向の慣性力を検出する方法として、慣性力にともなう静電の変化を検出する方法がある。この方法による加速度センサの一例が、たとえば特許文献１、非特許文献１に記載されている。この加速度センサでは、基板にねじれ梁を介して回転可能に検出フレームが支持され、検出フレームにリンク梁を介して基板の厚み方向に変位可能に慣性質量体が支持され、検出フレームと対向するように基板上に検出電極が形成されている。この加速度センサでは、基板に対して垂直方向に加速度が加えられると、慣性質量体が基板に対して垂直方向に変位する。この慣性質量体の変位がリンク梁を介して検出フレームに伝えられることによって、ねじれ梁を中心として検出フレームが回転する。この回転によって検出フレームと検出電極との距離が変化し、検出フレームと検出電極との間の静電容量が変化する。静電容量が容量−電圧変換回路によって加速度に比例する電圧に変換されることで加速度が検出される。
【０００３】
上記加速度センサの製造方法は特許文献１の図８〜図１２および非特許文献１の図６に記載されている。基板上の固定電極上に犠牲層膜が堆積され、犠牲層膜上に多結晶シリコンよりなる可動構造体（可動部用導電体膜）が形成された後、犠牲層膜が選択除去されて可動構造体が変位可能な状態とされる。
【０００４】
このように面外方向に変位するマイクロデバイスでは、可動部と基板とのギャップが小さいほど感度が高く、広帯域となるなど性能が向上する傾向がある。上記ギャップが小さい構造を形成する場合、横方向の慣性力検出構造を形成するために、たとえば特許文献２では可動電極と固定電極とを有する構造体の基本構造を形成した後、可動電極と固定電極とを固定する固定部材に電流を流し、固定部材を溶断して製造する方法が記載されている。
【０００５】
しかし、ギャップを小さくすると可動部の電極と基板の電極とが固着しやすくなり、歩留まりと信頼性の低下を招く可能性がある。このため、可動部が基板に固着することを防止する必要がある。たとえば特許文献３には、犠牲層膜を気相フッ酸でエッチングすることにより固着を防止する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】国際公開第２００９／１２５５１０号
【特許文献２】特許第３９６６１５５号公報
【特許文献３】特許第３５７７５６６号公報
【非特許文献】
【０００７】
【非特許文献１】平田他、「ダンピング効果を利用したメカニカル変位変換型Ｚ軸加速度センサによる衝突速度検出の改善」、電気学会論文誌Ｅ、2012年、Vo.132、No.9、pp.296-302
【非特許文献２】W. I. Jang et al., "Fabrication of MEMS devices by using anhydrous HF gas-phase etching with alcoholic vapor", J. Micromech. Microeng., Vol.12(2002), pp.297-306
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
可動部の電極と基板の電極との間に形成される犠牲層膜は、上記のように特許文献３に記載される気相フッ酸により選択的に除去されることが知られている。一方、特許文献１および非特許文献１に開示される多結晶シリコンを可動構造体とするマイクロセンサの製造方法では、犠牲層膜として、成膜後の高温リフローにより平坦性に優れるリン酸ガラス（Phosphorus Silicon Glass：ＰＳＧ）が用いられる。しかしＰＳＧは気相フッ酸によるドライエッチングで選択除去を実施すると、フッ酸との反応により基板上に残渣物が発生し、除去できないことが非特許文献２の図５および式（３）〜（６）に開示されている。したがってＰＳＧ犠牲層膜を用いると気相フッ酸による除去が使用できず、液体フッ酸による除去を使用する必要がある。液体フッ酸による除去ではフッ酸エッチング後水洗が必要であり、水洗後の乾燥工程で可動構造体と基板が固着し、歩留まりが低下するという問題点がある。
【０００９】
本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであり、その目的は、基板と可動構造体との間の狭ギャップ化が容易で、かつ基板上の残渣物の発生と、可動構造体および基板の固着との双方を抑制できるマイクロデバイスの製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明のマイクロデバイスの製造方法は、以下の工程を備えている。
基板上に、少なくともリンを含む酸化物からなりかつ貫通孔を有する犠牲絶縁膜と、貫通孔内を埋め込む支柱部と、犠牲絶縁膜および支柱部上に位置する可動部用導電体膜とが形成される。上記犠牲絶縁膜が液相処理により除去され、可動部用導電体膜が基板に対して支柱部で支持される。上記支柱部が気相処理により除去され、支柱部が形成されていた領域において可動部用導電体膜が基板から浮いた状態とされる。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、犠牲絶縁膜として、平坦性に優れたリンを含む酸化膜が用いられるため、基板と可動構造体との狭ギャップ化が容易である。また、犠牲絶縁膜が液相処理により除去されるため、残渣の発生を抑制することができる。また、液相処理時には可動部用導電体膜が支柱部で支持され、かつ液相処理後に気相処理により支柱部が除去されるため、可動部用導電体膜と基板との固着を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施の形態１におけるマイクロデバイスである加速度センサの構成を概略的に示す平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う概略断面図である。
【図３】図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う概略断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１におけるマイクロデバイスの製造方法の第１工程を示す図２の領域ＡおよびＢに対応した概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１におけるマイクロデバイスの製造方法の第２工程を示す図２の領域ＡおよびＢに対応した概略断面図である。
【図６】本発明の実施の形態１におけるマイクロデバイスの製造方法の第３工程を示す図２の領域ＡおよびＢに対応した概略断面図である。
【図７】本発明の実施の形態１におけるマイクロデバイスの製造方法の第４工程を示す図２の領域ＡおよびＢに対応した概略断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１におけるマイクロデバイスの製造方法の第５工程を示す図２の領域ＡおよびＢに対応した概略断面図である。
【図９】本発明の実施の形態１におけるマイクロデバイスの製造方法の第６工程を示す図２の領域ＡおよびＢに対応した概略断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態１におけるマイクロデバイスの製造方法の第７工程を示す図２の領域ＡおよびＢに対応した概略断面図である。
【図１１】本発明の実施の形態１におけるマイクロデバイスの製造方法の第８工程を示す図２の領域ＡおよびＢに対応した概略断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態１におけるマイクロデバイスの製造方法の第９工程を示す図２の領域ＡおよびＢに対応した概略断面図である。
【図１３】支柱部の平面的な位置を示す図９の工程に対応した平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態２における支柱部が熱酸化される態様を示す、図１１の点線で囲んだ領域ＸＩＶに相当する領域の拡大概略断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態２におけるマイクロデバイスの製造方法の、図１２に対応する工程を示す図２の領域ＡおよびＢに対応した概略断面図である。
【図１６】本発明の実施の形態３におけるマイクロデバイスの製造方法の、図７に対応する工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図１７】本発明の実施の形態４におけるマイクロデバイスの製造方法の、図７に対応する工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図１８】本発明の実施の形態５におけるマイクロデバイスの製造方法の第１工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態５におけるマイクロデバイスの製造方法の第２工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図２０】本発明の実施の形態５におけるマイクロデバイスの製造方法の第３工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図２１】本発明の実施の形態５におけるマイクロデバイスの製造方法の第４工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図２２】本発明の実施の形態５におけるマイクロデバイスの製造方法の第５工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図２３】本発明の実施の形態５におけるマイクロデバイスの製造方法の第６工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態５におけるマイクロデバイスの製造方法の第７工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図２５】本発明の実施の形態５におけるマイクロデバイスの製造方法の第８工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図２６】本発明の実施の形態５におけるマイクロデバイスの製造方法の第９工程を示す図２の領域Ａに対応した概略断面図である。
【図２７】本発明のマイクロデバイスの他の例である角速度センサの構成を概略的に示す平面図である。
【図２８】図２７のＸＸＶＩＩＩ−ＸＸＶＩＩＩ線に沿う概略断面図である。
【図２９】図２７のＸＸＩＸ−ＸＸＩＸ線に沿う概略断面図である。
【図３０】本発明のマイクロデバイスの他の例であるマイクロミラーの構成を概略的に示す平面図である。
【図３１】図３０のＸＸＸＩ−ＸＸＸＩ線に沿う概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施の形態について図に基づいて説明する。
（実施の形態１）
まず本実施の形態のマイクロデバイスの構成として加速度センサの構成について図１〜図３を用いて説明する。なお、説明の便宜のため、Ｘ方向、Ｙ方向、Ｚ方向が導入されている。図１において、Ｘ方向は２つのリンク梁５ｂが延びる方向である。Ｙ方向はＸ方向に直交する方向であって、８つの孔部５ｅが並ぶ方向である。Ｚ方向はＸ方向およびＹ方向の双方に直交する方向であって、支持基板１の表面に直交する上下方向（基板１Ａと可動体とが互いに向かい合う方向）である。なおＺ方向は、本実施の形態の加速度センサが測定対象とする加速度方向に一致する。
【００１４】
図１〜図３を参照して、本実施の形態の加速度センサ１００は、基板１Ａと、検出フレーム５ａと、リンク梁５ｂと、支持部５ｃとを主に有している。
【００１５】
基板１Ａは、支持基板１と、絶縁膜２と、固定電極３とを有している。支持基板１上には絶縁膜２が形成されており、絶縁膜２上には固定電極３が形成されている。支持基板１には、たとえばシリコン基板を用いることができる。絶縁膜２には、たとえば低応力の窒化シリコン膜やシリコン酸化膜を用いることができる。固定電極３には、たとえば導電性を有する多結晶シリコン膜を用いることができる。固定電極３は平面視において検出フレーム５ａの一部（図１における検出フレーム５ａの上側約３／４）の領域と重なる領域に形成されており、かつ矩形状を有している。
【００１６】
検出フレーム５ａ（可動部用導電体膜）は、平面視において矩形状を有している。検出フレーム５ａは、固定電極３の基板１Ａと反対側（上側）において、固定電極３とＺ方向に対向するように配置されている。固定電極３とＺ方向のその真上の検出フレーム５ａとはＺ方向に互いに間隔をあけて、言い換えれば固定電極３と検出フレーム５ａとの間に空間を挟むように、配置されている。検出フレーム５ａには複数の孔部５ｅがＸ方向およびＹ方向において互いに間隔をあけて行列状に（たとえば図１においてはＸ方向に４行、Ｙ方向に８列）並ぶように形成されている。孔部５ｅは検出フレーム５ａの一方の主表面から、一方の主表面とＺ方向に対向する他方の主表面までＺ方向に貫通している。なお図１においては孔部５ｅは平面視において矩形状となっているが、これに限らずたとえば多角形状、円形状、ライン形状であってもよい。
【００１７】
リンク梁（梁用導電体膜）５ｂは、検出フレーム５ａの矩形状の外側の２箇所に接続されている。リンク梁５ｂは、リンク梁５ｂのＸ方向に延びる軸周りにねじれることができるように検出フレーム５ａにより支持されている。リンク梁５ｂのＸ方向に延びる軸は、検出フレーム５ａの重心ＧとＹ方向に関して距離ｅだけずれている。
【００１８】
支持部（支持部用導電体膜）５ｃは、平面視において検出フレーム５ａの周囲を隙間５ｄを介在して取り囲むように枠形状を有している。支持部５ｃは、検出フレーム５ａの周囲において基板１Ａに固定支持されている。この支持部５ｃはリンク梁５ｂに接続されている。これにより、支持部５ｃは、検出フレーム５ａにリンク梁５ｂを介在して接続されている。以上により検出フレーム５ａは、リンク梁５ｂおよび支持部５ｃを介在して基板１Ａに固定支持されている。また支持部５ｃは、少なくともその一部が導電性を有している。
【００１９】
上記の検出フレーム５ａ、リンク梁５ｂおよび支持部５ｃは、一体の導電体膜５から形成されており、たとえば導電性を有する多結晶シリコン膜からなっている。本実施の形態においては、検出フレーム５ａは基板１Ａに対して移動する可動部用導電体膜である。
【００２０】
次に本実施の形態のマイクロデバイスとしての加速度センサの動作原理について図１〜図３を用いて説明する。
【００２１】
図１〜図３を参照して、この加速度センサ１００では、基板１Ａの表面に対して垂直方向（Ｚ方向）に加速度が加えられると、慣性質量体としての機能を兼ねる検出フレーム５ａが基板１Ａに対して上下方向（Ｚ方向）に変位する。この変位により検出フレーム５ａはリンク梁５ｂのＸ方向に延びる軸を中心として回転する。この回転によって検出フレーム５ａと固定電極３との距離が変化し、検出フレーム５ａと固定電極３との間の静電容量が変化する。静電容量が容量−電圧変換回路によって加速度に比例する電圧に変換されることで加速度が検出される。
【００２２】
次に、本実施の形態のマイクロデバイスの製造方法として加速度センサの製造方法について図４〜図１３を用いて説明する。
【００２３】
図４を参照して、たとえばシリコンよりなる支持基板１の表面上に絶縁膜２を介在してたとえば多結晶シリコンよりなる導電体膜３が形成される。絶縁膜２および導電体膜３はたとえばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により形成されることが好ましい。この導電体膜３がフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされることにより固定電極３が形成される。これにより、支持基板１と絶縁膜２とパターニングされた固定電極３とからなる基板１Ａが形成される。
【００２４】
次に固定電極３を覆うように基板１Ａ上に、第１の保護絶縁膜４ａと、犠牲絶縁膜４と、第２の保護絶縁膜４ｂとがこの順に、たとえばＣＶＤ法により形成される。第１の保護絶縁膜４ａおよび第２の保護絶縁膜４ｂは、熱酸化されにくい材質で形成されていることが好ましく、たとえば窒化シリコンからなることが好ましい。また犠牲絶縁膜４は、いわゆるリフロー工程により、犠牲絶縁膜４に覆われる表面の段差を減らすカバレッジに優れ当該表面を平坦にすることが可能な材質で形成されていることが好ましい。この絶縁膜４は、少なくともリンを含む酸化物、たとえばリン酸ガラス（ＰＳＧ）などからなることが好ましい。ただし犠牲絶縁膜４は、リン酸ガラス（ＰＳＧ）の代わりにたとえばリン酸ガラスにさらにホウ素が加わったガラス（Boron Phosphorus Silicon Glass：ＢＰＳＧ）により形成されてもよい。
【００２５】
第１の保護絶縁膜４ａ、犠牲絶縁膜４および第２の保護絶縁膜４ｂはなるべく薄く形成することが好ましい。たとえば第１の保護絶縁膜４ａの厚みＴ１（図４）および第２の保護絶縁膜４ｂの厚みＴ３（図４）はそれぞれ５００ｎｍとし、犠牲絶縁膜４の厚みＴ２（図４）は１μｍとする。
【００２６】
第１の保護絶縁膜４ａと、犠牲絶縁膜４とが形成された後に、リフロー工程により、約１０００℃に加熱されることが好ましい。このようにすれば犠牲絶縁膜４の上面の表面粗さをたとえば１ｎｍ以下にするなど非常に平坦性に優れた形状とすることができる。その結果、第２の保護絶縁膜４ｂの上面の平坦性も向上させることができる。
【００２７】
図５を参照して、第１の保護絶縁膜４ａ、犠牲絶縁膜４および第２の保護絶縁膜４ｂがフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされる。これにより、図２の領域Ａすなわち検出フレーム５ａが形成されるべき領域には第１の保護絶縁膜４ａ、犠牲絶縁膜４および第２の保護絶縁膜４ｂを貫通して固定電極３に達する貫通孔６が、互いに一定の間隔を隔てて複数形成される。この間隔は後に形成される検出フレーム５ａに複数並ぶように形成される孔部５ｅのピッチにほぼ等しいことが好ましい。図２の領域Ｂすなわち支持部５ｃ（図１〜図３）が形成されるべき領域では基板１Ａの絶縁膜２が露出する。
【００２８】
図６を参照して、第２の保護絶縁膜４ｂを覆うように、たとえば多結晶シリコンよりなる導電体膜５が、たとえばＣＶＤ法により成膜される。この導電体膜５は貫通孔６内を埋め込むように形成される。検出フレーム５ａの真下の貫通孔６に充填された導電体膜５は支柱部５ｆとして形成される。導電体膜５の厚みＴ４（図６）はたとえば８μｍ程度となるように形成する。
【００２９】
図７を参照して、導電体膜５に深堀エッチング（ＤＲＩＥ：Deep Reactive Ion Etching）などが行われて、導電体膜５がパターニングされる。この際、第２の保護絶縁膜４ｂはエッチングストッパとして機能する。
【００３０】
上記の深堀エッチングによって、導電体膜５から、検出フレーム５ａおよび支持部５ｃが形成される。また図示されないがこのとき、検出フレーム５ａと支持部５ｃとを接続するリンク梁５ｂ（図１、図３）も形成される。この１回の深堀エッチングを行なうだけで、犠牲絶縁膜４上の一体の導電体膜５から、可動部用導電体膜としての検出フレーム５ａと、基板１Ａに支持されかつ検出フレーム５ａを支持する支持部用導電体膜としての支持部５ｃとを同時に形成することができる。
【００３１】
支柱部５ｆは検出フレーム５ａの下面から固定電極３の上面まで第２の保護絶縁膜４ｂ、犠牲絶縁膜４および第１の保護絶縁膜４ａをＺ方向に延びる貫通孔６内を埋めるように形成されている。このようにすれば後述するように犠牲絶縁膜４が除去された際に、検出フレーム５ａが基板１Ａに固着しないように基板１Ａに対して支持するための支柱部５ｆを形成することができる。
【００３２】
検出フレーム５ａには上面から下面まで貫通するように複数の孔部５ｅが、一定の間隔を隔てて形成される。検出フレーム５ａはその真下の支柱部５ｆを介在して固定電極３に接続される。
【００３３】
図８を参照して、検出フレーム５ａ、支持部５ｃなどの導電体膜５の表面（上面および側面）上を覆うように、第３の保護絶縁膜としての薄膜７が形成される。この薄膜７は、導電体膜５がたとえば多結晶シリコンよりなる場合には、多結晶シリコンの熱酸化を妨げるシリコン窒化膜などから形成される。なお薄膜７は、酸化による導電体膜５のパターン変化を見込んで形成されるが、酸化による導電体膜５のパターン変化が無視できる場合は不要である。
【００３４】
薄膜７が形成された後、フロロカーボン系の反応性イオンエッチング（ＲＩＥ：Reactive Ion Etching）などにより、孔部５ｅの真下の第２の保護絶縁膜４ｂが除去され開口部５ｇが形成される。
【００３５】
図９を参照して、開口部５ｇにより犠牲絶縁膜４が露出された領域を起点として、犠牲絶縁膜４が液相処理すなわちフッ酸溶液などによりエッチング除去される。上記のエッチング除去により、基板１Ａの上面と検出フレーム５ａ、リンク梁５ｂ（図示せず）などの導電体膜５の下面との間に隙間が生じる。また犠牲絶縁膜４が除去されることにより、支柱部５ｆの側面が外部に露出する。ただし、固定電極３と検出フレーム５ａとは支柱部５ｆにより連結されているため、この段階では検出フレーム５ａは支柱部５ｆにより基板１Ａに固定されている。
【００３６】
検出フレーム５ａを支持する複数の支柱部５ｆは、図１３に示すように平面視においてたとえば行列状に配置される。行列状に配置された複数の支柱部５ｆの各々は、検出フレーム５ａの行列状に配置された複数の孔部５ｅのうち対角線の方向に隣り合う１対の孔部５ｅの中間点に形成されてもよいがこれに限られない。また支柱部５ｆは図１３においては平面視において矩形状となっているが、これに限らずたとえば多角形状、円形状、ライン形状であってもよい。
【００３７】
上記により、図９に示すように基板１Ａとの間に隙間を介して配置された可動部用導電体膜（検出フレーム５ａ）を、複数の支柱部５ｆの各々で基板１Ａに対して支持した支持構造が形成される。
【００３８】
図１０を参照して、この後、熱酸化が行なわれる。これにより、外部に露出した支柱部５ｆが、表面（側面）から熱酸化されて、熱酸化膜８が形成される。支柱部５ｆすなわち導電体膜５が多結晶シリコンよりなる場合には、熱酸化膜８は酸化シリコンよりなる。
【００３９】
上記の熱酸化は、たとえば９００℃以上の高温で酸素を含むガスを流してシリコンを化学的に変質させることにより行われる。この熱酸化の方法としては、たとえばドライＯ2酸化、ウエットＯ2酸化、スチーム酸化、水素燃焼酸化（パイロジェニック酸化）、酸素分圧酸化、塩酸酸化などの方法が用いられる。
【００４０】
図１１を参照して、この熱酸化膜８は支柱部５ｆの表面側と膜中側とに一定の割合で成長する。上記の熱酸化は、上下方向（Ｚ方向）における支柱部５ｆの少なくとも一部において、支柱部５ｆの上下方向に直交する幅方向（Ｙ方向）の全体が酸化するように行なわれる。言い換えれば支柱部５ｆの内部の全体が熱酸化膜８に変質し、検出フレーム５ａとこれに対向する固定電極３とが熱酸化膜８のみで支持される状態になるまで熱酸化が行なわれる。
【００４１】
支柱部５ｆが変質して生じた熱酸化膜８が、たとえば気相フッ酸などによりエッチング除去される。さらに第１の保護絶縁膜４ａ、第２の保護絶縁膜４ｂおよび第３の保護絶縁膜７がたとえばフロロカーボンガスを用いたプラズマエッチングなどによりエッチング除去される。
【００４２】
図１２を参照して、上記の熱酸化膜８のエッチング除去により、支柱部５ｆが形成されていた箇所において基板１Ａから可動部用導電体膜（検出フレーム５ａ）が浮いた状態となる。またこの状態においては、リンク梁５ｂおよび支持部５ｃなどを介在して可動部用導電体膜（検出フレーム５ａ）が基板１Ａに対して支持される（図３参照）。
【００４３】
また上記薄膜７のエッチング除去により、固定電極３と導電体膜５（検出フレーム５ａおよび支持部５ｃ）との表面が露出し、可動部用導電体膜をＺ方向に関して変位可能な状態となる。これにより図１〜図３に示す本実施の形態のマイクロデバイスとしての加速度センサが製造される。
【００４４】
なお第１の保護絶縁膜４ａ、第２の保護絶縁膜４ｂおよび第３の保護絶縁膜７が熱リン酸などの酸化膜に対するエッチング選択比の高い薬液によりエッチング除去される場合には、気相フッ酸による熱酸化膜８のエッチング除去の前に上記薬液によるエッチング除去されることが好ましい。言い換えれば気相フッ酸による熱酸化膜８の除去を薬液によるエッチングの後に（たとえば最後の工程として）実施することが好ましい。
【００４５】
このようにすれば、仮に薬液を用いた第１の保護絶縁膜４ａ，４ｂなどの除去が気相によるエッチング除去の後に（たとえば最後の工程として）実施された場合に発生し得る、残存する薬液の表面張力によるたとえば検出フレーム５ａの下面と固定電極３の上面とが互いに固着する不具合を抑制することができる。
【００４６】
次に、本実施の形態の作用効果について説明する。
本実施の形態によれば、たとえばリン酸ガラス（ＰＳＧ）などの少なくともリンを含む酸化物からなる犠牲絶縁膜４が、固定電極３と検出フレーム５ａとの導電性膜（多結晶シリコンの薄膜）に挟まれるように形成される。このような犠牲絶縁膜４の上面を高温リフロー工程を行なうことにより平坦化することができる。
【００４７】
たとえば通常、多結晶シリコンで形成された厚み５００ｎｍの固定電極薄膜の表面粗さは数ｎｍ程度である。しかし当該固定電極薄膜上に犠牲絶縁膜としてのリン酸ガラス（ＰＳＧ）が形成され、約１０００℃で高温リフロー工程がなされた場合には、リン酸ガラスの上面の表面粗さを１ｎｍ以下にすることができる。これはリン酸ガラスの優れた段差カバレッジ（段差を覆って平坦にする機能）と平坦化とによるものである。これにより、固定電極３と検出フレーム５ａとのギャップを狭くすることができ、感度が高く広帯域の（性能が向上された）マイクロデバイス（静電容量式加速度センサ）を実現することができる。
【００４８】
また、たとえばリン酸ガラスからなる犠牲絶縁膜４は液相処理により除去される。このため、たとえばリン酸ガラスからなる犠牲絶縁膜４を気相で除去した場合に生じる、リンを含む残渣は液相処理による除去では生じない。よって、製品の歩留まりを向上させることができる。
【００４９】
また検出フレーム５ａが基板１Ａの固定電極３に対して犠牲絶縁膜４の貫通孔６内を埋め込むように形成された支柱部５ｆで支持された状態で、犠牲絶縁膜４が除去される。このため犠牲絶縁膜４が液相により除去されても、乾燥工程において固定電極３と検出フレーム５ａとの固着が生じない。
【００５０】
また支柱部５ｆは気相により除去される。このため、液相により除去した場合のような乾燥工程が不要となる。よって、支柱部５ｆの除去時に、その乾燥工程における固着は生じない。
【００５１】
このように検出フレーム５ａを基板１Ａから浮かせるための最後の工程において支柱部５ｆが液相処理ではなく気相処理で除去されるため、薬液の乾燥工程時の検出フレーム５ａと固定電極３との固着を抑制することができる。
【００５２】
犠牲絶縁膜４はその基板側（下側）の表面が第１の保護絶縁膜４ａに覆われ、基板側と反対側（上側）の表面が第２の保護絶縁膜４ｂに覆われる。これらの保護絶縁膜４ａ，４ｂは犠牲絶縁膜４のリン酸ガラスとは異なる材質（たとえば窒化シリコン）で形成されるため、図９の犠牲絶縁膜４がエッチング除去される際にエッチングされにくい。これは保護絶縁膜４ａ，４ｂと犠牲絶縁膜４との高いエッチング選択比によるものである。したがって保護絶縁膜４ａ，４ｂは、基板１Ａおよび検出フレーム５ａを保護することができる。
【００５３】
さらに第１の保護絶縁膜４ａは熱酸化されにくい窒化シリコンなどにより形成されており、図１０および図１１の支柱部５ｆを酸化する工程において基板１Ａ（固定電極３）が酸化されるのを防止するように（固定電極３の上側の表面を覆うように）形成されている。第２の保護絶縁膜４ｂも熱酸化されにくい窒化シリコンなどにより形成されており、上記図１０，１１の工程において検出フレーム５ａの下面が酸化されるのを防止するように（検出フレーム５ａ（導電体膜５）の下側の表面を覆うように）形成されている。このため犠牲絶縁膜４がエッチングされる際および、支柱部５ｆが酸化される際の双方において、基板１Ａおよび検出フレーム５ａなどがエッチングされたり酸化されることを防止することができる。
【００５４】
したがって、固定電極３と検出フレーム５ａとのギャップの変化を抑制することができる。
【００５５】
上記の保護絶縁膜４ａ，４ｂと同様に、検出フレーム５ａの上面および側面が酸化されるのを防止するように第３の保護絶縁膜としての薄膜７が検出フレーム５ａの上面および側面を覆うように形成されている。このため検出フレーム５ａの上面および側面の酸化によるマイクロデバイスとしての性能の劣化を抑制することができる。
【００５６】
（実施の形態２）
図１４を参照して、実施の形態１の図１１に示す支柱部５ｆが熱酸化され熱酸化膜８となる工程において、支柱部５ｆの側面から上下方向に直交する幅方向（Ｙ方向）に進行する熱酸化膜同士がぶつかる部分（図１４の熱酸化膜８のＹ方向の中央部）で熱酸化膜８に凹部８ａ，８ｂが形成されてもよい。凹部８ａ，８ｂの大きさは、支柱部５ｆのＸ方向またはＹ方向に関する幅が大きくなるにつれて（幅が大きくなるほど）大きくなる。実施の形態１は上記の凹部８ａ，８ｂが無視できる程度に小さい場合を示している。なお、これ以降の各実施の形態において実施の形態１の構成と同一の要素については同一の符号を付し、その説明は繰り返さない。
【００５７】
図１４の熱酸化膜８が実施の形態１の図１２に示す工程と同様に気相フッ酸により除去されれば、図１５に示すように、支柱部５ｆが形成されていた箇所において基板１Ａから可動部用導電体膜（検出フレーム５ａ、慣性質量体）が浮いた状態となり、固定電極３と検出フレーム５ａとが上下方向（Ｚ方向）に互いに対向する箇所に凸部９ａと凸部９ｂとが形成される。
【００５８】
これにより、基板１Ａの固定電極３と対向する検出フレーム５ａの表面には凸部９ａが形成されており、かつ検出フレーム５ａと対向する基板１Ａの固定電極３の表面には凸部９ｂが形成されている。この検出フレーム５ａの凸部９ａと上下方向（Ｚ方向）に対向する位置に固定電極３の凸部９ｂが形成されている。
【００５９】
本実施の形態によれば、図１４に示すように支柱部５ｆが酸化されて熱酸化膜８が形成された後に、図１５に示すようにその熱酸化膜８が除去されることにより支柱部５ｆが接続されていた箇所に凸部９ａ，９ｂが形成される。
【００６０】
この際、図１４に示すように、導電体膜３および導電体膜５の多結晶シリコンが熱酸化されると、熱酸化された部分はそれ以上酸化しない。このため、仮に酸化時間が長くなると凸部９ａ，９ｂの形状はそのままで、熱酸化膜８は上下方向に厚くなるように形成される。よって、熱酸化の時間が長くなっても、凸部９ａ，９ｂの形状を維持されることになり、凸部９ａ，９ｂの形状のばらつきが小さくなる。したがって、基板１Ａと可動部用導電体膜（検出フレーム５ａ、慣性質量体）との製造中および使用中の固着が少なく、固着防止効果の一定化が容易な信頼性の高いマイクロデバイス（静電容量式加速度センサ）を実現することができる。
【００６１】
（実施の形態３）
上記の支柱部５ｆは、検出フレーム５ａを支持可能な程度に、なるべく横寸法（上記Ｘ方向およびＹ方向に関する寸法）が小さいことが好ましい。図１６を参照して、孔部５ｅで区画された検出フレーム５ａの各領域の真下に形成される貫通孔６および支柱部５ｆが複数（たとえば６つ）形成されていてもよい。なお以降の各図においては、実施の形態１の各工程を示す図における図２の領域Ｂに関する図示が省略されているが、実施の形態１の各工程を示す図における図２の領域Ａに関する図示がなされている。
【００６２】
このように孔部５ｅで区画された検出フレーム５ａの各領域が複数の支柱部５ｆにより支持されれば、たとえば実施の形態１のように上記各領域が単一の支柱部５ｆにより支持される場合に比べて支持強度を高めることができる。
【００６３】
図１６のように複数の支柱部５ｆにより支持する構成は、貫通孔６を形成するために第１の保護絶縁膜４ａ、犠牲絶縁膜４および第２の保護絶縁膜４ｂをパターニングする際に、上記横寸法がフォトリソグラフィの加工可能な最小の寸法とすることにより実現できる。
【００６４】
このように支柱部５ｆの横寸法を小さくすれば、支柱部５ｆを熱酸化する時間および支柱部５ｆが熱酸化された熱酸化膜を除去するのに要する時間を短縮することができる。また、検出フレーム５ａ、保護絶縁膜４ａ，４ｂおよび固定電極３などの各膜による残留応力を分散し、支柱部５ｆへの応力集中を低減することができる。
【００６５】
（実施の形態４）
本実施の形態は、たとえば実施の形態１の図５に示す（第１の保護絶縁膜４ａ、犠牲絶縁膜４および第２の保護絶縁膜４ｂを貫通する）貫通孔６の横寸法（Ｘ方向およびＹ方向に関する寸法）において実施の形態１と異なっている。
【００６６】
具体的には図１７を参照して、本実施の形態においては、貫通孔６が第２の保護絶縁膜４ｂの貫通孔６ａと、犠牲絶縁膜４の貫通孔６ｂと、第１の保護絶縁膜４ａの貫通孔６ｃとを有している。犠牲絶縁膜４の貫通孔６ｂの横寸法Ｗ２は第２の保護絶縁膜４ｂの貫通孔６ａの横寸法Ｗ１よりも小さくなっている。第１の保護絶縁膜４ａの貫通孔６ｃの横寸法Ｗ３は犠牲絶縁膜４の貫通孔６ｂの横寸法Ｗ２よりも小さくなるように、貫通孔６が形成される。このようにすれば、貫通孔６全体を巨視的に見たときに貫通孔６は基板１側に細くなるテーパ形状を有することになる。
【００６７】
図１７に示す貫通孔６（貫通孔６ａ，６ｂ，６ｃ）は以下のように形成される。まず第２の保護絶縁膜４ｂが、横寸法の比較的大きい（図１７の寸法Ｗ１を有する）第１のマスクパターンにより、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされる。次に犠牲絶縁膜４が、横寸法が上記第１のマスクパターンより小さい（図１７の寸法Ｗ２を有する）第２のマスクパターンにより、上記と同様にパターニングされる。次に第１の保護絶縁膜４ａが、上記第２のマスクパターンより小さい（図１７の寸法Ｗ３を有する）第３のマスクパターンにより、上記と同様にパターニングされる。
【００６８】
ただし上記第１のマスクパターンを用いたフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術により、第２の保護絶縁膜４ｂおよび犠牲絶縁膜４の双方が同時にパターニングされてもよい。このようにすれば、第１〜第３のマスクパターンを用いて形成された図１７の態様に比べて貫通孔６のテーパ角度が急峻になる（すなわちＷ１，Ｗ２，Ｗ３の差が小さくなる）。
【００６９】
本実施の形態によれば、たとえば最も基板１Ａに近い貫通孔６ｃ内の支柱部５ｆのみを選択的に熱酸化し除去することができる。このようにすれば、貫通孔６ａ，６ｂ内の支柱部５ｆを残存させることによりこれを実施の形態２の図１５に示す凸部９ａとして用いることができる。したがって上記のように貫通孔６ａ，６ｂ内に残存する支柱部５ｆが凸部９ａとして機能することにより、実施の形態２と同様に検出フレーム５ａと固定電極３との固着を抑制させることができる。
【００７０】
またたとえば上記横寸法Ｗ１を大きくすれば、検出フレーム５ａに固着された支柱部５ｆの凸部の（図１７の上側の）根元の横寸法を大きくすることができることから、凸部として機能する支柱部５ｆの機械的強度を高めることができ、信頼性の高いマイクロデバイス（静電容量式加速度センサ）を実現することができる。なおこの場合、テーパ角度（検出フレーム５ａの下面と巨視的に見た支柱部５ｆの側面とのなす角度）が４５°以下であることが好ましい。
【００７１】
（実施の形態５）
本実施の形態においても最終形態は図１〜図３に示す実施の形態１の加速度センサ１００と同様であるが、その製造方法が一部異なっている。以下、本実施の形態のマイクロデバイスの製造方法として加速度センサの製造方法について図１８〜図２６を用いて説明する。
【００７２】
図１８を参照して、まず図４と同様に支持基板１と絶縁膜２とパターニングされた固定電極３とからなる基板１Ａが形成される。次に固定電極３を覆うように基板１Ａ上に、第１の保護絶縁膜４ａと、導電体膜５とがこの順に成膜される。ここでの導電体膜５の厚みＴ５（図１８）は実施の形態１の犠牲絶縁膜４の厚みＴ２（図４）と第１の保護絶縁膜４ａの厚みＴ３（図４）との和とほぼ等しくなるようにすることが好ましい。
【００７３】
図１９を参照して、図１８の導電体膜５がフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いてパターニングされる。これにより実施の形態１と同様の支柱部５ｆが形成される。
【００７４】
図２０を参照して、支柱部５ｆを覆うように第１の保護絶縁膜４ａ上に犠牲絶縁膜４が形成される。その後、犠牲絶縁膜４の（図２０の上下方向の）厚みが支柱部５ｆの厚みとほぼ等しくなるように、たとえばＣＭＰ（Chemical Vapor Deposition）により犠牲絶縁膜４の上面側が研磨除去される。その結果、犠牲絶縁膜４は、図１９の支柱部５ｆの側面全周を覆うように、支柱部５ｆと同一の層として形成される。視点を変えれば、支柱部５ｆは、犠牲絶縁膜４の貫通孔を埋め込むように配置される。なお上記のＣＭＰにより、犠牲絶縁膜４の平坦性を向上させることができる。
【００７５】
図２１を参照して、犠牲絶縁膜４および支柱部５ｆの上面を覆うように、第２の保護絶縁膜４ｂと導電体膜５とがこの順に、形成される。
【００７６】
図２２を参照して、図７の工程と同様に、導電体膜５に深堀エッチング（ＤＲＩＥ）などが行われて、導電体膜５がパターニングされ、導電体膜５から、検出フレーム５ａおよび図示されない支持部５ｃやリンク梁５ｂなどが形成される。この際、第２の保護絶縁膜４ｂはエッチングストッパとして機能する。また孔部５ｅも形成される。
【００７７】
図２３を参照して、図８の工程と同様に、検出フレーム５ａなどの導電体膜５の表面上を覆うように、第３の保護絶縁膜としての薄膜７が形成され、孔部５ｅの真下の第２の保護絶縁膜４ｂが除去され開口部５ｇが形成される。
【００７８】
図２４を参照して、図９の工程と同様に、犠牲絶縁膜４が液相処理すなわちフッ酸溶液などによりエッチング除去される。
【００７９】
図２５および図２６を参照して、図１０および図１１の工程と同様に支柱部５ｆの全体が熱酸化されることにより、熱酸化膜８が形成される。
【００８０】
その後、実施の形態１と同様に気相フッ酸により熱酸化膜８が除去される。また実施の形態１と同様に第１の保護絶縁膜４ａ、第２の保護絶縁膜４ｂ、第３の保護絶縁膜７がエッチング除去され、図１２と同様の態様となる。
【００８１】
本実施の形態においては、支柱部５ｆが検出フレーム５ａと一体ではなく別体として形成されている。このため実施の形態１のように支柱部５ｆと検出フレーム５ａとが一体である場合に比べて、図２５および図２６に示す支柱部５ｆの熱酸化の際に支柱部５ｆの真上の検出フレーム５ａの形状変化を低減することができる。このため、より信頼性の高いマイクロデバイス（静電容量式加速度センサ）を実現することができる。
【００８２】
（その他）
上記実施の形態１〜５においてはマイクロデバイスとして加速度センサについて説明したが、マイクロデバイスとしては他のデバイスであってもよい。たとえば図２７〜図２９に示す角速度センサ、図３０〜図３１に示すマイクロミラーなどに本発明が適用されてもよい。
【００８３】
まず角速度センサについて説明する。
図２７〜図２９を参照して、角速度センサ２００は、その上に薄膜の絶縁膜１２が形成された半導体基板１１上に各構成が配設されてなるもので、実施の形態１の検出フレーム５ａと類似の機能を有する慣性質量体１５ａを有している。慣性質量体１５ａは、Ｙ軸方向に延びるリンク梁１５ｂを介在して連結されており、図２９からわかるように、半導体基板１１の上方で基板１１の表面に平行に保持されている。
【００８４】
支持部１５ｃは、平面視において隙間１５ｄを介在して慣性質量体１５ａの周囲を取り囲むように枠形状を有しており、慣性質量体１５ａの周囲において半導体基板１１に固定支持されている。この支持部１５ｃはリンク梁１５ｂに接続されている。これにより支持部１５ｃは、慣性質量体１５ａにリンク梁１５ｂを介在して接続されている。以上により慣性質量体１５ａは、リンク梁１５ｂおよび支持部１５ｃを介在して半導体基板１１に固定支持されている。また支持部１５ｃは、少なくともその一部が導電性を有している。
【００８５】
なお、慣性質量体１５ａ、リンク梁１５ｂおよび支持部１５ｃは、たとえば多結晶シリコンなどで形成され、半導体基板１１はシリコンなどで、絶縁膜１２はたとえば低応力のシリコン窒化膜やシリコン酸化膜により形成されている。
【００８６】
慣性質量体１５ａに対応する絶縁膜１２上には、検出電極１３が設けられている。慣性質量体１５ａと検出電極１３とは、Ｚ方向に小さな間隔を隔てて、電気的に独立している。また慣性質量体１５ａには検出フレーム５ａと同様に孔部１５ｅが形成されていてもよい。
【００８７】
この角速度センサ２００の動作原理は以下のとおりである。図示されない駆動機構により慣性質量体１５ａが半導体基板１１上で音叉振動（図２７のＸ方向に関する中央部の隙間１５ｄの左側および右側のそれぞれの慣性質量体１５ａがＸ方向に関して互いに逆相で振動）を行なっている場合に、図のＹ方向の軸周りの角速度が入力されると、慣性質量体１５ａはその速度振動ベクトル方向および角速度ベクトル方向に直交する方向（半導体基板１１に直交するＺ方向）に、慣性力すなわちコリオリの力を受ける。その結果、慣性質量体１５ａは互いに逆相の半導体基板１１の外方への慣性力を受け、Ｙ方向中心軸の周りの回転振動が誘起される。この回転振動の変位は、角速度に比例するため、この変位を、慣性質量体１５ａとその下側に設けられた検出電極１３との間の容量変化を通じ、Ｃ−Ｖ変換器により電気出力に変換して、角速度信号を取得することができる。
【００８８】
検出電極１３と慣性質量体１５ａとの間で形成される容量変化は、角速度検出時に差動変化となり、この差動変化を検出し得る回路構成を採用することにより、同相で変化するような外乱振動（Ｘ方向やＺ方向の加速度による発生する慣性質量体１５ａの変位振動）の影響を受けない構成を実現することができる。
【００８９】
この角速度センサ２００は、上記実施の形態１〜５の加速度センサと同様の製造方法により形成されてもよい。
【００９０】
次にマイクロミラーについて説明する。
図３０および図３１を参照して、マイクロミラー３００において、ミラー部２５ｅはミラー形成基板２５ａの一面に形成されており、アルミニウム薄膜や金薄膜などから形成されている。ミラー形成基板２５ａは中央の重心Ｇを軸として回動するように構成されている。リンク梁２５ｂはミラー形成基板２５ａの中央延長上に形成されている。
【００９１】
支持部２５ｃは、平面視において隙間２５ｄを介在してミラー形成基板２５ａの周囲を取り囲むように枠形状を有しており、ミラー形成基板２５ａの周囲において基板２１Ａに固定支持されている。この支持部２５ｃはリンク梁２５ｂに接続されている。これにより支持部２５ｃは、ミラー形成基板２５ａにリンク梁２５ｂを介在して接続されている。以上によりミラー形成基板２５ａは、リンク梁２５ｂおよび支持部２５ｃを介在して基板２１Ａに固定支持されている。また支持部２５ｃは、少なくともその一部が導電性を有している。
【００９２】
なお、ミラー形成基板２５ａ、リンク梁２５ｂおよび支持部２５ｃは、たとえば多結晶シリコンで形成され、基板２１Ａはシリコンやガラスなどで形成されている。
【００９３】
基板２１Ａ上には２つの駆動電極２３が形成されている。２つの駆動電極２３は、ミラー形成基板２５ａからギャップｇ０の距離に形成されてミラー形成基板２５ａを静電引力で駆動する際に電圧が印加される部分である。
【００９４】
このマイクロミラーの動作原理は以下のとおりである。駆動電極２３のうちの一方に電圧を印加すると、ミラー形成基板２５ａと駆動電極２３との間の電位差および静電容量に応じた静電引力が発生し、ミラー形成基板２５ａが中央部を軸として回動し、ミラー部２５ｅは角度（走査角度）θｓだけ傾く。たとえば、２つの駆動電極２３に所定のバイアス直流電圧を印加し、さらに駆動電極２３に所定の交流電圧を２つの駆動電極２３の各々に位相が１８０度異なるように印加することにより、ミラー部２５ｅを回転振動させることができる。このようにして、印加電圧に基づいてミラー部２５ｅの角度が制御され、光ビームが走査される。
【００９５】
このマイクロミラー３００は、上記実施の形態１〜５の加速度センサと同様の製造方法により形成されてもよい。
【００９６】
今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００９７】
１Ａ，２１Ａ  基板、１  支持基板、２，１２  絶縁膜、３  固定電極、４  犠牲絶縁膜、４ａ  第１の保護絶縁膜、４ｂ  第２の保護絶縁膜、５  導電体膜、５ａ  検出フレーム、５ｂ，１５ｂ，２５ｂ  リンク梁、５ｃ，１５ｃ，２５ｃ  支持部、５ｄ，１５ｄ，２５ｄ  隙間、５ｅ，１５ｅ  孔部、５ｆ  支柱部、５ｇ  開口部、６，６ａ，６ｂ，６ｃ  貫通孔、７  薄膜、８  熱酸化膜、８ａ，８ｂ  凹部、９ａ，９ｂ  凸部、１１  半導体基板、１３  検出電極、１５ａ  慣性質量体、２３  駆動電極、２５ａ  ミラー形成基板、２５ｅ  ミラー部、１００  加速度センサ、２００  角速度センサ、３００  マイクロミラー。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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