(57)【要約】【課題】電子部品に対し密着性の高い電磁シールド層を形成することができるとともに、電子部品自体の劣化を十分に抑制することができ、なおかつ煩雑な工程が不要である電子部品の製造方法を提供すること。【解決手段】  基材、基材の一方の面上に配置された半導体素子、及び半導体素子を封止する封止材を備える半導体搭載基板を準備する工程と、基材の他方の面に保護フィルムを貼付する工程と、封止材の表面をブラスト処理する工程と、ブラスト処理された封止材の表面に無電解めっき膜を形成する工程と、を備える、電子部品の製造方法。【選択図】図１
2014123619.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材、前記基材の一方の面上に配置された半導体素子、及び前記半導体素子を封止する封止材を備える半導体搭載基板を準備する工程と、
前記基材の他方の面に保護フィルムを貼付する工程と、
前記封止材の表面をブラスト処理する工程と、
ブラスト処理された前記封止材の表面に無電解めっき膜を形成する工程と、
を備える、電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記ブラスト処理が湿式ブラスト処理である、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記基材が、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミックス基板及び金属リードフレームからなる群より選ばれるパッケージ基板である、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載の製造方法により製造される、電子部品。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品の製造方法及び電子部品に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器が発する電磁波は人体にとって有害となる場合がある。このような電磁波を遮断する方法（電磁シールド）は多岐に亘るが、一般的には金属キャップを用いて電子機器内部を覆う金属キャップ方式が主流である。しかしながら、この金属キャップ方式を採用する場合、電子機器の組み立て工程が極めて複雑になるだけでなく、金属キャップの搭載エリアにも設計上の制約があるため、電子機器の小型、薄型化が困難である。また、組み立てコスト及び材料コストを含めると、電子機器自体の製造コストが高くなることが知られている。このようなことから、金属キャップに代えて、半導体素子の封止材表面に直接めっき被膜を形成することで、電磁シールド特性を得る方法も試みられている。
【０００３】
ところで、樹脂等の表面に密着性の高いめっき膜を形成することは古くから色々な方法で行われている。例えば、自動車分野ではクロム酸−硫酸を用いて、また、配線板等のプリント基板の分野では過マンガン酸を用いて樹脂を溶かしてアンカー効果を高め、樹脂とめっき膜との密着性を確保する処理方法が主流である。しかしながら、このような方法を半導体を実装したパッケージ基板における封止材表面に適用した例は殆どなく、まだ量産実用化されていない。これは、上記方法の工程上、電子部品全体をこれらの液体で処理することになるため、表面に封止材、裏面や側面にパッケージ基板が露出した状態の電子部品自体のダメージが懸念されるためである。
【０００４】
なお、このようなダメージを回避するため、保護フィルムを用いて適宜露出面を保護する方法も検討されている。しかしながら、クロム酸−硫酸、過マンガン酸等の酸化力の強い液体を用いた場合は、基板と保護フィルムとの間に浸み込みが発生してしまうリスクがあるだけでなく、フィルムの種類によっては、これらの液体でフィルムが溶解するリスクもある。アンカー効果を高めるために、このような酸化力の強い液体で対象表面を微細加工する方法は多くのリスクが存在し、半導体分野での実用化を困難にしている。
【０００５】
このようなことから、最近の例では、超臨界状態の高圧ＣＯ２を用いて、封止材表面に密着性の高い無電解めっき被膜（電磁シールド膜）を形成する方法の開発が試みられている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１０−１１４２９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、実際に超臨界状態の高圧ＣＯ２を用いて処理を行なう場合、電子部品は高圧の環境下に曝されることになる。このときに、ガラスクロスが露出するパッケージ基板側面、封止材と基板との接着面等から高圧ＣＯ２溶液が浸漬して樹脂等が溶解してしまう場合があるため、構成パーツ自体がバラバラに分解してしまう可能性がある。また、そもそも、製造工程中に高圧ＣＯ２溶液を用いるステップが導入されることになるため、製造工程を簡素化することには限界がある。
【０００８】
さらに、パッケージ基板の裏面（はんだボール実装面）を保護するために設けられる保護フィルムに対しても、超臨界状態の高圧ＣＯ２溶液は強力な溶解性を示す。特許文献１では、このことに対応するべく基板の裏面同士を向かい合わせたうえで、基板端部をエポキシ系接着剤等で封止し、最終的には硬化したエポキシ樹脂を除去するという複雑な工程を行っている。
【０００９】
また、特許文献１に記載されているように、パッケージ基板に封止材を形成した表面に対して、超臨界状態の高圧ＣＯ２を用いたパラジウム（Ｐｄ）処理をすると、浸漬金属イオンのマイグレーションが発生することが考えられる。
【００１０】
このように、従来技術を実用化して電子部品の製造工程を改良することは極めて難しく、仮に実用化できたとしても電子部品加工上の自由度が低く、設計範囲が極めて限られると考えられる。
【００１１】
本発明は、上記問題点を解決するためになされたものであり、電子部品に対し密着性の高い電磁シールド層を形成することができるとともに、電子部品自体の劣化を十分に抑制することができ、なおかつ煩雑な工程が不要である電子部品の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、この製造方法により製造される電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために鋭意調査・検討を行った結果、以下のような本発明の製造方法であれば、封止材表面に密着性の高いめっき膜（電磁シールド層）を形成できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００１３】
すなわち、本発明は、基材、基材の一方の面上に配置された半導体素子、及び半導体素子を封止する封止材を備える半導体搭載基板を準備する工程と、基材の他方の面に保護フィルムを貼付する工程と、封止材の表面をブラスト処理する工程と、ブラスト処理された封止材の表面に無電解めっき膜を形成する工程と、を備える、電子部品の製造方法、を提供する。
【００１４】
本発明によれば、例えば、電子部品の封止材表面及び露出したパッケージ基板表面へ、電磁シールド性を有する密着性の高い無電解めっき膜を形成することができるとともに、電子部品自体の劣化を十分に抑制することができ、なおかつ煩雑な工程が不要である電子部品の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明において、ブラスト処理が湿式ブラスト処理であることが好ましい。湿式ブラスト（ウエットブラスト）処理は、主に水と一緒に粒子を対象表面に投射するため、ブラスト処理後の対象表面に残存物が残る可能性が少ない。そのため、ブラスト処理後の工程を簡素化でき、さらにその後の工程において無電解めっき膜の密着性をより向上することが可能である。
【００１６】
本発明においては、基材として、ガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミックス基板及び金属リードフレームからなる群より選ばれるパッケージ基板を好適に用いることができる。
【００１７】
本発明はまた、上記製造方法により製造される、電子部品を提供する。このようにして製造される電子部品は、極めて密着性の高い電磁シールドを備えているだけでなく、製造環境に起因する劣化がない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、電子部品に対し密着性の高い電磁シールド層を形成することができるとともに、電子部品自体の劣化を十分に抑制することができ、なおかつ煩雑な工程が不要である電子部品の製造方法を提供することができる。
【００１９】
また、本発明は、この製造方法により製造される電子部品を提供することができる。すなわち、本発明によれば、パッケージ基板上に少なくとも１つの半導体素子と、該半導体素子全表面を覆う封止材とを備える電子部品に対し、封止材表面及びパッケージ基板露出表面にブラスト処理を行った後、無電解めっきを行うことにより、超臨界流体、あるいはクロム酸−硫酸、過マンガン酸等の酸化性物質を製造工程中で使用することなく、密着性の高い電磁シールド層が形成された電子部品を容易に作製することが可能である。
【００２０】
さらに、本発明は産業上の利用分野も広く、クロム酸、過マンガン酸等の廃棄物を出すことがないため、環境に考慮した製造方法としても有用である。また、電磁シールド層に金属キャップを使用することがないため低コスト、薄型化が可能となり、電子部品の更なる進歩に大きく寄与することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本実施形態の電子部品の製造工程の一部を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、場合により図面を参照して、本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において、同一又は同等の要素には同一の符号を付与し、重複する説明を省略する。
【００２３】
本実施形態の電子部品の製造方法は、基材、基材の一方の面上に配置された半導体素子、及び半導体素子を封止する封止材を備える半導体搭載基板を準備する工程（準備工程）と、基材の他方の面に保護フィルムを貼付する工程（保護フィルム貼付工程）と、封止材の表面をブラスト処理する工程（ブラスト処理工程）と、ブラスト処理された封止材の表面に無電解めっき膜を形成する工程（めっき工程）と、を備えるものである。
【００２４】
これにより、図１に示すような、めっき膜が形成された保護フィルム付き電子部品を得ることができる。図１（ａ）及び図１（ｂ）は、本実施形態の電子部品の製造工程の一部を示す断面図である。図１（ａ）は、基材１０と、基材の一方の面上に半導体素子２０と、半導体素子を封止するとともに基材の一方の面の一部の表面を被覆する封止材３０と、基材の他方の面（はんだボール実装面）上に保護フィルム４０と、これら全ての表面、すなわち、封止材の表面、保護フィルムの表面、基材の一方の面の他の一部（封止材で被覆されていない部分）の表面及び端面を被覆する無電解めっき膜５０と、を備える、めっき工程後の電子部品の断面図である。
【００２５】
一方、図１（ｂ）に示すように、封止材は基材の一方の面全面を被覆していてもよい。すなわち、図１（ｂ）は、基材１０と、基材の一方の面上に半導体素子２０と、半導体素子を封止するとともに基材の一方の面の表面を被覆する封止材３０と、基材の他方の面（はんだボール実装面）上に保護フィルム４０と、これら全ての表面、すなわち、封止材の表面、保護フィルムの表面、基材の端面を被覆する無電解めっき膜５０と、を備える、めっき工程後の電子部品の断面図である。
【００２６】
［準備工程］
本工程では、基材、基材の一方の面上に配置された半導体素子、及び半導体素子を封止する封止材を備える半導体搭載基板を準備する。まず、パッケージ基板（基材）の一方の面上に複数の半導体素子をワイヤーボンディング実装又はフリップチップ実装により実装し、半導体素子付きパッケージ基板を準備する。パッケージ基板としてはガラスエポキシ基板、ポリイミド基板、セラミックス基板、リードフレーム等が挙げられる。なお、リードフレームとは、銅、鉄、鉄合金等の金属で形成された金属リードフレームのことをいう。また、半導体素子としては汎用ＬＳＩ、フラッシュメモリー、ＣＰＵ、ＡＳＩＣ、システムＬＳＩ、ＤＲＡＭ、ＳＲＡＭ等の一般的なものが挙げられる。
【００２７】
それぞれの半導体素子を封止材で封止する方法は特に限定されないが、タブレット状、液状、ペースト状等の封止材を用いて半導体素子を封止する方法、部分的に封止材でパッケージ基板上の半導体を封止する方法等を使用可能である。なお、封止材表面には無電解めっき膜が形成されることになるので、無電解めっき膜（Ｃｕめっき膜、Ｎｉめっき膜等）がグランドパターンに接続されるように予めパッケージ基板は設計されている。なお、この無電解めっき膜の上に、更に電解めっき膜（Ｃｕめっき膜、Ｎｉめっき膜等）が設けられていてもよい。これにより、更に電磁シールド効果を上げることができる。
【００２８】
封止材は、通常半導体用封止材として用いられるものであれば特に制限はされず、例えば、シリカフィラーを含むエポキシ樹脂系封止材、シリコーン系封止材等が使用できる。一般的にはエポキシ系封止材を好適に用いることができる。
【００２９】
なお、このようにして封止された複数の半導体素子を備えるパッケージ基板は、最終的に切断されて個々のチップに分割されることになる。そのため、一般的にパッケージ基板には切断用のダイシング加工が施される。
【００３０】
［保護フィルム貼付工程］
本工程ではパッケージ基板の他方の面である裏面（はんだボール実装面）に保護フィルムを貼り付ける。保護フィルムは、後のめっき工程におけるめっき液から基板裏面を保護する、すなわち基板裏面がめっきされないようにすることを主な目的として使用される。このようなフィルムとしては、めっき保護用の一般的なフィルムを使用することができ、耐めっき液性、基板裏面に対する十分な粘着力、めっき工程後の容易な剥離性を備えていれば特に制限されない。例えば、粘着剤層にはアクリル樹脂、合成ゴム、変性ゴム等の粘着剤を使用し、支持基材にはＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）フィルム、ＰＰ（ポリプロピレン）フィルム、高強度ＰＥ（ポリエチレン）フィルム等の基材を使用した保護フィルムを好適に使用することができる。また、保護フィルムのはんだボール実装面に対する粘着力としては、１０〜２５０Ｎ／２０ｍｍであることが好ましく、１５〜５０Ｎ／２０ｍｍであることがより好ましい。なお、保護フィルム貼付工程は下記ブラスト処理工程前、工程後のいずれに行われても構わないが、ブラスト処理から基板裏面を保護することができることから、本実施形態においてはブラスト処理工程前に行うことが好ましい。
【００３１】
［ブラスト処理工程］
上記工程にて得られた、保護フィルム付き半導体搭載基板に対し、本工程においてブラスト処理を行う。本実施形態においては、このブラスト処理を無電解めっき膜密着性の向上のための前処理として使用することが重要である。
【００３２】
ブラスト処理は投射材と呼ばれる粒体を対象（ワーク）に衝突させて、対象表面の加工を行うものである。本実施形態においては、ブラスト処理により、対象表面に対し無電解めっき膜に対するアンカー効果の高い表面粗さを付与することが可能である。なお、ブラスト処理には方向性があり、半導体素子を封止した封止材表面、パッケージ基板の露出面、及びパッケージ基板の端面について、必要な面のみを正確にかつ均一に処理することが可能である。なお、図１（ａ）であれば、はんだボール実装面を除く全ての表面、すなわち、封止材の表面、封止材で被覆されていないパッケージ基板の一方の面、及びパッケージ基板の端面に対してブラスト処理することが好ましい。また、図１（ｂ）であれば、同様にはんだボール実装面を除く全ての表面、すなわち、封止材の表面、及びパッケージ基板の端面に対してブラスト処理することが好ましい。ただし、封止材表面に対するめっき膜の密着性を部分的に向上させたい場合は、封止材の表面の少なくとも一部をブラスト処理しておけばよい。
【００３３】
ブラスト処理の方式は、対象と無電解めっき膜との密着力の向上のための適度な表面粗さを対象表面に持たせることができれば特に限定されず、機械式、空気式及び湿式の何れの方式を用いて処理を行ってもよい。いずれの方式においても、投射材として、アルミナ、酸化アルミニウム、炭化珪素、炭化硼素、シリコンビーズ、ステンレスビーズ、ガラス、チタン等の粒子を使用することができる。これらの粒子の粒度は特に制限なく、広範囲の粒度を有する粒子を使用することができるが、粒度は＃３０〜＃８００μｍが好ましく、＃４０〜＃２００μｍがより好ましく、＃４０〜＃８０μｍがさらに好ましい。
【００３４】
機械式ブラスト処理（ショットブラスト）では、処理条件によって対象表面に粒子が残存する場合があるため、めっき工程の前には超音波等を用いた粒子落としの処理をすることが好ましい。
【００３５】
空気式ブラスト処理（エアーブラスト）では、投射材として砂を用いることによっても一定の効果がある（サンドブラスト）。なお、機械式処理と同様に、めっき工程の前には粒子落としの処理をすることが好ましい。
【００３６】
湿式ブラスト処理（ウエットブラスト）では、主に水と一緒に粒子を対象表面に投射するため、対象表面に粒子が残存する可能性が低い。使用範囲も広く好適に使用できることから、本実施形態においては湿式にてブラスト処理を行うことが好ましい。
【００３７】
この様にブラスト処理された対象表面は、一定のアンカー効果を有しているため、無電解めっき膜の密着性が向上する。なお、好ましい処理装置としては、例えば、マコー株式会社製  ベビーブラスト２が挙げられる。ブラスト処理の処理条件は、好適な表面粗さを得易いという観点から、本実施形態においては、処理スピードは３〜４０ｍｍ／秒が好ましく、１０〜２０ｍｍ／秒がより好ましく、処理圧力は０．２〜０．７ＭＰａが好ましく、０．２５〜０．３５ＭＰａがより好ましい。また、ブラストに使用する噴射ノズルの穴径は５０〜１０００ｍｍが好ましく、９０〜２００ｍｍがより好ましい。また、幅広ガンも使用できる。
【００３８】
［めっき工程］
ブラスト処理が施された対象表面に対し、本工程では無電解めっき膜を形成する。無電解めっき膜は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すように、保護フィルム付き電子部品の表面全体に形成されることが好ましい。特に、ブラスト処理が施された表面と無電解めっき膜との密着力は高く、外観上も良好な無電解めっき膜が形成される。
【００３９】
本実施形態におけるめっき方法は特に限定されないが、一般的にプリント配線板で使用される無電解めっきを使用することができる。
【００４０】
無電解めっき工程は、特に限定されるものではないが、プリント配線板の製造等において一般的に行われる以下の工程を用いることができる。
【００４１】
まず、前処理としてめっき対象表面の脱脂処理を行う。脱脂液はアルカリ脱脂液又は酸性脱脂液を使用することができる。好適には、対象表面に付着した油脂分を除去するためにアルカリ脱脂液が有効である。具体的には、４０〜６０℃に調整したアルカリ脱脂液を用いて対象表面を５〜１０分間処理すればよい。一般に、アルカリ脱脂液は界面活性剤を含むことが多いため、アルカリ脱脂液による処理後、水洗を２〜３分行い対象表面に付着した界面活性剤を除去する。
【００４２】
次に、対象表面の水分を除去するためにプリディップ処理を行う。これは、例えば、２０〜３０℃に調整したプリディップ処理液で対象表面を１〜３分間処理すればよい。
【００４３】
次に、無電解めっき膜が形成される際の触媒核となる触媒を対象表面に付着させる。触媒は特に限定されるものではなく、銅、銅−ニッケル合金、白金、銀、パラジウム等の貴金属が挙げられ、これらの中でも一般的に使用されているパラジウムが好ましい。対象表面を、パラジウム等の貴金属コロイドを含む触媒液で５〜１０分間前処理することにより、対象表面に触媒を付着させることができる。なお、パラジウム触媒によるめっき析出性を高めるために、さらに密着促進処理を行ってもよい。このような密着促進処理としては例えば、主に酸性の液を用いて、触媒表面に吸着した、触媒に含まれている錫を除去する処理が挙げられる。処理時間は５〜１０分、処理温度は２５〜３０℃で処理される。その後、室温で水洗を２〜３分行う。
【００４４】
次に、触媒を付着させた対象表面に無電解めっきを施し、無電解めっき膜を形成する。無電解めっきとしては特に限定されるものではないが、無電解銅めっき、無電解ニッケルめっき、無電解パラジウムめっき、無電解銀めっき、無電解金めっき、無電解白金めっき等を使用することができる。また、これら貴金属の合金めっきも使用することができる。なお、経済的な観点及び作業性向上の観点から、これらのめっきの中でも無電解ニッケルめっき又は無電解銅めっきが好適である。無電解めっき膜は一層のみでもよく、異なる二層以上が形成されていてもよい。無電解めっき膜は、必要とされる電磁シールドの特性、コスト等に併せて膜厚や層構成を適宜調整することが好ましい。無電解めっき膜の膜厚は、十分な電磁シールド性を発揮するという観点から、２〜５μｍであることが好ましい。めっきの種類によっても異なるが、所望の無電解めっき膜は、通常４０〜９０℃に調整しためっき液を用いて対象となる電子部品を２０〜６０分間処理することで得ることができる。
【００４５】
また、無電解めっき膜上に、電磁シールド効果をより高めるために電解めっき膜をさらに形成してもよい。電解めっきとしては特に限定されないが、電解銅めっき、電解ニッケルめっき、電解ニッケル合金めっき、電解スズめっき、電解はんだ合金めっき、電解亜鉛めっき、電解亜鉛合金めっき、電解パラジウムめっき、電解パラジウム合金めっき、電解銀めっき、電解金めっき等を使用することができる。なお、経済的な観点から、これらのめっきの中でも電解ニッケルめっき又は電解銅めっきが好適である。電解めっき膜は一層のみでもよく、異なる二層以上が形成されていてもよい。電解めっき膜は、無電解めっき膜と同様に、必要とされる電磁シールドの特性、コスト等に併せて膜厚や層構成を適宜調整することが好ましい。なお、電解めっき膜を設ける場合は、その膜厚は５〜１０μｍであることが好ましい。めっきの種類によっても異なるが、所望のめっき膜は、通常２５〜４０℃に調整しためっき液を用いて対象となる電子部品を１５〜３０分間処理することで得ることができる。
【００４６】
なお、めっき工程後、保護フィルムを除去することにより、保護フィルムが貼付されていた部分を除く表面を被覆する無電解めっき膜を備える、電磁シールド層が形成された電子部品を得ることができる。
【００４７】
以上により、パッケージ基板上に少なくとも１つの半導体素子と該半導体素子全表面を覆う封止材とを備える電子部品に対し、封止材表面及びパッケージ基板露出表面に密着性の高い電磁シールド層を容易に形成することができる。このような製造方法により製造される電子部品は、携帯電話、ＰＣ、携帯音楽プレイヤー、テレビ、白物家電、プリンター、スキャナー等の電子機器や、自動車に搭載される電子機器に好適に実装することが可能である。
【００４８】
なお、ブラスト処理及びめっき処理を用いるこの方法は、半導体電子部品の組み立て工程を大きく変更することなく、封止材表面に密着性のよい金属の電磁シールド層を容易に形成できる。このため、このような電子部品の製造方法は、従来の金属キャップ方式に比べても組み立て工程が煩雑にならず、なおかつ金属キャップを使用する必要がないため電子部品の小型・薄型化に幅広く貢献することが可能となり、産業上非常に有益である。
【実施例】
【００４９】
以下、本発明の内容を実施例及び比較例を用いてより詳細に説明するが、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
【００５０】
［実施例１］
パッケージ基板上に半導体素子を実装した後、この半導体素子を封止材で封止した電子部品を２種類準備した。そして、パッケージ基板のはんだボール実装面に対して保護フィルムを貼り付けた。これらの電子部品は、図１（ａ）及び（ｂ）に示すような２種類の構造体（ただし、いずれも無電解めっき膜は形成されていない状態）であった。これらの電子部品に対し、後述のとおりブラスト処理工程及びめっき工程を施した。なお、具体的に使用した材料は以下のとおりであった。
パッケージ基板：片面ＢＧＡ基板（無電解Ｎｉ／Ａｕ仕上げ）
半導体素子：テスト用半導体
封止材：日立化成工業株式会社製、ＣＥＬ−９７００ＨＦ１０
保護フィルム：日立化成工業株式会社製、めっき用保護フィルムＫ−３９４０Ｂ
【００５１】
ブラスト処理工程
上記２種類の電子部品を所定の固定具により固定して、はんだボール実装面を除く全ての表面に対してブラスト処理を行った。ブラスト条件は以下のとおりとした。
装置：マコー株式会社製  ベビーブラスト２
ブラスト方式：湿式ブラスト処理
投射材及びその粒度：＃４０μｍのアルミナ粒子
処理圧力：０．２５ＭＰａ
処理スピード：１０ｍｍ／秒
噴射ノズルの穴径：９０ｍｍ
【００５２】
めっき工程
次に、湿式ブラスト処理をした電子部品に対して無電解銅めっきを行った。
【００５３】
まず、保護フィルム付き電子部品表面の汚れを落とすためアルカリ脱脂を行った。アルカリ脱脂は、６０℃に調整したクリーナーコンディショナーＣＬＣ−６０１（日立化成工業株式会社製）を用いて、対象表面を５分間処理することで行った。アルカリ脱脂後、保護フィルム付き電子部品全体を６０℃の温純水で１分間湯洗し、さらに室温の純水で３分間水洗した。
【００５４】
次に、保護フィルム付き電子部品表面の水分を触媒液に持ち込まないためにプリディップ処理を行った。プリディップ処理は、２５℃に調整したプリディップ剤ＰＤ−３０１（日立化成工業株式会社製）を用いて、対象表面を１分間処理することで行った。
【００５５】
次に、無電解めっきの触媒核となるパラジウム触媒を保護フィルム付き電子部品表面に付着させた。触媒の付着は、２５℃に調整した増感剤ＨＳ−２０２Ｂ（日立化成工業株式会社製）を用いて、対象表面を５分間処理することで行った。その後、保護フィルム付き電子部品全体を室温の純水で１分間水洗した。なお、本実施例では、パラジウム触媒によるめっき析出性を高めるために、さらに密着促進処理を行った。密着促進処理は、２５℃に調整した密着促進処理剤ＡＤＰ−６０１（日立化成工業株式会社製）を用いて、対象表面を５分間処理することで行った。密着促進処理後、保護フィルム付き電子部品全体を室温の純水で１分間水洗した。
【００５６】
次に、保護フィルム付き電子部品に対し、無電解銅めっきを行った。めっき条件は以下のとおりとした。なお、めっき膜厚は、十分な電磁シールド性を確保するために２．５μｍとした。
無電解銅めっき液：ＣＵＳＴ−３０００（日立化成工業株式会社製）
めっき液温度：７０℃
めっき時間：１時間
めっき膜厚：２．５μｍ
【００５７】
めっき処理後、無電解めっき膜が形成された保護フィルム付き電子部品を、室温の純水で５分間水洗し、最後に８０℃で乾燥した。
【００５８】
以上のようにして、図１（ａ）及び（ｂ）に示すような、２種類の構造体（めっき膜が形成された保護フィルム付き電子部品）を得た。
【００５９】
［実施例２］
無電解銅めっきに代えて、無電解ニッケルめっきを行ったこと以外は、実施例１と同様にして、図１（ａ）及び（ｂ）に示すような、２種類の構造体（めっき膜が形成された保護フィルム付き電子部品）を得た。なお、無電解ニッケルめっきのめっき条件は以下のとおりとした。
無電解ニッケルめっき液：ＮＩＰＳ−１００（日立化成工業株式会社製）
めっき液温度：８５℃
めっき時間：２０分間
めっき膜厚：３μｍ
【００６０】
［比較例１］
ブラスト処理を行わなかったこと以外は、実施例１と同様にして２種類の電子部品に対して無電解銅めっきを行った。しかし、めっきを始めて１０分程度で封止材表面にめっき膨れが発生し、３０分程度でめっき剥れが発生した。封止材上に密着性の高い無電解めっき膜を形成できなかったため、この時点で電子部品をめっき液から取り出しめっきを中止した。
【００６１】
［比較例２］
ブラスト処理に代えて、超臨界状態の高圧ＣＯ２を用いて電子部品の処理を行ったこと以外は、実施例２と同様にして２種類の電子部品に対して無電解ニッケルめっきを行った。超臨界状態の高圧ＣＯ２を用いた処理は、以下のとおり行った。
【００６２】
まず、パッケージ基板のはんだボール実装面に対して保護フィルム（日立化成工業株式会社製、めっき用保護フィルムＫ−３９４０Ｂ）を貼り付け、２種類の保護フィルム付き電子部品を得た。これに対し、パラジウム金属錯体を溶解させた超臨界状態の高圧ＣＯ２を用いて、対象表面の加工及び対象表面にパラジウム触媒の付着を行った。処理条件は以下のとおりとした。
装置：株式会社  協和エンジニアリング製  ＳＣＣ−１０９型
パラジウム金属錯体：塩化パラジウム
処理時間：３０分
処理温度：８０℃
媒体：ＣＯ２
圧力：２０ＭＰａ
【００６３】
その結果、封止材とパッケージ基板との間に超臨界状態の高圧ＣＯ２による浸み込みが発生した。また、貼り付けた保護フィルムを通しても浸み込みが発生し、保護フィルムの一部は溶解していた。
【００６４】
この状態の保護フィルム付き電子部品を、室温の純水で１分間水洗した後、無電解ニッケルめっきを行った。これにより、図１（ａ）及び（ｂ）に示すような、２種類の構造体（めっき膜が形成された保護フィルム付き電子部品）を一応得ることができた。
【００６５】
［めっき膜に関する各種評価］
各実施例及び比較例で得られた２種類の構造体について、無電解めっき膜に関する以下の各種評価を行った。評価結果を表１に示す。
【００６６】
外観評価
めっき剥がれや膨れが発生しておらず、無電解めっき膜外観が良好である場合をＡ評価、めっき剥がれや膨れが発生しており無電解めっき膜外観が良好でない場合をＢ評価とした。
【００６７】
浸み込み評価
パッケージ基板と封止材との界面、保護フィルム等からめっき液の浸み込みが発生していない場合をＡ評価、発生している場合をＢ評価とした。
【００６８】
密着性評価
封止材と無電解めっき膜との密着性を、クロスカット試験方法（ＪＩＳ  Ｋ−５４００−８．５）に従って試験を行った。無電解めっき膜の剥離なく良好な密着性を示した場合をＡ評価、無電解めっき膜が剥離した場合をＢ評価とした。
【００６９】
【表１】
2014123619.tif 000003
【００７０】
実施例１及び２に示すように、本発明によれば、密着力が高く外観の極めて良好な無電解めっき膜による電磁シールド層を封止材表面に形成することができた。
【００７１】
一方、ブラスト処理を行わなかった比較例１では、実施例のような良好な磁気シールド層を形成することができなかった。
【００７２】
また、ブラスト処理に代えて超臨界状態の高圧ＣＯ２を用いた比較例２では、部分的には密着性の良い電磁シールド層を形成することは一応可能であったものの、パッケージ基板と封止材との界面に隙間が発生してしまい、そこへめっき液の浸み込みが見られた。また、パッケージ基板裏面の保護フィルムにも一部に溶解や剥れが発生し、その部分にめっきが析出してショートしていたため、電子部品としての性能が出せない状況にあった。このように、超臨界状態のＣＯ２処理は、処理条件を様々検討する必要があり製造方法が極めて限られることがわかった。
【符号の説明】
【００７３】
１０…基材（パッケージ基板）、２０…半導体素子、３０…封止材、４０…保護フィルム、５０…無電解めっき膜。
【図１】
2014123619.tif 000004