(57)【要約】【課題】  既存回路に少ない回路構成を追加するだけで、ダイナミックレンジを拡大する。【解決手段】  高周波入力信号を検波して出力電圧を得る検波回路であって、第１から第ｎ（ｎは２以上の整数）までの検波回路を備え、第ｎの検波回路は、第ｎ−１の検波回路から出力される高調波を検波するように接続されている。【選択図】      図１
2014116663.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波入力信号を検波して出力電圧を得る検波回路であって、
第１から第ｎ（ｎは２以上の整数）までの検波回路を備え、
前記第ｎの検波回路は、第ｎ−１の検波回路から出力される高調波を検波するように接続されていることを特徴とする検波回路。
【請求項２】
前記第１から前記第ｎまでの検波回路において、
それぞれの検波回路の検波出力端子に接続され、
前記検波出力端子の出力を切り換えるスイッチ部を備えていることを特徴とする請求項１に記載の検波回路。
【請求項３】
前記スイッチ部は、前記検波出力端子の出力を調整するレベル調整部を有することを特徴とする請求項２に記載の検波回路。
【請求項４】
前記レベル調整部は、スイッチ部の出力側に１個設けられていることを特徴とする請求項３に記載の検波回路。
【請求項５】
前記レベル調整部は、前記検波出力端子毎に設けられていることを特徴とする請求項３に記載の検波回路。
【請求項６】
前記スイッチ部は、所定の前記検波出力端子の出力を加算する加算部を有することを特徴とする請求項２に記載の検波回路。
【請求項７】
前記第１の検波回路は、
高周波信号を通過させるコンデンサと、
前記コンデンサに直列にアノードが接続されているダイオードと、
前記ダイオードのカソードに接続され、入力された前記高周波信号の波長に対する４分の１波長オープンスタブと、
前記ダイオードのカソードと前記４分の１波長オープンスタブとに接続され、前記ダイオードの検波電圧を通過させるコイルと、
を備えていることを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の検波回路。
【請求項８】
前記第ｎの検波回路は、
前記第ｎ−１の検波回路から出力される高調波信号を通過させるコンデンサと、
前記コンデンサに直列にアノードが接続されているダイオードと、
前記ダイオードのカソードに接続され、入力された前記高調波信号の波長に対する４分の１波長オープンスタブと、
前記ダイオードのカソードと前記４分の１波長オープンスタブとに接続され、前記ダイオードの検波電圧を通過させるコイルと、
を備えていることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の検波回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、検波回路に関し、さらに詳しくは、検波対象の高周波信号の入力信号強度を検波電圧に変換して出力する検波回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、マイクロ波帯の高周波信号を入力し、入力信号強度を検波電圧（直流電圧）に変換する検波回路には、検波ダイオードを用いた半波整流回路が用いられる。
【０００３】
検波ダイオードを用いた関連技術の検波回路例を図１１に示す。
【０００４】
図１１において、コンデンサ１１１は、検波回路に入力されるＲＦ（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）信号は通過させ、直流成分は遮断する。コイル１１２、１１３は、検波回路に入力されるＲＦ信号が通過しない程高いインピーダンスとなる様なインダクタンスである。コイル１１２の片側は、接地されている。オープンスタブ１１４は、図１１の回路に入力されるＲＦ信号（周波数ｆ１）において１／４波長となる長さのスタブである。オープンスタブ１１４の長さが、１／４波長なので、検波ダイオード１１０、コイル１１３、オープンスタブ１１４の接続部において、図１１の回路に入力されるＲＦ信号は、ほぼ短絡状態となる。検波ダイオード１１０は、ＲＦ信号が入力された時、その高周波成分を半波整流し、時間平均した直流成分を検波電圧Ｖｄｅｔ１０１として出力する。
【０００５】
図１２は、図１１の関連技術の回路に入力されるＲＦ信号のレベルＰｉｎ１００に対する、検波ダイオード１１０が出力する検波電圧Ｖｄｅｔ１０１の状態を示している。図１２の横軸は、図１１の回路に入力されるＲＦ信号のレベルＰｉｎ１００を表し、縦軸は、検波ダイオード１１０が出力する検波電圧Ｖｄｅｔ１０１の値の対数を表す。図１２において、回路に入力されるＲＦ信号のレベルＰｉｎ１００が上がるにつれて、検波電圧Ｖｄｅｔ１０１は、Ｐｒｎｇ２０の範囲までは上昇し、その後、飽和している。この場合、ダイナミックレンジは、図１２中のＰｒｎｇ２０となる。
【０００６】
高周波信号を扱う機器の性能を向上させるためには、この検波回路のダイナミックレンジを拡大する必要があった。
【０００７】
特許文献１には、第１の整流回路と対数増幅器を用いてダイナミックレンジを拡大する技術が開示されている。
【０００８】
特許文献２には、所定のバイアス電圧と検波電圧との差に応じてキャパシタンスが変化する電圧可変容量部を備えた検波回路を用いて、ダイナミックレンジを拡大する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００２−３１４３４１号公報
【特許文献２】特開２００７−２６６７５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
特許文献１に開示されている技術では、検波電圧を生成するために、第１の整流回路及び第２の整流回路、電圧電流変換回路、電力増幅器、対数増幅器が必要であって、回路規模が大きくなる、という課題があった。
【００１１】
特許文献２に開示されている技術では、ＲＦ入力レベルの増加に対する出力検波電圧の増加の度合いを小さくすることによって、ＲＦ入力レベルに対する出力検波電圧のダイナミックレンジを拡大している。つまり、ＲＦ入力レベルの増加に対して出力検波電圧の感度を劣化させる事によって、出力検波電圧のダイナミックレンジを拡大しているという課題があった。
【００１２】
本発明の目的は、上述した課題を解決する検波回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上記課題を解決するため、高周波入力信号を検波して出力電圧を得る検波回路であって、第１から第ｎ（ｎは２以上の整数）までの検波回路を備え、第ｎの検波回路は、第ｎ−１の検波回路から出力される高調波を検波するように接続されていることを特徴としている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の効果は、少ない回路構成で、ダイナミックレンジを拡大することができることである。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の第１の実施の形態における検波回路の構成を示すブロック図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態における検波回路の回路図である。
【図３】本発明の第１の実施の形態における検波回路の信号スペクトラムを示す図である。
【図４】本発明の第２の実施の形態における検波回路の構成を示すブロック図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態における検波回路の検波特性を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態における検波回路の構成を示すブロック図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態における検波回路の検波特性を示す図である。
【図８】本発明の第２の実施の形態の変形例における検波回路を示すブロック図である。
【図９】本発明の第２の実施の形態の変形例における検波回路の信号スペクトラムを示す図である。
【図１０】本発明の第２の実施の形態の変形例における検波回路の検波特性を示す図である。
【図１１】本発明の関連技術における検波回路の構成を示すブロック図である。
【図１２】本発明の関連技術における検波回路の検波特性を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。
（第１の実施の形態）
図１は、本発明の第１の実施の形態における検波回路の構成を示すブロック図である。
【００１７】
図１の、第１の検波回路１は、高周波信号を検波する検波回路である。第２の検波回路２も、同じく高周波信号を検波する検波回路である。第１の検波回路１のＶｄｅｔ５０１には、直流電圧である検波電圧が出力される。そして、接続されている第２の検波回路２へは、第１の検波回路１から発生する高調波成分が送出される。第２の検波回路２は、第１の検波回路１から発生する高調波成分を検波する。第２の検波回路２のＶｄｅｔ５０２は、第１の検波回路１から発生する高調波成分を検波した検波電圧(直流電圧)である。同様にして、第ｎの検波回路までを接続することができる。
【００１８】
図２は、図１で示した検波回路の具体的な回路図を示す。
【００１９】
図２において、第１の検波回路は、検波ダイオード１０、コンデンサ１１、コイル１２、コイル１３、１／４波長オープンスタブ１４から構成されている。また、第２の検波回路は、検波ダイオード２０、コンデンサ２１、コイル２２、コイル２３、１／４波長オープンスタブ２４から構成されている。コンデンサ１１と２１、コイル１２と２２、コイル１３と２３は、同じものである。
【００２０】
検波ダイオード１０、２０は、高周波信号を検波するダイオードである。コンデンサ１１、２１は、信号の交流分を通過させ、直流分を阻止する。コイル１２、１３、２２、２３は、信号の直流分を通過させ、交流分を阻止する。
【００２１】
１／４波長オープンスタブ１４は、図２の回路に入力されるＲＦ信号の周波数ｆ１の１／４波長オープンスタブである。
【００２２】
また、１／４波長オープンスタブ２４は、図２の回路に入力されるＲＦ信号（周波数ｆ１）の２倍の周波数（２＊ｆ１）において１／４波長となる長さのスタブである。オープンスタブ２４の長さが、周波数２＊ｆ１における１／４波長なので、検波ダイオード２０、コイル２３、１／４波長オープンスタブ２４の接続部において、周波数２＊ｆ１のＲＦ信号は、ほぼ短絡状態となる。
【００２３】
ここで、検波ダイオード１０、コイル１３、１／４波長オープンスタブ１４、コンデンサ２１の接続部における電圧の波形は、図２の回路に入力されるＲＦ信号が、半波整流された波形となる。入力されるＲＦ信号をｖ（ｔ）、１０、１３、１４、２１の接続部における電圧をＶ（ｔ）とすると、Ｖ（ｔ）は、次の様に表される。（ｔは時間）
Ｖ(t)＝ａ１＊ｖ（ｔ）＋ａ２＊ｖ２（ｔ）＋ａ３＊ｖ３（ｔ）＋・・・
（ａ１、ａ２、ａ３、・・・は定数）
ここで、図２の回路に入力されるＲＦ信号ｖ（ｔ）を、
ｖ（ｔ）＝Ａ＊ｃｏｓ（ω１ｔ）      （Ａは定数、ω１＝２＊π＊ｆ１）
とすると、Ｖ(t)は次の様になる。
【００２４】
Ｖ(t)＝ａ１＊（Ａ＊ｃｏｓ（ω１ｔ））＋ａ２＊（Ａ＊ｃｏｓ（ω１ｔ））２
＋ａ３＊（Ａ＊ｃｏｓ（ω１ｔ））３＋・・・
これを展開すると、
Ｖ（ｔ）＝ａ２＊Ａ２／２
＋（ａ１＊Ａ＋３＊ａ３＊Ａ３／４）＊ｃｏｓ（ω１ｔ）
＋（ａ２＊Ａ２）＊ｃｏｓ（２＊ω１ｔ）
＋（ａ３＊Ａ３／４）＊ｃｏｓ（３＊ω１ｔ）
＋・・・
と表すことができる。
【００２５】
これは、第１の検波ダイオード１０に周波数ｆ１のＲＦ信号が入力されると、直流成分（第１項）、周波数ｆ１の成分（第２項）、周波数２＊ｆ１の成分（第３項）、周波数３＊ｆ１の成分（第４項）、・・・という高調波成分が出力されることを表している。
【００２６】
図３は、図２の１０、１３、１４、２１の接続部に現れる信号のスペクトラムである。
【００２７】
図３に示されている周波数０の成分（直流成分）は、第１の検波ダイオード１０の出力検波電圧Ｖｄｅｔ５０１として出力される直流成分である。図３にて、直流成分を除いては、２＊ｆ１の周波数成分が主に現れていることがわかる。この２＊ｆ１の周波数成分が、第２の検波ダイオード２０にて半波整流され、時間平均した直流成分が検波電圧Ｖｄｅｔ５０２として出力される。
【００２８】
図３の２＊ｆ１の周波数成分が、周波数０の成分（直流成分）より、ＲＦ信号の入力レベル上昇に対して遅れて検波電圧が上昇するので、たとえ、周波数０の成分（直流成分）が飽和したとしても、２＊ｆ１の周波数成分は、上昇する余地がある。
【００２９】
従って、第１の検波ダイオード１０の検波電圧Ｖｄｅｔ５０１と第２の検波ダイオード２０の検波電圧Ｖｄｅｔ５０２とを、任意の形態で組み合わせることにより、検波回路のダイナミックレンジを拡げることが可能となる。
（第２の実施の形態）
図４は、本発明の第２の実施の形態の構成を示すブロック図である。図４において、第１の検波回路１及び第２の検波回路２は、図２と同一のものであるので、同じ番号を付して説明は省略する。第２の実施の形態は、第１の検波回路１と第２の検波回路２（第ｎの検波回路）の外にスイッチ部７を備え、スイッチ部７は、レベル調整部４を備えている。
【００３０】
第２の実施の形態では、第１の検波回路１と第２の検波回路２の検波電圧を切り換えてレベル調整部４へ入力する。制御部（図示しない）からの切り換え命令により、レベル調整部４は、第２の検波回路２の出力レベルを第１の検波回路１の出力レベルまで増幅して切り換えて出力する。同様にして、第ｎの検波回路までを接続することができる。
【００３１】
図５は、図４で示した第２の実施の形態の検波特性を示す図である。
【００３２】
図５において、実線５０１は、第１の検波回路１の検波電圧Ｖｄｅｔ５０１の特性を示し、点線５０２は、第２の検波回路２の検波電圧Ｖｄｅｔ５０２の特性を示している。周波数ｆ１のＲＦ信号のレベルＰｉｎ５００が増加すると、第１の検波回路１のダイオード１０が出力する高調波のレベルが増加し、第２の検波回路２に入力される周波数２＊ｆ１のレベルも増加する。すると、第２の検波回路２の検波電圧Ｖｄｅｔ５０２(点線５０２)も増加する。また、図５において、第１の検波回路１のダイナミックレンジは、Ｐｒｎｇ５１で、第２の検波回路２のダイナミックレンジは、Ｐｒｎｇ５２である。
【００３３】
第２の実施の形態では、第１の検波回路１の検波電圧Ｖｄｅｔ５０１と第２の検波回路２の検波電圧Ｖｄｅｔ５０２を、図４で示す構成を用いて、図５のＰｒｎｇ５１とＰｒｎｇ５２が重なる領域にて切り換えて出力検波電圧とする。例えば、図５中のＰ５０より低い信号レベルの場合には、Ｖｄｅｔ５０１を出力検波電圧とし、Ｐ５０より高い信号レベルの場合には、Ｖｄｅｔ５０２を増幅して出力検波電圧とする。これは、図中の１点鎖線５０３の部分として表される。Ｐ５０は、あらかじめ設計段階で指定されたポイントで、制御部（図示しない）により、Ｐ５０にて検波電圧を切り換えるよう設定しておく。このようにして、関連技術の図１２の場合のダイナミックレンジ（Ｐｒｎｇ２０）と比較して、Ｐｒｎｇ５３の部分のダイナミックレンジの拡大を実現可能である。
【００３４】
本発明では、第１の検波回路１から出力される検波電圧Ｖｄｅｔ５０１と、第２の検波回路２から出力される検波電圧Ｖｄｅｔ５０２とを、切り換えて用いることによって、複雑な回路を用いることなく、検波電圧のダイナミックレンジを拡大することが可能である。
（第３の実施の形態）
図６は、本発明の第３の実施の形態の構成を示すブロック図である。図６において、第１の検波回路１及び第２の検波回路２は、図２と同一のものであるので、同じ番号を付して説明は省略する。第３の実施の形態においては、第１の検波回路１と第２の検波回路２（第ｎの検波回路）の外にスイッチ部８を備え、スイッチ部８は加算部６を備えている。
【００３５】
第３の実施の形態では、第１の検波回路１と第２の検波回路２の検波電圧を加算部６へ入力する。加算部６は、制御部（図示しない）からの加算命令により、第１の検波回路１の検波電圧と第２の検波回路２の検波電圧を加算し、加算した値を検波電圧として出力する。同様にして、第ｎの検波回路までを接続することができる。
【００３６】
図７は、図６で示した第３の実施の形態の検波特性を示す図である。
【００３７】
図７において、実線７０１は、第１の検波回路１の検波電圧Ｖｄｅｔ５０１の特性を示し、点線７０２は、第２の検波回路２の検波電圧Ｖｄｅｔ５０２の特性を示している。周波数ｆ１のＲＦ信号のレベルＰｉｎ５００が増加すると、図２の第１の検波回路１のダイオード１０が出力する高調波のレベルが増加し、第２の検波回路２に入力される周波数２＊ｆ１のレベルも増加する。すると、第２の検波回路２の検波電圧Ｖｄｅｔ５０２も増加する。また、図７において、第１の検波回路１のダイナミックレンジは、Ｐｒｎｇ７１で、第２の検波回路２のダイナミックレンジは、Ｐｒｎｇ７２である。
【００３８】
第３の実施の形態では、第１の検波回路１の検波電圧Ｖｄｅｔ５０１と第２の検波回路２の検波電圧Ｖｄｅｔ５０２を、図６に示す構成を用いて、スイッチをオンにした状態で加算して出力している。制御部（図示しない）は、第２の検波回路２から検波電圧Ｖｄｅｔ５０２が出力されるのを検出したら、検波電圧Ｖｄｅｔ５０１と検波電圧Ｖｄｅｔ５０２を全ての領域で加算する。加算された部分は、図７中の１点鎖線７０３の部分として表される。この部分のダイナミックレンジは、Ｐｒｎｇ７３で表される。
【００３９】
このようにして、関連技術の図１２の場合のダイナミックレンジ（Ｐｒｎｇ２０）と比較して、Ｐｒｎｇ７３の部分のダイナミックレンジの拡大が実現可能である。
【００４０】
本発明では、第１の検波回路１から出力される検波電圧Ｖｄｅｔ５０１と、第２の検波回路２から出力される検波電圧Ｖｄｅｔ５０２とを加算することによって、複雑な回路を用いることなく、検波電圧のダイナミックレンジを拡大することが可能である。
（第２の実施の形態の変形例）
図８は、本発明の第２の実施の形態の変形例の構成を示すブロック図である。図８において、第１の検波回路１、第２の検波回路２は、図４と同一のものであるので、同じ番号を付して説明は省略する。第２の実施の形態の変形例は、第ｎの検波回路として、第３の検波回路の場合の例である。第１の検波回路１と第２の検波回路２の外に、第３の検波回路３とスイッチ部９を備えている。スイッチ部９は、それぞれの検波回路の出力に対応するレベル調整部を備えている。
第３の検波回路３は、第２の検波回路２のダイオード２０で発生する高調波を検波する。第１の検波回路１に接続されたレベル調整部Ａ１は、増幅度１の増幅器で第１の検波回路の出力をそのまま出力する。制御部（図示しない）からの命令により、第２の検波回路２に接続されたレベル調整部Ａ２は、第２の検波回路の出力を増幅して出力する。同様に、制御部（図示しない）からの命令により、第３の検波回路３に接続されたレベル調整部Ａ３は、第３の検波回路の出力を増幅して出力する。スイッチ部９では、第１の検波回路１の出力と、レベル調整された第２の検波回路２の出力と、レベル調整された第３の検波回路３の出力を、制御部（図示しない）からの切り換え命令により、切り換えて出力する。
【００４１】
図９は、図８の２０、２３、２４、３１の接続部に現れる信号のスペクトラムである。
図９のスペクトラムは、図８中の１０、１３、１４、２１の接続部に現れる信号Ｖ(t)のスペクトラム（図３と同じスペクトラム）の内、周波数０の成分（直流成分）以外の周波数成分が検波ダイオード２０に入力された時に出力される高調波成分を表している。図９中に示されている周波数０の成分（直流成分）は、第２の検波ダイオード２０の出力検波電圧Ｖｄｅｔ８０２として出力される直流成分である。図９にて、ｆ１の周波数成分が主に現れていることがわかる。このｆ１の周波数成分が、第３の検波ダイオード３０にて半波整流され、時間平均した直流成分が検波電圧Ｖｄｅｔ８０３として出力される。
【００４２】
ここで、図８を用いて、第２の実施の形態の変形例の動作について説明する。
【００４３】
図８において、第１の検波回路１の検波電圧は、レベル調整部Ａ１とその後段のスイッチＳ１を通して出力される。第２の検波回路２の検波電圧は、レベル調整部Ａ２とスイッチＳ２を通して出力される。
【００４４】
制御部（図示しない）は、レベル調整部Ａ２が、第１の検波回路１の検波電圧が飽和していないうちは、第１の検波回路１の検波電圧と第２の検波回路２の検波電圧を比較して、第２の検波回路２の検波電圧を第１の検波回路１の検波電圧と同じになるように増幅する。そして、制御部（図示しない）は、第１の検波回路１の出力が飽和する電圧を検出し飽和した時点で第２の検波回路２の検波電圧に切り換える。飽和する電圧は、あらかじめ、第１の検波回路１に接続されるスイッチＳ１のみオンさせて動作させれば求められる。
【００４５】
同様に、レベル調整部Ａ３は、第２の検波回路２の出力が飽和していないうちは、第２の検波回路２の検波電圧と第３の検波回路３の検波電圧を比較して、第３の検波回路３の検波電圧を第２の検波回路２の検波電圧と同じになるように増幅する。その後、第２の検波回路２の出力が飽和したら、第３の検波回路３の検波電圧がＲＦ信号レベルの増加に伴って増加するようにレベル調整部Ａ３で増幅し、スイッチＳ３から出力する。
【００４６】
本変形例では、検波電圧が飽和する時点で切り換えたが、第２の実施の形態のように、あらかじめ切り換えるポイントを決めておいてもよい。
【００４７】
図１０は、図８で示した第２の実施の形態の変形例の検波特性を示す図である。
【００４８】
図１０において、実線１００１は、第１の検波回路１の検波電圧Ｖｄｅｔ８０１の特性を示し、点線１００２は、第２の検波回路２の検波電圧Ｖｄｅｔ８０２の特性を示している。１点鎖線１００３は、第３の検波回路３の検波電圧Ｖｄｅｔ８０３の特性を示している。周波数ｆ１のＲＦ信号のレベルＰｉｎ８００が増加すると、第１の検波回路１のダイオード１０が出力する高調波のレベルが増加し、第２の検波回路２に入力される周波数２＊ｆ１のレベルも増加する。すると、第２の検波回路２の検波電圧Ｖｄｅｔ８０２も増加する。また、第３の検波回路３の検波電圧Ｖｄｅｔ８０３も増加する。
【００４９】
図１０において、第１の検波回路１のダイナミックレンジは、Ｐｒｎｇ１８１で、第２の検波回路２のダイナミックレンジは、Ｐｒｎｇ１８２で、第３の検波回路３のダイナミックレンジは、Ｐｒｎｇ１８３である。
【００５０】
このようにして、本発明では、第１の検波回路１から出力される検波電圧Ｖｄｅｔ８０１と、第２の検波回路２から出力される検波電圧Ｖｄｅｔ８０２と、第３の検波回路３から出力される検波電圧Ｖｄｅｔ８０３を、切り換える。切り換えられた検波電圧は、２点鎖線１００４で示される。このようにして、検波電圧のダイナミックレンジを拡大することが可能である。
【００５１】
尚、本願発明は、上述の実施の形態に限定されるものではなく、本願発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更、変形して実施することが出来る。
【産業上の利用可能性】
【００５２】
本発明は、検波対象の高周波信号の入力信号強度を検波電圧に変換して出力する検波回路に利用可能である。
【符号の説明】
【００５３】
１    第１の検波回路
２    第２の検波回路
３    第３の検波回路
４    レベル調整部
６    加算部
７    スイッチ部
８    スイッチ部
９    スイッチ部
１０  ダイオード
１１    コンデンサ
１２    コイル
１３    コイル
１４    １／４波長オープンスタブ
２０  ダイオード
２１    コンデンサ
２２    コイル
２３    コイル
２４    １／４波長オープンスタブ
３０  ダイオード
３１    コンデンサ
３２    コイル
３３    コイル
３４    １／４波長オープンスタブ
１１０  ダイオード
１１１    コンデンサ
１１２    コイル
１１３    コイル
１１４    オープンスタブ
Ａ１〜Ａ３    レベル調整部
Ｓ１〜Ｓ３    スイッチ
【図１】
2014116663.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014116663.tif 000009
【図８】
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【図９】
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【図１０】
2014116663.tif 000012
【図１１】
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【図１２】
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