(57)【要約】【課題】  幅広い用途に適用可能とすると共に、要求される温度補償精度が低い場合には、無駄な温度補償動作を無くし、消費電力を低減することができる温度補償型水晶発振器を提供する。【解決手段】  温度補償回路２３が、温度補償電圧を近似する４次以上の関数の２次を除く各次数成分を発生する複数の成分発生部と、各成分発生部からの出力を加算して温度補償電圧を生成する加算回路と、４次以上の成分発生部に対する電源供給のオン／オフを切り替えるスイッチとを備え、予め不揮発性メモリ２７に各スイッチのオン／オフを示す情報を記憶しておき、電源投入時に、制御手段２８が、不揮発性メモリ２７から各スイッチのオン／オフを示す情報を読み取って、当該情報に基づいて各スイッチをオン又はオフに切り替える温度補償型水晶発振器であり、温度補償精度が低くてもよい用途に用いる際には、スイッチをオフにして、消費電流を低減するものである。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
水晶振動子と、前記水晶振動子に接続された発振回路、温度に応じた電圧を出力する温度センサ、前記水晶振動子の温度特性を補償する温度補償電圧を出力する温度補償回路を含むＩＣとを備えた温度補償型水晶発振器であって、
前記温度補償回路は、前記温度補償電圧を近似する４次以上の関数における各次数成分を発生する複数の成分発生部と、前記各成分発生部からの出力を加算して前記温度補償電圧を生成する加算回路と、前記複数の成分発生部の内、４次以上の成分発生部に対する電源供給のオン／オフを切り替えるスイッチとを備え、
前記ＩＣが、前記各スイッチのオン／オフを示す情報を記憶する不揮発性メモリと、電源投入時に、前記不揮発性メモリから前記各スイッチのオン／オフを示す情報を読み取って、前記情報に基づいて前記各スイッチをオン又はオフに切り替える制御手段とを備えたことを特徴とする温度補償型水晶発振器。
【請求項２】
４次以上の成分発生部に設けられるスイッチは、各々独立して切り替え可能であり、所望の特性に応じて、いずれか１つ又は複数のスイッチがオンに切り替えられることを特徴とする請求項１記載の温度補償型水晶発振器。
【請求項３】
温度補償回路の複数の成分発生部は、各々設定されたゲインで次数成分を増幅するアンプを備え、
不揮発性メモリに、前記各成分発生部に対応するゲインが記憶され、
制御手段が、電源投入時に、前記不揮発性メモリから前記各成分発生部に対応するゲインを読み取って、前記各成分発生部に当該ゲインを設定することを特徴とする請求項１又は２記載の温度補償型水晶発振器。
【請求項４】
スイッチがＰＭＯＳトランジスタによって構成されることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか記載の温度補償型水晶発振器。
【請求項５】
温度補償回路が、温度補償電圧を近似する５次関数における２次を除く各次数成分を発生する複数の成分発生部を備え、４次成分発生部と５次成分発生部に対する電源供給のオン／オフを切り替える第１のスイッチ及び第２のスイッチを備えたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか記載の温度補償型水晶発振器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、温度補償型水晶発振器に係り、特に幅広い用途に適用可能で、要求される精度が低い場合には消費電力を低減することができる温度補償型水晶発振器に関する。
【背景技術】
【０００２】
［先行技術の説明］
温度補償型水晶発振器（ＴＣＸＯ；Temperature Compensated Crystal Oscillator）は、電圧制御水晶発振器（ＶＣＸＯ；Voltage Controlled Crystal Oscillator）に温度補償回路を付加して、周囲温度の変化による周波数の変動を少なくしたものである。
【０００３】
水晶振動子や発振回路は温度特性を持ち、水晶振動子の周波数温度特性は温度の関数によって近似されることが知られている。
ＶＣＸＯの温度特性を補償する温度補償回路としては、例えば、温度の３次以上の関数によって近似される温度補償電圧を生成して、電圧制御水晶発振器の水晶発振回路に出力するものがある。
また、４次以上の関数で近似すると、より高精度に補償することができる。
【０００４】
［従来の温度補償回路：図３］
従来の温度補償型水晶発振器における温度補償回路について図３を用いて説明する。図３は、従来の温度補償型水晶発振器における温度補償回路の構成ブロック図である。
図３に示すように、従来の温度補償型水晶発振器における温度補償回路４０は、０次成分発生部４１と、１次成分発生部４２と、３次成分発生部４３と、４次成分発生部４４と、５次成分発生部４５と、加算回路４６とを備えている。
温度補償回路４０は、温度センサ回路からの出力電圧を入力して、温度補償電圧を生成し、水晶発振回路に当該温度補償電圧を出力する。
また、温度補償回路４０の各部には、定電圧回路からＤＣ電源電圧が供給されている。
【０００５】
各部について説明する。
１次成分発生部４２は、温度センサ回路から出力される電圧の１次成分に基づいて１次補償電圧を生成して出力する。
３次成分発生部４３は、温度センサ出力を３乗して、３次成分を生成して３次補償電圧を出力する。
同様に、４次成分発生部４４、５次成分発生部４５は、それぞれ、温度センサ出力の４次成分、５次成分を生成して、４次補償電圧、５次補償電圧を出力する。
また、０次成分発生部４１は、温度センサ出力に依存しない定数に基づく０次補償電圧を出力する。
【０００６】
加算回路４６は、ｎ次成分発生部４１〜４５（ｎ＝０，１，３，４，５）からの出力を加算して温度補償電圧を生成し、水晶発振回路に出力する。
温度補償電圧は、水晶振動子及び水晶発振回路の温度特性を補償する特性となっている。
【０００７】
［温度補償の例：図４］
次に、温度補償の例について図４を用いて説明する。図４は、５次関数で近似される温度補償電圧による温度補償の例を示す模式説明図である。
発振器出力の温度特性は、主として水晶振動子と発振回路の温度特性に依存し、例えば、図４（ａ）に示すように、−４０℃〜＋８５℃の範囲で温度に伴って変動する。
【０００８】
図４（ｃ）〜（ｆ）は、図３に示した温度補償回路において、５次成分発生部４５、４次成分発生部４４、３次成分発生部４３、１次成分発生部４２から出力されるｎ次補償電圧の例を示している。
【０００９】
図４（ｂ）は、図４（ｃ）〜（ｆ）に示した各次数の補償電圧を加算した温度補償電圧である。尚、ここでは図示は省略しているが、図４（ｂ）には、温度に依存しない０次成分発生部４１からの電圧も加算されている。
そして、図４（ｂ）に示した温度補償電圧をＶＣＸＯの発振回路に印加することにより、（ａ）に示した水晶振動子と発振回路の温度特性が補償されて、温度変化による周波数変動が小さい発振器出力を得ることができるものである。
【００１０】
［温度補償精度］
温度補償型水晶発振器に要求される温度補償精度は用途によって異なり、例えば、ＷＬＡＮ（無線ＬＡＮ；Wireless Local Area Network）の場合には±10ppm、通信用途の場合には、±2.5ppm、ＧＰＳ（Global Positioning System）用途の場合には、±0.5ppmとなっている。
【００１１】
そして、±10ppmや±2.5ppmの精度が要求される場合には、温度補償回路として、３次成分発生部までを備え、温度の３次関数で近似した温度補償電圧を生成するものが用いられる。
また、±0.5ppmの精度が要求される場合には、より高精度の補償を行うために高次の成分発生部を備え、４次関数や５次関数を生成する温度補償回路が用いられる。
【００１２】
［温度補償回路を備えたＩＣ］
通常、温度補償回路は、発振回路や温度センサ等と共にＩＣに集積されて搭載される。
温度補償回路に高次の成分発生部を組み込むことにより、ＩＣのチップサイズが増大し、価格も高くなるため、要求される温度補償精度に応じてＩＣを使い分けるのが一般的である。
その一方、１品種のＩＣを大量に製造する場合には、量産効果によりチップの価格が下がるため、高次のｎ次成分発生部を備えた温度補償回路ＩＣを、補償精度が±2.5ppm程度の品種に適用することも行われている。
【００１３】
［関連技術］
尚、温度補償型水晶発振器に関する技術としては、国際公開第２００４−０２５８２４号公報「ｎ次関数発生装置及び温度補償水晶発振回路（旭化成マイクロシステム株式会社、特許文献１）がある。
特許文献１には、１次の入力信号に対して反転又は非反転を出力する６個の差動増幅器を備えた関数発生装置において、第６の差動増幅器の通電電流を大きくして抵抗値を大きくすることにより、入力信号に対してより急峻な傾きの高精度の５次関数成分の出力電流が得られる関数発生装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】国際公開第２００４−０２５８２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
しかしながら、従来の温度補償型水晶発振器では、量産効果を重視して、４次以上の温度補償回路を精度の要求が低い用途で用いた場合には、４次以上の成分発生部の消費電流が大きいため、３次までの温度補償回路を用いた場合に比べて消費電流が著しく増大するという問題点があった。
【００１６】
本発明は、上記実状に鑑みて為されたもので、幅広い用途に適用可能とすると共に、要求される精度が低い場合には、無駄な温度補償動作を無くし、消費電力を低減することができる温度補償型水晶発振器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
上記従来例の問題点を解決するための本発明は、水晶振動子と、水晶振動子に接続された発振回路、温度に応じた電圧を出力する温度センサ、水晶振動子の温度特性を補償する温度補償電圧を出力する温度補償回路を含むＩＣとを備えた温度補償型水晶発振器であって、温度補償回路は、温度補償電圧を近似する４次以上の関数における２次を除く各次数成分を発生する複数の成分発生部と、各成分発生部からの出力を加算して温度補償電圧を生成する加算回路と、複数の成分発生部の内、４次以上の成分発生部に対する電源供給のオン／オフを切り替えるスイッチとを備え、ＩＣが、各スイッチのオン／オフを示す情報を記憶する不揮発性メモリと、電源投入時に、不揮発性メモリから各スイッチのオン／オフを示す情報を読み取って、当該情報に基づいて各スイッチをオン又はオフに切り替える制御手段とを備えたことを特徴としている。
【００１８】
また、本発明は、上記温度補償型水晶発振器において、４次以上の成分発生部に設けられるスイッチは、各々独立して切り替え可能であり、所望の特性に応じて、いずれか１つ又は複数のスイッチがオンに切り替えられることを特徴としている。
【００１９】
また、本発明は、上記温度補償型水晶発振器において、温度補償回路の複数の成分発生部は、各々設定されたゲインで次数成分を増幅するアンプを備え、不揮発性メモリに、各成分発生部に対応するゲインが記憶され、制御手段が、電源投入時に、不揮発性メモリから各成分発生部に対応するゲインを読み取って、各成分発生部に当該ゲインを設定することを特徴としている。
【００２０】
また、本発明は、上記温度補償型水晶発振器において、スイッチは例えばＰＭＯＳトランジスタによって構成されることを特徴としている。
【００２１】
また、本発明は、上記温度補償型水晶発振器において、温度補償回路が、温度補償電圧を近似する５次関数における２次を除く各次数成分を発生する複数の成分発生部を備え、４次成分発生部と５次成分発生部に対する電源供給のオン／オフを切り替える第１のスイッチ及び第２のスイッチを備えたことを特徴としている。
特徴としている。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、水晶振動子と、水晶振動子に接続された発振回路、温度に応じた電圧を出力する温度センサ、水晶振動子の温度特性を補償する温度補償電圧を出力する温度補償回路を含むＩＣとを備えた温度補償型水晶発振器であって、温度補償回路は、温度補償電圧を近似する４次以上の関数における２次を除く各次数成分を発生する複数の成分発生部と、各成分発生部からの出力を加算して温度補償電圧を生成する加算回路と、複数の成分発生部の内、４次以上の成分発生部に対する電源供給のオン／オフを切り替えるスイッチとを備え、ＩＣが、各スイッチのオン／オフを示す情報を記憶する不揮発性メモリと、電源投入時に、不揮発性メモリから各スイッチのオン／オフを示す情報を読み取って、当該情報に基づいて各スイッチをオン又はオフに切り替える制御手段とを備えた温度補償型水晶発振器としているので、高い温度補償精度が必要な場合にはスイッチをオンとして高精度の温度補償を行い、低い精度でも十分な場合には、スイッチをオフとして高次成分発生部の電源を遮断し、無駄な動作を停止させて、消費電流を低減することができ、更に、１種類のＩＣを幅広い用途に適用可能とし、コストを低減できる効果がある。
【００２３】
また、本発明によれば、４次以上の成分発生部に設けられるスイッチは、各々独立して切り替え可能であり、所望の特性に応じて、いずれか１つ又は複数のスイッチがオンに切り替えられる上記温度補償型水晶発振器としているので、用途に合わせて、温度補償精度や消費電流を適宜調整することができる効果がある。
【００２４】
また、本発明によれば、温度補償回路の複数の成分発生部は、各々設定されたゲインで次数成分を増幅するアンプを備え、不揮発性メモリに、各成分発生部に対応するゲインが記憶され、制御手段が、電源投入時に、不揮発性メモリから各成分発生部に対応するゲインを読み取って、各成分発生部に当該ゲインを設定する上記温度補償型水晶発振器としているので、各成分発生部からのｎ次補償電圧をそれぞれ調整可能として、加算回路からの温度補償電圧を水晶振動子の温度特性を十分に補償できる特性として、良好な温度補償を行うことができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の実施の形態に係る温度補償型水晶発振器の構成ブロック図である。
【図２】本温度補償型水晶発振器の温度補償回路の構成ブロック図である。
【図３】従来の温度補償型水晶発振器における温度補償回路の構成ブロック図である。
【図４】５次関数で近似される温度補償電圧による温度補償の例を示す模式説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明の実施の形態について図面を参照しながら説明する。
［実施の形態の概要］
本発明の実施の形態に係る温度補償型水晶発振器は、水晶振動子と、発振回路と、温度の５次関数で近似される温度補償電圧を生成可能な温度補償回路とを備えており、温度補償回路の４次成分発生部と５次成分発生部に、それぞれ、電源電圧供給のオン／オフを切り替える第１、第２のスイッチを備えると共に、各スイッチのオン／オフを制御するスイッチ制御手段と、パラメータとして前記各スイッチのオン／オフの状態を記憶する不揮発性メモリとを備え、電源投入時にスイッチ制御手段が不揮発性メモリからパラメータを読み取って、パラメータに基づいて第１、第２のスイッチをそれぞれオン又はオフに設定するものであり、高い温度補償精度が要求される場合には、第１又は／及び第２のスイッチをオンとして４次成分発生部又は／及び５次成分発生部を動作させて、精度の高い温度補償を行い、それほど高い精度が要求されない場合には、第１及び第２のスイッチをオフとして、４次成分発生部又は／及び５次成分発生部の動作を停止させて、不要な温度補償動作をなくし、消費電流を抑えることができるものである。
【００２７】
［実施の形態に係る温度補償型水晶発振器の構成：図１］
本発明の実施の形態に係る温度補償型水晶発振器について図１を用いて説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る温度補償型水晶発振器の構成ブロック図である。
図１に示すように、本発明の実施の形態に係る温度補償型水晶発振器（本温度補償型水晶発振器）は、水晶振動子１と、ＩＣ２とを備え、ＩＣ２は、ＡＦＣ（Auto Frequency Control;自動周波数制御）電圧を入力するＡＦＣ入力電圧端子と、発振器出力を出力する発振出力端子と、ＤＣ電源電圧を供給するＤＣ電源電圧端子と、グランド端子とを備えている。
【００２８】
更に、ＩＣ２は、水晶発振回路２１と、自動周波数制御入力調整回路２２と、温度補償回路２３と、温度センサ回路２４と、出力バッファ回路２５と、定電圧回路２６と、本温度補償型水晶発振器の特徴部分として、不揮発性メモリ２７と、スイッチ（ＳＷ）制御手段２８とを備えている。
また、温度補償回路２３の構成が従来とは一部異なっている。
【００２９】
ＩＣ２の各部について説明する。
定電圧回路２６は、ＤＣ電源電圧を入力して、ＩＣ２全体に定電圧の電源電圧を供給する。
水晶発振回路２１は、水晶振動子１の両端に接続して発振信号を取り出す。
自動周波数制御入力調整回路２２は、自動周波数制御電圧（ＡＦＣ電圧）に基づいて、水晶発振回路２１からの発振信号の周波数を調整する。
出力バッファ回路２５は、水晶発振回路２１からの発振信号を増幅して、発振出力端子に出力する。
【００３０】
温度センサ回路２４は、ダイオード等で構成され、温度変化に対して１次関数となる電圧（温度センサ出力）を出力する。
温度補償回路２３は、温度センサ回路２４からの電圧に応じて、水晶振動子１及び水晶発振回路２１の温度特性を補償する温度補償制御電圧を生成して、水晶発振回路２１に出力する。
【００３１】
温度補償回路２３は、高精度の温度補償を可能とするよう、温度センサ出力の４次以上の高次成分を生成する成分発生部を備えた４次以上の温度補償回路である。
但し、本温度補償型水晶発振器の特徴として、高精度の温度補償が不要な用途に適用された場合には、高次の成分発生部への電源電圧の供給をオフにして、動作させないようにしているものである。
【００３２】
具体的には、４次以上の成分発生部の電源供給ラインにスイッチを設け、当該スイッチをオン又はオフにすることにより、４次以上の成分発生部の動作／非動作を切り替えるようにしている。
温度補償回路２３の構成については後述する。
【００３３】
不揮発性メモリ２７は、ＥＥＰＲＯＭ（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）やＰＲＯＭ（Programmable Read-Only Memory）であり、パラメータとして、温度補償回路２３の各スイッチに対応するオン又はオフの情報を記憶している。また、後述するように、温度補償回路の各成分発生部におけるゲイン情報も記憶している。
不揮発性メモリ２７には、要求される温度補償精度や所望の特性に応じて、出荷前にパラメータが書き込まれる。
【００３４】
スイッチ制御手段２８は、不揮発性メモリ２７内のパラメータに基づいて、温度補償回路２３の各スイッチをオン又はオフに設定すると共に、各成分発生部にゲインを設定するものである。
具体的には、スイッチ制御手段２８は、電源投入時に不揮発性メモリ２７からパラメータを読み込み、パラメータに基づいて温度補償回路２３の各スイッチをオン又はオフに設定し、各成分発生部のアンプにゲインを設定する。
【００３５】
［温度補償回路２３の構成：図２］
次に、本温度補償型水晶発振器の温度補償回路２３の構成について図２を用いて説明する。図２は、本温度補償型水晶発振器の温度補償回路２３の構成ブロック図である。
図２に示すように、本温度補償型水晶発振器の温度補償回路２３は、図３に示した従来の温度補償型水晶発振器と同様に５次温度補償回路であり、０次成分発生部３１と、１次成分発生部３２と、３次成分発生部３３と、４次成分発生部３４と、５次成分発生部３５と、加算回路３６とを備えており、更に、本温度補償型水晶発振器の特徴部分として、４次成分発生部３４へ電源電圧を供給するライン上にスイッチ３７（ＳＷ１）を備え、５次成分発生部３５へ電源電圧を供給するライン上にスイッチ３８（ＳＷ２）を備えている。
ＳＷ１，ＳＷ２は、例えば、ＰＭＯＳトランジスタで構成される。
【００３６】
本温度補償回路の特徴部分について説明する。
ＳＷ１は、４次成分発生部３４への電源電圧のオン／オフを切り替えるスイッチであり、電源投入時に、図１に示したスイッチ制御手段２８によってオン又はオフに設定される。
ＳＷ１がオンの場合には、４次成分発生部３４に電源電圧が供給されて、４次成分発生部３４は４次補償電圧を生成する動作を行い、オフの場合には、４次成分発生部３４には電源電圧が供給されず、動作しない。
【００３７】
同様に、ＳＷ２は、５次成分発生部３５への電源電圧のオン／オフを切り替えるスイッチであり、電源投入時に、スイッチ制御手段２８によってオン又はオフに設定される。
ＳＷ２がオンの場合には、５次成分発生部３５に電源電圧が供給されて、５次成分発生部３５は５次補償電圧を生成する動作を行い、オフの場合には、５次成分発生部３５には電源電圧が供給されず、動作しない。
【００３８】
つまり、高精度の温度補償が必要な場合には、ＳＷ１，ＳＷ２をオンとして、４次成分発生部３４、５次成分発生部３５を動作させ、高精度の温度補償電圧を生成するが、それほど高い精度の補償が要求されない場合には、ＳＷ１，ＳＷ２をオフとして、４次成分発生部３４、５次成分発生部３５を停止させ、３次関数に基づく温度補償を行うものである。
【００３９】
これにより、ＩＣに本温度補償回路２３を組み込んでおけば、高い精度から低い精度まで幅広い精度の要求に対応した種々のデバイスに適用可能なＩＣとすることができ、精度の要求に応じて適宜不要な高次成分発生部を停止させて、無駄な動作をなくして消費電流を低減することができるものである。
また、当該ＩＣを多様な品種の温度補償型水晶発振器に適用することにより、ＩＣを大量生産可能として、コストを低減することができるものである。
【００４０】
尚、本温度補償型水晶発振器では、ＳＷ１、ＳＷ２はそれぞれ独立してオン／オフを設定可能としており、要求される温度補償精度に応じて、ＳＷ１，ＳＷ２共にオン又はオフにしてもよいし、いずれか一方のみをオンとして他方をオフとしてもよい。
【００４１】
また、ｎ次成分発生部３１〜３５（ｎ＝０，１，３，４，５）は、それぞれアンプを備えており、各アンプは温度センサ出力のｎ次成分を設定されたゲインで増幅してｎ次補償電圧として出力する。
各アンプのゲインは、加算回路３６から出力される温度補償電圧が、水晶振動子の温度特性を十分に補償する特性となるような値であり、不揮発性メモリ２７に予めゲイン情報として設定されており、電源投入時にスイッチ制御手段２７によってｎ次成分発生部３１〜３５に設定される。
【００４２】
［各パラメータの設定］
本温度補償型水晶発振器では、用途に応じて、出荷前に不揮発性メモリ２７にパラメータを書き込んでおく。
つまり、要求される温度補償精度や消費電力を考慮して、不揮発性メモリ２７にＳＷ１，ＳＷ２のオン／オフの情報を書き込み、温度補償電圧の特性が良好になるよう、各ｎ次成分発生部３１〜３５に対応するゲインを書き込んでおく。
これにより、出荷後に電源投入された際に、スイッチ制御手段２８が不揮発性メモリ２７から各種パラメータを読み出して、パラメータに基づいて、ＳＷ１，ＳＷ２をオン又はオフに切り替え、ｎ次成分発生部３１〜３５にゲインを設定する。
【００４３】
［実施の形態の効果］
本発明の実施の形態に係る温度補償型水晶発振器によれば、５次温度補償回路の４次成分発生部と５次成分発生部に対して、電源電圧の供給をオン／オフするスイッチ３７（ＳＷ１）、スイッチ３８（ＳＷ２）を備え、予め不揮発性メモリ２７に、所望の温度補償精度に応じた各スイッチのオン／オフの情報をパラメータとして記憶しておき、電源投入時に、スイッチ制御手段２８が不揮発性メモリ２７から各スイッチのオン／オフの情報を読み取って、スイッチ３７,３８にそれぞれオン又はオフを設定する温度補償型水晶発振器としているので、高い温度補償精度が必要な場合にはスイッチ３７，３８をオンとして高精度の温度補償を行い、低い精度でも十分な場合には、スイッチ３７,３８をオフとして高次成分発生部の電源を遮断し、動作を停止させて、消費電力を低減することができる効果がある。
【００４４】
特に、本温度補償型水晶発振器によれば、１種類のＩＣを多様な用途の温度補償型水晶発振器に適用することができ、各用途に専用のＩＣを用いる場合に比べて、コストを低減することができる効果がある。
【００４５】
また、本温度補償型水晶発振器によれば、各ｎ次成分発生部３１〜３５がアンプを備え、予め不揮発性メモリ２７にパラメータとして各アンプに対応するゲインを記憶しておき、電源投入時に、スイッチ制御手段２８が、不揮発性メモリ２７からゲインを読み取って、ｎ次成分発生部３１〜３５のアンプにゲインを設定するようにしているので、ｎ次補償電圧をそれぞれ調整可能として、水晶振動子１及び水晶発振回路２１の温度特性を十分に補償できるよう、加算回路３６からの温度補償電圧を調整することができ、良好な温度補償を行うことができる効果がある。
【００４６】
尚、ここでは、５次温度補償回路を例として説明したが、４次でもよいし、要求される温度補償精度に応じてより高次の温度補償回路としてもよく、スイッチを設ける次数も４次以上で適宜選択することができるものである。
【産業上の利用可能性】
【００４７】
本発明は、幅広い用途に適用可能とすると共に、要求される精度が低い場合には、無駄な温度補償動作を無くし、消費電力を低減することができる温度補償型水晶発振器に適している。
【符号の説明】
【００４８】
１...水晶振動子、  ２...ＩＣ、  ２１...水晶発振回路、  ２２...自動周波数制御入力調整回路、  ２３，４０...温度補償回路、  ２４...温度センサ回路、  ２５...出力バッファ回路、  ２６...定電圧回路、  ２７...不揮発性メモリ、  ２８...スイッチ制御手段、  ３１，４１...０次成分発生部、  ３２，４２...１次成分発生部、  ３３，４３...３次成分発生部、  ３４，４４...４次成分発生部、  ３５，４５...５次成分発生部、  ３６，４６...加算回路、  ３７...スイッチ（ＳＷ１）、  ３８...スイッチ（ＳＷ２）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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