(57)【要約】【課題】光の取り出し効率を向上できる有機ＥＬ素子、及びその製造方法を提供する。【解決手段】第２の領域２０Ｂに対応する部分は、酸素イオンが注入されることにより過酸化状態となり、導電性を有さない絶縁部１２Ｂとなる。一方、第１の領域２０Ａではレジスト２０が残存しているため、透明導電膜１２がレジスト２０に覆われた状態となる。従って、当該部分では、導電部１２Ａとして、レジスト２０の第１の領域２０Ａに対応するパターンにてパターンニングされる。これによって、透明導電膜１２に電気的なパターンニングがなされる。一方、導電部１２Ａ及び絶縁部１２Ｂは、光学的に同一な材料にて形成されるため、光学的にはパターンニングされていない状態とすることができ、光の取り出し時における導電部１２Ａと絶縁部１２Ｂとの間の光学条件を近づけることができる。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に形成された透明導電膜とを備える有機ＥＬ素子の製造方法であって、
前記透明導電膜が表面に形成された前記基板を準備する工程と、
前記透明導電膜を覆う第１の領域、及び前記透明導電膜を露出させる第２の領域が形成されたパターンを有するパターンニング部材を前記透明導電膜上に設ける工程と、
前記第２の領域に対応する部分における前記透明導電膜に酸素、酸素イオン、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、及び窒素酸化物イオンのうち少なくともいずれか一つを注入することで絶縁部を形成し、前記第１の領域で覆われる部分における前記透明導電膜を導電部としてパターンニングする工程と、
前記パターンニング部材を前記透明導電膜上から除去する工程と、を備える有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記透明導電膜上にレジストを形成し、
前記第１の領域に対応する部分の前記レジストを残存させると共に、前記第２の領域に対応する部分の前記レジストを前記透明導電膜上から除去することによって、前記透明導電膜上に前記パターンニング部材が設けられる、請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項３】
予め前記第１の領域及び前記第２の領域が形成された前記パターンニング部材を準備すると共に前記透明導電膜上に配置することによって、前記透明導電膜上に前記パターンニング部材が設けられる、請求項１に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項４】
前記第２の領域に対応する部分における前記透明導電膜を、前記第１の領域に対応する部分における前記透明導電膜に比して薄くする、請求項１〜３の何れか一項に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項５】
前記第２の領域に対応する部分における前記透明導電膜に対して、前記絶縁部を形成する時のエネルギーよりも低いエネルギーのイオンを照射することにより、前記第２の領域に対応する部分における前記透明導電膜のエッチングを行う、請求項４に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項６】
アルゴンのイオンを用いて、前記第２の領域に対応する部分における前記透明導電膜のエッチングを行う、請求項５に記載の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項７】
基板と、
前記基板上に形成された透明導電膜と、を備え、
前記透明導電膜は、所定のパターンを有する導電部、及び当該導電部よりも酸素量、窒素量、及び窒素酸化物量のうち少なくともいずれか一つが多い絶縁部を有する有機ＥＬ素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ素子の製造方法、及び有機ＥＬ素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ素子として、基板上に所定パターンの透明導電膜を形成するものが知られている。例えば、特許文献１に示す有機ＥＬ素子の製造方法では、レジストに所定パターンを露光するフォトリソグラフィ工程の後、透明導電膜をエッチングすることによってパターンを形成している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−１２３９８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の製造方法によって製造された有機ＥＬ素子では、透明導電膜のパターンが形成されている部分が導電部として機能し、形成されていない部分が絶縁部として機能する。しかしながら、当該構成にあっては、発光層から出力された光を外部へ取り出すときの光学条件が導電部と絶縁部とで異なることにより、光の取り出し効率が低下するという問題がある。
【０００５】
そこで、本発明は、光の取り出し効率を向上できる有機ＥＬ素子、及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法は、基板と、基板上に形成された透明導電膜とを備える有機ＥＬ素子の製造方法であって、透明導電膜が表面に形成された基板を準備する工程と、透明導電膜を覆う第１の領域、及び透明導電膜を露出させる第２の領域が形成されたパターンを有するパターンニング部材を透明導電膜上に設ける工程と、第２の領域に対応する部分における透明導電膜に酸素、酸素イオン、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、及び窒素酸化物イオンのうち少なくともいずれか一つを注入することで絶縁部を形成し、第１の領域で覆われる部分における透明導電膜を導電部としてパターンニングする工程と、パターンニング部材を透明導電膜上から除去する工程と、を備える。
【０００７】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法によれば、パターンニング部材の第２の領域に対応する部分では、透明導電膜が露出した状態となる。従って、当該部分は、酸素又は酸素イオンが注入されることにより過酸化状態となり、導電性を有さない絶縁部となる。また、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、又は窒素酸化物イオンが注入されることにより、当該部分に絶縁性を有する窒素化合物が形成されるため、導電性を有さない絶縁部となる。一方、パターンニング部材の第１の領域に対応する部分では、透明導電膜がパターンニング部材に覆われた状態となる。従って、当該部分は、酸素、酸素イオン、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、及び窒素酸化物イオンが注入されることなく、導電性を有したままの導電部として、パターンニング部材の第１の領域に対応するパターンにてパターンニングされる。これによって、透明導電膜に電気的なパターンニングがなされる。一方、導電部及び絶縁部は、同一な材料にて形成されるため、光学的にはパターンニングされていない状態とすることができ、光の取り出し時における導電部と絶縁部との間の光学条件を近づけることができる。従って、光の取り出し効率を向上することができる。
【０００８】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法では、透明導電膜上にレジストを形成し、第１の領域に対応する部分のレジストを残存させると共に、第２の領域に対応する部分のレジストを透明導電膜上から除去することによって、透明導電膜上にパターンニング部材が設けられてよい。このような方法によれば、一の有機ＥＬ素子ごとにパターンニング部材を設けることができるため、導電部及び絶縁部を精度良く形成することができる。
【０００９】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法では、予め第１の領域及び第２の領域が形成されたパターンニング部材を準備すると共に透明導電膜上に配置することによって、透明導電膜上にパターンニング部材が設けられてもよい。このような方法によれば、パターンニング部材を複数回流用することが可能であるため、コストを抑えることができる。
【００１０】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法では、第２の領域に対応する部分における透明導電膜を、第１の領域に対応する部分における透明導電膜に比して薄くしてよい。第２の領域に対応する部分における透明導電膜は、イオン等を注入された場合に屈折率が高くなるため、反射率が高くなる場合がある。従って、当該部分を薄くすることによって、導電部と絶縁部との間の光学条件をより近づけることができる。
【００１１】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法では、第２の領域に対応する部分における透明導電膜に対して、絶縁部を形成する時のエネルギーよりも低いエネルギーのイオンを照射することにより、第２の領域に対応する部分における透明導電膜のエッチングを行ってよい。第２の領域に対応する部分に対して、イオン注入がなされない程度の低いエネルギーのイオンを照射することによって、当該部分を削ってエッチングを行うことが可能となる。
【００１２】
本発明に係る有機ＥＬ素子の製造方法では、アルゴンのイオンを用いて、第２の領域に対応する部分における透明導電膜のエッチングを行ってよい。
【００１３】
本発明に係る有機ＥＬ素子は、基板と、基板上に形成された透明導電膜と、を備え、透明導電膜は、所定のパターンを有する導電部、及び当該導電部よりも酸素量、窒素量、及び窒素酸化物量のうち少なくともいずれか一つが多い絶縁部を有する。
【００１４】
本発明に係る有機ＥＬ素子によれば、上述の有機ＥＬ素子の製造方法と同様な効果を得ることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、光の取り出し効率を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の有機ＥＬ素子を製造するための製造装置の一実施形態を示すブロック構成図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図である。
【図３】比較例に係る有機ＥＬ素子の構成を示す図である。
【図４】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の製造方法の内容を示すフローチャートである。
【図５】図４に示す各工程の内容を説明するための模式図である。
【図６】図４に示す各工程の内容を説明するための模式図である。
【図７】変形例に係る有機ＥＬの構成及びその製造方法を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、添付図面を参照しながら本発明による有機ＥＬ素子の製造方法、及び有機ＥＬ素子の一実施形態を詳細に説明する。なお、図面の説明において同一の要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。
【００１８】
図１は、本発明の有機ＥＬ素子１０を製造するための製造装置１００の一実施形態を示すブロック構成図である。図２は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の構成を示す図である。
【００１９】
（有機ＥＬ素子）
まず、図２を参照して、有機ＥＬ素子１０について説明する。有機ＥＬ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｅｌｅｃｔｒｏ  Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）素子１０は、有機ＥＬディスプレイなどに用いられる発光素子である。有機ＥＬ素子１０は、基板１１と、アノード電極１３として機能する透明導電膜（ＴＣＯ：Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）１２と、発光層を含む有機層１５と、カソード電極１６と、バンク層１７と、を備えている。このうち、透明導電膜１２は、導電部１２Ａ及び絶縁部１２Ｂを有している。図２に示すように、透明導電膜１２の導電部１２Ａのパターンニングにより、基板１１上に複数のアノード電極１３が所定のパターンとなるように設けられる。なお、基板１１の底面側には、図示されないＴＦＴ基板が設けられる。
【００２０】
透明導電膜１２は、基板１１を覆うように形成されている。透明導電膜１２は、所定のパターンとなるように形成された導電部１２Ａ、及び当該導電部１２Ａよりも酸素量が多い絶縁部１２Ｂを有している。透明導電膜１２は、導電部１２Ａに対応する位置を、導電部１２Ａの形状・位置と同様にパターンニングされたレジストで覆った状態で酸素を注入することで、当該レジストで覆われていない部分に絶縁部１２Ｂが形成される。透明導電膜１２に酸素を注入することで過酸化状態にし、ドナー準位を無くすことによって、絶縁部１２Ｂが形成される。なお、ここでの「酸素」という語は、酸素イオン、酸素ラジカル、酸素原子を含んでいる。
【００２１】
図２（ｂ）に示すように、アノード電極１３のパターンが、導電部１２Ａで構成され（図２では、透明導電膜１２のうち、ドット模様が付されていない部分に対応する）、導電部１２Ａを除く当該導電部１２Ａの周辺部分が、絶縁部１２Ｂで構成される（図２では、透明導電膜１２のうち、ドット模様が付されている部分に対応する）。透明導電膜１２の材料として、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛、酸化インジウム、アンチモン添加酸化錫、フッ素添加酸化錫、アルミニウム添加酸化亜鉛、カリウム添加酸化亜鉛、シリコン添加酸化亜鉛や、酸化亜鉛−酸化錫系、酸化インジウム−酸化錫系、酸化亜鉛−酸化インジウム−酸化マグネシウム系などの金属酸化物が用いられる。これらの金属酸化物が２種以上複合されてもよい。また、透明導電膜１２の厚みは、当該数値に限定されないが、例えば１０ｎｍ〜５００ｎｍ程度に設定してよい。なお、基板１１を構成する材料としては、光透過性、安定性や耐久性等に優れた材料が用いられ、例えばＰＥＴやガラス、ＰＥＮやＰＭＭＡ等の樹脂、その他の透明結晶材料などを用いてよい。
【００２２】
アノード電極１３上には、有機層１５が形成されている。有機層１５は、例えば、発光層、ホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、及び電子注入層などの層を含んで構成される。また、アノード電極１３との間で有機層１５を挟むように、有機層１５上にカソード電極１６が形成される。カソード電極１６を構成する材料としては、例えば、銀、アルミニウムなどを用いてよい。バンク層１７は、各画素領域を隔てるように形成される絶縁層である。なお、本実施形態においては、各画素領域に対応するアノード電極１３同士の間は、透明導電膜１２の絶縁部１２Ｂによって隔てられている。このように、各画素領域に対応するアノード電極１３が絶縁部１２Ｂやバンク層１７などの絶縁層によって隔てられているため、各アノード電極１３を個別に制御して発光を行うことができる。
【００２３】
なお、有機ＥＬ素子１０は、アノード電極１３側から光Ｌ１を取り出すボトムエミッション型であってよい。この場合、カソード電極１６は反射層として機能する。また、アノード電極１３もハーフミラー型の反射層を含んで、アノード電極１３とカソード電極１６との間で反射を繰り返してもよい。また、有機ＥＬ素子１０は、カソード電極１６側から光Ｌ２を取り出すトップエミッション型であってもよい。この場合、カソード電極１６は透過型あるいはハーフミラー型の電極とし、アノード電極１３は反射層を含む構成とする。あるいは、有機ＥＬ素子１０は、光Ｌ１及び光Ｌ２を両方取り出ことが可能な構成であってもよい。なお、透明導電膜１２は、基板１１上に直接形成されていなくともよく、有機ＥＬ素子１０の構成によっては、基板１１に他の層が設けられており、透明導電膜１２は当該層上に形成されていてよい。その場合、基板１１及び他の層を含んだ部材全体が、請求項における「基板」に該当する。
【００２４】
（有機ＥＬ素子の製造装置）
図１に示すように、有機ＥＬ素子１０を製造するための製造装置１００は、基板１１上に透明導電膜１２を形成するための成膜部１０１と、フォトリソグラフィ工程によって透明導電膜１２に導電部１２Ａをパターンニングするためのパターンニング部材準備工程実行部１０２と、透明導電膜１２に酸素を注入して絶縁部１２Ｂを形成する酸素注入部１０３と、を備える。
【００２５】
成膜部１０１は、基板１１に対して透明導電膜１２を形成する成膜装置によって構成される。成膜部１０１で採用される成膜方法は特に限定されず、あらゆる成膜方法を採用してよい。例えば、成膜材料からなるターゲットに電圧を印加して基板１１上に透明導電膜１２を成膜するＤＣスパッタリング法、ＲＦスパッタリング法、ＡＣスパッタリング法などを採用してよい。または、プラズマを用いて成膜材料をイオン化して基板１１に付着させて透明導電膜１２の成膜を行うイオンプレーティング法を採用してよい。または、真空蒸着法、印刷法、スピンコート法、その他のコーティング法（塗布法）などを採用してよい。なお、製造装置１００の外部で透明導電膜１２が予め形成された基板１１を用いてもよく、この場合、製造装置１００から成膜部１０１が省略されていてもよい。
【００２６】
パターンニング部材準備工程実行部１０２は、パターンニング部材を準備する工程を実行するために、各工程で用いられる装置の組み合わせによって構成される。パターンニング部材は、酸素注入部１０３が透明導電膜１２に酸素を注入するときに、当該透明導電膜１２上に設けられているものである。パターンニング部材は、透明導電膜１２を覆う第１の領域、及び透明導電膜１２を露出させる第２の領域（貫通穴）が形成されたパターンを有するものである。パターンニング部材は、フォトリソグラフィ工程によってパターンニングされたフォトレジストによって構成されてもよく、マスキング法（予め第１の領域及び第２の領域が形成されているマスクを、透明導電膜１２上に配置する方法）で用いられるマスクによって構成されていてもよい。フォトリソグラフィ工程によってパターンニング部材を形成する場合、パターンニング部材準備工程実行部１０２は、当該フォトリソグラフィ工程を実行するために、各工程で用いられる装置の組み合わせによって構成される。パターンニング部材準備工程実行部１０２は、フォトレジストを塗布する装置、フォトレジストにパターンを露光する装置、フォトレジストを現像する装置、酸素イオン注入後にフォトレジストを剥離する装置などによって構成されている。マスキング法を採用する場合、パターンニング部材準備工程実行部１０２は、パターンニング部材を作成する装置（あるいは、製造装置１００の外部で作成されたものを用いてよい）、パターンニング部材を透明導電膜１２上に配置し回収する装置などによって構成されている。
【００２７】
酸素注入部１０３は、基板１１上の透明導電膜１２に酸素を注入する装置によって構成される。本実施形態では、酸素注入部１０３は、酸素イオンを注入する装置によって構成される。酸素注入部１０３で採用される方法は特に限定されず、あらゆる方法を採用してよい。例えば、イオンビームを、静電電界による偏向走査及び静電電界による平行化をした後、基板１１にイオン注入を行うイオン注入装置を適用してよい。または、高周波放電を利用して酸素をイオン化して、基板１１にドーピングするプラズマドーピング装置を適用してよい。または、リニアイオンソースを採用してもよい。または、ニュートライザーを用いて酸素イオンを中性化した酸素ラジカルとして注入する方法を採用してよい。
【００２８】
（有機ＥＬ素子の製造方法）
次に、図４〜図６を参照して、有機ＥＬ素子１０の製造方法について説明する。図４は、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法の内容を示すフローチャートである。図５及び図６は、図４に示す各工程の内容を説明するための模式図である。図４に示すように、まず、基板１１を準備する工程から処理が開始される（ステップＳ１０）。図５（ａ）に示すように、Ｓ１０の工程では、所定の大きさに設定された基板１１が準備され、成膜部１０１へ搬送される。次に、基板１１に透明導電膜１２を形成する工程が実行される（ステップＳ１２）。図５（ｂ）に示すように、基板１１の一面１１ａに透明導電膜１２が成膜される。Ｓ１２の処理は、成膜部１０１にて実行される。Ｓ１０及びＳ１２が完了することにより、透明導電膜１２が表面に形成された基板１１を準備する工程が完了する。なお、製造装置１００の外部で予め透明導電膜１２が表面に形成された基板１１を準備してもよい。
【００２９】
次に、透明導電膜１２上にレジスト材料を塗布することによってレジスト２０を形成する工程が実行される（ステップＳ１４）。レジスト材料として、例えばノボラック型フェノール樹脂やエポキシ樹脂などを適用してよい。図５（ｃ）に示すように、Ｓ１４では、透明導電膜１２の全面にレジスト２０が形成される。レジスト２０は、現像時に透明導電膜１２上に残存する第１の領域２０Ａと、現像時に除去されて貫通穴となる第２の領域２０Ｂと、に区画される。第１の領域２０Ａは、導電部１２Ａと対応する所定のパターンを有しており、酸素イオン注入時に透明導電膜１２を覆っておくことで、当該覆われた部分を導電部１２Ａとしてパターンニングする。第２の領域２０Ｂは、絶縁部１２Ｂに対応する位置に形成されており、透明導電膜１２を露出させておくことで、当該露出部分に酸素イオンが注入されるようにし、絶縁部１２Ｂを形成する。
【００３０】
次に、レジスト２０にパターンを露光すると共に現像を行う工程が実行される（ステップＳ１６）。まず、図示されないフォトマスクをレジスト２０の上方に配置する。当該フォトマスクには、導電部１２Ａのパターンが形成されている。当該フォトマスクを介してレジスト２０に光を照射してパターンを露光する。その後、現像を行うことによって、図６（ａ）に示すように、レジスト２０のうち、導電部１２Ａに対応する第１の領域２０Ａは透明導電膜１２上に残存し、絶縁部１２Ｂに対応する第２の領域２０Ｂは除去される。なお、Ｓ１４〜Ｓ１６の工程は、パターンニング部材準備工程実行部１０２で実行される。
【００３１】
次に、レジスト２０を介して透明導電膜１２に酸素イオンを注入する工程が実行される（ステップＳ１８）。図６（ｂ）に示すように、透明導電膜１２のうち、レジスト２０で覆われていない部分（第２の領域２０Ｂに対応する部分）には酸素イオンＦが照射されて酸素イオンが注入される。当該部分に係る透明導電膜１２は酸化過剰となり絶縁部１２Ｂとなる。一方、透明導電膜１２のうち、レジスト２０で覆われている部分（第１の領域２０Ａに対応する部分）には酸素イオンＦが照射されないので酸素イオンが注入されず、導電部１２Ａとしてパターンニングされる。Ｓ１８の工程は、酸素注入部１０３で実行される。次に、レジスト２０を除去する工程を実行する（ステップＳ２０）。図６（ｃ）に示すように、残存しているレジスト２０の第１の領域２０Ａに該当する部分も、透明導電膜１２上から除去する。Ｓ２０の処理は、パターンニング部材準備工程実行部１０２で実行される。これによって、透明導電膜１２の電気的なパターンニングが完了し、図４に示す工程が終了する。
【００３２】
なお、上述のようなフォトリソグラフィ工程に代えて、マスキング法を採用する場合、Ｓ１４及びＳ１６の工程に代えて、予め第１の領域２０Ａ及び第２の領域２０Ｂが形成されたパターンニング部材を準備する工程と、透明導電膜１２上にパターンニング部材を配置する工程が実行される。また、Ｓ２０の工程に代えて、透明導電膜１２上からパターンニング部材を回収する工程が実行される。また、上述のような酸素イオンを注入する工程に代えて、酸素（中性化した酸素ラジカル）を注入する場合、透明導電膜１２のうち、レジスト２０で覆われていない部分（第２の領域２０Ｂに対応する部分）には酸素フラックスが照射されて酸素（中性化した酸素ラジカル）が注入される。
【００３３】
図４に示すようなフォトリソグラフィ工程を実行することでパターンニング部材を透明導電膜１２上に設ける方法によれば、一の有機ＥＬ素子ごとにパターンニング部材を設けることができるため、導電部１２Ａ及び絶縁部１２Ｂを精度良く形成することができる。一方、マスキング法を採用した方法によれば、パターンニング部材を複数回流用することが可能であるため、コストを抑えることができる。
【００３４】
次に、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０及びその製造方法の作用・効果について説明する。
【００３５】
まず、比較例に係る有機ＥＬ素子５０の構成について説明する。図３（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子５０では、アノード電極１３などに該当する部分にのみ透明導電膜１２がパターンニングされている（グレースケールで塗った部分に透明導電膜１２が形成されている）。一方、その他の部分に関しては、透明導電膜１２は形成されておらず、当該透明導電膜１２とは異なる材質の部材が絶縁部として形成される（例えば、図３（ａ）に示す例では、バンク層１７が配置される）。しかしながら、当該構成にあっては、発光層から出力された光を外部へ取り出すときの光学条件が、導電部である透明導電膜１２とその他の領域である絶縁部とで異なることにより、光の取り出し効率が低下するという問題がある。
【００３６】
一方、本実施形態に係る有機ＥＬ素子１０の製造方法によれば、第２の領域２０Ｂに対応する部分ではレジスト２０が除去されているため、透明導電膜１２が露出した状態となる。従って、当該部分は、酸素イオンが注入されることにより過酸化状態となり、導電性を有さない絶縁部１２Ｂとなる。一方、第１の領域２０Ａではレジスト２０が残存しているため、透明導電膜１２がレジスト２０に覆われた状態となる。従って、当該部分は、酸素イオンが注入されることなく、導電性を有したままの導電部１２Ａとして、レジスト２０の第１の領域２０Ａに対応するパターンにてパターンニングされる。これによって、透明導電膜１２に電気的なパターンニングがなされる。一方、導電部１２Ａ及び絶縁部１２Ｂは、光学的に同一な材料にて形成されるため、光学的にはパターンニングされていない状態とすることができ、光の取り出し時における導電部１２Ａと絶縁部１２Ｂとの間の光学条件を近づけることができる。従って、光の取り出し効率を向上することができる。また、光の取り出し効率を向上できるため、低電力で高輝度の有機ＥＬ素子１０とすることができる。
【００３７】
例えば、図２（ｂ）に示すように、有機ＥＬ素子１０のアノード電極１３は、絶縁部１２Ｂ中に所定パターンとなるように形成される導電部１２Ａによって構成されているため、図３（ｂ）の比較例に係る有機ＥＬ素子５０のアノード電極１３と同様の機能を発揮することができる。一方、図２（ｂ）においてグレースケールで示すように、基板１１全体が光学的に同一な材料で形成された透明導電膜１２で覆われている。従って、導電部１２Ａと絶縁部１２Ｂとの間の光学条件を近づけることができる。
【００３８】
本発明は、上述の実施形態に限定されるものではない。例えば、上述の実施形態で示した導電部１２Ａのパターンは一例に過ぎず、あらゆるパターンを採用してもよい。また、上述の実施形態で示した製造装置や製造方法も一例に過ぎず、導電部１２Ａ及び絶縁部１２Ｂを有する透明導電膜１２を形成できる限り、あらゆる製造装置や製造方法を採用してよい。
【００３９】
上述の実施形態では、透明導電膜に酸素イオンを注入することによって絶縁部を形成したが、これに限定されない。すなわち、酸素、酸素イオン、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、及び窒素酸化物イオンのうち少なくともいずれか一つを透明導電膜に注入することによって、絶縁部を形成してよい。例えば、Ｎ２Ｏ＋、Ｎ２Ｏ＊、Ｏ３＋、Ｏ３＊、Ｏ２＋、Ｏ２＊、Ｏ＋、Ｏ＊、Ｎ＋、Ｎ＊、Ｎ２＋、Ｎ２＊などを注入してもよい。絶縁部は、導電部よりも酸素量、窒素量、及び窒素酸化物量のうち少なくともいずれか一つが多くなる。透明導電膜に酸素が注入された場合、酸素が注入された部分は過酸化状態となり、導電性を有さない絶縁部となる。また、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、又は窒素酸化物イオンが注入された場合、これらが注入された部分には絶縁性を有する窒素化合物が生成されるため、導電性を有さない絶縁部となる。なお、酸素又は酸素イオンが注入された場合の方が、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、又は窒素酸化物イオンが注入された場合と比較して、注入部分の光の屈折率が導電部に近くなるため、導電部と絶縁部との境界を目視しづらくすることができる。
【００４０】
また、酸素又は酸素イオンを注入するのに代えて、窒素、窒素イオン、窒素酸化物、又は窒素酸化物イオンを注入する場合、図１に示す酸素注入部１０３は窒素注入部となり、図４に示す酸素イオンを注入する工程（ステップＳ１８）は窒素を注入する工程となる。
【００４１】
また、図７（ａ）に示すように、第２の領域２０Ｂに対応する部分における透明導電膜１２（すなわち絶縁部１２Ｂ）を、第１の領域２０Ａに対応する部分における透明導電膜１２（すなわち絶縁部１２Ｂ）に比して薄くしてよい。第２の領域２０Ａに対応する部分における透明導電膜１２は、イオンなどが注入された場合に屈折率が若干高くなるため、反射率が若干高くなる場合がある。従って、当該部分を薄くすることによって、導電部１２Ａと絶縁部１２Ｂとの間の光学条件をより近づけることができる。具体的には、絶縁部１２Ｂの厚さは、導電部１２Ａの７０％〜９９％としてよい。
【００４２】
具体的には、図７（ｂ）に示すように、第２の領域２０Ｂに対応する部分における透明導電膜１２（絶縁部１２Ｂとなる部分）に対して、絶縁部１２Ｂを形成する時のエネルギーよりも低いエネルギーのイオンを照射することにより、第２の領域２０Ｂに対応する部分における透明導電膜１２のエッチングを行ってよい。例えば、酸素イオンを注入して絶縁部１２Ｂを形成する場合、注入するイオンＦ１のエネルギーは、透明導電膜１２の厚さに見合う注入深さを得られるような高い値に設定される。一方、第２の領域２０Ｂに対応する部分に対しては、イオン注入がなされない程度の低いエネルギーのイオンＦ２を照射することによって、当該部分の表面１２Ｂａを削ってエッチングを行うことが可能となる。エッチングのためのイオンＦ２を照射するときは、所望のエッチング量に見合ったイオン電流量だけを照射する。
【００４３】
注入するためのイオンとエッチングのためのイオンとを同一元素としてよい。例えば、酸素イオンを注入して絶縁部１２Ｂを形成する場合、酸素イオンを用いてエッチングを行ってよい。また、注入するためのイオンとエッチングのためのイオンとを異種元素としてよい。例えば、酸素イオンを注入して絶縁部１２Ｂを形成する場合、アルゴンのイオンを用いてエッチングを行ってよい。
【００４４】
また、図７（ｃ）に示すように、注入するための高エネルギーのイオンＦ１と、エッチングのための低エネルギーのイオンＦ２とを、同一のイオンガンＧで照射してよい。この場合のイオンガンＧは、注入するための高エネルギーのイオンＦ１と、エッチングのための低エネルギーのイオンＦ２とを時間差を設けて照射する。また、注入するための高エネルギーのイオンＦ１と、エッチングのための低エネルギーのイオンＦ２とを、別々のイオンガンＧ１，Ｇ２で照射してよい。このとき、イオンガンＧ１で高エネルギーのイオンＦ１を照射し、イオンガンＧ２で低エネルギーのイオンＦ２を照射する。イオンガンＧ１，Ｇ２による照射は、時間差を設けてもよく、同時に行ってもよい。
【符号の説明】
【００４５】
１０…有機ＥＬ素子、１１…基板、１２…透明導電膜、１２Ａ…導電部、１２Ｂ…絶縁部、２０…レジスト、２０Ａ…第１の領域、２０Ｂ…第２の領域、１００…製造装置、１０１…成膜部、１０２…パターンニング部材準備工程実行部、１０３…酸素注入部。
【図１】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図２】
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【図３】
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