(57)【要約】【課題】電子部品間を高い信頼性で接合する。【解決手段】電子部品１Ａは、電極部２１と、その上に設けられた半田２２とを備える。電極部２１は、その上面に半田２２の成分に対する拡散係数が異なる導電部、例えばバリアメタル２１ｂとその上に設けられた突起２１ｃとを有する。半田２２は、電極部２１のバリアメタル２１ｂと突起２１ｃの上に設けられる。相手側部品との接合時には、突起２１ｃで優先的に半田２２の成分の拡散及び反応が生じ、電極部２１の上面から側面への半田２２の成分の拡散が抑制され、部品間の接合部の破断が抑制される。【選択図】図４
2014116367.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極部と、
前記電極部上に設けられた半田部と
を備え、
前記電極部は、前記電極部の上面に、前記半田部の成分に対する拡散係数が異なる第１導電部と第２導電部とを有し、
前記半田部は、前記第１導電部上と前記第２導電部上とに設けられることを特徴とする電子部品。
【請求項２】
前記第１導電部は、前記第２導電部の外側に設けられ、前記成分の拡散係数が前記第２導電部よりも小さいことを特徴とする請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記第２導電部は、前記第１導電部上に部分的に設けられることを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項４】
前記第１導電部は、前記第２導電部上に設けられ、前記第２導電部に達する貫通孔を有することを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項５】
前記電極部は、前記成分の拡散係数が前記第１導電部よりも大きい第３導電部を有し、
前記第１導電部は、前記第３導電部上に設けられ、前記第３導電部に達する貫通孔を有し、
前記第２導電部は、前記貫通孔に設けられることを特徴とする請求項２に記載の電子部品。
【請求項６】
第１電極部と、前記第１電極部上に設けられた半田部とを備え、前記第１電極部が、前記第１電極部の上面に、前記半田部の成分の拡散係数が異なる第１導電部と第２導電部とを有し、前記半田部が、前記第１導電部上と前記第２導電部上とに設けられた第１電子部品を準備する工程と、
第２電極部を備える第２電子部品を準備する工程と、
前記第１電子部品を前記第２電子部品と対向させ、前記半田部の融点以上の温度で加熱して前記第１電極部と前記第２電極部とを接合する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１導電部は、前記第２導電部の外側に設けられ、前記成分の拡散係数が前記第２導電部よりも小さいことを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１電極部と前記第２電極部とを接合する工程は、前記半田部の成分及び前記第２導電部の成分を含有する化合物を形成する工程を含むことを特徴とする請求項７に記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
第１電極部を備える第１電子部品と、
前記第１電極部に対向して設けられた第２電極部を備える第２電子部品と、
前記第１電極部と前記第２電極部とを接合する接合部と
を備え、
前記接合部は、半田成分を含み、
前記第１電極部は、前記第１電極部の上面に、前記半田成分の拡散係数が異なる第１導電部と第２導電部とを有し、
前記接合部は、前記第１導電部上と前記第２導電部上とに設けられることを特徴とする電子装置。
【請求項１０】
前記第１導電部は、前記第２導電部の外側に設けられ、前記半田成分の拡散係数が前記第２導電部よりも小さいことを特徴とする請求項９に記載の電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品、並びに、電子部品を含む電子装置の製造方法及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体素子等の電子部品として、ピラーと呼ばれる（ポスト等とも呼ばれる）電極を用いたものが知られている。このような電子部品の電極を、その上に設けた半田を用い、半導体素子等の相手側電子部品の電極（例えばピラー）に接合し、両電極間を電気的に接続する技術が知られている。接合時には、電極成分と半田成分の拡散及び反応が起こり得る。電極上にその電極に比べて半田成分の拡散及び反応が起こり難いバリア層を設ける技術も知られている。
【０００３】
尚、従来、同様に半田成分の拡散及び反応を抑制する観点から、例えば半田バンプとその下のパッドとの間にバリアメタルを設ける技術等も知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２６３２０８号公報
【特許文献２】特開２００３−３１５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記のように電子部品間の互いの電極を、半田を用いて接合する場合には、その接合時又は接合後に、電極の成分とその電極上の半田の成分との拡散及び反応によって、接合部の体積が減少し、接合部が破断してしまうことが起こり得る。電極上にバリア層を設ける場合でも、電極及び半田の材料、接合条件（例えば、電子部品の押圧量、バリア層上の半田量）等によっては、半田成分がバリア層の側面に沿って下の電極に拡散し反応することで、同様の接合部の体積減少、破断が発生する恐れがある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一観点によれば、電極部と、前記電極部上に設けられた半田部とを備え、前記電極部は、前記電極部の上面に、前記半田部の成分に対する拡散係数が異なる第１導電部と第２導電部とを有し、前記半田部は、前記第１導電部上と前記第２導電部上とに設けられる電子部品が提供される。
【０００７】
また、本発明の一観点によれば、上記のような電子部品を用いた電子装置の製造方法、製造される電子装置が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、電極部の上面に、半田部の成分に対する拡散係数が異なる導電部を設けることで、相手側との接合時に、一方の導電部で優先的に半田部の成分の拡散及び反応を生じさせ、半田部が電極部の上面から側面に拡散するのを抑えることが可能になる。それにより、接合部の破断を抑制し、電子部品間の接続信頼性の向上を図ることが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】半導体装置の一例を示す図である。
【図２】端子の一例を示す図である。
【図３】端子間接合の一例の説明図である。
【図４】第１の実施の形態に係る端子の一例を示す図である。
【図５】第１の実施の形態に係る端子間接合の一例の説明図である。
【図６】第１の実施の形態に係る端子間接合の別例の説明図である。
【図７】第１の実施の形態に係る端子形成方法の一例の説明図（その１）である。
【図８】第１の実施の形態に係る端子形成方法の一例の説明図（その２）である。
【図９】第１の実施の形態に係る端子形成方法の一例の説明図（その３）である。
【図１０】端子形成方法の別例の説明図（その１）である。
【図１１】端子形成方法の別例の説明図（その２）である。
【図１２】第２の実施の形態に係る端子の一例を示す図である。
【図１３】第２の実施の形態に係る端子間接合の一例の説明図である。
【図１４】第２の実施の形態に係る端子間接合の別例の説明図である。
【図１５】第２の実施の形態に係る端子形成方法の一例の説明図（その１）である。
【図１６】第２の実施の形態に係る端子形成方法の一例の説明図（その２）である。
【図１７】第３の実施の形態に係る端子の一例を示す図である。
【図１８】第３の実施の形態に係る端子間接合の一例の説明図である。
【図１９】第３の実施の形態に係る端子間接合の別例の説明図である。
【図２０】第３の実施の形態に係る端子形成方法の一例の説明図（その１）である。
【図２１】第３の実施の形態に係る端子形成方法の一例の説明図（その２）である。
【図２２】リフロー工程後の端子の別例を示す図である。
【図２３】評価結果の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
まず、電子部品間の接続技術について述べる。
例えば、半導体素子（半導体チップ）を回路基板に接続する技術として、半導体チップを回路基板上に搭載し、半導体チップの端子と回路基板上の端子とをワイヤによって接続する技術（ワイヤボンディング）が知られている。また、接続端子数の増大に伴い、半導体チップと回路基板とを対向させ、それらの端子同士を接続する技術（フリップチップボンディング）も用いられるようになっている。
【００１１】
図１は半導体装置の一例を示す図である。図１（Ａ）は半導体装置の一例の平面模式図、図１（Ｂ）は図１（Ａ）のＬ−Ｌ断面模式図である。
半導体装置１００は、図１（Ａ）及び図１（Ｂ）に示すように、半導体チップ１１０及び回路基板１２０を含む。半導体チップ１１０は、図１（Ｂ）に示すように、一方の面に複数の端子（接続端子）１１１を有している。回路基板１２０は、図１（Ｂ）に示すように、導電部１２１（配線、ビア、スルーホール）、及び導電部１２１の周りに設けられた絶縁部１２２を有している。回路基板１２０には、半導体チップ１１０の各接続端子１１１に対応する位置にそれぞれ端子（電極端子）１２１ａが設けられている。半導体チップ１１０は、回路基板１２０と対向するように配置され、各接続端子１１１が、対応する電極端子１２１ａに接合されて、回路基板１２０と電気的に接続される。
【００１２】
尚、半導体チップ１１０と回路基板１２０の間には、図１（Ｂ）に示すように、アンダーフィル材１３０が充填されてもよい。また、回路基板１２０の、半導体チップ１１０側と反対の面側には、半田ボール等の端子（外部接続端子）１２３を設け、半導体チップ１１０を実装した回路基板１２０を、外部接続端子１２３を用いて別の回路基板に実装（二次実装）するようにしてもよい。
【００１３】
上記のようなフリップチップボンディングにおいて、端子部分には半田、銅（Ｃｕ）等の材料が広く用いられている。端子には、半田ボール等のバンプを用いる方法のほか、更なる端子数の増大、接続信頼性の向上の観点から、例えば銅でピラー電極を形成し、その上に半田を設けて、相手側の端子（例えばピラー電極）と接合する方法も用いられるようになってきている。半田には、環境への影響の観点から、鉛（Ｐｂ）を含有しない、鉛フリー半田が用いられるようになってきている。
【００１４】
尚、このようなピラー電極を含む端子の構造は、半導体チップの端子のほか、半導体チップを備えた半導体装置（半導体パッケージ）の端子、或いは回路基板の端子にも同様に採用され得る。
【００１５】
鉛フリー半田の主成分である錫（Ｓｎ）は、銅に対する拡散係数が高い。そのため、端子間の接合時に半田が加熱により溶融されると、錫と銅が拡散し、反応して、端子間の接合部に錫と銅を含有する化合物（金属間化合物（Inter-Metallic Compound；ＩＭＣ））が形成される。このような接合時の加熱、或いは接合後の加熱（二次実装時の加熱、半導体チップ動作時の発熱による加熱等）によって、錫と銅の拡散及び反応が進行すると、端子間の接合部の体積減少、端子下層の配線部への錫の浸食といった現象が生じ得る。
【００１６】
このような現象に鑑み、銅のピラー電極の上に、銅に比べて錫との反応が遅い（錫に対する拡散係数が小さい）材料、例えばニッケル（Ｎｉ）をバリアメタルとして設け、錫と銅との反応を抑制する端子構造も用いられている。
【００１７】
図２は端子の一例を示す図である。ここでは、半導体チップを例に、その端子の構造を説明する。図２には、半導体チップの一例の要部断面を模式的に図示している。
図２に示す半導体チップ２００は、その本体部２１０に設けられた配線部２１０ａから突出する端子２２０を備えている。尚、ここでは便宜上、１つの端子２２０を例示するが、本体部２１０には、複数の端子２２０が設けられていてもよい。端子２２０は、配線部２１０ａ上に設けられたピラー電極２２１と、そのピラー電極２２１上に設けられたバリアメタル２２２と、そのバリアメタル２２２上に設けられた半田２２３とを含む。例えば、ピラー電極２２１には銅が用いられ、バリアメタル２２２にはニッケルが用いられ、半田２２３には錫を主成分とするものが用いられる。
【００１８】
このようにピラー電極２２１上にバリアメタル２２２を介して半田２２３を設けることで、半導体チップ２００の接合時或いは接合後の加熱時に、半田２２３の錫とピラー電極２２１の銅とが反応するのを抑制する。しかしながら、ピラー電極２２１上にこのようなバリアメタル２２２を設けた端子２２０を採用した場合であっても、次の図３に示すように、半田２２３の錫とピラー電極２２１の銅とが反応することが起こり得る。
【００１９】
図３は端子間接合の一例の説明図である。ここでは、上記図２のような端子を備える半導体チップ同士の接合を例にして説明する。図３（Ａ）及び図３（Ｂ）にはそれぞれ、接合する半導体チップの一例の要部断面を模式的に図示している。
【００２０】
例えば、上記図２のような端子２２０を設けた半導体チップ２００同士を接合する場合、図３（Ａ）に示すように、上側と下側の半導体チップ２００の、バリアメタル２２２を設けたピラー電極２２１同士が、間に半田２２３を挟んで接合される。この時、半田２２３に含まれる錫は、バリアメタル２２２の側面に沿って、ニッケルのバリアメタル２２２よりも拡散係数の高い銅のピラー電極２２１の側面に向かって、優先的に拡散し得る。このような拡散は、材料が例示のような錫と銅のような組み合わせの場合や、接合時に半田２２３がバリアメタル２２２の上面から側面にまで広がっているような場合には、より起こり易くなる。尚、半田２２３がバリアメタル２２２の上面から側面に広がるような状況は、例えば、接合前にバリアメタル２２２上に設けられる半田２２３の量が多くなるほど起こり易くなり、また、接合時の半導体チップ２００の押圧量が大きくなるほど起こり易くなる。
【００２１】
半田２２３の錫が、バリアメタル２２２の側面に沿って銅のピラー電極２２１の側面に拡散し、銅と反応すると、図３（Ａ）に示すように、ピラー電極２２１の側部に錫と銅を含有する化合物２２１ａが形成され得る。半田２２３の錫の拡散量が多くなると、銅のピラー電極２２１との反応量が多くなり、図３（Ｂ）に示すように、ピラー電極２２１の側部のより広い範囲に化合物２２１ａが形成され得る。このように半田２２３の錫がピラー電極２２１の側面に拡散し、そこで化合物２２１ａの形成に消費されると、対向するピラー電極２２１間（バリアメタル２２２間）に残る半田２２３の量が減少する。この場合、ピラー電極２２１間の半田２２３に、図３（Ｂ）に示すような破断部２２３ａが生じ、ピラー電極２２１間の接続不良が発生し得る。
【００２２】
また、バリアメタル２２２上からピラー電極２２１の側面に拡散した錫が、更にピラー電極２２１の下の配線部２１０ａにまで達すると、その配線部２１０ａの成分と反応して配線部２１０ａを浸食し（浸食部２２３ｂ）、配線部２１０ａの不良を引き起こす恐れもある。
【００２３】
ピラー電極２２１の側面をポリイミド樹脂等の膜で覆い、上記のような錫の拡散を抑制する方法も考えられるが、そのような膜がピラー電極２２１の側面に十分に密着していなければ効果は得られ難い。
【００２４】
尚、上記図２に示したようなピラー電極２２１、バリアメタル２２２及び半田２２３を含む端子２２０の構造は、半導体チップの端子のほか、半導体チップを備えた半導体パッケージの端子、或いは回路基板の端子にも同様に採用し得る。端子２２０の構造は、半導体チップ同士の接続のほか、半導体チップと回路基板の接続、半導体チップと半導体パッケージの接続、半導体パッケージと回路基板の接続、半導体パッケージ同士の接続、回路基板同士の接続等、様々な電子部品間の接続に採用され得る。上記のような半田２２３の錫の拡散による破断部２２３ａの発生、配線部２１０ａの浸食は、端子２２０の構造を採用した様々な電子部品間の接続時に、同様に発生し得る。
【００２５】
以上のような点に鑑み、半導体チップ、半導体パッケージ、回路基板等の電子部品の端子に、以下に実施の形態として説明するような構造を有するものを用いる。
まず、第１の実施の形態について説明する。
【００２６】
図４は第１の実施の形態に係る端子の一例を示す図である。図４（Ａ）は、第１の実施の形態に係る端子を備えた電子部品の一例の要部平面模式図である。図４（Ｂ）は、第１の実施の形態に係る端子を備えた電子部品の一例の要部断面模式図である。図４（Ｂ）は、図４（Ａ）のＬ１−Ｌ１断面に相当する図である。図４（Ａ）では、便宜上、半田の一部の図示を省略している。
【００２７】
図４（Ａ）及び図４（Ｂ）に示す電子部品１Ａは、その本体部１０に設けられた配線部１０ａから突出する端子２０Ａを備えている。尚、ここでは便宜上、１つの端子２０Ａを例示するが、本体部１０には、複数の端子２０Ａが設けられていてもよい。
【００２８】
端子２０Ａは、電極部２１と、その電極部２１上に設けられた半田２２（半田部）とを備える。端子２０Ａの電極部２１は、配線部１０ａ上に設けられたピラー電極２１ａ（導電部）と、そのピラー電極２１ａ上に設けられたバリアメタル２１ｂ（導電部）と、そのバリアメタル２１ｂ上に設けられた突起２１ｃ（導電部）とを含む。突起２１ｃには、半田２２に含まれる所定の成分と反応して化合物を形成する材料が用いられる。
【００２９】
ここで、バリアメタル２１ｂは、ピラー電極２１ａの上面を覆うように設けられる。突起２１ｃは、バリアメタル２１ｂ上に部分的に、この例ではバリアメタル２１ｂ上の中央部に、設けられる。電極部２１は、その上面にバリアメタル２１ｂ及び突起２１ｃが露出し、電極部２１の上面に露出するバリアメタル２１ｂ及び突起２１ｃを覆うように、半田２２が設けられる。
【００３０】
半田２２には、例えば錫を主成分とするものが用いられる。電極部２１のピラー電極２１ａには、例えば銅が用いられる。電極部２１のバリアメタル２１ｂと突起２１ｃには、半田２２に含まれる成分、この例では錫に対する拡散係数が異なる材料が用いられる。ここではバリアメタル２１ｂに、錫に対する拡散係数が突起２１ｃよりも小さい材料が用いられる。バリアメタル２１ｂには、例えばニッケルが用いられ、突起２１ｃには、例えば銅が用いられる。以下、ここに例示した材料を用いた端子２０Ａを例に説明する。
【００３１】
錫に対する銅とニッケルの拡散係数を文献値（http://diffusion.nims.go.jp/）から比較すると、２００℃では、銅の拡散係数が２．０５×１０-10（ｍ2／ｓｅｃ）、ニッケルが１．７９×１０-10（ｍ2／ｓｅｃ）である。１００℃では、銅の拡散係数が６．１７×１０-11（ｍ2／ｓｅｃ）、ニッケルが４．８６×１０-11（ｍ2／ｓｅｃ）である。銅の方がニッケルよりも、錫に対して高い拡散係数を持つ。
【００３２】
このように電極部２１の上面にバリアメタル２１ｂと、それよりも錫に対する拡散係数が大きい突起２１ｃを設けることで、電子部品１Ａの、他部品との接合時には、半田２２の錫が突起２１ｃに優先的に拡散し、反応するようになる。それにより、半田２２の錫の、ピラー電極２１ａの側面への拡散を抑制することが可能になる。
【００３３】
図５は第１の実施の形態に係る端子間接合の一例の説明図である。ここでは、上記図４のような端子２０Ａを備える電子部品１Ａ同士の接合を例にして説明する。図５（Ａ）〜図５（Ｄ）には、接合過程での電子部品１Ａの一例の要部断面を模式的に図示している。
【００３４】
接続する電子部品１Ａには、予め互いに対応する位置に端子２０Ａが設けられる。端子２０Ａ同士を接合する際には、まず、図５（Ａ）に示すように、端子２０Ａを備える電子部品１Ａ同士が、互いの端子２０Ａを対向させて配置される。
【００３５】
次いで、半田２２の融点以上の温度で加熱しながら、電子部品１Ａを押圧し、図５（Ｂ）に示すように、電子部品１Ａの、バリアメタル２１ｂ及び突起２１ｃを設けたピラー電極２１ａ同士を、間に半田２２を挟んで接合する。この時、半田２２に含まれる錫は、半田２２が接触するニッケルのバリアメタル２１ｂと銅の突起２１ｃのうち、より拡散係数の大きい銅が用いられた突起２１ｃに優先的に拡散し、反応して、化合物２３を形成する。半田２２の錫と突起２１ｃの銅との反応が進行することで、図５（Ｃ）に示すように、化合物２３が成長していく。
【００３６】
化合物２３が成長する際には、その成長に伴い、図５（Ｃ）に示すように、ピラー電極２１ａ間（バリアメタル２１ｂ間）の接合部の体積収縮が起こる。この例のように突起２１ｃに銅を用いている場合、銅と錫とが反応して化合物２３が形成されると、その結晶が緻密に配列することで、ピラー電極２１ａ間の接合部の体積収縮が起こる。銅の密度は８．９ｇ／ｃｍ3であり、錫の密度は７．３ｇ／ｃｍ3である。このような銅と錫とが反応すると、化合物２３として銅錫化合物（Ｃｕ6Ｓｎ5）が形成され、この化合物２３に含まれる銅と錫の質量比は錫と銅の金属２元状態図から予測すると、約４０：６０である。この化合物２３の密度は８．２８ｇ／ｃｍ3であり、化合物２３が形成される際、体積が約５％減少する。突起２１ｃをバリアメタル２１ｂの中央部に設けている場合には、化合物２３の成長に伴い、図５（Ｃ）、更には図５（Ｄ）に示すように、バリアメタル２１ｂの中央部に向かって、ピラー電極２１ａ間の接合部の体積収縮が進行する。
【００３７】
このようにニッケルのバリアメタル２１ｂの中央部に銅の突起２１ｃを設けることで、突起２１ｃに半田２２の錫が優先的に拡散、反応して化合物２３が形成される。更に、その化合物２３の形成の際、バリアメタル２１ｂの中央部に向かって、ピラー電極２１ａ間の接合部の体積収縮が起こる。これにより、対向するピラー電極２１ａ間に半田２２を留め、半田２２の錫がバリアメタル２１ｂの側面に沿ってピラー電極２１ａの側面に拡散するのを抑制することが可能になる。また、バリアメタル２１ｂにより、半田２２とピラー電極２１ａとの過剰な反応が抑制される。その結果、対向するピラー電極２１ａ間の接合部に、半田２２が減少することで破断部が発生するのを抑制することが可能になる。
【００３８】
ニッケルのバリアメタル２１ｂの中央部に銅の突起２１ｃを設けた端子２０Ａでは、突起２１ｃの銅が全て半田２２の錫との化合物２３の形成に消費されると、それ以後、化合物２３の形成が進行しなくなる。そのため、半田２２の錫の過剰な拡散が抑制されるようになる。
【００３９】
電子部品１Ａに上記のような端子２０Ａを設けることで、電子部品１Ａ同士が高信頼性で接続された電子装置が実現される。尚、電子装置は、必ずしも上記図５（Ｄ）のように半田２２が全て化合物に変化した接合状態でなくてもよく、図５（Ｂ）、図５（Ｃ）のような接合状態であってもよい。図５（Ｂ）、図５（Ｃ）のような接合状態の電子装置では、後に加熱された際、半田２２の錫の突起２１ｃへの優先的な拡散、化合物２３の形成時の体積収縮により、ピラー電極２１ａの側面への錫の拡散、接合部の破断を抑制することができる。
【００４０】
尚、ここでは端子２０Ａを備える電子部品１Ａ同士の接合を例にしたが、端子２０Ａを備える電子部品１Ａと、端子２０Ａとは異なる構造の端子を備える他の電子部品とを接合する場合には、上記同様の効果を得ることができる。
【００４１】
図６は第１の実施の形態に係る端子間接合の別例の説明図である。
図６（Ａ）の例では、電子部品１Ａと、電子部品１Ａとは異なる別の電子部品３００とが接合される。電子部品１Ａは、上記のように、ピラー電極２１ａ、バリアメタル２１ｂ及び突起２１ｃを含む端子２０Ａを備える。一方、電子部品３００は、ピラー電極２１ａ及びバリアメタル２１ｂを含み、突起２１ｃを含まない端子３１０を備える。このような電子部品１Ａの端子２０Ａと電子部品３００の端子３１０との接合でも、上記同様、半田２２の錫の突起２１ｃへの優先的な拡散と、化合物２３の形成に伴う体積収縮が起こる。それにより、ピラー電極２１ａの側面への錫の拡散、ピラー電極２１ａ間の接合部の破断を抑制することができる。
【００４２】
図６（Ｂ）の例では、電子部品１Ａと、電子部品１Ａとは異なる別の電子部品３２０とが接合される。電子部品１Ａは、ピラー電極２１ａ、バリアメタル２１ｂ及び突起２１ｃを含む端子２０Ａを備え、電子部品３２０は、バリアメタル２１ｂ及び突起２１ｃを含まない端子３３０を備える。尚、端子３３０は、ピラー電極、パッド電極、配線部等、様々な形態を採り得る。このような電子部品１Ａの端子２０Ａと電子部品３２０の端子３３０との接合でも、半田２２の錫の突起２１ｃへの拡散と、化合物２３の形成に伴う体積収縮が起こる。それにより、ピラー電極２１ａや端子３３０の側面への錫の拡散、それらの接合部の破断を抑制することができる。
【００４３】
電子部品１Ａに上記のような端子２０Ａを設けることで、電子部品１Ａと他の電子部品とが高信頼性で接続された電子装置が実現される。
続いて、上記のような第１の実施の形態に係る端子２０Ａの形成方法について説明する。
【００４４】
図７〜図９は第１の実施の形態に係る端子形成方法の一例の説明図である。図７〜図９には、端子形成の各工程の要部断面を模式的に図示している。
まず、図７（Ａ）に示すように、端子２０Ａを形成する基板３０を準備する。便宜上、ここでは図示を省略するが、基板３０には、１つ又は複数の電子部品１Ａの本体部１０が形成されている。即ち、基板３０自体が１つの電子部品１Ａの本体部１０である場合（例えば回路基板等）や、基板３０内に複数の電子部品１Ａの本体部１０が含まれている場合（例えば複数の半導体チップが形成されるウエハ等）がある。尚、基板３０に複数の電子部品１Ａの本体部１０が含まれる場合には、各本体部１０への端子２０Ａの形成後、個々の電子部品１Ａに個片化される。
【００４５】
準備された基板３０の上に、図７（Ａ）に示すように、密着層３０ａ及びシード層３０ｂを形成する。例えば、密着層３０ａとして厚さ１００ｎｍのチタン（Ｔｉ）層を形成し、シード層３０ｂとして厚さ５００ｎｍの銅層を形成する。密着層３０ａ及びシード層３０ｂは、スパッタリング法を用いて形成することができる。
【００４６】
次いで、図７（Ｂ）に示すように、レジスト３１を塗布し、露光、現像を行うことで、基板３０の、端子２０Ａを形成する領域（本体部１０の配線部１０ａに対応する領域）に、開口部３１ａを形成する。例えば、直径１０μｍの開口部３１ａを形成する。
【００４７】
次いで、電解めっき法を用い、シード層３０ｂを給電層として銅をめっきし、図７（Ｃ）に示すように、レジスト３１の開口部３１ａ内にピラー電極２１ａを形成する。例えば、レジスト３１の開口部３１ａ内に、高さ（厚さ）５μｍの銅のピラー電極２１ａを形成する。
【００４８】
次いで、電解めっき法を用い、図８（Ａ）に示すように、レジスト３１の開口部３１ａ内のピラー電極２１ａ上に、バリアメタル２１ｂを形成する。例えば、バリアメタル２１ｂとして、ピラー電極２１ａ上に厚さ３μｍのニッケル層を形成する。
【００４９】
バリアメタル２１ｂの形成後は、図８（Ｂ）に示すように、レジスト３１を剥離する。
次いで、図８（Ｃ）に示すように、レジスト３２を塗布して露光、現像を行い、バリアメタル２１ｂの中央部に開口部３２ａを形成する。例えば、レジスト３２に、直径８μｍの開口部３２ａを形成する。
【００５０】
次いで、電解めっき法を用い、図８（Ｄ）に示すように、レジスト３２の開口部３２ａ内のバリアメタル２１ｂ上に、突起２１ｃを形成する。例えば、突起２１ｃとして、バリアメタル２１ｂ上に厚さ２μｍの銅層を形成する。これにより、ピラー電極２１ａ上にバリアメタル２１ｂが形成され、バリアメタル２１ｂ上に突起２１ｃが形成された電極部２１が形成される。
【００５１】
突起２１ｃの形成後は、図９（Ａ）に示すように、レジスト３２を剥離する。
次いで、図９（Ｂ）に示すように、レジスト３３を塗布して露光、現像を行い、電極部２１の領域に開口部３３ａを形成する。
【００５２】
次いで、電解めっき法を用い、図９（Ｃ）に示すように、レジスト３３の開口部３３ａ内のバリアメタル２１ｂ及び突起２１ｃの上に、半田２２を形成する。例えば、半田２２として、厚さ３．５μｍの錫銀（ＳｎＡｇ）半田を形成する。尚、形成する半田２２の体積は、それに含まれる錫の全てを突起２１ｃの銅と反応させるためには、突起２１ｃの体積の約１．８５倍以下に設定することが望ましい。今回、突起２１ｃの銅の大きさは厚さ２μｍ、径８μｍの円柱と定義しており、半田の厚さは３．６５μｍ以下が望ましい。
【００５３】
半田２２の形成後は、図９（Ｄ）に示すように、レジスト３３を剥離し、レジスト３３の剥離後に露出するシード層３０ｂ及び密着層３０ａをエッチングにより除去する。シード層３０ｂ及び密着層３０ａのエッチング後、リフローを行うことで、図９（Ｄ）に示すような、丸みを帯びた形状の半田２２が形成される。尚、図９（Ｄ）のリフロー工程は、省略することもできる。
【００５４】
以上の図７（Ａ）〜図９（Ｄ）のような工程により、ピラー電極２１ａ上のバリアメタル２１ｂとその中央部に設けた突起２１ｃを覆うように半田２２が設けられた端子２０Ａが形成される。
【００５５】
上記第１の実施の形態に係る端子２０Ａのように、バリアメタル上に半田成分の拡散係数がより大きい突起を設け、これらのバリアメタル及び突起を覆うように半田を設ける端子としては、以下の図１０、図１１に示す方法で形成されるものを用いることもできる。
【００５６】
図１０は端子形成方法の別例の説明図である。図１０には、端子形成の各工程の要部断面を模式的に図示している。
図１０の例では、まず上記の図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に示した工程を行う。その後、図１０（Ａ）に示すように、電解めっき法を用いて、バリアメタル２１ｂを形成し、そのバリアメタル２１ｂ上に突起２１ｃを形成するためのめっき層４１を形成し、更にそのめっき層４１上に半田２２を形成する。例えば、バリアメタル２１ｂとして厚さ３μｍのニッケル層を形成し、めっき層４１として厚さ２μｍの銅層を形成し、半田２２として厚さ３．５μｍの錫銀半田層を形成する。
【００５７】
次いで、図１０（Ｂ）に示すように、レジスト３１を剥離し、図１０（Ｃ）に示すように、レジスト３１の剥離後に露出するシード層３０ｂ及び密着層３０ａをエッチングにより除去する。その際、シード層３０ｂをウェットエッチングで除去する。このウェットエッチングでは、ニッケルのバリアメタル２１ｂのエッチングレートに比べて、銅のめっき層４１のエッチングレートが高い。このようなニッケルと銅のエッチングレートの違いにより、バリアメタル２１ｂよりもめっき層４１の径が細くなり、その結果、バリアメタル２１ｂ上の中央部に、径が細くなっためっき層４１、即ち突起２１ｃが形成される。
【００５８】
尚、ウェットエッチングによる突起２１ｃの形成時には、ピラー電極２１ａのエッチングも進行する。また、ウェットエッチングによる突起２１ｃの形成時には、半田２２のエッチングも進行し得る。そのため、図１０（Ｃ）に示すように、ピラー電極２１ａの径、半田２２の径も、バリアメタル２１ｂの径よりも細くなり得る。
【００５９】
突起２１ｃの形成後は、リフローを行うことで、図１０（Ｄ）に示すような、丸みを帯びた形状の半田２２が形成される。尚、図１０（Ｄ）のリフロー工程は、省略することもできる。
【００６０】
以上の図７（Ａ）〜図７（Ｃ）及び図１０（Ａ）〜図１０（Ｄ）のような工程により、バリアメタル２１ｂとその中央部に設けた突起２１ｃを覆うように半田２２が設けられた端子２０Ａａが形成される。
【００６１】
図１１は端子形成方法の更に別の例の説明図である。図１１には、端子形成の各工程の要部断面を模式的に図示している。
図１１の例では、まず上記図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示した工程を行う。その後、図１１（Ａ）に示すように、電解めっき法を用いて、電極層４２を形成し、その電極層４２上に突起２１ｃを形成するためのめっき層４１を形成し、更にそのめっき層４１上に半田２２を形成する。例えば、電極層４２として高さ（厚さ）８μｍのニッケル層を形成し、その上のめっき層４１として厚さ２μｍの銅層を形成し、半田２２として厚さ３．５μｍの錫銀半田層を形成する。ニッケルの電極層４２は、ピラー電極としての役割と、バリアメタルとしての役割を果たす。
【００６２】
次いで、図１１（Ｂ）に示すように、レジスト３１を剥離し、図１１（Ｃ）に示すように、レジスト３１の剥離後に露出するシード層３０ｂ及び密着層３０ａをウェットエッチングにより除去する。このウェットエッチング時のニッケルと銅のエッチングレートの違いを利用し、ピラー電極兼バリアメタルの電極層４２よりも、その上のめっき層４１の径を細くする。それにより、電極層４２上の中央部に、より径の細いめっき層４１、即ち突起２１ｃを形成する。
【００６３】
尚、ウェットエッチングによる突起２１ｃの形成時には、半田２２のエッチングも進行し得る。そのため、図１１（Ｃ）に示すように、半田２２の径も、電極層４２の径よりも細くなり得る。
【００６４】
突起２１ｃの形成後は、リフローを行うことで、図１１（Ｄ）に示すような、丸みを帯びた形状の半田２２が形成される。尚、図１１（Ｄ）のリフロー工程は、省略することもできる。
【００６５】
以上の図７（Ａ）、図７（Ｂ）及び図１１（Ａ）〜図１１（Ｄ）のような工程により、ピラー電極兼バリアメタルの電極層４２とその中央部に設けた突起２１ｃを覆うように半田２２が設けられた端子２０Ａｂが形成される。
【００６６】
尚、以上述べた端子２０Ａ、端子２０Ａａ及び端子２０Ａｂは、上面側から見て、円形状若しくは略円形状となるようにすることができる。このほか、端子２０Ａ、端子２０Ａａ及び端子２０Ａｂは、上面側から見て、楕円形状若しくは略楕円形状、四角形状若しくは略四角形状、又は三角形状若しくは略三角形状となるようにすることもできる。
【００６７】
また、以上述べた端子２０Ａ、端子２０Ａａ及び端子２０Ａｂでは、バリアメタル２１ｂ及び電極層４２の中央部に突起２１ｃを設けるようにしたが、突起２１ｃは、必ずしもバリアメタル２１ｂ及び電極層４２の中央部に設けることを要しない。突起２１ｃが、バリアメタル２１ｂ及び電極層４２の中央部よりも外側に設けられている場合には、接合時に、突起２１ｃへの半田２２の錫の優先的な拡散、突起２１ｃに向かう接合部の体積収縮の効果を得ることができる。それにより、ピラー電極２１ａ等の側面への錫の拡散、接合部の破断を抑制することが可能になる。
【００６８】
また、以上の端子２０Ａ、端子２０Ａａ及び端子２０Ａｂは、その要素として、銅のピラー電極２１ａ、ニッケルのバリアメタル２１ｂ、銅の突起２１ｃ、及びニッケルのピラー電極兼バリアメタル（電極層４２）を含む。ここで、銅のピラー電極２１ａ及び突起２１ｃには、純銅のピラー電極２１ａ及び突起２１ｃのほか、銅を主体とするピラー電極２１ａ及び突起２１ｃが含まれる。ニッケルのバリアメタル２１ｂ及び電極層４２には、純ニッケルのバリアメタル２１ｂ及び電極層４２のほか、ニッケルを主体とするバリアメタル２１ｂ及び電極層４２が含まれる。
【００６９】
また、突起２１ｃとバリアメタル２１ｂ及び電極層４２とに用いる材料の組み合わせは、上記のような銅（銅を主体とするものを含む）とニッケル（ニッケルを主体とするものを含む）の組み合わせには限定されない。用いる半田２２の材料に応じ、それに含まれる成分の拡散係数が、突起２１ｃで大きく、バリアメタル２１ｂ及び電極層４２で小さくなる材料であればよい。
【００７０】
次に、第２の実施の形態について説明する。
図１２は第２の実施の形態に係る端子の一例を示す図である。図１２（Ａ）は、第２の実施の形態に係る端子を備えた電子部品の一例の要部平面模式図である。図１２（Ｂ）は、第２の実施の形態に係る端子を備えた電子部品の一例の要部断面模式図である。図１２（Ｂ）は、図１２（Ａ）のＬ２−Ｌ２断面に相当する図である。図１２（Ａ）では、便宜上、半田の一部の図示を省略している。
【００７１】
図１２（Ａ）及び図１２（Ｂ）に示す電子部品１Ｂは、その本体部１０に設けられた配線部１０ａから突出する端子２０Ｂを備えている。尚、ここでは便宜上、１つの端子２０Ｂを例示するが、本体部１０には、複数の端子２０Ｂが設けられていてもよい。
【００７２】
端子２０Ｂは、電極部２１と、その電極部２１上に設けられた半田２２（半田部）とを備える。電極部２１は、配線部１０ａ上に設けられたピラー電極２１ａ（導電部）と、そのピラー電極２１ａ上に設けられたバリアメタル２１ｂ（導電部）とを含む。バリアメタル２１ｂには、その下のピラー電極２１ａに達する開口部２１ｄが設けられている。開口部２１ｄは、この例ではバリアメタル２１ｂの中央部に設けられている。電極部２１は、その上面に、バリアメタル２１ｂ、及びその開口部２１ｄのピラー電極２１ａが露出し、半田２２は、電極部２１の上面に露出するバリアメタル２１ｂ及びピラー電極２１ａを覆うように設けられる。
【００７３】
半田２２には、例えば錫を主成分とするものが用いられる。ピラー電極２１ａには、例えば銅が用いられる。電極部２１のバリアメタル２１ｂには、半田２２に含まれる成分、この例では錫に対する拡散係数がピラー電極２１ａよりも小さい材料、例えばニッケルが用いられる。以下、ここに例示した材料を用いた端子２０Ｂを例に説明する。
【００７４】
上記のように端子２０Ｂでは、ニッケルのバリアメタル２１ｂに開口部２１ｄを設け、電極部２１の上面に、バリアメタル２１ｂと、その開口部２１ｄから錫の拡散係数がより大きな銅のピラー電極２１ａとを露出させて、これらを半田２２で覆う。これにより、電子部品１Ｂの、他部品との接合時には、半田２２の錫が開口部２１ｄの銅のピラー電極２１ａに優先的に拡散し、反応するようになり、ピラー電極２１ａの側面への錫の拡散を抑制することが可能になる。
【００７５】
図１３は第２の実施の形態に係る端子間接合の一例の説明図である。ここでは、上記図１２のような端子２０Ｂを備える電子部品１Ｂ同士の接合を例にして説明する。図１３（Ａ）〜図１３（Ｄ）には、接合過程での電子部品１Ｂの一例の要部断面を模式的に図示している。
【００７６】
接続する電子部品１Ｂには、予め互いに対応する位置に端子２０Ｂが設けられる。端子２０Ｂ同士を接合する際には、まず、図１３（Ａ）に示すように、端子２０Ｂを備える電子部品１Ｂ同士が、互いの端子２０Ｂを対向させて配置される。
【００７７】
次いで、半田２２の融点以上の温度で加熱しながら、電子部品１Ｂを押圧し、図１３（Ｂ）に示すように、電子部品１Ｂの、開口部２１ｄを有するバリアメタル２１ｂを設けたピラー電極２１ａ同士を、間に半田２２を挟んで接合する。この時、半田２２に含まれる錫は、半田２２が接触するニッケルのバリアメタル２１ｂと、開口部２１ｄの銅のピラー電極２１ａのうち、より拡散係数の大きい銅のピラー電極２１ａに優先的に拡散し、反応して、化合物２３を形成する。半田２２の錫と開口部２１ｄのピラー電極２１ａの銅との反応が進行することで、図１３（Ｃ）に示すように、化合物２３が成長していく。
【００７８】
化合物２３が成長する際には、その成長に伴って結晶が緻密に配列することで、図１３（Ｃ）に示すように、ピラー電極２１ａ間（バリアメタル２１ｂ間）の接合部の体積収縮が起こる。開口部２１ｄをバリアメタル２１ｂの中央部に設けている場合には、化合物２３の成長に伴い、図１３（Ｃ）、更には図１３（Ｄ）に示すように、バリアメタル２１ｂの中央部に向かって、ピラー電極２１ａ間の接合部の体積収縮が進行する。
【００７９】
このようにニッケルのバリアメタル２１ｂの中央部に、銅のピラー電極２１ａに達する開口部２１ｄを設けることで、その開口部２１ｄのピラー電極２１ａに半田２２の錫が優先的に拡散、反応して化合物２３が形成される。この化合物２３の形成の際、ピラー電極２１ａ間の接合部には体積収縮が起こる。これにより、対向するピラー電極２１ａ間に半田２２を留め、半田２２の錫がバリアメタル２１ｂの側面に沿ってピラー電極２１ａの側面に拡散するのを抑制することが可能になる。また、バリアメタル２１ｂにより、半田２２とピラー電極２１ａとの過剰な反応が抑制される。その結果、対向するピラー電極２１ａ間の接合部に、半田２２が減少することで破断部が発生するのを抑制することが可能になる。
【００８０】
バリアメタル２１ｂの中央部に、ピラー電極２１ａに達する開口部２１ｄを設けた端子２０Ｂでは、接合条件（接合時の温度、時間等）により、半田２２の錫が全て化合物２３に変化するのに足る量の銅を、ピラー電極２１ａから供給することが可能である。そのため、対向するピラー電極２１ａ間を、半田２２の錫を全て化合物２３に変化させた接合部で接合することが可能になり、接合後の加熱環境でも、残存する半田２２が拡散することで接合部に空隙や破断部が生じる等の不具合を抑制することが可能になる。
【００８１】
電子部品１Ｂに上記のような端子２０Ｂを設けることで、電子部品１Ｂ同士が高信頼性で接続された電子装置が実現される。尚、電子装置は、必ずしも上記図１３（Ｄ）のように半田２２が全て化合物に変化した接合状態でなくてもよく、図１３（Ｂ）、図１３（Ｃ）のような接合状態であってもよい。図１３（Ｂ）、図１３（Ｃ）のような接合状態の電子装置では、後に加熱された際、開口部２１ｄのピラー電極２１ａへの錫の優先的な拡散、化合物２３の形成時の体積収縮により、ピラー電極２１ａの側面への錫の拡散、接合部の破断を抑制することができる。
【００８２】
尚、ここでは端子２０Ｂを備える電子部品１Ｂ同士の接合を例にしたが、端子２０Ｂを備える電子部品１Ｂと、端子２０Ｂとは異なる構造の端子を備える他の電子部品とを接合する場合には、上記同様の効果を得ることができる。
【００８３】
図１４は第２の実施の形態に係る端子間接合の別例の説明図である。
図１４（Ａ）の例では、電子部品１Ｂと、それとは異なる別の電子部品３００とが接合される。電子部品３００は、ピラー電極２１ａ及びバリアメタル２１ｂ（開口部２１ｄを有しないもの）を含む端子３１０を備える。電子部品１Ｂの端子２０Ｂと電子部品３００の端子３１０との接合でも、開口部２１ｄのピラー電極２１ａへの半田２２の錫の優先的な拡散と、化合物２３の形成に伴う体積収縮が起こる。それにより、ピラー電極２１ａの側面への錫の拡散、ピラー電極２１ａ間の接合部の破断を抑制することができる。
【００８４】
図１４（Ｂ）の例では、電子部品１Ｂと、それとは異なる別の電子部品３２０とが接合される。電子部品３２０は端子３３０（ピラー電極、パッド電極、配線部等）を備える。電子部品１Ｂの端子２０Ｂと電子部品３２０の端子３３０との接合でも、開口部２１ｄのピラー電極２１ａへの半田２２の錫の拡散と、化合物２３の形成に伴う体積収縮が起こる。それにより、ピラー電極２１ａや端子３３０の側面への錫の拡散、それらの接合部の破断を抑制することができる。
【００８５】
電子部品１Ｂに上記のような端子２０Ｂを設けることで、電子部品１Ｂと他の電子部品とが高信頼性で接続された電子装置が実現される。
続いて、上記のような第２の実施の形態に係る端子２０Ｂの形成方法について説明する。尚、この第２の実施の形態に係る端子２０Ｂの形成では、上記第１の実施の形態で述べた図７（Ａ）〜図７（Ｃ）の工程までは同じとすることができる。ここでは、図７（Ｃ）の工程以降の工程について、図１５及び図１６を参照して説明する。
【００８６】
図１５及び図１６は第２の実施の形態に係る端子形成方法の一例の説明図である。図１５及び図１６には、端子形成の各工程の要部断面を模式的に図示している。
まず上記の図７（Ａ）〜図７（Ｃ）に示した工程を行った後、図１５（Ａ）に示すように、ピラー電極２１ａの形成に用いたレジスト３１を剥離する。
【００８７】
次いで、図１５（Ｂ）に示すように、レジスト材料の塗布、露光、現像を行い、ピラー電極２１ａの周囲と、ピラー電極２１ａの中央部を覆うレジスト３４を形成し、ピラー電極２１ａ上に平面ドーナツ形状の開口部３４ａを形成する。ピラー電極２１ａの中央部には、例えば、直径５μｍのレジスト３４を形成する。
【００８８】
次いで、電解めっき法を用い、図１５（Ｃ）に示すように、開口部３４ａ内のピラー電極２１ａ上に、バリアメタル２１ｂを形成する。例えば、バリアメタル２１ｂとして、ピラー電極２１ａ上に厚さ３μｍのニッケル層を形成する。
【００８９】
バリアメタル２１ｂの形成後は、図１５（Ｄ）に示すように、レジスト３４を剥離する。これにより、ピラー電極２１ａ上に、中央部に開口部２１ｄを有するバリアメタル２１ｂが形成された電極部２１が形成される。
【００９０】
次いで、図１６（Ａ）に示すように、レジスト材料の塗布、露光、現像を行い、電極部２１の領域に開口部３５ａを有するレジスト３５を形成する。
次いで、電解めっき法を用い、図１６（Ｂ）に示すように、レジスト３５の開口部３５ａ内のバリアメタル２１ｂ及びその開口部２１ｄのピラー電極２１ａの上に、半田２２を形成する。例えば、半田２２として、厚さ３．５μｍの錫銀半田を形成する。
【００９１】
半田２２の形成後は、図１６（Ｃ）に示すように、レジスト３５を剥離し、レジスト３５の剥離後に露出するシード層３０ｂ及び密着層３０ａをエッチングにより除去する。その後、リフローを行うことで、図１６（Ｄ）に示すような、丸みを帯びた形状の半田２２が形成される。尚、図１６（Ｄ）のリフロー工程は、省略することもできる。
【００９２】
以上の図７（Ａ）〜図７（Ｃ）並びに図１５（Ａ）〜図１６（Ｄ）のような工程により、ピラー電極２１ａ上のバリアメタル２１ｂとその開口部２１ｄのピラー電極２１ａを覆うように半田２２が設けられた端子２０Ｂが形成される。
【００９３】
尚、バリアメタル２１ｂの開口部２１ｄは、必ずしもその直径を高い精度で制御することを要しない。ピラー電極２１ａに達する開口部２１ｄが形成されていれば、接合時のピラー電極２１ａの側面への錫の拡散、接合部の破断を抑制することができる。更に、ピラー電極２１ａに達する開口部２１ｄが形成されていれば、化合物２３の形成時にピラー電極２１ａから銅が供給されるため、半田２２の錫を全て化合物２３に変化させることができる。
【００９４】
尚、以上述べた端子２０Ｂは、上面側から見て、円形状若しくは略円形状となるようにすることができる。このほか、端子２０Ｂは、上面側から見て、楕円形状若しくは略楕円形状、四角形状若しくは略四角形状、又は三角形状若しくは略三角形状となるようにすることもできる。
【００９５】
また、以上述べた端子２０Ｂでは、バリアメタル２１ｂの中央部に開口部２１ｄを設けるようにしたが、開口部２１ｄは、必ずしもバリアメタル２１ｂの中央部に設けることを要しない。開口部２１ｄが、バリアメタル２１ｂの中央部よりも外側に設けられている場合でも、接合時に、開口部２１ｄのピラー電極２１ａへの半田２２の錫の優先的な拡散、接合部の体積収縮の効果を得ることができる。それにより、ピラー電極２１ａ等の側面への錫の拡散、接合部の破断を抑制することが可能になる。
【００９６】
また、以上の端子２０Ｂは、その要素として、銅のピラー電極２１ａ、ニッケルのバリアメタル２１ｂを含む。ここで、銅のピラー電極２１ａには、純銅のピラー電極２１ａのほか、銅を主体とするピラー電極２１ａが含まれる。ニッケルのバリアメタル２１ｂには、純ニッケルのバリアメタル２１ｂのほか、ニッケルを主体とするバリアメタル２１ｂが含まれる。
【００９７】
また、ピラー電極２１ａとバリアメタル２１ｂとに用いる材料の組み合わせは、上記のような銅（銅を主体とするものを含む）とニッケル（ニッケルを主体とするものを含む）の組み合わせには限定されない。用いる半田２２の材料に応じ、それに含まれる成分の拡散係数が、ピラー電極２１ａで大きく、バリアメタル２１ｂで小さくなる材料であればよい。
【００９８】
次に、第３の実施の形態について説明する。
図１７は第３の実施の形態に係る端子の一例を示す図である。図１７（Ａ）は、第３の実施の形態に係る端子を備えた電子部品の一例の要部平面模式図である。図１７（Ｂ）は、第３の実施の形態に係る端子を備えた電子部品の一例の要部断面模式図である。図１７（Ｂ）は、図１７（Ａ）のＬ３−Ｌ３断面に相当する図である。図１７（Ａ）では、便宜上、半田の一部の図示を省略している。
【００９９】
図１７（Ａ）及び図１７（Ｂ）に示す電子部品１Ｃは、その本体部１０に設けられた配線部１０ａから突出する端子２０Ｃを備えている。尚、ここでは便宜上、１つの端子２０Ｃを例示するが、本体部１０には、複数の端子２０Ｃが設けられていてもよい。
【０１００】
端子２０Ｃは、電極部２１と、その電極部２１上に設けられた半田２２（半田部）とを備える。電極部２１は、配線部１０ａ上に設けられたピラー電極２１ａ（導電部）と、そのピラー電極２１ａ上に設けられたバリアメタル２１ｂ（導電部）とを含む。バリアメタル２１ｂには、その下のピラー電極２１ａに達する開口部２１ｄが設けられている。開口部２１ｄは、この例ではバリアメタル２１ｂの中央部に設けられている。この端子２０Ｃの電極部２１には更に、開口部２１ｄのピラー電極２１ａ上に形成され、バリアメタル２１ｂを貫通し、バリアメタル２１ｂの上方に突出する突起２１ｅが設けられている。突起２１ｅには、半田２２に含まれる所定の成分と反応して化合物を形成する材料が用いられる。半田２２は、電極部２１の上面に露出するバリアメタル２１ｂ及び突起２１ｅを覆うように設けられる。
【０１０１】
半田２２には、例えば錫を主成分とするものが用いられる。電極部２１のピラー電極２１ａには、例えば銅が用いられる。電極部２１のバリアメタル２１ｂと突起２１ｅには、半田２２の成分、この例では錫に対する拡散係数が異なる材料が用いられる。ここではバリアメタル２１ｂに、錫に対する拡散係数が突起２１ｅよりも小さい材料が用いられる。バリアメタル２１ｂには、例えばニッケルが用いられ、突起２１ｅには、例えば銅が用いられる。以下、ここに例示した材料を用いた端子２０Ｃを例に説明する。
【０１０２】
上記のように端子２０Ｃでは、ニッケルのバリアメタル２１ｂに開口部２１ｄを設け、バリアメタル２１ｂを貫通してその下の銅のピラー電極２１ａに達し、バリアメタル２１ｂから突出する銅の突起２１ｅを設ける。このように電極部２１の上面に、ニッケルのバリアメタル２１ｂと、それよりも錫の拡散係数が大きな銅の突起２１ｅとを露出させ、これらを半田２２で覆う。これにより、電子部品１Ｃの、他部品との接合時には、半田２２の錫がバリアメタル２１ｂ上の突起２１ｅの部分、更には開口部２１ｄ内の突起２１ｅの部分やバリアメタル２１ｂの下のピラー電極２１ａに優先的に拡散し、反応するようになる。これにより、ピラー電極２１ａの側面への錫の拡散を抑制することが可能になる。
【０１０３】
図１８は第３の実施の形態に係る端子間接合の一例の説明図である。ここでは、上記図１７のような端子２０Ｃを備える電子部品１Ｃ同士の接合を例にして説明する。図１８（Ａ）〜図１８（Ｄ）には、接合過程での電子部品１Ｃの一例の要部断面を模式的に図示している。
【０１０４】
接続する電子部品１Ｃには、予め互いに対応する位置に端子２０Ｃが設けられる。端子２０Ｃ同士を接合する際には、まず、図１８（Ａ）に示すように、端子２０Ｃを備える電子部品１Ｃ同士が、互いの端子２０Ｃを対向させて配置される。
【０１０５】
次いで、半田２２の融点以上の温度で加熱しながら、電子部品１Ｃを押圧し、図１８（Ｂ）に示すように、電子部品１Ｃの、バリアメタル２１ｂ及び突起２１ｅを設けたピラー電極２１ａ同士を、間に半田２２を挟んで接合する。この時、半田２２に含まれる錫は、半田２２が接触するニッケルのバリアメタル２１ｂと、そこから突出する銅の突起２１ｅのうち、より拡散係数の大きい銅の突起２１ｅに優先的に拡散し、反応して、化合物２３を形成する。半田２２の錫と突起２１ｅの銅との反応が進行することで、図１８（Ｃ）に示すように、化合物２３が成長していく。化合物２３の成長は、開口部２１ｄ内の突起２１ｅの部分、開口部２１ｄ付近のピラー電極２１ａの部分にも進行し得る。
【０１０６】
化合物２３が成長する際には、その成長に伴って結晶が緻密に配列することで、図１８（Ｃ）に示すように、ピラー電極２１ａ間（バリアメタル２１ｂ間）の接合部の体積収縮が起こる。バリアメタル２１ｂの中央部に突起２１ｅが設けられていることで、化合物２３の成長に伴い、図１３（Ｃ）、更には図１３（Ｄ）に示すように、バリアメタル２１ｂの中央部に向かって、ピラー電極２１ａ間の接合部の体積収縮が進行する。
【０１０７】
このようにニッケルのバリアメタル２１ｂの中央部に、銅のピラー電極２１ａに達する銅の突起２１ｅを設けることで、突起２１ｅ、或いは更に突起２１ｅに繋がるピラー電極２１ａに、半田２２の錫が優先的に拡散、反応して化合物２３が形成される。この化合物２３の形成の際、ピラー電極２１ａ間の接合部には体積収縮が起こる。これにより、対向するピラー電極２１ａ間に半田２２を留め、半田２２の錫がバリアメタル２１ｂの側面に沿ってピラー電極２１ａの側面に拡散するのを抑制することが可能になる。また、バリアメタル２１ｂにより、半田２２とピラー電極２１ａとの過剰な反応が抑制される。その結果、対向するピラー電極２１ａ間の接合部に、半田２２が減少することで破断部が発生するのを抑制することが可能になる。
【０１０８】
バリアメタル２１ｂの中央部に、ピラー電極２１ａに達する突起２１ｅを設けた端子２０Ｃでは、半田２２の錫が全て化合物２３に変化するのに足る量の銅を含むように、突起２１ｅのサイズを調整することが可能である。また、端子２０Ｃでは、突起２１ｅの銅が全て半田２２の錫との化合物２３の形成に消費された後も、半田２２の錫が全て化合物２３に変化するのに足る量の銅を、ピラー電極２１ａから供給することが可能である。端子２０Ｃによれば、対向するピラー電極２１ａ間を、半田２２の錫を全て化合物２３に変化させた接合部で接合することが可能になる。それにより、接合後の加熱環境でも、残存する半田２２が拡散することで接合部に空隙や破断部が生じる等の不具合を効果的に抑制することが可能になる。
【０１０９】
電子部品１Ｃに上記のような端子２０Ｃを設けることで、電子部品１Ｃ同士が高信頼性で接続された電子装置が実現される。尚、電子装置は、必ずしも上記図１８（Ｄ）のように半田２２が全て化合物に変化した接合状態でなくてもよく、図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）のような接合状態であってもよい。図１８（Ｂ）、図１８（Ｃ）のような接合状態の電子装置では、後に加熱された際、突起２１ｅへの錫の優先的な拡散、化合物２３の形成時の体積収縮により、ピラー電極２１ａの側面への錫の拡散、接合部の破断を抑制することができる。
【０１１０】
尚、ここでは端子２０Ｃを備える電子部品１Ｃ同士の接合を例にしたが、端子２０Ｃを備える電子部品１Ｃと、端子２０Ｃとは異なる構造の端子を備える他の電子部品とを接合する場合には、上記同様の効果を得ることができる。
【０１１１】
図１９は第３の実施の形態に係る端子間接合の別例の説明図である。
図１９（Ａ）の例では、電子部品１Ｃと、それとは異なる別の電子部品３００とが接合される。電子部品３００は、ピラー電極２１ａ及びバリアメタル２１ｂ（開口部２１ｄを有しないもの）を含む端子３１０を備える。電子部品１Ｃの端子２０Ｃと電子部品３００の端子３１０との接合でも、突起２１ｅ、更にはそれに繋がるピラー電極２１ａへの半田２２の錫の優先的な拡散と、化合物２３の形成に伴う体積収縮が起こる。それにより、ピラー電極２１ａの側面への錫の拡散、ピラー電極２１ａ間の接合部の破断を抑制することができる。
【０１１２】
図１９（Ｂ）の例では、電子部品１Ｃと、それとは異なる別の電子部品３２０とが接合される。電子部品３２０は端子３３０（ピラー電極、パッド電極、配線部等）を備える。電子部品１Ｃの端子２０Ｃと電子部品３２０の端子３３０との接合でも、突起２１ｅ、更にはそれに繋がるピラー電極２１ａへの半田２２の錫の拡散と、化合物２３の形成に伴う体積収縮が起こる。それにより、ピラー電極２１ａや端子３３０の側面への錫の拡散、それらの接合部の破断を抑制することができる。
【０１１３】
電子部品１Ｃに上記のような端子２０Ｃを設けることで、電子部品１Ｃと他の電子部品とが高信頼性で接続された電子装置が実現される。
続いて、上記のような第３の実施の形態に係る端子２０Ｃの形成方法について説明する。尚、この第３の実施の形態に係る端子２０Ｃの形成では、上記第２の実施の形態で述べた図７（Ａ）〜図７（Ｃ）及び図１５（Ａ）〜図１５（Ｄ）の工程までは同じとすることができる。ここでは、図１５（Ｄ）の工程以降の工程について、図２０及び図２１を参照して説明する。
【０１１４】
図２０及び図２１は第３の実施の形態に係る端子形成方法の一例の説明図である。図２０及び図２１には、端子形成の各工程の要部断面を模式的に図示している。
まず上記の図７（Ａ）〜図７（Ｃ）及び図１５（Ａ）〜図１５（Ｄ）に示した工程を行った後、図２０（Ａ）に示すように、レジスト材料の塗布、露光、現像を行い、バリアメタル２１ｂの開口部２１ｄの位置に、開口部３６ａを有するレジスト３６を形成する。尚、図２０（Ａ）には一例として、バリアメタル２１ｂの開口部２１ｄよりも大きな直径の開口部３６ａを有するレジスト３６を形成する場合を図示している。
【０１１５】
次いで、電解めっき法を用い、図２０（Ｂ）に示すように、バリアメタル２１ｂの開口部２１ｄ内のピラー電極２１ａ上に、突起２１ｅを形成する。例えば、突起２１ｅとして、開口部２１ｄからの高さ（厚さ）が２μｍの銅層を形成する。
【０１１６】
突起２１ｅの形成後は、図２０（Ｃ）に示すように、レジスト３６を剥離する。これにより、ピラー電極２１ａ上に、中央部に開口部２１ｄを有するバリアメタル２１ｂが形成され、その開口部２１ｄにピラー電極２１ａに繋がる突起２１ｅが形成された電極部２１が形成される。
【０１１７】
次いで、図２０（Ｄ）に示すように、レジスト材料の塗布、露光、現像を行い、電極部２１の領域に開口部３７ａを有するレジスト３７を形成する。
次いで、電解めっき法を用い、図２１（Ａ）に示すように、レジスト３７の開口部３７ａ内のバリアメタル２１ｂ及び突起２１ｅの上に、半田２２を形成する。例えば、半田２２として、厚さ３．５μｍの錫銀半田を形成する。
【０１１８】
半田２２の形成後は、図２１（Ｂ）に示すように、レジスト３７を剥離し、図２１（Ｃ）に示すように、レジスト３７の剥離後に露出するシード層３０ｂ及び密着層３０ａをエッチングにより除去する。その後、リフローを行うことで、図２１（Ｄ）に示すような、丸みを帯びた形状の半田２２が形成される。尚、図２１（Ｄ）のリフロー工程は、省略することもできる。
【０１１９】
以上の図７（Ａ）〜図７（Ｃ）及び図１５（Ａ）〜図１５（Ｄ）並びに、図２０（Ａ）〜図２１（Ｄ）のような工程により、ピラー電極２１ａ上のバリアメタル２１ｂと、それを貫通してピラー電極２１ａに達する突起２１ｅとを覆うように半田２２が設けられた端子２０Ｃが形成される。
【０１２０】
尚、上記図２０（Ａ）の工程で形成するレジスト３６の開口部３６ａは、その直径を、バリアメタル２１ｂの開口部２１ｄの直径よりも大きくすることができるほか、開口部２１ｄの直径よりも小さくすることもできる。このような直径の開口部３６ａを形成し、そこに突起２１ｅを形成した場合でも、突起２１ｅがバリアメタル２１ｂの開口部２１ｄを通じてピラー電極２１ａに繋がっていれば、接合時のピラー電極２１ａの側面への錫の拡散、接合部の破断を抑制することができる。更に、化合物２３の形成時には、ピラー電極２１ａから銅が供給されるため、半田２２の錫を全て化合物２３に変化させることができる。
【０１２１】
尚、以上述べた端子２０Ｃは、上面側から見て、円形状若しくは略円形状となるようにすることができる。このほか、端子２０Ｃは、上面側から見て、楕円形状若しくは略楕円形状、四角形状若しくは略四角形状、又は三角形状若しくは略三角形状となるようにすることもできる。
【０１２２】
また、以上述べた端子２０Ｃでは、バリアメタル２１ｂの中央部に開口部２１ｄ及び突起２１ｅを設けるようにしたが、開口部２１ｄ及び突起２１ｅは、必ずしもバリアメタル２１ｂの中央部に設けることを要しない。開口部２１ｄ及び突起２１ｅが、バリアメタル２１ｂの中央部よりも外側に設けられている場合でも、接合時に、突起２１ｅ及びその下のピラー電極２１ａへの半田２２の錫の優先的な拡散、突起２１ｅに向かう接合部の体積収縮の効果を得ることができる。それにより、ピラー電極２１ａ等の側面への錫の拡散、接合部の破断を抑制することが可能になる。
【０１２３】
また、以上の端子２０Ｃは、その要素として、銅のピラー電極２１ａ、ニッケルのバリアメタル２１ｂ、及び銅の突起２１ｅを含む。ここで、銅のピラー電極２１ａ及び突起２１ｅには、純銅のピラー電極２１ａ及び突起２１ｅのほか、銅を主体とするピラー電極２１ａ及び突起２１ｅが含まれる。ニッケルのバリアメタル２１ｂには、純ニッケルのバリアメタル２１ｂのほか、ニッケルを主体とするバリアメタル２１ｂが含まれる。
【０１２４】
また、ピラー電極２１ａ及び突起２１ｅとバリアメタル２１ｂとに用いる材料の組み合わせは、上記のような銅（銅を主体とするものを含む）とニッケル（ニッケルを主体とするものを含む）の組み合わせには限定されない。用いる半田２２の材料に応じ、それに含まれる成分の拡散係数が、ピラー電極２１ａ及び突起２１ｅで大きく、バリアメタル２１ｂで小さくなる材料であればよい。
【０１２５】
尚、以上の第１〜第３の実施の形態で述べた端子２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃを形成する際のリフロー工程（図９（Ｄ），図１６（Ｄ），図２１（Ｄ））では、電極部２１と半田２２の間に化合物が形成されてもよい。
【０１２６】
図２２はリフロー工程の端子の別例を示す図である。図２２（Ａ），図２２（Ｂ），図２２（Ｃ）にはそれぞれ、リフロー工程の端子２０Ａ，２０Ｂ，２０Ｃの別例の要部断面を模式的に図示している。
【０１２７】
図９（Ｄ）のリフロー工程では、例えば図２２（Ａ）に示すように、突起２１ｃの表面に化合物（銅錫化合物）２３Ａが形成されてもよい。また、化合物２３Ａと共に、バリアメタル２１ｂの表面に化合物（ニッケル錫化合物）が形成されてもよい。
【０１２８】
図１６（Ｄ）のリフロー工程では、例えば図２２（Ｂ）に示すように、バリアメタル２１ｂに設けた開口部２１ｄのピラー電極２１ａの表面に化合物（銅錫化合物）２３Ｂが形成されてもよい。また、化合物２３Ｂと共に、バリアメタル２１ｂの表面に化合物（ニッケル錫化合物）が形成されてもよい。
【０１２９】
図２１（Ｄ）のリフロー工程では、例えば図２２（Ｃ）に示すように、突起２１ｅの表面に化合物（銅錫化合物）２３Ｃが形成されてもよい。また、化合物２３Ｃと共に、バリアメタル２１ｂの表面に化合物（ニッケル錫化合物）が形成されてもよい。
【０１３０】
尚、端子２０Ａａ，２０Ａｂを形成する際のリフロー工程（図１０（Ｄ），図１１（Ｄ））でも、上記端子２０Ａの場合と同様に、電極部２１と半田２２の間に化合物が形成されてもよい。
【０１３１】
次に、第４の実施の形態について説明する。
ここでは、上記第１の実施の形態で述べたような端子を備える電子部品と他の電子部品との接合体（電子装置）とその評価結果について述べる。
【０１３２】
評価には、電子部品として、チップサイズ１３ｍｍ×１０ｍｍ、端子径１０μｍ、端子ピッチ５０μｍの半導体チップを用いている。端子は、高さ７μｍのニッケル層を形成し、その中央部に厚さ３μｍの銅層を形成し、更にその銅層の上に厚さ５μｍの錫銀半田層を形成したものを用いている。このような端子を、接合体の下側半導体チップの端子として用いる。この接合体の上側半導体チップの端子としては、高さ１０μｍの銅層を形成し、その上に厚さ５μｍの錫銀半田層を形成したものを用いている。このような上下の半導体チップの端子同士を接合した接合体を、ここでは実施例と言うものとする。
【０１３３】
また、比較のため、接合体の下側半導体チップとして、高さ７μｍの銅層を形成し、その上に厚さ３μｍのニッケル層を形成し、更にその上に厚さ５μｍの錫銀半田層を形成した端子を有するものを用いている。この接合体の上側半導体チップとしては、高さ１０μｍの銅層を形成し、その上に厚さ５μｍの錫銀半田層を形成した端子を有するものを用いている。このような上下の半導体チップの端子同士を接合した接合体を、ここでは比較例と言うものとする。
【０１３４】
実施例及び比較例の接合体はいずれも、次のような流れで作製される。即ち、上下の半導体チップの少なくとも一方側の端子上にフラックスを塗布した後、フリップチップボンダにより位置合わせを行って上下の半導体チップを対向させ、ヘッド温度３００℃で１０秒間加熱して半田層を溶融させて、上下の端子同士を接合する。このようにして作製される接合体に対し、研磨による断面出しを行い、ＥＰＭＡ（Electron Probe Micro Analyzer）によって断面の元素分析を行い評価する。
【０１３５】
図２３は評価結果の一例を示す図である。尚、図２３には、ＥＰＭＡによる元素分析結果の一例を模式的に図示している。
図２３には、上記のようにして作製した実施例の接合体の端子間接合部５０及び比較例の接合体の端子間接合部６０並びに、それらの端子間接合部５０，６０における銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）及び錫（Ｓｎ）の各元素の分析結果を示している。
【０１３６】
実施例の端子間接合部５０は、下側のニッケル層５１とその上に部分的に形成された銅層５２、上側の銅層５３、及び半田成分を含有する接合層５４を含む。比較例の端子間接合部６０は、下側の銅層６１とその上に形成されたニッケル層６２、上側の銅層６３、及び半田成分を含有する接合層６４を含む。実施例の端子間接合部５０における接合層５４が比較的緻密な構造を有しているのに対し、比較例の端子間接合部６０における接合層６４には空隙が認められた（空隙部６４ａ）。
【０１３７】
図２３のＣｕ及びＮｉの分析結果より、比較例の端子間接合部６０において、下側の銅層６１上のニッケル層６２と上側の銅層６３との間には、Ｃｕを含む接合層６４が形成される。図２３のＳｎの分析結果より、この接合層６４はＳｎを含んでおり、Ｓｎは、下側のニッケル層６２の側面、更にその下の銅層６１の側面に拡散していた（拡散部６４ｂ）。
【０１３８】
一方、図２３のＣｕ及びＮｉの分析結果より、実施例の端子間接合部５０において、下側のニッケル層５１及び銅層５２と上側の銅層５３の間には、Ｃｕを含む接合層５４が形成される。図２３のＳｎの分析結果より、この接合層５４はＳｎを含んでいる。実施例の端子間接合部５０では、比較例の端子間接合部６０で見られるようなニッケル層５１の側面へのＳｎの拡散は認められなかった。実施例の端子間接合部５０では、ニッケル層５１上の銅層５２へのＳｎの拡散、銅層５２に向かう体積収縮の効果により、ニッケル層５１の側面へのＳｎの拡散が抑えられていると言うことができる。
【０１３９】
以上説明したように、半導体チップ等の電子部品の端子として、電極部とその上の半田部とを含み、その電極部の上面に、半田部の成分に対する拡散係数が異なる導電部を設け、それらの導電部を覆って半田部を設けた端子を用いる。このような端子を用いることで、電子部品同士の接合の際、半田部の成分をその成分に対する拡散係数が大きい方の導電部に優先的に拡散させ、更にそれによって形成される化合物の体積収縮の効果により、半田部の成分の電極部側面への拡散を抑制する。これにより、電子部品同士の接合部における破断の発生を抑制することが可能になり、高い信頼性で電子部品同士が接合された電子装置が実現可能になる。
【０１４０】
尚、以上の説明では、電極部２１の上面に、半田２２の成分に対する拡散係数が異なる２種類の導電部（銅とニッケル）を設け、その上に半田２２を設けた端子構造を例示した。このほか、電極部２１の上面に、３種類以上の導電部を設け、それらのうち少なくとも２種類を半田２２の成分に対する拡散係数が異なる導電部とし、それらの上に半田２２を設けた端子構造とすれば、上記同様の効果を得ることが可能である。
【０１４１】
また、以上の説明では、半導体チップ等の電子部品同士の接合について例示したが、上記の端子のような構造を、電子部品と電子部品以外の部品とを接合する場合や、電子部品以外の部品同士を接合する場合にも、適用することが可能である。例えば、部品間を、半田を用いて貼り合わせる場合において、両部品の貼り合わせる面に、銅の金属層及びその上にニッケルのバリア層を設ける。そして、それらの部品のうち、少なくとも一方に、上記電子部品の端子の例に従い、バリア層上の銅の突起、若しくはバリア層の開口部、若しくはバリア層の開口部に設けた銅の突起を設ける。このような部品同士を、半田を用いて接合することにより、部品間の接合部における半田の減少、接合部の破断を抑制し、部品同士を高いシール性で接合することが可能になる。
【０１４２】
以上説明した実施の形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）  電極部と、
前記電極部上に設けられた半田部と
を備え、
前記電極部は、前記電極部の上面に、前記半田部の成分に対する拡散係数が異なる第１導電部と第２導電部とを有し、
前記半田部は、前記第１導電部上と前記第２導電部上とに設けられることを特徴とする電子部品。
【０１４３】
（付記２）  前記第１導電部は、前記第２導電部の外側に設けられ、前記成分の拡散係数が前記第２導電部よりも小さいことを特徴とする付記１に記載の電子部品。
（付記３）  前記第２導電部は、前記第１導電部上に部分的に設けられることを特徴とする付記２に記載の電子部品。
【０１４４】
（付記４）  前記第１導電部は、前記第２導電部上に設けられ、前記第２導電部に達する貫通孔を有することを特徴とする付記２に記載の電子部品。
（付記５）  前記電極部は、前記成分の拡散係数が前記第１導電部よりも大きい第３導電部を有し、
前記第１導電部は、前記第３導電部上に設けられ、前記第３導電部に達する貫通孔を有し、
前記第２導電部は、前記貫通孔に設けられることを特徴とする付記２に記載の電子部品。
【０１４５】
（付記６）  第１電極部と、前記第１電極部上に設けられた半田部とを備え、前記第１電極部が、前記第１電極部の上面に、前記半田部の成分の拡散係数が異なる第１導電部と第２導電部とを有し、前記半田部が、前記第１導電部上と前記第２導電部上とに設けられた第１電子部品を準備する工程と、
第２電極部を備える第２電子部品を準備する工程と、
前記第１電子部品を前記第２電子部品と対向させ、前記半田部の融点以上の温度で加熱して前記第１電極部と前記第２電極部とを接合する工程と
を含むことを特徴とする電子装置の製造方法。
【０１４６】
（付記７）  前記第１導電部は、前記第２導電部の外側に設けられ、前記成分の拡散係数が前記第２導電部よりも小さいことを特徴とする付記６に記載の電子装置の製造方法。
（付記８）  前記第１電極部と前記第２電極部とを接合する工程は、前記半田部の成分及び前記第２導電部の成分を含有する化合物を形成する工程を含むことを特徴とする付記７に記載の電子装置の製造方法。
【０１４７】
（付記９）  前記第２導電部は、前記第１導電部上に部分的に設けられることを特徴とする付記７又は８に記載の電子装置の製造方法。
（付記１０）  前記第１導電部は、前記第２導電部上に設けられ、前記第２導電部に達する貫通孔を有することを特徴とする付記７又は８に記載の電子装置の製造方法。
【０１４８】
（付記１１）  前記第１電極部は、前記成分の拡散係数が前記第１導電部よりも大きい第３導電部を有し、
前記第１導電部は、前記第３導電部上に設けられ、前記第３導電部に達する貫通孔を有し、
前記第２導電部は、前記貫通孔に設けられることを特徴とする付記７又は８に記載の電子装置の製造方法。
【０１４９】
（付記１２）  第１電極部を備える第１電子部品と、
前記第１電極部に対向して設けられた第２電極部を備える第２電子部品と、
前記第１電極部と前記第２電極部とを接合する接合部と
を備え、
前記接合部は、半田成分を含み、
前記第１電極部は、前記第１電極部の上面に、前記半田成分の拡散係数が異なる第１導電部と第２導電部とを有し、
前記接合部は、前記第１導電部上と前記第２導電部上とに設けられることを特徴とする電子装置。
【０１５０】
（付記１３）  前記第１導電部は、前記第２導電部の外側に設けられ、前記半田成分の拡散係数が前記第２導電部よりも小さいことを特徴とする付記１２に記載の電子装置。
（付記１４）  前記接合部は、前記半田成分及び前記第２導電部の成分と同じ成分を含有する化合物を含むことを特徴とする付記１３に記載の電子装置。
【０１５１】
（付記１５）  前記第２導電部は、前記第１導電部上に部分的に設けられることを特徴とする付記１３又は１４に記載の電子装置。
（付記１６）  前記第１導電部は、前記第２導電部上に設けられ、前記第２導電部に達する貫通孔を有することを特徴とする付記１３又は１４に記載の電子装置。
【０１５２】
（付記１７）  前記第１電極部は、前記成分の拡散係数が前記第１導電部よりも大きい第３導電部を有し、
前記第１導電部は、前記第３導電部上に設けられ、前記第３導電部に達する貫通孔を有し、
前記第２導電部は、前記貫通孔に設けられることを特徴とする付記１３又は１４に記載の電子装置。
【符号の説明】
【０１５３】
１Ａ，１Ｂ，１Ｃ，３００，３２０  電子部品
１０，２１０  本体部
１０ａ，２１０ａ  配線部
２０Ａ，２０Ａａ，２０Ａｂ，２０Ｂ，２０Ｃ，２２０，３１０，３３０  端子
２１  電極部
２１ａ，２２１  ピラー電極
２１ｂ，２２２  バリアメタル
２１ｃ，２１ｅ  突起
２１ｄ，３１ａ，３２ａ，３３ａ，３４ａ，３５ａ，３６ａ，３７ａ  開口部
２２，２２３  半田
２３，２３Ａ，２３Ｂ，２３Ｃ，２２１ａ  化合物
３０  基板
３０ａ  密着層
３０ｂ  シード層
３１，３２，３３，３４，３５，３６，３７  レジスト
４１  めっき層
４２  電極層
５０，６０  端子間接合部
５１，６２  ニッケル層
５２，５３，６１，６３  銅層
５４，６４  接合層
６４ａ  空隙部
６４ｂ  拡散部
１００  半導体装置
１１０，２００  半導体チップ
１１１  接続端子
１２０  回路基板
１２１  導電部
１２１ａ  電極端子
１２２  絶縁部
１２３  外部接続端子
１３０  アンダーフィル材
２２３ａ  破断部
２２３ｂ  浸食部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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