(57)【要約】【課題】放電開始電圧を低くするだけでなく、放電開始電圧領域をより精密に制御することができる静電気放電構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による静電気放電構造は、絶縁物質からなるベース基板１１０と、ベース基板の一面に設けられる第１電極１２０と、ベース基板の一面に設けられ、第１電極から予め定められた間隔だけ離隔して電気的に分離される第２電極１３０と、第１電極と第２電極との間に設けられ、互いに分離した複数個のカーボンナノチューブからなる放電構造体１４０とを備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁物質からなるベース基板と、
前記ベース基板の一面に設けられる第１電極と、
前記ベース基板の一面に設けられ、前記第１電極から予め定められた間隔だけ離隔して電気的に分離される第２電極と、
前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、互いに分離した複数個のカーボンナノチューブからなる放電構造体と、を含む、静電気放電構造。
【請求項２】
前記カーボンナノチューブは単層カーボンナノチューブであることを特徴とする、請求項１に記載の静電気放電構造。
【請求項３】
前記単層カーボンナノチューブは、前記単層カーボンナノチューブの長さ方向の一端面が前記ベース基板に接触し、長さ方向の他端面が上方に向かうように設けられることを特徴とする、請求項２に記載の静電気放電構造。
【請求項４】
前記静電気放電構造において、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１００Ｖの電圧差が形成された場合に放電現象が発生し、
前記単層カーボンナノチューブは、その直径が０.５〜３ｎｍであり、長さが１〜１０μｍであり、隣接した他の単層カーボンナノチューブから２０〜１００ｎｍ離隔することを特徴とする、請求項３に記載の静電気放電構造。
【請求項５】
前記単層カーボンナノチューブは、前記ベース基板の表面に接触する触媒層を含むことを特徴とする、請求項３に記載の静電気放電構造。
【請求項６】
前記第１電極、第２電極及び前記放電構造体を覆う絶縁部をさらに含むことを特徴とする、請求項３に記載の静電気放電構造。
【請求項７】
絶縁物質からなるベース基板を提供する段階と、
予め定められた間隔で離隔した第１電極及び第２電極を前記ベース基板の一面に形成する段階と、
前記第１電極と前記第２電極との間に複数個のカーボンナノチューブからなる放電構造体を形成する段階と、を含み、
前記放電構造体は、前記ベース基板の表面に触媒層を形成した後に前記カーボンナノチューブを成長させて形成されることを特徴とする、静電気放電構造の製造方法。
【請求項８】
前記カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブであることを特徴とする、請求項７に記載の静電気放電構造の製造方法。
【請求項９】
前記触媒層は、
前記ベース基板の表面にアルミニウム粒子を含む第１層を形成する段階と、
前記第１層の表面に鉄粒子を含む第２層を形成する段階と、
前記第２層の表面にアルミニウム粒子を含む第３層を形成する段階と、を含むプロセスによって形成されることを特徴とする、請求項８に記載の静電気放電構造の製造方法。
【請求項１０】
前記第１層が１.５〜２.５ｎｍの厚さに形成され、前記第２層が０.５〜１.５ｎｍの厚さに形成され、前記第３層が１４.５〜１５.５ｎｍの厚さに形成されることを特徴とする、請求項９に記載の静電気放電構造の製造方法。
【請求項１１】
前記単層カーボンナノチューブは、前記単層カーボンナノチューブの長さ方向の一端面が前記ベース基板に接触し、長さ方向の他端面が上方に向かうように形成されることを特徴とする、請求項８に記載の静電気放電構造の製造方法。
【請求項１２】
前記静電気放電構造において、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１００Ｖの電圧差が形成された場合に放電現象が発生し、
前記単層カーボンナノチューブは、その直径が０.５〜３ｎｍであり、長さが１〜１０μｍであり、隣接した他の単層カーボンナノチューブから２０〜１００ｎｍ離隔するように形成されることを特徴とする、請求項１１に記載の静電気放電構造の製造方法。
【請求項１３】
前記単層カーボンナノチューブは、マスクを前記触媒層に覆った後、熱化学気相蒸着処理を施して形成されることを特徴とする、請求項１２に記載の静電気放電構造の製造方法。
【請求項１４】
前記マスクには、直径が０.５〜３ｎｍである複数個の通孔が２０〜１００ｎｍの間隔で設けられることを特徴とする、請求項１３に記載の静電気放電構造の製造方法。
【請求項１５】
前記マスクの厚さが１〜１０μｍであることを特徴とする、請求項１４に記載の静電気放電構造の製造方法。
【請求項１６】
前記第１電極、第２電極及び前記放電構造体を覆う絶縁部を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項７に記載の静電気放電構造の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、静電気放電構造及び静電気放電構造の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化、スリム化及び高機能化の傾向に伴い、電子機器に適用される電子部品にもまた、性能向上とともに、小型化及びスリム化が求められている。
【０００３】
また、電子機器の携帯性が強調されるにつれて低電圧及び低電流の環境でも高速で作動する必要があり、電子部品の耐電圧もまた低くなる必要がある。
【０００４】
しかし、このような電子部品が適用された各種電子機器には入力電源の不安定または静電気などによって許容範囲から外れた過電圧または過電流が印加されることが頻繁に発生している。
【０００５】
このように過電圧または過電流が印加される場合、電子部品の劣化現象または電子部品及びこれを含んでいる電子機器の誤作動を誘発する。
【０００６】
従って、静電気が電子機器または電子部品の内部に流入しないようにしたり、静電気が流入されても静電気に敏感な部分が損傷しないように安全な経路で放電させることができる技術を開発するための努力が行われている。
【０００７】
一方、特許文献１、特許文献２及び特許文献３等には静電気対策素子などが開示されている。
【０００８】
しかし、特許文献１〜特許文献３等をはじめ、従来の静電気対策技術は、放電開始電圧を低くする構造を提供するだけであって、放電開始電圧の範囲を精密に制御するには限界があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１０／０１５７５０１号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１０／００２０４５４号公報
【特許文献３】米国特許第７８５１８６３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
前記のような問題点を解決するために導き出された本発明は、放電開始電圧を低くするだけでなく、放電開始電圧領域をより精密に制御することができる静電気放電構造を提供することを目的とする。
【００１１】
また、本発明は、放電開始電圧を低くするだけでなく、放電開始電圧領域をより精密に制御することができる静電気放電構造の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
前記のような目的を達成するために導き出された本発明の一実施形態による静電気放電構造は、絶縁物質からなるベース基板と、前記ベース基板の一面に設けられる第１電極と、前記ベース基板の一面に設けられ、前記第１電極から予め定められた間隔だけ離隔して電気的に分離される第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられ、互いに分離した複数個のカーボンナノチューブからなる放電構造体と、を含むことができる。
【００１３】
この際、前記カーボンナノチューブは単層カーボンナノチューブ（Ｓｉｎｇｌｅ‐Ｗａｌｌ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ；ＳＷＣＮＴ）であることが好ましい。
【００１４】
また、前記単層カーボンナノチューブは、前記単層カーボンナノチューブの長さ方向の一端面が前記ベース基板に接触し、長さ方向の他端面が上方に向かうように設けられることができる。
【００１５】
また、前記静電気放電構造において、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１００Ｖの電圧差が形成された場合に放電現象が発生し、前記単層カーボンナノチューブは、その直径が０.５〜３ｎｍであり、長さが１〜１０μｍであり、隣接した他の単層カーボンナノチューブから２０〜１００ｎｍ離隔することが好ましい。
【００１６】
また、前記単層カーボンナノチューブは、前記ベース基板の表面に接触する触媒層を含むことができる。
【００１７】
また、前記第１電極、第２電極及び前記放電構造体を覆う絶縁部をさらに含むことができる。
【００１８】
本発明の一実施形態による静電気放電構造の製造方法は、絶縁物質からなるベース基板を提供する段階と、予め定められた間隔で離隔した第１電極及び第２電極を前記ベース基板の一面に形成する段階と、前記第１電極と前記第２電極との間に複数個のカーボンナノチューブからなる放電構造体を形成する段階と、を含み、前記放電構造体は、前記ベース基板の表面に触媒層を形成した後に前記カーボンナノチューブを成長させて形成されることができる。
【００１９】
この際、前記カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ（Ｓｉｎｇｌｅ‐Ｗａｌｌ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏｔｕｂｅ；ＳＷＣＮＴ）であることが好ましい。
【００２０】
また、前記触媒層は、前記ベース基板の表面にアルミニウム粒子を含む第１層を形成する段階と、前記第１層の表面に鉄粒子を含む第２層を形成する段階と、前記第２層の表面にアルミニウム粒子を含む第３層を形成する段階と、を含むプロセスによって形成されることができる。
【００２１】
ここで、前記第１層が１.５〜２.５ｎｍの厚さに形成され、前記第２層が０.５〜１.５ｎｍの厚さに形成され、前記第３層が１４.５〜１５.５ｎｍの厚さに形成されることが好ましい。
【００２２】
一方、前記単層カーボンナノチューブは、前記単層カーボンナノチューブの長さ方向の一端面が前記ベース基板に接触し、長さ方向の他端面が上方に向かうように形成されることが好ましい。
【００２３】
この際、前記静電気放電構造において、前記第１電極と前記第２電極との間に少なくとも１００Ｖの電圧差が形成された場合に放電現象が発生し、前記単層カーボンナノチューブは、その直径が０.５〜３ｎｍであり、長さが１〜１０μｍであり、隣接した他の単層カーボンナノチューブから２０〜１００ｎｍ離隔するように形成されることが好ましい。
【００２４】
また、前記単層カーボンナノチューブは、マスクを前記触媒層に覆った後、熱化学気相蒸着（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＴＣＶＤ）処理を施して形成されることができる。
【００２５】
この際、前記マスクには、直径が０.５〜３ｎｍである複数個の通孔が２０〜１００ｎｍの間隔で設けられることが好ましく、また、前記マスクの厚さが１〜１０μｍになるようにすることが好ましい。
【００２６】
一方、前記第１電極、第２電極及び前記放電構造体を覆う絶縁部を形成する段階をさらに含むことができる。
【発明の効果】
【００２７】
前記のように構成された本発明は、電極の間に放電現象を発生させる放電開始電圧を精密に調節することができるという有用な効果を提供する。
【００２８】
また、本発明は、放電開始電圧が精密に調節された静電気放電構造を提供するための方法を提供する。
【図面の簡単な説明】
【００２９】
【図１】本発明の一実施形態による静電気放電構造を概略的に示した断面図である。
【図２】図１から絶縁部を除去した状態の平面構造を概略的に示した平面図である。
【図３】本発明の他の実施形態による静電気放電構造を概略的に示した断面図である。
【図４】本発明の一実施形態による静電気放電構造の製造方法を概略的に示したフローチャートである。
【図５】本発明の一実施形態による静電気放電構造の製造プロセスで放電構造体を形成するプロセスを詳細に示したフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００３０】
本発明の利点及び特徴、そしてそれらを果たす方法は、添付の図面とともに詳細に後述する実施形態を参照すると明確になるであろう。しかし、本発明は以下に開示される実施形態に限定されず、互いに異なる様々な形態に具現することができる。本実施形態は、本発明の開示を完全にするとともに、本発明が属する技術分野において通常の知識を有した者に発明の範疇を完全に伝達するために提供されることができる。明細書全体において、同一の参照符号は同一の構成要素を示す。
【００３１】
本明細書で用いられる用語は、実施形態を説明するためのものであり、本発明を限定しようとするものではない。本明細書において、単数型は文章で特に言及しない限り複数型も含む。明細書で用いられる「含む（ｃｏｍｐｒｉｓｅ）」及び／又は「含んでいる（ｃｏｍｐｒｉｓｉｎｇ）」は言及された構成要素、段階、動作及び／又は素子は一つ以上の他の構成要素、段階、動作及び／又は素子の存在又は追加を排除しない。
【００３２】
図示の簡略化及び明瞭化のために、図面は一般的な構成方式を図示しており、本発明の説明において実施形態の論議を不明瞭にすることを避けるために、公知の特徴及び技術に関する詳細な説明を省略することができる。さらに、図面の構成要素は必ずしも一定の縮尺によって図示されたものではない。例えば、本発明の実施形態を容易に理解するために、図面の一部の構成要素の大きさが他の構成要素より誇張されることができる。互いに異なる図面における同一の参照符号は同一の構成要素を示し、必ずしもそうではないが、類似した参照符号は類似した構成要素を示すことができる。
【００３３】
明細書及び請求範囲において、「第１」、「第２」、「第３」及び「第４」などの用語が記載されている場合、類似した構成要素同士を区分するために用いられ、必ずしもそうではないが、特定順次又は発生順序を記述するために用いられる。そのように用いられる用語は、ここに記述された本発明の実施形態が、例えば、ここに図示又は説明されたものではなく他のシーケンスで動作するように適切な環境下で互換可能であることを理解することができる。同様に、ここで、方法が一連の段階を含むと記述される場合、ここに提示されたそのような段階の順序が必ずしもそのような段階が実行される順序ではなく、任意に記述された段階は省略することができ、及び／又はここに記述されていない任意の他の段階をその方法に付加することができる。
【００３４】
明細書及び請求範囲において、「左側」、「右側」、「前」、「後」、「上部」、「底部」、「上に」、「下に」などの用語が記載されている場合には、説明のために用いられるものであり、必ずしも不変の相対的な位置を記述するためのものではない。そのように用いられる用語は、ここに記述された本発明の実施形態が、例えば、ここに図示又は説明されたものではなく他の方向に動作するように適切な環境下で互換可能であることを理解することができる。ここで用いられた用語「連結された」は、電気的又は非電気的な方式で直接又は間接的に接続されることに定義される。ここで、互いに「隣接する」と記述された対象は、その文章が用いられる文脈に対して適切に、互いに物理的に接触するか、互いに近接するか、互いに同一の一般的な範囲又は領域に存在することができる。ここで、「一実施形態において」という文章は、必ずしもそうではないが、同一の実施形態を意味する。
【００３５】
以下、添付の図面を参照して本発明の構成及び作用効果についてより詳細に説明する。
【００３６】
図１は本発明の一実施形態による静電気放電構造１００を概略的に示した断面図であり、図２は図１から絶縁部１５０を除去した状態の平面構造を概略的に示した平面図である。
【００３７】
図１及び図２を参照すると、本発明の一実施形態による静電気放電構造１００は、ベース基板１１０と、第１電極１２０と、第２電極１３０と、放電構造体１４０と、を含むことができる。
【００３８】
ベース基板１１０は絶縁物質からなり、ベース基板１１０の一面に第１電極１２０と第２電極１３０が設けられる。
【００３９】
この際、第１電極１２０と第２電極１３０は所定の間隔で離隔し、これにより、第１電極１２０と第２電極１３０が電気的に分離される。
【００４０】
ここで、第１電極１２０と第２電極１３０との間の領域には放電構造体１４０が設けられ、第１電極１２０と第２電極１３０との間の電圧差が正常範囲を超える場合には第１電極１２０と第２電極１３０との間に放電現象を発生させる機能を果たす。
【００４１】
一方、放電構造体１４０は互いに分離した複数個のカーボンナノチューブ１４１（Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ；ＣＮＴ）からなっており、この際、カーボンナノチューブ１４１は単層カーボンナノチューブ１４１であることができる。
【００４２】
また、単層カーボンナノチューブ１４１が第１電極１２０及び第２電極１３０が設けられたベース基板１１０の表面に対して垂直な方向に配置されることが好ましい。
【００４３】
即ち、単層カーボンナノチューブ１４１の長さ方向の一端面がベース基板１１０に接触し、他端面が上方に向かうように設けられることができる。
【００４４】
カーボンナノチューブは、単層カーボンナノチューブ（Ｓｉｎｇｌｅ‐Ｗａｌｌ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ；ＳＷＣＮＴ）と多層カーボンナノチューブ（Ｍｕｌｔｉ‐Ｗａｌｌ  Ｃａｒｂｏｎ  Ｎａｎｏ  Ｔｕｂｅ；ＭＷＣＮＴ）とに区分するが、通常、単層カーボンナノチューブは多層カーボンナノチューブより電気伝導性に優れる。
【００４５】
また、二つの単層カーボンナノチューブの間の間隔は、二つの多層カーボンナノチューブの間の間隔に比べて全体的に一定に維持されることができる。
【００４６】
このような点を考慮すると、多層カーボンナノチューブで放電構造体を具現するより、単層カーボンナノチューブ１４１で放電構造体１４０を具現することが単層カーボンナノチューブ１４１の間の間隔を一定に維持するために有利であるという点を理解することができる。
【００４７】
これにより、第１電極１２０と第２電極１３０との間に所定の放電開始電圧以上の電圧差が形成されると、複数個の単層カーボンナノチューブ１４１が第１電極１２０と第２電極１３０との間の領域で架橋の機能を果たすことにより放電現象が発生することができる。
【００４８】
この際、互いの間隔を一定に維持することができる単層カーボンナノチューブ１４１で放電構造体１４０が形成されることにより、放電現象が発生する電圧の範囲が所定の範囲に限定されることができる。
【００４９】
例えば、前記特許文献１等に記載されたように、導電性無機材料が二つの電極の間に単純に配置された場合には導電性無機材料の間の間隔の偏差がひどくなり、そのため、放電開始電圧の範囲を精密に限定することができない。
【００５０】
即ち、特許文献１に開示された技術を適用して静電気対策部品を大量に生産した場合、各生産品における導電性無機材料の間の間隔が一定の範囲に維持されることが困難になる。
【００５１】
従って、特許文献１に開示された技術を反映して生産された静電気対策部品のうちある部品が２００Ｖで放電現象が発生し、他の部品が３００Ｖで放電現象が発生することもある。
【００５２】
しかし、このように放電開始電圧の偏差が激しい場合には、該部品を用いて高性能の電子機器を製造すると最適化した設計が困難になる。
【００５３】
本発明の一実施形態による静電気放電構造１００は、放電構造体１４０をなす単層カーボンナノチューブ１４１同士が互いに一定の間隔を維持することができるため、放電開始電圧の偏差が従来より著しく減少することができる。
【００５４】
一例として、単層カーボンナノチューブ１４１の直径が０.５〜３ｎｍであり、長さが１〜１０μｍであり、隣接した他の単層カーボンナノチューブ１４１から２０〜１００ｎｍ離隔するようにする放電構造体１４０を含む静電気放電構造１００では、第１電極１２０と第２電極１３０との間に１００Ｖ以上の電圧差が形成される際に放電現象が発生する。
【００５５】
この際、放電開始電圧を高めようとする場合には単層カーボンナノチューブ１４１の間の間隔をさらに拡大し、放電開始電圧を低くしようとする場合には単層カーボンナノチューブ１４１の間の間隔をさらに短縮すれば良い。
【００５６】
一方、このような単層カーボンナノチューブ１４１は触媒層を利用して成長させることができる。
【００５７】
また、第１電極１２０、第２電極１３０及び放電構造体１４０の露出した表面には絶縁物質からなる絶縁部１５０が設けられることができる。
【００５８】
図３は本発明の他の実施形態による静電気放電構造２００を概略的に示した断面図である。
【００５９】
図３を参照すると、本実施形態による静電気放電構造２００において、放電構造体２４０をなすカーボンナノチューブ２４１の下部に触媒層２４１´が設けられることができることを理解することができる。
【００６０】
触媒層２４１´は、アルミニウム粒子を含む第１層２４１ａと、鉄粒子を含む第２層２４１ｂと、アルミニウム粒子を含む第３層２４１ｃと、をベース基板１１０に順に積層して形成することができる。
【００６１】
この際、第１層２４１ａ、第２層２４１ｂ及び第３層２４１ｃは、スパッタリング方式により形成されることができる。
【００６２】
このように形成された触媒層２４１´に熱化学気相蒸着（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ；ＴＣＶＤ）処理を施すことで成長部２４１ｄを形成することができ、その結果、単層カーボンナノチューブ２４１が形成されることができる。
【００６３】
他の事項は図１及び図２を参照して上述した実施形態と類似しており、重複する説明は省略する。
【００６４】
以上のように構成される静電気放電構造はフィルタ（Ｆｉｌｔｅｒ）等に適用することができる。
【００６５】
電子機器及び該電子機器に搭載される電子部品が小型化とともに高性能化され、低電圧及び低電流の環境で作動されるに伴い、外部から異常電圧またはノイズが電子機器の内部に流入する場合、電子機器の回路が破損したり信号が歪む現象が発生している。
【００６６】
このような異常電圧とノイズの原因としては回路内で発生するスイッチング電圧、電源電圧に含まれた電源ノイズ、不要な電磁気信号または電磁気雑音などが挙げられ、このような異常電圧と高周波ノイズが回路に流入することを防止するための手段としてコモンモードフィルタ（Ｃｏｍｍｏｎ  Ｍｏｄｅ  Ｆｉｌｔｅｒ；ＣＭＦ）などのフィルタが用いられている。
【００６７】
このようなフィルタなどに本発明の一実施形態による静電気放電構造１００、２００を適用することで電子機器の安定性をより向上させることができる。
【００６８】
特に、本発明の一実施形態による静電気放電構造１００、２００は、放電開始電圧が従来より精密に調節されることができ、素子を保護するために放電開始電圧を低めるとともに不要に放電されることで信号の損失が生じる問題を低減することができる。
【００６９】
図４は本発明の一実施形態による静電気放電構造の製造方法を概略的に示したフローチャートである。
【００７０】
図１から図４を参照すると、先ず、ベース基板１１０の一面に第１電極１２０及び第２電極１３０を形成する（Ｓ１１０）。
【００７１】
次に、第１電極１２０と第２電極１３０との間に放電構造体１４０を形成する（Ｓ１２０）。
【００７２】
次に、第１電極１２０、第２電極１３０及び放電構造体１４０を覆う絶縁部１５０を形成する（Ｓ１３０）。
【００７３】
図５は本発明の一実施形態による静電気放電構造１００の製造プロセスにおいて放電構造体１４０を形成するプロセスを詳細に示したフローチャートである。
【００７４】
図１から図５を参照すると、先ず、第１電極１２０と第２電極１３０との間に触媒層２４１´を形成する（Ｓ１２１）。
【００７５】
ここで、触媒層２４１´において、アルミニウム粒子を含む物質をベース基板１１０にスパッタリングして第１層２４１ａを形成し、鉄粒子を含む物質を第１層２４１ａの表面にスパッタリングして第２層２４１ｂを形成し、アルミニウム粒子を含む物質を第２層２４１ｂの表面にスパッタリングして第３層２４１ｃを形成することができる。
【００７６】
この際、前記第１層２４１ａは１.５〜２.５ｎｍの厚さに形成され、前記第２層２４１ｂは０.５〜１.５ｎｍの厚さに形成され、前記第３層２４１ｃは１４.５〜１５.５ｎｍの厚さに形成されることができる。
【００７７】
また、触媒層２４１´は、単層カーボンナノチューブ２４１の直径に比例する直径の円柱形状を有して単層カーボンナノチューブ２４１が形成される位置に複数個が設けられることができる。
【００７８】
この状態で熱化学気相蒸着プロセスによって単層カーボンナノチューブ１４１を形成することができる。
【００７９】
一方、触媒層２４１´が形成された状態で熱化学気相蒸着を行う場合、単層カーボンナノチューブ２４１が垂直方向に成長しないこともある。このように単層カーボンナノチューブ２４１がほぼ垂直に成長できなかった場合には、隣接した単層カーボンナノチューブ２４１同士の間隔が一定でないことがあり、これにより、放電開始電圧が精密な範囲に制御されない可能性もある。
【００８０】
このような問題を解決するために、熱化学気相蒸着プロセスを行う前に触媒層２４１´上にマスク（不図示）を位置させることが好ましい（Ｓ１２２）。
【００８１】
この際、マスクにおいて、単層カーボンナノチューブ２４１が形成される領域に対応する領域に貫通した通孔が形成されることができる。
【００８２】
即ち、上述したように、単層カーボンナノチューブ２４１の直径が０.５〜３ｎｍであり、２０〜１００ｎｍの間隔で設けられた複数個の放電構造体２４０を形成しようとする場合には、直径が０.５〜３ｎｍである通孔が２０〜１００ｎｍの間隔で形成されたマスクを用いることができる。
【００８３】
また、要求される単層カーボンナノチューブ２４１の長さに対応するようにマスクの厚さを調節することが好ましい。
【００８４】
次に、熱化学気相蒸着プロセスを行って単層カーボンナノチューブ２４１を形成する（Ｓ１２３）。
【００８５】
必要なだけ単層カーボンナノチューブ２４１が形成された後にはマスクを除去する（Ｓ１２４）。
【００８６】
これにより、放電構造体２４０の両側に位置する第１電極１２０と第２電極１３０との間に放電現象を発生させる放電開始電圧がどの領域に存在するかに応じて、単層カーボンナノチューブ２４１の間の間隔を従来より精密に調節することができる。
【００８７】
その結果、放電開始電圧が精密に制御された静電気放電構造１００、２００を製造することができる。
【符号の説明】
【００８８】
１００  静電気放電構造
１１０  ベース基板
１２０  第１電極
１３０  第２電極
１４０、２４０  放電構造体
１４１、２４１  カーボンナノチューブ
２４１´  触媒層
２４１ａ  第１層
２４１ｂ  第２層
２４１ｃ  第３層
２４１ｄ  成長部
１５０  絶縁部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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