(57)【要約】【課題】レーザ光照射によりガラス基板に貫通孔を形成する際に、貫通孔に従来のような大きな狭窄部が生じ難い方法を提供する。【解決手段】ガラス基板に貫通孔を形成する方法であって、（ａ）ガラス基板にレーザ光を照射する工程であって、これにより、前記ガラス基板の照射領域に、第１の表面から第２の表面に至る貫通孔が形成され、該貫通孔は、狭窄部を有する工程と、（ｂ）前記ガラス基板の第１の表面および第２の表面の間に直流電圧を印加し、前記貫通孔を介した放電を生じさせる工程であって、これにより、前記貫通孔の狭窄部において、前記貫通孔の延伸軸に対して略垂直な方向の断面の開口寸法が広げられる工程と、を有することを特徴とする方法。【選択図】図３
2014213338.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板に貫通孔を形成する方法であって、
（ａ）ガラス基板にレーザ光を照射する工程であって、これにより、前記ガラス基板の照射領域に、第１の表面から第２の表面に至る貫通孔が形成され、該貫通孔は、狭窄部を有する工程と、
（ｂ）前記ガラス基板の第１の表面および第２の表面の間に直流電圧を印加し、前記貫通孔を介した放電を生じさせる工程であって、これにより、前記貫通孔の狭窄部において、前記貫通孔の延伸軸に対して略垂直な方向の断面の開口寸法が広げられる工程と、
を有することを特徴とする方法。
【請求項２】
前記（ｂ）の工程は、前記（ａ）の工程後、最大５００μ秒以内に実施される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記（ａ）の工程と前記（ｂ）の工程の間に、
（ｃ）前記ガラス基板の第１の表面と第２の表面の間に、高周波高電圧を印加する工程
を有する、請求項１または２に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板に貫通孔を形成する方法に関し、特に、レーザ光照射によりガラス基板に貫通孔を形成する方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、レーザ光照射により、ガラス基板の所望の位置に、１または２以上の微細な貫通孔（ビア）を形成する技術が知られている（例えば特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】米国特許第５４９３０９６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
これまでに、レーザ光照射により、ガラス基板に貫通孔を形成する技術として、各種方法が提案されている。
【０００５】
しかしながら、従来の方法で形成された貫通孔は、通常、レーザ光の入射側の開口の近傍に、「狭窄部」と呼ばれる突出部分を有する。このような貫通孔内の狭窄部では、該狭窄部と隣接する位置に比べて、貫通孔の延伸軸に対して垂直な断面の開口寸法が小さくなっている。
【０００６】
このような狭窄部は、貫通孔を有するガラス基板を、例えば、貫通電極付きインターポーザ等として使用する場合などに問題となり得る。すなわち、貫通孔を有するガラス基板からインターポーザを製造する場合、貫通孔内に導電性物質を充填する必要がある。しかしながら、貫通孔内に狭窄部が存在する場合、貫通孔内に導電性物質を充填しようとすると、狭窄部の存在により、充填物質の内部への移動が妨害され、充填物質を貫通孔全体に十分に充填することが難しくなるという問題が生じ得る。
【０００７】
また、このような問題は、貫通電極付きインターポーザの製造時に限られるものではなく、ガラス基板の貫通孔内に所望の充填物質を充填しようとした際には、同様の問題が生じ得る。
【０００８】
このため、レーザ光照射によりガラス基板に貫通孔を形成する際に、狭窄部が形成され難く、あるいは狭窄部の突出を十分に抑制することが可能な貫通孔形成技術が要望されている。
【０００９】
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、本発明では、レーザ光照射によりガラス基板に貫通孔を形成する際に、貫通孔に従来のような大きな狭窄部が生じ難い方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明では、ガラス基板に貫通孔を形成する方法であって、
（ａ）ガラス基板にレーザ光を照射する工程であって、これにより、前記ガラス基板の照射領域に、第１の表面から第２の表面に至る貫通孔が形成され、該貫通孔は、狭窄部を有する工程と、
（ｂ）前記ガラス基板の第１の表面および第２の表面の間に直流電圧を印加し、前記貫通孔を介した放電を生じさせる工程であって、これにより、前記貫通孔の狭窄部において、前記貫通孔の延伸軸に対して略垂直な方向の断面の開口寸法が広げられる工程と、
を有することを特徴とする方法が提供される。
【００１１】
ここで、本発明による方法において、前記（ｂ）の工程は、前記（ａ）の工程後、最大５００μ秒以内に実施されてもよい。
【００１２】
また、本発明による方法は、前記（ａ）の工程と前記（ｂ）の工程の間に、
（ｃ）前記ガラス基板の第１の表面と第２の表面の間に、高周波高電圧を印加する工程
を有してもよい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明では、レーザ光照射によりガラス基板に貫通孔を形成する際に、貫通孔に従来のような大きな狭窄部が生じ難い方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来のガラス基板に貫通孔を形成する方法により形成された貫通孔の延伸軸に対して平行な方向の断面の一例を模式的した図である。
【図２】本発明の一実施例によるガラス基板に貫通孔を形成する方法により形成された貫通孔の延伸軸に対して平行な方向の断面の一例を模式的した図である。
【図３】本発明の一実施例によるガラス基板に貫通孔を形成する方法の概略的なフローを模式的に示した図である。
【図４】図３に示した本発明の一実施例によるガラス基板に貫通孔を形成する方法の一工程に使用され得る装置の一構成例を模式的に示した図である。
【図５】図３に示した本発明の一実施例によるガラス基板に貫通孔を形成する方法の一工程に使用され得る装置の一構成例を模式的に示した図である。
【図６】本発明の別の実施例によるガラス基板に貫通孔を形成する方法の概略的なフローを模式的に示した図である。
【図７】比較例１において、ガラス基板に形成された貫通孔の断面形状の一例を示した図である。
【図８】実施例１において、ガラス基板に形成された貫通孔の断面形状の一例を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して、本発明について説明する。
【００１６】
前述のように、従来の方法でガラス基板に形成された貫通孔は、通常、レーザ光の入射側の開口の近傍に、「狭窄部」と呼ばれる、他の隣接部分に比べて開口の断面寸法が大きく減少した部分を有する。
【００１７】
図１には、そのような狭窄部を有する貫通孔の断面を模式的に示す。
【００１８】
図１に示すように、ガラス基板５０には、第１の表面５２から第２の表面５４まで貫通した貫通孔７０が設けられている。換言すれば、貫通孔７０は、ガラス基板の第１の表面５２側に第１の開口７２を有し、ガラス基板の第２の表面５４側に第２の開口７４を有する。
【００１９】
なお、通常、レーザ光照射によりガラス基板に貫通孔を形成した場合、貫通孔の断面は、後述する狭窄部を除き、図１に示したような略テーパ状の形状となる。すなわち、貫通孔７０は、狭窄部を除き、レーザ光の入射側（第１の開口７２）からレーザ光の非入射側（第２の開口７４）に向かって、径が小さくなる形状を有する。ただし、ガラス基板５０の厚さが薄くなればなるほど、テーパの傾斜角が軽微となるため、極端に薄いガラス基板、例えば０．１ｍｍ程度未満の厚さを有するガラス基板では、テーパ形状が明確に認められなくなる場合もある。
【００２０】
ここで、図１に示すように、貫通孔７０には、第１の開口７２の近傍（第１の開口７２から深さ方向にｚだけ入った位置）に、狭窄部８０が形成されている。狭窄部８０の位置では、該狭窄部８０と隣接する位置に比べて、貫通孔７０の延伸軸Ｃに対して垂直な断面の開口寸法（Ｄ１）が小さくなる。
【００２１】
このような狭窄部８０は、貫通孔７０を有するガラス基板５０を、例えば、貫通電極付きインターポーザ等として使用する場合などに問題となり得る。すなわち、貫通孔７０を有するガラス基板５０からインターポーザを製造する場合、貫通孔７０内に導電性物質を充填する必要がある。しかしながら、貫通孔７０内に狭窄部８０が存在する場合、貫通孔７０内に導電性物質を充填しようとすると、狭窄部８０の存在により、充填物質の内部への移動が妨害され、充填物質を貫通孔７０全体に十分に充填することが難しくなるという問題が生じ得る。
【００２２】
さらに、このような問題は、インターポーザの製造時に限られるものではなく、ガラス基板５０の貫通孔７０内に充填物質を充填しようとした場合、同様の問題が生じ得る。
【００２３】
これに対して、本発明では、ガラス基板に貫通孔を形成する方法であって、
ガラス基板にレーザ光を照射する工程であって、これにより、前記ガラス基板の照射領域に、第１の表面から第２の表面に至る貫通孔が形成され、該貫通孔は、狭窄部を有する工程と、
前記ガラス基板の第１の表面および第２の表面の間に直流電圧を印加し、前記貫通孔を介した放電を生じさせる工程であって、これにより、前記貫通孔の狭窄部において、前記貫通孔の延伸軸に対して略垂直な方向の断面の開口寸法が広げられる工程と、
を有することを特徴とする方法が提供される。
【００２４】
本発明によるガラス基板に貫通孔を形成する方法では、以下に詳しく説明するように、形成された貫通孔に大きな狭窄部が生じ難く、あるいは狭窄部の突出の程度を有意に抑制できる。
【００２５】
図２には、本発明の一実施例によるガラス基板に貫通孔を形成する方法により形成された貫通孔の延伸軸に対して平行な方向の断面の一例を模式的に示す。
【００２６】
図２に示すように、ガラス基板１５０には、第１の表面１５２から第２の表面１５４まで貫通した貫通孔１７０が形成されている。
【００２７】
ここで、貫通孔１７０は、レーザ光の入射側の第１の開口１７２と、レーザ光の非入射側の第２の開口１７４とを有する。また、貫通孔１７０は、前述の従来の貫通孔７０と同様、狭窄部を除き、略テーパ状の断面形状を有する。
【００２８】
ただし、図２から明らかなように、貫通孔１７０は、図１に示した貫通孔７０に比べて、狭窄部１８０の突出の程度が軽減されていることに留意する必要がある。（図２において、貫通孔１７０内に破線で示した部分が、図１に示した狭窄部７０の形状に対応する。）すなわち、狭窄部１８０において、貫通孔２７０の延伸軸Ｃに対して垂直な断面の開口寸法Ｄ２は、図１に示した狭窄部８０における開口寸法Ｄ１よりも大きくなっている。
【００２９】
このように、本発明によるガラス基板に貫通孔を形成する方法では、狭窄部の突出の程度を有意に抑制することができ、狭窄部の開口寸法Ｄ２を広げることができる。
【００３０】
また、このため、本発明による方法で製造された貫通孔付きガラス基板では、貫通孔内に充填物質を充填することが比較的容易となり、貫通孔内を充填物質で適正に充填することが可能となる。
【００３１】
（本発明の一実施例によるガラス基板に貫通孔を形成する方法について）
以下、図３〜図５を参照して、本発明の一実施例によるガラス基板に貫通孔を形成する方法（以下、「第１の貫通孔形成方法」と称する）について、詳しく説明する。
【００３２】
図３には、第１の貫通孔形成方法の概略的なフローを模式的に示す。また、図４および図５には、第１の貫通孔形成方法の各工程において使用され得る装置の一構成例を模式的に示す。
【００３３】
図３に示すように、第１の貫通孔形成方法は、
ガラス基板にレーザ光を照射する工程であって、これにより、前記ガラス基板の照射領域に、第１の表面から第２の表面に至る貫通孔が形成され、該貫通孔は、狭窄部を有する工程（ステップＳ１１０）と、
前記ガラス基板の第１の表面および第２の表面の間に直流電圧を印加し、前記貫通孔を介した放電を生じさせる工程であって、これにより、前記貫通孔の狭窄部において、前記貫通孔の延伸軸に対して略垂直な方向の断面の開口寸法が広げられる工程（ステップＳ１２０）と、
を有する。
【００３４】
以下、各工程について詳しく説明する。
【００３５】
（ステップＳ１１０）
まず、ガラス基板にレーザ光が照射され、ガラス基板の照射領域に貫通孔が形成される。
【００３６】
図４には、そのような工程に使用され得る装置の一構成例を示す。
【００３７】
図４に示すように、この装置４００は、レーザ光源４１０およびレンズ４２０を有する。
【００３８】
レーザ光源４１０は、レンズ４２０に向かってレーザ光４１５を放射する。レーザ光源４１０の種類は、熱による貫通孔の加工が可能なレーザが好ましく、例えば、レーザ光源４１０は、ＣＯ２レーザであってもよい。
【００３９】
レンズ４２０は、レーザ光４１５を収束して、ガラス基板４５０に照射される収束レーザ光４２５を形成する。なお、レンズ４２０は、必須の部材ではなく、省略されてもよい。この場合、レーザ光４１５は、収束されずにそのままガラス基板４５０に照射される。
【００４０】
被加工対象であるガラス基板４５０は、第１の表面４５２および第２の表面４５４を有する。ガラス基板４５０の第１の表面４５２側が、レーザ光照射面となる。
【００４１】
なお、ガラス基板４５０の組成は、特に限られず、ガラス基板４５０は、例えば、ソーダライムガラス、または無アルカリガラス等であってもよい。また、ガラス基板４５０の厚さは、特に限られないが、例えば、０．０５ｍｍ〜０．７０ｍｍの範囲であってもよい。
【００４２】
このような装置４００を用いて、ガラス基板４５０に貫通孔を形成する場合、まずレーザ光源４１０からレーザ光４１５が照射される。レーザ光４１５は、レンズ４２０により収束され、収束レーザ光４２５となる。この収束レーザ光４２５は、ガラス基板４５０の照射領域４６０に照射される。
【００４３】
収束レーザ光４２５のスポット径は、特に限られない。収束レーザ光４２５の照射領域４６０におけるスポット径は、例えば、１０μｍ〜３００μｍの範囲であってもよい。
【００４４】
収束レーザ光４２５の照射により、ガラス基板４５０の照射領域４６０の温度が上昇する。これにより、ガラス基板４５０の照射領域４６０が昇華除去され、その直下に、貫通孔４７０Ａが形成される。
【００４５】
この段階で形成された貫通孔４７０Ａは、例えば図１に示した貫通孔７０と同様の断面形状を有する。図４の右側の丸枠内には、この段階における貫通孔４７０Ａの断面形状を模式的に示す。
【００４６】
この図に示すように、貫通孔４７０Ａは、ガラス基板４５０の第１の表面４５２側に形成された第１の開口４７２Ａ、およびガラス基板４５０の第２の表面４５４側に形成された第２の開口４７４Ａを有する。また、貫通孔４７０Ａの第１の開口４７２Ａの近傍には、比較的大きな狭窄部４８０Ａが形成される。
【００４７】
（ステップＳ１２０）
ステップＳ１１０により、ガラス基板１５０に貫通孔４７０Ａが形成された後、ガラス基板４５０の第１の表面４５２および第２の表面４５４の間に直流放電電圧が印加される。これにより、貫通孔４７０Ａを介した放電が生じ、貫通孔４７０Ａ内の狭窄部４８０Ａの突出の程度が軽減される。すなわち、狭窄部４８０Ａにおける開口寸法が大きくなる。
【００４８】
図５には、そのような工程に使用され得る装置の一構成例を示す。
【００４９】
図５に示すように、この装置５００は、直流高圧電源（図示されていない）と電気的に接続された一組の電極５３０Ａ、５３０Ｂを有する。
【００５０】
両電極５３０Ａ、５３０Ｂは、ガラス基板４５０の貫通孔４７０Ａを介して対向するように配置される。より具体的には、第１の電極５３０Ａは、ガラス基板４５０の第１の表面４５２の側の、貫通孔４７０Ａの近傍に配置され、第２の電極５３０Ｂは、ガラス基板４５０の第２の表面４５４の側の、貫通孔４７０Ａの近傍に配置される。
【００５１】
このような配置状態において、両電極５３０Ａおよび５３０Ｂの間に、直流放電電圧が印加されると、第１の電極５３０Ａ〜貫通孔４７０Ａ〜第２の電極５３０Ｂ間において、放電が生じる。
【００５２】
なお、この放電の際に印加される直流放電電圧は、例えば、３０００Ｖ〜１００００Ｖの範囲である。
【００５３】
ガラス基板４５０を介してこのような直流放電が生じた場合、貫通孔４７０Ａ内に存在する狭窄部４８０Ａの先端部分が除去される。その結果、貫通孔４７０Ａは、前述の図２に示したような断面形状に変化する。
【００５４】
図５の右側の丸枠内には、直流放電後の段階における貫通孔４７０Ｂの断面形状を模式的に示す。
【００５５】
この丸枠内に示すように、貫通孔４７０Ｂでは、図４に示した貫通孔４７０Ａに比べて、狭窄部４８０Ｂの突出の程度が軽減されていることがわかる。換言すれば、狭窄部４８０Ｂにおいて、貫通孔４７０Ｂの延伸軸Ｃに対して垂直な断面の開口寸法は、図４に示した狭窄部４８０Ａにおける開口寸法よりも大きくなっている。
【００５６】
ガラス基板４５０にこのような形状の貫通孔４７０Ｂが形成された場合、以降の工程において、貫通孔４７０Ｂ内に充填物質を充填することが比較的容易となり、貫通孔４７０Ｂ内を充填物質で適正に充填することが可能となる。
【００５７】
放電完了後の貫通孔４７０Ｂの第１の開口４７２Ｂの寸法は、例えば２０μｍ〜３００μｍの範囲であり、第２の開口４７４Ｂの寸法は、例えば１０μｍ〜３００μｍの範囲である。
【００５８】
なお、ガラス基板４５０に対して複数の貫通孔４７０Ｂを形成する場合、前述のステップＳ１１０〜ステップＳ１２０の工程が繰り返される。
【００５９】
ここで、前述のステップＳ１１０とステップＳ１２０の間の時間、すなわちガラス基板４５０に収束レーザ光４２５を照射して、ガラス基板４５０に貫通孔４７０Ａを形成した後から、ガラス基板４５０に直流放電電圧を印加して、放電を発生させるまでの時間（以下、「第１の放電待ち時間」と称する）は、特に限られない。ただし、第１の放電待ち時間が極端に長くなると、ステップＳ１１０において加熱されたガラス基板４５０が冷却されてしまい、ステップＳ１２０において、放電が生じなくなるという問題が生じ得る。
【００６０】
第１の放電待ち時間は、例えば、０μ秒〜５００μ秒の範囲であることが好ましく、０μ秒〜２００μ秒の範囲であることがより好ましい。
【００６１】
（本発明の別の実施例によるガラス基板に貫通孔を形成する方法について）
次に、図６を参照して、本発明の別の実施例によるガラス基板に貫通孔を形成する方法（以下、「第２の貫通孔形成方法」と称する）について説明する。
【００６２】
図６には、第２の貫通孔形成方法の概略的なフローを模式的に示す。
【００６３】
図６に示すように、第２の貫通孔形成方法は、
ガラス基板にレーザ光を照射する工程であって、これにより、前記ガラス基板の照射領域に、第１の表面から第２の表面に至る貫通孔が形成され、該貫通孔は、狭窄部を有する工程（ステップＳ２１０）と、
前記ガラス基板に、高周波高電圧を印加する工程（ステップＳ２２０）と、
前記ガラス基板の第１の表面および第２の表面の間に直流電圧を印加し、前記貫通孔を介した放電を生じさせる工程であって、これにより、前記貫通孔の狭窄部において、前記貫通孔の延伸軸に対して略垂直な方向の断面の開口寸法が広げられる工程（ステップＳ２３０）と、
を有する。
【００６４】
ここで、図６に示した第２の貫通孔形成方法におけるステップＳ２１０およびステップＳ２３０は、それぞれ、前述の第１の貫通孔形成方法におけるステップＳ１１０およびステップＳ１２０と実質的に同様である。そこで、ここでは、ステップＳ２２０の工程についてのみ、詳しく説明することにする。なお、以下の説明において、第１の貫通孔形成方法で使用した部材と同様の部材には、図４および図５において使用した参照符号を使用する。
【００６５】
（ステップＳ２２０）
第２の貫通孔形成方法では、ステップＳ２１０の後、すなわち、ガラス基板４５０に収束レーザ光４２５を照射し、ガラス基板４５０の照射領域４６０に貫通孔４７０Ａを形成した後、ガラス基板４５０に対して、高周波高電圧が印加される。
【００６６】
高周波高電圧の印加の際には、例えば、図５に示したような一組の電極５３０Ａ、５３０Ｂが使用されてもよい。この場合、図５に示すように、第１の電極５３０Ａは、ガラス基板４５０の第１の表面４５２の側の、貫通孔４７０Ａの近傍に配置され、第２の電極５３０Ｂは、ガラス基板４５０の第２の表面４５４の側の、貫通孔４７０Ａの近傍に配置される。
【００６７】
印加される高周波高電圧は、周波数が例えば１００ｋＨｚ〜１００ＭＨｚの範囲であってもよい。また、印加される高周波高電圧は、電圧が例えば１００Ｖ〜１００００Ｖの範囲であってもよい。
【００６８】
高周波高電圧によるプラズマ放電を発生させ、ガラス基板４５０の孔４７０Ａに対して貫通させることにより、孔４７０Ａの孔壁面が加熱される。
【００６９】
ガラス基板４５０に対して、そのような高周波高電圧を印加することにより、貫通孔４７０Ａのようなガラス基板４５０内の低抵抗部分を含む領域が局部的に加熱される。
【００７０】
このステップＳ２２０の目的は、貫通孔４７０Ａを有するガラス基板４５０に対して以降のステップＳ２３０が実施されるまでの間に、ガラス基板４５０の貫通孔４７０Ａの部分およびその近傍の温度が低下することを抑制すること、すなわち収束レーザ光４２５の照射によって加熱されたガラス基板４５０の貫通孔４７０Ａの部分の高温状態を、以降のステップＳ２３０開始まで確実に維持することである。
【００７１】
ステップＳ２２０を実施することにより、その後のステップＳ２３０において、直流電圧印加による放電現象を確実に実施することが可能となる。すなわち、ステップＳ２３０において、ガラス基板４５０の温度低下のため、ガラス基板４５０を介して、十分な放電が生じなくなるという問題を有意に抑制できる。
【００７２】
なお、ステップＳ２１０とステップＳ２２０の実施のタイミング、すなわちガラス基板４５０に収束レーザ光４２５を照射して、ガラス基板４５０に貫通孔４７０Ａを形成した後から、ガラス基板４５０に高周波高電圧を印加するまでの間の時間は、特に限られない。ただし、両者の間の時間が長くなりすぎると、レーザ光照射によるガラス基板の温度上昇の効果が維持されなくなる。従って、ステップＳ２１０とステップＳ２２０の間の時間は、できる限り短いことが好ましい。また、例えば、ガラス基板４５０に高周波高電圧を印加する工程は、収束レーザ光４２５による照射工程とオーバーラップするように実施してもよい。
【００７３】
同様に、ステップＳ２２０とステップＳ２３０の間の時間、すなわちガラス基板４５０への高周波高電圧の印加が完了してから、ガラス基板４５０に直流電圧を印加させて、放電を発生させるまでの時間（以下、「第２の放電待ち時間」と称する）は、特に限られない。ただし、前述の第１の放電待ち時間と同様に、第２の放電待ち時間が極端に長くなると、ステップＳ２２０において加熱されたガラス基板４５０が冷却されてしまい、ステップＳ２３０において、放電が生じなくなるという問題が生じ得る。
【００７４】
従って、第２の放電待ち時間は、例えば、０μ秒〜５００μ秒の範囲であることが好ましく、０μ秒〜２００μ秒の範囲であることがより好ましい。
【００７５】
図６に示したような第２の貫通孔形成方法においても、第１の貫通孔形成方法と同様に、貫通孔４７０Ｂ内の狭窄部４８０Ｂにおいて、貫通孔４７０Ｂの延伸軸Ｃに対して垂直な断面の開口寸法を有意に大きくできる。従って、この第２の貫通孔形成方法により形成された貫通孔４７０Ｂを有するガラス基板４５０では、貫通孔４７０Ｂ内に充填物質を充填することが比較的容易となり、貫通孔４７０Ｂ内を充填物質で適正に充填することが可能となる。
【実施例】
【００７６】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００７７】
（比較例１）
図４に示したような装置１００を用いて、レーザ光照射によりガラス基板に貫通孔を形成し、貫通孔内の狭窄部の状態を評価した。
【００７８】
ガラス基板として、厚さが０．３ｍｍの無アルカリガラスを使用した。
【００７９】
また、レーザ光源には、波長が９．３μｍのＣＯ２レーザ光源を使用した。レーザ出力は、５０Ｗとし、照射レーザ光は、ＣＷ波形（オンタイム約８００μ秒）とした。
【００８０】
照射領域における収束レーザ光のスポット直径は、約７０μｍとした。
【００８１】
これにより、ガラス基板には、第１の開口（レーザ光照射側の開口）が約７０μｍ、第２の開口（レーザ光非照射側の開口）が約５０μｍの略テーパ状の貫通孔が形成された。
【００８２】
図７には、レーザ光照射によりガラス基板に形成された貫通孔の断面形状の一例を示す。図７において、ガラス基板の上側がレーザ光照射側に相当する。
【００８３】
図７から、貫通孔内には、第１の開口から約２０μｍ〜３０μｍの深さ位置に、大きな狭窄部が形成されていることが観測される。狭窄部の位置では、貫通孔の延伸軸に対して略垂直な方向における断面の開口寸法は、４０μｍ未満であり、狭窄部の存在により、開口寸法が大きく低下していることがわかった。
【００８４】
（実施例１）
前述の図３に示したような第１の貫通孔形成方法により、ガラス基板に貫通孔を形成し、貫通孔内の狭窄部の状態を評価した。
【００８５】
ここで、ステップＳ１１０におけるレーザ光を照射する工程には、図４に示したような装置１００を使用し、比較例１と同様の条件で、ガラス基板にレーザ光を照射した。また、ステップＳ１２０における直流放電電圧印加による放電工程では、ガラス基板の両側に設置した電極間に、５０００Ｖの電圧を印加した。
【００８６】
なお、ガラス基板に対する収束レーザ光によって孔が貫通してから放電が生じるまでの時間、すなわち第１の放電待ち時間は、２００μ秒とした。
【００８７】
これにより、ガラス基板には、第１の開口（レーザ光照射側の開口）が約７０μｍ、第２の開口（レーザ光非照射側の開口）が約５０μｍの略テーパ状の貫通孔が形成された。
【００８８】
図８には、処理後にガラス基板に形成された貫通孔の断面形状の一例を示す。図８において、ガラス基板の上側がレーザ光照射側に相当する。
【００８９】
図８から、貫通孔内には、狭窄部がほとんど形成されていないことがわかる。
【００９０】
このように、本発明の一実施例では、貫通孔内に大きな狭窄部が形成されることを有意に抑制できることが確認された。
【産業上の利用可能性】
【００９１】
本発明は、レーザ光照射によりガラス基板に貫通孔を形成する方法等に利用できる。
【符号の説明】
【００９２】
５０      ガラス基板
５２      第１の表面
５４      第２の表面
７０      貫通孔
７２      第１の開口
７４      第２の開口
８０      狭窄部
１５０    ガラス基板
１５２    第１の表面
１５４    第２の表面
１７０    貫通孔
１７２    第１の開口
１７４    第２の開口
１８０    狭窄部
４００    装置
４１０    レーザ光源
４１５    レーザ光
４２０    レンズ
４２５    収束レーザ光
４５０    ガラス基板
４５２    第１の表面
４５４    第２の表面
４６０    照射領域
４７０Ａ、４７０Ｂ  貫通孔
４７２Ａ、４７２Ｂ  第１の開口
４７４Ａ、４７４Ｂ  第２の開口
４８０Ａ、４８０Ｂ  狭窄部
５００    装置
５３０Ａ、５３０Ｂ  電極
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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