(57)【要約】【課題】熱膨張率の差から生じる応力を緩和することにより接続信頼性を向上することができる多層フレキシブル基板を提供する。【解決手段】多層フレキシブル基板１０の各接続端子１２ａが、リジット基板２０の一方主面に設けられた複数の外部電極２１に接続されて、リジット基板２０に搭載された発熱部品から発生する熱によりリジット基板２０と多層フレキシブル基板１０との接続部分が加熱されたときに、多層フレキシブル基板１０の積層体１１の熱膨張による変形が膨張吸収部としてのスリット１３ａにより緩和される。したがって、熱膨張率の差から多層フレキシブル基板１０とリジット基板２０との接続部分に生じる応力を、スリット１３ａで多層フレキシブル基板１０の積層体１１の変形を吸収することにより緩和することができるので、多層フレキシブル基板１０とリジット基板２０との接続信頼性を向上することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
可撓性を有する複数の樹脂絶縁層が積層されて成る積層体と、
前記積層体の一方主面を形成する前記樹脂絶縁層の所定範囲に複数の外部接続用の接続端子が形成されて成る接続部とを備え、
前記接続部の前記各接続端子がリジット基板の一方主面に設けられた複数の外部電極に接続される多層フレキシブル基板において、
前記接続部が形成された前記樹脂絶縁層の、１つの前記接続端子と異なる前記接続端子との間の位置に、前記積層体の熱膨張による変形を緩和する膨張吸収部が形成されている
ことを特徴とする多層フレキシブル基板。
【請求項２】
前記膨張吸収部を第１の膨張吸収部として、該第１の膨張吸収部が形成された前記樹脂絶縁層と異なる他の前記樹脂絶縁層に、平面視で前記接続部に重なるように第２の膨張吸収部が形成されていることを特徴とする請求項１に記載の多層フレキシブル基板。
【請求項３】
前記第１の膨張吸収部はスリットにより形成され、
前記接続部が形成された前記樹脂絶縁層に、前記第１の膨張吸収部のスリットと異なる方向に第３の膨張吸収部としてのスリットがさらに形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の多層フレキシブル基板。
【請求項４】
前記樹脂絶縁層を平面視して、前記樹脂絶縁層の少なくとも１つの接続端子が前記第１の膨張吸収部と前記第３の膨張吸収部により囲まれていることを特徴とする請求項３に記載の多層フレキシブル基板。
【請求項５】
前記積層体の他方主面を形成する前記樹脂絶縁層に、平面視で前記接続部に重なる領域に少なくともその一部が重なるようにアーチ状のたわみが設けられていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれかに記載の多層フレキシブル基板。
【請求項６】
前記積層体の他方主面を形成する前記樹脂絶縁層と異なる他の前記樹脂絶縁層に、前記たわみと異なる他のたわみがさらに設けられていることを特徴とする請求項５に記載の多層フレキシブル基板。
【請求項７】
請求項１ないし６のいずれかに記載の多層フレキシブル基板が、前記多層フレキシブル基板よりもその熱膨張率が小さい前記リジット基板に接続されている
ことを特徴とする基板モジュール。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、接続部に設けられた複数の外部接続用の接続端子がリジット基板に設けられた複数の外部電極に接続される多層フレキシブル基板およびこの基板を備える基板モジュールに関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の小型化および薄型化並びに高機能化が進んでいる。したがって、小型化および薄型化された電気機器の筺体内の狭いスペースに対応するため、種々の電子部品が搭載されたＦＲ４規格のプリント基板やアルミナ基板、低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板などの複数のリジット基板が、採用されている。例えば、図１２に示すように、リジット基板５０１，５０２どうしが可撓性を有する多層フレキシブル基板５０３により接続されて、多層フレキシブル基板５０３が折り曲げられることにより各リジット基板５０１，５０２が電子機器の筐体内に三次元的に配置される（例えば特許文献１参照）。また、各リジット基板５０１，５０２それぞれに設けられた外部電極５０１ａ，５０２ａと、多層フレキシブル基板５０３の両端に設けられた接続端子５０３ａ，５０３ｂとは、はんだや導電性シート、超音波接合により接続される。なお、図１２は従来の多層フレキシブル基板を示す図である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平８−１６２７５７号公報（段落００３９〜００４１、図１，２など）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、電子部品として発熱部品がリジット基板に搭載されている場合に、次のような問題が生じるおそれがある。すなわち、発熱部品の熱が、リジット基板５０１，５０２を構成する絶縁層やリジット基板５０１，５０２に設けられた配線パターンを介して、リジット基板５０１，５０２と多層フレキシブル基板５０３との接続部分（外部電極５０１ａ，５０２ａ、接続端子５０３ａ，５０３ｂ）に伝達される。このとき、リジット基板５０１，５０２と多層フレキシブル基板５０３の熱膨張率が異なるため、熱膨張率の差に起因して、リジット基板５０１，５０２と多層フレキシブル基板５０３との接続部分に応力が生じるおそれがある。
【０００５】
リジット基板５０１，５０２と多層フレキシブル基板５０３との接続部分に、熱膨張率の差に起因する応力が生じると、各接続端子５０３ａ，５０３ｂが、それぞれ、外部電極５０１ａ，５０２ａから剥離したり、リジット基板５０１，５０２および多層フレキシブル基板５０３に設けられた配線パターンが断線するおそれがある。
【０００６】
また、各リジット基板５０１，５０２が電子機器の筐体内に配置される際に、多層フレキシブル基板５０３が折り曲げられることにより、リジット基板５０１，５０２と多層フレキシブル基板５０３との接続部分に応力が生じるおそれがある。リジット基板５０１，５０２と多層フレキシブル基板５０３との接続部分に、多層フレキシブル基板５０３の折り曲げに伴う応力が生じると、各接続端子５０３ａ，５０３ｂが、それぞれ、外部電極５０１ａ，５０２ａから剥離するおそれがある。
【０００７】
この発明は、上記した課題に鑑みてなされたものであり、熱膨張率の差から生じる応力を緩和することにより接続信頼性を向上することができる多層フレキシブル基板を提供することを第１の目的とする。
【０００８】
また、折り曲げに伴う応力を緩和することにより接続信頼性を向上することができる多層フレキシブル基板を提供することを第２の目的とする。
【０００９】
また、多層フレキシブル基板とリジット基板との間の接続信頼性の向上が図られた基板モジュールを提供することを第３の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記した第１の目的を達成するために、本発明の多層フレキシブル基板は、可撓性を有する複数の樹脂絶縁層が積層されて成る積層体と、前記積層体の一方主面を形成する前記樹脂絶縁層の所定範囲に複数の外部接続用の接続端子が形成されて成る接続部とを備え、前記接続部の前記各接続端子がリジット基板の一方主面に設けられた複数の外部電極に接続される多層フレキシブル基板において、前記接続部が形成された前記樹脂絶縁層の、１つの前記接続端子と異なる前記接続端子との間の位置に、前記積層体の熱膨張による変形を緩和する膨張吸収部が形成されていることを特徴としている。
【００１１】
このように構成された発明では、複数の樹脂絶縁層が積層されて成る積層体の一方主面を形成する樹脂絶縁層に接続部が設けられている。接続部は、樹脂絶縁層の所定範囲に形成された複数の外部接続用の接続端子を備えている。また、接続部が形成された樹脂絶縁層には、１つの接続端子と異なる接続端子との間の位置に、積層体の熱膨張による変形を緩和する膨張吸収部が形成されている。
【００１２】
そのため、接続部の各接続端子が、リジット基板の一方主面に設けられた複数の外部電極に接続されて、リジット基板に搭載された発熱部品から発生する熱によりリジット基板と多層フレキシブル基板との接続部分が加熱されたときに、多層フレキシブル基板の積層体の熱膨張による変形が膨張吸収部により緩和される。したがって、多層フレキシブル基板およびリジット基板の熱膨張率の差から、多層フレキシブル基板とリジット基板との接続部分に生じる応力を、膨張吸収部で多層フレキシブル基板の積層体の変形を吸収することにより緩和することができるので、多層フレキシブル基板とリジット基板との接続信頼性を向上することができる多層フレキシブル基板を提供することができる。
【００１３】
また、前記膨張吸収部を第１の膨張吸収部として、該第１の膨張吸収部が形成された前記樹脂絶縁層と異なる他の前記樹脂絶縁層に、平面視で前記接続部に重なるように第２の膨張吸収部が形成されているとよい。
【００１４】
このように構成すると、多層フレキシブル基板の積層体を構成する複数の樹脂絶縁層に渡って第１および第２の膨張吸収部が形成されているので、多層フレキシブル基板の積層体の熱膨張による変形を各樹脂絶縁層に設けられた第１および第２の膨張吸収部によりさらに効率よく緩和することができる。
【００１５】
また、前記第１の膨張吸収部はスリットにより形成され、前記接続部が形成された前記樹脂絶縁層に、前記第１の膨張吸収部のスリットと異なる方向に第３の膨張吸収部としてのスリットがさらに形成されているとよい。
【００１６】
このように構成すると、多層フレキシブル基板の積層体の熱膨張による変形が、第１の膨張吸収部のスリットが変形することにより緩和される。また、第３の膨張吸収部のスリットが、第１の膨張吸収部のスリットと異なる方向に形成されている。そのため、多層フレキシブル基板の積層体が、第１の膨張吸収部により緩和される変形とは異なる方向へ熱膨張により変形するのが、第３の膨張吸収部のスリットが変形することにより緩和される。したがって、多層フレキシブル基板の積層体が変形することにより、多層フレキシブル基板とリジット基板との接続部分において異なる方向に生じる応力を第１および第３の膨張吸収部により効率よく緩和することができる。
【００１７】
また、前記樹脂絶縁層を平面視して、前記樹脂絶縁層の少なくとも１つの接続端子が前記第１の膨張吸収部と前記第３の膨張吸収部により囲まれていてもよい。
【００１８】
このようにすると、多層フレキシブル基板とリジット基板との接続部分において異なる方向に生じる応力を第１および第３の膨張吸収部によりさらに効率よく緩和することができる。
【００１９】
また、上記した第２の目的を達成するために、本発明の多層フレキシブル基板は、前記積層体の他方主面を形成する前記樹脂絶縁層に、平面視で前記接続部に重なる領域に少なくともその一部が重なるようにアーチ状のたわみが設けられていることを特徴としている。
【００２０】
このように構成された発明では、多層フレキシブル基板と接続されたリジット基板が例えば電子機器の筐体内に配置される際、多層フレキシブル基板が折り曲げられるときに、次のような効果を奏することができる。すなわち、平面視で接続部に重なる領域に少なくともその一部が重なるように、積層体の他方主面を形成する樹脂絶縁層にアーチ状のたわみが設けられている。そのため、多層フレキシブル基板の接続部近傍における断面二次モーメントが大きくなるので、多層フレキシブル基板の接続部近傍において捻りや曲がりが生じるのを抑制することができる。したがって、多層フレキシブル基板とリジット基板との接続部分に、多層フレキシブル基板の折り曲げに伴う応力が生じるのを緩和することができるので、多層フレキシブル基板とリジット基板との接続信頼性を向上することができる多層フレキシブル基板を提供することができる。
【００２１】
また、前記積層体の他方主面を形成する前記樹脂絶縁層と異なる他の前記樹脂絶縁層に、前記たわみと異なる他のたわみがさらに設けられているとよい。
【００２２】
このように構成すると、多層フレキシブル基板の積層体を構成する複数の樹脂絶縁層に渡ってたわみが設けられているので、多層フレキシブル基板の折り曲げに伴って接続部近傍において多層フレキシブル基板に捻りや曲がりが生じるのを、各樹脂絶縁層に設けられたたわみによりさらに効率よく防止することができる。
【００２３】
また、上記した第３の目的を達成するために、本発明の基板モジュールは、請求項１ないし５のいずれかに記載の多層フレキシブル基板が、前記多層フレキシブル基板よりもその熱膨張率が小さい前記リジット基板に接続されていることを特徴としている。
【００２４】
このように構成された発明では、多層フレキシブル基板とリジット基板との接続部分に熱膨張率の差から生じる応力が膨張吸収部により緩和されることにより、多層フレキシブル基板とリジット基板との間の接続信頼性の向上が図られた基板モジュールを提供することができる。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、多層フレキシブル基板の接続部の各接続端子が、リジット基板の一方主面に設けられた複数の外部電極に接続されて、リジット基板に搭載された発熱部品から発生する熱によりリジット基板と多層フレキシブル基板との接続部分が加熱されたときに、多層フレキシブル基板の積層体の熱膨張による変形が膨張吸収部により緩和される。したがって、多層フレキシブル基板およびリジット基板の熱膨張率の差から、多層フレキシブル基板とリジット基板との接続部分に生じる応力を、膨張吸収部で多層フレキシブル基板の積層体の変形を吸収することにより緩和することができるので、多層フレキシブル基板とリジット基板との接続信頼性を向上することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明の第１実施形態にかかる基板モジュールを示す斜視図である。
【図２】図１の要部拡大図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【図３】図２の多層フレキシブル基板の変形例を示す裏面図である。
【図４】図２の多層フレキシブル基板の変形例を示す裏面図である。
【図５】図２の多層フレキシブル基板の変形例を示す裏面図である。
【図６】図２の多層フレキシブル基板の変形例を示す裏面図である。
【図７】本発明の第２実施形態にかかる多層フレキシブル基板の裏面図である。
【図８】図７の多層フレキシブル基板の変形例を示す裏面図である。
【図９】図７の多層フレキシブル基板の変形例を示す裏面図である。
【図１０】本発明の第３実施形態にかかる基板モジュールを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。
【図１１】本発明の第４実施形態にかかる基板モジュールを示す断面図である。
【図１２】従来の多層フレキシブル基板を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
＜第１実施形態＞
本発明の第１実施形態について図１および図２を参照して説明する。図１は本発明の第１実施形態にかかる基板モジュールを示す斜視図、図２は図１の要部拡大図であって、（ａ）は外部接続用の接続端子が形成されていない主面側から見た平面図、（ｂ）は図１および（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図、（ｃ）は図１および（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図である。
【００２８】
図１および図２（ａ）〜（ｃ）に示すように、基板モジュール１は、可撓性を有する多層フレキシブル基板１０と、リジット基板２０とを備え、例えば、電子機器の筐体内に配置される。
【００２９】
多層フレキシブル基板１０は、一例として、３層の樹脂絶縁層１１ａ〜１１ｃが積層されて成る積層体１１と、積層体１１の一方主面を形成する樹脂絶縁層１１ａの所定範囲に複数の外部接続用の接続端子１２ａがＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の一般的な導電材料により形成されて成る接続部１２とを備えている。各樹脂絶縁層１１ａ〜１１ｃは、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ、線膨張係数α：４０〜４７ｐｐｍ／℃（１５０℃以下））、ポリエーテルイミド（ＰＥＩ、線膨張係数α：４７〜５６ｐｐｍ／℃）、ポリイミド（ＰＩ、線膨張係数α：４５〜５６ｐｐｍ／℃）など、フレキシブル基板を形成する一般的な樹脂材料により形成される。
【００３０】
接続部１２は平面視して、リジット基板２０とフレキシブル基板１０が重なる箇所と定義する。この実施形態では、樹脂絶縁層１１ｂの一方主面にＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等を含む一般的な導電材料により形成された複数の配線パターン１２ｂと、樹脂絶縁層１１ａの一方主面に形成された各接続端子１２ａとが、樹脂絶縁層１１ａにＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等を含む一般的な導電材料により設けられたビア導体１２ｃを介して接続されて形成されている。また、各接続端子１２ａは、多層フレキシブル基板１０の端縁に沿って直線状に配置されている。
【００３１】
また、接続部１２が形成された樹脂絶縁層の１１ａの各接続端子１２ａ間に、それぞれ、積層体１１の熱膨張による変形を緩和する第１の膨張吸収部としてスリット１３ａが配線パターン１２ｂの方向に沿って形成されている。また、スリット１３ａが形成された樹脂絶縁層１１ａと異なる他の全ての樹脂絶縁層１１ｂ，１１ｃに、平面視で接続部１２に重なるように第２の膨張吸収部としてスリット１３ｂが形成されている。また、スリット１３ａが形成された樹脂絶縁層１１ａに、スリット１３ａと異なる方向に第３の膨張吸収部としてのスリット１３ｃがさらに形成されている。
【００３２】
なお、この実施形態では、樹脂絶縁層１１ａにそれぞれ異なる方向に形成されたスリット１３ａ，１３ｃのそれぞれに連通するように、樹脂絶縁層１１ｂ，１１ｃそれぞれにスリット１３ｂが形成されている。しかしながら、樹脂絶縁層１１ｂ，１１ｃそれぞれに形成されるスリット１３ｂは、樹脂絶縁層１１ａに形成された各スリット１３ａ，１３ｃに必ずしも連通する必要はなく、樹脂絶縁層１１ｂ，１１ｃの平面視で接続部１２に重なる領域の任意の位置に、任意の数だけスリット１３ｂが形成されていればよい。
【００３３】
また、多層フレキシブル基板１０は、この実施形態では、例えば次のようにして形成される。すなわち、各樹脂絶縁層１１ａ〜１１ｃを形成する樹脂シートが用意され、樹脂シートの所定位置に、レーザー加工などによりビアホールやスリット１３ａ〜１３ｃが形成され、形成されたビアホールにＡｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ等の導電物質を含む導体ペーストが充填されて層間接続用のビア導体１２ｃが形成され、導体ペーストによる印刷により種々の配線パターン１２ｂが形成される。その後、各樹脂シートが積層、圧着された後、金型により所定形状に加工されることにより、多層フレキシブル基板１０が形成される。
【００３４】
なお、多層フレキシブル基板１０は、上記した方法に限らず、一般的なフレキシブル基板の形成方法により製造してもよい。例えば、配線パターン１２は、樹脂シートの一方主面に金属箔が貼り付けられて形成された金属膜や、蒸着法により形成された金属膜がエッチング加工されて形成されてもよい。
【００３５】
また、多層フレキシブル基板１０の層数は上記した数に限定されるものではなく、その使用目的に応じて、多層フレキシブル基板１０の層数を決定すればよい。例えば、樹脂シートの一方主面に設けられた配線パターンの接続端子に相当する部分が露出するように、樹脂シートの一方主面にカバーレイフィルムが積層されることにより、２層構造の多層フレキシブル基板が形成されてもよい。また、多層フレキシブル基板１０に種々の電子部品が内蔵されていてもよい。また、各スリット１３ａ〜１３ｃは、金型により多層フレキシブル基板１０を構成する各樹脂絶縁層の外形が加工される際に同時に打ち抜かれて形成されるようにしてもよい。
【００３６】
リジット基板２０は、ＦＲ４規格のプリント基板（線膨張係数α：１２〜１８ｐｐｍ／℃や）、アルミナ基板や低温同時焼成セラミック（ＬＴＣＣ）基板等のセラミック基板（線膨張係数α：５〜９ｐｐｍ／℃）などの基板により形成されている。また、リジット基板２０の熱膨張率は、多層フレキシブル基板１０よりも小さく構成されている。また、リジット基板２０の一方主面に、複数の外部電極２１が多層フレキシブル基板１０の各接続端子１２ａのそれぞれに対向するように直線状に設けられている。また、リジット基板２０は、多層構造および単層構造のいずれに構成されていてもよい。また、基板モジュール１の使用目的に応じて、適宜、種々の電子部品がリジット基板２０に搭載される。また、リジット基板２０内に種々の電子部品が内蔵されていてもよい。
【００３７】
そして、多層フレキシブル基板１０の接続部１２の各接続端子１２ａが、多層フレキシブル基板１０よりもその熱膨張率が小さいリジット基板２０の外部電極２１に、はんだや導電性シート、超音波接合により接続されている。
【００３８】
以上のように、この実施形態では、複数の樹脂絶縁層１１ａ〜１１ｃが積層されて成る積層体１１の一方主面を形成する樹脂絶縁層１１ａに接続部１２が設けられている。接続部１２は、樹脂絶縁層１１ａの所定範囲に形成された複数の外部接続用の接続端子１２ａを備えている。また、接続部１２が形成された樹脂絶縁層１１ａには、各接続端子１２ａ間に、積層体１１の熱膨張による変形を緩和する第１の膨張吸収部としてのスリット１３ａが形成されている。
【００３９】
そのため、接続部１２の各接続端子１２ａがリジット基板２０の一方主面に設けられた複数の外部電極２１に接続されて、リジット基板２０に搭載された発熱部品から発生する熱によりリジット基板２０と多層フレキシブル基板１０との接続部分が加熱されたときに、リジット基板２０よりもその熱膨張率が大きい多層フレキシブル基板１０の積層体１１の熱膨張による変形が、スリット１３ａが変形することにより緩和される。したがって、多層フレキシブル基板１０およびリジット基板２０の熱膨張率の差から、多層フレキシブル基板１０とリジット基板２０との接続部分に生じる応力を、第１の膨張吸収部としてのスリット１３ａが変形することで多層フレキシブル基板１０の積層体１１の変形を吸収することにより緩和することができるので、多層フレキシブル基板１０とリジット基板２０との接続信頼性を向上することができる。
【００４０】
また、スリット１３ａが形成された樹脂絶縁層１１ａと異なる他の全ての樹脂絶縁層１１ｂ，１１ｃに、平面視で接続部１２に重なるように第２の膨張吸収部としてのスリット１３ｂが形成されている。したがって、多層フレキシブル基板１０の積層体１１を構成する各樹脂絶縁層１１ａ〜１１ｃに渡ってスリット１３ａ，１３ｂが形成されているので、多層フレキシブル基板１０の積層体１１の熱膨張による変形を各樹脂絶縁層１１ａ〜１１ｃに設けられたスリット１３ａ，１３ｂが変形することによりさらに効率よく緩和することができる。
【００４１】
また、スリット１３ａが形成された樹脂絶縁層１１ａに、スリット１３ａと異なる方向に第３の膨張吸収部としてのスリット１３ｃがさらに形成されている。そのため、多層フレキシブル基板１０の積層体１１が、第１の膨張吸収部としてのスリット１３ａにより緩和される変形とは異なる方向へ熱膨張により変形するのが、第３の膨張吸収部としてのスリット１３ｃが変形することにより緩和される。したがって、多層フレキシブル基板１０の積層体１１が変形することにより、多層フレキシブル基板１０とリジット基板２０との接続部分において異なる方向に生じる応力を各スリット１３ａ，１３ｃが変形することにより効率よく緩和することができる。
【００４２】
また、多層フレキシブル基板１０の熱膨張による変形が各膨張吸収部により緩和されて、各接続端子１２ａがリジット基板２０の外部電極２１から剥離したりするのが防止されるので、各接続端子１２ａの狭ギャップ化を図ることができる。また、多層フレキシブル基板１０の熱膨張による変形が各膨張吸収部により緩和されることにより、多層フレキシブル基板１０に熱膨張による変形に起因する曲げ応力が生じるのが抑制されるので、電気的特性が変動するのを抑制することができる。
【００４３】
また、多層フレキシブル基板１０に形成された各スリット１３ａ，１３ｃを基準にして位置合わせすることができるので、多層フレキシブル基板１０の各接続端子１２ａとリジット基板１０の外部電極２１とを容易に位置合わせすることができる。
【００４４】
また、多層フレキシブル基板１０とリジット基板２０との接続部分に熱膨張率の差から生じる応力が膨張吸収部としての各スリット１３ａ〜１３ｃにより緩和されることで、多層フレキシブル基板１０とリジット基板２０との間の接続信頼性の向上が図られた基板モジュール１を提供することができる。
【００４５】
（変形例）
次に、多層フレキシブル基板１０の変形例について図３〜図６を参照して説明する。図３〜図６は図２（ａ）の多層フレキシブル基板の変形例を示し、外部接続用の接続端子が形成された主面側から見た裏面図である。なお、以下では、樹脂絶縁層１１ａに形成されたスリット１３ａ，１３ｃの構成を例に挙げて説明するが、上記した実施形態と同様に、樹脂絶縁層１１ｂ，１１ｃの所定位置にスリット１３ｂが形成されていてもよい。また、上記した実施形態と同様の構成については、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
【００４６】
図３に示す変形例では、一部のスリット１３ａ，１３ｃが連通して形成されている。また、図４に示す変形例では、各接続端子１２ａのうち、略中央部分に配置されている１つの接続端子１２ａとそれに隣接する接続端子１２ａとの間の位置に、上記した実施形態のスリットよりも長いスリット１３ａが形成されている。具体的には、スリット１３ａは、各接続端子１２ａを超えて、配線パターン１２ｂに沿って形成されている。
【００４７】
また、図５に示す変形例では、各接続端子１２ａのうち、略中央部分に配置されている１つの接続端子１２ａとそれに隣接する接続端子１２ａとの間の位置に、図４に示す例よりも、幅が広く、長手方向における両端がテーパ状に先細りする形状のスリット１３ａが形成されている。また、図６に示す変形例では、各接続端子１２ａが、多層フレキシブル基板１０の端縁に向かってＣ字状に配置されている。そして、多層フレキシブル基板１０の幅方向における両側のそれぞれに配置された各接続端子１２ａの間に２個のスリット１３ａが対向配置して形成されている。また、各スリット１３ａ間に、スリット１３ａにほぼ直交する方向にスリット１３ｃが形成されている。
【００４８】
また、各接続端子１２ａを図６に示すように配置することにより、各接続端子１２ａが直線状に配置されている構成と比較して、多層フレキシブル基板１０とリジット基板２０との接続強度の向上を図ることができる。また、複数の接続端子１２ａが、所定数ごとにまとめて配置されることにより、各接続端子１２ａが直線上に配置される構成と比較すると、積層体１１が熱膨張することにより各接続端子１２ａに生じる応力を分断して緩和することができる。
【００４９】
＜第２実施形態＞
本発明の第２実施形態について図７を参照して説明する。図７は本発明の第２実施形態にかかる多層フレキシブル基板の裏面図である。
【００５０】
この実施形態が上記した実施形態と異なるのは、各接続端子１２ａが、多層フレキシブル基板１０の端縁に向かってＣ字状に配置されており、多層フレキシブル基板１０（各樹脂絶縁層１１ａ〜１１ｃ）の各接続端子１２ａに囲まれる領域に、その外形が各接続端子１２ａに沿うように矩形状の切欠１３ｄが膨張吸収部として形成されている点である。その他の構成は上記した実施形態と同様であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
【００５１】
この実施形態でも上記した実施形態と同様の効果を奏することができる。なお、切欠１３ｄは少なくとも樹脂絶縁層１１ａに形成されていればよい。
【００５２】
（変形例）
次に、多層フレキシブル基板の変形例について図８および図９を参照して説明する。図８および図９は図７の多層フレキシブル基板の変形例を示す裏面図である。なお、上記した実施形態と同様の構成については、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
【００５３】
図８に示す変形例では、矩形状の切欠１３ｄのその開口と反対側の２つの角部に隣接する位置のそれぞれにスリット１３ａが形成されている。また、図９に示す変形例では、矩形状の切欠１３ｄの２つの角部に隣接する位置のそれぞれにスリット１３ａが切欠１３ｄに連通して形成されている。
【００５４】
＜第３実施形態＞
本発明の第３実施形態について図１０を参照して説明する。図１０は本発明の第３実施形態にかかる基板モジュールを示す図であって、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＣ−Ｃ線矢視断面図である。
【００５５】
この実施形態が上記した実施形態と異なるのは、各接続端子１２ａが多層フレキシブル基板１００の幅方向における両側のそれぞれにおいて直線状に配置されて接続部１２が形成されている点である。また、多層フレキシブル基板１００の積層体１０１の他方主面を形成する樹脂絶縁層１０１ｄに、平面視で接続部１２に重なる領域に少なくともその一部が重なるようにアーチ状のたわみ３が設けられている。その他の構成は上記した実施形態と同様であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
【００５６】
多層フレキシブル基板１００は、４層の樹脂絶縁層１０１ａ〜１０１ｄが積層されて成る積層体１０１と、積層体１０１の一方主面を形成する樹脂絶縁層１０１ａの所定範囲に複数の外部接続用の接続端子１２ａが形成されて成る接続部１２とを備えている。各接続端子１２ａは、多層フレキシブル基板１００の幅方向における両側に、それぞれ３つずつ、端縁に沿って直線状に配置されている。
【００５７】
また、接続部１２が形成された樹脂絶縁層の１０１ａの幅方向における両側のそれぞれに設けられた接続端子１２ａの間に積層体１１の熱膨張による変形を緩和する第１の膨張吸収部としてスリット１３ａが形成されている。なお、上記した第１実施形態と同様に、各接続端子１２ａ間にスリット１３ａが形成されていてもよいし、樹脂絶縁層１０１ａにスリット１３ａと異なる方向に第３の膨張吸収部としてのスリット１３ｃが形成されていてもよい。また、スリット１３ａが形成された樹脂絶縁層１０１ａと異なる樹脂絶縁層１０１ｂ〜１０１ｄそれぞれに第２の膨張吸収部としてのスリット１３ｂが形成されていてもよい。
【００５８】
また、たわみ３は、例えば次のようにして樹脂絶縁層１０１ｄに形成される。すなわち、各樹脂絶縁層１０１ａ〜１０１ｄを形成する各樹脂シートが、樹脂絶縁層１０１ｃ，１０１ｄに相当する樹脂シート間にたわみを設けるための治具が配置された状態で積層される。そして、各樹脂シートが圧着された後、治具が除去されることにより、樹脂絶縁層１０１ｄにたわみ３が形成される。
【００５９】
以上のように、この実施形態では、上記した実施形態と同様の効果を奏することができると共に、以下のような効果を奏することができる。すなわち、平面視で接続部１２に重なる領域に少なくともその一部が重なるように、積層体１０１の他方主面を形成する樹脂絶縁層１０１ｄにアーチ状のたわみ３が設けられている。そのため、多層フレキシブル基板１００の接続部１２近傍における断面二次モーメントが大きくなるので、多層フレキシブル基板１００と接続されたリジット基板２０が例えば電子機器の筐体内に配置される際、多層フレキシブル基板１００が折り曲げられるときに、多層フレキシブル基板１００の接続部１２近傍において捻りや曲がりが生じるのを抑制することができる。したがって、多層フレキシブル基板１００とリジット基板２０との接続部分に、多層フレキシブル基板１００の折り曲げに伴う応力が生じるのを緩和することができるので、多層フレキシブル基板１００とリジット基板２０との接続信頼性を向上することができる。
【００６０】
また、多層フレキシブル基板１００の接続部１２近傍の捻りや曲がりが抑制されるので、配線パターン１２ｂ（信号ライン）間の異常接近による干渉や配線の折れ曲がりによって電気特性が変動するのを防止することができる。また、多層フレキシブル基板１００の接続部１２近傍の捻りや曲がりが抑制されるので、接続端子１２ａおよび外部電極２１間の接続の長期信頼性を向上することができると共に、当該接続のおける初期不良の防止を図ることができる。
【００６１】
＜第４実施形態＞
本発明の第４実施形態について図１１を参照して説明する。図１１は本発明の第４実施形態にかかる基板モジュールを示す断面図である。
【００６２】
この実施形態が上記した第３実施形態と異なるのは、多層フレキシブル基板２００の積層体２０１の他方主面を形成する樹脂絶縁層２０１ｃと異なる他の全ての樹脂絶縁層２０１ｂ，２０１ｃにアーチ状のたわみ３がさらに設けられている点である。その他の構成は上記した実施形態と同様であるため、同一符号を付すことによりその構成の説明は省略する。
【００６３】
以上のように、この実施形態では、上記した第３実施形態と同様の効果を奏することができると共に、以下のような効果を奏することができる。すなわち、多層フレキシブル基板２００の積層体２０１を構成する全ての樹脂絶縁層２０１ａ〜２０１ｃに渡ってたわみ３が設けられているので、多層フレキシブル基板２００の折り曲げに伴って接続部１２近傍において多層フレキシブル基板２００に捻りや曲がりが生じるのを、各樹脂絶縁層２０１ａ〜２０１ｃに設けられたたわみ３によりさらに効率よく防止することができる。
【００６４】
なお、本発明は上記した各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて、上記したもの以外に種々の変更を行なうことが可能であり、上記した構成をどのように組合わせてもよい。例えば、上記した実施形態において、接続部が設けられている樹脂絶縁層の、１つの接続端子と異なる接続端子との間の位置に、少なくとも１つの膨張吸収部が形成されていればよい。
【００６５】
また、上記した実施形態において、多層フレキシブル基板の層数は上記した例に限定されるものではなく、多層フレキシブル基板の使用目的に応じて層数を適宜決定すればよい。また、上記した第４実施形態において、たわみは、他方主面を形成する樹脂絶縁層と異なる他の樹脂絶縁層のうち、少なくとも１つ樹脂絶縁層に設けられていればよい。
【００６６】
また、樹脂絶縁層に形成された少なくとも１つの接続端子が平面視で第１の膨張吸収部および前記第３の膨張吸収部により囲まれるようにスリットが形成されているとよい。このようにすると、より効率よく接続部に生じる応力を緩和することができる。
【００６７】
そして、フレキシブル基板およびリジット基板の材質は上記した例に限定されるものではなく、フレキシブル基板の熱膨張率がリジット基板の熱膨張率よりも相対的に大きく、接続部に設けられた複数の外部接続用の接続端子がリジット基板に設けられた複数の外部電極に接続される多層フレキシブル基板およびこの基板を備える基板モジュールに本発明を広く適用することができる。
【符号の説明】
【００６８】
１    基板モジュール
１０，１００，２００    多層フレキシブル基板
１１，１０１，２０１    積層体
１１ａ〜１１ｃ，１０１ａ〜１０１ｄ，２０１ａ〜２０１ｃ    樹脂絶縁層
１２    接続部
１２ａ    接続端子
１３ａ    スリット（第１の膨張吸収部）
１３ｂ    スリット（第２の膨張吸収部）
１３ｃ    スリット（第３の膨張吸収部）
１３ｄ    切欠（膨張吸収部）
２０    リジット基板
２１    外部電極
３    たわみ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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