(57)【要約】【課題】密着性および剥離容易性（外部半導電層の剥ぎ取り易さ）に優れた電力ケーブルの製造方法を提供すること。【解決手段】導体１０と、前記導体１０の外周に被覆された絶縁層３０および外部半導電層４０と、を少なくとも備えた電力ケーブルの製造方法であって、前記導体１０の外周に、前記絶縁層３０を形成するための架橋前絶縁層を被覆する工程と、前記架橋前絶縁層を予備架橋して、予備架橋絶縁層とする工程と、前記予備架橋絶縁層上に、前記外部半導電層４０を形成するための架橋前外部半導電層を被覆する工程と、前記予備架橋絶縁層と前記架橋前外部半導電層とを本架橋する工程と、を備えることを特徴とする電力ケーブルの製造方法を提供する。【選択図】図１
2014154477.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導体と、前記導体の外周に被覆された絶縁層および外部半導電層と、を少なくとも備えた電力ケーブルの製造方法であって、
前記導体の外周に、前記絶縁層を形成するための架橋前絶縁層を被覆する工程と、
前記架橋前絶縁層を予備架橋して、予備架橋絶縁層とする工程と、
前記予備架橋絶縁層上に、前記外部半導電層を形成するための架橋前外部半導電層を被覆する工程と、
前記予備架橋絶縁層と前記架橋前外部半導電層とを本架橋する工程と、を備えることを特徴とする電力ケーブルの製造方法。
【請求項２】
前記予備架橋絶縁層のゲル分率を５０〜６５％の範囲とすることを特徴とする請求項１に記載の電力ケーブルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力ケーブルの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
導体の外周に、絶縁層として、内部半導電層、絶縁層および外部半導電層の３層の樹脂層を備える電力ケーブルを製造する方法として、たとえば、導体の外周に、内部半導電層、絶縁層および外部半導電層の３層を１工程で押し出した後に、これら３層を同時に架橋する方法が知られている（たとえば、特許文献１参照）。
【０００３】
このような電力ケーブルを構成する３層の樹脂層のうち、最外周側に位置する外部半導電層には、電気特性および機械特性が良好であることに加え、端末加工性が良好であることが要求されている。すなわち、絶縁層と良好に密着している一方で、端末加工時には絶縁層から容易に剥ぎ取れることが要求されている。このような外部半導電層は、フリーストリッピング型外部導電層と呼ばれており、通常、３．３ｋＶ以上の高電圧用電力ケーブル、とりわけ、３．３〜３３ｋＶの電力ケーブルに適用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−２２２３２４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記のようなフリーストリッピング型外部導電層を備える電力ケーブルを、上述した特許文献１に記載の方法のように、内部半導電層、絶縁層および外部半導電層の３層を１工程で押し出し、次いで、３層を同時に架橋する方法で製造する場合には、以下の課題を有する。すなわち、上述した特許文献１に記載の方法では、絶縁層と外部半導電層との間の密着性および剥離容易性（外部半導電層の剥ぎ取り易さ）を良好なものとするためには、絶縁層と外部半導電層とを、特性が大きく異なる樹脂で形成する必要があったり、あるいは、各層を構成する樹脂やその他の成分の配合を高精度に調整する必要があった。しかも、このように、絶縁層と外部半導電層とを特性が大きく異なる樹脂で形成した場合や、配合を高精度に調整した場合でも、押出し条件や架橋条件などが変化すると、架橋の状態が変化し、所望の密着性および剥離容易性が発現しない場合があり、そのため、製造条件を高精度に管理する必要があり、製造コストが増大してしまうという問題もある。
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、密着性および剥離容易性（外部半導電層の剥ぎ取り易さ）に優れた電力ケーブルの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
[１]本発明に係る電力ケーブルの製造方法は、導体と、前記導体の外周に被覆された絶縁層および外部半導電層と、を少なくとも備えた電力ケーブルの製造方法であって、前記導体の外周に、前記絶縁層を形成するための架橋前絶縁層を被覆する工程と、前記架橋前絶縁層を予備架橋して、予備架橋絶縁層とする工程と、前記予備架橋絶縁層上に、前記外部半導電層を形成するための架橋前外部半導電層を被覆する工程と、前記予備架橋絶縁層と前記架橋前外部半導電層とを本架橋する工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
[２]上記発明において、前記予備架橋絶縁層のゲル分率を５０〜６５％の範囲とするようにすることができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、架橋前絶縁層を予め予備架橋することによって、架橋前絶縁層中に残存する架橋サイトの調整が可能となる。これにより、予備架橋後の予備架橋絶縁層上に外部半導電層を形成することとなる架橋前外部半導電層を被覆し、これらを本架橋した際に、本架橋後における、絶縁層と外部半導電層との間で形成される架橋点の割合を調整することができる。そのため、本発明によれば、絶縁層と外部半導電層との間の密着性および剥離容易性（外部半導電層の剥ぎ取り易さ）を良好なものとすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】図１は、本実施形態に係る電力ケーブルの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態に係る電力ケーブルを示す断面図である。図１に示すように、本実施形態の電力ケーブル１は、導体１０と、導体１０を被覆する内部半導電層２０と、内部半導電層２０を被覆する絶縁層３０と、絶縁層３０を被覆する外部半導電層４０とを備える。本実施形態の電力ケーブル１を構成する各層のうち、外部半導電層４０は、絶縁層３０と良好に密着している一方で、端末加工時には絶縁層３０から容易に剥ぎ取れる、いわゆるフリーストリッピング型の半導電層である。なお、本実施形態の電力ケーブル１は、外部半導電層４０の外側に、遮蔽層、押えテープ層およびシースをさらに備えていてもよい。また、絶縁層３の厚さは、たとえば３〜１０ｍｍであり、外部半導電層４の厚さは、たとえば０．２〜２ｍｍである。本実施形態の電力ケーブル１は、たとえば、使用電圧が３．３〜３３ｋＶの高電圧用途に特に有用である。
【００１３】
＜導体１０＞
導体１０としては、銅線、銅合金線、アルミニウム線等の電力ケーブル用途に用いられている金属線を用いることができる。また、このような金属線の表面にスズや銀等のめっきを施したものを用いてもよく、導体１０としては、単線あるいは撚線のいずれであってもよい。
【００１４】
＜内部半導電層２０＞
内部半導電層２０は、導体１０を被覆する半導電性の層であり、内部半導電層用樹脂組成物を用い、これを架橋することにより形成される。内部半導電層用樹脂組成物は、通常、内部半導電層用樹脂、導電性物質、架橋剤および老化防止剤を含む。
【００１５】
内部半導電層用樹脂としては、特に限定されないが、通常は、エチレン系重合体が用いられる。エチレン系重合体としては、エチレンを繰り返し単位として含む重合体であればよく、特に限定されないが、たとえば、ポリエチレン（低密度ポリエチレン、高密度ポリエチレン）、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）、エチレン−エチルアクリレート共重合体（ＥＥＡ）、エチレン−メチルアクリレート共重合体、エチレン−エチルメタクリレート共重合体、エチレン−１−ブテン共重合体、エチレン−αオレフィン共重合体、エチレン−プロピレンジエンゴム（ＥＰＤＭ）が挙げられる。これらは単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらのなかでも、押し出し加工性に優れるという観点より、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）が好ましい。
【００１６】
導電性物質としては、特に限定されないが、通常は、導電性カーボンが用いられる。導電性カーボンとしては、たとえば、カーボンブラック、アセチレンブラック、ファーネスブラック、ケッチェンブラック、サーマルブラック、グラファイトなどが挙げられる。これらは単独で、または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらのなかでも、不純物の含有量が少なく、内部半導電層用樹脂の電気特性を悪化させないという点、および、大きな凝集体を形成せず、内部半導電層用樹脂との界面において電気的欠陥である導電性突起が発生しないという点より、アセチレンブラックが好ましい。
【００１７】
内部半導電層用樹脂組成物中における、導電性物質の配合割合は、内部半導電層用樹脂１００重量部に対して、好ましくは６０〜８０重量部である。導電性物質の配合割合をこのような範囲とすることにより、電力ケーブル１の温度が上昇した場合でも安定な電気抵抗（導通性）を維持できる。
【００１８】
架橋剤としては、上述した内部半導電層用樹脂を架橋させることできるものであればよく、特に限定されないが、通常は、過酸化物架橋剤が用いられる。過酸化物架橋剤としては、たとえば、ｔ−ブチルクミルパ−オキシド、２，５−ジメチル−２，５−ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキシン−３、ジ−ｔ−ブチルパーオキシド、ジ−（２−ｔ−ブチルパーオキシイソプロピル）ベンゼン、２，５−ジメチル−２，５−ジ−ｔ−ブチルパーオキシヘキサンなどが挙げられる。
【００１９】
内部半導電層用樹脂組成物中における、架橋剤の配合割合は、用いる内部半導電層用樹脂の種類および架橋剤の種類によっても異なるが、通常は、内部半導電層用樹脂１００重量部に対して、１．０〜４．０重量部であり、好ましくは１．５〜３．０重量部である。架橋剤の配合割合をこのような範囲とすることにより、内部半導電層用樹脂組成物のスコーチの発生を防止しながら、架橋により得られる内部半導電層２０の機械特性を十分なものとすることができる。
【００２０】
老化防止剤としては、特に限定されず、樹脂組成物やゴム組成物の分野で用いられている老化防止剤を制限なく用いることができるが、たとえば、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール等のヒンダードフェノール系；４，４’−チオビス−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３-メチルフェノール）等のチオビスフェノール系；ホスファイト、トリス（混合物−および−ノニル−フェニル）ホスファイト等のりん系；２−メルカプトベンズイミダゾール、２−メチルメルカプトベンズイミダゾール等のイミダゾール系；トリス（ノニルフェニル）、ジラウリル・チオジプロピオネート、ジステアリル・チオジプロピオネート、ジステアリル−β，β−チオジブチレート、ラウリル・ステアリル・チオジプロピオネート、含硫黄エステル系化合物、アミル−チオグリコレート、１，１’− チオビス−（２−ナフトール）、ヒドラジン誘導体などを用いることができる。
【００２１】
＜絶縁層３０＞
絶縁層３０は、内部半導電層２０を被覆する絶縁性の層であり、絶縁層用樹脂組成物を用い、これを架橋することにより形成される。絶縁層用樹脂組成物は、通常、絶縁層用樹脂、架橋剤、および老化防止剤を含有する。
【００２２】
絶縁層用樹脂としては、特に限定されないが、通常は、エチレン系重合体が用いられる。エチレン系重合体の具体例としては、上述した内部半導電層用樹脂と同様のものなどが挙げられる。エチレン系重合体のなかでも、絶縁層用樹脂としては、絶縁性の観点などから、低密度ポリエチレンおよび高密度ポリエチレンが好ましく、低密度ポリエチレンがより好ましい。
【００２３】
架橋剤としては、上述した絶縁層用樹脂を架橋させることできるものであればよく、特に限定されないが、通常は、過酸化物架橋剤が用いられる。過酸化物架橋剤の具体例としては、上述した内部半導電層用樹脂組成物と同様のものなどが挙げられる。
【００２４】
絶縁層用樹脂組成物中における、架橋剤の配合割合は、用いる絶縁層用樹脂の種類および架橋剤の種類によっても異なるが、通常は、絶縁層用樹脂１００重量部に対して、１．０〜４．０重量部であり、好ましくは１．５〜２．５重量部である。架橋剤の配合割合をこのような範囲とすることにより、絶縁層用樹脂組成物のスコーチの発生を防止しながら、架橋により得られる絶縁層３０の機械特性を十分なものとすることができる。
【００２５】
また、老化防止剤としては、特に限定されないが、上述した内部半導電層用樹脂組成物と同様のものを用いることができる。
【００２６】
＜外部半導電層４０＞
外部半導電層４０は、絶縁層３０を被覆する半導電性の層であり、外部半導電層用樹脂組成物を用い、これを架橋することにより形成される。本実施形態においては、外部半導電層４０は、絶縁層３０と良好に密着している一方で、端末加工時には絶縁層３０から容易に剥ぎ取れる、いわゆるフリーストリッピング型の半導電層である。外部半導電層４０を形成するための外部半導電層用樹脂組成物は、通常、外部半導電層用樹脂、導電性物質、架橋剤および老化防止剤を含む。
【００２７】
外部半導電層用樹脂としては、特に限定されないが、通常は、エチレン系重合体が用いられる。エチレン系重合体の具体例としては、上述した内部半導電層用樹脂と同様のものなどが挙げられる。エチレン系重合体のなかでも、外部半導電層用樹脂としては、押し出し加工性に優れているという観点より、エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）が好ましい。
【００２８】
導電性物質としては、特に限定されないが、通常は、導電性カーボンが用いられる。導電性カーボンの具体例としては、上述した内部半導電層用樹脂と同様のものなどが挙げられ、その配合量も同様とすることができる。
【００２９】
架橋剤としては、上述した外部半導電層用樹脂を架橋させることできるものであればよく、特に限定されないが、通常は、過酸化物架橋剤が用いられる。過酸化物架橋剤の具体例としては、上述した内部半導電層用樹脂組成物と同様のものなどが挙げられる。
【００３０】
外部半導電層用樹脂組成物中における、架橋剤の配合割合は、用いる外部半導電層用樹脂の種類および架橋剤の種類によっても異なるが、通常は、外部半導電層用樹脂１００重量部に対して、１．０〜４．０重量部であり、好ましくは１．５〜３．０重量部である。架橋剤の配合割合をこのような範囲とすることにより、外部半導電層用樹脂のスコーチの発生を防止しながら、架橋により得られる外部半導電層４０の機械特性を十分なものとすることができる。
【００３１】
また、老化防止剤としては、特に限定されないが、上述した内部半導電層用樹脂組成物と同様のものを用いることができる。
【００３２】
＜電力ケーブル１の製造方法＞
次いで、本実施形態の電力ケーブル１の製造方法を説明する。
まず、導体１０上に、内部半導電層２０を形成するための内部半導電層用樹脂組成物、および絶縁層３０を形成するための絶縁層用樹脂組成物を、同時押出し成形により押し出して、導体１０上に、内部半導電層用樹脂組成物からなる層（以下、「架橋前内部半導体層」とする。）、および絶縁層用樹脂組成物からなる層（以下、「架橋前絶縁層」とする。）を、この順に形成してなる架橋前積層体を得る。
【００３３】
次いで、このようにして得られた架橋前積層体を形成する、架橋前絶縁層について予備架橋を行い、予備架橋積層体を得る。ここで、本実施形態においては、「予備架橋」とは、架橋前絶縁層の架橋がある程度進行させる一方で、予備架橋後の絶縁層用樹脂組成物からなる層（以下、「予備架橋絶縁層」とする。）中に含まれる、未反応の架橋サイトがある程度残存するような条件で行う架橋であり、架橋の進行が不十分であるものや、実質的に本架橋と同様の条件で架橋させるものは含まれない。また、この際においては、予備架橋の条件および架橋剤の種類にもよるが、通常は、架橋前絶縁層に加えて、架橋前内部半導体層も予備架橋されることとなる（以下、このようにして形成される層を、「予備架橋内部半導体層」とする。）。なお、予備架橋の具体的な条件については後述する。
【００３４】
次いで、このようにして得られた予備架橋積層体を形成する予備架橋絶縁層上に、外部半導電層４０を形成するための外部半導電層用樹脂組成物からなる層（以下、「架橋前外部半導電層」とする。）を形成し、その後、予備架橋内部半導体層、予備架橋絶縁層および架橋前外部半導電層について本架橋を行い、これにより、図１に示す導体１０、内部半導電層２０、絶縁層３０および外部半導電層４０からなる電力ケーブル１を得ることができる。
【００３５】
ここで、本実施形態では、上述したように、外部半導電層４０を形成するための架橋前外部半導電層を形成する前に、架橋前絶縁層について予め予備架橋を行うものであり、これにより、架橋前絶縁層中に含まれる架橋サイトをある程度反応させ（架橋をある程度進行させ）、予備架橋により得られる予備架橋絶縁層の外表面および外表面近傍の架橋性を適度に低下させるものである。そして、その結果として、このようにして形成された予備架橋絶縁層上に、外部半導電層４０を形成するための架橋前外部半導電層を形成し、本架橋を行った後において、本架橋後の絶縁層３０と外部半導電層４０との界面における架橋度を制御することができ、これにより、本架橋後の絶縁層３０と外部半導電層４０の密着性および剥離容易性（外部半導電層の剥ぎ取り易さ）を良好にバランスさせることができるものである。
【００３６】
すなわち、絶縁層３０を形成する際に、予め予備架橋することで、残存する架橋サイトを調整しておき、このような状態にて、外部半導電層４０を形成する外部半導電層用樹脂組成物とともに、本架橋を行うことにより、本架橋後の絶縁層３０と外部半導電層４０との間で形成される架橋点を調整するものである。そして、これにより、本架橋後の絶縁層３０と外部半導電層４０との間で形成される架橋点の割合を適切な範囲とし、結果として、本架橋後の絶縁層３０と外部半導電層４０の密着性および剥離容易性を良好なものとするものである。
【００３７】
なお、架橋前絶縁層について予備架橋を行う際における、予備架橋の条件としては、予備架橋により得られる予備架橋絶縁層の架橋サイトを適度に低下させ、これにより、本架橋後の絶縁層３０と外部半導電層４０との間の密着性および剥離容易性（外部半導電層の剥ぎ取り易さ）を良好にバランスさせることができるような条件であればよいが、予備架橋後の予備架橋絶縁層のゲル分率が、５０〜６５％の範囲となるような条件とすることが好ましく、５０〜６０％の範囲となるような条件とすることがより好ましい。本実施形態においては、予備架橋後の予備架橋絶縁層のゲル分率が上記範囲となるような条件で予備架橋を行うことにより、本架橋後の絶縁層３０と外部半導電層４０との間の架橋度合をより適切なものとすることができ、これにより、本架橋後の絶縁層３０と外部半導電層４０との間の密着性および剥離容易性をより高度にバランスさせることができる。なお、予備架橋絶縁層のゲル分率は、たとえば、ＪＩＳ  Ｃ３００５に準拠して、絶縁層３０を形成するための絶縁層用樹脂組成物に含まれる絶縁層用樹脂を溶解可能な溶剤（具体的には、架橋前の絶縁層用樹脂を溶解可能であり、架橋後の絶縁層用樹脂を溶解しない溶剤）中に、予備架橋絶縁層を浸漬し、浸漬前後の予備架橋絶縁層の重量を測定し、得られた結果から下記式に従って、求めることができる。
予備架橋絶縁層のゲル分率（％）＝（浸漬後の予備架橋絶縁層の重量／浸漬前の予備架橋絶縁層の重量）×１００
【００３８】
また、予備架橋条件は、予備架橋の温度および架橋時間を調整することにより、制御することができるが、絶縁層３０を形成するための絶縁層用樹脂組成物中に含まれる絶縁層用樹脂の種類や、架橋剤の種類や配合量、さらには、外部半導電層４０を形成することとなる外部半導電層用樹脂組成物中に含まれる外部半導電層用樹脂の種類に応じて適宜設定すればよい。しかしその一方で、予備架橋温度が低すぎたり、予備架橋時間が短すぎたりすると、予備架橋の進行が不十分であり、所望の剥離容易性が得られなくなる。また、予備架橋温度が高すぎたり、予備架橋時間が長すぎたりすると、実質的に本架橋と同様となってしまい、所望の密着性が得られなくなる。なお、予備架橋は、内部半導電層２０を形成するための内部半導電層用樹脂組成物、および絶縁層３０を形成するための絶縁層用樹脂組成物を、同時押出し成形により押し出しする際に行ってもよいし、同時押出し成形により押し出しした後に行ってもよい。
【００３９】
また、予備架橋内部半導体層、予備架橋絶縁層および架橋前外部半導電層について本架橋を行う際の条件としては、特に限定されないが、これら各層に含まれる架橋サイトが十分に反応するような温度、架橋時間とすればよいが、通常、ケーブル製造では２００〜２６０℃、２〜１０分である。ただし、蒸気架橋や乾式架橋など方法により、これらの条件は異なる、それぞれ適切なものを採用すればよい。
【００４０】
本実施形態によれば、上述したように、絶縁層３０を形成することとなる架橋前絶縁層について予め予備架橋を行うことにより、予備架橋後の予備架橋絶縁層中に残存する架橋サイトを調整することができる。そして、本実施形態によれば、予備架橋後の予備架橋絶縁層上に外部半導電層を形成することとなる架橋前外部半導電層を被覆し、これらを本架橋した際に、本架橋後における、絶縁層３０と外部半導電層４０との間で形成される架橋点の割合を調整することができる。これにより、本実施形態によれば、絶縁層３０と外部半導電層４０との間の密着性および剥離容易性（外部半導電層の剥ぎ取り易さ）を良好なものとすることができる。
【００４１】
特に、本実施形態においては、絶縁層３０を形成することとなる架橋前絶縁層について予め予備架橋を行うことにより、その上に、外部半導電層４０を形成する際における、架橋サイトを調整するものであり、そのため、本架橋後の絶縁層３０を十分に架橋され、機械強度等に優れたものとすることができる。すなわち、たとえば、絶縁層３０を形成することとなる絶縁層用樹脂組成物中の架橋剤の量を低減したり、絶縁層用樹脂自体を架橋性の低いものを用いた場合にも、架橋サイトは低減することが可能であるが、このような場合には、本架橋後の絶縁層３０の架橋密度が低下してしまい、結果として、機械強度等が低下してしまうという問題があるが、本実施形態によれば、このような問題を生じることなく、絶縁層３０と外部半導電層４０との間の密着性および剥離容易性を向上させることができるものである。
【００４２】
なお、以上に説明した実施形態は、本発明の理解を容易にするために記載されたものであって、本発明を限定するために記載されたものではない。したがって、上記の実施形態に開示された各要素は、本発明の技術的範囲に属する全ての設計変更や均等物をも含む趣旨である。
【００４３】
たとえば、上述した実施形態では、導体１０、内部半導電層２０、絶縁層３０、および外部半導電層４０を備える電力ケーブル１を例示したが、本発明の電力ケーブルとしては、このような構成に限定されず、たとえば、内部半導電層２０を有しないような構成であってもよい。
【実施例】
【００４４】
以下に、実施例を挙げて、本発明についてより具体的に説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。
【００４５】
＜実施例１＞
まず、絶縁層３０形成用の絶縁層用樹脂組成物、および外部半導電層４０形成用の外部半導電層用樹脂組成物を調製した。具体的には、絶縁層用樹脂組成物は、絶縁層用樹脂、架橋剤および老化防止剤を表１に示す割合で配合し、１２０℃で混練することにより調製した。また、外部半導電層用樹脂組成物は、外部半導電層用樹脂、導電性物質、架橋剤および老化防止剤を表１に示す割合で配合し、１２０℃で混練することにより調製した。なお、表１において、各成分としては具体的に以下のものを使用した。
（１）絶縁層用樹脂：低密度ポリエチレン（ＬＤＰＥ）（商品名「ＵＢＥＣ５３０」、宇部丸善ポリエチレン（株）製）
（２）架橋剤：ジクミルパーオキサイド（商品名「パークミルＤ」、日油（株）製）
（３）老化防止剤：４，４’−チオビス−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３-メチルフェノール）（商品名「ノクラック３００」、大内新興化学工業（株）製）
（４）外部半導電層用樹脂：エチレン−酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）（商品名「ＥＶ２６０」、三井・デュポン・ポリケミカル（株）製）
（５）導電性物質：アセチレンブラック（商品名「デンカブラック」、電気化学工業（株）製）
【００４６】
【表１】
2014154477.tif 000003
【００４７】
次いで、上記にて調製した絶縁層用樹脂組成物を、１２０℃でプレス成型することで、幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍ、厚さ３ｍｍの予備成形体を得て、得られた予備成形体を、予備架橋温度１７０℃、予備架橋時間９分間の条件にて予備架橋することにより、予備架橋絶縁層試料を得た。
【００４８】
そして、このようにして得られた予備架橋絶縁層試料について、ＪＩＳ  Ｃ３００５に準拠して、以下の方法によりゲル分率の測定を行った。すなわち、まず、得られた予備架橋絶縁層試料を、キシレン中に、温度１１０℃、２４時間の条件で浸漬した。次いで、浸漬後得られたゲル状の試料を、ろ過し、ろ過残渣を８０℃、１２時間加熱することで乾燥させ、乾燥後の重量を測定することにより、キシレンに溶解しなかった不溶解樹脂成分の重量を得た。そして、下記式に従い、予備架橋絶縁層試料のゲル分率を求めた。
予備架橋絶縁層試料のゲル分率（％）＝（不溶解樹脂成分の重量／キシレン浸漬前の予備架橋絶縁層試料中の樹脂成分の重量）×１００
【００４９】
次いで、上記とは別に、上記にて調製した外部半導電層用樹脂組成物を、１２０℃でプレス成型することで、幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍ、厚さ２ｍｍの未架橋外部半導電層試料を得た。
【００５０】
そして、上記にて得られた予備架橋絶縁層試料と、未架橋外部半導電層試料とを貼り合わせて、厚み４．８ｍｍのスペーサを用いて一対のプレス板に挟んだ状態にて、１７０℃、１５分の条件でプレス架橋（本架橋）を行うことで、絶縁層３０と外部半導電層４０とからなる積層体試料（幅２５ｍｍ、長さ１００ｍｍ）を得た。なお、この際において、長さ方向端部から４０ｍｍの位置までマイラーシートを挟んでおき、この部分を剥離強度測定用の口出し部とした。
【００５１】
そして、このようにして得られた積層体試料について、引張試験機を用い、口出し部を開いて上下のチャックでつかんだ状態にて、室温で２００ｍｍ／分の速度で引っ張ることで剥離強度を測定した。なお、本実施例では、絶縁層３０および外部半導電層４０の界面がそのまま表れた状態で剥離した場合には、剥離時の引張強度を剥離強度とした。また、絶縁層３０と外部半導電層４０との界面で剥離が起こらず、絶縁層３０または外部半導電層４０が破断してしまった場合には、「剥離不可」と判断した。剥離強度が、好ましくは２０〜４０Ｎ／１２．５ｍｍの範囲、より好ましくは２５〜３５Ｎ／１２．５ｍｍの範囲であると、密着性と剥離容易性とが高度にバランスされていると判断できるため望ましい。結果を表２に示す。
【００５２】
＜実施例２〜４、比較例１〜６＞
絶縁層用樹脂組成物を用いて得られた予備成形体を、予備架橋することにより予備架橋絶縁層試料を得る際における予備架橋時の予備架橋温度および予備架橋時間の条件を表２に示す条件とした以外は、実施例１と同様にして、予備架橋絶縁層試料、および絶縁層３０と外部半導電層４０とからなる積層体試料を得て、実施例１と同様に評価を行った。結果を表２に示す。
【００５３】
【表２】
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【００５４】
＜評価＞
表２に示す結果より、架橋前絶縁層の予備架橋条件を適切なものとした実施例１〜４（１７０℃、９分〜１２分、または１９０℃、１．４分〜１．９分）においては、剥離強度が、いずれも２５〜３５Ｎ／１２．５ｍｍの範囲であり、絶縁層３０と外部半導電層４０との間の密着性および剥離容易性が良好であった。なお、これら実施例１〜４は、予備架橋により得られた予備架橋絶縁層試料のゲル分率が、いずれも５０〜６５％の範囲であった。
【００５５】
一方、架橋前絶縁層の予備架橋時間が短く、予備架橋の進行が不十分な条件にて予備架橋を行った比較例１，４においては、絶縁層３０と外部半導電層４０との間の密着性が高くなり過ぎてしまい、「剥離不可」となった。なお、これら比較例１，４においては、予備架橋により得られた予備架橋絶縁層試料のゲル分率は、いずれも５０％未満であった。
【００５６】
また、架橋前絶縁層の予備架橋時間が長すぎ、実質的に本架橋と同様の架橋条件にて予備架橋を行った比較例２，３，５，６においては、絶縁層３０と外部半導電層４０との間の密着性が低すぎて、剥離強度が極端に低下する結果となった。なお、これら比較例２，３，５，６においては、予備架橋により得られた予備架橋絶縁層試料のゲル分率が、いずれも６５％超であった。
【符号の説明】
【００５７】
１…電力ケーブル
１０…導体
２０…内部半導電層
３０…絶縁層
４０…外部半導電層
【図１】
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