(57)【要約】【課題】従来検出が困難であったドリフトを検出して補正精度を向上させることのできるドリフト補正方法と、かかるドリフト補正方法に適した描画データの作成方法とを提供する。【解決手段】電子ビームＢによってマスクＭの上に描画される図形パターンの面積密度に応じた幅でマスクＭの描画領域を複数のストライプに分割し、さらに、そのストライプを１つ以上のブロックに分割し、そのブロックの少なくとも１つについて描画を終えたところでドリフト量を測定し、このドリフト量を用いて電子ビームＢの照射位置を補正する。ストライプのブロックへの分割数は、図形パターンの面積密度の大きいところで多く、図形パターンの面積密度の小さいところで少なくする。また、描画領域は、さらに電子ビームＢの照射開始からのドリフトの変化量に応じたストライプの幅とブロックへの分割数で分割されることが好ましい。【選択図】図１
2014123613.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料上の描画領域に描画されるパターンのパターンデータからレイアウトデータを作成する工程と、
前記レイアウトデータを基準となる幅のストライプに分割するとともに、所定のサイズでメッシュ状に分割して複数の小領域を形成し、前記小領域毎に前記パターンの面積密度を算出して、前記基準となる幅のストライプに含まれる前記小領域の面積密度の平均値を求める工程と、
前記平均値に応じて、前記基準となる幅のストライプを該ストライプの長手方向に沿って１つ以上のブロックに分割する工程と、
前記レイアウトデータに対して前記ブロック単位にフラグを付加する工程と、
前記試料上に荷電粒子ビームで前記パターンを前記ストライプ毎に描画する工程とを有し、
前記ブロック単位に付加されたフラグを読み取って前記描画を停止し、前記荷電粒子ビームのドリフト量を測定して前記荷電粒子ビームの照射位置を補正することを特徴とするドリフト補正方法。
【請求項２】
前記荷電粒子ビームで前記パターンを描画する工程は、前記荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器で前記荷電粒子ビームを偏向しながら行い、
前記基準となる幅の値は、ゼロより大きく、前記主偏向器の偏向幅の最大値以下であることを特徴とする請求項１に記載のドリフト補正方法。
【請求項３】
前記ブロックの大きさは、前記副偏向器の偏向幅で決まる副偏向領域に一致することを特徴とする請求項２に記載のドリフト補正方法。
【請求項４】
前記基準となる幅のストライプを１つ以上のブロックに分割する工程は、前記平均値に応じて前記基準となるストライプの幅を調整する調整工程を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のドリフト補正方法。
【請求項５】
前記ストライプの前記ブロックへの分割数は、前記荷電粒子ビームの照射開始からのドリフトの変化量に応じた数であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載のドリフト補正方法。
【請求項６】
荷電粒子ビームによって試料上に所定のパターンを描画するための描画データの作成方法であって、
前記パターンが定義されたレイアウトデータを、基準となる幅のストライプに分割するとともに、所定のサイズでメッシュ状に分割して複数の小領域を形成する工程と、
前記小領域毎に前記パターンの面積密度を算出して、前記基準となる幅のストライプに含まれる前記小領域の面積密度の平均値を求める工程と、
前記平均値に応じて、前記基準となる幅のストライプを該ストライプの長手方向に沿って１つ以上のブロックに分割する工程と、
前記レイアウトデータに対して前記ブロック単位にフラグを付加する工程とを有することを特徴とする描画データの作成方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドリフト補正方法および描画データの作成方法に関し、より詳しくは、荷電粒子ビーム描画装置に適用されるドリフト補正方法および描画データの作成方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの回路パターンの形成工程では、原版となるマスクが用いられる。かかるマスクの製造工程において、電子ビームリソグラフィ技術が利用されている。
【０００３】
電子ビームリソグラフィ技術は、荷電粒子ビームを用いるため、本質的に優れた解像度を有する。また、焦点深度を大きく確保できることにより、高い段差上でも寸法変動を抑制できるという利点も有している。さらに、この技術に使用される電子ビーム描画装置は、複雑且つ任意に設計される回路パターンをデータ処理して描画するシステムを備えている。
【０００４】
こうしたことから、電子ビームリソグラフィ技術は、ＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  Ｍｅｍｏｒｙ）を代表とする最先端デバイスの開発に適用されている他、一部ＡＳＩＣ（Ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ  Ｓｐｅｃｉｆｉｃ  Ｉｎｔｅｇｒａｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）の生産にも用いられている。さらに、近年では、電子ビームを用いて回路パターンをウェハに直接描画する技術の開発も進められている。
【０００５】
特許文献１には、電子ビームリソグラフィ技術に使用される可変成形型電子ビーム描画装置が開示されている。
【０００６】
電子ビーム描画装置における描画データは、ＣＡＤ（Ｃｏｍｐｕｔｅｒ  Ａｉｄｅｄ  Ｄｅｓｉｇｎ）システムを用いて設計された半導体集積回路などの設計データ（ＣＡＤデータ）に、補正や図形パターンの分割などの処理を施し、さらにこれを同じ幅の複数のストライプに分割することによって作成される。ストライプの幅は、主偏向で偏向可能な幅である。さらに各ストライプは、多数の副偏向領域に分割される。これにより、チップ全体の描画データは、主偏向領域のサイズにしたがった複数の帯状のストライプデータと、ストライプ内で主偏向領域よりも小さい複数の副偏向領域単位とからなるデータ階層構造になる。
【０００７】
ステージに載置されたマスクにパターンを描画する際には、ステージをストライプの幅方向と直交する方向に移動させつつ、電子ビームを各副偏向領域に位置決めする。そして、副偏向領域の所定位置に電子ビームを照射する。
【０００８】
ところで、電子ビーム描画装置内でステージ上に載置されたマスクに電子ビームが照射されると反射電子が発生する。この反射電子は、電子ビーム描画装置内の光学系や検出器などに衝突してチャージアップされ、これによって新たな電界が発生する。すると、マスクへ向けて偏向された電子ビームの軌道が変化し、描画位置が所望の位置からずれるドリフトが起こる。
【０００９】
ドリフトの原因は上記のみによるものではないが、いずれにおいても、描画途中でステージ上の基準マークの位置を検出してドリフト量を測定し、描画位置が所望の位置となるように補正する必要がある。具体的には、まず、描画直前に基準マークの座標を求め、次いで、描画中に描画動作を一時停止して再び基準マークの座標を求める。この座標と先の座標との差がドリフト量となるので、得られた値を用いて電子ビームの描画位置を補正する。
【００１０】
従来法において、描画途中における基準マークの位置検出は、所定の時間間隔で行われていた。具体的には、予め設定された補正インターバルにしたがい、ストライプエンドまで描画を終えた後に、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークを走査してその位置を検出していた。そして、検出された位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量と定義して、補正を行っていた。ここで、ドリフト補正後に許容される誤差は、マスクパターンの位置精度より十分に小さいものとする必要がある。
【００１１】
近年、半導体集積回路の高集積化に伴って、回路パターンは、より微細化および複雑化している。それ故、マスクに要求されるパターンの位置精度は益々高くなっており、ドリフト補正後の誤差についてもより小さくすることが求められているが、上述の補正方法では、マスクパターンの位置精度を十分に向上させることができなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開平９−２９３６７０号公報
【特許文献２】特開平７−１４２３２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
本発明は、こうした問題に鑑みてなされたものである。すなわち、本発明の目的は、従来検出が困難であったドリフトを検出して補正精度を向上させることのできるドリフト補正方法と、かかるドリフト補正方法に適した描画データの作成方法とを提供することにある。
【００１４】
本発明の他の目的および利点は、以下の記載から明らかとなるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明の第１の態様は、試料上の描画領域に描画されるパターンのパターンデータからレイアウトデータを作成する工程と、
レイアウトデータを基準となる幅のストライプに分割するとともに、所定のサイズでメッシュ状に分割して複数の小領域を形成し、小領域毎にパターンの面積密度を算出して、基準となる幅のストライプに含まれる小領域の面積密度の平均値を求める工程と、
この平均値に応じて、基準となる幅のストライプをこのストライプの長手方向に沿って１つ以上のブロックに分割する工程と、
レイアウトデータに対してブロック単位にフラグを付加する工程と、
試料上に荷電粒子ビームでパターンをストライプ毎に描画する工程とを有し、
ブロック単位に付加されたフラグを読み取って描画を停止し、荷電粒子ビームのドリフト量を測定して荷電粒子ビームの照射位置を補正することを特徴とするドリフト補正方法に関する。
【００１６】
本発明の第１の態様において、荷電粒子ビームでパターンを描画する工程は、荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器でその荷電粒子ビームを偏向しながら行い、
基準となる幅の値は、ゼロより大きく、主偏向器の偏向幅の最大値以下であることが好ましい。
【００１７】
本発明の第１の態様において、ブロックの大きさは、副偏向器の偏向幅で決まる副偏向領域に一致することが好ましい。
【００１８】
本発明の第１の態様において、基準となる幅のストライプを１つ以上のブロックに分割する工程は、小領域の面積密度の平均値に応じて基準となるストライプの幅を調整する調整工程を含むことが好ましい。
【００１９】
本発明の第１の態様において、ストライプのブロックへの分割数は、荷電粒子ビームの照射開始からのドリフトの変化量に応じた数であることが好ましい。
【００２０】
本発明の第２の態様は、荷電粒子ビームによって試料上に所定のパターンを描画するための描画データの作成方法であって、
パターンが定義されたレイアウトデータを、基準となる幅のストライプに分割するとともに、所定のサイズでメッシュ状に分割して複数の小領域を形成する工程と、
小領域毎にパターンの面積密度を算出して、基準となる幅のストライプに含まれる小領域の面積密度の平均値を求める工程と、
この平均値に応じて、基準となる幅のストライプをこのストライプの長手方向に沿って１つ以上のブロックに分割する工程と、
レイアウトデータに対してブロック単位にフラグを付加する工程とを有することを特徴とする描画データの作成方法に関する。
【００２１】
本発明の第２の態様において、荷電粒子ビームによるパターンの描画は、荷電粒子ビームの光路上に配置された主偏向器および副偏向器で荷電粒子ビームを偏向しながら行い、
基準となる幅の値は、ゼロより大きく、主偏向器の偏向幅の最大値以下であることが好ましい。
【００２２】
本発明の第２の態様において、ブロックの大きさは、副偏向器の偏向幅で決まる副偏向領域に一致することが好ましい。
【００２３】
本発明の第２の態様において、基準となる幅のストライプを１つ以上のブロックに分割する工程は、小領域の面積密度の平均値に応じて基準となるストライプの幅を調整する調整工程を含むことが好ましい。
【００２４】
本発明の第２の態様において、ストライプのブロックへの分割数は、荷電粒子ビームの照射開始からのドリフトの変化量に応じた数であることが好ましい。
【発明の効果】
【００２５】
本発明の第１の態様によれば、基準となる幅のストライプに含まれる小領域の面積密度の平均値に応じて、このストライプをその長手方向に沿って１つ以上のブロックに分割し、また、レイアウトデータに対してブロック単位にフラグを付加する。これにより、従来検出が困難であったドリフトを検出して補正精度を向上させることのできるドリフト補正方法が提供される。
【００２６】
本発明の第２の態様によれば、基準となる幅のストライプに含まれる小領域の面積密度の平均値に応じて、このストライプをその長手方向に沿って１つ以上のブロックに分割し、また、レイアウトデータに対してブロック単位にフラグを付加するので、従来検出が困難であったドリフトを検出して補正精度を向上させることのできるドリフト補正方法に適した描画データの作成方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本実施の形態の電子ビーム描画装置の構成を示す概念図である。
【図２】電子ビームによる描画方法の説明図である。
【図３】本実施の形態の比較例であり、ストライプの幅が全て同じであってストライプがブロックに分割されない例である。
【図４】本実施の形態において、ストライプがブロックに分割され、さらにストライプ幅が異なる例である。
【図５】経時的なドリフトの変化量と、ドリフト補正の時間間隔が異なる２つの例とを示す図である。
【図６】本実施の形態によりドリフト補正方法と描画データの作成方法を説明する図である。
【図７】ドリフト補正残差の時間変化について、本実施の形態と従来法とを比較した例である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
図１は、マスクＭの表面に電子ビームＢを照射して所望のパターンを描画する電子ビーム描画装置を示している。この電子ビーム描画装置は、描画室１と、描画室１の天井部に立設した電子ビーム照射手段たる電子光学鏡筒２とを備えている。
【００２９】
描画室１には、ステージ３が配置されている。そして、ステージ３の上には、マスクＭが載置されている。マスクＭは、電子ビームの描画対象となる試料の一例であり、例えば、ガラス基板上にクロム膜などの遮光膜とレジスト膜とが積層されたものである。
【００３０】
ステージ３は、電子ビームＢの光軸方向と直交するＸ方向およびＹ方向に移動可能である。ステージ３の上には、マーク台４が立設されている。マーク台４には、図示されない基準マークが設けられている。基準マークは、電子の反射率がマスクＭと同程度の材料を用いて形成されることが好ましい。また、基準マークの形状は、矩形、円形、三角形または十字形などとすることができる。
【００３１】
電子ビーム描画装置は、描画途中で基準マークの位置を検出する。これにより、ビームドリフト量を測定して、描画位置が所望の位置となるように補正する。例えば、まず、描画直前に基準マークの座標を求め、次いで、描画中に描画動作を一時停止して再び基準マークの座標を求める。具体的には、電子ビームで基準マークの上を走査し、その反射電子を検出器に取り込む。得られた波形を解析することにより、基準マークの位置を検出することができる。次いで、先の座標との差を求めてビームドリフト量を検出する。尚、マーク台４を設けずに、マスクＭの上に基準マークを設けてもよい。
【００３２】
図１において、電子光学鏡筒２は、内蔵する電子銃１０１から発せられた電子ビームＢを所要の断面形状に成形した後、偏向させてマスクＭに照射する部分である。
【００３３】
電子光学鏡筒２の内部には、図１で上から順に、電子銃１０１、照明レンズ１０２、ブランキング偏向器１０３、ブランキングアパーチャ１０４、第１成形アパーチャ１０５、投影レンズ１０６、成形偏向器１０７、第２成形アパーチャ１０８、主偏向器１０９、対物レンズ１１０、副偏向器１１１が配置されている。
【００３４】
電子銃１０１から発せられた電子ビームＢは、照明レンズ１０２により、第１成形アパーチャ１０５に照射される。尚、ブランキングオン時（非描画時期）には、電子ビームＢは、ブランキング偏向器１０３により偏向されて、ブランキングアパーチャ１０４の上に照射され、第１成形アパーチャ１０５には照射されない。
【００３５】
第１成形アパーチャ１０５には、矩形状の開口が設けられている。これにより、電子ビームＢは、第１成形アパーチャ１０５を透過する際に、その断面形状が矩形に成形される。その後、電子ビームＢは、投影レンズ１０６によって、第２成形アパーチャ１０８の上に投影される。ここで、成形偏向器１０７は、第２成形アパーチャ１０８への電子ビームＢの投影場所を変化させる。これによって、電子ビームＢの形状と寸法が制御される。
【００３６】
第２成形アパーチャ１０８を透過した電子ビームＢの焦点は、対物レンズ１１０によりマスクＭの上に合わせられる。そして、主偏向器１０９と副偏向器１１１とによって、マスクＭの上での電子ビームＢの照射位置が制御される。
【００３７】
描画室１と電子光学鏡筒２における電子ビームＢの形状や照射位置、照射のタイミングなどは、照射制御部７を通じて全体制御部１０によって制御される。
【００３８】
全体制御部１０には、記憶媒体であるメモリ１１が接続されている。メモリ１１には、パターンデータが記憶されている。全体制御部１０は、メモリ１１からのパターンデータに基づいて、描画すべき図形の形状や位置を規定するレイアウトデータを作成する。
【００３９】
設計者（ユーザ）が作成したＣＡＤデータは、ＯＡＳＩＳなどの階層化されたフォーマットの設計中間データに変換される。設計中間データには、レイヤ（層）毎に作成されて各マスクに形成されるパターンデータ（設計パターンデータ）が格納される。メモリ１１には、このパターンデータが記憶される。
【００４０】
ここで、一般に、電子ビーム描画装置は、ＯＡＳＩＳデータを直接読み込めるようには構成されていない。すなわち、電子ビーム描画装置の製造メーカー毎に、独自のフォーマットデータが用いられている。このため、ＯＡＳＩＳデータは、レイヤ毎に各電子ビーム描画装置に固有のフォーマットデータに変換されてから装置に入力される。
【００４１】
全体制御部１０には、メモリ１１を通じてフォーマットデータが入力される。パターンデータに含まれる図形は、長方形や三角形を基本図形としたものであるので、全体制御部１０では、例えば、図形の基準位置における座標（ｘ，ｙ）、辺の長さ、長方形や三角形などの図形種を区別する識別子となる図形コードといった情報であって、各パターン図形の形、大きさ、位置などを定義したレイアウトデータが作成される。
【００４２】
さらに、数十μｍ程度の範囲に存在する図形の集合を一般にクラスタまたはセルと称するが、これを用いてデータを階層化することが行われている。クラスタまたはセルには、各種図形を単独で配置したり、ある間隔で繰り返し配置したりする場合の配置座標や繰り返し記述も定義される。
【００４３】
レイアウトデータは、電子ビームＢのサイズにより規定される最大ショットサイズ単位で分割され、併せて、分割された各ショットの座標位置、サイズおよび照射時間が設定される。そして、描画する図形パターンの形状や大きさに応じてショットが成形されるように、描画データが作成される。描画データは、短冊状のストライプ単位で区切られ、さらにその中は副偏向領域に分割されている。つまり、チップ全体の描画データは、複数の帯状のストライプ単位と、ストライプ内に配置される複数の副偏向領域単位とからなるデータ階層構造になっている。
【００４４】
また、電子ビーム描画装置は、ステージ３のＸ方向およびＹ方向の位置を測定するステージ位置測定手段１２を備えている。ステージ位置測定手段１２は、ステージ３に固定したステージミラー３ａへのレーザ光の入反射でステージ３の位置を測定するレーザ測長計を有する。
【００４５】
照射制御部７は、全体制御部１０から入力される描画データに基づき、ステージ位置測定手段１２で測定したステージ３の位置を確認しつつ、電子光学鏡筒２内の電子ビームＢの成形制御や偏向制御を行って、マスクＭの所要の位置に電子ビームＢを照射する。
【００４６】
図２は、電子ビームによる描画方法の説明図である。この図に示すように、マスクＭの描画領域５１は、複数の短冊状のストライプ５２に分割されている。電子ビームＢによる描画は、ステージ３が一方向（例えば、Ｘ方向）に連続移動しながら、ストライプ５２毎に行われる。ストライプ５２は、さらに複数の副偏向領域５３に分割されており、電子ビームＢは、副偏向領域５３内の必要な部分のみを描画する。尚、図２では、各ストライプ５２の幅を同じとしている。この場合、通常、ストライプ５２は、主偏向器１０９の偏向幅で決まる短冊状の領域であり、副偏向領域５３は、副偏向器１１１の偏向幅で決まる単位領域である。
【００４７】
副偏向領域５３の基準位置の位置決めは、主偏向器１０９で行われ、副偏向領域５３内での描画は、副偏向器１１１によって制御される。すなわち、主偏向器１０９によって、電子ビームＢが所定の副偏向領域５３に位置決めされ、副偏向器１１１によって、副偏向領域５３内での描画位置が決められる。さらに、成形偏向器１０７と、第１成形アパーチャ１０５および第２成形アパーチャ１０８とによって、電子ビームＢの形状と寸法が決められる。そして、ステージ３を一方向に連続移動させながら、副偏向領域５３内を描画し、１つの副偏向領域５３の描画が終了したら、次の副偏向領域５３を描画する。ストライプ５２内の全ての副偏向領域５３の描画が終了したら、すなわち、ストライプエンド（ストライプの終端）に到達したら、ステージ３を連続移動させる方向と直交する方向（例えば、Ｙ方向）にステップ移動させる。その後、同様の処理を繰り返して、ストライプ５２を順次描画して行く。
【００４８】
副偏向領域５３は、副偏向器１１１によって、主偏向領域よりも高速に電子ビームＢが走査されて描画される領域であり、一般に最小描画単位となる。副偏向領域５３内を描画する際には、パターン図形に応じて準備された寸法と形状のショットが成形偏向器１０７により形成される。具体的には、電子銃１０１から出射された電子ビームＢが、第１成形アパーチャ１０５で矩形状に成形された後、成形偏向器１０７で第２成形アパーチャ１０８に投影されて、そのビーム形状と寸法を変化させる。その後、電子ビームＢは、副偏向器１１１と主偏向器１０９により偏向されて、ステージ３上に載置されたマスクＭに照射される。
【００４９】
マスクＭに電子ビームＢが照射されると反射電子が発生し、上述した電子ビーム光学鏡筒２内の各種レンズなどに衝突してチャージアップされ、これによって新たな電界が発生する。すると、マスクＭへ向けて偏向された電子ビームＢの軌道が変化し、描画位置が所望の位置からずれるドリフトが起こるので、描画途中でステージ３上の基準マークの位置を検出してドリフト量を測定し、描画位置が所望の位置となるように補正する。
【００５０】
ここで、従来は、予め設定された補正インターバルにしたがい、ストライプエンドまで描画を終えた後に、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークを走査してその位置を検出し、次いで、検出された位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量としてドリフト補正していた。補正誤差を小さくしようとすると、測定の時間間隔を短くして、基準マークの検出回数を増やす必要がある。
【００５１】
そこで、本実施の形態では、マスクＭに描画されるパターンの面積密度に応じて、ストライプをその長手方向に沿って１つ以上のブロックに分割する。ここで、電子ビーム描画を行うにあたっては、まず半導体集積回路のレイアウトが設計され、次いで、パターンレイアウトが定義されたレイアウトデータ（設計データ）が生成される。レイアウトデータはさらに複数のデータ処理を経た後、描画データとして生成される。描画は、この描画データにしたがって行われる。本実施の形態においては、描画データに対してブロック単位にフラグを付加する。そして、このフラグによってドリフト補正を行うか否かを判定する。
【００５２】
例えば、ブロックエンドにドリフト補正を行うフラグが付されていれば、次のブロックを描画する前に一旦描画を停止し、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させてその位置を検出する。そして、検出された位置を基にドリフト補正を行う。その後、電子ビームの照射位置を次のブロックに移動させて描画を行う。このブロックエンドにドリフト補正を行わないフラグが付されていれば、ドリフト補正を行わずに次のブロックに移動して描画を続ける。そして、ストライプエンドまで描画をし終えた後は、必ずドリフト補正を行うようにすることができる。
【００５３】
上記の工程を図１を参照して説明する。図１のレイアウトデータ生成回路１３では、メモリ１１からのパターンデータに基づいて、レイアウトデータが作成される。次いで、パターン面積密度演算回路１７において、レイアウトデータのパターンの面積密度が求められる。次に、ストライプ情報取得回路１８は、レイアウトデータをどのようなストライプに分割し、さらに各ストライプのブロックへの分割の数をどのようにするかについての情報を取得する。そして、取得した情報に基づき、ストライプ情報取得回路１８において、レイアウトデータから、フラグを付加された描画データが生成する。
【００５４】
照射制御部７は、全体制御部１０から入力される描画データに基づいて、マスクＭの所要の位置に電子ビームＢを照射する。照射制御部１０によってフラグが付加された描画データが読み出されると、照射制御部１０は、電子ビームＢの照射位置を基準マークまで移動させる。その後、電子ビームＢで基準マークの位置を走査し、ステージ位置測定手段１２によってその位置を検出する。また、ドリフト量測定回路１４でドリフト量を測定する。
【００５５】
フラグは、全てのブロックに付加されている必要はなく、例えば、ドリフト補正を行うブロックにのみフラグを付してもよい。この場合は、フラグを読み取ると、描画動作を停止してドリフト補正を行う。また、フラグは、ブロックエンドではなく、ブロックの最初に付加されていてもよい。例えば、ブロックの最初にドリフト補正を行うフラグが付されていれば、そのブロックの描画を終えたところで描画を停止し、ドリフト補正を行うことができる。
【００５６】
このように、本実施の形態では、ストライプを分割することによって新たに設けられたブロック単位でドリフト補正を行う。これにより、ストライプ単位でドリフト補正を行う従来法に比べて、ドリフト補正の精度を向上させることができる。
【００５７】
本実施の形態において、ストライプをブロックに分割する方法は、以下のようにして実施される。但し、これに限られるものではない。
【００５８】
まず、描画領域を基準となる幅のストライプに分割するとともに、描画領域を所定のサイズでメッシュ状に分割して複数の小領域を形成する。ここで、「基準となる幅」は適宜設定することができるが、その上限は主偏向器の偏向幅の最大値であり、下限はゼロより大きい値、例えば、副偏向器の偏向幅とすることができる。尚、メッシュは、（後述する）かぶり補正において、パターンの面積密度を算出する際に用いるメッシュと同じものとすることができる。
【００５９】
次いで、小領域毎にパターンの面積密度を算出し、基準となる幅のストライプに含まれる小領域の面積密度の平均値を求める。この平均値が、本実施の形態におけるパターンの面積密度である。そして、得られた平均値に応じて、ストライプをブロックに分割する数（分割数）を調整する。例えば、面積密度の平均値が所定値より大きい場合には、その大きさの程度に応じて、２つまたはそれ以上の分割数となるように、ストライプを複数のブロックに分割する。このとき、ブロックの分割は、ストライプの幅の方向に、例えば、ストライプの伸びる方向に各ブロックが１列に配列するように行うことができる。
【００６０】
本実施の形態において、ストライプの分割によって設けられるそれぞれのブロックは、上述した副偏向領域を単位として構成されるものであることが好ましく、また、１つのストライプの分割により設けられる複数のブロックは、それぞれ略等しい数の副偏向領域からなることが好ましい。
【００６１】
一方、面積密度の平均値が所定値より小さい場合には、ストライプの分割数を１とし、１つのストライプが１つのブロックとなるようにする。すなわち、この場合、ストライプは実質的には分割されない。
【００６２】
以上の方法でストライプに設けられたブロックに対し、例えば、各ブロックエンドにドリフト補正を行うためのフラグを付しておけば、ブロック単位で、基準マークの位置の検出と検出された位置を基にしたドリフトの補正を行うことが可能である。すなわち、この方法によれば、従来と同様のストライプエンドまでの描画を終えた後のドリフト補正に加えて、ストライプエンドまでの描画の途中で、分割された各ブロックに基づく基準マークの位置検出とドリフト補正が実施される。
【００６３】
例えば、パターンの面積密度とドリフト量には相関があり、一般に、パターンの面積密度が大きいとドリフト量は大きくなる。そこで、例えば、１つのストライプ中におけるパターンの面積密度の平均値が５０％以上である場合には、ストライプをその幅方向に２つのブロックに分割する。すると、１つのストライプにおいて、ブロックエンドが２つになるので、従来法に比較して、基準マークの位置を検出する動作を２倍にすることができる。これにより、次回検出するまでの時間を短くすることができるので、従来法では見逃していたドリフトを検出することができるようになり、ドリフト補正の精度を従来より向上させることが可能となる。
【００６４】
このとき、各ブロックが、上述した副偏向領域を単位とするものであれば、ブロック内のある１つの副偏向領域での描画を終えた後、次に別のブロック内のある副偏向領域で描画が開始される前に、ドリフト補正を実行することができる。また、１つのストライプの分割により設けられる各ブロックが、略等しい数の副偏向領域からなれば、ブロック単位で行われるドリフト補正は、略均等な間隔で行なわれる。これにより、高い精度でのドリフト補正が可能となる。
【００６５】
また、ストライプをブロックに分割する別の方法として、ストライプをブロックに分割する分割数を予め決めておくこともできる。すなわち、描画領域を基準となる幅のストライプに分割するとともに、そのストライプを幅の方向に、例えば、２〜１０のように、予め決められた数のブロックに分割する。そして、描画領域を前述した方法と同様に、所定のサイズでメッシュ状に分割して複数の小領域を形成する。
【００６６】
次いで、小領域毎にパターンの面積密度を算出し、基準となる幅のストライプに設けられた各ブロックに含まれる小領域の面積密度の平均値を求める。この各ブロックに含まれる小領域の面積密度の平均値が、本実施の形態におけるパターンの面積密度である。そして、得られた平均値に応じて、ストライプに設けられたブロックに、ドリフト補正を行うためのフラグを付する。例えば、面積密度の平均値が所定値より大きい場合には、そのブロックに対して、ドリフト補正を行うフラグを付する。
【００６７】
一方、面積密度の平均値が所定値より小さい場合には、そのブロックに対して、ドリフト補正を行うフラグは付さない。すなわち、ドリフト補正を行わないフラグを付す。その結果、例えば、あるストライプを所定数で分割して設けられたブロックの全てにおいて、その面積密度の平均値が所定値より小さい場合、そのストライプのブロックには、ドリフト補正を行うためのフラグは付されないことになる。つまり、この場合、ストライプは実質的にブロックへ分割されないのと同様となる。
【００６８】
このとき、このストライプをブロックに分割する別の方法では、ストライプに設けられた各ブロックの面積密度の平均値に関わらず、そのストライプエンドに位置するブロックのブロックエンドでは、必ず、基準マークの位置検出とドリフト補正が実行されるように決めておくことができる。そのようにすれば、上述したように、ストライプを構成する全てのブロックの面積密度の平均値が所定値より小さい場合であっても、ストライプエンドで１回のドリフト補正が行われることになる。
【００６９】
この方法によっても、従来検出が困難であったドリフトを検出して補正精度を向上させることが可能である。すなわち、ストライプをブロックに分割する分割数を予め決めておき、ブロック単位での基準マークの位置の検出と検出された位置を基にしたドリフトの補正を行うことにより、従来から行われていたストライプエンドまでの描画を終えた後のドリフト補正に加えて、ストライプエンドまでの描画の途中でもドリフト補正を行うことになる。つまり、パターンの面積密度に応じて、ドリフト補正の回数を増やすことができるので、ドリフト補正後の誤差を小さくすることが可能となる。
【００７０】
本実施の形態においては、マスクＭに描画されるパターンの面積密度に応じてストライプの幅を変えることが好ましい。これにより、ブロック単位のドリフト補正を行うことで基準マークの位置を検出する動作が増加し、結果として全体の描画時間が長くなるのを抑制することが可能である。すなわち、パターンの面積密度が小さい場合には、ドリフト量が小さくなると予測されるので、ストライプ幅を基準値より拡げることができる。また併せて、ブロックへの分割数を１にして、ストライプを実質的に分割しないようにすれば、基準マークを検出する回数を減らすことができる。これにより、ストライプをブロックに分割し、ブロック単位でドリフト補正を行うようにすることで増大した基準マークの検出回数を相殺し、全体の描画時間が増えるのを抑制することが可能である。
【００７１】
また、一方で、パターンの面積密度が大きい場合においても、ストライプ幅の基準値からの調整は、有利な効果を発揮する。すなわち、パターンの面積密度が大きいと、ドリフト量が大きくなることが予測されるので、ストライプをブロックに分割するとともに、ストライプ幅を基準値より狭くすることができる。
【００７２】
より具体的には、１つのストライプ中におけるパターンの面積密度の平均値が所定値以上である場合には、基準値幅のストライプをその幅方向と直交する方向に２つに分割する。これにより、その基準値となる幅のストライプに含まれることになるブロックの数は２倍になる。そのため、例えば、ブロックエンドまで描画した後に基準マークの位置を検出する動作を、さらに２倍にすることができる。つまり、電子ビームによる基準マークの位置検出について、次回検出するまでの時間を一層短くすることができるので、従来法では見逃していたドリフトを検出することができるようになる。これにより、ドリフト補正の精度をより向上させることが可能となる。
【００７３】
このように、ストライプをその幅方向に分割して各ブロックに分割し、ブロック単位の基準マークの位置検出とドリフト補正を行うことで、ドリフト補正の精度を従来より向上させることが可能となる。加えて、ストライプ幅を基準値と比べて調整する工程を組み合わせることで、さらに、ドリフト補正の精度を向上させることができ、また一方で、全体の描画時間が増えるのを抑制することも可能になる。
【００７４】
以下、図面を用い、比較例となる技術と比較しながら、本発明の実施形態をより具体的に説明する。
【００７５】
図３は、本実施の形態の比較例であり、ストライプの幅が全て同じ基準の幅であってストライプのブロックへの分割がされない例である。Ｓ１０１〜Ｓ１０８は、それぞれストライプを示している。
【００７６】
図３では、例えば、Ｙ軸方向に対して同じ基準の幅で複数の短冊状に分割されたＳ１０１について、ストライプエンドまで描画した後、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークの位置を走査してその位置を検出する。次いで、Ｓ１０２を描画し、続いてＳ１０３を描画する。Ｓ１０３のストライプエンドまで描画した後、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークの位置を走査してその位置を検出する。そして、検出された位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量としてドリフト補正する。
【００７７】
次に、Ｓ１０４を描画し、続いてＳ１０５を描画する。Ｓ１０５のストライプエンドまで描画した後、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークの位置を走査してその位置を検出する。同様に、Ｓ１０６を描画し、続いてＳ１０７を描画した後、電子ビームを照射して基準マークの位置を検出する。そして、検出された位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量としてドリフト補正した後、Ｓ１０８を描画する。
【００７８】
一方、図４は、本実施の形態を示し、ストライプがブロックに分割され、ストライプ幅が異なる例である。尚、マスクＭに描画されるパターンは、図３の例と同じとする。
【００７９】
図４において、Ｓ２０３、Ｓ２０４およびＳ２０８は、いずれも図３のストライプ幅と同じである。ここでは、これらの幅を基準となるストライプ幅とする。
【００８０】
Ｓ２０１、Ｓ２０２、Ｓ２０６およびＳ２０７の各ストライプ幅は、基準となるストライプ幅よりも狭い。これに対して、Ｓ２０５とＳ２０９の各ストライプ幅は、基準となるストライプ幅より広い。
【００８１】
図４に示すように、Ｓ２０１およびＳ２０６はそれぞれ、ブロックＢ２０１−１、Ｂ２０１−２、Ｂ２０１−３およびブロックＢ２０６−１、Ｂ２０６−２に分割されている。Ｓ２０１は、実質的に等しい大きさの３つのブロックＢ２０１−１、Ｂ２０１−２、Ｂ２０１−３に分割され、分割数は３である。一方、Ｓ２０６は、実質的に等しい大きさの２つのブロックＢ２０６−１、Ｂ２０６−２に分割され、分割数は２となっている。これら以外のＳ２０２〜Ｓ２０４およびＳ２０７〜Ｓ２０９の分割数はそれぞれ１であって、１つのストライプが１つのブロックを構成し、実質的なストライプの分割はされていない。
【００８２】
本実施の形態では、例えば、各ブロック（Ｂ２０１−１、Ｂ２０１−２、Ｂ２０１−３、Ｂ２０６−１、Ｂ２０６−２）にフラグを付加し、１つのブロックについて描画を終えたところで、ドリフト補正を行うことができる。すなわち、ブロックＢ２０１−１の描画を終えたところで描画を一旦停止し、電子ビームで基準マークの位置を検出する。次いで、ブロックＢ２０１−２の描画を終えたところで再び描画を停止して、電子ビームで基準マークの位置を検出する。この検出位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回の検出までの位置変動量としてドリフト補正する。ブロックＢ２０１−３、Ｂ２０６−１、Ｂ２０６−２についても同様であり、それぞれブロック単位での描画を終えたところで描画を停止して、ドリフト補正を行う。
【００８３】
一方、Ｓ２０２などのように、ストライプが分割されず、１つのストライプが１つのブロックとなるような場合には、描画後のドリフト補正を行わないようにすることもできる。あるいは、１つのストライプを描画し終えたところ、すなわち、ストライプエンドで必ずドリフト補正を行うようにすることもできる。
【００８４】
以上のようなドリフト補正を行うタイミングは、描画を開始する前に予め決定される。
【００８５】
上記例によれば、ブロックＢ２０１−１、Ｂ２０１−２、Ｂ２０１−３、Ｂ２０６−１、Ｂ２０６−１に分割されたＳ２０１やＳ２０６のようなストライプについては、各ブロックＢ２０１−１、Ｂ２０１−２、Ｂ２０１−３、Ｂ２０６−１、Ｂ２０６−１での描画を終えたところでドリフト補正が行われる。したがって、Ｓ２０１やＳ２０６は、図３の比較例と比べると、ドリフト補正が多く行われることになる。つまり、１つのストライプに対して、図３の比較例では、ストライプエンドでドリフト補正が行われるのみであったのに対して、図４の例によれば、ストライプエンド（この場合は、Ｂ２０１−３やＢ２０６−２のブロックエンドに相当する。）での補正に加えて、ストライプを描画している途中でも補正が行われることになる。
【００８６】
例えば、Ｓ２０１について、ブロックＢ２０１−１のブロックエンドまで描画した後、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークの位置を走査してその位置を検出する。次いで、Ｓ２０１のブロックＢ２０１−２のブロックエンドまで描画し、同様に、電子ビームで基準マークの位置を検出する。検出された位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量としてドリフト補正する。次に、同様に、Ｓ２０１のブロックＢ２０１−３のブロックエンドまで描画し、同様に、電子ビームで基準マークの位置を検出する。尚、ブロックＢ２０１−３でのドリフト補正は、Ｓ２０１のストライプエンドでのドリフト補正と言い換えることもできる。
【００８７】
次いで、Ｓ２０２の描画に移動する。Ｓ２０２のブロックへの分割数は１である。つまり、Ｓ２０２は、１つのブロックによって構成されている。この場合は、そのブロックエンドであるストライプエンドまで描画した後、電子ビームで基準マークの位置を検出する。検出された位置と、ブロックＢ２０１−３の描画後に検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量としてドリフト補正する。
【００８８】
Ｓ２０３についても、１つのブロックによって構成されており、その１つのブロックエンドであるストライプエンドまで描画した後、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークの位置を走査してその位置を検出する。
【００８９】
次に、Ｓ２０４については、ブロックエンドであるストライプエンドまで描画をした後にドリフト補正を行わず、そのままＳ２０５の描画を行う。
【００９０】
Ｓ２０５も１つのブロックによって構成されており、そのブロックエンドであるストライプエンドまで描画をし、その後、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークの位置を走査してその位置を検出する。そして、検出された位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量としてドリフト補正する。
【００９１】
次に、Ｓ２０６については２つのブロックＢ２０６−１、Ｂ２０６−２に２分割されており、ブロックＢ２０６−１のブロックエンドまで描画した後、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークの位置を走査してその位置を検出する。検出された位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量としてドリフト補正する。
【００９２】
次いで、Ｓ２０６のブロックＢ２０６−２のブロックエンドまで描画し、同様に、電子ビームで基準マークの位置を検出する。検出された位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量としてドリフト補正する。
【００９３】
次に、Ｓ２０７については、１つのブロックによって構成されており、そのブロックエンドであるストライプエンドまで描画した後、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークの位置を走査してその位置を検出する。
【００９４】
Ｓ２０８についてもＳ２０７と同様である。そして、検出された位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量としてドリフト補正した後、Ｓ２０９を描画する。
【００９５】
このように、図４の例では、Ｓ２０１とＳ２０６を、それぞれブロックに分割している。また、Ｓ２０１、Ｓ２０２、Ｓ２０６およびＳ２０７の各ストライプ幅は、基準となるストライプ幅よりも狭く、Ｓ２０５とＳ２０９の各ストライプ幅は、基準となるストライプ幅より広い。すなわち、所定のストライプについて、その幅を変えている。これにより、ドリフト補正の精度を向上させつつ、全体の描画時間が増加するのを抑制することができる。このことを図３の例と比較しながら説明する。
【００９６】
図４において、Ｓ２０１とＳ２０２は、それぞれ、基準となるストライプをその幅方向と直交する方向に２つに分割して得られたものとする。一方、図３のストライプ幅は、いずれも基準となるストライプ幅である。したがって、この場合、図３のＳ１０１の幅は、図４のＳ２０１とＳ２０２を合わせた幅に一致する。また、Ｓ２０１は、さらにブロックＢ２０１−１〜Ｂ２０１−３に３分割されている。
【００９７】
図３では、Ｓ１０１について、ストライプエンドまで描画した後、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させ、電子ビームで基準マークの位置を走査してその位置を検出する。これに対して、図４では、Ｓ２０１について、各ブロックＢ２０１−１〜Ｂ２０１−３のブロックエンドまで描画した後に、毎回、基準マークの位置を検出する。次いで、Ｓ２０２をブロックエンド、すなわちストライプエンドまで描画し、同様に、基準マークの位置を検出する。つまり、図３の例で、描画開始から基準マークの位置を検出するまでの間に、図４の例では、基準マークの位置を４回検出していることになる。
【００９８】
図３のＳ１０１におけるパターンの面積密度が、Ｓ１０２におけるパターンの面積密度より大きいとすると、Ｓ１０１におけるドリフト量は、Ｓ１０２におけるドリフト量よりも大きいことが予想される。このため、Ｓ１０２と同じ描画時間を要してＳ１０１を描画したのでは、ドリフトを十分に検出できないおそれがある。
【００９９】
これに対して、図４の例（Ｓ２０１とＳ２０２）では、図３の例（Ｓ１０１）で基準マークを１回検出する間に４回検出するので、図３の例で検出できないドリフトも検出できるようになる。したがって、図４の例によれば、ドリフト補正精度を図３の例より向上させることができる。
【０１００】
ところで、一般に、電子ビームの照射開始直後は、パターンの面積密度に関係なく、ドリフトの変化量が大きくなる。図５はこの様子を示したものである。
【０１０１】
図５に実線で示すように、ドリフトの変化量は、電子ビームの照射開始直後で大きく、その後、次第に小さくなっていく傾向を有する。このため、電子ビームの照射開始直後におけるドリフト補正の間隔は短い方が好ましい。本実施の形態では、電子ビームの照射開始直後における補正間隔が短くなるように、ストライプを分割するとともにストライプ幅を狭くすることが好ましい。
【０１０２】
図５において、破線は、ドリフト量測定の時間間隔を示しており、パターンの面積密度のみを考慮してストライプ幅が各ストライプ間で等しくなるように決定した場合の一例である。つまり、破線によって示される期間のそれぞれにおいて、対応する第１のストライプ、第２のストライプ、第３のストライプの描画が行われる。
【０１０３】
破線の例において、電子ビームの照射は、第１のストライプで開始される。例えば、第１のストライプのストライプエンドまで描画を終えた後に、電子ビームの照射位置を基準マークまで移動させてその位置を検出する。第２のストライプについても同様に描画を行い、そのストライプエンドに達したら、電子ビームで基準マークの位置を検出する。そして、検出された位置と、前回検出された位置との差分を線形補間して得られる値を、次回検出までの位置変動量としてドリフト補正した後、第３のストライプを描画する。
【０１０４】
尚、破線の第１のストライプ、第２のストライプおよび第３のストライプの各パターンの面積密度はいずれも同じとする。したがって、これらのストライプの幅は等しく、また、破線で示す通り、ドリフト量の測定が行われる時間間隔も等しい。
【０１０５】
一方、図５において、点線は、ドリフト量測定の時間間隔の他の例を示している。これは、パターンの面積密度に加えて、電子ビームの照射直後におけるドリフトの変化量を考慮して、各ストライプのブロックへの分割数を決定した場合に対応する。点線によって示される期間のそれぞれにおいて、対応する第１のブロック、第２のブロック、第３のブロック、・・・、第６のブロックの描画が行われる。ここで、第１のブロック、第２のブロックおよび第３のブロックによって１つのストライプが構成される。すなわち、第１のストライプは、これら３つのブロックに分割される。また、第４のブロックおよび第５のブロックによって、別の１つのストライプが構成される。すなわち、第２のストライプは、これら２つのブロックに分割される。第６のブロックは、第３のストライプに対応しており、１つのストライプが１つのブロックから構成される例、すなわち、ストライプからブロックへの分割が実質的には行われない例に対応する。
【０１０６】
図５に実線で示すドリフト量を見ると、その変化量は、破線の第１のストライプを描画しているときの方が、破線の第２のストライプを描画しているときより大きい。そして、破線の第３のストライプを描画しているときのドリフト量は略一定である。したがって、ドリフト補正の精度を向上させる点からは、ドリフトの変化量に応じた測定間隔となるようにストライプを分割し、その分割数を決定することが好ましい。すなわち、変化量の大きいところでは、ストライプの分割数を多くして測定間隔が短くなるようにし、変化量の小さいところでは、ストライプの分割数を少なくして測定間隔が長くなるようにする。こうして得られたのが、ストライプの分割による第１のブロックから第６のブロックであり、ドリフト量測定の時間間隔は点線で示す通りである。
【０１０７】
図５において、例えば、第１のブロックを描画している際のドリフトの変化量は、第４のブロックを描画している際のドリフトの変化量より大きい。そして、第１のブロックに対応する点線の間隔は、第４のブロックに対応する点線の間隔より短くなっている。これは、第１のブロックの描画時間が、第４のブロックの描画時間より短いことを示しており、つまり、第１のブロックの方が、第４のブロックより、ドリフト量測定までの時間間隔が短いことを示している。
【０１０８】
また、図５において、例えば、第６のブロックを描画している際のドリフトの変化量は、第１のブロックを描画している際のドリフトの変化量より小さい。そして、第６のブロックに対応する点線の間隔は、第１のブロックに対応する点線の間隔より長くなっている。これは、第６のブロックの描画時間が、第１のブロックの描画時間より長いことを示しており、つまり、第６のブロックの方が、第１のブロックより、ドリフト量測定までの時間間隔が長いことを示している。
【０１０９】
また、上述したように、点線の第１のブロック、第２のブロックおよび第３のブロックは、破線で示す第１のストライプをその幅方向に３つに分割して得られたものである。これらのブロックはこの順に描画され、また、それぞれのブロックエンドまで描画した後に基準マークの位置検出が行われる。つまり、この場合には、破線の第１のストライプを描画して基準マークを検出するまでの間に、３回の位置検出が行われることになる。
【０１１０】
点線で示す、第４のブロックおよび第５のブロックは、破線で示す第２のストライプをその幅方向に２つに分割して得られたものである。これらのブロックはこの順に描画され、また、それぞれのブロックエンドまで描画した後に基準マークの位置検出が行われる。つまり、この場合には、破線の第２のストライプを描画して基準マークを検出するまでの間に、２回の位置検出が行われることになる。
【０１１１】
点線で示す第６のブロックは、破線で示す第３のストライプと同じ幅を有しており、ストライプのブロックへの分割数が１であって、実質的なブロックへの分割がされていないものである。したがって、点線で示す第６のブロックは、第３のストライプと同じように描画される。そして、ブロックエンドに達した後は、破線の第３のストライプと同様に、基準マークの位置検出が行われる。
【０１１２】
このように、点線で示す６つのブロックによれば、ドリフトの変化量の大きいところで測定回数を増やすので、ドリフト補正の精度を向上させることができる。一方、ドリフトの変化量の小さいところでは、測定回数を減らすので、ドリフトの変化量の大きいところで測定回数を増やすことで全体の描画時間が長くなるのを抑制することが可能である。
【０１１３】
また、図５の例においてさらにドリフト補正の精度を向上させるためには、上述のストライプのブロックへの分割とともに、ストライプの幅を狭くすることも有効である。破線で示す第１のストライプをその幅方向に３つに分割して点線の第１のブロック、第２のブロックおよび第３のブロックを形成するのと併せて、破線の第１のストライプをその幅方向と直交する方向に２分割しておけば、それらの分割によって１つのストライプから得られるブロックの数は、３つを２倍した６つになる。６つのブロックのそれぞれについて、ストライプエンドまで描画した後に基準マークの位置検出が行われる場合、破線の第１のストライプを描画して基準マークを検出するまでの間に、６回の位置検出が行われることになる。
【０１１４】
このように、１つのストライプをその幅方向に分割し、さらにその幅方向と直交する方向に分割する場合、ドリフトの変化量の特に大きいところで測定回数を増やすことができる。これにより、ドリフト補正の精度を向上させることが可能となる。
【０１１５】
また、一方で、ストライプの幅を広くし、併せて、ストライプのブロックへの分割数を１にすることで、ストライプエンドまで描画した後に行われる基準マークの位置検出の回数を減らし、ひいては、その時間間隔を大きくすることができる。すなわち、ドリフトの変化量の小さいところでは、測定回数を減らすことができる。
【０１１６】
このように、ストライプの分割数とともにストライプの幅を調整することで、ドリフトの変化量の小さいところでは、測定回数を減らすことができ、ドリフトの変化量の大きいところでは測定回数を増やすことができる。これにより、ドリフト補正の精度を向上させるとともに、全体の描画時間が長くなるのを抑制することが可能である。
【０１１７】
尚、上記したように、パターンの面積密度とドリフト量には相関があり、パターンの面積密度が大きいとドリフト量は大きくなる。そして、ストライプ間のパターンの面積密度の変化量もドリフト量に影響する。すなわち、パターンの面積密度の変化量が大きいほど、ドリフト量は大きくなる。このため、ストライプのブロックへの分割数を決定するに際しては、パターンの面積密度に加えて、パターンの面積密度の変化量も考慮することが好ましい。具体的には、パターンの面積密度が大きく、且つ、次に描画するストライプとのパターンの面積密度の変化量が大きいものほど、ストライプのブロックへの分割数を大きくすることが好ましい。尚、併せて、電子ビームの照射開始からのドリフトの変化量も考慮すればより好ましい。
【０１１８】
例えば、描画領域を基準となる幅のストライプに分割するとともに、所定のサイズでメッシュ状に分割して複数の小領域を形成する。そして、小領域毎にパターンの面積密度を算出して、基準となる幅のストライプに含まれる小領域の面積密度の平均値を求め、この平均値に応じてストライプの基準となる幅とブロックへの分割数を調整する。その後、ストライプ間におけるパターンの面積密度の変化量に応じてさらに幅と分割数を調整する。
【０１１９】
次に、図１および図６を用いて、本実施の形態による描画方法を説明する。
【０１２０】
まず、図１のメモリ１１からのパターンデータに基づいて、全体制御部１０のレイアウトデータ生成回路１３でレイアウトデータが作成される（図６の工程（１））。
【０１２１】
次に、パターン面積密度演算回路１７において、レイアウトデータのパターンの面積密度が求められる（工程（２））。例えば、基準となるストライプ幅を決定するとともに、主偏向領域をメッシュ状に分割する。そして、メッシュ毎にパターンの面積密度を計算し、１つのストライプに含まれるメッシュのパターンの面積密度の平均値を求める。また、パターン面積密度演算回路１７では、ストライプ間のパターンの面積密度の変化量も求めることができる。
【０１２２】
尚、電子ビーム描画装置においては、レジスト膜に照射された電子がその表面で反射し、さらに電子ビーム描画装置の光学部品に反射した後、レジスト膜を広範囲に渡って再照射してしまう現象（かぶり効果）が見られる。この現象は、レジスト膜に電子が照射されて発生した二次電子によっても引き起こされる。かぶり効果によって、描画されるパターンの寸法は変動する。そこで、レジストに蓄積される電子ビームの蓄積照射量が調整される。このとき、寸法変動には周囲のパターンの面積密度が影響することから、パターンの面積密度の値を用いて寸法変動を補正することが行われている。本実施の形態においては、かぶり補正で求めたパターンの面積密度を転用してもよい。例えば、図６の工程（２）において、パターン面積密度演算回路１７へかぶり補正で求めたパターンの面積密度のマップを送ってもよい。
【０１２３】
ストライプ情報取得回路１８は、レイアウトデータをどのようなストライプに分割し、さらに各ストライプのブロックへの分割の数をどのようにするかについての情報を取得する（工程（３））。例えば、パターン面積密度演算回路１７で取得されたパターンの面積密度やストライプ間のパターンの面積密度の変化量の情報は、ストライプ情報取得回路１８が取得する情報である。
【０１２４】
メモリ１１に格納されている履歴データも、ストライプ情報取得回路１８が取得する情報の１つである。ここでいう履歴データとは、以前に描画されたレイアウトパターンに関する情報であって、ドリフト補正後に残る設計値との差を基準値より小さくするのに必要な情報のことである。
【０１２５】
ドリフト補正では、補間によって描画時点でのドリフト値を予測している。つまり、マスク上に設けた基準マークを検出してドリフト量を算出し、描画時点のドリフト値を補間により予測演算して補正している。このため、ドリフト補正精度をいかに向上させたとしても、ドリフト補正後の描画位置と設計位置とを完全に一致させることは困難である。尚、本願において、ドリフト補正後の描画位置と設計位置との差を「補正残差」と称す。
【０１２６】
補正残差は、マスクパターンの位置精度より十分に小さいものとする必要があり、特に、回路パターンの微細化が進んでいる近年にあっては、補正残差を一層小さくすることが求められている。そこで、過去の描画データを基に、補正残差を基準値より小さくするのに必要な情報を履歴データとしてメモリ１１に格納しておく。例えば、以前に描画されたレイアウトパターンの中で今回描画するパターンと同様のパターンに関するドリフト量のマップは、履歴データの１つとなる。さらに、この履歴データの中で、（図５に示すような）電子ビームの照射開始直後におけるドリフトの変化量のデータは、ストライプのブロックへの分割数を決定する上で、さらには、ストライプ幅を決定するうえで参照される重要な情報の１つである。
【０１２７】
尚、本実施の形態において、かぶり補正で求めたパターンの面積密度を転用する場合、そのマップをストライプ情報取得回路１８へ送り、レイアウトデータをストライプに分割し、さらに、ストライプをブロックに分割する際の情報の１つとしてもよい。この場合、図６の工程（２）は不要とすることができる。
【０１２８】
ストライプ構成回路１９は、ストライプ情報取得回路１８からの情報を基に、レイアウトデータを所定のストライプ幅に分割し、さらにブロックに分割する（工程（４））。このとき、レイアウトデータのパターンの面積密度に応じて、ストライプのブロックへの分割数を変え、さらには、ストライプの幅を変える。例えば、パターン面積密度演算回路１７からのデータが、レイアウトパターンを基準となる幅のストライプに分割したときの各ストライプのパターンの面積密度であるとする。この場合、パターンの面積密度が所定値以上であれば、ストライプの分割数を２以上とし、さらに必要な場合には、ストライプの幅が基準値より狭くなるようにする。また、パターンの面積密度が所定値以下であれば、ストライプの分割数を１とし、さらに必要な場合は、ストライプ幅を基準値より広くなるようにする。例えば、１つのストライプ中におけるパターンの面積密度が５０％以上である場合には、ストライプをその幅方向に２つに分割する。
【０１２９】
ストライプ構成回路１９では、パターンの面積密度だけでなく、電子ビームＢの照射開始直後におけるドリフトの変化量や、ストライプ間のパターンの面積密度の変化量も考慮に入れて、ストライプのブロックへの分割数を決定することが好ましく、さらに必要な場合には、ストライプの幅を決定することが好ましい。
【０１３０】
尚、電子ビームＢの照射が開始される第１のストライプについては、第１のストライプの前に描画されるストライプがないため、パターンの面積密度の変化量を求めることができない。そこで、第１のストライプについては、例えば、メモリ１１に保存された履歴データから、同様のパターンにおける第１のストライプのドリフト量を参照してストライプのブロックへの分割数と幅を決定することができる。あるいは、上記の通り、第１のストライプでドリフトの変化量が大きくなる傾向はパターンの面積密度によらないので、パターンの種類に関係なく、第１のストライプの分割数と幅を設定することもできる。
【０１３１】
ストライプ構成回路１９において、レイアウトパターンは所定のストライプに分割される。また、各ストライプは、さらに所定数のブロックに分割される。本実施の形態では、描画データに対して、ブロック単位で、ドリフト量の測定を行うか否かの判定をするためのフラグがされているので、実質的に、各ブロックには、フラグが付されていることになる。この描画データは、照射制御部７に送られて描画が行われる（工程（５））。具体的には、照射制御部７は、この描画データに基づき、ステージ位置測定手段１２で測定したステージ３の位置を確認しつつ、電子光学鏡筒２内の電子ビームＢの成形制御や偏向制御を行って、マスクＭの所要の位置に電子ビームＢを照射する。
【０１３２】
第１のストライプが複数のブロックに分割されている場合、第１のストライプの第１番目のブロックを描画し、その第１番目のブロックのブロックエンドに到達した後は、工程（６）においてドリフト量の測定を行うか否かの判定を行う。この判定は、描画データを構成する各ブロックに付されたフラグにしたがって行われる。そして、ドリフト量の測定を行う場合には、工程（７）に進む。具体的には、電子ビームＢの照射位置を基準マークまで移動させる。そして、電子ビームＢで基準マークの位置を走査してその位置を検出し、ドリフト量測定回路１４でドリフト量を測定する。
【０１３３】
尚、ストライプが複数のブロックに分割されている場合、通常は、ブロック単位でドリフト補正がされることを想定している。そのため、工程（６）において、特にドリフト量の測定を行うか否かの判定が必要となるのは、ストライプのブロックへの分割数が１であって、実質的にストライプがブロックに分割されていない場合である。
【０１３４】
次に、測定したドリフト量に基づいて、ドリフト補正量演算回路１５でドリフト補正値を算出する（工程（８））。メモリ１１には補正係数が格納されているので、ドリフト補正量演算回路１５でこの情報を呼び出し、ドリフト量に応じた補正値を算出する。
【０１３５】
ストライプ構成回路１９で生成された描画データは設計値のデータである。そこで、この設計値の描画データと、ドリフト補正量演算回路１５からの補正値のデータとを、加算器１６で加算して合成する。これにより、設計値の描画データが書き換えられ、ビームドリフト量が補正された描画データが得られる。
【０１３６】
続いて、補正された描画データに基づき、第１のストライプの第２番目のブロックの描画が行われる（工程（５））。
【０１３７】
第１のストライプの第２のブロックエンドに到達した後は、工程（６）において、ドリフト量の測定を行うか否かの判定を行う。この判定は、第１番目のブロックと同様に、描画データを構成する各ブロックに付されたフラグにしたがって行われる。ドリフト量を測定する場合には、工程（７）と工程（８）を行った後、工程（５）に進んで描画を行う。
【０１３８】
工程（６）において、ドリフト量の測定を行わないと判定した場合には、工程（９）に進んで描画を終えるか否かの判定を行う。描画すべきパターンがある場合には、工程（５）に戻って描画を行う。このとき、前回測定したドリフト量、すなわち、第２番目のブロックのドリフト量から、その次の第３番目のブロックにおけるドリフト量を補間により予測し、ドリフト補正量演算回路１５で、このドリフト量に基づく補正値を算出して、第３番目のブロックの描画データに加算する。その後、補正された描画データに基づき、第３番目のブロックを描画する。尚、第３番目のブロックは、第１のストライプに含まれる場合もあるが、第２のストライプに含まれるブロックである場合もある。
一方、工程（９）で描画すべきパターンがない場合には、かかる一連の描画工程を終了する。
【０１３９】
図７は、ドリフト補正残差の時間変化について、本実施の形態と従来法とを比較した例である。
【０１４０】
破線は、従来法による補正残差の時間変化を示したものである。また、破線の矢印は、従来法におけるドリフト量測定のタイミングを示している。
【０１４１】
従来法では、描画途中における基準マークの位置検出を一定の時間間隔で行う。つまり、破線の矢印で示すように、ドリフト量の測定は一定の時間間隔で行われる。このため、測定と測定の間でドリフトが生じた場合、これを検出することができない。その結果、ドリフト補正の精度が低下し、補正残差が許容範囲を超えることが起こる。特に、描画開始直後は、ドリフトの変化量が大きいため、図７に示すように、許容範囲を超える補正残差が見られやすい。尚、許容範囲の大きさは、マスクパターンの位置精度より十分に小さい値である。
【０１４２】
一方、図７において、実線は、本実施の形態による補正残差の時間変化を模式的に示したものである。また、実線の矢印は、本実施の形態におけるドリフト量測定のタイミングを示している。
【０１４３】
本実施の形態では、パターンの面積密度に応じてストライプのブロックへの分割数を変え、さらに、ストライプ幅を変える方法を併用して、ドリフト測定の間隔を調整している。パターンの面積密度が同じであれば、ストライプのブロックへの分割数を多くすることにより、ブロックエンドまで描画するのに要する時間は短くなる。さらに、ストライプ幅を狭くすることにより、ブロックエンドまで描画するのに要する時間は、より短くなる。ドリフト量の測定が、ブロックエンドに達した後に行われるのであれば、ブロックエンドまでの描画時間が短くなれば、ドリフト測定の時間間隔も短くなる。したがって、本実施の形態では、従来法では検出が困難であった急に起こるドリフトを検出して、補正の精度を向上させることができるので、補正残差が許容範囲を超えないようにすることが可能である。
【０１４４】
また、本実施の形態においては、描画開始直後のドリフトの変化量の大きさを考慮に入れてストライプのブロックへの分割数とストライプ幅を決めることで、ドリフト補正の精度を一層向上させることができる。さらに、パターンの面積密度の小さいところでは、ストライプの分割数を小さくし、また、ストライプ幅を広くして、ドリフト測定の間隔を長くすることにより、全体の描画時間が長くなるのを抑制することができる。
【０１４５】
尚、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内において、種々変形して実施することができる。
【０１４６】
例えば、本実施の形態においては、主偏向器と副偏向器を有する電子ビーム描画装置について述べたが、本発明はこれに限られるものではない。主偏向器と副偏向器の二段（あるいは複数段）ではなく、一段の偏向器で電子ビームを偏向しながらマスク上での照射位置を決定してパターンを描画する電子ビーム描画装置であっても構わない。
【０１４７】
さらに、上記実施の形態では電子ビームを用いたが、本発明は、これに限られるものではなく、イオンビームなどの他の荷電粒子ビームを用いた場合にも適用可能である。
【符号の説明】
【０１４８】
Ｂ    電子ビーム
Ｍ    マスク
１    描画室
２    電子光学鏡筒
３    ステージ
３ａ    ミラー
４    マーク台
７    照射制御部
１０    全体制御部
１１  メモリ
１２    ステージ位置測定手段
１３    レイアウトデータ生成回路
１４    ドリフト量測定回路
１５    ドリフト補正量演算回路
１６    加算器
１７    パターン面積密度演算回路
１８    ストライプ情報取得回路
１９    ストライプ構成回路
５１    描画領域
５２    ストライプ
５３    副偏向領域
１０１    電子銃
１０２    照明レンズ
１０３    ブランキング偏向器
１０４    ブランキングアパーチャ
１０５    第１成形アパーチャ
１０６    投影レンズ
１０７    成形偏向器
１０８    第２成形アパーチャ
１０９    主偏向器
１１０    対物レンズ
１１１    副偏向器
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図１】
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【図６】
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【図７】
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