(57)【要約】【課題】遮光膜についての所望の光透過率をより容易に調整する。【解決手段】透明基板１０と透明基板１０上に形成された遮光膜１１と遮光膜１１上に形成されたレジスト膜１２から構成される描画対象基板Ｓ１を用意し、電子ビームＢにより、遮光マスク１の所望の光透過率の値に相当する値のドット密度でレジスト膜１２にドット１２ａを描画し、描画後のレジスト膜１２を現像した後、現像後のレジスト膜１２をエッチングマスクとしてエッチングガスＧにより遮光膜１１をエッチングし、残存するレジスト膜１２を除去する。【選択図】図１
2014071249.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基板と該透明基板上に形成された遮光膜と該遮光膜上に形成されたレジスト膜から構成される描画対象基板を用意し、
前記遮光膜についての所望の光透過率の値に相当する値のドット密度で前記レジスト膜にドットを描画し、
描画後の前記レジスト膜を現像した後、現像後の前記レジスト膜をエッチングマスクとして前記遮光膜をエッチングすることを特徴とする遮光マスクの製造方法。
【請求項２】
前記ドットの描画が、ドットが描画される描画領域の位置を指定する描画情報に従って行われ、
前記描画情報が、描画対象面を分割して得た１ドット分の分割領域ごとに、ドットが描画される分割領域であるか否かを指定するものであることを特徴とする請求項１に記載の遮光マスクの製造方法。
【請求項３】
前記描画情報が、各分割領域に関するドット密度の値に相当する値の確率で発生する疑似乱数を基準にして、前記分割領域ごとに、ドットが描画される分割領域とするか否かが決定されたことにより、作成されたものであることを特徴とする請求項２に記載の遮光マスクの製造方法。
【請求項４】
前記描画情報が、各描画領域が独立するように前記分割領域のうち一部の領域が描画禁止領域として予め決定された後、前記描画禁止領域を除く前記分割領域ごとに、ドットが描画される分割領域とするか否かが決定されたことにより、作成されたものであることを特徴とする請求項２または３に記載の遮光マスクの製造方法。
【請求項５】
前記ドットの描画が、前記描画対象基板の位置に応じて前記ドット密度が連続的に変化するように行われることを特徴とする請求項２から４いずれかに記載の遮光マスクの製造方法。
【請求項６】
前記ドットの描画が、前記描画対象基板が回転した状態で、回転角に応じて前記ドット密度が変化するように行われることを特徴とする請求項５に記載の遮光マスクの製造方法。
【請求項７】
透明基板と、
該透明基板上に形成された遮光膜とを備え、
前記遮光膜がドット状の開口を有し、
前記開口の開口率の値が前記遮光膜についての所望の光透過率の値に相当することを特徴とする遮光マスク。
【請求項８】
遮光マスク上の位置に応じて前記開口率が連続的に変化するように前記開口が形成されていることを特徴とする請求項７に記載の遮光マスク。
【請求項９】
前記開口率が所定の点の周りの角度に応じて変化することを特徴とする請求項８に記載の遮光マスク。
【請求項１０】
透明基板と該透明基板上に形成された遮光膜と該遮光膜上に形成されたレジスト膜から構成される露光対象基板を用意し、
請求項７から９いずれかに記載の遮光マスクを露光マスクとして前記レジスト膜の露光を行い、
露光後の前記レジスト膜を現像した後、現像後の前記レジスト膜をエッチングマスクとして前記露光対象基板の前記遮光膜をエッチングすることを特徴とする減光フィルタの製造方法。
【請求項１１】
透明基板と、
該透明基板上に形成された遮光膜とを備え、
前記遮光膜がドット状の開口を有し、
前記開口の開口率の値が前記遮光膜についての所望の光透過率の値に相当することを特徴とする減光フィルタ。
【請求項１２】
減光フィルタ上の位置に応じて前記開口率が連続的に変化するように前記開口が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の減光フィルタ。
【請求項１３】
前記開口率が所定の点の周りの角度に応じて変化することを特徴とする請求項１２に記載の減光フィルタ。
【請求項１４】
請求項１に記載の製造方法において実施される描画方法であって、
透明基板と該透明基板上に形成された遮光膜と該遮光膜上に形成されたレジスト膜から構成される描画対象基板を用意し、
前記遮光膜についての所望の光透過率の値に相当する値のドット密度で前記レジスト膜にドットを描画することを特徴とする描画方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えばグラデーションＮＤ（Neutral Density）フィルタ等の減光フィルタの製造に用いられる遮光マスクの製造方法およびその遮光マスクに関するものである。また、本発明は、その遮光マスクを用いた減光フィルタの製造方法およびそれにより製造される減光フィルタに関するものである。また、本発明は、その遮光マスクの製造方法において実施されるレジストへの描画方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、テレビカメラの撮影レンズ系と色分解光学系との間に、例えば受光量を調整することが可能なグラデーションＮＤフィルタが設けられている（例えば特許文献１から３）。グラデーションＮＤフィルタは、円周方向に沿って光透過率（或いは光学濃度）が連続的に変化するように設計されている。したがって、テレビカメラの撮影光軸を横切るようにこのグラデーションＮＤフィルタを回転させ、所定の光透過率のフィルタ部分を撮影光軸上に位置させることにより、受光量を所望の値に調整することができる。
【０００３】
このようなグラデーションＮＤフィルタの製造方法としては、そのＮＤフィルタに関する所望の光透過率に応じた膜厚分布を有する金属膜を真空蒸着等の成膜法により透明基板上に形成する方法が知られている（例えば特許文献４）。膜厚分布は、例えば透明基板または蒸着マスクを回転させることにより実現される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２４３９２８号公報
【特許文献２】特開２００３−０３５８０２号公報
【特許文献３】特開Ｈ０３−００６５１１号公報
【特許文献４】特開Ｈ１１−３８２０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献４のように膜厚分布によって所望の光透過率のグラデーションを実現する方法では、膜厚分布が成膜条件の様々なパラメータ（回転速度、蒸着原から基板までの距離、蒸着時間、蒸着材料等）に依存するため、膜厚分布の微妙な制御が難しい。したがって、実際に所望の位置に所望の光透過率を調整することが難しく、また再現性に乏しいという問題がある。
【０００６】
一方、グラデーションＮＤフィルタを量産する場合には、グラデーションＮＤフィルタの仕様に応じたグラデーションマスクを使用したフォトリソグラフィが利用される。このグラデーションマスクも、基本的には上記と同様に、そのマスクに関する所望の光透過率に応じた膜厚分布を有する金属膜を透明基板上に形成することにより製造される。したがって、このグラデーションマスクの製造においても、上記と同様の理由により、所望の位置に所望の光透過率を調整することが難しく、また再現性に乏しいという問題がある。
【０００７】
また、上記のような問題は、一般に減光フィルタまたは遮光マスクの光透過率が連続的に変化する場合に特に顕著であるが、それらの光透過率が変化しない場合であっても金属膜などの膜厚に依存して光透過率を規定するのは調整が難しいという問題がある。
【０００８】
本発明は上記問題に鑑みてなされたものであり、所望の光透過率をより容易に調整することを可能とする遮光マスクの製造方法およびその方法により製造される遮光マスクを提供することを目的とするものである。
【０００９】
さらに本発明は、所望の光透過率をより容易に調整することを可能とする減光フィルタの製造方法およびその方法により製造される減光フィルタを提供することを目的とするものである。
【００１０】
さらに本発明は、遮光マスクの製造において実施されるレジストへの描画方法であって、遮光マスクの所望の光透過率をより容易に調整することを可能とする描画方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記課題を解決するために、本発明に係る遮光マスクの製造方法は、
透明基板と透明基板上に形成された遮光膜と遮光膜上に形成されたレジスト膜から構成される描画対象基板を用意し、
遮光膜についての所望の光透過率の値に相当する値のドット密度でレジスト膜にドットを描画し、
描画後のレジスト膜を現像した後、現像後のレジスト膜をエッチングマスクとして遮光膜をエッチングすることを特徴とするものである。
【００１２】
そして、本発明に係る遮光マスクの製造方法において、ドットの描画は、ドットが描画される描画領域の位置を指定する描画情報に従って行われ、描画情報は、描画対象面を分割して得た１ドット分の分割領域ごとに、ドットが描画される分割領域であるか否かを指定するものであることが好ましい。
【００１３】
また、本発明に係る遮光マスクの製造方法において、描画情報は、各分割領域に関するドット密度の値に相当する値の確率で発生する疑似乱数を基準にして、分割領域ごとに、ドットが描画される分割領域とするか否かが決定されたことにより、作成されたものであることが好ましい。
【００１４】
また、本発明に係る遮光マスクの製造方法において、描画情報は、各描画領域が独立するように分割領域のうち一部の領域が描画禁止領域として予め決定された後、この描画禁止領域を除く分割領域ごとに、ドットが描画される分割領域とするか否かが決定されたことにより、作成されたものであることが好ましい。
【００１５】
また、本発明に係る遮光マスクの製造方法において、ドットの描画は、描画対象基板の位置に応じてドット密度が連続的に変化するように行われることが好ましい。この場合において、ドットの描画は、描画対象基板が回転した状態で、回転角に応じてドット密度が変化するように行われることが好ましい。
【００１６】
本発明に係る遮光マスクは、透明基板と、透明基板上に形成された遮光膜とを備え、遮光膜がドット状の開口を有し、開口の開口率の値が遮光膜についての所望の光透過率の値に相当することを特徴とするものである。
【００１７】
そして、本発明に係る遮光マスクにおいて、遮光マスク上の位置に応じて開口率が連続的に変化するように開口が形成されていることが好ましい。この場合において、開口率は所定の点の周りの角度に応じて変化することが好ましい。
【００１８】
本発明に係る減光フィルタの製造方法は、
透明基板と透明基板上に形成された遮光膜と遮光膜上に形成されたレジスト膜から構成される露光対象基板を用意し、
上記に記載の遮光マスクを露光マスクとしてレジスト膜の露光を行い、
露光後のレジスト膜を現像した後、現像後のレジスト膜をエッチングマスクとして露光対象基板の遮光膜をエッチングすることを特徴とするものである。
【００１９】
本発明に係る減光フィルタは、透明基板と、透明基板上に形成された遮光膜とを備え、遮光膜がドット状の開口を有し、開口の開口率の値が遮光膜についての所望の光透過率の値に相当することを特徴とするものである。
【００２０】
そして、本発明に係る減光フィルタにおいて、減光フィルタ上の位置に応じて開口率が連続的に変化するように開口が形成されていることが好ましい。この場合において、開口率は所定の点の周りの角度に応じて変化することが好ましい。
【００２１】
本発明に係る描画方法は、
上記に記載の遮光マスクの製造方法において実施される描画方法であって、
透明基板と透明基板上に形成された遮光膜と遮光膜上に形成されたレジスト膜から構成される描画対象基板を用意し、
遮光膜についての所望の光透過率の値に相当する値のドット密度でレジスト膜にドットを描画することを特徴とするものである。
【発明の効果】
【００２２】
本発明に係る遮光マスクの製造方法では、遮光膜の所望の光透過率の値に相当する値のドット密度でレジスト膜にドットを描画し、描画後のレジスト膜を現像した後、現像後のレジスト膜をエッチングマスクとして遮光膜をエッチングするから、遮光膜についての光透過率を遮光膜の開口率で制御することができる。この開口率は、描画の際のドット密度によって容易に調整することができる。したがって、遮光マスクの製造において、遮光膜についての所望の光透過率をより容易に調整することが可能となる。そして、本発明の遮光マスクでは、遮光膜の膜厚ではなく開口率により光透過率が規定されるため、所望の光透過率をより容易に調整することが可能となる。
【００２３】
さらに、本発明に係る減光フィルタの製造方法では、本発明に係る遮光マスクを露光マスクとしてレジスト膜の露光を行い、露光後のレジスト膜を現像した後、現像後のレジスト膜をエッチングマスクとして露光対象基板の遮光膜をエッチングするから、遮光膜についての光透過率を遮光膜の開口率で制御することができる。したがって、減光フィルタの製造において、所望の光透過率をより容易に調整することが可能となる。そして、本発明の減光フィルタでは、遮光膜の膜厚ではなく開口率により光透過率が規定されるため、所望の光透過率をより容易に調整することが可能となる。
【００２４】
さらに、本発明に係る描画方法は、遮光マスクの製造方法において、遮光マスクの所望の光透過率の値に相当する値のドット密度でレジスト膜にドットを描画するから、所望の光透過率の調整がより容易な遮光マスクの製造が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】実施形態の遮光マスクの製造方法の工程を示す概略図である。
【図２】遮光マスクについての光透過率の開口サイズ依存性を示すシミュレーションによって得たグラフである。
【図３】実施形態の遮光マスクを示す概略図である。
【図４】遮光マスクについての光学濃度の角度依存性を示すグラフである。
【図５】遮光マスクについての光透過率の角度依存性を示すグラフである。
【図６】描画情報としてのパターンマップの例を示す概念図である。
【図７】独立したドットを描画する時に使用するパターンマップの作成方法を示す概念図である。
【図８】実施形態の減光フィルタの製造方法の工程を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明の実施形態について図面を用いて説明するが、本発明はこれに限られるものではない。なお、視認しやすくするため、図面中の各構成要素の縮尺等は実際のものとは適宜異ならせてある。
【００２７】
「遮光マスクの製造方法、遮光マスクおよび描画方法の実施形態」
本実施形態の遮光マスクの製造方法は、図１に示されるように、透明基板１０と透明基板１０上に形成された遮光膜１１と遮光膜１１上に形成されたレジスト膜１２から構成される描画対象基板Ｓ１を用意し（図１ａ）、電子ビームＢにより、遮光膜についての所望の（仕様として必要とされる）光透過率の値に相当する値のドット密度でレジスト膜にドット１２ａを描画し（図１ｂ）、描画後のレジスト膜を現像した後（図１ｃ）、現像後のレジスト膜１２をエッチングマスクとしてエッチングガスＧにより遮光膜１１をエッチングし（図１ｄ）、残存するレジスト膜１２を除去し（図１ｅ）、遮光膜を保護するための保護膜１３を形成する（図１ｆ）ものである。
【００２８】
これにより、図１ｆに示されるように、透明基板１０と、透明基板１０上に形成された遮光膜１１と、遮光膜１１上に形成された保護膜１３とを備え、遮光膜１１がドット状の開口１１ａを有し、開口１１ａの開口率の値が遮光膜１１についての所望の光透過率の値に相当することを特徴とする遮光マスク１が製造される。
【００２９】
透明基板１０の材料としては、特に制限されず、石英ガラスや樹脂を使用することができる。透明基板１０の平面視における形状は、特に制限されず、例えば矩形状、円状または円環状である。
【００３０】
遮光膜１１は、進入する光を例えば反射または吸収することにより、当該光の一部を遮る機能を果たす。遮光膜１１の材料は、特に制限されず、例えば金属材料や、色素を含有する樹脂を使用することができる。遮光膜１１の材料としては、リソグラフィ技術において一般的に使用されているクロムが好ましい。遮光膜１１の膜厚は、遮光膜１１の材料が存在する部分において充分に遮光できる程度であり、例えばその材料が金属材料である場合には４０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましい。遮光膜１１の膜厚が４０ｎｍ未満である場合には、遮光膜１１の材料が存在する部分においても光が透過してしまい、光透過率の調整が複雑になるからである。遮光膜１１は、真空蒸着法やスパッタリング法等の公知の成膜方法により形成することができる。
【００３１】
レジスト膜１２の材料は、特に制限されず、公知のレジスト材料の中から適宜選択することができ、特に高感度な化学増幅型レジスト材料が好ましい。
【００３２】
レジスト膜１２への描画は電子ビーム描画装置または光ビーム描画装置を使用して行うことができる。例えば本実施形態では電子ビームＢにより描画を行っている。また描画は、描画装置のＸＹステージまたは回転ステージを動かしながら１ドットずつ行われる。１ドットを描画する際には、そのドットと同じ形状の成形ビームによって１ショットで描画してもよく、そのドットより小さいビーム径のビームにより走査しながら描画してもよい。また、例えば円状に複数のドットを描画する際には、１周ごとに径方向の位置を変更しながら描画を行う。径方向の位置を変更する方法としては、例えば、同心円状に描画を行い１回転ごとに径方向の位置を変更する方法と、螺旋状に描画を行い徐々に径方向の位置を変更する方法とがある。例えば、周方向に光透過率が変化するグラデーションマスクを製造する場合には、ドットの描画は、描画対象基板が回転した状態で、回転角に応じてドット密度が変化するように行われる。
【００３３】
ドット１つ当たりの平面視における形状は、特に制限されず、矩形状または円状とすることができる。ドット１つ当たりの平面視におけるサイズ（ドットを包含する最小外接円の直径）は、１００〜３００ｎｍである。これは、ドットサイズが１００ｎｍ未満である場合には、遮光膜１１に形成される開口が小さすぎて光が透過しにくくなるためであり、ドットサイズが３００ｎｍを超える場合には、光が透過する領域とそうでない領域が偏ってしまい、遮光膜１１を透過した光の均一性が低下する等の理由による。例えば、遮光膜１１を透過した光の均一性を重視する場合にはドットサイズを１００〜２００ｎｍとし、開口１つ当たりの光透過率を重視する場合にはドットサイズを２００〜３００ｎｍとすることが好ましい。
【００３４】
「遮光膜についての所望の光透過率」とは、遮光膜自体に要求される光透過率を言う。つまり、遮光膜についての所望の光透過率は、遮光マスク１の光透過率から、遮光マスク１の構成要素のうち遮光膜１１以外の構成要素（例えば透明基板１０等）による影響を除いた光透過率である。「ドット密度」とは、光透過率を考慮したい所定の領域全体の面積に対する、その領域内での描画された複数のドットの総面積の割合をいう。なお、光透過率を考慮したい所定の領域は、例えば少なくとも２つのドットを含むような、ドット１つ分の領域よりも充分大きい範囲とする。
【００３５】
「遮光膜についての所望の光透過率の値に相当する値のドット密度で」とは、ドット密度の値を、その所望の光透過率を実現することができる値にすることを意味する。例えば光透過率は入射した光の量に対する、対象物を透過した光の量の割合であること、およびドットの描画はその後遮光膜１１の開口１１ａの形成につながることを考慮すると、ドット密度の値をその所望の光透過率の値と同じ値にすればよい。ただ、図２に示されるように、実際には光の波長と数倍程度までのサイズの開口では光透過率は１００％にはならない場合もある。このような場合には、ドット密度を規定した領域の実際の光透過率の値は、そのドット密度の値よりも小さくなってしまう。この場合には、遮光膜についての所望の光透過率の値と同じ値のドット密度でドットを描画しても、その所望の光透過率を正確に実現できない。そこで、「光透過率の値に相当する」とは、その光透過率の値と同じ値であることのみならず、その光透過率の値と同じ値を基準にして開口ごとの光透過率による影響を踏まえて補正された範囲内の値であることも含む意味である。
【００３６】
なお、ドット１２ａの描画は、ドット１２ａが描画される領域（描画領域）の位置を指定する描画情報に従って行われ、描画情報は、描画対象面を分割して得た１ドット分の分割領域ごとに、ドット１２ａが描画される分割領域であるか否かを指定するものであることが好ましい。描画情報についての詳細については後述する。
【００３７】
描画されたレジスト膜１２の現像方法、遮光膜１１のエッチング方法および残存するレジスト膜１２の除去方法としては、特に制限されず、公知の方法を採用することができる。遮光膜１１のエッチングでは、現像後のレジスト膜１２をエッチングマスクとしているから、レジスト膜１２のドット１２ａが描画された部分に対応する遮光膜１１の部分に開口１１ａが形成される。したがって、遮光膜１１の開口率（ある領域全体の面積に対する、その領域内にある開口の総面積の割合）は、描画されたドット１２ａのドット密度と等しくなる。なお、レジスト膜１２の除去は、エッチング後にレジスト膜が残存していなければ、不要である。また、保護膜１３は、遮光膜１１の表面を保護する機能を果たす。保護膜１３としては、ガラスやコーティング膜を採用することができる。
【００３８】
遮光膜の所望の光透過率がグラデーションを有する場合には、ドット密度もそれに応じたグラデーションを有する（連続的または段階的に変化する）ようにドットが描画される。例えば、図３ａは円環状の透明基板１０上に遮光膜１１を形成し、その後遮光膜１１に開口１１ａを形成して製造した遮光マスク１の例を示す概念図である。例えば透明基板１０の内径は１２ｍｍであり外径は４５ｍｍである。図３ａ中のθ＝０〜７５°の領域は遮光膜１１がなく、その他のθ＝７５〜３６０°の領域では膜厚が均一な遮光膜１１が形成されている。そして、遮光膜１１にはＤ＝７．５θ−０．４３の関係に従って所望の光学濃度Ｄが設定されている。すなわち、当該遮光マスクは、円環の中心の周りの角度に応じてグラデーションのある光学濃度が設定されている。図３ａにおいては、このグラデーションは径方向に伸びる線同士の間隔によって表現されている。遮光マスクまたは減光フィルタにおいて、所望の光学性能はしばしば光学濃度によって表示されるが、この場合にはＴ＝１０−Ｄの関係で光透過率Ｔに変換することができる。この光学濃度或いは光透過率は、遮光膜１１の開口１１ａによって実現されており、光学濃度が高い（光透過率が低い）領域では開口１１ａが少なく（図３ｂ）、光学濃度が低い（光透過率が高い）領域では開口１１ａが多い（図３ｃ）。例えばこの場合における光学濃度Ｄの角度依存性および光透過率Ｔの角度依存性はそれぞれ図４および図５の通りである。
【００３９】
そして、上記のようにグラデーションを有する光透過率を実現する際には、ドットの描画は、予め作成され又はフォーマッターがリアルタイムに作成する描画情報に従って行うことが好ましい。描画情報は、前述したように描画領域の位置を指定する情報であり、具体的には、仮想の描画対象面を分割して得た１ドット分の分割領域ごとに、ドットが描画される分割領域であるか否かを指定するものである。図６は、描画対象面を分割して得たパターンマップＰＭの概念図である。パターンマップＰＭは複数の分割領域１４から構成され、分割領域のうち黒く塗りつぶされた領域は描画領域１５を示している。つまり、描画情報は、パターンマップＰＭの中に描画領域１５がどこにあるかを示す。また図６では、同一半径の分割領域からなるトラックが７つ示されている（Ｔ１〜Ｔ７）。なお、パターンマップの構成は、図６のような正方格子に限られず、三角格子やその他の格子パターンを採用することもできる。
【００４０】
描画装置は、このパターンマップＰＭに従って分割領域ごとに、その分割領域が描画領域１５であるか否かを判断し、各分割領域が描画領域１５である場合にはその分割領域の描画を行い、各分割領域が描画領域１５でない場合にはその分割領域には描画を行わない。ドットの描画は、トラックＴ１から開始してもトラックＴ７から開始してもよい。
【００４１】
本発明では、上記描画情報は、各分割領域に関するドット密度の値に相当する値の確率で発生する疑似乱数を基準にして、分割領域ごとに、ドットが描画される分割領域（つまり描画領域１５）とするか否かが決定されたことにより、作成されたものであることが好ましい。これは、疑似乱数のランダム性を利用してドットの配置が規則的になることを防止し、モアレによる干渉縞の発生を防止するためである。この疑似乱数に基づく上記決定は例えば下記のように行われる。例えば、光透過率が１０％である所定の領域内にある分割領域を描画領域１５とするか否か決定する場合には、０〜９９の範囲で疑似乱数を発生させる。そして、この時発生した疑似乱数が０〜９であれば、その分割領域は描画領域１５と決定される。この作業によれば、上記所定の領域内にある各分割領域は１０％の確率で描画領域１５と決定され、つまり、上記所定の領域内にある分割領域のうち１０％が描画領域１５と決定される。これはその所定の領域におけるドット密度が１０％であることを意味するため、このドット密度は所望の光透過率の値に相当する値のドット密度であると言えることが分かる。なお、前述したように必要に応じて、開口ごとの光透過率による影響を踏まえてこの値を補正することが好ましい。例えば、図３における遮光マスクにおいては、半径４０ｍｍにおけるトラックの分割領域の数は９０万個となる。この各分割領域に対して描画領域とするか否かの決定を行うことになる。
【００４２】
不規則性を担保するため、疑似乱数の発生方式は一様分布の方法を採用する。上記の例では疑似乱数の発生範囲を０〜９９としたが、実際の描画では滑らかなグラデーションを付与する観点から、その発生範囲を広げ、数十万個の疑似乱数を発生させ、細かな確率の設定を可能とすることが好ましい。
【００４３】
また、描画情報は、各描画領域１５が独立するように分割領域のうち一部の領域が描画禁止領域（描画が禁止されている分割領域）として予め決定された後、この描画禁止領域を除く分割領域ごとに、ドットが描画される分割領域（つまり描画領域１５）とするか否かが決定されたことにより、作成されたものであることが好ましい。これは、例えば上下左右に隣接する複数のドット（例えば図６中の符号１６）が現像されたときに、各ドットについての開口が結合してより大きな開口となることにより、開口当たりの光透過率が変化することを防止するためである。より具体的には、開口ごとの光透過率が変化したりばらばらになったりすると、そのような開口を含む領域における光透過率が理論的な設計値からずれてしまうため、所望の光透過率を正確に実現する観点から開口の結合は好ましくないためである。「各描画領域が独立するように」とは、すべての描画領域１５がそれぞれ独立するようにすること、および、パターンマップの一部の範囲に属する描画領域１５のみについてそれぞれが独立するようにすることを含む意味である。例えば、図３におけるθ＝７５°近傍の一部の範囲では、ドット密度が低いため複数の描画領域１５が互いに隣接する確率が低いが、図３におけるθ＝３６０°近傍の一部の範囲では、ドット密度が高いため複数の描画領域１５が互いに隣接する確率が高くなる。そこで、少なくともこのようにドット密度が高くなるような範囲で各描画領域１５が独立するように描画禁止領域を決定することが好ましい。
【００４４】
例えば、描画禁止領域の決定は以下のように行われる。図７は、独立したドットを描画する時に使用するパターンマップの作成方法を示す概念図である。まず、内側から一番目のトラックＴ１について端から一番目の分割領域を描画禁止領域１７に決定し、その後も１つ置きにある分割領域を描画禁止領域１７に決定する。次に、内側から二番目のトラックＴ２について端から二番目の分割領域を描画禁止領域１７に決定し、その後も１つ置きにある分割領域を描画禁止領域１７に決定する。次に、内側から三番目のトラックについて端から一番目の分割領域を描画禁止領域１７に決定し、その後も１つ置きにある分割領域を描画禁止領域１７に決定する。このように、奇数番目のトラックについては奇数番目の分割領域を描画禁止領域１７に決定し、偶数番目のトラックについては偶数番目の分割領域を描画禁止領域１７に決定することにより、描画禁止領域１７に決定された分割領域とそうでない分割領域が二次元的に交互に配置された、いわゆる市松模様（チェック）状のマップが出来上がる（図７ａ）。その後、このマップの残りの分割領域に対して、描画領域１５とするか否かが決定されれば、複数の描画領域１５が上下左右に隣接して配置されることがない（図７ｂ）。なお、図３ｂおよびｃは、このようにして作成したパターンマップを使用してドットを描画したときの画像である。
【００４５】
以上のように、本発明に係る遮光マスクの製造方法では、遮光膜の所望の光透過率の値に相当する値のドット密度でレジスト膜にドットを描画し、描画後のレジスト膜を現像した後、現像後のレジスト膜をエッチングマスクとして遮光膜をエッチングするから、遮光膜についての光透過率を遮光膜の開口率で制御することができる。この開口率は、描画の際のドット密度によって容易に調整することができる。特に光透過率にグラデーションを付与する場合には、そのグラデーションに対応させてドット密度を変化させるだけでよいから、遮光膜の膜厚分布でグラデーションを実現する場合に比べ、はるかに調整が容易となる。特に本発明は、光透過率がグラデーションを有する場合には、所望の位置に所望の光透過率を精度よく規定することができる点で、大きな利点を有する。
【００４６】
したがって、本発明の遮光マスクの製造方法によれば、遮光膜についての所望の光透過率をより容易に調整することが可能となる。そして、本発明の遮光マスクでは、遮光膜の膜厚ではなく開口率により光透過率が規定されるため、所望の光透過率をより容易に調整することが可能となる。
【００４７】
さらに、本発明に係る描画方法は、遮光マスクの製造方法において、遮光マスクの所望の光透過率の値に相当する値のドット密度でレジスト膜にドットを描画するから、所望の光透過率の調整がより容易な遮光マスクの製造が可能となる。
【００４８】
「減光フィルタの製造方法および減光フィルタの実施形態」
次に、減光フィルタの製造方法および減光フィルタの実施形態について説明する。
【００４９】
本発明に係る減光フィルタの製造方法は、図８に示されるように、透明基板２０と透明基板２０上に形成された遮光膜２１と遮光膜２１上に形成されたレジスト膜２２から構成される露光対象基板Ｓ２を用意し（図８ａ）、本発明の遮光マスク１を露光マスクとしてレジスト膜２２の紫外光Ｌで露光を行い（図８ｂ）、露光後のレジスト膜２２を現像した（図８ｃ）後、現像後のレジスト膜２２をエッチングマスクとして露光対象基板Ｓ２の遮光膜２１をエッチングし（図８ｄ）、残存するレジスト膜２２を除去し（図８ｅ）、遮光膜２１を保護するための保護膜２３を形成する（図８ｆ）ものである。
【００５０】
これにより、図８ｆに示されるように、透明基板２０と、透明基板２０上に形成された遮光膜２１と、遮光膜２１上に形成された保護膜２３とを備え、遮光膜２１がドット状の開口２１ａを有し、開口２１ａの開口率の値が遮光膜２１についての所望の光透過率の値に相当することを特徴とする減光フィルタ２が製造される。
【００５１】
透明基板２０、遮光膜２１およびレジスト膜２２については、遮光マスクの製造方法で説明したものと同様である。また保護膜２３には、反射防止膜等の減光フィルタの機能を向上させるための膜が含まれる。
【００５２】
レジスト膜２２の露光では、本発明の遮光マスク１を露光マスクとして利用しているため、遮光マスク１の開口１１ａに対応するレジスト膜２２の部分２２ａが露光される。したがって、レジスト膜２２の露光密度（ある領域全体の面積に対する、その領域内にある露光された部分の総面積の割合）は遮光マスクの開口率に等しくなる。そして、例えばレジスト膜がポジ型であれば、レジスト膜２２の露光された部分２２ａが現像されて開口となる。その開口部分の遮光膜２１がエッチングされるため、遮光膜２１の開口２１ａについての開口率は遮光膜１１の開口１１ａについての開口率に等しくなる。さらに、遮光マスク１の光透過率がグラデーションを有する場合には、そのグラデーションが減光フィルタの光透過率に反映される。
【００５３】
以上のように、本発明に係る減光フィルタの製造方法では、本発明に係る遮光マスクを露光マスクとしてレジスト膜の露光を行い、露光後のレジスト膜を現像した後、現像後のレジスト膜をエッチングマスクとして露光対象基板の遮光膜をエッチングするから、遮光膜についての光透過率を遮光膜の開口率で制御することができる。したがって、減光フィルタの製造において、所望の光透過率をより容易に調整することが可能となる。そして、本発明の減光フィルタでは、遮光膜の膜厚ではなく開口率により光透過率が規定されるため、所望の光透過率をより容易に調整することが可能となる。
【符号の説明】
【００５４】
１     遮光マスク
２     減光フィルタ
１０   透明基板
１１   遮光膜
１１ａ 開口
１２   レジスト膜
１２ａ 描画によるドット
１３   保護膜
１４   分割領域
１５   描画領域
１７   描画禁止領域
２０   透明基板
２１   遮光膜
２１ａ 開口
２２   レジスト膜
２３   保護膜
ＰＭ   パターンマップ
Ｓ１   描画対象基板
Ｓ２   露光対象基板
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図３】
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