(57)【要約】【課題】成膜時に基材の面内温度分布が不均一になることを抑え、良好なカーボン薄膜を形成し、製造工程を簡素化する。【解決手段】燃料電池用セパレータとなる基材上にカーボン含有薄膜を成膜する燃料電池用セパレータの製造装置は、基材を収納してカーボン含有薄膜の成膜を行なう成膜室と、成膜室内において、基材の外周から離間して基材の外周を取り囲むように配置される枠体と、成膜室内において、基材から離間して配置された対極と、基材と対極とに接続されて、基材と対極との間に電圧を印加し、プラズマを生成する電圧印加部と、を備える。枠体は、電圧印加部により基材と対極との間に電圧が印加されたときに、枠体の電位が、基材の電位よりも高く接地電位以下の値となるように設置されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
燃料電池用セパレータとなる基材上にカーボン含有薄膜を成膜する燃料電池用セパレータの製造装置であって、
中空に形成された内部に前記基材を収納して前記カーボン含有薄膜の成膜を行なう成膜室と、
前記成膜室内において、前記基材の外周から離間して前記基材の外周を取り囲むように配置される枠体と、
前記成膜室内において、前記基材から離間して配置された対極と、
前記基材と前記対極とに接続されて、前記成膜室内において前記基材と前記対極との間に電圧を印加し、プラズマを生成する電圧印加部と、
を備え、
前記枠体は、前記電圧印加部により前記基材と前記対極との間に電圧が印加されたときに、前記枠体の電位が、前記基材の電位よりも高く接地電位以下の値となるように設置されている
燃料電池用セパレータの製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、燃料電池用セパレータの製造装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
燃料電池用セパレータは、電解質層および電極等の部材と共に積層されて燃料電池を構成し、水素を含有する燃料ガスや酸素を含有する酸化ガスの流路を形成する部材である。そのため燃料電池用セパレータには、充分な導電性と共に、燃料電池内部の環境下における充分な耐食性が要求される。このような燃料電池用セパレータの一つとして、金属板等の導電性の基材上に、カーボン薄膜を形成したものが知られている。基材上にカーボン薄膜を形成する方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ（plasma CVD: plasma-enhanced chemical vapor deposition）法が知られている（例えば、特許文献１参照）。プラズマＣＶＤ法とは、成膜室内にワーク（基材）を配置して成膜室内を昇温させると共に真空とし、成膜のための原料ガスを成膜室内に導入し、成膜室内でプラズマを発生させて基材上に膜材料を付着させる周知の成膜方法である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−４５４０号公報
【特許文献２】特開２００９−１６４２１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
プラズマＣＶＤ法を用いて燃料電池用セパレータを製造する場合には、通常、成膜室内に配置した電極（対極）と基材とに高電圧を印加して、プラズマを発生させる。このような電圧印加時には基材温度が上昇するが、その際に基材の面内で温度分布が不均一になると、形成されるカーボン薄膜の厚みが不均一になったり、密着性が低下することにより、カーボン薄膜の品質が不十分となる場合があった。また、上記温度分布の不均一により基材の一部が局所的に高温になると、得られる燃料電池用セパレータが熱により塑性変形する場合があった。
【０００５】
さらに、プラズマＣＶＤ法により基材上にカーボン薄膜を形成する際には、成膜室内に配置された基材以外の部材の表面にもカーボンが堆積する場合がある。成膜室内の基材以外の部材表面にカーボンが堆積すると、例えば、堆積したカーボンが剥離して基材に付着し、基材上のカーボン薄膜の品質を低下させる可能性があった。また、堆積したカーボンを洗浄する必要が生じ得た。そのため、基材以外の部材の表面におけるカーボンの体積を抑制することが望まれていた。また、プラズマＣＶＤ法により燃料電池用セパレータを製造する際には、成膜室内への基材の配置、および成膜後のセパレータの成膜室からの取り出しに伴い、種々の前工程および後工程が必要になる。そのため、このような前工程および後工程を簡素化し、基材上にカーボン薄膜を形成する動作を簡便に行なうことが望まれていた。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態（aspect）として実現することが可能である。
【０００７】
（１）本発明の一形態によれば、燃料電池用セパレータとなる基材上にカーボン含有薄膜を成膜する燃料電池用セパレータの製造装置が提供される。この燃料電池用セパレータの製造装置は、中空に形成された内部に前記基材を収納して前記カーボン含有薄膜の成膜を行なう成膜室と；前記成膜室内において、前記基材の外周から離間して前記基材の外周を取り囲むように配置される枠体と；前記成膜室内において、前記基材から離間して配置された対極と；前記基材と前記対極とに接続されて、前記基材と前記対極との間に電圧を印加し、プラズマを生成する電圧印加部と；を備える。前記枠体は、前記電圧印加部により前記基材と前記対極との間に電圧が印加されたときに、前記枠体の電位が、前記基材の電位よりも高く接地電位以下の値となるように設置されている。この形態の燃料電池用セパレータの製造装置によれば、成膜時に基材の面内温度分布を均一化して、膜厚が均一で密着性の高いカーボン含有薄膜を形成することができる。また、枠体へのカーボンの体積を抑え、成膜の動作を簡素化することができる。
【０００８】
本発明は、装置以外の種々の形態で実現することも可能である。例えば、燃料電池用セパレータの製造方法、燃料電池用セパレータの製造装置の設計方法等の形態で実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】成膜装置の概略構成を表わす説明図である。
【図２】図１における２−２断面の様子を表わす説明図である。
【図３】基材を成膜装置内に配置する動作の途中の様子を表わす説明図である。
【図４】燃料電池用セパレータの製造工程を表わす説明図である。
【図５】枠体３０を有しない成膜装置の概略構成を表わす説明図である。
【図６】基材に固定される枠体を備える成膜装置の概略構成を示す説明図である。
【図７】成膜装置の概略構成を表わす説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
Ａ．第１実施例：
図１は、本発明の第１実施例の成膜装置１０の概略構成を表わす説明図である。また、図２は、図１における２−２断面の様子を表わす説明図である。この成膜装置１０が、本願請求項における燃料電池用セパレータの製造装置に相当する。
【００１１】
成膜装置１０は、プラズマＣＶＤ法によりワーク（燃料電池用セパレータを形成するための基材１５）の表面にカーボン薄膜を形成する装置である。基材１５は種々の導電性材料により構成することが可能であるが、本実施例では基材１５として、略矩形の板状金属製部材を用いている。具体的には、ステンレスあるいはチタン製の基材１５を用いることができる。本実施例で用いる基材１５には、図１に示すように、基材１５を厚み方向に貫通する複数の孔部が形成されている。これら複数の孔部の内の２つの孔部は、基板１５を成膜装置１０に取り付ける際に用いられる。また、上記複数の孔部の他の一部は、燃料電池用セパレータを燃料電池内に組み込んだときに、燃料電池内で反応ガスや冷媒の流路となるマニホールドを形成する。カーボン薄膜の構造としては、アモルファス構造や、グラファイト構造を採用することができる。アモルファス構造を有するカーボン薄膜としては、例えば、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）膜を挙げることができる。このようなカーボン薄膜は、炭素原子以外に、水素原子等の他の元素を含有していてもよく、全体として導電性を有するカーボン含有薄膜であればよい。以下の説明では、上記のような炭素以外の元素を含有する場合を含めて、成膜装置１０により形成されるカーボン炭素含有薄膜を、単にカーボン薄膜とも呼ぶ。
【００１２】
成膜装置１０は、成膜室２０と、電圧印加部５０と、原料ガス供給部６０と、排ガス処理部７０と、を備えている。なお、図２では、電圧印加部５０と、原料ガス供給部６０と、排ガス処理部７０とを省略している。また、図１では、水平方向を矢印Ａによって表わし、鉛直方向を矢印Ｂによって表わしている。
【００１３】
成膜室２０は、基材１５を配置してカーボン薄膜を形成する空間が形成され、基材１５を出し入れするための開口部を有するチャンバ２２と、チャンバ２２の開口部を塞いでシールするチャンバ蓋２４とを備えている。これらチャンバ２２およびチャンバ蓋２４は、金属材料により形成されている。成膜室２０は略直方体の外観形状を有しており、チャンバ２２では、鉛直方向の上面全体が上記開口部となっている。図１および図２に示すように、チャンバ２２とチャンバ蓋２４によって形成される成膜室２０の内部の空間には、枠体３０、支持部４０、導通部４２、シャワー管６４、対極５２、および一対の分岐アーム２７の先端部が収納されている。
【００１４】
枠体３０は、金属材料によって略矩形形状に形成された額縁状の部材であり、チャンバ２２内壁の底面２２ａに対して垂直に（矢印Ｂ方向に平行に）配置されている。また、枠体３０は、基材１５を成膜室２０内の定められた位置に配置したときに、基材１５の外周近傍であって基材１５から離間する位置となるように、チャンバ２２内に予め固定されている。成膜室２０内での枠体３０と基材１５との距離については、後に詳しく説明する。
【００１５】
支持部４０は、チャンバ２２の底面２２ａと枠体３０の双方に接するように設けられており、枠体３０を支持してチャンバ２２内で枠体３０を固定するための部材である。支持部４０は金属材料により形成されているため、枠体３０は、支持部４０を介してチャンバ２２と電気的に接続している。なお、図１に示すようにチャンバ２２およびチャンバ蓋２４は接地電位に接続されているため、枠体３０も、支持部４０およびチャンバ２２を介して接地電位に接続されている。
【００１６】
導通部４２は、チャンバ蓋２４に近接する枠体３０の一辺とチャンバ蓋２４との双方に接するように設けられている。導通部４２は金属材料により形成されているため、枠体３０が接地電位に接続される状態は、導通部４２によっても確保されている。
【００１７】
シャワー管６４は、多数の噴射孔を備え、成膜用の原料ガスを成膜室２０内に噴射する。噴射された原料ガスは、成膜室２０内で、噴射された水平方向に（矢印Ａ方向に）流れる。シャワー管６４は、チャンバ２２の壁面を貫通する原料ガス供給配管６２を介して、原料ガス供給部６０に接続されている。原料ガスとしては、種々の炭化水素ガスを用いることができる。例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンおよびナフタレンなどの芳香族炭化水素を用いることができる。また、窒素および／またはケイ素を含有する原料ガスを用いて、窒素および／またはケイ素を含有するカーボン薄膜を形成してもよい。原料ガス供給部６０は、カーボン薄膜を形成する際に、上記原料ガスと共にさらにキャリアガスを成膜室２０に導入してもよい。キャリアガスとしては、例えば、水素ガスおよびアルゴンガスから選択されるガスを用いることができる。また、成膜装置１０において、成膜工程に先立って前処理を行なう場合には、原料ガス供給部６０によって、前処理に要するガスを成膜室２０へと導入すればよい。原料ガス供給部６０は、成膜室２０に導入するガスを貯蔵するガス貯蔵部と、成膜室２０に導入するガスを必要に応じて切り替える切り替え部と、成膜室２０に導入するガス圧を調整するガス調整部とを備えている。本願の実施例の説明においては、原料ガス供給部６０から供給されるガスを総称して原料ガスとも呼ぶ。
【００１８】
対極５２は、基材１５を間に挟んで基材１５と対向する位置に配置された板状の電極部材である。これら一対の対極５２は、基材１５の厚み方向において基材１５の面全体とほぼ重なる位置に、基材１５に対して略平行に配置されている（図２参照）。なお、対極５２は、基材１５の厚み方向に基材１５とほぼ重なるように配置されるため、図１では、基材１５の奥側に配置される対極５２は表われていない。また、図１では、基材１５の手前側に配置される対極５２も表われていない。これら対極５２は、成膜工程において、原料ガスのプラズマを生成するための電極として機能する。成膜工程の詳しい動作は後述する。
【００１９】
一対の分岐アーム２７は、成膜室２０内で基材１５をつり下げるための部材である。分岐アーム２７は、成膜室２０の外部に配置されたアーム２６から分岐して設けられており、各分岐アーム２７はチャンバ蓋２４を貫通する。各々の分岐アーム２７の先端部に設けた係合部２８が、基材１５を貫通して設けられた孔部に係合することによって、基材１５は分岐アーム２７につり下げられる（図２参照）。チャンバ蓋２４において、分岐アーム２７の貫通部を含む領域には第１絶縁部４６が設けられており、分岐アーム２７とチャンバ蓋とは電気的に絶縁されている。また、成膜室２０において、各分岐アーム２７には第２絶縁部４４が取り付けられており、この第２絶縁部４４を介して、枠体３０が各分岐アーム２７に固定されている（図１，図２参照）。したがって、分岐アーム２７と枠体３０との間も電気的に絶縁されている。
【００２０】
電圧印加部５０は、成膜工程において、基材１５と対極５２との間の空間５４に電場を形成する（図２参照）。電圧印加部５０のプラス極は、一対の対極５２に電気的に接続されており、電圧印加部５０のマイナス極は、基材１５に電気的に接続されている。本実施例では、電圧印加部５０のマイナス極は、分岐アーム２７を介して基材１５に電気的に接続されている。
【００２１】
排ガス処理部７０は、図示しないポンプを備え、成膜室２０内の気体を吸引することにより成膜室２０内の圧力を低減させる。排ガス処理部７０と成膜室２０内とは、チャンバ２２の壁面を貫通するガス排出配管７２を介して接続されている。シャワー管６４から供給された原料ガスのうち、成膜に利用されなかった余剰ガスは、ガス排出配管７２を介して排ガス処理部７０へと排出される。
【００２２】
図３は、基材１５を成膜装置１０内に配置する動作の途中の様子を表わす説明図であり、図４は、成膜装置１０を用いた燃料電池用セパレータの製造工程を表わす説明図である。なお、図３では、電圧印加部５０、原料ガス供給部６０からシャワー管６４までの構造、および排ガス処理部７０に係る構造については、記載を省略している。図３に示すように、成膜装置１０は、チャンバ側ユニット１２と、蓋側ユニット１４とに分離可能に形成されている。チャンバ側ユニット１２は、チャンバ２２、支持部４０、および枠体３０の一部（チャンバ側枠体部３２）を備える。また、蓋側ユニット１４は、第１絶縁部４６を含むチャンバ蓋２４、分岐アーム２７、アーム２６、導通部４２、第２絶縁部４４、および枠体３０の一部（チャンバ蓋２４に最も近い辺を構成する蓋側枠体部３４）を備える。
【００２３】
図４に示すように、成膜装置１０を用いて燃料電池用セパレータを製造する際には、まず、蓋側ユニット１４への基材１５の取り付けを行なう（ステップＳ１００）。具体的には、各分岐アーム２７の先端の係合部２８に、基材１５に設けたつり下げ用の孔部を係合させる。図３は、蓋側ユニット１４に基材１５を取り付けた様子を表わしている。
【００２４】
次に、基材１５を成膜室２０内に配置する（ステップＳ１１０）。具体的には、基材１５を取り付けた蓋側ユニット１４を図３に示す矢印方向に移動させて、チャンバ蓋２４によってチャンバ２２の開口部を塞ぎ、チャンバ蓋２４によって成膜室２０を密閉する。このように、チャンバ２２の開口部を塞ぐようにチャンバ２２上にチャンバ蓋２４を配置すると、蓋側枠体部３４がチャンバ側枠体部３２に接触して、あるいは、蓋側枠体部３４がチャンバ側枠体部３２に対して極めて近い位置に配置されて、図１の状態になる。そして、排ガス処理部７０を用いて、ほぼ真空に近い状態まで成膜室２０内を減圧する（ステップＳ１２０）。成膜室２０内の圧力は、例えば０〜１００Ｐａ程度とすればよい。
【００２５】
その後、前処理を行なう（ステップＳ１３０）。具体的には、電圧印加部５０により、各対極５２と基材１５との間に直流電圧を印加して電場を形成すると共に、原料ガス供給部６０から成膜室２０内へと、前処理用のガスを供給する。印加する直流電圧は、例えば−３００〜−５００Ｖとすることができる。前処理用のガスは、例えば、アルゴンガス等の希ガスを含むことができる。このような前処理用のガスを供給しながら直流電圧の印加により放電が開始されることで、イオン衝撃により基材１５の温度が昇温する。本実施例では、このような前処理により、基材１５の温度を成膜に適した所望の温度にまで昇温させている。成膜時の温度は、例えば４００℃以上とすることができ、４５０℃以上とすることが好ましく、５００℃以上とすることがさらに好ましい。また、成膜時の温度は、７００℃以下とすることができ、６００℃以下とすることが好ましい。また、本実施例では、上記した前処理用のガスを供給しながら直流電圧を印加することで、イオン衝撃により基材１５の表面に微細な凹凸を形成して、後の工程で形成するカーボン薄膜の密着性を高めている。上記した前処理用のガスは、さらに、炭化水素ガスを含有していてもよい。
【００２６】
その後、カーボン薄膜を形成するための成膜処理を行なう（ステップＳ１４０）。具体的には、原料ガス供給部６０から、既述した前処理用のガスに代えてカーボン薄膜を形成するための原料ガスを供給しつつ、電圧印加部５０による直流電圧の印加を行なう。これにより、図２に示す空間５４において原料ガスが分解されて、基材１５上にカーボン薄膜が形成される。ステップＳ１４０において、印加する直流電圧は、−１０００Ｖ以下とすることができ、例えば−数ｋＶとすることができる。
【００２７】
このように、ステップＳ１４０において直流電圧が印加されるときには、基材１５に近接して配置されると共にチャンバ２２およびチャンバ蓋２４を介して接地電位に接続されている枠体３０の電位は、接地電位となる。また、基材１５と枠体３０との距離が近すぎると、基材１５と枠体３０との間に大電流の放電が起こり、枠体３０は基材１５と同電位になり得る。本実施例では、ステップＳ１４０の成膜工程における枠体３０の電位が、安定して接地電位となるように、基材１５と枠体３０の距離が設定されている。基材１５と枠体３０の距離は、例えば１〜５ｍｍとすることができる。成膜時の印加電圧の大きさや、成膜時の成膜室２０内の環境、あるいは枠体３０や基材１５を配置する精度等に応じて、適宜設定すればよい。
【００２８】
その後、排ガス処理部７０から不活性ガス（窒素ガス等）を成膜室２０内に供給して昇圧する（ステップＳ１５０）。そして、成膜装置１０においてチャンバ側ユニット１２と蓋側ユニット１４とを分離して、成膜室２０から、カーボン薄膜を形成した基材１５を取り出して（ステップＳ１６０）、セパレータを完成する。
【００２９】
以上のように構成された本実施例の成膜装置１０によれば、成膜室２０内に枠体３０を設けるため、成膜時に基材１５の面内の温度分布を均一化することができる。そのため、カーボン薄膜の厚みを均一化し、密着性を高めることができる。また、基材１５において面内の温度分布の不均一を抑制できるため、局所的な昇温に起因する望ましくない基材１５の変形を抑えることができる。
【００３０】
さらに、枠体３０の電位が接地電位であるため、枠体３０上へのカーボンの堆積を抑制することができる。そのため、枠体３０上に大成したカーボンが剥離することに起因する問題を抑えることができる。また、枠体３０上に堆積するカーボンを洗浄する頻度を削減することができる。
【００３１】
また、本実施例では、成膜装置１０を、チャンバ側ユニット１２と蓋側ユニット１４とに分割可能に構成している。そのため、分岐アーム２７の先端に基材１５を係合させて、蓋側ユニット１４をチャンバ側ユニット１２上に配置するだけで、基材１５を所望の状態で成膜室２０内に配置することができる。その結果、カーボン薄膜を形成するための動作を簡素化することができる。
【００３２】
図５は、本実施例の成膜装置１０とは異なり、枠体３０を有しない成膜装置１１０の概略構成を表わす説明図である。また、図６は、本実施例の成膜装置１０とは異なり、枠体３０に代えて、基材１５に固定される枠体２３０を備える成膜装置２１０の概略構成を示す説明図である。なお、図５および図６では、図３と同様に、電圧印加部５０、原料ガス供給部６０からシャワー管６４までの構造、および排ガス処理部７０に係る構造については記載を省略しているが、枠体３０に係る構成以外は、第１実施例の成膜装置１０と同様の構成を有している。そのため、成膜装置１０と共通する部分には同じ参照番号を付して詳しい説明は省略する。
【００３３】
図５に示すように、枠体３０を有しない成膜装置１１０を用いる場合には、成膜工程で電圧印加部５０により直流電圧を印加したときに、エッジ効果により基材１５の外周部において電界集中が起きる。そのため、基材１５において、外周部の温度が他の領域に比べて高くなり、外周部に形成されるカーボン薄膜の膜厚が厚くなったり、カーボン薄膜の密着性が低下するという不都合が生じ得る。また、外周部が局所的に高温になることにより、望ましくない基材１５の変形が生じるといった不都合が生じ得る。
【００３４】
一方、図６に示すように、基材１５に固定される枠体２３０を備える成膜装置２１０を用いる場合には、枠体２３０を介して基材１５の外周部の熱を逃がすことができるため、基材１５の外周部の温度が高くなることに起因する不都合を抑えることができる。しかしながら、枠体２３０は基材１５と同電位となり、また、枠体２３０が昇温しやすいことにより、枠体２３０に堆積するカーボンに起因する問題が生じ得る。具体的には、枠体２３０に堆積したカーボンが剥離して基材１５に付着したり、枠体２３０の洗浄を頻繁に行なう必要が生じるといった問題が生じ得る。さらに、基材１５に枠体２３０を固定させる必要があるため、成膜の工程が複雑化するという問題を生じる。
【００３５】
上記図５および図６に示す構成に対して、本実施例の成膜装置１０によれば、接地電位となる枠体３０を設けることで、図５あるいは図６の成膜装置で生じる問題を解決することができる。
【００３６】
Ｂ．第２実施例：
図７は、第２実施例の成膜装置３１０の概略構成を表わす説明図である。第２実施例の成膜装置３１０において、第１実施例の成膜装置１０と共通する部分には同じ参照番号を付して詳しい説明を省略する。
【００３７】
成膜装置３１０は、成膜装置１０とは異なり、支持部４０に代えて支持部３４０を備えている。支持部３４０は、絶縁体から成る層を有している点が支持部４０とは異なっている。また、成膜装置３１０は、導通部４２を有していない。したがって、第２実施例の成膜装置３１０が備える枠体３０は、チャンバ２２およびチャンバ蓋２４とは電気的に絶縁されている。成膜装置３１０では、このように枠体３０がチャンバ２２およびチャンバ蓋２４と電気的に絶縁された状態で電圧印加部５０による直流電圧の印加を行なって成膜するときに、枠体３０の電位が、接地電位よりも低く基材１５の電位よりも高い電位となるように、枠体３０と基材１５の距離が設定されている。
【００３８】
以上のように構成された第２実施例の成膜装置３１０を用いる場合にも、成膜時の枠体３０の電位が、接地電位よりも低く基材１５の電位よりも高い電位となることにより、第１実施例と同様の効果を得ることができる。
【００３９】
Ｃ．変形例：
・変形例１：
上記各実施例では、成膜室２０あるいは３２０の上面がチャンバ蓋２４によって形成されており、チャンバ蓋２４に枠体３０の上辺（蓋側枠体部３４）が固定されているが、異なる構成としてもよい。例えば、成膜室の側壁部分を開閉可能にして、この開閉可能な側壁に近接する枠体３０の一辺を、上記開閉可能な側壁に固定してもよい。ただし、各実施例のように、成膜室の上面を開閉する方が、基材１５の取り付け動作として基材１５をつり下げるだけでよいため望ましい。あるいは、枠体３０の上辺に加えて、さらに隣接する辺を、チャンバ蓋２４に固定してもよい。
【００４０】
・変形例２：
上記各実施例では、基材１５および枠体３０は略矩形形状としたが、異なる形状としてもよい。例えば、基材の形状を、矩形形状の角部が丸みを持った形状とすることができる。また、基材の形状を、矩形形状の各辺が湾曲する形状とすることができる。あるいは、基材の形状を、楕円形状とすることができる。用いる基材の形状に合わせて、枠体の形状も適宜変更すればよい。成膜工程での直流電圧の印加時に、枠体の電位が、接地電位以下であって基材の電位よりも高い電位となるように、枠体と基材の距離が設定されていれば、各実施例と同様の効果が得られる。
【００４１】
・変形例３：
上記各実施例では、図２に示すように枠体の断面を四角形としたが、異なる形状としてもよい。枠体の断面は、四角形の他、例えば三角形や円形、あるいは楕円形としてもよい。
【００４２】
・変形例４：
上記各実施例では、枠体の電位を、接地電位以下であって基材の電位よりも高くするために、成膜装置内での基材と枠体との間の距離を調節しているが、異なる構成としてもよい。成膜時に、枠体の電位が、接地電位以下であって基材の電位よりも高くなるならば、異なる構成を採用しても同様の効果が得られる。
【００４３】
本発明は、上述の実施形態や実施例、変形例に限られるものではなく、その趣旨を逸脱しない範囲において種々の構成で実現することができる。例えば、発明の概要の欄に記載した各形態中の技術的特徴に対応する実施形態、実施例、変形例中の技術的特徴は、上述の課題の一部又は全部を解決するために、あるいは、上述の効果の一部又は全部を達成するために、適宜、差し替えや、組み合わせを行うことが可能である。また、その技術的特徴が本明細書中に必須なものとして説明されていなければ、適宜、削除することが可能である。
【符号の説明】
【００４４】
１０、１１０、２１０、３１０…成膜装置
１２…チャンバ側ユニット
１４…蓋側ユニット
１５…基材
２０…成膜室
２２…チャンバ
２２ａ…底面
２４…チャンバ蓋
２６…アーム
２７…分岐アーム
２８…係合部
３０…枠体
３２…チャンバ側枠体部
３４…蓋側枠体部
４０、３４０…支持部
４２…導通部
４４…第２絶縁部
４６…第１絶縁部
５０…電圧印加部
５２…対極
５４…空間
６０…原料ガス供給部
６２…原料ガス供給配管
６４…シャワー管
７０…排ガス処理部
７２…ガス排出配管
２３０…枠体
【図１】
2014078468.tif 000003
【図２】
2014078468.tif 000004
【図３】
2014078468.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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