(57)【要約】【課題】ＩＴＯやＮｉといった材料で形成されるコンタクト電極を用いることなく、従来の窒化物半導体発光素子と同等のコンタクト特性を有する窒化物半導体発光素子を実現する。【解決手段】  ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に発光層を有する窒化物半導体発光素子において、ｐ型窒化物半導体層に接触して、ｐ型窒化物半導体層よりも高濃度で第１不純物材料がドープされた窒化物半導体層で構成された第１コンタクト層と、第１コンタクト層に接触して、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓｒ、Ｃａ及びＣのいずれか１種以上の第２不純物材料がドープされた、ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で構成された第２コンタクト層を有する。【選択図】        図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に発光層を有する窒化物半導体発光素子において、
前記ｐ型窒化物半導体層に接触して、前記ｐ型窒化物半導体層よりも高濃度で第１不純物材料がドープされた窒化物半導体層で構成された第１コンタクト層と、
前記第１コンタクト層に接触して、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓｒ、Ｃａ及びＣのいずれか１種以上の第２不純物材料がドープされた、ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で構成された第２コンタクト層を有することを特徴とする窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記第２不純物材料によって形成される前記第２コンタクト層内の不純物準位が、前記第１不純物材料によって形成される前記第１コンタクト層内の不純物準位よりも深い位置にあることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記第２不純物材料がＺｎであることを特徴とする請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２コンタクト層の不純物濃度が１×１０１９／ｃｍ３〜５×１０２１／ｃｍ３であることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記第１不純物材料がＭｇであることを特徴とする請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記第２コンタクト層に接触して、Ａｇ、Ａｇ合金及びＡｌの１種以上を含む金属電極を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に発光層を有してなる窒化物半導体発光素子に関する。
【背景技術】
【０００２】
窒化物半導体を用いた発光素子は、用いる材料に応じて発光波長を制御できることから、現在、多様な分野に利用されており、またその研究開発も盛んに行われているところである（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
従来の窒化物半導体発光素子は、Ｍｇをオーバードープしたｐ側コンタクト層、Ｍｇをドープしたｐ型窒化物半導体層、発光層及びＳｉをドープしたｎ型窒化物半導体層を順次積層した構成を有している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−５９８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来、ｐ側コンタクト層は、その上層に形成される電極とのコンタクト性を向上させてオーミック接続を実現するために、高濃度ドープがされている。より詳細には、ｐ側コンタクト層上に縮退半導体であるＩＴＯ又はＮｉをコンタクト電極として設け、更にこのコンタクト電極上に金属電極（Ａｇ，Ａｌ）を設けた構成を採用している。
【０００６】
しかしながら、上記した従来の窒化物半導体発光素子においては、Ｍｇを高濃度でドープしたｐ側コンタクト層とのコンタクトをとるために用いられる、ＩＴＯ又はＮｉからなるコンタクト電極が、短波長の光を吸収するものであるため、短波長域の発光強度が低下するという問題があった。例えば、ＩＴＯは３６５ｎｍ付近に吸収端を有し、ＮｉはＩＴＯよりも長波長側に吸収端を有するため、紫外波長域における発光強度の低下を引き起こすことが強く懸念される。
【０００７】
本発明は、ＩＴＯやＮｉといった材料で形成されるコンタクト電極を用いることなく、従来の窒化物半導体発光素子と同等のコンタクト特性を有する窒化物半導体発光素子を実現することで、紫外波長域における透過率が高い素子を実現することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
もし、ＩＴＯやＮｉで形成されるコンタクト電極を設けることなく、ｐ型コンタクト層の上層に直接金属電極を形成できれば、コンタクト電極を形成する材料による短波長の光の吸収という上記の課題が解決される。しかし、これまでの技術では、このようなコンタクト電極を設けることなく、ｐ型コンタクト層の上層に金属電極を直接形成した場合には、良好なオーミック特性が実現できないと考えられていた。本発明者は、鋭意研究により、従来の窒化物半導体発光素子とは異なる方法でコンタクト層（半導体層）を形成することで、コンタクト電極を設けることなく、半導体層と金属電極の間の良好なコンタクト特性を示す窒化物半導体発光素子を実現するに至ったものである。
【０００９】
すなわち、本発明の窒化物半導体発光素子は、
ｎ型窒化物半導体層とｐ型窒化物半導体層との間に発光層を有する窒化物半導体発光素子において、
前記ｐ型窒化物半導体層に接触して、前記ｐ型窒化物半導体層よりも高濃度で第１不純物材料がドープされた窒化物半導体層で構成された第１コンタクト層と、
前記第１コンタクト層に接触して、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓｒ、Ｃａ及びＣのいずれか１種以上の第２不純物材料がドープされた、ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で構成された第２コンタクト層を有することを特徴とする。
【００１０】
なお、第２コンタクト層を構成するＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）は、微量の他の物質（Ｓｂなど）が含有されていても構わない。
【００１１】
第２コンタクト層にドープされた第２不純物材料（Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓｒ、Ｃａ及びＣのいずれか１種以上のもの）は、ｐ型窒化物半導体層を形成する際に一般的にドープされる材料（Ｍｇ）よりも、深い不純物準位を形成する。より詳細には、第１コンタクト層に対してドープされる第１不純物材料の活性化エネルギーよりも、第２コンタクト層に対してドープされる第２不純物材料の活性化エネルギーが高くなるように、第２不純物材料を選択すればよい。例えば、第１コンタクト層、第２コンタクト層をいずれもＧａＮで構成した場合、Ｍｇの活性化エネルギーは１４０ｍｅＶであるのに対し、Ｚｎは３５０ｍｅＶである。
【００１２】
第２コンタクト層では、第２不純物材料による深い準位が形成されるため、有効密度以上に不純物を半導体層に添加してもイオン化されず、キャリアは価電子帯ではなく不純物の作るサイト間をホッピング伝導する。素子間に電圧を印加すると、深い準位にトラップされて移動できない電子が、電界の影響を受けてトンネル可能な準位で熱的に励起された後にトンネルホッピングすることで、第２コンタクト層内を高効率でキャリアが移動できるものと考えられる。
【００１３】
ホッピング伝導を実現するに際しては、第２コンタクト層に電界が与えられることが必要となる。窒化物半導体発光素子を発光させる際には、発光層に電流を流すために電圧が印加されることから、必然的に第２コンタクト層に電界が与えられる。ここで、発光層の電流電圧特性（Ｉ−Ｖ特性）によれば、初期段階の立ち上がり電圧までは電流が流れず、その電圧以上の電圧が印加されると、発光層に電流が流れ始めて発光が開始される。この初期段階の電圧の印加によって、ホッピング伝導が実現するために必要な電界が第２コンタクト層に与えられるので、発光層に必要な電流を流すための駆動電圧が従来と比較して上昇するという問題は生じない。
【００１４】
この構成によれば、コンタクト電極を有することなく、ＩＴＯやＮｉで形成されたコンタクト電極を有する従来構成と同等のコンタクト特性が実現される。このため、第２コンタクト層に接触して金属電極を形成することができるので、短波長域の発光強度が低下するという従来の窒化物半導体発光素子の課題が解消する。
【００１５】
特に、前記第２不純物材料としてはＺｎを好適に用いることができる。この場合、ドープするＺｎの濃度を１×１０１９／ｃｍ３〜５×１０２１／ｃｍ３とすることで、より良好なコンタクト特性が実現できる。ホッピング伝導を実現させるためには準位間の間隔を狭める必要があるので、有効状態密度以上の不純物濃度とするのが好ましい。また、あまりに高濃度にドープすると、第２コンタクト層を形成するＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ材料の結晶性を劣化させ、実質的に抵抗を増す結果になると考えられる。このため、上記範囲の濃度で第２コンタクト層にＺｎをドープするのが好ましい。
【００１６】
本発明の窒化物半導体発光素子は、上記の構成に加えて、前記第２コンタクト層に接触して、Ａｇ（Ａｇ合金を含む）及びＡｌの１種以上を含む金属電極を有する構成とすることができる。
【００１７】
第２コンタクト層が良好なオーミック特性を有するため、この第２コンタクト層に直接金属電極を接触して形成することが可能である。特に、この金属電極として、反射率の高いＡｇ（Ａｇ合金を含む）やＡｌを利用することで、発光層からｐ型窒化物半導体層側へ放射された光を、光取り出し方向へと反射させる反射電極としての機能を実現させることができる。特に、深紫外光用光源として本発明の窒化物半導体発光素子を実現する場合においては、ｐ型窒化物半導体層、第１コンタクト層、第２コンタクト層を全てＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０＜Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で形成し、金属電極をＡｌで構成するのが好適である。これにより、ＩＴＯやＮｉといった、発光波長よりも長波長側に吸収端を有する材料でコンタクト電極を形成する必要がないので、光取り出し効率の高い深紫外効用光源素子が実現できる。なお、このとき、ｐ型窒化物半導体層、第１コンタクト層、第２コンタクト層を構成するＡｌＸＧａＹＩｎＺＮの各組成比率は、必ずしも全てを共通にする必要はなく、例えば各層毎に異なる比率のものとしても構わない。
【発明の効果】
【００１８】
本発明の窒化物半導体発光素子によれば、ＩＴＯやＮｉといった材料で形成されるコンタクト電極を用いることなく、従来の窒化物半導体発光素子と同等のコンタクト特性を有する素子が実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の第１実施形態の窒化物半導体発光素子の概略構成を示す模式断面図である。
【図２】従来例及び比較例の概略構成を示す模式断面図である。
【図３】実施例、従来例及び比較例の各素子における電流電圧特性を示すグラフである。
【図４】実施例の素子１において、第２コンタクト層３４にドープするＺｎの濃度を変化させたときの、コンタクト特性を検証した結果を示す表である。
【図５Ａ】第１実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【図５Ｂ】第１実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【図５Ｃ】第１実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【図５Ｄ】第１実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【図５Ｅ】第１実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【図５Ｆ】第１実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【図５Ｇ】第１実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【図５Ｈ】第１実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【図５Ｉ】第１実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【図６】本発明の第２実施形態の窒化物半導体発光素子の概略構成を示す模式断面図である。
【図７Ａ】第２実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【図７Ｂ】第２実施形態の窒化物半導体発光素子の工程断面図の一部である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
［第１実施形態］
本発明の第１実施形態の窒化物半導体発光素子の構造の一例につき、図１を参照して説明する。図１は窒化物半導体発光素子１の概略断面図である。なお、以下において、ＡｌＧａＮという表記は、ＡｌとＧａの組成比を省略して記載したものであって、組成比が１：１であることを示すものではない。また、図１内における矢印は光の取り出し方向を示している。
【００２１】
〈構造〉
窒化物半導体発光素子１は、支持基板１１、導電層２０、絶縁層２１、半導体層３０、電極４２及びボンディング電極４３を含んで構成される。半導体層３０は、ｐ型窒化物半導体層３１、第１コンタクト層３２、発光層３３、第２コンタクト層３４、ｎ型窒化物半導体層３５を含んで構成される。
【００２２】
（支持基板１１）
支持基板１１は、例えばＣｕＷ、Ｗ、Ｍｏなどの導電性基板、又はＳｉなどの半導体基板で構成される。
【００２３】
（導電層２０）
支持基板１１の上層には、多層構造からなる導電層２０が形成されている。この導電層２０は、本実施形態では、ハンダ層１３、ハンダ層１５、保護層１７及び金属電極１９を含む。
【００２４】
ハンダ層１３及びハンダ層１５は、例えばＡｕ−Ｓｎ、Ａｕ−Ｉｎ、Ａｕ−Ｃｕ−Ｓｎ、Ｃｕ−Ｓｎ、Ｐｄ−Ｓｎ、Ｓｎなどで構成される。後述するように、これらのハンダ層１３とハンダ層１５は、支持基板１１上に形成されたハンダ層１３と、別の基板上に形成されたハンダ層１５を対向させた後に、両者を貼り合せることで形成されたものである。
【００２５】
保護層１７は、例えばＰｔ系の金属（ＴｉとＰｔの合金）、Ｗ、Ｍｏなどで構成される。後述するように、ハンダ層を介した貼り合わせの際、ハンダを構成する材料が後述する金属電極１９側に拡散し、反射率が落ちることによる発光効率の低下を防止する機能を果たしている。
【００２６】
金属電極１９は、例えばＡｇ（Ａｇ合金を含む）、Ａｌなどで構成される。窒化物半導体発光素子１は、半導体層３０の発光層３３から放射された光を、図１の紙面上方向に取り出すことを想定しており、金属電極１９は、発光層３３から紙面下向きに放射された光を上向きに反射させる反射電極としての役割を有し、発光効率を高める機能を果たしている。なお、窒化物半導体発光素子１では、金属電極１９にコンタクト性向上のためのＩＴＯやＮｉといったコンタクト電極を形成していない。
【００２７】
なお、導電層２０は、一部において半導体層３０と接触しており、支持基板１１とボンディング電極４３の間に電圧が印加されると、支持基板１１、導電層２０、半導体層３０、ボンディング電極４３を介してボンディングワイヤ４５へと流れる電流経路が形成される。
【００２８】
（絶縁層２１）
絶縁層２１は、例えばＳｉＯ２、ＳｉＮ、Ｚｒ２Ｏ３、ＡｌＮ、Ａｌ２Ｏ３などで構成される。この絶縁層２１は、上面が半導体層３０、より詳細には第２コンタクト層３４の底面と接触している。なお、この絶縁層２１は、後述するように素子分離時（ステップＳ７）におけるエッチングストッパー層としての機能を有すると共に、支持基板１１の基板面に平行な方向に電流を拡げる機能も有する。
【００２９】
（半導体層３０）
上述したように、半導体層３０は、ｐ型窒化物半導体層３１、第１コンタクト層３２、発光層３３、第２コンタクト層３４、及びｎ型窒化物半導体層３５を含んで構成される。
【００３０】
（ｎ型窒化物半導体層３５）
本実施形態において、ｎ型窒化物半導体層３５はＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０≦ｎ≦１）で構成される。少なくともｎ型窒化物半導体層３５には、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓ、Ｓｅ、Ｓｎ、Ｔｅなどのｎ型不純物がドープされており、特にＳｉがドープされているのが好ましい。
【００３１】
なお、図１の例では、ｎ型窒化物半導体層３５には、上面に凹凸が形成されている。これは発光層３３から上方に向けて放射された光（及び金属電極１９から上向きに放射される反射光）が、ｎ型窒化物半導体層３５の表面で下向きに反射される光量を減らして、素子外への取り出し光量を高めることを目的としたものである。
【００３２】
ｎ型窒化物半導体層３５は、膜厚が０．５μｍ以上１μｍ以下程度で構成されている。なお、上述したように、ｎ型窒化物半導体層３５の上面に凹凸が形成されている場合においては、凹凸の凹部（谷部）から発光層３３との界面までをもってｎ型窒化物半導体層３５の膜厚としても構わないし、凹凸の凸部（山部）から発光層３３との界面までをもってｎ型窒化物半導体層３５の膜厚としても構わない。
【００３３】
（発光層３３）
発光層３３は、例えばＩｎＧａＮからなる井戸層とＡｌＧａＮからなる障壁層が繰り返されてなる多重量子井戸構造を有する半導体層で形成される。これらの層はアンドープでもｐ型又はｎ型にドープされていても構わない。
【００３４】
（ｐ型窒化物半導体層３１、第１コンタクト層３２）
ｐ型窒化物半導体層３１及び第１コンタクト層３２は、例えばＡｌｍＧａ１−ｍＮ（０≦ｍ≦１）で構成される。なお、ｐ型窒化物半導体層３１及び第１コンタクト層３２を構成する半導体材料は、異ならせるものとしても構わない。すなわち、一例としてｐ型窒化物半導体層３１をＡｌＧａＮで構成し、第１コンタクト層３２をＧａＮで構成しても構わない。
【００３５】
ここで、第１コンタクト層３２は、ｐ型窒化物半導体層３１よりも高濃度にドープされている。例えば、ｐ型窒化物半導体層３１の不純物濃度が１×１０１９／ｃｍ３以上、５×１０１９／ｃｍ３以下程度であり、第１コンタクト層３２は５×１０１９／ｃｍ３以上、５×１０２０／ｃｍ３以下程度である。なお、これらの層は、いずれもドーパントをＭｇとすることができる。
【００３６】
（第２コンタクト層３４）
第２コンタクト層３４は、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓｒ、Ｃａ及びＣのいずれか１種以上の第２不純物材料がドープされた、ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で構成される。例えば第２コンタクト層３４の不純物濃度は、１×１０１９／ｃｍ３以上、５×１０２１／ｃｍ３以下程度である。具体的には、一例としてＺｎがドープされたＧａＮやＡｌＧａＮとすることができる。ここで、第２コンタクト層３４にドープする不純物材料（「第２不純物材料」に対応）としては、第１コンタクト層３２にドープする不純物材料（「第１不純物材料」に対応）が第１コンタクト層３２内に形成する不純物準位よりも、深い位置に不純物準位を形成するような材料であればよい。一例として、第１コンタクト層３２にＭｇをドープする場合、第２コンタクト層３４にＺｎをドープすると、第２コンタクト層３４に形成される不純物準位は、第１コンタクト層３２に形成される不純物準位よりも深い位置になる。
【００３７】
実施例を参照して後述するように、窒化物半導体発光素子１は、第２コンタクト層３４におけるホッピング伝導を利用することで、コンタクト電極なしでも半導体層３０と金属電極１９の良好なオーミック接続が形成され、低電圧駆動が実現できる構成である。第２コンタクト層３４にドープされる第２不純物材料としては、上述したように深い準位を形成するものが利用される。第１コンタクト層３２は、ｐ型窒化物半導体層３１と第２コンタクト層３４との各々のフェルミ準位が離れているため、各々のフェルミ準位の中間の準位を有する構成とするのが好ましい。
【００３８】
（電極４２、ボンディング電極４３）
電極４２及びボンディング電極４３はｎ型窒化物半導体層３５の上層に形成され、例えばＣｒ−Ａｕで構成される。より詳細には、電極４２及びボンディング電極４３は、半導体層３０の底面と絶縁層２１の上面が接触している領域の真上位置に係るｎ型窒化物半導体層３５の上層に形成されている。これにより、電極下方に導電性の低い材料が形成されるため、電流が印加された場合に発光層３３内を水平方向に電流を拡げる効果が得られる。
【００３９】
ボンディング電極４３には、例えばＡｕ、Ｃｕなどで構成されるボンディングワイヤ４５が連絡され、このワイヤの他方は、窒化物半導体発光素子１が配置されている基板の給電パターン（不図示）などに接続される。
【００４０】
〈コンタクト性の検証〉
本発明の窒化物半導体発光素子１により、ＩＴＯ又はＮｉを設けることなく従来と同等の良好なコンタクト層が実現される点につき、実施例を参照して説明する。
【００４１】
（実施例）
図１に示す窒化物半導体発光素子１を実施例とした。ここで、半導体層３０としては、Ｓｉ濃度が３×１０１９／ｃｍ３のＡｌ０．０６Ｇａ０．９４Ｎで構成されるｎ型窒化物半導体層３５、ＩｎＧａＮよりなる井戸層及びｎ型ＡｌＧａＮよりなる障壁層による１５周期の多重量子井戸構造を有する発光層３３、Ｍｇ濃度が３×１０１９／ｃｍ３程度のＡｌ０．０６Ｇａ０．９４Ｎで構成されるｐ型窒化物半導体層３１、Ｍｇ濃度が１×１０２０／ｃｍ３程度のＧａＮで構成される第１コンタクト層３２、及びＺｎ濃度が１×１０２０／ｃｍ３程度のＧａＮで構成される第２コンタクト層３４を有する構成とした。また、金属電極１９をＡｇで形成した。
【００４２】
（従来例）
図２（ａ）に従来例の素子８０の構成を模式的に示す。この従来例の素子８０は、実施例と比較して、第２コンタクト層３４を備えずに、第１コンタクト層３２を導電層２０ａと接触させている。より詳細には、導電層２０ａとして、金属電極１９に加えてＮｉで形成されたコンタクト電極８３を備え、このコンタクト電極８３を第１コンタクト層３２と接触させている。他の構成は、実施例と共通とした。
【００４３】
（比較例）
図２（ｂ）に比較例の素子８１の構成を模式的に示す。この比較例の素子８１は、従来例の素子８０に対してコンタクト電極８３を備えない構成としたものである。すなわち、第１コンタクト層３２を導電層２０、より詳細には金属電極１９と接触させている。
【００４４】
（検証結果）
図３は、実施例の素子１、従来例の素子８０、及び比較例の素子８１に対して、それぞれボンディング電極４３と支持基板１１の間に電圧Ｖを印加したときの、電流Ｉと電圧Ｖの関係をグラフ化したものである。
【００４５】
図３によれば、実施例の素子１は、コンタクト電極８３を備えた従来例の素子８０と同様に、コンタクト電極８３を備えず第１コンタクト層３２を金属電極１９に直接接触させた構成である比較例の素子８１よりも、低電圧化が実現できている。よって、本発明の構成によれば、コンタクト電極８３を形成することなく、コンタクト電極８３を有する従来例の素子８０と同等以上の良好なコンタクト性が実現できていることが分かる。
【００４６】
これは、以下の理由によるものと推察される。第１コンタクト層３２は、Ｍｇを高濃度にドープされているため、浅い不純物準位が形成され、室温下でアクセプタがイオン化する。また、金属電極１９として形成したＡｇは仕事関数が小さい。このため、比較例のように、第１コンタクト層３２に直接Ａｇ（金属電極１９）を接触させた場合には、トンネル効果を生じさせて電流を流すために大きな外部電圧が必要となる。そこで、従来では、この外部電圧を低下させるために、Ｎｉなどで形成されるコンタクト電極８３を介在させていた。従来例の素子８０のように、コンタクト電極８３を形成し、酸素雰囲気でアニールすることによりＮｉＯを形成し、第１コンタクト層３２との仕事関数差を小さくすることで、比較例１の素子８１よりも外部電圧が低下できている。
【００４７】
これに対し、実施例の素子１では、Ｚｎがドープされた第２コンタクト層３４を有している。Ｚｎは、Ｍｇとは違ってＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ内において、価電子帯から深い準位に不純物準位を形成する。このため、アクセプタはイオン化されず、有効密度以上に不純物を半導体層に添加しても、エネルギー準位は局在化するため、キャリアは価電子帯ではなく、不純物の作るサイト間をホッピング伝導する。つまり、深い準位にトラップされて移動できない電子が、与えられた電界によってトンネル可能な準位で熱的に励起された後、トンネルホッピングすることにより、コンタクト電極８３を有しなくても従来例の素子８０と同等に動作電圧を低下させることができたものと考えられる。
【００４８】
また、Ｚｎなどのように、深い準位を形成する材料（第２不純物材料）をドープすることで、高濃度にドープしてもエネルギー準位が局在化し、ホッピング伝導が実現できる。一方、高濃度にドープすることで、空乏層の幅を狭めることができるため、トンネリングによってキャリアを金属電極１９側へと移動させやすくする効果が得られる。
【００４９】
図４は、実施例の素子１において、第２コンタクト層３４にドープするＺｎの濃度を変化させたときの、コンタクト特性を検証した結果である。８×１０１８／ｃｍ３の場合にはコンタクト特性が悪化し、１×１０１９／ｃｍ３にすると、８×１０１８／ｃｍ３の場合よりはコンタクト特性が良くなった。また、濃度を５×１０１９／ｃｍ３、１×１０２０／ｃｍ３、５×１０２０／ｃｍ３、１×１０２１／ｃｍ３とした場合には、極めて良好なコンタクト特性が得られた。濃度を５×１０２１／ｃｍ３とした場合には１×１０１９／ｃｍ３の場合と同程度のコンタクト特性を示し、更に高濃度（１×１０２２／ｃｍ３）にするとコンタクト特性は悪化した。
【００５０】
Ｚｎ濃度が８×１０１８／ｃｍ３の場合には、濃度が低すぎた結果、局在化した不純物準位の離散度が高くなり、キャリアのホッピング伝導が効率的に行えていないものと推察される。また、Ｚｎ濃度が１×１０２２／ｃｍ３の場合には、あまりに高濃度でドープしたことで、ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮの結晶性が悪化したことにより抵抗性が上昇してしまったものと推察される。
【００５１】
従って、図４に示す実験結果によれば、第２コンタクト層３４にドープするＺｎ濃度は、１×１０１９／ｃｍ３〜５×１０２１／ｃｍ３であることが好ましく、更には５×１０１９／ｃｍ３〜１×１０２１／ｃｍ３がより好ましいと言える。
【００５２】
以上によれば、実施例１の素子１によれば、３６５ｎｍ付近に吸収端を有するＩＴＯや、それよりも長波長側に吸収端を有するＮｉを用いたコンタクト電極８３を用いることなく、良好なコンタクト特性が実現できるため、コンタクト電極８３が不要となる。これにより、コンタクト電極８３における紫外光の吸収が抑制され、光取り出し効率が向上した紫外光の発光素子が実現される。
【００５３】
〈別構成〉
第１コンタクト層３２及び第２コンタクト層３４を共に所定の組成比で構成したＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０＜Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で形成し、金属電極１９をＡｌで形成するものとしても構わない。ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮにおけるＡｌの組成比を高めることで、吸収端を短波長側にシフトさせることができるため、窒化物半導体発光素子１を、深紫外光を放射する素子として形成することができる。この場合、ＮｉやＩＴＯなどで形成されるコンタクト電極８３が不要となるため、当該コンタクト電極８３における深紫外光の吸収が抑制され、光取り出し効率が向上した深紫外光の発光素子が実現される。
【００５４】
〈製造プロセス〉
次に、図１に示した窒化物半導体発光素子１の製造プロセスにつき説明する。なお、この製造プロセスはあくまで一例であり、ガスの流量、炉内温度、炉内圧力等は適宜調整して構わない。
【００５５】
（ステップＳ１）
図５Ａに示すように、サファイア基板６１上にエピ層４０を形成する。このステップＳ１は、例えば以下の手順により行われる。
【００５６】
〈サファイア基板６１の準備〉
まず、ｃ面サファイア基板６１のクリーニングを行う。このクリーニングは、より具体的には、例えばＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相蒸着）装置の処理炉内にｃ面サファイア基板６１を配置し、処理炉内に流量が１０ｓｌｍの水素ガスを流しながら、炉内温度を例えば１１５０℃に昇温することにより行われる。
【００５７】
〈アンドープ層３６の形成〉
次に、ｃ面サファイア基板６１の表面に、ＧａＮよりなる低温バッファ層を形成し、更にその上層にＧａＮよりなる下地層を形成する。これら低温バッファ層及び下地層がアンドープ層３６に対応する。
【００５８】
アンドープ層３６のより具体的な形成方法は例えば以下の通りである。まず、МОＣＶＤ装置の炉内圧力を１００ｋＰａ、炉内温度を４８０℃とする。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量がそれぞれ５ｓｌｍの窒素ガス及び水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が５０μｍｏｌ／ｍｉｎのトリメチルガリウム（ＴＭＧ）及び流量が２５００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニアを処理炉内に６８秒間供給する。これにより、ｃ面サファイア基板６１の表面に、厚みが２０ｎｍのＧａＮよりなる低温バッファ層を形成する。
【００５９】
次に、ＭＯＣＶＤ装置の炉内温度を１１５０℃に昇温する。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量が２０ｓｌｍの窒素ガス及び流量が１５ｓｌｍの水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が１００μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＧ及び流量が２５００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニアを処理炉内に３０分間供給する。これにより、第１バッファ層の表面に、厚みが１．７μｍのＧａＮよりなる下地層を形成する。
【００６０】
〈ｎ型窒化物半導体層３５の形成〉
次に、アンドープ層３６の上層にＡｌｎＧａ１−ｎＮ（０≦ｎ≦１）の組成からなるｎ型窒化物半導体層３５を形成する。
【００６１】
ｎ型窒化物半導体層３５のより具体的な形成方法は、例えば以下の通りである。まず、引き続き炉内温度を１１５０℃とした状態で、ＭＯＣＶＤ装置の炉内圧力を３０ｋＰａとする。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量が２０ｓｌｍの窒素ガス及び流量が１５ｓｌｍの水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が９４μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＧ、流量が６μｍｏｌ／ｍｉｎのトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）、流量が２５００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニア及び流量が０．０２５μｍｏｌ／ｍｉｎのテトラエチルシランを処理炉内に６０分間供給する。これにより、例えばＡｌ０．０６Ｇａ０．９４Ｎの組成を有し、Ｓｉ濃度が３×１０１９／ｃｍ３で、厚みが２μｍのｎ型窒化物半導体層３５がアンドープ層３６の上層に形成される。そして、この厚みが２μｍのｎ−ＡｌＧａＮ層を厚みが０．８μｍ程度になるようＩＣＰ装置で削り、ｎ型窒化物半導体層３５の厚みを調整する。
【００６２】
なお、この後、ＴＭＡの供給を停止すると共に、それ以外の原料ガスを６秒間供給することにより、ｎ型窒化物半導体層３５の上層に厚みが５ｎｍのｎ型ＧａＮよりなる保護層を形成するものとしてもよい。
【００６３】
なお、ｎ型窒化物半導体層３５に含まれるｎ型不純物としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、硫黄（Ｓ）、セレン（Ｓｅ）、錫（Ｓｎ）及びテルル（Ｔｅ）などを用いることができる。これらの中では、特にシリコン（Ｓｉ）が好ましい。
【００６４】
〈発光層３３の形成〉
次に、ｎ型窒化物半導体層３５の上層にＩｎＧａＮで構成される井戸層及びｎ型ＡｌＧａＮで構成される障壁層が周期的に繰り返される多重量子井戸構造を有する発光層３３を形成する。
【００６５】
具体的には、まずＭＯＣＶＤ装置の炉内圧力を１００ｋＰａ、炉内温度を８３０℃とする。そして、処理炉内にキャリアガスとして流量が１５ｓｌｍの窒素ガス及び流量が１ｓｌｍの水素ガスを流しながら、原料ガスとして、流量が１０μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＧ、流量が１２μｍｏｌ／ｍｉｎのトリメチルインジウム（ＴＭＩ）及び流量が３０００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニアを処理炉内に４８秒間供給するステップを行う。その後、流量が１０μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＧ、流量が１．６μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＡ、０．００２μｍｏｌ／ｍｉｎのテトラエチルシラン及び流量が３０００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニアを処理炉内に１２０秒間供給するステップを行う。以下、これらの２つのステップを繰り返すことにより、厚みが２ｎｍのＩｎＧａＮよりなる井戸層及び厚みが７ｎｍのｎ型ＡｌＧａＮよりなる障壁層による１５周期の多重量子井戸構造を有する発光層３３が、ｎ型窒化物半導体層３５の表面に形成される。
【００６６】
〈ｐ型窒化物半導体層３１の形成〉
次に、発光層３３の上層に、ＡｌｍＧａ１−ｍＮ（０≦ｍ≦１）で構成されるｐ型窒化物半導体層３１を形成する。
【００６７】
具体的には、ＭＯＣＶＤ装置の炉内圧力を１００ｋＰａに維持し、処理炉内にキャリアガスとして流量が１５ｓｌｍの窒素ガス及び流量が２５ｓｌｍの水素ガスを流しながら、炉内温度を１０２５℃に昇温する。その後、原料ガスとして、流量が３５μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＧ、流量が２０μｍｏｌ／ｍｉｎのＴＭＡ、流量が２５００００μｍｏｌ／ｍｉｎのアンモニア及びｐ型不純物をドープするための流量が０．１μｍｏｌ／ｍｉｎのビスシクロペンタジエニルマグネシウム（ＣＰ２Ｍｇ）を処理炉内に６０秒間供給する。これにより、発光層３３の表面に、厚みが２０ｎｍのＡｌ０．３Ｇａ０．７Ｎの組成を有する正孔供給層を形成する。その後、ＴＭＧの流量を９μｍｏｌ／ｍｉｎに変更して原料ガスを３６０秒間供給することにより、厚みが１２０ｎｍのＡｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎの組成を有する正孔供給層を形成する。これらの正孔供給層によりｐ型窒化物半導体層３１が形成される。このｐ型窒化物半導体層３１のｐ型不純物（Ｍｇ）濃度は、３×１０１９／ｃｍ３程度である。
【００６８】
〈第１コンタクト層３２の形成〉
更にその後、ＴＭＡの供給を停止すると共に、ＣＰ２Ｍｇの流量を０．２μｍｏｌ／ｍｉｎに変更して原料ガスを２０秒間供給することにより、厚みが５ｎｍのｐ＋ＧａＮよりなる第１コンタクト層３２を形成する。この第１コンタクト層３２のｐ型不純物（Ｍｇ）濃度は、１×１０２０／ｃｍ３程度である。
【００６９】
〈第２コンタクト層３４の形成〉
次に、ＣＰ２Ｍｇの供給を停止すると共に、原料ガスに加えてジエチル亜鉛の流量を０．２μｍｏｌ／ｍｉｎにした状態で２０秒間供給することにより、厚みが５ｎｍのＺｎドープＧａＮよりなる第２コンタクト層３４を形成する。なお、第２コンタクト層３４のドーパントとしては、Ｚｎの他、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｃなどを用いることができる。この第２コンタクト層３４の不純物（Ｚｎ）濃度は、１×１０２０／ｃｍ３程度である。
【００７０】
このようにしてサファイア基板６１上に、アンドープ層３６、ｎ型窒化物半導体層３５、発光層３３、ｐ型窒化物半導体層３１、第１コンタクト層３２、及び第２コンタクト層３４からなるエピ層４０が形成される。
【００７１】
（ステップＳ２）
次に、ステップＳ１で得られたウェハに対して活性化処理を行う。より具体的には、ＲＴＡ（Rapid Thermal Anneal：急速加熱）装置を用いて、窒素雰囲気下中６５０℃で１５分間の活性化処理を行う。
【００７２】
（ステップＳ３）
次に、図５Ｂに示すように、ｐ型窒化物半導体層３１の上層の所定箇所に絶縁層２１を形成する。より具体的には、後の工程で給電端子４２を形成する領域の下方に位置する箇所に絶縁層２１を形成するのが好ましい。絶縁層２１としては、例えばＳｉＯ２を膜厚２００ｎｍ程度成膜する。なお成膜する材料は絶縁性材料であればよく、例えばＳｉＮ、Ａｌ２Ｏ３でも良い。
【００７３】
（ステップＳ４）
図５Ｃに示すように、ｐ型窒化物半導体層３１及び絶縁層２１の上面を覆うように、導電層２０を形成する。ここでは、金属電極１９、保護層１７、及びハンダ層１５を含む多層構造の導電層２０を形成する。
【００７４】
導電層２０のより具体的な形成方法は例えば以下の通りである。まず、スパッタ装置にて第２コンタクト層３４及び絶縁層２１の上面を覆うようにＡｇを全面に成膜して、金属電極１９を形成する。上述したように、本実施形態の構成では、第２コンタクト層３４にはＺｎドープによって深い不純物準位が形成されるため、ＴｉやＩＴＯなどのコンタクト電極を形成しなくても、直接半導体層とＡｇを接触させることで良好なコンタクト特性が得られる。
【００７５】
次に、電子線蒸着装置（ＥＢ装置）にて金属電極１９の上面（Ａｇ表面）に、膜厚１００ｎｍのＴｉと膜厚２００ｎｍのＰｔを３周期成膜することで、保護層１７を形成する。更にその後、保護層１７の上面（Ｐｔ表面）に、膜厚１０ｎｍのＴｉを蒸着させた後、Ａｕ８０％Ｓｎ２０％で構成されるＡｕ−Ｓｎハンダを膜厚３μｍ蒸着させることで、ハンダ層１５を形成する。
【００７６】
なお、このハンダ層１５の形成ステップにおいて、サファイア基板６１とは別に準備された支持基板１１の上面にもハンダ層１３を形成するものとして構わない（図５Ｄ参照）。このハンダ層１３は、ハンダ層１５と同一の材料で構成されるものとしてよく、次のステップにおいてハンダ層１３と接合されることで、サファイア基板６１と支持基板１１が貼り合わせられる。なお、この支持基板１１としては、構造の項で前述したように、例えばＣｕＷが用いられる。
【００７７】
（ステップＳ５）
次に、図５Ｅに示すように、サファイア基板６１と支持基板１１とを貼り合わせる。より具体的には、２８０℃の温度、０．２ＭＰａの圧力下で、ハンダ層１５と支持基板１１の上層に形成されたハンダ層１３とを貼り合せる。
【００７８】
（ステップＳ６）
次に、図５Ｆに示すように、サファイア基板６１を剥離する。より具体的には、サファイア基板６１を上に、支持基板１１を下に向けた状態で、サファイア基板６１側からＫｒＦエキシマレーザを照射して、サファイア基板６１とエピ層４０の界面を分解させることでサファイア基板６１の剥離を行う。サファイア６１はレーザが通過する一方、その下層のＧａＮ（アンドープ層３６）はレーザを吸収するため、この界面が高温化してＧａＮが分解される。これによってサファイア基板６１が剥離される。
【００７９】
その後、ウェハ上に残存しているＧａＮ（アンドープ層３６）を、塩酸などを用いたウェットエッチング、ＩＣＰ装置を用いたドライエッチングによって除去し、ｎ型窒化物半導体層３５を露出させる。なお、本ステップＳ６においてアンドープ層３６が除去されて、第２コンタクト層３４、第１コンタクト層３２、ｐ型窒化物半導体層３１、発光層３３、及びｎ型窒化物半導体層３５がこの順に積層されてなる半導体層３０が残存する。
【００８０】
（ステップＳ７）
次に、図５Ｇに示すように、隣接する素子同士を分離する。具体的には、隣接素子との境界領域に対し、ＩＣＰ装置を用いて絶縁層２１の上面が露出するまで半導体層３０をエッチングする。上述したように、絶縁層２１は、エッチング時のストッパーとしても機能する。
【００８１】
（ステップＳ８）
次に、図５Ｈに示すようにｎ型窒化物半導体層３５の表面に凹凸を形成する。具体的には、ＫＯＨ等のアルカリ溶液を浸すことで凹凸形成を行う。このとき、後に電極４２及びボンディング電極４３を形成する箇所に対しては、凹凸を形成しないものとしても構わない。これらの箇所に凹凸を形成しないことで、電極を形成する箇所のｎ型窒化物半導体層３５の表面が平坦な状態のまま維持される。電極形成箇所のｎ型窒化物半導体層３５の表面を平坦な状態のまま維持することで、特にボンディング電極４３の形成後、ワイヤボンディングを行う際にボンディング電極４３とｎ型窒化物半導体層３５の界面にボイドが発生するのを防ぐ効果が得られる。
【００８２】
（ステップＳ９）
次に、図５Ｉに示すように、ｎ型窒化物半導体層３５の上面に電極４２及びボンディング電極４３を形成する。より具体的には、膜厚１００ｎｍのＣｒと膜厚３μｍのＡｕからなる電極を形成後、窒素雰囲気中で２５０℃１分間のシンタリングを行う。
【００８３】
その後の工程としては、露出されている素子側面、及び電極４２及びボンディング電極４３以外の素子上面を絶縁層４１で覆う。より具体的には、ＥＢ装置にてＳｉＯ２膜を形成する。なおＳｉＮ膜を形成しても構わない。そして、各素子同士を例えばレーザダイシング装置によって分離し、支持基板１１の裏面を例えばＡｇペーストにてパッケージと接合し、ボンディング電極４３に対してワイヤボンディングを行う。例えば、５０ｇの荷重でΦ１００μｍのボンディング領域にＡｕからなるワイヤ４５を連結させることで、ワイヤボンディングを行う。これにより、図１に示す窒化物半導体発光素子１が形成される。
【００８４】
〈別構成の製造プロセス〉
第１コンタクト層３２及び第２コンタクト層３４をＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０＜Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で形成する場合には、ステップＳ１において以下の方法を採用できる。まず、ｐ型窒化物半導体層３１の形成後、ＣＰ２Ｍｇの流量を０．２μｍｏｌ／ｍｉｎに変更して原料ガスを２０秒間供給することにより、厚みが５ｎｍのｐ＋Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎよりなる第１コンタクト層３２を形成する。次に、ＣＰ２Ｍｇの供給を停止すると共に、ジエチル亜鉛を０．２μｍｏｌ／ｍｉｎにし、原料ガスを２０秒間供給することにより、厚みが５ｎｍのＺｎドープＡｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎよりなる第２コンタクト層３４を形成する。
【００８５】
［第２実施形態］
本発明の第２実施形態の窒化物半導体発光素子の構造の一例につき、図６を参照して説明する。図６は、第２実施形態の窒化物半導体発光素子１ａの概略断面図である。なお、第１実施形態と同一の材料については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。また、図６内における矢印は光の取り出し方向を示しており、図１に示す窒化物半導体発光素子１ａとは光取り出し方向が反対である。
【００８６】
〈構造〉
サファイア基板６１、半導体層３０ａ、金属電極１９，１９ａ、給電端子５１、給電端子５２を備える。半導体層３０ａは、ｐ型窒化物半導体層３１、第１コンタクト層３２、発光層３３、第２コンタクト層３４、ｎ型窒化物半導体層３５、及びアンドープ層３６を含んで構成される。なお、この窒化物半導体発光素子１ａは、紙面下向きに光を取り出すことが想定されている。
【００８７】
この実施形態では、第１実施形態におけるｐ側の半導体層３０の上面に形成される金属電極１９と区別するために、ｎ側の半導体層３０の上面に形成される金属電極を「金属電極１９ａ」と称しているが、両者は同一の材料で構成されるものとして構わない。
【００８８】
この構成においても、第１実施形態と同様に、Ａｇ等で形成される金属電極１９を第２コンタクト層３４の上面に直接形成することで良好なコンタクト特性が得られるので、コンタクト性を向上させるためにＮｉやＩＴＯからなるコンタクト電極を形成しなくてもよい。これにより、発光層３３からの光が上方に放射された場合でも、このコンタクト電極で光吸収されることなく金属電極１９に到達した光を下方（取り出し方向）に反射させることができるので、光取り出し効率が向上する。
【００８９】
〈製造プロセス〉
図６に示した窒化物半導体発光素子１ａの製造プロセスにつき、第１実施形態の素子１と異なる箇所のみを説明する。
【００９０】
第１実施形態と同様に、ステップＳ１及びステップＳ２を実行する。
【００９１】
（ステップＳ１０）
ステップＳ２の後（図５Ａ参照）、図７Ａに示すように、ｎ型窒化物半導体層３５の一部上面が露出するまで、第２コンタクト層３４、第１コンタクト層３２、ｐ型窒化物半導体層３１、及び発光層３３を、ＩＣＰ装置を用いたドライエッチングによって除去する。なお、本ステップＳ３において、ｎ型窒化物半導体層３５についても一部エッチング除去しても構わない。
【００９２】
（ステップＳ１１）
図７Ｂに示すように、第２コンタクト層３４の上面、及び露出したｎ型窒化物半導体層３５の上面に、Ａｇを成膜することで、金属電極１９及び金属電極１９ａを形成する。本実施形態においても、第２コンタクト層３４にはＺｎドープによって深い不純物準位が形成されるため、ＮｉやＩＴＯなどのコンタクト電極を形成しなくても、第２コンタクト層３４とＡｇを接触させることで良好なコンタクト特性が得られる。
【００９３】
なお、本構成においては、ｎ型窒化物半導体層３５として、少なくとも上面部分が、ｎ型不純物濃度が１×１０１９／ｃｍ３より大きい高濃度のＡｌＧａＮで形成するのが好適である。これにより、ｎ型窒化物半導体層３５と金属電極１９ａの良好なコンタクト特性も実現できる。
【００９４】
（ステップＳ１２）
その後、ｎ側の金属電極１９ａの上面に給電端子５１、ｐ側の金属電極１９の上面に給電端子５２をそれぞれ形成する。より具体的には、給電端子５１，５２を形成する導電材料膜（例えば膜厚１００ｎｍのＣｒと膜厚３μｍのＡｕからなる材料膜）を全面に形成後、リフトオフによって給電端子５１，５２を形成する。その後、窒素雰囲気中で２５０℃１分間のシンタリングを行う。
【００９５】
そして、ボンディング電極５３を介して基板５５と給電端子５１を接続し、ボンディング電極５４を介して基板５５と給電端子５２を接続することで、図２に示した窒化物半導体発光素子１ａが形成される。
【００９６】
［別実施形態］
以下、別実施形態について説明する。
【００９７】
〈１〉  上述した製造プロセスにおいては、第２コンタクト層３４として、ＺｎがドープされたＡｌＧａＮである場合を採り上げて説明した。しかし、同様の原理により、第２コンタクト層３４を、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓｒ、Ｃａ及びＣのいずれか１種以上の第２不純物材料がドープされたＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で構成した場合において、金属電極１９とのコンタクト性の向上が実現できる。
【００９８】
更に、第２コンタクト層３４が、微量の他の物質（Ｓｂなど）が含有されたＡｌＸＧａＹＩｎＺＮで構成された場合においても、同様の効果を示すものであり、本発明はこのような材料で第２コンタクト層３４が形成された素子を権利範囲から排除する趣旨ではない。
【００９９】
〈２〉  第１実施形態において、絶縁層２１に代えて導電性酸化膜層を形成しても構わない。導電性酸化膜層を備える構成とした場合、絶縁層２１よりは導電率が高いため、半導体層３０内を電流が垂直方向に流れやすくなるが、通常の導電材料（金属など）と比較すると導電率は大幅に低いので、水平方向に電流を拡げる効果が実現される。
【０１００】
なお、この絶縁層２１や導電性酸化膜層は、電流を水平方向に拡げるという意味においては、電極（４２，４３）の直下位置に形成されることが好ましいが、本発明はこの絶縁層２１や導電性酸化膜層を有しない構成の素子を権利範囲から排除する趣旨ではない。
【０１０１】
〈３〉  図１及び図６に示した構造、並びに図５Ａ〜図５Ｉや図７Ａ及び図７Ｂに示した製造方法は、好ましい実施形態の一例であって、これらの構成やプロセスの全てを備えなければならないというものではない。
【０１０２】
例えば第１実施形態において、ハンダ層１３とハンダ層１５は、２つの基板の貼り合せを効率的に行うべく形成されたものであって、２基板の貼り合せが実現できるのであれば窒化物半導体発光素子の機能を実現する上で必ずしも必要なものではない。
【０１０３】
同様に、保護層１７はハンダ材料の拡散防止の観点、ｎ型窒化物半導体層３５の表面の凹凸は光取り出し効率の向上の観点からは、備えるのが好適であるが、本発明はこれらを備えない構成の素子を権利範囲から排除する趣旨ではない。
【０１０４】
〈４〉  第１実施形態では、サファイア基板６１と支持基板１１の両者にハンダ層を形成したが（ハンダ層１３、１５）、どちらか一方にのみハンダ層を形成した後に両基板を貼り合せても構わない。また、保護層１７をサファイア基板６１側に形成したが、支持基板１１側に形成しても構わない。すなわち、図５Ｄに示す構成に代えて、支持基板１１の上層に保護層１７を形成し、その上層にハンダ層１３を形成したものを、ステップＳ５においてサファイア基板６１と貼り合せても構わない。
【符号の説明】
【０１０５】
１、１ａ      ：    窒化物半導体発光素子
１１      ：    支持基板
１３      ：    ハンダ層
１５      ：    ハンダ層
１７      ：    保護層
１９、１９ａ      ：    金属電極
２０、２０ａ      ：    導電層
２１      ：    絶縁層
３０、３０ａ      ：    半導体層
３１      ：    ｐ型窒化物半導体層
３２      ：    第１コンタクト層
３３      ：    発光層
３４      ：    第２コンタクト層
３５      ：    ｎ型窒化物半導体層
３６      ：    アンドープ層
４０      ：    エピ層
４１      ：    絶縁層
４２      ：    電極
４３      ：    ボンディング電極
４５      ：    ボンディング電極
５１、５２      ：    給電端子
５３、５４      ：    ボンディング電極
５５      ：    基板
６１      ：    サファイア基板
８０      ：    従来例の素子
８１      ：    比較例の素子
８３      ：    コンタクト電極
【図１】
2014236070.tif 000003
【図２】
2014236070.tif 000004
【図３】
2014236070.tif 000005
【図４】
2014236070.tif 000006
【図５Ａ】
2014236070.tif 000007
【図５Ｂ】
2014236070.tif 000008
【図５Ｃ】
2014236070.tif 000009
【図５Ｄ】
2014236070.tif 000010
【図５Ｅ】
2014236070.tif 000011
【図５Ｆ】
2014236070.tif 000012
【図５Ｇ】
2014236070.tif 000013
【図５Ｈ】
2014236070.tif 000014
【図５Ｉ】
2014236070.tif 000015
【図６】
2014236070.tif 000016
【図７Ａ】
2014236070.tif 000017
【図７Ｂ】
2014236070.tif 000018
【手続補正書】
【提出日】平成25年7月2日(2013.7.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
（第２コンタクト層３４）
第２コンタクト層３４は、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓｒ、Ｃａ及びＣのいずれか１種以上の第２不純物材料がドープされた、ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で構成される。例えば第２コンタクト層３４の不純物濃度は、１×１０１９／ｃｍ３以上、５×１０２１／ｃｍ３以下程度である。具体的には、一例としてＺｎがドープされたＧａＮとすることができる。ここで、第２コンタクト層３４にドープする不純物材料（「第２不純物材料」に対応）としては、第１コンタクト層３２にドープする不純物材料（「第１不純物材料」に対応）が第１コンタクト層３２内に形成する不純物準位よりも、深い位置に不純物準位を形成するような材料であればよい。一例として、第１コンタクト層３２にＭｇをドープする場合、第２コンタクト層３４にＺｎをドープすると、第２コンタクト層３４に形成される不純物準位は、第１コンタクト層３２に形成される不純物準位よりも深い位置になる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
〈別構成〉
第１コンタクト層３２及び第２コンタクト層３４を共に所定の組成比で構成したＡｌＧａＮで形成し、金属電極１９をＡｌで形成するものとしても構わない。ＡｌＸＧａＹＩｎＺＮにおけるＡｌの組成比を高めることで、吸収端を短波長側にシフトさせることができるため、窒化物半導体発光素子１を、深紫外光を放射する素子として形成することができる。この場合、ＮｉやＩＴＯなどで形成されるコンタクト電極８３が不要となるため、当該コンタクト電極８３における深紫外光の吸収が抑制され、光取り出し効率が向上した深紫外光の発光素子が実現される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
〈別構成の製造プロセス〉
第１コンタクト層３２及び第２コンタクト層３４をＡｌＧａＮで形成する場合には、ステップＳ１において以下の方法を採用できる。まず、ｐ型窒化物半導体層３１の形成後、ＣＰ２Ｍｇの流量を０．２μｍｏｌ／ｍｉｎに変更して原料ガスを２０秒間供給することにより、厚みが５ｎｍのｐ＋Ａｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎよりなる第１コンタクト層３２を形成する。次に、ＣＰ２Ｍｇの供給を停止すると共に、ジエチル亜鉛を０．２μｍｏｌ／ｍｉｎにし、原料ガスを２０秒間供給することにより、厚みが５ｎｍのＺｎドープＡｌ０．１３Ｇａ０．８７Ｎよりなる第２コンタクト層３４を形成する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
〈１〉  上述した製造プロセスにおいては、第２コンタクト層３４として、ＺｎがドープされたＧａＮ又はＡｌＧａＮである場合を採り上げて説明した。しかし、同様の原理により、第２コンタクト層３４を、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂｅ、Ｓｒ、Ｃａ及びＣのいずれか１種以上の第２不純物材料がドープされたＡｌＸＧａＹＩｎＺＮ（０≦Ｘ≦１、０≦Ｙ≦１、０≦Ｚ≦１、Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）で構成した場合において、金属電極１９とのコンタクト性の向上が実現できる。