(57)【要約】      （修正有）【課題】界面熱抵抗を低減することのできる電子機器の製造方法及び電子機器を提供する。【解決手段】シート状に配列されるカーボンナノチューブ１５の一方の端部をグループ化して複数のカーボンナノチューブ束１５Ｇを形成し、カーボンナノチューブ束１５Ｇの前記一方の端部の表面および表面近傍の外周を高抵抗の高分子膜２１で被覆し、隣接するカーボンナノチューブ束１５Ｇに形成された高抵抗の高分子膜２１の隙間から樹脂を導入して、シート状に配列されたカーボンナノチューブ１５の間を埋める樹脂層１６を形成し、高抵抗の高分子膜２１のうちカーボンナノチューブ束１５Ｇの前記一方の端部の前記表面を被覆する部分を除去してカーボンナノチューブ束１５Ｇの先端を露出するとともに、カーボンナノチューブ束１５Ｇの他方の端部を露出させる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
シート状に配列されるカーボンナノチューブの一方の端部をグループ化して複数のカーボンナノチューブ束を形成し、
前記カーボンナノチューブ束の前記一方の端部の表面および表面近傍の外周を高抵抗の高分子膜で被覆し、
隣接する前記カーボンナノチューブ束に形成された前記高抵抗の高分子膜の隙間から樹脂を導入して、前記シート状に配列されたカーボンナノチューブの間を埋める樹脂層を形成し、
前記高抵抗の高分子膜のうち、前記カーボンナノチューブ束の前記一方の端部の前記表面を被覆する部分を除去して前記カーボンナノチューブ束の先端を露出するとともに、前記カーボンナノチューブ束の他方の端部を露出させる、
ことを特徴とする電子機器の製造方法。
【請求項２】
前記カーボンナノチューブ束の形成は、
前記シート状に配列された前記カーボンナノチューブの前記一方の端部に、変形可能な材料で形成された周期的なパターンを接触させ、前記周期的なパターンを変形させることによって、前記カーボンナノチューブの前記一方の端部をグループ化することを特徴とする請求項１に記載の電子機器の製造方法。
【請求項３】
前記周期的なパターンの変形は、
バイオレジストのパターンを第１の温度で前記カーボンナノチューブの前記一方の端部に接触させ、
前記第１の温度より低い第２の温度に設定することで、前記バイオレジストのパターンを膨張させることを特徴とする請求項２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項４】
前記周期的なパターンの変形は、
微細流路が形成されたシリコーンの周期的なパターンを前記カーボンナノチューブの前記一方の端部に接触させ、
前記カーボンナノチューブの先端に押し当て、微細流路に加圧エアーを注入することによりシリコーンを変形させることを特徴とする請求項２に記載の電子機器の製造方法。
【請求項５】
前記シート状に配列されるカーボンナノチューブを、
基板に所定の凹凸パターンを形成し、
前記基板の凹部と凸部にカーボンナノチューブ束を成長し、
前記成長したカーボンナノチューブ束の間に樹脂を合浸し、
前記樹脂が合浸されたカーボンナノチューブ束を酸素雰囲気または酸素プラズマ雰囲気中で熱処理し、前記凸部に形成されたカーボンナノチューブ束と前記樹脂及び前記凹部に形成されたカーボンナノチューブ束の先端を前記熱処理により除去し、
前記カーボンナノチューブ束を前記凹部から剥離する、
ことにより形成し、
前記一方の端部は、前記凹部から剥離した側の端部であることを特徴とする請求項１に記載の電子機器の製造方法。
【請求項６】
発熱体と、
放熱体と、
前記発熱体と前記放熱体の間に配置される熱伝導部材と、
を有し、
前記熱伝導部材は、周期的にグループ化された複数のカーボンナノチューブ束を含み、
前記各カーボンナノチューブ束は、前記放熱体に接する側の端部で外周が高抵抗の高分子膜に被覆されていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子機器の製造方法と電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
サーバーやパーソナルコンピュータのＣＰＵ（Central Processing Unit：中央処理装置）などに用いられる電子部品には、半導体素子から発する熱を効率よく放熱することが求められる。このため、これらの電子部品は、銅などの高い熱伝導度を有する材料のヒートスプレッダを半導体素子の直上に配置した構造を有している。発熱源である半導体素子とヒートスプレッダの表面には微細な凹凸が存在するため、互いをダイレクトに接触させても十分な接触面積を稼ぐことができない。接触界面が大きな熱抵抗となり、効率的に放熱を行うことができないからである。そこで、接触熱抵抗を低減することを目的として、発熱源とヒートスプレッダとをサーマルインターフェイスマテリアル（ＴＩＭ）を介して接続することが行われている。
【０００３】
サーマルインターフェイスマテリアルには、それ自身が高い熱伝導率を有する材料であることが求められる。加えて、発熱源及びヒートスプレッダ表面の微細な凹凸に対して広面積に接触しうる特性が求められる。
【０００４】
従来、サーマルインターフェイスマテリアルとして、放熱グリースやフェイズチェンジマテリアル（ＰＣＭ）、インジウムなどが用いられてきた。これらの材料が放熱材料として用いられる理由の一つは、電子機器の耐熱温度以下で流動性を有しているため、微細な凹凸に対して大きな接触面積を得ることができる点にある。
【０００５】
しかしながら、放熱グリースやフェイズチェンジマテリアルは、熱伝導率が１Ｗ／ｍ・Ｋ〜５Ｗ／ｍ・Ｋと低い。また、インジウムはレアメタルであり、ＩＴＯ関連での大幅な需要増加により価格が高騰しているため、より安価な代替材料が待望される。
【０００６】
このような背景から、放熱材料として、カーボンナノチューブに代表される炭素元素からなる線状構造体が注目されている。カーボンナノチューブは、その軸方向に非常に高い熱伝導度（１５００Ｗ／ｍ・Ｋ〜３０００Ｗ／ｍ・Ｋ）を有するだけでなく、機械的柔軟性や耐熱性に優れた材料であり、放熱材料として高いポテンシャルを有している。
【０００７】
カーボンナノチューブを用いた熱伝導シートとして、基板上に成長したカーボンナノチューブ束の間に熱可塑性樹脂の充填層を形成したカーボンナノチューブシートが提案されている（例えば、特許文献１及び２参照）。また、カーボンナノチューブ間にパリレン（パラキシリレン系ポリマー）を充填したナノ電極アレイが知られている（例えば、非特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２０１１−２２２７４６号公報
【特許文献２】特開２００６−１４７８０１号公報
【非特許文献】
【０００９】
【非特許文献１】Electrochemical characterization of parylene-embedded carbonnanotube nanoelectrode arrays, Caltech, Nanotechnology 17 (2006)
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
カーボンナノチューブシートを発熱体とヒートシンクの間に挿入して熱伝導シートとして用いる場合、界面での接触熱抵抗の低減が課題となる。そこで、本発明は界面熱抵抗を低減した電子機器の製造方法と熱伝導シートの製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
ひとつの観点では、電子機器の製造方法では、
シート状に配列されるカーボンナノチューブの一方の端部をグループ化して複数のカーボンナノチューブ束を形成し、
前記カーボンナノチューブ束の前記一方の端部の表面および表面近傍の外周を高抵抗の高分子膜で被覆し、
隣接する前記カーボンナノチューブ束に形成された前記高抵抗の高分子膜隙間から樹脂を導入して、前記シート状に配列されたカーボンナノチューブの間を埋める樹脂層を形成し、
前記高抵抗の高分子膜のうち、前記カーボンナノチューブ束の前記一方の端部の前記表面を被覆する部分を除去して前記カーボンナノチューブ束の先端を露出するとともに、前記カーボンナノチューブ束の他方の端部を前記樹脂層から突出させる。
【発明の効果】
【００１２】
電子機器の界面熱抵抗が低減され、放熱効果が向上する。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】熱伝導シートとしてカーボンナノチューブシートを用いた場合の課題を説明するための図である。
【図２】カーボンナノチューブを用いた熱伝導シートの表面に残る界面樹脂層を示すＳＥＭ写真である。
【図３】実施例１の放熱アセンブリの断面模式図である。
【図４】実施例１の放熱アセンブリを用いた電子機器の組み立ての効果を示す図である。
【図５】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図６】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図７】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図８】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図９】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図１０】実施例１の実施形態による電子機器の製造工程を示す図である。
【図１１】バイオレジストを用いたカーボンナノチューブの塑性変形を示す図である。
【図１２】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図１３】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図１４】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図１５】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図１６】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図１７】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図１８】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図１９】実施例１の電子機器の製造工程を示す図である。
【図２０】実施例２の熱伝導シートの製造工程を示す図である。
【図２１】実施例２の熱伝導シートの製造工程を示す図である。
【図２２】実施例２の熱伝導シートの製造工程を示す図である。
【図２３】実施例２の熱伝導シートの製造工程を示す図である。
【図２４】実施例２の熱伝導シートの製造工程を示す図である。
【図２５】実施例２の熱伝導シートの製造工程を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
一般に、熱伝導シートの作製プロセスでは、ウエハ上に成長させたカーボンナノチューブに対して、成長端側から樹脂を流動させて埋め込み、その後カーボンナノチューブをウエハから剥離することによってシートにしている。そのため、図１の上側の図に示すように、充填樹脂層１１６の一部が、熱伝導シート１２０の少なくとも片方の表面に界面樹脂層１１７として残り、カーボンナノチューブ１１５の先端を覆ってしまう。図２は、シート表面に残る界面樹脂層１１７のＳＥＭ写真である。
【００１５】
電子機器の組み立て時には、図１の下側の図に示すように、熱伝導シート１２０をプレアタッチしたヒートスプレッダ１１０をＣＰＵ１３０等の発熱体に被せ、荷重をかけた熱処理により充填樹脂層１１６をリフローする。リフローにより、カーボンナノチューブ１１５の先端を覆っていた界面樹脂層１１７が溶融し流れ出て、カーボンナノチューブ１１５の一方の端部をＣＰＵ１３０等の発熱体に接合するとともに、他方の端部をヒートスプレッダ１１０に接合する。
【００１６】
しかし、加圧下でのリフローを行っても、ヒートスプレッダ１１０とＣＰＵ１３０との界面に微量の樹脂が残存してしまい、界面熱抵抗Ｒが生じる。界面の残存樹脂を除去するために、カーボンナノチューブの機械的強度を高め、加えられる荷重に対する耐性を向上させることによって、界面の樹脂を押し出すことが考えられる。しかし、高さばらつきが存在するカーボンナノチューブの束に対しては、界面の樹脂を押し出す効果を十分に発揮することができない。さらに、カーボンナノチューブ１１５の硬さと、熱的接触を確保するための柔軟性とはトレードオフの関係にある。
【００１７】
また、基板に垂直に配向したカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）を成長すると、通常、ＣＮＴの根元は基板に対して垂直に配向するが、先端部はＣＮＴの配向が乱れる。これはＣＮＴ成長初期において、ＣＮＴの配向方向が基板に水平な方向と垂直な方向に自由度を持つためと考えられる。先端がランダム配向したＣＮＴシートは先端部で接触熱抵抗・電気抵抗の増大を引き起こすことが懸念される。
【００１８】
そこで、実施形態では、界面あるいはＣＮＴシート先端部での接触熱抵抗や接触電気抵抗を低減するために、ＣＮＴシートの少なくとも一方の面でＣＮＴの先端を露出させる。ＣＮＴシートの端部を露出するために、グループ化したＣＮＴ束の間に樹脂を充填し、その後、酸素雰囲気もしくは酸素プラズマ雰囲気中で熱処理することによってＣＮＴの端部を露出する。
【００１９】
以下で、図面を参照して発明の実施形態を説明する。
【実施例１】
【００２０】
図３は、実施形態による電子機器の一部の断面模式図である。図３（Ａ）は、ヒートスプレッダ１１に熱伝導シート２０Ａをアタッチした放熱アセンブリ１０Ａの模式図、図３（Ｂ）は、ビートスプレッダ１１に熱伝導シート２０Ｂをアタッチした放熱アセンブリ１０Ｂの模式図である。
【００２１】
図３（Ａ）の放熱アセンブリ１０Ａで用いられる熱伝導シート２０Ａは、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）の一方の端部を曲げて束ねた複数のＣＮＴ束１５Ｇを有する。各ＣＮＴ束１５Ｇの端部には、ＣＮＴ束１５Ｇの外周を覆う高抵抗の高分子膜２１が形成されている。「高抵抗」の高分子膜とは、一般に電気抵抗が１ＭΩ以上のものをいう。隣接する高抵抗の高分子膜２１の間、及び各カーボンナノチューブ１５の隙間を埋めて樹脂層１６が形成されている。カーボンナノチューブ１５の他方の端部は、樹脂層１６から突き出ている。
【００２２】
熱伝導シート２０Ａは、ＣＮＴ束１５Ｇあるいは高抵抗の高分子膜２１の配列の外側の樹脂層１６の部分と、隣接する高抵抗の高分子膜２１の間を埋める樹脂層１６の部分と、各カーボンナノチューブ１５の間を充填する樹脂層１６の部分とによって、ヒートスプレッダ１１に接着されている。
【００２３】
図３（Ｂ）の放熱アセンブリ１０Ｂで用いられる熱伝導シート２０Ｂは、図３（Ａ）の熱伝導シート２０Ａの構成と基本的な部分は同じである。相違点は、ＣＮＴ束１５Ｇをまとめる高抵抗の高分子膜２１の内側に樹脂層１６が充填されずに、空間２３となっている点である。この構成例でも、カーボンナノチューブ１５の他方の端部は樹脂層１６から突き出ている。熱伝導シート２０Ｂは、隣接する高抵抗の高分子膜２１の間を埋める樹脂層１６の部分と、ＣＮＴ束１５Ｇの配列の外側の樹脂層１６の部分とにより、ヒートスプレッダ１１に接着されている。
【００２４】
図３（Ａ）と図３（Ｂ）のいずれの構成でも、カーボンナノチューブ１５は周期的に束ねられたＣＮＴ束１５Ｇとして配置されている。ＣＮＴ１５を束ねる高抵抗の高分子膜２１は例えばパリレン（パラキシリレン系ポリマー）２１である。
【００２５】
熱伝導シート２０Ａ又は２０Ｂを介してヒートスプレッダ１１をＣＰＵ等の発熱体に密着させることで、放熱効率のよい電子機器を作製することができる。
【００２６】
図３の放熱アセンブリ１０Ａ、１０Ｂは、以下の特徴を有する。
(i) ヒートスプレッダ１１側のカーボンナノチューブ１５の端部は湾曲し、グループ化して周期的なＣＮＴ束１５Ｇになっている。
(ii) ヒートスプレッダ１１側の端部で、ＣＮＴ束１５Ｇの外周は、パリレンなどの高抵抗の高分子膜２１で覆われている。
(iii) 隣接するＣＮＴ束１５Ｇ（あるいは高抵抗の高分子膜２１）の間には樹脂層１６が充填され、ヒートスプレッダ１１と熱伝導シート２０Ａまたは２０Ｂを接着している。
(iv) 熱伝導シート２０Ａ、２０Ｂのヒートスプレッダ１１と反対側の面では、樹脂層１６からカーボンナノチューブ１５の端部が突き出ている。
(V) ヒートスプレッダ１１側の高抵抗の高分子膜２１の内壁側は、樹脂を充填してもよいし充填せずに空間２３を残しておいてもよい。
【００２７】
図４は、図３（Ｂ）の放熱アセンブリ１０Ｂを組み付けた電子機器１の構成例を示す図である。放熱アセンブリ１０Ｂは、熱伝導シート２０Ｂを介して半導体素子（ＣＰＵ）３０に組み付けられる。半導体素子３０は、はんだバンプ等の突起電極３１を介して回路基板４１と電気的に接続されている。ヒートスプレッダ１１は接着層４２により回路基板４１に固定されている。
【００２８】
図４の上側の図で、熱伝導シート２０Ｂの半導体素子３０と面する側で、ＣＮＴ束１５Ｇを構成するカーボンナノチューブ１５は、樹脂層１６から突き出ている。
【００２９】
この状態で、放熱アセンブリ１０Ｂに例えば１ＭＰａ以上の圧力をかける。圧力の印加により、カーボンナノチューブ１５の一方の端部がヒートスプレッダ１１と密着し、他方の端部が半導体素子３０と密着する。カーボンナノチューブ１５はしなやかで柔軟性を有する材料であるため、半導体素子３０やヒートスプレッダ１１の表面の凹凸形状に追従して撓むことができる。加圧により、半導体素子３０とヒートスプレッダ１１を結合するカーボンナノチューブ１５の数が増加し、半導体素子３０とヒートスプレッダ１１の間に形成される熱伝導パスが太くなる。
【００３０】
加圧下で加熱処理を行なうことで、図４の下側の図のように、樹脂層１６が溶融して半導体素子３０の表面に到達する。また、高抵抗の高分子（パリレン）膜２１の内側の空間にも溶融した樹脂１６が入り込む。カーボンナノチューブ１５の両端は前もってヒートスプレッダ１１と半導体素子３０とに密着しているため、溶融した樹脂がカーボンナノチューブ１５と半導体素子３０の界面に入り込んでカーボンナノチューブ１５の先端を覆うなどの不都合はない。この構成ではカーボンナノチューブの硬さ調整を厳密に行わなくても界面樹脂層の生成を防止することができ、半導体素子３０とヒートスプレッダ１１の間の熱抵抗を低減することができる。
【００３１】
その後、室温まで冷却すると、溶融した樹脂層１６が固化し接着性が発現する。半導体素子３０とヒートスプレッダ１１はＣＮＴ１５を介して熱的に接続・固定され、電子機器１が完成する。
【００３２】
電子機器１は、次のような効果を有する。
(i) 加圧時にカーボンナノチューブ１５の両端がヒートスプレッダ１１と半導体素子３０のそれぞれと密着する。
(ii) 加熱時に樹脂層１６が溶融するが、ＣＮＴ１５の両端はすでにヒートスプレッダ１１と半導体素子３０に密着しているため、半導体素子３０との界面に樹脂が侵入して界面樹脂層が形成されるのを防止できる。
(iii) ＣＮＴ１５の硬さ調整を厳密に行う必要がない。
【００３３】
次に、図５〜図１９を参照して、実施例の放熱アセンブリと電子機器の製造方法を説明する。
【００３４】
まず、図５で、基板５１上に触媒金属膜５２を形成し、カーボンナノチューブ（ＣＮＴ）５３を成長する。基板５１は、シリコン（Ｓｉ）基板、あるいは不純物をドープすることで導電性が付与されたＳｉ材料の基板である。不順物として、Ｂ（ボロン）などのｐ型不純物や、Ｐ（リン）、Ｓｂ（アンチモン）などのｎ型不純物を用いることができる。Ｓｉ基板５１の厚さは、例えば２００〜８２５μｍである。実施例では、厚さ６００μｍのＳｉ基板５１を使用する。ＣＮＴ１５の成長においては、下地表面の形状の影響を受けることが多いため、両面ミラータイプのＳｉ基板５１が望ましい。Ｓｉ基板５１上に膜厚３００ｎｍ程度のシリコン酸化膜（不図示）を形成してもよい。
【００３５】
次に、例えばスパッタ法により、膜厚２．５ｎｍのＦｅ（鉄）膜を堆積し、触媒金属膜５２を形成する。触媒金属膜５２の配置、形状は、カーボンナノチューブの接触方向の用途によって決定される。触媒金属としてはＦｅのほか、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｐｔ（白金）又はこれらのうち少なくとも一の材料を含む合金を用いてもよい。触媒として、金属膜以外に微分型静電分級器（differential mobility analyzer：ＤＭＡ）等を用い、あらかじめサイズを制御して作製した金属微粒子を用いてもよい。この場合も金属種については薄膜と同様でよい。また、これら触媒金属の下地膜として、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｖ（バナジウム）、ＴａＮ（窒化タンタル）、ＴｉＳｉｘ（チタンシリサイド）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）、ＴｉＯｘ（酸化チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、ＴｉＮ（チタンナイトライド）よりなる膜又はこれらのうち少なくとも一の材料を含む合金からなる膜を形成してもよい。例えば、Ｆｅ（２．５ｎｍ）／Ａｌ（１０ｎｍ）の積層構造、Ｃｏ（２．６ｎｍ）／ＴｉＮ（５ｎｍ）の積層構造等を適用することができる。金属微粒子を用いる場合は、例えばＣｏ（平均直径３．８ｎｍ）／ＴｉＮ（５ｎｍ）の積層構造を適用することができる。
【００３６】
カーボンナノチューブ５３は、例えばホットフィラメントＣＶＤ法により、触媒金属膜５２を触媒として成長する。カーボンナノチューブ５３の成長条件は、例えば、原料ガスとしてアセチレン・アルゴンの混合ガス（分圧比１：９）を用い、成膜室内の総ガス圧を１ｋＰａ、ホットフィラメント温度を１０００℃、成長時間を２０分とする。これにより、層数が３〜６層（平均４層程度）、直径が４〜８ｎｍ（平均６ｎｍ）、長さが８０μｍ（成長レート：４μｍ／ｍｉｎ）の多層カーボンナノチューブ５３を成長することができる。なお、カーボンナノチューブ５３は、熱ＣＶＤ法やリモートプラズマＣＶＤ法など、他の成膜方法で形成してもよい。また、単層カーボンナノチューブを成長してもよい。炭素原料として、アセチレンのほか、メタン、エチレン等の炭化水素類や、エタノール、メタノール等のアルコール類などを用いてもよい。
【００３７】
このようにして、基板５１上の触媒金属膜５２が形成された領域に、基板５１面に対して垂直配向したカーボンナノチューブ５３のアレイが形成される。上記の成長条件で形成したカーボンナノチューブ５３の面密度は、１×１０１１本／ｃｍ２程度である。
【００３８】
図６で、成長したカーボンナノチューブ５３の表面に、パリレン膜５４を蒸着する。パリレン膜５４の蒸着は、専用の装置と原料ダイマーを用いて行う。実施例では、装置としてSpecialty Coating Systems社製のLABCOTER PDS2010、ダイマーの種類としてパリレン−Ｃを用いる。１７５℃の加熱による気化、６９０℃での熱分解、表面での重合を経て、ＣＮＴ５３の表面形状に沿って、パリレン膜５４がコンフォーマルに形成される。実施例では、膜厚１μｍのパリレン膜５４を蒸着する。膜厚の制御は、ダイマーの量、蒸着チャンバのサイズ、チップの設置方法などに依存する。実施例では、Specialty Coating Systems社製のパリレン−Ｃダイマー１．８ｇを加熱し、装置の既存のチャンバ内に数個のチップを並べて膜厚１μｍのパリレン膜５４を形成した。パリレン膜５４によってカーボンナノチューブ５３の端部が一体的に支持される。これによりシート状のカーボンナノチューブ５３が基板５１から容易に剥離できる。
【００３９】
図７で、シート状になったカーボンナノチューブ５３を基板５１から剥離し、図８で、剥離したカーボンナノチューブ５３のパリレン膜５４をサポート基板６１に仮接合する。実施例で使用したサポート基板６１の厚さは６００μｍである。例えば、熱剥離シートであるリバアルファ３１９５Ｍ（日東電工製）を用いて、サポート基板６１に、カーボンナノチューブ５３を支持するパリレン膜５４を貼り合わせる。あるいは、あらかじめサポート基板６１上にパリレン膜６２（図７）を形成しておき、１８０℃、５分の加熱により、カーボンナノチューブ５３を支持するパリレン膜５４と基板上のパリレン膜６２を接合してもよい。これにより、図８に示すように、サポート基板６１上に熱剥離膜６３を介してカーボンナノチューブ５３のシートが仮接合される。
【００４０】
図９で、別のシリコン基板７１に、バイオレジスト（日産化学工業製）を用いたパターンを形成する。シリコン基板７１上に、バイオレジストを３０００ｒｐｍでスピンコートし、650mJ/cm2で露光、さらに１２０℃、２０分間のベーク処理を行い、温水で現像して、１０μｍスクエアのバイオレジストパターンを２５μｍピッチで形成する。
【００４１】
バイオレジストは温度応答性のあるポリマーであり、所定の温度を境にして体積変化を起こす。実施例では、図９と図１０に示すように、３６℃と２０℃の温度変化を与えることによって、バイオレジストのパターンに水平方向に５μｍのピッチ変動を与える。
【００４２】
より具体的には、図９に示すように、バイオレジストパターン７３を形成したシリコン基板７１を、ＣＮＴ５３に対して０．１ＭＰａの圧力で接触させ、温度を３６℃に設定する。温度３６℃ではバイオレジストパターン７３S は収縮しており、水平方向のサイズ、高さともに小さい。
【００４３】
図１０で、同じ圧力下で温度を２０℃にすることによってバイオレジストが膨潤する。膨潤状態では、バイオレジストパターン７３L の水平方向のサイズと、高さがともに増大する。そのため、それまで収縮状態でのバイオレジストパターン７３S に接触していたＣＮＴ５３は、バイオレジストパターン７３L の膨張によって押し分けられて、ＣＮＴ束５３Ｇが形成される。実施例ではバイオレジストパターン７３L が水平方向に５μｍ膨張したので、ＣＮＴ束５３ＧとＣＮＴ束５３Ｇの間に５μｍの隙間Ｇが形成される。図１１に先端が曲げられて束状になったＣＮＴ５３のＳＥＭ写真と、ＣＮＴ５３のグループ化の模式図を示す。
【００４４】
次に、図１２で、バイオレジストパターン７３が形成されたシリコン基板７１を取り除き、グループ化されたＣＮＴ５３の表面にパリレン膜７６を蒸着する。蒸着により、隣接するＣＮＴ束５３Ｇの隙間にパリレン膜７６が入り込む。図１２（Ｂ）は、カーボンナノチューブ層を覆うパリレン層のＳＥＭ写真である。
【００４５】
次に、図１３で、Ｏ2プラズマ処理によって、隣接するＣＮＴ束５３Ｇ隙間部分のパリレン膜７６を薄膜化して、樹脂の流路７５を形成する。隙間部分に入り込んだパリレン膜７６の膜厚は最表面のパリレン膜７６の膜厚に比べて薄いため、Ｏ2プラズマ処理により最表面のパリレン膜７６よりも早く除去することができる。
【００４６】
次に、図１４で、樹脂注入用治具７８をＣＮＴ５３上に配置し、治具７８のホール７９を介して、矢印の方向に樹脂を注入する。治具７８のホール７９を、隣接するＣＮＴ束５３Ｇの間の流路７５にアラインさせ、樹脂を加圧しながら注入する。
【００４７】
治具７８としては、ＤＲＩＥによりシリコン基板にホール７９を形成したものを用いてもよい。一例として、厚さ１００μｍのシリコン基板上に、AZ エレクトロニック マテリアルズ社製のAZP4620を2000rpmで塗布し、１２０℃でプリベークしたレジストマスク（不図示）を形成する。このレジストマスクを用いて、ＤＲＩＥ法による異方性エッチング処理を施す。ＤＲＩＥ法では、ＳＦ6ガスを用いて行うエッチングと、Ｃ4Ｆ8ガスを用いて行う側壁保護（成膜）とを交互に実行するBoschプロセスにより、異方性の高いエッチング処理を行うことができる。その結果、シリコン基板７８の表面に対して断面が垂直形状のホール７９を形成することができる。
【００４８】
図１５で、ＣＮＴ５３の間、および隣接するＣＮＴ束５３Ｇの間に樹脂層８１が形成される。ＣＮＴ５３の先端はパリレン膜７６で覆われているので、樹脂注入時にＣＮＴ５３の先端に樹脂が付着するのを防止することができる。パリレン膜７６の内側には樹脂は充填されずに、空間８２が存在する。
【００４９】
樹脂層８１は、例えば熱可塑性樹脂で形成される。熱可塑性樹脂は、温度に応じて液体と固体との間で可逆的に状態変化する。実施例で用いる熱可塑性樹脂の種類は、室温では固体、加熱すると液状に変化し、冷却すると接着性を発現しつつ固体に戻るものであれば任意のものを用いることができ、ＣＮＴ５３の密度、長さに応じて、熱可塑性樹脂の融解温度を考慮して適宜選択することができる。
【００５０】
一例として、熱可塑性樹脂として以下に示すホットメルト樹脂が挙げられる。ポリアミド系ホットメルト樹脂としては、一例として、ヘンケルジャパン株式会社製の「Ｍｉｃｒｏｍｅｌｔ６２３９」（軟化点温度：１４０℃）が挙げられる。また、ポリエステル系ホットメルト樹脂としては、例えば、ノガワケミカル株式会社の「ＤＨ５９８Ｂ」（軟化点温度：１３３℃）が挙げられる。また、ポリウレタン系ホットメルト樹脂としては、例えばノガワケミカル株式会社製の「ＤＨ７２２Ｂ」が挙げられる。また、ポリオレフィン系ホットメルト樹脂としては、例えば、松村石油株式会社製の「ＥＰ−９０」（軟化点温度：１４８℃）が挙げられる。また、エチレン共重合体ホットメルト樹脂として、例えば、ノガワケミカル株式会社製の「ＤＡ５７４Ｂ」（軟化点温度：１０５℃）が挙げられる。また、ＳＢＲ系ホットメルト樹脂としては、例えば、横浜ゴム株式会社製の「Ｍ−６２５０」（軟化点温度：１２５℃）が挙げられる。また、ＥＶＡ系ホットメルト樹脂として、例えば、住友スリーエム株式会社製の「３７４７」（軟化点温度：１０４℃）が挙げられる。また、ブチルゴム系ホットメルト樹脂としては、例えば、横浜ゴム株式会社製の「Ｍ−６１５８」が挙げられる。
【００５１】
次に、図１６で、治具７８をはずし、樹脂層８１を熱剥離膜６３とともにサポート基板６１から剥離する。
【００５２】
次に、図１７で、Ｏ2プラズマによるＲＩＥ処理により、最表面のパリレン膜７６と熱剥離膜６３を除去する。ＣＮＴ束５３Ｇの外周を覆うパリレン膜はそのまま残って外周パリレン膜７７となる。パレリン膜７７の内側の空間８２は解放される。パリレン膜７７と反対側の面では、Ｏ2プラズマエッチングにより、熱剥離膜６３の除去とともに樹脂層８１の一部が削られ、カーボンナノチューブ５３の端部が露出する。これにより熱伝導シート８０が得られる。
【００５３】
次に、図１８で、パレリン膜７７（及び空間８２）をヒートスプレッダ側にして、熱伝導シート８０をヒートスプレッダ１１にプレアタッチする。熱伝導シート８０は、たとえば１８０℃の温度で加熱接合する。これにより、放熱アセンブリ１０Ｃが完成する。
【００５４】
次に、図１９で、放熱アセンブリの熱伝導シート８０を半導体素子（ＣＰＵ）３０に１９５℃で接合する。接合の際に、ヒートスプレッダ１１に荷重を加えた状態で加熱し、樹脂層８１をリフローする。荷重下で、樹脂層８１から突出するＣＮＴ５３の先端がまず半導体素子３０に密着し、その後樹脂の溶融によりカーボンナノチューブ５３の間に樹脂が浸透する。樹脂浸透後、室温まで冷却し、充填層の熱可塑性樹脂を固化して電子機器１が完成する。
【００５５】
実施例で、温度変化によるバイオレジストの収縮と膨潤を利用してＣＮＴ５３をグループ化したが、シリコーンの変形を利用してＣＮＴ５３をグループ化してもよい。具体的には、微細流路が形成されたシリコーン（たとえばDow Corning Sylgard 184）の周期的なパターンをシート状に成長したカーボンナノチューブの先端に押し当て、微細流路に加圧エアーを注入することによりシリコーンを変形させて、シリコーンに接しているカーボンナノチューブを湾曲させグループ化してもよい。また、高抵抗の高分子材料として、パリレンのほかに、マイクロスプレイによって形成したコンフォーマルなフォトレジスト膜やポリイミド膜を用いてもよい。この場合も、酸素雰囲気中で高抵抗の高分子膜と熱剥離膜を熱処理することによって、ＣＮＴの先端を露出することができる。
【実施例２】
【００５６】
図２０〜図２５は、熱伝導シートの作製方法の別の例を示す図である。実施例２では所定の凹凸パターンが形成された基板の全面にＣＮＴを成長することによって、凹部に成長したＣＮＴ束と凸部に成長したＣＮＴ束を形成する。成長したＣＮＴ間に樹脂を含浸し、全体を定常的に流れる酸素雰囲気中もしくは酸素プラズマ雰囲気中におく。表面の樹脂と凸部に成長したＣＮＴが燃焼し、凹部に成長したＣＮＴはその先端部分だけが酸素に曝される。これによって、ＣＮＴ先端のランダム配向を除去する。
【００５７】
まず、図２０に示すように、所定のパターンで凹部２１１と凸部２１２が形成された基板２１０を準備する。凹凸のパターンは、シリコンウェハ上にレジストを塗布しフォトリソグラフィによって所定のパターンに露光、現像した後、深堀ＲＩＥ（DRIE）によって掘削する。掘削した後のシリコン基板は、図２０の上面図に示すように、格子状の凸部２１２によって凹部２１１が区画されている。凹部２１１の各々がＣＮＴ-ＴＩＭシートを形成する領域になる。したがって掘削される凹部２１１のパターンは作製したいＣＮＴ-ＴＩＭのサイズに応じて決まる。
【００５８】
基板２１０として、たとえば厚さ２００μｍ以上のシリコン基板２１０を用いる。シリコン基板２１０は、不純物をドープすることにより導電性が付与されたシリコン材料でも良い。不純物としては、Ｂなどのｐ型不純物や、ＰおよびＳｂなどのｎ型不純物を採用することができる。レジスト膜（不図示）は、たとえばＡＺエレクトロニック．マテリアルズ社製のＡＺＰ４６２０を２０００ｒｐｍで塗布し、１２０℃でプリベークした膜を用いる。
【００５９】
ＤＲＩＥは、Ｃ4Ｆ8ガスを導入しながらパシベーション膜を形成する工程では、コイルパワーを６００Ｗ、プロセスチャンバ内の圧力を１４．５mTorrとした状態下で、Ｃ4Ｆ8ガスを１３０ｓｃｃｍの流量で導入する工程を７秒間、ＳＦ6ガスを導入しながらシリコンをエッチングする工程では、コイルパワーを６００Ｗ、プロセスチャンバ内の圧力を１４．５mTorr、基板へのＲＦパワーを１３．５６ＭＨｚで２０Ｗとした状態下で、ＳＦ6ガスを１３０ｓｃｃｍの流量で導入する工程を８秒間のサイクルで行う。別のレシピでは、Ｃ4Ｆ8ガスを導入しながらパシベーション膜を形成する工程では、コイルパワーを６００Ｗ、プロセスチャンバ内の圧力を１４．５mTorrとした状態下で、Ｃ4Ｆ8ガスを１３０ｓｃｃｍの流量で導入する工程を６．３秒間、ＳＦ6ガスを導入しながらシリコンをエッチングする工程では、コイルパワーを６００Ｗ、プロセスチャンバ内の圧力を１４．５mTorr、基板へのＲＦパワーを３８０ＫＨｚで２３Ｗとした状態下で、ＳＦ6ガスを１３０ｓｃｃｍの流量で導入する工程を７．５秒間のサイクルで行う。側壁のシリコンを最終的に除去する工程では、どもにＳＦ6（エッチング）ガスの導入時間を０．５秒間増やす。これにより、エッチングの進行方向を微量に変化させることができる。
【００６０】
次に、図２１に示すように、凹凸形状にパターンニングしたシリコン基板２１０に膜厚３００ｎｍ程度のシリコン酸化膜２１３を形成し、シリコン酸化膜２１３上に触媒膜２１５を形成する。触媒膜２１５として、たとえばスパッタ法により、膜厚２．５ｎｍのＦｅ（鉄）膜を形成する。触媒膜２１５としては、Ｆｅのほか、Ｃｏ（コバルト）、Ｎｉ（ニッケル）、Ａｕ（金）、Ａｇ（銀）、Ｐｔ（白金）又はこれらのうち少なくとも一の材料を含む合金を用いてもよい。また、触媒として金属膜以外に、微分型静電分級器（differential mobility analyzer：ＤＭＡ）等を用い、あらかじめサイズを制御して作製した金属微粒子を用いてもよい。金属の種類については、上述した触媒金属膜と同じ材料を用いることができる。触媒金属の下地膜として、Ｍｏ（モリブデン）、Ｔｉ（チタン）、Ｈｆ（ハフニウム）、Ｚｒ（ジルコニウム）、Ｎｂ（ニオブ）、Ｖ（バナジウム）、ＴａＮ（窒化タンタル）、ＴｉＳｉｘ（チタンシリサイド）、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｌ２Ｏ３（酸化アルミニウム）、ＴｉＯｘ（酸化チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｗ（タングステン）、Ｃｕ（銅）、Ａｕ（金）、Ｐｔ（白金）、Ｐｄ（パラジウム）、ＴｉＮ（チタンナイトライド）よりなる膜又はこれらのうち少なくとも一の材料を含む合金からなる膜を形成してもよい。例えば、Ｆｅ（２．５ｎｍ）／Ａｌ（１０ｎｍ）の積層構造、Ｃｏ（２．６ｎｍ）／ＴｉＮ（５ｎｍ）の積層構造等を適用することができる。金属微粒子を用いる場合は、例えばＣｏ（平均直径３．８ｎｍ）／ＴｉＮ（５ｎｍ）の積層構造を適用することができる。
【００６１】
次に、図２２に示すように、たとえば熱ＣＶＤ法により、基板２１０上の触媒金属膜２１５を触媒として、カーボンナノチューブ２１６を成長する。基板２１０の凹凸形状により、凹部２１１に成長したカーボンナノチューブをＣＮＴ２１６ａと、凸部２１２に成長したカーボンナノチューブをＣＮＴ２１６ｂがグループ分けされる。
【００６２】
カーボンナノチューブ２１６の成長条件は、たとえば、原料ガスとしてアセチレン・アルゴンの混合ガス（分圧比１：９）を用い、成膜室内の総ガス圧を１ｋＰａ、温度を６５０℃、成長時間を３０分とする。これにより、層数が３〜６層（平均４層程度）、直径が４〜８ｎｍ（平均６ｎｍ）、長さが８０μｍ（成長レート：４μｍ／ｍｉｎ）の多層カーボンナノチューブを成長することができる。カーボンナノチューブ２１６は、フィラメントＣＶＤ法やリモートプラズマＣＶＤ法などの他の成膜方法により形成してもよい。成長するカーボンナノチューブ２１６は、単層カーボンナノチューブでもよいし多層カーボンナノチューブであってもよい。炭素原料としては、アセチレンのほか、メタン、エチレン等の炭化水素類や、エタノール、メタノール等のアルコール類などを用いてもよい。こうして、基板２１０上の凹部２１１と凸部２１２上に、基板面に対して垂直配向した複数のカーボンナノチューブ２１６ａ、２１６ｂが形成される。上記の成長条件で形成したカーボンナノチューブ２１６の面密度は、１×１０１１本／ｃｍ２程度である。カーボンナノチューブ２１６の面密度は、放熱性及び電気伝導性の観点から、1×1010本/cm2以上であることが望ましい。カーボンナノチューブ２１６の長さ（シートの厚さ）は、熱拡散装置の用途によって決まり、特に限定されるものではないが、好ましくは５μｍ〜５００μｍである。
【００６３】
次に、図２３に示すように、凸部２１２上に成長したＣＮＴ２１６ｂ上に熱可塑性の樹脂フィルム（不図示）を配置し、軟化点よりも若干高めの温度で加熱して、ＣＮＴ２１６ｂ、２１６ａに樹脂２１８を含浸する。
【００６４】
次に、図２４に示すように、樹脂２１８を含浸したＣＮＴに対して、定常的な流速を持つ酸素雰囲気もしくは酸素プラズマ雰囲気中で熱処理を行う。熱処理の条件は、たとえば酸素雰囲気１ｋＰａ、温度を６００℃、処理時間を１０分とする。定常的な流れのある雰囲気におくことによって、樹脂２１８と凸部２１２に成長したＣＮＴ２１６ｂは燃焼し、凹部２１１に形成されたＣＮＴ２１６ａ先端付近が酸素分子に曝されやすくなる。すなわち、凹部２１１に形成されたＣＮＴ２１６ａの根元や内部の配向、結晶性を維持したまま、ＣＮＴ２１６ａの先端部のみを除去することができる。これにより、先端のランダム配向が除去されたＣＮＴ２１６ａのシート状の配列が凹部２１１内に形成される。
【００６５】
最後に、図２５に示すように、シリコン基板２１０を裏面からエッチングし、ウェットエッチングにより熱酸化膜２１３を除去して、ＣＮＴシート２２０を取り出す。
【００６６】
実施例２によれば、基板２１０に段差を設けてＣＮＴ２１６を成長することによって、酸素ガスもしくは酸素プラズマをＣＮＴ２１６ａの先端のランダム配向に供給して反応させることができる。ＣＮＴ２１６ａの先端部のランダム配向部を除去できるため、ＣＮＴシート２２０の接触電気抵抗、熱抵抗を低減することができる。実施例１の電子機器１で実施例２のＣＮＴシート（熱伝導シート）２２０を用いる場合、ＣＮＴ先端のランダム配向が排除され長さがそろっているので、熱抵抗のさらなる低減が期待できる。
【００６７】
なお、図２３〜図２５の工程で、熱可塑性樹脂フィルムの熱処理時間や浸透性によっては、樹脂２１８が凹部２１１に形成されたＣＮＴ２１６ａの根元まで浸透しない場合がある。ＣＮＴシート２２０の剥離面側でＣＮＴ２１６ａがわずかに露出する分には、ＣＮＴシート２２０をそのままの状態でＴＩＭとして用いることができる。
【００６８】
樹脂２１８の浸透が、凹部に形成されたＣＮＴ２１６ａの上端近傍にとどまる場合は、樹脂２１８が合浸していないＣＮＴ２１６ａに対して、実施例１の処理を施すことができる。この場合は、ＣＮＴシート２２０の両面側で確実にＣＮＴ２１６ａの先端を露出することができる。
【００６９】
以上の実施形態に対し、以下の付記を開示する。
（付記１）
シート状に配列されるカーボンナノチューブの一方の端部をグループ化して複数のカーボンナノチューブ束を形成し、
前記カーボンナノチューブ束の前記一方の端部の表面および表面近傍の外周を高抵抗の高分子膜で被覆し、
隣接する前記カーボンナノチューブ束に形成された前記高抵抗の高分子膜の隙間から樹脂を導入して、前記シート状に配列されたカーボンナノチューブの間を埋める樹脂層を形成し、
前記高抵抗の高分子膜のうち、前記カーボンナノチューブ束の前記一方の端部の前記表面を被覆する部分を除去して前記カーボンナノチューブ束の先端を露出するとともに、前記カーボンナノチューブ束の他方の端部を露出させる、
ことを特徴とする電子機器の製造方法。
（付記２）
前記カーボンナノチューブ束の形成は、
前記シート状に配列された前記カーボンナノチューブの前記一方の端部に、変形可能な材料で形成された周期的なパターン（73）を接触させ、前記周期的なパターンを変形させることによって、前記カーボンナノチューブの前記一方の端部をグループ化することを特徴とする付記１に記載の電子機器の製造方法。
（付記３）
前記周期的なパターンの変形は、
バイオレジストのパターンを第１の温度で前記カーボンナノチューブの前記一方の端部に接触させ、
前記第１の温度より低い第２の温度に設定することで、前記バイオレジストのパターンを膨張させることを特徴とする付記２に記載の電子機器の製造方法。
（付記４）
前記周期的なパターンの変形は、
微細流路が形成されたシリコーンの周期的なパターンを前記カーボンナノチューブの前記一方の端部に接触させ、
前記カーボンナノチューブの先端に押し当て、微細流路に加圧エアーを注入することによりシリコーンを変形させることを特徴とする付記２に記載の電子機器の製造方法。
（付記５）
前記シート状に配列されるカーボンナノチューブは、
基板に所定の凹凸パターンを形成し、
前記基板の凹部と凸部にカーボンナノチューブ束を成長し、
前記成長したカーボンナノチューブ束の間に樹脂を合浸し、
前記樹脂が合浸されたカーボンナノチューブ束を酸素雰囲気または酸素プラズマ雰囲気中で熱処理し、前記凸部に形成されたカーボンナノチューブ束と前記樹脂及び前記凹部に形成されたカーボンナノチューブ束の先端を前記熱処理により除去し、
前記カーボンナノチューブ束を前記凹部から剥離する、
ことにより形成され、
前記一方の端部は、前記凹部から剥離した側の端部であることを特徴とする付記１に記載の電子機器の製造方法。
（付記６）
前記樹脂の導入において、前記高抵抗の高分子膜の内側には前記樹脂が充填されず空間が形成されることを特徴とする付記１に記載の電子機器の製造方法。
（付記７）
前記カーボンナノチューブ束の前記一方の端部を放熱体に接合し、
前記カーボンナノチューブ束の前記他方の端部の前記突出するカーボンナノチューブを発熱体に接合し、
前記樹脂層をリフローする
工程をさらに含むことを特徴とする付記１〜６のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
（付記８）
前記カーボンナノチューブ束の前記一方の端部は、前記隣接する前記高抵抗の高分子膜の間に充填された前記樹脂層によって前記放熱体に接合されることを特徴とする付記７に記載の電子機器の製造方法。
（付記９）
前記高抵抗の高分子膜をパリレンで形成することを特徴とする付記１〜８のいずれかに記載の電子機器の製造方法。
（付記１０）
発熱体と、
放熱体と、
前記発熱体と前記放熱体の間に配置される熱伝導部材と、
を有し、
前記熱伝導部材は、周期的にグループ化された複数のカーボンナノチューブ束を含み、
前記各カーボンナノチューブ束は、前記放熱体に接する側の端部で外周が高抵抗の高分子膜に被覆されていることを特徴とする電子機器。
（付記１１）
基板に所定の凹凸パターンを形成し、
前記基板の凹部と凸部にカーボンナノチューブ束を成長し、
前記成長したカーボンナノチューブ束の間に樹脂を合浸し、
前記樹脂が合浸されたカーボンナノチューブ束を酸素雰囲気または酸素プラズマ雰囲気中で熱処理し、前記凸部に形成されたカーボンナノチューブ束と前記樹脂とを除去して前記凹部に形成されたカーボンナノチューブ束の先端を前記酸素雰囲気または酸素プラズマ雰囲気に露出し、
前記凹部に形成されたカーボンナノチューブ束の先端のみを前記熱処理により除去して樹脂合浸カーボンナノチューブシートを形成する、
ことを特徴とする熱伝導シートの製造方法。
（付記１２）
前記基板の凹凸パターンは、格子状に形成された凸部によって凹部が区画され、前記凹部内に前記樹脂合浸カーボンナノチューブシートが形成されることを特徴とする付記１１に記載の熱伝導シートの製造方法。
【産業上の利用可能性】
【００７０】
半導体素子などの発熱部品を含む電子機器に適用することができる。
【符号の説明】
【００７１】
１  電子機器
１０Ａ、１０Ｂ、１０Ｃ、８０、２２０  熱伝導部材（サーマルインターフェイスマテリアル）
１１  ヒートスプレッダ（放熱体）
１５、５３  カーボンナノチューブ
１５Ｇ、５３Ｇ  ＣＮＴ束（カーボンナノチューブ束）
１６、８１  樹脂層
２１、７６  パリレン膜（高抵抗の高分子膜）
３０  半導体素子（発熱体）
７３  バイオレジストパターン
２１０  基板
２１１  凹部
２１２  凸部
２１６  カーボンナノチューブ
２１６ａ  凹部に形成されるカーボンナノチューブ束
２１６ｂ  凸部に形成されるカーボンナノチューブ束
【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２】
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【図１１】
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【図１２】
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