(57)【要約】      （修正有）【課題】暗点不良が改善される有機発光表示装置及び製造方法を提供する。【解決手段】有機発光表示装置は、基板ＳＵＢ、前記基板上に提供される第１電極ＥＬ１、前記基板上に提供されて画素領域を区画する画素定義膜ＰＤＬ、前記第１電極上に提供される第１共通層ＨＩＬ、前記第１共通層上に提供されて互いに離隔した複数の突出部を含む突出パターンＰＰ、画素領域内の前記第１共通層上に提供される発光層ＥＭＬ、前記発光層上に提供される第２電極ＥＬ２を含む。【選択図】図３
2014154550.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に提供される第１電極と、
前記基板上に提供されて画素領域を区画する画素定義膜と、
前記第１電極上に提供される第１共通層と、
前記第１共通層上に提供されて互いに離隔される複数の突出部を含む突出パターンと、
画素領域内の前記第１共通層上に提供される発光層及び前記発光層上に提供される第２電極と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置。
【請求項２】
前記第１共通層と前記発光層との間に提供される第２共通層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項３】
前記第１共通層は正孔注入層であり、前記第２共通層は正孔輸送層であることを特徴とする請求項２に記載の有機発光表示装置。
【請求項４】
前記第１電極と前記第１共通層との間に第２共通層をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機発光表示装置。
【請求項５】
前記第１共通層は正孔輸送層であり、前記第２共通層は正孔注入層であることを特徴とする請求項４に記載の有機発光表示装置。
【請求項６】
画素領域は複数であることを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載の有機発光表示装置。
【請求項７】
前記複数の画素領域の各画素領域は赤色画素領域、緑色画素領域及び青色画素領域のうちいずれか一つであり、前記発光層は前記赤色画素領域、前記緑色画素領域及び前記青色画素領域にそれぞれ対応して赤色光、緑色光及び青色光を放出することを特徴とする請求項６に記載の有機発光表示装置。
【請求項８】
前記赤色画素領域、前記緑色画素領域及び前記青色画素領域に提供される突出パターンは、互いに異なる形態または異なる密度を有することを特徴とする請求項７に記載の有機発光表示装置。
【請求項９】
前記発光層と前記第２電極との間に電子注入層または電子輸送層をさらに含むことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の有機発光表示装置。
【請求項１０】
基板上に第１電極を形成する段階と、
前記第１電極上に画素領域を定義する画素定義膜を形成する段階と、
前記第１電極上に第１共通層を形成する段階と、
前記第１共通層上に互いに離隔した複数の突出部を含む突出パターンを形成する段階と、
画素領域内の前記第１共通層上に発光層を形成する段階と、
前記発光層上に第２電極を形成する段階と、を含むことを特徴とする有機発光表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機発光表示装置及びその製造方法に関し、詳しくは、映像の均一性が向上された有機発光表示装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
平板表示装置は概ね発光型と受光型に分けられる。発光型は平板陰極管（ｆｌａｔ  ｃａｔｈｏｄｅ  ｒａｙ  ｔｕｂｅ）、プラズマディスプレイパネル（ｐｌａｓｍａ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、電界発光素子（ｅｌｅｃｔｒｏ  ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｔ  ｄｅｖｉｃｅ）などがある。受光型としては、液晶ディスプレイ（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ）を挙げることができる。この中で、電界発光素子は、視野角が広く、コントラストが優れているだけではなく、応答速度が速い長所を有しているので、次世代の表示素子として注目を集めている。これらの電子発光素子は、発光層を形成する物質によって無機電解発光素子と有機電界発光素子に区分される。
【０００３】
この中で、有機電界発光素子は、蛍光性有機化合物を電気的に励起させて発光させる自発光型ディスプレイとして、低電圧で駆動が可能であり、薄型化が容易であり、広視野角、高速応答などの液晶ディスプレイに於いて問題点として指摘されていることを解決することができる次世代ディスプレイとして注目を集めている。
【０００４】
有機電界発光素子は、アノード電極とカソード電極との間に有機物からなる発光層を備えている。有機電界発光素子では、これらの電極に陽極及び陰極の電圧がそれぞれ印加されることによって、アノード電極から注入された正孔（ｈｏｌｅ）が正孔輸送層を経由して発光層に移動され、電子はカソード電極から電子輸送層（ＥＴＬ）を経由して発光層に移動され、発光層において電子と正孔が再結合して励起子（ｅｘｃｉｔｏｎ）を生成する。この励起子が励起状態から基底状態に落ちることによって発光層の蛍光分子が発光し、それにより画像が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許公開２００９／０１５３０３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、暗点不良が改善された有機発光表示装置を提供することである。
【０００７】
本発明の他の目的は、前記有機発光表示装置の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、基板、前記基板上に提供される第１電極、前記基板上に提供されるとともに画素領域を区画する画素定義膜、前記第１電極上に提供される第１共通層、前記第１共通層上に提供されるとともに互いに離隔される複数の突出部を含む突出パターン、画素領域内の前記第１共通層上に提供される発光層、前記発光層上に提供される第２電極を含む。
【０００９】
本発明の一実施形態において、前記第１共通層と前記発光層との間に提供される第２共通層をさらに含ませることができ、この場合、前記第１共通層は正孔注入層であり、前記第２共通層は正孔輸送層である。
【００１０】
本発明の一実施形態において、前記第１電極と前記第１共通層との間に提供される第２共通層をさらに含ませることができ、この場合、前記第１共通層は正孔輸送層であり、前記第２共通層は正孔注入層である。
【００１１】
画素領域は複数に構成され、その各画素領域は赤色画素領域、緑色画素領域、青色画素領域のうちいずれか一つであり、前記発光層は前記赤色画素領域、前記緑色画素領域、前記青色画素領域にそれぞれ対応して赤色光、緑色光、青色光を放出する。前記赤色画素領域、前記緑色画素領域、前記青色画素領域に提供される突出パターンは互いに異なる形態、異なる密度を有しうる。
【００１２】
本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、基板上に第１電極を形成し、前記第１電極上に画素領域を定義する画素定義膜を形成し、前記第１電極上に第１共通層を形成し、前記第１共通層上に互いに離隔された複数の突出部を含む突出パターンを形成し、前記画素領域内の前記第１共通層上に発光層を形成し、前記発光層上に第２電極を形成することにより製造される。
【００１３】
前記発光層はインクジェットから形成できる。
【００１４】
前記突出パターンは、前記第１共通層上に感光性有機層を形成し、マスクを利用して選択的に前記感光性有機層に光を照射することによって形成できる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の実施形態によると、暗点不良が減少及び防止され、混色が防止される高品質の有機発光表示装置及びその製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の回路図である。
【図２】図１に示した画素の平面図である。
【図３】図２のＩ−Ｉ′線に沿った断面図である。
【図４】図３の断面図において、説明の便宜のために一部の構成要素を省略し、基板、画素定義膜及び画素を示した断面図である。
【図５Ａ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図５Ｂ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図５Ｃ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図５Ｄ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図５Ｅ】本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順に示した断面図である。
【図６】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を示した断面図である。
【図７】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を示した断面図である。
【図８】本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
本発明は、様々な変更を加えることができ、様々な形態を有することができるので、特定の実施形態を図面に例示し、明細書に詳しく説明する。しかし、これは本発明を特定の実施形態に限定するものではなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれるすべての変更、均等物乃至代替物を含むものと理解されるべきである。
【００１８】
各図面において類似の構成要素については類似の参照符号を使用した。添付された図面において、構造物の寸法は、本発明の明確性のため実際より拡大して示した。第１、第２などの用語は、様々な構成要素を説明するために使用されうるが、前記構成要素は前記用語によって限定されてはならない。前記用語は一つの構成要素を他の構成要素から区別する目的で使用される。例えば、本発明の権利範囲から外れることなく、第１構成要素を第２構成要素と称することができ、同様に第２構成要素を第１構成要素と称することができる。単数の表現は、文脈上明らかに異なる場合でない限り複数の表現を含む。
【００１９】
本発明で“含む”または“有する”などの用語は、明細書上に記載された特徴、数字、ステップ、動作、構成要素、部品、またはこれらを組み合わせたものが存在することを指定するもので、一つ以上の他の特徴や数字、ステップ、動作、構成要素、部分品、またはこれらを組み合わせたものの存在または付加可能性を予め排除しないものと理解されるべきである。
【００２０】
また、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上に”あるとすれば、これは他の部分の“すぐ上に”ある場合だけではなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。逆に、層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“下に”あるとすれば、これは他の部分の“すぐ下に”ある場合だけではなく、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
【００２１】
図１は本発明の一実施形態による有機発光表示装置の回路図であり、図２は、図１に示した画素の平面図であり、図３は、図２のＩ−Ｉ′線に沿った断面図である。図４は図３の断面図において、説明の便宜のために、一部の構成要素を省略して、基板（ＳＵＢ）、画素定義膜（ＰＤＬ）及び画素を主として示した断面図である。
【００２２】
以下、図１から図４を参照して本発明の一実施形態による有機発光表示装置を説明する。
【００２３】
本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、映像が具備される少なくとも一つの画素ＰＸＬを含む。画素ＰＸＬは複数個提供されマトリックス形で配列されるが、本実施形態では、説明の便宜上一つの画素ＰＸＬを示している。ここで、前記各画素ＰＸＬは、長方形の形状を有するもので示したが、これに限定されるものではなく、様々な形状に変形できる。また、前記複数の画素ＰＸＬは、互いに異なる面積を有することができる。例えば、複数の画素ＰＸＬは、色が異なる画素の場合、各色別に異なる面積や異なる形状から構成できる。
【００２４】
画素ＰＸＬは、ゲートラインＧＬ、データラインＤＬ、駆動電圧ラインＤＶＬからなる配線部と、前記配線部に接続された薄膜トランジスタ、前記薄膜トランジスタに接続された有機発光素子ＥＬ及びキャパシタＣｓｔを含む。
【００２５】
前記ゲートラインＧＬは、一方向に延長される。前記データラインＤＬは、前記ゲートラインＧＬと交差する他の方向に延長される。駆動電圧ラインＤＶＬは、前記のデータラインＤＬと実質的に同じ方向に延長される。前記ゲートラインＧＬは前記薄膜トランジスタに走査信号を伝送し、前記データラインＤＬは前記薄膜トランジスタにデータ信号を伝送し、駆動電圧ラインＤＶＬは前記薄膜トランジスタの駆動電圧を提供する。
【００２６】
前記薄膜トランジスタは、前記有機発光素子ＥＬを制御するための駆動薄膜トランジスタＴＲ２と、前記駆動薄膜トランジスタＴＲ２をスイッチングするスイッチング薄膜トランジスタＴＲ１を含む。本発明の一実施形態では、一画素ＰＸＬが二つの薄膜トランジスタＴＲ１、ＴＲ２を有することを示しているが、これに限定されるものではなく、一つの画素ＰＸＬに一つの薄膜トランジスタとキャパシタ、または一つの画素ＰＸＬに三つ以上の薄膜トランジスタと、二つ以上のキャパシタを備えることができる。
【００２７】
前記スイッチング薄膜トランジスタＴＲ１は、第１ゲート電極ＧＥ１と、第１ソース電極ＳＥ１及び第１ドレイン電極ＤＥ１を含む。前記第１ゲート電極ＧＥ１は前記ゲートラインＧＬに接続され、前記第１ソース電極ＳＥ１は前記データラインＤＬに接続される。前記第１ドレイン電極ＤＥ１は駆動薄膜トランジスタＴＲ２のゲート電極（第２ゲート電極ＧＥ２）に接続される。前記スイッチング薄膜トランジスタＴＲ１は前記ゲートラインＧＬに印加される走査信号に基づいて前記データラインＤＬに印加されるデータ信号を駆動薄膜トランジスタＴＲ２に伝達する。
【００２８】
駆動薄膜トランジスタＴＲ２は、第２ゲート電極ＧＥ２と、第２ソース電極ＳＥ２と、第２ドレイン電極ＤＥ２を含む。前記第２ゲート電極ＧＥ２は前記スイッチング薄膜トランジスタＴＲ１に接続され、前記第２ソース電極ＥＬ２は、前記駆動電圧ラインＤＶＬに接続され、前記第２ドレイン電極ＤＥ２は、前記有機発光素子ＥＬに接続される。
【００２９】
前記有機発光素子ＥＬは、発光層ＥＭＬと、前記発光層ＥＭＬを間に置いて互いに対向する第１電極ＥＬ１及び第２電極ＥＬ２を含む。前記第１電極ＥＬ１は駆動薄膜トランジスタＴＲ２の第２ドレイン電極ＤＥ２と接続される。前記第２電極ＥＬ２には共通電圧が印加され、前記発光層ＥＭＬは駆動薄膜トランジスタＴＲ２の出力信号により発光されて映像を表示する。
【００３０】
前記キャパシタＣｓｔは、駆動薄膜トランジスタＴＲ２の第２ゲート電極ＧＥ２と第２ソース電極ＳＥ２との間に接続され、前記駆動薄膜トランジスタＴＲ２の第２ゲート電極ＧＥ２に入力されるデータ信号を充電し、維持する。
【００３１】
以下、本発明の一実施形態による有機発光表示装置を積層順に説明する。
【００３２】
本発明の一実施形態による有機発光表示装置は、薄膜トランジスタと有機発光素子が積層されるガラス、プラスチック、水晶などの絶縁性基板ＳＵＢを含む。
【００３３】
前記基板ＳＵＢ上にバッファ層ＢＦＬが形成される。前記バッファ層ＢＦＬはスイッチング及び駆動薄膜トランジスタＴＲ１、ＴＲ２に不純物が拡散されることを防ぐ。前記バッファ層ＢＦＬは窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）、硝化ケイ素（ＳｉＯｘＮｙ）などで形成され、基板ＳＵＢの材料及び工程の条件によって省略できる。
【００３４】
前記バッファ層ＢＦＬ上には第１半導体層ＳＭ１と第２半導体層ＳＭ２が提供される。前記第１半導体層ＳＭ１と前記第２半導体層ＳＭ２は半導体材料で形成され、各スイッチング薄膜トランジスタＴＲ１と駆動薄膜トランジスタＴＲ２の活性層として動作する。前記第１半導体層ＳＭ１と第２半導体層ＳＭ２はそれぞれのソース領域ＳＡ、ドレイン領域ＤＡ及び前記ソース領域ＳＡと前記ドレイン領域ＤＡの間に提供されるチャネル領域ＣＡを含む。前記第１半導体層ＳＭ１と前記第２半導体層ＳＭ２はそれぞれ無機半導体または有機半導体から形成できる。前記ソース領域ＳＡ及び前記ドレイン領域ＤＡはｎ型不純物またはｐ型不純物がドーピングされる。
【００３５】
前記第１半導体層ＳＭ１及び第２半導体層ＳＭ２上にはゲート絶縁膜ＧＩが提供される。
【００３６】
前記ゲート絶縁膜ＧＩ上にはゲートラインＧＬと接続された第１ゲート電極ＧＥ１と第２ゲート電極ＧＥ２が提供される。前記第１ゲート電極ＧＥ１と第２ゲート電極ＧＥ２はそれぞれ前記第１半導体層ＳＭ１と第２半導体層ＳＭ２のチャネル領域ＣＡに対応する領域をカバーするように形成される。
【００３７】
前記第１及び第２のゲート電極ＧＥ１、ＧＥ２上には前記第１及び第２のゲート電極ＧＥ１、ＧＥ２を覆うように層間絶縁膜ＩＬが提供される。
【００３８】
前記層間絶縁膜ＩＬ上には第１ソース電極ＳＥ１と第１ドレイン電極ＤＥ１、第２ソース電極ＳＥ２と第２ドレイン電極ＤＥ２が提供される。前記第１ソース電極ＳＥ１と前記第１ドレイン電極ＤＥ１は、前記ゲート絶縁膜ＧＩ及び前記層間絶縁膜ＩＬに形成されたコンタクトホールによって前記第１半導体層ＳＭ１のソース領域ＳＡとドレイン領域ＤＡにそれぞれ接触される。前記第２ソース電極ＳＥ２と前記第２ドレイン電極ＤＥ２は前記ゲート絶縁膜ＧＩ及び前記層間絶縁膜ＩＬに形成されたコンタクトホールによって前記第２半導体層ＳＭ２のソース領域ＳＡとドレイン領域ＤＡにそれぞれ接触される。
【００３９】
一方、前記第２ゲート電極ＧＥの一部と前記駆動電圧ラインＤＶＬの一部はそれぞれ第１キャパシタ電極ＣＥ１及び第２のキャパシタ電極ＣＥ２であり、前記層間絶縁膜ＩＬを間に置いて前記キャパシタＣｓｔを構成する。
【００４０】
前記第１ソース電極ＳＥ１と前記第１ドレイン電極ＤＥ１、前記第２ソース電極ＳＥ２と前記第２のドレイン電極ＤＥ２上にはパッシベーション膜ＰＬが提供される。前記パッシベーション膜ＰＬは前記スイッチング及び駆動薄膜トランジスタＴＲ１、ＴＲ２を保護する保護膜の役割をするとともにその上面を平坦化させる平坦化膜の役割をする。
【００４１】
前記パッシベーション膜ＰＬ上には有機発光素子のアノードとして第１電極ＥＬ１が提供される。前記第１電極ＥＬ１は前記パッシベーション膜ＰＬに形成されたコンタクトホールを介して前記駆動薄膜トランジスタＴＲ２の第２ドレイン電極ＤＥ２に接続される。ここで、前記第１電極ＥＬ１はカソードとして利用できるが、以下の実施形態ではアノードの一例として説明する。
【００４２】
前記第１電極ＥＬ１は高い仕事関数を有する物質から構成され、前記の図面において基板ＳＵＢの下部方向に映像を提供しようとする場合にはＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明導電性膜から構成することができる。例えば、前記図面において、基板ＳＵＢの上部方向に映像を提供しようとする場合には、第１電極ＥＬ１は、Ａｇ、Ｍｇ、Ａｌ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ａｕ、Ｎｉ、Ｎｄ、Ｉｒ、Ｃｒなどの金属反射膜とＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＺｎＯ（ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）などの透明導電性膜からなる。
【００４３】
前記第１電極ＥＬ１などが形成された基板ＳＵＢ上には各画素に対応する画素領域ＰＡを区画する画素定義膜ＰＤＬが提供される。画素定義膜ＰＤＬは第１電極ＥＬ１の上面を露出し、画素の周囲に沿って前記基板ＳＵＢから突出する。
【００４４】
画素定義膜ＰＤＬで囲まれた画素領域ＰＡには発光層ＥＭＬが提供され、前記発光層ＥＭＬ上には第２電極ＥＬ２が提供される。
【００４５】
ここで、前記第１電極ＥＬ１と前記発光層ＥＭＬとの間には下部共通層が提供され、前記発光層ＥＭＬと前記第２電極ＥＬ２との間には上部共通層が提供される。前記下部共通層及び上部共通層は、キャリア輸送層として各画素に共通して積層される。前記下部共通層は正孔注入層ＨＩＬ（ｈｏｌｅ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）と正孔輸送層ＨＴＬ（ｈｏｌｅ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）を含み、前記上部共通層は電子注入層ＥＩＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｉｎｊｅｃｔｉｏｎ  ｌａｙｅｒ）及び電子輸送層ＥＴＬ（ｅｌｅｃｔｒｏｎ  ｔｒａｎｓｐｏｒｔ  ｌａｙｅｒ）を含む。ここで、前記第１電極ＥＬ１がアノードである場合、前記下部共通層、前記上部共通層及び前記発光層ＥＭＬは、前記第１電極ＥＬ１上に正孔注入層ＨＩＬ、正孔輸送層ＨＴＬ、発光層ＥＭＬ、電子輸送層ＥＴＬ及び電子注入層ＥＩＬ、第２電極ＥＬ２の順に積層される。
【００４６】
本発明の実施形態において、前記正孔注入層ＨＩＬ、前記正孔輸送層ＨＴＬ、前記電子注入層ＥＩＬ及び前記電子輸送層ＥＴＬの中から少なくとも１層が前記発光層ＥＭＬの材料及び発光特性に応じて備えられる。本発明の一実施形態では、前記下部共通層の正孔注入層ＨＩＬが備えられたものを一例として説明する。
【００４７】
前記正孔注入層ＨＩＬは導電性高分子、例えば、金属錯体を含む高分子を含む。前記正孔注入層ＨＩＬの材料としては、銅フタロシアニンなどのフタロシアニン化合物、ｍ−ＭＴＤＡＴＡ［４，４′，４″−トリス（３−メチルフェニルフェニルアミノ）トリフェニルアミン］、ＮＰＢ（Ｎ，Ｎ′−ジ（１−ナフチル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン）、ＴＤＡＴＡ、２−ＴＮＡＴＡ、Ｐａｎｉ／ＤＢＳＡ（ポリアニリン／ドデシルベンゼンスルホン酸）、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ（ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（４−スチレンスルホン酸）、Ｐａｎｉ／ＣＳＡ（ポリアニリン／カンフルスルホン酸）、またはＰＡＮＩ／ＰＳＳ（ポリアニリン／ポリ（４−スチレンスルホン酸）などを利用できるがこれらに限定されない。
【化１】
2014154550.tif 000003
【００４８】
前記正孔注入層ＨＩＬ上には突出パターンＰＰが提供される。前記突出パターンＰＰは正孔注入層ＨＩＬ上に形成され、互いに離隔された多数の突出部を含む。前記突出部は正孔注入層ＨＩＬの上面から突出した柱形状からなる。前記突出部は平面上から見たときに様々な形状、例えば、円、楕円、四角形などの多角形を有する。
【００４９】
前記突出パターンＰＰは有機高分子からなり、前記発光層ＥＭＬと同じまたは類似の表面エネルギーを有する。この場合、前記発光層ＥＭＬが前記突出パターンＰＰの表面に親和性を有し、これにより前記発光層ＥＭＬが前記突出パターンＰＰによって均一に広がる。
【００５０】
前記突出部は一つの画素領域ＰＡ内で互いに一定の間隔を有するように配置される。前記発光層ＥＭＬが前記画素領域ＰＡで全体的に均一な厚さを有するようにするためである。
【００５１】
本発明の他の実施形態では、前記突出部が一つの画素領域ＰＡ内で異なる間隔を有するように配置される。例えば、画素領域ＰＡにおいて、前記画素定義膜ＰＤＬから近い部分と画素定義膜ＰＤＬから遠い部分の単位面積当たりの突出部の数が異なる。この時、画素定義膜ＰＤＬから近い部分の突出部の数が少ない。これにより、前記発光層ＥＭＬが形成されるとき画素定義膜ＰＤＬの付近では画素定義膜ＰＤＬとの重畳による上部方向への厚さの増加現象が減少する。
【００５２】
前記発光層ＥＭＬは各画素に対応して赤色、緑色及び青色を発光する発光物質を含む。この場合、前記赤色、緑色及び青色を発光する画素はそれぞれ赤色画素領域ＰＡ、緑色画素領域ＰＡ及び青色画素領域ＰＡに対応する赤色画素Ｒ＿ＰＸＬ、緑色画素Ｇ＿ＰＸＬ及び青色画素Ｂ＿ＰＸＬとなる。ここでは、一つの赤色画素Ｒ＿ＰＸＬ、一つの緑色画素Ｇ＿ＰＸＬ及び一つの青色画素Ｂ＿ＰＸＬが一つのメイン画素を構成する。しかし、前記各画素の放出光の色、即ち、発光波長はこれに限定されず、赤、緑及び青の外にイエローやマゼンタのような他の色を放出したり、一つの画素が白色光を放射することができる。
【００５３】
前記発光層ＥＭＬはホスト及びドーパントを含む様々な発光物質を用いて形成される。前記ドーパントは、蛍光ドーパント及びリン光ドーパントを利用することができる。例えば、ホストとしてはＡｌｑ３Ｃ  ＣＢＰ（４，４′−Ｎ，Ｎ′−ジカルバゾール−ビフェニル）、９，１０−ジ（ナフタレン−２−イル）アントラセン（ＡＤＮ）またはＤＳＡ（ジスチリルアリーレン）などを利用できるが、これらに限定されない。
【００５４】
一方、赤色ドーパントとしてＰｔＯＥＰ、Ｉｒ（ｐｉｑ）３、Ｂｔｐ２Ｉｒ（ａｃａｃ）、ＤＣＪＴＢなどを利用できるが、これらに限定されない。
【化２】
2014154550.tif 000004
【００５５】
前記の緑のドーパントとして、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（ｐｐｙ＝フェニルピリジン）、Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ）、Ｉｒ（ｍｐｙｐ）３Ｃ  Ｃ５４５Ｔなどを利用できるが、これらに限定されない
【化３】
2014154550.tif 000005
【００５６】
前記青色ドーパントとして、Ｆ２Ｉｒｐｉｃ、（Ｆ２ｐｐｙ）２Ｉｒ（ｔｍｄ）、Ｉｒ（ｄｆｐｐｚ）３、ｔｅｒ−フルオレン、４，４′−ビス（４−ジフェニルアミノスチリル）ビフェニル（ＤＰＡＶＢｉ）、２，５，８，１１−テトラ−ｔ−ブチルペリレン（ＴＢＰ）などを利用できるが、これらに限定されない。
【化４】
2014154550.tif 000006
【００５７】
図面には図示されていないが、発光層ＥＭＬがリン光ドーパントを含む場合、三重項励起子または正孔が電子輸送層ＥＴＬに拡散されることを防止するために、正孔阻止層を発光層ＥＭＬの上部に形成する。
【００５８】
前記第２電極ＥＬ２は、低い仕事関数を有する物質、例えば、金属、合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を含む。具体的な例としては、リチウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、アルミニウム−リチウム（Ａｌ−Ｌｉ）、カルシウム（Ｃａ）、マグネシウム−インジウム（Ｍｇ−Ｉｎ）、マグネシウム−銀（Ｍｇ−Ａｇ）などがある。
【００５９】
一方、前記第２電極ＥＬ２も透明電極または反射型電極から形成できる。前記第２電極ＥＬ２が透明電極から形成される場合、前記透明導電性物質を含み、前記第２の電極ＥＬ２が反射型電極から形成される場合、金属反射膜を含む。
【００６０】
前記第２電極ＥＬ２上には前記第２電極ＥＬ２をカバーする封止膜ＳＬが提供される。
【００６１】
以下、図５Ａ〜図５Ｅを参照して本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を説明する。図５Ａ〜図５Ｅは本発明の一実施形態による有機発光表示装置の製造方法を順に示す断面図であり、説明の便宜上薄膜トランジスタなどの一部の構成要素は省略し、基板ＳＵＢ、画素定義膜ＰＤＬ及び画素を主として示した。
【００６２】
図５Ａを参照すると、基板ＳＵＢ上に配線部（図示せず）、薄膜トランジスタ（図示せず）、第１電極ＥＬ１及び画素定義膜ＰＤＬが形成される。前記配線部と薄膜トランジスタは、マスクを用いるフォトリソグラフィで形成できる。前記第１電極ＥＬ１は前記配線部と薄膜トランジスタが形成された基板ＳＵＢ上に導電物質を蒸着し、フォトリソグラフィを用いてパターニングすることによって形成できる。
【００６３】
画素定義膜ＰＤＬは、前記第１電極ＥＬ１が形成された基板ＳＵＢ上に感光性有機膜を形成し、マスクを用いるフォトリソグラフィでパターニングした後硬化させて形成できる。
【００６４】
図５Ｂを参照すると、第１電極ＥＬ１と、前記画素定義膜ＰＤＬが形成された基板ＳＵＢ上に正孔注入層ＨＩＬが形成される。前記正孔注入層ＨＩＬはスリットコーティング、印刷、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などの多様な方法を用いて形成できる。前記正孔注入層ＨＩＬ上には突出パターンＰＰを形成するための感光性有機膜が形成される。前記感光性有機膜ＰＲは露光によって光化学反応や触媒反応が可能である前駆体からなる。前記感光性有機膜ＰＲはスリットコーティング、スピンコーティング、印刷など様々な方法を用いて形成できる。
【００６５】
図５Ｃを参照すると、前記感光性有機膜ＰＲをマスクＭＳＫを介して露光する。このとき、前記感光性有機膜ＰＲに照射される光は紫外線であり、前記光により前記感光性有機膜ＰＲに光化学反応や触媒反応が起きて突出パターンＰＰが形成される。
【００６６】
図５Ｄを参照すると、前記突出パターンＰＰが形成された基板ＳＵＢ上に発光層ＥＭＬが形成される。前記発光層ＥＭＬは、流体の形で前記基板ＳＵＢ上に提供され、後に溶媒を除去する方法で形成される。前記発光層ＥＭＬは前記基板ＳＵＢ上に印刷法を用いて形成できる。前記印刷法は、インクジェット法、ノズルを利用したコーティング法を含む。図５Ｄで発光層ＥＭＬがインクジェット法を用いて形成されることを概略的に示した。前記発光層ＥＭＬは、流体の形で、画素定義膜ＰＤＬで囲まれた画素領域ＰＡ内に提供され、前記突出パターンＰＰによって画素領域ＰＡ内へ均一に広がる。
【００６７】
ここで、一画素において、前記発光層ＥＭＬを形成するための有機発光物質が特定の画素領域に他の画素領域よりもさらに多い量が吐出されても、前記突出パターンＰＰが前記発光層ＥＭＬを保って移動を防止するので他の画素領域ＰＡに有機発光物質が溢れて越えることを防止する。
【００６８】
図５Ｅを参照すると、発光層ＥＭＬが形成された基板ＳＵＢ上に第２電極ＥＬ２が形成され、前記第２電極ＥＬ２をカバーする封止膜ＳＬが形成されて有機発光表示装置が製造される。
【００６９】
前記構造を有する有機発光表示装置は、電子注入層の内部に突出パターンが含まれているので前記発光層が前記画素領域内に全体的に均一な厚さを持つ。特に、前記発光層が画素定義膜の付近で画素定義膜の傾斜部に沿って形成されて、一部の領域では厚さが増加し、一部の領域では厚さが減少することを防止できる。本発明の一実施形態では、画素内の全領域で発光層ＥＭＬの厚さが均一になるので前記不良が防止または減少する。その結果、各画素が形成される画像の均一性が向上し、各画素の寿命が長くなる。
【００７０】
また、ある画素に有機発光物質が他の画素よりも多く提供されても周囲の隣接する画素に溢れて越えることを防止する。これにより、隣接画素間の混色が防止される。
【００７１】
図６は、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。以下、本発明の他の実施形態による有機発光表示装置において、説明の便宜のために本発明の前記一実施形態と異なる点を主として説明する。
【００７２】
図６を参照すると、本発明の他の実施形態によれば、正孔注入層ＨＩＬと発光層ＥＭＬとの間に下部共通層として正孔輸送層ＨＴＬがさらに提供され、突出パターンＰＰは前記正孔輸送層ＨＴＬ上に提供される。
【００７３】
前記正孔輸送層ＨＴＬは、Ｎ−フェニルカルバゾール、ポリビニルカルバゾールなどのカルバゾール誘導体、ＮＰＢ、Ｎ，Ｎ′−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニル−［１，１−ビフェニル］−４，４′−ジアミン（ＴＰＤ）、Ｎ，Ｎ′−ジ（ナフタレン−１−イル）−Ｎ，Ｎ′−ジフェニルベンジジン（α−ＮＰＤ）などの芳香族縮合環を有するアミン誘導体などを含む。この中で、例えば、ＴＣＴＡの場合、正孔輸送の役割に加えて発光層ＥＭＬから励起子が拡散されることを防止する役割も行う。
【化５】
2014154550.tif 000007
【００７４】
前記正孔輸送層ＨＴＬは前記正孔注入層ＨＩＬ上にスリットコーティング、印刷、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などの多様な方法を用いて形成できる。
【００７５】
前記突出パターンＰＰは前記正孔輸送層ＨＴＬ上に形成される。前記突出パターンＰＰの形成方法は本発明の前記一実施形態と実質的に同じである。
【００７６】
前記正孔輸送層上に形成された前記突出パターンによって前記一実施例と同様に前記発光層が前記画素領域内に全体的に均一な厚さを持つことができ、画素内の全領域で発光層の厚さが均一になるので暗点不良が防止される。その他に前記発光層が隣接する画素に移ることを防止する。
【００７７】
図７は本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。
【００７８】
図７を参照すると、正孔注入層ＨＩＬ上に突出パターンＰＰが形成され、発光層ＥＭＬの間に下部共通層として正孔輸送層ＨＴＬがさらに提供される。
【００７９】
前記正孔輸送層ＨＴＬは本発明の他の実施形態での正孔輸送層ＨＴＬと実質的に同じ物質と方法で形成される。ここで、前記正孔輸送層ＨＴＬは正孔注入層ＨＩＬ上に形成された突出パターンＰＰ上に前記突出パターンＰＰの表面に沿って形成され、これにより、前記突出パターンＰＰが形成された領域に対応する領域から上部方向に突出する。
【００８０】
発光層は上部方向に突出した部分を含む前記正孔輸送層上に形成され、前記正孔輸送層の突出した部分によって一画素内で均一な厚さを有することができる。また、画素内の全領域で発光層の厚さが均一になるので暗点不良が防止または減少する。その他に前記発光層が隣接する画素に移ることを防止する。
【００８１】
ここで、前記突出パターンは正孔注入層や正孔輸送層上に形成されるが、前記正孔注入層や正孔輸送層に形成される場合、前記発光層が形成されるとき前記基板の上面から突出する突出部が存在する。仮に、前記突出パターンが正孔注入層の下部、例えば、第１電極やその下部の構成要素上に形成されている場合、その上に積層される構成要素によってその表面が平坦化され、発光層の形成のとき突出パターンが表示されない。
【００８２】
図８は、本発明のさらに他の実施形態による有機発光表示装置を示す断面図である。
【００８３】
図８を参照すると、正孔注入層ＨＩＬと発光層ＥＭＬとの間に下部共通層として正孔輸送層ＨＴＬがさらに提供され、突出パターンＰＰは前記正孔輸送層ＨＴＬ上に提供される。また、前記発光層ＥＭＬと第２電極ＥＬ２との間に上部共通層として電子注入層ＥＩＬと電子輸送層ＥＴＬがさらに提供される。
【００８４】
本実施形態において、前記突出パターンＰＰは赤色画素Ｒ＿ＰＸＬ、緑色画素Ｇ＿ＰＸＬ及び青色画素Ｂ＿ＰＸＬに対して同じ形状や個数に形成できるが、これに限定されず、様々な形状、個数などで形成できる。前記赤色画素Ｒ＿ＰＸＬ、前記緑色画素Ｇ＿ＰＸＬ及び前記青色画素Ｂ＿ＰＸＬにそれぞれ提供される赤色有機発光材料、緑色の有機発光材料及び青色有機発光材料は互いに異なる粘度や表面張力などを有しうる。これにより、同じ量を各画素領域ＰＡに提供しても前記発光層ＥＭＬが同じ厚さで構成されない可能性があるが、本実施形態では、前記赤色画素Ｒ＿ＰＸＬ、前記緑色画素Ｇ＿ＰＸＬ及び前記青色画素Ｂ＿ＰＸＬに提供される突出パターンＰＰを互いに異なる形態や異なる密度（即ち、単位面積当たりの個数）で提供することによって前記発光層ＥＭＬが同じ厚さで形成されるようにする。前記各色ごとの画素に対応する前記突出パターンＰＰの密度や形状は前記赤色の有機発光材料、緑色の有機発光材料及び青色の有機発光材料によって異なるように設定できる。例えば、青色画素Ｂ＿ＰＸＬに形成される前記突出パターンＰＰの数を、緑色画素Ｇ＿ＰＸＬや赤色画素Ｒ＿ＰＸＬに形成される突出パターンＰＰの数よりも多くすることができる。
【００８５】
前記電子輸送層ＥＴＬは前記発光層ＥＭＬ上に形成される。前記電子輸送層ＥＴＬはキノリン誘導体、特にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（Ａｌｑ３）、ＴＡＺ、Ｂａｌｑのような公知の材料を利用できるが、これらに限定されない。
【化６】
2014154550.tif 000008
【００８６】
前記電子輸送層ＥＴＬは前記発光層ＥＭＬ上にスリットコーティング、印刷、真空蒸着法、スピンコーティング法、キャスト法、ＬＢ法などの多様な方法を用いて形成できる。
【００８７】
前記電子注入層ＥＩＬは前記電子輸送層ＥＴＬ上に提供される。前記電子注入層ＥＩＬはＬｉＦ、ＮａＣｌＣ  ＣｓＦ、Ｌｉ２Ｏ、ＢａＯなどの物質を含み、蒸着やコーティングで前記電子輸送層ＥＴＬ上に形成され、蒸着条件及びコーティング条件は使用する化合物によって異なるが、前記正孔注入層ＨＩＬの形成とほぼ同じ条件の範囲から選択できる。
【００８８】
本実施形態において、前記正孔輸送層上に形成された前記突出パターンによって、前記一実施形態と同様に、前記発光層が前記画素領域内に全体的に均一な厚さを有し、画素内の全領域で発光層の厚さが均一になるので暗点不良が防止される。その他に前記発光層が隣接する画素に移ることを防止する。
【００８９】
以上、本発明の好ましい実施形態を参照して説明したが、当該技術分野の熟練した当業者または当該技術分野で通常の知識を有する者であれば、後述する特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から外れない範囲内で本発明を多様に修正及び変更させることができる。
【００９０】
例えば、本発明の各実施形態は、異なる構造を有するように提示されているが、各構成要素の相互両立が不可能ではない限り、構成要素などが互いに組み合わされたり置換されたりした形態を有することができる。
【００９１】
従って、本発明の技術範囲は、明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されず、特許請求の範囲によって決められるべきである。
【符号の説明】
【００９２】
ＰＸＬ・・・画素
ＧＬ・・・ゲートライン
ＤＬ・・・データライン
ＤＶＬ・・・駆動電圧ライン
ＥＬ・・・有機発光素子
Ｃｓｔ・・・キャパシタ
ＧＥ１・・・第１ゲート電極
ＳＥ１・・・第１ソース電極
ＤＥ１・・・第１ドレイン電極
ＧＥ２・・・第２ゲート電極
ＳＥ２・・・第２ソース電極
ＤＥ２・・・第２ドレイン電極
【図１】
2014154550.tif 000009
【図２】
2014154550.tif 000010
【図３】
2014154550.tif 000011
【図４】
2014154550.tif 000012
【図５Ａ】
2014154550.tif 000013
【図５Ｂ】
2014154550.tif 000014
【図５Ｃ】
2014154550.tif 000015
【図５Ｄ】
2014154550.tif 000016
【図５Ｅ】
2014154550.tif 000017
【図６】
2014154550.tif 000018
【図７】
2014154550.tif 000019
【図８】
2014154550.tif 000020