(57)【要約】【課題】平坦加工を高精密かつ高効率に行う研磨パッドの研磨パッド成形金型の製造方法、その方法で製造される研磨パッド成形金型、及びその金型で製造した研磨パッドを提供する。【解決手段】微細凸部１２が並んだマイクロパターンαが形成された研磨パッド１３の研磨パッド成形金型１０の製造方法は、基板２１の一方側に、マイクロパターンαと凹凸関係が反転したマイクロパターンβが形成された親型２６を作製する親型作製工程と、親型２６を用いて、マイクロパターンγが表層に形成されたポジ子型２７を作製するポジ子型作製工程と、ポジ子型２７を用いて、マイクロパターンδが表層に形成されたネガ子型１８を作製するネガ子型作製工程と、ネガ子型１８を、マイクロパターンδが形成された表層を上にして基盤１７上に並べて固定して研磨パッド成形金型１０を構成する組立て工程とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
板状の被研磨材の平坦加工を行う際に使用され、一方の表面側に微細凸部Ｐが、設定された間隔で分散配置されたマイクロパターンαが形成された研磨パッドの製造に使用される研磨パッド成形金型の製造方法であって、
単結晶の基板の一方の表面側に、前記マイクロパターンαの前記微細凸部Ｐの配置に合わせて、該微細凸部Ｐの底部と同一寸法の孔が形成されたレジストマスクを設け、該レジストマスクを介して前記基板の一方の表面側にエッチングを行って、該基板の一方の表面側に前記微細凸部Ｐと凹凸関係が反転した微細凹部Ｑが前記マイクロパターンαの前記微細凸部Ｐの配置に合わせて分散配置されたマイクロパターンβが形成された親型を作製する親型作製工程と、
前記親型の前記マイクロパターンβを転写して、前記微細凹部Ｑに対応する位置に、該微細凹部Ｑと同一寸法で凹凸関係が反転した微細凸部Ｒが分散配置されたマイクロパターンγが形成されたポジ子型を作製するポジ子型作製工程と、
前記ポジ子型の前記マイクロパターンγを転写して、前記微細凸部Ｒに対応する位置に、該微細凸部Ｒと同一寸法で凹凸関係が反転した微細凹部Ｓが分散配置されたマイクロパターンδが形成されたネガ子型を作製するネガ子型作製工程と、
前記ネガ子型を、前記マイクロパターンδが形成された表層側を表にし、該ネガ子型の側部同士を当接させながら基盤上に並べて固定して前記研磨パッド成形金型を構成する組立て工程とを有することを特徴とする研磨パッド成形金型の製造方法。
【請求項２】
請求項１記載の研磨パッド成形金型の製造方法において、前記ネガ子型は、前記ポジ子型の前記マイクロパターンγが形成された表面側を下地面にしてめっきにより形成された平板状金属部材を有し、前記ネガ子型が固定される前記基盤は平板であることを特徴とする研磨パッド成形金型の製造方法。
【請求項３】
請求項１記載の研磨パッド成形金型の製造方法において、前記ネガ子型は、前記ポジ子型の前記マイクロパターンγが形成された表面側を半径方向内側にして円弧状に湾曲させ、該マイクロパターンγが形成された表面側を下地面にしてめっきにより形成された円弧状金属部材を有し、前記ネガ子型が固定される前記基盤は、前記円弧状金属部材の半径方向内側の曲率と同一の曲率を有するロールであることを特徴とする研磨パッド成形金型の製造方法。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の研磨パッド成形金型の製造方法により製造されることを特徴とする研磨パッド成形金型。
【請求項５】
請求項４記載の研磨パッド成形金型を用いて製造されることを特徴とする研磨パッド。
【請求項６】
請求項５記載の研磨パッドにおいて、前記基板は、［１００］方向に成長した単結晶シリコンのロッドから（１００）面を切り出し面として切り出したシリコン平板であって、前記レジストマスクは前記シリコン平板の（１００）面に設けられ、前記微細凸部Ｐは正四角錐状微細突起であって、該正四角錐状微細突起の底面の１辺の長さは０．１〜３０μｍ、隣り合う該正四角錐状微細突起間の距離は１〜３０μｍであることを特徴とする研磨パッド。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板等の平坦性が高度に要求される部材の平坦加工を高精密かつ高効率に行う研磨パッドを製造する研磨パッド成形金型の製造方法、その方法で製造される研磨パッド成形金型、及びその金型で製造した研磨パッドに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体基板用の研磨パッドは、例えば、発泡ウレタン樹脂を型枠に流し込み硬化させて発泡ウレタンのブロックを形成し、得られたブロックから所定厚さ（例えば、１ｍｍ）の平板を切り出すことにより研磨パッドを製造していた。このため、製造された研磨パッドは高い平坦性を有しておらず、研磨を開始する前に、ダイヤモンド砥石等を用いたドレッシング（コンディショニングともいう）を行って、研磨用パッドに高い平坦性を具備させていた。しかし、ドレッシング後のパッド表面状態が不安定かつ変動し易く、更に、加工後の研磨パッドの表面状態がプロセス間で大きく変動すること等の問題がある。また、ドレッシングにより研磨パッド表面に形成される微細凹凸パターンは、研磨パッド表面上での研磨材を含んだスラリーの保持と、半導体基板の被研磨面への新鮮なスラリーの供給という作用を支配する要因になっているが、ドレッシングによる方法では、研磨パッドの表面に常に一定の微細凹凸パターンを形成することができず、半導体基板に高精密な平坦加工を安定して行うことができないという問題がある。
【０００３】
更に、発泡ウレタンであることに起因して研磨パッドの表層部に現れる穴には、研磨中に研磨材や削りかす等が溜まってくるため、半導体基板から生じた削りかすの除去性能が徐々に低下し、これに伴って半導体基板の被研磨面への新鮮なスラリーの供給性能が低下するため、研磨速度が低下するという問題が生じる。このため、研磨パッドの表面を定期的に研削して新しい表面を形成することが行われているが、発泡ウレタン内の空洞はサイズにばらつきが存在すると共に、均一に分散していないため、研磨パッドの表面を研削して新たな表面を形成する度に、表面に現れる穴のサイズ分布や分散状態が変化し、研磨パッドの研磨性能を常に一定に保つことができないという問題もある。
【０００４】
そこで、例えば、特許文献１には、研磨パッドの母体を、スラリーとの親和性に優れた素材からなる無発泡部材で形成し、この母体の表面にフォトリソグラフィ技術を用いて微細凹凸パターンを形成することにより研磨パッドを製造することが開示されている。無発泡部材で研磨パッドを形成するため、研磨中に研磨材や削りかす等が表層部に溜まる虞がなく、研磨パッドの表面の微細凹凸パターンがフォトリソグラフィ技術を用いて形成されているため、常に一定の微細凹凸パターンを形成することができ、研磨パッド表面上でのスラリーの保持性と、半導体基板の被研磨面への新鮮なスラリーの供給性を安定して達成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４８４５３４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかし、特許文献１の研磨パッドは、製造する研磨パッド１枚毎に、その表層部にフォトリソグラフィ技術を用いて微細凹凸パターンを形成するので、研磨パッドの生産性が著しく低下するという問題が生じる。また、研磨パッドの製造工程が、研磨パッドの本体を製造する工程と本体の表面に微細凹凸パターンを形成する工程から構成されるため、製造工程が煩雑になり、製造に時間を要すると共に、製造コストが上昇するという問題がある。
【０００７】
そこで、半導体基板に使用する単結晶のシリコンウエハの表面にＭＥＭＳ（マイクロエレクトロメカニカルシステム）技術を活用して微細凹凸パターンの一例として、逆ピラミッド状（例えば、一辺が７μｍの正方形で、深さが４．９μｍの正四角錐状）の穴が一定間隔（例えば、５μｍ）で並んだパターンを形成し、このシリコンウエハを研磨パッドを製造する成形金型として使用することが考えられる。即ち、逆ピラミッド状の穴が並べて形成されたシリコンウエハに樹脂板（例えば、ウレタン樹脂板）を押し当て、加圧しながら加熱して、軟化状態とした樹脂板の表層部の材料の一部を逆ピラミッド状の穴に進入させることにより、樹脂板の表層部にピラミッド状の突出部が一定間隔で並んだ微小凹凸パターンを形成することができる。しかしながら、使用できる単結晶のシリコンウエハの寸法は、半導体基板製造用に供給される単結晶シリコンロッドの寸法に制限されるため、研磨パッドとして要求される寸法の樹脂板には微小凹凸パターンを形成することができないという問題、シリコンウエハは硬く脆いため、繰り返し使用するには耐久性に劣るという問題がある。
【０００８】
本発明はかかる事情に鑑みてなされたもので、半導体基板等の平坦性が高度に要求される部材の平坦加工を高精密かつ高効率に行う研磨パッドを容易かつ安価に製造することが可能な研磨パッド成形金型の製造方法、その方法で製造される研磨パッド成形金型、及びその金型で製造した研磨パッドを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記目的に沿う第１の発明に係る研磨パッド成形金型の製造方法は、板状の被研磨材の平坦加工を行う際に使用され、一方の表面側に微細凸部Ｐが、設定された間隔で分散配置されたマイクロパターンαが形成された研磨パッドの製造に使用される研磨パッド成形金型の製造方法であって、
単結晶の基板の一方の表面側に、前記マイクロパターンαの前記微細凸部Ｐの配置に合わせて、該微細凸部Ｐの底部と同一寸法の孔が形成されたレジストマスクを設け、該レジストマスクを介して前記基板の一方の表面側にエッチングを行って、該基板の一方の表面側に前記微細凸部Ｐと凹凸関係が反転した微細凹部Ｑが前記マイクロパターンαの前記微細凸部Ｐの配置に合わせて分散配置されたマイクロパターンβが形成された親型を作製する親型作製工程と、
前記親型の前記マイクロパターンβを転写して、前記微細凹部Ｑに対応する位置に、該微細凹部Ｑと同一寸法で凹凸関係が反転した微細凸部Ｒが分散配置されたマイクロパターンγが形成されたポジ子型を作製するポジ子型作製工程と、
前記ポジ子型の前記マイクロパターンγを転写して、前記微細凸部Ｒに対応する位置に、該微細凸部Ｒと同一寸法で凹凸関係が反転した微細凹部Ｓが分散配置されたマイクロパターンδが形成されたネガ子型を作製するネガ子型作製工程と、
前記ネガ子型を、前記マイクロパターンδが形成された表層側を表にし、該ネガ子型の側部同士を当接させながら基盤上に並べて固定して前記研磨パッド成形金型を構成する組立て工程とを有する。
【００１０】
第１の発明に係る研磨パッド成形金型の製造方法において、前記ネガ子型は、前記ポジ子型の前記マイクロパターンγが形成された表面側を下地面にしてめっきにより形成された平板状金属部材を有し、前記ネガ子型が固定される前記基盤は平板とすることができる。
【００１１】
第１の発明に係る研磨パッド成形金型の製造方法において、前記ネガ子型は、前記ポジ子型の前記マイクロパターンγが形成された表面側を半径方向内側にして円弧状に湾曲させ、該マイクロパターンγが形成された表面側を下地面にしてめっきにより形成された円弧状金属部材を有し、前記ネガ子型が固定される前記基盤は、前記円弧状金属部材の半径方向内側の曲率と同一の曲率を有するロールとすることができる。
【００１２】
前記目的に沿う第２の発明に係る研磨パッド成形金型は、第１の発明に係る研磨パッド成形金型の製造方法により製造される。
【００１３】
前記目的に沿う第３の発明に係る研磨パッドは、第２の発明に係る研磨パッド成形金型を用いて製造される。
【００１４】
第３の発明に係る研磨パッドにおいて、前記基板は、［１００］方向に成長した単結晶シリコンのロッドから（１００）面を切り出し面として切り出したシリコン平板であって、前記レジストマスクは前記シリコン平板の（１００）面に設けられ、前記微細凸部Ｐは正四角錐状微細突起であって、該正四角錐状微細突起の底面の１辺の長さは０．１〜３０μｍ、隣り合う該正四角錐状微細突起間の距離は１〜３０μｍであることが好ましい。
【発明の効果】
【００１５】
第１の発明に係る研磨パッド成形金型の製造方法においては、微細凹部Ｑは、微細凸部Ｐの配置に合わせて、微細凸部Ｐの底部と同一寸法の孔が形成されたレジストマスクを介したエッチングにより形成するので、親型にはマイクロパターンαを正確に反転したマイクロパターンβを形成することができる。そして、親型のマイクロパターンβを転写して作製するポジ子型には、マイクロパターンβが正確に反転したマイクロパターンγ（従って、マイクロパターンαと同一）が形成され、ポジ子型のマイクロパターンγを転写して作製するネガ子型には、マイクロパターンγが正確に反転した正確なマイクロパターンδ（従って、マイクロパターンβと同一）が形成されるので、親型からポジ子型を介して作製した複数のネガ子型を所望の面積を有する基盤上に並べて固定することにより、所望の面積に亘って正確なマイクロパターンδ（マイクロパターンβ）を形成することができる。その結果、所望の面積を有する研磨パッドを成形するための研磨パッド成形金型を容易かつ安価に作製することができる。
【００１６】
第１の発明に係る研磨パッド成形金型の製造方法において、ネガ子型が、ポジ子型のマイクロパターンγが形成された表面側を下地面にしてめっきにより形成された平板状金属部材を有する場合、正確なマイクロパターンδを備えた耐久性のあるネガ子型を効率的かつ安価に作製することができる。そして、ネガ子型が固定される基盤が平板である場合、大型の研磨パッドの製造が可能な研磨パッド成形金型を容易かつ安価に製造することができる。
【００１７】
第１の発明に係る研磨パッド成形金型の製造方法において、ネガ子型が、ポジ子型のマイクロパターンγが形成された表面側を半径方向内側にして円弧状に湾曲させ、マイクロパターンγが形成された表面側を下地面にしてめっきにより形成された円弧状金属部材を有する場合、正確なマイクロパターンδを備えた耐久性のあるネガ子型を効率的かつ安価に作製することができる。そして、ネガ子型が固定される基盤が、円弧状金属部材の半径方向内側の曲率と同一の曲率を有するロールである場合、所望の幅を有する長尺（帯状）の研磨パッドの製造が可能な研磨パッド成形金型を容易かつ安価に製造することができる。
【００１８】
第２の発明に係る研磨パッド成形金型においては、所望の寸法を有する研磨パッド用の素材の一方の表面側に、微細凸部Ｐが設定された間隔で分散配置されたマイクロパターンαを容易かつ効率的に形成することができるので、平坦加工を高精密かつ高効率に行うことが可能な所望寸法の研磨パッドを安価に製造することができる。
【００１９】
第３の発明に係る研磨パッドにおいては、正確なマイクロパターンαを有するので、被研磨材に研磨パッドを押し当てて研磨を行う場合、研磨パッドは、被研磨材の研磨面に研磨パッドに形成された微細凸部Ｐの頂部を介して接触することになって、微細凸部Ｐの間の隙間に存在する研磨材を含んだスラリーを、被研磨材の研磨面に効率的に接触させることができる。更に、スラリーを研磨中に連続的に供給すると、供給されたスラリーは微細凸部Ｐの隙間を通過していくため、被研磨材の研磨面に常に新鮮なスラリーを接触させることができると共に、研磨時に発生した削りかすをスラリーの流れに混入させて除去することができる。その結果、被研磨材の平坦加工を高精密かつ高効率に行うことができる。
【００２０】
第３の発明に係る研磨パッドにおいて、基板が、［１００］方向に成長した単結晶シリコンのロッドから（１００）面を切り出し面として切り出したシリコン平板であって、レジストマスクがシリコン平板の（１００）面に設けられ、微細凸部Ｐは正四角錐状微細突起であって、正四角錐状微細突起の底面の１辺の長さが０．１〜３０μｍ、隣り合う正四角錐状微細突起間の距離が１〜３０μｍである場合、隣り合う正四角錐状微細突起で囲まれた隙間に存在するスラリーを正四角錐状微細突起の斜面に沿って移動させることができ、被研磨材の研磨面に効率的に新鮮なスラリーを接触させることができる。その結果、被研磨面全体を均一に研磨することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る研磨パッド成形金型とその金型で製造した研磨パッドの説明図である。
【図２】（Ａ）は研磨パッドの平面図、（Ｂ）は研磨パッドに形成された微細凸部の斜視図である。
【図３】研磨パッドを用いた研磨時の状況を示す説明図である。
【図４】（Ａ）、（Ｂ）は同研磨パッド成形金型の製造方法における親型作製工程の説明図である。
【図５】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ、同研磨パッド成形金型の製造方法におけるポジ子型作製工程、ネガ子型作製工程、組立て工程の説明図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る研磨パッド成形金型とその金型で製造した研磨パッドの説明図である。
【図７】（Ａ）、（Ｂ）は同研磨パッド成形金型の製造方法における親型作製工程の説明図である。
【図８】（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ、同研磨パッド成形金型の製造方法におけるポジ子型作製工程、ネガ子型作製工程、組立て工程の説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
続いて、添付した図面を参照しつつ、本発明を具体化した実施の形態につき説明し、本発明の理解に供する。
本発明の第１の実施の形態に係る研磨パッド成形金型１０は、図１〜図３に示すように、板状の被研磨材の一例である半導体基板１１（例えば、シリコンウエハ）の平坦加工を行う際に用いられ、一方の表面側（平坦加工時に半導体基板１１の被加工面に接触する側）に、例えば、頂部の高さＨが０．１〜２０μｍの微細凸部Ｐの一例である正四角錐状微細突起１２（斜面角度θ＝３０〜８０度）を、隣り合う正四角錐状微細突起１２の頂部の間隔Ｄを１．１〜６０μｍ、正四角錐状微細突起１２の底面の１辺の長さＬを０．１〜３０μｍ、隣り合う正四角錐状微細突起１２の底面間の間隔Ｇを１〜３０μｍとして並べて配置（分散配置）して構成したマイクロパターンαが形成された研磨パッド１３を製造する金型である。以下、詳細に説明する。
【００２３】
研磨パッド成形金型１０は、研磨パッド１３の素材となる塑性加工可能な平板（例えば、熱可塑性樹脂の一例であるポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）板を加熱して軟化状態にしたもの）を、上下方向から挟んで加圧して、平板の一方側、例えば、上面側にマイクロパターンαを形成する上型１４と、平板を載置して支持する下型１５とを有している。ここで、上型１４は、平板の上面を押圧して、上面側にマイクロパターンαを塑性加工により形成するパターン成形部１６と、パターン成形部１６を保持する上型本体１７とを有している。更に、パターン成形部１６は、側部を互いに密接させた状態で上型本体１７にそれぞれ配置（固定）され、平板を一体的に押圧してマイクロパターンαを形成する複数のネガ子型１８を有している。
【００２４】
各ネガ子型１８には、微細凹部Ｓの一例であり、正四角錐状微細突起１２と凹凸関係が反転した形状となって、底部の深さＫが０．１〜２０μｍの正四角錐状微細窪み１９が、隣り合う正四角錐状微細窪み１９の底部の間隔Ｅを１．１〜６０μｍとして並べて配置して構成されるマイクロパターンδ（マイクロパターンαに対して凹凸関係が反転したパターン）が形成されている。また、ネガ子型１８（パターン成形部１６）の表面側（上型１４の下面側）に並んで存在している正四角錐状微細窪み１９の開口２０の１辺の長さＭは０．１〜３０μｍ、開口２０の間隔Ｊは１〜３０μｍである。
【００２５】
以上の構成とすることにより、下型１５上に載置された軟化状態の平板に、上方から上型１４を押し当てると、平板を構成している素材の一部が、マイクロパターンδを構成する各正四角錐状微細窪み１９の開口２０から正四角錐状微細窪み１９内に進入するので、正四角錐状微細窪み１９内を平板を構成している素材の一部で満たした後、上型１４を上方に移動させて平板から離すと、平板の上表面側には正四角錐状微細窪み１９内に進入した素材から形成された正四角錐状微細突起１２が並べて配置されることになり、マイクロパターンαが形成される。そして、マイクロパターンαが形成された平板を冷却して硬化状態にすることで研磨パッド１３が得られる。
なお、平板に上型１４を押し当てた際に、下型１５の上面と上型１４の下面との距離を一定にすることで、各正四角錐状微細突起１２の頂部と研磨パッド１３の下面との間の距離を一定値（研磨パッド１３の厚みを均一）にすることができる。これによって、半導体基板１１と研磨パッド１３を接触させた際、研磨パッド１３の下面に対して半導体基板１１の研磨パッド１３との接触面を平行にすることができる。
【００２６】
次に、本発明の第１の実施の形態に係る研磨パッド成形金型１０の製造方法について説明する。
図４（Ａ）、（Ｂ）に示すように、研磨パッド成形金型１０の製造方法は、単結晶の基板、例えば、［１００］方向に成長した単結晶シリコンのロッドから（１００）面を切り出し面として切り出したシリコン平板２１の一方側に、マイクロパターンαの正四角錐状微細突起１２の底面に対応する領域に底面と同一サイズの正方形状の孔２２が形成されたレジストマスク２３を設け、レジストマスク２３を介して、シリコン平板２１の結晶面毎に決まる除去加工速度の差を利用したエッチングを行って、微細凹部Ｑの一例であり、正四角錐状微細突起１２と凹凸関係が反転した、底部の深さが０．１〜２０μｍのエッチピットからなる正四角錐状微細窪み２４（斜面角度φが３０〜８０度）が、隣り合う正四角錐状微細窪み２４の底部の間隔Ｅを１．１〜６０μｍ、正四角錐状微細窪み２４の開口２５の１辺の長さＭを０．１〜３０μｍ、開口２５の間隔Ｊを１〜３０μｍとして並んで、マイクロパターンαと凹凸関係が反転したマイクロパターンβが形成された親型２６を作製する親型作製工程を有している。マイクロパターンβでは、マイクロパターンαの正四角錐状微細突起１２の配置に合わせて、正四角錐状微細窪み２４が分配配置されている。
【００２７】
また、研磨パッド成形金型１０の製造方法は、図５（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、親型２６を用いて成形され、マイクロパターンβが転写されて（マイクロパターンβと凹凸関係が反転して）微細凸部Ｒの一例である正四角錐状微細突起２９が分散配置されたマイクロパターンγが一方の表層に形成された平板状の樹脂部材からなるポジ子型２７を作製するポジ子型作製工程を有している。更に、研磨パッド成形金型１０の製造方法は、ポジ子型２７のマイクロパターンγが形成された表層上にめっきにより形成され、マイクロパターンγと凹凸関係が反転した正四角錐状微細窪み１９で構成されたマイクロパターンδが表層に形成された平板状金属部材の一例であるめっき金属部３１（例えば、ニッケル、コバルト、コバルト−ニッケル合金、コバルト−リン合金等）を有するネガ子型１８を作製するネガ子型作製工程と、ネガ子型１８を、マイクロパターンδが形成された表層を上にしてネガ子型１８の側部同士を当接させながら基盤の一例である平板からなる上型本体１７（例えば、ステンレス鋼板、普通鋼板、合金鋼板、鋳鉄板、アルミニウム等の非鉄金属板等）上に並べて固定して研磨パッド成形金型１０の上型１４を構成する組立て工程とを有している。以下、詳細に説明する。
【００２８】
（１）親型作製工程
図４（Ａ）に示すように、切り出したシリコン平板２１の一方の（１００）面上に、レジスト層（例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等）を形成し、リソグラフィ技術を用いて孔２２を形成することによりレジストマスク２３を形成する。なお、シリコン平板２１の他方の（１００）面上及び側部にもレジスト層を形成する。次いで、シリコン平板２１の一方の（１００）面に、レジストマスク２３を介してエッチング液を接触させる。なお、エッチング液には、例えば、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等を使用する。エッチング液は、レジストマスク２３の孔２２から露出するシリコン平板２１の露出部に接触し、露出部ではエッチング液との反応により形成された水酸化シリコンがエッチング液に溶解することによりエッチングが進行し、エッチピットが形成される。
【００２９】
ここで、シリコン平板２１の（１００）面のエッチングを行う場合、シリコン原子が細密充填している（１１１）のエッチング速度が一番遅いため、エッチングは（１１１）のエッチング速度に律速されながら進行する。このため、形成されるエッチピットの形状は、底部の１辺の長さが正方形状の孔２２の１辺の長さと同値で、斜面が（１１１）面からなる正四角錐状となる。そして、所定時間エッチングを行った後、シリコン平板２１からエッチング液を除去し、シリコン平板２１を洗浄することにより、シリコン平板２１の一方の（１００）面上に正四角錐状微細突起１２と凹凸関係が反転した正四角錐状微細窪み２４からなるマイクロパターンβを形成することができる。次いで、レジストマスク２３を薬品（例えば、ＴＭＡＨ（テトラメチルアンモニウムヒドロキシ溶液）、ＫＯＨ（水酸化カリウム溶液）、ＥＤＰ（エチレンジアミン・ピロカテコール溶液）等）に溶解させて除去することにより、図４（Ｂ）に示すように、親型２６が得られる。
【００３０】
（２）ポジ子型作製工程
図５（Ａ）に示すように、親型２６を用いて平板状の樹脂部材からポジ子型２７を作製する際、樹脂部材として熱可塑性樹脂（例えば、シリコーン、フッ素系樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）等）を使用する場合は、軟化状態となる温度まで加熱した平板状の樹脂部材を図示しない成形台に上に載置し、親型２６を上方から押し当てる。樹脂部材として熱硬化性樹脂（例えば、エポキシ系樹脂、ウレタン系樹脂、ポリエステル系樹脂等）を使用する場合は、加熱なしで樹脂部材を図示しない成形台上に流し込み、親型２６を上方から押し当てる。これにより、平板状の樹脂部材の一部が、正四角錐状微細窪み２４の開口２５から正四角錐状微細窪み２４内に進入するので、正四角錐状微細窪み２４内を樹脂部材の一部で満たした後、親型２６を上方に移動させて樹脂部材から離すと、樹脂部材の上表面側には正四角錐状微細窪み２４内に進入した樹脂部材から形成され、正四角錐状微細窪み２４と凹凸関係が反転した正四角錐状微細突起２９（従って、正四角錐状微細突起１２と同一形状）が並べて配置（分散配置）されることになり、マイクロパターンγを備えたポジ子型２７が形成される。
【００３１】
また、樹脂部材として硬化型樹脂（例えば、シリコーン、フッ素系樹脂）、光硬化型樹脂（例えば、紫外線の照射で硬化するアクリル系樹脂）を使用する場合は、親型２６を用いて鋳型（図示せず）を構成し、鋳型内に樹脂部材を注入して、樹脂部材の一部を正四角錐状微細窪み２４の開口２５から正四角錐状微細窪み２４内に進入させ、樹脂部材を硬化させた後、鋳型から樹脂部材を取り出すと、樹脂部材の上表面側には正四角錐状微細窪み２４内に進入した樹脂部材から形成された正四角錐状微細突起２９が並べて配置されることになり、マイクロパターンγを備えたポジ子型２７が形成される。
【００３２】
（３）ネガ子型作製工程
図５（Ｂ）に示すように、ポジ子型２７からネガ子型１８を作製する場合、先ず、ポジ子型２７のマイクロパターンγが形成された表層上に金属からなる電極層３０を、ＰＶＤ（例えば、蒸着）により形成する。ここで、電極層３０を構成する金属は、ネガ子型１８を構成するめっき金属部３１との接着性が良好であることが必要で、例えば、ニッケル、金、銀、銅等を使用することができる。次いで、電極層３０の上に（電極層３０の表面を下地面として）、電気めっきにより厚さが、例えば、０．１〜５ｍｍのめっき金属部３１を形成することにより、ネガ子型１８が得られる。
【００３３】
そして、ネガ子型１８をポジ子型２７から分離した後、めっき金属部３１の表面（電極層３０の反対側の面）側を研磨してネガ子型１８の厚みを調節する。ここで、ポジ子型２７上に形成する電極層３０には、ポジ子型２７のマイクロパターンγが転写されるので、ネガ子型１８には、正四角錐状微細突起２９（正四角錐状微細突起１２）と凹凸関係が反転した形状となって、底部の深さＫが０．１〜２０μｍ、開口２０の１辺の長さＭが０．１〜３０μｍ、開口２０の間隔Ｊが１〜３０μｍの正四角錐状微細窪み１９が、隣り合う正四角錐状微細窪み１９の底部の間隔Ｅを１．１〜６０μｍとして並べて配置されており（即ち、正四角錐状微細突起２９に対応する位置に、正四角錐状微細突起２９と同一寸法で、正四角錐状微細窪み１９が分散配置されており）、マイクロパターンδが形成される。
【００３４】
（４）組立て工程
図５（Ｃ）に示すように、ネガ子型１８から上型１４を構成する場合、ネガ子型１８を、マイクロパターンδが形成された表層を上にして、ネガ子型１８の側部同士を当接させながら上型本体１７の下面上に並べて固定する。ここで、上型本体１７にネガ子型１８を密接させて配置する場合、隣り合うネガ子型１８の境界を挟んで、隣り合う正四角錐状微細窪み１９の底部の間隔Eが、ネガ子型１８内の隣り合う正四角錐状微細窪み１９の底部の間隔Ｅ´と同値となるように調整する。これによって、隣り合うネガ子型１８間で、マイクロパターンδの連続性を確保できる。
【００３５】
続いて、研磨パッド成形金型１０を用いて作製した研磨パッド１３の作用について説明する。
研磨パッド１３は、塑性加工可能な平板を、上型１４及び下型１５を用いて上下方向から挟んで加圧成形により製造されるので、高い平坦性を備えている。また、図２（Ａ）、（Ｂ）、図３に示すように、研磨パッド１３の一面側には、頂部の高さＨが０．１〜２０μｍ、底面の１辺の長さＬが０．１〜３０μｍの正四角錐状微細突起１２（斜面角度θ＝３０〜８０度）が、隣り合う正四角錐状微細突起１２の頂部の間隔Ｄを１．１〜６０μｍ、隣り合う正四角錐状微細突起１２の間隔Ｇを１〜３０μｍとして並べて配置されたマイクロパターンαが形成されている。このため、従来のように、研磨パッド用の素材から研磨パッドの母材となる平板を切り出し、熟練を要するドレッシング（研磨パッドの平坦性の確保と微細凹凸パターンの形成）を行うという一連の作業が不要になる。その結果、半導体基板１１の平坦加工を迅速に行うことができると共に、研磨パッド１３の研磨性能を常に一定に保つことができる。
【００３６】
そして、半導体基板１１の平坦加工を行う場合、半導体基板１１は、研磨パッド１３のマイクロパターンαを構成している正四角錐状微細突起１２の頂部で支持され、正四角錐状微細突起１２間の隙間には、研磨パッド１３の中央部の上方から滴下されるスラリー（研磨材が含有されている）が存在しているので、半導体基板１１の下面（被研磨面）に常時スラリーを接触させることができる。また、正四角錐状微細突起１２間の隙間は連続しているので、研磨時に発生した削りかすは、研磨パッド１３に新しいスラリーを供給することに伴って、使用済のスラリーと共に研磨パッド１３の外周部に移動し、研磨パッド１３の外部に排出することができる。なお、研磨パッド１３を形成している素材には気孔は存在しないので、削りかすは研磨パッド１３内に侵入しない。その結果、半導体基板１１の被研磨面への新鮮なスラリーの供給と被研磨面からの削りかすの除去を効率的に行うことができ、研磨速度を高位に維持しながら、半導体基板１１に高精密な平坦加工を安定して行うことが可能になる。
【００３７】
本発明の第２の実施の形態に係る研磨パッド成形金型３２は、図６に示すように、板状の被研磨材の一例である半導体基板１１（図３参照）の平坦加工を行う際に用いられ、一方側（半導体基板１１の被加工面に接触する側）に、頂部の高さＨが０．１〜２０μｍの微細凸部Ｐの一例である正四角錐状微細突起３３（斜面角度θ＝３０〜８０度）を、隣り合う正四角錐状微細突起３３の頂部の間隔Ｄを１．１〜６０μｍ、正四角錐状微細突起３３の底面の１辺の長さＬを０．１〜３０μｍ、隣り合う正四角錐状微細突起３３の底面間の間隔Ｇを１〜３０μｍとして並べて配置して構成したマイクロパターンαが形成された帯状研磨パッド３４を製造する金型である。以下、詳細に説明する。
【００３８】
研磨パッド成形金型３２は、帯状研磨パッド３４の素材となる塑性加工可能な帯板３５（例えば、熱可塑性樹脂の一例であるポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）帯板を加熱して軟化状態にしたもの）を上下方向から挟んで加圧して、帯板３５の一方側、例えば、上面側にマイクロパターンαを形成する１対の上、下ロール３６、３７を有している。ここで、上、下ロール３６、３７間には帯状研磨パッド３４の厚みに相当する距離の隙間が設けられ、加圧時にはそれぞれ反対方向に回転する。そして、上ロール３６は、帯板３５の上面を押圧して、上面側にマイクロパターンαを塑性加工により形成するパターン成形部３８と、パターン成形部３８を保持するロール本体３９とを有している。更に、パターン成形部３８は、側部を互いに密接させた状態でロール本体３９の外周部にそれぞれ配置（固定）され、帯板３５を一体的に押圧してマイクロパターンαを形成する複数のネガ子型４０を有している。
【００３９】
ネガ子型４０には、微細凹部Ｓの一例であって、正四角錐状微細突起３３と凹凸関係が反転した形状となって、底部の深さＫが０．１〜２０μｍの正四角錐状微細窪み４１が、隣り合う正四角錐状微細窪み４１の底部の間隔Ｅを１．１〜６０μｍとして並べて配置して構成するマイクロパターンδ（マイクロパターンαに対して凹凸関係が反転したパターン）が形成されている。また、ネガ子型４０（パターン成形部３８）の表面側（上ロール３６の外周部）に並んで存在している正四角錐状微細窪み４１の開口４２の１辺の長さＭは０．１〜３０μｍ、開口４２の間隔Ｊは１〜３０μｍである。
【００４０】
以上の構成とすることにより、互いに反対方向に回転している上、下ロール３５、３６間に挿入された軟化状態の帯板３５に、上方から上ロール３６を押し当てると、帯板３５を構成している素材の一部が、マイクロパターンδを構成している正四角錐状微細窪み４１の開口４２から正四角錐状微細窪み４１内に進入するので、上、下ロール３５、３６間を通過した帯板３５の上表面側には正四角錐状微細窪み４１内に進入した素材から形成された正四角錐状微細突起３３が並べて配置されることになり、マイクロパターンαが形成される。そして、マイクロパターンαが形成された帯板３５（帯状研磨パッド３４）を冷却して硬化させた後、所定のサイズに裁断することにより研磨パッド３４ａが得られる。
なお、上、下ロール３５、３６間の隙間の距離を一定にすることで、各正四角錐状微細突起３３の頂部と帯状研磨パッド３４の下面との間の距離を一定値（従って、研磨パッド３４ａの厚みを均一）にすることができる。これによって、半導体基板１１と研磨パッド３４ａを接触させた際、研磨パッド３４ａの下面に対して半導体基板１１の研磨パッド３４ａとの接触面を平行にすることができる。
【００４１】
次に、本発明の第２の実施の形態に係る研磨パッド成形金型３２の製造方法について説明する。
図７（Ａ）、（Ｂ）に示すように、研磨パッド成形金型３２の製造方法は、単結晶の基板、例えば、［１００］方向に成長した単結晶シリコンのロッドから（１００）面を切り出し面として切り出したシリコン平板４３の一方側に、マイクロパターンαの正四角錐状微細突起３３の底面に対応する領域に底面と同一サイズの正方形状の孔４４が形成されたレジストマスク４５を設け、レジストマスク４５を介して、シリコン平板４３の結晶面毎に決まる除去加工速度の差を利用したエッチングを行って、微細凹部Ｑの一例であり、正四角錐状微細突起３３と凹凸関係が反転した、底部の深さが０．１〜２０μｍのエッチピットからなる正四角錐状微細窪み４６（斜面角度φが３０〜８０度）が、隣り合う正四角錐状微細窪み４６の底部の間隔Ｅを１．１〜６０μｍ、正四角錐状微細窪み４６の開口４７の１辺の長さＭを０．１〜３０μｍ、開口４７の間隔Ｊを１〜３０μｍとして並んで、マイクロパターンαと凹凸関係が反転したマイクロパターンβが形成された親型４８を作製する親型作製工程を有している。
【００４２】
更に、研磨パッド成形金型３２の製造方法は、図８（Ａ）〜（Ｃ）に示すように、親型４８を用いて成形され、マイクロパターンβが転写された（マイクロパターンβと凹凸関係が反転した）マイクロパターンγが一方の表層に形成された平板状の樹脂部材からなるポジ子型４９を作製するポジ子型作製工程と、得られたポジ子型４９を、マイクロパターンγが形成された表層側を半径方向内側にして湾曲させて半径方向内側の表層上にめっきにより形成され、マイクロパターンγと凹凸関係が反転したマイクロパターンδが表層に形成された円弧状金属部材の一例であるめっき金属部５３（例えば、ニッケル、コバルト、コバルト−ニッケル合金、ニッケル−リン合金等）を有するネガ子型４０を作製するネガ子型作製工程と、ネガ子型４０を、マイクロパターンδが形成された表層を上にしてネガ子型４０の側部同士を当接させながら基盤の一例であるロール本体３９（例えば、ステンレス鋼製ロール、普通鋼製ロール、合金鋼製ロール、鋳鉄製ロール、アルミニウム等の非鉄金属製ロール等）上に並べて固定して研磨パッド成形金型３２の上ロール３６を構成する組立て工程とを有している。以下、詳細に説明する。
【００４３】
（１）親型作製工程
図７（Ａ）に示すように、切り出したシリコン平板４３の一方の（１００）面上に、レジスト層（例えば、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂等）を形成し、リソグラフィ技術を用いて孔４４を形成することによりレジストマスク４５を形成する。なお、シリコン平板４３の他方の（１００）面上及びシリコン平板４３の側部にもレジスト層を形成する。次いで、シリコン平板４３の一方の（１００）面に、レジストマスク４５を介してエッチング液を接触させる。なお、エッチング液には、例えば、水酸化カリウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等を使用する。エッチング液は、レジストマスク４５の孔４４から露出するシリコン平板４３の露出部に接触し、露出部ではエッチング液との反応により形成された水酸化シリコンがエッチング液に溶解することによりエッチングが進行し、エッチピットが形成される。
【００４４】
ここで、シリコン平板４３の（１００）面のエッチングを行う場合、（１１１）のエッチング速度が一番遅いため、エッチングは（１１１）のエッチング速度に律速されながら進行する。このため、形成されるエッチピットの形状は、底部の１辺の長さが正方形状の孔４４の１辺の長さと同値で、斜面が（１１１）面からなる正四角錐状となる。そして、所定時間エッチングを行った後、シリコン平板４３からエッチング液を除去し、シリコン平板４３を洗浄することにより、シリコン平板４３の一方の（１００）面上に、マイクロパターンαを構成する正四角錐状微細突起３３と凹凸関係が反転した正四角錐状微細窪み４６から構成されるマイクロパターンβを形成することができる。次いで、レジストマスク４５を有機溶剤（例えば、アセトン等）に溶解させて除去することにより、図７（Ｂ）に示すように、親型４８が得られる。
【００４５】
（２）ポジ子型作製工程
図８（Ａ）に示すように、親型４８を用いて平板状の樹脂部材からポジ子型４９を作製する際、樹脂部材として熱可塑性樹脂（例えば、シリコーン、フッ素系樹脂、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）等）を使用する場合は、軟化状態となる温度まで加熱した平板状の樹脂部材を図示しない成形台に上に載置し、親型４８を上方から押し当てる。これにより、平板状の樹脂部材の一部が、正四角錐状微細窪み４６の開口４７から正四角錐状微細窪み４６内に進入するので、正四角錐状微細窪み４６内を樹脂部材の一部で満たした後、親型４８を上方に移動させて樹脂部材から離すと、樹脂部材の上表面側には正四角錐状微細窪み４６内に進入した樹脂部材から形成され、微細凸部Rの一例であって、マイクロパターンβを構成する正四角錐状微細窪み４６と凹凸関係が反転した正四角錐状微細突起５１（従って、正四角錐状微細突起３３と同一形状）が並べて配置されることになり、マイクロパターンγを備えたポジ子型４９が形成される。
【００４６】
また、樹脂部材として硬化型樹脂（例えば、シリコーン、フッ素系樹脂）、光硬化型樹脂（例えば、紫外線の照射で硬化するアクリル系樹脂）を使用する場合は、親型４８を用いて鋳型（図示せず）を構成し、鋳型内に樹脂部材を注入して、樹脂部材の一部を正四角錐状微細窪み４６の開口４７から正四角錐状微細窪み４６内に進入させ、樹脂部材を硬化させた後、鋳型から樹脂部材を取り出すと、樹脂部材の上表面側には、マイクロパターンβを構成する正四角錐状微細窪み４６内に進入した樹脂部材から形成された正四角錐状微細突起５１が並べて配置されることになり、マイクロパターンγを備えたポジ子型４９が形成される。
【００４７】
（３）ネガ子型作製工程
図８（Ｂ）に示すように、ポジ子型４９からネガ子型４０を作製する場合、先ず、ポジ子型４９のマイクロパターンγが形成された表層側を半径方向内側にして湾曲させ、表層上に金属からなる電極層５２を、ＰＶＤ（例えば、蒸着）により形成する。ここで、電極層５２を構成する金属は、ネガ子型４０を構成するめっき金属部５３との接着性が良好であることが必要で、例えば、ニッケル、金、銀、銅等を使用することができる。次いで、電極層５２を下地層として、電気めっきにより厚さが、例えば、０．１〜５ｍｍのめっき金属部５３を形成することにより、ネガ子型４０が得られる。
【００４８】
そして、ネガ子型４０をポジ子型４９から分離した後、めっき金属部５３の表面（電極層５２の反対側の面）側を研磨してネガ子型４０の厚みを調節する。ここで、ポジ子型４９上に形成する電極層５２には、ポジ子型４９のマイクロパターンγが転写されるので、ネガ子型４０には、正四角錐状微細突起５１（正四角錐状微細突起３３）と凹凸関係が反転した形状となって、底部の深さＫが０．１〜２０μｍ、開口４２の１辺の長さＭが０．１〜３０μｍ、開口４２の間隔Ｊが１〜３０μｍの正四角錐状微細窪み４１が、隣り合う正四角錐状微細窪み４１の底部の間隔Ｅを１．１〜６０μｍとして並べて配置されており、マイクロパターンδが形成される。
【００４９】
（４）組立て工程
図８（Ｃ）に示すように、ネガ子型４０から上ロール３６を構成する場合、ネガ子型４０を、マイクロパターンδが形成された表層を上にして、ネガ子型４０の側部同士を当接させながらロール本体３９の下面上に並べて固定する。ここで、ロール本体３９の半径は、ネガ子型４０（めっき金属部５３）の半径方向内側の曲率と同一の曲率となるように調節されており、ロール本体３９にネガ子型４０を密接させて配置する場合、隣り合うネガ子型４０の境界を挟んで、隣り合う正四角錐状微細窪み４１の底部の間隔E´が、ネガ子型４０内の隣り合う正四角錐状微細窪み４１の底部の間隔Ｅと同値となるように調整する。これによって、隣り合うネガ子型４０間で、マイクロパターンδの連続性を確保できる。
なお、研磨パッド成形金型３２を用いて作製した研磨パッド３４ａ作用は、研磨パッド成形金型１０を用いて作製した研磨パッド１３の作用と同一なので、説明は省略する。
【実施例】
【００５０】
［１００］方向に成長した単結晶シリコンのロッドから（１００）面を切り出し面として、縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、厚さ３ｍｍのシリコン平板を切り出し、シリコン平板の一方側に、作製しようとする研磨パッドに設けるマイクロパターンαの正四角錐状微細突起の底面の形状と分布にそれぞれ合わせて形成された複数の正方形状の孔を有するレジストマスクをＰＬＰ−３０（市販品：ＡＺエレクトロニクスマテリアルズ社製）を用いて形成する。ここで、孔の１辺の長さは７μｍ、孔と孔の間隔は５μｍとした。次いで、シリコン平板をエッチング液（２．３８ｗｔ％の水酸化テトラメチルアンモニウム水溶液）に所定時間浸漬してエッチングを行い、深さ４．９４μｍ、斜面角度が５５度の正四角錐状微細窪みを形成した。そして、シリコン平板をエッチング液から取り出し洗浄した後、レジストマスクをアセトンで溶解除去することにより、正四角錐状微細窪みの開口の１辺の長さが７μｍ、隣り合う正四角錐状微細窪みの開口の間隔が５μｍとして並んだマイクロパターンβ（マイクロパターンαと凹凸関係が反転したもの）が形成された親型を得た。
【００５１】
次いで、１５０〜２５０℃に加熱して可塑性状態としたポリプロピレン樹脂板を成形台に上に載置し、親型を上方から押し当て、ポリプロピレン樹脂板の上面側にマイクロパターンβを転写することによりマイクロパターンγを形成して、縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、厚さ３ｍｍのポジ子型を作製した。
そして、ポジ子型のマイクロパターンγが形成された表層上にニッケルからなる電極層を蒸着により形成した後、電気めっきにより厚さ１ｍｍのニッケルからなるめっき金属部を形成することにより、縦２００ｍｍ、横２００ｍｍ、厚さ１ｍｍのサイズでマイクロパターンδが形成されたネガ子型を作製した。
続いて、作製したネガ子型を、マイクロパターンδが形成された表層を上にして、ネガ子型の側部同士を当接させながらステンレス鋼製の上型本体の下面上に並べて固定して、縦１０００ｍｍ、横１０００ｍｍのパターン成形部を有する上型を作製した。そして、上型と対となるサイズでステンレス鋼製の下型を作製することにより、研磨パッド成形金型を得た。
【００５２】
４００℃に加熱して軟化状態となったポリエーテルエーテルケトン板（縦１０００ｍｍ、横１０００、厚さ４ｍｍ）を研磨パッド成形金型の下型上に載置し、上下方向から下降させた上型で挟んで加圧し、ポリエーテルエーテルケトン板の上面側にマイクロパターンδを転写することにより、正四角錐状微細突起から構成されるマイクロパターンαが形成された縦１０００ｍｍ、横１０００ｍｍ、厚さ３ｍｍの研磨パッドを成形した。
得られた研磨パッドに形成されたマイクロパターンαの正四角錐状微細突起の形状を測定したところ、正四角錐状微細突起の高さは、目標４．９４μｍに対して４．８〜５．１μｍ、正四角錐状微細突起の底辺の１辺の長さは、目標７μｍに対して６．８〜７．２μｍ、正四角錐状微細突起の間隔は、目標５μｍに対して４．８〜５．２μｍであった。
【００５３】
得られた研磨パッドを用いて小型研磨機でＳｉＯ２付のシリコンウエハ（直径２０ｍｍ）の研磨を行った。研磨は、シリコンウエハの上面に研磨パッドのマイクロパターンαが形成された面を３４．５ｋＰａの圧力で自転自在に接触させ、シリコンウエハを、回転速度６０ｒｐｍで回転させながら、ｐＨ１１に調整した水酸化カリウム水溶液にシリカ微粒子（研磨材）を１２．５ｍａｓｓ％分散させたスラリーを１００ミリリットル／分で供給しながら行った。このときの研磨レートは６０ｎｍ／ｍｉｎであった。
【００５４】
また、市販の研磨パッドを使用して、同一サイズのシリコンウエハの研磨を同一の研磨条件で行ったところ、研磨レートは５０ｎｍ／ｍｉｎであり、本発明の研磨パッドとほぼ同等の性能であった。
【００５５】
以上、本発明を、実施の形態を参照して説明してきたが、本発明は何ら上記した実施の形態に記載した構成に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載されている事項の範囲内で考えられるその他の実施の形態や変形例も含むものである。
更に、本実施の形態とその他の実施の形態や変形例にそれぞれ含まれる構成要素を組合わせたものも、本発明に含まれる。
例えば、単結晶の基板として［１００］方向に成長した単結晶シリコンのロッドから切り出した平板を用いたが、例えば、単結晶石英のブロックから切り出した平板、サファイヤのブロックから切り出した平板を使用することもできる。
【符号の説明】
【００５６】
１０：研磨パッド成形金型、１１：半導体基板、１２：正四角錐状微細突起、１３：研磨パッド、１４：上型、１５：下型、１６：パターン成形部、１７：上型本体、１８：ネガ子型、１９：正四角錐状微細窪み、２０：開口、２１：シリコン平板、２２：孔、２３：レジストマスク、２４：正四角錐状微細窪み、２５：開口、２６：親型、２７：ポジ子型、２９：正四角錐状微細突起、３０：電極層、３１：めっき金属部、３２：研磨パッド成形金型、３３：正四角錐状微細突起、３４：帯状研磨パッド、３４ａ：研磨パッド、３５：帯板、３６：上ロール、３７：下ロール、３８：パターン成形部、３９：ロール本体、４０：ネガ子型、４１：正四角錐状微細窪み、４２：開口、４３：シリコン平板、４４：孔、４５：レジストマスク、４６：正四角錐状微細窪み、４７：開口、４８：親型、４９：ポジ子型、５１：正四角錐状微細突起、５２：電極層、５３：めっき金属部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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