(57)【要約】【課題】ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの駆動方式の液晶パネルにおいて、低い電圧で駆動できるとともに高い透過率を得ること。【解決手段】対向配置された第１基板１４及び第２基板２７と、前記第１基板及び第２基板の間に挟持された液晶層ＬＣとを備えた液晶パネル１０であって、前記第１基板は、互いに絶縁された状態でマトリクス状に形成された複数の信号線１８及び走査線１５と、前記走査線及び信号線によって区画されたサブ画素毎に形成された複数のスリット状開口２５と断面曲面形状の突起状電極が交互に形成された上電極２４と、前記上電極と絶縁層２３を介して形成された下電極を備え、前記第２基板は、平面視で前記信号線及び走査線と重畳する遮光層２８と、前記サブ画素毎に形成されたカラーフィルタ層２９を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び第２基板の間に挟持された液晶層とを備えた液晶パネルであって、
前記第１基板は、マトリクス状に形成された複数の信号線及び走査線と、前記走査線及び信号線によって区画されたサブ画素毎に形成された複数のスリット状開口と断面曲面形状の突起状電極が交互に形成された上電極と、前記上電極と絶縁層を介して形成された下電極を備え、
前記第２基板は、平面視で前記信号線及び走査線と重畳する遮光層と、前記サブ画素毎に形成されたカラーフィルタ層を備えたことを特徴とする液晶パネル。
【請求項２】
前記上電極と下電極は平面視で互いに重なっていることを特徴とする請求項１に記載された液晶パネル。
【請求項３】
前記突起状電極は、半円形状、半楕円形状、または台形状であることを特徴とする請求項１または２に記載された液晶パネル。
【請求項４】
前記突起状電極は、有機物質で形成されていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載された液晶パネル。
【請求項５】
前記液晶層は、誘電率異方性が負の少なくとも１つの化合物と誘電率異方性が正の少なくとも１つの化合物が混合されていることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載された液晶パネル。
【請求項６】
前記負の化合物は、式（ａ）で表される構造を有し、誘電率異方性が−１０以上−２以下であり、かつ前記正の化合物は、誘電率異方性が２以上３０以下であることを特徴とする請求項５に記載された液晶パネル。
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【請求項７】
前記正の化合物は、さらに式（ｂ）で表される構造を有する化合物が混合されていることを特徴とする請求項６に記載された液晶パネル。
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【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶パネルに関し、特に、ＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードの駆動方式に好適な液晶パネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶パネルはＣＲＴ（陰極線管）と比較して軽量、薄型、低消費電力という特徴があるため、表示用として多くの電子機器に使用されている。  
液晶パネルは、所定方向に整列した液晶分子の向きを電界により変えて、液晶層の光の透過量を変化させて画像を表示させるものである。
【０００３】
これには外光が液晶層に入射し、反射板で反射されて再び液晶層を透過して出射される反射型のものと、バックライト装置からの入射光が液晶層を透過する透過型のものと、その両方の性質を備えた半透過型のものとがある。  
また、液晶パネルの液晶層に電界を印加する方法として、縦電界方式のものと横電界方式のものとがある。
【０００４】
縦電界方式の液晶パネルは、液晶層を挟んで配置される一対の電極により、概ね縦方向の電界を液晶分子に印加するものである。縦電界方式の液晶パネルとしては、ＴＮ（Twisted Nematic）モード、ＶＡ（Vertical Alignment）モード、ＭＶＡ（Multi-domain Vertical Alignment）モード等のものが知られている。
【０００５】
横電界方式の液晶パネルは、液晶層を挟んで配置される一対の基板のうちの一方の基板内面側に一対の電極が互いに絶縁して設けられており、概ね横方向の電界を液晶分子に印加するものである。横電界方式の液晶パネルとしては、一対の電極が平面視で重ならないＩＰＳ（In-Plane Switching）モードのものと、一対の電極が平面視で重なるＦＦＳ（Fringe Field Switching）モードのものとが知られている。  
横電界方式の液晶パネルは広い視野角を得ることができるので、近年多く用いられるようになってきている。
【０００６】
従来、ＦＦＳモードで駆動される上下の基板を備えた液晶表示装置では、一方の基板に設けられた一対の電極である画素電極とカウンタ電極に０Ｖに相当するオフ電圧が、ある画素に印加されても他の画素をオンとするため、データバスラインには連続的に特定信号が印加される。
【０００７】
したがって、データバスラインと画素電極との間、あるいはデータバスラインとカウンタ電極との間にノイズフィールド（Noise Field）が形成され、これにより、液晶分子が偏光軸から離隔し、この部分で光が漏洩する。
【０００８】
この漏洩された光を遮断するために、他方の基板に広い領域のブラックマトリクスのパターニングが行なわれているが、パターニングを行う必要があり、また、液晶パネルにおける開口率の減少を誘発することとなり、輝度の低下となる問題があった。
【０００９】
このような問題を解決するために、下記特許文献１には、ノーマリーブラック(Normally Black)モードであるＩＰＳやＦＦＳモードで駆動される液晶表示装置において、誘電率異方性（Δε）が正の液晶のラビング方向をノイズフィールドの方向と一致するようにし、その結果、液晶分子の長軸がノイズフィールドの方向と正確に一致させることにより、ノイズフィールドが作用しても、液晶分子は偏光板の偏光軸から離隔せず、常にダーク（Dark）状態を維持するようにしたことが開示されている。
【００１０】
また、下記特許文献２には、ＦＦＳモード等の半透過型液晶表示装置において、電圧無印加時、反射表示部及び透過表示部をツイスト配向及びホモジニアス配向とすることにより、高コントラストで色付きの少ない黒表示を確保するようにしたことが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００２−２２１７２６号公報
【特許文献２】特開２０１２−１１３３３２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
しかしながら、上記特許文献１の液晶表示装置の画素電極（上電極）は平板状であり、駆動電圧が高くなるという問題がある。  
これをＦＦＳモードの上、下の電極間の電気力線の概念図を示した図７に基づいて説明すると、上電極の側面の高さが低く、上電極の上面と側面との角部の存在により上電極の上面から下電極に伸びる電気力線が不均一になるため、均一な電気力線を得るために、高めの駆動電圧を印加しなければならず、また暗線の発生もあり、透過率の向上の妨げとなっていた。
【００１３】
また、上記特許文献２の半透過型液晶表示装置は、色付きの少ない黒表示を確保することができるものの、反射表示部分についての最適化がなされているだけで、また、上記特許文献１と同様に、画素電極（上電極）は平板状であり、駆動電圧が高くなるという問題に加え、透過率の改善がなされない問題もあった。
【００１４】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、ＦＦＳモードの駆動方式の液晶パネルにおいて、低い電圧で駆動できるとともに高い透過率を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
項１．  本発明に係る液晶パネルは、対向配置された第１基板及び第２基板と、前記第１基板及び第２基板の間に挟持された液晶層とを備えた液晶パネルであって、前記第１基板は、マトリクス状に形成された複数の信号線及び走査線と、前記走査線及び信号線によって区画されたサブ画素毎に形成された複数のスリット状開口と断面曲面形状の突起状電極が交互に形成された上電極と、前記上電極と絶縁層を介して形成された下電極を備え、前記第２基板は、平面視で前記信号線及び走査線と重畳する遮光層と、前記サブ画素毎に形成されたカラーフィルタ層を備えたことを特徴とする。
【００１６】
項２．  本発明に係る液晶パネルは、項１において前記上電極と下電極は平面視で互いに重なっていることを特徴とする。
【００１７】
項３．  本発明に係る液晶パネルは、項１または２において前記突起状電極は、半円形状、楕円形状、または台形状であることを特徴とする。
【００１８】
項４．  本発明に係る液晶パネルは、項１から３のいずれか１項において前記突起状電極は、有機物質で形成されていることを特徴とする。
【００１９】
項５．  本発明に係る液晶パネルは、項１から４のいずれか１項において前記液晶層は、誘電率異方性が負の少なくとも１つの化合物と誘電率異方性が正の少なくとも１つの化合物が混合されていることを特徴とする。
【００２０】
項６．  本発明に係る液晶パネルは、項５において前記負の化合物は、式（ａ）で表される構造を有し、誘電率異方性が−１０以上−２以下であり、かつ前記正の化合物は、誘電率異方性が２以上３０以下であることを特徴とする。
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【００２１】
項７．  本発明に係る液晶パネルは、項６において前記正の化合物は、さらに式（ｂ）で表される構造を有する化合物が混合されていることを特徴とする。
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【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、ＦＦＳモードの駆動方式の液晶パネルにおいて、低電圧で駆動できるとともに高い透過率を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の実施形態に係る突起状電極の断面形状が半円形状の場合の電気力線の概念図。
【図２】本発明の実施形態に係る液晶パネルの平面図。
【図３】本発明の実施形態に係る図２の液晶パネルのＡ−Ａ断面図。
【図４】本発明の実施形態に係る図２の液晶パネルのＢ−Ｂ断面図。
【図５】本発明の実施形態の変形例に係る図２の液晶パネルのＢ−Ｂ断面図。
【図６】本発明に係る誘電率異方性(Δε)が負の化合物および誘電率異方性(Δε)が正の化合物が混合された液晶層の分子配置の概念図。
【図７】従来の上電極の断面形状が長方形（平板状）の場合の電気力線の概念図。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、本発明の液晶パネルに係る実施形態について、図面を参照して説明する。  
[液晶パネルの構成]
図２は、本発明の実施形態に係る液晶パネルの平面図、図３は図２の液晶パネルのＡ−Ａ断面図、図４は同じくＢ−Ｂ断面図を示す。
【００２５】
本実施形態の液晶パネル１０は横電界方式のＦＦＳモードで駆動される。  
液晶パネル１０の要部について、図２〜図４を用いて説明する。  
液晶パネル１０は液晶層ＬＣがアレイ基板ＡＲとカラーフィルタ基板ＣＦで挟持された構成となっている。
【００２６】
アレイ基板ＡＲは透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からなり、第１透明基板１４を基体としている。  
第１透明基板１４上には、液晶ＬＣに面する側に、アルミニウムやモリブデン等の金属からなる走査線１５が形成されている。
【００２７】
また、走査線１５とゲート電極Ｇを覆うようにして窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なゲート絶縁膜１６が積層されている。そして、平面視でゲート電極Ｇと重なるゲート絶縁膜１６上には非晶質シリコンや多結晶シリコンなどからなる半導体層１７が形成されている。ゲート絶縁膜１６上にはアルミニウムやモリブデン等の金属からなる複数の信号線１８が形成されている。
【００２８】
さらに、信号線１８及びソース電極Ｓと同一の材料で同時に形成されたドレイン電極Ｄがゲート絶縁膜１６上に設けられており、ドレイン電極Ｄはソース電極Ｓと近接配置されて半導体層１７と部分的に接触している。
【００２９】
ゲート電極Ｇ、ゲート絶縁膜１６、半導体層１７、ソース電極Ｓ、ドレイン電極Ｄによってスイッチング素子となる薄膜トランジスターＴＦＴが構成されている。  
また、信号線１８、ＴＦＴ及びゲート絶縁膜１６の露出部分を覆うようにして例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明なパッシベーション膜１９が積層されている。
【００３０】
そして、パッシベーション膜１９を覆うようにして、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料からなる平坦化樹脂層２０が積層されている。  
平坦化樹脂層２０を覆うようにしてＩＴＯ（Indium Thin Oxide）またはＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）等の透明導電性材料からなる下電極２１が形成されている。
【００３１】
また、平坦化樹脂層２０とパッシベーション膜１９を貫通してドレイン電極Ｄに達するコンタクトホール２２が形成されており、このコンタクトホール２２を介して下電極２１とドレイン電極Ｄとが電気的に接続されている。そのため、ここでは下電極２１は画素電極として作動する。  
下電極２１を覆うようにして例えば窒化ケイ素や酸化ケイ素等からなる透明な電極間絶縁膜２３が積層されている。
【００３２】
そして、電極間絶縁膜２３を覆うようにしてＩＴＯないしＩＺＯ等の透明導電性材料からなる上電極２４が形成されている。  
走査線１５及び信号線１８によって区画された各サブ画素上には、上電極２４は一体に形成されて、共通電極として作動する。
【００３３】
図２〜図４に示すように、上電極２４には複数のスリット状開口２５が形成されている。スリット状開口２５は長円形状であり、その長手方向は走査線１５の延在方向に対して右下がりに例えば５度傾斜している。
【００３４】
上電極２４を覆ってポリイミドからなる配向膜２６が積層されている。  
配向膜２６には信号線１８の延在方向と平行に液晶方向配向処理（ラビング処理）が施されていて、スリット状開口２５に対応する位置の下電極２１と上電極２４間の電界によって液晶層ＬＣの液晶分子の配向が変化する。
【００３５】
カラーフィルタ基板ＣＦは透明な絶縁性を有するガラスや石英、プラスチック等からなる第２透明基板２７を基体としている。  
第２透明基板２７には、図３、図４に示すように遮光層２８と、サブ画素毎に異なる色の光（例えば、Ｒ、Ｇ、Ｂ）を透過するカラーフィルタ層２９が形成されている。
【００３６】
遮光層２８とカラーフィルタ層２９を覆うようにして、例えばフォトレジスト等の透明樹脂材料からなるオーバーコート層３０が積層されている。  
オーバーコート層３０は異なる色のカラーフィルタ層２９による段差を平坦にするとともに、遮光層２８やカラーフィルタ層２９から流出する不純物が液晶層ＬＣに入らないように遮断するために設けられているものである。
【００３７】
オーバーコート層３０を覆うようにして例えばポリイミドからなる配向膜３１が形成されていて、配向膜３１には配向膜２６と逆方向の液晶方向配向処理が施されている。  
このようにして形成されたアレイ基板ＡＲ及びカラーフィルタ基板ＣＦを互いに対向させ、両基板の周囲にシール材（不図示）を設けて両基板を貼り合せ、両基板間に液晶を充填する。
【００３８】
なお、液晶層ＬＣを所定の厚みに保持するためのスペーサ（不図示）がカラーフィルタ基板ＣＦに形成されている。  
アレイ基板ＡＲの外側には第１偏光板１１が、またカラーフィルタ基板ＣＦの外側には第２偏光板１２がそれぞれ設けられている。
【００３９】
上述した構成において、ＴＦＴがＯＮ状態になって下電極２１と上電極２４間に電圧が印加されると、両電極２１、２４間に電界が発生して液晶層ＬＣの液晶分子の配向が変化する。
【００４０】
これにより、液晶層ＬＣの光透過率が変化して画像を表示することができる。そして、下電極２１と上電極２４と電極間絶縁膜２３により補助容量が形成され、ＴＦＴがＯＦＦになったときに両電極２１、２４間の電界を所定時間保持される。
【００４１】
図１には下電極２１、断面円形状の上電極２４及びこれら両電極間に設けられた電極間絶縁膜２３が示されている。  
ここで、下電極２１と上電極２４間に電圧が印加された時、図１のＦＦＳモードの液晶パネルの電極間の電気力線の概念図に示すように、従来の図７とは異なり、本発明の上電極には断面半円形状の突起状電極が形成されているので、電極界面近傍に横（斜め）電界が発生しやすく、均一な電気力線を得ることができ、さらに暗線の発生を抑制して、透過率の向上が図れる。
【００４２】
なお、図５は本実施形態の変形例に係る図２の液晶パネルのＢ−Ｂ断面図であって、上電極の断面曲面形状を台形状とした以外は本実施形態と同様である。
【００４３】
［液晶材料］
本実施形態に用いられる液晶材料としては、従来公知の様々な液晶化合物が適用されるが、特に、誘電率異方性が負の少なくとも１つの化合物と誘電率異方性が正の少なくとも１つ化合物が混合されたものを適用すると、光学的に均一な自己補償が可能となり、白表示時の色差を小さくするとともに、さらに高い透過率を確保できる点で好適である。誘電率異方性が負及び正の液晶化合物は、それぞれ少なくとも１つの化合物からなり、好ましくは少なくとも２つの化合物の混合である。
【００４４】
すなわち、図６に示すように、電圧が無印加のとき液晶成分は、電極に概平行で配置されているが、電圧が印加されると電極に対して誘電率異方性(Δε)が正の化合物（黒色で示す。）はほぼ垂直の方向に、誘電率異方性(Δε)が負の化合物（白抜きで示す。）はほぼ平行の方向に変化する。
【００４５】
このとき、誘電率異方性(Δε)が負の化合物と誘電率異方性(Δε)が正の化合物とがほぼ垂直になり、電極の屈折領域を境にして空間的に分かれることがなく、どの部分においても誘電率異方性(Δε)が負の化合物と誘電率異方性(Δε)が正の化合物とが混合され、全体に均一な光学補償が行われるのである。
【００４６】
本実施形態では、液晶材料として誘電率異方性が負の少なくとも１つの化合物と誘電率異方性が正の少なくとも１つの化合物を用いた形態について説明する。
【００４７】
誘電率異方性が負の液晶化合物の一般例は以下の（１）〜（５）に示す化合物があげられ、それぞれの誘電率異方性は−１０以上−２以下で、好ましくは−７以上−３以下である。
【００４８】
誘電率異方性が負の液晶化合物の混合割合は、自己光学補償は発揮させるために５％重量以上が好ましく、駆動電圧の上昇を抑えるために６０重量％以下が好ましく、より好ましくは、１０重量％以上、５０重量％以下である。
【００４９】
ＦＦＳモードの液晶パネルでは、誘電率異方性(Δε)が負の化合物と誘電率異方性(Δε)が正の化合物とが混合され光学的に均一な自己補償を可能とする液晶層に使用する場合は、Δεの絶対値が適度に大きいほうが好ましい。
【化１】
2014215348.tif 000005
ここで、Ｒは炭素数２から７のアルキル基または炭素数２から７のアルケニル基である。
【００５０】
また、下記（６）〜（１３）に示す化合物が好適である。
【化２】
2014215348.tif 000006
【００５１】
次に、誘電率異方性が正の液晶化合物の一般例は以下の（１４）〜（２１）の化合物があげられ、それぞれの誘電率異方性は、２以上３０以下である。また、これらの誘電率異方性は、２〜１５の中程度、及び１５を超えて３０以下の高位の程度と区分することができる。
【００５２】
さらに、誘電率異方性が１５を超えて３０以下の高位の程度のものに、式（ｂ）で表される構造を有する化合物を適宜混合してもよい。この混合により、屈折率異方性Δｎの上昇を抑えながらΔεを大きくすることができ、Ｖ９０の上昇を抑えることができる。
2014215348.tif 000007
【００５３】
ＦＦＳモードの液晶パネルでは、誘電率異方性(Δε)が負の化合物と誘電率異方性(Δε)が正の化合物とが混合された光学的に均一な自己補償を可能とする液晶層に使用する場合は、Δεの絶対値が適度に大きいほうが好ましい。
【００５４】
【化３】
2014215348.tif 000008
【化４】
2014215348.tif 000009
ここで、Ｒは炭素数２から７のアルキル基または炭素数２から７のアルケニル基である。
【００５５】
とりわけ、式（ｂ）で表される構造を有する化合物である２−テトラヒドロピラン−１，４−イル、３−テトラヒドロピラン−１．４−イル、３，５−ジオキサン−１，４−イルを有する化合物は中程度の屈折率異方性(Δｎ)を有しながら、誘電率異方性(Δε)が上記高位の程度（１５を超えて３０以下）であることから屈折率異方性(Δｎ)と誘電率異方性(Δε)の比を調整する能力が優れている。
2014215348.tif 000010
【００５６】
このような化合物の好ましい例をあげると以下の（２２）〜（２５）のような化合物がある。
【化５】
2014215348.tif 000011
ここで、Ｒは炭素数２から７のアルキル基または炭素数２から７のアルケニル基である。
【００５７】
具体的には以下の（２６）〜（２８）の化合物がある。
【化６】
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【実施例】
【００５８】
カラーフィルタ基板ＣＦは、ガラス基板上に黒色の顔料分散レジストを用い、ブラックマトリクスパターンを形成し、その後、レッド、グリーン、ブルーの順で、スピンコート法により顔料分散型レジストの塗布、プリベーク、露光、エッチング、ポストベークを繰返し行ない、さらに、スパッタリング法によりＩＴＯ膜を約１５００Å、ポジ型レジストで高さ約３．５μｍのフォトスペーサーを形成し、ポリイミド配向膜を約１０００Åの膜厚で形成して作成した。
【００５９】
アレイ基板ＡＲは、ガラス基板上に形成したＴＦＴ上に、通常の方法でパッシベーション膜、平坦化樹脂層、さらに下電極、絶縁膜、上電極を積層形成し、ポリイミド配向膜を約１０００Åの膜厚で形成して作成した。
【００６０】
上電極における突起状電極は、例えば、ＩＴＯのエッチングにより作成できるが、有機材料で突起を作成し、ＩＴＯや金属酸化物をコーティングして作成してもよい。  
カラーフィルタ基板ＣＦとアレイ基板ＡＲの間に液晶Ａ〜Ｄを注入し、液晶セルＡ〜Ｄを作製した。
【００６１】
液晶Ａ〜Ｄは、誘電率異方性が負の化合物については、前記化合物（１）〜（１３）の中から少なくとも１つの化合物を適宜選択できるが、具体的な化合物は表１に示したとおりである。また誘電率異方性が正の化合物については、前記化合物（１４）〜（２５）の中から少なくとも１つの化合物を適宜選択できるが、具体的には、ＪＮＣ社のＪＣ−５１４９ＸＸ（ＮＩ：９１．６℃、Δｎ：０.１０５、Δε：１４．０）を用いた。
【００６２】
なお、液晶Ｂ、Ｃについては、式（ｂ）で表される構造を有する化合物として化合物（２６）を混合し、さらに液晶Ｃにはその他の化合物として化合物（２８）を混合し表１に示すような割合で調製した。
2014215348.tif 000013
【００６３】
表１に、液晶Ａ〜Ｄの化合物及び組成（％は、重量％を示す。）と液晶セルＡ〜Ｄの特性を示す。式（ｂ）で表される構造を、環（ｂ）と略した。
【表１】
2014215348.tif 000014
【００６４】
液晶セルＡ〜Ｄの特性値の測定は次の方法にしたがった。  
光学異方性（Δｎ；２５℃で測定）：波長が５８９ｎｍの光によりアッベ屈折計を用いて測定した。
【００６５】
誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が９μｍ、ツイスト角が８０度のＴＮ素子に試料を入れ、このセルに１０ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε//）を測定し、０．５ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε//−ε⊥の式から計算した。  
光透過率の最大値（Ｔｍａｘ  ；２５℃で測定）：駆動電圧をしきい値から上昇させて、透過率−駆動電圧曲線がほぼ一定となる透過率をＴｍａｘとして測定した。
【００６６】
次に、偏光板と、ノルボルネン系フィルムを延伸処理して得た位相差板（Δｎ・ｄ＝（ｎｘ−ｎｙ）・ｄ＝５０ｎｍ、Ｒｔｈ＝（ｎｘ−ｎｚ）、 ｄ＝１２０ｎｍ）を、偏光板の吸収軸と位相差板の遅相軸（ｎｘ方向）が互いに直交するようにアクリル系粘着剤を介して貼り合せ、複合光学フィルムを得た。  
位相差値は、王子計測機器（株）ＫＯＢＲＡ−２１ＡＤＨを用いて測定した。
【００６７】
次に、液晶セルＡ〜Ｄの両側に、偏光板吸収軸が互いに直交するように前述の複合光学フィルムを貼り合せ、液晶パネル１〜７を作製した。  
液晶パネル１、３の電極形状は半円形状、パネル５は台形状とし、パネル２、４、６、７は長方形（平板形状）とした。
【００６８】
なお、各パネルの白表示における色温度は、バックライトにより約１００００Ｋに調整した。  
各液晶パネルをＦＦＳモードで駆動し、液晶パネル１〜７の透過率が９０％のときの駆動電圧（Ｖ９０）および透過率をトプコン社製色彩輝度計ＢＭ−５Ａにて測定した。その結果を表２に示す。
【表２】
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【００６９】
表２によれば、同じ種類の液晶を使用した場合、電極の断面形状が半円形、あるいは台形状の曲面であるパネル１、３、５は、長方形状のものと比べてＶ９０、透過率ともに改善されていることがわかる。特にパネル３、５については環（ｂ）で表される構造を有する化合物が混合されているのでＶ９０の値が格段に低くすることができたことがわかる。
2014215348.tif 000016
また、パネル１、３、５については白表示時の色差が小さくなった点は実験で確認されている。
【００７０】
以上、本実施例によればＦＦＳモードの液晶パネルにおいて、上電極の断面形状を半円形、あるいは台形状とすることにより低電圧で駆動できるとともに高い透過率を得ることができた。
【符号の説明】
【００７１】
１０…液晶パネル、１１…第１偏光板、１２…第２偏光板、１３…バックライト装置、１４…第１透明基板、１５…走査線、１６…ゲート絶縁膜、１７…半導体層、１８…信号線、１９…パッシベーション膜、２０…平坦化樹脂層、２１…下電極、２２…コンタクトホール、２３…電極間絶縁膜（絶縁層）、２４…上電極（突起状電極）、２５…スリット状開口、２６…配向膜、２７…第２透明基板、２８…遮光層、２９…カラーフィルタ層、３０…オーバーコート層、３１…配向膜、ＬＣ…液晶層、ＡＲ…アレイ基板（第１基板）、ＣＦ…カラーフィルタ基板（第２基板）、Ｓ…ソース電極、Ｇ…ゲート電極、Ｄ…ドレイン電極。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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