(57)【要約】      （修正有）【課題】基板に供給される処理ガスの濃度が基板戴置台に戴置された基板表面で均一になる技術の提案。【解決手段】基板を処理する処理室と、複数の基板を同心円状に載置する載置面を有し、載置面が処理室の天井と対向する基板載置台２１７と、基板載置台を載置面と平行な方向に回転させる回転機構と、処理室内に設けられ、基板載置台が回転する方向の上流であって、基板載置台の上方に設けられたガス供給部２５５と、処理室内に設けられ、基板載置台が回転する方向の下流であって、基板載置台の上方に設けられたガス排気部２５９と、ガス供給部、ガス排気部、回転機構を制御して、ガス供給部及びガス排気部により処理室内に形成された所定の領域に基板を通過させる際、ガス供給部から反応ガスを供給し、ガス排気部から反応ガスを排気し、基板を処理するように制御する制御部と、を有する。【選択図】図４
2014195043.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
複数の基板を同心円状に載置する載置面を有し、該載置面が前記処理室の天井と対向する基板載置台と、
前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転機構と、
前記処理室内に設けられ、前記基板載置台が回転する方向の上流であって、前記基板載置台の上方に設けられたガス供給部と、
前記処理室内に設けられ、前記基板載置台が回転する方向の下流であって、前記基板載置台の上方に設けられたガス排気部と、
前記ガス供給部、前記ガス排気部、前記回転機構を制御して、前記ガス供給部及び前記ガス排気部により前記処理室内に形成された所定の領域に前記基板を通過させる際、前記ガス供給部から反応ガスを供給し、前記ガス排気部から反応ガスを排気し、前記基板を処理するように制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【請求項２】
前記所定の領域は、前記基板載置台の上方であって前記ガス供給部と前記ガス排気部の間にそれぞれ形成され、前記反応ガスを供給する処理領域と、非反応ガスを供給し、前記非反応ガス雰囲気にする非処理領域があり、前記処理領域が前記非処理領域よりも小さく形成される請求項１記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記処理領域を構成する前記ガス供給部と前記ガス排気部とのなす角は９０°より小さくし、前記非処理領域を構成する前記ガス排気部と前記ガス供給部とのなす角は９０°より大きくする請求項２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
複数の領域に分割された処理室に設けられた基板載置台に、複数の基板を同心円状に配置する工程と、
前記同心円状に配置した複数の基板を回転させる工程と、
前記基板載置台の回転方向と前記ガス供給部から前記ガス排気部への方向が同じ方向であって、前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス供給部から反応ガスを供給し、下流に設けられた前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス排気部から反応ガスを排気し、前記基板に反応ガスを供給して前記基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【請求項５】
複数の領域に分割された処理室に設けられた基板載置台に、複数の基板を同心円状に配置する工程と、
前記同心円状に配置した複数の基板を回転させる工程と、
前記基板載置台の回転方向と前記ガス供給部から前記ガス排気部への方向が同じ方向であって、前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス供給部からガスを供給し、下流に設けられた前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス排気部からガスを排気する工程と、
を有するガス給排方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板を処理する工程を有する半導体装置の製造方法、ガス給排方法に係る工
程を実施する基板処理装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばフラッシュメモリやＤＲＡＭ（Ｄｙｎａｍｉｃ  Ｒａｎｄｏｍ  Ａｃｃｅｓｓ  
Ｍｅｍｏｒｙ）等の半導体装置の製造工程の一工程として、基板に薄膜を形成する基板
処理工程が実施されることがある。係る工程を実施する基板処理装置として、基板載置台に載置された複数の基板に薄膜を形成する反応チャンバを備えた薄膜蒸着装置が知られている（例えば特許文献１参照）。
【０００３】
しかしながら、従来の構造では、複数の基板を載置した基板載置台の中央の上方に設けられた処理ガス供給部に近い部分と遠い部分との間で、基板に供給される処理ガスの量に差が生じることがあった。具体的には、処理ガス供給部に近い部分のガス濃度が高く、基板載置台の周縁に向かうほどガス濃度が低くなる。その結果、基板に生成される膜厚は、ガス供給部に近い部分は基板載置台の周縁に比べ膜厚が大きくなり、面内膜厚が不均一になるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２００８−５２４８４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明の目的は、基板に供給される処理ガスの濃度が、基板載置台に載置された基板の表面で均一になる技術を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一態様によれば、
基板を処理する処理室と、複数の基板を同心円状に載置する載置面を有し、該載置面が前記処理室の天井と対向する基板載置台と、前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転機構と、前記処理室内に設けられ、前記基板載置台が回転する方向の上流であって、前記基板載置台の上方に設けられたガス供給部と、前記処理室内に設けられ、前記基板載置台が回転する方向の下流であって、前記基板載置台の上方に設けられたガス排気部と、前記ガス供給部、前記ガス排気部、前記回転機構を制御して、前記ガス供給部及び前記ガス排気部により前記処理室内に形成された所定の領域に前記基板を通過させる際、前記ガス供給部から反応ガスを供給し、前記ガス排気部から反応ガスを排気し、前記基板を処理するように制御する制御部と、を有する基板処理装置が提供される。
【０００７】
本発明の他の一態様によれば、
複数の領域に分割された処理室に設けられた基板載置台に、複数の基板を同心円状に配置する工程と、前記同心円状に配置した複数の基板を回転させる工程と、前記基板載置台の回転方向と前記ガス供給部から前記ガス排気部への方向が同じであって、前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス供給部から反応ガスを供給し、下流に設けられた前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス排気部から反応ガスを排気し、前記基板に反応ガスを供給して前記基板を処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法が提供される。
【０００８】
本発明の更に他の一態様によれば、
複数の領域に分割された処理室に設けられた基板載置台に、複数の基板を同心円状に配置する工程と、前記同心円状に配置した複数の基板を回転させる工程と、前記基板載置台の回転方向と前記ガス供給部から前記ガス排気部への方向が同じであって、前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス供給部からガスを供給し、下流に設けられた前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス排気部からガスを排気する工程と、を有するガス給排方法が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
上記の構成によれば、基板に供給される処理ガスの濃度が不均一になることを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図２】本発明に係る基板処理装置の概略構成図である。
【図３】本発明に係る基板処理室の説明図である。
【図４】本発明に係る基板処理室の説明図である。
【図５】本発明に係る基板処理室の説明図である。
【図６】本発明に係る基板処理室の説明図である。
【図７】本発明に係る基板処理工程を説明するフローチャートである。
【図８】本発明に係る成膜工程を説明するフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
＜第１実施形態＞
（１）基板処理装置の構成
まずは、第１実施形態に係る基板処理装置の構成について、図１を参照しながら説明す
る。図１は、第１実施形態に係る多枚葉式の基板処理装置１０の概略構成図である。
【００１２】
図１および図２を用いて、第１実施形態に係る基板処理装置の概要を説明する。
【００１３】
なお、第１実施形態に係る基板処理装置においては、製品としての処理基板２００など
の基板を搬送するキャリヤとしては、ＦＯＵＰ（Ｆｒｏｎｔ
Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉ
ｅｄ Ｐｏｄ 。以下、ポッドという。）が使用されている。また、以下の説明において、
前後左右は図１を基準とする。すなわち、図１に示されているＸ１の方向を右、Ｘ２方向
を左、Ｙ１方向を前、Ｙ２方向を後ろとする。
【００１４】
図１および図２に示されているように、基板処理装置は真空状態などの大気圧未満の圧
力（負圧）に耐え得るロードロックチャンバ構造に構成された第一の搬送室１０３を備え
ている。第一の搬送室１０３の筐体１０１は平面視が五角形で上下両端が閉塞した箱形状
に形成されている。第一の搬送室１０３には負圧下で二枚の基板２００を同時に移載出来
る第一の基板移載機１１２が設置されている。ここで、第一の基板移載機１１２は、一枚
の基板２００を移載出来る物でも良い。第一の基板移載機１１２は、第一の基板移載機エ
レベータ１１５によって、第一の搬送室１０３の気密性を維持しつつ昇降できるように構
成されている。
【００１５】
筐体１０１の五枚の側壁のうち前側に位置する二枚の側壁には、搬入用の予備室と搬出
用の予備室とを併用可能な予備室１２２と予備室１２３がそれぞれゲートバルブ１２６，
ゲートバルブ１２７を介して連結されており、それぞれ負圧に耐え得る構造で構成されて
いる。さらに、予備室（ロードロック室）１２２，予備室（ロードロック室）１２３には
基板支持台１４０により２枚の基板２００を積み重ねるように置くことが可能である。
【００１６】
予備室１２２，予備室１２３には、基板の間に隔壁板（中間プレート）１４１が設置さ
れる。複数枚の処理済基板が予備室１２２または予備室１２３に入る場合、先に入った処
理済の冷却途中の基板が、次に入った処理済基板の熱影響で温度の下がり具合が遅くなる
ような熱干渉を、隔壁板を設けることで防止できる。
【００１７】
ここで、一般的な冷却効率を上げるための手法を説明する。予備室１２２および予備室
１２３、隔壁板１４１には冷却水やチラーなどを流す。このような構造とすることで、壁
面温度を低く抑え、どのスロットに入った処理済基板であっても冷却効率を上げることが
できる。負圧においては、基板と隔壁板の距離が離れすぎていると熱交換による冷却効率
が低下するため、冷却効率を向上させる手法として、基板支持台（ピン）に置いたあと、
基板支持台を上下させ、予備室壁面に近づけるための駆動機構を設ける場合もある。
【００１８】
予備室１２２および予備室１２３の前側には、略大気圧下で用いられる第二の搬送室１
２１がゲートバルブ１２８、ゲートバルブ１２９を介して連結されている。第二の搬送室
１２１には基板２００を移載する第二の基板移載機１２４が設置されている。第二の基板
移載機１２４は第二の搬送室１２１に設置された第二の基板移載機エレベータ１３１によ
って昇降されるように構成されているとともに、リニアアクチュエータ１３２によって左
右方向に往復移動されるように構成されている。
【００１９】
図１に示されているように、第二の搬送室１２１の左側にはノッチまたはオリフラ合わ
せ装置１０６を設置させることも出来る。また、図２に示されているように、第二の搬送
室１２１の上部にはクリーンエアを供給するクリーンユニット１１８が設置されている。
【００２０】
図１および図２に示されているように、第二の搬送室１２１の筐体１２５の前側には、
基板２００を第二の搬送室１２１に対して搬入搬出するための基板搬入搬出口１３４と、
ポッドオープナ１０８が設置されている。基板搬入搬出口１３４を挟んでポッドオープナ
１０８と反対側、すなわち筐体１２５の外側にはロードポート（ＩＯステージ）１０５が
設置されている。ポッドオープナ１０８は、ポッド１００のキャップ１００ａを開閉する
と共に基板搬入搬出口１３４を閉塞可能なクロージャ１４２と、クロージャ１４２を駆動
する駆動機構１３６とを備えており、ロードポート１０５に載置されたポッド１００のキ
ャップ１００ａを開閉することにより、ポッド１００に対する基板２００の出し入れを可
能にする。また、ポッド１００は図示しない工程内搬送装置（ＯＨＴなど）によって、ロ
ードポート１０５に対して、供給および排出されるようになっている。
【００２１】
図１に示されているように、第一の搬送室筐体１０１の五枚の側壁のうち後ろ側（背面
側）に位置する四枚の側壁には、基板に所望の処理を行う処理炉（プロセスチャンバ）２
０２が設けられている。具体的には、第一の処理炉２０２ａと、第二の処理炉２０２ｂ、
第三の処理炉２０２ｃ、第四の処理炉２０２ｄがゲートバルブ１５０、１５１、１５２、
１５３を介してそれぞれ隣接して連結されている。
【００２２】
以下、前記構成を有する基板処理装置を使用した処理工程を説明する。以下の制御は、
図１および図２に示されているように、コントローラ３００によって制御される。コント
ローラ３００は、前記構成において、装置全体を制御している。
【００２３】
基板２００は最大２５枚がポッド１００に収納された状態で、処理工程を実施する基板
処理装置へ工程内搬送装置によって搬送されて来る。図１および図２に示されているよう
に、搬送されて来たポッド１００はロードポート１０５の上に工程内搬送装置から受け渡
されて載置される。ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって取
り外され、ポッド１００の基板出し入れ口が開放される。
【００２４】
ポッド１００がポッドオープナ１０８により開放された後、第二の搬送室１２１に設置
された第二の基板移載機１２４は、ポッド１００から基板２００をピックアップする。更
に、第二の基板移載機１２４は、基板２００を予備室１２２に搬入し、基板２００を基板
支持台１４０に移載する。この移載作業中の間、予備室１２２の第一の搬送室１０３側の
ゲートバルブ１２６は閉じられており、第一の搬送室１０３内の負圧は維持されている。
ポッド１００に収納されていた基板２００を基板支持台１４０への移載が完了すると、ゲ
ートバルブ１２８が閉じられ、予備室１２２内が排気装置（図示せず）によって負圧に排
気される。
【００２５】
予備室１２２内が予め設定された圧力値となると、ゲートバルブ１２６が開かれ、予備
室１２２と第一の搬送室１０３とが連通される。続いて、第一の搬送室１０３の第一の基
板移載機１１２は基板支持台１４０から基板２００を第一の搬送室１０３に搬入する。ゲ
ートバルブ１２６が閉じられた後、ゲートバルブ１５１が開かれ、第一の搬送室１０３と
第二の処理炉２０２ｂとが連通される。ゲートバルブ１５１が閉じられた後、第二の処理
炉２０２内に処理ガスが供給され、基板２００に対して所望の処理が施される。
【００２６】
第二の処理炉２０２ｂで基板２００に対する処理が完了すると、ゲートバルブ１５１が
開かれ、基板２００は第一の基板移載機１１２によって第一の搬送室１０３に搬出される
。搬出後、ゲートバルブ１５１は閉じられる。
【００２７】
続いて、ゲートバルブ１２７が開かれ、第一の基板移載機１１２は第二の処理炉２０２
ｂから搬出した基板２００を予備室１２３の基板支持台１４０へ搬送し、処理済みの基板
２００は冷却される。
【００２８】
予備室１２３に処理済み基板２００を搬送し、予め設定された冷却時間が経過すると、
予備室１２３が不活性ガスにより略大気圧に戻される。予備室１２３内が略大気圧に戻さ
れると、ゲートバルブ１２９が開かれ、ロードポート１０５に載置された空のポッド１０
０のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって開かれる。
【００２９】
続いて、第二の搬送室１２１の第二の基板移載機１２４は基板支持台１４０から基板２
００を第二の搬送室１２１に搬出し、第二の搬送室１２１の基板搬入搬出口１３４を通し
てポッド１００に収納して行く。
【００３０】
ここで、ポッド１００のキャップ１００aは、最大２５枚の基板が戻されるまでずっと
空け続けていても良く、空きのポッド１００に収納せずに基板を搬出してきたポッドに戻
しても良い。
【００３１】
以上の動作が繰り返されることによって２５枚の処理済み基板２００がポッド１００へ
の収納が完了すると、ポッド１００のキャップ１００ａがポッドオープナ１０８によって
閉じられる。閉じられたポッド１００はロードポート１０５の上から次の工程へ工程内搬
送装置によって搬送されて行く。
【００３２】
以上の動作は第二の処理炉２０２ｂおよび予備室１２２、予備室１２３が使用される場
合を例にして説明したが、第一の処理炉２０２ａおよび第三の処理炉２０２ｃ、第四の処
理炉２０２ｄが使用される場合についても同様の動作が実施される。
【００３３】
また、ここでは４つの処理室で説明したが、それに限らず、対応する基板や形成する膜
の種類によって、処理室数を決定しても良い。
【００３４】
また、上述の基板処理装置では、予備室１２２を搬入用、予備室１２３を搬出用とした
が、予備室１２３を搬入用、予備室１２２を搬出用としても良いし、予備室１２２または
予備室１２３を搬入用と搬出用として併用しても良い。
【００３５】
予備室１２２または予備室１２３を搬入用と搬出用を専用とすることによって、クロス
コンタミネーションを低減することができ、併用とすることによって基板の搬送効率を向
上させることができる。
【００３６】
また、全ての処理炉で同じ処理を行っても良いし、各処理炉で別の処理を行っても良い
。例えば、第一の処理炉２０２ａと第二の処理炉２０２ｂで別の処理を行う場合、第一の
処理炉２０２ａで基板２００にある処理を行った後、続けて第二の処理炉２０２ｂで別の
処理を行わせてもよい。第一の処理炉２０２ａで基板２００にある処理を行った後、第二
の処理炉２０２ｂで別の処理を行わせる場合、予備室１２２または予備室１２３を経由す
るようにしてもよい。
【００３７】
また、処理炉は少なくとも、処理炉２０２ａ、処理炉２０２ｂのいずれか1箇所の連結
が成されていれば良く、処理炉２０２ｃと処理炉２０２ｄの２箇所など、処理炉２０２ａ
から２０２ｄの最大4箇所の範囲において可能な組合せであればいくつ連結しても良い。
【００３８】
また、装置で処理する基板の枚数は、一枚でも良く、複数枚でも良い。同様に予備室１
２２または１２３において、クーリングする基板についても一枚でも良く、複数枚でも良
い。処理済基板をクーリング出来る枚数は、予備室１２２および予備室１２３のスロット
に投入可能な最大５枚の範囲内であれば、どのような組合せでも良い。
【００３９】
また、予備室１２２内で処理済みの基板を搬入して冷却を行っている途中で予備室１２
２のゲートバルブを開閉し処理炉に基板を搬入し、基板の処理を行っても良い。同様に、
予備室１２３内で処理済みの基板を搬入して冷却を行っている途中で予備室１２３のゲー
トバルブを開閉し処理炉に基板を搬入し、基板の処理を行っても良い。
【００４０】
ここで、十分な冷却時間を経ずに略大気側のゲートバルブ１２８，ゲートバルブ１２９
を開くと、基板２００の輻射熱によって予備室１２２、予備室１２３または予備室の周り
に接続されている電気部品に損害を与える可能性がある。そのため、高温な基板をクーリ
ングする場合は、予備室１２２内に処理済みの大きな輻射熱を持つ基板を搬入して冷却を
行っている途中で、予備室１２３のゲートバルブを開閉し処理炉に基板を搬入し、基板の
処理を行うことが出来る。同様に、予備室１２３内に処理済みの基板を搬入して冷却を行
っている途中で、予備室１２２のゲートバルブを開閉し処理炉に基板を搬入し、基板の処
理を行うことも出来る。
【００４１】
（２）プロセスチャンバの構成
続いて、第１実施形態に係る処理炉としてのプロセスチャンバ２０２の構成について、
主に図３〜図６を用いて説明する。このプロセスチャンバ２０２は、例えば上述した第一
の処理炉２０２ｂである。図３は、第１実施形態に係る処理炉の横断面概略図である。図
４は、第１実施形態に係る処理炉の具体的構造を説明する説明図であり、第５図は図４に
おけるＡ−Ｂ縦断面図、第６図は図４におけるＡ−Ｃ縦断面図である。
【００４２】
（反応容器）
図３〜図６に示すように、処理炉としてのプロセスチャンバ２０２は、筒状の気密容器
である反応容器２０３を備えている。反応容器２０３内には、基板２００の処理空間２０
７である処理室が形成されている。反応容器２０３内の処理空間２０７の上側には、中心
部から放射状に延びる４枚の仕切板２０５が設けられている。分割部としての４枚の仕切
板２０５は、処理空間２０７を４つの領域、すなわち、第一の処理領域２０１ａ、第一の
パージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂに分割するよ
うに構成されている。言い換えれば、処理領域とパージ領域が隣接した状態で配置されて
いる。
【００４３】
第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二の
パージ領域２０４ｂは、後述するサセプタ（基板載置台）２１７の回転方向に沿って、こ
の順番に配列するように構成されている。
【００４４】
仕切り板２０５は、具体的には次のように配設されている。
仕切り板２０５ａは、第一の処理領域の上流であって、第一の処理領域２０１ａと第二の
パージ領域２０４ｂの間に設けられる。  仕切り板２０５ｂは、第一の処理領域の下流で
あって、第一の処理領域２０１ａと第一のパージ領域２０４ａの間に設けられる。仕切り
板２０５ｃは、第二の処理領域の上流であって、第一のパージ領域２０４ａと第二の処理
領域２０１ｂの間に設けられる。  仕切り板２０５ｄは、第二の処理領域の下流であって
、第二の処理領域２０１ｂと第二のパージ領域２０４ｂの間に設けられる。
【００４５】
後述するように、サセプタ２１７を回転させることで、サセプタ２１７上に載置された
基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２
０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動することとなる。また、後述するように、
第一の処理領域２０１ａ内には第一のガス（反応ガス）としての第一の処理ガスが供給さ
れ、第二の処理領域２０１ｂ内には第二のガスとしての第二の処理ガス（反応ガス）が供
給され、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内には不活性ガス（
非反応ガス）が供給されるように構成されている。そのため、サセプタ２１７を回転させ
ることで、基板２００上に、第一の処理ガス、不活性ガス、第二の処理ガス、不活性ガス
が、この順に供給されることとなる。サセプタ２１７及びガス供給系の構成については後
述する。
【００４６】
仕切板２０５の端部と反応容器２０３の側壁との間及び仕切板２０５の底部と基板載置台(サセプタ)２１７には、所定の幅の隙間が設けられており、この隙間をガスが通過できるように構成されている。この隙間を介し、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内から第一の処理領域２０１ａ内及び第二の処理領域２０１ｂ内に向けて不活性ガスを噴出させるようにする。このようにすることで、第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内への処理ガスの侵入を抑制することができ、処理ガスの混合による反応を防止することができる。
【００４７】
なお、第１実施形態では、各仕切板２０５の間の角度をそれぞれ９０度としたが、本発
明はこれに限定されるものではない。すなわち、基板２００への各種ガスの供給時間等を
考慮して、例えば第二の処理領域２０１ｂを形成する２枚の仕切板２０５の間の角度を大
きくしたりする等、適宜変更してもよい。尚、本実施の形態において、基板２００の回転方向に対して順方向となるよう反応ガスの流れを形成するため、処理領域(第一の処理領域２０１ａ及び第二の処理領域２０１ｂ)を形成する２枚の仕切板２０５の間の角度を９０°より小さくするのが好ましい。更に、非処理領域(第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ)に不活性ガスを供給するのが好ましい。このように構成すると、第一の処理ガスと第二の処理ガスを分離するだけでなく、基板２００の回転方向に対して順方向となるよう反応ガス(第一の処理ガスと第二の処理ガス)の流れを形成しやすくなる。更に、非処理領域(第一のパージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ)を形成する構成する２枚の仕切板２０５の間の角度を９０°より大きくすると尚好ましい。
【００４８】
また、各処理領域を仕切板２０５で仕切ったが、それに限るものではなく、処理領域２
０１ａと２０１ｂそれぞれに供給されるガスを混合させないようにできる構成であればよ
い。
【００４９】
（サセプタ）
図３〜図６に示すように、仕切板２０５の下側であって反応容器２０３内の底側中央に
は、反応容器２０３の中心に回転軸の中心を有し、回転自在に構成された基板載置台とし
てのサセプタ２１７が設けられている。サセプタ２１７は、基板２００の金属汚染を低減
することができるように、例えば、カーボン（Ｃ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）、セラ
ミックス、石英等の非金属材料で形成されている。金属汚染を考慮しない基板処理である
場合は、アルミニウム（Ａｌ）で形成しても良い。なお、サセプタ２１７は、反応容器２
０３と電気的に絶縁されている。
【００５０】
サセプタ２１７は、反応容器２０３内にて、複数枚（第１実施形態では例えば５枚）の
基板２００を同一面上に、かつ同一円周上に並べて支持するように構成されている。ここ
で、同一面上とは、完全な同一面に限られるものではなく、サセプタ２１７を上面から見
たときに、図３及び図４に示すように、複数枚の基板２００が互いに重ならないように並
べられていればよい。このように、サセプタ２１７は、複数の基板２００を同心円状に載
置する載置面を有し、該載置面が反応容器２０３の天井と対向するように構成されている。
【００５１】
なお、サセプタ２１７表面における基板２００の支持位置には、基板載置部２１７ｂが、処理する基板２００の枚数に対応して設けられている。基板載置部２１７ｂは、例えば
上面から見て円形状であり、側面から見て凹形状としてもよい。この場合、基板載置部の
直径は基板２００の直径よりもわずかに大きくなるように構成することが好ましい。この
基板載置部２１７ｂ内に基板２００を載置することにより、基板２００の位置決めを容易
に行うことができる。更には、サセプタ２１７の回転に伴う遠心力により基板２００がサ
セプタ２１７から飛び出してしまう場合等で発生する位置ズレを防止できるようになる。
【００５２】
サセプタ２１７には、サセプタ２１７を昇降させる昇降機構２６８が設けられている。
サセプタ２１７には、図示しない貫通孔が複数設けられている。上述の反応容器２０３の
底面には、反応容器２０３内への基板２００の搬入・搬出時に、基板２００を突き上げて
、基板２００の裏面を支持する基板突き上げピンが複数設けられている。貫通孔及び基板
突き上げピンは、基板突き上げピンが上昇した時、又は昇降機構２６８によりサセプタ２
１７が下降した時に、基板突き上げピンがサセプタ２１７とは非接触な状態で貫通孔を突
き抜けるように、互いに配置されている。
【００５３】
昇降機構２６８には、サセプタ２１７を回転させる回転機構２６７が設けられている。
回転機構２６７の図示しない回転軸は、サセプタ２１７に接続されている。回転機構２６
７を作動させることで、サセプタ２１７は、サセプタ２１７の載置面と平行な方向に回転
するように構成されている。回転機構２６７には、後述する制御部３００が、カップリン
グ部２６７ａを介して接続されている。カップリング部２６７ａは、回転側と固定側との
間を金属ブラシ等により電気的に接続するスリップリング機構として構成されている。こ
れにより、サセプタ２１７の回転が妨げられないようになっている。制御部３００は、サ
セプタ２１７を所定の速度で所定時間回転させるように、回転機構２６７への通電具合を
制御するように構成されている。上述したように、サセプタ２１７を回転させることによ
り、サセプタ２１７上に載置された基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパー
ジ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ及び第二のパージ領域２０４ｂをこの順番に移
動することとなる。
【００５４】
（加熱部）
サセプタ２１７の内部には、加熱部としてのヒータ２１８が一体的に埋め込まれている。ヒータ２１８に電力が供給されると、基板載置部２１７ｂに載置された基板２００を加熱する。例えば、基板２００の表面が所定温度（例えば室温〜１０００℃程度）にまで加熱されるようになっている。なお、ヒータ２１８は、サセプタ２１７に載置されたそれぞれの基板２００を個別に加熱するように、同一面上に複数（例えば５つ）設けてもよい。
【００５５】
サセプタ２１７には温度センサ２７４が設けられている。ヒータ２１８及び温度センサ
２７４には、電力供給線２２２を介して、温度調整器２２３、電力調整器２２４及びヒー
タ電源２２５が電気的に接続されている。温度センサ２７４により検出された温度情報に
基づいて、ヒータ２１８への通電具合が制御されるように構成されている。
【００５６】
（処理ガス供給部）
反応容器２０３内の上方には、第一の処理ガス導入機構２５１と、第二の処理ガス導入
機構２５２と、不活性ガス導入機構２５３と、を備えるガス供給機構２５０が設けられて
いる。ガス供給機構２５０は、サセプタ２１７の上方であって、反応容器２０３の上部に
開設された開口に気密に設けられている。第一の処理ガス導入機構２５１は仕切り板２０
５ａ内に設けられ、第一のガス噴出口２５４を有する。第二の処理ガス導入機構２５２は
第二の仕切り板２０５ｃ内に設けられ、ガス噴出口２５５を有する不活性ガス導入機構２
５３の側壁には、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７がそ
れぞれ対向するように設けられている。
【００５７】
第一のガス噴出口２５４は複数の噴出孔である第一のガス噴出孔２５４（１）…２５４（
ｎ）を有し、仕切り板２０５ａの底部に設けられる。即ち、第一の噴出口２５４はサセプ
タ２１７の上方であって、載置されたウェハ２００と対向するように設けられる。
【００５８】
複数の第一のガス噴出口２５４の内、最もサセプタ中央に近い位置に配置される第一のガ
ス噴出孔２５４(１)と最もサセプタ周縁側に配置される第一のガス噴出孔２５４（ｎ）と
の距離は、ウェハ径より大きくなるよう配置される。つまり、第一のガス噴出口２５４の
幅は、ウェハ径よりも大きくなるよう構成される。
【００５９】
第二の噴出口２５５は、複数の噴出孔である第一のガス噴出孔２５５（１）…２５５（ｎ
）を有し、仕切り板２０５ｃの底部に設けられる。即ち、第二の噴出口２５５はサセプタ
２１７の上方であって、載置されたウェハ２００と対向するように設けられる。
【００６０】
複数の第二のガス噴出口２５５の内、最もサセプタ中央に近い位置に配置される第二のガ
ス噴出口２５５(１)と最もサセプタ周縁側に配置される第二のガス噴出口２５５（ｎ）と
の距離は、ウェハ径より大きくなるよう配置される。つまり、第二のガス噴出口２５５の
幅は、ウェハ径よりも大きくなるよう構成される。
【００６１】
ガス供給機構２５０は、第一の処理ガス導入機構２５１から第一の処理領域２０１ａ内
に第一の処理ガスを供給し、第二の処理ガス導入機構２５２から第二の処理領域２０１ｂ
内に第二の処理ガスを供給し、不活性ガス導入機構２５３から第一のパージ領域２０４ａ
内及び第二のパージ領域２０４ｂ内に不活性ガスを供給するように構成されている。ガス
供給機構２５０は、各処理ガス及び不活性ガスを混合させずに個別に各領域に供給するこ
とができ、更には、各処理ガス及び不活性ガスを併行して各領域に供給することができる
ように構成されている。
【００６２】
第一の処理ガス導入機構２５１の上流側には、第一のガス供給管２３２ａが接続されて
いる。第一のガス供給管２３２ａの上流側には、上流方向から順に、原料ガス供給源２３
２ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３２ｃ、及
び開閉弁であるバルブ２３２ｄが設けられている。
【００６３】
第一のガス供給管２３２ａからは、第一のガス（第一の処理ガス）として、例えば、シ
リコン含有ガスが、マスフローコントローラ２３２ｃ、バルブ２３２ｄ、第一のガス導入
機構２５１及び第一のガス噴出口２５４を介して、第一の処理領域２０１ａ内に供給され
る。シリコン含有ガスとしては、例えばプリカーサーとして、トリシリルアミン（（Ｓｉ
Ｈ３）３Ｎ、略称：ＴＳＡ）ガスを用いることができる。なお、第一の処理ガスは、常温
常圧で固体、液体、及び気体のいずれであっても良いが、ここでは気体として説明する。
第一の処理ガスが常温常圧で液体の場合は、原料ガス供給源２３２ｂとマスフローコント
ローラ２３２ｃとの間に、図示しない気化器を設ければよい。
【００６４】
なお、シリコン含有ガスとしては、ＴＳＡの他に、例えば有機シリコン材料であるヘキ
サメチルジシラザン（Ｃ６Ｈ１９ＮＳｉ２、略称：ＨＭＤＳ）、トリスジメチルアミノシ
ラン（Ｓｉ［Ｎ（ＣＨ３）２］３Ｈ、略称：３ＤＭＡＳ）、ビスターシャリブチルアミノ
シラン（ＳｉＨ２（ＮＨ（Ｃ４Ｈ９））２、略称：ＢＴＢＡＳ）等を用いることができる
。
これら、第一のガスは、後述する第二のガスより粘着度の高い材料が用いられる。
【００６５】
第二の処理ガス導入機構２５２の上流側には、第二のガス供給管２３３ａが接続されて
いる。第二のガス供給管２３３ａの上流側には、上流方向から順に、原料ガス供給源２３
３ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３３ｃ、及
び開閉弁であるバルブ２３３ｄが設けられている。
【００６６】
第二のガス供給管２３３ａからは、第二のガス（第二の処理ガス、反応ガス）として、
例えば酸素含有ガスである酸素（Ｏ２）ガスが、マスフローコントローラ２３３ｃ、バル
ブ２３３ｄ、第二のガス導入機構２５２及び第二のガス噴出口２５５を介して、第二の処
理領域２０１ｂ内に供給される。第二の処理ガスである酸素ガスは、プラズマ生成部２０
６によりプラズマ状態とされ、基板２００上に晒される。なお、第二の処理ガスである酸
素ガスは、ヒータ２１８の温度及び反応容器２０３内の圧力を所定の範囲に調整し、熱で
活性化させてもよい。なお、酸素含有ガスとしては、オゾン（Ｏ３）ガスや水蒸気（Ｈ２
Ｏ）を用いてもよい。
これら第二のガスは、第一のガスより粘着度の低い材料が用いられる。
【００６７】
主に、第一のガス供給管２３２ａ、マスフローコントローラ２３２ｃ及びバルブ２３２
ｄにより、第一の処理ガス供給部（シリコン含有ガス供給系ともいう）２３２が構成され
る。なお、原料ガス供給源２３２ｂ、第一の処理ガス導入機構２５１及び第一のガス噴出
口２５４を、第一の処理ガス供給部に含めて考えてもよい。
【００６８】
主に、第二のガス供給管２３３ａ、マスフローコントローラ２３３ｃ及びバルブ２３３ｄ
により、第二の処理ガス供給部（酸素含有ガス供給系ともいう）２３３が構成される。な
お、原料ガス供給源２３３ｂ、第二の処理ガス導入機構２５２及び第二のガス噴出口２５
５を、第二の処理ガス供給部に含めて考えてもよい。そして、主に、第一のガス供給部及
び第二のガス供給部により、処理ガス供給部が構成される。
【００６９】
（不活性ガス供給部）
不活性ガス導入機構２５３の上流側には、第一の不活性ガス供給管２３４ａが接続され
ている。第一の不活性ガス供給管２３４ａの上流側には、上流方向から順に、不活性ガス
供給源２３４ｂ、流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２
３４ｃ、及び開閉弁であるバルブ２３４ｄが設けられている。
【００７０】
第一の不活性ガス供給管２３４ａからは、例えば窒素（Ｎ２）ガスで構成される不活性
ガスが、マスフローコントローラ２３４ｃ、バルブ２３４ｄ、不活性ガス導入機構２５３
、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７を介して、第一のパ
ージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内にそれぞれ供給される。第一のパー
ジ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内に供給される不活性ガスは、後述する
成膜工程（Ｓ１０６）ではパージガスとして作用する。なお、不活性ガスとして、Ｎ２ガ
スのほか、例えばヘリウム（Ｈｅ）ガス、ネオン（Ｎｅ）ガス、アルゴン（Ａｒ）ガス等
の希ガスを用いることができる。
【００７１】
第一のガス供給管２３２ａのバルブ２３２ｄよりも下流側には、第二の不活性ガス供給
管２３５ａの下流端が接続されている。上流方向から順に、不活性ガス供給源２３５ｂ、
流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３５ｃ、及び開閉
弁であるバルブ２３５ｄが設けられている。
【００７２】
第二の不活性ガス供給管２３５ａからは、不活性ガスとして、例えばＮ２ガスが、マス
フローコントローラ２３５ｃ、バルブ２３５ｄ、第一のガス供給管２３２ａ、第一の処理
ガス導入機構２５１及び第一のガス噴出口２５４を介して、第一の処理領域２０１ａ内に
供給される。第一の処理領域２０１ａ内に供給される不活性ガスは、成膜工程（Ｓ１０６
）ではキャリアガス或いは希釈ガスとして作用する。
【００７３】
第二のガス供給管２３３ａのバルブ２３３ｄよりも下流側には、第三の不活性ガス供給
管２３６ａの下流端が接続されている。上流方向から順に、不活性ガス供給源２３６ｂ、
流量制御器（流量制御部）であるマスフローコントローラ（ＭＦＣ）２３６ｃ、及び開閉
弁であるバルブ２３６ｄが設けられている。
【００７４】
第三の不活性ガス供給管２３６ａからは、不活性ガスとして、例えばＮ２ガスが、マス
フローコントローラ２３６ｃ、バルブ２３６ｄ、第二のガス供給管２３３ａ、第二の処理
ガス導入機構２５２及び第二のガス噴出口２５５を介して、第二の処理領域２０１ｂ内に
供給される。第二の処理領域２０１ｂ内に供給される不活性ガスは、第一の処理領域２０
１ａ内に供給される不活性ガスと同様に、成膜工程（Ｓ１０６）ではキャリアガス或いは
希釈ガスとして作用する。
【００７５】
主に、第一の不活性ガス供給管２３４ａ、マスフローコントローラ２３４ｃ及びバルブ
２３４ｄにより第一の不活性ガス供給部２３４が構成される。なお、不活性ガス供給源２
３４ｂ、不活性ガス導入機構２５３、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガ
ス噴出口２５７を、第一の不活性ガス供給部２３４に含めて考えてもよい。
【００７６】
主に、第二の不活性ガス供給管２３５ａ、マスフローコントローラ２３５ｃ及びバルブ
２３５ｄにより第二の不活性ガス供給部２３５が構成される。なお、不活性ガス供給源２
３５ｂ、第一のガス供給管２３２ａ、第一の処理ガス導入機構２５１及び第一のガス噴出
口２５４を、第二の不活性ガス供給部２３５に含めて考えてもよい。
【００７７】
また、主に、第三の不活性ガス供給管２３６ａ、マスフローコントローラ２３６ｃ及び
バルブ２３６ｄにより第三の不活性ガス供給部２３６が構成される。なお、不活性ガス供
給源２３６ｂ、第二のガス供給管２３３ａ、第二の処理ガス導入機構２５２及び第二のガ
ス噴出口２５５を、第三の不活性ガス供給部に含めて考えてもよい。そして、主に、第一
から第三の不活性ガス供給部により、不活性ガス供給部が構成される。
【００７８】
（ガス供給部）
処理ガス供給部と不活性ガス供給部により、ガス供給部が構成される。
【００７９】
（ガス排気部）
図４から図６に示すように、仕切り２０５にはガスを排気する排気口が設けられている
。具体的には、第一の排気口２５９は仕切り２０５ｄの底部に複数設けられている。即ち
、第一の排気口２５９は、サセプタ２１７の上方であって、載置されたウェハ２００と対
向するように設けられる。
【００８０】
複数の第一のガス排気口２５９の内、最もサセプタ中央に近い位置に配置される第一のガ
ス噴出口２５９（１）と最もサセプタ周縁側に配置される第一のガス噴出口２５９（ｎ）
との距離は、ウェハ径より大きくなるよう配置される。
【００８１】
第二の排気口２６０は仕切り２０５ｄの底部に複数設けられている。即ち、第二の排気
口２６０は、サセプタ２１７の上方であって、載置されたウェハ２００と対向するように
設けられる。
【００８２】
複数の第二のガス排気口２６０の内、最もサセプタ中央に近い位置に配置される第二のガ
ス排気口２６０（１）と最もサセプタ周縁側に配置される第二のガス排気口２６０（ｎ）
との距離は、ウェハ径より大きくなるよう配置される。
【００８３】
後述するように、第一の排気口２５９は、第一のガス噴出口２５４から第一の処理領域
２０１ａに供給されるガスを排気するものである。第二の排気口２６０は、第二のガス噴
出口２５５から第二の処理領域２０１ｂに供給されるガスを排気するものである。
【００８４】
排気口２５９から排出されたガスは、図６に記載のように、仕切り板２０５ｂ内に形成
された第一のガス排出機構２６１、第一の排気管２６２を介して、後述するポンプ２４６
によって排気される。
【００８５】
排気口２６０から排出されたガスは、排気口２５９と同様に、仕切り板２０５ｄ内に形
成された第二のガス排出機構（図示せず）、第二の排気管（図示せず）を介して、後述す
るポンプ２４６によって排気される。
【００８６】
反応容器２０３には、処理領域２０１ａ，処理領域２０１ｂ内及びパージ領域２０４ａ，
パージ領域２０４ｂ内の雰囲気を排気する排気管２３１が、反応容器２０３の下方に設け
られている。排気管２３１には、第一の排気管２６２（Ｄ−Ｄ線で接続）が第一の排気管
接続機構２６３を介して接続されている。更に、第二の排気管（図示せず）が、第二の排
気管接続機構（図示せず）を介して接続されている。
【００８７】
ガス流量を制御する流量制御器（流量制御部）としての流量制御バルブ２４５、及び圧力
調整器（圧力調整部）としてのＡＰＣ（Ａｕｔｏ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  Ｃｏｎｔｒｏｌｌ
ｅｒ）バルブ２４３を介して、真空排気装置としての真空ポンプ２４６が接続されており
、反応容器２０３内の圧力が所定の圧力（真空度）となるよう真空排気し得るように構成
されている。なお、ＡＰＣバルブ２４３は、弁を開閉して反応容器２０３内の真空排気や
真空排気停止ができ、更に弁開度を調節して圧力調整可能となっている開閉弁である。主
に、排気管２３１、ＡＰＣバルブ２４３及び流量制御バルブ２４５によりガス排気部が構
成される。なお、排気部には、真空ポンプ２４６を含めても良い。
【００８８】
（制御部）
制御部（制御手段）である制御部３００は、以上説明した各構成の制御を行うものであ
る。
【００８９】
次に、図３を用いてサセプタ２１７の周辺構造、及びサセプタ２１７の動作を説明する。
【００９０】
反応容器２０３には、第一の搬送室筐体１０１がゲートバルブ１５０から１５３のいず
れかを介して隣接するように設けられている。例えば、ゲートバルブ１５１が開かれるこ
とで、反応容器２０３内と第一の搬送室筐体１０１とが連通するようになっている。第一
の基板移載機１１２はポッドから第二の基板移載機１２４を介して、サセプタ２１７の載
置部２１７ｂとの間で、基板２００を搬送する。
【００９１】
ここで、サセプタ２１７には、基板２００を載置する載置部２１７ｂが複数、形成され
ている。第１実施形態においては、載置部２１７ｂはそれぞれが順時計方向に対して等間
隔（例えば７２度の間隔）となるように、五つ設けられ、サセプタ２１７が回転すること
で、五つの載置部２１７ｂが一括して矢印方向に回転される。
【００９２】
（３）基板処理工程
続いて、第１実施形態にかかる半導体製造工程の一工程として、上述した反応容器２０
３を備えるプロセスチャンバ２０２ｂを用いて実施される基板処理工程について、図６及
び図７を用いて説明する。図６は、第１実施形態に係る基板処理工程を示すフロー図であ
り、図７は、第１実施形態に係る基板処理工程における成膜工程での基板への処理を示す
フロー図である。なお、以下の説明において、基板処理装置１０のプロセスチャンバ２０
２の構成各部の動作は、制御部３００により制御される。
【００９３】
ここでは、第一のガスとして、シリコン含有ガスであるトリシリルアミン（ＴＳＡ）を
用い、第二の処理ガスとして、酸素含有ガスである酸素ガスを用い、基板２００上に絶縁
膜として酸化シリコン膜（ＳｉＯ２膜、以下、単にＳｉＯ膜ともいう）を形成する例につ
いて説明する。
【００９４】
（基板搬入・載置工程（Ｓ１０２））
まず、基板２００の搬送位置まで基板突き上げピン２６６を上昇させ、サセプタ２１７
の貫通孔に基板突き上げピンを貫通させる。その結果、基板突き上げピンが、サセプタ２
１７表面よりも所定の高さ分だけ突出した状態となる。続いて、ゲートバルブ１５１を開
き、第一の基板移載機１１２を用いて、反応容器２０３内に所定枚数（例えば５枚）の基
板２００（処理基板）を搬入する。そして、サセプタ２１７の図示しない回転軸を中心と
して、各基板２００が重ならないように、サセプタ２１７の同一面上に載置する。これに
より、基板２００は、サセプタ２１７の表面から突出した基板突き上げピン上に水平姿勢
で支持される。
【００９５】
反応容器２０３内に基板２００を搬入したら、第一の基板移載機１１２を反応容器２０
３外へ退避させ、ゲートバルブ１５１を閉じて反応容器２０３内を密閉する。その後、基
板突き上げピンを下降させて、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第
二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの各底面のサセプタ２１７に設けられ
た載置部２１７ｂ上に基板２００を載置する。
【００９６】
なお、基板２００を反応容器２０３内に搬入する際には、排気部により反応容器２０３
内を排気しつつ、不活性ガス供給部から反応容器２０３内にパージガスとしてのＮ２ガス
を供給することが好ましい。すなわち、真空ポンプ２４６を作動させ、ＡＰＣバルブ２４
３を開けることにより、反応容器２０３内を排気しつつ、少なくとも第一の不活性ガス供
給部のバルブ２３４ｄを開けることにより、反応容器２０３内にＮ２ガスを供給すること
が好ましい。これにより、処理領域２０１内へのパーティクルの侵入や、基板２００上へ
のパーティクルの付着を抑制することが可能となる。ここで、さらに第二の不活性ガス供
給部及び第三の不活性ガス供給部から不活性ガスを供給してもよい。なお、真空ポンプ２
４６は、少なくとも基板搬入・載置工程（Ｓ１０２）から後述する基板搬出工程（Ｓ１０
８）が終了するまでの間は、常に作動させた状態とする。
【００９７】
（昇温・圧力調整工程（Ｓ１０４））
続いて、サセプタ２１７の内部に埋め込まれたヒータ２１８に電力を供給し、基板２０
０の表面が所定の温度（例えば２００℃以上であって４００℃以下）となるように加熱す
る。この際、ヒータ２１８の温度は、温度センサ２７４により検出された温度情報に基づ
いてヒータ２１８への通電具合を制御することによって調整される。
【００９８】
なお、シリコンで構成される基板２００の加熱処理では、表面温度を７５０℃以上にま
で加熱すると、基板２００の表面に形成されたソース領域やドレイン領域等に不純物の拡
散が生じ、回路特性が劣化し、半導体デバイスの性能が低下してしまう場合がある。基板
２００の温度を上述のように制限することにより、基板２００の表面に形成されたソース
領域やドレイン領域における不純物の拡散、回路特性の劣化、半導体デバイスの性能の低
下を抑制できる。
【００９９】
また、反応容器２０３内が所望の圧力（例えば０．１Ｐａ〜３００Ｐａ、好ましくは２
０Ｐａ〜４０Ｐａ）となるように、反応容器２０３内を真空ポンプ２４６によって真空排
気する。この際、反応容器２０３内の圧力は図中省略の圧力センサで測定され、この測定
された圧力情報に基づきＡＰＣバルブ２４３の開度をフィードバック制御する。
【０１００】
また、基板２００を加熱しつつ、回転機構２６７を作動して、サセプタ２１７の回転を
開始させる。この際、サセプタ２１７の回転速度は制御部３００によって制御される。サ
セプタ２１７の回転速度は例えば１回転／秒である。サセプタ２１７を回転させることに
より、基板２００は、第一の処理領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理
領域２０１ｂ、第二のパージ領域２０４ｂの順に移動を開始し、各領域を基板２００が通
過する。
【０１０１】
（成膜工程（Ｓ１０６））
次に、第一の処理領域２０１ａ内に第一の処理ガスとしてのＴＳＡガスを供給し、第二
の処理領域２０１ｂ内に第二の処理ガスとしての酸素ガスを供給して、基板２００上にＳ
ｉＯ膜を成膜する工程を例に成膜工程を説明する。なお、以下の説明では、ＴＳＡガスの
供給、酸素ガスの供給、不活性ガスを併行してそれぞれの領域に供給する。
【０１０２】
基板２００を加熱して所望とする温度に達し、サセプタ２１７が所望とする回転速度に
到達したら、少なくともバルブ２３２ｄ，バルブ２３３ｄ及びバルブ２３４ｄを同時に開
け、処理ガスを処理領域２０１に、不活性ガスをパージ領域２０４に供給する。すなわち
、バルブ２３２ｄを開け、第一のガス噴出口２５４を介して第一の処理領域２０１ａ内に
ＴＳＡガスを供給する。バルブ２３３ｄを開けて第二の処理領域２０１ｂ内に第二のガス
噴出口２５５を介して酸素ガスを供給する。このようにして、処理ガス供給部から処理ガ
スを供給する。バルブ２３４ｄを開けて第一のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域
２０４ｂ内に不活性ガスであるＮ２ガスを供給することで、不活性ガス供給部から不活性
ガスを供給する。このとき、ＡＰＣバルブ２４３を適正に調整して反応容器２０３内の圧
力を、例えば１０Ｐａ〜１０００Ｐａの範囲内の圧力とする。このときヒータ２１８の温
度は、基板２００の温度が、例えば２００℃〜４００℃の範囲内の温度となるような温度
に設定する。
【０１０３】
具体的には、バルブ２３２ｄを開け、第一のガス供給管２３２ａから第一のガス導入機
構２５１及び第一のガス噴出口２５４を介して第一の処理領域２０１ａにＴＳＡガスを供
給しつつ、第一の不活性ガス排気口２５９、第一のガス排出管２６１を介して排気する。
このとき、ＴＳＡガスの供給量及び排気量を調整し、図４に記載のように、第一のガス噴
出口２５４から第一の不活性ガス排気口２５９に向かう流れを形成する。即ち、ＴＳＡの
ガス流れがウェハ２００の回転方向に対して順方向となるよう流れを形成する。
【０１０４】
このようにすることで、ウェハ２００表面の内、サセプタ２１７の中央部に近い箇所と
サセプタ２１７の側端部に近い箇所においても、ウェハ中央と同流量のＴＳＡガスを供給
することができるので、ウェハ面内に対して均一にＴＳＡガスを供給することが可能とな
る。均一に供給することで、ウェハ面内に対して均一に膜処理をすることが可能となる。
【０１０５】
ＴＳＡの流量は、マスフローコントローラ２３２ｃを調整し、所定の流量となるように
制御する。なお、マスフローコントローラ２３２ｃで制御するＴＳＡガスの供給流量は、
例えば１００ｓｃｃｍ〜５０００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。
【０１０６】
ＴＳＡガスを第一の処理領域２０１ａ内に供給する際には、バルブ２３５ｄを開け、第
二の不活性ガス供給管２３５ａからキャリアガス或いは希釈ガスとしてのＮ２ガスを第一
の処理領域２０１ａ内に供給することが好ましい。これにより、第一の処理領域２０１ａ
内へのＴＳＡガスの供給を促進させることができる。
【０１０７】
また、バルブ２３３ｄを開け、第二のガス供給管２３３ａから第二のガス導入機構２５
２及び第二のガス噴出口２５５を介して第二の処理領域２０１ｂに酸素ガスを供給しつつ
、第二の排気口２６０、第二の第一のガス排出管を介して排気する。このとき、酸素ガス
の供給量及び排気量を調整し、図４に記載のように、第二のガス噴出口２５５から第二の
不活性ガス排気口２６０に向かう流れを形成する。つまり、酸素ガスの流れをウェハ２０
０の回転方向に対して順方向に形成する。
【０１０８】
このようにすることで、ウェハ２００表面の内、サセプタ２１７の中央部に近い箇所と
サセプタ２１７の側端部に近い箇所においても、ウェハ中央と同流量のＴＳＡガスを供給
することができるので、ウェハ面内に対して均一に酸素ガスを供給することが可能となる
。均一に供給することで、ウェハ面内に対して均一に膜処理をすることが可能となる。
【０１０９】
このとき、酸素ガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３３ｃ
を調整する。なお、マスフローコントローラ２３３ｃで制御する酸素ガスの供給流量は、
例えば１０００ｓｃｃｍ〜１００００ｓｃｃｍの範囲内の流量とする。
【０１１０】
酸素ガスを第二の処理領域２０１ｂ内に供給する際には、バルブ２３６ｄを開け、第三
の不活性ガス供給管２３６ａからキャリアガス或いは希釈ガスとしてのＮ２ガスを第二の
処理領域２０１ｂ内に供給することが好ましい。これにより、第二の処理領域２０１ｂ内
への酸素ガスの供給を促進することができる。
【０１１１】
また、バルブ２３２ｄ、バルブ２３３ｄ、バルブ２３４ｄを開け、パージガスとしての
不活性ガスであるＮ２ガスを、第一の不活性ガス供給管２３４ａから不活性ガス導入機構
２５３、第一の不活性ガス噴出口２５６及び第二の不活性ガス噴出口２５７を介して第一
のパージ領域２０４ａ及び第二のパージ領域２０４ｂにそれぞれ供給しつつ排気する。こ
のとき、Ｎ２ガスの流量が所定の流量となるように、マスフローコントローラ２３４ｃを
調整する。なお、仕切板２０５の端部と反応容器２０３の側壁との隙間を介し、第一のパ
ージ領域２０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内から第一の処理領域２０１ａ内及び
第二の処理領域２０１ｂ内に向けて不活性ガスを噴出させることで、第一のパージ領域２
０４ａ内及び第二のパージ領域２０４ｂ内への処理ガスの侵入を抑制することができる。
【０１１２】
ガスの供給開始と共に、第二の処理領域２０１ｂの上方に設けられたプラズマ生成部２
０６に図示しない高周波電源から高周波電力を供給する。第二の処理領域２０１ｂ内に供
給され、プラズマ生成部２０６の下方を通過した酸素ガスは、第二の処理領域２０１ｂ内
でプラズマ状態となり、これに含まれる活性種が基板２００に供給される。
【０１１３】
酸素ガスは反応温度が高く、上述のような基板２００の処理温度、反応容器２０３内の
圧力では反応しづらいが、第１実施形態のように酸素ガスをプラズマ状態とし、これに含
まれる活性種を供給するようにすると、例えば４００℃以下の温度帯でも成膜処理を行う
ことができる。なお、第一の処理ガスと第二の処理ガスとで要求する処理温度が異なる場
合、処理温度が低い方の処理ガスの温度に合わせてヒータ２１８を制御し、処理温度を高
くする必要のある他方の処理ガスを、プラズマ状態として供給するとよい。このようにプ
ラズマを利用することにより基板２００を低温で処理することができ、例えばアルミニウ
ム等の熱に弱い配線等を有する基板２００に対する熱ダメージを抑制することが可能とな
る。また、処理ガスの不完全反応による生成物等の異物の発生を抑制することができ、基
板２００上に形成する薄膜の均質性や耐電圧特性等を向上させることができる。また、プ
ラズマ状態とした酸素ガスの高い酸化力によって、酸化処理時間を短縮することができる
等、基板処理の生産性を向上させることができる。
【０１１４】
上述したように、サセプタ２１７を回転させることにより、基板２００は、第一の処理
領域２０１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ、第二のパージ領域
２０４ｂの順に移動を繰り返す。そのため、図７に示すように、基板２００には、ＴＳＡ
ガスの供給、Ｎ２ガスの供給（パージ）、プラズマ状態とされた酸素ガスの供給、Ｎ２ガ
スの供給（パージ）が交互に所定回数実施されることになる。本発明においては、ウェハ
２００表面の内、サセプタ２１７の中央部に近い箇所やサセプタ２１７の側端部に近い箇
所においても、ウェハ中央と同流量の処理ガスを供給することができるので、ウェハ面内
に対して均一に処理ガスを供給することが可能となる。均一に供給することで、ウェハ面
内に対して均一な膜を形成することが可能となる。
ここで、成膜処理シーケンスの具体例について、図７を用いて説明する。
【０１１５】
（第一の処理ガス領域通過（Ｓ２０２））
まず、第一の処理領域２０１ａを通過した基板２００表面にＴＳＡガスが供給され、基
板２００上の内、ウェハ中央、サセプタ２１７の中央部に近い箇所やサセプタ２１７の側
端部に近い箇所において均一にシリコン含有層が形成される。
第一の処理領域２０１ａには、第一の処理ガス導入機構２５１から第一のガス噴出口２
５４を通して、基板に向けてガスが噴出される。噴出されたガスは通過するウェハ２００
に供給され、ウェハ２００にシリコン含有層の形成に寄与すると共に、寄与しなかったガ
スは、第一の排気口２５９から排気される。
【０１１６】
（第一のパージ領域通過（Ｓ２０４））
次に、シリコン含有層が形成された基板２００が第一のパージ領域２０４ａを通過する。このとき、第一のパージ領域を通過する基板２００に対して不活性ガスであるＮ２ガスが供給される。
【０１１７】
（第二の処理ガス領域通過（Ｓ２０６））
次に、第二の処理領域２０１ｂを通過した基板２００上の内、ウェハ中央、サセプタ２
１７の中央部に近い箇所やサセプタ２１７の側端部に近い箇所において均一に酸素ガスが
供給され、基板２００上に均一にシリコン酸化層（ＳｉＯ層）が形成される。すなわち、
酸素ガスは、第一の処理領域２０１ａで基板２００上に形成されたシリコン含有層の少な
くとも一部と反応する。これにより、シリコン含有層は酸化されて、シリコン及び酸素を
含むシリコン酸化層へと改質される。更に、反応に寄与しない酸素ガスは第二の排気口２
６０から排気される。
【０１１８】
（第二のパージ領域通過（Ｓ２０８））
そして、第二の処理領域２０１ｂでシリコン酸化層が形成された基板２００が第二のパ
ージ領域２０４ｂを通過する。このとき、第二のパージ領域を通過する基板２００に対し
て不活性ガスであるＮ２ガスが供給される。
【０１１９】
（サイクル数の確認（Ｓ２１０））
このように、サセプタ２１７の１回転を１サイクルとし、すなわち第一の処理領域２０
１ａ、第一のパージ領域２０４ａ、第二の処理領域２０１ｂ及び第二のパージ領域２０４
ｂの基板２００の通過を１サイクルとし、このサイクルを少なくとも１回以上行うことに
より、基板２００上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成することができる。
ここでは、前述のサイクルを所定回数実施したか否かを確認する。
サイクルを所定の回数実施した場合、所望の膜厚に到達できたと判断し、成膜処理を終
了する。サイクルを所定の回数実施しなかった場合、即ち所望の膜厚に到達できなかった
と判断し、Ｓ２０２に戻りサイクル処理を継続する。
【０１２０】
Ｓ２１０にて、前述のサイクルを所定回数実施し、基板２００上に所望の膜厚のシリコ
ン酸化膜が形成されたと判断した後、少なくともバルブ２３２ｄ及びバルブ２３３ｄを閉
じ、ＴＳＡガスの第一の処理領域２０１ａへの供給及び酸素ガスの第二の処理領域２０１
ｂへの供給を停止する。このとき、プラズマ生成部２０６への電力供給も停止する。さら
に、ヒータ２１８の通電量を制御して温度を低くするか、あるいはヒータ２１８への通電
を停止する。更に、サセプタ２１７の回転を停止し、成膜工程を終了する。
【０１２１】
（基板搬出工程（Ｓ１０８））
成膜工程１０６が終了したら、次のように基板を搬出する。
まず、基板突き上げピン２６６を上昇させ、サセプタ２１７の表面から突出させた基板
突き上げピン２６６上に基板２００を支持させる。そして、ゲートバルブ１５１を開き、
第一の基板移載機１１２を用いて基板２００を反応容器２０３の外へ搬出し、第１実施形
態に係る基板処理工程を終了する。なお、上記において、基板２００の温度、反応容器２
０３内の圧力、各ガスの流量、プラズマ生成部２０６に印加する電力、処理時間等の条件
等は、改質対象の膜の材料や膜厚等によって任意に調整する。
【０１２２】
（４）第１実施形態に係る効果
第１実施形態によれば、以下（ａ）〜（ｇ）のうち、少なくとも一つ以上の効果を奏する。
（ａ）処理室内に設けられた複数の領域のうち少なくとも一つの領域において、基板の
回転方向上流から下流に向けてガス流れを形成するので、基板表面に対して均一にガスを
供給することが可能となる。従って、形成する膜の膜厚を、基板面内で均一にすることが
可能となる。
（ｂ）ガス噴出口の幅を基板径より大きくなるよう構成したので、ガス噴出口の下を通過
する基板全面に対して、より確実に均一にガスを供給することが可能となる。
（ｃ）反応ガス及び/又は非反応ガスの供給量及び排気量を調整することにより、サセプタ２１７の回転方向と、処理領域(第一の処理領域２０１ａまたは第二の処理領域２０１ｂ)を流れる反応ガスの方向が同じになるよう構成できる。従い、処理領域において、回転方向の上流から下流に向けてガス流れを形成するので、より確実に且つ均一に基板面内に処理ガスを供給することが可能となる。
（ｄ）処理領域を基板が通過する際、ガス供給部からガス排気部への方向に前記基板が回転された場合に前記基板を処理し、前記ガス排気部から前記ガス供給部への方向に前記基板が回転された場合に前記基板を処理しないように構成されている。従い、第一の処理領域２０１ａと第二の処理領域２０１ｂの分離が確実にできるため、形成する膜の品質が保たれる。
（ｅ）処理室は複数の所定の領域に分割され、所定の領域は、基板載置台の上方であってガス供給部とガス排気部の間にそれぞれ形成され、反応ガスを供給する処理領域と、非反応ガスを供給し、非反応ガス雰囲気にする非処理領域があり、処理領域が非処理領域よりも小さく形成されるよう構成されている。従い、処理領域において、回転方向の上流から下流に向けてガス流れを形成しやすくするので、基板表面に均一に処理ガスを供給することが可能となる。
（ｆ）処理領域を形成するガス供給部とガス排気部のなす角が、９０°より小さく構成される。従い、処理領域において、回転方向の上流から下流に向けてガス流れを形成しやすくするので、基板表面に均一に処理ガスを供給することが可能となる。
（ｇ）処理領域に反応ガス、非処理領域に非反応ガスを少なくとも供給することにより、処理領域において、回転方向の上流から下流に向けてガス流れを形成するように制御するので、より確実に且つ均一に基板面内に処理ガスを供給することが可能となる。
【０１２３】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態を具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定される
ものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【０１２４】
例えば、上述の実施形態では、処理ガスとしてシリコン含有ガス及び酸素含有ガスを用
い、基板２００上にＳｉＯ膜を形成しているが、これに限られるものではない。すなわち
、処理ガスとして、例えばハフニウム（Ｈｆ）含有ガス及び酸素含有ガス、ジルコニウム
（Ｚｒ）含有ガス及び酸素含有ガス、チタン（Ｔｉ）含有ガス及び酸素含有ガスを用いて
、酸化ハフニウム膜（ＨｆＯ膜）、酸化ジルコニウム（ＺｒＯ膜）、酸化チタン膜（Ｔｉ
Ｏ膜）等のＨｉｇｈ−ｋ膜等を基板２００上に形成してもよい。また、プラズマ化する処
理ガスとして、酸素含有ガスのほかに、窒素（Ｎ）含有ガスであるアンモニア（ＮＨ３）
ガス等を用いてもよい。
【０１２５】
また、上述の実施形態では、酸素ガスを処理室に供給し、プラズマ生成部２０６でプラ
ズマを生成していたが、それに限るものではなく、処理室の外でプラズマを生成するリモ
ートプラズマ方法や、エネルギーレベルの高いオゾンを用いても良い。
【０１２６】
また、上述の実施形態では、ガス供給機構２５０の不活性ガス導入機構２５３を、第一
のパージ領域２０４ａと第二のパージ領域２０４ｂとで共通としたが、不活性ガス導入機
構は第一のパージ領域２０４ａと第二のパージ領域２０４ｂとで個別に設けてもよい。また、不活性ガス導入機構は第一の処理領域２０１ａと第二の処理領域２０１ｂと第一のパージ領域２０４ａと第二のパージ領域２０４ｂとでそれぞれ個別に設けてもよい。これにより、それぞれの領域に供給されるガス流量を制御できるため、例えば、不活性ガスを非処理領域から処理領域に流れるようにすることで、第一のガス噴出口２５４から第一の排気口２５９まで反応ガスが流れる構造にしやすくなる。
【０１２７】
また、上述の実施形態では、第一のガス噴出口２５４を仕切り板２０５ａの底部に設け
たが、それに限るものではない。第一のガス噴出口２５４から、回転方向下流に向けてガ
スが流れる構造であれば良く、例えば下流側にガス噴出口を向けても良い。
【０１２８】
また、第一のガス噴出口を仕切り板に設けずに、例えばノズルを用いてガスを供給して
も良い。その際は、領域を分割する分割構造として、仕切り板に限らず、処理ガスを混合
させないような分割構造を別に設けても良い。
【０１２９】
また、上述の実施形態では、第一のガス噴出口２５４を仕切り板２０５ａの底部に複数
設ける構造としたが、それに限るものではなく、スリット形状でも良い。スリット構造と
する場合、スリット端部間の距離は、スリット端部間の下をウェハが通過するよう、スリ
ット幅及び位置を設定すればよい。
【０１３０】
また、上述の実施形態では、第二のガス噴出口２５５を仕切り板２０５ｃの底部に設け
たが、それに限るものではない。第二のガス噴出口２５５から、回転方向下流に向けてガ
スが流れる構造であれば良く、例えば下流側にガス噴出口を向けても良い。
【０１３１】
また、第一のガス噴出口を仕切り板に設けずに、例えばノズルを用いてガスを供給して
も良い。その際は、領域を分割する分割構造として、仕切り板に限らず、処理ガスを混合
させないような分割構造を別に設けても良い。
【０１３２】
また、上述の実施形態では、第二のガス噴出口２５５を仕切り板２０５ｃの底部に複数
設ける構造としたが、それに限るものではなく、スリット形状でも良い。スリット構造と
する場合、スリット端部間の距離は、スリット端部間の下をウェハ２００が通過するよう、スリット幅及び位置を設定すればよい。
【０１３３】
また、上述の実施形態では、第一の排気口２５９を仕切り板２０５ｂに設けたが、それ
に限るものではない。第一のガス排気口２５９が回転方向上流から流れてくるガスを吸引
できる構造であれば良く、例えば上流側にガス噴出口を向けても良い。
【０１３４】
また、排気専用の排気構造を設けても良い。専用の排気構造として、例えばスリット形
状の排気口を用い、ガスを排気しても良い。その際は、領域を分割する分割構造として、
仕切り板に限らず、処理ガスを混合させないような分割構造を別に設けても良い。
【０１３５】
また、上述の実施形態では、第二の排気口２６０を仕切り板２０５ｄの底部に設けたが、それに限るものではない。第二のガス排気口２６０が回転方向上流から流れてくるガスを吸引できる構造であれば良く、例えば上流側にガス噴出口を向けても良い。
【０１３６】
また、上述の実施形態では、第二の排気口２６０を仕切り板２０５ｄに設けたが、それ
に限るものではなく、排気専用の排気構造を設けても良い。専用の排気構造として、例え
ばスリット形状の排気口を用い、ガスを排気しても良い。その際は、領域を分割する分割
構造として、仕切り板に限らず、処理ガスを混合させないような分割構造を別に設けても
良い。
【０１３７】
また、上述の実施形態では、ガス流れの方向を基板回転方向としたが、それに限るもの
ではなく、供給するガスの質やサセプタの回転状況等によっては、基板回転方向と逆方向
にガス流れを形成しても良い。
【０１３８】
また、上述の実施形態では、反応ガスの供給量及び排気量を調整するようにしたが、これに限定されない。例えば、ガス排気部(第一の排気口２５９及び第二の排気口２６０)の排気量を排気管２３１の排気量より大きくするように構成してもよい。
【０１３９】
以下に、付記として本発明の態様を記す。
【０１４０】
＜付記１＞
複数の領域を有する処理室と、
前記処理室内に設けられた基板載置台であって、複数の基板を同心円状に載置する載置
面を有し、該載置面が前記処理室の天井と対向する基板載置台と、
前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転機構と、
前記処理領域の内、前記基板載置台が回転する方向の上流であって、前記基板載置台の
上方に設けられたガス供給部と、
前記処理領域の内、前記基板載置台が回転する方向の下流であって、前記基板載置台の
上方に設けられたガス排気部と
を有する基板処理装置。
【０１４１】
＜付記２＞
前記ガス供給部はガス噴出口を有し、前記ガス噴出口の幅は、前記基板の幅より大きく
なるよう構成されている付記１記載の基板処理装置。
【０１４２】
＜付記３＞
前記領域は、反応ガスを供給する領域と非反応ガスを供給する領域があり、前記ガス噴
出口と前記ガス排気口の間には、前記反応ガスを供給する領域が形成される付記１または
付記２に記載の基板処理装置。
【０１４３】
＜付記４＞
複数の領域を有する処理室と、
前記処理室内に設けられた基板載置台であって、複数の基板を同心円状に載置する載置
面を有し、該載置面が前記処理室の天井と対向する基板載置台と、
前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転機構と、
前記領域を分割する複数の分割部と、 
前記の分割部に設けられたガス噴出口と、
前記分割部の回転方向下流に配置された分割部に設けられたガス排気口と、
を有する基板処理装置。
【０１４４】
＜付記５＞
前記分割部は、放射状に形成される付記４に記載の基板処理装置。
【０１４５】
＜付記６＞
複数の領域に分割された基板処理室に設けられた基板載置台に、複数の基板を同心円状に
配置する工程と、
前記同心円状に配置した複数の基板を回転させる工程と、
前記基板の回転方向上流に設けられ、前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス供
給部からガスを供給し、下流に設けられた前記基板載置台と対向する位置に設けられたガ
ス排気部からガスを排気し、基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【０１４６】
＜付記７＞
分割部によって複数の領域に分割された基板処理室に設けられた基板載置台に、複数の
基板を同心円状に配置する工程と、
前記同心円状に配置した複数の基板を回転させる工程と、
前記基板の回転方向上流に設けられた分割部からガスを供給し、下流に設けられた分割部
からガスを排気し、基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【０１４７】
＜付記８＞
基板を処理する処理室と、
複数の基板を同心円状に載置する載置面を有し、該載置面が前記処理室の天井と対向する基板載置台と、
前記基板載置台を前記載置面と平行な方向に回転させる回転機構と、
前記処理室内に設けられ、前記基板載置台が回転する方向の上流であって、前記基板載置台の上方に設けられたガス供給部と、
前記処理室内に設けられ、前記基板載置台が回転する方向の下流であって、前記基板載置台の上方に設けられたガス排気部と、
前記ガス供給部、前記ガス排気部、前記回転機構を制御して、前記ガス供給部及び前記ガス排気部により前記処理室内に形成された所定の領域に前記基板を通過させる際、前記ガス供給部から反応ガスを供給し、前記ガス排気部から反応ガスを排気し、前記基板を処理するように制御する制御部と、
を有する基板処理装置。
【０１４８】
＜付記９＞
前記所定の領域に前記基板が通過する際、前記ガス供給部から前記ガス排気部への方向に回転された前記基板を処理し、前記ガス排気部から前記ガス供給部への方向に回転された前記基板を処理しないように構成されている付記８に記載の基板処理装置。
【０１４９】
＜付記１０＞
前記所定の領域は、前記基板載置台の上方であって前記ガス供給部と前記ガス排気部の間にそれぞれ形成され、前記反応ガスを供給する処理領域と、非反応ガスを供給し、前記非反応ガス雰囲気にする非処理領域があり、前記処理領域が前記非処理領域よりも小さく形成される付記９に記載の基板処理装置。
【０１５０】
＜付記１１＞
前記処理領域を構成する前記ガス供給部と前記ガス排気部とのなす角は９０°より小さくし、前記非処理領域を構成する前記ガス排気部と前記ガス供給部とのなす角は９０°より大きくする付記１０に記載の基板処理装置。
【０１５１】
＜付記１２＞
前記基板が載置された基板載置台の回転方向と、前記処理領域を流れる前記反応ガスの方向は同じになるよう構成されている付記１０または付記１１に記載の基板処理装置。
【０１５２】
＜付記１３＞
前記処理領域に反応ガス、前記非処理領域に非反応ガスを少なくとも供給し、
前記ガス排気部から前記反応ガス及び前記非反応ガスを排気するように構成されている付記１０または付記１１に記載の基板処理装置。
【０１５３】
＜付記１４＞
前記制御部は、前記処理室内に形成された所定の領域に前記基板を通過させる際、前記反応ガスの供給量及び排気量を調整し、前記反応ガスの流れを基板の回転方向に対して順方向に形成する付記８に記載の基板処理装置。
【０１５４】
＜付記１５＞
更に、前記処理室の下方に前記非処理領域のガスを排気する排気管を備え、
前記制御部は、前記ガス排気部の排気量を、前記排気管の排気量よりも大きくする付記１４に記載の基板処理装置。
【０１５５】
＜付記１６＞
複数の領域に分割された処理室に設けられた基板載置台に、複数の基板を同心円状に配置する工程と、
前記同心円状に配置した複数の基板を回転させる工程と、
前記基板載置台の回転方向と前記ガス供給部から前記ガス排気部への方向が同じ方向であって、前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス供給部から反応ガスを供給し、下流に設けられた前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス排気部から反応ガスを排気し、基板を処理する工程と、
を有する半導体装置の製造方法。
【０１５６】
＜付記１７＞
複数の領域に分割された処理室に設けられた基板載置台に、複数の基板を同心円状に配置する工程と、
前記同心円状に配置した複数の基板を回転させる工程と、
前記基板載置台の回転方向と前記ガス供給部から前記ガス排気部への方向が同じ方向であって、前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス供給部からガスを供給し、下流に設けられた前記基板載置台と対向する位置に設けられたガス排気部からガスを排気する工程と、
を有するガス給排方法。
【符号の説明】
【０１５７】
１０・・基板処理装置
１０３・・第一の搬送室
１２１・・第二の搬送室
２０２・・処理炉
【図１】
2014195043.tif 000003
【図２】
2014195043.tif 000004
【図３】
2014195043.tif 000005
【図４】
2014195043.tif 000006
【図５】
2014195043.tif 000007
【図６】
2014195043.tif 000008
【図７】
2014195043.tif 000009
【図８】
2014195043.tif 000010