(57)【要約】【課題】ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、画面輝度を向上させる。【解決手段】長方形の画素電極１０７の上に絶縁膜を介してスリット１０９１を有するコモン電極１０９が配置している。スリット１０９１は直線部１０９２と屈曲部１０９３を有している。屈曲部１０９３は押しドメインを防止するために必要である。スリット１０９１の屈曲部１０９３の下の絶縁膜の厚さを、スリット１０９１の直線部１０９２の絶縁膜の厚さよりも小さくすることによって、屈曲部１０９３における透過率を上げることにより、画素全体としての透過率を上げる。これによって画面輝度を向上させることが出来る。【選択図】図２
2014071411.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板に、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成された対向基板が対向して配置され、内部に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板には、平面べたで形成された第１の電極と、前記第１の電極の上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の上に前記第１の電極と対向した部分にスリットを有する第２の電極が形成され、
前記スリットは、直線部分と前記直線部分の端部に連接する屈曲部を有し、
前記直線部分の下の前記絶縁膜の厚さをｔ１とし、前記屈曲部の絶縁膜の厚さをｔ２とした場合、ｔ２/ｔ１は０．８以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】
前記直線部分の下の前記絶縁膜の厚さをｔ１とし、前記屈曲部の絶縁膜の厚さをｔ２とした場合、ｔ２/ｔ１は０．５以下であることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】
前記第１の電極は画素電極であり、前記第２の電極はコモン電極であることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】
前記第１の電極の形状は長方形であり、前記第２の電極の前記直線部分は、前記長方形の長辺に対して４５°以下の傾きを有していることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】
前記第１の電極の形状は長方形であり、前記第２の電極の前記直線部分は、前記長方形の短辺に対して４５°以下の傾きを有していることを特徴とする請求項１または２に記載の液晶表示装置。
【請求項６】
画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板に、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成された対向基板が対向して配置され、内部に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板には、平面べたで形成された第１の電極と、前記第１の電極の上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の上に前記第１の電極と対向した部分にスリットを有する第２の電極が形成され、
前記第１の電極の形状は長方形であり、
前記第２の電極のスリットは、前記長方形の長辺と４５°以下の傾きを有する第１の直線部分と、前記長方形の長辺に対して前記第１の直線部分の傾きとは逆方向に４５°以下の傾きを有して、前記第１の直線部分と連接する第２の直線部分と、前記第１の直線部分と連接する第１の屈曲部と前記第２の直線部分と連接する第２の屈曲部を有し、
前記第１の直線部と前記第２の直線部が連接する部分の前記絶縁膜の膜厚および前記第１の屈曲部と前記第２の屈曲部の下の前記絶縁膜の膜厚は、前記第１の直線部分および前記第２の直線部分の下の前記絶縁膜の厚さよりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】
画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板に、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成された対向基板が対向して配置され、内部に液晶が挟持された液晶表示装置であって、
前記ＴＦＴ基板には、平面べたで形成された第１の電極と、前記第１の電極の上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の上に前記第１の電極と対向した部分に第１のスリットと第２のスリットを有する第２の電極が形成され、
前記第１の電極は長方形であり、
前記第２の電極の前記第１のスリットは、第１の直線部分と前記直線部分の端部に連接する屈曲部部分を有し、前記第１の直線部分は前記長方形の短辺に対し４５°以下の角度をなし、
前記第２の電極の前記第２のスリットは、第１の直線部分と前記直線部分の端部に連接する屈曲部部分を有し、前記第２の直線部分は前記長方形の短辺に対し、前記第１の直線部分とは逆方向に４５°以下の角度をなし、
前記屈曲部における前記絶縁膜の厚さは、前記第１の直線部分および前記第２の直線部分の下の前記絶縁膜の厚さよりも小さいことを特徴とする液晶表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置に係り、特に画面輝度を向上させることが出来る液晶表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置では画素電極および薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）等を有する画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板と、ＴＦＴ基板に対向して、ＴＦＴ基板の画素電極と対応する場所にカラーフィルタ等が形成された対向基板が配置され、ＴＦＴ基板と対向基板の間に液晶が挟持されている。そして液晶分子による光の透過率を画素毎に制御することによって画像を形成している。
【０００３】
液晶表示装置はフラットで軽量であることから、色々な分野で用途が広がっている。携帯電話やＤＳＣ（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｓｔｉｌｌ Ｃａｍｅｒａ）等には、小型の液晶表示装置が広く使用されている。液晶表示装置では、画面の斜め方向から画面を見た場合に、コントラストや色が変化する、いわゆる視野角特性が問題である。視野角特性はＩＰＳ（Ｉｎ  Ｐｌａｎｅ  Ｓｗｃｈｉｎｇ）方式の液晶表示装置（以後ＩＰＳという）が優れた特性を有している。
【０００４】
ＩＰＳも色々な方式があるが、長方形の第１の電極の上に絶縁膜を形成し、その上に櫛歯状の第２の電極を配置した方式の液晶表示装置が従来広く使用されてきた。ここで、第１の電極が画素電極であれば、第２の電極はコモン電極であり、逆に第１の電極がコモン電極であれば、第２の電極は画素電極である。
【０００５】
第２の電極の櫛歯電極の端部には、液晶分子が逆回転することによるドメインが発生しやすい。特に、最近は、タッチパネル方式が普及しており、この方式では、液晶表示パネルの表面が指等で押される。そうすると、液晶分子がこの圧力によって回転し、元に戻るのに時間がかかるために、画質を劣化させるという問題が生じている。以後この問題を押しドメインという。この問題を解決するために、「特許文献１」には櫛歯の先端を１°より大きく、９０°より小さい範囲で折り曲げることによって、押しドメインの発生を防止する構成が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０００−３３０１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＩＰＳ方式として、上方の第２の電極を櫛歯状とする代わりに、平面電極にスリットを形成する形状としても、櫛歯電極を形成する場合と同様な動作を得ることが出来る。そして、この方式が広く使用されるようになってきている。以後は、下部電極としての、第１の電極を長方形とし、絶縁膜を介して、第２の電極として平面電極にスリットを形成した方式のＩＰＳについて説明する。下部電極が長方形で、上部電極がスリットを有する電極であるＩＰＳとして、いわゆるＩＰＳ−ＰＲＯと呼ばれる方式と、ＩＰＳ−ＬＩＴＥと呼ばれている方式がある。液晶を動作させる原理は同じであるが、電極の層構造が異なる。
【０００８】
ＩＰＳ−ＬＩＴＥでは、第１の電極は画素電極であり、絶縁膜の上に形成された第２の電極はコモン電極である。一方、ＩＰＳ−ＰＲＯでは、第１の電極は画素電極でもコモン電極でもよい。本明細書では、いわゆるＩＰＳ−ＬＩＴＥと呼ばれる方式を例にとって、説明する。ＩＰＳ−ＬＩＴＥでは、第１の電極は、外形が長方形で、平面ベタの画素電極であり、第２の電極は表示領域全面に透明電極で形成され、画素電極に対応する部分にスリットを形成したコモン電極である。
【０００９】
押しドメインを防止するために、スリットの端部を屈曲させる必要がある。画素電極とコモン電極との最大電圧は、液晶の透過率が最も大きくなる電圧に設定される。しかし、スリットの端部に屈曲部があると、この部分の電圧―透過率特性は、スリットの直線部とは異なってくる。
【００１０】
しかし、印加電圧は、スリットの多くの面積を占める直線部に合わせて設定されるので、スリットの端部の屈曲部の透過率特性は最適化されておらず、この分、液晶表示装置の画面輝度が犠牲となっていた。本発明の課題は、スリットの端部の屈曲部における透過率特性を改善し、画面輝度をより大きくとることが出来る液晶表示装置を実現することである。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明は上記問題を克服するものであり、主な具体的な手段は次のとおりである。すなわち、画素がマトリクス状に形成されたＴＦＴ基板に、カラーフィルタとブラックマトリクスが形成された対向基板が対向して配置され、内部に液晶が挟持された液晶表示装置であって、前記ＴＦＴ基板には、平面べたで形成された第１の電極と、前記第１の電極の上に絶縁膜が形成され、前記絶縁膜の上に前記第１の電極と対向した部分にスリットを有する第２の電極が形成され、前記スリットは、直線部分と前記直線部分の端部に連接する屈曲部を有し、前記直線部分の下の前記絶縁膜の厚さをｔ１とし、前記屈曲部の絶縁膜の厚さをｔ２とした場合、ｔ２/ｔ１は０．８以下であることを特徴とする液晶表示装置である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ＩＰＳ−ＬＩＴＥの断面構造である。
【図２】画素電極とコモン電極を示す平面図である。
【図３】従来例における画素電極とコモン電極間の断面図である。
【図４】従来例における画素電極とコモン電極間の電圧と画素の透過率特性のグラフである。
【図５】本発明における画素電極とコモン電極間の断面図である。
【図６】本発明と従来例における画素電極とコモン電極間の電圧と画素の透過率特性の比較のグラフである。
【図７】スリットの屈曲部の下の絶縁膜の膜厚を変えた場合の画素の透過率の変化を示すグラフである。
【図８】画素電極とコモン電極の間の絶縁膜の厚さを変化させるプロセスを示す断面模式図である。
【図９】本発明による画素が縦方向に２個並んだ平面図である。
【図１０】図９のX-X断面図の例である。
【図１１】図９のX-X断面図の他の例である。
【図１２】実施例２のコモン電極平面図である。
【図１３】実施例３のコモン電極平面図である。
【図１４】実施例４のコモン電極平面図である。
【図１５】実施例５のコモン電極平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
図１は、ＩＰＳ−ＬＩＴＥと呼ばれているタイプの液晶表示装置であり、いわゆるコモン電極トップタイプの断面図である。図１において、ガラスで形成されたＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成され、これを覆ってゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート電極１０１はＡｌ合金、ＭｏＷ合金あるいはＭｏＣｒ合金、あるいはそれらの積層膜によって形成される。
【００１４】
ゲート絶縁膜１０２を挟んでゲート電極１０１の上方に半導体層１０３が形成されている。半導体層１０３の上には、ドレイン電極１０４とソース電極１０５がチャネル領域を挟んで対向して形成されている。ドレイン電極１０４は図示しない場所で、映像信号線（ドレイン線）１３３と接続している。ドレイン電極１０４およびソース電極１０５はＡｌ合金、ＭｏＷ合金あるいはＭｏＣｒ合金、あるいはそれらの積層膜によって形成される。以後ドレイン電極１０４あるいはソース電極１０５と同時に形成される層をＳＤ層と称する。
【００１５】
図１において、ドレイン電極１０４およびソース電極１０５を形成後、絶縁膜を介さずに、ＩＴＯによって画素電極１０７が平面ベタで長方形に形成される。画素電極と画素電極の間には、ＳＤ層と同時に形成される映像信号線１３３が存在している。
【００１６】
画素電極１０７の上にはＳｉＮ等によって無機パッシベーション膜１０６が形成され、無機パッシベーション膜１０６の上には、画素の部分にスリット１０９１を有するコモン電極１０９が形成される。コモン電極１０９は画面全体に共通に形成され、画素の部分のみにスリットが形成される。図１では、コモン電極１０９の電位を均一にするために、光が透過しない部分のコモン電極１０９の上にコモン金属１１０が形成されている。しかし、コモン金属１１０は一部の製品で使用され、全ての製品で使用されているわけではない。コモン金属１１０はＡｌ合金、ＭｏＷ合金あるいはＭｏＣｒ合金、あるいはそれらの積層膜によって形成される。コモン電極あるいはコモン金属の上に形成される配向膜は、図１では省略されている。
【００１７】
図１において、液晶層３００を挟んで、対向基板２００が配置されている。対向基板２００にはブラックマトリクス２０２とカラーフィルタ２０１が形成され、これらを覆ってオーバーコート膜２０３が形成されている。オーバーコート膜２０３の上に形成される配向膜は図１では省略されている。図１のＴＦＴ基板１００において、画素電極１０７に電圧が印加されると、コモン電極１０９と画素電極１１０の間にスリット１０９１を通って電気力線が発生し、液晶分子３０１を回転させて液晶３００の透過率を画素毎に制御し、画像を形成する。以下に実施例を用いて本発明を詳細に説明する。
【実施例１】
【００１８】
図２は、ＴＦＴ基板における画素１個分の平面図である。図２において、点線で示された長方形の画素電極１０７の上にスリット１０９１を有するコモン電極１０９が図示しない絶縁膜（無機パッシベーション膜）を介して形成されている。図２においては、ＴＦＴは省略されている。画素の大きさは、例えば、長径mjが５０μｍ、短径ｍｉが３０μｍ、スリット１０９１の直線部１０９２の長さｄｉが３０μｍ、スリット１０９１の端部の屈曲部１０９３の長さｂｅが３μｍである。屈曲部１０９３は上下２個あるので、合計では６μｍとなる。
【００１９】
図２において、３個のスリット１０９１の下側の点線の長方形で示す部分が画素電極１０７であり、外形は長方形で、平面べたで形成されている。図２の上下の点線の部分は、スリット１０９１の屈曲部１０９３を含む領域である。図２において、長方形の画素電極１０７に電圧が印加されると、コモン電極１０９の間にスリット１０９１を通る電気力線が発生し、液晶分子を回転させ、液晶層の透過率を制御する。画素毎に透過率を制御することによって画像を形成する。
【００２０】
図３は、従来例における図２のＹ−Ｙ断面図である。図３において、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは図２のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの位置に対応している。図３において、ＴＦＴ基板１００の上に画素電極１０７が形成され、その上に絶縁膜である無機パッシベーション膜１０６が形成され、その上にスリット１０９１を有するコモン電極１０９が形成されている。従来例では、コモン電極１０９全体にわたって、絶縁膜１０６は一定の厚さである。なお、図３では、画素電極１０７の下の層は省略されている。
【００２１】
液晶層の透過率は、画素電極１０７とコモン電極１０９間の電圧によって変化する。画素電極１０７とコモン電極１０９の最大電圧は、液晶層の透過率が最大となるように決められる。図４は、画素全体の電圧と透過率の関係を示すグラフである。図４における横軸は、画素電極１０７とコモン電極１０９間の電圧であり、左側の縦軸は、画素全体の透過率を示す相対数値である。画素全体で最も透過率が大きい場合を１としている。右側の縦軸は、スリット１０９の屈曲部を含む図２の点線で囲まれた領域の透過率を示す数値である。数値は、画素全体の最大透過率を１とした場合の相対透過率を示す。
【００２２】
図４において、曲線Ａ１は、画素全体における電圧と透過率の関係を示し、曲線Ｂ１はスリット１０９の屈曲部を含む図２の点線で囲まれた領域のみの部分の電圧と透過率の関係を示す。曲線Ａ１の数値は、グラフの左側の縦軸が対応し、曲線Ｂ１の数値はグラフの右側の数値が対応する。
【００２３】
画素全体の透過率を示す曲線Ａ１は、画素電極とコモン電極との電圧が７Ｖの時に、透過率が最大となるように設定されている。図４においては、電圧が７Ｖの時の相対透過率を１としている。電圧が７Ｖからずれると透過率が低下する。
【００２４】
しかし、液晶の透過率を最大にする電圧は、スリット１０９１の形状によって異なる。図４におけるスリット１０９１の屈曲部１０９３の透過率を示す曲線Ｂ１からわかるように、屈曲部１０９３においては、最大透過率はより高い電圧に存在する。一方、スリット１０９１の面積は、図２に示すように、直線部１０９２の方が多くを占めるので、電圧は、直線部１０９２において、最大透過率となるように設定される。しかし、スリット１０９１において、直線部１０９２と屈曲部１０９３とで、別々の電圧を印加することは不可能である。したがって、従来は、全体として最大輝度となるように、妥協をしていた。
【００２５】
図５は、本発明における図２のＹ−Ｙ断面図である。図５において、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄは図２のＡ、Ｂ、Ｃ、Ｄの位置に対応している。図５において、ＴＦＴ基板１００の上に画素電極１０７が形成され、その上に絶縁膜である無機パッシベーション膜１０６が形成され、その上にスリット１０９１を有するコモン電極１０９が形成されている。図５において、画素電極１０７の下の層は省略されている。
【００２６】
図５の特徴は、スリット１０９１の屈曲部１０９３であるＡ−ＢおよびＣ−Ｄは、スリット１０９１の直線部１０９２であるＢ−Ｃに比べて絶縁膜１０６の膜厚が薄くなっていることである。したがって、スリット１０９１の屈曲部１０９３においては、画素電極１０７とコモン電極１０９間の電界強度がスリット１０９１の直線部１０９２に比較して強くなっている。つまり、屈曲部１０９３においては、絶縁膜１０６が同じ厚さであった場合に、画素電極１０７とコモン電極１０９間の電圧を上げたのと同様の効果を得ることが出来る。したがって、図５に示すような、本発明の層構造とすることによって、屈曲部１０９３の透過率を上げることが出来、全体として、液晶表示装置の輝度を向上させることが出来る。
【００２７】
図６は、本発明の効果を示すグラフである。図６において、横軸は、画素電極１０７とコモン電極１０９間の電圧であり、左側の縦軸は、画素全体の透過率を示す相対数値である。画素全体で最も透過率が大きい場合を１としている。右側の縦軸は、スリット１０９１の屈曲部１０９３を含む図２の点線で囲んだ部分の透過率を示す数値である。数値は、画素全体の最大透過率を１とした場合の相対透過率を示す。
【００２８】
図６において、曲線Ｂ１は、従来例におけるスリット１０９１の屈曲部１０９３を含む図２の点線で囲んだ部分の透過率であり、点線で示すＢ２は、本発明におけるスリット１０９１の屈曲部１０９３を含む図２の点線で囲んだ部分の透過率である。曲線Ｂ１からＢ２のように、透過率が上昇した分、画素全体の透過率も上昇する。図６において、Ａ１は従来例における画素全体の透過率であり、点線で示すＡ２は、本発明による画素全体の透過率である。屈曲部１０９３において、透過率が上昇した分、画素全体でも透過率が上昇している。図６のグラフは、スリット１０９１の直線部１０９２における絶縁膜である無機パッシベーション膜１０６の厚さが５００ｎｍで、スリット１０９１の屈曲部１０９３における絶縁膜である無機パッシベーション膜１０６の厚さが１００ｎｍの場合について評価したものである。
【００２９】
図７は、スリット１０９１の屈曲部１０９３における絶縁膜１０６の膜厚を変化させた場合の画素の透過率の変化を示すグラフである。図７において、横軸は、スリット１０９１の屈曲部１０９３における絶縁膜１０６の膜厚であり、縦軸は、画素の透過率である。横軸において、５００ｎｍの場合は、スリット１０９１の直線部１０９２と屈曲部１０９３における絶縁膜１０６の膜厚が等しい場合である。この場合の縦軸の透過率比を１としている。すなわち、従来例を１としている。
【００３０】
図７において、横軸である、スリット１０９１の屈曲部１０９３における絶縁膜１０６の膜厚を小さくすると、透過率が上昇してくる。屈曲部１０９３における絶縁膜厚を４００ｎｍとすると、画素全体としての透過率すなわち輝度は約１％向上する。電池駆動のモバイル製品では省電力の要請が強いので、１％の向上であっても効果は大きいと言える。屈曲部１０９３における絶縁膜厚を２５０ｎｍとすると、画素全体としての透過率すなわち輝度は約２％向上する。屈曲部１０９３における絶縁膜厚を１００ｎｍとすると、画素全体としての透過率すなわち輝度は３．４％向上する。
【００３１】
つまり、スリット１０９１の屈曲部１０９３における絶縁膜１０６の膜厚をスリット１０９１の直線部１０９２の絶縁膜１０６の膜厚の４/５とすると輝度は１％向上し、スリット１０９１の屈曲部１０９３における絶縁膜１０６の膜厚を直線部１０９２の絶縁膜１０６の膜厚の１/２とすると輝度は２％向上する。また、スリット１０９１の屈曲部１０９３における絶縁膜１０６の膜厚を直線部１０９２の絶縁膜１０６の膜厚の１/５とすると輝度は３．４％向上する。
【００３２】
図８は本発明の構成を実現するプロセスの例である。図８は、ハーフトーン露光を用いる場合の例である。図８において、ＴＦＴ基板１００の上に画素電極１０７が形成され、その上に絶縁膜である無機パッシベーション膜１０６が形成されている。図８のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄは図２のＡ，Ｂ，Ｃ，Ｄに対応している。なお、図８において、画素電極１０７の下の構成は省略されている。その後、絶縁膜１０６の上にレジスト１０を形成し、これをハーフトーンマスク２０を用いて露光する。これを現像すると、ハーフトーンの部分のレジスト１０は薄く形成される。
【００３３】
その後、ドライエッチング等によってエッチングすると、まず、レジスト１０が削られるが、レジストが薄くなっているスリット１０９１の屈曲部１０９３に対応する領域Ａ−Ｂ、Ｃ−Ｄのレジスト１０が消失する。さらにエッチングを続けると、図８（ｂ）に示すように、領域Ａ−Ｂ、Ｃ−Ｄの部分において、絶縁膜１０６が削られて薄くなっていく。
【００３４】
さらにエッチングを続け、スリット１０９１の直線部１０９２に対応する領域Ｂ−Ｃにおいて、レジスト１０が消失する時点でエッチングを停止する。そうすると、図８（ｃ）に示すように、スリット１０９１の屈曲部１０９３に対応する領域Ａ−Ｂ、Ｃ−Ｄの部分において、絶縁膜１０６が薄くなった構成を実現することが出来る。ここで、領域Ｂ−Ｃの部分と、域Ａ−Ｂ、Ｃ−Ｄの部分の膜厚差は、図８（ａ）におけるレジスト１０の厚さの差によって制御することが出来る。つまり、ハーフトーンマスク２０のハーフトーン部の透過率を制御することによって、絶縁膜１０６の膜厚差を制御することが出来る。
【００３５】
図９は、本発明における画素を縦方向に２個並べた平面図である。図９は、図２を縦に並べたのと同様である。各画素における断面図は図５等と同様である。図９において、上の画素ＡＡと下の画素ＢＢとの境界領域における絶縁膜１０６の膜厚をどのように形成するかによって、製品の性能、製造歩留まり等に影響が出てくる。
【００３６】
図１０は、図９のＸ−Ｘ断面図の第１の例である。図１０において、ＴＦＴ基板１００の上にゲート電極１０１が形成され、その上にゲート絶縁膜１０２が形成されている。ゲート絶縁膜１０２の上には、画素電極１０７が形成され、画素電極１０７の上には、無機パッシベーション膜である絶縁膜１０６が形成されている。絶縁膜１０６は、図９に示すスリット１０９１の直線部１０９２においては膜厚が大きく、図９の画素の点線で示すスリット１０９１の屈曲部１０９３を含む領域においては、膜厚が薄くなっている。
【００３７】
図１０において、絶縁膜１０６の上にコモン電極１０９が形成されている。図１０におけるＡ−Ｂ、Ｃ−Ｄ、Ｅ−Ｆの部分にスリット１０９１の屈曲部１０９３が形成されており、Ｂ−Ｃ、Ｄ−Ｅの部分にはスリット１０９１の直線部１０９２が形成されている。図１０のＣ−Ｄの部分には、図９における上の画素ＡＡと下の画素ＢＢのスリット１０９１の屈曲部１０９３が存在している。図１０の構成は、２個の画素の境界の絶縁膜１０６は同じ薄い膜厚のままなので、断面形状は単純となり、図９における縦ピッチが小さくなった場合でも対応することが出来る。
【００３８】
図１１は、図９のＸ−Ｘ断面図の第２の例である。図１１において、画素電極１０７までは、図１０で説明したのと同様である。図１１が図１０と異なる点は、画素と画素の境界における無機パッシベーション膜である絶縁膜１０６の膜厚である。図１１においては、スリット１０９１の屈曲部１０９３に対応する部分は、絶縁膜１０６の膜厚が小さくなっているが、その他の部分、すなわち、図１１のＣ１−Ｄ１の部分の絶縁膜１０６はスリット１０９１の直線部１０９２と同じ膜厚となっている。
【００３９】
図１１の構造は、次のような利点がある。すなわち、コモン電極１０９とゲート電極１０１の間には、画素電極１０７が無い部分において、容量が存在しているが、この容量は小さい程よい。無機パッシベーション膜１０６の膜厚を小さくすると、コモン電極１０９とゲート電極１０１間の容量が大きくなる。しかし、図１１に示すように、２個の画素の境界部において、スリット１０９１の屈曲部１０９３が存在する部分以外の部分の絶縁膜１０６をスリット１０９１の直線部１０９２の絶縁膜１０６の膜厚と同じにすれば、コモン電極１０９とゲート電極１０１の容量を小さくすることが出来る。
【実施例２】
【００４０】
図１２は、本発明における第２の実施例を示す画素部におけるコモン電極１０９の平面図である。図１２において、画素電極１０７は記載を省略されている。本実施例が実施例１と異なる点は、コモン電極１０９におけるスリット１０９１の形状である。図１２のスリット１０９１の直線部１０９２は、実施例の図２等と異なり、画素の長辺に対して４５°以下の所定の角度傾いている。なお、画素の長辺は、画素電極１０７の長辺と言い換えてもよい。
【００４１】
図１２に示すような画素と隣接する図示しない画素は、コモン電極１０９におけるスリット１０９１の直線部１０９２の傾きは、図１２に示すスリット１０９１の傾きと逆方向に傾いている。このような構成によって、視野角特性をより均一にすることが出来る。図１２においても、スリット１０９１の屈曲部１０９３の絶縁膜１０６は実施例１と同様に薄くすることによって、スリット１０９１の屈曲部１０９３の透過率を向上させることが出来、全体として画面輝度を上げることが出来る。
【実施例３】
【００４２】
図１３は、本発明における第３の実施例を示す画素部におけるコモン電極１０９の平面図である。図１３において、画素電極１０７は記載を省略されている。本実施例が実施例１と異なる点は、コモン電極１０９におけるスリット１０９１が直線ではなく、くの字型となっている点である。
【００４３】
図１３において、スリット１０９１は、画素の長軸に対して４５°以下の角度傾いた第１の直線部１０９２と、画素の長軸に対して逆方向に４５°以下の角度傾いた第２の直線部１０９２と、第１の直線部１０９２と連結する第１の屈曲部１０９３と第２の直線部１０９２と連結する第２の屈曲部１０９３を持つ構成となっている。このようなスリット構成によって、１画素内において、視野角特性の不均一を解消することが出来る。なお、画素の長辺は、画素電極１０７の長辺と言い換えてもよい。
【００４４】
図１３において、第１の直線部１０９２と第２の直線部１０９２が連結する折れ曲がり部１０９４における電圧―透過率特性は、直線部１０９２における電圧―透過率特性とは異なり、最大透過率が生ずる領域は、直線部１０９２に比べて高電圧側にシフトする。したがって、折れ曲がり部１０９４を含む領域の絶縁膜１０６は、実施例１において説明したのと同様、直線部１０９２に比較して薄くすることによって透過率を上げることが出来る。したがって、本実施例では、スリット１０９１の両端部の屈曲部１０９３と、スリット１０９１の中央部の折れ曲がり部１０９４の、計３か所において、絶縁膜１０６を薄くした領域を形成する。これによって、画素全体として透過率を向上させることが出来る。
【実施例４】
【００４５】
図１４は、本発明における第４の実施例を示す画素部におけるコモン電極１０９の平面図である。図１４において、画素電極１０７は記載を省略されている。本実施例が実施例２と異なる点は、コモン電極１０９におけるスリット１０９１が縦方向ではなく、横方向ということである。図１４において、スリット１０９１の直線部１０９２は、画素の短軸に対して４５°以下の所定の角度傾いている。スリット１０９１の屈曲部１０９３は画素の実施例１等と異なり、長辺側に存在している。したがって、無機パッシベーション膜で構成される絶縁膜１０６が薄くなった領域は画素の長辺側に存在している。なお、画素の短軸は、画素電極１０７の短軸と言い換えてもよい。
【００４６】
図１４に示すような画素と隣接する図示しない画素においては、コモン電極１０９におけるスリット１０９１の直線部１０９２の傾きは、図１４に示すスリット１０９１の傾きと逆方向に傾いている。このような構成によって、視野角特性をより均一にすることが出来る。
【００４７】
本実施例では、コモン電極１０９のスリット１０９１が横方向に配置しているために、スリット全体の面積に占めるスリットの屈曲部１０９３の占める面積の割合が、実施例１〜３に示すような、スリット１０９１が縦方向である場合に比較して大きい。つまり、屈曲部１０９３の面積の割合が大きいので、スリット１０９１の屈曲部１０９３の絶縁膜１０６の厚さを小さくすることによる透過率向上の効果が、他の実施例に比較して大きい。
【実施例５】
【００４８】
図１５は、本発明における第５の実施例を示す画素部におけるコモン電極１０９の平面図である。図１５において、画素電極１０７は記載を省略されている。本実施例においても、実施例４と同様、スリット１０９１が横方向となっている。本実施例である図１５が実施例４である図１４と異なる点は、コモン電極１０９のスリット１０９１の傾きが画素の短軸を挟んで逆向きとなっている点である。なお、画素の短軸は、画素電極１０７の短軸と言い換えてもよい。
【００４９】
図１５において、画素の上側のスリット１０９１は、画素の短軸に対して４５°以下の所定の角度傾いており、画素の下側のスリット１０９１は、画素の短軸に対して逆方向に４５°以下の所定の角度傾いている。このようなスリット構成によって、１画素内において、視野角特性の不均一を解消することが出来る。
【００５０】
図１５において、スリット１０９１の屈曲部は、画素の長辺側に存在している。したがって、絶縁膜１０６の薄い部分は画素の長辺側に存在している。本実施例においても、コモン電極１０９のスリット１０９１が横方向に配置しているために、スリット全体の面積に占めるスリットの屈曲部１０９３の占める面積の割合が、実施例１〜３に示すような、スリット１０９１が縦方向である場合に比較して大きい。つまり、屈曲部１０９３の面積の割合が大きいので、スリット１０９１の屈曲部１０９３の絶縁膜１０６の厚さを小さくすることによる透過率向上の効果が、実施例１〜３に比較して大きい。
【００５１】
以上の実施例では、いわゆるＩＰＳ−ＬＩＴＥの構造を基に説明したが、本発明は、いわゆるＩＰＳ−ＰＲＯについても適用することが出来る。ＩＰＳ−ＰＲＯにおいては、下層の第１の電極が画素電極の場合で、上層の第２の電極がコモン電極の場合と、下層の第１の電極がコモン電極の場合で、上層の第２の電極が画素電極の場合とがあるが、いずれの場合であっても本発明を適用することが出来る。
【符号の説明】
【００５２】
１０…フォトレジスト、  ２０…ハーフトーンマスク、  １００…ＴＦＴ基板、  １０１…ゲート電極、  １０２…ゲート絶縁膜、  １０３…半導体層、  １０４…ドレイン電極、  １０５…ソース電極、  １０６…パッシベーション膜、  １０７…画素電極、  １０９…コモン電極、  １１０…コモン金属、  １３３…映像信号線、  ２００…対向基板、  ２０１…カラーフィルタ、  ２０２…ブラックマトリクス、  ２０３…オーバーコート膜、  ３００…液晶層、  １０９１…スリット、  １０９２…スリット直線部、  １０９３…スリット屈曲部、  １０９４…スリット折れ曲がり部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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