(57)【要約】【課題】反射率を低減可能な技術を提供することを目的とする。【解決手段】低反射電極２は、基板１上に形成された、有機系樹脂膜などからなる下地膜２１と、下地膜２１上に形成された酸素原子を含むＡｌ合金膜２２と、Ａｌ合金膜２２上に形成された金属導電膜２３と、金属導電膜２３上に形成された光透過性膜２４とを備える。下地膜２１、Ａｌ合金膜２２、金属導電膜２３及び光透過性膜２４のうち少なくとも金属導電膜２３及び光透過性膜２４の表面に凹凸が形成されている。【選択図】図１
2014213546.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成された、有機系樹脂膜、無機系樹脂膜、及び、Ｓｉを含む膜のいずれかからなる下地膜と、
前記下地膜上に形成された、酸素原子を含むＡｌ合金膜と、
前記Ａｌ合金膜上に形成された金属導電膜と、
前記金属導電膜上に形成された光透過性膜と
を備え、
前記下地膜、前記Ａｌ合金膜、前記金属導電膜及び前記光透過性膜のうち少なくとも前記金属導電膜及び前記光透過性膜の表面に凹凸が形成されている、導電積層膜。
【請求項２】
請求項１に記載の導電積層膜であって、
前記Ａｌ合金膜が、アルゴンガスと酸素ガスと含む混合ガスを用いたスパッタリング法によって形成された、導電積層膜。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の導電積層膜であって、
前記Ａｌ合金膜は、前記凹凸と同様の凹凸が形成された表面を有し、
前記金属導電膜及び前記光透過性膜の前記凹凸は、前記Ａｌ合金膜の前記凹凸を反映している、導電積層膜。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の導電積層膜であって、
波長５５０ｎｍの光に関する前記光透過性膜の屈折率が、１．８以上２．３以下である、導電積層膜。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の導電積層膜であって、
前記光透過性膜の膜厚が、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下である、導電積層膜。
【請求項６】
請求項５に記載の導電積層膜であって、
前記光透過性膜の膜厚が、４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下である、導電積層膜。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の導電積層膜であって、
前記光透過性膜は導電性酸化物を含む、導電積層膜。
【請求項８】
請求項１乃至請求項６のいずれかに記載の導電積層膜であって、
前記光透過性膜は、３９ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％未満の窒素原子を含むＡｌ合金膜からなる、導電積層膜。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれかに記載の導電積層膜であって、
前記下地膜、前記Ａｌ合金膜及び前記金属導電膜は導電積層膜パターンとしてパターン形成されており、
前記導電積層膜パターンが、前記光透過性膜で覆われている、導電積層膜。
【請求項１０】
請求項９に記載の導電積層膜であって、
断面視における前記導電積層膜パターンの各パターンの表面輪郭が略円弧状である、導電積層膜。
【請求項１１】
請求項９または請求項１０に記載の導電積層膜の前記導電積層膜パターンを、外部との接触を検出するためのセンサー電極に用いた、タッチパネル。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電積層膜、及び、導電積層膜が適用されたタッチパネルに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、指やペンなどと接触した位置を検出するタッチパネルを、液晶パネル等の画像表示装置上に一体的に設けた表示装置が広く用いられつつある。タッチパネルの方式としては、光学方式、圧電方式、抵抗膜方式及び静電容量方式などが提案されている。従来、指などの接触に伴う、対向配置された導電膜同士の当接を検出することによって、その接触位置を検出する抵抗膜方式（例えば特許文献１）が広く用いられていた。しかし、近年では、指などの接触に伴う、導電性のセンサー電極に形成される静電容量の変化を検出することによって、その接触位置を検出する静電容量方式（例えば特許文献２〜４）が普及しつつある。
【０００３】
ここで、上述のような表示装置では、画像表示装置からの画像の表示品位がタッチパネルによって劣化されないようにするため、タッチパネルには、優れた光透過特性及び光学特性が要求されている。この要求を満たすため、一般的には、導電性のセンサー電極に、光透過性を有するＩＴＯ（酸化インジウムと酸化すずの混合酸化物）からなる導電膜（酸化物透明導電膜）が用いられることがある。
【０００４】
しかしながら、酸化物透明導電膜の比抵抗値は比較的大きい（一般的に１５０〜１５００μΩ・ｃｍ）ことから、画像表示装置の大型化に伴ってタッチパネルも大型化しようとすると、センサー電極の抵抗が大きくなってしまう。この結果、大型の表示装置では、位置検出信号のノイズが大きくなり、良好な検出感度が得られないという問題があった。
【０００５】
そこで、センサー電極を低抵抗化するために、光透過性を有しないが比抵抗値が低い金属導電膜を用いる構成が提案されている。また、金属導電膜の一種であるＡｌ（アルミニウム）またはＡｌ合金膜に関して、光反射率を低減させる技術も提案されている（例えば特許文献５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平５−１２７８２２号公報
【特許文献２】実開昭５８−１７１５５３号公報
【特許文献３】特開昭６３−１６３２２号公報
【特許文献４】特開２００５−３３７７７３号公報
【特許文献５】特開２０１０−７９２４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上述のように、抵抗が低い金属導電膜について光反射率を低減させる技術が提案されているものの、依然として光反射率が高いことから、屋外の太陽光などの強い光に曝される環境下では、反射光に起因して表示品位が劣化するという問題があった。
【０００８】
そこで、本発明は、上記のような問題点を鑑みてなされたものであり、反射率を低減可能な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る導電積層膜は、基板上に形成された、有機系樹脂膜、無機系樹脂膜、及び、Ｓｉを含む膜のいずれかからなる下地膜と、前記下地膜上に形成された、酸素原子を含むＡｌ合金膜と、前記Ａｌ合金膜上に形成された金属導電膜と、前記金属導電膜上に形成された光透過性膜とを備える。そして、前記下地膜、前記Ａｌ合金膜、前記金属導電膜及び前記光透過性膜のうち少なくとも前記金属導電膜及び前記光透過性膜の表面に凹凸が形成されている。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、凹凸の光散乱による反射率低減効果と、光透過性膜での光干渉による反射率低減効果とによって、反射率を低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施の形態１に係る低反射電極の基本構成を模式的に示す断面図である。
【図２】実施の形態１に係る低反射電極の製造方法を示す断面図である。
【図３】実施の形態１に係る低反射電極に形成される凹凸を示す平面図である。
【図４】実施の形態１に係る低反射電極の反射率の測定結果を示す図である。
【図５】実施の形態１の変形例１に係る低反射電極の基本構成を模式的に示す断面図である。
【図６】実施の形態１の変形例１に係る低反射電極に形成される凹凸を示す平面図である。
【図７】実施の形態１の変形例２に係る低反射電極の基本構成を模式的に示す断面図である。
【図８】実施の形態１の変形例２に係る低反射電極の別の基本構成を模式的に示す断面図である。
【図９】実施の形態２に係る低反射電極の基本構成を模式的に示す断面図である。
【図１０】実施の形態２に係る低反射電極の製造方法を示す断面図である。
【図１１】実施の形態２に係る低反射電極の別の基本構成を模式的に示す断面図である。
【図１２】実施の形態２に係る低反射電極の別の製造方法を示す断面図である。
【図１３】実施の形態３に係るタッチパネル基板の基本構成を模式的に示す平面図である。
【図１４】実施の形態３に係るタッチパネル基板の基本構成を模式的に示す断面図である。
【図１５】実施の形態３に係るタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１６】実施の形態３に係るタッチパネル基板の製造方法を示す断面図である。
【図１７】実施の形態３に係るタッチパネル基板の別の基本構成を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明に係る導電積層膜を適用した実施形態の一例について説明する。なお、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に属し得ることは言うまでもない。
【００１３】
＜実施の形態１＞
本発明の実施の形態１では、本発明に係る導電積層膜を電極に適用した場合を例にして説明する。なお、後述するように、当該導電積層膜が適用された電極においては、光の反射率は低減されていることから、以下、当該電極を「低反射電極」と記す。
【００１４】
図１は、本実施の形態１に係る低反射電極２の基本構成を模式的に示す断面図である。図１に示されるように、低反射電極２は、ガラスなどの透明絶縁性の材質からなる基板１上に形成されている。低反射電極２は、４層構造を有しており、基板１の上面から順に、有機系樹脂膜からなる下地膜２１（第１層）と、酸素（Ｏ）原子を含むＡｌ合金膜２２（第２層）と、金属導電膜２３（第３層）と、光透過性膜２４（第４層）とを備えて構成されている。
【００１５】
Ａｌ合金膜２２は、当該凹凸と同様の凹凸が形成された表面（ここでは上面及び下面）を有している。そして、金属導電膜２３及び光透過性膜２４の凹凸は、Ａｌ合金膜２２の凹凸を反映（凹凸が浮き出て転写）したものとなっている。これにより、下地膜２１、Ａｌ合金膜２２、金属導電膜２３及び光透過性膜２４のうち少なくとも金属導電膜２３及び光透過性膜２４の表面（上面及び下面）には微細な凹凸が形成されている。すなわち、Ａｌ合金膜２２の凹凸が、低反射電極２の最も外側の表面までそのまま維持された構成となっている。
【００１６】
金属導電膜２３は、実質的に低反射電極２の本体を構成している。
【００１７】
光透過性膜２４は、自身に入射された光を透過する。これにより、低反射電極２の表面に入射された光は、光透過性膜２４を透過して、金属導電膜２３にて反射される。この結果、光透過性膜２４においては、金属導電膜２３と逆側からの入射光と、金属導電膜２３からの反射光とが干渉してそれらの光の強度が弱められる。すなわち、光透過性膜２４は、低反射電極２の反射光の強度を弱める機能を有している。なお、この機能を高めることが必要であれば、波長５５０ｎｍの光に関する光透過性膜２４の屈折率が、１．４以上２．５以下であることが好ましく、さらに１．８以上２．３以下であることがより好ましい。また、上記の機能を高めるためには、光透過性膜２４の膜厚は、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましく、さらに４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることがより好ましい。また、光透過性膜２４は、電気的に導電性でも絶縁性でもよく、いずれにするかは、低反射電極２に求められる構成や特性によって任意に選ぶことができる。
【００１８】
上述の光透過性膜２４による反射光の低減に加えて、本実施の形態１に係る低反射電極２では、金属導電膜２３及び光透過性膜２４の表面に凹凸が形成されている。したがって、低反射電極２における光の入射及び反射を散乱することができることから、低反射電極２の反射光をより低減することが可能となっている。
【００１９】
図２は、本実施の形態１に係る低反射電極２の製造方法を工程ごとに示す断面図である。次に、図２（ａ）〜図２（ｄ）を参照して、本実施の形態１に係る低反射電極２の製造方法について説明する。
【００２０】
まず、図２（ａ）に示されるように、ガラスなどの透明絶縁性の材質からなる基板１を洗浄液または純水を用いて洗浄し、当該基板１上に有機系樹脂膜からなる下地膜２１を形成する。一例として、ここではノボラック系の有機系樹脂膜を、スリットコータ法またはスピンコータ法を用いて塗布した後、それを約１００℃の温度で焼成することにより、約１．２μｍの厚さの下地膜２１を形成した。
【００２１】
次に、図２（ｂ）に示されるように、下地膜２１上に、酸素（Ｏ）原子を添加したＡｌ合金膜２２を形成する。一例として、ここではＡｌのターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｌ合金膜２２を形成した。具体的には、スパッタリング装置の成膜チャンバー内にて、Ａｒガスに３％の分圧比でＯ２ガスを加えたＡｒ＋３％Ｏ２混合ガスを導入しつつポンプで排気することにより、その内部の圧力を０．６Ｐａとなるように設定した。そして、基板温度を２００℃、ＤＣパワー密度を６．５Ｗ／ｃｍ２とした条件下で、Ａｌの金属ターゲットを用いたスパッタリングを行うことにより、Ａｌ合金膜２２（Ａｌ−Ｏ膜）を２００ｎｍの厚さで成膜した。このとき、Ａｌ合金膜２２に含まれるＯ原子の組成比は、４ｍｏｌ％であった。
【００２２】
なお、Ａｌ合金膜２２を下地膜２１上に形成することにより、Ａｌ合金膜２２の表面には、図２（ｂ）に示すような微細な凹凸が形成された。図３は、上述の工程を実際に行うことによってＡｌ合金膜２２に形成された凹凸の画像を示す図である。Ａｌ合金膜２２には、平面視におけるピッチ（凹部を挟んで隣接する凸部と凸部との間の平均距離）が約３μｍのランダムな迷路状の凹凸が形成された。また、断面視における凹凸の差は約０．３μｍであった。
【００２３】
このような凹凸が形成されるメカニズムは不明であるが、基板加熱下でＯ原子を添加してＡｌ合金膜を成膜した後に基板冷却過程を行ったことによって、Ａｌ合金膜において、熱収縮率が異なるＡｌ相及びＡｌ−Ｏ相が析出したためであると考えられる。つまり、基板冷却に伴ってＡｌ合金膜が熱収縮する際に、Ａｌ相及びＡｌ−Ｏ相の熱収縮率の差に起因する局所的な応力が、Ａｌ合金膜の界面において不均一な分布で発生したために、Ａｌ合金膜の表面に微細な凹凸が形成されたと考えられる。
【００２４】
なお、スパッタリングの条件は、使用するスパッタリング装置によって適宜決定されるものであり、上述の条件に限定されるものではない。また、Ａｌ合金膜２２内のＡｌとＯとの組成比は、上述の条件を変更して適宜調整することが可能である。さらに、Ａｒ＋Ｏ２混合ガス中のＯ２ガスの分圧比を変更したり、スパッタリングパワーの条件等を変更したりすることにより、上述の凹凸のサイズ及びピッチ等の形状を適宜変更することが可能である。
【００２５】
それから、図２（ｃ）に示されるように、Ａｌ合金膜２２上に、金属導電膜２３を形成する。金属導電膜２３としては、特に膜種は限定されることなく、必要とされる化学特性（薬液耐性）や電気特性などを考慮して適宜選定することができる。
【００２６】
例えば、金属導電膜２３に、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｍｏ（モリブデン）の膜、または、これらの金属原子を主成分（構成原子の中で最も含有量が多い成分）とする合金膜を適用した場合には、比抵抗値を１０〜５０μΩ・ｃｍと比較的低くすることができるとともに、波長５５０ｎｍの光に関する反射率も５０〜６０％と低くすることができる。また、例えば、金属導電膜２３に、Ａｌ膜、または、Ａｌを主成分とする合金膜を適用した場合には、比抵抗値を３〜１０μΩ・ｃｍと大幅に低くすることができることから、平面視における低反射電極２が占める面積を低減することができる。
【００２７】
一例として、ここでは純Ａｒ（アルゴン）ガスを導入しつつ、Ａｌの金属ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さ２００ｎｍのＡｌ膜からなる金属導電膜２３を成膜した。このとき、金属導電膜２３の表面には、上述したＡｌ合金膜２２の成膜工程で形成された凹凸がそのまま反映される。
【００２８】
次に、図２（ｄ）に示されるように、金属導電膜２３上に、光透過性膜２４を形成する。光透過性膜２４としては、光透過性を有する膜であれば、特に膜種は限定されることはないが、光干渉効果による反射光強度を低減する効果を高めることが必要であれば、上述したように、波長５５０ｎｍの光に関する光透過性膜２４の屈折率が、１．４以上２．５以下であることが好ましく、さらに１．８以上２．３以下であることがより好ましい。また、光透過性膜２４の膜厚は、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましく、さらに４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００２９】
一例として、ここではＡｌのターゲットを用いたＤＣスパッタリング法により、Ｎ（窒素）原子を添加した窒化アルミニウム膜（Ａｌ−Ｎ膜）からなる光透過性膜２４を形成した。具体的には、ＡｒガスにＮ２ガスを添加した混合ガスを導入しつつ、スパッタリングのターゲットとしてＡｌの金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により、光透過性膜２４を成膜した。より具体的には、スパッタリング装置の成膜チャンバー内にて、Ａｒガスに１５％の分圧比でＮ２ガスを加えたＡｒ＋１５％Ｎ２混合ガスを導入しつつポンプで排気することにより、その内部の圧力を０．６Ｐａとなるように設定した。そして、基板温度を２００℃、ＤＣパワー密度を６．５Ｗ／ｃｍ２とした条件下で、Ａｌの金属ターゲットを用いたスパッタリングを行うことにより、Ａｌ合金膜（Ａｌ−Ｎ膜）からなる光透過性膜２４を、５０ｎｍの厚さで成膜した。このとき、光透過性膜２４のＡｌ合金膜に含まれるＮ原子の組成比は、４５ｍｏｌ％、比抵抗値は０．１Ω・ｃｍ、波長５５０ｎｍの光に関する屈折率が２．２、波長５５０ｎｍの光に関する透過率は８０％であった。なお、以上のような光透過性膜２４の形成方法によれば、Ａｒガスに添加するＮ２ガス量を変更することによって、光透過性膜２４内のＡｌとＮとの組成比を適宜変更することが可能である。
【００３０】
以上により、本実施の形態１に係る低反射電極２が完成する。このようにして得られた低反射電極２の比抵抗値は５μΩ・ｃｍであった。また、図４に、可視光の波長の範囲における低反射電極２の反射率の測定結果（分光特性）を示す。なお、図４（ｂ）は、図４（ａ）の一部を拡大した図である。図４には、本実施の形態１に係る低反射電極２の反射率（実線）だけでなく、比較例１（金属導電膜２３のみを形成した構成）の反射率（一点鎖線）と、比較例２（２００ｎｍの厚さを有するＡｌ膜からなる金属導電膜２３上に、５０ｎｍの厚さを有するＡｌ−Ｎ膜からなる光透過性膜２４が形成されているが、微小凹凸が形成されていない構成）の反射率（破線）とが示されている。
【００３１】
図４に示されるように、比較例２では、比較例１に比べて反射率が大幅に低減していることがわかる。さらに凹凸が形成されていない比較例２の構成よりも、凹凸が形成された本実施の形態１に係る構成のほうが、反射率が低減していることがわかる。なお、反射率の値は、光透過性膜２４の材料や物性値（膜厚、光の屈折率）、及び、表面の凹凸形状を変更することにより、ある程度調整することが可能である。
【００３２】
以上のように、本実施の形態１に係る低反射電極２によれば、有機系樹脂膜からなる下地膜２１、及び、酸素（Ｏ）原子を含むＡｌ合金膜２２を順に基板１上に形成することによって低反射電極２に微細な凹凸が形成されているという特徴と、金属導電膜２３上に光透過性膜２４が形成されているという特徴とを有する。これにより、凹凸の光散乱による反射率低減効果と、光透過性膜２４での光干渉による反射率低減効果との相互効果が得られることから、太陽光などの強い光に曝される環境下でも、低反射電極２からの反射光を低減することができる。したがって、当該反射光に起因する視覚への影響を抑制することができる。そして、この結果として、金属導電膜２３には、反射率が多少高くても比抵抗値が低いＡｌなどの金属を用いることができるので、低反射特性だけでなく、低抵抗特性も兼ね備えた低反射電極２の実現が期待できる。
【００３３】
なお、以上では、下地膜２１に、ノボラック系の有機系樹脂膜を適用した構成について説明した。しかし、これに限ったものではなく、例えば、他のアクリル系の有機系樹脂膜を、下地膜２１に適用する構成であってもよい。また、有機系に限らず、例えば、ＳＯＧ（Spin On Glass）のような酸化シリコン（ＳｉＯ）を含む無機系化合物からなる樹脂膜（無機系樹脂膜）を、下地膜２１に適用する構成であってもよい。また、樹脂膜に限らず、例えば、Ｓｉ、またはＳｉを主成分とする化合膜（Ｓｉを含む膜）を、下地膜２１に適用する構成であってもよい。
【００３４】
これらのいずれを下地膜２１に適用しても、当該下地膜２１上にＡｌ合金膜２２を形成することによって、下地膜２１及びＡｌ合金膜２２のそれぞれの表面に凹凸を形成することができる。特に、ＳｉとＡｌとの界面では互いの原子が相互拡散するアロイスパイクと呼ばれる反応が一般的に生じることから、Ｓｉを含む膜を下地膜２１に適用した構成では、その反応と、上述したＡｌ相とＡｌ−Ｏ相との熱収縮率の違いとの相互作用によって凹凸が形成されると考えられる。
【００３５】
また、以上に説明した構成では、金属導電膜２３にＡｌ膜を適用し、光透過性膜２４にＡｌ−Ｎ膜を適用した。このため、Ａｌ合金膜２２、金属導電膜２３及び光透過性膜２４を、同じＡｌの金属ターゲットを用いたスパッタリング法を用いて形成することができる。すなわち、スパッタリング時に導入するガスを、Ａｒ＋Ｏ２混合ガス、純Ａｒガス、Ａｒ＋Ｎ２混合ガスと順に変更するだけで、これら膜を成膜することができる。このため、スパッタリング用の材料を増やさなくて済むことから、低コストで製造することができる。また、Ａｌ合金膜２２、金属導電膜２３及び光透過性膜２４を連続的に成膜することができるので、生産性を向上させることができる。
【００３６】
また、以上に説明した構成では、光透過性膜２４に、Ｎの組成比が４５ｍｏｌ％であるＡｌ−Ｎ膜（Ａｌ合金膜）を適用した。しかしながら、例えば、Ａｌ合金膜に含まれるＮの組成比を３９ｍｏｌ％から増やしていくと膜の光透過率が増加するので、Ｎの組成比が３９ｍｏｌ％以上であるＡｌ−Ｎ膜を光透過性膜２４に適用すれば、上述の光干渉効果の機能を高めることができる。また、ＡｌＮ化合物の化学量論係数は１：１（すなわちＡｌに対するＮ組成比は５０％）である。このため、光透過性膜２４として、Ｎ組成比が３９ｍｏｌ％以上５０ｍｏｌ％以下の範囲のＡｌ−Ｎ膜を適用することが可能である（ただし、Ｎ組成比は後述するように５０％未満であることが好ましい）。このようなＡｌ−Ｎ膜を光透過性膜２４に適用した場合には、波長５５０ｎｍの光に関する屈折率が１．８以上２．４以下となる光透過性膜２４を実現することができる。
【００３７】
＜実施の形態１の変形例１＞
実施の形態１に係る低反射電極２は、任意の形状にパターニング加工（パターン形成）されてもよい。例えば、図５に示すように、下地膜２１、Ａｌ合金膜２２、金属導電膜２３及び光透過性膜２４の平面視の形状が揃うようにパターニング加工してもよい。
【００３８】
パターニング加工は、例えば公知のフォトレジストを用いた写真製版工程を用いることができる。実施の形態１では、Ａｌ合金膜２２、金属導電膜２３、光透過性膜２４はいずれもＡｌを含んでいるので、例えば公知のリン酸、硝酸及び酢酸を含む酸薬液を用いてこれらの膜を一括してエッチングすることによってパターニング加工することができる。したがって、製造工程の簡略化の観点から好ましい実施形態となっている。なお、光透過性膜２４に、Ｎの組成比が５０ｍｏｌ％のＡｌ−Ｎ膜（Ａｌ：Ｎ＝１：１）を適用した場合には、公知のリン酸、硝酸及び酢酸を含む酸薬液を用いてエッチングすることが困難な場合がある。このような困難を回避するため、Ａｌ−Ｎ膜のＮの組成比を５０ｍｏｌ％未満に抑えることが好ましい。下地膜２１については、例えば公知のＯ２ガスのプラズマを用いたアッシングを行うことによりパターニング加工することができる。
【００３９】
ここで、タッチパネルにおいては、光透過率を高めることが求められている。そのため、パターニング加工された低反射電極２を、タッチパネル用のセンサー電極に適用する場合には、光の透過を妨げるセンサー電極が平面視において占める面積を小さくするために、その幅を１０μｍ以下の細線形状とする構成が好ましい。そして、低反射電極２を１０μｍ以下の細線形状にパターニング加工した構成であっても、低反射電極２に上述の反射率低減化する微細な凹凸が形成されるためには、当該凹凸のピッチを少なくとも１０μｍ以下にする必要がある。
【００４０】
図６は、以上の工程を実際に行うことによって低反射電極２に形成された凹凸の画像を示す図である。以上のような工程によれば、ピッチが１０μｍ以下となるような凹凸を形成することができるので、電極幅が１０μｍ以下の細線パターンを低反射電極２に適用した構成であっても、反射率を低減する効果を得ることができる。
【００４１】
＜実施の形態１の変形例２＞
実施の形態１の変形例１で説明したパターニング加工された低反射電極２では、その側面が剥き出していることから、当該側面における反射光が視覚に影響を与えることがある。そこで、図７に示されるように、下地膜２１、Ａｌ合金膜２２及び金属導電膜２３を導電積層膜パターン２６としてパターニング加工（パターン形成）し、当該導電積層膜パターン２６を、光透過性膜２４で覆うように構成してもよい。このような構成によれば、導電積層膜パターン２６の側面においても、光透過性膜２４により反射率低減効果が得られる。
【００４２】
なお、図７に示すような構成を製造するためには、金属導電膜２３まで形成した際に、下地膜２１、Ａｌ合金膜２２及び金属導電膜２３の平面視の形状が揃うようにパターニング加工し、それによって得られた導電積層膜パターン２６などの上に光透過性膜２４を等方的に成膜すればよい。
【００４３】
ただし、図７に示すような構成において、光透過性膜２４に例えばＩＴＯのような酸化物導電膜で形成する場合には、互いに離間されて絶縁されていた導電積層膜パターン２６同士の間が電気的に短絡してしまうことになる。そこで、導電積層膜パターン２６同士の間の絶縁性を確保することが必要であれば、図８に示されるように、各導電積層膜パターン２６を覆う光透過性膜２４が離間するように、光透過性膜２４をパターニング加工すればよい。
【００４４】
＜実施の形態２＞
図９は、本発明の実施の形態２に係る低反射電極２の基本構成を模式的に示す断面図である。なお、本実施の形態２に係る低反射電極２において、実施の形態１で説明した構成要素と同一または類似するものについては同じ符号を付し、異なる点を中心に以下説明する。
【００４５】
図９に示されるように、本実施の形態２では、断面視における導電積層膜パターン２６の各パターンの表面輪郭が略円弧状となるように構成されている。なお、略円弧状とは、厳密な円弧状はもちろん、技術常識からみて円弧状と同一とされる形状も含む概念である。このような本実施の形態２によれば、低反射電極２の表面部分の広範囲に亘って光を散乱させることができるので、反射率の低減効果を高めることができる。
【００４６】
図１０は、本実施の形態２に係る低反射電極２の製造方法を工程ごとに示す断面図である。次に、図１０（ａ）〜図１０（ｄ）を参照して、本実施の形態２に係る低反射電極２の製造方法について説明する。
【００４７】
まず、図１０（ａ）に示されるように、ガラスなどの透明絶縁性の材質からなる基板１を洗浄液または純水を用いて洗浄し、当該基板１上に有機系樹脂膜からなる下地膜２１を形成し、パターニング加工する。一例として、ここではノボラック系の感光性を有する有機系樹脂膜を、スリットコータ法またはスピンコータ法を用いて約１．２μｍの厚さで塗布した後、それを約１００℃の温度で焼成した。それから、写真製版工程のマスクパターンを用いて当該有機系樹脂膜を露光した後、ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム；TetraMethyl Ammonium Hydroxide）を含む有機アルカリ現像液を用いて現像を行い、図１０（ａ）に示すようなパターン（断面視においては上面輪郭が略円弧状となるパターン）を有する下地膜２１を形成した。
【００４８】
次に、図１０（ｂ）に示されるように、パターニング加工された下地膜２１を覆うように、酸素（Ｏ）原子を添加したＡｌ合金膜２２を形成する。一例として、ここではＡｌのターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｌ合金膜２２を形成した。具体的には、スパッタリング装置の成膜チャンバー内にて、Ａｒガスに３％の分圧比でＯ２ガスを加えたＡｒ＋３％Ｏ２混合ガスを導入しつつポンプで排気することにより、その内部の圧力を０．６Ｐａとなるように設定した。そして、基板温度を２００℃、ＤＣパワー密度を６．５Ｗ／ｃｍ２とした条件下で、Ａｌの金属ターゲットを用いたスパッタリングを行うことにより、Ａｌ合金膜２２（Ａｌ−Ｏ膜）を２００ｎｍの厚さで成膜した。このとき、Ａｌ合金膜２２に含まれるＯ原子の組成比は、４ｍｏｌ％であった。なお、Ａｌ合金膜２２を下地膜２１上に形成することにより、実施の形態１と同様に、Ａｌ合金膜２２の表面には微細な凹凸が形成された。
【００４９】
また、Ａｌ合金膜２２上に、金属導電膜２３を形成する。一例として、ここでは純Ａｒガスを導入しつつ、Ａｌの金属ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さ２００ｎｍのＡｌ膜からなる金属導電膜２３を成膜した。このとき、実施の形態１と同様に、金属導電膜２３の表面には、上述したＡｌ合金膜２２の成膜工程で形成された凹凸がそのまま反映される。
【００５０】
それから、図１０（ｃ）に示されるように、写真製版工程を用いて、Ａｌ合金膜２２及び金属導電膜２３をパターニング加工する。この際、Ａｌ合金膜２２及び金属導電膜２３により下地膜２１が覆われている状態が維持されるように、Ａｌ合金膜２２及び金属導電膜２３をパターニング加工する。これにより、パターニング加工（パターン形成）された下地膜２１、Ａｌ合金膜２２及び金属導電膜２３を含み、断面視における各パターンの表面輪郭が略円弧状となる導電積層膜パターン２６が完成する。
【００５１】
次に、図１０（ｄ）に示されるように、導電積層膜パターン２６上に、光透過性膜２４を形成する。
【００５２】
一例として、ここではＡｌのターゲットを用いたＤＣスパッタリング法により、Ｎ（窒素）原子を添加した窒化アルミニウム膜（Ａｌ−Ｎ膜）からなる光透過性膜２４を形成した。具体的には、ＡｒガスにＮ２ガスを添加した混合ガスを導入しつつ、スパッタリングのターゲットとしてＡｌの金属ターゲットを用いた反応性スパッタリング法により、光透過性膜２４を成膜した。より具体的には、スパッタリング装置の成膜チャンバー内にて、Ａｒガスに１５％の分圧比でＮ２ガスを加えたＡｒ＋１５％Ｎ２混合ガスを導入しつつポンプで排気することにより、その内部の圧力を０．６Ｐａとなるように設定した。そして、基板温度を２００℃、ＤＣパワー密度を６．５Ｗ／ｃｍ２とした条件下で、Ａｌの金属ターゲットを用いたスパッタリングを行うことにより、Ａｌ合金膜（Ａｌ−Ｎ膜）からなる光透過性膜２４を、５０ｎｍの厚さで成膜した。このとき、光透過性膜２４のＡｌ合金膜に含まれるＮ原子の組成比は、４５ｍｏｌ％、比抵抗値は０．１Ω・ｃｍ、波長５５０ｎｍの光に関する屈折率が２．２、波長５５０ｎｍの光に関する透過率は８０％であった。なお、以上のような光透過性膜２４の形成方法によれば、Ａｒガスに添加するＮ２ガス量を変更することによって、光透過性膜２４内のＡｌとＮとの組成比を適宜変更することが可能である。
【００５３】
以上により、本実施の形態２に係る低反射電極２が完成する。このようにして得られた低反射電極２は、実施の形態１と同様に微細な凹凸を有するとともに、断面視における導電積層膜パターン２６の各パターンの表面輪郭が略円弧状となっている。したがって、低反射電極２の表面部分の広範囲に亘って光を散乱させることができるので、反射率の低減効果を高めることができる。
【００５４】
なお、実施の形態１の変形例２で説明したのと同様に、図９に示すような構成において、光透過性膜２４に例えばＩＴＯのような酸化物導電膜で形成する場合には、互いに離間されて絶縁されていた導電積層膜パターン２６同士の間が電気的に短絡してしまうことになる。そこで、導電積層膜パターン２６同士の間の絶縁性を確保することが必要であれば、図１１に示されるように、各導電積層膜パターン２６を覆う光透過性膜２４が離間するように、光透過性膜２４をパターニング加工すればよい。
【００５５】
また、上述の図１０（ａ）の説明では、下地膜２１に有機系樹脂膜を適用した場合について説明した。しかしこれに限ったものではなく、Ｓｉ、またはＳｉを主成分とする化合膜（Ｓｉを含む膜）などを、下地膜２１に適用する構成であってもよい。Ｓｉを含む膜を下地膜２１に適用する場合には、図１０（ａ）に示した工程に代えて、図１２に示す工程、すなわちＳｉを含む膜からなる下地膜２１の側面をテーパー形状にパターニング加工するとよい。これにより、Ｓｉを含む膜を下地膜２１に適用した場合であっても、最終的には図９に示した構成と同様の構成、すなわち断面視における導電積層膜パターン２６の各パターンの表面輪郭が略円弧状となる構成を得ることができる。
【００５６】
＜実施の形態３＞
本発明の実施の形態３では、上述の導電積層膜パターン２６を、外部（指など）との接触を検出するためのセンサー電極に用いたタッチパネル基板（タッチパネル）を例にして説明する。なお、以下では、センサー電極は、図８に示した低反射電極２であるものとする。すなわち、以下では、センサー電極は、図８に示した導電積層膜パターン２６だけでなく、図８に示した光透過性膜２４も備えて構成されるものとして説明する。
【００５７】
さらに、以下では、本実施の形態３に係るタッチパネル基板は、静電容量方式のタッチパネル基板であるものとして説明するが、これに限ったものではなく、例えば、抵抗膜方式などの他の方式のタッチパネル基板であってもよい。
【００５８】
図１３は、本実施の形態３に係るタッチパネル基板５１の基本構成を模式的に示す平面図である。また、図１４は、図１３におけるＺ−Ｚ部分の基本構成を模式的に示す断面図である。
【００５９】
図１３に示すように、平面視においてタッチパネル基板５１は、概略Ｘ方向に延びるとともにＹ方向に予め定められた間隔で配設された複数のＸセンサー電極２ａと、概略Ｙ方向に延びるとともにＸ方向に予め定められた間隔で配設された複数のＹセンサー電極２ｂとを備えて構成されている。複数のＸセンサー電極２ａと、複数のＹセンサー電極２ｂとは、互いにその一部が交差するように配設され、全体としてマトリックス形状を形成している。
【００６０】
複数のＸセンサー電極２ａのそれぞれの一端は、タッチパネル基板５１のセンシング領域（タッチパネル基板５１において指などとの接触を検出する領域）の外側に形成された複数のＸセンサー電極引き回し線３１ａの一端と電気的に接続されている。そして、複数のＸセンサー電極引き回し線３１ａの他端は、制御回路または外部機器と接続するためのＸセンサー電極コネクタ部３２ａと電気的に接続されている。複数のＹセンサー電極２ｂのそれぞれの一端は、タッチパネル基板５１のセンシング領域の外側に形成された複数のＹセンサー電極引き回し線３１ｂの一端と電気的に接続されている。そして、複数のＹセンサー電極引き回し線３１ｂの他端は、制御回路または外部機器と接続するためのＹセンサー電極コネクタ部３２ｂと電気的に接続されている。
【００６１】
また、図１４に示すように、複数のＸセンサー電極２ａは、タッチパネル基板５１において実施の形態１などの基板１と対応する基板（以下「基板１」と記す）上に形成されている。複数のＹセンサー電極２ｂは、複数のＸセンサー電極２ａ上に設けられた層間絶縁膜３３上に形成されている。すなわち、図１３において、複数のＸセンサー電極２ａと、複数のＹセンサー電極２ｂとの交差する部分において、それらは、層間絶縁膜３３によって絶縁されている。このような構成により、複数のＸセンサー電極２ａと複数のＹセンサー電極２ｂとの間で複数の静電容量が形成される。さらに複数のＹセンサー電極２ｂ上には保護絶縁膜３４が形成されている。また、図示しないが、必要に応じて保護絶縁膜３４上に、保護ガラス、偏光板、または、光の位相差板などが形成されてもよい。
【００６２】
図１４に示されるように、Ｘセンサー電極２ａ及び各Ｙセンサー電極２ｂのそれぞれは、いずれも上述の低反射電極２と同様に構成されている。すなわち、Ｘセンサー電極２ａは、下から順に形成された、有機系樹脂膜からなる下地膜２１ａと、酸素（Ｏ）原子を含むＡｌ合金膜２２ａと、金属導電膜２３ａと、光透過性膜２４ａとを備えて構成されている。Ｙセンサー電極２ｂは、下から順に形成された、有機系樹脂膜からなる下地膜２１ｂと、酸素（Ｏ）原子を含むＡｌ合金膜２２ｂと、金属導電膜２３ｂと、光透過性膜２４ｂとを備えて構成されている。そこで、以下においては、Ｘセンサー電極２ａの構成については説明するが、それと同様に構成されたＹセンサー電極２ｂの構成の説明については省略する。
【００６３】
下地膜２１ａ、Ａｌ合金膜２２ａ、金属導電膜２３ａ及び光透過性膜２４ａのうち少なくとも金属導電膜２３ａ及び光透過性膜２４ａの表面には凹凸が形成されている。また、下地膜２１ａ、Ａｌ合金膜２２ａ及び金属導電膜２３ａは、導電積層膜パターン２６ａとしてパターニング加工（パターン形成）されており、当該導電積層膜パターン２６ａが、光透過性膜２４ａで覆われている。
【００６４】
金属導電膜２３ａは、実質的にＸセンサー電極２ａの本体を構成している。
【００６５】
光透過性膜２４ａは、自身に入射された光を透過する。したがって、光透過性膜２４ａは、上述の光透過性膜２４と同様に、Ｘセンサー電極２ａの反射光の強度を弱める機能を有している。なお、この機能を高めることが必要であれば、波長５５０ｎｍの光に関する光透過性膜２４ａの屈折率が、１．４以上２．５以下であることが好ましく、さらに１．８以上２．３以下であることがより好ましい。また、光透過性膜２４ａの膜厚は、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましく、さらに４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００６６】
以上のような本実施の形態３に係るタッチパネル基板５１によれば、Ｘセンサー電極２ａ及びＹセンサー電極２ｂについて、実施の形態１と同様に、凹凸の光散乱による反射率低減効果と、光透過性膜２４ａ，２４ｂでの光干渉による反射率低減効果との相互効果が得られることから、Ｘセンサー電極２ａ及びＹセンサー電極２ｂからの反射光を低減することができる。したがって、当該反射光に起因する視覚への影響を抑制することができる。また、導電積層膜パターン２６ａ，２６ｂは、光透過性膜２４ａ，２４ｂで覆われていることから、実施の形態１の変形例３などと同様に、導電積層膜パターン２６ａ，２６ｂの側面においても、光透過性膜２４ａ，２４ｂにより反射率低減効果が得られる。そして、以上の結果として、金属導電膜２３ａ，２３ｂには、反射率が多少高くても比抵抗値が低いＡｌなどの金属を用いることができるので、低反射特性だけでなく、低抵抗特性も兼ね備えたＸセンサー電極２ａ及びＹセンサー電極２ｂの実現が期待できる。
【００６７】
図１５及び図１６は、本実施の形態３に係るタッチパネル基板５１の製造方法を工程ごとに示す断面図である。次に、図１５（ａ）〜図１５（ｅ）及び図１６（ａ）〜図１６（ｃ）を参照して、本実施の形態３に係るタッチパネル基板５１の製造方法について説明する。
【００６８】
まず、図１５（ａ）に示されるように、ガラスなどの透明絶縁性の材質からなる基板１を洗浄液または純水を用いて洗浄し、当該基板１上に有機系樹脂膜からなる下地膜２１ａを形成する。一例として、ここではノボラック系の有機系樹脂膜を、スリットコータ法またはスピンコータ法を用いて塗布した後、それを約１００℃の温度で焼成することにより、約１．２μｍの厚さの下地膜２１ａを形成した。
【００６９】
次に、図１５（ｂ）に示されるように、下地膜２１ａ上に、酸素（Ｏ）原子を添加したＡｌ合金膜２２ａを形成する。一例として、ここではＡｌのターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により、Ａｌ合金膜２２ａを形成した。具体的には、スパッタリング装置の成膜チャンバー内にて、Ａｒガスに３％の分圧比でＯ２ガスを加えたＡｒ＋３％Ｏ２混合ガスを導入しつつポンプで排気することにより、その内部の圧力を０．６Ｐａとなるように設定した。そして、基板温度を２００℃、ＤＣパワー密度を６．５Ｗ／ｃｍ２とした条件下で、Ａｌの金属ターゲットを用いたスパッタリングを行うことにより、Ａｌ合金膜２２ａ（Ａｌ−Ｏ膜）を２００ｎｍの厚さで成膜した。このとき、Ａｌ合金膜２２ａに含まれるＯ原子の組成比は、４ｍｏｌ％であった。
【００７０】
なお、Ａｌ合金膜２２ａを下地膜２１ａ上に形成することにより、実施の形態１と同様に、Ａｌ合金膜２２ａの表面には微細な凹凸が形成された。具体的には、Ａｌ合金膜２２ａに、平面視におけるピッチ（凹部を挟んで隣接する凸部と凸部との間の平均距離）が約３μｍのランダムな迷路状の凹凸が形成された。また、断面視における凹凸の差は約０．３μｍであった。なお、凹凸のサイズ及びピッチ等の形状は、Ａｒ＋Ｏ２混合ガス中のＯ２ガスの分圧比を変更したり、スパッタリングパワーの条件等を変更したりすることにより、適宜変更することが可能である。
【００７１】
それから、図１５（ｃ）に示されるように、Ａｌ合金膜２２ａ上に、金属導電膜２３ａを形成する。金属導電膜２３ａとしては、特に膜種は限定されることなく、必要とされる化学特性（薬液耐性）や電気特性などを考慮して適宜選定することができる。一例として、ここでは純Ａｒガスを導入しつつ、Ａｌの金属ターゲットを用いたＤＣマグネトロンスパッタリング法により、厚さ２００ｎｍのＡｌ膜からなる金属導電膜２３ａを成膜した。このとき、金属導電膜２３ａの表面には、上述したＡｌ合金膜２２ａの成膜工程で形成された凹凸がそのまま反映される。
【００７２】
次に、図１５（ｄ）に示されるように、下地膜２１ａ、Ａｌ合金膜２２ａ及び金属導電膜２３ａを含む積層膜が、導電積層膜パターン２６ａ（Ｘセンサー電極２ａのパターン）となるようにエッチング加工する。一例として、ここでは、まず金属導電膜２３ａ上に形成したフォトレジストを、写真製版工程を用いて所望の形状（Ｘセンサー電極２ａのパターン）にパターニング加工する。パターニング加工されたフォトレジストをマスクとして用いつつ、例えば公知のリン酸、硝酸及び酢酸を含む酸薬液を用いたウェットエッチングを行うことにより、Ａｌ合金膜２２ａ及び金属導電膜２３ａの一部をほぼ同時に除去する。その後、上記フォトレジストをマスクとして用いつつ、例えば公知のＯ２ガスのプラズマを用いたアッシングを行うことにより、下地膜２１ａの一部を除去する。その後、上述の金属導電膜２３ａ上のフォトレジストを除去することにより、図１５（ｄ）に示すように、導電積層膜パターン２６ａが形成される。
【００７３】
それから、図１５（ｅ）に示されるように、導電積層膜パターン２６ａなどの上に、光透過性膜２４ａを等方的に成膜する。光透過性膜２４ａとしては、光透過性を有する膜であれば、特に膜種は限定されることはないが、光干渉効果による反射光強度を低減する効果を高めることが必要であれば、波長５５０ｎｍの光に関する光透過性膜２４ａの屈折率が、１．４以上２．５以下であることが好ましく、さらに１．８以上２．３以下であることがより好ましい。また、光透過性膜２４ａの膜厚は、１０ｎｍ以上１５０ｎｍ以下であることが好ましく、さらに４０ｎｍ以上８０ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００７４】
ここでは、その一例として、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化スズ（ＳｎＯ２）との混合物であるＩＴＯのターゲットを用いたＤＣスパッタリング法により、酸化物系透明導電膜であるＩＴＯからなる光透過性膜２４ａを、図１５（ｄ）に示した構造の上面全体に形成した。具体的には、Ａｒガスに３％の分圧比でＨ２Ｏガス（水蒸気）を添加した混合ガスを導入しつつ、スパッタリングのターゲットとして酸化インジウム９０重量％＋酸化スズ１０重量％からなるＩＴＯターゲットを用いた反応性スパッタリング法により、厚さが５０ｎｍの光透過性膜２４ａを成膜した。以上の方法によれば、非晶質構造を有するＩＴＯ膜を光透過性膜２４ａとして形成することができる。
【００７５】
その後、この非晶質ＩＴＯ膜からなる光透過性膜２４ａをパターニング加工する。この際、光透過性膜２４ａにより導電積層膜パターン２６ａが覆われている状態が維持されるように、光透過性膜２４ａをパターニング加工する。
【００７６】
一例として、ここではまず光透過性膜２４ａ上に形成したフォトレジストを、写真製版工程を用いて所望の形状にパターニング加工する。パターニング加工されたフォトレジストをマスクとして用いつつ、例えば公知のシュウ酸を含むカルボン酸系薬液を用いたウェットエッチングを行うことにより、光透過性膜２４ａの一部を除去し、その後、上記フォトレジストを除去する。それから、２００℃の温度でアニールを行う。このアニールによって、ＩＴＯからなる光透過性膜２４ａは多結晶化する。このようにして得られた光透過性膜２４ａの比抵抗値は２００μΩ・ｃｍ、波長５５０ｎｍの光に関する光透過性膜２４ａの屈折率は２．１であり、透過率は９３％であった。以上の工程により、本実施の形態３に係る複数のＸセンサー電極２ａが形成される。このようにして形成されたＸセンサー電極２ａは、実施の形態１に係る低反射電極２とほぼ同等の優れた低反射特性を有していた。
【００７７】
なお、以上では、光透過性膜２４ａに、ＩＴＯ膜を適用した構成について説明した。しかし、これに限ったものではなく、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）と酸化亜鉛（ＺｎＯ）とからなるＩｎＺｎＯ膜、酸化亜鉛と酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）とからなるＺｎＡｌＯ、またはその他の酸化物系の透明導電膜を、光透過性膜２４ａに適用する構成であってもよい。もちろん、実施の形態１などで説明したように、窒化アルミニウム膜（Ａｌ−Ｎ膜）を、光透過性膜２４ａに適用する構成であってもよい。
【００７８】
次に、図１６（ａ）に示されるように、複数のＸセンサー電極２ａを覆うように基板１の表面上に層間絶縁膜３３を形成する。一例として、ここではアクリル系の有機系樹脂膜を、スリットコータ法またはスピンコータ法を用いて塗布した後、それを約１２０℃の温度で焼成することにより、約３μｍの厚さの層間絶縁膜３３を形成した。一般的に、アクリル系の有機系樹脂膜は、光透過率が高く、例えばその波長５５０ｎｍの光の透過率値は９８％以上である。したがって、高い光透過性が求められるタッチパネル基板５１には好ましい。ただし、これに限ったものではなく、例えばＳＯＧ（Spin On Glass）のような酸化シリコン（ＳｉＯ）を含む無機系化合物からなる樹脂膜（無機系樹脂膜）を、層間絶縁膜３３に適用する構成であってもよい。このような構成であっても、層間絶縁膜３３の透過率を９８％以上とすることが可能である。
【００７９】
それから、図１６（ｂ）に示されるように、層間絶縁膜３３上に、Ｙセンサー電極２ｂを形成する。具体的には、上述の図１５（ａ）〜図１５（ｅ）に示したＸセンサー電極２ａを形成する工程と同じ工程を用いる。これにより、下地膜２１ｂ、Ａｌ合金膜２２ｂ、金属導電膜２３ｂ及び光透過性膜２４ｂを備え、これらのうち少なくとも金属導電膜２３ｂ及び光透過性膜２４ｂの表面には凹凸が形成された、Ｙセンサー電極２ｂが形成される。このようにして形成されたＹセンサー電極２ｂは、実施の形態１に係る低反射電極２とほぼ同等の優れた低反射特性を有していた。
【００８０】
最後に、図１６（ｃ）に示されるように、複数のＹセンサー電極２ｂを覆うように層間絶縁膜３３の表面上に保護絶縁膜３４を形成する。一例として、ここではアクリル系の有機系樹脂膜を、スリットコータ法またはスピンコータ法を用いて塗布した後、それを約１２０℃の温度で焼成することにより、約３μｍの厚さの保護絶縁膜３４を形成した。ただし、これに限ったものではなく、例えばＳＯＧ（Spin On Glass）のような酸化シリコン（ＳｉＯ）を含む無機系化合物からなる樹脂膜（無機系樹脂膜）を、保護絶縁膜３４に適用する構成であってもよい。
【００８１】
以上により、本実施の形態３に係るタッチパネル基板５１が完成する。このようなタッチパネル基板５１によれば、上述したように、Ｘセンサー電極２ａ及びＹセンサー電極２ｂからの反射光を低減することができ、当該反射光に起因する視覚への影響を抑制することができる。すなわち、表示品位の高いタッチパネルを実現することができる。そして、この結果として、金属導電膜２３ａ，２３ｂには、反射率が多少高くても比抵抗値が低いＡｌなどの金属を用いることができるので、低反射特性だけでなく、低抵抗特性も兼ね備えたＸセンサー電極２ａ及びＹセンサー電極２ｂの実現が期待できる。
【００８２】
以上のような本実施の形態３に係るタッチパネル基板５１を、画像表示装置（例えば液晶表示装置など）の表示パネル面（図示せず）に貼り合わせることによって、高性能なタッチセンサー機能を有する表示装置を実現することが可能である。また、必要に応じてタッチパネル基板５１の保護絶縁膜３４上に、保護ガラス、偏光板、または、光の位相差板（図示せず）などが形成されてもよい。この場合、さらに視認性が高く、また強度が増した信頼性の高いタッチパネルを得ることができる。
【００８３】
なお、図１３は、タッチパネル基板５１の基本構成を示す図である。したがって、Ｘセンサー電極２ａ及びＹセンサー電極２ｂの形状及び配置などについては、図１３に示したものに限ったものではない。例えば、表示特性、視認性の改善、及び、センシング機能を向上させるために、適宜変更することが可能である。
【００８４】
＜実施の形態３の変形例＞
図１７は、実施の形態３の変形例に係るタッチパネル基板５１の基本構成を模式的に示す断面図である。本変形例に係るタッチパネル基板５１は、実施の形態３に係るＸセンサー電極２ａ及びＹセンサー電極２ｂに、実施の形態２に係る構成を適用したものである。すなわち、本変形例においては、断面視における導電積層膜パターン２６ａの各パターンの表面輪郭、及び、導電積層膜パターン２６ｂの各パターンの表面輪郭が、略円弧状となるように構成されている。したがって、本変形例に係るタッチパネル基板５１によれば、実施の形態２と同様に、Ｘセンサー電極２ａ及びＹセンサー電極２ｂの表面部分の広範囲に亘って光を散乱させることができるので、反射率の低減効果を高めることができる。
【００８５】
以上、本発明に係る導電積層膜を、低反射電極２、Ｘセンサー電極２ａ及びＹセンサー電極２ｂに適用した構成について説明したが、これに限ったものではなく、低反射特性が要求される低反射膜、反射防止膜、または、配線などにも適用することが可能である。また、タッチパネルだけでなく、他のデバイスにおいて、低反射特性及び低抵抗特性が要求される構成要素にも適用することが可能である。
【００８６】
なお、本発明は、その発明の範囲内において、各実施の形態を自由に組み合わせたり、各実施の形態を適宜、変形、省略したりすることが可能である。
【符号の説明】
【００８７】
１  基板、２  低反射電極、２ａ  Ｘセンサー電極、２ｂ  Ｙセンサー電極、２１，２１ａ，２１ｂ  下地膜、２２，２２ａ，２２ｂ  Ａｌ合金膜、２３，２３ａ，２３ｂ  金属導電膜、２４，２４ａ，２４ｂ  光透過性膜、２６，２６ａ，２６ｂ  導電積層膜パターン、５１  タッチパネル基板。
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図３】
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【図６】
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