(57)【要約】【課題】ＩＧＢＴをスイッチング素子として用いた双方向ＤＣ／ＤＣコンバータなどにおいて、簡単な構造により、ＩＧＢＴのスイッチオフ損失を低減する。【解決手段】ＩＧＢＴスイッチ６ａと８ａの直列回路と、ＩＧＢＴスイッチ６ｂと８ｂの直列回路の、各接続点の間に、逆接続された２つのＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂで構成された双方向スイッチ１０を接続し、いずれかのＩＧＢＴスイッチをオフする前に双方向スイッチ１０をオンし、その後双方向スイッチ１０をオフし、ＩＧＢＴスイッチのオフ時のスイッチオフ損失をＦＥＴスイッチのスイッチオフ損失に置き換える。【選択図】図１
2014023190.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
逆並列ダイオードが接続され、昇圧動作時にオフされる第１のＩＧＢＴスイッチと、逆並列ダイオードが接続され、降圧動作時にオフされる第２のＩＧＢＴスイッチを備え、前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタが接続された第１及び第２のＩＧＢＴ直列回路を有し、前記第１のＩＧＢＴスイッチのコレクタ同士が高電圧入出力端子の高電圧端子に接続され、前記第２のＩＧＢＴスイッチのエミッタ同士が高電圧入出力端子の低電圧端子に接続されたスイッチング回路であって、
前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタの接続点と、前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタの接続点と間に、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第１の双方向スイッチが接続され、
前記第１及び第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチ及び前記第２のＩＧＢＴスイッチのうち、いずれかのＩＧＢＴスイッチをオフする際に、前記第１の双方向スイッチのオン及びオフ動作を併用することを特徴とするスイッチング回路。
【請求項２】
前記第１の双方向スイッチは、逆接続された２つのＦＥＴスイッチで構成されていることを特徴とする請求項１に記載のスイッチング回路。
【請求項３】
前記第１のＩＧＢＴスイッチ及び前記第２のＩＧＢＴスイッチのうち、いずれかのＩＧＢＴスイッチをオフする際に、前記いずれかのＩＧＢＴスイッチがオンしている間に前記双方向スイッチを構成する前記２つのＦＥＴスイッチの少なくとも一方をオンし、その後、前記いずれかのＩＧＢＴスイッチをオフすることを特徴とする請求項２に記載のスイッチング回路。
【請求項４】
前記第１及び第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタの接続点と、低電圧入出力端子の間にそれぞれインダクタが接続され、
昇圧動作時において、前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第２のＩＧＢＴスイッチと、前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第２のＩＧＢＴスイッチが、位相差をもってインターリーブ駆動され、
降圧動作時に前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチと、前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチが、位相差をもってインターリーブ駆動され、
それによって、双方向ＤＣ／ＤＣコンバータとして機能することを特徴とする請求項３に記載のスイッチング回路。
【請求項５】
前記第１のＩＧＢＴスイッチのコレクタ同士の接続点と、前記第１の双方向スイッチの２つのＦＥＴスイッチの接続点の間に、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第２の双方向スイッチが接続されていることを特徴とする請求項４に記載のスイッチング回路。
【請求項６】
前記第２のＩＧＢＴスイッチのエミッタ同士の接続点と、前記第１の双方向スイッチの２つのＦＥＴスイッチの接続点の間に、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第３の双方向スイッチが接続されていることを特徴とする請求項４又は請求項５に記載のスイッチング回路。
【請求項７】
前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタの接続点と、低電圧入出力端子の一方の端子の間にインダクタが接続され、
前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタの接続点と、低電圧入出力端子の他方の端子の間に他のインダクタが接続され、
前記第１のＩＧＢＴスイッチのコレクタ同士の接続点と、前記第１の双方向スイッチの２つのＦＥＴスイッチの接続点の間に、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第２の双方向スイッチが接続され、
昇圧動作時において、前記低電圧入出力端子に交流電源が接続され、前記交流電源の正の半サイクル期間と負の半サイクル期間に応じて、前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第２のＩＧＢＴスイッチと前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第２のＩＧＢＴスイッチを交互に駆動し、
降圧動作において、前記高電圧入出力端子に直流電源が接続され、前記低電圧入出力端子から出力される交流電源の正の半サイクル期間と負の半サイクル期間に応じて、前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチと前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチを交互に駆動し、
それによって、双方向ＡＣ／ＤＣ・ＤＣ／ＡＣコンバータとして機能することを特徴とする請求項３に記載のスイッチング回路。
【請求項８】
前記第２のＩＧＢＴスイッチのエミッタ同士の接続点と、前記第１の双方向スイッチの２つのＦＥＴスイッチの接続点の間に、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第３の双方向スイッチが接続されていることを特徴とする請求項７に記載のスイッチング回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電力を双方向に変換するＤＣ／ＤＣコンバータやＡＣ／ＤＣコンバータなどに使用されるスイッチング回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、電力を双方向に変換するコンバータとして、特に変換する電力が数ｋＷ以上となる場合には、例えば特許文献１に示されているように、スイッチング素子としてＩＧＢＴ（insulated gate bipolar transistor）が使用されている場合が多い。その理由は、大電流域において、ＩＧＢＴの飽和電圧がＦＥＴ（field effect transistor）の飽和電圧と比較して小さく、ＩＧＢＴのオン時損失が小さくなるためである。しかしながら、スイッチング素子としてＩＧＢＴを使用した場合、スイッチオフ時にテール電流が発生するため、スイッチオフ損失が増大する。このような問題点を解決するため、例えば特許文献２には、ＩＧＢＴとＦＥＴを並列接続して使用し、オン時はＩＧＢＴの飽和電圧を使用し、スイッチオフ時はＦＥＴのスイッチオフ特性を使用する技術が示されている。
【０００３】
（第１参考例）
図１４は、上記特許文献１に示された回路構成に、特許文献２に記載の技術を実施したＤＣ／ＤＣコンバータの第１参考例を示す。図１４（ａ）に示す低電圧入出力端子１に接続された直流電圧を昇圧して高電圧入出力端子２から出力する昇圧動作の場合、ＩＧＢＴスイッチ８とＩＧＢＴスイッチ６が共にオフの状態では、ＩＧＢＴスイッチ８に接続されたダイオード９を介して、低電圧入出力端子１に接続された直流電源１８の電圧は高電圧入出力端子２に伝達されている。次に、ＩＧＢＴスイッチ８をオフした状態でＩＧＢＴスイッチ６をオンすると、直流電源１８、インダクタ５、ＩＧＢＴスイッチ６、直流電源１８の順に電流が流れ、インダクタ５にエネルギーが蓄積される。その後、ＩＧＢＴスイッチ６をオフすることにより、インダクタ５に蓄積されたエネルギーが、直流電源１８からの電圧に重畳され、ダイオード９を経由して、高電圧入出力端子２に伝達される。高電圧入出力端子２の電圧は、ＩＧＢＴスイッチ６のオン／オフに伴って変化し、コンデンサ４により平滑化された電圧は直流電源１８の電圧よりも高くなる。
【０００４】
図１４（ａ）に示す第１参考例の場合、ＩＧＢＴスイッチ６に並列接続されたＦＥＴスイッチ１５を先にオンし、その後ＩＧＢＴスイッチ６をオンする。次に、ＦＥＴスイッチ１５がオンしている間にＩＧＢＴスイッチ６をオフし、その後ＦＥＴスイッチ１５をオフする。それにより、インダクタ５に蓄積されたエネルギーを放出する際の遮断は、ＩＧＢＴスイッチ６によるオフではなくＦＥＴスイッチ１５によるオフとなる。そのため、ＦＥＴのオフ特性で支配されたスイッチオフ損失となり、ＩＧＢＴのスイッチオフ損失と比較してスイッチオフ損失量が低減される。
【０００５】
一方、図１４（ｂ）に示す高電圧入出力端子２に接続された直流電源１８の電圧を降圧して低電圧入出力端子１から出力する降圧動作の場合、一般的には、ＩＧＢＴスイッチ６をオフにした状態でＩＧＢＴスイッチ８をオンしインダクタ５にエネルギーを蓄積する。このとき、高電圧入出力端子２に接続された直流電源１８の電圧は、低電圧入出力端子１に伝達される。その後、ＩＧＢＴスイッチ８をオフすることにより、直流電源１８の電圧は低電圧入出力端子１に伝達されなくなり、インダクタ５に蓄積されたエネルギーが、ダイオード７を経由して、低電圧入出力端子１に伝達される。低電圧入出力端子１の電圧は、ＩＧＢＴ８のオン／オフに伴って変化するが、ＩＧＢＴスイッチ８のオフ期間中の電圧は直流電源１８の電圧よりも低くなるため、コンデンサ３により平滑化された電圧は直流電源１８の電圧よりも低くなる。
【０００６】
図１４（ｂ）に示す第１参考例の場合、ＩＧＢＴスイッチ８に並列接続されたＦＥＴスイッチ１６を先にオンし、その後ＩＧＢＴスイッチ８をオンする。次に、ＦＥＴスイッチ１６がオンしている間にＩＧＢＴスイッチ８をオフし、その後ＦＥＴスイッチ１６をオフする。それにより、インダクタ５に蓄積されたエネルギーを放出する際の遮断は、ＩＧＢＴスイッチ８によるオフではなくＦＥＴスイッチ１６によるオフとなる。そのため、ＦＥＴのオフ特性で支配されたスイッチオフ損失となり、ＩＧＢＴのスイッチオフ損失と比較して、スイッチオフ損失量が低減される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２０１０−００４７２８号公報
【特許文献２】特開平０４−０３５４１６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
ところで、ＦＥＴスイッチ１５及び１６の寄生ダイオード１５ｄ及び１６ｄの逆回復時間がＩＧＢＴスイッチ６及び８に逆並列接続されたダイオード７及び９の逆回復時間に対して長い。また、ＦＥＴスイッチ１５及び１６の寄生ダイオード１５ｄ及び１６ｄの順方向電圧がＩＧＢＴスイッチ６及び８に逆並列されるダイオード７及び９の順方向電圧に対して低い。そのため、図１４（ａ）に示すように、昇圧動作時にＩＧＢＴスイッチ６をオフする際には、寄生ダイオード１６ｄに電流が流れる（図中、破線矢印参照）。また、昇圧動作時にＩＧＢＴスイッチ６をオンする際には、寄生ダイオード１６ｄのアノード側が０Ｖになるので、寄生ダイオード１６ｄに逆電圧が印加されるが、寄生ダイオード１６ｄの長い逆回復時間により、大きな短絡電流がＩＧＢＴスイッチ６に流れ（図中、実線矢印参照）、スイッチオン損失が増加する。一方、図１４（ｂ）に示すように、降圧動作時にＩＧＢＴスイッチ８をオフする際には寄生ダイオード１５ｄに、電流が流れる（図中、破線矢印参照）。また、降圧動作時にＩＧＢＴスイッチ８をオンする際には、寄生ダイオード１５ｄに逆電圧が印加され、寄生ダイオード１５ｄの長い逆回復時間により、大きな短絡電流がＩＧＢＴスイッチ８に流れ（図中、実線矢印参照）、スイッチオン損失が増加する。さらに、オン速度の速いＦＥＴスイッチ１５及び１６のオンがＩＧＢＴスイッチ６及び８のオンより先行するため、ダイオード７及び９の逆回復特性によるピーク電流値が増加し、スイッチオン損失が増加する。
【０００９】
ＦＥＴスイッチ１５、１６の寄生ダイオード１５ｄ、１６ｄの逆回復時間の影響を低減するため、逆阻止用ダイオードをＦＥＴスイッチ１５及び１６にそれぞれ直列接続することも考えられる。ところが、ＦＥＴスイッチ１５及び１６側のスイッチオン電圧が高くなるという問題が発生するため、好ましくない。
【００１０】
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、簡素な構成で、ＩＧＢＴのスイッチオフ損失を削減し、ＦＥＴ寄生ダイオードの影響を受けることなく、ＦＥＴ側のスイッチオン電圧の上昇を抑制可能なスイッチング回路を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
上記目的を達成するため、本発明に係るスイッチング回路は、逆並列ダイオードが接続され、昇圧動作時にオフされる第１のＩＧＢＴスイッチと、逆並列ダイオードが接続され、降圧動作時にオフされる第２のＩＧＢＴスイッチを備え、前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタが接続された第１及び第２のＩＧＢＴ直列回路を有し、前記第１のＩＧＢＴスイッチのコレクタ同士が高電圧入出力端子の高電圧端子に接続され、前記第２のＩＧＢＴスイッチのエミッタ同士が高電圧入出力端子の低電圧端子に接続されたスイッチング回路であって、
前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタの接続点と、前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタの接続点と間に、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第１の双方向スイッチが接続され、
前記第１及び第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチ及び前記第２のＩＧＢＴスイッチのうち、いずれかのＩＧＢＴスイッチをオフする際に、前記第１の双方向スイッチのオン及びオフ動作を併用することを特徴とする。
【００１２】
また、前記第１の双方向スイッチは、逆接続された２つのＦＥＴスイッチで構成されていることが好ましい。
【００１３】
また、前記第１のＩＧＢＴスイッチ及び前記第２のＩＧＢＴスイッチのうち、いずれかのＩＧＢＴスイッチをオフする際に、前記いずれかのＩＧＢＴスイッチがオンしている間に前記双方向スイッチを構成する前記２つのＦＥＴスイッチの少なくとも一方をオンし、その後、前記いずれかのＩＧＢＴスイッチをオフすることが好ましい。
【００１４】
また、前記第１及び第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタの接続点と、低電圧入出力端子の間にそれぞれインダクタが接続され、
昇圧動作時において、前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第２のＩＧＢＴスイッチと、前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第２のＩＧＢＴスイッチが、位相差をもってインターリーブ駆動され、
降圧動作時に前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチと、前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチが、位相差をもってインターリーブ駆動され、
それによって、双方向ＤＣ／ＤＣコンバータとして機能することが好ましい。
【００１５】
また、前記第１のＩＧＢＴスイッチのコレクタ同士の接続点と、前記第１の双方向スイッチの２つのＦＥＴスイッチの接続点の間に、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第２の双方向スイッチが接続されていることが好ましい。
【００１６】
または、前記第２のＩＧＢＴスイッチのエミッタ同士の接続点と、前記第１の双方向スイッチの２つのＦＥＴスイッチの接続点の間に、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第３の双方向スイッチが接続されていることが好ましい。
【００１７】
または、前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタの接続点と、低電圧入出力端子の一方の端子の間にインダクタが接続され、
前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチのエミッタと前記第２のＩＧＢＴスイッチのコレクタの接続点と、低電圧入出力端子の他方の端子の間に他のインダクタが接続され、
前記第１のＩＧＢＴスイッチのコレクタ同士の接続点と、前記第１の双方向スイッチの２つのＦＥＴスイッチの接続点の間に、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第２の双方向スイッチが接続され、
昇圧動作時において、前記低電圧入出力端子に交流電源が接続され、前記交流電源の正の半サイクル期間と負の半サイクル期間に応じて、前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第２のＩＧＢＴスイッチと前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第２のＩＧＢＴスイッチを交互に駆動し、
降圧動作において、前記高電圧入出力端子に直流電源が接続され、前記低電圧入出力端子から出力される交流電源の正の半サイクル期間と負の半サイクル期間に応じて、前記第１のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチと前記第２のＩＧＢＴ直列回路の前記第１のＩＧＢＴスイッチを交互に駆動し、
それによって、双方向ＡＣ／ＤＣ・ＤＣ／ＡＣコンバータとして機能することを特徴とすることが好ましい。
【００１８】
また、前記第２のＩＧＢＴスイッチのエミッタ同士の接続点と、前記第１の双方向スイッチの２つのＦＥＴスイッチの接続点の間に、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな第３の双方向スイッチが接続されていることが好ましい。
【発明の効果】
【００１９】
ＩＧＢＴスイッチをオン又はオフする際に、適宜双方向スイッチをオン及びオフさせれば、ＩＧＢＴスイッチよりもスイッチオフ損失の少ない双方向スイッチのオン及びオフでスイッチング回路を駆動することができる。また、２つのＩＧＢＴスイッチを接続したＩＧＢＴ直列回路で１つのコンバータを構成し、そのコンバータを複数並列接続した場合に、１つの双方向スイッチを２つのコンバータで兼用することができ、双方向スイッチの数をＩＧＢＴスイッチの数よりも少なくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る双方向ＤＣ／ＤＣコンバータの構成を示す回路図。
【図２】（ａ）は第１実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータを昇圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す波形図、（ｂ）は降圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動波形の一例を示す波形図。
【図３】本発明の第２実施形態に係る双方向ＤＣ／ＤＣコンバータの構成を示す回路図。
【図４】（ａ）は第２実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータを昇圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す波形図、（ｂ）は降圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動波形の一例を示す波形図。
【図５】本発明の第３実施形態に係る双方向ＤＣ／ＤＣコンバータの構成を示す回路図。
【図６】（ａ）は第３実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータを昇圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す波形図、（ｂ）は降圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動波形の一例を示す波形図。
【図７】本発明の第３実施形態に係る双方向ＤＣ／ＤＣコンバータの変形例の構成を示す回路図。
【図８】（ａ）は第３実施形態に係るＤＣ／ＤＣコンバータの変形例を昇圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す波形図、（ｂ）は降圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動波形の一例を示す波形図。
【図９】本発明の第４実施形態に係る双方向ＡＣ／ＤＣ・ＤＣ／ＡＣコンバータの構成、特にＡＣ／ＤＣ変換昇圧動作時を示す回路図。
【図１０】第４実施形態に係るＡＣ／ＤＣ・ＤＣ／ＡＣコンバータのＡＣ／ＤＣ変換時のＩＧＢＴスイッチ６ａ及び６ｂの電流波形、及びＤＣ／ＡＣ変換降圧動作時のＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂの電流波形を示す図。
【図１１】（ａ）は第４実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータを、交流電源の正の半サイクル期間中に昇圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す波形図、（ｂ）はＤＣ／ＡＣコンバータを交流電源の正の半サイクル期間中に降圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動波形の一例を示す波形図。
【図１２】本発明の第５実施形態に係る双方向ＡＣ／ＤＣ・ＤＣ／ＡＣコンバータの構成、特にＡＣ／ＤＣ変換昇圧動作時を示す回路図。
【図１３】（ａ）は第５実施形態に係るＡＣ／ＤＣコンバータを、交流電源の正の半サイクル期間中に昇圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す波形図、（ｂ）はＤＣ／ＡＣコンバータを交流電源の正の半サイクル期間中に降圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動波形の一例を示す波形図。
【図１４】（ａ）は、第１参考例に係る双方向ＤＣ／ＤＣコンバータの構成及び昇圧動作を示す図、（ｂ）は第１参考例における降圧動作を示す図。
【図１５】第２参考例に係る双方向ＤＣ／ＤＣコンバータの構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
（第２参考例）
はじめに、上記第１参考例の問題点を解決するために、本発明に至る途中に検討された第２参考例について説明する。図１５は、第２参考例に係る双方向ＤＣ／ＤＣコンバータのスイッチング回路の構成を示す。図１４と図１５を比較してわかるように、第２参考例では、２つのＦＥＴスイッチを逆向きに接続して構成された双方向スイッチ２０及び２１を、ＩＧＢＴスイッチ６及び８にそれぞれ並列に接続している。
【００２２】
低電圧入出力端子１に接続された直流電源（図示せず）の電圧を昇圧して高電圧入出力端子２から出力する昇圧動作の場合、ＩＧＢＴスイッチ８をオフした状態で、双方向スイッチ２０及び２１をオフし、ＩＧＢＴスイッチ６をオンする。それにより、低電圧入出力端子１からの電気エネルギーをインダクタ５に蓄積する。次に、ＩＧＢＴスイッチ６をオフする前に双方向スイッチ２０をオンする（ＦＥＴスイッチ２０ａ及び２０ｂをオンする）。このとき、ＩＧＢＴスイッチ６がオンしているため、ＦＥＴスイッチ２０ａ及び２０ｂはゼロ電圧でオンし、ＦＥＴスイッチ２０ａ及び２０ｂによるスイッチオン損失はほとんどない。その後、ＩＧＢＴスイッチ６をオフするが、ＦＥＴスイッチ２０ａ及び２０ｂがオンしているため、ＩＧＢＴスイッチ６はゼロ電圧でオフし、ＩＧＢＴスイッチ６によるスイッチオフ損失はほとんどない。さらに、ＦＥＴスイッチ２０ａ及び２０ｂをオフすると、インダクタ５に蓄積されたエネルギーが低電圧入出力端子１の入力電圧に重畳され、ダイオード９経由にて高電圧入出力端子２に伝達される。ＦＥＴスイッチ２０ａ及び２０ｂは、ＩＧＢＴスイッチ６と比較して、スイッチオフ損失が少ない。このとき、双方向スイッチ２１がオフ（ＦＥＴスイッチ２１ａ及び２１ｂがオフ）しており、各ＦＥＴスイッチ２１ａ及び２１ｂの寄生ダイオード２１ａｄ及び２１ｂｄは逆接続であるため、双方向スイッチ２１（寄生ダイオード２１ａｄ及び２１ｂｄ）には電流は流れない。
【００２３】
また、ＩＧＢＴスイッチ６をオフする際、ＩＧＢＴスイッチ６と同時に導通しないようにデッドタイムを設けて双方向スイッチ２１（ＦＥＴスイッチ２１ａ及び２１ｂ）をオンする（同期整流）ことで、電流が双方向スイッチ２０（ＦＥＴスイッチ２０ａ及び２０ｂ）のオン抵抗側を流れる。そのため、ダイオード９の順方向電圧に比較して双方向スイッチ２１のオン電圧が低くなり、導通損失が少なくなる。なお、デッドタイム期間はＦＥＴスイッチ２１ａ及び２１ｂがオフとなるため、ダイオード９にのみ電流が流れる。ＦＥＴスイッチ２１ａ及び２１ｂをオン／オフする時の電圧はダイオード９の順方向電圧であり、スイッチオン／スイッチオフ損失はほとんどない。このとき、ＦＥＴスイッチ２１ａ及び２１ｂのオフからＩＧＢＴスイッチ６オンまでのデッドタイムは、寄生ダイオード２１ａｄ及び２１ｂｄの逆回復時間に対して十分余裕のある時間に設定する。次のサイクルにおいてＩＧＢＴスイッチ６をオンする際、その直前には寄生ダイオード２１ａｄ及び２１ｂｄに電流は流れていないため、寄生ダイオード２１ａｄ及び２１ｂｄの逆回復時間による大きな短絡電流は、ＩＧＢＴスイッチ６には流れない。従って、先にＩＧＢＴスイッチをオフし、次にＦＥＴスイッチをオフすれば、スイッチオフ損失量を低減することができる。また、同期整流を行えばダイオードの導通損失を低減することも可能となる。
【００２４】
高電圧入出力端子２に接続された直流電圧を降圧して低電圧入出力端子１から出力する降圧動作の場合、上記ＩＧＢＴスイッチ６がＩＧＢＴスイッチ８に、ダイオード９がダイオード７に置き換わり、双方向スイッチ２０と２１の動作が逆になる。その他の動作及び効果は同様であるため、説明を省略する。
【００２５】
このように、第２参考例によれば、ＩＧＢＴスイッチ６又は８のスイッチング損失などを大幅に低減することができるが、１つのＩＧＢＴスイッチに対して２つのＦＥＴスイッチで構成された双方向スイッチが１つ必要である。そのため、スイッチング回路の構成が複雑になる。また、図１５に示す構成例では、２つのＩＧＢＴスイッチと４つのＦＥＴスイッチで１つのＤＣ／ＤＣコンバータを構成しているが、大電力に対応するために、複数のコンバータを並列接続することが行われている。後者の場合、単に第２参考例に係るスイッチング回路を用いて複数のコンバータを並列接続すると、それに伴って回路構成がさらに複雑になる。ところが、本発明によれば、複数のコンバータを並列接続した場合に、２つのＦＥＴスイッチで構成された双方向スイッチの数をＩＧＢＴスイッチの数よりも少なくすることができるという顕著な効果が得られる。以下、本発明の実施形態について説明する。
【００２６】
（第１実施形態）
第１実施形に係るスイッチング回路は、２つのコンバータを並列接続して構成された双方向ＤＣ／ＤＣコンバータに関する。図１は、第１実施形態に係る双方向ＤＣ／ＤＣコンバータの構成を示す。図２（ａ）は、上記ＤＣ／ＤＣコンバータを昇圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す。図２（ｂ）は、上記ＤＣ／ＤＣコンバータを降圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動波形の一例を示す。このように２つのコンバータを並列に接続して構成する場合、各コンバータの同一動作を行うスイッチのオン／オフのタイミングを、位相を異ならせて駆動する（インターリーブ駆動）ことにより、雑音や電波障害などを減少させることができる。
【００２７】
図１に示すように、２つのコンバータは、それぞれ低電圧入出力端子１、コンデンサ３、コンデンサ４及び高電圧入出力端子２を共有している。第１のコンバータは、さらにインダクタ５ａ、ＩＧＢＴスイッチ６ａ、ＩＧＢＴスイッチ６ａに逆並列接続されたダイオード７ａ、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及びＩＧＢＴスイッチ８ａに逆並列接続されたダイオード９ａを備えている。同様に、第２のコンバータは、さらにインダクタ５ｂ、ＩＧＢＴスイッチ６ｂ、ＩＧＢＴスイッチ６ｂに逆並列接続されたダイオード７ｂ、ＩＧＢＴスイッチ８ｂ及びＩＧＢＴスイッチ８ｂに逆並列接続されたダイオード９ｂを備えている。ＩＧＢＴスイッチ６ａとＩＧＢＴスイッチ８ａの接続点とＩＧＢＴスイッチ６ｂとＩＧＢＴスイッチ８ｂの接続点の間には、逆向きに接続された２つのＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂによって構成された第１の双方向スイッチ１０が接続されている。
【００２８】
ＩＧＢＴスイッチ６ａとＩＧＢＴスイッチ８ａに着目すると、これら２つのＩＧＢＴスイッチが同じ向きに直列接続されており（第１のＩＧＢＴ直列回路）、昇圧時にオフされるＩＧＢＴスイッチ８ａ（第１のＩＧＢＴスイッチ）のエミッタと降圧時にオフされるＩＧＢＴスイッチ６ａ（第２のＩＧＢＴスイッチ）のコレクタが接続されている。インダクタ５ａは、低電圧入出力端子１とＩＧＢＴスイッチ８ａとＩＧＢＴスイッチ６ａの接続点との間に接続されている。同様に、ＩＧＢＴスイッチ６ｂとＩＧＢＴスイッチ８ｂはＩＧＢＴスイッチが同じ向きに直列接続されており（第２のＩＧＢＴ直列回路）、昇圧時にオフされるＩＧＢＴスイッチ８ｂ（第１のＩＧＢＴスイッチ）のエミッタと降圧時にオフされるＩＧＢＴスイッチ６ｂ（第２のＩＧＢＴスイッチ）のコレクタが接続されている。インダクタ５ｂは、低電圧入出力端子１とＩＧＢＴスイッチ８ｂとＩＧＢＴスイッチ６ｂの接続点との間に接続されている。ＩＧＢＴスイッチ８ａのコレクタとＩＧＢＴスイッチ８ｂのコレクタは互いに接続され、さらに高電圧入出力端子２の高電圧端子に接続されている。ＩＧＢＴスイッチ６ａのエミッタとＩＧＢＴスイッチ６ｂのエミッタは互いに接続され、さらに低電圧入出力端子１と高電圧入出力端子２の低電圧端子（又はグランド側）に接続されている。さらに、コンデンサ３は低電圧入出力端子１に、コンデンサ４は低電圧入出力端子１に、それぞれ並列接続されている。
【００２９】
図２（ａ）は、昇圧動作時における低電圧入出力端子１の入力電圧と高電圧入出力端子２の出力電圧の比（昇圧比）が２以上の場合の各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す。この場合、ＩＧＢＴスイッチ６ａと６ｂをオンするタイミングの位相遅れを１８０度とする。ＩＧＢＴスイッチ６ａ及び６ｂのデューティ（１周期に占めるオンパルス幅比）は０．５以上となり、ＩＧＢＴスイッチ６ａとＩＧＢＴスイッチ６ｂをそれぞれオンさせるための２つのパルス信号に重なり期間が存在する。
【００３０】
昇圧動作中、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂは共にオフである。ＩＧＢＴスイッチ６ａと６ｂが共にオン状態のとき、低電圧入出力端子１の入力電力がインダクタ５ａ及び５ｂにエネルギーとして蓄積される。次に、ＩＧＢＴスイッチ６ｂがオンの状態で、ＩＧＢＴスイッチ６ａをオフする前に第１の双方向スイッチ１０（ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂ）をオンする。このとき、ＩＧＢＴスイッチ６ａ及び６ｂは共にオン状態であるため、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂはゼロ電圧でオンし、スイッチオン損失はほとんどない。ＩＧＢＴスイッチ６ａと第１の双方向スイッチ１０とＩＧＢＴスイッチ６ｂの直列回路が１つのスイッチ組となる。
【００３１】
その後、ＩＧＢＴスイッチ６ａをオフする。ＩＧＢＴスイッチ６ａに流れていた電流はＦＥＴスイッチ１０ａ、ＦＥＴスイッチ１０ｂ及びＩＧＢＴスイッチ６ｂに流れる。ＦＥＴスイッチ１０ａ、ＦＥＴスイッチ１０ｂ及びＩＧＢＴスイッチ６ｂが元々オンしているため、ＩＧＢＴスイッチ６ａはゼロ電圧でオフし、スイッチオフ損失はほとんどない。さらに、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂをオフすると、インダクタ５ａに蓄積されたエネルギーが、低電圧入出力端子１の入力電圧に重畳され、ダイオード９ａを経由して高電圧入出力端子２に伝達される。ＩＧＢＴスイッチ６ｂをオフする場合も、ＩＧＢＴスイッチ６ｂと第１の双方向スイッチ１０とＩＧＢＴスイッチ６ａの直列回路が１つのスイッチ組となり、ＩＧＢＴスイッチ６ａをオフする場合と同様の動作となる。従って、インダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーを放出する際の遮断は、ＩＧＢＴスイッチ６ａ及び６ｂのオフによらず、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂのオフによるため、スイッチオフ損失が減少する。
【００３２】
図２（ｂ）は、降圧動作時における各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す。なお、図２（ａ）に示す昇圧動作時と比較して、低電圧入出力端子１及び高電圧入出力端子２の電圧は同一であり、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂのベース駆動信号のパルス幅は図２（ａ）におけるＩＧＢＴスイッチ６ａ及び６ｂのオフ期間と同一である。従って、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂのオンデューティは０．５以下となり、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂをそれぞれオンさせるための２つのパルス信号の位相遅れが１８０度の場合、これら２つのパルス信号に重なり期間を設けることはできない。そこで、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂをオンさせるための２つのパルス信号の位相遅れ期間を１８０度以内とし、これら２つのパルス信号に重なり期間を確保している。
【００３３】
降圧動作中、ＩＧＢＴスイッチ６ａ及び６ｂは共にオフである。ＩＧＢＴスイッチ８ａと８ｂが共にオン状態のとき、高電圧入出力端子２の入力電力がインダクタ５ａ及び５ｂにエネルギーとして蓄積される。次に、ＩＧＢＴスイッチ８ａをオフする前に第１の双方向スイッチ１０（ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂ）をオンする。このとき、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂは共にオン状態であるため、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂはゼロ電圧でオンし、スイッチオン損失はほとんどない。ＩＧＢＴスイッチ８ａと第１の双方向スイッチ１０とＩＧＢＴスイッチ８ｂの直列回路が１つのスイッチ組となる。
【００３４】
その後、ＩＧＢＴスイッチ８ａをオフする。ＩＧＢＴスイッチ８ａに流れていた電流はＦＥＴスイッチ１０ａ、ＦＥＴスイッチ１０ｂ及びＩＧＢＴスイッチ８ｂに流れる。ＦＥＴスイッチ１０ａ、ＦＥＴスイッチ１０ｂ及びスイッチ８ｂが元々オンしているため、ＩＧＢＴスイッチ８ａはゼロ電圧でオフし、スイッチオフ損失はほとんどない。さらに、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂをオフすると、インダクタ５ａに蓄積されたエネルギーが、ダイオード７ａを経由して低電圧入出力端子１に伝達される。
【００３５】
ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂを駆動するための２つのパルス信号のオンデューティが０．５以下のため、図２（ｂ）の左側において、ＩＧＢＴスイッチ８ｂがオンしている状態でＩＧＢＴスイッチ８ａをオフすることはできるが、逆に、ＩＧＢＴスイッチ８ａをオンしている状態でＩＧＢＴスイッチ８ｂをオフすることはできない。すなわち、インダクタ５ａに蓄積されたエネルギーの放出は、ＩＧＢＴスイッチ８ａのオフによらず、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂのオフによるため、スイッチオフ損失が減少する。ところが、インダクタ５ｂに蓄積されたエネルギーを放出する際の遮断は、そのままＩＧＢＴスイッチ８ｂのオフにより、スイッチオフ損失が発生する。ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂの駆動信号として、同じ波形のパルス信号を続けて出力すると、ＩＧＢＴスイッチ８ｂにおいてのみスイッチオフ損失が発生し、ＩＧＢＴスイッチ８ｂが劣化する。そこで、本実施形態においては、所定のパルス数だけ同じ波形のパルス信号を出力すると、図２（ｂ）の右側に示すように、ＩＧＢＴスイッチ８ｂをオフする際にＩＧＢＴスイッチ８ａがオンしている状態となるように、上記所定のパルス数だけ異なる波形のパルス信号を出力する。第１実施形態の場合は、２つのコンバータで構成されているため、図２（ｂ）における左側の波形と右側の波形は線対称形となり、それぞれ所定のパルス数だけ交互に出力される。
【００３６】
このように、第１実施形態の構成によれば、双方向ＤＣ／ＤＣコンバータを２つのコンバータで構成することにより、４個のＩＧＢＴスイッチに対して１つの双方向スイッチを設けるだけでよく、２つのＦＥＴスイッチで構成された双方向スイッチの数をＩＧＢＴスイッチの数よりも少なくすることができるという顕著な効果が得られる。さらに、ＩＧＢＴスイッチをオフする際、ＦＥＴスイッチがオンしておき、その後ＦＥＴスイッチをオフしているので、ＩＧＢＴスイッチによるスイッチオフ損失はほとんど発生せず、全体的なスイッチオフ損失を低減することができる。さらに、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂのいずれか一方にはスイッチオフ損失が発生するけれども、ＩＧＢＴスイッチ８ａと８ｂに交互にスイッチオフ損失を発生させることにより、熱的にバランスをとることができる。
【００３７】
（第２実施形態）
第２実施形に係るスイッチング回路は、３つのコンバータを並列接続して構成された双方向ＤＣ／ＤＣコンバータに関する。図３は、第２実施形態に係る双方向ＤＣ／ＤＣコンバータの構成を示す。図４（ａ）は、上記ＤＣ／ＤＣコンバータを昇圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す。図４（ｂ）は、上記ＤＣ／ＤＣコンバータを降圧動作させるときの各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す。これら３つのコンバータをインターリーブ駆動する点は第１実施形態の場合と同様である。
【００３８】
図３に示すように、３つのコンバータは、それぞれ低電圧入出力端子１、コンデンサ３、コンデンサ４及び高電圧入出力端子２を共有している。第１のコンバータは、さらにインダクタ５ａ、ＩＧＢＴスイッチ６ａ、ＩＧＢＴスイッチ６ａに逆並列接続されたダイオード７ａ、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及びＩＧＢＴスイッチ８ａに逆並列接続されたダイオード９ａを備えている。同様に、第２のコンバータは、さらにインダクタ５ｂ、ＩＧＢＴスイッチ６ｂ、ＩＧＢＴスイッチ６ｂに逆並列接続されたダイオード７ｂ、ＩＧＢＴスイッチ８ｂ及びＩＧＢＴスイッチ８ｂに逆並列接続されたダイオード９ｂを備えている。第３のコンバータは、さらにインダクタ５ｃ、ＩＧＢＴスイッチ６ｃ、ＩＧＢＴスイッチ６ｃに逆並列接続されたダイオード７ｃ、ＩＧＢＴスイッチ８ｃ及びＩＧＢＴスイッチ８ｃに逆並列接続されたダイオード９ｃを備えている。
【００３９】
ＩＧＢＴスイッチ６ａとＩＧＢＴスイッチ８ａの接続点とＩＧＢＴスイッチ６ｂとＩＧＢＴスイッチ８ｂの接続点の間には、逆向きに接続された２つのＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂによって構成された第１の双方向スイッチ１０が接続されている。また、ＩＧＢＴスイッチ６ｂとＩＧＢＴスイッチ８ｂの接続点とＩＧＢＴスイッチ６ｃとＩＧＢＴスイッチ８ｃの接続点の間には、逆向きに接続された２つのＦＥＴスイッチ１３ａ及び１３ｂによって構成された第１の双方向スイッチ１３が接続されている。さらに、ＩＧＢＴスイッチ６ｃとＩＧＢＴスイッチ８ｃの接続点とＩＧＢＴスイッチ６ａとＩＧＢＴスイッチ８ａの接続点の間には、逆向きに接続された２つのＦＥＴスイッチ１４ａ及び１４ｂによって構成された第１の双方向スイッチ１４が接続されている。その他の説明は、上記第１実施形態の場合と同様であるため省略する。
【００４０】
図４（ａ）は、昇圧動作時における低電圧入出力端子１の入力電圧と高電圧入出力端子２の出力電圧の比（昇圧比）が３以上の場合の各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す。この場合、ＩＧＢＴスイッチ６ａ、６ｂ及び６ｃのオン位相遅れを１２０度とする。ＩＧＢＴスイッチ６ａ、６ｂ及び６ｃのデューティ（１周期に占めるオンパルス幅比）は０．６７以上となり、ＩＧＢＴスイッチ６ａ、６ｂ及び６ｃをそれぞれオンさせるための３つのパルス信号に重なり期間が存在する。昇圧動作そのものについては、上記第１実施形態の場合と同様のため、その説明を省略する。
【００４１】
図４（ｂ）は、降圧動作時における各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す。なお、図４（ａ）に示す昇圧動作時と比較して、低電圧入出力端子１及び高電圧入出力端子２の電圧は同一であり、ＩＧＢＴスイッチ８ａ、８ｂ及び８ｃのベース駆動信号のパルス幅は図４（ａ）におけるＩＧＢＴスイッチ６ａ、６ｂ及び６ｃのオフ期間と同一である。従って、ＩＧＢＴスイッチ８ａ、８ｂ及び８ｃのオンデューティは０．３３以下となり、ＩＧＢＴスイッチ８ａ、８ｂ及び８ｃをオンさせるための３つのパルス信号の位相遅れが１２０度の場合、これら３つのパルス信号に重なり期間を設けることはできない。そこで、ＩＧＢＴスイッチ８ａと８ｂをオンさせるための２つのパルス信号の位相遅れ期間及びＩＧＢＴスイッチ８ｂと８ｃをオンさせるための２つのパルス信号の位相遅れ期間をそれぞれ１２０度以内とし、これらのパルス信号に重なり期間を確保している。
【００４２】
図４（ｂ）の左側においても、ＩＧＢＴスイッチ８ｂがオンしている状態でＩＧＢＴスイッチ８ａをオフすること及びＩＧＢＴスイッチ８ｃがオンしている状態でＩＧＢＴスイッチ８ｂをオフすることはできるが、ＩＧＢＴスイッチ８ａをオンしている状態でＩＧＢＴスイッチ８ｃをオフすることはできない。すなわち、インダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーを放出する際の遮断は、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂのオフによらず、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂ及びＦＥＴスイッチ１３ａ及び１３ｂのオフによるため、スイッチオフ損失が減少する。ところが、インダクタ５ｃに蓄積されたエネルギーを放出する際の遮断は、そのままＩＧＢＴスイッチ８ｃのオフにより、スイッチオフ損失が発生する。そこで、第２実施形態においても、所定のパルス数だけ同じ波形のパルス信号を出力すると、図４（ｂ）の右側に示すように、ＩＧＢＴスイッチ８ｃをオフする際にＩＧＢＴスイッチ８ａがオンしている状態となるように、上記所定のパルス数だけ異なる波形のパルス信号を出力する。第２実施形態の場合は、３つのコンバータで構成されているため、３つのＩＧＢＴスイッチ８ａ、８ｂ及び８ｃの順にスイッチオフ損失が発生するように、それぞれ波形の異なる３通りのパターンを上記所定のパルス数ずつ出力するようにローテーションさせればよい。
【００４３】
このように、第２実施形態の構成によれば、ＤＣ／ＤＣコンバータを３つのコンバータで構成することにより、６個のＩＧＢＴスイッチに対して３つの第１の双方向スイッチを設けるだけでよく、２つのＦＥＴスイッチで構成された双方向スイッチの数をＩＧＢＴスイッチの数よりも少なくすることができるという顕著な効果が得られる。また、図３に示すように、３組のＩＧＢＴ直列回路に対して３つの第１の双方向スイッチを設けたが、図１に示す第１実施形態のように、１つの第１の双方向スイッチを、それが接続されている２組のＩＧＢＴ直列回路に対して使用することにより、第１の双方向スイッチの数をさらに少なくすることができる。例えば、ＩＧＢＴスイッチ６ａと８ａ及び６ｂと８ｂのオン又はオフに際して第１の双方向スイッチ１０を使用し、ＩＧＢＴスイッチ６ｂと８ｂ及び６ｃと８ｃのオン又はオフに際して第１の双方スイッチ素子１３を使用すれば、第１の双方向スイッチ素子１４を省略することができる。
【００４４】
（第３実施形態）
第３実施形態に係るスイッチング回路は、２つのコンバータを並列接続して構成された双方向ＤＣ／ＤＣコンバータに関する。図５に示すように、第３実施形態に係るスイッチング回路は、第１の双方向スイッチ１０を構成するＦＥＴスイッチ１０ａと１０ｂの接続点と高電圧入出力端子２の間に第２の双方向スイッチ１１が接続されている。第２の双方向スイッチ１１も、逆向きに接続された２つのＦＥＴスイッチ１１ａと１１ｂで構成されている。
【００４５】
昇圧動作を行う場合、第２の双方向スイッチ１１をオフした状態で、図２（ａ）に示す第１実施形態の駆動信号と全く同じ駆動信号を用いて各スイッチを駆動することができるが、さらに、図６（ａ）に示す駆動信号を用いて各スイッチを駆動することもできる。図６（ａ）は、第１実施形態の場合と同様に、昇圧動作時における低電圧入出力端子１の入力電圧と高電圧入出力端子２の出力電圧の比（昇圧比）が２以上の場合の各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す。この場合も、ＩＧＢＴスイッチ６ａと６ｂをオンするタイミングの位相遅れを１８０度とする。
【００４６】
昇圧動作中、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂは共にオフである。ＩＧＢＴスイッチ６ａと６ｂが共にオン状態のとき、低電圧入出力端子１の入力電力がインダクタ５ａ及び５ｂにエネルギーとして蓄積される。次に、ＩＧＢＴスイッチ６ａをオフする前に第１の双方向スイッチ１０（ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂ）をオンする。このとき、ＩＧＢＴスイッチ６ａ及び６ｂは共にオン状態であるため、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂはゼロ電圧でオンし、スイッチオン損失はほとんどない。次に、ＩＧＢＴスイッチ６ａをオフする。ＩＧＢＴスイッチ６ａに流れていた電流はＦＥＴスイッチ１０ａ、ＦＥＴスイッチ１０ｂ及びＩＧＢＴスイッチ６ｂに流れる。ＦＥＴスイッチ１０ａ、ＦＥＴスイッチ１０ｂ及びＩＧＢＴスイッチ６ｂが元々オンしているため、ＩＧＢＴスイッチ６ａはゼロ電圧でオフし、スイッチオフ損失はほとんどない。
【００４７】
その後、ＦＥＴスイッチ１０ａがオンした状態でＦＥＴスイッチ１０ｂをオフする。インダクタ５ａに蓄積されたエネルギーは、低電圧入出力端子１の入力電圧に重畳され、ダイオード９ａを経由して高電圧入出力端子２に伝達される。ＦＥＴスイッチ１０ｂは、ＩＧＢＴスイッチ６ａと比較して、スイッチオフ損失が小さい。そして、所定のデッドタイムをおいて、第２の双方向スイッチ１１（ＦＥＴスイッチ１１ａ及び１１ｂ）をオンする（同期整流）。デッドタイム期間は、ＦＥＴスイッチ１１ａ及び１１ｂがオフであるため、ダイオード９ａにのみ電流は流れる。ＩＧＢＴスイッチ１０ａ、ＦＥＴスイッチ１１ａ及び１１ｂのオン又はオフ時の電圧はダイオード９ａの順方向電圧であるため、これらのスイッチによるスイッチオン損失及びスイッチオフ損失はほとんどない。第２の双方向スイッチ１１がオンした後は、電流は第２の双方向スイッチ１１（ＦＥＴスイッチ１１ａ及び１１ｂ）のオン抵抗を流れるため、ダイオード９ａの順方向電圧と比較して、ＦＥＴスイッチ１０ａと第２の双方向スイッチ１１のオン電圧が低くなり、導通損失が減少する。その後、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び第２の双方向スイッチ１１（ＦＥＴスイッチ１１ａ及び１１ｂ）をオフする。
【００４８】
さらに、第２の所定のデッドタイムをおいて、ＩＧＢＴスイッチ６ａをオンする。第２の所定のデッドタイムとして、ＦＥＴスイッチ１０ａ、１１ａ及び１１ｂの寄生ダイオード１０ａｄ、１１ａｄ及び１１ｂｄの逆回復時間に対して十分余裕のある時間を設定する。次のサイクルにおいてＩＧＢＴスイッチ６ａをオンする際、その直前に寄生ダイオード１０ａｄ、１１ａｄ及び１１ｂｄに電流は流れていないため、寄生ダイオード１０ａｄ、１１ａｄ及び１１ｂｄの逆回復時間による大きな短絡電流は流れない。従って、ＩＧＢＴスイッチを先にオフし、その後ＦＥＴスイッチをオフすることにより、スイッチオフ損失を低減することができ、また、同期整流を行うことにより、ダイオード導通損失を低減することができる。なお、ＩＧＢＴスイッチ６ｂをオフする場合も同様の動作となる。
【００４９】
図６（ｂ）は、降圧動作時における各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す。なお、図６（ａ）に示す昇圧動作時と比較して、低電圧入出力端子１及び高電圧入出力端子２の電圧は同一であり、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂのベース駆動信号のパルス幅は図６（ａ）におけるＩＧＢＴスイッチ６ａ及び６ｂのオフ期間と同一である。従って、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂのオンデューティは０．５以下となり、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂをそれぞれオンさせるための２つのパルス信号の位相遅れが１８０度とし、これら２つのパルス信号に重なり期間を設けていない。
【００５０】
降圧動作中、ＩＧＢＴスイッチ６ａ及び６ｂは共にオフである。ＩＧＢＴスイッチ８ａがオン状態のとき、高電圧入出力端子２の入力電力がインダクタ５ａにエネルギーとして蓄積される。次に、ＩＧＢＴスイッチ８ａをオフする前にＦＥＴスイッチ１０ａと第２双方向スイッチ１１（ＦＥＴスイッチ１１ａ及び１１ｂ）をオンする。このとき、ＩＧＢＴスイッチ８ａはオン状態であるため、ＦＥＴスイッチ１０ａ、１１ａ及び１１ｂはゼロ電圧でオンし、スイッチオン損失はほとんどない。
【００５１】
その後、ＩＧＢＴスイッチ８ａをオフする。ＩＧＢＴスイッチ８ａに流れていた電流はＦＥＴスイッチ１１ａ、ＦＥＴスイッチ１１ｂ及びＦＥＴスイッチ１０ａに流れる。ＦＥＴスイッチ１０ａ、ＦＥＴスイッチ１１ａ及びＦＥＴスイッチ１１ｂが元々オンしているため、ＩＧＢＴスイッチ８ａはゼロ電圧でオフし、スイッチオフ損失はほとんどない。さらに、ＦＥＴスイッチ１０ａ、１１ａ及び１１ｂをオフすると、インダクタ５ａに蓄積されたエネルギーが、ダイオード７ａを経由して低電圧入出力端子１に伝達される。ＩＧＢＴスイッチ８ｂをオフする場合も同様の動作となる。
【００５２】
このように、第３実施形態によれば、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂを駆動するための２つのパルス信号に重なり期間を設けていないけれども、インダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーを放出する際の遮断は、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂのオフによらず、ＦＥＴスイッチ１０ａ、１０ｂ、１１ａ及び１１ｂのオフによるため、スイッチオフ損失が減少する。また、第１実施形態と比較して、第３実施形態によれば、降圧動作時に駆動信号の波形を変更する必要が無く、同じ波形の信号を続けて出力することができ、制御が容易になる。
【００５３】
図７及び図８は、第３実施形態に係るスイッチング回路の変形例を示す。図５及び図６に示す構成例では、昇圧比が２以上の場合に対応しているが、図７及び図８に示す変形例は、昇圧比が２以下の場合に対応する。この変形例に係るスイッチング回路は、第１の双方向スイッチ１０を構成するＦＥＴスイッチ１０ａと１０ｂの接続点とゼロ電位（グランド）の間に第３の双方向スイッチ１２が接続されている。第３の双方向スイッチ１２も、逆向きに接続された２つのＦＥＴスイッチ１２ａと１２ｂで構成されている。
【００５４】
図８（ａ）は昇圧動作を行う場合の各スイッチのベース及びゲート駆動波形を示しており、図６（ｂ）に示す降圧動作時の駆動信号と比較して、ＩＧＢＴスイッチ素子８ａ及び８ｂの駆動信号の波形とＩＧＢＴスイッチ素子６ａ及び６ｂの駆動信号の波形が入れ替わり、ＦＥＴスイッチ１１ａ及び１１ｂの符号がＦＥＴスイッチ１２ａ及び１２ｂに代わっているだけである。また、図８（ｂ）は降圧動作を行う場合の各スイッチのベース及びゲート駆動波形を示しており、図６（ａ）に示す昇圧動作時の駆動信号と比較して、ＩＧＢＴスイッチ素子８ａ及び８ｂの駆動信号の波形とＩＧＢＴスイッチ素子６ａ及び６ｂの駆動信号の波形が入れ替わり、ＦＥＴスイッチ１１ａ及び１１ｂの符号がＦＥＴスイッチ１２ａ及び１２ｂに代わっているだけである。各スイッチの動作は同様である。なお、この変形例において、図２（ａ）に示す第１実施形態の駆動信号と同様の駆動信号を用い、ＩＧＢＴスイッチ素子８ａ及び８ｂの駆動信号の波形とＩＧＢＴスイッチ素子６ａ及び６ｂの駆動信号の波形が入れ替えることによっても降圧動作をさせることができる。
【００５５】
このように、第３実施形態の変形例によっても、インダクタに蓄積されたエネルギーを放出する際の遮断は、ＩＧＢＴスイッチのオフによらず、ＦＥＴスイッチのオフによるため、スイッチオフ損失が減少する。また、ＦＥＴスイッチのオフからＩＧＢＴスイッチオンまでのデッドタイムを、寄生ダイオードの逆回復時間に対して十分余裕のある時間に設定する。それにより、次のサイクルにおいてＩＧＢＴスイッチをオンする際、その直前には寄生ダイオードに電流は流れていないため、寄生ダイオードの逆回復時間による大きな短絡電流は、ＩＧＢＴスイッチには流れない。従って、ＩＧＢＴスイッチをオフし、次にＦＥＴスイッチをオフすれば、スイッチオフ損失量を低減することができる。また、同期整流を行えばダイオードの導通損失を低減することも可能となる。
【００５６】
（第４実施形態）
第４実施形態に係るスイッチング回路は、２つのコンバータを並列接続して構成された双方向ＡＣ／ＤＣ・ＤＣ／ＡＣコンバータに関する。図９は、低電圧入出力端子１に交流電源１７が接続されたＡＣ／ＤＣコンバータによる昇圧動作時の構成を示す。図９に示すように、第４実施形態に係るスイッチング回路は、ＩＧＢＴスイッチ８ａとＩＧＢＴスイッチ８ｂのコレクタ同士が接続された端子とＩＧＢＴスイッチ６ａとＩＧＢＴスイッチ６ｂのエミッタ同士が接続された端子の間に、高電圧入出力端子２とコンデンサ４が並列接続されている。また、ＩＧＢＴスイッチ６ａとＩＧＢＴスイッチ８ａの接続点とＩＧＢＴスイッチ６ｂとＩＧＢＴスイッチ８ｂの接続点の間には、逆向きに接続された２つのＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂによって構成された第１の双方向スイッチ１０が接続されている。さらに、第１の双方向スイッチ１０を構成するＦＥＴスイッチ１０ａと１０ｂの接続点とＩＧＢＴスイッチ８ａとＩＧＢＴスイッチ８ｂのコレクタ同士が接続された端子の間に第２の双方向スイッチ１１が接続されている。さらに、第１の双方向スイッチ１０を構成するＦＥＴスイッチ１０ａと１０ｂの接続点とＩＧＢＴスイッチ６ａとＩＧＢＴスイッチ６ｂのエミッタ同士が接続された端子の間に第３の双方向スイッチ１２が接続されている。
【００５７】
低電圧入出力端子１にはコンデンサ３が並列接続され、低電圧入出力端子１の一方の端子とＩＧＢＴスイッチ６ａとＩＧＢＴスイッチ８ａの接続点の間にインダクタ５ａが接続され、低電圧入出力端子１の他方の端子とＩＧＢＴスイッチ６ｂとＩＧＢＴスイッチ８ｂの接続点の間にインダクタ５ｂが接続されている。ＡＣ／ＤＣ昇圧動作時には、低電圧入出力端子１には交流電源１７が接続され、高電圧入出力端子２から昇圧された直流電力が出力される。また、ＤＣ／ＡＣ降圧動作時には、高電圧入出力端子２には直流電源が接続され、低電圧入出力端子１から降圧された交流電力が出力される。
【００５８】
ここで、ＡＣ／ＤＣコンバータによる昇圧動作について説明する。低電圧入出力端子１に接続された交流電源１７は、半サイクルごとに正の電圧と負の電圧が入れ替わるため、交流電源１７の正の半サイクル期間について説明する。交流電源１７の正の半サイクル期間については、電圧が変化する直流電源が低電圧入出力端子１に順方向に接続されている場合と同様に考えられる。ＩＧＢＴスイッチ６ａ、６ｂ、８ａ及び８ｂが全てオフの状態で、低電圧入出力端子１に接続された交流電源１７の電圧が０Ｖから上昇すると、インダクタ５ｂ、ダイオード９ｂ、コンデンサ４、ダイオード７ａ、インダクタ５ａの経路で高電圧入出力端子２に交流電源１７の正の電圧が伝達される。同時に、コンデンサ３及び４が充電される。
【００５９】
次に、ＩＧＢＴスイッチ６ａ、８ａ及び８ｂがオフの状態で、ＩＧＢＴスイッチ６ｂをオンすると、交流電源１７から、インダクタ５ｂ、ＩＧＢＴスイッチ６ｂ、ダイオード７ａ、インダクタ５ａ、交流電源１７の順に電流が流れ、インダクタ５ａ及び５ｂにエネルギーが蓄積される。さらに、ＩＧＢＴスイッチ６ｂをオフすると、上記電流が流れなくなり、インダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーが、インダクタ５ｂ、ダイオード９ｂ、コンデンサ４、ダイオード７ａ、インダクタ５ａの順に電流が流れ、低電圧入出力端子１に接続された交流電源１７の正の電圧に重畳されて、高電圧入出力端子２に伝達される。高電圧入出力端子２には、ＩＧＢＴスイッチ６ｂのオン／オフに伴って交流電源１７の電圧よりも高い電圧が印加される。そのため、コンデンサ４によって平滑化された直流電圧は、交流電源１７の実効電圧よりも高くなっている。なお、交流電源１７の正の半サイクル期間中に複数回ＩＧＢＴスイッチ６ｂのオンとオフを繰り返す。図１０の左側（交流の正の半サイクル期間）はＩＧＢＴスイッチ６ｂに流れる電流波形を示す。
【００６０】
交流電源１７の負の半サイクル期間については、電圧が変化する直流電源が低電圧入出力端子１に逆方向に接続されている場合と同様に考えられる。ＩＧＢＴスイッチ６ａ、６ｂ、８ａ及び８ｂが全てオフの状態で、低電圧入出力端子１に接続された交流電源１７の電圧が０Ｖから下降すると、インダクタ５ａ、ダイオード９ａ、コンデンサ４、ダイオード７ｂ、インダクタ５ｂの経路で高電圧入出力端子２に交流電源１７の負の電圧が伝達される。ここで、交流電源１７の負の電圧は、ダイオード９ａによって反転され、コンデンサ４には交流電源１７の正の半サイクル期間と同じ向きに電圧が印加されるので、高電圧入出力端子２には直流電圧が伝達される。コンデンサ３は、上記交流電源１７の正の半サイクル期間とは逆向きに充電される。
【００６１】
ＩＧＢＴスイッチ６ｂ、８ａ及び８ｂがオフの状態で、ＩＧＢＴスイッチ６ａをオンすると、インダクタ５ａ、ＩＧＢＴスイッチ６ａ、ダイオード７ｂ、インダクタ５ｂの順に電流が流れ、インダクタ５ａ及び５ｂにエネルギーが蓄積される。次に、ＩＧＢＴスイッチ６ａをオフすると、上記電流が流れなくなり、インダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーが、インダクタ５ａ、ダイオード９ａ、コンデンサ４、ダイオード７ｂ、インダクタ５ｂの順に電流が流れ、低電圧入出力端子１に接続された交流電源１７の電圧に重畳され、高電圧入出力端子２に伝達される。交流電源１７の負の半サイクル期間中に複数回ＩＧＢＴスイッチ６ａのオンとオフを繰り返す。図１０の右側（交流の負の半サイクル期間）ＩＧＢＴスイッチ６ａに流れる電流波形を示す。
【００６２】
次に、ＤＣ／ＡＣコンバータによる降圧動作について説明する。低電圧入出力端子１から交流電力を出力するため、交流電源の半サイクルごとに正の電圧と負の電圧を入れ替える必要がある。まず、交流電源１７の正の半サイクル期間について説明する。ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂがオフの状態では、ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び８ｂに接続されたダイオード９ａ及び９ｂが逆バイアスであるため、高電圧入出力端子２に接続された直流電源（図示せず）の電圧は低電圧入出力端子１には伝達されない。次に、ＩＧＢＴスイッチ６ａがオン、ＩＧＢＴスイッチ６ｂ及び８ａがオフの状態で、ＩＧＢＴスイッチ８ｂをオンすると、高電圧入出力端子２に接続された直流電源の電圧は、ＩＧＢＴスイッチ８ｂ、インダクタ５ｂ、コンデンサ３、インダクタ５ａ、ＩＧＢＴスイッチ６ａ、直流電源の経路で低電圧入出力端子１に伝達される。その際、インダクタ５ａ及び５ｂにエネルギーが蓄積されると共に、コンデンサ３が充電される。次に、ＩＧＢＴスイッチ８ｂをオフすると、コンデンサ３及びインダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーが、インダクタ５ｂ、コンデンサ３、インダクタ５ａ、ＩＧＢＴスイッチ６ａ、ダイオード７ｂの経路で放出される。交流の正の半サイクルに相当する期間内に複数回ＩＧＢＴスイッチ８ｂのオン／オフを繰り返す。低電圧入出力端子１には、ＩＧＢＴスイッチ８ｂがオンしている間だけ、最大でも直流電源の電圧が伝達されるが、それ以外の期間は、コンデンサ３及びインダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーによる電圧が伝達されるだけである。そのため、コンデンサ３によって平滑化された低電圧入出力端子１の電圧の実効値は、高電圧入出力端子２に接続された直流電源の電圧よりも低くなる。低電圧入出力端子１から出力される交流電圧の波形を正弦波状にするには、交流電圧の変化に応じてＩＧＢＴスイッチ８ｂをオン／オフするタイミング及びデューティを変化させればよい。
【００６３】
交流の負の半サイクル分を出力する場合、ＩＧＢＴスイッチ６ｂがオン、ＩＧＢＴスイッチ６ａ及び８ｂがオフの状態で、ＩＧＢＴスイッチ８ａをオンすると、高電圧入出力端子２に接続された直流電源の電圧は、ＩＧＢＴスイッチ８ａ、インダクタ５ａ、コンデンサ３、インダクタ５ｂ、ＩＧＢＴスイッチ６ｂ、直流電源の経路で低電圧入出力端子１に伝達される。その際、インダクタ５ａ及び５ｂにエネルギーが蓄積されると共に、コンデンサ３が充電される。次に、ＩＧＢＴスイッチ８ａをオフすると、コンデンサ３及びインダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーが、インダクタ５a、コンデンサ３、インダクタ５ｂ、ＩＧＢＴスイッチ６ｂ、ダイオード７ａの経路で放出される。交流の負の半サイクルに相当する期間内に複数回ＩＧＢＴスイッチ８ａのオン／オフを繰り返す。低電圧入出力端子１には、ＩＧＢＴスイッチ８ａがオンしている間だけ、最大でも直流電源の電圧が反転して伝達されるが、それ以外の期間は、コンデンサ３及びインダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーによる電圧が伝達されるだけである。そのため、コンデンサ３によって平滑化された低電圧入出力端子１の電圧の実効値（絶対値）は、高電圧入出力端子２に接続された直流電源の電圧よりも低くなる。交流の正の半サイクル分を出力する場合と、交流の負の半サイクル分を出力する場合とで、コンデンサ３は逆向きに充電されるので、低電圧入出力端子１から交流電力が出力される。
【００６４】
図１１（ａ）は交流の正の半サイクルにおけるＡＣ／ＤＣ変換昇圧動作時の各スイッチのベース又はゲート駆動波形を示す。ＡＣ／ＤＣ変換昇圧動作については先に説明しているので、各スイッチの動作についてのみ説明する。図１１（ａ）に示すように、ＩＧＢＴスイッチ６ａ、８ａ及び８ｂ、ＦＥＴスイッチ１０ａ、１１ａ及び１１ｂは常時オフとする。
【００６５】
ＩＧＢＴスイッチ６ｂをオフする前に、ＦＥＴスイッチ１０ｂと第３の双方向スイッチ１２(ＦＥＴスイッチ１２ａ及び１２ｂ)をオンにする。このとき、ＩＧＢＴスイッチ６ｂはオンしているため、ＦＥＴスイッチ１０ｂ、１２ａ及び１２ｂはゼロ電圧でオンし、損失はほとんどない。その後ＩＧＢＴスイッチ６ｂをオフする。ＩＧＢＴスイッチ６ｂに流れていた電流は、ＦＥＴスイッチ１０ｂ、１２ａ及び１２ｂに流れる。ＦＥＴスイッチ１０ｂ、１２ａ及び１２ｂがオンしているため、ＩＧＢＴスイッチ６ｂはゼロ電圧でオフし、損失はほとんどない。さらに、その後、ＦＥＴスイッチ１０ｂ、１２ａ及び１２ｂをオフすると、インダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーが、交流電源１７（又はコンデンサ３）の電圧に重畳され、ダイオード９ｂを経由してコンデンサ４に流れ、コンデンサ４が充電される。従って、インダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーを放出する際の遮断は、ＩＧＢＴスイッチ６ｂのオフによらず、ＦＥＴスイッチ１０ａ、１２ａ及び１２ｂのオフによるため、スイッチオフ損失が減少する。
【００６６】
なお、図１１（ａ）には描いていないが、図６（ａ）の場合と同様に、ＦＥＴスイッチ１０ｂ及び第２の双方向スイッチ１１を動作させれば、ＩＧＢＴスイッチ６ｂをオフする際のダイオード９ｂの導通損失を低減することができる。また、交流の負の半サイクルについても同様であり、同様の動作により、スイッチオフ損失及びダイオード導通損失を低減することができる。
【００６７】
図１１（ｂ）は交流の正の半サイクルにおけるＤＣ／ＡＣ変換降圧動作時の各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形を示す。ＤＣ／ＡＣ変換降圧動作については先に説明したので、各スイッチの動作についてのみ説明する。ＩＧＢＴスイッチ８ａ及び６ｂ及びＦＥＴスイッチ１０ａ、１２ａ及び１２ｂは常時オフ、ＩＧＢＴスイッチ６ａは常時オンとする。
【００６８】
ＩＧＢＴスイッチ８ｂをオフする前に、ＦＥＴスイッチ１０ｂと第２の双方向スイッチ１１(ＦＥＴスイッチ１１ａ及び１１ｂ)をオンにする。このとき、ＩＧＢＴスイッチ８ｂはオンのため、ＦＥＴスイッチ１０ｂ、１１ａ及び１１ｂはゼロ電圧でオンし、損失はほとんどない。その後ＩＧＢＴスイッチ８ｂをオフする。ＩＧＢＴスイッチ８ｂに流れていた電流は、ＦＥＴスイッチ１０ｂ、１１ａ及び１１ｂに流れる。ＦＥＴスイッチ１０ｂ、１１ａ及び１１ｂがオンしているため、ＩＧＢＴスイッチ８ｂはゼロ電圧でオフし、損失はほとんどない。その後、ＦＥＴスイッチ１０ｂ、１１ａ及び１１ｂをオフすることにより、インダクタ５ａ、５ｂに蓄積されたエネルギーが、コンデンサ３に伝達される。従って、インダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーの放出は、ＩＧＢＴスイッチ８ｂのオフによらず、ＦＥＴスイッチ１０ａ、１１ａ及び１１ｂのオフによるため、スイッチオフ損失が減少する。
【００６９】
なお、図１１（ｂ）には描いていないが、図６（ａ）の場合と同様に、ＦＥＴスイッチ１０ｂ及び第３の双方向スイッチ１２を動作させれば、ＩＧＢＴスイッチ８ｂをオフする際のダイオード７ｂの導通損失を低減することができる。また、交流の負の半サイクルについても同様である。このように、第４実施形態の構成によれば、スイッチオフ損失及びダイオード導通損失を低減することができ、高効率で小型の双方向ＡＣ−ＤＣコンバータを構成することができる。
【００７０】
（第５実施形態）
第５実施形態に係るスイッチング回路は、２つのコンバータを並列接続して構成された双方向ＡＣ−ＤＣコンバータに関する。図１２に示す第５実施形態に係るスイッチング回路は、図９に示す第４実施形態に係るスイッチング回路と比較して、第３の双方向スイッチ１２が省略されている点が異なる。
【００７１】
図１３（ａ）は交流の正の半サイクルにおけるＡＣ／ＤＣ変換昇圧動作時の各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形の一例を示す。ＡＣ／ＤＣ変換昇圧動作については先に説明しているものと同様であるため、各スイッチの動作についてのみ説明する。ＡＣ／ＤＣ変換昇圧動作中、ＩＧＢＴスイッチ６ａ、８ａ及び８ｂ、及び第２の双方向スイッチ１１（ＦＥＴスイッチ１１ａ及び１１ｂ）は、常時オフである。
【００７２】
ＩＧＢＴスイッチ６ｂをオフする前に第１の双方向スイッチ１０(ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂ)をオンする。このとき、ＩＧＢＴスイッチ６ｂがオンし、ダイオード７ａが導通するため、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂはゼロ電圧でオンし、損失はほとんどない。その後、ＩＧＢＴスイッチ６ｂをオフする。ＩＧＢＴスイッチ６ｂ及びダイオード７ａに流れていた電流は、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂに流れる。ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂがオンしているため、ＩＧＢＴスイッチ６ｂはゼロ電圧でオフし、損失はほとんどない。さらに、その後、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂをオフすると、インダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーが、低電圧入出力端子１に接続された交流電源の電圧（又はコンデンサ３の端子電圧）に重畳され、ダイオード９ｂを経由して高電圧入出力端子２（又はコンデンサ４）に伝達される。従って、インダクタ５ａ及び５ｂに蓄積されたエネルギーの放出は、ＩＧＢＴスイッチ６ｂのオフによらず、ＦＥＴスイッチ１０ａ及び１０ｂのオフによるため、スイッチオフ損失が減少する。
【００７３】
なお、図１３（ａ）には描いていないが、図６（ａ）の場合と同様に、ＦＥＴスイッチ１０ｂ及び第２の双方向スイッチ１１を動作させれば、ＩＧＢＴスイッチ６ｂをオフする際のダイオード９ｂの導通損失を削減することができる。また、交流の負の半サイクルについても同様である。
【００７４】
図１３（ｂ）は、交流の正の半サイクルにおけるＤＣ／ＡＣ変換降圧動作時の各スイッチのベース又はゲート駆動信号の波形を示す。ＤＣ／ＡＣ変換降圧動作及び各スイッチの動作は、図１１（ｂ）の場合と同一の動作となる。ＩＧＢＴスイッチ８ｂをオフする際のＩＧＢＴスイッチ６ａとダイオード７ｂの導通損失は、第１の双方向スイッチ１０の同期整流により減少させることができる。また、交流の負の半サイクルについても同様である。このように、第５実施形態の構成によっても、スイッチオフ損失及びダイオード導通損失を削減することができ、高効率で小型の双方向ＡＣ−ＤＣコンバータを構成することができる。
【００７５】
なお、上記説明において、双方向スイッチは２つのＦＥＴスイッチを逆接続して構成された一例を示しているが、ＩＧＢＴスイッチのスイッチオフ損失よりも損失の小さな双方向スイッチであれば良く、材料や構造などは特に限定されない。また、２つのＦＥＴスイッチを同時にオン／オフする場合は、逆接続された２つのＦＥＴスイッチの代わりに双方向特性を有する単一の双方向素子であってもよい。また、図３に示すように、第２実施形態において、ＩＧＢＴスイッチ６ａと８ａの直列接続を第１のＩＧＢＴ直列回路とすると、ＩＧＢＴスイッチ６ｂと８ｂの直列接続又はＩＧＢＴスイッチ６ｃと８ｃの直列接続が第２のＩＧＢＴ直列回路に相当する。同様に、ＩＧＢＴスイッチ６ｂと８ｂの直列接続を第１のＩＧＢＴ直列回路とすると、ＩＧＢＴスイッチ６ｃと８ｃの直列接続が第２のＩＧＢＴ直列回路に相当する。ＩＧＢＴ直列回路が４つ以上ある場合も同様である。
【符号の説明】
【００７６】
１  低電圧入出力端子
２  高電圧入出力端子
３、４  コンデンサ
５、５ａ、５ｂ、５ｃ  インダクタ
６、６ａ、６ｂ、６ｃ、８、８ａ、８ｂ、８ｃ  ＩＧＢＴスイッチ
７、７ａ、７ｂ、７ｃ、９、９ａ、９ｂ、９ｃ  ダイオード
１０、１１、１２、１３、１４  双方向スイッチ
１０ａ、１０ｂ、１１ａ、１１ｂ、１２ａ、１２ｂ、１３ａ、１３ｂ、１４ａ、１４ｂ  ＦＥＴスイッチ
１０ａｄ、１０ｂｄ、１１ａｄ、１１ｂｄ、１２ａｄ、１２ｂｄ、１３ａｄ、１３ｂｄ、１４ａｄ、１４ｂｄ  ＦＥＴ寄生ダイオード
１７  交流電源
１８  直流電源
【図１】
2014023190.tif 000003
【図２】
2014023190.tif 000004
【図３】
2014023190.tif 000005
【図４】
2014023190.tif 000006
【図５】
2014023190.tif 000007
【図６】
2014023190.tif 000008
【図７】
2014023190.tif 000009
【図８】
2014023190.tif 000010
【図９】
2014023190.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
2014023190.tif 000015
【図１４】
2014023190.tif 000016
【図１５】
2014023190.tif 000017