(57)【要約】【課題】密部における配線間のエッチング残り、および疎部における配線の形状不良を抑制しつつ、疎部と密部とを備える配線パターンを形成する。【解決手段】絶縁基板上に形成された金属層を加工して、最も広い間隔で配置される配線を含む疎部と、最も狭い間隔で配置される配線を含む密部と、を備える配線パターンを形成するプリント配線基板の製造方法であって、疎部および密部の各形成予定領域においては、金属層をウェットエッチングにより加工し、疎部の形成予定領域における絶縁基板の一部を露出させる工程を行い、密部の形成予定領域においては、金属層をレーザにより更に加工し、密部の形成予定領域における絶縁基板の一部を露出させる工程を行う。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁基板上に形成された金属層を加工して、最も広い間隔で配置される配線を含む疎部と、最も狭い間隔で配置される配線を含む密部と、を備える配線パターンを形成するプリント配線基板の製造方法であって、
前記疎部および前記密部の各形成予定領域においては、
前記金属層をウェットエッチングにより加工し、前記疎部の形成予定領域における前記絶縁基板の一部を露出させる工程を行い、
前記密部の形成予定領域においては、
前記金属層をレーザにより更に加工し、前記密部の形成予定領域における前記絶縁基板の一部を露出させる工程を行う
ことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
【請求項２】
前記密部の形成予定領域においては、
前記疎部の形成予定領域における前記絶縁基板の一部が露出したときから所定時間内に、前記ウェットエッチングによる加工工程から前記レーザによる加工工程へ切り替えを行う
ことを特徴とする請求項１に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記密部の形成予定領域においては、
前記密部の形成予定領域におけるウェットエッチングによるエッチング深さが前記密部に配置される前記配線間の間隔と等しくなったときから所定時間内に、前記ウェットエッチングによる加工工程から前記レーザによる加工工程へ切り替えを行う
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記密部の形成予定領域においては、
前記ウェットエッチングによる加工工程と前記レーザによる加工工程とを行うことで、前記密部に配置される前記配線の厚さが前記密部に配置される前記配線間の間隔以上となるよう前記配線を形成する
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記密部の形成予定領域においては、
前記ウェットエッチングによる加工工程と前記レーザによる加工工程とを行うことで、前記密部に配置される前記配線間の間隔に対する前記密部に配置される前記配線の厚さの比率が１を超えて１０以下となるよう前記配線を形成する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記配線パターンの厚さは３０μｍ以上１５０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項１〜５のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記ウェットエッチングによる加工工程では、
エッチング阻害剤を添加したエッチング液により前記金属層の加工を行う
ことを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法。
【請求項８】
絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成され、最も広い間隔で配置される配線を含む疎部と、最も狭い間隔で配置される配線を含む密部と、を備える配線パターンと、を備え、
前記密部では、
前記配線の厚さが前記配線間の間隔以上である
ことを特徴とするプリント配線基板。
【請求項９】
前記密部では、
前記配線間の間隔に対する前記配線の厚さの比率が１を超えて１０以下である
ことを特徴とする請求項８に記載のプリント配線基板。
【請求項１０】
前記配線パターンの厚さは３０μｍ以上１５０μｍ以下である
ことを特徴とする請求項８又は９に記載のプリント配線基板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、プリント配線基板の製造方法、及びプリント配線基板に関し、特に、配線が疎らに配置される疎部と配線が密に配置される密部とを備える配線パターンを形成するプリント配線基板の製造方法、及び係る配線パターンが形成されたプリント配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば絶縁基板と絶縁基板上に配線パターンとを備えるプリント配線基板には、半導体素子等の電子部品が搭載される。近年、これらの電子部品の小型化が進み、プリント配線基板が備える配線パターンの微細化や狭ピッチ化が求められるようになってきた。
【０００３】
このため、プリント配線基板の配線パターンには、微細化や狭ピッチ化により配線が密に配置される密部が存在する一方、配線が疎らに配置される疎部も存在する（例えば、特許文献１〜３）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−２９１９３８号公報
【特許文献２】特開２００２−２４８６２６号公報
【特許文献３】特開２００８−０８８５２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
プリント配線基板の製造工程においては、例えば絶縁基板上に形成された金属層をウェットエッチングにより加工することで配線パターンを形成する。
【０００６】
しかしながら、配線パターンが疎部と密部とを備える場合、疎部に比べて密部のエッチング速度が低い傾向にある。このため、密部における配線間にエッチング残りが生じてしまうことがあった。あるいは、密部における金属層の加工を完遂させようとすると、疎部の金属層に過度のエッチングが加わり、疎部における配線の形状が損なわれてしまうことがあった。
【０００７】
本発明の目的は、密部における配線間のエッチング残り、および疎部における配線の形状不良を抑制しつつ、疎部と密部とを備える配線パターンを形成することが可能なプリント配線基板の製造方法、及びプリント配線基板を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の第１の態様によれば、
絶縁基板上に形成された金属層を加工して、最も広い間隔で配置される配線を含む疎部と、最も狭い間隔で配置される配線を含む密部と、を備える配線パターンを形成するプリント配線基板の製造方法であって、
前記疎部および前記密部の各形成予定領域においては、
前記金属層をウェットエッチングにより加工し、前記疎部の形成予定領域における前記絶縁基板の一部を露出させる工程を行い、
前記密部の形成予定領域においては、
前記金属層をレーザにより更に加工し、前記密部の形成予定領域における前記絶縁基板の一部を露出させる工程を行う
プリント配線基板の製造方法が提供される。
【０００９】
本発明の第２の態様によれば、
前記密部の形成予定領域においては、
前記疎部の形成予定領域における前記絶縁基板の一部が露出したときから所定時間内に、前記ウェットエッチングによる加工工程から前記レーザによる加工工程へ切り替えを行う
第１の態様に記載のプリント配線基板の製造方法が提供される。
【００１０】
本発明の第３の態様によれば、
前記密部の形成予定領域においては、
前記密部の形成予定領域におけるウェットエッチングによるエッチング深さが前記密部に配置される前記配線間の間隔と等しくなったときから所定時間内に、前記ウェットエッチングによる加工工程から前記レーザによる加工工程へ切り替えを行う
第１又は第２の態様に記載のプリント配線基板の製造方法が提供される。
【００１１】
本発明の第４の態様によれば、
前記密部の形成予定領域においては、
前記ウェットエッチングによる加工工程と前記レーザによる加工工程とを行うことで、前記密部に配置される前記配線の厚さが前記密部に配置される前記配線間の間隔以上となるよう前記配線を形成する
第１〜第３の態様のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法が提供される。
【００１２】
本発明の第５の態様によれば、
前記密部の形成予定領域においては、
前記ウェットエッチングによる加工工程と前記レーザによる加工工程とを行うことで、前記密部に配置される前記配線間の間隔に対する前記密部に配置される前記配線の厚さの比率が１を超えて１０以下となるよう前記配線を形成する
第１〜第４の態様のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法が提供される。
【００１３】
本発明の第６の態様によれば、
前記配線パターンの厚さは３０μｍ以上１５０μｍ以下である
第１〜第５の態様のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法が提供される。
【００１４】
本発明の第７の態様によれば、
前記ウェットエッチングによる加工工程では、
エッチング阻害剤を添加したエッチング液により前記金属層の加工を行う
第１〜第６の態様のいずれかに記載のプリント配線基板の製造方法が提供される。
【００１５】
本発明の第８の態様によれば、
前記絶縁基板上に形成され、最も広い間隔で配置される配線を含む疎部と、最も狭い間隔で配置される配線を含む密部と、を備える配線パターンと、を備え、
前記密部では、
前記配線の厚さが前記配線間の間隔以上である
プリント配線基板が提供される。
【００１６】
本発明の第９の態様によれば、
前記密部では、
前記配線間の間隔に対する前記配線の厚さの比率が１を超えて１０以下である
第８の態様に記載のプリント配線基板が提供される。
【００１７】
本発明の第１０の態様によれば、
前記配線パターンの厚さは３０μｍ以上１５０μｍ以下である
第８又は第９の態様に記載のプリント配線基板が提供される。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、密部における配線間のエッチング残り、および疎部における配線の形状不良を抑制しつつ、疎部と密部とを備える配線パターンを形成することが可能なプリント配線基板の製造方法、及びプリント配線基板が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係るプリント配線基板の製造方法を断面図で示す工程図である。
【図２】比較例に係るプリント配線基板の製造方法を断面図で示す工程図である。
【図３】プリント配線基板が備える配線パターンを例示する上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
＜本発明の一実施形態＞
上述のように、近年、半導体素子等の電子部品の小型化に伴い、このような電子部品が搭載されるプリント配線基板においては、配線が疎らに配置される疎部（ラフ部）と配線が密に配置される密部（ファイン部）とを備える配線パターンが必要となってきた。図３は、このような配線パターンを例示する上面図である。
【００２１】
図３（ａ）〜（ｃ）に示されているように、プリント配線基板は、例えば両端部近傍に搬送用のスプロケットホール１２３が配列された長尺状の絶縁基板１２０を備える。
【００２２】
図３（ａ）に示されている例では、プリント配線基板は、配線５１１ｃが疎らに配置される疎部５１０ｃと、配線５１１ｆが密に配置される密部５１０ｆとを備える配線パターン５１１ｐを絶縁基板１２０上に備える。図３（ｂ）に示されている例では、プリント配線基板は、配線６１１ｃが疎らに配置される疎部６１０ｃと、配線６１１ｆが密に配置される密部６１０ｆとを備える配線パターン６１１ｐを絶縁基板１２０上に備える。図３（ｃ）に示されている例では、プリント配線基板は、配線７１１ｃが疎らに配置される疎部７１０ｃと、配線７１１ｆが密に配置される密部７１０ｆとを備える配線パターン７１１ｐを絶縁基板１２０上に備える。
【００２３】
これらの配線パターンにおいては、外部機器等の配線が接続されるアウタリードと呼ばれる配線部分が疎部となり易い。また、半導体素子等の微細配線が接続されるインナリードと呼ばれる配線部分が密部となり易い。但し、図３のように、疎部と密部とを備える配線パターンの態様は、プリント配線基板の用途等に応じて様々に異なる。
【００２４】
本実施形態に係るプリント配線基板の製造方法は、このような疎部と密部とを備える種々の配線パターンの形成に適用することができる。
【００２５】
（１）プリント配線基板の製造方法
本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の製造方法について、図１を用いて説明する。図１は、本発明の一実施形態に係るプリント配線基板１の製造方法を断面図で示す工程図である。長尺状のプリント配線基板１には、例えばロール・ツー・ロール方式による製造工程が適用される。
【００２６】
（絶縁基板準備工程）
まずは、図１（ａ）に示されているように、樹脂フィルム２１と、樹脂フィルム２１上に接着剤を塗布した接着層２２と、を備える絶縁基板２０を準備する。
【００２７】
樹脂フィルム２１としては、例えばポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエチレンナフタレート、エポキシ、アラミド等の樹脂からなり、例えば厚さが５０μｍ程度の可撓性を有するフィルムを用いることができる。接着層２２としては、例えばエポキシ系の熱硬化型接着剤シート等を樹脂フィルム２１にラミネートして用いることができる。
【００２８】
また、絶縁基板２０上には、接着層２２を介して、例えば厚さが３０μｍ以上１５０μｍ以下である金属層としての銅箔１１を形成する。或いは、予め絶縁基板２０上に銅箔１１が形成された銅張積層板を用いてもよい。銅箔１１は、接着層２２により樹脂フィルム２１にラミネート（貼り合わせ）をすることで、絶縁基板２０上に形成される。ラミネートには、常圧または減圧環境下のロールラミネータ等を使用することができる。
【００２９】
［配線パターン形成工程］
続いて、図１（ｂ）〜（ｄ）に示されているように、絶縁基板２０上に形成された銅箔１１を加工して、疎部１０ｃと密部１０ｆとを備える配線パターン１１ｐを形成する。
【００３０】
このとき、疎部１０ｃにおいては、配線１１ｃが疎らに配置される。例えば、図１においては、配線１１ｃは周囲に他の配線を有さない孤立パターンとして描かれている。
【００３１】
上述のように、配線１１ｃが疎らに配置される疎部１０ｃは、例えばプリント配線基板１のアウタリードと呼ばれる配線部分に該当する。また、アウタリード以外であっても、配線の引き回し等によっては配線１１ｃが疎らな領域が存在することがある。本実施形態では、配線パターン１１ｐの中で、最も広い間隔で配置される配線１１ｃを含む領域を疎部１０ｃとする。但し、配線１１ｃ間の間隔は一定であっても一定でなくともよい。つまり、その全長の一部であっても、隣接する配線との間隔が最も広い部分を有する配線を、上記最も広い間隔で配置される配線１１ｃと定めることができる。また、このとき、配線１１ｃ間の間隔は、例えば配線１１ｃの厚さより大きい。
【００３２】
また、密部１０ｆにおいては、配線１１ｆが密に配置される。
【００３３】
上述のように、配線１１ｆが密に配置される密部１０ｆは、例えばプリント配線基板１のインナリードと呼ばれる配線部分に該当する。また、インナリード以外であっても、配線の引き回し等によっては配線１１ｆが密な領域が存在することがある。本実施形態では、配線パターン１１ｐの中で、最も狭い間隔で配置される配線１１ｆを含む領域を密部１０ｆとする。但し、配線１１ｆ間の間隔は一定であっても一定でなくともよい。つまり、その全長の一部であっても、隣接する配線との間隔が最も狭い部分を有する配線を、上記最も狭い間隔で配置される配線１１ｆと定めることができる。また、このとき、配線１１ｆ間の間隔１１ｔは、例えば配線１１ｃの厚さ以下である。
【００３４】
以下に説明する配線パターン形成工程では、このように疎部１０ｃと密部１０ｆとを備える配線パターン１１ｐを得るため、銅箔１１をウェットエッチングにより加工する工程と、銅箔１１をレーザにより加工する工程と、を行う。
【００３５】
（ウェットエッチング加工工程）
図１（ｂ）に示されているように、例えばフォトレジストを銅箔１１上に塗布し、露光、現像してレジストパターン３０ｐを形成する。なお、フォトレジストの代わりにドライフィルム等を銅箔１１上に貼り付けて用いてもよい。
【００３６】
レジストパターン３０ｐを形成する際には、配線パターン１１ｐが疎部１０ｃと密部１０ｆとを備えることとなるよう、疎部の形成予定領域１０ｃ’にはレジストパターン３０ｐを疎らに配置し、密部の形成予定領域１０ｆ’にはレジストパターン３０ｐを密に配置する。
【００３７】
このように形成されたレジストパターン３０ｐをマスクとし、疎部および密部の各形成予定領域１０ｃ’，１０ｆ’において、例えばスプレイ方式等を用いたウェットエッチングにより銅箔１１を加工する。本実施形態で用いるエッチング液としては、例えば塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）系溶液や塩化第二銅（ＣｕＣｌ２）系溶液等が挙げられる。
【００３８】
但し、ウェットエッチングによる銅箔の加工では、等方的にエッチングが進行し、最終的に得られる配線の形状がテーパとなってしまったり、線幅の細りが生じてしまったりすることがある。そこで、本実施形態においては、例えばエッチング阻害剤（Ｉｎｈｉｂｉｔｅｒ）を添加したエッチング液を用いてウェットエッチングを行ってもよい。エッチング阻害剤としては、例えばアミン類、エーテル類、グリコール類、アゾール類等の化合物を用いることができる。図１（ｃ）に、エッチング阻害剤を用いたウェットエッチングの様子が示されている。
【００３９】
すなわち、エッチング阻害剤を添加したエッチング液が銅箔１１の露出面に触れると、エッチング液により銅（Ｃｕ）が溶解されると共に、エッチング阻害剤により銅箔１１の露出面に難溶性化合物が形成される。エッチング液はスプレイ等により銅箔１１に向けて垂直に噴射されるので、銅箔１１の深さ方向に対しては噴射圧が加わり、難溶性化合物にほとんど阻害されることなく深さ方向へとエッチングが進行していく。一方、スプレイによる噴射圧がほとんど加わらない側壁には難溶性化合物による保護膜が形成され、水平方向のエッチングはほとんど進行しない。これにより、側壁を略垂直な状態に保ったまま、銅箔１１をウェットエッチングすることができる。
【００４０】
しかしながら、疎部と密部とを備える配線パターンをウェットエッチングにより形成しようとすると、以下に述べる種々の困難が生じる場合がある。
【００４１】
図２に示されているように、絶縁基板１２０上の銅箔１１１（図２（ａ））上に、レジストパターン１３０ｐを疎密に形成し（図２（ｂ））、ウェットエッチングにより銅箔１１１を加工する。ここで、ウェットエッチングによる銅箔１１１の加工では、疎部に比べて密部のエッチング速度が低い傾向にある。これは、疎部に比べて密部では、各配線間の隙間にエッチング液が入り込み難く、また、新しいエッチング液と入れ替わり難い（エッチング液が循環し難い）ためである。そこで、密部における銅箔１１１の加工を完遂させるべく、例えば密部のエッチング速度に合わせて銅箔１１１の加工時間が決定される。
【００４２】
図２（ｃ１）に示されているように、例えば塩化第二鉄（ＦｅＣｌ３）系溶液等のエッチング液を用いて銅箔１１１を加工すると、密部より先に銅箔１１１の加工が完遂する疎部の銅箔１１１には、過度のエッチング（オーバーエッチング）が加わってしまう。このため、密部の配線２１１ｆに比べ、疎部の配線２１１ｃが極端なテーパ形状となってしまったり、線幅の細りが生じてしまったりする。線幅の細りは、特にレジストパターン１３０ｐの直下、銅箔１１１の表層部分において生じ易い。
【００４３】
また、図２（ｃ２）に示されているように、例えば上記エッチング液にアミン類等のエッチング阻害剤を添加して銅箔１１１を加工すると、上述のように、エッチング阻害剤の働きにより側壁の形状が垂直に保たれ易い。しかしながら、この場合であっても、密部の配線３１１ｆの垂直性は保たれても、オーバーエッチングが加わる疎部の配線３１１ｃの下部にえぐれ（サイドエッチング）が生じてしまうことがある。
【００４４】
このように、疎部と密部とを備える配線パターン２１１ｐ，３１１ｐの加工においては、密部における銅箔１１１のエッチング残りを抑制し、密部の加工を完遂させようとすると、疎部におけるオーバーエッチングにより、疎部の配線２１１ｃ，３１１ｃの形状が損なわれてしまうことがある。これにより、プリント配線基板の信頼性の低下を招くおそれがある。
【００４５】
また、これらの場合において、原理上、最も広い間隔で配置される配線２１１ｃ，３１１ｃの周辺において、エッチング速度が最も高くなり、最も早く絶縁基板１２０が露出するはずである。また、原理上、最も狭い間隔で配置される配線２１１ｆ，３１１ｆの周辺において、エッチング速度が最も低くなり、最も遅く絶縁基板１２０が露出するはずである。
【００４６】
そこで、本実施形態では、疎部の銅箔１１に過度のエッチングが加わらないよう、最も狭い間隔で配置される配線１１ｆを含むこととなる密部の形成予定領域１０ｆ’における銅箔１１の加工が完遂する前であって、最も広い間隔で配置される配線１１ｃを含むこととなる疎部の形成予定領域１０ｃ’における銅箔１１の加工が完遂したタイミングを基準に、エッチング時間を決定する。そして、密部の形成予定領域１０ｆ’における銅箔１１の加工を完遂させるべく、密部の形成予定領域１０ｆ’においては、銅箔１１をレーザにより更に加工する。
【００４７】
このとき、疎部の形成予定領域１０ｃ’における銅箔１１の加工が完遂したタイミングは、例えば疎部の形成予定領域１０ｃ’における絶縁基板２０の一部、つまり、レジストパターン３０ｐによりマスクされたところ以外の部分が露出したタイミングである。ここで、上記配線１１ｃ間の間隔が各々異なること等により、疎部の形成予定領域１０ｃ’内において、銅箔１１の加工が完遂して絶縁基板２０が露出するタイミングにバラツキがあるときは、最も早い露出のタイミング、最も遅い露出のタイミング、或いは、疎部の形成予定領域１０ｃ’内での露出タイミングの平均等、を上記タイミングとすることができる。このように、疎部の形成予定領域１０ｃ’における絶縁基板２０の一部が露出したときから所定時間内に、ウェットエッチングによる加工工程からレーザによる加工工程へ切り替えを行う。
【００４８】
具体的には、疎部の形成予定領域１０ｃ’における絶縁基板２０の一部が露出したときから、０秒後（ジャストエッチ）、１０秒後、２０秒後、というように、上記の所定時間、つまり、疎部に加わるオーバーエッチング量を定めることができる。或いは、疎部の形成予定領域１０ｃ’における絶縁基板２０の一部が露出するまでの時間に対し、０％（ジャストエッチ）、１０％、２０％等、というように、上記の所定時間（疎部に加わるオーバーエッチング量）を定めることができる。
【００４９】
このような規定に基づく切り替えを行った後のレーザによる加工工程について、以下に説明する。
【００５０】
（レーザ加工工程）
図１（ｄ）に示されているように、ウェットエッチングによる加工工程が終了した時点で、密部の形成予定領域１０ｆ’における配線１１ｆ間には銅箔１１のエッチング残り（残膜）が存在する。レーザによる加工工程では、銅箔１１の形成された基板２０の一方の面側から、この配線１１ｆ間のエッチング底面に向けて、レーザＬを垂直に照射する。
【００５１】
レーザＬとしては、例えば第２高調波（ＳＨＧ：Second Harmonic Generation）技術によりＹＡＧ（イットリウム（Ｙ）・アルミニウム（Ａｌ）・ガーネット（Ｇ））レーザを基本波である１０６４ｎｍの半分の波長である５３２ｎｍとし、銅に対する吸収率を高めた、所謂グリーンレーザ等を用いることができる。グリーンレーザとしては、ＹＡＧレーザの他、ＹＶＯ４（イットリウム（Ｙ）・バナジウム（Ｖ）・オキサイド（Ｏ））レーザや、ＹＡＧ／ＹＶＯ４との複合結晶やＹＡＧ又はＹＶＯ４とＮｄ（ネオジウム）との複合結晶等のレーザを用いることができる。
【００５２】
このとき、配線１１ｆ間のエッチング底面に照準を合わせやすいよう、小径レーザを用いることが好ましい。また、所望の加工深さ及び加工形状が得られるよう、レーザＬの出力、発振モード（連続波／パルス波等）、パルス幅等を適宜調整し、銅箔１１を貫通させる。なお、パルス波を用いる際には、パルス幅が微細加工性に優れる１０ｐｓ（ピコ秒）以下の短パルスレーザとすることが好ましい。
【００５３】
これにより、密部の形成予定領域１０ｆ’における絶縁基板２０の一部、つまり、レジストパターン３０ｐによりマスクされたところ以外の部分が露出し、密部の形成予定領域１０ｆ’における銅箔１１の加工が完遂する。これにより、例えば密部１０ｆの配線１１ｆの厚さが密部１０ｆの配線１１ｆ間の間隔１１ｔ以上となっている配線１１ｆが形成される。レーザ加工工程終了後、レジストパターン３０ｐを剥離する。
【００５４】
このように、配線パターン形成工程では、疎部および密部の各形成予定領域１０ｃ’，１０ｆ’においては、銅箔１１をウェットエッチングにより加工し、疎部の形成予定領域１０ｃ’における絶縁基板２０の一部を露出させる工程を行う。また、密部の形成予定領域１０ｆ’においては、銅箔１１をレーザにより更に加工し、密部の形成予定領域１０ｆ’における絶縁基板２０の一部を露出させる工程を行う。以上により、疎部１０ｃと密部１０ｆとを備える配線パターン１１ｐが絶縁基板２０上に形成される。
【００５５】
なお、本実施形態では、上述のように、最も狭い間隔で配置される配線１１ｆを含む領域を密部１０ｆと定め、ウェットエッチング加工後にレーザ加工を施すこととしている。但し、実際には、レーザ加工を施すべき領域は、例えば銅箔１１の残りが生じている全ての領域である。そして、係る領域の配置や面積は、上記ウェットエッチング加工におけるオーバーエッチング量により変動し得る。
【００５６】
すなわち、オーバーエッチング量が少なければ、レーザ加工を施すべき領域は拡大し、レーザ加工の時間が長くなってしまう。また、オーバーエッチング量が多ければ、レーザ加工を施すべき領域は縮小し、レーザ加工の時間が短くて済む。一方で、オーバーエッチング量が少なければ、疎部１０ｃの配線１１ｃの形状は維持され易く、オーバーエッチング量が多ければ、疎部１０ｃの配線１１ｃの形状は維持され難くなる。
【００５７】
したがって、上記所定時間、すなわち、ウェットエッチング加工のオーバーエッチング量は、例えば疎部１０ｃの配線１１ｃに要求される寸法精度と、密部１０ｆ等において許容されるレーザ加工の時間と、を考慮のうえ、定めることができる。
【００５８】
（めっき工程）
次に、配線パターン１１ｐの露出面に、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、パラジウム（Ｐｄ）、ニッケル（Ｎｉ）、スズ（Ｓｎ）、銅（Ｃｕ）等の少なくともいずれかの金属を含むめっきを行う（図示せず）。また、これらの金属のうち幾つかを積層させてもよい。
【００５９】
以上により、本実施形態に係る長尺状のプリント配線基板１が製造される。
【００６０】
すなわち、プリント配線基板１は、絶縁基板２０と、絶縁基板２０上に形成され、配線１１ｃが疎らに配置される疎部１０ｃと配線１１ｆが密に配置される密部１０ｆとを備える配線パターン１１ｐと、を備える。
【００６１】
また、密部１０ｆでは配線１１ｆの厚さが配線１１ｆ間の間隔１１ｔ以上である。具体的には、配線１１ｆ間の間隔１１ｔに対する配線１１ｆの厚さの比率、つまり、アスペクト比が１を超えて１０以下である。また、配線パターン１１ｐの厚さは、例えば３０μｍ以上１５０μｍ以下である。
【００６２】
（２）本実施形態の効果
本実施形態によれば、以下に示す１つ又は複数の効果を奏する。
【００６３】
（ａ）本実施形態によれば、配線パターン形成工程では、疎部および密部の各形成予定領域１０ｃ’，１０ｆ’においては銅箔１１をウェットエッチングにより加工する工程を行い、密部の形成予定領域１０ｆ’においては銅箔１１をレーザにより更に加工する工程と、を行う。これにより、密部１０ｆにおける配線１１ｆ間のエッチング残り、および疎部１０ｃにおける配線１１ｃの形状不良を抑制しつつ、疎部１０ｃと密部１０ｆとを備える配線パターン１１ｐを形成することができる。
【００６４】
（ｂ）また、本実施形態によれば、密部の形成予定領域１０ｆ’においては、疎部の形成予定領域１０ｃ’における絶縁基板２０の一部が露出したときから所定時間内に、ウェットエッチングによる加工工程からレーザによる加工工程へ切り替えを行う。
【００６５】
これにより、疎部の形成予定領域１０ｃ’における銅箔１１へのオーバーエッチングを抑制し、配線１１ｃの形状不良を抑制することができる。
【００６６】
またこれにより、疎部の形成予定領域１０ｃ’においては銅箔１１の加工が完遂した状態であるため、密部の形成予定領域１０ｆ’における配線１１ｆ間のみに対してレーザによる加工を施せばよく、配線パターン形成工程の時間を短縮することができる。
【００６７】
すなわち、レーザの加工速度はウェットエッチングの速度より極端に劣る。このため、例えばウェットエッチングを用いず全体をレーザにより加工した場合より、配線パターン形成工程の時間を短縮することができる。このように、本実施形態によれば、加工寸法の精度と、レーザ加工の加工時間の長短との調整を図ることができる。
【００６８】
（ｃ）また、本実施形態によれば、密部の形成予定領域１０ｆ’において、銅箔１１をレーザにより更に加工する。これにより、密部１０ｆの配線１１ｆ間に銅箔残りが発生してしまうことを抑制することができる。
【００６９】
すなわち、例えばエッチング阻害剤を用いたウェットエッチングの場合、密部においては、エッチング液の滞留やスプレイの噴射圧の低下によりエッチング底面にも保護膜が形成されてしまうことがある。よって、エッチングの進行が極度に遅くなったり完全に停止してしまったりすることで、エッチング残りが発生してしまうことがある。
【００７０】
本実施形態では、密部の形成予定領域１０ｆ’において、ウェットエッチングにより銅箔１１を加工した後、更にレーザにより銅箔１１を加工するので、このようなエッチング残りが発生したとしてもレーザにより除去することができ、銅箔残りが発生し難い。
【００７１】
＜本発明の他の実施形態＞
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
【００７２】
例えば、上述の実施形態によらず、プリント配線基板には、リジッド基板やセラミック基板等の可撓性を有さない絶縁基板を用いてもよい。
【００７３】
また例えば、上述の実施形態によらず、銅箔等の金属層は、絶縁基板の両面に形成されていてもよい。
【００７４】
また例えば、上述の実施形態によらず、銅箔等の金属層をウェットエッチングにより加工するときは、エッチング阻害剤を用いなくともよい。
【００７５】
また例えば、上述の実施形態によらず、プリント配線基板の製造工程の手順等は適宜変更可能である。例えば、銅箔のウェットエッチング時に使用するレジストパターンは、レーザ加工工程の前に除去してもよい。
【００７６】
また例えば、上述の実施形態によらず、ウェットエッチング加工工程とレーザ加工工程との切り替えのタイミングは、例えば密部のエッチング深さ等を基準に定めてもよい。エッチング阻害剤を用いたウェットエッチングでは、例えば配線幅とエッチング深さとが１：１の比率、つまり、アスペクト比が１程度までであれば垂直な形状が保たれ易く、エッチングストップも生じ難い。そこで、例えば密部の形成予定領域におけるエッチング深さが密部の配線間の間隔と等しくなったときから所定時間内に、ウェットエッチング加工工程からレーザ加工工程への切り替えを行ってもよい。
【００７７】
但し、略垂直な側壁を保ち、また、エッチングストップ等が生じることなくエッチングすることができる所定深さは、エッチング阻害剤を添加したエッチング液の配合や、含まれる化合物や、液温、絶縁基板に対するスプレイの角度、強度等によって変動し得る。したがって、密部の形成予定領域におけるエッチング深さが密部の配線間の間隔と等しい場合や、アスペクト比が１の場合には、このような変動によるバラツキの範囲も含む。
【符号の説明】
【００７８】
１      プリント配線基板
１０ｃ    疎部
１０ｃ’  疎部の形成予定領域
１０ｆ    密部
１０ｆ’  密部の形成予定領域
１１      銅箔
１１ｃ  （疎部に配置される）配線
１１ｆ  （密部に配置される）配線
１１ｐ    配線パターン
２０      絶縁基板
２１      樹脂フィルム
２２      接着層
【図１】
2014154845.tif 000003
【図２】
2014154845.tif 000004
【図３】
2014154845.tif 000005