(57)【要約】      （修正有）【課題】変換効率の高い有機薄膜太陽電池及びその製造方法を提供する。【解決手段】ＩｎＣｌＰｃ含有層を含む有機薄膜太陽電池であって、前記ＩｎＣｌＰｃ含有層が、基板を加熱しながら蒸着して作製した有機薄膜太陽電池。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩｎＣｌＰｃ含有層を含む有機薄膜太陽電池であって、
前記ＩｎＣｌＰｃ含有層が、基板を加熱しながら蒸着して作製したものである有機薄膜太陽電池。
【請求項２】
前記ＩｎＣｌＰｃ含有層が、ｐ層及びｉ層から選択される１層以上である請求項１記載の有機薄膜太陽電池。
【請求項３】
前記ｉ層が、フラーレン類を含む請求項２記載の有機薄膜太陽電池。
【請求項４】
前記基板の加熱温度が、４０℃以上である請求項１〜３のいずれか記載の有機薄膜太陽電池。
【請求項５】
前記基板の加熱温度が、１２０℃以下である請求項４記載の有機薄膜太陽電池。
【請求項６】
ＩｎＣｌＰｃ含有層を含む有機薄膜太陽電池の製造方法であって、
前記ＩｎＣｌＰｃ含有層を、基板を加熱しながら蒸着して作製する有機薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項７】
前記ＩｎＣｌＰｃ含有層が、ｐ層及びｉ層から選択される１層以上である請求項６記載の有機薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項８】
前記ｉ層が、フラーレン類を含む請求項７記載の有機薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項９】
前記基板の加熱温度が、４０℃以上である請求項６〜８のいずれか記載の有機薄膜太陽電池の製造方法。
【請求項１０】
前記基板の加熱温度が、１２０℃以下である請求項９記載の有機薄膜太陽電池の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＩｎＣｌＰｃを含む有機薄膜太陽電池に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機太陽電池（有機薄膜太陽電池）は、光信号を電気信号に変換するフォトダイオードや撮像素子、光エネルギーを電気エネルギーに変換する太陽電池に代表されるように、光入力に対して電気出力を示す装置である。
【０００３】
太陽電池は、化石燃料の枯渇問題や地球温暖化問題を背景に、クリーンエネルギー源として近年大変注目され、研究開発が盛んに行なわれている。
従来、実用化されてきたのは、単結晶Ｓｉ、多結晶Ｓｉ、アモルファスＳｉ等に代表されるシリコン系太陽電池であるが、高価であることや原料Ｓｉの不足問題等が表面化するにつれて、次世代太陽電池への要求が高まりつつある。このような背景の中で、有機太陽電池は、安価で毒性が低く、原材料不足の懸念もないことから、シリコン系太陽電池に次ぐ次世代の太陽電池として大変注目を集めている。
有機太陽電池は、一対の電極と、電極間に挟まれた有機薄膜層からなっている。有機薄膜層としては、電子を輸送するｎ層、正孔を輸送するｐ層、及び正孔を輸送するｐ型材料と電子を輸送するｎ型材料の混合層であるｉ層等がある。
【０００４】
有機太陽電池及びそれを用いた有機太陽電池モジュールにおいて、高効率化が求められている。高効率化の方法の一つの方法として、有機薄膜層の光吸収を増大させることが挙げられる。
特許文献１は、ＩｎＣｌＰｃをｐｉｎ型有機太陽電池のｉ層に、ＩｎＣｌＰｃよりも短波長側に光吸収を有するＨ２Ｐｃをｐ層に用いて、光電変換層全体の光吸収効率向上を図っている。しかしながら、この発明において、ＩｎＣｌＰｃを含有するｉ層は（室温で蒸着されており）それほど長波長に吸収を有さない。したがってＩｎＣｌＰｃは極めて短波長領域に吸収を有する材料としか組み合わせることができず、高い変換効率を得ることが困難である。
【０００５】
一方、特許文献２，３では、基板温度を制御しながらメタルフリーフタロシアニン（Ｈ２Ｐｃ）とペリレン顔料とを共蒸着してｉ層を形成している。しかしながら、Ｈ２Ｐｃは基板加熱をしても吸収波長が長波長側にほとんど変化せず、高い変換効率を得ることが困難である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平６−３１８７２５号公報
【特許文献２】特開２００２−７６０２７号公報
【特許文献３】特開２００２−７６３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の目的は、変換効率の高い有機薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一形態によれば、ＩｎＣｌＰｃ含有層を含む有機薄膜太陽電池であって、前記ＩｎＣｌＰｃ含有層が、基板を加熱しながら蒸着して作製したものである有機薄膜太陽電池。が提供される。
本発明の他の形態によれば、ＩｎＣｌＰｃ含有層を含む有機薄膜太陽電池の製造方法であって、前記ＩｎＣｌＰｃ含有層を、基板を加熱しながら蒸着して作製する有機薄膜太陽電池の製造方法。が提供される。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、変換効率の高い有機薄膜太陽電池及びその製造方法が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ＩｎＣｌＰｃ膜蒸着時の基板温度と、吸光度のピーク強度の関係を示す図である。
【図２】Ｈ２Ｐｃ膜蒸着時の基板温度と、吸光度のピーク強度の関係を示す図である。
【図３】実施例１と比較例１で得られた有機薄膜太陽電池の分光感度スペクトルを示す図である。
【図４】実施例２，３と比較例２で得られた有機薄膜太陽電池の分光感度スペクトルを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明の一形態の有機薄膜太陽電池は、以下に構造を示すＩｎＣｌＰｃを含有する層を有し、この層は基板を加熱しながら蒸着して作製したものである。
【化１】
2014195030.tif 000002
ＩｎＣｌＰｃを基板加熱しながら蒸着すると、ＩｎＣｌＰｃ含有層は、長波長領域に吸収感度を有するようになる。その結果、このようなＩｎＣｌＰｃ含有層を含む有機薄膜太陽電池は、長波長領域の吸収が高まり、変換効率が向上する。
【００１２】
ＩｎＣｌＰｃ含有層は活性層として機能でき、例えば、有機薄膜太陽電池がｐｎ型有機薄膜太陽電池又はｐｉｎ型有機薄膜太陽電池であるとき、ＩｎＣｌＰｃ含有層はｐ層として用いることができる。また、ｎ材料と混合してｉ層とすることができる。１つの有機薄膜太陽電池において、ｐ層とｉ層に共に用いることもできる。
【００１３】
基板の加熱温度は、例えば４０℃以上とすることができる。好ましくは４５℃以上、より好ましくは５０℃以上である。上限は本発明の効果が得られる限り特に限定されないが、通常１５０℃以下であり、好ましくは１２０℃以下である。加熱温度が高いと吸収感度が長波長化する。しかしながら、加熱温度が高すぎるとＩｎＣｌＰｃの結晶化が促進されやすく、大きな結晶粒のために太陽電池が機能しなくなってしまうことがある。
【００１４】
本発明の一形態に係る有機薄膜太陽電池は、一対の電極の間に、ＩｎＣｌＰｃ含有層を含む構造であれば特に限定されるものでない。具体的には、基板上に下記の構成を有する構造が挙げられる。
（１）下部電極／ｐ層／ｎ層／上部電極
（２）下部電極／ｐ層／ｉ層（又はｐ材料とｎ材料の混合層）／ｎ層／上部電極
（３）下部電極／ｐ材料とｎ材料の混合層／上部電極
上記（１）、（２）の各構成において、ｐ層とｎ層を置換してもよい。
【００１５】
また、必要に応じて、電極と有機層の間にバッファー層を設けてもよい。例えば具体例として、上記構成（１）にバッファー層を設けた場合、下記構成を有する構造が挙げられる。
（４）下部電極／バッファー層／ｐ層／ｎ層／上部電極
（５）下部電極／ｐ層／ｎ層／バッファー層／上部電極
（６）下部電極／バッファー層／ｐ層／ｎ層／バッファー層／上部電極
【００１６】
ＩｎＣｌＰｃ含有層は、ＩｎＣｌＰｃのみから形成されていてもよく、また、他の成分を併せて含んでいてもよい。２０重量％以上含むことが好ましい。他の混合材料については、有機薄膜太陽電池で使用される公知の材料を使用することができる。また、ＩｎＣｌＰｃ含有層以外の有機薄膜太陽電池を構成する部材は、有機薄膜太陽電池で使用される公知の部材を使用することができる。
以下、各構成部材について簡単に説明する。
【００１７】
［基板］
有機薄膜太陽電池は、通常、基板上に形成される。該基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有するものが好ましい。例えば、ガラス基板及び透明性樹脂フィルムがある。透明性樹脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−ビニルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアクリレート、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリビニルブチラール、ナイロン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルオロエチレン−パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体、ポリビニルフルオライド、テトラフルオロエチレン−エチレン共重合体、テトラフルオロエチレン−ヘキサフルオロプロピレン共重合体、ポリクロロトリフルオロエチレン、ポリビニリデンフルオライド、ポリエステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリプロピレン等が挙げられる。
不透明な基板の場合には、反対の電極（即ち、基板から遠い方の電極）が透明電極又は半透明電極であることが好ましい。
【００１８】
[下部電極及び上部電極]
下部電極、上部電極の材料は特に制限はなく、公知の導電性材料を使用できる。例えば、ｐ層と接続する電極としては、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）や金（Ａｕ）、オスミウム（Ｏｓ）、パラジウム（Ｐｄ）等の金属が使用でき、ｎ層と接続する電極としては、銀（Ａｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、インジウム（Ｉｎ）、カルシウム（Ｃａ）、白金（Ｐｔ）、リチウム（Ｌｉ）等の金属やＭｇ：Ａｇ、Ｍｇ：ＩｎやＡｌ：Ｌｉ等の二成分金属系、さらには上記Ｐ層と接続する電極例示材料が使用できる。
尚、高効率の光電変換特性を得るためには、例えば有機薄膜太陽電池が太陽電池の場合、太陽電池の少なくとも一方の面は太陽光スペクトルにおいて充分透明にすることが望ましい。透明電極は、公知の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング等の方法で所定の透光性を確保するように形成する。受光面の電極の光透過率は１０％以上とすることが望ましい。一対の電極構成の好ましい構成では、電極部の一方が仕事関数の大きな金属を含み、他方は仕事関数の小さな金属を含む。
【００１９】
[活性層（ｐ層、ｎ層、ｉ層）]
ＩｎＣｌＰｃ含有層をｐ層に用いるときは、ｎ層は特に限定されないが、電子受容体としての機能を有する化合物が好ましい。例えば有機化合物であれば、Ｃ６０、Ｃ７０等のフラーレン誘導体、カーボンナノチューブ、ペリレン誘導体、多環キノン、キナクリドン等を挙げることができる。電子の移動度が高い材料が好ましい。さらに、好ましくは、電子親和力が小さい材料が好ましい。このように電子親和力の小さい材料をｎ層として組み合わせることで充分な開放端電圧を実現することができる。
【００２０】
ｎ層の材料として無機化合物を用いる場合、ｎ型特性の無機半導体化合物を挙げることができる。具体的には、ｎ−Ｓｉ、ＧａＡｓ、ＣｄＳ、ＰｂＳ、ＣｄＳｅ、ＩｎＰ、Ｎｂ２Ｏ５、ＷＯ３、Ｆｅ２Ｏ３等のドーピング半導体及び化合物半導体、また、二酸化チタン（ＴｉＯ２）、一酸化チタン（ＴｉＯ）、三酸化二チタン（Ｔｉ２Ｏ３）等の酸化チタン、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、酸化スズ（ＳｎＯ２）等の導電性酸化物が挙げられ、これらのうちの１種又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。好ましくは、酸化チタン、特に好ましくは、二酸化チタンを用いる。
【００２１】
ＩｎＣｌＰｃ含有層をｉ層に用いるときは、上記ｎ層化合物と混合してｉ層を形成できる。
【００２２】
［バッファー層］
一般に、有機薄膜太陽電池は総膜厚が薄いことが多く、そのため上部電極と下部電極が短絡し、セル作製の歩留まりが低下することが多い。このような場合には、バッファー層を積層することによってこれを防止することが好ましい。
バッファー層に好ましい化合物としては、膜厚を厚くしても短絡電流が低下しないようにキャリア移動度が充分に高い化合物が好ましい。例えば、低分子化合物であれば下記に示すＮＴＣＤＡに代表される芳香族環状酸無水物等が挙げられ、高分子化合物であればポリ（３，４−エチレンジオキシ）チオフェン：ポリスチレンスルホネート（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）、ポリアニリン：カンファースルホン酸（ＰＡＮＩ：ＣＳＡ）等に代表される公知の導電性高分子等が挙げられる。無機化合物であれば酸化モリブデン（ＭｏＯ３）等の金属酸化物が挙げられる。
【００２３】
【化２】
2014195030.tif 000003
（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳにおいて、ｎ及びｍは、それぞれ繰り返し数である。）
【００２４】
バッファー層には、励起子が電極まで拡散して失活してしまうのを防止する役割を持たせることも可能である。このように励起子阻止層としてバッファー層を挿入することは、高効率化のために有効である。励起子阻止層は陽極側、陰極側のいずれにも挿入することができ、両方同時に挿入することも可能である。この場合、励起子阻止層として好ましい材料としては、例えば有機エレクトロルミネッセンス素子（有機ＥＬ素子）用途で公知な正孔障壁層用材料又は電子障壁層用材料等が挙げられる。
【００２５】
正孔障壁層として好ましい材料は、イオン化ポテンシャルが充分に大きい化合物であり、電子障壁層として好ましい材料は、電子親和力が充分に小さい化合物である。具体的には有機ＥＬ素子用途で公知な材料であるバソクプロイン（ＢＣＰ）、バソフェナントロリン（ＢＰｈｅｎ）等が陰極側の正孔障壁層材料として挙げられる。
【００２６】
【化３】
2014195030.tif 000004
【００２７】
バッファー層には、上記ｎ層材料として例示した無機半導体化合物を用いてもよい。また、ｐ型無機半導体化合物としてはＣｄＴｅ、ｐ−Ｓｉ、ＳｉＣ、ＧａＡｓ、ＷＯ３等を用いることができる。
【００２８】
［有機薄膜太陽電池の製造方法］
ＩｎＣｌＰｃ含有層は蒸着で形成するが、有機薄膜太陽電池の他の層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、ディップコート、キャスティング、ロールコート、フローコーティング、インクジェット等の湿式成膜法を適用することができる。
【００２９】
各層の膜厚は特に限定されないが、適切な膜厚に設定する。一般に有機薄膜の励起子拡散長は短いことが知られているため、膜厚が厚すぎると励起子がヘテロ界面に到達する前に失活してしまうため光電変換効率が低くなる。膜厚が薄すぎるとピンホール等が発生してしまうため、充分なダイオード特性が得られないため、変換効率が低下する。通常の膜厚は１ｎｍから１０μｍの範囲が適しているが、５ｎｍから０．２μｍの範囲がさらに好ましい。
【００３０】
乾式成膜法の場合、公知の抵抗加熱法が好ましく、混合層の形成には、例えば、複数の蒸発源からの同時蒸着による成膜方法が好ましい。さらに好ましくは、成膜時に基板温度を制御する。
【００３１】
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、適切な溶媒に溶解又は分散させて発光性有機溶液を調製し、薄膜を形成するが、任意の溶媒を使用できる。例えば、ジクロロメタン、ジクロロエタン、クロロホルム、四塩化炭素、テトラクロロエタン、トリクロロエタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、クロロトルエン等のハロゲン系炭化水素系溶媒や、ジブチルエーテル、テトラヒドロフラン、ジオキサン、アニソール等のエーテル系溶媒、メタノールやエタノール、プロパノール、ブタノール、ペンタノール、ヘキサノール、シクロヘキサノール、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、エチレングリコール等のアルコール系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ヘキサン、オクタン、デカン、テトラリン等の炭化水素系溶媒、酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸アミル等のエステル系溶媒等が挙げられる。なかでも、炭化水素系溶媒又はエーテル系溶媒が好ましい。また、これらの溶媒は単独で使用しても複数混合して用いてもよい。尚、使用可能な溶媒は、これらに限定されるものではない。
【００３２】
有機薄膜太陽電池のいずれの有機化合物層においても、成膜性向上、膜のピンホール防止等のため適切な樹脂や添加剤を使用してもよい。
使用の可能な樹脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリアミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタクリレート、ポリメチルアクリレート、セルロース等の絶縁性樹脂及びそれらの共重合体、ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリシラン等の光導電性樹脂、ポリチオフェン、ポリピロール等の導電性樹脂を挙げられる。
また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等が挙げられる。
【実施例】
【００３３】
実験例
石英基板上に２５℃、５０℃、９０℃の基板温度でＩｎＣｌＰｃを蒸着し、膜厚１００ｎｍの膜を作製した。その膜の吸光度を測定した。結果を図１に示す。尚、参考として、２５℃の基板温度で蒸着して作製したＣ６０膜の吸光度も合わせて示す。
図１から、基板温度を５０℃、９０℃にすることによって長波長側のピーク強度が大きくなることが分かる。
【００３４】
石英基板上に２５℃、９０℃の基板温度でＨ２Ｐｃを蒸着し、膜厚５０ｎｍの膜を作製して、その吸光度を測定した。結果を図２に示す。
図２から、基板温度を９０℃にしても吸収波長はほとんど変化しないことが分かる。
従って長波長領域に吸収感度を有する効果はＩｎＣｌＰｃに特有の効果であるといえる。
【００３５】
実施例１
２５ｍｍ×７５ｍｍ×０．７ｍｍ厚のＩＴＯ透明電極（下部電極）付きガラス基板をイソプロピルアルコール中で超音波洗浄を５分間行なった後、ＵＶオゾン洗浄を３０分間実施した。
洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着した。基板を９０℃に加熱した後、透明電極ラインが形成されている側の面上に、前記透明電極を覆うようにして、膜厚１５ｎｍのＩｎＣｌＰｃを抵抗加熱蒸着により、０．２Å／ｓで成膜した。基板加熱は、基板ホルダが接触している金属の媒体の中に加熱流体を流すことによって行った。基板温度は基板に熱電対を貼りつけて測定した。
次に、基板を２５℃以下まで冷却して、ＩｎＣｌＰｃ膜の上に、膜厚４０ｎｍのＣ６０を抵抗加熱蒸着により０．５Å／ｓで成膜した。
【００３６】
続いて、１０ｎｍのバソクプロイン（ＢＣＰ）を抵抗加熱蒸着により０．５Å／ｓで成膜した。最後に、対向電極として金属Ａｌを膜厚８０ｎｍ蒸着して、有機太陽電池を作製した。素子面積は１ｃｍ２であった。
【００３７】
素子構成を以下に示す（カッコ内の数値は膜厚（ｎｍ）を表す）。
ＩＴＯ／ＩｎＣｌＰｃ（１５）／Ｃ６０（４０）／ＢＣＰ（１０）／Ａｌ（８０）
【００３８】
得られた有機薄膜太陽電池の分光感度スペクトルを図３に示す。
【００３９】
比較例１
基板温度を常温（２５℃）に保ってＩｎＣｌＰｃ層を成膜した他は、実施例１と同様にして有機薄膜太陽電池を作製した。得られた有機薄膜太陽電池の分光感度スペクトルを図３に示す。
図３から、実施例１はより長波長側に感度を有することが分かる。
【００４０】
実施例２
実施例１と同様に、洗浄したＩＴＯ透明電極付きガラス基板を真空蒸着装置の基板ホルダーに装着し、透明電極を覆うようにして、膜厚１０ｎｍのＭｏＯ３を抵抗加熱蒸着により、０．２Å／ｓで成膜した。基板を５０℃まで加熱して、その上にＩｎＣｌＰｃを抵抗加熱蒸着により０．２Å／ｓで成膜し膜厚５ｎｍのｐ層を形成した。基板を５０℃に保って、ＩｎＣｌＰｃを０．２Å／ｓで５ｎｍ、Ｃ６０を０．８Å／ｓで２０ｎｍになるように同時蒸着し、ｉ層を形成した。
【００４１】
基板を２５℃以下まで冷却して、４０ｎｍのＣ６０層と１０ｎｍのバソクプロイン（ＢＣＰ）層を抵抗加熱蒸着により０．５Å／ｓで成膜した。最後に、対向電極として金属Ａｌを膜厚８０ｎｍ蒸着して、有機太陽電池を作製した。素子面積は１．０ｃｍ２であった。
【００４２】
素子構成を以下に示す（カッコ内の数値は膜厚（ｎｍ）を表す）。
ＩＴＯ／ＭｏＯ３（１０）／ＩｎＣｌＰｃ（５）／ＩｎＣｌＰｃ：Ｃ６０（比率１：４）（２５）／Ｃ６０（４０）／ＢＣＰ（１０）／Ａｌ（８０）
【００４３】
得られた有機薄膜太陽電池の分光感度スペクトルを図４に示す。
【００４４】
さらに、有機太陽電池について、ＡＭ１．５条件下（光強度（Ｐｉｎ）１００ｍＷ／ｃｍ２）でＩ−Ｖ特性を測定した。開放端電圧（Ｖｏｃ）、短絡電流密度（Ｊｓｃ）、曲線因子（ＦＦ）、光電変換効率（η）を表１に示す。
【００４５】
光電変換効率（η）は次式によって求めた。
【数１】
2014195030.tif 000005
（式中、Ｖｏｃは開放端電圧、Ｊｓｃは短絡電流密度、ＦＦは曲線因子、Ｐｉｎは入射光エネルギーである。）
【００４６】
実施例３
基板温度を９０℃に保ってＩｎＣｌＰｃ層とＩｎＣｌＰｃ：Ｃ６０層を成膜した他は、実施例２と同様にして有機薄膜太陽電池を作製した。得られた有機薄膜太陽電池の分光感度スペクトルを図４に示す。また、実施例２と同様に素子特性を測定しその結果を表１に示す。
【００４７】
比較例２
基板温度を常温（２５℃）に保ってＩｎＣｌＰｃ層とＩｎＣｌＰｃ：Ｃ６０層を成膜した他は、実施例２と同様にして有機薄膜太陽電池を作製した。得られた有機薄膜太陽電池の分光感度スペクトルを図４に示す。また、実施例２と同様に素子特性を測定しその結果を表１に示す。
【００４８】
【表１】
2014195030.tif 000006
【００４９】
図４から、基板温度を高くするに従って長波長側の吸収の寄与が増大することが分かる。
また、表１から、長波長側の光吸収が増大するのに伴って、変換効率も向上することが分かる。
【産業上の利用可能性】
【００５０】
本発明の有機太陽電池は時計、携帯電話及びモバイルパソコン等の各種装置、電化製品等の電源又は補助電源として使用できる。充電機能のある二次電池と組み合わせ、暗所においても使用可能とし、適用用途を拡げることも可能である。
【図１】
2014195030.tif 000007
【図２】
2014195030.tif 000008
【図３】
2014195030.tif 000009
【図４】
2014195030.tif 000010