(57)【要約】【課題】工程の所要時間を短縮できるドライエッチング装置、ドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法を提供する。【解決手段】カソード２２の上に載置された被エッチング材料１０に対して、被エッチング材料１０に対向するアノード２３からプラズマを照射してエッチングするドライエッチング装置において、被エッチング材料１０とアノード２３との間に配置され、プラズマを通過させる開口の少なくとも形状又は大きさを任意に設定することが可能な遮蔽物として、アノード２３の中心に支持されて該中心から前記開口の縁に向けて展縮可能な展縮シールド４０又はスペーサー５２の少なくとも一方と、開口の縁から前記中心に向けて展縮可能な絞り３０とを備え、被エッチング材料１０に対して少なくとも形状又は面積を任意に設定された領域のみにプラズマを照射してエッチング処理する構成にした。【選択図】図２
2014116362.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
カソードの上に載置された被エッチング材料に対して、前記被エッチング材料に対向するアノードからプラズマを照射してエッチングするドライエッチング装置において、
前記被エッチング材料と前記アノードとの間に配置され、前記プラズマを通過させる開口の少なくとも形状又は大きさを任意に設定することが可能な遮蔽物として、
前記アノードの中心に支持されて該中心から前記開口の縁に向けて展縮可能な展縮シールド又はスペーサーの少なくとも一方と、
前記開口の縁から前記中心に向けて展縮可能な絞りとを備え、
前記被エッチング材料に対して少なくとも形状又は面積を任意に設定された領域のみに前記プラズマを照射してエッチング処理する構成であることを特徴とするドライエッチング装置。
【請求項２】
前記絞りは、前記被エッチング材料に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレートと、前記各プレートを移動可能に支持する絞り支持体と、前記プレートを移動させる第１移動手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング装置。
【請求項３】
前記絞りは、前記プレート、前記絞り支持体、前記第１移動手段を、前記被エッチング材料に対し接近及び離間する方向に移動させる第２移動手段をさらに備えることを特徴とする請求項２に記載のドライエッチング装置。
【請求項４】
前記展縮シールドは、前記被エッチング材料に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレートと、前記各プレートを移動可能に支持するシールド支持体と、前記プレートを移動させる第３移動手段とを備えることを特徴とする請求項１に記載のドライエッチング装置。
【請求項５】
前記第３移動手段は、前記展縮シールド及び前記スペーサーが接続された前記シールド支持体を着脱可能な機構を備えることを特徴とする請求項４に記載のドライエッチング装置。
【請求項６】
前記展縮シールドは、前記プレート、前記シールド支持体、前記第３移動手段を、前記被エッチング材料に対し接近及び離間する方向に移動させる第４移動手段をさらに備えることを特徴とする請求項４又は５に記載のドライエッチング装置。
【請求項７】
前記第４移動手段は、前記アノードに着脱可能な機構と、前記第３移動手段を着脱可能な機構とを備えることを特徴とする請求項６に記載のドライエッチング装置。
【請求項８】
前記展縮シールド、複数の前記スペーサー、前記シールド支持体、前記第３移動手段及び前記第４移動手段を配置する配置機構をさらに備え、
該配置機構は、前記展縮シールド、前記複数のスペーサー、前記シールド支持体、前記第３移動手段及び前記第４移動手段を保管する収納棚と、
前記収納棚から前記展縮シールドと複数の前記スペーサーの１つを選択して、前記第４移動手段、前記第３移動手段、前記シールド支持体、前記展縮シールド及び前記スペーサーを適宜接続して前記アノードに載置可能な移動機構とを備え、
該移動機構は、前記展縮シールド、前記スペーサー、前記シールド支持体、前記第３移動手段及び前記第４移動手段を前記収納棚へ適宜戻すことも可能であることを特徴とする請求項７に記載のドライエッチング装置。
【請求項９】
前記絞り、前記展縮シールド、前記スペーサー及び前記第１乃至第４移動手段の材料は、アルマイト、イットリアのいずれかを含むことを特徴とする請求項８に記載のドライエッチング装置。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項に記載のドライエッチング装置を用いるドライエッチング方法であって、
前記プラズマが通過する前記絞りの開口の形状と大きさとの少なくとも一方を変えることで、前記プラズマを被エッチング材料に照射する領域の形状及び面積の少なくとも一方を変更するようにしたことを特徴とするドライエッチング方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載のドライエッチング方法を用いて被エッチング材料をエッチング処理することを特徴とするフォトマスク製造方法。
【請求項１２】
請求項１１に記載のフォトマスク製造方法であって、
前記被エッチング材料をエッチング処理することにより反射型マスクの遮光枠を形成する工程を有し、
前記遮光枠を形成する工程では、レジストを塗布せずに遮光枠を形成することを特徴とするフォトマスク製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドライエッチング装置、ドライエッチング方法及びフォトマスク製造方法に関し、特に任意の領域のみをエッチング処理するのに適したドライエッチング装置、ドライエッチング方法及びフォトマスク製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ドライエッチングにおけるエッチング処理は、レジスト等で覆われてエッチングマスクとなった領域以外の被エッチング材料を掘り込む。
よって、任意の領域のみをドライエッチング処理する場合には、被エッチング材料をレジスト等のエッチングマスクで覆い、電子線描画でパターニングを行った後にエッチングしなければならない。
【０００３】
反射型マスク製造に関する遮光枠形成の従来技術について図１を参照して説明する。
図１（ａ）〜図１（ｆ）は、従来の反射型マスク製造における、遮光枠形成の各工程を順に説明するための、反射型マスクブランクの模式断面図である。図１（ａ）は、裏面導電層１７上に合成石英基板１６、多層反射層１５、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２及びレジスト膜１１が順次積層された反射型マスクブランクである。
【０００４】
図１（ｂ）は、レジスト膜１１を電子線描画により露光し、現像処理を行ってパターンを形成する工程を示している。この図１（ｂ）に示す工程によりパターニングされたレジスト膜１１を、エッチングマスクとする。次いで、図１（ｃ）に示す工程では、低反射層１２と吸収層１３をエッチング処理し、レジスト膜も除去する。
次に、図１（ｄ）に示す工程では、低反射層膜１２の上面と、低反射層膜１２及び吸収層１３のエッチング部、及びエッチングにより露出された保護層１４の露出面に第２レジスト膜１８を塗布する。その後、電子線描画により第２レジスト膜１８を露光し、現像処理を行って図１（ｅ）に示す工程によりパターンを形成する。
【０００５】
その後、パターニングされた第２レジスト膜１８をエッチングマスクとして、図１（ｆ）に示す工程では、低反射層１２、吸収層１３、保護層１４、及び多層反射層１５をエッチング処理し、第２レジスト膜１８を除去する。この工程により、多層反射膜１５まで掘られた領域でＥＵＶ光の遮光性が高くなり遮光枠が形成される。
このように、従来の反射型マスク製造、における製造工程は、遮光枠を形成しない製造工程に比べて工程が長くなっている。
【０００６】
そこで、パターン寸法をコントロールできるドライエッチング方法が特許文献１に開示されている。この特許文献１に示す技術は、チャンバー内壁面とプラズマとの接触面積を可変とするシャッター（以下、絞りという）を備えたプラズマ装置であり、絞りの開口面積を調整することによって、プラズマとチャンバー内壁面から生成される反応生成物を制御し、最適なパターン寸法でのエッチングを行っている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開平１０−２３３３８６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかし、特許文献１に記載のドライエッチング方法では、やはり反射型マスク製造に関する遮光枠形成の工程で多層反射層をエッチングするためにレジストコート、電子線描画、現像といった追加の工程が必要となるため、工程の所要時間が長くなる。
そこで、本発明は、上記のような従来技術の問題点を解決しようとするものであり、任意の領域のみをエッチング処理することにより、工程の所要時間を短縮できるドライエッチング装置、ドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の請求項１の発明は、カソード（２２）の上に載置された被エッチング材料（１０）に対して、前記被エッチング材料（１０）に対向するアノード（２３）からプラズマを照射してエッチングするドライエッチング装置において、前記被エッチング材料（１０）と前記アノード（２３）との間に配置され、前記プラズマを通過させる開口の少なくとも形状又は大きさを任意に設定することが可能な遮蔽物として、前記アノード（２３）の中心に支持されて該中心から前記開口の縁に向けて展縮可能な展縮シールド（４０）又はスペーサー（５２）の少なくとも一方と、前記開口の縁から前記中心に向けて展縮可能な絞り（３０）とを備え、前記被エッチング材料（１０）に対して少なくとも形状又は面積を任意に設定された領域のみに前記プラズマを照射してエッチング処理する構成であることを特徴とする（図２）。
【００１０】
請求項２の発明は、請求項１記載のドライエッチング装置において、前記絞り（３０）は、前記被エッチング材料（１０）に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート（３０ａ）と、前記各プレート（３０ａ）を移動可能に支持する絞り支持体（３１）と、前記プレート（３０ａ）を移動させる第１移動手段（３０１）とを備えることを特徴とする（図２）。
請求項３の発明は、請求項２に記載のドライエッチング装置において、前記絞り（３０）は、前記プレート（３０ａ）、前記絞り支持体（３１）、前記第１移動手段（３０１）を、前記被エッチング材料（１０）に対し接近及び離間する方向に移動させる第２移動手段（３０２）をさらに備えることを特徴とする（図２）。
【００１１】
請求項４の発明は、請求項１に記載のドライエッチング装置において、前記展縮シールド（４０）は、前記被エッチング材料（１０）に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート（４０ａ）と、前記各プレート（４０ａ）を移動可能に支持するシールド支持体（４１）と、前記プレートを移動させる第３移動手段（４０１）とを備えることを特徴とする（図２）。
請求項５の発明は、請求項４に記載のドライエッチング装置において、前記第３移動手段（４０１）は、前記展縮シールド（４０）及び前記スペーサー（５２）が接続された前記シールド支持体（４１）を着脱可能な機構（Ｚ）を備えることを特徴とする（図２）。
【００１２】
請求項６の発明は、請求項４又は５に記載のドライエッチング装置において、前記展縮シールド（４０）は、前記プレート（４０ａ）、前記シールド支持体（４１）、前記第３移動手段（４０１）を、前記被エッチング材料（１０）に対し接近及び離間する方向に移動させる第４移動手段（４０２）をさらに備えることを特徴とする（図２）。
請求項７の発明は、請求項６に記載のドライエッチング装置において、前記第４移動手段（４０２）は、前記アノード（２３）に着脱可能な機構（Ｘ）と、前記第３移動手段（４０１）を着脱可能な機構（Ｙ）とを備えることを特徴とする（図２）。
【００１３】
請求項８の発明は、請求項７に記載のドライエッチング装置において、前記展縮シールド（４０）、前記スペーサー（５２）、前記シールド支持体（４１）、前記第３移動手段（４０１）及び前記第４移動手段（４０２）の配置機構（Ｑ）をさらに備え、該配置機構（Ｑ）は、前記展縮シールド（４０）、複数の前記スペーサー（５２）、前記シールド支持体（４１）、前記第３移動手段（４０１）及び前記第４移動手段（４０２）を保管する収納棚（５０）と、前記収納棚（５０）から前記展縮シールド（４０）と複数の前記スペーサー（５２）の１つを選択して、前記第４移動手段（４０２）、前記第３移動手段（４０１）、前記シールド支持体（４１）、前記展縮シールド（４０）及び前記スペーサー（５２）を適宜接続して前記アノード（２３）に載置可能な移動機構（５１）とを備え、該移動機構（５１）は、前記展縮シールド（４０）、前記スペーサー（５２）、前記シールド支持体（４１）、前記第３移動手段（４０１）及び前記第４移動手段（４０２）を前記収納棚（５０）へ適宜戻すことも可能であることを特徴とする（図２）。
【００１４】
請求項９の発明は、請求項８に記載のドライエッチング装置において、前記絞り（３０）、前記展縮シールド（４０）、前記スペーサー（５２）及び前記第１乃至第４移動手段（３０１，３０２，４０１，４０２）の材料は、アルマイト、イットリアのいずれかを含むことを特徴とする（図２〜図６）。
請求項１０の発明は、請求項１〜９の何れか１項に記載のドライエッチング装置を用いるドライエッチング方法であって、前記プラズマが通過する前記絞り（３０）の開口の形状と大きさとの少なくとも一方を変えることで、前記プラズマを被エッチング材料（１０）に照射する領域の形状及び面積の少なくとも一方を変更するようにしたことを特徴とする。
【００１５】
請求項１１の発明は、請求項１０に記載のドライエッチング方法を用いて被エッチング材料（１０）をエッチング処理することを特徴とするフォトマスク製造方法。
請求項１２の発明は、請求項１１に記載のフォトマスク製造方法であって、前記被エッチング材料（１０）をエッチング処理することにより反射型マスクの遮光枠を形成する工程を有し、前記遮光枠を形成する工程では、レジストを塗布せずに遮光枠を形成することを特徴とする（図１）。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、任意の領域のみをエッチング処理することにより、工程の所要時間を短縮できるドライエッチング装置、ドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法を提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】従来の反射型マスク製造における、遮光枠形成の各工程を順に説明するための、反射型マスクブランクの模式断面図である。
【図２】本発明の実施形態に係る絞り、展縮シールド、スペーサー付きドライエッチング装置を示す概略断面図である。
【図３】本発明の実施形態に係るドライエッチング装置の絞りの動作を説明するための平面図である。
【図４】本発明の実施例１に係るドライエッチング装置の展縮シールドの動作を説明するための説明図である。
【図５】本発明の実施例１に係るドライエッチング装置の絞り及び展縮シールドの動作を説明するための平面図である。
【図６】本発明の実施例２に係るドライエッチング装置の絞り及びスペーサーの動作を説明するための平面図である。
【図７】従来技術による遮光枠形成のエッチング処理結果を示す図である。
【図８】本発明の実施形態に係る絞り及び展縮シールド付きドライエッチング装置による遮光枠形成のエッチング処理結果を示す図である。
【図９】本発明の実施形態に係る絞り及びスペーサー付きドライエッチング装置による遮光枠形成のエッチング処理結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明の実施形態について図面を参照して説明する。
まず、本発明の実施形態に係る絞り及び展縮シールド付きドライエッチング装置について、図２乃至図６を参照して詳細に説明する。
【００１９】
図２は、本発明の実施形態に係る絞り、展縮シールド、スペーサー付きドライエッチング装置を示す概略断面図である。図２に示すように、絞り及び展縮シールド付きのドライエッチング装置２０は、ガス供給口２４及び排気口２５を有するチャンバー２１と、チャンバー２１内の上下部に位置して対向配置されたアノード（陽極）２３及びカソード（陰極）２２と、カソード２２とアース間にブロッキングコンデンサ２６及びインピーダンス整合器（Ｍ．Ｂ）２７を介して接続されたＲＦ（高周波）電源（高周波発振器）２８と、チャンバー２１内の被エッチング材料１０とアノード２３との間に配置され、アノード２３からのプラズマを通過させる開口の大きさを変更可能な絞り３０及び展縮シールド４０を含んで構成されている。
【００２０】
すなわち、カソード２２の上に載置された被エッチング材料１０に対して、被エッチング材料１０に対向するアノード２３からプラズマを照射してエッチングするドライエッチング装置において、被エッチング材料１０とアノード２３との間に配置され、プラズマを通過させる開口の少なくとも形状又は大きさを任意に設定することが可能な遮蔽物として、アノード２３の中心に支持されて、その中心から開口の縁に向けて展縮可能な展縮シールド４０又はスペーサー５２の少なくとも一方と、開口の縁から中心に向けて展縮可能な絞り３０とを備えている。このドライエッチング装置２０は、被エッチング材料１０に対して少なくとも形状又は面積を任意に設定された領域のみにプラズマを照射してエッチング処理する構成である（図２）。
【００２１】
図３は、本発明の実施形態に係るドライエッチング装置の絞りの動作を説明するための平面図である。図３（ａ）は、絞りが全開の状態を示し、図３（ｂ）は、絞りが開口面積を狭めた状態を示している。図２及び図３に示すように、絞りは、被エッチング材料１０に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数、例えば４枚のプレート３０ａと、この各プレート３０ａを移動可能支持する絞り支持体３１と、プレート３０ａを移動させる第１移動手段３０１とを備えて構成されている。
【００２２】
さらに、絞り３０は、プレート３０ａ、絞り支持体３１、第１移動手段３０１を被エッチング材料１０に対し接近及び離間する方向に移動させる第２移動手段３０２を備えて構成されている。
すなわち、絞り３０は、被エッチング材料１０に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート３０ａと、各プレート３０ａを移動可能に支持する絞り支持体３１と、プレート３０ａを移動させる第１移動手段３０１とを備えている（図２）。そして、絞り３０は、プレート３０ａ、絞り支持体３１、第１移動手段３０１を、被エッチング材料１０に対し接近及び離間する方向に移動させる第２移動手段３０２をさらに備える（図２）。
【実施例１】
【００２３】
次に、本発明の実施例１について図２乃至図５を用いて説明する。
図４は、本発明の実施例１に係るドライエッチング装置の展縮シールドの動作を説明するための説明図である。図４（ａ）は、展縮シールドが遮光面積を広げた全閉に近い状態を示す平面図である。図４（ｂ）は、展縮シールドが遮光面積を狭めた状態を示す平面図である。図４（ｃ）は、展縮シールドと、その遮光面積を調節する第３移動手段との関係を、模式説明するための斜視図である。図２及び図４に示すように、展縮シールド４０は、被エッチング材料１０に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数、例えば４枚のプレート４０ａと、この各プレート４０ａを移動可能支持するシールド支持体４１と、プレート４０ａを移動させる第３移動手段４０１を備え、図４（ｃ）に示すように構成されている。
【００２４】
さらに、展縮シールド４０は、プレート４０ａ、絞りシールド支持体４１、第３移動手段４０１を被エッチング材料１０に対し、接近及び離間する方向に移動させる第４移動手段４０２を備えて構成されている。
すなわち、展縮シールド４０は、被エッチング材料１０に対して離間接近する方向に対して直交する方向に移動可能に配置された複数のプレート４０ａと、各プレート４０ａを移動可能に支持するシールド支持体４１と、プレートを移動させる第３移動手段４０１とを備える（図２）。そして、展縮シールド４０は、プレート４０ａ、シールド支持体４１、第３移動手段４０１を、被エッチング材料１０に対し接近及び離間する方向に移動させる第４移動手段４０２をさらに備える（図５）。また、第４移動手段４０２は、アノード２３に着脱可能な機構Ｘと、第３移動手段４０１を着脱可能な機構Ｙとを備える（図２）。さらに、第３移動手段４０１は、展縮シールド４０及びスペーサー５２が接続されたシールド支持体４１を着脱可能な機構Ｚを備える（図２）。
【００２５】
ドライエッチング装置２０は、展縮シールド４０、スペーサー５２、絞り支持体３１、第３移動手段４０１及び第４移動手段４０２の配置機構Ｑをさらに備えている。その配置機構Ｑは、収納棚５０と、移動機構５１とを備えている。
収納棚５０は、展縮シールド４０、複数のスペーサー５２、シールド支持体４１、第３移動手段４０１及び第４移動手段４０２を保管するものである。
【００２６】
移動機構５１は、収納棚５０と、収納棚５０から展縮シールド４０と複数のスペーサー５２の１つを選択して、第４移動手段４０２、第３移動手段４０１、シールド支持体４１、展縮シールド４０及びスペーサー５２を適宜接続してアノード２３に載置可能である。その移動機構５１は、展縮シールド４０、スペーサー５２、シールド支持体４１、第３移動手段４０１及び第４移動手段４０２を収納棚５０へ適宜戻すことも可能である（図２）。
【００２７】
なお、ドライエッチング装置２０において、絞り３０、展縮シールド４０、スペーサー５２及び第１乃至第４移動手段３０１，３０２，４０１，４０２の材料は、アルマイト、イットリアのいずれかを含む（図３〜図６）。
上記のように構成されたドライエッチング装置２０において、チャンバー２１を所定の真空度まで排気した後、ガス供給口２４から反応性ガスを供給し、排気口２５を通して反応性ガスが排気される。これにより、チャンバー２１内は予め決められた圧力（約０．１ｍＴｏｒｒ〜数１００ｍＴｏｒｒ）に制御される。カソード２２上には、被エッチング材料１０が載置されている。カソード２２には、ＲＦ（高周波）電源２８からインピーダンス整合器２７、ブロッキングコンデンサ２６を通してチャンバー２１内のガス中にＲＦ（高周波）電力が供給される。
【００２８】
図５は、本発明の実施例１に係るドライエッチング装置の絞り及び展縮シールドの動作を説明するための平面図である。図５に示すように、被エッチング材料１０の任意の領域のみがエッチング処理できるように、プラズマ処理前に、第１移動手段３０１により４枚のプレート３０ａで形成される開口３０ｂの面積を調整し、第３移動手段４０１によって４枚のプレート４０ａで形成される展縮シールド４０の面積を調節する事で、開口３０ｂから展縮シールド４０の領域を除外した開口４０ｄ（図５参照）を形成し、第２移動手段３０２により被エッチング材料１０からのプレート３０ａと第４移動手段４０２により被エッチング材料１０からのプレート４０ａとの離間距離（高さ）を調整する。
【００２９】
上述したように、プラズマ処理前に被エッチング材料１０に対する絞り３０及び展縮シールド４０の離間距離（高さ）と開口面積を調整することで、被エッチング材料に対してプラズマ接触面積を自在に可変でき、被エッチング材料の任意の領域のみをエッチング処理することが可能となる。
【００３０】
このように、ドライエッチング装置２０を用いるドライエッチング方法では、プラズマが通過する絞り３０の開口の形状と大きさとの少なくとも一方を変えることで、プラズマを被エッチング材料１０に照射する領域の形状及び面積の少なくとも一方を変更するようにした。そして、好ましくは、このドライエッチング方法を用いて被エッチング材料１０をエッチング処理するフォトマスク製造方法がある。すなわち、被エッチング材料１０をエッチング処理することにより反射型マスクの遮光枠を形成する工程を有し、遮光枠を形成する工程では、レジストを塗布せずに遮光枠を形成することが、なお好ましい。
【００３１】
本発明の実施形態に係るフォトマスク製造方法は、反射型マスク製造の遮光枠形成において、レジストコート、電子線描画、現像といった工程を行わず、プラズマ処理前に絞り３０と展縮シールド４０の高さと開口面積を調整することで、被エッチング材料に対してプラズマ接触面積を可変して任意の領域のみをエッチング処理する。これにより、プロセス要求により容易にエッチング面積を可変でき、フォトマスクの生産性を向上させることができる。
【００３２】
本実施例１に示すエッチング装置２０は、図２に示すように、被エッチング材料１０とアノード２３の間で移動できる絞り３０と展縮シールド４０を用いて任意の領域のみをエッチング処理する方法について説明する。
さらに、エッチング装置２０は、チャンバー２１内に設けられた、展縮シールド４０、シールド支持体４１、第３移動手段４０１及び第４移動手段４０２を保管する収納棚５０と、第４移動手段４０２、第３移動手段４０１、シールド支持体４１、展縮シールド４０を順次接続し、それらを収納棚５０から搬出してアノード２３に載置し、又はアノード２３に載置されたそれらを収納棚５０に搬入する移動機構５１を備えている。以下に、これらを備えたエッチング装置２０を用いて任意の領域のみをエッチング処理する方法について説明する。
【００３３】
図３（ａ）は、４枚のプレート３０ａで形成される開口３０ｂの面積を第１移動手段３０１により最大にした状態を示している。図３（ｂ）は、４枚のプレート３０ａで形成される開口３０ｂの面積を第１移動手段３０１により縮小した状態を示している。
図４（ａ）は、４枚のプレート４０ａで形成されるプラズマ遮蔽領域を、第３移動手段４０１により最大にした状態を示している。図４（ｂ）は、４枚の絞り用プレート４０ａで形成されるプラズマ遮蔽領域の面積を、第３移動手段４０１により縮小した状態を示している。プレート４０ａはそれぞれ重なり、最小遮蔽面積はプレート４０ａの1枚分の面積となる。
【００３４】
絞り３０のプレート３０ａ及び絞り支持体３１と、展縮シールド４０のプレート４０ａ、シールド支持体４１、第３移動手段４０１及び第４移動手段４０２は、エッチング処理中にプラズマに晒されるため、耐プラズマ性の材料であるアルマイトやイットリア等で製造される。
被エッチング材料１０には、裏面導電層１７上に合成石英基板１６、多層反射層１５、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２がパターニングされた図１（ｂ）に示す場合と同様な反射型マスクを用いた。
【００３５】
本エッチング装置２０は、展縮シールド４０を使用しない場合、絞り３０の開口３０ｂの面積が最大の状態では被エッチング材料の全面をエッチング処理する。また、プレート３０ａを第１移動手段３０１により稼動して絞り３０の開口３０ｂの面積を縮小すれば、被エッチング材料１０に対してプラズマが通過する開口の面積を自在に変更できる。
【００３６】
展縮シールド４０を使用する場合、展縮シールド４０のプレート４０ａを第３移動手段４０１により稼動して展縮シールド４０のプラズマ遮蔽領域の面積が最大の状態では被エッチング材料の全面がプラズマから遮蔽されてエッチングされない。また、プレート３０ａを第１移動手段３０１により稼動して絞り３０の開口３０ｂの面積を調整し、プレート４０ａを第３移動手段４０１により稼動して展縮シールド４０のプラズマ遮蔽領域の面積を調整すれば、開口面積を自在に変更でき、所望の枠幅をエッチングすることが可能となる。
【００３７】
また、絞り３０の高さを第２移動手段３０２で調整し、展縮シールド４０の高さを第４移動手段４０２で調整することにより、被エッチング材料１０に対してのプラズマが通過する開口面積の微調整も可能である。
以上のように絞り３０と展縮シールド４０により、被エッチング材料１０に対してプラズマが通過する開口面積を調整することで、自在に任意の領域のみをエッチング処理することができる。
【００３８】
上述したように本エッチング装置２０を使用することにより、プロセス要求に合わせてエッチング面積を可変することが可能となる。例えば、反射型マスク製造の遮光枠形成に必要なレジストコート、電子線描画、現像といった工程を行わず、プラズマ処理前に絞り３０と展縮シールド４０の高さと開口面積を調整することで、被エッチング材料１０に対してプラズマが通過する開口面積を変更して任意の領域のみをエッチング処理することが可能になる。
従来のドライエッチング装置を用いて反射型マスク製造の遮光枠形成工程で遮光枠を従来工程（図１（ａ）〜（ｆ））でエッチング処理した結果を図７に示す。図７に示した位置ズレとはメインパターン領域と遮光枠領域とのズレ量を示す。
【００３９】
図２に示す本実施形態の絞り３０を有するドライエッチング装置２０を用いて反射型マスク製造の遮光枠形成工程では、図１（ｄ）と（ｅ）の工程に代えて、図５に示す絞り３０と展縮シールド４０を用いて被エッチング材料に対するプラズマが通過する開口面積４０ｄを調整する。図１（ｆ）のエッチング処理した結果を図８に示す。
図８から明らかなように、従来工程に対して、本実施形態の工程により絞り３０及び展縮シールド４０を用いてエッチングした結果は、同等であった。これにより、プロセスの要求により容易にエッチング面積を可変でき、フォトマスクの生産性を向上させることができる。
【実施例２】
【００４０】
実施例２では、実施例１に示した展縮シールド４０の代わりにスペーサー５２を使用した場合を説明する。
図６は、本発明の実施例２に係るドライエッチング装置の絞り及びスペーサーの動作を説明するための平面図である。図２及び図６に示すように、スペーサー５２は四角形状を呈し、被エッチング材料１０に対して照射されるプラズマを遮蔽させる四角形状が形成されている。また、このようなスペーサー５２は複数有しており、そのスペーサー５２の大きさがそれぞれ異なっている。スペーサー５２はエッチング処理中にプラズマに晒されるため、耐プラズマ性の材料であるアルマイトやイットリア等で製造される。
【００４１】
被エッチング材料１０には、裏面導電層１７上に合成石英基板１６、多層反射層１５、保護層１４、吸収層１３、低反射層１２がパターニングされた図１（ｂ）に示す場合と同様な反射型マスクを用いた。
本エッチング装置２０は、複数のスペーサー５２を用意して、その内１つを選択して、第４移動手段４０２、第３移動手段４０１、シールド支持体４１、スペーサー５２を順次接続し、アノード２３上にセットする。エッチング処理時に絞り３０とスペーサー５２の間の領域以外の領域ではプラズマが遮断され、被エッチング材料１０に対してプラズマ接触面積が制限される。また、被エッチング材料１０からのスペーサー５２の高さを調整する第４移動手段４０２を備えている。この第４移動手段４０２でスペーサー５２の被エッチング材料１０に対する高さを調整することにより、被エッチング材料１０に対してプラズマが通過する開口面積を微調整することが可能である。
【００４２】
以上のようにスペーサー５２により、被エッチング材料１０に対してプラズマを通過させる開口面積を調整することで、自在に任意の領域のみをエッチング処理することができる。
本エッチング装置２０を使用することにより、プロセス要求に合わせてエッチング面積を可変することが可能となる。例えば、反射型マスク製造の遮光枠形成に必要なレジストコート、電子線描画、現像といった工程を行わず、プラズマ処理前に絞り３０とスペーサー５２の高さと開口面積を調整することで、被エッチング材料に対してプラズマが通過する開口面積を変更して任意の領域のみをエッチング処理することが可能になる。
【００４３】
実施例２の特徴ある工程、すなわち、図２に示すスペーサー５２を有するドライエッチング装置２０を用いて反射型マスク製造の遮光枠形成工程では、図１（ｄ）と（ｅ）の代替工程として、図６に示す絞り３０とスペーサー５２を用いて被エッチング材料１０に対するプラズマが通過する開口面積５２ａを調整する。図１（ｆ）に示す完成状態までエッチング処理した結果を図９に示す。
【００４４】
図９から明らかなように、従来工程に対して、絞り３０とスペーサー５２を用いてエッチングした結果は同等であった。これにより、プロセスの要求により容易にエッチング面積を可変でき、フォトマスクの生産性を向上させることができる。
以上、説明したように、本実施形態によれば、任意の領域のみをエッチング処理することにより、工程の所要時間を短縮できるドライエッチング装置、ドライエッチング方法及びフォトマスクの製造方法を提供することが可能である。
【符号の説明】
【００４５】
１０…被エッチング材料、１１…レジスト膜、１２…低反射層、１３…吸収層、１４…保護層、１５…多層反射層、１６…合成石英基板、１７…裏面導電層、１８…第２レジスト膜、２０…エッチング装置、２１…チャンバー、２２…カソード、２３…アノード、２４…ガス供給口、２５…排気口、２６…ブロッキングコンデンサ、２７…インピーダンス整合器、２８…ＲＦ（高周波）電源、３０１…第1移動手段、３０２…第２移動手段、３０…絞り、３０ａ…プレート、３０ｂ…開口、３１…絞り支持体、４０１…第３移動手段、４０２…第４移動手段、４０…展縮シールド、４０ａ…プレート、４０ｄ…開口、４１…シールド支持体、５０…収納棚、５１…移動機構、５２…スペーサー、５２（ａ）…開口、Ｑ…配置機構、Ｘ，Ｙ，Ｚ…着脱可能な機構
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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