(57)【要約】【課題】発光層の混色を生じることによる表示品位の低下を抑制した表示装置を提供する。【解決手段】基板（１０）に蒸着粒子を蒸着させるときに、マスク開口部（５１）の幅をＭ、射出口（６１）の幅をＷｎ、基板（１０）と蒸着マスク（５０）との間の距離をＧ、基板（１０）と蒸着源（６０）との間の距離をＴｓ、第１画素開口部の幅をＰ、非表示領域の幅をＬｃとすると、Ｐ＋２Ｌｃ≧｛（Ｔｓ×Ｍ＋０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋２Ｄｍと、３μｍ≦Ｄｍ≦５μｍと、を満足する。【選択図】図８
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を有しており、上記基板上に、光を発する領域である複数の画素開口部と、互いに隣り合う上記画素開口部の間の領域であり、光を発しない領域である非表示領域とが規定されており、上記基板上に、上記各画素開口部に対応して、互いに異なる色の光を発する複数種の発光層が形成されている表示装置の製造方法であって、
上記基板と、マスク開口部を有する蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源とをこの順に配置し、上記基板に、上記マスク開口部を介して上記蒸着粒子を蒸着させることで、上記基板上の上記画素開口部に対応する位置に上記発光層を形成する発光層蒸着工程を含んでおり、
上記発光層蒸着工程において、上記画素開口部のうちの一つである第１画素開口部に対応して第１発光層を形成し、上記非表示領域を介して上記第１画素開口部に隣接する第２画素開口部に対応して、上記第１発光層が発する光の色とは異なる色の光を発する第２発光層を形成するように、上記基板に上記蒸着粒子を蒸着させるときに、
上記マスク開口部の幅をＭとし、上記射出口の幅をＷｎとし、上記基板と上記蒸着マスクとの間の距離をＧとし、上記基板と上記蒸着源との間の距離をＴｓとし、上記第１画素開口部の幅をＰとし、上記非表示領域の幅をＬｃとすると、
Ｐ＋２Ｌｃ＝｛（Ｔｓ×Ｍ＋０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋２Ｄｍ
と、
３μｍ≦Ｄｍ≦５μｍ
と、を満足することを特徴とする表示装置の製造方法。
【請求項２】
上記発光層蒸着工程における蒸着マージンをＷｍとすると、
Ｐ＋２Ｌｃ＝｛（Ｔｓ×Ｍ＋０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋２Ｄｍ
と、
３μｍ＋Ｗｍ≦Ｄｍ≦５μｍ＋Ｗｍ
と、を満足することを特徴とする請求項１に記載の表示装置の製造方法。
【請求項３】
平面視において、上記画素開口部の中心と、上記マスク開口部の中心と、上記射出口の中心とが、一直線上に配されるように、上記基板と、上記蒸着マスクと、上記蒸着源とを位置合わせをし、
上記第１画素開口部と上記第２画素開口部とが並ぶ方向において、
Ｐ≦｛（Ｔｓ×Ｍ）−（Ｇ×Ｗｎ）｝／（Ｔｓ−Ｇ）
を満足することを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項４】
平面視において、上記画素開口部の中心と、上記マスク開口部の中心と、上記射出口の中心とが、一直線上に配されるように、上記基板と、上記蒸着マスクと、上記蒸着源とを位置合わせをし、
上記第１画素開口部と上記第２画素開口部とが並ぶ方向において、
｛（Ｔｓ×Ｍ）−（Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝≦Ｐ≦｛（Ｔｓ×Ｍ）−（０．８×Ｇ×Ｗｎ）｝／（Ｔｓ−Ｇ）
を満足することを特徴とする請求項１または２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項５】
平面視において、上記画素開口部の中心と、上記マスク開口部の中心と、上記射出口の中心とが、一直線上に配されるように、上記基板と、上記蒸着マスクと、上記蒸着源とを位置合わせをし、
上記第１画素開口部と上記第２画素開口部とが並ぶ方向において、
Ｐ＝｛（Ｔｓ×Ｍ）−（０．８×Ｇ×Ｗｎ）｝／（Ｔｓ−Ｇ）−２Ｗｍ
を満足することを特徴とする請求項２に記載の表示装置の製造方法。
【請求項６】
上記第１画素開口部と上記第２画素開口部とが並ぶ方向において、幅がＰである上記第１画素開口部と、幅がＬｃである上記非表示領域とが、上記基板上に規定されており、
上記発光層蒸着工程において、
Ｐ＋２Ｌｃ＝｛（Ｔｓ×Ｍ＋０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋２Ｄｍ
と、
３μｍ≦Ｄｍ≦５μｍ
と、を満足するように、上記マスク開口部の幅Ｍと、上記射出口の幅Ｗｎと、上記基板と上記蒸着マスクとの間の距離Ｇと、上記基板と上記蒸着源との間の距離Ｔｓと、を設定することを特徴とする請求項１〜５の何れか１項に記載の表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
フルカラーの有機ＥＬ（Electro luminescence）表示装置は、一般的に、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の有機ＥＬ素子をサブ画素として基板上に配列形成してなり、ＴＦＴを用いて、これら有機ＥＬ素子を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を行う。
【０００３】
このような有機ＥＬ表示装置の製造においては、各色に発光する有機発光材料からなる発光層が、発光素子である有機ＥＬ素子毎にパターン形成される。発光層のパターン形成を行う方法としては、例えば、シャドウマスクと称される蒸着用のマスクを用いた蒸着法が知られている。
【０００４】
特許文献１には、シャドウマスクを用いた蒸着装置および蒸着方法について記載されている。図１２は、特許文献１の蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板側から見た平面図である。図１３は、特許文献１の蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図であり、図１２のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【０００５】
図１２および１３に示すように、特許文献１の蒸着装置２５０は、真空チャンバ２６０と、マスクユニット２８０と、図示しない基板移動機構とを備えている。マスクユニット２８０は、図１２に示すように、シャドウマスク２８１と、蒸着源２８５とを備えている。
【０００６】
シャドウマスク２８１には、複数の開口部２８２が設けられている。蒸着源２８５は、各色に発光する発光層を形成するために、上記各色に対応した蒸着粒子を個別に収容しており、蒸着材料を蒸着粒子として射出させる複数の射出口２８６を有している。
【０００７】
図１３に示すように、被成膜基板２００は、シャドウマスク２８１との間の隙間ｇ１が一定となるように保持されており、蒸着源２８５は、シャドウマスク２８１との間に一定の隙間ｇ２を有して対向配置されている。
【０００８】
特許文献１の蒸着装置は、図１２中に矢印で示すように、被成膜基板２００をマスクユニット２８０に対して相対移動させ、これにより、蒸着源２８５の射出口２８６から射出させた蒸着粒子を、シャドウマスク２８１の開口部２８２を介して被成膜基板２００の蒸着面における蒸着領域２１０に順次蒸着させることで、被成膜基板２００の蒸着領域２１０に、サブ画素に対応して蒸着膜２１１のパターンを成膜するものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】国際公開第２０１１／０３４０１１号パンフレット（２０１１年３月２４日公開）
【特許文献２】特開２０１１−２３３５２１号公報（２０１１年１１月１７日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
蒸着粒子は、各射出口から一定の広がりを持って拡散するように射出される。図１３に示すように、開口部２８２は一定の幅を有しており、シャドウマスク２８１とＴＦＴ基板２９０とはｇ１の間隔を有しており、蒸着源２８５とシャドウマスク２８１とはｇ２の間隔を有している。
【００１１】
そのため、各射出口から射出され開口部２８２を通過した蒸着粒子は、シャドウマスク２８１とＴＦＴ基板２９０との間において広がり、ＴＦＴ基板２９０に到達する。そのため、ＴＦＴ基板２９０上に形成される発光層２９１は、平坦には形成されず、開口部２８２の幅より広い範囲に及び、漸減的に広がるように形成される。
【００１２】
そのため、例えば、赤のサブ画素内に射出されるべき赤色蒸着粒子が、隣の緑のサブ画素内に及んでしまい、緑色蒸着粒子と赤色蒸着粒子とが混ざることとなる。以下、異なる複数の色の蒸着粒子により１つの発光層が形成されることを、混色という。
【００１３】
混色を生じたサブ画素の発光層からは、所望の波長の光が出射されなかったり、発光しなかったりという不具合を生じるため、表示装置としての表示品位が低下する。
【００１４】
図１４は、特許文献２の薄膜蒸着装置により製造された有機発光ディスプレイ装置のうち、一画素を図示した断面図である。
【００１５】
特許文献２の有機発光ディスプレイ装置は、薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極３５７に連結され、プラス電源を供給される第１電極３６１と、全体画素を覆うように備えられてマイナス電源を供給する第２電極３６３、及びこれら第１電極３６１と第２電極３６３との間に配されて発光する有機層３６２とを備えている。有機層３６２は、発光層３６２Ｒ、３６２Ｇ、３６２Ｂと補助層３６２Ｒ’、３６２Ｇ’とを備えている。
【００１６】
そして、有機層３６２は、青色発光層３６２Ｂの一端部上に緑色補助層３６２Ｇ’及び緑色発光層３６２Ｇの一端部がオーバーラップされ、緑色発光層３６２Ｇの他端部上に赤色補助層３６２Ｒ’及び赤色発光層３６２Ｒの一端部がオーバーラップされるように形成される。
【００１７】
これにより、青色発光層３６２Ｂと緑色発光層３６２Ｇとの間に緑色補助層３６２Ｇ’が介在され、互いに隣接した青色発光層３６２Ｂと緑色発光層３６２Ｇとが直接接触しなくなる。また、緑色発光層３６２Ｇと赤色発光層３６２Ｒとの間に赤色補助層３６２Ｒ’が介在され、互いに隣接した緑色発光層Ｇと赤色発光層Ｒとが直接接触しなくなる。
【００１８】
特許文献２には、上記の構成により発光層の発光効率が大きく向上し、混色現象が消え、色座標改善効果が生じることが記載されている。
【００１９】
しかしながら、特許文献２の有機発光ディスプレイ装置のように、各色間に補助層を挿入する場合、有機層の形成工程の工数が増大し、生産性が著しく低下するという問題がある。
【００２０】
本発明は、上記の問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、生産性を低下させることなく、発光層の混色による表示品位の低下を抑制した表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
発明者らは、マスクを用いた蒸着により形成された発光層の形状について検証を行った結果、発光層の断面形状において、膜厚が漸減的に広がる領域には、２つの領域が含まれていることを見出した。２つの領域とは、蒸着装置の幾何学的構造に基づいて、平面視における発光層の中心からの距離に比例して膜厚が小さくなる理論テーパ領域（理論テーパ部）と、上記理論テーパ領域の外側にあり、発光層の中心からの距離に基づいて曲線的に膜厚が小さくなる実測テーパ領域（実測テーパ部）である。
【００２２】
この実測テーパ部は、理論テーパ部よりも外側に広がって形成されるため、蒸着装置の幾何学的構造に基づいて膜厚を算出し、蒸着を行った場合、発光層の実測テーパ部が他の画素にまで及んでしまうことがある。この場合、混色を生じてしまう。
【００２３】
発明者らは、実測テーパ部における発光層の形状を観察したところ、理論テーパ部と実測テーパ部との境界部から３μｍ外側の位置であれば、膜厚が十分に薄いため、隣の画素に及んで形成されたとしても発光層の発光特性に与える影響は小さく、表示装置としてのことを確認した。
【００２４】
発明者らは、上記の検証結果を考慮して、表示品位を低下させることなく、発光層を備える表示装置を製造する方法を見出した。
【００２５】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る表示装置の製造方法は、基板を有しており、上記基板上に、光を発する領域である複数の画素開口部と、互いに隣り合う上記画素開口部の間の領域であり、光を発しない領域である非表示領域とが規定されており、上記基板上に、上記各画素開口部に対応して、互いに異なる色の光を発する複数種の発光層が形成されている表示装置の製造方法であって、上記基板と、マスク開口部を有する蒸着マスクと、蒸着粒子を射出する射出口を有する蒸着源とをこの順に配置し、上記基板に、上記マスク開口部を介して上記蒸着粒子を蒸着させることで、上記基板上の上記画素開口部に対応する位置に上記発光層を形成する発光層蒸着工程を含んでおり、上記発光層蒸着工程において、上記画素開口部のうちの一つである第１画素開口部に対応して第１発光層を形成し、上記非表示領域を介して上記第１画素開口部に隣接する第２画素開口部に対応して、上記第１発光層が発する光の色とは異なる色の光を発する第２発光層を形成するように、上記基板に上記蒸着粒子を蒸着させるときに、上記マスク開口部の幅をＭとし、上記射出口の幅をＷｎとし、上記基板と上記蒸着マスクとの間の距離をＧとし、上記基板と上記蒸着源との間の距離をＴｓとし、上記第１画素開口部の幅をＰとし、上記非表示領域の幅をＬｃとすると、Ｐ＋２Ｌｃ≧｛（Ｔｓ×Ｍ＋０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋２Ｄｍと、３μｍ≦Ｄｍ≦５μｍと、を満足することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２６】
本発明の一態様によれば、生産性を低下させることなく、発光層の混色による表示品位の低下を抑制した表示装置及び表示装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２７】
【図１】本発明の実施形態１に係るＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る有機ＥＬ表示装置におけるＴＦＴ基板の、図２のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【図４】有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
【図５】蒸着装置を用いてＴＦＴ基板に発光層を形成する工程を説明するための、ＴＦＴ基板および蒸着装置の断面図である。
【図６】発光層蒸着工程によりＴＦＴ基板上に形成された発光層の、ＴＦＴ基板に垂直な方向に切断したときの断面図である。
【図７】実施形態１の有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板および発光層の断面図である。
【図８】発光層蒸着工程を説明するための、ＴＦＴ基板、発光層、および蒸着装置の断面図である。
【図９】実施形態１の有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板および発光層の他の例の断面図である。
【図１０】実施形態２の有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板および発光層の断面図である。
【図１１】実施形態３の有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板および発光層の断面図である。
【図１２】従来技術としての特許文献１の蒸着装置における真空チャンバ内の被成膜基板とマスクユニットとを被成膜基板側から見た平面図である。
【図１３】従来技術としての特許文献１の蒸着装置における要部の概略構成を模式的に示す断面図であり、図１３のＢ−Ｂ矢視断面図である。
【図１４】従来技術としての特許文献２の薄膜蒸着装置により製造された有機発光ディスプレイ装置のうち、一画素を図示した断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２８】
〔実施形態１〕
以下、本発明の実施の一形態について、図１〜図９に基づいて詳細に説明する。
【００２９】
本実施の形態では、本実施の形態に係る表示装置の一例として、ＴＦＴ基板側から光を取り出すボトムエミッション型でＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置を例に挙げて説明する。
【００３０】
＜表示装置の構成＞
まず、上記有機ＥＬ表示装置１の全体構成について以下に説明する。
【００３１】
図１は、本実施形態のＲＧＢフルカラー表示の有機ＥＬ表示装置の概略構成を示す断面図である。また、図２は、図１に示す有機ＥＬ表示装置を構成する画素の構成を示す平面図であり、図３は、図２に示す有機ＥＬ表示装置において、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが並ぶ方向に切断した場合のＴＦＴ基板および有機ＥＬ素子のＡ−Ａ線矢視断面図である。
【００３２】
図１に示すように、本実施の形態の有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ基板１０上に、有機ＥＬ素子２０、接着層３０、封止基板４０が、この順に設けられた構成を有している。
【００３３】
図１に示すように、有機ＥＬ素子２０は、該有機ＥＬ素子２０が積層されたＴＦＴ基板１０を、接着層３０を用いて封止基板４０と貼り合わせることで、これら一対の基板（ＴＦＴ基板１０、封止基板４０）間に封入されている。
【００３４】
上記有機ＥＬ表示装置１は、このように有機ＥＬ素子２０がＴＦＴ基板１０と封止基板４０との間に封入されていることで、有機ＥＬ素子２０への酸素や水分の外部からの浸入が防止されている。
【００３５】
図３に示すように、ＴＦＴ基板１０は、絶縁基板１１上に、ＴＦＴ１２（スイッチング素子）、層間膜１３（層間絶縁膜、平坦化膜）、配線１４、第１電極２１、エッジカバー１５がこの順に形成された構成を有している。
【００３６】
絶縁基板１１上には、図２に示すように、水平方向に敷設された複数のゲート線と、垂直方向に敷設され、ゲート線と交差する複数の信号線とからなる複数の配線１４が設けられている。ゲート線には、ゲート線を駆動する図示しないゲート線駆動回路が接続され、信号線には、信号線を駆動する図示しない信号線駆動回路が接続されている。
【００３７】
有機ＥＬ表示装置１は、フルカラーのアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置であり、平面視において、これら配線１４で囲まれた領域に、それぞれ、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の各色の光を発するサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂが、マトリクス状に配列されている。
【００３８】
すなわち、これら配線１４の交点に対応して、１つのサブ画素（ドット）が規定されており、サブ画素毎にＲ、Ｇ、Ｂの発光領域が規定されている。
【００３９】
画素２（すなわち、１画素）は、赤色の光を発する赤色サブ画素２Ｒ、緑色の光を発する緑色サブ画素２Ｇ、青色の光を発する青色サブ画素２Ｂの、３つのサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂによって構成されている。
【００４０】
ＴＦＴ基板１０上には、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、各色の光を発する領域である画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂが規定されている。画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂには、各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおける発光を担う、互いに異なる色の光を発する発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが設けられている。
【００４１】
以下の説明では、発光層として、赤色発光層２３Ｒと、緑色発光層２３Ｇと、青色発光層２３Ｂとを備える有機ＥＬ表示装置１について説明するが、発光層の種類は３つに限定されず、複数種の発光層を備えていればよい。
【００４２】
これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、発光する光の色毎に、蒸着によりパターン形成されている。なお、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂについては後述する。
【００４３】
各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して、第１電極２１と、第１電極２１に接続されたＴＦＴ１２とが設けられている。各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの発光強度は、配線１４およびＴＦＴ１２による走査および選択により決定される。このように、有機ＥＬ表示装置１は、ＴＦＴ１２を用いて、有機ＥＬ素子２０を選択的に所望の輝度で発光させることにより画像表示を実現している。
【００４４】
層間膜１３は、各ＴＦＴ１２を覆うように、上記絶縁基板１１上に、上記絶縁基板１１の全領域に渡って積層されている。
【００４５】
また、層間膜１３には、第１電極２１をＴＦＴ１２に電気的に接続するためのコンタクトホール１３ａが設けられている。
【００４６】
第１電極２１は、後述する有機ＥＬ層に正孔を注入（供給）する機能を有する層である。第１電極２１は、前記したようにコンタクトホール１３ａを介してＴＦＴ１２と接続されている。
【００４７】
エッジカバー１５は、第１電極２１のパターン端部で有機ＥＬ層が薄くなったり電界集中が起こったりすることで、有機ＥＬ素子２０における第１電極２１と第２電極２９とが短絡することを防止するための絶縁層である。
【００４８】
エッジカバー１５は、層間膜１３上に、第１電極２１の端部を被覆するように形成されている。
【００４９】
各サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂにおいて、第１電極２１のうちエッジカバー１５により覆われていない部分は、光を発する発光領域となる。
【００５０】
すなわち、平面視において、ＴＦＴ基板１０に第１電極２１が設けられ、かつ第１電極２１がエッジカバー１５により覆われることなく露出している部分が、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂである。
【００５１】
一方、平面視において、ＴＦＴ基板１０上の、エッジカバー１５が設けられている領域は、光を発しない非表示領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂである。
【００５２】
＜有機ＥＬ素子＞
有機ＥＬ素子２０は、低電圧直流駆動による高輝度発光が可能な発光素子であり、第１電極２１上に、有機ＥＬ層、第２電極２９が、この順に積層されている。
【００５３】
図３に示すように、有機ＥＬ層としては、第１電極２１側から、正孔注入層兼正孔輸送層２２、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ、電子輸送層２７、電子注入層２８がこの順に形成された構成を有していてもよい。
【００５４】
なお、上記積層順は、第１電極２１を陽極とし、第２電極２９を陰極としたものであり、第１電極２１を陰極とし、第２電極２９を陽極とする場合には、有機ＥＬ層の積層順は反転する。
【００５５】
正孔注入層兼正孔輸送層２２は、第１電極２１およびエッジカバー１５を覆うように、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に一様に形成されている。
【００５６】
正孔注入層兼正孔輸送層２２上には、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂを覆うように、それぞれ、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して形成されている。
【００５７】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、第１電極２１側から注入されたホール（正孔）と第２電極２９側から注入された電子とを再結合させて光を出射する機能を有する層である。
【００５８】
電子輸送層２７は、第２電極２９から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子輸送効率を高める機能を有する層である。また、電子注入層２８は、第２電極２９から発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂへの電子注入効率を高める機能を有する層である。
【００５９】
電子輸送層２７は、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２を覆うように、これら発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂおよび正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。また、電子注入層２８は、電子輸送層２７を覆うように、電子輸送層２７上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【００６０】
第２電極２９は、上記のような有機層で構成される有機ＥＬ層に電子を注入する機能を有する層である。第２電極２９は、電子注入層２８を覆うように、電子注入層２８上に、上記ＴＦＴ基板１０における表示領域全面に渡って一様に形成されている。
【００６１】
なお、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ以外の有機層は有機ＥＬ層として必須の層ではなく、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて適宜形成すればよい。
【００６２】
上記有機ＥＬ素子２０の構成としては、例えば、下記（１）〜（８）に示すような層構成を採用することができる。
（１）発光層／第２電極
（２）正孔輸送層／発光層／電子輸送層／第２電極
（３）正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（４）正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（５）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（６）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／第２電極
（７）正孔注入層／正孔輸送層／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
（８）正孔注入層／正孔輸送層／電子ブロッキング層（キャリアブロッキング層）／発光層／正孔ブロッキング層／電子輸送層／電子注入層／第２電極
有機ＥＬ素子２０の構成は上記例示の層構成に限定されるものではなく、上記したように、要求される有機ＥＬ素子２０の特性に応じて所望の層構成を採用することができる。
【００６３】
＜有機ＥＬ表示装置の製造方法＞
図４は、上記有機ＥＬ表示装置の製造工程を工程順に示すフローチャートである。
【００６４】
図４に示すように、本実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置１の製造方法は、例えば、ＴＦＴ基板作製工程（Ｓ１）、第１電極作製工程（Ｓ２）、正孔注入層・正孔輸送層蒸着構成（Ｓ３）、発光層蒸着工程（Ｓ４）、電子輸送層蒸着工程（Ｓ５）、電子注入層蒸着工程（Ｓ６）、第２電極蒸着工程（Ｓ７）、封止工程（Ｓ８）を備えている。
【００６５】
発光層蒸着工程（Ｓ４）においては、正孔注入層兼正孔輸送層２２上に、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂを覆うように、サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂに対応して発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂをそれぞれ塗り分け形成（パターン形成）する。
【００６６】
本実施形態の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを塗り分け形成する方法について説明する。
【００６７】
本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の製造方法の発光層蒸着工程（Ｓ４）においては、蒸着マスクを用いて、ＴＦＴ基板１０上に発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを蒸着することができる。
【００６８】
図５は、蒸着装置を用いてＴＦＴ基板に発光層を形成する工程を説明するための、ＴＦＴ基板および蒸着装置の断面図である。図５は、発光層２３Ｒを正孔注入層兼正孔輸送層２２の上に形成する工程を示す図である。なお、図５は、主に本実施形態の発光層蒸着工程における蒸着装置とＴＦＴ基板との位置関係を説明するための図であって、説明のために発光層の厚みや形状を簡略化して図示している。
【００６９】
図５に示すように、蒸着装置７０は、蒸着源６０と蒸着マスク５０とを含んでおり、蒸着マスク５０とＴＦＴ基板１０とが対向するように設けられている。本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂは、蒸着源６０から射出される蒸着粒子を、ＴＦＴ基板１０上に蒸着することで形成される。
【００７０】
ＴＦＴ基板１０と蒸着源６０との間には、マスク開口部５１を備える蒸着マスク５０が設けられ、蒸着粒子は、上記マスク開口部５１を介して、ＴＦＴ基板１０上に蒸着される。
【００７１】
上記蒸着源６０は、例えば、上方に向けて蒸着粒子を射出する機構を有している。上記蒸着源６０は、蒸着マスク５０との対向面に、上記蒸着材料を蒸着粒子として射出（飛散）させる複数の蒸着源開口部６１（射出口）を有している。蒸着粒子は、蒸着源開口部６１から、一定の等方性を有して射出される。
【００７２】
蒸着源６０の蒸着源開口部６１の幅をＷｎとし、蒸着マスク５０のマスク開口部５１の幅をＭとする。なお、マスク開口部５１の幅Ｍとは、蒸着マスク５０に設けられた貫通穴の、平面視における幅であるものとする。
【００７３】
また、蒸着源６０とＴＦＴ基板１０との間の距離をＴｓとし、蒸着マスク５０とＴＦＴ基板１０との間の距離をＧとする。
【００７４】
発光層蒸着工程においては、蒸着源開口部６１の中心と、マスク開口部５１の中心と、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの中心とが同一直線上に配された状態で、蒸着を行うことが好ましい。
【００７５】
特許文献１に記載された発明のように、ＴＦＴ基板１０を蒸着マスク５０に対して相対移動させ、蒸着粒子を、マスク開口部５１を介してＴＦＴ基板１０の蒸着面における蒸着領域に順次蒸着させることで、ＴＦＴ基板１０に、発光層を形成する方法を用いる場合、ＴＦＴ基板１０と蒸着マスク５０との間に一定の隙間を設けておく必要がある。
【００７６】
上記のように、ＴＦＴ基板１０と蒸着マスク５０との間に一定の隙間Ｇを設けた場合、平面視において、ＴＦＴ基板１０上に、蒸着源開口部６１の全ての位置から射出される蒸着粒子が蒸着される領域（図中Ｗｔの幅を有する領域）と、蒸着源開口部６１の一部の位置から射出される蒸着粒子が蒸着される領域（図中Ｗｂの幅を有する領域）とがある。
【００７７】
ＴＦＴ基板１０上の、蒸着源開口部６１の全ての位置から射出される蒸着粒子が蒸着される領域では、蒸着粒子が均一に蒸着されるため、当該領域における発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚は略均一となる。
【００７８】
このように、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂにおいて、その膜厚が均一であり、断面形状が平坦な部分が形成される。これを、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの平坦部ということとする。
【００７９】
一方で、ＴＦＴ基板１０上の、蒸着源開口部６１の一部の位置から射出される蒸着粒子が蒸着される領域では、蒸着粒子が均一に蒸着されず、平面視における発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの中心部からの距離に応じて、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚は小さくなる。
【００８０】
このように、ＴＦＴ基板１０上における位置に応じて膜厚が変化し、断面形状が平坦でない部分を、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂのテーパ部ということとする。
【００８１】
発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂのテーパ部が、隣接する他のサブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂに及んで形成されてしまい、１つの画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂに、互いに異なる色の光を発する発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂが形成された場合、すなわち混色を生じた場合、所望の色以外の発光が起こり、または非発光となる。
【００８２】
そのため、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂにおいて混色を生じることは、表示装置の表示品位を低下させることとなる。
【００８３】
＜テーパ部の断面形状＞
図６は、発光層蒸着工程によりＴＦＴ基板上に形成された発光層の、ＴＦＴ基板に垂直な方向に切断したときの断面図である。
【００８４】
図６においては、発光層２３Ｒを図示して説明するが、発光層２３Ｇ・２３Ｂについても同様である。
【００８５】
蒸着源６０とＴＦＴ基板１０との間の距離Ｔｓ、蒸着マスク５０とＴＦＴ基板１０との間の距離Ｇ、蒸着源開口部６１の幅Ｗｎ、およびマスク開口部５１の幅Ｍから、発光層２３Ｒの膜厚および形状は理論的に求められる。
【００８６】
図６中の破線は、理論的に求められた発光層２３Ｒの断面形状である。
【００８７】
理論的に求められた発光層２３Ｒの断面形状によれば、発光層２３Ｒは、その膜厚が一定となる部分である平坦部（以下、理論平坦部）と、理論平坦部の周囲にあり、発光層２３Ｒの中心軸ｙからの距離に比例して膜厚が減少する部分であるテーパ部（以下、理論テーパ部）とを含んでいる。
【００８８】
そして、理論平坦部の幅Ｗｔは、
Ｗｔ＝｛（Ｔｓ×Ｍ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝−Ｗｂ
と、表される。また、通常の蒸着装置を用いた蒸着方法においては、Ｔｓ＞＞Ｇであるため、
Ｗｔ＝Ｍ−Ｗｂ
と、近似される。
【００８９】
また、理論テーパ部Ｗｂの幅は、
Ｗｂ＝（Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）
と、表される。Ｔｓ＞＞Ｇであるため、
Ｗｂ＝（Ｇ×Ｗｎ）／Ｔｓ
と、近似される。
【００９０】
しかしながら、実際にＴＦＴ基板１０上に形成された発光層２３Ｒの形状は、理論的に求められる形状とは異なり、また、実測することも容易ではなく、その存在を特定できない場合もあった。
【００９１】
発明者らは、精度のよい段差計とTOF-SIMS（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectroscopy）による測定手段、および校正サンプルを用いることによって、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚を精度よく測定することに成功した。なお、TOF-SIMSとして、ION-TOF社製のTOF-SIMS IVを用いた。
【００９２】
図６中の実線は、膜厚を実測することにより得られた発光層２３Ｒの断面形状である。
【００９３】
本発明者らの行った発光層２３Ｒの膜厚測定（断面形状測定）により、発光層２３Ｒは、その膜厚が一定となる部分である平坦部（以下、実測平坦部）と、発光層２３Ｒの中心軸ｙからの距離に応じて膜厚が減少する部分であるテーパ部（以下、実測テーパ部）とを含んでおり、実測平坦部と実測テーパ部との境界部分は、なだらかなＲ形状を有しており、平面視において、実測平坦部の幅は理論平坦部の幅よりも小さいことがわかった。
【００９４】
また、本発明者らの検証により、図６に示すように、実測テーパ部は、平面視において、発光層の中心軸ｙからの距離に応じて、膜厚が線形的に減少していく実測線形テーパ部（線形テーパ部）と、実測線形テーパ部の外側にあり、膜厚が曲線的に減少していく実測曲線テーパ部（曲線テーパ部）とを含んでいることがわかった。
【００９５】
なお、実測線形テーパ部における発光層２３Ｒの膜厚は、理論テーパ部における発光層２３Ｒの膜厚と同等であり、理論的に算出することができる。
【００９６】
しかしながら、理論テーパ部における発光層２３Ｒの膜厚とは異なり、実測曲線テーパ部における発光層２３Ｒの膜厚を理論的に算出することは困難である。実測曲線テーパ部が形成される要因としては様々なものが想定されるが、主には蒸着粒子そのものの散乱要因が考えられる。
【００９７】
そして、発明者らの検証によれば、理論平坦部における発光層２３Ｒの膜厚を１００％とした場合、実測線形テーパ部と実測曲線テーパ部との境界部における発光層２３Ｒの膜厚は、２％となる（理論平坦部における発光層２３Ｒの膜厚の１／５０となる）ことがわかった。さらに、実測線形テーパ部と実測曲線テーパ部との境界部と、実測曲線テーパ部において膜厚が１％となる部分との間の領域を周縁領域とすると、平面視における周縁領域の幅Ｗｕは、３〜５μｍ（３μｍ≦Ｗｕ≦５μｍ）であることがわかった。そして、周縁領域は、理論テーパ部の外側にまで及んで形成されることがわかった。
【００９８】
＜発光層＞
発光層２３Ｒの形状に基づき、本実施形態の発光層２３Ｒの好ましい形成方法について、隣接サブ画素における混色と、自サブ画素における発光特性との観点から詳細に説明する。
【００９９】
（１）隣接サブ画素における混色
サブ画素２Ｒに対応して形成される発光層２３Ｒが、隣接するサブ画素２Ｇ・２Ｂにおいて混色することによる表示品位の低下を防止するための、発光層２３Ｒの形成方法について説明する。
【０１００】
上記のとおり、混色を生じたサブ画素からは、所望の波長の光が出射されなかったり、発光しなかったりという不具合を生じる。
【０１０１】
このような表示品位の低下は、サブ画素２Ｒのうちの画素開口部１６Ｒにおいて混色を生じることにより生じる。一方で、非表示領域１５Ｒにおいては、混色を生じても表示品位の低下は起こらない。
【０１０２】
言い換えると、第１電極２１の露出部において混色を生じた場合、表示品位の低下が起こるが、エッジカバー１５の上部において混色を生じても表示品位の低下は起こらない。
【０１０３】
また、発明者らは、画素開口部１６Ｇ・１６Ｂにおける発光層２３Ｇ・２３Ｂの膜厚を１００％とした場合に、他の色の発光層２３Ｒが混入することにより当該画素開口部１６Ｇ・１６Ｂにおいて混色を生じたとしても、当該他の色の発光層２３Ｒの膜厚が発光層２３Ｇ・２３Ｂの膜厚の１％以下であれば、発光特性に大きな影響を与えないことを見出した。
【０１０４】
上記に基づいて、表示品位の低下を起こさないための、発光層２３Ｒの形成方法について説明する。
【０１０５】
図７は、発光層蒸着工程によりＴＦＴ基板上に発光層を形成したときの、本実施形態の有機ＥＬ表示装置のＴＦＴ基板および発光層の断面図である。図７は、図２のＡ−Ａ矢視断面図に相当する。なお、図７においては、ＴＦＴ基板１０の詳細な構成は省略して図示している。また、説明のために、ＴＦＴ基板１０と、ＴＦＴ基板１０上に形成された発光層２３Ｒとを、離間して図示している。
【０１０６】
サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂのそれぞれに、同等の膜厚を有する発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂを形成する場合において、本実施形態の有機ＥＬ表示装置１の発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの膜厚は、以下のように制御される。
【０１０７】
すなわち、図７に示すように、平面視において、画素開口部１６Ｒ（第１画素開口部）に対応して形成された発光層２３Ｒ（第１発光層）の実測線形テーパ部と実測曲線テーパ部との境界部（第１境界部）と、サブ画素２Ｒに隣接するサブ画素２Ｇの画素開口部１６Ｇ（第２画素開口部）との間の最短距離は、３μｍ以上であり、より好ましくは５μｍ以上である。
【０１０８】
ここで、上述したように、平面視おいて、周縁領域の幅Ｗｕは、３〜５μｍ（３μｍ≦Ｗｕ≦５μｍ）である。
【０１０９】
そのため、発光層２３Ｒのうち画素開口部１６Ｇに形成される部分は周縁領域の外側であり、その膜厚は、理論平坦部における発光層２３Ｒの膜厚の１％以下となる。
【０１１０】
また、発光層２３Ｇの膜厚は発光層２３Ｒの膜厚と同等であるとすれば、発光層２３Ｒのうち画素開口部１６Ｇに形成される部分の膜厚は、理論平坦部における発光層２３Ｇの膜厚の１％以下であるといえる。
【０１１１】
画素開口部１６Ｇに形成される発光層２３Ｒの膜厚が、発光層２３Ｇ（第２発光層、図示しない）の平坦部における膜厚の１％以下であるため、画素開口部１６Ｇの発光層２３Ｇからは正常に緑色の光が発光され、画素開口部１６Ｇの発光特性に影響を与えることがない。
【０１１２】
（２）自サブ画素における発光特性
サブ画素２Ｒにおいて好ましい発光特性を得るための、発光層２３Ｒの形成方法について説明する。
【０１１３】
発光層２３Ｒの発光特性は、膜厚に大きく依存する。画素開口部１６Ｒにおいて均一な発光特性を得るために、画素開口部１６Ｒにおける発光層２３Ｒの膜厚は均一であることが好ましい。
【０１１４】
そのため、図７に示すように、ＴＦＴ基板１０に発光層２３Ｒを形成する場合、画素開口部１６Ｒが発光層２３Ｒの理論平坦部で覆われるように、発光層２３Ｒを形成することが好ましい。
【０１１５】
例えば、平面視において、理論平坦部と理論テーパ部との境界部分が、画素開口部１６Ｒの端部と重なり合うように、ＴＦＴ基板１０上の画素開口部１６Ｒに発光層２３Ｒを形成する。
【０１１６】
これにより、画素開口部１６Ｒにおける発光層２３Ｒの膜厚がほぼ一定となるため、サブ画素２Ｒにおける発光特性がほぼ均一になる。
【０１１７】
以上のように、隣接サブ画素における混色と、自サブ画素における発光特性とを考慮して発光層２３Ｒを形成することで、画素開口部１６Ｇ・１６Ｂにおける混色による表示品位の低下を防止し、かつ、サブ画素２Ｒにおいて均一な発光特性を得ることができる。
【０１１８】
＜蒸着設計＞
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部である発光層蒸着工程において、上記の発光層２３Ｒを形成するための蒸着装置７０および画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの設計について、隣接サブ画素における混色と、自サブ画素における発光特性との観点から詳細に説明する。
【０１１９】
（１）隣接サブ画素における混色防止
発光層２３Ｒを形成する際の、隣接するサブ画素２Ｇ・２Ｂにおける混色による表示品位の低下を防止するための、蒸着装置７０および画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの設計について説明する。
【０１２０】
図８は、本実施形態の発光層蒸着工程を説明するための、ＴＦＴ基板、発光層、および蒸着装置の断面図である。図８のＴＦＴ基板１０および発光層２３Ｒは、図２のＡ−Ａ矢視断面図に相当する。
【０１２１】
図８に示すように、発光層蒸着工程においては、画素開口部の中心と、マスク開口部５１の中心と、蒸着源開口部６１の中心とが、一直線上に配されるように、ＴＦＴ基板１０と、蒸着マスク５０と、蒸着源６０とを位置合わせする。
【０１２２】
ここで、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの幅（第１電極２１の露出部の幅）をＰとし、非表示領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂの幅（エッジカバー１５の幅）をＬｃとする。
【０１２３】
発光層蒸着工程において、発光層２３Ｒのうち画素開口部１６Ｇ・１６Ｂに形成される部分の膜厚が、発光層２３Ｒの平坦部における膜厚の１％以下となるための、画素開口部の幅Ｐと、非表示領域の幅Ｌｃとの大きさは、以下の範囲内であることが必要である。
【０１２４】
Ｐ＋２Ｌｃ≧Ｗｔ＋２Ｗｇ・・・式（１）
ここで、幅Ｗｇは、発光層のテーパ領域であって、その膜厚が１μｍ以上の領域の平面視における幅である。
【０１２５】
また、図８に示すように、発光層のテーパ領域であって、その膜厚が理論平坦部の２％以上の領域の平面視における幅をＷｂ’とすると、幅Ｗｇは、以下の式で表される。
【０１２６】
Ｗｇ＝Ｗｂ’＋Ｗｕ
このとき、底辺の幅がＷｂであり、発光層の実測テーパ部を斜辺とする三角形と、底辺の幅がＷｂ’であり、発光層の実測テーパ部の一部を斜辺とする三角形とは、互いに相似な三角形である。
【０１２７】
この２つの三角形の高さの比から、ＷｂとＷｂ’の比は、以下のように求められる。
【０１２８】
Ｗｂ：Ｗｂ’＝１：０．９８
すなわち、
Ｗｂ’＝０．９８Ｗｂ
となる。
【０１２９】
そのため、Ｗｇは、理論テーパ部の幅Ｗｂと、周縁領域Ｗｕとを用いて以下のように表される。
【０１３０】
Ｗｇ＝０．９８Ｗｂ＋Ｗｕ
よって、上記式（１）から、画素開口部の幅Ｐと、非表示領域の幅Ｌｃと、理論平坦部の幅Ｗｔと、理論テーパ部の幅Ｗｂとの関係は、以下の式を満たす必要があることがわかる。
【０１３１】
Ｐ＋２Ｌｃ≧Ｗｔ＋１．９６Ｗｂ＋２Ｗｕ・・・式（２）
また、上述したように、理論平坦部の幅Ｗｔおよび理論テーパ部の幅Ｗｂは、それぞれ、
Ｗｔ＝｛（Ｔｓ×Ｍ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝−Ｗｂ
Ｗｂ＝｛（Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝
であるから、式（２）は以下のように表すことができる。
【０１３２】
Ｐ＋２Ｌｃ≧｛（Ｔｓ×Ｍ＋０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋２Ｗｕ・・式（３）
ここで、画素開口部の幅Ｐと、非表示領域の幅Ｌｃと、マスク開口部５１の幅Ｍと、蒸着源６０とＴＦＴ基板１０との間の距離Ｔｓと、蒸着マスク５０とＴＦＴ基板１０との間の距離Ｇと、蒸着源開口部６１の幅Ｗｎとは、発光層蒸着工程における設計パラメータであり、蒸着条件を変更することにより制御可能である。一方で、周縁領域Ｗｕの幅は蒸着条件を変更することにより制御することは困難である。
【０１３３】
また、上述したように、周縁領域は、理論テーパ部よりも外側に広がって形成される。
【０１３４】
そこで、本実施形態の蒸着方法は、この周縁領域が形成されることを考慮して、蒸着装置７０およびＴＦＴ基板１０を設計することを特徴とする。
【０１３５】
具体的には、周縁領域が形成されることを考慮して、Ｐ、Ｌｃ、Ｍ、Ｔｓ、Ｇ、およびＷｎが、以下の式を満たすように、蒸着条件を決定する。
【０１３６】
Ｐ＋２Ｌｃ＝｛（Ｔｓ×Ｍ＋０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋２Ｄｍ・・式（４）  ここで、Ｄｍは、周縁領域が形成されることを考慮して確保された設計マージンであり、平面視における第１境界部から隣接画素の画素開口部までの最短距離である。
【０１３７】
そのため、
Ｄｍ≧Ｗｕ
を満たすことで、周縁領域の発光層が隣接画素の画素開口部にまで及ぶことがなく、混色による表示品位の低下を防止することができる。
【０１３８】
上述したように、周縁領域の幅Ｗｕは、
３μｍ≦Ｗｕ≦５μｍ
であるから、
３μｍ≦Ｄｍ・・・式（５）
であれば、周縁領域の発光層が隣接画素の画素開口部にまで及ぶことを抑制し、混色による表示品位の低下を抑制することができる。また、
５μｍ≦Ｄｍ・・・式（６）
であれば、より確実に周縁領域の発光層が隣接画素の画素開口部にまで及ぶことを抑制し、混色による表示品位の低下を抑制することができる。
【０１３９】
ここで、通常の発光層蒸着工程においては、蒸着装置７０のアライメント、蒸着マスク５０の寸法精度、ＴＦＴ基板１０の寸法精度を考慮して、蒸着条件に一定の蒸着マージンを設けておくことが好ましい。
【０１４０】
そこで、図８に示すように、蒸着マージンＷｍを考慮し、設計マージンＤｍを、
Ｄｍ≧Ｗｕ＋Ｗｍ
とすることが好ましい。
【０１４１】
すなわち、設計マージンＤｍを、
３μｍ＋Ｗｍ≦Ｄｍ・・・式（７）
または、
５μｍ＋Ｗｍ≦Ｄｍ・・・式（８）
とすることが好ましい。
【０１４２】
具体的には、蒸着マージンＷｍとして、５μｍ〜２０μｍを考慮し、設計マージンＤｍを設計することが好ましい。
【０１４３】
幅Ｐの画素開口部を備えるＴＦＴ基板に発光層を形成する発光層蒸着工程において、以上の式（４）、および、式（５）〜（８）の何れかの関係を満たすように、蒸着源６０、蒸着マスク５０、およびＴＦＴ基板１０の配置と、マスク開口部５１の幅Ｍおよび蒸着源開口部６１の幅Ｗｎを設計することで、混色による表示品位の低下を生じることなく、発光層２３Ｒを形成することができる。
【０１４４】
言い換えると、ＴＦＴ基板１０上に、幅Ｐの第１画素開口部と幅Ｌｃ非表示領域とが規定されている場合に、混色による表示品位の低下を生じることなく発光層２３Ｒを形成するための、マスク開口部の幅Ｍと、射出口の幅Ｗｎと、基板と蒸着マスクとの間の距離Ｇと、基板と蒸着源との間の距離Ｔｓと、を設定することができる。
【０１４５】
なお、通常の発光層蒸着工程においては、Ｔｓ＞＞Ｇであるため、
Ｗｔ＝Ｍ−Ｗｂ
Ｗｂ＝（Ｇ／Ｗｎ）×Ｔｓ
と、近似され、式（４）は、
Ｐ＋２Ｌｃ＝Ｍ＋｛（０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／Ｔｓ｝＋２Ｄｍ・・・（９）
と表すことができる。
【０１４６】
例えば、式（９）と式（５）とを満たすように蒸着条件を決定する場合を考える。式（９）を変形すると、
［Ｐ＋２Ｌｃ−Ｍ−｛（０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／Ｔｓ｝］／２＝Ｄｍ
であり、
上記式に式（５）を代入すると、
［Ｐ＋２Ｌｃ−Ｍ−｛（０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／Ｔｓ｝］／２≧３μｍ
となる。
【０１４７】
以上から、ＴＦＴ基板１０の設計値であるＰおよびＬｃから、上式を満たすように蒸着装置７０のパラメータ（Ｇ、Ｔｓ、Ｍ）を定めれば、蒸着などの試作実験を経ずとも、非常に短時間で混色を防止するプロセスを構築することができる。
【０１４８】
なお、蒸着マージンＷｍを考慮に入れる場合には、式（９）と式（７）とを満たすように蒸着条件を決定すればよい。すなわち、
［Ｐ＋２Ｌｃ−Ｍ−｛（０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／Ｔｓ｝−Ｗｍ］／２≧３μｍ
となる。
【０１４９】
（２）自サブ画素における発光特性
サブ画素２Ｒにおける発光特性を均一とするための、蒸着装置７０および画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの設計について説明する。
【０１５０】
サブ画素２Ｒにおける発光特性を均一とするためには、画素開口部１６Ｒが発光層２３Ｒの理論平坦部により覆われることが好ましい。画素開口部１６Ｒが発光層２３Ｒの理論平坦部により覆われるように発光層２３Ｒを形成するための、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの幅Ｐは、以下のように表される。
【０１５１】
Ｐ≦Ｗｔ
すなわち、
Ｐ≦｛（Ｔｓ×Ｍ）−（Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝・・・式（１０）
表示装置の開口率を高めるためには、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの幅Ｐは大きいことが好ましい。そのため、
Ｐ＝｛（Ｔｓ×Ｍ）−（Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝・・・式（１１）
であることがより好ましい。
【０１５２】
幅Ｐの画素開口部を備えるＴＦＴ基板に発光層を形成する発光層蒸着工程において、以上の式（１１）を満たすように、蒸着源６０、蒸着マスク５０、およびＴＦＴ基板１０の配置と、マスク開口部５１の幅Ｍおよび蒸着源開口部６１の幅Ｗｎを設計することで、開口率を最大としつつ、サブ画素２Ｒにおいて均一な発光特性を得ることができるように、発光層２３Ｒを形成することができる。
【０１５３】
＜発光層の他の例＞
図９は、発光層蒸着工程によりＴＦＴ基板上に発光層を形成したときの、本実施形態のＴＦＴ基板および発光層の他の例の断面図である。図９は、図２のＡ−Ａ矢視断面図に相当する。
【０１５４】
上述したように、発光層蒸着工程においては蒸着マージンＷｍが存在し、発光層２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂの形状にはバラつきが生じる。
【０１５５】
また、上述したように、発光層２３Ｒの膜厚を実測したところ、実測平坦部と実測テーパ部との境界部分は、なだらかなＲ形状を有しており、平面視において、実測平坦部の幅Ｗｒｔは理論平坦部の幅Ｗｔよりも狭く、実測平坦部は理論平坦部の内側にある。
【０１５６】
そこで、発光層蒸着工程における上記バラつきと、実測平坦部の領域を考慮して、画素開口部１６Ｒが発光層の実測平坦部により覆われるように、発光層２４Ｒを形成するために、図９中に幅Ｗｍで示すマージンを発光層の設計に含めてもよい。
【０１５７】
すなわち、図９に示すように、理論平坦部のうち、外側から幅Ｗｍの部分は、平面視において非表示領域に重なるように形成されることが好ましい。
【０１５８】
これにより、平面視において、画素開口部１６Ｒと発光層２３Ｒの実測平坦部とが重なるように発光層２４Ｒを形成することができ、画素開口部１６Ｒにおける発光層２４Ｒの膜厚をより均一にすることができる。
【０１５９】
＜蒸着設計＞
図９に示すような、他の例の発光層２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂを形成するための、蒸着装置７０および画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの設計について説明する。
【０１６０】
画素開口部１６Ｒが発光層２４Ｒの実測平坦部により覆われるように発光層２４Ｒを形成するための、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの幅Ｐは、以下のように表される。
【０１６１】
Ｐ≦Ｗｔ−２Ｗｍ・・・式（１２）
すなわち、
Ｐ≦｛（Ｔｓ×Ｍ）−（Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝−２Ｗｍ・・・式（１３）
好ましくは、
Ｐ＝｛（Ｔｓ×Ｍ）−（Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝−２Ｗｍ・・・式（１４）
である。
【０１６２】
幅Ｐの画素開口部を備えるＴＦＴ基板に発光層を形成する発光層蒸着工程において、以上の式（１４）を満たすように、蒸着源６０、蒸着マスク５０、およびＴＦＴ基板１０の配置と、マスク開口部５１の幅Ｍおよび蒸着源開口部６１の幅Ｗｎを設計することで、開口率を最大としつつ、サブ画素２Ｒにおいてより均一な発光特性を得ることができるように、発光層２３Ｒを形成することができる。
【０１６３】
なお、式（１）において、蒸着マージンＷｍを考慮すると、
Ｐ＋２Ｌｃ≧Ｗｔ＋２Ｗｇ＋２Ｗｍ・・・式（１５）
となる。画素開口率をより大きくするために、好ましくは、式（１２）および式（１５）は、それぞれ、
Ｐ＝Ｗｔ−２Ｗｍ・・・式（１６）
Ｐ＋２Ｌｃ＝Ｗｔ＋２Ｗｇ＋２Ｗｍ・・・式（１７）
と表される。
【０１６４】
上記式（１６）と式（１７）とから、Ｗｍを消去すると、
Ｐ＋Ｌｃ＝Ｗｔ＋Ｗｇ
となる。すなわち、
Ｐ＋Ｌｃ＝Ｗｔ＋０．９８Ｗｂ＋Ｗｕ・・・式（１８）
となる。ここで、
Ｗｔ＝｛（Ｔｓ×Ｍ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝−Ｗｂ
Ｗｂ＝｛（Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝
より、式（１８）は、
Ｐ＋Ｌｃ＝｛（Ｔｓ×Ｍ−０．０２×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋Ｗｕ・・・式（１９）
と表される。
【０１６５】
そのため、周縁領域が形成されることを考慮して、Ｐ、Ｌｃ、Ｍ、Ｔｓ、Ｇ、およびＷｎが、以下の式（２０）を満たすように、蒸着条件を決定してもよい。
【０１６６】
Ｐ＋２Ｌｃ＝｛（Ｔｓ×Ｍ−０．０２×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋Ｄｍ・・式（２０）
〔実施形態２〕
本発明の他の実施形態について、図１０に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１６７】
＜発光層＞
図１０は、発光層蒸着工程によりＴＦＴ基板上に発光層を形成したときの、本実施形態のＴＦＴ基板および発光層の断面図である。図１０は、図２のＡ−Ａ矢視断面図に相当する。
【０１６８】
サブ画素２Ｒ・２Ｇ・２Ｂの画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂのそれぞれに、同等の膜厚を有する発光層２５Ｒ・２５Ｇ・２５Ｂを形成する場合において、本実施形態の有機ＥＬ表示装置の発光層２５Ｒ・２５Ｇ・２５Ｂの膜厚は、以下のように制御される。
【０１６９】
すなわち、平面視において、発光層２４Ｒの実測線形テーパ部と実測曲線テーパ部との境界部である第１境界部（図示せず）と、サブ画素２Ｒに隣接するサブ画素２Ｇの画素開口部１６Ｇとの間の最短距離は、３μｍ〜５μｍまたは３μｍ＋Ｗｍ〜５μｍ＋Ｗｍである。
【０１７０】
そのため、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１と同様に、発光層２４Ｒのうち画素開口部１６Ｇに形成される部分は、周縁領域の外側であり、その膜厚は、平坦部における発光層２４Ｇの膜厚の１％以下であるため、画素開口部１６Ｇの発光特性に影響を与えることなく、画素開口部１６Ｇからは正常に緑色の光が発光される。
【０１７１】
さらに、実施形態１の有機ＥＬ表示装置１とは異なり、理論平坦部の膜厚を１００％とした場合に発光層２４Ｒの膜厚が１％である位置と、サブ画素２Ｒに隣接するサブ画素２Ｇの画素開口部１６Ｇの端部とが平面視において重なっている。そのため、ＴＦＴ基板１０の面積に占める非表示領域１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂの割合を小さくすることができ、有機ＥＬ表示装置の開口率を向上させることができる。
【０１７２】
＜蒸着設計＞
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部である発光層蒸着工程において、上記の発光層２５Ｒを形成するための蒸着装置７０および画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの設計について説明する。
【０１７３】
本実施形態の発光層形成工程においては、画素開口部の幅Ｐと、非表示領域の幅Ｌｃと、マスク開口部５１の幅Ｍと、蒸着源６０とＴＦＴ基板１０との間の距離Ｔｓと、蒸着マスク５０とＴＦＴ基板１０との間の距離Ｇと、蒸着源開口部６１の幅Ｗｎと、設計マージンＤｍの関係を示す式（４）において、
３μｍ≦Ｄｍ≦５μｍ・・・式（２１）
を満たすように、蒸着条件を決定する。
【０１７４】
このように、蒸着条件を設計し、発光層蒸着工程を実施することで、混色による表示品位の低下を生じることなく、発光層２５Ｒを形成することができる。
【０１７５】
ここで、通常の発光層蒸着工程においては、上述したように蒸着条件に一定の蒸着マージンを設けておくことが好ましい。
【０１７６】
そこで、蒸着マージンＷｍを考慮し、設計マージンＤｍを、
３μｍ＋Ｗｍ≦Ｄｍ≦５μｍ＋Ｗｍ・・・式（２２）
と設計することが好ましい。
【０１７７】
〔実施形態３〕
本発明の他の実施形態について、図１１に基づいて説明すれば、以下のとおりである。なお、説明の便宜上、前記実施形態にて説明した部材と同じ機能を有する部材については、同じ符号を付記し、その説明を省略する。
【０１７８】
＜発光層＞
図１１は、発光層蒸着工程によりＴＦＴ基板上に発光層を形成したときの、本実施形態のＴＦＴ基板および発光層の断面図である。図１１は、図２のＡ−Ａ矢視断面図に相当する。
【０１７９】
実施形態１〜２の有機ＥＬ表示装置においては、ＴＦＴ基板１０の画素開口部１６Ｒが発光層の理論平坦部または実測平坦部により覆われるように、発光層が形成されていた。
【０１８０】
これに対して、本実施形態の有機ＥＬ表示装置においては、ＴＦＴ基板１０の画素開口部１６Ｒは、発光層２６Ｒの理論平坦部の膜厚を１００％とすると、９０％以上の膜厚を有する部分により覆われている。言い換えると、発光層２６Ｒの理論平坦部の膜厚を１とすると、画素開口部１６Ｒの端部における発光層２６Ｒの膜厚は、９／１０以上１未満である。
【０１８１】
画素開口部における発光層の膜厚の最大値を１００％としたときに、多くの場合、画素開口部に形成された発光層の膜厚が９０％以上であれば、サブ画素における発光特性にほとんど差がない場合が多い。
【０１８２】
そこで、本実施形態の有機ＥＬ表示装置は、画素開口部１６Ｒが、発光層２６Ｒの膜厚が９０％以上の領域で覆われるように、発光層２６Ｒが形成されている。
【０１８３】
図１１に示すように、発光層２６Ｒの膜厚が９０％以上である領域の幅Ｗｔ’は、以下の式で表され、理論平坦部の幅Ｗｔよりも大きい。
【０１８４】
Ｗｔ’＝Ｗｔ＋２×０．１×Ｗｂ
そのため、画素開口部１６Ｒの幅を、Ｗｔ’まで広げることで、ＴＦＴ基板１０上に占める画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの割合を大きくし、開口率をさらに大きくすることができる。
【０１８５】
＜蒸着設計＞
本実施形態の有機ＥＬ表示装置の製造工程の一部である発光層蒸着工程において、上記の発光層２６Ｒを形成するための蒸着装置７０および画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの設計について説明する。
【０１８６】
画素開口部１６Ｒが発光層２６Ｒの、膜厚の９０％以上の部分により覆われるように発光層２Ｒを形成するための、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの幅Ｐは、以下のように表される。
【０１８７】
Ｐ≦Ｗｔ’・・・式（２３）
すなわち、
Ｐ≦Ｗｔ＋２×０．１×Ｗｂ＝｛（Ｔｓ×Ｍ）−（０．８×Ｇ×Ｗｎ）｝／（Ｔｓ−Ｇ）・・・式（２４）
また、表示装置の開口率を高めるためには、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂの幅Ｐは大きいことが好ましい。そこで、
Ｗｔ≦Ｐ≦Ｗｔ’・・・式（２３’）
すなわち、
｛（Ｔｓ×Ｍ）−（Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝≦Ｐ≦｛（Ｔｓ×Ｍ）−（０．８×Ｇ×Ｗｎ）｝／（Ｔｓ−Ｇ）・・・式（２４’）
上記式（２４’）を満足することで、実施形態１の発光層蒸着工程に比べて、画素開口部の幅Ｐを大きくすることができる。
【０１８８】
特には、
Ｐ＝｛（Ｔｓ×Ｍ）−（０．８×Ｇ×Ｗｎ）｝／（Ｔｓ−Ｇ）・・・式（２５）
であることが好ましい。
【０１８９】
これにより、画素開口部１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂが、発光層２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂの膜厚が９０％以上の領域で覆われるように、発光層２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂを形成することができる。
【０１９０】
幅Ｐの画素開口部を備えるＴＦＴ基板に発光層を形成する発光層蒸着工程において、以上の式（２５）を満たすように、蒸着源６０、蒸着マスク５０、およびＴＦＴ基板１０の配置と、マスク開口部５１の幅Ｍおよび蒸着源開口部６１の幅Ｗｎを設計することで、サブ画素２Ｒにおける均一な発光特性を確保しつつ、開口率を最大とするように、発光層２６Ｒを形成することができる。
【０１９１】
また、実施形態１の式（１２）と同様に、蒸着マージンＷｍを考慮する場合、式（２３）は、
Ｐ≦Ｗｔ’−２Ｗｍ・・・式（２６）
となるため、式（２５）は、
Ｐ＝｛（Ｔｓ×Ｍ）−（０．８×Ｇ×Ｗｎ）｝／（Ｔｓ−Ｇ）−２Ｗｍ・・・式（２７）
となる。
【０１９２】
〔まとめ〕
本発明の態様１に係る表示装置の製造方法は、基板（ＴＦＴ基板１０）を有しており、上記基板上に、光を発する領域である複数の画素開口部と、互いに隣り合う上記画素開口部の間の領域であり、光を発しない領域である非表示領域とが、規定されており、上記基板上に、上記各画素開口部に対応して、互いに異なる色の光を発する複数種の発光層が形成されている表示装置の製造方法であって、上記基板と、マスク開口部（５１）を有する蒸着マスク（５０）と、蒸着粒子を射出する射出口（蒸着源開口部６１）を有する蒸着源（６０）とをこの順に配置し、上記蒸着粒子を、上記マスク開口部を介して上記基板に蒸着させることで、上記基板上の上記画素開口部に対応する位置に上記発光層を形成する発光層蒸着工程を含んでおり、上記発光層蒸着工程において、上記画素開口部のうちの一つである第１画素開口部に対応して第１発光層を形成し、上記非表示領域を介して上記第１画素開口部に隣接する第２画素開口部に対応して、上記第１発光層が発する光の色とは異なる色の光を発する第２発光層を形成するように、上記基板に上記蒸着粒子を蒸着させるときに、上記マスク開口部の幅をＭとし、上記射出口の幅をＷｎとし、上記基板と上記蒸着マスクとの間の距離をＧとし、上記基板と上記蒸着源との間の距離をＴｓとし、上記第１画素開口部の幅をＰとし、上記非表示領域の幅をＬｃとすると、Ｐ＋２Ｌｃ≧｛（Ｔｓ×Ｍ＋０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋２Ｄｍと、３μｍ≦Ｄｍ≦５μｍと、を満足する。
【０１９３】
蒸着源と蒸着マスクの間に一定の間隔を有した状態で蒸着を行った場合、従来の方法では、ＴＦＴ基板上の第１画素開口部に形成される第１発光層は、平坦には形成されず、第１画素開口部の幅より広い範囲に及び、漸減的に広がるように形成される。その結果、第２画素開口部に及んで形成され、第２画素開口部において混色を生じる場合がある。
【０１９４】
これに対して、本発明の表示装置の製造方法は、発光層が漸減的に広がる領域における発光層の膜厚を考慮し、発光層蒸着工程を設計している。
【０１９５】
そのため、第１発光層が第２画素開口部において混色することによる表示品位の低下を防止することができる。
【０１９６】
本発明の態様２に係る表示装置の製造方法は、上記態様１において、上記発光層蒸着工程における蒸着マージンをＷｍとすると、Ｐ＋２Ｌｃ＝｛（Ｔｓ×Ｍ＋０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋２Ｄｍと、３μｍ＋Ｗｍ≦Ｄｍ≦５μｍ＋Ｗｍと、を満足してもよい。
【０１９７】
本発明の態様３に係る表示装置の製造方法は、上記態様１または２において、平面視において、上記画素開口部の中心と、上記マスク開口部の中心と、上記射出口の中心とが、一直線上に配されるように、上記基板と、上記蒸着マスクと、上記蒸着源とを位置合わせをし、上記第１画素開口部と上記第２画素開口部とが並ぶ方向において、Ｐ≦｛（Ｔｓ×Ｍ）−（Ｇ×Ｗｎ）｝／（Ｔｓ−Ｇ）を満足してもよい。
【０１９８】
上記の工程により、第１画素開口部に形成される第１発光層の膜厚を均一にすることができる。これにより、第１画素開口部における第１発光層の発光特性を均一にすることができる。
【０１９９】
本発明の態様４に係る表示装置の製造方法は、上記態様１または２において、平面視において、上記画素開口部の中心と、上記マスク開口部の中心と、上記射出口の中心とが、一直線上に配されるように、上記基板と、上記蒸着マスクと、上記蒸着源とを位置合わせをし、上記第１画素開口部と上記第２画素開口部とが並ぶ方向において、｛（Ｔｓ×Ｍ）−（Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝≦Ｐ≦｛（Ｔｓ×Ｍ）−（０．８×Ｇ×Ｗｎ）｝／（Ｔｓ−Ｇ）を満足してもよい。
【０２００】
上記の工程により、第１画素開口部に形成される第１発光層の膜厚は、最も膜厚が大きい部分の膜厚の９０％以上１００％以下となるように、第１発光層を形成することができる。
【０２０１】
このように第１発光層を形成すれば、第１画素開口部における第１発光層の発光特性は、表示品位を過度に低下させるものとはならない。
【０２０２】
一方で、上記の工程により、表示品位を過度に低下させない範囲内において、第１画素開口部を最大とすることができる。これにより、表示装置の開口率を大きくすることができる。
【０２０３】
本発明の態様４に係る表示装置の製造方法は、上記態様２において、平面視において、上記画素開口部の中心と、上記マスク開口部の中心と、上記射出口の中心とが、一直線上に配されるように、上記基板と、上記蒸着マスクと、上記蒸着源とを位置合わせをし、上記第１画素開口部と上記第２画素開口部とが並ぶ方向において、Ｐ＝｛（Ｔｓ×Ｍ）−（０．８×Ｇ×Ｗｎ）｝／（Ｔｓ−Ｇ）−２Ｗｍを満足してもよい。
【０２０４】
本発明の態様６に係る表示装置の製造方法は、上記態様１〜５の何れかにおいて、上記第１画素開口部と上記第２画素開口部とが並ぶ方向において、幅がＰである上記第１画素開口部と、幅がＬｃである上記非表示領域とが、上記基板上に規定されており、上記発光層蒸着工程において、Ｐ＋２Ｌｃ≧｛（Ｔｓ×Ｍ＋０．９６×Ｇ×Ｗｎ）／（Ｔｓ−Ｇ）｝＋２Ｗｕ
と、３μｍ≦Ｗｕ≦５μｍと、を満足するように、上記マスク開口部の幅Ｍと、上記射出口の幅Ｗｎと、上記基板と上記蒸着マスクとの間の距離Ｇと、上記基板と上記蒸着源との間の距離Ｔｓと、を設定し、上記基板に上記蒸着粒子を蒸着させてもよい。
【０２０５】
上記の工程により、第１発光層が第２画素開口部において混色することによる表示品位の低下を防止するように、マスク開口部の幅Ｍと、射出口の幅Ｗｎと、基板と蒸着マスクとの間の距離Ｇと、基板と蒸着源との間の距離Ｔｓを設定し、基板に上記蒸着粒子を蒸着させることができる。
【産業上の利用可能性】
【０２０６】
本発明は、各サブ画素に発光層を備える有機ＥＬ表示装置に利用することができる。
【符号の説明】
【０２０７】
１  有機ＥＬ表示装置（表示装置）
１０  ＴＦＴ基板（基板）
１５Ｒ・１５Ｇ・１５Ｂ  非表示領域
１６Ｒ・１６Ｇ・１６Ｂ  画素開口部
２３Ｒ・２３Ｇ・２３Ｂ  発光層
２４Ｒ・２４Ｇ・２４Ｂ  発光層
２５Ｒ・２５Ｇ・２５Ｂ  発光層
２６Ｒ・２６Ｇ・２６Ｂ  発光層
５０  蒸着マスク
５１  マスク開口部
６０  蒸着源
６１  蒸着源開口部（射出口）
【図１】
2014154263.tif 000003
【図２】
2014154263.tif 000004
【図３】
2014154263.tif 000005
【図４】
2014154263.tif 000006
【図５】
2014154263.tif 000007
【図６】
2014154263.tif 000008
【図７】
2014154263.tif 000009
【図８】
2014154263.tif 000010
【図９】
2014154263.tif 000011
【図１０】
2014154263.tif 000012
【図１１】
2014154263.tif 000013
【図１２】
2014154263.tif 000014
【図１３】
2014154263.tif 000015
【図１４】
2014154263.tif 000016