(57)【要約】【課題】タンデム素子を有する発光装置のクロストーク現象の発生を抑制する。【解決手段】絶縁層４１６と、前記絶縁層上に形成された第１の下部電極４２１Ｂと、前記絶縁層上に形成された第２の下部電極４２１Ｇと、前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する隔壁４１８と、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニット４２３ａと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層４２４ａ，４２４ｂと、前記中間層上に形成された第２の発光ユニット４２３ｂと、前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極４２２と、を具備し、前記隔壁は、第１の凹み４１８ａを有する発光装置である。【選択図】図２
2014123527.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、
前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、
前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する隔壁と、
前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニットと、
前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、
前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、
を具備し、
前記隔壁は、第１の凹みを有することを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の凹みによって形成された斜面上に位置する前記中間層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記中間層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置。
【請求項３】
請求項１または２において、
前記絶縁層に形成された第２の凹みを具備し、
前記隔壁は、前記第２の凹み内及び前記絶縁層上に形成され、
前記第１の凹みは、前記第２の凹み上に位置することを特徴とする発光装置。
【請求項４】
請求項２において、
前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有し、
前記斜面上に位置する前記キャリア注入層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置。
【請求項５】
請求項２または４において、
ＥＬ層は前記第１の発光ユニット、前記中間層及び前記第２の発光ユニットを有し、
前記斜面上に位置する前記ＥＬ層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置。
【請求項６】
絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、
前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、
前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する隔壁と、
前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニットと、
前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、
前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、
前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、
を具備し、
前記隔壁は、谷部と、前記谷部に対して前記第１の下部電極側に位置する第１の山部と、前記谷部に対して前記第２の下部電極側に位置する第２の山部を有し、
前記第１の山部の頂点と前記谷部の間に位置する第１の斜面、及び前記第２の山部の頂点と前記谷部の間に位置する第２の斜面それぞれの上に位置する前記中間層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記中間層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記絶縁層に形成された溝を具備し、
前記隔壁は、前記溝内及び前記絶縁層上に形成され、
前記谷部は、前記溝の底部上に位置することを特徴とする発光装置。
【請求項８】
請求項６または７において、
前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有し、
前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれの上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置。
【請求項９】
請求項６乃至８のいずれか一項において、
ＥＬ層は前記第１の発光ユニット、前記中間層及び前記第２の発光ユニットを有し、
前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれの上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一項において、
前記隔壁上に位置する前記上部電極と近接または接するカラーフィルタを有し、
前記カラーフィルタは、前記第１の下部電極と重なる第１の色と、前記第２の下部電極と重なる第２の色を有することを特徴とする発光装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一項において、
前記隔壁は着色されていることを特徴とする発光装置。
【請求項１２】
絶縁層上に第１の下部電極および第２の下部電極を形成し、
前記絶縁層上に、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する隔壁を形成し、
前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に第１の発光ユニットを形成し、
前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、
前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、
前記第２の発光ユニット上に上部電極を形成し、
前記隔壁は、第１の凹みを有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１３】
第１の配線及び第２の配線の上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を加工することにより、前記第１の配線上に位置する第１の接続孔、前記第２の配線上に位置する第２の接続孔、及び第２の凹みを前記絶縁層に形成し、
前記第２の凹みの一方側に位置する第１の下部電極を前記第１の接続孔内及び前記絶縁層上に形成するとともに、前記第２の凹みの他方側に位置する第２の下部電極を前記第２の接続孔内及び前記絶縁層上に形成し、
前記第２の凹み内及び前記絶縁層上に隔壁を形成し、
前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に第１の発光ユニットを形成し、
前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、
前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、
前記第２の発光ユニット上に上部電極を形成し、
前記隔壁は、前記第２の凹み上に位置する第１の凹みを有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２または１３において、
前記第１の凹みによって形成された斜面上に位置する前記中間層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記中間層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有し、
前記斜面上に位置する前記キャリア注入層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１４または１５において、
ＥＬ層は前記第１の発光ユニット、前記中間層及び前記第２の発光ユニットを有し、
前記斜面上に位置する前記ＥＬ層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１７】
第１の配線及び第２の配線の上に絶縁層を形成し、
前記絶縁層を加工することにより、前記第１の配線上に位置する第１の接続孔、前記第２の配線上に位置する第２の接続孔、及び溝を前記絶縁層に形成し、
前記溝の一方側に位置する第１の下部電極を前記第１の接続孔内及び前記絶縁層上に形成するとともに、前記溝の他方側に位置する第２の下部電極を前記第２の接続孔内及び前記絶縁層上に形成し、
前記溝内及び前記絶縁層上に隔壁を形成し、
前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に第１の発光ユニットを形成し、
前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、
前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、
前記第２の発光ユニット上に上部電極を形成し、
前記隔壁は、前記溝の底部上に位置する谷部と、前記谷部に対して前記第１の下部電極側に位置する第１の山部と、前記谷部に対して前記第２の下部電極側に位置する第２の山部を有し、
前記第１の山部の頂点と前記谷部の間に位置する第１の斜面、及び前記第２の山部の頂点と前記谷部の間に位置する第２の斜面それぞれの上に位置する前記中間層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記中間層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７において、
前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有し、
前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれの上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１７または１８において、
ＥＬ層は前記第１の発光ユニット、前記中間層及び前記第２の発光ユニットを有し、
前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれの上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項１２乃至１９のいずれか一項において、
前記上部電極を形成した後に、前記隔壁上に位置する前記上部電極と近接または接するカラーフィルタを配置し、
前記カラーフィルタは、前記第１の下部電極と重なる第１の色と、前記第２の下部電極と重なる第２の色を有することを特徴とする発光装置の製造方法。
【請求項２１】
請求項１２乃至２０のいずれか一項において、
前記隔壁は着色されていることを特徴とする発光装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子を有する発光装置及びその製造方法に関する。特に、タンデム素子を有する発光装置及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイの商品化が加速している。屋外での使用にも耐えられるよう、ディスプレイに求められる輝度は年々増加している。
一方、有機ＥＬ素子の発光輝度は電流に比例して大きくなることが知られており、高い輝度で発光させることが可能である。
【０００３】
しかし、大きな電流を流すと有機ＥＬ素子の劣化を早めてしまう。このため、少ない電流で高い輝度を得ることができれば、発光素子の寿命を延ばすことが可能である。そこで、少ない電流で高い輝度が得られる発光素子として、複数の発光ユニットが積層されたタンデム素子が提案されている（例えば特許文献１参照）。
【０００４】
なお、本明細書において、発光ユニットとは、両端から注入された電子と正孔が再結合する領域を１つ有する層または積層体をいう。
【０００５】
タンデム素子は、発光ユニットが一つの発光素子の半分の密度の電流を流すことによって、同等の発光を得ることができ、例えば電極間に一の構成の発光ユニットをｎ個積層する構成とすれば、電流密度を上昇させることなくｎ倍の輝度を実現できる。
【０００６】
隣接してタンデム素子が設けられた発光パネルにおいては、クロストーク現象の発生という課題がある。クロストーク現象とは、隣接するタンデム素子に一の導電性の高い層が設けられている場合、当該導電性の高い層を介して隣接するタンデム素子に電流がリークして発光してしまう現象である。
【０００７】
タンデム素子では、導電性の高い中間層を介して複数の層を積層しており、構造上導電性の高い層と導電性の低い層とを有する。また、タンデム素子では、駆動電圧の上昇を抑制するために有機化合物と金属酸化物との混合層や導電性高分子等の導電性の高いキャリア注入層を用いることが多い。また、タンデム素子はシングル素子と比較して陽極と陰極極間の電気抵抗が高く、導電性の高い層を経由して隣接画素へ電流が広がりやすい。
【０００８】
図７（Ａ）は、導電性の高い中間層８６によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図である。白色を呈する光を発するタンデム素子が３本のストライプ状に設けられた発光パネル（白色パネル）において、第２のタンデム素子のみ駆動させた様子を示す断面図である。
【０００９】
発光パネルは、互いに隣接して配置された第１〜第３のタンデム素子を有している。第１のタンデム素子は、上部電極８１と第１の下部電極８２との間に配置されている。第２のタンデム素子は、上部電極８１と第２の下部電極８３との間に配置されている。第３のタンデム素子は、上部電極８１と第３の下部電極８４との間に配置されている。
【００１０】
第１〜第３のタンデム素子それぞれは、第１の発光ユニット８５、中間層８６及び第２の発光ユニット８７が順に積層されている。例えば、第１の発光ユニット８５は青色を呈する光を発する発光層を有し、第２の発光ユニット８７は緑色を呈する光を発する発光層及び赤色を呈する光を発する発光層を有する構成とすれば、白色を呈する発光を得ることができる。
【００１１】
透光性を有する上部電極を用いる場合、上部電極上に対向ガラス基板８８を配置することができ、反射性を有する電極を下部電極に用いることができる。対向ガラス基板８８は図示されていない青色カラーフィルタ、赤色カラーフィルタ及び緑色カラーフィルタを有している。赤色カラーフィルタは第１の下部電極８２に重ねられ、青色カラーフィルタは第２の下部電極８３に重ねられ、緑色カラーフィルタは第３の下部電極８４に重ねられている。
【００１２】
上記の発光パネルにおいて第２の下部電極８３と上部電極８１に電圧を印加して青ライン（第２のタンデム素子）のみを駆動する際に、導電性の高い中間層８６を介して隣接する第１のタンデム素子または第３のタンデム素子に電流がリークし、赤ライン（第１のタンデム素子）または緑ライン（第３のタンデム素子）が発光してクロストーク現象が発生することがある。
【００１３】
図７（Ｂ）は、導電性の高いキャリア注入層（正孔注入層または電子注入層）８９によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図であり、発光パネル（白色パネル）において青ライン（第２のタンデム素子）のみ駆動させた様子を示す図である。
【００１４】
第１〜第３のタンデム素子それぞれは、導電性の高いキャリア注入層８９を含む第１の発光ユニット８５と、中間層８６と、第２の発光ユニット８７と、が順に積層されている。キャリア注入層８９としては例えば有機化合物と金属酸化物との混合材料や導電性高分子等を用いた導電性の高い層が挙げられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１５】
【特許文献１】特開２００８−２３４８８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１６】
本発明の一態様は、タンデム素子を有する発光装置のクロストーク現象の発生を抑制することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本発明の一態様は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する隔壁と、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、を具備し、前記隔壁は、第１の凹みを有することを特徴とする発光装置である。
また、本発明の一態様において、前記第１の凹みによって形成された斜面上に位置する前記中間層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記中間層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
【００１８】
また、本発明の一態様において、前記絶縁層に形成された第２の凹みを具備し、前記隔壁は、前記第２の凹み内及び前記絶縁層上に形成され、前記第１の凹みは、前記第２の凹み上に位置するとよい。
【００１９】
また、本発明の一態様において、前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有し、前記斜面上に位置する前記キャリア注入層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
また、本発明の一態様において、ＥＬ層は前記第１の発光ユニット、前記中間層及び前記第２の発光ユニットを有し、前記斜面上に位置する前記ＥＬ層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
【００２０】
本発明の一態様は、絶縁層と、前記絶縁層上に形成された第１の下部電極と、前記絶縁層上に形成された第２の下部電極と、前記絶縁層上に形成され、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する隔壁と、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に形成された第１の発光ユニットと、前記第１の発光ユニット上に形成された中間層と、前記中間層上に形成された第２の発光ユニットと、前記第２の発光ユニット上に形成された上部電極と、を具備し、前記隔壁は、谷部と、前記谷部に対して前記第１の下部電極側に位置する第１の山部と、前記谷部に対して前記第２の下部電極側に位置する第２の山部を有し、前記第１の山部の頂点と前記谷部の間に位置する第１の斜面、及び前記第２の山部の頂点と前記谷部の間に位置する第２の斜面それぞれの上に位置する前記中間層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記中間層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置である。
【００２１】
また、本発明の一態様において、前記絶縁層に形成された溝を具備し、前記隔壁は、前記溝内及び前記絶縁層上に形成され、前記谷部は、前記溝の底部上に位置するとよい。
【００２２】
また、本発明の一態様において、前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有し、前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれの上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
また、本発明の一態様において、ＥＬ層は前記第１の発光ユニット、前記中間層及び前記第２の発光ユニットを有し、前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれの上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
【００２３】
また、本発明の一態様において、前記隔壁上に位置する前記上部電極と近接または接するカラーフィルタを有し、前記カラーフィルタは、前記第１の下部電極と重なる第１の色と、前記第２の下部電極と重なる第２の色を有するとよい。
【００２４】
また、本発明の一態様において、前記隔壁は着色されているとよい。
【００２５】
本発明の一態様は、絶縁層上に第１の下部電極および第２の下部電極を形成し、前記絶縁層上に、前記第１の下部電極と前記第２の下部電極の間に位置する隔壁を形成し、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に第１の発光ユニットを形成し、前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、前記第２の発光ユニット上に上部電極を形成し、前記隔壁は、第１の凹みを有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
本発明の一態様は、第１の配線及び第２の配線の上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を加工することにより、前記第１の配線上に位置する第１の接続孔、前記第２の配線上に位置する第２の接続孔、及び第２の凹みを前記絶縁層に形成し、前記第２の凹みの一方側に位置する第１の下部電極を前記第１の接続孔内及び前記絶縁層上に形成するとともに、前記第２の凹みの他方側に位置する第２の下部電極を前記第２の接続孔内及び前記絶縁層上に形成し、前記第２の凹み内及び前記絶縁層上に隔壁を形成し、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に第１の発光ユニットを形成し、前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、前記第２の発光ユニット上に上部電極を形成し、前記隔壁は、前記第２の凹み上に位置する第１の凹みを有することを特徴とする発光装置の製造方法である。
また、本発明の一態様において、前記第１の凹みによって形成された斜面上に位置する前記中間層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記中間層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
【００２６】
また、本発明の一態様において、前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有し、前記斜面上に位置する前記キャリア注入層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
また、本発明の一態様において、ＥＬ層は前記第１の発光ユニット、前記中間層及び前記第２の発光ユニットを有し、前記斜面上に位置する前記ＥＬ層の前記斜面に垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
【００２７】
本発明の一態様は、第１の配線及び第２の配線の上に絶縁層を形成し、前記絶縁層を加工することにより、前記第１の配線上に位置する第１の接続孔、前記第２の配線上に位置する第２の接続孔、及び溝を前記絶縁層に形成し、前記溝の一方側に位置する第１の下部電極を前記第１の接続孔内及び前記絶縁層上に形成するとともに、前記溝の他方側に位置する第２の下部電極を前記第２の接続孔内及び前記絶縁層上に形成し、前記溝内及び前記絶縁層上に隔壁を形成し、前記第１の下部電極、前記隔壁及び前記第２の下部電極の上に第１の発光ユニットを形成し、前記第１の発光ユニット上に中間層を形成し、前記中間層上に第２の発光ユニットを形成し、前記第２の発光ユニット上に上部電極を形成し、前記隔壁は、前記溝の底部上に位置する谷部と、前記谷部に対して前記第１の下部電極側に位置する第１の山部と、前記谷部に対して前記第２の下部電極側に位置する第２の山部を有し、前記第１の山部の頂点と前記谷部の間に位置する第１の斜面、及び前記第２の山部の頂点と前記谷部の間に位置する第２の斜面それぞれの上に位置する前記中間層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記中間層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いことを特徴とする発光装置の製造方法である。
【００２８】
また、本発明の一態様において、前記第１の発光ユニットはキャリア注入層を有し、前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれの上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記キャリア注入層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
また、本発明の一態様において、ＥＬ層は前記第１の発光ユニット、前記中間層及び前記第２の発光ユニットを有し、前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれの上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の斜面及び前記第２の斜面それぞれに垂直な方向についての厚さは、前記第１の下部電極上に位置する前記ＥＬ層の前記第１の下部電極に垂直な方向についての厚さより薄いとよい。
【００２９】
また、本発明の一態様において、前記上部電極を形成した後に、前記隔壁上に位置する前記上部電極と近接または接するカラーフィルタを配置し、前記カラーフィルタは、前記第１の下部電極と重なる第１の色と、前記第２の下部電極と重なる第２の色を有するとよい。
【００３０】
また、本発明の一態様において、前記隔壁は着色されているとよい。
【００３１】
なお、本明細書中における発光装置は、発光素子を画素（または副画素）に備える表示装置を含むものとする。また、発光パネルは、発光素子を備える画素が隣接して設けられる表示パネルを含むものとする。なお、発光モジュールは発光素子を含んで構成され、発光素子は発光層を含む発光ユニットを備える。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の一態様を適用することで、クロストーク現象の発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】（Ａ）は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図、（Ｂ）は（Ａ）の切断線Ａ−ＢおよびＣ−Ｄにおける断面を含む構造の側面図。
【図２】（Ａ）は画素の上面図、（Ｂ）は（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける断面を含む構造の側面図、（Ｃ）は（Ａ）の切断線Ｈ−Ｉおよび切断線Ｊ−Ｋにおける断面を含む画素の構造の側面図。
【図３】（Ａ）は本発明の一態様に係る表示装置の画素の上面図、（Ｂ）は隔壁４１８に第１の凹みを設ける方法の変形例を示す側面図。
【図４】（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の一態様に係る隔壁の製造方法を示す断面図。
【図５】図４（Ｇ）に示す部分Ｈを拡大した断面図。
【図６】（Ａ）は発光素子の構成の一例を示す図、本発明の一態様の発光素子の構成を説明するための図、（Ｂ）は発光ユニットの具体的な構成の一例を示す図、（Ｃ）は発光ユニットが複数積層されたタンデム型の発光素子の構成を示す図。
【図７】（Ａ）は導電性の高い中間層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図、（Ｂ）は導電性の高いキャリア注入層によってクロストーク現象が発生することを説明するための模式図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下では、本発明の実施の形態について図面を用いて詳細に説明する。ただし、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは、当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３５】
（実施の形態１）
＜表示パネルの構成＞
本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構成を図１に示す。図１（Ａ）は本発明の一態様の表示装置に用いることができる表示パネルの構造の上面図であり、図１（Ｂ）は図１（Ａ）の切断線Ａ−ＢおよびＣ−Ｄにおける断面を含む構造の側面図である。
【００３６】
本実施の形態で例示して説明する表示パネル４００は、第１の基板４１０上に表示部４０１を有し、表示部４０１には画素４０２が複数設けられている。また、画素４０２には複数（例えば３つ）の副画素が設けられている（図１（Ａ））。また、第１の基板４１０上には表示部４０１と共に当該表示部４０１を駆動するソース側の駆動回路部４０３ｓ、ゲート側の駆動回路部４０３ｇが設けられている。なお、駆動回路部を第１の基板４１０上ではなく外部に形成することもできる。
【００３７】
表示パネル４００は外部入力端子を備え、ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）４０９を介して、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、リセット信号等を受け取る。
【００３８】
シール材４０５は、第１の基板４１０と第２の基板４４０を貼り合わせ、その間に形成された空間４３１に表示部４０１が封止されている（図１（Ｂ）参照）。
【００３９】
表示パネル４００の断面を含む構造を図１（Ｂ）参照して説明する。表示パネル４００は、ソース側の駆動回路部４０３ｓと、画素４０２に含まれる副画素４０２Ｇと、引き回し配線４０８を備える。なお、本実施の形態で例示する表示パネル４００の表示部４０１は、図中に示す矢印の方向に光を射出して、画像を表示する。
【００４０】
ソース側の駆動回路部４０３ｓはｎチャネル型トランジスタ４１３と、ｐチャネル型トランジスタ４１４とを組み合わせたＣＭＯＳ回路を含む。なお、駆動回路はこの構成に限定されず、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路またはＮＭＯＳ回路で構成しても良い。
【００４１】
引き回し配線４０８は外部入力端子から入力される信号をソース側の駆動回路部４０３ｓおよびゲート側の駆動回路部４０３ｇに伝送する。
【００４２】
副画素４０２Ｇは、スイッチング用のトランジスタ４１１と電流制御用のトランジスタ４１２と発光モジュール４５０Ｇとを有する。なお、トランジスタ４１１等の上には、絶縁層４１６と隔壁４１８とが形成されている。発光モジュール４５０Ｇは、反射膜と半透過・半反射膜と、反射膜と半透過・半反射膜の間に発光素子４２０Ｇとを有し、発光素子４２０Ｇが発する光を射出する半反射膜の側にカラーフィルタ４４１Ｇが設けられている。本実施の形態で例示する発光モジュール４５０Ｇは、発光素子４２０Ｇの第２の下部電極４２１Ｇが反射膜を、上部電極４２２が半透過・半反射膜を兼ねる構成となっている。なお、表示部４０１が画像を表示する方向は、発光素子４２０Ｇが発する光が取り出される方向により決定される。
【００４３】
また、カラーフィルタ４４１Ｇを囲むように遮光性の膜４４２が形成されている。遮光性の膜４４２は表示パネル４００が外光を反射する現象を防ぐ膜であり、表示部４０１が表示する画像のコントラストを高める効果を奏する。なお、カラーフィルタ４４１Ｇと遮光性の膜４４２は、第２の基板４４０に形成されている。
【００４４】
絶縁層４１６は、トランジスタ４１１等の構造に由来して生じる段差を平坦化、または、トランジスタ４１１等への不純物の拡散を抑制するための、絶縁性の層であり、単一の層であっても複数の層の積層体であってもよい。隔壁４１８は開口部を有する絶縁性の層であり、発光素子４２０Ｇは隔壁４１８の開口部に形成される。
【００４５】
発光素子４２０Ｇは第２の下部電極４２１Ｇと、上部電極４２２と、発光性の有機化合物を含む層（以下「ＥＬ層」ともいう。）４２３を含む。
【００４６】
＜トランジスタの構成＞
図１に例示する表示パネル４００には、トップゲート型のトランジスタが適用されているがこれに限られず、ボトムゲート型のトランジスタも適用することができる。ソース側の駆動回路部４０３ｓ、ゲート側の駆動回路部４０３ｇ並びに副画素にはさまざまな構造のトランジスタを適用できる。また、これらのトランジスタのチャネルが形成される領域には、さまざまな半導体を用いることができる。具体的には、アモルファスシリコン、ポリシリコン、単結晶シリコンの他、酸化物半導体などを用いることができる。酸化物半導体の一例としては、少なくともインジウム（Ｉｎ）あるいは亜鉛（Ｚｎ）を含む酸化物半導体を挙げることができ、ＩｎとＺｎを含む酸化物半導体が好ましい。また、これらの酸化物半導体が、ガリウム（Ｇａ）またはスズ（Ｓｎ）から選ばれた一種または複数を含むと、特に好ましい。
【００４７】
トランジスタのチャネルが形成される領域に単結晶半導体を用いると、トランジスタサイズを微細化することが可能となるため、表示部において画素をさらに高精細化することができる。
【００４８】
半導体層を構成する単結晶半導体としては、単結晶シリコン基板などの半導体基板の他、絶縁表面上に単結晶半導体層が設けられたＳＯＩ（Ｓｉｌｉｃｏｎ  Ｏｎ  Ｉｎｓｕｌａｔｏｒ）基板を用いることができる。
【００４９】
＜画素の構成＞
表示部４０１に設けられた画素４０２の構成について、図２（Ｂ）を参照して説明する。図２（Ａ）は画素４０２の上面図であり、図２（Ｂ）は図２（Ａ）の切断線Ｅ−Ｆにおける断面を含む構造の側面図であり、図２（Ｃ）は図２（Ａ）の切断線Ｈ−Ｉおよび切断線Ｊ−Ｋにおける断面を含む画素の構造の側面図である。
【００５０】
本実施の形態で例示する画素４０２は副画素４０２Ｇを含み、副画素４０２Ｇは、反射膜を兼ねる第２の下部電極４２１Ｇ、半透過・半反射膜を兼ねる上部電極４２２、発光ユニット４２３ａと発光ユニット４２３ｂ、その間の中間層４２４を含むＥＬ層４２３を有する発光素子４２０Ｇを備える。中間層４２４の導電性は発光ユニット４２３ａより高い。また、副画素４０２Ｇは、発光素子４２０Ｇと重なるように上部電極４２２の側にカラーフィルタ４４１Ｇを含む（図２（Ｂ）参照）。
【００５１】
また、画素４０２は、青色を呈する光Ｂを射出する副画素４０２Ｂ、緑色を呈する光Ｇを射出する副画素４０２Ｇ、赤色を呈する光Ｒを射出する副画素４０２Ｒを有する。それぞれの副画素は、駆動用トランジスタと発光モジュール４５０Ｂ，４５０Ｇ，４５０Ｒとを備える。発光モジュールは、それぞれ反射膜と、半透過・半反射膜と、反射膜と半透過・半反射膜の間に位置する発光素子４２０Ｂ，４２０Ｇ，４２０Ｒを備える。
【００５２】
発光モジュールの構成としては、反射膜を兼ねる第２の下部電極４２１Ｇと半透過・半反射膜を兼ねる上部電極４２２の間に、発光ユニット４２３ａと発光ユニット４２３ｂ並びに中間層４２４を含むＥＬ層４２３を有する発光素子４２０Ｇを備える。
【００５３】
反射膜と半透過・半反射膜を重ねて微小共振器を構成し、その間に発光素子４２０Ｇを設けると、半透過・半反射膜から特定の波長の光を効率良く取り出せる。取り出す光が強め合うように微小共振器の光学距離を設けると、光を取り出す効率を高められる。取り出す光の波長は、反射膜と半透過・半反射膜の間の距離に依存し、その距離は、反射膜と半透過・半反射膜の間に光学調整層を形成して調整できる。
【００５４】
光学調整層に用いることができる材料としては、可視光に対して透光性を有する導電膜の他、発光性の有機化合物を含む層を適用できる。例えば、電荷発生領域の厚さを調整することにより、電荷発生領域が光学調整層を兼ねる構成としてもよい。または、正孔輸送性の高い物質と正孔輸送性の物質に対してアクセプター性の物質を含む領域の厚さを調整することにより、当該混合材料層が光学調整層を兼ねる構成としてもよく、この構成を用いると、光学調整層が厚い構成であっても駆動電圧の上昇を抑制できるため好ましい。
【００５５】
なお、発光素子の構成例については、実施の形態２で詳細に説明する。
【００５６】
本実施の形態で例示する発光モジュール４５０Ｂ，４５０Ｇ，４５０Ｒは、それぞれの発光モジュールに設けられた発光素子の上部電極４２２が、半透過・半反射膜を兼ねる構成となっている。詳細には、発光素子４２０Ｂと発光素子４２０Ｇと発光素子４２０Ｒとに共通して設けられた上部電極４２２が、発光モジュール４５０Ｂと発光モジュール４５０Ｇと発光モジュール４５０Ｒの半透過・半反射膜を兼ねる。
【００５７】
また、それぞれの発光モジュールには、発光素子の下部電極が電気的に独立して設けられており、下部電極は、発光モジュールの反射膜を兼ねる構成となっている。具体的には、発光素子４２０Ｂに設けられた第１の下部電極４２１Ｂが発光モジュール４５０Ｂの反射膜を、発光素子４２０Ｇに設けられた第２の下部電極４２１Ｇが発光モジュール４５０Ｇの反射膜を、発光素子４２０Ｒに設けられた第３の下部電極４２１Ｒが発光モジュール４５０Ｒの反射膜を兼ねる。
【００５８】
発光モジュール４５０Ｂ，４５０Ｇ，４５０Ｒそれぞれの反射膜を兼ねる第１〜第３の下部電極４２１Ｂ，４２１Ｇ，４２１Ｒは、反射膜上に光学調整層が積層された構成を有する。光学調整層は可視光に対する透光性を有する導電膜で形成され、反射膜は可視光に対する反射率が高く、導電性を有する金属膜が好ましい。
【００５９】
光学調整層の厚さは、発光モジュールから取り出す光の波長の長さに応じて調整する。以下に詳細に説明する。
【００６０】
例えば、発光モジュール４５０Ｂを、青色を呈する光を透過するカラーフィルタ４４１Ｂと、４００ｎｍ以上５００ｎｍ未満の波長の光を強め合うように光学距離を調整された反射膜を兼ねる第１の下部電極４２１Ｂと半透過・半反射膜を兼ねる上部電極４２２を備える構成とする。
【００６１】
また、発光モジュール４５０Ｇを、緑色を呈する光を透過するカラーフィルタと、５００ｎｍ以上６００ｎｍ未満の波長の光を強め合うように光学距離を調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える構成とする。
【００６２】
また、発光モジュール４５０Ｒを、赤色を呈する光を透過するカラーフィルタと、６００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長の光を強め合うように光学距離を調整された反射膜と半透過・半反射膜を備える構成とする。
【００６３】
このような構成の発光モジュールは、反射膜と半透過・半反射膜の間で発光素子が発する光が干渉し合い、４００ｎｍ以上８００ｎｍ未満の波長を有する光のうち特定の光が強め合い、さらにカラーフィルタが不要な光を吸収する。
【００６４】
なお、発光モジュール４５０Ｂ、発光モジュール４５０Ｇおよび発光モジュール４５０Ｒは、いずれも発光ユニット４２３ａと発光ユニット４２３ｂ並びに中間層４２４を有するＥＬ層４２３を含む。また、発光素子４２０Ｂ,４２０Ｇ,４２０Ｒそれぞれの一対の電極（第１の下部電極４２１Ｂ，第２の下部電極４２１Ｇ，第３の下部電極４２１Ｒと上部電極４２２）の一方が反射膜を兼ね、他方が半透過・半反射膜を兼ねている。
【００６５】
このような構成の発光モジュールは、発光ユニットを同一の工程で形成できる。
【００６６】
＜隔壁の構成＞
図２（Ｃ）の左図は、図２（Ａ）の切断線Ｈ−Ｉにおける断面を含む構造の側面図である。図２（Ｃ）の右図は、図２（Ａ）の切断線Ｊ−Ｋにおける断面を含む構造の側面図である。
【００６７】
図２（Ａ）に示すように、隔壁４１８は、画素４０２の周囲及び副画素４０２Ｂ,４０２Ｇ,４０２Ｒの周囲に形成されている（図２（Ａ）参照）。隔壁４１８は第１の下部電極４２１Ｂ、第２の下部電極４２１Ｇおよび第３の下部電極４２１Ｒの端部を覆って形成されている（図２（Ｂ）参照）。隔壁４１８の材料としては、ポジ型やネガ型の感光性樹脂を用いることができる。
【００６８】
また、隔壁４１８は、第１の凹み４１８ａを有し、第１の凹み４１８ａによって形成された第１及び第２の斜面４１８ｂ，４１８ｃを有する。第１の凹み４１８ａには曲率を有する曲面が形成されているとよい。図２（Ａ）に示す発光パネルにおける隔壁４１８の第１の凹み４１８ａは、発光色が異なる副画素４０２Ｂ,４０２Ｇ,４０２Ｒの間に設けられ、発光色が同じ副画素の間には設けられていない。ただし、図２（Ａ）に示す隔壁４１８の第１の凹み４１８ａの配置に限定されることはなく、図３（Ａ）に示す発光パネルのように、隔壁４１８の第１の凹み４１８ａを、発光色が異なる副画素４０２Ｂ,４０２Ｇ,４０２Ｒの間だけでなく、発光色が同じ副画素の間にも設けてもよい。即ち、副画素の間のすべてに隔壁４１８の第１の凹み４１８ａを設けてもよい。
【００６９】
隔壁４１８をさらに詳細に説明すると、隔壁４１８は、谷部４１８ｄと、谷部４１８ｄに対して第１の下部電極４２１Ｂ側に位置する第１の山部４１８ｅと、谷部４１８ｄに対して第２の下部電極４２１Ｇ側に位置する第２の山部４１８ｆを有する（図２（Ｃ）参照）。
【００７０】
隔壁４１８の第１の凹み４１８ａの形成方法の一例は、隔壁４１８の下地となる層、例えば絶縁層４１６に第２の凹みとしての溝４１６ａを設け、溝４１６ａに重ねて隔壁４１８を形成する方法がある（図２（Ｃ）参照）。絶縁層４１６に形成する溝４１６ａは、第２の下部電極４２１Ｇとトランジスタを接続するための開口部（図示せず）と同一の工程で形成すると、工程を簡略化することができる。絶縁層４１６下に配線４１５を設け、絶縁層４１６をエッチングする際のエッチングストッパーとして配線４１５を用いて、溝４１６ａを形成してもよい。
【００７１】
また、隔壁４１８の第１の凹み４１８ａは２つ以上あってもよい。つまり、谷部が２つ以上あり、山部が３つ以上あってもよい。この場合の形成方法の一例は、例えば絶縁層４１６に第２の凹みとしての溝４１６ａを２つ以上設け、２つ以上の溝４１６ａに重ねて隔壁４１８を形成する方法がある。
【００７２】
なお、隔壁４１８の第１の凹みの詳細な形成方法は後述する。
【００７３】
ＥＬ層４２３は、第２の下部電極４２１Ｇに垂直な方向についての厚さに比べて、隔壁４１８の第１及び第２の斜面（第２の凹みとしての溝４１６ａによって形成された斜面）４１８ｂ，４１８ｃに垂直な方向についての厚さが薄くなる。このため、ＥＬ層４２３に含まれる導電性の高い層（例えばキャリア注入層４２３ａ１等）の厚さについても同様に、第２の下部電極４２１Ｇに垂直な方向についての厚さに比べて、隔壁４１８の第１及び第２の斜面４１８ｂ，４１８ｃに垂直な方向についての厚さが薄くなる（図２（Ｃ））。これにより、隔壁４１８の斜面に重なる部分の導電性の高い層は電気抵抗が高くなり導電性が損なわれ、その結果、中間層に流れる電流が抑制され、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制することができる。
【００７４】
また、第２の下部電極４２１Ｇに垂直な方向についての中間層４２４ａの厚さに比べて、隔壁４１８の第１及び第２の斜面４１８ｂ，４１８ｃに垂直な方向についての中間層４２４ｂの厚さが薄くなる。これにより、隔壁４１８の斜面に重なる部分の中間層４２４ｂは電気抵抗が高くなり導電性が損なわれ、その結果、中間層に流れる電流が抑制され、隣の発光色が異なる画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制することができる。
【００７５】
また、隔壁４１８の第１及び第２の斜面４１８ｂ，４１８ｃ上に位置する中間層４２４ｂを含むＥＬ層４２３及び上部電極４２２それぞれは、段切れしてもよいが、上部電極４２２は段切れしないことが好ましい。上部電極４２２を段切れさせないと、隣接する画素において、上部電極４２２の電位が等しくなり、上部電極４２２が面状に等電位、好ましくは上部電極４２２の全体が等電位となり、電圧降下を抑制できる等の効果がある。
【００７６】
また、隔壁４１８に第１の凹み４１８ａを設けることにより、一方の副画素から他方の副画素に流れる電流の経路が長くなる。つまり、第１の凹み４１８ａ上の中間層４２４ｂの長さが第１の凹みのない隔壁上の中間層に比べて長くなる。このため、第１の凹み４１８ａ上の中間層４２４ｂの電気抵抗を高くすることができる。これにより、中間層に流れる電流が抑制され、画素間、または副画素間でのクロストーク現象を抑制できる。
つまり、隔壁の高さを高くすることなく、中間層４２４ｂを流れる電流の経路を長くすることで、電気的なクロストークを防止できる。
【００７７】
また、カラーフィルタ４４１Ｇを隔壁４１８上に位置する上部電極４２２に近接または接するように配置することにより、カラーフィルタ４４１Ｇを発光素子４２０Ｇに近接して設けることができる。このため、副画素に対して斜め方向から観察した時に生じる光学的なクロストーク（光漏れともいうことができる）を防止できる。
【００７８】
詳細には、カラーフィルタ４４１Ｇと発光素子４２０Ｇの距離が離れていると、発光させる発光素子４２０Ｇに隣接するカラーフィルタ４４１Ｂ，４４１Ｒに光が混じる現象が起こり、色純度が低下する。これに対し、高テーパの部分を備える２つ以上の山部４１８ｅ，４１８ｆを隔壁４１８に形成することで、谷がなく山が１つの隔壁に比べて、隔壁４１８の高さを低くすることができる。このため、高さを低くした隔壁４１８上に位置する上部電極４２２に近接または接するカラーフィルタ４４１Ｇを、発光素子４２０Ｇに重ねて設けると、カラーフィルタ４４１Ｇと発光素子４２０Ｇの間の距離を、谷がなく山が１つの隔壁に比べて縮めることができ、パネルの色純度を向上させることができる。
【００７９】
また、２つの山部４１８ｅ，４１８ｆの間に谷部４１８ｄを形成すると、導波光が直進できなくなるため、一方の画素の光が隔壁４１８を通過して隣接する画素に到達することが困難になる。その結果、光学的なクロストークの発生を抑制できる。
【００８０】
また、隔壁４１８に第１の凹み４１８ａを設け、且つ隔壁４１８に可視光を吸収する材料を適用して隔壁４１８を着色されたものとすることで、隔壁内に入り込んだ発光素子の導波光を吸収することができる。従って、隣接する発光素子の一方から他方へ光が漏れる現象を抑制する効果を奏する。
【００８１】
また、第１の下部電極および第２の下部電極を含む下部電極として半透過・半反射膜を第１の基板４１０側に設けて、発光モジュールが発する光を第１の基板４１０側に取り出すことにより、画像を第１の基板４１０側に表示してもよい。
【００８２】
＜封止構造＞
本実施の形態で例示する表示パネル４００は、第１の基板４１０、第２の基板４４０、およびシール材４０５で囲まれた空間４３１に、発光素子を封止する構造を備える（図１参照）。
【００８３】
空間４３１は、不活性気体（窒素やアルゴン等）で充填される場合の他、樹脂で充填される場合もある。また、不純物（代表的には水および／または酸素）の吸着材（例えば、乾燥剤など）を空間４３１に導入しても良い。
【００８４】
シール材４０５および第２の基板４４０は、大気中の不純物（代表的には水および／または酸素）をできるだけ透過しない材料であることが望ましい。シール材４０５にはエポキシ系樹脂や、ガラスフリット等を用いることができる。
【００８５】
第２の基板４４０に用いることができる材料としては、ガラス基板や石英基板の他、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板や、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ  Ｐｌａｓｔｉｃｓ）等をその例に挙げることができる。
【００８６】
＜隔壁の製造方法＞
図４（Ａ）〜（Ｇ）は、本発明の一態様に係る隔壁の製造方法を示す断面図である。
まず、第１の基板４１０上に第１の配線４１５ｂ及び第２の配線４１５ｇを形成する（図４（Ａ）参照）。
【００８７】
次いで、第１の配線４１５ｂ、第２の配線４１５ｇ及び第１の基板の上に平坦化膜となる感光性の絶縁層４１６を形成する（図４（Ｂ）参照）。
【００８８】
次に、感光性の絶縁層４１６を露光及び現像することにより、第１の配線４１５ｂ及び第２の配線４１５ｇそれぞれの上に位置する第１の接続孔４１６ｂ及び第２接続孔４１６ｇと第２の凹みとしての溝４１６ａを絶縁層４１６に形成する（図４（Ｃ）参照）。こうすることで、第１の接続孔４１６ｂ及び第２接続孔４１６ｇとクロストーク対策の溝４１６ａを同時に作製することができる。なお、非感光性の絶縁層４１６を用いる場合は、第１の接続孔４１６ｂ及び第２接続孔４１６ｇと第２の凹みとしての溝４１６ａをエッチング法で形成する。このとき、第１の配線４１５ｂを第１の接続孔４１６ｂの位置に設け、第２の配線４１５ｇを第２接続孔４１６ｇの位置に設け、第１の配線４１５ｂと第２の配線４１５ｇの間の配線を溝４１６ａの位置に設けることでエッチングストッパーとして機能する。
【００８９】
なお、第１の接続孔４１６ｂ及び第２接続孔４１６ｇは第１の配線４１５ｂ及び第２の配線４１５ｇまで到達する必要があるが、溝４１６ａは必ずしも配線に到達しなくてもよい。配線に到達しない溝４１６ａを形成する場合は、第１の接続孔４１６ｂ及び第２接続孔４１６ｇを形成するためのフォトマスクおよび別のフォトマスクを用いて、二回に分けて露光するか、ハーフトーンマスクを用いることにより、作製できる。
【００９０】
次に、第１の接続孔４１６ｂ、第２接続孔４１６ｇ、溝４１６ａ及び絶縁層４１６の上に電極層を形成し、この電極層上にフォトレジスト膜（図示せず）を形成し、このフォトレジスト膜を露光及び現像することにより、電極層上にはレジストマスクが形成される。次いで、このレジストマスクをマスクとして電極層をエッチング加工することにより、第１の下部電極１１８ｂ、第２の下部電極１１８ｇ及び第３の下部電極１１８ｒを含む下部電極を形成する（図４（Ｄ）参照）。詳細には、溝４１６ａの一方側に位置する第１の下部電極１１８ｂを第１の接続孔４１６ｂ内及び絶縁層４１６上に形成するとともに、溝４１６ａの他方側に位置する第２の下部電極１１８ｇを第２の接続孔４１６ｇ内及び絶縁層４１６上に形成する。ただし、第１の下部電極１１８ｂおよび第２の下部電極１１８ｇは、溝４１６ａ内に形成されていない。
【００９１】
次に、溝４１６ａ内、第１の下部電極１１８ｂの端部上および第２の下部電極１１８ｇの端部上に隔壁４１８を形成する（図４（Ｅ）参照）。この隔壁４１８は、第２の凹みとしての溝４１６ａ上に位置する第１の凹みを有し、第１の凹みによって形成された第１及び第２の斜面を有する。別言すれば、隔壁４１８は、溝４１６ａの底部上に位置する谷部と、谷部に対して一方の第１の下部電極１１８ｂ側に位置する第１の山部と、谷部に対して他方の第２の下部電極１１８ｇ側に位置する第２の山部を有する。第１の山部の頂点と谷部の間には第１の斜面が形成され、第２の山部の頂点と谷部の間には第２の斜面が形成される。
【００９２】
具体的には、感光性の樹脂層を、第２の凹みとしての溝４１６ａが設けられた絶縁層４１６および第１の下部電極１１８ｂと第２の下部電極１１８ｇを含む下部電極上に形成する。その際、当該感光性の樹脂層は溝４１６ａの影響を受け、溝４１６ａ上に第１の凹みが形成される。次いで、当該感光性の樹脂層を、フォトマスクを用いて露光し、現像することにより、溝４１６ａ上に位置する第１の凹みを有する隔壁４１８を形成する。なお、第１の下部電極１１８ｂと第２の下部電極１１８ｇを含む下部電極と溝４１６ａの形状に沿って形成する層（後に隔壁となる層）は感光性の材料でなくてもよく、その場合は当該層上にフォトレジスト膜を積層し、フォトリソグラフィ法により当該層を島状にパターニングし、隔壁を形成してもよい。
【００９３】
隔壁４１８に第１の凹みを設ける方法の変形例として、隔壁４１８にプラズマを照射する方法がある。隔壁４１８にプラズマを照射すると、隔壁４１８の表面が粗くなり、複数の、幅が狭く、深さが浅い凹みを設けることができる。なお、複数の、幅が狭く、深さが浅い凹みを設ける構成は、溝が設けられた絶縁層４１６上に形成される上述の隔壁４１８に適用してもよいが、溝が設けられていない絶縁層上に形成する隔壁４１８に適用してもよい（図３（Ｂ）参照）
【００９４】
また、隔壁４１８に第１の凹みを設ける方法の他の変形例としては、多階調マスク（ハーフトーンマスクともいう）を用いる方法が挙げられる。溝が設けられていない絶縁層および第１の下部電極１１８ｂと第２の下部電極１１８ｇを含む下部電極上に隔壁となる層を形成し、当該層上にフォトレジスト膜を積層する。次いで、隔壁となる層を残す部分と残さない部分を、多階調マスクの透過率の高い部分と低い部分でフォトレジスト膜を露光および現像してレジストパターンを形成し、第１の凹みの部分を、多階調マスクの中間の透過率を有する部分でフォトレジスト膜を露光及び現像してレジストパターンを形成する。次いで、当該レジストパターンをマスクとして隔壁となる層をエッチング加工することで、第１の凹みを有する隔壁を形成する。なお、隔壁となる層にポジ型の感光性の樹脂層を用いる場合は、当該樹脂層を除去する部分に透過率の高い部分を備え、隔壁を形成する部分に透過率の低い部分を備え、第１の凹みを形成する部分に中間の透過率を有する部分を備える多階調マスクを用いるとよい。
【００９５】
次に、第１の下部電極１１８ｂ、第２の下部電極１１８ｇ及び隔壁４１８の上に蒸着法により発光ユニット４２３ａを形成し、この発光ユニット４２３ａ上に蒸着法により導電性の高い層である中間層４２４ａを形成する。次に、中間層４２４ａ上に蒸着法により発光ユニット４２３ｂを形成し、この発光ユニット４２３ｂ上に上部電極４２２を形成する。第１及び第２の斜面上に位置する中間層は、第１の下部電極１１８ｂおよび第２の下部電極１１８ｇ上に位置する中間層より厚さが薄い（図４（Ｆ）、図５参照）。
【００９６】
次に、隔壁４１８上に位置する上部電極４２２と近接または接するカラーフィルタ４４１Ｂ，４４１Ｇ，４４１Ｒを配置し、シール材（図示せず）によって発光素子を不活性気体または樹脂と共に第１の基板４１０と第２の基板４４０の間に封止する。カラーフィルタは、例えば、第２の基板４４０、第１の下部電極１１８ｂと重なる青色のカラーフィルタ４４１Ｂと、第２の下部電極１１８ｇと重なる緑色のカラーフィルタ４４１Ｇを有し、青色のカラーフィルタ４４１Ｂと緑色のカラーフィルタ４４１Ｇの間には遮光性の膜１０５が形成されている（図４（Ｇ）参照）。
【００９７】
（実施の形態２）
本発明の一態様の発光モジュールに用いることができる発光素子の構成について図６を参照しつつ説明する。
【００９８】
本実施の形態で例示する発光素子は、下部電極、上部電極及び下部電極と上部電極の間に発光性の有機化合物を含む層（以下「ＥＬ層」という。）を備える。下部電極または上部電極のいずれか一方は陽極、他方は陰極として機能する。ＥＬ層は下部電極と上部電極の間に設けられ、該ＥＬ層の構成は下部電極と上部電極の材質に合わせて適宜選択すればよい。
【００９９】
＜発光素子の構成例＞
発光素子の構成の一例を図６（Ａ）に示す。図６（Ａ）に例示する発光素子は、陽極１１０１と陰極１１０２の間に発光ユニット１１０３ａと発光ユニット１１０３ｂを含むＥＬ層が設けられている。さらに、発光ユニット１１０３ａと、発光ユニット１１０３ｂとの間には中間層１１０４が設けられている。
【０１００】
陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、ＥＬ層に陽極１１０１の側から正孔が注入され、陰極１１０２の側から電子が注入される。注入された電子と正孔はＥＬ層において再結合し、ＥＬ層に含まれる発光物質が発光する。
【０１０１】
陽極１１０１と陰極１１０２の間に設ける発光ユニットの数は２つに限定されない。図６（Ｃ）に例示する発光素子は、発光ユニット１１０３が複数積層された構造、所謂、タンデム型の発光素子の構成を備える。但し、例えば陽極と陰極の間にｎ（ｎは２以上の自然数）層の発光ユニット１１０３を設ける場合には、ｍ（ｍは自然数、１以上（ｎ−１）以下）番目の発光ユニットと、（ｍ＋１）番目の発光ユニットとの間に、それぞれ中間層１１０４を設ける構成とする。
【０１０２】
発光ユニット１１０３は、少なくとも発光物質を含む発光層を１つ以上備えていればよく、発光層以外の層と積層された構造であっても良い。発光層以外の層としては、例えば正孔注入性の高い物質、正孔輸送性の高い物質、正孔輸送性に乏しい（ブロッキングする）物質、電子輸送性の高い物質、電子注入性の高い物質、並びにバイポーラ性（電子及び正孔の輸送性の高い）の物質等を含む層が挙げられる。特に、陽極に接して設けられる正孔注入性の高い物質を含む層および陰極に接して設けられる電子注入性の高い物質を含む層は、電極から発光ユニットへのキャリアの注入に係る障壁を低減する。これらの層はキャリア注入層ということができる。
【０１０３】
発光ユニット１１０３の具体的な構成の一例を図６（Ｂ）に示す。図６（Ｂ）に示す発光ユニット１１０３は、正孔注入層１１１３、正孔輸送層１１１４、発光層１１１５、電子輸送層１１１６、並びに電子注入層１１１７が陽極１１０１側からこの順に積層されている。
【０１０４】
中間層１１０４の具体的な構成の一例を図６（Ａ）に示す。中間層１１０４は少なくとも電荷発生領域を含んで形成されていればよく、電荷発生領域以外の層と積層された構成であってもよい。例えば、第１の電荷発生領域１１０４ｃ、電子リレー層１１０４ｂ、及び電子注入バッファ層１１０４ａが陰極１１０２側から順次積層された構造を適用することができる。
【０１０５】
中間層１１０４における電子と正孔の挙動について説明する。陽極１１０１と陰極１１０２の間に、発光素子の閾値電圧より高い電圧を印加すると、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいて、正孔と電子が発生し、正孔は陰極１１０２側に設けられた発光ユニット１１０３ｂへ移動し、電子は電子リレー層１１０４ｂへ移動する。
【０１０６】
電子リレー層１１０４ｂは電子輸送性が高く、第１の電荷発生領域１１０４ｃで生じた電子を電子注入バッファ層１１０４ａに速やかに受け渡す。電子注入バッファ層１１０４ａは発光ユニット１１０３ａに電子を注入する障壁を緩和し、発光ユニット１１０３ａへの電子注入効率を高める。従って、第１の電荷発生領域１１０４ｃで発生した電子は、電子リレー層１１０４ｂと電子注入バッファ層１１０４ａを経て、発光ユニット１１０３ａの最低空軌道準位（以下、「ＬＵＭＯ準位」という。）に注入される。
【０１０７】
また、電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃを構成する物質と電子注入バッファ層１１０４ａを構成する物質が界面で反応し、互いの機能が損なわれてしまう等の相互作用を防ぐことができる。
【０１０８】
陰極側に設けられた発光ユニット１１０３ｂに注入された正孔は、陰極１１０２から注入された電子と再結合し、当該発光ユニット１１０３ｂに含まれる発光物質が発光する。また、陽極側に設けられた発光ユニット１１０３ａに注入された電子は、陽極側から注入された正孔と再結合し、当該発光ユニット１１０３ａに含まれる発光物質が発光する。よって、中間層１１０４において発生した正孔と電子は、それぞれ異なる発光ユニットにおいて発光に至る。
【０１０９】
なお、発光ユニット同士を接して設けることで、両者の間に中間層と同じ構成が形成される場合は、発光ユニット同士を接して設けることができる。具体的には、発光ユニットの一方の面に電荷発生領域が形成されていると、当該電荷発生領域は中間層の第１の電荷発生領域として機能するため、発光ユニット同士を接して設けることができる。
【０１１０】
なお、陰極とｎ番目の発光ユニットの間に中間層を設けることもできる。
【０１１１】
＜発光素子に用いることができる材料＞
次に、上述した構成を備える発光素子に用いることができる具体的な材料について、陽極、陰極、ＥＬ層、電荷発生領域、電子リレー層並びに電子注入バッファ層の順に説明する。
【０１１２】
＜陽極に用いることができる材料＞
陽極１１０１は、仕事関数の大きい（具体的には４．０ｅＶ以上が好ましい）金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることが好ましい。具体的には、例えば、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有したインジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム等が挙げられる。
【０１１３】
この他、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、または金属材料の窒化物（例えば、窒化チタン等）、モリブデン酸化物、バナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物、チタン酸化物等が挙げられる。
【０１１４】
但し、陽極１１０１と接して第２の電荷発生領域を設ける場合には、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができる。具体的には、仕事関数の大きい材料だけでなく、仕事関数の小さい材料を用いることもできる。第２の電荷発生領域を構成する材料については、第１の電荷発生領域と共に後述する。
【０１１５】
＜陰極に用いることができる材料＞
陰極１１０２は、仕事関数の小さい（具体的には４．０ｅＶ未満）材料が好ましいが、陰極１１０２に接して第１の電荷発生領域を、発光ユニット１１０３との間に設ける場合、陰極１１０２は仕事関数の大小に関わらず様々な導電性材料を用いることができる。
【０１１６】
なお、陰極１１０２および陽極１１０１のうち少なくとも一方を、可視光を透過する導電膜を用いて形成する。可視光を透過する導電膜としては、例えば酸化タングステンを含むインジウム酸化物、酸化タングステンを含むインジウム亜鉛酸化物、酸化チタンを含むインジウム酸化物、酸化チタンを含むインジウム錫酸化物、インジウム錫酸化物、インジウム亜鉛酸化物、酸化ケイ素を添加したインジウム錫酸化物などを挙げることができる。また、光を透過する程度（好ましくは、５ｎｍ以上３０ｎｍ以下程度）の金属薄膜を用いることもできる。
【０１１７】
＜ＥＬ層に用いることができる材料＞
上述した発光ユニット１１０３を構成する各層に用いることができる材料について、以下に具体例を示す。
【０１１８】
＜正孔注入層＞
正孔注入層は、正孔注入性の高い物質を含む層である。正孔注入性の高い物質としては、例えば、モリブデン酸化物やバナジウム酸化物、ルテニウム酸化物、タングステン酸化物、マンガン酸化物等を用いることができる。この他、フタロシアニン（略称：Ｈ２Ｐｃ）や銅フタロシアニン（略称：ＣｕＰｃ）等のフタロシアニン系の化合物、或いはポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリ（スチレンスルホン酸）（ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ）等の高分子等によっても正孔注入層を形成することができる。
【０１１９】
なお、正孔注入層の代わりに第２の電荷発生領域を用いてもよい。第２の電荷発生領域を用いると、仕事関数を考慮せずに様々な導電性材料を陽極１１０１に用いることができるのは前述の通りである。第２の電荷発生領域を構成する材料については第１の電荷発生領域と共に後述する。
【０１２０】
＜正孔輸送層＞
正孔輸送層は、正孔輸送性の高い物質を含む層である。正孔輸送層は、単層に限られず正孔輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子よりも正孔の輸送性の高い物質であればよく、特に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
【０１２１】
＜発光層＞
発光層は、発光物質を含む層である。発光層は、単層に限られず発光物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。発光物質は蛍光性化合物や、燐光性化合物を用いることができる。発光物質に燐光性化合物を用いると、発光素子の発光効率を高められるため好ましい。
【０１２２】
発光物質は、ホスト材料に分散させて用いるのが好ましい。ホスト材料としては、その励起エネルギーが、発光物質の励起エネルギーよりも大きなものが好ましい。
【０１２３】
＜電子輸送層＞
電子輸送層は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層は、単層に限られず電子輸送性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。正孔よりも電子の輸送性の高い物質であればよく、特に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質が、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
【０１２４】
＜電子注入層＞
電子注入層は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層は、単層に限られず電子注入性の高い物質を含む層を二層以上積層したものでもよい。電子注入層を設ける構成とすることで陰極１１０２からの電子の注入効率が高まり、発光素子の駆動電圧を低減できるため好ましい。
【０１２５】
電子注入性の高い物質としては、例えばリチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、カルシウム（Ｃａ）、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）等のアルカリ金属、アルカリ土類金属またはこれらの化合物が挙げられる。また電子輸送性を有する物質中にアルカリ金属又はアルカリ土類金属、マグネシウム（Ｍｇ）又はそれらの化合物を含有させたもの、例えばＡｌｑ中にマグネシウム（Ｍｇ）を含有させたもの等を用いることもできる。
【０１２６】
＜電荷発生領域に用いることができる材料＞
第１の電荷発生領域１１０４ｃ、及び第２の電荷発生領域は、正孔輸送性の高い物質と正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質を含む領域である。なお、電荷発生領域は、同一膜中に正孔輸送性の高い物質と正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質を含有する場合だけでなく、正孔輸送性の高い物質を含む層と正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質を含む層とが積層されていても良い。但し、陰極に接して設けられる第１の電荷発生領域が積層構造の場合には、正孔輸送性の高い物質を含む層が陰極１１０２と接する構造となる。陽極に接して設けられる第２の電荷発生領域が積層構造の場合には、正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質を含む層が陽極１１０１と接する構造となる。
【０１２７】
なお、電荷発生領域において、正孔輸送性の高い物質に対して質量比で、０．１以上４．０以下の比率で正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質を添加することが好ましい。
【０１２８】
電荷発生領域に用いる正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物、特に元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物が好ましい。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。なお、酸化モリブデンは、吸湿性が低いという特徴を有している。
【０１２９】
また、電荷発生領域に用いる正孔輸送性の高い物質としては、芳香族アミン化合物、カルバゾール誘導体、芳香族炭化水素、高分子化合物（オリゴマー、デンドリマー、ポリマーを含む）など、種々の有機化合物を用いることができる。具体的には、１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質であることが好ましい。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【０１３０】
＜電子リレー層に用いることができる材料＞
電子リレー層１１０４ｂは、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおいて正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質がひき抜いた電子を速やかに受け取ることができる層である。従って、電子リレー層１１０４ｂは、電子輸送性の高い物質を含む層であり、またそのＬＵＭＯ準位は、第１の電荷発生領域１１０４ｃにおける正孔輸送性の物質に対してアクセプター性物質のアクセプター準位と、発光ユニット１１０３のＬＵＭＯ準位との間に位置する。具体的には、およそ−５．０ｅＶ以上−３．０ｅＶ以下とするのが好ましい。
【０１３１】
電子リレー層１１０４ｂに用いる物質としては、例えば、ペリレン誘導体や、含窒素縮合芳香族化合物が挙げられる。なお、含窒素縮合芳香族化合物は、安定な化合物であるため電子リレー層１１０４ｂに用いる物質として好ましい。さらに、含窒素縮合芳香族化合物のうち、シアノ基やフッ素などの電子吸引基を有する化合物を用いることにより、電子リレー層１１０４ｂにおける電子の受け取りがさらに容易になるため、好ましい。
【０１３２】
＜電子注入バッファ層に用いることができる材料＞
電子注入バッファ層１１０４ａは、第１の電荷発生領域１１０４ｃから発光ユニット１１０３ａへの電子の注入を容易にする層である。電子注入バッファ層１１０４ａを第１の電荷発生領域１１０４ｃと発光ユニット１１０３ａの間に設けることにより、両者の注入障壁を緩和することができる。
【０１３３】
電子注入バッファ層１１０４ａには、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））等の電子注入性の高い物質を用いることが可能である。
【０１３４】
また、電子注入バッファ層１１０４ａが、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含んで形成される場合には、電子輸送性の高い物質に対して質量比で、０．００１以上０．１以下の比率でドナー性物質を添加することが好ましい。なお、ドナー性物質としては、アルカリ金属、アルカリ土類金属、希土類金属、およびこれらの化合物（アルカリ金属化合物（酸化リチウム等の酸化物、ハロゲン化物、炭酸リチウムや炭酸セシウム等の炭酸塩を含む）、アルカリ土類金属化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む）、または希土類金属の化合物（酸化物、ハロゲン化物、炭酸塩を含む））の他、テトラチアナフタセン（略称：ＴＴＮ）、ニッケロセン、デカメチルニッケロセン等の有機化合物を用いることもできる。なお、電子輸送性の高い物質としては、先に説明した発光ユニット１１０３の一部に形成することができる電子輸送層の材料と同様の材料を用いて形成することができる。
【０１３５】
＜発光素子の作製方法＞
発光素子の作製方法の一態様について説明する。下部電極上にこれらの層を適宜組み合わせてＥＬ層を形成する。ＥＬ層は、それに用いる材料に応じて種々の方法（例えば、乾式法や湿式法等）を用いることができ、例えば、真空蒸着法、インクジェット法またはスピンコート法などを選んで用いればよい。また、各層で異なる方法を用いて形成してもよい。ＥＬ層上に上部電極を形成し、発光素子を作製する。
【０１３６】
以上のような材料を組み合わせることにより、本実施の形態に示す発光素子を作製することができる。この発光素子からは、上述した発光物質からの発光が得られ、その発光色は発光物質の種類を変えることにより選択できる。
【０１３７】
また、発光色の異なる複数の発光物質を用いることにより、発光スペクトルの幅を拡げて、例えば白色発光を得ることもできる。白色発光を得る場合には、例えば、発光物質を含む層を少なくとも２つ備える構成とし、それぞれの層を互いに補色の関係にある色を呈する光を発するように構成すればよい。具体的な補色の関係としては、例えば青色と黄色、あるいは青緑色と赤色等が挙げられる。
【０１３８】
さらに、演色性の良い白色発光を得る場合には、発光スペクトルが可視光全域に拡がるものが好ましく、例えば、一つの発光素子が青色を呈する光を発する層、緑色を呈する光を発する層、赤色を呈する光を発する層を備える構成とすればよい。
【０１３９】
なお、本実施の形態は、本明細書で示す他の実施の形態と適宜組み合わせることができる。
【符号の説明】
【０１４０】
８１    上部電極
８２    第１の下部電極
８３    第２の下部電極
８４    第３の下部電極
８５    第１の発光ユニット
８６    中間層
８７    第２の発光ユニット
８８    対向ガラス基板
８９    キャリア注入層
１０５    遮光性の膜
１１８ｂ  第１の下部電極
１１８ｇ  第２の下部電極
４００    表示パネル
４０１    表示部
４０２    画素
４０２Ｂ  青色を呈する光を射出する副画素
４０２Ｇ  緑色を呈する光を射出する副画素
４０２Ｒ  赤を呈する光を射出する副画素
４０３ｇ  ゲート側の駆動回路部
４０３ｓ  ソース側の駆動回路部
４０５    シール材
４０８    引き回し配線
４０９    ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
４１０    第１の基板
４１１    スイッチング用のトランジスタ
４１２    電流制御用のトランジスタ
４１３    ｎチャネル型トランジスタ
４１４    ｐチャネル型トランジスタ
４１５    配線
４１６    絶縁層
４１６ａ  第２の凹みとしての溝
４１６ｂ  接続孔
４１６ｇ  接続孔
４１８    隔壁
４１８ａ  第１の凹み
４１８ｂ  第１の斜面
４１８ｃ  第２の斜面
４１８ｄ  谷部
４１８ｅ  第１の山部
４１８ｆ  第２の山部
４２０Ｂ  発光素子
４２０Ｇ  発光素子
４２０Ｒ  発光素子
４２１Ｂ  第１の下部電極
４２１Ｇ  第２の下部電極
４２１Ｒ  第３の下部電極
４２２    上部電極
４２３    発光性の有機化合物を含む層「ＥＬ層」
４２３ａ  発光ユニット
４２３ｂ  発光ユニット
４２４    中間層
４２４ａ  中間層
４２４ｂ  中間層
４３１    空間
４４０    第２の基板
４４１Ｂ  カラーフィルタ
４４１Ｇ  カラーフィルタ
４４１Ｒ  カラーフィルタ
４４２    遮光性の膜
４５０Ｂ    発光モジュール
４５０Ｇ    発光モジュール
４５０Ｒ    発光モジュール
１１０１    陽極
１１０２    陰極
１１０３    発光ユニット
１１０３ａ    発光ユニット
１１０３ｂ    発光ユニット
１１０４    中間層
１１０４ａ    電子注入バッファ層
１１０４ｂ    電子リレー層
１１０４ｃ    電荷発生領域
１１１３    正孔注入層
１１１４    正孔輸送層
１１１５    発光層
１１１６    電子輸送層
１１１７    電子注入層
【図１】
2014123527.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
2014123527.tif 000008
【図７】
2014123527.tif 000009