(57)【要約】【課題】挿入損失を低減しつつ、誘電体層の損傷を抑制できる高周波信号線路及びその製造方法を提供することである。【解決手段】誘電体素体１２は、誘電体シート１８ａ，１８ｂが積層されてなる。信号線２０は、誘電体層１８ａの裏面に形成されている。信号線２１は、誘電体層１８ｂの表面に形成されている。基準グランド導体２２は、信号線２０とｚ軸方向において対向している。誘電体層１８ａの裏面と誘電体層１８ｂの表面とは対向している。信号線２０と信号線２１とは、互いに対向し、かつ、互いに電気的に接続されている。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の主面及び第２の主面を有する第１の誘電体層及び第３の主面及び第４の主面を有する第２の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、
前記第１の誘電体層の前記第２の主面に形成されている線状の第１の信号線と、
前記第２の誘電体層の前記第３の主面に形成されている線状の第２の信号線と、
前記第１の信号線と積層方向において対向する第１のグランド導体と、
を備えており、
前記第２の主面と前記第３の主面とが対向しており、
前記第１の信号線と前記第２の信号線とは、互いに対向し、かつ、互いに電気的に接続されていること、
を特徴とする高周波信号線路。
【請求項２】
前記第２の誘電体層の前記第４の主面に設けられている第２のグランド導体を、
更に備えており、
前記第１のグランド導体は、前記第１の誘電体層の前記第１の主面に設けられていること、
を特徴とする請求項１に記載の高周波信号線路。
【請求項３】
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層とを接着する接着層を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項４】
前記接着層は、前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層よりも変形しやすいこと、
を特徴とする請求項３に記載の高周波信号線路。
【請求項５】
前記第１の誘電体層と前記第２の誘電体層との間において、前記第１の信号線及び前記第２の信号線が延在している延在方向及び積層方向に直交する幅方向における両端には、前記接着層が設けられていないこと、
を特徴とする請求項３又は請求項４のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項６】
前記第１の信号線の線幅は、前記第２の信号線の線幅よりも大きく、
前記第１の信号線は、前記第２の主面から前記第１の主面に向かう方向に突出するように湾曲していること、
を特徴とする請求項３ないし請求項５のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項７】
前記第１の信号線と前記第２の信号線とは接触していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項８】
前記第２のグランド導体には、前記第２の信号線に沿って並ぶ複数の開口が設けられていること、
を特徴とする請求項２ないし請求項７のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項９】
前記誘電体素体は可撓性を有していること、
を特徴とする請求項１ないし請求項８のいずれかに記載の高周波信号線路。
【請求項１０】
第１の主面及び第２の主面を有する第１の誘電体層の該第２の主面に線状の第１の信号線を形成する工程と、
第３の主面及び第４の主面を有する第２の誘電体層の該第３の主面に線状の第２の信号線を形成する工程と、
前記第２の主面と前記第３の主面とが対向すると共に、前記第１の信号線と前記第２の信号線とが対向するように前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層を積層する工程と、
を備えていること、
を特徴とする高周波信号線路の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の誘電体層の前記第１の主面に第１のグランド導体を形成する工程と、
前記第２の誘電体層の前記第４の主面に第２のグランド導体を形成する工程と、
を更に備えていること、
を特徴とする請求項１０に記載の高周波信号線路の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波信号線路及びその製造方法に関し、より特定的には、高周波信号の伝送に用いられる高周波信号線路及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来の高周波信号線路に関する発明としては、例えば、特許文献１に記載の信号線路が知られている。該信号線路は、積層体、信号線及び２つのグランド導体を備えている。積層体は、複数の絶縁シートが積層されて構成されている。信号線は、積層体内に設けられている。２つのグランド導体は、積層体内において積層方向から信号線を挟んでいる。これにより、信号線と２つのグランド導体とは、ストリップライン構造をなしている。
【０００３】
更に、グランド導体には、積層方向から平面視したときに、信号線と重なる複数の開口が設けられている。これにより、複数の開口が設けられている位置においては信号線とグランド導体との間に容量が形成されにくくなる。よって、信号線の特性インピーダンスを小さくしすぎることなく、信号線とグランド導体との積層方向における距離を小さくすることが可能となる。その結果、高周波信号線路の薄型化を図ることが可能となる。以上のような高周波信号線路は、２つの回路基板間の接続等に用いられる。
【０００４】
ところで、特許文献１に記載の信号線路では、挿入損失を低減しようとすると、製造時に絶縁シートが損傷するおそれがある。より詳細には、信号線路において挿入損失を低減するためには、信号線の厚みを大きくして、信号線の断面積を大きくすればよい。
【０００５】
しかしながら、信号線の厚みが大きくなれば、導体層を信号線に加工するためのエッチング工程に必要な時間も長くなる。エッチング工程は、導体層が全面に形成された絶縁シートがローラから送り出されて、エッチング液が導体層に吹き付けられることによって行われる。そして、エッチング工程の後には、絶縁シートの搬送が行われながら、絶縁シートの圧着工程が行われる。そのため、エッチング工程の処理速度が低下すると、エッチング工程後の圧着工程の処理速度もエッチング工程の処理速度に合わせて低下させなくてはならない。すなわち、信号線路の製造に要する時間が長くなってしまう。
【０００６】
そこで、エッチング工程の処理速度を向上させるために、より強い酸性を有するエッチング液を使用することが考えられる。ところが、より強い酸性を有するエッチング液では、絶縁シートが損傷してしまうおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】国際公開第２０１１／００７６６０号パンフレット
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
そこで、本発明の目的は、挿入損失を低減しつつ、誘電体層の損傷を抑制できる高周波信号線路及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の一形態に係る高周波信号線路は、第１の主面及び第２の主面を有する第１の誘電体層及び第３の主面及び第４の主面を有する第２の誘電体層が積層されてなる誘電体素体と、前記第１の誘電体層の前記第２の主面に形成されている線状の第１の信号線と、前記第２の誘電体層の前記第３の主面に形成されている線状の第２の信号線と、前記第１の信号線と積層方向において対向する第１のグランド導体と、を備えており、前記第２の主面と前記第３の主面とが対向しており、前記第１の信号線と前記第２の信号線とは、互いに対向し、かつ、互いに電気的に接続されていること、を特徴とする。
【００１０】
本発明の一形態に係る高周波信号線路の製造方法は、第１の主面及び第２の主面を有する第１の誘電体層の該第２の主面に線状の第１の信号線を形成する工程と、第３の主面及び第４の主面を有する第２の誘電体層の該第３の主面に線状の第２の信号線を形成する工程と、前記第２の主面と前記第３の主面とが対向すると共に、前記第１の信号線と前記第２の信号線とが対向するように前記第１の誘電体層及び前記第２の誘電体層を積層する工程と、を備えていること、を特徴とする。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、挿入損失を低減しつつ、誘電体層の損傷を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の外観斜視図である。
【図２】図１の高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図３】図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図４】高周波信号線路のコネクタの外観斜視図である。
【図５】高周波信号線路のコネクタの断面構造図である。
【図６】高周波信号線路が用いられた電子機器をｙ軸方向から平面視した図である。
【図７】高周波信号線路が用いられた電子機器をｚ軸方向から平面視した図である。
【図８】高周波信号線路の工程断面図である。
【図９】高周波信号線路の工程断面図である。
【図１０】高周波信号線路の工程断面図である。
【図１１】高周波信号線路の工程断面図である。
【図１２】第１の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１３】高周波信号線路のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図１４】高周波信号線路が分解された状態での断面構造図である。
【図１５】第２の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１６】高周波信号線路のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図１７】第３の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図１８】高周波信号線路のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図１９】第４の変形例に係る高周波信号線路の誘電体素体の分解図である。
【図２０】高周波信号線路のＡ−Ａにおける断面構造図である。
【図２１】湾曲していない信号線の断面構造図及び平面図、並びに、電流分布を示した図である。
【図２２】湾曲した信号線の断面構造図及び平面図、並びに、電流分布を示した図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施形態に係る高周波信号線路及びその製造方法について図面を参照しながら説明する。
【００１４】
（第１の実施形態）
（高周波信号線路の構成）
以下に、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る高周波信号線路１０の外観斜視図である。図２は、図１の高周波信号線路１０の誘電体素体１２の分解図である。図３は、図１のＡ−Ａにおける断面構造図である。以下では、高周波信号線路１０の積層方向をｚ軸方向と定義する。また、高周波信号線路１０の長手方向をｘ軸方向と定義し、ｘ軸方向及びｚ軸方向に直交する方向をｙ軸方向と定義する。
【００１５】
高周波信号線路１０は、例えば、携帯電話等の電子機器内において、２つの高周波回路を接続するために用いられるフラットケーブルである。高周波信号線路１０は、図１及び図２に示すように、誘電体素体１２、外部端子１６ａ〜１６ｄ、信号線２０，２１、基準グランド導体２２、補助グランド導体２４、スルーホール導体Ｔ１〜Ｔ４及びコネクタ１００ａ，１００ｂを備えている。
【００１６】
誘電体素体１２は、図１に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在する可撓性を有する板状部材であり、線路部１２ａ、接続部１２ｂ，１２ｃを含んでいる。誘電体素体１２は、図２に示すように、保護層１４、誘電体シート１８ａ、接着層１９、誘電体シート１８ｂ及び保護層１５がｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積層されて構成されている積層体である。以下では、誘電体素体１２のｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体素体１２のｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
【００１７】
線路部１２ａは、図１に示すように、ｘ軸方向に延在している。接続部１２ｂ，１２ｃはそれぞれ、線路部１２ａのｘ軸方向の負方向側の端部及びｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、矩形状をなしている。接続部１２ｂ，１２ｃのｙ軸方向の幅は、線路部１２ａのｙ軸方向の幅よりも大きい。
【００１８】
誘電体シート１８ａ，１８ｂは、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。誘電体シート１８ａ，１８ｂは、ポリイミドや液晶ポリマ等の可撓性を有する熱可塑性樹脂により構成されている。以下では、誘電体シート１８ａ，１８ｂのｚ軸方向の正方向側の主面を表面と称し、誘電体シート１８ａ，１８ｂのｚ軸方向の負方向側の主面を裏面と称す。
【００１９】
誘電体シート１８ａの厚さＤ１は、図３に示すように、誘電体シート１８ｂの厚さＤ２と略等しい。誘電体シート１８ａ，１８ｂの積層後において、厚さＤ１，Ｄ２は、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、厚さＤ１，Ｄ２は１００μｍである。
【００２０】
また、誘電体シート１８ａは、図２に示すように、線路部１８ａ−ａ及び接続部１８ａ−ｂ，１８ａ−ｃにより構成されている。誘電体シート１８ｂは、線路部１８ｂ−ａ及び接続部１８ｂ−ｂ，１８ｂ−ｃにより構成されている。線路部１８ａ−ａ，１８ｂ−ａは、線路部１２ａを構成している。接続部１８ａ−ｂ，１８ｂ−ｂは、接続部１２ｂを構成している。接続部１８ａ−ｃ，１８ｂ−ｃは、接続部１２ｃを構成している。
【００２１】
接着層１９は、図２に示すように、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、誘電体素体１２と同じ形状をなしている。ただし、接着層１９には、開口Ｏｐが設けられている。開口Ｏｐは、ｚ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向に延在しており、後述する信号線２０，２１と一致した状態で重なっている。接着層１９は、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとの間に設けられて、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとを接着している。これにより、誘電体シート１８ａの裏面と誘電体シート１８ｂの表面とが接着層１９を介して対向している。
【００２２】
また、接着層１９は、誘電体シート１８ａ，１８ｂよりも変形しやすい材料により作製されていることが好ましい。接着層１９の材料は、例えば、エポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂系接着剤や液晶ポリマやポリイミド等の熱可塑性樹脂系接着剤である。ただし、接着層１９は、誘電体シート１８ａ，１８ｂよりも低い軟化温度を有する材料によって作製されていてもよい。接着層１９の厚さＤ３は、後述する信号線２０の厚さ及び信号線２１の厚さの合計と略等しい。よって、誘電体シート１８ａ，１８ｂの積層後において、厚さＤ３は、例えば、２０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、厚さＤ３は５０μｍである。
【００２３】
信号線２０は、図２に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２に設けられている導体である。本実施形態では、信号線２０は、誘電体シート１８ａの裏面上に形成されており、ｘ軸方向に延在する直線状の導体である。信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの中央に位置している。信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの中央に位置している。信号線２０は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線２０が誘電体シート１８ａの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線２０が形成されていることや、誘電体シート１８ａの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線２０が形成されていることを指す。また、信号線２０の表面には平滑化が施されるので、信号線２０が誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは信号線２０が誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００２４】
信号線２１は、図２に示すように、高周波信号が伝送され、誘電体素体１２に設けられている導体である。本実施形態では、信号線２１は、誘電体シート１８ｂの表面上に形成されており、ｘ軸方向に延在する直線状の導体である。信号線２１のｘ軸方向の負方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｂの中央に位置している。信号線２１のｘ軸方向の正方向側の端部は、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｃの中央に位置している。信号線２１は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、信号線２１が誘電体シート１８ｂの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて信号線２１が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて信号線２１が形成されていることを指す。また、信号線２１の表面には平滑化が施されるので、信号線２１が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは信号線２１が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００２５】
ここで、信号線２０と信号線２１とは、図２及び図３に示すように、互いに対向していると共に、開口Ｏｐ内に位置している。本実施形態では、信号線２０と信号線２１とは、同じ形状を有しているので、ｚ軸方向から平面視したときに、一致した状態で重なっている。更に、信号線２０と信号線２１とは接触している。より詳細には、信号線２０が誘電体シート１８ａに接触していない面と信号線２１が誘電体シート１８ｂに接触していない面とが接触している。
【００２６】
基準グランド導体２２は、図２に示すように、信号線２０よりもｚ軸方向の正方向側に設けられているベタ状の導体層である。より詳細には、基準グランド導体２２は、誘電体シート１８ａの表面に形成され、ｚ軸方向において、誘電体シート１８ａを介して信号線２０と対向している。基準グランド導体２２には、信号線２０と重なる位置には開口が設けられていない。基準グランド導体２２は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて基準グランド導体２２が形成されていることを指す。また、基準グランド導体２２の表面には平滑化が施されるので、図３に示すように、基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００２７】
また、基準グランド導体２２は、図２に示すように、線路部２２ａ及び端子部２２ｂ，２２ｃにより構成されている。線路部２２ａは、線路部１８ａ−ａの表面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２２ｂは、線路部１８ａ−ｂの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｂは、線路部２２ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２２ｃは、接続部１８ａ−ｃの表面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２２ｃは、線路部２２ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
【００２８】
補助グランド導体２４は、図２に示すように、信号線２１よりもｚ軸方向の負方向側に設けられているベタ状の導体層である。より詳細には、補助グランド導体２４は、誘電体シート１８ｂの裏面に形成され、ｚ軸方向において、誘電体シート１８ｂを介して信号線２１と対向している。補助グランド導体２４には、信号線２１と重なる位置には開口が設けられていない。補助グランド導体２４は、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。ここで、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることや、誘電体シート１８ｂの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて補助グランド導体２４が形成されていることを指す。また、補助グランド導体２４の表面には平滑化が施されるので、図３に示すように、補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは補助グランド導体２４が誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００２９】
また、補助グランド導体２４は、図２に示すように、線路部２４ａ及び端子部２４ｂ，２４ｃにより構成されている。線路部２４ａは、線路部１８ｂ−ａの裏面に設けられ、ｘ軸方向に沿って延在している。端子部２４ｂは、線路部１８ｂ−ｂの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｂは、線路部２４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されている。端子部２４ｃは、接続部１８ｂ−ｃの裏面に設けられ、矩形状の環をなしている。端子部２４ｃは、線路部２４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されている。
【００３０】
外部端子１６ａは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｂの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ａは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。外部端子１６ｂは、図２に示すように、接続部１８ａ−ｃの表面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。外部端子１６ｃは、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｂの裏面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。外部端子１６ｄは、図２に示すように、接続部１８ｂ−ｃの裏面上の中央に形成されている矩形状の導体である。よって、外部端子１６ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０と重なっている。
【００３１】
外部端子１６ａ〜１６ｄは、銀や銅を主成分とする比抵抗の小さな金属材料により作製されている。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には、Ｎｉ／Ａｕめっきが施されている。ここで、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａの表面に形成されているとは、誘電体シート１８ａの表面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることや、誘電体シート１８ａの表面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ａ，１６ｂが形成されていることを指す。また、外部端子１６ａ，１６ｂの表面には平滑化が施されるので、外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接している面の表面粗さは外部端子１６ａ，１６ｂが誘電体シート１８ａに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。同様に、外部端子１６ｃ，１６ｄが誘電体シート１８ｂの裏面に形成されているとは、誘電体シート１８ｂの裏面にめっきにより形成された金属箔がパターニングされて外部端子１６ｃ，１６ｄが形成されていることや、誘電体シート１８ｂの裏面に張り付けられた金属箔がパターニングされて外部端子１６ｃ，１６ｄが形成されていることを指す。また、外部端子１６ｃ，１６ｄの裏面には平滑化が施されるので、外部端子１６ｃ，１６ｄが誘電体シート１８ｂに接している面の表面粗さは外部端子１６ｃ，１６ｄが誘電体シート１８ｂに接していない面の表面粗さよりも大きくなる。
【００３２】
外部端子１６ａ〜１６ｄ、信号線２０，２１、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、略等しい厚さを有している。外部端子１６ａ〜１６ｄ、信号線２０，２１、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の厚さは、例えば、１０μｍ〜２０μｍである。
【００３３】
以上のように、信号線２０，２１は、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４によってｚ軸方向の両側から挟まれている。すなわち、信号線２０，２１、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、トリプレート型のストリップライン構造をなしている。また、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図３に示すように誘電体シート１８ａの厚さＤ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔は、１００μｍである。また、信号線２１と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図３に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＤ２と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２１と補助グランド導体２４との間隔は、１００μｍである。
【００３４】
複数のスルーホール導体Ｔ１は、図２及び図３に示すように、信号線２０，２１よりもｙ軸方向の正方向側において誘電体シート１８ａ、接着層１９及び誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。スルーホール導体Ｔ１のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されている。スルーホール導体Ｔ１のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されている。これにより、スルーホール導体Ｔ１は、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。スルーホール導体Ｔ１は、誘電体シート１８ａ、接着層１９及び誘電体シート１８ｂを貫通するスルーホールの内周面にめっきによりニッケルまたは金等を主成分とする金属膜が形成されることによって形成されている。
【００３５】
複数のスルーホール導体Ｔ２は、図２及び図３に示すように、信号線２０，２１よりもｙ軸方向の負方向側において誘電体シート１８ａ、接着層１９及び誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、ｘ軸方向に一列に等間隔に並んでいる。スルーホール導体Ｔ２のｚ軸方向の正方向側の端部は、基準グランド導体２２に接続されている。スルーホール導体Ｔ２のｚ軸方向の負方向側の端部は、補助グランド導体２４に接続されている。これにより、スルーホール導体Ｔ２は、基準グランド導体２２と補助グランド導体２４とを接続している。スルーホール導体Ｔ２は、誘電体シート１８ａ、接着層１９及び誘電体シート１８ｂを貫通するスルーホールの内周面にめっきによりニッケルまたは金等を主成分とする金属膜が形成されることによって形成されている。
【００３６】
スルーホール導体Ｔ３は、図２に示すように、誘電体シート１８ａ、接着層１９及び誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ａと信号線２０のｘ軸方向の負方向側の端部と信号線２１のｘ軸方向の負方向側の端部と外部端子１６ｃとを接続している。スルーホール導体Ｔ４は、図２に示すように、誘電体シート１８ａ、接着層１９及び誘電体シート１８ｂをｚ軸方向に貫通しており、外部端子１６ｂと信号線２０のｘ軸方向の正方向側の端部と信号線２１のｘ軸方向の正方向側の端部と外部端子１６ｄとを接続している。これにより、信号線２０，２１は、外部端子１６ａ，１６ｂ間に接続されている。また、信号線２０と信号線２１とが電気的に接続されている。スルーホール導体Ｔ３，Ｔ４は、誘電体シート１８ａ、接着層１９及び誘電体シート１８ｂを貫通するスルーホールの内周面にめっきによりニッケルまたは金等を主成分とする金属膜が形成されることによって形成されている。
【００３７】
保護層１４は、誘電体シート１８ａの表面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１４は、基準グランド導体２２を覆っている。保護層１４は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。
【００３８】
また、保護層１４は、図２に示すように、線路部１４ａ及び接続部１４ｂ，１４ｃにより構成されている。線路部１４ａは、線路部１８ａ−ａの表面の全面を覆うことにより、線路部２２ａを覆っている。保護層１４の線路部１４ａには、ｘ軸方向に一列に等間隔に並ぶ開口Ｏ１が設けられている。開口Ｏ１は、ｚ軸方向から平面視したときに、スルーホール導体Ｔ１と重なっている。更に、保護層１４の線路部１４ａには、ｘ軸方向に一列に等間隔に並ぶ開口Ｏ２が設けられている。開口Ｏ２は、ｚ軸方向から平面視したときに、スルーホール導体Ｔ２と重なっている。
【００３９】
接続部１４ｂは、線路部１４ａのｘ軸方向の負方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｂの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｂには、開口Ｈａ〜Ｈｄが設けられている。開口Ｈａは、接続部１４ｂの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ａは、開口Ｈａを介して外部に露出している。また、開口Ｈｂは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｃは、開口Ｈａよりもｘ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｄは、開口Ｈａよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｂは、開口Ｈｂ〜Ｈｄを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
【００４０】
接続部１４ｃは、線路部１４ａのｘ軸方向の正方向側の端部に接続されており、接続部１８ａ−ｃの表面を覆っている。ただし、接続部１４ｃには、開口Ｈｅ〜Ｈｈが設けられている。開口Ｈｅは、接続部１４ｃの中央に設けられている矩形状の開口である。外部端子１６ｂは、開口Ｈｅを介して外部に露出している。また、開口Ｈｆは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｇは、開口Ｈｅよりもｘ軸方向の正方向側に設けられている矩形状の開口である。開口Ｈｈは、開口Ｈｅよりもｙ軸方向の負方向側に設けられている矩形状の開口である。端子部２２ｃは、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して外部に露出することにより、外部端子として機能する。
【００４１】
保護層１５は、誘電体シート１８ｂの裏面の略全面を覆っている絶縁膜である。これにより、保護層１５は、補助グランド導体２４を覆っている。保護層１５は、例えば、レジスト材等の可撓性樹脂からなる。保護層１５には、ｘ軸方向に一列に等間隔に並ぶ開口Ｏ３が設けられている。更に、保護層１５には、ｘ軸方向に一列に等間隔に並ぶ開口Ｏ４が設けられている。また、接続部１４ｂ，１４ｃには、それぞれ開口Ｏ５，Ｏ６が設けられている。開口Ｏ３は、ｚ軸方向から平面視したときに、スルーホール導体Ｔ１と重なっている。開口Ｏ４は、ｚ軸方向から平面視したときに、スルーホール導体Ｔ２と重なっている。開口Ｏ５は、ｚ軸方向から平面視したときに、スルーホール導体Ｔ３と重なっている。開口Ｏ６は、ｚ軸方向から平面視したときに、スルーホール導体Ｔ４と重なっている。
【００４２】
コネクタ１００ａ，１００ｂはそれぞれ、図１に示すように、接続部１２ｂ，１２ｃの表面上に実装される。コネクタ１００ａ，１００ｂの構成は同じであるので、以下にコネクタ１００ｂの構成を例に挙げて説明する。図４は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの外観斜視図である。図５は、高周波信号線路１０のコネクタ１００ｂの断面構造図である。
【００４３】
コネクタ１００ｂは、図１、図４及び図５に示すように、コネクタ本体１０２、外部端子１０４，１０６、中心導体１０８及び外部導体１１０により構成されている。コネクタ本体１０２は、矩形状の板部材に円筒部材が連結された形状をなしており、樹脂等の絶縁材料により作製されている。
【００４４】
外部端子１０４は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、外部端子１６ｂと対向する位置に設けられている。外部端子１０６は、コネクタ本体１０２の板部材のｚ軸方向の負方向側の面において、開口Ｈｆ〜Ｈｈを介して露出している端子部２２ｃに対応する位置に設けられている。
【００４５】
中心導体１０８は、コネクタ本体１０２の円筒部材の中心に設けられており、外部端子１０４と接続されている。中心導体１０８は、高周波信号が入力又は出力する信号端子である。外部導体１１０は、コネクタ本体１０２の円筒部材の内周面に設けられており、外部端子１０６と接続されている。外部導体１１０は、接地電位に保たれるグランド端子である。
【００４６】
以上のように構成されたコネクタ１００ｂは、図４及び図５に示すように、外部端子１０４が外部端子１６ｂと接続され、外部端子１０６が端子部２２ｃと接続されるように、接続部１２ｃの表面上に実装される。これにより、信号線２０は、中心導体１０８に電気的に接続されている。また、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４は、外部導体１１０に電気的に接続されている。
【００４７】
高周波信号線路１０は、以下に説明するように用いられる。図６は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｙ軸方向から平面視した図である。図７は、高周波信号線路１０が用いられた電子機器２００をｚ軸方向から平面視した図である。
【００４８】
電子機器２００は、高周波信号線路１０、回路基板２０２ａ，２０２ｂ、レセプタクル２０４ａ，２０４ｂ、バッテリーパック（金属体）２０６及び筐体２１０を備えている。
【００４９】
回路基板２０２ａには、例えば、アンテナを含む送信回路又は受信回路が設けられている。回路基板２０２ｂには、例えば、給電回路が設けられている。バッテリーパック２０６は、例えば、リチウムイオン２次電池であり、その表面が金属カバーにより覆われた構造を有している。回路基板２０２ａ、バッテリーパック２０６及び回路基板２０２ｂは、ｘ軸方向の負方向側から正方向側へとこの順に並んでいる。
【００５０】
レセプタクル２０４ａ，２０４ｂはそれぞれ、回路基板２０２ａ，２０２ｂのｚ軸方向の負方向側の主面上に設けられている。レセプタクル２０４ａ，２０４ｂにはそれぞれ、コネクタ１００ａ，１００ｂが接続される。これにより、コネクタ１００ａ，１００ｂの中心導体１０８には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を伝送される例えば２ＧＨzの周波数を有する高周波信号がレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して印加される。また、コネクタ１００ａ，１００ｂの外部導体１１０には、回路基板２０２ａ，２０２ｂ及びレセプタクル２０４ａ，２０４ｂを介して、グランド電位に保たれる。これにより、高周波信号線路１０は、回路基板２０２ａ，２０２ｂ間を接続している。
【００５１】
ここで、誘電体素体１２の表面（より正確には、保護層１４）は、バッテリーパック２０６に対して接触している。そして、誘電体素体１２とバッテリーパック２０６とは、接着剤等により固定されている。
【００５２】
（高周波信号線路の製造方法）
以下に、高周波信号線路１０の製造方法について図面を参照しながら説明する。図８ないし図１１は、高周波信号線路１０の工程断面図である。以下では、一つの高周波信号線路１０が作製される場合を例にとって説明するが、実際には、大判の誘電体シートが積層及びカットされることにより、同時に複数の高周波信号線路１０が作製される。
【００５３】
まず、両主面の全面に銅箔（金属膜）が形成された熱可塑性樹脂からなる誘電体シート１８ａ，１８ｂを準備する。具体的には、誘電体シート１８ａ，１８ｂの両主面に銅箔を張り付ける。また、更に、誘電体シート１８ａ，１８ｂの銅箔の表面に、例えば、防錆のための亜鉛鍍金を施して、平滑化する。誘電体シート１８ａ，１８ｂは、液晶ポリマである。また、銅箔の厚さは、１０μｍ〜２０μｍである。
【００５４】
次に、誘電体シート１８ａの表面上に形成された銅箔をパターニングすることにより、図２及び図８に示すように、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２を誘電体シート１８ａの表面上に形成し、信号線２０を誘電体シート１８ａの裏面上に形成する。具体的には、誘電体シート１８ａの表面の銅箔上に、図２に示す外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２と同じ形状のレジストを印刷し、誘電体シート１８ａの裏面の銅箔上に、図２に示す信号線２０と同じ形状のレジストを印刷する。そして、銅箔に対してエッチング処理を施すことにより、レジストにより覆われていない部分の銅箔を除去する。その後、レジスト液を吹き付けてレジストを除去する。これにより、図２及び図８に示すような、外部端子１６ａ，１６ｂ及び基準グランド導体２２が誘電体シート１８ａの表面上にフォトリソグラフィ工程により形成され、信号線２０が誘電体シート１８ａの裏面上にフォトリソグラフィ工程により形成される。
【００５５】
次に、図２及び図８に示すように、信号線２１を誘電体シート１８ｂの表面上に形成し、外部端子１６ｃ，１６ｄ及び補助グランド導体２４を誘電体シート１８ｂの裏面上に形成する。なお、外部端子１６ｃ，１６ｄ、信号線２１及び補助グランド導体２４の形成工程は、外部端子１６ａ，１６ｂ、信号線２０及び基準グランド導体２２の形成工程と同じであるので説明を省略する。
【００５６】
次に、図９に示すように、誘電体シート１８ａ、接着層１９及び誘電体シート１８ｂをｚ軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に積み重ねて誘電体素体１２を形成する。この際、誘電体シート１８ａの裏面と誘電体シート１８ｂの表面とが接着層１９を介して対向するとともに、信号線２０と信号線２１とが対向するように、誘電体シート１８ａ、接着層１９及び誘電体シート１８ｂを積層する。そして、誘電体シート１８ａ、接着層１９及び誘電体シート１８ｂに対してｚ軸方向の正方向側及び負方向側から熱及び圧力を加えることにより、接着層１９を軟化させて、誘電体シート１８ａ，１８ｂを接着する。なお、接着層１９が常温で粘着性を有するものである場合には、必ずしも熱を加えなくてもよい。
【００５７】
次に、図１０に示すように、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ａの表面上に基準グランド導体２２を覆う保護層１４を形成する。
【００５８】
次に、図１０に示すように、樹脂（レジスト）ペーストをスクリーン印刷により塗布することにより、誘電体シート１８ｂの裏面上に補助グランド導体２４を覆う保護層１５を形成する。
【００５９】
次に、図１１に示すように、誘電体素体１２のスルーホール導体Ｔ１〜Ｔ４が形成される位置にレーザービームを照射して、スルーホールを形成する。スルーホールは、パンチによって形成してもよい。
【００６０】
次に、図３に示すように、スルーホールの内周面にめっきにより金属膜を形成して、スルーホール導体Ｔ１〜Ｔ４を形成する。金属膜の材料は、例えば、ニッケルまたは金等である。
【００６１】
最後に、接続部１２ｂ，１２ｃ上の外部端子１６ａ，１６ｂ及び端子部２２ｂ，２２ｃ上にはんだを用いてコネクタ１００ａ，１００ｂを実装する。これにより、図１に示す高周波信号線路１０が得られる。
【００６２】
（効果）
以上のように構成された高周波信号線路１０及びその製造方法によれば、挿入損失を低減できる。より詳細には、高周波信号線路１０及びその製造方法では、信号線２０は誘電体シート１８ａの裏面に形成され、信号線２１は誘電体シート１８ｂの表面に形成されている。そして、信号線２０と信号線２１とは、互いに対向し、かつ、電気的に接続されている。これにより、信号線２０と信号線２１とは、１本の信号線を構成するようになる。よって、信号線２０及び信号線２１からなる信号線の厚みは、信号線２０の厚みと信号線２１の厚みとの合計となる。したがって、信号線２０及び信号線２１からなる信号線の断面積が大きくなり、高周波信号線路１０の挿入損失が低減される。
【００６３】
また、高周波信号線路１０及びその製造方法によれば、誘電体シート１８ａ，１８ｂの損傷を抑制できる。より詳細には、高周波信号線路１０の信号線は、信号線２０，２１により構成されている。そのため、信号線２０と信号線２１とを別の工程で形成することが可能となる。よって、信号線２０の厚さを有する導体層をエッチングにて加工することにより、信号線２０を形成することができ、信号線２１の厚さを有する導体層をエッチングにて加工することにより、信号線２１を形成することができる。そのため、信号線２０，２１からなる信号線の形成のために、信号線２０の厚さと信号線２１の厚さの合計の厚さを有する導体層をエッチングする必要がない。その結果、より強い酸性を有するエッチング液を用いる必要がない。以上より、信号線２０，２１からなる信号線の形成工程において、誘電体シート１８ａ，１８ｂに損傷が発生することが抑制される。
【００６４】
また、高周波信号線路１０及びその製造方法によれば、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能となる。より詳細には、高周波信号線路１０を曲げる際には、例えば、外周側に位置する信号線２０が伸び、内周側に位置する信号線２１が縮む。そのため、信号線２０と信号線２１とにずれが生じる。そこで、高周波信号線路１０では、信号線２０と信号線２１とは接触している。信号線２０，２１は金属により構成されているので、信号線２０と信号線２１との間で滑りが発生しやすい。その結果、高周波信号線路１０が曲げられた際に、信号線２０と信号線２１との間で容易にずれが生じるようになる。
【００６５】
また、信号線２０と信号線２１とは、誘電体シート１８ａ，１８ｂに接している面よりも表面粗さが小さい面同士が接触している。したがって、高周波信号線路１０が曲げられた際に、信号線２０と信号線２１との間でさらに滑りが発生しやすく、容易にずれが生じるようになる。以上より、高周波信号線路１０を容易に曲げることが可能となる。
【００６６】
また、高周波信号線路１０が曲げられた際に、信号線２０と信号線２１との間で滑りが発生しやすいことから信号線２０，２１と基準グランド導体２２，補助グランド導体２４間の距離が変わりにくい。したがって容量値が変動しにくく、高周波信号線路１０の特性インピーダンスが変動しにくい。
【００６７】
（第１の変形例）
以下に、第１の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１２は、第１の変形例に係る高周波信号線路１０ａの誘電体素体１２の分解図である。図１３は、高周波信号線路１０ａのＡ−Ａにおける断面構造図である。図１４は、高周波信号線路１０ａが分解された状態での断面構造図である。高周波信号線路１０ａの外観斜視図については、図１を援用する。
【００６８】
高周波信号線路１０ａは、補助グランド導体２４の開口３０の有無、及び、接着層１９の形状において、高周波信号線路１０と相違する。より詳細には、補助グランド導体２４の線路部２４ａには、図１３に示すように、ｘ軸方向に沿って並び、かつ、長方形状をなす複数の開口３０が設けられている。これにより、線路部２４ａは、梯子状をなしている。また、補助グランド導体２４において、隣り合う開口３０に挟まれた部分をブリッジ部６０と呼ぶ。ブリッジ部６０は、ｙ軸方向に延在している。複数の開口３０及び複数のブリッジ部６０は、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２０，２１に交互に重なっている。そして、本実施形態では、信号線２０，２１は、開口３０及びブリッジ部６０のｙ軸方向の中央をｘ軸方向に横切っている。
【００６９】
また、図１３に示すように、補助グランド導体２４と信号線２１とのｚ軸方向における距離は、基準グランド導体２２と信号線２０とのｚ軸方向における距離よりも小さい。具体的には、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図１４に示すように誘電体シート１８ａの厚さＤ１と略等しく、例えば、５０μｍ〜３００μｍである。本実施形態では、信号線２０と基準グランド導体２２との間隔は、１００μｍである。一方、信号線２１と補助グランド導体２４との間隔（ｚ軸方向における距離）は、図１４に示すように誘電体シート１８ｂの厚さＤ２と略等しく、例えば、１０μｍ〜１００μｍである。本実施形態では、信号線２１と補助グランド導体２４との間隔は、５０μｍである。
【００７０】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｂでは、信号線２０，２１からなる信号線の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。より詳細には、信号線２０，２１からなる信号線において開口３０と重なっている区間Ａ１では、信号線２０，２１からなる信号線と補助グランド導体２４との間に相対的に小さな容量が形成される。そのため、区間Ａ１における信号線２０，２１からなる信号線の特性インピーダンスは、相対的に高いインピーダンスＺ１となる。
【００７１】
一方、信号線２０，２１からなる信号線においてブリッジ部６０と重なっている区間Ａ２では、信号線２０，２１からなる信号線と補助グランド導体２４との間に相対的に大きな容量が形成される。そのため、区間Ａ２における信号線２０，２１からなる信号線の特性インピーダンスは、相対的に低いインピーダンスＺ２となる。そして、区間Ａ１と区間Ａ２とは、ｘ軸方向に交互に並んでいる。よって、信号線２０，２１からなる信号線の特性インピーダンスは、インピーダンスＺ１とインピーダンスＺ２との間を周期的に変動する。インピーダンスＺ１は、例えば、５５Ωであり、インピーダンスＺ２は、例えば、４５Ωである。そして、信号線２０，２１からなる信号線全体の平均の特性インピーダンスは、例えば、５０Ωである。
【００７２】
また、高周波信号線路１０ａでは、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとの間において、ｙ軸方向における両端には、接着層１９が設けられていない。すなわち、高周波信号線路１０ａの接着層１９のｙ軸方向の幅は、高周波信号線路１０の接着層１９のｙ軸方向の幅よりも小さい。そして、高周波信号線路１０ａでは、ｚ軸方向から平面視したときに、接着層１９の外縁は、誘電体素体１２の外縁内に収まっている。これにより、誘電体素体１２の外縁近傍では、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとが接合されるようになり、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとの間から接着層１９が露出しなくなる。以上のような高周波信号線路１０ａでは、積層後の接着層１９は、図１４に示す積層前の接着層１９よりも圧着によってｙ軸方向に広がっている。
【００７３】
なお、高周波信号線路１０ａにおいて、高周波信号線路１０と同様に接着層１９が設けられていてもよい。
【００７４】
以上のように構成された高周波信号線路１０ａでは、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失が低減される。
【００７５】
また、高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、誘電体シート１８ａ，１８ｂの損傷を抑制できる。
【００７６】
また、高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｂを容易に曲げることが可能となる。
【００７７】
また、高周波信号線路１０ａによれば、薄型化を図ることができる。より詳細には、高周波信号線路１０ａでは、区間Ａ１において、信号線２０，２１は、ｚ軸方向から平面視したときに、補助グランド導体２４と重なっていない。そのため、信号線２０，２１と補助グランド導体２４との間に容量が形成されにくい。したがって、信号線２０，２１と補助グランド導体２４とのｚ軸方向における距離を小さくしても、信号線２０，２１と補助グランド導体２４との間に形成される容量が大きくなり過ぎない。よって、信号線２０，２１の特性インピーダンスが所定の特性インピーダンス（例えば、５０Ω）からずれにくい。その結果、高周波信号線路１０ａによれば、信号線２０，２１の特性インピーダンスを所定の特性インピーダンスに維持しつつ、薄型化を図ることが可能である。
【００７８】
また、高周波信号線路１０ａによれば、高周波信号線路１０ａがバッテリーパック２０６のような金属体に貼り付けられた場合に、信号線２０，２１の特性インピーダンスが変動することが抑制される。より詳細には、高周波信号線路１０ａは、信号線２０，２１とバッテリーパック２０６との間にベタ状の基準グランド導体２２が位置するように、バッテリーパック２０６に貼り付けられる。これにより、信号線２０，２１とバッテリーパック２０６とが開口を介して対向しなくなり、信号線２０，２１とバッテリーパック２０６との間に容量が形成されることが抑制される。その結果、高周波信号線路１０ａがバッテリーパック２０６に貼り付けられることによって、信号線２０，２１の特性インピーダンスが低下することが抑制される。
【００７９】
（第２の変形例）
以下に、第２の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１５は、第２の変形例に係る高周波信号線路１０ｂの誘電体素体１２の分解図である。図１６は、高周波信号線路１０ａのＡ−Ａにおける断面構造図である。高周波信号線路１０ａの外観斜視図については、図１を援用する。
【００８０】
高周波信号線路１０ｂは、接着層１９の形状において高周波信号線路１０と相違する。より詳細には、高周波信号線路１０ｂの接着層１９には、図１５に示すように、開口Ｏｐが設けられていない。そのため、図１６に示すように、信号線２０と信号線２１とは接触しておらず、接着層１９を介して対向している。
【００８１】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｂでは、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失が低減される。
【００８２】
また、高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０と同様に、誘電体シート１８ａ，１８ｂの損傷を抑制できる。
【００８３】
また、高周波信号線路１０ｂによれば、高周波信号線路１０ｂを容易に曲げることが可能となる。より詳細には、高周波信号線路１０ｂを曲げる際には、例えば、外周側に位置する信号線２０が伸び、内周側に位置する信号線２１が縮む。そのため、信号線２０と信号線２１とにずれが生じる。そこで、信号線２０と信号線２１との間には、誘電体シート１８ａ，１８ｂよりも変形しやすい接着層１９が設けられている。これにより、信号線２０が伸び信号線２１が縮んだ際に、接着層１９が変形するようになる。その結果、高周波信号線路１０が曲げられた際に、信号線２０と信号線２１との間で容易にずれが生じるようになる。
【００８４】
また、信号線２０と信号線２１とは、誘電体シート１８ａ，１８ｂに接している面よりも表面粗さが小さい面同士が接着層１９に接触している。また、接着層１９と信号線２０，２１との固着力は、接着層１９と誘電体シート１８ａ，１８ｂとの固着力よりも小さい。したがって、高周波信号線路１０ｂが曲げられた際に、信号線２０，２１と接着層１９の間で滑りが発生しやすく、容易にずれが生じるようになる。以上より、高周波信号線路１０ｂを容易に曲げることが可能となる。
【００８５】
また、高周波信号線路１０ｂが曲げられた際に、信号線２０と信号線２１との間で滑りが発生しやすいことから信号線２０，２１と基準グランド導体２２，補助グランド導体２４間の距離が変わりにくい。したがって容量値が変動しにくく、高周波信号線路１０ｂの特性インピーダンスが変動しにくい。
【００８６】
（第３の変形例）
以下に、第３の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１７は、第３の変形例に係る高周波信号線路１０ｃの誘電体素体１２の分解図である。図１８は、高周波信号線路１０ｃのＡ−Ａにおける断面構造図である。高周波信号線路１０ｃの外観斜視図については、図１を援用する。
【００８７】
高周波信号線路１０ｃは、接着層１９の有無において高周波信号線路１０と相違する。より詳細には、高周波信号線路１０ｃには、接着層１９が設けられていない。よって、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとは直接に接着されている。そのため、誘電体シート１８ａの裏面及び誘電体シート１８ｂの表面には、ＵＶ処理やプラズマ処理を施して表面改質を行っておくことが好ましい。これにより、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとを加熱・加圧することによって、誘電体シート１８ａと誘電体シート１８ｂとを接着することが可能となる。
【００８８】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｃでは、高周波信号線路１０と同様に、挿入損失が低減される。
【００８９】
また、高周波信号線路１０ｃによれば、高周波信号線路１０と同様に、誘電体シート１８ａ，１８ｂの損傷を抑制できる。
【００９０】
また、高周波信号線路１０ｃによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｃを容易に曲げることが可能となる。
【００９１】
（第４の変形例）
以下に、第４の変形例に係る高周波信号線路の構成について図面を参照しながら説明する。図１９は、第４の変形例に係る高周波信号線路１０ｄの誘電体素体１２の分解図である。図２０は、高周波信号線路１０ｄのＡ−Ａにおける断面構造図である。高周波信号線路１０ｄの外観斜視図については、図１を援用する。
【００９２】
高周波信号線路１０ｄは、信号線２０の線幅と信号線２１の線幅とが異なっている点において、高周波信号線路１０ｃと相違する。より詳細には、図１９及び図２０に示すように、信号線２０の線幅は、信号線２１の線幅よりも大きい。また、ｚ軸方向から平面視したときに、信号線２１は、信号線２０内に収まっている。
【００９３】
以上のような高周波信号線路１０ｄでは、誘電体素体１２の積層・圧着時に、信号線２０が変形する。より詳細には、信号線２０は、図２０に示すように、ｚ軸方向の正方向側（すなわち、誘電体シート１８ｂの表面から誘電体シート１８ａの裏面に向かう方向）に突出するように湾曲する。
【００９４】
以上のように構成された高周波信号線路１０ｄでは、高周波信号線路１０と同様の理由により、挿入損失が低減される。
【００９５】
また、高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０と同様に、誘電体シート１８ａ，１８ｂの損傷を抑制できる。
【００９６】
また、高周波信号線路１０ｄによれば、高周波信号線路１０と同様に、高周波信号線路１０ｄを容易に曲げることが可能となる。
【００９７】
また、高周波信号線路１０ｄでは、以下の理由によっても、挿入損失を低減できる。より詳細には、信号線２０に電流が流れると、縁端効果により、信号線２０のｙ軸方向の両端から基準グランド導体２２へと集中して電気力線が発生する。このように、電気力線が信号線２０のｙ軸方向の両端から集中して発生すると、信号線２０のｙ軸方向の両端に電流が集中して流れるようになる。よって、信号線２０において電流が流れる領域が狭くなり、信号線２０に電流が流れにくくなる。
【００９８】
そこで、信号線２０は、ｙ軸方向の中央がｚ軸方向の正方向側に突出するように湾曲している。これにより、信号線２０のｙ軸方向の両端は、信号線２０のｙ軸方向の中央よりも基準グランド導体２２から離れている。そのため、信号線２０のｙ軸方向の両端から電気力線が集中して発生することが抑制される。その結果、信号線２０の全体に電流が流れるようになり、信号線２０に電流が流れやすくなる。以上より、高周波信号線路１０ｂでは、挿入損失が低減される。
【００９９】
また、高周波信号線路１０ｄでは、以下の理由によっても、挿入損失を低減できる。図２１は、湾曲していない信号線２０の断面構造図及び平面図、並びに、電流分布を示した図である。図２２は、湾曲した信号線２０の断面構造図及び平面図、並びに、電流分布を示した図である。
【０１００】
図２１及び図２２に示すように、信号線２０に電流が流れると、電流の周囲を周回するように磁界が発生する。そして、電磁誘導によって、電流を妨げる反電流が発生する。ここで、図２１及び図２２に示すように、信号線２０のｙ軸方向の中央部分を流れる電流のｙ軸方向の両側には、反電流が流れる。一方、信号線２０のｙ軸方向の正方向側の端部を流れる電流には、ｙ軸方向の負方向側にしか反電流が流れない。同様に、信号線２０のｙ軸方向の負方向側の端部を流れる電流には、ｙ軸方向の正方向側にしか反電流が流れない。よって、信号線２０では、信号線２０のｙ軸方向の中央部分の電流値が、信号線２０のｙ軸方向の両端の電流値よりも小さくなる。
【０１０１】
ここで、図２２に示す信号線２０のｙ軸方向の幅は、図２１に示す信号線２０のｙ軸方向の幅よりも狭い。そのため、図２１に示す信号線２０に流れる電流の総和と図２２に示す信号線２０に流れる電流の総和とが等しい場合には、図２２に示す信号線２０のｙ軸方向の中央部分に流れる電流が、図２１に示す信号線２０のｙ軸方向の中央部分に流れる電流よりも大きくなる。これにより、信号線２０の全体に電流が流れるようになり、信号線２０に電流が流れやすくなる。以上より、高周波信号線路１０ｂでは、挿入損失が低減される。すなわち、信号線２０の端部に表皮効果が表れているので、幅の狭い湾曲した信号線２０のほうが、表皮効果が出にくく、挿入損失が小さくできる。
【０１０２】
（その他の実施形態）
本発明に係る高周波信号線路及びその製造方法は、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄ及びその製造方法に限らず、その要旨の範囲内において変更可能である。
【０１０３】
なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄの構成を組み合わせてもよい。
【０１０４】
保護層１４，１５は、スクリーン印刷によって形成されているが、フォトリソグラフィ工程によって形成されてもよい。
【０１０５】
なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄにおいて、コネクタ１００ａ，１００ｂが実装されていなくてもよい。この場合、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄの端部と回路基板とがはんだによって接続される。なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄの一方の端部のみにコネクタ１００ａが実装されてもよい。
【０１０６】
また、コネクタ１００ａ，１００ｂは、高周波信号線路１０の表面に実装されているが、高周波信号線路１０の裏面に実装されていてもよい。また、コネクタ１００ａが高周波信号線路１０の表面に実装され、コネクタ１００ｂが高周波信号線路１０の裏面に実装されてもよい。
【０１０７】
また、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄにおいて、基準グランド導体２２及び補助グランド導体２４の少なくともいずれか一方が設けられていなくてもよい。
【０１０８】
なお、高周波信号線路１０，１０ａ〜１０ｄは、フラットケーブルとしてだけでなくアンテナフロントエンドモジュールなどＲＦ回路基板における高周波信号線路として用いられてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１０９】
以上のように、本発明は、高周波信号線路及びその製造方法に有用であり、特に、挿入損失を低減しつつ、誘電体層の損傷を抑制できる点において優れている。
【符号の説明】
【０１１０】
Ｏｐ  開口
Ｔ１〜Ｔ４  スルーホール導体
１０，１０ａ〜１０ｄ  高周波信号線路
１２  誘電体素体
１４，１５  保護層
１８ａ，１８ｂ  誘電体シート
１９  接着層
２０，２１  信号線
２２  基準グランド導体
２４  補助グランド導体
３０  開口
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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