(57)【要約】【課題】安価で簡便に行うことができる硫化カルボニル吸収剤および硫化カルボニルの処理方法を提供すること。【解決手段】硫化カルボニルが含まれるガスを下記の一般式（１）で示されるアミンが含まれる吸収液に接触させる。ただし、ｎは、１から４の整数である。Ｒ１は、水素基またはメチル基である。ｎ≧２の場合には、異なる炭素に結合するＲ１同士は、同じ基であっても良いし、異なる基であっても良い。Ｒ２は、芳香環の任意の位置に結合する基であり、水素基、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、置換アリール基、ハロゲン基、炭素数１〜４のアルコキシ基から選択される。芳香環の異なる位置に結合するＲ２同士は、同じ基であっても良いし、異なる基であっても良い。【化１】【選択図】図１
2014073449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（１）で示されるアミンが含まれることを特徴とする硫化カルボニル吸収剤。
【化１】
2014073449.tif 000006
（ただし、ｎは、１から４の整数である。Ｒ１は、水素基またはメチル基である。ｎ≧２の場合には、異なる炭素に結合するＲ１同士は、同じ基であっても良いし、異なる基であっても良い。Ｒ２は、芳香環の任意の位置に結合する基であり、水素基、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、置換アリール基、ハロゲン基、炭素数１〜４のアルコキシ基から選択される。芳香環の異なる位置に結合するＲ２同士は、同じ基であっても良いし、異なる基であっても良い。）
【請求項２】
さらに溶剤が含まれることを特徴とする請求項１に記載の硫化カルボニル吸収剤。
【請求項３】
前記溶剤が、極性非プロトン性溶剤またはグリコール系溶剤であることを特徴とする請求項２に記載の硫化カルボニル吸収剤。
【請求項４】
前記溶剤の沸点が、１５０℃以上であることを特徴とする請求項２または３に記載の硫化カルボニル吸収剤。
【請求項５】
前記溶剤が、ジメチルスルホキシドであることを特徴とする請求項２から４のいずれか１項に記載の硫化カルボニル吸収剤。
【請求項６】
請求項１から５のいずれか１項に記載の硫化カルボニル吸収剤が含まれる吸収液に、硫化カルボニルが含まれるガスを接触させることを特徴とする硫化カルボニルの処理方法。
【請求項７】
前記硫化カルボニルが含まれるガス中には、硫化カルボニルが３体積％以上含まれていることを特徴とする請求項６に記載の硫化カルボニルの処理方法。
【請求項８】
前記硫化カルボニルと前記一般式（１）で示されるアミンとが反応して生成する塩を析出させて除去することを特徴とする請求項６または７に記載の硫化カルボニルの処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、硫化カルボニル吸収剤および硫化カルボニルの処理方法に関し、さらに詳しくは、高濃度の硫化カルボニルを処理する場合や、工業ガス中に含まれる微量の硫化カルボニルを除去する場合などにおいて好適な硫化カルボニル吸収剤および硫化カルボニルの処理方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
硫化カルボニルは、半導体多層レジスト工程における有機系ハードマスクの異方性ドライエッチングガスなどとして注目されている。この種の半導体製造用途には、不純物の少ない高純度の硫化カルボニルが用いられる。
【０００３】
硫化カルボニルは、高圧ガス保安法上、毒性および可燃性には該当しないが、ＵＬ規格では毒性に分類されることから、硫化カルボニルの製造ラインから系外に持ち出されることなく消費されるか、Ｎ２ガスなどで希釈された混合ガスとしてボンベ等に充填されて持ち出されて消費される。このような場合においては、例えば定期点検等に伴い、硫化カルボニルの製造ラインに残存する高濃度の硫化カルボニルを処理する必要が生じることがある。また、ボンベ交換等に伴い、配管中に残存する高濃度の硫化カルボニルを処理する必要が生じることがある。
【０００４】
また、硫化カルボニルは、製鉄や石油精製などで副生し、石炭ガスや水性ガス、鉱炉ガスなどの工業ガスや自動車等の排気ガスなどにも含まれている。これらにおいては、硫化カルボニルは数ｐｐｍ〜１％程度の微量成分としてガス中に存在しているものではあるが、毒性や触媒毒であることなどを考慮して、ガス中に含まれる微量の硫化カルボニルを除去することが行われている。
【０００５】
例えば特許文献１には、Ｎ−アルキルアルカノールアミン水溶液を用いて硫黄含有工業ガスから硫化カルボニルを除去する方法が開示されている。また、特許文献２には、特定の第２級アルキルアミンまたは第３級アルキルアミンを用いて硫黄含有工業ガスから硫化カルボニルを除去する方法が開示されている。また、特許文献３には、モルホリンを用いて硫黄含有工業ガスから硫化カルボニルを除去する方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭５３−１３８４０３号公報
【特許文献２】特開昭５６−１３６６２０号公報
【特許文献３】特公昭４８−１６４２２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１のようにＮ−アルキルアルカノールアミンを用いて硫化カルボニルの処理を行う場合には、処理中に白煙が生じることがあり、また、処理液から異臭が生じることがある。これは、処理中に種々の硫黄含有分解ガスが発生しているためと推察される。つまり、十分に捕集されない硫黄含有ガスが存在するため、処理工程が複雑化するおそれがある。
【０００８】
特許文献２のように特定の第２級アルキルアミンまたは第３級アルキルアミンを用いて硫化カルボニルの処理を行う場合には、処理速度が遅いという問題がある。これは、特定のアミンと硫化カルボニルとの反応性が低いためと推察される。
【０００９】
特許文献３では、モルホリンと硫化カルボニルとの固体反応生成物を加水分解し、モルホリンを再生して硫化カルボニルの処理に再利用している。固体反応生成物からのモルホリンの再生は、高温高圧条件が必要であり、コスト高である。
【００１０】
また、特許文献１〜３に記載の各方法は、ガス中の微量成分としての硫化カルボニルを除去するものであり、高濃度の硫化カルボニルを処理するものではない。
【００１１】
本発明が解決しようとする課題は、安価で簡便に硫化カルボニルの処理を行うことができる硫化カルボニル吸収剤および硫化カルボニルの処理方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するため本発明に係る硫化カルボニル吸収剤は、下記の一般式（１）で示されるアミンが含まれることを要旨とするものである。
【化１】
2014073449.tif 000003
（ただし、ｎは、１から４の整数である。Ｒ１は、水素基またはメチル基である。ｎ≧２の場合には、異なる炭素に結合するＲ１同士は、同じ基であっても良いし、異なる基であっても良い。Ｒ２は、芳香環の任意の位置に結合する基であり、水素基、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、置換アリール基、ハロゲン基、炭素数１〜４のアルコキシ基から選択される。芳香環の異なる位置に結合するＲ２同士は、同じ基であっても良いし、異なる基であっても良い。）
【００１３】
この場合、硫化カルボニル吸収剤にはさらに溶剤が含まれることが好ましい。溶剤としては、極性非プロトン性溶剤やグリコール系溶剤が好ましい。また、溶剤の沸点は、１５０℃以上であることが好ましい。このような溶剤としては、ジメチルスルホキシドが好適なものとして挙げられる。
【００１４】
そして、本発明に係る硫化カルボニルの処理方法は、硫化カルボニル吸収剤が含まれる吸収液に硫化カルボニルが含まれるガスを接触させることを要旨とするものである。
【００１５】
硫化カルボニルが含まれるガス中には、硫化カルボニルが３体積％以上含まれていても良い。
【００１６】
本発明に係る硫化カルボニルの処理方法においては、硫化カルボニルと一般式（１）で示されるアミンとが反応して生成する塩を析出させて除去することが好ましい。
【発明の効果】
【００１７】
本発明に係る硫化カルボニル吸収剤および硫化カルボニルの処理方法によれば、上記の一般式（１）で示されるアミンの反応性が高く、定量的に硫化カルボニルとの塩が形成される。また、塩の結晶性が高く、固体として安定しており、処理時に硫黄含有分解ガスの副生が抑えられる。そして、硫化カルボニルの処理後には、安定な固体の塩を回収すれば済むため、作業性に優れる。したがって、硫化カルボニルの処理を安価で簡便に行うことができる。
【００１８】
この場合、硫化カルボニル吸収剤にさらに溶剤が含まれると、硫化カルボニルを供給する供給口の塩による閉塞が抑えられやすいので、硫化カルボニルの処理が安定して行われる。溶剤が極性非プロトン性溶剤やグリコール系溶剤であると、生成する塩の溶解度が高いので、硫化カルボニルを供給する供給口の塩による閉塞がより抑えられやすい。そして、溶剤の沸点が１５０℃以上であると、硫化カルボニルの供給に伴う気流による溶剤の気化流出が抑えられるので、硫化カルボニルの処理が安定して行われる。溶剤としてジメチルスルホキシドを用いた場合には、生成する塩の溶解度が特に高いので、硫化カルボニルを供給する供給口の塩による閉塞が特に抑えられやすい。また、沸点も高いため、硫化カルボニルの供給に伴う気流による溶剤の気化流出も抑えられやすい。そして、硫化カルボニルが含まれるガス中に硫化カルボニルが３体積％以上含まれているときにも、上記の一般式（１）で示されるアミンの反応性が高く、定量的に硫化カルボニルとの塩が形成される。また、硫黄含有分解ガスの副生も抑えられる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】本発明の一実施形態に係る硫化カルボニルの処理方法のフロー図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
次に、本発明の実施形態について詳細に説明する。
【００２１】
本発明に係る硫化カルボニル吸収剤は、特定のアミンが含まれるものからなる。また、本発明に係る硫化カルボニルの処理方法（以下、本処理方法ということがある。）は、硫化カルボニルが含まれるガスを特定のアミンが含まれる吸収液（本発明に係る硫化カルボニル吸収剤が含まれる吸収液）に接触させるものである。この場合、硫化カルボニルと特定のアミンとが反応するので、吸収液中でチオカルバミン酸アンモニウム塩が形成される。
【００２２】
本処理方法において生成した塩は、塩の形態のまま、廃棄されるか、他の用途に使用される。生成した塩が吸収液中に溶解している場合には、溶液のまま、廃棄されるか、他の用途に使用される。生成した塩の一部が吸収液から析出している場合には、必要に応じて固液分離を行った後、固形物のみ、あるいは、固形物と溶液の両方が、廃棄されるか、他の用途に使用される。固形物のみ廃棄されるか他の用途に使用される場合には、溶液は、次の硫化カルボニルの処理に再利用することができる。
【００２３】
硫化カルボニルが含まれるガスとしては、硫化カルボニル単独からなるガスや、硫化カルボニル単独からなるガスに希釈ガスを混合した混合ガスであって比較的高濃度の硫化カルボニルが含まれるガスや、微量成分として硫化カルボニルが含まれる工業ガスなどが挙げられる。希釈ガスとしては、Ｎ２、ヘリウム、空気などが挙げられる。本処理方法は、高濃度の硫化カルボニルが含まれるガスに対しても適用できるし、低濃度の硫化カルボニルが含まれるガスに対しても適用できる。
【００２４】
高濃度の硫化カルボニルが含まれるガスとしては、硫化カルボニルの製造時の排ガスや、硫化カルボニルを用いたエッチング処理時や化学合成時などの排ガスなどが挙げられる。硫化カルボニルの製造時には、装置の定期点検等に伴い硫化カルボニルの製造ラインに残存するガスを排出する必要が生じる場合がある。また、硫化カルボニルの使用時には、ボンベ交換等に伴い配管中に残存するガスを排出する必要が生じる場合がある。例えばこのような場合において、高濃度の硫化カルボニルが含まれるガスを処理する必要が生じることがある。これらにおいては、硫化カルボニルは、ガス中に数％（３％程度）〜１００％含まれている。
【００２５】
低濃度の硫化カルボニルが含まれるガスとしては、工業ガスや自動車等の排気ガスなどが挙げられる。硫化カルボニルは、製鉄や石油精製などで副生する。このため、石炭ガスや水性ガス、鉱炉ガスなどの工業ガスにも含まれている。また、自動車等の排気ガスなどにも含まれている。これらにおいては、硫化カルボニルは数ｐｐｍ〜１％程度の微量成分としてガス中に存在しているものではあるが、毒性や触媒毒であることなどを考慮して、ガス中に含まれる微量の硫化カルボニルを除去することが行われている。
【００２６】
吸収液に含まれる特定のアミンは、下記の一般式（１）で示されるものからなる。
【化２】
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（ただし、ｎは、１から４の整数である。Ｒ１は、水素基またはメチル基である。ｎ≧２の場合には、異なる炭素に結合するＲ１同士は、同じ基であっても良いし、異なる基であっても良い。Ｒ２は、芳香環の任意の位置に結合する基であり、水素基、炭素数１〜６のアルキル基、アリール基、置換アリール基、ハロゲン基、炭素数１〜４のアルコキシ基から選択される。芳香環の異なる位置に結合するＲ２同士は、同じ基であっても良いし、異なる基であっても良い。）
【００２７】
一般式（１）において、炭素数１〜６のアルキル基は、直鎖のアルキル基であっても良いし、分鎖のアルキル基であっても良い。置換アリール基の置換基としては、アルキル基、ハロゲン基、アルコキシ基などが挙げられる。
【００２８】
一般式（１）に含まれる具体的なアミンとしては、ベンジルアミン、２−フェニルエチルアミン、３−フェニル−１−プロピルアミン、２−ブロモベンジルアミン、１−フェニルエチルアミン、４−ブロモ−α−メチルベンジルアミン、４−ｎ−ブチルベンジルアミン、２−（４−ブロモフェニル）エチルアミン、２，５−ジメトキシフェネチルアミンなどが挙げられる。
【００２９】
特定のアミンは、上記の一般式（１）で示されるように、芳香環から延びる適当な長さの炭素鎖の先端に結合された１級アミン基を有することから硫化カルボニルとの反応性に優れ、定量的に硫化カルボニルとの塩（チオカルバミン酸アンモニウム塩）が形成される。そして、適当な長さの炭素鎖の先端に結合された１級アミン基に対して芳香環を有することから生成する塩は固体として得られ結晶性に優れる。また、生成する塩は固体として安定しており、硫黄含有分解ガスの副生が抑えられている。このため、硫化カルボニルの処理には、安定な固体の塩を回収すれば済むため、作業性に優れる。したがって、硫化カルボニルの処理を安価で簡便に行うことができる。なお、特定のアミンは、生成する塩との分離性に優れる（固液分離できる）などの観点から、室温（２５℃）において液状であることが好ましい。
【００３０】
特定のアミンにおいては、硫化カルボニルとの反応により生成する塩がより結晶性に優れるなどの観点から、芳香環から延びて１級アミン基に結合される炭素鎖の長さはより短いほうが好ましい。具体的には、一般式（１）において、ｎは１〜２であることが好ましい。より好ましくはｎが１である。また、特定のアミンにおいては、硫化カルボニルとの反応性がより高くなるなどの観点から、１級アミン基の隣りの炭素に結合される基（一般式（１）でアミン基の隣りの炭素に結合されるＲ１）は水素基であることが好ましい。したがって、特に好ましいアミンとしては、ベンジルアミン、２−フェニルエチルアミンなどが挙げられる。
【００３１】
吸収液には、特定のアミンのみが含まれていても良いが、硫化カルボニルを供給する供給口の塩による閉塞が抑えられやすいなどの観点から、吸収液には、さらに溶剤が含まれることが好ましい。高濃度の硫化カルボニルが含まれるガスを処理する場合には、特に閉塞が生じやすいので、高濃度の硫化カルボニルが含まれるガスを処理する場合には、吸収液に溶剤が含まれる意義が大きい。溶剤は、特定のアミンと混ざりやすいものであることが好ましい。また、生成する塩を溶解させるものであることが好ましい。生成する塩を溶解させることが好ましいという観点からいえば、２５℃（常温）における塩の溶解度が１％以上（すなわち、飽和溶液の濃度が１％以上）の溶剤であることが好ましい。より好ましくは、その溶解度が５％以上の溶剤である。
【００３２】
溶剤としては、水単独あるいは水を含有する水系溶剤や有機溶剤が挙げられる。特定のアミンが芳香環とアルキル鎖を有することから、特定のアミンの混ざりやすさや生成する塩の溶解性などを考慮すると、有機溶剤がより好ましい。有機溶剤のうちでは、生成する塩の溶解度が高いなどの観点から、極性非プロトン性溶剤やＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨ（ｎ＝１〜１４）で示されるエチレングリコール類などのグリコール系溶剤が好ましい。極性非プロトン性溶剤のうちでは、生成する塩の溶解度がより高いなどの観点から、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）やジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）が好ましい。また、グリコール系溶剤のうちでは、ＨＯ（ＣＨ２ＣＨ２Ｏ）ｎＨ（ｎ＝１〜４）で示されるエチレングリコール類が好ましい。そして、これらのうちでは、生成する塩の溶解度が最も高いなどの観点から、ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）が好ましい。
【００３３】
また、溶剤は、硫化カルボニルの供給に伴う気流による溶剤の流出を抑えるなどの観点から、沸点が１５０℃以上であることが好ましい。より好ましくは１６０℃以上、さらに好ましくは１８０℃以上である。硫化カルボニルの供給に伴う気流による溶剤の流出が抑えられることにより、硫化カルボニルの処理を安定して行うことができる。
【００３４】
溶剤としてジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）を用いた場合には、生成する塩の溶解度が特に高いので、硫化カルボニルを供給する供給口の塩による閉塞が特に抑えられやすい。また、沸点も高いため、硫化カルボニルの供給に伴う気流による溶剤の流出も抑えられやすい。
【００３５】
吸収液に溶剤が含まれる場合には、吸収液中の特定のアミンの濃度は、硫化カルボニルとの反応性と生成する塩の溶解性とを考慮して、１〜８０質量％の範囲内であることが好ましい。より好ましくは５〜５０質量％の範囲内である。
【００３６】
硫化カルボニルの処理は、常温で行っても良いし、加熱条件下で行っても良い。特定のアミンと硫化カルボニルとの反応は発熱反応であるため、常温等の比較的低い温度で硫化カルボニルの処理を行う場合には、処理中に冷却を行うと良い。
【００３７】
本発明に係る硫化カルボニルの処理方法は、例えば、図１に示すフロー図にしたがって行うことができる。そこで、図１を参照して、硫化カルボニルの処理方法の一例について説明する。
【００３８】
図１に示すように、硫化カルボニル（ＣＯＳ）が含まれるガス（以下、ＣＯＳガスということがある。）は、ＣＯＳガスライン１を通って吸収槽３に導入される。ＣＯＳガスライン１には希釈ガスライン２が接続されており、必要に応じて、ＣＯＳガスは、希釈ガスにより希釈される。吸収槽３に導入されたＣＯＳガスは、吸収槽３内で、吸収槽３に供給された吸収液に接触される。吸収液には、上記特定のアミンが含まれている。また、吸収液には、必要に応じて溶剤が含まれる。したがって、吸収槽３内では、チオカルバミン酸アンモニウム塩が形成される。形成されたチオカルバミン酸アンモニウム塩は、吸収液とともに液排出ライン５を通って固液分離槽６に運ばれる。吸収槽３内に導入された希釈ガスは、ガス排出ライン４を通って外部に排出される。固液分離槽６では固液分離が行われ、固形物が固形物排出ライン８から排出される。溶液成分は液循環ライン７を通って吸収槽３内に循環され、再び吸収液として用いられる。液循環ライン７にはアミン供給ライン９が接続されており、必要に応じて、上記特定のアミンが添加される。
【実施例】
【００３９】
以下に本発明を実施例により具体的に説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。
【００４０】
（実施例１）
吸収槽を２段に設置し、各吸収槽にベンジルアミン２０ｇ（０．１８７ｍｏｌ）とジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）５０ｍｌを入れた。次いで、１段目の吸収槽に吹き込み管を用いて硫化カルボニル（ＣＯＳ）ガス（６８ｍｌ／ｍｉｎ．）と窒素ガス（１００ｍｌ／ｍｉｎ．）の混合ガスを３０分間供給した。２段目の吸収槽には、１段目の吸収槽の排ガスを供給し、１段目の吸収槽で吸収できなかった硫化カルボニルガスを吸収させた。混合ガスの供給に伴い、吸収液の色は無色から緑色に変化し、その後、１段目の吸収液中に固体（白色粉末）が析出してきた。混合ガスの供給中には、白煙の発生は観測されなかった。
【００４１】
混合ガスの供給終了後、各吸収槽の重量増加量を測定し、硫化カルボニルガスの吸収量を測定した。１段目の吸収槽の重量増加量は５．４２ｇ（ＣＯＳ換算で０．０９０ｍｏｌ）、２段目の吸収槽の重量増加量は２．７１ｇ（ＣＯＳ換算で０．０４５ｍｏｌ）、合計で８．１３ｇ（ＣＯＳ換算で０．１３５ｍｏｌ）であった。また、混合ガスの供給終了後、吹き込み管を調べたところ、吹き込み管の先端に固形物の付着は確認されたが、ガスの流量は終始安定していたため、吹き込み管の閉塞までは生じていないものと推察される。
【００４２】
吸収槽の重量増加量の全量が硫化カルボニルであり、硫化カルボニルの全量がベンジルアミンと反応したとすると、ベンジルアミンと硫化カルボニルが２：１の塩を形成することから、１段目の吸収槽のベンジルアミンの反応率は、（０．０９０×２÷０．１８７）×１００＝９６％と計算される。すなわち、ベンジルアミンを用いたことで、ほぼ定量的に反応が進むと推定される。
【００４３】
また、２段目の吸収槽の排ガスの分析をガスクロマトグラフィーにより行ったところ、硫黄含有分解ガスの副生は確認されなかった。すなわち、生成した塩は固体として安定しており、硫化カルボニルの処理後には、安定な固体の塩を回収すれば済むため、作業性に優れる。したがって、硫化カルボニルの処理を安価で簡便に行うことができる。
【００４４】
（比較例１）
各吸収槽にエタノールアミン１０ｇ（０．１６４ｍｏｌ）とジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）５０ｍｌを入れた以外は実施例１と同様に行った。混合ガスの供給に伴い、白煙が生じた一方、固体の析出は観測されなかった。吸収液は終始、均一液のままであった。
【００４５】
混合ガスの供給終了後、各吸収槽の重量増加量を測定し、硫化カルボニルガスの吸収量を測定した。１段目の吸収槽の重量増加量は５．１６ｇ（ＣＯＳ換算で０．０８６ｍｏｌ）、２段目の吸収槽の重量増加量は３．２６ｇ（ＣＯＳ換算で０．０５４ｍｏｌ）、合計で８．４２ｇ（ＣＯＳ換算で０．１４０ｍｏｌ）であった。
【００４６】
吸収槽の重量増加量の全量が硫化カルボニルであり、硫化カルボニルの全量がエタノールアミンと反応したとすると、エタノールアミンと硫化カルボニルが２：１の塩を形成するとして計算したときに、１段目の吸収槽のエタノールアミンの反応率は、（０．０８６×２÷０．１６４）×１００＝１０５％と計算される。
【００４７】
また、２段目の吸収槽の排ガスには硫黄系化合物特有の臭気があり、排ガスをガスクロマトグラフィーで分析したところ硫化水素が６％検出された。混合ガスの供給中に白煙が生じたこと、反応後に固体の塩が析出していないこと、硫黄含有分解ガスの副生が確認されたことから、硫化カルボニルの処理後には固体の塩を回収すれば済むということにはならず、硫黄含有分解ガス（排ガス）の処理の問題もあり、作業性が悪いということができる。
【００４８】
（実施例２）
吸収槽を１段に設置し、吸収槽にベンジルアミン１０ｇ（０．０９３ｍｏｌ）と水５０ｍｌを入れ、混合ガスを１０分間供給した以外は実施例１と同様に行った。混合ガスの供給後、すぐに吸収液中に固体が析出してきた。混合ガスの供給中には、白煙の発生は観測されなかった。
【００４９】
混合ガスの供給終了後、吸収槽の重量増加量を測定し、硫化カルボニルガスの吸収量を測定した。吸収槽の重量増加量は０．６０ｇ（ＣＯＳ換算で０．０１０ｍｏｌ）であった。塩（固形分）の析出量からすると重量増加量が少なすぎることから、混合ガスの供給に伴い、吸収槽中の水が気化して流出したものと推察される。また、混合ガスの供給終了後、吹き込み管を調べたところ、吹き込み管の先端に固形物の付着は確認されたが、ガスの流量は終始安定していたため、吹き込み管の閉塞までは生じていないものと推察される。
【００５０】
（実施例３）
吸収槽を１段に設置し、吸収槽にベンジルアミン１０ｇ（０．０９３ｍｏｌ）のみを入れ、混合ガスを１０分間供給した以外は実施例１と同様に行った。混合ガスの供給後、すぐに固体が析出し、吹き込み管がほぼ閉塞しそうになって混合ガスの流通が悪くなったが、白煙の発生は観測されず、排ガスの処理は可能であった。
【００５１】
（比較例２）
吸収槽を１段に設置し、吸収槽にジエタノールアミン１０ｇ（０．０９５ｍｏｌ）とＤＭＳＯ５０ｍｌを入れ、混合ガスを５分間供給した以外は実施例１と同様に行った。混合ガスの供給に伴い、白煙が生じた一方、固体の析出は観測されなかった。吸収液は終始、均一液のままであった。混合ガスの供給終了後、吸収槽の重量増加量を測定し、硫化カルボニルガスの吸収量を測定した。吸収槽の重量増加量は０．７７ｇ（ＣＯＳ換算で０．０１３ｍｏｌ）であった。
【００５２】
（比較例３）
吸収槽を１段に設置し、吸収槽にジグリコールアミン１０ｇ（０．０９５ｍｏｌ）とＤＭＳＯ５０ｍｌを入れ、混合ガスを５分間供給した以外は実施例１と同様に行った。混合ガスの供給に伴い、白煙が生じた一方、固体の析出は観測されなかった。吸収液は終始、均一液のままであった。混合ガスの供給終了後、吸収槽の重量増加量を測定し、硫化カルボニルガスの吸収量を測定した。吸収槽の重量増加量は１．４０ｇ（ＣＯＳ換算で０．０２３ｍｏｌ）であった。
【００５３】
（比較例４）
吸収槽を１段に設置し、吸収槽にメチルエタノールアミン１０ｇ（０．１３３ｍｏｌ）とＤＭＳＯ５０ｍｌを入れ、混合ガスを５分間供給した以外は実施例１と同様に行った。混合ガスの供給に伴い、白煙が生じた一方、固体の析出は観測されなかった。吸収液は終始、均一液のままであった。混合ガスの供給終了後、吸収槽の重量増加量を測定し、硫化カルボニルガスの吸収量を測定した。吸収槽の重量増加量は０．９５ｇ（ＣＯＳ換算で０．０１６ｍｏｌ）であった。
【００５４】
比較例１〜４から、４種類のアルカノールアミンともに吸収槽内で沈殿の生成が見られなかった。この点において、本願発明に係るアミンとは明らかに相違する。また、４種類のアルカノールアミンともに白煙が生じ、硫黄含有分解ガスの副生が確認された。この点においても、本願発明に係るアミンとは明らかに相違する。
【００５５】
次に、実施例１で得られたチオカルバミン酸アンモニウム塩（ベンジルチオカルバミン酸ベンジルアンモニウム塩）を用い、各溶剤に対する塩の溶解度（２５℃）を測定した。その結果を表１に示す。また、その溶剤の沸点も表１に併記した。
【００５６】
【表１】
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【００５７】
表１から、ＤＭＳＯ、ＤＭＦ、ジエチレングリコール、メタノールの各溶剤は、塩の溶解度が１％以上であり、生成する塩の溶解度が高いという観点から、優れた溶剤であるといえる。また、ＤＭＳＯ、メタノールは、塩の溶解度が２％以上であり、生成する塩の溶解度がより高いという観点から、より優れた溶剤であるといえる。さらに、ＤＭＳＯは、塩の溶解度が５％以上であり、生成する塩の溶解度が特に高いという観点から、特に優れた溶剤であるといえる。一方、メタノールは、沸点が１００℃以下で低すぎるため、ＣＯＳを含む供給ガスに随伴して流出しやすいといえる。この観点からいえば、メタノールは好ましい溶剤とはいえず、沸点の比較的高いＤＭＳＯ、ＤＭＦ、ジエチレングリコールなどが優れた溶剤であるといえる。そして、これらのバランスを考えると、ＤＭＳＯが特に優れた溶剤であるといえる。
【００５８】
以上、本発明の実施の形態について詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の改変が可能である。
【産業上の利用可能性】
【００５９】
本発明に係る硫化カルボニル吸収剤および硫化カルボニルの処理方法は、硫化カルボニルの製造時の排ガス処理や、硫化カルボニルを用いたエッチング処理時や化学合成時などの排ガス処理、工業ガス中に含まれる微量の硫化カルボニルの処理などに適用することができる。
【符号の説明】
【００６０】
１  ＣＯＳガスライン
２  希釈ガスライン
３  吸収槽
４  ガス排出ライン
５  液排出ライン
６  固液分離槽
７  液循環ライン
８  固形物排出ライン
９  アミン供給ライン
【図１】
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