(57)【要約】【課題】近接場光を用いた熱アシスト磁気記録方式において、磁気ディスク上の磁気ヘッドの浮上量の計測精度を向上させる。【解決手段】磁気ディスク２には、基板２Ａ上に設けられた磁気記録層２Ｂが設けられ、磁気記録層２Ｂには、磁気記録層２Ｂよりも近接場光の反射率が高い反射層２Ｄが平坦に埋め込まれ、光信号処理部６Ｃは、反射層２Ｄにて反射された近接場光の検出結果に基づいて、磁気ディスク２上の磁気ヘッドＨＭの浮上量を制御する。【選択図】図１
2014116055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁気記録層よりも近接場光の反射率が高い反射層が前記磁気記録層に平坦に埋め込まれた磁気ディスクと、
前記近接場光に基づいて前記磁気記録層を局所的に加熱しながら前記磁気記録層に磁気記録を行う磁気ヘッドと、
前記反射層にて反射された前記近接場光に比例した光の検出結果に基づいて、前記磁気ディスク上の前記磁気ヘッドの浮上量を制御する光信号処理部とを備え、
前記磁気ヘッドは、
レーザダイオードからのレーザ光に基づいて前記近接場光を発生する近接場光発生素子と、
前記反射層にて反射された前記近接場光に比例した光を検出する光検出器と、
前記磁気ヘッドを支持するスライダと、
前記スライダを加熱するヒータとを備え、
前記光信号処理部は、
前記光検出器による前記近接場光に比例した光の検出結果に基づいて前記磁気ヘッドの浮上量を判定する浮上判定部と、
前記浮上判定部による判定結果に基づいて前記レーザダイオードの光出力を制御するレーザ制御部と、
前記浮上判定部による判定結果に基づいて前記ヒータの出力を制御するヒータ制御部とを備えることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項２】
磁気記録層よりも近接場光の反射率が高い反射層が前記磁気記録層に平坦に埋め込まれた磁気ディスクと、
前記近接場光に基づいて前記磁気記録層を局所的に加熱しながら前記磁気記録層に磁気記録を行う磁気ヘッドとを備えることを特徴とする磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記反射層にて反射された前記近接場光に比例した光の検出結果に基づいて、前記磁気ディスク上の前記磁気ヘッドの浮上量を制御する光信号処理部を備えることを特徴とする請求項２に記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記反射層は単体金属であることを特徴とする請求項２または３に記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記単体金属は、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｌおよびＣｒの中から選択されることを特徴とする請求項４に記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記磁気ヘッドは、
レーザダイオードからのレーザ光に基づいて前記近接場光を発生する近接場光発生素子と、
前記反射層にて反射された前記近接場光に比例した光を検出する光検出器とを備えることを特徴とする請求項２から５のいずれか１項に記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記反射層は前記近接場光発生素子と同一材料で構成されていることを特徴とする請求項６に記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
前記光信号処理部は、
前記光検出器による前記近接場光に比例した光の検出結果に基づいて前記磁気ヘッドの浮上量を判定する浮上判定部と、
前記浮上判定部による判定結果に基づいて前記レーザダイオードの光出力を制御するレーザ制御部とを備えることを特徴とする請求項６または７に記載の磁気ディスク装置。
【請求項９】
基板上に設けられた磁気記録層と、
前記磁気記録層に平坦に埋め込まれ、前記磁気記録層よりも近接場光の反射率が高い反射層とを備えることを特徴とする磁気ディスク。
【請求項１０】
磁気ディスクの磁気記録層に平坦に埋め込まれ、前記磁気記録層よりも近接場光の反射率が高い反射層にて反射された前記近接場光に比例した光の検出結果に基づいて、前記磁気ディスク上の前記磁気ヘッドの浮上量を制御し、
前記浮上量を制御された前記磁気ヘッドからの近接場光に基づいて前記磁気記録層を局所的に加熱しながら前記磁気記録層に磁気記録を行うことを特徴とする熱アシスト磁気記録方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、磁気ディスク、磁気ディスク装置および熱アシスト磁気記録方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
磁気ディスクの記録密度を向上させるために、近接場光に基づいて磁気記録層を局所的に加熱しながら磁気記録を行う方法がある。近接場光は回折が起こらないので、スポット径を光波長以下に設定することができ、光波長以下の領域を局所的に加熱して磁気記録を行うことが可能となる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１２−７９４０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の一つの実施形態は、近接場光を用いた熱アシスト磁気記録方式において、磁気ディスク上の磁気ヘッドの浮上量の計測精度を向上させることが可能な磁気ディスク、磁気ディスク装置および熱アシスト磁気記録方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一つの実施形態によれば、磁気ディスクと磁気ヘッドとが設けられている。磁気ディスクは、磁気記録層よりも近接場光の反射率が高い反射層が前記磁気記録層に平坦に埋め込まれている。磁気ヘッドは、前記近接場光に基づいて前記磁気記録層を局所的に加熱しながら前記磁気記録層に磁気記録を行う。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】図２（ａ）は、図１の磁気ディスクの概略構成を示す斜視図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ１−Ａ２線で切断した断面図である。
【図３】図３は、図１の磁気ヘッドの概略構成を示す側面図である。
【図４】図４は、図１の磁気ヘッドの概略構成を示す正面図である。
【図５】図５は、図１の光信号処理部の概略構成を示すブロック図である。
【図６】図６（ａ）は、図１の磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の距離に対する光検出器の出力の関係を反射層の有無に応じて示す図、図６（ｂ）は、図１の磁気ヘッドが磁気ディスクに接触した時の光検出器の出力を反射層の有無に応じて示す図である。
【図７】図７は、図１の磁気ヘッドが磁気ディスクに接触した時の出力パワーの算出方法を示すフローチャートである。
【図８】図８は、第２実施形態に係る磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドの概略構成を示す側面図である。
【図９】図９は、第３実施形態に係る磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドの概略構成を示す側面図である。
【図１０】図１０は、第３実施形態に係る磁気ディスク装置に用いられる光信号処理部の概略構成を示すブロック図である。
【図１１】図１１（ａ）から図１１（ｄ）は、第４実施形態に係る磁気ディスクの製造方法を示す断面図である。
【図１２】図１２（ａ）から図１２（ｄ）は、第４実施形態に係る磁気ディスクの製造方法を示す断面図である。
【図１３】図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、第５実施形態に係る磁気ディスクの製造方法を示す断面図である。
【図１４】図１４（ａ）から図１４（ｄ）は、第６実施形態に係る磁気ディスクの製造方法を示す断面図である。
【図１５】図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、第６実施形態に係る磁気ディスクの製造方法を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に添付図面を参照して、実施形態に係る磁気ディスク装置を詳細に説明する。なお、これらの実施形態により本発明が限定されるものではない。
【０００８】
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る磁気ディスク装置の概略構成を示すブロック図である。
図１において、磁気ディスク装置には、磁気ディスク２が設けられ、磁気ディスク２はスピンドル１０を介して支持されている。また、磁気ディスク装置には磁気ヘッドＨＭが設けられ、磁気ディスク２に対向するようにアームＡを介して磁気ディスク２上に保持されている。アームＡは、磁気ヘッドＨＭを水平面内でスライドさせることができる。
【０００９】
図２（ａ）は、図１の磁気ディスクの概略構成を示す斜視図、図２（ｂ）は、図２（ａ）のＡ１−Ａ２線で切断した断面図である。
図２（ａ）に示すように、磁気ディスク２には、円周方向に沿ってトラックＴが設けられている。各トラックＴには、ユーザデータがライトされるデータエリアＤＡおよびサーボデータがライトされたサーボエリアＳＳが設けられている。ここで、サーボエリアＳＳは放射状に配置され、サーボエリアＳＳ間にデータエリアＤＡが配置されている。サーボエリアＳＳには、プリアンブル、サーボエリアマーク、セクタ／シリンダ情報およびバーストパターンがライトされている。なお、セクタ／シリンダ情報は、磁気ディスク２の円周方向および半径方向のサーボ番地を与えることができ、磁気ヘッドＨＭを目標トラックまで移動させるシーク制御に用いることができる。バーストパターンは、磁気ヘッドＨＭを目標トラックの範囲内に位置決めするトラッキング制御に用いることができる。
【００１０】
また、図２（ｂ）に示すように、磁気ディスク２には、基板２Ａ上に設けられた磁気記録層２Ｂが設けられている。なお、基板２Ａの材料は、ガラス、セラミック、石英などの非磁性体を用いることができる。磁気記録層２Ｂの材料は、ＦｅＰｔなどの合金を主原料とする磁性体を用いることができる。磁気記録層２Ｂには、磁気記録層２Ｂよりも近接場光の反射率が高い反射層２Ｄが平坦に埋め込まれている。なお、波長８０８ｎｍの光に対し、反射層２Ｄの反射率は、磁気記録層２Ｂの反射率の３〜５倍程度に設定することができる。この反射層２Ｄの材料は、電気伝導度のよい単体金属であることが好ましく、例えば、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、ＡｌおよびＣｒの中から選択することができる。また、反射層２Ｄは、同一トラックＴ上に間隔が互いに均一になるように複数配置するようにしてもよいし、同一シリンダ上に複数配置するようにしてもよい。反射層２Ｄを複数配置する場合、磁気ディスク２が回転している時に互いに等しい時間間隔で磁気ヘッドＨＭ下を通過するように配置位置を設定することが好ましい。磁気記録層２Ｂ上および反射層２Ｄ上には保護膜２Ｃが形成されている。なお、保護膜２Ｃの材料は、ＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの近接場光に対して透明な非磁性体を用いることができる。
【００１１】
図１の磁気ディスク装置には、アームＡを駆動するボイスコイルモータ４が設けられるとともに、スピンドル１０を介して磁気ディスク２を回転させるスピンドルモータ３が設けられている。そして、磁気ディスク２、磁気ヘッドＨＭ、アームＡ、ボイスコイルモータ４、スピンドルモータ３およびスピンドル１０は、ケース１に収容されている。
【００１２】
また、磁気ディスク装置には磁気記録制御部５が設けられ、磁気記録制御部５には、ヘッド制御部６、パワー制御部７、リードライトチャネル８およびハードディスク制御部９が設けられている。ヘッド制御部６には、ライト電流制御部６Ａ、再生信号検出部６Ｂおよび光信号処理部６Ｃが設けられている。パワー制御部７には、スピンドルモータ制御部７Ａおよびボイスコイルモータ制御部７Ｂが設けられている。
【００１３】
ヘッド制御部６は、記録再生時における信号を増幅したり検出したりすることができる。ライト電流制御部６Ａは、磁気ヘッドＨＭに流れるライト電流を制御することができる。再生信号検出部６Ｂは、磁気ヘッドＨＭにて読み出された信号を検出することができる。光信号処理部６Ｃは、反射層２Ｄにて反射された近接場光の検出結果に基づいて、磁気ディスク２上の磁気ヘッドＨＭの浮上量を制御することができる。
【００１４】
パワー制御部７は、ボイスコイルモータ４およびスピンドルモータ３を駆動することができる。スピンドルモータ制御部７Ａは、スピンドルモータ３の回転を制御することができる。ボイスコイルモータ制御部７Ｂは、ボイスコイルモータ４の駆動を制御することができる。
【００１５】
リードライトチャネル８は、ヘッド制御部６とハードディスク制御部９との間でデータの受け渡しを行うことができる。なお、データとしては、リードデータ、ライトデータおよびサーボデータを挙げることができる。例えば、リードライトチャネル８は、磁気ヘッドＨＭにて再生される信号をホストＨＳで扱われるデータ形式に変換したり、ホストＨＳから出力されるデータを磁気ヘッドＨＭにて記録される信号形式に変換したりすることができる。このような形式変換としては、ＤＡ変換や符号化を挙げることができる。また、リードライトチャネル８は、磁気ヘッドＨＭにて再生された信号のデコード処理を行ったり、ホストＨＳから出力されるデータをコード変調したりすることができる。
【００１６】
ハードディスク制御部９は、磁気ディスク装置の外部からの指令に基づいて記録再生制御を行ったり、外部とリードライトチャネル８との間でデータの受け渡しを行ったりすることができる。
【００１７】
そして、磁気ヘッドＨＭを介して磁気ディスク２から信号が読み出され、再生信号検出部６Ｂにてこの信号が検出される。再生信号検出部６Ｂにて検出された信号は、リードライトチャネル８にてデータ変換された後、ハードディスク制御部９に送られる。そして、ハードディスク制御部９において、再生信号検出部６Ｂにて検出されたサーボデータに基づいて、磁気ヘッド２がトラックＴ上をトレースするようにトラッキング制御が行われる。
【００１８】
そして、磁気ディスク２にライトする場合、磁気ヘッドＨＭを介して近接場光が磁気記録層２Ｂに出射される。そして、近接場光に基づいて磁気記録層２Ｂが局所的に加熱されながら、磁気ヘッドＨＭを介して磁気記録層２Ｂに磁場が形成されることで、その局所的に加熱された領域に磁気記録が行われる。
【００１９】
この時、磁気ヘッドＨＭが反射層２Ｄ上を通過すると、反射層２Ｄにて近接場光が反射される。そして、光信号処理部６Ｃにおいて、近接場光の反射光の検出結果に基づいて、磁気ディスク２上の磁気ヘッドＨＭの浮上量が制御される。
【００２０】
磁気記録層２Ｂに設けられた反射層２Ｄにより、近接場光の反射光量が増大し、磁気ヘッドＨＭと磁気ディスク２との間の距離に応じた近接場光の反射光量の変化量を増大させることができる。このため、磁気ヘッドＨＭと磁気ディスク２との間の距離の検出精度を向上させることができ、磁気ディスク２上の磁気ヘッドＨＭの浮上量の制御精度を向上させることができる。
【００２１】
図３は、図１の磁気ヘッドの概略構成を示す側面図、図４は、図１の磁気ヘッドの概略構成を示す正面図である。
図３および図４において、磁気ヘッドには、記録コア１２、再生ヘッド１３、レーザダイオード１４、共振器１４Ａ、光導波路１５、１８、１９、ビームスプリッタ１６、光検出器１７および近接場光発生素子２０が設けられている。そして、記録コア１２、再生ヘッド１３および近接場光発生素子２０が磁気ディスク２に対向するようにスライダ１１にて支持されている。このスライダ１１は、レーザダイオード１４のレーザ光強度に応じて膨張したり、収縮したりすることができる。なお、光検出器１７は、例えば、フォトダイオードを用いることができる。近接場光発生素子２０の材料は、近接場光の発生効率を向上させるために、Ａｕ、ＡｇまたはＡｌなどの電気伝導度のよい単体金属を用いることができる。ここで、近接場光の反射光量を増大させるために、反射層２Ｄは近接場光発生素子２０と同一材料で構成することが好ましい。
【００２２】
レーザダイオード１４と近接場光発生素子２０との間には光導波路１５、１８、１９およびビームスプリッタ１６が設けられ、ビームスプリッタ１６は光導波路１５、１８間に配置されている。また、レーザダイオード１４には共振器１４Ａが設けられ、この共振器１４Ａの光路が近接場光発生素子２０の先端に一致するように配置されている。ビームスプリッタ１６の側方には光検出器１７が配置されている。
【００２３】
そして、レーザダイオード１４から出射されたレーザ光は、光導波路１５、ビームスプリッタ１６および光導波路１８、１９を順次介して近接場光発生素子２０に入射する。そして、近接場光発生素子２０において近接場光が生成され、磁気記録層２Ｂに照射されることで磁気記録層２Ｂが局所的に加熱される。ここで、磁気ヘッドＨＭが反射層２Ｄ上を通過すると、反射層２Ｄにて近接場光が反射される。そして、近接場光の反射光は、光導波路１９、１８およびビームスプリッタ１６を順次介して光検出器１７に入射され、光検出器１７にて検出される。そして、光信号処理部６Ｃにおいて、光検出器１７の検出結果に基づいて、磁気ディスク２上の磁気ヘッドＨＭの浮上量が制御される。
【００２４】
図５は、図１の光信号処理部の概略構成を示すブロック図である。
図５において、光信号処理部６Ｃには、レーザ制御部２１、データ記憶部２２、比較演算部２３および浮上判定部２４が設けられている。そして、レーザ制御部２１は、レーザダイオード１４のレーザ電流を制御することでレーザダイオード１４の光出力を制御する。また、光検出器１７は、反射層２Ｄにて反射された近接場光強度に比例した光を検出し、データ記憶部２２は、その検出結果を記憶する。そして、比較演算部２３は、光検出器１７の検出結果に基づいて近接場光の反射量の変化を演算する。浮上判定部２４は、近接場光の反射量の変化に基づいて、磁気ディスク２上の磁気ヘッドＨＭの浮上量を判定する。そして、浮上判定部２４は、磁気ヘッドＨＭが磁気ディスク２に接触しないようにレーザ制御部２１にレーザ電流を設定させる。ここで、磁気ヘッドＨＭが磁気ディスク２に近づきすぎると、レーザ制御部２１はレーザ電流を減少させることにより、スライダ１１の膨張を減少させ、磁気ディスク２と磁気ヘッドＨＭとの間の距離を増大させることができる。
【００２５】
図６（ａ）は、図１の磁気ヘッドと磁気ディスクとの間の距離に対する光検出器の出力の関係を反射層の有無に応じて示す図、図６（ｂ）は、図１の磁気ヘッドが磁気ディスクに向かう方向に近づき磁気ディスクに接触した時の光検出器の出力変化を反射層の有無に応じて示す図である。
図６（ａ）において、磁気ディスク２と磁気ヘッドＨＭとの間の距離が小さくなると、反射層２Ｄがある時の光検出器１７の出力Ｄ２は、反射層２Ｄがない時の光検出器１７の出力Ｄ１に比べて大きくなる。このため、図６（ｂ）に示すように、反射層２Ｄがある時の経時的な光検出器１７の出力Ｐ２におけるディスク接触時の光検出器１７の出力Ｈ２は、反射層２Ｄがない時の経時的な光検出器１７の出力Ｐ１におけるディスク接触時の光検出器１７の出力Ｈ１に比べて大きくなる。
【００２６】
このように、磁気記録層２Ｂに反射層２Ｄを設けることにより、磁気ヘッドＨＭと磁気ディスク２との間の距離に応じた光検出器１７の出力変動を増大させることができる。このため、磁気ヘッドＨＭと磁気ディスク２との間の距離の検出精度を向上させることができ、磁気ディスク２上の磁気ヘッドＨＭの浮上量の制御精度を向上させることができる。
【００２７】
図７は、図１の磁気ヘッドが磁気ディスクに接触した時の出力パワーの算出方法を示すフローチャートである。
図７において、変数ｎを初期値＝０に設定した後、レーザ制御部２１は、レーザダイオード１４の出力パワー（ｎ）を設定する（Ｓ１）。次に、光検出器１７にて検出された検出器出力（ｎ）は記憶部２２に出力される（Ｓ２）。次に、比較演算部２３は、検出器出力（ｎ）の基準傾きＳＫ０を算出する（Ｓ３）。この基準傾きＳＫ０は、（検出器出力（ｎ）−（０））／（出力パワー（ｎ）−（０））で与えることができる。基準傾きＳＫ０は、基準傾きＳＫ０を調整する判定用係数とともに保持される（Ｓ４）。なお、判定用係数と基準傾きＳＫ０とにより、後述する（Ｓ１０）の処理での基準値を算出することができる。
【００２８】
次に、出力パワー（ｎ）が基準パワー以上かどうかを判断し（Ｓ５）、出力パワー（ｎ）が基準パワー以上でない場合、変数ｎを１だけ増加させ（Ｓ６）、出力パワー（ｎ）が基準パワー以上になるまでＳ１〜Ｓ６の処理を繰り返す。なお、基準パワーは、図６（ａ）において、検出器出力（ｎ）の傾きが線形性を持つ範囲内ＲＢに設定することができる。
【００２９】
出力パワー（ｎ）が基準パワー以上になると、次に、レーザ制御部２１は、レーザダイオード１４の出力パワー（ｎ）を設定する（Ｓ７）。次に、光検出器１７にて検出された検出器出力（ｎ）は記憶部２２に出力される（Ｓ８）。次に、比較演算部２３は、記憶部２２から検出器出力（ｎ）を読み出し、検出器出力（ｎ）の傾きＳＫ１を算出する（Ｓ９）。この傾きＳＫ１は、（検出器出力（ｎ）−（ｎ−１））／（出力パワー（ｎ）−（ｎ−１））で与えることができる。
【００３０】
次に、傾きＳＫ１が基準値以下かどうかを判断し（Ｓ１０）、傾きＳＫ１が基準値以下でない場合、変数ｎを１だけ増加させ（Ｓ１１）、傾きＳＫ１が基準値以下になるまでＳ７〜Ｓ１１の処理を繰り返す。
【００３１】
傾きＳＫ１が基準値以下になると、次に、その時の出力パワー（ｎ）を接触パワーとする（Ｓ１２）。そして、レーザ制御部２１は、出力パワー（ｎ）を接触パワー以上にならないようにレーザ電流を制御することにより、磁気ヘッドＨＭが磁気ディスク２に接触するのを防止することができる。ここで、傾きＳＫ１を基準値と比較することにより、検出器出力（ｎ）の傾きが線形性を持つ時の値からどれだけ減ったかどうかを判断することができる。このため、図６（ａ）の検出器出力（ｎ）の傾きの平坦部分ＲＡ近傍において、磁気ヘッドＨＭが磁気ディスク２に接触したと判断されるのを防止することができ、図６（ａ）の検出器出力（ｎ）の傾きの平坦部分ＲＡに起因する誤判断を防止することができる。
【００３２】
なお、図７の例では、出力パワー（ｎ）に対する検出器出力（ｎ）の傾きに基づいて磁気ヘッドＨＭの接触判定を行う方法について説明したが、検出器出力（ｎ）の差分に基づいて磁気ヘッドＨＭの接触判定を行うようにしてもよい。本実施形態によれば、磁気記録層２Ｂに反射層２Ｄを設けることにより、磁気ヘッドＨＭと磁気ディスク２との間の距離に応じた光検出器１７の出力変動を増大させることができ、磁気ヘッドＨＭと磁気ディスク２との間の距離の検出精度を向上させることが可能となる。
【００３３】
（第２実施形態）
図８は、第２実施形態に係る磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドの概略構成を示す側面図である。
図８において、この磁気ヘッドＨＭａには、図３の磁気ヘッドＨＭのレーザダイオード１４、光導波路１５、ビームスプリッタ１６および光検出器１７の代わりにレーザダイオード３１および光検出器３２が設けられている。レーザダイオード３１には、共振器３１Ａが設けられるとともに、共振器３１Ａに並列に光導波路３１Ｂが設けられている。レーザダイオード３１の後方（近接場光発生素子２０への出射方向と反対側）には光検出器３２が配置されている。
【００３４】
レーザダイオード３１と近接場光発生素子２０との間には光導波路１８、１９が設けられている。また、共振器３１Ａおよび光導波路３１Ｂの光路は光導波路１８の光路上に配置されている。
【００３５】
そして、レーザダイオード３１から出射されたレーザ光は、光導波路１８、１９を順次介して近接場光発生素子２０に入射する。そして、近接場光発生素子２０において近接場光が生成され、磁気記録層２Ｂに照射されることで磁気記録層２Ｂが局所的に加熱される。ここで、磁気ヘッドＨＭａが反射層２Ｄ上を通過すると、反射層２Ｄにて近接場光が反射される。そして、近接場光の反射光は、光導波路１９、１８、３１Ｂを順次介して光検出器３２に入射され、光検出器３２にて検出される。本実施形態によれば、レーザダイオード３１の後方で近接場光の反射光を検出することにより、図３のビームスプリッタ１６を設ける必要がなくなり、磁気ヘッドＨＭａの小型化を図ることが可能となる。
【００３６】
（第３実施形態）
図９は、第３実施形態に係る磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドの概略構成を示す側面図である。
図９において、この磁気ヘッドＨＭｂには、図８の磁気ヘッドＨＭａにヒータ３３が追加されている。ヒータ３３はスライダ１１を加熱することができる。
【００３７】
図１０は、第３実施形態に係る磁気ディスク装置に用いられる光信号処理部の概略構成を示すブロック図である。
図１０において、この光信号処理部６Ｃａには、図５の光信号処理部６Ｃにヒータ制御部２５が追加されるとともに、浮上判定部２４の代わりに浮上判定部２４ａが設けられている。
【００３８】
そして、浮上判定部２４ａは、比較演算部２３にて算出された近接場光の反射量の変化に基づいて、磁気ディスク２上の磁気ヘッドＨＭｂの浮上量を判定する。そして、浮上判定部２４ａは、磁気ヘッドＨＭｂが磁気ディスク２に接触しないように、レーザ制御部２１にレーザ電流を設定させるとともに、ヒータ制御部２５にヒータ電流を設定させる。ここで、磁気ヘッドＨＭｂが磁気ディスク２に近づきすぎると、ヒータ制御部２５はヒータ電流を減少させることにより、スライダ１１の膨張を減少させ、磁気ディスク２と磁気ヘッドＨＭｂとの間の距離を増大させることができる。
【００３９】
なお、図９の例では、図８の磁気ヘッドＨＭａにヒータ３３を追加する構成について示したが、図３の磁気ヘッドＨＭにヒータ３３を追加するようにしてもよい。本実施形態によれば、近接場光の反射量の変化に基づいてヒータ電流を制御することにより、レーザ電流の制御のみでスライダ１１の膨縮を制御した場合に比べて、磁気ヘッドＨＭｂと磁気ディスク２との間隔の調整幅を向上させることができる。
【００４０】
（第４実施形態）
図１１（ａ）から図１１（ｄ）および図１２（ａ）から図１２（ｄ）は、第４実施形態に係る磁気ディスクの製造方法を示す断面図である。
図１１（ａ）において、スパッタ、蒸着または塗布などの方法にて基板２Ａ上に磁気記録層２Ｂを形成する。次に、ＣＶＤなどの方法にて磁気記録層２Ｂ上にストッパ層４１を形成する。なお、ストッパ層４１の材料は、例えばシリコン酸化膜を用いることができる。ストッパ層４１の膜厚は１ｎｍ程度に設定することができる。次に、スピンコートなどの方法にてストッパ層４１上にレジスト層４２を形成する。なお、レジスト層４２としては、ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）を用いるようにしてもよい。レジスト層４２の膜厚は１００ｎｍ程度に設定することができる。
【００４１】
次に、図１１（ｂ）に示すように、スタンパ４３をレジスト層４２に押し当てることにより、レジスト層４２に凹部４４を形成する。
【００４２】
次に、図１１（ｃ）に示すように、スタンパ４３をレジスト層４２上から除去した後、図１１（ｄ）に示すように、Ａｒガスを原料とするイオンミリングなどの方法にてレジスト層４２、ストッパ層４１および磁気記録層２Ｂをエッチバックすることにより、磁気記録層２Ｂに凹部４５を形成する。なお、例えば、凹部４５の深さＦは５ｎｍ程度に設定することができる。
【００４３】
次に、図１２（ａ）に示すように、スパッタまたは蒸着などの方法にて凹部４５が埋め込まれるようにレジスト層４２および磁気記録層２Ｂ上に反射層２Ｄを形成する。なお、例えば、この時の反射層２Ｄの膜厚は６ｎｍ程度に設定することができる。
【００４４】
次に、図１２（ｂ）に示すように、酸素ガスを原料とするＲＩＥなどの方法にてレジスト層４２上の反射層２Ｄをレジスト層４２とともに除去する。
【００４５】
次に、図１２（ｃ）に示すように、Ａｒガスを原料とするイオンミリングなどの方法にてストッパ層４１および反射層２Ｄの一部をエッチバックすることにより、ストッパ層４１を除去するとともに、磁気記録層２Ｂに対して反射層２Ｄが平坦になるように反射層２Ｄを薄膜化する。なお、この時の反射層２Ｄのエッチング量は１ｎｍ程度に設定することができる。
【００４６】
次に、図１２（ｄ）に示すように、プラズマＣＶＤなどの方法にて磁気記録層２Ｂおよび反射層２Ｄ上に保護膜２Ｃを形成する。なお、例えば、保護膜２Ｃの膜厚は３ｎｍ程度に設定することができる。
【００４７】
（第５実施形態）
図１３（ａ）から図１３（ｃ）は、第５実施形態に係る磁気ディスクの製造方法を示す断面図である。
図１３（ａ）において、図１１（ａ）から図１１（ｄ）と同様の工程を経た後、１３（ａ）に示すように、スパッタまたは蒸着などの方法にて凹部４５が埋め込まれるようにレジスト層４２および磁気記録層２Ｂ上に反射層２Ｄを形成する。なお、例えば、この時の反射層２Ｄの膜厚は５ｎｍ程度に設定することができる。
【００４８】
次に、図１３（ｂ）に示すように、酸素ガスを原料とするＲＩＥなどの方法にてレジスト層４２上の反射層２Ｄをレジスト層４２とともに除去する。
【００４９】
次に、図１３（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤなどの方法にてストッパ層４１および反射層２Ｄ上に保護膜２Ｃを形成する。なお、例えば、保護膜２Ｃの膜厚は３ｎｍ程度に設定することができる。
【００５０】
ここで、磁気記録層２Ｂ上にストッパ層４１を残したままにすることにより、ストッパ層４１を除去する工程を省略することができ、工程数を減らすことができる。
【００５１】
（第６実施形態）
図１４（ａ）から図１４（ｄ）および図１５（ａ）から図１５（ｃ）は、第６実施形態に係る磁気ディスクの製造方法を示す断面図である。
図１４（ａ）において、スパッタ、蒸着または塗布などの方法にて基板２Ａ上に磁気記録層２Ｂを形成する。次に、スピンコートなどの方法にて磁気記録層２Ｂ上にレジスト層４２を形成する。
【００５２】
次に、図１４（ｂ）に示すように、スタンパ４３をレジスト層４２に押し当てることにより、レジスト層４２に凹部４４を形成する。
【００５３】
次に、図１４（ｃ）に示すように、スタンパ４３をレジスト層４２上から除去した後、図１４（ｄ）に示すように、Ａｒガスを原料とするイオンミリングなどの方法にてレジスト層４２および磁気記録層２Ｂをエッチバックすることにより、磁気記録層２Ｂに凹部４５を形成する。なお、例えば、凹部４５の深さＦは５ｎｍ程度に設定することができる。
【００５４】
次に、図１５（ａ）に示すように、スパッタまたは蒸着などの方法にて凹部４５が埋め込まれるようにレジスト層４２および磁気記録層２Ｂ上に反射層２Ｄを形成する。なお、例えば、この時の反射層２Ｄの膜厚は５ｎｍ程度に設定することができる。
【００５５】
次に、図１５（ｂ）に示すように、酸素ガスを原料とするＲＩＥなどの方法にてレジスト層４２上の反射層２Ｄをレジスト層４２とともに除去する。
【００５６】
次に、図１５（ｃ）に示すように、プラズマＣＶＤなどの方法にて磁気記録層２Ｂおよび反射層２Ｄ上に保護膜２Ｃを形成する。なお、例えば、保護膜２Ｃの膜厚は３ｎｍ程度に設定することができる。
【００５７】
ここで、磁気記録層２Ｂ上に図１２（ａ）のストッパ層４１を形成することなく、磁気記録層２Ｂおよび反射層２Ｄ上にレジスト層４２を形成することにより、ストッパ層４１を除去する工程を省略することができ、工程数を減らすことができる。
【００５８】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００５９】
１  ケース、２  磁気ディスク、３  スピンドルモータ、ＨＭ  磁気ヘッド、Ａ  アーム、４  ボイスコイルモータ、５  磁気記録制御部、６  ヘッド制御部、６Ａ  ライト電流制御部、６Ｂ  再生信号検出部、６Ｃ  光信号処理部、７  パワー制御部、７Ａ  スピンドルモータ制御部、７Ｂ  ボイスコイルモータ制御部、８  リードライトチャネル、９  ハードディスク制御部、１０  スピンドル、ＨＳ  ホスト、２Ａ  基板、２Ｂ  磁気記録層、２Ｃ  保護膜、２Ｄ  反射層、１１  スライダ、１２  記録コア、１３  再生ヘッド、１４  レーザダイオード、１４Ａ  共振器、１５、１８、１９  光導波路、１６  ビームスプリッタ、１７  光検出器、２０  近接場光発生素子、２１  レーザ制御部、２２  データ記憶部、２３  比較演算部、２４  浮上判定部
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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