(57)【要約】【課題】接続信頼性を向上可能な突起電極を有する半導体装置及び配線基板、並びにそれらの製造方法を提供する。【解決手段】本半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の主面に形成された電極パッドと、前記電極パッドと電気的に接続された突起電極と、を有し、前記突起電極は、前記電極パッド上に設けられた台座部と、前記台座部上に設けられた突起部と、を備え、前記突起部は、前記台座部よりも小幅の柱状部と、前記柱状部の前記台座部側の端部から前記台座部に向かって徐々に拡幅するテーパ部と、を備え、前記テーパ部側面の前記主面に垂直な平面に対する傾斜角は、前記台座部側面の前記平面に対する傾斜角及び前記柱状部側面の前記平面に対する傾斜角よりも大きい。【選択図】図１
2014003201.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板の主面に形成された電極パッドと、
前記電極パッドと電気的に接続された突起電極と、を有し、
前記突起電極は、前記電極パッド上に設けられた台座部と、前記台座部上に設けられた突起部と、を備え、
前記突起部は、前記台座部よりも小幅の柱状部と、前記柱状部の前記台座部側の端部から前記台座部に向かって徐々に拡幅するテーパ部と、を備え、
前記テーパ部側面の前記主面に垂直な平面に対する傾斜角は、前記台座部側面の前記平面に対する傾斜角及び前記柱状部側面の前記平面に対する傾斜角よりも大きい半導体装置。
【請求項２】
前記柱状部の高さは、前記テーパ部の高さよりも高い請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
絶縁性部材と、
前記絶縁性部材の主面に形成された電極パッドと、
前記電極パッドと電気的に接続された突起電極と、を有し、
前記突起電極は、前記電極パッド上に設けられた台座部と、前記台座部上に設けられた突起部と、を備え、
前記突起部は、前記台座部よりも小幅の柱状部と、前記柱状部の前記台座部側の端部から前記台座部に向かって徐々に拡幅するテーパ部と、を備え、
前記テーパ部側面の前記主面に垂直な平面に対する傾斜角は、前記台座部側面の前記平面に対する傾斜角及び前記柱状部側面の前記平面に対する傾斜角よりも大きい配線基板。
【請求項４】
前記柱状部の高さは、前記テーパ部の高さよりも高い請求項３記載の配線基板。
【請求項５】
半導体基板の主面に電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッドと電気的に接続された突起電極を形成する工程と、を有し、
前記突起電極を形成する工程は、
前記半導体基板の主面に前記電極パッドを被覆する金属層を形成する工程と、
前記金属層上に、前記突起電極の形成位置に対応する部分に開口部を備えたレジスト層を形成する工程と、
前記開口部内に露出する前記レジスト層の前記金属層側の端部に環状の切れ込み部を形成する工程と、
前記切れ込み部を含む前記開口部内に金属を充填し、前記切れ込み部に形成されたテーパ部と、前記テーパ部上に前記テーパ部と一体に形成された柱状部と、を含む突起部を形成する工程と、
前記レジスト層を除去後、前記突起部をマスクとして前記金属層をエッチングし、前記電極パッドと前記テーパ部との間に台座部を形成して、前記台座部と前記突起部とを備えた前記突起電極を形成する工程と、を含む半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記切れ込み部を形成する工程では、前記開口部内に薬液を供給し、前記薬液により前記開口部内に露出する前記レジスト層の前記金属層側の端部を溶解して前記切れ込み部を形成する請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記切れ込み部を形成する工程では、前記開口部内に水を供給し、前記水により前記開口部内に露出する前記レジスト層の前記金属層側の端部を膨潤剥離させて前記切れ込み部を形成する請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
絶縁性部材の主面に電極パッドを形成する工程と、
前記電極パッドと電気的に接続された突起電極を形成する工程と、を有し、
前記突起電極を形成する工程は、
前記絶縁性部材の主面に前記電極パッドを被覆する金属層を形成する工程と、
前記金属層上に、前記突起電極の形成位置に対応する部分に開口部を備えたレジスト層を形成する工程と、
前記開口部内に露出する前記レジスト層の前記金属層側の端部に環状の切れ込み部を形成する工程と、
前記切れ込み部を含む前記開口部内に金属を充填し、前記切れ込み部に形成されたテーパ部と、前記テーパ部上に前記テーパ部と一体に形成された柱状部と、を含む突起部を形成する工程と、
前記レジスト層を除去後、前記突起部をマスクとして前記金属層をエッチングし、前記電極パッドと前記テーパ部との間に台座部を形成して、前記台座部と前記突起部とを備えた前記突起電極を形成する工程と、を含む配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記切れ込み部を形成する工程では、前記開口部内に薬液を供給し、前記薬液により前記開口部内に露出する前記レジスト層の前記金属層側の端部を溶解して前記切れ込み部を形成する請求項８記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記切れ込み部を形成する工程では、前記開口部内に水を供給し、前記水により前記開口部内に露出する前記レジスト層の前記金属層側の端部を膨潤剥離させて前記切れ込み部を形成する請求項８記載の配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及び配線基板、並びにそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、外部接続端子となる突起電極を備えた半導体装置や配線基板が知られている。このような半導体装置や配線基板では、突起電極の狭ピッチ化を可能とするための様々な試みがなされている。
【０００３】
このような半導体装置や配線基板において、突起電極は、例えば、以下のようにして形成される（ここでは、半導体装置に突起電極を形成する例を示す）。まず、半導体基板（半導体ウェハ）上に金属層を形成し、更に、金属層上に開口部を備えたレジスト層を形成する。そして、開口部内に露出する金属層上に、例えば、電解めっき法により突起部を形成する。そして、レジスト層を除去後、突起部に被覆されていない金属層をエッチングにより除去する。これにより、金属層上に突起部が形成された、例えば、円柱状の突起電極が形成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−２００２４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、突起部に被覆されていない金属層をエッチングにより除去する際に、突起部に被覆されている金属層の一部も一緒に除去される。具体的には、突起部の外周近傍に被覆されている金属層の一部が除去され、突起電極の根元部分が環状にくびれる。換言すれば、突起電極の下側（半導体基板側）の幅が上側の幅よりも狭くなる。
【０００６】
突起電極の根元部分がくびれると、特に、突起電極の小径化、狭ピッチ化が進んだ際に、接続信頼性が低下する問題が生じる。例えば、半導体装置が高温下や低温下で繰り返し使用された場合の熱ストレスにより、突起電極の根元部分（くびれた部分）にクラックが入ったり断線したりする問題が生じる。
【０００７】
本発明は、上記の点に鑑みてなされたものであり、接続信頼性を向上可能な突起電極を有する半導体装置及び配線基板、並びにそれらの製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板の主面に形成された電極パッドと、前記電極パッドと電気的に接続された突起電極と、を有し、前記突起電極は、前記電極パッド上に設けられた台座部と、前記台座部上に設けられた突起部と、を備え、前記突起部は、前記台座部よりも小幅の柱状部と、前記柱状部の前記台座部側の端部から前記台座部に向かって徐々に拡幅するテーパ部と、を備え、前記テーパ部側面の前記主面に垂直な平面に対する傾斜角は、前記台座部側面の前記平面に対する傾斜角及び前記柱状部側面の前記平面に対する傾斜角よりも大きいことを要件とする。
【０００９】
本配線基板は、絶縁性部材と、前記絶縁性部材の主面に形成された電極パッドと、前記電極パッドと電気的に接続された突起電極と、を有し、前記突起電極は、前記電極パッド上に設けられた台座部と、前記台座部上に設けられた突起部と、を備え、前記突起部は、前記台座部よりも小幅の柱状部と、前記柱状部の前記台座部側の端部から前記台座部に向かって徐々に拡幅するテーパ部と、を備え、前記テーパ部側面の前記主面に垂直な平面に対する傾斜角は、前記台座部側面の前記平面に対する傾斜角及び前記柱状部側面の前記平面に対する傾斜角よりも大きいことを要件とする。
【００１０】
本半導体装置の製造方法は、半導体基板の主面に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドと電気的に接続された突起電極を形成する工程と、を有し、前記突起電極を形成する工程は、前記半導体基板の主面に前記電極パッドを被覆する金属層を形成する工程と、前記金属層上に、前記突起電極の形成位置に対応する部分に開口部を備えたレジスト層を形成する工程と、前記開口部内に露出する前記レジスト層の前記金属層側の端部に環状の切れ込み部を形成する工程と、前記切れ込み部を含む前記開口部内に金属を充填し、前記切れ込み部に形成されたテーパ部と、前記テーパ部上に前記テーパ部と一体に形成された柱状部と、を含む突起部を形成する工程と、前記レジスト層を除去後、前記突起部をマスクとして前記金属層をエッチングし、前記電極パッドと前記テーパ部との間に台座部を形成して、前記台座部と前記突起部とを備えた前記突起電極を形成する工程と、を含むことを要件とする。
【００１１】
本配線基板の製造方法は、絶縁性部材の主面に電極パッドを形成する工程と、前記電極パッドと電気的に接続された突起電極を形成する工程と、を有し、前記突起電極を形成する工程は、前記絶縁性部材の主面に前記電極パッドを被覆する金属層を形成する工程と、前記金属層上に、前記突起電極の形成位置に対応する部分に開口部を備えたレジスト層を形成する工程と、前記開口部内に露出する前記レジスト層の前記金属層側の端部に環状の切れ込み部を形成する工程と、前記切れ込み部を含む前記開口部内に金属を充填し、前記切れ込み部に形成されたテーパ部と、前記テーパ部上に前記テーパ部と一体に形成された柱状部と、を含む突起部を形成する工程と、前記レジスト層を除去後、前記突起部をマスクとして前記金属層をエッチングし、前記電極パッドと前記テーパ部との間に台座部を形成して、前記台座部と前記突起部とを備えた前記突起電極を形成する工程と、を含むことを要件とする。
【発明の効果】
【００１２】
開示の技術によれば、接続信頼性を向上可能な突起電極を有する半導体装置及び配線基板、並びにそれらの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図（その１）である。
【図３】第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図（その２）である。
【図４】第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１５】
〈第１の実施の形態〉
［第１の実施の形態に係る半導体装置の構造］
図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図１を参照するに、半導体装置１は、半導体基板１０と、電極パッド２０と、突起電極３０とを有する。
【００１６】
半導体基板１０は、例えば、薄板化された略円形状の半導体基板（ウェハ）が切断され個片化されたものである。半導体基板１０の材料の一例としては、シリコン（Ｓｉ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）等を挙げることができるが、以下の説明はシリコン（Ｓｉ）を例に行う。半導体基板１０の厚さは、例えば５０〜８００μｍ程度とすることができる。
【００１７】
半導体基板１０の電極パッド２０側には半導体集積回路（図示せず）が形成されている。半導体集積回路（図示せず）は、半導体基板１０に形成された拡散層（図示せず）、絶縁層（図示せず）、ビア（図示せず）、配線（図示せず）等から構成されている。なお、半導体基板１０において、電極パッド２０が形成されている側の面を、主面と称する場合がある。
【００１８】
電極パッド２０は、半導体基板１０の主面上に設けられている。電極パッド２０は、半導体集積回路（図示せず）に設けられた配線（図示せず）と電気的に接続されている。電極パッド２０の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。
【００１９】
電極パッド２０の材料として、銅（Ｃｕ）層の上にアルミニウム（Ａｌ）層を形成したもの、銅（Ｃｕ）層の上にシリコン（Ｓｉ）層を形成し、その上に更にアルミニウム（Ａｌ）層を形成したもの等を用いても構わない。電極パッド２０の厚さは、例えば、１０μｍ程度とすることができる。
【００２０】
なお、半導体基板１０の主面に、電極パッド２０を露出するように、保護膜を設けても構わない。保護膜としては、例えば、ＳｉＮ膜、ＰＳＧ膜等を用いることができる。又、ＳｉＮ膜やＰＳＧ膜等からなる層に、更にポリイミド等からなる層を積層しても構わない。
【００２１】
突起電極３０は、台座部３１と、突起部３２とを有し、電極パッド２０と電気的に接続されている。台座部３１は、電極パッド２０上に設けられている。台座部３１は、電極パッド２０上の全面に設けてもよいし、電極パッド２０の外周部を除く領域等に設けてもよい。台座部３１は導電体であり、例えば、チタン（Ｔｉ）膜と銅（Ｃｕ）膜との積層構造とすることができる。この場合、チタン（Ｔｉ）膜の厚さは、例えば、０．１μｍ程度、銅（Ｃｕ）膜の厚さは、例えば、０．５μｍ程度とすることができる。台座部３１は、クローム（Ｃｒ）膜と銅（Ｃｕ）膜との積層構造等としてもよい。台座部３１は、例えば、円盤状に形成することができ、その場合の直径は、例えば、２０〜５０μｍ程度とすることができる。
【００２２】
突起部３２は、台座部３１上に設けられている。突起部３２は、台座部３１よりも小幅の柱状部３３と、柱状部３３の台座部３１側の端部から台座部３１に向かって徐々に拡幅するテーパ部３４と、を備えている。換言すれば、柱状部３３の平面形状は台座部３１の平面形状よりも小さく形成されており、テーパ部３４は、平面視において、柱状部３３の外縁から環状に外方に突出している。又、テーパ部３４の側面は、傾斜面である。なお、柱状部３３とテーパ部３４とは一体に形成されているが、便宜上、境界部（説明のために設けた境界）を破線で示している。
【００２３】
テーパ部３４の側面の半導体基板２０の主面に垂直な平面に対する傾斜角は、台座部３１の側面の前記平面に対する傾斜角及び柱状部３３の側面の前記平面に対する傾斜角よりも大きくされている。なお、台座部３１の側面の前記平面に対する傾斜角及び柱状部３３の側面の前記平面に対する傾斜角は、略０°である。つまり、台座部３１の側面及び柱状部３３の側面は、半導体基板２０の主面に対して略垂直に形成されている。
【００２４】
柱状部３３は、例えば、円柱状に形成することができる。この場合、柱状部３３の直径は、例えば、２０〜５０μｍ程度とすることができる。但し、柱状部３３の直径は、台座部３１の直径よりも、数μｍ程度小さくなる。テーパ部３４の平面形状は、例えば、円形とすることができる。この場合、テーパ部３４の最小直径（柱状部３３と連続する部分の直径）は柱状部３３の直径と同一である。テーパ部３４の最大直径（台座部３１と接する部分の直径）は、例えば、柱状部３３の直径プラス４μｍ程度とすることができる。この場合、テーパ部３４は、平面視において、柱状部３３の外縁から円環状に外方に突出し、柱状部３３の外縁から外方に突出する部分の幅が２μｍ程度となる。
【００２５】
柱状部３３及びテーパ部３４は導電体であり、例えば、銅（Ｃｕ）等から構成することができる。柱状部３３の高さは、テーパ部３４の高さよりも高く形成されている。柱状部３３の高さは、例えば、３０μｍ程度とすることができる。テーパ部３４の高さは、例えば、数μｍ程度とすることができる。なお、テーパ部３４の傾斜面の断面形状は直線状であってもよいし、曲線状であってもよいし、直線と曲線とが混在していてもよい。又、柱状部３３は、例えば、楕円柱状や角柱状としてもよいし、これに対応して、テーパ部３４の平面形状は、例えば、楕円形や矩形としてもよい。
【００２６】
このように、突起電極３０は、銅（Ｃｕ）を主成分として構成することができる。したがって、突起電極３０を銅ピラーと称しても構わない。なお、図１では、突起電極３０は図面を簡略化するために数量を減らして描かれているが、実際には、例えば、多数の突起電極３０がペリフェラル状やエリアアレイ状に設けられている。突起電極３０のピッチは、例えば３０〜６０μｍ程度とすることができる。
【００２７】
［第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法］
次に、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造方法について説明する。図２及び図３は、第１の実施の形態に係る半導体装置の製造工程を例示する図である。
【００２８】
まず、図２（ａ）に示す工程では、略円形状の半導体基板１０Ａ（シリコンウェハ）を準備する。半導体基板１０Ａの直径は、例えば６インチ（約１５０ｍｍ）、８インチ（約２００ｍｍ）、１２インチ（約３００ｍｍ）等とすることができる。又、半導体基板１０Ａの厚さは、例えば０．６２５ｍｍ（直径＝６インチの場合）、０．７２５ｍｍ（直径＝８インチの場合）、０．７７５ｍｍ（直径＝１２インチの場合）等とすることができる。
【００２９】
次に、準備した半導体基板１０Ａの最終的に個片化されて半導体基板１０となる複数の領域に、周知の手法により、各々半導体集積回路（図示せず）や電極パッド２０等を形成する。電極パッド２０の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）等を用いることができる。
【００３０】
電極パッド２０の材料として、銅（Ｃｕ）層の上にアルミニウム（Ａｌ）層を形成したもの、銅（Ｃｕ）層の上にシリコン（Ｓｉ）層を形成し、その上に更にアルミニウム（Ａｌ）層を形成したもの等を用いても構わない。電極パッド２０の厚さは、例えば、１０μｍ程度とすることができる。
【００３１】
次に、半導体基板１０となる複数の領域の各主面上に、電極パッド２０を被覆する金属層３１Ａを形成する。金属層３１Ａは、例えば、チタン（Ｔｉ）膜と銅（Ｃｕ）膜との積層構造とすることができる。この場合、電極パッド２０上のチタン（Ｔｉ）膜の厚さは、例えば、０．１μｍ程度、電極パッド２０上の銅（Ｃｕ）膜の厚さは、例えば、０．５μｍ程度とすることができる。金属層３１Ａは、例えば、スパッタ法等により形成できる。金属層３１Ａは、クローム（Ｃｒ）膜と銅（Ｃｕ）膜との積層構造等としてもよい。なお、金属層３１Ａは、最終的にエッチングされて台座部３１となる部分である。
【００３２】
なお、図２（ａ）〜図３（ｃ）は、半導体基板１０Ａの最終的に個片化されて半導体基板１０となる複数の領域（半導体装置１となる複数の領域）の内の１つのみを図示している。
【００３３】
次に、図２（ｂ）に示す工程では、金属層３１Ａ上に液状又はペースト状のレジストを塗布して、又は、フィルム状のレジスト（ドライフィルムレジスト等）をラミネートしてレジスト層５０を形成する。そして、塗布又はラミネートしたレジスト層５０を露光及び現像することで突起電極３０の形成位置に対応する部分に開口部５５を形成する。
【００３４】
開口部５５は、例えば、ペリフェラル状やエリアアレイ状に形成できる。開口部５５の平面形状は、例えば、円形とすることができる。開口部５５の平面形状が円形である場合、その直径は、例えば、２０〜５０μｍ程度とすることができる。開口部５５のピッチは、例えば３０〜６０μｍ程度とすることができる。
【００３５】
次に、図２（ｃ）に示す工程では、各開口部５５内に薬液を供給し、薬液により各開口部５５内に露出するレジスト層５０の金属層３１Ａ側の端部（各開口部５５内に露出するレジスト層５０の根元部分）を溶解して環状の切れ込み部５５ｘを形成する。切れ込み部５５ｘは、各開口部５５内に露出するレジスト層５０の金属層３１Ａ側の端部に、金属層３１Ａ側に向かって徐々に拡幅するテーパ状に形成される。
【００３６】
つまり、切れ込み部５５ｘの内側面は、傾斜面とされている。切れ込み部５５ｘの最大直径（金属層３１Ａと接する部分の直径）は、例えば、開口部５５の切れ込み部５５ｘが形成されていない部分の直径プラス４μｍ程度とすることができる。切れ込み部５５ｘの最高部の高さ（金属層３１Ａ表面からの高さ）は、例えば、数μｍ程度とすることができる。
【００３７】
薬液としては、レジスト層５０を溶解できればどのような溶液を用いても構わないが、例えば、弱酸性に調整された溶液を用いることができる。弱酸性に調整された溶液の一例としては、濃度が５％以下の硫酸水溶液等を挙げることができる。この溶液は、特にレジスト層５０としてドライフィルムレジストを用いた場合に有効である。薬液の供給は、例えば、ノズルから滴下することにより行ってもよいし、スプレーから所定の圧力で吹き付けることにより行ってもよいし、その他の方法により行ってもよい。
【００３８】
次に、図３（ａ）に示す工程では、切れ込み部５５ｘを含む各開口部５５内に金属を充填し、各開口部５５内に露出する金属層３１Ａ上に、柱状部３３及びテーパ部３４を含む突起部３２を形成する。突起部３２は、例えば、金属層３１Ａを給電層として利用する電解めっき法等により形成できる。柱状部３３及びテーパ部３４の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。この工程により、切れ込み部５５ｘに形成されたテーパ部３４と、テーパ部３４上にテーパ部３４と一体に形成された柱状部３３とを含む突起部３２が形成される。なお、突起部３２の高さは、例えば、３０μｍ程度とすることができる。
【００３９】
次に、図３（ｂ）に示す工程では、図３（ａ）に示すレジスト層５０を除去する。そして、図３（ｃ）に示す工程では、突起部３２をマスクとして図３（ｂ）に示す金属層３１Ａの不要部分をエッチングにより除去し、電極パッド２０とテーパ部３４との間に台座部３１を形成する。この工程により、台座部３１と突起部３２（柱状部３３及びテーパ部３４）とを備えた突起電極３０が形成される。
【００４０】
図３（ｃ）に示す工程において、テーパ部３４の側面の半導体基板２０の主面に垂直な平面に対する傾斜角は、台座部３１の側面の前記平面に対する傾斜角及び柱状部３３の側面の前記平面に対する傾斜角よりも大きく形成される。又、台座部３１の側面及び柱状部３３の側面は、半導体基板２０の主面に対して略垂直に形成される。
【００４１】
図３（ｃ）に示す工程において、金属層３１Ａの不要部分をエッチングにより除去する際に、突起部３２のテーパ部３４が傘となるため、金属層３１Ａが過剰にエッチングされることはない。そのため、突起電極３０の根元部分がくびれることを防止できる。より詳しくは、突起電極３０において、台座部３１の幅が柱状部３３の幅よりも狭くなることを防止できる。
【００４２】
図３（ｃ）に示す工程の後、半導体基板１０Ａをダイシング等により個片化することにより、図１に示す半導体装置１が複数個作製される。
【００４３】
このように、第１の実施の形態では、金属層３１Ａ上に開口部５５内を備えたレジスト層５０を形成し、開口部５５内に露出するレジスト層５０の金属層３１Ａ側の端部を溶解して環状の切れ込み部５５ｘを形成する。そして、切れ込み部５５ｘを含む開口部５５内に金属を充填し、柱状部３３及びテーパ部３４を含む突起部３２を形成する。そして、レジスト層５０を除去後、突起部３２をマスクとして金属層３１Ａをエッチングし、電極パッド２０とテーパ部３４との間に台座部３１を形成して、台座部３１と突起部３２とを備えた突起電極３０を形成する。
【００４４】
これにより、金属層３１Ａをエッチングする工程において、突起部３２のテーパ部３４が傘となり、金属層３１Ａが過剰にエッチングされないため、突起電極３０の根元部分がくびれることを防止できる。より詳しくは、突起電極３０において、台座部３１の幅が柱状部３３の幅よりも狭くなることを防止できる。
【００４５】
突起電極の根元部分がくびれると、特に、突起電極の小径化、狭ピッチ化が進んだ際に、接続信頼性が低下する問題が生じる。例えば、半導体装置が高温下や低温下で繰り返し使用された場合の熱ストレスにより、突起電極の根元部分（くびれた部分）にクラックが入ったり断線したりする問題が生じる。
【００４６】
第１の実施の形態に係る半導体装置１では、突起電極３０の根元部分がくびれることを防止できるため、突起電極３０の小径化、狭ピッチ化が進んだ場合でも、接続信頼性を確保できる。
【００４７】
〈第１の実施の形態の変形例〉
第１の実施の形態の変形例では、第１の実施の形態とは異なる方法により切れ込み部５５ｘを形成する例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００４８】
ドライフィルムレジストは、アクリル系共重合体とアクリレートモノマーとを主成分として含んでおり、水に対して微溶解である。そこで、図２（ｂ）に示す工程において、レジスト層５０としてドライフィルムレジストを用いた場合には、図２（ｃ）に示す工程において、各開口部５５内に水を供給してもよい。各開口部５５内に水を供給することにより、各開口部５５内に露出するレジスト層５０の金属層３１Ａ側の端部を膨潤剥離で浮き上がらせて切れ込み部５５ｘを形成できる。なお、水に対して微溶解であれば、ドライフィルムレジスト以外のレジストを用いても構わない。
【００４９】
各開口部５５内に露出するレジスト層５０の金属層３１Ａ側の端部を膨潤剥離で浮き上がらせるためには、各開口部５５内に露出するレジスト層５０の金属層３１Ａ側の端部を、例えば、数時間程度水に浸漬させる必要がある。但し、所定の水圧で各開口部５５内に露出するレジスト層５０の金属層３１Ａ側の端部を叩くことにより、切れ込み部５５ｘの形成時間を短縮することができる。
【００５０】
このように、レジスト層５０として水に対して微溶解のレジストを用い、各開口部５５内に露出するレジスト層５０の金属層３１Ａ側の端部を水に浸漬させ、各開口部５５の下端側を膨潤剥離で浮き上がらせて切れ込み部５５ｘを形成してもよい。この場合にも、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００５１】
〈第２の実施の形態〉
第２の実施の形態では、本発明を配線基板に適用する例を示す。なお、第２の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部品についての説明は省略する。
【００５２】
図４は、第２の実施の形態に係る配線基板を例示する断面図である。図２を参照するに、配線基板２は、絶縁性部材７０と、電極パッド８０と、突起電極３０とを有する。
【００５３】
絶縁性部材７０は、例えば、ガラスクロスにエポキシ系樹脂を含浸させた部材である。絶縁性部材７０の厚さは、例えば、数１００μｍ程度とすることができる。電極パッド８０は、絶縁性部材７０の主面上に設けられている。電極パッド８０は、絶縁性部材７０の主面上に形成された配線パターン（図示せず）と電気的に接続されている。電極パッド８０の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。電極パッド８０の厚さは、例えば、１０μｍ程度とすることができる。
【００５４】
なお、絶縁性部材７０の主面上に、電極パッド８０を露出するソルダーレジスト層を設けてもよい。ソルダーレジスト層としては、例えば、感光性のエポキシ系絶縁性樹脂等を用いることができる。又、絶縁性部材７０の主面とは反対側の面上にも配線パターンを設け、絶縁性部材７０を貫通するスルーホールを介して、主面上に形成された配線パターンと電気的に接続してもよい。又、絶縁性部材７０の主面上又はその反対側の面上の何れか一方又は双方に、多層化された配線パターンを形成してもよい。
【００５５】
電極パッド８０上には、第１の実施の形態と同様の突起電極３０が形成されている。配線基板２において、突起電極３０は、第１の実施の形態と同様の方法により形成できる。但し、図２（ａ）に示す工程で形成する金属層３１Ａの材料として、銅（Ｃｕ）等を用いることができる。又、金属層３１Ａは、例えば、無電解めっき法等により形成できる。
【００５６】
このように、配線基板２に突起電極３０を形成した場合にも、第１の実施の形態と同様の効果を奏する。
【００５７】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００５８】
例えば、第２の実施の形態において、第１の実施の形態の変形例と同様の変形を加えてもよい。
【符号の説明】
【００５９】
１  半導体装置
２  配線基板
１０、１０Ａ  半導体基板
２０、８０  電極パッド
３０  突起電極
３１  台座部
３１Ａ  金属層
３２  突起部
３３  柱状部
３４  テーパ部
５０  レジスト層
５５  開口部
５５ｘ  切れ込み部
７０  絶縁性部材
【図１】
2014003201.tif 000003
【図２】
2014003201.tif 000004
【図３】
2014003201.tif 000005
【図４】
2014003201.tif 000006