(57)【要約】      （修正有）【課題】電極の損傷及び製品の特性低下を防止することができる高周波インダクタの製造方法を提供する。【解決手段】高周波インダクタの製造方法は、ウェハ上に前記高周波インダクタの製造のための１次コイルを形成する段階と、１次コイルが形成されたウェハ上に１次ＰＳＶをコーティングする段階と、１次ＰＳＶをコーティングした後、２次コイルを形成する段階と、２次コイルを形成した後、２次ＰＳＶをコーティングする段階と、２次ＰＳＶをコーティングした後、高周波インダクタの露出される電極部位にバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）３４０を形成する段階と、バリア層を形成した後、ウェハ上に絶縁性樹脂３５０を充填し、硬化させる段階と、硬化された樹脂をバリア層まで研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）して電極３３０を露出させる段階と、を含む。【選択図】図３ｅ
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
高周波インダクタの製造方法であって、
（ａ）ウェハ上に前記高周波インダクタの製造のための１次コイルを形成する段階と、
（ｂ）前記１次コイルが形成されたウェハ上に１次パッシベーション層ＰＳＶをコーティングする段階と、
（ｃ）前記１次パッシベーション層ＰＳＶをコーティングした後、前記高周波インダクタの製造のための２次コイルを形成する段階と、
（ｄ）前記２次コイルを形成した後、２次パッシベーション層ＰＳＶをコーティングする段階と、
（ｅ）前記２次パッシベーション層ＰＳＶをコーティングした後、前記高周波インダクタの露出される電極部位にバリア層を形成する段階と、
（ｆ）前記バリア層を形成した後、ウェハ上に絶縁性樹脂を充填し、硬化させる段階と、
（ｇ）前記硬化された樹脂をバリア層まで研磨して電極を露出させる段階と、
を含む高周波インダクタの製造方法。
【請求項２】
前記（ａ）段階の１次コイル形成段階は、
（ａ−１）ウェハ上にフォトレジストをコーティングする段階と、
（ａ−２）前記フォトレジストがコーティングされたウェハを露光する段階と、
（ａ−３）前記露光後、前記ウェハを現像する段階と、
（ａ−４）前記現像後、前記ウェハ上に銅をめっきする段階と、
（ａ−５）前記銅めっき後、前記フォトレジストをストリッピングする段階と、
（ａ−６）前記ウェハ上に予め形成された銅シード層をエッチングする段階と、
を含む請求項１に記載の高周波インダクタの製造方法。
【請求項３】
前記（ａ−２）段階での露光は８５０ｍＪの光量で光をウェハ上に照射することにより行われる請求項２に記載の高周波インダクタの製造方法。
【請求項４】
前記（ａ−４）段階において、銅を１２μｍの厚さでめっきする請求項２に記載の高周波インダクタの製造方法。
【請求項５】
前記（ｃ）段階の２次コイル形成段階は、
（ｃ−１）前記１次パッシベーション層ＰＳＶのコーティングが完了したウェハ上に銅シード層を形成する段階と、
（ｃ−２）前記シード層を形成した後、ウェハを洗浄する段階と、
（ｃ−３）前記洗浄後、ウェハ上にフォトレジストをコーティングする段階と、
（ｃ−４）前記フォトレジストがコーティングされたウェハを露光する段階と、
（ｃ−５）前記露光後、前記ウェハを現像する段階と、
（ｃ−６）前記現像後、前記ウェハ上に銅をめっきする段階と、
（ｃ−７）前記銅をめっきした後、前記フォトレジストをストリッピングする段階と、
（ｃ−８）前記銅シード層をエッチングする段階と、
を含む請求項１に記載の高周波インダクタの製造方法。
【請求項６】
前記（ｃ−４）段階での露光は８５０ｍＪの光量で光をウェハ上に照射することにより行われる請求項５に記載の高周波インダクタの製造方法。
【請求項７】
前記（ｃ−６）段階において、銅を５μｍの厚さでめっきする請求項５に記載の高周波インダクタの製造方法。
【請求項８】
前記段階（ｅ）でのバリア層は熱硬化性ポリマーまたはＵＶ硬化ポリマーで形成される請求項１に記載の高周波インダクタの製造方法。
【請求項９】
前記（ｆ）段階での絶縁性樹脂はエポキシ樹脂である請求項１に記載の高周波インダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、高周波インダクタ製造方法に関し、特に、電極上にバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成した後、エポキシを充填して研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）作業を行うことで、電極の損傷及び製品の特性低下を防止することができる高周波インダクタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、モバイル機器の小型化及び複合機能化に伴い、電子部品に対する超小型化の要求が高まっており、特に、高周波部品及びＲＦ（ｒａｄｉｏ  ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）ブロックに使用される各種部品の小型化及び高精度化が要求されている。
【０００３】
このようなモバイル機器及びＲＦモジュールなどの小型化、高周波化に対応するためにはインダクタンスの高い精度と高いＱ特性が要求される。
【０００４】
しかし、従来の積層型インダクタの製造において、セラミック絶縁層上にコイルパターンとコイルとの間の層間ビア（ｖｉａ）を連結するために、印刷、積層により積層体を構成し、これを圧着、焼成することによりインダクタを形成するため、印刷工程における電極の滲み、積層、圧着時のアライメント（ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）の不整合、及び電極への押し付けなどによってコイルの変形が生じやすく、焼成時における収縮変形によってコイル形状の変形がひどくなる。これにより、インダクタの所望のインダクタンス値の制御が難しくなり、低い直流抵抗の具現も難しくなり、結果、高周波インダクタで要求されるＨＩＧＨ−Ｑ特性を確保することが難しくなる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国公開特許第１０−２００２−０００５７４９号公報
【特許文献２】特開２００９−２９５７５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、前記のような事項を勘案して導き出されたものであり、電極上にバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成した後、エポキシを充填して研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）作業を行うことで、電極が損傷されることを防止することができ、発色剤（染料）を使用しないことで発色剤（染料）が素子の特性に及ぼす影響を防止することができる高周波インダクタの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記の目的を果たすために本発明による高周波インダクタの製造方法は、高周波インダクタの製造方法であって、（ａ）ウェハ上に前記高周波インダクタの製造のための１次コイルを形成する段階と、（ｂ）前記１次コイルが形成されたウェハ上に１次ＰＳＶ（１次パッシベーション層ＰＳＶ）をコーティングする段階と、（ｃ）前記１次ＰＳＶをコーティングした後、前記高周波インダクタの製造のための２次コイルを形成する段階と、（ｄ）前記２次コイルを形成した後、２次ＰＳＶ（２次パッシベーション層ＰＳＶ）をコーティングする段階と、（ｅ）前記２次ＰＳＶをコーティングした後、前記高周波インダクタの露出される電極部位にバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成する段階と、（ｆ）前記バリア層を形成した後、ウェハ上に絶縁性樹脂を充填し、硬化させる段階と、（ｇ）前記硬化された樹脂をバリア層まで研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）して電極を露出させる段階と、を含むことを特徴とする。
【０００８】
ここで、前記（ａ）段階の１次コイル形成段階は、（ａ−１）ウェハ上にフォトレジストをコーティングする段階と、（ａ−２）前記フォトレジストがコーティングされたウェハを露光する段階と、（ａ−３）前記露光後、前記ウェハを現像する段階と、（ａ−４）前記現像後、前記ウェハ上に銅（ｃｕ）をめっきする段階と、（ａ−５）前記銅めっき後、前記フォトレジストをストリッピング（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）する段階と、（ａ−６）前記ウェハ上に予め形成された銅シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）をエッチングする段階と、を含んで構成されることができる。
【０００９】
また、前記（ａ−２）段階での露光は８５０ｍＪの光量で光をウェハ上に照射することにより行われることができる。
【００１０】
また、前記（ａ−４）段階において、銅（ｃｕ）を１２μｍの厚さでめっきする。
【００１１】
また、前記（ｃ）段階の２次コイル形成段階は、（ｃ−１）前記１次ＰＳＶコーティングが完了したウェハ上に銅シード層を形成する段階と、（ｃ−２）前記シード層を形成した後、ウェハを洗浄（ｃｌｅａｎｉｎｇ）する段階と、（ｃ−３）前記洗浄後、ウェハ上にフォトレジストをコーティングする段階と、（ｃ−４）前記フォトレジストがコーティングされたウェハを露光する段階と、（ｃ−５）前記露光後、前記ウェハを現像する段階と、（ｃ−６）前記現像後、前記ウェハ上に銅（ｃｕ）をめっきする段階と、（ｃ−７）前記銅をめっきした後、前記フォトレジストをストリッピング（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）する段階と、（ｃ−８）前記銅シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）をエッチングする段階と、を含んで構成されることができる。
【００１２】
また、前記（ｃ−４）段階での露光は８５０ｍＪの光量で光をウェハ上に照射することにより行われることができる。
【００１３】
また、前記（ｃ−６）段階において、銅（ｃｕ）を５μｍの厚さでめっきする。
【００１４】
また、前記段階（ｅ）でのバリア層は熱硬化性ポリマーまたはＵＶ（ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）硬化ポリマーが使用されることができる。
【００１５】
また、前記（ｆ）段階での絶縁性樹脂としてはエポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂が使用されることができる。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によると、電極上にバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成した後に絶縁性樹脂で充填することで、電極露出工程を行う際、バリア層の有無により電極が露出したか否かを容易に確認することができ、これによって研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による電極の損傷を防止することができる。
【００１７】
また、充填剤として使用されるエポキシのようなポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）に発色のための染料を分散する工程を除去することにより、従来のように染料が素子の特性に良くない影響を及ぼすことを防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】従来の高周波インダクタの製造方式に従って最終の電極形成後にエポキシに発色剤を添加して充填した状態を示す図面である。
【図２】本発明の実施形態による高周波インダクタの製造方法の実行過程を示すフローチャートである。
【図３ａ】本発明による高周波インダクタの製造方法において、主要工程を図式的に説明する図面である。
【図３ｂ】本発明による高周波インダクタの製造方法において、主要工程を図式的に説明する図面である。
【図３ｃ】本発明による高周波インダクタの製造方法において、主要工程を図式的に説明する図面である。
【図３ｄ】本発明による高周波インダクタの製造方法において、主要工程を図式的に説明する図面である。
【図３ｅ】本発明による高周波インダクタの製造方法において、主要工程を図式的に説明する図面である。
【図３ｆ】本発明による高周波インダクタの製造方法において、主要工程を図式的に説明する図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
本明細書及び請求範囲に用いられた用語や単語は通常的かつ辞書的な意味に限定して解釈されてはならず、発明者が自らの発明を最善の方法で説明するために用語の概念を適切に定義することができるという原則にしたがって本発明の技術的思想にかなう意味と概念に解釈されなければならない。
【００２０】
明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」場合、特にこれに反する記載がない限り、他の構成要素を除くものではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。また、明細書に記載の「…部」、「…器」、「モジュール」、「装置」などの用語は少なくとも一つの機能や動作を処理する単位を意味し、これはハードウェアやソフトウェアまたはハードウェア及びソフトウェアの結合により具現されることができる。
【００２１】
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。
【００２２】
ここで、本発明の実施形態に対して本格的に説明する前に、従来高周波インダクタの製造方式について先ず簡単に説明する。
【００２３】
電子部品であるインダクタは、異方性の磁性体の組み合わせ及び組み立てが必要なものであり、異方性の磁性体を組み立てる際のエアギャップは電気的な特性に大きく影響を与える。このようなエアギャップは、電気的に中性であるが、誘導性磁場を利用するコア類の部品であるインダクタは、エアギャップの存在有無及び生成程度によって電気的な特性に影響を与える。従来の高周波インダクタの製造において、図１に図示されたように、最終電極１３０の形成後にエポキシを充填剤１５０として使用するが、エポキシの透明性を有するため電極露出の工程時に電極の露出及び研磨の程度が分かりにくい。従って、これを解決するために、エポキシに発色剤（染料）を添加して工程の信頼性を確保している。しかし、このような発色剤（染料）の使用によりエポキシの内部で気泡が発生したり、純粋なエポキシに比べて充填剤１５０の物性が変化し、結果的に製品（インダクタ）の特性が低下する問題がある。また、発色剤が添加されたエポキシを研磨する際、電極が露出されるまで研磨程度を正確に確認することが難しく、電極を損傷する可能性がある。図１において図面符号１１０はウェハ、１２０はコイルをそれぞれ示す。
【００２４】
本発明は、以上のような従来の高周波インダクタの製造方式における問題点を解消するためのものであり、電極上にバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成した後、エポキシを充填して研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）作業を行うことにより、電極が損傷されることを防止することができ、発色剤（染料）を使用しないことで発色剤（染料）が素子の特性に及ぼす影響を防止することができる高周波インダクタの製造方法を提示する。
【００２５】
図２は本発明の実施形態による高周波インダクタの製造方法の実行過程を示すフローチャートである。
【００２６】
図２を参照すると、本発明による高周波インダクタの製造方法に従って、先ず、ウェハ上に高周波インダクタの製造のための１次コイルを形成する（段階Ｓ２０１）。
【００２７】
１次コイル形成が完了すると、その１次コイルが形成されたウェハ上に１次ＰＳＶをコーティングする（段階Ｓ２０２）。
【００２８】
また、１次ＰＳＶをコーティングした後、高周波インダクタの製造のための２次コイルを形成する（段階Ｓ２０３）。
【００２９】
このように２次コイルが形成された後、前記１次コイル形成時と同様に２次ＰＳＶをコーティングする（段階Ｓ２０４）。
【００３０】
前記２次ＰＳＶをコーティングした後、前記高周波インダクタの露出される電極部位にバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）を形成する（段階Ｓ２０５）。ここで、このようなバリア層としては熱硬化性ポリマーまたはＵＶ（ｕｌｔｒａｖｉｏｌｅｔ）硬化ポリマーが使用されることができる。
【００３１】
このようにしてバリア層が形成された後、ウェハ上に絶縁性樹脂を充填し、硬化させる（段階Ｓ２０６）。ここで、前記絶縁性樹脂としてはエポキシ（ｅｐｏｘｙ）樹脂が使用されることができる。
【００３２】
硬化工程が完了すると、その硬化された樹脂をバリア層まで研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）することで電極を露出させる（段階Ｓ２０７）。ここで、作業者は絶縁性樹脂、即ち、透明なエポキシ樹脂によりバリア層を最初から確認しながら研磨作業を行うことができ、これによってバリア層の有無により電極が露出したか否かを容易に確認することができる。また、その結果、研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による電極損傷を防止することができる。
【００３３】
一方、前記段階Ｓ２０１の１次コイル形成段階は、ウェハ上にフォトレジストをコーティングする段階と、前記フォトレジストがコーティングされたウェハを露光する段階と、前記露光後に前記ウェハを現像する段階と、前記現像後に前記ウェハ上に銅（ｃｕ）をめっきする段階と、前記銅めっき後に前記フォトレジストをストリッピング（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）する段階と、前記ウェハ上に予め形成された銅シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）をエッチングする段階と、を含んでなることができる。
【００３４】
この際、前記ウェハを露光する段階での露光は、８５０ｍＪの光量で光をウェハ上に照射することにより行われることができる。ここで、前記のような８５０ｍＪの光量は、特定スペック（ｓｐｅｃ）の高周波インダクタを製造するための一つの設計値に該当し、必ずしもこのような光量値に限定されるものではない。
【００３５】
また、前記ウェハ上に銅をめっきする段階において、銅（ｃｕ）を１２μｍの厚さでめっきする。ここで、このような１２μｍの銅めっきの厚さも同様に、特定スペック（ｓｐｅｃ）の高周波インダクタを製造するための一つの設計値に該当し、必ずしもこのような厚さ値に限定されるものではない。
【００３６】
また、前記段階Ｓ２０３の２次コイル形成段階は、前記１次ＰＳＶコーティングが完了したウェハ上に銅シード層を形成する段階と、前記シード層形成後にウェハを洗浄（ｃｌｅａｎｉｎｇ）する段階と、前記洗浄後にウェハ上にフォトレジストをコーティングする段階と、前記フォトレジストがコーティングされたウェハを露光する段階と、前記露光後に前記ウェハを現像する段階と、前記現像後に前記ウェハ上に銅（ｃｕ）をめっきする段階と、前記銅めっき後に前記フォトレジストをストリッピング（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）する段階と、前記銅シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）をエッチングする段階と、を含んでなることができる。
【００３７】
この際、前記と同様に、前記ウェハ露光段階での露光は８５０ｍＪの光量で光をウェハ上に照射することにより行われることができる。ここでも同様に、このような８５０ｍＪの光量は特定スペック（ｓｐｅｃ）の高周波インダクタを製造するための一つの設計値に該当し、必ずしもこのような光量値に限定されるものではない。
【００３８】
また、前記銅めっき段階において、銅（ｃｕ）を５μｍの厚さでめっきする。ここでも、このような５μｍの銅めっきの厚さも同様に、特定スペック（ｓｐｅｃ）の高周波インダクタを製造するための一つの設計値に該当し、必ずしもこのような厚さ値に限定されるものではない。
【００３９】
図３ａ〜図３ｆは、以上のような本発明による高周波インダクタの製造方法において、主要工程を図式的に説明する図面である。
【００４０】
図３ａを参照すると、これは本発明の高周波インダクタの製造方法において、１次コイルを形成する段階Ｓ２０１でのウェハ３１０上に銅をめっきした後、フォトレジスト３２５をストリッピング（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）する工程を示すものである。また、図３ｂはストリッピング工程後に、ウェハ上に予め形成された銅シード層（ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）３２０をエッチングする工程を示すものである。
【００４１】
また、図３ｃ及び図３ｄは、２次ＰＳＶをコーティングした後に、高周波インダクタの露出される電極３３０の部位にオフセットプリンティング（ｏｆｆ−ｓｅｔ  ｐｒｉｎｔｉｎｇ）を利用してバリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）３４０を形成する工程（段階Ｓ２０５）を示すものである。
【００４２】
また、図３ｅはウェハ３１０上に絶縁性樹脂（エポキシ樹脂）３５０を充填して硬化させる工程（段階Ｓ２０６）を示すものであり、図３ｆは硬化された樹脂（エポキシ樹脂）３５０をバリア層３４０まで研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）して電極３３０を露出させる工程（段階Ｓ２０７）を示すものである。
【００４３】
以上のように、本発明による高周波インダクタの製造方法は、電極上にバリア（ｂａｒｒｉｅｒ）層を形成した後、絶縁性樹脂で充填することで、電極露出工程を行う際、バリア層の有無により電極が露出したか否かを容易に確認することができ、これによって研磨（ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）による電極損傷を防止することができる。
【００４４】
また、充填剤として使用されるエポキシのようなポリマー（ｐｏｌｙｍｅｒ）に発色のための染料を分散する工程を除去することにより、従来のように染料が素子の特性に良くない影響を及ぼすことを防止することができる。
【００４５】
以上、好ましい実施形態により本発明について詳細に説明したが、本発明はこれに限定されず、本発明の技術的思想から外れない範囲内で多様に変更、応用することができることは当業者にとって自明である。従って、本発明の本当の保護範囲は特許請求の範囲によって解釈しなければならず、それと同等な範囲内にある全ての技術的思想は本発明の権利範囲に含まれると解釈しなければならない。
【符号の説明】
【００４６】
１１０、３１０  ウェハ
１２０  コイル
１３０、３３０  電極
１５０、３５０  絶縁性樹脂（エポキシ樹脂）
３２０  銅シード層
３２５  フォトレジスト
３４０  バリア層（ｂａｒｒｉｅｒ  ｌａｙｅｒ）
【図１】
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【図２】
2014003289.tif 000004
【図３ａ】
2014003289.tif 000005
【図３ｂ】
2014003289.tif 000006
【図３ｃ】
2014003289.tif 000007
【図３ｄ】
2014003289.tif 000008
【図３ｅ】
2014003289.tif 000009
【図３ｆ】
2014003289.tif 000010