(57)【要約】【課題】平方インチあたり１．５テラ以上のドット（Ｔｄｐｓｉ）の面密度でＢＰＭインプリントテンプレートを作製する方法を提供する。【解決手段】実施形態は、サーボ一体化テンプレートを作製する方法であって、サーボゾーンのレジスト層パターン上に保護層を堆積するステップと、一体化されたデータゾーンの特徴を基板にパターニングするステップと、データゾーン上に保護層を堆積するステップと、サーボゾーンの保護層を除去するステップと、一体化されたサーボゾーンの特徴を基板にパターニングするステップと、データゾーンの保護層を除去するステップとを含み、データゾーンおよびサーボゾーン一体化のパターニングされたスタックを作製するのに用いられる基板テンプレートを作る方法を開示する。【選択図】図１
2014123423.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サーボおよびデータ一体化テンプレートを作製する方法であって、前記方法は、
第１の保護層を基板のサーボゾーン上に堆積するステップと、
一体化された特徴を前記基板のデータゾーン上にパターニングするステップと、
第２の保護層を前記データゾーン上に堆積するステップと、
前記第１の保護層を前記サーボゾーンから除去するステップと、
一体化された特徴を前記サーボゾーン上にパターニングするステップと、
前記データゾーンの前記第２の保護層を除去するステップとを含む、方法。
【請求項２】
前記サーボゾーンおよび前記データゾーン中で、それぞれ保護層を堆積することと、一体化された特徴をパターニングすることとを交互に行うために、オーバーレイプロセスで用いられるアライメントスキームおよびアライメントマーク設定をさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記データゾーンの特徴は、２次元の特徴を含む第１の面密度の特徴を含み、前記２次元の特徴は、六角形のドットを含み、かつ第１のオーバーレイプロセスを誘導するように構成され、前記第１のオーバーレイプロセスは、前記第１の面密度のおよそ４倍の面密度を有する第２の面密度のパターンのデータゾーンの特徴を含む第２のゾーンの特徴密度を作るためのブロックコポリマーの自己組織化プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記一体化されたサーボゾーンの特徴は、第２のオーバーレイプロセスを誘導するように構成されたトレンチを含む１次元の特徴を含み、前記第２のオーバーレイプロセスは、前記第１の面密度のおよそ４倍の面密度を有する第２の面密度のパターンのサーボゾーンの特徴を含む第２のゾーンの特徴密度を作るためのブロックコポリマーの自己組織化プロセスを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記パターニングするステップは、Ｐ（Ｓ−ｂ−ＤＭＳ）ＢＣＰ材料を用いることを含むブロックコポリマーの自己組織化を含むプロセスと、Ｉ線、ＤＵＶおよびＥＵＶリソグラフィを用いることを含む光リソグラフィと、前記データゾーンおよび前記サーボゾーンの両方に球状のブロックコポリマー単分子層を作るためのプロセスとを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記第２のゾーンは、ビットパターン媒体（ＢＰＭ）を含む、平方インチあたり１．５テラビット（１．５Ｔｂｐｓｉ）以上の第２の面密度を有する特徴を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記第１および第２の保護層は、レジスト層の第１の光リソグラフィによる堆積を用いることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記基板は、薄いクロムの硬質マスク層がその上に堆積された石英基板を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記第２の面密度のパターンの特徴を前記硬質マスク層にエッチングし、その後、前記基板にエッチングするための四フッ化炭素（ＣＦ４）反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を含むエッチングプロセスを含むプロセスを用いて、前記データゾーンおよびサーボゾーンの特徴を前記基板に転写するステップをさらに含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記保護層は、基板特徴上へのレジスト層の光リソグラフィによる堆積を用いることを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
第１の保護層を基板のサーボゾーン上に堆積する手段と、
一体化された特徴を前記基板のデータゾーン上にパターニングする手段と、
第２の保護層を前記データゾーン上に堆積する手段と、
前記第１の保護層を前記サーボゾーンから除去する手段と、
一体化された特徴を前記サーボゾーン上にパターニングする手段と、
前記データゾーンの前記第２の保護層を除去する手段とを備える、装置。
【請求項１２】
データゾーン中に六角形のパターンを含む、平方インチあたり３７５ギガビットまたはドット以上の第１の面密度を含むインプリントテンプレートを作るための手段をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１３】
レジスト層をインプリントすることと、Ｉ線、ＤＵＶおよびＥＵＶリソグラフィを含む光リソグラフィと、Ｐ（Ｓ−ｂ−ＤＭＳ）ＢＣＰ材料を用いることを含むブロックコポリマーの自己組織化と、四フッ化炭素（ＣＦ４）反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を含むエッチングプロセスと、他のプロセスとを含むプロセスのアライメントを制御するためのオーバーレイアライメントスキームを用いるための手段をさらに備える、請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
第２の面密度のサーボ一体化のパターニングされたテンプレートを作製するために用いられる第１のオーバーレイプロセスおよび第２のオーバーレイプロセスを含む、位置合わせされるオーバーレイステップの順序付けを制御するための手段をさらに備え、前記第２の面密度は、ビットパターン媒体で用いられる六角形のドットパターンを含む、平方インチあたり１．５テラビットまたはドット以上である、請求項１１に記載の装置。
【請求項１５】
ブロックコポリマーの自己組織化の誘導特徴を含むインプリントテンプレートを作るための手段をさらに備え、前記誘導特徴は、ビットパターン媒体で用いられる六角形のドットパターンを含む、一体化された２次元の第１の面密度のデータゾーンの特徴と、線、トレンチおよび他の形状を含む１次元のサーボゾーンの特徴とを用いることを含むように構成される、請求項１１に記載の装置。
【請求項１６】
１次元の特徴を有するサーボゾーンと、
２次元の特徴を有するデータゾーンとを備え、前記データゾーンの前記２次元の特徴は、前記サーボゾーンの前記１次元の特徴と一体化される、オーバーレイパターニング構造。
【請求項１７】
前記サーボゾーンは、その上に堆積された第１の除去可能な保護層を有し、前記データゾーンは、その上に堆積された第２の除去可能な保護層を有し、前記オーバーレイパターニング構造は、前記第１の除去可能な保護層が前記サーボゾーンから除去され、かつ、前記第２の除去可能な保護層が前記データゾーン上に堆積される間に、前記サーボゾーン中に特徴を作るように構成される第１のブロックコポリマー層と、前記第２の除去可能な保護層が前記データゾーンから除去され、かつ、前記第１の除去可能な保護層が前記サーボゾーン上に堆積される間に、前記データゾーン中に特徴を作るように構成される第２のブロックコポリマー層とをさらに備え、自己組織化は、前記データゾーンおよび前記サーボゾーン中の面密度を拡大するように構成される、請求項１６に記載のオーバーレイパターニング構造。
【請求項１８】
前記基板は石英基板を含み、硬質マスク層が前記基板上に堆積され、前記堆積は、クロム（Ｃｒ）を含む材料の層を堆積することを含み、前記保護層は、薄い（１０〜１５ｎｍ）クロム膜材料を用いることを含む、請求項１６に記載のオーバーレイパターニング構造。
【請求項１９】
Ｉ線、ＤＵＶおよびＥＵＶリソグラフィを用いて、かつ、レジスト材料を用いて堆積される保護光リソグラフィ層をさらに備える、請求項１６に記載のオーバーレイパターニング構造。
【請求項２０】
Ｐ（Ｓ−ｂ−ＤＭＳ）ＢＣＰ材料を用いることを含み、かつ、前記自己組織化の前記第第２の面密度のパターンの特徴を前記硬質マスク層に転写し、その後、前記基板に転写するための四フッ化炭素（ＣＦ４）反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を含むエッチングプロセスを用いるように構成されるブロックコポリマー層をさらに備える、請求項１６に記載のオーバーレイパターニング構造。
【発明の詳細な説明】
【背景技術】
【０００１】
発明の詳細な説明
背景
ビットパターン媒体（ＢＰＭ）作製技術は、現在、ディスク上に２０ｎｍ以下の密度のパターンを作るために、低コストおよび高スループットのナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ）を使用している。現在のＮＩＬは、平方インチあたり１．５テラ未満のドット（Ｔｄｐｓｉ）の面密度でＢＰＭインプリントテンプレートを作製するために使用される。
【図面の簡単な説明】
【０００２】
【図１】一実施形態のサーボ一体化テンプレートを作製する方法の概要のブロック図である。
【図２Ａ】一実施形態のサーボ一体化テンプレートを作製する方法の概要のフローチャートのブロック図である。
【図２Ｂ】一実施形態のサーボゾーンのオーバーレイプロセスの概要のフローチャートのブロック図である。
【図２Ｃ】一実施形態のサーボ一体化テンプレートプロセスへのパターン転写の概要のフローチャートのブロック図である。
【図３Ａ】一実施形態の第１のオーバーレイプロセスの一例のみを例示目的で示す図である。
【図３Ｂ】一実施形態の第２のオーバーレイプロセスの一例のみを例示目的で示す図である。
【図４Ａ】一実施形態のサーボ一体化テンプレートの作製の一例のみを例示目的で示す図である。
【図４Ｂ】一実施形態のサーボ一体化テンプレートの作製の一例のみを例示目的で示す図である。
【図５Ａ】一実施形態の一体化されたデータゾーンおよびサーボゾーンを有するインプリントされたシード層の一例のみを例示目的で示す図である。
【図５Ｂ】一実施形態のデータゾーンの第１のブロックコポリマーの自己組織化プロセスの一例のみを例示目的で示す図である。
【図５Ｃ】一実施形態のサーボゾーンの第２のブロックコポリマーの自己組織化プロセスの一例のみを例示目的で示す図である。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
発明の詳細な説明
以下の説明においては、この明細書の一部をなす添付の図面が言及され、例示目的で、本発明が実施され得る具体例が示される。他の実施の形態が利用されてもよく、構造上の変形例が本発明の範囲から逸脱することなく実施可能であり得ることが理解されるはずである。
【０００４】
概略
以下の説明は、たとえばサーボ一体化テンプレートを製造する方法に関して、例示目的で記載されるものであって、その基礎をなすシステムが、如何なる数および複数のタイプのテンプレートにも適用できることが留意されるべきである。一実施形態では、サーボ一体化テンプレートを作製する方法は、ブロックコポリマー（ＢＣＰ）自己組織化（ＤＳＡ）を用いて構成され得る。サーボ一体化テンプレートを作製する方法は、ＢＣＰ光リソグラフィを含むように構成され得、本実施形態を用いて、サーボゾーン中に１次元のトレンチガイドテンプレートパターンを含むように構成され得る。
【発明を実施するための形態】
【０００５】
以下の説明は、ビットパターン媒体（ＢＰＭ）ドットを含むスタックパターンのための特徴を使用することを含むが、本実施形態から逸脱することなく他のスタックパターンを含み得る。図１は、一実施形態のサーボ一体化テンプレートを作製する方法の概要のブロック図を示す。図１は、第１の薄膜層の硬質マスクがコーティングされた基板１００を示す。基板は、石英を含む材料を用いることを含む。第１のレジスト層が硬質マスク上に堆積される１０５。硬質マスクはクロム（Ｃｒ）の薄膜を用いることを含む。誘導インプリントテンプレートパターンを用いて、第１のレジスト層をデータゾーンおよびサーボゾーンの両方にインプリントする１１５ためのプロセスが用いられる。誘導インプリントテンプレートは、データゾーン中で第１の面密度を有する２次元の六角形のインプリントされたレジストドットパターンを用いることを含む。第１の面密度の２次元の誘導特徴１２０は、データゾーン中に平方インチあたり３７５ギガドット（Ｇｄｐｓｉ）の六角形のパターンを含む。誘導インプリントテンプレートは、サーボゾーン中で１次元のインプリントされたレジストトレンチの線パターンを用いることを含む。サーボゾーンの１次元の特徴１３０は、一実施形態のサーボゾーン中のトレンチパターンを含む。
【０００６】
データゾーンおよびサーボゾーンの両方をパターニングするためにオーバーレイプロセスが用いられる。オーバーレイプロセスは、テンプレートパターンの２つ以上のセットを用いる。テンプレートパターンは、たとえば、全面を被覆し、かつ、マッチング点を識別するためにアライメントスキームおよびアライメントマーク設定を用いて、個々の区域に分けられる。マッチング点では、区域は、それらの点の位置合わせを可能にして、元の分割されていない状態での位置に対して、各区域を正確に位置決めするように分割されている。
【０００７】
ここに記載されるオーバーレイプロセスは、第１の保護オーバーレイおよび第２の保護オーバーレイを含む。第１の保護オーバーレイプロセスは、サーボゾーンにわたって位置合わせされ、保護層の堆積物が、サーボゾーンのレジスト層中にインプリントされたパターンを保護するために用いられる。保護層は、異なる面密度を有する保護されていないデータゾーンをパターニングするためのプロセスの間、サーボゾーンのパターンを保護する。第１の保護オーバーレイプロセス中に堆積された保護層は、その後除去され、データゾーン上に保護層を堆積するための第２の保護オーバーレイプロセスが用いられる。保護層は、異なる面密度を有する保護されていないサーボゾーンをパターニングするためのプロセスの間、データゾーンのパターンを保護する。
【０００８】
サーボゾーン上の第１の保護オーバーレイ１３５は、インプリントされたサーボゾーンの１次元の特徴１３０を保護する。データゾーン中に第２の面密度を作る１４０ために、データゾーン中での第１の自己組織化（ＤＳＡ）プロセス１２５が用いられる。データゾーンからエッチングプロセスを用いて第２の面密度のパターンを基板に転写する１７０ためのプロセスが用いられる。基板にエッチングされたデータゾーン上に第２の保護オーバーレイを堆積する１５０ためのプロセスが用いられる。
【０００９】
サーボゾーン中に第２の面密度を作る１６５ために、サーボゾーン中の第２の自己凝集化（ＤＳＡ）プロセス１６０が用いられる。エッチングプロセスを用いて第２の面密度のパターンを基板に転写する１７０ためのプロセスが用いられる。一実施形態の平方インチあたり１．５テラ以上のドット（Ｔｄｐｓｉ）の第２の面密度を有するビットパターン媒体（ＢＰＭ）を含むスタックを製造するために用いられる、サーボ一体化の第２の面密度の石英テンプレートを作る１８０ために、データゾーンおよびサーボゾーンの両方の第２の面密度のパターンの転写が用いられる。
【００１０】
詳細な説明
データゾーンオーバーレイ：
図２Ａは、一実施形態のサーボ一体化テンプレートを作製する方法の概要のフローチャートのブロック図である。図２Ａは、第１の薄膜層の硬質マスクがコーティングされた基板１００と、硬質マスク上に堆積された第１のレジスト層１０５とを示す。データゾーンおよびサーボゾーンの両方を含む第１の面密度を有するシード層レジストパターンをインプリントする２１０ためのプロセスが用いられる。第２の薄膜層をデータゾーンのインプリントされたシード層レジスト上に堆積する２２０ためのプロセスが用いられる。
【００１１】
次のステップでは、サーボゾーンを保護し、保護されていないデータゾーン２２２を露出したままにするように、第１の光リソグラフィをサーボゾーン上で処理する２２２。第１の光リソグラフィは、サーボゾーンを画定するために用いられる。データゾーン中の第２の薄膜層を除去するために第１のドライエッチングを行ない２２４、データゾーン上のインプリントされたシード層レジストを除去する２３０。データゾーン中の第１の自己組織化（ＤＳＡ）プロセスが処理される。プロセスは継続し、一実施形態の図２Ｂに記載される。
【００１２】
サーボゾーンオーバーレイ：
図２Ｂは、一実施形態のサーボゾーンのオーバーレイプロセスの概要のフローチャートのブロック図を示す。図２Ｂは、図２Ａから続くプロセスを示す。図２Ａのデータゾーン２３２中の第１の自己組織化（ＤＳＡ）プロセスが、第１の面密度をおよそ４倍増加させて、データゾーン中に第２の面密度を作る２３４ために用いられる。面密度の増加は、たとえば３７５Ｇｄｐｓｉの第１の面密度を含み、第２の面密度は、たとえば１．５Ｔｄｐｓｉに増加される。別の実施形態では、たとえば８００Ｇｄｐｓｉの第１の面密度が３．２Ｔｄｐｓｉの第２の面密度を生じる。データゾーン中の第２の面密度のパターンを硬質マスク層に転写する２４０ためのプロセスが用いられる。ＢＣＰが除去され、一実施形態のエッチングプロセスを用いてデータゾーン中の硬質マスク層パターンを石英基板に転写する２４２ためのプロセスが用いられる。
【００１３】
第３の薄膜層をサーボゾーン上に堆積する２４４ためのプロセスが用いられる。データゾーンを保護し、保護されていないサーボゾーンを露出したままにするように第２の光リソグラフィを処理する２５０ためのプロセスが用いられる。第２の光リソグラフィがデータゾーンを画定するために用いられる。サーボゾーン中の第２の薄膜層を除去するためのドライエッチング２５２が用いられ、その後、サーボゾーン中のインプリントされたシード層レジストから残渣を除去する（ｄｅｓｃｕｍ）２５４ためのプロセスが用いられる。続くプロセスの記載が一実施形態の図２Ｃに示される。
【００１４】
サーボ一体化石英テンプレート：
図２Ｃは、一実施形態のサーボ一体化テンプレートプロセスへのパターン転写の概要のフローチャートのブロック図を示す。図２Ｃは、サーボゾーン中の第２の自己組織化（ＤＳＡ）プロセスを含む図２Ｂから続く処理を示す。サーボゾーン中の第２の自己組織化（ＤＳＡ）プロセス２６０が、第１の面密度をおよそ４倍増加させて、サーボゾーン中に第２の面密度を作る２６２ために用いられる。サーボゾーン中の第２の面密度のパターンを硬質マスク層に転写する２７０ためのプロセスが用いられる。ＢＣＰ材料を除去した後、四フッ化炭素（ＣＦ４）反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を含むエッチングプロセスを用いて、サーボゾーン中の硬質マスク層の第２の面密度のパターンを石英基板に転写する２７４ためのプロセスが用いられる。処理は継続し、湿式プロセスを用いてパターニングされた石英基板を洗浄する２８０。以上、一実施形態のデータゾーン中の周期特徴およびサーボゾーン中の非周期特徴の両方を有するサーボ一体化の第２の面密度の石英テンプレートを作る２９０ために、サーボ一体化テンプレートを作製する方法を用いた。
【００１５】
オーバーレイ１プロセス（ＯＰＬ１）：
図３Ａは、一実施形態の第１のオーバーレイプロセスの一例のみを例示目的で示す。図３Ａは、オーバーレイ１プロセス（ＯＰＬ１）３１０と、次に、第１の自己組織化プロセス３１５とを含むサーボ一体化スキーム３００を示す。第１の自己組織化プロセス３１５は、一実施形態の球状のブロックコポリマー単分子層３２５のデータゾーンＤＳＡ１の第２の面密度のパターンの特徴３２０を作るために、データゾーン２−Ｄの第１の面密度の誘導パターンの特徴３３０を用いる。
【００１６】
オーバーレイ２プロセス（ＯＰＬ２）：
図３Ｂは、一実施形態の第２のオーバーレイプロセスの一例のみを例示目的で示す。図３Ｂは、オーバーレイ２プロセス（ＯＰＬ２）３５０および第２の自己組織化プロセス３６０を用いたサーボ一体化プロセス３４０を示す。第２の自己組織化プロセス３６０は、一実施形態の球状のブロックコポリマー単分子層３２５のサーボゾーンＤＳＡ２の第２の面密度のパターンの特徴３７０を作るために、サーボ１−Ｄ誘導パターンの特徴３８０を用いる。
【００１７】
誘導テンプレート：
図４Ａは、一実施形態のサーボ一体化テンプレートの製造の一例のみを例示目的で示す。図４は、データゾーン４１０中にデータゾーンの第１の面密度の２次元の誘導特徴１２０を含む、誘導テンプレートインプリント４００を示す。誘導テンプレートインプリント４００は、サーボゾーン４１５中に一実施形態のサーボゾーンの１次元の特徴１３０を含む。データゾーンの第１の面密度の２次元の誘導特徴１２０は、ＢＰＭスタックを作るために用いられるビットパターン媒体（ＢＰＭ）テンプレートを作製するために、ドットのたとえば３７５Ｇｄｐｓｉ六角形パターンおよび８００Ｇｄｐｓｉ六角形パターンを用いることを含む。サーボゾーンの１次元の特徴１３０は、一実施形態の一体化されたサーボゾーンを作るのに用いられるブロックコポリマー（ＢＣＰ）自己組織化（ＤＳＡ）を誘導するための線および他の形状を含む。
【００１８】
オーバーレイ１およびＤＳＡ１：
オーバーレイ１  ４３０およびＤＳＡ１  ４３２は、サーボゾーン４４０を保護するために第１の光リソグラフィ４３５を用いる。サーボゾーン４１５は、サーボゾーンの１次元の特徴１３０を含む。第１の光リソグラフィ４３５は、他の処理のためにデータゾーンを露出したままにする。データゾーン４１０中では、データゾーンの第１の面密度の２次元の誘導特徴１２０を用いてデータゾーンＤＳＡ１の第２の面密度のパターンの特徴３２０を作るために、ブロックコポリマー（ＢＣＰ）自己組織化（ＤＳＡ）を含むプロセスが用いられる。データゾーン中のＤＳＡ１プロセスは、たとえば六角形のインプリント誘導パターンの３７５Ｇｄｐｓｉパターンを用いて、特徴の数を４倍増加させて、データゾーン中に１．５Ｔｄｐｓｉの第２の面密度を作る。他のプロセスは、一実施形態の図４Ｂに記載される。
【００１９】
オーバーレイ２およびＤＳＡ２：
図４Ｂは、一実施形態のサーボ一体化テンプレートの作製の一例のみを例示目的で示す。オーバーレイ２  ４６０およびＤＳＡ２  ４６２は、第２の光リソグラフィ４６５を用いてデータゾーン４７０を保護する。データゾーン４７０中では、データゾーンＤＳＡ１の第２の面密度のパターンの特徴３２０が基板にエッチングされている。データゾーン４７０を保護するための第２の光リソグラフィ４６５がデータゾーン４１０を画定する。露出されているか、または保護されていないサーボゾーン４１５中で、サーボゾーンＤＳＡ２の第２の面密度のパターンの特徴３７０を作るために、たとえばブロックコポリマー（ＢＣＰ）自己組織化（ＤＳＡ）においてサーボゾーンの１次元の特徴１３０が用いられる。サーボゾーンＤＳＡ２の第２の面密度のパターンの特徴３７０は、たとえば１．５Ｔｄｐｓｉの第２の面密度を含む。サーボゾーンＤＳＡ２の第２の面密度のパターンの特徴３７０が一実施形態の基板にエッチングされる。
【００２０】
サーボ一体化テンプレート：
図４Ｂは、データゾーン４１０中で、基板にエッチングされたデータゾーンＤＳＡ１の第２の面密度のパターンの特徴が周期特徴であることを追加的に示す。サーボゾーン４１５中では、基板４９４にエッチングされたサーボゾーンＤＳＡ２の第２の面密度のパターンの特徴は、非周期特徴である。図４Ｂは、サーボ一体化テンプレート４９０によるデータゾーン４１０の第２の面密度の周期特徴およびサーボゾーン４１５の第２の面密度の非周期特徴の一体化を図示する。第１の面密度のインプリントは、たとえば３７５Ｇｄｐｓｉ六角形パターンを用いて１．５Ｔｄｐｓｉの第２の面密度のサーボ一体化テンプレート４９０を作ることと、たとえば第１の面密度８００Ｇｄｐｓｉのインプリントを用いて一実施形態の３．２Ｔｄｐｓｉの第２の面密度のサーボ一体化テンプレート４９０を作ることとを含む。
【００２１】
インプリントされたシード層：
図５Ａは、一実施形態の一体化されたデータゾーンおよびサーボゾーンを有するインプリントされたシード層の一例のみを例示目的で示す。図５Ａは、サーボ一体化テンプレートを作るためにサーボ一体化テンプレートを作製する方法で用いられ得る基板を示す。基板は石英基板５０２を含む。サーボ一体化テンプレートを作製する方法は、クロム薄層の硬質マスク５０４を含む硬質マスクで石英基板５０２をコーティングすることを含む。クロム薄層の硬質マスク５００でコーティングされた石英基板は、一実施形態のさらなる処理に晒される状態にある。
【００２２】
プロセスは引き続き、データゾーンパターンおよびサーボゾーンパターンをともに含むレジストシード層をインプリントする５０８。シード層誘導インプリントテンプレート５０５は、データゾーン４１０中に第１の面密度の２次元の誘導特徴１２０をインプリントするために用いられる。シード層誘導インプリントテンプレート５０５は、サーボゾーン４１５中に１次元の特徴１３０をインプリントする。インプリントレジストの上にクロム（Ｃｒ）薄膜を堆積する５２０ための方法が用いられる。サーボゾーンおよび露出しているデータゾーンを保護する第１の光リソグラフィ（ＯＰ１）５２２プロセスを用いて、サーボゾーンの上に第１の保護レジスト層５２４を堆積する。データゾーン中のＣｒ層を除去するドライエッチング５２６が、データゾーンをさらなる処理のために露出させるために処理される。第１の保護レジスト層５２８を除去するための酸素プラズマを用いたプロセスが、さらなる処理のために準備されている。続くプロセスは、一実施形態の図５Ｂに記載される。
【００２３】
第１のＢＣＰ  ＤＳＡ１：
図５Ｂは、一実施形態のデータゾーンの第１のブロックコポリマーの自己組織化プロセスの一例のみを例示目的で示す。図５Ｂは、図５Ａから続くプロセスを示す。図５Ｂは、データゾーン中での第１のＢＣＰ  ＤＳＡ１プロセス５３０を示す。データゾーン５３０中での第１のＢＣＰ  ＤＳＡ１は、第２の面密度のパターンの特徴を作る。データゾーン中のＤＳＡ１の第２の面密度のパターンをＣｒ硬質マスク層に転写する５４０ために、四フッ化炭素（ＣＦ４）反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を含むプロセスを行なう。ＣＦ４  ＲＩＥプロセスを用いて、データゾーン中の第２の面密度のＣｒパターンを石英基板に転写する５５０。ＣＦ４  ＲＩＥプロセスは、石英基板５０２中にエッチングされた第２の面密度のデータゾーンのパターンの特徴５５２を作る。エッチングされたデータゾーンの特徴５５５を有する石英基板は処理され、処理は、データゾーンおよび露出しているサーボゾーンを保護するための第２の光リソグラフィ５６２を含む。データゾーンおよび露出したサーボゾーンを保護するための第２の光リソグラフィ５６２は、エッチングされたデータゾーン上の第２の保護レジスト層５６４を含む。以降のプロセスの説明は、一実施形態の図５Ｃに示される。
【００２４】
第２のＢＣＰ  ＤＳＡ１：
図５Ｃは、一実施形態のサーボゾーンの第２のブロックコポリマーの自己組織化プロセスの一例のみを例示目的で示す。図５Ｃは、サーボゾーン中のＣｒ層を除去するためのドライエッチング５６６を含む、図５Ｂからのプロセスの続きを示す。サーボゾーン中の酸素プラズマデスカムレジストパターン５６８が、サーボゾーン４１５を洗浄するために処理される。サーボゾーン中のＢＣＰ  ＤＳＡ２プロセス５７０を用いて第２の面密度のパターン５７２を作る。ＣＦ４  ＲＩＥプロセスを用いて、一実施形態のＣｒ硬質マスク層５７４へのサーボゾーン中のＤＳＡ２パターンの転写を処理する。
【００２５】
ＣＦ４  ＲＩＥプロセスを用いて、サーボゾーン中のＣｒ第２の面密度のパターンを石英基板に転写する５８０。エッチングされたサーボの第２の面密度のパターン５８５は、非周期的である。エッチングされたサーボの第２の面密度のパターン５８５の追加により、第２の面密度のサーボ一体化テンプレート５９０が作られる。第２の面密度のパターンの石英テンプレートを洗浄するための湿式プロセス５９５により、一実施形態の周期的なエッチングされた第２の面密度のデータゾーンのパターンの特徴５５２および非周期的なエッチングされたサーボの第２の面密度のパターン５８５を含む、第２の面密度のサーボ一体化テンプレート５９０が露出される。
【００２６】
上記に動作の原理、実施形態および態様を記載した。しかしながら、本発明は、記述した特定の実施形態に限定するとして解釈されるべきではない。上記に記載した実施形態は、制限的でなく例示的であるとしてみなされるべきであり、以下の請求項により規定される範囲から逸脱することなく、当業者によりそれらの実施形態において変更を行ない得ることが認められるべきである。
【符号の説明】
【００２７】
１００  第１の薄膜層の硬質マスクがコーティングされた基板
１０５  第１のレジスト層が硬質マスク上に堆積される
１１０  第１の面密度を有する誘導インプリントテンプレート
１１５  誘導インプリントテンプレートパターンを用いて、第１のレジスト層をデータゾーンおよびサーボゾーンの両方にインプリントする
１２０  データゾーンの第１の面密度の２次元の誘導特徴
１３０  サーボゾーンの１次元の特徴
１２５  データゾーン中の第１の自己組織化（ＤＳＡ）プロセス
１３５  サーボゾーン上の第１の保護オーバーレイ
１４０  データゾーン中に第２の面密度を作る
１５０  データゾーン上の第２の保護オーバーレイ
１６０  サーボゾーン中の第２の自己凝集化（ＤＳＡ）プロセス
１６５  サーボゾーン中に第２の面密度を作る
１７０  エッチングプロセスを用いて第２の面密度のパターンを基板に転写する
１８０  サーボ一体化の第２の面密度の石英テンプレートを作る
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図２Ｃ】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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【図５Ｃ】
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【外国語明細書】
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