(57)【要約】    【課題】  周囲の導体の電気特性を阻害することがほとんどなく、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができるインダクタ部品を提供する。    【解決手段】  インダクタ部品１０は、第１面Ｆと該第１面の反対側の第２面Ｓとを備え、貫通孔２２を有するコア基材２０と、該コア基材の第１面上に形成されている第１導体パターン５８Ｆと、該コア基材の第２面上に形成されている第２導体パターン５８Ｓと、該貫通孔の内部に設けられ、該第１導体パターンと該第２導体パターンとを接続するスルーホール導体とを有する。そして、該第１導体パターン５８Ｆと該第２導体パターン５８Ｓと該スルーホール導体３６とからなるインダクタ５９を含み、該コア基材において、該インダクタの外周の少なくとも一部には、磁性材料からなる磁性体層が設けられている。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と該第１面の反対側の第２面とを備え、貫通孔を有するコア基材と、該コア基材の第１面上に形成されている第１導体パターンと、該コア基材の第２面上に形成されている第２導体パターンと、前記貫通孔の内部に設けられ、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを接続するスルーホール導体とを有するインダクタ部品であって、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンと前記スルーホール導体とからなるインダクタを含み、
前記コア基材において、前記インダクタの外周の少なくとも一部には、磁性材料からなる磁性体層が設けられている。
【請求項２】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記磁性材料の透磁率は１〜２で、磁気飽和が０．１Ｔ〜２Ｔである。
【請求項３】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記コア基材は、第１面と該第１面の反対側の第２面とを備え、磁性材料からなる磁性体層と、該磁性体層の第１面上及び第２面上に設けられている樹脂絶縁層と、を有する。
【請求項４】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記コア基材の厚みは０．１mm〜０．５mmである。
【請求項５】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記コア基材の第１面上及び第１導体パターン上には、層間樹脂絶縁層とその上の導体層とを備えるビルドアップ層が設けられ、
前記第１導体パターンの厚みは前記導体層の厚みよりも厚い。
【請求項６】
請求項５のインダクタ部品であって、
前記層間樹脂絶縁層の内部には、磁性材料が含有されている。
【請求項７】
請求項１のインダクタ部品であって、
前記スルーホール導体は、前記貫通孔の内部に充填されているめっきから形成されている。
【請求項８】
請求項３のインダクタ部品であって、
前記磁性体層には第２貫通孔が設けられ、該第２貫通孔の内部には樹脂からなる充填材が充填されており、
前記貫通孔は、前記絶縁層の各々に設けられている第３貫通孔と前記充填材に設けられている第４貫通孔とから形成されている。
【請求項９】
請求項８のインダクタ部品であって、
前記充填材は、前記絶縁層の一部である。
【請求項１０】
インダクタ部品の製造方法であって、
磁性体材料からなる磁性体層を準備することと、
該磁性体層に貫通孔を設けることと、
該貫通孔の内部に樹脂からなる充填材を充填することと、
前記磁性体層の両面に絶縁層を設けることと、
前記絶縁層の各々と前記充填材とを貫通する貫通孔を形成することと、
前記各々の絶縁層上に導体パターンを設けることと、
前記貫通孔の内部に前記導体パターン同士を接続するスルーホール導体を形成することと、
を備えるインダクタ部品の製造方法。
【請求項１１】
請求項１のインダクタ部品がバンプを介して実装されてなるプリント配線板。
【請求項１２】
開口部を有するコア基板を備えるプリント配線板であって、
前記開口部の内部に前記請求項１に記載のインダクタ部品を収容してなるプリント配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ部品及び、該インダクタ部品を備えるプリント配線板に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、複数のコイルと、該コイルの中心に配置され、コイルと垂直な方向へ伸びる複数の柱状部によって分割された磁性体コアとを備えたコイル構造体が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１０−１２３８７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、コイルの内側のみに磁性体が存在する場合には、インダクタに電流を流す際に発生する磁力線が周囲の導体を通過すると誘導電流が発生し、この誘導電流が回路の動作に影響を及ぼす可能性がある。さらに、コイルパターンから発生する磁束がコイルの外側に漏れて、周囲の導体の電気特性に所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることが難しい。また、特許文献１では、磁性体をめっきにより形成しているため、めっきの厚みのバラツキ等により、磁性体の体積にもバラツキが生じてしまう。磁性体の体積のバラツキにより、一定のインダクタンス特性が得られ難いと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができるインダクタ部品、及び、該インダクタ部品を用いるプリント配線板を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願発明は、第１面と該第１面の反対側の第２面とを備え、貫通孔を有するコア基材と、該コア基材の第１面上に形成されている第１導体パターンと、該コア基材の第２面上に形成されている第２導体パターンと、前記貫通孔の内部に設けられ、前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとを接続するスルーホール導体とを有するインダクタ部品であって、
前記コア基材は磁性体材料から成り、
前記第１導体パターンと前記第２導体パターンとは、前記スルーホール導体を介してヘリカル状に配置されていることを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【０００７】
本願発明では、インダクタの外周の少なくとも一部に磁性体層を設けることで、磁力線の漏れが極力抑制され、少なくとも磁性体層の近傍に位置する導体への影響を低減できる。
その結果、周囲の導体の電気特性を阻害することがほとんどない。
また、磁力線の漏れが抑制されることで、所望のインダクタ特性が確保されやすくなる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図２】図２（Ａ）、図２（Ｃ）は第１実施形態のインダクタ構造体の平面図、図２（Ｂ）は側面図。
【図３】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態に係るインダクタ部品を内蔵するプリント配線板の断面図。
【図９】第１実施形態に係るインダクタ部品を実装するプリント配線板の断面図。
【図１０】本発明の第２実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図１１】第２実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１２】第２実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１３】第２実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１４】第２実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１５】第２実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１６】本発明の第３実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図１７】第３実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１８】第３実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図１９】本発明の第４実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図２０】図２０（Ａ）は磁性体収容前のコア基材の平面図、図２０（Ｂ）は磁性体収容後のコア基材の平面図。
【図２１】図２１（Ａ）はインダクタ構造体３０の平面図、図２１（Ｂ）は側面図。
【図２２】第４実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図２３】第４実施形態に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図２４】本発明の第５実施形態に係るインダクタ部品を示す断面図。
【図２５】本発明の第１実施形態の改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図１（Ａ）は、第１実施形態に係るインダクタ部品の断面図である。
インダクタ部品１０は、磁性体材料を含む磁性体層２１から成るコア基材２０と、コア基材の第１面Ｆ側に形成された第１導体パターン５８Ｆと、コア基材の第２面Ｓ側に形成された第２導体パターン５８Ｆと、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓを接続するスルーホール導体３６とから成るインダクタ構造体３０を備える。
【００１０】
図２（Ａ）は、該インダクタ構造体３０の平面図であり、図２（Ｂ）は側面図である。第１面側の第１導体パターン５８Ｆは、スルーホール導体３６の直上に形成されるスルーホールランド５８ＦＲと、スルーホールランド５８ＦＲとスルーホールランド５８ＦＲとを接続する接続パターン５８ＦＬとから成る。第２面側の第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６の直下に形成されるスルーホールランド５８ＳＲと、スルーホールランド５８ＳＲとスルーホールランド５８ＳＲとを接続する接続パターン５８ＳＬとから成る。第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓ、スルーホール導体３６によりインダクタ５９が形成される。
【００１１】
図１（Ａ）は、図２（Ａ）中のＸ１−Ｘ１断面に対応する。図中に示すようにインダクタ部品のインダクタ構造体３０では、コア基材２０の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１導体パターン５８Ｆが形成されている。コア基材２０の第２面Ｓ側に樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｓ上に第２導体パターン５８Ｓが形成されている。第１導体パターン５８Ｆと第２導体パターン５８Ｓとを接続するスルーホール導体３６は、コア基材２０に形成された貫通孔２２内に、絶縁層２４が介在され形成されている。スルーホール導体３６内には、充填樹脂４６が充填されている。
【００１２】
樹脂絶縁層５０Ｆ及び第１導体パターン５８Ｆ上には、最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆが形成され、該最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第１導体層１５８Ｆが形成され、第１導体パターン５８Ｆと第１導体層１５８Ｆとがビア導体１６０Ｆを介して接続されている。最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ及び第１導体層１５８Ｆ上にソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、該ソルダーレジスト層の開口７１Ｆから露出される第１導体層１５８Ｆがパッドを構成する。
【００１３】
樹脂絶縁層５０Ｓ及び第２導体パターン５８Ｓ上には、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓが形成され、該最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第２導体層１５８Ｓが形成され、第２導体パターン５８Ｓと第２導体層１５８Ｓとがビア導体１６０Ｓを介して接続されている。最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ及び第２導体層１５８Ｓ上にソルダーレジスト層７０Ｓが形成され、該ソルダーレジスト層の開口７１Ｓから露出される第２導体層１５８Ｓがパッドを構成する。
【００１４】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０の表裏の第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓとは、コア基材のスルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、インダクタ構造を形成する。螺旋状に配置される第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓに囲まれた空間には磁束が集中し、この磁束の集中する箇所に磁性体材料（コア基材）２０が存在し、磁束の密度が高まり所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）を得ることができる。更に、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓによる螺旋構造の外側にも磁性体材料（コア基材）２０が存在するため、磁束の漏れが抑制され、所望のインダクタンス特性（インダクタンス値、Ｑ値）が得易くなる。
【００１５】
第１実施形態のインダクタ部品は、コア基材２０上の樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ上に導体パターン５８Ｆ、５８Ｓが設けられる。この場合、導体パターンが樹脂絶縁層上に設けられることとなる。よって、導体パターンと磁性体層とが接する場合と比較して、導体パターンの密着性が確保されやすくなる。
【００１６】
第１実施形態のインダクタ部品は、磁性体層２０とスルーホール導体３６との間には、樹脂からなる充填材２４が介在する。これにより、磁性体層２０とスルーホール導体３６との接触が避けられる。その結果、スルーホール導体の密着性が確保されやすくなる。
【００１７】
図８は、第１実施形態のインダクタ部品を内蔵するプリント配線板４１０の断面図を示す。
第１実施形態のプリント配線板は、開口４２０を備えるコア基板４３０を有する。該開口内にインダクタ部品１０が収容されている。開口２０内には充填樹脂４５０が充填されている。コア基板４３０は、スルーホール導体４３６を備え、導体パターン４３４Ａ、４３４Ｂが形成されている。コア基板４３０上には、導体層４５８Ａ、ビア導体４６０Ａを備える層間樹脂絶縁層４５０Ａ、導体層４５８Ｂ、ビア導体４６０Ｂを備える層間樹脂絶縁層４５０Ｂが形成されている。層間樹脂絶縁層４５０Ａには、インダクタ部品１０の第１導体層１５８Ｆに接続するためのビア導体４６０Ａａが形成されている。層間樹脂絶縁層４５０Ａ上には、導体層４５８Ｃ、ビア導体４６０Ｃを備える最上の層間樹脂絶縁層４５０Ｃが形成され、層間樹脂絶縁層４５０Ｂ上には、導体層４５８Ｄ、ビア導体４６０Ｄを備える最下の層間樹脂絶縁層４５０Ｄが形成されている。最上の層間樹脂絶縁層４５０Ｃ上には、ソルダーレジスト層４７０が形成され、該ソルダーレジスト層の開口４７１に半導体素子実装用のＣ４半田バンプ４７６Ｕが形成されている。最下の層間樹脂絶縁層４５０Ｄ上には、ソルダーレジスト層４７０が形成され、該ソルダーレジスト層の開口４７１に、マザーボードへの接続用のＢＧＡ半田バンプ４７６Ｄが形成されている。
【００１８】
[第１実施形態のインダクタ部品の製造方法]
図３〜図７に第１実施形態のインダクタ部品の製造方法が示される。
厚さ０．１mm〜０．５mmの磁性体層２１から成るから成るコア基材２０が用意される。該磁性体シートは、樹脂に磁性体粒子が含まれて成る（図３（Ａ））。コア基材２０のスルーホール形成部位に貫通孔２２が形成される（図３（Ｂ））。コア基材２０の平面図を図２（Ｃ）に示す。図３（Ｂ）は、図２（Ｃ）中のＸ０−Ｘ０断面に対応する。貫通孔２２内に充填樹脂２４が充填される（図３（Ｃ））。
【００１９】
コア基材２０の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆ、銅箔４８が積層され、第２面Ｓ上に樹脂絶縁層５０Ｓ、銅箔４８が積層される（図４（Ａ））。レーザ又はドリルで、スルーホール形成位置に貫通孔２６が形成される（図４（Ｂ））。形成した貫通孔２６とコア基材の貫通孔２２との間の充填樹脂が樹脂層２４として用いられる。銅箔４８上、及び、貫通孔２６の内壁に無電解めっき及び電解めっきから成るめっき膜５２が形成される。貫通孔２６の内壁に形成されためっき膜５２がスルーホール導体３６を構成する（図４（Ｃ））。スルーホール導体３６内に樹脂充填剤４６が充填される（図４（Ｄ））。めっき膜５２上、及び、スルーホール導体から露出する樹脂充填剤４６上に、無電解めっき膜５３が形成される（図４（Ｅ））。
【００２０】
無電解めっき膜５３上に電解めっき膜５６が形成され（図５（Ａ））、無電解めっき膜５６上に所定パターンのエッチングレジスト５４が形成され（図５（Ｂ））、エッチングレジスト非形成部分の電解めっき膜５６、無電解めっき膜５３、めっき膜５２、銅箔４８が剥離され、エッチングレジストが除去されて第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓが形成される（図５（Ｃ））。樹脂絶縁層５０Ｆ及び第１導体パターン５８Ｆ上に最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆが形成され、樹脂絶縁層５０Ｓ及び第２導体パターン５８Ｓ上に最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓが形成される（図５（Ｄ））。
【００２１】
最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆにビア用開口１５１Ｆが、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓにビア用開口１５１Ｓが形成される（図６（Ａ））。層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、１５０Ｓ上に無電解めっき膜１５２が形成される（図６（Ｂ））。無電解めっき膜１５２上に所定パターンのめっきレジスト１５４が形成される（図６（Ｃ））。めっきレジスト非形成部に電解めっき膜１５６が形成される（図６（Ｄ））。
【００２２】
めっきレジストが剥離され、電解めっき膜１５６間の無電解めっき膜１５２が除去され、電解めっき膜１５６及び無電解めっき膜１５２から成る第１導体層１５８Ｆ、ビア導体１６０Ｆ、第２導体層１５８Ｓ、ビア導体１６０Ｓが形成される（図７（Ａ））。銅箔４８を備える第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓの厚みは、第１導体層１５８Ｆ、第２導体層１５８Ｓの厚みよりも厚い。このため、インダクタを構成するスルーホール導体の抵抗の上昇が抑制され、良好なインダクタ特性（Q値）が確保されやすくなる。最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ上にパッドを形成する開口７１を備えるソルダーレジスト層７０が形成され、インダクタ部品が完成する（図７（Ｂ））。第１実施形態のインダクタ部品は、プリント配線板と同様な製造方法で形成できるので、製造が容易である。
【００２３】
図２５は、第１実施形態の改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図である。
第１実施形態の改変例では、コア基材２０に貫通孔２２が形成された後（図３（Ｂ））、コア基材２０の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆ、銅箔４８が積層され、第２面Ｓ上に樹脂絶縁層５０Ｓ、銅箔４８が積層される（図２５（Ａ））。そして、積層の際に貫通孔２２内に樹脂絶縁層５０Ｆ、５０Ｓ由来の樹脂５０が充填される（図２５（Ｂ））。以降の工程は第１実施形態と同様である。
【００２４】
第１実施形態の改変例では、貫通孔を有する磁性体層上に絶縁層を形成する工程に伴って、貫通孔２２の内部に絶縁層の一部が充填されることになる。従って、第２貫通孔の内部に充填材を充填し、その後に別途絶縁層を形成する工程と比較して、工程が簡略化される。
【００２５】
図１（Ｂ）は、表面実装用の第１実施形態のインダクタ部品である。ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆに、ニッケル層７２、金層７４を介して半田バンプ７６Ｆが形成されている。
【００２６】
図９は、第１実施形態のインダクタ部品を実装するプリント配線板３１０の断面図を示す。
第１実施形態のプリント配線板３１０は、コア基板３３０を有する。コア基板３３０は、スルーホール導体３３６を備え、両面に導体パターン３３４Ｆ、３３４Ｓが形成されている。コア基板３３０上には、導体層３５８Ｆ、ビア導体３６０Ｆを備える層間樹脂絶縁層３５０Ｆ、導体層３５８Ｓ、ビア導体３６０Ｓを備える層間樹脂絶縁層３５０Ｓが形成されている。層間樹脂絶縁層３５０Ｆ上には、ソルダーレジスト層３７０Ｆが形成され、該ソルダーレジスト層の開口３７１Ｆに半導体素子実装用のＣ４半田バンプ３７６Ｆが形成されている。層間樹脂絶縁層３５０Ｄ上には、ソルダーレジスト層３７０Ｓが形成され、該ソルダーレジスト層の開口３７１Ｓに、マザーボードへの接続用のＢＧＡ半田バンプ３７６Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層の開口３７１ＳＳを介して、インダクタ部品１０の半田バンプ７６Ｆが接続されている。
【００２７】
インダクタをプリント配線板の内部に形成した場合、そのインダクタのデザインに起因して、コア基板の表裏の導体割合の差が大きくなり、反りが生じやすくなる。しかしながら、インダクタ部品をプリント配線板上に実装した場合、上述したような課題は生じにくく、半導体素子の実装性の低下を抑制できると思われる。
【００２８】
[第２実施形態]
図１０（Ａ）は、第２実施形態に係るプリント配線板の内蔵用のインダクタ部品の断面図である。図８を参照して上述した第１実施形態と同様にプリント配線板のコア基板内に内蔵される。インダクタ部品１０は、磁性体材料から成るコア基材２０と、コア基材の第１面Ｆ側に形成された第１導体パターン５８Ｆと、コア基材の第２面Ｓ側に形成された第２導体パターン５８Ｆと、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓを接続するスルーホール導体３６とから成るインダクタ構造体３０を備える。
【００２９】
第２実施形態のインダクタ部品は、図２を参照して上述した第１実施形態と同様に、第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓ、スルーホール導体３６によりインダクタ５９が形成される。
【００３０】
インダクタ部品のインダクタ構造体３０では、コア基材２０の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１導体パターン５８Ｆが形成されている。コア基材２０の第２面Ｓ側に樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｓ上に第２導体パターン５８Ｓが形成されている。第１導体パターン５８Ｆと第２導体パターン５８Ｓとを接続するスルーホール導体３６は、コア基材２０に形成された貫通孔２２内に、絶縁層２４が介在され形成されている。スルーホール導体３６は絶縁層２４内の貫通孔２８にめっきが充填されて成る。このため、インダクタを構成するスルーホール導体の抵抗の上昇が抑制され、良好なインダクタ特性（Q値）が確保されやすくなる。
【００３１】
樹脂絶縁層５０Ｆ及び第１導体パターン５８Ｆ上には、最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆが形成され、該最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第１導体層１５８Ｆが形成され、第１導体パターン５８Ｆと第１導体層１５８Ｆとがビア導体１６０Ｆを介して接続されている。最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ及び第１導体層１５８Ｆ上にソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、該ソルダーレジスト層の開口７１Ｆから露出される第１導体層１５８Ｆがパッドを構成する。
【００３２】
樹脂絶縁層５０Ｓ及び第２導体パターン５８Ｓ上には、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓが形成され、該最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第２導体層１５８Ｓが形成され、第２導体パターン５８Ｓと第２導体層１５８Ｓとがビア導体１６０Ｓを介して接続されている。最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ及び第２導体層１５８Ｓ上にソルダーレジスト層７０Ｓが形成され、該ソルダーレジスト層の開口７１Ｓから露出される第２導体層１５８Ｓがパッドを構成する。
【００３３】
[第２実施形態のインダクタ部品の製造方法]
図１１〜図１５に第２実施形態のインダクタ部品の製造方法が示される。
厚さ０．１mm〜０．５mmの磁性体シートから成るコア基材２０が用意される。該磁性体シートは、樹脂に磁性体粒子が含まれて成る（図１１（Ａ））。コア基材２０のスルーホール形成部位に貫通孔２２が形成される（図１１（Ｂ））。コア基材２０の平面図は図２（Ｃ）を参照して上述した第１実施形態と同様である。貫通孔２２内に充填樹脂２４が充填される（図１１（Ｃ））。コア基材の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆ、銅箔４８が積層され、第２面Ｓ上に樹脂絶縁層５０Ｓ、銅箔４８が積層される（図１１（Ｄ））。
【００３４】
第１面Ｆ側からレーザで、スルーホール形成位置に開口２８Ｆが形成され（図１２（Ａ））。第２面Ｓ側からレーザで、スルーホール形成位置に開口２８Ｓが形成され、砂時計形状の貫通孔２８が完成する（図１２（Ｂ））。銅箔４４上、及び、貫通孔２８の内壁に無電解めっき膜５２が形成される（図１２（Ｃ））。
【００３５】
無電解めっき膜５２上に所定パターンのめっきレジスト５４が形成され（図１３（Ａ））、めっきレジスト非形成部に電解めっき膜５６が形成される（図１３（Ｂ））。めっきレジストが剥離され、電解めっき膜間の無電解めっき膜５２、銅箔４８が除去されて第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓが形成される（図１３（Ｃ））。樹脂絶縁層５０Ｆ及び第１導体パターン５８Ｆ上に最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆが形成され、樹脂絶縁層５０Ｓ及び第２導体パターン５８Ｓ上に最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓが形成される（図１３（Ｄ））。
【００３６】
最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆにビア用開口１５１Ｆが、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓにビア用開口１５１Ｓが形成される（図１４（Ａ））。層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、１５０Ｓ上に無電解めっき膜１５２が形成される（図１４（Ｂ））。無電解めっき膜１５２上に所定パターンのめっきレジスト１５４が形成される（図１４（Ｃ））。めっきレジスト非形成部に電解めっき膜１５６が形成される（図１４（Ｄ））。
【００３７】
めっきレジストが剥離され、電解めっき膜１５６間の無電解めっき膜１５２が除去され、電解めっき膜１５６及び無電解めっき膜１５２から成る第１導体層１５８Ｆ、ビア導体１６０Ｆ、第２導体層１５８Ｓ、ビア導体１６０Ｓが形成される（図１５（Ａ））。最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ上にパッドを形成する開口７１を備えるソルダーレジスト層７０が形成され、インダクタ部品が完成する（図１５（Ｂ））。
【００３８】
図１０（Ｂ）は、表面実装用の第２実施形態のインダクタ部品である。ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆに、ニッケル層７２、金層７４を介して半田バンプ７６Ｆが形成されている。図１０（Ｂ）に示す第２実施形態のインダクタ部品は、図９を参照して上述した第１実施形態と同様にプリント配線板に実装される。
【００３９】
[第３実施形態]
図１６（Ａ）は、第３実施形態に係るプリント配線板の内蔵用のインダクタ部品の断面図である。図８を参照して上述した第１実施形態と同様にプリント配線板のコア基板内に内蔵される。インダクタ部品１０は、磁性体材料から成るコア基材２０と、コア基材の第１面Ｆ側に形成された第１導体パターン５８Ｆと、コア基材の第２面Ｓ側に形成された第２導体パターン５８Ｆと、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓを接続するスルーホール導体３６とから成るインダクタ構造体３０を備える。
【００４０】
第３実施形態のインダクタ部品は、図２を参照して上述した第１実施形態と同様に、第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６を介してヘリカル状（螺旋状）に配置され、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓ、スルーホール導体３６によりインダクタ５９が形成される。第３実施形態のインダクタ部品は、スルーホール導体３６の形状が裁頭円錐形状であることを除き、第２実施形態のインダクタ部品と同様である。
【００４１】
[第３実施形態のインダクタ部品の製造方法]
図１７，図１８に第２実施形態のインダクタ部品の製造方法が示される。
厚さ０．１mm〜０．５mmの磁性体シートから成るコア基材２０が用意される（図１７（Ａ））。コア基材２０のスルーホール形成部位に貫通孔２２が形成される（図１７（Ｂ））。コア基材２０の平面図は図２（Ｃ）を参照して上述した第１実施形態と同様である。貫通孔２２内に充填樹脂２４が充填される（図１７（Ｃ））。コア基材の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆ、銅箔４８が積層され、第２面Ｓ上に樹脂絶縁層５０Ｓ、銅箔４８が積層される（図１７（Ｄ））。
【００４２】
第１面Ｆ側からレーザで、層間絶縁層５０Ｓ側に縮径する裁頭円錐形状の貫通孔２８形成される（図１８）。以降の工程は、図１２（Ｂ）〜図１５（Ｂ）を参照して上述した第２実施形態と同様であるため、説明を省略する。
【００４３】
図１６（Ｂ）は、表面実装用の第３実施形態のインダクタ部品である。ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆに、ニッケル層７２、金層７４を介して半田バンプ７６Ｆが形成されている。図１６（Ｂ）に示すインダクタ部品は、図９を参照して上述した第１実施形態と同様にプリント配線板に実装される。
【００４４】
[第４実施形態]
図１９（Ａ）は、第４実施形態に係るインダクタ部品の断面図である。
インダクタ部品１０は、磁性体材料から成る磁性体２１を内蔵するコア基材２４と、コア基材の第１面Ｆ側に形成された第１導体パターン５８Ｆと、コア基材の第２面Ｓ側に形成された第２導体パターン５８Ｆと、該第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓを接続するスルーホール導体３６とから成るインダクタ構造体３０を備える。
【００４５】
図２１（Ａ）は該インダクタ構造体３０の平面図であり、図２１（Ｂ）は側面図である。第１面側の第１導体パターン５８Ｆは、スルーホール導体３６の直上に形成されるスルーホールランド５８ＦＲと、スルーホールランド５８ＦＲとスルーホールランド５８ＦＲとを接続する接続パターン５８ＦＬとから成る。第２面側の第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６の直下に形成されるスルーホールランド５８ＳＲと、スルーホールランド５８ＳＲとスルーホールランド５８ＳＲとを接続する接続パターン５８ＳＬとから成る。第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓは、スルーホール導体３６を介して棒状の磁性体２１の周りにヘリカル状（螺旋状）に配置され、該磁性体２１、第１導体パターン５８Ｆ、第２導体パターン５８Ｓ、スルーホール導体３６によりインダクタ５９が形成される。
【００４６】
図１９（Ａ）は、図２１（Ａ）中のＸ４−Ｘ４断面に対応する。図中に示すようにインダクタ部品のインダクタ構造体３０では、コア基材２４の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｆ上に第１導体パターン５８Ｆが形成されている。コア基材２４の第２面Ｓ側に樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、該樹脂絶縁層５０Ｓ上に第２導体パターン５８Ｓが形成されている。第１導体パターン５８Ｆと第２導体パターン５８Ｓとを接続するスルーホール導体３６は、コア基材２４に形成された貫通孔２８にめっきが充填されて成る。
【００４７】
樹脂絶縁層５０Ｆ及び第１導体パターン５８Ｆ上には、最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆが形成され、該最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ上に第１導体層１５８Ｆが形成され、第１導体パターン５８Ｆと第１導体層１５８Ｆとがビア導体１６０Ｆを介して接続されている。最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ及び第１導体層１５８Ｆ上にソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、該ソルダーレジスト層の開口７１Ｆから露出される第１導体層１５８Ｆがパッドを構成する。
【００４８】
樹脂絶縁層５０Ｓ及び第２導体パターン５８Ｓ上には、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓが形成され、該最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ上に第２導体層１５８Ｓが形成され、第２導体パターン５８Ｓと第２導体層１５８Ｓとがビア導体１６０Ｓを介して接続されている。最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ及び第２導体層１５８Ｓ上にソルダーレジスト層７０Ｓが形成され、該ソルダーレジスト層の開口７１Ｓから露出される第２導体層１５８Ｓがパッドを構成する。
【００４９】
[第４実施形態のインダクタ部品の製造方法]
図２１、図２２に第４実施形態のインダクタ部品の製造方法が示される。
厚さ０．１mm〜０．５mmの樹脂シートから成るコア基材２４が用意される（図２２（Ａ））。コア基材２４の磁性体収容部位に磁性体と対応形状の貫通孔２２が形成される（図２２（Ｂ））。コア基材２４の平面図を図２０（Ａ）に示す。図２２（Ｂ）は、図２０（Ａ）中のＸ２−Ｘ２断面に対応する。貫通孔２２内に、棒状の磁性体２１が収容される（図２２（Ｃ））。磁性体が収容されたコア基材２４の平面図を図２０（Ｂ）に示す。図２２（Ｃ）は、図２０（Ｂ）中のＸ３−Ｘ３断面に対応する。磁性体２１は角柱状の角柱部２１Ｂと、側方に突出する水平断面三角形状の突出部２１Ｔとから成る。貫通孔２２と磁性体２１との隙間に充填樹脂２３が充填される（図２２（Ｄ））。コア基材の第１面Ｆ上に樹脂絶縁層５０Ｆ、銅箔４８が積層され、第２面Ｓ上に樹脂絶縁層５０Ｓ、銅箔４８が積層される（図２２（Ｅ））。
【００５０】
第１面Ｆ側からレーザで、スルーホール形成位置に開口２８Ｆが形成され（図２３（Ａ））。第２面Ｓ側からレーザで、スルーホール形成位置に開口２８Ｓが形成され、砂時計形状の貫通孔２８が完成する（図２３（Ｂ））。以降の工程は、図１２（Ｃ）〜図１５（Ｂ）を参照して上述した第２実施形態と同様であるので、説明を省略する。
【００５１】
図１９（Ｂ）は、表面実装用の第４実施形態のインダクタ部品である。ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆに、ニッケル層７２、金層７４を介して半田バンプ７６Ｆが形成されている。図１９（Ｂ）に示すインダクタ部品は、図９を参照して上述した第１実施形態と同様にプリント配線板に実装される。
【００５２】
第４実施形態では、第２実施形態と同様なスルーホール導体を形成したが、スルーホール導体は、第１実施形態、又は、第３実施形態と同様に形成することも可能である。
【００５３】
[第５実施形態]
図２４は、第５実施形態に係るインダクタ部品の断面図である。
第５実施形態のインダクタ部品は第１実施形態のインダクタ部品と同様である。第５実施形態のインダクタ部品は、最上の層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ内に磁性体層１５９が設けられている。
【００５４】
第５実施形態のインダクタ部品では、ビルドアップ層の内部に設けられている導体に対する磁力線の影響も低減できる。よって、ビルドアップ層の内部に設けられている導体の電気特性を阻害することがほとんどない。第５実施形態では、層間樹脂絶縁層１５０Ｆ、最下の層間樹脂絶縁層１５０Ｓ内に磁性体層１５９が設けられたが、層間樹脂絶縁層内に磁性粒子を含ませることも可能である。
【符号の説明】
【００５５】
２０  コア基材
２１  磁性体
２２  貫通孔
２４  樹脂層
２６  貫通孔
２８  貫通孔
３０  インダクタ構造体
３６  スルーホール導体
５０Ｆ、  ５０Ｓ  樹脂絶縁層
５８Ｆ  第１導体パターン
５８Ｓ  第２導体パターン
１５０Ｆ  最上の層間樹脂絶縁層
１５０Ｓ  最下の層間樹脂絶縁層
１５８Ｆ  第１導体層
１５８Ｓ  第２導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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