(57)【要約】      （修正有）【課題】両面研磨装置を用いてガラス基板を研磨する際に、上定盤に取り付けられた研磨パッドへのガラス基板の吸着を抑制し、かつ、基板表面へのうねりの発生を防止することができるガラス基板の研磨方法の提供。【解決手段】両面研磨装置１０の上下定盤に取り付けられた研磨パッド２４が硬度（ショアＡ硬度）７０以下であり、表面粗さ（Ｒａ）が５０μｍ以下であり、下定盤１４に取り付けられる研磨パッドの研磨面とガラス基板の主表面との吸着力Ｆ1（Ｎ）、および、上定盤１２に取り付けられる研磨パッドとの吸着力Ｆ2が、下記式に示す関係を満たすように、下側研磨パッドおよび上側研磨パッドの研磨面における、平均開口径、単位面積当たりの開口数、開口数、開口率、および、表面粗さのうち、少なくとも１つを選択する。Ｆ1＞Ｆ2−ｗ×ｇ（ｗはガラス基板の質量（ｇ）、ｇは重力加速度（ｍ／ｓ2）である。）【選択図】図１
2014008555.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
両面研磨装置の上下定盤に取り付けられた研磨パッドの研磨面で、キャリアに保持されたガラス基板を挟持し、上下両定盤の両研磨面の少なくとも一方に設けられている１つ、または、複数の供給孔から研磨粒子を含む流体を供給しつつ、前記上下定盤と、前記キャリアに保持された前記ガラス基板と、を相対的に移動させて前記ガラス基板の両主表面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、
前記上下定盤に取り付けられる研磨パッドが、硬度（ショアＡ硬度）が７０以下であり、表面粗さ（Ｒａ）が５０μｍ以下であり、
下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面と前記ガラス基板の主表面との吸着力Ｆ1（Ｎ）、および、上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面と前記ガラス基板の主表面との吸着力Ｆ2が、下記式（１）に示す関係を満たすように、前記研磨パッド（ａ）および前記研磨パッド（ｂ）の研磨面における、平均開口径、単位面積当たりの開口数、開口率、および、表面粗さ（Ｒａ）のうち、少なくとも１つを調整することを特徴とするガラス基板の研磨方法。
Ｆ1  ＞  Ｆ2  −  ｗ×ｇ      （１）
（式中、ｗはガラス基板の質量（ｇ）であり、ｇは重力加速度（ｍ／ｓ2）である。）
【請求項２】
両面研磨装置の上下定盤に取り付けられた研磨パッドの研磨面で、キャリアに保持されたガラス基板を挟持し、上下両定盤の両研磨面の少なくとも一方に設けられている１つ、または、複数の供給孔から研磨粒子を含む流体を供給しつつ、前記上下定盤と、前記キャリアに保持された前記ガラス基板と、を相対的に移動させて前記ガラス基板の両主表面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、
前記上下定盤に取り付けられる研磨パッドが、硬度（ショアＡ硬度）が７０以下であり、表面粗さ（Ｒａ）が５０μｍ以下であり、
下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面と前記ガラス基板の主表面との吸着力Ｆ1（Ｎ）、および、上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面と前記ガラス基板の主表面との吸着力Ｆ2が、下記式（１）に示す関係を満たすように、前記研磨パッド（ａ）および前記研磨パッド（ｂ）の研磨面における、平均開口径、単位面積当たりの開口数、開口率、および、表面粗さ（Ｒａ）のうち、少なくとも１つを互いに異なるものとすることを特徴とするガラス基板の研磨方法。
Ｆ1  ＞  Ｆ2  −  ｗ×ｇ      （１）
（式中、ｗはガラス基板の質量（ｇ）であり、ｇは重力加速度（ｍ／ｓ2）である。）
【請求項３】
上下定盤に取り付けられる研磨パッドの研磨面における平均開口径が、１〜１００μｍの範囲であり、
上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面における平均開口径に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面における平均開口径の比が０．９５以下である、請求項１または２に記載のガラス基板の研磨方法。
【請求項４】
上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面における単位面積当たりの開口数に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面における単位面積当たりの開口数の比が０．９５以下である、請求項１〜３のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
【請求項５】
上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面における開口率に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面における開口率の比が０．９５以下である、請求項１〜４のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
【請求項６】
上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面における表面粗さ（Ｒａ）に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面における表面粗さ（Ｒａ）の比が０．９５以下である、請求項１〜５のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
【請求項７】
前記上下両定盤の研磨面による研磨荷重が０．１〜１２ｋＰａである、請求項１〜６のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
【請求項８】
前記研磨粒子が、コロイダルシリカまたは酸化セリウムである、請求項１〜７のいずれかに記載のガラス基板の研磨方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ガラス基板の研磨方法に関する。より具体的には、研磨後のガラス基板表面における１００μｍ〜１００ｍｍの波長域におけるＰＶ値が３０ｎｍ以下となることが求められる用途のガラス基板の研磨方法に関する。
本発明のガラス基板の研磨方法は、ＥＵＶ（Ｅｘｔｒｅｍｅ  Ｕｌｔｒａ  Ｖｉｏｌｅｔ：極端紫外）光を用いたリソグラフィ（以下、「ＥＵＶＬ」と略する）の際に使用される反射型マスクや反射型ミラーの基材として使用されるガラス基板（以下、「ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板」と略する。）として使用されるガラス基板の研磨に好適である。
本発明のガラス基板の研磨方法は、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）を光源として用いる透過型マスクの基材と使用されるガラス基板の研磨に用いることもできる。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体製造工程においては、ウェハ上に微細な回路パターンを転写して集積回路を製造するための露光装置が広く使用されている。近年、半導体集積回路の高集積化、高機能化に伴い、集積回路の微細化が進み、回路パターンをウェハ面上に正確に結像させるために、露光装置のフォトマスクに使用される光学基材用ガラス基板は高度の平坦性と平滑性が求められている。
【０００３】
さらに、このような技術動向にあって、次の世代の露光光源としてＥＵＶ光を使用したリソグラフィ技術（すなわち、ＥＵＶＬ技術）が、４５ｎｍ以降の複数の世代にわたって適用可能と見られ注目されている。ＥＵＶ光とは軟Ｘ線領域または真空紫外域の波長帯の光を指し、具体的には波長が０．２〜１００ｎｍ程度の光のことである。現時点では、リソグラフィ光源として１３．５ｎｍの波長光の使用が検討されている。このＥＵＶＬの露光原理は、投影光学系を用いてマスクパターンを転写する点では、従来のリソグラフィと同じであるが、ＥＵＶ光のエネルギー領域では光を透過する材料がないために屈折光学系は用いることができず、反射光学系を用いることとなり、反射型マスクや反射型ミラーが用いられる（特許文献１参照）。
【０００４】
ＥＵＶＬに用いられる反射型マスクは、（１）基材、（２）基材上に形成された反射多層膜、（３）反射多層膜上に形成された吸収体層から基本的に構成される。反射型ミラーの場合は、（１）基材、（２）基材上に形成された反射多層膜から基本的に構成される。
反射型マスクや反射型ミラーの製造に用いられる基材（ＥＵＶＬ光学基材）としては、ＥＵＶ光照射の下においても歪みが生じないよう低熱膨張係数を有する材料が必要とされ、低熱膨張係数を有するガラスや結晶化ガラスで作製されたガラス基板（ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板）が検討されている。ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板は、これらガラスや結晶化ガラスの素材を、高精度に研磨、洗浄することによって製造される。
【０００５】
一般に、磁気記録媒体用基板や半導体用基板などを平滑度の高い表面に研磨する方法は知られている。例えば、特許文献２には、メモリーハードディスクの仕上げ研磨や半導体素子用基板などの研磨について、研磨後の被研磨物の表面粗さが小さく、かつ微小突起（凸状欠点）を低減させる研磨方法として、水、研磨材、酸化合物を含有してなり、ｐＨが酸性かつ研磨材の濃度が１０重量％未満である研磨液組成物と、研磨パッドと、を用いて機械研磨することが記載されている。そして、研磨材として酸化アルミニウム、シリカ、酸化セリウム、酸化ジルコニウムなどが、またｐＨを酸性にするための酸として硝酸、硫酸、塩酸や有機酸などがそれぞれ例示されている。
【０００６】
ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板についても、特定の研磨スラリーと、研磨パッドと、を用いて機械研磨することによって、基板表面の凸欠点や凹欠点を減少させて、ガラス基板の表面平滑性を向上させる方法が特許文献３に記載されている。
ガラス基板表面の凸欠点や凹欠点を減少させることが求められるのは、凸欠点や凹欠点が存在するガラス基板表面上に反射多層膜を形成すると、反射多層膜の周期構造が乱され、位相欠陥を生じるからである。
【０００７】
ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板（以下、単に「ガラス基板」と記載する場合がある。）を機械研磨する場合、研磨に要する時間を短縮できる、表裏面の基板平坦度を同時に確保できる、板厚偏差（ＴＴＶ）を小さくできる等の理由から、また、片面研磨では非研磨面をチャッキングする必要があり、非研磨面となる基板表面でパーティクル付着が発生する等の理由から、通常は両面研磨装置が使用される（特許文献３）。
両面研磨装置を用いてガラス基板を研磨する場合、特許文献３に示すように、それぞれ研磨パッドが取り付けられた上定盤と、下定盤と、で、キャリアに保持されたガラス基板を挟持し、上下定盤の研磨パッドと、ガラス基板と、の間に研磨液（研磨スラリー）を供給しつつ、ガラス基板を保持するキャリアを公転および自転させながら、ガラス基板の両主表面を同時に研磨する。
【０００８】
両面研磨装置を用いてガラス基板を研磨した際、研磨終了時には、上下定盤のいずれかに取り付けられた研磨パッドにガラス基板が吸着することがある。
一般に、ガラス基板の下面が自重により下定盤に取り付けられた研磨パッドに吸着しやすいが、ガラス基板の上面が上定盤に取り付けられた研磨パッドに吸着する場合がある。この場合、上定盤に取り付けられた研磨パッドに吸着したガラス基板が落下して破損するおそれがある。
【０００９】
両面研磨実施時において、上定盤に取り付けられた研磨パッドへの研磨対象物の貼り付き（吸着）を防止する方法としては、研磨面に格子状の溝を設けることや、研磨パッドの回転中心から放射状に延びる複数の溝を設けることが知られている（特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特表２００３−５０５８９１号公報
【特許文献２】特開２００３−２１１３５１号公報
【特許文献３】特開２００５−５９１８４号公報
【特許文献４】特開２００９−８８０２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、研磨面に溝を設けた研磨パッドを使用すると、ガラス基板の被研磨面にうねりが生じることが明らかとなった。このようなうねりは、基板表面に凸欠点を生じさせるため問題となる。
【００１２】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、両面研磨装置を用いてガラス基板を研磨する際に、上定盤に取り付けられた研磨パッドへのガラス基板の吸着を抑制し、かつ、基板表面へのうねりの発生を防止することができるガラス基板の研磨方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、両面研磨装置の上下定盤に取り付けられた研磨パッドの研磨面で、キャリアに保持されたガラス基板を挟持し、上下両定盤の両研磨面の少なくとも一方に設けられている１つ、または、複数の供給孔から研磨粒子を含む流体を供給しつつ、前記上下定盤と、前記キャリアに保持された前記ガラス基板と、を相対的に移動させて前記ガラス基板の両主表面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、
前記上下定盤に取り付けられる研磨パッドが、硬度（ショアＡ硬度）が７０以下であり、表面粗さ（Ｒａ）が５０μｍ以下であり、
下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面と前記ガラス基板の主表面との吸着力Ｆ1（Ｎ）、および、上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面と前記ガラス基板の主表面との吸着力Ｆ2が、下記式（１）に示す関係を満たすように、前記研磨パッド（ａ）および前記研磨パッド（ｂ）の研磨面における、平均開口径、単位面積当たりの開口数、開口率、および、表面粗さ（Ｒａ）のうち、少なくとも１つを調整することを特徴とするガラス基板の研磨方法（１）を提供する。
Ｆ1  ＞  Ｆ2  −  ｗ×ｇ      （１）
（式中、ｗはガラス基板の質量（ｇ）であり、ｇは重力加速度（ｍ／ｓ2）である。）
【００１４】
また、本発明は、両面研磨装置の上下定盤に取り付けられた研磨パッドの研磨面で、キャリアに保持されたガラス基板を挟持し、上下両定盤の両研磨面の少なくとも一方に設けられている１つ、または、複数の供給孔から研磨粒子を含む流体を供給しつつ、前記上下定盤と、前記キャリアに保持された前記ガラス基板と、を相対的に移動させて前記ガラス基板の両主表面を研磨するガラス基板の研磨方法であって、
前記上下定盤に取り付けられる研磨パッドが、硬度（ショアＡ硬度）が７０以下であり、表面粗さ（Ｒａ）が５０μｍ以下であり、
下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面と前記ガラス基板の主表面との吸着力Ｆ1（Ｎ）、および、上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面と前記ガラス基板の主表面との吸着力Ｆ2が、下記式（１）に示す関係を満たすように、前記研磨パッド（ａ）および前記研磨パッド（ｂ）の研磨面における、平均開口径、単位面積当たりの開口数、開口率、および、表面粗さ（Ｒａ）のうち、少なくとも１つを互いに異なるものとすることを特徴とするガラス基板の研磨方法（２）を提供する。
Ｆ1  ＞  Ｆ2  −  ｗ×ｇ      （１）
（式中、ｗはガラス基板の質量（ｇ）であり、ｇは重力加速度（ｍ／ｓ2）である。）
【００１５】
本発明のガラス基板の研磨方法（１），（２）において、上下定盤に取り付けられる研磨パッドの研磨面における平均開口径が、１〜１００μｍの範囲であり、
上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面における平均開口径に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面における平均開口径の比が０．９５以下であることが好ましい。
【００１６】
本発明のガラス基板の研磨方法（１），（２）において、上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面における単位面積当たりの開口数に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面における単位面積当たりの開口数の比が、０．９５以下であることが好ましい。
【００１７】
本発明のガラス基板の研磨方法（１），（２）において、上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面における開口率に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面における開口率 の比が、０．９５以下であることが好ましい。
【００１８】
本発明のガラス基板の研磨方法（１），（２）において、上定盤に取り付けられる研磨パッド（ｂ）の研磨面における表面粗さ（Ｒａ）に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッド（ａ）の研磨面における表面粗さ（Ｒａ）の比が、０．９５以下であることが好ましい。
【００１９】
本発明のガラス基板の研磨方法（１），（２）において、前記上下両定盤の研磨面による研磨荷重が０．１〜１２ｋＰａであることが好ましい。
【００２０】
本発明のガラス基板の研磨方法（１），（２）において、前記研磨粒子がコロイダルシリカまたは酸化セリウムであることが好ましい。
【発明の効果】
【００２１】
本発明によれば、両面研磨装置を用いてガラス基板を研磨する際に、上定盤に取り付けられた研磨パッドへガラス基板が吸着するのを抑制できる。
また、本発明によれば、研磨後のガラス基板表面にうねりが発生するのを防止できる。このため、研磨後のガラス基板表面が平滑性に優れており、１００μｍ〜１００ｍｍの波長域におけるＰＶ値が３０ｎｍ以下となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】図１は、本発明のガラス基板研磨方法に用いる両面研磨装置の一構成例を示した側断面図である。
【図２】図２は、図１に示す両面研磨装置１０内におけるガラス基板２２の配置の一構成例を示した図である。
【図３】図３は、図１に示す両面研磨装置１０における上定盤１２の一構成を示す図である。
【図４】図４は、本発明のガラス基板研磨方法に用いる研磨パッドの一例を示した模式図であり、研磨面側を研削して微多孔を開口させる前の状態を示している。
【図５】図５は、図４と同様の図面であり、研磨パッドの研磨面側を研削して微多孔を開口させた後の状態を示している。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、図面を参照して本発明のガラス基板研磨方法を説明する。
本発明のガラス基板研磨方法では、両面研磨装置を用いてガラス基板の両主表面を研磨する。ここで、ガラス基板の主表面とは使用時に基板として機能する面を指し、具体的には端面を除く表裏面である。以下、本明細書において、ガラス基板の両面研磨といった場合、ガラス基板の両主表面、すなわち、ガラス基板の表裏面を研磨することを指す。
両面研磨装置には様々な構成のものがあるが、上下定盤の研磨面でキャリアに保持されたガラス基板を挟持し、上定盤に設けられた供給孔から研磨粒子を含む流体（以下、本明細書において、「研磨スラリー」という。）を供給しつつ、上下定盤と、キャリアに保持されたガラス基板と、を相対的に移動させることにより、ガラス基板の両面を研磨する点では共通である。
以下、図面を参照して両面研磨装置について説明するが、本発明の基板研磨方法に用いる両面研磨装置は上記を満たすものであればよく、両面研磨装置の構成、動作機構、両面研磨装置でのガラス基板の配置等はこれに限定されない。
【００２４】
図１は、本発明のガラス基板研磨方法に用いる両面研磨装置の一構成例を示した側断面図である。
図１に示す両面研磨装置１０は、ガラス基板２２の両面を研磨する遊星歯車方式の研磨装置である。図１に示す両面研磨装置１０は、上定盤１２、下定盤１４、太陽歯車１６、及び内歯歯車１８を備える。詳しくは後述するが、太陽歯車１６及び内歯歯車１８は、上下両定盤（上定盤１２、下定盤１４）と、キャリア２０に保持されたガラス基板２２と、を相対的に移動させる手段である。太陽歯車１６及び内歯歯車１８の形状は歯車形状が一般的であるが、歯車の代わりにピンが複数立っているものでも代用することができる。ピンにキャリア２０の歯車をかませてキャリア２０を移動させることで上下両定盤（上定盤１２、下定盤１４）と、キャリア２０に保持されたガラス基板２２と、を相対的に移動させることができる。（以下、本明細書において、歯車形状、ピン形状を区別せず「歯車」という。）
上下両定盤（上定盤１２、下定盤１４）は、中心部に空洞１２ａ，１４ａを有するドーナツ状である。
【００２５】
図２は、図１に示す両面研磨装置１０内におけるガラス基板２２の配置の一構成例を示した図であり、下定盤１４上にガラス基板２２を保持したキャリア２０を配置した状態を示している。図２において、下定盤１４上（実際には、上下両定盤（上定盤１２、下定盤１４）の間）には、複数のキャリア２０が配置されている。複数のキャリア２０は、例えば、図１における太陽歯車１６と内歯歯車１８との間のドーナツ状の領域において、下定盤１４（実際には上定盤１２及び下定盤１４）の円周方向へ並べて配置される。
また、キャリア２０は、ガラス基板２２を収容する４角穴状の貫通部を中央に有する円板状体であり、外周に歯車が設けられており、外周部において太陽歯車１６及び内歯歯車１８と噛み合う。各キャリア２０は、ガラス基板２２をそれぞれ１枚保持する。なお、図２では、各キャリア２０は、ガラス基板２２をそれぞれ１枚保持しているが、各キャリアが複数のガラス基板を保持していてもよい。
【００２６】
上定盤１２及び下定盤１４は、ガラス基板２２の上側及び下側の定盤である。上定盤１２及び下定盤１４は、ドーナツ状体であり、これらのドーナツ状体の中心軸である定盤中心軸１０２を中心にして、キャリア２０に保持されたガラス基板２２をその研磨面（上下両定盤（上定盤１２、下定盤１４）の研磨面））の間に挟みつつ、上下定盤のうち一方または両方を回転させることで、上下定盤と、キャリアに保持されたガラス基板と、を相対的に移動させる。
上定盤１２及び下定盤１４は、基板２２と対向する面に研磨パッド２４が取り付けられている。本明細書において、上下両定盤（上定盤１２、下定盤１４）の研磨面と言った場合、上下両定盤（上定盤１２、下定盤１４）に取り付けられた研磨パッド２４のパッド表面を指す。
【００２７】
図３は、図１に示す両面研磨装置１０における上定盤１２の一構成例を示す図である。図３に示すように、上定盤１２には、研磨スラリーの供給孔３０が設けられている。これにより、両面研磨装置１０は、上定盤１２及び下定盤１４の研磨面に設けられた研磨パッド２４と、基板２２と、の間に、研磨スラリーを供給する。図３において、上定盤１２には、複数の供給孔３０が設けられている。なお、図３では、上定盤１２における供給孔３０を示しているが、上定盤１２の研磨面に設けられた研磨パッドにも、図３と同様の供給孔が存在する。
複数の供給孔３０は、上定盤１２の回転軸側から外側に、かつ上定盤１２の回転方向の進行側に向かって、螺旋状に等間隔で配置されている。但し、図３は、上定盤１２における研磨スラリー供給孔３０の配置の一構成例を示したものであり、上定盤１２における研磨スラリー供給孔３０の配置はこれに限定されない。
また、図３では、上定盤１２に複数の供給孔３０が設けられているが、上定盤に設けられる供給孔の数は１つでもよい。
また、上定盤ではなく、下定盤に研磨スラリーの供給孔が設けられていてもよく、上定盤と下定盤の両方に研磨スラリーの供給孔が設けられていてもよい。
【００２８】
太陽歯車１６及び内歯歯車１８は、キャリア２０の外周面と噛み合うギアである。太陽歯車１６は、上定盤１２及び下定盤１４の中心側からキャリア２０と接する外歯の歯車であり、上下両定盤（上定盤１２及び下定盤１４）中心部の空洞１２ａ，１４ａに備えられ、上下両定盤（上定盤１２及び下定盤１４）の回転軸である定盤中心軸１０２と同心の回転軸で回転する。また、内歯歯車１８は、上定盤１２及び下定盤１４の外周側からキャリア２０と接する内歯の歯車である。内歯歯車１８は、リング状で内側に歯車を有する歯車であり、上下両定盤（上定盤１２及び下定盤１４）の外周に備えられ、定盤の回転軸である定盤中心軸１０２と同心の回転軸で回転する。
【００２９】
そして、太陽歯車１６と内歯歯車１８は、キャリア２０の歯車と噛み合うことによって、キャリア２０を回転させる。また、これにより、太陽歯車１６及び内歯歯車１８は、上定盤１２と下定盤１４との間において、ガラス基板２２を保持するキャリア２０を公転及び自転させることにより、ガラス基板２０の両面を研磨する。
【００３０】
上述したように、両面研磨装置１０を用いてガラス基板２０の両面を研磨した際、研磨終了時には、上下定盤（上定盤１２及び下定盤１４）のいずれかに取り付けられた研磨パッド２４にガラス基板が吸着することがある。
一般に、ガラス基板２０の下面が自重により下定盤１４に取り付けられた研磨パッド２４に吸着しやすいが、ガラス基板２０の上面が上定盤１２に取り付けられた研磨パッド２４に吸着する場合がある。この場合、上定盤１２に取り付けられた研磨パッド２４に吸着したガラス基板２０が落下して破損するおそれがある。
このため、研磨終了時において、ガラス基板２０の上面が上定盤１２に取り付けられた研磨パッド２４に吸着するのを抑制するため、ガラス基板２０の下面が下定盤１４に取り付けられた研磨パッド２４に吸着させることが望ましい。
【００３１】
本発明のガラス基板の研磨方法では、下定盤１４に取り付けられる研磨パッド２４の研磨面とガラス基板２０の主表面との吸着力Ｆ1（Ｎ）、および、上定盤１２に取り付けられる研磨パッド２４の研磨面とガラス基板２０の主表面との吸着力Ｆ2が、下記式（１）に示す関係を満たすように、研磨パッド２４の研磨面における、平均開口径、単位面積当たりの開口数、開口率、および、表面粗さ（Ｒａ）のうち、少なくとも１つを調整する。
Ｆ1  ＞  Ｆ2  −  ｗ×ｇ      （１）
上記式（１）中、ｗはガラス基板２０の質量（ｇ）であり、ｇは重力加速度（ｍ／ｓ2）である。
なお、上記Ｆ1およびＦ2が式（１）に示す関係を満たすように、研磨パッド２４の研磨面における、平均開口径、単位面積当たりの開口数、開口率、および、表面粗さ（Ｒａ）のうち、少なくとも１つを調整する具体的な手段としては、後述するように。上下定盤に取り付けられる研磨パッドとして、平均開口径、単位面積当たりの開口数、開口率、および、表面粗さ（Ｒａ）のうち、少なくとも１つが互いに異なる研磨パッドを用いる手段がある。
【００３２】
上記式（１）における研磨パッドの研磨面とガラス基板の主表面との吸着力Ｆ1，Ｆ2は、研磨終了時と同様に、研磨パッドの研磨面とガラス基板の主表面との間に、研磨スラリーが存在する状態で、主表面を研磨パッドの研磨面に吸着させたガラス基板を、研磨面と直交方向に引き剥がすのに必要な最小限の力を指す。
なお、上下定盤（上定盤１２、下定盤１４）に取り付けられた研磨パッド２４の研磨面と、ガラス基板２０の主表面（上面、下面）と、の吸着力とはせず、上下定盤（上定盤１２、下定盤１４）に取り付けられる研磨パッド２４の研磨面と、ガラス基板２０の主表面と、の吸着力としているのは、ガラス基板の自重による影響を排除するため、上下定盤（上定盤１２、下定盤１４）に取り付ける前の研磨パッド２４について、主表面を吸着させるガラス基板２０の向きが同一にした状態（例えば、研磨パッド２４に対し、ガラス基板２０の下面を吸着させた状態）で吸着力を評価するためである。
【００３３】
上下定盤（上定盤１２及び下定盤１４）に取り付けられる研磨パッド２４の研磨面と、ガラス基板２０の主表面と、の吸着力Ｆ1，Ｆ2が、上記式（１）に示す関係を満たしていれば、研磨終了時において、ガラス基板２０の下面が下定盤１４に取り付けられた研磨パッド２４に吸着する傾向が高くなり、ガラス基板２０の上面が上定盤１２に取り付けられた研磨パッド２４に吸着することが抑制される。
【００３４】
研磨パッドの研磨面と、ガラス基板の主表面と、の吸着力は、種々の要因が影響を及ぼす。上下定盤に取り付けられる研磨パッドで、このような要因を調節することで、上記式（１）に示す関係を満たすことができる。しかしながら、これにより、研磨終了時点におけるガラス基板の表面性状に影響が及ぶことに留意する必要がある。
研磨パッドの研磨面における平均開口径、単位面積当たりの開口数、開口率、および、表面粗さについては、本発明のガラス基板研磨方法において、研磨終了後のガラス基板の表面性状を達成するうえで、研磨パッドが満たすべき範囲である限り、上下定盤に取り付けられる研磨パッドで差を付けても、研磨終了時点におけるガラス基板の表面性状への影響は軽微であり、無視できる。
【００３５】
本発明のガラス基板研磨方法に使用する研磨パッドが満たすべき特性を以下に示す。
【００３６】
ガラス基板の研磨に使用する研磨パッドの硬度が高すぎると、研磨スラリー粒子の押し込みにより、研磨されるガラス基板表面にキズが生じるおそれがある。このため、本発明のガラス基板研磨方法では、硬度（ショアＡ硬度）が７０以下の研磨パッドを使用する。
研磨パッドの硬度（ショアＡ硬度）は、６０以下が好ましく、５０以下がより好ましい。
ガラス基板の研磨に使用する研磨パッドの硬度の下限は特に限定されないが、研磨パッドの硬度が低すぎると、研磨効率が低下し十分な研磨速度が得られなくなるおそれがある。また、研磨されるガラス基板の平坦度の制御性が悪化するおそれがある。
そのため、研磨パッドの硬度（ショアＡ硬度）は、５以上が好ましく、１０以上がより好ましい。
【００３７】
ガラス基板の研磨に使用する研磨パッドの表面粗さが大きすぎると、研磨荷重の分布や研磨スラリー粒子の偏りが生じるため、研磨されるガラス基板表面に凹欠点が生じるおそれがあり、また、均一な研磨が達成しにくくなる。このため、本発明のガラス基板研磨方法では、表面粗さ（Ｒａ）が５０μｍ以下の研磨パッドを使用する。
研磨パッドの表面粗さ（Ｒａ）は、２０μｍ以下が好ましく、１５μｍ以下がより好ましく、１０μｍ以下がさらに好ましい。
【００３８】
ここで、研磨パッドの研磨面の表面粗さ（Ｒａ）と、ガラス基板の主表面との吸着力と、の関係をみた場合、研磨面の表面粗さが大きいほど吸着力が大きくなり、表面粗さが小さいほど吸着力が小さくなる。
本発明のガラス基板研磨方法において、上下定盤に取り付けられる研磨パッドの表面粗さ（Ｒａ）に差を付けることで上記式（１）に示す関係を満たす場合は、上定盤に取り付けられる研磨パッドの研磨面における表面粗さ（Ｒａ）に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッドの研磨面における表面粗さ（Ｒａ）の比が、０．９５以下であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることがさらに好ましい。下限は特にないが、両者の比が０．０１以上であることが好ましい。
【００３９】
ガラス基板の研磨に使用する研磨パッドの平均開口径が大きすぎると、研磨荷重の分布が生じ、所定の研磨品質を維持することが困難になるおそれがある。このため、本発明のガラス基板研磨方法では、平均開口径が１００μｍ以下の研磨パッドを使用することが好ましい。研磨パッドの平均開口径は、４０μｍ以下がより好ましく、３０μｍ以下がさらに好ましく、２５μｍ以下がさらに好ましい。
一方、ガラス基板の研磨に使用する研磨パッドの平均開口径が小さすぎると、研磨スラリーを保持してムラなく研磨することができなくなるおそれがある。このため、本発明のガラス基板研磨方法では、平均開口径が１μｍ以上の研磨パッドを使用することが好ましい。
なお、研磨面における平均開口径は、ＣＣＤカメラを用いて研磨面を観察することで求めることができる。
【００４０】
ここで、研磨パッドの研磨面における開口径と、ガラス基板の主表面との吸着力と、の関係をみた場合、開口径が小さいほど吸着力が大きくなり、開口径が大きいほど吸着力小さくなる。
本発明のガラス基板研磨方法において、上下定盤に取り付けられる研磨パッドの平均開口径に差を付けることで上記式（１）に示す関係を満たす場合は、上定盤に取り付けられる研磨パッドの研磨面における平均開口径に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッドの研磨面における平均開口径の比が、０．９５以下であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることがさらに好ましい。下限は特にないが、両者の比が０．０１以上であることが好ましい。
【００４１】
ここで、研磨パッドの研磨面における単位面積当たりの開口数と、ガラス基板の主表面との吸着力と、の関係をみた場合、単位面積当たりの開口数が少ないほど吸着力が大きくなり、開口数が多いほど吸着力が小さくなる。
本発明のガラス基板研磨方法において、上下定盤に取り付けられる研磨パッドの単位面積当たりの開口数に差を付けることで上記式（１）に示す関係を満たす場合は、上定盤に取り付けられる研磨パッドの研磨面における単位面積当たりの開口数に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッドの研磨面における単位面積当たりの開口数の比が、０．９５以下であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることがさらに好ましい。下限は特にないが、両者の比が０．０１以上であることが好ましい。
なお、研磨面における開口数は、ＣＣＤカメラを用いて研磨面を観察することで求めることができる。
【００４２】
ここで、研磨パッドの研磨面における開口率と、ガラス基板の主表面との吸着力と、の関係をみた場合、開口率が低いほど吸着力が大きくなり、開口率が高いほど吸着力が小さくなる。
本発明のガラス基板研磨方法において、上下定盤に取り付けられる研磨パッドの開口率に差を付けることで上記式（１）に示す関係を満たす場合は、上定盤に取り付けられる研磨パッドの研磨面における開口率に対する、下定盤に取り付けられる研磨パッドの研磨面における開口率の比が、０．９５以下であることが好ましく、０．９以下であることがより好ましく、０．８５以下であることがさらに好ましい。下限は特にないが、両者の比が０．０１以上であることが好ましい。
なお、研磨面における開口率とは、研磨面のある一定の単位面積に対する開口部の面積の比を指す。研磨面における開口率は、ＣＣＤカメラを用いて研磨面を観察することで求めることができる。
【００４３】
本発明のガラス基板研磨方法では、上下定盤に取り付けられる研磨パッドとして、平均開口径、単位面積当たりの開口数、開口率、および、表面粗さ（Ｒａ）のうち、少なくとも１つが互いに異なる研磨パッドを用いる。
平均開口径が互いに異なる研磨パッドを作製するのに好適な研磨パッドの構成例を以下に示す。
図４は、平均開口径が互いに異なる研磨パッドを作製するのに好適な研磨パッドの構成例を示した模式図である。但し、図４の研磨パッド１は、研磨面Ｐを含む表面層２の部分のみを示している。図４に示す研磨パッド１は、研磨面Ｐを含む表面層２に微多孔４が形成されている。研磨パッド１の使用時には、表面層２の研磨面Ｐ側を研削することにより、図５に示すように、微多孔４を開口５させる。
微多孔４の断面形状が丸みを帯びた略三角形状であるため、その径が表面層２の厚さ方向において変化している。そのため、表面層２の研削量を変えることで、研磨パッド１の開口径を変えることができ、平均開口径が互いに異なる研磨パッドを作製できる。
【００４４】
本発明のガラス基板研磨方法に使用する研磨パッドは、硬度（ショアＡ硬度）が７０以下であることが求められること、および、図４に示す研磨パッド１のように、表面層２に微多孔４が形成されていることが好ましいことから、少なくとも表面層２の構成材料が、ポリウレタン樹脂であることが好ましい。
【００４５】
本発明のガラス基板研磨方法における好ましい態様を以下に示す。
【００４６】
［ガラス基板］
本発明のガラス基板研磨方法を用いて研磨するガラス基板は、研磨後のガラス基板表面における１００μｍ〜１００ｍｍの波長域におけるＰＶ値が３０ｎｍ以下となることが求められる用途のガラス基板である。このような用途の代表例としては、ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板が挙げられる。
ＥＵＶＬ光学基材用ガラス基板を構成するガラスは、熱膨張係数が小さくかつそのばらつきの小さいガラスであることが好ましい。具体的には２０℃における熱膨張係数が０±３０ｐｐｂ／℃の低膨張ガラスが好ましく、２０℃における熱膨張係数が０±１０ｐｐｂ／℃の超低膨張ガラスがより好ましく、２０℃における熱膨張係数が０±５ｐｐｂ／℃の超低膨張ガラスがさらに好ましい。
上記低膨張ガラスおよび超低膨張ガラスとしては、ＳｉＯ2を主成分とするガラス、典型的には石英ガラスが使用できる。具体的には例えばＳｉＯ2を主成分とし１〜１２質量％のＴｉＯ2を含有する合成石英ガラス、ＵＬＥ（登録商標：コーニングコード７９７２）を挙げることができる。ガラス基板は通常四角形状の板状体で研磨されるが、形状はこれに限定されない。
【００４７】
なお、本発明のガラス基板の研磨方法は、ＫｒＦエキシマレーザ（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザ（波長１９３ｎｍ）、Ｆ2エキシマレーザ（波長１５７ｎｍ）を光源として用いる透過型マスクの基材と使用されるガラス基板の研磨にも使用できる。
【００４８】
［研磨スラリー］
上述したように、本発明における研磨スラリーとは、研磨粒子を含む流体である。
研磨粒子としては、コロイダルシリカ又は酸化セリウムなどが好ましい。コロイダルシリカを使用した場合には、より精密にガラス基板を研磨することが可能になり、その結果、より良好な精度で、凹状の欠陥が低減された又は除去されたガラス基板を得ることができるので、特に好ましい。
【００４９】
コロイダルシリカを用いる場合、平均一次粒子径は、好ましくは、１ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。より好ましくは１０ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。ここで、コロイダルシリカの平均一次粒子径が、１ｎｍ以上である場合には、ガラス基板の研磨効率を向上させることが可能になる。一方、コロイダルシリカの平均一次粒子径が、１００ｎｍ以下である場合には、研磨スラリーを用いて研磨された基板の表面粗さを低減することが可能になる。
一方、酸化セリウムを用いる場合、平均一次粒子径は、１０〜５０００ｎｍであることが好ましく、１００〜３０００ｎｍがより好ましく、５００〜２０００ｎｍがさらに好ましい。
【００５０】
研磨スラリーにおけるコロイダルシリカの含有率は、好ましくは、１質量％以上４０質量％以下である。より好ましくは、１０質量％以上３０質量％以下である。研磨スラリーにおけるコロイダルシリカの含有率が、１質量％以上である場合には、ガラス基板の研磨効率を向上させることが可能になる。一方、研磨スラリーにおけるコロイダルシリカの含有率が、４０質量％以下である場合には、研磨されたガラス基板の洗浄の効率を向上させることが可能になる。
一方、研磨スラリーにおける酸化セリウムの含有率は、１〜５０質量％が好ましく、５〜４０質量％がより好ましく、１０〜３０質量％がさらに好ましい。
【００５１】
研磨スラリーにおける流体とは、研磨粒子の分散媒体である。分散媒としては、水、有機溶剤が挙げられる。
【００５２】
［研磨荷重］
本発明のガラス基板研磨方法を実施する際、上下両定盤の研磨面による研磨荷重を０．１〜１２ｋＰａとすることが、ガラス基板を凹状欠点が少なく表面平滑性の優れる表面に研磨できることから好ましい。研磨荷重が０．１ｋＰａ未満では、研磨パッドの荷重制御が困難になるとともに、研磨効果が実質的に得られなくなるおそれがある。また、１２ｋＰａより大きい研磨荷重では、凹状欠点の発生を抑え表面粗さの改善を図ることが困難になる。
また、本発明のガラス基板研磨方法の実施時における研磨荷重は一定であってもよく、徐々にまたは段階的に変化させてもよい。例えば、研磨開始時は大きい荷重とし、徐々にまたは段階的に研磨荷重を下げ、研磨終了時は小さい荷重としてもよい。逆に、研磨開始時は小さい荷重とし、徐々にまたは段階的に研磨荷重を上げ、研磨終了時は大きい荷重としてもよい。
例えば、研磨荷重５〜１２ｋＰａで、好ましくは、５〜１０ｋＰａで研磨を開始し、徐々にまたは段階的に研磨荷重を下げ、研磨終了時の荷重を０．５〜５ｋＰａで、より好ましくは、０．５〜２ｋＰａとすることができる。また、逆に、研磨開始時は荷重を０．５〜５ｋＰａ、より好ましくは、０．５〜２ｋＰａとして、徐々にまたは段階的に研磨荷重を上げ、荷重５〜１２ｋＰａで、好ましくは、５〜１０ｋＰａで研磨を終了してもよい。
また、例えば、５〜１２ｋＰａ、好ましくは、５〜１０ｋＰａの一定荷重で研磨することもできる。
【００５３】
本発明のガラス基板研磨方法によれば、ガラス基板の主表面をきわめて平滑に研磨することができる。具体的には、研磨後のガラス基板表面における１００μｍ〜１００ｍｍの波長域におけるＰＶ値が３０ｎｍ以下となる。なお、本明細書において、１００μｍ〜１００ｍｍの波長域におけるＰＶ値といった場合、１００μｍ〜１００ｍｍの全波長域におけるＰＶ値に加えて、１００μｍ〜１００ｍｍの波長域のうち、一部の波長域におけるＰＶ値を包含する。たとえば、後述する実施例では、５ｍｍ〜２０ｍｍの波長域におけるＰＶ値を評価した。
【００５４】
本発明のガラス基板研磨方法は、たとえば、ガラス基板を研磨度の異なる複数の研磨工程で研磨するときの最後に行う仕上げ研磨やそのひとつ前の研磨として特に適している。研磨工程の初期段階であれば、ガラス基板の研磨パッドへの吸着を防ぐために、たとえば研磨面に溝を設けた研磨パッドを使用して、その結果、ガラス基板の被研磨面にうねりが生じても、その後の研磨工程で修正が可能である。
【００５５】
たとえば、ガラス基板の研磨工程では、複数回、予備研磨を行い、ついで仕上げ研磨を行う。この予備研磨において、ガラス基板を所定の厚さに粗研磨し、端面研磨と面取り加工を行い、更にその両主表面を表面粗さ、および、平坦度が一定以下になるように予備研磨しておく。この予備研磨は、複数回、たとえば２〜３回に工程がわたってもよい。予備研磨方法は限定されないで公知の方法によってできる。例えば、複数の両面ラップ研磨装置を連続して設置し、研磨材や研磨条件を変えながら該研磨装置で順次研磨することにより、ガラス基板の両主表面を所定の表面粗さおよび平坦度に予備研磨できる。
【００５６】
仕上げ研磨として、本発明のガラス基板研磨方法を使用する場合、予備研磨後の表面粗さ（Ｒｍｓ）としては、１ｎｍ以下が好ましく、０．５ｎｍ以下がより好ましい。
【実施例】
【００５７】
以下に、実施例を用いて本発明を詳細に説明する。ただし、本発明はこれに限定されるものではない。
（実施例１）
表面層が図４に示す構造の研磨パッド１を準備した。研磨パッド１としては、市販の発泡ポリウレタン製の研磨パッド（カネボウ社製Ｋ７５１２、ショアＡ硬度３０）を使用した。
研磨パッド１の表面層２には、断面形状が丸みを帯びた略三角形状の微多孔４が形成されている。研磨パッド１の表面層２をサンドペーパーで研削（バフがけ）して、図５に示すように、微多孔４を開口５させた。
両面研磨装置の上定盤に取り付けられる研磨パッドＡは、＃３２０のサンドペーパーを用いて２００μｍバフがけした。両面研磨装置の下定盤に取り付けられる研磨パッドＢは＃３２０のサンドペーパーを用いて５０μｍバフがけした。
ＣＣＤカメラを用いて研磨パッドＡ，Ｂの研磨面を観察して、研磨面における平均開口径、単位面積当たりの開口数、および、開口率を求めた。結果は以下の通り。
研磨パッドＡ
平均開口径：４６μｍ
単位面積当たり（１．２ｍｍ2当たり）の開口数：１７５
開口率：２７％
研磨パッドＢ
平均開口径：２３μｍ
単位面積当たり（１．２ｍｍ2当たり）の開口数：３９０
開口率：１５％
なお、研磨パッドＡ，Ｂの表面粗さＲａはいずれも４．６μｍであった。
研磨パッドＡ，Ｂについて、研磨パッドの研磨面とガラス基板の主表面との吸着力を下記手順で求めた。
研磨面に研磨スラリーを散布した研磨パッド上にガラス基板を載置した。ガラス基板の上面に吸盤を貼付し、ばねばかりを介してガラス基板を上方に引き上げた。ガラス基板が研磨パッドから引き剥がされた際のばねばかりの読みから基板の自重を差し引くことで、研磨パッドの研磨面とガラス基板の主表面との吸着力を求めた。なお、研磨スラリーとガラス基板は、後述するものを用いた。
研磨パッドＡの吸着力は６７Ｎであり、研磨パッドＢの吸着力は９１Ｎであった。
【００５８】
次に、１０枚のガラス基板（合成石英ガラス製（ＴｉＯ2７質量％含有）、１５２ｍｍ角（厚さ６．３５ｍｍ）を準備し、両面研磨装置のキャリアに該ガラス基板を設置し、下記条件でガラス基板の両主表面の研磨を実施した。
研磨条件
上下定盤の回転数：３５ｒｐｍ
研磨時間：６０分
研磨荷重：４．９ｋＰａ
研磨スラリー：平均一次粒子径５０ｎｍ未満のコロイダルシリカを純水（０．１μｍ以上異物濾過）に２０質量％含有させたものを使用。
スラリー流量：１０リットル／ｍｉｎ
上記の手順を１０回実施し、合計１００枚のガラス基板を研磨した。研磨終了後、上定盤に取り付けられた研磨パッドＡに吸着したガラス基板の割合が１％であった（１００枚のガラス基板のうち、１枚のみが研磨パッドＡに吸着した。）
また、両面研磨装置のキャリアから取り出したガラス基板を洗浄した後、ガラス基板の両主表面にはうねりが存在しなかった。該両主表面について、５ｍｍ〜２０ｍｍの波長域におけるＰＶ値を、フィゾー型レーザ干渉式平坦度測定機を用いて測定したところ、ＰＶ値は１０ｎｍであった。
【００５９】
（実施例２）
本実施例では、両面研磨装置の上定盤に取り付けられる研磨パッドＣは、＃１００のサンドペーパーを用いて２００μｍバフがけし、下定盤に取り付けられる研磨パッドＤは＃３２０のサンドペーパーを用いて２００μｍバフがけした。
研磨パッドＣ，Ｄの研磨面の表面粗さＲａを触針式表面粗さ計を用いて測定したところ、研磨パッドＣの表面粗さＲａは５．２μｍであり、研磨パッドＤの表面粗さＲａは４．６μｍであった。
ＣＣＤカメラを用いて研磨パッドＣ，Ｄの研磨面を観察して、研磨面における平均開口径、単位面積当たりの開口数、および、開口率を求めたところ、いずれも、平均開口径が４６μｍ、単位面積当たり（１．２ｍｍ2当たり）の開口数が１７５、開口率が２７％であった。
実施例１と同様の手順で、研磨パッドの研磨面とガラス基板の主表面との吸着力を求めたところ、研磨パッドＣの吸着力は５９Ｎであり、研磨パッドＤの吸着力は６７Ｎであった。
実施例１と同様の手順で、両面研磨装置を用いてガラス基板の両主表面を研磨した。
研磨終了後、上定盤に取り付けられた研磨パッドＣに吸着したガラス基板の割合が３％であった（１００枚のガラス基板のうち、３枚が研磨パッドＣに吸着した。）
また、両面研磨装置のキャリアから取り出したガラス基板を洗浄した後、ガラス基板の両主表面にはうねりが存在しなかった。該両主表面について、５ｍｍ〜２０ｍｍの波長域におけるＰＶ値を、フィゾー型レーザ干渉式平坦度測定機を用いて測定したところ、ＰＶ値は１０ｎｍであった。
【００６０】
（比較例１）
比較例１では、上下定盤に取り付けられる研磨パッドＥ，Ｆのいずれも、＃３２０のサンドペーパーを用いて２００μｍバフがけした。但し、上定盤に取り付けられる研磨パッドＥの研磨面には、３０ｍｍピッチで幅５ｍｍの格子状の溝が形成されている。
ＣＣＤカメラを用いて研磨パッドＥ，Ｆの研磨面を観察して、研磨面における平均開口径、単位面積当たりの開口数、および、開口率を求めたところ、いずれも、平均開口径が４６μｍ、単位面積当たり（１．２ｍｍ2当たり）の開口数が１７５、開口率が２７％であった。
研磨パッドＥ，Ｆの研磨面の表面粗さＲａを触針式表面粗さ計を用いて測定したところ、研磨パッドＥの表面粗さＲａは４．６μｍであり、研磨パッドＦの表面粗さＲａは４．６μｍであった。
実施例１と同様の手順で、研磨パッドの研磨面とガラス基板の主表面との吸着力を求めたところ、研磨パッドＥの吸着力は５０Ｎであり、研磨パッドＦの吸着力は６７Ｎであった。
実施例１と同様の手順で、両面研磨装置を用いてガラス基板の両主表面を研磨した。
研磨終了後、上定盤に取り付けられた研磨パッドＥに吸着したガラス基板の割合が２％であった（１００枚のガラス基板のうち、２枚が研磨パッドＥに吸着した。）
また、両面研磨装置のキャリアから取り出したガラス基板を洗浄した後、ガラス基板の両主表面を観察したところ、研磨パッドＥで研磨されたガラス基板表面に３０ｍｍ周期のうねりが存在していた。該両主表面について、５ｍｍ〜２０ｍｍの波長域におけるＰＶ値を、フィゾー型レーザ干渉式平坦度測定機を用いて測定したところ、研磨パッドＥで研磨されたガラス基板表面のＰＶ値は３５ｎｍであり、研磨パッドＦで研磨されたガラス基板表面のＰＶ値は１０ｎｍであった。
【００６１】
（比較例２）
比較例２では、両面研磨装置の上定盤に取り付けられる研磨パッドＧは、＃３２０のサンドペーパーを用いて５０μｍバフがけし、下定盤に取り付けられる研磨パッドＨは＃３２０のサンドペーパーを用いて２００μｍバフがけした。
ＣＣＤカメラを用いて研磨パッドＧ，Ｈの研磨面を観察して、研磨面における平均開口径、単位面積当たりの開口数、および、開口率を求めた。結果は以下の通り。
研磨パッドＧ
平均開口径：２３μｍ
単位面積当たり（１．２ｍｍ2当たり）の開口数：３９０
開口率：１５％
研磨パッドＨ
平均開口径：４６μｍ
単位面積当たり（１．２ｍｍ2当たり）の開口数：１７５
開口率：２７％
なお、研磨パッドＧ，Ｈの表面粗さＲａはいずれも４．６μｍであった。
実施例１と同様の手順で、研磨パッドの研磨面とガラス基板の主表面との吸着力を求めたところ、研磨パッドＧの吸着力は９１Ｎであり、研磨パッドＨの吸着力は６７Ｎであった。
実施例１と同様の手順で、両面研磨装置を用いてガラス基板の両主表面を研磨した。
研磨終了後、上定盤に取り付けられた研磨パッドＧに吸着したガラス基板の割合が６６％であった（１００枚のガラス基板のうち、６６枚が研磨パッドＧに吸着した。）
また、両面研磨装置のキャリアから取り出したガラス基板を洗浄した後、ガラス基板の両主表面にはうねりが存在しなかった。該両主表面について、５ｍｍ〜２０ｍｍの波長域におけるＰＶ値を、フィゾー型レーザ干渉式平坦度測定機を用いて測定したところ、ＰＶ値は１０ｎｍであった。
【００６２】
（比較例３）
比較例３では、上下定盤に取り付けられる研磨パッドＩ，Ｊのいずれも、＃３２０のサンドペーパーを用いて５０μｍバフがけした。
ＣＣＤカメラを用いて研磨パッドＩ，Ｊの研磨面を観察して、研磨面における平均開口径、単位面積当たりの開口数、および、開口率を求めたところ、いずれも、平均開口径が２３μｍ、単位面積当たり（１．２ｍｍ2当たり）の開口数が３９０、開口率が１５％であった。なお、研磨パッドＩ，Ｊの表面粗さＲａはいずれも４．６μｍであった。
実施例１と同様の手順で、研磨パッドの研磨面とガラス基板の主表面との吸着力を求めたところ、研磨パッドＩの吸着力は９１Ｎであり、研磨パッドＪの吸着力は９１Ｎであった。
実施例１と同様の手順で、両面研磨装置を用いてガラス基板の両主表面を研磨した。
研磨終了後、上定盤に取り付けられた研磨パッドIに吸着したガラス基板の割合が３８％であった（１００枚のガラス基板のうち、３８枚が研磨パッドIに吸着した。）
また、両面研磨装置のキャリアから取り出したガラス基板を洗浄した後、ガラス基板の両主表面にはうねりが存在しなかった。該両主表面について、５ｍｍ〜２０ｍｍの波長域におけるＰＶ値を、フィゾー型レーザ干渉式平坦度測定機を用いて測定したところ、ＰＶ値は１０ｎｍであった。
【符号の説明】
【００６３】
１：研磨パッド
２：表面層
４：微多孔
５：開孔
１０：両面研磨装置
１２：上定盤
１２ａ：空洞
１４：下定盤
１４ａ：空洞
１６：太陽歯車
１８：内歯歯車
２０：キャリア
２２：ガラス基板
２４：研磨パッド
３０：研磨スラリー供給孔
１０２：定盤中心軸
１０４：キャリアの回転軸
【図１】
2014008555.tif 000003
【図２】
2014008555.tif 000004
【図３】
2014008555.tif 000005
【図４】
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【図５】
2014008555.tif 000007