(57)【要約】【課題】応答速度が速くて低階調での色ムラが改善された高品質の液晶表示装置が提供される。【解決手段】本発明による液晶表示装置は、第１基板を形成し、第２基板を形成し、次いで前記第１及び第２基板の各々に第１官能基を有する配向物質、熱安定剤、及び溶媒が含まれた配向液を塗布し、次いで前記配向液内の前記溶媒を除去し、前記第１及び第２基板との間に液晶層を形成した後、前記第１官能基に光を照射して前記第１官能基を重合して製造することができる。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板を形成する段階と、
第２基板を形成する段階と、
次いで前記第１及び第２基板の各々に第１官能基を有する配向物質、熱安定剤、及び溶媒を含む配向液を塗布する段階と、
次いで前記配向液内の前記溶媒を除去する段階と、
次いで前記第１及び第２基板との間に液晶層を形成する段階と、
次いで前記第１官能基に光を照射して前記第１官能基を重合する段階と、を含む液晶表示装置の製造方法。
【請求項２】
前記熱安定剤は、前記配向液の全重量に対して０超過３重量％以下の量で含まれる請求項１に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項３】
前記溶媒を除去する段階は、第１温度で実行される第１ベーク段階及び前記第１温度と異なる第２温度で実行される第２ベーク段階を含む請求項１または２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】
前記熱安定剤は、アルキル化モノフェノール、アルキルチオメチルフェノール、ハイドロキノン及びアルキル化ハイドロキノン、トコフェロール、ヒドロキシ化チオジフェニルエーテル、アルキリデンビスフェノール、Ｏ−、Ｎ−及びＳ−ベンジル化合物、ヒドロキシベンジル化マロネート、芳香族ヒドロキシベンジル化合物、ベンジルホスホネート、アシルアミノフェノール、１価又は多価アルコール、１価又は多価アルコールとβ−（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールとβ−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールとβ−（３、５−ジシクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールと３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル酢酸のエステル、β−（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のアミド、アスコルビン酸、及びアミン熱安定剤からなる群から選択された少なくとも１つである請求項１〜３の何れか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項５】
前記配向液を塗布する前に前記第１基板及び前記第２基板の少なくとも１つに電極部を形成する段階を含み、
前記第１官能基を重合する段階で前記電極部に電界が印加される請求項１〜４の何れか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項６】
前記第１官能基は、炭素数１乃至１８の脂肪族アルキレン基を含むビニル基（ａｌｋｙｌａｔｅｄ  ｖｉｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）又は炭素数１乃至１８の脂肪族アルキレン基を含むシンナモイル基（ａｌｋｙｌａｔｅｄ  ｃｉｎｎａｍｏｙｌ  ｇｒｏｕｐ）の少なくとも１つである請求項１〜５の何れか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１官能基は、
【化１】
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又は
【化２】
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の少なくとも１つである請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
（ここで、ｎは１乃至１８、
Ｘ１はアルキレン基（ａｌｋｙｌｅｎｅ）、エーテル基（ｅｔｈｅｒ；−Ｏ−）、又はエステル基（ｅｓｔｅｒ；−ＣＯＯ−）、
Ｙ１はメチル基（ｍｅｔｈｙｌ）又は水素、
Ｘ２はメチレン基、エーテル基、エステル基、フェニレン基（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、シクロへキシレン基（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅ）、又は下記式で表されるフェニルエステル基（ｐｈｅｎｙｌｅｓｔｅｒ）（ここで、＊は結合部位を意味する）、
【化３】
2014215614.tif 000009
及びＹ２は炭素数１乃至１０のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、シクロヘキシル基、ビシクロヘキシル基（ｂｉｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）、又はフェニルシクロヘキシル基（ｐｈｅｎｙｌｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）である。）
【請求項８】
前記第１官能基は、
【化４】
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である請求項６に記載の液晶表示装置の製造方法。
（ここで、ｎは１乃至１８、
Ｘ２はメチレン基、エーテル基、エステル基、フェニレン基（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、シクロへキシレン基（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅ）、又は下記式で表されるフェニルエステル基（ｐｈｅｎｙｌｅｓｔｅｒ）（ここで、＊は結合部位を意味する）、
【化５】
2014215614.tif 000011
及びＹ２は炭素数１乃至１０のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、シクロヘキシル基、ビシクロヘキシル基（ｂｉｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）、又はフェニルシクロヘキシル基（ｐｈｅｎｙｌｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）である。）
【請求項９】
前記配向物質は、前記液晶分子を垂直配向させる第２官能基をさらに有する請求項１〜８の何れか１項に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項１０】
前記第２官能基は、酸素原子と結合するアルキル基が炭素数１乃至２５の脂肪族アルキル基（ａｌｉｐｈａｔｉｃ  ａｌｋｙｌ  ｇｒｏｕｐ）であるアルコキシ基（ａｌｋｏｘｙ  ｇｒｏｕｐ）、コレステリック基（ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ  ｇｒｏｕｐ）、炭素数１乃至１０の脂肪族アルキル基により置換された脂環式基（ａｌｉｃｙｃｌｉｃ  ｇｒｏｕｐ）、又は炭素数１乃至１０の脂肪族アルキル基により置換された芳香族基（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｇｒｏｕｐ）の少なくとも１つである請求項９に記載の液晶表示装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は液晶表示装置の製造方法に関し、電圧維持比が高くて欠陥が減少した液晶表示装置を製造するための方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
一般的に、液晶表示装置は液晶層の特徴によってツイステッドネマティック型液晶表示装置、水平電界型液晶表示装置、又は垂直配向型液晶表示装置等に区分される。
【０００３】
前記垂直配向型液晶表示装置は電界が印加されない状態で所定方向に配向され、液晶分子の長軸が前記基板面と垂直に配列される。これにより、広い視野角と大きなコントラスト比を有する。
【０００４】
前記液晶分子を所定方向に配向させるための方法としてはラビング法や光配向法等がある。前記垂直配向型液晶表示装置において、光配向法の中の１つは反応性メソゲンを利用して前記液晶分子を所定方向に配向させることができる。前記反応性メソゲンは未硬化の状態で液晶層に包含され、光が照射されて硬化される段階を経て前記液晶分子を配向させるようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許出願公開第２０１２／００２１１４１号明細書
【特許文献２】米国特許出願公開第２０１２／０１８７２８３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は応答速度が速くて低階調での色ムラが改善された高品質の液晶表示装置を提供することにある。
【０００７】
本発明の他の目的は前記液晶表示装置を製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態による液晶表示装置は、第１基板、前記第１基板上に提供された第１配向膜、前記第１基板に対向する第２基板、前記第２基板上に提供された第２配向膜、及び前記第１基板と前記第２基板との間に提供され液晶分子を含む液晶層を含む。前記第１配向膜及び第２配向膜の各々は、基礎配向膜と前記基礎配向膜上に提供された配向形成層を含み、前記配向形成層は、熱安定剤と重合されて前記液晶分子を初期配向する第１官能基を含むことができる。
【０００９】
前記熱安定剤は、アルキル化モノフェノール、アルキルチオメチルフェノール、ハイドロキノン及びアルキル化ハイドロキノン、トコフェロール、ヒドロキシ化チオジフェニルエーテル、アルキリデンビスフェノール、Ｏ−、Ｎ−及びＳ−ベンジル化合物、ヒドロキシベンジル化マロネート、芳香族ヒドロキシベンジル化合物、ベンジルホスホネート、アシルアミノフェノール、１価又は多価アルコール、１価又は多価アルコールとβ−３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールとβ−５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールとβ−３、５−ジシクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールと３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル酢酸のエステル、β−３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のアミド、アスコルビン酸、及びアミン熱安定剤からなる群から選択された少なくとも１つであり得る。
【００１０】
前記第１官能基は、炭素数１乃至１８の脂肪族アルキレン基を含むビニル基（ａｌｋｙｌａｔｅｄ  ｖｉｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）又は炭素数１乃至１８の脂肪族アルキレン基を含むシンナモイル基（ａｌｋｙｌａｔｅｄ  ｃｉｎｎａｍｏｙｌ  ｇｒｏｕｐ）の中で少なくとも１つであり得る。
【００１１】
前記第１配向膜及び第２配向膜の各々は、前記液晶分子を垂直配向させる第２官能基をさらに有することができる。
【００１２】
前記液晶表示装置は、第１基板を形成し、第２基板を形成し、次いで前記第１及び第２基板の各々に第１官能基を有する配向物質、熱安定剤、及び溶媒が含まれた配向液を塗布し、次いで前記配向液内の前記溶媒を除去し、次いで前記第１及び第２基板との間に液晶層を形成した後、前記第１官能基に光を照射して前記第１官能基を重合して製造することができる。
【００１３】
前記熱安定剤は、前記配向液に前記配向液重量に対して０超過３重量％以下に含有することができる。
【発明の効果】
【００１４】
本発明の実施形態による液晶表示装置は応答速度が速くて低階調での色ムラが減少される。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】複数の画素を有する本発明の第１実施形態による液晶表示装置の一部を示した平面図である。
【図２】図１に示すＩ−Ｉ’線に沿って切断した液晶表示装置の断面図である。
【図３】本発明の一実施形態による表示装置を製造する方法を示したフローチャートである。
【図４】温度と未反応反応性メソゲン（ＲＭは反応性メソゲンを表す）の含量の相対値の関係を示したグラフである。
【図５】各段階と未反応反応性メソゲン（ＲＭは反応性メソゲンを表す）の含量の相対値の関係を示したグラフである。
【図６】熱安定剤含量と未反応反応性メソゲン（ＲＭは反応性メソゲンを表す）の含量、及びプレチルト角の関係を示したグラフである。
【図７】未反応反応性メソゲン（ＲＭは反応性メソゲンを表す）の含量と最終的な表示装置においての応答速度の関係を示したことである。
【図８】未反応反応性メソゲン（ＲＭは反応性メソゲンを表す）の含量と電圧Ｖ−透過率Ｔ曲線においての平均勾配の関係を示したグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明は多様な変更を加えることができ、様々な実施形態を有することができるので、特定実施形態を図面に例示し、本文で詳細に説明する。しかし、これは本発明を特定な開示形態に対して限定しようとすることでなく、本発明の思想及び技術範囲に含まれる全て変更、均等物及び代替は本実施形態に含まれることとして理解しなければならない。
【００１７】
図面中の類似な参照数字は類似な構成要素を示す。添付された図面において、構造物の寸法は本発明を明確に説明するために実際より拡大して示した。第１、第２等の用語は多様な構成要素を説明するために使用されるが、構成要素は用語によって限定されない。前記用語は１つの構成要素を他の構成要素から区別する目的のみに使用される。例えば、本発明の権利範囲を逸脱しなくて第１構成要素は第２構成要素と称され得り、類似に第２構成要素も第１構成要素と称され得る。単数の表現は文脈の上に明確に異なるように意味しない限り、複数の表現を含む。
【００１８】
本出願で、「包含」又は「有する」等の用語は明細書上に記載された特徴、数字、段階、動作、構成要素、部品又はこれらを組み合わせが存在することを意味するが、１つ又はその以上の他の特徴や数字、段階、動作、構成要素、部分品又はこれらを組み合わせが存在できる又は付加できる可能性を排除しないことを意味するとして理解しなければならない。また、層、膜、領域、板等の部分が他の部分「上に」あるとする場合、これは他の部分「直ちに上に」にある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。反対に層、膜、領域、板等の部分が他の部分「下に」あるとする場合、これは他の部分「直ちに下に」にある場合のみでなく、その中間にその他の部分がある場合も含む。
【００１９】
図１は複数の画素を有する本発明の第１実施形態による液晶表示装置の一部を示した平面図である。
【００２０】
図２は図１に示すＩ−Ｉ’線に沿って切断した液晶表示装置の断面図である。
【００２１】
図１及び図２を参照すれば、前記表示装置は第１基板ＳＵＢ１と、前記第１基板ＳＵＢ１上に提供された第１配向膜ＡＬＮ１、前記第１基板ＳＵＢ１に対向する第２基板ＳＵＢ２、前記第２基板ＳＵＢ２上に提供された第２配向膜ＡＬＮ２、及び前記第１配向膜ＡＬＮ１と前記第２配向膜ＡＬＮ２との間に形成された液晶層ＬＣＬを含む。
【００２２】
前記第１基板ＳＵＢ１は第１ベース基板ＢＳ１、複数のゲートラインＧＬｎ、複数のデータラインＤＬｍ、及び複数の画素ＰＸＬを含む。
【００２３】
ここで、図１及び図２では説明を簡単にするために、多数のゲートワードラインの中のｎ番目のゲートラインＧＬｎ、多数のデータワードラインの中のｍ番目のデータラインＤＬｍ、及び１つの画素を図示した。しかし、本発明の第１実施形態による液晶表示装置において、残る画素もこれと類似な構造を有し、以下ではｎ番目のゲートラインＧＬｎ及びｍ番目のデータラインＤＬｍを各々データライン及びデータラインと称する。
【００２４】
前記第１ベース基板ＢＳ１は大略方形状を有し、透明絶縁材料から作られる。
【００２５】
前記ゲートラインＧＬｎは前記第１ベース基板ＢＳ１上に第１方向Ｄ１に延長されて形成される。前記データラインＤＬｍは前記ゲートラインＧＬｎとゲート絶縁膜ＧＩを介して前記第１方向Ｄ１と交差する第２方向Ｄ２に延長されて提供される。前記ゲート絶縁膜ＧＩは前記第１ベース基板ＢＳ１の全面に提供され、前記ゲートラインＧＬｎをカバーする。
【００２６】
前記各画素ＰＸＬは前記ゲートワードラインの中の対応するゲートラインＧＬｎと前記データワードラインの中の対応するデータラインＤＬｍに連結される。前記各画素ＰＸＬは薄膜トランジスターＴｒ、前記薄膜トランジスターＴｒに連結された画素電極ＰＥ、及びストレージ電極部を含む。前記薄膜トランジスターＴｒはゲート電極ＧＥ、ゲート絶縁膜ＧＩ、半導体パターンＳＭ、ソース電極ＳＥ、及びドレーン電極ＤＥを含む。前記ストレージ電極部は前記第１方向Ｄ１に延長されたストレージラインＳＬｎと、前記ストレージラインＳＬｎから分岐されて前記第２方向Ｄ２に延長された第１及び第２分岐電極ＬＳＬｎ、ＲＳＬｎとをさらに含む。
【００２７】
前記ゲート電極ＧＥは前記ゲートラインＧＬｎから突出させるか、或いは前記ゲートラインＧＬｎの一部領域上に提供される。
【００２８】
前記ゲート電極ＧＥは金属から構成され得る。前記ゲート電極ＧＥはニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、チタニウム、銅、タングステン、及びこれらの合金から構成され得る。前記ゲート電極ＧＥは前記金属を利用する単一膜又は多重膜に形成され得る。例えば、前記ゲート電極ＧＥはモリブデン、アルミニウム、及びモリブデンが順次的に積層された三重膜構造か、又はチタニウムと銅とが順次的に積層された二重膜構造を有し得る。又はチタニウムと銅との合金より構成された単一膜構造を有し得る。
【００２９】
前記半導体パターンＳＭは前記ゲート絶縁膜ＧＩ上に提供される。前記半導体パターンＳＭはゲート絶縁膜ＧＩを介して前記ゲート電極ＧＥ上に提供される。前記半導体パターンＳＭは一部領域が前記ゲート電極ＧＥと重畳される。前記半導体パターンＳＭは前記ゲート絶縁膜ＧＩ上に提供されたアクティブパターン（図示せず）と前記アクティブパターン上に形成されたオーミックコンタクト層（図示せず）とを含む。前記アクティブパターンは非晶質シリコン薄膜から構成されることができ、前記オーミックコンタクト層はｎ＋非晶質シリコン薄膜から構成され得る。前記オーミックコンタクト層は前記アクティブパターンと前記ソース電極ＳＥ及びドレーン電極ＤＥの間を各々オーミックコンタクト（ｏｈｍｉｃ  ｃｏｎｔａｃｔ）させる。
【００３０】
前記ソース電極ＳＥは前記データラインＤＬｍで分枝されて提供される。前記ソース電極ＳＥは前記オーミックコンタクト層上に形成され、一部領域が前記ゲート電極ＧＥと重畳する。
【００３１】
前記ドレーン電極ＤＥは前記半導体パターンＳＭを介して前記ソース電極ＳＥから離隔されて提供される。前記ドレーン電極ＤＥは前記オーミックコンタクト層上に形成され、一部領域が前記ゲート電極ＧＥと重畳するように提供される。
【００３２】
前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとはニッケル、クロム、モリブデン、アルミニウム、チタニウム、銅、タングステン、及びこれらの合金から構成され得る。前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとは前記金属を利用する単一膜又は多重膜で形成され得る。例えば、前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとはチタニウムと銅とが順次的に積層された二重膜構造を有し得る。又はチタニウムと銅との合金より構成された単一膜構造を有し得る。
【００３３】
これによって、前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとの間の前記アクティブパターンの上面が露出され、前記ゲート電極ＧＥの電圧印加の可否にしたがって前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとの間で伝導チャンネル（ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  ｃｈａｎｎｅｌ）をなすチャンネル部になる。前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとは前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥとの間の離隔されて形成されたチャンネル部を除外した領域で前記半導体層ＳＭの一部と重畳する。
【００３４】
前記画素電極ＰＥは保護膜ＰＳＶを介して前記ドレーン電極ＤＥに連結される。前記画素電極ＰＥは前記ストレージラインＳＬｎ、第１及び第２分岐電極ＬＳＬｎ、ＲＳＬｎと部分的にオーバーラップしてストレージキャパシターを形成する。
【００３５】
前記保護膜ＰＳＶは前記ソース電極ＳＥ、前記ドレーン電極ＤＥ、前記チャンネル部、及び前記ゲート絶縁膜ＧＩをカバーし、並びに前記ドレーン電極ＤＥの一部を露出するコンタクトホールＣＨを有する。前記保護膜ＰＳＶは、例えばシリコン窒化物やシリコン酸化物を含み得る。
【００３６】
前記画素電極ＰＥは前記保護膜ＰＳＶに形成された前記コンタクトホールＣＨを通じて前記ドレーン電極ＤＥに連結される。
【００３７】
前記画素電極ＰＥは幹部ＰＥａと前記幹部ＰＥａから放射形に突出されて延長された複数の枝部ＰＥｂとを含む。前記複数の幹部ＰＥａ又は複数の枝部ＰＥｂの中の一部は前記ドレーン電極ＤＥと前記コンタクトホールＣＨとを通じて連結される。
【００３８】
前記幹部ＰＥａは多様な形状に提供されることができ、一例として本発明の第１実施形態のように十字形状に提供され得る。この場合、前記画素ＰＸＬは前記幹部ＰＥａによって複数のドメインに区分され、前記枝部ＰＥｂは各ドメインに対応されて、前記各ドメイン毎に互いに異なる方向に延長され得る。本発明の第１実施形態では一例として前記画素が第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４からなされたことを図示した。前記複数の枝部ＰＥｂは互いに離隔されて隣接する枝部ＰＥｂと接触しないようになっており、前記幹部ＰＥａによって区分された領域内では互いに平行な方向に延長される。
【００３９】
前記枝部ＰＥｂにおいて、互いに隣接する枝部ＰＥｂの間はマイクロメーター単位の距離に離隔され、これは前記液晶層ＬＣＬの液晶分子を前記ベース基板と平行な平面上の特定方位角に整列させるための手段に該当する。
【００４０】
前記画素電極ＰＥは透明な導電性物質で形成される。特に、前記画素電極ＰＥは透明導電性酸化物（Ｔｒａｎｓｐａｒｅｎｔ  Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ  Ｏｘｉｄｅ）で形成される。前記透明導電性酸化物はＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等がある。
【００４１】
前記第１配向膜ＡＬＮ１は前記液晶層ＬＣＬの液晶分子をプレチルトするためのものであって、前記画素電極ＰＥ上に提供される。
【００４２】
前記第１配向膜ＡＬＮ１は前記画素電極ＰＥ上に提供された第１基礎配向膜ＰＡＬ１及び前記第１基礎配向膜ＰＡＬ１上に提供された第１配向形成層ＰＴＬ１を含む。
【００４３】
前記第１基礎配向膜ＰＡＬ１はポリイミド、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリアミックイミド、ポリエステル、ポリエチレン、ポリウレタン、又はポリスチレンのような高分子、若しくはこれらの混合物からなされ得る。前記第１基礎配向膜ＰＡＬ１はラビング法や光配向法を利用して初期配向され得る。
【００４４】
前記第１配向形成層は重合されて後述する液晶層の液晶分子を初期配向するための第１官能基を必須に含み、前記液晶分子を垂直配向するための第２官能基をさらに含ことが好ましい。
【００４５】
前記第１官能基は重合されて前記第１配向膜ＡＬＮ１の中で実質的に前記液晶分子をプレチルトさせる液晶反応性メソゲンであり得る。前記「反応性メソゲン（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｍｅｓｏｇｅｎ）」という用語は光硬化粒子、即ち光架橋性低分子又は光架橋性高分子の共重合体を称し、特定波長の光、例えば紫外線が照射されれば、重合反応等の化学反応を起こす。前記反応性メソゲンは、例えばアクリレート基、メタクリレート基、エポキシ基、オキセタン基、ビニール−エーテル基、スチレン基、又はチオレン基等から構成され、前記重合反応によって一部が架橋されて前記液晶分子を前記第１又は第２基板の一面に対して所定傾斜角を有するようにプレチルトさせる。
【００４６】
本発明の一実施形態において、前記反応性メソゲンは炭素数１乃至１８の脂肪族アルキレン基を含むビニル基（ａｌｋｙｌａｔｅｄ  ｖｉｎｙｌ  ｇｒｏｕｐ）又は炭素数１乃至１８の脂肪族アルキレン基を含むシンナモイル基（ａｌｋｙｌａｔｅｄ  ｃｉｎｎａｍｏｙｌ  ｇｒｏｕｐ）の中で少なくとも１つであり得る。
【００４７】
例えば、前記反応性メソゲンは
【００４８】
【化１】
2014215614.tif 000003
【００４９】
（ｎは１乃至１８、Ｘ１はアルキレン基（ａｌｋｙｌｅｎｅ）、エーテル基（ｅｔｈｅｒ；−Ｏ−）、又はエステル基（ｅｓｔｅｒ；−ＣＯＯ−）、Ｙ１はメチル基（ｍｅｔｈｙｌ）又は水素）、又は
【００５０】
【化２】
2014215614.tif 000004
【００５１】
（ｎは１乃至１８、Ｘ２はメチレン基、エーテル基、エステル基、フェニレン基（ｐｈｅｎｙｌｅｎｅ）、シクロへキシレン基（ｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌｅｎｅ）、又は下記式で表されるフェニルエステル基（ｐｈｅｎｙｌｅｓｔｅｒ）（ここで、＊は結合部位を意味する）、
【００５２】
【化３】
2014215614.tif 000005
【００５３】
Ｙ２は炭素数１乃至１０のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基（ｂｉｐｈｅｎｙｌ）、シクロヘキシル基、ビシクロヘキシル基（ｂｉｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）、又はフェニルシクロヘキシル基（ｐｈｅｎｙｌｃｙｃｌｏｈｅｘｙｌ）の少なくとも１つであり得る。
【００５４】
前記第２官能基は酸素原子と結合するアルキル基が炭素数１乃至２５の脂肪族アルキル基（ａｌｉｐｈａｔｉｃ  ａｌｋｙｌ  ｇｒｏｕｐ）であるアルコキシ基（  ａｌｋｏｘｙ  ｇｒｏｕｐ）、コレステリック基（ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ  ｇｒｏｕｐ）、炭素数１乃至１０の脂肪族アルキル基により置換された脂環式基（ａｌｉｃｙｃｌｉｃ  ｇｒｏｕｐ）、又は炭素数１乃至１０の脂肪族アルキル基により置換された芳香族基（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｇｒｏｕｐ）の少なくとも１つであり得る。
【００５５】
本発明の一実施形態によれば、前記第１配向膜ＡＬＮ１は熱安定剤の誘導体を含有する。前記熱安定剤の誘導体は前記第１配向膜ＡＬＮ１及び前記第２配向膜ＡＬＮ２の形成の際に熱安定剤から発生する副産物、例えばイオンやラジカルと反応して形成された結果物を意味する。
【００５６】
前記熱安定剤はアルキル化モノフェノール、アルキルチオメチルフェノール、ハイドロキノン及びアルキル化ハイドロキノン、トコフェロール、ヒドロキシ化チオジフェニルエーテル、アルキリデンビスフェノール、Ｏ−、Ｎ−及びＳ−ベンジル化合物、ヒドロキシベンジル化マロネート、芳香族ヒドロキシベンジル化合物、ベンジルホスホネート、アシルアミノフェノール、１価又は多価アルコール、１価又は多価アルコールとβ−３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールとβ−５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールとβ−３、５−ジシクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールと３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル酢酸のエステル、β−３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のアミド、アスコルビン酸、及びアミン熱安定剤からなる群から選択された少なくとも１つを含む。
【００５７】
前記熱安定剤の実施形態を詳細に説明すれば次の通りである。
【００５８】
（１）アルキル化モノフェノール、例えば２、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４、６−ジメチルフェノール、２、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ｎ−ブチルフェノール、２、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−イソブチルフェノール、２、６−ジーシクロペンチル−４−メチルフェノール、２−（α−メチルシクロヘキシル）−４、６−ジメチルフェノール、２、６−ジオクタデシル−４−メチルフェノール、２、４、６−トリシクロヘキシルフェノール、２、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシメチルフェノール、直鎖又は側鎖で分枝されたノニルフェノール、例えば、２、６−ジーノニル−４−メチルフェノール、２、４−ジメチル−６−１’−メチル−ウンデク−１’−イル）−フェノール、２、４−ジメチル−６−１’−メチル−ヘプタデク−１’−イル）−フェノール、２、４−ジメチル−６−１’−メチルトリデク−１’−イル）−フェノール及びこれらの混合物。
【００５９】
（２）アルキルチオメチルフェノール、例えば２、４−ジ−オクチルチオメチル−６−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、２、４−ジオクチルチオメチル−６−メチルフェノール、２、４−ジオクチルチオメチル−６−エチルフェノール、２、６−ジードデシルチオメチル−４−ノニルフェノール。
【００６０】
（３）ハイドロキノン及びアルキル化ハイドロキノン、例えば２、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メトキシフェノール、２、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ハイドロキノン、２、５−ジ−ｔｅｒｔ−アミルハイドロキノン、２、６−ジフェニル−４−オクタデシルオキシフェノール、２、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−ハイドロキノン、２、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニソール、３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルステアレート、ビス３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）アジペート。
【００６１】
（４）トコフェロール、例えばα−トコフェロール、β−トコフェロール、γ−トコフェロール、δ−トコフェロール及びこれらの混合物（ビタミンＥ）
（５）ヒドロキシ化チオジフェニルエーテル、例えば２、２’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、２、２’−チオビス（４−オクチルフェノール）、４、４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチルフェノール）、４、４’−チオビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェノール）、４、４’−チオビス（３、６−ジ−ｓｅｃ−アミルフェノール）、４、４’−ビス（２、６−ジメチル−４−ヒドロキシフェニル）ジスルフィド。
【００６２】
（６）アルキリデンビスフェノール、例えば２、２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノール）、２、２’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−エチルフェノール）、２、２’−メチレンビス［４−メチル−６−（α−メチルシクロヘキシル）−フェノール］、２、２’−メチレンビス（４−メチル−６−シクロヘキシルフェノール）、２、２’−メチレンビス（６−ノニル−４−メチルフェノール）、２、２’−メチレンビス（４、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２、２’−エチリデンビス（４、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、２、２’−エチリデンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−イソブチルフェノール）、２、２’−メチレンビス［６−（α−メチルベンジル）−４−ノニルフェノール］、２、２’−メチレンビス［６−（α、α−ジメチルベンジル）−４−ノニルフェノール］、４、４’−メチレンビス２、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール）、４、４’−メチレンビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−２−メチルフェノール）、１、１−ビス５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン、２、６−ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−ヒドロキシベンジル）−４−メチルフェノール、１、１、３−トリス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ブタン、１、１−ビス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチル−フェニル）−３−ｎ−ドデシルメルカプトブタン、エチレングリコールビス［３、３−ビス（３’−ｔｅｒｔ−ブチル−４’−ヒドロキシフェニル）ブチレート］、ビス（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチル−フェニル）ジシクロペンタジエン、ビス［２−（３’−ｔｅｒｔ−ブチル−２’−ヒドロキシ−５’−メチルベンジル）−６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェニル］テレフタレート、１、１−ビス−（３、５−ジメチル−２−ヒドロキシフェニル）ブタン、２、２−ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロパン、２、２−ビス（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）−４−ｎ−ドデシルメルカプトブタン、１、１、５、５−テトラ（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−２−メチルフェニル）ペンタン。
【００６３】
（７）Ｏ−、Ｎ−、及びＳ−ベンジル化合物、例えば３、５、３’、５’−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチル−４、４’−ジヒドロキシ−ジベンジルエーテル、オクタデシル−４−ヒドロキシ−３、５−ジメチルベンジルメルカプトアセテート、トリデシル−４−ヒドロキシ−３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルベンジルメルカプトアセテート、トリス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）アミン、ビス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２、６−ジメチルベンジル）ジチオテレフタレート、ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）スルフィド、イソオクチル−３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルメルカプトアセテート。
【００６４】
（８）ヒドロキシベンジル化マロネート、例えばジオクタデシル−２、２−ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−ヒドロキシベンジル）マロネート、ジオクタデシル−２−３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−マロネート、ジ−ドデシルメルカプトエチル−２、２−ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）マロネート、ビス−［４−１、１、３、３−テトラメチルブチル）フェニル］−２、２−ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）マロネート。
【００６５】
（９）芳香族ヒドロキシベンジル化合物、例えば１、３、５−トリス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２、４、６−トリメチルベンゼン、１、４−ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−２、３、５、６−テトラメチルベンゼン、２、４、６−トリス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）フェノール。
【００６６】
（１０）トリアジン化合物、例えば２、４−ビス（オクチルメルカプト）−６−（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニリノ）−１、３、５−トリアジン、２−オクチルメルカプト−４、６−ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシアニリノ）−１、３、５−トリアジン、２−オクチルメルカプト−４、６−ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェノキシ）−１、３、５−トリアジン、２、４、６−トリス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェノキシ）−１、２、３−トリアジン、１、３、５−トリス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート、１、３、５−トリス（４−ｔｅｒｔ−ブチル−３−ヒドロキシ−２、６−ジメチルベンジル）イソシアヌレート、２、４、６−トリス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルエチル）−１、３、５−トリアジン、１、３、５−トリス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオニル）ヘキサヒドロ−１、３、５−トリアジン、１、３、５−トリス（３、５−ジシクロヘキシル−４−ヒドロキシベンジル）イソシアヌレート。
【００６７】
（１１）ベンジルホスホネート、例えばジメチル−２、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホネート、ジエチル−３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホネート、ジオクタデシル−３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジルホスホネート、ジオクタデシル−５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルベンジルホスホネート、３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンジル−ホスホン酸のモノエチルエステルのカルシウム塩。
【００６８】
（１２）アシルアミノフェノール、例えば４−ヒドロキシラウルアニリド、４−ヒドロキシステアルアニリド、オクチルＮ−（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）カルバマート。
【００６９】
（１３）１価又は多価アルコールとβ−（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のエステル、前記１価又は多価アルコールは、例えばメタノール、エタノール、ｎ−オクタノール、ｉ−オクタノール、オクタデカノール、１、６−ヘキサンジオール、１、９−ノナンジオール、エチレングリコール、１、２−プロパンジオール、ネオペンチルグリコール、チオジエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ペンタエリスリトール、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、Ｎ、Ｎ’−ビス（ヒドロキシエチル）オキサミド、３−チアウンデカノール、３−チアペンタデカノール、トリメチルヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、４−ヒドロキシメチル−１−ホスファ−２、６、７−トリオキサビシクロ［２．２．２］オクタン。
【００７０】
（１４）１価又は多価アルコールとβ−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−プロピオン酸のエステル、前記１価又は多価アルコールは、例えばメタノール、エタノール、ｎ−オクタノール、ｉ−オクタノール、オクタデカノール、１、６−ヘキサンジオール、１、９−ノナンジオール、エチレングリコール、１、２−プロパンジオール、ネオペンチルグリコール、チオジエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ペンタエリスリトール、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、Ｎ、Ｎ’−ビス（ヒドロキシエチル）オキサミド、３−チアウンデカノール、３−チアペンタデカノール、トリメチルヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、４−ヒドロキシメチル−１−ホスファ−２、６、７−トリオキサビシクロ−［２．２．２］オクタン、３、９−ビス［２−｛３−（３−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）プロピオニルオキシ｝−１、１−ジメチルエチル］−２、４、８、１０−テトラオキサスピロ［５．５］−ウンデカン。
【００７１】
（１５）１価又は多価アルコールとβ−（３、５−ジシクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のエステル、前記１価又は多価アルコールは、例えばメタノール、エタノール、オクタノール、オクタデカノール、１、６−ヘキサンジオール、１、９−ノナンジオール、エチレングリコール、１、２−プロパンジオール、ネオペンチルグリコール、チオジエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ペンタエリスリトール、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、Ｎ、Ｎ’−ビス（ヒドロキシエチル）オキサミド、３−チアウンデカノール、３−チアペンタデカノール、トリメチルヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、４−ヒドロキシメチル−１−ホスファ−２、６、７−トリオキサビシクロ−［２．２．２］オクタン。
【００７２】
（１６）１価又は多価アルコールと３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル酢酸のエステル、前記１価又は多価アルコールは、例えばメタノール、エタノール、オクタノール、オクタデカノール、１、６−ヘキサンジオール、１、９−ノナンジオール、エチレングリコール、１、２−プロパンジオール、ネオペンチルグリコール、チオジエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコール、ペンタエリスリトール、トリス（ヒドロキシエチル）イソシアヌレート、Ｎ、Ｎ’−ビス（ヒドロキシエチル）オキサミド、３−チアウンデカノール、３−チアペンタデカノール、トリメチルヘキサンジオール、トリメチロールプロパン、４−ヒドロキシメチル−１−ホスファ−２、６、７−トリオキサビシクロ−［２．２．２］オクタン。
【００７３】
（１７）β−（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のアミド、例えばＮ、Ｎ’−ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオン酸）ヘキサメチレンジアミド、Ｎ、Ｎ’−ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオニル）トリメチレンジアミド、Ｎ、Ｎ’−ビス（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニルプロピオニル）ヒドラジド、Ｎ、Ｎ’−ビス［２−３−［３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル］プロピオニルオキシ）エチル］オキサミドＮａｕｇａｒｄ(R)ＸＬ−１、ユニロイヤル化学社製）。
【００７４】
（１８）アスコルビン酸（ビタミンＣ）
（１９）アミン熱安定剤、例えばＮ、Ｎ’−ジ−イソプロパノール−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジ−ｓｅｃ‐ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（１、４−ジメチルペンチル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（１−エチル−３−メチルペンチル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（１−メチルヘプチル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジシクロヘキシル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ジフェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ、Ｎ’−ビス（２−ナフチル）−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−イソプロピオニル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−（１、３−ジメチルブチル）−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−（１−メチルヘプチル）−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、Ｎ−シクロヘキシル−Ｎ’−フェニル−ｐ−フェニレンジアミン、４−（ｐ−トルエンスルファモイル）−ジフェニルアミン、Ｎ、Ｎ’−ジメチル−Ｎ、Ｎ’−ジ−ｓｅｃ‐ブチル−ｐ−フェニレンジアミン、ジフェニルアミン、Ｎ−アリルジフェニルアミン、４−イソプロポキシジフェニルアミン、Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン、Ｎ−（４−ｔｅｒｔ−オクチルフェニル）−１−ナフチルアミン、Ｎ−フェニル−２−ナフチルアミン、オクチル化ジフェニルアミン、例えば、ｐ、ｐ’−ジ−ｔｅｒｔ−オクチルジフェニルアミン、４−ｎ−ブチルアミノフェノール、４−ブチリルアミノフェノール、４−ノナンオイルアミノフェノール、４−ドデカノイルアミノフェノール、４−オクタデカノイルアミノフェノール、ビス（４−メトキシフェニル）アミン、２、６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ジメチルアミノメチルフェノール、２、４’−ジーアミノジフェニルメタン、４、４’−ジアミノジフェニルメタン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラメチル−４、４’−ジ−アミノジフェニルメタン、１、２−ビス［（２−メチルフェニル）アミノ］エタン、１、２−ビス（フェニルアミノ）プロパン、（ｏ−トリル）ビグアニド、ビス［４−（１’、３’−ジメチルブチル）フェニル］アミン、ｔｅｒｔ−オクチル化Ｎ−フェニル−１−ナフチルアミン、モノ−及びジアルキル化ｔｅｒｔ−ブチル／ｔｅｒｔ−オクチルジフェニルアミンの混合物、モノ−及びジアルキル化ノニルジフェニルアミンの混合物、モノ−及びジアルキル化ノニルジフェニルアミンの混合物、モノ−及びジアルキル化ドデシルジフェニルアミンの混合物、モノ−及びジアルキル化イソプロパノール／イソヘキシルジフェニルアミンの混合物、モノ−及びジアルキル化ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルアミンの混合物、２、３−ジーヒドロ−３、３−ジメチル−４Ｈ−１、４−ベンゾチアジン、フェノチアジン、モノ及びジアルキル化ｔｅｒｔ−ブチル／ｔｅｒｔ−オクチルフェノチアジンの混合物、モノ−及びジアルキル化−ｔｅｒｔ−オクチル−フェノチアジンの混合物、Ｎ−アリルフェノチアジン、Ｎ、Ｎ、Ｎ’、Ｎ’−テトラフェニル−１、４−ジアミノブート−２−エン、Ｎ、Ｎ−ビス２、２、６、６−テトラメチルピペリド−４−イル−ヘキサメチレンジアミン、ビス（２、２、６、６−テトラメチルピペリド−４−イル）セバケート、２、２、６、６−テトラメチルピペリジン−４−オン、２、２、６、６−テトラメチルピペリジン−４−オル。
【００７５】
前記熱安定剤は市販の物質を利用することができる。市販の熱安定剤は次の通りであり、下記の熱安定剤の中で少なくとも１種が使用され得る。
ＡＮＯＸ(R)７０（ＣＡＳ４１４８４−３５−９）、ＡＮＯＸ（商標登録）３３０（ＣＡＳ１７０９−７０−２）、ＡＮＯＸ（商標登録）１３１５（ＣＡＳ１７１０９０−９３−０）、ＡＮＯＸ（商標登録）ＰＰ１８（ＣＡＳ２０８２−７９−３）、ＬＯＷＩＮＯＸ（商標登録）１７９０（ＣＡＳ４０６０１−７６−１）、ＬＯＷＩＮＯＸ（商標登録）２２Ｍ４６（ＣＡＳ１１９−４７−１）、ＬＯＷＩＮＯＸ（商標登録）４４Ｂ２５（ＣＡＳ８５−６０−９）、ＬＯＷＩＮＯＸ（商標登録）ＣＡ２２（ＣＡＳ１８４３−０３−４）、ＬＯＷＩＮＯＸ（商標登録）ＣＰＬ（ＣＡＳ６８６１０−５１−５）、ＬＯＷＩＮＯＸ（商標登録）ＧＰ４５（ＣＡＳ３６４４３−６８−２）、ＬＯＷＩＮＯＸ（商標登録）ＨＤ９８（ＣＡＳ２３１２８−７４−７）、ＬＯＷＩＮＯＸ（商標登録）ＴＢＰ６（ＣＡＳ９０−６６−４）、ＬＯＷＩＮＯＸ（商標登録）ＷＳＰ（ＣＡＳ７７−６２−３）、及びＮＡＵＧＡＲＤ（商標登録）５３６（ＣＡＳ７７８６−１７−６）。
【００７６】
前記第１基礎配向膜ＰＡＬ１及び前記第１配向形成層ＰＴＬ１は前記画素電極ＰＥの第１乃至第４ドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４に対応して配向された複数の領域から構成される。本発明の第１実施形態では一例として第１乃至第４領域になされ、前記液晶分子は前記第１乃至第４領域に対応するドメインＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４で互いに異なる方向に配向される。
【００７７】
前記第２基板ＳＵＢ２は第２絶縁基板ＩＮＳ２、カラーフィルター層ＣＦ、及びブラックマトリックスＢＭを含む。
【００７８】
前記カラーフィルターＣＦは前記第２ベース基板ＢＳ２上に形成され、前記液晶層ＬＣＬを透過する光に色を提供する。ここで、本発明の第１実施形態では前記カラーフィルターＣＦが第２基板ＳＵＢ２に形成されたことを開示したが、これに限定されることはなく、本発明の他の実施形態では前記カラーフィルターＣＦが前記第２基板ＳＵＢ２ではない前記第１基板ＳＵＢ１に提供され得る。
【００７９】
前記ブラックマトリックスＢＭは前記アレイ基板の遮光領域に対応して形成される。前記遮光領域は前記データラインＤＬｍ、薄膜トランジスターＴｒ、及び前記ゲートラインＧＬｎが形成された領域に定義され得る。前記遮光領域には通常的に画素電極ＰＥが形成されないので、液晶分子が配向されず、それ故、光漏れが発生する可能性がある。したがって、前記ブラックマトリックスＢＭは前記遮光領域に形成されて前記光漏れを遮断する。
【００８０】
前記共通電極ＣＥは前記カラーフィルターＣＦ上に形成され、前記画素電極ＰＥ共に電界を形成することによって前記液晶層ＬＣＬを駆動する。前記共通電極ＣＥは透明導電性物質で形成され得る。前記共通電極ＣＥは例えば、ＩＴＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）、ＩＴＺＯ（ｉｎｄｉｕｍ  ｔｉｎ  ｚｉｎｃ  ｏｘｉｄｅ）等の導電性金属酸化物で形成され得る。
【００８１】
前記第２配向膜ＡＬＮ２は前記液晶層ＬＣＬの液晶分子をプレチルトするためのことであって、前記共通電極ＣＥ上に提供される。
【００８２】
前記第２配向膜ＡＬＮ２は前記共通電極ＣＥ上に提供された第２基礎配向膜ＰＡＬ２及び前記第２基礎配向膜ＰＡＬ２上に提供された第２配向形成層ＰＴＬ２を含む。
【００８３】
前記第２配向形成層ＰＴＬ２は前記第１配向形成層ＰＴＬ１と同一である物質又は前記第１配向形成層ＰＴＬ１と互いに異なる物質で提供され得る。
【００８４】
本発明の一実施形態において、前記第１配向膜ＡＬＮ１及び前記第２配向膜ＡＬＮ２は基礎配向膜と配向形成層のすべてを包含するように形成できるが、これに限定されることはなく、前記第１配向膜ＡＬＮ１及び／又は前記第２配向膜ＡＬＮ２は一般的な単一配向膜で形成され得る。
【００８５】
前記第１基板ＳＵＢ１と前記第２基板ＳＵＢ２との間には液晶分子を含む前記液晶層ＬＣＬが提供される。前記液晶層ＬＣＬは負の誘電率異方性を有することができるが、これに限定されることではなく、正の誘電率異方性を有することができる。
【００８６】
前記表示装置において、前記ゲートラインＧＬｎにゲート信号が印加されれば、前記薄膜トランジスターＴｒがオン状態にされる。したがって、前記データラインＤＬｍに印加された前記データ信号は前記薄膜トランジスターＴｒを通じて前記画素電極ＰＥに印加される。前記薄膜トランジスターＴｒがオン状態になって画素電極ＰＥにデータ信号が印加されれば、前記画素電極ＰＥと前記共通電極ＣＥとの間に電界が形成される。前記共通電極ＣＥと前記画素電極ＰＥとに印加される電圧の差異によって生成された電界によって前記液晶分子が駆動される。これによって、前記液晶層ＬＣＬを透過する光量が変化されて映像が表示される。
【００８７】
一方、本発明の実施形態による表示装置は多様な画素構造を有することができる。例えば、本発明の他の実施形態によれば、１つの画素に２つのゲートラインと１つのデータラインが連結でき、その他の実施形態では１つの画素に１つのゲートラインと２つのデータラインが連結されることもあり得る。又は１つの画素が互いに異なる２つの電圧が印加される２つのサブ画素を有することができる。この場合、１つのサブ画素にはハイ電圧が、他の１つのサブ画素にはロー電圧が印加され得る。また、本発明の一実施形態では複数の微細スリットを有する画素電極と一枚の板状に形成された共通電極が形成された構造を開示したが、これに限定されることではない。例えば、前記画素電極及び前記共通電極に各画素を複数のドメインに分割するドメイン分割手段、例えば、スリットや突起が提供され得る。
【００８８】
図３は本発明の一実施形態による表示装置を製造する方法を示したフローチャートである。
【００８９】
図３を参照すれば、本発明の一実施形態による表示装置を製造するためには第１基板を形成し（Ｓ１０）、前記第１基板上に第１配向液を塗布した後（Ｓ２０）、前記第１配向液内の溶媒を除去して第１配向膜を形成する（Ｓ３０）。これと別個に、第２基板を形成し（Ｓ４０）、前記第２基板上に第２配向液を塗布した後（Ｓ５０）、前記第２配向液内の溶媒を除去して第２配向膜を形成する（Ｓ６０）。その次に、前記第１基板と前記第２基板との間に液晶層を介在させて液晶パネルを形成する（Ｓ７０）。次に、前記液晶パネルに光を印加して第１配向膜と第２配向膜内の第１官能基とを反応させる（Ｓ８０）。
【００９０】
以下、本発明の一実施形態による表示装置を製造する方法を図１及び２を参照して詳細に説明する。
【００９１】
先ず、第１ベース基板上に画素電極等を形成して第１基板を形成する段階を説明すれば、次の通りである。
【００９２】
前記第１ベース基板ＢＳ１上にゲートパターンが形成される。前記ゲートパターンは前記ゲートラインＧＬｎとストレージ電極部とを含む。前記ゲートパターンはフォトリソグラフィー工程を利用して形成され得る。
【００９３】
前記ゲートパターンの上にはゲート絶縁膜ＧＩが形成される。
【００９４】
前記ゲート絶縁膜ＧＩの上には半導体層ＳＭが形成される。前記半導体層ＳＭは前記アクティブパターンと前記アクティブパターン上に形成されたオーミックコンタクト層とを包含することができる。前記半導体層ＳＭはフォトリソグラフィー工程を利用して形成され得る。
【００９５】
前記半導体層ＳＭ上にデータパターンが形成される。前記データパターンは前記データラインＤＬｍ、前記ソース電極ＳＥ、及び前記ドレーン電極ＤＥを含む。前記データパターンはフォトリソグラフィー工程を利用して形成され得る。この時、前記半導体層ＳＭと前記データパターンとは１枚のハーフマスクや回折マスク等を利用して形成され得る。
【００９６】
前記データパターンの上には保護膜ＰＳＶが形成される。前記保護膜ＰＳＶは前記ドレーン電極ＤＥの一部を露出するコンタクトホールＣＨを有し、フォトリソグラフィー工程を利用して形成され得る。
【００９７】
前記保護膜ＰＳＶの上には前記コンタクトホールＣＨを通じて前記ドレーン電極ＤＥと連結される前記画素電極ＰＥが形成される。前記画素電極ＰＥはフォトリソグラフィー工程を利用して形成され得る。
【００９８】
次に、前記画素電極ＰＥ等が形成された前記第１基板ＳＵＢ１上に第１配向膜ＡＬＮ１が形成される。前記第１配向膜ＡＬＮ１は前記第１基板ＳＵＢ１上に第１配向液を塗布した後、前記第１配向液内の溶媒を除去することによって形成される。
【００９９】
前記第１配向液は第１官能基を有することを必須とし、第２官能基をさらに有することができる配向物質、熱安定剤、及び溶媒を含む。前記配向物質はポリイミド、ポリアミック酸、ポリアミド、ポリアミックイミド、ポリエステル、ポリエチレン、ポリウレタン、又はポリスチレンのような高分子前駆体やこれらの混合物を含むため重合することができ、前記第１官能基及び前記第２官能基は前記高分子前駆体やこれらの混合物に側鎖の形で連結され得る。
【０１００】
前記第１官能基は重合されて前記第１配向膜ＡＬＮ１の中で実質的に前記液晶分子をプレチルトさせる部分として、反応性メソゲンであり得る。前記「反応性メソゲン（ｒｅａｃｔｉｖｅ  ｍｅｓｏｇｅｎ）」という用語は光硬化粒子、即ち光架橋性低分子又は光架橋性高分子共重合体を指称し、前記反応性メソゲンは特定波長の光、例えば紫外線が照射されれば、重合反応等の化学反応を起こす。前記反応性メソゲンは、例えば、アクリレート基、メタクリレート基、エポキシ基、オキセタン基、ビニール−エーテル基、スチレン基、又はチオレン基等から構成され得り、前記重合反応によって一部が架橋されて前記液晶分子を前記第１又は第２基板の一面に対して所定傾斜角を有するようにプレチルトさせる。
【０１０１】
本発明の一実施形態において、前記反応性メソゲンは前記化学式１に示す化合物であり得る。
【０１０２】
前記第２官能基は酸素原子と結合するアルキル基が炭素数１乃至２５の脂肪族アルキル基（ａｌｉｐｈａｔｉｃ  ａｌｋｙｌ  ｇｒｏｕｐ）であるアルコキシ基（ａｌｋｏｘｙ  ｇｒｏｕｐ）、コレステリック基（ｃｈｏｌｅｓｔｅｒｉｃ  ｇｒｏｕｐ）、炭素数１乃至１０の脂肪族アルキル基により置換された脂環式基（ａｌｉｃｙｃｌｉｃ  ｇｒｏｕｐ）、又は炭素数１乃至１０の脂肪族アルキル基により置換された芳香族基（ａｒｏｍａｔｉｃ  ｇｒｏｕｐ）の少なくとも１つであり得る。
【０１０３】
前記熱安定剤は前記第１官能基の反応、特に酸化反応を防止するための酸化防止剤として、アルキル化モノフェノール、アルキルチオメチルフェノール、ハイドロキノン、及びアルキル化ハイドロキノン、トコフェロール、ヒドロキシ化チオジフェニルエーテル、アルキリデンビスフェノール、Ｏ−、Ｎ−及びＳ−ベンジル化合物、ヒドロキシベンジル化マロネート、芳香族ヒドロキシベンジル化合物、ベンジルホスホネート、アシルアミノフェノール、１価又は多価アルコール、１価又は多価アルコールとβ−（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールとβ−（５−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシ−３−メチルフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールとβ−（３、５−ジシクロヘキシル−４−ヒドロキシフェニル）−プロピオン酸のエステル、１価又は多価アルコールと３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル酢酸のエステル、β−（３、５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸のアミド、アスコルビン酸、及びアミン熱安定剤からなされた群から選択された少なくともいずれか１つを包含することができる。
【０１０４】
前記溶媒は前記配向物質及び前記熱安定剤と混合されて前記配向液をなすことができれば、十分であり、その種類は特に限定されない。
【０１０５】
前記溶媒は前記第１配向液に熱を加えることによって除去されることができる。この時、前記熱によって前記第１配向液内の前記配向物質の硬化が生じ、第１基礎配向膜ＰＡＬ１と第１配向形成層ＰＴＬ１を含む第１配向膜ＡＬＮ１とが形成される。
【０１０６】
前記熱を加える段階は単一段階でも行われるが、互いに異なる温度で実行される第１ベーク段階と第２ベーク段階とによって実行され得る。前記第１ベーク段階は約５０℃乃至約１００℃で実行されることができ、前記第２ベーク段階は約１８０℃乃至約２５０℃で実行されることができる。前記第１ベーク段階を通じて前記配向液の溶媒の少なくとも一部が除去され、前記第２ベーク段階を通じて前記高分子前駆体が重合反応する。ここで、前記第１ベーク段階で前記溶媒の大部分が除去され得るが、前記第２ベーク段階で残る溶媒が除去され得る。また、前記第２ベーク段階で前記高分子前駆体が重合反応して高分子を形成できるが、前記第１ベーク段階で一部高分子前駆体が重合反応することができる。前記第１ベーク段階及び前記第２ベーク段階を通じて、前記溶媒が除去され前記高分子が形成されながら、前記第１官能基と及び第２官能基部分は上部方向に、前記第１官能基や第２官能基が無い部分は下部方向に移動する。したがって、前記高分子からなされた第１基礎配向膜ＰＡＬ１と前記第１官能基や前記第２官能基を有する第１配向形成層ＰＴＬ１とが分離されて形成される。
【０１０７】
ここで、第１配向液の溶媒を除去する過程で前記第１官能基が反応することがあり得る。特に、前記第１配向液に熱エネルギーが加えられる場合、前記配向液内の有機物質、例えば基礎配向膜をなす高分子物質が前記熱エネルギーによって酸化されてラジカル及び／又はイオンを形成することができる。前記ラジカル及び／又はイオンは前記第１官能基と反応することができ、これによって前記第１官能基が消費される。前記第１官能基は以後に光によって重合されることによって前記液晶分子を初期配向させる役割を果たすが、前記イオン又はラジカルによって消費される場合、以後に光によって重合される量が減少することによって、初期の配向力が低くなる。
【０１０８】
前記熱安定剤は前記イオンやラジカルが前記反応性メソゲンと反応する前に前記イオンやラジカルと反応することによって前記反応性メソゲンの消費を防止する。前記熱安定剤はＨドナー（ｄｏｎｅｒ）やラジカルスカベンジャーとして作用し、これによって他の液晶が前記ラジカル又はイオンと反応することを防止する。例えば、パーオキサイドラジカルのような不安定な自由ラジカルが発生する時に、他の液晶分子等と追加的なラジカル連鎖反応が起きないように前記熱安定剤が前記パーオキサイドラジカルと反応する。
【０１０９】
下記の化学式１は有機物質が酸化されてラジカルを形成する過程及び発生されたパーオキサイドラジカルとフェノール系熱安定剤との反応を示したものである。
［化学式１］
【０１１０】
【化４】
2014215614.tif 000006
【０１１１】
ここで、Ｒは単純にパーオキサイドの発生を示すために記載したものであって、配向膜内で発生するパーオキサイドに連結された官能基（例えば、炭素数１乃至１２のアルキル基）であれば、十分であり、特別に限定されることはない。また、Ｒ１乃至Ｒ３またフェノールに連結された置換基（例えば、炭素数１乃至１２のアルキル基）を示したことであって、特別に限定されることではない。例えば、前記Ｒ１及びＲ２は各々ターシャリーブチル基、Ｒ３はメチル基であり得る。
【０１１２】
前記熱安定剤は前記イオンやラジカルに対する反応性が反応性メソゲンより高く、前記反応性メソゲンの種類にしたがって多様に選択され得る。
【０１１３】
ここで、前記熱安定剤は化学式１のような反応を経て前述した熱安定剤の誘導体に変性される。本発明の一実施形態によれば、最初第１配向液内に含まれた熱安定剤は前記配向液の硬化過程で全て消費され、この場合、最終結果物である第１配向膜内には前記熱安定剤が含有されず、熱安定剤誘導体のみが残る。
【０１１４】
ここで、本発明の一実施形態において、前記第１配向液は前記イオンや前記ラジカルと反応して全て消費され、最終的には第１配向膜内にはほぼ残らない分量の前記熱安定剤を含有することができる。例えば、前記熱安定剤は前記第１配向液全体重量に対して０超過３重量％以下に含有されることができる。
【０１１５】
次に、前記第２基板ＳＵＢ２を形成する段階を説明すれば、次の通りである。
【０１１６】
前記第２ベース基板ＢＳ２の上にはカラーを表示するカラーフィルターＣＦが形成される。前記カラーフィルターＣＦの上には共通電極ＣＥが形成される。前記カラーフィルターＣＦと前記共通電極ＣＥとは各々多様な方法に形成されることができ、フォトリソグラフィー工程を利用して形成され得る。
【０１１７】
以後、前記共通電極ＣＥ等が形成された前記第２基板ＳＵＢ２上に第２配向膜ＡＬＮ２が形成される。前記第２配向膜ＡＬＮ２は前記第１配向膜ＡＬＮ１の形成方法と実質的に同一の方法によって形成され得る。ここで、前記第２配向膜ＡＬＮ２は前記第１配向膜ＡＬＮ１の材料と同一であるか、或いは互いに異なり得る。
【０１１８】
以後、前記第１基板ＳＵＢ１と前記第２基板ＳＵＢ２とを互いに対向させ、前記第１基板ＳＵＢ１と前記第２基板ＳＵＢ２との間に液晶層ＬＣＬを形成する。
【０１１９】
その次に、前記液晶層ＬＣＬに紫外線のような光が印加されて前記液晶層ＬＣＬに含まれた第１官能基を硬化させる。前記液晶層ＬＣＬに光を印加して前記第１官能基を硬化させる間、前記液晶層ＬＣＬに電界が印加され得る。
【０１２０】
前記光を照射した後、所定時間が経過すれば、前記第１官能基は前記紫外線によって重合される。これによって、前記第１基礎配向膜ＰＡＬ１上に前記第１官能基が所定方向を有しながら、重合され、前記第２基礎配向膜ＰＡＬ２上に前記第２官能基が所定方向を有しながら、重合される。前記第１及び第２配向形成層ＰＴＬ１、ＰＴＬ２は前記重合された第１官能基と前記第２官能基とによって前記液晶ＬＣをプレチルトさせることができる。
これを詳細に説明すれば、前記液晶分子に電界が印加されれば、前記第１官能基は前記第１官能基周辺の液晶分子と実質的に同一の方向に配列される。この状態で紫外線が入射されれば、前記紫外線によって前記第１官能基が互いに重合反応することによって、前記複数の第１官能基の間のネットワークを形成する。前記第１官能基は隣接する第１官能基と結合して側鎖を形成することもある。ここで、前記第１官能基は液晶分子が配列された状態で前記ネットワークを形成するので、液晶分子の平均配向方向にしたがって特定な方向性を有する。これによって、前記電界が除去されても前記ネットワークに隣接する液晶分子はプレチルト角を有する。
【０１２１】
次に硬化された前記第１官能基は電界を除去した状態で追加硬化され得る。前記追加硬化を通じて前記硬化で未硬化であった第１官能基が追加硬化され得る。
【０１２２】
上述した構造を有し、上述した方法に製造された液晶表示装置は液晶の変性が防止される。これによって、画素の電圧維持費の減少が防止され、液晶の変性によって現われることができる欠陥、例えば、色ムラ、線殘像及び面殘像等が減少されるか、或いは除去される。
【０１２３】
以上では本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者又は該当技術分野に通常の知識を有する者であれば、後述される特許請求の範囲に記載された本発明の思想及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変形できることは理解できる。したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されることではなく、特許請求の範囲によって定まれなければならない。
【実施例】
【０１２４】
以下、本発明の具体的な実施形態に対して説明する。
【０１２５】
１．配向液のベーク温度と未反応反応性メソゲンの含量の関係
図４は第１官能基として反応性メソゲンが使用された配向液を基板上に塗布した後、温度を変化させてベークした時の、ベークの後の未反応反応性メソゲンの含量を相対値に示したグラフである。ここで、用語「未反応反応性メソゲン」は反応性メソゲンが他のイオンやラジカルと反応しない状態を意味する。前記ベークは単一温度で２回ずつ遂行され、各温度を除いて、ベーク条件及びベーク時間は全て同様に維持された。
【０１２６】
図４を参照すれば、ベークを高温で進行するほど、未反応反応性メソゲンの含量が減少した。これは、前記配向液へ提供される熱エネルギーが高くなるほど、反応性メソゲンの反応量が多くなり、以後に光照射過程で反応する反応性メソゲンの量が少なくなることを意味する。
【０１２７】
２．第１ベーク及び第２ベークの後の未反応反応性メソゲンの含量
図５は第１官能基として反応性メソゲンが使用された配向液を基板上に塗布した後、第１ベークと第２ベークとを順次的に遂行した時の、ベークの後の未反応反応性メソゲンの含量を相対値に示したグラフである。図５において、Ａ段階は第１及び第２ベークが遂行される以前、Ｂ段階は第１ベークが遂行された後、Ｃ段階は第２ベークが遂行された後を示す。
【０１２８】
図５を参照すれば、最初配向液での未反応反応性メソゲンの含量の相対値は１０７４であったが、第１ベークの後、未反応反応性メソゲンの含量の相対値が８９６に減少し、第２ベークの後には未反応反応性メソゲンの含量の相対値が１００に急減した。
【０１２９】
したがって、配向液の溶媒を除去することと共にその内部の高分子前駆体を反応させるために熱を加える段階で、付加反応で反応性メソゲンが反応しないようにする必要がある。
【０１３０】
３．熱安定剤含量と未反応反応性メソゲン含量及びプレチルト角の関係
図６は熱安定剤含量にしたがう未反応反応性メソゲンの含量とプレチルト角を示したグラフである。ここで、前記未反応反応性メソゲンの含量は第１及び第２ベークの後に測定したものであり、前記初期傾斜角は第１及び第２ベーク以後、液晶層を形成し、光照射過程まで遂行した後の最終的な表示装置で測定したものことである。また、本グラフにおいて、熱安定剤が包含されなかった場合の配向液を使用した時の、未反応反応性メソゲン含量を１００％と表示した。
図６を参照すれば、熱安定剤が包含されない場合に対比、熱安定剤が含まれた場合に未反応反応性メソゲンの含量が高くなる。特に、未反応反応性メソゲンの含量が配向液の全重量に対して約４重量％になる時まで未反応反応性メソゲンの含量また比例して高くなった。しかし、未反応反応性メソゲンの含量が配向液の全重量に対して約４重量％超過の時には熱安定剤の含量が高くなっても未反応反応性メソゲンの含量は増加しなかった。
図６を再び参照すれば、熱安定剤が包含されない場合に比べて、熱安定剤が包含された場合に前記熱安定剤が配向液の全重量に対して約３重量％になる時までプレチルト角が減少した。しかし、前記熱安定剤が配向液の全重量に対して約４重量％以上になる場合、プレチルト角が増加した。
前記プレチルト角の増加現象は、前記熱安定剤が配向液の全重量に対して約３重量％超過する場合に反応しなかった熱安定剤が第１及び第２ベークの時に消費されないことによって、反応性メソゲンと反応性メソゲンとの間の重合を妨害したことに起因することと評価された。
４．未反応反応性メソゲン含量と応答速度の関係
図７は第１及び第２ベークを遂行した後の配向膜内の未反応反応性メソゲンの含量にしたがう最終的な表示装置においての応答速度を示したことである。図７において、前記上昇時間と下降時間とは各々液晶が電界によって変形される時間と前記変形された液晶が元状態に復元される時間とを意味する。
図７を参照すれば、未反応反応性メソゲンの含量が高い場合、未反応反応性メソゲンの含量が低い場合に比べて下降時間は大きい差が無いが、上昇時間は著しく短くなったことを確認することができる。これによって、本発明の一実施形態では熱安定剤を使用することによって未反応反応性メソゲンの含量が増加し、これにしたがう応答速度が速くなる効果がある。
５．未反応反応性メソゲン含量とＶ−Ｔグラフ勾配の関係
図８は未反応反応性メソゲンの含量にしたがう電圧Ｖ−透過率Ｔ曲線においての平均勾配を示したグラフである。ここで、未反応反応性メソゲンの含量は第１及び第２ベークを遂行した後に測定され、電圧及び透過率グラフは最終的な表示装置において測定された。前記勾配は前記未反応反応性メソゲンの含量が全体配向液重量に対して３．６重量％である場合と６．４重量％場合に分けて測定され、各含量に対して２回に掛けて測定された。図８において、８〜１６Ｇ及び１６〜３２Ｇはグレーレベルを表したものであり、０に近いほど、低階調に相当する。
図８を参照すれば未反応反応性メソゲンの含量が多い時、相対的に高階調１６〜３２Ｇで低階調８〜１６Ｇより勾配が大きく減少する。低階調での輝度差は高階調での輝度差より使用者の目に良く視認される点を勘案すれば、Ｖ−Ｔ曲線の勾配が急激であるほど、輝度の変化幅が大きくなるので、色ムラが視認される可能性が高い。しかし、図８でのように未反応反応性メソゲンの含量が高い場合、低階調の勾配が大きく減少するので、色ムラが視認される可能性が低くなる。即ち、本発明の一実施形態では熱安定剤を使用することによって、未反応反応性メソゲンの含量が増加し、これによって低階調での色ムラが減少する。
【符号の説明】
【０１３１】
ＡＬＮ１・・・第１配向膜
ＡＬＮ２・・・第２配向膜
ＢＭ・・・ブラックマトリックス
ＣＥ・・・共通電極
ＣＦ・・・カラーフィルター
ＬＣＬ・・・液晶層
ＰＡＬ１・・・第１基礎配向膜
ＰＡＬ２・・・第２基礎配向膜
ＰＴＬ１・・・第１配向形成層
ＰＴＬ２・・・第２配向形成層
ＰＥ・・・画素電極
【図１】
2014215614.tif 000012
【図２】
2014215614.tif 000013
【図３】
2014215614.tif 000014
【図４】
2014215614.tif 000015
【図５】
2014215614.tif 000016
【図６】
2014215614.tif 000017
【図７】
2014215614.tif 000018
【図８】
2014215614.tif 000019