(57)【要約】【課題】被加工物をテーブルから剥離する際に帯電する静電気を適切に除電して、剥離帯電による被加工物の製品不良を防止すること。【解決手段】加工装置（１）は、チャックテーブル（５）又はスピンナーテーブル（１４）上に保持されたウェーハ（Ｗ）を搬送手段（３０、５０）により吸引すると共にチャックテーブル（５）又はスピンナーテーブル（１４）の負圧生成源（８）への連通をエア供給源（９）への連通に切り替え、ウェーハ（Ｗ）を吸着チャック（７、１６）から剥離した際に、イオンブロー手段（６）によりイオン化したエアをウェーハ（Ｗ）に噴射し、判断部（４１）がウェーハ（Ｗ）の帯電量が所定値以下になったと判断した場合に、搬送手段（３０、５０）の搬送を許可する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、スピンナーテーブルに吸引保持された被加工物を洗浄する洗浄手段と、複数の被加工物を収容する収容カセットを載置するカセット載置手段と、該チャックテーブル、該スピンナーテーブル及び該収容カセットの間において被加工物を搬送する搬送手段と、を有する加工装置であって、
該チャックテーブル又は該スピンナーテーブルに保持された被加工物にイオン化されたエアを噴射して被加工物の帯電を緩和するイオンブロー手段と、
該搬送手段に配設され且つ被加工物の帯電量を測定する静電気測定センサと、
該チャックテーブル、該スピンナーテーブル及び該搬送手段を制御する制御手段とを備え、
該チャックテーブル及び該スピンナーテーブルの被加工物を保持する保持部は、負圧生成源及びエア供給源に切り替え弁を介して連通しており、
該静電気測定センサにより測定された被加工物の帯電量が所定値以下であるか否かを判断する判断部を備え、
該チャックテーブル又は該スピンナーテーブル上に保持された被加工物を該搬送手段により吸引すると共に該チャックテーブル又は該スピンナーテーブルの負圧生成源への連通をエア供給源への連通に切り替え、被加工物を該保持部から剥離した際に、該イオンブロー手段によりイオン化したエアが被加工物に噴射し、
該判断部が被加工物の帯電量が所定値以下になったと判断した場合に、該搬送手段の搬送を許可することを特徴とする加工装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハなどの被加工物を加工手段まで搬送して加工を施す加工装置に係り、特に、被加工物の除電処理を行う加工装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程においては、被加工物の表面に分割予定ラインが格子状に配列され、この分割予定ラインによって区画された複数の領域それぞれにＩＣ，ＬＳＩなどのデバイスが形成される。そして、これらのデバイスが形成された各領域が分割予定ラインに沿って切断（ダイシング）加工されることにより、個々のチップが製造される。
【０００３】
被加工物をダイシングする装置としては、チャックテーブルに吸着保持された被加工物を、切削ブレードによって切削する切削装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このような切削装置においては、被加工物の加工時及び洗浄時に静電気が発生し、この静電気が被加工物に形成されたデバイスにダメージを与え品質が低下する原因となることがあった。そこで、被加工物に帯電した静電気を除去するために、切削装置内に、イオン化されたエアを噴出するイオンブロー手段を設置する技術が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００１−３５８０９３号公報
【特許文献２】特開２００４−３２７６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、チャックテーブル又はスピンナーテーブルに吸着保持された被加工物をテーブルから剥離する際には、この剥離に伴って発生した静電気が被加工物に帯電されてしまう。静電気が帯電した状態で、被加工物を加工後の被加工物が収容されるカセットに搬送した場合、搬送中にイオンブロー手段によってイオン化されたエアを吹き付けたとしても除電が不十分であり、帯電した静電気によって製品不良が発生してしまう恐れがある。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、被加工物をテーブルから剥離する際に帯電する静電気を適切に除電して、剥離帯電による被加工物の製品不良を防止することができる加工装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の加工装置は、被加工物を吸引保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を加工する加工手段と、スピンナーテーブルに吸引保持された被加工物を洗浄する洗浄手段と、複数の被加工物を収容する収容カセットを載置するカセット載置手段と、該チャックテーブル、該スピンナーテーブル及び該収容カセットの間において被加工物を搬送する搬送手段と、を有する加工装置であって、該チャックテーブル又は該スピンナーテーブルに保持された被加工物にイオン化されたエアを噴射して被加工物の帯電を緩和するイオンブロー手段と、該搬送手段に配設され且つ被加工物の帯電量を測定する静電気測定センサと、該チャックテーブル、該スピンナーテーブル及び該搬送手段を制御する制御手段とを備え、該チャックテーブル及び該スピンナーテーブルの被加工物を保持する保持部は、負圧生成源及びエア供給源に切り替え弁を介して連通しており、該静電気測定センサにより測定された被加工物の帯電量が所定値以下であるか否かを判断する判断部を備え、該チャックテーブル又は該スピンナーテーブル上に保持された被加工物を該搬送手段により吸引すると共に該チャックテーブル又は該スピンナーテーブルの負圧生成源への連通をエア供給源への連通に切り替え、被加工物を該保持部から剥離した際に、該イオンブロー手段によりイオン化したエアが被加工物に噴射し、該判断部が被加工物の帯電量が所定値以下になったと判断した場合に、該搬送手段の搬送を許可することを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、チャックテーブル又はスピンナーテーブル上に保持された被加工物が搬送手段により吸引されると、チャックテーブル又はスピンナーテーブルがエア供給源への連通に切り替えられ、被加工物を保持部から剥離した際に、イオン化したエアが被加工物に噴射される。そして、被加工物の帯電量が所定値以下になったと判断されると、搬送手段による搬送が許可される。そのため、被加工物をチャックテーブル又はスピンナーテーブルから剥離する際に帯電する静電気が適切に除電されたことを確認した後に、搬送手段によって適切に除電された被加工物がチャックテーブル又はスピンナーテーブルから搬送されるので、剥離帯電による被加工物の製品不良を防止することができる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、被加工物をテーブルから剥離する際に帯電する静電気を適切に除電して、剥離帯電による被加工物の製品不良を防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施の形態に係る加工装置を示す斜視図である。
【図２】本実施の形態に係る加工装置の加工手段を示す斜視図である。
【図３】本実施の形態に係る第２の搬送手段の搬送アーム近傍を示す斜視図である。
【図４】本実施の形態に係る加工装置のイオンブロー処理を説明する説明図である。
【図５】本実施の形態に係る加工装置のイオンブロー処理を説明する説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明の一実施の形態に係る加工装置の外観を示す斜視図である。最初に、本発明の実施の形態に係る加工装置について説明する前に、加工及び搬送対象となる被加工物（ウェーハＷ）について説明する。
【００１２】
図１に示すように、ウェーハＷは、略円板状に形成されており、表面に格子状に配列された分割予定ラインによって区画された複数の領域に、それぞれＩＣ，ＬＳＩなどのデバイス（図示省略）が形成されている。ウェーハＷは、拡張テープＴの粘着面に貼着されており、この拡張テープＴを介して金属材料からなる環状フレームＦに支持されている。拡張テープＴを介して環状フレームＦに支持されたウェーハＷは、ウェーハＷ側を上向きにし、水平状態で収容カセットＣ内に収容され、収容カセットＣ内に複数枚のウェーハＷが収容された状態で加工装置１に搬入及び搬出される。ウェーハＷとしては、特に限定されるものではないが、例えば、シリコン（Ｓｉ），ガリウムヒソ（ＧａＡｓ），シリコンカーバイト（ＳｉＣ）などの半導体ウェーハ、チップ実装用としてウェーハの裏面に設けられるＤＡＦ（Ｄｉｅ  Ａｔｔａｃｈ  Ｆｉｌｍ）などの粘着部材、半導体製品のパッケージ、セラミック，ガラス，サファイア（Ａｌ２Ｏ３）系の無機材料基板、ＬＣＤドライバなどの各種電子部品、ミクロンオーダーの加工位置精度が要求される各種加工材料などが挙げられる。
【００１３】
図１に示すように、加工装置１は、略直方体状の基台２と、基台２の後方側に設けられたキャビネット３とを備えている。キャビネット３内部には、ウェーハＷに切削加工を行う加工手段２０（図２参照）が収容されている。キャビネット３の側面３ａには、切削加工に関わる各種設定などを行うための操作表示盤４が設けられている。
【００１４】
基台２上の中央には、円板状のチャックテーブル５が設けられている。チャックテーブル５の外縁部には、ウェーハＷの環状フレームＦを支持する複数のフレーム支持部６が、周方向に等間隔で設けられている。チャックテーブル５の上面には、多孔質材料からなる吸着チャック（保持部）７が形成されている。吸着チャック７は、基台２内に配設された負圧生成源８及びエア供給源９に切り替え弁１０を介して接続されている（図４参照）。ウェーハＷの切削加工時には、吸着チャック７が負圧生成源８に連通するように切り替え弁１０が切り替えられて、吸着チャック７にウェーハＷが吸着保持される。一方、後述するウェーハＷのイオンブロー処理時には、吸着チャック７がエア供給源９に連通するように切り替え弁１０が切り替えられ、エア供給源９から送られる圧縮エアによって吸着チャック７からウェーハＷが剥離される。チャックテーブル５は、基台２内に配設された回転駆動機構（図示省略）に接続され、吸着保持したウェーハＷを回転可能に構成されている。
【００１５】
チャックテーブル５は、チャックテーブル５をＸ軸方向に搬送可能なテーブル搬送機構の一部を構成するベーステーブル１１上に設けられている。このテーブル搬送機構は、基台２の内部に配設された駆動手段に接続され、切削加工前のウェーハＷを着脱する基台２上の着脱位置と、加工手段２０による加工位置との間でチャックテーブル５をＸ軸方向に往復移動可能に構成されている。
【００１６】
基台２上において、チャックテーブル５を挟んで左側には、カセット載置手段１２が設けられ、右側には、基台２に形成された開口部内に洗浄手段１３が設けられている。カセット載置手段１２には、環状フレームＦに貼付されたウェーハＷが複数枚収容された収容カセットＣが載置される。カセット載置手段１２は、不図示の昇降機構に接続されており、上下方向に移動可能に構成されている。
【００１７】
洗浄手段１３は、スピンナーテーブル１４と、スピンナーテーブル１４の外縁部に設けられた複数のクランプ１５と、を備えている。スピンナーテーブル１４は、円板状に形成されており、Ｚ軸周りに回転可能に構成されている。スピンナーテーブル１４の上面には、多孔質材料からなる吸着チャック（保持部）１６が形成されている。吸着チャック１６は、チャックテーブル５の吸着チャック７と同様に、基台２内に配設された負圧生成源８（図４参照）及びエア供給源９（図４参照）に切り替え弁１０（図４参照）を介して接続されている。ウェーハＷの洗浄時には、吸着チャック１６が負圧生成源８に連通するように切り替え弁１０が切り替えられて、吸着チャック１６にウェーハＷが吸着保持される。一方、ウェーハＷをスピンナーテーブル１４上から剥離する際には、吸着チャック１６がエア供給源９に連通するように切り替え弁１０が切り替えられる。そして、エア供給源９から送られる圧縮エアーによって吸着チャック１６からウェーハＷが剥離され、後述するイオンブロー処理手段６０によってイオンブロー処理が行われる。スピンナーテーブル１４は、不図示の昇降機構によって、開口部内から基台２の上面に露出するウェーハＷの搬入搬出位置と開口部内部のウェーハＷの洗浄位置との間を昇降可能に構成されている。搬入搬出位置では、切削加工後または洗浄後のウェーハＷが着脱され、洗浄位置では、回転するウェーハＷに対して洗浄処理が施される。洗浄処理の際には、開口部内部に設けられた洗浄水ノズル（図示省略）から洗浄水が噴出されてウェーハＷが洗浄された後、エアノズル（図示省略）から乾燥エアが吹き付けられる。
【００１８】
チャックテーブル５の上方には、ウェーハＷが一時的に載置される（仮置きされる）仮置部１７が設けられている。仮置部１７は、互いに接近及び離間可能に構成された一対のガイドレール１８ａ、１８ｂを備えている。
【００１９】
チャックテーブル５の上方には、第１の搬送手段３０が設けられている。第１の搬送手段３０は、収容カセットＣ内のウェーハＷを、着脱位置に配置されたチャックテーブル５に搬送する。第１の搬送手段３０は、キャビネット３の前面部３ｂにおいてＹ軸方向に延在する上下一対のガイドレール３１と、一対のガイドレール３１にスライド可能に係合されたガイドブロック３２と、上端側がガイドブロック３２に取付けられた搬送アーム３３と、を備えている。
【００２０】
ガイドブロック３２には、キャビネット３の前面部３ｂにおいてＹ軸方向に延在するボールネジ３４が螺合され、ボールネジ３４の一端には駆動モータ３５が連結されている。この駆動モータ３５によりボールネジ３４が回転駆動され、ガイドブロック３２に連結された搬送アーム３３がＹ軸方向に移動される。
【００２１】
搬送アーム３３は、上下方向に伸縮自在に構成されると共に、キャビネット３の前面部３ｂから離れるようにＸ軸方向に折り曲げられたＬ字状に形成されている。搬送アーム３３の下面において、Ｘ軸方向における両端部には、一対の保持部３６が設けられ、一対の保持部３６間には、カセット載置手段１２側に延出するようにクランプ部３７が設けられている。一対の保持部３６は、Ｘ軸方向に延在した板状部材で形成されており、各保持部３６の延在方向における両端部の下面には、吸着パッド３８がそれぞれ設けられている。吸着パッド３８は、仮置部１７に載置された状態のウェーハＷが貼付された環状フレームＦを吸着保持すると共に、チャックテーブル５上に保持された状態のウェーハＷが貼付された環状フレームＦを吸着保持する。クランプ部３７は、収容カセットＣに収容された状態のウェーハＷが貼付された環状フレームＦを把持する。また、保持部３６には、複数の静電気測定センサ３９（図４参照）が設けられている。静電気測定センサ３９は、静電気による電界を検知し、検知した静電気の電圧を測定する。静電気測定センサ３９は、後述する制御手段４０に接続されており、測定した電圧値を制御手段４０に送るように構成されている。
【００２２】
洗浄手段１３の上方には、第２の搬送手段５０が設けられている。第２の搬送手段５０は、チャックテーブル５上のウェーハＷをスピンナーテーブル１４上に搬送する一方、スピンナーテーブル１４上のウェーハＷを仮置部１７に搬送する。第２の搬送手段５０は、キャビネット３の前面部３ｂにおいてＹ軸方向に延在する上下一対のガイドレール５１と、一対のガイドレール５１にスライド可能に係合されたガイドブロック５２と、上端側がガイドブロック５２に取付けられた搬送アーム５３と、を備えている。
【００２３】
ガイドブロック５２には、キャビネット３の前面部３ｂにおいてＹ軸方向に延在するボールネジ５４が螺合され、ボールネジ５４の一端には駆動モータ５５が連結されている。この駆動モータ５５によりボールネジ５４が回転駆動され、ガイドブロック５２に連結された搬送アーム５３がＹ軸方向に移動される。
【００２４】
図３は、第２の搬送手段５０の搬送アーム５３の周辺部を示した斜視図である。図３に示すように、搬送アーム５３は、上下方向（Ｚ軸方向）に伸縮自在に構成されると共に、カセット載置手段１２側（Ｙ軸方向側）に折り曲げられたＬ字状に形成されている。搬送アーム５３の下面には、板状部材で形成された保持部５４が設けられている。保持部５４は、搬送アーム５３に接続されると共にＸ軸方向に延在した基部と、基部の両端部からＹ軸方向に延在した一対の延在部とから、上面視Ｈ字状に形成されている。保持部５４の各延在部の両端部下面には、吸着パッド５５がそれぞれ設けられている。吸着パッド５５は、スピンナーテーブル１４上に保持された状態のウェーハＷが貼付された環状フレームＦを吸着保持する。また、保持部５４には、第１の搬送手段３０の保持部３６と同様に、複数の静電気測定センサ５６が設けられている。静電気測定センサ５６は、静電気による電界を検知し、検知した静電気の電圧を測定する。静電気測定センサ５６は、制御手段４０に接続されており、測定した電圧値を制御手段４０に送るように構成されている。
【００２５】
図１に示すように、基台２上における洗浄手段１３の右側には、イオンブロー手段６０が設けられている。イオンブロー手段６０は、基台２上のＸ軸方向における両端部に立設された一対の支柱部６１と、一対の支柱部６１の上端部間に回動可能に取り付けられた回動部６２と、この回動部６２の一面側に、Ｘ軸方向に複数配列して設けられた円筒形状の噴出口６３と、を備えている。支柱部６１及び回動部６２の内部には、イオン化されたエア（以下、「イオン化エア」という）の流動路が形成され、この流動路が噴出口６３と連通されている。流動路は、基台２内の図示しないイオン化エア生成装置に接続されている。イオン化エア生成装置で生成されたイオン化エアが、支柱部６１及び回動部６２内の流動路を通過して噴出口６３から噴出される。なお、イオン化エア生成装置としては、例えば、針状の電極に電圧をかけてコロナ放電を起こし、この電極付近を通過するエアをイオン化する装置などを用いることが可能である。
【００２６】
支柱部６１には、回動部６２の回動位置を調整する調整部６１ａが設けられており、調整部６１ａは、基台２内に装備された図示しない駆動機構に接続されている。回動部６２の回動位置を調整することで噴出口６３を任意の向きに調整され、噴出口６３からのイオン化エアの吹き付け位置が調整される。調整部６１ａによる回動部６２の回動位置の調整は、後述する制御手段４０からの制御信号に基づいて行われる。
【００２７】
制御手段４０は、本実施の形態に係る加工装置１全体の制御を行う。具体的には、制御手段４０は、第１の搬送手段３０及び第２の搬送手段５０における搬送制御、チャックテーブル５における移動制御及び回転制御、並びに、洗浄手段１３における昇降制御、回転制御及び洗浄制御を行う。また、制御手段４０は、イオンブロー手段６０における噴出口６３からの噴出制御、回動部６２の回動制御（イオン化エアの吹き付け位置の調整制御）を行う。また、制御手段４０は、静電気測定センサ３９、５６で測定された電圧値からウェーハＷの帯電量が所定値以下か否かを判断する判断部４１を備えている。制御手段４０は、判断部４１の判断結果に基づいて、負圧生成源８及びエア供給源９の切り替え制御を行う。この制御手段４０及び判断部４１は、加工装置１内に組み込まれたＣＰＵ(Central  Processing  Unit)がＲＯＭ（Read  Only  Memory）内の各種プログラムに従ってＲＡＭ（Random  Access  Memory）内のデータを演算し、各部と協働して搬送制御、噴出制御、測定制御、切り替え制御等を実行するように構成されている。
【００２８】
図２は、本実施の形態に係る加工装置１が有する加工手段２０の斜視図である。なお、図２においては、ベーステーブル１１がテーブル搬送機構により後方側に移動され、チャックテーブル５が加工位置に配置された状態について示している。
【００２９】
加工手段２０は、ウェーハＷを保持したチャックテーブル５と、切削ブレード２１を有する一対のブレードユニット２２ａ、２２ｂとを相対移動させてウェーハＷを切削するように構成されている。加工手段２０は、テーブル搬送機構を跨ぐように立設した門型の柱部２３を備えている。柱部２３の前面には、チャックテーブル５の上方において一対のブレードユニット２２ａ、２２ｂをＹ軸方向に移動させる一対のブレードユニット移動機構２４ａ、２４ｂが設けられている。ブレードユニット移動機構２４ａ、２４ｂは、Ｙ軸方向に延びる一対のガイドレールをスライド可能に設けられた一対のＹ軸テーブル２５ａ、２５ｂを備えている。また、ブレードユニット移動機構２４ａ、２４ｂは、各Ｙ軸テーブル２５ａ、２５ｂの前面に配置され、Ｚ軸方向に延びる一対のガイドレールをスライド可能なＺ軸テーブル２６ａ、２６ｂを備えている。これらのＺ軸テーブル２６ａ、２６ｂの下端部にブレードユニット２２ａ、２２ｂが取り付けられている。
【００３０】
このような構成された加工手段２０は、加工位置に配置されたチャックテーブル５の位置が調整されると共に、ブレードユニット移動機構２４ａ、２４ｂでブレードユニット２２ａ、２２ｂの位置が調整され、チャックテーブル５上のウェーハＷに対して、高速回転した切削ブレード２１が切り込まれて切削加工が行われる。
【００３１】
次に、加工装置１のイオンブロー手段６０のイオンブロー処理を説明する。図４及び図５は、加工装置１のイオンブロー手段６０のイオンブロー処理を説明するための説明図である。ここでは、チャックテーブル５に吸引保持されたウェーハＷに対してイオンブロー処理を行う場合を例に挙げて説明する。
【００３２】
図４に示すイオンブロー処理前においては、チャックテーブル５の吸着チャック７は負圧生成源８に連通されているため、ウェーハＷは吸着チャック７に吸着保持されている。そして、チャックテーブル５の上方から搬送アーム３３を下降させて、吸着パッド３８をフレーム支持部６に支持される環状フレームＦに接触させる。このとき、制御手段４０によって回動部６２を回動させ、噴出口６３から噴出されるイオン化エアの吹き付け位置調整が行われる。
【００３３】
チャックテーブル５上のウェーハＷが貼付された環状フレームＦが吸着パッド３８に吸着保持されると、図５に示すように、制御手段４０によって切り替え弁１０が切り替えられ、吸着チャック７がエア供給源９に連通される。そして、エア供給源９から圧縮エアが送られ、環状フレームＦを吸着パッド３８とフレーム支持部６とで挟み込んだ状態でウェーハＷが上方に浮上し、ウェーハＷが吸着チャック７の上面から剥離される。そして、制御手段４０によってイオンブロー手段６０が駆動され、複数の噴出口６３からイオン化エアが噴射される。イオン化エアは、プラスイオンとマイナスイオンとを適宜生成する。ウェーハＷに帯電した静電気がプラスである場合は、マイナスイオンによって中和される。一方、ウェーハＷに帯電した静電気がマイナスである場合は、プラスイオンによって中和される。これにより、ウェーハＷをチャックテーブル５（吸着チャック７）から剥離する際に生じる静電気が除電される。
【００３４】
そして、制御手段４０によって静電気測定センサ３９が駆動され、静電気の電圧が測定され、測定された電圧値が判断部４１に送られる。判断部４１では、静電気測定センサ３９から送られた電圧値からウェーハＷの帯電量が所定値以下であるか否か判断され、帯電量が所定値以下の場合には、第１の搬送手段３０による搬送が許可される。一方、ウェーハＷの帯電量が所定値より大きい場合には、噴出口６３からのイオン化エアの噴射が継続される。ウェーハＷの帯電量が所定値以下となって第１の搬送手段３０による搬送が許可されると、環状フレームＦを吸着パッド３８が吸着保持した状態で、搬送アーム３３が上昇されてウェーハＷが搬送される。
【００３５】
このように本実施の形態によれば、チャックテーブル５に保持されたウェーハＷが第１の搬送手段３により吸引されると、吸着チャック７がエア供給源９への連通に切り替えられ、ウェーハＷを吸着チャック７から剥離した際に、イオン化エアがウェーハＷに噴射される。そして、静電気測定センサ３９によって測定されるウェーハＷの帯電量が所定値以下に低減されたと判断されると、第１の搬送手段３０によるウェーハＷの搬送が許可される。そのため、ウェーハＷをチャックテーブル５から剥離する際に帯電する静電気が適切に除電されたことを確認した後に、適切に除電されたウェーハＷがチャックテーブル５から搬送されるので、剥離帯電によるウェーハＷの製品不良を防止することができる。
【００３６】
なお、図４及び図５では、チャックテーブル５に吸着保持されたウェーハＷに対してイオンブロー処理を行う場合を例に挙げて説明したが、スピンナーテーブル１４に吸引保持されたウェーハＷに対してイオンブロー処理を行う場合も同様である。図１に示すように、洗浄手段１３によるウェーハＷの洗浄処理後には、スピンナーテーブル１４の吸着チャック１６は負圧生成源８（図４参照）に連通されているため、ウェーハＷは吸着チャック１６に吸着保持されている。そして、スピンナーテーブル１４の上方から、第２の搬送手段５０の搬送アーム５３を下降させて、吸着パッド５５を環状フレームＦに接触させる。そして、制御手段４０によって切り替え弁１０（図４参照）が切り替えられ、吸着チャック１６がエア供給源９（図４参照）に連通され、エア供給源９から圧縮エアが送られて、環状フレームＦを吸着パッド５５（図３参照）とクランプ１５とで挟持した状態でウェーハＷが浮上し、ウェーハＷが吸着チャック１６の上面から剥離される。そして、制御手段４０によってイオンブロー手段６０が駆動され、噴出口６３からイオン化エアが噴射される。エア供給源９からの圧縮エアによってウェーハＷは吸着チャック１６から浮上しているため、噴出口６３から噴出されるイオン化エアは、ウェーハＷの上面側だけでなく、吸着チャック１６との剥離面となる下面側にも行き渡る。これにより、ウェーハＷをスピンナーテーブル１４（吸着チャック１６）から剥離する際に生じる静電気が除電される。そして、制御手段４０によって静電気測定センサ５６（図３参照）が駆動され、静電気の電圧が測定され、測定された電圧値が判断部４１に送られ、静電気測定センサ５６から送られた電圧値からウェーハＷの帯電量が所定値以下であるか否か判断され、帯電量が所定値以下に低減されると、第２の搬送手段５０による搬送が許可され、搬送アーム５３が上昇されてウェーハＷが搬送される。
【００３７】
なお、本発明は上記実施の形態に限定されず、種々変更して実施することが可能である。上記実施の形態において、添付図面に図示されている大きさや形状などについては、これに限定されず、本発明の効果を発揮する範囲内で適宜変更することが可能である。その他、本発明の目的の範囲を逸脱しない限りにおいて適宜変更して実施することが可能である。
【００３８】
上記実施の形態では、イオンブロー手段６０を洗浄手段１３の右側に設けたが、イオンブロー手段６０の数及び設置位置はこれに限定されるものではない。ウェーハＷの搬送を妨げない位置であれば、例えば、仮置き部１７と洗浄手段１３との間にイオンブロー手段６０を設けることも可能である。また、上記実施の形態では、イオンブロー手段６０を基台２上に設けたが、第１の搬送手段３０及び第２の搬送手段５０に設ける構成でもよい。この場合には、吸着パッド３８（５５）に吸着保持されたウェーハＷに対して、噴出口６３が対峙する位置に、イオンブロー手段６０を設けることが好ましい。これにより、チャックテーブル５及びスピンナーテーブル１４からウェーハＷを剥離した時から収容カセットＣに収容される直前まで、ウェーハＷに帯電した静電気を効果的に除去することが可能である。
【００３９】
また、上記実施の形態では、拡張テープＴを介して環状フレームＦに支持されたウェーハＷを例に説明したが、環状フレームＦが無いウェーハＷにも適用可能である。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明は、ウェーハＷをテーブルから剥離する際に帯電する静電気を適切に除電して、剥離帯電によるウェーハＷの製品不良を防止することができ、レーザによるダイシング加工、研削加工、研磨加工などを行う種々の加工装置に適用することが可能である。
【符号の説明】
【００４１】
１  加工装置
５  チャックテーブル
７  吸着チャック（保持部）
８  負圧生成源
９  エア供給源
１０  切り替え弁
１２  カセット載置手段
１３  洗浄手段
１４  スピンナーテーブル
１６  吸着チャック（保持部）
２０  加工手段
３０  第１の搬送手段（搬送手段）
３３  搬送アーム
３８  吸着パッド
３９  静電気測定センサ
４０  制御手段
４１  判断部
５０  第２の搬送手段（搬送手段）
５３  搬送アーム
５５  吸着パッド
５６  静電気測定センサ
６０  イオンブロー手段
６３  噴出口
Ｃ  収容カセット
Ｗ  ウェーハ（被加工物）
Ｆ  環状フレーム
Ｔ  拡張テープ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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