(57)【要約】【課題】発光素子と配線基板とを電気的に接続する配線が断線し難い発光装置を提供する。【解決手段】上面に負のリード電極と正のリード電極を有するフレキシブル基板と、上面に負電極と正電極とを有する発光素子と、発光素子の側面に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に接して形成され、正電極と正のリード電極間、又は負電極と負のリード電極間を接続する配線と、を有する。【選択図】図２
2014195064.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に負のリード電極と正のリード電極を有するフレキシブル基板と、
上面に負電極と正電極とを有する発光素子と、
前記発光素子の側面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して形成され、前記負電極と前記負のリード電極間、又は前記正電極と前記正のリード電極間を接続する配線と、
を有する発光装置。
【請求項２】
前記発光素子は、前記負のリード電極と正のリード電極とに跨って設けられている請求項１記載の発光装置。
【請求項３】
前記絶縁膜は、前記発光素子の側面に略均一な厚さに形成されている請求項１又は２に記載の発光装置。
【請求項４】
前記負のリード電極又は前記正のリード電極と前記配線との接続部は、前記発光素子の側面の下端に近接した位置にある請求項１〜３のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項５】
前記絶縁膜は、無機物からなる請求項１〜４のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項６】
前記絶縁膜が、屈折率の異なる２種以上の誘電体膜を積層した多層膜である請求項１〜５のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項７】
フレキシブル基板と、
第１連結部と該第１連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第１延伸電極とを有し、前記基板の上面に形成された負のリード電極と、
第２連結部と該第２連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第２延伸電極とを有し、該第２延伸電極が前記第１延伸電極と所定の間隔で隣接するように前記フレキシブル基板の上面に形成された正のリード電極と、
それぞれ上面に正電極と負電極とを有し、第１延伸電極に負電極がそれぞれ接続され、前記第２延伸電極にそれぞれ正電極が接続された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の側面にそれぞれ形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上にそれぞれ形成され、前記正電極と前記第１延伸電極間、又は前記負電極と前記第２延伸電極間をそれぞれ接続する複数の配線と、
を有する発光装置。
【請求項８】
前記フレキシブル基板は、短辺と長辺を有する矩形形状であり、前記発光素子は前記フレキシブル基板の長手方向に列状に配列された請求項７に記載の発光装置。
【請求項９】
基板と、
第１連結部と該第１連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第１延伸電極とを有し、前記基板の上面に形成された負のリード電極と、
第２連結部と該第２連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第２延伸電極とを有し、該第２延伸電極が前記第１延伸電極と所定の間隔で隣接するように前記基板の上面に形成された正のリード電極と、
それぞれ上面に正電極と負電極とを有し、前記第１延伸電極と第２延伸電極とに跨ってそれぞれ設けられた複数の発光素子と、
前記発光素子の側面にそれぞれ形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上にそれぞれ形成され、前記負電極と前記第１延伸電極間、又は前記正電極と前記第２延伸電極間をそれぞれ接続する配線と、
を有する発光装置。
【請求項１０】
前記基板は、フレキシブル基板である請求項９記載の発光装置。
【請求項１１】
前記絶縁膜はそれぞれ、前記発光素子の側面に略均一な厚さに形成されている請求項７〜１０のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１２】
前記第１延伸電極又は前記第２延伸電極と前記配線との接続部はそれぞれ、前記発光素子の側面の下端に近接した位置にある請求項７〜１１のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１３】
前記絶縁膜はそれぞれ、無機物からなる請求項７〜１２のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１４】
前記絶縁膜はそれぞれ、屈折率の異なる２種以上の誘電体膜を積層した多層膜である請求項７〜１３のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【請求項１５】
前記配線の厚さは、１０〜２０μｍの範囲にある請求項７〜１４のうちのいずれか１つに記載の発光装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光素子が搭載された発光装置、特に電極が形成された面を上にして実装する（以下、フェイスアップ実装という）対応の発光素子が搭載された発光装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）やレーザーダイオード（ＬＤ）等の半導体発光素子（以下、発光素子と記す）は、小型で電力効率がよく鮮やかな色に発光し、また半導体素子であるので球切れ等の心配がなく、さらに初期駆動特性が優れ、振動やオン・オフ点灯の繰返しに強いという特徴を有する。このような優れた特性を有するため、発光素子を光源として搭載した発光装置は、照明器具や液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）のバックライトの一般的民生用光源として、その用途に対応した構造のものが利用されている。
【０００３】
例えば、板状やフィルム状の基板の表面にリード電極のパターンが金属膜で形成された配線基板（プリント基板）に、発光素子を搭載した発光装置がある。配線基板に半導体素子（チップ）を実装するには、配線基板の所定の実装領域に半導体素子を搭載して、半導体素子の電極を配線基板上のリード電極（インナーリード）に電気的に接続し、半導体素子を樹脂で封止する。その際、半導体素子を電極（パッド電極）が設けられた面を上に向けて載置し、パッド電極とリード電極とを電気的に接続する配線（導線）を形成するフェイスアップ実装と、パッド電極を下に向けてリード電極と接合しつつ半導体素子を搭載するフリップチップ実装（フェイスダウン実装）とがある。
【０００４】
フェイスアップ実装は、通常、配線の形成がワイヤボンディングにて行われ、このとき、配線であるワイヤが、両端のみで半導体素子のパッド電極とリード電極に接合して弧状に設けられる。したがって、ワイヤボンディング実装では、樹脂で半導体素子と共に封止されたワイヤが、外部から応力が加えられた等の場合に断線する虞がある。一方、フリップチップ実装は、半導体素子のパッド電極の位置に合わせて、配線基板のリード電極が対面して配置される必要があるために、ワイヤボンディング実装と比較して作業が容易ではない。
【０００５】
そこで、フェイスアップ実装対応の発光素子を、ワイヤボンディングによらずに配線基板に実装する方法が開発されている。例えば特許文献１には、導電性インクで配線を印刷して、発光素子の上面の電極と配線基板のリード電極とを接続する実装方法が開示されている。導電性インクは、近年、配線基板等の微細配線形成にも適用され、特にインクジェット方式によれば、ある程度の段差のある面に対しても印刷することができるため、発光素子のチップ上面の電極からチップ側面（端面）を経由して、チップ載置面である配線基板に配線（ダイス配線）を形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２４３６６６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特許文献１に記載された実装方法によれば、配線基板上に載置した発光素子の側面にエポキシ樹脂やウレタン樹脂等の透光性樹脂の層を設けることにより、導電性インクで形成されるダイス配線を発光素子の半導体層と絶縁している。しかしながら、このような構造では、ダイス配線が、発光素子の側面に設けた樹脂の層と発光素子を封止する透光性樹脂とに挟まれ、すなわち樹脂のみで支持されるため、ワイヤボンディング実装と同様に断線する虞がある。特にフィルム状のフレキシブル基板を配線基板とする場合は、曲げ応力により断線し易くなる。また、発光素子の側面に設けた樹脂の層は、発光素子と熱伝導性の高いダイス配線とに挟まれているため、発光装置の使用に伴い熱や光で特に経時劣化し易く、透光性が低下する虞がある。
【０００８】
本発明は前記問題点に鑑みてなされたものであり、フェイスアップ実装対応の発光素子を適用することができ、ワイヤボンディング実装よりも信頼性の高い発光装置を提供することが課題である。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本願発明者は、以下のような構成の発光装置に想到した。
【００１０】
本発明に係る発光装置の第１の形態は、
上面に負のリード電極と正のリード電極を有するフレキシブル基板と、
上面に負電極と正電極とを有する発光素子と、
前記発光素子の側面に形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上に接して形成され、前記負電極と前記負のリード電極間、又は前記正電極と前記正のリード電極間を接続する配線と、
を有する。
【００１１】
このような構成により、フレキシブル基板を用いた発光装置において配線が断線し難くできる。
【００１２】
本発明に係る発光装置の第２の形態は、
フレキシブル基板と、
第１連結部と該第１連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第１延伸電極とを有し、前記基板の上面に形成された負のリード電極と、
第２連結部と該第２連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第２延伸電極とを有し、該第２延伸電極が前記第１延伸電極と所定の間隔で隣接するように前記基板の上面に形成された正のリード電極と、
それぞれ上面に正電極と負電極とを有し、第１延伸電極に負電極がそれぞれ接続され、前記第２延伸電極にそれぞれ正電極が接続された複数の発光素子と、
前記複数の発光素子の側面にそれぞれ形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上にそれぞれ形成され、前記正電極と前記第１延伸電極間、又は前記負電極と前記第２延伸電極間をそれぞれ接続する複数の配線と、
を有する。
【００１３】
本発明に係る発光装置の第３の形態は、
基板と、
第１連結部と該第１連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第１延伸電極とを有し、前記基板の上面に形成された負のリード電極と、
第２連結部と該第２連結部にそれぞれ一端が連結された複数の第２延伸電極とを有し、該第２延伸電極が前記第１延伸電極と所定の間隔で隣接するように前記基板の上面に形成された正のリード電極と、
それぞれ上面に正電極と負電極とを有し、前記所定の間隔で隣接する第１延伸電極と第２延伸電極とに跨ってそれぞれ設けられた複数の発光素子と、
前記発光素子の側面にそれぞれ形成された絶縁膜と、
前記絶縁膜上にそれぞれ形成され、前記負電極と前記第１延伸電極間、又は前記正電極と前記第２延伸電極間をそれぞれ接続する配線と、
を有する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る発光装置によれば、汎用性の高い配線基板に実装することができるというフェイスアップ実装対応の発光素子の利点を活かしつつ、ワイヤボンディング実装による発光装置よりも信頼性の高い発光装置となる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明に係る発光装置の構成を説明する外観図である。
【図２】本発明の第１実施形態に係る発光装置の構成を説明する模式図であり、（ａ）は発光装置に搭載された発光素子の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する発光装置の要部断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に係る発光素子の製造方法を説明するフローチャートである。
【図４】本発明の第２実施形態に係る発光装置の構成を説明する模式図であり、図２（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する発光装置の要部断面図である。
【図５】本発明の第３実施形態に係る発光装置の構成を説明する模式図であり、図２（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する発光装置の要部断面図である。
【図６】本発明の第３実施形態に係る発光素子の製造方法を説明するフローチャートである。
【図７】本発明の第４実施形態に係る発光装置の構成を説明する模式図であり、図２（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する発光装置の要部断面図である。
【図８】本発明の第５実施形態に係る発光装置の構成を説明する模式図であり、図２（ａ）のＡ−Ａ線矢視断面図に相当する発光装置の要部断面図である。
【図９】本発明の第６実施形態に係る発光装置の構成を説明する模式図であり、（ａ）は発光装置に搭載された発光素子の平面図、（ｂ）は（ａ）のＢ−Ｂ線矢視断面図に相当する発光装置の要部断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
本発明に係る発光装置について、図面を参照して説明する。なお、本明細書において、上面及び下面はそれぞれ、配線基板１又は発光素子の図面におけるｘｙ面に平行な面である。
以下、本発明の第１実施形態に係る発光装置について、図１および図２を参照して説明する。なお、図２（ａ）は図１の部分を拡大した平面図に、図２（ｂ）は図２（ａ）の断面図に、それぞれ相当するが、要部を詳細に表すために、図１と図２（ａ）（ｂ）の寸法は一致しない。
【００１７】
〔第１実施形態〕
図１に示すように、本発明の第１実施形態に係る発光装置１０は、上面が光の主な出射面であり、テープ状の配線基板（基板）１に、長手方向（図面におけるｘ方向）に列状に４個の発光素子３が並んで搭載されている。詳しくは、発光装置１０において、配線基板１上に、平面視略正方形の発光素子３が一対のパッド電極（電極）５１，５２（図２（ａ）参照）が形成された面（上面）を上にして搭載され、ダイス配線（配線）２１，２２により、パッド電極５１，５２が配線基板１のリード電極１２に電気的に接続されている。以下、本明細書では、導通を伴って接触している状態を、単に「接続する」と表す。また、ダイス配線２１，２２は、発光素子３の側面を被覆する絶縁膜７（図２（ｂ）参照）の表面に形成されている。さらに、本実施形態に係る発光装置１０において、略半球状に盛り上げられた封止部材９で、１個の発光素子３およびその周辺における配線基板１の表面がそれぞれ封止されている。なお、発光装置１０は、図１に示す４個の発光素子３が連結された長尺の状態で１台として使用されるが、以下、本明細書では、１個の発光素子３とその１個の発光素子を封止する封止部材９を含む発光装置１つの発光装置１０として説明する。
【００１８】
（配線基板）
配線基板１として、ワイヤボンディング実装対応の発光素子を搭載するための、フレキシブル基板、より詳細にはフレキシブルプリント基板（ＦＰＣ：Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  ｐｒｉｎｔｅｄ  ｃｉｒｃｕｉｔｓ）を適用することができる。配線基板１は、ポリイミドフィルム等の可撓性を有するシート（フィルム）状の基材１１と、その上に銅等の金属膜で形成されたリード電極１２とを有する。基材１１は、前記のポリイミドの他に、液晶ポリマー（ＬＣＰ）またはポリエチレンテフタレート（ＰＥＴ）等の、一般的なフレキシブル基板材料で形成してもよい。基材１１には、特に、リード電極１２に適用される銅等の金属と熱膨張率の比較的近いポリイミドまたはＬＣＰを適用することが、熱応力によるリード電極１２の剥離等を抑えるために好ましい。基材１１の形状や厚さは特に規定されず、製品としてユーザに提供する発光装置の形態や用途に応じて、適宜設計される。フレキシブル基板の形状が一方向に長い形状（例えば、短辺と長辺を有する矩形形状）である場合には、発光素子の断線が発生しやすくなるが、本発明の構成を用いれば、有効に断線を防止することができる。
【００１９】
リード電極１２は、負のリード電極１２１と正のリード電極１２２とを含む。負のリード電極１２１および正のリード電極１２２（適宜、まとめてリード電極１２と称する）は、一般的な半導体素子の配線基板に適用される金属材料を適用することができ、銅、銀、金、アルミニウム等が挙げられ、熱伝導性や加工性の点から銅が特に好ましい。リード電極１２は、めっきや蒸着等の公知の方法で基材１１の表面に成膜して、エッチング等でパターン形成することができる。また、基材１１がＬＣＰで形成されている場合は、金属箔をＬＣＰの熱圧着にて貼り合わせてもよい。また、リード電極１２は、導電性インクを基材１１の表面に印刷して形成することもできる。リード電極１２の膜厚や幅は特に規定されず、リード電極としての抵抗、発光装置１０に搭載される発光素子３の駆動電圧および駆動電流等に応じて適宜設計される。
【００２０】
負のリード電極１２１と正のリード電極１２２のパターン形状（平面視形状）は特に限定されないが、本実施形態においては、リード電極１２１，１２２の両方の上面が発光素子３の底面と接合されるような配置とする。例えば、図１に示すような、テープ状の配線基板（基板）１の長手方向に複数の発光素子３が並んで搭載される発光装置では、以下のようなパターン形状とすることができる。まず、負のリード電極１２１を、第１連結部１２１ｂと第１連結部１２１ｂにそれぞれ一端が連結された複数の第１延伸電極１２１ａとを有する櫛形形状とする。また、正のリード電極１２２を、第２連結部１２２ｂと第２連結部１２２ｂにそれぞれ一端が連結された複数の第２延伸電極１２２ａとを有する櫛形形状にする。そして、負のリード電極１２１と正のリード電極１２２とを、第１延伸電極１２１ａと第２延伸電極１２２ａが所定の間隔で対向するように配線基板１の上面に配置する。尚、発光素子３を実装する領域では、第１延伸電極１２１ａと第２延伸電極１２２ａの間隔は、発光素子３の一辺より狭い間隔とする。
以上のように負のリード電極１２１と正のリード電極１２２とを構成することにより、発光素子を、負のリード電極１２１（第１延伸電極１２１ａ）と正のリード電極１２２（第２延伸電極１２２ａ）とに跨って設けることが可能になる。
これにより、配線基板１上に載置した発光素子３の側面の、少なくともダイス配線２１，２２が設けられる領域の下端が、第１延伸電極１２１ａと第２延伸電極１２２ａ上に位置する。これにより、発光素子３の側面の下端に近接した位置で、第１延伸電極１２１ａとダイス配線２１、及び第２延伸電極１２２ａとダイス配線２２とをそれぞれ接続することが可能になる。
より具体的には、図２に示すように、ｘ方向において、発光素子３の長さＬより、第１延伸電極１２１ａと第２延伸電極１２２ａ間の距離（間隔）ｄが短くなり、かつ第１延伸電極１２１ａの外側の端部と第２延伸電極１２２ａの外側の端部の距離（Ｗ＋ｄ＋Ｗ）が長くなるように（ｄ＜Ｌ＜Ｗ＋ｄ＋Ｗ）、負のリード電極１２１と正のリード電極１２２とを形成する。
このような配置であれば、ダイス配線２１（２２）が、発光素子３のパッド電極５１（５２）表面から発光素子３の側面（絶縁膜７の表面）を経由して、その直下の第１延伸電極１２１ａ（第２延伸電極１２２ａ）の表面に到達するように設けることが可能になる。
また、ダイス配線２１，２２が、樹脂で形成された基材１１の表面に形成されることなく第１延伸電極１２１ａと第２延伸電極１２２ａの表面に直接接続されることにより、樹脂で形成された基材１１の表面にダイス配線の一部が形成された場合に比較して、曲げ応力で断線する虞が低減し、可撓性を有する配線基板１が適用されても、断線し難くなる。
また、発光素子３のパッド電極５１（５２）から第１延伸電極１２１ａ（第２延伸電極１２２ａ）までの距離が短いので、ダイス配線２１（２２）も短くて済む。
以上のように、本実施形態では、発光素子が負のリード電極と正のリード電極とに跨って設けられていることから、負電極と正電極とを短い距離で負のリード電極と正のリード電極とに接続することが可能になる。
また、実質的に基板側面のみに形成した配線により正電極と負電極とを正のリード電極と負のリード電極に接続することが可能になり、基板上に配線を形成する必要がない。
これらのことにより、配線の断線リスクを減少させることができる。
【００２１】
さらに、第１延伸電極１２１ａと第２延伸電極１２２ａとが、ｘ方向に発光素子３の外側へ十分に張り出して設けられている（Ｗ＋ｄ＋Ｗ＞＞Ｌ）ことが好ましい。このような配置であれば、ダイス配線２１（２２）を、第１延伸電極１２１ａ（第２延伸電極１２２ａ）上で発光素子３の外側へ延伸させて形成することが可能になり、ダイス配線２１と第１延伸電極１２１ａの接触面積、及びダイス配線２２と第２延伸電極１２２ａの接触面積を大きくすることができ、発光装置１０の信頼性を容易に高くすることができる。なお、第１延伸電極１２１ａと第２延伸電極１２２ａとは、それぞれの幅（ｘ方向長さ）Ｗが、本実施形態においては同じとしているが、互いに異なっていてもよい。
また、図２に示すように、発光装置１０は、ｘ方向において、発光素子３の中心が、第１延伸電極１２１ａと第２延伸電極１２２ａ間の中心（間隔ｄの中心）と一致するように配置されているが、このような配置に限られない。
【００２２】
また、発光素子３から下方に出射した光がリード電極１２に照射されることで、金属からなるリード電極１２が反射膜となり、発光装置１０の光の取出し効率を向上させることができる。さらに、発光素子３が基材１１ではなくリード電極１２に接合されることで、発光装置１０の放熱性を向上させることができる。したがって、リード電極１２は、第１延伸電極１２１ａと第２延伸電極１２２ａの間隔ｄを互いに短絡しない程度として、より多くの面積で発光素子３の底面に接合するようなパターン形状とすることが好ましい。
【００２３】
さらに第１延伸電極１２１ａ及び第２延伸電極１２２ａは、広い幅に形成することが好ましい。図１に示すように、第１延伸電極１２１ａ及び第２延伸電極１２２ａが、発光素子３の下から外側に延設されて、封止部材９が形成された領域のほぼ全域にわたるように幅Ｗを広くすることで、より低抵抗な導体となるだけでなく、反射膜および放熱板としていっそう効果的に作用する。
また、本実施形態に係る発光装置１０のように、製造（組立）時において配線基板１がテープ状の場合、その長手方向、ここではｘ方向に第１延伸電極１２１ａ及び第２延伸電極１２２ａが並んで配置されることが好ましい。
これにより、ダイス配線２１，２２を平面視において配線基板１の長手方向に平行な配線形状にすることができ、後記するようにインクジェット方式によるダイス配線２１，２２の形成の作業性が高くなる。しかしながら、ダイス配線２１と２２は、平面視において配線基板の長手方向に、実質的に垂直又は傾斜角を持つよう形成されていてもよい。これにより、ダイス配線２１と２２は配線基板１または発光装置３に付加される曲げストレスを避けることができる。
【００２４】
前記の通り、リード電極１２は反射膜としても作用するので、表面にめっき等で高反射率の金属膜が積層されていてもよい。具体的には、銀、ロジウム、金、アルミニウムから選択される１種の金属、または前記金属の合金が挙げられ、可視光については銀が最も反射率が高く好ましい。したがって、例えば、リード電極１２を銅に銀を積層した２層構造とすることで、熱伝導性（放熱性）と光の取出し効率の両方を向上させることができる。また、基材１１表面の、リード電極１２が設けられていない領域に、反射膜として金属膜が形成されていてもよい（図示せず）。この場合、言うまでもなく、反射膜としての金属膜は、負のリード電極１２１と正のリード電極１２２とを導通させないように形成する。
【００２５】
（ダイス配線）
ダイス配線２１は、発光素子３のｎ側パッド電極５１を負のリード電極１２１に、ダイス配線２２は、発光素子３のｐ側パッド電極５２を正のリード電極１２２に、それぞれ接続する配線である。すなわちダイス配線２１およびダイス配線２２は、ワイヤボンディング実装におけるワイヤに代えて設けられる。ただし、ダイス配線２１，２２は、発光素子３の側面に沿って、詳しくは発光素子３の側面を被覆する絶縁膜７の表面に直接形成される。これに対して、ボンディングワイヤは、両端（接続部）以外が封止部材（樹脂）のみで支持される。このように、ダイス配線２１，２２は、ボンディングワイヤとは異なり、発光素子３（絶縁膜７）と封止部材９に挟まれて支持されるので、断線し難い。
【００２６】
ダイス配線２１，２２は、配線基板１に載置した発光素子３およびその側面を被覆する絶縁膜７の上から、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ等の金属ナノ粒子を含有する導電性インクを印刷（描画）にて付着させ、必要に応じて焼成することで形成される。ダイス配線２１，２２の形成（印刷）方法は、配線基板等を印刷で形成する一般的な方法を適用することができ、具体的にはインクジェット方式やスクリーン印刷方式が挙げられる。特にインクジェット方式によれば、発光素子３の厚み分という段差のある面にも連続したダイス配線２１，２２を容易に形成することができる。また、導電性インクは、印刷方法に対応したものを適用することができる。導電性インクは、発光素子３等へのダメージが抑えられるように、焼成温度が２００℃程度以下の導電性インクが好ましい。
【００２７】
ダイス配線２１（２２）の配線形状は特に規定されないが、配線長を短くするために、パッド電極５１（５２）から負のリード電極１２１（正のリード電極１２２）に最短距離で接続されるように形成することが好ましい。また、本実施形態においてダイス配線２１（２２）は、図２（ａ）に示すように、両端が大きく、すなわちパッド電極５１（５２）、負のリード電極１２１（正のリード電極１２２）それぞれとの接続面積が大きくなるように形成されている。さらに、本実施形態に係る発光装置１０のように、配線基板１がテープ状の場合、ダイス配線２１，２２は、平面視において、配線基板１の長手方向（図面におけるｘ方向）に平行な配線形状にすることが、後記するようにインクジェット方式による作業性が高くなるので好ましい。しかしながら、ダイス配線２１と２２は、平面視において配線基板の長手方向に、実質的に垂直又は傾斜角を持つよう形成されていてもよい。これにより、ダイス配線２１と２２は配線基板１または発光装置３に付加される曲げストレスを避けることができる。本実施形態では、ダイス配線２１（２２）は、発光素子３の上面において、その４辺のうちのパッド電極５１（５２）から最も近い辺の略中心から鉛直に下ろすように発光素子３の左（右）側面に沿って設けられる。また、ダイス配線２１，２２は、厚さや配線幅を特に規定されず、導体としての抵抗、発光装置１０に搭載される発光素子３の駆動電圧および駆動電流等に応じて適宜設計されるが、抵抗を低く抑えるために配線を厚く、発光素子３が発光する光を多く遮らないように配線幅を狭くするために、厚さ１０〜２０μｍ程度とすることが好ましい。
【００２８】
〔発光素子〕
発光素子３は、発光装置１０における光源であり、電圧を印加することで自ら発光する半導体素子（半導体発光素子）で、例えば窒化物半導体等から構成される発光ダイオード（ＬＥＤ）が適用される。特に、本実施形態に係る発光装置１０に搭載される発光素子３は、ワイヤボンディング実装対応のものを適用することができ、ただし側面形状のみを、後記の製造方法にて説明するように加工すればよい。
【００２９】
本実施形態において、発光素子３は、平面視が一辺の長さＬの略正方形で、上下（ｙ方向）対称の構造である。図２（ａ）の平面図には中心線（Ａ−Ａ線）から上半分を示す。発光素子３は、例えば、サファイアのような透光性の基板（素子基板）３１に、ｎ型半導体層３２、活性層（発光層）３３、ｐ型半導体層３４の、窒化物半導体３０の各層を順次、エピタキシャル成長させて積層した後に、ｎ型半導体層３２、ｐ型半導体層３４にそれぞれ接続する電極（ｎ側パッド電極５１、透光性電極４およびｐ側パッド電極５２）を形成して製造される。本実施形態に係る発光装置１０においては、発光素子３は素子基板３１を下にして配線基板１上に載置され、上面における左右の辺のそれぞれの中心近傍に、外部から電流を供給されるために、パッド電極５１，５２が設けられている。すなわち発光素子３は、上面に一対のパッド電極５１，５２を備えるフェイスアップ実装（ワイヤボンディング実装）対応の半導体素子である。
以下、発光素子３の要素について詳細に説明する。
【００３０】
（素子基板）
素子基板３１の材料は、特に限定されないが、発光素子３の製造において窒化物半導体３０の各層を積層する等の、例えば窒化物半導体を成長させることのできる基板材料を適用することができる。このような材料からなる基板としては、Ｃ面、Ｒ面、Ａ面のいずれかを主面とするサファイア、（１１１）面を主面とするスピネル（ＭｇＡ１2Ｏ4）のような絶縁性基板、また炭化ケイ素（ＳｉＣ）、ＺｎＳ、ＺｎＯ、Ｓｉ、ＧａＡｓ、ダイヤモンド、および窒化物半導体と格子整合するニオブ酸リチウム、ガリウム酸ネオジウム等の酸化物基板等が挙げられる。本実施形態に係る発光装置１０において、発光素子３は、底面である素子基板３１の裏面を配線基板１の一対の負と正のリード電極１２１，１２２の両方に接合するため、また素子基板３１の側面（端面）に直接にダイス配線２１，２２が設けられるため、絶縁性基板、例えばサファイアを素子基板３１として用いる。
【００３１】
素子基板３１の大きさ及び厚さ等は特に限定されないが、発光素子３の製造段階においては、多数の発光素子３がマトリクス状に配列されて１枚の素子基板３１（ウェハ）に形成されるので、基台としてある程度の強度を必要とし、十分な強度を保つことができる厚さとする必要がある。
一方、発光素子３（ウェハ）の完成後は、切断（ダイシング）又は割断（ブレーク）等にてチップに分割することができるように、素子基板３１は、裏面から研削（バックグラインド）する等して薄肉化されることが好ましい。
特に、本実施形態に係る発光装置１０においては、ダイス配線２１，２２が形成され易くかつ短くてよいように、発光素子３の厚みが小さい（薄い）ことが好ましい。
したがって、素子基板３１は、窒化物半導体３０に影響を与えない程度に（必要な強度が維持できる限り）薄肉化されることが好ましく、例えば研削により厚さを５０〜２５０μｍとすることができる。
【００３２】
（窒化物半導体）
ｎ型半導体層３２、活性層３３、およびｐ型半導体層３４としては、特に限定されるものではないが、例えばＩｎXＡｌYＧａ1-X-YＮ（０≦Ｘ、０≦Ｙ、Ｘ＋Ｙ＜１）等の窒化ガリウム系化合物半導体が好適に用いられる。ｎ型半導体層３２、活性層３３、およびｐ型半導体層３４（適宜まとめて窒化物半導体３０という）は、それぞれ単層構造でもよいが、組成および膜厚の異なる層の積層構造、超格子構造等であってもよい。特に発光層である活性層３３は、量子効果が生ずる薄膜を積層した単一量子井戸または多重量子井戸構造であることが好ましく、さらに井戸層がＩｎを含む窒化物半導体であることが好ましい。なお、素子基板３１上に、任意に素子基板３１との格子定数の不整合を緩和させるためのバッファ層等の下地層（図示せず）を介してｎ型半導体層３２を形成してもよい。
【００３３】
（電極）
発光素子３は、ｎ型半導体層３２に接続されたｎ側パッド電極５１と、ｐ型半導体層３４に接続されたｐ側パッド電極５２を備える。外部から電流を供給するために、ｎ側パッド電極５１とｐ側パッド電極５２はそれぞれダイス配線２１，２２で配線基板１（負のリード電極１２１，正のリード電極１２２）に接続される。本実施形態に係る発光装置１０の発光素子３は、ｎ側の電極とｐ側の電極とを、同一面側に設けるためにｐ型半導体層３４の側に設け、かつｐ型半導体層３４の側を光の取出し側とする。具体的には、図２（ａ）に示すように、ｐ側パッド電極５２は、比較的抵抗が高いｐ型半導体層３４の面内全体に均一に電流が流れるように、ｐ型半導体層３４の上面における略全面に形成した透光性電極４の上に設けられる。一方、ｎ側パッド電極５１は、一部の領域のｐ型半導体層３４および活性層３３を除去して露出させたｎ型半導体層３２上に設けられてそのｎ型半導体層３２に接続される。
【００３４】
透光性電極４は、透明電極材料である、インジウム−スズ酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ：ＩＴＯ）又は酸化亜鉛（ＺｎＯ）等の導電性酸化物で形成される。また、パッド電極５１，５２は、Ａｌ，Ｃｕ，Ａｕ等の金属電極材料で形成される。また、パッド電極５１，５２は、ｎ型半導体層３２又は透光性電極４との接続に必要な形状及び面積でかつ、ダイス配線２１，２２との接続に必要な平面視形状および面積に形成される。さらに、パッド電極５１，５２は、平面視において、発光素子３の周縁すなわち辺の近傍に設けられていることが好ましい。このような配置とすることで、発光素子３が配線基板１に実装される際に、ダイス配線２１，２２が短くて済み、特にダイス配線２１，２２がインクジェット方式で形成される場合は、発光素子３の上面に余分な導電性インクが付着することが抑制される。
【００３５】
（保護膜、絶縁膜）
保護膜６は、発光素子３における窒化物半導体３０の露出した表面（上面および端面）及び透光性電極４の表面等を被覆する。具体的には、外部との接続のための領域であるパッド開口部６ｈを除いて保護膜６が形成される。保護膜６は、パッド電極５１，５２の上面の周縁部を覆っており、パッド電極５１，５２の上面の周縁部を除いた領域がパッド開口部６ｈとなる。さらに、本実施形態に係る発光装置１０において、保護膜６は、発光素子３の側面（端面）において、ダイス配線２１，２２を窒化物半導体３０から絶縁するための絶縁体（適宜、絶縁膜７と記載する）と一体に形成される。絶縁膜７は、発光素子３の側面の、少なくともダイス配線２１，２２が設けられる領域において、窒化物半導体３０の各層３２，３３，３４のいずれも露出しないように被覆する。特にダイス配線２１，２２がインクジェット方式で形成される場合は、余分な導電性インクの付着による短絡を防止するために、保護膜６（絶縁膜７）は、発光素子３の窒化物半導体３０および透光性電極４が一切露出しないように被覆することが好ましい。本実施形態に係る発光装置１０においては、保護膜６（絶縁膜７）は、発光素子３を、その上面のパッド開口部６ｈ、ならびに底面および側面の下部（素子基板３１）を除いて被覆する。
【００３６】
ここで、絶縁膜７は、無機物であって透光性の絶縁材料を適用することが好ましい。また、絶縁膜７は、少なくとも発光素子３の側面において略均一の厚さに形成されていることが好ましい。無機物の膜の方がエポキシ樹脂等の透光性の樹脂膜よりも耐久性に優れ、透光性が低下する虞や当該膜の表面に形成されたダイス配線２１，２２を断線させる虞が少ないためである。また、保護膜６は透光性の絶縁材料であればよく、無機物に限定されないが、絶縁膜７と同様に、発光素子３（ウェハ）の製造時に成膜することのできる無機物を適用されることが好ましい。無機物の絶縁性の膜材料として、具体的には、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｔａ，Ｎｂ，Ｚｒ，Ｍｇ等の酸化物（ＳｉＯ2，ＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，ＺｒＯ2，ＭｇＯ）、Ｓｉ窒化物（例えばＳｉ3Ｎ4）、ＡｌＮ等の窒化物、あるいはフッ化マグネシウム（ＭｇＦ2）等が挙げられる。また、保護膜６、絶縁膜７の膜厚は特に限定されないが、１０〜１００００ｎｍの範囲であることが好ましい。これらの材料は、発光素子３の製造時に蒸着法、スパッタ法等の公知の方法によって成膜することができる。具体的には、発光素子３が１枚の素子基板３１（ウェハ）にマトリクス状に多数形成された状態で、保護膜６（絶縁膜７）が成膜される。したがって、完成した発光素子３が個片化（ダイシング）されたときに切断面に窒化物半導体３０が露出しないように、予め、当該発光素子３（チップ）の周縁部（スクライブ領域、図２（ａ）においてハッチングを付して表す）における窒化物半導体３０を完全に除去して、その上から絶縁膜７を形成する（詳細は製造方法にて説明する）。
【００３７】
以下、第１実施形態に係る発光装置１０のその他の要素について詳細に説明する。
（接合部材）
接合部材８は、発光素子３を配線基板１に固定するためのものであり、本実施形態に係る発光装置１０においては、発光素子３の底面（素子基板３１の裏面）と配線基板１のリード電極１２，の表面とを接合する。接合部材８は、発光素子３と配線基板１（具体的には、第１延伸電極１２１ａ及び第２延伸電極１２２ａ）の間の間隔が大きくなりすぎないように設けられることが好ましく、これにより、第１延伸電極１２１ａ（第２延伸電極１２２ａ）とパッド電極５１（５２）とを接近させることができ、第１延伸電極１２１ａ（第２延伸電極１２２ａ）とダイス配線２１（２２）の接続を容易かつ確実にできる。すなわち接合部材８は、少なくともダイス配線２１，２２が形成される領域において、発光素子３と配線基板１（第１延伸電極１２１ａ及び第２延伸電極１２２ａ）との間に間隙が小さくなるように薄く設けられることが好ましい。
【００３８】
本実施形態に係る発光装置１０においては、接合部材８は、発光素子３と配線基板１とを電気的に接続する必要はなく、また発光素子３の接合面（底面）が絶縁性の素子基板３１であるので、一般的な半導体素子の実装（ダイボンド）に適用される絶縁性、導電性のいずれの接合部材を適用することができる。絶縁性の接合部材としては、エポキシ系やシリコーン系等の接着剤が、導電性の接合部材としては、はんだ、Ａｇ等の導電性ペースト、共晶合金等が、それぞれ挙げられ、本発明においては導電性の接合部材を適用する方が好ましい。一般的にはんだ等の導電性部材は、樹脂系の接着剤よりも熱伝導性が高いため、発光装置１０の放熱性を向上させることができる。なお、接合部材８は、導電性である場合には、図２（ｂ）に示すように、負と正のリード電極１２１，１２２間が短絡しないように、負のリード電極１２１と正のリード電極１２２の上にそれぞれ分離して設けられ、各接合部材８がそれぞれ発光素子３の底面と接合される。一方、接合部材８は、絶縁性である場合には、発光素子３の底面の全面を、すなわち負のリード電極１２１と正のリード電極１２２間の基材１１上にも設けられていてもよい。
【００３９】
（封止部材）
封止部材９は、発光素子３、負のリード電極１２１の一部，正のリード電極１２２の一部、およびダイス配線２１，２２等を封止（埋設）して、塵芥、水分、外力等から保護するための部材である。封止部材９は、例えば、図１に示すように、配線基板１上において発光素子３が載置された領域に、透光性樹脂材料をディスペンサ等で吐出し、硬化させて形成される。封止部材９は、少なくとも発光素子３およびダイス配線２１，２２を埋設すればよく、その形状は限定されない。本発明においては、ダイス配線２１，２２はボンディングワイヤと異なり、発光素子３の極めて近傍に、上面および側面からほとんど突出せずに配置されている。したがって、封止部材９は発光素子３上に厚く形成される必要がなく、光学的な効果等その他求められる特性に応じて厚さや形状を決定することができる。例えば、本実施形態に係る発光装置１０においては、封止部材９は、配線基板１上の発光素子３を内包する円（図１参照）内に、比較的高粘度に調整した樹脂材料を盛り上げて形成されることで、平面視円形の略半球状となり、発光素子３からの光を効率的に外部へ照射させることができる。
【００４０】
封止部材９は、一般的な発光素子を搭載した発光装置と同様に、発光素子３の光を透過させる透光性樹脂材料で形成され、具体的には、ハイブリッドシリコーンを含めたシリコーン樹脂、エポキシ樹脂、ユリア樹脂等が挙げられるが、耐熱性および耐光性に優れるシリコーン樹脂が好ましい。また、これらの樹脂材料に、発光装置１０の目的や用途に応じて蛍光物質、着色剤、光拡散剤、フィラー等を含有させてもよく、特にシリコーン樹脂は熱膨張率が高いため、フィラー等により熱膨張率を適度に低減することが好ましい。あるいは、封止部材９は、発光素子３およびダイス配線２１，２２を保護できる程度に抑えた硬さにして、応力が緩和されるような構造としてもよい。
【００４１】
〔発光装置の製造方法〕
本発明の第１実施形態に係る発光装置の製造方法を、搭載される発光素子の製造も含めて、図３を参照して説明する。
【００４２】
発光装置１０は、図３に示すように、少なくとも素子基板３１上に発光素子３が連結した状態で配列されたウェハを製造するウェハ製造工程Ｓ１０、ウェハを発光素子ごとに分割して発光素子３（チップ）とする個片化工程Ｓ３０、発光素子３を配線基板１に実装する組立工程Ｓ４０を経て製造される。本実施形態においては、ウェハ製造工程Ｓ１０は、発光素子３の側面を被覆する絶縁膜７を形成する絶縁膜形成工程Ｓ２０を含む。また、組立工程Ｓ４０は、発光素子３を配線基板１に載置して接合する配線基板接合工程（発光素子接合工程）Ｓ４１、ダイス配線形成工程（配線形成工程）Ｓ４２、発光素子３を封止部材９で封止する封止工程Ｓ４３を含む。以下、各工程について説明する。
【００４３】
（発光素子の製造：窒化物半導体の形成）
半導体成長工程Ｓ１１では、サファイア基板を素子基板３１として、ＭＯＶＰＥ反応装置を用いて、素子基板３１上に、ｎ型半導体層３２、活性層３３、およびｐ型半導体層３４を構成するそれぞれの窒化物半導体を順に成長させる（Ｓ１１）。
【００４４】
本発明に係る発光装置の製造方法において、発光装置１０に搭載される発光素子３の窒化物半導体３０の形成方法としては、特に限定されないが、ＭＯＶＰＥ（有機金属気相成長法）、ＭＯＣＶＤ（有機金属化学気相成長法）、ＨＶＰＥ（ハイドライド気相成長法）、ＭＢＥ（分子線エピタキシー法）等、窒化物半導体の成長方法として公知の方法を好適に用いることができる。特に、ＭＯＣＶＤは結晶性よく成長させることができるので好ましい。また、窒化物半導体３０の各層３２，３３，３４は、種々の窒化物半導体の成長方法を使用目的により適宜選択して成長させることが好ましい。
【００４５】
（発光素子の製造：ｎ側コンタクト領域の形成）
ｎ側パッド電極５１を接続するための領域（ｎ側コンタクト領域）を形成するために、ｐ型半導体層３４及び活性層３３の各一部を除去して、表面（上面）の一部にｎ型半導体層３２を露出させる。同時に、発光素子３（チップ）の周縁部（ウェハのスクライブ領域）も前記ｎ側電極用コンタクト領域と同じ深さまでエッチングする（Ｓ１２）。詳しくは、窒化物半導体３０の各層を成長させた素子基板３１（以下、ウェハという）上に、フォトレジストにてｎ側コンタクト領域およびスクライブ領域に開口部を有するマスクを形成する。反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）にて、ｐ型半導体層３４および活性層３３、さらにｎ型半導体層３２の一部を除去して、表面にｎ型半導体層３２におけるｎ側コンタクト層を露出させる。
【００４６】
（発光素子の製造：チップ側面の露出）
発光素子３（チップ）の側面を露出させるために、ウェハのスクライブ領域をさらにエッチングしてスクライブ領域から窒化物半導体３０（ｎ型半導体層３２）を完全に除去する（Ｓ１３）。具体的には、ウェハ上にスクライブ領域に開口部を有するマスクを形成する。このとき、マスクの開口部の形状は、ｎ型半導体層３２表層までエッチングしたときのマスクの開口部より狭く、かつウェハ完成後のダイシングにより削り取られる切り代よりも広く設計する。ＲＩＥにて、ｎ型半導体層３２を完全に除去し、さらにその下の素子基板３１の一部を除去する。エッチングの後、レジストを除去する。このように、スクライブ領域を２段階でエッチングすることにより、発光素子３（チップ）の側面が階段状に形成されることになる。
【００４７】
（発光素子の製造：電極の形成）
ｐ型半導体層３４上に透光性電極４を形成し（Ｓ１４）、ｎ型半導体層３２、ｐ型半導体層３４にそれぞれ接続するパッド電極５１，５２を形成する（Ｓ１５）。具体的には、まず、ウェハの全面に透光性電極４を形成する導電性酸化物膜をスパッタ法にて成膜する。導電性酸化物膜上に、その下のｐ型半導体層３４の平面視形状（図２（ａ）参照）に対応した形状のマスクを形成し、マスクが形成されていない部分の導電性酸化物膜をエッチングにより除去してｐ型半導体層３４上に透光性電極４を形成し、レジスト（マスク）を除去する。次に、透光性電極４の上面のｐ側パッド電極５２を形成する領域と、露出させたｎ型半導体層３２の上面のｎ側パッド電極５１を形成する領域にそれぞれに開口部を有するマスクを形成し、そのマスクの上から金属電極材料をスパッタ法にて成膜した後、レジストを除去する（リフトオフ）。
以上のようにして、ｎ側パッド電極５１およびｐ側パッド電極５２を形成する。
【００４８】
（発光素子の製造：保護膜および絶縁膜の形成）
保護膜６を形成し（Ｓ１６）、同時に絶縁膜７を形成する（Ｓ２０）。
具体的には、まず、ウェハの全面にＳｉＯ2等の無機物の膜をスパッタ法又はＣＶＤ（化学気相成長法）にて成膜する。次に、無機物膜上に、パッド電極５１，５２のそれぞれのパッド開口部６ｈ上に開口部を有するマスクを形成し、その開口部により露出された無機物膜をエッチングし、レジストを除去する。これにより、ウェハのパッド開口部６ｈを除く全面に、保護膜６（スクライブ領域においては絶縁膜７）が形成され、ウェハの完成となる。
【００４９】
（発光素子の個片化）
完成したウェハの裏面から素子基板３１を研削（バックグラインド）して、所望の厚さとなるまで薄く加工する（Ｓ３１）。
この裏面研削したウェハを、スクライブ領域中心線に沿ってダイシング等で分割して（Ｓ３２）、個々の発光素子３（チップ）に分割する。得られた発光素子３は、側面が階段状に形成され、さらに側面の窒化物半導体３０およびその下の素子基板３１の上部が絶縁膜７で被覆されている。
【００５０】
（発光装置の組立）
配線基板１の、負と正のリード電極１２１，１２２の発光素子３（チップ）を載置する所定領域にそれぞれにＡｇペーストを塗布して、その上から発光素子３を押し付け、加熱してＡｇペーストを硬化して、発光素子３を配線基板１上に固定する（Ｓ４１）。加熱して硬化したＡｇペーストが接合部材８となる。
【００５１】
次に、インクジェット法により、図２（ａ）に二点鎖線で示すダイス配線２１，２２の平面視形状（ダイス配線２１，２２を形成すべき領域）に沿って導電性インクを吐出し、焼成してダイス配線２１，２２を形成する（Ｓ４２）。本実施形態においては、ダイス配線２１，２２は、平面視形状が配線基板１の長手方向（図１参照、ｘ方向）に平行な線状であり、かつ幅方向中心に位置が揃っているので、インクジェットヘッドを固定して、テープ状の配線基板１を長手方向に移動させながら導電性インクを吐出すればよく、作業性よく形成することができる。しかしながら、ダイス配線２１と２２は、平面視において配線基板の長手方向に、実質的に垂直又は傾斜角を持つよう形成されていてもよい。これにより、ダイス配線２１と２２は配線基板１または発光装置３に付加される曲げストレスを避けることができる。また、発光素子３の側面が階段状に形成されているので、導電性インクを鉛直下方向に吐出しても、発光素子３の側面（絶縁膜７の表面）に導電性インクを十分な厚さに付着させることができる。
【００５２】
なお、インクジェットヘッドを傾斜させて、発光素子３の側面に向けて斜め下方向に導電性インクを吐出してもよい。これにより、発光素子３が厚み（チップ厚）が大きくても、あるいは側面に段差がなく平坦で鉛直な面であっても、かかる側面に導電性インクを十分に付着させることが容易となる。
【００５３】
配線基板１上の発光素子３およびその周辺（図１参照）に、発光素子３およびダイス配線２１，２２を完全に被覆するような略半球状に透光性樹脂材料を塗布し、硬化させて封止部材９を形成する（Ｓ４３）。これにより、図１に示すように、１個ずつ封止部材９で封止された４個の発光素子３がテープ状の配線基板１に支持されて１列に連結された発光装置１０となる。
【００５４】
第１実施形態に係る発光装置１０に搭載される発光素子３は、ウェハのスクライブ領域の２回目のエッチング（ｎ型半導体層３２の除去、Ｓ１３）、あるいはさらに１回目のエッチング（ｎ型半導体層３２の露出、Ｓ１２）にて、テーパ状にエッチングして、側面が下に広がった傾斜面に形成されてもよい（図７に示す第４実施形態参照）。さらに、発光素子３は、個片化工程Ｓ３０（Ｓ３２）において、素子基板３１の劈開性を利用して分割して、素子基板３１の割断面を下に広がった傾斜面に形成してもよい（図示せず）。このような側面形状とすることで、ダイス配線２１，２２の形成において、導電性インクを鉛直下方向に吐出しても、発光素子３の側面に導電性インクを十分な厚さに付着させ易い。
【００５５】
また、第１実施形態に係る発光装置１０は、発光素子３の底面（裏面）に、屈折率の異なる２種以上の誘電体膜を交互に積層した多層膜を備えてもよい（図示せず）。このような構成により、発光装置１０は、発光素子３の発光層（活性層３３）から下方へ出射した光を多重反射させて、光の取出し効率を向上させることができる。多層膜は、発光素子３の、例えば裏面研削（Ｓ３１）後の素子基板３１に形成することができる（後記の第３実施形態参照）。
【００５６】
以上のように、第１実施形態に係る発光装置は、公知のワイヤボンディング実装対応の発光素子および配線基板をほとんどそのまま適用して、ボンディングワイヤによらずに接続される。これにより、特に可撓性を有する配線基板を適用した場合であっても断線し難くでき、信頼性を向上させることができる。そして、発光装置は、ボンディングワイヤが弧状に設けられるのと異なり、配線が発光素子の側面等に薄膜（絶縁膜）のみを介して設けられているので、配線を含めても発光素子と同程度の大きさで済み、小型化、薄型化が容易である。
【００５７】
〔第２実施形態〕
本発明の第１実施形態に係る発光装置は、発光素子の保護膜と一体に側面を被覆する絶縁膜を形成した。しかしながら、本発明では、光学的効果を付与した絶縁膜を用いることにより、光の取出し率を向上させた発光装置とすることもできる。
以下、本発明の第２実施形態に係る発光装置について、図４を参照して説明する。
第１実施形態に係る発光装置と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。
【００５８】
本発明の第２実施形態に係る発光装置１０Ａは、光源として発光素子３Ａを搭載すること以外は第１実施形態に係る発光装置１０と同じ構成である。すなわち発光装置１０Ａは、図４に示すように、配線基板１上に発光素子３Ａが載置され、上面の一対のパッド電極５１，５２がそれぞれ配線基板１の負と正のリード電極１２１，１２２にダイス配線２１，２２で接続され、さらに、発光素子３Ａ及びその周辺が封止部材９（図４において図示省略、図１、図２（ｂ）参照、第３実施形態以降の断面図も同様）で封止されている。発光素子３Ａは、以下に説明するように、側面形状、ならびに表面（上面、側面）を被覆する保護膜６および絶縁膜７Ａの構成が異なっている以外は、第１実施形態における発光素子３と同様の構成である。すなわち、発光装置１０Ａの全体構成は、図１に示した構成と同様であり、発光素子３Ａの上面は、図２（ａ）に示す通りである。
【００５９】
（発光素子）
発光素子３Ａにおいて、半導体構造（素子基板３１、窒化物半導体３０）および電極構成（透光性電極４、パッド電極５１，５２）は、発光素子３と同様の構成であるので、説明を省略する。発光素子３Ａは、発光装置１０Ａにおいて、パッド開口部６ｈ（図２（ａ）参照）を除く上面および側面に絶縁性の無機物の膜が被覆されている点は第１実施形態と同様であるが、上面にのみを被覆する保護膜６を備え、側面を被覆する多層膜構造の絶縁膜７Ａを備えている点で第１実施形態とは異なっている。さらに、発光素子３Ａでは、図４に示すように、４側面（図では２側面を示す）が下方に広がるように傾斜して形成されている。このような側面形状とすることで、ダイス配線２１，２２の形成の際、導電性インクを鉛直下方向に吐出しても、発光素子３Ａの側面（絶縁膜７Ａ表面）に導電性インクを十分な厚さに付着させることができる。
【００６０】
（絶縁膜）
絶縁膜７Ａは、第１実施形態における絶縁膜７と同じく無機物であって、屈折率の異なる２種類の誘電体膜を交互に積層してなる。このような多層膜構造の絶縁膜７Ａの上にダイス配線２１，２２を形成することで、発光素子３Ａの側方へ出射してダイス配線２１，２２で反射した光は、絶縁膜７Ａ内を逆進して多層膜における界面で反射し、絶縁膜７Ａ内で多重反射して進路を変え、最終的に多くがダイス配線２１，２２を避けて発光装置１０Ａの外部へ照射される。
【００６１】
なお、発光装置１０Ａは、発光素子３Ａにおいて、ダイス配線２１，２２が設けられる２側面のみを絶縁膜７Ａで被覆し、残りの２側面は上面と同様に保護膜６（単層膜）で被覆してもよく、さらにはこの２側面が鉛直に形成されていてもよい。しかし、発光装置１０Ａにおいて、出射面（封止樹脂の表面）内における発光強度を均一に近付けるために、発光素子３Ａの４側面すべてを傾斜面とし、かつ絶縁膜７Ａを被覆することが好ましい。また、絶縁膜７Ａは、光学的効果をより高くするために発光素子３Ａの側面の多くを被覆することが好ましく、図４に示す例では下端まですなわち側面全体を被覆している。また、このように、発光素子３Ａの側面および上面のパッド開口部６ｈを除いた全体が、絶縁膜７Ａおよび保護膜６のような無機物の膜で被覆されていることにより、発光装置１０Ａにおいて、樹脂（封止部材９）が窒化物半導体３０および素子基板３１に接触しないようにできる。これにより、熱や光による樹脂（封止部材９）の劣化がいっそう抑えられて耐久性が向上する。なお、このような構成に限られず、第１実施形態に係る発光装置１０の絶縁膜７のように素子基板３１の下部が露出していてもよい。
【００６２】
多層膜である絶縁膜７Ａを構成する誘電体膜のそれぞれは、第１実施形態における絶縁膜７（保護膜６）と同様に、半導体素子の保護膜として公知の絶縁材料が適用される。発光素子３Ａの発光する光の波長域にもよるが、例えば低屈折率材料として、ＳｉＯ2，ＭｇＦ2が、高屈折率材料として、ＴｉＯ2，Ｔａ2Ｏ5，Ｎｂ2Ｏ5，ＺｒＯ2，Ｓｉ3Ｎ4が、それぞれ挙げられる。絶縁膜７Ａの層数は規定されないが、光は、高屈折率材料から低屈折率材料には進入し難く界面で反射し易いので、発光素子３Ａの側（下）から低屈折率材料／高屈折率材料の順に積層された組を１以上有するように構成する。また、絶縁膜７Ａは、低屈折率、高屈折率の少なくとも一方の層を、屈折率の近い２種以上の材料を積層することにより構成してもよいし、３段階以上で異なる屈折率の多層膜としてもよい。絶縁膜７Ａの誘電体膜のそれぞれ（単層）の厚さは、光を伝搬する媒質として好適に作用するために１０ｎｍ以上であることが好ましい。また、絶縁膜７Ａの全体の膜厚（総厚）は、第１実施形態と同様に、１００００ｎｍ程度以下であることが好ましい。
【００６３】
〔発光装置の製造方法〕
本発明の第２実施形態に係る発光装置の製造方法は、搭載される発光素子の側面の形成および絶縁膜の形成を除いて、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同様の手順で行うことができる。以下、第２実施形態に係る発光装置の製造方法について、搭載される発光素子の製造も含めて、図３を参照して説明する。
【００６４】
（発光素子の製造：窒化物半導体の形成、ｎ側コンタクト領域の形成）
発光素子３Ａの製造において、第１実施形態と同様に、素子基板３１上に窒化物半導体３０の各層を成長させ（Ｓ１１）、このウェハのｎ側コンタクト領域およびスクライブ領域をエッチングして、ｎ型半導体層３２を露出させる（Ｓ１２）。
【００６５】
（発光素子の製造：チップ側面の露出）
ウェハのスクライブ領域をさらに素子基板３１の所定の深さに達するようエッチングして窒化物半導体３０を完全に除去する（Ｓ１３）。  ここで、素子基板３１の所定の深さは、少なくとも最終的な発光素子３Ａ（チップ）において薄肉化された素子基板３１の厚さを越える深さに設定する。また、このとき、スクライブ領域をテーパ状にエッチングする。このように加工することにより、発光素子３Ａは、チップに個片化されたときに側面が傾斜面となる。さらに後続の絶縁膜７Ａの形成にて、前記側面の下端まで被覆することができる。
【００６６】
（発光素子の製造：電極の形成）
第１実施形態と同様に、ウェハの上面に、透光性電極４、ならびにｐ側パッド電極５２およびｎ側パッド電極５１を形成する（Ｓ１４，Ｓ１５）。
【００６７】
（発光素子の製造：保護膜および絶縁膜の形成）
ウェハの全面に絶縁膜７Ａを構成する多層膜を、最上層とする１層を除いてスパッタ法にて連続成膜する。成膜した多層膜を、スクライブ領域以外についてエッチングして完全に除去する。
次に、絶縁膜７Ａの最上層かつ保護膜６とする絶縁膜を成膜し、第１実施形態と同様に、この絶縁膜（保護膜６）において、パッド開口部６ｈとする領域を除去してウェハの完成となる（Ｓ２０，Ｓ１６）。
【００６８】
（発光素子の個片化）
完成したウェハの裏面から素子基板３１を研削（バックグラインド）して、ダイシング容易な厚さとなるまで薄く加工する（Ｓ３１）。この裏面研削したウェハを、スクライブ領域中心線に沿ってダイシング等で分割し（Ｓ３２）、裏面からさらに素子基板３１を研削して、スクライブ領域においてエッチングされていない素子基板３１を除去して、１個の発光素子３Ａ（チップ）とする。得られた発光素子３Ａは、側面が傾斜し、かつこの側面全体に絶縁膜７Ａが被覆されている（図３参照）。
【００６９】
（発光装置の組立）
第１実施形態と同様に、配線基板１に発光素子３Ａ（チップ）を載置し、ダイス配線２１，２２を形成し、封止部材９で発光素子３Ａを封止して、発光装置１０Ａとなる（Ｓ４０）。
【００７０】
前記製造方法では、絶縁膜７Ａの形成（Ｓ２０）を、保護膜６の形成（Ｓ１６）と連続して行ったが、これに限られず、パッド電極５の形成（Ｓ１５）前、あるいはさらに透光性電極４の形成（Ｓ１４）前に行ってもよい。例えば、発光素子３Ａの側面を形成する工程（Ｓ１３）において、窒化物半導体３０をエッチングした後、スクライブ領域以外を被覆するレジストマスクを残したままで多層膜を成膜して、レジスト除去によるリフトオフで、スクライブ領域（発光素子３Ａの側面）を被覆する絶縁膜７Ａを形成することができる。この場合は、ｎ型半導体層３２を露出させるエッチング（Ｓ１２）はｎ側コンタクト領域のみとし、スクライブ領域の窒化物半導体３０を除去する工程（Ｓ１３）にて、ｐ型半導体層３４からｎ型半導体層３２までを一度に除去すればよい。
【００７１】
第２実施形態に係る発光装置１０Ａにおいて、発光素子３Ａは、第１実施形態に係る発光装置１０の発光素子３のように側面が鉛直に形成されてもよく、このような側面に絶縁膜７Ａを被覆してもよい。また、発光装置１０Ａは、第１実施形態に係る発光装置１０と同様に、絶縁膜７Ａが発光素子３Ａの側面の下端まで完全に被覆しない構造としてもよく、この場合には、個片化（Ｓ３２）後に発光素子３Ａの裏面を研削しなくてもよい（図示せず）。あるいは、発光装置１０Ａは、第１実施形態において説明したように、発光素子３Ａの底面（裏面）にも絶縁膜７Ａのような多層膜を被覆してもよい（図示せず）。
【００７２】
以上のように、第２実施形態に係る発光装置は、第１実施形態と同様に、信頼性を向上させることができ、また小型化、薄型化が容易である。さらに発光装置は、ダイス配線と発光素子との間の絶縁膜を多層膜として、ダイス配線に入射した光を多重反射させることで、ダイス配線による出射光のムラを抑制することができる。
【００７３】
〔第３実施形態〕
本発明の第１、第２実施形態に係る発光装置は、発光素子の側面を被覆する絶縁膜を形成するために、発光素子（ウェハ）の製造段階で、側面となるスクライブ領域を深くエッチングする必要がある。しかし、ウェハ、あるいはさらにチップとして完成した一般的なワイヤボンディング実装対応の発光素子についても、同様の発光装置に組み立てることができる。以下、本発明の第３実施形態に係る発光装置について、図５を参照して説明する。第１、第２実施形態に係る発光装置と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。
【００７４】
図５に示すように、本発明の第３実施形態に係る発光装置１０Ｂは、配線基板１上に、発光素子３Ｂが一対のパッド電極５１，５２を上面にして載置され、パッド電極５１，５２と配線基板１の負と正のリード電極１２１，１２２とがダイス配線２１，２２で接続されている。発光素子３Ｂは、以下に説明するように、側面形状と、絶縁膜７Ｂで側面のみならず底面が被覆されている点を除いて、第２実施形態における発光素子３Ａと同様の構成である。発光装置１０Ｂの全体構成は、図１に示した構成と同様であり、発光素子３Ｂの上面は、図２（ａ）に示す通りである。
【００７５】
（発光素子）
発光素子３Ｂにおいて、半導体構造（素子基板３１、窒化物半導体３０）および電極（透光性電極４、パッド電極５１，５２）は、発光素子３，３Ａと同様の構成であるので、説明を省略する。発光装置１０Ｂにおいて、発光素子３Ｂは、第２実施形態と同様にパッド開口部６ｈ（図２（ａ）参照）を除く上面のみを被覆する保護膜６を備え、側面、さらには底面を被覆する多層膜構造の絶縁膜７Ｂを備える。
【００７６】
（絶縁膜）
絶縁膜７Ｂは、第２実施形態における絶縁膜７Ａと同じく、屈折率の異なる２種類の誘電体膜を交互に積層してなり、誘電体膜のそれぞれの材料や厚さについても、第２実施形態と同様である。ただし、低温プロセスＣＶＤにて成膜可能な誘電体膜であることが好ましい。多層膜構造の絶縁膜７Ｂを発光素子３Ｂの側面だけでなく、底面にも備えることで、当該発光素子３Ｂの発光層（活性層３３）から下方へ出射した光を多重反射させて、光の取出し効率をより向上させることもできる。このような絶縁膜７Ｂは、発光素子３Ｂをダイシング等により個片化した後に、側面および裏面（底面）に一体に成膜して形成される（詳細は製造方法にて説明する）。また、本実施形態に係る発光装置１０Ｂにおいて、第２実施形態と同様に、発光素子３Ｂの側面全体が無機物である絶縁膜７Ｂで被覆されて封止部材９が発光素子３Ｂに接触しないので、封止部材９の熱や光による劣化がいっそう抑えられて耐久性が向上する。
【００７７】
〔発光装置の製造方法〕
本発明の第３実施形態に係る発光装置の製造方法では、搭載される発光素子（チップ）の完成後に絶縁膜を形成する。以下、第３実施形態に係る発光装置の製造方法について、搭載される発光素子の製造も含めて、図６を参照して説明する。
【００７８】
発光装置１０Ｂは、図６に示すように、素子基板３１上に発光素子３Ｂを配列されて連結したウェハとして製造するウェハ製造工程Ｓ１０Ａ、ウェハを分割して発光素子３Ｂ（チップ）とする個片化工程Ｓ３０、発光素子３Ｂの裏面（底面）および側面を被覆する絶縁膜７Ｂを形成する絶縁膜形成工程Ｓ２０Ａ、発光素子３Ｂを配線基板１に実装する組立工程Ｓ４０を行って製造される。
以下、各工程について説明する。
【００７９】
（発光素子の製造：窒化物半導体の形成、ｎ側電極用コンタクト領域の形成）
発光素子３Ｂの製造において、第１、第２実施形態と同様に、素子基板３１上に窒化物半導体３０の各層を成長させ（Ｓ１１）、このウェハのｎ側電極用コンタクト領域およびスクライブ領域をエッチングして、ｎ型半導体層３２を露出させる（Ｓ１２）。なお、本実施形態においては、ウェハのスクライブ領域の窒化物半導体３０を完全に除去するエッチング（Ｓ１３、図３参照）をしなくてよい。
【００８０】
（発光素子の製造：電極の形成、保護膜の形成）
第１実施形態と同様に、ウェハの上面に、透光性電極４、ならびにｐ側パッド電極５２およびｎ側パッド電極５１を形成する（Ｓ１４，Ｓ１５）。さらに第１実施形態と同様に、保護膜６とする絶縁膜を成膜し、この絶縁膜においてパッド開口部６ｈ（図２（ａ）参照）とする領域を除去して保護膜６を形成して（Ｓ１６）ウェハの完成となる。
【００８１】
（発光素子の個片化）
完成したウェハの裏面から素子基板３１を研削（バックグラインド）して、ダイシング容易な厚さとなるまで薄く加工する（Ｓ３１）。この裏面研削したウェハを、スクライブ領域の中心線に沿ってダイシング等で分割して（Ｓ３２）、１個の発光素子３Ｂ（チップ）とする。得られた発光素子３Ｂは、上面（パッド電極５１，５２の形成面、以下、パッド電極形成面）のみが絶縁性の膜（保護膜６）で被覆され、ダイシングにより露出した側面（端面）には窒化物半導体３０および素子基板３１が露出している。
【００８２】
（絶縁膜の形成）
発光素子３Ｂ（チップ）を、パッド電極形成面を下に向けて、半導体素子製造用の耐熱性を有する粘着シート等の支持基板（図示省略）上に貼り付けて、一定の間隔を空けて配列する。底面（素子基板３１）を上に向けて支持基板上に固定された発光素子３Ｂ（チップ）に、ＥＣＲプラズマＣＶＤ等の低温プロセスＣＶＤにて、絶縁膜７Ｂを構成する多層膜を連続成膜する（Ｓ２０Ａ）。これにより、発光素子３Ｂは、底面および側面、すなわち露出していた窒化物半導体３０および素子基板３１が絶縁膜７Ｂで完全に被覆される。
【００８３】
なお、素子基板３１の研削（Ｓ３１）のための支持基板をウェハのパッド電極形成面に貼り合わせたままで、研削後に裏面からダイシング（Ｓ３２）してもよい。これにより、個片化された発光素子３Ｂ（チップ）は、底面（素子基板３１）を上に向けて、ダイシングの切り代分の間隔を空けて配列して支持基板上に固定されるため、チップを別の支持基板へ貼り換えることなしに絶縁膜７Ｂを成膜することができる。この、ウェハやチップの移動（研削、ダイシング、および絶縁膜の成膜の各作業用の粘着シートへの貼付けおよび剥離）を最小限に抑えることで、破損を防止し作業性が向上する。
【００８４】
（発光装置の組立）
第１、第２実施形態と同様に、配線基板１に発光素子３Ｂ（チップ）を載置し（Ｓ４１）、ダイス配線２１，２２を形成し（Ｓ４２）、封止部材９で発光素子３Ｂを封止して（Ｓ４３）、発光装置１０Ｂとなる。
【００８５】
第３実施形態に係る発光装置１０Ｂは、多層膜からなる絶縁膜７Ｂに代えて、第１実施形態に係る発光装置１０と同様に、単層の絶縁膜を設けてもよい。また、発光装置１０Ｂにおいては、発光素子３Ｂが底面を絶縁膜７Ｂで被覆されるので、素子基板３１は導電性のＧａＮ基板等でもよく、あるいは素子基板３１が完全に除去されてもよい。発光素子３Ｂは、素子基板３１を完全に除去するためには、研削に代えて、例えばＬＬＯ（レーザリフトオフ）で素子基板３１を窒化物半導体３０から剥離することができる。これは、第１、第２実施形態に係る発光装置１０，１０Ａにおいて、発光素子３，３Ａの底面に多層膜を設ける場合も同様である。なお、発光素子３，３Ａは、個片化前（ウェハ）にスクライブ領域の窒化物半導体３０が完全に除去されているので、素子基板３１の剥離により、それと同時に個片化される。
【００８６】
また、発光素子３，３Ａでは、底面に多層膜を形成する場合、多層膜を個片化（Ｓ３２）の前（素子基板３１の研削または除去の後）に形成してもよいし、個片化の後に形成してもよい。例えば、側面を鉛直に形成された発光素子３において、個片化の後に、底面に多層膜（絶縁膜７Ｂ）が形成された場合には、発光素子３の側面には保護膜６および絶縁膜７Ｂが積層される（図示せず）。このように、本発明に係る発光装置に搭載される発光素子は、側面から底面の少なくとも一部に連続した絶縁された領域が設けられていればよい。
【００８７】
以上のように、第３実施形態に係る発光装置は、第２実施形態と同様に、信頼性を向上させるだけでなく、ダイス配線による発光のムラを抑制し、さらに、光の取出し効率を向上させ、また、ワイヤボンディング実装対応の発光素子（チップ）を流用して容易に製造することができる。
【００８８】
前記第１〜第３実施形態に係る発光装置１０，１０Ａ，１０Ｂ（以下、適宜まとめて発光装置１０）は、一対のパッド電極５１，５２を備えた発光素子３（３Ａ，３Ｂ）を搭載するが、例えばｎ側、ｐ側の各パッド電極が２個以上設けられた大型の発光素子を搭載することもできる。このような発光装置は、それぞれのパッド電極の表面から個別にダイス配線を形成して、負と正のリード電極１２１，１２２上の異なる箇所で接続すればよい（図示せず）。
【００８９】
本発明に係る発光装置に搭載される発光素子３（３Ａ，３Ｂ）は、パッド電極５１，５２について、ワイヤボンディングのための、当該発光素子３上面における配置、形状（面積）、厚さ、およびワイヤとの密着性が求められることはなく、透光性電極４、ｎ型半導体層３２との接続、およびダイス配線２１，２２との接続が低抵抗でなされればよい。さらには、ｐ側パッド電極５２を省略して、透光性電極４に直接にダイス配線２２を接続してもよい。
【００９０】
前記第１〜第３実施形態に係る発光装置１０は、電極のすべてが上面（光の照射面）に設けられたフェイスアップ実装対応の発光素子３を搭載するが、本発明に係る発光装置は、電極が発光素子の上面と下面とに設けられた対向電極型の発光素子を搭載することもできる。また、本発明に係る発光装置は、発光ダイオード（ＬＥＤ）の他に、例えばレーザーダイオード（ＬＤ）を搭載することもできる（図示せず）。
【００９１】
前記実施形態に係る発光装置１０は、配線基板１上において、封止部材９が略半球型、すなわち凸レンズ状に形成されるが、これに限られない。発光装置は、例えば配線基板１上の発光素子３を囲む円に沿った枠（枠体）を設け、この枠体の内側に透光性樹脂材料を充填して硬化することで封止部材９を形成してもよい（図示せず）。このような形成方法による封止部材９であれば、枠体の形状に応じて任意の平面視形状とすることができ、また低粘度の樹脂材料を適用することができ、この場合には表面形状を平面にすることや、凹面（凹レンズ状）にすることもできる。さらに、枠体を反射率の高い材料で形成することで、発光素子から側方へ出射した光を反射させて、光取出し効率の高い発光装置とすることができる。枠体は、先に当該枠体の形状に成形されてから、配線基板１の上面に貼り付けることもできるが、封止部材９と同様に、配線基板１上に液状やペースト状で成形してそのまま凝固させて形成されることが好ましい。このような枠体の材料は、熱硬化性樹脂であるフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ＢＴレジン、シリコーン樹脂、熱可塑性樹脂であるＰＰＡ（ポリフタルアミド）等が挙げられ、反射率を高くするために、酸化チタン等の白色フィラーを添加して白色としたシリコーン樹脂が好適である。
【００９２】
前記実施形態に係る発光装置１０は、可撓性を有するフィルム状のＦＰＣを配線基板１に適用したが、これに限られず、ワイヤボンディングで実装可能なパッケージであれば適用することができる。例えば、平板形状の基材にリード電極のパターンが金属膜で形成されたＣＯＢ（Chip on Board）パッケージを適用してもよい。あるいは、筐体の底面にリード電極のパターンが金属膜で形成された表面実装型発光装置用のセラミックパッケージを適用してもよい。また、発光装置１０は、搭載される発光素子３に負と正のリード電極１２１，１２２の両方が対面する配線基板１を適用したが、これに限られず、一方のリード電極にのみ、あるいは基材に直接に発光素子を接合する構成とすることもできる。このような発光装置においては、ダイス配線が発光素子の側面（絶縁膜表面）から基材表面を経由してリード電極が設けられた領域まで延設されてもよいし、さらに、例えば導電性インクでダイス配線とリード電極を一体に形成することもできる（後記第４、第５実施形態参照）。
【００９３】
さらに本発明に係る発光装置は、例えばＣＯＢパッケージに、複数の発光素子をマトリクス状に配列して搭載した大型の面状発光装置としてもよい。このような発光装置において、隣り合う発光素子のパッド電極同士をダイス配線によって接続してもよい。本発明に係る発光装置は特に、発光素子のそれぞれの両側にボンディングワイヤの接合（接続）のためのスペースを要しないので、複数の発光素子を間隔を狭く配列して、面積当たりの光量の多い発光装置とすることができる。
【００９４】
〔第４実施形態〕
前記した通り、配線基板のリード電極は導電性インクで形成することもできるので、本発明に係る発光装置においては、導電性インクで、ダイス配線と同時にリード電極を形成することができる。
以下、本発明の第４実施形態に係る発光装置について、図７を参照して説明する。第１〜第３実施形態に係る発光装置と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。
【００９５】
図７に示すように、本発明の第４実施形態に係る発光装置１０Ｃは、平板状の基材１１Ａに、発光素子３が一対のパッド電極５１，５２を上面にして搭載され、ダイス配線２１Ａ，２２Ａが、それぞれパッド電極５１，５２から発光素子３の側面を伝って基材１１Ａ表面に到達して、平面視で発光素子３の外側（図７における左右）へ延設されている。ダイス配線２１Ａ（２２Ａ）は、基材１１Ａ表面においては、負のリード電極１２１（正のリード電極１２２）となる。すなわち、発光装置１０Ｃにおいて、ダイス配線２１Ａ（２２Ａ）と負のリード電極１２１（正のリード電極１２２）が一体に形成されている。発光装置１０Ｃは、例えば、ＣＯＢパッケージに複数の発光素子３を配列して搭載した面状発光装置であり、図７では発光素子３の１個分を拡大して示す。
【００９６】
（発光素子）
発光装置１０Ｃに搭載される発光素子３は、第１実施形態に係る発光装置１０（図２参照）に搭載されているものと、側面の一部（ｎ型半導体層３２）が傾斜面に形成されていること以外は同じ構造であり、同じ符号を付して表す。このような発光素子３は、第１実施形態にて説明したように、ウェハのスクライブ領域の２回目のエッチング（ｎ型半導体層３２の除去）にて、テーパ状にエッチングして製造される。なお、発光装置１０Ｃは、図２（ｂ）に示すように側面が鉛直に形成された発光素子３を搭載することもできるし、第２、第３実施形態に係る発光装置１０Ａ，１０Ｂに搭載された発光素子３Ａ，３Ｂを搭載することもできる（図示せず）。
【００９７】
（基材）
発光装置１０Ｃに適用される配線基板１Ａは、平板状の基材１１Ａとその表面に形成された負と正のリード電極１２１，１２２からなる。ただし、配線基板１Ａは、当該配線基板１Ａの母材である基材１１Ａに発光素子３を搭載した後に、負と正のリード電極１２１，１２２がダイス配線２１Ａ，２２Ａと共に形成されて完成する。基材１１Ａは、第１実施形態における配線基板１の基材１１と同様に可撓性を有するフィルム状でもよいが、ダイス配線２１Ａ（２２Ａ）と負のリード電極１２１（正のリード電極１２２）が連続して形成されるため、特に発光素子３と基材１１Ａとの境（発光素子３の下面の端部）で断線しないように、変形し難い、ある程度の強度を有する絶縁性材料で形成されることが好ましい。また、基材１１Ａは、発光素子３の発光した光や外光の透過し難い光透過率の低い材料で形成されたものが好ましい。具体的には、セラミックス（Ａｌ2Ｏ3，ＡｌＮ等）、あるいはフェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、ＢＴレジン（ｂismaleimide triazine resin）、ポリフタルアミド（ＰＰＡ）等の樹脂が挙げられる。
【００９８】
（リード電極、ダイス配線）
配線基板１Ａの負のリード電極１２１（正のリード電極１２２）は、ダイス配線２１Ａ（２２Ａ）と一体に形成される。すなわち、負のリード電極１２１（正のリード電極１２２）は、ダイス配線２１Ａ（２２Ａ）と共に、基材１１Ａ上面、ならびにその上に搭載された発光素子３の側面および上面のパッド電極５１，５２に連続して形成することができる導電性材料で形成される。このような材料として、第１実施形態に係る発光装置１０のダイス配線２１，２２と同様に、導電性インクが挙げられる。
【００９９】
（接合部材）
発光装置１０Ｃは、発光素子３が基材１１Ａに直接に接合され、ここでは底面全体を絶縁性の接合部材８Ａで接合される。あるいは第１実施形態に係る発光装置１０と同様に、導電性の接合部材８を２箇所に分離して、基材１１Ａに接合してもよい（図２（ｂ）参照）。接合部材８Ａは、発光素子３の底面（素子基板３１）と基材１１Ａとへの密着性および放熱性のよい材料を適用することが好ましい。
【０１００】
〔発光装置の製造方法〕
本発明の第４実施形態に係る発光装置の製造方法は、形成するダイス配線の形状を除いて、第１実施形態に係る発光装置の製造方法と同様の手順で行うことができる。以下、第４実施形態に係る発光装置の製造方法について、図３を参照して説明する。なお、搭載される発光素子は、第１実施形態に係る発光装置と同一であるので、その個片化までの製造方法（Ｓ１０〜Ｓ３０）は省略する。
【０１０１】
（発光装置の組立）
基材１１Ａに、発光素子３（チップ）を接合部材８Ａで固定する（Ｓ４１）。
次に、インクジェット法により、基材１１Ａ表面の負のリード電極１２１とする領域から発光素子３の側面を経由してパッド電極５１上にダイス配線２１Ａを形成し、パッド電極５２上から発光素子３の側面を経由して基材１１Ａ表面の正のリード電極１２２とする領域にダイス配線２２Ａを形成する（Ｓ４２）。この作業は、例えば、図７における左から右へインクジェットヘッドを移動させながら（発光素子３を搭載した基材１１Ａを左へ移動させながら）、導電性インクを吐出することでできる。そして、封止部材９（図示省略）で発光素子３を封止して（Ｓ４３）、発光装置１０Ｃとなる。
【０１０２】
第４実施形態に係る発光装置１０Ｃは、リード電極が形成されていない基板（基材１１のみで構成された基板）に発光素子３を接合して、ダイス配線と共にリード電極を形成したが、予めリード電極が形成された配線基板の基材表面（リード電極が形成されていない領域）に発光素子３を接合してもよい。すなわち、負と正のリード電極間の距離ｄが発光素子３の長さＬよりも大きい（ｄ＞Ｌ）配線基板を適用することもできる。この場合は、ダイス配線を、基材に接合した発光素子３の側面（絶縁膜７表面）から基材表面まで形成し、さらに基材上で延設させてリード電極上まで到達させる（後記第５実施形態参照）。
【０１０３】
以上のように、第４実施形態に係る発光装置は、配線が設けられていない基板（基材）を適用して、第１実施形態と同様に、ワイヤボンディング実装対応の発光素子（チップ）を流用して容易に製造することができる。
【０１０４】
〔第５実施形態〕
前記した通り、本発明に係る発光装置に搭載される発光素子は、第１実施形態にて前記したようなワイヤボンディング実装対応の発光素子と同様のパッド電極の構成に限定されず、例えばインクジェット方式によるダイス配線の形成により好適とするために、配置や形状を改変してもよい。また、本発明に係る発光装置は、負と正のリード電極の一方に発光素子を搭載する仕様の配線基板を適用することもできる。
以下、本発明の第５実施形態に係る発光装置について、図８を参照して説明する。第１〜第４実施形態に係る発光装置と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。
【０１０５】
図８に示すように、本発明の第５実施形態に係る発光装置１０Ｄは、配線基板（基板）１Ｂ上に、発光素子３Ｄが一対のパッド電極５１Ａ，５２Ａを上面にして載置され、パッド電極５１Ａ，５２Ａと配線基板１Ｂの負と正のリード電極１２１，１２２とがダイス配線２１，２２で接続され、封止部材９（図８において図示省略、図１、図２（ｂ）参照）で発光素子３Ｄが封止されている。発光装置１０Ｄは、例えば、セラミックパッケージに発光素子３Ｄを搭載した発光装置であり、図８では、配線基板１Ｂの上面を、セラミックパッケージの発光素子収容部である凹部（図示省略）の底面として拡大して示す。
【０１０６】
（配線基板）
発光装置１０Ｄに適用される配線基板１Ｂは、第１〜第３実施形態の配線基板１と同様に、基材１１Ｂとその上面に形成された負と正のリード電極１２１，１２２からなる。ただし、図８に示すように、配線基板１Ｂにおいて、発光素子３Ｄの載置領域全体には正のリード電極１２２が配置され、発光素子３Ｄの外側に正のリード電極１２２と離間して負のリード電極１２１が配置される。本実施形態においては、ｎ側のダイス配線２１が、発光素子３Ｄの側面から直接に負のリード電極１２１に接続されず、第４実施形態に係る発光装置１０Ｃ（図７参照）のダイス配線２１Ａと同様に、基材１１Ｂの表面に形成される。したがって、ダイス配線２１が、特に発光素子３Ｄと基材１１Ｂとの境で断線しないように、基材１１Ｂは、発光装置１０Ｃの基材１１Ａと同様に、変形し難い、ある程度の強度を有する絶縁性材料で形成されることが好ましい。
【０１０７】
（接合部材）
発光装置１０Ｄは、配線基板１Ｂが、発光素子３Ｄの底面全体に対面して正のリード電極１２２を設けているので、ｎ側のダイス配線２１と絶縁するために、発光素子３Ｄを絶縁性の接合部材８Ａで接合する。図８に示すように、接合部材８Ａは、発光素子３Ｄの底面全体から、さらに正のリード電極１２２の、負のリード電極１２１に対向する端面までを被覆するように設けられる。接合部材８Ａは、第４実施形態と同様に、密着性および放熱性のよい材料を適用することが好ましい。
【０１０８】
（発光素子）
発光素子３Ｄは、パッド電極５１Ａ，５２Ａの形状、保護膜６および絶縁膜７（７Ａ）の構成以外は第１実施形態に係る発光装置１０（図２参照）に搭載された発光素子３と同様の構成である。すなわち発光素子３Ｄは、半導体構造（素子基板３１、窒化物半導体３０）および透光性電極４は、発光素子３と同様の構成であるので、説明を省略する。また、発光素子３Ｄは、側面の形状は発光素子３と同じであるが、第２実施形態に係る発光装置１０Ａと同様に、発光素子３Ｄが上面を被覆する保護膜６を備え、側面を被覆する多層膜構造の絶縁膜７Ａを備える。
【０１０９】
発光素子３Ｄのｎ側パッド電極５１Ａおよびｐ側パッド電極５２Ａは、それぞれ当該発光素子３Ｄの上面（図示省略）において、両端へ張り出した形状に形成される。この張り出した部分が窒化物半導体３０に接触しないようにするために、パッド電極５１Ａ，５２Ａは、絶縁膜７Ａおよび保護膜６を形成した上に設けられ、パッド開口部６ｈ（図２（ａ）参照）を介してｎ型半導体層３２、ｐ型半導体層３４（透光性電極４）に接続する。すなわち、発光素子３Ｄは、透光性電極４を形成した（図３のＳ１４）後に、保護膜６および絶縁膜７Ａの成膜、パッド開口部６ｈの形成（図３のＳ１６，Ｓ２０）、パッド電極５１Ａ，５２Ａの形成（図３のＳ１５）、の順で製造され、各工程は第１、第２実施形態に係る発光装置１０，１０Ａの製造方法と同様である。
【０１１０】
発光装置１０Ｄは、パッド電極５１Ａ，５２Ａが前記形状に形成されていることから、発光素子３Ｄの上面の周縁近傍でダイス配線２１，２２がパッド電極５１Ａ，５２Ａに接続されている。ダイス配線２１，２２は、インクジェット方式による形成（第１実施形態の製造方法参照）時に、発光素子３Ｄの上面に導電性インクがほとんど吐出されないので、発光素子３Ｄに不要な導電性インクが付着することによる出射光が遮られることが抑制される。
【０１１１】
第５実施形態に係る発光装置１０Ｄは、絶縁膜７Ａに代えて、第１実施形態に係る発光装置１０と同様に、単層の絶縁膜７を保護膜６と一体に設けてもよく、あるいは第３実施形態に係る発光装置１０Ｂと同様に、絶縁膜７Ｂを発光素子３Ｄの底面と側面に設けてもよい。また、発光装置１０Ｄは、第１〜第３実施形態における発光素子３，３Ａ，３Ｂを、絶縁性の接合部材８Ａで配線基板１Ｂに接合、搭載してもよい。また、発光装置１０Ｄに搭載される発光素子３Ｄは、第２実施形態に係る発光装置１０Ａ（図４参照）に搭載される発光素子３Ａと同様に、側面が傾斜面であってもよく、また、発光素子３Ｄは、第１、第４実施形態に係る発光装置１０，１０Ｃ（図２、図７参照）のように、配線基板１や配線基板１Ａ（基材１１Ａ）に搭載されてもよい（図示せず）。
【０１１２】
以上のように、第５実施形態に係る発光装置は、リード電極の一方に発光素子を載置する配線基板を適用して、第１〜第３実施形態と同様に、信頼性を向上させることができ、また小型化、薄型化が容易である。さらに発光装置は、インクジェット方式にてダイス配線が形成されても、発光素子への不要な導電性インクの付着が少ないため、照射光が遮られない。
【０１１３】
〔第６実施形態〕
前記第５実施形態に係る発光装置は、発光素子がパッド電極を上面における周縁近傍に配置して備えたが、さらに側面へ延設させてダイス配線と一体に設けてもよい。
以下、本発明の第６実施形態に係る発光装置について、図９を参照して説明する。第１〜第５実施形態に係る発光装置と同一の要素については同じ符号を付して説明を省略する。
【０１１４】
本発明の第６実施形態に係る発光装置１０Ｅは、第１実施形態に係る発光装置１０と同じ配線基板１（図１参照）に、光源として発光素子３Ｅを搭載し、実装前に発光素子３Ｅに形成されたダイス配線（配線）２１Ｂ，２２Ｂ、および導電性の接合部材８Ｂ，８Ｂにより、負と正のリード電極１２１，１２２に接続する。
【０１１５】
図９に示すように、発光素子３Ｅは、側面形状、パッド電極５１Ｂ，５２Ｂの形状、および保護膜６（絶縁膜７）の構成以外は第１実施形態に係る発光装置１０（図２参照）に搭載された発光素子３と同様の構成である。詳しくは、発光素子３Ｅは、ｎ側パッド電極５１Ｂおよびｐ側パッド電極５２Ｂが、それぞれ当該発光素子３Ｅの上面（図示省略）から両端へ張り出して、さらに側面を被覆する絶縁膜７上に形成されたダイス配線２１Ｂ，２２Ｂと連続して一体に形成される。そして発光素子３Ｅは、側面において、ダイス配線２１Ｂ（ｎ側パッド電極５１Ｂ）、ダイス配線２２Ｂ（ｐ側パッド電極５２Ｂ）が設けられる領域にのみ絶縁膜７で被覆する。なお、図９（ａ）において、パッド電極５１Ｂ，５２Ｂ（ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂ）は、輪郭線を太破線で表す。
【０１１６】
ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂは、パッド電極５１Ｂ，５２Ｂと一体に形成され、したがって、第１〜第３実施形態に係る発光装置のダイス配線２１，２２と同様に、発光素子３Ｅのパッド電極５１Ｂ，５２Ｂに接続するといえる。このようなダイス配線２１Ｂ，２２Ｂは、パッド電極５１Ｂ，５２Ｂと同様にスパッタ法等で形成される金属電極材料からなる膜であるので、バインダとして樹脂を含有する導電性インクからなるダイス配線２１，２２よりも低抵抗であり、細く（幅狭に、薄く）形成することができる。本実施形態においては、図９（ａ）に示すように、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂは、発光素子３Ｅ上面のパッド電極５１Ｂ，５２Ｂの径と同じ幅で形成されているが、発光素子３Ｅの側面において幅を細くして、発光素子３Ｅが発光する光を多く遮らないようにすることができる（図示せず）。ただし、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂは、接合部材８Ｂと接続（接触）する十分な面積を確保できる形状とすることが好ましい。このような、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂと一体のパッド電極５１Ｂ，５２Ｂは、第５実施形態に係る発光装置１０Ｄ（図８参照）に搭載された発光素子３Ｄと同様に、保護膜６（絶縁膜７）の形成後に形成することができる。
【０１１７】
ここで、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂは、パッド電極５１Ｂ，５２Ｂと同時に形成され、すなわち複数の発光素子３Ｅが連結して配列されたウェハの状態で一括して形成される。したがって、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂが発光素子３Ｅの側面から外側へ（ｘ方向に）突出して形成されると、発光素子３Ｅは、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂの厚み分以上のスクライブ領域を確保することになり、有効領域（窒化物半導体３０の全層を備える領域）が小さくなって、出力が減少する。そのため、発光素子３Ｅは、図９（ａ）にハッチングを付して示すように、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂを設ける領域（近傍含む）に限定して、窒化物半導体３０（ｎ型半導体層３２）を、さらに素子基板３１の上部を除去して、側面に凹みを形成し、その端面（側面）に絶縁膜７を被覆する。
【０１１８】
本実施形態に係る発光装置１０Ｅにおいては、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂをインクジェット方式で形成しないので、不要な導電性インクが付着する虞がなく、発光素子３Ｅの２側面（図９における左右の側面）の全体を絶縁しなくてよい。ただし、導電性の接合部材８Ｂが、発光素子３Ｅの側面に露出した窒化物半導体３０に接触しないように、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂを設ける領域においては、素子基板３１を十分に厚く（深く）除去することが好ましい。また、このように窒化物半導体３０が除去される領域が狭く限定されているため、素子基板３１を深く除去しても、発光素子３Ｅの個片化（図３のＳ３０）のための裏面研削等で、ウェハが割れることを防止することができる。あるいは、発光素子３Ｅは、スクライブ領域においても窒化物半導体３０（ｎ型半導体層３２）および素子基板３１の上部を除去してもよく、このとき、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂを設ける領域のみを平面視で内側に広く除去し、それ以外のスクライブ領域は幅狭として、有効領域を確保する。また、図９（ｂ）においては、発光素子３Ｅは、窒化物半導体３０を除去した領域の側面（端面）が鉛直に形成されているが、上方へ広がった凹み（除去された部分）を形成して、テーパ状の傾斜面としてもよい（図示せず）。
【０１１９】
ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂは、個片化前のウェハ製造時に形成されるので、素子基板３１の下部、すなわち個片化で露出する端面までは到達していない。これは、発光素子３Ｅの個片化のために裏面から素子基板３１を研削する際に、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂが形成された高さ（深さ）位置まで研削されると、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂが剥離する虞があるからである。また、金属膜であるダイス配線２１Ｂ，２２Ｂは、素子基板３１および窒化物半導体３０と共に、分割（ダイシング、ブレーク）することが困難であるため、図９（ａ）に示すように、平面視において発光素子３Ｅの端（辺）に到達させず内側に形成することが生産性の観点から好ましい。したがって、発光装置１０Ｅは、このような発光素子３Ｅを配線基板１に実装するために、はんだ等の導電性の接合部材８Ｂが発光素子３Ｅの底面から側面へ立ち上がるフィレットを形成して、発光素子３Ｅの下面および側面（端面）から距離のあるダイス配線２１Ｂ，２２Ｂと接続する。言い換えると、発光装置１０Ｅは、ダイス配線２１Ｂ（２２Ｂ）と接合部材８Ｂが一体に、発光素子３Ｅの左側（右側）へ延設して負のリード電極１２１（正のリード電極１２２）に接続する配線を形成する。そして、発光装置１０Ｅは、発光素子３Ｅの配線基板１への実装（組立工程Ｓ４０、図３参照）において、接合（Ｓ４１）と接続（Ｓ４２）を１工程で組み立てられる。このような１工程での実装はフリップチップ実装と同様であるが、発光素子３Ｅは、パッド電極に相当するダイス配線２１Ｂ，２２Ｂが下面（実装面）ではなく対向する２側面に設けられて互いの間隔が空いているので、配線基板１との位置合わせにフリップチップ実装のような精度を要しない。
【０１２０】
第６実施形態に係る発光装置１０Ｅは、発光素子３Ｅの負と正のリード電極１２１，１２２への接続に、導電性の接合部材８Ｂを用いずに、または接合部材８Ｂのみによらずに、第１実施形態に係る発光装置１０等におけるダイス配線２１，２２のような導電性インクを用いた配線をさらに形成してもよい。また、発光素子３Ｅの製造において、ダイス配線２１Ｂ，２２Ｂをパッド電極５１Ｂ，５２Ｂと一体に形成せず、パッド電極５１，５２（５１Ｂ，５２Ｂ）および保護膜６（絶縁膜７）の形成後に、再度スパッタ法等でパッド電極５１，５２上に重ねて形成してもよい。また、発光装置１０Ｅは、発光素子３Ｅの側面に、絶縁膜７に代えて絶縁膜７Ａ（多層膜）を被覆してもよい。あるいは発光装置１０Ｅは、発光素子３Ｅの底面に絶縁膜（多層膜）を被覆してもよい（図示せず）。この場合、個片化した発光素子３Ｅ（チップ）に裏面から絶縁膜を成膜すると、側面のダイス配線２１Ｂ，２２Ｂも被覆されるため、個片化の前（ウェハ）に絶縁膜を成膜する。
【０１２１】
第６実施形態に係る発光装置１０Ｅに搭載される発光素子３Ｅは、第１実施形態に係る発光装置１０に搭載される発光素子３等と同様に、底面および底面から連続する側面の下部が絶縁されている。そのため、第５実施形態に係る発光装置１０Ｄ（図８参照）のように、絶縁性の接合部材８Ａで配線基板１Ｂ（正のリード電極１２２）に接合されて、ダイス配線２１，２２で接続されてもよい。また、発光素子３Ｅは、第４実施形態に係る発光装置１０Ｃ（図７参照）のように、配線基板１Ａ（基材１１Ａ）に搭載されてもよい。
【０１２２】
以上のように、第６実施形態に係る発光装置は、第１〜第５実施形態と同様に、信頼性を向上させることができ、また小型化、薄型化が容易である。さらに発光装置は、ダイス配線が、パッド電極と一体に形成されることで製造において工程を追加する必要がない。また、パッド電極と同様に金属膜であることで導電性に優れて幅狭に形成されていてもよい。ダイス配線を狭く形成することで、ダイス配線で遮られる発光素子の出射光を減少させることができる。さらに発光装置は、発光素子が実装前にダイス配線を形成されているので、組立の工程数が少ない。
【０１２３】
前記第１〜第５実施形態に係る発光装置は、ダイス配線が、導電性インクを印刷して形成され、また第６実施形態に係る発光装置は、ダイス配線が蒸着法、スパッタ法で形成されるが、発光素子３の側面に、それらの方法以外であっても、所望の形状に導電性材料を被覆することができれば適用することができる。具体的には、ダイス配線の材料として、導電性インクや蒸着膜の他に、めっき膜、あるいは接着剤で貼り付けられた金属箔が挙げられる。
【０１２４】
以上、本発明に係る発光装置について、本発明を実施するための形態について説明したが、本発明は前記実施形態に限定されるものではなく、これらの記載に基づいて種々変更、改変等したものも本発明の趣旨に含まれることはいうまでもない。
【符号の説明】
【０１２５】
１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ，１０Ｅ  発光装置
１，１Ａ，１Ｂ  配線基板（基板）
１１，１１Ａ，１１Ｂ  基材
１２１  負のリード電極
１２１ａ  第１延伸電極
１２１ｂ  第１連結部
１２２  正のリード電極
１２２ａ  第２延伸電極
１２２ｂ  第２連結部
２１，２１Ａ，２１Ｂ  ダイス配線（配線）
２２，２２Ａ，２２Ｂ  ダイス配線（配線）
３，３Ａ，３Ｂ，３Ｄ，３Ｅ  発光素子
３０窒化物半導体
３１素子基板
３２ｎ型半導体層
３３活性層
３４ｐ型半導体層
４  透光性電極
５１，５１Ａ，５１Ｂ  ｎ側パッド電極（電極）
５２，５２Ａ，５２Ｂ  ｐ側パッド電極（電極）
６  保護膜
７，７Ａ，７Ｂ  絶縁膜
８，８Ａ，８Ｂ  接合部材
９  封止部材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
2014195064.tif 000009
【図８】
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【図９】
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