(57)【要約】【課題】基板表面に存在する有機物を適切に除去すること。【解決手段】ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）基板のクリーニング方法は、実施形態の一例において、酸素ガスとアルゴンガスと窒素ガスとを含むプロセスガスを導入する工程を含む。また、ＩＴＯ基板のクリーニング方法は、実施形態の一例において、プロセスガスによるプラズマを生成する工程を含む。また、ＩＴＯ基板のクリーニング方法は、実施形態の一例において、プラズマによりＩＴＯ基板を処理する工程を含む。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）基板のクリーニング方法であって、
酸素ガスとアルゴンガスと窒素ガスとを含むプロセスガスを導入する工程と、
プロセスガスによるプラズマを生成する工程と、
プラズマによりＩＴＯ基板を処理する工程と
を含むことを特徴とするＩＴＯ基板のクリーニング方法。
【請求項２】
プロセスガスにおいて、酸素ガス及びアルゴンガスに対する窒素ガスの割合が５％以上３５％以下であることを特徴とする請求項１に記載のＩＴＯ基板のクリーニング方法。
【請求項３】
プロセスガスにおいて、酸素ガス及びアルゴンガスに対する窒素ガスの割合が２０％以上３５％以下であることを特徴とする請求項１又は２に記載のＩＴＯ基板のクリーニング方法。
【請求項４】
プラズマが誘導結合型プラズマにより生成されることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載のＩＴＯ基板のクリーニング方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の種々の側面及び実施形態は、クリーニング方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Electro  luminescence）を利用した有機ＥＬ素子が注目されている。有機ＥＬ素子は、自発光し、反応速度が速く、消費電力が低い。有機ＥＬ素子の最も基本的な構造は、ガラス基板上に陽極層（アノード）、ホール輸送層、発光層、電子輸送層および陰極層（カソード）を重ねて形成したサンドイッチ構造である。ガラス基板上に積層される陽極層は、一般的に、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide：酸化インジウムスズ）からなる透明電極となる。有機ＥＬ素子は、ホール輸送層、発光層、電子輸送層および陰極層をＩＴＯ上に順に蒸着により成膜することで製造される。
【０００３】
ここで、透明電極に対して各層を成膜する前に、透明電極の表面に存在する汚染物を除去する手法として、オゾンを用いる手法やＶＵＶ（Vacuum  Ultra  Violet）光を用いる手法などがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００８−１５９３８１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、透明電極の表面に存在する汚染物を適切に除去できないという問題がある。例えば、オゾンを用いる手法やＶＵＶ光を用いる手法では、汚染物を適切に除去できない。例えば、ＶＵＶ光を用いる手法では、透明電極に他の半導体素子が設けられている場合、半導体素子に損傷を与えることがある。ここで、透明電極の表面に汚染物が存在する場合、透明電極の表面にホール輸送層を形成する際、汚染物によりＩＴＯとホール輸送層との密着性が悪くなり、エネルギー界面制御性が悪くなることで、エネルギー障壁が高くなる。この結果、仕事関数が小さくなり、ホール注入性能が低下して有機ＥＬ素子の発光強度（輝度）が低下する。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
開示するクリーニング方法は、ＩＴＯ（Indium  Tin  Oxide）基板のクリーニング方法である。開示するクリーニング方法は、酸素ガスとアルゴンガスと窒素ガスとを含むプロセスガスを導入する工程を含む。開示するクリーニング方法は、プロセスガスによるプラズマを生成する工程を含む。開示するクリーニング方法は、プラズマによりＩＴＯ基板を処理する工程を含む。
【発明の効果】
【０００７】
開示するクリーニング方法の１つの実施態様によれば、ＩＴＯ基板表面に存在する有機物を適切に除去可能となるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】図１は、第１の実施形態における基板処理装置の一例を示す平面図である。
【図２】図２は、第１の実施形態における前処理室ＣＭの縦断面図の一例を示す図である。
【図３】図３は、第１の実施形態におけるＩＣＰ発生源の構成の一例を示す図である。
【図４−１】図４−１は、第１の実施形態におけるＩＣＰ発生源のアンテナ配置部と高周波電源とを接続する構成の一例を説明する図である。
【図４−２】図４−２は、第１の実施形態におけるＩＣＰ発生源のアンテナ配置部と高周波電源とを接続する構成の一例を説明する図である。
【図５】図５は、第１の実施形態におけるＩＣＰ発生源のアンテナ配置部と高周波電源とを接続する構成の一例を説明する図である。
【図６】図６は、第１の実施形態における前処理室ＣＭにおける動作の一例を示す図である。
【図７】図７は、実施例１〜実施例３、比較例１及比較例２の結果を示す図である。
【図８】図８は、比較例１及び実施例２と、実施例３の結果とを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下に、開示するクリーニング方法の実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、本実施形態により開示する発明が限定されるものではない。各実施形態は、処理内容を矛盾させない範囲で適宜組み合わせることが可能である。
【００１０】
（第１の実施形態）
第１の実施形態に係るＩＴＯ基板のクリーニング方法は、酸素ガスとアルゴンガスと窒素ガスとを含むプロセスガスを導入する工程と、プロセスガスによるプラズマを生成する工程と、プラズマによりＩＴＯ基板を処理する工程とを含む。
【００１１】
また、第１の実施形態に係るＩＴＯ基板のクリーニング方法は、例えば、プロセスガスにおいて、酸素ガス及びアルゴンガスに対する窒素ガスの割合が５％以上３５％以下である。また、第１の実施形態に係るＩＴＯ基板のクリーニング方法は、より好ましくは、プロセスガスにおいて、酸素ガス及びアルゴンガスに対する窒素ガスの割合が２０％以上３５％以下である。
【００１２】
また、第１の実施形態に係るＩＴＯ基板のクリーニング方法は、プラズマが誘導結合型プラズマにより生成される。
【００１３】
図１は、第１の実施形態における基板処理装置の一例を示す平面図である。第１の実施形態では、基板処理装置１０は、複数の処理容器を有するクラスタ型の製造装置であり、ロードロック室ＬＬＭ、搬送室ＴＭ（Ｔｒａｎｓｆｅｒ  Ｍｏｄｕｌｅ）、前処理室ＣＭおよび４つの処理容器ＰＭ（Ｐｒｏｃｅｓｓ  Ｍｏｄｕｌｅ）１〜ＰＭ４を有する。
【００１４】
ロードロック室ＬＬＭは、大気系から搬送されたＩＴＯ基板を、減圧状態にある搬送室ＴＭに搬送するための真空搬送室である。ロードロック室ＬＬＭは、内部を減圧状態に保持する。なお、ロードロック室ＬＬＭに大気系から搬入される基板には、予めガラス基板上に陽極層としてＩＴＯが形成されている。
【００１５】
搬送室ＴＭは、その内部に配設された屈伸および旋回可能な多関節状の搬送アームＡｒｍを用いて、ロードロック室ＬＬＭから搬送されたＩＴＯ基板を前処理室ＣＭに搬送し、つぎに、処理容器ＰＭ１に搬送し、その後、他の処理容器ＰＭ２〜ＰＭ４に搬送する。前処理室ＣＭでは、基板に形成された陽極層としてのＩＴＯの表面に付着した汚染物を除去する。なお、主な汚染物は有機物である。
【００１６】
４つの処理容器ＰＭ１〜ＰＭ４は、ＩＴＯ基板に所望の処理を行う。具体的には、処理容器ＰＭ１は、ＩＴＯ表面に有機膜を６層連続成膜する。処理容器ＰＭ２〜ＰＭ４は、それぞれ、エッチング処理、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ：化学蒸着薄膜成膜法）処理、スパッタリング処理を行う。４つの処理容器ＰＭ１〜ＰＭ４は、例えば、公知の装置構成をそのまま用いて良い。
【００１７】
（前処理室ＣＭ）
図２は、第１の実施形態における前処理室ＣＭの縦断面図の一例を示す図である。図２に示すように、前処理室ＣＭは、処理容器１００を有する。
【００１８】
（処理容器）
処理容器１００は、例えば、直方体の形状である。ただし、これに限定されるものではなく、任意の形状であって良い。また、処理容器１００は、内部に、摺動機構１１０、プラズマ処理装置１２０を有する。処理容器１００の側壁には、開閉によりＩＴＯ基板を搬出入可能なゲートバルブ１５０が設けられている。
【００１９】
摺動機構１１０は、ステージ１１０ａ、支持体１１０ｂおよびスライド機構を有する。ステージ１１０ａは、支持体１１０ｂにより支持され、ゲートバルブ１５０から搬入されたＩＴＯ基板を、図示しない高電圧電源から印加された高電圧により静電吸着する。スライド機構１１０ｃは、処理容器１００の天井部に装着されるとともに接地されていて、ＩＴＯ基板をステージ１１０ａおよび支持体１１０ｂとともに処理容器１００の長手方向に平行な方向にスライドさせ、これにより、ＩＴＯ基板をプラズマ処理装置１２０に移動可能となっている。
【００２０】
（プラズマ処理装置）
プラズマ処理装置１２０は、部材１２１とＩＣＰ（Inductively  Coupled  Plasma、誘導結合プラズマ）発生源１３０とを有する。ＩＣＰ発生源１３０は、部材１２１に設けられる。図２に示す例では、部材１２１が、下部に設けられた絶縁材１２０ｂにより処理容器１００に対して電気的に分離されている場合を例に示したが、これに限定されるものではない。例えば、部材１２１が絶縁材で形成されていても良い。この場合、絶縁材１２０ｂを省略しても良い。ＩＣＰ発生源１３０には、整合回路１２０ｃを介して高周波電源１２０ｄが接続される。高周波電源１２０ｄは、コンデンサ１２０ｅを介して接地される。
【００２１】
また、図２に示す例では、処理容器１００とは別に設けられた部材１２１にＩＣＰ発生源１３０が設けられる場合を例に示したが、これに限定されるものではない。例えば、処理容器１００にＩＣＰ発生源１３０が設けられても良い。
【００２２】
また、部材１２１には、ガスライン１２０ｆを介してガス供給源１２０ｇが接続され、ガス供給源１２０ｇから供給されるクリーニングガスを複数のガス噴射孔Ａから処理容器１００内に噴射する。このようにして、部材１２１は、ガスシャワーヘッドとしても機能するようになっている。すなわち、部材１２１のうちＩＣＰ発生源１３０が設けられた箇所と他の箇所との隙間から、クリーニングガスがＩＴＯ基板に供給される。
【００２３】
また、処理容器１００の内部は、図示しない排気機構により所望の真空度にまで減圧される。その上で、ガス供給源１２０ｇから供給されたクリーニングガスをＩＣＰ発生源１３０によりプラズマ化し、プラズマの作用によりＩＴＯ基板上のＩＴＯ表面の汚染物を除去する。
【００２４】
図３は、第１の実施形態におけるＩＣＰ発生源の構成の一例を示す図である。ＩＣＰ発生源１３０は、アンテナ配置部１２１ａと、アンテナ配置部１２１ａ内に配置された高周波アンテナ１２１ｂと、アンテナ配置部１２１ａ内において高周波アンテナ１２１ｂ以外の空間を埋める塊状の誘電体製充填材１２１ｃと、アンテナ配置部１２１ａの部材１２１の内面側に設けられた誘電体製の仕切材（仕切板）１２１ｄと、アンテナ配置部１２１ａを部材１２１の外面側から覆う蓋１２１ｅとを有する。
【００２５】
アンテナ配置部１２１ａについて更に説明する。部材１２１の一部には貫通孔が設けられ、貫通孔を埋めるように板状の支持部材１３１が設けられる。ここで、支持部材１３１に上側から空間がくりぬかれている。くりぬかれた空間がアンテナ配置部１２１ａとなる。アンテナ配置部１２１ａ内には、高周波アンテナ１２１ｂと誘電体製充填材１２１ｃとが設けられる。蓋１２１ｅは、支持部材１３１の上面に固定されている。
【００２６】
ここで、高周波アンテナ１２１ｂは、例えば、金属製のパイプをＵ字形に曲げたものである。金属製パイプは、任意の長さで良く、例えば、「３５ｃｍ：である。商用の高周波電源でよく用いられている周波数は「１３．５６Ｍｈｚ」であり、周波数「１３．５６Ｍｈｚ」の高周波の伝搬波長は、自由空間では２２ｍであるが、プラズマとの結合を考慮した伝搬モデルでは、「１３ｍ」となると考えられる。この結果、金属製パイプの長さは、周波数１「３．５６ＭＨｚ」の高周波の伝搬波長の「１／４」よりも短くなる。高周波アンテナ１２１ｂは、両端が、フィードスルー１３２を介して蓋１２１ｅに取り付けられている。高周波アンテナ１２１ｂのパイプは、水などの冷媒を通過させることにより高周波アンテナ１２１ｂを冷却する。
【００２７】
仕切材１２１ｄは、アンテナ配置部１２１ａ内がプラズマに晒されることを防ぐ。ここで、仕切材１２１ｄは、プラズマに晒されることを踏まえ、例えば、石英等、耐プラズマ性の高いものを用いることが望ましい。誘電体製充填材１２１ｃは、仕切材１２１ｄが存在することでプラズマに晒されないことを踏まえ、耐プラズマ性よりもむしろ加工性に優れたものを用いることが望ましく、例えば、ポリテトラフルオロエチレン（ＰＴＦＥ）、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）などが好ましい。ただし、誘電体製充填材１２１ｃの材料は、これに限定されるものではなく、アルミナやシリカなどのセラミックスで形成しても良い。
【００２８】
部材１２１と支持部材１３１との間、支持部材１３１と蓋１２１ｅとの間、及び、蓋１２１ｅとフィードスルー１３２との間には、真空シールが設けられる。ここで、仕切材１２１ｄと支持部材１３１の間には真空シールがない。
【００２９】
図４−１及び図４−２、及び、図５は、第１の実施形態におけるＩＣＰ発生源のアンテナ配置部と高周波電源とを接続する構成の一例を説明する図である。図５に示す例では、１２個のＩＣＰ発生源１３０がある場合を例に説明する。具体的には、ＩＣＰ発生源１３０−１〜ＩＣＰ発生源１３０−１２がある場合を用いて説明する。また、図５に示す例では、ＩＣＰ発生源１３０−１〜ＩＣＰ発生源１３０−４、ＩＣＰ発生源１３０−５〜ＩＣＰ発生源１３０−８、ＩＣＰ発生源１３０−１〜ＩＣＰ発生源１３０−１２が、それぞれ一つなぎに接続される場合を例に説明する。なお、図５において、各ＩＣＰ発生源１３０を示す四角の中にある内部に丸を有する四角は、アンテナ配置部１２１ａの端部を示す。すなわち、金属製のパイプをＵ字形に曲げたものとなる高周波アンテナ１２１ｂの２つの端部を示す。
【００３０】
ここで、ＩＣＰ発生源のアンテナ配置部１２１ａは、図４−１に示すように、外側から給電されたり、図４−２に示すように、内側から給電されたりする。例えば、ＩＣＰ発生源１３０−１〜ＩＣＰ発生源１３０−４が、図４−１に示すように、外側から給電される場合を用いて説明する。この場合、ＩＣＰ発生源１３０−１の高周波アンテナ１２１ｂの２つの端部のうち端にある方の端部と、ＩＣＰ発生源１３０−４の高周波アンテナ１２１ｂの２つの端部のうち端にある方の端部とが、整合回路１２０ｃを介して高周波電源１２０ｄが接続される。その上で、図４−１に示すように、ＩＣＰ発生源１３０−１〜ＩＣＰ発生源１３０−４では、それぞれ、隣接するＩＣＰ発生源１３０のアンテナ配置部１２１ａと接続され、ＩＣＰ発生源１３０−２の高周波アンテナ１２１ｂの２つの端部のうち中央側にある方の端部と、ＩＣＰ発生源１３０−４の高周波アンテナ１２１ｂの２つの端部のうち中央側にある方の端部とが、接地されることになる。
【００３１】
また、図４−２に示すように、内側から給電する場合には、図４−１に示される場合と比較して、整合回路１２０ｃを介して高周波電源１２０ｄが接続されるアンテナ配置部１２１ａ及び接地されるアンテナ配置部１２１ａが逆となる。
【００３２】
図６は、第１の実施形態における前処理室ＣＭにおける動作の一例を示す図である。図６に示すように、前処理室ＣＭでは、ＩＴＯ基板がゲートバルブ１５０から搬入されると（ステップＳ１０１肯定）、ゲートバルブ１５０を閉鎖し（ステップＳ１０２）、ヒーター加熱によりＩＴＯ基板を２００℃程度でベーキングしながら、真空ポンプを用いて処理容器１００内の空気や水蒸気等を排出する（ステップＳ１０３）。
【００３３】
そして、酸素ガスとアルゴンガスと窒素ガスとを含むプロセスガスを導入しながら、ＩＴＯ基板を１００〜１５０℃まで降温する（ステップＳ１０４）。例えば、プロセスガスにおいて、酸素ガス及びアルゴンガスに対する窒素ガスの割合が、５％以上３５％以下とする。より好ましくは、プロセスガスにおいて、酸素ガス及びアルゴンガスに対する窒素ガスの割合が２０％以上３５％以下とする。
【００３４】
また、プロセスガスによるプラズマを生成し、プラズマによりＩＴＯ基板を処理する（ステップＳ１０５）。すなわち、例えば、ガスライン１２０ｆを介してガス供給源１２０ｇからプロセスガスを供給する際、高周波アンテナ１２１ｂのパイプに冷媒を流しつつ、高周波アンテナ１２１ｂに高周波電力を投入する。高周波電力の投入により高周波アンテナ１２１ｂの周囲に誘導電磁界が生成される。誘導電磁界は誘電体製の仕切材１２１ｄを通過して処理容器１００の内部空間に導入され、プラズマ生成用ガスを電離する。言い換えると、プロセスガスからプラズマが生成され、生成されたプラズマによりＩＴＯ基板が処理される。その後、クリーニングが行われたＩＴＯ基板は、例えば、処理容器ＰＭ１に搬入され、成膜処理が行われる。
【００３５】
ここで、プロセスガスに含まれるアルゴンによってプラズマが供給される。また、酸素は、ＩＴＯ基板をクリーニングするクリーニングガスとして機能する。例えば、酸素ラジカルの作用により汚染物を化学反応させ、汚染物を、ＩＴＯ基板の表面から乖離し、処理容器内から外部に排気することにより、ＩＴＯ基板の表面から汚染物を除去し、これにより、ＩＴＯ基板の表面をなめらかな状態にまでクリーニングする。より詳細には、汚染物と酸素ラジカルとが化学反応し、ＣＯやＣＯ２となる。このようにして生成されたＣＯやＣＯ２は、ＩＴＯ基板の表面から乖離し、処理容器内から外部に排気される。これにより、ＩＴＯ基板のＩＴＯ表面から汚染物を除去し、ＩＴＯ表面をなめらかな状態にすることができる。
【００３６】
更には、窒素が、ＩＴＯ基板の表面を改質する。言い換えると、クリーニングと改質とが併せて実行されることで、ＩＴＯ基板に存在する有機物を適切に除去可能となる。また、ＩＣＰ発生源１３０を用いることで、窒素についても適切に解離させることが可能となり、窒素を含むプロセスガスを用いてのクリーニングを実現可能となる。
【００３７】
汚染物が付着したままＩＴＯ上にホール輸送層（第１層の有機膜）を形成すると、ＩＴＯ上に付着した汚染物によりＩＴＯとホール輸送層との密着性が悪くなり、エネルギー界面制御性が悪くなることにより、エネルギー障壁が高くなる。この結果、仕事関数が小さくなり、ホール注入性能が低下して有機ＥＬ素子の発光強度（輝度）が低下してしまう。これに対して、第１の実施形態によれば、ＩＴＯ表面から汚染物を除去し、ＩＴＯ表面をなめらかな状態にすることができ、なめらかなＩＴＯ表面にホール輸送層を形成することが可能となる。
【００３８】
また、ＩＴＯ表面とホール輸送層との密着性を物理的に高めることができる。これにより、エネルギー界面制御性を良くし、ＩＴＯとホール輸送層との間を移動するホールのエネルギー障壁を低くすることができる。これにより、仕事関数が大きくなり、ホール注入性能を向上させることによって、有機ＥＬ素子の発光強度を高く維持することができる。このようにして、発光強度が高く、消費電力が低い有機ＥＬ素子を製造することができる。
【００３９】
また、プラズマ中に含まれる窒素イオンによりＩＴＯの表層を改質しつつクリーニングすることで、窒素を含まないプロセスガスを用いてクリーニングする手法と比較して、ＩＴＯ表面を更に良好な状態とすることが可能となる。この結果、仕事関数がさらに大きくなり、ホール注入性能をより改善することにより、消費電力を抑えながら、高い発光強度を長期的に維持可能な有機ＥＬ素子を製造することができる。
【実施例】
【００４０】
以下、開示のクリーニング方法について、実施例をあげて更に詳細に説明する。ただし、開示のクリーニング方法は、下記の実施例に限定されるものではない。
【００４１】
（実施例１）
実施例１では、以下のクリーニング条件を用いて、酸素ガスとアルゴンガスと窒素ガスとを含むプロセスガスを処理容器内に導入し、ＩＣＰ発生源によりプロセスガスによるプラズマを発生させることで、ＩＴＯ基板のクリーニングを行った。ＩＴＯ基板の大きさは、７３０ｍｍ×９２０ｍｍであった。
その後、下記の仕事関数の測定条件を用いて仕事関数を測定した。続いて、有機膜のホール注入層及びホール輸送層、カソード電極としてアルミを蒸着形成した後、下記の電流密度の測定条件を用いて電圧を印加した場合における電流密度を測定した。
（クリーニング条件）
Ａｒ：１００ｓｃｃｍ
Ｏ２：４００ｓｃｃｍ
Ｎ２：２５ｓｃｃｍ（酸素ガス及びアルゴンガスの合計を１００％とした場合における５％）
処理容器内の圧力：１０Ｐａ
ＩＣＰ発生源に供給する電力：１ｋＷ
ＩＴＯ基板の温度：１３５℃
処理時間：６０秒
（仕事関数の測定条件）
仕事関数の測定は、ケルビンプローブ法により測定装置はテックサイエンス社ＵＨＶＫＰ０２０を用い、測定条件（ａ）〜（ｃ）は、
（ａ）真空度：≦１．０Ｅ−０３Ｐａ
（ｂ）Ｖｐｔｐ（ｍＶ）：２０００〜２２００ｍＶ
ここでＶｐｔｐは以下の式で表される
Ｖｐｔｐ＝（Ｖｃ＋Ｖｂ）  Ｒｆ  Ｇ  Ｃ０  ｗ  ｅ  ｓｉｎ（ｗｔ＋ｊ）
Ｖｃ：プローブと試料との間の電位差、Ｖｂ：外部電圧、Ｒｆ：Ｉ／Ｖコンバーターのフィードバック抵抗、Ｇ：プリアンプのゲイン、Ｃ０：ケルビンプローブの容量、ｗ：ケルビンプローブの振動の角周波数、ｊ：位相角
（ｃ）ＧＤ（Ｇｒａｄｉｅｎｔ）：３００  
ここでＧＤはＶｐｔｐを縦軸、Ｖｂを横軸にとった時の直線の傾きである。
の条件で行なった。
（電流密度の測定条件）
電流−電圧特性は、測定器：ケースレー社２４００型ソースメーターを用い、測定条件（ｄ）〜（ｆ）は、
（ｄ）０〜Ｘ  Ｖ：０からＸボルトまで電圧を印可する
（ｅ）０．１Ｖ  ｓｔｅｐ：０．１ボルトステップで電圧を印可する
（ｆ）ｗａｉｔ０．５ｓｅｃ：電圧を印可するまで０．５秒待つ
の条件で行った。
【００４２】
（実施例２）
実施例２では、Ｎ２の流量として、以下の値を用いた。他のクリーニング条件及び測定条件は、実施例１と同一であった。
Ｎ２：１００ｓｃｃｍ（酸素ガス及びアルゴンガスの合計を１００％とした場合における２０％）
【００４３】
（実施例３）
実施例３では、Ｎ２の流量として、以下の値を用いた。他のクリーニング条件及び測定条件は、実施例１と同一であった。
Ｎ２：１６５ｓｃｃｍ（酸素ガス及びアルゴンガスの合計を１００％とした場合における３５％）
【００４４】
（比較例１）
比較例１では、以下のクリーニング条件を用いて、酸素ガスとアルゴンガスを含み窒素を含まないプロセスガスを処理容器内に導入し、ＣＰ発生源によりプロセスガスによるプラズマを発生させることで、ＩＴＯ基板のクリーニングを行った。ＩＴＯ基板の大きさは、７３０ｍｍ×９２０ｍｍであった。その後、仕事関数を測定し、電圧を印加した場合における電流密度を測定した。なお、比較例１と実施例１との差は、プロセスガスが異なる点にあり、他のクリーニング条件、仕事関数の測定条件及び電流密度の測定条件は、実施例１と同一であった。
（クリーニング条件）
Ａｒ：１００ｓｃｃｍ
Ｏ２：４００ｓｃｃｍ
処理容器内の圧力：１０Ｐａ
ＩＣＰ発生源に供給する電力：１ｋＷ
ＩＴＯ基板の温度：１３５℃
処理時間：６０秒
【００４５】
（比較例２）
比較例２では、クリーニングを行うことなく、仕事関数を測定し、電圧を印加した場合における電流密度を測定した。仕事関数の測定条件及び電流密度の測定条件は、実施例１と同一であった。
【００４６】
図７は、実施例１〜実施例３、比較例１及び比較例２の結果を示す図である。図７の縦軸は、仕事関数を示し、値が大きければ大きい程良好なことを示す。単位はｅＶ（エレクトロンボルト）である。図７に示す例では、「ｉｎｉｔｉａｌ」が比較例２を示し、「ＰＣＭ（１０Ｐａ）」が比較例１を示し、「ＰＣＭ（Ｎ２  ５％  １０Ｐａ）」が実施例１を示し、「ＰＣＭ（Ｎ２  ２０％  １０Ｐａ）」が実施例２を示し、「ＰＣＭ（Ｎ２  ３５％  １０Ｐａ）」が実施例３を示す。
【００４７】
図７に示すように、酸素ガスとアルゴンガスと窒素ガスとを含むプロセスガスを用いることで、酸素ガスとアルゴンガスを含み窒素を含まないプロセスガスを用いる場合と比較して、仕事関数を向上させることが可能であった。具体的には、プロセスガスにおいて、酸素ガス及びアルゴンガスに対する窒素ガスの割合が５％以上３５％以下である場合に、酸素ガスとアルゴンガスを含み窒素を含まないプロセスガスを用いる場合と比較して仕事関数を向上可能であった。また、図７に示す例では、プロセスガスにおいて、酸素ガス及びアルゴンガスに対する窒素ガスの割合が２０％以上３５％以下である場合に、良好な値が得られた。
【００４８】
図８は、比較例１及び比較例２と、実施例３の結果とを示す図である。図８に示すように、ｉｎｉｔｉａｌと比較して、酸素ガスとアルゴンガスを含み窒素を含まないプロセスガスを用いることで電流密度が向上した。また、酸素ガスとアルゴンガスと窒素ガスとを含むプロセスガスを用いることで、ｉｎｉｔｉａｌだけでなく、酸素ガスとアルゴンガスを含み窒素を含まないプロセスガスを用いる場合と比較しても、電流密度が向上した。
【符号の説明】
【００４９】
１０        基板処理装置
１００      処理容器
１１０      摺動機構
１１０ａ    ステージ
１１０ｂ    支持体
１１０ｃ    スライド機構
１２０      プラズマ処理装置
１２０ｂ    絶縁材
１２０ｃ    整合回路
１２０ｄ    高周波電源
１２０ｅ    コンデンサ
１２０ｆ    ガスライン
１２０ｇ    ガス供給源
１２１      部材
１２１ａ    アンテナ配置部
１２１ｂ    高周波アンテナ
１２１ｃ    誘電体製充填材
１２１ｅ    蓋
１２１ｄ    仕切材
１３０      ＩＣＰ発生源
１３１      支持部材
１３２      フィードスルー
１５０      ゲートバルブ
【図１】
2014213229.tif 000003
【図２】
2014213229.tif 000004
【図３】
2014213229.tif 000005
【図４−１】
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【図４−２】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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