(57)【要約】【課題】絶縁電源を電力供給源としてかつスイッチング素子Ｓ￥＃（￥＝ｕ，ｖ，ｗ：＃＝ｐ，ｎ）を駆動するドライブＩＣ２６を備える電子回路において、回路規模を低減させることのできる電子回路を提供する。【解決手段】ドライブＩＣ２６内には、高電圧領域に設けられてかつ、絶縁電源を電力供給源としてスイッチング素子Ｓ￥＃を駆動する高電圧側制御部３８と、絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂに関する信号を高電圧領域から低電圧領域へと伝達する第３のフォトカプラ６２とが備えられている。ドライブＩＣ２６には、さらに、低電圧領域に設けられてかつ、第３のフォトカプラ６２によって伝達された信号に基づき、上記出力電圧Ｖｆｂをその目標値にフィードバック制御するための低電圧側制御部６４が備えられている。【選択図】      図２
2014073055.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子（２０）の操作によって第１の領域に備えられた電源（１６）の電力を該第１の領域と電気的に絶縁された第２の領域へと出力する絶縁電源（２０，２２，２４，ＴＷ）を電力供給源とする単一の集積回路（２６）を備え、
前記集積回路は、
該集積回路内における前記第２の領域に設けられてかつ、前記絶縁電源を電力供給源として所定の駆動対象（Ｓ￥＃：￥＝ｕ，ｖ，ｗ：＃＝ｐ，ｎ）を駆動する駆動手段（３８）と、
前記集積回路内における前記第１の領域及び前記第２の領域の間を電気的に絶縁しつつ該第２の領域から該第１の領域へと信号を伝達する絶縁伝達手段（６２）と、
を備え、
前記絶縁伝達手段は、前記絶縁電源の出力値に関する信号を伝達し、
前記絶縁伝達手段を介して伝達された前記絶縁電源の出力値に関する信号に基づき、該出力値をその目標値にフィードバック制御すべく前記スイッチング素子を操作する操作手段（６４）を備えることを特徴とする電子回路。
【請求項２】
前記集積回路は、該集積回路内における前記第２の領域に設けられてかつ、前記絶縁電源の出力値に関する信号以外の信号を生成して出力する規定信号出力手段（３８）を更に備え、
前記絶縁電源の出力値に関する信号と、前記規定信号出力手段の出力信号とは、共通の前記絶縁伝達手段によって前記第１の領域に伝達されることを特徴とする請求項１記載の電子回路。
【請求項３】
前記集積回路は、該集積回路内における前記第２の領域に設けられてかつ、前記所定の駆動対象に関する異常が生じた旨判断する異常判断手段（３８）を更に備え、
前記規定信号出力手段は、前記異常判断手段によって異常が生じた旨判断されたことを条件として、前記出力値に関する信号以外の信号としての前記異常が生じた旨の信号を生成して出力する異常時出力手段（３８）であることを特徴とする請求項２記載の電子回路。
【請求項４】
前記操作手段は、
前記集積回路内における前記第１の領域に設けられてかつ、前記絶縁伝達手段を介して伝達された前記絶縁電源の出力値に関する信号に基づき、前記フィードバック制御するための前記スイッチング素子の操作信号を生成する操作信号生成手段（７０，７２，７４，７６）と、
前記集積回路内における前記第１の領域に設けられてかつ、該操作信号生成手段によって生成された前記操作信号を前記スイッチング素子に対して出力する操作信号出力手段（ＴＬ３）と、
を備え、
前記集積回路内における前記第２の領域に設けられてかつ、前記絶縁電源の出力値を時比率信号に変換して前記絶縁伝達手段に対して出力する時比率信号出力手段（３８）を備え、
前記絶縁伝達手段は、前記出力値に関する信号としての前記時比率信号を前記操作信号生成手段に伝達し、
前記絶縁電源の出力下限値及び出力上限値にて規定される所定の電圧範囲と、前記時比率信号出力手段から出力される前記時比率信号の時比率下限値及び時比率上限値にて規定される所定の時比率範囲とは関係付けられ、
前記時比率信号出力手段から出力される前記時比率信号が取り得る時比率は、前記所定の時比率範囲のうち一部の範囲に設定され、
前記異常時出力手段は、前記異常が生じた旨の信号を時比率信号として出力し、
前記異常時出力手段から出力される前記時比率信号が取り得る時比率は、前記所定の時比率範囲のうち前記一部の範囲以外に設定されていることを特徴とする請求項３記載の電子回路。
【請求項５】
前記時比率下限値は、「０％」に設定され、
前記時比率上限値は、「１００％」に設定され、
前記異常時出力手段から出力される前記時比率信号が取り得る時比率は、前記時比率下限値及び前記時比率上限値のうち少なくとも１つに設定され、
前記時比率信号出力手段から出力される前記時比率信号の取り得る時比率は、前記所定の時比率範囲のうち前記時比率下限値及び前記時比率上限値以外の範囲に設定されていることを特徴とする請求項４記載の電子回路。
【請求項６】
前記操作手段は、
前記集積回路内における前記第１の領域に設けられてかつ、前記絶縁伝達手段を介して伝達された前記絶縁電源の出力値に関する信号に基づき、前記フィードバック制御するための前記スイッチング素子の操作信号を生成する操作信号生成手段（７２，７４，７６）と、
前記集積回路内における前記第１の領域に設けられてかつ、該操作信号生成手段によって生成された前記操作信号を前記スイッチング素子に対して出力する操作信号出力手段（ＴＬ３）と、
を備え、
前記集積回路内における前記第２の領域に設けられてかつ、前記絶縁電源の出力値をアナログ電圧信号に変換して前記絶縁伝達手段に対して出力する電圧信号出力手段（３８）を備え、
前記絶縁伝達手段は、前記出力値に関する信号としての前記アナログ電圧信号を前記操作信号生成手段に伝達し、
前記絶縁電源の出力下限値及び出力上限値にて規定される所定の電圧範囲と、前記電圧信号出力手段から出力される前記アナログ電圧信号の下限値及び上限値にて規定される所定の信号範囲とは関係付けられ、
前記電圧信号出力手段から出力される前記アナログ電圧信号が取り得る値は、前記所定の信号範囲のうち一部の範囲に設定され、
前記異常時出力手段は、前記異常が生じた旨の信号をアナログ電圧信号として出力し、
前記異常時出力手段から出力される前記アナログ電圧信号が取り得る値は、前記所定の信号範囲のうち前記一部の範囲以外に設定されていることを特徴とする請求項３記載の電子回路。
【請求項７】
前記下限値は、「０」に設定され、
前記上限値は、前記下限値よりも高い値に設定され、
前記異常時出力手段から出力される前記アナログ電圧信号が取り得る値は、前記下限値及び前記上限値のうち少なくとも１つに設定され、
前記電圧信号出力手段から出力される前記アナログ電圧信号の取り得る値は、前記所定の信号範囲のうち前記下限値及び前記上限値以外の範囲に設定されていることを特徴とする請求項６記載の電子回路。
【請求項８】
前記駆動手段は、前記異常判断手段によって異常が生じた旨判断されたことを条件として、前記所定の駆動対象の駆動を禁止する禁止手段を備え、
前記操作手段は、前記異常判断手段によって異常が生じた旨判断されたことを条件として、前記絶縁電源から前記集積回路への給電を停止させるように前記スイッチング素子を操作することを特徴とする請求項３〜７のいずれか１項に記載の電子回路。
【請求項９】
前記所定の駆動対象は、駆動対象スイッチング素子（Ｓ￥＃）であることを特徴とする請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子回路。
【請求項１０】
前記駆動対象スイッチング素子は、高電位側のスイッチング素子（Ｓ￥ｐ）及び低電位側のスイッチング素子（Ｓ￥ｎ）の直列接続体が互いに複数並列されたものであり、
前記直列接続体の並列接続体は、直流電源（１２）に並列接続され、
前記絶縁電源は、前記電源の電力をトランス（ＴＷ）を介して前記第２の領域へと出力し、
前記集積回路及び前記トランスは、前記高電位側のスイッチング素子のそれぞれに対応して備えられていることを特徴とする請求項９記載の電子回路。
【請求項１１】
前記絶縁伝達手段は、フォトカプラを備えることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項に記載の電子回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スイッチング素子の操作によって第１の領域に備えられた電源の電力を該第１の領域と電気的に絶縁された第２の領域へと出力する絶縁電源を電力供給源とする単一の集積回路を備える電子回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば下記特許文献１に見られるように、第１の領域に備えられる電源の電力を第１の領域と電気的に絶縁された第２の領域へとトランスを介して出力する絶縁電源が知られている。詳しくは、この絶縁電源は、トランスと、絶縁電源の出力値（出力電流）を目標値にフィードバック制御するための専用の制御回路とを備えている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２４４６１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、本発明者らは、所定の駆動対象を駆動する集積回路の電力供給源として、絶縁電源を採用することを考えている。ここで、絶縁電源の出力値の制御には、上述した専用の制御回路が必要となる。このため、上記集積回路及び絶縁電源を備える構成においては、上記集積回路に加えて上記専用の制御回路を備えることとなり、集積回路及び絶縁電源を備える構成に含まれる回路規模の増大が懸念される。
【０００５】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、絶縁電源を電力供給源としてかつ所定の駆動対象を駆動する集積回路を備える電子回路において、電子回路の規模を低減させることのできる新たな電子回路を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決すべく、請求項１記載の発明は、スイッチング素子（２０）の操作によって第１の領域に備えられた電源（１６）の電力を該第１の領域と電気的に絶縁された第２の領域へと出力する絶縁電源（２０，２２，２４，ＴＷ）を電力供給源とする単一の集積回路（２６）を備え、前記集積回路は、該集積回路内における前記第２の領域に設けられてかつ、前記絶縁電源を電力供給源として所定の駆動対象（Ｓ￥＃：￥＝ｕ，ｖ，ｗ：＃＝ｐ，ｎ）を駆動する駆動手段（３８）と、前記集積回路内における前記第１の領域及び前記第２の領域の間を電気的に絶縁しつつ該第２の領域から該第１の領域へと信号を伝達する絶縁伝達手段（６２）と、を備え、前記絶縁伝達手段は、前記絶縁電源の出力値に関する信号を伝達し、前記絶縁伝達手段を介して伝達された前記絶縁電源の出力値に関する信号に基づき、該出力値をその目標値にフィードバック制御すべく前記スイッチング素子を操作する操作手段（６４）を備えることを特徴とする。
【０００７】
上記発明では、第１の領域及び第２の領域を有する単一の集積回路に、駆動手段に加えて、絶縁電源の出力値をフィードバック制御するための操作手段が備えられている。このため、例えば、操作手段が集積回路外に備えられる電子回路と比較して、電子回路の規模を低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態にかかる制御システムの構成図。
【図２】同実施形態にかかる絶縁電源及びドライブユニットの構成図。
【図３】同実施形態にかかる絶縁電源の出力電圧及びフィードバック信号の関係を示す図。
【図４】同実施形態にかかる制御装置の異常判断手法の一例を示す図。
【図５】同実施形態にかかる制御装置の異常判断手法の一例を示す図。
【図６】同実施形態にかかるドライブＩＣ及びトランスの配置を示す平面図。
【図７】第２の実施形態にかかる絶縁電源及びドライブユニットの構成図。
【図８】同実施形態にかかる絶縁電源の出力電圧及びフィードバック信号の関係を示す図。
【図９】同実施形態にかかるフィードバック信号等の使用領域を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（第１の実施形態）
以下、本発明にかかる電子回路を回転機に接続される電力変換回路に適用した第１の実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００１０】
図１に示すように、回転機（モータジェネレータ１０）は、車載主機であり、図示しない駆動輪に連結されている。モータジェネレータ１０は、インバータＩＮＶを介して高電圧バッテリ１２に接続されている。高電圧バッテリ１２は、端子電圧が例えば百Ｖ以上（２８８Ｖ）となる２次電池である。
【００１１】
インバータＩＮＶは、スイッチング素子Ｓｕｐ，Ｓｕｎの直列接続体と、スイッチング素子Ｓｖｐ，Ｓｖｎの直列接続体と、スイッチング素子Ｓｗｐ，Ｓｗｎの直列接続体とを備えており、これら各直列接続体の接続点がモータジェネレータ１０のＵ，Ｖ，Ｗ相にそれぞれ接続されている。本実施形態では、これらスイッチング素子Ｓ￥＃（￥＝ｕ，ｖ，ｗ；＃＝ｐ，ｎ）として、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）を用いている。
【００１２】
スイッチング素子Ｓ￥＃には、フリーホイールダイオードＦＤ￥＃が逆並列に接続されている。また、スイッチング素子Ｓ￥＃付近には、スイッチング素子Ｓ￥＃の温度を検出する感温ダイオードＴＤ￥＃が設けられている。
【００１３】
制御装置１４は、高電圧バッテリ１２よりも端子電圧が十分低い低電圧バッテリ１６を電力供給源とし、モータジェネレータ１０を制御対象とする。制御装置１４は、モータジェネレータ１０の制御量（例えばトルク）を所望に制御すべく、インバータＩＮＶを操作する。詳しくは、インバータＩＮＶのスイッチング素子Ｓ￥＃を操作すべく、例えば周知の三角波ＰＷＭ処理によって生成された操作信号ｇ￥＃をドライブユニットＤＵに出力する。ここで、高電位側の操作信号ｇ￥ｐと、対応する低電位側の操作信号ｇ￥ｎとは、互いに相補的な信号となっている。換言すれば、高電位側のスイッチング素子Ｓ￥ｐと、対応する低電位側のスイッチング素子Ｓ￥ｎとは、交互にオン状態とされる。
【００１４】
各スイッチング素子Ｓ￥＃に対応するドライブユニットＤＵには、絶縁電源を構成するトランスＴＷを介して低電圧バッテリ１６から電力が供給される。本実施形態では、Ｕ，Ｖ，Ｗ相の上アームのドライブユニットＤＵのそれぞれに対応してトランスＴＷが備えられ、これらドライブユニットＤＵのそれぞれには、対応するトランスＴＷを介して低電圧バッテリ１６から電力が供給される。一方、下アームについては、Ｖ相のみにトランスＴＷが備えられ、このトランスＴＷを介して低電圧バッテリ１６からＵ，Ｖ，Ｗ相の下アームのドライブユニットＤＵのそれぞれに電力が供給される。こうした構成については、後に図６を用いて詳述する。
【００１５】
続いて、図２を用いて、絶縁電源及びドライブユニットＤＵの構成について説明する。
【００１６】
図示されるように、絶縁電源は、１次側コイル１８ａ及び２次側コイル１８ｂを有するトランスＴＷと、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、電圧制御用スイッチング素子２０）と、ダイオード２２と、コンデンサ２４とを備えるフライバック式のスイッチング電源である。詳しくは、低電圧バッテリ１６の両端同士は、１次側コイル１８ａ及び電圧制御用スイッチング素子２０を介して接続されている。一方、２次側コイル１８ｂの両端同士は、ダイオード２２及びコンデンサ２４の直列接続体を介して接続されている。また、２次側コイル１８ｂ及びコンデンサ２４の接続点は、接地され、ダイオード２２及びコンデンサ２４の接続点は、ドライブユニットＤＵが備えるドライブＩＣ２６の第１の高電圧側端子ＴＨ１に接続されている。なお、本実施形態では、コンデンサ２４として電解コンデンサを用いている。
【００１７】
ドライブＩＣ２６は、１チップ化された単一の半導体集積回路である。ドライブＩＣ２６の第１の高電圧側端子ＴＨ１は、定電流電源２８及びＰチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、充電用スイッチング素子３０）を介してドライブＩＣ２６の第２の高電圧側端子ＴＨ２に接続されている。第２の高電圧側端子ＴＨ２は、スイッチング素子Ｓ￥＃のゲートに接続されている。また、スイッチング素子Ｓ￥＃のゲートは、放電用抵抗体３２を介してドライブＩＣ２６の第３の高電圧側端子ＴＨ３に接続され、第３の高電圧側端子ＴＨ３は、ＮチャネルＭＯＳＦＥＴ（以下、放電用スイッチング素子３４）を介して接地されている。なお、スイッチング素子Ｓ￥＃の出力端子（エミッタ）は、ドライブＩＣ２６の第４の高電圧側端子ＴＨ４を介して接地されている。
【００１８】
スイッチング素子Ｓ￥＃は、その入力端子（コレクタ）及びエミッタ間に流れる電流（以下、コレクタ電流）と正の相関を有する微少電流を出力するセンス端子Ｓｔを備えている。センス端子Ｓｔは、センス抵抗３６を介してエミッタに接続されている。これにより、センス端子Ｓｔから出力される微少電流によってセンス抵抗３６に電圧降下が生じるため、センス抵抗３６のうちセンス端子Ｓｔ側の電位（以下、センス電圧Ｖｓｅ）を、コレクタ電流と相関を有する電気的な状態量とすることができる。なお、センス電圧Ｖｓｅは、ドライブＩＣ２６の第５の高電圧側端子ＴＨ５を介してドライブＩＣ２６内の高電圧側制御部３８に入力される。ちなみに、本実施形態では、センス抵抗３６の両端のうちセンス端子Ｓｔ側の電位がエミッタの電位よりも高い場合のセンス電圧Ｖｓｅを正と定義する。
【００１９】
上記感温ダイオードＴＤ￥＃のアノードには、定電圧電源４０の電力が定電流電源４２及びドライブＩＣ２６の第６の高電圧側端子ＴＨ６を介して供給される。また、感温ダイオードＴＤ￥＃のカソードは、ドライブＩＣ２６の第７の高電圧側端子ＴＨ７を介して接地されている。こうした構成によれば、感温ダイオードＴＤ￥＃は、スイッチング素子Ｓ￥＃の温度に応じた出力電圧を出力する。なお、感温ダイオードＴＤ￥＃の検出値（第６の高電圧側端子ＴＨ６の電圧）は、高電圧側制御部３８に入力される。また、感温ダイオードＴＤ￥＃の検出値と、スイッチング素子Ｓ￥＃の温度とは、負の相関を有する。
【００２０】
続いて、高電圧側制御部３８によって実行される各種処理について説明する。なお、本実施形態にかかる高電圧側制御部３８は、ハードウェアであるため、上記各種処理は、実際にはロジック回路によって実行される。
【００２１】
＜１．スイッチング素子Ｓ￥＃の駆動処理＞
高電圧側制御部３８は、上記操作信号ｇ￥＃に基づき、充電用スイッチング素子３０と放電用スイッチング素子３４とを交互にオンオフ操作することでスイッチング素子Ｓ￥＃を駆動する。詳しくは、操作信号ｇ￥＃がオン操作指令となることで、放電用スイッチング素子３４をオフ操作してかつ充電用スイッチング素子３０をオン操作する。一方、操作信号ｇ￥＃がオフ操作指令となることで、充電用スイッチング素子３０をオフ操作してかつ放電用スイッチング素子３４をオン操作する。
【００２２】
＜２．過電流保護処理＞
高電圧側制御部３８は、センス電圧Ｖｓｅが規定電圧以上になったと判断された場合、スイッチング素子Ｓ￥＃に過電流が流れていると判断して、操作信号ｇ￥＃の論理にかかわらず、スイッチング素子Ｓ￥＃をオフ状態に切り替える過電流保護処理を行う。なお、スイッチング素子Ｓ￥＃のオフ状態への切り替えは、ゲートに接続された放電経路の抵抗を高抵抗としてゲート電荷を放電させる周知のソフト遮断によって行われる。
【００２３】
＜３．温度出力処理及びローカルシャットダウン処理＞
高電圧側制御部３８は、感温ダイオードＴＤ￥＃の検出値を制御装置１４に対して出力する温度出力処理を行ったり、ローカルシャットダウン処理を行ったりする。詳しくは、温度出力処理は、感温ダイオードＴＤ￥＃の検出値を時比率信号（Ｄｕｔｙ信号）に変換して出力する処理である。ここで、Ｄｕｔｙ信号とは、論理「Ｈ」及び論理「Ｌ」の１周期に対する論理「Ｈ」の期間の比率又はその百分率を特性値とするパルス信号のことである。
【００２４】
一方、ローカルシャットダウン処理は、感温ダイオードＴＤ￥＃の検出値が規定値を下回る（スイッチング素子Ｓ￥＃の温度が規定温度を上回る）と判断された場合、スイッチング素子Ｓ￥＃が過熱状態であると判断してスイッチング素子Ｓ￥＃の駆動を禁止する処理である。ローカルシャットダウン処理によれば、スイッチング素子Ｓ￥＃を迅速にオフ状態に切り替えることができ、スイッチング素子Ｓ￥＃の過熱によってスイッチング素子Ｓ￥＃の信頼性が大きく低下する事態を回避できる。
【００２５】
ここで、制御装置１４から出力された操作信号ｇ￥＃は、第１の低電圧側端子ＴＬ１及び第１のフォトカプラ４６を介して高電圧側制御部３８に入力される。こうした構成を採用するのは、本実施形態において、高電圧バッテリ１２が備えられる高電圧領域（第２の領域に相当）と、制御装置１４が備えられる低電圧領域（第１の領域に相当）とが電気的に絶縁されているからである。このため、本実施形態では、ドライブＩＣ２６も、低電圧領域と高電圧領域とを備えている。ドライブＩＣ２６において、これら２つの領域を絶縁しつつ、操作信号ｇ￥＃を低電圧領域から高電圧領域に伝達させるべく、絶縁伝達手段を構成する絶縁伝達素子としてのフォトカプラが用いられる。ここで、第１のフォトカプラ４６について、その１次側であるフォトダイオードのアノードは、第１の低電圧側端子ＴＬ１に接続され、カソードは、抵抗体４８を介して接地されている。また、第１のフォトカプラ４６の２次側であるフォトトランジスタのコレクタは、所定の端子電圧（例えば５Ｖ）を有する定電圧電源５０に接続され、エミッタは、抵抗体５２を介して接地されている。こうした構成によれば、抵抗体５２の電圧降下量を、操作信号ｇ￥＃に応じた論理信号として高電圧側制御部３８に取り込むことができる。
【００２６】
ちなみに、高電圧領域の接地電位は、低電圧領域の接地電位とは相違する電位に設定されている。詳しくは、本実施形態では、高電圧領域に備えられる高電圧バッテリ１２の正極電位と負極電位との中央値が低電圧領域の接地電位となるように設定されている。この設定は、高電圧バッテリ１２の正極及び負極間に一対のコンデンサの直列接続体や一対の抵抗体の直列接続体を接続するとともに、上記コンデンサ同士又は抵抗体同士の接続点を低電圧バッテリ１６の負極に接続することで実現することができる。
【００２７】
続いて、ドライブＩＣ２６において、高電圧領域から低電圧領域へと信号を伝達する構成について説明する。高電圧側制御部３８は、温度出力処理によって生成されたＤｕｔｙ信号を第２のフォトカプラ５４及び第２の低電圧側端子ＴＬ２を介して制御装置１４に出力する。詳しくは、第２のフォトカプラ５４のフォトダイオードのアノードは、高電圧側制御部３８に接続され、カソードは、抵抗体５６を介して接地されている。一方、第２のフォトカプラ５４のフォトトランジスタのコレクタは、所定の端子電圧（例えば５Ｖ）を有する定電圧電源５８に接続され、エミッタは、抵抗体６０を介して接地されている。上記エミッタ及び抵抗体６０の接続点は、第２の低電圧側端子ＴＬ２を介して制御装置１４に接続されている。
【００２８】
なお、制御装置１４は、第２のフォトカプラ５４を介して伝達されたＤｕｔｙ信号（温度信号ＳＴ）に基づきスイッチング素子Ｓ￥＃の温度を算出する。そして、算出された温度がローカルシャットダウン処理で用いられる上記規定温度よりも低い閾値温度を超えたと判断された場合、スイッチング素子Ｓ￥＃を過熱から保護すべく、コレクタ電流を制限するような操作信号ｇ￥＃を生成する。
【００２９】
高電圧側制御部３８は、過電流保護処理やローカルシャットダウン処理によってスイッチング素子Ｓ￥＃に異常が生じていると判断された場合におけるその旨の信号や、第１の高電圧側端子ＴＨ１の電圧（絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂ）に関する信号（以下、フィードバック信号）を、第３のフォトカプラ６２、低電圧側制御部６４及び第３の低電圧側端子ＴＬ３を介して電圧制御用スイッチング素子２０のゲート及び制御装置１４に対して出力する信号出力処理を行う。
【００３０】
図３を用いて、信号出力処理による信号の出力態様について説明する。
【００３１】
図示されるように、本実施形態では、絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂの下限電圧ＶＬ（例えば１１Ｖ）及び上限電圧ＶＨ（例えば１８Ｖ）にて規定される所定の電圧範囲を、信号出力処理によって高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙ下限値「０％」及びＤｕｔｙ上限値「１００％」にて規定される所定のＤｕｔｙ範囲と関係付けている。具体的には、下限電圧ＶＬをＤｕｔｙ下限値「０％」と関係付けてかつ上限電圧ＶＨをＤｕｔｙ上限値「１００％」と関係付け、出力電圧Ｖｆｂが高くなるほどＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙが高くなるようにされている。なお、本実施形態において、下限電圧ＶＬは、ドライブＩＣ２６の最低動作電圧に基づき設定され、上限電圧ＶＨは、ドライブＩＣ２６の信頼性を維持可能な出力電圧Ｖｆｂの上限値に基づき設定されている。また、本実施形態において、出力電圧Ｖｆｂの目標値は、下限電圧ＶＬよりも高くてかつ上限電圧ＶＨ未満の値（例えば１７Ｖ）に設定されている。
【００３２】
一方、過電流保護処理やローカルシャットダウン処理によってスイッチング素子Ｓ￥＃に異常が生じていると判断された場合、信号出力処理によって高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙは、「１００％」に設定されている。
【００３３】
以上説明したＤｕｔｙ信号は、以下に説明する構成によって伝達される。詳しくは、先の図２に示すように、第３のフォトカプラ６２のフォトダイオードのアノードは、高電圧側制御部３８に接続され、カソードは、抵抗体６６を介して接地されている。一方、第３のフォトカプラ６２のフォトトランジスタのコレクタは、上記定電圧電源５８に接続され、エミッタは、抵抗体６８を介して接地されている。なお、本実施形態において、第３のフォトカプラ６２に加えて、第１のフォトカプラ４６及び第２のフォトカプラ５４として、パルス信号を伝達可能なフォトカプラ（デジタルフォトカプラ）を用いている。
【００３４】
第３のフォトカプラ６２のフォトトランジスタのエミッタ及び抵抗体６８の接続点は、低電圧側制御部６４を構成する信号変換部７０に接続されている。信号変換部７０は、第３のフォトカプラ６２を介して伝達されたＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙに応じたアナログ電圧信号Ｖｏを出力する。本実施形態において、信号変換部７０は、Ｄｕｔｙ信号のＤｕｔｙが高いほど、アナログ電圧信号Ｖｏの値を大きくする。
【００３５】
信号変換部７０の出力信号は、反転増幅回路７２に入力され、反転増幅回路７２の出力信号は、ＰＷＭコンパレータ７４の非反転入力端子に入力される。ＰＷＭコンパレータ７４の反転入力端子には、キャリア信号（例えば三角波信号）を出力するキャリア生成回路７６が接続されている。そして、ＰＷＭコンパレータ７４の出力端子は、第３の低電圧側端子ＴＬ３を介して電圧制御用スイッチング素子２０のゲート及び制御装置１４に接続されている。すなわち、信号変換部７０、反転増幅回路７２、ＰＷＭコンパレータ７４及びキャリア生成回路７６は、出力電圧Ｖｆｂ及びその目標値の差に応じた信号とキャリア信号と大小比較に基づき、電圧制御用スイッチング素子２０の操作信号（ＰＷＭ信号）を生成する操作信号生成手段を構成する。ちなみに、出力電圧Ｖｆｂの目標値は、例えば、反転増幅回路７２を構成する抵抗体の抵抗値や、反転増幅回路７２を構成するオペアンプの非反転入力端子の印加電圧の設定によって定まる。
【００３６】
こうした構成によれば、過電流保護処理やローカルシャットダウン処理が実行されない場合において、反転増幅回路７２の出力信号とキャリア信号との大小比較に基づき生成されたＰＷＭ信号が電圧制御用スイッチング素子２０のゲートに入力される。これにより、絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂを目標値にフィードバック制御するように電圧制御用スイッチング素子２０がオンオフ操作されることとなる。
【００３７】
一方、過電流保護処理やローカルシャットダウン処理が実行される場合において、制御装置１４に対してスイッチング素子Ｓ￥＃に異常が生じている旨通知することもできる。
【００３８】
すなわち、本実施形態において、制御装置１４は、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号のＤｕｔｙが「１００％」であると判断された場合、スイッチング素子Ｓ￥＃に過電流が流れている又はスイッチング素子Ｓ￥＃が過熱状態である旨判断する。これは、上述したように、過電流保護処理やローカルシャットダウン処理が実行される場合、高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙが「１００％」に設定されることに対応した構成である。詳しくは、高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙが「１００％」に設定されると、ＰＷＭコンパレータ７４の非反転入力端子の印加電圧が、常にＰＷＭコンパレータ７４の反転入力端子の印加電圧以上となり、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号のＤｕｔｙが「１００％」とされる。
【００３９】
ちなみに、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号のＤｕｔｙが「１００％」であると判断された場合、上記異常に加えて、絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂが過度に高くなる異常が生じている旨判断してもよい。
【００４０】
また、制御装置１４において、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号のＤｕｔｙが「１００％」であると判断された場合、電圧制御用スイッチング素子２０が常時オンとされることで低電圧バッテリ１６、１次側コイル１８ａ及び電圧制御用スイッチング素子２０を備える閉回路に電流が常時流通する事態を回避すべく、上記閉回路の形成を妨げる手段を備えることが望ましい。こうした手段としては、例えば、電圧制御用スイッチング素子２０のゲートと第３の低電圧側端子ＴＬ３とを接続する電気経路に設けられてかつ、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号のＤｕｔｙが「１００％」であると判断された場合に電圧制御用スイッチング素子２０のゲート及び第３の低電圧側端子ＴＬ３の間を遮断する遮断手段（例えばＭＯＳＦＥＴ等のスイッチング素子）が考えられる。こうした手段を備えることで、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号のＤｕｔｙが「１００％」であると判断された場合、絶縁電源からドライブＩＣ２６への電力供給が停止されることとなる。
【００４１】
ここで、本実施形態では、さらに、高電圧側制御部３８において絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂが下限電圧ＶＬになったと判断された場合、信号出力処理によって高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙが「０％」とされる。そして、本実施形態において、制御装置１４は、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号のＤｕｔｙが「０％」であると判断された場合、出力電圧Ｖｆｂが過度に低下する異常が生じている旨判断する。
【００４２】
図４に、スイッチング素子Ｓ￥＃に過電流が流れる場合の信号出力処理の一例を示す。詳しくは、図４（ａ）は、高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号の推移を示し、図４（ｂ）は、制御装置１４における第１の異常フラグＦ１の推移を示す。ここで、第１の異常フラグＦ１は、「Ｈ」によってスイッチング素子Ｓ￥＃に過電流が流れる異常又はスイッチング素子Ｓ￥＃の過熱異常が生じていることを示し、「Ｌ」によって上記異常が生じていないことを示す。
【００４３】
図示されるように、高電圧側制御部３８においてスイッチング素子Ｓ￥＃に異常が生じている旨判断されることで、時刻ｔ１において、高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙが「１００％」に設定される。このため、その後時刻ｔ２において、制御装置１４において第１の異常フラグＦ１の論理が「Ｈ」に切り替えられ、スイッチング素子Ｓ￥＃に過電流が流れる異常又はスイッチング素子Ｓ￥＃の過熱異常が生じている旨判断されることとなる。
【００４４】
続いて、図５に、絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂが下限電圧ＶＬとなる場合の信号出力処理の一例を示す。詳しくは、図５（ａ）は、先の図４（ａ）に対応しており、図５（ｂ）は、制御装置１４における第２の異常フラグＦ２の推移を示す。ここで、第２の異常フラグＦ２は、「Ｈ」によって出力電圧Ｖｆｂが過度に低下する異常が生じていることを示し、「Ｌ」によって上記異常が生じていないことを示す。
【００４５】
図示されるように、出力電圧Ｖｆｂが過度に低下していると判断されることで、時刻ｔ１において、高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙが「０％」に設定される。このため、制御装置１４において第２の異常フラグＦ２の論理が「Ｈ」に切り替えられ、出力電圧Ｖｆｂが過度に低下している旨判断されることとなる。
【００４６】
次に、図６を用いて、本実施形態にかかる半導体基板上の部品配置について説明する。ここで、図６は、インバータＩＮＶを構成するドライブＩＣ２６と、絶縁電源を構成するトランスＴＷとが実装される半導体基板ＳＳの平面図である。
【００４７】
図示されるように、半導体基板ＳＳには、１つの低電圧領域ＬＡと、複数の高電圧領域ＨＡｕ，ＨＡｖ，ＨＡｗ，ＨＡｎとが備えられている。ここで、複数の高電圧領域は、上アームにおけるＵ，Ｖ，Ｗ相のそれぞれに対応した領域ＨＡｕ，ＨＡｖ，ＨＡｗと、下アームにおける単一の領域ＨＡｎとからなる。なお、下アームについて高電圧領域がＵ，Ｖ，Ｗ相で共通であるのは、下アームを構成する低電位側のスイッチング素子Ｓ￥ｎのエミッタ同士が短絡され、Ｕ，Ｖ，Ｗ相で高電圧領域の接地電位が互いに同一とされるためである。
【００４８】
そして、高電圧領域ＨＡｕ，ＨＡｖ，ＨＡｗ，ＨＡｎのそれぞれには、ドライブＩＣ２６が備えられている。また、上アームに対応する高電圧領域ＨＡｕ，ＨＡｖ，ＨＡｗのそれぞれには、ドライブＩＣ２６と並ぶように、絶縁電源を構成するトランスＴＷが備えられている。こうした構成によれば、電圧フィードバック制御を上アームのドライブユニットＤＵのそれぞれにおいて各別に行うことができ、出力電圧Ｖｆｂの調節精度を高めることができる。
【００４９】
また、上記構成によれば、トランスＴＷの２次側コイル１８ｂとドライブＩＣ２６とを接続する高電圧領域における電気経路ＬＨを短くすることができる。高電圧領域と低電圧領域との間には、絶縁領域ＩＡを設ける必要があることから、上記電気経路ＬＨが長くなると、絶縁領域ＩＡの拡大によってドライブＩＣ２６の実装可能な面積が小さくなる。その結果、半導体基板ＳＳ上におけるアートワーク設計の制約が大きくなる懸念がある。特に、例えば、絶縁電源を構成する単一のトランスから上アームを構成するＵ，Ｖ，Ｗ相のドライブＩＣ２６のそれぞれに電力を供給する構成を採用する場合、トランスと複数のドライブＩＣ２６のそれぞれとを接続する電気経路が長くなる傾向にあり、絶縁領域ＩＡが拡大しやすい。これに対し、本実施形態によれば、上記電気経路ＬＨを短くすることができ、半導体基板ＳＳの実装面積を拡大させることができ、ひいてはアートワーク設計の自由度を高めることができる。
【００５０】
なお、下アームについては、低電位側のスイッチング素子Ｓ￥ｎのエミッタ電位が互いに同一であることから、Ｕ，Ｖ，Ｗ相のドライブＩＣ２６のそれぞれに単一のトランスＴＷによって電力を供給している。本実施形態では、Ｕ，Ｖ，Ｗ相のうち中央に位置するＶ相にトランスＴＷを備えている。これは、図示しないが、Ｕ，Ｖ，Ｗ相のそれぞれの高電圧側制御部３８からＶ相の高電圧側制御部３８にフィードバック信号を伝達するための経路が長くなることを回避し、上記経路に存在する配線インダクタンスによってフィードバック信号の精度が低下することを回避するための設定である。
【００５１】
以上詳述した本実施形態によれば、以下の効果が得られるようになる。
【００５２】
（１）スイッチング素子Ｓ￥＃に過電流が流れる異常及びスイッチング素子Ｓ￥＃の過熱異常等、スイッチング素子Ｓ￥＃に関する異常が生じた旨の信号と、フィードバック信号とを共通のフォトカプラである第３のフォトカプラ６２によって高電圧領域から低電圧領域へと伝達させた。ドライブＩＣ２６には通常、上記異常が生じた旨の信号を伝達するためのフォトカプラが備えられている。このため、上記構成によれば、フィードバック信号を伝達するための専用のフォトカプラの追加を回避できる。これにより、ドライブＩＣ２６の回路規模を低減させることができ、ひいてはドライブＩＣ２６のコストの低減を図ることができる。
【００５３】
また、スイッチング素子Ｓ￥＃に関する異常が生じた旨の信号が出力される頻度は通常低い。このため、スイッチング素子Ｓ￥＃に関する異常が生じた旨の信号と、フィードバック信号とを共通のフォトカプラによって伝達させる構成によれば、フィードバック信号を低電圧側制御部６４に伝達させる頻度を高めることができ、ひいては電圧フィードバック制御による出力電圧Ｖｆｂの調節精度を高めることもできる。
【００５４】
（２）スイッチング素子Ｓ￥＃に関する異常が生じた旨判断された場合、高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙをＤｕｔｙ上限値「１００％」に設定し、出力電圧が下限電圧ＶＬになったと判断された場合、高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙをＤｕｔｙ上限値「０％」に設定した。このため、制御装置１４において２種類の異常を判別することができる。
【００５５】
さらに、出力電圧Ｖｆｂが下限電圧ＶＬになった場合、高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙが「０％」に設定されることにより、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号のＤｕｔｙも「０％」となり、電圧制御用スイッチング素子２０が自動的にオフ操作される。このため、絶縁電源によるドライブＩＣ２６への電力供給が自動的に停止される。これにより、ドライブＩＣ２６からＵＶＬＯ（Ｕｎｄｅｒ  Ｖｏｌｔａｇｅ  Ｌｏｃｋ  Ｏｕｔ）回路を除去することができ、ひいてはドライブＩＣ２６のコストをいっそう低減させることもできる。なお、ＵＶＬＯ回路とは、出力電圧Ｖｆｂが下限電圧ＶＬ以下となる場合において絶縁電源の誤動作等を回避すべく設けられる保護回路のことである。
【００５６】
なお、本実施形態では、過電流保護処理やローカルシャットダウン処理が実行された場合、スイッチング素子Ｓ￥＃の駆動を禁止した。ここで、スイッチング素子Ｓ￥＃の駆動を禁止したにもかかわらず、スイッチング素子Ｓ￥＃のゲートへのノイズの混入等、何らかの理由によってスイッチング素子Ｓ￥＃が誤動作する懸念がある。これに対し、本実施形態では、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号のＤｕｔｙが「０％」又は「１００％」となる状況下において、絶縁電源からドライブＩＣ２６への電力供給を停止させることができる。このため、スイッチング素子Ｓ￥＃が誤動作することを好適に回避できる。
【００５７】
（第２の実施形態）
以下、第２の実施形態について、先の第１の実施形態との相違点を中心に図面を参照しつつ説明する。
【００５８】
図７に、本実施形態にかかるドライブユニットＤＵ等の構成図を示す。なお、図７において、先の図２に示した部材と同一の部材については、便宜上、同一の符号を付している。
【００５９】
図示されるように、本実施形態では、低電圧側制御部６４に信号変換部７０が備えられていない。このため、第３のフォトカプラ６２のフォトトランジスタのエミッタ及び抵抗体６８の接続点は、反転増幅回路７２の入力端子に直接接続されている。
【００６０】
ちなみに、本実施形態では、第３のフォトカプラ６２として、アナログ信号を伝達可能なフォトカプラ（アナログフォトカプラ）を用いている。
【００６１】
続いて、図８を用いて、本実施形態にかかる信号出力処理による信号の出力態様について説明する。
【００６２】
図示されるように、本実施形態では、絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂの下限電圧ＶＬ及び上限電圧ＶＨにて規定される所定の電圧範囲を、反転増幅回路７２の入力電圧Ｖｏｕｔ（アナログ電圧信号に相当）の下限値「０」及び上限値「Ｖｍａｘ」（例えば５Ｖ）にて規定される所定の信号範囲と関係付けている。具体的には、下限電圧ＶＬを下限値「０」と関係付けてかつ上限電圧ＶＨを上限値「Ｖｍａｘ」と関係付け、出力電圧Ｖｆｂが高くなるほど、上記入力電圧Ｖｏｕｔが高くなるような信号が高電圧側制御部３８から第３のフォトカプラ６２のフォトダイオードに対して出力される。
【００６３】
一方、過電流保護処理やローカルシャットダウン処理によってスイッチング素子Ｓ￥＃に異常が生じていると判断された場合、反転増幅回路７２の入力電圧Ｖｏｕｔが「Ｖｍａｘ」となるような信号が高電圧側制御部３８から第３のフォトカプラ６２のフォトダイオードに対して出力される。
出力される。
【００６４】
なお、こうした設定は、図９に示すように、第３のフォトカプラ６２について、フォトトランジスタのベース及びエミッタ間電圧Ｖｂｅと、コレクタ電流Ｉｃと、コレクタ及びエミッタ間電圧Ｖｃｅとの関係を示す特性と、図中一点鎖線にて示す負荷線とを用いて、図８の特性を満足するようなフォトダイオードの流通電流を設定することで実現できる。
【００６５】
こうした構成によれば、過電流保護処理やローカルシャットダウン処理が実行されない場合、絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂを目標値にフィードバック制御するように電圧制御用スイッチング素子２０がオンオフ操作されることとなる。
【００６６】
一方、過電流保護処理やローカルシャットダウン処理が実行される場合、制御装置１４に対してスイッチング素子Ｓ￥＃に異常が生じている旨通知することもできる。すなわち、本実施形態において、制御装置１４は、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号の値が「Ｖｍａｘ」であると判断された場合、スイッチング素子Ｓ￥＃に過電流が流れている又はスイッチング素子Ｓ￥＃が過熱状態である旨判断する。
【００６７】
なお、上記構成によれば、高電圧側制御部３８において絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂが下限電圧ＶＬになったと判断された場合、反転増幅回路７２の入力電圧Ｖｏｕｔが「０」とされ、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号の値が「０」とされる。本実施形態において、制御装置１４は、第３の低電圧側端子ＴＬ３の出力信号の値が「０」であると判断された場合、出力電圧Ｖｆｂが過度に低下する異常が生じている旨判断する。
【００６８】
以上説明した本実施形態によっても、上記第１の実施形態で説明した効果と同様の効果を奏することができる。
【００６９】
（その他の実施形態）
なお、上記各実施形態は、以下のように変更して実施してもよい。
【００７０】
・上記第１の実施形態では、６つのドライブユニットＤＵのそれぞれにスイッチング素子Ｓ￥＃の温度信号ＳＴを伝達するためのフォトカプラを備えたがこれに限らない。例えば、部品数の低減を図るべく、６つのドライブユニットＤＵのうちスイッチング素子Ｓ￥＃の温度が最も高くなると想定されるものに対応したドライブユニットＤＵのみに温度信号ＳＴを伝達するためのフォトカプラを備えてもよい。
【００７１】
・上記各実施形態では、フィードバック信号を、スイッチング素子Ｓ￥＃に関する異常が生じた旨の信号を伝達する第３のフォトカプラ６２によって伝達させたがこれに限らない。例えば、フィードバック信号を、感温ダイオードＴＤ￥＃の検出値を伝達する第２のフォトカプラ５４によって伝達させてもよい。この場合、例えば、フィードバック信号と上記検出値とを多重化するなどしてこれら信号を伝達すればよい。こうした構成であっても、フォトカプラの数を低減させることはできる。
【００７２】
また、フィードバック信号が伝達されるフォトカプラとしては、フィードバック信号以外の信号が伝達されるフォトカプラと共通とすることに限らず、フィードバック信号を伝達するための専用のフォトカプラをドライブＩＣ２６に備えてもよい。この場合であっても、単一のドライブＩＣ２６に高電圧側制御部３８及び低電圧側制御部６４の双方が備えられることから、ドライブＩＣ２６を備えるドライブユニットＤＵの規模を低減させることはできる。
【００７３】
・「操作手段」としては、上記各実施形態に例示したものに限らず、例えば以下（Ａ），（Ｂ）に説明するものであってもよい。
【００７４】
（Ａ）絶縁電源の出力電圧をその目標値にフィードバック制御するものに限らず、絶縁電源の出力電流をその目標値にフィードバック制御するものであってもよい。この場合、「所定の駆動対象」としては、スイッチング素子に限らず、例えば、ＬＥＤを備える照明装置であってもよい。
【００７５】
（Ｂ）上記第１の実施形態において、低電圧側制御部６４の配置位置をドライブＩＣ２６の高電圧領域に変更し、低電圧側制御部６４において生成された操作信号を第３のフォトカプラ６２を介して電圧制御用スイッチング素子２０及び制御装置１４に伝達する構成としてもよい。この場合、「絶縁電源の出力値に関する信号」は、ＰＷＭコンパレータ７４の出力信号となる。こうした構成であっても、単一のドライブＩＣ２６に、スイッチング素子Ｓ￥＃を駆動する回路と、絶縁電源の出力電圧を制御する回路とが備えられるため、ドライブユニットＤＵの規模を低減させることはできる。
【００７６】
・上記各実施形態において、スイッチング素子Ｓ￥＃に関する異常に、過電流保護処理やローカルシャットダウン処理において用いられるドライブＩＣ２６内の回路の異常を含めてもよい。
【００７７】
・「電圧信号出力手段」としては、上記第２の実施形態に例示したように、高電圧側制御部３８を備えて構成されるものに限らない。例えば、高電圧側制御部３８を介さずに、第１の高電圧側端子ＴＨ１から直接第３のフォトカプラ６２を介して低電圧側制御部６４に絶縁電源の出力電圧Ｖｆｂに関する信号を伝達する構成としてもよい。この場合、具体的には、例えば、第３のフォトカプラ６２のフォトダイオード及び抵抗体６６の間に、カソード側がフォトダイオードに接続されてかつ、アノード側が抵抗体６６に接続されたツェナーダイオードを備えればよい。ここで、ツェナーダイオードのブレークダウン電圧は、例えば、下限電圧ＶＬに設定すればよい。
【００７８】
・上記第１の実施形態では、下限電圧ＶＬをＤｕｔｙ下限値「０％」と関係付け、上限電圧ＶＨをＤｕｔｙ上限値「１００％」と関係付けたがこれに限らない。例えば、下限電圧ＶＬをＤｕｔｙ上限値「１００％」と関係付け、上限電圧ＶＨをＤｕｔｙ下限値「０％」と関係付けてもよい。この場合であっても、制御装置１４において２種類の異常を判別することはできる。なお、こうした設定は、上記第２の実施形態についても同様である。
【００７９】
また、スイッチング素子Ｓ￥＃に関する異常が生じたと判断された場合において高電圧側制御部３８から出力されるＤｕｔｙ信号のＤｕｔｙとしては、「０％」や「１００％」に限らない。要は、フィードバック信号で用いられるＤｕｔｙ以外のＤｕｔｙであれば、他のＤｕｔｙであってもよい。
【００８０】
・スイッチング素子Ｓ￥＃としては、単一のＩＧＢＴに限らず、複数のＩＧＢＴが互いに並列接続されたものであってもよい。
【００８１】
・上記各実施形態では、電圧制御用スイッチング素子２０をドライブＩＣ２６外に備える構成としたがこれに限らず、例えば、電圧制御用スイッチング素子２０の駆動による発熱の影響が小さいなら、電圧制御用スイッチング素子２０をドライブＩＣ２６内に備える構成としてもよい。
【００８２】
・「第１の領域」及び「第２の領域」としては、上記各実施形態に例示したものに限らない。例えば、高電圧領域に備えられた電源の電力を低電圧領域へと出力する必要があるなら、第１の領域を高電圧領域とし、第２の領域を低電圧領域としてもよい。
【００８３】
・「絶縁伝達手段」としては、フォトカプラを備えるものに限らない。例えば、第２の領域における電気経路を流れる電流の変化を、磁気抵抗効果素子によって誘導磁界の変化として非接触で検出し、第１の領域へと信号を伝達する磁気カプラを備えるものであってもよい。また、例えば、第２の領域における電気経路を流れる電流の変化を入力とし、カップリングコンデンサによって第１の領域へと信号を伝達する静電容量カプラを備えるものであってもよい。
【００８４】
・「絶縁電源」としては、フライバック式のものに限らず、例えばフォワード式のもの等、他の絶縁電源であってもよい。
【符号の説明】
【００８５】
１６…低電圧バッテリ、２０…電圧制御用スイッチング素子、２２…ダイオード、２４…コンデンサ、２６…ドライブＩＣ、３８…高電圧側制御部、６２…第３のフォトカプラ、６４…低電圧側制御部、ＴＷ…トランス、Ｓ￥＃（￥＝ｕ，ｖ，ｗ：＃＝ｐ，ｎ）…スイッチング素子。
【図１】
2014073055.tif 000003
【図２】
2014073055.tif 000004
【図３】
2014073055.tif 000005
【図４】
2014073055.tif 000006
【図５】
2014073055.tif 000007
【図６】
2014073055.tif 000008
【図７】
2014073055.tif 000009
【図８】
2014073055.tif 000010
【図９】
2014073055.tif 000011