(57)【要約】【課題】従来に比べてプロセスログデータのチャートを容易かつ迅速に表示することのできる半導体製造装置及び半導体製造装置の制御装置を提供する。【解決手段】基板処理部と、基板処理部における処理の状態を示すプロセスログデータを１つのプロセスについて複数記憶する記憶手段と、表示手段と、表示手段における表示を制御する表示制御手段とを具備し、表示制御手段は、表示手段にプロセス示す識別子のリストを表示させるための第１ウィンドを表示する手段と、表示手段にプロセスログデータのチャートを表示させるための第２ウィンドを表示する手段と、第１ウィンドのリストにおいて選択され、第２ウィンドにドラッグアンドドロップされた識別子に対応し、かつ、第２ウィンドに表示されている既表示チャートに対応するプロセスログデータを、記憶手段から読み出し、チャートを表示する手段とを具備した半導体製造装置。【選択図】図２
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理して半導体装置を製造する半導体製造装置であって、
前記基板に処理を施す基板処理部と、
前記基板処理部における処理の状態を示すプロセスログデータを１つのプロセスについて複数記憶する記憶手段と、
表示手段と、
前記表示手段における表示を制御する表示制御手段とを具備し、
前記表示制御手段は、
前記表示手段に、前記記憶手段に記憶された前記プロセスログデータの前記プロセス示す識別子のリストを表示させるための第１ウィンドを表示する手段と、
前記表示手段に、前記プロセスログデータのチャートを表示させるための第２ウィンドを表示する手段と、
前記第１ウィンドの前記リストにおいて選択され、前記第２ウィンドにドラッグアンドドロップされた前記識別子に対応し、かつ、前記第２ウィンドに表示されている既表示チャートに対応する前記プロセスログデータを、前記記憶手段から読み出し、読み出した前記プロセスログデータのチャートを表示する手段と、
を具備したことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項２】
請求項１記載の半導体製造装置であって、
前記表示制御手段は、
前記第２ウィンドに第１のプロセスログデータのチャートが表示されている時に、前記第１ウィンドから前記第２ウィンドにドラッグアンドドロップされたプロセスの第２のプロセスログデータのチャートを、前記第１のプロセスログデータのチャートに重ねて表示する
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項３】
請求項１又は２記載の半導体製造装置であって、
前記基板処理部は、前記基板を処理室内に収容し、前記基板を加熱して処理する
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項４】
請求項１〜３いずれか１項記載の半導体製造装置であって、
前記プロセスログデータは、温度、圧力、ガス流量の少なくともいずれか１つを含む
ことを特徴とする半導体製造装置。
【請求項５】
基板を処理して半導体装置を製造する半導体製造装置を制御するための半導体製造装置の制御装置であって、
前記半導体製造装置における処理の状態を示すプロセログデータを１つのプロセスについて複数記憶する記憶手段と、
表示手段と、
前記表示手段における表示を制御する表示制御手段とを具備し、
前記表示制御手段は、
前記表示手段に、前記記憶手段に記憶された前記プロセスログデータの前記プロセスを示す識別子のリストを表示させるための第１ウィンドを表示する手段と、
前記表示手段に、前記プロセスログデータのチャートを表示させるための第２ウィンドを表示する手段と、
前記第１ウィンドの前記リストにおいて選択され、前記第２ウィンドにドラッグアンドドロップされた前記識別子に対応し、かつ、前記第２ウィンドに表示されている既表示チャートに対応する前記プロセスログデータを、前記記憶手段から読み出し、読み出した前記プロセスログデータのチャートを表示する手段と、
を具備したことを特徴とする半導体製造装置の制御装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造装置及び半導体製造装置の制御装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造工程では、半導体ウエハ等の基板に所定の処理を施す半導体製造装置、例えば、熱処理装置、エッチング装置、成膜装置、塗布現像装置等が使用されている。このような半導体製造装置、例えば熱処理装置では、処理室内に半導体ウエハ等の基板を収容し、処理室内に所定流量の処理ガスを流しつつ所定圧力とするとともに、処理室内を所定温度に加熱してＣＶＤ膜の形成、熱酸化膜の形成等の処理を施すようになっている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
上記の半導体製造装置では、ユーザインターフェース部の表示装置に、処理の状態を示すプロセスログデータ、例えば、温度、圧力、処理ガスの流量等をグラフ化したチャートとして表示することが行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１２−２０４５１８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
通常、１回のプロセスを実行した際に得られるプロセスログデータは、多数（例えば、数十乃至数百）ある。上述した従来の半導体製造装置では、ユーザインターフェース部の表示装置にプロセスログデータのチャートを表示する場合、多数のプロセスの中から表示を行うプロセスを選択し、さらにそのプロセスに含まれる多数のプロセスログデータの中から表示するプロセスログデータを指定する等の操作を行う必要があった。このため、所望のプロセスログデータの表示に時間及び労力がかかるとともに、操作ミス等が生じ易いという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記従来の事情に対処してなされたものであり、従来に比べてプロセスログデータのチャートを容易かつ迅速に表示することができ、プロセスログデータの解析を円滑に行うことのできる半導体製造装置及び半導体製造装置の制御装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の半導体製造装置の一態様は、基板を処理して半導体装置を製造する半導体製造装置であって、前記基板に処理を施す基板処理部と、前記基板処理部における処理の状態を示すプロセスログデータを１つのプロセスについて複数記憶する記憶手段と、表示手段と、前記表示手段における表示を制御する表示制御手段とを具備し、前記表示制御手段は、前記表示手段に、前記記憶手段に記憶された前記プロセスログデータの前記プロセス示す識別子のリストを表示させるための第１ウィンドを表示する手段と、前記表示手段に、前記プロセスログデータのチャートを表示させるための第２ウィンドを表示する手段と、前記第１ウィンドの前記リストにおいて選択され、前記第２ウィンドにドラッグアンドドロップされた前記識別子に対応し、かつ、前記第２ウィンドに表示されている既表示チャートに対応する前記プロセスログデータを、前記記憶手段から読み出し、読み出した前記プロセスログデータのチャートを表示する手段と、を具備したことを特徴とする。
【０００８】
本発明の半導体製造装置の制御装置の一態様は、基板を処理して半導体装置を製造する半導体製造装置を制御するための半導体製造装置の制御装置であって、前記半導体製造装置における処理の状態を示すプロセログデータを１つのプロセスについて複数記憶する記憶手段と、表示手段と、前記表示手段における表示を制御する表示制御手段とを具備し、前記表示制御手段は、前記表示手段に、前記記憶手段に記憶された前記プロセスログデータの前記プロセスを示す識別子のリストを表示させるための第１ウィンドを表示する手段と、前記表示手段に、前記プロセスログデータのチャートを表示させるための第２ウィンドを表示する手段と、前記第１ウィンドの前記リストにおいて選択され、前記第２ウィンドにドラッグアンドドロップされた前記識別子に対応し、かつ、前記第２ウィンドに表示されている既表示チャートに対応する前記プロセスログデータを、前記記憶手段から読み出し、読み出した前記プロセスログデータのチャートを表示する手段と、を具備したことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、従来に比べてプロセスログデータのチャートを容易かつ迅速に表示することができ、プロセスログデータの解析を円滑に行うことのできる半導体製造装置及び半導体製造装置の制御装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る縦型熱処理装置の縦断面構成を模式的に示す図。
【図２】表示画面の例を説明するための図。
【図３】表示画面の例を説明するための図。
【図４】制御部における表示制御を示すフローチャート。
【図５】表示制御部の構成を示すブロック図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態を、図面を参照して説明する。
【００１２】
図１は、本発明の一実施形態に係る縦型熱処理装置１００の縦断面概略構成を模式的に示す図である。
【００１３】
図１に示すように、縦型熱処理装置１００は、半導体ウエハ等の基板を熱処理するための基板処理部１１０と、基板処理部１１０等の動作を制御するための制御部１２０とを具備している。
【００１４】
基板処理部１１０は、石英等からなる円筒状の内管２ａと、内管２ａの外側に配設され、上側が閉塞された円筒状の外管２ｂとを具備した二重管構造の反応管２を備えている。反応管２の下側には、金属製で円筒状のマニホールド２１が配設されている。マニホールド２１の下側は、半導体ウエハ等を反応管２内に搬入、搬出するための開口部とされており、この開口部を蓋体２４によって塞ぐようになっている。
【００１５】
内管２ａは、外管２ｂの内側に、外管２ｂと同軸上に位置するようにマニホールド２１の内側で支持されている。外管２ｂは、その下端がマニホールド２１の上端に気密に接合されている。
【００１６】
反応管２内には、基板保持具であるウエハボート２３が配置されている。このウエハボート２３は、石英等からなり、蓋体２４の上に保温筒（断熱体）２５を介して保持されている。ウエハボート２３には、熱処理を施す多数枚の半導体ウエハ（製品ウエハ）Ｗ、及び複数枚（本実施形態では、５枚）のモニタウエハＷｍ１〜Ｗｍ５（図１中には、Ｗｍ１、Ｗｍ３、Ｗｍ５のみ図示）が配置される。
【００１７】
蓋体２４は、ウエハボート２３を反応管２内に搬入、搬出するための上下動するボートエレベータ２６の上に配設されている。蓋体２４は、ボートエレベータ２６によって上昇され、その上限位置にあるときに、マニホールド２１の下端開口部、即ち反応管２とマニホールド２１とで構成される反応管の下側開口部を閉塞するようになっている。
【００１８】
反応管２の周囲には、例えば抵抗加熱体等からなるヒータ３が設けられている。ヒータ３は、反応管２の管軸方向に沿って５分割されたヒータ３１〜３５から構成されており、各ヒータ３１〜３５は、電力制御器４１〜４５により独立して発熱量を制御できるようになっている。上記のように、本実施形態では、反応管２、マニホールド２１、ヒータ３等によって加熱炉が構成されている。
【００１９】
内管２ａの内壁には，ヒータ３１〜３５に対応して、熱電対等からなる内側温度センサＳ１ｉｎ〜Ｓ５ｉｎが設置されている。また，外管２ｂの外壁にはヒータ３１〜３５に対応して、熱電対等からなる外側温度センサＳ１ｏｕｔ〜Ｓ５ｏｕｔが設置されている。
【００２０】
内管２ａの内部は、ヒータ３１〜３５に対応して、５つの領域（ゾーン１〜５）に区分されていると考えることができる。なお、反応管２内のウエハボート２３に載置された半導体ウエハＷの全体は、１つのバッチを構成し、一緒に熱処理（バッチ処理）される。
【００２１】
本実施形態では，各ゾーン１〜５の夫々に、モニタウエハＷｍ１〜Ｗｍ５が載置されている。但し、一般的には，ゾーンの個数とモニタウエハＷｍの枚数が一致しなくても差し支えない。例えば、５つのゾーンに、１０枚、あるいは３枚のモニタウエハＷｍを配置することも可能である。
【００２２】
マニホールド２１には、内管２ａ内にガスを供給するために複数のガス供給管が設けられており、図１では便宜上２本のガス供給管５１，５２を示してある。各ガス供給管５１，５２には、ガス流量をそれぞれ調整するための例えばマスフローコントローラなどの流量調整部６１，６２やバルブ（図示せず）などが介設されている。
【００２３】
またマニホールド２１には、内管２ａと外管２ｂとの隙間から排気するように排気管２７の一端が接続されており、この排気管２７の他端は、図示しない真空ポンプに接続されている。排気管２７の途中には、反応管２内の圧力を調整するための機構として、例えばバタフライバルブやバルブ駆動部などを含む圧力調整部２８が設けられている。
【００２４】
制御部１２０は、主制御部１２１と、ユーザインターフェース部１２２と、記憶部１２３とを具備している。主制御部１２１は、ＣＰＵ(Central Processing Unit)等を有するコンピュータ等から構成され、基板処理部１１０の各部に制御信号を送出して基板処理部１１０の動作を統括的に制御する。また、制御部１２０には、基板処理部１１０の各種のセンサから、処理の状態を示す各種の計測値、例えば、温度、圧力、ガス流量等のデータ（プロセスログデータ）が入力される。
【００２５】
ユーザインターフェース部１２２は、作業員がコマンドの入力操作を行うキーボード及びマウス等（いずれも図示せず。）、熱処理装置１００の稼働状況を可視化して表示する表示部（ディスプレイ）１２２ａ等から構成されている。なお、主制御部１２１は、表示部１２２ａにおける表示を制御するための表示制御部１２１ａを具備している。
【００２６】
記憶部１２３は、ハードディスク又は半導体メモリ等からなり、基板処理部１１０で実行される各種処理を主制御部１２１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウエア）、及び基板処理部１１０において実施される複数のレシピが格納されている。また、記憶部１２３には、基板処理部１１０において実施された導体ウエハＷの処理の状態（プロセス状態）を示す各種の計測値、例えば、温度、圧力、ガス流量等のデータ（プロセスログデータ）が格納されている。これらのプロセスログデータは、１つのプロセスについて、例えば、温度、圧力、ガス流量等複数有り、また、例えばこれらの温度等についても計測する部位の相違等から複数有る。そして、これらの複数（例えば、数十乃至数百）のプロセスログデータ群が、制御部１２０によって、プロセスの識別子（ＩＤ）と対応付けて書き込まれる。
【００２７】
レシピは、例えば、成膜を行う膜の種類及び膜厚毎に予め作成され、この場合、処理条件としては、少なくとも、ガス種及びガス流量、圧力、温度、処理時間がレシピに規定されている。また、ウエハボート２３を回転させながら熱処理を行う場合は、ウエハボート２３の回転速度もレシピ中に規定される。
【００２８】
なお、図１には図示していないが、縦型熱処理装置１００の近傍には、モニタウエハＷｍ１〜Ｗｍ５に形成されたＣＶＤ膜等の膜厚を測定するための膜厚測定装置が配設されており、膜厚測定装置からの膜厚測定データは、主制御部１２１に入力されるようになっている。
【００２９】
そして、必要に応じて、ユーザインターフェース部１２２からの指示等にて任意のレシピを記憶部１２３から呼び出して主制御部１２１に実行させることで、主制御部１２１の制御下で、熱処理装置１００での所望の処理が行われる。また、制御プログラムやレシピは、コンピュータで読取り可能な記憶媒体（例えば、ハードディスク、ＣＤ、フレキシブルディスク、半導体メモリ等）などに格納された状態のものを利用したり、或いは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３０】
次に、上記構成の縦型熱処理装置１００における半導体ウエハＷの処理について図面を参照しながら説明する。
【００３１】
縦型熱処理装置１００において半導体ウエハＷに成膜処理を施す場合、前述したとおり、予め、ユーザインターフェース部１２２等から、記憶部１２３内のレシピを選択し、実行する熱処理の条件を設定しておく。この場合、例えばＣＶＤ膜を形成する場合は、形成するＣＶＤ膜の膜種と膜厚を選択することによって、この膜種と膜厚のＣＶＤ膜を形成することのできるレシピを指定することができる。そして、フープ又はカセットから未処理の半導体ウエハが移載されたウエハボート２３を、ボートエレベータ２６によって反応管２内に搬入する。
【００３２】
この後、主制御部１２１は、設定されているレシピに従って、ヒータ３による加熱温度、反応管２内の圧力、反応管２内に供給するガスのガス種及びガス流量を制御し、半導体ウエハＷに所定の処理、例えばＣＶＤ膜の形成を行う。
【００３３】
そして，熱処理が終了すると，反応管２内を不活性ガス雰囲気にして所定温度（例えば３００℃）まで降温し、反応管２内からウエハボート２３を搬出し、その後、ウエハボート２３から処理済み半導体ウエハＷを搬出してフープ又はカセットに戻す。また、モニタウエハＷｍ１〜Ｗｍ５については、膜厚測定装置（図示せず。）に搬送し、複数点（例えば９点（中心部１点、周縁部４点、中間部４点））において膜厚を測定する。
【００３４】
ユーザインターフェース部１２２の表示部１２２ａには、上記の半導体ウエハＷの処理の状態を示すプロセスログデータ、例えば、圧力、温度、ガス流量等の時間的な推移に関するチャート（時系列グラフ）を表示することができる。この表示部１２２ａにおける表示は、主制御部１２１の表示制御部１２１ａによって制御される。図５に示すように、表示制御部１２１ａは、後述するリストウィンド２００を表示するためのリストウィンド表示部１３１、後述するチャートウィンド２１０を表示するためのチャートウィンド表示部１３２、ドラッグアンドドロップの有無を検出するためのドラッグアンドドロップ検出部１３３、チャートを表示するためのチャート表示部１３４を具備している。
【００３５】
図２、図３は、表示部１２２ａにおけるプロセスログデータに関する表示画面の例を示している。図２、図３に示すように、表示部１２２ａの一部（図２、図３中左側部分）には、プロセスの識別子（ＩＤ）の一覧表であるリストを表示させるためのリストウィンド２００が表示されている。また、表示部１２２ａの一部（図２、図３中右側部分）には、プロセスログデータのチャートを表示させるためのチャートウィンド２１０が表示されている。前述したとおり、１つのプロセスの識別子（ＩＤ）には、このプロセスを実行した際に得られた複数のプロセスログデータ（プロセスログデータ群）が関連付けされて記憶部１２３に記憶されている。
【００３６】
図２に示す状態では、チャートウィンド２１０には、予め選択したプロセスログデータ群の中の１つのプロセスログデータ、例えば、ＡＰＣ（自動圧力制御器）１で測定された圧力等のチャート（図中に示す点線Ａ）が表示されている。このチャートを表示する際には、リストウィンド２００の中から１つのプロセスの識別子（ＩＤ）を選択し、選択したプロセスの中から表示させるプロセスログデータ（例えば、ＡＰＣ（自動圧力制御器）１で測定された圧力）を指定してチャートウィンド２１０に表示させる。
【００３７】
図２に示す状態からさらに他のプロセスにおけるプロセスログデータを既表示チャートと重ね合わせて表示する場合、リストウィンド２００に表示されているリストの中からチャートを表示するプロセスの識別子２０１をマウス等の操作によってクリックし、これを図３に示すように、チャートウィンド２１０にドラッグアンドドロップする。
【００３８】
これによって、チャート表示ウィンド２１０にドラッグアンドドロップされたプロセスの識別子２０１に対応するプロセスログデータ群の中から、既にチャートウィンド２１０に表示されているチャートに対応するプロセスログデータ（ＡＰＣ（自動圧力制御器）１で測定された圧力）が記憶部１２３から読み込まれそのチャートがチャート表示ウィンド２１０に表示される。なお、上記のドラッグアンドドロップ操作は、マウスによる操作に限らず、タッチパネルに対する接触操作によるものでもよい。
【００３９】
この場合、図３に示す一点鎖線Ｂのように、既に表示されている点線Ａのチャートに重ねて一点鎖線Ｂのチャートが表示される。なお、図３では、線の種類によってチャートの違いを表しているが、実際はチャート毎に異なる色の表示を行うこと等によってチャートの違いを表す。
【００４０】
次に図４のフローチャートを参照して上記した主制御部１２１の表示制御部１２１ａにおける表示処理について説明する。
【００４１】
まず、オペレータのマウス操作等によって、図５に示したリストウィンド表示部１３１及びチャートウィンド表示部１３２が起動され、表示部１２２ａに、図２に示したリストウィンド２００とチャートウィンド２１０が表示された状態に設定され、リストウィンド２００から選択されたプロセスの指定されたプロセスログデータのチャートがチャートウィンド２１０に表示された状態とされる（図４のステップＳ４０１）。
【００４２】
この状態で、図５に示したドラッグアンドドロップ検出部１３３により、図２、図３に示したリストウィンド２００に示されたプロセスの識別子２０１のチャートウィンド２１０へのドラッグアンドドロップ操作が行われた否かを検出する（図４のステップＳ４０２）。
【００４３】
そして、ドラッグアンドドロップ操作が検出されると、図５に示したチャート表示部１３４により、ドラッグアンドドロップされたプロセスのプロセスログデータ群の中からチャートウィンド２１０に既に表示されている既表示チャートに対応するプロセスログデータが、図１に示した記憶部１２３から読み込まれる（図４のステップＳ４０３）。
【００４４】
そして、チャート表示部１３４によって、記憶部１２３から読み込まれたプロセスログデータをグラフ化し、チャートウィンド２１０に既に表示されているチャートに重ねて表示する（図４のステップＳ４０４）。
【００４５】
次に、処理を終了する場合は処理を終了し、処理を終了しない場合は、ステップＳ４０２からの処理を繰り返す（図４のステップＳ４０５）。
【００４６】
以上のように、本実施形態では、リストウィンド２００に示されたプロセスの識別子のリストの中から、チャートを表示したいプロセスログデータの識別子を、マウス操作等によってチャートウィンド２１０にドラッグアンドドロップすることにより、そのプロセスのプロセスログデータの既表示チャートに対応するチャートを既表示チャートに重ねて表示させることができる。このように従来に比べてプロセスログデータのチャートを容易かつ迅速に表示することができるので、プロセスログデータの解析を円滑に行うことができる。
【００４７】
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。当業者であれば、特許請求の範囲に記載された思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、それらについても当然に本発明の技術的範囲に属するものと了解される。
【符号の説明】
【００４８】
１００……縦型熱処理装置、１１０……基板処理部、１２０……制御部、１２１……主制御部、１２１ａ……表示制御部、１２２……ユーザインターフェース部、１２２ａ……表示部、１２３……記憶部、２……反応管、３……ヒータ。
【図１】
2014154717.tif 000003
【図２】
2014154717.tif 000004
【図３】
2014154717.tif 000005
【図４】
2014154717.tif 000006
【図５】
2014154717.tif 000007