(57)【要約】【課題】  エッチング液やレジスト剥離液などの化学物質を使用する煩雑な工程を必要としない環境側面および経済側面において有効な新しい配線パターンの形成方法を見いだし、その新しいパターン形成方法に適した積層体およびその積層体を用いた配線パターン形成物を提供する。【解決手段】  本発明の積層体は絶縁性基板層の片面にレジスト層が積層された積層体もしくは前記レジスト層がパターン形状に積層されており、かつ前記レジスト層および絶縁性基板に導電性薄膜層を積層した積層体である。これら積層体もしくは積層体を使用して新しい配線パターン形成方法を用いて配線パターンを形成する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板の片面にレジスト層が積層された積層体において、前記絶縁性基板の吸光度が波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で０．２５以下であり、かつ前記積層体の絶縁性基板側から波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で光を照射させたときの吸光度の最大値が０．４以上であることを特徴とする積層体。
【請求項２】
絶縁性基板の片面に前記レジスト層がパターン形状に積層されており、かつ前記絶縁性基板および前記レジスト層に導電性薄膜層が積層された積層体において、前記絶縁性基板に導電性薄膜層が積層された領域の前記絶縁性基板側から波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で光を照射させたときの全光線反射率の最大値が５０％以上であることを特徴とする請求項１に記載の積層体。
【請求項３】
前記絶縁性基板がガラス、石英およびプラスチックフィルムからなる群より選ばれる少なくとも１つを含むことを特徴とする請求項１または２に記載の積層体。
【請求項４】
前記絶縁性基板がポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアクリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１つを含むプラスチックフィルムであることを特徴とする請求項１から３いずれかに記載の積層体。
【請求項５】
請求項１から４いずれかに記載の積層体を用いた配線パターン形成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線パターンの形成方法に関し、さらにはエッチングの難しい貴金属配線板、プリント配線板として有用な、積層体および積層体を用いた配線パターン形成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来より、絶縁性基板の表面に金属パターンによる配線を形成した金属配線基板が、電子部品や半導体素子に広く用いられている。従来の配線パターン形成方法としては、例えば、サブトラクティブ法、セミアディティブ法、フルアディティブ法、リフトオフ法などが用いられている（特許文献１〜６）。
【０００３】
サブトラクティブ法とは、絶縁性を有する基板本体の上に形成された金属箔上にフォトレジスト層を形成した積層板を用意する。この積層板のレジスト層に所望の導体パターンを配置して、その上から紫外線を露光し、現像して導体パターン以外のレジスト層を除去した後、エッチング液を用いてレジスト層によってマスクされた導体パターンを残して導体層の一部を除去し、最後に導体パターン上のレジスト層を剥離することによって配線パターンを得るものである（特許文献１〜３）。
【０００４】
一方セミアディティブ法では、絶縁樹脂上に厚さ０．３μｍ〜３μｍ程度の薄い下地金属層を無電解めっきにより形成し、下地金属層上にフォトレジスト層を形成した後に、回路パターンとは逆の回路パターンが描画された露光板を介して紫外線露光することによって、配線回路を形成すべき部分の下地金属層が露出し、回路形成しない部分ではフォトレジスト皮膜によって被覆されたレジストパターンを形成する。給電層上に形成されたフォトレジストパターンを型として下地金属層に電流を印加し、配線回路となる部分を電解めっき法により形成する。続いてフォトレジストパターンを除去して下地金属層をエッチング除去することで配線パターンを得るものである（特許文献４）。
【０００５】
また絶縁基板上にＰｔ、Ａｕ、Ｐｄ等の貴金属およびこれらの合金等のエッチングの難しい金属で導電回路を形成する場合、予め、回路パターンのネガティブ型レジスト膜を形成し、次に真空蒸着法やスパッタリング法により、前記金属層を形成し、レジスト膜を溶剤除去する、いわゆるリフトオフ法により配線パターンを得る方法が知られている（特許文献５、６）。
【０００６】
これらの配線パターン形成方法は、エッチング液やレジスト剥離液などの化学物質を使用するなどの煩雑な工程を必要としており、環境側面および経済側面において、より有効な手段が求められている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００４−０６３５７５号公報
【特許文献２】特開２００４−１７２２３６号公報
【特許文献３】特開２００５−１３６３３９号公報
【特許文献４】特開２００９−１７６７７０号公報
【特許文献５】特開平８−２７４４４８号公報
【特許文献６】特開２０００−２８６５３６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
本発明者らは、従来技術の背景に鑑み前記の問題に対して調査し、環境側面および経済側面において有効な新しい配線パターンの形成方法を見いだし、その新しいパターン形成方法に適した積層体およびその積層体を用いた配線パターン形成物を提供せんとするものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、かかる課題を解決するために、次のような手段を採用するものである。すなわち、
（１）絶縁性基板の片面にレジスト層が積層された積層体において、前記絶縁性基板の吸光度が波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で０．２５以下であり、かつ前記積層体の絶縁性基板側から波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で光を照射させたときの吸光度の最大値が０．４以上であることを特徴とする積層体。
（２）絶縁性基板の片面に前記レジスト層がパターン形状に積層されており、かつ前記絶縁性基板および前記レジスト層に導電性薄膜層が積層された積層体において、前記絶縁性基板に導電性薄膜層が積層された領域の前記絶縁性基板側から波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で光を照射させたときの全光線反射率の最大値が５０％以上であることを特徴とする（１）に記載の積層体。
（３）前記絶縁性基板がガラス、石英およびプラスチックフィルムからなる群より選ばれる少なくとも１つを含むことを特徴とする（１）または（２）に記載の積層体。
（４）前記絶縁性基板がポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアクリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１つを含むプラスチックフィルムであることを特徴とする（１）から（３）いずれかに記載の積層体。
（５）（１）から（４）いずれかに記載の積層体を用いた配線パターン形成物。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、環境側面および経済側面において有効な新しい配線パターン形成方法に適した積層体及びその積層体を用いた配線パターン形成物を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の積層体の断面図である。
【図２】本発明に用いられるフラッシュ光のスペクトルの一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の積層体は絶縁性基板の片面にレジスト層が積層された積層体もしくは積層体のレジスト層がパターン形状に積層されており、かつ前記レジスト層および絶縁性基板に導電性薄膜層を積層した積層体である。これらの積層体を使用して新しい配線パターン形成方法を用いて配線パターンを形成する。
【００１３】
本発明の配線パターン形成物を得るための配線パターンの形成方法は、第１の工程が、絶縁性基板の片面（以下Ａ面と略）にレジスト層を積層する工程であり、第２の工程が、前記レジスト層および絶縁性基板に導電性薄膜層を積層する工程であり、第３の工程が、フラッシュランプから可視光帯域のフラッシュ光を、前記絶縁性基板の前記レジスト層が積層されていない面（以下Ｂ面と略）側から少なくとも前記レジスト層に照射して、前記レジスト層を消失し、前記絶縁性基板層と前記導電性薄膜層よりなる配線パターンを形成する工程であることを特徴とする配線パターンの形成方法である。
【００１４】
［絶縁性基板］
本発明の絶縁性基板は、透明であることが好ましい。本発明でいう透明とは、前記絶縁性基板のＢ面より入射する可視光帯域のフラッシュ光が、Ａ面に到達し、レジスト層が消失する程度であればよい。具体的には、ＪＩＳ  Ｋ０１１５（２００４年）で測定される前記絶縁性基板の吸光度が波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で０．２５以下が好ましく、０．１以下であるとさらに可視光帯域のフラッシュ光のエネルギーが減衰することなく、前記レジスト層に効率よく到達し、前記レジスト層を消失することができるのでより好ましい。絶縁性基板の吸光度が０．２５より大きい場合、可視光帯域のフラッシュ光の強度が減衰し、レジスト層に可視光帯域のフラッシュ光が効率よく到達することが難しく、前記レジスト層を消失させることができない場合がある。前記絶縁性基板の吸光度の下限は、本発明の性質上、特に制限するものではなく、限りなく０に近いものであっても特に問題はない。
【００１５】
なお、本発明において前記絶縁性基板の吸光度が波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で０．２５以下とは、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲のすべての波長において吸光度が０．２５以下であることをいう。
【００１６】
本発明の絶縁性基板は、例えばガラス、石英およびプラスチックフィルムからなる群より選ばれる少なくとも１つを含むことが好ましい。ガラス、石英、プラスチックフィルムの材質としては、本発明の特性を損なわない程度であれば、公知のものを使用することができる。例えば、ガラスの材質としてはＰＳＧ（リンガラス）、ＢＰＳＧ（リンボロンガラス）、シリケート系ＳＯＧ（Ｓｐｉｎ  ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）、ポリシラザン系ＳＯＧやアルコキシシリケート系ＳＯＧ、ポリメチルシロキサン等に代表されるＳｉ−ＣＨ３結合を有するＳｉＯ２を用いることもできる。また、プラスチックフィルムの材質としては、例えばポリエステル、ポリオレフィン、ポリエステルアミド、ポリエーテル、ポリアミドイミド、ポリスチレン、ポリ−ρ−フェニレンスルフィド、ポリエーテルエステル、ポリ塩化ビニル、ポリビニルアルコール、ポリ（メタ）アクリル酸エステル、アセテート系、ポリ乳酸系、フッ素系、シリコーン系等が挙げられる。
【００１７】
特にポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアクリレート、ポリイミド、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレートおよびポリエチレンナフタレートからなる群より選ばれる少なくとも１つを含むプラスチックフィルムであることが好ましい。
【００１８】
また、これらの共重合体やブレンド物、さらに架橋した化合物を用いることもできる。前述の吸光度を損なわない範囲であれば、複数のフィルムの積層体であってもよい。
【００１９】
前記絶縁性基板の厚さは、特に制限するものではないが、１μｍ以上、５ｍｍ以下であることが好ましい。厚さが１μｍ未満であると、絶縁性基板が割れてしまったり、前記レジスト層を積層する際にシワが入ったり、破断し易くなり、取り扱いが困難になる場合がある。厚さが５ｍｍを超えると、前述の吸光度が低下して、可視光帯域のフラッシュ光の強度が絶縁性基板のＢ面から絶縁性基板のＡ面に到達するまでに減衰し、レジスト層を消失することができなくなる場合がある。前記絶縁性基板の厚さが、１μｍ以上、５ｍｍ以下であると、取り扱いやすく、また吸光度が低下することもないので好ましい。
【００２０】
本発明のレジスト層は、絶縁性基板のＢ面からＡ面を通じて照射される可視光帯域のフラッシュ光により消失、すなわち、可視光帯域のフラッシュ光により気化する材料が含まれていればよい。具体的には、可視光帯域のフラッシュ光が、レジスト層に照射されると、瞬間的に温度が４００度以上に達し、その温度により、前記レジスト層が気化する。このことにより、前記レジスト層およびその上に積層された導電性薄膜層の除去される部分が、絶縁性基板のＡ面から剥がされ、前記絶縁性基板上に導電性薄膜層の配線パターンとなる部分が残ることで配線パターンを得ることができる。
【００２１】
［レジスト層］
可視光帯域のフラッシュ光の照射により気化する本発明のレジスト層に含まれる有機溶剤としては、例えば、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、エタノール、メタノール、イソプロピルアルコール、酢酸エチル、酢酸ブチル等が挙げられる。
【００２２】
有機溶剤の種類について、特に制限するものではないが、沸点が４０℃以上、２００℃以下であることが好ましい。より好ましくは、８０℃以上、１５０℃以下である。有機溶剤の沸点が、４０℃より低いと、可視光帯域のフラッシュ光を照射する前の段階において、前記レジスト層中に含まれる有機溶剤が徐々に大気中に放出してしまう場合がある。有機溶剤の沸点が２００℃より高いと、可視光帯域のフラッシュ光を照射する強度を過剰に大きくする必要があり、それにより、絶縁性基板が損傷する場合がある。有機溶剤の沸点が４０℃以上、２００℃以下であれば、可視光帯域のフラッシュ光を照射する前の段階において、前記レジスト層中に含まれる有機溶剤が徐々に大気中に放出することなく、且つ、可視光帯域のフラッシュ光を照射する強度を過剰に大きくする必要がないため、絶縁性基板を損傷することがないため好ましい。
【００２３】
有機溶剤をレジスト層に含有させる方法としては、例えば、硫化ゴム、ポリエステル、ポリアクリル酸共重合体等のバインダー樹脂を前記有機溶剤に溶解した液を所望の粘度に調製し、グラビア印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷等の公知の方法でパターン印刷し、乾燥する方法が挙げられる。また別の方法としては、シリカ等の平均粒径が０．０１〜１０μｍ程度の多孔質粒子に前記有機溶剤に十分浸漬させた、いわゆる有機溶剤をカプセル状に包含した粒子と、前記バインダー樹脂と、前記有機溶剤とを含有する液を所望の粘度に調製し、公知の方法で配線のネガティブパターンを塗布し、乾燥することにより得ることができる。
【００２４】
レジスト層における有機溶剤の含有量は、特に限定するものではないが、０．０１質量％以上１０質量％以下であることが好ましく、より好ましくは、０．０５質量％以上５質量％以下であり、さらに好ましくは、０．１質量％以上３質量％以下である。
【００２５】
有機溶剤の含有量が０．０１質量％より少ないと、可視光帯域のフラッシュ光でレジスト層中に含まれる前記有機溶剤が気化しても前記レジスト層およびその上に積層された導電性薄膜層の除去される部分が絶縁性基板のＡ面から剥がれず、所望の配線パターンが得られない場合がある。有機溶剤の含有量が１０質量％より大きいと、レジスト層中に含まれる前記有機溶剤の気化による絶縁性基板へのダメージが大きくなったり、レジスト層と絶縁性基板との密着性が悪くなったりする場合がある。
【００２６】
有機溶剤の含有量が、０．０１質量％以上１０質量％以下であると、可視光帯域のフラッシュ光でレジスト層中に含まれる前記有機溶剤が気化して、前記レジスト層およびその上に積層された導電性薄膜層の除去される部分を絶縁性基板のＡ面から剥がすことができ、絶縁性基板へのダメージもほとんどなく、レジスト層と絶縁性基板との密着性を十分保つことができる。
【００２７】
本発明のレジスト層の厚さは、特に制限するものではないが、１ｎｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。より好ましくは、１０ｎｍ以上１５μｍ以下である。厚さが１ｎｍより小さいと、レジスト層自体にピンホールが発生し、導電性薄膜層をこの上に積層する工程で、前記レジスト層自体のピンホールを通じて導電性薄膜層が所望の部分以外の絶縁性基板に付着する場合がある。厚さが２０μｍより大きい場合、微細な配線のネガティブパターンを描くことが困難となる場合がある。レジスト層の厚さが、１ｎｍ以上２０μｍ以下であると、レジスト自体にピンホールが発生することなく、また、微細な配線のネガティブパターンを描くことができるため好ましい。
【００２８】
その他のレジスト層の材料としては、［式１］により酸化され、気化するカーボン（Ｃ）を含有するものが挙げられる。
［式１］    Ｃ  ＋Ｏ２  →  ＣＯ２（気体）
カーボンとしては、特に限定するものではないが、例えば、黒鉛、フラーレン、ダイヤモンド、カーボン繊維、カーボンナノチューブ、グラッシーカーボン、活性炭、カーボンブラック等が挙げられる。
【００２９】
前記カーボンの大きさは、特に規定するものではないが、レジスト層中に含まれるカーボンの表面積が大きければ多いほど、フラッシュランプから照射される可視光帯域のフラッシュ光のエネルギーによって、［式１］の反応が生じやすくなる。従って、適宜必要なカーボンの種類や含有量を選択すればよい。例えば、黒鉛が採用される場合、１００ｎｍ以下の一次粒子径のものを少なくとも５質量％以上含有していることが好ましく、より好ましくは、１０質量％以上であり、さらに好ましくは、１５質量％以上である。また、前記１００ｎｍ以下の一次粒子径の黒鉛の含有率は増加すればするほど[式１]の反応が起こりやすいため好ましく、例えば１００質量％であっても問題はない。
【００３０】
前記カーボンを含有するレジスト層としては、例えば、カーボンとバインダー樹脂と有機溶剤の混合液を公知の方法で塗布、または印刷することにより得ることができる。この場合のカーボンの含有量は、特に限定するものではないが、レジスト層１００質量部に対し、１質量部以上９９質量部以下であることが好ましく、より好ましくは、３質量部以上９０質量部以下である。カーボンの含有量が１質量部より少ないと、可視光帯域のフラッシュ光でレジスト層中に含まれるカーボンが［式１］により気化して二酸化炭素の気体になっても前記レジスト層およびその上に積層された導電性薄膜層の除去される部分が絶縁性基板のＡ面から剥がれないことがあり、所望の配線パターンが得られない場合がある。９９質量部より多いと、バインダー樹脂の含有率が小さくなるため、絶縁性基板とレジスト層の密着性が悪くなり、パターン形成工程において支障を及ぼす可能性がある。カーボンの含有量が、１質量部以上９９質量部以下であると、絶縁性基板とレジスト層の密着性を損ねることなく、且つ、可視光帯域のフラッシュ光でレジスト層中に含まれるカーボンが［式１］により気化して二酸化炭素の気体になって前記レジスト層およびその上に積層された導電性薄膜層の除去される部分を絶縁性基板のＡ面から剥がすことができ、所望の配線パターンを得ることができる。
【００３１】
レジスト層を形成する別の方法としては、カーボンを少なくとも含むレジスト層を構成する材料をスパッタリング法や蒸着法等の公知の方法により均一なレジスト層を形成する方法を用いることができる。この場合のレジスト層１００質量部中に含有するカーボンの含有率は、例えば１００質量部であっても絶縁性基板とレジスト層の密着性が悪くなることはなく、配線パターン工程において支障を及ぼすこともない。
【００３２】
また、本発明のレジスト層を積層する工程は、グラビア印刷、フレキソ印刷、スクリーン印刷、オフセット印刷、インクジェット印刷、フォトリソグラフ等により配線のネガティブパターンを前記カーボンとバインダー樹脂と有機溶剤の混合液で印刷し、乾燥させ、黒鉛とバインダー樹脂よりなるレジスト層を積層する方法も用いることができる。
【００３３】
次いで、所望の配線パターンを得るために、配線パターン上のレジスト層をレーザー発信装置より発信されるレーザービームで除去する、いわゆるレーザーアブレーション法により除去を行なう方法を用いることができる。このような方法を用いることにより、レジスト層をパターン形状に積層することができる。
【００３４】
絶縁性基板の片面にレジスト層がパターン形状に積層されているとは、絶縁性基板の片面にレジスト層が所定のパターンで形成されていることをいい、絶縁性基板上のパターン部分はレジスト層が存在する部分となるが、非パターン部分はレジスト層が存在しない部分となる。
【００３５】
また、本発明のレジスト層の材料には、可視光帯域のフラッシュ光のエネルギーを吸光（吸収）する、たとえば着色材料が含まれていればよい。着色材料としては、有機顔料や無機顔料を分散させた顔料系着色組成物や、ジピロメテン系染料、ピリミジンアゾ系染料、ピラゾールアゾ系染料、キサンテン系染料など、多種多様な色素母体を持つ染料系着色組成物などが挙げられる。可視光帯域のフラッシュ光のエネルギーを吸光（吸収）することでレジスト層の温度が上昇し、前記レジスト層の材料を気化することができる。
【００３６】
前記着色材料を含有するレジスト層としては、例えば、前記材料とバインダー樹脂と有機溶剤の混合液を公知の方法で塗布、または印刷することにより得ることができる。この場合の着色材料の含有量は、特に限定するものではないが、レジスト層における分散やフラッシュ光のエネルギーを効率良く吸光する観点から、レジスト層１００質量部に対し、１質量部以上９９質量部以下であることが好ましく、より好ましくは、３質量部以上９０質量部以下である。前記着色材料の含有量が１質量部より少ないと、可視光帯域のフラッシュ光のレジスト層への吸光が不十分となり、前記レジスト層およびその上に積層された導電性薄膜層の除去される部分が絶縁性基板のＡ面から剥がれないことがあり、所望の配線パターンが得られない場合がある。９９質量部より多いと、バインダー樹脂の含有率が小さくなるため、絶縁性基板とレジスト層の密着性が悪くなり、パターン形成工程において支障を及ぼす場合がある。
【００３７】
本発明において、前記積層体のＢ面側より可視光帯域、すなわち波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で光を照射させたときの吸光度の最大値が０．４以上であることが好ましく、０．６以上であればより好ましい。可視光帯域の光を照射させたときの吸光度の最大値が０．４以上であると可視光帯域のフラッシュ光を照射した際にそのエネルギーを吸収しやすくなるため、レジスト層の温度が上昇し、前記レジスト層の材料が気化することができる。一方、最大値が０．４を下回る場合は、可視光帯域のフラッシュ光を照射した際にそのエネルギーを吸収できず、レジスト層の温度が前記レジスト層の材料が気化する温度まで上昇させることができない場合がある。前記レジスト層の吸光度の上限は、本発明の性質上、特に制限があるものではない。
【００３８】
なお、本発明において波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で光を照射させたときの吸光度の最大値が０．４以上であるとは、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で吸光度の最大値が０．４以上となる波長が存在することをいう。
【００３９】
［導電性薄膜層］
本発明の導電性薄膜層を構成する材料は、可視光帯域のフラッシュ光が照射されてもダメージを受けにくい導電性材料であればよい。具体的には、カーボン系以外の導電性材料であればよく、通常、金属、合金、導電性ポリマー等が挙げられる。
【００４０】
導電性薄膜層にカーボン系の導電性材料を用いた場合、可視光帯域のフラッシュ光により、レジスト層だけでなく、カーボン系の導電性材料よりなる導電性薄膜層自身も気化、消失してしまう場合がある。導電性材料の中でも好ましい材料は、金属であり、特にエッチングされにくい金、白金、パラジウム等の導電性材料や透明導電性ポリマーで導電性回路を形成する場合、本発明が有効である。
【００４１】
本発明における導電性薄膜層の厚さは、特に限定するものではないが、１ｎｍ以上２０μｍ以下であることが好ましい。さらに好ましくは、１０ｎｍ以上１２μｍ以下である。導電性薄膜層の厚さが、１ｎｍより小さいと、導電性回路の抵抗値が大きくなる場合がある。２０μｍより大きいと、可視光帯域のフラッシュ光でレジスト層を消失する際、導電性薄膜層の除去される部分（非配線パターン部）と導電性薄膜層が残る部分（配線パターン部）がつながったままの状態で残ってしまったり、つながったままの状態で剥がれてしまったりする場合がある。導電性薄膜層の厚さが、１ｎｍ以上２０μｍ以下であることにより、導電性回路の抵抗値が大きくなりすぎず、且つ、可視光帯域のフラッシュ光でレジスト層を消失する際、導電性薄膜層の除去される部分と導電性薄膜層の配線パターン部となる部分がつながったままの状態で残ってしまったり、つながったままの状態で剥がれてしまったりすることがなく、所望の配線パターンを得ることができるので好ましい。
【００４２】
本発明の導電性薄膜層は、スパッタリング法および／または蒸着法で積層することができる。
【００４３】
蒸着法としては、例えば、物理気相蒸着法（ＰＶＤ）、プラズマ化学気相蒸着法（ＰＡＣＶＤ）、化学蒸着法（ＣＶＤ）、電子ビーム物理蒸着法（ＥＢＰＶＤ）および／または有機金属気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ）を含むが、これらに限定されない。これらの技術は周知であり、絶縁性基板に金属または導電性材料の均一で薄い被覆を選択的に設けるために使用可能である。
【００４４】
絶縁性基板およびレジスト層に導電性薄膜層が積層された積層体においては、図１で示すように、絶縁性基板に導電性薄膜層が積層された領域（６００）とレジスト層に導電性薄膜層が積層された領域（７００）が存在する。
【００４５】
ここで、絶縁性基板に導電性薄膜層が積層された領域（６００）においては、絶縁性基板上にレジスト層が存在しておらず（すなわち、レジスト層の非パターン部分に該当）、絶縁性基板と導電性薄膜層が接して積層された構成となっている。
【００４６】
また、レジスト層に導電性薄膜層が積層された領域（７００）においては、レジスト層（すなわち、レジスト層のパターン部分に該当）上に導電性薄膜層が接して積層された構成となっている。
【００４７】
本発明において、導電性薄膜層はスパッタリング法および／または蒸着法で積層することができ、導電性薄膜層と、絶縁性基板またはレジスト層は接して積層された構成となる。
【００４８】
［全光線反射率］
積層体のレジスト層が存在しない、絶縁性基板に導電性薄膜層を有する領域に絶縁性基板のＢ面から波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で光を照射させたときの全光線反射率（ＪＩＳ  Ｋ７３７５（２００８年））の最大値が５０％以上であることが好ましく、７０％以上であればより好ましい。前記全光線反射率の上限は、本発明の性質上、特に制限するものではなく、限りなく１００％に近いものであっても特に問題はない。全光線反射率の最大値が５０％以上であれば、フラッシュランプから照射される可視光帯域のフラッシュ光を反射しやすくなることで、エネルギーが発散し、配線パターンとして残しておきたい導電性薄膜層が残留しやすくなる。波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で光を照射させたときの全光線反射率の最大値が５０％より小さくなると、フラッシュランプから照射される可視光帯域のフラッシュ光を吸光しやすくなり、配線パターンとして残しておきたい導電性薄膜層が除去されてしまう場合がある。
【００４９】
なお、本発明において、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で光を照射させたときの全光線反射率の最大値が５０％以上であるとは、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲で全光線反射率の最大値が５０％以上となる波長が存在することをいう。
【００５０】
また、絶縁性基板の片面に導電性薄膜層を有する領域とは図１において、レジスト層が存在しない、絶縁性基板と導電性薄膜層で構成される領域（６００）のことである。
【００５１】
［フラッシュランプ］
本発明に用いられるフラッシュランプは、キセノンフラッシュランプであることが好ましい。
キセノンフラッシュランプは、内部にキセノンが封入され、その両端部に電源ユニットのコンデンサーに接続された陽極および陰極が配接された棒状のガラス管（放電管）と、該ガラス管の外周面上に付設されたトリガー電極とを備えている。キセノンガスは電気的には絶縁体であることから、コンデンサーに電荷が蓄積されていたとしても通常の状態ではガラス管内に電気は流れない。しかしながら、トリガー電極に高電圧を印加して絶縁を破壊した場合には、コンデンサーに蓄えられた電気が両端電極間の放電によってガラス管内に瞬時に流れ、そのときのキセノンの原子あるいは分子の励起によって２００ｎｍ〜１，０００ｎｍの広帯域のスペクトルをもつフラッシュ光が放出される。図２は、キセノンフラッシュランプより照射されるフラッシュ光のスペクトルの一例である。このようなキセノンフラッシュランプにおいては、予めコンデンサーに蓄えられていた静電エネルギーが１マイクロ秒ないし１００ミリ秒という極めて短い光パルスに変換されることから、連続点灯の光源に比べて極めて強い光を照射し得るという特徴を有している。すなわち本発明においては、絶縁性基板のＢ面を通過して、レジスト層を高速に加熱することができる。しかも、絶縁性基板をほとんど温度上昇させずに処理することができるため好ましい。
【００５２】
可視光帯域のフラッシュ光を照射する際の１回の照射エネルギーは、前記レジスト層を気化するのに十分であればよく、特に限定するものではない。すなわち、絶縁性基板の材質および全光線透過率や、レジスト層の材質、厚さ、およびパターン形状（面積）、光源と照射対象物の距離、可視光帯域のフラッシュ光のランプの本数等種々の状態により適宜選ばれるものであるが、０．１Ｊ／ｃｍ２以上１００Ｊ／ｃｍ２以下の範囲であることが好ましく、０．５Ｊ／ｃｍ２以上１０Ｊ／ｃｍ２以下の範囲であることがより好ましい。照射エネルギーが０．１Ｊ／ｃｍ２より小さいと、前記レジスト層を気化するのに不十分であり、絶縁性基板から剥がれない場合がある。１００Ｊ／ｃｍ２より大きいと、前記レジスト層が必要以上に加熱されてしまったり、絶縁性基板や導電性薄膜層が高温に加熱され、ダメージを受けたりしてしまう場合がある。照射エネルギーが、０．１Ｊ／ｃｍ２以上１００Ｊ／ｃｍ２以下であると、前記レジスト層を気化するのに十分であるため好ましい。
【００５３】
フラッシュランプと絶縁性基板のＢ面の距離は、特に限定するものではないが、１０ｍｍ以上１，０００ｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは、１００ｍｍ以上８００ｍｍ以下である。フラッシュランプと絶縁性基板のＢ面の距離が１０ｍｍ未満であると、可視光帯域のフラッシュ光の照射範囲が小さくなったり、フラッシュランプ自体に蓄積された熱が絶縁性基板のＢ面に伝播し、絶縁性基板が熱的損傷を受けたりする場合がある。１，０００ｍｍより大きいと、可視光帯域のフラッシュ光により、レジスト層を高速に加熱することができなくなる場合がある。フラッシュランプと絶縁性基板のＢ面の距離が、１０ｍｍ以上１，０００ｍｍ以下であると、絶縁性基板が熱的損傷を受けることなく、またレジスト層を高速に加熱することができるため好ましい。
【００５４】
本発明に用いられる可視光帯域のフラッシュ光は、同一領域に１回または複数回照射される。通常、１回の照射で前記レジスト層を気化させればよく、配線パターンが微細であったり、複雑なパターンを描いていたりする場合は、１回の照射エネルギーを下げて複数回照射することにより、所望の配線パターンを得ることができる。
【００５５】
本発明の可視光帯域のフラッシュ光を同一領域に複数回照射する場合、照射する間隔は、１００Ｈｚ以下が好ましい。より好ましくは、１Ｈｚ以上５０Ｈｚ以下である。
【００５６】
本発明の可視光帯域のフラッシュ光を同一領域に対する総照射時間は、１０マイクロ秒以５０ミリ秒以下が好ましい。より好ましくは、５０マイクロ秒以上２０ミリ秒であり、さらに好ましくは、１００マイクロ秒以上５ミリ秒以下である。１０マイクロ秒より短いと、前記レジスト層を気化するのに不十分となり、レジスト層が絶縁性基板から剥がれない場合がある。５０ミリ秒より長いと、前記レジスト層が必要以上に加熱されてしまったり、絶縁性基板や導電性薄膜層が高温に加熱され、ダメージを受けてしまったりする場合がある。可視光帯域のフラッシュ光の１回の照射時間が、１０マイクロ秒以上５０ミリ秒以下であると、前記レジスト層を気化するのに十分であり、絶縁性基板や導電性薄膜層が高温に加熱され、ダメージを受けることもないため好ましい。
【００５７】
可視光帯域のフラッシュ光照射後、気化および剥離したレジスト層の残渣が発生する場合がある。この場合、公知の方法で除去すればよく、例えば、吸引等の空気により除去する方法や、粘着ロール等で除去することができる。
【００５８】
［本発明の用途］
本発明の配線パターン形成物は、配線を微細にすることができるため、回路の微細化が求められる複雑な回路基板に用いることができる。さらに、エッチング液やレジスト剥離液などの化学物質を使用する煩雑な工程を経ないため、環境負荷の少ない工程でフレキシブルプリント配線板等の回路基板を得ることができる。加えて、特にエッチング工程を必要としないため、本発明はエッチングの難しいＡｕ、Ｐｔ、Ｐｄ等の貴金属配線板に好適に用いることができる。
【実施例】
【００５９】
以下に本発明を実施例により具体的に説明を行うが、本発明はこれらの実施例により限定されるものではない。
【００６０】
［特性の測定方法および効果の評価方法］
本発明における特性の測定方法および効果の評価方法は次のとおりである。
【００６１】
（１）抵抗値の測定
積層体に可視光帯域のフラッシュ光を照射したサンプルから、配線パターン部及び非配線パターン部をそれぞれ１００μｍ×３０ｍｍ抜き出し、（株）秋月電子通商製テスター“ＭＥＴＥＸ  Ｐ−１０”を使用し、抜き出したサンプルの両端に端子を当てて、抵抗値の測定を行った。
【００６２】
配線パターン部を測定した際に抵抗値が１００Ω以下の場合は「◎」、抵抗値が１００Ωより大きい場合を「○」、抵抗値が測定できなかった場合（すなわちパターン部が断線している場合）を「×」とした。また非配線パターン部を測定した際には抵抗値が測定できなかった場合（すなわち導電性薄膜層が除去されている場合）を「○」、抵抗値が測定できた場合（すなわち導電性薄膜層が残っている場合）を「×」とした。
【００６３】
（２）吸光度の測定
絶縁性基板と、積層体をそれぞれ１０ｍｍ×１０ｍｍ抜き出し、絶縁性基板のＢ面からＪＩＳ  Ｋ０１１５（２００４年）に準拠して波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲において１ｎｍ毎に吸光度を測定した。
【００６４】
絶縁性基板を測定した際に、吸光度が波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲のすべての波長において０．２５以下になる場合は「○」、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲の一部で０．２５以下になる場合は「△」とし、その場合は合わせて０．２５以下になる波長を測定した。一方、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲のすべての波長において０．２５より大きくなる場合は「×」とした。
【００６５】
また、積層体を測定した際に、吸光度が波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲すべてで０．４以上になる場合は「◎」、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲の一部で０．４以上になる場合は「○」とし、その場合は合わせて０．４以上になる波長を測定した。一方、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲のすべての波長において０．４より小さくなる場合は「×」とした。
【００６６】
（３）全光線反射率の測定
積層体のレジスト層が積層されていない、絶縁性基板と導電性薄膜層で構成される領域を１０ｍｍ×１０ｍｍ抜き出し、絶縁性基板のＢ面からＪＩＳ  Ｋ７３７５（２００８年）に準拠して、波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲において１ｎｍ毎に全光線反射率を測定した。
積層体のレジスト層が積層されていない、絶縁性基板と導電性薄膜層で構成される領域の波長２００ｎｍ〜８００ｎｍの範囲のすべての波長において全光線反射率が５０％以上を「○」、一部の波長でも５０％を下回る場合は「×」とした。
【００６７】
（実施例１）
〔サンプルの作製方法〕
絶縁性基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム“ルミラー”（登録商標）（タイプＳ１０）１００μｍ（東レ（株）製）を用意した。
【００６８】
第１の工程として、日本黒鉛工業（株）製  バニーハイト  ＵＣＣ−２を用意し、グラビア印刷法により線幅１００μｍ、線間１００μｍ、線長さ３０ｍｍ、本数１０本の配線のネガティブ型パターンを前記絶縁性基板のＡ面に塗布し、１２０℃で６０秒間乾燥し、厚さ１μｍである配線のネガティブパターンを描画したレジスト層を形成し積層体Ａ１を作製した。
【００６９】
第２の工程として、前記で得られた積層体Ａ１の絶縁性基板のＡ面側に、Ｐｄをターゲット材料として、ＤＣマグネトロンスパッタリング法により厚さ５０ｎｍのＰｄ薄膜からなる導電性薄膜層を積層し積層体Ｂ１を作製した。
【００７０】
第３の工程として、キセノンパルス照射装置Ｓｉｎｔｅｒｏｎ２０００（Ｘｅｎｏｎ社製）を用いて、照射時間５００マイクロ秒、可視光帯域のフラッシュ光を前記で得られた積層体Ｂ１の絶縁性基板のＢ面側から、１回照射を行ない、３．０Ｊ／ｃｍ２の照射エネルギーを与え、積層体１を作製した。
【００７１】
（実施例２）
レジスト層として、大日精化工業（株）製  ＮＢ−５００  ＰＡＮＴＯＮＥ  ５６９Ｃ  をグラビア印刷法で２μｍ積層したフィルムを使用した以外は実施例１と同様に積層体２を作製した。
【００７２】
（実施例３）
レジスト層として、大日精化工業（株）製  ＮＢ−５００  ＰＡＮＴＯＮＥ  ６６１Ｃ  をグラビア印刷法で０．５μｍ積層したフィルムを使用した以外は実施例１と同様に積層体３を作製した。
【００７３】
（実施例４）
レジスト層として、大日精化工業（株）製  ＮＢ−５００  ＰＡＮＴＯＮＥ  ７０８Ｃ  をグラビア印刷法で１μｍ積層したフィルムを使用した以外は実施例１と同様に積層体４を作製した。
【００７４】
（比較例１）
絶縁性基板としてポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム“ルミラー”（登録商標）（タイプＸ３０）１００μｍ（東レ（株）製）を使用した以外は、実施例１と同様に積層体５を作製した。
【００７５】
（比較例２）
絶縁性基板として、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム“ルミラー”（登録商標）（タイプＳ１０）１００μｍ（東レ（株）製）のＢ面に大日精化工業（株）製  ＮＢ−５００  ＰＡＮＴＯＮＥ  ５６９Ｃをグラビア印刷法で１μｍ積層したフィルムを使用した以外は実施例１と同様に積層体６を作製した。
【００７６】
（比較例３）
レジスト層として、三協化成工業（株）製導電性ポリマー“ＣＬＥＢＩＯ”ＰＨ５００をグラビア印刷法で０．４μｍ積層した以外は実施例１と同様に積層体７を作製した。
【００７７】
（比較例４）
比較例３のレジスト層を使用し、導電性薄膜層として、Ｐｔを５ｎｍ積層した以外は実施例１と同様に積層体８を作製した。
【００７８】
実施例１〜４および比較例１〜４の測定結果を表１に示す。
【００７９】
【表１】
2014154805.tif 000003
【００８０】
実施例１〜４に示す積層体はいずれも配線パターンが形成でき、配線パターンが欠損することなく、また隣り合う配線パターンと短絡することなく、１０本得ることができた。
【００８１】
これに対し、比較例１〜４に示す積層体は、配線パターンが欠損したり、また隣り合う配線パターンと短絡したりするため、配線パターンとして成り立たないことが確認できた。
【産業上の利用可能性】
【００８２】
本発明による積層体を用いて得られた配線パターン形成物は、導電回路の作成に利用可能である。
【符号の説明】
【００８３】
１００・・・絶縁性基板
１０１・・・絶縁性基板のＡ面
１０２・・・絶縁性基板のＢ面
２００・・・レジスト層
３００・・・導電性薄膜層
４００・・・吸光度測定における光照射方向
５００・・・全光線反射率測定における光照射方向
６００・・・絶縁性基板に導電性薄膜層が積層された領域
７００・・・レジスト層に導電性薄膜層が積層された領域
【図１】
2014154805.tif 000004
【図２】
2014154805.tif 000005