(57)【要約】      （修正有）【課題】ランド電極周辺に働く応力によるクラックの発生を防止できる信頼性の高いプリント配線板を提供する。【解決手段】最下の樹脂絶縁層の第１面と露出面との間の最下の樹脂絶縁層の側壁は真っ直ぐでなく、部分的に凹んでいる。最下の樹脂絶縁層の側壁は最下の樹脂絶縁層の第１面と露出面との間に凹部ＣＰが形成されている。空間ＳＰは、露出面ＤＭと凹部ＣＰとの間の第３空間ＳＰ３と凹部ＣＰを含む第２空間ＳＰ２と凹部ＣＰ間と第１面Ｆとの間の第１空間ＳＰ１で形成される最下層の樹脂絶縁層５０の第１面側に形成されている電極１５８ＤＥは、最下の樹脂絶縁層５０に埋まっていて、その電極は最下の樹脂絶縁層の第１面Ｆよりへこんでいる。【選択図】図９
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有する最下の樹脂絶縁層と、
前記最下の樹脂絶縁層の第１面側に埋まっている最下の導体層と、
前記最下の樹脂絶縁層の第２面上に形成されている第１導体層と、
前記最下の樹脂絶縁層を貫通し前記最下の導体層と前記第１導体層を接続している最下のビア導体と、からなるプリント配線板であって、
前記最下の導体層は外部に露出している露出面を有し、前記露出面は前記最下の樹脂絶縁層の第１面より上に位置していて、
前記最下の樹脂絶縁層の第１面と前記最下の導体層の露出面との間の前記最下の樹脂絶縁層の側壁に凹部が形成されている。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板であって、前記最下の樹脂絶縁層の側壁の凹部は前記最下の導体層の露出面に隣接している。
【請求項３】
請求項１のプリント配線板であって、前記最下の樹脂絶縁層の側壁の凹部の深さは０．３μｍから５μｍである。
【請求項４】
請求項１のプリント配線板であって、前記最下の樹脂絶縁層の側壁の凹部と前記露出面との間の距離は０．３μｍから５μｍである。
【請求項５】
請求項２のプリント配線板であって、前記最下の樹脂絶縁層の側壁の凹部の幅は０．３μｍから５μｍである。
【請求項６】
支持体上にめっきレジストを形成することと、
前記めっきレジストから露出する前記支持板上に、順に、第１の金属膜、第２の金属膜、第３の金属膜を形成することと、
前記めっきレジストを除去することと、
前記第１の金属膜の側壁と前記第３の金属膜の側壁を選択的にエッチングすることで前記第２の金属膜の側壁を突出させることと、
前記支持板と前記第３の金属膜上に最下の樹脂絶縁層を形成することと、
前記最下の樹脂絶縁層に、前記第３の金属膜に至る最下のビア導体用の開口を形成することと、
前記最下のビア導体用の開口内にめっきによりビア導体を形成すると共に、前記最下の樹脂絶縁層上に第１導体層を形成することと、
前記支持体を除去することと、
前記第１の金属膜をエッチングで除去することと、
前記第２の金属膜をエッチングで除去することと、とを有するプリント配線板の製造方法。
【請求項７】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記第３の金属膜をエッチングすることで前記第３の金属膜の厚みを薄くすることを更に有する。
【請求項８】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記支持板は銅張積層板である。
【請求項９】
請求項６のプリント配線板の製造方法であって、
前記第１の金属膜は銅で形成されていて、前記第２の金属膜はニッケル、クロム、チタンの内のいずれかで形成されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＢＧＡ（ボール・グリッド・アレー）タイプのプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１の半導体装置用基板は、絶縁層と、絶縁層の一方の面に形成されていて、半導体チップと接続するための接続電極と、絶縁層の他方の面に形成され、外部要素に接続するためのランド電極と、接続電極とランド電極とを接続するビア導体とを有している。そして、ランド電極の表面は、絶縁層の表面からへこんでいる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平１０−１２５８１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１では、ランド電極の表面が絶縁層の表面からへこんでいるので、ランド電極上に空間が生じる。金属から成るランド電極の熱膨張係数と樹脂から成る絶縁層の熱膨張係数の違いから、ランド電極周辺の絶縁層に大きな応力が働くと考えられる。その応力により、ランド電極の角部（上端部）を起点として絶縁層にクラックが発生することがあると考えられる。プリント配線板の信頼性が低下すると推測される。
【０００５】
本発明の目的は、信頼性の高いプリント配線板及び、そのプリント配線板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るプリント配線板は、第１面と前記第１面とは反対側の第２面とを有する最下の樹脂絶縁層と、前記最下の樹脂絶縁層の第１面側に埋まっている最下の導体層と、前記最下の樹脂絶縁層の第２面上に形成されている第１導体層と、前記最下の樹脂絶縁層を貫通し前記最下の導体層と前記第１導体層を接続している最下のビア導体とを有する。そして、前記最下の導体層は外部に露出している露出面を有し、前記露出面は前記最下の樹脂絶縁層の第１面より上に位置していて、前記最下の樹脂絶縁層の第１面と前記最下の導体層の露出面との間の前記最下の樹脂絶縁層の側壁に凹部が形成されている。
【０００７】
本発明に係るプリント配線板の製造方法は、支持体上にめっきレジストを形成することと、前記めっきレジストから露出する前記支持板上に、順に、第１の金属膜、第２の金属膜、第３の金属膜を形成することと、前記めっきレジストを除去することと、前記第１の金属膜の側壁と前記第３の金属膜の側壁を選択的にエッチングすることで前記第２の金属膜の側壁を突出させることと、前記支持板と前記第３の金属膜上に最下の樹脂絶縁層を形成することと、前記最下の樹脂絶縁層に、前記第３の金属膜に至る最下のビア導体用の開口を形成することと、前記最下のビア導体用の開口内にめっきによりビア導体を形成すると共に、前記最下の樹脂絶縁層上に第１導体層を形成することと、前記支持体を除去することと、前記第１の金属膜をエッチングで除去することと、前記第２の金属膜をエッチングで除去することと、とを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の第１実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図２】第１実施形態に係るプリント配線板の最下の樹脂絶縁層と最下のビア導体と第１導体層を示す断面図。
【図３】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】第１実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図９】図９（Ａ）、（Ｂ）は第１実施形態のプリント配線板の凹部の拡大図、図９（Ｃ）は第２実施形態のプリント配線板の凹部の拡大図。
【図１０】第２実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図１１】第２実施形態に係るプリント配線板の最下の樹脂絶縁層と最下のビア導体と第１導体層を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
[第１実施形態]
図１は、第１実施形態のプリント配線板の断面図を示している。
プリント配線板１０は、最下の樹脂絶縁層５０と、該最下の樹脂絶縁層５０上に形成されている４層の樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、１５０Ｄを有している。最下の樹脂絶縁層５０や樹脂絶縁層１５０Ａ、１５０Ｂ、１５０Ｃ、１５０Ｄはガラスクロスなどの補強材やシリカなどの無機粒子を含んでも良い。ガラスクロス以外の補強材として、ガラス不織布、アラミドクロス、アラミド不織布等が挙げられる。最下の樹脂絶縁層は補強材を含み、その他の樹脂絶縁層は、補強材を含まないことが好ましい。更に、最下の樹脂絶縁層の厚みはその他の樹脂絶縁層の厚みより厚いことが好ましい。最下の樹脂樹脂絶縁層を含む各樹脂絶縁層の厚みは１００μｍ以下であって、最下の樹脂絶縁層以外の各樹脂絶縁層の厚みは等しいことが好ましい。各樹脂絶縁層上に導体層１５８が形成されている。最下の樹脂絶縁層を含む各樹脂絶縁層１５０に隣接している導体層を接続するビア導体１６０が形成されている。
最上の樹脂絶縁層１５０Ｄ上に開口７１を有するソルダーレジスト層７０が形成されている。ソルダーレジスト層の開口７１から露出する最上の導体層１５８Ｕや最上のビア導体１６０Ｕの上面はパッドとして機能する。そのパッド上に半田バンプ７６Ｆが形成されている。その半田バンプを介してプリント配線板上にＩＣチップが搭載される。もしくは、その半田バンプを介して、プリント配線板はマザーボードに接続される。
最下の樹脂絶縁層５０は、第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓとを有する。第２面Ｓ上に樹脂絶縁層や最上の樹脂絶縁層が積層されている。最下の樹脂絶縁層の第２面Ｓ上に第１導体層１５８Ｆが形成されている。そして、最下の樹脂絶縁層の第１面Ｆ側に最下の導体層１５８Ｄが形成されていて、その導体層１５８Ｄは最下の樹脂絶縁層に埋まっている。最下の導体層１５８ＤはＩＣチップやマザーボードと接続するための電極１５８ＤＥを有する。最下の導体層は上面ＵＭとその上面と反対側の下面ＤＭを有し、上面に最下の樹脂絶縁層に形成されているビア導体（最下のビア導体）１６０Ｄが接続されている。そして、下面は外部に向いている面（露出面）ＤＭである。
第１導体層１５８Ｆと最下の導体層１５８Ｄとビア導体１６０Ｄで接続されている。
露出面ＤＭは最下の樹脂絶縁層の第１面より上に位置している。露出面は最下の樹脂絶縁層で覆われていない。露出面ＤＭは第１面Ｆから凹んでいて、露出面ＤＭと第１面Ｆとの間に空間が形成されている。電極の露出面上に半田バンプ７６Ｓが形成されている。
【００１０】
図２は、最下の樹脂絶縁層５０などを示し、図９（Ａ）、（Ｂ）は、最下の導体層下の空間ＳＰを示す拡大図である。図９（Ａ）に示されているように、最下の樹脂絶縁層の第１面と露出面との間の最下の樹脂絶縁層の側壁は真っ直ぐでなく、部分的に凹んでいる。最下の樹脂絶縁層の側壁は最下の樹脂絶縁層の第１面と露出面との間に凹部ＣＰが形成されている。
電極１５８ＤＥの形状（露出面の形状）は、略円形である。
電極下の空間が露出面に略平行な面で切断される。空間ＳＰは、露出面ＤＭと凹部ＣＰとの間の第３空間ＳＰ３と凹部ＣＰを含む第２空間ＳＰ２と凹部ＣＰ間と第１面Ｆとの間の第１空間ＳＰ１で形成される（図９（Ｂ））。
第１空間、第２空間と第３空間の形状はそれぞれ略円柱である。第１空間と第３空間のそれぞれの径ｔ１は電極の径と略同じである。第２空間の径は、電極の径や第１空間の径や第３空間の径より大きい。
【００１１】
露出面と凹部との間の距離ｄ３は０．３μｍから５μｍである。露出面と凹部との間の距離ｄ３は第３空間の高さと同じである。また、電極１５８ＤＥの径と第３空間の径は略同じである。ｄ３の大きさは第３の金属膜をエッチングする量で制御される。
凹部の深さｔ４は０．３μｍから５μｍである。深さｔ４は最下の樹脂絶縁層の側壁から凹部の底までの距離である。ｔ４の大きさは、第１の金属膜の側壁と第３の金属膜の側壁を選択的に溶解する量を制御することで調整される。第１の金属膜と第３の金属膜を選択的に溶解することで第２の金属膜が第１の金属膜や第３の金属膜から突出する。その突出量によりｔ４が制御される。
また、第２空間は凹部を有するので、第２空間の径は電極の径より大きい。凹部の幅ｄ２は、０．３μｍから５μｍである。ｄ２は第２の金属膜の厚みで制御される。
第１面と凹部との間の距離ｄ１は３μｍから１５μｍである。第１面と凹部との間の距離ｄ１は第１空間の高さと同じである。また、電極１５８ＤＥの径と第１空間の径は略同じである。ｄ１は第１の金属膜の厚みで制御される。
空間や凹部により最下の樹脂絶縁層にクラックが入りがたくなる。
【００１２】
第１実施形態のプリント配線板では、最下の樹脂絶縁層５０の第１面Ｆ側に最下の導体層が埋まっていて、電極を含む最下の導体層の側壁が最下の樹脂絶縁層に接触している。さらに、最下の導体層の露出面は最下の樹脂絶縁層の第１面より上に位置している。最下の導体層の露出面は最下の樹脂絶縁層内に位置している。導体層は金属で形成されていて、樹脂絶縁層は樹脂を含むので、両者の熱膨張係数は異なる。そのため、プリント配線板がヒートサイクルを受けると、最下の樹脂絶縁層と電極を含む最下の導体層の界面に応力が働く。その応力により、電極の露出面側の角部ＣＣ（図９（Ａ）参照）を起点として、最下の樹脂絶縁層にクラックが入りやすい。しかしながら、実施形態では、そのようなクラックが発生しがたい。なぜなら、最下の樹脂絶縁層が電極の近くに凹部を有するので、その応力が凹部により緩和されると考えられるからである。例えば、最下の樹脂絶縁層が電極で押されても、凹部が変形することで応力が緩和される。
【００１３】
凹部の深さは０．５μｍから３μｍであることが好ましい。最下の樹脂絶縁層のクラックが防止されると共に隣接する電極間の絶縁信頼性が高くなる。
凹部の幅は０．５μｍから２μｍであることが好ましい。凹部により応力が緩和される上、電極間の最下の樹脂絶縁層の強度が高くなる。そのため、最下の樹脂絶縁層のクラックが防止されると共に隣接する電極間の間隔を狭くすることができる。
露出面と凹部との間の距離ｄ３は０．５μｍから３μｍ（ｄ３ｄ）であることが好ましい。最下の樹脂絶縁層のクラックが防止されると共に隣接する電極間の絶縁信頼性が高くなる。ｄ３が上述の範囲（ｄ３ｄ）以外であって、隣接する電極間の絶縁間隔Ｋが１００μｍ以下であると、最下の樹脂絶縁層にクラックが発生しやすい。そのクラックにより、隣接する電極間でショートが発生しやすい。最下の樹脂絶縁層が凹部を有し、ｄ３が０．５μｍから３μｍであると、電極間の絶縁間隔Ｋ（図１参照）が１０μｍから１００μｍであっても絶縁信頼性が高くなる。
第１面と凹部との間の距離ｄ１は７μｍから１５μｍであることが好ましい。ｄ１が１５μｍを越えると、空間Ｓの体積が大きくなる。そのため、最下の樹脂絶縁層の強度が小さくなる。最下の樹脂絶縁層にクラックが入りやすくなる。ｄ１が７μｍより小さくなると、空間Ｓの体積が小さくなる。クラック発生の理由は、空間による応力緩和が小さくなるからと推察される。隣接する電極間の間隔Ｋ（図１参照）が７５μｍ以下になると最下の樹脂絶縁層にクラックが入り易くなる。
実施形態のプリント配線板は、電極下の空間が凹部を有する。そのため、実施形態のプリント配線板では、応力がプリント配線板の水平方向と断面方向に緩和されると推察される。
【００１４】
なお、第１実施形態では、電極下の空間内に半田バンプの一部が形成されるため最下の樹脂絶縁層の第１面下にソルダーレジスト層を形成する必要がない。半田バンプ７６Ｓ間の短絡を防ぐことができる。
【００１５】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板の製造方法が図３〜図８に示される。
支持板として、銅張り積層板が用いられる（図３（Ａ））。支持板の銅箔３４上に銅又は銅合金（Ｃｕ−Ｗ系）製の金属箔３６が固定される（図３（Ｂ））。金属箔と支持板は超音波を用いて外周で接合される。金属箔と支持板は所定の幅の接合箇所で接合されている。
【００１６】
金属箔３６上に開口３８ａを有するめっきレジスト３８が形成される（図３（Ｃ））。めっきレジスト３８から露出する金属箔３６上に第１の金属膜４０と第２の金属膜４２と第３の金属膜４６が順に形成される（図３（Ｄ））。第１の金属膜は金属箔上に形成され、第２の金属膜は第１の金属膜上に形成され、第３の金属膜は第２の金属膜上に形成される。第１と第３の金属膜として、銅が好ましい。第２の金属膜の材質は第１の金属膜の材質や第３の金属膜の材質と異なる。第２の金属膜の例として、ニッケル、クロム、チタン等が挙げられる。
【００１７】
めっきレジストが除去される（図４（Ａ））。
選択エッチングで第１の金属膜と第３の金属膜の側壁が溶解される（図４（Ｂ）。その量ＥＭは０．３μｍから５μｍである。
補強材（ガラスクロスなど）を含む樹脂絶縁層用樹脂フィルムが支持板と金属膜上に積層される。熱硬化により最下の樹脂絶縁層５０が形成される（図４（Ｃ））。最下の樹脂絶縁層５０にレーザにより第３の金属膜４６に至る開口５０ｆが形成される（図４（Ｄ））。最下の樹脂絶縁層５０の表面が粗化される（図示せず）。
【００１８】
最下の樹脂絶縁層５０の表面と開口５０ｆの内壁に無電解めっき膜５２が形成される（図５（Ａ））。無電解めっき膜５２の厚みは０．１μｍから３μｍである。
【００１９】
無電解めっき膜５２上にめっきレジスト５４が形成される（図５（Ｂ））。めっきレジスト５４の厚みは約１５μｍである。
電解めっき処理によりめっきレジスト５４から露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜５６が形成される（図５（Ｃ））。
【００２０】
めっきレジストが５％ＮａＯＨで除去される。電解めっき膜５６間の無電解めっき膜５２がエッチングにて除去される。これにより、無電解めっき膜５２と電解めっき膜５６とからなる第１導体層１５８Ｆと最下のビア導体１６０Ｄが形成される（図５（Ｄ））。第１導体層は最下の樹脂絶縁層上に形成されている。また、最下のビア導体は最下の樹脂絶縁層に形成されていて、第３の金属膜と第１導体層を接続している。
【００２１】
シリカなどの無機粒子を含む樹脂絶縁層用樹脂フィルムが最下の樹脂絶縁層５０と第１導体層１５８Ｆ上に積層される。熱硬化により最下の樹脂絶縁層５０と第１導体層１５８Ｆ上に樹脂絶縁層１５０Ａが形成される（図６（Ａ））。樹脂絶縁層１５０Ａにレーザにより第１導体層１５８Ｆや最下のビア導体に至る開口１５０ｆが形成される（図６（Ｂ））。
【００２２】
その後、図５（Ａ）から図５（Ｄ）と同様な工程が繰り返される。
無電解めっき膜１５２と電解めっき膜１５６とからなる導体層１５８とビア導体１６０が形成される（図７（Ａ））。導体層は樹脂絶縁層上に形成されている。また、ビア導体は樹脂絶縁層に形成されていて、第１導体層と導体層１５８を接続している。
【００２３】
続いて、図４（Ｃ）から図５（Ｄ）と同様な工程が繰り返される。樹脂絶縁層１５０Ａと導体層１５８上に最上の樹脂絶縁層１５０Ｄを含む複数の樹脂絶縁層が形成される。また、無電解めっき膜と電解めっき膜とからなる最上の導体層１５８Ｕを含む複数の導体層が各樹脂絶縁層上に形成される（図７（Ｂ））。最下の樹脂絶縁層の厚みはその他の樹脂絶縁層の厚みよりも厚い。最下の樹脂絶縁層以外の樹脂絶縁層は同じ厚みを有している。最下の樹脂絶縁層は無機粒子と補強材を含み、最下の樹脂絶縁層以外の樹脂絶縁層は補強材を含まず無機粒子を含む。最上の導体層は最上の樹脂絶縁層上に形成されている。また、最上のビア導体を含む複数のビア導体が各樹脂絶縁層に形成される（図７（Ｂ））。最上のビア導体は最上の樹脂絶縁層に形成されていて、最上の導体層と導体層を接続している。
【００２４】
次に、最上の樹脂絶縁層１５０Ｄ上に開口７１を有するソルダーレジスト層７０が形成される（図７（Ｃ））。ソルダーレジストの開口７１から露出する導体はパッドＰとして機能する。
【００２５】
パッドＰ上にニッケルめっき層７２が形成される。さらに、ニッケルめっき層７２上に、金めっき層７４が形成される（図７（Ｄ））。図７（Ｄ）に示される中間基板１００が完成する。中間基板１００は支持板と支持基板上の中間のプリント配線板で形成されている。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層が形成されてもよい。
【００２６】
中間基板１００は接合箇所より内側で切断される。支持板と中間のプリント配線板が分離する（図８（Ａ））。
第１実施形態では、金属箔３６と第１の金属膜と第３の金属膜は銅で形成されている。そして、第２の金属膜はニッケルで形成されている。金属箔３６及び第１の金属膜４０が選択エッチング液（例えば、メック社製のＳＦ−５４２０）で除去される（図８（Ｂ））。第１の金属膜が除去されることで第１空間ＳＰ１が形成される。第２の金属膜４２が選択エッチング液（例えば、メック社製のＮＨ−１８６０シリーズ）で除去される（図８（Ｃ））。第２の金属膜が除去されることで第２空間ＳＰ２が形成される。第３の金属膜４６の表面がエッチングで溶解される。その量は０．３μｍから５μｍである（図８（Ｄ））。これにより、第３空間ＳＰ３が形成される。最下の導体層の露出面が露出する。第１空間と第２空間と第３空間とからなる空間が最下の導体層下に形成される（図９（Ｄ））。
電極の露出面上にＯＳＰ（有機保護膜）が形成される。
【００２７】
電極とパッド上に半田ボールが搭載され、リフローによりパッドと電極上に半田バンプ７６Ｆ、７６Ｓが形成される。これにより、プリント配線板１０が完成する（図１）。
【００２８】
[第２実施形態]
図１０は、第２実施形態のプリント配線板の断面図である。第２実施形態のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板とほぼ同様である。
【００２９】
図１１は、最下の樹脂絶縁層５０と最下のビア導体と最下の導体層と第１導体層を示している。図９（Ｃ）は、空間や凹部などの拡大図である。第２実施形態の空間は第１空間と第２空間で形成されている。第２実施形態の空間は第３空間を有していない。第２実施形態では、第３の金属膜の表面が除去されない。第１実施形態では第２の金属膜の除去後、第３の金属膜の表面が除去されているが、第２実施形態では、第３の金属膜の表面が除去されていない。第２実施形態ではｄ３が０である。
【００３０】
第２実施形態の第２空間ＳＰ２の幅や深さは第１実施形態と同様である。第２実施形態の第１空間ＳＰ１の高さｄ１は第１実施形態と同じである。第１実施形態と第２実施形態の電極の径ｔ１は３０μｍから１００μｍである。
【００３１】
第２実施形態のプリント配線板は、第１実施形態のプリント配線板と同様に電極下に凹部を有する空間を有する。そのため、第２実施形態のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板と同様な理由で最下の樹脂絶縁層にクラックが入りがたい。第２実施形態では、電極の角部と凹部が重なっている。そのため、第１実施形態と第２実施形態が比較されると、第１実施形態のプリント配線板が第２実施形態のプリント配線板より優れる。図９（Ａ）、（Ｃ）中のｔ２とｔ１との関係は次の式を満足する。
ｔ２＝ｔ１＋２×ｔ４
【００３２】
ここで、第２空間ＳＰ２のｔ２は、第１空間ＳＰ１のｔ１よりも、０．６〜５μｍ大きいことが好ましい。凹部の深さｔ４は１〜２μｍであることが好ましい。電極を高密度に配置することができる。また、最下の樹脂絶縁層にクラックが発生することを防止することができる。
【００３３】
第２実施形態のプリント配線板は、第３の金属膜を薄くする工程を有していない。それ以外、第２実施形態のプリント配線板は第１実施形態のプリント配線板と同様な方法で製造される。第２実施形態のプリント配線板は、第１実施形態のプリント配線板よりも少ない工程で製造される。そのため、第２実施形態のプリント配線板の反りが小さくなる。
【符号の説明】
【００３４】
４６  第３の金属膜
５０  最下の樹脂絶縁層
ＣＰ  凹部
ＳＰ１  第１空間
ＳＰ２  第２空間
ＳＰ３  第３空間
１５８Ｆ  第１導体層
１６０  ビア導体
１５０  樹脂絶縁層
１５８  導体層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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