(57)【要約】【課題】光反射部としてのプリズムに好適な形状の溝を、高精度に形成すること。【解決手段】本適用例に係る電気光学装置用基板５の製造方法は、基板本体６の表面６ａに第１のマスク８１を形成する工程（ステップＳ１）と、前記第１のマスク８１に前記基板本体６の表面６ａを露出させる開口部８６を形成する工程（ステップＳ２）と、前記第１のマスク８１よりもエッチング速度が遅い材料で構成され前記第１のマスク８１及び前記開口部８６を覆う第２のマスク８２を形成する工程（ステップＳ３）と、前記第２のマスク８２及び前記基板本体６に異方性エッチングを施し前記第１のマスク８１の壁面８５が前記第２のマスク８２の部材で覆われた状態で前記開口部８６に溝７１を形成する工程（ステップＳ４、ステップＳ５）と、前記第１のマスク８１及び前記第２のマスク８２を除去する工程（ステップＳ６）と、を備えていることを特徴とする。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の第１面に第１のマスクを形成する工程と、
前記第１のマスクに、前記第１面を露出させる開口部を形成する工程と、
前記第１のマスク及び前記開口部を覆う第２のマスクを形成する工程と、
前記第２のマスク及び前記基板に異方性エッチングを施し、前記第１のマスクの壁面が前記第２のマスクの部材で覆われた状態で前記開口部に溝を形成する工程と、
前記第１のマスク及び前記第２のマスクを除去する工程と、
を備え、
前記第２のマスク及び前記基板に異方性エッチングを施し、前記第１のマスクの壁面が前記第２のマスクの部材で覆われた状態で前記開口部に溝を形成する工程において、前記第２のマスクは前記第１のマスクよりエッチング速度が遅いことを特徴とする電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項２】
前記基板の構成材料は、石英またはガラスのいずれかであり、
前記第１のマスクの構成材料は、タングステンシリサイドまたはシリコンのいずれかであり、
前記第２のマスクの構成材料は、アルミニウム、酸化アルミニウム、または酸化ハフニウムのいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の製造方法で製造されたことを特徴とする電気光学装置用基板。
【請求項４】
画素電極と前記画素電極を駆動するトランジスターとを有する第１の基板と、
前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、
を有する電気光学装置であって、
前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方は、請求項３に記載の電気光学装置用基板を備えていることを特徴とする電気光学装置。
【請求項５】
請求項４に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電気光学装置用基板の製造方法、当該製造方法で製造した電気光学装置用基板、当該電気光学装置用基板を搭載した電気光学装置、及び当該電気光学装置を搭載した電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
電気光学装置として、例えば液晶プロジェクターの光変調素子（ライトバルブ）に用いられる透過型のアクティブ液晶装置が知られている。当該液晶装置は、画素電極が設けられた素子基板、対向電極が設けられた対向基板、及び素子基板と対向基板とで挟持された液晶層などを有している。当該液晶装置は、光が透過する開口領域と光が遮られる非開口領域とを有し、開口領域に入射する光が変調され表示光として射出される。ライトバルブ用途の液晶装置では、高精細化や高開口率化などが進展し、非開口領域の面積がますます小さくなっている。
【０００３】
例えば、対向基板の非開口領域に光の反射部としてのプリズム素子を設け、非開口領域に入射する光（表示光に利用されない光）をプリズム素子で開口領域に反射し、表示光の一部に利用することによって、光の利用効率を向上させる液晶装置が提案されている（特許文献１）。
特許文献１に記載のプリズム素子は、対向基板側に設けられ、光軸方向（深さ方向）に長くなった略二等辺三角形形状（Ｖ字形状）の断面を有する溝を有している。当該二等辺三角形形状の長辺（溝の斜面）が、光の反射面となる。光の反射面としての長辺と光軸とのなす角度はできるだけ小さい方が好ましい。例えば、長辺と光軸とのなす角度が３度以下、すなわち頂角が６度以下の略二等辺三角形形状の断面を有するプリズム素子を形成することによって、光の利用効率が高められ、より明るい表示が実現されるとしている。
【０００４】
このように、特許文献１に記載の対向基板には、深さ方向に長い溝が非開口領域に設けられている。溝の斜面（光の反射面）の面積が大きい程光の反射が強くなり、光の利用効率を高めることができる。溝の斜面が開口領域にはみ出すと、開口領域に入射する光が遮られ、光の利用効率が低下する。すなわち、開口領域にはみ出さない範囲で広い溝を非開口領域に形成する必要があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００６−２１５４２７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、開口領域にはみ出さない範囲で広い溝を、高精細化や高輝度化などに対応してますます小さくなった非開口領域に形成すること、すなわち所定の寸法の溝を非開口領域に高精度に形成することが難しいという課題があった。
詳しくは、開口部を有するエッチングマスクを基板に形成し、開口部で露出された基板を深さ方向にエッチングし、深さ方向に長い溝を基板に形成する。ところが、基板をエッチングする工程でエッチングマスクも侵され、深さ方向と直交する方向に開口部の寸法が変化する（大きくなる）。このエッチング工程で生じる開口部の寸法変化を考慮して、エッチングマスクに形成する開口部の寸法を補正すればよいが、基板の状態やドライエッチング装置の状態などによってエッチング工程で生じる開口部の寸法変化が変化し、エッチングマスクに形成する開口部の寸法補正が難しい。このため、深さ方向と直交する方向に溝の寸法変化を抑制することが難しく、所定の寸法の溝を高精度に形成することが難しいという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］
本適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法は、基板の第１面に第１のマスクを形成する工程と、前記第１のマスクに前記第１面を露出させる開口部を形成する工程と、前記第１のマスク及び前記開口部を覆う第２のマスクを形成する工程と、前記第２のマスク及び前記基板に異方性エッチングを施し前記第１のマスクの壁面が前記第２のマスクの部材で覆われた状態で前記開口部に溝を形成する工程と、前記第１のマスク及び前記第２のマスクを除去する工程と、を備え、前記第２のマスク及び前記基板に異方性エッチングを施し、前記第１のマスクの壁面が前記第２のマスクの部材で覆われた状態で前記開口部に溝を形成する工程において、前記第２のマスクは前記第１のマスクよりエッチング速度が遅いことを特徴とする。
【０００９】
本適用例に係る電気光学装置用基板の製造方法では、基板の第１面に開口部を有する第１のマスクを形成し、第２のマスクで第１のマスク及び開口部を覆った後に、第２のマスク及び基板に異方性エッチングを施し、第１のマスクの壁面が第２のマスクの部材で覆われた状態で基板の第１面に溝を形成する。すなわち、開口部を有する第１のマスクをエッチングマスクとして、開口部の壁面が第２のマスクの部材で保護された状態で基板をエッチングし、基板の第１面に溝を形成する。第２のマスクは第１のマスクよりもエッチング速度が遅くなっているので、開口部の壁面が第２のマスクの部材で保護された状態で基板の第１面に溝が形成される。すなわち、壁面が第２のマスクの部材で保護され、壁面の位置の変化（後退）が抑制された状態で、基板の第１面に溝が形成される。従って、開口部の寸法の変化が抑制され、エッチングマスク（開口部）の形状や形成位置が高精度に反映された溝を、基板の第１面に形成することができる。
【００１０】
［適用例２］
上記適用例に係る電気光学装置の製造方法は、前記基板の構成材料は石英またはガラスのいずれかであり、前記第１のマスクの構成材料はタングステンシリサイドまたはシリコンのいずれかであり、前記第２のマスクの構成材料はアルミニウム、酸化アルミニウム、または酸化ハフニウムのいずれかであることが好ましい。
【００１１】
第１のマスクはタングステンシリサイドまたはシリコンで構成され、第２のマスクはアルミニウム、酸化アルミニウムまたは酸化ハフニウムで構成されているので、石英またはガラス（すなわち、酸化シリコン）で構成された基板をエッチング（例えば、ドライエッチング）する際に、第２のマスクは第１のマスよりもエッチングされにくい。このため、基板の第１面に溝を形成するエッチング処理を施しても、第２のマスクはエッチングされにくいので、第１のマスクの壁面を第２のマスクの部材で確実に覆い（保護し）、壁面の位置の変化を確実に抑制することができる。
【００１２】
［適用例３］
本適用例に係る電気光学装置用基板は、上記適用例に記載の製造方法で製造されていることを特徴とする。
【００１３】
上記適用例に記載の製造方法で製造された電気光学装置用基板には、第１のマスクをエッチングマスクとし、当該エッチングマスクの形状が変化しないようにエッチング処理を施すことによって、形状や形成位置が高精度に制御された溝が形成されている。溝の斜面を光の反射面（光の反射部）とすることで、光の反射部の形状や形成位置が高精度に制御された電気光学装置用基板を提供することができる。
【００１４】
［適用例４］
本適用例に係る電気光学装置は、画素電極と前記画素電極を駆動するトランジスターとを有する第１の基板と、前記第１の基板に対向配置された第２の基板と、を有し、前記第１の基板及び前記第２の基板の少なくとも一方は、上記適用例に記載の電気光学装置用基板を備えていることを特徴とする。
【００１５】
本適用例に係る電気光学装置では、画素電極が配置された領域（開口領域）の光が表示光となる。開口領域の周辺（非開口領域）に光の反射部としての溝が形成された電気光学装置用基板を備えた電気光学装置では、非開口領域の光を光の反射部で開口領域に反射させ、開口領域の光（表示光）の一部とすることによって、表示光の輝度を高めることができる。従って、上記適用例に記載の電気光学装置用基板を備えた電気光学装置では、より明るい表示が実現される。
【００１６】
［適用例５］
本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする。
【００１７】
本適用例に係る電子機器は、上記適用例に記載の電気光学装置を備え、電気光学装置用基板に設けられた光の反射部としての溝によって、当該電気光学装置ではより明るい表示が実現されている。例えば、投射型表示装置、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）、直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、上記適用例に記載の電気光学装置を適用させることで、より明るい表示を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】実施形態１に係る液晶装置の構成を示す概略平面図。
【図２】図１のＪ−Ｊ’線で切った概略断面図。
【図３】実施形態１に係る液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。
【図４】画素電極の配置を示す概略平面図。
【図５】図４のＡ−Ａ’線で切った液晶装置の概略断面図。
【図６】電気光学装置用基板を形成するための工程フロー。
【図７】電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図。
【図８】電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図。
【図９】電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図。
【図１０】実施形態２に係る液晶装置の概略断面図。
【図１１】実施形態３に係る投射型表示装置の構成を示す概略図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について説明する。かかる実施形態は、本発明の一態様を示すものであり、この発明を限定するものではなく、本発明の技術的思想の範囲内で任意に変更可能である。また、以下の各図においては、各層や各部位を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部位の縮尺を実際とは異ならせしめてある。
【００２０】
（実施形態１）
「液晶装置の概要」
実施形態１に係る液晶装置１００は、電気光学装置の一例であり、薄膜トランジスター（以降、ＴＦＴと称す）３０を備えた透過型の液晶装置である。本実施形態に係る液晶装置１００は、例えば後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子として好適に使用することができるものである。
【００２１】
まず、本実施形態に係る液晶装置１００の全体構成について、図１乃至図３を参照して説明する。図１は、液晶装置の構成を示す概略平面図である。図２は、図１のＪ−Ｊ’線で切った概略断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【００２２】
図１及び図２に示すように、本実施形態に係る液晶装置１００は、素子基板１０、対向基板２０、及び素子基板１０と対向基板２０とで挟持された液晶層５０などを有する。
素子基板１０は、本発明における「第１の基板」の一例である。対向基板２０は、本発明における「第２の基板」の一例である。
【００２３】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板は、額縁状に配置されたシール材５２を介して接着され、その隙間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層５０を構成している。シール材５２は、例えば熱硬化性または紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材５２には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００２４】
額縁状に配置されたシール材５２の内側には、同じく額縁状に遮光膜５３が設けられている。遮光膜５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜５３の内側が表示領域Ｅとなる。表示領域Ｅには、画素Ｐがマトリックス状に複数配置されている。
【００２５】
素子基板１０の複数の外部接続用端子１０２が配列された第１辺と該第１辺に沿ったシール材５２との間には、データ線駆動回路１０１が設けられている。該第１辺と直交し互いに対向する他の第２辺、第３辺に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、走査線駆動回路１０４が設けられている。該第１辺と対向する他の第４辺に沿ったシール材５２と表示領域Ｅとの間には、２つの走査線駆動回路１０４を繋ぐ複数の配線１０５が設けられている。これらデータ線駆動回路１０１や走査線駆動回路１０４に繋がる配線は、該第１辺に沿って配列された複数の外部接続用端子１０２に接続されている。
以降、該第１辺に沿った方向をＸ方向、該第１辺と直交し互いに対向する他の２辺（第２辺、第３辺）に沿った方向をＹ方向、及び素子基板１０から対向基板２０に向かう方向をＺ方向として説明する。
【００２６】
図２に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１１、並びに素子基板本体１１の液晶層５０側の面に形成されたＴＦＴ３０や画素電極１７、及び画素電極１７を覆う配向膜１８などを有している。素子基板本体１１は、例えば石英やガラスなどの透明材料で構成されている。また、ＴＦＴ３０や画素電極１７は、画素Ｐの構成要素である。
素子基板１０の詳細は後述する。
【００２７】
対向基板２０は、電気光学装置用基板５、電気光学装置用基板５の液晶層５０側の面に順に積層された遮光膜５３、絶縁膜２２、対向電極２３、及び配向膜２４などを有している。
【００２８】
電気光学装置用基板５は、基板本体６、基板本体６の液晶層５０側の面６ａに設けられたプリズム７０、及びプリズム７０を覆う第２絶縁膜７５などを有している。基板本体６には、例えば石英基板が使用されている。基板本体６は、酸化シリコンを主成分とする透光性の絶縁基板であればよく、石英基板の他にガラス基板などを使用することができる。第２絶縁膜７５は、酸化シリコンで構成され、透光性を有している。
なお、基板本体６は、本発明における「基板」の一例である。基板本体６の液晶層５０側の面６ａは、本発明における「第１面」の一例である。以降、基板本体６の液晶層５０側の面６ａを、表面６ａと称す。
電気光学装置用基板５の詳細は、後述する。
【００２９】
遮光膜５３は、例えば遮光性の金属あるいは金属酸化物などで構成される。図１に示すように、遮光膜５３は、平面的に走査線駆動回路１０４と重なる位置に額縁状に設けられている。これにより対向基板２０側から素子基板１０側に入射する光を遮光して、走査線駆動回路１０４の光による誤動作を防止している。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮光して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３０】
絶縁膜２２は、透光性の無機絶縁材料で構成され、例えば常圧または減圧ＣＶＤ法などを用いて形成された酸化シリコンを使用することができる。絶縁膜２２は、電気光学装置用基板５に遮光膜５３を形成することで生ずる表面凹凸を緩和可能な程度の膜厚を有している。
【００３１】
対向電極２３は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、表示領域Ｅに亘って形成される。図１に示すように、対向電極２３は、対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部１０６によって、素子基板１０側の配線に電気的に接続されている。
【００３２】
画素電極１７を覆う配向膜１８及び対向電極２３を覆う配向膜２４は、液晶装置１００の光学設計に基づいて設定されており、本実施形態では、酸化シリコンなどの無機材料の斜め蒸着膜（無機配向膜）が使用されている。また、配向膜１８，２４には、ポリイミドなどの有機配向膜を用いてもよい。
【００３３】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する信号線としての複数の走査線１２及び複数のデータ線１６や、データ線１６に対して平行に延在する容量線４１などを有する。なお、容量線４１の配置はこれに限定されず、走査線１２に対して平行に延在するように配置してもよい。
なお、走査線１２、データ線１６、及び容量線４１は、遮光性の導電材料で構成され、素子基板１０側に設けられている。
【００３４】
走査線１２とデータ線１６とで区分された領域には、画素電極１７、ＴＦＴ３０、及び蓄積容量４０などが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００３５】
走査線１２は、ＴＦＴ３０のゲート電極に電気的に接続されている。データ線１６は、ＴＦＴ３０のソース電極に電気的に接続されている。画素電極１７は、ＴＦＴ３０のドレイン電極に電気的に接続されている。
【００３６】
データ線１６はデータ線駆動回路１０１（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路１０１から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎを各画素Ｐに供給する。走査線１２は走査線駆動回路１０４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路１０４から供給される走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍを各画素Ｐに供給する。データ線駆動回路１０１からデータ線１６に供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線１６同士に対してグループごとに供給してもよい。
【００３７】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号Ｇ１，Ｇ２，…，Ｇｍの入力によりオン状態とされた期間に同期して、データ線１６から供給される画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，ＳｎがＴＦＴ３０を介して画素電極１７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極１７に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎは、画素電極１７と共通電極として機能する対向電極２３との間で一定期間保持される。
【００３８】
保持された画像信号Ｓ１，Ｓ２，…，Ｓｎがリーク（劣化）するのを防止するために、画素電極１７と対向電極２３との間に形成される液晶容量と並列に、蓄積容量４０が接続されている。蓄積容量４０は、ＴＦＴ３０のドレイン電極と容量線４１との間に設けられている。
【００３９】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きくて明表示となるノーマリーホワイトモードや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さくて暗表示となるノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光学設計に応じて、光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子（図示省略）が配置されて用いられる。
【００４０】
「素子基板及び電気光学装置用基板の概要」
図４は、画素電極の配置を示す概略平面図である。図５は、図４のＡ−Ａ’線で切った液晶装置の概略断面図である。以下、図４及び図５を参照して、素子基板１０及び電気光学装置用基板５の概要を説明する。
【００４１】
図４に示すように、画素Ｐは、Ｘ方向及びＹ方向にマトリックス状に配置されている。
非開口領域Ｄ２は、素子基板１０側に設けられた遮光性の導電材料で構成された信号線（データ線１６、走査線１２、容量線４１）や、対向基板２０側に設けられた遮光膜５３などで構成された遮光領域である。非開口領域Ｄ２はＸ方向とＹ方向とに延在し、格子状に設けられている。Ｘ方向及びＹ方向における非開口領域Ｄ２の巾は、同じに設定されている。非開口領域Ｄ２で囲まれた領域が、光が透過する（光が変調される）開口領域Ｄ１となる。開口領域Ｄ１は、非開口領域Ｄ２で四角形（略正方形）に区画されている。
【００４２】
画素電極１７は、画素Ｐ毎に設けられ、四角形（略正方形）の形状を有している。Ｚ方向から見て、画素電極１７の外縁部は、遮光性の非開口領域Ｄ２に重なるように配置されている。図４では図示を省略したが、非開口領域Ｄ２には、ＴＦＴ３０、蓄積容量４０、及びプリズム７０などが配置されている。
【００４３】
最初に、素子基板１０の概要を説明する。
図５に示すように、素子基板１０は、素子基板本体１１、並びに素子基板本体１１の液晶層５０側の面に順に積層された走査線１２、絶縁層１３、ＴＦＴ３０、絶縁層１４、データ線１６、絶縁層１５、画素電極１７、及び配向膜１８などを有している。
【００４４】
走査線１２は、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｍｏ（モリブデン）、Ｗ（タングステン）、Ｔｉ（チタン）、Ｔａ（タンタル）、Ｃｒ（クロム）などの金属材料の少なくとも一つを含む金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、ナイトライド、あるいはこれらを積層したものからなり、遮光性を有している。
【００４５】
絶縁層１３は、素子基板本体１１と走査線１２とを覆うように設けられている。絶縁層１３は、例えば酸化シリコンで構成され、透光性を有している。ＴＦＴ３０は、絶縁層１３上に設けられている。ＴＦＴ３０は、画素電極１７を駆動するスイッチング素子である。図示を省略するが、ＴＦＴ３０は、半導体層、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極で構成されている。
【００４６】
半導体層は、例えば多結晶シリコン膜からなり、島状に形成されている。半導体層には、不純物イオンが注入されて、ソース領域、チャネル領域、及びドレイン領域が形成されている。チャネル領域とソース領域、または、チャネル領域とドレイン領域との間には、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）領域が形成されていてもよい。
【００４７】
ゲート電極は、Ｚ方向から見て半導体層のチャネル領域と重なる領域に絶縁層１４の一部（ゲート絶縁膜）を介して配置されている。図示を省略するが、ゲート電極は、下層側に配置された走査線１２にコンタクトホールを介して電気的に接続されている。
【００４８】
絶縁層１４は、絶縁層１３とＴＦＴ３０とを覆うように設けられている。絶縁層１４は、例えば酸化シリコンで構成され、透光性を有している。絶縁層１４は、ＴＦＴ３０の半導体層とゲート電極との間を絶縁するゲート絶縁膜を含む。絶縁層１４により、ＴＦＴ３０によって生じる表面凹凸が緩和される。
【００４９】
絶縁層１４上には、データ線１６が設けられている。データ線１６は、走査線１２と同様の材料で形成され、遮光性を有している。ＴＦＴ３０は、遮光性を有する走査線１２及びデータ線１６との間に挟まれるように配置されている。これにより、ＴＦＴ３０の半導体層に光が入射することによるリーク電流の増加（ＴＦＴ３０の誤動作）が抑制される。
【００５０】
図示を省略するが、絶縁層１４上には、データ線１６と配線層を異ならせて容量線４１が設けられている。絶縁層１４とデータ線１６と容量線４１とを覆うように、絶縁層１５が設けられている。絶縁層１５は、例えば酸化シリコンで構成され、透光性を有している。
【００５１】
画素電極１７は、絶縁層１５上に設けられている。画素電極１７は、絶縁層１４や絶縁層１５に設けられたコンタクトホール（図示省略）を介して、ＴＦＴ３０の半導体層におけるドレイン領域に電気的に接続されている。配向膜１８は、画素電極１７を覆うように設けられている。
【００５２】
次に、電気光学装置用基板５の概要を説明する。
図５に示すように、電気光学装置用基板５は、基板本体６、基板本体６の表面６ａに設けられたプリズム７０や、プリズム７０を覆う第２絶縁膜７５などを有している。
上述したように、基板本体６には石英基板が使用され、第２絶縁膜７５は酸化シリコンで構成される。
【００５３】
プリズム７０は、溝７１と第１絶縁膜７２と空気層７３とで構成される。
溝７１は、基板本体６をＺ方向にエッチングすることで、基板本体６の表面６ａに形成される。溝７１は、Ｘ方向から見た時にＺ（−）方向に広がったＶ字形状となっている。換言すれば、溝７１は、Ｘ方向から見た場合にＺ方向に尖った形状を有している。詳しくは、基板本体６の表面６ａ側における溝７１のＹ方向寸法（開口寸法）は、上述した非開口領域Ｄ２の巾と略同じであり、概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍである。溝７１のＺ方向寸法（深さ）は、概略３００００ｎｍ〜３５０００ｎｍである。溝７１は、Ｚ方向と交差する一対の斜面７１ａを有している。当該一対の斜面７１ａは、Ｚ方向で繋がり、Ｘ方向に沿った底辺７１ｂ（溝７１の底部）が形成されている。また、斜面７１ａとＺ方向とがなす角度は、３度以下となっている。
【００５４】
第１絶縁膜７２は、例えば酸化シリコンで構成され、透光性を有している。空気層７３は、溝７１と第１絶縁膜７２とで囲まれた領域に配置されている。空気層７３の屈折率は、基板本体６の屈折率よりも小さくなっている。
【００５５】
基板本体６（石英）、第１絶縁膜７２（酸化シリコン）、及び第２絶縁膜７５（酸化シリコン）は略同じ屈折率の材料で構成され、これら材料の界面（境界）では反射等による光の減衰が発生しない。従って、これら材料が積層された領域の界面は、光を良好に透過する。
【００５６】
一方、溝７１の斜面７１ａは、異なる屈折率の材料（基板本体６、空気層７３）の界面であり、光の反射性を有する。溝７１の斜面７１ａは、プリズム７０における光の反射面となる。詳細は後述するが、プリズム７０を設けると、プリズム７０が形成されていない場合に表示に利用されない光が、溝７１の斜面７１ａで反射され表示光となるので、光の利用効率を高めることができる。
【００５７】
仮に、プリズム７０の底部側に、Ｘ方向及びＹ方向に広がった面が形成されると、当該面も光の反射面となる。Ｘ方向及びＹ方向に広がった面は、斜面７１ａと異なる方向に光を反射し、斜面７１ａの光の反射を阻害する。よって、表示光となる方向に光を反射する斜面７１ａだけで、光の反射面を形成することが好ましい。従って、プリズム７０は、上述したようにＸ方向から見た場合にＺ方向に尖った形状を有することが好ましい。
【００５８】
本実施形態の液晶装置１００は、後述する液晶プロジェクターに好適に使用できる光変調素子（ライトバルブ）である。光源（図示省略）から発した光は、対向基板２０側から素子基板１０側に向けて入射し、液晶装置１００の開口領域Ｄ１で変調され、表示光としてＺ（−）方向に射出される。
【００５９】
図５において符号Ｌ１，Ｌ２が付された矢印は、光源から発せられ対向基板２０側から素子基板１０側に入射する光（以降、入射光と称す）を示している。実線で示された入射光Ｌ１は、開口領域Ｄ１に向けて入射する（進行する）光であり、破線で示された入射光Ｌ２は、非開口領域Ｄ２に向けて進行する光である。
【００６０】
図５に示すように、開口領域Ｄ１に向けて進行する入射光Ｌ１は、開口領域Ｄ１を通過し、表示光としてＺ（−）方向に射出される。非開口領域Ｄ２に向けて進行する入射光Ｌ２は、溝７１の斜面７１ａで反射され、開口領域Ｄ１を通過し、表示光としてＺ（−）方向に射出される。
【００６１】
このように、電気光学装置用基板５にプリズム７０を形成することによって、開口領域Ｄ１に向けて進行する入射光Ｌ１以外に非開口領域Ｄ２に向けて進行する入射光Ｌ２も表示光として利用できるので、プリズム７０を形成していない場合と比べて光の利用効率を高めることができる。すなわち、プリズム７０を有する電気光学装置用基板５を使用することによって、より明るい表示が実現される。
なお、光源から発した光は、素子基板１０側から対向基板２０側に向けて入射する場合であっても、プリズム７０によって入射光の利用効率を高めることができる。
【００６２】
「電気光学装置用基板の製造方法」
図６は、電気光学装置用基板を形成するための工程フローである。図７乃至図９は、図５に対応しており、図６に示す各工程を経た後の電気光学装置用基板の状態を示す模式断面図である。なお、図面を見やすくするために、図７乃至図９における基板本体６の表面６ａの位置が、図５における基板本体６の表面６ａの位置と異なっている（逆になっている）。具体的には、基板本体６の表面６ａは、図５では基板本体６の下側に配置されているが、図７乃至図９では基板本体６の上側に配置されている。
以下、図６乃至図９を参照して、電気光学装置用基板５の製造方法を説明する。
【００６３】
図６のステップＳ１では、基板本体６の表面６ａに、スパッタやＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）などの公知技術を用いてタングステンシリサイドを堆積し、第１のマスク８１を形成する。第１のマスク８１の膜厚は、概略２０００ｎｍ〜４０００ｎｍである。第１のマスク８１は、後述するステップＳ４及びＳ５の異方性エッチングにおいて、基板本体６を構成する材料（石英）よりもエッチングされにくい（エッチング速度が遅い）材料で構成されている。第１のマスク８１を構成する材料は、上述したタングステンシリサイドの他に、例えばシリコンを使用することができる。
【００６４】
図７（ａ）は、ステップＳ１を経た後の状態を示している。同図に示すように、第１のマスク８１は、基板本体６の表面６ａを覆って形成される。
【００６５】
図６のステップＳ２では、フォトリソ法で形成したレジスト（図示省略）をマスクとして、公知技術、例えば塩素や酸素などの混合ガスを用いてＺ方向の異方性エッチングを第１のマスク８１に施し、基板本体６の表面６ａを露出させる開口部８６を形成する。
【００６６】
図７（ｂ）は、ステップＳ２を経た後の状態を示している。当該異方性エッチングによって、レジストで覆われていない領域の第１のマスク８１がエッチングされ、基板本体６の表面６ａを露出させる開口部８６が形成される。開口部８６の巾（Ｙ方向寸法、以降開口寸法と称す）Ｗ１は、概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍである。第１のマスク８１の壁面８５は、Ｚ方向に沿って形成され、壁面８５と基板本体６の表面６ａとがなす角度（以降、テーパー角と称す）は、略９０度である。なお、壁面８５のテーパー角は、７０度〜９０度の範囲にあれば良い。
第１のマスク８１は、壁面８５、及び基板本体６の表面６ａに対向する面（表面）８１ａを有している。
【００６７】
図６のステップＳ３では、例えばＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）などの公知技術を用いて酸化アルミニウムを堆積し、第１のマスク８１の表面８１ａと壁面８５、及び開口部８６で露出された基板本体６の表面６ａを覆う第２のマスク８２を形成する。第２のマスク８２の膜厚は、概略２０ｎｍ〜５０ｎｍである。
第２のマスク８２は、後述するステップＳ４及びＳ５の異方性エッチングにおいて、第１のマスク８１を構成する材料（タングステンシリサイド）よりもエッチングされにくい材料で構成されている。第２のマスク８２を構成する材料は、上述した酸化アルミニウムの他に、アルミニウムや酸化ハフニウムなどを使用することができる。
【００６８】
ＡＬＤは、アルミニウムの供給源であるＴＭＡ（トリメチルアルミニウム）ガスを成膜チャンバー内に導入し、第１のマスク８１の表面８１ａと壁面８５、及び開口部８６で露出された基板本体６の表面６ａにＴＭＡまたはその活性種を化学吸着させる。次に、オゾンガスを成膜チャンバーに導入する。このとき、オゾンガスと化学吸着したＴＭＡとが熱反応して、１原子層分の酸化アルミニウムが形成される。この操作を繰り返すことで、所定の膜厚の酸化アルミニウムが形成される。ＡＬＤでは、１原子層分毎に堆積するので膜厚を高精度に制御することができる。ＴＭＡまたはその活性種は、第１のマスク８１の表面８１ａや基板本体６の表面６ａに加えて、第１のマスク８１の壁面８５にも良好に化学吸着するので、第１のマスク８１の表面８１ａと壁面８５、及び開口部８６で露出された基板本体６の表面６ａには、略同じ膜厚の酸化アルミニウムが形成される。
【００６９】
壁面８５を覆う第２のマスク８２のＹ方向の膜厚は、略２０ｎｍ〜５０ｎｍである。また、壁面８５を覆う第２のマスク８２のＺ方向の膜厚は、第１のマスク８１の膜厚（概略２０００ｎｍ〜４０００ｎｍ）に第２のマスク８２のＹ方向の膜厚（概略２０ｎｍ〜５０ｎｍ）を加えた値となる。このように、壁面８５を覆う第２のマスク８２の膜厚は、Ｙ方向に薄く、Ｚ方向に厚くなっている。
【００７０】
図７（ｃ）は、ステップＳ３を経た後の状態を示している。ステップＳ３によって、第１のマスク８１の表面８１ａと壁面８５、及び開口部８６で露出された基板本体６の表面６ａを覆う第２のマスク８２が形成され、開口部８６に対応する位置に凹部８７が形成される。凹部８７の巾（Ｙ方向寸法、以降開口寸法と称す）Ｗ２は、開口部８６の開口寸法Ｗ１（図７（ｂ））から、第２のマスク８２のＹ方向の膜厚（寸法）の２倍を差し引いた値となる。第２のマスク８２のＹ方向の膜厚は、開口寸法Ｗ１と比べて十分小さいので、凹部８７の開口寸法Ｗ２は、開口部８６の開口寸法Ｗ１と略同等の値になる。すなわち、凹部８７の開口寸法Ｗ２は、概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍである。
【００７１】
次に、Ｚ方向に異方性エッチングを施し、基板本体６の表面６ａに溝７１を形成する。溝７１を形成する工程は、図６に示すように、基板本体６の表面６ａに前駆溝６８を形成する工程（ステップＳ４）と、前駆溝６８をＸ方向から見た場合にＺ方向に尖った形状に加工する工程（ステップＳ５）とで構成される。また、ステップＳ４及びステップＳ５は、公知技術、例えば高密度プラズマを形成可能なＩＣＰ（ICP-RIE／Inductive Coupled Plasma-RIE）ドライエッチング装置を用いて、連続的に処理されている。
【００７２】
図６のステップＳ４では、ＩＣＰドライエッチング装置を用いてＺ方向の異方性エッチングを施し、基板本体６の表面６ａに前駆溝６８を形成する。当該異方性エッチングは、例えば八フッ化シクロブタン（Ｃ4Ｆ8）や酸素などの混合ガスをエッチングガスに用いて処理される。これらエッチングガスはＩＣＰドライエッチング装置のエッチングチャンバーの中で励起された電子と反応し、Ｆラジカル、フルオロカーボンラジカル（ＣＦ、ＣＦ2、ＣＦ3、Ｃ4Ｆ5、Ｃ4Ｆ6、Ｃ4Ｆ7、Ｃ4Ｆ8など、以降ＣＦｘラジカルと称す）、酸素ラジカルなどのプラズマを生じる。Ｆラジカルは、例えば酸化シリコン（石英基板）と反応し、揮発性のＳｉＦｘやＣＯ2などを生成し、基板本体６をＺ方向にエッチングする。ＣＦｘラジカルは、エッチング面に保護膜（炭素系ポリマーなど）を形成し、ＳｉＦｘやＣＯ2などの生成（基板本体６のエッチング）を抑制する。また、酸素ラジカルは、過剰な保護膜の形成を抑制する。
【００７３】
例えば、エッチングガス中の酸素濃度を大きくすると、ＣＦｘラジカル（保護膜）の影響が抑制され、Ｆラジカルの影響が強くなり基板本体６のエッチングが促進される。なお、酸素濃度を大きくしすぎると、Ｆラジカル濃度が減少し、基板本体６のエッチングは抑制される。また、上記エッチングガスに、例えば一酸化炭素を添加すると、保護膜の影響が強くなる。エッチングを促進するＦラジカルの影響や、反応を抑制する保護膜の影響は、エッチングガスの組成、圧力、プラズマを発生させる高周波電源のパワー、温度などのエッチング条件によって変化する。これらエッチング条件を調整することで、基板本体６のエッチング速度やエッチング形状などを制御することができる。
【００７４】
本実施形態では、基板本体６をエッチングするＦラジカルはＺ方向に供給され、基板本体６はＺ方向にエッチングされる。また、Ｚ方向と直交するＹ方向のエッチングは抑制され、Ｙ方向のエッチング速度はＺ方向のエッチング速度よりも小さくなっている。また、Ｆラジカルと反応し揮発性物質を生成する化学的なエッチングの他に、プラズマ中のイオン成分による機械的な衝撃による物理的なエッチングによっても、基板本体６はエッチングされる。
【００７５】
Ｆラジカルは第１のマスク８１及び第２のマスク８２とも反応し、揮発性物質を生じる。その結果、第１のマスク８１及び第２のマスク８２も、Ｚ方向にエッチングされる。第１のマスク８１は、基板本体６を構成する材料（石英）よりもエッチングされにくい材料（タングステンシリサイド）で構成されている。第２のマスク８２は、第１のマスク８１を構成する材料よりもエッチングされにくい材料（酸化アルミニウム）で構成されている。基板本体６（石英基板）のエッチング速度を１とすると、第１のマスク８１（タングステンシリサイド）のエッチング速度は概略１／１１以下であり、第２のマスク８２のエッチング速度は概略１／２０以下である。なお、第１のマスク８１をシリコンで構成した場合のエッチング速度は、第１のマスク８１をタングステンシリサイドとした場合のエッチング速度と同等である。第２のマスク８２をアルミニウムまたは酸化ハフニウムで構成した場合のエッチング速度は、第２のマスク８２を酸化アルミニウムで構成した場合のエッチング速度と同等である。
【００７６】
図８（ａ）は、ステップＳ４を経た後の状態を示している。また、同図の二点鎖線は、ステップＳ３を経た後の基板本体６、第１のマスク８１、及び第２のマスク８２の輪郭（図７（ｃ））を示している。
ステップＳ４によって、開口部８６で露出された基板本体６の表面６ａに、Ｚ方向にエッチングされた前駆溝６８を形成する。前駆溝６８は、Ｚ方向に配置された底面６８ｂとＹ方向に配置された斜面６８ａとを有している。底面６８ｂは、Ｆラジカルと基板本体６とが反応するエッチング領域であり、前駆溝６８の底部側でＸ方向及びＹ方向に広がって形成される。斜面６８ａは、Ｚ方向と交差するように形成されている。斜面６８ａとＺ方向とがなす角度は、エッチング条件によって調整することができる。前駆溝６８の斜面６８ａは、次の工程（ステップＳ５）で形成する溝７１の斜面７１ａとなる。次の工程（ステップＳ５）でプリズム７０に好適な斜面７１ａを形成しやすいように、前駆溝６８の斜面６８ａとＺ方向とがなす角度と、溝７１の斜面７１ａとＺ方向とがなす角度とは略同じであり、３度以下となっている。
【００７７】
本実施形態では、プリズム７０の反射面とするために、斜面６８ａはＺ方向と交差するように形成されている。エッチング条件を調整することで、例えば半導体装置のトレンチ（溝）に好適な形状、すなわちＺ方向に沿った斜面（壁面）を形成することができる。
【００７８】
開口部８６で露出された基板本体６の表面６ａを覆う第２のマスク８２はＺ方向にエッチングされ、第２のマスク８２が除去された後に、開口部８６の基板本体６がＺ方向にエッチングされる。第１のマスク８１の表面８１ａを覆う第２のマスク８２はＺ方向にエッチングされ、第２のマスク８２が除去された後に、第１のマスク８１がＺ方向にエッチングされる。
【００７９】
壁面８５を覆う第２のマスク８２も、Ｚ方向にエッチングされる。以下に示す理由によって、ステップＳ４及び後述するステップＳ５で異方性エッチングを施しても、第２のマスク８２は、Ｙ方向にエッチングされにくく、壁面８５に残存する。
（１）第２のマスク８２は、第１のマスク８１よりもエッチングされにくい（エッチング速度が遅い）材料で構成されている。
（２）壁面８５を覆う第２のマスク８２の膜厚は、Ｚ方向に厚くなっている。
（３）ＦラジカルはＺ方向に供給されているので、第２のマスク８２はＹ方向にエッチングされにくい。
【００８０】
その結果、第１のマスク８１の壁面８５は第２のマスク８２によって保護され、Ｚ方向から見た場合に第１のマスク８１の壁面８５の形成位置の変化（Ｙ方向への後退）が抑制される。このため、基板本体６の表面６ａ側に形成された前駆溝６８の巾（Ｙ方向寸法、以降開口寸法と称す）Ｗ３は、凹部８７の開口寸法Ｗ２と略同等、すなわち開口部８６の開口寸法Ｗ１と略同等となる。前駆溝６８の開口寸法Ｗ３は、概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍである。前駆溝６８の深さ（Ｚ方向寸法）は、概略２５０００ｎｍ〜３００００ｎｍである。
【００８１】
図６のステップＳ５では、前駆溝６８にＺ方向の異方性エッチングを施し、基板本体６の表面６ａに溝７１を形成する。上述したように、ステップＳ４とステップＳ５とは、同じエッチング装置で連続的に処理されている。ステップＳ４とステップＳ５とは、エッチング条件（ガスの組成、圧力など）が異なっている。具体的には、ステップＳ５は、ステップＳ４と比べて保護膜の影響が大きくなるエッチング条件で処理されている。
【００８２】
図８（ｂ）は、ステップＳ５を経た後の状態を示している。また、同図の二点鎖線は、ステップＳ４を経た後の前駆溝６８、第１のマスク８１、及び第２のマスク８２の輪郭（図８（ａ））を示している。
ステップＳ５によって、基板本体６をＺ方向にエッチングし、開口部８６で露出された基板本体６の表面６ａに溝７１を形成する。ステップＳ５では、前駆溝６８の底部の形成されたＸ方向及びＹ方向に広がった底面６８ｂが、Ｘ方向に沿った底辺７１ｂとなるようにエッチングされる。すなわち、Ｘ方向から見た場合にＺ方向に尖った形状（プリズム７０に好適な形状）となるように、エッチングされる。その結果、溝７１は、Ｚ（−）方向に広がって配置された一対の斜面７１ａと、一対の斜面７１ａがＺ方向に繋がった底辺７１ｂ（Ｘ方向に沿った辺）とを有し、Ｘ方向から見た場合にＺ方向に尖った形状となる。
【００８３】
ステップＳ５では、前駆溝６８の斜面６８ａを保護膜で覆いながら、Ｘ方向及びＹ方向に広がった底面６８ｂをＺ方向にエッチングすることで、Ｘ方向から見た場合にＺ方向に尖った形状の溝７１を形成することができる。前駆溝６８の斜面６８ａはエッチングされにくくなっているので、前駆溝６８の斜面６８ａと溝７１の斜面７１ａとは略同等の傾斜を有する。保護膜の影響を大きくしたエッチング条件では、基板本体６のエッチング速度（Ｚ方向のエッチング速度）は小さくなる。ステップＳ５だけでＺ方向に深くエッチングしようとすると、エッチング時間が非常に長くなり、生産性が低下する。このため、本実施形態では、ステップＳ４（保護膜の影響が小さく、Ｚ方向にエッチングしやすい条件）と、ステップＳ５（保護膜の影響が大きく、Ｚ方向にエッチングしにくい条件）とで、溝７１を形成している。すなわち、基板本体６の表面６ａに前駆溝６８を形成する工程（ステップＳ４）と、前駆溝６８をＸ方向から見た場合にＺ方向に尖った形状に加工する工程（ステップＳ５）とで溝７１を形成することによって、ステップＳ５だけで溝７１を形成する場合と比べて、優れた生産性を有する。
【００８４】
第１のマスク８１は、Ｚ方向にエッチングされる。壁面８５を覆う第２のマスク８２もＺ方向にエッチングされる。上述した理由によって、壁面８５に第２のマスク８２が残存し、壁面８５は第２のマスク８２によって保護され、Ｚ方向から見た場合に壁面８５の形成位置の変化（Ｙ方向への後退）が抑制される。このため、基板本体６の表面６ａ側に形成された溝７１の巾（Ｙ方向寸法、以降開口寸法と称す）Ｗ４は、前駆溝６８の開口寸法Ｗ３と略同等、すなわち開口部８６の開口寸法Ｗ１と略同等となる。溝７１の開口寸法Ｗ４は、概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍである。溝７１の深さ（Ｚ方向の寸法）は、概略３００００ｎｍ〜３５０００ｎｍである。また、斜面７１ａとＺ方向とがなす角度は、３度以下である。
【００８５】
図６のステップＳ６では、公知技術、例えば塩素や酸素などの混合ガスを用いたドライエッチングによって、第１のマスク８１及び第２のマスク８２をエッチング除去する。
【００８６】
図８（ｃ）は、ステップＳ６を経た後の状態を示している。同図に示すように、Ｘ方向から見た場合にＺ（−）方向に広がったＶ字形状の溝７１が、基板本体６の表面６ａに形成される。すなわち、Ｚ方向となす角度が３度以下の斜面７１ａを有し、Ｘ方向から見た場合にＺ方向に尖った形状の溝７１が、基板本体６の表面６ａに形成される。溝７１の開口寸法Ｗ４は、ステップＳ２で形成した開口部８６の開口寸法Ｗ１と略同等（概略１０００ｎｍ〜２０００ｎｍ）であり、溝７１の深さは概略３００００ｎｍ〜３５０００ｎｍである。
【００８７】
図６のステップＳ７では、段差被覆性に劣る成膜法、例えばシランを用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコンを堆積し、第１絶縁膜７２を形成する。第１絶縁膜７２は溝７１の開口部を塞ぎ、第１絶縁膜７２と溝７１とで囲まれた領域（密封された領域）に空気層７３を形成する。そして、溝７１と第１絶縁膜７２と空気層７３とで構成されたプリズム７０が形成される。
【００８８】
図９（ａ）は、ステップＳ７を経た後の状態を示している。
シランを用いたプラズマＣＶＤは、シランなどの材料ガスと亜酸化窒素や酸素などの酸化ガス（酸素供給源としての材料ガス）とをプラズマ中で分解し、材料ガス（シラン）から生成される反応生成物（酸化シリコン）の前駆体ラジカルと、酸化ガスから生成される酸素ラジカルとを反応させ、酸化シリコンを形成する成膜方法である。当該プラズマＣＶＤは、気相反応過程、表面反応過程、及び堆積膜反応過程という過程を経て、酸化シリコンが堆積される。シランは反応性が高いために、気相反応過程（気相中での化学反応）が支配的となる。すなわち、前駆体ラジカルと酸素ラジカルとが主に気相中で反応し、気相中で生成した酸化シリコンが、基板本体６の表面６ａに堆積する。気相中で生成した酸化シリコンは、溝７１の中にはいりにくく、溝７１の開口部分を塞ぐように基板本体６の表面６ａに堆積する。このとき溝７１内は、酸化シリコンを堆積する際の雰囲気の状態で密封される。具体的には、シランを用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコンを堆積する際に使用したガスが、減圧された状態で第１絶縁膜７２と溝７１とで囲まれた領域に密閉され、空気層７３が形成される。
【００８９】
図６のステップＳ８では、段差被覆性に優れた成膜法、例えばＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン）を用いたプラズマＣＶＤによって形成した酸化シリコンで第１絶縁膜７２を覆い、当該酸化シリコンに平坦化処理を施し、平坦な面を有する第２絶縁膜７５を形成する。
【００９０】
図９（ｂ）は、ステップＳ８を経た後の状態を示している。ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤは段差被覆性に優れ、プリズム７０を形成することによって発生した表面凹凸部分に空洞が形成されることなく、第１絶縁膜７２を覆うことができる。ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって形成された酸化シリコンに、例えば化学的機械的研磨（Chemical  Mechanical  Polishing、以下ＣＭＰと称す）によって平坦化処理を施し、第２絶縁膜７５を形成する。ＣＭＰでは、研磨液に含まれる化学成分の化学的作用と、研磨剤と素子基板１０との相対移動による機械的作用との兼ね合いによって、高速で平坦な研磨面を得ることができる。その結果、プリズム７０を形成することによる表面凹凸が解消され、平坦な面を有する第２絶縁膜７５が形成される。
【００９１】
なお、上述した第１絶縁膜７２を堆積するだけで、溝７１の頂部の開口部を塞ぐことが難しい場合は、溝７１の内部に予め犠牲膜となるポリシリコンなどを埋め込んで堆積し、ダマシン法で埋め込み平坦化する。その上層に第１絶縁膜７２を堆積する。さらに、第１絶縁膜７２にエッチング用の小孔を形成して選択的に犠牲膜をエッチング除去することで、溝７１の内部を空洞にする。その後、第２絶縁膜７５を堆積し、エッチング用の小孔を塞ぐことで、溝７１の内部に空気層７３が密閉されたプリズム７０を形成することができる。この場合、ＴＥＯＳを用いたプラズマＣＶＤによって酸化シリコン（第３絶縁膜８３）を堆積する際に使用したガスが、減圧された状態で第１絶縁膜７２と溝７１とで囲まれた領域に密閉され、空気層７３が形成される。
【００９２】
本実施形態は、以下に示す特長（構成）を有している。
（１）壁面８５を覆う第２のマスク８２のＹ方向の膜厚は小さく、壁面８５を第２のマスク８２で覆ってもエッチングマスクのＹ方向寸法（凹部８７の開口寸法Ｗ４）は殆ど変化しない。
（２）壁面８５を覆う第２のマスク８２はＺ方向に厚くなっている。
（３）第２のマスク８２は第１のマスク８１よりもエッチングされにくい。
（４）ＦラジカルはＺ方向に供給されているのでＹ方向にエッチングされにくい。
【００９３】
第１のマスク８１に、第２のマスク８２で覆われた壁面８５で囲まれた開口部８６を設け、当該第１のマスク８１をエッチングマスクとして基板本体６をＺ方向にエッチングすると、壁面８５は第２のマスク８２で保護されているので、Ｚ方向から見た場合に壁面８５の形成位置の変化（Ｙ方向への後退）が抑制される。その結果、凹部８７（すなわち開口部８６）の形状が正確に（高精度に）反映され、開口寸法Ｗ４（すなわち開口寸法Ｗ１）の溝７１を形成することができる。
【００９４】
さらに、本実施形態の溝７１を形成する工程は、ステップＳ４（保護膜の影響が小さく、Ｚ方向にエッチングしやすい条件）と、ステップＳ５（保護膜の影響が大きく、Ｚ方向にエッチングしにくい条件）とを有しているので、ステップＳ５だけで形成する場合と比べて、プリズム７０に好適な形状を有するＺ方向に深い溝７１を短時間に形成することができ、生産性に優れている。
【００９５】
（実施形態２）
図１０は、実施形態２に係る液晶装置の概略断面図であり、図５に対応している。
以下、図１０を参照して、本実施形態に係る液晶装置２００を、実施形態１との相違点を中心に説明する。また、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明を省略する。
【００９６】
実施形態１に係る液晶装置１００では、電気光学装置用基板５が対向基板２０側に使用されている。本実施形態に係る液晶装置２００では、電気光学装置用基板５が素子基板１０側に使用されている。この点が本実施形態と実施形態１との相違点であり、他の構成は実施形態１と同じである。
【００９７】
図１０に示すように、対向基板２０は、対向基板本体２１、対向基板本体２１の液晶層５０側の面に順に積層された遮光膜５３（図示省略）、絶縁膜２２、対向電極２３、及び配向膜２４などを有している。対向基板本体２１には、例えば石英基板が使用されている。
【００９８】
素子基板１０は、電気光学装置用基板５、並びに電気光学装置用基板５の液晶層５０側の面に順に積層された走査線１２、絶縁層１３、ＴＦＴ３０、絶縁層１４、データ線１６、絶縁層１５、画素電極１７、及び配向膜１８などを備えている。
【００９９】
電気光学装置用基板５には、光反射部としてのプリズム７０が非開口領域Ｄ２に設けられている。プリズム７０の光反射面を形成する溝７１の斜面７１ａは、Ｚ方向に広がって配置されている。
【０１００】
本実施形態の液晶装置２００は、後述する液晶プロジェクターに好適に使用できる光変調素子（ライトバルブ）であり、光源から発した光は、素子基板１０側から対向基板２０側に向けて入射するようになっている。液晶装置２００に入射した光は、開口領域Ｄ１で変調され、Ｚ方向に射出され、液晶プロジェクターの表示光となる。
【０１０１】
開口領域Ｄ１に向かって進行する入射光Ｌ１は、開口領域Ｄ１を通過し、Ｚ方向に射出され表示光となる。非開口領域Ｄ２に向かって進行する入射光Ｌ２は、プリズム７０（溝７１の斜面７１ａ）で反射され、開口領域Ｄ１を通過し、Ｚ方向に射出され表示光となる。このように、プリズム７０によって、開口領域Ｄ１に向かって進行する入射光Ｌ１以外に非開口領域Ｄ２に向かって進行する入射光Ｌ２も表示光として利用できるので、プリズム７０を形成していない場合と比べて入射光の利用効率を高めることができ、より明るい表示が実現される。
なお、光源から発した光は、対向基板２０側から素子基板１０側に向けて入射する場合であっても、プリズム７０によって入射光の利用効率を高めることができる。
【０１０２】
（実施形態３）
「電子機器」
図１１は電子機器としての投射型表示装置（液晶プロジェクター）の構成を示す概略図である。図１１に示すように、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【０１０３】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【０１０４】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【０１０５】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。
ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【０１０６】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【０１０７】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０には、上述した実施形態１の液晶装置１００や実施形態２の液晶装置２００が適用されている。液晶装置１００や液晶装置２００に使用されている電気光学装置用基板５（プリズム７０）によって光の利用効率を高めることができ、より明るい表示を実現することができる。
【０１０８】
本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う液晶装置及び該液晶装置を適用する電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
【０１０９】
（変形例１）液晶装置１００，２００に適用させることに限定されず、例えば、有機エレクトロルミネッセンス素子を有する発光装置にも適用することができる。電気光学装置用基板５（プリズム７０）によって光の利用効率を高めることができるので、電気光学装置用基板５（プリズム７０）を有する発光装置では、より明るい表示を実現することができる。
【０１１０】
（変形例２）電気光学装置用基板５は、素子基板１０側及び対向基板２０側の両方に使用されていても良い。すなわち、電気光学装置用基板５は、素子基板１０側及び対向基板２０側の少なくとも一方に使用されていれば良い。
【０１１１】
（変形例３）上記液晶装置１００，２００が適用される電子機器は、実施形態３の投射型表示装置１０００に限定されない。投射型表示装置１０００の他に、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、または電子ブック、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ、ビューファインダー型あるいはモニター直視型のビデオレコーダー、カーナビゲーションシステム、ＰＯＳなどの情報端末機器、及び電子手帳などの電子機器に、液晶装置１００，２００を適用させることができる。
【０１１２】
（変形例４）図６に示したステップＳ１〜ステップＳ４の製造方法を、半導体装置のトレンチ（溝）形成に適用させることができる。ステップＳ１〜ステップＳ４では、エッチングマスク（第１のマスク８１）が第２のマスク８２で保護され、エッチング工程におけるエッチングマスクの形状変化（第１のマスク８１の壁面８５の後退）が抑制されている。その結果、エッチングマスクの形状を正確に（高精度に）反映させたトレンチを形成することができる。すなわち、ステップＳ１〜ステップＳ４の製造方法を適用させることで、エッチング工程に起因するトレンチの寸法変化を抑制することができる。
【符号の説明】
【０１１３】
５…電気光学装置用基板、６…基板本体、６ａ…表面、１０…素子基板、１１…素子基板本体、１２…走査線、１３，１４，１５…絶縁層、１６…データ線、１７…画素電極、１８，２４…配向膜、２０…対向基板、２１…対向基板本体、２２…絶縁膜、２３…対向電極、３０…ＴＦＴ、４０…蓄積容量、４１…容量線、５０…液晶層、５２…シール材、５３…遮光膜、６８…前駆溝、６８ａ…斜面、６８ｂ…底面、７０…プリズム、７１…溝、７１ａ…斜面、７１ｂ…底辺、７２…第１絶縁膜、７３…空気層、７５…第２絶縁膜、８１…第１のマスク、８２…第２のマスク、８５…壁面、８６…開口部、８７…凹部、１００，２００…液晶装置、１０１…データ線駆動回路、１０２…外部接続用端子、１０４…走査線駆動回路、１０５…配線、１０６…上下導通部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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