(57)【要約】【課題】処理液の利用効率の向上と、膜厚の均一化を図ることができる成膜装置、および成膜方法を提供することである。【解決手段】実施形態に係る成膜装置は、移動するノズルから回転する基板の表面に処理液を供給して、前記基板の表面に渦巻き状に前記処理液を塗布し、前記基板の回転により前記塗布された処理液から膜を形成する成膜装置である。    この成膜装置は、前記基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる駆動部と、前記保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給部と、少なくとも前記駆動部を制御する制御部と、を備えている。    そして、前記制御部は、前記処理液を塗布する際の第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で前記保持部を回転させて、前記塗布された処理液から膜を形成する。【選択図】図１
2014236042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
移動するノズルから回転する基板の表面に処理液を供給して、前記基板の表面に渦巻き状に前記処理液を塗布し、前記基板の回転により前記塗布された処理液から膜を形成する成膜装置であって、
前記基板を保持する保持部と、
前記保持部を回転させる駆動部と、
前記保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給部と、
少なくとも前記駆動部を制御する制御部と、
を備え、
前記制御部は、前記処理液を塗布する際の第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で前記保持部を回転させて、前記塗布された処理液から膜を形成する成膜装置。
【請求項２】
前記制御部は、前記第２の回転速度で前記保持部を回転させた後に、前記第２の回転速度よりも速い第３の回転速度で前記保持部を回転させる請求項１記載の成膜装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第２の回転速度で前記保持部を回転させた後に、前記第２の回転速度よりも速い第３の回転速度と、前記第３の回転速度よりも遅い第４の回転速度と、に順次切り替えて前記保持部を回転させる請求項１記載の成膜装置。
【請求項４】
前記塗布された処理液から形成された膜の前記基板の外周端近傍にある領域における流動性が高くなるように制御する第１の流動性制御部をさらに備えた請求項１〜３のいずれか１つに記載の成膜装置。
【請求項５】
少なくとも前記保持部の周囲を囲むように設けられたカップをさらに備えた請求項１〜４のいずれか１つに記載の成膜装置。
【請求項６】
前記塗布された処理液から形成された膜の流動性が低くなるように制御する第２の流動性制御部をさらに備えた請求項１〜５のいずれか１つに記載の成膜装置。
【請求項７】
移動するノズルから回転する基板の表面に処理液を供給して、前記基板の表面に渦巻き状に前記処理液を塗布し、前記基板の回転により前記塗布された処理液から膜を形成する成膜方法であって、
前記処理液を塗布する際の第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で前記基板を回転させて、前記塗布された処理液から膜を形成する成膜方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
後述する実施形態は、概ね、成膜装置、および成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の中心側から外周端側に向けてノズルを移動させつつ、当該ノズルから回転する基板の表面に処理液を供給して、基板の表面に渦巻き状に処理液を塗布し、その後、処理液を塗布する際の回転速度よりも速い回転速度で基板を回転させて、塗布された処理液から膜を形成する技術がある。  
この様な技術を用いるものとすれば、膜厚の均一化を図ることができる。  
しかしながら、処理液の塗布終了後に、処理液を塗布する際の回転速度よりも速い回転速度で基板を回転させると、基板の表面にある処理液の一部が飛び散り、処理液の利用効率が悪くなる。  
そのため、処理液の利用効率の向上と、膜厚の均一化を図ることができる技術の開発が望まれていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】実公昭６１−９４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、処理液の利用効率の向上と、膜厚の均一化を図ることができる成膜装置、および成膜方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る成膜装置は、移動するノズルから回転する基板の表面に処理液を供給して、前記基板の表面に渦巻き状に前記処理液を塗布し、前記基板の回転により前記塗布された処理液から膜を形成する。  
この成膜装置は、前記基板を保持する保持部と、前記保持部を回転させる駆動部と、前記保持部に保持された前記基板の表面に前記処理液を供給する処理液供給部と、少なくとも前記駆動部を制御する制御部と、を備えている。  
そして、前記制御部は、前記処理液を塗布する際の第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で前記保持部を回転させて、前記塗布された処理液から膜を形成する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】本実施の形態に係る成膜装置１を例示するための模式断面図である。
【図２】本実施の形態に係る成膜装置１を例示するための模式平面図である。
【図３】処理液１１０の供給と、基板１００の表面における処理液１１０の塗布形態を例示するための模式図である。
【図４】比較例に係る膜１２０の形成を例示するための模式図である。
【図５】比較例に係る膜１２０の形成を例示するための模式図である。
【図６】成膜装置１の作用、および成膜方法を例示するためのフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ、実施の形態について例示をする。なお、各図面中、同様の構成要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。  
図１は、本実施の形態に係る成膜装置１を例示するための模式断面図である。  
図２は、本実施の形態に係る成膜装置１を例示するための模式平面図である。  
なお、図２は、図１におけるＡ−Ａ線矢視図である。  
図３は、処理液１１０の供給と、基板１００の表面における処理液１１０の塗布形態を例示するための模式図である。
【０００８】
図１および図２に示すように、成膜装置１には、保持部２、駆動部３、カップ４、処理液供給部５、第１の流動性制御部６、第２の流動性制御部７、および制御部８が設けられている。  
保持部２は、基板１００を載置するとともに、載置された基板１００を保持する。  
保持部２は、カップ４の内部に設けられている。保持部２は、載置部２ａと軸部２ｂを有する。
【０００９】
載置部２ａは、円板状を呈し、一方の面が基板１００を載置する載置面２ａ１となっている。また、載置部２ａは、載置面２ａ１に載置された基板１００を保持する。基板１００の保持は、例えば、図示しない真空ポンプなどを用いた吸着により行うことができる。  軸部２ｂの一方の端部は、載置部２ａの載置面２ａ１とは反対側の面に設けられている。また、軸部２ｂの他方の端部は駆動部３に接続されている。
【００１０】
駆動部３は、保持部２を回転させる。  
駆動部３は、カップ４の内部に設けられている。駆動部３は、例えば、回転速度を変化させることができるサーボモータなどの制御モータを備えたものとすることができる。
【００１１】
カップ４は、少なくとも保持部２の周囲を囲むように設けられている。  
カップ４は、基板１００の表面に塗布された処理液１１０が成膜装置１の外部に飛散するのを抑制する。  
カップ４は、中央部に保持部２が設けられる空間４ａを有している。空間４ａの外方には、カップ４の底部に向かって傾斜した空間４ｂが設けられている。空間４ａおよび空間４ｂの上方は開口している。また、カップ４の上面４ｅは、載置部２ａに載置された基板１００の表面（上面）よりも高い位置にある。
【００１２】
また、カップ４の底部には、排出口４ｃが設けられている。排出口４ｃには、図示しない回収部が接続されている。基板１００から排出された処理液１１０は、空間４ｂを介してカップ４の底部に導かれ、排出口４ｃを介して図示しない回収部により回収される。
【００１３】
処理液供給部５は、保持部２に保持され回転する基板１００の表面に処理液１１０を供給する。    
この場合、図３に示すように、基板１００の中心側から外周端側に向けてノズル５ａを移動させつつ、ノズル５ａから回転する基板１００の表面に処理液１１０を供給する。    すると、基板１００の表面に渦巻き状に処理液１１０が塗布される。
【００１４】
処理液供給部５は、ノズル５ａ、収納部５ｂ、供給部５ｃおよび移動部５ｄを有する。  ノズル５ａの一端には吐出口５ａ１が設けられ、他端には供給口５ａ２が設けられている。  
収納部５ｂは、処理液１１０を収納する。  
処理液１１０は、例えば、フォトレジスト液などとすることができる。  
供給部５ｃは、収納部５ｂに収納されている処理液１１０をノズル５ａを介して基板１００の表面に供給する。供給部５ｃは、例えば、ポンプや流量調整弁などを有したものとすることができる。
【００１５】
移動部５ｄは、保持部５ｄ１、軸部５ｄ２、支持部５ｄ３および駆動部５ｄ４を有する。    
保持部５ｄ１は、軸部５ｄ２に設けられ、軸部５ｄ２に沿って移動する。また、保持部５ｄ１は、吐出口５ａ１側を載置部２ａに向けてノズル５ａを保持する。  
軸部５ｄ２は、載置面２ａ１の上方を横切るように設けられている。  
支持部５ｄ３は、軸部５ｄ２の両端にそれぞれ設けられている。支持部５ｄ３は、カップ４の上面４ｅなどに設けることができる。  
駆動部５ｄ４は、軸部５ｄ２の一方の端部に接続されている。  
移動部５ｄは、保持部５ｄ１に保持されたノズル５ａの位置を変化させる。  
例えば、保持部５ｄ１をナット、軸部５ｄ２をボールネジ、駆動部５ｄ４をサーボモータなどの制御モータなどとすることができる。
【００１６】
第１の流動性制御部６は、塗布された処理液１１０から形成された膜１２０の基板１００の外周端近傍にある領域における流動性が高くなるように制御する。  
第２の流動性制御部７は、塗布された処理液１１０から形成された膜１２０の流動性が低くなるように制御する。  
なお、第１の流動性制御部６および第２の流動性制御部７に関する詳細は後述する。
【００１７】
制御部８は、成膜装置１に設けられた各要素の動作を制御する。  
制御部８は、例えば、載置部２ａによる基板１００の保持の制御、駆動部３による保持部２の回転速度の制御（基板１００の回転速度の制御）、供給部５ｃによる処理液１１０の供給の制御、駆動部５ｄ４によるノズル５ａの位置制御、供給部６ｃによる溶媒の供給の制御、乾燥ユニット７ａによる溶媒の蒸発の制御、駆動部５ｄ４による乾燥ユニット７ａの位置制御などを行う。
【００１８】
ここで、比較例に係る処理液１１０から形成された膜１２０の状態について例示をする。  
図４および図５は、比較例に係る膜１２０の状態を例示するための模式図である。  
基板１００の表面に膜１２０を形成する際には、まず、図３に例示をしたように、基板１００の中心側から外周端側に向けてノズル５ａを移動させつつ、ノズル５ａから回転する基板１００の表面に処理液１１０を供給する。  
すると、基板１００の表面に渦巻き状に処理液１１０が塗布される。
【００１９】
次に、処理液１１０を塗布する際の回転速度よりも速い回転速度で基板１００を回転させる。  
この様にすれば、基板１００の表面に渦巻き状に塗布された処理液１１０が基板１００の外方に向けて拡がり、処理液１１０から形成された膜厚の均一な膜１２０を形成することができる。
【００２０】
しかしながら、処理液１１０を塗布する際の回転速度よりも速い回転速度で基板１００を回転させると、図４に示すように、基板１００の表面にある処理液１１０の一部が飛び散り、処理液１１０の利用効率が悪くなる。
【００２１】
この場合、処理液１１０の塗布後において、処理液１１０を塗布する際の基板１００の回転速度を維持するようにしても、膜１２０を形成することができる。  
この様にすれば、飛び散る処理液１１０の量を低減させることができるので、処理液１１０の利用効率を向上させることができる。
【００２２】
ところが、完全に硬化する前の膜１２０には流動性があるので、基板１００の回転により、処理液１１０が基板１００の外周端近傍に集まり易くなる。  
そのため、図５に示すように、基板１００の外周端近傍の上方に、膜１２０の盛り上がった部分１２０ａが形成されやすくなる。  
つまり、処理液１１０の塗布後においても、処理液１１０を塗布する際の基板１００の回転速度を維持するようにすれば、処理液１１０の利用効率を向上させることができるが、膜１２０における膜厚の均一化を図ることが困難となる。
【００２３】
この場合、膜１２０の流動性が高くなるほど、盛り上がった部分１２０ａが形成され易くなるので、膜１２０における膜厚の均一化を図ることがさらに困難となる。  
例えば、処理液１１０がフォトレジスト液などである場合には、膜１２０の流動性が高くなるので、膜１２０における膜厚の均一化を図ることが非常に困難となる。
【００２４】
そのため、本実施の形態に係る成膜装置１においては、基板１００の回転速度を適宜切り替えることで、処理液１１０の利用効率の向上と、膜１２０における膜厚の均一化を図るようにしている。  
例えば、制御部８は、処理液１１０を塗布する際の第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で保持部２を回転させて、塗布された処理液１１０から膜１２０を形成する。  
この様にすれば、基板１００の回転により、基板１００の外周端近傍に集まった処理液１１０の一部を基板１１０の中心側に移動させることができる。すなわち、基板１００の外周端近傍に集まった処理液１１０の一部を基板１１０の中心側に移動させることで、図５に例示をした盛り上がった部分１２０ａの形成を抑制することができる。
【００２５】
また、処理液１１０を塗布する際の基板１００の第１の回転速度よりも回転速度を下降させることで、飛び散る処理液１１０の量をさらに低減させることができる。  
そのため、処理液１１０の利用効率の向上と、膜１２０における膜厚の均一化を図ることができる。
【００２６】
なお、処理液１１０の供給の際に、基板１００の回転速度を変化させる場合がある。  
例えば、ノズル５ａの位置が基板１００の中心側から、基板１００の外周端側になるに従い基板１００の回転速度を高くしたり、逆に、低くしたりする場合がある。  
この様な場合には、処理液１１０の供給の際の最高回転速度よりも遅い第２の回転速度で基板１００を回転させるようにすればよい。
【００２７】
また、制御部８は、第２の回転速度で保持部２を回転させた後に、第２の回転速度よりも速い第３の回転速度で保持部２を回転させることもできる。  
この様にすれば、基板１００の外周端近傍に集まった処理液１１０の一部を基板１１０の中心側に移動させ、その後、基板１１０の中心側に移動した処理液１１０の一部を基板１００の外周端側に移動させることができる。  
そのため、処理液１１０を移動させて均すことができるので、膜１２０における膜厚の均一化をさらに図ることができる。  
なお、第３の回転速度は、第１の回転速度と同じであってもよいし、異なるものであってもよい。
【００２８】
またさらに、制御部８は、第２の回転速度で保持部２を回転させた後に、第２の回転速度よりも速い第３の回転速度と、第３の回転速度よりも遅い第４の回転速度と、に順次切り替えて保持部２を回転させることもできる。    
この様にすれば、基板１００の外周端側と、基板１００の中心側との間で、処理液１１０の一部を繰り返し移動させることができる。  
そのため、膜１２０における膜厚の均一化をさらに図ることができる。  
なお、第４の回転速度は、第２の回転速度と同じであってもよいし、異なるものであってもよい。  
また、第３の回転速度と第４の回転速度との切り替えが複数回行われる場合には、各切り替え時ごとにおける第３の回転速度がそれぞれ同じであってもよいし、異なるものであってもよい。また、各切り替え時ごとにおける第４の回転速度がそれぞれ同じであってもよいし、異なるものであってもよい。
【００２９】
ここで、処理液１１０の移動状態は、処理液１１０の粘度、処理液１１０の硬化性、処理液１１０の量、基板１００の大きさ、温度などの環境条件などの影響を受け得る。  
しかしながら、基板１００の回転速度、回転速度の維持時間、回転速度の切り替え数などの適正値は、予め、実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。
【００３０】
次に、第１の流動性制御部６についてさらに説明する。    
図１または図２に示すように、第１の流動性制御部６は、ノズル６ａ、収納部６ｂ、供給部６ｃ、および保持部６ｄを有する。  
ノズル６ａの一端には吐出口６ａ１が設けられ、他端には供給口６ａ２が設けられている。ノズル６ａは、供給部６ｃにより供給された溶媒をミスト状にして噴霧する。
【００３１】
収納部６ｂは、溶媒を収納する。溶媒は、例えば、処理液１１０に含まれる溶媒と同じものとすることができる。処理液１１０がフォトレジスト液である場合には、溶媒は、例えば、ケトン系溶剤やアルコール系溶剤などとすることができる。
【００３２】
供給部６ｃは、収納部６ｂに収納されている溶媒をノズル６ａを介して、膜１２０の基板１００の外周端近傍にある領域に供給する。供給部６ｃは、例えば、収納部６ｂに窒素ガスなどを供給するものとすることができる。供給部６ｃにより収納部６ｂに窒素ガスなどを供給することで、収納部６ｂに収納されている溶媒がノズル６ａに向けて圧送される。  
保持部６ｄは、吐出口６ａ１側を載置部２ａに向けてノズル６ａを基板１００の外周端近傍の上方に保持する。保持部６ｄは、カップ４の上面４ｅに設けられている。
【００３３】
第１の流動性制御部６は、膜１２０の基板１００の外周端近傍にある領域に溶媒を供給する。  
膜１２０の基板１００の外周端近傍にある領域に溶媒を供給すれば、当該領域における膜１２０の流動性を高めることができる。  
そのため、図５に例示をした盛り上がった部分１２０ａの形成を抑制することができるので、膜１２０における膜厚の均一化を図ることができる。
【００３４】
次に、第２の流動性制御部７についてさらに説明する。  
図１または図２に示すように、第２の流動性制御部７は、乾燥ユニット７ａと保持部７ｂを有する。  
乾燥ユニット７ａは、膜１２０に含まれる溶媒を蒸発させて膜１２０の流動性を低くする。乾燥ユニット７ａは、例えば、赤外線ヒータや温風ヒータなどとすることができる。この場合、膜１２０に外力を加えると、膜厚の均一性が悪くなるおそれがある。そのため、乾燥ユニット７ａは、赤外線ヒータなどのように膜１２０に外力を加えないものとすることが好ましい。
【００３５】
保持部７ｂは、軸部５ｄ２に設けられ、軸部５ｄ２に沿って移動する。また、保持部７ｂは、乾燥ユニット７ａを載置部２ａの上方に保持する。  
保持部７ｂは、軸部５ｄ２、支持部５ｄ３および駆動部５ｄ４により軸部５ｄ２に沿って移動する。
【００３６】
処理液供給部５と第２の流動性制御部７とでは使用する時期が異なるため、処理液供給部５と第２の流動性制御部７とで、軸部５ｄ２、支持部５ｄ３および駆動部５ｄ４を兼用することができる。なお、処理液供給部５および第２の流動性制御部７に、軸部５ｄ２、支持部５ｄ３および駆動部５ｄ４をそれぞれ設けるようにしてもよい。ただし、軸部５ｄ２、支持部５ｄ３および駆動部５ｄ４を兼用とすれば、機構の簡素化や省スペース化を図ることができる。
【００３７】
ここで、基板１００の表面に形成された膜１２０は、完全に硬化していない場合がある。そのため、後工程において、ベーク炉などにより膜１２０を乾燥させて、完全に硬化させる場合がある。  
この場合、膜１２０の流動性が比較的高いままであると、成膜装置１からベーク炉などへ基板１００を搬送する際に、膜１２０が変形して膜厚の均一性が悪くなるおそれがある。
【００３８】
そのため、本実施の形態に係る成膜装置１においては、第２の流動性制御部７を設けて、膜１２０の流動性を低くすることができるようにしている。  
そして、膜１２０の流動性を低くすることで、膜１２０が変形して膜厚の均一性が悪くなることを抑制できるようにしている。
【００３９】
なお、乾燥ユニット７ａは、載置面２ａ１（基板１００）の上方を所定の方向に移動する。そのため、基板１００の回転と、乾燥ユニット７ａの移動により、基板１００の表面に形成された膜１２０の特定の領域における流動性を低くしたり、膜１２０の全領域における流動性を低くしたりすることができる。
【００４０】
次に、成膜装置１の作用とともに、本実施の形態に係る成膜方法を例示する。  
図６は、成膜装置１の作用、および成膜方法を例示するためのフローチャートである。  図６に示すように、まず、図示しない搬送装置などにより基板１００を載置部２ａの載置面２ａ１に載置する（ステップＳ１）。  
次に、図示しない真空ポンプなどを用いた吸着などにより、載置面２ａ１に載置された基板１００を保持する（ステップＳ２）。
【００４１】
次に、回転させた基板１００の表面に処理液１１０を供給する（ステップＳ３）。  
まず、制御部８は、駆動部３を制御して、第１の回転速度で保持部２を回転させる。  
続いて、基板１００の中心側から外周端側に向けてノズル５ａを移動させつつ、ノズル５ａから回転する基板１００の表面に処理液１１０を供給する。  
すると、図３に示すように、基板１００の表面に渦巻き状に処理液１１０が塗布される。
【００４２】
次に、処理液１１０を塗布する際の基板１００の回転速度よりも遅い回転速度で基板１００を回転させる。（ステップＳ４）。  
すなわち、制御部８は、駆動部３を制御して、処理液１１０を塗布する際の第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で保持部２を回転させる。
【００４３】
基板１００が保持された保持部２を回転させることで、渦巻き状に塗布された処理液１１０から膜１２０を形成することができる。  
また、処理液１１０を塗布する際の第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で保持部２を回転させることで、基板１００の外周端近傍に集まった処理液１１０の一部を基板１１０の中心側に移動させることができる。そのため、図５に例示をした盛り上がった部分１２０ａの形成を抑制することができる。  
また、処理液１１０を塗布する際の第１の回転速度よりも遅い第２の回転速度で保持部２を回転させることで、飛び散る処理液１１０の量を低減させることができる。  
そのため、処理液１１０の利用効率の向上と、膜１２０における膜厚の均一化を図ることができる。
【００４４】
また、前述したように、制御部８は、第２の回転速度で保持部２を回転させた後に、第２の回転速度よりも速い第３の回転速度で保持部２を回転させることもできる。  
また、制御部８は、第２の回転速度で保持部２を回転させた後に、第２の回転速度よりも速い第３の回転速度と、第３の回転速度よりも遅い第４の回転速度と、に順次切り替えて保持部２を回転させることもできる。
【００４５】
さらに、必要に応じて、以下の処理を行うことができる。  
例えば、膜１２０の基板１００の外周端近傍にある領域の流動性が高くなるように制御することができる。  
例えば、膜１２０の基板１００の外周端近傍にある領域に向けて、ノズル６ａからミスト状の溶媒を噴霧する。噴霧された溶媒により、膜１２０の当該領域における流動性が高くなる。そのため、膜１２０に盛り上がった部分１２０ａが形成され難くなる。
【００４６】
また、例えば、膜厚の均一化が終了した後に、膜１２０の流動性が低くなるように制御することもできる。  
この場合には、まず、駆動部３により、基板１００（保持部２）を所定の回転速度で回転させる。  
続いて、乾燥ユニット７ａを作動させるとともに、移動部５ｄにより乾燥ユニット７ａの位置を移動させる。例えば、基板１００の中心側から外周端側に向けて乾燥ユニット７ａの位置を移動させたり、基板１００の外周端側から中心側に向けて乾燥ユニット７ａの位置を移動させたり、基板１００の中心側と外周端側との間を往復させるように乾燥ユニット７ａの位置を移動させたりすることができる。
【００４７】
乾燥ユニット７ａにより、膜１２０に含まれる溶媒を蒸発させることができるので、膜１２０の流動性を低くすることができる。また、基板１００を回転させるとともに、乾燥ユニット７ａの位置を移動させることで、膜１２０の全域あるいは膜１２０の特定の領域における膜１２０の流動性を低くすることができる。
【００４８】
この場合、膜１２０の流動性は、基板１００を搬送するなどした際に、膜１２０が変形して膜厚の均一性が悪くなるのを防げる程度とすることができる。  
膜１２０の流動性は、乾燥ユニット７ａの作動条件（例えば、温度や移動速度など）や基板１００の回転速度などにより制御することができる。
【００４９】
ここで、乾燥ユニット７ａの作動条件や基板１００の回転速度などは、溶媒の種類、要求される膜１２０の流動性などの影響を受け得る。  
しかしながら、乾燥ユニット７ａの作動条件や基板１００の回転速度などの適正値は、予め、実験やシミュレーションを行うことで求めることができる。
【００５０】
次に、図示しない搬送装置などにより、膜１２０が形成された基板１００を成膜装置１から取り出す。  
なお、取り出された基板１００は、ベーク炉などにより、さらに乾燥させることができる。  
この場合、膜厚の均一化が終了した後に、膜１２０の流動性が低くなるように制御しておけば、成膜装置１からベーク炉などへ基板１００を搬送する際に、膜１２０が変形して膜厚の均一性が悪くなるのを抑制することができる。
【００５１】
次に、本実施の形態に係る成膜装置１、または、成膜方法を用いた電子デバイスの製造方法について例示をする。  
電子デバイスの製造方法としては、例えば、半導体装置の製造方法を例示することができる。ここで、半導体装置の製造工程には、いわゆる前工程における成膜・レジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト除去などにより基板（ウェーハ）表面にパターンを形成する工程、検査工程、洗浄工程、熱処理工程、不純物導入工程、拡散工程、平坦化工程などがある。また、いわゆる後工程においては、ダイシング、マウンティング、ボンディング、封入などの組立工程、機能や信頼性の検査を行う検査工程などがある。  
本実施の形態に係る成膜装置１、または、成膜方法は、例えば、レジスト塗布工程などにおいて用いることができる。
【００５２】
以上、本発明のいくつかの実施形態を例示したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更などを行うことができる。これら実施形態やその変形例は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。また、前述の各実施形態は、相互に組み合わせて実施することができる。
【符号の説明】
【００５３】
１  成膜装置、２  保持部、２ａ  載置部、３  駆動部、４  カップ、５  処理液供給部、５ａ  ノズル、５ｂ  収納部、５ｃ  供給部、５ｄ  移動部、５ｄ１  保持部、５ｄ２  軸部、５ｄ３  支持部、５ｄ４  駆動部、６  第１の流動性制御部、６ａ  ノズル、６ｂ  収納部、６ｃ  供給部、６ｄ  保持部、７  第２の流動性制御部、７ａ  乾燥ユニット、７ｂ  保持部、８  制御部、１００  基板、１１０  処理液、１２０  膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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