(57)【要約】【課題】３次相互変調歪みの発生を抑制することが可能な音声及びデータの同時通信が可能な通信装置を提供する。【解決手段】データ通信を行う第１送受信部110の送信用第１周波数帯域及び受信用第３周波数帯域、並びに通話を行う第２送受信部210の送信用第２周波数帯域及び受信用第４周波数帯域の何れかに含まれる周波数の高周波電流が流れると共に通過電流の周波数を制限する高周波電子部品411,412,421,422として、電極が非磁性金属で形成された高周波電子部品を用いる。【選択図】図１
2014236470.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１周波数帯域に含まれる第１周波数ｆ１の電波を送信し且つ前記第１周波数帯域とは異なる第３周波数帯域に含まれる第３周波数ｆ３の電波を受信する第１送受信部と、
前記第１及び第３周波数帯域とは異なる第２周波数帯域に含まれる第２周波数ｆ２の電波を送信し且つ前記第１乃至第３周波数帯域とは異なる第４周波数帯域に含まれる第４周波数ｆ４の電波を受信する第２送受信部とを備え、
前記第１送受信部と前記第２送受信部が同時に送受信可能であり、
前記第１周波数ｆ１と前記第２周波数ｆ２とによって発生する複数の３次相互変調歪みのうちの何れかの周波数成分が受信周波数帯域である前記第３周波数帯域或いは前記第４周波数帯域の少なくとも何れかに含まれるように前記第１乃至第４周波数帯域が設定されている通信装置において、
前記第１乃至第４周波数帯域内の周波数の高周波電流を通過させる高周波電子部品の電極が非磁性金属で形成されている通信装置。
【請求項２】
前記電極は前記高周波電子部品の外部電極と内部電極である請求項１に記載の通信装置。
【請求項３】
前記高周波電子部品がダイプレクサ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタ、ノッチタイプフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ、デュプレクサ、インダクタ、コンデンサから選択されて一種類以上もしくはそれらの組合せである請求項１に記載の通信装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の通信を同時に行うことができる通信装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
最近の携帯端末機である携帯電話（スマートフォーン）に代表されるスマートメディア機器の発展は目覚ましく、これらの機器に適用される規格の変遷もすさまじい変化がある。
【０００３】
その中の一つに、既存の通話に加え、データ通信であるＬＴＥ（Ｌｏｎｇ  Ｔｅｒｍ  Ｅｖｏｌｉｔｉｏｎ）も規格化されており、使用周波数は増大傾向にある。特に、ＳＶＬＴＥ（Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ  Ｖｏｉｃｅ  ａｎｄ  ＬＴＥ）では、セルラーとデータ通信を同時に行うことができる。
【０００４】
このような通話とデータ通信の双方を同時に行える通信装置の基本構成を図２３に示す。図２３に示す通信装置１はデータ通信用のバンド１（Band1）では送信周波数ｆ１として７７７〜７８７MHｚの周波数を使用し、受信周波数ｆ３として７４６〜７５６MHｚを使用している。また、通話用のバンド２（Band2）では送信周波数ｆ２として８２４〜８４９MHｚを使用し、受信周波数ｆ４として８６９〜８９４MHｚを使用している。これらの周波数は携帯電話の通信規格によって割り当てられているものである。
【０００５】
通信装置１は、データ通信用のバンド１（Band1）の第１送受信部100と通話用のバンド２（Band2）の第２送受信部200と音声・データ処理部300とを備えている。第１送受信部100のアンテナ111の給電点は整合回路112を介してデュプレクサ113のアンテナ出力端子に接続されている。デュプレクサ113の受信端子はローノイズアンプ114を介してミキサ116に接続され、ミキサに入力された受信信号は発信器118から出力された局部発信信号と混合された後、フィルタ119を介して音声・データ処理部300のデータ通信用Ａ／Ｄ変換回路に入力されている。
【０００６】
また、デュプレクサ113の送信端子は高周波増幅器115の出力端子に接続され、高周波増幅器115の入力端子はミキサ117の出力端子に接続され、ミキサ117の入力端子はフィルタ120を介して音声・データ処理部300のデータ通信用Ｄ／Ａ変換回路の出力に接続されている。さらに、ミキサ117には発信器118から局部発信信号が入力されている。
【０００７】
第２送受信部200のアンテナ211の給電点は整合回路212を介してデュプレクサ213のアンテナ出力端子に接続されている。デュプレクサ213の受信端子はローノイズアンプ214を介してミキサ216に接続され、ミキサに入力された受信信号は発信器218から出力された局部発信信号と混合された後、フィルタ219を介して音声・データ処理部300の通話用Ａ／Ｄ変換回路に入力されている。
【０００８】
また、デュプレクサ213の送信端子は高周波増幅器215の出力端子に接続され、高周波増幅器215の入力端子はミキサ217の出力端子に接続され、ミキサ217の入力端子はフィルタ220を介して音声・データ処理部300の通話用Ｄ／Ａ変換回路の出力に接続されている。さらに、ミキサ217には発信器218から局部発信信号が入力されている。
【０００９】
上記のような通信装置１ではデータ通信用の回路と通話用の回路が同時に使用できるので、データ通信を行いながら通話することができる。
【００１０】
しかしながら、ＳＶＬＴＥ（Ｓｉｍｕｌｔａｎｅｏｕｓ  Ｖｏｉｃｅ  ａｎｄ  ＬＴＥ）において、セルラー（通話）とデータ通信を同時に行うため、さまざまな問題が浮上している。
【００１１】
例えば、音声通信（通話）を行うセルラー（ＢＣ０）において送信機の送信周波数８２４MHzで送信している際に、データ通信を行うＬＴＥ（Ｂａｎｄ１３）において周波数７８５MHzを受信したような場合、問題が起こることがわかってきた。図２４を参照して説明すると、送信機側と受信機側の共有高周波回路において、二つの信号が重なったとき、基本周波数成分に近いひずみ周波数成分が発生する。即ち、２信号３次相互変調ひずみ（ＩＭＤ３ともいう。受動部品で発生する場合はＰＩＭ３ともいう。）などが発生する。このような変調ひずみが受信帯域内に発生すると、受信信号は再現性が損なわれる。
【００１２】
例えば、データ通信を行うＬＴＥのバンド１（Band1）の送信周波数ｆ１＝７８５MHｚとし、通話を行うセルラーのバンド２（Bans2）の送信周波数ｆ２＝８２４MHｚとすると、２次・３次相互変調歪みの周波数は次の(1)〜(4)に示す周波数になる。
(1)(2)・・・３次相互変調歪み
(3)(4)・・・２次相互変調歪み
(1) ２ｆ１−ｆ２＝２×７８５−８２４＝７４６MHｚ（データ通信の受信周波数帯）
(2) ２ｆ２−ｆ１＝２×８２４−７８５＝８６３MHｚ（通話の受信周波数の近傍）
(3) ｆ２＋ｆ１＝７８５＋８２４＝１６０９ＭＨｚ
(4) ｆ２−ｆ１＝８２４−７８５＝３９ＭＨｚ
この場合、上記(1)の３次相互変調歪みの周波数がデータ通信を行うＬＴＥの受信周波数帯に発生し、上記(2)の３次相互変調歪みの周波数が通話を行うセルラーの受信周波数の近傍に発生する。
【００１３】
また、データ通信を行うＬＴＥのバンド１（Band1）の送信周波数ｆ１＝７７９MHｚとし、通話を行うセルラーのバンド２（Bans2）の送信周波数ｆ２＝８２４MHｚとすると、２次・３次相互変調歪みの周波数は次の(5)〜(8)に示す周波数になる。
(5)(6)・・・３次相互変調歪み
(7)(8)・・・２次相互変調歪み
(5) ２ｆ１−ｆ２＝２×７７９−８２４＝７３４MHｚ（データ通信の受信周波数の近傍）
(6) ２ｆ２−ｆ１＝２×８２４−７７９＝８６９MHｚ（通話の受信周波数帯）
(7) ｆ１＋ｆ２＝７７９＋８２４＝１６０３ＭＨｚ
(8) ｆ２−ｆ１＝８２４−７７９＝４５ＭＨｚ
この場合、上記(5)の３次相互変調歪みの周波数がデータ通信を行うＬＴＥの受信周波数帯に発生し、上記(6)の３次相互変調歪みの周波数が通話を行うセルラーの受信周波数の近傍に発生する。
【００１４】
図２５に示すように、２次相互変調歪みの（ｆ１＋ｆ２）と（ｆ２−ｆ１）及び３次相互変調歪みの（２ｆ１＋ｆ２）と（２ｆ２＋ｆ１）の周波数成分が問題になることは少ないが、３次相互変調歪みの（２ｆ１−ｆ２）と（２ｆ２−ｆ１）の周波数成分は通話用受信周波数或いはデータ通信用受信周波数の近傍にあるためフィルタで除去することが困難であり、問題になることが多い。
【００１５】
特に、上述の３次相互変調歪みは、携帯電話などにおいて、受信帯域への妨害波が重要な問題となる。このような問題を解消しなければ、バックオフをおおきくとるなどの対策が必要になり、効率が落ちることになる。
【００１６】
今後、ＬＴＥからＬＴＥ−Ａｄｖａｎｃｅｄになると使用周波数はさらに増えるため、相互変調歪の重要性は増していく。
【００１７】
このような３次相互変調歪みを抑制する方法としては、例えば、特開平１１−６８６９７号公報（特許文献１）或いはＷＯ２００７/１２３０４０号公報（特許文献２）に開示される方法が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１８】
【特許文献１】特開平１１−６８６９７号公報
【特許文献２】ＷＯ２００７/１２３０４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１９】
上記特許文献１に開示される方法は、携帯電話装置の相互変調ひずみの発生を抑制するものであり、受信信号強度、パイロット信号強度、信号の符号誤り率等を測定し、受信回路の増幅器や周波数変換器とうで３次相互変調ひずみの発生が存在する場合に、受信帯域を制御することにより３次相互変調ひずみの信号を低域にするものである。しかし、本発明が対象にしているような通話とデータ通信を同時に行うことを対象にしている通信装置への適用は回路構成が複雑になるため困難である。
【００２０】
また、特許文献２に開示される方法は、高速通信用の無線送信器において、周波数の異なる二つの主信号に対して位相差が逆相の３次相互変調ひずみを生成し、出力する回路の信号を増幅し、３次相互変調ひずみを含む信号を増幅し、それらの信号を混合器で合成し、３次相互変調ひずみをキャンセルする方法である。しかしながら、本発明が対象にしているような通話とデータ通信を同時に行うことを対象にしている通信装置への適用は回路が複雑になり困難である。
【００２１】
本発明の目的は、上述したような問題に対応するため、３次相互変調歪みの発生を抑制することが可能な音声及びデータの同時通信が可能な通信装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００２２】
本発明は上記の目的を達成するために、第１周波数帯域に含まれる第１周波数ｆ１の電波を送信し且つ前記第１周波数帯域とは異なる第３周波数帯域に含まれる第３周波数ｆ３の電波を受信する第１送受信部と、前記第１及び第３周波数帯域とは異なる第２周波数帯域に含まれる第２周波数ｆ２の電波を送信し且つ前記第１乃至第３周波数帯域とは異なる第４周波数帯域に含まれる第４周波数ｆ４の電波を受信する第２送受信部とを備え、前記第１送受信部と前記第２送受信部が同時に送受信可能であり、前記第１周波数ｆ１と前記第２周波数ｆ２とによって発生する複数の３次相互変調歪みのうちの何れかの周波数成分が受信周波数帯域である前記第３周波数帯域或いは前記第４周波数帯域の少なくとも何れかに含まれるように前記第１乃至第４周波数帯域が設定されている通信装置において、前記第１乃至第４周波数帯域内の周波数の高周波電流を通過させる高周波電子部品の電極が非磁性金属で形成されている通信装置を提案する。
【発明の効果】
【００２３】
本発明によれば、前記第１乃至第４周波数帯域内の周波数の高周波電流が流れる高周波電子部品の電極が非磁性金属で形成されているので、前記高周波電流の導体路になる外部電極は、導体の導電率ρや非透磁率μが小さくて表皮効果の影響が抑えられ、表皮深さδが深い材料であり、２６０℃〜３５０℃温度範囲で非透磁率μの変化が少ないので、表層の電流密度が高くならない。このことは図２６に示すように一般的に知られていることである。なお、図２６に示す値は周波数２４５０ＭＨｚにて測定した値である。このような非磁性体の電極を用いることにより、３次相互変調ひずみが発生しにくいもしくは発生したとしても、通話とデータ通信を同時に行える通信装置として問題にならないレベルに抑圧させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明の一実施形態における通信装置を示す電気系回路のブロック図
【図２】本発明の一実施形態における通信装置に使用したフィルタの構成を示す断面図
【図３】本発明の一実施形態における通信装置に使用したフィルタの構成を示す断面図
【図４】本発明の一実施形態における通信装置に使用したフィルタの構成を示す分解斜視図
【図５】本発明の一実施形態における通信装置に使用したフィルタの電気回路を示す図
【図６】本発明の一実施形態における通信装置に使用したフィルタの３次相互変調歪みの測定回路を示す図
【図７】本発明の一実施形態における通信装置に使用したフィルタの３次相互変調歪みの測定結果を示す図
【図８】本発明の一実施形態における通信装置に使用したフィルタの３次相互変調歪みの測定条件を示す図
【図９】本発明の一実施形態における通信装置に使用可能なダイプレクサの構成を示す分解斜視図
【図１０】本発明の一実施形態における通信装置に使用可能なダイプレクサの電気系回路を示す図
【図１１】本発明の一実施形態における通信装置に使用可能なダイプレクサの３次相互変調歪みの測定回路を示す図
【図１２】本発明の一実施形態における通信装置に使用可能なダイプレクサの３次相互変調歪みの測定結果を示す図
【図１３】本発明の一実施形態における通信装置に使用可能なダイプレクサの３次相互変調歪みの測定条件を示す図
【図１４】本発明の一実施形態における通信装置に使用したインダクタの構成を示す斜視図
【図１５】本発明の一実施形態における通信装置に使用したインダクタの電気系回路を示す図
【図１６】本発明の一実施形態における通信装置に使用したインダクタを示す分解斜視図
【図１７】本発明の一実施形態における通信装置に使用したインダクタの３次相互変調歪みの測定回路を示す図
【図１８】本発明の一実施形態における通信装置に使用したインダクタの３次相互変調歪みの測定結果を示す図
【図１９】本発明の一実施形態における通信装置に使用したインダクタの３次相互変調歪みの測定条件を示す図
【図２０】高周波電子部品を直列接続したときの３次相互変調歪みのトータル値を説明する図
【図２１】本発明の一実施形態における通信装置の回路基板におけるプリント配線によって発生する３次相互変調歪みの測定結果を示す図
【図２２】本発明の一実施形態における通信装置の回路基板におけるプリント配線によって発生する３次相互変調歪みの測定条件を示す図
【図２３】従来例の通信装置を示す電気系回路のブロック図
【図２４】従来例の通信装置において発生する２次及び３次相互変調歪みを説明する図
【図２５】従来例の通信装置における受信周波数帯域に発生する３次相互変調歪みを説明する図
【図２６】各種材料の比透磁率及び浸透深さを説明する図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明の一実施形態について図面を参照して説明する。
【００２６】
図１は本発明の一実施形態における通信装置を示す電気系回路のブロック図である。なお、本実施形態の通信装置としては携帯電話（スマートフォン）を一例として説明する。
【００２７】
図において、前述した従来例と同一構成部分は同一符号をもって表す。なお、本実施形態における通信装置１０と従来例の通信装置１との相違点は、本実施形態では各送受信回路においてアンテナとミキサとの間に使用している高周波電子部品として外部端子電極及び内部電極が非磁性体のみによって形成されている高周波電子部品を用いたことである。
【００２８】
通信装置１０は、データ通信用のバンド１（Band1）の第１送受信部110と通話用のバンド２（Band2）の第２送受信部210と音声・データ処理部300とを備えている。
【００２９】
第１送受信部110のアンテナ111の給電点は整合回路411を介してデュプレクサ412のアンテナ接続端子に接続されている。デュプレクサ412の受信端子はローノイズアンプ114を介してミキサ116に接続され、ミキサ116に入力された受信信号は発信器118から出力された局部発信信号と混合された後、フィルタ119を介して音声・データ処理部300のデータ通信用Ａ／Ｄ変換回路に入力されている。
【００３０】
また、デュプレクサ412の送信端子は高周波増幅器115の出力端子に接続され、高周波増幅器115の入力端子はミキサ117の出力端子に接続され、ミキサ117の入力端子はフィルタ120を介して音声・データ処理部300のデータ通信用Ｄ／Ａ変換回路の出力に接続されている。さらに、ミキサ117には発信器118から局部発信信号が入力されている。
【００３１】
第２送受信部210のアンテナ211の給電点は整合回路421を介してデュプレクサ422のアンテナ接続端子に接続されている。デュプレクサ422の受信端子はローノイズアンプ214を介してミキサ216に接続され、ミキサに入力された受信信号は発信器218から出力された局部発信信号と混合された後、フィルタ219を介して音声・データ処理部300の通話用Ａ／Ｄ変換回路に入力されている。
【００３２】
また、デュプレクサ422の送信端子は高周波増幅器215の出力端子に接続され、高周波増幅器215の入力端子はミキサ217の出力端子に接続され、ミキサ217の入力端子はフィルタ220を介して音声・データ処理部300の通話用Ｄ／Ａ変換回路の出力に接続されている。さらに、ミキサ217には発信器218から局部発信信号が入力されている。
【００３３】
上記のような通信装置１０ではデータ通信用の回路と通話用の回路が同時に使用できるので、データ通信を行いながら通話することができる。
【００３４】
なお、通信装置１０はデータ通信用のバンド１（Band1）では送信周波数ｆ１として７７７〜７８７MHｚの周波数を使用し、受信周波数ｆ３として７４６〜７５６MHｚを使用している。また、通話用のバンド２（Band2）では送信周波数ｆ２として８２４〜８４９MHｚを使用し、受信周波数ｆ４として８６９〜８９４MHｚを使用している。これらの周波数は携帯電話の通信規格によって割り当てられているものである。
【００３５】
上記整合回路411,421は、フィルタ、インダクタ、コンデンサなどの何れか或いはこれらの組合せによって構成され、使用周波数外の高周波ノイズをカットしたり、アンテナとデュプレクサのインピーダンスを整合したりするものであり、例えば積層セラミック電子部品によって構成され、その電極は非磁性体材料のみによって形成されている。
【００３６】
上記デュプレクサ412,422は送受信周波数を分波するものであり、例えば、櫛歯電極をタンタル酸リチウム基板の上面に形成された部品をセラミック基板上に搭載した電子部品などによって構成され、セラミック基板の電極は非磁性体材料のみによって形成されている。
【００３７】
上記ローノイズアンプ114,214は小レベルの信号を増幅しノイズの影響を少なくするものである。
【００３８】
上記高周波増幅器115,215はミキサ117,217ら出力された信号を高出力の信号に増幅するものである。
【００３９】
上記ミキサ116,216は発信器118,218と共にダウンコンバータを構成し、高周波信号を低周波信号に変換するものである。
【００４０】
上記ミキサ117,217は発信器118,218と共にアップコンバータを構成し、低周波信号を高周波信号に変換するものである。
【００４１】
上記フィルタ119,120,219,220は使用周波数外のノイズをカットするものである。
【００４２】
音声・データ処理部300は音声信号及びデータ信号の処理を行うものである。
【００４３】
上記構成においては、アンテナ111,211とミキサ116,117,216,217との間において積層セラミック高周波電子部品の組合せからなる整合回路411,421とデュプレクサ412,422の内部電極及び外部電極が非磁性体によって形成されている。
【００４４】
本発明が対象とする音声とデータの同時通信が可能な通信装置１０によれば、４５０ＭＨｚ〜３８００ＭＨｚのように幅が広い周波数で使用され、３次相互変調歪み（ＩＭＤ３）のレベルは使用周波数で約−１１８ｄＢｍ以下にすることが可能となる。
【００４５】
このような電極は、導電率δが５×１０７（Ｓ／ｍ）より大きく、比透磁率μｓ（μ／μ０）が１．０程度で、表皮深さδが使用周波数範囲で１．０μｍ以上が好ましく、この範囲であればほぼ上記効果を得ることができる。上記電極は、このような電気特性のほかに、ハンダ付け性も良好である。
【００４６】
次に、本発明の通信装置１０に適用可能な高周波電子部品の具体例を説明する。
【実施例１】
【００４７】
図２乃至図８は通信装置１０の整合回路411,421に用いることができる高周波電子部品のフィルタ500を説明する図である。このフィルタ500は図２に示すように積層セラミックス電子部品であり、本体501の内部には複数の内部電極502が設けられており、本体501の外表面には内部電極502に導電接続された外部電極が形成されている。
【００４８】
例えば、内部電極502は銀（Ag）によって形成され、外部電極は内部電極502に導電接続されるようにセラミック層の本体501の表面に設けられた銀（Ag）端子電極503と、端子電極503の表面に設けられた銅（Cu）メッキ層504と、銅（Cu）メッキ層504の表面に設けられたスズ（Sn）メッキ層505とから構成されている。
【００４９】
また、本体501は図４に示すように表面に非磁性の内部電極を形成した複数の誘電体層を積層して形成され、複数の内部電極によってインダクタ部511とコンデンサ部512が形成されている。このインダクタ部511によって図５に示すインダクタ521が形成され、コンデンサ部512によってコンデンサ522〜524が形成されている。
【００５０】
なお、本実施例１では次の(A1)〜(A4)を行っている。すなわち、(A1)電極は非透磁率が１．１以下の金属を使用する。(A2)内部電極は誘電体層のセラミックスと同時焼成が可能な金属である。(A3)外部電極のセラミックスに接する部分は焼付電極を基本的に使用する。(A4)外部電極の焼付電極上には、ハンダ付け性に優れた金属とするために、メッキによる金属を使用する。
【００５１】
本実施例に係る積層セラミック電子部品のフィルタ500の内部電極502及び外部電極の製造方法の一例を説明する。まず、焼成後に図に示す誘電体からなる本体501を構成するためのセラミックグリーンシートを製造する。まず、スラリーを準備する。誘電体スラリーは、通常、セラミック粉末と有機ビヒクルとを混練して得られた有機溶剤系スラリーで構成される。セラミック粉末としては、酸化物となる各種化合物、たとえば炭酸塩、硝酸塩、水酸化物、有機金属化合物などから適宜選択され、混合して用いることができる。セラミック粉末は、通常、平均粒子径が０．５μｍ以下の粉末として用いられる。
【００５２】
有機ビヒクルとは、バインダーを有機溶剤中に溶解したものである。有機ビヒクルに用いられるバインダーとしては、特に限定されず、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、アクリル樹脂などの通常の各種バインダーが用いられる。
【００５３】
スラリー中には、必要に応じて各種分散剤、可塑剤、ガラスフリット、消泡剤などから選択された添加物が含有される。ただし、これらの総含有量は、１０質量％以下とすることが望ましい。スラリーを用いて、ドクターブレード法により、キャリアシート上に、８０μｍ程度の厚みで、グリーンシートを形成する。このような厚みで形成することにより、焼成後の誘電体層、磁性体層の厚みを、６０μｍ程度にすることができる。
【００５４】
グリーンシートは、キャリアシート上に形成された後に乾燥される。グリーンシートの乾燥温度は、好ましくは５０〜１５０℃であり、乾燥時間は、好ましくは１〜２０分である。乾燥後のグリーンシートの厚みは、乾燥前に比較して、５〜２５％の厚みに収縮する。
【００５５】
キャリアシートとしては、たとえばＰＥＴフィルムなどが用いられ、剥離性を改善するために、シリコンなどがコーティングしてある。
【００５６】
グリーンシートの表面に、所定パターンの導電ペースト膜を形成し、その厚みは、３〜５μｍ程度とする。形成方法は、スクリーン印刷法あるいはグラビア印刷法により、グリーンシーの表面に焼成前の内部電極膜を形成する。
【００５７】
ペーストは、導電体粉末と、共生地としての無機酸化物粉末と、有機ビヒクルと、を混練して調製する。
【００５８】
導電体粉末としては、特に限定されないが、銀、パラジウムもしくは銅および銅合金から選ばれる少なくとも１種で構成してあることが好ましい。ただし、銀はパラジウムと７対３程度の割合で構成されることが多い。
【００５９】
内部電極用導電ペースト中には、無機酸化物粉末が共生地として含まれている。このような無機酸化物粉末としては、上述のグリーンシートに含まれるセラミック粉末と同じ組成のセラミック粉末が好ましい。共生地は、焼成過程において導電体粉末の焼結を抑制する。共材として用いる無機酸化物粉末としては、平均粒子径が、０．１〜１μｍのものを使用する。
【００６０】
共生地としての無機酸化物粉末の内部電極用導電ペースト中における含有量は、導電体粉末１００重量部に対して、好ましくは５〜３０重量部程度である。共生地の含有量が少なすぎると、内部電極の焼結が低温で始まり、内部電極層と誘電体層、磁性体層との焼結温度の差が大きくなるため、焼成クラックが発生してしまう。多すぎると内部電極の導電性が低下し特性が低下する。
【００６１】
有機ビヒクルは、エチルセルロース、ポリビニルブチラール、ポリビニルアセタールを用いることが好ましい。
【００６２】
溶剤としては、特に限定されず、ターピネオール、ブチルカルビトール、ケロシン、アセトン、イソボニルアセテートなどを用いる。溶剤は、内部電極用ペースト中に、２５〜５５重量％程度含まれる。
【００６３】
内部電極用ペーストには、グリーンシートとの接着性を改善する目的で、可塑剤または粘着剤が含まれることが好ましい。可塑剤としては、フタル酸エステル、アジピン酸、燐酸エステル、グリコール類などが例示される。可塑剤は、有機ビヒクル中のバインダ−１００重量部に対して、５０〜２５０重量部で含有される。可塑剤の含有量が少なすぎると添加効果がなく、多すぎると形成される焼成前電極膜の強度が著しく低下する。
【００６４】
導電ペーストには、導電体粉末および共生地の分散性の向上と塗料の安定性を改善するため、分散剤が含まれていることが好ましい。分散剤としてはポリエチレングリコール系分散剤、ポリカルボン酸系分散剤、多価アルコール部分エステル系分散剤、エステル系分散剤、エーテル系分散剤などが例示される。導電体粉末と共材粉末の合計１００重量部に対して、好ましくは０．０５〜４重量部で含有される。
【００６５】
内部電極用の導電ペーストは、上記各成分を、ボールミルや３本ロールミルなどで混合することにより形成する。
【００６６】
次に、このグリーンシートにペースト状にした内部電極材料をスクリーン印刷する。この後、内部電極が印刷されたグリーンシートを、電極パターンを精密に位置合わせしながら積み重ねる。こうして積層されたシートに圧力を加えて圧着・一体化する。この段階ではまだ誘電体は生乾きの状態であり、焼成炉に送られ約1000〜1300℃ほどの温度で焼成されてセラミックスとなる。続いて外部端子電極を形成する。本体501のチップ断面には内部電極502が露出しているので、そこに外部電極材料を塗布・焼付けた後、銅(Cu)メッキ層504、スズ(Sn)メッキ層505を施して外部電極を形成する。
【００６７】
なお、図３に示すように、メッキレスにするために銀(Ag)端子電極503に代えてAg+Pt焼き付け端子電極506或いはAg+Pd焼き付け端子電極507を形成しても良い。
【００６８】
上記のように非磁性体材料を用いて電極を作成した積層セラミック電子部品のフィルタ500が発生する３次相互変調歪みを図６に示す測定回路を用いて測定した結果を図７に示し、測定条件を図８に示す。なお、本実施例で使用したフィルタ500の内部電極は銀(Ag)によって形成され、外部電極は銀(Ag)電極の表面に銅＋錫(Cu+Sn)のメッキを施して形成されている。
【００６９】
図６に示すデータ通信用の周波数ｆ１を発生する信号発信器531によって発生された高周波信号は信号増幅器532によって増幅された後、アイソレータ533とフィルタ534を介して測定対象の１６０８サイズのフィルタ500に入力される。ここで、アイソレータ533は反射信号から信号増幅器532を保護するためのものであり、フィルタ534はスプリアス除去を行う。
【００７０】
通話用の周波数ｆ２を発生する信号発信器541によって発生された高周波信号は信号増幅器542によって増幅された後、アイソレータ543とフィルタ544を介してデュプレクサ551の一方の入出力端子に入力される。ここで、アイソレータ543は反射信号から信号増幅器542を保護するためのものであり、フィルタ544はスプリアス除去を行う。デュプレクサ551から出力された信号はフィルタ500に入力される。
【００７１】
また、デュプレクサ551の他方の入出力端子はスプリアスを除去するためのフィルタ552を介して信号測定器553に入力される。これにより信号測定器553には３次相互変調歪みの周波数（２ｆ1−ｆ2）の信号が入力される。
【００７２】
測定においては１乃至３のテストケースにて行い、テストケース１ではデータ通信用周波数の信号発信器531によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７７９ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器541によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８２４ＭＨｚの信号とした。このとき上記本実施例１におけるフィルタ500から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１２１ｄＢｍであった。また、同一条件において従来の磁性体材料を用いて電極を形成したフィルタが発生する通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１０２ｄＢｍであった。なお、ここで使用した従来のフィルタの内部電極は銀(Ag)によって形成され、外部電極は内部電極に導電接続されるように部品本体の表面に設けられた銀(Ag)端子電極と、端子電極の表面に設けられたニッケル（Ni）メッキ層と、ニッケル（Ni）メッキ層の表面に設けられたスズ（Sn）メッキ層とから構成されている。
【００７３】
テストケース２ではデータ通信用周波数の信号発信器531によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７８２ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器541によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８２７ＭＨｚの信号とした。このとき上記本実施例１におけるフィルタ500から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８７２ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１２２ｄＢｍであった。また、同一条件において従来の磁性体材料を用いて電極を形成したフィルタが発生する通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１００ｄＢｍであった。
【００７４】
テストケース３ではデータ通信用周波数の信号発信器531によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７８７ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器541によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８３２ＭＨｚの信号とした。このとき上記本実施例１におけるフィルタ500から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８７７ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１２２ｄＢｍであった。また、同一条件において従来の磁性体材料を用いて電極を形成したフィルタが発生する通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１０３ｄＢｍであった。
【実施例２】
【００７５】
図９乃至図１３は通信装置１０のダイプレクサ412,422に用いることができる高周波電子部品のダイプレクサ600を説明する図である。このダイプレクサ600は図９に示すように２０１２サイズの積層セラミック電子部品であり、部品本体の内部には複数の内部電極が設けられており、部品本体の外表面には内部電極に導電接続された外部電極が形成されている。
【００７６】
前述した実施例１と同様に、例えば、内部電極は銀（Ag）によって形成され、外部電極は内部電極に導電接続されるように部品本体の表面に設けられた銀（Ag）端子電極と、端子電極の表面に設けられた銅（Cu）メッキ層と、銅（Cu）メッキ層の表面に設けられたスズ（Sn）メッキ層とから構成されている。
【００７７】
また、部品本体は、表面に内部電極を形成した複数の誘電体層を積層して形成され、複数の内部電極によってハイパスフィルタ部611とローパスフィルタ部612が形成されている。ハイパスフィルタ部611によって図１０に示すコンデンサ621,622,624及びインダクタ623が形成され、ローパスフィルタ部612によってインダクタ631,632及びコンデンサ633〜635が形成されている。
【００７８】
なお、本実施例２でも上記(A1)〜(A4)を行っている。また、実施例１と同様に、メッキレスにするために銀(Ag)端子電極に代えてAg+Pt焼き付け端子電極或いはAg+Pd焼き付け端子電極を形成しても良い。
【００７９】
上記のように非磁性体材料を用いて電極を作成した積層セラミック電子部品のダイプレクサ600が発生する３次相互変調歪みを図１１に示す測定回路を用いて測定した結果を図１２に示し、測定条件を図１３に示す。
【００８０】
図１１に示すデータ通信用の周波数ｆ１を発生する信号発信器641によって発生された高周波信号は信号増幅器642によって増幅された後、アイソレータ643とフィルタ644を介して測定対象の２０１２サイズのダイプレクサ600のアンテナ接続端子に入力される。ダイプレクサ600の一方の入出力端子は５０オームの抵抗器を介して接地されている。ここで、アイソレータ643は反射信号から信号増幅器642を保護するためのものであり、フィルタ644はスプリアス除去を行う。デュプレクサ661から出力された信号はダイプレクサ600に入力される。
【００８１】
通話用の周波数ｆ２を発生する信号発信器651によって発生された高周波信号は信号増幅器652によって増幅された後、アイソレータ653とフィルタ654を介してデュプレクサ661の一方の入出力端子に入力される。ここで、アイソレータ653は反射信号から信号増幅器652を保護するためのものであり、フィルタ654はスプリアス除去を行う。
【００８２】
また、デュプレクサ661の他方の入出力端子はスプリアスを除去するためのフィルタ662を介して信号測定器663に入力される。これにより信号測定器663には３次相互変調歪みの周波数（２ｆ1−ｆ2）の信号が入力される。
【００８３】
測定においては１乃至３のテストケースにて行い、テストケース１ではデータ通信用周波数の信号発信器641によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７７９ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器651によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８２４ＭＨｚの信号とした。このとき上記本実施例２におけるダイプレクサ600から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１２３ｄＢｍであった。また、同一条件において従来の磁性体材料を用いて電極を形成したダイプレクサが発生する通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−９４ｄＢｍであった。なお、ここで使用した従来のダイプレクサの内部電極は銀(Ag)によって形成され、外部電極は内部電極に導電接続されるように部品本体の表面に設けられた銀(Ag)端子電極と、端子電極の表面に設けられたニッケル（Ni）メッキ層と、ニッケル（Ni）メッキ層の表面に設けられたスズ（Sn）メッキ層とから構成されている。
【００８４】
テストケース２ではデータ通信用周波数の信号発信器641によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７８２ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器651によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８２７ＭＨｚの信号とした。このとき上記本実施例２におけるダイプレクサ600から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８７２ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１２３ｄＢｍであった。また、同一条件において従来の磁性体材料を用いて電極を形成したダイプレクサが発生する通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−９４ｄＢｍであった。
【００８５】
テストケース３ではデータ通信用周波数の信号発信器641によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７８７ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器651によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８３２ＭＨｚの信号とした。このとき上記本実施例２におけるダイプレクサ600から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８７７ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１２４ｄＢｍであった。また、同一条件において従来の磁性体材料を用いて電極を形成したダイプレクサが発生する通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−９４ｄＢｍであった。
【実施例３】
【００８６】
図１４乃至図１９は通信装置１０に用いることができる高周波電子部品のインダクタ700を説明する図である。このインダクタ700は図１４及び図１６に示すように積層セラミック電子部品であり、部品本体の内部には複数の内部電極713が設けられており、部品本体の外表面には内部電極に導電接続された外部電極711,712が形成されている。
【００８７】
また、前述した実施例１と同様に、例えば、内部電極は銀（Ag）によって形成され、外部電極は内部電極に導電接続されるように部品本体の表面に設けられた銀（Ag）端子電極と、端子電極の表面に設けられた銅（Cu）メッキ層と、銅（Cu）メッキ層の表面に設けられたスズ（Sn）メッキ層とから構成されている。
【００８８】
また、部品本体は、表面に内部電極を形成した複数の誘電体層を積層して形成され、複数の内部電極によってインダクタ本体720が形成されている。
【００８９】
なお、本実施例３でも上記(A1)〜(A4)を行っている。また、実施例１と同様に、メッキレスにするために銀(Ag)端子電極に代えてAg+Pt焼き付け端子電極或いはAg+Pd焼き付け端子電極を形成しても良い。
【００９０】
上記のように非磁性体材料を用いて電極を作成した積層セラミック電子部品のインダクタ700が発生する３次相互変調歪みを図１７に示す測定回路を用いて測定した結果を図１８に示し、測定条件を図１９に示す。
【００９１】
図１７に示すデータ通信用の周波数ｆ１を発生する信号発信器751によって発生された高周波信号は信号増幅器752によって増幅された後、アイソレータ753とフィルタ754を介して測定対象のインダクタ700の一方の端子に入力される。ここで、アイソレータ753は反射信号から信号増幅器752を保護するためのものであり、フィルタ754はスプリアス除去を行う。
【００９２】
通話用の周波数ｆ２を発生する信号発信器761によって発生された高周波信号は信号増幅器762によって増幅された後、アイソレータ763とフィルタ764を介してデュプレクサ771の一方の入出力端子に入力される。ここで、アイソレータ763は反射信号から信号増幅器762を保護するためのものであり、フィルタ764はスプリアス除去を行う。デュプレクサ771から出力された信号はインダクタ700に入力される。
【００９３】
また、デュプレクサ771の他方の入出力端子はスプリアスを除去するためのフィルタ772を介して信号測定器773に入力される。これにより信号測定器773には３次相互変調歪みの周波数（２ｆ1−ｆ2）の信号が入力される。
【００９４】
測定においては１乃至３のテストケースにて行い、テストケース１ではデータ通信用周波数の信号発信器751によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７７９ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器761によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８２４ＭＨｚの信号とした。このとき上記本実施例３におけるインダクタ700から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１３０ｄＢｍであった。また、同一条件において従来の磁性体材料を用いて電極を形成したインダクタが発生する通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１０４ｄＢｍであった。なお、ここで使用した従来のインダクタの内部電極は銀(Ag)によって形成され、外部電極は内部電極に導電接続されるように部品本体の表面に設けられた銀(Ag)端子電極と、端子電極の表面に設けられたニッケル（Ni）メッキ層と、ニッケル（Ni）メッキ層の表面に設けられたスズ（Sn）メッキ層とから構成されている。
【００９５】
テストケース２ではデータ通信用周波数の信号発信器751によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７８２ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器761によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８２７ＭＨｚの信号とした。このとき上記本実施例３におけるインダクタ700から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８７２ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１２８ｄＢｍであった。また、同一条件において従来の磁性体材料を用いて電極を形成したインダクタが発生する通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１０３ｄＢｍであった。
【００９６】
テストケース３ではデータ通信用周波数の信号発信器751によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７８７ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器761によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８３２ＭＨｚの信号とした。このとき上記本実施例３におけるインダクタ700から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８７７ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１２７ｄＢｍであった。また、同一条件において従来の磁性体材料を用いて電極を形成したインダクタが発生する通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１０４ｄＢｍであった。
【００９７】
なお、送受信部においてアンテナとミキサとの間において高周波数の信号電流が流れる複数の電子部品が直列接続されているときは、図２０に示すように、これら複数の電子部品のうちの何れか１つでも３次相互変調歪みの発生量が大きいと全体としての３次相互変調歪みの発生量が大きくなる。図２０においては、１段目に３次相互変調歪みの発生量が−９０ｄＢｍのダイプレクサが接続され、その後段に３次相互変調歪みの発生量が−１００ｄＢｍのフィルタが接続され、その後段に３次相互変調歪みの発生量が−１２０ｄＢｍのＩｎｄが接続されているとき、３次相互変調歪み（PIM3）の総合値は−９０ｄＢｍとなる。
【００９８】
また、上記第１送受信部110と第２送受信部210が形成されているプリント配線基板の非磁性体からなるプリント配線、例えば銅(Cu)からなるプリント配線において発生する３次相互変調歪みを上記実施例１で用いた測定回路を使用して測定したときの測定結果及び測定条件は図２１及び図２２に示すとおりである。
【００９９】
すなわち、テストケース１ではデータ通信用周波数の信号発信器531によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７７９ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器541によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８２４ＭＨｚの信号とした。このときプリント配線から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８６９ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１３８ｄＢｍであった。
【０１００】
テストケース２ではデータ通信用周波数の信号発信器531によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７８２ＭＨｚの信号とし、通話用の信号発信器541によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８２７ＭＨｚの信号とした。このときプリント配線発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８７２ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１３８ｄＢｍであった。
【０１０１】
テストケース３ではデータ通信用周波数の信号発信器531によって発生される高周波信号（Tone1 (B13 TX) ）を強度＋１４ｄＢｍの周波数７８７ＭＨｚの信号とし、通話用周波数の信号発信器541によって発生される高周波信号（Tone2 (BC0 TX））を強度＋２４ｄＢｍの周波数８３２ＭＨｚの信号とした。このときプリント配線から発生された通話用の受信用周波数帯（BC0 RX）に含まれる周波数８７７ＭＨｚの３次相互変調歪み信号（PIM3）の強度は約−１３８ｄＢｍであった。
【０１０２】
なお、本発明の通信装置に適用可能な高周波電子部品は上記実施例で説明したフィルタ、ダイプレクサ、インダクタだけに限定されることはなく、デュプレクサ、キャパシタ、ローパスフィルタ、ハイパスフィルタ、ノッチフィルタ、バンドパスフィルタ、バンドエリミネーションフィルタ、或いはこれらのうちの何れかの組合せ及びこの他のセラミック高周波電子部品を用いる場合にも適用可能であり、本発明を適用したセラミック高周波電子部品を用いた通信装置は上記実施形態と同様の効果を発揮する。
【産業上の利用可能性】
【０１０３】
本発明によれば、音声及びデータの同時通信が可能な通信装置において３次相互変調歪みの発生を抑制することが可能であるので、受信信号の再現性が損なわれることがない。
【符号の説明】
【０１０４】
１０…通信装置、110…第１送受信部、111…アンテナ、412…整合回路、413…デュプレクサ、114…ローノイズアンプ、115…高周波増幅器、116…ミキサ、117…ミキサ、118…発信器、119…フィルタ、120…フィルタ、210…第２送受信部、421…整合回路、422…デュプレクサ、214…ローノイズアンプ、215…高周波増幅器、216…ミキサ、217…ミキサ、218…発信器、219…フィルタ、220…フィルタ、300…音声・データ処理部、500…フィルタ、501…本体、502…内部電極、511…インダクタ部、512…コンデンサ部、521…インダクタ、522〜524…コンデンサ、531…発信器、532…信号増幅器、533…アイソレータ、534…フィルタ、541…信号発信器、542…信号増幅器、543…アイソレータ、544…フィルタ、551…デュプレクサ、552…フィルタ、553…信号測定器、600…ダイプレクサ、611…ハイパスフィルタ部、612…ローパスフィルタ部、621,622,624…コンデンサ、623…インダクタ、631,632…インダクタ、633,634,635…コンデンサ、641…発信器、642…信号増幅器、643…アイソレータ、644…フィルタ、651…発信器、652…信号増幅器、653…アイソレータ、654…フィルタ、661…デュプレクサ、662…フィルタ、663…信号測定器、700…インダクタ、711…本体、712…ＳＡＷ素子、731〜735,741〜745…直列共振回路、751信号発信器、752…信号増幅器、753…アイソレータ、754…フィルタ、761…信号発信器、762…信号増幅器、763…アイソレータ、764…フィルタ、771…デュプレクサ、772…フィルタ、773…信号測定器。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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