(57)【要約】【課題】サブフィールドコード設定の手間を削減する。【解決手段】電気光学装置の製造方法は、液晶素子を有する液晶パネルに、当該液晶素子の光学状態の変化を起こさせるテスト信号を供給するステップと、前記テスト信号に起因する前記液晶素子の光学状態の応答を測定するステップと、所定の単位期間を複数のサブフィールドに分割した場合に各サブフィールドで印加される２値のいずれかの電圧値の組み合わせを各々が示す複数のサブフィールドコードセットを、異なる液晶応答に応じて準備するステップと、前記複数のサブフィールドコードセットの中から、前記測定された応答に応じて一のサブフィールドコードセットを選択するステップと、前記選択された一のサブフィールドコードセットを特定する情報を、前記液晶パネルに対応する記憶装置に書き込むステップとを有する。【選択図】図８
2014174513.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液晶素子を有する液晶パネルに、当該液晶素子の光学状態の変化を起こさせるテスト信号を供給するステップと、
前記テスト信号に起因する前記液晶素子の光学状態の応答を測定するステップと、
所定の単位期間を複数のサブフィールドに分割した場合に各サブフィールドで印加される２値のいずれかの電圧値の組み合わせを各々が示す複数のサブフィールドコードセットを、異なる液晶応答に応じて準備するステップと、
前記複数のサブフィールドコードセットの中から、前記測定された応答に応じて一のサブフィールドコードセットを選択するステップと、
前記選択された一のサブフィールドコードセットを特定する情報を、前記液晶パネルに対応する記憶装置に書き込むステップと
を有する電気光学装置の製造方法。
【請求項２】
前記テスト信号は、前記光学状態の変化として、前記光学状態の立ち上がり中に少なくとも１回、立ち下がり、当該光学状態の立ち下がり中に少なくとも１回、立ち上がる変化を起こさせる信号である
ことを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項３】
前記複数のサブフィールドコードセットの各々に対し、基準となる階調−光学状態特性が設定されており、
前記選択するステップにおいて、前記測定された応答から得られる階調−光学状態特性と前記基準となる階調−光学状態特性との誤差が最小となる一のサブフィールドコードセットを選択する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項４】
前記複数のサブフィールドコードセットの各々に対し、前記液晶素子の基準となる応答特性が設定されており、
前記選択するステップにおいて、前記測定された応答から得られる応答特性と前記基準となる応答特性との誤差が最小となる一のサブフィールドコードセットを選択する
ことを特徴とする請求項１または２に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項５】
前記光学状態の変化は、当該光学状態の指標の最低値から最高値までの変化、または最高値から最低値までの変化に相当する
ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか一項に記載の電気光学装置の製造方法。
【請求項６】
液晶素子を有する液晶パネルに、当該液晶素子の光学状態の変化を起こさせるテスト信号を供給する供給部と、
前記テスト信号に起因する前記液晶素子の光学状態の応答を測定する測定部と、
所定の単位期間を複数のサブフィールドに分割した場合に各サブフィールドで印加される２値のいずれかの電圧値の組み合わせを各々が示す複数のサブフィールドコードセットを、異なる液晶応答に応じて記憶した記憶部と、
前記複数のサブフィールドコードセットの中から、前記測定された応答に応じて一のサブフィールドコードセットを選択する選択部と、
前記選択された一のサブフィールドコードセットを特定する情報を、前記液晶パネルに対応する記憶装置に書き込む書き込み部と
を有する電気光学装置の調整装置。
【請求項７】
液晶素子を有する液晶パネルと、
前記液晶素子の光学状態の変化を起こさせるテスト信号を前記液晶パネルに供給する供給部と、
前記テスト信号に起因する前記液晶素子の光学状態の応答を測定する測定部と、
所定の単位期間を複数のサブフィールドに分割した場合に各サブフィールドで印加される２値のいずれかの電圧値の組み合わせを各々が示す複数のサブフィールドコードセットを、異なる液晶応答に応じて記憶した記憶部と、
前記複数のサブフィールドコードセットの中から、前記測定された応答に応じて一のサブフィールドコードセットを選択し、当該選択された一のサブフィールドコードセットを用いて前記液晶パネルを駆動する駆動部と
を有する表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、サブフィールド駆動方式の表示装置を製造する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶表示装置において、１フレームを複数のサブフィールドに分割し、各サブフィールドにおいてはオン電圧およびオフ電圧の２値の電圧のいずれかを印加し、時間的な積分値として階調表現を行う、いわゆるサブフィールド駆動方式が知られている（例えば特許文献１）。各サブフィールドにおいてオン電圧およびオフ電圧のいずれを印加すべきかを示すサブフィールドコードは、液晶表示装置の個体差を考慮して調整されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−２３３７３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
サブフィールドコードは、個々の液晶パネルの特性を考慮して個別に設定されることが階調特性の点からは好ましい。しかし、１台１台、個別にサブフィールドコードを設定すると、製造工程が煩雑になってしまうという問題があった。
これに対し本発明は、サブフィールドコード設定の手間を削減する技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明は、液晶素子を有する液晶パネルに、当該液晶素子の光学状態の変化を起こさせるテスト信号を供給するステップと、前記テスト信号に起因する前記液晶素子の光学状態の応答を測定するステップと、所定の単位期間を複数のサブフィールドに分割した場合に各サブフィールドで印加される２値のいずれかの電圧値の組み合わせを各々が示す複数のサブフィールドコードセットを、異なる液晶応答に応じて準備するステップと、前記複数のサブフィールドコードセットの中から、前記測定された応答に応じて一のサブフィールドコードセットを選択するステップと、前記選択された一のサブフィールドコードセットを特定する情報を、前記液晶パネルに対応する記憶装置に書き込むステップとを有する電気光学装置の製造方法を提供する。
この製造方法によれば、液晶パネルごとに個別にサブフィールドコードを作成する場合と比較して、サブフィールドコード設定の手間を削減することができる。
【０００６】
前記テスト信号は、前記光学状態の変化として、前記光学状態の立ち上がり中に少なくとも１回、立ち下がり、当該光学状態の立ち下がり中に少なくとも１回、立ち上がる変化を起こさせる信号であってもよい。
この製造方法によれば、液晶パネルの特性をより正確に反映することができる。
【０００７】
前記複数のサブフィールドコードセットの各々に対し、基準となる階調−光学状態特性が設定されており、前記選択するステップにおいて、前記測定された応答から得られる階調−光学状態特性と前記基準となる階調−光学状態特性との誤差が最小となる一のサブフィールドコードセットを選択してもよい。
この製造方法によれば、液晶パネルの階調−光学状態特性をより正確に反映することができる。
【０００８】
前記複数のサブフィールドコードセットの各々に対し、前記液晶素子の基準となる応答特性が設定されており、前記選択するステップにおいて、前記測定された応答から得られる応答特性と前記基準となる応答特性との誤差が最小となる一のサブフィールドコードセットを選択してもよい。
この製造方法によれば、液晶パネルの応答特性をより正確に反映することができる。
【０００９】
前記光学状態の変化は、当該光学状態の指標の最低値から最高値までの変化、または最高値から最低値までの変化に相当してもよい。
この製造方法によれば、光学状態の指標の最低値から最高値までの範囲において、液晶パネルの特性を反映することができる。
【００１０】
また、本発明は、液晶素子を有する液晶パネルに、当該液晶素子の光学状態の変化を起こさせるテスト信号を供給する供給部と、前記テスト信号に起因する前記液晶素子の光学状態の応答を測定する測定部と、所定の単位期間を複数のサブフィールドに分割した場合に各サブフィールドで印加される２値のいずれかの電圧値の組み合わせを各々が示す複数のサブフィールドコードセットを、異なる液晶応答に応じて記憶した記憶部と、前記複数のサブフィールドコードセットの中から、前記測定された応答に応じて一のサブフィールドコードセットを選択する選択部と、前記選択された一のサブフィールドコードセットを特定する情報を、前記液晶パネルに対応する記憶装置に書き込む書き込み部とを有する電気光学装置の調整装置を提供する。
この調整装置によれば、液晶パネルごとに個別にサブフィールドコードを作成する場合と比較して、サブフィールドコード設定の手間を削減することができる。
【００１１】
さらに、本発明は、液晶素子を有する液晶パネルと、前記液晶素子の光学状態の変化を起こさせるテスト信号を前記液晶パネルに供給する供給部と、前記テスト信号に起因する前記液晶素子の光学状態の応答を測定する測定部と、所定の単位期間を複数のサブフィールドに分割した場合に各サブフィールドで印加される２値のいずれかの電圧値の組み合わせを各々が示す複数のサブフィールドコードセットを、異なる液晶応答に応じて記憶した記憶部と、前記複数のサブフィールドコードセットの中から、前記測定された応答に応じて一のサブフィールドコードセットを選択し、当該選択された一のサブフィールドコードセットを用いて前記液晶パネルを駆動する駆動部とを有する表示装置を提供する。
この表示装置によれば、その液晶パネルの環境の変化に応じて個別にサブフィールドコードを作成する場合と比較して、サブフィールドコード設定の手間を削減することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】電気光学装置の調整システム１の構成を示す図。
【図２】液晶表示装置３の構成を示す図。
【図３】画素１１１の等価回路を示す図。
【図４】画像処理回路３０の構成を示す図。
【図５】液晶パネル１００の応答特性のばらつきを例示する図。
【図６】階調−透過率特性を例示する図。
【図７】調整装置２の構成を示す図。
【図８】調整装置２の動作を示すフローチャート。
【図９】テスト信号および液晶パネル１００の光学状態の変化の一例を示す図。
【図１０】テスト信号および液晶パネル１００の光学状態の変化の別の例を示す図。
【図１１】想定される応答特性を例示する図。
【図１２】サブフィールドコードセットの選択の例を示す図。
【図１３】変形例１に係る液晶表示装置３の構成を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
１．概要
図１は、電気光学装置の調整システム１の構成を示す図である。調整システム１は、調整装置２と、液晶表示装置３とを有する。調整システム１は、液晶表示装置３の製造工程の一部で用いられるシステムである。この例で、以下で説明する調整処理を行う前の液晶表示装置３は未完成の状態であり、この調整処理を経て完成する。
【００１４】
１−１．液晶表示装置の構成
図２は、液晶表示装置３の構成を示す図である。液晶表示装置３は、液晶パネル１００、走査線駆動回路１３０、データ線駆動回路１４０、および制御回路１０を有する。液晶パネル１００は、供給される信号に応じて画像を表示する装置である。液晶パネル１００は、ｍ行ｎ列のマトリクス状に配置された画素１１１を有する。画素１１１は、走査線駆動回路１３０及びデータ線駆動回路１４０から供給される信号に応じた光学状態を示す。液晶パネル１００は、複数の画素１１１の光学状態を制御することにより画像を表示する。
【００１５】
液晶パネル１００は、素子基板１００ａと、対向基板１００ｂと、液晶１０５とを有する。素子基板１００ａと対向基板１００ｂとは、一定の間隙を保って貼り合わせられている。この間隙に、液晶１０５が挟まれている。
【００１６】
素子基板１００ａは、対向基板１００ｂとの対向面において、ｍ行の走査線１１２およびｎ列のデータ線１１４を有する。走査線１１２はＸ（横）方向に沿って、データ線１１４はＹ（縦）方向に沿って、それぞれ設けられており、互いに絶縁されている。一の走査線１１２を他の走査線１１２と区別するときは、図において上から順に第１、第２、第３、…、第（ｍ−１）、および第ｍ行の走査線１１２という。同様に、一のデータ線１１４を他のデータ線１１４と区別するときは、図において左から順に第１、第２、第３、…、第（ｎ−１）、第ｎ列のデータ線１１４という。画素１１１は、Ｘ軸およびＹ軸に垂直な位置にある視点からみたときに、走査線１１２およびデータ線１１４の交差に対応して設けられている。
【００１７】
図３は、画素１１１の等価回路を示す図である。画素１１１は、ＴＦＴ１１６と、液晶素子１２０と、保持容量１２５とを有する。液晶素子１２０は、画素電極１１８と、液晶１０５と、コモン電極１０８とを有する。画素電極１１８は、画素１１１毎に個別に設けられた電極である。コモン電極１０８は、すべての画素１１１に共通の電極である。画素電極１１８は素子基板１００ａに、コモン電極１０８は対向基板１００ｂに、それぞれ設けられている。液晶１０５は、画素電極１１８およびコモン電極１０８に挟まれている。コモン電極１０８には、コモン電圧ＬＣｃｏｍが印加される。
【００１８】
ＴＦＴ１１６は、画素電極１１８への電圧の印加を制御するスイッチング素子の一例であり、この例では、ｎチャネル型の電界効果トランジスターである。ＴＦＴ１１６は、画素１１１毎に個別に設けられている。第ｉ行第ｊ列のＴＦＴ１１６のゲートは第ｉ行の走査線１１２に、ソースは第ｊ列のデータ線１１４に、ドレインは画素電極１１８に、それぞれ接続されている。保持容量１２５は、一端が画素電極１１８に、他端が容量線１１５に、それぞれ接続されている。容量線１１５には、時間的に一定の電圧が印加される。
【００１９】
第ｉ行の走査線１１２にＨ（High）レベルの電圧（以下「選択電圧」という）が印加されると、第ｉ行第ｊ列のＴＦＴ１１６はオン状態となり、ソースとドレインが導通する。このとき、第ｊ列のデータ線１１４に、第ｉ行第ｊ列の画素１１１の階調値（データ）に応じた電圧（以下「データ電圧」という）が印加されると、データ電圧は、ＴＦＴ１１６を介して第ｉ行第ｊ列の画素電極１１８に印加される。
【００２０】
その後、第ｉ行の走査線１１２にＬ（Low）レベルの電圧（以下「非選択電圧」という）が印加されると、ＴＦＴ１１６はオフ状態になり、ソースとドレインは高インピーダンス状態となる。ＴＦＴ１１６がオン状態のとき画素電極１１８に印加された電圧は、液晶素子１２０の容量性および保持容量１２５によって、ＴＦＴ１１６がオフ状態になった後も保持される。
【００２１】
液晶素子１２０には、データ電圧とコモン電圧との電位差に相当する電圧が印加される。液晶１０５の分子配向状態は、液晶素子１２０に印加される電圧に応じて変化する。画素１１１の光学状態は、液晶１０５の分子配向状態に応じて変化する。例えば、液晶パネル１００が透過型のパネルである場合、変化する光学状態は透過率である。
【００２２】
再び図２を参照する。走査線駆動回路１３０は、ｍ本の走査線１１２の中から一の走査線１１２を順次排他的に選択する（すなわち走査線１１２を走査する）回路である。具体的には、走査線駆動回路１３０は、制御信号Ｙｃｔｒに従って、第ｉ行の走査線１１２に、走査信号Ｙｉを供給する。この例で、走査信号Ｙｉは、選択される走査線１１２に対しては選択電圧となり、選択されない走査線１１２に対しては非選択電圧となる信号である。
【００２３】
データ線駆動回路１４０は、ｎ本のデータ線１１４にデータ電圧を示す信号（以下「データ信号」という）を出力する回路である。具体的には、データ線駆動回路１４０は、画像処理回路３０から供給されるデータ信号Ｖｘを、制御信号Ｘｃｔｒに従ってサンプリングし、第１〜第ｎ列のデータ線１１４にデータ信号Ｘ１〜Ｘｎとして出力する。なお、本説明において電圧については、液晶素子１２０の印加電圧を除き、特に明記しない限り図示省略した接地電位を基準（ゼロＶ）として表す。
【００２４】
液晶パネル１００に表示される画像は、所定の周期で書き換えられる。以下、この書き換えの周期を「フレーム」という。例えば、画像が６０Ｈｚで書き換えられる場合、１フレームは約１６．７ｍｓｅｃである。走査線駆動回路１３０が１フレームに１回、ｍ本の走査線１１２を走査し、データ線駆動回路１４０がデータ信号を出力することにより、液晶パネル１００に表示される画像が書き換えられる。
【００２５】
この例で、液晶パネル１００の駆動にはサブフィールド駆動方式が用いられる。サブフィールド駆動方式において、１フレームはさらに複数の期間に分割される。この分割された期間をサブフィールドという。各サブフィールドにおいて液晶素子１２０に印加される電圧の絶対値は、オン電圧（例えば５Ｖ）およびオフ電圧（例えばゼロＶ）の２値のいずれかである。複数のサブフィールドは、オン電圧の極性が正極性となる期間（以下「正極性フィールド」という）およびオン電圧の極性が負極性となる期間（以下「負極性フィールド」という）に分けられる。
【００２６】
制御回路１０は、上位装置から供給される映像信号Ｖｉｄ−ｉｎおよび同期信号Ｓｙｎｃに応じて走査線駆動回路１３０およびデータ線駆動回路１４０を制御する信号を出力する。映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは、液晶パネル１００における各画素の階調値をそれぞれ指定するデジタル信号である。映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは、同期信号Ｓｙｎｃと同期して供給される。同期信号は、垂直走査信号、水平走査信号およびドットクロック信号（いずれも図示省略）を含んでいる。この例で、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎの周波数は６０Ｈｚである。すなわち、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎにより示される画像は、１６．６７ミリ秒毎に書き換えられる。
【００２７】
なお、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは直接的には階調値を指定するものであるが、階調値に応じて液晶素子に印加される電圧（以下「印加電圧」という）が定まるので、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎは液晶素子の印加電圧を指定するものといえる。
【００２８】
制御回路１０は、走査制御回路２０と画像処理回路３０とを有する。走査制御回路２０は、制御信号Ｘｃｔｒ、制御信号Ｙｃｔｒ、制御信号Ｉｃｔｒ等、各種の制御信号を生成して、同期信号Ｓｙｎｃに同期して各部を制御する。画像処理回路３０は、デジタルの映像信号Ｖｉｄ−ｉｎを処理して、各色成分毎にデータ信号Ｖｘを出力する。
【００２９】
図４は、画像処理回路３０の構成を示す図である。画像処理回路３０は、記憶部３１と、極性信号生成部３２と、変換部３３と、出力部３４とを有する。記憶部３１は、ＬＵＴ（Look Up Table）を記憶している。ＬＵＴ３１１は、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎにより示される階調値をサブフィールドコードに変換する際に用いられる。サブフィールドコードは、各階調について、複数のサブフィールドの各々においてオン電圧（第１階調、例えば白に対応する電圧）およびオフ電圧（第２階調、例えば黒に対応する電圧）のどちらを印加すべきであるかを示す情報である。
【００３０】
極性信号生成部３２は極性信号ＦＲＰを生成する。極性信号ＦＲＰは、今が正極性フィールドおよび負極性フィールドのどちらであるかを示す信号である。この例で、極性信号生成部３２は外部から入力される同期信号Ｓｙｎｃから極性信号ＦＲＰを生成する。極性信号生成部３２は生成した極性信号ＦＲＰを、変換部３３および他の装置（例えばデータ線駆動回路１４０）に出力する。
【００３１】
変換部３３は、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎにより示される階調値を、サブフィールドコードに変換する。この例で、変換部３３は、時間比および現在が正極性フィールドであるか負極性フィールドであるかに応じて、階調値をサブフィールドコードに変換する。すなわち、変換部３３は、映像信号Ｖｉｄ−ｉｎに加え、時間比を示す時間比信号ＰＮＲおよび極性信号ＦＲＰを用いて、階調値をサブフィールドコードに変換する。出力部３４は、サブフィールドコードを示すデータ信号Ｖｘを出力する。データ線駆動回路１４０は、データ信号Ｖｘに応じた電圧をデータ線１１４に印加する。なお、本実施形態においてはサブフィールド駆動方式が用いられるので、データ線１１４に印加される電圧の絶対値（大きさ）は２値（例えばゼロＶおよび５Ｖ）のいずれかである。
【００３２】
１−２．サブフィールドコード調整の問題点
調整装置２の構成および動作の説明に先立ち、多数の液晶表示装置３を量産する場合における、サブフィールドコードの決定方法の問題点について説明する。液晶パネル１００の応答特性は、液晶１０５の種類、セルギャップ、環境温度など種々の要因によってばらつきが生じる。例えば、ある特定の機種の液晶パネル１００についても、製造誤差によりばらつきを生じる。
【００３３】
図５は、液晶パネル１００の応答特性のばらつきを例示する図である。図５（Ａ）は、複数の液晶パネル１００について、透過率を最低値から最高値に変化させたときの応答特性を、図５（Ｂ）は透過率を最高値から最低値に変化させたときの応答特性を、それぞれ示している。このように、多くの場合、応答特性のばらつきは、時間軸方向のばらつきとして現れ、応答特性の曲線の形状は概ね同一である。すなわち、最初の状態と最後の状態は同一であり、その途中の状態に関して、応答の速いものと遅いものとがある。このような状況で、例えば、最速の応答特性に合わせてサブフィールドコードを設定すると、最遅の応答特性を有する液晶パネル１００にこのサブフィールドコードを適用すると、階調表現が破綻してしまう場合がある。
【００３４】
図６は、図５の例において最速の応答特性に合わせて設定されたサブフィールドコードを、最速および最遅の応答特性を有する液晶パネル１００にそれぞれ適用した場合の階調−透過率特性を例示する図である。最速の応答特性を有する液晶パネル１００においては所望の特性が得られているのに対し、最遅の応答特性を有する液晶パネル１００においては所望の特性が得られていない。特に階調と透過率の関係が逆転してしまっている部分（すなわち、隣接階調において低階調の透過率が高階調の透過率より高くなっている部分）が多数現れているのが問題である。本実施形態は、この問題を改善する。
【００３５】
１−３．調整装置の構成
図７は、調整装置２の構成を示す図である。調整装置２は、供給部２０１と、測定部２０２と、記憶部２０３と、選択部２０４と、書き込み部２０５とを有する。供給部２０１は、液晶パネル１００に、液晶素子１２０の光学状態（例えば、透過率）の変化を起こさせるテスト信号を供給する。供給部２０１は、例えば、テスト信号を生成する信号生成回路と、生成されたテスト信号を液晶パネル１００に供給するためのプローブとを含む。測定部２０２は、このテスト信号に起因する液晶素子１２０の光学状態の応答（すなわち、光学状態の時間変化）を測定する。測定部２０２は、例えば、液晶パネル１００における透過率を測定するための光学センサーを含む。記憶部２０３は、異なる液晶応答に応じて複数のサブフィールドコードセットを記憶している。サブフィールドコードセットとは、複数のサブフィールドの集合である。一のサブフィールドコードセットは、例えば、階調値（例えば０〜２５５）の各々に対応するサブフィールドコードを含む。また、一のサブフィールドコードセットは、温度範囲毎に区分されていてもよい。例えば、一のサブフィールドコードセットは、２０〜３０℃の温度範囲で用いられるサブフィールドコードと、３０〜５０℃の温度範囲で用いられるサブフィールドコードとを含んでいてもよい。記憶部２０３は、例えば、半導体メモリーを含む。選択部２０４は、複数のサブフィールドコードセットの中から、測定された応答に応じて一のサブフィールドコードセットを選択する。選択部２０４は、例えば、複数のサブフィールドコードセットの中から一のサブフィールドセットを選択するためのアルゴリズムが記述されたプログラムと、このプログラムを実行するプロセッサーとを含む。書き込み部２０５は、選択された一のサブフィールドコードセットを特定する情報を、液晶パネル１００に対応する記憶装置（記憶部３１）に書き込む。書き込み部２０５は、例えば、メモリーにデータを書き込むための書き込み装置を含む。なお、図７以降の図においてサブフィールドコードをＳＦコードと表す。
【００３６】
２．動作
図８は、調整装置２の動作を示すフローチャートである。ステップＳ１００において、供給部２０１は、被検体である液晶パネル１００に、テスト信号を供給する。テスト信号は、液晶素子１２０の光学状態を、所定の第１状態から所定の第２状態に遷移させるための信号である。ステップＳ１１０において、測定部２０２は、液晶パネル１００において、テスト信号によって変化する光学状態（例えば透過率）を測定する。なお、ステップＳ１００のテスト信号の供給とステップＳ１１０の測定とは、並列的に行われる。すなわち、液晶パネル１００にテスト信号を供給しつつ、光学状態の測定が行われる。
【００３７】
図９は、テスト信号および液晶パネル１００の光学状態の変化の一例を示す図である。図９において、上段にはテスト信号の波形が、下段には光学状態の変化が示されている。図９において、横軸は時間を示している。テスト信号の縦軸は電圧を、光学状態の縦軸は透過率を、それぞれ示している。この例で、テスト信号は、液晶素子１２０の透過率を最低値から最高値に単調に遷移させる信号である。具体的には、テスト信号は、オン電圧（例えば５Ｖ）を一定時間、液晶素子１２０に印加する信号である。このテスト信号により、液晶素子１２０の透過率は、最低値から徐々に最高値まで遷移する。
【００３８】
図１０は、テスト信号および液晶パネル１００の光学状態の変化の別の例を示す図である。図中の縦軸、横軸は図９と同じである。この例で、テスト信号は、液晶素子１２０の透過率を最低値から最高値まで単調に遷移させるのではなく、透過率の立ち上がりと立ち下がり（増加と減少）とを繰り返しながら、最低値から最高値まで遷移させる信号である。図１０の例では、透過率の立ち上がり−立ち下がりのパターンが５回繰り返されている。具体的には、テスト信号は、オン電圧とオフ電圧（例えばゼロＶ）の印加を交互に繰り返す波形を有している。このテスト信号により、液晶素子１２０の透過率は、複雑な応答を示す。なお、図９および図１０のテスト信号の供給に先立ち、液晶素子１２０の透過率を最低値に初期化するための信号が供給される。
【００３９】
再び図８を参照する。ステップＳ１２０において、選択部２０４は、液晶素子１２０における応答特性の測定結果を用いて、記憶部２０３に記憶されている複数のサブフィールドコードセットから一のサブフィールドコードセットを選択する。記憶部２０３には、あらかじめ複数のサブフィールドコードセットが記憶されている。これら複数のサブフィールドコードセットの各々は、それぞれ、液晶素子１２０において異なる（仮想的な）応答特性に対応している。
【００４０】
図１１は、想定される応答特性を例示する図である。この例では、速い応答、遅い応答、およびその中間の応答の３つの応答特性が想定されている。これら３つの応答特性の各々に対し、最適化されたサブフィールドコードが作成される。サブフィールドコードの作成は、例えばコンピューターシミュレーションを用いて以下のように行われる。印加電圧に対する液晶素子１２０の光学応答は、数学的なモデルで表される。上記３つの応答特性に対し、共通のモデルが用いられるが、モデルの数式中のパラメーター（係数）は、具体的な応答特性に応じて決定される。こうして決定されたパラメーターおよびモデルの数式を用いて、入力されたサブフィールドコードに対する光学応答、すなわち表示される階調値が得られる。こうして各階調について最適化されたサブフィールドコードを集め、一のサブフィールドコードセットとして、記憶部２０３に記憶させておく。以下において、サブフィールドコードセットの作成に用いられた応答特性を「基準応答特性」という。この例では、３つの基準応答特性が用いられている。
【００４１】
なお、シミュレーションにおいてパラメーターを抽出する際の応答特性は、例えば図９のまたは図１０のいずれの応答特性を用いてもよいが、モデルが複雑であれば、複雑な応答特性を用いた方が精度良くパラメーターを抽出でき、液晶パネル１００の特性をより正確に反映できる場合がある。
【００４２】
ステップＳ１２０の処理は具体的には以下のとおりである。選択部２０４は、測定された応答特性を用いて、この液晶パネル１００における階調−透過率特性を推測する。階調−透過率特性は、図１１で説明したサブフィールドコードに作成に用いられたモデル用いて推測される。具体的には、選択部２０４は、測定された応答特性から、このモデルにおけるパラメーターを抽出する。選択部２０４は、抽出されたパラメーターおよびモデルの数式を用いて、複数のサブフィールドコードセットに対する階調−透過率特性を計算する。さらに選択部２０４は、計算された複数の階調−透過率特性の各々について、所望の階調−透過率特性（基準となる階調−透過率特性）との誤差を計算する。誤差としては、例えば残差平方和（二乗誤差）が用いられる。選択部２０４は、３つのサブフィールドコードセットのうち、計算された誤差が最小であったサブフィールドコードセットを選択する。
【００４３】
図１２は、サブフィールドコードセットの選択の例を示す図である。横軸は階調を、縦軸は透過率を示している。図中、実線は基準となる階調−透過率特性を示しており、２つのプロットはそれぞれ早い応答のサブフィールドコードセットおよび中間の応答のサブフィールドコードセットを適用した場合の階調−透過率特性を示している。この例では、中間の応答のサブフィールドコードセットが適用された場合の誤差が０．１２０であり、速い応答のサブフィールドコードセットが適用された場合の誤差が０．０８３である。なお、遅い応答のサブフィールドコードセットを適用した例は省略したが、これらより誤差が大きい。したがって、選択部２０４は、速い応答のサブフィールドコードセットを選択する。
【００４４】
再び図８を参照する。ステップＳ１３０において、書き込み部２０５は、選択された一のサブフィールドコードセットを特定する情報、この例では、選択された一のサブフィールドコードセットそのものを、記憶部３１に、ＬＵＴ３１１として書き込む。
【００４５】
液晶パネル１００の個体毎に個別にサブフィールドコードセットを作成すると、例えば数時間から数日程度の時間がかかるが、本実施形態によればサブフィールドコードセットはあらかじめ所定数（上記の例では３つ）作成しておけばよい。サブフィールドコードセットの作成には、例えば数時間から数日程度の時間を要するが、本実施形態によれば、液晶パネル１００の個体毎に個別にサブフィールドコードセットを作成しなくても済むので、製造工程を簡略化することができる。
【００４６】
３．変形例
本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、種々の変形実施が可能である。以下、変形例をいくつか説明する。以下の変形例のうち２つ以上のものが組み合わせて用いられてもよい。
【００４７】
３−１．変形例１
本発明は、液晶表示装置３の製造工程において適用されるものに限定されない。例えば、液晶表示装置３を有する電子機器自身が、実施形態で説明した調整装置２としての機能を有しており、環境変化（温度変化等）や経年変化に応じてサブフィールドコードセットを調整してもよい。
【００４８】
図１３は、変形例１に係るプロジェクター２１００の構成を示す図である。プロジェクター２１００は、液晶表示装置３を用いた電子機器の一例である。プロジェクター２１００において、液晶パネル１００がライトバルブとして用いられている。この図に示されるように、プロジェクター２１００の内部には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２が設けられている。ランプユニット２１０２から射出された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂにそれぞれ導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００４９】
プロジェクター２１００において、液晶パネル１００を含む液晶表示装置が、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応して３組設けられている。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した液晶パネル１００と同様である。Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれの原色成分の階調レベルを指定するに映像信号がそれぞれ外部上位回路から供給されて、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００がそれぞれ駆動される。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に屈折し、Ｇ色の光は直進する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４によってカラー画像が投射される。
【００５０】
なお、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂには、ダイクロイックミラー２１０８によって、Ｒ色、Ｇ色、Ｂ色のそれぞれに対応する光が入射するので、カラーフィルタを設ける必要はない。また、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂの透過像は、ダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、ライトバルブ１００Ｇの透過像はそのまま投射される。したがって、ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｂによる水平走査方向は、ライトバルブ１００Ｇによる水平走査方向と逆向きにして、左右を反転させた像を表示する構成となっている。
【００５１】
この例で、ダイクロイックプリズム２１１２の上部にフォトダイオード９００が設けられている。フォトダイオード９００は、液晶パネル１００の光学状態を測定するためのセンサーであり、測定部２０２に相当する。この外、プロジェクター２１００は、供給部２０１、記憶部２０３、選択部２０４、および書き込み部２０５に相当する構成を有している。このうち、記憶部２０３に相当するメモリーには、プロジェクター２１００の環境変化（温度変化等）や経年変化を想定した複数のサブフィールドコードが記憶されている。プロジェクター２１００は、所定のタイミング（例えば、ユーザーから指示されたときや、前回の調整から一定以上の時間が経過したとき）で、サブフィールドコード調整の処理（図８のフローに相当）を開始する。なお、液晶パネル１００を有する電子機器自身が調整装置２としての機能を有する場合は、ステップＳ１３０において書き込まれる情報は、複数のサブフィールドコードセットのうち、使用される（アクティブな）一のサブフィールドコードセットを特定する識別情報である。
【００５２】
３−２．変形例２
一のサブフィールドコードセットを選択する際の指標となる誤差は、階調−透過率特性における誤差に限定されない。実施形態で説明したように、液晶素子１２０の応答特性からモデルのパラメーターを抽出し、このパラメーターおよびモデルを用いて階調−透過率特性を計算する方法では、計算量が多くなり、調整に時間がかかってしまう場合がある。これは特に、調整装置２を液晶表示装置３自身に搭載する際に問題となる。そこで、一のサブフィールドコードセットを選択する際の指標となる誤差は、液晶素子１２０の応答特性（時間−光学状態特性）における誤差であってもよい。この場合、調整装置２は、基準応答特性を記憶している。
【００５３】
３−３．変形例３
ステップＳ１３０において、記憶部３１に書き込まれる情報は、選択された一のサブフィールドコードセットそのものに限定されない。書き込み部２０５は、すべてのサブフィールドコードセットを記憶部３１に書き込み、さらに、そのうち使用される（アクティブな）一のサブフィールドコードセットを特定する識別情報を記憶部３１に書き込んでもよい。
３−４．他の変形例
【００５４】
液晶表示装置３等のハードウェアの構成は実施形態で説明したものに限定されない。例えば、極性信号は、画像処理回路３０とは別の装置により生成されてもよい。
また、実施形態ではフレームをサブフィールドに分割する方法については特に説明しなかったが、複数のサブフィールドは、それぞれ時間長が同一であってもよいし、異なっていてもよい。
【００５５】
液晶表示装置３を用いた電子機器は、実施形態で例示したプロジェクターの他にも、テレビジョンや、ビューファインダー型・モニタ直視型のビデオテープレコーダー、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、デジタルスチルカメラ、携帯電話機、タッチパネルを備えた機器等などが挙げられる。
【００５６】
液晶１０５は、ＶＡ液晶に限定されない。ＴＮ液晶等、ＶＡ液晶以外の液晶が用いられてもよい。また、液晶１０５は、ノーマリーホワイトモードの液晶であってもよい。また、液晶以外の電気光学素子が用いられてもよい。
実施形態で説明したパラメーター（例えば、階調数、フレーム周波数、画素数、サブフィールド数など）および信号の極性やレベルはあくまで例示であり、本発明はこれに限定されない。
【符号の説明】
【００５７】
１…調整システム、２…調整装置、３…液晶表示装置、１０…制御回路、２０…走査制御回路、３０…画像処理回路、３１…記憶部、３２…極性信号生成部、３３…変換部、３４…出力部、１００…液晶パネル、１０５…液晶、１０８…コモン電極、１１１…画素、１１２…走査線、１１４…データ線、１１５…容量線、１１６…ＴＦＴ、１１８…画素電極、１２０…液晶素子、１２５…保持容量、１３０…走査線駆動回路、１４０…データ線駆動回路、２０１…供給部、２０２…測定部、２０３…記憶部、２０４…選択部、２０５…書き込み部、３１１…ＬＵＴ、９００…フォトダイオード、２１００…プロジェクター、２１０２…ランプユニット、２１０６…ミラー、２１０８…ダイクロイックミラー、２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…投射レンズ群、２１２０…スクリーン、２１２１…リレーレンズ系、２１２２…入射レンズ、２１２３…リレーレンズ、２１２４…出射レンズ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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