(57)【要約】【課題】エッチング残りを均一化する。【解決手段】圧電振動片の振動腕部の幅方向の一対の第１および第２の端面ＳＡ，ＳＢをエッチング工程によって形成するのに先立って、エッチングレートが大きい第１の端面ＳＡを形成するための外形フォトレジスト膜４１による外形パターン４１Ａの端部４１Ａａから第１の端面ＳＡの法線方向に所定距離Ｌ１以内の第１領域αと、エッチングレートが小さい第２の端面ＳＢを形成するための外形フォトレジスト膜４１の外形パターン４１Ａの端部４１Ａｂから第２の端面ＳＢの法線方向に所定距離Ｌ１以内の第２領域βとのうち、第１領域αのみに外形フォトレジスト膜４１による外形補助パターン４１Ｂを設ける。外形補助パターン４１Ｂの位置および大きさは、第１領域αおよび第２領域βの実質的なエッチングレートが同一になるように設定される。【選択図】図１０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面にマスクが設けられたウエハをエッチングすることで所定の外形を有する圧電振動片を得る圧電振動片の製造方法において、
前記所定の外形にパターニングされた第１マスクと、
第１マスクから離間した位置に配置される第２マスクと、を用い、
第２マスクを、第１マスクにおけるエッチングレートが大きい側の端縁から所定の距離離間した位置に配置した状態でウエハをエッチングすることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項２】
表面にマスクが設けられたウエハをエッチングすることで所定の外形を有する圧電振動片を得る圧電振動片の製造方法において、
圧電振動片に相当する領域におけるエッチングレートの小さい側である第１端縁をエッチングする第１エッチング工程と、
第１エッチング工程の後で、マスクの一部を除去して前記領域におけるエッチングレートの大きい側である第２端縁を露出した状態で、第１端縁と第２端縁をエッチングする第２エッチング工程と、
を備えることを特徴とする圧電振動片の製造方法。
【請求項３】
前記マスクはレジスト膜と金属膜によって形成されており、第２エッチング工程で除去されるマスクはレジスト膜によって形成されるマスクであることを特徴とする請求項２に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項４】
前記エッチングレートとは、
水晶の結晶軸におけるＸ軸方向のエッチングレートであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の圧電振動片の製造方法。
【請求項５】
請求項１から請求項４の何れかひとつに記載の圧電振動片の製造方法によって製造される音叉型の圧電振動片であって、少なくとも振動腕部の側面におけるエッチングレートが、水晶の結晶軸における＋Ｘ軸方向と−Ｘ軸方向とで略等しく形成されていることを特徴とする圧電振動片。
【請求項６】
請求項５に記載の圧電振動片と、
前記圧電振動片を収容するパッケージと、
を有することを特徴とする圧電振動子。
【請求項７】
請求項６に記載の圧電振動子が発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする発振器。
【請求項８】
請求項６に記載の圧電振動子が計時部に電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【請求項９】
請求項６に記載の圧電振動子がフィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする電波時計。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、圧電振動片の製造方法、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、音叉型水晶振動子の２つの音叉枝部において、水晶の結晶軸の一方向側と他方向側（例えば、＋Ｘ方向側と−Ｘ方向側）の端面に発生するエッチング残りを両方向で均一にする製造方法が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−２６０７１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、上記従来技術に係る音叉型水晶振動子の音叉枝部においては、水晶の結晶軸（Ｘ軸方向）において、＋Ｘ方向側の端面と−Ｘ方向側の端面とに発生するエッチング残りが両端面で非対称になるという課題がある。
【０００５】
そこで本発明は、音叉枝部において結晶軸方向に沿った両端に生じるエッチング残りを均一化することが可能な圧電振動片の製造方法、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決すべく本発明は、
表面にマスクが設けられたウエハをエッチングすることで所定の外形を有する圧電振動片を得る圧電振動片の製造方法において、前記所定の外形にパターニングされた第１マスクと、第１マスクから離間した位置に配置される第２マスクと、を用い、第２マスクを、第１マスクにおけるエッチングレートが大きい側の端縁から所定の距離離間した位置に配置した状態でウエハをエッチングすることを特徴とする。
【０００７】
さらに、本発明は、
表面にマスクが設けられたウエハをエッチングすることで所定の外形を有する圧電振動片を得る圧電振動片の製造方法において、圧電振動片に相当する領域におけるエッチングレートの小さい側である第１端縁をエッチングする第１エッチング工程と、第１エッチング工程の後で、マスクの一部を除去して前記領域におけるエッチングレートの大きい側である第２端縁を露出した状態で、第１端縁と第２段縁をエッチングする第２エッチング工程と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
また、前記マスクはレジスト膜と金属膜によって形成されており、第２エッチング工程で除去されるマスクはレジスト膜によって形成されるマスクであると好適である。
【０００９】
また、前記エッチングレートとは、水晶の結晶軸におけるＸ軸方向のエッチングレートであると好適である。
【００１０】
また、本発明に係る圧電振動片は、上記圧電振動片の製造方法によって製造されることを特徴とする。
【００１１】
また、本発明に係る圧電振動子は、上記圧電振動片の製造方法によって製造された圧電振動片と、それを収容するパッケージとを備えることを特徴とする。
【００１２】
また、本発明に係る発振器は、上記圧電振動子を備え、該圧電振動子は発振子として集積回路に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１３】
また、本発明に係る電子機器は、上記圧電振動子を備え、該圧電振動子は計時部に電気的に接続されていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明に係る電波時計は、上記圧電振動子を備え、該圧電振動子はフィルタ部に電気的に接続されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１５】
本発明の圧電振動片の製造方法によれば、第１マスクと第２マスクを用いてウエハをエッチングする際に、第２マスクを第１マスクにおけるエッチングレートが大きい側の端縁から所定の距離離間した位置に配置した状態でウエハをエッチングするので、エッチングレートが大きい側においては第２マスクがエッチングの妨げとなり、第２マスクを配置しない場合と比較してエッチングレートが小さくなる。その結果、圧電振動片に相当する領域において、結晶軸が異なるいずれの端縁（例えば＋Ｘ方向側の側面と−Ｘ方向側の側面）におけるエッチングレートをほぼ等しく（略等しく）することができ、エッチング残り量がほぼ均一な圧電振動片を得ることが可能になる。
【００１６】
さらに、本発明の圧電振動片の製造方法によれば、第１エッチング工程と第２エッチング工程といった少なくとも２段階のエッチング工程を行う際に、第１エッチング工程においてエッチングレートの小さい側である第１端縁をエッチングした後に、第２エッチング工程で第１端縁と第２端縁とをエッチングしている。即ち、エッチングレートの小さい側を予めある程度までエッチングした状態で第２エッチング工程を行うので、エッチング工程後のいずれの端縁のエッチング残り量をほぼ均一にすることが可能になる。
【００１７】
さらに、本発明の圧電振動片の製造方法によれば、レジスト膜と金属膜をマスク材として利用してエッチングをしているので、安価な材料かつ簡易な工程によってエッチングを行うことができ、製造コストの低減を図ることができる。
【００１８】
また、本発明におけるエッチングレートとは、水晶の結晶軸におけるＸ軸方向のエッチングレートである。これによれば、結晶軸方向におけるＸ−Ｙ平面で振動する圧電振動片において、Ｘ軸方向におけるエッチング残り量を均一にすることができるので、安定した周波数を長期にわたって得ることが可能になる。
【００１９】
また、本発明の圧電振動片によれば、音叉型圧電振動片の振動腕部の側面におけるエッチング残りが均一になるので、安定した周波数を長期にわたって得ることが可能になる。
【００２０】
本発明の圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計によれば、いずれもエッチング残りが均一な圧電振動片を使用しているので、作動信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】本発明の実施の形態に係る圧電振動子の外観斜視図である。
【図２】図１に示す圧電振動子の内部構成図であって、リッド基板を取り外した状態の平面図である。
【図３】図２に示すＡ−Ａ線に沿った圧電振動子の断面図である。
【図４】図１に示す圧電振動子を模式的に示す分解斜視図である。
【図５】圧電振動片を第１の表面側から見た平面図である。
【図６】圧電振動片を第２の表面側から見た平面図である。
【図７】図５のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図８】圧電振動片の製造方法を示すフローチャートである。
【図９】圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図および圧電振動片に対応するウエハの平面図である。
【図１０】圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図である。
【図１１】圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図および圧電振動片に対応するウエハの平面図である。
【図１２】本発明の実施の形態の第１変形例に係る圧電振動片の製造方法を示すフローチャートである。
【図１３】本発明の実施の形態の第１変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図および圧電振動片に対応するウエハの平面図である。
【図１４】本発明の実施の形態の第１変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態の第１変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図および圧電振動片に対応するウエハの平面図である。
【図１６】本発明の実施の形態の第２変形例に係る圧電振動片の製造方法を示すフローチャートである。
【図１７】本発明の実施の形態の第２変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図および圧電振動片に対応するウエハの平面図である。
【図１８】本発明の実施の形態の第２変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図である。
【図１９】本発明の実施の形態の第２変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図および圧電振動片に対応するウエハの平面図である。
【図２０】本発明の実施の形態の第２変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図および圧電振動片に対応するウエハの平面図である。
【図２１】本発明の実施の形態の第３変形例に係る圧電振動片の製造方法を示すフローチャートである。
【図２２】本発明の実施の形態の第３変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図および圧電振動片に対応するウエハの平面図である。
【図２３】本発明の実施の形態の第３変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図である。
【図２４】本発明の実施の形態の第３変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図および圧電振動片に対応するウエハの平面図である。
【図２５】本発明の実施の形態の第３変形例に係る圧電振動片の製造方法の各工程を説明する圧電振動片の一対の振動腕部に対応するウエハの部位の断面図および圧電振動片に対応するウエハの平面図である。
【図２６】本発明に係る発振器の一実施形態を示す構成図である。
【図２７】本発明に係る電子機器の一実施形態を示す構成図である。
【図２８】本発明に係る電波時計の一実施形態を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の一実施形態に係る圧電振動片の製造方法、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計について説明する。
【００２３】
本実施形態の圧電振動子１は、例えば図１〜図４に示すように、接合材３５を介して陽極接合されたベース基板２とリッド基板３とからなる箱状のパッケージ５と、パッケージ５の内部に封止されたキャビティＣに収容された圧電振動片４と、を備える表面実装型の圧電振動子１である。
【００２４】
そして、圧電振動片４とベース基板２に設置された外部電極３８，３９とは、ベース基板２を貫通する一対の貫通電極３２，３３によって電気的に接続されている。
なお、図４において、後述する励振電極１５と、引き出し電極１９，２０と、マウント電極１６，１７と、重り金属膜２１との図示は省略されている。
【００２５】
圧電振動片４は、例えば図５〜図７に示すように、水晶、タンタル酸リチウムやニオブ酸リチウムなどの圧電材料から形成された音叉型の圧電板２４を備え、所定の電圧の印加によって振動する。
この圧電板２４は、平行に配置された一対の振動腕部１０，１１と、一対の振動腕部１０，１１の基端を一体的に固定する基部１２と、を備えている。
【００２６】
また、一対の振動腕部１０，１１は、一対の振動腕部１０，１１を振動させる第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５を圧電材料からなる圧電体（圧電板２４）の表面上に備え、基部１２は、第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４と引き回し電極３６，３７とを電気的に接続する一対のマウント電極１６，１７を圧電材料からなる圧電体（圧電板２４）の表面上に備えている。
【００２７】
また、圧電板２４は、一対の振動腕部１０，１１の両主面上に、振動腕部１０，１１の長手方向（延在方向）に沿ってそれぞれ形成された溝部１８を備えている。
溝部１８は、例えば、振動腕部１０，１１の基端側からほぼ中央付近に至る間に形成されている。
【００２８】
第１の励振電極１３および第２の励振電極１４からなる励振電極１５は、一対の振動腕部１０，１１の外表面上に互いに電気的に絶縁された状態でパターニングされ、一対の振動腕部１０，１１を互いに接近または離間する方向に所定の周波数で振動させる。
より詳細には、例えば、第１の励振電極１３は、主に、第１の振動腕部１０の溝部１８上と、第２の振動腕部１１の両側面上とに設けられている。
また、第２の励振電極１４は、主に、第１の振動腕部１０の両側面上と、第２の振動腕部１１の溝部１８上とに設けられている。
【００２９】
第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４は、基部１２の両主面上において、それぞれ引き出し電極１９，２０を介してマウント電極１６，１７に電気的に接続されている。
これにより、圧電振動片４は、マウント電極１６，１７を介して電圧印加される。
【００３０】
なお、上述した励振電極１５と、マウント電極１６，１７と、引き出し電極１９，２０とは、例えば、圧電板２４の外表面上に順次積層された、クロム（Ｃｒ）などからなる下地膜（図示略）と、金（Ａｕ）などからなる仕上膜（図示略）とを備えて構成されている。
なお、下地膜は、例えば、仕上膜と圧電振動片４との密着性を増大させるために設けられている。
【００３１】
また、一対の振動腕部１０，１１は、例えば図５，６に示すように、自身の振動状態を所定の周波数の範囲内で振動するように調整するための周波数調整用に外表面上に被膜された重り金属膜２１を備えている。
重り金属膜２１は、例えば、周波数を粗く調整するための粗調膜２１ａと、微小調整するための微調膜２１ｂとを備えている。
この周波数調整は、粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂの重量調整によって行なわれ、一対の振動腕部１０，１１の周波数は所定の目標周波数の範囲内に収まるように調整される。
【００３２】
重り金属膜２１のうち、振動腕部１０，１１の先端側に形成された粗調膜２１ａは、例えば、順次積層された下地膜（図示略）及び仕上膜（図示略）を備えて構成されている。
これに対して、粗調膜２１ａよりも基端側に形成された微調膜２１ｂは、例えば、下地膜（図示略）により構成されている。
すなわち、重り金属膜２１を構成する下地膜及び仕上膜は、上述した励振電極１５と、マウント電極１６，１７と、引き出し電極１９，２０と同一の導電性材料により構成されている。
【００３３】
なお、重り金属膜２１は、振動腕部１０，１１における長手方向の先端部を回避した位置に形成されている。
より詳細には、例えば、振動腕部１０，１１の先端部は、振動腕部１０，１１の短手方向（幅方向）の全域に亘って重り金属膜２１を備えていない回避領域Ｒとなっており、この回避領域Ｒよりも基端側において振動腕部１０，１１の長手方向に沿って並んで配置された粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂを備えている。
【００３４】
圧電振動片４は、例えば図３，図４に示すように、金などのバンプＢによって、ベース基板２の表面（リッド基板３に対向する表面）上に設けられた引き回し電極３６，３７上にバンプ接合されている。
より詳細には、圧電振動片４の第１の励振電極１３は、第１のマウント電極１６及びバンプＢを介して第２の引き回し電極３７上にバンプ接合され、第２の励振電極１４は、第２のマウント電極１７及びバンプＢを介して第１の引き回し電極３６上にバンプ接合されている。
これにより、圧電振動片４はベース基板２の表面（リッド基板３に対向する表面）から浮いた状態で支持されるとともに、各マウント電極１６，１７と引き回し電極３６，３７とはそれぞれ電気的に接続されている。
【００３５】
リッド基板３は、ガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明の絶縁基板によって板状に形成されている。そして、ベース基板２に接合される接合面側には、圧電振動片４を収容可能な矩形状の凹部３ａを備えている。
この凹部３ａは、両基板２，３が重ね合わされたときに、ベース基板２の表面（リッド基板３に対向する表面）とによって、圧電振動片４を収容するキャビティＣを形成する。
【００３６】
リッド基板３は、ベース基板２に対向する表面全体に設けられた接合材３５を備えている。
接合材３５は、例えばベース基板２との接合面および凹部３ａの内面全体に亘って設けられている。
【００３７】
なお、本実施形態の接合材３５はＳｉ膜によって形成されているが、これに限定されず、例えば接合材３５はＡｌによって形成されてもよい。
また、接合材３５は、例えばドーピングなどにより低抵抗化されたＳｉバルク材によって形成されてもよい。
そして、リッド基板３は、凹部３ａをベース基板２側に対向させた状態でベース基板２に対して接合材３５を介して陽極接合され、キャビティＣを気密封止している。
【００３８】
ベース基板２は、リッド基板３と同様にガラス材料、例えばソーダ石灰ガラスからなる透明な絶縁基板によって、リッド基板３に対して重ね合わせ可能な大きさの板状に形成されている。
ベース基板２は、厚さ方向に貫通するとともにキャビティＣ内にて開口する一対のスルーホール３０，３１を備えている。
【００３９】
より詳細には、例えば、本実施形態のスルーホール３０，３１のうち、第１のスルーホール３０は、実装された圧電振動片４の基部１２に臨む位置に形成されている。
また、第２のスルーホール３１は、振動腕部１０，１１の先端部に臨む位置に形成されている。
また、これらのスルーホール３０，３１は、ベース基板２の第１の表面から第２の表面（リッド基板３に対向する表面）に向かって漸次径が縮径した断面テーパ状に形成されている。
【００４０】
なお、本実施形態では、各スルーホール３０，３１は断面テーパ状に形成されているとしたが、これに限定されず、例えばベース基板２を同一径にて厚さ方向に貫通するスルーホールでもあってもよく、要するにベース基板２を貫通していればよい。
【００４１】
一対のスルーホール３０，３１は、各スルーホール３０，３１を埋めるように形成された一対の貫通電極３２，３３を備えている。
貫通電極３２，３３は、焼成によってスルーホール３０，３１に対して一体的に固定された筒体６及び芯材部７によって形成され、スルーホール３０，３１を塞いでキャビティＣ内の気密を維持するとともに、後述する外部電極３８，３９と引き回し電極３６，３７とを導通させる。
より詳細には、例えば、第１の貫通電極３２は、外部電極３８と基部１２との間で引き回し電極３６に臨んで配置され、第２の貫通電極３３は、外部電極３９と振動腕部１１との間で引き回し電極３７に臨んで配置されている。
【００４２】
筒体６は、ペースト状のガラスフリットの焼成によって形成されている。
より詳細には、例えば、筒体６は、平坦な両端およびベース基板２とほぼ同じ厚みを有する円筒状に形成されている。
そして、筒体６は、筒体６を厚さ方向に貫通する中心孔に挿入された芯材部７を固定している。
また、本実施形態ではスルーホール３０，３１の形状に合わせて、筒体６の外形は円錐状（断面テーパ状）となるように形成されている。そして、この筒体６は、スルーホール３０，３１内に埋め込まれた状態で焼成されており、これらスルーホール３０，３１に対して強固に固着されている。
【００４３】
芯材部７は、金属材料により円柱状に形成された導電性の芯材であり、筒体６と同様に平坦な両端およびベース基板２の厚みとほぼ同じ厚さを有している。
なお、製造後の貫通電極３２，３３において、上述したように芯材部７は円柱状かつ
ベース基板２の厚みとほぼ同じ厚さを有しているが、製造過程においては、芯材部７の長さは、製造過程の当初のベース基板２の厚さよりも所定長さ（例えば、０．０２ｍｍ）だけ短く設定されている。
【００４４】
芯材部７は、筒体６の中心孔６ｃに位置しており、筒体６の焼成によって筒体６に対して強固に固着される。
そして、貫通電極３２，３３は、導電性の芯材部７によって電気導通性が確保されている。
【００４５】
ベース基板２は、リッド基板３が接合される接合面側の表面上に、導電性材料（例えば、アルミニウム）によってパターニングされた一対の引き回し電極３６，３７を備えている。
一対の引き回し電極３６，３７は、一対の貫通電極３２，３３のうち、第１の貫通電極３２と圧電振動片４の第２のマウント電極１７とを電気的に接続するとともに、第２の貫通電極３３と圧電振動片４の第１のマウント電極１６とを電気的に接続する。
【００４６】
より詳細には、例えば、第１の引き回し電極３６は、圧電振動片４の基部１２において第１の貫通電極３２に臨むように設けられている。
また、第２の引き回し電極３７は、第１の引き回し電極３６に隣接した位置から、振動腕部１０，１１に沿って振動腕部１０，１１の先端側に引き回された後、第２の貫通電極３３に臨むように設けられている。
【００４７】
これにより、圧電振動片４の第２のマウント電極１７は、第１の引き回し電極３６を介して第１の貫通電極３２に導通される。第１のマウント電極１６は、第２の引き回し電極３７を介して第２の貫通電極３３に導通される。
【００４８】
ベース基板２は、一対の貫通電極３２，３３に対してそれぞれ電気的に接続される外部電極３８，３９を第１の表面上に備えている。
第１の外部電極３８は、第１の貫通電極３２及び第１の引き回し電極３６を介して圧電振動片４の第２の励振電極１４に電気的に接続されている。
また、第２の外部電極３９は、第２の貫通電極３３及び第２の引き回し電極３７を介して、圧電振動片４の第１の励振電極１３に電気的に接続されている。
【００４９】
この圧電振動子１は、ベース基板２に形成された外部電極３８，３９に対して所定の駆動電圧が印加されることによって作動し、圧電振動片４の第１の励振電極１３及び第２の励振電極１４からなる励振電極１５に電流を流すことによって、一対の振動腕部１０，１１を接近および離間させる方向に所定の周波数で振動させる。
この一対の振動腕部１０，１１の振動は、時刻源、制御信号のタイミング源やリファレンス信号源などとして用いられる。
なお、ここではガラス材によって形成されるパッケージに圧電振動片４を収容する圧電振動子について説明しているが、圧電振動片４を収容可能なパッケージの形態はこれに限られるものではなく、例えばセラミック基板と金属リッドから構成されるセラミックパッケージであってもよい。
【００５０】
（圧電振動片の製造方法）
以下に、例えば図８から図１１に示すように、圧電振動片４を作製する圧電振動片４の製造方法について説明する。
先ず、水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハＳとする。
次に、ウエハＳをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、この後、ポリッシュなどの鏡面研磨加工を行なって所定の厚みとする（ステップＳ０１）。
【００５１】
次に、図９（Ａ）に示すように、ウエハＳの両主面にエッチング保護膜４０と外形フォトレジスト膜４１をそれぞれ成膜する（ステップＳ０２）。
エッチング保護膜４０は、例えばクロム（Ｃｒ）を数１００Å成膜した第１エッチング保護膜４０ａと、金（Ａｕ）を数１００Å成膜した第２エッチング保護膜４０ｂとが、順次積層された積層膜である。
【００５２】
このステップＳ０２においては、先ず、ウエハＳの両主面に、順次、第１エッチング保護膜４０ａと第２エッチング保護膜４０ｂとを、それぞれスパッタリング法や蒸着法などにより成膜する。
次いで、エッチング保護膜４０上に、スピンコート法などによりレジスト材料を塗布して、外形フォトレジスト膜４１を形成する。
なお、本実施形態で用いるレジスト材料としては、環化ゴム（例えば、環化イソプレン）を主体にしたゴム系ネガレジストが好適に用いられている。ゴム系ネガレジストは、環化ゴムを有機溶剤に溶解し、さらにビスアジド感光剤を加えて、ろ過し、不純物を除去することで精製されたものである。
【００５３】
次に、エッチング保護膜４０および外形フォトレジスト膜４１が成膜されたウエハＳの両主面を、外形パターンおよび外形補助パターンが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。
これによって、図９（Ｂ）に示すように、外形フォトレジスト膜４１に外形パターン４１Ａおよび外形補助パターン４１Ｂを同時に形成する（ステップＳ０３）。
【００５４】
外形パターン４１Ａは、圧電振動片４の外形に沿った形状である。
外形補助パターン４１Ｂは、外形パターン４１Ａのうち圧電振動片４の一対の振動腕部１０，１１に対応する部位において、各振動腕部１０，１１の延在方向に直交する方向（幅方向）の両端面（第１および第２の端面）のうち、エッチングレートがより大きい方の端面から法線方向に所定距離だけ離れた位置（第１領域内の位置）に設けられ、各振動腕部１０，１１の延在方向に平行に延びる長方形板状などの形状である。なお、外形パターン４１Ａを「第１マスク」、外形補助パターン４１Ｂを「第２マスク」とする。
【００５５】
図１０（Ａ）に示すように、法線方向が逆方向となる一対の第１および第２の端面ＳＡ，ＳＢは、例えば、ウエハＳを構成する水晶の結晶軸のＸ軸の−Ｘ方向側の端面ＳＡおよび＋Ｘ方向側の端面ＳＢであり、エッチングレートがより大きい方の端面は−Ｘ方向側の端面ＳＡであり、エッチングレートがより小さい方の端面は＋Ｘ方向側の端面ＳＢである。
【００５６】
外形補助パターン４１Ｂは、外形パターン４１Ａの−Ｘ方向側の端部４１Ａａから第１の端面ＳＡの法線方向に所定距離Ｌ１以内の第１領域αと、外形パターン４１Ａの＋Ｘ方向側の端部４１Ａｂから第２の端面ＳＢの法線方向に所定距離Ｌ１以内の第２領域βとのうち、第１領域αのみに設けられる。
なお、外形補助パターン４１Ｂの位置および大きさは、第１領域αおよび第２領域βの実質的なエッチングレートが同一になるように設定される。
【００５７】
次に、外形パターン４１Ａおよび外形補助パターン４１Ｂが形成された外形フォトレジスト膜４１をマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第２エッチング保護膜４０ｂのみを選択的に除去する（ステップＳ０４）。
次に、エッチング加工後に外形フォトレジスト膜４１を剥離する（ステップＳ０５）。
これらによって、図９（Ｃ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂに外形パターン４０ｂＡおよび外形補助パターン４０ｂＢを形成する。
【００５８】
なお、エッチング加工には、エッチング保護膜４０と外形フォトレジスト膜４１が形成されたウエハＳを薬液に浸漬して行うウェットエッチング方式を用いることができる。
具体的には、例えば、金（Ａｕ）が成膜された第２エッチング保護膜４０ｂは薬液としてヨウ素を用いてエッチングすることができる。
なお、このパターニングは、複数の圧電振動片４の数だけ、一括して行なう。
【００５９】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂをマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第１エッチング保護膜４０ａを選択的に除去する（ステップＳ０６）。
これによって、図９（Ｄ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａに外形パターン４０ａＡおよび外形補助パターン４０ａＢを形成する。
【００６０】
なお、エッチング加工には、第１エッチング保護膜４０ａが形成されたウエハＳを薬液に浸漬して行うウェットエッチング方式を用いることができる。
具体的には、例えば、クロム（Ｃｒ）が成膜された第１エッチング保護膜４０ａは薬液としてフェリシアン化カリウムを用いてエッチングすることができる。
【００６１】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂによる外形パターン４０ｂＡおよび外形補助パターン４０ｂＢと、第１エッチング保護膜４０ａによる外形パターン４０ａＡおよび外形補助パターン４０ａＢとが形成されたウエハＳの両主面の全面にレジスト材料を塗布して、図９（Ｅ）に示すように、溝部フォトレジスト膜４２を形成する（ステップＳ０７）。
【００６２】
次に、溝部フォトレジスト膜４２が成膜されたウエハＳの両主面を、溝部パターンおよび溝部補助パターンが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。
これによって、図９（Ｆ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂによる外形補助パターン４０ｂＢおよび第１エッチング保護膜４０ａによる外形補助パターン４０ａＢを露出させるとともに、溝部フォトレジスト膜４２に溝部パターン４２Ａおよび溝部補助パターン４２Ｂを同時に形成する（ステップＳ０８）。
【００６３】
溝部パターン４２Ａは、圧電振動片４の溝部１８の外形に沿った貫通孔を有する形状である。
溝部補助パターン４２Ｂは、溝部パターン４２Ａの貫通孔において、各振動腕部１０，１１の延在方向に直交する方向（幅方向）の溝部１８の両内壁面（第１および第２の内壁面）のうち、エッチングレートがより大きい方の内壁面から法線方向に所定距離だけ離れた位置に設けられ、溝部１８の延在方向に平行に延びる長方形板状などの形状である。
【００６４】
図１０（Ｂ）に示すように、法線方向が逆方向となる一対の第１および第２の内壁面ＳＣ，ＳＤは、例えば、ウエハＳを構成する水晶の結晶軸のＸ軸の−Ｘ方向側に向く内壁面ＳＣおよび＋Ｘ方向側に向く内壁面ＳＤであり、エッチングレートがより大きい方の内壁面は−Ｘ方向側に向く内壁面ＳＣであり、エッチングレートがより小さい方の内壁面は＋Ｘ方向側に向く内壁面ＳＤである。
【００６５】
溝部補助パターン４２Ｂは、溝部パターン４２Ａの貫通孔の−Ｘ方向側に向く内壁部（端部）４２Ａａから第１の内壁面ＳＣの法線方向に所定距離Ｌ２以内の第１領域γと、溝部パターン４２Ａの貫通孔の＋Ｘ方向側に向く内壁部（端部）４２Ａｂから第２の内壁面ＳＤの法線方向に所定距離Ｌ２以内の第２領域δとのうち、第１領域γのみに設けられる。
なお、溝部補助パターン４２Ｂの位置および大きさは、第１領域γおよび第２領域δの実質的なエッチングレートが同一になるように設定される。
【００６６】
次に、溝部フォトレジスト膜４２をマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないウエハＳを選択的に除去する（ステップＳ０９）。
このエッチング加工は、例えば、フッ酸を薬液とするウェットエッチングである。
これによって、図１１（Ａ）に示すように、露出した第２エッチング保護膜４０ｂによる外形補助パターン４０ｂＢおよび第１エッチング保護膜４０ａによる外形補助パターン４０ａＢをウエハＳとともに除去し、圧電振動片４の外形形状を形成する。
【００６７】
このエッチング加工においては、各振動腕部１０，１１の幅方向における外形パターン４０ｂＡ，４０ａＡの両端部に設定された第１領域αおよび第２領域βにおいて、第２領域βよりも本来固有のエッチングレートが大きい第１領域αのみに、エッチングを抑制する外形補助パターン４０ｂＢ，４０ａＢが設けられている。
これによって、第１領域αの実質的なエッチングレートは本来固有のエッチングレートよりも低下し、第１領域αおよび第２領域βの実質的なエッチングレートが同一になっており、エッチング工程の終了時には、各振動腕部１０，１１の幅方向におけるウエハＳの両端部に均一のエッチング残りが形成される。
【００６８】
次に、溝部パターン４２Ａおよび溝部補助パターン４２Ｂが形成された溝部フォトレジスト膜４２をマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第２エッチング保護膜４０ｂの外形パターン４０ｂＡのみを選択的に除去する（ステップＳ１０）。
次に、エッチング加工後に溝部フォトレジスト膜４２を剥離する（ステップＳ１１）。
これらによって、図１１（Ｂ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂに溝部パターン４０ｂＣおよび溝部補助パターン４０ｂＤを形成する。
【００６９】
次に、溝部パターン４０ｂＣおよび溝部補助パターン４０ｂＤが形成された第２エッチング保護膜４０ｂをマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第１エッチング保護膜４０ａの外形パターン４０ａＡのみを選択的に除去する（ステップＳ１２）。
これによって、図１１（Ｃ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａに溝部パターン４０ａＣおよび溝部補助パターン４０ａＤを形成する。
【００７０】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂの溝部パターン４０ｂＣおよび第１エッチング保護膜４０ａの溝部パターン４０ａＣをマスクとして、マスクされていないウエハＳを選択的にハーフエッチング加工して溝部Ｓａを形成する（ステップＳ１３）。
これによって、図１１（Ｄ）に示すように、露出した第２エッチング保護膜４０ｂの溝部補助パターン４０ｂＤおよび第１エッチング保護膜４０ａの溝部補助パターン４０ａＤをウエハＳとともに除去し、圧電振動片４の溝部形状を形成する。
【００７１】
このエッチング加工においては、各振動腕部１０，１１の幅方向における溝部パターン４０ｂＣ，４０ａＣの貫通孔の両内壁面に設定された第１領域γおよび第２領域δにおいて、第２領域δよりも本来固有のエッチングレートが大きい第１領域γのみに、エッチングを抑制する溝部補助パターン４０ｂＤ，４０ａＤが設けられている。
これによって、第１領域γの実質的なエッチングレートは本来固有のエッチングレートよりも低下し、第１領域γおよび第２領域δの実質的なエッチングレートが同一になっており、エッチング工程の終了時には、各振動腕部１０，１１の幅方向におけるウエハＳの溝部Ｓａの両端部に均一のエッチング残りが形成される。
【００７２】
次に、図１１（Ｅ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂの溝部パターン４０ｂＣのみを選択的に除去するエッチング加工を行なう（ステップＳ１４）。
次に、図１１（Ｆ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａの溝部パターン４０ａＣのみを選択的に除去するエッチング加工を行なう（ステップＳ１５）。
【００７３】
次に、複数の圧電板２４の外表面上に電極膜をパターニングして、励振電極１３，１４と、マウント電極１６，１７と、引き出し電極１９，２０と、をそれぞれ形成する電極形成（ステップＳ１６）を実行する。
【００７４】
より詳細には、溝部１８を有する圧電板２４の外表面上に、蒸着法やスパッタリング法などにより、クロム（Ｃｒ）などからなる下地膜と、金（Ａｕ）などからなる仕上膜とを積層してなる電極膜を成膜する。
次に、電極膜の表面上にフォトレジスト材を塗布してフォトレジスト膜を成膜し、複数の圧電板２４において同一パターンとなる各電極１３〜２０の所定パターンでの遮光性を有する遮光膜パターンをフォトレジスト膜の表面上に配置する。
【００７５】
次に、遮光膜パターンを介してフォトレジスト膜に紫外線を照射する露光を行ない、フォトレジスト膜を現像液に浸漬し、フォトレジスト膜のうち紫外線により露光された所定パターンの領域のみを選択的に除去する。
次に、金（Ａｕ）などからなる仕上膜のうちフォトレジスト膜によりマスクされていない領域のみを選択的にエッチングにより除去し、クロム（Ｃｒ）などからなる下地膜のうちフォトレジスト膜によりマスクされていない領域のみを選択的にエッチングにより除去する。これによって、電極膜２６のうちフォトレジスト膜によりマスクされている領域のみが残存する。そして、電極膜の表面上からフォトレジスト膜を剥離する。
【００７６】
次に、一対の振動腕部１０，１１の先端に周波数調整用の粗調膜２１ａおよび微調膜２１ｂからなる重り金属膜２１を形成する重り金属膜の形成工程（ステップＳ１７）を実行する。
より詳細には、例えば、粗調膜２１ａ及び微調膜２１ｂの形成領域に下地膜を形成した後、下地膜における粗調膜２１ａの形成領域上に仕上膜を形成する。
この際、振動腕部１０，１１における先端部の回避領域Ｒよりも基端側に重り金属膜２１を形成する。
【００７７】
なお、例えば、微調膜２１ｂは、約１５００Å程度の膜厚を有し、粗調膜２１ａは、約３μｍ程度の膜厚を有している。
また、本実施形態では、励振電極１３，１４と、引き出し電極１９，２０と、マウント電極１６，１７の電極部と、重り金属膜２１とを、それぞれ別工程で形成するとしたが、これに限定されず、同一工程で一括して形成してもよい。
【００７８】
次に、ウエハに形成された全ての振動腕部１０，１１に対して、周波数を粗く調整する粗調工程（ステップＳ１８）を実行する。
詳細には、先ず、ウエハに形成された全ての振動腕部１０，１１の周波数をまとめて測定し、測定された周波数と予め定められた目標周波数との差に応じて、トリミング量を算出する。
そして、重り金属膜２１の粗調膜２１ａにレーザ光を照射して一部を蒸発させ、トリミング量に応じて粗調膜２１ａを除去（トリミング）する。
なお、共振周波数をより高精度に調整する微調は、例えば実装後に行なう。
【００７９】
次に、ウエハと圧電板２４とを連結している連結部を切断して、複数の圧電板２４をウエハから切り離して個片化する切断工程（ステップＳ１９）を実行する。
これにより、１枚のウエハから、音叉型の圧電振動片４を一度に複数製造する。
以上により、圧電振動片の製造方法は終了する。
【００８０】
上述したように、本実施の形態による圧電振動片４の製造方法によれば、ウエハＳのエッチング加工によって圧電振動片４の外形形状および溝部形状を形成する際に、外形補助パターン４０ｂＢ，４０ａＢおよび溝部補助パターン４０ｂＤ，４０ａＤによって、第１領域α，γの実質的なエッチングレートを本来固有のエッチングレートよりも低下させる。
これによって、第１領域α，γおよび第２領域β，δの実質的なエッチングレートを等しくすることができ、ウエハＳの両端部およびウエハＳの溝部Ｓａの両端部のエッチング残りが不均一になることを防止することができる。
【００８１】
（第１変形例、圧電振動片の製造方法）
なお、上述した実施の形態においては、圧電振動片４の外形形状のパターニングを行なった後に溝部形状のパターニングを行なうとしたが、これに限定されず、例えば、圧電振動片４の外形形状および溝部形状のパターニングを同時に行ってもよい。
【００８２】
以下に、例えば図１２から図１５に示すように、圧電振動片４を作製する圧電振動片４の製造方法の第１変形例について説明する。
先ず、水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハＳとする。
次に、ウエハＳをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、この後、ポリッシュなどの鏡面研磨加工を行なって所定の厚みとする（ステップＳ２１）。
【００８３】
次に、図１３（Ａ）に示すように、ウエハＳの両主面にエッチング保護膜４０とフォトレジスト膜５１をそれぞれ成膜する（ステップＳ２２）。
エッチング保護膜４０は、例えばクロム（Ｃｒ）を数μｍ成膜した第１エッチング保護膜４０ａと、金（Ａｕ）を数μｍ成膜した第２エッチング保護膜４０ｂとが、順次積層された積層膜である。
【００８４】
このステップＳ２２においては、先ず、ウエハＳの両主面に、順次、第１エッチング保護膜４０ａと第２エッチング保護膜４０ｂとを、それぞれスパッタリング法や蒸着法などにより成膜する。
次いで、エッチング保護膜４０上に、スピンコート法などによりレジスト材料を塗布して、フォトレジスト膜５１を形成する。
【００８５】
次に、エッチング保護膜４０およびフォトレジスト膜５１が成膜されたウエハＳの両主面を、外形および溝部パターンと、外形補助パターンと、溝部補助パターンとが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。
これによって、図１３（Ｂ）に示すように、フォトレジスト膜５１に外形および溝部パターン５１Ａと、外形補助パターン５１Ｂと、溝部補助パターン５１Ｃと、を同時に形成する（ステップＳ２３）。
【００８６】
外形および溝部パターン５１Ａは、圧電振動片４および溝部１８の外形に沿った形状である。
外形補助パターン５１Ｂは、外形および溝部パターン５１Ａのうち圧電振動片４の一対の振動腕部１０，１１に対応する部位において、各振動腕部１０，１１の延在方向に直交する方向（幅方向）の両端面（第１および第２の端面）のうち、エッチングレートがより大きい方の端面から法線方向に所定距離だけ離れた位置（第１領域内の位置）に設けられ、各振動腕部１０，１１の延在方向に平行に延びる長方形板状などの形状である。
する（ステップＳ２３）。
【００８７】
溝部補助パターン５１Ｃは、外形および溝部パターン５１Ａの貫通孔において、各振動腕部１０，１１の延在方向に直交する方向（幅方向）の溝部１８の両内壁面（第１および第２の内壁面）のうち、エッチングレートがより大きい方の内壁面から法線方向に所定距離だけ離れた位置に設けられ、溝部１８の延在方向に平行に延びる長方形板状などの形状である。
【００８８】
図１４に示すように、法線方向が逆方向となる一対の第１および第２の端面ＳＡ，ＳＢは、例えば、ウエハＳを構成する水晶の結晶軸のＸ軸の−Ｘ方向側の端面ＳＡおよび＋Ｘ方向側の端面ＳＢであり、エッチングレートがより大きい方の端面は−Ｘ方向側の端面ＳＡであり、エッチングレートがより小さい方の端面は＋Ｘ方向側の端面ＳＢである。
する（ステップＳ２３）。
【００８９】
外形補助パターン５１Ｂは、外形および溝部パターン５１Ａの−Ｘ方向側の端部５１Ａａから第１の端面ＳＡの法線方向に所定距離Ｌ１以内の第１領域αと、外形および溝部パターン５１Ａの＋Ｘ方向側の端部５１Ａｂから第２の端面ＳＢの法線方向に所定距離Ｌ１以内の第２領域βとのうち、第１領域αのみに設けられる。
なお、外形補助パターン５１Ｂの位置および大きさは、第１領域αおよび第２領域βの実質的なエッチングレートが同一になるように設定される。
【００９０】
また、法線方向が逆方向となる一対の第１および第２の内壁面ＳＣ，ＳＤは、例えば、ウエハＳを構成する水晶の結晶軸のＸ軸の−Ｘ方向側に向く内壁面ＳＣおよび＋Ｘ方向側に向く内壁面ＳＤであり、エッチングレートがより大きい方の内壁面は−Ｘ方向側に向く内壁面ＳＣであり、エッチングレートがより小さい方の内壁面は＋Ｘ方向側に向く内壁面ＳＤである。
【００９１】
溝部補助パターン５１Ｃは、外形および溝部パターン５１Ａの貫通孔の−Ｘ方向側に向く内壁部（端部）５１Ａｃから第１の内壁面ＳＣの法線方向に所定距離Ｌ２以内の第１領域γと、外形および溝部パターン５１Ａの貫通孔の＋Ｘ方向側に向く内壁部（端部）５１Ａｄから第２の内壁面ＳＤの法線方向に所定距離Ｌ２以内の第２領域δとのうち、第１領域γのみに設けられる。
なお、溝部補助パターン５１Ｃの位置および大きさは、第１領域γおよび第２領域δの実質的なエッチングレートが同一になるように設定される。
【００９２】
次に、外形および溝部パターン５１Ａおよび外形補助パターン５１Ｂおよび溝部補助パターン５１Ｃが形成されたフォトレジスト膜５１をマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第２エッチング保護膜４０ｂのみを選択的に除去する（ステップＳ２４）。
次に、エッチング加工後にフォトレジスト膜５１を剥離する（ステップＳ２５）。
これらによって、図１３（Ｃ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂに溝部パターン４０ｂＣおよび外形補助パターン４０ｂＢおよび溝部補助パターン４０ｂＤを形成する。
【００９３】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂによる溝部パターン４０ｂＣおよび外形補助パターン４０ｂＢおよび溝部補助パターン４０ｂＤが形成されたウエハＳの両主面において、溝部パターン４０ｂＣおよび溝部補助パターン４０ｂＤの全面にレジスト材料を塗布する。
そして、図１３（Ｄ）に示すように、溝部保護フォトレジスト膜５２を形成する（ステップＳ２６）。
【００９４】
次に、溝部保護フォトレジスト膜５２と、露出した第２エッチング保護膜４０ｂの外形補助パターン４０ｂＢと、をマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第１エッチング保護膜４０ａを選択的に除去する（ステップＳ２７）。
これによって、図１３（Ｅ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａに外形パターン４０ａＡおよび外形補助パターン４０ａＢを形成する。
【００９５】
次に、溝部保護フォトレジスト膜５２をマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないウエハＳを選択的に除去する（ステップＳ２８）。
このエッチング加工によって、図１３（Ｆ）に示すように、露出した第２エッチング保護膜４０ｂの外形補助パターン４０ｂＢおよび第１エッチング保護膜４０ａの外形補助パターン４０ａＢをウエハＳとともに除去し、圧電振動片４の外形形状を形成する。
【００９６】
このエッチング加工においては、各振動腕部１０，１１の幅方向における外形パターン４０ｂＡ，４０ａＡの両端部に設定された第１領域αおよび第２領域βにおいて、第２領域βよりも本来固有のエッチングレートが大きい第１領域αのみに、エッチングを抑制する外形補助パターン４０ｂＢ，４０ａＢが設けられている。
これによって、第１領域αの実質的なエッチングレートは本来固有のエッチングレートよりも低下し、第１領域αおよび第２領域βの実質的なエッチングレートが同一になっており、エッチング工程の終了時には、各振動腕部１０，１１の幅方向におけるウエハＳの両端部に均一のエッチング残りが形成される。
【００９７】
次に、図１５（Ａ）に示すように、溝部保護フォトレジスト膜５２を剥離する（ステップＳ２９）。
【００９８】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂの溝部パターン４０ｂＣおよび溝部補助パターン４０ｂＤをマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていない第１エッチング保護膜４０ａの外形パターン４０ａＡを選択的に除去する（ステップＳ３０）。
これによって、図１５（Ｂ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａに溝部パターン４０ａＣおよび溝部補助パターン４０ａＤを形成する。
【００９９】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂの溝部パターン４０ｂＣおよび第１エッチング保護膜４０ａの溝部パターン４０ａＣをマスクとして、マスクされていないウエハＳを選択的にハーフエッチング加工して溝部Ｓａを形成する（ステップＳ３１）。
これによって、図１５（Ｃ）に示すように、露出した第２エッチング保護膜４０ｂの溝部補助パターン４０ｂＤおよび第１エッチング保護膜４０ａの溝部補助パターン４０ａＤをウエハＳとともに除去し、圧電振動片４の溝部形状を形成する。
【０１００】
このエッチング加工においては、各振動腕部１０，１１の幅方向における溝部パターン４０ｂＣ，４０ａＣの貫通孔の両内壁面に設定された第１領域γおよび第２領域δにおいて、第２領域δよりも本来固有のエッチングレートが大きい第１領域γのみに、エッチングを抑制する溝部補助パターン４０ｂＤ，４０ａＤが設けられている。
これによって、第１領域γの実質的なエッチングレートは本来固有のエッチングレートよりも低下し、第１領域γおよび第２領域δの実質的なエッチングレートが同一になっており、エッチング工程の終了時には、各振動腕部１０，１１の幅方向におけるウエハＳの溝部Ｓａの両端部に均一のエッチング残りが形成される。
【０１０１】
次に、図１５（Ｄ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂの溝部パターン４０ｂＣのみを選択的に除去するエッチング加工を行なう（ステップＳ３２）。
次に、図１５（Ｅ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａの溝部パターン４０ａＣのみを選択的に除去するエッチング加工を行なう（ステップＳ３３）。
【０１０２】
次に、上述した実施の形態と同一の電極形成（ステップＳ１６）と、重り金属膜の形成工程（ステップＳ１７）と、粗調工程（ステップＳ１８）と、切断工程（ステップＳ１９）と、を実行する。
【０１０３】
この第１変形例によれば、エッチング保護膜４０およびフォトレジスト膜５１が成膜されたウエハＳの両主面を、外形および溝部パターンと、外形補助パターンと、溝部補助パターンとが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。これによって、各パターンを形成するためのそれぞれのフォトマスクの位置合わせ工程が不要となり、加工ごとに位置合わせ精度に誤差が生じることを防止することができる。また、各パターンを形成するためのそれぞれのフォトマスクの熱膨張量の差異に起因して、複数形成される圧電振動片の外形パターンピッチと溝部パターンピッチとが合致しなくなることを防止することができる。これらによって、ウエハ面内の、例えば、中心領域と周辺領域において、ばらつくことなく、振動子特性の悪化や歩留まりの低下を防止することができる。
【０１０４】
（第２変形例、圧電振動片の製造方法）
なお、上述した実施の形態においては、第２領域β，δよりも本来固有のエッチングレートが大きい第１領域α，γのみに、エッチングを抑制する各パターン４０ｂＢ，４０ａＢ，４０ｂＤ，４０ａＤを設けるとしたが、これに限定されず、本来固有のエッチングレートが小さい第２領域β，δに対して優先的に先行してエッチング加工を行なった後に、第１領域α，γおよび第２領域β，δに対してエッチング加工を行なってもよい。
【０１０５】
以下に、例えば図１６から図２０に示すように、圧電振動片４を作製する圧電振動片４の製造方法の第２変形例について説明する。
先ず、水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハＳとする。
次に、ウエハＳをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、この後、ポリッシュなどの鏡面研磨加工を行なって所定の厚みとする（ステップＳ４１）。
【０１０６】
次に、図１７（Ａ）に示すように、ウエハＳの両主面にエッチング保護膜４０と外形フォトレジスト膜４１をそれぞれ成膜する（ステップＳ４２）。
エッチング保護膜４０は、例えばクロム（Ｃｒ）を数μｍ成膜した第１エッチング保護膜４０ａと、金（Ａｕ）を数μｍ成膜した第２エッチング保護膜４０ｂとが、順次積層された積層膜である。
【０１０７】
このステップＳ４２においては、先ず、ウエハＳの両主面に、順次、第１エッチング保護膜４０ａと第２エッチング保護膜４０ｂとを、それぞれスパッタリング法や蒸着法などにより成膜する。
次いで、エッチング保護膜４０上に、スピンコート法などによりレジスト材料を塗布して、外形フォトレジスト膜４１を形成する。
【０１０８】
次に、エッチング保護膜４０および外形フォトレジスト膜４１が成膜されたウエハＳの両主面を、外形パターンおよび外形補助パターンが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。
これによって、図１７（Ｂ）に示すように、外形フォトレジスト膜４１に外形パターン４１Ａを形成する（ステップＳ４３）。
外形パターン４１Ａは、圧電振動片４の外形に沿った形状である。
【０１０９】
次に、外形パターン４１Ａが形成された外形フォトレジスト膜４１をマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第２エッチング保護膜４０ｂのみを選択的に除去する（ステップＳ４４）。
次に、エッチング加工後に外形フォトレジスト膜４１を剥離する（ステップＳ４５）。
これらによって、図１７（Ｃ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂに外形パターン４０ｂＡを形成する。
【０１１０】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂをマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第１エッチング保護膜４０ａを選択的に除去する（ステップＳ４６）。
これによって、図１７（Ｄ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａに外形パターン４０ａＡを形成する。
【０１１１】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂによる外形パターン４０ｂＡと、第１エッチング保護膜４０ａによる外形パターン４０ａＡとが形成されたウエハＳの両主面の全面にレジスト材料を塗布して、図１７（Ｅ）に示すように、溝部フォトレジスト膜４３を形成する（ステップＳ４７）。
【０１１２】
次に、溝部フォトレジスト膜４３が成膜されたウエハＳの両主面を、溝部パターンが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。
これによって、図１７（Ｆ）に示すように、溝部フォトレジスト膜４３に溝部パターン４３Ａを形成する（ステップＳ４８）。
【０１１３】
溝部パターン４３Ａは、圧電振動片４および溝部１８の外形に沿った形状であり、圧電振動片４の外形形状に対しては、圧電振動片４の一対の振動腕部１０，１１に対応する部位において、各振動腕部１０，１１の延在方向に直交する方向（幅方向）の両端面（第１および第２の端面）のうち、エッチングレートがより大きい方の端面を形成する端部から、この端面の法線方向に所定距離だけ張り出すような形状である。
【０１１４】
図１８（Ａ）に示すように、法線方向が逆方向となる一対の第１および第２の端面ＳＡ，ＳＢは、例えば、ウエハＳを構成する水晶の結晶軸のＸ軸の−Ｘ方向側の端面ＳＡおよび＋Ｘ方向側の端面ＳＢであり、エッチングレートがより大きい方の端面は−Ｘ方向側の端面ＳＡであり、エッチングレートがより小さい方の端面は＋Ｘ方向側の端面ＳＢである。
【０１１５】
溝部パターン４３Ａは、第１の端面ＳＡを形成する外形パターン４１Ａの−Ｘ方向側の端部４１Ａ１から、第１の端面ＳＡの法線方向に所定距離Ｌａだけ張り出すように形成された端部４３Ａ１を備え、第２の端面ＳＢを形成する外形パターン４１Ａの＋Ｘ方向側の端部４１Ａ２から、第２の端面ＳＢの法線方向に所定距離Ｌａよりも小さい所定距離Ｌｂ（＜Ｌａ）だけ張り出すように形成された端部４３Ａ２を備えている。
【０１１６】
なお、各端部４３Ａ１，４２Ａ２の所定距離Ｌａ，Ｌｂは、各端面ＳＡ，ＳＢから法線方向に各所定距離Ｌａ，Ｌｂの第１領域αおよび第２領域βの実質的なエッチングに要する時間が同一になるように設定される。
また、圧電振動片４の溝部形状に対しては、溝部１８の内壁面を形成する溝部パターン４２Ａの貫通孔の内壁部は、溝部１８の各内壁面のエッチングレートに依らず、各内壁面の位置に一致している。
【０１１７】
次に、溝部パターン４３Ａが形成された溝部フォトレジスト膜４３をマスクとしてエッチング加工（外形第１エッチング加工）を行ない、マスクされていないウエハＳを選択的に除去する（ステップＳ４９）。
これによって、図１９（Ａ）に示すように、露出したウエハＳを除去する。
【０１１８】
この外形第１エッチング加工においては、各振動腕部１０，１１の幅方向における溝部パターン４３Ａの両端部４３Ａ１，４３Ａ２において、本来固有のエッチングレートがより大きい端部４３Ａ１側にはより小さなエッチング残りが生じ、本来固有のエッチングレートがより小さい端部４３Ａ２側にはより大きなエッチング残りが生じる。
ただし、本来固有のエッチングレートがより大きい端部４３Ａ１は第１の端面ＳＡからより大きな所定距離Ｌａに亘ってウエハＳをマスクし、本来固有のエッチングレートがより小さい端部４３Ａ２は第２の端面ＳＢからより小さな所定距離Ｌｂに亘ってウエハＳをマスクしている。
【０１１９】
次に、溝部パターン４３Ａが形成された溝部フォトレジスト膜４３をマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第２エッチング保護膜４０ｂの外形パターン４０ｂＡのみを選択的に除去する（ステップＳ５０）。
次に、エッチング加工後に溝部フォトレジスト膜４３を剥離する（ステップＳ５１）。
これらによって、図１９（Ｂ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂに溝部パターン４０ｂＣを形成する。
【０１２０】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂによる溝部パターン４０ｂＣと、第１エッチング保護膜４０ａによる外形パターン４０ａＡとが形成されたウエハＳの両主面の全面にレジスト材料を塗布して、図１９（Ｃ）に示すように、溝部保護フォトレジスト膜６１を形成する（ステップＳ５２）。
【０１２１】
次に、溝部保護フォトレジスト膜６１が成膜されたウエハＳの両主面を、溝部保護パターンが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。
これによって、図１９（Ｄ）に示すように、溝部保護フォトレジスト膜６１に溝部保護パターン６１Ａを形成する（ステップＳ５３）。
【０１２２】
溝部保護パターン６１Ａは、圧電振動片４および溝部１８の外形に沿った形状であり、圧電振動片４の溝部形状に対しては、貫通孔において、各振動腕部１０，１１の延在方向に直交する方向（幅方向）の溝部１８の両内壁面（第１および第２の内壁面）のうち、エッチングレートがより大きい方の内壁面を形成する内壁部（端部）から、この内壁面の法線方向に所定距離だけ張り出すような形状である。
【０１２３】
図１８（Ｂ）に示すように、法線方向が逆方向となる一対の第１および第２の内壁面ＳＣ，ＳＤは、例えば、ウエハＳを構成する水晶の結晶軸のＸ軸の−Ｘ方向側に向く内壁面ＳＣおよび＋Ｘ方向側に向く内壁面ＳＤであり、エッチングレートがより大きい方の内壁面は−Ｘ方向側に向く内壁面ＳＣであり、エッチングレートがより小さい方の内壁面は＋Ｘ方向側に向く内壁面ＳＤである。
線方向に所定距離だけ張り出すような形状である。
【０１２４】
溝部保護パターン６１Ａは、第１の内壁面ＳＣを形成する溝部パターン４３Ａの−Ｘ方向側に向く内壁部（端部）４３Ａａから、第１の内壁面ＳＣの法線方向に所定距離Ｌｃだけ張り出すように形成された内壁部６１Ａ１を備え、第２の内壁面ＳＤを形成する溝部パターン４３Ａの＋Ｘ方向側に向く内壁部４３Ａｂから、第２の内壁面ＳＤから法線方向に所定距離Ｌｃよりも小さい所定距離Ｌｄ（＜Ｌｃ）だけ張り出すように形成された内壁部６１Ａ２を備えている。
【０１２５】
なお、各内壁部６１Ａ１，６１Ａ２の所定距離Ｌｃ，Ｌｄは、各内壁面ＳＣ，ＳＤから法線方向に各所定距離Ｌｃ，Ｌｄの第１領域γおよび第２領域δの実質的なエッチングに要する時間が同一になるように設定される。
また、圧電振動片４の外形形状に対しては、各振動腕部１０，１１の幅方向の両端面（第１および第２の端面ＳＡ，ＳＢ）を形成する溝部保護パターン６１Ａの両端部は、両端面のエッチングレートに依らず、両端面から法線方向に等しい距離だけ張り出すように、形成されている。
【０１２６】
次に、溝部保護パターン６１Ａが形成された溝部保護フォトレジスト膜６１をマスクとしてエッチング加工（外形第２エッチング加工）を行ない、マスクされていないウエハＳを選択的に除去する（ステップＳ５４）。
これによって、図１９（Ｅ）に示すように、露出したウエハＳを除去する。
【０１２７】
この外形第２エッチング加工においては、エッチングレートがより大きい方の第１領域αで露出するウエハＳがより大きく、エッチングレートがより小さい方の第２領域βで露出するウエハＳがより小さく、所定時間に亘るエッチング工程の終了時には、各振動腕部１０，１１の幅方向におけるウエハＳの両端部に均一のエッチング残りが形成される。
【０１２８】
次に、溝部保護パターン６１Ａが形成された溝部保護フォトレジスト膜６１をマスクとしてエッチング加工（保護膜第１エッチング加工）を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第１エッチング保護膜４０ａの外形パターン４０ａＡのみを選択的に除去する（ステップＳ５５）。
これによって、図１９（Ｆ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａに溝部保護パターン４０ａＥを形成する。
【０１２９】
次に、溝部保護フォトレジスト膜６１の溝部保護パターン６１Ａおよび第１エッチング保護膜４０ａの溝部保護パターン４０ａＥをマスクとして、マスクされていないウエハＳを選択的にハーフエッチング加工（溝部第１エッチング加工）する（ステップＳ５６）。
これによって、図２０（Ａ）に示すように、露出したウエハＳの一部を除去する。
【０１３０】
この溝部第１エッチング加工においては、各振動腕部１０，１１の幅方向における溝部保護パターン６１Ａの両内壁部６１Ａ１，６１Ａ２において、本来固有のエッチングレートがより大きい内壁部６１Ａ１側にはより小さなエッチング残りが生じ、本来固有のエッチングレートがより小さい内壁部６１Ａ２側にはより大きなエッチング残りが生じる。
ただし、本来固有のエッチングレートがより大きい内壁部６１Ａ１は第１の内壁面ＳＣからより大きな所定距離Ｌｃに亘ってウエハＳをマスクし、本来固有のエッチングレートがより小さい内壁部６１Ａ２は第２の内壁面ＳＤからより小さな所定距離Ｌｄに亘ってウエハＳをマスクしている。
【０１３１】
次に、図２０（Ｂ）に示すように、溝部保護フォトレジスト膜６１を剥離する（ステップＳ５７）。
【０１３２】
次に、溝部パターン４０ｂＣが形成された第２エッチング保護膜４０ｂをマスクとしてエッチング加工（保護膜第２エッチング加工）を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第１エッチング保護膜４０ａの溝部保護パターン４０ａＥのみを選択的に除去する（ステップＳ５８）。
これによって、図２０（Ｃ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａに溝部パターン４０ａＣを形成する。
【０１３３】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂの溝部パターン４０ｂＣおよび第１エッチング保護膜４０ａの溝部パターン４０ａＣをマスクとして、マスクされていないウエハＳを選択的にハーフエッチング加工（溝部第２エッチング加工）して溝部Ｓａを形成する（ステップＳ５９）。
これによって、図２０（Ｄ）に示すように、露出したウエハＳの一部を除去し、圧電振動片４の溝部形状を形成する。
【０１３４】
この溝部第２エッチング加工においては、エッチングレートがより大きい方の第１領域γで露出するウエハＳがより大きく、エッチングレートがより小さい方の第２領域δで露出するウエハＳがより小さく、所定時間に亘るエッチング工程の終了時には、各振動腕部１０，１１の幅方向におけるウエハＳの溝部Ｓａの両端部に均一のエッチング残りが形成される。
【０１３５】
次に、図２０（Ｅ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂの溝部パターン４０ｂＣのみを選択的に除去するエッチング加工を行なう（ステップＳ６０）。
次に、図２０（Ｆ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａの溝部パターン４０ａＣのみを選択的に除去するエッチング加工を行なう（ステップＳ６１）。
【０１３６】
次に、上述した実施の形態と同一の電極形成（ステップＳ１６）と、重り金属膜の形成工程（ステップＳ１７）と、粗調工程（ステップＳ１８）と、切断工程（ステップＳ１９）と、を実行する。
【０１３７】
この第２変形例によれば、外形第２エッチング加工に先立って外形第１エッチング加工を実行し、溝部第２エッチング加工に先立って溝部第１エッチング加工を実行することによって、ウエハＳの両端部およびウエハＳの溝部Ｓａの両端部のエッチング残りが不均一になることを防止することができる。
【０１３８】
（第３変形例、圧電振動片の製造方法）
なお、上述した第２変形例においては、圧電振動片４の外形形状のパターニングを行なった後に溝部形状のパターニングを行なうとしたが、これに限定されず、例えば、圧電振動片４の外形形状および溝部形状のパターニングを同時に行ってもよい。
【０１３９】
以下に、例えば図２１から図２５に示すように、圧電振動片４を作製する圧電振動片４の製造方法の第３変形例について説明する。
先ず、水晶のランバート原石を所定の角度でスライスして一定の厚みのウエハＳとする。
次に、ウエハＳをラッピングして粗加工した後、加工変質層をエッチングで取り除き、この後、ポリッシュなどの鏡面研磨加工を行なって所定の厚みとする（ステップＳ７１）。
【０１４０】
次に、図２２（Ａ）に示すように、ウエハＳの両主面にエッチング保護膜４０とフォトレジスト膜５１をそれぞれ成膜する（ステップＳ７２）。
エッチング保護膜４０は、例えばクロム（Ｃｒ）を数μｍ成膜した第１エッチング保護膜４０ａと、金（Ａｕ）を数μｍ成膜した第２エッチング保護膜４０ｂとが、順次積層された積層膜である。
【０１４１】
このステップＳ７２においては、先ず、ウエハＳの両主面に、順次、第１エッチング保護膜４０ａと第２エッチング保護膜４０ｂとを、それぞれスパッタリング法や蒸着法などにより成膜する。
次いで、エッチング保護膜４０上に、スピンコート法などによりレジスト材料を塗布して、外形フォトレジスト膜４１を形成する。
【０１４２】
次に、エッチング保護膜４０およびフォトレジスト膜５１が成膜されたウエハＳの両主面を、外形および溝部パターンが描画されたフォトマスクを用いて露光し、現像する。
これによって、図２２（Ｂ）に示すように、フォトレジスト膜５１に外形および溝部パターン５１Ａを形成する（ステップＳ４３）。
外形および溝部パターン５１Ａは、圧電振動片４および溝部１８の外形に沿った形状である。
【０１４３】
次に、外形および溝部パターン５１Ａが形成されたフォトレジスト膜５１をマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第２エッチング保護膜４０ｂのみを選択的に除去する（ステップＳ７４）。
次に、エッチング加工後にフォトレジスト膜５１を剥離する（ステップＳ７５）。
これらによって、図２２（Ｃ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂに溝部パターン４０ｂＣを形成する。
【０１４４】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂによる溝部パターン４０ｂＣが形成されたウエハＳの両主面において、溝部パターン４０ｂＣの全面にレジスト材料を塗布して、第１保護フォトレジスト膜７１を形成し、第１保護フォトレジスト膜７１が成膜されたウエハＳの両主面を、第１保護パターンが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。
これによって、図２２（Ｄ）に示すように、第１保護フォトレジスト膜７１による第１保護パターン７１Ａを形成する（ステップＳ７６）。
【０１４５】
第１保護パターン７１Ａは、圧電振動片４外形に沿った形状であり、圧電振動片４の一対の振動腕部１０，１１に対応する部位において、各振動腕部１０，１１の延在方向に直交する方向（幅方向）の両端面（第１および第２の端面）のうち、エッチングレートがより大きい方の端面を形成する端部から、この端面の法線方向に所定距離だけ張り出すような形状である。
【０１４６】
図２３（Ａ）に示すように、法線方向が逆方向となる一対の第１および第２の端面ＳＡ，ＳＢは、例えば、ウエハＳを構成する水晶の結晶軸のＸ軸の−Ｘ方向側の端面ＳＡおよび＋Ｘ方向側の端面ＳＢであり、エッチングレートがより大きい方の端面は−Ｘ方向側の端面ＳＡであり、エッチングレートがより小さい方の端面は＋Ｘ方向側の端面ＳＢである。
【０１４７】
第１保護パターン７１Ａは、第１の端面ＳＡを形成する外形および溝部パターン５１Ａの−Ｘ方向側の端部５１Ａ１から、第１の端面ＳＡの法線方向に所定距離Ｌａだけ張り出すように形成された端部７１Ａ１を備え、第２の端面ＳＢを形成する外形および溝部パターン５１Ａの＋Ｘ方向側の端部５１Ａ２から、第２の端面ＳＢから法線方向に所定距離Ｌａよりも小さい所定距離Ｌｂ（＜Ｌａ）だけ張り出すように形成された端部７１Ａ２を備えている。
なお、各端部７１Ａ１，７１Ａ２の所定距離Ｌａ，Ｌｂは、各端面ＳＡ，ＳＢから法線方向に各所定距離Ｌａ，Ｌｂの第１領域αおよび第２領域βの実質的なエッチングに要する時間が同一になるように設定される。
【０１４８】
次に、第１保護パターン７１Ａをマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第１エッチング保護膜４０ａを選択的に除去する（ステップＳ７７）。
これによって、図２２（Ｅ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａに外形保護パターン４０ａＦを形成する。
【０１４９】
次に、第１保護フォトレジスト膜７１による第１保護パターン７１Ａをマスクとしてエッチング加工（外形第１エッチング加工）を行ない、マスクされていないウエハＳを選択的に除去する（ステップＳ７８）。
これによって、図２２（Ｆ）に示すように、露出したウエハＳを除去する。
【０１５０】
この外形第１エッチング加工においては、各振動腕部１０，１１の幅方向における第１保護パターン７１Ａの両端部７１Ａ１，７１Ａ２において、本来固有のエッチングレートがより大きい端部７１Ａ１側にはより小さなエッチング残りが生じ、本来固有のエッチングレートがより小さい端部７１Ａ２側にはより大きなエッチング残りが生じる。
ただし、本来固有のエッチングレートがより大きい端部７１Ａ１は第１の端面ＳＡからより大きな所定距離Ｌａに亘ってウエハＳをマスクし、本来固有のエッチングレートがより小さい端部７１Ａ２は第２の端面ＳＢからより小さな所定距離Ｌｂに亘ってウエハＳをマスクしている。
【０１５１】
次に、図２４（Ａ）に示すように、第１保護フォトレジスト膜７１を剥離する（ステップＳ７９）。
【０１５２】
次に、溝部パターン４０ｂＣが形成された第２エッチング保護膜４０ｂをマスクとしてエッチング加工を行ない、マスクされていないエッチング保護膜４０の第１エッチング保護膜４０ａの外形保護パターン４０ａＦのみを選択的に除去する（ステップＳ８０）。
これによって、図２４（Ｂ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａに溝部パターン４０ａＣを形成する。
【０１５３】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂによる溝部パターン４０ｂＣと、第１エッチング保護膜４０ａによる溝部パターン４０ａＣとが形成されたウエハＳの両主面の全面にレジスト材料を塗布して、図２４（Ｃ）に示すように、第２保護フォトレジスト膜７２を形成する（ステップＳ８１）。
【０１５４】
次に、第２保護フォトレジスト膜７２が成膜されたウエハＳの両主面を、第２保護パターンが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。
これによって、図２４（Ｄ）に示すように、第２保護フォトレジスト膜７２に第２保護パターン７２Ａを形成する（ステップＳ８２）。
【０１５５】
第２保護パターン７２Ａは、圧電振動片４の外形に沿った形状である。
なお、各振動腕部１０，１１の幅方向の両端面（第１および第２の端面ＳＡ，ＳＢ）を形成する第２保護パターン７２Ａの両端部は、両端面のエッチングレートに依らず、両端面から法線方向に等しい距離だけ張り出すように、形成されている。
【０１５６】
次に、第２保護パターン７２Ａが形成された第２保護フォトレジスト膜７２をマスクとしてエッチング加工（外形第２エッチング加工）を行ない、マスクされていないウエハＳを選択的に除去する（ステップＳ８３）。
これによって、図２４（Ｅ）に示すように、露出したウエハＳを除去する。
【０１５７】
この外形第２エッチング加工においては、エッチングレートがより大きい方の第１領域αで露出するウエハＳがより大きく、エッチングレートがより小さい方の第２領域βで露出するウエハＳがより小さく、所定時間に亘るエッチング工程の終了時には、各振動腕部１０，１１の幅方向におけるウエハＳの両端部に均一のエッチング残りが形成される。
【０１５８】
次に、図２４（Ｆ）に示すように、第２保護フォトレジスト膜７１を剥離する（ステップＳ８４）。
【０１５９】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂによる溝部パターン４０ｂＣと、第１エッチング保護膜４０ａによる溝部パターン４０ａＣとが形成されたウエハＳの両主面の全面にレジスト材料を塗布して、図２５（Ａ）に示すように、第３保護フォトレジスト膜７３を形成する（ステップＳ８５）。
【０１６０】
次に、第３保護フォトレジスト膜７２が成膜されたウエハＳの両主面を、第３保護パターンが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。
これによって、図２５（Ｂ）に示すように、第３保護フォトレジスト膜７３に第３保護パターン７３Ａを形成する（ステップＳ８６）。
【０１６１】
第３保護パターン７３Ａは、圧電振動片４および溝部１８の外形に沿った形状であり、圧電振動片４の溝部形状に対しては、貫通孔において、各振動腕部１０，１１の延在方向に直交する方向（幅方向）の溝部１８の両内壁面（第１および第２の内壁面）のうち、エッチングレートがより大きい方の内壁面を形成する内壁部（端部）から、この内壁面の法線方向に所定距離だけ張り出すような形状である。
【０１６２】
図２３（Ｂ）に示すように、法線方向が逆方向となる一対の第１および第２の内壁面ＳＣ，ＳＤは、例えば、ウエハＳを構成する水晶の結晶軸のＸ軸の−Ｘ方向側に向く内壁面ＳＣおよび＋Ｘ方向側に向く内壁面ＳＤであり、エッチングレートがより大きい方の内壁面は−Ｘ方向側に向く内壁面ＳＣであり、エッチングレートがより小さい方の内壁面は＋Ｘ方向側に向く内壁面ＳＤである。
【０１６３】
第３保護パターン７３Ａは、第１の内壁面ＳＣを形成する外形および溝部パターン５１Ａの−Ｘ方向側に向く内壁部（端部）５１Ａ３から、第１の内壁面ＳＣの法線方向に所定距離Ｌｃだけ張り出すように形成された内壁部７３Ａ１を備え、第２の内壁面ＳＤを形成する外形および溝部パターン５１Ａの＋Ｘ方向側に向く内壁部（端部）５１Ａ４から、第２の内壁面ＳＤの法線方向に所定距離Ｌｃよりも小さい所定距離Ｌｄ（＜Ｌｃ）だけ張り出すように形成された内壁部７３Ａ２を備えている。
【０１６４】
なお、各内壁部７３Ａ１，７３Ａ２の所定距離Ｌｃ，Ｌｄは、各内壁面ＳＣ，ＳＤから法線方向に各所定距離Ｌｃ，Ｌｄの第１領域γおよび第２領域δの実質的なエッチングに要する時間が同一になるように設定される。
なお、各振動腕部１０，１１の幅方向の両端面（第１および第２の端面ＳＡ，ＳＢ）を形成する第３保護パターン７３Ａの両端部は、両端面のエッチングレートに依らず、両端面から法線方向に等しい距離だけ張り出すように、形成されている。
【０１６５】
次に、第３保護パターン７３Ａが形成された第３保護フォトレジスト膜７３をマスクとしてエッチング加工（外形第２エッチング加工）を行ない、マスクされていないウエハＳを選択的にハーフエッチング加工（溝部第１エッチング加工）する（ステップＳ８７）。
これによって、図２５（Ｃ）に示すように、露出したウエハＳの一部を除去する。
【０１６６】
この溝部第１エッチング加工においては、各振動腕部１０，１１の幅方向における第３保護パターン７３Ａの両内壁部７３Ａ１，７３Ａ２において、本来固有のエッチングレートがより大きい内壁部７３Ａ１側にはより小さなエッチング残りが生じ、本来固有のエッチングレートがより小さい内壁部７３Ａ２側にはより大きなエッチング残りが生じる。
ただし、本来固有のエッチングレートがより大きい内壁部７３Ａ１は第１の内壁面ＳＣからより大きな所定距離Ｌｃに亘ってウエハＳをマスクし、本来固有のエッチングレートがより小さい内壁部７３Ａ２は第２の内壁面ＳＤからより小さな所定距離Ｌｄに亘ってウエハＳをマスクしている。
【０１６７】
次に、図２５（Ｄ）に示すように、第３保護フォトレジスト膜７３を剥離する（ステップＳ８８）。
【０１６８】
次に、第２エッチング保護膜４０ｂの溝部パターン４０ｂＣおよび第１エッチング保護膜４０ａの溝部パターン４０ａＣをマスクとして、マスクされていないウエハＳを選択的にハーフエッチング加工（溝部第２エッチング加工）して溝部Ｓａを形成する（ステップＳ８９）。
これによって、図２５（Ｅ）に示すように、露出したウエハＳの一部を除去し、圧電振動片４の溝部形状を形成する。
【０１６９】
この溝部第２エッチング加工においては、エッチングレートがより大きい方の第１領域γで露出するウエハＳがより大きく、エッチングレートがより小さい方の第２領域δで露出するウエハＳがより小さく、所定時間に亘るエッチング工程の終了時には、各振動腕部１０，１１の幅方向におけるウエハＳの溝部Ｓａの両端部に均一のエッチング残りが形成される。
【０１７０】
次に、図２５（Ｆ）に示すように、第２エッチング保護膜４０ｂの溝部パターン４０ｂＣのみを選択的に除去するエッチング加工を行なう（ステップＳ９０）。
次に、図２５（Ｇ）に示すように、第１エッチング保護膜４０ａの溝部パターン４０ａＣのみを選択的に除去するエッチング加工を行なう（ステップＳ９１）。
【０１７１】
次に、上述した実施の形態と同一の電極形成（ステップＳ１６）と、重り金属膜の形成工程（ステップＳ１７）と、粗調工程（ステップＳ１８）と、切断工程（ステップＳ１９）と、を実行する。
【０１７２】
この第３変形例によれば、エッチング保護膜４０およびフォトレジスト膜５１が成膜されたウエハＳの両主面を、外形および溝部パターンが描画されたフォトマスクを用いて一括で露光し、現像する。これによって、外形形状と溝部形状との各パターンを形成するためのそれぞれのフォトマスクの位置合わせ工程が不要となり、加工ごとに位置合わせ精度に誤差が生じることを防止することができる。また、各パターンを形成するためのそれぞれのフォトマスクの熱膨張量の差異に起因して、複数形成される圧電振動片の外形パターンピッチと溝部パターンピッチとが合致しなくなることを防止することができる。これらによって、ウエハ面内の、例えば、中心領域と周辺領域において、ばらつくことなく、振動子特性の悪化や歩留まりの低下を防止することができる。
【０１７３】
（発振器）
次に、本発明に係る発振器の一実施形態について説明する。
本実施形態の発振器１００は、図２６に示すように、圧電振動子１を、集積回路１０１に電気的に接続された発振子として構成したものである。
この発振器１００は、発振器用の上述した集積回路１０１と、コンデンサなどの電子部品１０２と、集積回路１０１の近傍に配置された圧電振動子１の圧電振動片４とを、基板１０３上に備えている。
これら電子部品１０２と、集積回路１０１と、圧電振動子１とは、図示しない配線パターンによってそれぞれ電気的に接続されている。
なお、各構成部品は、図示しない樹脂によりモールドされている。
【０１７４】
このように構成された発振器１００において、圧電振動子１に電圧を印加すると、この圧電振動子１内の圧電振動片４は振動する。
この振動は、圧電振動片４の圧電特性により電気信号に変換されて、集積回路１０１に電気信号として入力される。入力された電気信号は、集積回路１０１による各種処理の実行後に周波数信号として出力される。これにより、圧電振動子１は発振子として機能する。
また、集積回路１０１の構成を、例えば、ＲＴＣ（リアルタイムクロック）モジュールなどを要求に応じて選択的に設定することで、時計用単機能発振器などの他、当該機器や外部機器の動作日や時刻を制御したり、時刻やカレンダーなどを提供したりする機能を付加することができる。
【０１７５】
上述したように、本実施形態の発振器１００によれば、上述した圧電振動子１を備えているので、特性及び信頼性に優れた高品質な発振器１００を提供できる。
さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な周波数信号を得ることができる。
【０１７６】
（電子機器）
次に、本発明に係る電子機器の一実施形態について説明する。
なお電子機器として、上述した圧電振動子１を有する携帯情報機器１１０を例にして説明する。
本実施形態の携帯情報機器１１０は、例えば、携帯電話に代表されるものであり、従来技術における腕時計を発展、改良したものである。外観は腕時計に類似し、文字盤に相当する部分に液晶ディスプレイを配し、この画面上に現在の時刻などを表示させることができるものである。
また、通信機として利用する場合には、手首から外し、バンドの内側部分に内蔵されたスピーカ及びマイクロフォンによって、従来技術の携帯電話と同様の通信を行うことが可能である。しかも、従来の携帯電話と比較して、格段に小型化及び軽量化されている。
【０１７７】
（携帯情報機器）
次に、本実施形態の携帯情報機器１１０の構成について説明する。
この携帯情報機器１１０は、図２７に示すように、圧電振動子１と、電力を供給するための電源部１１１とを備えている。
電源部１１１は、例えば、リチウム二次電池から構成されている。
そして、各種制御を行う制御部１１２と、時刻などのカウントを行う計時部１１３と、外部との通信を行う通信部１１４と、各種情報を表示する表示部１１５と、それぞれの機能部の電圧を検出する電圧検出部１１６とは、電源部１１１に並列に接続されている。
そして、電源部１１１から各機能部に電力が供給される。
【０１７８】
制御部１１２は、各機能部を制御して音声データの送信及び受信、現在時刻の計測や表示など、システム全体の動作制御を行う。
また、制御部１１２は、予めプログラムが書き込まれたＲＯＭと、このＲＯＭに書き込まれたプログラムを読み出して実行するＣＰＵと、このＣＰＵのワークエリアとして使用されるＲＡＭなどと、を備えている。
【０１７９】
計時部１１３は、発振回路、レジスタ回路、カウンタ回路及びインターフェース回路などを内蔵する集積回路と、圧電振動子１とを備えている。
圧電振動子１に電圧が印加されると圧電振動片４は振動し、この振動は水晶の有する圧電特性により電気信号に変換されて、発振回路に電気信号として入力される。発振回路の出力は二値化され、レジスタ回路とカウンタ回路とにより計数される。
そして、インターフェース回路を介して、制御部１１２と信号の送受信が行われ、表示部１１５に、現在時刻や現在日付或いはカレンダー情報などが表示される。
【０１８０】
通信部１１４は、従来の携帯電話と同様の機能を有し、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９、増幅部１２０、音声入出力部１２１、電話番号入力部１２２、着信音発生部１２３及び呼制御メモリ部１２４を備えている。
無線部１１７は、音声データなどの各種データを、アンテナ１２５を介して基地局と送受信のやりとりを行う。
音声処理部１１８は、無線部１１７又は増幅部１２０から入力された音声信号を符号化及び複号化する。
増幅部１２０は、音声処理部１１８又は音声入出力部１２１から入力された信号を、所定のレベルまで増幅する。
音声入出力部１２１は、スピーカやマイクロフォンなどからなり、着信音や受話音声を拡声したり、音声を集音したりする。
【０１８１】
また、着信音発生部１２３は、基地局からの呼び出しに応じて着信音を生成する。切替部１１９は、着信時に限って、音声処理部１１８に接続されている増幅部１２０を着信音発生部１２３に切り替えることによって、着信音発生部１２３において生成された着信音が増幅部１２０を介して音声入出力部１２１に出力される。
なお、呼制御メモリ部１２４は、通信の発着呼制御に係るプログラムを格納する。また、電話番号入力部１２２は、例えば、０から９の番号キー及びその他のキーを備えており、これら番号キーなどを押下することにより、通話先の電話番号などが入力される。
【０１８２】
電圧検出部１１６は、電源部１１１によって制御部１１２などの各機能部に対して加えられている電圧が、所定の値を下回った場合に、その電圧降下を検出して制御部１１２に通知する。このときの所定の電圧値は、通信部１１４を安定して動作させるために必要な最低限の電圧として予め設定されている値であり、例えば、３Ｖ程度となる。
電圧検出部１１６から電圧降下の通知を受けた制御部１１２は、無線部１１７、音声処理部１１８、切替部１１９及び着信音発生部１２３の動作を禁止する。特に、消費電力の大きな無線部１１７の動作停止は、必須となる。さらに、表示部１１５に、通信部１１４が電池残量の不足により使用不能になった旨が表示される。
【０１８３】
すなわち、電圧検出部１１６と制御部１１２とによって、通信部１１４の動作を禁止し、その旨を表示部１１５に表示することができる。この表示は、文字メッセージであっても良いが、より直感的な表示として、表示部１１５の表示面の上部に表示された電話アイコンに、×（バツ）印を付けるようにしてもよい。
なお、通信部１１４の機能に係る部分の電源を、選択的に遮断することができる電源遮断部１２６を備えることで、通信部１１４の機能をより確実に停止することができる。
【０１８４】
上述したように、本実施形態の携帯情報機器１１０によれば、上述した圧電振動子１を備えているので、特性及び信頼性に優れた高品質な携帯情報機器１１０を提供できる。さらにこれに加え、長期にわたって安定した高精度な時計情報を表示することができる。
【０１８５】
（電波時計）
次に、本発明に係る電波時計の一実施形態について、図２８を参照して説明する。
本実施形態の電波時計１３０は、図２８に示すように、フィルタ部１３１に電気的に接続された圧電振動子１を備えたものであり、時計情報を含む標準の電波を受信して、正確な時刻に自動修正して表示する機能を備えた時計である。
日本国内には、福島県（４０ｋＨｚ）と佐賀県（６０ｋＨｚ）とに、標準の電波を送信する送信所（送信局）があり、それぞれ標準電波を送信している。４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚのような長波は、地表を伝播する性質と、電離層と地表とを反射しながら伝播する性質とを併せもつため、伝播範囲が広く、上述した２つの送信所で日本国内を全て網羅している。
【０１８６】
以下、電波時計１３０の機能的構成について詳細に説明する。
アンテナ１３２は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの長波の標準電波を受信する。長波の標準電波は、タイムコードと呼ばれる時刻情報を、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚの搬送波にＡＭ変調をかけたものである。受信された長波の標準電波は、アンプ１３３によって増幅され、複数の圧電振動子１を有するフィルタ部１３１によって濾波、同調される。
本実施形態における圧電振動子１は、上述した搬送周波数と同一の４０ｋＨｚ及び６０ｋＨｚの共振周波数を有する水晶振動子部１３８、１３９をそれぞれ備えている。
【０１８７】
さらに、濾波された所定周波数の信号は、検波、整流回路１３４により検波復調される。続いて、波形整形回路１３５を介してタイムコードが取り出され、ＣＰＵ１３６でカウントされる。
ＣＰＵ１３６では、現在の年、積算日、曜日、時刻などの情報を読み取る。読み取られた情報は、ＲＴＣ１３７に反映され、正確な時刻情報が表示される。
搬送波は、４０ｋＨｚ若しくは６０ｋＨｚであるから、水晶振動子部１３８、１３９は、上述した音叉型の構造を持つ振動子が好適である。
【０１８８】
なお、上述の説明は、日本国内の例で示したが、長波の標準電波の周波数は、海外では異なっている。例えば、ドイツでは７７．５ＫＨｚの標準電波が用いられている。従って、海外でも対応可能な電波時計１３０を携帯機器に組み込む場合には、さらに日本の場合とは異なる周波数の圧電振動子１を必要とする。
【０１８９】
上述したように、本実施形態の電波時計１３０によれば、上述した圧電振動子１を備えているので、特性及び信頼性に優れた高品質な電波時計１３０を提供できる。さらにこれに加え、長期にわたって安定して高精度に時刻をカウントすることができる。
【０１９０】
なお、本発明の技術範囲は上述した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変更を加えることが可能である。
【０１９１】
例えば、上述した実施形態では、表面実装型の圧電振動子１に本発明の圧電振動片４を採用しているが、これに限らず、例えば、セラミックパッケージタイプの圧電振動子や、シリンダパッケージタイプの圧電振動子を、さらにモールド樹脂部で固めて表面実装型振動子としても構わない。
【符号の説明】
【０１９２】
１…圧電振動子  ４…圧電振動片  ５…パッケージ  １０，１１…振動腕部  １２…基部
４１Ａ…外形パターン（マスク材）  ４１Ｂ…外形補助パターン（第２マスク材）  ４２Ｂ…溝部補助パターン（第２マスク材）  ４２Ａ…溝部パターン（マスク材）  ４３Ａ…溝部パターン（第２マスク材）  ５１Ａ…外形および溝部パターン（マスク材）  ５１Ｂ…外形補助パターン（第２マスク材）  ５１Ｃ…溝部補助パターン（第２マスク材）  ６１Ａ…溝部保護パターン（第２マスク材）  ７１Ａ…第１保護パターン（第２マスク材）  ７３Ａ…第３保護パターン（第２マスク材）  １００…発振器  １０１…発振器の集積回路  １１０…携帯情報機器（電子機器）  １１３…電子機器の計時部  １３０…電波時計  １３１…電波時計のフィルタ部  Ｃ…キャビティ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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