(57)【要約】      （修正有）【課題】電極端子と接触しながら電極端子を基板に形成された貫通孔に誘導するとともに、誘導後は電極端子と非接触状態となるガイド部材を有する半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１は、外部に突出する電極端子１２が設けられた半導体モジュール１０と、電極端子１２を挿入する貫通孔２０ｘ又は切り欠きが形成された基板２０と、半導体モジュール１０と基板２０との間に介在し、電極端子１２が貫通孔２０ｘ又は前記切り欠きに挿入されるようにガイドするガイド部材４０と、を有し、ガイド部材４０は、電極端子１２が貫通孔２０ｘ又は前記切り欠きに挿入された後に電極端子１２と非接触状態になる。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部に突出する電極端子が設けられた半導体モジュールと、
前記電極端子を挿入する貫通孔又は切り欠きが形成された基板と、
前記半導体モジュールと前記基板との間に介在し、前記電極端子が前記貫通孔又は前記切り欠きに挿入されるようにガイドするガイド部材と、を有し、
前記ガイド部材は、前記電極端子が前記貫通孔又は前記切り欠きに挿入された後に前記電極端子と非接触状態になる半導体装置。
【請求項２】
前記ガイド部材は、前記電極端子と接触しながら前記電極端子が前記貫通孔又は前記切り欠きに挿入されるように誘導する誘導部を備え、
前記誘導部は、前記電極端子が前記貫通孔又は前記切り欠きに挿入された後に前記電極端子と非接触状態になる請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ガイド部材は、前記基板に対して移動可能な複数の部材を備え、
前記電極端子を前記貫通孔又は前記切り欠きに挿入する前には、各部材が所定方向に移動し、前記各部材同士が合わさって前記誘導部を形成し、
前記電極端子が前記貫通孔又は前記切り欠きに挿入された後には、前記各部材が前記所定方向と反対方向に移動し、前記各部材同士が遠ざかって前記誘導部が前記電極端子と非接触状態になる請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記誘導部は、前記電極端子が挿入される側が広くなったテーパ形状である請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記各部材同士が合わさった際に生じる合わせ面は、前記基板の前記貫通孔又は前記切り欠きが形成された面に垂直な方向に対して傾斜している請求項３又は４記載の半導体装置。
【請求項６】
前記複数の部材は、互いに位置決めされている請求項３乃至５の何れか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ガイド部材の各部材間には、弾性体がある請求項６記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品を基板に実装する形態の一つとして、基板のパターン側からコネクタの接触ピン（電極端子）を挿入して両者の電気的接続を行うボトムエントリーという手法が知られている。具体的には、例えば、接触ピンを植設させたコネクタと、接触ピンを挿入する挿入孔が設けられた基板とを、ガイド孔が形成されたガイド部材を介して、ボトムエントリーの手法により電気的に接続する技術が知られている。なお、基板に形成された貫通孔とガイド部材に形成されたガイド孔の位置は一致している。
【０００３】
この技術では、ガイド部材に形成するガイド孔を、コネクタの接触ピン側に向かって漏斗状に拡径した形状としている。これにより、コネクタの接触ピンの位置が公差等によりずれた場合であっても、コネクタの接触ピンがガイド孔に誘導される。その結果、接触ピンを植設させたコネクタと、接触ピンを挿入する挿入孔が設けられた基板とを、ガイド部材を介してボトムエントリーの手法により確実かつ迅速に電気的に接続できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１４６８７３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、上記の技術では、コネクタがガイド部材を介して基板に実装された後は、コネクタの接触ピンがガイド孔に接触した状態となるため、振動等によりコネクタの接触ピンとガイド孔との間で磨耗が生じるおそれがある。コネクタの接触ピンとガイド孔との間で磨耗が生じると、例えば、コネクタの接触ピンの表面に形成されためっき膜が剥離し、接続信頼性が低下するおそれがある。車載用の基板の場合には、車両の振動により、このような問題が発生することが特に懸念されている。
【０００６】
本発明は上記の点に鑑みてなされたものであり、電極端子と接触しながら電極端子を基板に形成された貫通孔に誘導すると共に、誘導後は電極端子と非接触状態となるガイド部材を有する半導体装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本半導体装置は、外部に突出する電極端子が設けられた半導体モジュールと、前記電極端子を挿入する貫通孔又は切り欠きが形成された基板と、前記半導体モジュールと前記基板との間に介在し、前記電極端子が前記貫通孔又は前記切り欠きに挿入されるようにガイドするガイド部材と、を有し、前記ガイド部材は、前記電極端子が前記貫通孔又は前記切り欠きに挿入された後に前記電極端子と非接触状態になることを要件とする。
【発明の効果】
【０００８】
開示の技術によれば、電極端子と接触しながら電極端子を基板に形成された貫通孔に誘導すると共に、誘導後は電極端子と非接触状態となるガイド部材を有する半導体装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。
【図２】第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する斜視図である。
【図３】ガイド部材の構造と機能について説明する図（その１）である。
【図４】ガイド部材の構造と機能について説明する図（その２）である。
【図５】ガイド部材の構造と機能について説明する図（その３）である。
【図６】ガイド部材の構造と機能について説明する図（その４）である。
【図７】第１の実施の形態の変形例に係る誘導部を例示する図である。
【図８】比較例に係る誘導部を例示する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
【００１１】
〈第１の実施の形態〉
図１は、第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する断面図である。図２は、第１の実施の形態に係る半導体装置を例示する斜視図である。但し、図２は、図１に示す半導体モジュール１０及び基板２０のみを図示しており、他の部材の図示は省略されている。
【００１２】
図１及び図２を参照するに、半導体装置１は、複数の半導体モジュール１０と（本実施の形態では８個）、基板２０と、コネクタ３０と、ガイド部材４０と、固定部材５０とを有する。但し、半導体モジュール１０は、必ずしも複数個必要なわけではなく、最低１個あればよい。
【００１３】
各半導体モジュール１０は、封止部１１と、複数の電極端子１２と（本実施の形態では１０個）を有する。封止部１１には、半導体素子（図示せず）が封止されている。半導体素子（図示せず）は、例えば、車載用のインバータ回路を構成するＩＧＢＴ（絶縁ゲート・バイポーラ・トランジスタ）等の電力用スイッチング素子や、還流用のダイオード等である。
【００１４】
電極端子１２は、例えば、封止部１１内においてボンディングワイヤ（図示せず）を介して半導体素子（図示せず）と電気的に接続されている。電極端子１２は、例えば、銅や４２アロイ等からなるピン状（細長状）の導電性部材であり、その一部が封止部１１から外部に突出している。電極端子１２の表面には、例えば、金やパラジウム、ニッケル等を含むめっき膜を形成することができる。
【００１５】
各電極端子１２の長手方向に垂直な方向の断面形状は、例えば、矩形状とすることができる。但し、各電極端子１２の長手方向に垂直な方向の断面形状は、これには限定されず、円形状や楕円形状、多角形状等の任意の形状として構わない。
【００１６】
基板２０は、各半導体モジュール１０を実装する部分である。基板２０には、各半導体モジュール１０を駆動する回路が形成されている。基板２０としては、ガラスクロスにエポキシ系樹脂等の絶縁性樹脂を含浸させた所謂ガラスエポキシ基板やシリコン基板、セラミック基板等を用いることができる。基板２０に多層の配線層が設けられていても構わない。
【００１７】
基板２０には、各半導体モジュール１０の各電極端子１２を挿入するための複数の貫通孔２０ｘが形成されている。各貫通孔２０ｘの平面形状は、各電極端子１２の長手方向に垂直な方向の断面形状に合わせて、例えば、矩形状や円形状等とすることができる。各電極端子１２を挿入可能とするため、各貫通孔２０ｘの平面形状は、各電極端子１２の長手方向に垂直な方向の断面形状よりも大きく形成されている。従って、各貫通孔２０ｘの内壁面と各電極端子１２の側面とは接触していない。なお、貫通孔２０ｘに代えて切り欠きを設け、切り欠きに各電極端子１２を挿入可能な構造としてもよい。
【００１８】
コネクタ３０は、基板２０の一方の面側に実装されている。コネクタ３０の各端子（図示せず）は、基板２０に形成された回路と電気的に接続されている。コネクタ３０には、半導体モジュール１０の電極端子１２が、基板２０の他方の面側から貫通孔２０ｘを介して挿入されている。これにより、半導体モジュール１０の封止部１１内の半導体素子（図示せず）は、コネクタ３０を介して、基板２０に形成された回路と電気的に接続される。
【００１９】
なお、コネクタ３０の電極端子１２と接続される部分にばね構造を持たせてもよい。これにより、半導体装置１が振動した場合にも振動を吸収でき、コネクタ３０と電極端子１２との接続信頼性を向上できる。
【００２０】
ガイド部材４０は、半導体モジュール１０と基板２０との間に介在し、半導体モジュール１０の電極端子１２が基板２０の貫通孔２０ｘに挿入されるようにガイドする機能を有する部材である。
【００２１】
ガイド部材４０は、それぞれが基板２０に対して移動可能（スライド可能）に構成された第１部材４１と第２部材４２とを備えている。第１部材４１及び第２部材４２の材料としては、例えば、絶縁性樹脂を用いることができる。第１部材４１及び第２部材４２として、金属の表面に絶縁性の被膜を形成した部材を用いても構わない。なお、第１部材４１及び第２部材４２の移動（スライド）は手動で行ってもよいし、所定の設備を用いて自動で行ってもよい。又、ばね等の反力を利用してスライドさせる機構を設けてもよい。すなわち、第１部材４１と第２部材４２との間に、ばね等の弾性体があってもよい。
【００２２】
第１部材４１には固定用孔４１ｘが設けられ、第２部材４２には固定用孔４２ｘが設けられている。又、基板２０には、第１部材４１及び第２部材４２を固定するための固定用孔２０ｙが設けられている。固定用孔４１ｘ、固定用孔４２ｘ、及び固定用孔２０ｙには固定部材５０が挿入され、第１部材４１及び第２部材４２が基板２０に固定されている。
【００２３】
図１の状態（電極端子１２が既に貫通孔２０ｘに挿入された状態）では、電極端子１２とガイド部材４０とは接触していない。言い換えれば、電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入されて電極端子１２とガイド部材４０とが非接触となった状態で、固定用孔４１ｘ、固定用孔４２ｘ、及び固定用孔２０ｙが平面視において重複する位置となり、固定部材５０が挿入可能に設計されている。
【００２４】
なお、半導体装置１には、ガイド部材４０の開閉を行うためのピン構造、又はばね機構、又はボタン式の開閉機構が備わっている。
【００２５】
ここで、図１及び図２に加え、図３〜図６を参照しながら、ガイド部材４０の構造と機能について詳細に説明する。まず、図３（ａ）では、コネクタ３０が実装され、ガイド部材４０が仮固定された基板２０を準備する。なお、図５（ａ）〜図５（ｃ）は、図３（ａ）の状態におけるガイド部材４０を示している。図５（ａ）が平面図（上面図）、図５（ｂ）が正面図、図５（ｃ）が図５（ａ）のＡ部を示す拡大部分底面図（下面図）である。又、図５（ａ）及び図５（ｃ）において、便宜上、第１部材４１及び第２部材４２を梨地模様で示している。
【００２６】
図５（ａ）及び図５（ｂ）に示すように、第１部材４１には、基板２０側に突起する突起部４１１（柱）が設けられている（図３及び図４では図示を省略）。又、第２部材４２には、第１部材４１に設けられた長孔を介して基板２０側に突起する突起部４２１〜４２３（柱）が設けられている（図３及び図４では図示を省略）。
【００２７】
突起部４１１、４２１〜４２３は基板２０に設けられた長孔（図示せず）に挿入されている。これにより、第１部材４１及び第２部材４２が基板２０に対して独立に移動可能（スライド可能）な状態で仮固定され、図３（ａ）の状態となる。この際、突起部４２１〜４２３により、第１部材４１と第２部材４２とが互いに位置決めされるため、第１部材４１と第２部材４２との位置精度を確保できる。
【００２８】
又、突起部４２１〜４２３により、第１部材４１及び第２部材４２と基板２０とも位置決めされている。なお、突起部４２１〜４２３の少なくとも１つは、基板２０の上面よりも長い（基板２０の上面よりも突出する長さとされている）。
【００２９】
第１部材４１には、１つの半導体モジュール１０に対して２つずつ開口部４１５が設けられている。又、第２部材４２には、１つの半導体モジュール１０に対して２つずつ開口部４１５に挿入された突起部４２５が設けられている。
【００３０】
図３（ａ）及び図５（ａ）〜図５（ｃ）では、各開口部４１５と各突起部４２５が相対的に移動（スライド）することにより、各突起部４２５が各開口部４１５内の紙面左端に位置している。これにより、図３（ａ）及び図５（ａ）〜図５（ｃ）に示すように、各開口部４１５と各突起部４２５とが合わさって、１つの電極端子１２に対して、電極端子１２が挿入される1つの挿入孔４３０が形成される。このとき、各挿入孔４３０と基板２０の各貫通孔２０ｘとは、平面視において重複する位置になるように設計されている。
【００３１】
各開口部４１５の底面側の各挿入孔４３０となる部分の周囲には、底面側に近づくにつれて広くなる傾斜部４１５Ａが形成されている。又、各突起部４２５の底面側の各挿入孔４３０となる部分の周囲には、底面側に近づくにつれて広くなる傾斜部４２５Ａが形成されている。傾斜部４１５Ａと傾斜部４２５Ａにより、各挿入孔４３０の周囲に、電極端子１２を誘導するために電極端子１２が挿入される側が広くなったテーパ形状の誘導部４４０が形成されている。
【００３２】
このように、電極端子１２を貫通孔２０ｘに挿入する前には、第１部材４１及び第２部材４２が所定方向に移動し、第１部材４１の開口部４１５と第２部材４２の突起部４２５が合わさって、傾斜部４１５Ａ及び４２５Ａを備えた誘導部４４０を形成する。
【００３３】
次に、図３（ｂ）では、ガイド部材４０の各挿入孔４３０に各電極端子１２を挿入する。前述のように、各挿入孔４３０の周囲にはテーパ形状の誘導部４４０が形成されているため、各電極端子１２を容易に各挿入孔４３０に誘導できる。更に、誘導部４４０は、電極端子１２と接触しながら電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入されるように誘導する。その結果、各電極端子１２は、基板２０の貫通孔２０ｘを介して、コネクタ３０に挿入される。
【００３４】
次に、図４（ａ）では、基板２０に対してガイド部材４０の第１部材４１を矢印Ｂ方向に、第２部材４２を矢印Ｃ方向に移動（スライド）させる。なお、図６（ａ）〜図６（ｃ）は、図４（ａ）の状態におけるガイド部材４０を示している。図６（ａ）が平面図（上面図）、図６（ｂ）が正面図、図６（ｃ）が図６（ａ）のＡ部を示す拡大部分底面図（下面図）である。又、図６（ａ）及び図６（ｃ）において、便宜上、第１部材４１及び第２部材４２を梨地模様で示している。
【００３５】
図６（ａ）〜図６（ｃ）に示すように、各開口部４１５と各突起部４２５が図４（ａ）に示す方向に相対的に移動（スライド）することにより、各突起部４２５が各開口部４１５内の紙面右端に位置する。これにより、電極端子１２とガイド部材４０とは非接触状態となる。なお、図６（ｃ）では、各電極端子１２の位置を破線で示している。
【００３６】
このように、電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入された後には、第１部材４１及び第２部材４２が図３（ａ）の場合とは反対方向に移動し、第１部材４１の開口部４１５と第２部材４２の突起部４２５が遠ざかって、傾斜部４１５Ａ及び４２５Ａを備えた誘導部４４０が電極端子１２と非接触状態になる。
【００３７】
次に、図４（ｂ）では、第１部材４１の固定用孔４１ｘ、第２部材４２の固定用孔４２ｘ、及び基板２０の固定用孔２０ｙに固定部材５０を挿入し、第１部材４１及び第２部材４２を基板２０に固定する。なお、図３では、固定用孔４１ｘ、固定用孔４２ｘ、及び固定用孔２０ｙを図示していないが、図３の状態では、これらは互いにずれた位置にある。
【００３８】
このように、第１の実施の形態に係る半導体装置１は、半導体モジュール１０と基板２０との間に介在し、半導体モジュール１０の電極端子１２が基板２０に形成された貫通孔２０ｘに挿入されるようにガイドするガイド部材４０を有している。そして、ガイド部材４０は、電極端子１２と接触しながら電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入されるように誘導する誘導部４４０を備え、誘導部４４０は電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入された後に電極端子１２と非接触状態になる。これにより、半導体モジュール１０の電極端子１２を迅速かつ確実に基板２０に形成された貫通孔２０ｘに挿入できると共に、電極端子１２の接続信頼性を向上できる。
【００３９】
すなわち、ガイド部材４０の誘導部４４０は電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入された後に電極端子１２と非接触状態になるため、振動等により電極端子１２と誘導部４４０との間で磨耗が生じるおそれがない。その結果、例えば、電極端子１２の表面に形成されためっき膜が剥離して接続信頼性が低下することを回避可能となり、電極端子１２の接続信頼性を向上できる。
【００４０】
又、誘導部４４０は電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入された後に電極端子１２と非接触状態になるため、電極端子１２と誘導部４４０との絶縁距離を確保することができる。
【００４１】
又、誘導部４４０は電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入された後に電極端子１２と非接触状態になるが、電極端子１２と誘導部４４０との間隙は数ｍｍ程度あればよいので、狭スペースでの電極端子１２の位置決めが可能となる。
【００４２】
〈第１の実施の形態の変形例〉
第１の実施の形態の変形例では、誘導部について、第１の実施の形態とは異なる構造の例を示す。なお、第１の実施の形態の変形例において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する。
【００４３】
図７は、第１の実施の形態の変形例に係る誘導部を例示する図であり、第１の実施の形態の図３（ａ）と同様の状態における誘導部を例示している。図７（ａ）が底面図（下面図）、図７（ｂ）が側面図である。
【００４４】
図７を参照するに、各開口部４１５の底面側の各挿入孔４３０となる部分の周囲には、底面側に近づくにつれて広くなる傾斜部４１５Ｂが形成されている。又、各突起部４２５の底面側の各挿入孔４３０となる部分の周囲には、底面側に近づくにつれて広くなる傾斜部４２５Ｂが形成されている。傾斜部４１５Ｂと傾斜部４２５Ｂにより、各挿入孔４３０の周囲に、電極端子１２を誘導するために電極端子１２が挿入される側が広くなったテーパ形状の誘導部４５０が形成されている。
【００４５】
図７（ｂ）において、４６０は、傾斜部４１５Ｂと傾斜部４２５Ｂの合わせ面を示している。合わせ面４６０は、基板２０の貫通孔２０ｘが形成された面に垂直な方向Ｄに対して所定の角度傾斜している。所定の角度は、電極端子１２が挿入される角度よりも大きく設定することが好ましい。
【００４６】
例えば、電極端子１２が挿入される角度は理想的には方向Ｄに対して０度であるが（方向Ｄと平行であるが）、実際には方向Ｄに対して７〜８度程度ずれることが想定される。この場合、所定の角度を７〜８度程度よりも大きい例えば１０度以上とすることが好ましい。
【００４７】
ここで、比較例を示しながら、図７に示す構造の有する効果について説明する。図８は、比較例に係る誘導部を例示する図であり、第１の実施の形態の図３（ａ）と同様の状態における誘導部を例示している。図８（ａ）が底面図（下面図）、図８（ｂ）が側面図である。
【００４８】
図８を参照するに、図７の傾斜部４１５Ｂ及び４２５Ｂを含む誘導部４５０に代えて、傾斜部４１５Ｃ及び４２５Ｃを含む誘導部４７０が設けられている。但し、図７の場合とは異なり、合わせ面４８０は、方向Ｄに対して平行に設定されている。
【００４９】
図８において、傾斜部４１５Ｃと傾斜部４２５Ｃとの間に溝ができた場合を考えると、電極端子１２を挿入する際に電極端子１２の先端部が誤って溝に入り込む場合があり、この場合には電極端子１２は溝に挟まって挿入孔４３０に誘導されない。これは、電極端子１２の先端部が誤って溝に入り込んだ場合に、電極端子１２が挿入孔４３０に向かう力が発生しないためである。
【００５０】
これに対して、図７の場合には、合わせ面４６０が方向Ｄに対して傾斜しているため、傾斜部４１５Ｂと傾斜部４２５Ｂとの間に溝ができ、電極端子１２の先端部が誤って溝に入り込んだ場合でも、電極端子１２は溝に挟まらずに合わせ面４６０の傾斜に沿って挿入孔４３０に誘導される。これは、合わせ面４６０が傾斜していることにより、電極端子１２の先端部が誤って溝に入り込んだ場合でも、電極端子１２が挿入孔４３０に向かう力が発生するためである。
【００５１】
なお、傾斜部４１５Ｂと傾斜部４２５Ｂとの間や傾斜部４１５Ｃと傾斜部４２５Ｃとの間には理想的には溝はできないはずであるが、部品寸法のばらつき等により溝ができる場合がある。このような場合であっても、図７の場合には、合わせ面４６０が方向Ｄに対して傾斜しているため電極端子１２が溝に挟まることなく、合わせ面４６０の傾斜に沿って挿入孔４３０に正しく誘導することができる。
【００５２】
以上、好ましい実施の形態及びその変形例について詳説したが、上述した実施の形態及びその変形例に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態及びその変形例に種々の変形及び置換を加えることができる。
【００５３】
例えば、第１の実施の形態及びその変形例では、電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入された後に、第１部材４１及び第２部材４２を所定方向に移動（スライド）させることにより、誘導部４４０が電極端子１２と非接触状態になる構造とした。しかし、本発明は、電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入された後に誘導部４４０が電極端子１２と非接触状態になる構造であれば、上記スライド機構に限定されることはない。
【００５４】
例えば、第１部材４１及び第２部材４２として所定の温度以上になると変形する樹脂を用い、電極端子１２が貫通孔２０ｘに挿入された後に、第１部材４１及び第２部材４２を加熱して所定の温度以上とすることにより、誘導部４４０が電極端子１２と非接触状態になる構造等としてもよい。
【００５５】
又、第１の実施の形態及びその変形例では、ガイド部材４０を基板２０に固定する例を示したが、ガイド部材４０は電極端子１２と非接触状態で固定されていればよいため、必ずしも基板２０に固定しなくてもよい。例えば、基板２０が筐体等に固定されている場合には、ガイド部材４０を電極端子１２と非接触状態で筐体等に直接固定してもよい。
【００５６】
又、第１の実施の形態及びその変形例では、２つの部材が合わさって誘導部を形成する例を示したが、３つ以上の部材が合わさって誘導部を形成してもよい。
【符号の説明】
【００５７】
１  半導体装置
１０  半導体モジュール
１１  封止部
１２  電極端子
２０  基板
２０ｘ、４３０  貫通孔
２０ｙ、４１ｘ、４２ｘ  固定用孔
３０  コネクタ
４０  ガイド部材
４１  第１部材
４２  第２部材
５０  固定部材
４１１、４２１、４２２、４２３、４２５  突起部
４１５  開口部
４１５Ａ、４１５Ｂ、４２５Ａ、４２５Ｂ  傾斜部
４４０、４５０  誘導部
４６０  合わせ面
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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