(57)【要約】【課題】増幅器のＦＥＴフィンガー方向のサイズを小さくする高周波増幅器を得る。【解決手段】オープンスタブ５は、伝送線路４に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持つ。  オープンスタブ６は、オープンスタブ５の接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持つ。  さらに、オープンスタブ５，６は、高周波信号の２倍波で並列共振する長さに設定する。  伝送線路４へのオープンスタブ５，６の接続箇所を選択することにより、ＦＥＴ１の基本波入力インピーダンスを５０Ωに変成することができる。  よって、従来技術の機能を維持しつつ、従来技術の基本波整合用の伝送線路１０１を削除することが可能となり、ＦＥＴ１のフィンガー方向におけるサイズを小さくすることができる。【選択図】図１
2014116782.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
入力される高周波信号を増幅するトランジスタと、
上記トランジスタの入力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ第一のオープンスタブと、
上記第一のオープンスタブの接続箇所と上記トランジスタとの間に接続され、該トランジスタの入力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する伝送線路と、
上記伝送線路に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持つ第二のオープンスタブと、
上記第二のオープンスタブの接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持つ第三のオープンスタブとを備え、
上記第二のオープンスタブおよび上記第三のオープンスタブは、
高周波信号の２倍波で並列共振することを特徴とする高周波増幅器。
【請求項２】
入力される高周波信号を増幅するトランジスタと、
上記トランジスタの入力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ第一のオープンスタブと、
上記第一のオープンスタブの接続箇所と上記トランジスタとの間に接続され、該トランジスタの入力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する伝送線路と、
上記伝送線路に一端が接続され、他端が接地されたディスクリートキャパシタと、
上記ディスクリートキャパシタの接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持つ第三のオープンスタブとを備え、
上記ディスクリートキャパシタおよび上記第三のオープンスタブは、
高周波信号の２倍波で並列共振することを特徴とする高周波増幅器。
【請求項３】
入力される高周波信号を増幅するトランジスタと、
上記トランジスタの入力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ第一のオープンスタブと、
上記第一のオープンスタブの接続箇所と上記トランジスタとの間に接続され、該トランジスタの入力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する伝送線路と、
上記伝送線路に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持つ第一のショートスタブと、
上記第一のショートスタブの接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持つ第二のショートスタブとを備え、
上記第一のショートスタブおよび上記第二のショートスタブは、
高周波信号の２倍波で並列共振することを特徴とする高周波増幅器。
【請求項４】
入力される高周波信号を増幅するトランジスタと、
上記トランジスタの入力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ第一のオープンスタブと、
上記第一のオープンスタブの接続箇所と上記トランジスタとの間に接続され、該トランジスタの入力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する伝送線路と、
上記伝送線路に一端が接続され、他端が接地されたディスクリートインダクタと、
上記ディスクリートインダクタの接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持つ第二のショートスタブとを備え、
上記ディスクリートインダクタおよび上記第二のショートスタブは、
高周波信号の２倍波で並列共振することを特徴とする高周波増幅器。
【請求項５】
入力される高周波信号を増幅するトランジスタと、
上記トランジスタの出力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ第一のオープンスタブと、
上記第一のオープンスタブの接続箇所と上記トランジスタとの間に接続され、該トランジスタの出力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する伝送線路と、
上記伝送線路に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持つ第二のオープンスタブと、
上記第二のオープンスタブの接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持つ第三のオープンスタブとを備え、
上記第二のオープンスタブおよび上記第三のオープンスタブは、
高周波信号の２倍波で並列共振することを特徴とする高周波増幅器。
【請求項６】
入力される高周波信号を増幅するトランジスタと、
上記トランジスタの出力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ第一のオープンスタブと、
上記第一のオープンスタブの接続箇所と上記トランジスタとの間に接続され、該トランジスタの出力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する伝送線路と、
上記伝送線路に一端が接続され、他端が接地されたディスクリートキャパシタと、
上記ディスクリートキャパシタの接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持つ第三のオープンスタブとを備え、
上記ディスクリートキャパシタおよび上記第三のオープンスタブは、
高周波信号の２倍波で並列共振することを特徴とする高周波増幅器。
【請求項７】
入力される高周波信号を増幅するトランジスタと、
上記トランジスタの出力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ第一のオープンスタブと、
上記第一のオープンスタブの接続箇所と上記トランジスタとの間に接続され、該トランジスタの出力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する伝送線路と、
上記伝送線路に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持つ第一のショートスタブと、
上記第一のショートスタブの接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持つ第二のショートスタブとを備え、
上記第一のショートスタブおよび上記第二のショートスタブは、
高周波信号の２倍波で並列共振することを特徴とする高周波増幅器。
【請求項８】
入力される高周波信号を増幅するトランジスタと、
上記トランジスタの出力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ第一のオープンスタブと、
上記第一のオープンスタブの接続箇所と上記トランジスタとの間に接続され、該トランジスタの出力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する伝送線路と、
上記伝送線路に一端が接続され、他端が接地されたディスクリートインダクタと、
上記ディスクリートインダクタの接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持つ第二のショートスタブとを備え、
上記ディスクリートインダクタおよび上記第二のショートスタブは、
高周波信号の２倍波で並列共振することを特徴とする高周波増幅器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、整合回路を有する高周波増幅器に関する。
【背景技術】
【０００２】
図１１に従来の高周波増幅器の構成を示す。
ＦＥＴ(Field Effect Transistor)１は、入力される高周波信号を増幅する。
伝送線路１０１は、ＦＥＴ１の入力側に直列に接続され、ＦＥＴ１の基本波入力インピーダンスを５０Ωに変成する。
２倍波整合回路２は、伝送線路１０１とＦＥＴ１との間に接続される。
２倍波整合回路２において、オープンスタブ３は、ＦＥＴ１の入力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ。
伝送線路４は、オープンスタブ３の接続箇所とＦＥＴ１との間に直列に接続され、ＦＥＴ１の入力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する。
【０００３】
次に動作について説明する。
２倍波整合回路２において、オープンスタブ３は、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持ち、点Ａを高周波信号の２倍波でショート点にする。
伝送線路４は、オープンスタブ３により作られたショート点からある長さを持ち、ＦＥＴ１の入力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する。
よって、オープンスタブ３および伝送線路４により、２倍波の位相を最適化した増幅器は高効率に動作する。
また、伝送線路１０１は、ＦＥＴ１の基本波入力インピーダンスを５０Ωに変成する（例えば、下記特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００２−１６４７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の高周波増幅器は、以上のように構成されているので、増幅器のＦＥＴフィンガー方向において、直列接続された伝送線路４および伝送線路１０１を配置しなくてはならず、サイズが大きくなる課題があった。
なお、図１１ではＦＥＴ１の入力側に接続された整合回路について説明したが、ＦＥＴ１の出力側に接続された整合回路においても、同様に増幅器のＦＥＴフィンガー方向のサイズが大きくなる課題があった。
【０００６】
本発明は、上記のような課題を解決するためになされたもので、増幅器のＦＥＴフィンガー方向のサイズを小さくする高周波増幅器を得ることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の高周波増幅器は、入力される高周波信号を増幅するトランジスタと、トランジスタの入力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ第一のオープンスタブと、第一のオープンスタブの接続箇所とトランジスタとの間に接続され、該トランジスタの入力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する伝送線路と、伝送線路に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持つ第二のオープンスタブと、第二のオープンスタブの接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持つ第三のオープンスタブとを備え、第二のオープンスタブおよび第三のオープンスタブは、高周波信号の２倍波で並列共振するものである。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、増幅器の高効率な動作を得るためのトランジスタの入力端から見た高周波信号の２倍波の位相の最適化は、第一のオープンスタブおよび伝送線路により行う。
また、基本波の整合は、トランジスタの入力インピーダンスに対し、トランジスタの入力端から第二および第三のオープンスタブの接続箇所までの伝送線路による変成、基本波で容量性に見える第二および第三のオープンスタブによる変成、第二および第三のオープンスタブの接続箇所から第一のオープンスタブの接続箇所までの伝送線路による変成、第一のオープンスタブによる変成が行われ、伝送線路への第二および第三のオープンスタブの接続箇所を選択することにより、トランジスタの基本波入力インピーダンスを所望の値に変成する。
よって、従来技術の機能を維持しつつ、従来技術の基本波整合用の伝送線路を削除することが可能となり、トランジスタのフィンガー方向におけるサイズを小さくすることができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１による高周波増幅器を示す構成図である。
【図２】入力インピーダンスの整合例を示すイミタンスチャートである。
【図３】本発明の実施の形態２による高周波増幅器を示す構成図である。
【図４】本発明の実施の形態３による高周波増幅器を示す構成図である。
【図５】入力インピーダンスの整合例を示すイミタンスチャートである。
【図６】本発明の実施の形態４による高周波増幅器を示す構成図である。
【図７】本発明の実施の形態５による高周波増幅器を示す構成図である。
【図８】本発明の実施の形態５による他の高周波増幅器を示す構成図である。
【図９】本発明の実施の形態５による他の高周波増幅器を示す構成図である。
【図１０】本発明の実施の形態５による他の高周波増幅器を示す構成図である。
【図１１】従来の高周波増幅器を示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
実施の形態１．
図１に本発明の実施の形態１による高周波増幅器の構成を示す。
ＦＥＴ１は、入力される高周波信号を増幅する。
２倍波整合回路２は、ＦＥＴ１の入力側に接続される。
２倍波整合回路２において、オープンスタブ３は、ＦＥＴ１の入力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ。
伝送線路４は、オープンスタブ３の接続箇所とＦＥＴ１との間に直列に接続され、ＦＥＴ１の入力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する。
【００１１】
また、オープンスタブ５は、伝送線路４に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持ち、基本波および２倍波で容量性(C)に見える。
オープンスタブ６は、オープンスタブ５の接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持ち、基本波で容量性(C)、２倍波で誘導性(L)に見える。
さらに、オープンスタブ５，６は、高周波信号の２倍波で並列共振する長さに設定することで、２倍波でオープンとなり見えない。
【００１２】
次に動作について説明する。
２倍波整合回路２において、オープンスタブ３は、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持ち、点Ａを高周波信号の２倍波でショート点にする。
伝送線路４は、オープンスタブ３により作られたショート点からある長さを持ち、ＦＥＴ１の入力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する。
よって、オープンスタブ３および伝送線路４により、２倍波の位相を最適化した増幅器は高効率に動作する。
【００１３】
基本波の整合は、オープンスタブ３，５，６および伝送線路４により行う。
図２に入力インピーダンスの整合例を示す。
まず、ＦＥＴ１の入力インピーダンスに対し、ＦＥＴ１の入力端からオープンスタブ５，６の接続箇所までの伝送線路４により、(1)の変成が行われる。
次に、基本波で容量性(C)に見えるオープンスタブ５，６により、(2)の変成が行われる。
その後、オープンスタブ５，６の接続箇所からオープンスタブ３の接続箇所（点Ａ）までの伝送線路４により、(3)の変成が行われる。
最後に、オープンスタブ３により、(4)の変成が行われる。
よって、図２のイミタンスチャートにおける中心が５０Ωに相当するものなので、伝送線路４へのオープンスタブ５，６の接続箇所を選択することにより、ＦＥＴ１の基本波入力インピーダンスを５０Ωに変成することができる。
【００１４】
以上のように、本実施の形態１によれば、従来技術の機能を維持しつつ、従来技術の基本波整合用の伝送線路１０１を削除することが可能となり、ＦＥＴ１のフィンガー方向におけるサイズを小さくすることができる。
【００１５】
実施の形態２．
図３に本発明の実施の形態２による高周波増幅器の構成を示す。
図３は、図１におけるオープンスタブ５を、伝送線路４に一端が接続され、他端が接地されたディスクリートキャパシタ７に置き換えたものである。
なお、ディスクリートキャパシタ７およびオープンスタブ６は、高周波信号の２倍波で並列共振する。
その他の構成については、図１と同様である。
【００１６】
図１に示したオープンスタブ５は、伝送線路４に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持ち、基本波および２倍波で容量性(C)に見える。
よって、図３に示すように、オープンスタブ５をディスクリートキャパシタ７に置き換えることができる。
【００１７】
以上のように、本実施の形態２によれば、オープンスタブ５に代えてディスクリートキャパシタ７を用いても、従来技術の機能を維持しつつ、従来技術の基本波整合用の伝送線路１０１を削除することが可能となり、ＦＥＴ１のフィンガー方向におけるサイズを小さくすることができる。
なお、オープンスタブ５を用いた場合、高周波信号が低い周波数になるほど、所望のキャパシタンスを得るために大型化したり、一旦パターニングしてしまうとキャパシタンスを変更することができなくなる。
オープンスタブ５に代えてディスクリートキャパシタ７を用いた場合、ディスクリートキャパシタ７はチップ部品なので、高周波信号の周波数に変更があっても大型化することなく、半田の接続により、異なるキャパシタンスのチップ部品の交換も容易にすることができる。
【００１８】
実施の形態３．
図４に本発明の実施の形態３による高周波増幅器の構成を示す。
ショートスタブ８は、伝送線路４に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持ち、基本波および２倍波で誘導性(L)に見える。
ショートスタブ９は、ショートスタブ８の接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持ち、基本波で誘導性(L)、２倍波で容量性(C)に見える。
さらに、ショートスタブ８，９は、高周波信号の２倍波で並列共振する長さに設定することで、２倍波でオープンとなり見えない。
その他の構成については、図１と同様である。
【００１９】
次に動作について説明する。
２倍波整合回路２については、図１と同様である。
基本波の整合は、オープンスタブ３、伝送線路４およびショートスタブ８，９により行う。
図５に入力インピーダンスの整合例を示す。
まず、ＦＥＴ１の入力インピーダンスに対し、ＦＥＴ１の入力端からショートスタブ８，９の接続箇所までの伝送線路４により、(5)の変成が行われる。
次に、基本波で誘導性(L)に見えるショートスタブ８，９により、(6)の変成が行われる。
その後、ショートスタブ８，９の接続箇所からオープンスタブ３の接続箇所（点Ａ）までの伝送線路４により、(7)の変成が行われる。
最後に、オープンスタブ３により、(8)の変成が行われる。
よって、図５のイミタンスチャートにおける中心が５０Ωに相当するものなので、伝送線路４へのショートスタブ８，９の接続箇所を選択することにより、ＦＥＴ１の基本波入力インピーダンスを５０Ωに変成することができる。
【００２０】
以上のように、本実施の形態３によれば、オープンスタブ５，６に代えてショートスタブ８，９を用いても、従来技術の機能を維持しつつ、従来技術の基本波整合用の伝送線路１０１を削除することが可能となり、ＦＥＴ１のフィンガー方向におけるサイズを小さくすることができる。
【００２１】
実施の形態４．
図６に本発明の実施の形態４による高周波増幅器の構成を示す。
図６は、図４におけるショートスタブ８を、伝送線路４に一端が接続され、他端が接地されたディスクリートインダクタ１０に置き換えたものである。
なお、ディスクリートインダクタ１０およびショートスタブ９は、高周波信号の２倍波で並列共振する。
その他の構成については、図４と同様である。
【００２２】
図４に示したショートスタブ８は、伝送線路４に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持ち、基本波および２倍波で誘導性(L)に見える。
よって、図６に示すように、ショートスタブ８をディスクリートインダクタ１０に置き換えることができる。
【００２３】
以上のように、本実施の形態４によれば、ショートスタブ８に代えてディスクリートインダクタ１０を用いても、従来技術の機能を維持しつつ、従来技術の基本波整合用の伝送線路１０１を削除することが可能となり、ＦＥＴ１のフィンガー方向におけるサイズを小さくすることができる。
なお、ショートスタブ８を用いた場合、高周波信号が低い周波数になるほど、所望のインダクタンスを得るために大型化したり、一旦パターニングしてしまうとインダクタンスを変更することができなくなる。
ショートスタブ８に代えてディスクリートインダクタ１０を用いた場合、ディスクリートインダクタ１０はチップ部品なので、高周波信号の周波数に変更があっても大型化することなく、半田の接続により、異なるインダクタンスのチップ部品の交換も容易にすることができる。
【００２４】
実施の形態５．
図７に本発明の実施の形態５による高周波増幅器の構成を示す。
ＦＥＴ１は、入力される高周波信号を増幅する。
２倍波整合回路１２は、ＦＥＴ１の出力側に接続される。
２倍波整合回路１２において、オープンスタブ１３は、ＦＥＴ１の出力側に一端が接続され、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持つ。
伝送線路１４は、オープンスタブ１３の接続箇所とＦＥＴ１との間に直列に接続され、ＦＥＴ１の出力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する。
【００２５】
また、オープンスタブ１５は、伝送線路１４に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持ち、基本波および２倍波で容量性(C)に見える。
オープンスタブ１６は、オープンスタブ１５の接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持ち、基本波で容量性(C)、２倍波で誘導性(L)に見える。
さらに、オープンスタブ１５，１６は、高周波信号の２倍波で並列共振する長さに設定することで、２倍波でオープンとなり見えない。
【００２６】
次に動作について説明する。
図１では、ＦＥＴ１の入力側の整合回路について示したが、図７のように、ＦＥＴ１の出力側の整合回路に適用しても良い。
動作としては、２倍波整合回路１２において、オープンスタブ１３は、高周波信号の２倍波で１／４波長の長さを持ち、点Ｂを高周波信号の２倍波でショート点にする。
伝送線路１４は、オープンスタブ１３により作られたショート点からある長さを持ち、ＦＥＴ１の出力端から見た高周波信号の２倍波の位相を最適化する。
よって、オープンスタブ１３および伝送線路１４により、２倍波の位相を最適化した増幅器は高効率に動作する。
【００２７】
基本波の整合は、オープンスタブ１３，１５，１６および伝送線路１４により行う。
イミタンスチャートは示さないが、伝送線路１４へのオープンスタブ１５，１６の接続箇所を選択することにより、ＦＥＴ１の基本波出力インピーダンスを５０Ωに変成することができる。
【００２８】
以上のように、本実施の形態５によれば、ＦＥＴ１の出力側に接続された整合回路においても、従来技術の機能を維持しつつ、従来技術の基本波整合用の伝送線路１０１を削除することが可能となり、ＦＥＴ１のフィンガー方向におけるサイズを小さくすることができる。
【００２９】
実施の形態６．
図８に本発明の実施の形態６による高周波増幅器の構成を示す。
図８は、図７におけるオープンスタブ１５を、伝送線路１４に一端が接続され、他端が接地されたディスクリートキャパシタ１７に置き換えたものである。
なお、ディスクリートキャパシタ１７およびオープンスタブ１６は、高周波信号の２倍波で並列共振する。
その他の構成については、図７と同様である。
【００３０】
図７に示したオープンスタブ１５は、伝送線路１４に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持ち、基本波および２倍波で容量性(C)に見える。
よって、図８に示すように、オープンスタブ１５をディスクリートキャパシタ１７に置き換えることができる。
【００３１】
以上のように、本実施の形態６によれば、ＦＥＴ１の出力側に接続された整合回路においても、オープンスタブ１５に代えてディスクリートキャパシタ１７を用いても、従来技術の機能を維持しつつ、従来技術の基本波整合用の伝送線路１０１を削除することが可能となり、ＦＥＴ１のフィンガー方向におけるサイズを小さくすることができる。
なお、オープンスタブ１５を用いた場合、高周波信号が低い周波数になるほど、所望のキャパシタンスを得るために大型化したり、一旦パターニングしてしまうとキャパシタンスを変更することができなくなる。
オープンスタブ１５に代えてディスクリートキャパシタ１７を用いた場合、ディスクリートキャパシタ１７はチップ部品なので、高周波信号の周波数に変更があっても大型化することなく、半田の接続により、異なるキャパシタンスのチップ部品の交換も容易にすることができる。
【００３２】
実施の形態７．
図９に本発明の実施の形態７による高周波増幅器の構成を示す。
ショートスタブ１８は、伝送線路１４に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持ち、基本波および２倍波で誘導性(L)に見える。
ショートスタブ１９は、ショートスタブ１８の接続箇所に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長から１／４波長の間の長さを持ち、基本波で誘導性(L)、２倍波で容量性(C)に見える。
さらに、ショートスタブ１８，１９は、高周波信号の２倍波で並列共振する長さに設定することで、２倍波でオープンとなり見えない。
その他の構成については、図７と同様である。
【００３３】
次に動作について説明する。
２倍波整合回路１２については、図７と同様である。
基本波の整合は、オープンスタブ１３、伝送線路１４およびショートスタブ１８，１９により行う。
イミタンスチャートは示さないが、伝送線路１４へのショートスタブ１８，１９の接続箇所を選択することにより、ＦＥＴ１の基本波出力インピーダンスを５０Ωに変成することができる。
【００３４】
以上のように、本実施の形態７によれば、ＦＥＴ１の出力側に接続された整合回路においても、オープンスタブ１５，１６に代えてショートスタブ１８，１９を用いても、従来技術の機能を維持しつつ、従来技術の基本波整合用の伝送線路１０１を削除することが可能となり、ＦＥＴ１のフィンガー方向におけるサイズを小さくすることができる。
【００３５】
実施の形態８．
図１０に本発明の実施の形態８による高周波増幅器の構成を示す。
図１０は、図９におけるショートスタブ１８を、伝送線路１４に一端が接続され、他端が接地されたディスクリートインダクタ２０に置き換えたものである。
なお、ディスクリートインダクタ２０およびショートスタブ１９は、高周波信号の２倍波で並列共振する。
その他の構成については、図９と同様である。
【００３６】
図９に示したショートスタブ１８は、伝送線路１４に一端が接続され、高周波信号の基本波で１／８波長の長さよりも短い長さを持ち、基本波および２倍波で誘導性(L)に見える。
よって、図１０に示すように、ショートスタブ１８をディスクリートインダクタ２０に置き換えることができる。
【００３７】
以上のように、本実施の形態８によれば、ＦＥＴ１の出力側に接続された整合回路において、ショートスタブ１８に代えてディスクリートインダクタ２０を用いても、従来技術の機能を維持しつつ、従来技術の基本波整合用の伝送線路１０１を削除することが可能となり、ＦＥＴ１のフィンガー方向におけるサイズを小さくすることができる。
なお、ショートスタブ１８を用いた場合、高周波信号が低い周波数になるほど、所望のインダクタンスを得るために大型化したり、一旦パターニングしてしまうとインダクタンスを変更することができなくなる。
ショートスタブ１８に代えてディスクリートインダクタ２０を用いた場合、ディスクリートインダクタ２０はチップ部品なので、高周波信号の周波数に変更があっても大型化することなく、半田の接続により、異なるインダクタンスのチップ部品の交換も容易にすることができる。
【００３８】
なお、本願発明はその発明の範囲内において、各実施の形態の自由な組み合わせ、あるいは各実施の形態の任意の構成要素の変形、もしくは各実施の形態において任意の構成要素の省略が可能である。
【符号の説明】
【００３９】
１  ＦＥＴ、２，１２  ２倍波整合回路、３，５，６，１３，１５，１６  オープンスタブ、４，１４  伝送線路、７，１７  ディスクリートキャパシタ、８，９，１８，１９  ショートスタブ、１０，２０  ディスクリートインダクタ。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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