(57)【要約】【課題】ＬＥＤパッケージの配線の接続信頼性を向上させる。【解決手段】ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５の表面とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａの表面に、絶縁性樹脂１６の液に対して撥液性のある薄い撥液膜１７を形成する。この後、パッケージ本体１３の素子搭載凹部１２内のうちのＬＥＤ素子１４の周囲の隙間に透明な絶縁性樹脂１６を充填して透明な絶縁性樹脂１６の埋込み層を形成する。このとき、素子搭載凹部１２から溢れた絶縁性樹脂１６の液が電極部１５，１１ａの縁部にまで濡れ広がっても、電極部１５，１１ａの表面は撥液膜１７で覆われているため、電極部１５，１１ａの縁部まで濡れ広がった絶縁性樹脂１６の液が電極部１５，１１ａ上の撥液膜１７ではじかれて撥液膜１７上に濡れ広がることが阻止される。この後、両電極部１５，１１ａ間の配線経路上に配線１８を形成して、該配線１８を撥液膜１７を介して電極部１５，１１ａに導通させる。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
搭載部材上に半導体素子を搭載し、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間の配線経路の凹部及び／又は段差を絶縁性樹脂で埋めると共に、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間を接続する配線を該絶縁性樹脂上に形成した半導体パッケージにおいて、
前記配線経路の凹部及び／又は段差を前記絶縁性樹脂で埋める前に前記半導体素子側の電極部の表面及び／又は前記搭載部材側の電極部の表面に、前記絶縁性樹脂の液に対して撥液性のある撥液膜を厚さ所定値以下に薄く形成し、若しくは予め電極部の表面に前記撥液膜が形成された半導体素子及び／又は予め電極部の表面に前記撥液膜が形成された搭載部材を使用し、
前記配線経路の凹部及び／又は段差を前記絶縁性樹脂で埋めて該配線経路をなだらかにした後に前記配線を該配線経路上と前記撥液膜上とに跨がって形成することで該配線を該撥液膜を介して前記電極部に導通させたことを特徴とする半導体パッケージ。
【請求項２】
前記配線経路の凹部及び／又は段差を前記絶縁性樹脂で埋めた後に、該配線経路上にプライマ樹脂層を形成して該プライマ樹脂層上に前記配線を形成したことを特徴とする請求項１に記載の半導体パッケージ。
【請求項３】
前記撥液膜を形成する前に前記半導体素子側の電極部の表面及び／又は前記搭載部材側の電極部の表面に導電性材料を塗布又は印刷して導電性材料膜を形成した後、該導電性材料膜上に前記撥液膜を形成したことを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体パッケージ。
【請求項４】
搭載部材上に半導体素子を搭載し、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間の配線経路の凹部及び／又は段差を絶縁性樹脂で埋めると共に、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間を接続する配線を該配線経路上に形成する半導体パッケージの製造方法において、
前記半導体素子側の電極部の表面及び／又は前記搭載部材側の電極部の表面に、前記絶縁性樹脂の液に対して撥液性のある撥液膜を膜さ所定値以下に薄く形成する工程と、
前記撥液膜の形成後に前記配線経路の凹部及び／又は前記段差を前記絶縁性樹脂で埋めて該配線経路をなだらかにする工程と、
前記配線経路の凹部及び／又は段差を前記絶縁性樹脂で埋めた後に前記配線を該配線経路上と前記撥液膜上とに跨がって形成することで該配線を該撥液膜を介して前記電極部に導通させる工程と
を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項５】
搭載部材上に半導体素子を搭載し、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間の配線経路の凹部及び／又は段差を絶縁性樹脂で埋めると共に、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間を接続する配線を該配線経路上に形成する半導体パッケージの製造方法において、
予め前記絶縁性樹脂の液に対して撥液性のある撥液膜が厚さ所定値以下に薄く形成された半導体素子及び／又は予め電極部の表面に前記絶縁性樹脂の液に対して撥液性のある撥液膜が厚さ所定値以下に薄く形成された搭載部材を使用し、
前記配線経路の凹部及び／又は前記段差を前記絶縁性樹脂で埋めて該配線経路をなだらかにする工程と、
前記配線経路の凹部及び／又は段差を前記絶縁性樹脂で埋めた後に前記配線を該配線経路上と前記撥液膜上とに跨がって形成することで該配線を該撥液膜を介して前記電極部に導通させる工程と
を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項６】
前記配線経路の凹部及び／又は段差を前記絶縁性樹脂で埋めた後に、前記配線を形成する前に前記撥液膜を焼成又は光照射することで該撥液膜の組成成分を分解・蒸発させて該撥液膜の膜厚を薄くすることを特徴とする請求項４又は５に記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項７】
前記配線経路の凹部及び／又は段差を前記絶縁性樹脂で埋めた後に、該配線経路上にプライマ樹脂層を形成した後、該プライマ樹脂層上に前記配線を形成することを特徴とする請求項４乃至６のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項８】
前記撥液膜を形成する前に前記半導体素子側の電極部の表面及び／又は前記搭載部材側の電極部の表面に導電性材料を塗布又は印刷して導電性材料膜を形成した後、該導電性材料膜上に前記撥液膜を形成することを特徴とする請求項４乃至７のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【請求項９】
搭載部材上に半導体素子を搭載し、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間の配線経路の凹部及び／又は段差を絶縁性樹脂で埋めると共に、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間を接続する配線を該配線経路上に形成する半導体パッケージの製造方法において、
前記半導体素子側の電極部の表面及び／又は前記搭載部材側の電極部の表面に、前記絶縁性樹脂の液に対して撥液性のある撥液膜を形成する工程と、
前記撥液膜の形成後に前記配線経路の凹部及び／又は前記段差を前記絶縁性樹脂で埋めて該配線経路をなだらかにする工程と、
前記配線経路の凹部及び／又は段差を前記絶縁性樹脂で埋めた後に前記撥液膜を焼成又は光照射することで該撥液膜の組成成分をほぼ全て分解・蒸発させて該撥液膜を除去する工程と、
前記撥液膜を除去した後に前記配線を前記配線経路上に形成して該配線を前記電極部に接続する工程と
を含むことを特徴とする半導体パッケージの製造方法。
【請求項１０】
前記配線を厚膜法で形成して焼成することを特徴とする請求項４乃至９のいずれかに記載の半導体パッケージの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、搭載部材上に搭載した半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間を接続する配線の接続信頼性を向上させた半導体パッケージ及びその製造方法に関する発明である。
【背景技術】
【０００２】
従来より、半導体素子の実装工程では、半導体素子を搭載部材（回路基板、リードフレーム等）にダイボンドした後に、該半導体素子側の電極部と搭載部材側の電極部との間をワイヤボンディングで配線するのが一般的である。
【０００３】
しかし、特許文献１（特許第３９９２０３８号公報）に記載されているように、ワイヤボンディングを行うときの機械的なストレスによって不良が発生する可能性があるため、ワイヤボンディングに代わる接続信頼性の高い実装構造を低コストで実現することを目的として、配線基板上に搭載した半導体素子の周囲に樹脂材料の液をディスペンサで吐出して硬化させて、半導体素子の上面と配線基板の表面との間を傾斜面でつなぐ樹脂スロープを形成した後、半導体素子上面の電極部と配線基板の電極部との間を接続する配線の経路に沿ってインクジェット等の液滴吐出法で導電性インクを吐出して配線を形成することが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許第３９９２０３８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記特許文献１の構造では、配線基板上に搭載した半導体素子の周囲に樹脂材料の液をディスペンサで吐出して樹脂スロープを形成する際に、吐出した樹脂材料の液が半導体素子上面の電極部上や配線基板の電極部上に濡れ広がって、該電極部の一部又は全部が樹脂材料で覆われてしまうことがあり、該電極部と配線との導通性を十分に確保できない場合がある。
【０００６】
この対策として、樹脂材料の吐出量を少なめにして電極部上への樹脂材料の濡れ広がりを防止する必要があり、その結果、半導体素子の電極部と配線基板の電極部との間を接続する配線経路の段差を樹脂スロープで十分に小さくすることができず、該配線経路上に形成した配線が段差の角部で熱応力等により断線する可能性がある。
【０００７】
そこで、本発明が解決しようとする課題は、搭載部材上に搭載した半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間を接続する配線の接続信頼性を向上できる半導体パッケージ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、搭載部材上に半導体素子を搭載し、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間の配線経路の凹部及び／又は段差を絶縁性樹脂で埋めると共に、該半導体素子側の電極部と該搭載部材側の電極部との間を接続する配線を該配線経路上に形成した半導体パッケージ及びその製造方法において、前記配線経路の凹部及び／又は段差を前記絶縁性樹脂で埋める前に前記半導体素子側の電極部の表面及び／又は前記搭載部材側の電極部の表面に、前記絶縁性樹脂の液に対して撥液性のある撥液膜を厚さ所定値以下に薄く形成し、若しくは予め電極部の表面に前記撥液膜が形成された半導体素子及び／又は予め電極部の表面に前記撥液膜が形成された搭載部材を使用し、前記配線経路の凹部及び／又は段差を前記絶縁性樹脂で埋めた後に前記配線を該配線経路上と前記撥液膜上とに跨がって形成することで該配線を該撥液膜を介して前記電極部に導通させたことを特徴とするものである。
【０００９】
本発明では、電極部の表面に、絶縁性樹脂の液に対して撥液性のある撥液膜を形成するため、配線経路の凹部及び／又は段差を絶縁性樹脂で埋める際に、絶縁性樹脂の吐出量を適度に増やしても、絶縁性樹脂の液が電極部上に濡れ広がることを撥液膜によって防止できる。これにより、配線の断線の原因となる配線経路の凹部や段差を十分に絶縁性樹脂で埋めて配線経路を十分になだらかにすることができ、配線経路の段差による配線の断線を防止できると共に、配線と電極部との間の撥液膜を薄くすることで配線と電極部との導通性を確保することができ、配線の接続信頼性を向上できる。
【００１０】
この場合、配線経路の凹部及び／又は段差を絶縁性樹脂で埋めた後に、該配線経路上にプライマ樹脂層を形成して該プライマ樹脂層上に配線を形成するようにしても良い。このようにすれば、プライマ樹脂層によって配線経路をより一層なだらかにすることができるため、厚膜法（液滴吐出法や印刷法等）で配線をプライマ樹脂層上に形成しやすくなると共に、配線との密着性等を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明は、撥液膜を形成する前に半導体素子側の電極部の表面及び／又は搭載部材側の電極部の表面に導電性材料を塗布又は印刷して導電性材料膜を形成した後、該導電性材料膜上に撥液膜を形成するようにしても良い。このようにすれば、電極部の表面に導電性材料膜を介して撥液膜を形成した構造となるため、導電性材料膜中の導電粒子が撥液膜中に浸透して該撥液膜の電気抵抗値が低下するようになり、電極部と配線との間の導通性を向上させることができる。
【００１２】
また、配線経路の凹部及び／又は段差を絶縁性樹脂で埋めた後に、配線を形成する前に撥液膜を焼成又は光照射することで該撥液膜の組成成分を分解・蒸発させて該撥液膜の膜厚を薄くするようにしても良い。このようにしても、電極部と配線との間の撥液膜の電気抵抗値を低下させて電極部と配線との間の導通性を向上させることができる。
【００１３】
また、本発明は、配線経路の凹部及び／又は段差を絶縁性樹脂で埋めた後に撥液膜を焼成又は光照射することで該撥液膜の組成成分をほぼ全て分解・蒸発させて該撥液膜を除去した後に、配線を配線経路上に形成して該配線を電極部に接続するようにしても良い。このようにすれば、配線経路の凹部及び／又は段差を絶縁性樹脂で埋める際に、絶縁性樹脂の液が電極部上に濡れ広がることを撥液膜によって防止しながら、配線を形成する前に該撥液膜を除去してから配線を形成することで、電極部と配線との間の導通性を向上させることができる。
【００１４】
尚、配線は、薄膜法で形成しても良いし、厚膜法で形成して焼成しても良い。厚膜法で形成した配線を焼成すれば、配線中の有機成分等を分解・蒸発させて配線の電気抵抗値を低下させることができると共に、配線焼成時の熱により撥液膜の組成成分を分解・蒸発させて該撥液膜の膜厚を薄くすることができ、電極部と配線との間の導通性も向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】図１は本発明の実施例１の素子搭載工程を示す縦断面図である。
【図２】図２は実施例１の撥液膜形成工程を示す縦断面図である。
【図３】図３は実施例１の絶縁性樹脂埋込み工程を示す縦断面図である。
【図４】図４は実施例１の配線形成工程を示す縦断面図である。
【図５】図５は実施例２のＬＥＤパッケージの構造を示す縦断面図である。
【図６】図６は実施例３のＬＥＤパッケージの構造を示す縦断面図である。
【図７】図７は実施例４のＬＥＤパッケージの構造を示す縦断面図である。
【図８】図８は実施例４のＬＥＤパッケージの製造工程を示す工程フローチャートである。
【図９】図９は実施例５のＬＥＤパッケージの構造を示す縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を実施するための形態をＬＥＤパッケージに適用して具体化した５つの実施例１〜５を説明する。
【実施例１】
【００１７】
本発明の実施例１を図１乃至図４に基づいて説明する。
まず、図４を参照してＬＥＤパッケージの構造を説明する。
【００１８】
搭載部材１０は、リードフレーム１１に素子搭載凹部１２を有するパッケージ本体１３を絶縁性樹脂で成形して構成されている。このパッケージ本体１３の素子搭載凹部１２の底面中央部には、半導体素子であるＬＥＤ素子１４（発光素子）がダイボンディング（接合）されている。素子搭載凹部１２の深さ寸法（高さ寸法）は、ＬＥＤ素子１４の高さ寸法とほぼ同一に設定され、素子搭載凹部１２内に搭載したＬＥＤ素子１４上面の電極部１５がパッケージ本体１３上面のリードフレーム１１の電極部１１ａとほぼ同じ高さとなっている。
【００１９】
ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａの表面には、それぞれ後述する絶縁性樹脂１６の液に対して撥液性のある撥液膜１７が厚さ所定値以下に薄く形成されている。この撥液膜１７の形成方法は、厚膜法（インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又は印刷法等）により、例えば、シラン化合物系、フッ素樹脂系等の撥液性材料の液を吐出又は印刷して、撥液膜１７のパターンを描画して乾燥・硬化させれば良い。撥液膜１７の膜厚は、後述する配線１８と電極部１５，１１ａとの間の導通性を確保できる所定値以下（例えば１００ｎｍ以下）に形成されている。撥液膜１７は、電極部１５，１１ａの表面のみに形成しても良いし、電極部１５，１１ａからその周辺部にはみ出すように形成しても良い。要は、少なくとも電極部１５，１１ａの表面に撥液膜１７を形成すれば良い。
【００２０】
パッケージ本体１３の素子搭載凹部１２内のうちのＬＥＤ素子１４の周囲の隙間（凹部）に、透明な絶縁性樹脂１６が充填されて透明な埋込み樹脂層が形成されている。これにより、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａとの間をつなぐ配線経路は、素子搭載凹部１２内のＬＥＤ素子１４の周囲の隙間に充填した絶縁性樹脂１６により段差（凹凸）が小さくなってなだらかになっている。
【００２１】
ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａとの間の配線経路には、配線１８が電極部１５，１１ａ上の撥液膜１７に重ねて形成され、該配線１８が該撥液膜１７を介して電極部１５，１１ａに導通した状態となっている。この配線１８の形成方法は、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又は印刷法により導電性のインク（Ａｇ等の導体粒子を含むインク）を吐出又は印刷して配線１８のパターンを描画し、これを乾燥して焼成すれば良い。
尚、搭載部材１０の上側部分は、ＬＥＤ素子１４と配線１８を封止する透明な絶縁封止材でモールドされる。
【００２２】
次に、上記構成のＬＥＤパッケージの製造方法を説明する。
搭載部材１０の形成後に、素子搭載工程に進み、図１に示すように、パッケージ本体１３の素子搭載凹部１２の底面中央部に、ＬＥＤ素子１４がダイボンディング（接合）する。
【００２３】
この後、撥液膜形成工程に移行し、図２に示すように、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５の表面とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａの表面に、厚膜法（インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又は印刷法）により撥液性材料の液を吐出又は印刷して、各電極部１５，１１ａの表面に撥液膜１７のパターンを描画して乾燥させる。
【００２４】
尚、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５の表面に撥液膜１７を形成する工程は、ＬＥＤ素子１４をパッケージ本体１３の素子搭載凹部１２にダイボンディングする前に行っても良い。
【００２５】
また、ＬＥＤ素子１４の製造工程や、搭載部材１０の製造工程で、電極部１５，１１ａの表面に撥液膜１７を形成しても良い。つまり、電極部１５，１１ａの表面に撥液膜１７を形成する工程は、ＬＥＤ素子１４の製造元や搭載部材１０の製造元で行っても良く、これらの製造元から撥液膜１７付きのＬＥＤ素子１４や搭載部材１０を入手して、以下の工程を実行するようにしても良い。
【００２６】
この後、撥液膜焼成工程に移行し、撥液膜１７を所定温度で焼成して、該撥液膜１７の組成成分を分解・蒸発させて該撥液膜１７の膜厚を薄くする。この際、撥液膜１７の焼成温度は、配線１８の焼成温度又はそれ以下の温度とすれば良い。尚、撥液膜１７の焼成に代えて、紫外線等の光を撥液膜１７に照射することで、該撥液膜１７の組成成分を分解・蒸発させて該撥液膜１７の膜厚を薄くするようにしても良い。
この撥液膜焼成工程についても、ＬＥＤ素子１４の製造元や搭載部材１０の製造元で行っても良い。
【００２７】
この後、絶縁性樹脂埋込み工程に移行し、図３に示すように、パッケージ本体１３の素子搭載凹部１２内のうちのＬＥＤ素子１４の周囲の隙間（凹部）に、透明な絶縁性樹脂１６の液をインクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法により充填して乾燥・硬化させて透明な絶縁性樹脂１６の埋込み層を形成する。この際、素子搭載凹部１２内に充填した絶縁性樹脂１６の液の一部が素子搭載凹部１２から溢れて各電極部１５，１１ａの縁部にまで広がるように絶縁性樹脂１６の吐出量を設定することで、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａとの間の配線経路の段差をできるだけ小さくして該配線経路全体をなだらかにする。
【００２８】
このとき、素子搭載凹部１２から溢れた絶縁性樹脂１６の液が各電極部１５，１１ａの縁部にまで濡れ広がっても、各電極部１５，１１ａの表面は撥液膜１７で覆われているため、電極部１５，１１ａの縁部まで濡れ広がった絶縁性樹脂１６の液が電極部１５，１１ａ上の撥液膜１７ではじかれて撥液膜１７上に濡れ広がることが阻止される。
【００２９】
この後、配線形成工程に移行し、図４に示すように、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａとの間の配線経路（絶縁性樹脂１６の埋込み層上面）に、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又は印刷法により導電性のインク（Ａｇ等の導体粒子を含むインク）を吐出又は印刷して配線１８のパターンを描画し、これを乾燥して焼成する。この際、配線１８の焼成温度は、２００℃程度（例えば１８０℃以上）で、焼成時間は３０分〜６０分程度とすれば良い。配線１８の焼成時の熱により撥液膜１７の組成成分を分解・蒸発させて該撥液膜１７の膜厚を薄くすることができ、電極部１５，１１ａと配線１８との間の導通性も向上させることができる。
【００３０】
この後、封止工程に移行し、搭載部材１０の上側部分を透明な絶縁封止材でモールドしてＬＥＤ素子１４と配線１８を透明な絶縁封止材で封止する。
【００３１】
以上説明した本実施例１によれば、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５の表面とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａの表面に、絶縁性樹脂１６の液に対して撥液性のある撥液膜１７を形成するようにしているため、両電極部１５，１１ａ間の配線経路の凹部や段差を絶縁性樹脂１６で埋める際に、絶縁性樹脂１６の吐出量を適度に増やしても、絶縁性樹脂１６の液が電極部１５，１１ａ上に濡れ広がることを撥液膜１７によって防止できる。これにより、配線１８の断線の原因となる配線経路の凹部や段差を十分に絶縁性樹脂１６で埋めて配線経路を十分になだらかにすることができ、配線経路の段差による配線１８の断線を防止できると共に、配線１８と電極部１５，１１ａとの間の撥液膜１７を薄くすることで配線１８と電極部１１ａとの導通性を確保することができ、配線１８の接続信頼性を向上できる。
【００３２】
しかも、本実施例１では、配線１８を形成する前に、撥液膜１７を焼成（又は光照射）することで、該撥液膜１７の組成成分を分解・蒸発させて該撥液膜１７の膜厚を薄くするようにしたので、電極部１５，１１ａと配線１８との間の撥液膜１７の電気抵抗値を低下させて電極部１５，１１ａと配線１８との間の導通性を向上させることができる。
【実施例２】
【００３３】
次に、図５を用いて本発明の実施例２を説明する。但し、上記実施例１と実質的に同じ部分には同じ符号を付して説明を省略又は簡略化し、主として異なる部分について説明する。
【００３４】
上記実施例１では、パッケージ本体１３の素子搭載凹部１２内に充填した絶縁性樹脂１６の埋込み層上に配線１８を直接形成するようにしたが、絶縁性樹脂１６の埋込み層のみでは、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａとの間の配線経路の段差を完全には埋めきれずに段差が少し残る場合がある。
【００３５】
そこで、図５に示す本発明の実施例２では、絶縁性樹脂埋込み工程の終了後に、配線１８を形成する前に、絶縁性樹脂１６の埋込み層上にプライマ樹脂層２１を形成して、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａとの間の配線経路の段差をプライマ樹脂層２１で更に小さくして配線経路をより一層なだらかにした後、該プライマ樹脂層２１上に配線１８を形成する。
【００３６】
この際、プライマ樹脂層２１は、配線１８を形成する部分のみに線状又は帯状に形成しても良いし、絶縁性樹脂１６の埋込み層の上面全体に面状に形成しても良い。要は、少なくとも配線１８を形成する下地部分にプライマ樹脂層２１を形成すれば良い。プライマ樹脂層２１を広範囲に形成する場合は、プライマ樹脂層２１がＬＥＤ素子１４の光の放射を遮らないように、透明な材料でプライマ樹脂層２１を形成することが望ましい。
【００３７】
このプライマ樹脂層２１の形成方法は、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又は印刷法により、上記絶縁性材料のインクを配線経路上に吐出又は印刷して、プライマ樹脂層２１のパターンを配線経路上に線状又は帯状に描画して乾燥・硬化させてプライマ樹脂層２１を形成する。この際、プライマ樹脂層２１の液が各電極部１５，１１ａの縁部にまで濡れ広がっても、各電極部１５，１１ａの表面は撥液膜１７で覆われているため、電極部１５，１１ａの縁部まで濡れ広がったプライマ樹脂層２１の液が電極部１５，１１ａ上の撥液膜１７ではじかれて撥液膜１７上に濡れ広がることが阻止される。
【００３８】
ここで、プライマ樹脂層２１の材料としては、例えば、エポキシ樹脂系、ポリイミド樹脂系、ガラス（ＳｉＯ2 ）系等の絶縁性材料があり、これらの絶縁性材料の中から、光透過性、耐湿性、絶縁性樹脂１６の埋込み層及び配線１８に対する密着性等を考慮して選択すれば良い。
【００３９】
そして、プライマ樹脂層２１の乾燥・硬化後に、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又は印刷法により導電性のインク（Ａｇ等の導体粒子を含むインク）をプライマ樹脂層２１上に吐出又は印刷して、配線１８のパターンをＬＥＤ素子１４上面の電極部１５上の撥液膜１７とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａ上の撥液膜１７とに跨がってプライマ樹脂層２１上に描画し、これを乾燥して焼成して、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５とパッケージ本体１３上面の電極部１１ａとの間を配線１８で接続する。
【００４０】
以上説明した本実施例２では、両電極部１５，１１ａ間の配線経路の凹部や段差を絶縁性樹脂１６で埋めた後に、該配線経路上にプライマ樹脂層２１を形成して該プライマ樹脂層２１上に配線１８を形成するようにしたので、プライマ樹脂層２１によって配線経路をより一層なだらかにすることができ、液滴吐出法や印刷法で配線１８をプライマ樹脂層２１上に形成しやすくなると共に、配線経路の段差による配線１８の断線をより確実に防止できる。その他、前記実施例１と同様の効果を得ることができる。
【実施例３】
【００４１】
次に、図６を用いて本発明の実施例３を説明する。但し、前記実施例１と実質的に同じ部分には同じ符号を付して説明を省略又は簡略化し、主として異なる部分について説明する。
【００４２】
上記実施例１，２では、各電極部１５，１１ａ上に撥液膜１７を直接形成するようにしたが、図６に示す本発明の実施例３では、撥液膜１７を形成する前に、インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又は印刷法により、各電極部１５，１１ａの表面に導電性材料を塗布又は印刷して導電性材料膜２２を形成する。この導電性材料膜２２を形成する材料は、配線１８を形成する材料と同じ導電性材料を用いれば良い。
【００４３】
導電性材料膜２２の形成後に、該導電性材料膜２２上に、前記実施例１と同様の方法で、撥液膜１７を形成する。この後、パッケージ本体１３の素子搭載凹部１２内に透明な絶縁性樹脂１６の液を充填して透明な絶縁性樹脂１６の埋込み層を形成した後、該絶縁性樹脂１６の埋込み層上に配線１８を形成する。或は、前記実施例２と同様に、絶縁性樹脂１６の埋込み層上にプライマ樹脂層２１を形成して該プライマ樹脂層２１上に配線１８を形成するようにしても良い。
【００４４】
以上説明した本実施例３では、撥液膜１７を形成する前に各電極部１５，１１ａの表面に導電性材料を塗布又は印刷して導電性材料膜２２を形成した後、該導電性材料膜２２上に撥液膜１７を形成するようにしたので、導電性材料膜２２中の導電粒子が撥液膜１７中に浸透して該撥液膜１７の電気抵抗値が低下するようになり、電極部１５，１１ａと配線１８との間の導通性を向上させることができる。
【実施例４】
【００４５】
次に、図７及び図８を用いて本発明の実施例４を説明する。但し、前記実施例１と実質的に同じ部分には同じ符号を付して説明を省略又は簡略化し、主として異なる部分について説明する。
【００４６】
本実施例４では、前記実施例１と同様の方法で、素子搭載工程と撥液膜形成工程を実行して、各電極部１５，１１ａの表面に撥液膜１７を形成した後、絶縁性樹脂埋込み工程に移行し、パッケージ本体１３の素子搭載凹部１２内のうちのＬＥＤ素子１４の周囲の隙間（凹部）に、透明な絶縁性樹脂１６の液を充填して透明な絶縁性樹脂１６の埋込み層を形成する。この際、素子搭載凹部１２から溢れた絶縁性樹脂１６の液が各電極部１５，１１ａの縁部にまで濡れ広がっても、各電極部１５，１１ａの表面は撥液膜１７で覆われているため、電極部１５，１１ａの縁部まで濡れ広がった絶縁性樹脂１６の液が電極部１５，１１ａ上の撥液膜１７ではじかれて撥液膜１７上に濡れ広がることが阻止される。
【００４７】
尚、絶縁性樹脂埋込み工程後に、前記実施例２のように、絶縁性樹脂１６の埋込み層上に透明なプライマ樹脂層２１を形成するようにしても良い。
【００４８】
この後、撥液膜除去工程に移行し、撥液膜１７を焼成又は光照射することで該撥液膜１７の組成成分をほぼ全て分解・蒸発させて該撥液膜１７を除去した後に、配線形成工程に移行し、両電極部１５，１１ａ間の配線経路上に配線１８を形成して該配線１８を両電極部１５，１１ａに直接接続する。この後、封止工程に移行し、搭載部材１０の上側部分を透明な絶縁封止材でモールドして封止する。
【００４９】
以上説明した本実施例４では、両電極部１５，１１ａ間の配線経路の凹部や段差を絶縁性樹脂１６で埋める際に、絶縁性樹脂１６の液が電極部１５，１１ａ上に濡れ広がることを撥液膜１７によって防止しながら、配線１８を形成する前に該撥液膜１７を除去することができるため、電極部１５，１１ａと配線１８との間の導通性を向上させることができる。
【実施例５】
【００５０】
次に、図９を用いて本発明の実施例５を説明する。但し、前記実施例１と実質的に同じ部分には同じ符号を付して説明を省略又は簡略化し、主として異なる部分について説明する。
【００５１】
本実施例５では、素子搭載工程で、搭載部材である配線基板３１上にＬＥＤ素子１４をダイボンディングする。この後、撥液膜形成工程に移行し、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５と配線基板３１上面の電極部３２の表面に、厚膜法（インクジェット、ディスペンサ等の液滴吐出法又は印刷法）により撥液性材料の液を吐出又は印刷して、各電極部１５，３２の表面に撥液膜１７のパターンを描画して乾燥させる。この後、撥液膜焼成工程に移行し、撥液膜１７を所定温度で焼成して、該撥液膜１７の組成成分を分解・蒸発させて該撥液膜１７の膜厚を薄くする。
【００５２】
この後、絶縁性樹脂スロープ形成工程に移行し、ＬＥＤ素子１４の周囲に、透明な絶縁性樹脂３３の液をディスペンサで吐出して、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５と配線基板３１上面の電極部３２との間の配線経路の段差を絶縁性樹脂３３で埋めて該配線経路を傾斜面でなだらかにつなぐ透明な絶縁性樹脂３３のスロープを形成する。この際、絶縁性樹脂３３の液が各電極部１５，３２の縁部にまで濡れ広がっても、各電極部１５，３２の表面は撥液膜１７で覆われているため、電極部１５，３２の縁部まで濡れ広がった絶縁性樹脂３３の液が電極部１５，３２上の撥液膜１７ではじかれて撥液膜１７上に濡れ広がることが阻止される。尚、絶縁性樹脂３３のスロープ形成後に、該絶縁性樹脂３３のスロープ上に透明なプライマ樹脂層を形成するようにしても良い。
【００５３】
この後、配線形成工程に移行し、両電極部１５，３２間の配線経路上（絶縁性樹脂３３のスロープ上）に配線１８を形成して該配線１８を両電極部１５，３２に接続する。この後、封止工程に移行し、配線基板３１の上側部分を透明な絶縁封止材でモールドしてＬＥＤ素子１４と配線１８を透明な絶縁封止材で封止する。
【００５４】
以上説明した本実施例５でも、前記実施例１と同様の効果を得ることができる。
尚、上記各実施例１〜５では、配線１７を厚膜法（液滴吐出法又は印刷法等）で形成したが、本発明は、これに限定されず、薄膜法又は導電性部材の貼付により形成しても良い。薄膜法は、例えば、ＩＴＯ等の透明な導電性材料を用いた物理蒸着「ＰＶＤ」（スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティング等）、化学蒸着「ＣＶＤ」（プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤ等）、溶射（プラズマ溶射、アーク溶射等）、めっき法のいずれかを用いて配線１８のパターンを形成しても良い。配線１８を透明な導電性材料で形成する場合は、線状や帯状に形成しても良いし、面状に形成しても良く、要は、他の導電物に接触してショートしない範囲内で、配線１８の位置ずれ等を考慮して配線１８の線幅を幅広に形成すれば良い。
【００５５】
また、上記各実施例１〜５では、ＬＥＤ素子１４上面の電極部１５とパッケージ本体１３（配線基板３１）の上面の電極部１１ａ（３２）の両方に撥液膜１７を形成したが、どちらか一方の電極部のみに絶縁性樹脂１６（３３）の液が濡れ広がりやすい構造のものでは、絶縁性樹脂１６の液が濡れ広がりやすい方の電極部のみに撥液膜１７を形成するようにしても良い。例えば、実施例５（図９）の構造では、配線基板３１上面の電極部３２がＬＥＤ素子１４上面の電極部１５よりも低い位置に存在するため、高い方のＬＥＤ素子１４上面の電極部１５と比べて、低い方の配線基板３１上面の電極部３２に向かって絶縁性樹脂３３の液が濡れ広がりやすい。この点を考慮して、配線基板３１上面の電極部３２のみに撥液膜１７を形成するようにしても良い。
【００５６】
その他、本発明は、ＬＥＤパッケージに限定されず、ＬＥＤ素子以外の半導体素子を搭載部材に搭載した様々な構造の半導体パッケージに適用して実施できる等、要旨を逸脱しない範囲内で種々変更して実施できることは言うまでもない。
【符号の説明】
【００５７】
１０…搭載部材、１１…リードフレーム、１１ａ…電極部、１２…素子搭載凹部、１３…パッケージ本体、１４…ＬＥＤ素子（半導体素子）、１５…電極部、１６…絶縁性樹脂、１７…撥液膜、１８…配線、２１…プライマ樹脂層、２２…導電性材料膜、３１…配線基板（搭載部材）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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