(57)【要約】【課題】本発明は、金属層を３層有する低放射膜において、良好な外観色調、特に斜めから見た時に赤みを呈することのない低放射膜を提供することを課題とする。【解決手段】透明基材上に形成される低放射膜であり、該低放射膜は、誘電体層とＡｇを主成分とする金属層とが、透明基材上に、第一誘電体層、第一金属層、第二誘電体層、第二金属層、第三誘電体層、第三金属層、第四誘電体層の順で積層されてなる積層体を有し、該積層体における各層の物理膜厚は、第一誘電体層が３０〜５０ｎｍ、第一金属層が７〜１９ｎｍ、第二誘電体層が６５〜９０ｎｍ、第二金属層が８〜２０ｎｍ、第三誘電体層が６５〜９０ｎｍ、第三金属層が９〜２０ｎｍ、第四誘電体層が２５〜４５ｎｍであり、該積層体の誘電体層の総厚が２１０〜２４０ｎｍであり、第三誘電体層に対する第二誘電体層の膜厚の比が０．９５〜１．２０の範囲内であることを特徴とする低放射膜。【選択図】図１
2014124815.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
透明基材上に形成される低放射膜であり、該低放射膜は、誘電体層とＡｇを主成分とする金属層とが、透明基材上に、第一誘電体層、第一金属層、第二誘電体層、第二金属層、第三誘電体層、第三金属層、第四誘電体層の順で積層されてなる積層体を有し、該積層体における各層の物理膜厚は、
第一誘電体層が３０〜５０ｎｍ、
第一金属層が７〜１９ｎｍ、
第二誘電体層が６５〜９０ｎｍ、
第二金属層が８〜２０ｎｍ、
第三誘電体層が６５〜９０ｎｍ、
第三金属層が９〜２０ｎｍ、
第四誘電体層が２５〜４５ｎｍであり、
該積層体の誘電体層の総厚が２１０〜２４０ｎｍであり、
第三誘電体層に対する第二誘電体層の膜厚の比が０．９５〜１．２０の範囲内であることを特徴とする低放射膜。
【請求項２】
前記積層体において、金属層の総厚が物理膜厚で３０〜４７ｎｍであることを特徴とする請求項１に記載の低放射膜。
【請求項３】
前記積層体において、金属層上に保護膜層を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の低放射膜。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれかに記載の低放射膜を表面に成膜したビルディングの窓ガラス。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、建築用の複層ガラスや合わせガラス等に用いられる低放射膜に関し、特に高い可視光透過性と日射遮蔽性を両立し、なおかつ良好な外観色調を有する、窓ガラスを提供するのに好適な低放射膜に関する。
【背景技術】
【０００２】
冬季に室内の暖房熱が室外へ流出するのを防ぐ複層ガラスは住宅、ビルディングの窓ガラスとして幅広く用いられている。複層ガラスは、少なくとも２枚の板ガラスをスペーサーを介して貼り合わせた構造を有しており、２枚のガラスの間の中空層は乾燥空気、またはＡｒやＫｒなど熱伝導率の低いガスを封入してなるものである。
【０００３】
上記の冬季の断熱性に加えて、夏季の日射遮蔽性を付与したＬｏｗ  Ｅｍｉｓｓｉｖｉｔｙ（以下、Ｌｏｗ−Ｅとする）複層ガラスが、１年を通じて省エネに役立つ窓ガラスとして急速に普及している。Ｌｏｗ−Ｅ複層ガラスは、２枚のガラスの間の中空層に接するガラスの表面に低放射膜を設けている。該低放射膜は、金属酸化物などの誘電体層とＡｇなどの金属層を多積層した積層構造を有している。上記のようなＬｏｗ−Ｅ複層ガラスは、低放射膜の有する日射遮蔽性能に起因して、室外から室内へ流入する日射熱を反射する性質を有しているため、夏季の冷房費を抑えることができる。
【０００４】
上記のＬｏｗ−Ｅ複層ガラス等に使用される低放射膜は周知であり、誘電体層とＡｇ層を２ｎ＋１層積層してなる積層構造体が開示されている（特許文献１）。
【０００５】
また、建築物の窓ガラス面に成膜して良好な色調と優れた可視光透過率とを有する低放射膜として、Ａｇ層を３層備える低放射膜が開示されている（特許文献２）。Ａｇ層を３層備える低放射膜においては、良好な可視光透過性と日射遮蔽性を得るために、Ａｇ層の総厚が少なくとも４２５Å（＝４２．５ｎｍ、本文中では４７．２〜４７．７ｎｍ）であることが開示されている。
【０００６】
また、誘電体層に酸化物及び窒化物等を用いた低放射膜は、垂直および斜めからの入射光に対して赤みや黄味を帯び難いことが開示されている（特許文献３）。金属層を１層又は２層備える低放射膜における前述した外観上の問題については多くの検討がなされており、解決策として各層を最適な膜厚範囲に設定することが開示されている（特許文献４、特許文献５）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６３−２３９０４４号公報
【特許文献２】特開２００７−１０６６６８号公報
【特許文献３】特開平１１−１２４６８９号公報
【特許文献４】特開平１１−３４２１６号公報
【特許文献５】特開２０１０−１９５６３８号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
近年、省エネや省電力化の要求が高まり、建築用の窓部分には日射遮蔽性と採光性の両立が求められている。前述したような低放射膜では、金属層の層数を３層以上に増やすことにより、光学干渉効果を利用して低い可視光反射率を実現できるため優れた採光性を得やすい。同時に従来の金属層を１層又は２層備えていた低放射膜と比べて、金属層の総膜厚を増やすことが出来るため、従来よりも高い日射遮蔽性も兼備できる。
【０００９】
しかし一方で、低反射膜の遮熱性、すなわち近赤外域の反射率を向上させればさせる程、可視領域と近赤外領域との境界域である７００ｎｍ付近の反射率に影響が及び、反射色調が赤みを帯びるようになり、特に斜め方向の反射色調が赤みを帯びやすくなる。ビルや住宅の窓に該低放射膜を利用する場合、これらの用途では穏やかな外観色調が好まれていることから、反射色調が赤みを帯びることは回避されることが好ましい。
【００１０】
さらに、低放射膜の層数を増やすに伴って、金属層及び誘電体層の厚みと日射遮蔽性又は色調との関係がより複雑化し、金属層を１層又は２層備える低放射膜に関する知見だけでは前述した赤みを解決できないことから、新たに最適な低放射膜の構成が求められている。
【００１１】
かくして本発明は、金属層を３層有する低放射膜において、良好な外観色調、特に斜めから見た時に赤みを呈することのない低放射膜を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明は、透明基材上に形成される低放射膜であり、該低放射膜は、誘電体層とＡｇを主成分とする金属層とが、透明基材上に、第一誘電体層、第一金属層、第二誘電体層、第二金属層、第三誘電体層、第三金属層、第四誘電体層の順で積層されてなる積層体を有し、該積層体における各層の物理膜厚は、
第一誘電体層が３０〜５０ｎｍ、
第一金属層が７〜１９ｎｍ、
第二誘電体層が６５〜９０ｎｍ、
第二金属層が８〜２０ｎｍ、
第三誘電体層が６５〜９０ｎｍ、
第三金属層が９〜２０ｎｍ、
第四誘電体層が２５〜４５ｎｍであり、
該積層体の誘電体層の総厚が２１０〜２４０ｎｍであり、
第三誘電体層に対する第二誘電体層の膜厚の比が０．９５〜１．２０の範囲内であることを特徴とする低放射膜である。
【００１３】
前記Ａｇを主成分とする金属層は、Ａｇ膜、又はＡｇを主成分とするＡｇ合金膜が用いられ、Ａｇ合金としては、パラジウム、金、白金、ニッケル、銅などの金属をそれぞれ５質量％以下の範囲内で含んでいてもよい。ここで、「主成分」はＡｇを９０質量％以上含むものを指すものとする。
【００１４】
また、前記積層体は、第一誘電体層の厚みｔ１と第二誘電体層の厚みｔ２がｔ２＞ｔ１であり、第三誘電体層の厚みｔ３と第四誘電体層の厚みｔ４がｔ３＞ｔ４となるものである。各誘電体層の厚みが上記不等式を満たさない場合、低放射膜が赤い反射色調を帯びたり、可視光反射率が高くなったりするなど、好ましい外観色調を得ることが出来ない。
【００１５】
前記誘電体層は低放射膜の反射色調などを調整する層であり、Ｚｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの金属を含む酸化物、窒化物、又は酸窒化物の透明な薄膜が好適に用いられる。
【００１６】
尚、前記誘電体層及び前記金属層の物理膜厚は、以下の手順により見積もられた各層の成膜速度を、低放射膜を形成時に設定した基材搬送速度で除算することにより求めることが可能である。誘電体層又は金属層の各層の成膜速度（ｎｍ・ｍｍ／ｍｉｎ）は、各層の単層膜を成膜した時の、単層膜の厚さ（ｎｍ）と基材の搬送速度（ｍｍ／ｍｉｎ）の積を算出することにより求められる。該単層膜の厚さは、成膜前にガラス基材上に油性ペンなどのマーキングを施し、成膜後にこれを除去し、単層膜が形成された箇所と、マーキングを除去した膜が形成されていない箇所との段差を、触針式段差計（Ｖｅｅｃｏ社製、Ｄｅｋｔａｋ １５０）を用いて測定した。
【００１７】
前記積層体の各層を前述した範囲内とすることにより、ＪＩＳ  Ｒ３１０６に準拠して測定した日射透過率を０．４０％以下、可視光透過率を６０％以上とすることが可能となり、反射色調が赤みを呈することを防ぐことが可能となる。なお本発明においては、低放射膜の各光学特性を自記分光光度計（日立製作所製、Ｕ−４０００）を用いて測定した。
【００１８】
また本発明は、後述する実施例において透明基材面に対して斜め４５度付近から目視した際に赤みを帯びたギラつきや干渉縞を呈するものを「赤みを呈する」としているが、目視の角度に限定するものではない。
【発明の効果】
【００１９】
本発明の低放射膜は、金属層を３層有する低放射膜において、良好な外観色調、特に透明基材面に対して斜めから見た時に赤みを呈することのない低放射膜を提供することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の低放射膜を表す断面模式図である。
【図２】マグネトロンスパッタ装置の概略を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
本発明の低放射膜の概略を図１に示す。本発明の低放射膜は、透明基材１上に形成される低放射膜であり、該低放射は、誘電体層２とＡｇを主成分とする金属層３とが、透明から第一誘電体層、第一金属層、第二誘電体層、第二金属層、第三誘電体層、第三金属層、第四誘電体層の順で積層された積層体を有するものである。
該積層体における各層の物理膜厚は、第一誘電体層が３０〜５０ｎｍ、第一金属層が７〜１９ｎｍ、第二誘電体層が６５〜９０ｎｍ、第二金属層が８〜２０ｎｍ、第三誘電体層が６５〜９０ｎｍ、第三金属層が９〜２０ｎｍ、第四誘電体層が２５〜４５ｎｍであり、該積層体の誘電体層の総厚が２１０〜２４０ｎｍであり、第三誘電体層に対する第二誘電体層の膜厚の比が０．９５〜１．２０の範囲内である。
該積層体の誘電体層の総厚が上記の範囲外、又は第三誘電体層に対する第二誘電体層の膜厚の比が上記の範囲外では、透明基材面を斜め４５度から見た時の反射色に刺激色である赤みを呈し、好ましい外観色調が得られない。
【００２２】
低放射膜は、前記積層体上にコーティングや誘電体層等を有するものであってもよい。また、金属層の総厚が物理膜厚で３０〜４７ｎｍであるのが好ましい。３０ｎｍ未満だと好ましい日射遮蔽性能を得ることが出来ず、また４７ｎｍを超えると可視光反射率が増加し、可視光透過率が低下するため、好ましい採光性を得ることが出来ない。
【００２３】
前記誘電体層は、前述したようにＺｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｓｉ、及びＩｎからなる群から選ばれる少なくとも１つの金属を含む酸化物、窒化物、又は酸窒化物の透明な薄膜が好適に用いられる。
【００２４】
誘電体層としては、透明基材と金属層との密着性を向上させること、低放射膜の化学的耐久性を向上させること、光学干渉効果を利用して好ましい外観色調を得ること、等を目的として、特にＺｎＯ、又はＡｌを添加したＺｎＯ（以下、ＡＺＯと呼ぶことがある）、ＳｎＯ２、ＴｉＯ２の薄膜及びこれらの薄膜の多積層体やこれらの酸化物の混合膜を用いるのが好ましい。
【００２５】
前記低放射膜は、金属層とその上に引き続いて形成される誘電体層との間に、保護膜層を有することが好ましい。保護膜層は、金属層の上に直接形成されることが好ましく、該保護膜層を形成することにより、金属酸化物、金属窒素化物、または金属酸窒化物などの誘電体層を形成する際に発生する、酸素又は窒素プラズマによる金属層の劣化を防いで金属層を保護することが可能である。
【００２６】
該保護膜層には、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｔｉ、Ａｌ、Ｓｉ、ＮｉＣｒ、Ｃｒ、Ｚｎ合金、及びＳｎ合金からなる群から選ばれる少なくとも１つ、又は該金属にＡｌ、Ｓｂ金属を０．０１〜１０．０質量％含んだもの、又は該金属若しくは該合金の低級酸化物薄膜等を用いることができ、金属層や誘電体層との密着性などを考慮して適宜選択される。また、該保護膜層の物理膜厚は好ましくは１〜７ｎｍ程度、より好ましくは２〜３ｎｍ程度としてもよい。
【００２７】
低放射膜の誘電体層、金属層、保護膜層は、生産性が良好なことからスパッタリング法等の蒸着プロセスにより成膜することが好ましく、特に、スパッタリングのターゲット背後に磁石を配置し、発生する磁場により、ターゲット表面近傍にプラズマを閉じ込め、ターゲットからスパッタリングされた粒子により成膜を行うマグネットスパッタリング法により成膜することが好ましい。
【００２８】
スパッタリング法において、プラズマ発生源には直流電源、交流電源、及び交流と直流を重畳した電源等、いずれの電源も好適に使用できるが、交流と直流を重畳した電源は連続生産性に優れており好適に用いることが可能である。
【００２９】
成膜装置としては、図２に示すようなマグネトロンスパッタリング装置が好適である。図２は、該装置を上方から観察したときの要部を示すものである。該装置はバッキングプレート４上にターゲット５が接着されたものであり、基材ホルダー６に透明基材７を保持させた後、真空チャンバー８内を真空ポンプ９を用いて排気し、該真空チャンバー８内に雰囲気ガスを導入した後、ターゲットに電力を印加し成膜を行う。成膜中の真空チャンバー８内の圧力は、開閉バルブ１１により０．１〜１．０Ｐａの範囲で調節するのが好ましい。また、成膜時は所望の膜厚となるように、搬送ロール１３上を搬送するホルダー６の搬送速度を調整する。
【００３０】
なお、真空ポンプの種類、ターゲットの個数や種類、直流電源と交流電源の選択、ターゲットへの出力電力、成膜中の圧力などの選択は適宜なされれば良く、特に限定しない。なお、図２についての詳細は、実施例で後述する。
【００３１】
透明基材は特に限定されるものではないが、例えば、建築物用窓ガラスや通常使用されているフロ−ト板ガラス、又はロ−ルアウト法で製造されたソーダ石灰ガラス等無機質の透明性がある板ガラスを使用できる。当該板ガラスには、クリアガラス、高透過ガラス等の無色のもの、熱線吸収ガラス等の緑等に着色されたもの共に使用可能で、ガラスの形状等に特に限定されるものではないが、可視光透過率を考慮すると、クリアガラス、高透過ガラス等の無色ガラスを使用することが好ましい。また、平板ガラス、曲げ板ガラスはもちろん風冷強化ガラス、化学強化ガラス等の各種強化ガラスの他に網入りガラスも使用できる。さらには、ホウケイ酸塩ガラス、低膨張ガラス、ゼロ膨張ガラス、低膨張結晶化ガラス、ゼロ膨張結晶化ガラス等の各種ガラス基材を用いることができる。また、ガラス基材以外の例としては、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニール樹脂等の透明樹脂基材が挙げられる。
【００３２】
上記の低放射膜を表面に成膜した透明基材は、複層ガラスや合わせガラス等として、建築用窓ガラスに使用されるのが好ましい。建築用ガラスに用いる場合、前述したように穏やかな色調が好まれる。従って、本発明の低放射膜のガラス面反射色調は、ＣＩＥ  Ｌａｂ表色系でａ＊は−１０〜０、ｂ＊は−１０〜５の範囲内となるのが好ましい。
【実施例】
【００３３】
１．低放射膜の作製
図１に示すような、透明基材１の表面上に誘電体層２と金属層３とが交互にされてなる低放射膜を形成した。低放射膜の積層構造は、透明基材から第一誘電体層、第一金属層、第二誘電体層、第二金属層、第三誘電体層、第三金属層、第四誘電体層の順からなり、第一金属層と第二誘電体層の中間に保護膜層（図示せず）、第二金属層と第三誘電体層の中間に保護膜層（図示せず）、第三金属層と第四誘電体層の中間に保護膜層（図示せず）を挿入してなる低放射膜を形成した。透明基材としては、厚さ３ｍｍのソーダライムガラスを用いた。また、各実施例及び比較例の金属層及び誘電体層の膜厚を表１に示した。
【００３４】
実施例１
誘電体層としてはＡｌが添加された酸化亜鉛膜（以下、ＡＺＯ膜と記載することがある）、金属層としてはＡｇ膜、保護膜層としてはＡｌが添加された亜鉛膜（以下、ＡＺ膜と呼ぶことがある）を用いた。低放射の成膜は、図２に示すマグネトロンスパッタリング装置を用いて行った。
【００３５】
透明基材１を基材ホルダー６に保持させた後、真空チャンバー８内を真空ポンプ９によって排気して第一誘電体層の成膜を行った。成膜中、真空ポンプ９は連続して稼働させ、真空チャンバー内の雰囲気ガスは、ガス導入管１０より、酸素ガスを導入し、酸素ガスの流量をマスフローコントローラー（図示せず）により制御して調整した。真空ポンプ９にはターボ分子ポンプを用いた。成膜中の真空チャンバー内の圧力は、真空チャンバーと真空ポンプの間に設置された開閉バルブ１１の開度を制御することで０．３Ｐａに調節した。裏側にマグネット１４が配置されたターゲット５には、Ａｌが添加されたＺｎターゲット（以下、ＡＺターゲットと呼ぶ）を用い、ＡＺターゲットへ電源ケーブル１５を通じでＤＣ電源１２より投入される電力は１０００Ｗとした。基材ホルダー６は、搬送ロール１３上を搬送され、ターゲット５の横を通過させ、ＡＺＯ膜の膜厚が３２ｎｍになるように搬送速度を調整した。なお、以降いずれの膜についても、搬送速度を制御することで所望の膜厚を得ており、意図的な基材の加熱は行わなかった。
【００３６】
次に、第一誘電体層であるＡＺＯ膜の上に第一金属層としてＡｇ膜を、真空を維持したまま連続して成膜した。ターゲット５にＡｇターゲットを用いて、真空チャンバー８内の雰囲気ガスは、ガス導入管１０より、アルゴンガスを導入し、圧力は、開閉バルブ１１を制御して０．５Ｐａに調節した。Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力は３６０Ｗとした。Ａｇ膜の厚さが１５ｎｍになるように、基材ホルダー６の搬送速度を制御した。
【００３７】
次に、第一金属層であるＡｇ膜の上に保護膜層を、真空を維持したまま連続的して成膜した。ターゲット５にＡＺターゲットを用いて、真空チャンバー８内の雰囲気ガスは、ガス導入管１０より、アルゴンガスを導入し、圧力は、開閉バルブ１１を制御して０．７Ｐａに調節した。Ａｇターゲット５へ電源ケーブル１５を通じてＤＣ電源１２より投入する電力は１２０Ｗとした。ＡＺＯ膜の厚さが２．８ｎｍになるように、基材ホルダー６の搬送速度を制御した。
【００３８】
次に、保護膜層の上に第二誘電体層を、真空を維持したまま連続して成膜した。ＡＺＯ膜の厚さが８３ｎｍになるように、基材ホルダー６の搬送速度を制御し、その他の成膜条件は第一誘電体層の成膜条件と同様に設定した。
【００３９】
次に、第二誘電体層であるＡＺＯ膜の上に第二金属層としてＡｇ膜を、真空を維持したまま連続して成膜した。Ａｇ膜の厚さが１３ｎｍになるように、基材ホルダー６の搬送速度を制御し、その他の成膜条件は第一金属層の成膜条件と同様に設定した。
【００４０】
次に、第二金属層であるＡｇ膜の上に保護膜層を、真空を維持したまま連続的して成膜した。成膜条件は、第一誘電体層と第一金属層の中間に形成した保護膜層の成膜条件と同様に設定した。
【００４１】
次に、保護膜層の上に第三誘電体層を、真空を維持したまま連続して成膜した。ＡＺＯ膜の厚さが７１ｎｍになるように、基材ホルダー６の搬送速度を制御し、その他の成膜条件は第一誘電体層の成膜条件と同様に設定した。
【００４２】
次に、第三誘電体層であるＡＺＯ膜の上に第三金属層としてＡｇ膜を、真空を維持したまま連続して成膜した。Ａｇ膜の厚さが１４ｎｍになるように、基材ホルダー６の搬送速度を制御し、その他の成膜条件は第一金属層の成膜条件と同様に設定した。
【００４３】
次に、第三金属層であるＡｇ膜の上に保護膜層を、真空を維持したまま連続して成膜した。成膜条件は、第一誘電体層と第一金属層の中間に形成した保護膜層の成膜条件と同様に設定した。
【００４４】
次に、保護膜層の上に第四誘電体層を、真空を維持したまま連続して成膜した。ＡＺＯ膜の厚さが３４ｎｍになるように、基材ホルダー６の搬送速度を制御し、その他の成膜条件は第一誘電体層の成膜条件と同様に設定した。
【００４５】
実施例２
第一誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３２ｎｍ、第一金属層であるＡｇ膜の厚さを１５ｎｍ、第二誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを８３ｎｍ、第二金属層であるＡｇ膜の厚さを１３ｎｍ、第三誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを７３ｎｍ、第三金属層であるＡｇ膜の厚さを１４ｎｍ、第四誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３６ｎｍと設定し、その他の成膜条件は実施例１と同様に設定し、低放射膜を形成した。
【００４６】
実施例３
第一誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３６ｎｍ、第一金属層であるＡｇ膜の厚さを１４ｎｍ、第二誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを７９ｎｍ、第二金属層であるＡｇ膜の厚さを１１ｎｍ、第三誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを６９ｎｍ、第三金属層であるＡｇ膜の厚さを１３ｎｍ、第四誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３４ｎｍと設定し、その他の成膜条件は実施例１と同様に設定し、低放射膜を形成した。
【００４７】
実施例４
第一誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを４５ｎｍ、第一金属層であるＡｇ膜の厚さを９．２ｎｍ、第二誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを７７ｎｍ、第二金属層であるＡｇ膜の厚さを１２ｎｍ、第三誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを８０ｎｍ、第三金属層であるＡｇ膜の厚さを１２．５ｎｍ、第四誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３１ｎｍと設定し、その他の成膜条件は実施例１と同様に設定し、低放射膜を形成した。
【００４８】
実施例５
第一誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３６ｎｍ、第一金属層であるＡｇ膜の厚さを７ｎｍ、第二誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを７４ｎｍ、第二金属層であるＡｇ膜の厚さを１１ｎｍ、第三誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを７３ｎｍ、第三金属層であるＡｇ膜の厚さを９ｎｍ、第四誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３２ｎｍと設定し、その他の成膜条件は実施例１と同様に設定し、低放射膜を形成した。
【００４９】
実施例６
第一誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３２ｎｍ、第一金属層であるＡｇ膜の厚さを１９ｎｍ、第二誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを８３ｎｍ、第二金属層であるＡｇ膜の厚さを１３ｎｍ、第三誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを７３ｎｍ、第三金属層であるＡｇ膜の厚さを１４ｎｍ、第四誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３６ｎｍと設定し、その他の成膜条件は実施例１と同様に設定し、低放射膜を形成した。
【００５０】
比較例１
第一誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３６ｎｍ、第一金属層であるＡｇ膜の厚さを１５ｎｍ、第二誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを８２ｎｍ、第二金属層であるＡｇ膜の厚さを１３ｎｍ、第三誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを６８ｎｍ、第三金属層であるＡｇ膜の厚さを１４ｎｍ、第四誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３６ｎｍと設定し、その他の成膜条件は実施例１と同様に設定し、低放射膜を形成した。
【００５１】
比較例２
第一誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを３９ｎｍ、第一金属層であるＡｇ膜の厚さを７ｎｍ、第二誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを６７ｎｍ、第二金属層であるＡｇ膜の厚さを１１ｎｍ、第三誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを７１ｎｍ、第三金属層であるＡｇ膜の厚さを９ｎｍ、第四誘電体層であるＡＺＯ膜の厚さを２７ｎｍと設定し、その他の成膜条件は実施例１と同様に設定し、低放射膜を形成した。
【００５２】
【表１】
2014124815.tif 000003
【００５３】
２．低放射膜の評価
積層体物品の光学特性を、自記分光光度計（日立製作所製、Ｕ−４０００）を用いて測定した。可視光透過率および日射透過率をＪＩＳ  Ｒ３１０６に準拠して算出し、ガラス面反射色調をＣＩＥ  Ｌａｂ表色系にて表した。各実施例及び比較例における低放射膜の光学特性の値を表２に示す。また、反射色の赤みはガラス面を斜め４５度から目視し、赤みを帯びたギラつきや干渉縞等が見られたものを「あり」とした。
【００５４】
【表２】
2014124815.tif 000004
【００５５】
実施例１〜６、比較例１〜２の低放射膜は可視光透過率が６９％以上であり、かつ日射透過率が３９％以下となり、ビルディングの省エネ窓ガラスとして好ましい採光性と日射遮蔽性を有していた。しかし、比較例１〜２の低放射膜は、ガラス面を斜め４５度から見た時の反射色に刺激色である赤みを呈しており、ビルディングの窓ガラス面に成膜した時に好ましい外観と言えるものではなかった。一方、実施例１〜６は斜めからみても赤みを呈することはなく、さらに穏やかな外観色調を有していた。
【００５６】
以上から、本発明の実施例では、金属層を３層有する低放射膜において、誘電体層と金属層の厚さや厚さの比をコントロールすることにより、優れた採光性と日射遮蔽性に加えて、ビルディングの窓ガラス面に成膜する低放射膜として好ましい外観色調を兼備することが可能であると言える。
【符号の説明】
【００５７】
１    透明基材
２    誘電体層
３    金属層
４    バッキングプレート
５    ターゲット
６    基材ホルダー
７    板ガラス
８    真空チャンバー
９    真空ポンプ
１０  ガス導入管
１１  開閉バルブ
１２  ＤＣ電源
１３  搬送ロール
１４  マグネット
１５  電源ケーブル
【図１】
2014124815.tif 000005
【図２】
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