(57)【要約】【課題】従来に比べて減圧乾燥時の塗布膜への不純物の付着を防止することが可能な減圧乾燥装置と、これを用いた減圧乾燥方法を提供する。【解決手段】  チャンバ３の中に乾燥対象物Ｗを載置し、乾燥対象物Ｗを覆い、周端面４０を内底面３０に密着させるように箱体４を配置する。ポンプ６の駆動時において、箱体４の内表面を取り囲む内部空間２１と、箱体４の外表面を取り囲むチャンバ３の内部空間２０との間を遮断状態と連通状態とに交互に切り替わり、連通状態の際に内部空間２１の内圧を内部空間２０の内圧に追従して減圧し、乾燥対象物Ｗを乾燥する。【選択図】図５
2014228250.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
乾燥対象物を収容する第１減圧室と、
前記第１減圧室とは別個に設けられた第２減圧室と、
前記第２減圧室の内圧を減圧する減圧手段とを有し、
前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室と前記第２減圧室との間が遮断状態と連通状態とに交互に切り替わり、前記連通状態の際に前記第１減圧室の内圧が前記第２減圧室の内圧に追従して減圧され、前記乾燥対象物が乾燥される
減圧乾燥装置。
【請求項２】
内部に前記第１減圧室と前記第２減圧室とを有する減圧容器を備える
請求項１に記載の減圧乾燥装置。
【請求項３】
開口を有し、前記開口の周縁の全周が前記減圧容器の内底面と密着するように、前記減圧容器内に配置された箱体を備え、
前記第１減圧室は、前記箱体と、前記箱体で覆われる前記減圧容器の内底面領域とからなり、
前記第２減圧室は、前記第１減圧室の占有部分を除した前記減圧容器からなり、
前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室における内圧と前記第２減圧室における内圧との圧力差により前記箱体の天面を押し上げる第１の力が、前記箱体に作用する重力よりも小さい場合には前記遮断状態となり、
前記第１の力が前記箱体に作用する重力よりも大きい場合には、前記箱体と前記内底面との間に隙間が形成されて前記連通状態となる
請求項２に記載の減圧乾燥装置。
【請求項４】
開口を有し、前記開口の周縁の全周が前記減圧容器の内底面と密着するように、前記減圧容器内に配置された箱体と、
前記箱体の前記天面を押し上げる方向を正の方向、前記箱体を前記内底面に押圧する方向を負の方向とするとき、正負いずれかの方向に第２の力を付与する力付与部とを備え、
前記第１減圧室は、前記箱体と、前記箱体で覆われる前記減圧容器の内底面領域とからなり、
前記第２減圧室は、前記第１減圧室の占有部分を除した前記減圧容器からなり、
前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室における内圧と前記第２減圧室における内圧との圧力差により前記箱体の天面を押し上げる第１の力が、負の方向に向かう前記第２の力と前記箱体に作用する重力との合成力である第１の合成力よりも小さい場合、或いは前記第１の力と正の方向に向かう前記第２の力との合成力である第２の合成力が、前記箱体に作用する重力よりも小さい場合には前記遮断状態となり、
前記第１の力が前記第１の合成力よりも大きい場合、或いは前記第２の合成力が前記重力よりも大きい場合には、前記箱体と前記内底面との間に隙間が形成されて前記連通状態となる
請求項３に記載の減圧乾燥装置。
【請求項５】
前記力付与部は、磁性部材と、電磁石とを有してなり、
前記電磁石への供給電流の大きさと向きを調節することにより、前記第２の力を調節する力調節部を有し、
前記磁性部材と前記電磁石とは、一方が前記箱体に取り付けられ、他方が前記一方と磁気結合可能に配置されている
請求項４に記載の減圧乾燥装置。
【請求項６】
前記力調節部は、前記減圧手段の駆動時において、
減圧時間の経過に伴い、前記第２の力の大きさを増大または減少させる
請求項５に記載の減圧乾燥装置。
【請求項７】
前記力調節部に接続された入力手段を備え、
前記力調節部は、前記入力手段から入力された情報に基づき、前記第２の力を調節する
請求項５に記載の減圧乾燥装置。
【請求項８】
前記箱体が前記内底面と密着する領域と、前記箱体と密着する前記内底面の領域とは、それぞれ平坦度が３μｍ以下且つ面粗度Ｒａが０．２５μｍ以下に設定されている
請求項３〜７のいずれかに記載の減圧乾燥装置。
【請求項９】
前記第１減圧室と前記第２減圧室とを連通する連通経路に配置された圧力調節部を有し、
前記圧力調節部は、前記第１減圧室の第１内圧と前記第２減圧室の第２内圧との差が一定値以上である状態では前記第１減圧室と前記第２減圧室の間を連通状態とし、
前記圧力差が前記一定値未満の状態では前記第１減圧室と前記第２減圧室の間を遮断状態とする
請求項１に記載の減圧乾燥装置。
【請求項１０】
前記減圧手段はポンプであって、
前記ポンプの内部には、潤滑成分と前記潤滑成分の酸化を防止する第１酸化防止剤とを含む潤滑剤と、樹脂材料と前記樹脂材料の酸化を防止する第２酸化防止剤とを含む真空シール材との少なくとも一方が用いられている、
請求項１〜９のいずれかに記載の減圧乾燥装置。
【請求項１１】
前記乾燥対象物は、湿式法によって形成された有機膜を備える電子部品の中間製品である
請求項１〜１０のいずれかに記載の減圧乾燥装置。
【請求項１２】
乾燥対象物を収容する第１減圧室と、
前記第１減圧室とは別個に設けられた第２減圧室と、
前記第２減圧室の内圧を減圧する減圧手段とを有する減圧乾燥装置を用いた減圧乾燥方法であって、
前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室と前記第２減圧室との間を遮断状態と連通状態とに交互に切り替え、前記連通状態の際に前記第１減圧室の内圧を前記第２減圧室の内圧に追従して減圧することで、前記乾燥対象物を乾燥する
減圧乾燥方法。
【請求項１３】
前記減圧乾燥装置は、内部に前記第１減圧室と前記第２減圧室とを有する減圧容器を備える
請求項１２に記載の減圧乾燥方法。
【請求項１４】
前記減圧乾燥装置は開口を有し、前記開口の周縁の全周が前記減圧容器の内底面と密着するように、前記減圧容器内に配置された箱体を備え、
前記第１減圧室は、前記箱体と、前記箱体で覆われる前記減圧容器の内底面領域とからなり、
前記第２減圧室は、前記第１減圧室の占有部分を除した前記減圧容器からなり、
前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室における内圧と前記第２減圧室における内圧との圧力差により前記箱体の天面を押し上げる第１の力が、前記箱体に作用する重力よりも小さい場合に前記遮断状態となり、
前記第１の力が前記箱体に作用する重力よりも大きい場合には、前記箱体と前記内底面との間に隙間が形成されて前記連通状態となる
請求項１３に記載の減圧乾燥方法。
【請求項１５】
前記減圧乾燥装置は、開口を有し且つ前記開口の周縁の全周が前記減圧容器の内底面と密着するように、前記減圧容器内に配置された箱体と、
前記箱体の前記天面を押し上げる方向を正の方向、前記箱体を前記内底面に押圧する方向を負の方向とするとき、正負いずれかの方向に第２の力を付与する力付与部とを備え、
前記第１減圧室は、前記箱体と、前記箱体で覆われる前記減圧容器の内底面領域とからなり、
前記第２減圧室は、前記第１減圧室の占有部分を除した前記減圧容器からなり、
前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室における内圧と前記第２減圧室における内圧との圧力差により前記箱体の天面を押し上げる第１の力が、負の方向に向かう前記第２の力と前記箱体に作用する重力との合成力である第１の合成力よりも小さい場合、或いは前記第１の力と正の方向に向かう前記第２の力との合成力である第２の合成力が、前記箱体に作用する重力よりも小さい場合には前記遮断状態となり、
前記第１の力が前記第１の合成力よりも大きい場合、或いは前記第２の合成力が前記重力よりも大きい場合には、前記箱体と前記内底面との間に隙間が形成されて前記連通状態となる
請求項１３に記載の減圧乾燥方法。
【請求項１６】
前記力付与部は、磁性部材と、電磁石とを有してなり、
前記電磁石への供給電流の大きさと向きを調節することにより、前記第２の力を調節する力調節部を有し、
前記磁性部材と前記電磁石とは、一方が前記箱体に取り付けられ、他方が前記一方と磁気結合可能に配置されている
請求項１５に記載の減圧乾燥方法。
【請求項１７】
前記力調節部は、前記減圧手段の駆動時において、
減圧時間の経過に伴い、前記第２の力の大きさを増大または減少させる
請求項１６に記載の減圧乾燥方法。
【請求項１８】
前記減圧乾燥装置は前記力調節部に接続された入力手段を備え、
前記力調節部は、前記入力手段から入力された情報に基づき、前記第２の力を調節する
請求項１６に記載の減圧乾燥方法。
【請求項１９】
前記減圧乾燥装置は前記第１減圧室と前記第２減圧室とを連通する連通経路に配置された圧力調節部を有し、
前記圧力調節部は、前記第１減圧室の第１内圧と前記第２減圧室の第２内圧との差が一定値以上である状態では前記第１減圧室と前記第２減圧室の間を連通状態とし、
前記圧力差が前記一定値未満の状態では前記第１減圧室と前記第２減圧室の間を遮断状態とする
請求項１２に記載の減圧乾燥方法。
【請求項２０】
前記乾燥対象物は、湿式法によって形成された有機膜を備える電子部品の中間製品である
請求項１２〜１９のいずれかに記載の減圧乾燥方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、特に塗布膜を良好に減圧乾燥するための減圧乾燥装置とこれを用いた減圧乾燥方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば有機ＥＬ素子等のデバイスの製造工程において、基板表面に機能性材料を含むインクを塗布し、塗布膜を乾燥させて機能層を形成する方法（以下、「湿式法」と称する。）が実施されている（特許文献１を参照）。
具体的に機能層を湿式法で形成する場合は、有機発光層を構成する機能性材料（有機発光材料）と溶媒とを含むインクを調整する。このインクをインクジェット法（液滴吐出法）等に基づき、基板の所定領域に塗布する。その後、塗布膜が形成された基板（以下、「乾燥対象物」と称する。）を減圧乾燥装置のチャンバ内に載置する（特許文献２を参照）。チャンバと配管を介して接続したポンプを駆動し、チャンバ内を一定の減圧値（例えば数［Ｐａ］程度）まで減圧し、減圧雰囲気を維持する。これにより、塗布膜中のインクの溶媒を蒸発させて減圧乾燥させ、機能層を得る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−２６７２９９号公報
【特許文献２】特開平１−２１９３６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
インクを減圧乾燥する際には、デバイスの性能低下を防ぐために、不純物ができるたけ塗布膜に付着しにくい環境で減圧乾燥を行うことが重要である。
本発明は従来に比べて減圧乾燥時の塗布膜への不純物の付着を防止することが可能な減圧乾燥装置と、これを用いた減圧乾燥方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の一態様である減圧乾燥装置は、乾燥対象物を収容する第１減圧室と、前記第１減圧室とは別個に設けられた第２減圧室と、前記第２減圧室の内圧を減圧する減圧手段とを有し、前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室と前記第２減圧室との間が遮断状態と連通状態とに交互に切り替わり、前記連通状態の際に前記第１減圧室の内圧が前記第２減圧室の内圧に追従して減圧され、前記乾燥対象物が乾燥される構成とする。
【発明の効果】
【０００６】
本発明の一態様である減圧乾燥装置では、乾燥対象物が第１減圧室に収容されており、減圧手段により減圧される第２減圧室が、第１減圧室と別個に存在する。よって、第１減圧室と第２減圧室とが互いに遮断状態にあれば、第２減圧室に存在する不純物が第１減圧室に侵入することはない。
また、第１減圧室の内圧は第２減圧室の内圧に追従させて減圧されるので、第１減圧室の内圧は常に第２減圧室の内圧以上に保たれる。よって、第１減圧室と第２減圧室とが互いに連通状態にあっても、第２減圧室に存在する不純物が第２減圧室から第１減圧室に侵入しにくい。
【０００７】
結果として本発明の一態様によれば、従来に比べて減圧乾燥時の塗布膜への不純物の付着を防止することが可能な減圧乾燥装置と、これを用いた減圧乾燥方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態１の減圧乾燥装置１の構成図
【図２】減圧乾燥装置１の機能ブロック図
【図３】箱体４の外観図（ａ）と、チャンバ３に載置された箱体４に作用する力を説明するための図（ｂ）
【図４】減圧乾燥プロセスにおける内圧Ｐ1と内圧Ｐ2と減圧時間（ｔ）との関係を示すグラフ
【図５】減圧乾燥プロセスの動作（Ｉ）におけるチャンバ３の様子を示す模式図（ａ）と、減圧乾燥プロセスの動作（ＩＩ）におけるチャンバ３の様子を示す模式図（ｂ）
【図６】不純物が付着していない有機ＥＬ素子の製造工程を示す図（ａ）、（ｂ１）、（ｃ１）と、不純物が付着した後の有機ＥＬ素子の製造工程を示す図（ｂ２）、（ｃ２）
【図７】実験サンプルの実施例１、２と比較例１、２と基準例１、２の寿命特性を示すグラフ
【図８】実施の形態２の減圧乾燥装置１Ａのチャンバ３内の構成を示す一部構成図
【図９】電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂ及び箱体４Ａの周辺の構成図
【図１０】減圧乾燥装置１Ａの機能ブロック図
【図１１】モード１におけるＣＰＵ５０の制御フロー図
【図１２】モード１の減圧乾燥プロセスにおける内圧Ｐ1と内圧Ｐ2と減圧時間（ｔ）との関係を示すグラフ
【図１３】モード１において、磁石４１Ａ、４１Ｂと作用部３３Ａ、３３Ｂとが誘引する様子を示す模式図
【図１４】モード１の減圧乾燥プロセス後期における内圧Ｐ1と、箱体４Ａを動作させるために必要な圧力差（Ｐ2−Ｐ1）の変動を示す図
【図１５】モード１における、乾燥対象物Ｗからの溶媒蒸気を内部空間２０に拡散させたときの様子を示す模式図
【図１６】モード１の変形例の減圧乾燥プロセス後期に内圧Ｐ1と、箱体４Ａを動作させるために必要な圧力差（Ｐ2−Ｐ1）の変動を示す図
【図１７】モード２におけるＣＰＵ５０の制御フロー図
【図１８】モード２の減圧乾燥プロセスにおける内圧Ｐ1と内圧Ｐ2と減圧時間（ｔ）との関係を示すグラフ
【図１９】モード２において、磁石４１Ａ、４１Ｂと作用部３３Ａ、３３Ｂとが反発する際の様子を示す図
【図２０】モード２の変形例の減圧乾燥プロセス後期における、内圧Ｐ1と、箱体４Ａを動作させるために必要な圧力差（Ｐ2−Ｐ1）の変動を示す図
【図２１】モード３におけるＣＰＵ５０の制御フロー図
【図２２】実施の形態３の減圧乾燥装置１Ｂのチャンバ３内の構成を示す一部構成図
【図２３】ソレノイドユニット３２Ｃ、３２Ｄ及び箱体４Ｂの周辺の構成図
【図２４】減圧乾燥装置１Ｂの機能ブロック図
【図２５】実施の形態４の減圧乾燥装置１Ｃのチャンバ３内の構成を示す一部構成図
【図２６】閉塞状態におけるバルブＶ3周辺の断面図（ａ）と、開放状態におけるバルブＶ3周辺の断面図（ｂ）
【図２７】実施の形態５の閉塞状態におけるバルブＶ4周辺の断面図（ａ）と、開放状態におけるバルブＶ4周辺の断面図（ｂ）
【図２８】従来の減圧乾燥装置における課題を説明するための一部構成図
【図２９】不純物の付着により点灯不良を生じた有機ＥＬ素子の構成を示す断面図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
＜本発明の各態様＞
本発明の一態様は、乾燥対象物を収容する第１減圧室と、前記第１減圧室とは別個に設けられた第２減圧室と、前記第２減圧室の内圧を減圧する減圧手段とを有し、前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室と前記第２減圧室との間が遮断状態と連通状態とに交互に切り替わり、前記連通状態の際に前記第１減圧室の内圧が前記第２減圧室の内圧に追従して減圧され、前記乾燥対象物が乾燥される構成とする。
【００１０】
本発明の別の態様では、内部に前記第１減圧室と前記第２減圧室とを有する減圧容器を備える構成とすることもできる。
本発明の別の態様では、開口を有し、前記開口の周縁の全周が前記減圧容器の内底面と密着するように、前記減圧容器内に配置された箱体を備え、前記第１減圧室は、前記箱体と、前記箱体で覆われる前記減圧容器の内底面領域とからなり、前記第２減圧室は、前記第１減圧室の占有部分を除した前記減圧容器からなり、前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室における内圧と前記第２減圧室における内圧との圧力差により前記箱体の天面を押し上げる第１の力が、前記箱体に作用する重力よりも小さい場合には前記遮断状態となり、前記第１の力が前記箱体に作用する重力よりも大きい場合には、前記箱体と前記内底面との間に隙間が形成されて前記連通状態となる構成とすることもできる。
【００１１】
本発明の別の態様では、開口を有し、前記開口の周縁の全周が前記減圧容器の内底面と密着するように、前記減圧容器内に配置された箱体と、前記箱体の前記天面を押し上げる方向を正の方向、前記箱体を前記内底面に押圧する方向を負の方向とするとき、正負いずれかの方向に第２の力を付与する力付与部とを備え、前記第１減圧室は、前記箱体と、前記箱体で覆われる前記減圧容器の内底面領域とからなり、前記第２減圧室は、前記第１減圧室の占有部分を除した前記減圧容器からなり、前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室における内圧と前記第２減圧室における内圧との圧力差により前記箱体の天面を押し上げる第１の力が、負の方向に向かう前記第２の力と前記箱体に作用する重力との合成力である第１の合成力よりも小さい場合、或いは前記第１の力と正の方向に向かう前記第２の力との合成力である第２の合成力が、前記箱体に作用する重力よりも小さい場合には前記遮断状態となり、前記第１の力が前記第１の合成力よりも大きい場合、或いは前記第２の合成力が前記重力よりも大きい場合には、前記箱体と前記内底面との間に隙間が形成されて前記連通状態となる構成とすることもできる。
【００１２】
本発明の別の態様では、前記力付与部は、磁性部材と、電磁石とを有してなり、前記電磁石への供給電流の大きさと向きを調節することにより、前記第２の力を調節する力調節部を有し、前記磁性部材と前記電磁石とは、一方が前記箱体に取り付けられ、他方が前記一方と磁気結合可能に配置されている構成とすることもできる。
本発明の別の態様では、前記力調節部は、前記減圧手段の駆動時において、減圧時間の経過に伴い、前記第２の力の大きさを増大または減少させる構成とすることもできる。
【００１３】
本発明の別の態様では、前記力調節部に接続された入力手段を備え、前記力調節部は、前記入力手段から入力された情報に基づき、前記第２の力を調節する構成とすることもできる。
本発明の別の態様では、前記箱体が前記内底面と密着する領域と、前記箱体と密着する前記内底面の領域とは、それぞれ平坦度が３μｍ以下且つ面粗度Ｒａが０．２５μｍ以下に設定されている構成とすることもできる。
【００１４】
本発明の別の態様では、前記第１減圧室と前記第２減圧室とを連通する連通経路に配置された圧力調節部を有し、前記圧力調節部は、前記第１減圧室の第１内圧と前記第２減圧室の第２内圧との差が一定値以上である状態では前記第１減圧室と前記第２減圧室の間を連通状態とし、前記圧力差が前記一定値未満の状態では前記第１減圧室と前記第２減圧室の間を遮断状態とする構成とすることもできる。
【００１５】
本発明の別の態様では、前記減圧手段はポンプであって、前記ポンプの内部には、潤滑成分と前記潤滑成分の酸化を防止する第１酸化防止剤とを含む潤滑剤と、樹脂材料と前記樹脂材料の酸化を防止する第２酸化防止剤とを含む真空シール材との少なくとも一方が用いられている構成とすることもできる。
本発明の別の態様では、前記乾燥対象物は、湿式法によって形成された有機膜を備える電子部品の中間製品である構成とすることもできる。
【００１６】
本発明の別の態様では、乾燥対象物を収容する第１減圧室と、前記第１減圧室とは別個に設けられた第２減圧室と、前記第２減圧室の内圧を減圧する減圧手段とを有する減圧乾燥装置を用いた減圧乾燥方法であって、前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室と前記第２減圧室との間を遮断状態と連通状態とに交互に切り替え、前記連通状態の際に前記第１減圧室の内圧を前記第２減圧室の内圧に追従して減圧することで、前記乾燥対象物を乾燥するものとする。
【００１７】
本発明の別の態様では、前記減圧乾燥装置は、内部に前記第１減圧室と前記第２減圧室とを有する減圧容器を備えることもできる。
本発明の別の態様では、前記減圧乾燥装置は開口を有し、前記開口の周縁の全周が前記減圧容器の内底面と密着するように、前記減圧容器内に配置された箱体を備え、前記第１減圧室は、前記箱体と、前記箱体で覆われる前記減圧容器の内底面領域とからなり、前記第２減圧室は、前記第１減圧室の占有部分を除した前記減圧容器からなり、前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室における内圧と前記第２減圧室における内圧との圧力差により前記箱体の天面を押し上げる第１の力が、前記箱体に作用する重力よりも小さい場合に前記遮断状態とし、前記第１の力が前記箱体に作用する重力よりも大きい場合には、前記箱体と前記内底面との間に隙間が形成されて前記連通状態とすることもできる。
【００１８】
本発明の別の態様では、前記減圧乾燥装置は、開口を有し且つ前記開口の周縁の全周が前記減圧容器の内底面と密着するように、前記減圧容器内に配置された箱体と、前記箱体の前記天面を押し上げる方向を正の方向、前記箱体を前記内底面に押圧する方向を負の方向とするとき、正負いずれかの方向に第２の力を付与する力付与部とを備え、前記第１減圧室は、前記箱体と、前記箱体で覆われる前記減圧容器の内底面領域とからなり、前記第２減圧室は、前記第１減圧室の占有部分を除した前記減圧容器からなり、前記減圧手段の駆動時において、前記第１減圧室における内圧と前記第２減圧室における内圧との圧力差により前記箱体の天面を押し上げる第１の力が、負の方向に向かう前記第２の力と前記箱体に作用する重力との合成力である第１の合成力よりも小さい場合、或いは前記第１の力と正の方向に向かう前記第２の力との合成力である第２の合成力が、前記箱体に作用する重力よりも小さい場合には前記遮断状態とし前記第１の力が前記第１の合成力よりも大きい場合、或いは前記第２の合成力が前記重力よりも大きい場合には、前記箱体と前記内底面との間に隙間が形成されて前記連通状態とすることもできる。
【００１９】
本発明の別の態様では、前記力付与部は、磁性部材と、電磁石とを有してなり、前記電磁石への供給電流の大きさと向きを調節することにより、前記第２の力を調節する力調節部を有し、前記磁性部材と前記電磁石とは、一方を前記箱体に取り付け、他方を前記一方と磁気結合可能に配置することもできる。
本発明の別の態様では、前記力調節部は、前記減圧手段の駆動時において、減圧時間の経過に伴い、前記第２の力の大きさを増大または減少させることもできる。
【００２０】
本発明の別の態様では、前記減圧乾燥装置は前記力調節部に接続された入力手段を備え、前記力調節部は、前記入力手段から入力された情報に基づき、前記第２の力を調節することもできる。
本発明の別の態様では、前記減圧乾燥装置は前記第１減圧室と前記第２減圧室とを連通する連通経路に配置された圧力調節部を有し、前記圧力調節部は、前記第１減圧室の第１内圧と前記第２減圧室の第２内圧との差が一定値以上である状態では前記第１減圧室と前記第２減圧室の間を連通状態とし、前記圧力差が前記一定値未満の状態では前記第１減圧室と前記第２減圧室の間を遮断状態とすることもできる。
【００２１】
本発明の別の態様では、前記乾燥対象物は、湿式法によって形成された有機膜を備える電子部品の中間製品とすることもできる。
＜発明に至る経緯＞
本願発明者らは、有機ＥＬ素子の製造工程において機能層を湿式法で形成する場合等に、特に以下の課題があることに着目した。
【００２２】
有機ＥＬ素子は図２９に示すように、一例として、基板１１１の表面に陽極１１２、ＩＴＯ層１１３、ホール注入層１１４、バンク１１５を形成した後、有機発光層１１６、電子輸送層１１７、陰極１１８、封止層１１９を順次形成して製造される。この場合、例えば湿式法を用いて有機発光層１１６が形成される。
具体的に有機発光層１１６を湿式法で形成する場合には、有機発光材料と溶媒とを含むインクを調整する。このインクをインクジェット法（液滴吐出法）等で基板の所定領域に塗布する。その後、塗布膜が形成された基板（以下、「乾燥対象物」と称する。）を減圧乾燥装置のチャンバ内に載置する（例えば特許文献２を参照）。チャンバと配管を介して接続したポンプを駆動し、チャンバ内を一定の減圧値（例えば数［Ｐａ］程度）まで減圧し、減圧雰囲気を維持する。これにより、塗布膜中のインクの溶媒を蒸発させて減圧乾燥させる。一定時間経過後、インクの溶媒を完全に乾燥させて有機発光層１１６を得る。
【００２３】
ポンプを駆動させると、減圧乾燥プロセスの初期ではチャンバ内の雰囲気がポンプに吸い出されてチャンバの内圧が急速に減圧される。しかしながらチャンバの内圧がポンプの性能限界に近づくとポンプの排気量は減っていき、減圧値が目標値となる付近ではポンプの排気量が微小になって、チャンバとポンプの間の配管とを流れる気流が非常に弱くなる。
【００２４】
このような状態では、ポンプ中の気体が配管を通じてチャンバ内に逆流し易くなる。ポンプ中の気体には潤滑油のミスト等が含有する各種添加剤（以下、「不純物」と称する。）が分散している。従って図２８に示すように、不純物がポンプ中の気体とともにチャンバ内に流れ込み、乾燥対象物の塗布膜に付着するおそれがある。
塗布膜に不純物が付着すると、機能層が特性劣化を起こす可能性がある。図２９では減圧乾燥する際に不純物が有機発光層１１６に付着した状態で有機ＥＬ素子が形成された結果、駆動時に不純物により素子中のキャリアの流れが阻害され、点灯不良が発生した様子を示す。
【００２５】
この問題について本願発明者らが鋭意検討したところ、乾燥対象物を収容する第１減圧室と、ポンプが接続された第２減圧室とを設け、第１及び第２減圧室の間を遮断状態と連通状態とに繰り返し切り替え、第２減圧室の内圧の減圧に追従して第１減圧室の内圧を減圧すれば、第２減圧室中に存在する不純物が乾燥対象物に付着しにくいことを見出した。
本発明はこの観点に基づき、特に減圧乾燥時に塗布膜へのポンプ由来の不純物の付着を防止することが可能な減圧乾燥装置と、これを用いた減圧乾燥方法に相当を提供するものである。
【００２６】
＜実施の形態１＞
以下、図１〜図６を用いて本発明の実施の形態１に係る減圧乾燥装置１を説明する。
（減圧乾燥装置１）
減圧乾燥装置１は、大別すると図１に示すように、装置本体２と、チャンバ３と、箱体４と、制御部５と、ポンプ６と、ヒータ７と、ガス供給管８と、吸気管９と、排気管１０と、扉１１と、ガスボンベ１５と、配管１６と、Ｎ2バルブＶ1と、減圧バルブＶ2とを備える。
【００２７】
減圧乾燥装置１は、さらに機能ブロック図の図２に示すように、バルブ制御部１２と、ポンプ制御部１３とを備える。バルブ制御部１２とポンプ制御部１３とは制御部５のＣＰＵ５０に接続される。バルブ制御部１２にはＮ2バルブＶ1と、減圧バルブＶ2とが接続される。ポンプ制御部１３にはポンプ６が接続される。
［装置本体２］
装置本体２は全体として箱型の筐体を有し、図１の紙面手前側に出し入れ口を有するチャンバ（減圧容器）３を備える。また装置本体２は、チャンバ３の下方にポンプ６と、ヒータ７とを内蔵する。チャンバ３と隣接する側部にはオペレータが操作し易い位置に制御部５を有する。尚、装置本体２にはチャンバ３を密閉または外部に開放するための扉１１が開閉自在に取り付けられている。
【００２８】
チャンバ３は乾燥対象物を減圧雰囲気下で乾燥させる。一例としてチャンバ３は直方体状の内壁で囲んだ内部空間２０を有する。またチャンバ３は、表面が水平方向に配された内底面３０を有する。チャンバ３の上面３１にはガス供給管８の一端が接続され、内底面３０には吸気管９の一端が接続されている。内底面３０のうち、少なくとも箱体４と接する領域の表面は、高度な平坦性を有するように表面処理されている。この表面処理は、公知の静電チャックが機能する程度であり、一例として平坦度が３[μｍ]以下且つ面粗度Ｒａが０．２５[μｍ]以下に調整されている。チャンバ３は主としてステンレス等の金属材料で構成される。
【００２９】
尚、例えば乾燥対象物が２０インチ程度の板状である場合、チャンバ３の容積としては７７［Ｌ］程度が望ましい。
［箱体４］
箱体４は、チャンバ３の内底面３０に載置される乾燥対象物を覆うように配置される。
箱体４は正面視すると矩形状であって、その天地を逆に示す図３（ａ）のように、天面４１と、箱体４における開口の周縁を取り囲む側面４２とを有する。側面４２の頂部である周端面４０は、箱体４における開口の周縁の全周にわたって内底面３０と密着する部位であり、内底面３０と同様に高度な平坦性を有するように表面処理されている。これにより箱体４をチャンバ３内に載置すると、周端面４０と内底面３０とが密に接触する。側面４２の高さｈは乾燥対象物を収容可能な高さに設定されている。図３（ｂ）に示すように、箱体４が内底面３０に載置された状態では、箱体４の内表面と内底面３０とで取り囲む内部空間２１は、箱体４の外表面を取り囲むチャンバ３の内部空間２０と区画され、内部空間２０、２１が互いに遮断状態となっている。減圧乾燥装置１においては、箱体４と、箱体４で覆われるチャンバ３の内底面３０の領域とが第１減圧室として機能する。また、第１減圧室の占有部分を除したチャンバ３が第２減圧室として機能する。箱体４は金属材料、もしくは硬質ガラス材料を用いてできるだけ軽量に構成することが望ましい。
【００３０】
［制御部５］
制御部５は図２に示すように、ＣＰＵ５０と、メモリ５１と、入力手段５２と、モニタ５３とを有する。入力手段５２は装置本体２において、オペレータが操作可能な位置に設けられる。また、モニタ５３は表示内容をオペレータが視認し易い位置に設けられる。
ＣＰＵ５０は、オペレータが入力手段５２より入力した指示に基づき、Ｎ2バルブＶ1と減圧バルブＶ2との制御をバルブ制御部１２に指示する。この制御には、各バルブの開閉と、バルブ開放量の調節とが含まれる。またＣＰＵ５０は、オペレータが入力手段５２より入力した情報に基づき、ポンプ６の駆動制御をポンプ制御部１３に指示する。この指示内容には、例えばポンプ６の減圧速度[Ｐａ／ｓｅｃ]が含まれる。
【００３１】
またＣＰＵ５０は、メモリ５１に格納された所定の制御プログラム（ポンプ制御プログラム）に基づき、予め設定された減圧速度[Ｐａ／ｓｅｃ]でポンプ６を駆動して目標到達値[Ｐａ]まで減圧し、且つ、一定時間、その減圧状態を保つようにバルブ制御部１２に指示する。これとともにＣＰＵ５０はヒータ７の加熱温度、チャンバ３の内圧、ポンプ６のオン／オフ状態等の情報をモニタ５３に表示させる。
【００３２】
メモリ５１は、例えば公知のＨＤＤであり、ポンプ制御プログラムを含む各種制御プログラムを格納し、ＣＰＵ５０に対して適宜読み取り可能に接続されている。
入力手段５２は複数の入力キーを備えてなり、入力信号がＣＰＵ５０に送信されるように配されている。
モニタ５３は液晶ディスプレイであり、ＣＰＵ５０により上記情報が表示される。
【００３３】
尚、ＣＰＵ５０、メモリ５１、入力手段５２、モニタ５３としては公知のパーソナルコンピュータ（ＰＣ）を利用することもできる。
［ポンプ６］
ポンプ６は吸気管９を介してチャンバ３の内部空間２０の雰囲気を排気し、内部空間２０の内圧を減圧する減圧手段である。ポンプ６はいわゆる真空ポンプであり、一例としてメカニカルブースターポンプである。ポンプ６の排気は排気管１０を介して装置本体２の外部に排出される。
【００３４】
［ヒータ７］
ヒータ７はチャンバ３の内底面３０を所定温度に加熱し、減圧乾燥時の乾燥対象物Ｗの塗布膜を溶媒蒸発し易い温度に調整する。ヒータ７は、例えば入力手段５２からオペレータが入力する情報に基づいてＣＰＵ５０により温度調整される。
［ガスボンベ１５］
ガスボンベ１５は、配管１６とガス供給管８とを介してチャンバ３の内部空間２０にガスを供給する。ガスボンベ１５には、不活性ガスの一例として窒素（Ｎ2）ガスが封入されている。ＣＰＵ５０によりＮ2バルブＶ1が開放されると、Ｎ2バルブＶ1と配管１６と通じてＮ2ガスが内部空間２０に満たされ、内部空間２０の内圧が昇圧される。尚、不活性ガスは窒素ガスに限定されず、その他の不活性ガス、例えばアルゴン（Ａｒ）ガス等の希ガスを用いることもできる。
（減圧乾燥装置１を用いた減圧乾燥プロセス）
次に、減圧乾燥装置１を用いた減圧乾燥プロセスを説明する。乾燥対象物としては、電子部品の一例として、図６（ａ）に示す有機ＥＬ素子の中間製品１２０Ｘを用いる。中間製品１２０Ｘは、基板１１１の上面に陽極１１２、ＩＴＯ層１１３、ホール注入層１１４、バンク１１５を順次形成した後、バンク１１５の間から露出するホール注入層１１４の表面に、有機発光材料と溶媒とを含むインク１１６ａを滴下した構成を有する。ここでは減圧乾燥装置１を用い、インク１１６ａを減圧乾燥させて有機膜（有機発光層１１６）を形成する。
【００３５】
（乾燥対象物の載置）
オペレータは、乾燥対象物（中間製品１２０Ｘ）を静かにチャンバ３の内底面３０に載置する。乾燥対象物を覆うように箱体４を被せ、周端面４０を内底面３０と密に接触させる。
扉１１を閉じ、チャンバ３を密閉する。オペレータは入力手段５２を操作し、バルブ制御部１２を介してＮ2バルブＶ1を閉じ、減圧バルブＶ2を開放するようにＣＰＵ５０に指示する。その後、オペレータは入力手段５２を操作し、ポンプ制御部１３を介してポンプ６を始動するようにＣＰＵ５０に指示する。
【００３６】
（減圧乾燥プロセス初期）
減圧乾燥プロセスが開始されると、チャンバ３の内部空間２０の雰囲気が吸気管９を介してポンプ６に吸気され始める。予め設定されたポンプ６の減圧速度により、例えば始動後２分で内部空間２０の内圧が大気圧から３８［Ｐａ］程度まで減圧される。
ここで箱体４には、図３（ｂ）に示すように、箱体４に作用する重力をＭｇ、箱体４の天面４１の面積をＳ、内部空間２０の内圧をＰ1、内部空間２１の内圧をＰ2とするとき、箱体４には以下の式１で示す力Ｆ1が作用している。
［式１］    Ｆ1＝（Ｐ2−Ｐ1）・Ｓ＋Ｍｇ
また、箱体４が内底面３０に載置されている当初において、箱体４に及ぶ各力の関係は次の式２で表される。
［式２］    Ｐ2・Ｓ＜（Ｐ1・Ｓ＋Ｍｇ）
減圧乾燥装置１では、減圧乾燥プロセス中に式１の関係を変動させることにより、以下の動作（Ｉ）と（ＩＩ）を繰り返し行うように箱体４を動作させる。
【００３７】
［動作（Ｉ）］
式１が成立している間、箱体４は内底面３０に対して｛（Ｐ1−Ｐ2）・Ｓ＋Ｍｇ｝の力で押圧され、周端面４０が内底面３０と強く密着する。すなわち、圧力差（Ｐ1−Ｐ2）により箱体４の天面４１を押し上げる第１の力（Ｐ1−Ｐ2）・Ｓが、箱体４に作用する重力Ｍｇよりも小さい場合、内部空間２０と内部空間２１とは互いに遮断状態となる。この場合、内圧Ｐ2は一定であり、内圧Ｐ1は減圧されていく。
【００３８】
尚、本発明で言う「遮断状態」とは、内部空間２０と内部空間２１との間が完全に遮断された状態のみに限定されず、実質的に遮断された状態も含む。この「実質的に遮断された状態」とは、内部空間２０の内圧Ｐ1と内部空間２１の内圧Ｐ2との圧力差（Ｐ1−Ｐ2）が４０Ｐａとなるようにそれぞれ調節し、箱体４を内底面３０に載置するとき、１［ｈ］経過後の圧力差（Ｐ1−Ｐ2）が当初の圧力差の８０％以上に保持される状態と定義される。このように「実質的に遮断された状態」は、内部空間２０と内部空間２１との間に極僅かな間隙が存在する場合も含む。
【００３９】
［動作（ＩＩ）］
内部空間２０の減圧が進行すると、内圧Ｐ1が内圧Ｐ2に比べて十分に低くなり、｛（Ｐ1−Ｐ2）・Ｓ＋Ｍｇ｝が負の値になる。このとき式２が成立しなくなり、箱体４に及ぶ各力の関係は以下の式３を満たすものとなる。
［式３］    Ｐ2・Ｓ＞（Ｐ1・Ｓ＋Ｍｇ）
式３が成立すると、内圧差（Ｐ1−Ｐ2）により箱体４が浮き上がり、周端面４０と内底面３０との間にわずかな隙間が生じる。すなわち第１の力（Ｐ1−Ｐ2）・Ｓが、箱体４に作用する重力Ｍｇよりも大きい場合、内部空間２０と内部空間２１とは互いに連通状態となる。この連通状態の際、内部空間２１の雰囲気が内部空間２０に向けて排気され、内圧差（Ｐ1−Ｐ2）が解消される（Ｐ1−Ｐ2＝０）。
【００４０】
これ以降は上記した動作（Ｉ）、動作（ＩＩ）が順に繰り返される。
図４は、減圧乾燥プロセス中の内圧Ｐ1、Ｐ2の変動を示すグラフである。ＣＰＵ５０がポンプ制御プログラムに基づき、ポンプ制御部１３にポンプ６の駆動制御を指示することで、内圧Ｐ1が減圧曲線に沿って減圧される。一方、動作（Ｉ）と動作（ＩＩ）が繰り返されることで、内圧Ｐ2は内圧Ｐ1に追随し、内圧Ｐ1の減圧曲線に沿ってステップ状に減圧する。
【００４１】
減圧乾燥プロセス開始直後は、ポンプ６の性能に十分な余裕があるため、内圧Ｐ1、Ｐ2はいずれも急激に減圧する。内圧Ｐ1の急激な減圧に伴い、内圧差（Ｐ1−Ｐ2）も急激に増大する。従って箱体４は動作（Ｉ）と動作（ＩＩ）を激しく繰り返し、単位時間当たりの動作数（動作（Ｉ）と動作（ＩＩ）の繰り返し数）は図４のように細かくなる。
（減圧乾燥プロセス後期）
やがて減圧時間が減圧経過時間Ｔ1を経ると、ポンプ６の性能限界が近くなり、図４に示すように内圧Ｐ1の減圧速度が緩やかになる。これに伴い、式３が成立するための内圧差（Ｐ1−Ｐ2）が生じるまでにある程度の時間が掛かるようになり、単位時間当たりの動作数は減少する。さらに内圧Ｐ1の減圧が進行すると、目標の減圧到達値付近ではポンプ６の排気量が微小になる。このときチャンバ３とポンプ６の間の吸気管９を流れる気流が非常に弱くなる。
【００４２】
このような状態になると図５（ａ）に示すように、ポンプ６中の気体が、不純物とともに吸気管９を通じてチャンバ３内に逆流し、内部空間２０に拡散することがある。
しかしながら減圧乾燥装置１では、動作（Ｉ）において箱体４の周端面４０が内底面３０と密着している間、内部空間２１は内部空間２０と遮断状態にある。従って、内部空間２０から内部空間２１に不純物が侵入し、乾燥対象物Ｗに接触することがない。
【００４３】
また、動作（ＩＩ）において箱体４が浮き上がる際は、内圧Ｐ2は内圧Ｐ1よりも高圧になっている。すなわち内圧Ｐ2は内圧Ｐ1に追従させて減圧されるため、内圧Ｐ2は常に内圧Ｐ1以上である。よって、この場合も不純物が内部空間２０から内部空間２１に侵入し、乾燥対象物Ｗに接触するのが防止される。
結果として、たとえ内部空間２０にポンプ６由来の不純物が拡散して存在する場合であっても、不純物が乾燥対象物Ｗに付着するのを効果的に防止できる。
【００４４】
減圧時間が減圧終了時間ＴEに達すると、ＣＰＵ５０はポンプ６の駆動停止をポンプ制御部１３に指示する。さらにＣＰＵ５０は減圧バルブＶ2を閉じ、Ｎ2バルブＶ1を開けてＮ2ガスをチャンバ３内に導入するようにバルブ制御部１２に指示する。Ｎ2ガスの導入によりチャンバ３の内圧Ｐ1がある程度上昇すると減圧乾燥プロセスが終了する。その後、オペレータは扉１１を開けて乾燥対象物Ｗを回収することができる。
（箱体４の開閉動作の調整について）
箱体４の開閉動作は、式２と式３とに基づいて行われる。従って、ポンプ６の減圧速度［Ｐａ／ｓｅｃ］を一定にした場合において、箱体４の開閉動作は、箱体４に作用する重力Ｍｇと、箱体４の天面４１の面積Ｓの少なくともいずれかを変化させることで調整が可能である。
【００４５】
すなわち箱体４に作用する重力Ｍｇが増大すると、天面４１を押し上げようとする第１の力（Ｐ1−Ｐ2）・Ｓに対して箱体４が浮き上がりにくくなるため、箱体４の開閉動作を緩慢に調整することができる。
また、箱体４の天面４１の面積Ｓが増大すると第１の力（Ｐ1−Ｐ2）・Ｓが大きくなるため、箱体４が浮き上がり易くなり、箱体４の開閉動作を高速に調整することができる。
【００４６】
ここで通常、箱体４のサイズに比例して、天面４１の面積Ｓと箱体４に作用する重力Ｍｇとはともに増大する。従って、例えば大型の箱体４で開閉動作を高速に調節する場合、例えば箱体４の部材厚みを薄くして重力Ｍｇの増大を抑制すればよい。或いは小型の箱体４で開閉動作を緩慢に調節する場合、例えば箱体４の部材厚みを厚くして重力Ｍｇを増大させればよい。
【００４７】
尚、天面４１の面積Ｓと、箱体４に作用する重力Ｍｇをどのように変化させても、動作（Ｉ）と動作（ＩＩ）とを行う際、箱体４の内圧Ｐ2は常に内圧Ｐ1以上に保たれている。このため、上記したように乾燥対象物Ｗに内部空間２１の不純物が付着するのを防止できる。
（性能確認試験）
実施の形態１における減圧乾燥装置１とこれを用いた減圧乾燥方法の性能を確認するため、以下の手順で性能確認実験を行った。
［乾燥対象物の準備］
実験に供する乾燥対象物Ｗとして、図６（ａ）に示す有機ＥＬ素子の中間製品１２０Ｘを作製した。インク１１６ａはスピンコート法に基づいて塗布した。この中間製品１２０Ｘを１３０℃で１０分ベークした後、減圧乾燥炉内に載置し、減圧処理を施してインク溶媒を減圧乾燥することにより有機発光層を形成した。これにより、インク溶媒の減圧乾燥中における箱体の効果を確認した。
【００４８】
尚、本来であれば、インク塗布後に減圧乾燥を実施した後、ベーク工程を実施するプロセスとなるが、本実験では箱体の効果を明確に確認すべく、インク塗布後にベーク工程を実施し、インク溶媒の減圧乾燥を実施するものとした。このようにベーク工程前の乾燥工程を省く目的で、低沸点溶媒のキシレンをインク溶媒として用いた。ここで、実際のプロセスでキシレンを溶媒に用いるとインクジェットノズルの不具合が生じうるので、キシレンは実験のためのインク溶媒として用いた。実際のインク溶媒としては、例えば沸点が２００度程度の塗布後に乾燥工程を必要とする溶媒が好適である。
【００４９】
同一構成の乾燥対象物Ｗを合計６サンプル準備し、基準例１、２、比較例１、２、実施例１、２とした。各サンプルは、基板サイズが縦３[ｃｍ]×横３[ｃｍ]、サブピクセルサイズが縦２５０[μｍ]×横２５０[μｍ]であり、基板の電極上に複数の有機ＥＬ素子をマトリクス状に形成した構成とした。
［実験手順］
減圧乾燥装置としてはヤマト科学株式会社製角型真空乾燥炉を用いた。減圧乾燥プロセスとして、減圧速度を大気圧（１０１３［Ｐａ］）から３９［Ｐａ］まで１２０［ｓｅｃ］で減圧し、且つ真空到達度を５［Ｐａ］に設定した。減圧乾燥中の基板温度を３５℃、減圧乾燥プロセス時間を１［［ｈ］とした。
【００５０】
箱体４としては、ＡＧＣテクノグラス株式会社製である、内径６［ｃｍ］×高さ２４［ｍｍ］、天面面積１．１３×１０-2［ｍ2］、重量４５．５［ｇ］の硬質ガラス製シャーレを用いた。
チャンバ３の内部に、ポンプ由来の不純物の侵入を防ぐためのステンレスバットのトレーを載置した。基準例１、２については、比較例１、２と実施例１、２とに先行して、サンプルをチャンバ３の内部のトレーに載置し、各サンプルを箱体で覆わずに減圧乾燥した。これにより基準例１、２を、不純物の付着が最も少ない基準サンプルとした。
【００５１】
比較例１、２については、チャンバの内部空間に不純物が存在する状況を作り易いように、ポンプと同様の不純物源に見立てた潤滑油をサンプルとともにチャンバ３の内部のトレーに載置した。この状態で、サンプルを箱体で覆わずに減圧乾燥した。
実施例１、２については、比較例１、２と同様にサンプルと、不純物源に見立てた潤滑油とをチャンバ３の内部のトレーに載置した。サンプルは箱体で覆った。この状態で、上記した実施の形態１の減圧乾燥プロセスにて減圧乾燥した。
【００５２】
尚、基準例１、２、比較例１、２、実施例１、２の減圧乾燥プロセスの条件（減圧乾燥雰囲気、減圧乾燥温度、減圧時間）は、いずれも同一とした。基準例１、２、比較例１、２、実施例１、２の差異について表１に示す。
【００５３】
【表１】
2014228250.tif 000003
基準例１、２、比較例１、２、実施例１、２の各サンプルをそれぞれ減圧乾燥し、有機発光層を形成した。この有機発光層の上に、電子輸送層、陰極、封止層を順次形成して有機ＥＬ素子を得た。基準例１、２、比較例１、２、実施例１、２の有機ＥＬ素子を同一の駆動条件（駆動電圧５Ｖ）で駆動させた。このときの発光時間と発光量との関係を図７のグラフに示す。グラフ中の発光量は規格化している。
［実験結果の考察］
図７に示すように、比較例１、２は基準例１、２に比べて発光時間が極めて短く、素子寿命特性が優れない結果が確認された。比較例１、２でこのような結果が得られた理由として、減圧乾燥時において図６（ｂ２）に示すように有機発光層１１６に潤滑油由来の不純物が付着したことが考えられる。すなわち有機発光層１１６に不純物が付着した状態で、図６（ｃ２）に示すように電子輸送層１１７、陰極１１８、封止層１１９が順次形成されて有機ＥＬ素子１２０´が形成されたことにより、陽極１１２と陰極１１８との間で不純物がキャリアの流れを阻害したり、不純物が有機発光層１１６を劣化させた可能性がある。
【００５４】
一方、実施例１、２は、比較例１、２と同様に、不純物源に見立てた潤滑油をチャンバ内に載置したにも関わらず、基準例１、２に近い良好な寿命特性が確認された。実施例１、２でこのような結果が得られた理由として、箱体４を用いた減圧乾燥中に、潤滑油由来の不純物が乾燥対象物Ｗに付着するのが防止されたことが考えられる。すなわち、図６（ｂ１）のように不純物の付着を防いで形成された有機発光層１１６に対し、図６（ｃ１）に示すように電子輸送層１１７、陰極１１８、封止層１１９が順次形成され、適切に有機ＥＬ素子１２０が形成されたことにより、有機ＥＬ素子１２０が有する本来の発光特性が発揮されたものと考えられる。
【００５５】
尚、ポンプ由来の不純物がチャンバ３に拡散するのを防止するトレーを用いたことで、基準例１、２、比較例１、２、実施例１、２にポンプ由来の不純物が付着するおそれは同一レベルに低められている。従って、比較例１、２に対する実施例１、２の優位性は変わらない。
また、実験に用いた箱体４は公知のガラス製シャーレであり、周端面に高度な平坦性を有するように表面処理していない。このため減圧乾燥プロセス中に箱体４がチャンバ３の内底面３０に載置された状態でも、内部空間２１の極僅かな量の雰囲気が内部空間２０に排気された可能性がある。箱体４がチャンバ３の内底面３０に載置された状態において、箱体４とチャンバ３の内底面との間に存在する隙間が極僅かであれば、１［ｈ］程度の比較的短時間の減圧乾燥プロセスでは内部空間２１の内圧が常に内部空間２０の内圧以上に保持されるため、結果的に内部空間２０に存在する不純物が内部空間２１侵入して乾燥対象物Ｗに付着するのが防止されたものと推測される。
［不純物についての考察］
ポンプ６由来の不純物の具体例として潤滑剤が挙げられる。通常、潤滑剤は潤滑成分（例えば、潤滑油である。）と、潤滑成分を酸化防止する第１酸化防止剤とを含む。また、ポンプ６内部に配される真空シール材は、通常、樹脂材料を酸化防止する第２酸化防止剤を含む。従ってポンプ６には、第１酸化防止剤と第２酸化防止剤の少なくともいずれかが用いられている可能性がある。
【００５６】
これらの酸化防止剤は、潤滑成分の酸化または樹脂材料の酸化が原因で生じうる所謂スラッジやワニスを抑制するものであり、例えば連鎖停止剤、過酸化物分解剤、金属不活性化剤等の種類が知られている。
本願発明者らが検討したところ、第１酸化防止剤と第２酸化防止剤のいずれかにジフェニルアミン系化合物やフェノール系化合物等が含まれていると、これらの化合物が不純物として有機ＥＬ素子の中間製品に付着した場合に、ラジカルアニオン状態となって有機発光層を劣化させ易いことが分かった。本発明ではこのような化合物を含む不純物が乾燥対象物Ｗの減圧乾燥中に付着するのを防止することで、塗布膜を減圧乾燥して形成される機能層の性能劣化を適切に防止したものである。
【００５７】
尚、減圧雰囲気下で乾燥対象物Ｗに不純物が付着する理由を推測すると、減圧下では雰囲気の気体分子数に対する不純物分子数が比較的多くなり、且つ、不純物分子の平均自由工程が長くなるため、乾燥対象物Ｗに対する不純物分子の衝突確率が高まることが考えられる。一方、減圧乾燥後に大気圧下でチャンバ３より乾燥対象物Ｗを取り出す際には、たとえ内部空間２０に若干の不純物が存在していても、減圧下ほどには乾燥対象物Ｗに付着しにくい。従って、乾燥対象物Ｗに不純物が付着する可能性があるときは、乾燥対象物Ｗの雰囲気圧を大気圧に近い程度に十分高い圧力にしておくことが望ましい。
【００５８】
以下、本発明の別の実施の形態について、実施の形態１との差異を中心に説明する。
＜実施の形態２＞
実施の形態２について、図８〜図２２を用いて説明する。
減圧乾燥装置１との違いとして、実施の形態２の減圧乾燥装置１Ａは図８と図９に示すように、チャンバ３の内部空間２０に配置された箱体４Ａと、一対のフレーム３１Ａ、３１Ｂと、電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂと、圧力計ＰＧ１、ＰＧ２とを有する。また図１０の機能ブロックに示すように、減圧乾燥装置１Ａは電磁石制御部１４を有する。
【００５９】
図９に示すように、箱体４Ａは天面４１の上面に固定された一対の長尺状の磁性部材（磁石４１Ａ、４１Ｂ）を有する。磁石４１Ａ、４１ＢはＹ方向に平行な天面４１の一対の端辺に沿って、同極性の磁極（ここではＮ極）を上方に向けて固定されている。
フレーム３１Ａ、３１Ｂは剛性の高い金属材料からなり、クランク状の外観を有し、下端部がチャンバ３の内底面３０に固定されている。フレーム３１Ａ、３１Ｂの上端部は天面４１の一部と重なるように配置される。
【００６０】
電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂは、垂直（Ｚ）方向を軸方向とする鉄芯にコイルを巻回してなる公知の電磁石（不図示）と、鉄芯に磁気結合された作用部３３Ａ、３３Ｂとを有する。図９に示すように電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂは、フレーム３１Ａ、３１Ｂの上端部に固定されている。作用部３３Ａ、３３Ｂは磁石４１Ａ、４１Ｂと間隔をおいて磁気結合可能に配されている。電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂの制御（電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂのオンオフ制御、電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂへの供給電流の大きさと向きの調節を含む）は、図１０に示すように電磁石制御部１４により制御される。
【００６１】
チャンバ３には、内部空間２０の内圧Ｐ1を計測する圧力計ＰＧ１と、内部空間２１の内圧Ｐ2を計測する圧力計ＰＧ２とが配置される。圧力計ＰＧ１、ＰＧ２の各計測値は、図１０に示すようにＣＰＵ５０により管理される。
メモリ５１には、減圧乾燥プロセスにおいて電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂを後述する［第１モード］、［第２モード］、［マニュアルモード］のいずれかで制御するための電磁石制御プログラムが格納されている。
【００６２】
減圧乾燥装置１Ａでは、磁石４１Ａ、４１Ｂと電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂとフレーム３１Ａ、３１Ｂとが、箱体４Ａに対して力Ｆｍ1〜Ｆｍ3をそれぞれ付与する力付与部として機能する。また、ＣＰＵ５０と電磁石制御部１４とが、箱体４Ａに対する力Ｆｍ1〜Ｆｍ3の大きさと向きを調整する力調節部として機能する。
以下、減圧乾燥プロセスの詳細をモード毎に説明する。
【００６３】
［モード１］
モード１は、減圧乾燥プロセス初期では電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂをオフ制御（Ｆ＝０）し、減圧乾燥プロセス後期では磁石４１Ａ、４１Ｂと電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂとが誘引するように電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂをオン制御する駆動モードである。
モード１を用いた減圧乾燥プロセスを行う際、オペレータは入力手段５２を操作し、ＣＰＵ５０にモード１の実行を指示する。ＣＰＵ５０はメモリ５１に格納された電磁石制御プログラムに従い、図１１に示す制御フローに沿って減圧乾燥プロセスを開始する。
【００６４】
具体的にＣＰＵ５０はタイマのカウントをリセットし（Ｓａ１）、その後、減圧乾燥プロセスのタイムカウントを開始する（Ｓａ２）。続いてＣＰＵ５０は、ポンプ制御部１３にポンプ６の始動を指示する（Ｓａ３）。これによりチャンバ３では、図１２に示すように内圧Ｐ1、Ｐ2が減圧されていく。減圧乾燥プロセス初期では内圧Ｐ1、Ｐ2の急激な減圧によって、式２と式３とに基づき、箱体４Ａが激しく動作（Ｉ）と動作（ＩＩ）とを繰り返す。内圧Ｐ2は内圧Ｐ1に追随して段階的に減圧される。箱体４Ａが閉じた状態では、内部空間２１は内部空間２０と互いに  遮断され、箱体４Ａが開放された状態では内部空間２１から内部空間２０に向けて排気される。従って、乾燥対象物Ｗに内部空間２０中の不純物が付着するのが防止される。
【００６５】
減圧経過時間Ｔ2において、圧力計ＰＧ１の計測値から内圧Ｐ1が所定の圧力Ｐｘ1（乾燥対象物Ｗが中間製品１２０Ｘの場合は、一例として約１５［Ｐａ］）に到達したとＣＰＵ５０が判断すると（Ｓａ４）、ＣＰＵ５０は電磁石制御プログラムに基づき、図１３に示すように磁石４１Ａ、４１Ｂを一定の力Ｆｍ1で誘引すべく、電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂをオン制御する旨を電磁石制御部１４に指示する（Ｓａ５）。これにより箱体４Ａには、内底面３０から離間する方向に力Ｆｍ1が付与される。箱体４Ａには、全体として以下の式４に示す力Ｆ1が垂直（Ｚ）方向に作用する。
［式４］  Ｆ1＝（Ｐ2−Ｐ1）・Ｓ−Ｍｇ＋Ｆｍ1
ここでＭｇは箱体４Ａに作用する重力、Ｓは箱体４Ａの天面４１の面積である。Ｆｍ1の大きさは、Ｆｍ1の付与のみによって箱体４Ａが浮き上がらないように、｛Ｍｇ−（Ｐ2−Ｐ1）・Ｓ｝の大きさを超えない範囲とする。一例として、Ｆｍ1は｛Ｍｇ−（Ｐ2−Ｐ1）・Ｓ｝の大きさの３０％程度とする。
【００６６】
箱体４Ａに力Ｆ1が作用する際、箱体４Ａに作用する重力の一部が力Ｆｍ1によって相殺され、箱体４Ａは内底面３０から浮き上がり易くなる。従って減圧経過時間Ｔ2を経過し、内圧Ｐ1、Ｐ2がかなり低く減圧されていても、箱体４Ａは式５に示す関係が成立すると内底面３０から容易に浮き上がり、内圧差（Ｐ2−Ｐ1）小さくなって式５に示す関係が成立しなくなると内底面３０と接する。
［式５］  Ｐ2・Ｓ＋Ｆｍ1＞Ｐ1・Ｓ＋Ｍｇ
言い換えると、圧力差（Ｐ2−Ｐ1）により箱体４Ａの天面４１を押し上げる第１の力｛（Ｐ2−Ｐ1）・Ｓ｝が、力Ｆｍ1と箱体４Ａの重力Ｍｇとの合成力よりも小さい場合には内部空間２１が遮断状態となり、大きい場合には内部空間２０、２１が連通状態となる。
【００６７】
このようにモード１では力Ｆｍ1を利用することで、図１４に示すように、減圧経過時間Ｔ2を経過した後もある程度頻繁に箱体４Ａの開閉動作が繰り返される。
減圧時間が減圧終了時間ＴEに達したとＣＰＵ５０が判断すると（Ｓａ６）、ＣＰＵ５０は、ポンプ６を駆動停止するようにポンプ制御部１３に指示する。またＣＰＵ５０は電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂをオフ制御するように電磁石制御部１４に指示する。その後、ＣＰＵ５０は減圧バルブＶ2を閉じ、Ｎ2バルブＶ1を開放してＮ2ガスをチャンバ３内に導入するようにバルブ制御部１２に指示する（Ｓａ７）。以上でＣＰＵ５０はモード１を終了する。チャンバ３の内圧Ｐ1がある程度上昇し、減圧乾燥プロセスを終了した後、オペレータは手動でＮ2バルブＶ1を閉め、扉１１を開けて乾燥対象物Ｗを回収する。
【００６８】
モード１は、例えば乾燥対象物Ｗが減圧経過時間Ｔ2の経過後も比較的多くの溶媒を含んでいる場合に好適である。このような乾燥対象物Ｗは、減圧時間経過後も溶媒が内部空間２１に充満して乾燥しにくい。従ってモード１を実行して箱体４Ａを開き易くし、図１５のように溶媒蒸気を積極的に内部空間２０に排出させることで、乾燥対象物Ｗを乾燥させ易くすることができる。
【００６９】
尚、当然ながら箱体４Ａの開放時間が長いほど内部空間２０への溶媒蒸気の排出量も増大するが、箱体４Ａの開放時間を適切に制約すれば、内部空間２０中の不純物が乾燥対象物Ｗに付着するおそれを低くできる。
（モード１の変形例）
尚、力Ｆｍ1の大きさは一定に限定されず、減圧時間の経過に伴い、増大させてもよい。例えばＳａ４において、ＣＰＵ５０は減圧プロセス終了時刻ＴEに至るまでの間、力Ｆｍ1の大きさを当初の数倍（一例として４００％）の大きさまでリニアに漸増させて箱体４Ａに付与するように、電磁石制御部１４に指示する。これにより減圧時間が経過して内圧Ｐ2、Ｐ1が減少しても、図１７に示すように開閉動作に必要な内圧差（Ｐ2−Ｐ1）が次第に漸減するので、箱体４Ａの開閉速度が緩慢になるのを防止できる。よって、減圧時間が経過しても箱体４Ａの開閉動作をある程度頻繁に行い、不純物の付着を防止しつつ、乾燥対象物Ｗを減圧乾燥することができる。
【００７０】
［モード１についての考察］
モード１と実施の形態１の動作（ＩＩ）とを比較して考察する。動作（ＩＩ）を行うためには、式３に示したように、（Ｐ2−Ｐ1）・ＳがＭｇよりも大きいことが要件である。しかしながら内圧Ｐ2、Ｐ1の減圧がある程度進行すると、十分な圧力差（Ｐ2−Ｐ1）が得られず、（Ｐ2−Ｐ1）・ＳがＭｇよりも大きくならない場合があり得る。
【００７１】
ここで簡単化のため、箱体４をシャーレ（ペトリ皿）で構成する場合を考える。シャーレは天面内径６［ｃｍ］、重さ４５．５［ｇ］とする。この場合、シャーレを浮き上がらせるために必要な圧力差ΔＰ＝（Ｐ2−Ｐ1）は、重力加速度ｇを９．８［ｍ／ｓ2］、円周率πを３．１４とすると、以下の式６のように算出できる。
［式６］  ΔＰ＝（Ｐ2−Ｐ1）＝Ｍｇ／Ｓ
＝０．０４５５×９．８／（６×６×３．１４×１０-4）
＝約３９．４［Ｐａ］
すなわち、実施の形態１の動作（ＩＩ）を行うためには圧力差ΔＰ＝（Ｐ2−Ｐ1）が約３９．４［Ｐａ］以上であることが要件である。
【００７２】
この対策として、箱体４を軽量化してＭｇを小さくする方法も考えられる。しかしながら、力Ｆｍ1を利用するモード１を実行すれば、圧力差ΔＰの不足分を力Ｆｍ1で補うことができ、箱体４を内底面３０から容易に浮き上がらせることが可能である。
［モード２］
モード２は、減圧乾燥プロセス初期では磁石４１Ａ、４１Ｂを誘引するように電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂをオン制御し、減圧乾燥プロセス後期では磁石４１Ａ、４１Ｂと反発するように電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂをオン制御する。
【００７３】
モード２を用いた減圧乾燥プロセスを行う際も、オペレータが入力手段５２を操作してＣＰＵ５０に指示を行う。ＣＰＵ５０はメモリ５１に格納された電磁石制御プログラムに従い、図１７に示す制御フローに沿って減圧乾燥プロセスを開始する。
まず、ＣＰＵ５０はモード１と同様にタイマのカウントをリセットし（Ｓｂ１）、その後、減圧乾燥プロセスのタイムカウントを開始する（Ｓｂ２）。さらにＣＰＵ５０はポンプ制御部１３にポンプ６の始動を指示する（Ｓｂ３）。
【００７４】
続いてＣＰＵ５０は、磁石４１Ａ、４１Ｂと一定の力Ｆｍ2にて誘引するように電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂをオン制御する旨を電磁石制御部１４に指示する（Ｓｂ４）。Ｆｍ2は、例えばＦｍ1と同じ値に調整できる。
この状態でＣＰＵ５０がポンプ制御部１３にポンプ６を始動させることで、図１８に示すように内圧Ｐ1、Ｐ2が減圧される。減圧乾燥プロセス初期では力Ｆｍ2によって箱体４Ａが浮き上がり易くなるため、式４と式５（但し、式中のＦｍ1をＦｍ2に置き換える）に基づき、モード１の減圧乾燥プロセス初期よりも箱体４Ａの開閉動作が頻繁に繰り返され、内圧Ｐ2が内圧Ｐ1に断続的に追随して減圧される。箱体４Ａが閉じた状態では内部空間２１が内部空間２０と遮断され、箱体４Ａが開放された状態では内部空間２１から内部空間２０に向けて排気される。よって、乾燥対象物Ｗに内部空間２０中の不純物が付着するのが防止される。
【００７５】
減圧経過時間Ｔ3において、圧力計ＰＧ１の計測値より内圧Ｐ1が所定の圧力Ｐｘ2に到達したとＣＰＵ５０が判断すると（Ｓｂ５）、ＣＰＵ５０は電磁石制御プログラムに基づき、図１９のように磁石４１Ａ、４１Ｂと一定の力Ｆｍ3にて反発するように電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂをオン制御すべき旨を電磁石制御部１４に指示する（Ｓｂ６）。
Ｆｍ3の大きさは、例えばＭｇの大きさの１０％程度とする。これにより箱体４Ａには、内底面３０に押圧される方向に力Ｆｍ3が付与される。箱体４Ａには全体として、以下の式７に示す力Ｆ2が垂直（Ｚ）方向に作用する。
［式７］  Ｆ2＝（Ｐ2−Ｐ1）・Ｓ＋Ｍｇ＋Ｆｍ3
ここで式４と同様に、Ｍｇは箱体４Ａに作用する重力、Ｓは箱体４Ａの天面４１の面積である。
【００７６】
箱体４Ａに力Ｆ2が作用することにより、箱体４Ａの周端面４０は内底面３０に押圧され、箱体４Ａは内底面３０から浮き上がりにくくなる。従って減圧経過時間Ｔ3を経過した後は、次に示す式８の関係が成立し、箱体４Ａが内底面３０から浮き上がるまでに相当の時間が掛かる。結果として箱体４Ａは、減圧乾燥プロセス後期においては比較的緩慢な開閉動作を繰り返す。
［式８］  Ｐ2・Ｓ＞Ｐ1・Ｓ＋Ｍｇ＋Ｆｍ3
このように第１の力（Ｐ2−Ｐ1）・Ｓと力Ｆｍ3との合成力が、重力Ｍｇよりも小さい場合、内部空間２０、２１は互いに遮断状態となる。第１の力（Ｐ2−Ｐ1）・Ｓと力Ｆｍ3との合成力が、重力Ｍｇよりも大きい場合、箱体４Ａと内底面３０との間に隙間が形成され、内部空間２０、２１が互いに連通状態となる。
【００７７】
減圧時間が減圧終了時間ＴEに達したとＣＰＵ５０が判断した後のＣＰＵ５０の制御（Ｓｂ７、Ｓｂ８）は、モード１と同様である。
このようなモード２は、例えば減圧乾燥プロセスの初期において、乾燥対象物Ｗの溶媒の大半が除去されている場合等に好適である。この場合、乾燥対象物Ｗは、ある程度の減圧雰囲気下であれば密閉された内部空間２１だけでも乾燥可能である。従ってモード２を利用し、減圧乾燥プロセスの後期では箱体４Ａの開放数を少なくし、内部空間２１への不純物の侵入を優先的に防ぐことが好適と言える。減圧乾燥プロセスにおいて箱体４Ａを開ける際は、主として微量の溶媒蒸気を内部空間２０に排出することのみを目的とすればよい。
（モード２の変形例）
力Ｆｍ3の大きさは一定に限定されず、減圧時間の経過に伴い減少させてもよい。例えばＳｂ６において、ＣＰＵ５０は減圧プロセス終了時刻ＴEに至るまでの間、Ｆｍ3の大きさを当初の大きさの１５０％までリニアに漸増させて箱体４Ａに付与するように、電磁石制御部１４に指示する。これにより図２０に示すように、減圧時間の経過に伴って内圧差（Ｐ2−Ｐ1）が次第に漸増し、箱体４Ａの開閉動作が緩慢になっていく。よって、減圧時間の経過とともに箱体４Ａが閉じた状態が優先して保たれるようになり、極低圧付近での乾燥対象物Ｗに対する不純物の付着を防止することができる。
【００７８】
また、減圧乾燥プロセス初期ではモード１と同様に、電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂをオフ制御してもよい。
このようにモード１またはモード２では、力｛（Ｐ2−Ｐ1）・Ｓ｝を第１の力とし、箱体４Ａの天面４１を押し上げる方向を正の方向、箱体４Ａを内底面３０に押圧する方向を負の方向とするとき、ＣＰＵ５０は減圧乾燥装置１Ａの力付与部が正負いずれかの方向に第２の力（Ｆｍ1〜Ｆｍ3のいずれか）を付与するように電磁石制御部１４に指示する。第１の力が、負の方向に向かう第２の力と箱体４Ａに作用する重力Ｍｇとの合成力である第１の合成力よりも小さい場合、或いは第１の力と正の方向に向かう第２の力との合成力である第２の合成力が、箱体４Ａに作用する重力Ｍｇよりも小さい場合には、内部空間２０、２１は互いに遮断された状態となる。反対に、第１の力が第１の合成力よりも大きい場合、或いは第２の合成力が重力よりも大きい場合には、箱体４Ａと内底面３０との間に隙間が形成され、内部空間２０、２１は互いに連通状態となる。
【００７９】
［マニュアルモード］
マニュアルモードは、減圧時間を一定時間経過した後に、オペレータが手動で箱体４Ａの開閉動作を実行するモードである。
マニュアルモードを用いた減圧乾燥プロセスを行う際も、オペレータが入力手段５２を操作してＣＰＵ５０に指示を行う。ＣＰＵ５０はメモリ５１に格納された電磁石制御プログラムに従い、図２１に示す制御フローに沿って減圧乾燥プロセスを開始する。
【００８０】
まず、ＣＰＵ５０はモード１と同様にタイマのカウントをリセットし（Ｓｃ１）、減圧乾燥プロセスのタイムカウントを開始する（Ｓｃ２）。さらにＣＰＵ５０はポンプ制御部１３にポンプ６の始動を指示し（Ｓｃ３）、モニタ５３に圧力計ＰＧ１、ＰＧ２の各計測値をリアルタイムで表示する（Ｓｃ４）。
ポンプ６を駆動させることで、図１１に示すように内圧Ｐ1、Ｐ2が減圧されていく。式２と式３とに基づき、箱体４Ａが激しく動作（Ｉ）、動作（ＩＩ）を繰り返し、乾燥対象物Ｗに内部空間２０中の不純物が付着するのを防止しつつ、乾燥対象物Ｗが減圧乾燥される。
【００８１】
減圧経過時間Ｔ4において、圧力計ＰＧ１の計測値より内圧Ｐ1が所定の圧力Ｐｘ3となったことをＣＰＵ５０が判断すると（Ｓｃ５）、ＣＰＵ５０は電磁石制御プログラムに基づいて、その旨をモニタ５３に表示する。
次にＣＰＵ５０は、予め定められた一定時間、オペレータが入力手段５２から入力するマニュアル操作を受け付ける（Ｓｃ６）。ＣＰＵ５０は一定時間内にマニュアル操作を受け付けたと判断しなかった場合（Ｓｃ７）、次に減圧乾燥プロセスの終了指示が入力されているか否かを判断する（Ｓｃ１０）。Ｓｃ１０でＣＰＵ５０が減圧乾燥プロセスの終了指示が入力されていないと判断した場合、ＣＰＵ５０は再びＳｃ６を実行する。
【００８２】
Ｓｃ７においてＣＰＵ５０がマニュアル操作を受け付けたと判断した場合、ＣＰＵ５０はその受付内容を実行する（Ｓｃ８）。すなわちＣＰＵ５０は、受付内容に基づき、電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂを制御するように電磁石制御部１４に指示する。このときオペレータはモニタ５３の表示内容に基づいて、以下の操作例（ａ）または操作例（ｂ）に示すように入力手段５２を操作する。
【００８３】
［操作例（ａ）］
モード１で例示したように、乾燥対象物Ｗに溶媒が多く含まれ、減圧経過時間Ｔ3の経過後も内部空間２１に溶媒蒸気が充満している場合を想定する。この場合、圧力計ＰＧ２の計測値は比較的高い値を示す。オペレータはモニタ５３において、ＰＧ１の計測値と比較してＰＧ２の計測値が比較的高い数値を示していることを確認する。オペレータは入力手段５２よりＣＰＵ５０に対し、電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂを力Ｆｍ2でオン制御し、磁石４１Ａ、４１Ｂを電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂに誘引するように電磁石制御部１４に指示させる。
【００８４】
これにより、式４と式５とに基づいて箱体４Ａの開閉動作が行われる。内部空間２１から内部空間２０に向けて積極的に溶媒蒸気が排出され、内部空間２０からの不純物の付着を防ぎつつ乾燥対象物Ｗが効率的に減圧乾燥される。
［操作例（ｂ）］
モード２で例示したように、減圧乾燥プロセス初期においてすでに乾燥対象物Ｗの溶媒の大半が除去されている場合を想定する。この場合、圧力計ＰＧ２の計測値は比較的低い値を示す。オペレータはモニタ５３において、圧力計ＰＧ１の計測値と比較して圧力計ＰＧ２の計測値が十分に低い数値を示していることを確認する。オペレータは入力手段５２よりＣＰＵ５０に対し、電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂを力Ｆｍ3でオン制御し、磁石４１Ａ、４１Ｂと反発するように電磁石制御部１４に指示させる。これにより、式７と式８とに基づいて箱体４Ａの開閉動作が行われる。箱体４Ａの開閉動作が比較的緩慢になるように調節され、内部空間２０と遮断された内部空間２１において、内部空間２０からの不純物の付着を確実に防止しながら乾燥対象物Ｗが乾燥される。
【００８５】
ＣＰＵ５０は受付内容を実行した後（Ｓｃ８）、オペレータにより操作終了指示が入力されているか否かを判断する（Ｓｃ９）。操作終了指示が入力されてないと判断した場合、ＣＰＵ５０は再びＳｃ６を実行する。
操作例（ａ）または操作例（ｂ）に示した手順でオペレータが必要なマニュアル操作を全て終えた場合、オペレータは操作終了指示と、減圧乾燥プロセスの終了指示とをそれぞれ入力手段５２より入力する。ＣＰＵ５０は操作終了指示が入力されていると判断すると（Ｓｃ９）、次に減圧乾燥プロセスの終了指示が入力されているか否かを判断する（Ｓｃ１０）。Ｓｃ１０で減圧乾燥プロセスの終了指示が入力されていないと判断した場合、ＣＰＵ５０は再びＳｃ６を実行する。Ｓｃ１０でＣＰＵ５０が減圧乾燥プロセスの終了指示が入力されていると判断すると、減圧バルブＶ2を閉じ、Ｎ2バルブＶ1を開放してＮ2ガスをチャンバ３内に導入するようにバルブ制御部１２に指示する（Ｓｃ１１）。
【００８６】
以上でＣＰＵ５０はマニュアルモードを終了する。
尚、図２１の制御フローでは、ＣＰＵ５０はＳｃ５で内圧Ｐ1がＰｘ3に到達したと判断した後、Ｓｃ６でオペレータからのマニュアル操作を受け付ける制御としたが、Ｓｃ５を省略し、ＣＰＵ５０が内圧Ｐ1の値とは無関係にマニュアル操作を受け付けるように制御することもできる。
（箱体４Ａの開閉動作の調整について）
箱体４Ａの開閉動作は、式５、式７、式８のいずれかに基づいて行われる。ポンプ６の減圧速度［Ｐａ／ｓｅｃ］を一定にした場合、箱体４Ａの開閉速度は、箱体４Ａに作用する重力Ｍｇと、箱体４Ａの天面４１の面積Ｓと、力Ｆｍ1〜Ｆｍ3の少なくともいずれかを変化させることで調整が可能である。天面４１の面積Ｓと箱体４Ａに作用する重力Ｍｇを変化させたときの効果は実施の形態１で説明した効果と同様である。力Ｆｍ1を増大すると箱体４Ａを浮き上がらせ易くなり、箱体４Ａの開閉速度が高速になる。一方、力Ｆｍ3を増大すると箱体４を浮き上がらせにくくなり、箱体４Ａの開閉速度が緩慢になる。
【００８７】
ここで力Ｆｍ1、Ｆｍ2は箱体４Ａに作用する重力Ｍｇの一部と相殺するように（重力Ｍｇの大きさを超えないように）付与され、力Ｆｍ3は、箱体４Ａに作用する重力Ｍｇを増大するように付与される。従って箱体４Ａの天面４１の面積Ｓと、箱体４Ａに作用する重力Ｍｇと、力Ｆｍ1〜Ｆｍ3を変化させても、箱体４Ａを動作させる際、箱体４Ａの内圧Ｐ2は常に内圧Ｐ1以上に保たれる。従って上記したように、乾燥対象物Ｗに内部空間２１の不純物が付着するのを防止できる。
【００８８】
ここで箱体４の離間高さとしては、一例として５ｃｍ以下とし、内圧Ｐ1が３０Ｐａ未満となる場合には箱体４Ａを閉じるように調節することができる。
＜実施の形態３＞
図２２〜図２４を用いて実施の形態３に係る減圧乾燥装置１Ｂを説明する。
減圧乾燥装置１Ｂは、減圧乾燥装置１Ａの電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂと電磁石制御部１４の代わりにソレノイドユニット３２Ｃ、３２Ｄとソレノイド制御部１４Ａを用いた点が異なる。ソレノイドユニット３２Ｃ、３２Ｄは電磁石を利用した公知のプッシュプルソレノイド機構を有し、それぞれ出退部（ソレノイド軸）３２０Ｃ、３２０Ｄの先端が箱体４Ｂの天面４１と固定されている。出退部３２０Ｃ、３２０Ｄは垂直（Ｚ）方向に沿って出退可能な状態でフレーム３１Ａ、３１Ｂに配置される。
【００８９】
ソレノイドユニット３２Ｃ、３２Ｄは図２４に示すようにソレノイド制御部１４Ａと接続され、ソレノイド制御部１４ＡはＣＰＵ５０と接続されている。ソレノイド制御部１４Ａはソレノイドユニット３２Ｃ、３２Ｄの電力供給のオン／オフと、出退部３２０Ｃ、３２０Ｄのストローク（延伸量／退避量）と、出退部３２０Ｃ、３２０Ｄの出退速度とをそれぞれ個別に制御する。
【００９０】
ＣＰＵ５０はメモリ５１に格納されたソレノイド制御プログラムに基づき、減圧乾燥プロセスを実施する。減圧乾燥プロセス中において、ＣＰＵ５０が出退部３２０Ｃ、３２０Ｄの出退と出退速度の制御をソレノイド制御部１４Ａに指示することにより、箱体４Ａの開閉の切り替えと、箱体４Ａの開閉速度[回／μｓｅｃ]と、箱体４Ａが内底面３０より浮き上がる高さ（離間高さ）[μｍ]とを調節できる。
【００９１】
このうち箱体４Ａの開閉速度については、予め減圧乾燥プロセス時間＝１［ｈ］、到達真空度＝５［Ｐａ］とする減圧乾燥プロセスにおいて、箱体４Ａを内底面３０より離間高さｈ1[μｍ]で浮き上がらせた開放状態から、箱体４Ａを内底面３０に載置させる瞬間の内圧Ｐ2を内圧Ｐ1以上に保持するための最小速度Ｎ0[回／μｓｅｃ]が分かっている。減圧乾燥装置１Ｂでは、箱体４Ａの離間高さをｈ1[μｍ]とし、ソレノイド制御部１４Ａが制御する箱体４Ａの開閉速度が少なくとも最小速度Ｎ0[回／μｓｅｃ]以上であるＮ1[回／μｓｅｃ]またはＮ2[回／μｓｅｃ]、Ｎ3[回／μｓｅｃ]のいずれかとなるように、予め入力手段５２を通じてオペレータに設定されている。
【００９２】
このような構成の減圧乾燥装置１Ｂを用いた減圧乾燥プロセスをモード毎に説明する。
［モードＡ］
入力手段５２からのオペレータの入力によりモードＡの減圧乾燥プロセスの開始を指示されると、減圧乾燥プロセスの初期では、ＣＰＵ５０はソレノイド制御プログラムに基づき、図１１のステップＳａ１〜Ｓａ３と同様のステップを順次実行する。その後、ＣＰＵ５０は、内圧Ｐ1が所定の圧力Ｐｘ4に到達するまでは単位時間当たりＮ1[回／μｓｅｃ]の箱体４Ｂの開閉動作を行うように、ソレノイド制御部１４Ａに指示する。
【００９３】
内圧Ｐ1が圧力Ｐｘ4になったとＣＰＵ５０が判断すると、その後の減圧乾燥プロセスの後期では、ＣＰＵ５０は単位時間当たりＮ2[回／μｓｅｃ]（Ｎ1＞Ｎ2）の箱体４Ｂの開閉動作を行うように、ソレノイド制御部１４Ａに指示する。減圧時間が減圧終了時間ＴEになったことをＣＰＵ５０が判断すると、ＣＰＵ５０は図１１のＳａ６、Ｓａ７と同様のステップを順次実行する。ここでＮ1、Ｎ2は正の数とする。減圧時間が減圧終了時間ＴEになったことをＣＰＵ５０が判断すると、ＣＰＵ５０は図１１のＳａ６、Ｓａ７と同様のステップを順次実行する。
【００９４】
［モードＢ］
オペレータによりモードＢの減圧乾燥プロセスの開始を指示されると、減圧乾燥プロセスの初期では、ＣＰＵ５０はソレノイド制御プログラムに基づき、図１１のステップＳａ１〜Ｓａ３と同様のステップを実行する。その後、ＣＰＵ５０は、内圧Ｐ1が所定の圧力Ｐｘ5に達するまでは出退部３２０Ｃ、３２０Ｄを完全に退避させて箱体４Ｂを内底面３０から開放した状態とする。
【００９５】
内圧Ｐ1が圧力Ｐｘ4になったとＣＰＵ５０が判断すると、その後の減圧乾燥プロセスの後期では、ＣＰＵ５０は単位時間当たりＮ3[回／μｓｅｃ]で箱体４Ｂの開閉動作を行うようにソレノイド制御部１４Ａに指示する。ここでＮ3は正の数とする。減圧時間が減圧終了時間ＴEになったことをＣＰＵ５０が判断すると、ＣＰＵ５０はモードＡと同様に図１１のＳａ６、Ｓａ７と同様のステップを順次実行する。
【００９６】
減圧乾燥装置１ＢではこのようなモードＡまたはモードＢを実行することで、内部空間２０の不純物が乾燥対象物Ｗに付着するのを防止しつつ、良好に乾燥対象物Ｗを減圧乾燥することができる。
＜実施の形態４＞
図２５と図２６（ａ）、図２６（ｂ）とを用いて実施の形態４の減圧乾燥装置１Ｃを説明する。
【００９７】
減圧乾燥装置１Ｃは、チャンバ３の内部を上下に区画する区画壁３４と、区画壁３４に設けられたバルブＶ3とを有する。区画壁３４より下方に内部空間２０が存在し、区画壁３４より上方に内部空間２１が存在する。吸気管９は内部空間２０に連通して配されている。減圧乾燥装置１Ｃでは箱体４を用いず、乾燥対象物Ｗは内部空間２１に臨むように区画壁３４の上に載置する。内部空間２０、２１には圧力計ＰＧ１、ＰＧ２が配置され、その各計測値がモニタ５３に表示されるようにＣＰＵ５０に管理されている。
【００９８】
バルブＶ3は内部空間２０と内部空間２１とを連通する連通経路に配置された圧力調節部であり、図２６（ａ）に示すように、筐体４５と、弁体４６と、コイルバネ４７とを有してなる。
筐体４５は筒状であり、開口４００と通気孔４０１、４０２と貫通孔４０３とを有する。筐体４５は区画壁３４に対し、開口４００が内部空間２１に露出し、通気孔４０１、４０２と貫通孔４０３が内部空間２０に露出するように配置される。
【００９９】
弁体４６は、円盤状の閉塞板４１０と、軸部４１１とを有する。軸部４１１は筐体４５の内部において、貫通孔４０３に挿通して配される。閉塞板４１０は軸部４１１とともに筐体４５の内部に収納されている。
コイルバネ４７は筐体４５の内部に圧縮状態で収納され、通常はその復元力により閉塞板４１０を開口４００の周縁４０４を押圧している。
【０１００】
このような構成を有する減圧乾燥装置１Ｃによれば、減圧乾燥プロセスの初期には図２６（ａ）に示すように、バルブＶ3が閉塞した状態で、吸気管９を介して内部空間２０が減圧される。
減圧時間が一定時間経過すると、内部空間２０の内圧Ｐ1と内部空間２１の内圧Ｐ2の圧力差（Ｐ2−Ｐ1）によりバルブＶ3の弁体４６が押し下げられ、図２６（ｂ）のようにバルブＶ3が開放状態となる。このとき内部空間２１の雰囲気が開口４００及び通気孔４０１、４０２を通じて内部空間２１に排出される。これにより内圧Ｐ2が内圧Ｐ1に追随してある程度減圧されると、コイルバネ４７の復元力によってバルブＶ3の弁体４６が再び周縁４０４に押圧され、バルブＶ3が閉塞される。
【０１０１】
このようにバルブＶ3は、圧力差（Ｐ2−Ｐ1）が一定値以上である状態では内部空間２０、２１の間を連通状態とし、圧力差（Ｐ2−Ｐ1）が一定値未満の状態では内部空間２０、２１の間を遮断状態とするように、可逆的に動作する。バルブＶ3の閉塞状態と、バルブＶ3の開放状態のいずれにおいても、内圧Ｐ2は常に内圧Ｐ1以上に保たれるため、内部空間２１に内部空間２０から不純物が侵入するのが防止される。従って、実施の形態１と同様に、不純物の付着を防いで乾燥対象物Ｗを良好に減圧乾燥させることができる。
【０１０２】
＜実施の形態５＞
実施の形態５は、実施の形態４のバルブＶ3の変形例である。図２７（ａ）、図２７（ｂ）を用いて実施の形態４のバルブＶ4を説明する。
バルブＶ4がバルブＶ3と異なる点として、バルブＶ4は電磁バルブであり、コイルバネ４７の代わりに電磁石４８を筐体４５に内蔵する。弁体４６Ａの閉塞板４１０Ａは磁性材料で構成される。電磁石４８は図示しない電磁バルブ制御部に接続され、電磁バルブ制御部はＣＰＵ５０に接続されている。ＣＰＵ５０は、メモリ５１に格納された電磁バルブ制御プログラムに基づき、減圧乾燥プロセスを実施する。閉塞板４１０Ａは、例えば電磁石４８との対向面がＮ極、周縁４０４との対向面がＳ極となるように配向されている。
【０１０３】
尚、バルブＶ4の開閉速度については、実施の形態３と同様に、予め減圧乾燥プロセス時間＝１［ｈ］、到達真空度＝５［Ｐａ］とする減圧乾燥プロセスにおいて、バルブＶ4を開放状態から閉塞状態に切り替える瞬間の内圧Ｐ2を内圧Ｐ1以上に保持するための最小の開閉速度Ｎv[回／μｓｅｃ]が分かっている。実施の形態５の減圧乾燥装置では、電磁バルブ制御部が制御するバルブＶ4の開閉速度が少なくとも最小速度Ｎv[回／μｓｅｃ]以上であるＮ4[回／μｓｅｃ]となるように、予め入力手段５２を通じてオペレータに設定されている。
【０１０４】
実施の形態５の減圧乾燥装置は、例えば以下のように駆動できる。
[駆動例]
オペレータにより減圧乾燥プロセスの開始を指示されると、減圧乾燥プロセスの初期では、ＣＰＵ５０は電磁バルブ制御プログラムに基づき、図１１のステップＳａ１〜Ｓａ３と同様のステップを実行する。その後、ＣＰＵ５０は電磁バルブ制御プログラムに基づき、電磁石４８で閉塞板２１０Ａを誘引し続けるように電磁バルブ制御部に指示する。電磁バルブ制御部は電磁石４８の上面４８１がＳ極になるように電磁石４８のコイルに電流供給することで、閉塞板４１０Ａを電磁石４８側に引き寄せる。これにより図２７（ｂ）に示すように内部空間２１の雰囲気が開口４００及び通気孔４０１、４０２を通じて内部空間２１に排出される。バルブＶ4は開放状態で維持される。
【０１０５】
減圧乾燥プロセスの後期の減圧経過時間Ｔ5において、内部空間２０の内圧Ｐ1が所定の圧力Ｐｘ6となったとＣＰＵ５０が判断すると、ＣＰＵ５０は電磁バルブ制御プログラムに基づき、電磁石４８のコイルへの供給電流の向きを単位時間当たりＮ4回（Ｎ4は正の数）交互に切り替えるように電磁バルブ制御部に指示する。このとき電磁石４８の上面４８１がＮ極になると、電磁石４８と閉塞板４１０Ａとは反発し合い、図２７（ａ）に示すように閉塞板４１０Ａが周縁４０４に押圧される。これによりバルブＶ4は閉塞状態となる。反対に電磁石４８の上面４８１がＳ極になると、電磁石４８と閉塞板４１０Ａとは誘引し合い、閉塞板４１０が電磁石４８側に誘引される。これによりバルブＶ4は開放状態となる。このとき図２７（ｂ）に示すように、内部空間２１の雰囲気が開口４００及び通気孔４０１、４０２を通じて内部空間２１に排出される。
【０１０６】
減圧時間が減圧終了時間ＴEになったことをＣＰＵ５０が判断すると、ＣＰＵ５０は図１１のＳａ６、Ｓａ７と同様のステップを順次実行する。
このような減圧乾燥プロセスを経ることで、内圧Ｐ2を常に内圧Ｐ1以上に保ちつつ、内部空間２０からの不純物の付着を防いで乾燥対象物Ｗを減圧乾燥させることができる。
尚、バルブＶ4の開閉速度は、電磁バルブ制御部がコイルへの供給電流の切り替え速度を変化させることで容易に調節可能である。例えば内圧Ｐ1、Ｐ2がある程度減圧された後においてバルブＶ4の開閉速度を比較的早く設定すれば、乾燥対象物Ｗを効率よく乾燥させることもできる。
【０１０７】
また減圧乾燥プロセスの初期では、バルブＶ4を開放状態で維持したが、減圧乾燥プロセスの初期においても後期と同様に、ＣＰＵ５０が電磁バルブ制御プログラムに基づき、一定のタイミングで電磁石４８のコイルへの供給電流の向きを交互に切り替えるように電磁バルブ制御部に指示することもできる。
＜その他の事項＞
本発明の「減圧乾燥装置」は、別途、「減圧乾燥炉」、「真空乾燥炉」、「真空乾燥装置」、「真空装置」等と称されることがある。また本発明の減圧手段であるポンプも「減圧ポンプ」、「真空ポンプ」等と称されることがある。
【０１０８】
ポンプ６はメカニカルブースターポンプに限定されず、その他の公知のいずれかのポンプであってもよい。例えばターボ分子ポンプ、クライオポンプ、ロータリーポンプ、ダイアフラムポンプ等の機械式のポンプのいずれかを用いることができる。これらの中でも、特に、ポンプ油を使用しないドライポンプを用いることがより望ましい。また、これらのいずれかのポンプを組み合わせて用いることもできる。
【０１０９】
本発明の減圧乾燥装置で減圧乾燥する塗布膜はインク１１６ａに限定されない。すなわち湿式法に基づき、基板表面に機能性材料を含むいずれかのインクを塗布し、塗布膜を減圧乾燥させる場合に、本発明は適用可能である。有機ＥＬ素子を製造する場合であれば、有機発光層の他、バッファ層、電子輸送層等のいずれかを湿式法に基づいて形成する場合に本発明を適用することが可能である。その他、例えば有機ＴＦＴや太陽電池等が含む機能層を湿式法により形成する場合にも、本発明を適用することが可能である。
【０１１０】
実施の形態４、５では、１つのチャンバ３の内部空間を区画壁３４で２つの内部空間２０、２１に区画したが、内部空間２０を有する第１のチャンバと、内部空間２１を有する第２のチャンバを用い、第１及び第２のチャンバをバルブＶ3またはＶ4を介して配管で接続するようにしてもよい。
実施の形態２のモード１の減圧乾燥プロセス初期は、モード２の減圧乾燥プロセス初期と同様に、電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂと磁石４１Ａ、４１Ｂと互いに誘引させ、箱体４Ａが浮き上がり易くなるように制御してもよい。
【０１１１】
或いは実施の形態２では、いずれのモードを実行する際も、減圧乾燥プロセス初期において箱体４Ａを完全に開放状態にするように電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂを制御してもよい。減圧乾燥プロセス初期では内圧Ｐ1、Ｐ2がともに比較的高く、ポンプ６からの不純物が内部空間２０、２１に入り込みにくいため、このような制御を行っても乾燥対象物Ｗに不純物が付着しにくいと考えられる。
【０１１２】
実施の形態２または実施の形態３においては、フレーム３１Ａ、３１Ｂを用いず、電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂまたはソレノイドユニット３２Ｃ、３２Ｄをチャンバ３の上面３１より吊り下げて配置することもできる。
磁性部材（磁石４１Ａ、４１Ｂ）と電磁石（電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂ）とは、一方が箱体４に取り付けられ、他方が前記一方と磁気結合可能に配置されていればよい。従って、フレーム３１Ａ、３１Ｂに磁石４１Ａ、４１Ｂを取り付け、箱体４に電磁石ユニット３２Ａ、３２Ｂを取り付けることもできる。
【０１１３】
減圧乾燥プロセスにおいては、ポンプ由来以外の不純物が内部空間２０に拡散するのを防ぐため、チャンバ３の内部には不純物源となりうる材料をなるべく置かないことが望ましい。
中間製品１２０Ｘのインク１１６ａのように、ある程度の粘度を有するインクを減圧乾燥して良好な平坦性を有する機能層を形成したい場合には、減圧乾燥プロセスの初期においてインクの溶媒の大半を減圧乾燥させることが望ましい。これにより減圧乾燥プロセスの初期にインク１１６ａの粘度を高めてインク１１６ａの流動性を早期に奪うことで、減圧乾燥中の乾燥対象物Ｗに振動等の力が加わってもインク１１６ａが変形しにくくなり、良好な平坦性を有する機能層を得ることができる。このような減圧乾燥プロセスは、例えば実施の形態２のモード２が好適である。
【０１１４】
また、本発明はインクの減圧乾燥だけでなく、蒸着等真空プロセス時における大気圧からの減圧方法としても使用可能である。その場合も、減圧時に箱体の内圧Ｐ2を内圧Ｐ1以上の圧力状態に維持できるため、箱体の外部から箱体の内部へに不純物が侵入して発生しうる汚染を回避できる。箱体の中に所定の搬送物を入れてチャンバ内を減圧下に設定すれば、搬送物の汚染環境暴露を搬送時間のみに限定することが可能となる。そのため、搬送物の汚染を大幅に防ぐことができる。チャンバは可搬性を有するように、例えば減圧装置より取り外せる構成としてもよい。
【産業上の利用可能性】
【０１１５】
本発明は、例えば、家庭用もしくは公共施設、あるいは業務用の各種ディスプレイ、テレビジョン装置、携帯型電子機器用ディスプレイ等に用いられる有機ＥＬ素子の製造方法等に好適に利用可能である。加えて、有機薄膜太陽電池や有機ＴＦＴなど、有機導電性材料を湿式方式での塗布ならびに乾燥工程を経て形成するデバイスなどにも適用可能である。
【符号の説明】
【０１１６】
ＰＧ１、ＰＧ２    圧力計
Ｖ1    Ｎ2バルブ
Ｖ2    減圧バルブ
Ｖ3、Ｖ4    バルブ
１、１Ａ〜１Ｃ    減圧乾燥装置
２    装置本体
３    チャンバ
４、４Ａ、４Ｂ    箱体
５    制御部
６    ポンプ
７    ヒータ
８    ガス供給管
９    吸気管
１０    排気管
１２    バルブ制御部
１３    ポンプ制御部
１４    電磁石制御部
１４Ａ    ソレノイド制御部
２０    チャンバの内部空間
２１    箱体の内部空間
３０    内底面
３１Ａ、３１Ｂ    フレーム
３２Ａ、３２Ｂ    電磁石ユニット
３２Ｃ、３２Ｄ    ソレノイドユニット
３３Ａ、３３Ｂ    作用部
４０    周端面
４１    天面
４１Ａ、４１Ｂ    磁石
４２    側面
４５    筐体
４６    弁体
４７    コイルバネ
４８    電磁石
５０    ＣＰＵ
５１    メモリ
５２    入力手段
５３    モニタ
１１６ａ    インク
１１６    有機発光層
１２０Ｘ    中間製品
１２０、１２０´    有機ＥＬ素子
３２０Ｃ、３２０Ｄ    出退部
４００    開口
４０１、４０２    通気孔
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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