(57)【要約】      （修正有）【課題】２つのモードで動作するタッチパネルを具備する表示装置が提供される。【解決手段】表示装置は表示パネル及びタッチパネルを含む。前記タッチパネルは第１モードで静電容量方式によって入力地点の座標情報を算出し、第２モードで電磁気誘導方式によって入力地点の座標情報を算出する。前記タッチパネルは動作モードにしたがってタッチ電極又はタッチコイルによって動作するスキャンライングループ及びソースライングループを含む。また、前記タッチパネルは動作モードにしたがって独立的に動作するタッチ電極とタッチコイルを含む。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１表示基板及び前記第１表示基板に対向する第２表示基板を含み、遮光領域と複数個の透過領域とに区分される表示パネルと、
第１導電層及び前記第１導電層に絶縁された第２導電層を含み、前記第１表示基板と前記第２表示基板のいずれかに配置され、入力面を提供するタッチパネルと、を含み、
前記タッチパネルは、
第１スキャン信号を受信する複数個の第１タッチ電極と、
前記複数個の第１タッチ電極と交差し、静電容量変化にしたがう第１感知信号を出力する複数個の第２タッチ電極と、
前記遮光領域に重畳するように配置され、第２スキャン信号を受信する複数個の第１タッチコイルと、
前記遮光領域に重畳するように配置され、前記複数個の第１タッチコイルと交差し、入力手段の共振周波数にしたがう第２感知信号を出力する複数個の第２タッチコイルと、を含み、
前記第１導電層は、前記複数個の第２タッチ電極と前記複数個の第１タッチコイルとのいずれか１つと前記複数個の第１タッチ電極とを含む表示装置。
【請求項２】
前記入力面を提供する、前記第１表示基板と前記第２表示基板とのいずれかは、ベース基板を含み、
前記第１導電層及び前記第２導電層は、前記ベース基板の一側に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記タッチパネルは、
前記ベース基板の上側に配置された第１タッチ基板と、
前記第１導電層と前記第２導電層との間に配置された絶縁層と、
前記絶縁層を間に置いて前記第１タッチ基板と対向する第２タッチ基板と、を含む請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記タッチパネルは、
前記ベース基板の上側に配置され、前記第１導電層と前記第２導電層を絶縁させる絶縁層と、
前記絶縁層を間に置いて前記ベース基板と対向するタッチ基板と、を含み、
前記第１導電層は、前記ベース基板の上面に配置されたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項５】
前記第１導電層と前記第２導電層は、クロム酸化物（Ｃｈｒｏｍｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）、クロム窒化物（Ｃｈｒｏｍｉｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、チタニウム酸化物（Ｔｉｔａｎｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）、及びチタニウム窒化物（Ｔｉｔａｎｉｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ）の中のいずれか１つ又はこれらの合金等を含むことを特徴とする請求項３または４に記載の表示装置。
【請求項６】
前記第１導電層と前記第２導電層は、前記ベース基板の下側に配置されたことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項７】
前記入力面を提供する、前記第１表示基板と前記第２表示基板とのいずれかは、
前記複数個の透過領域に対応する複数個の開口部を具備するブラックマトリックスと、
前記複数個の開口部に重畳するように配置された複数個のカラーフィルターと、を含むことを特徴とする請求項６に記載の表示装置。
【請求項８】
前記ブラックマトリックスと前記複数個のカラーフィルターとは、前記ベース基板の下面上に配置され、
前記第１導電層と前記第２導電層とは、前記ブラックマトリックスに重畳するように配置されたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
前記複数個のカラーフィルターは、前記ブラックマトリックスをカバーし、
前記第１導電層と前記第２導電層とのいずれか１つの導電層は、前記複数個のカラーフィルター上に配置されたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記入力面を提供する表示基板は、少なくとも１つの絶縁層をさらに含み、
前記第１導電層と前記第２導電層とのいずれか１つの導電層は、前記ブラックマトリックス上に配置され、
前記少なくとも１つの絶縁層は、前記いずれか１つの導電層をカバーし、
前記第１導電層と前記第２導電層との中で他の１つの導電層は、前記少なくとも１つの絶縁層上に配置されたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は表示装置及びその駆動方法に関し、詳細にはタッチイベントを感知できる表示装置及びその駆動方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
タッチパネルはタッチイベントが発生した地点（以下、入力地点）の座標情報を獲得して情報を入力する。前記タッチパネルはキーボード及びマウスのような入力装置を代替する。
【０００３】
表示パネルは前記タッチパネルから入力された情報に対応する映像を表示する。一般的にタッチパネルは別に製造されて表示パネルの外部に結合される。前記タッチパネルは抵抗膜方式、静電容量方式、電磁気誘導方式等に区分される。表示装置は必要によって、２種類以上のタッチパネルを具備する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】米国特許公開第２０１０／０１２３６８２号公報
【特許文献２】米国特許公開第２０１２／０１５４３２６号公報
【特許文献３】大韓民国特許公開第２００９−０１０７６４０号
【特許文献４】大韓民国特許公開第２００３−００８１７２９号
【特許文献５】大韓民国特許公開第２０１３−００５１３６５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
したがって、本発明は２つのモードで動作するタッチパネルを具備する表示装置を提供することを目的とする。
【０００６】
また、本発明は一時点でタッチイベントを感知する時、領域にしたがって異なる方式でタッチイベントを感知するタッチパネルを具備する表示装置を提供することを目的とする。
【０００７】
また、本発明はタッチ感度に影響を及ぼすノイズが減少された表示装置の駆動方法を提供することをその他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態による表示装置は、表示パネル、スキャンライングループ、ソースライングループ、第１駆動部、第２駆動部、及び座標算出部を含む。前記表示パネルは、第１表示基板及び前記第１表示基板と対向する第２表示基板を含む。
【０００９】
前記スキャンライングループと前記ソースライングループとは、前記第１表示基板と前記第２表示基板との中で入力面を提供する基板に配置される。前記スキャンライングループと前記ソースライングループとは、互いに異なる層上に配置され、互いに交差する。
【００１０】
前記スキャンライングループの各々は、第１スキャンラインサブグループ、前記第１スキャンラインサブグループに連結された第２スキャンラインサブグループ、及び前記第１スキャンラインサブグループと前記第２スキャンラインサブグループとの間に配置された第３スキャンラインサブグループを含む。
【００１１】
前記ソースライングループの各々は、第１ソースラインサブグループ、前記第１ソースラインサブグループに連結された第２ソースラインサブグループ、及び前記第１ソースラインサブグループと前記第２ソースラインサブグループとの間に配置された第３ソースラインサブグループを含む。
【００１２】
前記第１駆動部は、第１モードでスキャンライングループに第１スキャン信号を各々提供する。前記第１駆動部は、第２モードで前記第１スキャンラインサブグループ及び前記第２スキャンラインサブグループが形成する電流経路によって磁気場が誘導されるように前記スキャンライングループに第２スキャン信号を各々提供する。
【００１３】
前記第２駆動部は、前記第１モードで前記ソースライングループから静電容量変化を示す第１感知信号を各々出力する。前記第２駆動部は、前記第２モードで前記ソースライングループから入力手段の共振周波数にしたがう第２感知信号を各々出力する。
【００１４】
前記座標算出部は、前記第１感知信号及び前記第２感知信号を受信し、前記第１感知信号及び前記第２感知信号にしたがう入力地点の座標情報を算出する。
【００１５】
本発明の一実施形態による表示装置は、表示パネル、スキャンライングループ、ソースライングループ、第１駆動部、第２駆動部、及び座標算出部を含む。
【００１６】
前記スキャンライングループは、各々が第１スキャンラインサブグループ、第２スキャンラインサブグループ、及び前記第１スキャンラインサブグループと前記第２スキャンラインサブグループとの間に配置された第３スキャンラインサブグループを含む。
【００１７】
前記ソースライングループは、各々が第１ソースラインサブグループ、第２ソースラインサブグループ、及び前記第１ソースラインサブグループと前記第２ソースラインサブグループとの間に配置された第３ソースラインサブグループを含む。
【００１８】
前記第１駆動部は、第１モードで前記スキャンライングループに第１スキャン信号を提供し、第２モードで前記第１スキャンラインサブグループ及び前記第２スキャンラインサブグループを互いに異なる方向に流れる電流にしたがって磁気場が誘導されるように前記スキャンライングループの前記第１スキャンラインサブグループ及び前記第２スキャンラインサブグループに第２スキャン信号を提供する。
【００１９】
前記第２駆動部は、前記第１モードで前記ソースライングループから静電容量変化を示す第１感知信号を出力し、前記第２モードで前記ソースライングループから入力手段の共振周波数にしたがって生成された第２感知信号を出力する。
【００２０】
前記タッチ感知部は、前記第１感知信号及び前記第２感知信号を受信し、前記第１感知信号及び前記第２感知信号にしたがう入力地点の座標情報を算出する。
【００２１】
本発明の一実施形態による表示装置は、表示パネルとタッチパネルとを含む。前記表示パネルは、第１表示基板及び前記第１表示基板に対向する第２表示基板を含み、遮光領域と複数個の透過領域とに区分される。
【００２２】
前記タッチパネルは、第１導電層と前記第１導電層に絶縁された第２導電層とを含む。さらに具体的に、前記タッチパネルは、第１スキャン信号を受信する複数個の第１タッチ電極、前記複数個の第１タッチ電極と交差し、静電容量変化にしたがう第１感知信号を出力する複数個の第２タッチ電極、前記遮光領域に重畳するように配置され、第２スキャン信号を受信する複数個の第１タッチコイル、及び前記遮光領域に重畳するように配置され、前記複数個の第１タッチコイルと交差し、入力手段の共振周波数にしたがう第２感知信号を出力する複数個の第２タッチコイルを含む。前記第１導電層は、前記複数個の第２タッチ電極と前記複数個の第１タッチコイルとのいずれか１つと前記複数個の第１タッチ電極とを含む。
【００２３】
前記タッチパネルは、第１スキャン信号を受信する複数個の第１タッチ電極、前記複数個の第１タッチ電極と交差し、静電容量変化にしたがう第１感知信号を出力する複数個の第２タッチ電極、前記遮光領域に重畳するように配置され、第２スキャン信号を受信する複数個の第１タッチコイル、及び前記遮光領域に重畳するように配置され、前記複数個の第１タッチコイルと交差し、入力手段の共振周波数にしたがう第２感知信号を出力する複数個の第２タッチコイルとを含む。
【００２４】
本発明の一実施形態による表示装置の前記入力面を提供する表示基板は、ベース基板を含み、前記第１導電層及び前記第２導電層は、前記ベース基板の一側に配置される。
【００２５】
本発明の一実施形態による表示装置の前記入力面を提供する表示基板は、ベース基板を含み、前記第１導電層は、前記ベース基板の一側に配置され、前記第２導電層は、前記ベース基板の他側に配置される。
【００２６】
本発明の一実施形態による表示装置は、表示パネルとタッチパネルとを含む。前記表示パネルは、複数個の画素を含み、フレーム区間の間にイメージを生成する。前記表示パネルは、第１領域と第２領域とに区分される。
【００２７】
前記タッチパネルは、第１タッチ部と前記第１タッチ部の上側に配置された第２タッチ部とを含む。前記第１タッチ部は、第１タッチコイル及び前記第１タッチコイルと絶縁交差する第２タッチコイルを含む。前記第２タッチ部は、第１タッチ電極及び前記第１タッチ電極と絶縁交差する第２タッチ電極を含む。
【００２８】
前記フレーム区間の第１区間の間に、前記第１タッチコイルの中で前記第２領域に配置された第１タッチコイルに第１スキャン信号の中の対応する第１スキャン信号が印加される時、前記第１タッチ電極の中で前記第１領域に配置された第１タッチ電極に第２スキャン信号の中の対応する第２スキャン信号が印加される。
【００２９】
前記第２タッチコイルは、前記第２領域で発生した入力手段の共振周波数にしたがう第１感知信号を出力する。前記第２タッチ電極は、前記第１領域で発生した静電容量変化にしたがう第２感知信号を出力する。
【００３０】
前記第１区間の間に、前記複数個の画素の中で前記第１領域に配置された画素は、活性化され、前記第２領域に配置された画素は、非活性化される。前記第１区間の間にゲート駆動部は、複数個のゲートワードラインの中の前記第１領域に配置されたゲートラインに対応するゲート信号を提供する。
【００３１】
前記フレーム区間の第１区間の以後の第２区間の間に、前記第１タッチコイルの中で前記第１領域に配置された第１タッチコイルが第１スキャン信号の中の対応する第１スキャン信号を受信する時、前記第１タッチ電極の中で前記第２領域に配置された第１タッチ電極は、第２スキャン信号の中の対応する第２スキャン信号を受信する。
【００３２】
前記第２タッチコイルは、前記第１領域で発生した前記入力手段の共振周波数にしたがう第１感知信号を出力し、前記第２タッチ電極は、前記第２領域で発生した静電容量変化にしたがう第２感知信号を出力する。
【００３３】
本発明の一実施形態による表示装置の駆動方法は、第１区間の間に前記表示パネルの第１領域に配置された画素を活性化させる段階、入力コイルの中で前記第１領域に隣接する第２領域に配置された入力コイルに第１スキャン信号を提供する段階、入力電極の中で前記第１領域に配置された入力電極に第２スキャン信号を提供する段階、及び出力コイルから出力された第１感知信号及び出力電極から出力された第２感知信号の中の少なくともいずれか１つから入力地点の座標情報を算出する段階を含む。
【発明の効果】
【００３４】
上述したことによれば、本発明の一実施形態による表示装置は動作モードにしたがって静電容量方式又は電磁気誘導方式によって外部入力を感知する。別の電極／配線パターンを具備しなくとも前記静電容量方式又は前記電磁気誘導方式で前記外部入力を感知することができる。
【００３５】
前記複数個のスキャンライングループは少なくとも１つのスキャンラインを含み、前記複数個のソースライングループは少なくとも１つのソースラインを含む。前記スキャンラインと前記ソースラインとは交差する地点に具備された第１感知電極と第２感知電極とをさらに含む。前記第１感知電極と前記第２感知電極とは重畳面積を増加させ、それによって前記第１モードのタッチ感度は向上される。
【００３６】
本発明の一実施形態による表示装置は第１モードで前記第１タッチ電極と前記第２タッチ電極との間のキャパシタンス変化量を検出して入力地点の座標情報を獲得することができる。また、第２モードで前記第１タッチコイル及び前記第２タッチコイルと入力手段との間の周波数送受信を通じて入力地点の座標情報を獲得することができる。前記タッチパネルは前記第１モード又は前記第２モードのうちのいずれか１つに選択されて駆動され得る。
【００３７】
また、前記タッチパネルは前記第１タッチ電極と前記第２タッチ電極とが駆動される同時に前記第１タッチコイル及び前記第２タッチコイルが駆動される第３モードで動作することができる。１つの入力地点の座標情報を２つの方式で獲得するか、或いは２つの入力地点の座標情報を互いに異なる方式で獲得することができる。
【００３８】
また、前記タッチパネルの前記第１タッチ電極、前記第２タッチ電極、前記第１タッチコイル、及び前記第２タッチコイルが前記表示パネルの前記第１表示基板及び第２表示基板のうちのいずれか１つに一体化されることによってスリムになった表示装置が具現される。
【００３９】
本発明の一実施形態による表示装置の第２タッチ部は第１区間の間に前記第１領域で発生したタッチイベントを感知する。この時、表示パネルで誘発されたノイズが前記第２タッチ部に伝達されないように前記第１タッチ部は前記ノイズを除去する。また、前記第１領域に配置された第１タッチ部はスキャン信号を受信しないので、前記第１タッチ部からノイズが誘発されない。したがって、前記第１領域のタッチ感度は向上される。
【００４０】
前記第１区間の間に前記第２領域で発生したタッチイベントは第１タッチ部で感知する。前記表示パネルと前記第２タッチ部からノイズが誘発されない。したがって、前記第１領域のタッチ感度は向上される。
【００４１】
前記第２区間の間に前記第１領域で発生したタッチイベントは第１タッチ部で感知し、前記第２領域で発生したタッチイベントは第２タッチ部で感知する。前記フレーム区間の間に前記第１タッチ部と前記第２タッチ部の各々が前記第１表示領域及び前記第２表示領域を独立的にスキャニングすることによって互いに異なる２つの以上の入力手段によるタッチイベントを全て感知することができる。
【００４２】
前記第１区間又は前記第２区間の間に前記第１タッチ部と前記第２タッチ部とは２回以上スキャニングされ得る。前記第１表示領域及び前記第２表示領域が複数回スキャニングされることによってタッチ感度が向上される。
【００４３】
静電容量方式の第２タッチ部は前記フレーム区間の中の前記複数個の画素が活性化されない非表示区間の間に動作する。また、前記表示パネルで誘発されたノイズは前記非表示区間の間にスキャン信号を受信しない前記第１タッチ部で遮断されて前記第２タッチ部のタッチ感度が向上される。
【図面の簡単な説明】
【００４４】
【図１】本発明の一実施形態による表示装置のブロック図である。
【図２】図１に図示された表示パネルの斜視図である。
【図３】図２に図示された表示パネルの平面図である。
【図４】図２のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。
【図５】本発明の一実施形態によるタッチパネルのブロック図である。
【図６】第１モードで動作するタッチパネルを示す。
【図７Ａ】第２モードで動作するタッチパネルを示す。
【図７Ｂ】第２モードで動作するタッチパネルを示す。
【図８】第２モードで発生した信号のタイミング図である。
【図９】図５に図示された第１駆動部のブロック図である。
【図１０】図９に図示されたスイッチング部の回路図である。
【図１１】図５に図示された第２駆動部及びタッチタッチブロック図である。
【図１２】図１１に図示された感知信号出力部の回路図である。
【図１３】本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。
【図１４】本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。
【図１５Ａ】本発明の一実施形態による表示パネルの平面図である。
【図１５Ｂ】本発明の一実施形態による表示パネルの平面図である。
【図１６】本発明の一実施形態によるタッチパネルのブロック図である。
【図１７】第１モードで動作するタッチパネルを示す。
【図１８Ａ】第２モードで動作するタッチパネルを示す。
【図１８Ｂ】第２モードで動作するタッチパネルを示す。
【図１９】本発明の一実施形態による第２スキャン駆動部のブロック図である。
【図２０】本発明の一実施形態による第２ソース駆動部のブロック図である。
【図２１】本発明の一実施形態による表示装置のブロック図である。
【図２２】図２１に図示された表示パネルとタッチパネルとの部分斜視図である。
【図２３Ａ】図２２のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。
【図２３Ｂ】図２２のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。
【図２４Ａ】本発明の一実施形態による表示パネルの画素の平面図である。
【図２４Ｂ】図２４ＡのＩＩ−ＩＩ’線に沿う表示パネルの断面図である。
【図２５】本発明の一実施形態によるタッチパネルの平面図である。
【図２６Ａ】図２５の第１タッチ電極と第１タッチコイルとを示した平面図である。
【図２６Ｂ】図２５の第２タッチ電極と第２タッチコイルとを示した平面図である。
【図２７Ａ】図２５の第１タッチ電極と第２タッチ電極とを示した平面図である。
【図２７Ｂ】図２５の第１タッチコイルと第２タッチコイルとを示した平面図である。
【図２８Ａ】本発明の一実施形態によるタッチパネル駆動部のブロック図である。
【図２８Ｂ】本発明の一実施形態によるタッチ感知部のブロック図である。
【図２９Ａ】本発明の一実施形態によるタッチパネル駆動部のブロック図である。
【図２９Ｂ】本発明の一実施形態によるタッチ感知部のブロック図である。
【図３０】図２５の一部分を拡大した本発明の一実施形態による平面図である。
【図３１Ａ】図３０のＡＡ領域を拡大して示した平面図である。
【図３１Ｂ】図３０のＡＡ領域を拡大して示した平面図である。
【図３２】本発明の一実施形態による図１０のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図である。
【図３３】図３０のＢＢ領域を拡大して示した本発明の一実施形態による平面図である。
【図３４】図３３のＩＶ−ＩＶ’線に沿う断面図である。
【図３５】図３０のＣＣ領域を拡大して示した本発明の一実施形態による平面図である。
【図３６】図３５のＶ−Ｖ’線に沿う断面図である。
【図３７】図３０のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う本発明の一実施形態による断面図である。
【図３８】図３０のＢＢ領域を拡大して示した本発明の一実施形態による平面図である。
【図３９】図３８のＩＶ−ＩＶ’線に沿う断面図である。
【図４０】図３０のＣＣ領域を拡大して示した本発明の一実施形態による平面図である。
【図４１】図４０のＶ−Ｖ’線に沿う断面図である。
【図４２】図２５の一部分を拡大した本発明の一実施形態による平面図である。
【図４３】図４２のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う本発明の一実施形態による断面図である。
【図４４】図４２のＤＤ領域を拡大して示した本発明の一実施形態による平面図である。
【図４５Ａ】本発明の一実施形態によるタッチパネルを拡大して示した平面図である。
【図４５Ｂ】本発明の一実施形態によるタッチパネルを拡大して示した平面図である。
【図４５Ｃ】本発明の一実施形態によるタッチパネルを拡大して示した平面図である。
【図４６Ａ】本発明の一実施形態による第１タッチ電極と第１タッチコイルとを示した平面図である。
【図４６Ｂ】本発明の一実施形態による第２タッチ電極と第２タッチコイルとを示した平面図である。
【図４７Ａ】本発明の一実施形態による第１タッチ電極と第１タッチコイルとを示した平面図である。
【図４７Ｂ】本発明の一実施形態による第２タッチ電極と第２タッチコイルとを示した平面図である。
【図４８】本発明の一実施形態によるタッチパネルを示した平面図である。
【図４９Ａ】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図４９Ｂ】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図５０Ａ】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図５０Ｂ】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図５１】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図５２Ａ】本発明の一実施形態によるタッチパネルの断面図である。
【図５２Ｂ】本発明の一実施形態によるタッチパネルの断面図である。
【図５２Ｃ】本発明の一実施形態によるタッチパネルの断面図である。
【図５２Ｄ】本発明の一実施形態によるタッチパネルの断面図である。
【図５２Ｅ】本発明の一実施形態によるタッチパネルの断面図である。
【図５３】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図５４】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図５５】本発明の一実施形態による表示装置のブロック図である。
【図５６】図５５に図示された表示装置の部分斜視図である。
【図５７】図５６のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。
【図５８】本発明の一実施形態によるタッチパネルの平面図である。
【図５９Ａ】図５８の第１タッチ部を示した平面図である。
【図５９Ｂ】図５８の第２タッチ部を示した平面図である。
【図６０】本発明の一実施形態による表示装置に印加される信号のタイミング図である。
【図６１Ａ】本発明の一実施形態によるタッチパネル駆動部のブロック図である。
【図６１Ｂ】本発明の一実施形態によるタッチ感知部のブロック図である。
【図６２Ａ】本発明の一実施形態によるスキャン信号のタイミング図である。
【図６２Ｂ】本発明の一実施形態によるスキャン信号のタイミング図である。
【図６３】第２タッチ感知部に影響を与えるノイズの発生経路を示した等価回路図である。
【図６４Ａ】ノイズと感知信号との関係を示したグラフである。
【図６４Ｂ】ノイズと感知信号との関係を示したグラフである。
【図６５】本発明の一実施形態による表示装置のノイズ除去経路を示した等価回路図である。
【図６６】本発明の一実施形態による表示装置に印加される信号のタイミング図である。
【図６７】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図６８】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【図６９】本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４５】
以下、添付した図面を参照して本発明の望ましい実施形態をより詳細に説明する。
【００４６】
図１は本発明の一実施形態による表示装置のブロック図である。図２は図１に図示された表示パネルの斜視図である。図３は図２に図示された表示パネルの平面図である。図４は図２のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。
【００４７】
前記表示装置は表示パネルＬＤＰ、信号制御部１００、ゲート駆動部２００、データ駆動部３００、及びタッチパネルを含む。前記タッチパネルは複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬｉ、複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬｊ、第１駆動部４００、第２駆動部５００、及びタッチ感知部６００を含む。前記信号制御部１００、前記ゲート駆動部２００、及び前記データ駆動部３００は前記表示パネルＬＤＰを制御して映像を生成する。前記第１駆動部４００、前記第２駆動部５００は前記タッチパネルを制御し、前記タッチ感知部６００は入力地点の座標情報を算出する。
【００４８】
前記表示パネルＬＤＰは特別に限定されることではなく、例えば、液晶表示パネル（ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、有機発光表示パネル（ｏｒｇａｎｉｃ  ｌｉｇｈｔ  ｅｍｉｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、電氣泳動表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）、及びエレクトロ・ウェッティング表示パネル（ｅｌｅｃｔｒｏｗｅｔｔｉｎｇ  ｄｉｓｐｌａｙ  ｐａｎｅｌ）等が採用できる。但し、本実施形態では前記液晶表示パネルを例示的に説明する。
【００４９】
一方、液晶表示装置は前記液晶表示パネルに光を提供するバックライトユニット（図示せず）、一対の偏光板（図示せず）をさらに含む。また、前記液晶表示パネルはＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＰＶＡ（Ｐａｔｔｅｒｎｅｄ  Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モード、ＩＰＳ（ｉｎ−ｐｌａｎｅ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード又はＦＦＳ（ｆｒｉｎｇｅ−ｆｉｅｌｄ  ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード、及びＰＬＳ（Ｐｌａｎｅ  ｔｏ  Ｌｉｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モード等の中のいずれか１つのパネルであり得るが、特定なモードのパネルに制限されない。
【００５０】
前記表示パネルＬＤＰは離隔されて配置された第１表示基板ＤＳ１と第２表示基板ＤＳ２とを含む。前記第１表示基板ＤＳ１と前記第２表示基板ＤＳ２とのうちで上側に配置された基板は入力手段に入力面を提供する。
【００５１】
前記表示パネルＬＤＰは複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ、複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍ、及び複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍを含む。前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ及び前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍは前記第１表示基板ＤＳ１と前記第２表示基板ＤＳ２とのいずれか１つに配置される。前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ及び前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍは前記第１表示基板ＤＳ１に配置され得る。
【００５２】
前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎは前記第１方向ＤＲ１に延長され、前記前記第１方向ＤＲ１と実質的に直交する第２方向ＤＲ２に配列される。前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍは前記第２方向ＤＲ２に延長され、前記第１方向ＤＲ１に配列される。前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍは前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎと絶縁されるように交差する。前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎは前記ゲート駆動部２００に連結され、前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍは前記データ駆動部３００に連結される。
【００５３】
前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍはマトリックス形態に配列され得る。前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍは複数個の画素領域ＰＸＡ１１〜ＰＸＡｎｍに対応するように配置される。前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍの各々は前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍ及び前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎの中の対応するゲートライン及び対応するデータラインに連結される。
【００５４】
前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬｉ及び前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬｊは前記第１表示基板ＤＳ１と前記第２表示基板ＤＳ２とのうちで前記入力面を提供する基板に配置される。図３には９つのスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ９と１０つのソースラインＲＬ１〜ＲＬ１０が例示的に図示された。図４には前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬｉの中の一部のスキャンラインＴＬが図示され、前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬｊの中のいずれか１つのソースラインＲＬが例示的に図示された。
【００５５】
前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬｉと前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬｊとは互いに異なる層上に配置される。前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬｉは第１方向ＤＲ１に延長され、第２方向ＤＲ２に配列される。前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬｊは前記第２方向ＤＲ２に延長され、前記第１方向ＤＲ１に配列される。前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬｉは前記第１駆動部４００に連結され、前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬｊは前記第２駆動部５００に連結される。
【００５６】
前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬｉ及び前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬｊは透明な導電性物質で構成されることができる。また、前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬｉ及び前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬｊは反射率が低い金属で構成されることができる。
【００５７】
前記ゲート駆動部２００及び前記データ駆動部３００は前記第１表示基板ＤＳ１に配置されることができ、前記第１駆動部４００及び前記第２駆動部５００は前記第２表示基板ＤＳ２に配置され得る。前記信号制御部１００及び前記タッチ感知部６００は前記表示パネルＬＤＰに連結された回路基板に配置され得る。
【００５８】
以下、図２乃至図４を参照して前記表示パネルＬＤＰと前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ９及び前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ１０との配置関係に対してさらに詳細に検討する。
【００５９】
前記第２表示基板ＤＳ２は複数個の透過領域ＴＡと遮光領域ＳＡとを含む。前記遮光領域ＳＡは前記複数個の透過領域ＴＡを囲む。前記複数個の透過領域ＴＡは前記バックライトユニットから生成された光が通過される領域であり、前記遮光領域ＳＡは前記光が遮断される領域である。前記複数個の透過領域ＴＡはマトリックス形態に配列され得る。前記表示装置は前記複数個の透過領域ＴＡを通過する光の組合によって映像を生成する。
【００６０】
図３に示したように、前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ９と前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ１０とは前記遮光領域ＳＡに配置される。前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ９の中の隣接する２つのスキャンラインは前記第１方向ＤＲ１に配列された透過領域ＴＡを介して離隔されて配置される。前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ１０の中の隣接する２つのソースラインは前記第２方向ＤＲ２に配列された透過領域ＴＡを介して離隔されて配置される。
【００６１】
図４に示したように、前記第１表示基板ＤＳ１は第１ベース基板ＳＵＢ１、複数個の絶縁層１０、２０、及び複数個の導電層ＣＥ、ＰＥを含む。図４はＰＬＳ（Ｐｌａｎｅ  ｔｏ  Ｌｉｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの表示パネルを例示的に図示しているが、前記表示パネルの構造はこれに制限されない。
【００６２】
前記第１ベース基板ＳＵＢ１上に共通電極ＣＥが配置される。前記第１ベース基板ＳＵＢ１に前記共通電極ＣＥをカバーする第１絶縁層１０が配置される。前記第１絶縁層１０上に画素電極ＰＥが配置される。前記第１絶縁層１０上に前記画素電極ＰＥをカバーする第２絶縁層２０が配置される。
【００６３】
前記第１絶縁層１０と前記第２絶縁層２０との各々は少なくとも１つの有機膜及び／又は少なくとも１つの無機膜で構成されることができる。一方、図４で前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ（図１参照）及び前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍ（図１参照）は図示されなかった。
【００６４】
前記複数個の画素領域ＰＸＡは前記第１表示基板ＤＳ１に定義され、前記複数個の画素ＰＸは前記第１表示基板ＤＳ１に配置される。前記複数個の画素領域ＰＸＡは前記複数個の透過領域ＴＡに各々重畳する領域によって定義され得る。図４には３つの画素領域ＰＸＡが例示的に図示された。
【００６５】
前記画素ＰＸの各々は対応する共通電極ＣＥに対応する画素電極ＰＥを含む。また、前記画素ＰＸの各々は対応するデータライン、対応するゲートライン、及び前記対応する画素電極ＰＥに連結された薄膜トランジスターをさらに含む。
【００６６】
前記画素電極ＰＥは前記薄膜トランジスターから画素電圧を受信する。前記共通電極ＣＥは共通電圧を受信する。前記共通電極ＣＥと前記画素電極ＰＥとは横電界を形成することができる。前記横電界によって前記液晶層ＬＣＬに含まれた方向子の配列が変化される。
【００６７】
図４に示したように、前記第２表示基板ＤＳ２は第２ベース基板ＳＵＢ２、ブラックマトリックスＢＭ、複数個のカラーフィルターＣＦを含む。スキャンラインＴＬ及びソースラインＲＬが前記第２ベース基板ＳＵＢ２に配置される。図４には４つのスキャンラインＴＬ及び１つのソースラインＲＬが例示的に図示された。
【００６８】
前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に前記ブラックマトリックスＢＭが配置される。前記ブラックマトリックスＢＭは複数個の開口部ＢＭ−ＯＰを有する。実質的に前記複数個の透過領域ＴＡは前記複数個の開口部ＢＭ−ＯＰによって定義される。また、前記遮光領域ＳＡは前記ブラックマトリックスＢＭが配置された領域によって定義される。
【００６９】
複数個のカラーフィルターＣＦは前記複数個の開口部ＢＭ−ＯＰに各々重畳するように配置される。前記複数個のカラーフィルターＣＦは前記複数個の開口部ＢＭ−ＯＰに挿入され得る。前記複数個のカラーフィルターＣＦは互いに異なるカラーを有するカラーフィルターを包含することができる。例えば、前記複数個のカラーフィルターＣＦの中で一部はレッド、他の一部はグリーン、その他の一部はブルーカラーを有することができる。
【００７０】
前記スキャンラインＴＬ及び前記ソースラインＲＬは前記ブラックマトリックスＢＭに重畳するように配置される。前記ブラックマトリックスＢＭに重畳する前記スキャンラインＴＬ及び前記ソースラインＲＬは外部から視認されない。
【００７１】
前記スキャンラインＴＬは前記第２ベース基板ＳＵＢ２の上側に配置される。前記スキャンラインＴＬは前記第２ベース基板ＳＵＢ２の上面に直接配置され得る。前記第２ベース基板ＳＵＢ２上に前記スキャンラインＴＬはカバーする絶縁層ＩＬが配置される。前記絶縁層ＩＬ上に保護層ＰＬが配置される。前記絶縁層ＩＬは接着層であり得る。前記保護層ＰＬは偏光板のような光学部材であり得る。
【００７２】
前記ソースラインＲＬは前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下側に配置される。前記ソースラインＲＬは前記ブラックマトリックスＢＭに重畳される。一方、前記ソースラインＲＬは前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面上に直接配置されることもあり得る。この時、前記ブラックマトリックスＢＭは前記ソースラインＲＬをカバーする。その他の実施形態で前記スキャンラインＴＬ及び前記ソースラインＲＬの位置は互いに変わることがあり得る。
【００７３】
再び図１を参照すれば、前記信号制御部１００は入力映像信号ＲＧＢを受信し、前記入力映像信号ＲＧＢを前記表示パネルＬＤＰの動作モードに相応しい映像データＲ’Ｇ’Ｂ’に変換する。また、信号制御部１００は各種制御信号ＣＳ、例えば垂直同期信号、水平同期信号、メーンクロック信号、データイネーブル信号等を受信し、第１及び第２制御信号ＣＯＮＴ１、ＣＯＮＴ２及びモード選択信号ＭＳＳを出力する。
【００７４】
前記モード選択信号ＭＳＳは前記タッチパネルの動作モードを決定する。前記タッチパネルは前記モード選択信号ＭＳＳに応答して静電容量方式モード（以下、第１モード）又は電磁気誘導方式モード（以下、第２モード）で動作する。
【００７５】
前記モード選択信号ＭＳＳは前記表示パネルＬＤＰで表示される映像に基づいて生成され得る。前記モード選択信号ＭＳＳは動作モードにしたがって異なるレベルを有することができる。例えば、前記表示パネルＬＤＰでキーパッド映像を表示する時、前記モード選択信号ＭＳＳは静電容量方式活性化信号として出力され、前記表示パネルＬＤＰでゲーム映像を表示する時、前記モード選択信号ＭＳＳは電磁気誘導方式活性化信号として出力され得る。その他に前記モード選択信号ＭＳＳは使用者によって入力されることもあり得る。
【００７６】
前記ゲート駆動部２００は前記第１制御信号ＣＯＮＴ１に応答して複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎへゲート信号を出力する。前記第１制御信号ＣＯＮＴ１は前記ゲート駆動部２００の動作を開始する垂直開始信号、ゲート電圧の出力時期を決定するゲートクロック信号、及びゲート電圧のオンパルス幅を決定する出力イネーブル信号等を含む。
【００７７】
前記データ駆動部３００は前記第２制御信号ＣＯＮＴ２及び前記映像データＲ’Ｇ’Ｂ’を受信する。前記データ駆動部３００は前記映像データＲ’Ｇ’Ｂ’をデータ電圧に変換して前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍに提供する。
【００７８】
前記第２制御信号ＣＯＮＴ２は前記データ駆動部３００の動作を開始する水平開始信号、前記データ電圧の極性を反転させる反転信号、及び前記データ駆動部３００から前記データ電圧が出力される時期を決定する出力指示信号等を含む。
【００７９】
前記第１駆動部４００は前記モード選択信号ＭＳＳを受信する。前記第１駆動部４００は第１スキャン信号ＴＳ１及び第２スキャン信号ＴＳ２を受信し、前記モード選択信号ＭＳＳに応答して前記第１スキャン信号ＴＳ１及び前記第２スキャン信号ＴＳ２のいずれか１つを選択的に前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬｉへ提供する。前記第１駆動部４００は第１モードで前記第１スキャン信号ＴＳ１を出力し、前記第２モードで第２スキャン信号ＴＳ２を出力する。
【００８０】
前記第２駆動部５００は前記モード選択信号ＭＳＳを受信する。前記第２駆動部５００は前記第１モードで前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬｊから静電容量変化を示す感知信号ＳＳ１（以下、第１感知信号）を出力する。前記第２駆動部５００は前記第２モードで前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬｊから入力手段の共振周波数にしたがう感知信号ＳＳ２（以下、第２感知信号）を出力する。ここで、前記入力手段はインダクタとキャパシターとを含むＬＣ共振回路を具備するパッシブタイプのスタイラスペン（ｓｔｙｌｕｓ  ｐｅｎ）であり得る。
【００８１】
前記タッチ感知部６００は前記第１感知信号ＳＳ１及び前記第２感知信号ＳＳ２を受信する。前記タッチ感知部６００は前記第１感知信号ＳＳ１及び前記第２感知信号ＳＳ２にしたがう入力地点の座標情報を算出する。ここで、前記第１モードの入力地点はタッチされた前記第２表示基板ＤＳ２の一地点であり得る。前記第２モードの入力地点は前記入力手段でタッチされた前記第２表示基板ＤＳ２の一地点であるか、或いは前記入力手段が近接した前記第２表示基板ＤＳ２上の一地点であり得る。
【００８２】
図５は本発明の一実施形態によるタッチパネルのブロック図である。図５で３６個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ３６と３６個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ３６が例示的に図示された。
【００８３】
前記３６個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ３６は４つのスキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０（以下、第１乃至第４スキャンライングループ）に分類され、前記３６個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ３６は４つのソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０（以下、第１乃至第４ソースライングループ）に分類される。前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々は第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１、第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２、及び第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３を含む。前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１、前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２、及び前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３の各々は少なくとも１つのスキャンラインを含む。
【００８４】
前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１、前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２、及び前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３は同一の個数のスキャンラインを包含することができる。図５は３つのスキャンラインを含むスキャンラインサブグループを例示的に図示した。前記３つのスキャンラインの一端は互いに連結され、他端は互いに連結され得る。
【００８５】
前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１、前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２、及び前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３は前記第２方向ＤＲ２に配列される。前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３は前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１と前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２との間に配置される。前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１と第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２とは互いに連結される。前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１の端部と前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２の端部とは第１連結ラインＣＮＬ１によって連結され得る。それによって、前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１と前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２とは１つのループをなす。
【００８６】
前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々は第１ソースラインサブグループＲＬＧ１、第２ソースラインサブグループＲＬＧ２、及び第３ソースラインサブグループＲＬＧ３を含む。前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１、前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２、及び前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３の各々は少なくとも１つのソースラインを含む。
【００８７】
前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１、前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２、及び前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３は同一の個数のソースラインを包含することができる。図５は３つのソースラインを含むソースラインサブグループを例示的に図示した。前記３つのソースラインの一端は互いに連結され、他端は互いに連結される。
【００８８】
前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１、前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２、及び前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３は前記第１方向ＤＲ１に配列される。前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３は前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１と前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２との間に配置される。前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１と第２ソースラインサブグループＲＬＧ２とは互いに連結される。前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１の端部と前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の端部とは第２連結ラインＣＮＬ２によって連結され得る。
【００８９】
図６は第１モードで動作するタッチパネルを示し、図７Ａ及び図７Ｂは第２モードで動作するタッチパネルを示す。図８は第２モードで発生した信号のタイミング図である。以下、図６乃至図８を参照して前記タッチパネルの動作方法を説明する。
【００９０】
図６に図示された第１モードのタッチパネルは静電容量方式のタッチパネルと同一の方式で前記入力地点の座標情報を算出する。前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０は前記静電容量方式のタッチパネルの入力タッチ電極に対応し、前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０は静電容量方式のタッチパネルの出力タッチ電極に対応する。
【００９１】
前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０と前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０とは静電結合（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ  ｃｏｕｐｌｉｎｇ）される。前記静電結合によって前記スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０と前記ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０との間に複数のキャパシターが形成される。
【００９２】
前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０は互いに異なる区間でスキャン信号ＴＳ１−１〜ＴＳ１−４（以下、第１スキャン信号）を受信する。前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０は前記第１スキャン信号ＴＳ１−１〜ＴＳ１−４を順次的に受信できる。前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０は感知信号ＳＳ１−１〜ＳＳ１−４（以下、第１感知信号）を出力する。
【００９３】
前記第２スキャンライングループＴＧ２０と前記第２ソースライングループＲＧ２０とが交差する領域を前記入力地点ＰＰ１（以下、第１入力地点）と仮定する。前記第２ソースライングループＲＧ２０から出力された第１感知信号ＳＳ１−２は残るソースライングループＲＧ１０、ＲＧ３０、ＲＧ４０から出力された第１感知信号ＳＳ１−１、ＳＳ１−３、ＳＳ１−４と異なるレベルを有する。
【００９４】
前記タッチ感知部６００は前記レベルが異なる第１感知信号ＳＳ１−２が検出された時間及び前記第２ソースライングループＲＧ２０の前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０に対する相対的位置に基づいて、前記第１入力地点ＰＰ１の２次元座標情報を算出する。
【００９５】
図７Ａ及び図７Ｂに図示された第２モードのタッチパネルは電磁気誘導方式のタッチパネルと同一の方式で前記入力地点の座標情報を算出する。前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０は前記電磁気誘導方式のタッチパネルの入力コイルに対応し、前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０は出力コイルに対応する。
【００９６】
図７Ａに示したように、前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０は互いに異なる区間でスキャン信号ＴＳ２−１〜ＴＳ２−４（以下、第２スキャン信号）を受信する。前記第２スキャン信号ＴＳ２−１〜ＴＳ２−４は前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１の一端に印加される。前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２の一端は接地される。前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３は電圧が印加されなく、フローティングにされる。
【００９７】
それによって、前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１及び前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２は電流経路を形成する。前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１及び前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２が形成する電流経路よって磁気場が誘導される。即ち、前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１及び前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２は１つの入力コイルをなす。前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０は互いに異なる区間で前記第２スキャン信号ＴＳ２−１〜ＴＳ２−４を受信したので、互いに異なる区間で磁気場が誘導される。
【００９８】
前記入力手段（図示せず）が前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０に隣接すれば、前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０から誘導された磁気場が前記入力手段の前記共振回路と共振する。それによって、前記入力手段は共振周波数を発生させる。
【００９９】
図７Ｂに示したように、前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０は前記入力手段の前記共振周波数にしたがう感知信号ＳＳ２−１〜ＳＳ２−４（以下、第２感知信号）を出力する。前記第２感知信号ＳＳ２−１〜ＳＳ２−４は前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１の一端から出力される。前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の一端は接地される。前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３は電圧が印加されなく、フローティングにされる。
【０１００】
前記第２スキャンライングループＴＧ２０と前記第２ソースライングループＲＧ２０とが交差する領域を前記入力地点ＰＰ２（以下、第２入力地点）と仮定する。前記第２ソースライングループＲＧ２０から出力された第２感知信号ＳＳ２−２は残るソースライングループＲＧ１０、ＲＧ３０、ＲＧ４０から出力された第２感知信号ＳＳ２−１、ＳＳ２−３、ＳＳ２−４と異なるレベルを有する。
【０１０１】
前記タッチ感知部６００は前記レベルが異なる第２感知信号ＳＳ２−２が検出された時間及び前記第２ソースライングループＲＧ２０の前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０に対する相対的位置に基づいて、前記第２入力地点ＰＰ２の２次元座標情報を算出する。
【０１０２】
図７Ａ、図７Ｂ、及び図８を参照すれば、前記第２スキャン信号ＴＳ２−１〜ＴＳ２−４が前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１に順次的に印加される。前記第２入力地点ＰＰ２に配置された前記入力手段で誘導信号ＲＳが発生される。
【０１０３】
前記第２スキャンライングループＴＧ２０に印加された前記第２スキャン信号ＴＳ２−２が非活性化された以後、一定の区間の間に前記誘導信号ＲＳは徐々に減少される。前記入力手段は前記減少される誘導信号ＲＳに対応する周波数を発生させる。前記入力手段で発生された周波数は前記第２ソースライングループＲＧ２０の前記第２感知信号ＳＳ２−２を発生させる。
【０１０４】
図９は図５に図示された第１駆動部のブロック図であり、図１０は図９に図示されたスイッチング部の回路図である。以下、図９及び図１０を参照して前記第１駆動部に対して詳細に検討する。
【０１０５】
前記第１駆動部４００はスキャン信号出力部４１０、選択部４２０、スイッチ部４３０−１〜４３０−４を含む。図９は４つの前記スイッチ部４３０−１〜４３０−４（以下、第１乃至第４スイッチ部）が例示的に図示された。
【０１０６】
前記スキャン信号出力部４１０は前記モード選択信号ＭＳＳ、前記第１スキャン信号ＴＳ１、及び前記第２スキャン信号ＴＳ２を受信する。前記第１スキャン信号ＴＳ１及び前記第２スキャン信号ＴＳ２は外部の回路、例えばスキャン信号生成回路から提供され得る。前記スキャン信号出力部４１０は前記モード選択信号ＭＳＳに応答して前記第１スキャン信号ＴＳ１及び前記第２スキャン信号ＴＳ２を選択的に出力する。
【０１０７】
前記選択部４２０は前記第１乃至第４スイッチ部４３０−１〜４３０−４をスイッチングする。前記選択部４２０は前記モード選択信号ＭＳＳを受信し、ターンオン区間が互いに異なるスイッチング制御信号ＳＷ−１〜ＳＷ−４、ＳＷ−１０〜ＳＷ−４０を出力する。前記選択部４２０は前記第１モードで第１スイッチング制御信号ＳＷ−１〜ＳＷ−４を出力し、前記第２モードで第２スイッチング制御信号ＳＷ−１０〜ＳＷ−４０を出力する。前記第２スイッチング制御信号ＳＷ−１０〜ＳＷ−４０は前記第１スイッチング制御信号ＳＷ−１〜ＳＷ−４の位相が反転された信号であり得る。
【０１０８】
前記第１乃至第４スイッチ部４３０−１〜４３０−４の各々は前記第１モードで前記スキャン信号出力部４１０から前記第１スキャン信号ＴＳ１を受信し、前記第２モードで前記第２スキャン信号ＴＳ２を受信する。前記第１乃至第４スイッチ部４３０−１〜４３０−４は前記第１モードで前記第１スイッチング制御信号ＳＷ−１〜ＳＷ−４を各々受信し、前記第２モードで前記第２スイッチング制御信号ＳＷ−１０〜ＳＷ−４０を各々受信する。
【０１０９】
前記第１モードで、前記第１乃至第４スイッチ部４３０−１〜４３０−４は前記第１スイッチング制御信号ＳＷ−１〜ＳＷ−４に応答して前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０へ前記第１スキャン信号ＴＳ１を各々出力する。前記第２モードで、前記第１乃至第４スイッチ部４３０−１〜４３０−４は前記第２スイッチング制御信号ＳＷ−１０〜ＳＷ４０に応答して前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０へ前記第２スキャン信号ＴＳ２を各々出力する。
【０１１０】
図１０に示したように、前記第１乃至第４スイッチ部４３０−１〜４３０−４の各々は第１スイッチＳＴ１、第２スイッチＳＴ２、及び第３スイッチＳＴ３を含む。以下、第１スイッチ部４３０−１を例示的に説明する。
【０１１１】
前記第１モードで、前記第１スイッチＳＴ１は前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１に前記第１スキャン信号ＴＳ１を提供し、前記第２モードで前記第２スキャン信号ＴＳ２を提供する。
【０１１２】
前記第１スイッチＳＴ１はＣＭＯＳトランジスターであり得る。前記ＣＭＯＳトランジスターはｎタイプのトランジスターとｐタイプのトランジスターとを具備する。前記ｎタイプのトランジスターと前記ｐタイプのトランジスターとの制御電極は共通的に連結されて前記第１スイッチング制御信号ＳＷ−１及び前記第２スイッチング制御信号ＳＷ−１０を受信する。本実施形態で前記第１スイッチング制御信号ＳＷ−１はターンオン区間でハイレベルを有し、前記第２スイッチング制御信号ＳＷ−１０はターンオン区間でローレベルを有する。
【０１１３】
前記ｎタイプのトランジスターの入力電極は前記第１スキャン信号ＴＳ１を受信する。前記ｐタイプのトランジスターの入力電極は前記第２スキャン信号ＴＳ２を受信する。前記ｎタイプのトランジスターの出力電極と前記ｐタイプのトランジスターの出力電極とは共通的に前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１に連結される。
【０１１４】
前記第２スイッチＳＴ２は前記第１モードで前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２に前記第１スキャン信号ＴＳ１を提供し、前記第２モードで前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２に前記第２スキャン信号ＴＳ２を提供する。
【０１１５】
前記第２スイッチＳＴ２はＣＭＯＳトランジスターであり得る。前記ｎタイプのトランジスターと前記ｐタイプのトランジスターとの制御電極は共通的に連結されて前記第１スイッチング制御信号ＳＷ−１及び前記第２スイッチング制御信号ＳＷ−１０を受信する。
【０１１６】
前記ｎタイプのトランジスターの入力電極は前記第１スキャン信号ＴＳ１を受信する。前記ｐタイプのトランジスターの入力電極は接地電圧を受信する。前記ｎタイプのトランジスターの出力電極と前記ｐタイプのトランジスターの出力電極とは共通的に前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２に連結される。
【０１１７】
前記第１モードでターンオンされた前記第１スイッチＳＴ１及び前記第２スイッチＳＴ２の各々の前記ｎタイプのトランジスターは前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１及び前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２に前記第１スキャン信号ＴＳ１を提供する。前記第２モードでターンオンされた前記第１スイッチＳＴ１及び前記第２スイッチＳＴ２の各々の前記ｐタイプのトランジスターは前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１と前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２とに電流経路を形成する。
【０１１８】
前記第３スイッチＳＴ３は前記第１モードで前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３に前記第１スキャン信号ＴＳ１を提供し、前記第２モードで前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３をフローティングにさせる。
【０１１９】
前記第３スイッチＳＴ３はＮＭＯＳトランジスターであり得る。前記ＮＭＯＳトランジスターの制御電極は前記第１スイッチング制御信号ＳＷ−１及び前記第２スイッチング制御信号ＳＷ−１０を受信する。前記ＮＭＯＳトランジスターの入力電極は前記第１スキャン信号ＴＳ１を受信し、前記ＮＭＯＳトランジスターの出力電極は前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３に連結される。前記第２モードで前記ローレベルの前記第２スイッチング制御信号ＳＷ−１０によって前記第３スイッチＳＴ３はターンオフされ、それによって第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３はフローティングにされる。
【０１２０】
一方、本発明の他の実施形態で前記ＣＭＯＳトランジスターの前記ｎタイプのトランジスターと前記ｐタイプのトランジスターとは互いに置換され得る。この時、前記第３スイッチＳＴ３はＰＭＯＳトランジスターであり得る。
【０１２１】
図１１は図５に図示された第２駆動部及びタッチ感知部のブロック図であり、図１２は図１１に図示された感知信号出力部の回路図である。以下、図１１及び図１２を参照して前記第２駆動部及び前記タッチ感知部に対して詳細に検討する。
【０１２２】
図１１に示したように、前記第２駆動部５００は複数個の感知信号出力部５０２〜５０８を含む。図１１は４つの前記感知信号出力部５０２〜５０８（以下、第１乃至第４感知信号出力部）が例示的に図示された。
【０１２３】
前記第１乃至第４感知信号出力部５０２〜５０８は前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０に各々連結される。前記第１乃至第４感知信号出力部５０２〜５０８の各々は制御信号を受信する。前記制御信号は前記モード選択信号ＭＳＳであり得る。一方、他の実施形態で前記モード選択信号ＭＳＳと同一な位相の他の信号であり得る。
【０１２４】
前記第１モードで前記第１乃至第４感知信号出力部５０２〜５０８は前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０から前記第１感知信号ＳＳ１−１〜ＳＳ１−４（図６参照）を出力する。前記第２モードで前記第１乃至第４感知信号出力部５０２〜５０８は前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０から前記第２感知信号ＳＳ２−１〜ＳＳ２−４（図７Ｂ参照）を出力する。
【０１２５】
図１２に示したように、前記第１乃至第４感知信号出力部５０２〜５０８の各々は第１スイッチＳＴ１０、第２スイッチＳＴ２０、及び第３スイッチＳＴ３０を含む。以下、前記第１感知信号出力部５０２を例示的に説明する。
【０１２６】
前記第１スイッチＳＴ１０は前記第１モードで前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１の一端から前記第１感知信号ＳＳ１−１を出力し、前記第２モードで前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１の一端から前記第２感知信号ＳＳ２−１を出力する。前記第１スイッチＳＴ１０はＣＭＯＳトランジスターであり得る。
【０１２７】
前記ＣＭＯＳトランジスターはｎタイプのトランジスターとｐタイプのトランジスターとを具備する。前記ｎタイプのトランジスターと前記ｐタイプのトランジスターとの制御電極は共通的に連結されて前記モード選択信号ＭＳＳを受信する。本実施形態で前記モード選択信号ＭＳＳは前記第１モード区間でハイレベルを有し、前記第２モード区間でローレベルを有する。
【０１２８】
前記ｎタイプのトランジスターの入力電極は前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１に連結され、前記ｎタイプのトランジスターの出力電極は前記タッチ感知部６００に連結される。前記ｐタイプのトランジスターの入力電極は前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１に連結され、前記ｐタイプのトランジスターの出力電極は前記タッチ感知部６００に連結される。前記ｎタイプのトランジスターの出力電極は前記第１感知信号ＳＳ１−１を、前記ｐタイプのトランジスターの出力電極は前記第２感知信号ＳＳ２−１を前記タッチ感知部６００へ提供する。
【０１２９】
前記第２スイッチＳＴ２０は前記第１モードで前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の一端から前記第１感知信号ＳＳ１−１を出力し、前記第２モードで前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の一端を接地させる。前記第２スイッチＳＴ２０はＣＭＯＳトランジスターであり得る。
【０１３０】
前記ｎタイプのトランジスターと前記ｐタイプのトランジスターとの制御電極は共通的に連結されて前記モード選択信号ＭＳＳを受信する。前記ｎタイプのトランジスターの入力電極は前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２に連結され、前記ｎタイプのトランジスターの出力電極は前記タッチ感知部６００に連結される。前記ｐタイプのトランジスターの入力電極は前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２に連結され、前記ｐタイプのトランジスターの出力電極は接地電圧を受信する。
【０１３１】
前記第３スイッチＳＴ３０は前記第１モードで前記タッチ感知部６００へ前記第１感知信号ＳＳ１−１を出力し、前記第２モードで前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３をフローティングにさせる。
【０１３２】
前記第３スイッチＳＴ３０はＮＭＯＳトランジスターであり得る。前記ＮＭＯＳトランジスターの制御電極は前記モード選択信号ＭＳＳを受信する。前記ＮＭＯＳトランジスターの入力電極は前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３に連結され、前記ＮＭＯＳトランジスターの出力電極は前記タッチ感知部６００に連結される。一方、本発明の他の実施形態で前記ＣＭＯＳトランジスターの前記ｎタイプのトランジスターと前記ｐタイプのトランジスターとは互いに置換され得る。この時、前記第３スイッチＳＴ３０はＰＭＯＳトランジスターであり得る。
【０１３３】
再び図１１を参照すれば、前記タッチ感知部６００は信号処理部６１０−１乃至６１０−４（以下、第１乃至第４信号処理部）、マルチプレクサー部６２０及び座標算出部６３０を含む。
【０１３４】
前記第１乃至第４信号処理部６１０−１乃至６１０−４の各々は前記第１乃至第４感知信号出力部５０２〜５０８から前記第１モードで前記第１感知信号ＳＳ１−１〜ＳＳ１−４（図６参照）を各々受信し、前記第２モードで前記第２感知信号ＳＳ２−１〜ＳＳ２−４（図７Ｂ参照）を各々受信する。前記第１乃至第４信号処理部６１０−１乃至６１０−４の各々は前記第１感知信号ＳＳ１−１〜ＳＳ１−４を処理する第１モード信号処理部（図示せず）と前記第２感知信号ＳＳ２−１〜ＳＳ２−４を処理する第２モード信号処理部（図示せず）とを含む。
【０１３５】
前記第１モード信号処理部は増幅器、ノイズフィルター、及びアナログ−デジタルコンバーター等を含む。前記増幅器は前記第１感知信号ＳＳ１−１〜ＳＳ１−４を増幅させる。前記ノイズフィルターは前記増幅された前記第１感知信号ＳＳ１−１〜ＳＳ１−４のノイズを除去する。前記アナログ−デジタルコンバーターは前記ノイズが除去された前記第１感知信号ＳＳ１−１〜ＳＳ１−４を第１デジタル信号に変換する。
【０１３６】
前記第２モード信号処理部の各々は従属的に連結された増幅器、バンドパスフィルター、検波器、サンプル維持回路、及びアナログ−デジタルコンバーター等を含む。前記前記第２感知信号ＳＳ２−１〜ＳＳ２−４は最終的に第２デジタル信号に変換する。
【０１３７】
前記マルチプレクサー部６２０は前記第１乃至第４信号処理部６１０−１乃至６１０−４から受信した前記第１及び第２デジタル信号を選択的に前記座標算出部６３０へ提供する。前記座標算出部６３０は前記第１及び第２デジタル信号を基準値と比較して外部入力が発生した出力タッチ電極又は出力コイルを検出する。前記座標算出部６３０は前記第１デジタル信号から前記第１入力地点ＰＰ１（図６参照）の座標情報を算出し、前記第２デジタル信号から前記第２入力地点ＰＰ２（図７Ｂ参照）の座標情報を算出する。
【０１３８】
図１３及び図１４は本発明の一実施形態による表示パネルの断面図である。以下、図１３及び図１４を参照して本実施形態による表示装置を説明する。但し、図１乃至図３を参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０１３９】
図１３及び図１４に示したように、スキャンラインＴＬ及びソースラインＲＬは前記第２ベース基板ＳＵＢ２の上側と下側とのどちらか一側に配置される。図１３に示したように、前記スキャンラインＴＬ及び前記ソースラインＲＬは前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下側に配置されるか、或いは図１４に示したように、前記スキャンラインＴＬ及び前記ソースラインＲＬは前記第２ベース基板ＳＵＢ２の上側に配置され得る。
【０１４０】
図１３に示したように、表示パネルＬＤＰ１０の前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に複数個の開口部ＢＭ−ＯＰを具備するブラックマトリックスＢＭが配置される。前記複数個の開口部ＢＭ−ＯＰに重畳するように複数個のカラーフィルターＣＦが配置される。前記スキャンラインＴＬ及び前記ソースラインＲＬは前記ブラックマトリックスＢＭに重畳するように配置される。
【０１４１】
前記スキャンラインＴＬは前記ブラックマトリックスＢＭの下面に配置される。前記ブラックマトリックスＢＭと前記カラーフィルターＣＦ上に前記スキャンラインＴＬをカバーする第３絶縁層ＩＬ−１が配置される。前記第３絶縁層ＩＬ−１は平坦面を提供する。前記第３絶縁層ＩＬ−１の下面に前記ソースラインＲＬが配置される。前記第３絶縁層ＩＬ−１上に前記ソースラインＲＬをカバーする第４絶縁層ＩＬ−２が配置される。前記第３絶縁層ＩＬ−１と前記第４絶縁層ＩＬ−２との各々は少なくとも１つの有機膜及び／又は少なくとも１つの無機膜で構成されることができる。
【０１４２】
図１４に示したように、表示パネルＬＤＰ２０の前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に複数個の開口部ＢＭ−ＯＰを具備するブラックマトリックスＢＭが配置される。前記複数個の開口部ＢＭ−ＯＰに重畳するように複数個のカラーフィルターＣＦが配置される。前記ソースラインＲＬは前記ブラックマトリックスＢＭに重畳するように前記第２ベース基板ＳＵＢ２の上面に配置される。
【０１４３】
前記第２ベース基板ＳＵＢ２の上面に前記ソースラインＲＬをカバーする第３絶縁層ＩＬ−１が配置される。前記第３絶縁層ＩＬ−１は平坦面を提供する。前記第３絶縁層ＩＬ−１上に前記スキャンラインＴＬが配置される。前記第３絶縁層ＩＬ−１上に前記スキャンラインＴＬをカバーする第４絶縁層ＩＬ−２が配置される。前記第４絶縁層ＩＬ−２上に保護層ＰＬが配置される。一方、他の実施形態で前記スキャンラインＴＬ及び前記ソースラインＲＬの位置は互いに変わることがあり得る。
【０１４４】
図１５Ａ及び図１５Ｂは本発明の一実施形態による表示パネルの平面図である。以下、図１５Ａ及び図１５Ｂを参照して本実施形態による表示装置を説明する。但し、図１乃至図３を参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０１４５】
図１５Ａ及び図１５Ｂに示したように、複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ９と複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ１０は遮光領域ＳＡに配置される。前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ９の各々は前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ１０と交差する地点に具備された第１感知電極ＳＳＥ１をさらに含む。また、前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ１０の各々は前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ９と交差する地点に具備された第２感知電極ＳＳＥ２をさらに含む。
【０１４６】
前記第１感知電極ＳＳＥ１と前記第２感知電極ＳＳＥ２とは互いに重畳する。前記第１感知電極ＳＳＥ１と前記第２感知電極ＳＳＥ２とは前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ９と前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ１０との重畳面積を増加させる。それによって、前記複数個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ９と前記複数個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ１０との間に形成されたキャパシターの静電容量変化量はさらに大きく現われる。したがって、前記第１モードのタッチ感度が向上される。一方、他の実施形態で前記第１感知電極ＳＳＥ１と前記第２感知電極ＳＳＥ２とのいずれか１つは省略され得る。
【０１４７】
図１６は本発明の一実施形態によるタッチパネルのブロック図である。図１７は第１モードで動作するタッチパネルを示す。図１８Ａ及び図１８Ｂは第２モードで動作するタッチパネルを示す。以下、図１６乃至図１８Ｂを参照して本実施形態による表示装置を説明する。但し、図１乃至図１５Ｂを参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０１４８】
本実施形態による前記表示装置は表示パネルＬＤＰ（図１参照）、信号制御部１００（図１参照）、ゲート駆動部２００（図１参照）、データ駆動部３００（図１参照）、第１駆動部４００−１、４００−２、第２駆動部５００−１、５００−２、及びタッチ感知部６００を含む。図１６乃至図１８Ｂには３６個のスキャンラインＴＬ１〜ＴＬ３６と３６個のソースラインＲＬ１〜ＲＬ３６とが例示的に図示された。機能的に前記第１駆動部４００−１、４００−２、前記第２駆動部５００−１、５００−２、前記タッチ感知部６００、前記スキャンラインＴＬ１〜ＴＬ３６及び前記ソースラインＲＬ１〜ＲＬ３６はタッチパネルを構成する。
【０１４９】
図１６乃至図１８Ｂに示したように、前記スキャンラインＴＬ１〜ＴＬ３６は第１方向ＤＲ１に延長され、第２方向ＤＲ２に配列される。前記ソースラインＲＬ１〜ＲＬ３６は前記第２方向ＤＲ２に延長され、前記第１方向ＤＲ１に配列される。前記スキャンラインＴＬ１〜ＴＬ３６は４つのスキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０（以下、第１乃至第４スキャンライングループ）に分類され、前記ソースラインＲＬ１〜ＲＬ３６は４つのソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０（以下、第１乃至第４ソースライングループ）に分類される。
【０１５０】
前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々は第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１、第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２、及び第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３を含む。前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３は前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１と前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２との間に配置される。前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１、前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２、及び前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３の各々は少なくとも１つのスキャンラインを含む。
【０１５１】
前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１、前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２、及び前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３は同一の個数のスキャンラインを包含することができる。例えば、図１６及び図１７に示したように、スキャンラインサブグループの各々は３つのスキャンラインを包含することができる。前記３つのスキャンラインは一端で互いに連結され、他端で互いに連結され得る。
【０１５２】
前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々は第１ソースラインサブグループＲＬＧ１、第２ソースラインサブグループＲＬＧ２、及び第３ソースラインサブグループＲＬＧ３を含む。前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３は前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１と前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２との間に配置される。前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１、前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２、及び前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３の各々は少なくとも１つのソースラインを含む。
【０１５３】
前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１、前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２、及び前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３は同一の個数のソースラインを包含することができる。前記第１乃至前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ１〜ＲＬＧ３の各々の前記３つのソースラインは一端で互いに連結され、他端で互いに連結される。
【０１５４】
前記第１駆動部４００−１、４００−２は前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の一端に連結された第１スキャン駆動部４００−１及び前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の他端に連結された第２スキャン駆動部４００−２を含む。より具体的に前記第１スキャン駆動部４００−１は前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１、前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２、及び前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３の一端に連結される。前記第２スキャン駆動部４００−２は前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１及び前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２の他端に連結される。
【０１５５】
前記第２駆動部５００−１、５００−２は前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の一端に連結された第１ソース駆動部５００−１及び前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の他端に連結された第２ソース駆動部５００−２を含む。より具体的に前記第１ソース駆動部５００−１は前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１、前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２、及び前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３の一端に連結される。前記第２ソース駆動部５００−２は前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１及び前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の他端に連結される。
【０１５６】
図１７は第１モードで動作するタッチパネルを示す。前記第１モードのタッチパネルは静電容量方式のタッチパネルと同一の方式で前記入力地点の座標情報を算出する。前記第１モードで入力地点の座標情報を算出する方法は図６を参照して説明したことと実質的に同一である。したがって、それに対する詳細な説明は省略する。
【０１５７】
図１８Ａ及び図１８Ｂに図示された第２モードのタッチパネルは電磁気誘導方式のタッチパネルと同一の方式で前記入力地点の座標情報を算出する。前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０は前記電磁気誘導方式のタッチパネルの入力コイルに対応し、前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０は出力コイルに対応する。
【０１５８】
図１８Ａに示したように、前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０は互いに異なる区間で第２スキャン信号ＴＳ２−１〜ＴＳ２−４を受信する。前記第２スキャン信号ＴＳ２−１〜ＴＳ２−４は前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１の一端及び前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２の他端に印加される。この時、前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１の他端及び前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２の一端は接地される。前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第３スキャンラインサブグループＴＬＧ３には電圧が印加されなく、フローティングにされる。
【０１５９】
前記第２モードで前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１及び前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２は互いに異なる方向に電流が流れる。互いに異なる方向に前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１及び前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２を流れる電流にしたがって磁気場が誘導される。前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１と前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２とが連結されなくとも、機能的に１つのコイルをなす。前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０は互いに異なる区間で前記第２スキャン信号ＴＳ２−１〜ＴＳ２−４を受信したので、互いに異なる区間で磁気場が誘導される。
【０１６０】
前記入力手段（図示せず）が前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０に隣接すれば、前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０から誘導された磁気場が前記入力手段の前記共振回路と共振する。それによって、前記入力手段は共振周波数を発生させる。
【０１６１】
図１８Ｂに示したように、前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０は前記入力手段の前記共振周波数にしたがう第２感知信号ＳＳ２−１〜ＳＳ２−４を出力する。前記第２感知信号ＳＳ２−１〜ＳＳ２−４は前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１の一端及び前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の他端から出力される。この時、前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１の他端及び前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の一端は接地される。前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第３ソースラインサブグループＲＬＧ３には電圧が印加されなく、フローティングにされる。
【０１６２】
前記タッチ感知部６００は前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１の前記一端及び前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の前記他端の少なくともいずれか１つから提供された前記第２感知信号ＳＳ２−１〜ＳＳ２−４から入力地点の座標情報を算出する。
【０１６３】
図１９は本発明の一実施形態による第２スキャン駆動部のブロック図であり、図２０は本発明の一実施形態による第２ソース駆動部のブロック図である。以下、図１９及び図２０を参照して前記第２スキャン駆動部４００−２及び前記第２ソース駆動部５００−２に対して詳細に検討する。一方、前記第１スキャン駆動部４００−１は図９及び図１０を参照して説明した第１駆動部４００と同一な構成を有することができるので、詳細な説明は省略する。また、前記第１ソース駆動部５００−１は図１１及び図１２を参照して説明した第２駆動部５００と同一な構成を有することができるので、詳細な説明は省略する。
【０１６４】
図１９に示したように、前記第２スキャン駆動部４００−２はスイッチ部４４０−１〜４４０−４を含む。図１９は４つの前記スイッチ部４４０−１〜４４０−４が例示的に図示された。前記スイッチ部４４０−１〜４４０−４は前記第１モードで前記第１スイッチング制御信号ＳＷ−１〜ＳＷ−４を各々受信し、前記第２モードで前記第２スイッチング制御信号ＳＷ−１０〜ＳＷ−４０を各々受信する。
【０１６５】
前記スイッチ部４４０−１〜４４０−４は前記第１モードで前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１の他端及び前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２の他端をフローティングにさせる。前記スイッチ部４４０−１〜４４０−４は前記第２モードで前記第１乃至第４スキャンライングループＴＧ１０〜ＴＧ４０の各々の前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１の他端を接地させ、前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２の他端に前記第２スキャン信号ＴＳ２−１〜ＴＳ２−４を提供する。
【０１６６】
図１９には前記スイッチ部４４０−１〜４４０−４の中の１つのスイッチ部４４０−１が例示的に図示された。前記スイッチ部４４０−１〜４４０−４の各々は第１スイッチＳＴ１００及び第２スイッチＳＴ２００を含む。
【０１６７】
前記第１スイッチＳＴ１００は前記第１モードでターンオフされ、前記第２モードでターンオンされて前記接地電圧を前記第１スキャンラインサブグループＴＬＧ１の他端に提供する。前記第２スイッチＳＴ２００は前記第１モードでターンオフされ、前記第２モードでターンオンされて前記第２スキャン信号ＴＳ２−１を前記第２スキャンラインサブグループＴＬＧ２の他端に提供する。前記第１スイッチＳＴ１００及び前記第２スイッチＳＴ２００はＰＭＯＳトランジスター又はＮＭＯＳトランジスターであり得る。図１９にはＰＭＯＳトランジスターを例示的に図示した。
【０１６８】
図２０に示したように、前記第２ソース駆動部５００−２は複数個のスイッチ部５１２〜５１８を含む。図２０は４つの前記スイッチ部５１２〜５１８が例示的に図示された。前記スイッチ部５１２〜５１８はモード選択信号ＭＳＳを各々受信する。
【０１６９】
前記スイッチ部５１２〜５１８は前記第１モードで前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１の他端及び前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の他端をフローティングにさせる。前記スイッチ部５１２〜５１８は前記第２モードで前記第１乃至第４ソースライングループＲＧ１０〜ＲＧ４０の各々の前記第１ソースラインサブグループＲＬＧ１の他端を接地させ、前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の他端から前記第２感知信号ＳＳ２−１を出力する。前記第２ソースラインサブグループＲＬＧ２の他端から出力された前記第２感知信号ＳＳ２−１は前記タッチ感知部６００へ提供されることもあり、提供されないこともあり得る。
【０１７０】
図２０には前記スイッチ部５１２〜５１８の中の１つのスイッチ部５１２が例示的に図示された。前記スイッチ部５１２〜５１８の各々は第１スイッチＳＴ１０００及び第２スイッチＳＴ２０００を含む。前記第１スイッチＳＴ１０００及び前記第２スイッチＳＴ２０００は前記モード選択信号ＭＳＳに応答して前記第１モードでターンオフされ、前記第２モードでターンオンされ得る。前記第１スイッチＳＴ１０００及び前記第２スイッチＳＴ２０００はＰＭＯＳトランジスター又はＮＭＯＳトランジスターであり得る。図２０にはＰＭＯＳトランジスターを例示的に図示した。
【０１７１】
図２１は本発明の一実施形態による表示装置のブロック図である。図２２は図２１に図示された表示パネルとタッチパネルの部分斜視図である。図２３Ａ及び図２３Ｂは図２２のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。図２１は前記表示パネルＤＰと前記タッチパネルＴＰとを区別するために、前記表示パネルＤＰと前記タッチパネルＴＰとをずれるように図示した。
【０１７２】
図２１に示したように、前記表示装置は表示パネルＤＰ、信号制御部１００、ゲート駆動部２００、データ駆動部３００、及びタッチパネルＴＰを含む。前記信号制御部１００、前記ゲート駆動部２００、及び前記データ駆動部３００は映像が生成されるように前記表示パネルＤＰを制御する。一方、図示しないが、前記表示装置はタッチパネルＴＰを駆動するタッチパネル駆動部及び入力地点の座標情報を算出するタッチ感知部をさらに含む。
【０１７３】
本実施形態では前記液晶表示パネルを例示的に説明する。前記表示パネルＤＰは複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ及び複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍ、及び複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍを含む。前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎは第１方向ＤＲ１に延長され、前記第１方向ＤＲ１と実質的に直交する第２方向ＤＲ２に配列される。前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍは前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎと絶縁されるように交差する。
【０１７４】
前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍはマトリックス形態に配列され得る。前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍは複数個の画素領域ＰＸＡ１１〜ＰＸＡｎｍに対応するように配置される。前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍの各々は前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ及び前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍの中の対応するゲートライン及び対応するデータラインに連結される。
【０１７５】
前記信号制御部１００は入力映像信号ＲＧＢを受信し、前記入力映像信号ＲＧＢを前記表示パネルＤＰの動作モードに相応しい映像データＲ’Ｇ’Ｂ’に変換する。また、前記信号制御部１００は各種制御信号ＣＳ、例えば垂直同期信号、水平同期信号、メーンクロック信号、及びデータイネーブル信号等を受信し、第１及び第２制御信号ＣＯＮＴ１、ＣＯＮＴ２及びモード選択信号ＭＳＳを出力する。
【０１７６】
前記モード選択信号ＭＳＳは前記タッチパネルＴＰの動作モードを決定する。前記タッチパネルＴＰは前記モード選択信号ＭＳＳに応答して静電容量方式モード（以下、第１モード）又は電磁気誘導方式モード（以下、第２モード）又はハイブリッド方式モード（以下、第３モード）で動作する。
【０１７７】
前記モード選択信号ＭＳＳは前記表示パネルＤＰで表示される映像に基づいて生成され得る。前記モード選択信号ＭＳＳは動作モードにしたがって異なるレベルを有することができる。例えば、前記表示パネルＤＰでキーパッド映像を表示する時、前記モード選択信号ＭＳＳは静電容量方式活性化信号として出力され、前記表示パネルＤＰでゲーム映像を表示する時、前記モード選択信号ＭＳＳは電磁気誘導方式活性化信号として出力され得る。また、前記表示パネルＤＰで背景映像を表示する時、前記モード選択信号ＭＳＳはハイブリッド方式活性化信号として出力され得る。その他に前記モード選択信号ＭＳＳは使用者によって入力されることもあり得る。
【０１７８】
前記ゲート駆動部２００は前記第１制御信号ＣＯＮＴ１に応答して前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎへゲート信号を出力する。前記データ駆動部３００は前記第２制御信号ＣＯＮＴ２及び前記映像データＲ’Ｇ’Ｂ’を受信する。前記データ駆動部３００は前記映像データＲ’Ｇ’Ｂ’をデータ電圧に変換して前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍへ提供する。
【０１７９】
図２２に示したように、前記表示パネルＤＰは離隔されて配置された第１表示基板ＤＳ１と第２表示基板ＤＳ２とを含む。前記第１表示基板ＤＳ１と前記第２表示基板ＤＳ２との間に液晶層ＬＣＬが配置される。前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ（図１参照）、前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍ（図１参照）、及び前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ（図１参照）は前記第１表示基板ＤＳ１と前記第２表示基板ＤＳ２のいずれか１つに配置される。
【０１８０】
以下、前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ（図１参照）、前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍ（図１参照）、及び前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ（図１参照）は前記第１表示基板ＤＳ１に具備されることと説明される。前記第２表示基板ＤＳ２は複数個の透過領域ＴＡと遮光領域ＳＡとを含む。前記遮光領域ＳＡは前記複数個の透過領域ＴＡを囲む。前記複数個の透過領域ＴＡは前記バックライトユニットから生成された光が通過される領域であり、前記遮光領域ＳＡは前記光が遮断される領域である。
【０１８１】
前記タッチパネルＴＰは前記表示パネルＤＰ上に配置される。前記タッチパネルＴＰは前記第２表示基板ＤＳ２の上面に接着され得る。前記タッチパネルＴＰは第１タッチ基板ＴＳＳ１、第１導電層ＣＬ１、絶縁層ＩＬ、第２導電層ＣＬ２、及び第２タッチ基板ＴＳＳ２を含む。
【０１８２】
前記第１タッチ基板ＴＳＳ１及び前記第２タッチ基板ＴＳＳ２はプラスチック基板、ガラス基板、又はフィルムで構成されることができる。また、前記第１タッチ基板ＴＳＳ１及び前記第２タッチ基板ＴＳＳ２は偏光板のような光学フィルムであり得る。
【０１８３】
詳細に図示しないが、前記第１導電層ＣＬ１及び前記第２導電層ＣＬ２の各々は複数個の導電性パターンを含む。前記第１導電層ＣＬ１の前記複数個の導電性パターンは後述のように、第１タッチ電極、第２タッチ電極、第１タッチコイル、及び第２タッチコイルの中の一部を含み、前記第２導電層ＣＬ２の前記複数個の導電性パターンは前記第１タッチ電極、前記第２タッチ電極、前記第１タッチコイル、及び前記第２タッチコイルの中の他の一部を含む。
【０１８４】
前記絶縁層ＩＬは前記第１導電層ＣＬ１及び前記第２導電層ＣＬ２を絶縁させる。前記絶縁層ＩＬは多層構造を有することができる。例えば、前記絶縁層ＩＬは少なくとも１つの有機膜及び／又は少なくとも１つの無機膜を包含することができる。前記絶縁層ＩＬは積層された有機膜と無機膜とを包含することができる。
【０１８５】
図２３Ａに示したように、前記第１表示基板ＤＳ１は第１ベース基板ＳＵＢ１、複数個の絶縁層１０、２０、及び複数個の画素ＰＸを含む。前記複数個の画素領域ＰＸＡは前記第１表示基板ＤＳ１に定義され、前記複数個の画素ＰＸは前記第１表示基板ＤＳ１に配置される。前記複数個の画素領域ＰＸＡは前記複数個の表示領域ＤＡに各々重畳する領域であり得る。図２３Ａには３つの画素領域ＰＸＡが例示的に図示された。前記３つの画素領域ＰＸＡは図２１に図示された複数個の画素領域ＰＸＡ１１〜ＰＸＡｎｍの一部を構成する。
【０１８６】
前記画素ＰＸの各々は画素電極ＰＥ及び共通電極ＣＥを含む。また、前記画素ＰＸの各々は図示されない薄膜トランジスターをさらに包含することができる。本実施形態による画素ＰＸの各々の前記画素電極ＰＥと前記共通電極ＣＥとは他の層上に配置される。
【０１８７】
前記第２表示基板ＤＳ２は第２ベース基板ＳＵＢ２、ブラックマトリックスＢＭ、及びカラーフィルターＣＦを含む。前記ブラックマトリックスＢＭは開口部ＢＭ−ＯＰを含む。前記カラーフィルターＣＦは前記開口部ＢＭ−ＯＰに重畳するように配置される。実質的に前記画素領域ＰＸＡは前記開口部ＢＭ−ＯＰに対応し、前記遮光領域ＳＡは前記ブラックマトリックスＢＭが配置された領域に対応する。本発明の他の実施形態で前記カラーフィルターＣＦは前記第１表示基板ＤＳ１に具備されることもできる。
【０１８８】
図２３Ｂに示したように、本発明の一実施形態による表示パネルＤＰは液晶層ＬＣＬの上側に配置された第１表示基板ＤＳ１及び前記液晶層ＬＣＬの下側に配置された第２表示基板ＤＳ２を包含することもあり得る。前記タッチパネルＴＰは前記第１表示基板ＤＳ１上に配置される。前記第１表示基板ＤＳ１、前記第２表示基板ＤＳ２、及び前記タッチパネルＴＰの各々の構成は図３Ａに図示された表示装置と同一である。本発明の他の実施形態でカラーフィルターＣＦは前記第１表示基板ＤＳ１に具備されることもできる。
【０１８９】
図２４Ａは本発明の一実施形態による表示パネルの画素の平面図である。図２４Ｂは図２４ＡのＩＩ−ＩＩ’線に沿う表示パネルの断面図である。図２４Ａ及び図２４Ｂは図２３Ａに図示された表示パネルを基準に図示し、タッチパネルは図示されなかった。以下、図２４Ａ及び図２４Ｂを参照して前記表示パネルに対して詳細に説明する。図２４Ａ及び図２４ＢはＰＬＳ（Ｐｌａｎｅ  ｔｏ  Ｌｉｎｅ  Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの画素を例示的に図示しているが、前記画素の構造はこれに制限されない。
【０１９０】
画素ＰＸは薄膜トランジスターＴＦＴ、共通電極ＣＥ、及び画素電極ＰＥを含む。前記薄膜トランジスターＴＦＴ、前記共通電極ＣＥ、及び前記画素電極ＰＥは前記透過領域ＴＡと実質的に同一の前記画素領域ＰＸＡに重畳するように配置される。一方、本発明の他の実施形態で前記画素ＰＸの一部、例えば前記薄膜トランジスターＴＦＴは前記遮光領域ＳＡに重畳するように配置され得る。
【０１９１】
前記第１ベース基板ＳＵＢ１上にゲートラインＧＬｉと共通ラインＣＬｉとが配置される。前記ゲートラインＧＬｉから前記薄膜トランジスターＴＦＴのゲート電極ＧＥが分岐される。前記第１ベース基板ＳＵＢ１上に前記ゲートラインＧＬｉと前記共通ラインＣＬｉをカバーするゲート絶縁膜１０−１とが配置される。
【０１９２】
前記ゲート絶縁膜１０−１上にデータラインＤＬｊ、ＤＬｊ＋１が配置される。前記ゲート絶縁膜１０−１上に前記ゲート電極ＧＥと重畳する半導体層ＡＬが配置される。前記データラインＤＬｊ、ＤＬｊ＋１の中の１つのデータラインＤＬｊから前記薄膜トランジスターＴＦＴのソース電極ＳＥが分岐される。前記ゲート絶縁膜１０−１上に前記ソース電極ＳＥ及び前記ソース電極ＳＥと離隔されて配置されたドレーン電極ＤＥが配置される。前記ソース電極ＳＥと前記ドレーン電極ＤＥは前記半導体層ＡＬに各々重畳する。
【０１９３】
前記ゲート絶縁膜１０−１上に前記ソース電極ＳＥ、前記ドレーン電極ＤＥ、及び前記データラインＤＬｊ、ＤＬｊ＋１をカバーする平坦化膜１０−２が配置される。前記平坦化膜１０−２上に共通電極ＣＥが配置される。前記共通電極ＣＥは前記ゲート絶縁膜１０−１及び前記平坦化膜１０−２を貫通する第１貫通ホールＣＨ１を通じて前記共通ラインＣＬｉに連結される。
【０１９４】
前記平坦化膜１０−２上に前記共通電極ＣＥをカバーする前記第２絶縁層２０、例えばパッシベーション膜２０が配置される。前記パッシベーション膜２０上に前記共通電極ＣＥに重畳する前記画素電極ＰＥが配置される。前記画素電極ＰＥは前記平坦化膜１０−２及び前記パッシベーション膜２０を貫通する第２貫通ホールＣＨ２を通じて前記ドレーン電極ＤＥに連結される。前記パッシベーション膜２０の上には前記画素電極ＰＥを保護する保護層（図示せず）及び配向膜（図示せず）がさらに配置され得る。
【０１９５】
前記画素電極ＰＥは複数個のスリットＳＬＴを含む。前記画素電極ＰＥは第１横部Ｐ１、前記第１横部Ｐ１と離隔されて配置された第２横部Ｐ２、及び前記第１横部Ｐ１と前記第２横部Ｐ２を連結する複数個の縦部Ｐ３を包含することができる。前記複数個の縦部Ｐ３の間に前記複数個のスリットＳＬＴが配置される。一方、前記画素電極ＰＥの形状はこれに制限されない。
【０１９６】
前記薄膜トランジスターＴＦＴは前記ゲートラインＧＬｉに印加されたゲート信号に応答して前記データラインＤＬｊに印加されたデータ電圧を出力する。前記共通電極ＣＥは基準電圧を受信し、前記画素電極ＰＥは前記データ電圧に対応する画素電圧を受信する。前記共通電極ＣＥと前記画素電極ＰＥとは横電界を形成する。前記横電界によって前記液晶層ＬＣＬに含まれた方向子の配列が変化される。
【０１９７】
図２５は本発明の一実施形態によるタッチパネルの平面図である。図２６Ａは図２５の第１タッチ電極と第１タッチコイルとを示した平面図である。図２６Ｂは図２５の第２タッチ電極と第２タッチコイルとを示した平面図である。以下、図２５乃至図２６Ｂを参照してタッチパネルに対して詳細に説明する。
【０１９８】
図２５に示したように、前記タッチパネルＴＰは第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）、第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）、第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）、及び第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）を含む。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）と前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）とは絶縁されるように交差し、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）と前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）とは絶縁されるように交差する。
【０１９９】
図２６Ａに示したように、前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の各々は第１方向ＤＲ１に延長された形状である。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は前記第２方向ＤＲ２に離隔されて配置される。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の各々は複数個のセンサー部ＳＰ１（以下、第１センサー部）と複数個の連結部ＣＰ１（以下、第１連結部）を含む。
【０２００】
前記第１センサー部ＳＰ１の一部と前記第１連結部ＣＰ１の一部は第１タッチユニットＴＵ１をなす。前記第１タッチユニットＴＵ１は前記第１方向ＤＲ１に羅列された第１センサー部ＳＰ１と前記第１センサー部ＳＰ１に隣接する２つのセンサー部を連結する第１連結部ＣＰ１とを含む。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の各々は２つの第１タッチユニットＴＵ１を含む。これは例示に過ぎないし、前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の各々は１つの第１タッチユニットＴＵ１、又は３つ以上の第１タッチユニットＴＵ１を包含することもあり得る。
【０２０１】
前記第１センサー部ＳＰ１の各々は斜方形状を有し、前記第１連結部ＣＰ１は線形状である。前記第１連結部ＣＰ１の各々は前記隣接する２つのセンサー部の頂点を連結する。斜方形状の前記第１センサー部ＳＰ１は線形状の前記第１連結部ＣＰ１より大きい面積を有する。
【０２０２】
図２６Ａに示したように、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の各々は前記第１方向ＤＲ１に延長されたループ形状である。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は前記第２方向ＤＲ２に羅列される。
【０２０３】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は多様な形態に重畳されることができ、例えば、１つずつ順次的に重畳されるか、或いはグループ単位に重畳され得る。図２６Ａに示したように、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は３つのタッチコイル単位に、部分的に重畳され得る。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の各々の一端は接地される。
【０２０４】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）が重畳して形成された分割領域に配置される。言い換えれば、前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）に重畳されなく、前記第１タッチユニットＴＵ１は前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）に囲まれる。
【０２０５】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）及び前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は図２２に図示された前記第１導電層ＣＬ１又は前記第２導電層ＣＬ２に包含され得る。また、前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は前記第１導電層ＣＬ１と前記第２導電層ＣＬ２とのいずれか１つに含まれ、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は前記第１導電層ＣＬ１と前記第２導電層ＣＬ２との他の１つに包含され得る。
【０２０６】
図２６Ｂに示したように、前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の各々は前記第２方向ＤＲ２に延長された形状である。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第１方向ＤＲ１に離隔されて配置される。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の各々は複数個のセンサー部ＳＰ２（以下、第２センサー部）と複数個の連結部ＣＰ２（以下、第２連結部）を含む。
【０２０７】
前記第２センサー部ＳＰ２の一部と前記第２連結部ＣＰ２との一部は第２タッチユニットＴＵ２をなす。前記第２タッチユニットＴＵ２は前記第２方向に羅列された第２センサー部ＳＰ２と前記第２センサー部ＳＰ２に隣接する２つのセンサー部を連結する第２連結部ＣＰ２とを含む。
【０２０８】
前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の各々は前記第２方向ＤＲ２に延長されたループ形状である。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は前記第１方向ＤＲ１に羅列される。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は図２６Ａの前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）のように多様な形態に重畳され得る。図２６Ｂに示したように、第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は、３つのタッチコイル単位に、部分的に重畳され得る。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の各々の一端は接地される。
【０２０９】
前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）が重畳されて形成された分割領域に配置される。言い換えれば、前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）に重畳されなく、前記第２タッチユニットＴＵ２は前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）に囲まれる。
【０２１０】
前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）と前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は図２２に図示された前記第１導電層ＣＬ１又は第２導電層ＣＬ２の中で前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）及び前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）に包含されなかった他の１つに包含され得る。また、前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第１導電層ＣＬ１と前記第２導電層ＣＬ２とのいずれか１つに含まれ、前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は前記第１導電層ＣＬ１と前記第２導電層ＣＬ２との他の１つに包含され得る。
【０２１１】
図２７Ａは図２５の第１タッチ電極と第２タッチ電極とを示した平面図である。図２７Ｂは図２５の第１タッチコイルと第２タッチコイルとを示した平面図である。以下、図２７Ａ及び図２７Ｂを参照して前記タッチパネルの動作方式に対して検討する。
【０２１２】
図２７Ａに示したように、前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）と前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）とは互いに交差するように配置される。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は入力タッチ電極に対応し、前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は出力タッチ電極に対応する。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）と前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）とは静電容量方式のタッチパネルと同一の方式で入力地点の座標情報を算出する。
【０２１３】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）と前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は静電結合される。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）に第１スキャン信号ＴＳ１（１）〜ＴＳ１（ｋ）（以下、第１スキャン信号）が印加されることによって前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２との間にキャパシターが形成される。
【０２１４】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は前記第１スキャン信号ＴＳ１（１）〜ＴＳ１（ｋ）を順次的に受信できる。前記第１スキャン信号ＴＳ１（１）〜ＴＳ１（ｋ）は互いに異なる区間で活性化される。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第１スキャン信号ＴＳ１（１）〜ＴＳ１（ｋ）から生成された感知信号ＳＳ１（１）〜ＳＳ１（ｒ）（以下、第１感知信号）を出力する。
【０２１５】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の中の第２番目タッチ電極ＴＥ１（２）と前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の中の第２番目タッチ電極ＴＥ２（２）が交差する領域を前記入力地点ＰＰ１（以下、第１入力地点）と仮定する。ここで、前記第１入力地点ＰＰ１は使用者の指のような入力手段によって発生する。
【０２１６】
前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の中の第２番目タッチ電極ＴＥ２（２）から出力された第１感知信号ＳＳ１（２）は残る前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）、ＴＥ２（３）〜ＴＥ２（ｒ）から出力された第１感知信号ＳＳ１（１）、ＳＳ１（３）〜ＳＳ１（ｒ）と異なるレベルを有する。
【０２１７】
前記レベルが異なる第１感知信号ＳＳ１（２）が検出された時間によって前記第１入力地点ＰＰ１の前記第２方向ＤＲ２の座標情報を算出し、前記第２番目タッチ電極ＴＥ２（２）の前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）に対する相対的位置に基づいて、前記第１入力地点ＰＰ１の前記第１方向ＤＲ１の座標情報を算出することができる。
【０２１８】
図２７Ｂに示したように、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）と前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）とは互いに交差するように配置される。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は電磁気誘導方式のタッチパネルの入力コイルに対応し、前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は出力コイルに対応する。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）と前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）とは電磁気誘導方式のタッチパネルと同一の方式で前記入力地点の座標情報を算出する。
【０２１９】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は互いに異なる区間で活性化されるスキャン信号ＴＳ２（１）〜ＴＳ２（ｐ）（以下、第２スキャン信号）を受信する。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の各々は対応するスキャン信号に応答して磁気場を発生させる。
【０２２０】
前記入力手段（図示せず）が前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）に隣接すれば、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）から誘導された磁気場が前記入力手段の共振回路と共振する。前記入力手段は共振周波数を発生させる。ここで、前記入力手段はインダクタとキャパシターを含むＬＣ共振回路を具備するスタイラスペンであり得る。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は前記入力手段の前記共振周波数にしたがう感知信号ＳＳ２（１）〜ＳＳ２（ｑ）（以下、第２感知信号）を出力する。
【０２２１】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の中の第２番目タッチコイルＴＣ１（２）と前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の中の第２番目タッチコイルＴＣ２（２）が交差する中央領域を入力地点ＰＰ２（以下、第２入力地点）と仮定する。前記第２番目タッチコイルＴＣ２（２）から出力された第２感知信号ＳＳ２（２）は残る第２タッチコイルＴＣ２（１）、ＴＣ２（３）〜ＴＣ２（ｑ）から出力された第２感知信号ＳＳ２（１）、ＳＳ２（３）〜ＳＳ２（ｑ）と異なるレベルを有する。
【０２２２】
前記レベルが異なる第２感知信号ＳＳ２（２）が検出された時間及び前記第２番目タッチコイルＴＣ２（２）の前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）に対する相対的位置に基づいて、前記第２入力地点ＰＰ２の２次元座標情報を算出する。
【０２２３】
一方、本発明の他の実施形態で、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）及び前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は入力コイルと出力コイルとの機能を全て有することができる。以下、前記第２入力地点ＰＰ２で前記タッチイベントが発生したことを仮定して、入力コイルと出力コイルの機能を全て有する第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）及び第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）を含むタッチパネルの動作を簡略に説明する。
【０２２４】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は第１スキャン区間の間にスキャン信号を受信する。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）から誘導された磁気場にしたがって前記入力手段は共振周波数を発生させる。前記第１スキャン区間の以後に（以下、第１感知区間）、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は前記入力手段の前記共振周波数を受信する。
【０２２５】
前記第１感知区間の間に前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は前記共振周波数にしたがう感知信号を出力する。前記第２入力地点ＰＰ２上に配置された少なくとも１つの第１タッチコイルは他の第１タッチコイルと異なるレベルの感知信号を出力する。
【０２２６】
前記第１感知区間以後、前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は第２スキャン区間の間にその他のスキャン信号を受信する。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）から誘導された磁気場にしたがって前記入力手段は共振周波数を発生させる。前記第２スキャン区間の以後に（以下、第２感知区間）、前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は前記入力手段の前記共振周波数を受信する。
【０２２７】
前記第２感知区間の間に前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は前記共振周波数にしたがう感知信号を出力する。前記第２入力地点ＰＰ２上に配置された少なくとも１つの第２タッチコイルは他の第２タッチコイルと異なるレベルの感知信号を出力する。
【０２２８】
前記第２入力地点ＰＰ２上に配置された前記少なくとも１つの第１タッチコイルから出力された感知信号及び前記第２入力地点ＰＰ２上に配置された前記少なくとも１つの第２タッチコイルから出力された感知信号に基づいて第２入力地点ＰＰ２の座標情報を算出する。
【０２２９】
図２８Ａは本発明の一実施形態によるタッチパネル駆動部のブロック図である。図２８Ｂは本発明の一実施形態によるタッチ感知部のブロック図である。以下、図２８Ａ及び図２８Ｂを参照してタッチパネル駆動部及びタッチ感知部に対して詳細に説明する。
【０２３０】
前記タッチパネル駆動部４００Ｔ１は第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１、第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１、及びスイッチ部４３０−１、４３０−２を含む。前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１は第１スキャン信号ＴＳ１（１）〜ＴＳ１（ｋ）を出力し、前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１は前記第２スキャン信号ＴＳ２（１）〜ＴＳ２（ｐ）を出力する。
【０２３１】
前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１及び前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１は前記モード選択信号ＭＳＳに応答してターンオン又はターンオフされる。前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１は前記第１モードでターンオンされ、前記第１スキャン信号ＴＳ１（１）〜ＴＳ１（ｋ）を順次的に出力する。前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１は前記第２モードでターンオンされ、前記第２スキャン信号ＴＳ２（１）〜ＴＳ２（ｐ）を順次的に出力する。
【０２３２】
前記スイッチ部４３０−１、４３０−２は第１スイッチ部４３０−１と第２スイッチ部４３０−２とを含む。前記第１スイッチ部４３０−１の各々は前記第１スキャン信号ＴＳ１（１）〜ＴＳ１（ｋ）の中の対応する第１スキャン信号と前記第２スキャン信号ＴＳ２（１）〜ＴＳ２（ｐ）の中の対応する第２スキャン信号とを受信する。前記第１スイッチ部４３０−１の各々は前記モード選択信号ＭＳＳに応答して、対応する第１タッチ電極に前記対応する第１スキャン信号を提供するか、或いは対応する第１タッチコイルに前記対応する第２スキャン信号を提供する。前記第１スイッチ部４３０−１はＣＭＯＳトランジスターであり得る。
【０２３３】
前記第２スイッチ部４３０−２の各々は前記第２スキャン信号ＴＳ２（１）〜ＴＳ２（ｐ）の中の対応する第２スキャン信号を受信する。前記第２スイッチ部４３０−２の各々は前記第１モードでターンオフされ、前記第２モードでターンオンされる。前記第２スイッチ部４３０−２はＮＭＯＳトランジスター又はＰＭＯＳトランジスターであり得る。一方、同一の個数の前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）及び前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）を具備するタッチパネルの場合には、前記タッチパネル駆動部４００Ｔ１は前記第２スイッチ部４３０−２を具備しない。
【０２３４】
図２８Ｂに示したように、前記タッチ感知部５００Ｔ１はスイッチ部５１０−１、５１０−２、選択部５２０、第１信号処理部５３０、第２信号処理部５４０、及び座標算出部５５０を含む。
【０２３５】
前記スイッチ部５１０−１、５１０−２は第３スイッチ部５１０−１と第４スイッチ部５１０−２とを含む。前記第３スイッチ部５１０−１の各々は前記第１感知信号ＳＳ１（１）〜ＳＳ１（ｒ）の中の対応する第１感知信号と前記第２感知信号ＳＳ２（１）〜ＳＳ２（ｑ）の中の対応する第２感知信号とを受信する。前記第３スイッチ部５１０−１の各々は前記モード選択信号ＭＳＳに応答して、前記第１モードで前記対応する第１感知信号を前記選択部５２０へ提供し、前記第２モードで前記対応する第２感知信号を前記選択部５２０へ提供する。前記第３スイッチ部５１０−１はＣＭＯＳトランジスターであり得る。
【０２３６】
前記第４スイッチ部５１０−２の各々は前記第２感知信号ＳＳ２（１）〜ＳＳ２（ｑ）の中の対応する第２感知信号を受信する。前記第４スイッチ部５１０−２の各々は前記モード選択信号ＭＳＳに応答してターンオンされる。前記第４スイッチ部５１０−２ＮＭＯＳトランジスター又はＰＭＯＳトランジスターであり得る。一方、同一の個数の前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）及び前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）を具備するタッチパネルは前記第４スイッチ部５１０−２を具備しない。
【０２３７】
前記選択部５２０は前記モード選択信号ＭＳＳに応答して、前記第１感知信号ＳＳ１（１）〜ＳＳ１（ｒ）を第１信号処理部５３０へ提供し、前記第２感知信号ＳＳ２（１）〜ＳＳ２（ｑ）を第２信号処理部５４０へ提供する。前記選択部５２０はマルチプレクサーであり得る。
【０２３８】
前記第１信号処理部５３０は増幅器、ノイズフィルター、及びアナログ−デジタルコンバーター等を含む。前記増幅器は対応する前記第１感知信号ＳＳ１（１）〜ＳＳ１（ｒ）を増幅させる。前記ノイズフィルターは前記増幅された前記第１感知信号ＳＳ１（１）〜ＳＳ１（ｒ）のノイズを除去する。前記アナログ−デジタルコンバーターは前記ノイズが除去された前記第１感知信号ＳＳ１（１）〜ＳＳ１（ｒ）を第１デジタル信号に変換する。前記座標算出部５５０は前記第１デジタル信号から前記第１入力地点ＰＰ１（図２７Ａ参照）の座標情報を算出する。
【０２３９】
前記第２信号処理部５４０の各々は従属的に連結された増幅器、バンドパスフィルター、検波器、サンプルホールド回路、及びアナログ−デジタルコンバーター等を含む。前記前記第２感知信号ＳＳ２（１）〜ＳＳ２（ｑ）を最終的に第２デジタル信号に変換する。前記座標算出部５５０は前記第２デジタル信号から前記第２入力地点ＰＰ２（図２７Ｂ参照）の座標情報を算出する。
【０２４０】
図２９Ａは本発明の一実施形態によるタッチパネル駆動部のブロック図である。図２９Ｂは本発明の一実施形態によるタッチ感知部のブロック図である。以下、図２９Ａ及び図２９Ｂを参照してタッチパネル駆動部及びタッチ感知部に対して詳細に説明する。但し、図２８Ａ及び図２８Ｂを参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０２４１】
図２９Ａに示したように、前記タッチパネル駆動部４００Ｔ１−１は第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１−１及び第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１−１を含む。前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１−１は第１スキャン信号ＴＳ１（１）〜ＴＳ１（ｋ）を出力し、前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１−１は前記第２スキャン信号ＴＳ２（１）〜ＴＳ２（ｐ）を出力する。
【０２４２】
前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１−１及び前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１−１は前記モード選択信号ＭＳＳに応答してターンオン又はターンオフされる。前記第１モードで前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１−１はターンオンされ、前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１−１はターンオフされ得る。前記第２モードで前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１−１はターンオフされ、前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１−１はターンオンされ得る。前記第３モードで前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１−１及び前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１−１は各々ターンオンされ得る。
【０２４３】
ターンオンされた前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ１−１は前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）へ前記第１スキャン信号ＴＳ１（１）〜ＴＳ１（ｋ）を順次的に出力する。前記ターンオンされた前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ１−１は前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）へ前記第２スキャン信号ＴＳ２（１）〜ＴＳ２（ｐ）を順次的に出力する。したがって、前記第３モードで前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）と前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は対応する信号を各々受信する。
【０２４４】
図２９Ｂに示したように、前記タッチ感知部５００Ｔ１−１は第１選択部５２０Ｔ１−１、第２選択部５２０Ｔ１−２、第１信号処理部５３０、第２信号処理部５４０及び座標算出部５５０を含む。
【０２４５】
前記第１選択部５２０Ｔ１−１は前記第１感知信号ＳＳ１（１）〜ＳＳ１（ｒ）を第１信号処理部５３０へ提供し、前記第２選択部５２０Ｔ１−２は前記第２感知信号ＳＳ２（１）〜ＳＳ２（ｑ）を第２信号処理部５４０へ提供する。前記第１及び第２選択部５２０Ｔ１−１、５２０Ｔ１−２はマルチプレクサーであり得る。
【０２４６】
前記第１信号処理部５３０は前記第１感知信号ＳＳ１（１）〜ＳＳ１（ｒ）を第１デジタル信号に変換する。前記第２信号処理部５４０は前記第２感知信号ＳＳ２（１）〜ＳＳ２（ｑ）を第２デジタル信号に変換する。前記座標算出部５５０は前記第１デジタル信号から前記第１入力地点ＰＰ１（図２７Ａ参照）の座標情報を算出し、前記第２デジタル信号から前記第２入力地点ＰＰ２（図２７Ｂ参照）の座標情報を算出する。
【０２４７】
また、前記座標算出部５５０は前記第３モードで前記第１デジタル信号及び第２デジタル信号から座標情報を算出することができる。前記座標算出部５５０は１つの入力手段によって発生した１つの入力地点の座標情報を２つの方式で算出するか、或いは２つの入力手段によって発生した２つの入力地点の座標情報を各々算出することができる。
【０２４８】
図３０は図２５の一部分を拡大した本発明の一実施形態による平面図である。図３０は前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）及び前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の中の一部の第１タッチ電極ＴＥ１と一部の第２タッチ電極ＴＥ２とを図示した。また、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）及び前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の中の一部の第１タッチコイルＴＣ１と一部の第２タッチコイルＴＣ２とを図示した。
【０２４９】
図３１Ａ及び図３１Ｂは図３０のＡＡ領域を拡大して示した平面図である。図３１Ａ及び図３１Ｂは前記第１センサー部ＳＰ１の中のいずれか１つの第１センサー部を拡大して図示したが、残る第１センサー部も図３１Ａ及び図３１Ｂに図示された形状を有することができる。また、前記第２センサー部ＳＰ２も図３１Ａ及び図３１Ｂに図示された形状を有することができる。
【０２５０】
図３１Ａに示したように、前記第１センサー部ＳＰ１は前記複数個の透過領域ＴＡの中の一部の透過領域ＴＡに重畳する。前記バックライトから提供された光が前記第１センサー部ＳＰ１を通過するように前記第１センサー部ＳＰ１はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）又はＺｎＯ（Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）のような透明な金属酸化物で構成されることができる。
【０２５１】
図３１Ｂに示したように、前記第１センサー部ＳＰ１は前記遮光領域ＳＡの一部分に重畳する。前記第１センサー部ＳＰ１は前記第１方向ＤＲ１に延長された複数個の横部ＳＰ−Ｌと前記第２方向ＤＲ２に延長された複数個の縦部ＳＰ−Ｃとを含む。
【０２５２】
前記複数個の横部ＳＰ−Ｌと前記複数個の縦部ＳＰ−Ｃとは互いに連結されて複数個の開口部ＳＰ−ＯＰを形成する。言い換えれば、前記第１センサー部ＳＰ１は前記複数個の開口部ＳＰ−ＯＰを具備するメッシュ形状を有する。
【０２５３】
この時、前記第１センサー部ＳＰ１は反射率が低い金属で構成されることができる。前記反射率が低い金属はクロム酸化物（Ｃｈｒｏｍｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）、クロム窒化物（Ｃｈｒｏｍｉｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ）、チタニウム酸化物（Ｔｉｔａｎｉｕｍ  ｏｘｉｄｅ）、及びチタニウム窒化物（Ｔｉｔａｎｉｕｍ  ｎｉｔｒｉｄｅ）の中のいずれか１つ又はこれらの合金等を包含することができる。
【０２５４】
一方、別に図示しないが、前記第１センサー部ＳＰ１は２層構造を有することができる。前記２層構造の前記第１センサー部ＳＰ１は図３１Ａに図示された金属酸化物層と図３１Ｂに図示されたメッシュ形金属層とを包含することができる。
【０２５５】
図３２は図１０のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図である。図３２に示したように、前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２とは同一の層上に配置され、前記第１タッチコイルＴＣ１と第２タッチコイルＴＣ２とは同一の層上に配置される。言い換えれば、前記第１タッチ電極ＴＥ１と前記第２タッチ電極ＴＥ２とは同一の層上に配置される。前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２とは第１導電層ＣＬ１（図２２参照）の一部を成し、前記第１タッチコイルＴＣ１と第２タッチコイルＴＣ２とは第２導電層ＣＬ２（図２２参照）の一部をなす。
【０２５６】
具体的に、前記第１タッチ基板ＴＳＳ１の一面上に前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２とが配置される。前記第１タッチ基板ＴＳＳ１上に前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２とをカバーする第１絶縁層ＩＬ−１が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第１タッチコイルＴＣ１と前記第２タッチコイルＴＣ２とが配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第１タッチコイルＴＣ１と前記第２タッチコイルＴＣ２とをカバーする第２絶縁層ＩＬ−２が配置される。前記第２絶縁層ＩＬ−２上に前記第２タッチ基板ＴＳＳ２が配置される。一方、他の実施形態で前記第１センサー部ＳＰ１及び前記第２センサー部ＳＰ２と前記第１タッチコイルＴＣ１及び前記第２タッチコイルＴＣ２との位置は互いに変わることがあり得る。
【０２５７】
図３３は図３０のＢＢ領域を拡大して示した本発明の一実施形態による平面図であり、図３４は図３３のＩＶ−ＩＶ’線に沿う断面図である。図３５は図３０のＣＣ領域を拡大して示した本発明の一実施形態による平面図であり、図３６は図３５のＶ−Ｖ’線に沿う断面図である。図３３は前記第１連結部ＣＰ１と前記第２連結部ＣＰ２とが交差する領域を、図３５は前記第１タッチコイルＴＣ１と前記第２タッチコイルＴＣ２とが交差する領域を各々拡大して図示した。
【０２５８】
図３３及び図３４に示したように、前記第１連結部ＣＰ１は複数個の横部ＣＰ−Ｌ１、ＣＰ−Ｌ２を含み、前記第２連結部ＣＰ２は複数個の縦部ＣＰ−Ｃ１、ＣＰ−Ｃ２を含む。図３３には２つの横部ＣＰ−Ｌ１、ＣＰ−Ｌ２と２つの縦部ＣＰ−Ｃ１、ＣＰ−Ｃ２とを例示的に図示した。別に図示しないが、前記第１連結部ＣＰ１は前記遮光領域ＳＡに重畳し、前記横部ＣＰ−Ｌ１、ＣＰ−Ｌ２を連結する縦部をさらに包含でき、前記第２連結部ＣＰ２は前記遮光領域ＳＡに重畳し、前記縦部ＣＰ−Ｃ１、ＣＰ−Ｃ２を連結する横部をさらに包含することができる。
【０２５９】
図３４に示したように、前記第１連結部ＣＰ１と前記第２連結部ＣＰ２とは前記第１タッチ基板ＴＳＳ１上に配置される。前記第１連結部ＣＰ１は前記第１タッチ基板ＴＳＳ１上で部分的に切断される。前記第１連結部ＣＰ１と前記第２連結部ＣＰ２とが互いに交差する領域で、前記第１連結部ＣＰ１はブリッジＢＥ１（以下、第１ブリッジ）を含む。第１ブリッジＢＥ１は前記切断された第１連結部ＣＰ１の一端と他端とを連結する。
【０２６０】
前記第１絶縁層ＩＬ−１は前記第１連結部ＣＰ１と前記第２連結部ＣＰ２とをカバーする。前記第１絶縁層ＩＬ−１は前記第１連結部ＣＰ１を部分的に露出させる第３貫通ホールＣＨ３と第４貫通ホールＣＨ４とを具備する。前記第３貫通ホールＣＨ３は切断された前記第１連結部ＣＰ１の一端を露出させ、前記第４貫通ホールＣＨ４は切断された前記第１連結部ＣＰ１の他端を露出される。
【０２６１】
前記第１ブリッジＢＥ１は前記第１絶縁層ＩＬ−１上に配置される。前記第１ブリッジＢＥ１は前記第３貫通ホールＣＨ３と前記第４貫通ホールＣＨ４とを通じて切断された前記第１連結部ＣＰ１の縦部ＣＰ−Ｃ１、ＣＰ−Ｃ２連結する。一方、他の実施形態で、前記第２連結部ＣＰ２が前記第１タッチ基板ＴＳＳ１上で部分的に切断されることができ、前記第１ブリッジＢＥ１は前記切断された第２連結部ＣＰ２を連結することができる。
【０２６２】
図３５及び図３６に示したように、前記第１タッチコイルＴＣ１は複数個の横部ＴＣ−Ｌ１、ＴＣ−Ｌ２を含み、前記第２タッチコイルＴＣ２は複数個の縦部ＴＣ−Ｃ１、ＴＣ−Ｃ２を含む。図３５には２つの横部ＴＣ−Ｌ１、ＴＣ−Ｌ２と２つの縦部ＴＣ−Ｃ１、ＴＣ−Ｃ２とを例示的に図示した。別に図示しないが、前記第１タッチコイルＴＣ１は前記遮光領域ＳＡに重畳し、前記複数個の横部ＴＣ−Ｌ１、ＴＣ−Ｌ２を連結する縦部をさらに包含でき、前記第２タッチコイルＴＣ２は前記遮光領域ＳＡに重畳し、前記複数個の縦部ＴＣ−Ｃ１、ＴＣ−Ｃ２を連結する横部をさらに包含することができる。
【０２６３】
前記第１タッチコイルＴＣ１と前記第２タッチコイルＴＣ２とは前記第１絶縁層ＩＬ−１上に配置される。前記第１タッチコイルＴＣ１は前記第１絶縁層ＩＬ−１上で部分的に切断される。前記第１タッチコイルＴＣ１と前記第２タッチコイルＴＣ２とが互いに交差する領域で前記第１タッチコイルＴＣ１はブリッジＢＥ２（以下、第２ブリッジ）を含む。前記第２ブリッジＢＥ２は前記切断された前記第１タッチコイルＴＣ１の一端と他端とを連結する。
【０２６４】
前記第１絶縁層ＩＬ−１は前記第２ブリッジＢＥ２をカバーする。前記第１絶縁層ＩＬ−１は前記第２ブリッジＢＥ２を部分的に露出させる第５貫通ホールＣＨ５と第６貫通ホールＣＨ６とを具備する。前記第５貫通ホールＣＨ５は前記第２ブリッジＢＥ２の一端を露出させ、前記第６貫通ホールＣ６は前記第２ブリッジＢＥ２の他端を露出される。
【０２６５】
前記第１タッチコイルＴＣ１の切断された一端は前記第５貫通ホールＣＨ５を通じて前記第２ブリッジＢＥ２に連結され、前記第１タッチコイルＴＣ１の切断された他端は前記第６貫通ホールＣＨ６を通じて前記第２ブリッジＢＥ２に連結される。一方、他の実施形態で、前記第２タッチコイルＴＣ２が前記第１絶縁層ＩＬ−１上で部分的に切断されることができ、前記第２ブリッジＢＥ２は切断された前記第２タッチコイルＴＣ２を連結することができる。
【０２６６】
図３７は本発明の一実施形態による図３０のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う断面図である。図３８は本発明の一実施形態による図３０のＢＢ領域を拡大して示した平面図であり、図３９は図３８のＩＶ−ＩＶ’線に沿う断面図である。図４０は本発明の一実施形態による図３０のＣＣ領域を拡大して示した平面図であり、図４１は図４０のＶ−Ｖ’線に沿う断面図である。
【０２６７】
図３７に示したように、前記第１センサー部ＳＰ１と前記第１タッチコイルＴＣ１は同一の層上に配置され、前記第２センサー部ＳＰ２と第２タッチコイルＴＣ２は同一の層上に配置される。前記第２センサー部ＳＰ２と前記第２タッチコイルＴＣ２とは第１導電層ＣＬ１（図２２参照）の一部を成し、前記第１センサー部ＳＰ１と前記第１タッチコイルＴＣ１とは第２導電層ＣＬ２（図２２参照）の一部をなす。
【０２６８】
前記第１タッチ基板ＴＳＳ１上に前記第２センサー部ＳＰ２と前記第２タッチコイルＴＣ２とが配置される。前記第１タッチ基板ＴＳＳ１上に前記第２センサー部ＳＰ２と前記第２タッチコイルＴＣ２とをカバーする第１絶縁層ＩＬ−１が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第１センサー部ＳＰ１と前記第１タッチコイルＴＣ１とが配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第１センサー部ＳＰ１と前記第１タッチコイルＴＣ１とをカバーする第２絶縁層ＩＬ−２が配置される。前記第２絶縁層ＩＬ−２上に前記第２タッチ基板ＴＳＳ２が配置される。
【０２６９】
図３８及び図３９に示したように、前記第１連結部ＣＰ１は複数個の横部ＣＰ−Ｌ１、ＣＰ−Ｌ２を含み、前記第２連結部ＣＰ２は複数個の縦部ＣＰ−Ｃ１、ＣＰ−Ｃ２を含む。前記第２連結部ＣＰ２は前記第１タッチ基板ＴＳＳ１上に配置される。前記第１連結部ＣＰ１は前記第２連結部ＣＰ２をカバーする第１絶縁層ＩＬ−１上に配置される。前記第２連結部ＣＰ２と前記第１連結部ＣＰ１とが互いに異なる層上に配置されるので、第１ブリッジＢＥ１（図３３及び図３４参照）は省略され得る。
【０２７０】
図４０及び図４１に示したように、前記第１タッチコイルＴＣ１は複数個の横部ＴＣ−Ｌ１、ＴＣ−Ｌ２を含み、前記第２タッチコイルＴＣ２は複数個の縦部ＴＣ−Ｃ１、ＴＣ−Ｃ２を含む。前記第２タッチコイルＴＣ２は前記第１タッチ基板ＴＳＳ１上に配置される。前記第１タッチコイルＴＣ１は前記第２タッチコイルＴＣ２をカバーする第１絶縁層ＩＬ−１上に配置される。前記第１タッチコイルＴＣ１と前記第２タッチコイルＴＣ２とが互いに異なる層上に配置されるので、第２ブリッジＢＥ２（図３５及び図３６参照）は省略され得る。
【０２７１】
図４２は図２５の一部分を拡大した本発明の一実施形態による平面図である。図４３は図４２のＩＩＩ−ＩＩＩ’線に沿う本発明の一実施形態による断面図である。図４４は図４２のＤＤ領域を拡大して示した本発明の一実施形態による平面図である。図４２は図３０に対応する。以下、図３０乃至図４１を参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０２７２】
図４２及び図４３に示したように、前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２は同一の層上に配置され、前記第１タッチコイルＴＣ１と第２タッチコイルＴＣ２とは同一の層上に配置される。前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２とは第１導電層ＣＬ１（図２２参照）を成し、前記第１タッチコイルＴＣ１と第２タッチコイルＴＣ２とは第２導電層ＣＬ２（図２２参照）をなす。一方、他の実施形態で、前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２とは前記第２導電層ＣＬ２を形成し、前記第１タッチコイルＴＣ１と第２タッチコイルＴＣ２は前記第１導電層ＣＬ１を形成することもあり得る。
【０２７３】
図４２及び図４４に示したように、前記第１タッチコイルＴＣ１と前記第２タッチコイルＴＣ２とは前記第２センサー部ＳＰ２上で交差する。前記第２センサー部ＳＰ２は前記遮光領域ＳＡの一部分に重畳し、複数個の横部ＳＰ−Ｌと複数個の縦部ＳＰ−Ｃとを含む。前記第２センサー部ＳＰ２は前記複数個の開口部ＳＰ−ＯＰを具備するメッシュ形状を有する。図４４は図３１Ｂに図示されたセンサー部と同一な第２センサー部を図示したが、図３１Ａのように変形され得る。
【０２７４】
前記第１タッチコイルＴＣ１は前記遮光領域ＳＡの一部分に重畳する複数個の横部ＴＣ−Ｌ１、ＴＣ−Ｌ２を含み、前記第２タッチコイルＴＣ２は前記遮光領域ＳＡの一部分に重畳する複数個の縦部ＴＣ−Ｃ１、ＴＣ−Ｃ２を含む。前記第１タッチコイルＴＣ１と前記第２タッチコイルＴＣ２とが交差する領域に前記第２ブリッジＢＥ２が配置される。前記第２ブリッジＢＥ２は前記第２センサー部ＳＰ２と同一な層上に配置される。前記第２ブリッジＢＥ２は前記第１タッチ基板ＴＳＳ１の一面に配置される（図３６参照）。
【０２７５】
前記第２ブリッジＢＥ２と前記第２センサー部ＳＰ２との電気的接続を防止するために、前記第１タッチコイルＴＣ１と前記第２タッチコイルＴＣ２とが交差する領域に対応するように前記第２センサー部ＳＰ２の一部分は除去される。一方、他の実施形態で前記第１タッチコイルＴＣ１と第２タッチコイルＴＣ２は前記第１センサー部ＳＰ１上で交差することもできる。
【０２７６】
図４５Ａ乃至図４５Ｃは本発明の一実施形態によるタッチパネルを拡大して示した平面図である。図４５Ａ乃至図４５Ｃは第１タッチ電極ＴＥ１、第２タッチ電極ＴＥ２、第１タッチコイルＴＣ１、及び第２タッチコイルＴＣ２が拡大図示された。一方、図４５Ａ乃至図４５Ｃに図示されたタッチパネルの断面構造は図３７に図示されたことと同一である。
【０２７７】
図４５Ａ及び図４５Ｂに示したように、前記第１タッチ電極ＴＥ１の第１センサー部ＳＰ１と前記第２タッチ電極ＴＥ２の第２センサー部ＳＰ２とは互いに異なる形状を有する。図４５Ａに示したように、前記第１センサー部ＳＰ１は長方形状であり、前記第２センサー部ＳＰ２は正方形状であり得る。図４５Ｂに示したように、第１センサー部ＳＰ１は六角形状であり、第２センサー部ＳＰ２は八角形状であり得る。その他に前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２とは円形、楕円形、多角形の中で互いに異なる形状に選択され得る。
【０２７８】
また、前記第１タッチコイルＴＣ１は複数個の横部ＴＣ−Ｌ１〜ＴＣ−Ｌ４を含み、前記第２タッチコイルＴＣ２は複数個の縦部ＴＣ−Ｃ１〜ＴＣ−Ｃ４を含む。図４５Ａ及び図４５Ｂに示したように、前記第１タッチコイルＴＣ１は平行になる４つの横部ＴＣ−Ｌ１〜ＴＣ−Ｌ４を含み、前記第２タッチコイルＴＣ２は平行になる４つの縦部ＴＣ−Ｃ１〜ＴＣ−Ｃ４を含む。前記横部ＴＣ−Ｌ１〜ＴＣ−Ｌ４又は前記縦部ＴＣ−Ｃ１〜ＴＣ−Ｃ４の個数が増加されるほど、前記第１タッチコイルＴＣ１又は前記第２タッチコイルＴＣ２から誘導される磁気場の強さが増加される。それによって、前記第２モードのタッチパネルのセンシング感度が増加される。
【０２７９】
図４５Ｃに示したように、前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２とは斜方形状である。また、前記第１タッチコイルＴＣ１は２つの横部ＴＣ−Ｌ１、ＴＣ−Ｌ２を含み、前記第２タッチコイルＴＣ２は２つの縦部ＴＣ−Ｃ１、ＴＣ−Ｃ２を含む。
【０２８０】
前記第１タッチコイルＴＣ１はサブ横部ＴＣ−ＳＬ１、ＴＣ−ＳＬ２をさらに含む。前記第２タッチコイルＴＣ２はサブ縦部ＴＣ−ＳＣ１、ＴＣ−ＳＣ２をさらに含む。前記サブ横部ＴＣ−ＳＬ１、ＴＣ−ＳＬ２及び前記サブ縦部ＴＣ−ＳＣ１、ＴＣ−ＳＣ２は前記第１タッチコイルＴＣ１及び前記第２タッチコイルＴＣ２の各々の抵抗値を低くする。
【０２８１】
前記サブ横部ＴＣ−ＳＬ１、ＴＣ−ＳＬ２の各々は前記横部ＴＣ−Ｌ１、ＴＣ−Ｌ２と並列に配列されて前記横部ＴＣ−Ｌ１、ＴＣ−Ｌ２の互いに異なる地点に連結される。前記サブ横部ＴＣ−ＳＬ１、ＴＣ−ＳＬ２は前記第１センサー部ＳＰ１に重畳する。第１サブ横部ＴＣ−ＳＬ１は第１横部ＴＣ−Ｌ１の第１地点と第２地点とを連結する。第２サブ横部ＴＣ−ＳＬ２は第２横部ＴＣ−Ｌ２の第１地点と第２地点とを連結する。
【０２８２】
前記サブ縦部ＴＣ−ＳＣ１、ＴＣ−ＳＣ２の各々は前記縦部ＴＣ−Ｃ１、ＴＣ−Ｃ２と並列に配列されて前記縦部ＴＣ−Ｃ１、ＴＣ−Ｃ２の互いに異なる地点に連結される。第１サブ縦部ＴＣ−ＳＣ１は第１縦部ＴＣ−Ｃ１の第１地点と第２地点とを連結する。第２サブ縦部ＴＣ−ＳＣ２は第２縦部ＴＣ−Ｃ２の第１地点と第２地点とを連結する。
【０２８３】
前記第１サブ縦部ＴＣ−ＳＣ１と前記第２サブ縦部ＴＣ−ＳＣ２とは前記第１横部ＴＣ−Ｌ１及び第２横部ＴＣ−Ｌ２と交差しない。前記第１サブ横部ＴＣ−ＳＬ１と前記第２サブ横部ＴＣ−ＳＬ２とは第１縦部ＴＣ−Ｃ１及び第２縦部ＴＣ−Ｃ２と交差しない。前記斜方形状の第１センサー部ＳＰ１の頂点は前記横部ＴＣ−Ｌ１、ＴＣ−Ｌ２の前記縦部ＴＣ−Ｃ１、ＴＣ−Ｃ２と交差する領域に近接する。前記斜方形状の第２センサー部ＳＰ２の頂点は前記縦部ＴＣ−Ｃ１、ＴＣ−Ｃ２の前記横部ＴＣ−Ｌ１、ＴＣ−Ｌ２と交差する領域に近接する。
【０２８４】
結果的に前記第１センサー部ＳＰ１及び前記第２センサー部ＳＰ２の面積が増加し、互いに対向する前記第１センサー部ＳＰ１の側辺（ｓｉｄｅ）と前記第２センサー部ＳＰ２の側辺（ｓｉｄｅ）との間の間隔Ｗ１０が減少される。前記第１センサー部ＳＰ１の前記側辺と前記第２センサー部ＳＰ２の前記側辺との間に形成されるキャパシターの静電容量値が増加される。静電容量方式モードで動作するタッチパネルのタッチ感度が向上される。
【０２８５】
図４６Ａは本発明の一実施形態による第１タッチ電極と第１タッチコイルとを示した平面図であり、図４６Ｂは本発明の一実施形態による第２タッチ電極と第２タッチコイルとを示した平面図である。図４６Ａ及び図４６Ｂを参照して本実施形態によるタッチパネルを説明する。但し、図２１乃至図４５Ｃを参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０２８６】
図４６Ａに示したように、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の各々は前記第１方向ＤＲ１に延長されたループ形状である。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は前記第２方向ＤＲ２に羅列される。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は多様な形態に重畳され得る。
【０２８７】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ’）の各々は前記第１方向ＤＲ１に延長された形状、例えばバー（ｂａｒ）形状である。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ’）は前記第２方向ＤＲ２に離隔されて配置される。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ’）は前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の重畳を通じて形成された分割領域の中の一部に配置される。
【０２８８】
図４６Ｂに示したように、前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の各々は前記第２方向ＤＲ２に延長されたループ形状である。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は前記第１方向ＤＲ１に羅列される。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は多様な形態に重畳され得る。
【０２８９】
前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第１方向ＤＲ１に離隔されて配置される。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）が重畳されて形成された分割領域に配置される。
【０２９０】
前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の各々は２つの第２タッチユニットＴＵ２を包含することができる。前記第２タッチユニットＴＵ２は前記第２方向ＤＲ２に羅列された第２センサー部ＳＰ２と前記第２センサー部ＳＰ２に隣接する２つのセンサー部を連結する第２連結部ＣＰ２を含む。別に図示しないが、前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ’）は前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の連結部ＣＰ２に重畳する。
【０２９１】
図４７Ａは本発明の一実施形態による第１タッチ電極と第１タッチコイルとを示した平面図であり、図４７Ｂは本発明の一実施形態による第２タッチ電極と第２タッチコイルとを示した平面図である。以下、図４７Ａ及び図４７Ｂを参照して本実施形態によるタッチパネルを説明する。但し、図２１乃至図４５Ｃを参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０２９２】
図４７Ａに示したように、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の各々は前記第１方向ＤＲ１に延長されたループ形状である。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は前記第２方向ＤＲ２に羅列される。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は多様な形態に重畳され得る。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）はグループ単位に、３つのタッチコイル単位に、部分的に重畳され得る。
【０２９３】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の各々は前記第１方向ＤＲ１に延長された、例えばバー（ｂａｒ）形状である。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は前記第２方向ＤＲ２に離隔されて配置される。
【０２９４】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の中で互いに重畳する前記第１タッチコイルが形成する分割領域に配置される。
【０２９５】
図４７Ｂに示したように、前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の各々は前記第２方向ＤＲ２に延長されたループ形状である。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は前記第１方向ＤＲ１に羅列される。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は多様な形態に重畳され得る。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）はグループ単位に、３つのタッチコイル単位に、部分的に重畳され得る。
【０２９６】
前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の各々は前記第２方向ＤＲ２に延長された形状、例えばバー（ｂａｒ）形状である。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第１方向ＤＲ１に離隔されて配置される。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の中で互いに重畳する前記第２タッチコイルが形成する分割領域に配置される。
【０２９７】
図４８は本発明の一実施形態によるタッチパネルを示した平面図である。以下、図４８を参照して本実施形態によるタッチパネルを説明する。但し、図２１乃至図４５Ｂを参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０２９８】
図４８に示したように、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の各々は前記第１方向ＤＲ１に延長されたループ形状である。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は前記第２方向ＤＲ２に羅列される。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の各々は前記第２方向ＤＲ２に延長されたループ形状である。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は前記第１方向ＤＲ１に羅列される。
【０２９９】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）及び前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は互いに交差する。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）及び前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の各々はバー（ｂａｒ）形状である。一方、前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）及び前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の形状はこれに制限されない。
【０３００】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は互いに重畳されなく、前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は互いに重畳されない。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の各々は前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の中の対応するタッチコイルが形成する領域に配置される。言い換えれば、前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の各々は前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の中の対応するタッチコイルに囲まれる。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の各々は前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の中の対応するタッチコイルが形成する領域に配置される。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の各々は前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の中の対応するタッチコイルに囲まれる。
【０３０１】
図４９Ａ及び図４９Ｂは本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。図４９Ａ及び図４９Ｂは図２２のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。以下、図４９Ａ及び図４９Ｂを参照して本実施形態によるタッチパネルを説明する。但し、図２１乃至図４８を参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０３０２】
図４９Ａに示したように、前記第１表示基板ＤＳ１は前記液晶層ＬＣＬの下側に配置され、前記第２表示基板ＤＳ２は前記液晶層ＬＣＬの上側に配置される。前記タッチパネルＴＰ１０は前記第２表示基板ＤＳ２上に配置される。
【０３０３】
前記タッチパネルＴＰは第１導電層ＣＬ１、絶縁層ＩＬ、第２導電層ＣＬ２及びタッチ基板ＴＳＳ（図２３Ａの第２タッチ基板ＴＳＳ２に対応する）を含む。前記第２表示基板ＤＳ２の上面に前記第１導電層ＣＬ１が配置される。別に製造された後表示パネルに付着されるタッチパネルと異なりに、前記タッチパネルＴＰ１０は前記第２表示基板ＤＳ２の上面に直接製造される。前記第２表示基板ＤＳ２の上面に前記第１導電層ＣＬ１を形成した後、前記絶縁層ＩＬ、前記第２導電層ＣＬ２及び前記タッチ基板ＴＳＳを順次的に積層する。
【０３０４】
前記第１導電層ＣＬ１及び前記第２導電層ＣＬ２の各々は複数個の導電性パターンを含む。図２１乃至図４８を参照して説明したように、前記第１導電層ＣＬ１は第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）、第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）、第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）、及び第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の一部を含み、前記第２導電層ＣＬ２は前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）、前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）、及び前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）の他の一部を含む。
【０３０５】
図４９Ｂに示したように、前記第１表示基板ＤＳ１は前記液晶層ＬＣＬの上側に配置され、前記第２表示基板ＤＳ２は前記液晶層ＬＣＬの下側に配置され得る。前記タッチパネルＴＰ１０は前記第１表示基板ＤＳ１上に配置される。前記タッチパネルＴＰ１０の構成は図２９Ａに図示されたタッチパネルと同一である。
【０３０６】
図５０Ａ及び図５０Ｂは本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。図５０Ａ及び図５０Ｂは図２２のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。以下、図５０Ａ及び図５０Ｂを参照して本実施形態によるタッチパネルを説明する。但し、図２１乃至図４８を参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０３０７】
図５０Ａに示したように、前記第１表示基板ＤＳ１は前記液晶層ＬＣＬの下側に配置され、前記第２表示基板ＤＳ２は前記液晶層ＬＣＬの上側に配置される。前記第１表示基板ＤＳ１は第１ベース基板ＳＵＢ１、複数個の絶縁層１０、２０、及び画素ＰＸを含む。前記第２表示基板ＤＳ２は第２ベース基板ＳＵＢ２、ブラックマトリックスＢＭ、及びカラーフィルターＣＦを含む。
【０３０８】
前記タッチパネルＴＰ２０は第１導電層ＣＬ１、第２導電層ＣＬ２及びタッチ基板ＴＳＳ（図２３Ａの第２タッチ基板ＴＳＳ２に対応する）を含む。前記第１導電層ＣＬ１は前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面上に配置される。前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面上に前記第１導電層ＣＬ１をカバーする前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記カラーフィルターＣＦが配置される。一方、他の実施形態で前記第１導電層ＣＬ１は前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面上に配置された前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記カラーフィルターＣＦ上に配置されることもあり得る。
【０３０９】
前記第２導電層ＣＬ２は前記第２ベース基板ＳＵＢ２の上面上に配置される。前記第２ベース基板ＳＵＢ２は前記第１導電層ＣＬ１と前記第２導電層ＣＬ２とを分離させる絶縁層機能を有する。
【０３１０】
前記第２導電層ＣＬ２上に前記タッチ基板ＴＳＳが配置される。一方、前記タッチパネルＴＰ２０は前記第２導電層ＣＬ２と前記第２ベース基板ＳＵＢ２との間に配置されるか、或いは前記第２導電層ＣＬ２と前記タッチ基板ＴＳＳとの間に配置された絶縁層をさらに包含することができる。
【０３１１】
図５０Ｂに示したように、前記第１表示基板ＤＳ１は前記液晶層ＬＣＬの上側に配置され、前記第２表示基板ＤＳ２は前記液晶層ＬＣＬの下側に配置される。前記タッチパネルＴＰ２０の構成は図５０Ａに図示されたタッチパネルと同一である。
【０３１２】
前記第１導電層ＣＬ１は前記第１ベース基板ＳＵＢ１の下面上に配置される。前記第１ベース基板ＳＵＢ１の下面上に前記第１導電層ＣＬ１をカバーする絶縁層５が配置され、前記絶縁層５上に共通電極ＣＥが配置される。
【０３１３】
前記第２導電層ＣＬ２は前記第１ベース基板ＳＵＢ１の上面上に配置される。前記第２導電層ＣＬ２上に前記タッチ基板ＴＳＳが配置される。一方、他の実施形態で前記絶縁層５は前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記カラーフィルターＣＦで代替され得る。
【０３１４】
図５１は本発明の一実施形態による表示装置の断面図であり、図５２Ａ乃至図５２Ｅは本発明の一実施形態によるタッチパネルの断面図である。以下、図５１、及び図５２Ａ乃至図５２Ｅを参照して本実施形態によるタッチパネルを説明する。但し、図１乃至図２８を参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０３１５】
図５１に示したように、前記第１表示基板ＤＳ１は前記液晶層ＬＣＬの下側に配置され、前記第２表示基板ＤＳ２は前記液晶層ＬＣＬの上側に配置される。前記第１表示基板ＤＳ１は第１ベース基板ＳＵＢ１、複数個の絶縁層１０、２０、及び画素ＰＸを含む。前記第２表示基板ＤＳ２は第２ベース基板ＳＵＢ２、ブラックマトリックスＢＭ、及びカラーフィルターＣＦを含む。
【０３１６】
前記タッチパネルＴＰ３０は第１導電層ＣＬ１、絶縁層ＩＬ、及び第２導電層ＣＬ２を含む。前記第１導電層ＣＬ１、前記絶縁層ＩＬ、及び前記第２導電層ＣＬ２は前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面上に配置される。さらに具体的に、前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に第１導電層ＣＬ１が配置され、前記第１導電層ＣＬ１上に前記絶縁層ＩＬが配置され、前記絶縁層ＩＬ上に前記第２導電層ＣＬ２が配置され得る。
【０３１７】
以下、図５２Ａ乃至図５２Ｅを参照して詳細に説明する。図５２Ａ乃至図５２Ｅは多様な層構造を図示する。図５２Ａ乃至図５２Ｅは図３１Ｂに図示された形態の導電性パターンを基準に図示した。
【０３１８】
図５２Ａに示したように、前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に前記ブラックマトリックスＢＭと前記カラーフィルターＣＦが配置される。前記ブラックマトリックスＢＭと前記カラーフィルターＣＦ上に平坦化のための第１絶縁層ＩＬ−１が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に第１導電層ＣＬ１が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第１導電層ＣＬ１をカバーする第２絶縁層ＩＬ−２が配置される。
【０３１９】
前記第２絶縁層ＩＬ−２上に第２導電層ＣＬ２が配置される。前記第２絶縁層ＩＬ−２上に前記第２導電層ＣＬ２をカバーする第３絶縁層ＩＬ−３が配置される。本実施形態で、図３４を参照して説明した第３貫通ホールＣＨ３と第４貫通ホールＣＨ４、及び図１６を参照して説明した第５貫通ホールＣＨ５と第６貫通ホールＣＨ６は前記第２絶縁層ＩＬ−２に具備される。一方、前記第３絶縁層ＩＬ−３は省略され得る。
【０３２０】
図５２Ｂに示したように、前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に前記ブラックマトリックスＢＭと前記カラーフィルターＣＦとが配置される。前記カラーフィルターＣＦは前記ブラックマトリックスＢＭの開口部ＢＭ−ＯＰ及び前記ブラックマトリックスＢＭに重畳するように配置される。前記カラーフィルターＣＦの一面上に第１導電層ＣＬ１が配置される。
【０３２１】
前記カラーフィルターＣＦの前記一面上に前記第１導電層ＣＬ１をカバーする第１絶縁層ＩＬ−１０が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１０上に第２導電層ＣＬ２が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１０上に前記第２導電層ＣＬ２をカバーする第２絶縁層ＩＬ−２０が配置される。本実施形態で、図３４を参照して説明した第３貫通ホールＣＨ３と第４貫通ホールＣＨ４、及び図３６を参照して説明した第５貫通ホールＣＨ５と第６貫通ホールＣＨ６は前記第１絶縁層ＩＬ−１０に具備される。
【０３２２】
図５２Ｃに示したように、前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に前記ブラックマトリックスＢＭが配置される。前記ブラックマトリックスＢＭ上に前記第１導電層ＣＬ１が配置される。前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記第１導電層ＣＬ１をカバーする前記第１絶縁層ＩＬ−１が配置される。
【０３２３】
前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第２導電層ＣＬ２が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第２導電層ＣＬ２をカバーする前記第２絶縁層ＩＬ−２が配置される。前記第２絶縁層ＩＬ−２上に前記カラーフィルターＣＦが前記ブラックマトリックスＢＭの開口部ＢＭ−ＯＰ及び前記ブラックマトリックスＢＭに重畳するように配置される。前記ブラックマトリックスＢＭに重畳するように前記カラーフィルターＣＦの境界が形成される。前記カラーフィルターＣＦ上に前記第３絶縁層ＩＬ−３が配置される。
【０３２４】
本実施形態で、図３４を参照して説明した第３貫通ホールＣＨ３と第４貫通ホールＣＨ４、及び図３６を参照して説明した第５貫通ホールＣＨ５と第６貫通ホールＣＨ６は前記第１絶縁層ＩＬ−１に具備される。また、本発明の他の実施形態で前記第２絶縁層ＩＬ−２は省略されることができ、前記第２導電層ＣＬ２は前記カラーフィルターＣＦによってカバーされ得る。
【０３２５】
図５２Ｄに示したように、前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に前記ブラックマトリックスＢＭが配置される。前記ブラックマトリックスＢＭ上に前記第１導電層ＣＬ１が配置される。前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記ブラックマトリックスＢＭの開口部ＢＭ−ＯＰに重畳し、前記第１導電層ＣＬ１をカバーする前記カラーフィルターＣＦが配置される。
【０３２６】
前記カラーフィルターＣＦ上に前記第１絶縁層ＩＬ−１が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１は平坦面を提供する。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第２導電層ＣＬ２が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第２導電層ＣＬ２をカバーする前記第２絶縁層ＩＬ−２が配置される。
【０３２７】
本実施形態で、図３４を参照して説明した第３貫通ホールＣＨ３と第４貫通ホールＣＨ４、及び図３６を参照して説明した第５貫通ホールＣＨ５と第６貫通ホールＣＨ６は前記前記カラーフィルターＣＦ及び前記第１絶縁層ＩＬ−１に具備される。また、本発明の他の実施形態で前記第１絶縁層ＩＬ−１は省略されることができ、前記第２導電層ＣＬ２は前記カラーフィルターＣＦの一面上に形成され得る。
【０３２８】
図５２Ｅに示したように、前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面に前記ブラックマトリックスＢＭが配置される。前記第２ベース基板ＳＵＢ２の下面上に前記ブラックマトリックスＢＭをカバーする前記第１絶縁層ＩＬ−１が配置される。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第１導電層ＣＬ１が配置される。前記第１導電層ＣＬ１は前記ブラックマトリックスＢＭに重畳することができる。前記第１絶縁層ＩＬ−１上に前記第１導電層ＣＬ１をカバーする前記カラーフィルターＣＦが配置される。
【０３２９】
前記カラーフィルターＣＦ上に前記第２絶縁層ＩＬ−２が配置される。前記第２絶縁層ＩＬ−２は平坦面を提供する。前記第２絶縁層ＩＬ−２上に前記第２導電層ＣＬ２が配置される。前記第２絶縁層ＩＬ−２上に前記第２導電層ＣＬ２をカバーする前記第３絶縁層ＩＬ−３が配置される。
【０３３０】
本実施形態で、図３４を参照して説明した第３貫通ホールＣＨ３と第４貫通ホールＣＨ４、及び図３６を参照して説明した第５貫通ホールＣＨ５と第６貫通ホールＣＨ６は前記前記カラーフィルターＣＦ及び前記第２絶縁層ＩＬ−２に具備される。また、本発明の他の実施形態で前記第２絶縁層ＩＬ−２は省略されることができ、前記第２導電層ＣＬ２は前記カラーフィルターＣＦの一面上に形成され得る。
【０３３１】
図５３は本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。以下、図５３を参照して本実施形態によるタッチパネルを説明する。但し、図２１乃至図４８を参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０３３２】
図５３に示したように、前記第１表示基板ＤＳ１は前記液晶層ＬＣＬの上側に配置され、前記第２表示基板ＤＳ２は前記液晶層ＬＣＬの下側に配置される。前記第１表示基板ＤＳ１は第１ベース基板ＳＵＢ１、複数個の絶縁層１０、２０、画素ＰＸを含む。前記第２表示基板ＤＳ２は第２ベース基板ＳＵＢ２、ブラックマトリックスＢＭ、及びカラーフィルターＣＦを含む。
【０３３３】
前記タッチパネルＴＰ３０は第１導電層ＣＬ１、絶縁層ＩＬ、及び第２導電層ＣＬ２を含む。前記第１導電層ＣＬ１、前記絶縁層ＩＬ、及び前記第２導電層ＣＬ２は前記第１ベース基板ＳＵＢ１の下面上に配置される。
【０３３４】
前記第１ベース基板ＳＵＢ１の下面に第１導電層ＣＬ１が配置され、前記第１導電層ＣＬ１上に前記絶縁層ＩＬが配置され、前記絶縁層ＩＬ上に前記第２導電層ＣＬ２が配置される。前記第２導電層ＣＬ２上に付加的な絶縁層５が配置される。前記絶縁層５上に画素ＰＸが配置される。
【０３３５】
本実施形態で、図３４を参照して説明した第３貫通ホールＣＨ３と第４貫通ホールＣＨ４、及び図３６を参照して説明した第５貫通ホールＣＨ５と第６貫通ホールＣＨ６は前記絶縁層ＩＬに具備される。
【０３３６】
図５４は本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。以下、図５４を参照して本実施形態によるタッチパネルを説明する。但し、図２１乃至図４８を参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０３３７】
図５４に示したように、前記第１表示基板ＤＳ１は前記液晶層ＬＣＬの上側に配置され、前記第２表示基板ＤＳ２は前記液晶層ＬＣＬの下側に配置される。前記第１表示基板ＤＳ１は第１ベース基板ＳＵＢ１、ブラックマトリックスＢＭ、及びカラーフィルターＣＦ、複数個の絶縁層１０、２０、及び画素ＰＸを含む。前記第２表示基板ＤＳ２は第２ベース基板ＳＵＢ２を含む。
【０３３８】
前記タッチパネルＴＰ４０は第１導電層ＣＬ１及び第２導電層ＣＬ２を含む。前記第１導電層ＣＬ１及び前記第２導電層ＣＬ２は前記第１ベース基板ＳＵＢ１の下面上に配置される。
【０３３９】
前記第１ベース基板ＳＵＢ１の下面に前記第１導電層ＣＬ１が配置され、前記第１導電層ＣＬ１上に前記ブラックマトリックスＢＭ、及び前記カラーフィルターＣＦが配置され、前記ブラックマトリックスＢＭ、及び前記カラーフィルターＣＦ上に前記第２導電層ＣＬ２が配置される。前記第２導電層ＣＬ２上に絶縁層５が配置される。前記絶縁層５上に前記画素ＰＸが配置される。
【０３４０】
本実施形態で、図３４を参照して説明した第３貫通ホールＣＨ３と第４貫通ホールＣＨ４、及び図３６を参照して説明した第５貫通ホールＣＨ５と第６貫通ホールＣＨ６は前記ブラックマトリックスＢＭ及び／又は前記カラーフィルターＣＦに具備される。
【０３４１】
図５５は本発明の一実施形態による表示装置のブロック図である。図５６は図５５に図示された表示装置の部分斜視図である。図５７は図５６のＩ−Ｉ’線に沿う断面図である。図５８は本発明の一実施形態によるタッチパネルの平面図である。
【０３４２】
図５５に示したように、前記表示装置は表示パネルＤＰ、信号制御部１００、ゲート駆動部２００、データ駆動部３００、及びタッチパネルＴＰを含む。前記信号制御部１００、前記ゲート駆動部２００、及び前記データ駆動部３００は映像が生成されるように前記表示パネルＤＰを制御する。一方、図示しないが、前記表示装置はタッチパネルＴＰを駆動するタッチパネル駆動部及び入力地点の座標情報を算出するタッチ感知部をさらに含む。
【０３４３】
前記表示パネルＤＰ、前記信号制御部１００、前記ゲート駆動部２００、前記データ駆動部３００、及び前記タッチパネルＴＰの構成及び動作は図２１乃至図５４を参照して説明した表示装置と同一である。以下、図２１乃至図５４を参照して説明した表示装置と本実施形態による表示装置の差異点を主に説明する。
【０３４４】
前記表示パネルＤＰはイメージが表示される表示領域ＤＡ１、ＤＡ２とイメージが表示されない非表示領域（図示せず）とを含む。前記表示領域ＤＡ１、ＤＡ２は前記第２方向ＤＲ２に羅列された第１表示領域ＤＡ１と第２表示領域ＤＡ２とに区分され得る。前記非表示領域は前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎの端子及び前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍの端子が配置される領域に前記表示領域を囲む領域であり得る。
【０３４５】
前記信号制御部１００は前記タッチパネルＴＰを制御する選択信号ＳＳを出力する。前記タッチパネルＴＰは互いに異なる方式でタッチイベントを感知する第１タッチ部ＴＰＰ１と第２タッチ部ＴＰＰ２とを含む。前記選択信号ＳＳに応答して前記第１タッチ部と前記第２タッチ部との各々は部分的にオンーオフされる。
【０３４６】
前記イメージが表示されるフレーム区間の中の一時点で、前記第１表示領域ＤＡ１に重畳する前記第１タッチ部ＴＰＰ１はターンオフされ、前記第２タッチ部ＴＰＰ２はターンオンされる。この時、前記第２表示領域ＤＡ２に重畳する前記第１タッチ部ＴＰＰ１はターンオンされ、前記第２タッチ部ＴＰＰ２はターンオフされる。また、前記一時点と他の時点で、前記第１表示領域ＤＡ１に重畳する前記第１タッチ部ＴＰＰ１はターンオンされ、前記第２タッチ部ＴＰＰ２はターンオフされ得る。この時、前記第２表示領域ＤＡ２に重畳する前記第１タッチ部ＴＰＰ１はターンオフされ、前記第２タッチ部ＴＰＰ２はターンオンされる。これに対する詳細な説明は後述する。
【０３４７】
図５６に示したように、前記表示パネルＤＰは離隔されて配置された第１表示基板ＤＳ１と第２表示基板ＤＳ２とを含む。前記第１表示基板ＤＳ１と前記第２表示基板ＤＳ２との間に液晶層ＬＣＬが配置される。前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ（図１参照）、前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍ（図１参照）、及び前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ（図１参照）は前記第１表示基板ＤＳ１と前記第２表示基板ＤＳ２とのいずれか１つに配置される。以下、前記複数個のゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎ（図１参照）、前記複数個のデータラインＤＬ１〜ＤＬｍ（図１参照）、及び前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍ（図１参照）は前記第１表示基板ＤＳ１に具備されることと説明される。
【０３４８】
前記第１表示領域ＤＡ１（図１参照）と前記第２表示領域ＤＡ２（図１参照）との各々は遮光領域ＳＡと複数個の前記透過領域ＴＡとに区分される。前記透過領域ＴＡは前記バックライトユニットから生成された光を通過させる。前記遮光領域ＳＡは前記透過領域ＴＡを囲む。前記遮光領域ＳＡは前記光を遮断する。
【０３４９】
前記タッチパネルＴＰは前記表示パネルＤＰ上に配置される。前記タッチパネルＴＰは前記第１表示基板ＤＳ１の上面に接着され得る。前記タッチパネルＴＰは第１タッチ基板ＴＳＳ１、第１タッチ部ＴＰＰ１、絶縁層ＩＬ、第２タッチ部ＴＰＰ２、及び第２タッチ基板ＴＳＳ２を含む。
【０３５０】
前記第１タッチ部ＴＰＰ１は前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）及び前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）を含む。前記第２タッチ部ＴＰＰ２は前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）及び第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）を含む。前記第１タッチ部ＴＰＰ１は前記第２タッチ部ＴＰＰ２の下側に配置される。
【０３５１】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）と前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）とは絶縁されるように交差する。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の各々は前記第１方向ＤＲ１に延長されたループ形状である。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は前記第２方向ＤＲ２に羅列される。前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）と前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）とが同一の層上に配置され、交差する地点でブリッジＢＥ２（図３５及び図３６参照）を通じて絶縁されることもあり得る。
【０３５２】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）と前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）とは絶縁されるように交差する。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の各々は第１方向ＤＲ１に延長された形状である。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は前記第２方向ＤＲ２に離隔されて配置される。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の各々は複数個のセンサー部ＳＰ１（以下、第１センサー部）と複数個の連結部ＣＰ１（以下、第１連結部）を含む。
【０３５３】
前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の各々は前記第２方向ＤＲ２に延長された形状である。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第１方向ＤＲ１に離隔されて配置される。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の各々は複数個のセンサー部ＳＰ２（以下、第２センサー部）と複数個の連結部ＣＰ２（以下、第２連結部）とを含む。
【０３５４】
図５９Ａは図５８の第１タッチ部を示した平面図であり、図５９Ｂは図５８の第２タッチ部を示した平面図である。図５９Ａ及び図５９Ｂを参照して、前記第１タッチ部及び前記第２タッチ部の動作に対して説明する。
【０３５５】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）は互いに異なる区間で活性化されるスキャン信号ＴＳ１０（１）〜ＴＳ１０（ｐ）（以下、第１スキャン信号）を受信する。前記第１スキャン信号ＴＳ１０（１）〜ＴＳ１０（ｐ）は実質的に図２７Ｂに図示された第２スキャン信号ＴＳ２（１）〜ＴＳ２（ｐ）と同一の信号である。
【０３５６】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の各々は対応するスキャン信号に応答して磁気場を発生させる。前記入力手段（図示せず）が前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）に隣接すれば、前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）から誘導された磁気場が前記入力手段の共振回路と共振する。前記入力手段は共振周波数を発生させる。ここで、前記入力手段はインダクタとキャパシターを含むＬＣ共振回路を具備するスタイラスペンであり得る。前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）は前記入力手段の前記共振周波数にしたがう感知信号ＳＳ１０（１）〜ＳＳ１０（ｑ）（以下、第１感知信号）を出力する。
【０３５７】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の中の第２番目第１タッチコイルＴＣ１（２）と前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）との中の第２番目第２タッチコイルＴＣ２（２）と交差する領域の中の中心部を入力地点ＰＰ１（以下、第１入力地点）と仮定する。前記第２番目第２タッチコイルＴＣ２（２）から出力された第１感知信号ＳＳ１０（２）は残る第２タッチコイルＴＣ２（１）、ＴＣ２（３）〜ＴＣ２（ｑ）から出力された第１感知信号ＳＳ１０（１）、ＳＳ１０（３）〜ＳＳ１０（ｑ）より高いレベルを有する。
【０３５８】
前記レベルが高い第１感知信号ＳＳ１０（２）が検出された時間及び前記第２番目第２タッチコイルＴＣ２（２）の前記第２タッチコイルＴＣ２（１）〜ＴＣ２（ｑ）に対する相対的位置に基づいて、前記第１入力地点ＰＰ１の２次元座標情報を算出する。
【０３５９】
図５９Ｂを参照して前記第２タッチ部ＴＰＰ２の動作に対して説明する。機能的に、前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は静電容量方式タッチパネルの入力タッチ電極に対応し、前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は静電容量方式タッチパネルの出力タッチ電極に対応する。
【０３６０】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）と前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）とは静電結合される。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）に第２スキャン信号ＴＳ２０（１）〜ＴＳ２０（ｋ）（以下、第２スキャン信号）が印加されることによって前記第１センサー部ＳＰ１と前記第２センサー部ＳＰ２との間にキャパシターが形成される。前記第２スキャン信号ＴＳ２０（１）〜ＴＳ２０（ｋ）は実質的に図２７Ａに図示された第１スキャン信号ＴＳ１（１）〜ＴＳ１（ｋ）と同一の信号である。
【０３６１】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）は前記第２スキャン信号ＴＳ２０（１）〜ＴＳ２０（ｋ）を順次的に受信できる。前記第２スキャン信号ＴＳ２０（１）〜ＴＳ２０（ｋ）は互いに異なる区間で活性化される。前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）は前記第２スキャン信号ＴＳ２０（１）〜ＴＳ２０（ｋ）から生成された感知信号ＳＳ２０（１）〜ＳＳ２０（ｒ）（以下、第２感知信号）を出力する。
【０３６２】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の中の第２番目第１タッチ電極ＴＥ１（２）と前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）との中の第２番目第２タッチ電極ＴＥ２（２）が交差する領域を入力地点ＰＰ２（以下、第２入力地点）と仮定する。ここで、前記第２入力地点ＰＰ２は使用者の指のような入力手段によって発生する。
【０３６３】
前記第２番目第２タッチ電極ＴＥ２（２）から出力された第２感知信号ＳＳ２０（２）は残る前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）、ＴＥ２（３）〜ＴＥ２（ｒ）から出力された第２感知信号ＳＳ２０（１）、ＳＳ２０（３）〜ＳＳ２０（ｒ）と異なるレベルを有する。
【０３６４】
前記レベルが異なる第２感知信号ＳＳ２０（２）が検出された時間によって前記第２入力地点ＰＰ２の前記第２方向ＤＲ２の座標情報を算出し、前記第２番目第２タッチ電極ＴＥ２（２）の前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）に対する相対的位置に基づいて、前記第２入力地点ＰＰ２の前記第１方向ＤＲ１の座標情報を算出することができる。
【０３６５】
図６０は本発明の一実施形態による表示装置に印加される信号のタイミング図である。図６１Ａは本発明の一実施形態によるタッチパネル駆動部のブロック図である。図６１Ｂは本発明の一実施形態によるタッチ感知部のブロック図である。図６２Ａ及び図６２Ｂは本発明の一実施形態によるスキャン信号のタイミング図である。
【０３６６】
図６０に示したように、垂直同期信号Ｖｓｙｎｃはフレーム区間ＦＲｎ−１、ＦＲｎ、ＦＲｎ＋１を定義する。前記フレーム区間ＦＲｎ−１、ＦＲｎ、ＦＲｎ＋１は表示区間ＤＳＰと非表示区間ＢＰとを包含することができる。前記非表示区間ＢＰはデータ電圧ＶＲＧＢが出力されない区間として、省略されることもあり得る。水平同期信号Ｈｓｙｎｃは前記表示区間ＤＳＰに含まれた水平区間を定義する。前記水平区間毎前記データ駆動部３００で前記データ電圧ＶＲＧＢが出力される。
【０３６７】
各々のフレーム区間ＦＲｎ−１、ＦＲｎ、ＦＲｎ＋１の間にゲート信号ＧＳＳ１〜ＧＳＳｎは前記ゲートラインＧＬ１〜ＧＬｎに順次的に印加される。前記ゲート信号ＧＳＳ１〜ＧＳＳｎは活性化区間が互いに異なるパルス信号である。それによって、前記複数個の画素ＰＸ１１〜ＰＸｎｍは画素行単位にターンオンされる。前記データ電圧ＶＲＧＢは、画素行単位に、該当画素行に含まれた画素に同時に提供される。行単位（ｌｉｎｅ−ｂｙ−ｌｉｎｅ）スキャニング方式で前記第１表示領域ＤＡ１と前記第２表示領域ＤＡ２とは各々のフレーム区間ＦＲｎ−１、ＦＲｎ、ＦＲｎ＋１の間にイメージを生成する。
【０３６８】
各々のフレーム区間ＦＲｎ−１、ＦＲｎ、ＦＲｎ＋１の一部の区間（以下、第１区間Ｆ−１）の間に前記選択信号ＳＳはハイレベルを有し、他の一部の区間（以下、第２区間Ｆ−２）の間にローレベルを有する。前記選択信号ＳＳに応答して、前記第１タッチ部ＴＰＰ１（図５９Ａ参照）と前記第２タッチ部ＴＰＰ２（図５９Ｂ参照）との各々は部分的にオンーオフされる。
【０３６９】
図６１Ａに示したように、前記タッチパネル駆動部４００Ｔ２は第１スキャン信号出力部４１０Ｔ２及び第２スキャン信号出力部４２０Ｔ２を含む。各々の前記フレーム区間ＦＲｎ−１、ＦＲｎ、ＦＲｎ＋１（図６０参照）の間に前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ２は第１スキャン信号ＴＳ１０（１）〜ＴＳ１０（ｐ）を出力し、前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ２は第２スキャン信号ＴＳ２０（１）〜ＴＳ２０（ｋ）を出力する。
【０３７０】
図６１Ｂに示したように、前記タッチ感知部５００Ｔ２は第１選択部５１０、第２選択部５２０、第１信号処理部５３０、第２信号処理部５４０及び座標算出部５５０を含む。
【０３７１】
前記第１選択部５１０は前記第１感知信号ＳＳ１０（１）〜ＳＳ１０（ｑ）を第１信号処理部５３０へ提供し、前記第２選択部５２０は前記第２感知信号ＳＳ２０−１〜ＳＳ２０（ｒ）を第２信号処理部５４０へ提供する。前記第１及び第２選択部５１０、５２０はマルチプレクサーであり得る。
【０３７２】
前記第１信号処理部５３０は前記第１感知信号ＳＳ１０（１）〜ＳＳ１０（ｑ）を第１デジタル信号に変換する。前記第２信号処理部５４０は前記第２感知信号ＳＳ２０（１）〜ＳＳ２０（ｒ）を第２デジタル信号に変換する。前記座標算出部５５０は前記第１デジタル信号から前記第１入力地点ＰＰ１（図５９Ａ参照）の座標情報を算出し、前記第２デジタル信号から前記第２入力地点ＰＰ２（図５９Ｂ参照）の座標情報を算出する。
【０３７３】
図６２Ａに示したように、前記選択信号ＳＳに応答して前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ２は前記第１区間Ｆ−１と前記第２区間Ｆ−２との間に互いに異なる一部の第１スキャン信号を各々出力する。
【０３７４】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）（図５９Ａ参照）は前記第１表示領域ＤＡ１（図５５及び図６０参照）に重畳するように配置された第１グループの第１タッチコイルと前記第２表示領域ＤＡ２（図５５及び図６０参照）に重畳するように配置された第２グループの第１タッチコイルとに区分され得る。前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ２は前記第１区間Ｆ−１の間に前記第２グループの第１タッチコイルのみに対応する第１スキャン信号ＤＡ２−ＴＳ１０を順次的に提供する。前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ２は前記第２区間Ｆ−２の間に前記第１グループの第１タッチコイルのみに対応する第１スキャン信号ＤＡ１−ＴＳ１０を順次的に提供する。
【０３７５】
図６２Ｂに示したように、前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ２は前記第１区間Ｆ−１の間に前記第２グループの第１タッチコイルのみに対応する第１スキャン信号ＤＡ２−ＴＳ１０を複数回、例えば２回、提供することもできる。前記第２表示領域ＤＡ２が複数回スキャニングされることによってタッチ感度が向上される。また、前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ２は前記第２区間Ｆ−２の間に前記第１グループの第１タッチコイルのみに対応する第１スキャン信号ＤＡ２−ＴＳ２０を２回提供することもできる。
【０３７６】
図６２Ａに示したように、前記選択信号ＳＳに応答して、前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ２は前記第１区間Ｆ−１及び前記第２区間Ｆ−２の間に互いに異なる一部の第２スキャン信号を各々出力する。前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）（図５９Ｂ参照）は前記第１表示領域ＤＡ１（図５５及び図６０参照）に重畳するように配置された第１グループの第１タッチ電極と前記第２表示領域ＤＡ２（図５５及び図６０参照）に重畳するように配置された第２グループの第１タッチ電極とに区分され得る。
【０３７７】
前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ２は前記第１区間Ｆ−１の間に前記第１グループの第１タッチ電極のみに対応する第２スキャン信号ＤＡ１−ＴＳ２０を順次的に提供する。前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ２は前記第２区間Ｆ−２の間に前記第２グループの第１タッチ電極のみに対応する第１スキャン信号ＤＡ２−ＴＳ２０を順次的に提供する。
【０３７８】
図６２Ｂに示したように、前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ２は前記第１区間Ｆ−１の間に前記第１グループの第１タッチ電極を２回スキャニングすることができる。前記第２スキャン信号出力部４２０Ｔ２は前記第２区間Ｆ−２の間に前記第２グループの第１タッチ電極を２回スキャニングすることができる。
【０３７９】
図６０乃至図６２Ｂを参照して説明したように、前記第１区間Ｆ−１の間に前記第１表示領域ＤＡ１に発生したタッチイベントは前記第２タッチ部ＴＰＰ２で感知し、前記第２表示領域ＤＡ２に発生したタッチイベントは前記第１タッチ部ＴＰＰ１で感知する。前記第２区間Ｆ−２の間に前記第１表示領域ＤＡ１に発生したタッチイベントは前記第１タッチ部ＴＰＰ１で感知し、前記第２表示領域ＤＡ２に発生したタッチイベントは前記第２タッチ部ＴＰＰ２で感知する。
【０３８０】
このように、第１及び第２区間Ｆ−１、Ｆ−２及び第１及び第２表示領域ＤＡ１、ＤＡ２にしたがって前記第１タッチ部ＴＰＰ１と前記第２タッチ部ＴＰＰ２とが独立的に動作することによって、前記表示パネルＤＰ又は前記第１タッチ部ＴＰＰ１で誘発されたノイズが除去されることができる。以下、図６３乃至図６５を参照してさらに詳細に説明する。
【０３８１】
図６３は第２タッチ部ＴＰＰ２に影響を与えるノイズの発生経路を示した等価回路図である。図６４Ａ及び図６４Ｂはノイズと感知信号との関係を示したグラフである。図６５は本発明の一実施形態による表示装置のノイズ除去経路を示した等価回路図である。
【０３８２】
図６３は前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）と前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）とを含む第２タッチ部ＴＰＰ２（図５９Ｂ参照）の等価回路図である。図６３は前記第２タッチ部ＴＰＰ２に影響を及ぼすノイズ経路ＮＰを図示した。第１抵抗Ｒｔｘは第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）の等価抵抗を示し、第２抵抗Ｒｒｘは第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）の等価抵抗を示す。
【０３８３】
前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）と前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）との間に可変キャパシターＣｍが形成される。前記第２スキャン信号ＴＳ２０（図５９Ｂの第２スキャン信号ＴＳ２０（１）〜ＴＳ２０（ｋ）に対応する）によって前記可変キャパシターＣｍに充電された電荷量は外部入力によって変化する。前記可変キャパシターＣｍに充電された電荷量の変化量は第２感知信号ＳＳ２０（図５９Ｂの第２感知信号ＳＳ２０（１）〜ＳＳ２０（ｒ）に対応する）のレベルから算出され得る。
【０３８４】
第１ノイズＮＶｃｏｍは前記共通電極の電位が前記画素電圧の影響を受けて発生する。第２ノイズＮＴＳ１０は前記第１タッチ部ＴＰＰ１の前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）（図５９Ａ参照）に印加される第１スキャン信号ＴＳ１０（１）〜ＴＳ１０（ｐ）によって発生する。
【０３８５】
前記第１ノイズＮＶｃｏｍと前記第２ノイズＮＴＳ１０とは前記第１タッチ電極ＴＥ１（１）〜ＴＥ１（ｋ）と前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）との間に発生した第１寄生キャパシターＰＣｔｘと前記第２タッチ電極ＴＥ２（１）〜ＴＥ２（ｒ）と前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）との間に発生した第２寄生キャパシターＰＣｒｘとを通じて前記第２タッチ部ＴＰＰ２に影響を及ぼす。
【０３８６】
図６４Ａ及び図６４Ｂはノイズ信号ＮＳと第２感知信号ＳＳ２０とを示す。前記ノイズ信号ＮＳは前記第１ノイズＮＶｃｏｍと前記第２ノイズＮＴＳ１０との少なくともいずれか１つによって発生する。
【０３８７】
図６４Ａに示したように前記ノイズ信号ＮＳと前記第２感知信号ＳＳ２０とが重畳すれば、前記第２感知信号ＳＳ２０が識別されない。図６４Ｂに図示された信号から前記第２感知信号ＳＳ２０を検出する時、前記ノイズ信号ＮＳのレベルが前記第２感知信号ＳＳ２０と類似であれば、前記ノイズ信号ＮＳは前記第２感知信号ＳＳ２０に誤認されることがあり得る。このように、前記第１ノイズＮＶｃｏｍと前記第２ノイズＮＴＳ１０とが発生すれば、前記第２タッチ部ＴＰＰ２のタッチ感度は低下する。
【０３８８】
図６５は前記第１区間Ｆ−１（図６０参照）の間に現れる前記第１表示領域ＤＡ１の等価回路を図示した。５番目ゲートラインＧＬ５に対応する画素行を例示的に図示した。前記５番目ゲートラインＧＬ５に対応する画素行は複数個の画素ＰＸ５１〜ＰＸ５ｊを含む。前記複数個の画素ＰＸ５１〜ＰＸ５ｊの各々は薄膜トランジスターＴＦＴと液晶キャパシターＣｌｉｑとを含む。前記液晶キャパシターＣｌｉｑは画素電極、共通電極、及び前記画素電極と前記共通電極との間に配置された液晶層を含む。
【０３８９】
前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）と前記共通電極との間に第３寄生キャパシターＰＣｅが発生する。前記第３抵抗Ｒｃｏｍは前記共通電極の等価抵抗を示す。前記第４抵抗Ｒｅは前記第１タッチコイルＴＣ１（１）〜ＴＣ１（ｐ）の等価抵抗を示す。
【０３９０】
前記第１区間Ｆ−１（図６０及び図６２Ａ参照）の間に前記第１表示領域ＤＡ１に重畳する第１グループの第１タッチコイルに対応する第１スキャン信号（図６５の図面符号ＴＳ１０）を提供しない。したがって、前記第２ノイズＮＴＳ１０は発生しない。
【０３９１】
前記複数個の画素ＰＸ５１〜ＰＸ５ｊに印加された画素電圧によって前記共通電極の電位は瞬間的に変化する。前記共通電極の電位変化によって発生した前記第１ノイズＮＶｃｏｍは前記第１グループの第１タッチコイルによって接地される。即ち、前記第１グループの第１タッチコイルは前記第１区間Ｆ−１の間に機能的に前記第２タッチ部ＴＰＰ２のノイズ除去層と同一である。図６５には前記第１ノイズＮＶｃｏｍの接地経路ＧＰが図示された。
【０３９２】
上述したように、前記第１ノイズＮＶｃｏｍと前記第２ノイズＮＴＳ１０は前記第２タッチ部ＴＰＰ２に影響を及ばないので、前記第１区間Ｆ−１の間に前記第２タッチ部ＴＰＰ２は前記第１表示領域ＤＡ１で発生するタッチイベントを感知することができる。
【０３９３】
別に図示しないが、前記第１区間Ｆ−１の間に前記第１タッチ部ＴＰＰ１は前記第２表示領域ＤＡ２で発生するタッチイベントを感知する。この時、前記第２表示領域ＤＡ２に重畳する前記第２グループの第１タッチ電極と前記表示パネルＤＰからノイズは発生しない。
【０３９４】
前記第２区間Ｆ−２（図６０及び図６２Ａ参照）の間に前記第１タッチ部ＴＰＰ１は前記第１表示領域ＤＡ１で発生するタッチイベントを感知する。この時、前記第１表示領域ＤＡ１に重畳する前記第２グループの第１タッチ電極と前記表示パネルＤＰからノイズは発生しない。前記第２区間Ｆ−２の間に、前記第２グループの第１タッチ電極に対応する第２スキャン信号が提供されずに、前記第１表示領域ＤＡ１に重畳する前記表示パネルＤＰの画素ＰＸが非活性化されるためである。
【０３９５】
前記第２区間Ｆ−２の間に前記第２タッチ部ＴＰＰ２は前記第２表示領域ＤＡ２で発生するタッチイベントを感知する。この時、前記第２表示領域ＤＡ２に対応する前記表示装置の等価回路は図６５に図示されたことと同一である。したがって、前記表示パネルＤＰから発生したノイズは除去され、前記第２タッチ部ＴＰＰ２のタッチ感度は向上される。
【０３９６】
各々のフレーム区間ＦＲｎ−１、ＦＲｎ、ＦＲｎ＋１（図６０参照）毎に前記第１タッチ部ＴＰＰ１と前記第２タッチ部ＴＰＰ２とは前記第１表示領域ＤＡ１及び前記第２表示領域ＤＡ２を各々スキャニングする。したがって、他のタイプの入力手段によるタッチイベントを全て感知することができる。また、前記第１タッチ部ＴＰＰ１は機能的に前記第２タッチ部ＴＰＰ２に及ぶノイズを除去することによって前記第２タッチ部ＴＰＰ２のタッチ感度が向上される。
【０３９７】
図６６は本発明の一実施形態による表示装置に印加される信号のタイミング図である。以下、図６６を参照して本発明の一実施形態による表示装置の駆動方法を説明する。
【０３９８】
図６６に示したように、フレーム区間ＦＲｎ−１、ＦＲｎ、ＦＲｎ＋１は表示区間ＤＳＰと非表示区間ＢＰとを含む。前記非表示区間ＢＰはデータ電圧ＶＲＧＢが出力されない区間である。前記非表示区間ＢＰの間に前記表示パネルＤＰはブランクイメージを表示することができる。
【０３９９】
選択信号ＳＳは前記表示区間ＤＳＰの間にハイレベルを有し、前記非表示区間ＢＰの間にローレベルを有する。前記選択信号ＳＳに応答して、前記第１タッチ部ＴＰＰ１（図５９Ａ参照）と前記第２タッチ部ＴＰＰ２（図５９Ｂ参照）とは互いに異なる区間でオンーオフされる。
【０４００】
前記表示区間ＤＳＰの間に前記第１タッチ部ＴＰＰ１が動作する。電磁気誘導方式でタッチイベントを感知する前記第１タッチ部ＴＰＰ１はイメージを表示する過程で発生する前記共通電極の電位変化に影響を及ぼさない。したがって、前記第１タッチ部ＴＰＰ１は前記表示区間ＤＳＰの間に前記表示パネルで発生したノイズに影響を及ぼさずに、タッチイベントを感知することができる。本実施形態で前記第１タッチ部ＴＰＰ１は図５９Ａを参照して説明した相互スキャン（ｍｕｔｕａｌ  ｓｃａｎｉｎｇ）方式のみならず、磁気スキャン（ｓｅｌｆ  ｓｃａｎｉｎｇ）方式で動作することができる。
【０４０１】
図６６に図示されたものと異なりに、前記第１スキャン信号出力部４１０Ｔ２は前記表示区間ＤＳＰの間に第１スキャン信号ＴＳ１０（１）〜ＴＳ１０（ｐ）を複数回、例えば２回、提供することもできる。前記表示区間ＤＳＰの間に前記第１表示領域ＤＡ１及び前記第２表示領域ＤＡ２が複数回スキャニングされることによってタッチ感度が向上される。
【０４０２】
前記非表示区間ＢＰの間に前記第２タッチ部ＴＰＰ２が動作する。前記非表示区間ＢＰの間に前記データ電圧ＶＲＧＢが前記画素に印加されないので、前記表示パネルＤＰからノイズが発生しない。また、前記非表示区間ＢＰの間に前記第１タッチ部ＴＰＰ１が動作しないので、前記第１タッチ部からノイズが発生しない。したがって、前記非表示区間ＢＰの間に前記第２タッチ部ＴＰＰ２のタッチ感度が向上される。
【０４０３】
図６７乃至図６９は本発明の一実施形態による表示装置の断面図である。以下、図６７乃至図６９を参照して本実施形態による表示装置を説明する。但し、図５５乃至図６６を参照して説明した構成と同一である構成に対する詳細な説明は省略する。
【０４０４】
図６７に示したように、第１表示基板ＤＳ１は液晶層ＬＣＬの上側に配置され、第２表示基板ＤＳ２は前記液晶層ＬＣＬの下側に配置され得る。タッチパネルＴＰ１０は前記第１表示基板ＤＳ１上に配置される。前記タッチパネルＴＰ１０は第１タッチ部ＴＰＰ１、絶縁層ＩＬ、第２タッチ部ＴＰＰ２及びタッチ基板ＴＳＳ（図５７の第２タッチ基板ＴＳＳ２に対応する）を含む。
【０４０５】
前記第２表示基板ＤＳ２の上面に前記第１タッチ部ＴＰＰ１が直接配置される。別々に製造された後に、表示パネルＤＰに付着される図５７のタッチパネルＴＰと異なり、前記タッチパネルＴＰ１０は前記第２表示基板ＤＳ２の上面に直接製造される。前記第２表示基板ＤＳ２の上面に前記第１タッチ部ＴＰＰ１を形成した後、前記絶縁層ＩＬ、前記第２タッチ部ＴＰＰ２及び前記タッチ基板ＴＳＳを順次的に積層する。
【０４０６】
図６８に示したように、第１表示基板ＤＳ１は液晶層ＬＣＬの上側に配置され、第２表示基板ＤＳ２は前記液晶層ＬＣＬの下側に配置される。タッチパネルＴＰ２０は第１タッチ部ＴＰＰ１、第２タッチ部ＴＰＰ２及びタッチ基板ＴＳＳ（図５７の第２タッチ基板ＴＳＳ２に対応する）を含む。
【０４０７】
前記第１タッチ部ＴＰＰ１は第２ベース基板ＳＵＢ２の下面上に配置される。前記第１タッチ部ＴＰＰ１の下側に絶縁層５が配置される。前記絶縁層５の下側に画素ＰＸが配置される。他の実施形態で前記絶縁層５は前記ブラックマトリックスＢＭ及び前記カラーフィルターＣＦで代替され得る。
【０４０８】
前記第２タッチ部ＴＰＰ２は前記第２ベース基板ＳＵＢ２の上面上に配置される。前記第２ベース基板ＳＵＢ２は前記第１タッチ部ＴＰＰ１と前記第２タッチ部ＴＰＰ２を分離させる絶縁層機能を有する。
【０４０９】
前記第２タッチ部ＴＰＰ２上に前記タッチ基板ＴＳＳが配置される。一方、前記タッチパネルＴＰ２０は前記第２タッチ部ＴＰＰ２と前記第２ベース基板ＳＵＢ２との間に配置されるか、或いは前記第２タッチ部ＴＰＰ２と前記タッチ基板ＴＳＳとの間に配置された絶縁層をさらに包含することができる。
【０４１０】
図６９に示したように、第１表示基板ＤＳ１は液晶層ＬＣＬの上側に配置され、第２表示基板ＤＳ２は前記液晶層ＬＣＬの下側に配置される。前記第１表示基板ＤＳ１は第１ベース基板ＳＵＢ１、複数個の絶縁層１０、２０、画素ＰＸを含む。前記第２表示基板ＤＳ２は第２ベース基板ＳＵＢ２、ブラックマトリックスＢＭ、及びカラーフィルターＣＦを含む。
【０４１１】
前記タッチパネルＴＰ３０は第１タッチ部ＴＰＰ１、絶縁層ＩＬ、及び第２タッチ部ＴＰＰ２を含む。前記第１タッチ部ＴＰＰ１、前記絶縁層ＩＬ、及び前記第２タッチ部ＴＰＰ２は前記第１ベース基板ＳＵＢ１の下面上に配置される。
【０４１２】
前記第１ベース基板ＳＵＢ１の下面に前記第２タッチ部ＴＰＰ２が配置され、前記第２タッチ部ＴＰＰ２の下側に前記絶縁層ＩＬが配置される。前記絶縁層ＩＬの下側に前記第１タッチ部ＴＰＰ１が配置される。前記第２タッチ部ＴＰＰ２の下側に付加的な絶縁層５が配置される。前記絶縁層５上に画素ＰＸが配置される。
【０４１３】
以上では本発明の望ましい実施形態を参照して説明したが、該当技術分野の熟練された当業者又は該当技術分野で通常の知識を有する者であれば、後述される特許請求の範囲に記載された本発明のマッピング及び技術領域から逸脱しない範囲内で本発明を多様に修正及び変形できることは理解できる。
【０４１４】
したがって、本発明の技術的範囲は明細書の詳細な説明に記載された内容に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって定まれなければならない。
【符号の説明】
【０４１５】
ＤＰ・・・表示パネル
ＴＰ・・・タッチパネル
１００・・・信号制御部
２００・・・ゲート駆動部
３００・・・データ駆動部
４００・・・タッチパネル駆動部
５００・・・タッチ感知部
６００・・・タッチ感知部
【図１】
2014164770.tif 000003
【図２】
2014164770.tif 000004
【図３】
2014164770.tif 000005
【図４】
2014164770.tif 000006
【図５】
2014164770.tif 000007
【図６】
2014164770.tif 000008
【図７Ａ】
2014164770.tif 000009
【図７Ｂ】
2014164770.tif 000010
【図８】
2014164770.tif 000011
【図９】
2014164770.tif 000012
【図１０】
2014164770.tif 000013
【図１１】
2014164770.tif 000014
【図１２】
2014164770.tif 000015
【図１３】
2014164770.tif 000016
【図１４】
2014164770.tif 000017
【図１５Ａ】
2014164770.tif 000018
【図１５Ｂ】
2014164770.tif 000019
【図１６】
2014164770.tif 000020
【図１７】
2014164770.tif 000021
【図１８Ａ】
2014164770.tif 000022
【図１８Ｂ】
2014164770.tif 000023
【図１９】
2014164770.tif 000024
【図２０】
2014164770.tif 000025
【図２１】
2014164770.tif 000026
【図２２】
2014164770.tif 000027
【図２３Ａ】
2014164770.tif 000028
【図２３Ｂ】
2014164770.tif 000029
【図２４Ａ】
2014164770.tif 000030
【図２４Ｂ】
2014164770.tif 000031
【図２５】
2014164770.tif 000032
【図２６Ａ】
2014164770.tif 000033
【図２６Ｂ】
2014164770.tif 000034
【図２７Ａ】
2014164770.tif 000035
【図２７Ｂ】
2014164770.tif 000036
【図２８Ａ】
2014164770.tif 000037
【図２８Ｂ】
2014164770.tif 000038
【図２９Ａ】
2014164770.tif 000039
【図２９Ｂ】
2014164770.tif 000040
【図３０】
2014164770.tif 000041
【図３１Ａ】
2014164770.tif 000042
【図３１Ｂ】
2014164770.tif 000043
【図３２】
2014164770.tif 000044
【図３３】
2014164770.tif 000045
【図３４】
2014164770.tif 000046
【図３５】
2014164770.tif 000047
【図３６】
2014164770.tif 000048
【図３７】
2014164770.tif 000049
【図３８】
2014164770.tif 000050
【図３９】
2014164770.tif 000051
【図４０】
2014164770.tif 000052
【図４１】
2014164770.tif 000053
【図４２】
2014164770.tif 000054
【図４３】
2014164770.tif 000055
【図４４】
2014164770.tif 000056
【図４５Ａ】
2014164770.tif 000057
【図４５Ｂ】
2014164770.tif 000058
【図４５Ｃ】
2014164770.tif 000059
【図４６Ａ】
2014164770.tif 000060
【図４６Ｂ】
2014164770.tif 000061
【図４７Ａ】
2014164770.tif 000062
【図４７Ｂ】
2014164770.tif 000063
【図４８】
2014164770.tif 000064
【図４９Ａ】
2014164770.tif 000065
【図４９Ｂ】
2014164770.tif 000066
【図５０Ａ】
2014164770.tif 000067
【図５０Ｂ】
2014164770.tif 000068
【図５１】
2014164770.tif 000069
【図５２Ａ】
2014164770.tif 000070
【図５２Ｂ】
2014164770.tif 000071
【図５２Ｃ】
2014164770.tif 000072
【図５２Ｄ】
2014164770.tif 000073
【図５２Ｅ】
2014164770.tif 000074
【図５３】
2014164770.tif 000075
【図５４】
2014164770.tif 000076
【図５５】
2014164770.tif 000077
【図５６】
2014164770.tif 000078
【図５７】
2014164770.tif 000079
【図５８】
2014164770.tif 000080
【図５９Ａ】
2014164770.tif 000081
【図５９Ｂ】
2014164770.tif 000082
【図６０】
2014164770.tif 000083
【図６１Ａ】
2014164770.tif 000084
【図６１Ｂ】
2014164770.tif 000085
【図６２Ａ】
2014164770.tif 000086
【図６２Ｂ】
2014164770.tif 000087
【図６３】
2014164770.tif 000088
【図６４Ａ】
2014164770.tif 000089
【図６４Ｂ】
2014164770.tif 000090
【図６５】
2014164770.tif 000091
【図６６】
2014164770.tif 000092
【図６７】
2014164770.tif 000093
【図６８】
2014164770.tif 000094
【図６９】
2014164770.tif 000095