【手続補正書】
【提出日】令和2年11月16日(2020.11.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
半導体素子及び第１配線構造を有する第１基板を形成する第１形成工程と、
液体吐出素子及び第２配線構造を有する第２基板を形成する第２形成工程と、
前記第１形成工程及び前記第２形成工程の後に、前記半導体素子と前記液体吐出素子とが電気的に接続されるように前記第１配線構造と前記第２配線構造とを接合する接合工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記第２形成工程は、前記液体吐出素子を形成した後に前記第２配線構造を形成する工程を含むことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記第２形成工程は、
基材の上に保護膜を形成する工程と、
前記保護膜の上に前記液体吐出素子を形成する工程と、
前記液体吐出素子の上に前記第２配線構造を形成する工程と、
を含むことを特徴とする請求項２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記第２形成工程は、前記第２配線構造を形成する前に前記液体吐出素子と前記保護膜との少なくとも一方を４００℃以上の温度で熱処理する工程を更に含むことを特徴とする請求項３に記載の製造方法。
【請求項５】
前記第２配線構造を形成する工程は、
前記液体吐出素子の上に絶縁層を形成する工程と、
前記絶縁層の上面を平坦化する工程と、
を含むことを特徴とする請求項３又は４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記第２配線構造は、絶縁部材と、前記絶縁部材の内部にある複数層の導電部材とを含み、
前記複数層の導電部材のうち前記液体吐出素子に最も近い層の導電部材は、前記液体吐出素子の直下にある導電部分を含まないことを特徴とする請求項３乃至５の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項７】
前記第２配線構造は、前記絶縁部材の内部に前記液体吐出素子の温度を測定するための温度センサを更に含み、
前記温度センサは、前記最も近い層の導電部材よりも前記液体吐出素子の近くに位置することを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記第２形成工程は、前記複数層の導電部材を形成する前に前記温度センサを４００℃以上の温度で熱処理する工程を更に含むことを特徴とする請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記接合工程の後に、前記基材のうち前記液体吐出素子に重なる部分を除去する工程を有することを特徴とする請求項３乃至８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記基材のうち残りの部分が、吐出される液体の流路の一部を構成することを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記基材の前記重なる部分を除去した後に、前記保護膜を挟んで前記液体吐出素子を覆う耐キャビテーション膜を形成する工程を更に有することを特徴とする請求項１０に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記第２形成工程は、前記基材の上に前記保護膜を形成する工程の前に、前記基材に犠牲層を形成する工程を更に含み、
前記製造方法は、前記接合工程の後に、前記犠牲層を除去する工程を更に有し、
前記犠牲層を除去した後の前記基材が、吐出される液体の流路の一部を構成する
ことを特徴とする請求項３乃至８の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記保護膜は第１保護膜であり、
前記第２形成工程は、
前記液体吐出素子を形成した後に、前記液体吐出素子を覆う第２保護膜を形成する工程と、
前記第２保護膜を４００℃以上の温度で熱処理する工程と、
を更に含むことを特徴とする請求項３乃至１２の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記液体吐出素子は発熱抵抗素子であることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか１項に記載の製造方法。
【請求項１５】
液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
半導体素子及び第１配線構造を有する第１基板と、液体吐出素子及び第２配線構造を有する第２基板とを準備する準備工程と、
前記準備工程の後に、前記半導体素子と前記液体吐出素子とが電気的に接続されるように前記第１配線構造と前記第２配線構造とを接合する接合工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項１６】
液体吐出ヘッド用基板の製造方法であって、
半導体素子及び第１配線構造を有する第１基板を形成する第１形成工程と、
液体吐出素子及び第２配線構造を有する第２基板を形成する第２形成工程と、
前記第１形成工程及び前記第２形成工程の後に、前記半導体素子と前記液体吐出素子とが電気的に接続されるように前記第１配線構造と前記第２配線構造とを接合することを指示する指示工程と、
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項１７】
液体吐出ヘッド用基板であって、
半導体素子が形成された基材と、
前記基材の上に位置する配線構造と、
前記配線構造の上に位置する液体吐出素子と、
前記液体吐出素子の上に位置する保護膜と、
を備え、
前記保護膜のうち前記液体吐出素子の側の面が平坦であることを特徴とする液体吐出ヘッド用基板。
【請求項１８】
前記配線構造は、絶縁部材と絶縁部材との第１接合面、および、導電部材と導電部材との第２接合面を含み、
前記第１接合面と前記第２接合面は同一面上に位置することを特徴とする請求項１７に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項１９】
液体吐出ヘッド用基板であって、
半導体素子が形成された基材と、
前記基材の上に位置する第１配線構造と、
前記第１配線構造の上に位置する第２配線構造と、
前記第２配線構造の上に位置する液体吐出素子と、
前記液体吐出素子の上に位置する保護膜と、
を備え、
前記第１配線構造の第１面と前記第２配線構造の第２面とは互いに接触しており、
前記第１配線構造の前記第１面は、第１導電部と、第１絶縁部と、第２絶縁部とを含み、前記第１導電部は、前記第１絶縁部と前記第２絶縁部との間に位置し、
前記第２配線構造の前記第２面は、第２導電部と、第３絶縁部と、第４絶縁部とを含み、前記第２導電部は、前記第３絶縁部と前記第４絶縁部との間に位置し、
前記第１導電部と前記第２導電部とは互いに接触しており、
前記第１絶縁部と前記第３絶縁部とは互いに接触しており、
前記第２絶縁部と前記第４絶縁部とは互いに接触していることを特徴とする液体吐出ヘッド用基板。
【請求項２０】
前記第２配線構造は、絶縁部材と、前記絶縁部材の内部にある複数層の導電部材とを含み、
前記複数層の導電部材のうち前記液体吐出素子に最も近い層にある導電部材は、前記液体吐出素子の直下にある導電部を含むことを特徴とする請求項１９に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項２１】
前記第２配線構造は、絶縁部材と、前記絶縁部材の内部にある複数層の導電部材とを含み、
前記複数層の導電部材のうち前記液体吐出素子に最も近い層にある導電部材は、前記液体吐出素子の直下にある導電部分を含まないことを特徴とする請求項１９に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項２２】
前記第２配線構造は、絶縁部材と、前記絶縁部材の内部にある複数層の導電部材と、前記絶縁部材の内部にあり前記液体吐出素子の温度を測定するための温度センサとを含み、
前記温度センサは、前記複数層の導電部材のうち前記液体吐出素子に最も近い層の導電部材よりも、前記液体吐出素子の近くに位置することを特徴とする請求項１９に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項２３】
前記温度センサは、前記基材の表面に直交する方向において前記液体吐出素子に重なることを特徴とする請求項２２に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項２４】
前記液体吐出素子と前記第２配線構造との間に別の保護膜を更に備えることを特徴とする請求項１９乃至２３の何れか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項２５】
前記液体吐出素子は発熱抵抗素子であることを特徴とする請求項１７乃至２４の何れか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板。
【請求項２６】
請求項１７乃至２５の何れか１項に記載の液体吐出ヘッド用基板と、前記液体吐出ヘッド用基板によって液体の吐出が制御される吐出口と、を備えることを特徴とする液体吐出ヘッド。
【請求項２７】
請求項２６に記載の液体吐出ヘッドと、前記液体吐出ヘッドに液体を吐出させるための駆動信号を供給する供給手段と、を有することを特徴とする液体吐出装置。