【手続補正書】
【提出日】令和3年10月22日(2021.10.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
銅部材の少なくとも一部の表面の上に銅酸化物を含む層が形成された複合銅部材であって、
前記銅部材の少なくとも一部の表面のＲｚが、０．２０μｍ以上０.７０μｍ以下であり、
前記複合銅部材の少なくとも一部の表面のＲａが０．０１μｍ以上０．１０μｍ以下であり、
前記複合銅箔の走査電子顕微鏡による断面の撮影像において、銅酸化物を含む層が形成された面に平行な方向で測ったときの３．８μｍあたり、長さ５０ｎｍ以上１５００ｎｍ以下の凸部が２０個以上存在する、
複合銅部材。
【請求項２】
前記複合銅部材が、銅箔または銅配線である、請求項１に記載の複合銅部材。
【請求項３】
前記銅酸化物を含む層の内部に、
水溶性の銅の腐食抑制剤、
前記銅の腐食抑制剤と、銅原子、銅イオン、水酸化銅もしくは酸化銅との結合体分子、
または銅の腐食抑制剤に含まれる原子
が含まれる、請求項１または２に記載の複合銅部材。
【請求項４】
前記銅の腐食抑制剤が、銅原子、銅イオン、水酸化銅又は酸化銅と結合する、-ＯＨ基、エーテル基（−Ｏ−）、又はＮ原子を有する、請求項３に記載の複合銅部材。
【請求項５】
前記銅の腐食抑制剤が、シラノール基、エポキシ基、グリシジル基、トリゾール環又はチアゾール環を有する、請求項３に記載の複合銅部材。
【請求項６】
前記銅の腐食抑制剤が、無機系インヒビター又は有機系インヒビターである、請求項３に記載の複合銅部材。
【請求項７】
前記有機系インヒビターが、ポリエポキシエーテル；ポリグリシジルエーテル；水溶性シランカップリング剤；並びにキノリン、アミン、アミド、テトラゾール及びそれらの塩からなる群から選択される、請求項６に記載の複合銅部材。
【請求項８】
前記ポリグリシジルエーテルが、グリセロールポリグリシジルエーテル、トリメチロルプロパンポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトルポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、及びそれらの塩からなる群から選択される、請求項７に記載の複合銅部材。
【請求項９】
前記水溶性シランカップリング剤はビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、イソシアヌレート基、ウレイド基、メルカプト基、又はコハク酸無水物官能基を有する、請求項７に記載の複合銅部材。
【請求項１０】
前記水溶性シランカップリング剤が、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン；
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン；
ｐ−スチリルトリメトキシシラン；
３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン；
３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン；
Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン；
トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート；
３−ウレイドプロピルトリアルコキシシラン；
３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン；
３−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物；
それらの加水分解物；及び
それらの塩；
からなる群から選択される、請求項７または９に記載の複合銅部材。
【請求項１１】
前記無機系インヒビターが、ポリリン酸塩、ホスホン酸塩、オルトリン酸塩、ケイ酸塩、メタケイ酸塩、クロム酸塩、亜硝酸塩、モリブテン酸塩及び鉄又は鉄イオンからなる群から選択される請求項６に記載の複合銅部材。
【請求項１２】
前記ケイ酸塩及び前記メタケイ酸塩が、珪酸ナトリウムである、請求項１１に記載の複合銅部材。
【請求項１３】
前記有機系インヒビターが、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びその誘導体；ジオカルパミン酸及びその誘導体；チオ尿素、チオアセトアミド、チオセミカルバミド、チオフェノール、Ｐ−チオクレゾール、チオベンゾイン酸、ωメルカプトカルボン酸誘導体（ＲＳ（ＣＨ２）ｎＣＯＯＨ（式中、ｎ＝１又は２；ＲはＣ１〜５のアルキル基））を含む硫黄化合物；６置換１，３，５−トリアジン２，４−ジチオール（Ｒ−ＴＤＴ）；及びそれらの塩からなる群から選択される、請求項６に記載の複合銅部材。
【請求項１４】
前記ベンゾトリアゾールの誘導体が、トルトライアゾール（ＴＴＡ）；２−メルカプトベンゾチアゾール（ＭＢＴ）；２，５−ジメルカプトチアゾール（ＤＭＴＤＡ）；ベンズイミダゾール（ＢＩＡ）；ベンズイミダゾールチオール（ＢＩＴ）；ベンズオキサゾールチオール（ＢＯＴ）；メチルベンゾチアゾール及びインドールの混合物；メルカプトチアゾリン；２，２’−［［（メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル］イミノ］ビスエタノール（ＴＴ−ＬＹＫ）；及びそれらの塩からなる群から選択される、請求項１３に記載の複合銅部材。
【請求項１５】
前記銅酸化物を含む層の表面のＲａが０．０４μｍ以上である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の複合銅部材。
【請求項１６】
前記銅酸化物を含む層の表面のＲｚが０．２５μｍ以上である、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の複合銅部材。
【請求項１７】
前記銅酸化物を含む層の表面のＲＳｍが２００ｎｍ以上１２００ｎｍ以下である、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の複合銅部材。
【請求項１８】
前記銅酸化物を含む層の表面の、２０ＧＨｚの交流電流に対する比導電率が標準銅板（比導電率５．８×１０７Ｓ／ｍの無酸素銅板）の９５％以上である、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の複合銅部材。
【請求項１９】
前記銅酸化物を含む層を除去した後の銅部材表面の、２０ＧＨｚの交流電流に対する比導電率が標準銅板（比導電率５．８×１０７Ｓ／ｍの無酸素銅板）の９５％以上である、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の複合銅部材。
【請求項２０】
消しゴム（Ａ．Ｗ．ＦＡＢＥＲ−ＣＡＳＴＥＬＬ社製、Ｎ６−Ｗ８２５Ｒ）に、１００ｇの荷重をかけ、摺動速度６５ｍｍ／ｓｅｃ、摺動距離２５．４ｍｍで、前記銅酸化物を含む層の上を３回摺動させたとき、摺動させた部分の表面について、摺動させる前の前記部分の表面と摺動させた後の前記部分の表面の色差（ΔＥ＊ａｂ）が５０以下である、請求項１〜１９のいずれか一項に記載の複合銅部材。
【請求項２１】
前記銅酸化物を含む層の表面の任意の５点における明度Ｌ＊の値の標準偏差が、５以下である、請求項１〜２０のいずれか一項に記載の複合銅部材。
【請求項２２】
請求項１に記載の複合銅部材の製造方法であって、
水溶性の銅の腐食抑制剤を含有する、ｐＨが１１．５〜１４の酸化剤水溶液で酸化処理することにより前記銅酸化物を含む層を形成する工程
を含む、複合銅部材の製造方法。
【請求項２３】
前記酸化剤水溶液で酸化処理する工程の前に行われる、ｐＨ９以上のアルカリ溶液で処理する工程を含む、請求項２２に記載の製造方法。
【請求項２４】
前記銅の腐食抑制剤が、前記酸化剤水溶液中で、銅原子、銅イオン、水酸化銅又は酸化銅と結合する、-ＯＨ基、エーテル基（−Ｏ−）、又はＮ原子を有する化合物として存在する、請求項２２又は２３に記載の製造方法。
【請求項２５】
前記銅の腐食抑制剤が、前記酸化剤水溶液中で、シラノール基、エポキシ基、グリシジル基、トリゾール環又はチアゾール環を有する化合物として存在する、請求項２２又は２３に記載の製造方法。
【請求項２６】
前記銅の腐食抑制剤が、無機系インヒビター又は有機系インヒビターである、請求項２２又は２３に記載の製造方法。
【請求項２７】
前記有機系インヒビターが、ポリエポキシエーテル；ポリグリシジルエーテル；水溶性シランカップリング剤；並びにキノリン、アミン、アミド、テトラゾール及びそれらの塩からなる群から選択される、請求項２６に記載の製造方法。
【請求項２８】
前記ポリグリシジルエーテルが、グリセロールポリグリシジルエーテル、トリメチロルプロパンポリグリシジルエーテル、ペンタエリスリトルポリグリシジルエーテル、ポリグリセロールポリグリシジルエーテル、ソルビトールポリグリシジルエーテル、及びそれらの塩からなる群から選択される、請求項２７に記載の製造方法。
【請求項２９】
前記水溶性シランカップリング剤はビニル基、エポキシ基、スチリル基、メタクリル基、アクリル基、アミノ基、イソシアヌレート基、ウレイド基、メルカプト基、又はコハク酸無水物官能基を有する、請求項２７に記載の製造方法。
【請求項３０】
前記水溶性シランカップリング剤が、
ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリメトキシシラン；
３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−（３，４−エポキシシクロヘキシル）エチルトリメトキシシラン；
ｐ−スチリルトリメトキシシラン；
３−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン；
３−アクリロキシプロピルトリメトキシシラン；
Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−２−（アミノエチル）−３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−アミノプロピルトリメトキシシラン、３−アミノプロピルトリエトキシシラン、３−トリエトキシシリル−Ｎ−（１，３−ジメチル−ブチリデン）プロピルアミン、Ｎ−フェニル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−（ビニルベンジル）−２−アミノエチル−３−アミノプロピルトリメトキシシラン；
トリス−（トリメトキシシリルプロピル）イソシアヌレート；      
３−ウレイドプロピルトリアルコキシシラン；
３−メルカプトプロピルメチルジメトキシシラン、３−メルカプトプロピルトリメトキシシラン；
３−トリメトキシシリルプロピルコハク酸無水物；
それらの加水分解物；及び
それらの塩；
からなる群から選択される、請求項２７又は２９に記載の製造方法。
【請求項３１】
前記無機系インヒビターが、ポリリン酸塩、ホスホン酸塩、オルトリン酸塩、ケイ酸塩、メタケイ酸塩、クロム酸塩、亜硝酸塩、モリブテン酸塩及び鉄又は鉄イオンからなる群から選択される請求項２６に記載の製造方法。
【請求項３２】
前記ケイ酸塩及び前記メタケイ酸塩が、珪酸ナトリウムである、請求項３１に記載の製造方法。
【請求項３３】
前記有機系インヒビターが、ベンゾトリアゾール（ＢＴＡ）及びその誘導体；ジオカルパミン酸及びその誘導体；チオ尿素、チオアセトアミド、チオセミカルバミド、チオフェノール、Ｐ−チオクレゾール、チオベンゾイン酸、ωメルカプトカルボン酸誘導体（ＲＳ（ＣＨ２）ｎＣＯＯＨ（式中、ｎ＝１又は２；ＲはＣ１〜５のアルキル基））を含む硫黄化合物；６置換１，３，５−トリアジン２，４−ジチオール（Ｒ−ＴＤＴ）；及びそれらの塩からなる群から選択される、請求項２６に記載の製造方法。
【請求項３４】
前記ベンゾトリアゾールの誘導体が、トルトライアゾール（ＴＴＡ）；２−メルカプトベンゾチアゾール（ＭＢＴ）；２，５−ジメルカプトチアゾール（ＤＭＴＤＡ）；ベンズイミダゾール（ＢＩＡ）；ベンズイミダゾールチオール（ＢＩＴ）；ベンズオキサゾールチオール（ＢＯＴ）；メチルベンゾチアゾール及びインドールの混合物；メルカプトチアゾリン；２，２’−［［（メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル］イミノ］ビスエタノール（ＴＴ−ＬＹＫ）；及びそれらの塩からなる群から選択される、請求項３３に記載の製造方法。