【手続補正書】
【提出日】令和3年9月9日(2021.9.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体ウエハの形状データを取得するステップであって、前記形状データは前記半導体ウエハの全体的歪みを表す、ステップと、
取得された前記形状データに基づいて、前記半導体ウエハの離散化された複数のピクセルのそれぞれの局所的歪みを特定するステップと、
前記複数のピクセルの各々の特定された局所的歪みを生成し、かつ前記半導体ウエハの前記全体的歪みに寄与する、各ピクセルにおける１つ以上の力を推定するステップと、
前記離散化された複数のピクセルのそれぞれについて、各ピクセルについて推定された前記力を使用して、背面層の改善パターンを生成するステップであって、前記改善パターンは、前記半導体ウエハの背面の対応する離散化されたピクセルに適用されるときに、前記半導体ウエハの全体的歪みを改善する、ステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記半導体ウエハの前記背面に前記背面層を適用するステップであって、前記背面層は生成された前記改善パターンにしたがってパターン化されている、ステップをさらに含む、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記改善パターンを生成するステップは、
前記改善パターンを保存するステップと、
前記改善パターンの画像を保存するステップ、又は、
生成された前記改善パターンを使用して、前記半導体ウエハの前記背面に前記背面層を適用するようにツールに指示する命令を生成するステップ、又は、
前記半導体ウエハに適用される前記背面層に対する前記改善パターンの寸法を特定するステップ、又は、
前記半導体ウエハの前記背面に適用されるべき前記背面層の寸法及び／又は組成を特定するステップと、を含む
請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記全体的歪みは、前記半導体ウエハの実質的部分にわたって現れるウエハの歪みを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項５】
前記局所的歪みは、前記半導体ウエハの非実質的部分の上に現れる歪みを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項６】
前記全体的歪み及び／又は前記局所的歪みは、面外歪み及び／又は面内歪みを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記半導体ウエハの前面上の１つ以上のパターンのオーバレイ誤差への、前記改善パターンの影響を特定するステップであって、前記前面は、前記半導体ウエハの前記背面の反対側にある、ステップと、
前記半導体ウエハの製造プロセスで使用される他のツールへ、前記改善パターンの前記影響をフィードフォワードするステップと、を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項８】
前記局所的歪みを特定するステップは、
前記半導体ウエハ上に前記複数の離散化されたピクセルをマッピングするステップであって、各複数の離散化されたピクセルは前記半導体ウエハの１つの領域にマッピングされている、ステップと、
前記複数の離散化されたピクセルのそれぞれについて、そのピクセルについての歪みの振幅を表す局所的歪みの値を計算するステップと、を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項９】
前記各ピクセルにおける１つ以上の力を推定するステップは、
ピクセル上の力であって、そのピクセルの局所的歪みを再現し、全体的歪みに寄与する力をモデリングするステップと、
各ピクセルについて一つ以上の力の最適値が見つかるまで、力を変化させながら前記モデリングを繰り返し行うステップと、
前記一つ以上の力の最適化された値をそのピクセルに割り当てるステップと、を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項１０】
前記改善パターンを生成するステップは、
各ピクセルに対して起こり得る歪みの範囲を取得するステップと、
取得された前記範囲内の歪みを考慮して改善パターンを制限するステップと、を含む、
請求項１記載の方法。
【請求項１１】
生成された前記改善パターンが、前記半導体ウエハの背面の対応する離散化されたピクセルに適用される場合、
前記改善パターンは前記半導体ウエハの前記局所的歪みを改善する、ステップを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項１２】
前記改善パターンを生成するステップは、
生成された前記改善パターンに基づいてカバレッジレイアウトを生成するステップであって、カバレッジレイアウトの各ピクセルはカバレッジライブラリ内のデジタルパターンに基づく、ステップを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項１３】
実行時にコンピュータ装置のプロセッサに請求項１に記載の方法を実行させる命令を含む、プログラム。
【請求項１４】
半導体ウエハの形状データを取得するウエハ形状測定部であって、前記形状データは前記半導体ウエハの全体的歪みを表す、ウエハ形状測定部と、
少なくとも部分的に取得された前記形状データに基づいて、前記半導体ウエハの複数の離散化されたピクセルの各々の局所的歪みを特定するためのウエハシミュレータと、
前記複数のピクセルの各々の特定された局所的歪みを生成し、かつ前記半導体ウエハの前記全体的歪みに寄与する、各ピクセルにおける１つ以上の力を推定するための応力推定部と、
前記離散化された複数のピクセルのそれぞれについて、各ピクセルについて推定された前記力を使用して、半導体ウエハの背面の対応する離散化されたピクセルに適用されるときに、前記半導体ウエハの全体的歪みを改善する背面層の改善パターンを生成するための背面パターン生成部と、
を有するシステム。
【請求項１５】
前記半導体ウエハの前記背面に前記背面層を適用する背面パターン構成要素をさらに有し、前記背面層は生成された前記改善パターンにしたがってパターン化されている、
請求項１４記載のシステム。
【請求項１６】
前記背面パターン生成部による前記生成は、
改善パターンの保存と、
前記改善パターンの画像の保存、又は、
生成された前記改善パターンを使用して、前記半導体ウエハの前記背面に前記背面層を適用するようにツールに指示する命令の生成、又は、
前記半導体ウエハに適用される背面層のための改善パターンの寸法の特定、又は、
前記半導体ウエハの前記背面に適用されるべき前記背面層の寸法及び／又は組成の特定と、を含む、
請求項１４記載のシステム。
【請求項１７】
前記局所的歪みの特定は、
前記半導体ウエハ上への前記複数の離散化されたピクセルのマップを生成し、各複数の離散化されたピクセルは前記半導体ウエハの１つの領域にマッピングされていることと、
前記複数の離散化されたピクセルの各々について、そのピクセルについての歪みの振幅を表す局所的歪みの値を計算することと、を含む、
請求項１４記載のシステム。
【請求項１８】
半導体ウエハの形状データを取得するステップであって、前記形状データは前記半導体ウエハの全体的歪みを表す、ステップと、
前記半導体ウエハの等二軸ウエハ応力を計算するステップであって、前記計算は取得された前記形状データに基づいて行われる、ステップと、
前記半導体ウエハの初期カスタムパラメータを取得するステップと、
計算された前記等二軸ウエハ応力及び取得された前記初期カスタムパラメータのうちの少なくとも一部に基づいてウエハ歪みを計算するステップと、
取得された前記形状データと計算されたウエハ形状との間の差異として、残差ウエハ形状を特定するステップと、
残差ウエハ形状又はウエハ歪み又はこれらの両方を低減するために、カスタムパラメータを更新するステップと、
異なるカスタムパラメータで、ウエハ形状の計算と残差ウエハ形状の特定とを繰り返すことにより、プレート理論方程式の解を最適化するステップと、
前記解に少なくとも部分的に基づいて、改善パターンを生成するステップであって、前記改善パターンは前記半導体ウエハの歪みを改善することができ、前記半導体ウエハの背面に適用されたときに、前記半導体ウエハの歪みを改善する、ステップと、
を含む、方法。
【請求項１９】
前記カスタムパラメータは、背面層の数、膜特性、カバレッジ境界及びピクセルサイズからなる群から選択される、
請求項１８記載の方法。
【請求項２０】
前記解の最適化は、少なくとも部分的に、所定の範囲内に収まる前記半導体ウエハの１つ以上の測定基準に基づいている、
請求項１８記載の方法。