(57)【要約】      （修正有）【課題】誘電損失が低く、Ｑ値が向上したインダクタ及びインダクタの製造方法を提供する。【解決手段】インダクタは、絶縁性基板２０と、絶縁性基板２０上に積層方向に直列接続されて一つのコイルをなしている複数の導体５０，５１が複数の絶縁体と交互に複数積している積層体で構成されるチップ本体と、前記チップ本体の両側端面に各々付設され、一側が一つのコイルの一端に接続され、他側が一つのコイルの他端に接続される一対の外部接続電極８０，８１と、を備え、ここで、絶縁性基板２０が、式１で表示される液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成されるものである。2014009357.tif 000021【選択図】図１Ｇ
2014009357.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁性基板と、前記基板上に導体パターンと絶縁層とが交代に複数積層されており、複数の導体パターン同士がその積層方向に直列接続されている一つのコイルを有する積層体で構成されるチップ本体と、
前記チップ本体の両側端面に各々付設され、一側が一つのコイルの一端に接続され、他側が一つのコイルの他端に接続される一対の外部接続電極と、を備え、
ここで、前記絶縁性基板が下記式１で表示される、液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成されるインダクタ。
【化１】
2014009357.tif 000014
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【請求項２】
前記絶縁層は、下記式１の液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成されることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【化２】
2014009357.tif 000015
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【請求項３】
前記液晶オリゴマーの数平均分子量は２，５００〜６，５００であり、前記液晶オリゴマー内のアミドのモル比は１２〜３０モル％であることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項４】
前記絶縁性樹脂組成物は、前記液晶オリゴマー（Ａ）１０〜３０重量％、エポキシ樹脂（Ｂ）５〜２０重量％、硬化剤（Ｃ）０．０５〜０．２重量％、及び無機充填剤（Ｄ）５０〜８０重量％を含むことを特徴とする請求項１または２に記載のインダクタ。
【請求項５】
前記エポキシ樹脂（Ｂ）は、下記式２で表示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【化３】
2014009357.tif 000016
【請求項６】
前記硬化剤（Ｃ）は、ジシアンアミドであることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項７】
前記無機充填剤（Ｄ）は、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、泥、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、及びジルコン酸カルシウムから一つ以上選択されることを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項８】
前記絶縁性樹脂組成物は、硬化促進剤（Ｅ）、レベリング剤、及び難燃剤で構成される群から一つ以上の成分をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載のインダクタ。
【請求項９】
下記式１で表示される、液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成される絶縁性基板を提供する段階と、
前記絶縁性基板の両面に銅ホイルを形成させて前記基板を硬化させる段階と、
前記絶縁性基板の一側面の銅ホイルを除去する段階と、
前記絶縁性基板の他側面の銅ホイルにフォトレジスト層を形成した後、第１導体パターン形状に露光及び現像した後、これを電解メッキし、残っているフォトレジスト層と銅ホイルを除去して第１導体パターンを形成させる段階と、
前記第１導体パターンに第１絶縁層を形成させた後、ビアホールを形成させる段階と、
前記第１絶縁層で形成されたビアホールを介して電気的に連結されるシード層を形成させる段階と、
前記シード層にフォトレジスト層を形成した後、第２導体パターン形状に露光及び現像した後、これを電解メッキし、残っているフォトレジスト層と銅ホイルを除去して第２導体パターンを形成させる段階と、
前記第２導体パターン上に第２絶縁層を形成させてチップ本体を製造する段階と、
前記チップ本体の両側端面に各々付設され、一側が一つのコイルの一端に接続され、他側が一つのコイルの他端に接続される一対の外部接続電極を備えさせる段階と、を含むインダクタの製造方法。
【化４】
2014009357.tif 000017
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【請求項１０】
下記式１で表示される、液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成される絶縁性基板を提供する段階と、
前記絶縁性基板の両面に銅ホイルを形成させて前記基板を硬化させる段階と、
前記絶縁性基板の両側面の銅ホイルを除去する段階と、
前記絶縁性基板の一側面に第１シード層を形成させる段階と、
前記第１シード層にフォトレジスト層を形成した後、第１導体パターン形状に露光及び現像した後、これを電解メッキし、残っているフォトレジスト層と銅ホイルを除去して第１導体パターンを形成させる段階と、
前記第１導体パターンに第１絶縁層を形成させた後、ビアホールを形成させる段階と、
前記第１絶縁層で形成されたビアホールを介して電気的に連結される第２シード層を形成させる段階と、
前記第２シード層にフォトレジスト層を形成した後、第２導体パターン形状に露光及び現像した後、これを電解メッキし、残っているフォトレジスト層と銅ホイルを除去して第２導体パターンを形成させる段階と、
前記第２導体パターン上に第２絶縁層を形成させてチップ本体を製造する段階と、
前記チップ本体の両側端面に各々付設され、一側が一つのコイルの一端に接続され、他側が一つのコイルの他端に接続される一対の外部接続電極を備えさせる段階と、を含むインダクタの製造方法。
【化５】
2014009357.tif 000018
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【請求項１１】
前記絶縁層は、下記式１の液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成されることを特徴とする請求項９または１０に記載のインダクタの製造方法。
【化６】
2014009357.tif 000019
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【請求項１２】
前記液晶オリゴマーの数平均分子量は２，５００〜６，５００であり、前記液晶オリゴマー内のアミドのモル比は１２〜３０モル％であることを特徴とする請求項９または１０に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１３】
前記絶縁性樹脂組成物は、前記液晶オリゴマー（Ａ）１０〜３０重量％、エポキシ樹脂（Ｂ）５〜２０重量％、硬化剤（Ｃ）０．０５〜０．２重量％、及び無機充填剤（Ｄ）５０〜８０重量％を含むことを特徴とする請求項９または１０に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１４】
前記エポキシ樹脂（Ｂ）は、下記式２で表示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂であることを特徴とする請求項９または１０に記載のインダクタの製造方法。
【化７】
2014009357.tif 000020
【請求項１５】
前記絶縁性樹脂組成物は、前記液晶オリゴマー（Ａ）１０〜３０重量％、エポキシ樹脂（Ｂ）５〜２０重量％、硬化剤（Ｃ）０．０５〜０．２重量％、及び無機充填剤（Ｄ）５０〜８０重量％を含むことを特徴とする請求項１１に記載のインダクタの製造方法。
【請求項１６】
前記絶縁性基板は、ガラス繊維を絶縁性エポキシ樹脂組成物に含浸させて形成されることを特徴とする請求項９または１０に記載のインダクタの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダクタ及びインダクタの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
モバイル機器の小型化と複雑機能化が進行されるにつれて、電子部品の超小型化要求が増大されており、それによる電子材料の電気的、熱的、機械的特性は重要な要素として作用している。インダクタは、抵抗、キャパシタと共に、電子回路を構成する重要な受動素子のうち一つであり、ノイズ（ｎｏｉｓｅ）を除去したり、ＬＣ共振回路を構成する部品として使われる。
【０００３】
従来技術では、高い誘電率、インダクタンスなど電気的特性、低熱膨張率、高い強度などの特性のため、セラミック材料を使用してインダクタなどの部品を製造したが、印刷工程での電極滲みと積層、圧着時に、アラインメントねじれや電極押され等により、コイルの変形が発生しやすく、焼成時には、収縮変形により、コイル形状の変形が激しくなる問題が発生した。このため、高周波領域でのインダクタンス精密度低下、低いＱ特性のため、小型化、高周波化に対応するのが難しくなった。
【０００４】
一方、特許文献１では、コイル全体のインダクタンスをより大きくするために、導体パターンと絶縁層を一層多層化して、所望の高インダクタンス値を得た。ただし、このような多層化は、積層体の全体的な厚さが大きくなり、焼成工程で収縮変形等のため、良好なＱ特性を実現することができないという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】韓国公開特許第２００６−０００９３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明では、既存セラミック材料と類似する熱的、電気的、機械的特性を有しながら、電極形成に問題がなくコイルパターンを形成し、高周波領域でのＱ値を向上させることができる可用性液晶オリゴマー（Ｌｉｑｕｉｄ  Ｃｒｙｓｔｒａｌ  Ｏｌｉｇｏｍｅｒ；ＬＣＯ）をインダクタの絶縁層に適用し、各種モバイル機器及びＲＦモジュールなどの小型化、高周波化に対応することができることを見出し、本発明はこれに基づいて完成された。
【０００７】
従って、本発明の一つの目的は、誘電損失が低く、Ｑ値が向上したインダクタを提供することにある。
【０００８】
本発明の他の目的は、前記絶縁性基板を介して製造されて微細パターンの形成が可能であり、焼成工程が必要でなく、コイルの変形がほとんどないインダクタの製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記一つの目的を達成するための本発明によるインダクタは、絶縁性基板と、前記基板上に導体パターンと絶縁層とが交代に複数積層されており、複数の導体パターン同士がその積層方向に直列接続されている一つのコイルを有する積層体で構成されるチップ本体と、前記チップ本体の両側端面に各々付設され、一側が一つのコイルの一端に接続され、他側が一つのコイルの他端に接続される一対の外部接続電極と、を備えるインダクタであって、ここで、前記絶縁性基板が下記式１で表示される、液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成される。
【００１０】
【化１】
2014009357.tif 000003
【００１１】
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【００１２】
本発明のインダクタにおいて、前記絶縁層は、下記式１の液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成されることを特徴とする。
【００１３】
【化２】
2014009357.tif 000004
【００１４】
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【００１５】
本発明のインダクタにおいて、前記液晶オリゴマーの数平均分子量は２，５００〜６，５００であり、前記液晶オリゴマー内のアミドのモル比は１２〜３０モル％であることを特徴とする。
【００１６】
本発明のインダクタにおいて、前記絶縁性樹脂組成物は、前記液晶オリゴマー（Ａ）１０〜３０重量％、エポキシ樹脂（Ｂ）５〜２０重量％、硬化剤（Ｃ）０．０５〜０．２重量％、及び無機充填剤（Ｄ）５０〜８０重量％を含むことを特徴とする。
【００１７】
本発明のインダクタにおいて、前記エポキシ樹脂（Ｂ）は、下記式２で表示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂であることを特徴とする。
【００１８】
【化３】
2014009357.tif 000005
【００１９】
本発明のインダクタにおいて、前記硬化剤（Ｃ）は、ジシアンアミドであることを特徴とする。
【００２０】
本発明のインダクタにおいて、前記無機充填剤（Ｄ）は、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、泥、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、及びジルコン酸カルシウムから一つ以上選択されることを特徴とする。
【００２１】
本発明のインダクタにおいて、前記絶縁性樹脂組成物は、硬化促進剤（Ｅ）、レベリング剤、及び難燃剤で構成される群から一つ以上の成分をさらに含むことを特徴とする。
【００２２】
本発明の他の目的を達成するためのインダクタの製造方法（以下、“第１方法”という）は、下記式１で表示される、液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成される絶縁性基板を提供する段階と、前記絶縁性基板の両面に銅ホイルを形成させて前記基板を硬化させる段階と、前記絶縁性基板の一側面の銅ホイルを除去する段階と、前記絶縁性基板の他側面の銅ホイルにフォトレジスト層を形成した後、第１導体パターン形状に露光及び現像した後、これを電解メッキし、残っているフォトレジスト層と銅ホイルを除去して第１導体パターンを形成させる段階と、前記第１導体パターンに第１絶縁層を形成させた後、ビアホールを形成させる段階と、前記第１絶縁層に形成されたビアホールを介して電気的に連結されるシード層（ＳＥＥＤ  ＬＡＹＥＲ）を形成させる段階と、前記シード層にフォトレジスト層を形成した後、第２導体パターン形状に露光及び現像した後、これを電解メッキし、残っているフォトレジスト層と銅ホイルを除去して第２導体パターンを形成させる段階と、前記第２導体パターン上に第２絶縁層を形成させてチップ本体を製造する段階と、前記チップ本体の両側端面に各々付設され、一側が一つのコイルの一端に接続され、他側が一つのコイルの他端に接続される一対の外部接続電極を備えさせる段階と、を含む。
【００２３】
【化４】
2014009357.tif 000006
【００２４】
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【００２５】
本発明の他の目的を達成するためのインダクタの他の製造方法（以下、“第２方法”という）は、下記式１で表示される、液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成される絶縁性基板を提供する段階と、前記絶縁性基板の両面に銅ホイルを形成させて前記基板を硬化させる段階と、前記絶縁性基板の両側面の銅ホイルを除去する段階と、前記絶縁性基板の一側面に第１シード層を形成させる段階と、前記第１シード層にフォトレジスト層を形成した後、第１導体パターン形状に露光及び現像した後、これを電解メッキし、残っているフォトレジスト層と銅ホイルを除去して第１導体パターンを形成させる段階と、前記第１導体パターンに第１絶縁層を形成させた後、ビアホールを形成させる段階と、前記第１絶縁層に形成されたビアホールを介して電気的に連結される第２シード層を形成させる段階と、前記第２シード層にフォトレジスト層を形成した後、第２導体パターン形状に露光及び現像した後、これを電解メッキし、残っているフォトレジスト層と銅ホイルを除去して第２導体パターンを形成させる段階と、前記第２導体パターン上に第２絶縁層を形成させてチップ本体を製造する段階と、前記チップ本体の両側端面に各々付設され、一側が一つのコイルの一端に接続され、他側が一つのコイルの他端に接続される一対の外部接続電極を備えさせる段階と、を含む。
【００２６】
【化５】
2014009357.tif 000007
【００２７】
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【００２８】
第１方法及び第２方法において、前記絶縁層は、下記式１の液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物で構成されることを特徴とする（以下、“第３方法”という）。
【００２９】
【化６】
2014009357.tif 000008
【００３０】
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【００３１】
第１方法及び第２方法において、前記液晶オリゴマーの数平均分子量は２，５００〜６，５００であり、前記液晶オリゴマー内のアミドのモル比は１２〜３０モル％であることを特徴とする。
【００３２】
第１方法及び第２方法において、前記絶縁性樹脂組成物は、前記液晶オリゴマー（Ａ）１０〜３０重量％、エポキシ樹脂（Ｂ）５〜２０重量％、硬化剤（Ｃ）０．０５〜０．２重量％、及び無機充填剤（Ｄ）５０〜８０重量％を含むことを特徴とする。
【００３３】
第１方法及び第２方法において、前記エポキシ樹脂（Ｂ）は、下記式２で表示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂であることを特徴とする。
【００３４】
【化７】
2014009357.tif 000009
【００３５】
第３方法において、前記絶縁性樹脂組成物は、前記液晶オリゴマー（Ａ）１０〜３０重量％、エポキシ樹脂（Ｂ）５〜２０重量％、硬化剤（Ｃ）０．０５〜０．２重量％、及び無機充填剤（Ｄ）５０〜８０重量％を含むことを特徴とする。
【００３６】
第１方法及び第２方法において、前記絶縁性基板は、ガラス繊維を絶縁性エポキシ樹脂組成物に含浸させて形成されることを特徴とする。
【発明の効果】
【００３７】
本発明によるインダクタは、ポリエステル系列の可用性液晶オリゴマー（ＬＣＯ）を含む絶縁性樹脂組成物を絶縁基板に使用して微細パターン（Ｆｉｎｅ  Ｐａｔｔｅｒｎ）のコイル形成が可能であり、印刷工程での電極滲みと積層、圧着時にアラインメントねじれや電極押され等によりコイルの変形が発生せず、焼成過程がなくて焼成時に収縮変形によりコイル形状の変形問題が発生しないため、浮遊容量を低めてＱ値向上を期待することができる。また、インダクタンス値の変動と散布を改善することができるため、少ない偏差のインダクタを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３８】
【図１Ａ】本発明によって一面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図１Ｂ】本発明によって一面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図１Ｃ】本発明によって一面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図１Ｄ】本発明によって一面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図１Ｅ】本発明によって一面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図１Ｆ】本発明によって一面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図１Ｇ】本発明によって一面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図２Ａ】本発明によって両面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図２Ｂ】本発明によって両面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図２Ｃ】本発明によって両面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図２Ｄ】本発明によって両面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図２Ｅ】本発明によって両面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図２Ｆ】本発明によって両面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図２Ｇ】本発明によって両面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【図２Ｈ】本発明によって両面に銅ホイルがエッチングされた絶縁性基板を利用してインダクタを製造する工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００３９】
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００４０】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００４１】
一般的に、インダクタは、絶縁性基板と、前記基板上に導体パターンと絶縁層とが交代に複数積層されており、複数の導体パターン同士がその積層方向に直列接続されている一つのコイルを有する積層体で構成されるチップ本体と、前記チップ本体の両側端面に各々付設され、一側が一つのコイルの一端に接続され、他側が一つのコイルの他端に接続される一対の外部接続電極と、を備える。
【００４２】
本発明では、インダクタの向上した誘電特性及びＱ値向上のために、前記絶縁性基板及び／または絶縁層を下記式１で表示される、液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、活性エステル硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性樹脂組成物で形成させる。
【００４３】
【化８】
2014009357.tif 000010
【００４４】
前記式１で、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、及びｅは、互いに同じ或いは異なる１〜１００の整数であり、４≦ａ＋ｃ＋ｄ＋ｅ≦１０３である。
【００４５】
前記式１で表示される液晶オリゴマーは、難燃性を付与する燐成分を含有しており、決定性のためにナフタレン（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅ）基を含んでいる。インダクタの絶縁性基板に使われる材料は、誘電損失が低いのが好ましく、従来絶縁性基板として使われたセラミック基板は、誘電損失値が０．０１以下の値を有するのに比べ、本発明の液晶オリゴマーは、誘電損失値が０．００５以下の値を有する。
【００４６】
このように、誘電損失が０．００５以下の値を有する液晶オリゴマーを含む絶縁性樹脂組成物を絶縁性基板に利用することによって、誘電正接及び誘電定数が低いと同時に、熱膨張係数が低く、微細パターンのコイル形成が可能であり、印刷工程での電極滲み及び積層、圧着工程でのアラインメントねじれ、電極押され等によるコイルの変形がなく、また、焼成過程が必要なく、焼成工程時に収縮変形によるコイル形状の変形がない。従って、Ｑ−値（Ｑ−ｆａｃｔｏｒ）が向上し、インダクタンス値の偏差が小さいインダクタを製造することができる。
【００４７】
本発明によると、前記液晶オリゴマーの数平均分子量は、２，５００〜６，５００ｇ／ｍｏｌが好ましく、３，５００〜５，０００ｇ／ｍｏｌがさらに好ましい。前記液晶オリゴマーの数平均分子量が２，５００ｇ／ｍｏｌ未満の場合、機械的物性が脆弱であるという問題点があり、６，５００ｇ／ｍｏｌ超過の場合、溶解度が低下するという問題点がある。
【００４８】
また、前記液晶オリゴマー分子内のアミドのモル比は、１２〜３０モル％が好ましく、さらに好ましくは、１５〜２５モル％である。前記液晶オリゴマー分子内のアミドのモル比が１２モル％未満の場合、溶解度が低下するという問題点があり、３０モル％超過の場合、吸湿性が増加する傾向がある。
【００４９】
前記液晶オリゴマー（Ａ）の使用量は、１０〜３０重量％が好ましく、１３〜２０重量％がさらに好ましい。前記使用量が１０重量％未満の場合、誘電正接及び誘電定数の向上が極めて少なく、３０重量％超過の場合、機械的物性が低下する傾向がある。
【００５０】
本発明による樹脂組成物は、乾燥後の樹脂組成物の取扱性を高めるために、エポキシ樹脂を含む。エポキシ樹脂は、特別に制限されないが、分子内にエポキシ基が１以上含まれていることを意味し、好ましくは、分子内にエポキシ基が２個以上、さらに好ましくは、エポキシ基が４個以上である。
【００５１】
本発明に使用可能なエポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アルキルフェノールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、アラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、フェノール類とフェノール性ヒドロキシル基を有する芳香族アルデヒドとの縮合物のエポキシ樹脂、ビフェニルアラルキル型エポキシ樹脂、フルオレン型エポキシ樹脂、キサンテン型エポキシ樹脂、トリグリシジルイソシアヌレート、ゴム変性型エポキシ樹脂、及びリン（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）系エポキシ樹脂などを挙げることができ、下記式２で表示されるエポキシ基が４であるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂が好ましい。本発明では、エポキシ樹脂を、１種または２種以上混合して使用することができる。
【００５２】
【化９】
2014009357.tif 000011
【００５３】
前記エポキシ樹脂（Ｂ）の使用量は、５〜２０重量％が好ましく、前記使用量が５重量％未満の場合、取扱性が劣り、２０重量％超過の場合、相対的に異なる成分の添加量が少なくなり、誘電正接、誘電定数、及び熱膨張係数の改善がほとんどない。
【００５４】
一方、本発明に使われる硬化剤（Ｃ）は、一般的に、エポキシ樹脂を熱硬化するために使用することができるものであれば、何でも使用が可能であり、特に限定されるものではない。具体的には、ジシアンアミドのようなアミド系硬化剤と、ポリアミン系硬化剤としてジエチレントリアミン、トリエチレンテトラアミン、Ｎ−アミノエチルピペラジン、ジアミノジメチルメタン、アジピン酸ジヒドラジド等と、酸無水物硬化剤としてピロメタル酸無水物、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメタル酸無水物、グリセロールトリストリメタル酸無水物、マレイン酸メチルシクロヘキセンテトラカルボン酸無水物等と、フェノールノボラック型硬化剤、ポリメルカプタン硬化剤としてトリオキサントリチレンメルカプタン等と、第３アミン化合物としてベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノールなどと、イミダゾール化合物として２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾールを挙げることができ、物性側面で、ジシアンアミドが好ましい。
【００５５】
前記硬化剤（Ｃ）の使用量は、０．０５〜０．２重量％が好ましく、０．０５重量％未満の場合、硬化速度が劣り、０．２重量％超過の場合、未反応硬化剤が存在して絶縁基板及び／または絶縁層の吸湿率が高まるため、電気的特性が劣る傾向がある。
【００５６】
本発明による樹脂組成物は、絶縁性樹脂の熱膨張係数（ＣＴＥ）を低めるため、無機充填剤を含む。前記無機充填剤（Ｄ）は、熱膨張係数を低めるものであり、樹脂組成物に対する含有比率は、樹脂組成物の用途などを考慮して要求される特性によって異なるが、樹脂組成物のうち５０〜８０重量％であることが好ましい。５０重量％未満の場合、誘電正接が低く熱膨張率が高まり、８０重量％超過の場合、接着強度が低下する傾向がある。より好ましくは、無機充填剤の含量が、全体樹脂組成物の固形分に対して、６０重量％以上である。
【００５７】
本発明に使われる無機充填剤の具体的な例としては、シリカ、アルミナ、硫酸バリウム、タルク、泥、雲母粉、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、酸化マグネシウム、窒化ホウ素、ホウ酸アルミニウム、チタン酸バリウム、チタン酸カルシウム、チタン酸マグネシウム、チタン酸ビスマス、酸化チタン、ジルコン酸バリウム、ジルコン酸カルシウムなどを単独にまたは２種以上組み合せて使用することができる。特に、低い誘電正接を有するシリカが好ましい。
【００５８】
また、無機充填剤は、平均粒径が５μｍを越える場合、導体層に回路パターンを形成する時に微細パターンを安定的に形成することが困難であるため、平均粒径が５μｍ以下のものが好ましい。また、無機充填剤は、耐湿性を向上させるために、シランカップリング剤などの表面処理剤で表面処理されていることが好ましい。より好ましくは、０．２〜２μｍの直径を有するシリカが好ましい。
【００５９】
また、本発明の樹脂組成物は、硬化促進剤（Ｅ）を含有させることによって、効率的に硬化させることができる。本発明で使われる硬化促進剤は、金属系硬化促進剤、イミダゾール系硬化促進剤、アミン系硬化促進剤などを挙げることができ、これらを１種または２種以上組合せて使用することができる。
【００６０】
金属系硬化促進剤としては、特に制限されないが、コバルト、銅、亜鉛、鉄、ニッケル、マンガン、スズなどの金属の有機金属錯体または有機金属塩を挙げることができる。有機金属錯体の具体的な例としては、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトネート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトネートなどの有機コバルト錯体、銅（ＩＩ）アセチルアセトネートなどの有機銅錯体、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトネートなどの有機亜鉛錯体、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトネートなどの有機鉄錯体、ニッケル（ＩＩ）アセチルアセトネートなどの有機ニッケル錯体、マンガン（ＩＩ）アセチルアセトネートなどの有機マンガン錯体などを挙げることができる。有機金属塩としては、オクチル酸亜鉛、オクチル酸スズ、ナフテン酸亜鉛、ナフテン酸コバルト、ステアリン酸スズ、ステアリン酸亜鉛などを挙げることができる。金属系硬化促進剤としては、硬化性、溶剤溶解性の側面で、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトネート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトネート、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトネート、ナフテン酸亜鉛、鉄（ＩＩＩ）アセチルアセトネートが好ましく、特に、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトネート、ナフテン酸亜鉛が好ましい。金属系硬化促進剤を、１種または２種以上組み合せて使用することができる。
【００６１】
イミダゾール系硬化促進剤としては、特に制限されないが、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテート、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテート、２，４−ジアミノ−６−［２′−メチルイミダゾリル−（１′）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２′−ウンデシルイミダゾリル−（１′）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２′−エチル−４′−メチルイミダゾリル−（１′）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２′−メチルイミダゾリル−（１′）］−エチル−ｓ−トリアジンイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５ヒドロキシメチルイミダゾール、２，３−ジヒドロキシ−１Ｈ−ピロロ［１，２−ａ］ベンズイミダゾール、１−ドデシル−２−メチル−３−ベンジルイミダゾリウムクロライド、２−メチルイミダゾリン、２−フェニルイミダゾリンなどのイミダゾール化合物及びイミダゾール化合物とエポキシ樹脂のアドクト体を挙げることができる。イミダゾール硬化促進剤を、１種または２種以上組み合せて使用することができる。
【００６２】
アミン系硬化促進剤としては、特に制限されないが、トリエチルアミン、トリブチルアミンなどのトリアルキルアミン、４−ジメチルアミノピリジン、ベンジルジメチルアミン、２，４，６−トリス（ジメチルアミノメチル）フェノール、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）−ウンデセン（以下、ＤＢＵという）などのアミン化合物などを挙げることができる。アミン系硬化促進剤を、１種または２種以上組み合せて使用することができる。
【００６３】
本発明の絶縁性樹脂組成物は、有機溶媒存在下で混合される。有機溶媒としては、本発明に使われる樹脂及びその他の添加剤の溶解性及び混和性を考慮し、２−メトキシエタノール、アセトン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、エチルアセテート、ブチルアセテート、セロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノブチルエーテルアセテート、セロソルブ、ブチルセロソルブ、カルビトール、ブチルカルビトール、キシレン、ジメチルホルムアミド、及びジメチルアセトアミドを使用することができるが、これに特に限定されるものではない。
【００６４】
また、本発明は、これに限定されず、本発明の技術的思想内で当分野の通常の知識を有する者により、必要によって公知されたその他のレベリング剤及び／または難燃剤などをさらに含むことができる。
【００６５】
一方、本発明によるインダクタの製造方法は、次の通りである。
【００６６】
前記式１で表示される、液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む絶縁性エポキシ樹脂組成物を絶縁材料として使用し、Ｃｕクラッド積層板（Ｃｌａｄ  Ｌａｍｉｎａｔｅ）方式の絶縁体でＣｕ片面または両面を除去した基板上にコイルパターンを形成し、層間相互連結（Ｉｎｔｅｒ  ｃｏｎｎｅｃｔｉｏｎ）のためにビアホール（Ｖｉａｈｏｌｅ）を加工して連結する。そして、外部電極に連結されるリード線は、導電性物質Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ、Ａｌ、またはＮｉなどの金属物質とこれらの合金材料を使用する。
【００６７】
一層にＣｕ層が形成された基板は、Ｃｕ層（約２μｍ）をシード層（Ｓｅｅｄ  ｌａｙｅｒ）として使用し、両面ともＣｕを除去した基板上には、薄膜でシード層を形成する。シード層上にフォトレジスト（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ；ＰＲ）コーティングし、Ｃｕ電解メッキして内部コイルパターン形成後、フォトレジストを除去し、ソフトエッチング（Ｓｏｆｔ  ｅｔｃｈｉｎｇ）をして、内部コイルを完成する。
【００６８】
その上に絶縁材を使用して絶縁層（Ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ層）を形成する。この過程を２回以上繰り返して内部コイルと絶縁層を形成した後、外部電極と連結して、本発明のインダクタを製造する。
【００６９】
図１Ａ〜Ｇ及び図２Ａ〜Ｈを参照して、より具体的に説明すると、まず、本発明による絶縁性エポキシ樹脂組成物を利用して絶縁性基板２０の両面に銅ホイル１０を形成させるが、これは、前記基板を硬化させる過程で、銅ホイル１０を介して、絶縁性基板２０の形状を維持するためのものである。また、前記絶縁性基板２０は、ガラス繊維３０を、前記式１で表示される、液晶オリゴマー（Ａ）、エポキシ樹脂（Ｂ）、硬化剤（Ｃ）、及び無機充填剤（Ｄ）を含む本発明の絶縁性エポキシ樹脂組成物に含浸させて製造することができる。
【００７０】
両面に銅ホイル１０が形成された絶縁性基板２０の一面または両面をエッチングして、一面または両面の銅ホイル１０を除去した。図１Ａ〜Ｇは、銅ホイル１０が一面に形成された場合であり、図２Ａ〜Ｈは、銅ホイル１０が全部除去された場合である。
【００７１】
その後、他面に銅ホイル１０が形成された絶縁性基板２０は、銅ホイル１０をシード層にし、両面をエッチングした絶縁性基板２０は、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｔｉまたはこれらの合金をスパッタリングなどの方法で、シード層７１、７２に形成する。シード層７０、７１、７２の形成前に、絶縁性基板２０と絶縁層６０の接着力向上のため、絶縁性基板２０及び絶縁層６０を、プラズマ処理を利用した乾式表面処理または化学的エッチングなどを利用した湿式表面処理を経て、絶縁性基板２０の表面に粗度を形成することができる。
【００７２】
その後、シード層７０、７１上にフォトレジスト層（Ｐｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ  ｌａｙｅｒ）４０を導体パターン形状に形成した後、露光及び現像した後、Ｃｕ電解メッキして導体パターンを形成する。その後、エッチングによりフォトレジストを除去し、前記銅ホイル１０をマイクロエッチングまたはソフトエッチングして、第１導体パターン５０を完成した。
【００７３】
第１導体パターン５０上に絶縁材を使用したパッシベーションにより、第１絶縁層６０を形成し、絶縁材は、本発明による絶縁性エポキシ樹脂組成物、或いはセラミックまたはその他の高分子材料などである。その後、前記第１導体パターン５０と、以後に形成される第２導体パターン５１との間の電気的連結のため、絶縁層６０に、ビアホールまたはスルーホール（Ｔｈｒｏｕｇｈ  Ｈｏｌｅ）（図示せず）を形成して、ビア電極を形成する。
【００７４】
ビアホールまたはスルーホールが形成された前記絶縁層６０に、スパッタリングなどの方法でシード層７０、７２を形成し、前記シード層上にフォトレジスト層（図示せず）を導体パターン形状に形成し、露光及び現像した後、Ｃｕ電解メッキして導体パターンを形成する。その後、エッチングによりフォトレジスト（図示せず）を除去し、前記シード層７０、７２をマイクロエッチングまたはソフトエッチングして、第２導体パターン５１を完成した。その後、第２導体パターン５１上に絶縁材を使用したパッシベーションにより、第２絶縁層６１を形成する。このように、前記絶縁性基板２０、第１導体パターン５０、第１絶縁層６０、第２導体パターン５１、第２絶縁層６１の両側面のうち一面を覆いかぶせる第１外部電極８０及び他面を覆いかぶせる第２外部電極８１を形成して、本発明のインダクタを製造することができる。
【００７５】
前述したように、本発明によるインダクタは、ポリエステル系列の可用性液晶オリゴマー（ＬＣＯ）を含む絶縁性樹脂組成物を絶縁基板に使用して微細パターン（Ｆｉｎｅ  Ｐａｔｔｅｒｎ）のコイル形成が可能であり、印刷工程での電極滲みと積層、圧着時にアラインメントねじれや電極押され等によりコイルの変形が発生せず、焼成過程がなくて焼成時に収縮変形によりコイル形状の変形問題が発生しないため、浮遊容量を低めて、Ｑ−値向上を期待することができる。また、インダクタンス値の変動と散布を改善することができるため、少ない偏差のインダクタを製造することができる。
【実施例】
【００７６】
以下、製造例及び実施例を参照して、本発明をより具体的に説明するが、下記例に本発明の範疇が限定されるものではない。
【００７７】
（製造例）
［液晶オリゴマーの製造］
反応器に、４−アミノフェノール（２．０ｍｏｌ）、イソフタル酸（２．５ｍｏｌ）、４−ヒドロキシ安息香酸（２．０ｍｏｌ）、６−ヒドロキシ−２−ナプトエ酸（１．５ｍｏｌ）、酢酸無水物（１５ｍｏｌ）を添加する。反応器の内部を窒素ガスで十分に置換した後、反応器内の温度を、窒素ガスの流れ下で、約２３０℃の温度に上昇させ、その温度で反応器の内部の温度を維持させながら、約４時間還流させる。その後、末端キャッピング用６−ヒドロキシ−２−ナプトエ酸（１．０ｍｏｌ）を追加に添加した後、反応副産物である酢酸と未反応酢酸無水物を除去し、下記式１で表示される液晶オリゴマーを製造した。
【００７８】
【化１０】
2014009357.tif 000012
【００７９】
（実施例１）
２−メトキシエタノール（２−Ｍｅｔｈｏｘｙ  Ｅｔｈａｎｏｌ）に、平均粒径０．２〜１μｍのサイズ分布を有するシリカを分散させ、７０重量％の濃度を有するシリカスラリーを製造した。以後、製造されたシリカスラリー（シリカ含量６０重量％）に、下記式２で表示されるビスフェノールＦ型エポキシ樹脂１５．８重量％を添加した後、常温で、攪拌器を用いて、３００ｒｐｍで攪拌して溶解させて混合物を製造した。
【００８０】
【化１１】
2014009357.tif 000013
【００８１】
以後、混合物に、ジシアンジアミド０．２重量％及びジメチルアセトアミド（Ｄｉｍｅｔｈｙｌａｃｅｔａｍｉｄｅ）に溶解させた前記製造例１で得た液晶オリゴマー２４重量％を添加した後、３００ｒｐｍで１時間追加に攪拌した。以後、２−エチル−４−メチルイミダゾール３ｇとレベリング剤（ＢＹＫ−３３７）を、全体混合物の１．５ＰＨＲ（Ｐａｒｔｓ  ｐｅｒ  Ｈｕｎｄｒｅｄ  ｐａｒｔｓ  ｏｆ  Ｒｅｓｉｎ）で添加した後、１時間間攪拌して、絶縁性エポキシ樹脂組成物を製造した。
【００８２】
このように得た絶縁性エポキシ樹脂組成物に、ガラス繊維を含浸させた後、これを銅ホイル（ｆｏｉｌ）上で、圧縮機で圧縮し、図１Ａのような絶縁性基板２０を製造し、硝酸を利用して、図１Ｂのように、一側、銅ホイル１０を除去した。図１Ｃのように、前記絶縁性基板２０の他側面の銅ホイル１０にフォトレジスト層４０を形成した後、第１導体パターン形状に露光及び現像した後、これを電解メッキし、残っているフォトレジスト層４０は、剥離液（ＤＰＳ−７３００）（３５〜５５％のジエチレングリコールモノメチルエーテル（Ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｇｌｙｃｏｌ  ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌ  ｅｔｈｅｒ）、４０〜６０％のモノメチルフォルムアミド（Ｍｏｎｏ  ｍｅｔｈｙｌ  ｆｏｒｍａｍｉｄｅ）、２〜７％のアミン（Ａｍｉｎｅ）、及びその他の添加剤が含まれる）を使用して除去し、露出された銅ホイル１０は、硫酸（Ｈ２ＳＯ４）でソフトエッチングして除去して、第１導体パターン５０を形成させた（図１Ｄ参照）。
【００８３】
前記第１導体パターン５０に、前記実施例１による絶縁性エポキシ樹脂組成物で、図１Ｅのように、第１絶縁層６０を形成させた後、レーザーでビアホールを形成した（図示せず）。その上に約２μｍの厚さを有するシード層（Ｃｕシード層）７０をスパッタリングにより形成した後、再び前記シード層７０にフォトレジスト層（図示せず）を形成し、第２導体パターン形状に露光及び現像した後、これを電解メッキし、残っているフォトレジスト層（図示せず）と銅ホイル（図示せず）を前述した方法により除去して、第２導体パターン５１を形成した（図１Ｆ参照）。
【００８４】
図１Ｇのように、前記第２導体パターン５１上に第２絶縁層６１を形成させてチップ本体を製造した後、前記チップ本体の両側端面に、一対の外部接続電極８０、８１を形成させて、本発明のインダクタを製造した。
【００８５】
前記インダクタの誘電損失及びＱ−値を測定し、その結果、誘電損失は、１Ｇｈｚで０．００５であり、Ｑ−値は、２．４ＧＨｚで２７．２である。前記誘電損失測定器具として、ＲＦインピーダンス物質分析器（ＲＦ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ａｎａｌｙｚｅｒ）は、Ｅ４９９１Ａ（Ａｇｉｌｅｎｔ社）１Ｍ〜３ＧＨｚ、固定具（Ｆｉｘｔｕｒｅ）は、誘電物質試験固定具（Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  ｔｅｓｔ  ｆｉｘｔｕｒｅ）１６４５３Ａを使用し、測定規格は、ＡＳＴＭ  Ｄ７０９−０１によって１８μｍＣｕ−ホイル間に、プリプレグ５〜１０枚（厚さ０．４〜１．０ｍｍ）を、Ｖ−ｐｒｅｓｓを利用して圧縮硬化後、ＳＰＬを製作した後、ＣＣＬ形態の試片を、３ｃｍ×３ｃｍ大きさにカッティングした。
【００８６】
その後、銅箔を除去し、厚さ測定値を記録した。誘電損失測定装備を利用して、試片を固定具（Ｆｉｘｔｕｒｅ）に差し込んだ後、厚さ測定値を入力し、１ＧＨｚでの誘電損失値を測定した。前記Ｑ−値の測定器具として、ＲＦインピーダンス物質分析器（ＲＦ  Ｉｍｐｅｄａｎｃｅ  Ｍａｔｅｒｉａｌ  Ａｎａｌｙｚｅｒ）は、Ｅ４９９１Ａ（Ａｇｉｌｅｎｔ社）１Ｍ〜３ＧＨｚ、固定具（Ｆｉｘｔｕｒｅ）は、１６１９７Ａを使用し、ＳＰＬ（試片０．８ｍｍ×０．６ｍｍ、厚さ０．４ｍｍ）固定具（Ｆｉｘｔｕｒｅ）に固定して、測定周波数（２．４ＧＨｚ）をセットアップ（ｓｅｔｕｐ）後に測定した。
【００８７】
従って、本発明のインダクタは、既存セラミック基板に比べて、優秀または同等な物性を有することを確認した。
【００８８】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野において、通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【００８９】
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【００９０】
本発明は、インダクタ及びインダクタの製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【００９１】
１０  銅ホイル
２０  絶縁性基板
３０  ガラス繊維
４０  フォトレジスト層
５０  第１導体パターン（導体パターン）
５１  第２導体パターン（導体パターン）
６０  第１絶縁層（絶縁層）
６１  第２絶縁層（絶縁層）
７０  シード層
７１  第１シード層（シード層）
７２  第２シード層（シード層）
８０  第１外部電極（外部接続電極）
８１  第２外部電極（外部接続電極）
【図１Ａ】
2014009357.tif 000022
【図１Ｂ】
2014009357.tif 000023
【図１Ｃ】
2014009357.tif 000024
【図１Ｄ】
2014009357.tif 000025
【図１Ｅ】
2014009357.tif 000026
【図１Ｆ】
2014009357.tif 000027
【図１Ｇ】
2014009357.tif 000028
【図２Ａ】
2014009357.tif 000029
【図２Ｂ】
2014009357.tif 000030
【図２Ｃ】
2014009357.tif 000031
【図２Ｄ】
2014009357.tif 000032
【図２Ｅ】
2014009357.tif 000033
【図２Ｆ】
2014009357.tif 000034
【図２Ｇ】
2014009357.tif 000035
【図２Ｈ】
2014009357.tif 000036