(57)【要約】【課題】大型化を防ぐと共に組み立てが容易な高周波信号発生器を提供すること。【解決手段】高周波信号を生成するための回路部品が搭載されると共に、当該高周波信号を前記出力端子に出力するための出力用電極が設けられた基板を、筐体内に電源と重なるように設ける。そして、芯線と、金属管と、金属管と芯線との間に前記芯線を囲むように設けられる絶縁体とからなるケーブルの一端側を筐体の外側の端子に接続し、前記ケーブルの他端側に第１のコネクタを設ける。前記基板には第１のコネクタと嵌合する第２のコネクタが設けられ、ケーブルの他端側が固定される。【選択図】図６
2014082593.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
筐体の外側に設けられる出力端子から高周波信号を出力する高周波信号発生器において、
前記筐体内に設けられ、前記高周波信号を生成するための回路部品が搭載されると共に、当該高周波信号を前記出力端子に出力するための出力用電極と、接地された接地電極とが設けられた基板と、
前記筐体内にて前記基板に重なるように設けられ、前記回路部品に電力を供給するための電源と、
芯線と、前記芯線の周囲を囲むように当該芯線に沿って設けられる金属管と、前記金属管と前記芯線とを絶縁するために当該金属管と芯線との間に前記芯線を囲むように設けられる絶縁体と、を備え、前記筐体内にその一端が前記出力端子に接続されるように設けられたケーブルと、
前記ケーブルの他端側に設けられる第１のコネクタと、
前記基板の一面側に設けられ、前記芯線、金属管を夫々前記出力用電極、前記接地電極に接続するために、前記ケーブルの他端側が前記基板に固定されるように前記第１のコネクタと嵌合する第２のコネクタと、
を備えることを特徴とする高周波信号発生器。
【請求項２】
前記基板は貫通孔を備え、
前記第２のコネクタは、前記貫通孔を基板の一面側から他面側に向かって貫通すると共に、前記基板の一面側にて前記芯線に接続され、基板の他面側にて前記信号出力用電極に接続されるピンを備え、
前記前記出力用電極は、基板の他面側における前記貫通孔の孔縁部に設けられ、前記貫通孔の周面は絶縁部材により構成されていることを特徴とする請求項１記載の高周波信号発生器。
【請求項３】
前記貫通孔の周面は、剥き出しの基板により構成されることを特徴とする請求項２記載の高周波信号発生器。
【請求項４】
前記出力端子から出力される高周波信号は１０ＭＨｚ以上であることを特徴とする請求項１ないし３のいずれか一つに記載の高周波信号発生器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は筐体内に基板を備える高周波信号発生器に関する。
【背景技術】
【０００２】
周波数シンセサイザを含み、高周波を出力する信号発生器は筐体を備えており、この筐体内に電源と、周波数信号を生成するための回路部品が搭載された基板とが収納されている。そして、この筐体の前面のパネルは出力する信号の周波数を設定するためのキースイッチや、設定した周波数を表示するディスプレイなどが設けられる。また、このパネルには出力端子を構成する出力コネクタが設けられ、当該出力コネクタに接続されるケーブルを介して他の機器へ周波数信号が出力される。一般的に、前記出力コネクタは、前記パネルを正面から見たときに右下側に位置するように設けられており、それによってユーザが混乱することを防ぎ、使いにくくなることが防がれている。
【０００３】
ところで、上記の信号発生器は、その出力信号の周波数帯域を広くすると共に、その周波数帯域において出力電力の精度を高くすることが求められている。そのために、前記周波数帯域において良好な出力インピーダンス特性が得られるように構成されることが求められる。図１８は信号発生器の概略縦断側面の一例を示しており、１０１は前記パネル、１０２は前記出力コネクタ、１０３は前記基板、１０４は前記電源である。基板１０３は、前記パネル１０１の裏面に近接して配置される。図では基板１０３上の前記回路部品は省略している。図中１０５は半田であり、基板１０３に設けられる高周波出力用の電極（不図示）と前記出力コネクタ１０２とを接続している。
【０００４】
前記高周波出力用の電極と出力コネクタ１０２との接続に例えばケーブルを用いると、前記電極の形状に影響され、インピーダンス特性が劣化する場合がある。このインピーダンス特性の劣化については、発明の実施の形態で説明する。そのために、上記のように半田１０５により出力コネクタ１０２を基板１０３に直接半田付けしている。また、半田１０５により接続を行うことで、基板１０３とコネクタ１０２との距離が大きくなることを抑え、信号発生器の大型化を防いでいる。しかし、このように信号発生器を構成することはパネル１０１に近い位置で半田付けを行うことが必要になる。このような半田付けを行うのは手間であり、信号発生器の組立てに要する時間が長くなってしまうという問題がある。また、上記のように出力コネクタ１０２の位置が決められており、この出力コネクタ１０２に対して半田付けを行うために、基板１０３のレイアウトはパネル１０１付近に限定されることになる。具体的に、図に示すように電源１０４は、基板１０３に対して横方向に並べられて配置されていた。このような配置により、装置の大型化を抑制することに限界があった。
【０００５】
特許文献１には、コネクタと基板の電極とをセミリジッドケーブルで接続し、当該ケーブルが前記基板にはんだ付けされたマイクロ波集積回路について記載されている。しかし、基板と電源とのレイアウトについては考慮されていないため上記の信号発生器の大型化の問題を解決できるものではない。また、前記セミリジッドケーブルは、基板の前記コネクタに近接した位置にはんだ付けされているため、信号発生器の組立てが困難であるという問題も解決できるものではない。また特許文献２には、電子部品のピンを基板の貫通孔に基板の一面側から挿通し、他面側の貫通孔の孔縁部の電極にはんだ付けすることが記載されているが、上記の各問題を解決できるものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】実開平４-１３２７０７号公報
【特許文献２】特開２０００−２６１１２１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明は、このような事情の下になされたものであり、その目的は、大型化を防ぐと共に組み立てが容易な高周波信号発生器を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の高周波信号発生器は、筐体の外側に設けられる出力端子から高周波信号を出力する高周波信号発生器において、
前記筐体内に設けられ、前記高周波信号を生成するための回路部品が搭載されると共に、当該高周波信号を前記出力端子に出力するための出力用電極と、接地された接地電極とが設けられた基板と、
前記筐体内にて前記基板に重なるように設けられ、前記回路部品に電力を供給するための電源と、
芯線と、前記芯線の周囲を囲むように当該芯線に沿って設けられる金属管と、前記金属管と前記芯線とを絶縁するために当該金属管と芯線との間に前記芯線を囲むように設けられる絶縁体と、を備え、前記筐体内にその一端が前記出力端子に接続されるように設けられたケーブルと、
前記ケーブルの他端側に設けられる第１のコネクタと、
前記基板の一面側に設けられ、前記芯線、金属管を夫々前記出力用電極、前記接地電極に接続するために、前記ケーブルの他端側が前記基板に固定されるように前記第１のコネクタと嵌合する第２のコネクタと、
を備えることを特徴とする。
【０００９】
例えば、前記基板は貫通孔を備え、
前記第２のコネクタは、前記貫通孔を基板の一面側から他面側に向かって貫通すると共に、前記基板の一面側にて前記芯線に接続され、基板の他面側にて前記信号出力用電極に接続されるピンを備え、
前記前記出力用電極は、基板の他面側における前記貫通孔の孔縁部に設けられ、基板の一面側における前記貫通孔の孔縁部及び前記貫通孔の周面は絶縁部材により構成されている。その場合、例えば前記基板の一面側における孔縁部及び前記貫通孔の周面は、剥き出しの基板により構成される。前記出力端子から出力される高周波信号は例えば１０ＭＨｚ以上である。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の信号発生器によれば、回路部品を搭載した基板と電源とが重ねられて配置され、ケーブルの基板側の端部の第１のコネクタが基板の第２のコネクタと嵌合して、前記端部が基板に固定される。それによって、組立ての手間が抑えられると共に大型化を抑えることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態に係る信号発生器の斜視図である。
【図２】前記信号発生器の縦断側面図である。
【図３】前記信号発生器の筐体の内部の構成を示す斜視図である。
【図４】前記内部の構成の分解斜視図である。
【図５】前記信号発生器に設けられるセミリジッドケーブルの横断面図である。
【図６】前記信号発生器の基板に設けられる基板に設けられるコネクタの上面図である。
【図７】前記コネクタと、前記セミリジッドケーブルに設けられるコネクタとの縦断側面図である。
【図８】前記コネクタと、前記セミリジッドケーブルに設けられるコネクタとの横断側面図である。
【図９】比較例である他のコネクタの縦断側面図である。
【図１０】前記コネクタが接続される基板の電極の模式図である。
【図１１】前記信号発生器のブロック図である。
【図１２】前記他の信号発生器に設けられるセミリジッドケーブルの側面図である。
【図１３】比較例である他の信号発生器のブロック図である
【図１４】評価試験１の結果を示すグラフ図である。
【図１５】評価試験１の結果を示すスミスチャートである。
【図１６】評価試験１の結果を示すグラフ図である。
【図１７】評価試験１の結果を示すスミスチャートである。
【図１８】従来の信号発生器の概略構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
図１は周波数シンセサイザを含む高周波信号発生器１の概略斜視図である。この信号発生器１は、例えば１０ＭＨｚ〜３０００ＭＨｚの範囲で出力する周波数を変化させることができる。信号発生器１は、方形の筐体１１を備えている。筐体１１の前面を構成するパネル１２には、当該信号発生器１の電源スイッチ１３、出力周波数を設定するためのキースイッチ１４及びダイヤル１５、出力周波数などを表示するディスプレイ１６などが設けられている。そして、背景技術の項目で説明したように、前面のパネル１２の右下の角部付近には例えばＮ型の出力コネクタ１７が設けられており、この出力コネクタ１７は、高周波信号の出力端子を構成している。この出力コネクタ１７に同軸ケーブル１９が接続され、高周波信号発生器１で生成された高周波信号が、前記出力コネクタ１７及び同軸ケーブル１９を介して外部へ出力される。
【００１３】
図２は信号発生器１の縦断側面図である。図３は筐体１１の内部の斜視図であり、図４は前記内部の分解斜視図である。これら図２〜図４も参照しながら説明を続ける。筐体１１内には基板２１と、カバー２２と、電源２３とが設けられている。基板２１の上面（表面）には、高周波を生成するための多数の回路部品２４が設けられている。前記電源２３は筐体１１内の床面に載置されており、この電源２３の側面及び上面を囲むように前記カバー２２が設けられる。カバー２２は方形に構成され、カバー２２の上部には支柱２５が設けられている。この支柱２５に支持されるように基板２１が設けられているため、電源２３に対して基板２１が積層されたレイアウトとして構成されている。
【００１４】
筐体１１内において前記パネル１２側を前方側とすると、基板２１の上面の前方側にはＳＭＢコネクタのジャック側を構成するコネクタ３１が設けられており、コネクタ３１は前方から見て基板２１の上面左側に設けられている。前記出力コネクタ１７の背面側（筐体１１内側）には高周波の伝送線路をなすセミリジッドケーブル４１の一端が接続されている。セミリジッドケーブル４１の他端は筐体１１の内側へ向かった後上方へ屈曲し、前方から見て左側へ向かい、さらに筐体１１の奥側へ向かった後下方へ屈曲されている。そして、セミリジッドケーブル４１の他端には、ＳＭＢコネクタのプラグ側を構成するコネクタ５１が設けられている。このプラグ側コネクタ５１は前記基板２１のジャック側コネクタ３１と対になっており、互いに嵌合してセミリジッドケーブル４１の他端が基板２１に固定される。これらコネクタ３１、５１については後に詳述する。
【００１５】
前記セミリジッドケーブル４１について説明する。このセミリジッドケーブル４１は硬質な同軸ケーブルであり、図５にはその横断面を示している。セミリジッドケーブル４１は、内部導体である芯線４２と、その芯線４２を囲むように設けられる外部導体である金属の外管４３を備えている。外管４３により芯線４２からセミリジッドケーブル４１の外部へ高周波信号の漏洩が防がれる。また、セミリジッドケーブル４１の外部の高周波が外管４３内へ進入することが抑えられ、外管４３内を流れる高周波への影響が防がれる。比較的高い周波数を出力するときにこのような効果をより高く得るために、前記外部導体としてこの例では網組みのフレキシブルな銅配線を用いず、硬質で一体成形された前記外管４３により構成している。外管４３と芯線４２との間には、芯線４２を囲むように絶縁体４４が設けられており、外管４３と芯線４２とを絶縁している。芯線４２の一端側は、前記出力コネクタ１７に接続されている。芯線４２の他端側は、前記プラグ側コネクタ５１に向かって伸びている。
【００１６】
続いて、前記ジャック側コネクタ３１、プラグ側コネクタ５１及び基板２１について詳しく説明する。図６は互いに接続される前のコネクタ３１、５１の概略縦断側面図であり、図７は接続後のコネクタ３１、５１の概略縦断側面図である。図８は基板２１の下面（裏面）において、ジャック側コネクタ３１が設けられた箇所を示している。
【００１７】
プラグ側コネクタ５１は、ピン接続部５２と、固定部５３と、外筒５４と、を備えている。ピン接続部５２は、その上側が前記芯線４２に接続される導体５５を備えている。導体５５の下端には後述するジャック側コネクタ３１のピンが差し込まれる差し込み口５６が上側に向かって形成されている。固定部５３は起立した円筒であり、ピン接続部５２の外側にピン接続部５２を囲むように設けられている。固定部５３の内周面には、当該固定部５３の周方向に沿って形成された凸部５７が設けられている。固定部５３と、ピン接続部５２との間にはリング状の隙間５８が設けられる。外筒５４は、固定部５３を囲むように起立した円筒であり、その上側は前記セミリジッドケーブル４１の外管４３に接続される
【００１８】
ジャック側コネクタ３１は、起立した円筒部３２と、円筒部３２の下端に設けられるフランジ部３３とを備えている。円筒部３２の中心には上下方向に伸びるピン３４が設けられており、ピン３４を周囲から絶縁するために円筒部３２の内周面及び底部は絶縁部材３５により構成されている。円筒部３２の外周には、円筒部３２の周方向に沿って溝３６が設けられている。
【００１９】
ピン３４は、基板２１に設けられたスルーホール６１を通過するように下方に伸びている。基板２１の下面側における前記スルーホール６１の孔縁部には高周波信号出力用の電極６２が設けられている。当該ピン３４は、基板２１の下面側から前記高周波信号出力用の電極６２に半田付けされている。この半田６０は溶融時に電極６２を濡れ広がり、電極６２の側方から前記ピン３４を固定している。
【００２０】
当該出力用の電極６２は、後述の接地用電極６４と異なり基板２１の下面側の前記孔縁部のみに形成され、スルーホール６１の内周面及び基板２１の上面側の孔縁部には形成されておらず、当該内周面及び当該上面側の孔縁部は基板２１が剥き出しの状態になっている。つまり、前記スルーホール６１の内周面及び上面側の孔縁部は、絶縁部材により構成されている。このようにスルーホール６１及び電極６２を構成する理由については後述する。
【００２１】
ジャック側コネクタ３１について更に説明する。前記フランジ部３３から４つのピン３７が下方に向かって伸びており、その端部は、基板２１に設けられたスルーホール６３を通過し、基板２１の下面側へと延びている。このスルーホール６３について、基板２１の裏面側の孔縁部から当該スルーホール６３の内周面、ひいては基板２１の上面側の孔縁部へ跨るように接地用電極６４が形成されている。
【００２２】
ピン３７は基板２１の下面側から接地用電極６４に半田付けされている。半田付けを行うときにこの半田６７が接地用電極６４を濡れ広がることで、この接地用電極６４の表面全体に半田６７が行き渡る。つまり、スルーホール６３の内周面から基板２１の上面側に半田６７が行き渡り、接地用電極６４が基板２１に固定される。
【００２３】
図６、図７に示すように、高周波信号発生器１の組立て時には、ジャック側コネクタ３１のピン３４が、プラグ側コネクタ５１の差し込み口５６に差し込まれると共に、プラグ側コネクタ５１の隙間５８にジャック側コネクタ３１の円筒部３２の上端が差し込まれる。円筒部３２の外周面の溝３６と固定部５３の凸部５７とが嵌合し、ジャック側コネクタ３１とプラグ側コネクタ５１とが接続される。このようにコネクタ３１、５１同士が接続されることにより、セミリジッドケーブル４１の芯線４２は、導体５５、ピン３４及び半田６０を介して高周波出力用の電極６２に接続され、セミリジッドケーブル４１の外管４３は、コネクタ３１、５１を介して接地用電極６４に接続されて接地される。
【００２４】
前記高周波出力用の電極６２については良好なインピーダンス特性を得るために、上記のように基板２１の下面側のみに形成している。このインピーダンス特性について説明するために、図９のジャック側コネクタ７１を参照する。このジャック側コネクタ７１における前記ジャック側コネクタ３１との差異点としては、高周波出力用の電極６２が形成される領域が異なることが挙げられる。ジャック側コネクタ７１においては、接地用電極６４と同様に基板２１の裏面側からスルーホール６１の内周面を介して基板２１の前面側に亘って形成されている。そして、ピン３４を前記高周波出力用の電極６２に固定させるために用いた半田６０は、溶融時に当該電極６２を基板２１の下面側から上面側へ向けて濡れ広げられている。
【００２５】
図１０の上段は、前記ジャック側コネクタ７１の高周波出力用の電極６２の模式図である。前記電極６２において、説明の便宜上、基板２１の裏面側に形成されている箇所を７２、スルーホール６１の内周及び基板２１の表面側に形成されている箇所を７３として示している。コネクタ７１のピン３４及び当該ピン３４に接続される電極７２を一つの伝送線路とすると、電極７３は前記伝送線路から枝分かれしており、図１０の中段に模式的に示すようにオープンスタブ７４になっていると考えられる。オープンスタブ７４の入力インピーダンスＺinは、下記の式で表される。
Ｚin＝−ｊ×Ｚ0×cot（β×I）
β＝位相定数[rad／ｍ]＝２π／λ（λ：伝送線路上の波長）
I＝スタブ長
【００２６】
そして、スタブ長  I＝λ／２の場合
β×I＝２π×λ／２＝π
ｃｏｔ（π）＝ｃｏｓ（π）／ｓｉｎ（π）＝−１／０＝−∞
Ｚin＝−ｊ×Ｚ0×−∞＝ｊ×Ｚ０×∞となり、当該入力インピーダンスＺinは誘導性となる。
【００２７】
スタブ長  I＝λ／４の場合
β×I＝２π×λ／４＝π／２
ｃｏｔ（π）＝ｃｏｓ（π／２）／ｓｉｎ（π／２）＝０／１＝０
Ｚin＝−ｊ×Ｚ0×０となり、入力インピーダンスは誘導性でも容量性でも無い。
【００２８】
スタブ長  I＝０の場合
β×I＝２π×０＝０
ｃｏｔ（π）＝ｃｏｓ（０）／ｓｉｎ（０）＝１／０＝∞
Ｚｉｎ＝−ｊ×Ｚ0×∞となり、容量性となる。
【００２９】
つまり、前記オープンスタブ７４はスタブ長Ｉ＜λ／４の場合において、図１０の下段に模式的に示すように容量性として働く。また、λ／４＜Ｉ＜λ／２の場合に誘導性として働くと言える
そして、この信号発生器１は３ＧＨｚ以下の高周波を出力するため、ｃ＝光速[ｍ／ｓ]、ｆ＝周波数[Ｈｚ]とすると、
λ＝ｃ／ｆ＝（３×１０８）／（３×１０９）＝０．１[ｍ]
λ／４＝０．０２５[ｍ]
基板２１の厚さは例えば１．６ｍｍであり、これをスタブ長Ｉとすると、スタブ長Ｉ＜λ／４であるので、オープンスタブ７４は容量性として働き、インピーダンス特性が劣化する。そこで、オープンスタブ７４が形成されないように、上記のようにスルーホール６１の基板２１裏面側の孔縁部のみに当該電極６２を形成する。これによってスルーホール６１の電極６２を容量性でも誘導性でも無いようにして良好なインピーダンス特性を得るようにした。
【００３０】
図１１は、高周波信号発生器１のブロック図を示している。基板２１に設けられる構成要素を点線で囲い、基板２１の外側に設けられる構成要素と区画して示している。図中８１は、周波数シンセサイザ、増幅回路及びフィルタなどにより構成される信号生成部である。信号生成部８１の後段には可変減衰器（可変ATT）８２、カプラー８３がこの順に接続され、カプラー８３から前記ジャック側コネクタ３１に信号が出力される。また、カプラー８３からの出力に応じてマイクロコンピュータ８４が可変減衰器８２の動作を制御する。この可変減衰器８２としては、例えば本発明者による特開2012-95257に記載の可変減衰器を用いることができる。当該可変減衰器は、減衰量の可変幅を大きくとれるという利点がある。カプラー８３、可変減衰器８２、信号生成部８１、マイクロコンピュータ８４は上記の基板２１上の回路部品２４により構成される。そして、上記のようにジャック側コネクタ３１は、プラグ側コネクタ５１に接続され、さらにセミリジッドケーブル４１を介して出力コネクタ１７に接続されている。
【００３１】
比較例として、図１２にセミリジッドケーブル４１が半田８５により基板２１に固定された例を示す。このセミリジッドケーブル４１の芯線４２は、半田８６によって、前記電極６２に相当する基板２１の高周波信号出力用の電極（不図示）に接続されている。図１３は、図１２のようにセミリジッドケーブル４１と基板２１とが接続された高周波信号発生器８のブロック図である。このブロック図に示すように、セミリジッドケーブル４１の基板２１への接続手法が異なることを除いて、高周波信号発生器８は高周波信号発生器１と同様に構成されている。このような高周波信号発生器８の製造工程では、基板２１とセミリジッドケーブル４１とを半田８５により固定し、さらに前記芯線４２と基板２１の前記電極とを半田８６により接続する必要がある。高周波信号発生器１は、セミリジッドケーブル４１の基板２１に対する固定が、コネクタ３１、５１間の差し込みにより行われるので、この高周波信号発生器８に比べて半田８５による接続工程を少なくし、製造の手間を簡素化することができる。
【００３２】
この高周波信号発生器１によれば、基板２１の出力電極６２と筐体１１の前面のパネル１２の出力コネクタ１７とを接続するセミリジッドケーブル４１が設けられ、セミリジッドケーブル４１の端部に設けられるプラグ側コネクタ５１と、基板２１のジャック側コネクタ３１とが互いに嵌合することにより当該セミリジッドケーブル４１の端部が基板２１に固定される。また、基板２１の配置の自由度が高くなるので、セミリジッドケーブル４１と出力電極６２との接続をパネル１２に近接した位置で行うことを避けることができるし、セミリジッドケーブル４１を基板２１に接続するための半田付けの工程数が増えることを抑えることができる。これらの結果として、高周波信号発生器１の組立ての時間や手間を抑えることができる。さらに、基板２１を電源２３に積層したレイアウトとし、これによって、当該高周波信号発生器１の大きさを抑えることができる。特にGHz単位の周波数、さらに詳しく言うと２GHｚ以上の周波数を出力するように高周波信号発生器を構成する場合、使用可能な配線が限られたり、前記スタブによるインピーダンスの問題が起こる可能性が高くなるため、それらの問題を解消するために、この信号発生器１の構成が特に有効である。
【００３３】
また、ジャック側コネクタ３１のピン３４が通過する基板２１のスルーホール６１において、当該基板２１の裏面側の孔縁部にのみ電極６２を形成している。これによって、ジャック側コネクタ３１を用いることによるインピーダンス特性の劣化を防ぐことができる。つまり、上記のように電極６２のインピーダンス特性が容量性となることを抑え、広帯域において良好なインピーダンス特性を確保し、安定した出力電力精度を得ることができる。また、当該高周波信号発生器１の製造時において、出力調整を容易にすることができる。
【００３４】
上記の高周波信号発生器１において、電源２３の下方に基板２１が配置されるレイアウトであってもよい。例えば基板２１上に支柱２５を設け、その支柱２５により電源２３を支持してもよい。セミリジッドケーブル４１にジャック側コネクタ３１が設けられ、基板２１側にプラグ側コネクタ５１が設けられていてもよい。また、高周波出力用の前記電極６２は基板２１の裏面側に設けられる代わりに表面側に設けられていてもよい。  
また、セミリジッドケーブル４１の端部に設けられるコネクタ及び基板２１に設けられるコネクタは、互いに嵌合することにより互いに固定されるものであればよく、上記のように各コネクタをＳＭＢコネクタとして構成する代わりにＳＭＡコネクタとして構成してもよい。即ち、例えば前記ジャック側コネクタ３１の円筒部３２の外周面にネジが切られ、プラグ側コネクタ５３の内周面にネジが切られ、これらのネジが螺合することでコネクタ３１、５３が互いに嵌め合わされるようになっていてもよい。そのようにＳＭＡコネクタを用いる場合であっても、半田付けによらずにセミリジッドケーブル４１の端部を基板２１に固定することができるので、ＳＭＢコネクタを用いる場合と同様の効果が得られる。
【００３５】
（評価試験１）
上記の高周波信号発生器１のコネクタ３１について、周波数を１０ＭＨｚ〜３０００ＭＨｚの範囲で変化させて入力ＶＳＷＲ（Voltage Standing Wave Ratio：電圧定在波比）及び出力ＶＳＷＲを測定した。このＶＳＷＲとは高周波信号の進行波の電圧Ｖｐと反射波の電圧Ｖｒとの比である。高周波信号において伝送線路と負荷のインピーダンスとが一致（整合）した場合にはＶＳＷＲが１であり、反射波が無い状態である。インピーダンスに不整合があると、ＶＳＷＲ悪化して電力損失が発生する。例えば信号源側のＶＳＷＲが１であり、負荷側のＶＳＷＲが１．５のとき、電力効率は９６％となる。入力側ＶＳＷＲ及び出力側ＶＳＷＲは１に近いほど良好なインピーダンス特性を有する。コネクタ３１は、上記の実施形態で説明したように、スルーホール６１の孔縁部のみに形成した電極６２に接続されており、コネクタ３１の定格インピーダンスは、５０Ωである。
【００３６】
図１４はこの結果を示したグラフであり、横軸に周波数、縦軸にＶＳＷＲを夫々設定している。実線で入力ＶＳＷＲを、点線で出力ＶＳＷＲを夫々示している。各周波数において入力ＶＳＷＲと出力ＶＳＷＲとは略同じ値となり、比較的高い周波数においても１から大きく外れることが防がれていた。また、図１５は入力ＶＳＷＲのスミスチャートである。チャート中、周波数が１０、１０００、１５００、２０００、３０００ＭＨｚの各箇所にマーカーを付している。チャート中のマーカーの符号Ａ１〜Ａ５は、図１４のグラフ中に付したマーカーの符号Ａ１〜Ａ５に対応している。信号路の容量性及び誘導性が小さいほどインピーダンス特性が良好である。このスミスチャートより、各周波数においてコネクタ３１の信号路は僅かに容量性となっただけで、当該容量性への偏りが抑えられており、良好なインピーダンス特性を示すことが示された。
【００３７】
（評価試験２）
図９、図１０で説明したコネクタ７１について、評価試験１と同様に入力ＶＳＷＲ及び出力ＶＳＷＲを測定した。このコネクタ７１のピン３４は、既述のように基板２１のスルーホール６１の孔縁部及び内周面に形成された電極６２に接続されている。図１６は、評価試験１の図１４と同様に入力ＶＳＷＲ及び出力ＶＳＷＲを示したグラフであり、図１７は評価試験１の図１５と同様に入力ＶＳＷＲを示したスミスチャートである。これらのグラフ及びチャートに示す実験結果において、周波数が１０、１０００、１５００、２０００、３０００ＭＨｚの各箇所にマーカーＢ１〜Ｂ５を付して示している。図１６のグラフに示すように評価試験１に比べて入力ＶＳＷＲ、出力ＶＳＷＲ共にその値が高く、特に高い周波数では評価試験１の値との差が大きかった。また、スミスチャートを見ると、上記の各周波数において、評価試験１よりも容量性が大きい。この評価試験１、２の結果から、上記の実施形態で示したようにスルーホール６１の孔縁部のみに電極を形成することで、良好なインピーダンス特性を得ることができることが示された。
【符号の説明】
【００３８】
１      高周波信号発生器
１２    パネル
１７    出力コネクタ
２１    基板
２３    電源
２４    回路部品
３１    ジャック側コネクタ
４１    セミリジッドケーブル
５１    プラグ側コネクタ
６１    スルーホール
６２    電極
【図１】
2014082593.tif 000003
【図２】
2014082593.tif 000004
【図３】
2014082593.tif 000005
【図４】
2014082593.tif 000006
【図５】
2014082593.tif 000007
【図６】
2014082593.tif 000008
【図７】
2014082593.tif 000009
【図８】
2014082593.tif 000010
【図９】
2014082593.tif 000011
【図１０】
2014082593.tif 000012
【図１１】
2014082593.tif 000013
【図１２】
2014082593.tif 000014
【図１３】
2014082593.tif 000015
【図１４】
2014082593.tif 000016
【図１５】
2014082593.tif 000017
【図１６】
2014082593.tif 000018
【図１７】
2014082593.tif 000019
【図１８】
2014082593.tif 000020