(57)【要約】【課題】  バッファ層の形成速度が高いとともに長時間にわたって良好にバッファ層を形成することが可能なバッファ層形成用溶液、およびこれを用いた光電変換装置の製造方法を提供する。【解決手段】  バッファ層形成用溶液は、光吸収層３上に硫化インジウムを含むバッファ層４を化学溶液析出法で形成するために用いる、インジウム化合物および硫黄化合物が溶解したバッファ層形成用溶液であって、さらに1,10−フェナントロリン、リンゴ酸およびグルコン酸の少なくとも１種が溶解している。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
光吸収層上に硫化インジウムを含むバッファ層を化学溶液析出法で形成するために用いる、インジウム化合物および硫黄化合物が溶解したバッファ層形成用溶液であって、
さらに1,10−フェナントロリン、リンゴ酸およびグルコン酸の少なくとも１種が溶解しているバッファ層形成用溶液。
【請求項２】
前記硫黄化合物はチオアミド系化合物である、請求項１に記載のバッファ層形成用溶液。
【請求項３】
前記チオアミド系化合物はチオアセトアミドである、請求項２に記載のバッファ層形成用溶液。
【請求項４】
1,10−フェナントロリン、リンゴ酸およびグルコン酸の少なくとも１種ならびにインジウム化合物および硫黄化合物が溶解したバッファ層形成用溶液を用意する工程と、
光吸収層を前記バッファ層形成用溶液に浸漬して前記光吸収層上に硫化インジウムを含むバッファ層を析出させる工程と
を具備する光電変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記硫黄化合物としてチオアミド系化合物を用いる、請求項４に記載の光電変換装置の製造方法。
【請求項６】
前記チオアミド系化合物としてチオアセトアミドを用いる、請求項５に記載の光電変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光吸収層上に硫化インジウムを含むバッファ層を形成するためのバッファ層形成溶液およびこれを用いた光電変換装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
太陽光発電等に使用される光電変換装置として、ＣＩＧＳ等のＩ−III−VI族化合物や
ＣＺＴＳ等のＩ−II−IV−VI族化合物等の光吸収層上に、硫化インジウムを含むバッファ層が形成されたものがある。
【０００３】
このようなバッファ層は、インジウム源としてのインジウム化合物および硫黄源としての硫黄化合物を含むバッファ層形成溶液を用いて化学溶液析出法（ＣＢＤ法）によって作製される。そして、生産効率を高めるため、バッファ層形成用溶液に添加剤を添加してバッファ層の形成速度を高めることが試みられている。
【０００４】
特許文献１では、添加剤として、酒石酸、シュウ酸、コハク酸、クエン酸およびマロン酸から成る群から選ばれた１種または２種以上のキレート剤が用いられている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００５−１９８３９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記のような添加剤を添加したバッファ層形成用溶液は、溶液中でインジウム化合物と硫黄化合物との反応が進行しやすく、短時間で白濁する傾向がある。反応が進行して過度に白濁したバッファ層形成用溶液では、バッファ層の形成を良好に行なうことが困難となり、バッファ層形成用溶液を新しいものに交換する必要がある。その結果、光電変換装置の生産コストを低減するのが困難である。
【０００７】
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、バッファ層の形成速度が高いとともに長時間にわたって良好にバッファ層を形成することが可能なバッファ層形成用溶液、およびこれを用いた光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の一実施形態に係るバッファ層形成用溶液は、光吸収層上に硫化インジウムを含むバッファ層を化学溶液析出法で形成するために用いる、インジウム化合物および硫黄化合物が溶解したバッファ層形成用溶液であって、さらに1,10−フェナントロリン、リンゴ酸およびグルコン酸の少なくとも１種が溶解している。
【０００９】
本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法は、1,10−フェナントロリン、リンゴ酸およびグルコン酸の少なくとも１種ならびにインジウム化合物および硫黄化合物が溶解したバッファ層形成用溶液を用意する工程と、光吸収層を前記バッファ層形成用溶液に浸漬して前記光吸収層上に硫化インジウムを含むバッファ層を析出させる工程とを具備する。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、バッファ層の形成速度を高めることができるとともに長時間にわたっ
て良好にバッファ層を形成することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置の実施の形態の一例を示す斜視図である。
【図２】図１の光電変換装置の断面図である。
【図３】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図４】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図５】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図６】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図７】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図８】光電変換装置の製造途中の様子を模式的に示す断面図である。
【図９】各種バッファ層形成用液の評価を行なった結果を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の一実施形態に係るバッファ層形成用溶液について、および、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法について、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、図面においては同様な構成および機能を有する部分については同一符号が付されており、下記説明では重複説明が省略される。また、図面は模式的に示されたものであり、各図における各種構造のサイズおよび位置関係等は正確に図示されたものではない。
【００１３】
＜（１）バッファ層形成用溶液＞
本発明の一実施形態に係るバッファ層形成用溶液は、バッファ層の原料であるインジウム化合物および硫黄化合物が溶媒中に溶解している。また、バッファ層形成用溶液は、さらに添加剤として、1,10−フェナントロリン、リンゴ酸およびグルコン酸の少なくとも１種が溶解している。
【００１４】
このような添加剤が溶解されたバッファ層形成用溶液によれば、添加剤が加えられていない場合に比べて、光吸収層へのバッファ層の形成速度を速めることができる。また、バッファ層形成用溶液中における硫化インジウムの生成を抑制して、白濁が生じ難くなる。
【００１５】
バッファ層形成用溶液に用いられるインジウム化合物としては、溶液中でIII−Ｂ族元
素のイオンを生じる化合物であればよく、例えば、塩化インジウムや硝酸インジウム、酢酸インジウム等が挙げられる。バッファ層形成溶液中のIII−Ｂ族化合物のモル濃度は、III−Ｂ族元素のモル濃度が例えば１〜１００ｍＭとなる濃度であればよい。
【００１６】
バッファ層形成用溶液に用いられる硫黄化合物としては、溶液中で電離あるいは加水分解して硫化物イオンまたは硫化水素イオンを生じやすいものであればよく、例えば、硫化ナトリウムや硫化カリウム等のアルカリ金属の硫化物、硫化水素、チオ尿素やチオアセトアミド等のチオアミド系化合物が挙げられる。バッファ層形成溶液中の硫黄化合物の濃度は、硫黄元素のモル濃度が例えば１〜１００ｍＭとなる濃度であればよい。バッファ層形成用溶液をより安定して良好に維持できるという観点から、硫黄化合物としてチオアミド系化合物が用いられてもよい。特にバッファ層形成用溶液を安定して良好に維持できるとともにバッファ層の形成速度をより高めることができるという観点からは、硫黄化合物としてチオアセトアミドが用いられてもよい。
【００１７】
バッファ層形成用溶液に用いられる溶媒としては、水やメタノール等の極性溶媒が挙げられる。なお、バッファ層形成溶液は、塩酸やアンモニア等を用いて酸性あるいはアルカリ性とされてもよい。
【００１８】
バッファ層形成用溶液中における添加剤の濃度は、例えば０．００１〜１ｍＭであればよい。添加剤として、1,10−フェナントロリン、リンゴ酸およびグルコン酸のうち、複数が用いられる場合、これらの合計が上記濃度となればよい。
【００１９】
以上のようなバッファ層形成用溶液が、例えば３０〜８０℃に設定され、光吸収層がこのバッファ層形成用溶液に浸漬されることによって、光吸収層上に硫化インジウムを含むバッファ層が成膜される。
【００２０】
＜（２）光電変換装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る光電変換装置の製造方法を用いて作製した光電変換装置１１の一例を示す斜視図である。図２は、図１の光電変換装置１１のＸＺ断面図である。なお、図１から図９には、光電変換セル１０の配列方向（図１の図面視左右方向）をＸ軸方向とする右手系のＸＹＺ座標系が付されている。
【００２１】
光電変換装置１１は、基板１の上に複数の光電変換セル１０が並設された構成を有している。図１では、図示の都合上、２つの光電変換セル１０のみが示されているが、実際の光電変換装置１１には、図面のＸ軸方向、或いは更に図面のＹ軸方向に、多数の光電変換セル１０が平面的に（二次元的に）配列されている。
【００２２】
各光電変換セル１０は、下部電極層２、光吸収層としての第１の半導体層３、バッファ層としての第２の半導体層４、上部電極層５、および集電電極７を主に備えている。光電変換装置１１では、上部電極層５および集電電極７が設けられた側の主面が受光面となっている。また、光電変換装置１１には、第１〜３溝部Ｐ１，Ｐ２，Ｐ３といった３種類の溝部が設けられている。
【００２３】
基板１は、複数の光電変換セル１０を支持するものであり、例えば、ガラス、セラミックス、樹脂、または金属等の材料で構成されている。具体例として、例えば、基板１として、１〜３ｍｍ程度の厚さを有する青板ガラス（ソーダライムガラス）が用いられてもよい。
【００２４】
下部電極層２は、基板１の一主面の上に設けられた導電層であり、例えば、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、または金（Ａｕ）等の金属、あるいはこれらの金属の積層構造体からなる。また、下部電極層２は、０．２〜１μｍ程度の厚さを有し、例えば、スパッタリング法または蒸着法等の公知の薄膜形成方法によって形成される。
【００２５】
光吸収層としての第１の半導体層３は、下部電極層２の＋Ｚ側の主面（一主面とも言う）の上に設けられた、第１の導電型（ここではｐ型の導電型）を有する半導体層であり、１〜３μｍ程度の厚さを有している。第１の半導体層３は、例えば、Ｉ−III−VI族化合物を主として含む半導体層やＩ−II−IV−VI族化合物を主として含む半導体層が挙げられる。なお、Ｉ−III−VI族化合物を主として含む半導体層とは、Ｉ−III−VI族化合物を７０ｍｏｌ％以上含む半導体層のことをいう。また、Ｉ−II−IV−VI族化合物を主として含む半導体層とは、Ｉ−II−IV−VI族化合物を７０ｍｏｌ％以上含む半導体層のことをいう。
【００２６】
Ｉ−III−VI族化合物は、Ｉ−Ｂ族元素（１１族元素ともいう）とIII−Ｂ族元素（１３族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素（１６族元素ともいう）との化合物である。また、Ｉ−II−IV−VI族化合物は、Ｉ−Ｂ族元素とII−Ｂ族元素（１２族元素ともいう）とIV−Ｂ族元素（１４族元素ともいう）とVI−Ｂ族元素との化合物である。
【００２７】
Ｉ−III−VI族化合物としては、例えば、ＣｕＩｎＳｅ２（二セレン化銅インジウム、
ＣＩＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２（二セレン化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳともいう）、Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）（Ｓｅ，Ｓ）２（二セレン・イオウ化銅インジウム・ガリウム、ＣＩＧＳＳともいう）等が挙げられる。なお、第１の半導体層３は、複数層の積層体であってもよく、例えば、薄膜のＣＩＧＳＳ層を表面層として有するＣＩＧＳ層にて構成されていてもよい。
【００２８】
また、Ｉ−II−IV−VI族化合物としては、例えば、Ｃｕ２ＺｎＳｎＳ４（ＣＺＴＳともいう）、Ｃｕ２ＺｎＳｎ（Ｓ，Ｓｅ）４（ＣＺＴＳＳｅともいう）、およびＣｕ２ＺｎＳｎＳｅ４（ＣＺＴＳｅともいう）等が挙げられる。
【００２９】
バッファ層としての第２の半導体層４は、第１の半導体層３にヘテロ接合した半導体層であり、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）を含んでいる。バッファ層は硫化インジウムに加えて酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）や水酸化インジウム（Ｉｎ（ＯＨ）３）等を含む混晶化合物であってもよい。また、第２の半導体層４は、第１の半導体層３の導電型とは異なる導電型（ここではｎ型の導電型）を有していてもよい。なお、導電型が異なる半導体とは、伝導担体（キャリア）が異なる半導体のことである。上記のように第１の半導体層３の導電型がｐ型である場合、第２の半導体層４の導電型は、ｎ型またはｉ型であってもよい。また、第１の半導体層３の導電型がｎ型またはｉ型であり、第２の半導体層４の導電型がｐ型である態様も有り得る。
【００３０】
第２の半導体層４は、II−Ｂ族元素の硫化物およびIII−Ｂ族元素の硫化物の少なくと
も一方を含んでいる。II−Ｂ族元素の硫化物としては、例えば、硫化カドミウム（ＣｄＳ）や硫化亜鉛（ＺｎＳ）等がある。III−Ｂ族元素の硫化物としては、例えば、硫化インジウム（Ｉｎ２Ｓ３）等が挙げられる。第２の半導体層４はこれらの硫化物に加えて、水酸化物や酸化物を含んだ混晶体であってもよい。
【００３１】
リーク電流が低減される観点から言えば、第２の半導体層４は、１Ω・ｃｍ以上の抵抗率を有するものであってもよい。また、第２の半導体層４は、第１の半導体層３の一主面の法線方向に厚さを有する。この厚さは、例えば１０〜２００ｎｍに設定される。
【００３２】
上部電極層５は、第２の半導体層４の上に設けられた、第２の導電型（ここではｎ型の導電型）を有する透明導電膜であり、第１の半導体層３において生じた電荷を取り出す電極である。上部電極層５は、第２の半導体層４よりも低い抵抗率を有する物質によって構成されている。上部電極層５には、いわゆる窓層と呼ばれるものも含まれ、この窓層に加えて更に透明導電膜が設けられる場合には、これらが一体の上部電極層５とみなされても良い。
【００３３】
上部電極層５は、禁制帯幅が広く且つ透明で低抵抗の材料を主に含んでいる。このような材料としては、例えば、ＺｎＯ、Ｉｎ２Ｏ３およびＳｎＯ２等の金属酸化物半導体等が採用され得る。これらの金属酸化物半導体には、Ａｌ、Ｂ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、ＳｂおよびＦ等の元素が含まれても良い。このような元素が含まれた金属酸化物半導体の具体例としては、例えば、ＡＺＯ（Aluminum Zinc Oxide）、ＧＺＯ（Gallium Zinc Oxide）、Ｉ
ＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＦＴＯ（Fluorine tin Oxide）等がある。
【００３４】
上部電極層５は、スパッタ法、蒸着法、または化学的気相成長（ＣＶＤ）法等によって、０．０５〜３．０μｍの厚さを有するように形成される。ここで、第１の半導体層３から電荷が良好に取り出される観点から言えば、上部電極層５は、１Ω・ｃｍ以下の抵抗率と、５０Ω／□以下のシート抵抗とを有するものとすることができる。
【００３５】
第２の半導体層４および上部電極層５は、第１の半導体層３が吸収する光の波長領域に対して光を透過させ易い性質（光透過性とも言う）を有する素材によって構成され得る。これにより、第２の半導体層４と上部電極層５とが設けられることで生じる、第１の半導体層３における光の吸収効率の低下が低減される。
【００３６】
また、光透過性が高められると同時に、光電変換によって生じた電流が良好に伝送される観点から言えば、上部電極層５は、０．０５〜０．５μｍの厚さとなるようにすることができる。
【００３７】
集電電極７は、Ｙ軸方向に離間して設けられ、それぞれがＸ軸方向に延在している。集電電極７は、導電性を有する電極であり、例えば、銀（Ａｇ）等の金属からなる。
【００３８】
集電電極７は、第１の半導体層３において発生して上部電極層５において取り出された電荷を集電する役割を担う。集電電極７が設けられれば、上部電極層５の薄層化が可能となる。
【００３９】
集電電極７および上部電極層５によって集電された電荷は、第２溝部Ｐ２に設けられた接続導体６を通じて、隣の光電変換セル１０に伝達される。接続導体６は、例えば、図２に示されるように集電電極７のＹ軸方向への延在部分によって構成されている。これにより、光電変換装置１１においては、隣り合う光電変換セル１０の一方の下部電極層２と、他方の集電電極７とが、第２溝部Ｐ２に設けられた接続導体６を介して電気的に直列に接続されている。なお、接続導体６は、これに限定されず、上部電極層５の延在部分によって構成されていてもよい。
【００４０】
集電電極５は、良好な導電性が確保されつつ、第１の半導体層３への光の入射量を左右する受光面積の低下が最小限にとどめられるように、５０〜４００μｍの幅を有するものとすることができる。
【００４１】
＜（３）光電変換装置の製造方法＞
図３から図８は、光電変換装置１１の製造途中の様子をそれぞれ模式的に示す断面図である。なお、図３から図８で示される各断面図は、図２で示された断面に対応する部分の製造途中の様子を示す。
【００４２】
まず、洗浄された基板１の略全面に、スパッタ法等を用いて、Ｍｏ等からなる下部電極層２を成膜する。そして、下部電極層２の上面のうちのＹ方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の基板１の上面にかけて、第１溝部Ｐ１を形成する。第１溝部Ｐ１は、例えば、ＹＡＧレーザー等によるレーザー光を走査しつつ形成対象位置に照射することで溝加工を行なう、スクライブ加工によって形成することができる。図３は、第１溝部Ｐ１を形成した後の状態を示す図である。
【００４３】
第１溝部Ｐ１を形成した後、下部電極層２の上に、第１の半導体層３を形成する。第１の半導体層３は、スパッタリング法、蒸着法などのいわゆる真空プロセスによって形成可能であるほか、いわゆる塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスによって形成することもできる。塗布法あるいは印刷法と称されるプロセスは、第１の半導体層３の構成元素の錯体溶液を下部電極層２の上に塗布し、その後、乾燥・熱処理を行うプロセスである。図４は、第１の半導体層３を形成した後の状態を示す図である。
【００４４】
第１の半導体層３を形成した後、第１の半導体層３の上に第２の半導体層４を形成する。第２の半導体層４は、第１の半導体層３が形成された基板１を上記のバッファ層形成用溶液中に浸漬すること（いわゆるＣＢＤ法と称させる方法）によって形成することができる。図５は、第２の半導体層４を形成した後の状態を示す図である。
【００４５】
第２の半導体層４を形成した後、第２の半導体層４の上に上部電極層５を形成する。上部電極層５は、例えば、Ｓｎが含まれた酸化インジウム（ＩＴＯ）等を主成分とする透明導電膜であり、スパッタリング法、蒸着法、またはＣＶＤ法等で形成することができる。図６は、上部電極層５を形成した後の状態を示す図である。
【００４６】
上部電極層５を形成した後、上部電極層５の上面のうちのＹ方向に沿った直線状の形成対象位置からその直下の下部電極層２の上面にかけて、第２溝部Ｐ２を形成する。第２溝部Ｐ２は、例えば、４０〜５０μｍ程度のスクライブ幅のスクライブ針を用いたスクライビングを行なうことで形成できる。図７は、第２溝部Ｐ２を形成した後の状態を示す図である。第２溝部Ｐ２は、第１溝部Ｐ１よりも若干Ｘ方向（図中では＋Ｘ方向）にずれた位置に形成する。
【００４７】
第２溝部Ｐ２を形成した後、集電電極７および接続導体６を形成する。集電電極７および接続導体６については、例えば、Ａｇ等の金属粉が樹脂バインダー等に分散されている導電性を有するペースト（導電ペーストとも言う）を、所望のパターンを描くように印刷し、これを固化されることで形成できる。図８は、集電電極７および接続導体６を形成した後の状態を示す図である。
【００４８】
集電電極７および接続導体６を形成した後、上部電極層５の上面のうちの直線状の形成対象位置からその直下の下部電極層２の上面にかけて、第３溝部Ｐ３を形成する。第３溝部Ｐ３の幅は、例えば、４０〜１０００μｍ程度とすることができる。また、第３溝部Ｐ３は、第２溝部Ｐ２と同様に、メカニカルスクライビングによって形成できる。このようにして、第３溝部Ｐ３の形成によって、図１および図２で示された光電変換装置１１を製作したことになる。
【００４９】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更、改良などが可能である。
【実施例】
【００５０】
次に、バッファ層形成用溶液を用いた光電変換装置の製造方法について、具体例を示して説明する。
【００５１】
まず、表１に示すような組み合わせで、インジウム化合物としての酢酸インジウムと、硫黄化合物としてのチオアセトアミドと、各種添加剤とを水に溶解し、希塩酸でｐＨを２．７に調製することによって、複数種のバッファ層形成用溶液（試料Ｎｏ．１〜６）を作製した。
【００５２】
【表１】
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【００５３】
次に、ガラスによって構成される基板の表面にＭｏからなる下部電極層およびＣＩＧＳからなる光吸収層が順次形成されたものを複数枚用意した。
【００５４】
そして、これらの基板を上記の各バッファ層形成用溶液（液温は７３℃）に３０分間浸漬した。これによって、光吸収層の上にＩｎ２Ｓ３を含むバッファ層が生成し、このバッファ層の厚みを、試料ごとに測定した。なお、バッファ層の厚み測定は、バッファ層の層に垂直な断面をＳＥＭ観察することによって測定した。
【００５５】
また、上記の各バッファ層形成用溶液について、作製直後の濁度と、液温を７３℃にして１０分間放置した後の濁度とを測定した。なお、濁度の測定はEUTECH INSTRUMENTS社の濁度測定器（Waterproof TN100）によって行なった。
【００５６】
以上の結果を図９にグラフで示している。グラフのＸ軸はバッファ層形成用溶液の濁度変化量を示す。濁度変化量は、溶液作製直後のバッファ層形成用溶液の濁度をＸ０（ＮＴＵ）とし、７３℃で１０分間放置した後の濁度をＸ１（ＮＴＵ）としたときに、単位時間あたりに変化した濁度量である（Ｘ１−Ｘ０）／１０（単位：ＮＴＵ／ｍｉｎ）として表わした。また、グラフのＹ軸はバッファ層の成膜レートを示す。バッファ層の成膜レートは、３０分間で生成したバッファ層の厚みをＹ１（ｎｍ）としたときに、単位時間あたりの生成したバッファ層の厚みであるＹ１／３０（単位：ｎｍ／ｍｉｎ）として表わした。
【００５７】
つまり、グラフにおいて、＋Ｘ軸側ほど濁度変化量が大きく、短時間でバッファ層形成用溶液が濁りやすくなる、つまり劣化しやすいといえる。また、＋Ｙ軸側ほどバッファ層の成膜レートが高いといえる。以上のことから、バッファ層形成用溶液としては、バッファ層の成膜レートが高いとともに、濁度変化量は小さいものが良好なものであり、グラフの左上にあるものほど、バッファ層形成用溶液として優れていると判断できる。
【００５８】
グラフにおいて、添加剤を含まない比較例としての試料Ｎｏ．６は、濁度量変化が小さいものの、バッファ層の成膜レートは低い。また、添加剤としてクエン酸を用いた比較例としての試料Ｎｏ．４および添加剤として酒石酸を用いた比較例としての試料Ｎｏ．５は、試料Ｎｏ．６よりもバッファ層の成膜レートは高くなっているが、濁度変化量が大きい。
【００５９】
これに対し、試料Ｎｏ．１〜３は比較例に比べ、成膜レートを高くしながら、濁度変化量を小さくすることができ、優れていることが分かった。
【符号の説明】
【００６０】
１：基板
２：下部電極層
３：第１の半導体層
４：第２の半導体層
５：上部電極層
６：接続導体
７：集電電極
１０：光電変換セル
１１：光電変換装置
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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