(57)【要約】【課題】パルス光照射により熱可塑性樹脂基材との密着性が良好な導電膜が得られる、導電膜の製造方法を提供すること。【解決手段】熱可塑性樹脂基材上に、酸化銅粒子（Ａ）と銅粒子（Ｂ）と有機ポリマー（Ｃ）とを含有し、上記酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する上記銅粒子（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）が１０〜５０質量％である、導電膜形成用組成物を付与して、塗膜を形成する塗膜形成工程と、  上記塗膜に対してパルス光照射処理を行い、上記酸化銅粒子（Ａ）を還元して、銅を含有する導電膜を形成する還元工程とを備える、導電膜の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱可塑性樹脂基材上に、酸化銅粒子（Ａ）と銅粒子（Ｂ）と有機ポリマー（Ｃ）とを含有し、前記酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する前記銅粒子（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）が１０〜５０質量％である、導電膜形成用組成物を付与して、塗膜を形成する塗膜形成工程と、
前記塗膜に対してパルス光照射処理を行い、前記酸化銅粒子（Ａ）を還元して、銅を含有する導電膜を形成する還元工程とを備える、導電膜の製造方法。
【請求項２】
前記割合（Ｂ／Ａ）が、１５〜４０質量％である、請求項１に記載の導電膜の製造方法。
【請求項３】
前記導電膜形成用組成物全量に対する前記銅粒子（Ｂ）の含有量が、１０〜２０質量％である、請求項１または２に記載の導電膜の製造方法。
【請求項４】
前記導電膜形成用組成物全量に対する前記酸化銅粒子（Ａ）の含有量が、４０〜６０質量％である、請求項１〜３のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項５】
前記酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する前記有機ポリマー（Ｃ）の含有量の割合（Ｃ／Ａ）が、１０〜３０質量％である、請求項１〜４のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項６】
前記銅粒子（Ｂ）の平均粒子径が５０〜５００ｎｍである、請求項１〜５のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項７】
前記有機ポリマー（Ｃ）の重量平均分子量が１００，０００以上である、請求項１〜６のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項８】
前記熱可塑性樹脂基材を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度が１６０℃以下である、請求項１〜７のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項９】
前記有機ポリマー（Ｃ）が、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコールおよびポリエチレングリコールからなる群より選択される少なくとも１種のポリマーである、請求項１〜８のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項１０】
前記酸化銅粒子（Ａ）が酸化銅（ＩＩ）粒子である、請求項１〜９のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項１１】
前記導電膜形成用組成物が、さらに主溶媒として水または水溶性アルコールを含有する、請求項１〜１０のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項１２】
前記熱可塑性樹脂基材がＰＥＴ基材である、請求項１〜１１のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項１３】
前記銅粒子（Ｂ）が、ポリマー被覆銅粒子である、請求項１〜１２のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項１４】
前記還元工程の前に、前記塗膜を乾燥する、乾燥工程をさらに備える、請求項１〜１３のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
【請求項１５】
酸化銅粒子（Ａ）と銅粒子（Ｂ）と有機ポリマー（Ｃ）とを含有し、前記酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する前記銅粒子（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）が１０〜５０質量％である、導電膜形成用組成物。
【請求項１６】
前記割合（Ｂ／Ａ）が１５〜４０質量％である、請求項１５に記載の導電膜形成用組成物。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電膜の製造方法および導電膜形成用組成物に関する。
【背景技術】
【０００２】
金属粒子または金属酸化物粒子の分散体を印刷法により基材に塗布し、加熱処理により焼結させることによって配線等の導電膜を形成する方法が知られている。
上記方法は、従来の高熱・真空プロセス（スパッタ）やめっき処理による導電膜形成方法に比べて、簡便・省エネ・省資源であることから次世代エレクトロニクス開発において大きな期待を集めている。なかでも、近年、低コスト化の観点から、金属酸化物粒子を含む組成物を用いて、これを加熱処理により還元させるとともに焼結させることで導電膜を形成する方法が注目されている。
一方、上記のように加熱処理により焼結する場合、基材は高温に曝される。そのため、基材にポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）などの熱可塑性樹脂基材を使用すると基材が溶融してしまい、均一な導電膜が得ることが難しいという問題がある。
【０００３】
このようななか、特許文献１には、焼結にパルス光を使用することで、ＰＥＴ基材などの熱可塑性樹脂基材を加熱し過ぎることなく、基材上の酸化銅インクを焼結して金属銅フィルムを形成する方法が開示されている（００１３段落、実施例１など）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特表２０１０−５２８４２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、本発明者が、特許文献１を参考に、ＰＥＴ基材などの熱可塑性樹脂基材上に酸化銅粒子を含有する組成物を付与して塗膜を形成し、形成した塗膜にパルス光を照射して導電膜を形成したところ、基材と導電膜との間の密着性が不十分であることが明らかになった。このように基材と導電膜との間の密着性が不十分であると、配線等を形成したときに断線やショートなどの不具合が生じやすくなるため問題である。
【０００６】
そこで、本発明は、パルス光照射により熱可塑性樹脂基材との密着性が良好な導電膜が得られる、導電膜の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者は、上記課題を解決するため鋭意検討した結果、酸化銅粒子に対して所定量の銅粒子を含有する導電膜形成用組成物を使用することで、熱可塑性樹脂基材と導電膜との密着性が向上することを見出し、本発明を完成させた。すなわち、本発明者らは、以下の構成により上記課題が解決できることを見出した。
【０００８】
（１）  熱可塑性樹脂基材上に、酸化銅粒子（Ａ）と銅粒子（Ｂ）と有機ポリマー（Ｃ）とを含有し、上記酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する上記銅粒子（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）が１０〜５０質量％である、導電膜形成用組成物を付与して、塗膜を形成する塗膜形成工程と、
上記塗膜に対してパルス光照射処理を行い、上記酸化銅粒子（Ａ）を還元して、銅を含有する導電膜を形成する還元工程とを備える、導電膜の製造方法。
（２）  上記Ｂ／Ａが、１５〜４０質量％である、上記（１）に記載の導電膜の製造方法。
（３）  上記導電膜形成用組成物全量に対する銅粒子（Ｂ）の含有量が、１０〜２０質量％である、上記（１）または（２）に記載の導電膜の製造方法。
（４）  上記導電膜形成用組成物全量に対する酸化銅粒子（Ａ）の含有量が、４０〜６０質量％である、上記（１）〜（３）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（５）  上記酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する上記有機ポリマー（Ｃ）の含有量の割合（Ｃ／Ａ）が、１０〜３０質量％である、上記（１）〜（４）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（６）  上記銅粒子（Ｂ）の平均粒子径が５０〜５００ｎｍである、上記（１）〜（５）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（７）  上記有機ポリマー（Ｃ）の重量平均分子量が１００，０００以上である、上記（１）〜（６）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（８）  上記熱可塑性樹脂基材を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度が１６０℃以下である、上記（１）〜（７）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（９）  上記有機ポリマー（Ｃ）が、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコールおよびポリエチレングリコールからなる群より選択される少なくとも１種のポリマーである、上記（１）〜（８）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（１０）  上記酸化銅粒子（Ａ）が酸化銅（ＩＩ）粒子である、上記（１）〜（９）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（１１）  導電膜形成用組成物が、さらに主溶媒として水または水溶性アルコールを含有する、上記（１）〜（１０）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（１２）  上記熱可塑性樹脂基材がＰＥＴ基材である、上記（１）〜（１１）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（１３）  上記銅粒子（Ｂ）が、ポリマー被覆銅粒子である、上記（１）〜（１２）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（１４）  上記還元工程の前に、上記塗膜を乾燥する、乾燥工程をさらに備える、上記（１）〜（１３）のいずれかに記載の導電膜の製造方法。
（１５）  酸化銅粒子（Ａ）と銅粒子（Ｂ）と有機ポリマー（Ｃ）とを含有し、上記酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する上記銅粒子（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）が１０〜５０質量％である、導電膜形成用組成物。
（１６）  上記割合（Ｂ／Ａ）が１５〜４０質量％である、上記（１５）に記載の導電膜形成用組成物。
【発明の効果】
【０００９】
以下に示すように、本発明によれば、パルス光照射により熱可塑性樹脂基材との密着性が良好な導電膜が得られる、導電膜の製造方法を提供することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本発明の導電膜の製造方法について説明する。
まず、本発明の従来技術と比較した特徴点について詳述する。
本発明の導電膜の製造方法の特徴は、酸化銅粒子に対して所定量の銅粒子を含有する導電膜形成用組成物を使用する点にある。
特許文献１に記載される方法のように酸化銅インクの塗膜にパルス光を照射した場合、塗膜の表層ではエネルギーが吸収されて酸化銅の還元および焼結（以下、還元焼結ともいう）が生じるが、酸化銅は熱伝導率が低いため、吸収されたエネルギーの大部分は表層に留まり、表層よりも下の領域では還元焼結が十分に進まない。結果として、得られる導電膜と基材との密着性は不十分となる。
これに対し、本発明では、導電膜形成用組成物中に酸化銅粒子に加えて所定量の銅粒子を含有するため、塗膜にパルス光を照射した場合、塗膜の表層で吸収されたエネルギーが熱エネルギーとなり、熱伝導性の高い銅粒子を媒体として表層よりも下の領域に伝導し、塗膜全体で還元焼結が進んで導電膜が形成される。また、熱エネルギーは熱可塑性樹脂基材に達し、基材を軟化させるため、導電膜と基材とが融着される。結果、基材との密着性が良好な導電膜が得られる。
銅粒子の含有量が所定量よりも少ない場合（酸化銅粒子の含有量に対する銅粒子の含有量の割合が１０質量％未満である場合）、塗膜の熱伝導性が不十分となり、塗膜全体での還元焼結が十分に進まない。また、基材に達する熱エネルギーが少ないために基材がほとんど軟化しない。結果として、得られる導電膜と基材との密着性は不十分となる。
また、銅粒子の含有量が所定量よりも多くなると（酸化銅粒子の含有量に対する銅粒子の含有量の割合が５０質量％超であると）、塗膜の熱伝導率が必要以上に高くなるため、過剰量の熱エネルギーが熱可塑性樹脂基材まで達して基材は溶融し、基材および導電膜が歪む。結果として、得られる導電膜と基材との密着性は不十分となる。
【００１１】
本発明の導電膜の製造方法は、以下の２つの工程を備える。
（１）熱可塑性樹脂基材上に、酸化銅粒子（Ａ）と銅粒子（Ｂ）と有機ポリマー（Ｃ）とを含有し、上記酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する上記銅粒子（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）が１０〜５０質量％である、導電膜形成用組成物を付与して、塗膜を形成する塗膜形成工程
（２）上記塗膜に対してパルス光照射処理を行い、上記酸化銅粒子（Ａ）を還元して、銅を含有する導電膜を形成する還元工程
また、本発明の導電膜の製造方法は、後述するとおり、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、工程（２）の前に、上記塗膜を乾燥する、乾燥工程をさらに備えるのが好ましい。
以下、各工程について詳述する。
【００１２】
［工程（１）：塗膜形成工程］
工程（１）は、熱可塑性樹脂基材上に、酸化銅粒子（Ａ）と銅粒子（Ｂ）と有機ポリマー（Ｃ）とを含有し、上記酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する上記銅粒子（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）が１０〜５０質量％である、導電膜形成用組成物を付与して、塗膜を形成する工程である。
まず、本工程で使用される材料（熱可塑性樹脂基材、導電膜形成用組成物）について詳述し、その後工程の手順について詳述する。
【００１３】
＜熱可塑性樹脂基材＞
本発明では基材として熱可塑性樹脂基材を使用する。
上述のとおり、本発明では基材として熱可塑性樹脂基材を使用するため、後述する工程（２）において、基材が軟化し、導電膜と融着して、密着性が向上する。
【００１４】
本発明で使用される熱可塑性樹脂基材は、熱可塑性樹脂により構成される基材であれば特に限定されない。
熱可塑性樹脂基材を構成する熱可塑性樹脂としては、例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブチレンなどのポリオレフィン系樹脂；ポリメチルメタクリレートなどのメタクリル系樹脂；ポリスチレン、ＡＢＳ、ＡＳなどのポリスチレン系樹脂；ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）、ポリブチレンテレフタレート（ＰＢＴ）、ポリトリメチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート（ＰＥＮ）、ポリ１，４−シクロヘキシルジメチレンテレフタレート（ＰＣＴ）などのポリエステル系樹脂；ポリカプロアミド（ナイロン６）、ポリヘキサメチレンアジパミド（ナイロン６６）、ポリヘキサメチレンセバカミド（ナイロン６１０）、ポリヘキサメチレンドデカミド（ナイロン６１２）、ポリドデカンアミド（ナイロン１２）、ポリヘキサメチレンテレフタラミド（ナイロン６Ｔ）、ポリヘキサンメチレンイソフタラミド（ナイロン６Ｉ）、ポリカプロアミド／ポリヘキサメチレンテレフタルアミドコポリマー（ナイロン６／６Ｔ）、ポリヘキサメチレンアジパミド／ポリヘキサメチレンテレフタルアミドコポリマー（ナイロン６６／６Ｔ）、ポリヘキサメチレンアジパミド／ポリヘキサメチレンイソフタルアミドコポリマー（ナイロン６６／６Ｉ）などのナイロン樹脂およびナイロン共重合体樹脂から選ばれるポリアミド樹脂；ポリ塩化ビニル樹脂；ポリオキシメチレン（ＰＯＭ）；ポリカーボネート（ＰＣ）樹脂；ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）樹脂；変性ポリフェニレンエーテル（ＰＰＥ）樹脂；ポリエーテルイミド（ＰＥＩ）樹脂；ポリスルホン（ＰＳＦ）樹脂；ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）樹脂；ポリケトン樹脂；ポリエーテルニトリル（ＰＥＮ）樹脂；ポリエーテルケトン（ＰＥＫ）樹脂；ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）樹脂；ポリエーテルケトンケトン（ＰＥＫＫ）樹脂；ポリイミド（ＰＩ）樹脂；ポリアミドイミド（ＰＡＩ）樹脂；フッ素樹脂；これらの樹脂を変性させた変性樹脂またはこれらの樹脂の混合物などが挙げられる。
なかでも、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、ポリエステル系樹脂またはポリカーボネート樹脂であることが好ましく、ポリエステル系樹脂であることがより好ましく、ＰＥＴまたはＰＥＮであることがさらに好ましく、ＰＥＴであることが特に好ましい。
【００１５】
熱可塑性樹脂基材を構成する熱可塑性樹脂のガラス転移温度（Ｔｇ）は特に限定されないが、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、１６０℃以下であることが好ましく、１３０℃以下であることがより好ましく、１００℃以下であることがさらに好ましい。また、ガラス転移温度の下限も特に限定されないが、５０℃以上であることが好ましい。
ここでガラス転移温度とは、ＤＳＣ（示差走査熱量測定）で測定されるガラス転移温度を言う。
【００１６】
熱可塑性樹脂基材の厚さは、取扱易さの観点から、１〜５００μｍであることが好ましく、１０〜１５０μｍであることがより好ましい。
【００１７】
＜導電膜形成用組成物＞
本発明で使用される導電膜形成用組成物（以下、本発明の導電膜形成用組成物ともいう）は、酸化銅粒子（Ａ）と銅粒子（Ｂ）と有機ポリマー（Ｃ）とを含有し、上記酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する上記銅粒子（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）が、１０〜５０質量％である。
また、本発明の導電膜形成用組成物は、印刷性の観点から、溶媒（Ｄ）を含有するのが好ましい。
以下、導電膜形成用組成物の各成分（酸化銅粒子（Ａ）、銅粒子（Ｂ）、有機ポリマー（Ｃ）、溶媒（Ｄ）など）について詳述する。
【００１８】
（酸化銅粒子（Ａ））
導電膜形成用組成物に含有される酸化銅粒子（Ａ）は粒子状の酸化銅であれば特に限定されない。
粒子状とは小さい粒状を指し、その具体例としては、球状、楕円体状などが挙げられる。完全な球や楕円体である必要は無く、一部が歪んでいても良い。
本発明における「酸化銅」とは、酸化されていない銅を実質的に含まない化合物である。銅を実質的に含まないとは、限定的ではないが、銅の含有量が酸化銅粒子に対して１質量％以下であることをいう。酸化銅粒子に対する銅の含有量はＸＲＤにより測定したものである。
【００１９】
酸化銅粒子（Ａ）は、酸化銅（Ｉ）粒子または酸化銅（ＩＩ）粒子であることが好ましく、安価に入手可能であり、また、得られる導電膜の導電性が良好である理由から、酸化銅（ＩＩ）粒子であることがより好ましい。
【００２０】
酸化銅粒子（Ａ）の平均粒子径は特に限定されないが、２００ｎｍ以下が好ましく、１００ｎｍ以下がより好ましい。下限も特に限定されないが、１ｎｍ以上が好ましい。
平均粒子径が１ｎｍ以上であると、粒子表面の活性が高くなりすぎず、組成物中で溶解することがなく、取扱い性に優れるため好ましい。また、平均粒子径が２００ｎｍ以下であると、組成物をインクジェット用インク組成物として用い、印刷法により配線等のパターン形成を行うことが容易となり、組成物を導体化する際に、金属銅への還元が十分となり、得られる導電膜の導電性が良好となるため好ましい。
なお、本発明における平均粒子径は、平均一次粒径のことを指す。平均粒子径は、透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）観察により、少なくとも５０個以上の酸化銅粒子の粒子径（直径）を測定し、それらを算術平均して求める。なお、観察図中、酸化銅粒子の形状が真円状でない場合、長径を直径として測定する。
酸化銅粒子としては、例えば、関東化学社製のＣｕＯナノ粒子、シグマアルドリッチ社製のＣｕＯナノ粒子などを好ましく使用することができる。
【００２１】
導電膜形成用組成物全量に対する酸化銅粒子（Ａ）の含有量は、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、２０〜８０質量％であることが好ましく、３０〜７０質量％であることがより好ましく、４０〜６０質量％であることがさらに好ましい。
【００２２】
（銅粒子（Ｂ））
導電膜形成用組成物に含有される銅粒子（Ｂ）は粒子状の銅であれば特に限定されない。
粒子状の定義は上述した酸化銅粒子（Ａ）と同じである。
本発明における「銅」とは、酸化銅を実質的に含まない化合物である。酸化銅を実質的に含まないとは、限定的ではないが、酸化銅の含有量が銅粒子に対して１質量％以下であることをいう。銅粒子に対する酸化銅の含有量はＸＲＤにより測定したものである。
【００２３】
銅粒子（Ｂ）の平均粒子径は特に限定されないが、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、３０〜３０００ｎｍであることが好ましく、５０〜５００ｎｍであることがより好ましく、５０〜２５０ｎｍであることがさらに好ましく、１００〜２５０ｎｍであることがよりさらに好ましく、１００〜２００ｎｍであることが特に好ましい。
平均粒子径の定義は上述した酸化銅粒子（Ａ）と同じである。
【００２４】
銅粒子（Ｂ）は、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、ポリマー被覆銅粒子（ポリマーで被覆した銅粒子）であることが好ましい。ここでポリマー被覆銅粒子は、銅粒子の一部がポリマーで覆われたものでも、銅粒子全体がポリマーで覆われたものでもよく、銅粒子全体がポリマーで覆われたものであることが好ましい。
上記ポリマーは、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリエチレングリコール、ゼラチン、コラーゲンまたはポリアクリル酸であることが好ましく、ゼラチン（特に酵素で分解処理したもの）であることがより好ましい。ゼラチンの重量平均分子量は１００００以下であることが好ましい。なお、上記重量平均分子量は、ＧＰＣ法（溶媒：Ｎ−メチルピロリドン）により得られたポリスチレン換算値である。
【００２５】
導電膜形成用組成物全量に対する銅粒子（Ｂ）の含有量は、基材と導電膜との密着性がより良好になる理由から、３〜３０質量％であることが好ましく、７〜２３質量％であることがより好ましく、１０〜２０質量％であることがさらに好ましい。
【００２６】
本発明の導電膜形成用組成物において、酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する銅粒子（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）は、１０〜５０質量％である。
上述のとおり、本発明では、酸化銅粒子（Ａ）に対して銅粒子（Ｂ）を所定量含有する導電膜形成用組成物を使用するため、基材との密着性が良好な導電膜が得られる。
上記Ｂ／Ａは、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、１５〜４０質量％であることが好ましく、２０〜３０質量％であることがより好ましい。
【００２７】
（有機ポリマー（Ｃ））
有機ポリマー（Ｃ）は酸化銅粒子（Ａ）および銅粒子（Ｂ）のバインダーとして働き、導電膜に靭性を付与する。
導電膜形成用組成物に含有される有機ポリマー（Ｃ）としては、例えば、アクリル系ポリマー（例えば、（メタ）アクリル酸エステル、（メタ）アクリル酸、（メタ）アクリルアミド、（メタ）アクリロニトリルなどのアクリル系モノマーの重合体または共重合体）、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコール、ポリビニルアセタール、ポリエチレングリコール、ポリエステル、ポリアミド、ポリイミド、ポリウレタンなどを挙げることができる。なかでも、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の靭性がより向上する理由から、ポリビニルピロリドン、ポリビニルアルコールまたはポリエチレングリコールであることが好ましく、ポリビニルピロリドンであることがより好ましい。
【００２８】
有機ポリマー（Ｃ）の重量平均分子量は特に限定されないが、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、１，０００〜１，０００，０００であることが好ましく、１００，０００〜３００，０００であることがより好ましい。
なお、上記重量平均分子量は、ＧＰＣ法（溶媒：Ｎ−メチルピロリドン）により得られたポリスチレン換算値である。
【００２９】
導電膜形成用組成物全量に対する有機ポリマー（Ｃ）の含有量は、基材と導電膜との密着性がより良好になる理由から、１〜３０質量％であることが好ましく、５〜１５質量％であることがより好ましい。
【００３０】
本発明の導電膜形成用組成物において、酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する有機ポリマー（Ｃ）の含有量の割合（Ｃ／Ａ）は、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、５〜５０質量％であることが好ましく、１０〜３０質量％であることがより好ましい。
【００３１】
（溶媒（Ｄ））
本発明の導電膜形成用組成物は、印刷性の観点から、溶媒（Ｄ）を含有するのが好ましい。溶媒（Ｄ）は、酸化銅粒子（Ａ）および銅粒子（Ｂ）の分散媒として機能する。
溶媒（Ｄ）としては特に限定されないが、水やアルコール類（特に水溶性アルコール）、エーテル類、エステル類などの有機溶媒などを使用することができる。なかでも、水または水溶性アルコールを主溶媒として使用することが好ましい。ここで、主溶媒とは、溶媒の中で含有率が最も高い溶媒である。水溶性アルコールとしては、例えば、１〜３価の脂肪族アルコール（例えばグリセリン）などが挙げられる。
【００３２】
溶媒（Ｄ）の含有量は特に限定されないが、粘度の上昇が抑制され、取扱い性に優れる観点から、組成物全質量に対して、５〜５０質量％であることが好ましく、８〜４０質量％であることがより好ましい。
【００３３】
（その他成分）
本発明の導電膜形成用組成物には、上記各成分以外の成分が含まれていてもよい。
例えば、本発明の導電膜形成用組成物には、界面活性剤が含まれていてもよい。界面活性剤の種類は特に限定されず、アニオン系界面活性剤、カチオン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、フッ素系界面活性剤、両性界面活性剤などが挙げられる。これら界面活性剤は、１種を単独、または２種以上を混合して用いることができる。
【００３４】
（導電膜形成用組成物の粘度）
本発明の導電膜形成用組成物の粘度は、インクジェット、スクリーン印刷等の印刷用途に適するような粘度に調整させることが好ましい。インクジェット吐出を行う場合、１〜５０ｃＰであることが好ましく、１〜４０ｃＰであることがより好ましい。スクリーン印刷を行う場合は、１０００〜１０００００ｃＰであることが好ましく、１００００〜８００００ｃＰであることがより好ましい。
【００３５】
（導電膜形成用組成物の調製方法）
本発明の導電膜形成用組成物の調製方法は特に限定されず、公知の方法を採用できる。例えば、上記溶媒（Ｄ）中に上記酸化銅粒子（Ａ）、上記銅粒子（Ｂ）および上記有機ポリマー（Ｃ）を添加した後、超音波法（例えば、超音波ホモジナイザーによる処理）、ミキサー法、３本ロール法、ボールミル法などの公知の手段により成分を分散させるによって、組成物を得ることができる。
【００３６】
＜工程（１）の手順＞
工程（１）は、熱可塑性樹脂基材上に、上述した導電膜形成用組成物を付与し、塗膜を形成する工程である。
導電膜形成用組成物を熱可塑性樹脂基材上に付与する方法は特に限定されず、公知の方法を採用できる。例えば、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スプレー塗布法、スピンコーティング法、インクジェット法などの塗布法が挙げられる。なかでも、簡便であり、また、サイズの大きい導電膜を製造することが容易であることから、スクリーン印刷法、インクジェット法であることが好ましい。
塗布の形状は特に限定されず、基材全面を覆う面状であっても、パターン状（例えば、配線状、ドット状）であってもよい。
基材上への導電膜形成用組成物の塗布量としては、所望する導電膜の膜厚に応じて適宜調整すればよいが、通常、塗膜の膜厚は０．０１〜５０００μｍが好ましく、０．１〜１０００μｍがより好ましい。
【００３７】
［乾燥工程］
本発明の導電膜の製造方法は、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、工程（２）の前に、工程（１）で形成された塗膜を乾燥する、乾燥工程をさらに備えるのが好ましい。
上記乾燥工程により、塗膜中に残存する溶媒が除去され、後述する還元工程において、溶媒の気化膨張に起因する微小なクラックや空隙の発生を低減することができる。
乾燥方法としては、温風乾燥機などを用いることができる。
乾燥温度は、酸化物粒子（Ａ）の還元が生じないような温度であることが好ましく、具体的には、４０〜２００℃であることが好ましく、４５〜１５０℃であることがより好ましく、５０〜１２０℃であることがさらに好ましい。
乾燥時間は特に限定されないが、基材と導電膜との密着性がより良好になり、また、導電膜の導電性が良好になる理由から、１〜６０分であることが好ましい。
【００３８】
［工程（２）：還元工程］
工程（２）は、工程（１）で形成された塗膜（乾燥工程を備える場合は乾燥後の塗膜）に対してパルス光照射処理を行い、酸化銅粒子（Ａ）を還元して、銅を含有する導電膜を形成する工程である。
パルス光照射処理は、塗膜に対してパスル光を短時間照射する処理であり、基材を加熱し過ぎることがないため、基材として熱可塑性樹脂基材を使用することができる。
上述のとおり、塗膜にパルス光照射処理を行った場合、塗膜の表層で還元焼結が進むとともに、表層で吸収されたエネルギーが塗膜中の銅粒子（Ｂ）を媒体として表層より下の領域に伝導し、塗膜全体で還元焼結が進む。より具体的には、酸化銅粒子（Ａ）の還元により生成する銅粒子、および、上記銅粒子（Ｂ）が互いに融着してグレインが形成され、さらにグレイン同士が接着・融着して銅を含有する導電膜が形成される。
【００３９】
パルス光照射処理で使用される光源は特に限定されず、例えば、水銀灯、メタルハライドランプ、キセノン（Ｘｅ）ランプ、ケミカルランプ、カーボンアーク灯等がある。放射線としては、電子線、Ｘ線、イオンビーム、遠赤外線などがある。また、ｇ線、ｉ線、Ｄｅｅｐ−ＵＶ光、高密度エネルギービーム（レーザービーム）も使用される。
【００４０】
パルス光照射処理は、フラッシュランプによるパルス光照射処理であることが好ましく、Ｘｅフラッシュランプによるパルス光照射処理であることがより好ましい。
パルス光の照射エネルギーは、１〜１００Ｊ／ｃｍ2であることが好ましく、１〜５０Ｊ／ｃｍ2であることがより好ましく、１〜３０Ｊ／ｃｍ2であることがさらに好ましい。パルス光のパルス幅は、１μ秒〜１００ｍ秒であることが好ましく、１０μ秒〜１０ｍ秒であることがより好ましい。パルス光の照射時間は、１μ秒〜１０００ｍ秒であることが好ましく、１ｍ秒〜５００ｍ秒であることがより好ましく、１ｍ秒〜２００ｍ秒であることがさらに好ましい。
【００４１】
上記パルス光照射処理を実施する雰囲気は特に限定されず、大気雰囲気下、不活性雰囲気下、または還元性雰囲気下などが挙げられる。なお、不活性雰囲気とは、例えば、アルゴン、ヘリウム、ネオン、窒素等の不活性ガスで満たされた雰囲気であり、また、還元性雰囲気とは、水素、一酸化炭素、ギ酸、アルコール等の還元性ガスが存在する雰囲気を指す。
【００４２】
（導電膜）
上記工程を実施することにより、銅を含有する導電膜が得られる。
導電膜の膜厚は特に限定されず、使用される用途に応じて適宜最適な膜厚が調整される。なかでも、プリント配線基板用途の点からは、０．０１〜１０００μｍが好ましく、０．１〜１００μｍがより好ましい。
【００４３】
導電膜は基材の全面、または、パターン状に設けられてもよい。パターン状の導電膜は、プリント配線基板などの導体配線（配線）として有用である。
パターン状の導電膜を得る方法としては、上記導電膜形成用組成物をパターン状に基材に付与して、上記パルス光照射処理を行う方法や、基材全面に設けられた導電膜をパターン状にエッチングする方法などが挙げられる。
エッチングの方法は特に限定されず、公知のサブトラクティブ法、セミアディティブ法などを採用できる。
【００４４】
パターン状の導電膜を多層配線基板として構成する場合、パターン状の導電膜の表面に、さらに絶縁層（絶縁樹脂層、層間絶縁膜、ソルダーレジスト）を積層して、その表面にさらなる配線（金属パターン）を形成してもよい。
【００４５】
絶縁膜の材料は特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、アラミド樹脂、結晶性ポリオレフィン樹脂、非晶性ポリオレフィン樹脂、フッ素含有樹脂（ポリテトラフルオロエチレン、全フッ素化ポリイミド、全フッ素化アモルファス樹脂など）、ポリイミド樹脂、ポリエーテルスルフォン樹脂、ポリフェニレンサルファイド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、液晶樹脂など挙げられる。
これらの中でも、密着性、寸法安定性、耐熱性、電気絶縁性等の観点から、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、または液晶樹脂を含有するものであることが好ましく、より好ましくはエポキシ樹脂である。具体的には、味の素ファインテクノ（株）製、ＡＢＦ  ＧＸ−１３などが挙げられる。
【００４６】
また、配線保護のために用いられる絶縁層の材料の一種であるソルダーレジストについては、例えば、特開平１０−２０４１５０号公報や、特開２００３−２２２９９３号公報等に詳細に記載され、ここに記載の材料を所望により本発明にも適用することができる。ソルダーレジストは市販品を用いてもよく、具体的には、例えば、太陽インキ製造（株）製ＰＦＲ８００、ＰＳＲ４０００（商品名）、日立化成工業（株）製  ＳＲ７２００Ｇ、などが挙げられる。
【００４７】
上記で得られた導電膜を有する基材（導電膜付き基材）は、種々の用途に使用することができる。例えば、プリント配線基板、ＴＦＴ、ＦＰＣ、ＲＦＩＤなどが挙げられる。
【実施例】
【００４８】
（組成物１の調製）
酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（５０質量部）と、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（５質量部）と、有機ポリマーとしてポリビニルピロリドン（重量平均分子量２２０，０００）（１０質量部）と、水（２０質量部）と、グリセリン（１５質量部）とを混合し、自転公転ミキサー(ＴＨＩＮＫＹ社製、あわとり練太郎ＡＲＥ−３１０)で５分間処理することで導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物１とする。
【００４９】
（組成物２の調製）
酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（５０質量部）と、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）と、有機ポリマーとしてポリビニルピロリドン（重量平均分子量２２０，０００）（１０質量部）と、水（１５質量部）と、グリセリン（１５質量部）とを混合し、自転公転ミキサー(ＴＨＩＮＫＹ社製、あわとり練太郎ＡＲＥ−３１０)で５分間処理することで導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物２とする。
【００５０】
（組成物３の調製）
酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（５０質量部）の代わりに、酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（４０質量部）を混合し、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（５質量部）の代わりに、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（２０質量部）を混合し、水（２０質量部）の代わりに、水（１５質量部）を混合した以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物３とする。
【００５１】
（組成物４の調製）
酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（５０質量部）の代わりに、酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（４０質量部）を混合し、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（５質量部）の代わりに、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）を混合し、水（２０質量部）の代わりに、水（２５質量部）を混合した以外は、組成物１と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物４とする。
【００５２】
（組成物５の調製）
銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）の代わりに、銅粒子（三井金属社製、平均粒子径３７０ｎｍ）（１０質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物５とする。
【００５３】
（組成物６の調製）
銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）の代わりに、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−５０、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径５０ｎｍ）（１０質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物６とする。
【００５４】
（組成物７の調製）
ポリビニルピロリドン（重量平均分子量２２０，０００）（１０質量部）の代わりに、ポリビニルピロリドン（重量平均分子量４０，０００）（１０質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物７とする。
【００５５】
（組成物８の調製）
酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（５０質量部）の代わりに、酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（４４質量部）を混合し、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）の代わりに、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（２２質量部）を混合し、水（１５質量部）の代わりに、水（９質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物８とする。
【００５６】
（組成物９の調製）
ポリビニルピロリドン（重量平均分子量２２０，０００）（１０質量部）の代わりに、ポリビニルピロリドン（重量平均分子量２２０，０００）（４質量部）を混合し、水（１５質量部）の代わりに、水（２１質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物９とする。
【００５７】
（組成物１０の調製）
ポリビニルピロリドン（重量平均分子量２２０，０００）（１０質量部）の代わりに、ポリビニルピロリドン（重量平均分子量２２０，０００）（１７質量部）を混合し、水（１５質量部）の代わりに、水（８質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物１０とする。
【００５８】
（組成物１１の調製）
ポリビニルピロリドン（重量平均分子量２２０，０００）（１０質量部）の代わりに、ポリビニルピロリドン（重量平均分子量３６０，０００）（１０質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物１１とする。
【００５９】
（組成物１２の調製）
銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）の代わりに、銅粒子（福田金属箔粉工業社製、Ｃｕ−ＨＷＱ、平均粒子径３０００ｎｍ）（１０質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物１２とする。
【００６０】
（組成物１３の調製）
銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）の代わりに、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（８質量部）を混合し、水（１５質量部）の代わりに、水（１７質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を組成物１３とする。
【００６１】
（比較組成物１の調製）
銅粒子を混合せず、水（１５質量部）の代わりに、水（２５質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を比較組成物１とする。
【００６２】
（比較組成物２の調製）
銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）の代わりに、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１質量部）を混合し、水（１５質量部）の代わりに、水（２４質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を比較組成物２とする。
【００６３】
（比較組成物３の調製）
酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（５０質量部）の代わりに、酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（４０質量部）を混合し、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）の代わりに、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ））（２５質量部）を混合し、水（１５質量部）の代わりに、水（１０質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を比較組成物３とする。
【００６４】
（比較組成物４の調製）
酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（５０質量部）の代わりに、酸化銅粒子（シーアイ化成社製、ＮａｎｏＴｅｋ  ＣｕＯ、平均粒子径５０ｎｍ）（１０質量部）を混合し、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）の代わりに、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（５０質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を比較組成物４とする。
【００６５】
（比較組成物５の調製）
銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（１０質量部）の代わりに、銅粒子（石原産業社製、ＭＤ−２００、ゼラチンポリマー被覆銅粒子、平均粒子径２００ｎｍ）（４．５質量部）を混合し、水（１５質量部）の代わりに、水（２０．５質量部）を混合した以外は、組成物２と同様の手順に従って導電膜形成用組成物を得た。得られた導電膜形成用組成物を比較組成物５とする。
【００６６】
＜実施例１＞
ＰＥＴ基材（富士ゼロックス社製、ＰＰＣ／レーザー用ＯＨＰフィルム  ＧＡＡＡ５２２４、厚み：５０μｍ、Ｔｇ：６９℃）上に、スクリーン印刷機を用いて、組成物１をストライプ状（Ｌ／Ｓ＝１ｍｍ／１ｍｍ）に塗布し、その後、１００℃で１０分間乾燥させることで塗膜を得た。得られた塗膜にパルス光照射処理（Ｘｅｎｏｎ社製光焼結装置Ｓｉｎｔｅｒｏｎ２０００、照射エネルギー：５Ｊ／ｍ2、パルス幅：２ｍ秒）を行うことで導電膜を得た。
【００６７】
＜実施例２＞
組成物１の代わりに組成物２を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００６８】
＜実施例３＞
組成物１の代わりに組成物３を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００６９】
＜実施例４＞
組成物１の代わりに組成物４を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００７０】
＜実施例５＞
組成物１の代わりに組成物５を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００７１】
＜実施例６＞
組成物１の代わりに組成物６を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００７２】
＜実施例７＞
組成物１の代わりに組成物７を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００７３】
＜実施例８＞
ＰＥＴ基材の代わりに、ポリカーボネート（ＰＣ）基材（帝人化成株式会社製、パンライトＰＣ−２１５１、厚み：１２５μｍ、Ｔｇ：１５０℃）を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００７４】
＜実施例９＞
ＰＥＴ基材の代わりに、ＰＥＮ基材（帝人社製、テオネックスＱ５１、厚み：１２５μｍ、Ｔｇ：１５５℃）を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００７５】
＜実施例１０＞
ＰＥＴ基材の代わりに、ポリイミド（ＰＩ）基材（東レデュポン社製、カプトン５００Ｈ、厚み：１２５μｍ、Ｔｇ：３００℃超）を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００７６】
＜実施例１１＞
組成物１の代わりに組成物８を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００７７】
＜実施例１２＞
組成物１の代わりに組成物９を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００７８】
＜実施例１３＞
組成物１の代わりに組成物１０を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００７９】
＜実施例１４＞
組成物１の代わりに組成物１１を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００８０】
＜実施例１５＞
組成物１の代わりに組成物１２を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００８１】
＜実施例１６＞
組成物１の代わりに組成物１３を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００８２】
＜比較例１＞
組成物１の代わりに比較組成物１を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００８３】
＜比較例２＞
組成物１の代わりに比較組成物２を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００８４】
＜比較例３＞
組成物１の代わりに比較組成物３を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００８５】
＜比較例４＞
組成物１の代わりに比較組成物４を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得ようとしたところ、組成物が飛散し、導電膜が得られず、後述する密着性および導電性を評価することができなかった。
【００８６】
＜比較例５＞
ＰＥＴ基材の代わりに、ガラス基材（松浪硝子工業社製、スライドグラスＳ１２１４、厚み：１３００μｍ）を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００８７】
＜比較例６＞
組成物１の代わりに比較組成物５を使用した以外は、実施例１と同様の手順に従って導電膜を得た。
【００８８】
＜密着性＞
得られた導電膜にニチバン株式会社製セロハンテープ（幅２４ｍｍ）を密着させてから剥がした。剥がした後の導電膜の外観を目視で観察して密着性を評価した。評価基準は以下のとおりである。なお、実用上、Ａ〜Ｃであることが好ましい。
・Ａ：テープに導電膜の付着が見られず、導電膜と基材との界面での剥離も見られない。
・Ｂ：テープに導電膜の付着がやや見られるが、導電膜と基材との界面での剥離は見られない。
・Ｃ：テープに導電膜の付着がはっきり見られ、導電膜と基材との界面での剥離がやや見られる。
・Ｄ：テープに導電膜の付着がはっきり見られ、導電膜と基材との界面での剥離がはっきり見られる。
【００８９】
＜導電性＞
得られた導電膜について、四探針法抵抗率計を用いて体積抵抗率を測定し、導電性を評価した。評価基準は以下のとおりである。
・Ａ：体積抵抗率が５０μΩ・ｃｍ未満
・Ｂ：体積抵抗率が５０μΩ・ｃｍ以上１００μΩ・ｃｍ未満
・Ｃ：体積抵抗率が１００Ω・ｃｍ以上
【００９０】
なお、第１表中、含有量は、導電膜形成用組成物全量に対する各成分の含有量（質量％）を表す。
2014067617.tif 000002
【００９１】
第１表から分かるように、銅粒子（Ｂ）を含有しない比較例１の方法で得られた導電膜、並びに、酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する銅粒子（Ｂ）の含有量の割合（Ｂ／Ａ）が１０質量％未満である比較例２および６の方法で得られた導電膜は、基材との密着性が不十分であった。また、Ｂ／Ａが５０質量％を超える比較例３の方法で得られた導電膜についても、基材との密着性が不十分であった。銅粒子（Ｂ）の含有量が酸化銅粒子（Ａ）の含有量よりも大幅に多い比較例４では、上述のとおり、組成物が飛散し、導電膜が得られなかった。
また、Ｂ／Ａが所定の範囲内ではあるが、基材として熱可塑性樹脂基材ではなくガラス基材を使用した比較例５の方法で得られた導電膜についても、基材との密着性が不十分であった。
【００９２】
一方、基材として熱可塑性樹脂基材を使用し、Ｂ／Ａが所定の範囲内の導電膜形成用組成物を使用した本願実施例の方法で得られた導電膜はいずれも、基材との密着性が良好であった。
実施例１〜４、１１および１６の対比から分かるように、導電膜形成用組成物全量に対する銅粒子の含有量が７質量％未満である実施例１の方法で得られた導電膜、および、導電膜形成用組成物全量に対する銅粒子の含有量が２０質量％超である実施例１１の方法で得られた導電膜よりも、導電膜形成用組成物全量に対する銅粒子の含有量が７〜２０質量％である実施例２〜４および１６の方法で得られた導電膜の方が、基材との密着性がより良好であった。
また、実施例１〜４、１１〜１３および１６の対比から分かるように、酸化銅粒子（Ａ）の含有量に対する有機ポリマー（Ｃ）の含有量の割合（Ｃ／Ａ）が１０質量％未満である実施例１２の方法で得られた導電膜、および、Ｃ／Ａが３０質量％超である実施例１３の方法で得られた導電膜よりも、Ｃ／Ａが１０〜３０質量％である実施例１〜４、１３および１６の方法で得られた導電膜の方が、導電性が良好であった。
また、実施例２、７および１４の対比から分かるように、有機ポリマー（Ｃ）の重量平均分子量が１００，０００未満である実施例７の方法で得られた導電膜よりも、有機ポリマー（Ｃ）の重量平均分子量が１００，０００以上である実施例２および１４の方法で得られた導電膜の方が、基材との密着性がより良好であった。なかでも、有機ポリマー（Ｃ）の重量平均分子量が３００，０００以下である実施例２の方法で得られた導電膜の方が、導電性が良好であった。
また、実施例２、５、６および１５の対比から分かるように、銅粒子（Ｂ）の平均粒子径が５００ｎｍ超である実施例１５の方法で得られる導電膜よりも、銅粒子（Ｂ）の平均粒子径が５００ｎｍ以下である実施例２、５および６の方法で得られる導電膜の方が、基材との密着性がより良好であった。なかでも、銅粒子（Ｂ）の平均粒子径が２５０ｎｍ超である実施例５の方法で得られる導電膜よりも、銅粒子（Ｂ）の平均粒子径が２５０ｎｍ以下である実施例２および６の方法で得られる導電膜の方が、導電性が良好であった。なかでも、銅粒子（Ｂ）の平均粒子径が１００ｎｍ未満である実施例６の方法で得られる導電膜よりも、銅粒子（Ｂ）の平均粒子径が１００ｎｍ以上である実施例２の方法で得られる導電膜の方が、基材との密着性がさらに良好であった。