【手続補正書】
【提出日】令和3年2月12日(2021.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電子デバイス、デュプレクサ、通信機器、ダイプレクサ、電子デバイスを製造する方法
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電子デバイスであって、
バルク弾性波共振器を含む電子回路が形成された上面を有する第１基板であって、圧電材料から形成された第１基板と、
前記第１基板の上面に対向するように配置された底面を有する第２基板と、
前記第１基板の上面と前記第２基板の底面との間にかつ前記第１基板の上面及び前記第２基板の底面に接触して配置された側壁と
を含み、
前記第２基板は、前記電子回路により発せられる無線周波数（ＲＦ）信号が前記第２基板に結合されるのを抑制するべく高抵抗率材料から形成され、
前記側壁は、前記第１基板の上面及び前記第２基板の底面とともにキャビティを画定し、
前記キャビティは内部に前記電子回路を含み、
前記側壁は、順次積層されて液相拡散接合により接合された第１側壁及び第２側壁を含み、
前記第１側壁は金と錫の（Ａｕ−Ｓｎ）合金から形成され、
前記第２側壁は錫と銅の（Ｓｎ−Ｃｕ）合金から形成される電子デバイス。
【請求項２】
デュプレクサであって、
第１周波数の通過を許容するべく構成された受信フィルタと、
第２周波数の通過を許容するべく構成された送信フィルタと
を含み、
前記受信フィルタ及び前記送信フィルタの少なくとも一方が請求項１の電子デバイスを含むデュプレクサ。
【請求項３】
請求項２のデュプレクサを含む通信機器。
【請求項４】
前記通信機器は携帯電話機である請求項３の通信機器。
【請求項５】
前記第１基板の上面と前記第２基板の底面との間に配置された柱をさらに含む請求項１の電子デバイス。
【請求項６】
前記柱は金属から形成される請求項５の電子デバイス。
【請求項７】
前記第１基板は、前記第１基板の上面と前記第１基板の底面と間のスルーホールを貫通して前記第１基板の底面に形成された外部電極に前記電子回路を接続するビアを含み、
前記柱は前記ビアの直上に配置される請求項５の電子デバイス。
【請求項８】
前記第２基板を形成する高抵抗率材料は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも一方を含む請求項１の電子デバイス。
【請求項９】
前記第１基板を形成する圧電材料は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）の少なくとも一方を含む請求項１の電子デバイス。
【請求項１０】
前記バルク弾性波共振器は圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）及び音響多層膜共振器（ＳＭＲ）の少なくとも一方を含む請求項１の電子デバイス。
【請求項１１】
前記電子回路のグランドラインが前記側壁に接続される請求項１の電子デバイス。
【請求項１２】
ダイプレクサであって、
第１周波数帯域の信号を受信するべく構成された第１受信フィルタと、
前記第１周波数帯域とは異なる第２周波数帯域の信号を受信するべく構成された第２受信フィルタと
を含み、
前記第１受信フィルタ及び前記第２受信フィルタの少なくとも一方が請求項１の電子デバイスであるダイプレクサ。
【請求項１３】
電子デバイスであって、
バルク弾性波共振器を含む電子回路が形成された上面を有する第１基板であって、圧電材料から形成された第１基板と、
前記第１基板の上面に対向するように配置された底面を有する第２基板であって、低抵抗率材料から形成された第２基板と、
前記第１基板の上面と前記第２基板の底面との間に配置された側壁と
を含み、
前記側壁は、前記第１基板の上面及び前記第２基板の底面とともにキャビティを画定し、
前記キャビティは内部に前記電子回路を含み、
前記電子回路から発せられる無線周波数（ＲＦ）信号が前記第２基板に結合するのを抑制するべく前記第２基板の底面の全体を覆う高抵抗率材料の薄膜が形成される電子デバイス。
【請求項１４】
前記側壁は金属から形成されて前記薄膜を介して前記第２基板に接続される請求項１３の電子デバイス。
【請求項１５】
前記側壁は液相拡散接合により形成される請求項１４の電子デバイス。
【請求項１６】
前記電子回路のグランドラインが前記側壁に接続される請求項１４の電子デバイス。
【請求項１７】
前記第１基板の上面と前記第２基板の底面との間に配置された柱をさらに含む請求項１３の電子デバイス。
【請求項１８】
前記柱は金属から形成されて前記薄膜を介して前記第２基板に接続される請求項１７の電子デバイス。
【請求項１９】
前記第１基板は、前記第１基板の上面と前記第１基板の底面と間のスルーホールを貫通して前記第１基板の底面に形成された外部電極に前記電子回路を接続するビアを含み、
前記柱は前記ビアの直上に配置される請求項１７の電子デバイス。
【請求項２０】
前記第２基板を形成する低抵抗率材料はシリコンを含み、
前記薄膜を形成する高抵抗率材料は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも一方を含む請求項１３の電子デバイス。
【請求項２１】
前記第１基板を形成する圧電材料は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）の少なくとも一方を含む請求項１３の電子デバイス。
【請求項２２】
前記バルク弾性波共振器は圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）及び音響多層膜共振器（ＳＭＲ）の少なくとも一方を含む請求項１３の電子デバイス。
【請求項２３】
電子デバイスを製造する方法であって、
バルク弾性波共振器を含む電子回路を圧電材料から形成された第１基板の上面に形成することと、
第２基板の底面の全体を覆う薄膜を形成することと、
前記第１基板の上面と前記第２基板の底面との間に側壁を形成することと
を含み、
前記薄膜は、前記電子回路により発せられる無線周波数（ＲＦ）信号が前記第２基板に結合するのを抑制するべく高抵抗率材料から形成され、
前記側壁は、前記第１基板の上面及び前記第２基板の底面を支持し、前記第１基板の上面及び前記第２基板の底面とともに、前記電子回路を内部に含むキャビティを画定する方法。
【請求項２４】
前記第２基板を形成する低抵抗率材料はシリコンを含み、
前記薄膜を形成する高抵抗率材料は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも一方を含む請求項２３の方法。
【請求項２５】
前記第１基板を形成する圧電材料は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）の少なくとも一方を含む請求項２３の方法。
【請求項２６】
前記バルク弾性波共振器は圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）及び音響多層膜共振器（ＳＭＲ）の少なくとも一方を含む請求項２３の方法。
【請求項２７】
前記側壁は金属から形成されて前記薄膜を介して前記第２基板に接続される請求項２３の方法。
【請求項２８】
前記側壁を形成することは、前記第１基板の上面に形成された第１側壁と前記第２基板の底面に形成された第２側壁とを液相拡散接合によって接合することを含む請求項２３の方法。
【請求項２９】
電子デバイスを製造する方法であって、
圧電材料から形成された第１基板の上面に電子回路を形成することであって、前記電子回路はバルク弾性波共振器を含むことと、
高抵抗率材料から形成された第２基板を設けて前記電子回路により発せられる無線周波数（ＲＦ）信号が前記第２基板に結合されるのを抑制することと、
前記第１基板の上面と第２基板の底面との間にかつ前記第１基板の上面及び前記第２基板の底面に接触するように側壁を形成することと
を含み、
前記側壁は、前記第１基板の上面及び前記第２基板の底面とともにキャビティを画定し、
前記キャビティは内部に前記電子回路を含み、
前記側壁を形成することは、前記第１基板の上面に形成された第１側壁と前記第２基板の底面に形成された第２側壁とを液相拡散接合によって接合することを含む方法。
【請求項３０】
前記第２基板を形成する高抵抗率材料は二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）及び酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）の少なくとも一方を含む請求項２９の方法。
【請求項３１】
前記第１基板を形成する圧電材料は窒化アルミニウム（ＡｌＮ）及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）の少なくとも一方を含む請求項２９の方法。
【請求項３２】
前記バルク弾性波共振器は圧電薄膜共振器（ＦＢＡＲ）及び音響多層膜共振器（ＳＭＲ）の少なくとも一方を含む請求項２９の方法。