(57)【要約】【課題】ＭＥＭＳ構造を製造する方法を提供すること。【解決手段】この方法は、シリコン基板の第１の表面の近傍のドープ層に加工構造を製造するステップを含む。シリコン基板の第１の表面は、第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第１の平らなガラス構造に結合される。また、この方法は、シリコン基板のバルクを除去するためにエッチングするステップを含み、バルクはシリコン基板の第１の表面の反対側であり、エッチングによってバルクが除去され、第１の平らなガラス構造に結合された加工構造が残される。また、この方法は、第１の平らなガラス構造から第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャを除去するためにエッチングするステップを含む。【選択図】図１０
2014039995.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭＥＭＳ構造を製造する方法であって、
シリコン基板の第１の表面の近傍のドープ層に加工構造を製造するステップであって、前記シリコン基板の前記ドープ層が縮退的にｐ型にドープされる、ステップと、
第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第１の平らなガラス構造に前記シリコン基板の前記第１の表面を結合するステップと、
前記シリコン基板のバルクを除去するためにエッチングするステップであって、前記バルクが前記シリコン基板の前記第１の表面の反対側であり、エッチングするステップによって前記バルクが除去され、前記第１の平らなガラス構造に結合された前記加工構造が残され、前記シリコン基板の前記バルクを除去するためにエッチングするステップが、より高度にドープされたシリコンに対して、より低度にドープされたシリコンを選択的にエッチングする選択的エッチング用試薬を少なくとも部分的に使用して実施される、ステップと、
前記第１の平らなガラス構造から前記第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャを除去するためにエッチングするステップであって、より高度にドープされたシリコンに対して、より低度にドープされたシリコンを選択的にエッチングする選択的エッチング用試薬を使用して実施される、ステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記加工構造が前記第１の平らなガラス構造に結合されると、第２の１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第２の平らなガラス構造に前記加工構造の露出表面を結合するステップであって、それにより前記第１の平らなガラス構造と前記第２の平らなガラス構造の間に前記加工構造が配置される、ステップと、
前記第２の平らなガラス構造から前記第２の１つまたは複数の犠牲フィーチャを除去するためにエッチングするステップであって、より高度にドープされたシリコンに対して、より低度にドープされたシリコンを選択的にエッチングする選択的エッチング用試薬を使用して実施される、ステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
１つまたは複数のシリコンフィーチャを中に形成するために、第２のシリコン基板の第２の表面をエッチングするステップ、
前記ガラス基板と前記第２のシリコン基板の間に１つまたは複数の密閉された真空が形成されるよう、ガラス基板を前記第２のシリコン基板の前記第２の表面に結合するステップ、および
前記ガラス基板が前記１つまたは複数の密閉された真空中に流入するよう、前記ガラス基板を加熱するステップ
によって、１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた前記第１の平らなガラス構造を形成するステップと、
前記１つまたは複数のシリコンフィーチャが埋め込まれた平らなガラス構造を形成するために、前記ガラス基板の外部表面の一部および前記第２のシリコン基板のバルクを除去するステップであって、前記１つまたは複数のシリコンフィーチャが前記１つまたは複数の犠牲フィーチャである、ステップと
を含む、請求項１に記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
[0001]本出願は、参照により本明細書に組み込まれている、２０１２年８月２２日に出願した米国仮特許出願第６１／６９１９８４号の利益を主張するものである。
連邦支援研究または開発に関する供述
[0002]本発明は、ＡＦＲＬによって裁定されたＦＡ８６５０−１２−Ｃ−７２０３下における政府支援の下に実施されたものである。政府は、本発明における特定の権利を有している。
【背景技術】
【０００２】
[0003]様々な微小電気機械システム（ＭＥＭＳ）用途のためには、リソグラフィによってアスペクト比の大きいフィーチャをガラス基板の中にパターン化し、エッチングする必要がある。これらの用途には、慣性センサ、水晶／ガラスＭＥＭＳ共振器、ＭＥＭＳ回転プラットフォーム、等々がある。これらの材料をパターン化するための従来の方法には、ウェット化学エッチプロセスおよびディープ反応性イオンエッチングがある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００３】
[0004]一実施形態では、ＭＥＭＳ構造を製造する方法が提供される。この方法は、シリコン基板の第１の表面の近傍のドープ層に加工構造を製造するステップを含む。シリコン基板の第１の表面は、第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第１の平らなガラス構造に結合される。また、この方法は、シリコン基板のバルクを除去するためにエッチングするステップを含み、バルクはシリコン基板の第１の表面の反対側であり、エッチングによってバルクが除去され、第１の平らなガラス構造に結合された加工構造が残される。また、この方法は、第１の平らなガラス構造から第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャを除去するためにエッチングするステップを含む。
【０００４】
[0005]図面は、単に例示的実施形態を示したものにすぎず、したがって範囲を限定するものと見なしてはならず、これらの例示的実施形態は、添付の図面を使用することにより、追加特性および詳細と共に説明されることを理解されたい。
【図面の簡単な説明】
【０００５】
【図１】[0006]本明細書において説明されている実施形態による、頂部加工表面にフィーチャがエッチングされたシリコン基板の横断面図である。
【図２】[0007]本明細書において説明されている実施形態による、図１のシリコン基板に結合されたガラスウェーハの横断面図である。
【図３】[0008]本明細書において説明されている実施形態による、ガラスウェーハおよびガラスウェーハが融解した後の図２のシリコン基板の横断面図である。
【図４Ａ】[0009]本明細書において説明されている実施形態による、図３のガラスおよびシリコンを機械加工した後に形成される平らなガラス構造の横断面図である。
【図４Ｂ】[0010]本明細書において説明されている実施形態による、図４Ａの平らなガラス構造の上面図である。
【図５】[0011]本明細書において説明されている実施形態による、シリコンフィーチャをエッチングした後の図４Ａの平らなガラス構造の横断面図である。
【図６】[0012]本明細書において説明されている実施形態による、ガラス表面をエッチングした後の図５の平らなガラス構造の横断面図である。
【図７】[0013]本明細書において説明されている実施形態による、加工構造のためのフィーチャが頂部表面に形成されたシリコン基板の横断面図である。
【図８】[0014]本明細書において説明されている実施形態による、図６の平らなガラス構造に結合された図７のシリコン基板の横断面図である。
【図９Ａ】[0015]本明細書において説明されている実施形態による、図７のシリコン基板のバルクが除去された後の図８の構造の横断面図である。
【図９Ｂ】[0016]本明細書において説明されている実施形態による、図９Ａの構造の上面図である。
【図１０】[0017]本明細書において説明されている実施形態による、図６の他の平らなガラス構造が結合された図９の構造の横断面図である。
【図１１Ａ】[0018]本明細書において説明されている実施形態による、平らなガラス構造中のシリコンフィーチャを除去するためのエッチング後の図１０の構造の横断面図である。
【図１１Ｂ】[0019]本明細書において説明されている実施形態による、図１１Ａの構造の上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００６】
[0020]一般的な実践によれば、説明されている様々なフィーチャはスケール通りには描かれておらず、その例示的実施形態に関連する特定のフィーチャを強調して描かれている。
【０００７】
[0021]ガラス材料のウェットエッチングは等方性プロセスであり、アスペクト比が大きいパターニングおよび正確なフィーチャ制御を困難にしている。ディープ反応性イオンエッチング（ＤＲＩＥ）は、ウェットエッチングより良好なフィーチャ制御、ならびにアスペクト比がより大きい構造を形成する能力を提供する。しかしながら、ガラス材料のためのＤＲＩＥプロセスは、比較的遅く、汚く、また、応力の問題および熱不整合の問題の原因になり得る分厚い金属ハードマスクが必要である。分厚いハードマスクが使用される理由は、ガラスのＤＲＩＥは、そのほとんどが極わずかな化学成分を使用した物理プロセスであることによるものである。シリコンまたは分厚いフォトレジスト／重合体の使用を含む非金属マスク手法も存在しているが、これらの手法は独自の弱点を抱えている。したがってフィーチャ制御、アスペクト比および表面品質の制御は、シリコン上のＤＲＩＥプロセスを使用した場合よりはるかに困難である。
【０００８】
[0022]本明細書において説明されている実施形態によれば、ガラスの中に埋め込まれているシリコンをエッチ除去することにより、アスペクト比が大きいフィーチャをガラスの中に有するＭＥＭＳ構造を製造する方法が提供される。図１〜図１１Ｂは、このような方法におけるステージの例を示したもので、そのうちの図１〜図４Ｂは、ガラス基板の中にシリコンフィーチャを形成するプロセスを示し、また、図５〜図１１Ｂは、ガラス基板中のシリコンフィーチャをエッチ除去することによって製造することができるＭＥＭＳデバイスの一例を示したものである。
【０００９】
[0023]以下のプロセスは単一のＭＥＭＳ構造に関して説明されているが、プロセスはウェーハレベルで実施することが可能であり、複数のＭＥＭＳ構造が同時に形成される。すなわち複数の全く異なるＭＥＭＳ構造をウェーハスタック上の全く異なる領域に形成することができる。次にウェーハスタックをシンギュレーションして全く異なる領域を分離し、それにより複数のＭＥＭＳ構造を得ることができる。
【００１０】
[0024]図１〜図４Ａは、１つまたは複数の埋め込まれたシリコンフィーチャを有するガラス基板を形成するためのプロセスフローの断面の例を示したものである。図１に示されているように、シリコン基板１０２がエッチングされ、その頂部加工表面１０６に１つまたは複数のフィーチャ１０４、１０５が画定され、また、これらのフィーチャ１０４、１０５の間に１つまたは複数の空胴１０８が画定される。フィーチャ１０４、１０５は、任意の適切な半導体製造プロセスを使用して形成することができる。シリコン基板１０２（フィーチャ１０４、１０５を含む）は、比較的低いドーピング濃度を有している。フィーチャ１０４、１０５は、ガラス基板の中に埋め込まれ、引き続いてガラス基板からエッチ除去されて、フィーチャ１０４のネガがガラス基板の中に形成されるように構成される、１つまたは複数の埋め込むべきフィーチャ１０４を含む。この例は、同じような高さまで延在している１つまたは複数のフィーチャ１０４の各々を示したものであるが、他の例では、シリコン基板１０２中の異なるフィーチャは異なる高さを有することができる。
【００１１】
[0025]また、フィーチャ１０４、１０５は、基板１０２の縁の周りに連続周囲を形成する縁フィーチャ１０５を含む。縁フィーチャ１０５は外壁として使用され、それにより縁フィーチャ１０５と埋め込むべきフィーチャ１０４の間の空胴１０８、および／またはすべての縁の上の縁フィーチャ１０５によって形成される内部空胴に真空（図２参照）を形成することができる。図２には、縁フィーチャ１０５によって形成された周囲の中の単一のデバイス領域（フィーチャ１０４を含む）しか示されていないが、ＭＥＭＳ構造がウェーハレベルで形成される例では、縁フィーチャ１０５は、周囲内に配置された多数のデバイス領域が存在するよう、ウェーハ全体の周囲に配置することができ、個々のデバイス領域はフィーチャ１０４を含むことができる。すなわち単一の縁フィーチャ１０５は、ウェーハ全体のための真空チャンバの外壁を形成することができる。
【００１２】
[0026]図２に示されているように、ガラス基板１１０がシリコン基板１０２の頂部加工表面１０６に結合される（例えば陽極接合）。一例では、ガラス基板１１０はホウケイ酸ガラスから構成される。ガラス基板１１０は、フィーチャ１０４、１０５の間の１つまたは複数の空胴１０８が密閉され、それにより密閉された真空が個々の空胴１０８内に形成されるよう、真空中で頂部加工表面１０６に結合される。ガラス基板１１０は、密閉された真空の「頂部」表面を形成し、シリコン基板１０２のバルクは、密閉された真空の「底部」を形成し、また、フィーチャ１０５ならびにフィーチャ１０４は、密閉された真空の側「壁」を形成している。いくつかの例では、埋め込むべきフィーチャ１０４は、フィーチャ１０４が密閉された真空の壁を形成しないような幾何構造を有することができ、その代わりに縁フィーチャ１０５のみを利用してこのような壁が形成される。
【００１３】
[0027]図３に示されているように、ガラス基板１１０がシリコン基板１０２に結合された構造が、ガラス基板１１０の軟化点より高い温度に加熱され、シリコン基板１０２のフィーチャ１０４、１０５の周りにガラス基板１１０が真空成形される。すなわちガラス基板１１０が流れて、シリコン基板１０２中のフィーチャ１０４、１０５の間の空胴１０８を充填する。結果として得られるガラスおよびシリコン構造は、ガラス基板１１０によって形成されたその主外部表面（面）１１２、およびシリコン基板１０２によって形成された他の主外部表面（面）１１４（外部表面１１２の反対側）のうちの一方を有している。
【００１４】
[0028]次にガラス基板１１０の外部表面１１２およびシリコン基板１０２の外部表面１１４の一部が除去される。図４Ａに示されている例では、中に埋め込まれたシリコンフィーチャ１０４、および平らな構造１１６の縁を形成している縁フィーチャ１０５を含んだ概ね平らなガラス構造１１６が残るよう、ガラス基板１１０およびシリコン基板１０２のバルクが除去されている。この例では、フィーチャ１０４、１０５が露出するよう、一定の量のガラス基板１１０が外部表面１１２から除去されている。他の例では、外部表面１１２のガラス基板１１０の除去は、ガラス基板１１０の層の下方に一部またはすべてのフィーチャ１０４を残すことができ（すなわち露出されない）、このような例は、フィーチャ１０４の高さが変化する場合に使用することができる。
【００１５】
[0029]ガラス基板１１０およびシリコン基板１０２の一部は、切断、研磨、エッチング、研削または任意の他の適切な方法によって除去することができる。いくつかの例では、結果として得られるガラス構造１１６が研磨され、それにより滑らかな表面が形成される。図４Ｂは、シリコンフィーチャ１０４が中に埋め込まれ、また、縁に周囲を形成している縁フィーチャ１０５を有する平らなガラス構造１１６の上面図である。図４Ｂに示されているように、フィーチャ１０４は、ガラス基板１１０の中に円形の幾何構造を有している。他の例では、複数の埋め込まれたフィーチャおよび／または他の幾何構造を有する埋め込まれたフィーチャを使用することができる。
【００１６】
[0030]図５〜図１１Ｂは、ガラス基板１１０の中に埋め込まれたシリコンフィーチャ１０４をエッチ除去することによって製造されるＭＥＭＳ構造の形成におけるステージの例を示したものである。図５に示されているように、埋め込まれたフィーチャ１０４は、構造１１６の第１の表面（側）１１８で部分的にエッチ除去することができる。このエッチングは、ＤＲＩＥまたはウェットエッチング用試薬を使用して実施することができる。また、縁フィーチャ１０５も、エッチングまたは機械加工によって除去することができる。他の例では、縁フィーチャ１０５は、プロセスの他のステップの間に除去することができる。
【００１７】
[0031]また、図６に示されているように、構造１１６の第１の表面１１８でガラス基板１１０の一部をエッチ除去し、それにより第１の表面１１８に所望のガラスフィーチャ（例えば凹所／メサ）を形成することができる。いくつかの例では、第１の表面１１８の埋め込まれたフィーチャ１０４の上に保護層（例えばフォトレジストまたはポリイミド）を置くことができ、それにより第１の表面１１８をエッチングしている間、埋め込まれたフィーチャ１０４の一部の除去を制限することができる。いくつかの例では、第１の表面１１８にメタライゼーションをパターン化し、あるいはメタライゼーションを置くことができる。
【００１８】
[0032]一代替例では、埋め込まれたフィーチャ１０４が結果として得られる平らなガラス構造１１６の外部表面１１８に露出しないよう、ガラス構造１１６の厚さ全体にわたって貫通して延在している埋め込まれたフィーチャ１０４の代わりに、ガラス基板１１０のバルクを上で説明したように除去する際に（図４Ａ）、埋め込まれたフィーチャ１０４を覆うガラスの層を外部表面１１８に残すことができる。このような例の一実施態様では、埋め込まれたフィーチャ１０４は既にガラス構造１１６の表面１１８の下に位置しているため、埋め込まれたフィーチャ１０４は、図６に関連して説明したようなエッチ除去は実施されない。このような一実施態様では、ガラス表面１１８をエッチ除去して所望のガラスフィーチャ（例えば凹所／メサ）を形成し、埋め込まれたフィーチャ１０４を部分的にエッチングすることなく、形成されたこのような凹所にフィーチャ１０４を露出させることができる。
【００１９】
[0033]図１〜図６における上記行為を第２のガラス基板および第２のシリコン基板に対して反復し、それによりシリコンフィーチャが中に埋め込まれた第２のガラス構造（１１６）を形成することができる。（第１の）ガラス構造１１６および第２のガラス構造（１１６）を使用してシリコン加工構造を収容し、それにより、結果として得られる、以下で説明するＭＥＭＳ構造を形成することができる。
【００２０】
[0034]図７は、ＭＥＭＳ構造のための加工構造を形成するために使用される第３のシリコン基板７０２を示したものである。フィーチャ７０４は、第３のシリコン基板７０２の頂部加工表面７０６を形成している頂部層７０８の中に製造されている。フィーチャ７０４は、ハンドル７１０（第３のシリコン基板７０２のバルク）が以下で説明するように除去されると、加工構造になる。したがってフィーチャ７０４は、加工構造の幾何構造に従って製造される。一例では、頂部層７０８は、低度にドープされた、またはドープされていない第３のシリコン基板７０２のバルク７１０に対して高度にドープされた第３のシリコン基板７０２の層を備えている。頂部層７０８は、エチレンジアミン・ピロカテコール（ＥＤＰ）のようなエッチング用試薬中のエッチ停止として作用するよう、縮退的にドープされたｐ型（ｐ＋＋）であってもよい。一例では、頂部層７０８は、結果として得られる加工構造の厚さに対応する深さを有している。例では、頂部層７０８は、シリコン基板７１０上の高度にドープされたエピタキシャルシリコンで形成することができる。他の例では、頂部層７０８は、高度にドープされたシリコンウェーハを、低度にドープされた、またはドープされていないシリコンウェーハに結合し、次に高度にドープされたウェーハを研磨して所望の厚さ（例えば２５〜１００ミクロン）まで厚さを薄くすることによって形成することができる。図７に示されているように、高度にドープされた頂部層７０８は頂部加工表面７０６の近傍に位置しており、その中にフィーチャ７０４が製造されており、一方、基板の残りの部分は、基板のバルク７１０を構築している。
【００２１】
[0035]図８に示されているように、加工構造が中に製造された第３のシリコン基板７０２が第１のガラス構造１１６に結合される（例えば陽極接合）。第３のシリコン基板７０２は、第３のシリコン基板７０２の頂部加工表面７０６（すなわち頂部層７０８）がガラス構造１１６の第１の表面１１８に結合されるように結合される。第３のシリコン基板７０２はガラス構造１１６と整列させることができ、それにより加工構造の該当する部分をガラス構造１１６の第１の表面１１８のガラスフィーチャ（例えば凹所／メサ）に整列させることができる。
【００２２】
[0036]保護層１２０は、ガラス構造１１６の背面（第１の表面１１８とは反対側の外部表面）に含むことができ、それにより埋め込まれたフィーチャ１０４がガラス構造１１６の背面に露出しないよう、埋め込まれたシリコンフィーチャ１０４を覆うことができる。保護層１２０は、第３のシリコン基板７０２のバルク７１０を以下で説明するようにエッチングしている間、埋め込まれたフィーチャ１０４がエッチングされるのを保護することができる。
【００２３】
[0037]図９Ａに示されているように、次に第３のシリコン基板７０２のバルク７１０を除去することができる。バルク７１０は、エッチングによって除去することができ、例えば第３のシリコン基板７０２が結合されたガラス構造１１６を液体エッチング用試薬に浸すことによって除去することができる。液体エッチング用試薬は、低度にドープされた、またはドープされていないシリコンをエッチングし、一方、高度に（縮退的に）ドープされたｐ型シリコンを極めて低速でエッチングするか、あるいは全くエッチングしない選択的エッチング用試薬であってもよい。ＥＤＰは、このようなエッチング用試薬の一例である。したがって選択的エッチング用試薬は、第３のシリコン基板７０２のバルク７１０をエッチ除去し、また、第３のシリコン基板７０２の高度にドープされた層によって形成される加工構造７１２を完全な状態で、かつ、ガラス構造１１６に結合された状態で残すことができる。第３のシリコン基板７０２が結合されたガラス構造１１６は、液体エッチング用試薬に浸すことによってこのようなエッチングを実施することができる。いくつかの例では、第３のシリコン基板７０２のバルク７１０がエッチ除去された後、第１の表面１１８からのシリコンフィーチャ１０４のエッチングが生じないよう、あるいは生じても極わずかなものになるよう、エッチングのタイミングが制御される。一例では、水酸化カリウム（ＫＯＨ）などの非選択的エッチング用試薬または研削を使用して、ほとんどのバルク７１０が除去される。次に、除去するバルク７１０が少量である場合には、選択的エッチング用試薬を使用して残りのバルク７１０を除去することができる。
【００２４】
[0038]埋め込まれたフィーチャ１０４は、第３のシリコン基板７０２のバルク７１０と同様、低度にドープされた、またはドープされていないシリコンから構成されているため、埋め込まれたフィーチャ１０４も同じくエッチング用試薬によってエッチングすることが可能である。しかしながら、保護層１２０は、ガラス構造１１６の背面でエッチング用試薬と埋め込まれたフィーチャ１０４が接触するのを防止することによって埋め込まれたフィーチャ１０４を保護する。一例では、保護層１２０は、ガラス構造１１６の背面に結合されるもう１つの基板（例えばキャップウェーハ）である。他の例では、保護層１２０は、フォトレジストまたはポリイミドなどのコーティングである。さらに他の例では、保護層１２０は、ガラス基板１１６を図４Ａに関連して上で説明したように形成している間、埋め込まれたフィーチャ１０４を覆っている残されたガラスの層である。一代替例では、保護層１２０は使用されず、埋め込まれたシリコンフィーチャ１０４は、第３のシリコン基板７０２のバルクと同時にエッチ除去される。
【００２５】
[0039]図９Ｂは、平らなガラス基板１１６の表面１１８の加工構造７１２を示す、図９Ａの第３のシリコン基板７０２の上面図である。図９Ｂに示されている例では、加工構造７１２は、複数のばね９０６を介して外部部分９０４に取り付けられた回転子９０２を備えている。埋め込まれた犠牲フィーチャ１０４は、ガラス構造１１６の全く異なるセクション間の境界を形成しており、回転子９０２が取り付けられるガラス構造１１６のセクションは、外部部分９０４が取り付けられるセクションとは全く異なっている。したがって埋め込まれた犠牲フィーチャ１０４が除去された後、ばね９０６をたわませることにより、回転子９０２および回転子９０２が取り付けられるガラス構造１１６のセクションを外部部分９０４に対して部分的に回転させることができる。他の例では、他の加工構造を形成することができる。
【００２６】
[0040]エッチングが完了すると（例えばガラス構造１１６および加工構造７１２が液体エッチング用試薬から除去されると）、適切な方法で保護層１２０を除去することができる。図１０に示されているように、上で説明した第１のガラス構造１１６と同じ方法で形成された、フィーチャ１０４−２が中に埋め込まれた第２の平らなガラス構造１１６−２が、加工構造７１２の露出表面に結合される。第２の平らなガラス構造１１６−２は、ガラスフィーチャ（例えば凹所／メサ）が中に画定された（第１の）表面１１８−２が第１のガラス構造１１６の第１の表面１１８と対向するように配向され、また、表面１１８−２は、該当する加工構造７１２および／または第１の表面１１８に結合される（例えば陽極接合）。図１０に示されている例では、表面１１８−２は加工構造７１２に結合されている。したがって加工構造７１２は、第１のガラス構造１１６と第２のガラス構造１１６−２の間に結合されている。
【００２７】
[0041]次に、第１および第２の平らなガラス構造１１６、１１６−２の埋め込まれたフィーチャ１０４、１０４−２がエッチ除去される。一例では、埋め込まれたフィーチャ１０４をエッチ除去することにより、第１のガラス構造１１６の全く異なるセクションが互いに分離され、また、第２の平らなガラス構造１１６−２の埋め込まれたフィーチャ１０４−２をエッチ除去することにより、第２のガラス構造１１６−２の全く異なるセクションが互いに分離される。埋め込まれたフィーチャ１０４、１０４−２は、加工構造７１２を形成している縮退的にドープされたｐ型シリコン層に対して、低ドープの、あるいはドープされていない埋め込まれたフィーチャ１０４、１０４−２を選択的にエッチングするＥＤＰなどの選択的エッチング用試薬を使用してエッチングすることができる。
【００２８】
[0042]図１１Ａは、第１のガラス構造１１６および第２のガラス構造１１６−２の両方の埋め込まれたフィーチャ１０４、１０４−２がエッチ除去された後の完成したＭＥＭＳ構造の一例を示したものである。図１１Ｂは、完成したＭＥＭＳ構造の上面図である。図に示されているように、完成したＭＥＭＳ構造は、２つの全く異なるセクションを備えた第１の（底部）ガラス構造１１６、および２つの全く異なるセクションを備えた第２の（頂部）ガラス構造１１６−２を含む。ガラス構造１１６、１１６−２のこれらのセクションは、アスペクト比が大きいリング形ギャップ１２２、１２２−２によって互いに分離されている。アスペクト比が大きいリング形ギャップ１２２、１２２−２は、個々のガラス構造１１６、１１６−２を完全に貫通して延在しており、シリコンフィーチャ１０４、１０４−２のネガである。すなわち、アスペクト比が大きいリング形ギャップ１２２、１２２−２は、埋め込まれたシリコンフィーチャ１０４、１０４−２がエッチ除去された後に残される空間である。結果として得られるＭＥＭＳ構造は、ＭＥＭＳ構造の内部部分を外部部分から懸垂しているＭＥＭＳ回転懸垂構造であり、加工構造は、同じくコームドライブを形成している。埋め込まれたフィーチャ１０４、１０４−２をエッチ除去することにより、外部部分９０４に接続されている第１および第２の平らなガラス構造１１６、１１６−２のセクションから回転子９０２に接続されている第１および第２の平らなガラス構造１１６、１１６−２のセクションが分離される。埋め込まれたフィーチャ１０４、１０４−２がエッチ除去されると、ばね９０６のみが回転子部分（９０２）と外部部分（９０４）の間の機械的な結合であり、したがって回転子部分（９０２）を外部部分９０４に対して移動させることができる。
【００２９】
[0043]特定の構造（すなわち回転プラットフォーム）について上述したが、他の構造を製造するために上記プロセスに修正を加えることができる。さらに、ギャップ１２２およびフィーチャ１０４、ならびにガラス構造を貫通しているそれらの深さの特定の幾何構造が示されている（例えばギャップ１２２およびフィーチャ１０４は、ガラス構造１１６を完全に貫通している）が、他の例では、フィーチャ１０４および／またはギャップ１２２のための他の幾何構造および／または深さを使用することができる。いくつかの例では、ガラス構造１１６の中に埋め込まれたフィーチャ１０４は、金属などの他の犠牲材料で形成することができる。このような実施形態では、金属（または他の犠牲材料）を適切なパターンでシリコン基板１０２上に堆積させることができ、それによりガラス基板１１０の中に埋め込まれることになる埋め込むべきフィーチャ１０４を形成することができる。次に、図３に関連して上で説明したように、ガラス基板１１０を頂部加工表面１０６に結合し、埋め込まれたフィーチャ１０４に真空成形するために加熱することができる。
【００３０】
[0044]同様のプロセスを使用して、慣性センサおよび水晶／ガラス共振器などの他の構造を形成することができる。
実施形態例
[0045]例１はＭＥＭＳ構造を製造する方法を含み、この方法は、シリコン基板の第１の表面の近傍のドープ層に加工構造を製造するステップと、第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第１の平らなガラス構造にシリコン基板の第１の表面を結合するステップと、シリコン基板のバルクを除去するためにエッチングするステップであって、バルクがシリコン基板の第１の表面の反対側であり、エッチングによってバルクが除去され、第１の平らなガラス構造に結合された加工構造が残される、ステップと、第１の平らなガラス構造から第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャを除去するためにエッチングするステップとを含む。
【００３１】
[0046]例２は例１に記載の方法を含み、第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャを除去するためのエッチングにより、第１の平らなガラス構造が、加工構造によって機械的に一体に結合される複数の全く異なるセクションに分離される。
【００３２】
[0047]例３は、例１または２に記載の方法を含み、シリコン基板のドープ層が縮退的にｐ型にドープされ、より高度にドープされたシリコンに対して、より低度にドープされたシリコンを選択的にエッチングする選択的エッチング用試薬を少なくとも部分的に使用して、シリコン基板のバルクを除去するためのエッチングが実施される。
【００３３】
[0048]例４は例３に記載の方法を含み、第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャを除去するためのエッチングが、より高度にドープされたシリコンに対して、より低度にドープされたシリコンを選択的にエッチングする選択的エッチング用試薬を使用して実施される。
【００３４】
[0049]例５は、例１〜４のうちのいずれかに記載の方法を含み、加工構造が第１の平らなガラス構造に結合されると、第２の１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第２の平らなガラス構造に加工構造の露出表面を結合するステップであって、それにより第１の平らなガラス構造と第２の平らなガラス構造の間に加工構造が配置される、ステップと、第２の平らなガラス構造から第２の１つまたは複数の犠牲フィーチャを除去するためにエッチングするステップとを含む。
【００３５】
[0050]例６は例５に記載の方法を含み、第１の平らなガラス構造の頂部表面の第１の１つまたは複数のガラスフィーチャをエッチングするステップであって、第１の平らなガラス基板にシリコン基板の第１の表面を結合するステップが、第１の平らなガラス構造の頂部表面にシリコン基板の第１の表面を結合するステップを含む、ステップと、第２の平らなガラス構造の頂部表面の第２の１つまたは複数のガラスフィーチャをエッチングするステップであって、第２の平らなガラス基板に加工構造の露出表面を結合するステップが、第２の平らなガラス構造の頂部表面に加工構造を結合するステップを含む、ステップとを含む。
【００３６】
[0051]例７は例６に記載の方法を含み、第１の平らなガラス構造へのシリコン基板の結合に先立って、第１の平らなガラス構造の頂部表面の近傍の第１の平らなガラス構造の第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャを部分的にエッチングするステップと、第２の平らなガラス構造への加工構造の露出表面の結合に先立って、第２の平らなガラス構造の頂部表面の近傍の第２の平らなガラス構造の第２の１つまたは複数の犠牲フィーチャを部分的にエッチングするステップとを含む。
【００３７】
[0052]例８は、例１〜７のうちのいずれかに記載の方法を含み、シリコン基板のバルクを除去するためのエッチングに先立って、第１の平らなガラス基板の底部表面に保護層が置かれ、底部表面は、シリコン基板が結合された表面の反対側である。
【００３８】
[0053]例９は例８に記載の方法を含み、底部表面に保護層を置くステップは、底部表面にキャップウェーハを置くステップ、底部表面にコーティング材を置くステップ、または第１の１つまたは複数の犠牲フィーチャの上にガラスの層を残すステップのうちの１つを含む。
【００３９】
[0054]例１０は、例１〜９のうちのいずれかに記載の方法を含み、縮退的にドープされたｐ型層としてドープ層を形成するために、シリコン基板の第１の表面をドーピングするステップを含む。
【００４０】
[0055]例１１は、例１〜１０のうちのいずれかに記載の方法を含み、第２のシリコン基板の第２の表面に１つまたは複数のフィーチャを製造するステップ、ガラス基板と第２のシリコン基板の間に１つまたは複数の密閉された真空が形成されるよう、ガラス基板を第２のシリコン基板の第２の表面に結合するステップ、およびガラス基板が１つまたは複数の密閉された真空中に流入するよう、ガラス基板を加熱するステップによって、１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第１の平らなガラス構造を形成するステップと、１つまたは複数のフィーチャが埋め込まれた平らなガラス構造を形成するために、ガラス基板の外部表面の一部および第２のシリコン基板のバルクを除去するステップであって、１つまたは複数のフィーチャが１つまたは複数の犠牲フィーチャである、ステップとを含む。
【００４１】
[0056]例１２は例１１に記載の方法を含み、１つまたは複数のフィーチャを第２の表面に製造するステップは、異なる高さを有するフィーチャを形成するステップを含む。
[0057]例１３は、例１１または１２に記載の方法を含み、ガラス基板の外部表面の一部および第２のシリコン基板のバルクを除去するステップは、平らなガラス構造の頂部表面および底部表面の両方の１つまたは複数のフィーチャの少なくとも一部を露出させるステップを含む。
【００４２】
[0058]例１４は、例１１〜１３のうちのいずれかに記載の方法を含み、第２のシリコン基板の周囲に縁フィーチャを製造するステップを含む。
[0059]例１５は、例１１〜１４のうちのいずれかに記載の方法を含み、第２のシリコン基板の第２の表面に１つまたは複数のフィーチャを製造するステップは、シリコンでできた１つまたは複数のフィーチャを形成するために第２の表面をエッチングするステップを含む。
【００４３】
[0060]例１６は、例１１〜１５のうちのいずれかに記載の方法を含み、第２のシリコン基板の第２の表面に１つまたは複数のフィーチャを製造するステップは、金属でできた１つまたは複数のフィーチャを形成するために第２の表面に金属を堆積させるステップを含む。
【００４４】
[0061]例１７はＭＥＭＳ構造を製造する方法を含み、この方法は、１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第１の平らなガラス構造、および１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第２の平らなガラス構造を用意するステップと、シリコン基板の頂部加工表面の近傍のドープ層の中に加工構造を製造するステップと、頂部加工表面が第１の平らなガラス構造に結合されるよう、シリコン基板を第１の平らなガラス構造に結合するステップと、シリコン基板のバルクを除去するためにエッチングするステップと、第１の平らなガラス構造に結合された加工構造の露出表面に第２の平らなガラス構造を結合するステップと、第１の平らなガラス構造から１つまたは複数のフィーチャを除去し、第２の平らなガラス構造から１つまたは複数のフィーチャを除去するためにエッチングするステップとを含む。
【００４５】
[0062]例１８は例１７に記載の方法を含み、加工構造は、回転子、外部部分、および回転子を外部部分に接続している複数のばねを備えており、第１の平らなガラス構造から１つまたは複数のフィーチャを除去し、第２の平らなガラス構造から１つまたは複数のフィーチャを除去するためのエッチングステップは、回転子に取り付けられている第１および第２の平らなガラス構造のセクションを、外部部分に取り付けられている第１および第２の平らなガラス構造のセクションから分離するステップを含む。
【００４６】
[0063]例１９はＭＥＭＳ構造を製造する方法を含み、この方法は、複数の領域を画定する第１のガラスウェーハであって、個々の領域が全く異なるＭＥＭＳ構造に対応し、また、個々の領域に１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第１のガラスウェーハを用意するステップと、複数の領域を画定する第２のガラスウェーハであって、個々の領域が全く異なるＭＥＭＳ構造に対応し、また、個々の領域に１つまたは複数の犠牲フィーチャが埋め込まれた第２のガラスウェーハを用意するステップと、シリコンウェーハの頂部加工表面の近傍の縮退的にドープされたｐ型層の中に加工構造を製造するステップと、頂部加工表面が第１のガラスウェーハに結合されるよう、シリコンウェーハを第１のガラスウェーハに結合するステップと、加工構造が残るよう、シリコンウェーハのバルクを除去するために選択的にエッチングするステップと、第１のガラスウェーハに結合された加工構造の露出表面に第２のガラスウェーハを結合するステップと、第１のガラスウェーハから１つまたは複数のフィーチャを除去し、第２のガラスウェーハから１つまたは複数のフィーチャを除去するために選択的にエッチングするステップと、複数のＭＥＭＳ構造を形成するために、複数の領域の周りの第１のガラスウェーハに結合された加工構造に結合された第２のガラスウェーハをシンギュレーションするステップとを含む。
【００４７】
[0064]例２０は例１９に記載の方法を含み、加工構造は、回転子、外部部分、および回転子を外部部分に接続している複数のばねを備えており、第１のガラスウェーハから１つまたは複数のフィーチャを除去し、第２のガラスウェーハから１つまたは複数のフィーチャを除去するためにエッチングするステップは、回転子に取り付けられている第１および第２のガラスウェーハのセクションを、外部部分に取り付けられている第１および第２のガラスウェーハのセクションから分離するステップを含む。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４Ａ】
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【図４Ｂ】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１Ａ】
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【図１１Ｂ】
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【外国語明細書】
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