【手続補正書】
【提出日】令和3年9月13日(2021.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スタック層の底部に向かうプラズマのイオンの方向性を増大させるための方法であって、
第１状態、第２状態、および、第３状態を有するデジタルパルス信号を受信し、
前記デジタルパルス信号が前記第３状態から前記第１状態へ遷移しているか否かを判定し、
前記デジタルパルス信号が前記第３状態から前記第１状態へ遷移していると判定した場合に、前記第１状態中の電力レベルを有するｋＨｚＲＦ信号を生成するように、キロヘルツ（ｋＨｚ）高周波（ＲＦ）発生器を制御し、
前記デジタルパルス信号が前記第３状態から前記第１状態へ遷移していると判定した場合に、前記第１状態中の電力レベルを有するＭＨｚＲＦ信号を生成するように、メガヘルツ（ＭＨｚ）ＲＦ発生器を制御し、
前記デジタルパルス信号が前記第１状態から前記第２状態へ遷移しているか否かを判定し、
前記デジタルパルス信号が前記第１状態から前記第２状態へ遷移していると判定した場合に、前記第２状態中の電力レベルを有する前記ｋＨｚＲＦ信号を生成するように、前記ｋＨｚＲＦ発生器を制御し、
前記デジタルパルス信号が前記第１状態から前記第２状態へ遷移していると判定した場合に、前記第２状態中の電力レベルを有する前記ＭＨｚＲＦ信号を生成するように、前記ＭＨｚＲＦ発生器を制御し、前記第２状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも低く、
前記デジタルパルス信号が前記第２状態から前記第３状態へ遷移しているか否かを判定し、
前記デジタルパルス信号が前記第２状態から前記第３状態へ遷移していると判定した場合に、前記第３状態中の電力レベルを有する前記ｋＨｚＲＦ信号を生成するように、前記ｋＨｚＲＦ発生器を制御し、前記第２状態中に前記スタック層の前記底部に向かう前記プラズマの前記イオンの前記方向性を増大させるために、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも低く、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高く、
前記デジタルパルス信号が前記第２状態から前記第３状態へ遷移していると判定した場合に、前記第３状態中の電力レベルを有する前記ＭＨｚＲＦ信号を生成するように、前記ＭＨｚＲＦ発生器を制御すること、
を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記スタック層の前記底部への前記プラズマの前記イオンの前記方向性の増大を容易にするために、前記第２状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、０である、方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、前記スタック層の上部のマスク層の損失の低減を容易にするために、前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第２状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高い、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第２状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高い、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記スタック層の上部のマスク層の損失の低減を容易にするために、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルと同じである、方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記第１状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高い、方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、さらに、クロック信号を受信することを備え、前記第１状態は前記クロック信号の第１期間中に起き、前記第２状態は前記クロック信号の第２期間中に起き、前記第３状態は前記クロック信号の第３期間中に起き、前記第３期間は、前記スタック層の上部のマスク層の損失の低減を容易にするために、前記第１期間よりも長く、前記第２期間は、前記マスク層の前記損失の低減を容易にするために、前記第１期間よりも短く、前記第２期間は、前記イオンの前記方向性の増大を容易にする、方法。
【請求項８】
請求項１に記載の方法であって、前記ｋＨｚＲＦ発生器は、４００ｋＨｚＲＦ発生器であり、前記ＭＨｚＲＦ発生器は、６０ＭＨｚＲＦ発生器である、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、さらに、繰り返すクロックサイクルを有するクロック信号を受信し、前記第１状態、前記第２状態、および、前記第３状態は、前記クロックサイクル中に起き、前記クロックサイクルの繰り返しと共に繰り返す、方法。
【請求項１０】
スタック層の底部に向かうプラズマのイオンの方向性を増大させるためのシステムであって、
ｋＨｚＲＦ信号を生成するよう構成されたキロヘルツ高周波（ＲＦ）発生器と、
ＭＨｚＲＦ信号を生成するよう構成されたメガヘルツ（ＭＨｚ）ＲＦ発生器と、
前記ｋＨｚＲＦ発生器および前記ＭＨｚＲＦ発生器に接続されているインピーダンス整合回路網であって、前記ｋＨｚＲＦ信号および前記ＭＨｚＲＦ信号を受信して、変調されたＲＦ信号を生成するよう構成されている、インピーダンス整合回路網と、
前記インピーダンス整合回路網に接続されているプラズマチャンバであって、前記変調されたＲＦ信号を受信するよう構成されている、プラズマチャンバと、
を備え、
前記ｋＨｚＲＦ発生器は、
第１状態、第２状態、および、第３状態を有するデジタルパルス信号を受信し、
前記デジタルパルス信号が前記第３状態から前記第１状態へ遷移しているか否かを判定し、
前記デジタルパルス信号が前記第３状態から前記第１状態へ遷移していると判定した場合に、前記第１状態中の電力レベルを有する前記ｋＨｚＲＦ信号を生成するように、前記ｋＨｚＲＦ発生器を制御し、
前記デジタルパルス信号が前記第１状態から前記第２状態へ遷移しているか否かを判定し、
前記デジタルパルス信号が前記第１状態から前記第２状態へ遷移していると判定した場合に、前記第２状態中の電力レベルを有する前記ｋＨｚＲＦ信号を生成するように、前記ｋＨｚＲＦ発生器を制御し、
前記デジタルパルス信号が前記第２状態から前記第３状態へ遷移しているか否かを判定し、
前記デジタルパルス信号が前記第２状態から前記第３状態へ遷移していると判定した場合に、前記第３状態中の電力レベルを有する前記ｋＨｚＲＦ信号を生成するように、前記ｋＨｚＲＦ発生器を制御するよう構成されており、
前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも低く、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高く、
前記ＭＨｚＲＦ発生器は、
第１状態、第２状態、および、第３状態を有する前記デジタルパルス信号を受信し、
前記デジタルパルス信号が前記第３状態から前記第１状態へ遷移しているか否かを判定し、
前記デジタルパルス信号が前記第３状態から前記第１状態へ遷移していると判定した場合に、前記第１状態中の電力レベルを有する前記ＭＨｚＲＦ信号を生成するように、前記ＭＨｚＲＦ発生器を制御し、
前記デジタルパルス信号が前記第１状態から前記第２状態へ遷移しているか否かを判定し、
前記デジタルパルス信号が前記第１状態から前記第２状態へ遷移していると判定した場合に、前記第２状態中の電力レベルを有する前記ＭＨｚＲＦ信号を生成するように、前記ＭＨｚＲＦ発生器を制御し、
前記デジタルパルス信号が前記第２状態から前記第３状態へ遷移しているか否かを判定し、
前記デジタルパルス信号が前記第２状態から前記第３状態へ遷移していると判定した場合に、前記第３状態中の電力レベルを有する前記ＭＨｚＲＦ信号を生成するように、前記ＭＨｚＲＦ発生器を制御するよう構成されている、システム。
【請求項１１】
請求項１０に記載のシステムであって、前記第２状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、０である、システム。
【請求項１２】
請求項１１に記載のシステムであって、前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第２状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高い、システム。
【請求項１３】
請求項１０に記載のシステムであって、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第２状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高い、システム。
【請求項１４】
請求項１０に記載のシステムであって、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルと同じである、システム。
【請求項１５】
請求項１０に記載のシステムであって、前記第１状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高い、システム。
【請求項１６】
請求項１０に記載のシステムであって、前記ｋＨｚＲＦ発生器および前記ＭＨｚＲＦ発生器の各々は、クロック信号を受信するよう構成されており、前記第１状態は前記クロック信号の第１期間中に起き、前記第２状態は前記クロック信号の第２期間中に起き、前記第３状態は前記クロック信号の第３期間中に起き、前記第３期間は前記第１期間よりも長く、前記第１期間は前記第２期間よりも長い、システム。
【請求項１７】
請求項１０に記載のシステムであって、前記ｋＨｚＲＦ発生器は、４００ｋＨｚＲＦ発生器であり、前記ＭＨｚＲＦ発生器は、６０ＭＨｚＲＦ発生器である、システム。
【請求項１８】
請求項１０に記載のシステムであって、前記ｋＨｚＲＦ発生器および前記ＭＨｚＲＦ発生器の各々は、繰り返すクロックサイクルを有するクロック信号を受信するよう構成されており、前記第１状態、前記第２状態、および、前記第３状態は、前記クロックサイクル中に起き、前記クロックサイクルの繰り返しと共に繰り返す、システム。
【請求項１９】
スタック層の底部に向かうプラズマのイオンの方向性を増大させるための方法であって、
第１状態中の電力レベル、第２状態中の電力レベル、および、第３状態中の電力レベルを有するキロヘルツ（ｋＨｚ）高周波（ＲＦ）信号を生成するように、ｋＨｚＲＦ発生器を制御し、
前記第１状態中の電力レベル、前記第２状態中の電力レベル、および、前記第３状態中の電力レベルを有するメガヘルツ（ＭＨｚ）ＲＦ信号を生成するように、ＭＨｚＲＦ発生器を制御し、
前記第１状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも低く、
前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第２状態中にほぼ０であり、
前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも低く、前記第２状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高く、
前記第２状態中に前記スタック層の前記底部に向かう前記プラズマの前記イオンの前記方向性を増大させるために、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも低く、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高いこと、
を備える、方法。
【請求項２０】
請求項１９に記載の方法であって、さらに、クロック信号を受信することを備え、前記第１状態は前記クロック信号の第１期間中に起き、前記第２状態は前記クロック信号の第２期間中に起き、前記第３状態は前記クロック信号の第３期間中に起き、前記第２期間は前記第１期間に連続的であり、前記第３期間は前記第２期間に連続的であり、前記スタック層の上部のマスク層の損失の低減を容易にするために、前記第３期間は前記第１期間よりも長く、前記マスク層の前記損失の低減を容易にするために、前記第２期間は前記第１期間よりも短く、前記第２期間は、前記イオンの前記方向性の増大を容易にする、方法。
【請求項２１】
請求項１９に記載の方法であって、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、第２状態中の２状態のＲＦ信号の電力レベルよりも高く、前記２状態のＲＦ信号は、第１状態および前記第２状態を有する、方法。
【請求項２２】
請求項１９に記載の方法であって、前記ｋＨｚＲＦ信号は、前記ＭＨｚＲＦ信号が前記第１状態中の前記電力レベルから前記第２状態中の前記電力レベルへ遷移すると同時に、前記第１状態中の前記電力レベルから前記第２状態中の前記電力レベルへ遷移し、前記ｋＨｚＲＦ信号は、前記ＭＨｚＲＦ信号が前記第２状態中の前記電力レベルから前記第３状態中の前記電力レベルへ遷移すると同時に、前記第２状態中の前記電力レベルから前記第３状態中の前記電力レベルへ遷移する、方法。
【請求項２３】
請求項１９に記載の方法であって、基板の前記スタック層の上部のマスク層の損失の低減を容易にするために、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルと同じである、方法。
【請求項２４】
請求項１９に記載の方法であって、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態および前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高い、方法。
【請求項２５】
請求項１９に記載の方法であって、前記ｋＨｚＲＦ発生器および前記ＭＨｚＲＦ発生器は、インピーダンス整合回路網を介してプラズマチャンバの電極に接続されている、方法。
【請求項２６】
請求項１９に記載の方法であって、前記第１状態、前記第２状態、および、前記第３状態は、クロック信号と同期して繰り返す、方法。
【請求項２７】
請求項１９に記載の方法であって、前記ｋＨｚＲＦ発生器は、４００ｋＨｚＲＦ発生器であり、前記ＭＨｚＲＦ発生器は、６０ＭＨｚＲＦ発生器である、方法。
【請求項２８】
スタック層の底部に向かうプラズマのイオンの方向性を増大させるためのシステムであって、
第１状態中の電力レベル、第２状態中の電力レベル、および、第３状態中の電力レベルを有するキロヘルツ高周波（ＲＦ）信号を生成するよう構成されているｋＨｚＲＦ発生器と、
前記第１状態中の電力レベル、前記第２状態中の電力レベル、および、前記第３状態中の電力レベルを有するメガヘルツ（ＭＨｚ）ＲＦ信号を生成するよう構成されているＭＨｚＲＦ発生器と、
前記ｋＨｚＲＦ発生器および前記ＭＨｚＲＦ発生器に接続されているインピーダンス整合回路網であって、前記ｋＨｚＲＦ信号および前記ＭＨｚＲＦ信号を受信して、変調されたＲＦ信号を生成するよう構成されている、インピーダンス整合回路網と、
前記インピーダンス整合回路網に接続されているプラズマチャンバであって、前記変調されたＲＦ信号を受信するよう構成されている、プラズマチャンバと、
を備え、
前記ＭＨｚＲＦ発生器の前記電力レベルは、前記第２状態中にほぼ０であり、
前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ発生器の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ＭＨｚＲＦ発生器の前記電力レベルよりも低く、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ発生器の前記電力レベルよりも高く、
前記第２状態中に前記スタック層の前記底部に向かう前記プラズマの前記イオンの前記方向性を増大させるために、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも低く、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高い、システム。
【請求項２９】
請求項２８に記載のシステムであって、前記第１状態はクロック信号の第１期間中に起き、前記第２状態は前記クロック信号の第２期間中に起き、前記第３状態は前記クロック信号の第３期間中に起き、前記第２期間は前記第１期間に連続的であり、前記第３期間は前記第２期間に連続的であり、前記スタック層の上部のマスク層の損失の低減を容易にするために、前記第３期間は前記第１期間よりも長く、前記マスク層の前記損失の低減を容易にするために、前記第２期間は前記第１期間よりも短く、前記第２期間は、前記イオンの前記方向性の増大を容易にする、システム。
【請求項３０】
請求項２８に記載のシステムであって、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、第２状態中の２状態のＲＦ信号の電力レベルよりも高く、前記２状態のＲＦ信号は、第１状態および前記第２状態を有する、システム。
【請求項３１】
請求項２８に記載のシステムであって、前記ｋＨｚＲＦ信号は、前記ＭＨｚＲＦ信号が前記第１状態中の前記電力レベルから前記第２状態中の前記電力レベルへ遷移すると同時に、前記第１状態中の前記電力レベルから前記第２状態中の前記電力レベルへ遷移し、前記ｋＨｚＲＦ信号は、前記ＭＨｚＲＦ信号が前記第２状態中の前記電力レベルから前記第３状態中の前記電力レベルへ遷移すると同時に、前記第２状態中の前記電力レベルから前記第３状態中の前記電力レベルへ遷移する、システム。
【請求項３２】
請求項２８に記載のシステムであって、基板の前記スタック層の上部のマスク層の損失の低減を容易にするために、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルと同じである、システム。
【請求項３３】
請求項２８に記載のシステムであって、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態および前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高い、システム。
【請求項３４】
請求項２８に記載のシステムであって、前記第１状態、前記第２状態、および、前記第３状態は、クロック信号と同期して繰り返す、システム。
【請求項３５】
請求項２８に記載のシステムであって、前記ｋＨｚＲＦ発生器は、４００ｋＨｚＲＦ発生器であり、前記ＭＨｚＲＦ発生器は、６０ＭＨｚＲＦ発生器である、システム。
【請求項３６】
スタック層の底部に向かうプラズマのイオンの方向性を増大させるためのコントローラシステムであって、
プロセッサであって、
第１状態中の電力レベル、第２状態中の電力レベル、および、第３状態中の電力レベルを有するキロヘルツ（ｋＨｚ）高周波（ＲＦ）信号を生成するように、ｋＨｚＲＦ発生器を制御し、
前記第１状態中の電力レベル、前記第２状態中の電力レベル、および、前記第３状態中の電力レベルを有するメガヘルツ（ＭＨｚ）ＲＦ信号を生成するように、ＭＨｚＲＦ発生器を制御するよう構成されているプロセッサと、
前記第１状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも低く、
前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第２状態中にほぼ０であり、
前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも低く、前記第２状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高く、
前記第２状態中に前記スタック層の前記底部に向かう前記プラズマの前記イオンの前記方向性を増大させるために、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも低く、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高く、
前記第１状態、前記第２状態、および、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ発生器の前記電力レベルを格納し、前記第１状態、前記第２状態、および、前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ発生器の前記電力レベルを格納するための前記プロセッサに接続されているメモリデバイスと、
を備える、コントローラシステム。
【請求項３７】
請求項３６に記載のコントローラシステムであって、前記プロセッサはクロック信号を受信するよう構成され、前記第１状態は前記クロック信号の第１期間中に起き、前記第２状態は前記クロック信号の第２期間中に起き、前記第３状態は前記クロック信号の第３期間中に起き、前記第２期間は前記第１期間に連続的であり、前記第３期間は前記第２期間に連続的であり、前記スタック層の上部のマスク層の損失の低減を容易にするために、前記第３期間は前記第１期間よりも長く、前記マスク層の前記損失の低減を容易にするために、前記第２期間は前記第１期間よりも短く、前記第２期間は、前記イオンの前記方向性の増大を容易にする、コントローラシステム。
【請求項３８】
請求項３６に記載のコントローラシステムであって、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、第２状態中の２状態のＲＦ信号の電力レベルよりも高く、前記２状態のＲＦ信号は、第１状態および前記第２状態を有する、コントローラシステム。
【請求項３９】
請求項３６に記載のコントローラシステムであって、前記ｋＨｚＲＦ信号は、前記ＭＨｚＲＦ信号が前記第１状態中の前記電力レベルから前記第２状態中の前記電力レベルへ遷移すると同時に、前記第１状態中の前記電力レベルから前記第２状態中の前記電力レベルへ遷移し、前記ｋＨｚＲＦ信号は、前記ＭＨｚＲＦ信号が前記第２状態中の前記電力レベルから前記第３状態中の前記電力レベルへ遷移すると同時に、前記第２状態中の前記電力レベルから前記第３状態中の前記電力レベルへ遷移する、コントローラシステム。
【請求項４０】
請求項３６に記載のコントローラシステムであって、基板の前記スタック層の上部のマスク層の損失の低減を容易にするために、前記第３状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルと同じである、コントローラシステム。
【請求項４１】
請求項３６に記載のコントローラシステムであって、前記第２状態中の前記ｋＨｚＲＦ信号の前記電力レベルは、前記第１状態および前記第３状態中の前記ＭＨｚＲＦ信号の前記電力レベルよりも高い、コントローラシステム。
【請求項４２】
請求項３６に記載のコントローラシステムであって、前記第１状態、前記第２状態、および、前記第３状態は、クロック信号と同期して繰り返す、コントローラシステム。
【請求項４３】
請求項３６に記載のコントローラシステムであって、前記ｋＨｚＲＦ発生器は、４００ｋＨｚＲＦ発生器であり、前記ＭＨｚＲＦ発生器は、６０ＭＨｚＲＦ発生器である、コントローラシステム。
【請求項４４】
請求項３６に記載のコントローラシステムであって、前記ｋＨｚＲＦ発生器および前記ＭＨｚＲＦ発生器は、インピーダンス整合回路網を介してプラズマチャンバの電極に接続されている、コントローラシステム。