(57)【要約】【課題】電極間の接合性、絶縁信頼性が高い電子装置を得られる樹脂組成物、及び、この樹脂組成物の硬化物を有する電子装置を提供する。【解決手段】相対向する電極間に介在され、相対向する電極を電気的に接続するフィルム状の電極接続用樹脂組成物であって、前記樹脂組成物は、（Ａ）ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂と、（Ｂ）１分子中に、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とを有する化合物と、（Ｃ）フィルム形成性樹脂と、を含有することを特徴とする樹脂組成物。【選択図】図３
2014080542.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
相対向する電極間に介在され、相対向する電極を電気的に接続するフィルム状の電極接続用樹脂組成物であって、
前記樹脂組成物は、
（Ａ）ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂と、
（Ｂ）１分子中に、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とを有する化合物と、
（Ｃ）フィルム形成性樹脂と、
を含有することを特徴とする樹脂組成物。
【請求項２】
前記請求項１に記載の樹脂組成物において、
前記（Ｂ）成分が、１分子中に２つ以上のフェノール性水酸基と、１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物であることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項３】
前記請求項１又は２に記載の樹脂組成物において、
前記（Ｂ）成分が、１分子中に２つ以上のフェノール性水酸基と、芳香環に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物であることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項４】
前記請求項１ないし３のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
前記（Ａ）成分が、３官能エポキシ樹脂及び／又は４官能エポキシ樹脂であることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項５】
前記請求項１ないし４のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
前記樹脂組成物全体に対して、前記（Ａ）成分の含有量が１質量％以上、２０質量％以下であり、前記（Ｂ）成分の含有量が３質量％以上、２５質量％以下であることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項６】
前記請求項１ないし５のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
前記（Ａ）成分と、前記（Ｂ）成分との含有質量比率［（Ｂ）／（Ａ）］が０．２以上、１６以下であることを特徴とする樹脂組成物。
【請求項７】
前記請求項１ないし５のいずれか一項に記載の樹脂組成物において、
さらに、（Ｄ）フェノール樹脂、を含有することを特徴とする樹脂組成物。
【請求項８】
請求項１ないし７のいずれか一項に記載の樹脂組成物の硬化物を有することを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、樹脂組成物、及び電子装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子装置は、例えば、半導体素子の電極と他の半導体素子の電極、半導体素子の電極と基板の電極、又は基板の電極と他の基板の電極とを、半田を用いて接合する工程を行うことにより製造される。
【０００３】
半田を用いて接合を行った後の半導体素子間、半導体素子と基板との間、あるいは基板間には、隙間ができるので、樹脂の硬化物で隙間を充填する必要がある。従来は、半田を用いて接合した後に、この隙間に流動性の熱硬化性樹脂組成物を流し込み、次いで、熱硬化樹脂を硬化させることにより、半導体素子間等の隙間を充填していた。
【０００４】
ところが、近年は、半田を用いて接合する前に、半導体素子間等にフラックス機能を有する化合物を含有する樹脂層を配置し、次いで、半田の融点以上の温度で加熱して、半田接合を行い、次いで、樹脂層の硬化を行う方法が検討されている。
【０００５】
例えば、特開平３−１８４６９５号公報（特許文献１）には、エポキシ樹脂を主成分として含有し、有機酸又は有機酸塩及びはんだ粒子を含有する半田ペーストが開示されている。また、特開２００１−３１１００５号公報（特許文献２）には、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ジアリルフタレート系樹脂、およびベンゾシクロブテン系樹脂から選ばれる少なくとも一種の熱硬化性樹脂、及びフラックス成分を含む組成物を、シート状に成形したことを特徴とする熱硬化性樹脂シートが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開平３−１８４６９５号公報
【特許文献２】特開２００１−３１１００５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、上記特許文献１〜２に示すような従来技術を使用しても電極同士を接合する際に、接合不良が発生したり、絶縁信頼性が低下してしまったりすることがあった。従って、より信頼性の高い電子装置を製造することができる樹脂組成物が望まれていた。
【０００８】
本発明は、電極間の接合性、絶縁信頼性が高い電子装置を得られる樹脂組成物、及び、この樹脂組成物の硬化物を有する電子装置を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の樹脂組成物は、相対向する電極間に介在され、相対向する電極を電気的に接続するフィルム状の電極接続用樹脂組成物であって、
上記樹脂組成物は、
（Ａ）ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂と、
（Ｂ）１分子中に、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とを有する化合物と、
（Ｃ）フィルム形成性樹脂と、
を含有することを特徴とする。
【００１０】
本発明の樹脂組成物は、上記（Ｂ）成分を、１分子中に２つ以上のフェノール性水酸基と、１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物とすることができる。
【００１１】
本発明の樹脂組成物は、上記（Ｂ）成分を、１分子中に２つ以上のフェノール性水酸基と、芳香環に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物とすることができる。
【００１２】
本発明の樹脂組成物は、上記樹脂組成物全体に対して、上記（Ａ）成分の含有量が１質量％以上、２０質量％以下であり、上記（Ｂ）成分の含有量を３質量％以上、２５質量％以下とすることができる。
【００１３】
本発明の樹脂組成物は、上記（Ａ）成分と、上記（Ｂ）成分との含有質量比率［（Ｂ）／（Ａ）］が０．２以上、１６以下とすることができる。
【００１４】
本発明の樹脂組成物は、さらに、（Ｄ）フェノール樹脂、を含有することができる。
【００１５】
そして、本発明の電子装置は、上記本発明の樹脂組成物の硬化物を有することを特徴とするものである。
【００１６】
本発明においては、樹脂組成物が
（Ａ）ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂と、
（Ｂ）１分子中に、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とを有する化合物と、
（Ｃ）フィルム形成性樹脂と、
を含有することにより、相対向する電極間の接続性、絶縁信頼性に優れた電子装置を得ることができる。
【発明の効果】
【００１７】
本発明によれば、相対向する電極間の接続性、絶縁信頼性が高い電子装置を提供できる樹脂組成物、及びこの樹脂組成物の硬化物を有し、接続性、絶縁信頼性が高い電子装置が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本発明の電子装置について、その製造一工程を示す工程図である。
【図２】本発明の電子装置について、その製造一工程を示す工程図である。
【図３】本発明の電子装置について、その製造一工程を示す工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本実施形態について説明する。
【００２０】
［電子装置］
図１〜図３は、電極１１１を有する第一基板１１０と、電極１２１を有する第二基板１２０とが、樹脂組成物１３０を介して接合されて電子装置１００となる工程を示している。
図３に示すように、電子装置１００は、第一基板１１０の一面に形成されている電極１１１と第二基板１２０の一面に形成されている電極１２１とが個々に接合され、第一基板１１０と第二基板１２０との間に樹脂層１３０が充填されている。
【００２１】
［樹脂組成物］
まず、樹脂層１３０に用いられる樹脂組成物について説明する。
本発明における樹脂組成物は、実施の形態の一例として、第一基板１１０の一面に形成さ
れている電極１１１（金１１１ａ／ニッケル１１１ｂ／銅ピラー１１１ｃ）と、第二基板１２０の一面に形成されている電極１２１（半田バンプ１２１ａ／銅ピラー１２１ｂ）との間に導入され、電極１１１の半田バンプ１１１ａと電極１２１の金１２１ａとが接合した後に熱硬化する樹脂組成物である。すなわち、最終的に得られる電子装置１００において、第一基板１１０と第二基板１２０との間のすき間を埋めるように樹脂層１３０が形成されればよい。なお、本実施形態において、第二基板１２０は半導体チップである。
【００２２】
本発明における樹脂組成物は、
相対向する電極間に介在され、相対向する電極を電気的に接続するフィルム状の電極接続用樹脂組成物であって、
（Ａ）ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂と、
（Ｂ）１分子中に、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とを有する化合物と、
（Ｃ）フィルム形成性樹脂と、
を含有することを特徴とするものである。
【００２３】
本発明の樹脂組成物においては、（Ａ）ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂を用いる。これにより、本発明の樹脂組成物の硬化物のＴｇを向上させることができるとともに、絶縁信頼性を向上させることができる。
本発明の樹脂組成物において用いられる上記（Ａ）成分とは、分子構造中にナフタレン構造を有し、該ナフタレン環に２つ以上のグリシジルエーテル基が結合した構造を有するもの、あるいは、これらの混合物が挙げられる。
【００２４】
前記（Ａ）ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂は、特に制限されるものではないが、具体的には、ジヒドロキナフタレンのジグリシジルエ−テル類、ポリヒドロキシビナフタレンのポリグリシジルエ−テル類、及び、ポリヒドロキシナフタレンとアルデヒド類との縮合反応によって得られる化合物のポリグリシジルエ−テル類等が挙げられる。
【００２５】
前記ジヒドロキナフタレンのジグリシジルエ−テル類としては、１，３−ジグリシジルオキシナフタレン、１，４−ジグリシジルオキシナフタレン、１，５−ジグリシジルオキシナフタレン、１，６−ジグリシジルオキシナフタレン、２，３−ジグリシジルオキシナフタレン、２，６−ジグリシジルオキシナフタレン、２，７−ジグリシジルオキシナフタレン等が挙げられる。
【００２６】
前記ポリヒドロキシビナフタレンのポリグリシジルエ−テル類としては、１，１’−ビ−（２−グリシジルオキシ）ナフチル、１−（２，７−ジグリシジルオキシ）−１’−（２’−グリシジルオキシ）ビナフチル、１，１’−ビ−（２，７−ジグリシジルオキシ）ナフチル等が挙げられる。
【００２７】
前記ポリヒドロキシナフタレンとアルデヒド類との縮合反応によって得られる化合物のポリグリシジルエ−テル類としては、１，１’−ビス（２，７−ジグリシジルオキシナフチル）メタン、１−（２，７−ジグリシジルオキシナフチル）−１’−（２’−グリシジルオキシナフチル）メタン、１，１’−ビス（２−グリシジルオキシナフチル）メタン等が挙げられる。
【００２８】
これらの中でも、ポリヒドロキシビナフタレンのポリグリシジルエ−テル類、ポリヒドロキシナフタレンとアルデヒド類との縮合反応によって得られる化合物のポリグリシジルエ−テル類が好ましく、特にエポキシ基が３個以上の１，１’−ビス（２，７−ジグリシジルオキシナフチル）メタン、１−（２，７−ジグリシジルオキシナフチル）−１’−（２’−グリシジルオキシナフチル）メタン、１−（２，７−ジグリシジルオキシ）−１’−（２´−グリシジルオキシ）ビナフチル、１，１’−ビ−（２，７−ジグリシジルオキ
シ）ナフチルが絶縁信頼性に優れる点で好ましい。
【００２９】
本発明の樹脂組成物において、該樹脂組成物全体に対する上記（Ａ）成分の含有量としては特に限定されないが、１質量％以上、２０質量％以下であることが好ましい。さらに好ましくは１質量％以上、１７質量％以下である。
樹脂組成物中の（Ａ）成分の含有量を上記下限値以上とすることにより、Ｔｇの向上に効果を発揮することができる。また、上記上限値以下とすることにより、硬化前の樹脂組成物の可とう性を確保することができる。
【００３０】
なお、本発明の樹脂組成物においては、上記（Ａ）成分のほか、他の熱硬化性樹脂を併せて用いることができる。
ここで用いられる熱硬化性樹脂としては、特に限定されず、例えば、エポキシ樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂等が挙げられる。
これらの中でも、エポキシ樹脂が好ましい。エポキシ樹脂は、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性等に優れる。
【００３１】
本発明の樹脂組成物が含有することができるエポキシ樹脂は、室温で固形のエポキシ樹脂と、室温で液状のエポキシ樹脂のうち、いずれでもよいし、これらの両方でもよい。本発明に係る樹脂組成物が、エポキシ樹脂を含有することにより、樹脂層の溶融挙動の設計の自由度をさらに高めることができる。
【００３２】
本発明の樹脂組成物が含有することができるエポキシ樹脂のうち、室温で固形のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられる。これらは１種単独又は２種以上の組み合わせであってもよい。
【００３３】
本発明の樹脂組成物が含有することができるエポキシ樹脂のうち、室温で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、アリル化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、変性エポキシ樹脂、シクロヘキサンジメタノールジグリシジルエーテル等が挙げられる。これらは１種単独又は２種以上の組み合わせでもよい。室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、好ましくは１２０〜４００であり、より好ましくは１４０〜３６０であり、更に好ましくは１６０〜３２０である。これにより、樹脂層の硬化物における収縮率が大きくなるのを防止して、電子装置に反りが生じるのを確実に防止することができる。
【００３４】
本発明の樹脂組成物においては、（Ｂ）１分子中に、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とを有する化合物を用いる。これにより、樹脂組成物にフラックス機能を付与することができ、電極間の接続性、絶縁信頼性を向上させることができるとともに、上記（Ａ）成分と反応することができるので、硬化物の分子骨格中に取り込むことができるため、安定した絶縁性を有することができる。
【００３５】
本発明の樹脂組成物においては、上記（Ｂ）成分として、１分子中に１つのフェノール性水酸基と１つのカルボキシル基を有するものを用いることができる。
このような（Ｂ）成分としては、２−ヒドロキシ安息香酸、３−ヒドロキシ安息香酸、４−ヒドロキシ安息香酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、２−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、６−ヒドロキシ−１−ナフトエ酸、６−ヒド
ロキシ−２−ナフトエ酸などのヒドロキシナフトエ酸類、２−ヒドロキシケイ皮酸、３−ヒドロキシケイ皮酸、４−ヒドロキシケイ皮酸などのヒドロキシケイ皮酸類などを例示することができる。
このような（Ｂ）成分は、樹脂組成物にフラックス作用を付与することができるとともに、（Ａ）成分あるいは（Ａ）成分以外のエポキシ樹脂を併用した場合においても、これらのエポキシ樹脂と付加反応することができる。
【００３６】
また、本発明の樹脂組成物においては、上記（Ｂ）成分として、１分子中に２つ以上のフェノール性水酸基と１つ以上のカルボキシル基を有するものを用いることができる。このような（Ｂ）成分としては、ジフェノール酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体；１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体；フェノールフタリン；およびパモ酸などが挙げられ、これらは１種単独又は２種以上の組み合わせでもよい。
このような（Ｂ）成分は、樹脂組成物にフラックス作用を付与することができるとともに、（Ａ）成分あるいは（Ａ）成分以外のエポキシ樹脂を併用した場合においても、これらのエポキシ樹脂との付加反応により、その硬化剤として作用することができる。
【００３７】
また、本発明の樹脂組成物においては、上記（Ｂ）成分として、１分子中に２つ以上のフェノール性水酸基と、芳香環に直接結合した１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物を用いることができる。
このような（Ｂ）成分としては、例えば、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，７−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、及び、フェノールフタリン、パモ酸等が挙げられ、これらは１種単独又は２種以上の組み合わせでもよい。
このような（Ｂ）成分は、樹脂組成物にフラックス作用を付与することができるとともに、（Ａ）成分あるいは（Ａ）成分以外のエポキシ樹脂を併用した場合においても、これらのエポキシ樹脂との付加反応により、その硬化剤として作用することができる。
【００３８】
本発明の樹脂組成物は、上記（Ａ）成分と（Ｂ）成分とを併用することにより、高い絶縁性とフラックス作用に起因した半田接続性を有する樹脂組成物を得ることができる。
【００３９】
本発明の樹脂組成物において、該樹脂組成物全体に対する上記（Ｂ）成分の含有量としては特に限定されないが、３質量％以上、２５質量％以下であることが好ましい。さらに好ましくは３．５質量％以上、２０質量％以下である。
樹脂組成物中の（Ｂ）成分の含有量を上記下限値以上とすることにより、硬化後の樹脂組成物の絶縁性を確保することができる。また、上記上限値以下とすることにより、効果的なフラックス作用の発現による半田接続性を確保することができる。
【００４０】
また、本発明の樹脂組成物においては、樹脂組成物中における上記（Ａ）成分と上記（Ｂ）成分との含有質量比率［（Ｂ）／（Ａ）］が０．２以上、１６以下であることが好ましい。さらに好ましくは０．５以上、１３以下、特に好ましくは０．７以上、１０以下である。
上記質量比率を上記下限値以上とすることにより、樹脂組成物の効果的なフラックス作用と成膜性や可とう性を確保することができる。また、上記上限値以下とすることにより
、硬化後の樹脂組成物の絶縁性と成膜性や可とう性を確保することができる。
【００４１】
本発明の樹脂組成物においては、（Ｃ）フィルム形成性樹脂を用いる。これにより、樹脂組成物を容易にフィルム状とすることができ、効率的に接続性および絶縁信頼性に優れた電子装置を作製することができる。
【００４２】
フィルム形成性樹脂としては、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン、ポリプロピレン、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられる。
これらの中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂が好ましい。（メタ）アクリル系樹脂またはフェノキシ樹脂を適用することにより、フィルム形成性と支持体および被着体に対する密着性を両立することができる。
フィルム形成性樹脂は、１種単独又は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００４３】
なお、フィルム形成性樹脂において、（メタ）アクリル系樹脂とは、（メタ）アクリル酸及びその誘導体の重合体、あるいは（メタ）アクリル酸及びその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、（メタ）アクリル酸などと表記するときは、アクリル酸又はメタクリル酸を意味する。
【００４４】
フィルム形成性樹脂として用いられるアクリル系樹脂としては、具体的には、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル；ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル；ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられる。
これらの中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎジメチルアクリルアミド共重合体が好ましい。
【００４５】
なお、フィルム形成性樹脂として用いられるアクリル系樹脂として、ニトリル基、エポキシ基、水酸基、カルボキシル基等の官能基を有する単量体を共重合させてなる（メタ）アクリル系樹脂を用いることにより、フィルム状の樹脂組成物の支持体および被着体への密着性、および熱硬化性樹脂等との相溶性を向上させることができる。
【００４６】
上記アクリル系樹脂の重量平均分子量は、例えば１０００以上１００万以下であり、３
０００以上９０万以下が好ましい。
上記アクリル系樹脂の重量平均分子量が上記範囲にあることにより、樹脂組成物の成膜性をさらに向上させることができるとともに硬化時の流動性を確保することができる。
【００４７】
また、フィルム形成性樹脂として、フェノキシ樹脂を用いる場合、その数平均分子量は５０００〜２００００のフェノキシ樹脂が好ましい。
かかる数平均分子量のフェノキシ樹脂を用いることにより、フィルム状の樹脂組成物の流動性を抑制し、フィルム状の樹脂組成物の厚みを均一なものとすることができる。
【００４８】
フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されるものではないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプ、ビフェニル骨格タイプ、ビフェノール骨格タイプ等が挙げられる。
【００４９】
本発明の樹脂組成物において、該樹脂組成物全体に対する上記（Ｃ）成分の含有量としては特に限定されないが、０．１質量％以上、２０質量％以下であることが好ましく、さらに好ましくは０．２質量％以上、１０質量％以下である。
樹脂組成物中の（Ｃ）成分の含有量を上記範囲内とすることにより、フィルム状の樹脂組成物の成膜性低下を抑制しつつ、硬化後のフィルム状の樹脂組成物における弾性率の増加を抑制することができる。その結果、フィルム状の樹脂組成物と支持体および被着体の密着性をさらに向上させることができる。更に、フィルム状の樹脂組成物の溶融粘度の増加を抑制することができる。
【００５０】
本発明の樹脂組成物は、特に限定されるものではないが、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分のほか、熱硬化樹脂としてエポキシ樹脂を（Ａ）成分とともに併用する場合は、硬化剤を含有することが好ましい。このような硬化剤は、エポキシ樹脂の硬化剤として作用するものであればよく、適宜選択されている。
具体的には、ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、メタキシレリレンジアミン、などの脂肪族ポリアミン、ジアミノジフェニルメタン、ｍ−フェニレンジアミン、ジアミノジフェニルスルフォン、などの芳香族ポリアミン、ジシアンジアミド、有機酸ジヒドラジドなどを含むポリアミン化合物等のアミン系硬化剤、ヘキサヒドロ無水フタル酸、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、などの脂肪族酸無水物、無水トリトメット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸、などの芳香族酸無水物等の酸無水物系硬化剤、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル（フェニレン、ビフェニレン骨格を含む）樹脂、ナフトールアラルキル（フェニレン、ビフェニレン骨格を含む）樹脂、トリフェノールメタン樹脂、ジシクロペンタジエン型フェノール樹脂、ビス（モノまたはジｔ−ブチルフェノール）プロパン、メチレンビス（２−プロペニル）フェノール、プロピレンビス（２−プロペニル）フェノール、ビス［（２−プロペニルオキシ）フェニル］メタン、ビス［（２−プロペニルオキシ）フェニル］プロパン、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（２−プロペニル）フェノール］、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス［２−（１−フェニルエチル）フェノール］、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス［２−メチル−６−ヒドロキシメチルフェノール］、４，４’−（１−メチルエチリデン）ビス［２−メチル−６−（２−プロペニル）フェノール］、４，４’−（１−メチルテトラデシリデン）ビスフェノールなどのフェノール系硬化剤等が挙げられる。
これらの中でも、フェノール樹脂（上記フェノール系硬化剤）を用いると、樹脂組成物の硬化物のガラス転移温度を効果的に高めることができ、また、アウトガスとなる成分を低減することができる。
【００５１】
上記硬化剤を用いる場合、硬化剤の使用量は、エポキシ樹脂のエポキシ当量と硬化剤の当量との比から計算して求められる。硬化剤がフェノール樹脂の場合、エポキシ樹脂のエ
ポキシ基（Ｅｐ）と硬化剤のフェノール性水酸基（ＯＨ）との当量比（Ｅｐ／ＯＨ）は、０．５〜１．５が好ましく、０．７〜１．３が特に好ましい。上記範囲とすることで、フィルム状の樹脂組成物の耐熱性と保存性とを両立することができる。
なお、上記フェノール性水酸基（ＯＨ）の量を算出する際には、硬化剤のフェノール性水酸基と、（Ｂ）成分が有するフェノール性水酸基とカルボキシル基を加えて算出することが好ましい。
【００５２】
また、本発明の樹脂組成物は、特に限定されるものではないが、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分のほか、熱硬化樹脂としてエポキシ樹脂を（Ａ）成分とともに併用する場合は、硬化促進剤を含有することができる。このような硬化促進剤は、エポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を促進させるものであればよく、適宜選択される。具体的には、イミダゾール類、１，８−ジアザビシクロ（５，４，０）ウンデセン等のアミン系触媒、トリフェニルホスフィンやテトラ置換ホスホニウムと多官能フェノール化合物との塩等のリン化合物が挙げられる。これらの中でも、フィルム状の樹脂層の速硬化性、保存性、半導体素子上のアルミパッド腐食性を両立するイミダゾール類、リン化合物が好ましい。
【００５３】
上記効果促進剤を用いる場合、硬化促進剤の含有量は、樹脂組成物全体に対して０．００１〜１０重量％が好ましく、０．０３〜７重量％がさらに好ましく、０．０５〜５重量％がより好ましい。
上記範囲とすることで、フィルム状の樹脂組成物の硬化性および保存性、硬化後の物性のバランスを保つことが可能となる。
【００５４】
また、本発明の樹脂組成物は、特に限定されるものではないが、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分のほか、無機充填材を含有することができる。これにより、フィルム状樹脂組成物の硬化物における線膨張係数を小さくすることができ、これを用いた電子装置の接続性、絶縁信頼性を向上させることができる。また、フィルム状の樹脂組成物のタック力をより容易に調節することが可能となり、例えば、フィルム状の樹脂組成物とともに支持体を用いる場合は、支持体との剥離性をより好適なものとすることができるとともに、電極を有した基板や半導体チップ等に対する接着性を特に優れたものとすることができる。
【００５５】
無機充填材としては、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ等を挙げることができるが、これらの中でもシリカが好ましい。また、シリカの形状としては、破砕シリカと球状シリカがあるが、球状シリカが好ましい。
【００５６】
また、無機充填材の平均粒径は、特に限定されないが、０．０１μｍ以上、２０μｍ以下であるのが好ましく、０．０３μｍ以上、５μｍ以下であるのがより好ましい。
上記範囲とすることで、フィルム状の樹脂組成物内での無機充填材の凝集を抑制し、無機充填材の凝集物のない均質な樹脂組成物を得ることができる。
【００５７】
上記無機充填材の含有量は、特に限定されないが、樹脂組成物全体に対して１〜８０質量％であるのが好ましく、２０〜７５質量％であるのが更に好ましく、３０〜７０質量％であるのがより好ましい。
上記範囲とすることで、硬化後の樹脂組成物と電極を有する基板や半導体チップとの線膨張係数差が小さくなり、温度サイクル試験の際に発生する応力を低減させることができるとともに、硬化後の樹脂組成物の弾性率が高くなりすぎるのを抑制することができるため、電子装置における接続性、絶縁信頼性を向上させることができる。
【００５８】
本発明の樹脂組成物は、上述した成分のほか、カップリング剤や、フラックス作用を有する化合物の活性を高めるためのフラックス活性剤や、低応力剤、酸化防止剤、レベリング剤、その他の樹脂の相溶性、安定性、作業性等の各種特性を向上させるための各種添加
剤を適宜含有してもよい。
【００５９】
本発明の樹脂組成物をフィルム状に成形するには、例えば、上記（Ａ）〜（Ｃ）成分を含めた溶剤可溶性の成分を溶剤中に溶解させた後、無機充填材を加えて樹脂組成物ワニスを調製し、これを、ポリエステルシート等の剥離処理が施された支持体上に塗布し、所定の温度で、溶剤を除去し、乾燥させることにより得ることができる。
【００６０】
なお、上記樹脂組成物ワニスの調製に用いられる溶剤としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、ＤＩＢＫ（ジイソブチルケトン）、シクロヘキサノン、ＤＡＡ（ジアセトンアルコール）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ＢＣＳＡ（ブチロセルソルブアセテート）等のセロソルブ系、ＮＭＰ（Ｎ−メチル−２−ピロリドン）、ＴＨＦ（テトラヒドロフラン）、ＤＭＦ（ジメチルホルムアミド）、ＤＢＥ（二塩基酸エステル）、ＥＥＰ（３−エトキシプロピオン酸エチル）、ＤＭＣ（ジメチルカーボネート）等が挙げられる。
【００６１】
また、フィルム状の樹脂組成物の厚さ（平均）は、特に限定されないが、３〜１００μｍ程度であるのが好ましく、５〜５０μｍ程度であるのがより好ましい。
【００６２】
［電子装置］
次に、本発明の電子装置について説明する。本発明の電子装置は、上述した本発明の樹脂組成物の硬化物を有することを特徴とするものである。
本発明の電子装置１００の製造方法の一例を以下に説明する。
【００６３】
まず、図１に示すように、電極１１１（金１１１ａ／ニッケル１１１ｂ／銅ピラー１１１ｃ）を第一基板１１０の一面に形成し、同様に電極１２１（半田バンプ１２１ａ／銅ピラー１２１ｂ）を第二基板１２０の一面に形成する。
【００６４】
電極１１１と電極１２１との接合（半田バンプ１２１ａと金１１１ａとの接合）に用いられる半田としては、特に制限されず、錫、銀、鉛、亜鉛、ビスマス、インジウム及び銅からなる群から選択される少なくとも２種以上を含む合金等が挙げられる。半田の融点は、１００〜３５０℃である。
【００６５】
次に、第一基板１１０の電極１１１と第二基板１２０の電極１２１との間にフィルム状の樹脂組成物１３０を導入し、図２に示すようにして、第一基板１１０の電極１１１と、第二基板１２０の電極１２１とを溶融接合しつつ、樹脂層１３０を第一基板１１０と第二基板１２０との間に充填する。
【００６６】
すなわち、本実施形態において、第一基板１１０の電極１１１と第二基板１２０の電極１２１とで樹脂組成物１３０を挟むようにして積層するとともに、電極１１１と電極１２１とを溶融接合することで、樹脂組成物１３０が溶融して広がり、半田接合しつつ第一基板１１０と第二基板１２０との間を樹脂組成物１３０によって充填できる。
【００６７】
半田接合は、半田の融点以上の温度であればよく、例えば１３０〜３８０℃である。
【００６８】
図３に示したように、第一基板１１０の電極１１１と、第二基板１２０の電極１２１とが溶融接合された後、樹脂組成物１３０を熱硬化する。これにより、電子装置１００とすることができる。
【００６９】
加熱温度は、樹脂組成物１３０の硬化温度以上の温度であればよく、適宜選択されるが、通常１００〜２５０℃、好ましくは１５０〜２００℃である。加熱時間は、樹脂組成物１３０の種類により、適宜選択されるが、通常、０．５〜８時間、好ましくは１〜３時間である。
【００７０】
また、樹脂組成物１３０を硬化させるとき、加圧してもよい。加圧は、好ましくは０．１ＭＰａ以上、１０ＭＰａ以下が好ましく、０．５ＭＰａ以上、５ＭＰａ以下がより好ましい。
これにより、樹脂組成物の硬化物中における空隙（ボイド）の発生を抑制することができる。加圧は、流体を用いて行われることが好ましく、例えば、窒素ガス、アルゴンガス、空気等のガスが挙げられる。安価な点では、空気が好ましいが、樹脂組成物の酸化を抑制するという観点では、窒素が好ましい。
【００７１】
加圧流体により加圧しながら、樹脂組成物１３０を硬化させる方法としては、例えば、圧力容器内に、加熱する処理対象物を設置し、次いで、圧力容器内に、加圧流体を導入して加圧しつつ、処理対象物を加熱する方法、更に、具体的には、加圧オーブン中に、処理対象物を設置し、加圧オーブン内に加圧用のガスを導入しつつ、加圧オーブンで処理対象物を加熱する方法が挙げられる。
【００７２】
なお、本発明は上述の実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で各種の変形を許容する。
【００７３】
なお、上述した実施の形態および複数の変形例は、その内容が相反しない範囲で組み合わせることができる。また、上述した実施の形態および変形例では、各部の構造などを具体的に説明したが、その構造などは本願発明を満足する範囲で各種に変更することができる。
【実施例】
【００７４】
次に、本発明の実施例について説明する。
【００７５】
実施例、比較例において樹脂組成物を調製するのに使用した原材料は以下の通りである。
【００７６】
（Ａ）ナフタレン骨格を有する多官能エポキシ樹脂
（ａ１）２官能ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製／「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７７０」）、エポキシ当量２０４
（ａ２）３官能ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製／「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７５０」）、エポキシ当量１８８
（ａ３）４官能ナフタレン型エポキシ樹脂（ＤＩＣ株式会社製／「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」）、エポキシ当量１６５
【００７７】
（Ｂ）１分子中に、フェノール性水酸基と、カルボキシル基とを有する化合物
（ｂ１）フェノールフタリン（東京化成工業株式会社製）
（ｂ２）ジフェノール酸（東京化成工業株式会社製）
（ｂ３）２−ヒドロキシ安息香酸（東京化成工業株式会社製）
【００７８】
（Ｃ）フィルム形成性樹脂
（ｃ１）フェノキシ樹脂（三菱化学株式会社製／「ＹＸ６９５４」）、数平均分子量１４０００
【００７９】
その他
（ｄ）ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂（三菱化学株式会社製／「ｊＥＲ８０６」）、エポキシ当量１６５
（ｆ）シリカ（株式会社アドマテックス製／「ＳＣ１０５０−ＬＣ」）、平均粒径０．２５μｍ
（ｇ）ノボラック型フェノール樹脂（住友ベークライト株式会社製／「ＰＲ−５５６１７」）、水酸基当量１０３
（ｈ）２−フェニル−４−メチルイミダゾール（四国化成工業株式会社製／「２Ｐ４ＭＺ」）
（ｉ）カップリング剤（信越化学工業株式会社製／「ＫＢＥ４０３」）
（ｊ）アクリル系レベリング剤（ビックケミー・ジャパン株式会社製／「ＢＹＫ３６１Ｎ」）
（ｋ）アジピン酸（関東化学株式会社製）
【００８０】
＜実施例１＞
・樹脂組成物の調製
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７７０」６質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」６質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
得られた樹脂組成物ワニスを、ポリエステルフィルム基材（ベースフィルム、帝人デュポンフィルム株式会社製、商品名：ピューレックスＡ５３）に厚さ５０μｍとなるように塗布した後、１００℃で５分間乾燥して溶剤を蒸発除去して、厚さ２５μｍのフィルム状の樹脂組成物を得た。
・電子装置の作製
上記で得られたフィルム状樹脂組成物を、高さが２０μｍ、ピッチが６０μｍの半田バンプを有する半導体チップ（サイズ１０×１０×０．２ｍｍ）に、真空ラミネーター（名機株式会社製、ＭＶＬＰ）を用い、１００℃、０．８ＭＰａ、３０秒間でラミネートし、フィルム状樹脂組成物付き半導体チップを得た。
これを、フリップチップボンダー（Ｐａｎａｓｏｎｉｃ株式会社製、ＦＣＢ３）を用いて、突起電極を有するシリコン製回路基板の突起電極と、半田バンプ付き電極とが当接するように半導体チップの所定のアライメントマークとシリコン製回路基板の所定のアライメントマークをフリップチップボンダーで自動認識させることによって位置合わせを行い、シリコン製回路基板に半導体チップを２３５℃、５秒間加熱して、半田バンプ付き電極の半田を溶融させて半田接続を行った。
そして、１８０℃、６０分間、０．８ＭＰａの流体圧（空気圧）の雰囲気下で加熱して、フィルム状樹脂組成物を硬化させて、半導体チップと、シリコン製回路基板とがフィルム状樹脂組成物の硬化物を介して接着された電子装置（半導体装置）を得た。
【００８１】
＜実施例２＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７５０」６質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」６質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００８２】
＜実施例３＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」６質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」６質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００８３】
＜実施例４＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」１質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」６質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２１．７質量部、「ＰＲ−５５６１７」１９質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００８４】
＜実施例５＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」１質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」２５質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２１．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００８５】
＜実施例６＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」２０質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」３質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」１３質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００８６】
＜実施例７＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」１５質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」１５質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」６質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００８７】
＜実施例８＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」０．５質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」６質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２９．５質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００８８】
＜実施例９＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」２１質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」６質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」９質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００８９】
＜実施例１０＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」６質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」２質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」１５．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００９０】
＜実施例１１＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」２質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」２６質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」１９．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００９１】
＜実施例１２＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」６質量部、（Ｂ）成分として「ジフェノール酸」６質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００９２】
＜実施例１３＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」６質量部、（Ｂ）成分として「２−ヒドロキシ安息香酸」６質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００９３】
＜実施例１４＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」６質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」４質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」１３．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００９４】
＜実施例１５＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」６質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」５質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」１２．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００９５】
＜実施例１６＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」１質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」１７質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」５．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００９６】
＜実施例１７＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」１質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」１３．５質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」９．２質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００９７】
＜実施例１８＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」１質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」１１．５質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．２質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００９８】
＜実施例１９＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」１質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」９質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」１３．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【００９９】
＜実施例２０＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」３質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」１２質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」８．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【０１００】
＜実施例２１＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７００」６質量部、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」１２質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」２４質量部、「ＰＲ−５５６１７」５．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【０１０１】
＜比較例１＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７７０」１５質量部、（Ｂ）成分を用いず、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」６質量部、「ＰＲ−５５６１７」１１．７質量部、「アジピン酸」１５質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【０１０２】
＜比較例２＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分として「ＥＰＩＣＬＯＮ  ＨＰ−４７７０」１５質量部、（Ｂ）成分を用いず、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」６質量部、「ＰＲ−５５６１７」２６．７質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【０１０３】
＜比較例３＞
樹脂組成物の調製において、
（Ａ）成分を用いず、（Ｂ）成分として「フェノールフタリン」１７．７質量部、（Ｃ）成分として「ＹＸ６９５４」２質量部、のほか、「ｊＥＲ８０６」３０質量部、「２Ｐ４ＭＺ」０．１質量部、「ＫＢＥ４０３」０．１質量部、「ＢＹＫ３６１Ｎ」０．１質量部を、メチルエチルケトンに溶解し、さらに、「ＳＣ１０５０−ＬＣ」５０質量部を混合し、固形分比率５０質量％の樹脂組成物ワニスを調製した。
これ以降は実施例１と同様にしてフィルム状の樹脂組成物および電子装置を得た。
【０１０４】
・特性評価
＜接続性評価＞
上記各実施例および比較例で得られた電子装置１０個それぞれについて、半導体チップとシリコン製回路基板の接続抵抗値をデジタルマルチメーターで測定し、接続抵抗値を基に評価結果を下記の基準で判定した。
［◎］：１０個全ての電子装置の接続抵抗値が１０Ω以下であったもの。
［○］：１０個全ての電子装置の接続抵抗値が１０Ωより高く、３０Ω以下であったもの。
［×］：１個以上の電子装置の接続抵抗値が３０Ωより高かったもの。
【０１０５】
＜絶縁信頼性評価＞
上記各実施例および比較例で得られた電子装置１０個それぞれについて、１３０℃、８５％ＲＨの環境下で３Ｖの電圧を印加しながら２００時間処理し、隣接バンプ間の絶縁抵抗値を連続測定することによって評価した。
評価結果を下記の基準で判定した。
［◎］：２００時間の処理で、１０個すべての電子装置の絶縁抵抗値が常に１．０×１０７Ω以上であったもの。
［○］：２００時間の処理で、１個以上の電子装置の絶縁抵抗値が１．０×１０４Ω以上、１．０×１０７Ω未満であったもの。
［×］：２００時間の処理で、１個以上の電子装置の絶縁抵抗値が１．０×１０４Ωを下回ったもの。
【０１０６】
上記実施例および比較例における樹脂組成物の配合ならびに電子装置の評価結果を表１〜表３に示す。
【０１０７】
【表１】
2014080542.tif 000003
【０１０８】
【表２】
2014080542.tif 000004
【０１０９】
【表３】
2014080542.tif 000005
【０１１０】
表１〜３の結果より、実施例１〜２１はいずれも、（Ａ）成分、（Ｂ）成分、及び（Ｃ）成分を含有する樹脂組成物であり、これを用いた電子装置はいずれも接続性、絶縁信頼性に優れたものであった。
特に、実施例２〜４、７、１２、１４、１５、１７〜２１は、（Ａ）成分が、３官能エポキシ樹脂及び／又は４官能エポキシ樹脂であり、（Ｂ）成分が、１分子中に２つ以上のフェノール性水酸基と、１つ以上のカルボキシル基とを備える化合物であるとともに、樹脂組成物中における（Ａ）成分の含有量、（Ｂ）成分の含有量、ならびに、（Ａ）成分と（Ｂ）成分との含有質量比率［（Ｂ）／（Ａ）］が好適な範囲であったため、特に上記特性に優れたものとなった。
一方、比較例１は、（Ｂ）成分を用いずアジピン酸を用いたものであるが、フラックス機能は付与できたものの、エポキシ樹脂との反応に関与しないアジピン酸が樹脂組成物内に存在するため、絶縁信頼性が大きく低下した。比較例２は、（Ｂ）成分を用いなかったものであるが、フラックス機能を発現させることができず、接続性が大きく低下した。そして、比較例３は（Ａ）成分を用いなかったものであるが、耐熱性が不足しているため、絶縁信頼性が大きく低下した。
【符号の説明】
【０１１１】
１００      電子装置
１１０      第一基板
１１１      第一基板に形成された電極
１１１ａ    金
１１１ｂ    ニッケル
１１１ｃ    銅ピラー
１２０      第二基板
１２１      第一基板に形成された電極
１２１ａ    半田バンプ
１２１ｂ    銅ピラー
１３０      樹脂組成物
【図１】
2014080542.tif 000006
【図２】
2014080542.tif 000007
【図３】
2014080542.tif 000008