(57)【要約】【課題】  常温で固体であり、高温で流動化する反応性熱可塑体を与える反応性シリコーン組成物、加熱すると一旦流動化し、その後、硬化物を与える反応性熱可塑体、熱や光による機械的強度の低下や変色が少なく、光反射率が高い硬化物、および発光効率が高く、光反射材の熱劣化や光劣化が少ない光半導体装置を提供する。【解決手段】  （Ａ）平均単位式で表されるアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｂ）一般式で表されるアルケニル基を有するオルガノポリシロキサン、（Ｃ）一般式で表されるケイ素原子結合水素原子を有するオルガノポリシロキサン、（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒、（Ｅ）白色顔料、（Ｇ）球状シリカ、非球状シリカまたはガラスファイバーから少なくともなる反応性シリコーン組成物、その組成物を特定条件で反応させてなる反応性熱可塑体、その反応性熱可塑体を加熱して得られる硬化物、およびその硬化物を有する光半導体装置。【選択図】  図１
2014009322.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（Ａ）平均単位式：
(Ｒ１３ＳiＯ１／２)ａ(Ｒ１２ＳiＯ２／２)ｂ(Ｒ１ＳiＯ３／２)ｃ(ＳiＯ４／２)ｄ(Ｒ２Ｏ１／２)ｅ
（式中、Ｒ１は、同じかまたは異なる、フェニル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、もしくは炭素原子数２〜６のアルケニル基であり、ただし、全Ｒ１の５５〜８０モル％はフェニル基であり、全Ｒ１の１０〜２０モル％はアルケニル基であり、Ｒ２は水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅはそれぞれ、０≦ａ≦０.３０、０.１０≦ｂ≦０.７０、０.３５≦ｃ≦０.８５、０≦ｄ≦０.２０、０≦ｅ≦０.１０、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン                                １００質量部、
（Ｂ）一般式：
Ｒ３３ＳiＯ(Ｒ３２ＳiＯ)ｎＳiＲ３３
（式中、Ｒ３は、同じかまたは異なる、フェニル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、もしくは炭素原子数２〜６のアルケニル基であり、ただし、全Ｒ３の３０〜７０モル％はフェニル基であり、全Ｒ３の少なくとも１個はアルケニル基であり、ｎは１０〜１００の整数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン                              ０〜４０質量部、
（Ｃ）一般式：
ＨＲ４２ＳiＯ(Ｒ４２ＳiＯ)ｍＳiＲ４２Ｈ
（式中、Ｒ４は、同じかまたは異なる、フェニル基もしくは炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ただし、全Ｒ４の１５〜１００モル％はフェニル基であり、ｍは１〜１０の整数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分および（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.５〜２.５モルとなる量｝、
（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒｛（Ａ）成分および（Ｂ）成分中のアルケニル基と（Ｃ）成分中のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を促進するに十分な量｝、
（Ｅ）白色顔料｛（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して５０質量部以上｝、および
（Ｆ）非球状シリカ、球状シリカまたはガラスファイバー｛（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して１００質量部以上｝
から少なくともなり、（Ｅ）成分および（Ｆ）成分の合計の含有量が、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して４００質量部以下である反応性シリコーン組成物。
【請求項２】
さらに、（Ｇ）平均単位式：
(Ｒ５３ＳiＯ１／２)ｆ(Ｒ５２ＳiＯ２／２)ｇ(Ｒ５ＳiＯ３／２)ｈ(ＳiＯ４／２)ｉ(Ｒ６Ｏ１／２)ｊ
（式中、Ｒ５は、同じかまたは異なる、フェニル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基もしくはエポキシ基含有有機基であり、ただし、全Ｒ５の１５〜６０モル％はフェニル基であり、全Ｒ５の３〜３０モル％はアルケニル基であり、５〜３０モル％はエポキシ基含有有機基であり、Ｒ６は水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ｆ、ｇ、ｈ、ｉ、およびｊはそれぞれ、０≦ｆ≦０.５、０≦ｇ≦０.９、０≦ｈ≦０.７、０≦ｉ≦０.３、０≦ｊ≦０.０２、かつｆ＋ｇ＋ｈ＋ｉ＝１を満たす数である。）で表わされるオルガノポリシロキサンを、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して０.５〜１０.０質量部含有する、請求項１記載の反応性シリコーン組成物。
【請求項３】
さらに、（Ｈ）一分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合全有機基に対するフェニル基の含有量が２０モル％未満であるオルガノポリシロキサンを（Ａ）成分および（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.００１〜０.２０モルとなる量含有する、請求項１または２記載の反応性シリコーン組成物。
【請求項４】
２５℃における粘度が１,０００Ｐa・ｓ以下である、請求項１乃至３のいずれか１項記載の反応性シリコーン組成物。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか１項記載の反応性シリコーン組成物のヒドロシリル化反応を７０〜９５％転化率となるまで進行させてなる反応性熱可塑体。
【請求項６】
２５℃で固体もしくは粘度が１,０００,０００Ｐa・ｓ以上であり、１００℃での粘度が１００,０００Ｐa・ｓ以下の液体である、請求項５記載の反応性熱可塑体。
【請求項７】
２５℃におけるＪＩＳ  Ｋ  ７２１５に規定のタイプＤデュロメーター硬さが３０以上である、請求項５または６記載の反応性熱可塑体。
【請求項８】
１００℃以上に加熱して、３００℃以下で流動性を示さない硬化物を形成する、請求項５乃至７のいずれか１項記載の反応性熱可塑体。
【請求項９】
請求項５乃至８のいずれか１項記載の反応性熱可塑体を１００℃以上に加熱することにより得られ、３００℃で固体もしくは粘度が１,０００,０００Ｐa・ｓ以上である硬化物。
【請求項１０】
全光線反射率が８０％以上である、請求項９記載の硬化物。
【請求項１１】
２５〜２００℃の範囲内での平均線膨張率が２００ｐｐｍ／℃以下である硬化物を形成する、請求項９乃至１０のいずれか１項記載の硬化物。
【請求項１２】
請求項９乃至１１のいずれか１項記載の硬化物により光反射材を形成してなることを特徴とする光半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反応性シリコーン組成物、反応性熱可塑体、硬化物、および光半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ヒドロシリル化反応により硬化する硬化性シリコーン組成物は、フォトカプラー、発光ダイオード、固体撮像素子等の光半導体装置における光半導体素子の保護剤、コーティング剤、レンズ成形材料、光反射材料等として使用されている。その中で、光反射材料として使用される組成物としては、例えば、ビニル基およびアリル基のいずれか一方と、水素原子が、直接ケイ素原子に結合してなる構造を有する熱硬化型付加反応性シリコーン樹脂、硬化触媒としての白金系触媒、および白色顔料からなる光半導体素子収納用実装パッケージ用樹脂組成物（特許文献１参照）、重量平均分子量（Ｍｗ）が３０,０００以上であるビニル基含有オルガノポリシロキサン、一分子中にケイ素結合水素原子を少なくとも２個有するオルガノハイドロジェンポリシロキサン、白色顔料、白色顔料以外の無機充填剤、白金金属系触媒、および反応制御剤からなる、硬化後の可視光平均反射率が８０％以上である付加硬化型シリコーン樹脂組成物（特許文献２参照）が挙げられる。
【０００３】
これらの組成物は、トランスファー成形、射出成形、あるいは圧縮成形において、金型充填性が低かったり、ボイドやバリが発生しやすかったり、金型離型性が悪いという課題があり、さらには、硬化速度が遅く、成形操作の作業性が悪いという課題もある。また、これらの組成物を硬化して得られる硬化物は、熱や光による変色が少ないという利点があるものの、線膨張率が大きかったり、高温での機械的強度が低くいという課題や、光反射率が不十分で、熱や光による機械的強度の低下が大きいという課題がある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００９−０２１３９４号公報
【特許文献２】特開２０１１−１４０５５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、常温で実質的に固体であり、高温で流動化する反応性熱可塑体を与える反応性シリコーン組成物、加熱すると一旦流動化し、その後、硬化物を与える反応性熱可塑体、熱や光による機械的強度の低下や変色が少なく、光反射率が高い硬化物、および発光効率が高く、光反射材の熱劣化や光劣化が少ない光半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の反応性シリコーン組成物は、
（Ａ）平均単位式：
(Ｒ１３ＳiＯ１／２)ａ(Ｒ１２ＳiＯ２／２)ｂ(Ｒ１ＳiＯ３／２)ｃ(ＳiＯ４／２)ｄ(Ｒ２Ｏ１／２)ｅ
（式中、Ｒ１は、同じかまたは異なる、フェニル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、もしくは炭素原子数２〜６のアルケニル基であり、ただし、全Ｒ１の５５〜８０モル％はフェニル基であり、全Ｒ１の１０〜２０モル％はアルケニル基であり、Ｒ２は水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ａ、ｂ、ｃ、ｄ、およびｅはそれぞれ、０≦ａ≦０.３０、０.１０≦ｂ≦０.７０、０.３５≦ｃ≦０.８５、０≦ｄ≦０.２０、０≦ｅ≦０.１０、かつａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１を満たす数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン                                １００質量部、
（Ｂ）一般式：
Ｒ３３ＳiＯ(Ｒ３２ＳiＯ)ｎＳiＲ３３
（式中、Ｒ３は、同じかまたは異なる、フェニル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、もしくは炭素原子数２〜６のアルケニル基であり、ただし、全Ｒ３の３０〜７０モル％はフェニル基であり、全Ｒ３の少なくとも１個はアルケニル基であり、ｎは１０〜１００の整数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン                              ０〜４０質量部、
（Ｃ）一般式：
ＨＲ４２ＳiＯ(Ｒ４２ＳiＯ)ｍＳiＲ４２Ｈ
（式中、Ｒ４は、同じかまたは異なる、フェニル基もしくは炭素原子数１〜６のアルキル基であり、ただし、全Ｒ４の１５〜１００モル％はフェニル基であり、ｍは１〜１０の整数である。）
で表されるオルガノポリシロキサン｛（Ａ）成分および（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.５〜２.５モルとなる量｝、
（Ｄ）ヒドロシリル化反応用触媒｛（Ａ）成分および（Ｂ）成分中のアルケニル基と（Ｃ）成分中のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を促進するに十分な量｝、
（Ｅ）白色顔料｛（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して５０質量部以上｝、および
（Ｆ）非球状シリカ、球状シリカまたはガラスファイバー｛（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して１００質量部以上｝
から少なくともなり、（Ｅ）成分および（Ｆ）成分の合計の含有量が、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して４００質量部以下であることを特徴とする。
【０００７】
また、本発明の反応性熱可塑体は、上記の反応性シリコーン組成物のヒドロシリル化反応を７０〜９５％転化率となるまで進行させてなることを特徴とする。
【０００８】
さらに、本発明の硬化物は、上記の反応性熱可塑体を１００℃以上に加熱することにより得られ、３００℃で固体もしくは粘度が１,０００,０００Ｐa・ｓ以上であること特徴とする。
【０００９】
さらに、本発明の光半導体装置は、光反射材が上記の硬化物により形成されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明の反応性シリコーン組成物は、常温で実質的に固体であり、高温で流動化する反応性熱可塑体を与えるという特徴がある。また、本発明の反応性熱可塑体は、加熱すると一旦流動化し、その後、硬化物を与えるという特徴があり、加熱した金型中での硬化物の成形に適するという特徴がある。また、本発明の硬化物は、熱や光による機械的強度の低下や変色が少なく、光反射率が高いという特徴がある。さらに、本発明の光半導体装置は、発光効率が高く、光反射材の熱劣化や光劣化が少ないという特徴がある。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の光半導体装置の一例であるＬＥＤの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
はじめに、本発明の反応性シリコーン組成物を詳細に説明する。
（Ａ）成分は、本組成物の主成分であり、平均単位式：
(Ｒ１３ＳiＯ１/２)ａ(Ｒ１２ＳiＯ２/２)ｂ(Ｒ１ＳiＯ３/２)ｃ(ＳiＯ４/２)ｄ(Ｒ２Ｏ１/２)ｅ
で表されるオルガノポリシロキサンである。
【００１３】
式中、Ｒ１は、同じかまたは異なる、フェニル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、もしくは炭素原子数２〜６のアルケニル基である。Ｒ１のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が例示される。Ｒ１のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示される。なお、フェニル基の含有量は全Ｒ１の５５〜８０モル％の範囲内であり、好ましくは、全Ｒ１の６０〜７５モル％の範囲内である。これは、フェニル基の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる反応性熱可塑体の室温での硬さと高温での流動特性が良好であるからであり、また得られる硬化物の機械的強度が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の高温での硬さが良好であるからである。また、式中、全Ｒ１の内、アルケニル基の含有量は１０〜２０モル％の範囲内である。これは、アルケニル基の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の室温での硬さが良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的強度が良好であるからである。
【００１４】
また、式中、Ｒ２は水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基である。Ｒ２のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が例示される。
【００１５】
さらに、式中、ａは、一般式：Ｒ１３ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位の割合を示す数であり、０≦ａ≦０.３０、好ましくは、０≦ａ≦０.２５を満たす数である。これは、ａが上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の室温での硬さが良好であるからである。また、式中、ｂは、一般式：Ｒ１２ＳiＯ２/２で表されるシロキサン単位の割合を示す数であり、０.１０≦ｂ≦０.７０、好ましくは、０.１５≦ｂ≦０.６０を満たす数である。これは、ｂが上記範囲の下限以上であると、得られる反応性熱可塑体の室温での硬さと高温での流動特性が良好であるからであり、ｂが上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の室温での硬さが良好であるからである。また、ｃは、一般式：Ｒ１ＳiＯ３/２で表されるシロキサン単位の割合を示す数であり、０.３５≦ｃ≦０.８５、好ましくは、０.４０≦ｃ≦０.８０を満たす数である。これは、ｃが上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の室温での硬さが良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的強度が良好であるからである。また、ｄは、一般式：ＳiＯ４/２で表されるシロキサン単位の割合を示す数であり、０≦ｄ≦０.２０、好ましくは、０≦ｂ≦０.１０を満たす数である。これは、ｄが上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の機械的強度が良好であるからである。また、ｅは、一般式：Ｒ２Ｏ１/２で表される単位の割合を示す数であり、０≦ｅ≦０.１０を満たす数である。これは、ｅが上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の室温での硬さが良好であるからである。なお、式中、ａ、ｂ、ｃ、およびｄの合計は１である。
【００１６】
（Ａ）成分は、通常、分子量分布を有するものであり、複数のオルガノポリシロキサンの混合物である。また、（Ａ）成分は、別々に調製されたオルガノポリシロキサンを混合したものであってもよい。これらの場合、各オルガノポリシロキサンは必ずしも、上記で規定される平均単位式に該当する必要はなく、その混合物が上記平均単位式を満たすものであればよい。
【００１７】
（Ｂ）成分は、本組成物の粘度を調整し、得られる硬化物の硬さと機械的強度を調整するための任意成分であり、一般式：
Ｒ３３ＳiＯ(Ｒ３２ＳiＯ)ｎＳiＲ３３
で表されるオルガノポリシロキサンである。
【００１８】
式中、Ｒ３は、同じかまたは異なる、フェニル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、もしくは炭素原子数２〜６のアルケニル基である。Ｒ３のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が例示される。Ｒ３のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示される。なお、式中、全Ｒ３の内、フェニル基の含有量は３０〜７０モル％の範囲内であり、好ましくは、４０〜６０モル％の範囲内である。これは、フェニル基の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の機械的強度が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の硬さが良好であるからである。また、式中、Ｒ３の少なくとも１個はアルケニル基である。これは、アルケニル基を有すると、本成分が硬化反応に取り込まれるからである。
【００１９】
また、式中、ｎは１０〜１００の範囲内の整数であり、好ましくは、１０〜５０の範囲内の整数である。これは、ｎが上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の機械的強度が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の取扱作業性が良好であるからである。
【００２０】
本組成物において、（Ｂ）成分の含有量は、（Ａ）成分１００質量部に対して０〜４０質量部の範囲内となる量であり、好ましくは、０〜２０重量部の範囲内となる量である。これは、（Ｂ）成分の含有量が上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の硬さが良好であるからである。
【００２１】
（Ｃ）成分は、本組成物の架橋剤であり、一般式：
ＨＲ４２ＳiＯ(Ｒ４２ＳiＯ)ｍＳiＲ４２Ｈ
で表されるオルガノポリシロキサンである。
【００２２】
式中、Ｒ４は、同じかまたは異なる、フェニル基もしくは炭素原子数１〜６のアルキル基である。Ｒ４のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基が例示される。なお、式中、全Ｒ４の内、フェニル基の含有量は１５〜１００モル％の範囲内であり、好ましくは、３０〜１００モル％の範囲内である。これは、フェニル基の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる反応性熱可塑体の室温での硬さと高温での流動特性が良好であるからであり、得られる硬化物の機械的強度が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の硬さが良好であるからである。
【００２３】
また、式中、ｍは１〜１０の範囲内の整数であり、好ましくは、１〜５の範囲内の整数である。これは、ｍが上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の機械的強度が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の取扱作業性が良好であるからである。
【００２４】
本組成物において、（Ｃ）成分の含有量は、（Ａ）成分および（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.５〜２.０モルの範囲内となる量であり、好ましくは、０.５〜１.５モルの範囲内となる量である。これは、（Ｃ）成分の含有量が上記範囲内であると、得られる硬化物の硬さが良好であるからである。
【００２５】
（Ｄ）成分は、（Ａ）成分および（Ｂ）成分中のアルケニル基と（Ｃ）成分中のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を促進するためのヒドロシリル化反応用触媒である。（Ｄ）成分としては、白金系触媒、ロジウム系触媒、パラジウム系触媒が例示され、本組成物の硬化を著しく促進できることから白金系触媒が好ましい。この白金系触媒としては、白金微粉末、塩化白金酸、塩化白金酸のアルコール溶液、白金−アルケニルシロキサン錯体、白金−オレフィン錯体、白金−カルボニル錯体が例示され、特に、白金−アルケニルシロキサン錯体であることが好ましい。このアルケニルシロキサンとしては、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのメチル基の一部をエチル基、フェニル基等で置換したアルケニルシロキサン、これらのアルケニルシロキサンのビニル基をアリル基、ヘキセニル基等で置換したアルケニルシロキサンが例示される。特に、この白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性が良好であることから、１,３−ジビニル−１,１,３,３−トテラメチルジシロキサンが好ましい。また、この白金−アルケニルシロキサン錯体の安定性を向上させることができることから、この錯体に１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジアリル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,３−ジメチル−１,３−ジフェニルジシロキサン、１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラフェニルジシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン等のアルケニルシロキサンやジメチルシロキサンオリゴマー等のオルガノシロキサンオリゴマーを添加することが好ましく、特に、アルケニルシロキサンを添加することが好ましい。
【００２６】
本組成物において、（Ｄ）成分の含有量は、（Ａ）成分および（Ｂ）成分中のアルケニル基と（Ｃ）成分中のケイ素原子結合水素原子とのヒドロシリル化反応を促進するのに十分な量であれば特に限定されないが、好ましくは、本組成物に対して、本成分中の金属原子が質量単位で０.０１〜５００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、さらには、０.０１〜１００ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましく、特には、０.０１〜５０ｐｐｍの範囲内となる量であることが好ましい。これは、（Ｄ）成分の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる組成物の硬化が良好であり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物に着色を生じ難いからである。
【００２７】
（Ｅ）成分は、本発明の組成物およびその硬化物を白色に着色し、光反射率を高めるための白色顔料である。（Ｅ）成分としては、酸化チタン、アルミナ、酸化亜鉛、酸化ジルコン、酸化マグネシウムなどの金属酸化物、硫酸バリウム、硫酸亜鉛が例示され、特に、酸化チタンまたは酸化亜鉛が好ましい。
【００２８】
（Ｅ）成分の平均粒径や形状は限定されないが、平均粒径は０.０５〜１０.０μｍの範囲内であることが好ましく、特に、０.１〜５.０μｍの範囲内であることが好ましい。白色顔料は、樹脂や無機充填剤との相溶性、分散性を高めるため、シランカップリング剤、シリカ、アルミナ等で表面処理したものを使用することができる。
【００２９】
本組成物において、（Ｅ）成分の含有量は、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して５０質量部以上であり、好ましくは、６０質量部以上である。これは、（Ｅ）成分の含有量が上記下限以上であると、得られる硬化物の光反射率が良好であるからである。
【００３０】
（Ｆ）成分は、本発明の組成物の粘度の上昇による作業性の低下を改善し、硬化物の線膨張率を小さくし、寸法安定性を改善するための球状シリカ、非球状シリカもしくはガラスファイバーである。（Ｆ）成分の球状シリカとしては、乾式シリカ、湿式シリカ、溶融シリカ、爆燃シリカが例示されるが、本組成物への充填性が良好であることから、溶融シリカが好ましい。（Ｆ）成分の非球状シリカとしては、石英粉末、ガラスビーズが例示され、好ましくは、石英粉末である。（Ｆ）成分のガラスファイバーとしては、チョップドガラスファイバー、ミルドガラスファイバーが例示され、好ましくは、ミルドガラスファイバーである。
【００３１】
（Ｆ）成分の球状シリカの粒径は限定されないが、平均粒径は０.１〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、特に、０.５〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。（Ｆ）成分の非球状シリカの平均粒径は限定されないが、０.１〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、特に、０.５〜１０μｍの範囲内であることが好ましい。（Ｆ）成分のガラスファイバーの形状は限定されないが、ファイバー径が１〜５０μｍの範囲内であることが好ましく、特に、５〜２０μｍの範囲内であることが好ましく、また、そのファイバー長が５〜５００μｍの範囲内であることが好ましく、特に、１０〜３００μｍの範囲内であることが好ましい。
【００３２】
本組成物において、（Ｆ）成分の含有量は、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して１００質量部以上であり、好ましくは、１２０質量部以上である。（Ｇ）成分の含有量が上記下限以上であると、得られる硬化物の線膨張率が低く、寸法安定性が良好であるからである。
【００３３】
本組成物において、（Ｅ）成分および（Ｆ）成分の合計の含有量は、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して４００質量部以下であり、好ましくは、３５０質量部以下である。（Ｅ）成分および（Ｆ）成分の合計の含有量が上記上限以下であると、得られる組成物の粘度が良好であるからである。
【００３４】
本組成物には、硬化途上で接触している基材への接着性を高めるための接着促進剤として、（Ｇ）平均単位式：
(Ｒ５３ＳiＯ１／２)ｆ(Ｒ５２ＳiＯ２／２)ｇ(Ｒ５ＳiＯ３／２)ｈ(ＳiＯ４／２)ｉ(Ｒ６Ｏ１／２)ｊ
で表されるオルガノポリシロキサンを含有することが好ましい。
【００３５】
式中、Ｒ５は、同じかまたは異なる、フェニル基、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数２〜６のアルケニル基もしくはエポキシ基含有有機基である。Ｒ５のアルキル基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘプチル基、シクロペンチル基、シクロヘプチル基が例示される。Ｒ５のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、ブテニル基、ペンテニル基、ヘキセニル基が例示される。Ｒ５のエポキシ基含有有機基としては、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基が例示される。なお、式中、全Ｒ５の内、フェニル基の含有量は１５〜６０モル％の範囲内であり、好ましくは、２０〜５０モル％の範囲内である。これは、フェニル基の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の接着性と反射率が良好であるからであり、上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の接着性と耐熱性が良好であるからである。式中、全Ｒ５の内、アルケニル基の含有量は３〜３０モル％の範囲内であり、好ましくは、５〜２０モル％の範囲内である。これは、アルケニル基の含有量が上記範囲内であると、得られる硬化物の接着性が良好であるからである。また、全Ｒ５の内、エポキシ基含有有機基の含有量は５〜３０モル％の範囲内であり、好ましくは、１０〜２０モル％の範囲内である。これは、エポキシ基含有有機基の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の接着性が良好であるからであり、上記範囲の上限以下であると、良好な耐熱性が得られるからである。
【００３６】
また、式中、Ｒ６は水素原子または炭素原子数１〜６のアルキル基である。Ｒ６のアルキル基としては、メチル基、エチル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基が例示される。
【００３７】
また、式中、ｆは、一般式：Ｒ５３ＳiＯ１/２で表されるシロキサン単位の割合を示す数であり、０≦ｆ≦０.５、好ましくは、０≦ｆ≦０.４を満たす数である。これは、ｆが上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の接着性が良好であるからである。また、式中、ｇは、一般式：Ｒ５２ＳiＯ２/２で表されるシロキサン単位の割合を示す数であり、０≦ｇ≦０.９、好ましくは、０≦ｇ≦０.８を満たす数である。これは、ｇが上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の接着性が良好であるからである。また、ｈは、一般式：Ｒ５ＳiＯ３/２で表されるシロキサン単位の割合を示す数であり、０≦ｈ≦０.７、好ましくは、０≦ｈ≦０.６を満たす数である。これは、ｈが上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の接着性が良好であるからである。また、ｉは、一般式：ＳiＯ４/２で表されるシロキサン単位の割合を示す数であり、０≦ｉ≦０.３、好ましくは、０≦ｉ≦０.２を満たす数である。これは、ｉが上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の接着性が良好であるからである。また、ｊは、一般式：Ｒ６Ｏ１/２で表される単位の割合を示す数であり、０≦ｊ≦０.０２を満たす数である。これは、ｊが上記範囲の上限以下であると、本組成物の可使時間ならびに保存安定性が良好であるからである。なお、式中、ｆ、ｇ、ｈ、およびｉの合計は１である。
【００３８】
本組成物において、（Ｇ）成分の含有量は、（Ａ）成分〜（Ｄ）成分の合計１００質量部に対して０.５〜１０.０質量部の範囲内となる量であることが好ましく、特に、１.０〜８.０重量部の範囲内となる量であることが好ましい。これは、（Ｇ）成分の含有量が上記範囲の上限以下であると、得られる硬化物の耐熱性が良好であるからであり、上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の接着性が良好であるからである。
【００３９】
本組成物には、本組成物の硬化性を損なわずに、常温での可使時間を延長する目的、および本組成物の硬化物に対する光半導体装置用の封止材の接着性を高める目的で、第２の架橋剤である（Ｈ）一分子中に２個以上のケイ素原子結合水素原子を有し、ケイ素原子結合全有機基に対するフェニル基の含有量が２０モル％未満であるオルガノポリシロキサンを含有することが好ましい。
【００４０】
（Ｈ）成分中のケイ素原子結合水素原子は一分子中に２個以上であるが、これは、硬化のための架橋が十分であり、得られる硬化物の硬さが良好である。また、（Ｈ）成分中のケイ素原子結合有機基としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基等のアルキル基；フェニル基、トリル基、キシリル基等のアリール基；ベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等の脂肪族不飽和結合を有さない一価炭化水素基が例示され、好ましくは、フェニル基、または炭素原子数１〜６のアルキル基である。（Ｈ）成分中のケイ素原子結合全有機基に対するフェニル基の含有量は２０モル％未満であり、好ましくは、１０モル％以下である。また、（Ｈ）成分中のケイ素原子結合全有機基の９０モル％以上がメチル基であることが好ましい。これは、フェニル基の含有量が上記上限未満であり、メチル基の含有量が上記範囲の下限以上であると、得られる硬化物の各種基材への接着性が良好であり、また硬化物に対する光半導体装置用の封止材の接着性が良好であるからである。
【００４１】
このような（Ｈ）成分としては、式：
(ＭeＨＳiＯ)ｐ
（式中、Ｍｅはメチル基を表わし、ｐは４〜８の整数である）
で表されるオルガノポリシロキサン、一般式：
Ｍe３ＳiＯ(ＭeＨＳiＯ)ｑＳiＭe３
Ｍe３ＳiＯ(ＭeＨＳiＯ)ｒ(Ｍe２ＳiＯ)ｓＳiＭe３
（式中、Ｍeはメチル基を表わし、ｑは５以上の整数、ｒ、ｓはそれぞれ５以上の整数であるが、ｒはｓと同じかそれ以上である）
で表されるオルガノポリシロキサンが例示される。
【００４２】
本組成物において、（Ｈ）成分の含有量は、（Ａ）成分〜（Ｂ）成分中のアルケニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.００１〜０.２０モルの範囲内となる量であり、好ましくは、０.００２〜０.１０モルの範囲内となる量である。これは、（Ｈ）成分の含有量が上記範囲内であると、組成物の常温での可使時間が延長され、得られる硬化物に対する光半導体装置用の封止材の接着性が良好となり、さらに本組成物をヒドロシリル化反応して得られる反応性熱可塑体の高温での流動性が良好となるからである。
【００４３】
本組成物は、上記（Ａ）成分〜（Ｆ）成分から少なくともなるが、その他任意の成分として、１−エチニル−１−シクロヘキサノール、２−メチル−３−ブチン−２−オール、３,５−ジメチル−１−ヘキシン−３−オール、２−フェニル−３−ブチン−２−オール等のアルキンアルコール；３−メチル−３−ペンテン−１−イン、３,５−ジメチル−３−ヘキセン−１−イン等のエンイン化合物；１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラビニルシクロテトラシロキサン、１,３,５,７−テトラメチル−１,３,５,７−テトラヘキセニルシクロテトラシロキサン、ベンゾトリアゾール等の反応抑制剤を含有してもよい。この反応抑制剤の含有量は限定されないが、本組成物に対して、質量単位で１〜５,０００ｐｐｍの範囲内であることが好ましい。
【００４４】
本組成物には、上記（Ｇ）成分以外の接着促進剤を含有してもよい。このような接着促進剤としては、トリアルコキシシロキシ基（例えば、トリメトキシシロキシ基、トリエトキシシロキシ基）もしくはトリアルコキシシリルアルキル基（例えば、トリメトキシシリルエチル基、トリエトキシシリルエチル基）と、ヒドロシリル基もしくはアルケニル基（例えば、ビニル基、アリル基）を有するオルガノシラン、またはケイ素原子数４〜２０程度の直鎖状構造、分岐状構造又は環状構造のオルガノシロキサンオリゴマー；トリアルコキシシロキシ基もしくはトリアルコキシシリルアルキル基とメタクリロキシアルキル基（例えば、３−メタクリロキシプロピル基）を有するオルガノシラン、またはケイ素原子数４〜２０程度の直鎖状構造、分岐状構造又は環状構造のオルガノシロキサンオリゴマー；トリアルコキシシロキシ基もしくはトリアルコキシシリルアルキル基とエポキシ基結合アルキル基（例えば、３−グリシドキシプロピル基、４−グリシドキシブチル基、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチル基、３−(３,４−エポキシシクロヘキシル)プロピル基）を有するオルガノシランまたはケイ素原子数４〜２０程度の直鎖状構造、分岐状構造又は環状構造のオルガノシロキサンオリゴマー；アミノアルキルトリアルコキシシランとエポキシ基結合アルキルトリアルコキシシランの反応物、エポキシ基含有エチルポリシリケートが挙げられ、具体的には、ビニルトリメトキシシラン、アリルトリメトキシシラン、アリルトリエトキシシラン、ハイドロジェントリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシラン、２−(３,４−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシラン、３−グリシドキシプロピルトリエトキシシランと３−アミノプロピルトリエトキシシランの反応物、シラノール基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと３−グリシドキシプロピルトリメトキシシランの縮合反応物、シラノール基封鎖メチルビニルシロキサンオリゴマーと３−メタクリロキシプロピルトリエトキシシランの縮合反応物、トリス(３−トリメトキシシリルプロピル)イソシアヌレートが挙げられる。
【００４５】
さらに、本組成物には、本発明の目的を損なわない限り、その他任意の成分として、球状シリカ、非球状シリカ、ガラスファイバー以外の無機充填剤、ポリメタクリレート樹脂やシリコーン樹脂等の有機樹脂微粉末；カルナバワックス、高級脂肪酸、高級脂肪酸金属塩、メチルシリコーンオイル等の離型剤；耐熱剤、難燃性付与剤、溶剤等を含有してもよい。
【００４６】
本組成物の２５℃における粘度は特に限定されないが、好ましくは、１０,０００Ｐa・ｓ以下であり、特に好ましくは、１０〜５,０００Ｐa・ｓの範囲内である。これは、粘度が上記範囲の下限以上であると、所望の形状の反応性熱可塑体を形成することが容易となるからであり、一方、上記範囲の上限以下であると、得られる組成物の取扱作業性が良好であるからである。
【００４７】
次に、本発明の反応性熱可塑体について詳細に説明する。本発明の反応性熱可塑体は、上記の反応性シリコーン硬化物のヒドロシリル化反応の転化率が7０％〜９５％となるまで反応させてなるものである。ヒドロシリル化の転化率とは、ヒドロシリル化反応する全官能基量のうち、実際に反応が起きたものの割合をパーセントで表わしたものであり、その確認法は特に限定されないが、例えば、示差走査熱量計（ＤＳＣ）を用いて、反応性シリコーン組成物と得られた反応性熱可塑体の反応発熱量を測定し、その差から転化率を簡便に算出することができる。反応は室温もしくは加熱により反応が進行するが、反応性熱可塑体を効率よく得るためには加熱することが好ましい。この加熱温度としては、５０〜１５０℃の範囲内であることが好ましく、８０〜１３０℃の範囲内であることがさらに好ましい。
【００４８】
本発明の反応性熱可塑体は、２５℃で固体もしくは粘度が１,０００,０００Ｐa・ｓ以上であり、１００℃での粘度が１００,０００Ｐa・ｓ以下の液体であるものが好ましい。
【００４９】
また、本発明の反応性熱可塑体は、ＪＩＳ  Ｋ  ７２１５-1986「プラスチックのデュロメータ硬さ試験方法」に規定のタイプＤデュロメータ硬さが２５℃で３０以上であることが好ましい。
【００５０】
このような本発明の反応性熱可塑体は、１００℃以上に加熱すると一旦流動化し、その後、ヒドロシリル化反応が進行し、硬化物を与える。
【００５１】
次に、本発明の硬化物について詳細に説明する。
本発明の硬化物は、上記の反応性熱可塑体を加熱して、残りのヒドロシリル化反応を行って得られるものであり、３００℃で固体もしくは粘度が１,０００,０００Ｐa・ｓ以上である。硬化物の硬さは特に限定されないが、ＪＩＳ  Ｋ  ７２１５-1986「プラスチックのデュロメータ硬さ試験方法」に規定のタイプＤデュロメータ硬さが６０以上であることが好ましく、さらには、６５以上であることが好ましく、特には、７０以上であることが好ましい。これは、硬度が上記下限以上であると、硬化物の寸法安定性が向上し、硬化物の変形が起こり難くなるためである。
【００５２】
また、本硬化物の反射率は特に限定されないが、ＪＩＳ  Ｋ  ７３７５：2008「プラスチック−全光線透過率及び全光線反射率の求め方」に規定の方法により測定した全光線反射率が８０％以上であることが好ましく、特には、９０％以上であることが好ましい。
【００５３】
また、本硬化物の線膨張率は特に限定されないが、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９７-1991「プラスチックの熱機械分析による線膨張率の試験方法」に規定の方法により測定した線膨張率が２５〜２００℃の温度範囲での平均値として、２００ｐｐｍ／℃以下であることが好ましく、特に、１５０ｐｐｍ／℃以下であることが好ましい。
【００５４】
また、本発明の硬化物は、反応性熱可塑体を１００℃以上に加熱した金属金型中で硬化してなることが好ましい。光半導体装置の反射材として本硬化物を形成する場合の硬化方法としては、圧縮成形、トランスファー成形が好ましい。
【００５５】
次に、本発明の光半導体装置について詳細に説明する。
本発明の光半導体装置は、光反射材が上記硬化物により形成されていること特徴とする。このような光半導体装置としては、発光ダイオード（ＬＥＤ）が例示される。この光半導体装置において、光反射材は、光半導体装置の枠材（パッケージング材）としても機能している。
【００５６】
本半導体装置の一例である表面実装型ＬＥＤの断面図を図１に示した。図１で示されるＬＥＤは、光半導体素子１がリードフレーム２上にダイボンド材によりダイボンディングされ、この光半導体素子１とリードフレーム２、３とがボンディングワイヤ４、４’によりワイヤボンディングされている。この光半導体素子１の上部を除く周囲には、上記の硬化物からなる光反射材５を有し、この光反射材５の内側の光半導体素子１は封止材６により封止されている。
【００５７】
図１で示される表面実装型ＬＥＤを製造する方法としては、（１）本発明の反応性熱可塑体をトランスファー成形または圧縮成形により、リードフレーム２、３と一体化した光反射材５を形成する工程、（２）リードフレーム２上にダイボンド材により光半導体素子１をダイボンディングする工程、（３）光半導体素子１とリードフレーム２、３をボンディングワイヤ４、４’によりワイヤボンディングする工程、（４）光半導体素子１を封止材６に封止する工程からなる方法が例示される。
【実施例】
【００５８】
本発明の硬化性シリコーン組成物、反応性熱可塑体、硬化物、および光半導体装置を実施例により詳細に説明する。なお、式中のＭe、Ｐh、Ｖi、およびＥｐは、それぞれメチル基、フェニル基、ビニル基、および３−グリシドキシプロピル基を表す。
【００５９】
また、反応性熱可塑体および硬化物の硬さは、ＪＩＳ  Ｋ  ７２１５-1986「プラスチックのデュロメータ硬さ試験方法」に規定のタイプＤデュロメータにより測定した。
【００６０】
また、硬化物の曲げ強さは、ＪＩＳ  Ｋ  ６９１１-1995「熱硬化性プラスチック一般試験方法」に規定の方法により測定した。
【００６１】
また、硬化物の全光線反射率は、ＪＩＳ  Ｋ  ７３７５：2008「プラスチック−全光線透過率及び全光線反射率の求め方」に規定の方法により測定した。
【００６２】
また、硬化物の線膨張率は、２５〜２００℃の範囲内での平均線膨張率を、ＪＩＳ  Ｋ  ７１９７-1991「プラスチックの熱機械分析による線膨張率の試験方法」に規定の方法により測定した。
【００６３】
また、ヒドロシリル化反応の転化率は、示差走査熱量計によって各状態での反応熱量を求め、その差から算出した。
【００６４】
［実施例１］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＨＯ１/２)０.０２
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  １００質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １３.３質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ３３.３質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.１５モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  １２２質量部、および平均粒子径５μｍの破砕石英粉末（龍森製のクリスタライトＶＸ−５２）  ２２０質量部を混合して、２５℃での粘度が４１０Ｐa・ｓである反応性シリコーン組成物を調製した。
【００６５】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度が測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが６５であり、１００℃での粘度が６５０Ｐa・ｓである熱可塑体であることがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は８７％であった。
【００６６】
得られた熱可塑体を１５０℃で加熱すると、流動化した後、流動性が失われた。１５０℃で１時間加熱して得られた硬化物は３００℃で粘度測定不能な固体であり、２５℃でのタイプＤデュロメータ硬さが８５であり、曲げ強さが１７ＭＰa、全光線反射率が９４％、硬化物の線膨張率が１１０ｐｐｍ／℃であった。
【００６７】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、上記熱可塑体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型したところ、バリやボイドのない良好な成形物が得られた。
【００６８】
［実施例２］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＨＯ１/２)０.０２
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ４８.４質量部、平均単位式：
(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.２０(ＰhＳiＯ３/２)０.８０(ＨＯ１/２)０.０１
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ５１.６質量部、平均単位式：
(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.２(ＭeＥpＳiＯ２/２)０.２５(ＰhＳiＯ３/２)０.５５(ＨＯ１/２)０.００５
で表されるエポキシ基含有ポリシロキサン  ０.０２質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １２.９質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ２９.０質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサン、ジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.９６モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  １１８質量部、および平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ  マイクロン社製のＨＳ−２０２）  ２１３質量部を混合して、２５℃での粘度が１９０Ｐa・ｓである硬化性シリコーン組成物を調製した。
【００６９】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが６４であり、１００℃での粘度が６,３００Ｐa・ｓである熱可塑体であることがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は７６％であった。
【００７０】
得られた熱可塑体を１５０℃に加熱すると、流動化した後、流動性が失われた。１５０℃で１時間加熱して得られた硬化物は３００℃で粘度測定不能な固体であり、２５℃でのタイプＤデュロメータ硬さが８８であり、曲げ強さが２８ＭＰa、全光線反射率が９４％、硬化物の線膨張率が１０３ｐｐｍ／℃であった。
【００７１】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、上記熱可塑体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型したところ、バリやボイドのない良好な成形物が得られた。
【００７２】
［実施例３］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＨＯ１/２)０.０２
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ４８.４質量部、平均単位式：
(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.２０(ＰhＳiＯ３/２)０.８０(ＨＯ１/２)０.０１
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ５１.６質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １２.９質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ２９.０質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.９６モルとなる量）、１,３,５,７−テトラメチルテトラシクロシロキサン  ０.０４質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.００３７モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２４μｍの酸化チタン（石原産業製のタイペークＲ−６３０）  １１８質量部、および平均カット長２０μｍ、平均ファイバー径３μｍのミルドガラスファイバー（旭ファイバーグラス製のＭＦ０３ＪＢ１−２０）  ２１３質量部を混合して、２５℃での粘度が１７５Ｐa・ｓである反応性シリコーン組成物を調製した。
【００７３】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが７２であり、１００℃での粘度が２１,０００Ｐa・ｓである熱可塑体であることがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は８９％であった。
【００７４】
得られた熱可塑体を１５０℃に加熱すると、流動化した後、流動性が失われた。１５０℃で１時間加熱して得られた硬化物は３００℃以下で流動性がなく、２５℃でのタイプＤデュロメータ硬さが８６であり、曲げ強さが２１ＭＰa、全光線反射率が９５％、硬化物の線膨張率が１０２ｐｐｍ／℃であった。
【００７５】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、上記熱可塑体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型したところ、バリやボイドのない良好な成形物が得られた。
【００７６】
［実施例４］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＨＯ１/２)０.０２
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ３８.５質量部、平均単位式：
(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.２０(ＰhＳiＯ３/２)０.８０(ＨＯ１/２)０.０１
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ６１.５質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １９.４質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ２８.２質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.９６モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  １１８質量部、および平均粒子径５μｍの破砕石英粉末（山森土本鉱業所製のシルシックＳＡＢ−５００）  ２１３質量部を混合して、２５℃での粘度が４５５Ｐa・ｓである反応性シリコーン組成物を調製した。
【００７７】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが７２であり、１００℃での粘度が１５,０００Ｐa・ｓである熱可塑体であることがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は８７％であった。
【００７８】
得られた熱可塑体を１５０℃で加熱すると、流動化した後、流動性が失われた。１５０℃で１時間加熱して得られた硬化物は３００℃以下で流動性がなく、２５℃でのタイプＤデュロメータ硬さが８８であり、曲げ強さが２２ＭＰa、全光線反射率が９４％、硬化物の線膨張率が１１７ｐｐｍ／℃であった。
【００７９】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、上記熱可塑体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型したところ、バリやボイドのない良好な成形物が得られた。
【００８０】
［実施例５］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＨＯ１/２)０.０２
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ３８.５質量部、平均単位式：
(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.２０(ＰhＳiＯ３/２)０.８０(ＨＯ１/２)０.０１
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ６１.５質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  ２５.６質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ２８.２質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１１モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  １２８質量部、および平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ  マイクロン社製のＨＳ−２０２）  ２５６質量部を混合して、２５℃での粘度が１７６Ｐa・ｓである反応性シリコーン組成物を調製した。
【００８１】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが７４であり、１００℃での粘度が８,６００Ｐa・ｓである熱可塑体であることがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は７６％であった。
【００８２】
得られた熱可塑体を１５０℃に加熱すると、流動化した後、流動性が失われた。１５０℃で１時間加熱して得られた硬化物は３００℃以下で流動性がなく、２５℃でのタイプＤデュロメータ硬さが８７であり、曲げ強さが２２ＭＰa、全光線反射率が９４％、硬化物の線膨張率が９４ｐｐｍ／℃であった。
【００８３】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、上記半硬化物をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型したところ、バリやボイドのない良好な成形物が得られた。
【００８４】
［実施例６］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＨＯ１/２)０.０２
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ３８.５質量部、平均単位式：
(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.２０(ＰhＳiＯ３/２)０.８０(ＨＯ１/２)０.０１
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ６１.５質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  ２５.６質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ２８.２質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１１モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  １４１質量部、および平均カット長２０μｍ、平均ファイバー径３μｍのミルドガラスファイバー（旭ファイバーグラス製のＭＦ０３ＪＢ１−２０）  ２８２質量部を混合して、２５℃での粘度が３８０Ｐa・ｓである硬化性シリコーン組成物を調製した。
【００８５】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが７５であり、１００℃での粘度が１２,０００Ｐa・ｓである熱可塑体であることがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は８８％であった。
【００８６】
得られた熱可塑体を１５０℃に加熱すると、流動化した後、流動性が失われた。１５０℃で１時間加熱して得られた硬化物は３００℃以下で流動性がなく、２５℃でのタイプＤデュロメータ硬さが８８であり、曲げ強さが２６ＭＰa、全光線反射率が９４％、硬化物の線膨張率が６５ｐｐｍ／℃であった。
【００８７】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、上記半硬化物をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型したところ、バリやボイドのない良好な成形物が得られた。
【００８８】
［比較例１］
平均単位式：
(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.２０(ＰhＳiＯ３/２)０.８０(ＨＯ１/２)０.０１
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  １００質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １２.５質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ２５.０質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.７９モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  １１５質量部、および平均粒子径５μｍの破砕石英粉末（龍森製のクリスタライトＶＸ−５２）  ２０６質量部を混合して、２５℃での粘度が４２２Ｐa・ｓである硬化性シリコーン組成物を調製した。
【００８９】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが８１であるものの、１００℃でも粘度測定不能な固体状であり、熱可塑体でないことがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は９６％であった。
【００９０】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、得られた固体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型を試みたところ、金型にほとんど充填されず、不均一な成形物が得られた。
【００９１】
［比較例２］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＨＯ１/２)０.０２
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ４８.４質量部、平均単位式：
(Ｍe２ＶiＳiＯ１/２)０.２０(ＰhＳiＯ３/２)０.８０(ＨＯ１/２)０.０１
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  ５１.６質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １２.９質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  １４.５質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.４８モルとなる量）、平均単位式：
(Ｍe２ＨＳiＯ１/２)０.６０ (ＳiＯ４/２)０.４０
で表されるケイ素原子結合水素原子含有メチルフェニルポリシロキサン  １４.５質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.４８モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  １１８質量部、および平均粒子径１５μｍの球状シリカ（新日鉄マテリアルズ  マイクロン社製のＨＳ−２０２）  ２１３質量部を混合して、２５℃での粘度が５９２Ｐa・ｓである硬化性シリコーン組成物を調製した。
【００９２】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが７５であるものの、１００℃でも粘度測定不能な固体状であり、熱可塑体でないことがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は８８％であった。
【００９３】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、得られた固体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型を試みたところ、金型にほとんど充填されず、不均一な成形物が得られた。
【００９４】
［比較例３］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２０(Ｍｅ２ＳiＯ２/２)０.２０(Ｐｈ２ＳiＯ２/２)０.１０(ＰhＳiＯ３/２)０.５０(ＨＯ１/２)０.０３
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  １００質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １３.３質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ３３.３質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.１０モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  １２２質量部、および平均カット長２０μｍ、平均ファイバー径３μｍのミルドガラスファイバー（旭ファイバーグラス製のＭＦ０３ＪＢ１−２０）  ２２０質量部を混合して、２５℃での粘度が１８６Ｐa・ｓである硬化性シリコーン組成物を調製した。
【００９５】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃での粘度が２１,０００Ｐa・ｓであり、タイプＤデュロメータ硬さが１０であり、熱可塑体でないことがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は８１％であった。
【００９６】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、得られた液体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型を試みたところ、金型への付着が大きく、また、成形部分が容易に変形した。
【００９７】
［比較例４］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２０(Ｍｅ２ＳiＯ２/２)０.２０(Ｐｈ２ＳiＯ２/２)０.１０(ＰhＳiＯ３/２)０.５０(ＨＯ１/２)０.０３
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  １００質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １３.３質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ３０.０質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.９９モルとなる量）、平均単位式：
(Ｍe２ＨＳiＯ１/２)０.６０ (ＳiＯ４/２)０.４０
で表されるケイ素原子結合水素原子含有メチルフェニルポリシロキサン  ３.３質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が０.１１モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  １２２質量部、および平均カット長２０μｍ、平均ファイバー径３μｍのミルドガラスファイバー（旭ファイバーグラス製のＭＦ０３ＪＢ１−２０）  ２２０質量部を混合して、２５℃での粘度が２２１Ｐa・ｓである硬化性シリコーン組成物を調製した。
【００９８】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが６０であるものの、１００℃でも粘度測定不能な固体状であり、熱可塑体でないことがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は７８％であった。
【００９９】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、得られた固体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型を試みたところ、金型への充填が不十分で、ボイドの多い不均一な成形物が得られた。
【０１００】
［比較例５］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＨＯ１/２)０.０２
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  １００質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １３.３質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ３３.３質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.１５モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  ６５質量部、および平均粒子径５μｍの破砕石英粉末（龍森製のクリスタライトＶＸ−５２）  ２８５質量部を混合して、２５℃での粘度が２９０Ｐa・ｓである硬化性シリコーン組成物を調製した。
【０１０１】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが６４であり、１００℃での粘度が３,２００Ｐa・ｓであり、熱可塑体であることがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は８６％であった。
【０１０２】
得られた熱可塑体を１５０℃で加熱すると、流動化した後、流動性が失われた。１５０℃で１時間加熱して得られた硬化物は３００℃以下で流動性がなく、２５℃でのタイプＤデュロメータ硬さが８６であり、曲げ強さが２１ＭＰa、全光線反射率が６５％、硬化物の線膨張率が９３ｐｐｍ／℃であった。
【０１０３】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、上記熱可塑体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型したところ、バリやボイドのない良好な成形物が得られた。
【０１０４】
［比較例６］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＨＯ１/２)０.０２
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  １００質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １３.３質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ３３.３質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.１５モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  ２２４質量部、および平均粒子径５μｍの破砕石英粉末（龍森製のクリスタライトＶＸ−５２）  １１７質量部を混合し、２５℃での粘度が１,２００Ｐa・ｓである硬化性シリコーン組成物を調製した。
【０１０５】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、タイプＤデュロメータ硬さが６７であるものの、１００℃での粘度が２,０００,０００Ｐa・ｓと高く、良好な可塑体でないことがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は８９％であった。
【０１０６】
得られた固体を１５０℃で加熱すると、流動化した後、流動性が失われた。１５０℃で１時間加熱して得られた硬化物は３００℃以下で流動性がなく、２５℃でのタイプＤデュロメータ硬さが８８であり、曲げ強さが２２ＭＰa、全光線反射率が９４％、硬化物の線膨張率が１３０ｐｐｍ／℃であった。
【０１０７】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、得られた固体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型したところ、多数のボイドが生じ、良好な成形物は得られなかった。
【０１０８】
［比較例７］
平均単位式：
(ＭeＶiＳiＯ２/２)０.２５(Ｐh２ＳiＯ２/２)０.３０(ＰhＳiＯ３/２)０.４５(ＨＯ１/２)０.０２
で表されるメチルビニルフェニルポリシロキサン  １００質量部、平均式：
ＶiＭe２ＳiＯ(ＭeＰhＳiＯ)１７.５ＳiＶiＭe２
で表されるジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサン  １３.３質量部、式：
(ＨＭe２ＳiＯ)２ＳiＰh２
で表される１,１,５,５−テトラメチル−３,３−ジフェニルトリシロキサン  ３３.３質量部（上記のメチルビニルフェニルポリシロキサンおよびジメチルビニルシロキシ末端ポリメチルフェニルシロキサンのビニル基の合計１モルに対して、本成分中のケイ素原子結合水素原子が１.１５モルとなる量）、白金の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン錯体の１,３−ジビニル−１,１,３,３−テトラメチルジシロキサン溶液（本組成物に対して白金金属が質量単位で５.０ｐｐｍとなる量）、１−エチニル−１−シクロヘキサノール（本組成物に対して質量単位で３００ｐｐｍとなる量）、平均一次粒子径０.２μｍの酸化チタン（堺化学工業製のＳＸ−３１０３）  １０２質量部、および平均粒子径５μｍの破砕石英粉末（龍森製のクリスタライトＶＸ−５２）  ５１０質量部を混合したところ、粉体状の混合物が得られた。
【０１０９】
この組成物を１２０℃で１０分間加熱したところ、２５℃で粘度測定不能な固体であり、不均一な固体であり、また１００℃でも粘度測定不能な固体状であり、熱可塑体でないことがわかった。ヒドロシリル化反応の転化率は８５％であった。
【０１１０】
また、図１で示される光半導体装置を製造するため、得られた固体をトランスファー成形機を用いてリードフレームと１３０℃で一体成型したところ、多くの金型未充填部が認められ、また多数のボイドが生じ、良好な成形物は得られなかった。
【産業上の利用可能性】
【０１１１】
本発明の反応性シリコーン組成物は、常温で実質的に固体であり、高温で流動化する反応性熱可塑体を与え、この反応性熱可塑体は、加熱した金型中での硬化物の成形に適し、得られる硬化物は、熱や光による機械的強度の低下や変色が少なく、光反射率が高いので、発光ダイオードの白色枠材の形成材料として好適である。
【符号の説明】
【０１１２】
１  光半導体素子
２  リードフレーム
３  リードフレーム
４、４’  ボンディングワイヤ
５  光反射材
６  封止材
【図１】
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