(57)【要約】【課題】高品位な画像表示を行い、製品寿命の長い液晶装置の製造方法を提供する事。【解決手段】液晶装置１００の製造方法は、無機系のガスを用いて化学気相堆積法にて絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜上に配向膜を形成する配向膜形成工程と、を含む。配向膜は、通常、密度が低く緻密性に劣る為に、液晶５０は配向膜の下に形成されている絶縁膜に接し、絶縁膜の影響を被る事になる。従って、液晶５０が接する絶縁膜の品質を高める事で、液晶５０の経時劣化が抑制され、液晶装置１００の寿命を延ばす事ができる。即ち、コントラスト比が高く画像品位に優れた液晶装置１００の耐久性を強め、高品位液晶装置１００やそれを用いた電子機器の長寿命化を実現する事ができる。【選択図】図３
2014164158.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、
前記第一基板に対向配置された第二基板と、
前記第一基板と前記第二基板との間に挟持された液晶と、
前記液晶と前記第一基板との間に配置された配向膜と、
前記配向膜と前記第一基板との間に配置された酸化珪素を含む絶縁膜と、
を有する液晶装置の製造方法であって、
無機系のガスを用いて化学気相堆積法にて前記絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、
前記絶縁膜上に前記配向膜を形成する配向膜形成工程と、
を含む事を特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記無機系のガスはシランである事を特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記絶縁膜形成工程後に、前記絶縁膜に熱処理を施す熱処理工程を含む事を特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
前記熱処理工程は、不活性ガスと水素との混合気体中にて施される事を特徴とする請求項３に記載の液晶装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクターは、透過型液晶装置や反射型液晶装置に光を照射し、これらの液晶装置により変調された透過光や反射光をスクリーン上に投射する電子機器である。これは光源から発せられた光を液晶装置に集光して入射させ、電気信号に応じて変調された透過光又は反射光を、投射レンズを通じて、スクリーンに拡大投射する様に構成される物で、大画面を表示するとの長所を有している。この様な電子機器に使用される液晶装置としては液晶装置が知られており、これは液晶の誘電異方性と液晶層における光の旋光性とを利用して画像を形成している。
【０００３】
液晶装置の一例は特許文献１に記載されている。特許文献１に記載の液晶装置では、素子基板に画素電極を覆う様にシリコン酸化物からなる第１の配向膜が形成され、画素電極と第１の配向膜との間に、パッシベーション膜が設けられている。パッシベーション膜はＴＥＯＳガスを原料ガスに用いたプラズマＣＶＤ法により形成される。一方、対向基板には共通電極を覆う様にシリコン酸化物からなる第２の配向膜が形成されている。そして第１の配向膜と第２の配向膜とが互いに向き合う様に、素子基板と対向基板とを互いに対向させ、この状態で素子基板と対向基板との間に液晶を封入して、液晶装置としていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１５４１５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている液晶装置では、液晶の劣化が進行し易いと云う課題があった。換言すると、従来の液晶装置は耐久性が弱く、液晶装置や液晶装置を用いた電子機器の製品寿命も短くなりがちであるという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。
【０００７】
（適用例１）  本適用例に係わる液晶装置の製造方法は、第一基板と、第一基板に対向配置された第二基板と、第一基板と第二基板との間に挟持された液晶と、液晶と第一基板との間に配置された配向膜と、配向膜と第一基板との間に配置された酸化珪素を含む絶縁膜と、を有する液晶装置の製造方法であって、無機系のガスを用いて化学気相堆積法にて絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、絶縁膜上に配向膜を形成する配向膜形成工程と、を含む事を特徴とする。
液晶装置で高いコントラスト比を実現するには、画素電極を覆う平坦な絶縁膜を設け、この絶縁膜上に配向膜を形成するのが好ましい。配向膜は、通常、密度が低く緻密性に劣る為に、液晶は配向膜の下に形成されている絶縁膜に接し、絶縁膜の影響を被る事になる。この方法によると、液晶が接する絶縁膜の品質が高められるので、液晶の経時劣化が抑制され、液晶装置の寿命を延ばす事ができる。絶縁膜が平坦化膜の役割も担っているので、換言すると、コントラスト比が高く画像品位に優れた液晶装置の耐久性を強め、高品位液晶装置やそれを用いた電子機器の長寿命化を実現する事ができる。
【０００８】
（適用例２）  上記適用例１に係わる液晶装置の製造方法において、無機系のガスはシランである事が好ましい。
この方法によると、簡単な製造方法で液晶の経時劣化を抑制し、液晶装置の寿命を延ばす、高純度な絶縁膜を形成する事ができる。
【０００９】
（適用例３）  上記適用例１又は２に係わる液晶装置の製造方法において、絶縁膜形成工程後に、絶縁膜に熱処理を施す熱処理工程を含む事が好ましい。
この方法によると、簡単な製造方法で液晶の経時劣化を抑制し、液晶装置の寿命を延ばす絶縁膜から余分な水分を除去するので、絶縁膜の品質を更に高める事ができる。
【００１０】
（適用例４）  上記適用例３に係わる液晶装置の製造方法において、熱処理工程は、不活性ガスと水素との混合気体中にて施される事が好ましい。
この方法によると、簡単な製造方法で液晶の経時劣化を抑制し、液晶装置の寿命を延ばす絶縁膜から余分な水分を除去した上で、絶縁膜中に存在する活性結合手を不活性化するので、絶縁膜の品質を更に高める事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態１に係わる液晶装置の電気的構成を示すブロック図。
【図２】実施形態１に係る液晶装置の構造を説明する図。
【図３】実施形態１に係る液晶装置の画素の説明する図。
【図４】液晶装置の製造方法を説明した図。
【図５】絶縁膜の品質特性を説明した図。
【図６】液晶装置の寿命特性を説明した図。
【図７】電子機器としての三板式プロジェクターの構成を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１３】
（実施形態１）
「液晶装置の回路構成」
図１は、実施形態１に係わる液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。以下、図１を参照して液晶装置１００の電気的な構成を説明する。尚、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。又、素子基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。又、対向基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１４】
液晶装置１００は、本実施形態では、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードやＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードを利用している。図１に示す様に、こうした液晶装置１００では、その中央領域に複数の画素１００ａが行列状に配列され、画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を為している。液晶装置１００は素子基板１０（図２参照）を有する。素子基板１０において、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａと、これらのデータ線６ａと交差する複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。画素１００ａの各々には、素子と、各素子に対応する様に設けられた画素電極９ａとが設けられている。素子には電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０が用いられる。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。尚、電界効果型トランジスターにおけるソースとドレインとは電位に応じて入れ替わり得るが、ここでは説明の便宜を図る為に、画素電極９ａが接続されている側をドレインとし、データ線６ａが接続されている側をソースとしている。この様にして、液晶装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａ及び複数の画素トランジスター３０が形成されている。尚、各画素に形成される素子は、電界効果型トランジスターに限らず、バイポーラトランジスターなどのその他のトランジスターや、或いは非線形抵抗素子、更には、これらを組み合わせた回路であっても構わない。
【００１５】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、不図示の画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００１６】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２参照）に形成された共通電極２１（図２参照）と液晶５０（図２参照）を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。又、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐ為に、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態では、保持容量５５を構成する為に、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂは、共通電位Ｖｃｏｍが印加された定電位配線７ｒに導通している。
【００１７】
「液晶装置の構造」
図２は、実施形態１に係る液晶装置の構造を説明する図であり、（ａ）は液晶装置を各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’における断面図である。次に、図２を参照して液晶装置１００の構造を説明する。尚、以下の形態において、「○○上に」或いは「○○の上層側に」と記載された場合、○○の上に接する様に配置される場合或いは○○の上層側に接する様に配置される場合、又は、○○の上に他の構成物を介して配置される場合或いは○○の上層側に他の構成物を介して配置される場合、又は、○○の上に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合或いは○○の上層側に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。
【００１８】
図２に示す様に、液晶装置１００は、第一基板と、第一基板に対向配置された第二基板と、第一基板と第二基板との間に挟持された液晶、とを備えている。本実施形態では、第一基板を素子基板１０とし、第二基板を対向基板２０とするが、無論、第一基板を対向基板２０とし、第二基板を素子基板１０としても良い。素子基板１０と対向基板２０とは、所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿う様に枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶装置１００において、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、液晶５０が挟持されている。本実施形態では、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、こうした液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって封止されている。
【００１９】
こうした構成の液晶装置１００において、素子基板１０及び対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶装置１００の略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。この画像表示領域１０ａの形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２０】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１及び複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。尚、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続され、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２１】
図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の第一面１０ｓ及び第二面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する第一面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、及び画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａが行列状に形成されており、こうした画素電極９ａの上層側には第一の配向膜１６が形成されている。
【００２２】
素子基板１０の第一面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士がダミー画素電極９ｂより細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。又、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖｃｏｍが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。又、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において第一の配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を小さくし、第一の配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。尚、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を小さくし、第一の配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００２３】
対向基板２０の第一面２０ｓ及び第二面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する第一面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面或いは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本実施形態では、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００２４】
対向基板２０の第一面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光膜２９が形成され、共通電極２１の表面には第二の配向膜２６が積層されている。遮光膜２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光膜２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。又、遮光膜２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリックス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００２５】
液晶装置１００において、シール材１０７より外側には、対向基板２０の第一面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の第一面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖｃｏｍが印加された定電位配線７ｒに導通しており、定電位配線７ｒは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９及び基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。こうして、共通電極２１には、素子基板１０から共通電位Ｖｃｏｍが印加される。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。即ち、シール材１０７の平面視における配置形状は、略四角形となる。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通る様に設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２６】
液晶装置１００は透過型の表示装置であり、画素電極９ａや共通電極２１は、インジウム錫酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＴＯ）膜やインジウム亜鉛酸化物（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ、ＩＺＯ）膜等の透光性導電膜により形成される。尚、反射型表示装置の際には、画素電極９ａ又は共通電極２１の一方を、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成する。透過型の表示装置では、素子基板１０及び対向基板２０の一方の側（例えば素子基板１０）から入射した光が、画像信号に応じて変調されて、他方の基板（例えば対向基板２０）側から出射される事で画像が表示される。一方、反射型の表示装置では、素子基板１０及び対向基板２０の一方の側（例えば対向基板２０）から入射した光が他方の基板（例えば素子基板１０）で反射して出射される際に、画像信号に応じて変調されて画像を表示する。
【００２７】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０或いは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。又、液晶装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。又、液晶装置１００では、使用する液晶５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶装置１００に対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２８】
本実施形態では、液晶装置１００が投射型表示装置のＲＧＢ用透過型ライトバルブである場合を中心に説明する。又、液晶装置１００では、液晶５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられ、ＶＡモードの表示を行う場合を中心に説明する。
【００２９】
「画素構成」
図３は、実施形態１に係る液晶装置の画素の説明する図であり、（ａ）は素子基板における画素の平面図、（ｂ）は液晶装置のＦ−Ｆ′断面図である。次に、図３を参照して画素１００ａの構造を説明する。尚、図３（ａ）では、各層を以下の線で示してある。
下層側の下側遮光膜８ａ＝細くて長い破線。
半導体層１ａ＝細くて短い点線。
走査線３ａ＝太い実線。
ドレイン電極４ａ＝細い実線。
データ線６ａ及び中継電極６ｂ＝細い一点鎖線。
容量線５ｂ＝太い一点鎖線。
上層側の上側遮光膜７ａ及び中継電極７ｂ＝細い二点鎖線。
画素電極９ａ＝太い破線。
又、図３（ａ）では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすい様に、端部の位置をずらしてある。
【００３０】
図３（ａ）に示す様に、素子基板１０において対向基板２０と対向する第一面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが形成されている。画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。又、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域及びその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、こうした容量線５ｂには共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。本実施形態では、容量線５ｂは、走査線３ａ及びデータ線６ａに重なる様に延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には上側遮光膜７ａが形成されており、上側遮光膜７ａはデータ線６ａに重なる様に延在している。画素トランジスター３０の下層側には下側遮光膜８ａが形成されており、下側遮光膜８ａは、走査線３ａと重なる様に直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なる様に延びた副線部分と、を備えている。
【００３１】
図３（ｂ）に示す様に、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶５０側の基板面（対向基板２０と対向する第一面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、第一のパッシベーション膜１８、及び第一の配向膜１６を主体として構成されている。画素電極９ａと画素トランジスター３０との間には、第四層間絶縁膜４５等の絶縁膜が設けられている。要するに、第一の配向膜１６が液晶５０と第一基板（素子基板１０）との間に配置され、第一の配向膜１６と第一基板との間に絶縁膜である第一のパッシベーション膜１８が配置されている。
【００３２】
対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶５０側の表面（素子基板１０と対向する第一面２０ｓ）に形成された遮光膜２９、共通電極２１、第二のパッシベーション膜２８、及び第二の配向膜２６を主体として構成されている。対向基板２０を第一基板とみなす場合、第二の配向膜２６が液晶５０と第一基板（対向基板２０）との間に配置され、第二の配向膜２６と第一基板との間に絶縁膜である第二のパッシベーション膜２８が配置されている。
【００３３】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの第一面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の下側遮光膜８ａが形成されている。下側遮光膜８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、こうした反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。尚、下側遮光膜８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと下側遮光膜８ａを導通させた構成とする。
【００３４】
基板本体１０ｗの第一面１０ｓ側において、下側遮光膜８ａの上層側には、透光性の下地絶縁膜１２が形成されており、こうした下地絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。下地絶縁膜１２は、意図的に不純物を導入してない酸化珪素膜（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＮＳＧ膜と称する）や、或いは、燐を含む酸化珪素膜（Ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＰＳＧ膜と称する）、硼素を含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＳＧ膜と称する）、硼素と燐とを含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＰＳＧ膜と称する）等の酸化珪素膜（シリケートガラスも含む。）や、窒化珪素膜からなる。こうした下地絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、二塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００３５】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル形成領域１ｇを備えていると共に、チャネル形成領域１ｇの両側にソース領域１ｂ及びドレイン領域１ｃを備えている。画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂ及びドレイン領域１ｃは各々、チャネル形成領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル形成領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００３６】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化した酸化珪素膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成された酸化珪素膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの二層構造からなる。ゲート電極３ｃ及び走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態では、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との二層構造をなしている。
【００３７】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等の酸化珪素膜等からなる透光性の第一層間絶縁膜４１が形成され、第一層間絶縁膜４１の上層側には、ドレイン電極４ａが延在している。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態では、ドレイン電極４ａは窒化チタン膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側のドレイン領域）と一部が重なる様に形成されており、第一層間絶縁膜４１及びゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００３８】
ドレイン電極４ａの上層側には、酸化珪素膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、及び透光性の誘電体層４０が形成されており、こうした誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、酸化珪素膜や窒化珪素膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態では、容量線５ｂは、窒化チタン膜、アルミニウム膜、及び窒化チタン膜との三層構造となっている。容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。
【００３９】
容量線５ｂの上層側には第二層間絶縁膜４２が形成されており、第二層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。第二層間絶縁膜４２は酸化珪素膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂとは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態では、データ線６ａ及び中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、窒化チタン膜とアルミニウム膜とが二層から四層に積層された膜からなる。データ線６ａは、第二層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、第一層間絶縁膜４１及びゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、第二層間絶縁膜４２及びエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４０】
データ線６ａ及び中継電極６ｂの上層側には酸化珪素膜等からなる透光性の第三層間絶縁膜４４が形成されており、こうした第三層間絶縁膜４４の上層側には、上側遮光膜７ａ及び中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。第三層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成した酸化珪素膜からなり、その表面は平坦化されている。上側遮光膜７ａ及び中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態では、上側遮光膜７ａ及び中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、窒化チタン膜とアルミニウム膜とが二層から四層に積層された膜からなる。中継電極７ｂは、第三層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。上側遮光膜７ａは、データ線６ａと重なる様に延在しており、遮光膜として機能している。尚、上側遮光膜７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４１】
上側遮光膜７ａ及び中継電極７ｂの上層側には、酸化珪素膜等からなる透光性の第四層間絶縁膜４５が形成されており、この第四層間絶縁膜４５の上層側には、ＩＴＯ膜からなる画素電極９ａが形成されている。第四層間絶縁膜４５には、第四層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂ及びドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。画素電極９ａの上には、第一のパッシベーション膜１８が設けられている。第一のパッシベーション膜１８は、酸化珪素膜にて構成され、平坦化膜として機能すると共に防湿膜ともなっている。
【００４２】
液晶装置１００で高いコントラスト比を実現するには、画素電極９ａを覆う平坦な絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）を設け、この絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）上に第一の配向膜１６を形成するのが好ましい。従って、本実施形態では、第一のパッシベーション膜１８の上面には、第一の配向膜１６が形成され、第一の配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）やＳｉＯ2等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなっている。高いコントラスト比を実現するには、黒表示の際の照度を極限まで抑える事が重要となり、画素１００ａ間の漏れ光をできる限り抑える事が肝要となる。第一のパッシベーション膜１８が存在しない液晶装置では、黒表示の際に漏れ光が発生するが、この原因としては次の二点が考えられる。この点を、図３を用いて説明する。尚、図３は本実施形態の液晶装置１００を説明する図であるが、違いを解り易くする為に、比較例と本実施形態との共通の構成部位については、図３の附番を用いて説明する。第一に、第一のパッシベーション膜１８が存在しない液晶装置では、画素電極９ａの膜厚だけ画素電極９ａ形成領域が盛り上がっている。この為、画素間領域１０ｆは画素電極９ａ形成領域を比べて窪みとなり、液晶５０の厚みが画素間領域１０ｆと画素電極９ａ形成領域とでは僅かに異なる。この為に偏光状態がこれらで異なり、画素間領域１０ｆでの漏れ光となる。第二に、画素電極９ａ端部の段差部において液晶５０の配向性が乱れる為、偏光度が画素間領域１０ｆと画素電極９ａとで異なり、画素間領域１０ｆでの漏れ光となる。これに対して、本実施形態の様に、画素電極９ａの更にその上に第一のパッシベーション膜１８を形成して平坦化を行なうと、画素電極９ａの盛り上がりも画素電極９ａ端部の段差も緩和されるので、上記二点の原因が解消され、漏れ光が抑制される事になる。こうして画素電極９ａの上に平坦化膜として機能する絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）を設ける事で、液晶装置１００では高いコントラスト比が実現される。絶縁膜を平坦化するには、絶縁膜を堆積した後に熱処理を施して、絶縁膜をリフローさせたり、或いは絶縁膜に化学機械的研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ）を適応させたりする手法がある。本実施形態では、後述する様に、ＣＭＰ法を適応している。
【００４３】
「対向基板の構成」
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶５０側の表面（素子基板１０に対向する第一面２０ｓ）には、遮光膜２９、酸化珪素膜等からなる絶縁膜２７、及びＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されている。更に、共通電極２１を覆う様に平坦な絶縁膜（第二のパッシベーション膜２８）を設け、この絶縁膜（第二のパッシベーション膜２８）上に第二の配向膜２６が形成されている。即ち、本実施形態では、第二のパッシベーション膜２８の上面に第二の配向膜２６が形成されている。第二の配向膜２６はＳｉＯX（ｘ＜２）やＳｉＯ2等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。こうする事で素子基板１０側と対向基板２０側とで、図３（ｂ）に示す断面構造が液晶５０に対して対称となり、共通電位のずれやそれに基づく表示画像のフリッカー（ちらつき）や焼き付きと云った現象が抑制され、高品位の画像が表示される様になる。
【００４４】
前述の如く、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。第一の配向膜１６と第二の配向膜２６とは、液晶５０（誘電異方性が負のネマチック液晶化合物）を傾斜垂直配向させ、液晶装置１００は、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本実施形態では、第一の配向膜１６と第二の配向膜２６として、酸化珪素膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられているが、これ以外にも、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の各種無機配向膜を斜方蒸着して第一の配向膜１６や第二の配向膜２６としても良い。更には、第一の配向膜１６や第二の配向膜２６として、ポリイミド等の有機物を利用しても良い。
【００４５】
尚、図１及び図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。この為、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４６】
「製造方法」
図４は、液晶装置の製造方法を説明した図である。次に、図４を参照して液晶装置１００の製造方法を説明する。
【００４７】
図４に示す様に、素子基板１０においてはステップ１１（Ｓ１１）で、第一の配向膜１６を除く積層構造が形成される。即ち、図３（ｂ）に示す第一のパッシベーション膜１８までが形成される。具体的には、第四層間絶縁膜４５をなす酸化珪素膜が、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、或いは、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、により形成された後に、化学機械的研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ法）により平坦化されている。本実施形態では、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法で酸化珪素膜が堆積された後にＣＭＰ法によって平坦化されて、第四層間絶縁膜４５となる。
【００４８】
第四層間絶縁膜４５が形成された後に、素子基板１０の第一面１０ｓに画素電極９ａが形成される。次に、絶縁膜形成工程として、画素電極９ａの上層側に無機系のガスを用いて化学気相堆積法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ、ＣＶＤ）にて絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）が形成される。第一のパッシベーション膜１８は酸化珪素膜を含んで構成され、この酸化珪素膜は、無機系のガスを用いて各種のＣＶＤ法で形成される。無機系のガスとは炭素（Ｃ）を含まぬ原料ガスで、珪素（Ｓｉ）を含んだ無機系のガスと酸化性の無機系ガスとがある。珪素を含んだ無機系のガスとは、炭素を含まぬシランを意味し、珪素の他に水素や塩素等を構成元素としている。炭素を含まぬシランの一例は、モノシラン（ＳｉＨ4）やジシラン（Ｓｉ2Ｈ6）、ジクロールシラン（ＳｉＨ2Ｃｌ2）等である。酸化性の無機系ガスとは、炭素を含まぬ酸化性物質を意味し、酸素（Ｏ2）、オゾン（Ｏ3）、水（Ｈ2Ｏ）、酸化窒素（ＮＯx）等である。酸化窒素としては、亜酸化窒素（Ｎ2Ｏ）やＮＯ、Ｎ2Ｏ3、ＮＯ2、Ｎ2Ｏ4、Ｎ2Ｏ5、ＮＯ3、Ｎ2Ｏ6、が酸化性の無機系ガスに相当する。各種のＣＶＤ法とは、減圧ＣＶＤ法（Ｌｏｗ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ＣＶＤ、ＬＰＣＶＤ）や常圧ＣＶＤ法（Ａｔｍｏｓｐｈｅｒｉｃ  Ｐｒｅｓｓｕｒｅ  ＣＶＤ，  ＡＰＣＶＤ）、プラズマＣＶＤ法（Ｐｌａｓｍａ−ｅｎｈａｎｃｅｄ  ＣＶＤ，  ＰＥＣＶＤ）等である。
【００４９】
本実施形態では、第一のパッシベーション膜１８となる酸化珪素膜は、シランガスと亜酸化窒素とを原料としプラズマＣＶＤ法で形成する。具体的には、１３．５６ＭＨｚのラジオ波（Ｒａｄｉｏ  Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ、ＲＦ波）を用いる平行平板型プラズマＣＶＤ装置にて、純度９９．９９９％以上のモノシランを２０ｓｃｃｍ（ｓｔａｎｄａｒｄ  ｃｕｂｉｃ  ｃｅｎｔｉ−ｍｅｔｅｒ  ｐｅｒ  ｍｉｎｕｔｅ）と亜酸化窒素４００ｓｃｃｍとアルゴン１００ｓｃｃｍと窒素２０００ｓｃｃｍとを成膜室に導入し、ラジオ波パワー１００Ｗにて酸化珪素膜を堆積する。堆積中の成膜室内圧力は１８０Ｐａに保たれ、サセプターの温度は２５０℃に設定する。この条件での酸化珪素膜の堆積速度は１．５ｎｍ／秒であり、酸化珪素膜を厚み（Ａｓ−ｄｅｐｏ膜厚）１０００ｎｍに堆積する。次いで、酸化珪素膜にＣＭＰ法を適応して、酸化珪素膜の厚みがＡｓ−ｄｅｐｏ膜厚の半分以下となる４００ｎｍまで研磨して平坦化が行われ、第一のパッシベーション膜１８を形成する。
【００５０】
続いて、端子電極１０２等を露出すべく、フォトリソグラフィーとドライエッチング加工を行ない、端子電極１０２等の上の酸化珪素膜を取り除く。
【００５１】
次に、第一のパッシベーション膜１８を形成する絶縁膜形成工程後に、ステップ１２（Ｓ１２）として、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）に熱処理を施す熱処理工程を行う。熱処理工程では、処理温度が３００℃から４００℃の温度範囲となる様にし、この処理温度にて１時間半から５時間に渡って熱処理を行う。この条件ならば、素子基板１０に形成された薄膜素子や各種回路への影響を抑制しつつ、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）から余分な水分を除去でき、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）の品質が改善される。熱処理工程は、不活性ガスと水素（Ｈ2）との混合気体中にて施される事が好ましい。この混合気体をフォーミングガスと称する。不活性ガスとは窒素（Ｎ2）と希ガスとで、希ガスとしては、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）、アルゴン（Ａｒ）、クリプトン（Ｋｒ）、キセノン（Ｘｅ）等が使用される。水素の爆発下限界濃度は４．５％程度であるので、フォーミングガスにおける水素濃度は４．５％未満が安全上好ましく、万全を期すと４％未満がとするのがより好ましい。フォーミングガスを用いて熱処理を施すと、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）から余分な水分が除去されるばかりでなく、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）中に存在する活性結合手を不活性化するので、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）の品質が更に高められる。本実施形態では、アルゴン９７％と水素３％とからなるフォーミングガスを用いて、３５０℃の処理温度にて、２時間の熱処理を行った。
【００５２】
次に、ステップ１３（Ｓ１３）として、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８）上に第一の配向膜１６を形成する配向膜形成工程を行う。具体的には、素子基板１０の第一面１０ｓに無機斜方蒸着膜を形成して第一の配向膜１６とする。無機斜方蒸着膜は７５ｎｍの厚みを有する酸化珪素膜である。こうして、素子基板１０が製造される。
【００５３】
同様に、対向基板２０においてはステップ２１（Ｓ２１）で、第二の配向膜２６を除いて遮光膜２９や共通電極２１、第二のパッシベーション膜２８等が形成される。具体的には、対向基板２０の第一面２０ｓにＩＴＯ膜からなる共通電極２１を形成する。その後、絶縁膜形成工程として、素子基板１０における第一のパッシベーション膜１８と同じ製造方法にて、第二のパッシベーション膜２８が形成される。
【００５４】
第二のパッシベーション膜２８が形成された後に、対向基板２０においてもステップ２２（Ｓ２２）にて、熱処理工程が行われる。この熱処理工程も素子基板１０の熱処理工程（ステップ１２）と同一条件とする。
【００５５】
次に、ステップ２３（Ｓ２３）として、絶縁膜（第二のパッシベーション膜２８）上に第二の配向膜２６を形成する配向膜形成工程を行う。具体的には、対向基板２０の第一面２０ｓに無機斜方蒸着膜を形成して第二の配向膜２６とする。無機斜方蒸着膜は７５ｎｍの厚みを有する酸化珪素膜であり、この製造条件も素子基板１０の配向膜形成工程（ステップ１３）と同一条件とする。
【００５６】
その後、ステップ３１（Ｓ３１）で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ステップ３２（Ｓ３２）で液晶を注入して液晶装置１００が製造される。
【００５７】
「原理」
図５は、絶縁膜の品質特性を説明した図である。又、図６は液晶装置の寿命特性を説明した図である。次に図５と図６とを参照して、本願発明の原理を説明する。
【００５８】
本実施形態において、液晶装置１００が、コントラスト比が高く画像品位に優れ、且つ強い耐久性を有する理由は、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８や第二のパッシベーション膜２８）が平坦化膜の役割を担うと共に、液晶５０が接する絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８や第二のパッシベーション膜２８）の品質が高い為である。前述の如く、平坦な第一のパッシベーション膜１８や平坦な第二のパッシベーション膜２８により、漏れ光が抑制されて、高いコントラスト比が実現される。一方、第一の配向膜１６や第二の配向膜２６は、通常、薄くて、密度が低く、緻密性に劣る為に、液晶５０は第一の配向膜１６や第二の配向膜２６の下に形成されている絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８や第二のパッシベーション膜２８）に接し、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８や第二のパッシベーション膜２８）の影響を被る事となる。この為に、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８や第二のパッシベーション膜２８）の品質が高いと、液晶５０の経時劣化が抑制され、液晶装置１００の寿命が延ばされる事となる。
【００５９】
次に、絶縁膜（第一のパッシベーション膜１８や第二のパッシベーション膜２８）の品質向上に関して説明する。以下、素子基板１０を例に取り、第一のパッシベーション膜１８に関して説明するが、同じ事は第二のパッシベーション膜２８にも適応される。図５は、酸化珪素膜を昇温脱離ガス分析法（Ｔｈｅｒｍａｌ  Ｄｅｓｏｒｐｔｉｏｎ  （Ｍａｓｓ）  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ、ＴＤＳ）にて分析された、ＣＶＤ法で形成された酸化珪素膜の特性を示している。図５の横軸は温度で、縦軸はその際に脱離された水（Ｈ2Ｏ）の重量パーセントを示している。図５で、本実施形態と記載してあるグラフは第一のパッシベーション膜１８や第二のパッシベーション膜２８を形成する際にＰＥＣＶＤ法で堆積された酸化珪素膜の堆積直後の膜（Ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ膜）を分析した物で、比較例はＴＥＯＳを原料ガスとして用いてＣＶＤ法で堆積された酸化珪素膜の（Ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ膜）を分析した物である。
【００６０】
本願発明人が鋭意研究したところによると、第一のパッシベーション膜１８の品質で重要になるのは、第一のパッシベーション膜１８を形成する際に用いられた原料ガスに由来する成分の残留物と、第一のパッシベーション膜１８中に残存する水分と、である。
【００６１】
第一のパッシベーション膜１８の純度を上げて高品質とする事に関しては、第一のパッシベーション膜１８を成膜の原料ガスとして、上述の様に無機系のガスを使用する。第一のパッシベーション膜１８をシリコンの熱酸化という高性能な成膜方法にて形成する事も考えられるが、素子基板１０の最上層に存在する第一のパッシベーション膜１８の製法としては、１２００℃程度の高温プロセスは現実的でない。従って、第一のパッシベーション膜１８は、化学気相堆積法など原料ガスを化学反応させて成膜される事になる。その際に、第一のパッシベーション膜１８の形成後に液晶５０に対して及ぼす影響を考慮して原料ガスを選択する必要がある。シランと亜酸化窒素ガスといった無機系のガスを用いて形成される第一のパッシベーション膜１８は、膜中にシリコンと酸素以外の残存物質が水素と窒素等の無機物となり、液晶５０への影響が低いという点から望ましい。これに対し、ＴＥＯＳ等の有機シラン系材料を用いた成膜方法で形成された絶縁膜は、炭素等の有機材料が残存物質として存在する。有機材料は液晶と結びついて光反応し、液晶に劣化を生じ易くする。又、ＢＰＳＧ膜等も硼素や燐といった比較的軽い原子を含んでおり、これらが液晶装置の完成後、その使用過程において膜中から液晶中へと移動し、可動イオンとして働くので液晶装置の寿命を縮減する事となる。これに対して、シランと亜酸化窒素ガスといった無機系のガスを用いて形成された酸化珪素膜には、液晶５０と反応したり、液晶５０中で可動イオンとなったりする不純物元素は含まれていないので、高品位な表示と長い製品寿命とが液晶装置１００で実現される事となる。
【００６２】
一方、図５に示す様に、シランと亜酸化窒素ガスといった無機系のガスを用いた酸化珪素膜（図５の本実施形態）に付いては、水が発生する事がＴＤＳ分析によっても確認されており、その残存水分量は前記したＴＥＯＳによる酸化珪素膜（図５の比較例）よりも多量、かつ低温から発生が見られる。そこで酸化珪素膜から水分を抜く為に、酸化珪素膜の成膜に続いて化学機械的研磨法処理による平坦化処理を行なった後、熱処理を施す。熱処理は、水素（３％以下が理想的）とアルゴン等からなるフォーミングガス雰囲気下にて行われる。熱処理が窒素などの不活性気体雰囲気下で行われれば、酸化珪素膜から水が脱離するので、酸化珪素膜の品質向上につながる。熱処理時の温度は３００℃から４００℃の温度範囲とする事で、酸化珪素膜に含まれる水の中でも比較的に容易に脱離し易い３００℃以下にピークを持つ水分子を除去する事ができる。水の脱離に要する時間としては、凡そ１．５時間程度を目処にするが、プロセス的に許される範囲で長時間とする事に制限はなく、概ね１時間半から５時間の範囲で熱処理を行う。
【００６３】
熱処理がフォーミングガス雰囲気下で行われれば、酸化珪素膜の品質は更に向上する。これは、一連の工程により、酸化珪素膜の化学的な結合が破壊されている部分が多い為、フォーミングガス中の水素によって未結合手が終端処理されるからである。これにより液晶５０の劣化要因となる水酸基の活性手が減らされ、第一のパッシベーション膜１８は液晶５０に対して安定物質となる。
【００６４】
この様に形成された酸化珪素膜からなる絶縁膜を第一のパッシベーション膜１８として使用すると、液晶装置１００の寿命が延びる事が図６に示されている。図６の横軸は、加速耐光性試験の時間（液晶装置に光を連続して照射した時間）を表し、縦軸は照度が１０％の中間階調を表示する様に信号を出した時に実際に表示される照度を規格化した数値である。図６で実施例１と記載してあるグラフは、本実施形態の第一のパッシベーション膜１８を表し、具体的にはシランと亜酸化酸素にて成膜された酸化珪素膜にフォーミングガスでの熱処理を施した物を第一のパッシベーション膜１８として使用した液晶装置１００の結果である。図６で実施例２と記載してあるグラフは、本実施形態の第一のパッシベーション膜１８を表し、具体的にはシランと亜酸化酸素にて成膜された酸化珪素膜に窒素での熱処理を施した第一のパッシベーション膜１８を設けた液晶装置１００の結果である。図６で比較例と記載してあるグラフは、ＴＥＯＳにて成膜された酸化珪素膜を第一のパッシベーション膜１８とした液晶装置の結果である。実施例１の液晶装置１００は、ＴＥＯＳ膜を用いた比較例に対して３０％程度の寿命の延命効果が確認される。又、実施例２の液晶装置１００は、ＴＥＯＳ膜を用いた比較例に対して１０％前後の延命効果が確認される。
【００６５】
「電子機器」
図７は、電子機器としての三板式プロジェクターの構成を示す平面図である。次に図７を参照して、本実施形態に係る電子機器の一例として投射型表示装置（プロジェクター２１００）を説明する。
【００６６】
プロジェクター２１００において、超高圧水銀ランプで構成される光源２１０２から出射された光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６及び２枚のダイクロイックミラー２１０８によって赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色の光に分離され、各原色に対応する液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに導かれる。尚、青色の光は、他の赤色や緑色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐ為に、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３及び出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。
【００６７】
液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂは、上述した構成を取り、外部装置（図示省略）から供給される赤、緑、青の各色に対応する画像信号にて、それぞれ駆動される。
【００６８】
液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に三方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、赤色及び青色の光は９０度に屈折される一方、緑色の光は直進する。ダイクロイックプリズム２１１２において合成されたカラー画像を表す光は、レンズユニット２１１４によって拡大投射され、スクリーン２１２０上にフルカラー画像が表示される。
【００６９】
尚、液晶装置１００Ｒ、１００Ｂの透過像がダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、液晶装置１００Ｇの透過像はそのまま投射されるため、液晶装置１００Ｒ、１００Ｂにより形成される画像と、液晶装置１００Ｇにより形成される画像とが左右反転の関係になる様に設定されている。
【００７０】
本実施形態のプロジェクター２１００は、上述の液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが用いられているので、明るく高精細で画像品位の高いフルカラー画像を投射する事ができる。
【００７１】
（他の投射型表示装置）
尚、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、ＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置１００に供給する様に構成しても良い。
【００７２】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いても良い。
【００７３】
（実施形態２）
「反射型液晶装置の形態」
本実施形態では、液晶装置として反射型を採用している。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。尚、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００７４】
図３を用いて説明する。実施形態１では透過型の液晶装置１００が説明されたが、反射型の液晶装置１００であっても良い。反射型の液晶装置１００では、画素電極９ａにアルミニウム（Ａｌ）膜などの金属膜が用いられる。金属膜の一例としては、高純度なアルミニウム膜や、アルミニウムに珪素や銅（Ｃｕ）を混ぜた合金（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜）や、アルミニウムにネオジウム等を混ぜた合金（Ａｌ−Ｎｄ膜）等、が上げられる。
【００７５】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００７６】
（変形例１）
「珪素基板を用いる形態」
図３を用いて、本変形例に係わる液晶装置１００について説明する。尚、実施形態１又は２と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００７７】
本変形例は実施形態１とそれに準ずる実施形態２と比べて、素子基板１０が異なっている。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。実施形態１では、素子基板１０の基板本体１０ｗは石英基板やガラス基板等の透光性の基板であり、素子をなす画素トランジスター３０の半導体層１ａは多結晶シリコン膜であった。これに対して、本変形例では、素子基板１０の基板本体１０ｗは単結晶シリコン基板であり、素子をなす画素トランジスター３０の半導体層１ａは単結晶シリコン基板に形成される。この様に、所謂、シリコン基板を用いた液晶装置１００（Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｏｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ、所謂ＬＣＯＳ）に本発明を適応する事もできる。この際にも、実施形態１や実施形態２と同じ効果が得られる。
【符号の説明】
【００７８】
１ａ…半導体層、１ｂ…ソース領域、１ｃ…ドレイン領域、１ｇ…チャネル形成領域、２…ゲート絶縁層、２ａ…第１ゲート絶縁層、２ｂ…第２ゲート絶縁層、３ａ…走査線、３ｃ…ゲート電極、４ａ…ドレイン電極、５ｂ…容量線、６ａ…データ線、６ｂ…中継電極、７ａ…上側遮光膜、７ｂ…中継電極、７ｒ…定電位配線、８ａ…下側遮光膜、９ａ…画素電極、９ｂ…ダミー画素電極、１０…素子基板、１０ａ…画像表示領域、１０ｂ…周辺領域、１０ｃ…外周領域、１０ｆ…画素間領域、１０ｇ…第１画素間領域、１０ｈ…第２画素間領域、１０ｓ…第一面、１０ｔ…第二面、１０ｗ…基板本体、１２…下地絶縁膜、１６…第一の配向膜、１８…第一のパッシベーション膜、１９…基板間導通用電極、２０…対向基板、２０ｓ…第一面、２０ｔ…第二面、２０ｗ…基板本体、２１…共通電極、２５…基板間導通用電極、２６…第二の配向膜、２７…絶縁膜、２８…第二のパッシベーション膜、２９…遮光膜、２９ａ…額縁部分、２９ｂ…ブラックマトリックス部、３０…画素トランジスター、４０…誘電体層、４１…第一層間絶縁膜、４１ａ…コンタクトホール、４２…第二層間絶縁膜、４２ａ…コンタクトホール、４２ｂ…コンタクトホール、４４…第三層間絶縁膜、４４ａ…コンタクトホール、４５…第四層間絶縁膜、４５ａ…コンタクトホール、４９…エッチングストッパー層、５０…液晶、５０ａ…液晶容量、５５…保持容量、１００…液晶装置、１００ａ…画素、１０１…データ線駆動回路、１０２…端子電極、１０２ａ…共通電位印加用の端子電極、１０４…走査線駆動回路、１０７…シール材、１０７ａ…ギャップ材、１０７ｃ…液晶注入口、１０８…封止材、１０９…基板間導通材、２１００…プロジェクター。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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