Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月9日(2021.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エネルギー照射（４）によって硬化可能な構成材料（３）からなる構成材料層の、漸次的、層ごと、選択的な露光と、これに伴い現れる漸次的、層ごと、選択的な硬化による、三次元の対象物の積層造形的な製造の為の装置（１）であって、
少なくとも一つの機能コンポーネントを備える、プロセスチャンバー（１０）と
第一の流体流（ＦＳ１）と第二の流体流（ＦＳ２）を形成する流れ装置（１１）であって、前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記第二の流体流（ＦＳ２）は同じ流入領域（１３）から前記プロセスチャンバー（１０）に入り、別の同じ流出領域（１４）で前記プロセスチャンバー（１０）を出て、前記第一の流体流（ＦＳ１）は前記プロセスチャンバー（１０）から生じた粒子状の汚染物質を運び、前記第二の流体流（ＦＳ２）は前記少なくとも一つの機能コンポーネントの表面に沿って流れて、前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記少なくとも一つの機能コンポーネントの表面とを分け、
前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記第二の流体流（ＦＳ２）の少なくとも一方は、前記プロセスチャンバー（１０）の第１の壁に設けられた前記流入領域（１３）から、前記プロセスチャンバー（１０）の第１の壁に設けられた前記流出領域（１４）へ、螺旋状、又は螺旋形状に流れる、流れ装置（１１）と、を備える装置（１）。
【請求項２】
前記少なくとも一つの機能コンポーネントの表面は、内表面及び外表面の少なくとも一つを備え、前記第二の流体流（ＦＳ２）は前記内表面及び外表面の少なくとも一つに沿って流れて前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記内表面及び外表面の少なくとも一つとを分ける、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記少なくとも一つの機能コンポーネントの表面は少なくとも部分的に、平坦な幾何形態を有するか、シリンダー状の又はシリンダー形状の幾何形態を有するか、もしくは中空シリンダー状の又は中空シリンダー形状の幾何形態を有する、請求項２に記載の装置。
【請求項４】
前記少なくとも一つの機能コンポーネントの表面は、流れ内部空間を有する管状の又は管形状の流れ案内要素（１２，１５）であり、前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記第二の流体流（ＦＳ２）は前記流れ内部空間を貫流する、請求項１から３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記少なくとも一つの機能コンポーネントの表面は、光学装置の光学要素であり、前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記第二の流体流（ＦＳ２）は前記光学要素の上を流れる、請求項１から４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記少なくとも一つの前記機能コンポーネントの表面は、前記プロセスチャンバー（１０）を画成するプロセスチャンバー壁部（１０−１０ｃ）である、請求項１から５のいずれか一項に記載の装置。
【請求項７】
前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記第二の流体流（ＦＳ２）は、流れ速度において異なっている、請求項１から６の何れか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記第二の流体流（ＦＳ２）は、密度において異なっている、請求項１から７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記流れ装置（１１）が、前記第二の流体流（ＦＳ２）を螺旋状又はスパイラル状に流れさせる、請求項１から８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記装置（１）は、前記流れ装置（１１）に付設された複数のノズル要素を有するノズル装置を備え、少なくとも一つの第一のノズル要素が前記第一の流体流（ＦＳ１）を形成し、少なくとも一つの第二のノズル要素が、前記第二の流体流（ＦＳ２）を形成する、請求項１から９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
前記流れ装置（１１）は、前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記第二の流体流（ＦＳ２）を流れ循環として流し、前記流れ循環は前記流れ装置（１１）から流れて、前記少なくとも一つの前記機能コンポーネントの表面に沿って流れて、前記流れ装置（１１）に戻り、前記少なくとも一つの第一のノズル要素及び前記少なくとも一つの第二のノズル要素が、前記流れ循環の同じ部分、又は異なる部分に設けられている、請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記第一の流体流（ＦＳ１）及び前記第二の流体流（ＦＳ２）が不活性である、請求項１から１１のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１３】
エネルギー照射（４）によって硬化可能な構成材料（３）から成る構成材料層の、漸次的、層ごと、かつ選択的な露光と、これに伴って現れる漸次的、層ごと、かつ選択的な硬化による三次元の対象物の積層造形的な製造の為の装置（１）の運転の方法であって、流れ装置（１１）は第一の流体流（ＦＳ１）及び第二の流体流（ＦＳ２）を、同じ流入領域（１３）からプロセスチャンバー（１０）に入れて、別の同じ流出領域（１４）で前記プロセスチャンバー（１０）から出して、前記第一の流体流（ＦＳ１）は前記プロセスチャンバー（１０）から生じた粒子状の汚染物質を運び、前記第二の流体流（ＦＳ２）は少なくとも一つの機能コンポーネントの表面に沿って流れて前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記少なくとも一つの機能コンポーネントの表面とを分け、
前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記第二の流体流（ＦＳ２）の少なくとも一方は、前記プロセスチャンバー（１０）の第１の壁に設けられた前記流入領域（１３）から、前記プロセスチャンバー（１０）の第１の壁に設けられた前記流出領域（１４）へ、螺旋状、又は螺旋形状に流れる、方法。
【請求項１４】
請求項１から１２のいずれか一項に記載の装置（１）の機能コンポーネントの表面を汚染物質の付着から保護する方法であって、流れ装置（１１）が第一の流体流（ＦＳ１）及び第二の流体流（ＦＳ２）を同じ流入領域（１３）からプロセスチャンバー（１０）に入れて、別の同じ流出領域（１４）で前記プロセスチャンバー（１０）から出して、前記第一の流体流（ＦＳ１）は前記プロセスチャンバー（１０）から生じた粒子状の汚染物質を運び、前記第二の流体流（ＦＳ２）は少なくとも一つの機能コンポーネントの表面に沿って流れて前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記少なくとも一つの機能コンポーネントの表面とを分け、
前記第一の流体流（ＦＳ１）と前記第二の流体流（ＦＳ２）の少なくとも一方は、前記プロセスチャンバー（１０）の第１の壁に設けられた前記流入領域（１３）から、前記プロセスチャンバー（１０）の第１の壁に設けられた前記流出領域（１４）へ、螺旋状、又は螺旋形状に流れる、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月5日(2021.1.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
２枚の硬質板と、前記２枚の硬質板を互いに貼合する粘着剤層とを備えた積層体の製造方法において、
活性エネルギー線硬化性のアクリル系粘着剤からなる粘着剤層を有する粘着シートであって、
前記粘着剤層の厚さが、５０〜４００μｍであり、
前記粘着剤層に対し活性エネルギー線を照射する前の２３℃における貯蔵弾性率が、０．０１〜０．２ＭＰａであり、
前記粘着剤層に対し活性エネルギー線を照射する前の８５℃における貯蔵弾性率が、０．０１〜０．０６ＭＰａであり、
活性エネルギー線照射後における前記粘着剤層の８５℃における貯蔵弾性率が、０．０３〜０．２ＭＰａであり、
前記粘着剤層に対し活性エネルギー線を照射する前の２３℃における貯蔵弾性率に対する、前記粘着剤層に対し活性エネルギー線を照射した後の２３℃における貯蔵弾性率の比が、１．１〜２．５であり、
前記粘着剤層の両面を２枚の厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラスで挟み、一方のガラス越しに活性エネルギー線を照射して得られた積層体を、８５℃、８５％ＲＨの湿熱条件下にて２４０時間保管し、その後２３℃、５０％ＲＨの常温常湿下に取り出したときのヘイズ値（％）から前記湿熱条件の前のヘイズ値（％）を差し引いた値である、湿熱条件後のヘイズ値上昇が、５．０ポイント未満となる
活性エネルギー線硬化性粘着シートを製造し、
前記２枚の硬質板を、前記活性エネルギー線硬化性粘着シートの粘着剤層を介して貼合し、
前記粘着剤層に対して活性エネルギー線を照射し、前記粘着剤層を硬化させる
ことを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項２】
２枚の硬質板と、前記２枚の硬質板を互いに貼合する粘着剤層とを備えた積層体の製造方法において、
活性エネルギー線硬化性のアクリル系粘着剤からなる粘着剤層を有する粘着シートであって、
前記粘着剤層の厚さが、５０〜４００μｍであり、
前記粘着剤層に対し活性エネルギー線を照射する前の２３℃における貯蔵弾性率が、０．０１〜０．２ＭＰａであり、
前記粘着剤層に対し活性エネルギー線を照射する前の８５℃における貯蔵弾性率が、０．０１〜０．０６ＭＰａであり、
活性エネルギー線照射後における前記粘着剤層の８５℃における貯蔵弾性率が、０．０３〜０．２ＭＰａであり、
前記粘着剤層に対し活性エネルギー線を照射する前の８５℃における貯蔵弾性率に対する、前記粘着剤層に対し活性エネルギー線を照射した後の８５℃における貯蔵弾性率の比が、１．１〜３．５であり、
前記粘着剤層の両面を２枚の厚さ１．１ｍｍの無アルカリガラスで挟み、一方のガラス越しに活性エネルギー線を照射して得られた積層体を、８５℃、８５％ＲＨの湿熱条件下にて２４０時間保管し、その後２３℃、５０％ＲＨの常温常湿下に取り出したときのヘイズ値（％）から前記湿熱条件の前のヘイズ値（％）を差し引いた値である、湿熱条件後のヘイズ値上昇が、５．０ポイント未満となる
活性エネルギー線硬化性粘着シートを製造し、
前記２枚の硬質板を、前記活性エネルギー線硬化性粘着シートの粘着剤層を介して貼合し、
前記粘着剤層に対して活性エネルギー線を照射し、前記粘着剤層を硬化させる
ことを特徴とする積層体の製造方法。
【請求項３】
活性エネルギー線照射後における前記粘着剤層の２３℃における貯蔵弾性率が、０．０２〜０．５ＭＰａであることを特徴とする請求項１または２に記載の積層体の製造方法。
【請求項４】
前記粘着剤層が、カルボキシル基を含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の積層体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】積層体の製造方法
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年4月12日(2021.4.12)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１０】
ガス化装置のデザインと操作
さて図1を参照すると、熱分解装置10は、ガス化ゾーン103及び燃焼ゾーン200を含む。
ガス化ゾーンは、ガス(例えば、酸素含有ガス、蒸気、二酸化炭素)を添加するための1つの入口102を含んでよく；燃焼ゾーンは、ガスを添加するための1つの入口202を含んでよい。ガス化ゾーン103は炭素質供給原料101を受ける。トランスファーラム710は、熱分解装置の中を供給原料の材料床を移動させる。トランスファーラム表面715は、ガス(例えば、酸素含有ガス、蒸気、二酸化炭素)を受け、その表面でガスが出られるようにし得る。
固形灰分の流れ205を燃焼ゾーン200から除去することができる。灰分トランスファーラム720はガス化ゾーンから灰分を移動させ得る。灰分トランスファーラム表面725は、ガス(例えば酸素含有ガス、蒸気、二酸化炭素)を受け、ガスがその表面で出られるようにし得る。生シンガスの蒸気105をガス化ゾーン103から除去することができる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１１】
さて図2を参照すると、ガス化装置11は、ガス化ゾーン113及び燃焼ゾーン230を含む。
この態様で示すように、ガス化ゾーン113は4つのガス化炉床：炉床-I310、炉床-II320、炉床-III330、及び炉床-IV340を含む。他の態様では、ガス化ゾーンは1〜10個の炉床を含むことがある。1個以上のガス化炉床はトランスファーラム710を含み得る。トランスファーラム表面715はガスを受け、ガスがその表面で出られるようにし得る。
各ガス化炉床は、ガスを添加するための1つの入口：炉床-Iへのガス入口111、炉床-IIへのガス入口121、炉床-IIIへのガス入口131、及び炉床-IVへのガス入口141を含む。燃焼ゾーンは、ガスを添加するための1つの入口：ガス入口202を含む。炭素質供給原料101をガス化ゾーン113の炉床-I(エントリー炉床)に添加することができる。固形灰分の流れ205を燃焼ゾーン230から除去することができる。灰分トランスファーラム720を利用して、ガス化装置から灰分を移動させることができる。灰分トランスファーラム表面725はガスを受け、ガスがその表面で出られるようにし得る。生シンガスの蒸気105をガス化ゾーン113から除去することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００１２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００１２】
さて図3を参照すると、ガス化装置13はガス化ゾーン143、燃焼ゾーン500、接続ゾーン又はのど部300及びタール削減ゾーン400を含む。ガス化ゾーン143は5つのガス化炉床：炉床-I110、炉床-II120、炉床-III130、炉床-IV140、及び炉床-V150を含む。各ガス化炉床は、ガスを添加するための1つの入口：炉床-Iへのガス入口611、炉床-IIへのガス入口621、炉床-IIIへのガス入口631、炉床-IVへのガス入口641及び炉床-Vへのガス入口651を含む。燃焼ゾーンは、ガスを添加するための1つの入口：ガス入口202を含む。接続ゾーン又はのど部300は、ガスを添加するための1つの入口：ガス入口301を含む。
炭素質供給原料101をガス化ゾーン143の炉床-I(エントリー炉床)中に添加することができる。1つ以上のガス化炉床はトランスファーラム710を含み得る。トランスファーラム表面715はガスを受け、ガスがその表面で出られるようにし得る。固形灰分の流れ205を燃焼ゾーン500から除去することができる。灰分トランスファーラム720を利用して灰分をガス化装置から移動させ得る。灰分トランスファーラム表面725はガスを受け、ガスがその表面で出られるようにし得る。ホットシンガスの蒸気405をタール削減ゾーン400から除去することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月18日(2021.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベースレジン、熱膨張性マイクロカプセルを含有する発泡成形用マスターバッチであって、
真比重が０．８０ｇ／ｃｍ３以上であり、
前記ベースレジンは、オレフィン系エラストマーを含有し、
前記オレフィン系エラストマーは、メルトインデックスが２〜２０ｇ／１０分であり、
前記ベースレジン１００重量部に対して、前記熱膨張性マイクロカプセルを４０〜３００重量部含有する
ことを特徴とする発泡成形用マスターバッチ。
【請求項２】
熱膨張性マイクロカプセルの発泡開始温度と、オレフィン系エラストマーの融点との差（熱膨張性マイクロカプセルの発泡開始温度−オレフィン系エラストマーの融点）が５０℃以上であることを特徴とする請求項１記載の発泡成形用マスターバッチ。
【請求項３】
オレフィン系エラストマーは、融点が５０〜１２０℃であることを特徴とする請求項１又は２記載の発泡成形用マスターバッチ。
【請求項４】
熱膨張性マイクロカプセルは、重合体からなるシェルに、コア剤として揮発性膨張剤が内包されており、
前記シェルは、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及び塩化ビニリデンから選択される少なくとも１種からなる重合性モノマー（Ｉ）を含有するモノマー混合物を重合させてなる重合体からなる
ことを特徴とする請求項１、２又は３記載の発泡成形用マスターバッチ。
【請求項５】
前記シェルは、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及び塩化ビニリデンから選択される少なくとも１種からなる重合性モノマー（Ｉ）４０〜９０重量％と、カルボキシル基を有し、炭素数が３〜８のラジカル重合性不飽和カルボン酸モノマー（ＩＩ）５〜５０重量％とを含有するモノマー混合物を重合させてなる重合体からなる
ことを特徴とする請求項１、２、３又は４記載の発泡成形用マスターバッチ。
【請求項６】
モノマー混合物は、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及び塩化ビニリデンから選択される少なくとも１種からなる重合性モノマー（Ｉ）４０〜９０重量％と、カルボキシル基を有し、炭素数が３〜８のラジカル重合性不飽和カルボン酸モノマー（ＩＩ）５〜５０重量％とを含有し、かつ、分子内に二重結合を２つ以上有する重合性モノマー（ＩＩＩ）を含有しないことを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の発泡成形用マスターバッチ。
【請求項７】
モノマー混合物は、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及び塩化ビニリデンから選択される少なくとも１種からなる重合性モノマー（Ｉ）４０〜９０重量％と、カルボキシル基を有し、炭素数が３〜８のラジカル重合性不飽和カルボン酸モノマー（ＩＩ）５〜５０重量％と、分子内に二重結合を２つ以上有する重合性モノマー（ＩＩＩ）０．２重量％以下、もしくは／かつ、金属カチオン水酸化物（ＩＶ）０．１〜１０重量％とを含有することを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の発泡成形用マスターバッチ。
【請求項８】
モノマー混合物は、アクリロニトリル、メタクリロニトリル及び塩化ビニリデンから選択される少なくとも１種からなる重合性モノマー（Ｉ）４０〜９０重量％と、カルボキシル基を有し、炭素数が３〜８のラジカル重合性不飽和カルボン酸モノマー（ＩＩ）５〜５０重量％と、金属カチオン水酸化物（ＩＶ）０．１〜１０重量％とを含有し、かつ、分子内に二重結合を２つ以上有する重合性モノマー（ＩＩＩ）を含有しないことを特徴とする請求項１、２、３、４又は５記載の発泡成形用マスターバッチ。
【請求項９】
熱膨張性マイクロカプセルは、最大発泡温度が１８０℃以上であることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７又は８記載の発泡成形用マスターバッチ。
【請求項１０】
請求項１、２、３、４、５、６、７、８又は９記載の発泡成形用マスターバッチを用いてなることを特徴とする発泡成形体。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月2日(2021.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被験体のＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞の量（Ｘ）を、該被験体のがん免疫療法に対する応答を予測するための指標として用いる方法であって、
該Ｘを測定する工程を含み、該がん免疫療法は免疫チェックポイント阻害剤の投与を含み、該免疫チェックポイント阻害剤は、ＰＤ−１阻害剤、ＰＤ−Ｌ１阻害剤、およびＣＴＬＡ−４阻害剤からなる群から選択される阻害剤を含み、Ｘと無効群閾値との比較を、該被験体が該がん免疫療法に対して無効群であるか否かを予測するための指標として用いる、方法。
【請求項２】
前記無効群ではないことが予測された被験体における、
ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞におけるＩＣＯＳ＋ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞亜集団の割合、
ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞におけるＬＡＧ−３＋ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞亜集団の割合、または
ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞におけるＰＤ−１＋ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞亜集団の割合
を、該被験体のがん免疫療法に対する応答の指標としてさらに用いる請求項１に記載の方法であって、
該ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞における該ＩＣＯＳ＋ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞亜集団の割合、
該ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞における該ＬＡＧ−３＋ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞亜集団の割合、または
該ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞における該ＰＤ−１＋ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞亜集団の割合
が奏効群閾値よりも高いことは、該被験体が奏効群であることを示す、方法。
【請求項３】
前記無効群閾値が、無効群の検出についての感度および特異度を考慮して決定される、請求項１または２に記載の方法。
【請求項４】
前記無効群閾値が、無効群の検出について感度が約９０％超となるように決定される、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
前記無効群閾値が、無効群の検出について特異度が約９０％超となるように決定される、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
前記細胞の量を、末梢血サンプルを用いて測定することを特徴とする、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
前記ＰＤ−１阻害剤は、ＰＤ−１とＰＤ−Ｌ１との相互作用を阻害する抗ＰＤ−１抗体である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
前記ＰＤ−Ｌ１阻害剤は、ＰＤ−１とＰＤ−Ｌ１との相互作用を阻害する抗ＰＤ−Ｌ１抗体である、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
前記ＰＤ−１阻害剤またはＰＤ−Ｌ１阻害剤は、ニボルマブ、ペムブロリズマブ、デュルバルマブ、アテゾリズマブまたはアベルマブを含む、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
前記相対値が前記無効群閾値以上であることが、前記被験体が前記がん免疫療法に対して無効群ではないことを示す、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
前記ＸがＣＤ４＋Ｔ細胞集団におけるＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞亜集団の割合である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
ＣＤ４に対する検出剤およびＣＤ６２Ｌに対する検出剤を含む、被験体のがん免疫療法に対する応答を予測するためのキットであって、該予測は、ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞の量（Ｘ）と、無効群閾値との比較を、該被験体が該がん免疫療法に対して無効群であるか否かの指標として用いることによって行われ、該がん免疫療法は、免疫チェックポイント阻害剤の投与を含み、該免疫チェックポイント阻害剤は、ＰＤ−１阻害剤、ＰＤ−Ｌ１阻害剤、およびＣＴＬＡ−４阻害剤からなる群から選択される阻害剤を含む、キット。
【請求項１３】
前記検出剤が抗体である、請求項１２に記載のキット。
【請求項１４】
被験体においてがんを治療するための、免疫チェックポイント阻害剤を含む組成物であって、該被験体は、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の方法によって無効群でないと予測された被験体であることを特徴とし、該免疫チェックポイント阻害剤が、ＰＤ−１阻害剤、ＰＤ−Ｌ１阻害剤、およびＣＴＬＡ−４阻害剤からなる群から選択される阻害剤を含む、組成物。
【請求項１５】
前記被験体由来のサンプル中の
ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞におけるＩＣＯＳ＋ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞亜集団の割合、
ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞におけるＬＡＧ−３＋ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞亜集団の割合、または
ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞におけるＰＤ−１＋ＣＤ６２ＬｌｏｗＣＤ４＋Ｔ細胞亜集団の割合
が奏効群閾値以上であることを特徴とする、請求項１４に記載の組成物。
【請求項１６】
前記ＰＤ−１阻害剤は、ＰＤ−１とＰＤ−Ｌ１との相互作用を阻害する抗ＰＤ−１抗体である、請求項１４または１５に記載の組成物。
【請求項１７】
前記ＰＤ−Ｌ１阻害剤は、ＰＤ−１とＰＤ−Ｌ１との相互作用を阻害する抗ＰＤ−Ｌ１抗体である、請求項１４または１５に記載の組成物。
【請求項１８】
前記ＰＤ−１阻害剤またはＰＤ−Ｌ１阻害剤が、ニボルマブ、ペムブロリズマブ、デュルバルマブ、アテゾリズマブまたはアベルマブである、請求項１４または１５に記載の組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月28日(2021.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料が移動する流路が形成された第１主面と、前記第１主面に対向する第２主面と、を備える基板と、前記流路を封止するように前記第１主面上に設けられた流路封止フィルムとを備える反応処理容器と、
第１励起光を前記流路中の試料に照射するとともに、前記第１励起光の照射により試料から生じた第１蛍光を集光する第１対物レンズを備える第１光学ヘッドと、
第２励起光を前記流路中の試料に照射するとともに、前記第２励起光の照射により試料から生じた第２蛍光を集光する第２対物レンズを備える第２光学ヘッドと、
前記第１光学ヘッドおよび前記第２光学ヘッドを保持する保持部材と、
を備える反応処理装置であって、
前記第１対物レンズおよび第２対物レンズは、入射側・出射側の作動距離が等しく、
前記第１対物レンズおよび前記第２対物レンズの作動距離は１ｍｍ〜３ｍｍであり、
前記第１対物レンズの光軸と前記第２対物レンズの光軸との間の距離Ｐが、以下の式：
２・Ｐ０＋２・Ｐ１＋４・Ｐ２＋４・Ｐ３＜Ｐ
Ｐ０＝Ｌ・ＮＡ／√（１−ＮＡ２）
Ｐ１＝ｔ１・ＮＡ／√（ｎ１２−ＮＡ２）
Ｐ２＝ｔ２・ＮＡ／√（１−ＮＡ２）
Ｐ３＝ｔ３・ＮＡ／√（ｎ３２−ＮＡ２）
を満たす（ただし、Ｌは前記保持部材から前記流路封止フィルムまでの距離、ｔ１は前記流路封止フィルムの厚さ、ｔ２は前記流路の深さ、ｔ３は前記流路の底部から前記基板の第２主面までの厚さ、ＮＡは前記第１対物レンズおよび前記第２対物レンズの開口数、ｎ１は前記流路封止フィルムの屈折率、ｎ３は前記基板の屈折率）ことを特徴とする反応処理装置。
【請求項２】
前記距離Ｐが、さらに１．１×（２・Ｐ０＋２・Ｐ１＋４・Ｐ２＋４・Ｐ３）≦Ｐを満たし、さらに好ましくは１．２×（２・Ｐ０＋２・Ｐ１＋４・Ｐ２＋４・Ｐ３）≦Ｐを満たすことを特徴とする請求項１に記載の反応処理装置。
【請求項３】
前記距離Ｐが、Ｐ≦Ｓ−２×ΔＳ（ただし、Ｓは前記第１光学ヘッドおよび前記第２光学ヘッドが配置される流路の直線部分の長さ、ΔＳは１ｍｍ）を満たすことを特徴とする請求項１または２に記載の反応処理装置。
【請求項４】
前記基板における前記流路の底部と前記第２主面との間に、励起光を吸収する光吸収層を備えることを特徴とする請求項１から３のいずれかに記載の反応処理装置。
【請求項５】
試料が移動する流路が第１主面に形成された基板と、前記流路を封止するように前記第１主面上に設けられた流路封止フィルムとを備える反応処理容器と、
第１励起光を前記流路中の試料に照射するとともに、前記第１励起光の照射により試料から生じた第１蛍光を集光する第１対物レンズを備える第１光学ヘッドと、
第２励起光を前記流路中の試料に照射するとともに、前記第２励起光の照射により試料から生じた第２蛍光を集光する第２対物レンズを備える第２光学ヘッドと、
前記第１光学ヘッドおよび前記第２光学ヘッドを保持する保持部材と、
を備える反応処理装置であって、
前記第１対物レンズおよび第２対物レンズは、入射側・出射側の作動距離が等しく、
前記第１対物レンズおよび前記第２対物レンズの作動距離は１ｍｍ〜３ｍｍであり、
前記基板に、前記第１対物レンズに到達する前記第２励起光の光量を低減するための光吸収層が設けられ、
前記保持部材は、前記第１光学ヘッドと前記第２光学ヘッドとの間に、前記反応処理容器に対向した面を備えることを特徴とする反応処理装置。
【請求項６】
前記光吸収層は、吸収係数αがα≧０．５８／ｔ３’（ただしｔ３’は前記光吸収層の厚さ）を満たすように形成されることを特徴とする請求項５に記載の反応処理装置。
【請求項７】
前記光吸収層は、吸収係数αがα≧０．７５／ｔ３’（ただしｔ３’は前記光吸収層の厚さ）を満たすように形成されることを特徴とする請求項５に記載の反応処理装置。
【請求項８】
前記光吸収層は、吸収係数αがα≧１．１５／ｔ３’（ただしｔ３’は前記光吸収層の厚さ）を満たすように形成されることを特徴とする請求項５に記載の反応処理装置。
【請求項９】
前記光吸収層は、前記流路の底部と前記基板の前記第１主面と対向する第２主面との間に設けられることを特徴とする請求項５から８のいずれかに記載の反応処理装置。
【請求項１０】
前記光吸収層は、前記基板の前記第１主面と対向する第２主面上に設けられることを特徴とする請求項５から８のいずれかに記載の反応処理装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月20日(2021.8.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の第１の位置それぞれに配置された複数のセンサによってそれぞれ測定された電波の受信強度の測定値を、前記複数のセンサそれぞれから取得する測定値取得手段と、
任意の複数の第２の位置それぞれから電波を発射したと仮定したときの前記第１の位置における電波の受信強度の第１の推定値と前記測定値との誤差を示す第１の誤差を算出する誤差算出手段と、
前記第１の誤差が最小となる前記第２の位置を、電波の発射源の位置と推定する発射源推定手段と、
受信強度の強度分布を推定する強度分布推定手段と
を有し、
前記誤差算出手段は、
前記第２の位置と、前記第２の位置において電波を発射したと仮定したときの送信出力である仮定送信出力との関数である前記第１の推定値を算出し、
前記複数のセンサの前記測定値と前記第１の推定値との差分の関数を誤差関数として算出し、
前記発射源推定手段は、
前記複数の第２の位置のうち、前記誤差関数を最小とする前記第２の位置を、電波の発射源の位置と推定し、
電波の発射源の位置と推定された前記第２の位置において、前記複数のセンサの前記測定値と前記第１の推定値との差分の関数である誤差関数を最小とする前記仮定送信出力を、前記発射源における送信出力と推定し、
前記強度分布推定手段は、前記推定された前記発射源の位置から前記推定された送信出力で電波を発射したときの、前記複数のセンサが配置された空間における受信強度の強度分布を、伝搬損失を用いて推定する
電波監視装置。
【請求項２】
前記誤差算出手段は、前記第１の位置と前記第２の位置との間の伝搬損失に基づいて、前記第１の推定値を算出する
請求項１に記載の電波監視装置。
【請求項３】
前記誤差算出手段は、前記複数の第２の位置それぞれにおける前記誤差関数の最小値を算出し、
前記発射源推定手段は、前記複数の第２の位置のうち、前記誤差関数の最小値が最小となる前記第２の位置を、電波の発射源の位置と推定する
請求項１に記載の電波監視装置。
【請求項４】
空間補間により、前記強度分布推定手段によって推定された前記強度分布における前記第１の位置における第２の推定値と前記測定値との誤差である第２の誤差を用いて、前記空間における前記第２の誤差を補間した誤差分布を算出する誤差分布算出手段と、
前記誤差分布算出手段によって算出された前記誤差分布を用いて、前記強度分布推定手段によって推定された前記強度分布を補正する強度分布補正手段と
をさらに有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の電波監視装置。
【請求項５】
複数の第１の位置それぞれに配置された複数のセンサと、
電波を監視する電波監視装置と
を有し、
前記電波監視装置は、
前記複数のセンサによってそれぞれ測定された電波の受信強度の測定値を、前記複数のセンサそれぞれから取得する測定値取得手段と、
任意の複数の第２の位置それぞれから電波を発射したと仮定したときの前記第１の位置における電波の受信強度の第１の推定値と前記測定値との誤差を示す第１の誤差を算出する誤差算出手段と、
前記第１の誤差が最小となる前記第２の位置を、電波の発射源の位置と推定する発射源推定手段と、
受信強度の強度分布を推定する強度分布推定手段と
を有し、
前記誤差算出手段は、
前記第２の位置と、前記第２の位置において電波を発射したと仮定したときの送信出力である仮定送信出力との関数である前記第１の推定値を算出し、
前記複数のセンサの前記測定値と前記第１の推定値との差分の関数を誤差関数として算出し、
前記発射源推定手段は、
前記複数の第２の位置のうち、前記誤差関数を最小とする前記第２の位置を、電波の発射源の位置と推定し、
電波の発射源の位置と推定された前記第２の位置において、前記複数のセンサの前記測定値と前記第１の推定値との差分の関数である誤差関数を最小とする前記仮定送信出力を、前記発射源における送信出力と推定し、
前記強度分布推定手段は、前記推定された前記発射源の位置から前記推定された送信出力で電波を発射したときの、前記複数のセンサが配置された空間における受信強度の強度分布を、伝搬損失を用いて推定する
電波監視システム。
【請求項６】
複数の第１の位置それぞれに配置された複数のセンサによってそれぞれ測定された電波の受信強度の測定値を、前記複数のセンサそれぞれから取得し、
任意の複数の第２の位置それぞれから電波を発射したと仮定したときの前記第１の位置における電波の受信強度の第１の推定値であって、前記第２の位置と、前記第２の位置において電波を発射したと仮定したときの送信出力である仮定送信出力との関数である前記第１の推定値を算出し、  前記複数のセンサの前記測定値と前記第１の推定値との差分の関数を誤差関数として算出し、
前記複数の第２の位置のうち、前記誤差関数を最小とする前記第２の位置を、電波の発射源の位置と推定し、
電波の発射源の位置と推定された前記第２の位置において、前記複数のセンサの前記測定値と前記第１の推定値との差分の関数である誤差関数を最小とする前記仮定送信出力を、前記発射源における送信出力と推定し、
前記推定された前記発射源の位置から前記推定された送信出力で電波を発射したときの、前記複数のセンサが配置された空間における受信強度の強度分布を、伝搬損失を用いて推定する
電波監視方法。
【請求項７】
複数の第１の位置それぞれに配置された複数のセンサによってそれぞれ測定された電波の受信強度の測定値を、前記複数のセンサそれぞれから取得するステップと、
任意の複数の第２の位置それぞれから電波を発射したと仮定したときの前記第１の位置における電波の受信強度の第１の推定値であって、前記第２の位置と、前記第２の位置において電波を発射したと仮定したときの送信出力である仮定送信出力との関数である前記第１の推定値を算出するステップと、
前記複数のセンサの前記測定値と前記第１の推定値との差分の関数を誤差関数として算出するステップと、
前記複数の第２の位置のうち、前記誤差関数を最小とする前記第２の位置を、電波の発射源の位置と推定するステップと、
電波の発射源の位置と推定された前記第２の位置において、前記複数のセンサの前記測定値と前記第１の推定値との差分の関数である誤差関数を最小とする前記仮定送信出力を、前記発射源における送信出力と推定するステップと、
前記推定された前記発射源の位置から前記推定された送信出力で電波を発射したときの、前記複数のセンサが配置された空間における受信強度の強度分布を、伝搬損失を用いて推定するステップと
をコンピュータに実行させるプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月14日(2021.5.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
腸内の水含有液と接触したときに水素を発生する、シリコン微細粒子、該シリコン微細粒子の凝集体、又はシリコンの結晶粒を含む、腎臓の疾患のための、
薬剤。
【請求項２】
前記疾患が、腎線維症、急性腎障害、腎虚血再灌流傷害、薬剤性腎障害、及び慢性腎臓病の群から選択される少なくとも一種である、
請求項１に記載の薬剤。
【請求項３】
前記薬剤が、経口摂取に適するように調剤されている、
請求項１又は請求項２に記載の薬剤。
【請求項４】
前記シリコン微細粒子は、腸管の細胞膜及び細胞間を通過しない前記シリコン微細粒子であり、
前記凝集体は、前記細胞膜及び前記細胞間を通過しない前記凝集体であり、
前記結晶粒は、前記細胞膜及び前記細胞間を通過しない前記結晶粒である、
請求項１乃至請求項３のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項５】
純水中で崩壊させたときの水含有液のｐＨ値を７超９未満とするｐＨ値調整剤をさらに含む、
請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項６】
重炭酸塩を含有する腸溶剤である、
請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項７】
投与方法が、前記シリコン微細粒子、前記凝集体、又は前記結晶粒と、重炭酸塩とを含有する腸溶剤の経口投与である、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項８】
徐放性を有する、
請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項９】
前記シリコン微細粒子が、実質的に結晶子径が１ｎｍ以上１００ｎｍ以下のシリコン微細粒子を含む、
請求項１乃至請求項８のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項１０】
ヒドロキシルラジカルと、腸内及び／又は血中の水素とを反応させることによって、前記腎臓に対する酸化ストレスの低減又は消滅させる、
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか１項に記載の前記薬剤の製造方法であって、
前記シリコン微細粒子、前記凝集体、又は前記結晶粒と過酸化水素水とを接触させる過酸化水素水処理工程、を備える、
薬剤の製造方法。
【請求項１２】
さらに、前記過酸化水素水処理工程の前に、エタノール溶液中でシリコン粒子を粉砕することによって前記シリコン微細粒子、前記凝集体、又は前記結晶粒を形成する工程を含む、
請求項１１に記載の薬剤の製造方法。
【請求項１３】
さらに、前記過酸化水素水処理工程の後に、前記シリコン微細粒子、前記凝集体、又は前記結晶粒を、生理学的に許容可能な母材中に含有させるときに、純水中で崩壊させたときの水含有液のｐＨ値を４以上７未満とするｐＨ値調整剤を含ませるｐＨ値調整剤含有工程を含む、
請求項１１又は請求項１２に記載の薬剤の製造方法。
【請求項１４】
腎臓尿細管間質の線維化、又は荒廃糸球体による前記腎臓の疾患を予防する、又は治療する、
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の薬剤。
【請求項１５】
さらに、以下の（ａ）〜（ｃ）のいずれか１種、を含む、
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の薬剤。
（ａ）前記シリコン微細粒子、前記凝集体、又は前記結晶粒の最外層を覆う腸溶性のコーティング剤
（ｂ）前記シリコン微細粒子、前記凝集体、又は前記結晶粒を内包する腸溶性のカプセル剤
（ｃ）前記シリコン微細粒子、前記凝集体、又は前記結晶粒を内包する腸溶性のマイクロカプセル剤
【請求項１６】
さらに、以下の（ａ）〜（ｃ）のいずれか１種、を含む、
請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の薬剤。
（ａ）前記シリコン微細粒子、前記凝集体、又は前記結晶粒の最外層を覆う徐放性を有するコーティング剤
（ｂ）前記シリコン微細粒子、前記凝集体、又は前記結晶粒を内包する、徐放性を有するカプセル剤
（ｃ）前記シリコン微細粒子、前記凝集体、又は前記結晶粒を内包する、徐放性を有するマイクロカプセル剤
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月9日(2021.7.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
Ｏ−（５−アミノ−２−フェニルベンズオキサゾール−７−イル）メチル−３，５−ジクロロ−Ｌ−チロシン又はその薬理学的に許容される塩を含む、胆道がん治療薬。
【請求項２】
１回１ｍｇ／ｍ２〜４０ｍｇ／ｍ２のＯ−（５−アミノ−２−フェニルベンズオキサゾール−７−イル）メチル−３，５−ジクロロ−Ｌ−チロシン又はその薬理学的に許容される塩が投与される、請求項１に記載の胆道がん治療薬。
【請求項３】
１回１２ｍｇ／ｍ２〜２５ｍｇ／ｍ２のＯ−（５−アミノ−２−フェニルベンズオキサゾール−７−イル）メチル−３，５−ジクロロ−Ｌ−チロシン又はその薬理学的に許容される塩が投与される、請求項１又は２に記載の胆道がん治療薬。
【請求項４】
１回２５ｍｇ／ｍ２のＯ−（５−アミノ−２−フェニルベンズオキサゾール−７−イル）メチル−３，５−ジクロロ−Ｌ−チロシン又はその薬理学的に許容される塩が投与される、請求項１〜３のいずれか一項に記載の胆道がん治療薬。
【請求項５】
１日１回静脈内持続投与される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の胆道がん治療薬。
【請求項６】
７日以内の期間連続投与される、請求項１〜５のいずれか一項に記載の胆道がん治療薬。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月12日(2021.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホール関係者が設定可能な複数段階の甲値に関する選択操作が可能な甲操作手段と、
遊技者が設定可能な複数段階の乙値に関する選択操作が可能な乙操作手段と、
前記甲操作手段により得られた前記甲値及び前記乙操作手段により得られた前記乙値に基づいて遊技音量を設定可能な遊技音量設定手段とを備えた遊技機であって、
前記甲操作手段は、操作後位置を保持可能に構成され、当該甲操作手段の位置から現在選択されている前記甲値を把握可能であり、
前記乙操作手段は、操作後位置を保持不能に構成され、当該乙操作手段の位置からは現在選択されている前記乙値を把握可能ではなく、
電源投入後に、現在選択されている前記甲値の情報を取得し、当該甲値に関する情報を現在情報として記憶する現在情報記憶手段と、
前記甲値が変更された場合には、その変更後の前記甲値の情報により前記現在情報の内容を更新する現在情報更新手段と、を有する、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月12日(2021.5.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
音出力手段と、
表示手段と、
遊技者が視認不能な位置に配置され、前記音出力手段に関する第１設定操作が可能な第１操作手段と、
遊技者が視認可能な位置に配置され、前記音出力手段に関する第２設定操作が可能な第２操作手段と、を備え、
前記第１設定操作および前記第２設定操作によって設定された設定内容に基づいて前記音出力手段による音出力制御が可能であり、
前記表示手段に、音量調整が可能な段階数を示すレベルメータを表示可能に構成された遊技機であって、
前記第１設定操作に基づき、前記第２設定操作の設定可能範囲が異なる複数の設定値のうちからいずれかの設定値を設定可能な設定手段と、
前記第２設定操作に基づき、所定の最小音量から段階的に、前記第１設定操作により設定された設定値に対応する最大音量まで調整可能な調整手段と、を備え、
前記複数の設定値には、少なくとも第１設定値と第２設定値とが含まれ、
前記第２設定値における最大音量は、前記第１設定値における最大音量よりも小さく、
前記第１操作手段と前記第２操作手段のいずれが操作された場合も、前記表示手段に前記レベルメータを表示可能とした、
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月2日(2021.8.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の楽曲から利用対象の楽曲としての対象楽曲を選択する選択機会を含むゲームとして各楽曲のリズムに合わせてプレイ行為を実行すべき実行時期を案内する音楽ゲームが前記選択機会において選択された前記対象楽曲を利用するように各ユーザに提供される場合に、各ユーザによって使用されるユーザ端末装置に接続され、当該ユーザ端末装置を介して各ユーザに前記音楽ゲームに関連するサブサービスを提供するゲームシステムであって、
前記音楽ゲームの前記選択機会よりも前に前記複数の楽曲から一部の楽曲を選択するための事前選択機会を予め前記サブサービスの一部として前記ユーザ端末装置を通じて各ユーザに提供する事前機会提供手段と、
前記事前選択機会において前記一部の楽曲が選択された場合に、当該一部の楽曲が前記音楽ゲームにおいて前記対象楽曲として機能するように、当該一部の楽曲を前記対象楽曲として機能させるための楽曲情報を前記ユーザ端末装置に提供する選択情報提供手段と、
を備え、
前記選択情報提供手段は、前記一部の楽曲を特定する情報として各ユーザを識別するユーザ識別情報とは別の情報を利用することにより当該別の情報を含む一方で、前記ユーザ識別情報を含まないように前記選択肢情報を前記ユーザ端末装置に提供する、ゲームシステム。
【請求項２】
複数の楽曲から利用対象の楽曲としての対象楽曲を選択する選択機会を含むゲームとして各楽曲のリズムに合わせてプレイ行為を実行すべき実行時期を案内する音楽ゲームが前記選択機会において選択された前記対象楽曲を利用するように各ユーザに提供される場合に、各ユーザによって使用されるユーザ端末装置に接続され、当該ユーザ端末装置を介して各ユーザに前記音楽ゲームに関連するサブサービスを提供するゲームシステムに組み込まれるコンピュータを、
前記音楽ゲームの前記選択機会よりも前に前記複数の楽曲から一部の楽曲を選択するための事前選択機会を予め前記サブサービスの一部として前記ユーザ端末装置を通じて各ユーザに提供する事前機会提供手段、及び
前記事前選択機会において前記一部の楽曲が選択された場合に、当該一部の楽曲が前記音楽ゲームにおいて前記対象楽曲として機能するように、当該一部の楽曲を前記対象楽曲として機能させるための楽曲情報を前記ユーザ端末装置に提供する選択情報提供手段として機能させるように構成され、
前記選択情報提供手段は、前記一部の楽曲を特定する情報として各ユーザを識別するユーザ識別情報とは別の情報を利用することにより当該別の情報を含む一方で、前記ユーザ識別情報を含まないように前記選択肢情報を前記ユーザ端末装置に提供する、コンピュータプログラム。
【請求項３】
複数の楽曲から利用対象の楽曲としての対象楽曲を選択する選択機会を含むゲームとして各楽曲のリズムに合わせてプレイ行為を実行すべき実行時期を案内する音楽ゲームが前記選択機会において選択された前記対象楽曲を利用するように各ユーザに提供される場合に、各ユーザによって使用されるユーザ端末装置に接続され、当該ユーザ端末装置を介して各ユーザに前記音楽ゲームに関連するサブサービスを提供するゲームシステムに組み込まれるコンピュータに、
前記音楽ゲームの前記選択機会よりも前に前記複数の楽曲から一部の楽曲を選択するための事前選択機会を予め前記サブサービスの一部として前記ユーザ端末装置を通じて各ユーザに提供する事前機会提供手順と、
前記事前選択機会において前記一部の楽曲が選択された場合に、当該一部の楽曲が前記音楽ゲームにおいて前記対象楽曲として機能するように、当該一部の楽曲を前記対象楽曲として機能させるための楽曲情報を前記ユーザ端末装置に提供する選択情報提供手順と、
を実行させ、
前記選択情報提供手順は、前記一部の楽曲を特定する情報として各ユーザを識別するユーザ識別情報とは別の情報を利用することにより当該別の情報を含む一方で、前記ユーザ識別情報を含まないように前記選択肢情報を前記ユーザ端末装置に提供する、制御方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月9日(2021.11.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
研磨後の半導体ウェーハを洗浄する半導体ウェーハの洗浄方法であって、
前記研磨後の半導体ウェーハをオゾン水により洗浄し酸化膜を形成する第一のオゾン水処理工程を行い、
該第一のオゾン水処理工程後、前記半導体ウェーハを濃度が１００ｐｐｍ以上１０００ｐｐｍ以下の炭酸水によりブラシ洗浄するブラシ洗浄工程を行い、
その後、前記半導体ウェーハをフッ酸により洗浄し前記酸化膜を除去した後、オゾン水により洗浄し再度酸化膜を形成する第二のオゾン水処理工程を１回以上行う、ことを特徴とする半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項２】
前記第一のオゾン水処理工程及び前記ブラシ洗浄工程において、前記オゾン水及び前記炭酸水を常温かつｐＨ＝７．０以下とすることを特徴とする請求項１に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項３】
前記第一及び第二のオゾン水処理工程において、前記オゾン水の濃度を１０ｐｐｍ以上５０ｐｐｍ以下とすることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項４】
前記第一及び第二のオゾン水処理工程において、前記形成する酸化膜の厚さを０．８ｎｍ以上１．５ｎｍ以下とすることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項５】
前記第二のオゾン水処理工程において、前記フッ酸の濃度を１．０％以下とすることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項６】
前記第二のオゾン水処理工程を、スピン洗浄またはバッチ洗浄で行うことを特徴とする請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項７】
前記各工程で出た廃液のうち、前記オゾン水及び前記炭酸水の廃液を回収し再利用することを特徴とする請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【請求項８】
前記半導体ウェーハを、シリコンウェーハとすることを特徴とする請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の半導体ウェーハの洗浄方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月5日(2021.11.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
2021174526.tif 000001
【請求項２】
2021174526.tif 000002
【請求項３】
2021174526.tif 000003
【請求項４】
2021174526.tif 000004
【請求項５】
2021174526.tif 000005
【請求項６】
前記ステップＳ５において、ｋ−ｍｅａｎｓクラスタリング法を採用することを特徴とする、請求項１に記載の三次元特徴記述子に基づく機翼フォーク点群の分割方法。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年3月15日(2021.3.15)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２０】
図１の詳細図に示されているように、ほぼディスク形状の電子基板２００は、図２に示すように駆動装置１において管１０，２０の回転軸線に対して垂直な位置に配置されており、かつホール素子１９だけではなく、回路遮断器２１０および、この回路遮断器２１０を駆動制御するために必要な電子回路２２０をも有しており、これらの電子回路２２０には、回路遮断器を制御するためにコンピュータプログラムも記憶されている。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車両のフラップ用の管形状の駆動装置（１）であって、
テレスコープ式に互いに内外に差し嵌められた２つの管（１０，２０）を備え、該管（１０，２０）の自由端部（３０，４０）は、それぞれ前記車両の前記フラップと前記車両自体とに回動可能に取り付けられており、
前記管（１０，２０）は、前記フラップを開閉するために、電動機（１６）によって駆動されるスピンドル（６０）と、該スピンドル（６０）に配置されたスピンドルナット（７０）とを用いて、互いに接近・離反する方向に移動可能であり、
前記電動機（１６）、前記スピンドル（６０）および前記スピンドルナット（７０）ならびにセンサ素子（１９，２３０）を備えた電子基板（２００）が、前記管形状の駆動装置（１）の内部に配置されており、
前記電子基板（２００）は、ディスク形状を有していて、前記管（１０，２０）の対称軸線に対して垂直に配置されており、
同じ前記電子基板（２００）には、さらに前記電動機（１６）の駆動制御のための出力電子装置（２１０）も配置されている、駆動装置（１）において、
前記電子基板（２００）は、ホール素子、回路遮断器、および、この回路遮断器を駆動制御するために必要な電子回路を有しており、該電子回路には、前記回路遮断器を制御するためのコンピュータプログラムが記憶されている
ことを特徴とする、管形状の駆動装置。
【請求項２】
前記電子基板（２００）は、前記電動機（１６）と、該電動機（１６）を保持する前記管（１０）の前記自由端部（４０）との間において、前記電動機（１６）に配置されている、請求項１記載の駆動装置。
【請求項３】
前記電子基板（２００）は、温度センサ（２３０）をも有している、請求項１または２記載の駆動装置。
【請求項４】
前記管の一方（１０）は、高導電性の材料から形成されている、請求項１から３までのいずれか１項記載の駆動装置。
【請求項５】
前記管の一方（１０）は、軟磁性の材料から成っている、請求項４記載の駆動装置。