【手続補正書】
【提出日】令和3年4月1日(2021.4.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、半導体装置を提供する。半導体装置は、第１導電型のドーパントを備えた半導体基板を備えてよい。半導体装置は、半導体基板のドーパントの濃度よりも高いドーピング濃度を有し、半導体基板の深さ方向における水素濃度分布が第１位置においてピークを有する高濃度領域を備えてよい。半導体装置は、高濃度領域よりも、半導体基板の一方の主面側に設けられ、第１位置よりも一方の主面側の第２位置において、結晶欠陥密度が最も高いセンターピークを有する第１結晶欠陥領域を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の他方の主面と接する領域に第２導電型のコレクタ領域が設けられたトランジスタ部を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の他方の主面と接する領域に、半導体基板のドーパントの濃度よりもドーピング濃度の高い第１導電型のカソード領域が設けられたダイオード部を備えてよい。半導体基板の深さ方向における水素濃度分布は、第１位置よりも一方の主面側に設けられ、第１位置から一方の主面に向かって水素濃度が減少する第１の裾を有してよい。半導体基板の深さ方向における水素濃度分布は、第１位置よりも半導体基板の他方の主面側に設けられ、第１位置から他方の主面に向かって、第１の裾よりも急峻に水素濃度が減少する第２の裾を有してよい。深さ方向におけるドーピング濃度の分布は、第１位置において、水素濃度よりも低濃度の第１ドナーピークを有してよい。ダイオード部は、第１結晶欠陥領域を含んでよい。第１結晶欠陥領域は、上面視においてカソード領域よりも広く設けられてよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
半導体装置は、トランジスタ部およびダイオード部が配列方向に沿って並んで配置される活性部を備えてよい。半導体装置は、活性部の配列方向と垂直な延伸方向の端部から、延伸方向における活性部の外側の予め定められた範囲に設けられた第２導電型のウェル領域を備えてよい。上面視における第１結晶欠陥領域の延伸方向における端部は、カソード領域と重ならず、ウェル領域の内部に設けられてよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
半導体装置は、トランジスタ部またはダイオード部において、半導体基板の上面に設けられたトレンチ部を備えてよい。トレンチ部は、ゲートトレンチ部またはダミートレンチ部を有してよい。第１結晶欠陥領域は、上面視においてトランジスタ部におけるゲートトレンチ部と重ならなくてよい。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
半導体装置は、トランジスタ部において、トレンチ部に挟まれる第１メサ部を備えてよい。半導体装置は、第１メサ部に設けられ、ゲートトレンチ部と接するエミッタ領域を備えてよい。トランジスタ部およびダイオード部が配列される配列方向において最もダイオード部側に設けられたエミッタ領域は、上面視において第１結晶欠陥領域と重なってよい。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
トランジスタ部およびダイオード部が配列される配列方向において最もトランジスタ部側のダイオード部の半導体基板の他方の主面と接する領域には、トランジスタ部から延伸するコレクタ領域が設けられてよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
半導体装置は、ダイオード部において、ダミートレンチ部に挟まれ、且つ、他方の主面側にコレクタ領域が設けられた第３メサ部を備えてよい。第１結晶欠陥領域は、少なくとも、第３メサ部の下方に設けられてよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第１結晶欠陥領域の結晶欠陥密度分布は、センターピークから他方の主面に向かって、第１の裾の領域において減少する第３の裾を有してよい。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
半導体基板は、第１ドナーピークを含んで設けられた第１導電型のドリフト領域を備えてよい。半導体基板は、半導体基板の前記一方の主面と前記ドリフト領域との間に設けられた第２導電型のアノード領域を備えてよい。第１結晶欠陥領域はアノード領域を含んでよい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
アノード領域の結晶欠陥密度は、センターピークにおける結晶欠陥密度の半分以下であってよい。アノード領域の結晶欠陥密度は、ドリフト領域における結晶欠陥密度の最小値と同一であってよい。アノード領域は、ダイオード部において、半導体基板の上面に設けられてよい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
深さ方向におけるキャリア移動度分布は、第２位置においてキャリア移動度が最小であってよい。第２位置におけるキャリア移動度は、第１ドナーピークにおけるキャリア移動度よりも小さく、且つ、第１ドナーピークよりも他方の主面側のドリフト領域のキャリア移動度よりも小さくてよい。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
半導体基板は、第１ドナーピークを含んで設けられた第１導電型のドリフト領域を有してよい。高濃度領域よりも一方の主面側のドリフト領域におけるドーピング濃度は、高濃度領域よりも他方の主面側のドリフト領域におけるドーピング濃度よりも高くてよい。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
第１結晶欠陥領域において、拡がり抵抗測定法で測定されるキャリア濃度はドーピング濃度よりも小さくてよい。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
半導体基板は、ドリフト領域と、半導体基板の他方の主面との間に、ドリフト領域よりもドーピング濃度の高い第１導電型のバッファ領域を有してよい。バッファ領域の深さ方向のドーピング濃度分布は、複数のドーピング濃度ピークを有してよい。半導体装置は、深さ方向に沿ってバッファ領域内の隣り合う２つのドーピング濃度ピークの間に、結晶欠陥密度のセンターピークを有する第２結晶欠陥領域を備えてよい。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
バッファ領域のドーピング濃度分布は、複数のドーピング濃度ピークを有してよい。半導体装置は、バッファ領域の複数のドーピング濃度ピークのうち最も他方の主面側に位置するドーピング濃度ピークよりも、半導体基板の他方の主面側に、結晶欠陥密度のセンターピークを有する第２結晶欠陥領域を備えてよい。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第１結晶欠陥領域は、第１結晶欠陥領域のセンターピークから一方の主面まで設けられてよい。第１位置におけるドーピング濃度が、１×１０１４（／ｃｍ３）以上１×１０１５（／ｃｍ３）以下であってよい。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
トランジスタ部は、第１結晶欠陥領域を含んでよい。トランジスタ部は、ダイオード部と接する領域に第１結晶欠陥領域を含んでよい。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
半導体装置は、半導体基板の上面において、トランジスタ部およびダイオード部が設けられた活性部を備えてよい。半導体装置は、半導体基板の外周端との間に配置されたエッジ終端構造部を備えてよい。エッジ終端構造部は、第１結晶欠陥領域を含んでよい。水素濃度分布のピークと、第１結晶欠陥領域のセンターピークとの距離は、２０μｍ以下であってよい。