【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年10月6日(2021.10.6)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００２７
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００２７】
図２Ｂは、シース１０６ｂの断面を示す。シース１０６ｂは、電気接続２０８が存在しないことを除いて、図２Ａのシース１０６ａとほぼ同一の素子を有している一実施形態を図示している。シース１０６ｂは、近位部１０２において生成された放射ビームの変調（例えばマルチプレキシング）が行われる状況において、用いられ得る。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３０】
マルチプレキシングユニット３１２は、マルチプレキシングユニット３１２の種々の変調素子へ、制御信号を与える関連電子回路３１４を備え得る。マルチプレキシングユニット３１２は、種々のビューポート３０２によって集光された光から寄与分を分離可能にする、任意のマルチプレキシング方法を用い得る。このようなマルチプレキシング方法の１つは、時間領域マルチプレキシングであり、該方法においてマルチプレキシングユニット３１２は、関連ビューポート３０２のうちの１つのみを、所定の時間においてアクティブとなるように制御された様態において、異なる出力導波路間を切り替える。別の好適なマルチプレキシング方法は、周波数領域マルチプレキシングであり、該方法においてビューポート３０２のそれぞれを横断する光は、異なるビューポート３０２に対応している信号の時間−周波数の挙動が処理装置によって区別化される形式にて変調され得る。干渉性領域マルチプレキシングも、異なるビューポート３０２に対応している信号が異なる干渉位置において現れ、それにより処理装置によって区別化され得るように、それぞれのビューポート３０２を横断している光に対して遅延する相違したグループを導入することによって、マルチプレキシングユニット３１２において用いられ得る。一実施形態において、これらの方法は、非排他的であり、最善の設計の折衷案を見出すために組み合わせられ得る。干渉性領域マルチプレキシングのような、いくつかのマルチプレキシング方法は、マルチプレキシングユニット３１２の任意の電気的作動を必要としない。そのため、一実施形態において、干渉性領域マルチプレキシングに基づく実施は、制御信号のための電気的伝送媒体を必要としない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３１】
ある実施形態において、マルチプレキシングユニット３１２は、熱電光スイッチのネットワークを用いて、シリコンフォトニクス光チップ上にて製造される。マルチプレキシングユニット３１２における使用のための他の好適な物質は、窒化ケイ素、二酸化ケイ素、酸化窒化、ニオブ酸リチウム、ＩＩＩ−Ｖ半導体材料、炭化ケイ素および光学等級ポリマーを含む。光スイッチング動作を補助するための他の変調効果としては、電気工学効果、電荷キャリア効果、光機械的効果、液晶ベースの屈折率変調等が挙げられる。また、マルチプレキシング機能は、小型化および実装の制約を満たす限り、マイクロ電気機械式（ＭＥＭＳ）装置を通じて取得され得る。電気的ワイヤ３１８とマルチプレキシングユニット３１２との間の接続は、個々のワイヤボンディングもしくははんだ付けを介して、または、個別もしくはバッチ処理においてフリップチップアセンブリを可能にする中間基板を通じて、達成され得る。実施形態において、この中間基板は可撓性である。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４０】
図４は、一実施形態に係る、遠位部１０４の外側の概観を示している。複数のビューポート３０２は、遠位部１０４の周囲の組織サンプル（例えば心房壁）を調べるための任意の数の角度を与えるために、遠位部１０４の外表面全体の周囲のいずれにも配置されうる。加えて、遠位部１０４は、図３Ａおよび３Ｂにおいて示されている洗浄流路３１０と関連している複数の開口部４０２を備え得る。また、開口部４０２は、遠位部１０４の外表面の周囲のいずれにも位置し、遠位部１０４の周辺の領域へ液体を吐出する、または遠位部１０４の周辺の領域から液体を抜き取るために用いられる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００４２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００４２】
ＬＣＩシステム５０１はさらに、光源５０２、分離素子５０４、サンプルアーム５０６、基準アーム５０８および検出器５１４を備えている。示されている一実施形態において、遅延ユニット５１２は、基準アーム５０８内に位置している。しかし、遅延ユニット５１２は、代わりにサンプルアーム５０６においても位置し得ることが理解されるべきである。あるいは、遅延ユニット５１２の様々な素子は、サンプルアーム５０６および基準アーム５０８の両方において存在し得る。例えば、光へ可変遅延を導入する遅延ユニット５１２の素子は、サンプルアーム５０６において位置し得、光の異なる偏光モードを変調する素子は、基準アーム５０８内に位置し得る。一実施例において、サンプルアーム５０６および基準アーム５０８は、パターン化導波路または光ファイバーなどの、光導波路である。実施形態において、ＬＣＩシステム５０１の全ての部品は、平面光波回路（ＰＬＣ）上に実装される。別の実施形態において、少なくとも遅延ユニット５１２内の部品は、ＰＬＣの同一基板上に実装される。別の実施においては、例えば光ファイバーシステム、自由空間光システム、フォトニック結晶システム等が同様に考慮され得る。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５２】
偏光感受型ＬＣＩ（polarization sensitive LCI、ＰＳ−ＬＣＩ）技術の使用は、組織における複屈折変化の監視を可能にし、これにより組織において引き起こされた変性の程度の推定を導き得る。一実施形態において、信号および画像処理ソフトウェアは、偏光関連の組織性状に関するデータを、ＬＣＩシステムによって収集された深度分解光学データの総振幅に関連する構造データと組み合わせることが可能である。また、組織繊維の偏光に関するデータは、深度分解光学データから抽出し得る。サンプルの画像は、サンプルの様々な部分の複屈折性における相違に基づいて、処理装置によって生成され得る。例えば、切除されるサンプル部分によって示される複屈折は、サンプルの非切除部分によって示される複屈折とは異なる。
【誤訳訂正７】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５９】
この式は、外部の熱源を用いた生体サンプルにおける熱伝達を示す。この式において、ρは質量密度、ｃは比熱、Ｔは温度、ｋは熱伝導率に相当し、ｑは熱源（ジュール効果）、Ｑｐは対流熱損失、およびＱｗは代謝熱（metabolic heat）である。
【誤訳訂正８】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下を包含している、方法：
カテーテルの遠位部分における１以上の電極にＲＦエネルギーを与えること；
上記カテーテルの上記遠位部分において配置されている対応するビューポートを介して、光を伝送すること；
サンプルの少なくとも一部分から散乱または反射した光を受信すること；
受信された散乱または反射した光に基づき、低コヒーレンス干渉法（ＬＣＩ）信号を生成すること；および
上記低コヒーレンス干渉法信号に基づくＭ−スキャンに少なくとも基づき、上記サンプルの少なくとも上記一部分における熱特性のモデルを示すこと。
【請求項２】
上記低コヒーレンス干渉法信号に基づき、上記サンプルの上記一部分についての切除の程度を決定することをさらに包含している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
上記ＲＦエネルギーが生成されている間、上記熱特性のモデルが、上記サンプルの上記一部分の温度が所定の閾値より高く上昇していることを示しているときに、上記カテーテルのユーザへ警告信号を伝送することをさらに包含している、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
上記ＲＦエネルギーが生成されている間、上記熱特性のモデルが、上記サンプルの別の部分の温度が所定の閾値より高く上昇していることを示しているときに、上記カテーテルのユーザへ警告信号を伝送すること
をさらに包含している、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
上記生成された低コヒーレンス干渉法信号を使用して、上記サンプルの上記一部分の上記切除がいつ完了するかを決定すること；および
上記サンプルの上記一部分の上記切除が完了したとき、上記カテーテルのユーザへ信号を伝送すること、
をさらに包含している、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
上記低コヒーレンス干渉法信号を生成することは、上記サンプルの複屈折に基づいてデータを生成することを包含している、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
以下を備えている、カテーテル：
遠位部分であって、
１以上の電極であって、該１以上の電極に接触しているサンプルの一部分にＲＦエネルギーを与えるように構成されている、１以上の電極と、
上記カテーテルの上記遠位部分から離れる方向に照射光を伝送し、上記サンプルから反射または散乱した光を受信するように構成されている複数の光学素子と、を備えている遠位部分と；
近位部分であって、
光ビーム源を生成するように構成されている光源と、
上記反射または散乱した光と関連している低コヒーレンス干渉法信号を生成するように構成されている検出器と、を備えている近位部分と；
シースであって、
上記近位部分と上記遠位部分との間に結合されているシースと、
処理装置であって、
上記低コヒーレンス干渉法（ＬＣＩ）信号に基づくＭ−スキャンに少なくとも基づき、上記サンプルの熱特性のモデルを更新するように構成されている処理装置と、を備えているカテーテル。
【請求項８】
光ビーム源から照射光を変調及び／又は分離するように構成されているマルチプレクサをさらに包含している、請求項７に記載のカテーテル。
【請求項９】
上記遠位部分は、該遠位部分の外表面の周りに配置されている複数のビューポートをさらに含んでいる、請求項７に記載のカテーテル。
【請求項１０】
上記複数の光学素子は、上記複数のビューポートにおける対応しているビューポートを通じて照射光の１以上のビームのそれぞれを伝送するように構成されている、請求項９に記載のカテーテル。
【請求項１１】
上記処理装置は、
上記低コヒーレンス干渉法信号を受信し、
上記低コヒーレンス干渉法信号に基づいて上記サンプルの画像を生成するようにさらに構成されている、請求項７に記載のカテーテル。
【請求項１２】
上記低コヒーレンス干渉法信号から生成された深度分解光学データは、上記サンプルの複屈折と関連しているデータを含んでおり、上記サンプルの画像は、上記ＲＦエネルギーによって切除された上記サンプルの上記部分と関連している第一の複屈折と、上記サンプルの少なくとも１つの他の非切除部分と関連している第二の複屈折との間の相違に基づいて生成される、請求項１１に記載のカテーテル。