【手続補正書】
【提出日】令和3年2月2日(2021.2.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周期的堆積により基材上に金属性膜を形成する方法であって、前記方法は、
前記基材を、基材の表面上に金属含有分子を形成するために、少なくとも１つの二座配位子及び銅、ニッケル又はコバルトの少なくとも１つを含むハロゲン非含有金属前駆体を含む第１の反応物質と接触させることと、
前記基材を、炭化水素置換ヒドラジン前駆体を含む第２の反応物質と接触させることによって金属性膜を形成することと、
を含む、方法であって、
前記ハロゲン非含有金属前駆体は、少なくとも１つの酸素原子及び少なくとも１つの窒素原子を介して金属原子に結合する少なくとも１つの配位子を含み、
前記基材を第２の反応物質と接触させる工程は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程の直後に続くか、又は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程に続く介在パージの直後に続き、
炭化水素置換ヒドラジン前駆体は、分枝鎖アルキル基又は少なくとも４個の炭素原子を有するアルキル基のｓｅｃ−又はｔｅｒｔ−異性体を含む、
方法。
【請求項２】
前記周期的堆積は、原子層堆積を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記周期的堆積は、周期的化学蒸着を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
Ｃ４−Ｃ８炭化水素基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
芳香族炭化水素基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
ｔｅｒｔ−ブチルアルキル基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
メチル、エチル、又はｔｅｒｔ−ブチルアルキル基の少なくとも１つを含むように、前記アルキル基を選択することを更に含む、請求項６に記載の方法。
【請求項８】
前記ハロゲン非含有金属前駆体が、少なくとも１つの窒素原子を介して金属原子に結合する少なくとも１つの追加の配位子を含む、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
少なくとも２つのハロゲン非含有配位子を含むように、前記ハロゲン非含有金属前駆体を選択することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記方法は、前記基材を前記第１の反応物質及び前記第２の反応物質と交互に逐次接触させる少なくとも１つの堆積サイクルを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記堆積サイクルは、２回以上繰り返される、請求項７に記載の方法。
【請求項１２】
１０μΩｃｍ未満の電気抵抗率を有するように、前記金属性膜を形成することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
５０ｎｍ未満の膜厚で１０μΩｃｍ未満の電気抵抗率を有するように、前記金属性膜を形成することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記基材を約５００℃未満の温度に加熱することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記基材を約５０℃を超える温度に加熱することを更に含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１６】
プラズマ反応物質を含まないように、前記第１の反応物質及び前記第２の反応物質を選択することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
銅、コバルト又はニッケルの少なくとも１つを含むように、前記金属性膜を選択することを更に含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１８】
請求項１に記載の前記方法を実施するように構成された反応システム。
【請求項１９】
請求項１に記載の前記方法により形成される金属性相互接続の少なくとも一部を含む半導体デバイス構造。
【請求項２０】
周期的堆積により基材上に金属性膜を形成する方法であって、前記方法は、
前記基材を、Ｃｕ（ｄｍａｐ）２、Ｎｉ（ｄｍａｐ）２、又はＣｏ（ｄｍａｐ）２の少なくとも１つを含むハロゲン非含有金属前駆体を含む第１の反応物質と接触させることと、
前記基材を、炭化水素置換ヒドラジン前駆体を含む第２の反応物質と接触させることによって金属性膜を形成することと、
を含む、方法であって、
前記基材を第２の反応物質と接触させる工程は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程の直後に続くか、又は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程に続く介在パージの直後に続き、
炭化水素置換ヒドラジン前駆体は、分枝鎖アルキル基又は少なくとも４個の炭素原子を有するアルキル基のｓｅｃ−又はｔｅｒｔ−異性体を含む、
方法。
【請求項２１】
周期的堆積により基材上に金属性膜を形成する方法であって、前記方法は、
前記基材を、基材の表面上に金属含有分子を形成するために、少なくとも１つの二座配位子及び銅、ニッケル又はコバルトの少なくとも１つを含むハロゲン非含有金属前駆体を含む第１の反応物質と接触させることと、
前記基材を、炭化水素置換ヒドラジン前駆体を含む第２の反応物質と接触させることと、
を含む、方法であって、
前記ハロゲン非含有金属前駆体は、少なくとも１つの酸素原子を介して金属原子に結合する少なくとも１つの配位子を含み、
前記基材を第２の反応物質と接触させる工程は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程の直後に続くか、又は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程に続く介在パージの直後に続き、
炭化水素置換ヒドラジン前駆体は、分枝鎖アルキル基又は少なくとも４個の炭素原子を有するアルキル基のｓｅｃ−又はｔｅｒｔ−異性体を含む、
方法。
【請求項２２】
前記周期的堆積は、原子層堆積を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記周期的堆積は、周期的化学蒸着を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２４】
Ｃ４−Ｃ８炭化水素基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２５】
芳香族炭化水素基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２６】
ｔｅｒｔ−ブチルアルキル基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２７】
メチル、エチル、又はｔｅｒｔ−ブチルアルキル基の少なくとも１つを含むように、前記アルキル基を選択することを更に含む、請求項２６に記載の方法。
【請求項２８】
前記ハロゲン非含有金属前駆体が、少なくとも１つの窒素原子を介して金属原子に結合する少なくとも１つの追加の配位子を含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項２９】
少なくとも２つのハロゲン非含有配位子を含むように、前記ハロゲン非含有金属前駆体を選択することを更に含む、請求項２１に記載の方法。
【請求項３０】
周期的堆積により基材上に金属性膜を形成する方法であって、前記方法は、
前記基材を、基材の表面上に金属含有分子を形成するために、少なくとも１つの二座配位子及び銅、ニッケル又はコバルトの少なくとも１つを含むハロゲン非含有金属前駆体を含む第１の反応物質と接触させることと、
前記基材を、炭化水素置換ヒドラジン前駆体を含む第２の反応物質と接触させることと、
を含む、方法であって、
前記少なくとも１つの二座配位子は、少なくとも1つの窒素原子を介して結合し、二座配位子の窒素以外の少なくとも1つの原子を介して結合し、
前記基材を第２の反応物質と接触させる工程は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程の直後に続くか、又は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程に続く介在パージの直後に続き、
炭化水素置換ヒドラジン前駆体は、分枝鎖アルキル基又は少なくとも４個の炭素原子を有するアルキル基のｓｅｃ−又はｔｅｒｔ−異性体を含む、
方法。
【請求項３１】
前記周期的堆積は、原子層堆積を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３２】
前記周期的堆積は、周期的化学蒸着を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３３】
Ｃ４−Ｃ８炭化水素基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３４】
芳香族炭化水素基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３５】
ｔｅｒｔ−ブチルアルキル基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３６】
メチル、エチル、又はｔｅｒｔ−ブチルアルキル基の少なくとも１つを含むように、前記アルキル基を選択することを更に含む、請求項３５に記載の方法。
【請求項３７】
前記ハロゲン非含有金属前駆体が、少なくとも１つの窒素原子を介して金属原子に結合する少なくとも１つの追加の配位子を含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３８】
少なくとも２つのハロゲン非含有配位子を含むように、前記ハロゲン非含有金属前駆体を選択することを更に含む、請求項３０に記載の方法。
【請求項３９】
請求項２１に記載の前記方法を実施するように構成された反応システム。
【請求項４０】
請求項２１に記載の前記方法により形成される金属性相互接続の少なくとも一部を含む半導体デバイス構造。
【請求項４１】
周期的堆積により基材上に金属性膜を形成する方法であって、前記方法は、
前記基材を、銅、ニッケル又はコバルトの少なくとも１つを含むハロゲン非含有金属前駆体を含む第１の反応物質と接触させることと、
前記基材を、炭化水素置換ヒドラジン前駆体を含む第２の反応物質と接触させることと、
を含む、方法であって、
前記ハロゲン非含有金属前駆体は、少なくとも１つの酸素原子及び少なくとも１つの窒素原子を介して金属原子に結合する少なくとも１つの配位子を含み、
前記金属性膜は、基材と、第１の反応物質及び第２の反応物質とが接触することに応じて形成され、
前記基材を第２の反応物質と接触させる工程は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程の直後に続くか、又は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程に続く介在パージの直後に続く、
方法。
【請求項４２】
前記周期的堆積は、原子層堆積を含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４３】
前記周期的堆積は、周期的化学蒸着を含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４４】
Ｃ１−Ｃ１０炭化水素基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４５】
芳香族炭化水素基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４６】
炭化水素置換ヒドラジン前駆体は、分枝鎖アルキル基又は少なくとも４個の炭素原子を有するアルキル基のｓｅｃ−又はｔｅｒｔ−異性体を含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４７】
メチル、エチル、又はｔｅｒｔ−ブチルアルキル基の少なくとも１つを含むように、前記アルキル基を選択することを更に含む、請求項４６に記載の方法。
【請求項４８】
前記ハロゲン非含有金属前駆体が、少なくとも１つの二座配位子を含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項４９】
少なくとも２つのハロゲン非含有配位子を含むように、前記ハロゲン非含有金属前駆体を選択することを更に含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項５０】
Ｃｕ（ｄｍａｐ）２、Ｎｉ（ｄｍａｐ）２、又はＣｏ（ｄｍａｐ）２の少なくとも１つを含むように、前記ハロゲン非含有金属前駆体を選択することを更に含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項５１】
前記方法は、前記基材を前記第１の反応物質及び前記第２の反応物質と交互に逐次接触させる少なくとも１つの堆積サイクルを含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項５２】
プラズマ反応物質を含まないように、前記第１の反応物質及び前記第２の反応物質を選択することを更に含む、請求項４１に記載の方法。
【請求項５３】
請求項４１に記載の前記方法を実施するように構成された反応システム。
【請求項５４】
請求項４１に記載の前記方法により形成される金属性相互接続の少なくとも一部を含む半導体デバイス構造。
【請求項５５】
周期的堆積により基材上に金属性膜を形成する方法であって、前記方法は、
前記基材を、銅、ニッケル又はコバルトの少なくとも１つを含むハロゲン非含有金属前駆体を含む第１の反応物質と接触させることと、
前記基材を、炭化水素置換ヒドラジン前駆体を含む第２の反応物質と接触させることと、
を含む、方法であって、
前記ハロゲン非含有金属前駆体は、少なくとも１つの酸素原子又は少なくとも１つの窒素原子を介して金属原子に結合する少なくとも１つの配位子を含み、
前記金属性膜は、基材と、第１の反応物質及び第２の反応物質とが接触することに応じて形成され、
前記基材を第２の反応物質と接触させる工程は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程の直後に続くか、又は、前記基材を第１の反応物質と接触させる工程に続く介在パージの直後に続く、
方法。
【請求項５６】
前記ハロゲン非含有金属前駆体が、少なくとも１つの酸素原子を介して金属原子に結合する少なくとも１つの配位子を含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５７】
前記ハロゲン非含有金属前駆体が、少なくとも１つの窒素原子を介して金属原子に結合する少なくとも１つの配位子を含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５８】
炭化水素置換ヒドラジン前駆体は、分枝鎖アルキル基又は少なくとも４個の炭素原子を有するアルキル基のｓｅｃ−又はｔｅｒｔ−異性体を含む、請求項５５に記載の方法。
【請求項５９】
前記ハロゲン非含有金属前駆体が、少なくとも１つの二座配位子を含む、請求項５５に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
これらの実施形態は、添付の特許請求の範囲及びその法的等価物により定義される本発明の実施形態の単なる例であるため、上記の開示の例示の実施形態は、本発明の範囲を限定するものではない。任意の同等な実施形態は、本発明の範囲内にあるものとする。実際に、記載された要素の代替的な有用な組合せ等の本明細書に示され説明されたものに加えて、本開示の様々な変更は、説明から当業者に明らかになるであろう。このような変更及び実施形態も、添付の特許請求の範囲の範囲内に入ることが意図される。
本発明は以下の態様を含む。
［１］
周期的堆積により基材上に金属性膜を形成する方法であって、前記方法は、
前記基材を、銅、ニッケル又はコバルトの少なくとも１つを含むハロゲン非含有金属前駆体を含む第１の反応物質と接触させることと、
前記基材を、炭化水素置換ヒドラジン前駆体を含む第２の反応物質と接触させることと、
を含む、方法。
［２］
前記周期的堆積は、原子層堆積を含む、［１］に記載の方法。
［３］
前記周期的堆積は、周期的化学蒸着を含む、［１］に記載の方法。
［４］
Ｃ１−Ｃ１０炭化水素基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、［１］に記載の方法。
［５］
芳香族炭化水素基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、［１］に記載の方法。
［６］
少なくとも１つのアルキル基を含むように、前記置換された炭化水素ヒドラジン前駆体を選択することを更に含む、［１］に記載の方法。
［７］
メチル、エチル、又はｔｅｒｔ−ブチルアルキル基の少なくとも１つを含むように、前記アルキル基を選択することを更に含む、［６］に記載の方法。
［８］
少なくとも１つの二座配位子を含むように、前記ハロゲン非含有金属前駆体を選択することを更に含む、［１］に記載の方法。
［９］
少なくとも１つの酸素原子及び少なくとも１つの窒素原子を介して金属原子に結合する少なくとも１つの配位子を含むように、前記ハロゲン非含有金属前駆体を選択することを更に含む、［１］に記載の方法。
［１０］
少なくとも２つのハロゲン非含有配位子を含むように、前記ハロゲン非含有金属前駆体を選択することを更に含む、［１］に記載の方法。
［１１］
Ｃｕ（ｄｍａｐ）２、Ｎｉ（ｄｍａｐ）２、又はＣｏ（ｄｍａｐ）２の少なくとも１つを含むように、前記ハロゲン非含有金属前駆体を選択することを更に含む、［１］に記載の方法。
［１２］
前記方法は、前記基材を前記第１の反応物質及び前記第２の反応物質と交互に逐次接触させる少なくとも１つの堆積サイクルを含む、［１］に記載の方法。
［１３］
前記堆積サイクルは、２回以上繰り返される、［７］に記載の方法。
［１４］
１０μΩｃｍ未満の電気抵抗率を有するように、前記金属性膜を形成することを更に含む、［１］に記載の方法。
［１５］
５０ｎｍ未満の膜厚で１０μΩｃｍ未満の電気抵抗率を有するように、前記金属性膜を形成することを更に含む、［１］に記載の方法。
［１６］
前記基材を約５００℃未満の温度に加熱することを更に含む、［１］に記載の方法。
［１７］
前記基材を約５０℃を超える温度に加熱することを更に含む、［８］に記載の方法。
［１８］
プラズマ反応物質を含まないように、前記第１の反応物質及び前記第２の反応物質を選択することを更に含む、［１］に記載の方法。
［１９］
銅、コバルト又はニッケルの少なくとも１つを含むように、前記金属性膜を選択することを更に含む、［１］に記載の方法。
［２０］
［１］に記載の前記方法を実施するように構成された反応システム。
［２１］
［１］に記載の前記方法により形成される金属性相互接続の少なくとも一部を含む半導体デバイス構造。