(57)【要約】【課題】多数の絶縁層からなるビルドアップ層構造及びビルドアップ層の電気的連結のための多数のピラーを容易に具現することができる多層型コアレス基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による多層型コアレス基板は、少なくとも一つの第１ピラーを含む第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一面または両面方向に、少なくとも一つの回路層と前記回路層に連結された少なくとも一つの他のピラーをそれぞれ含んで積層された多数の絶縁層と、前記多数の絶縁層のうち最外部絶縁層に備えられたピラーに接する多数の最外部回路層と、を含むものである。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも一つの第１ピラーを含む第１絶縁層と、
前記第１絶縁層の一面または両面方向に、少なくとも一つの回路層と前記回路層に連結された少なくとも一つの他のピラーをそれぞれ含んで積層された多数の絶縁層と、
前記多数の絶縁層のうち最外部絶縁層に備えられたピラーに接する多数の最外部回路層と、
を含む多層型コアレス基板。
【請求項２】
前記第１ピラーを基準として両面に前記回路層が対称に接し、
前記対称に接する回路層にそれぞれ連結されたピラーは前記第１ピラーを基準として互いに対称に備えられる請求項１に記載の多層型コアレス基板。
【請求項３】
前記最外部回路層には、第１表面処理膜または第２表面処理膜が形成される請求項１に記載の多層型コアレス基板。
【請求項４】
前記回路層と他のピラーは、前記第１ピラーに接する回路層及び前記回路層に連結されたピラーを含んで順に繰り返して備えられる請求項１に記載の多層型コアレス基板。
【請求項５】
前記第１表面処理膜は、ＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）の代わりに、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つに形成される請求項３に記載の多層型コアレス基板。
【請求項６】
前記第２表面処理膜は、金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、及び無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）膜のうち何れか一つに形成される請求項３に記載の多層型コアレス基板。
【請求項７】
（Ａ）一面または両面に少なくとも一つの銅箔が形成された絶縁板を含むキャリア基板を準備する段階と、
（Ｂ）前記キャリア基板の一面または両面に第１ドライフィルムパターンを用いて多数の第１ピラーを形成する段階と、
（Ｃ）前記キャリア基板の一面または両面に第１絶縁層と第１金属箔を順に備えた第１圧着層を熱圧着する段階と、
（Ｄ）前記第１金属箔の突出部分を除去し、前記第１ピラーを露出した第１絶縁層の外部面に回路層を形成する段階と、
（Ｅ）前記第１絶縁層の外部面に備えられた第２ドライフィルムパターンを用いて前記回路層に連結された多数の第２ピラーを形成する段階と、
（Ｆ）前記第２ピラーを備えた前記第１絶縁層の外部面に第２絶縁層と第２金属箔を順に備えた第２圧着層を熱圧着する段階と、
（Ｇ）前記キャリア基板を分離する段階と、
（Ｈ）前記第２金属箔の突出部分を除去し、前記第２ピラーを露出した第２絶縁層の外部面または前記第１ピラーを露出した第１絶縁層の外部面に他の回路層と他のピラーを順に含む他の絶縁層を多数積層する段階と、
を含む多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項８】
（Ｉ）前記他の絶縁層のうち最外部絶縁層に最外部回路層を形成する段階と、
（Ｊ）前記最外部回路層に第１表面処理膜または第２表面処理膜を形成する段階と、
をさらに含む請求項７に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項９】
前記（Ｂ）段階は、
（Ｂ−１）前記キャリア基板の一面または両面にシード層を形成する段階と、
（Ｂ−２）前記シード層に前記第１ドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ｂ−３）前記第１ドライフィルムパターンに化学銅メッキ法により銅をメッキする段階と、
（Ｂ−４）前記第１ドライフィルムパターンを剥離する段階と、
を含む請求項７に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項１０】
前記（Ｃ）段階は、熱圧着治具（ｊｉｇ）を用いて未硬化状態の前記第１絶縁層を前記第１ピラーに熱圧着する請求項７に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項１１】
前記（Ｃ）段階において、前記第１ピラーの高さｔが前記第１絶縁層の厚さＴに対して１．１〜２．０倍の範囲に形成される請求項７に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項１２】
前記（Ｄ）段階は、
（Ｄ−１）前記第１金属箔の突出部分を除去するための部分研磨工程を行う段階と、
（Ｄ−２）前記第１ピラーを露出した第１絶縁層の外部面にシード層（ｓｅｅｄ  Ｌａｙｅｒ）を形成する段階と、
（Ｄ−３）前記シード層に対して化学銅メッキを用いるアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）のうち何れか一つの方法により前記回路層を形成する段階と、
を含む請求項７に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項１３】
前記（Ｄ−１）段階において、前記部分研磨工程はエンドミル（ｅｎｄ−ｍｉｌｌ）を用いる請求項１２に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項１４】
前記（Ｅ）段階は、
（Ｅ−１）前記第１絶縁層の外部面にシード層を形成する段階と、
（Ｅ−２）前記シード層に前記第２ドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ｅ−３）前記第２ドライフィルムパターンに化学銅メッキ法により銅をメッキして前記第２ピラーを形成する段階と、
（Ｅ−４）前記第２ドライフィルムパターンを剥離する段階と、
を含む請求項７に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項１５】
前記（Ｆ）段階は、
熱圧着治具を用いて未硬化状態の前記第２絶縁層を前記第２ピラーに熱圧着する請求項７に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項１６】
前記（Ｈ）段階は、
（Ｈ−１）前記第２金属箔の突出部分を除去するための部分研磨工程を行う段階と、
（Ｈ−２）前記第２ピラーを露出した第２絶縁層の外部面または前記第１ピラーを露出した第１絶縁層の外部面に他のシード層を形成する段階と、
（Ｈ−３）前記他のシード層に対して化学銅メッキを用いるアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）のうち何れか一つの方法により前記他の回路層を形成する段階と、
（Ｈ−４）前記他の回路層に他のドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ｈ−５）前記他のドライフィルムパターンに化学銅メッキ法により銅をメッキして前記他の回路層に連結された多数の前記他のピラーを形成する段階と、
（Ｈ−６）前記他のドライフィルムパターンを剥離する段階と、
（Ｈ−７）前記他のピラーを備えた他のシード層に対して他の絶縁層と他の金属箔を順に備えた他の圧着層を熱圧着する段階と、を含み、
前記（Ｈ−１）段階から（Ｈ−７）段階を繰り返して行う請求項７に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項１７】
前記第１表面処理膜は、ＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）の代わりに、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つに形成され、
前記第２表面処理膜は、金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、及び無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）膜のうち何れか一つに形成される請求項８に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項１８】
（Ｉ）一面または両面に少なくとも一つの銅箔が形成された絶縁板を含むキャリア基板を準備する段階と、
（ＩＩ）前記キャリア基板の一面または両面に第１ドライフィルムパターンを用いて多数の第１ピラーを形成する段階と、
（ＩＩＩ）前記キャリア基板の一面または両面に第１絶縁層と第１金属箔を順に備えた第１圧着層を熱圧着する段階と、
（ＩＶ）前記キャリア基板を分離する段階と、
（Ｖ）前記第１金属箔の突出部分を除去し、前記第１金属箔をシード層として用いて前記第１ピラーを露出した第１絶縁層の外部の一面または両面に他の回路層と他のピラーを順に含む他の絶縁層を多数積層する段階と、
（ＶＩ）前記他の絶縁層のうち最外部絶縁層に最外部回路層を形成する段階と、
（ＶＩＩ）前記最外部回路層に第１表面処理膜または第２表面処理膜を形成する段階と、
を含む多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項１９】
前記（ＩＩ）段階は、
（ＩＩ−１）前記キャリア基板の銅箔をシード層として用いて前記銅箔に前記第１ドライフィルムパターンを形成する段階と、
（ＩＩ−２）前記第１ドライフィルムパターンに化学銅メッキ法により銅をメッキして前記第１ピラーを多数形成する段階と、
（ＩＩ−３）前記第１ドライフィルムパターンを剥離する段階と、
を含む請求項１８に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項２０】
前記（ＩＩＩ）段階は、熱圧着治具（ｊｉｇ）を用いて未硬化状態の前記第１絶縁層を前記第１ピラーに熱圧着する請求項１８に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項２１】
前記（ＩＩＩ）段階において、前記第１ピラーの高さｔが前記第１絶縁層の厚さＴに対して１．１〜２．０倍の範囲に形成される請求項１８に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項２２】
前記（Ｖ）段階は、
（Ｖ−１）前記第１金属箔の突出部分を除去するための部分研磨工程を行う段階と、
（Ｖ−２）前記第１金属箔をシード層として、化学銅メッキを用いるアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）のうち何れか一つの方法により前記他の回路層を形成する段階と、
（Ｖ−３）前記他の回路層に他のドライフィルムパターンを形成する段階と、
（Ｖ−４）前記他のドライフィルムパターンに対して化学銅メッキ法により銅をメッキして前記他の回路層に連結された多数の前記他のピラーを形成する段階と、
（Ｖ−５）前記他のドライフィルムパターンを剥離する段階と、
（Ｖ−６）前記他のピラーを備えた他の回路層に対して他の絶縁層と他の金属箔を順に備えた他の圧着層を熱圧着する段階と、を含み、
前記（Ｖ−１）段階から（Ｖ−６）段階を繰り返して行う請求項１８に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【請求項２３】
前記（Ｖ−１）段階において、前記部分研磨工程はエンドミル（ｅｎｄ−ｍｉｌｌ）を用いる請求項２２に記載の多層型コアレス基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層型コアレス基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
通常、プリント回路基板は、各種、熱硬化性合成樹脂からなるボードの一面または両面に銅箔で配線した後、ボード上にＩＣまたは電子部品を配置固定し、これらの間の電気的配線を具現して絶縁体でコーティングしたものである。
【０００３】
最近、電子産業の発達に伴い、電子部品の高機能化、軽薄短小化に対する要求が急増しており、これにより、このような電子部品が搭載されるプリント回路基板も高密度配線化及び薄板化が求められている。
【０００４】
特に、プリント回路基板の薄板化に応えるべく、コア基板を除去して全体的な厚さを減らし、信号処理時間を短縮することができるコアレス基板が注目されている。コアレス基板の場合、コア基板を用いないため、製造工程中に支持体の機能を行うことができるキャリア部材が必要である。キャリア部材の両面に、通常の基板製造方法に従って、回路層及び絶縁層を含むビルドアップ層を形成した後、キャリア部材を除去することにより、上部基板と下部基板とに分離されて、コアレス基板が完成される。
【０００５】
従来のコアレス基板の製造方法は、特許文献１に記載されたように、各ビルドアップ層の電気的連結のためのビアを備えており、このようなビアを形成するための前段階として、絶縁層に開口部を形成するために、ＬＤＡ（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｒｅｃｔ  Ａｂｌａｔｉｏｎ）法を行っている。
【０００６】
しかし、このようなＬＤＡ法は、レーザスポットサイズの制限により、開口部のサイズが大きい場合、加工時間が長くなるという問題点があった。
【０００７】
また、従来のコアレス基板の製造方法は、複数回のレーザ加工を行わなければならないため、工程が複雑で、コストが増加するという問題点があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】韓国公開特許第２０１０−００４３５４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記の問題点を解消するために、本発明の目的は、ドライフィルムを用いてビルドアップ層の電気的連結をなすピラーを備える多層型コアレス基板を提供することにある。
【００１０】
上記の問題点を解消するために、本発明の他の目的は、ドライフィルムを用いてビルドアップ層の電気的連結をなすピラーを備える多層型コアレス基板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の一実施例による多層型コアレス基板は、少なくとも一つの第１ピラーを含む第１絶縁層と、前記第１絶縁層の一面または両面方向に、少なくとも一つの回路層と前記回路層に連結された少なくとも一つの他のピラーをそれぞれ含んで積層された多数の絶縁層と、前記多数の絶縁層のうち最外部絶縁層に備えられたピラーに接する多数の最外部回路層と、を含む。
【００１２】
本発明の一実施例による多層型コアレス基板は、前記第１ピラーを基準として両面に前記回路層が対称に接し、前記対称に接する回路層にそれぞれ連結されたピラーは前記第１ピラーを基準として対称に備えられる。
【００１３】
本発明の一実施例による多層型コアレス基板において、前記最外部回路層には第１表面処理膜または第２表面処理膜が形成される。
【００１４】
本発明の一実施例による多層型コアレス基板において、前記回路層と他のピラーは、前記第１ピラーに接する回路層及び前記回路層に連結されたピラーを含んで順に繰り返して備えられる。
【００１５】
本発明の一実施例による多層型コアレス基板において、前記第１表面処理膜は、ＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）の代わりに、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つに形成され、前記第２表面処理膜は、金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、及び無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）膜のうち何れか一つに形成される。
【００１６】
また、本発明の他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法は、（Ａ）一面または両面に少なくとも一つの銅箔が形成された絶縁板を含むキャリア基板を準備する段階と、（Ｂ）前記キャリア基板の一面または両面に第１ドライフィルムパターンを用いて多数の第１ピラーを形成する段階と、（Ｃ）前記キャリア基板の一面または両面に第１絶縁層と第１金属箔を順に備えた第１圧着層を熱圧着する段階と、（Ｄ）前記第１金属箔の突出部分を除去し、前記第１ピラーを露出した第１絶縁層の外部面に回路層を形成する段階と、（Ｅ）前記第１絶縁層の外部面に備えられた第２ドライフィルムパターンを用いて前記回路層に連結された多数の第２ピラーを形成する段階と、（Ｆ）前記第２ピラーを備えた前記第１絶縁層の外部面に第２絶縁層と第２金属箔を順に備えた第２圧着層を熱圧着する段階と、（Ｇ）前記キャリア基板を分離する段階と、（Ｈ）前記第２金属箔の突出部分を除去し、前記第２ピラーを露出した第２絶縁層の外部面または前記第１ピラーを露出した第１絶縁層の外部面に他の回路層と他のピラーを順に含む他の絶縁層を多数積層する段階と、を含む。
【００１７】
本発明の他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法は、（Ｉ）前記他の絶縁層のうち最外部絶縁層に最外部回路層を形成する段階と、（Ｊ）前記最外部回路層に第１表面処理膜または第２表面処理膜を形成する段階と、をさらに含む。
【００１８】
本発明の他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法において、前記（Ｂ）段階は、（Ｂ−１）前記キャリア基板の一面または両面にシード層を形成する段階と、（Ｂ−２）前記シード層に前記第１ドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ｂ−３）前記第１ドライフィルムパターンに化学銅メッキ法により銅をメッキする段階と、（Ｂ−４）前記第１ドライフィルムパターンを剥離する段階と、を含む。
【００１９】
本発明の他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法において、前記（Ｃ）段階は、熱圧着治具（ｊｉｇ）を用いて未硬化状態の前記第１絶縁層を前記第１ピラーに熱圧着する。
【００２０】
本発明の他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法は、前記（Ｃ）段階において、前記第１ピラーの高さｔが前記第１絶縁層の厚さＴに対して１．１〜２．０倍の範囲に形成される。
【００２１】
本発明の他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法において、前記（Ｄ）段階は、（Ｄ−１）前記第１金属箔の突出部分を除去するための部分研磨工程を行う段階と、（Ｄ−２）前記第１ピラーを露出した第１絶縁層の外部面にシード層（ｓｅｅｄ  Ｌａｙｅｒ）を形成する段階と、（Ｄ−３）前記シード層に対して化学銅メッキを用いるアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）のうち何れか一つの方法により前記回路層を形成する段階と、を含む。
【００２２】
本発明の他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法によれば、前記（Ｄ−１）段階において、前記部分研磨工程はエンドミルを用いる。
【００２３】
本発明の他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法において、前記（Ｅ）段階は、（Ｅ−１）前記第１絶縁層の外部面にシード層を形成する段階と、（Ｅ−２）前記シード層に前記第２ドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ｅ−３）前記第２ドライフィルムパターンに化学銅メッキ法により銅をメッキして前記第２ピラーを形成する段階と、（Ｅ−４）前記第２ドライフィルムパターンを剥離する段階と、を含む。
【００２４】
本発明の他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法において、前記（Ｆ）段階は、熱圧着治具を用いて未硬化状態の前記第２絶縁層を前記第２ピラーに熱圧着する。
【００２５】
本発明の他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法において、前記（Ｈ）段階は、（Ｈ−１）前記第２金属箔の突出部分を除去するための部分研磨工程を行う段階と、（Ｈ−２）前記第２ピラーを露出した第２絶縁層の外部面または前記第１ピラーを露出した第１絶縁層の外部面に他のシード層を形成する段階と、（Ｈ−３）前記他のシード層に対して化学銅メッキを用いるアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）のうち何れか一つの方法により前記他の回路層を形成する段階と、（Ｈ−４）前記他の回路層に他のドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ｈ−５）前記他のドライフィルムパターンに化学銅メッキ法により銅をメッキして前記他の回路層に連結された多数の前記他のピラーを形成する段階と、（Ｈ−６）前記他のドライフィルムパターンを剥離する段階と、（Ｈ−７）前記他のピラーを備えた他のシード層に対して他の絶縁層と他の金属箔を順に備えた他の圧着層を熱圧着する段階と、を含み、前記（Ｈ−１）段階から（Ｈ−７）段階を繰り返して行う。
【００２６】
また、本発明のまた他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法は、（Ｉ）一面または両面に少なくとも一つの銅箔が形成された絶縁板を含むキャリア基板を準備する段階と、（ＩＩ）前記キャリア基板の一面または両面に第１ドライフィルムパターンを用いて多数の第１ピラーを形成する段階と、（ＩＩＩ）前記キャリア基板の一面または両面に第１絶縁層と第１金属箔を順に備えた第１圧着層を熱圧着する段階と、（ＩＶ）前記キャリア基板を分離する段階と、（Ｖ）前記第１金属箔の突出部分を除去し、前記第１金属箔をシード層として用いて前記第１ピラーを露出した第１絶縁層の外部の一面または両面に他の回路層と他のピラーを順に含む他の絶縁層を多数積層する段階と、（ＶＩ）前記他の絶縁層のうち最外部絶縁層に最外部回路層を形成する段階と、（ＶＩＩ）前記最外部回路層に第１表面処理膜または第２表面処理膜を形成する段階と、を含む。
【００２７】
本発明のまた他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法において、前記（ＩＩ）段階は、（ＩＩ−１）前記キャリア基板の銅箔をシード層として用いて前記銅箔に前記第１ドライフィルムパターンを形成する段階と、（ＩＩ−２）前記第１ドライフィルムパターンに化学銅メッキ法により銅をメッキして前記第１ピラーを多数形成する段階と、（ＩＩ−３）前記第１ドライフィルムパターンを剥離する段階と、を含む。
【００２８】
本発明のまた他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法において、前記（Ｖ）段階は、（Ｖ−１）前記第１金属箔の突出部分を除去するための部分研磨工程を行う段階と、（Ｖ−２）前記第１金属箔をシード層として、化学銅メッキを用いるアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）のうち何れか一つの方法により前記他の回路層を形成する段階と、（Ｖ−３）前記他の回路層に他のドライフィルムパターンを形成する段階と、（Ｖ−４）前記他のドライフィルムパターンに対して化学銅メッキ法により銅をメッキして前記他の回路層に連結された多数の前記他のピラーを形成する段階と、（Ｖ−５）前記他のドライフィルムパターンを剥離する段階と、（Ｖ−６）前記他のピラーを備えた他の回路層に対して他の絶縁層と他の金属箔を順に備えた他の圧着層を熱圧着する段階と、を含み、前記（Ｖ−１）段階から（Ｖ−６）段階を繰り返して行う。
【００２９】
本発明のまた他の実施例による多層型コアレス基板の製造方法において、前記（Ｖ−１）段階において、前記部分研磨工程はエンドミル（ｅｎｄ−ｍｉｌｌ）を用いる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明による多層型コアレス基板によると、多数の絶縁層からなるビルドアップ層構造及びビルドアップ層の電気的連結のための多数のピラーを容易に具現することができる。
【００３１】
本発明による多層型コアレス基板の製造方法によると、キャリア基板とドライフィルムパターンを用いて多数のピラーにより電気的に連結される多数の回路層を備えたコアレス基板を容易に製造し、従来、レーザを用いてビアを形成することで生じる加工時間と製造コストの問題点を解消することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の断面図である。
【図２Ａ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｂ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｃ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｄ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｅ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｆ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｇ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｈ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｉ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｊ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｋ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｌ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｍ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｎ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図２Ｏ】本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ａ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｂ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｃ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｄ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｅ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｆ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｇ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｈ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｉ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｊ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｋ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｌ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｍ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｎ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図３Ｏ】本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図４Ａ】本発明の第３実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図４Ｂ】本発明の第３実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図４Ｃ】本発明の第３実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図４Ｄ】本発明の第３実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【図５】本発明の第４実施例による多層型コアレス基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
本発明の目的、特定の利点及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ相違する図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。
【００３４】
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
【００３５】
図１は、本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の断面図である。
【００３６】
ここで、本発明の第１実施例による多層型コアレス基板は、例えば４個の絶縁層を有するコアレス基板を適用して説明する。勿論、４個の絶縁層以上の多層構造のコアレス基板にも適用することができる。
【００３７】
本発明の第１実施例による多層型コアレス基板は、第１絶縁層１２１、第２上部絶縁層１６０、第３上部絶縁層１８４及び第２下部絶縁層１８３を備え、第１絶縁層１２１を基準として第１上部回路層４０と第２上部回路層６０がそれぞれ第１下部回路層７０と最下部回路層８０に対称する。
【００３８】
このような第１実施例による多層型コアレス基板は、最下部回路層８０から最上部回路層９０までそれぞれの回路パターンを電気的に連結する多数のピラー（ｐｉｌｌａｒ）７２、２２、４２、６２を含み、最下部回路層８０または最上部回路層９０の酸化を防止し、半田付け性を向上するために最下部回路層８０または最上部回路層９０を覆う第１表面処理膜９１を形成する。
【００３９】
また、第１実施例による多層型コアレス基板は、最下部回路層８０または最上部回路層９０に対する電気伝導度を高め、外部素子との接続信頼性を向上させるために、最下部回路層８０の一部または最上部回路層９０の一部に第２表面処理膜９２をさらに形成することもできる。
【００４０】
これにより、第１実施例による多層型コアレス基板は、回路パターンを備えずに第１ピラー２２のみを備えた第１絶縁層１２１のような少なくとも一つの絶縁層を含むことができ、このような絶縁層を基準として上、下方向に多数の回路層とピラーを対称的に備えることができる。
【００４１】
具体的に、多数の回路層４０、６０、７０、８０、９０またはピラー２２、４２、６２、７２は、ドライフィルムパターンを用いて、例えば、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｖａｐｏｒ  ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）とＰＶＤ（Ｐｈｙｓｉｃａｌ  Ｖａｐｏｒ  Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）などの気相蒸着法、サブトラクティブ（Ｓｕｂｔｒａｃｔｉｖｅ）法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ（Ａｄｄｉｔｉｖｅ）法、ＳＡＰ（Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）及びＭＳＡＰ（Ｍｏｄｉｆｉｅｄ  Ｓｅｍｉ−Ａｄｄｉｔｉｖｅ  Ｐｒｏｃｅｓｓ）などの方法を用いて形成することができる。
【００４２】
第１表面処理膜９１は、ＳＲ（Ｓｏｌｄｅｒ  Ｒｅｓｉｓｔ）の代わりに、ＯＳＰ（Ｏｒｇａｎｉｃ  Ｓｏｌｄｅｒａｂｉｌｉｔｙ  Ｐｒｅｓｅｒｖａｔｉｖｅ）処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つの膜で形成することができる。特に、ＯＳＰ処理膜は、有機溶剤型と水溶性とに分けられ、有機溶剤型は、ロールコーティング（Ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコーティング（Ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）などを用いて最下部回路層８０または最上部回路層９０表面に形成することができ、水溶性は、ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）法を用いて形成することができる。
【００４３】
また、第２表面処理膜９２は、例えば、金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、及び無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）のうち何れか一つの膜で形成する。
【００４４】
特に、無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ）膜は、無電解メッキ工程によりニッケルをメッキした後、置換型金（Ｉｍｅｒｓｉｏｎ  ｇｏｌｄ）をメッキして形成することができる。このような無電解ニッケル／金メッキ膜は、耐熱性及び半田付け性に優れるという利点がある。
【００４５】
このような第１表面処理膜９１と第２表面処理膜９２は、前記例に限定されず、ＨＡＳＬ（Ｈｏｔ  Ａｉｒ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｌｅｖｅｌｉｎｇ）またはその他の全てのメッキ層を含むことができる。
【００４６】
このような本発明の第１実施例による多層型コアレス基板は、キャリアとドライフィルムを用いて、多数の絶縁層からなるビルドアップ層構造及びビルドアップ層の電気的連結のための多数のピラーを容易に具現することができる。
【００４７】
以下、本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法について、図２Ａから図２Ｏを参照して説明する。
【００４８】
図２Ａから図２Ｏは、本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【００４９】
図２Ａに図示されたように、本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法によると、先ず、キャリア基板１０を準備する。
【００５０】
キャリア基板１０は、例えば、絶縁板１１の両面に上部金属箔１２と下部金属箔１３が積層された構造を有しており、製造過程中のコアレス基板を支持する機能を果たす。ここで、キャリア基板１０が絶縁板１１の両面に一つの金属箔を備えた形態について説明するが、これに限定されず、絶縁板１１の両面にそれぞれ厚み差を有する少なくとも二層の金属箔を備えることもできる。
【００５１】
具体的に、キャリア基板１０の絶縁板１１は、樹脂材質からなり、例えば、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸されたプリプレグを用いることができる。
【００５２】
上部金属箔１２と下部金属箔１３は、特に限定されるものではないが、熱伝導性が高く、剛性に優れた銅箔を用いることが好ましい。
【００５３】
このようなキャリア基板１０を準備した後、図２Ｂに図示されたように、キャリア基板１０の両面に多数の開口部２１、３１を有する第１ドライフィルムパターン２０´、３０´を形成する。
【００５４】
具体的に、第１ドライフィルムパターン２０´、３０´を形成する過程について説明すると、ラミネーター（ｌａｍｉｎａｔｏｒ）を用いて、キャリア基板１０の両面にドライフィルムをラミネーションする。
【００５５】
以降、ドライフィルムを光に露出させる露光工程により、ドライフィルムを選択的に硬化し、現像液で硬化されていない部分のみを溶解させて、図２Ｂに図示されたように、上部開口部２１を有する第１上部ドライフィルムパターン２０´及び下部開口部３１を有する第１下部ドライフィルムパターン３０´にパターニングすることができる。
【００５６】
多数の開口部２１、３１を有する第１ドライフィルムパターン２０´、３０´を形成した後、図２Ｃに図示されたように、電解銅メッキ法により、上部開口部２１と下部開口部３１に銅をメッキして、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２を形成する。
【００５７】
以降、第１ドライフィルムパターン２０´、３０´は、剥離液による剥離によって除去され、図２Ｄに図示されたように、キャリア基板１０の上、下面に多数の第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２を備える。ここで、ドライフィルムパターン２０、３０を除去するための剥離液としては、アルカリ金属水酸化物などが挙げられる。
【００５８】
キャリア基板１０の上、下面に多数の第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２を備えた後、図２Ｅに図示されたように、キャリア基板１０の上、下面それぞれに第１上部圧着層１２０と第１下部圧着層１３０を熱圧着する。
【００５９】
具体的に、第１上部圧着層１２０は、キャリア基板１０の上部面方向の第１絶縁層１２１及び第１絶縁層１２１の上部面の第１金属箔１２２からなり、第１下部圧着層１３０は、キャリア基板１０の下部面方向の第１ダミー絶縁層１３１及び第１ダミー絶縁層１３１の下部面の第１ダミー金属箔１３２からなることができる。
【００６０】
ここで、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２は、例えば、銅箔（Ｃｕ  ｆｏｉｌ）の形態を有することができる。
【００６１】
この際、第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１の厚さＴは、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔより薄い厚さを有するように形成される。例えば、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔは、第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１の厚さＴに対して１．１〜２．０倍の範囲に厚く形成されることができる。
【００６２】
その理由は、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔが第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１の厚さＴに対して１．１倍未満であると、圧着後に第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２が第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１を貫通できず、第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１との間のみに備えられる。
【００６３】
反面、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔが第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１の厚さＴの２倍を超えると、圧着後に第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２が第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２まで貫通したり損傷を与える問題が生じ得る。
【００６４】
従って、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔは、第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１の厚さＴに対して１．１〜２．０倍の範囲に形成されることが好ましい。
【００６５】
このような第１上部圧着層１２０と第１下部圧着層１３０を熱圧着する過程によると、例えば、熱圧着治具（ｊｉｇ）などを用いて、未硬化状態である第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１をキャリア基板１０の上部面と下部面それぞれに圧着することができる。
【００６６】
このように、第１上部圧着層１２０と第１下部圧着層１３０を熱圧着すると、図２Ｆに図示されたように、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２が第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１を貫通する。これにより、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２に対応する領域の第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２が外部に凸状に突出する。
【００６７】
以降、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２の突出部分を除去し、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２を除去する平坦化工程を行う。
【００６８】
具体的に、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２の突出部分は、図２Ｆに図示されたエンドミル（Ｅｎｄ−ｍｉｌｌ）２００を用いた部分研磨により除去することができる。勿論、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２の突出部分を除去する工程は、ベルトサンダー（Ｂｅｌｔ−ｓａｎｄｅｒ）またはセラミックバフ（ｃｅｒａｍｉｃ  ｂｕｆｆ）などを用いた研磨工程、またはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）工程を用いることもできる。
【００６９】
第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２の突出部分を除去した後、エッチング工程、研磨工程、またはＣＭＰ工程を行い、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２を除去することができる。
【００７０】
第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２を除去した後、図２Ｇに図示されたように、第１ピラー２２を露出した第１絶縁層１２１の上部面と第１ダミーピラー３２を露出した第１ダミー絶縁層１３１の下部面にそれぞれ第１シード層（ｓｅｅｄ  Ｌａｙｅｒ）１４０と第１ダミーシード層１５０を形成する。
【００７１】
ここで、第１シード層１４０と第１ダミーシード層１５０は、化学銅メッキ、特に、無電解銅メッキにより、Ｔｉ層／Ｃｕ層の２層構造に形成することもできる。
【００７２】
このような第１シード層１４０と第１ダミーシード層１５０を形成した後、図２Ｈに図示されたように、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法を用いて、第１回路層４０及び第１ダミー回路層５０を形成する。
【００７３】
以降、第１回路層４０が形成された第１シード層１４０の上部面と第１ダミー回路層５０が形成された第１ダミーシード層１５０の下部面にそれぞれ第２上部ドライフィルムパターン６０´及び第２下部ドライフィルムパターン７０´を形成する。ここで、第２上部ドライフィルムパターン６０´及び第２下部ドライフィルムパターン７０´は、それぞれ第２ピラー４２及び第２ダミーピラー５２を形成するための多数の開口部を備える。
【００７４】
このような第２上部ドライフィルムパターン６０´及び第２下部ドライフィルムパターン７０´に対して、ＣＶＤ、ＰＶＤなどの気相蒸着法、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法のうち何れか一つの方法を用いて、第２ピラー４２及び第２ダミーピラー５２を形成する。
【００７５】
この際、第１シード層１４０に対するパターニングにより、第１回路層４０下部部分の第１シード層１４０以外の他の部分をエッチング（Ｅｔｃｈｉｎｇ）して除去し、図２Ｉに図示されたように、第１絶縁層１２１が露出した面に第１シードパターン１４１、第１回路層４０、及び第２ピラー４２が順に積層された構造を有する。
【００７６】
また、第１ダミーシード層１５０に対しても同様に適用し、第１ダミー絶縁層１３１が露出した面から第１ダミーシードパターン１５１、第１ダミー回路層５０、及び第２ダミーピラー５２が順に積層された構造を有する。
【００７７】
このような第２ピラー４２を含む第１絶縁層１２１及び第２ダミーピラー５２を含む第１ダミー絶縁層１３１それぞれに対して、上述した第１圧着層１２０、１３０を用いる過程と同様に、第２絶縁層１６０と第２金属箔１６５からなる第２上部圧着層、及び第２ダミー絶縁層１７０と第２ダミー金属箔１７５からなる第２下部圧着層を第１絶縁層１２１及び第１ダミー絶縁層１３１にそれぞれ熱圧着する。
【００７８】
ここで、第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５は、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２と同様に、銅箔（Ｃｕ  ｆｏｉｌ）の形態を有することができる。
【００７９】
これにより、図２Ｊに図示されたように、第２ピラー４２と第２ダミーピラー５２が、それぞれ第２絶縁層１６０と第２ダミー絶縁層１７０を貫通して、第２金属箔１６５及び第２ダミー金属箔１７５に接する。
【００８０】
この際、第２ピラー４２と第２ダミーピラー５２の高さは、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔの特徴と同様に、第２絶縁層１６０と第２ダミー絶縁層１７０の厚さに対して１．１〜２．０倍の範囲に高く形成することができる。
【００８１】
これにより、第２ピラー４２と第２ダミーピラー５２に対応する領域の第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５が外部に凸状に突出（不図示）し得る。
【００８２】
ここで、第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５の突出部分は、前記第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２の突出部分のように、エンドミル２００を用いた部分研磨により除去されることができる。勿論、第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５の突出部分を除去する工程は、ベルトサンダーまたはセラミックバフなどを用いた研磨工程、またはＣＭＰ工程を用いることもできる。
【００８３】
第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５の突出部分を除去した後、図２Ｊに図示された第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５を除去していない状態で、キャリア基板１０に対するルーティング（ｒｏｕｔｉｎｇ）を行い、図２Ｋに図示されたように、絶縁板１１を基準として、上部金属箔１２を含む上部コアレス印刷回路構造体と下部金属箔１３を含む下部コアレス印刷回路構造体を分離する。
【００８４】
このように分離した上部コアレス印刷回路構造体と下部コアレス印刷回路構造体それぞれに、それぞれのピラーを備えた絶縁層を多数積層して、多層構造のコアレス基板を製造することができる。
【００８５】
このような過程を説明するために、第２ピラー４２を含む上部コアレス印刷回路構造体を選択して後続工程について説明する。勿論、第２ダミーピラー５２を含む下部コアレス印刷回路構造体に対しても後述する後続工程を同様に適用することができる。
【００８６】
図２Ｌに図示されたように、分離した上部コアレス印刷回路構造体に対して上部金属箔１２と第２金属箔１６５を除去する平坦化工程を行い、次に、第１ピラー２２を露出した第１絶縁層１２１の下部面と第２ピラー４２を露出した第２絶縁層１６０の上部面にそれぞれ第２シード層１８０を形成する。
【００８７】
ここで、上部金属箔１２と第２金属箔１６５を除去する平坦化工程としては、エッチング工程、研磨工程、またはＣＭＰ工程が挙げられる。
【００８８】
また、第２シード層１８０の形成方法は、第１シード層１４０の形成方法と同様に、化学銅メッキ、特に、無電解銅メッキを行い、例えばＴｉ層／Ｃｕ層の二層構造に形成することもできる。
【００８９】
第２シード層１８０を形成した後、第１回路層４０を形成する過程と同様に、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法により、図２Ｍに図示されたような、第２回路層６０及び第２ダミー回路層７０を形成する。
【００９０】
以降、ドライフィルムパターンに対して、ＣＶＤまたはＰＶＤなどの気相蒸着法、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法のうち何れか一つの方法を適用し、第３ピラー６２及び第３ダミーピラー７２を形成する。
【００９１】
この際、第２シード層１８０に対するパターニングにより、第２回路層６０の下部部分の第２シード層１８０以外の他の部分をエッチングして除去し、図２Ｍに図示されたように、第２絶縁層１６０が露出した面に第２シードパターン１８２、第２上部回路層６０、及び第３ピラー６２が順に積層された構造を有する。
【００９２】
また、第１絶縁層１２１の下部にも同様に適用し、第１絶縁層１２１の露出した下部面から第２ダミーシードパターン１８１、第２ダミー回路層７０、及び第３ダミーピラー７２が順に積層された構造を有する。
【００９３】
以降、上述した第１圧着層１２０、１３０を用いる過程と同様に、第３ピラー６２を含む第２絶縁層１６０及び第３ダミーピラー７２を含む第１絶縁層１２１それぞれに、第３絶縁層１８４と第３金属箔１８６からなる第３上部圧着層、及び第３ダミー絶縁層１８３と第３ダミー金属箔１８５からなる第３下部圧着層を熱圧着する。
【００９４】
これにより、図２Ｎに図示されたように、第３ピラー６２と第３ダミーピラー７２がそれぞれ第３絶縁層１８４と第３ダミー絶縁層１８３を貫通して、第３金属箔１８６及び第３ダミー金属箔１８５に接する。
【００９５】
勿論、第３ピラー６２と第３ダミーピラー７２の高さは、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔの特徴と同様に、第３絶縁層１８４と第３ダミー絶縁層１８３の厚さに対して１．１〜２．０倍の範囲に高く形成することができる。
【００９６】
これにより、第３ピラー６２と第３ダミーピラー７２に対応する領域の第３金属箔１８６と第３ダミー金属箔１８５が、外部に凸状に突出（不図示）し得る。
【００９７】
この際、第３金属箔１８６と第３ダミー金属箔１８５の突出部分をエンドミルを用いて除去する部分研磨工程を行い、第３金属箔１８６と第３ダミー金属箔１８５を除去する平坦化工程を行うことができる。
【００９８】
以降、第３絶縁層１８４の外部面及び第３ダミー絶縁層１８３の外部面に対して化学銅メッキ、特に、無電解銅メッキを行い、第３シード層を形成することができる。
【００９９】
次に、図２Ｏに図示されたように、第３絶縁層１８４の外部面及び第３ダミー絶縁層１８３の外部面にそれぞれ第３シードパターン１８９と最上部回路層９０、及び第３ダミーシードパターン１８７と最下部回路層８０を形成することができる。ここで、最上部回路層９０及び最下部回路層８０は、第２上部回路層６０の形成方法と同様に、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法により形成する。
【０１００】
以降、第３シードパターン１８９と最上部回路層９０、及び第３ダミーシードパターン１８７と最下部回路層８０に対して第１表面処理膜９１または第２表面処理膜９２を形成する。
【０１０１】
第１表面処理膜９１は、ＳＲの代わりに、ＯＳＰ処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つの膜に形成することができる。ここで、ＯＳＰ処理膜は、有機溶剤型と水溶性とに分けられ、有機溶剤型は、ロールコーティング（Ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコーティング（Ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）などを用いて最下部回路層８０または最上部回路層９０の表面に形成されることができ、水溶性は、ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）法を用いて形成することができる。また、ブラックオキサイド膜またはブラウンオキサイド膜は、銅材質の最上部回路層９０と最下部回路層８０を酸化処理して形成することができる。
【０１０２】
第２表面処理膜９２は、例えば、金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、及び無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）膜の何れか一つの膜に形成することができる。特に、無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ）膜は、無電解メッキ工程によりニッケルをメッキした後、置換型金（Ｉｍｅｒｓｉｏｎ  ｇｏｌｄ）をメッキして形成することができる。
【０１０３】
勿論、このような第１表面処理膜９１と第２表面処理膜９２は、前記例に限定されず、ＨＡＳＬ（Ｈｏｔ  Ａｉｒ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｌｅｖｅｌｉｎｇ）またはその他の表面処理層で形成することができる。
【０１０４】
このような本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法によると、キャリア基板１０とドライフィルムパターンを用いて多数のピラーにより、電気的に連結される５個の回路層を備えたコアレス基板を容易に製造し、従来、レーザを用いてビアを形成することで生じる加工時間と製造コストの問題点を解消することができる。
【０１０５】
また、本発明の第１実施例による多層型コアレス基板に対して、両面にそれぞれシードパターン、回路層及びピラーを含む絶縁層をさらに形成し、図５に図示されたように、７個の回路層５８１、５４１、５０１、４６１、５１１、５５１、５９１を有する多層型コアレス基板に製造することができる。
【０１０６】
従って、図５に図示された本発明の第４実施例による多層型コアレス基板のように、本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法を繰り返して行い、シードパターン、回路層及びピラーを備えた絶縁層を外部面それぞれに多数積層して形成し、多層に具現することもできる。
【０１０７】
以下、本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法について図３Ａから図３Ｏを参照して説明する。
【０１０８】
図３Ａから図３Ｏは、本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【０１０９】
図３Ａに図示されたように、本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法によると、先ずキャリア基板１０を準備する。
【０１１０】
キャリア基板１０は、例えば、絶縁板１１の両面に上部金属箔１２と下部金属箔１３が積層された構造を有しており、製造過程中にコアレス基板を支持する機能を果たす。ここで、キャリア基板１０が絶縁板１１の両面に一つの金属箔を備えた形態について説明するが、これに限定されず、絶縁板１１の両面にそれぞれ厚み差を有する少なくとも二層の金属箔を備えることもできる。
【０１１１】
具体的に、キャリア基板１０の絶縁板１１は、樹脂材質からなり、例えば、エポキシ樹脂のような熱硬化性樹脂、ポリイミドのような熱可塑性樹脂、またはこれらにガラス繊維または無機フィラーのような補強材が含浸されたプリプレグを用いることができる。
【０１１２】
上部金属箔１２と下部金属箔１３は、特に限定されるものではないが、熱伝導性が高く、剛性に優れた銅箔を用いることが好ましい。
【０１１３】
このようなキャリア基板１０を準備した後、図３Ｂに図示されたように、キャリア基板１０の両面に多数の開口部２１、３１を有する第１ドライフィルムパターン２０´、３０´を形成する。
【０１１４】
具体的に、第１ドライフィルムパターン２０´、３０´を形成する過程によると、ラミネーターを用いて、キャリア基板１０の両面にドライフィルムをラミネーションする。
【０１１５】
以降、ドライフィルムを光に露出させる露光工程により、ドライフィルムを選択的に硬化し、現像液により硬化されていない部分のみを溶解させて、図３Ｂに図示されたように、上部開口部２１を有する第１上部ドライフィルムパターン２０´及び下部開口部３１を有する第１下部ドライフィルムパターン３０´にパターニングすることができる。
【０１１６】
多数の開口部２１、３１を有する第１ドライフィルムパターン２０´、３０´を形成した後、図３Ｃに図示されたように、電解銅メッキ法により、上部開口部２１と下部開口部３１に銅をメッキして、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２を形成する。
【０１１７】
以降、第１ドライフィルムパターン２０´、３０´は、剥離液による剥離によって除去され、図３Ｄに図示されたように、キャリア基板１０の上、下面に多数の第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２を備える。ここで、ドライフィルムパターン２０、３０の除去するための剥離液としては、アルカリ金属水酸化物などが挙げられる。
【０１１８】
キャリア基板１０の上、下面に多数の第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２を備えた後、図３Ｅに図示されたように、キャリア基板１０の上、下面それぞれに、第１上部圧着層１２０と第１下部圧着層１３０を熱圧着する。
【０１１９】
具体的に、第１上部圧着層１２０は、キャリア基板１０の上部面方向に第１絶縁層１２１及び第１絶縁層１２１の上部面の第１金属箔１２２からなり、第１下部圧着層１３０は、キャリア基板１０の下部面方向に、第１ダミー絶縁層１３１及び第１ダミー絶縁層１３１の下部面の第１ダミー金属箔１３２からなることができる。
【０１２０】
ここで、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２は、例えば、銅箔（Ｃｕ  ｆｏｉｌ）の形態を有することが好ましい。
【０１２１】
この際、第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１の厚さＴは、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔより薄い厚さを有するように形成される。例えば、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔは、第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１の厚さＴに対して１．１〜２．０倍の範囲に厚く形成することができる。
【０１２２】
その理由は、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔが第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１の厚さＴに対して１．１倍未満であると、圧着後に第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２が第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１を貫通できず、第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１との間のみに備えられる。
【０１２３】
反面、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔが第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１の厚さＴの２倍を超えると、圧着後に第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２が第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２まで貫通したり損傷を与える問題が生じ得る。
【０１２４】
従って、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔは、第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１の厚さＴに対して１．１〜２．０倍の範囲に形成することが好ましい。
【０１２５】
このような第１上部圧着層１２０と第１下部圧着層１３０を熱圧着する過程によると、例えば、熱圧着治具（ｊｉｇ）などを用いて未硬化状態である第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１を、キャリア基板１０の上部面と下部面それぞれに圧着することができる。
【０１２６】
このように、第１上部圧着層１２０と第１下部圧着層１３０を熱圧着すると、図３Ｆに図示されたように、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２が第１絶縁層１２１と第１ダミー絶縁層１３１を貫通する。これにより、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２に対応する領域の第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２が外部に凸状に突出する。
【０１２７】
以降、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２の突出部分を除去する部分研磨工程を行う。
【０１２８】
具体的に、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２の突出部分は、エンドミル２００を用いた部分研磨により除去することができる。勿論、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２の突出部分を除去する工程は、ベルトサンダーまたはセラミックバフなどを用いた研磨工程、またはＣＭＰ工程を選択的に用いることもできる。
【０１２９】
第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２の突出部分を除去すると、図３Ｇに図示されたように、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２が備えられ、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２をシード層として用いることができる。
【０１３０】
このような第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２を用いて、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法により、第１回路層４０及び第１ダミー回路層５０を形成する。
【０１３１】
以降、図３Ｈに図示されたように、第１回路層４０が形成された第１シード層１４０の上部面と第１ダミー回路層５０が形成された第１ダミーシード層１５０の下部面にそれぞれ第２上部ドライフィルムパターン６０´及び第２下部ドライフィルムパターン７０´を形成する。ここで、第２上部ドライフィルムパターン６０´及び第２下部ドライフィルムパターン７０´は、それぞれ第２ピラー４２及び第２ダミーピラー５２を形成するための多数の開口部を備える。
【０１３２】
このような第２上部ドライフィルムパターン６０´及び第２下部ドライフィルムパターン７０´に対して、ＣＶＤ、ＰＶＤなどの気相蒸着法、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法のうち何れか一つの方法を用いて、第２ピラー４２及び第２ダミーピラー５２を形成する。
【０１３３】
この際、第１金属箔１２２に対するパターニングにより、第１回路層４０下部部分の第１金属箔１２２以外の他の部分をエッチング（Ｅｔｃｈｉｎｇ）して除去し、図３Ｉに図示されたように、第１絶縁層１２１が露出した面に第１金属箔パターン１２２´、第１回路層４０、及び第２ピラー４２が順に積層された構造を有する。
【０１３４】
また、第１ダミー金属箔１３２に対しても同様に適用し、第１ダミー絶縁層１３１が露出した面から第１ダミー金属箔パターン１３２´、第１ダミー回路層５０、及び第２ダミーピラー５２が順に積層された構造を有する。
【０１３５】
このような第２ピラー４２を含む第１絶縁層１２１及び第２ダミーピラー５２を含む第１ダミー絶縁層１３１それぞれに対して、上述した第１圧着層１２０、１３０を用いる過程と同様に、第２絶縁層１６０と第２金属箔１６５からなる第２上部圧着層、及び第２ダミー絶縁層１７０と第２ダミー金属箔１７５からなる第２下部圧着層を、第１絶縁層１２１及び第１ダミー絶縁層１３１にそれぞれ熱圧着する。
【０１３６】
ここで、第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５は、第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２と同様に、銅箔（Ｃｕ  ｆｏｉｌ）の形態を有することができる。
【０１３７】
これにより、図３Ｊに図示されたように、第２ピラー４２と第２ダミーピラー５２が、それぞれ第２絶縁層１６０と第２ダミー絶縁層１７０を貫通して、第２金属箔１６５及び第２ダミー金属箔１７５に接する。
【０１３８】
この際、第２ピラー４２と第２ダミーピラー５２の高さは、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔの特徴と同様に、第２絶縁層１６０と第２ダミー絶縁層１７０の厚さに対して１．１〜２．０倍の範囲に高く形成することができる。
【０１３９】
これにより、第２ピラー４２と第２ダミーピラー５２に対応する領域の第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５が、外部に凸状に突出（不図示）し得る。
【０１４０】
ここで、第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５の突出部分は、前記第１金属箔１２２と第１ダミー金属箔１３２の突出部分のように、エンドミル２００を用いた部分研磨により除去されることができる。勿論、第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５の突出部分を除去する工程としては、ベルトサンダーまたはセラミックバフなどを用いた研磨工程、またはＣＭＰ工程が挙げられる。
【０１４１】
第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５の突出部分を除去した後、図３Ｊに図示された第２金属箔１６５と第２ダミー金属箔１７５を除去していない状態で、キャリア基板１０に対するルーティング（ｒｏｕｔｉｎｇ）を行い、図３Ｋに図示されたように、絶縁板１１を基準として上部金属箔１２を含む上部コアレス印刷回路構造体と下部金属箔１３を含む下部コアレス印刷回路構造体を分離する。
【０１４２】
このように分離した上部コアレス印刷回路構造体と下部コアレス印刷回路構造体それぞれに、それぞれのピラーを備えた絶縁層を多数積層して多層構造のコアレス基板を製造することができる。
【０１４３】
このような過程を説明するために、第２ピラー４２を含む上部コアレス印刷回路構造体を選択して後続工程について説明する。勿論、第２ダミーピラー５２を含む下部コアレス印刷回路構造体に対しても後述する後続工程を同様に適用することができる。
【０１４４】
図３Ｌに図示されたように、分離した上部コアレス印刷回路構造体に対して、上部金属箔１２と第２金属箔１６５をシード層として用いて、後続工程を行う。
【０１４５】
以降、第１回路層４０と第２ピラー４２を形成する過程と同様に、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法により、図３Ｍに図示されたように、第２金属箔パターン１６５´に第２回路層６０と第３ピラー６２を形成し、上部金属箔パターン１２´に第２ダミー回路層７０と第３ダミーピラー７２を形成する。
【０１４６】
次に、上述した第１圧着層１２０、１３０を用いる過程と同様に、第３ピラー６２を含む第２絶縁層１６０及び第３ダミーピラー７２を含む第１絶縁層１２１それぞれに第３絶縁層１８４と第３金属箔１８６からなる第３上部圧着層、及び第３ダミー絶縁層１８３と第３ダミー金属箔１８５からなる第３下部圧着層を熱圧着する。
【０１４７】
これにより、図３Ｎに図示されたように、第３ピラー６２と第３ダミーピラー７２がそれぞれ第３絶縁層１８４と第３ダミー絶縁層１８３を貫通して第３金属箔１８６及び第３ダミー金属箔１８５に接する。
【０１４８】
勿論、第３ピラー６２と第３ダミーピラー７２の高さは、第１ピラー２２と第１ダミーピラー３２の高さｔの特徴と同様に、第３絶縁層１８４と第３ダミー絶縁層１８３の厚さに対して１．１〜２．０倍の範囲に高く形成することができる。
【０１４９】
これにより、第３ピラー６２と第３ダミーピラー７２に対応する領域の第３金属箔１８６と第３ダミー金属箔１８５が、外部に凸状に突出（不図示）し得る。
【０１５０】
この際、第３金属箔１８６と第３ダミー金属箔１８５の突出部分を、エンドミルを用いて除去する部分研磨工程を行うことができる。
【０１５１】
このような第３金属箔１８６と第３ダミー金属箔１８５は、前記上部金属箔１２と第２金属箔１６５のようにシード層として用いられる。
【０１５２】
このような第３金属箔１８６と第３ダミー金属箔１８５をシード層として用いて、図２Ｏに図示されたように、第３絶縁層１８４の外部面に第３金属箔パターン１８６´と最上部回路層９０を形成し、第３ダミー絶縁層１８３の下部面に、第３ダミー金属箔パターン１８５´と最下部回路層８０を形成することができる。
【０１５３】
ここで、最上部回路層９０及び最下部回路層８０は、第２上部回路層６０の形成方法と同様に、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法により形成する。
【０１５４】
以降、第３シードパターン１８９と最上部回路層９０、及び第３ダミーシードパターン１８７と最下部回路層８０に対して、第１表面処理膜９１または第２表面処理膜９２を形成する。
【０１５５】
第１表面処理膜９１は、ＳＲの代わりにＯＳＰ処理膜、ブラックオキサイド膜、及びブラウンオキサイド膜のうち何れか一つの膜で形成することができる。ここで、ＯＳＰ処理膜は、有機溶剤型と水溶性とに分けられ、有機溶剤型は、ロールコーティング（Ｒｏｌｌ  ｃｏａｔｉｎｇ）、スプレーコーティング（Ｓｐｒａｙ  ｃｏａｔｉｎｇ）などを用いて最下部回路層８０または最上部回路層９０の表面に形成することができ、水溶性は、ディッピング（Ｄｉｐｐｉｎｇ）法を用いて形成することができる。また、ブラックオキサイド膜またはブラウンオキサイド膜は、銅材質の最上部回路層９０と最下部回路層８０を酸化処理して形成することができる。
【０１５６】
第２表面処理膜９２は、例えば、金メッキ膜、電解金メッキ膜、無電解金メッキ膜、及び無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ：Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ  Ｎｉｃｋｅｌ  Ｉｍｍｅｒｓｉｏｎ  Ｇｏｌｄ）膜のうち何れか一つの膜に形成されることができる。特に、無電解ニッケル／金メッキ（ＥＮＩＧ）膜は、無電解メッキ工程によりニッケルをメッキした後置換型金（Ｉｍｅｒｓｉｏｎ  ｇｏｌｄ）をメッキして形成することができる。
【０１５７】
勿論、このような第１表面処理膜９１と第２表面処理膜９２は、前記例に限定されず、ＨＡＳＬ（Ｈｏｔ  Ａｉｒ  Ｓｏｌｄｅｒ  Ｌｅｖｅｌｉｎｇ）またはその他の表面処理層で形成することができる。
【０１５８】
このような本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法は、別のシード層を形成せず、適用した銅箔をシード層として用いて、容易に回路層を形成するということを特徴とする。
【０１５９】
これにより、本発明の第２実施例による多層型コアレス基板の製造方法は、別のシード層を形成する工程を必要とせず製造コストを下げることができ、製造時間を短縮することができる。
【０１６０】
以下、本発明の第３実施例による多層型コアレス基板の製造方法について、図４Ａから図４Ｄを参照して説明する。
【０１６１】
図４Ａから図４Ｄは、本発明の第３実施例による多層型コアレス基板の製造方法の工程断面図である。
【０１６２】
ここで、本発明の第３実施例による多層型コアレス基板の製造方法として、６個の回路層３５１、３０１、２６１、２７１、３１１、３４１のような偶数個の回路層を有する多層型コアレス基板を製造する方法について説明する。これにより、本発明の第３実施例による多層型コアレス基板の製造方法に対して本発明の第１実施例による多層型コアレス基板の製造方法と類似した部分は省略する。
【０１６３】
本発明の第３実施例による多層型コアレス基板の製造方法によると、先ず図４Ａに図示されたように、上、下面にそれぞれ多数の第１ピラー２２２と第１ダミーピラー２１２を備えたキャリア基板１０に対して、第１上部圧着層と第１下部圧着層を熱圧着し、第１ピラー２２２が第１金属支持層２４０に接し、第１ダミーピラー２１２が第１ダミー金属支持層２３０に接するようにする。
【０１６４】
以降、キャリア基板１０に対するルーティング（ｒｏｕｔｉｎｇ）を行い、図４Ｂに図示されたように、絶縁板１１を基準として上部金属箔１２を含む上部コアレス印刷回路前駆体と下部金属箔１３を含む下部コアレス印刷回路前駆体とに分離する。
【０１６５】
このように分離した上部コアレス印刷回路構造体と下部コアレス印刷回路構造体それぞれは、回路層なしにピラーのみを内部に備えた絶縁層構造の前駆体を用いて偶数個の回路層を有する多層型コアレス基板を製造することができる。
【０１６６】
以降、上部コアレス印刷回路構造体に対して、上部金属箔１２と第１金属支持層２４０を除去する平坦化工程を行い、次に、第１ピラー２２２を両面に露出した第１絶縁層２２０に対して、後続工程により、第１ピラー２２２の両面にそれぞれ第１上部シードパターン２４５と第１上部回路層２６１、及び第１下部シードパターン２５５と第１下部回路層２７１を対称的に形成する。勿論、下部コアレス印刷回路構造体に対しても同様に工程を行うことができる。
【０１６７】
このような第１上部回路層２６１及び第１下部回路層２７１に対して、ドライフィルムパターンを形成し、このようなドライフィルムパターンに対して、ＣＶＤ又はＰＶＤなどの気相蒸着法、サブトラクティブ法、無電解銅メッキまたは電解銅メッキを用いるアディティブ法、ＳＡＰ及びＭＳＡＰなどの方法のうち何れか一つの方法を適用し、第２上部ピラー２６２及び第２下部ピラー２７２をそれぞれ形成する。
【０１６８】
以降、図４Ｃに図示されたように、第２上部ピラー２６２及び第２下部ピラー２７２に対して、それぞれ第２絶縁層２６０と第２金属支持層２８０からなる第２上部圧着層及び第２ダミー絶縁層２７０と第２ダミー金属支持層２９０からなる第２下部圧着層を熱圧着する。
【０１６９】
以降、第２金属支持層２８０と第２ダミー金属支持層２９０を除去する平坦化工程を行い、図４Ｄに図示されたように、第２絶縁層２６０の上部面及び第２ダミー絶縁層２７０の下部面にそれぞれ第２シードパターン２８５と第２上部回路層３０１、及び第２ダミーシードパターン２９５と第２下部回路層３１１を形成することができる。
【０１７０】
このような過程が繰り返して行われると、図４Ｄに図示されたように、第１絶縁層２２０を基準として６個の回路層３５１、３０１、２６１、２７１、３１１、３４１と他の絶縁層が互いに対称した構造に形成することができる。
【０１７１】
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
【０１７２】
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲でより明確になるであろう。
【産業上の利用可能性】
【０１７３】
本発明は、多層型コアレス基板及びその製造方法に適用可能である。
【符号の説明】
【０１７４】
１０  キャリア基板
１１  絶縁板
１２  上部金属箔
１３  下部金属箔
２０´、３０´  第１ドライフィルムパターン
２２  第１ピラー
３２  第１ダミーピラー
４０  第１回路層
４２  第２ピラー
５２  第２ダミーピラー
６０  第２回路層
６２  第３ピラー
７０  第２ダミー回路層
７２  第３ダミーピラー
８０  最下部回路層
９０  最上部回路層
９１  第１表面処理膜
９２  第２表面処理膜
１２１  第１絶縁層
１３１  第１ダミー絶縁層
１４１  第１シードパターン
１６０  第２絶縁層
１８１  第２ダミーシードパターン
１８２  第２シードパターン
１８３  第３ダミー絶縁層
１８４  第３絶縁層
【図１】
2014082441.tif 000002
【図２Ａ】
2014082441.tif 000003
【図２Ｂ】
2014082441.tif 000004
【図２Ｃ】
2014082441.tif 000005
【図２Ｄ】
2014082441.tif 000006
【図２Ｅ】
2014082441.tif 000007
【図２Ｆ】
2014082441.tif 000008
【図２Ｇ】
2014082441.tif 000009
【図２Ｈ】
2014082441.tif 000010
【図２Ｉ】
2014082441.tif 000011
【図２Ｊ】
2014082441.tif 000012
【図２Ｋ】
2014082441.tif 000013
【図２Ｌ】
2014082441.tif 000014
【図２Ｍ】
2014082441.tif 000015
【図２Ｎ】
2014082441.tif 000016
【図２Ｏ】
2014082441.tif 000017
【図３Ａ】
2014082441.tif 000018
【図３Ｂ】
2014082441.tif 000019
【図３Ｃ】
2014082441.tif 000020
【図３Ｄ】
2014082441.tif 000021
【図３Ｅ】
2014082441.tif 000022
【図３Ｆ】
2014082441.tif 000023
【図３Ｇ】
2014082441.tif 000024
【図３Ｈ】
2014082441.tif 000025
【図３Ｉ】
2014082441.tif 000026
【図３Ｊ】
2014082441.tif 000027
【図３Ｋ】
2014082441.tif 000028
【図３Ｌ】
2014082441.tif 000029
【図３Ｍ】
2014082441.tif 000030
【図３Ｎ】
2014082441.tif 000031
【図３Ｏ】
2014082441.tif 000032
【図４Ａ】
2014082441.tif 000033
【図４Ｂ】
2014082441.tif 000034
【図４Ｃ】
2014082441.tif 000035
【図４Ｄ】
2014082441.tif 000036
【図５】
2014082441.tif 000037