【手続補正書】
【提出日】令和3年2月8日(2021.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に製膜された圧電膜と、を備え、
前記圧電膜は、
組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、
ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を、０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含む圧電積層体。
【請求項２】
前記圧電膜は、厚さ方向に２５０ｋＶ／ｃｍの電界を印加した際、２５０μＡ／ｃｍ２以下のリーク電流密度を有する請求項１に記載の圧電積層体。
【請求項３】
前記圧電膜は、前記圧電膜に対してその厚さ方向に１００ｋＶ／ｃｍの電界を印加することで測定した圧電定数の絶対値｜ｄ３１｜が９０ｐｍ／Ｖ以上である請求項１または２に記載の圧電積層体。
【請求項４】
前記圧電膜は、周波数１ｋＨｚの条件下で測定した際、１，５００以下の比誘電率を有する請求項１〜３のいずれか１項に記載の圧電積層体。
【請求項５】
基板上に、組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を、０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含む圧電膜を製膜する工程と、を有する圧電積層体の製造方法。
【請求項６】
基板と、前記基板上に製膜された第１電極膜と、前記第１電極膜上に製膜され、組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を、０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含む圧電膜と、前記圧電膜上に製膜された第２電極膜と、を備える圧電積層体と、
前記第１電極膜と前記第２電極膜との間に接続される電圧検出部および電圧印加部のうち少なくともいずれかと、を備える圧電素子。
【請求項７】
基板と、前記基板上に製膜され、組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を、０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含む圧電膜と、前記圧電膜上に製膜されたパターン電極膜と、を備える圧電積層体と、
前記パターン電極膜間に接続される電圧検出部および電圧印加部のうち少なくともいずれかと、を備える圧電素子。
【請求項８】
組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表される焼結体からなり、ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含む、スパッタリングターゲット材。
【請求項９】
Ｌｉ、Ｔａ、およびＳｂからなる群より選択される元素を５ａｔ％以下の範囲内で含む、請求項８に記載のスパッタリングターゲット材。
【請求項１０】
組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表される焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、
温度が５５０℃または６００℃、放電パワーが２２００Ｗ、導入ガスがＡｒガスとＯ２ガスとの混合ガス、雰囲気圧力が０．３Ｐａ、Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧＝２５／１、製膜速度が１μｍ／ｈｒの条件下で、ＲＦマグネトロンスパッタリング法による基板上への製膜処理を行う際のターゲット材として用いた際に、
前記基板上に、前記組成式で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含み、厚さ方向に２５０ｋＶ／ｃｍの電界を印加した際のリーク電流密度が２５０μＡ／ｃｍ２以下である圧電膜が得られる、
スパッタリングターゲット材。
【請求項１１】
組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表される焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、
温度が５５０℃または６００℃、放電パワーが２２００Ｗ、導入ガスがＡｒガスとＯ２ガスとの混合ガス、雰囲気圧力が０．３Ｐａ、Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧＝２５／１、製膜速度が１μｍ／ｈｒの条件下で、ＲＦマグネトロンスパッタリング法による基板上への製膜処理を行う際のターゲット材として用いた際に、
前記基板上に、前記組成式で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含み、厚さ方向に１００ｋＶ／ｃｍの電界を印加することで測定した圧電定数の絶対値｜ｄ３１｜が９０ｐｍ／Ｖ以上である圧電膜が得られる、
スパッタリングターゲット材。
【請求項１２】
組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表される焼結体からなるスパッタリングターゲット材であって、
温度が５５０℃、放電パワーが２２００Ｗ、導入ガスがＡｒガスとＯ２ガスとの混合ガス、雰囲気圧力が０．３Ｐａ、Ａｒガス分圧／Ｏ２ガス分圧＝２５／１、製膜速度が１μｍ／ｈｒの条件下で、ＲＦマグネトロンスパッタリング法による基板上への製膜処理を行う際のターゲット材として用いた際に、
前記基板上に、前記組成式で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含み、周波数１ｋＨｚの条件下で測定した際の比誘電率が１，５００以下である圧電膜が得られる、
スパッタリングターゲット材。
【請求項１３】
Ｋの炭酸塩からなる粉末、Ｎａの炭酸塩からなる粉末、Ｎｂの酸化物からなる粉末、及びＭｎおよびＣｕからなる群より選択される金属元素の酸化物からなる粉末を混合して混合物を得る工程と、
前記混合物に圧力を加えて成型する工程と、
成型後の前記混合物を第１温度で焼成する工程と、を行い、
組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表され、ＭｎおよびＣｕからなる群より選択される金属元素を０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含む焼結体を得る、スパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１４】
前記混合物を成型する工程を行う前に、前記混合物を前記第１温度よりも低い第２温度で加熱して前記混合物を仮焼成する工程をさらに有する、請求項１３に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１５】
前記混合物を成型する工程を行う前に、仮焼成後の前記混合物を粉砕する工程をさらに有し、
前記混合物を成型する工程では、仮焼成後に粉砕した前記混合物に圧力を加えて成型する、請求項１４に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１６】
前記混合物に、Ｌｉ、Ｔａ、およびＳｂからなる群より選択される元素を５ａｔ％以下の範囲内で含ませる工程をさらに有する、請求項１３〜１５のいずれか１項に記載のスパッタリングターゲット材の製造方法。
【請求項１７】
組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表される焼結体からなるスパッタリングターゲット材を用意する工程と、
前記スパッタリングターゲット材を用い、基板上に、組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含み、厚さ方向に２５０ｋＶ／ｃｍの電界を印加した際のリーク電流密度が２５０μＡ／ｃｍ２以下である圧電膜を製膜する工程と、
を有する、圧電積層体の製造方法。
【請求項１８】
組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表される焼結体からなるスパッタリングターゲット材を用意する工程と、
前記スパッタリングターゲット材を用い、基板上に、組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含み、厚さ方向に１００ｋＶ／ｃｍの電界を印加することで測定した圧電定数の絶対値｜ｄ３１｜が９０ｐｍ／Ｖ以上である圧電膜を製膜する工程と、
を有する、圧電積層体の製造方法。
【請求項１９】
組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表される焼結体からなるスパッタリングターゲット材を用意する工程と、
前記スパッタリングターゲット材を用い、基板上に、組成式（Ｋ１−ｘＮａｘ）ＮｂＯ３（０＜ｘ＜１）で表されるペロブスカイト構造のアルカリニオブ酸化物からなり、ＣｕおよびＭｎからなる群より選択される金属元素を０．６ａｔ％超２．０ａｔ％以下の濃度で含み、周波数１ｋＨｚの条件下で測定した際の比誘電率が１，５００以下である圧電膜を製膜する工程と、
を有する、圧電積層体の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】圧電積層体、圧電積層体の製造方法、圧電素子、スパッタリングターゲット材、およびスパッタリングターゲット材の製造方法