Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月21日(2021.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像から検出される物体のサイズの範囲を第一の範囲に設定する設定手段と、
前記第一の範囲より広い第二の範囲に基づいて、前記画像から前記物体を検出する検出手段と、
前記検出された物体のうち、物体のサイズが前記第一の範囲には含まれず前記第二の範囲に含まれる物体を特定する特定手段と、
前記特定した物体を示す情報を表示手段に表示させる表示制御手段と、を有することを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記第２の範囲は、前記画像から検出可能な全てのサイズであって、
前記特定手段は、前記検出された物体のうち、物体のサイズが前記第１の範囲に含まれない物体を特定し、
前記表示制御手段は、所定の処理の対象外となる物体として、前記特定された物体を示す情報を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記表示制御手段は、前記特定された物体を示すマークを前記画像に重畳して前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１または２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記表示制御手段は、物体のサイズが前記第一の範囲には含まれる物体を示す情報を前記画像に重畳して前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記表示制御手段は、物体のサイズが前記第一の範囲には含まれる物体を示す枠を前記画像に重畳して前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
物体のサイズが前記第一の範囲には含まれる物体の数を計数する計数手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記設定手段は、ユーザの指示に基づいて、前記第一の範囲を設定することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記設定手段は、前記第一の範囲を、ユーザによって指定された、前記画像から検出される物体のサイズの最小値と最大値によって設定することを特徴とする請求項７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記表示手段によって前記特定した物体を示す情報を表示した後に、前記第一の範囲の変更を受け付ける受付手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
画像から検出される物体のサイズの範囲を第一の範囲に設定する設定工程と、
前記第一の範囲より広い第二の範囲に基づいて、前記画像から前記物体を検出する検出工程と、
前記検出された物体のうち、物体のサイズが前記第一の範囲には含まれず前記第二の範囲に含まれる物体を特定する特定工程と、
前記特定した物体を示す情報を表示手段に表示させる表示制御工程と、を有することを特徴とする情報処理方法。
【請求項１１】
前記第２の範囲は、前記画像から検出可能な全てのサイズであって、
前記特定工程は、前記検出された物体のうち、物体のサイズが前記第一の範囲に含まれない物体を特定し、
前記表示制御工程は、所定の処理の対象外となる物体として、前記特定された物体を示す情報を前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１０に記載の情報処理方法。
【請求項１２】
前記表示制御工程は、前記特定された物体を示すマークを前記画像に重畳して前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１０または１１に記載の情報処理方法。
【請求項１３】
前記表示制御手段は、物体のサイズが前記第一の範囲には含まれる物体を示す情報を前記画像に重畳して前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１０乃至１２のいずれか一項に記載の情報処理方法。
【請求項１４】
前記表示制御手段は、物体のサイズが前記第一の範囲には含まれる物体を示す枠を前記画像に重畳して前記表示手段に表示させることを特徴とする請求項１３に記載の情報処理方法。
【請求項１５】
物体のサイズが前記第一の範囲には含まれる物体の数を計数する計数工程を更に有することを特徴とする請求項１０乃至１４のいずれか一項に記載の情報処理方法。
【請求項１６】
前記設定工程は、ユーザの指示に基づいて、前記第一の範囲を設定することを特徴とする請求項１０乃至１５のいずれか一項に記載の情報処理方法。
【請求項１７】
前記設定工程は、前記第１の範囲を、ユーザによって指定された、前記画像から検出される物体のサイズの最小値と最大値によって設定することを特徴とする請求項１６に記載の情報処理方法。
【請求項１８】
前記表示手段によって前記特定した物体を示す情報を表示した後に、前記第一の範囲の変更を受け付ける受付工程を更に有することを特徴とする請求項１０乃至１７のいずれか一項に記載の情報処理方法。
【請求項１９】
コンピュータを、請求項１乃至９のいずれか一項に記載された情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明は、画像から検出される物体のサイズの範囲を第一の範囲に設定する設定手段と、前記第一の範囲より広い第二の範囲に基づいて、前記画像から前記物体を検出する検出手段と、前記検出された物体のうち、物体のサイズが前記第一の範囲には含まれず前記第二の範囲に含まれる物体を特定する特定手段と、前記特定した物体を示す情報を表示手段に表示させる表示制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月15日(2021.4.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
符号化データから量子化変換係数と符号化パラメータを復号する復号部と、
前記量子化変換係数を逆変換し、予測誤差を導出する逆変換部と、
インター予測によって予測画像を生成する生成部と、
前記予測画像と前記予測誤差を加算し復号画像を生成する加算部と、を備え、
前記復号部は、変換を使用するか否かを示す変換スキップフラグを復号し、
前記変換スキップフラグが変換をスキップするモードを使用することを示す場合、
ブロック内のスキャン順での最初の非ゼロ係数の位置情報を復号せず、
ラストサブブロック位置を変換単位の右下の位置に設定し、
該ラストサブブロック位置を参照してサブブロックの非ゼロ変換係数の有無を示すフラグを復号することを特徴とする動画像復号装置。
【請求項２】
インター予測を用いて予測画像を生成する生成部と、
入力画像と前記予測画像から予測誤差を生成する減算部と、
前記予測誤差から変換係数を導出する変換部と、
画像データから変換係数とパラメータを符号化する符号化部と、を備え、
前記符号化部は、変換を使用するか否かを示す変換スキップフラグを符号化し、
前記変換スキップフラグが変換をスキップするモードを使用することを示す場合、
ブロック内のスキャン順での最初の非ゼロ係数の位置情報を符号化せず、
ラストサブブロック位置を変換単位の右下の位置に設定し、
該ラストサブブロック位置を参照してサブブロックの非ゼロ変換係数の有無を示すフラグを符号化することを特徴とする動画像符号化装置。
【請求項３】
符号化データから量子化変換係数と符号化パラメータを復号するステップと、
前記量子化変換係数を逆変換し、予測誤差を導出するステップと、
インター予測を用いて予測画像を生成するステップと、
前記予測画像と前記予測誤差を加算し復号画像を生成するステップと、を少なくとも含み、
前記復号するステップは、変換を使用するか否かを示す変換スキップフラグを復号し、
前記変換スキップフラグが変換をスキップするモードを使用することを示す場合、
ブロック内のスキャン順での最初の非ゼロ係数の位置情報を復号せず、
ラストサブブロック位置を変換単位の右下の位置に設定し、
該ラストサブブロック位置を参照してサブブロックの非ゼロ変換係数の有無を示すフラグを復号することを特徴とする動画像復号方法。
【請求項４】
インター予測を用いて予測画像を生成するステップと、
入力画像と前記予測画像から予測誤差を生成するステップと、
前記予測誤差から変換係数を導出するステップと、
画像データから変換係数とパラメータを符号化するステップと、を少なくとも含み、
前記符号化するステップは、変換を使用するか否かを示す変換スキップフラグを符号化し、
前記変換スキップフラグが変換をスキップするモードを使用することを示す場合、
ブロック内のスキャン順での最初の非ゼロ係数の位置情報を符号化せず、
ラストサブブロック位置を変換単位の右下の位置に設定し、
該ラストサブブロック位置を参照してサブブロックの非ゼロ変換係数の有無を示すフラグを符号化することを特徴とする動画像符号化方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】動画像符号化装置、動画像復号装置、動画像復号方法および動画像符号化方法
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月25日(2021.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
事業者がクリーニング品を預かるとともに預かったクリーニング品を前記事業者が客へ引き渡す業務に対応し、前記事業者に預けられているクリーニング品を管理するクリーニング品管理システムであって、
前記クリーニング品の異常箇所を撮像して得られた画像を含む異常通知を前記客の携帯端末に行う異常通知手段と、
前記携帯端末にて、前記異常通知に対する応答を行う応答手段と、
前記クリーニング品に対応する決済が可能な決済手段であって、前記異常通知が行われたクリーニング品を含む決済については、前記応答手段により出力された応答が得られるまで保留する決済手段と
を備えるクリーニング品管理システム。
【請求項２】
前記事業者が利用する事業者端末は、
前記事業者に預けられたクリーニング品の登録を行う登録手段と、
前記登録手段により登録されたクリーニング品の登録情報と前記画像とを対応付ける情報管理手段とを備える
請求項１に記載のクリーニング品管理システム。
【請求項３】
前記携帯端末において前記画像と前記応答手段とを表示する表示手段を備える
請求項１または２に記載のクリーニング品管理システム。
【請求項４】
前記クリーニング品のクリーニング作業への移行の可否を判断する判断手段を備え、
前記判断手段は、前記応答手段による応答が得られない場合には前記クリーニング作業への移行を不可とする
請求項１から３のいずれか一項に記載のクリーニング品管理システム。
【請求項５】
事業者がクリーニング品を預かるとともに預かったクリーニング品を前記事業者が客へ引き渡す業務に対応し、前記事業者に預けられているクリーニング品を管理するクリーニング品管理システムにおいて備えられる第１コンピュータと第２コンピュータとに対応するプログラムであって、
前記第１コンピュータを、前記クリーニング品の異常箇所を撮像して得られた画像を含む異常通知を前記客の携帯端末に行う異常通知手段として機能させ、
前記第２コンピュータを、前記携帯端末にて、前記異常通知に対する応答を行う応答手段として機能させ、
前記第１コンピュータを、前記クリーニング品に対応する決済が可能な決済手段であって、前記異常通知が行われたクリーニング品を含む決済については、前記応答手段により出力された応答が得られるまで保留する決済手段として機能させるための
プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月22日(2021.1.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第２カバー２９は、絶縁材料からなり、左右対称であり、且つ第１カバー２６に対して上下対称な形状である。図５に示すように、第２カバー２９は、略水平な第２覆い部３０と、第２覆い部３０の左右両側縁から上方へ延出した左右一対の第２弾性ロック片３１と、第２覆い部３０の左右両側縁から上方へ突出した左右一対の支持壁部３２と、左右両支持壁部３２の外面に形成された左右一対の規制突起３３（請求項に記載の変位規制部）とを備えた単一部品である。第２カバー２９は、収容部材１４の下面に対し下から覆うように組み付けられている。組み付けられた第２カバー２９は、一対の第２弾性ロック片３１を第２ロック突起２１に係止させることで、収容部材１４に対して組付け状態にロックされる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
第２弾性ロック片３１は、突起部２４の後方に間隔を空けて隣り合うように配置される。第２弾性ロック片３１の後縁部は、上下方向（芯線６１の軸線と直角であり、且つ後述する第１圧着部４３及び第２圧着部５０の圧着方向と略平行な方向）に延びた形態であり、規制縁部３４（請求項に記載の変位規制部）として機能する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２９】
図１，３〜５，１０に示すように、第１シェル部３８の前端部には、左右対称な一対の切欠部４１が形成されている。一対の切欠部４１は、第１基板部３９の前端縁における左右両端部と、左右両第１側板部４０の前端縁における上端部とを連通状態で切り欠いた形態である。切欠部４１の平面視形状は、多機能部２３の平面視形状と同じく略方形であり、切欠部４１の側面視形状も、多機能部２３の側面視形状と同じく略方形である。切欠部４１における下側の縁部は、上方に面する係止段部４２として機能する。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月11日(2021.3.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記第２のＸ線源及び上記第３のＸ線源では、異なる波長のＸ線それぞれの焦点位置が異なってしまうし、焦点位置を同じくしようとすると、移動制御系をさらに備えることが必要となる。上記第２のＸ線源では対象となるＸ線封入管の位置を移動させ、Ｘ線の光軸調整が必要となる。上記第３のＸ線源では、Ｘ線封入管の位置を移動させて、対象となる陽極の位置を調整させることとなる。加えて、第２のＸ線源及び第３のＸ線源では、装置の大型化を招く。第２のＸ線源では、発生源の焦点サイズを小さくするのは困難である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
（７）本発明に係るＸ線分析装置は、上記（１）乃至（６）のいずれかに記載のＸ線発生装置と、前記Ｘ線発生装置より出射されるＸ線ビームが照射される試料を支持する、支持台と、前記試料から発生する散乱Ｘ線を検出する、検出器と、を備えていてもよい。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
図５Ａ及び図５Ｂは、関連技術２に係るＸ線源部１１の構成を示す概略図である。図５Ａ及び図５Ｂは、図４Ａ及び図４Ｂに対応しており、図５Ａに第１のＸ線Ｘ１を発生させる場合の陽極４２の平面図が、図５Ｂに第２のＸ線Ｘ２を発生させる場合の陽極４２の平面図が、それぞれ示されている。関連技術２に係るＸ線源部１１は、陽極４２の−ｘ軸方向側に、第１の防磁シャッター３５Ａ及び第１の永久磁石３２Ａが順に、陽極４２の＋ｘ軸方向側に、第２の防磁シャッター３５Ｂ及び第２の永久磁石３２Ｂが順に、それぞれ配置されている。なお、関連技術２に係るＸ線源部１１は回転駆動系３３は備えていない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
図６Ａ及び図６Ｂは、関連技術３に係るＸ線源部１１の構成を示す概略図である。図６Ａ及び図６Ｂは、関連技術１に係る陽極４２を示す図４Ａ及び図４Ｂに、関連技術２に係る陽極４２を示す図５Ａ及び図５Ｂに、それぞれ対応しており、図６Ａに第１のＸ線Ｘ１を発生させる場合の陽極４２の平面図が、図６Ｂに第２のＸ線Ｘ２を発生させる場合の陽極４２の平面図が、それぞれ示されている。関連技術３に係るＸ線源部１１は、陽極４２の−ｘ軸方向側に、防磁シャッター３５及び永久磁石３２が順に配置されている。なお、関連技術３に係るＸ線源部１１は回転駆動系３３は備えていない。
【手続補正５】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱電子が放出される陰極と、印加される電位差により前記熱電子が加速され電子線となり照射される陽極と、を備える、Ｘ線封入管と、
前記電子線の進行方向と交差する第１の方向に延伸する磁場を前記電子線に印加するよう、前記Ｘ線封入管の近傍に配置される、磁場発生部と、
前記Ｘ線封入管を、前記陰極と前記陽極との中心軸に対して回転させる、回転駆動系と、
を備える、Ｘ線発生装置であって、
前記陽極の表面は、前記中心軸との交点を通る分割直線に対して、一方側に第１の領域が、他方側に第２の領域が、それぞれ配置され、
前記第１の領域には第１の金属が、前記第２の領域には前記第１の金属とは異なる第２の金属が、それぞれ配置され、
前記回転駆動系が前記Ｘ線封入管を回転させることにより、駆動時には、前記分割直線が前記第１の方向に沿うよう、前記Ｘ線封入管が前記磁場発生部に対して配置される、
ことを特徴とする、Ｘ線発生装置。
【請求項２】
請求項１に記載のＸ線発生装置であって、
前記電子線の断面は延伸する偏平形状を有し、
駆動時には、前記偏平形状の延伸方向が前記第１の方向に沿うよう、前記Ｘ線封入管が前記磁場発生部に対して配置される、
ことを特徴とする、Ｘ線発生装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のＸ線発生装置であって、
前記磁場発生部は、永久磁石である、
ことを特徴とする、Ｘ線発生装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれかに記載のＸ線発生装置であって、
前記陽極の表面は円形状を有し、前記中心軸との交点は前記円形状の中心と実質的に一致する、
ことを特徴とする、Ｘ線発生装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれかに記載のＸ線発生装置であって、
前記第１の方向は、前記電子線の進行方向と実質的に直交する、
ことを特徴とする、Ｘ線発生装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれかに記載のＸ線発生装置であって、
前記Ｘ線封入管は、前記第１の領域に配置される前記第１の金属に前記電子線が照射される第１の照射領域から発生するＸ線を通過させる第１のＸ線窓と、前記第２の領域に配置される前記第２の金属に前記電子線が照射される第２の照射領域から発生するＸ線を通過させる第２のＸ線窓と、を備える、
ことを特徴とする、Ｘ線発生装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれかに記載のＸ線発生装置と、
前記Ｘ線発生装置より出射されるＸ線ビームが照射される試料を支持する、支持台と、
前記試料から発生する散乱Ｘ線を検出する、検出器と、
を備える、Ｘ線分析装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月5日(2021.10.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
情報処理装置に、
買い手ユーザ及び／又は売り手ユーザによって選択されたエスクローユーザの情報を取得するエスクロー決定処理と、
前記買い手ユーザから、商品又は役務の対価を受信し、前記買い手ユーザ及び／又は売り手ユーザから保証料を受信し、受信した前記対価及び前記保証料を預託アカウントに預託する預託処理と、
前記買い手ユーザから、前記買い手ユーザと前記売り手ユーザとの取引の結果を受信する結果受信処理と、
前記取引の結果が当該取引が正常に行われたことを示す場合に、前記預託アカウントから前記対価を前記売り手ユーザのアカウントに送信し、かつ、前記預託アカウントから前記保証料を前記エスクローユーザのアカウントに送信し、前記取引の結果が当該取引に不備があったことを示す場合に、前記エスクローユーザに対して、取引に不備があったことの確認を依頼する通知を送信する、決済処理を実行させるプログラム。
【請求項２】
前記決済処理は、
前記取引の結果が当該取引に不備があったことを示す場合であって、前記エスクローユーザから前記取引に不備が認められない旨の通知を受信した場合には、前記預託アカウントから前記対価を前記売り手ユーザのアカウントに送信し、かつ、前記預託アカウントから前記保証料を前記エスクローユーザのアカウントに送信する処理
を実行させる、請求項１に記載のプログラム。
【請求項３】
前記決済処理は、
前記取引の結果が当該取引に不備があったことを示す場合であって、前記エスクローユーザから、前記取引に不備があった旨の通知を受信した場合に、前記預託アカウントから前記対価を前記買い手ユーザに送信し、かつ、前記預託アカウントから前記保証料を前記エスクローユーザのアカウントに送信する処理
を実行させる、請求項１または２に記載のプログラム。
【請求項４】
前記プログラムは、
前記買い手ユーザから、前記買い手ユーザと前記売り手ユーザとの取引に関する取引情報を受信し、前記取引情報に基づいて、前記売り手ユーザから前記買い手ユーザへの商品または役務の提供日を決定する処理
をさらに実行させる、請求項１乃至３に記載のプログラム。
【請求項５】
前記プログラムは、
前記売り手ユーザから商品または役務の提供が完了した旨を示す提供完了通知を受信する完了通知受信処理と、
前記売り手ユーザから所定の期間、前記提供完了通知を受信しなかった場合に、前記預託アカウントから前記対価を前記買い手に送信する返金処理と、
をさらに実行させる請求項１乃至４に記載のプログラム。
【請求項６】
前記返金処理は、
前記所定の期間、前記提供完了通知を受信しなかった場合に、前記エスクローユーザに対して、取引の状況の確認を依頼する通知を送信する処理をさらに含む、
請求項５に記載のプログラム。
【請求項７】
前記プログラムは、
前記エスクロー決定処理の前に、取引に関する事前情報を受信した場合に、受信した前記事前情報に基づいて前記エスクローユーザの候補を抽出し、抽出した前記エスクローユーザの候補を前記買い手ユーザ及び／又は前記売り手ユーザに送信する処理を
さらに実行させる請求項１又は２に記載のプログラム。
【請求項８】
前記エスクローユーザの候補とともに、当該候補の信用度および／または当該候補を選択するのに必要な保証料に関する情報を送信する、
請求項７に記載のプログラム。
【請求項９】
情報処理装置が、
買い手ユーザ及び／又は売り手ユーザによって選択されたエスクローユーザの情報を取得するエスクロー決定処理と、
前記買い手ユーザから、商品又は役務の対価を受信し、前記買い手ユーザ及び／又は売り手ユーザから保証料を受信し、受信した前記対価及び前記保証料を預託アカウントに預託する預託処理と、
前記買い手ユーザから、前記買い手ユーザと前記売り手ユーザとの取引の結果を受信する結果受信処理と、
前記取引の結果が当該取引が正常に行われたことを示す場合に、前記預託アカウントから前記対価を前記売り手ユーザのアカウントに送信し、かつ、前記預託アカウントから前記保証料を前記エスクローユーザのアカウントに送信し、前記取引の結果が当該取引に不備があったことを示す場合に、前記エスクローユーザに対して、取引に不備があったことの確認を依頼する通知を送信する、決済処理を実行する情報処理方法。
【請求項１０】
情報処理装置が、
買い手ユーザ及び／又は売り手ユーザによって選択されたエスクローユーザの情報を取得する事前情報処理部と、
前記買い手ユーザから、商品又は役務の対価を受信し、前記買い手ユーザ及び／又は売り手ユーザから保証料を受信し、受信した前記対価及び前記保証料を預託アカウントに預託する取引情報処理部と、
前記買い手ユーザから、前記買い手ユーザと前記売り手ユーザとの取引の結果を受信する進捗処理部と、
前記取引の結果が当該取引が正常に行われたことを示す場合に、前記預託アカウントから前記対価を前記売り手ユーザのアカウントに送信し、かつ、前記預託アカウントから前記保証料を前記エスクローユーザのアカウントに送信する決済処理部と、前記取引の結果が当該取引に不備があったことを示す場合に、前記エスクローユーザに対して、取引に不備があったことの確認を依頼する通知を送信する前記進捗処理部と、を有する情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月22日(2021.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともインジウム及びガリウムを含む酸化物半導体からなる活性層と、
アルミニウム層を有し、前記活性層上に部分的に形成された電極層と、
前記活性層上に形成された層間絶縁層と、を有し、
前記層間絶縁層と前記活性層との界面における塩素濃度のピーク値が2.0×1019[atoms/cm3]以下であり、アルミニウム濃度のピーク値が1.0×1020[atoms/cm3]以下である、薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記層間絶縁層と前記活性層との界面における炭素濃度のピーク値が1.0×1020[atoms/cm3]以下である、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記電極層は、非アルミニウム金属からなる第１導電層と、非アルミニウム金属からなる第２導電層と、前記第１導電層及び前記第２導電層に挟まれたアルミニウム層を有する、請求項１又は２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記層間絶縁層内における塩素濃度のピーク値は、前記界面における塩素濃度のピーク値の０．１％以下であり、
前記層間絶縁層内におけるアルミニウム濃度のピーク値は、前記界面におけるアルミニウム濃度のピーク値の１％以下である、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
請求項１〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタを備えた表示装置。
【請求項６】
基板上に、少なくともインジウム及びガリウムを含む酸化物半導体からなる活性層を形成し、
前記活性層上にアルミニウム層を有する電極層を形成し、
前記電極層上にレジスト層を形成し、
前記電極層をエッチングによりパターニングし、
前記レジスト層を剥離し、
前記活性層及び前記電極層上に層間絶縁層を形成し、
前記層間絶縁層と前記活性層との界面における塩素濃度のピーク値が2.0×1019[atoms/cm3]以下であり、アルミニウム濃度のピーク値が1.0×1020[atoms/cm3]以下とする、薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項７】
前記層間絶縁層と前記活性層との界面における炭素濃度のピーク値が1.0×1020[atoms/cm3]以下とする、請求項６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項８】
前記レジスト層を剥離する際に用いる剥離液は、ｐＨが１１以上である、請求項６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【請求項９】
前記レジスト層を剥離する際に用いる剥離液に含まれるアミン濃度が１９重量％以上である、請求項６に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月15日(2021.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電極部を含む静電チャックと、
前記静電チャックの前記電極部に印加する電圧を制御するための電圧制御部と、
を含み、
前記静電チャックに静電気力によって第１被吸着体が吸着され、かつ、前記静電チャックに静電気力によって前記第１被吸着体を介して第２被吸着体が吸着されているときに、前記電圧制御部は、互いに接触した前記第１被吸着体と前記第２被吸着体とを前記静電チャックから共に分離させるための分離電圧を印加する
ことを特徴とする静電チャックシステム。
【請求項２】
前記第１被吸着体は、絶縁性材料からなる基板であり、
前記第２被吸着体は、金属性材料からなるマスクである
ことを特徴とする請求項１に記載の静電チャックシステム。
【請求項３】
前記電極部への前記分離電圧の印加の際に、前記第２被吸着体は接地された支持手段によって支持される
ことを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャックシステム。
【請求項４】
前記分離電圧は、ゼロ（０）電圧、または前記第１被吸着体及び第２被吸着体を前記静電チャックに吸着させる時の吸着電圧とは逆極性の電圧である
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の静電チャックシステム。
【請求項５】
前記静電チャックは、複数の電極部を有し、
前記電圧制御部は、前記複数の電極部のそれぞれに対して独立に、前記分離電圧を印加する
ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載の静電チャックシステム。
【請求項６】
前記電圧制御部は、前記複数の電極部のそれぞれへの前記分離電圧の印加時期を異ならせる
ことを特徴とする請求項５に記載の静電チャックシステム。
【請求項７】
前記電圧制御部は、前記複数の電極部のそれぞれに印加される前記電圧の大きさを異ならせる
ことを特徴とする請求項５または６に記載の静電チャックシステム。
【請求項８】
前記電圧制御部は、前記分離電圧を印加する際に、前記電極部に前記第１被吸着体を吸着させるとき、および、前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着させるときの吸着電圧が前記複数の電極部に印加される順序と同じ順序で、前記複数の電極部に順に前記分離電圧を印加する
ことを特徴とする請求項５〜７のいずれか一項に記載の静電チャックシステム。
【請求項９】
前記電圧制御部は、前記複数の電極部のそれぞれに印加される前記分離電圧の大きさの制御において、前記静電チャックに前記第１被吸着体を吸着させるとき、および、前記静電チャックに前記第１被吸着体を介して前記第２被吸着体を吸着させるときに、前記複数の電極部のうち前記吸着電圧が早く印加された電極部ほど、より大きい前記分離電圧を印加する
ことを特徴とする請求項８に記載の静電チャックシステム。
【請求項１０】
基板にマスクを介して成膜を行うための成膜装置であって、
第１被吸着体である基板と第２被吸着体であるマスクを吸着するための静電チャックシステムを含み、
前記静電チャックシステムは、請求項１〜９のいずれか一項に記載の静電チャックシステムである
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項１１】
静電チャックの電極部から、当該電極部に吸着された被吸着体を分離する分離方法であって、
前記静電チャックに静電気力によって第１被吸着体が吸着され、かつ、前記静電チャックに静電気力によって前記第１被吸着体を介して第２被吸着体が吸着されているときに、互いに接触した前記第１被吸着体と前記２被吸着体とを前記静電チャックから共に分離させるための分離電圧を印加する工程と、
前記分離電圧を印加する工程の後に、前記第１被吸着体を支持する支持手段を移動させて、前記第１被吸着体を前記第２被吸着体から離隔させる工程と、
を含むことを特徴とする分離方法。
【請求項１２】
基板にマスクを介して蒸着材料を成膜する方法であって、
真空容器内にマスクを搬入する工程と、
真空容器内に基板を搬入する工程と、
静電チャックの電極部に第１吸着電圧を印加して、前記基板を静電チャックに吸着する工程と、
前記電極部に第２吸着電圧を印加して、前記静電チャックに前記基板を介して前記マスクを吸着する工程と、
前記静電チャックに前記基板と前記マスクが吸着した状態で、蒸着材料を蒸発させ、前記マスクを介して前記基板に蒸着材料を成膜する工程と、
請求項１１に記載の分離方法を用いて、前記静電チャックから、第２被吸着体としての前記マスクと、第１被吸着体としての前記基板を分離する工程と
を含むことを特徴とする成膜方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の成膜方法を用いて、電子デバイスを製造する
ことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一実施形態による静電チャックシステムは、電極部を含む静電チャックと、前記静電チャックの前記電極部に印加する電圧を制御するための電圧制御部とを含み、前記静電チャックに静電気力によって第１被吸着体が吸着され、かつ、前記静電チャックに静電気力によって前記第１被吸着体を介して第２被吸着体が吸着されているときに、前記電圧制御部は、互いに接触した前記第１被吸着体と前記第２被吸着体とを前記静電チャックから共に分離させるための分離電圧を印加することを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１１】
本発明の一実施形態による被吸着体分離方法は、静電チャックの電極部から、当該電極部に吸着された被吸着体を分離する分離方法であって、前記静電チャックに静電気力によって第１被吸着体が吸着され、かつ、前記静電チャックに静電気力によって前記第１被吸着体を介して第２被吸着体が吸着されているときに、互いに接触した前記第１被吸着体と前記２被吸着体とを前記静電チャックから共に分離させるための分離電圧を印加する工程と、前記電圧を印加する工程の後に、前記第１被吸着体を支持する支持手段を移動させて、前記第１被吸着体を前記第２被吸着体から離隔させる工程とを含むことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月22日(2021.9.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくともインジウム及びガリウムを含む酸化物半導体からなる活性層と、
少なくとも１つのゲート電極と、
前記活性層と前記ゲート電極間の前記ゲート電極側に配置された第１ゲート絶縁層と、
前記活性層と前記ゲート電極化の前記活性層側に配置された水素ブロック層である第２ゲート絶縁層と、
を有する薄膜トランジスタ。
【請求項２】
前記第１ゲート絶縁層は窒化シリコン層であり、前記第２ゲート絶縁層は酸化シリコン層であり、前記第２ゲート絶縁層の厚みが前記第１ゲート絶縁層より厚い、請求項１に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項３】
前記第１ゲート絶縁層の厚みは３０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、前記第２ゲート絶縁層の厚みは５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下であり、前記第１ゲート絶縁層と前記第２ゲート絶縁層の合計の厚みは４００ｎｍ以上である、請求項２に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項４】
前記第１ゲート絶縁層と前記第２ゲート絶縁層の厚みの差は５０ｎｍ以上である、請求項２又は３に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項５】
前記第１ゲート絶縁層と前記第２ゲート絶縁層の合計の厚みは６００ｎｍ以下である、請求項２〜４のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項６】
前記ゲート電極は、前記活性層の下部に設けられた下部ゲート電極と、前記活性層の上部に設けられた上部ゲート電極からなる、請求項１〜５のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項７】
前記活性層と前記上部ゲート電極間の、前記上部ゲート電極側に配置された第３ゲート絶縁層と、
前記活性層と前記上部ゲート電極間の、前記活性層側に配置された水素ブロック層である第４ゲート絶縁層と、を更に有する、請求項６に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項８】
前記第３ゲート絶縁層は窒化シリコン層であり、前記第４ゲート絶縁層は酸化シリコン層であり、前記第４ゲート絶縁層の厚みが前記第３ゲート絶縁層より厚い、請求項７に記載の薄膜トランジスタ。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の薄膜トランジスタを用いた表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月12日(2021.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
（１）本開示の一形態に係るリアクトルは、
巻線を巻回してなる巻回部を有するコイルと、
前記巻回部の内部に配置される内側コア部と、前記巻回部の外部に配置される外側コア部とを有する磁性コアと、
前記巻回部の内周面と前記内側コア部の外周面との間に充填される内側樹脂部と、を備えるリアクトルであって、
前記外側コア部における前記内側コア部に面する側を内方側とし、前記内方側との反対側を外方側とし、その内外方向と前記外側コア部内に励磁される磁束の方向の両方向に直交する方向を上下方向とするとき、
前記外側コア部は、前記上下方向に交差する分割面を介して、前記上下方向に連結される複数のコア片を有し、
前記内側コア部は、前記内外方向の一端側の面から他端側の面に向かって抜ける分割面を有さない。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
また、内側コア部が内外方向の一端側の面から他端側の面に向かって抜ける分割面を有さないことで、磁気特性の低下を抑制できる。内側コア部が上記分割面を有していれば、内側樹脂部の形成時、内側樹脂部の構成樹脂との接触に伴って内側コア部が上記内外方向へズレる虞がある。しかし、内側コア部が上記分割面を有さない。即ち、内側コア部は、上下方向、及び左右方向のいずれにも分割されていない。左右方向とは、内側コア部の上下方向と内側コア部内の磁束の方向（内外方向）との両方向に直交する方向をいう。そのため、内側樹脂部の形成時における内側コア部の上記内外方向へのズレの心配がないからである。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３２】
《実施形態１》
〔リアクトル〕
図１〜図４を参照して、実施形態１に係るリアクトル１を説明する。リアクトル１は、コイル２と磁性コア３とを組み合わせた組合体１０と内側樹脂部５とを備える。コイル２は、巻線２１１，２２１を巻回してなる巻回部２１，２２を有する。磁性コア３は、内側コア部３１と外側コア部３２とを有する。内側コア部３１は、巻回部２１，２２の内部に配置される。外側コア部３２は、巻回部２１，２２の外部に配置される。内側樹脂部５は、巻回部２１，２２の内周面と内側コア部３１の外周面との間に充填される。リアクトル１の特徴の一つは、内側コア部３１が特定の分割面を有さない点と、外側コア部３２が特定の分割面３２２を介して特定の方向に連結される複数のコア片３２１を有する点と、にある。以下、リアクトル１の主たる特徴部分、特徴部分に関連する部分の構成、及び主要な効果を順に説明する。その後、各構成を詳細に説明する。最後に、リアクトル１の製造方法を説明する。図３では、説明の便宜上、組合体１０の一部の構成（図１の巻回部２２など）を省略している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
分割面３２２は、上記（２−２）の形態を満たすことが好ましい。分割面３２２が上記（２−１）、（２−３）の形態を満たす場合に比較して、巻回部２１，２２と内側コア部３１との間の隙間が小さくても、その隙間に内側樹脂部５の構成樹脂を十分に充填させ易いからである。内側樹脂部５の形成時の上記充填圧力や上記保圧力を高めても、分割面３２２が上記（２−１）、（２−３）の形態を満たす場合に比較して、充填時の内側樹脂部５の構成樹脂との接触などにより外側コア部３２に作用する負荷を緩和し易い。即ち、外側コア部３２の割れを抑制し易い。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
上記（２−１）の形態とする場合、分割面３２２の縦断面形状は、折れ線形状、湾曲状、傾斜状などが挙げられる。折れ線形状としては、Ｖ字状、Ｎ字状、Ｗ字状などが挙げられる。湾曲状としては、円弧状、Ｓ字状、正弦波状などが挙げられる。分割面３２２の縦断面形状とは、外側コア部３２の上下方向と外側コア部３２内の磁束の方向（一対の巻回部２１，２２の並列方向）との両方向に平行な面を切断面としたとき、切断面に分割面３２２の縁で表される線の形状を言う。中でも、分割面３２２の縦断面形状がＶ字状、Ｎ字状、Ｗ字状、湾曲状であれば、上下方向のコア片３２１同士を分割面３２２の凹凸で嵌め合わせることができる。そのため、コア片３２１同士の位置決めを行い易い。外側コア部３２の上記切断面において、分割面３２２の各端部は、外側コア部３２の左右の各辺に交差していてもよいし、外側コア部３２の上辺、下辺、上側の角部、及び下側の角部のいずれかに交差していてもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
《実施形態５》
〔リアクトル〕
図８を参照して、実施形態５に係るリアクトルを説明する。実施形態５に係るリアクトルは、外側コア部３２が孔部３５（図１〜図４）を有さない点と、外側コア部３２の分割面３２２の形態と、が実施形態１と相違する。図８では、図１などとは違って、内側コア部３１と外側コア部３２の形状を簡略化して示している。この点は、後述する図９でも同様である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月28日(2021.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部端子部が形成された一方の面と他方の面とを有するリード部と、
前記リード部の前記外部端子部が形成された一方の面側に位置する一方の面と他方の面とを有し、前記リード部が連結されたコネクティングバーと、
前記コネクティングバーの一方の面に設けられた突起部と、を有し、
前記コネクティングバーの一方の面が、前記リード部の一方の面と他方の面との間に位置し、
前記突起部の先端が、前記リード部の一方の面と、前記コネクティングバーの一方の面との間に位置する、
ことを特徴とするリードフレーム。
【請求項２】
半導体素子を載置するための載置面を有するダイパッドをさらに有することを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項３】
各々が、半導体素子を載置するための載置面を有するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に配置された複数の前記リード部とを有する複数のリードフレーム要素をさらに有することを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項４】
前記突起部は、前記コネクティングバーの延在方向に沿って直線状に延在することを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項５】
前記リード部は、相対的に長さが長い複数の長リード部と、相対的に長さが短い複数の短リード部とを含み、
前記コネクティングバーは、前記長リード部及び前記短リード部の長手方向と直交する方向に延在し、対応する一対の前記長リード部及び一対の前記短リード部を連結し、
前記コネクティングバーは、
対応する一対の前記長リード部の間に位置する複数の長リード連結部と、
対応する一対の前記短リード部の間に位置する複数の短リード連結部と、を有し、
前記突起部は、前記コネクティングバーの一方の面のうち、前記長リード連結部及び前記短リード連結部に対応する領域に形成されることを特徴とする請求項４に記載のリードフレーム。
【請求項６】
前記突起部は、前記コネクティングバーの延在方向に沿って島状に配置されることを特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
【請求項７】
前記リード部は、相対的に長さが長い複数の長リード部と、相対的に長さが短い複数の短リード部とを含み、
前記コネクティングバーは、前記長リード部及び前記短リード部の長手方向と直交する方向に延在し、対応する一対の前記長リード部及び一対の前記短リード部を連結し、
前記コネクティングバーは、
対応する一対の前記長リード部の間に位置する複数の長リード連結部と、
対応する一対の前記短リード部の間に位置する複数の短リード連結部と、を有し、
前記突起部は、前記コネクティングバーの一方の面のうち、前記長リード連結部に対応する領域に形成されることを特徴とする請求項６に記載のリードフレーム。
【請求項８】
前記リード部の一方の面に、外部の配線基板に接続される外部端子部が設けられ、
前記リード部の他方の面に、半導体素子と前記リード部とを電気的に接続するための接続部に接続される内部端子部が設けられることを特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のリードフレーム。
【請求項９】
金属基板に、レジスト層を形成する工程と、
前記レジスト層をマスクとして前記金属基板にエッチングを施すことにより、前記金属基板に、外部端子部が形成された一方の面と他方の面とを有するリード部と、前記リード部の前記外部端子部が形成された一方の面側に位置する一方の面と他方の面とを有し、前記リード部が連結されたコネクティングバーと、前記コネクティングバーの一方の面に設けられた突起部とを形成する工程と、
前記金属基板から前記レジスト層を除去する工程と、を含み、
前記コネクティングバーの一方の面が、前記リード部の一方の面と他方の面との間に位置し、
前記突起部の先端が、前記リード部の一方の面と、前記コネクティングバーの一方の面との間に位置する、
ことを特徴とするリードフレームの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
［実施例１］
［リードフレームの構成］
図１は、実施例１に係るリードフレーム１０の表面を示す平面図である。図２は、実施例１に係るリードフレーム１０の裏面を示す平面図である。図３は、図１のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面図である。なお、以下の説明において、「表面」とは、後述する半導体素子２１を載置するための載置面側に位置する面を示し、「裏面」とは、半導体素子２１を載置するための載置面とは反対側に位置する面を示す。また、図２において、ハーフエッチング加工が施された部分を斜線で示している。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月18日(2021.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ドナー濃度１×１０15〜２×１０16／ｃｍ3 のｎ型のＧａＮからなるｎ層と、前記ｎ層の一部領域に、イオン注入および熱処理により設けられたｐ型のＧａＮからなる領域であるｐ型領域と、前記ｎ層上および前記ｐ型領域上に設けられ、前記ｎ層に対してショットキー接触するショットキー電極と、を有し、
平面視で前記ｐ型領域のない領域をＡ領域とし、
ＧａＮの伝導帯下端から０．１０ｅＶ以上０．２０ｅＶ未満のエネルギーの電子トラップ準位をＴＥ１、
ＧａＮの伝導帯下端から０．３０ｅＶ以上０．４５ｅＶ未満のエネルギーの電子トラップ準位をＴＥ３、
ＧａＮの伝導帯下端から０．４５ｅＶ以上０．６０ｅＶ未満のエネルギーの電子トラップ準位をＴＥ４、とし、
前記Ａ領域における各電子トラップ準位の平均密度は、前記ｎ層と前記ショットキー電極との界面から前記ｎ層側に０．８〜１．６μｍの深さの領域における前記ｎ層中の各電子トラップ準位の平均密度として、
前記Ａ領域における各電子トラップ準位の平均密度は、
ＴＥ４の電子トラップ準位の平均密度に対するＴＥ１の電子トラップ準位の平均密度の比が、ＴＥ４の電子トラップ準位の平均密度に対するＴＥ３の電子トラップ準位の平均密度の比よりも大きく、かつ、ＴＥ４の電子トラップ準位の平均密度に対するＴＥ１の電子トラップ準位の平均密度の比が１以下、となるように設定されている、
ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第１態様は、ドナー濃度１×１０15〜２×１０16／ｃｍ3 のｎ型のＧａＮからなるｎ層と、ｎ層の一部領域に、イオン注入および熱処理により設けられたｐ型のＧａＮからなる領域であるｐ型領域と、ｎ層上およびｐ型領域上に設けられ、ｎ層に対してショットキー接触するショットキー電極と、を有し、
平面視でｐ型領域のない領域をＡ領域とし、
ＧａＮの伝導帯下端から０．１０ｅＶ以上０．２０ｅＶ未満のエネルギーの電子トラップ準位をＴＥ１、
ＧａＮの伝導帯下端から０．３０ｅＶ以上０．４５ｅＶ未満のエネルギーの電子トラップ準位をＴＥ３、
ＧａＮの伝導帯下端から０．４５ｅＶ以上０．６０ｅＶ未満のエネルギーの電子トラップ準位をＴＥ４、とし、
Ａ領域における各電子トラップ準位の平均密度は、ｎ層とショットキー電極との界面からｎ層側に０．８〜１．６μｍの深さの領域におけるｎ層中の各電子トラップ準位の平均密度として、
Ａ領域における各電子トラップ準位の平均密度は、
ＴＥ４の電子トラップ準位の平均密度に対するＴＥ１の電子トラップ準位の平均密度の比が、ＴＥ４の電子トラップ準位の平均密度に対するＴＥ３の電子トラップ準位の平均密度の比よりも大きく、かつ、ＴＥ４の電子トラップ準位の平均密度に対するＴＥ１の電子トラップ準位の平均密度の比が１以下、となるように設定されている、
ことを特徴とする半導体装置である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３６】
Ａ領域については、ＴＥ４の電子トラップ準位の平均密度ｎ４Ａに対するＴＥ１の電子トラップ準位の平均密度ｎ１Ａの比（ｎ１Ａ／ｎ４Ａ）が、ＴＥ４の電子トラップ準位の平均密度ｎ４Ａに対するＴＥ３の電子トラップ準位の平均密度ｎ３Ａの比（ｎ３Ａ／ｎ４Ａ）よりも大きく、かつＴＥ４の電子トラップ準位の平均密度ｎ４Ａに対するＴＥ１の電子トラップ準位の平均密度ｎ１Ａの比（ｎ１Ａ／ｎ４Ａ）が１以下となるように設定されている。つまり、（ｎ３Ａ／ｎ４Ａ）＜（ｎ１Ａ／ｎ４Ａ）≦１を満たすように設定されている。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月17日(2020.12.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
様々な例は記載されてきた。これらの実施例及び他の実施例は以下の特許請求の範囲内にある。
以下に本発明の非限定的態様を記載する。
（態様１）
セラミック又はセラミックマトリックス複合材を含む基材、
前記基材上の結合層、該結合層はケイ素金属及びボリア安定化剤を含み、該ボリア安定化剤はケイ酸亜鉛、ケイ酸タンタル、ケイ酸ニオブ、ケイ酸モリブデン及びケイ酸タングステンのうちの少なくとも1種を含む、及び、
前記結合層上の少なくとも１つの追加の層、
を含む、物品。
（態様２）
前記少なくとも１つの追加の層は環境バリアコーティング(EBC)を含み、該EBCは、ムライト、バリウムストロンチウムアルミノシリケート（BSAS）、バリウムアルミノシリケート（BAS）、ストロンチウムアルミノシリケート（SAS）、希土類酸化物、希土類ケイ酸塩、アルミノケイ酸塩又はアルカリ土類アルミノシリケートのうちの少なくとも1種を含む、態様１記載の物品。
（態様３）
EBCの外側表面は磨耗性であり、空隙体積率が約10体積％(vol.%)を超える多孔性ミクロ構造を含むか、又は、
前記少なくとも１つの追加の層はEBC上に空隙体積率が約15体積％(vol.%)を超える多孔性磨耗性層をさらに含むか、
の少なくともいずれかである、態様２記載の物品。
（態様４）
前記基材はホウ素、ボリア、又は、酸化してボリアを生成するホウ素含有種を含む、態様１〜３のいずれか1項記載の物品。
（態様５）
前記結合層の熱膨張係数(CTE)は室温で約2 百万分率/℃(ppm/℃)〜約6 ppm/℃である、態様１〜４のいずれか１項記載の物品。
（態様６）
前記結合層はケイ酸ジルコニウム又はケイ酸ハフニウムの少なくともいずれかをさらに含む、態様1〜５のいずれか1項記載の物品。
（態様７）
前記結合層は約2体積％(vol.%)〜約40 vol.%のボリア安定化剤を含む、態様１〜６のいずれか１項記載の物品。
（態様８）
セラミック又はセラミックマトリックス複合材及びホウ素、ボリア、又は、酸化してボリアを生成するホウ素含有種を含む基材上に、ケイ素金属及びボリア安定化剤を含む結合層を形成すること、該ボリア安定化剤はケイ酸亜鉛、ケイ酸タンタル、ケイ酸ニオブ、ケイ酸モリブデン及びケイ酸タングステンのうちの少なくとも1種を含む、及び、
前記結合層上に少なくとも１つの追加の層を形成すること、
を含む、方法。
（態様９）
前記基材を加熱して、ホウ素又はホウ素含有種を酸化させてボリアを生成させ、該ボリアを前記基材から前記結合層に拡散させること、及び、前記ボリアを前記ボリア安定化剤と反応させること、該ボリア及びボリア安定化剤は反応して、ホウケイ酸金属ガラスを生成する、
をさらに含む、態様８記載の方法。
（態様１０）
前記結合層上に前記少なくとも１つの追加の層を形成させることは、結合層上に環境バリアコーティング(EBC)を形成させることを含む、態様８又は９記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック又はセラミックマトリックス複合材を含む基材、
前記基材上の結合層、該結合層はケイ素金属及びボリア安定化剤を含み、該ボリア安定化剤はケイ酸亜鉛、ケイ酸タンタル、ケイ酸ニオブ、ケイ酸モリブデン及びケイ酸タングステンのうちの少なくとも1種を含む、及び、
前記結合層上の少なくとも１つの追加の層、
を含む、物品。
【請求項２】
前記少なくとも１つの追加の層は環境バリアコーティング(EBC)を含み、該EBCは、ムライト、バリウムストロンチウムアルミノシリケート（BSAS）、バリウムアルミノシリケート（BAS）、ストロンチウムアルミノシリケート（SAS）、希土類酸化物、希土類ケイ酸塩、アルミノケイ酸塩又はアルカリ土類アルミノシリケートのうちの少なくとも1種を含む、請求項１記載の物品。
【請求項３】
EBCの外側表面は磨耗性であり、空隙体積率が約10体積％(vol.%)を超える多孔性ミクロ構造を含むか、又は、
前記少なくとも１つの追加の層はEBC上に空隙体積率が約15体積％(vol.%)を超える多孔性磨耗性層をさらに含むか、
の少なくともいずれかである、請求項２記載の物品。
【請求項４】
前記基材はホウ素、ボリア、又は、酸化してボリアを生成するホウ素含有種を含む、請求項１〜３のいずれか1項記載の物品。
【請求項５】
前記結合層の熱膨張係数(CTE)は室温で約2 百万分率/℃(ppm/℃)〜約6 ppm/℃である、請求項１〜４のいずれか１項記載の物品。
【請求項６】
前記結合層はケイ酸ジルコニウム又はケイ酸ハフニウムの少なくともいずれかをさらに含む、請求項1〜５のいずれか1項記載の物品。
【請求項７】
前記結合層は約2体積％(vol.%)〜約40 vol.%のボリア安定化剤を含む、請求項１〜６のいずれか１項記載の物品。
【請求項８】
セラミック又はセラミックマトリックス複合材及びホウ素、ボリア、又は、酸化してボリアを生成するホウ素含有種を含む基材上に、ケイ素金属及びボリア安定化剤を含む結合層を形成すること、該ボリア安定化剤はケイ酸亜鉛、ケイ酸タンタル、ケイ酸ニオブ、ケイ酸モリブデン及びケイ酸タングステンのうちの少なくとも1種を含む、及び、
前記結合層上に少なくとも１つの追加の層を形成すること、
を含む、方法。
【請求項９】
前記基材を加熱して、ホウ素又はホウ素含有種を酸化させてボリアを生成させ、該ボリアを前記基材から前記結合層に拡散させること、及び、前記ボリアを前記ボリア安定化剤と反応させること、該ボリア及びボリア安定化剤は反応して、ホウケイ酸金属ガラスを生成する、
をさらに含む、請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記結合層上に前記少なくとも１つの追加の層を形成させることは、結合層上に環境バリアコーティング(EBC)を形成させることを含む、請求項８又は９記載の方法。