(57)【要約】    【課題】  接続信頼性の高いめっき充填ビア導体を備え、微細な導体パターンを形成できるプリント配線板を提供する    【解決手段】  金属箔４８上に金属層５３、無電解めっき層５２、電解めっき層５６を形成した後、無電解めっき層５２、電解めっき層５６および金属層５３を除去し、均一厚みで厚みの薄い金属箔４８を露出させてからエッチングで導体パターン４８、５８を形成するので、めっき充填ビア導体６０と厚みの薄い導体パターン４８、５８を同時に形成でき、プリント配線板のファインピッチ化が可能と成る。【選択図】  図７
2014067946.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
層間樹脂絶縁層上に金属箔を積層することと；
前記金属箔上に金属層を形成することと；
前記金属層に前記金属箔を露出する開口を設けることと；
前記開口の内部にレーザーを照射して前記金属箔及び前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔を設けることと；
前記金属層上及び前記貫通孔の側壁上に無電解めっき層を形成することと；
前記無電解めっき層上に電解めっき層を形成することと；
前記金属層上に形成されている前記無電解めっき層および電解めっき層を除去し、前記金属層を露出させることと；
前記金属層を除去すること；
前記金属箔上に開口を有するレジストを形成することと；
前記開口から露出する前記金属箔を除去することで、導体パターンを形成することと；
前記レジストを剥離することと；
を有するプリント配線板の製造方法。
【請求項２】
請求項１のプリント配線板の製造方法において：
前記金属層を前記金属箔とは異なる材料から形成する。
【請求項３】
請求項１又は請求項２のプリント配線板の製造方法において：
前記金属層を前記無電解めっき層および前記電解めっき層とは異なる材料から形成する。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれか１のプリント配線板の製造方法において：
前記金属層を除去したとき前記金属箔の表面と前記貫通孔内の前記電解めっき層の表面とは略同一平面上に位置するようにする。
【請求項５】
請求項１〜請求項３のいずれか１のプリント配線板の製造方法において：
前記金属層を除去したとき前記金属箔の表面と前記貫通孔内の前記電解めっき層の表面とに段差を設けるようにする。
【請求項６】
請求項５のプリント配線板の製造方法において：
前記金属層を除去したとき前記貫通孔内の前記電解めっき層の表面の位置は、前記金属箔の表面の位置より、上部層間樹脂絶縁層側に突出しているようにする。
【請求項７】
請求項１〜請求項６のいずれか１のプリント配線板の製造方法において：
前記金属箔は銅箔およびCu-W合金箔のいずれか一方から選択される。
【請求項８】
請求項１〜請求項７のいずれか１のプリント配線板の製造方法において、
前記金属層はニッケル、クロム、チタンから成る群から選択される少なくとも1種からなる。
【請求項９】
請求項１〜請求項８のいずれか１のプリント配線板の製造方法において、
前記金属層はめっき法、スパッタ法または蒸着法により形成される。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれか１のプリント配線板の製造方法において、
前記金属層の厚みは、０．１μｍ〜５μｍの範囲である。
【請求項１１】
請求項１〜請求項１０のいずれか１のプリント配線板の製造方法において、
前記金属箔の厚みは、３μｍ〜１０μｍの範囲である。
【請求項１２】
コア基板上の層間樹脂絶縁層と、
前記層間樹脂絶縁層を貫通する無電解めっき層と電解めっき層から構成されるビア導体と、
前記ビア導体と接続し、前記層間樹脂絶縁層上に形成された金属箔から構成される導体パターンと、
を有するプリント配線板。
【請求項１３】
請求項１２のプリント配線板において、
前記ビア導体と前記導体パターンは、前記ビア導体を構成する無電解めっき層と前記導体パターンを構成する前記金属箔が接合していることを特徴とする。
【請求項１４】
請求項１２又は請求項１３のプリント配線板において、
前記金属箔の表面と前記貫通孔内の前記電解めっき層の表面とは略同一平面上に位置することを特徴とする。
【請求項１５】
請求項１２又は請求項１３のプリント配線板において、
前記貫通孔内の前記電解めっき層の表面の位置は、前記金属箔の表面の位置より、上部層間樹脂絶縁層側に突出していることを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、層間樹脂絶縁層のビア開口にめっき充填して成るフィルドビアを備えるプリント配線板、及び、該プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、携帯機器に用いられるプリント配線板は、高集積化と共に薄型化が求められている。ここで、プリント配線板を薄型化するためには、導体パターンの厚みを薄くする必要がある。
【０００３】
層厚が１０μｍ以下の導体パターンとめっき充填ビア（フィルドビア）を電解めっきにより同時に形成すると、ビア導体のめっき充填が完全には出来ず、ビア導体の最表面中央部に凹部ができ、層間樹脂絶縁層を積層するとボイド等が発生して信頼性が低下する原因となる。
【０００４】
ＵＳ−Ｂ２−８１８７４７９では、コア基板上に銅箔、Ｎｉ層を貼り、レーザーでビア開口を設け、ビア開口内をめっき層で充填した後、エッチングで銅箔を露出させ、導体パターンを形成することが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】ＵＳ−Ｂ２−８１８７４７９
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１では、レーザーで銅箔、Ｎｉ層を貫通してビア開口を形成するため、レーザーの出力を高める必要がある。このとき、ビア開口の大きさ形状にバラツキが生じたり、銅箔が絶縁層から剥離するなど、寸法精度が低下すると考えられる。
【０００７】
本発明は、上述した課題を解決するためになされたものであり、その目的とするところは、接続信頼性の高いフィルドビアを備え、微細な導体パターンを形成できるプリント配線板、該プリント配線板の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本願発明のプリント配線板の製造方法は、
層間樹脂絶縁層上に金属箔を積層することと；
前記金属箔上に金属層を形成することと；
前記金属層に前記金属箔を露出する開口を設けることと；
前記開口の内部にレーザーを照射して前記金属箔及び前記層間樹脂絶縁層を貫通する貫通孔を設けることと；
前記金属層上及び前記貫通孔の側壁上に無電解めっき層を形成することと；
前記無電解めっき層上に電解めっき層を形成することと；
前記金属層上に形成されている前記無電解めっき層および電解めっき層を除去し、前記金属層を露出させることと；
前記金属層を除去すること；
前記金属箔上に開口を有するレジストを形成することと；
前記開口から露出する前記金属箔を除去することで、導体パターンを形成することと；
前記レジストを剥離することと；
を有することを技術的特徴とする。
【０００９】
本願発明のプリント配線板は、
コア基板上の層間樹脂絶縁層と、
前記層間樹脂絶縁層を貫通する無電解めっき層と電解めっき層から構成されるビア導体と、
前記ビア導体と接続し、前記層間樹脂絶縁層上に形成された金属箔から構成される導体パターンと、とを有することを技術的特徴とする。
【発明の効果】
【００１０】
本願発明のプリント配線板の製造方法では、金属箔上に金属層、無電解めっき層、電解めっき層を形成した後、無電解めっき層、電解めっき層及び金属層を除去し、均一厚みで厚みの薄い金属箔を露出させてからエッチングでパターンを形成するので、厚みが一定の薄い導体パターンとめっき充填ビア導体を同時に形成でき、プリント配線板のファインピッチ化が可能と成る。露光・現像により形成したエッチングレジストを用いて金属層に開口を設け、該開口（メタルマスク）を介してビア開口を形成するので、ビア開口の位置精度が高い。また、金属箔、金属層をレーザーで貫通するのと比較し、金属箔のみをレーザーで貫通するので、レーザーを低出力で照射でき、ビア開口の寸法精度が高まり、ビア導体の接続信頼性が高まる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施例に係るプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図２】実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図３】実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４】実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図５】実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図６】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図７】実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図８】実施形態のプリント配線板で生じる応力を示す模式。
【図９】実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図１０】実施例のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
[第１実施形態]
本発明の第１実施形態に係るプリント配線板が図５に示されている。
第１実施形態のプリント配線板１０は、コア基板３０を有する。そのコア基板は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓとを有する絶縁基板２０ｚと絶縁基板の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３４Ｆと絶縁基板の第２面上に形成されている第２導体層３４Ｓを有する。コア基板はさらに第１導体層３４Ｆと第２導体層３４Ｓとを接続しているスルーホール導体３６を有する。スルーホール導体３６は絶縁基板２０Ｚを貫通している貫通孔２８に形成されている。貫通孔２８の形状やスルーホール導体３６の形状は、コア基板３０の第１面Ｆと第２面Ｓのそれぞれの表面に開口を有するそれぞれの開口部が中心に向かってテーパし、中心部で接続する砂時計形状である。コア基板３０の導体層は複数の導体回路やスルーホール導体の周りに形成されているスルーホールランドを含む。コア基板３０の第１面と絶縁基板２０Ｚの第１面は同じ面であり、コア基板３０の第２面と絶縁基板２０Ｚの第２面は同じ面である。
【００１３】
コア基板３０の第１面Ｆと第１導体層３４Ｆ上に層間樹脂絶縁層５０Ｆが形成されている。この層間樹脂絶縁層５０Ｆ上に導体層（最上の導体層）５８Ｆが形成されている。導体層５８Ｆと第１導体層３４Ｆやスルーホール導体３６は、層間樹脂絶縁層５０Ｆを貫通するビア導体６０Ｆで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｆ、導体層５８Ｆとビア導体６０Ｆで第１面側のビルドアップ層５５Ｆが形成されている。第１実施形態では、第１面側のビルドアップ層は１層である。なお、第１面側のビルドアップ層は複数層積層できる。
【００１４】
コア基板３０の第２面Ｓと第２導体層３４Ｓ上に層間樹脂絶縁層５０Ｓが形成されている。この層間樹脂絶縁層５０Ｓ上に導体層５８Ｓが形成されている。導体層５８Ｓと第２導体層３４Ｓやスルーホール導体３６は、層間樹脂絶縁層５０Ｓを貫通するビア導体６０Ｓで接続されている。層間樹脂絶縁層５０Ｓと導体層５８Ｓとビア導体６０Ｓで第２面側のビルドアップ層５５Ｓが形成されている。第１実施形態では、第２面側のビルドアップ層は１層である。なお、第２面側のビルドアップ層は複数層積層できる。
【００１５】
第１面側のビルドアップ層上に第１面側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、第２面側のビルドアップ層上に第２面側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成されている。ソルダーレジスト層７０Ｆは、導体層やビア導体の上面を露出する開口７１Ｆを有する。ソルダーレジスト層７０Ｓは、導体層やビア導体の上面を露出する開口７１Ｓを有する。第１面側のソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１ＦにはＩＣチップ実装用の半田バンプ７６Ｆが形成されている。第２面側のソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓにはマザーボード実装用のＢＧＡ半田バンプ７６Ｓが形成されている。
【００１６】
[実施形態の説明]
図６及び図７を参照して、本発明の実施形態に係るプリント配線板の製造方法を説明する。
下面側に導体パターン３４を備える層間樹脂絶縁層５０上に金属箔４８が積層される。金属箔４８の厚みは、３μｍ〜１０μｍの範囲が好ましい。金属箔４８の厚みが、３μｍ未満では、この金属箔から形成される導体パターンの厚みは３μｍ未満となるため、インピーダンスの影響を受けやすいので適さないと思われる。金属箔４８の厚みが、１０μｍを越えると、この金属箔から形成される導体パターンの厚みは１０μｍを越えるため、基板を構成する金属の割合が高くなり、基板全体の反りの抑制ができないので適さないと思われる。金属箔４８は、銅箔あるいはＣｕ−Ｗ系合金箔が好ましい。低電気抵抗および低熱膨張係数であることが理由である。
【００１７】
金属箔４８上にスパッタ法により金属層５３が形成される。金属層５３はめっき法、スパッタ法または蒸着法のいずれかの方法により形成することが望ましい。金属層の厚みは、０．１μｍ〜５μｍの範囲が好ましい。金属層の厚みが０．１μｍ未満では容易にレーザー貫通してしまうので、メタルマスクとして使用できない。金属層の厚みが５μｍを越えると、ビア開口用のメタルマスク開口５３ａのエッチング時間と、パターン形成時のエッチング除去時間がかかりすぎるので適さない。本発明で、金属層５３は、導体パターンに形成される金属箔４８とは異なる金属材料を使用することが望ましい。金属層５３は、レーザーによるビア開口のメタルマスクとして使用された後、パターン形成時に選択的エッチング液による選択的エッチングにより除去されるからである。金属層５３はニッケル、クロム、チタンから成る群から選択される少なくとも1種からなることが望ましい。
【００１８】
エッチングレジストフィルムが金属層５３上に形成され、図示しないマスクを介して露光され、現像され、ビア開口形成位置に開口４７ａを備えるエッチングレジスト４７が形成される（図６（Ｃ））。エッチングレジスト４７の開口４７ａを介して、選択エッチングにより金属層５３に開口５３ａが形成される（図６（Ｄ））。エッチングレジスト４７が剥離される（図６（Ｅ））。金属層５３の開口５３ａを介してレーザーが照射され、金属箔４８と層間樹脂絶縁層５０が貫通され、ビア開口５１が金属箔４８と層間樹脂絶縁層５０に形成される（図６（Ｆ））。
【００１９】
無電解めっきにより、シード層として無電解めっき層５２がビア開口５１の内壁と金属層５３上に形成され、更に、電解めっきにより、ビア開口５１の内壁の無電解めっき層５２上と金属層５３上の無電解めっき層５２上に電解めっき層５６が形成され、ビア開口５１が電解めっき層５６で充填される。同時に、金属層５３上にも電解めっき層５６が形成される（図７（Ａ））。金属層５３を前記無電解めっき層および前記電解めっき層とは異なる材料から形成することが望ましい。本発明では、前記無電解めっき層および前記電解めっき層でビア開口を充填した後、選択的エッチング液による選択的エッチングにより、前記無電解めっき層および前記電解めっき層を除去することで、ビア導体が、形成されるからである。無電解めっき膜は金属箔と同一の金属材料が適している。同一材料であると、密着性が高く、抵抗値も低くできる。同様に電解めっき膜は無電解めっき層と同一の金属材料が適している。同一材料であると、密着性が高く、抵抗値も低くできる。金属箔が銅箔の場合は、無電解銅めっき層と電解銅めっき層が適している。
【００２０】
選択エッチング液により、金属層５３上の無電解めっき層５２、電解めっき層５６が除去される（図７（Ｂ））。同時に、ビア導体６０の最表面の位置が、金属層５３の表面と略同一面上の位置になるか（図７（Ｂ））、あるいは、導体３４の方向に向かって金属層５３の表面より凹む位置になるように、ビア導体最表層の無電解めっき層および電解めっき層５６が除去される（図９（Ａ）、図１０（Ａ））。選択エッチングにより金属層５３が除去され、金属箔４８が露出される（図７（Ｃ））。所定パターンのエッチングレジスト５４が形成される（図７（Ｄ））。エッチングレジスト５４の非形成部の金属箔４８が除去される（図７（Ｅ））。エッチングレジスト５４が除去され、無電解めっき層５２、電解めっき層５６から成るビア導体６０と、金属箔からなる導体パターン４８、５８が完成する（図７（Ｆ））。ビア導体６０を構成する無電解めっき層５２が金属箔４８と接合することで、ビア導体６０と導体パターン４８が接続している。
【００２１】
ビア導体６０の最表面の位置が金属層５３の表面と略同一面上の位置まで無電解めっき層５２および電解めっき層５６が除去された場合（図７（Ｂ））、ビア導体６０の最表面の位置は、導体パターン４８、５８の最表面の位置よりも、剥離された金属層の厚みｔ１分だけ導体３４から金属箔４８の方向に突出し、金属箔４８の表面とビア導体６０の最表面に段差が設けられる（図７（Ｆ））。ビア導体６０は、導体３４に向かってテーパしており最表面に近いほど径が大きくなるので、ビア導体６０と導体パターン４８、５８上に層間樹脂絶縁層１５０を積層したときに（図８）、アンカー効果により密着性が向上する。さらに、応力が発生したときに、図８中に示すようにビア導体６０の最上部外縁部の稜部６０Ｐを起点に亀裂（クラック）Ｃが発生しやすくなるので、ビア導体６０を構成する無電解めっき層５２と金属箔４８との接続部Ｆでの断線の発生を抑制できると思われる。
【００２２】
図９（Ａ）、（Ｂ）では、電解めっき層５６および無電解めっき層５２が除去されることにより、ビア導体６０の最表面の位置が、金属層５３の表面より導体３４の方向に凹み、金属箔の最表面の位置に一致する。金属層５３を選択エッチング液で除去した後、ビア導体６０の最表面の位置は、導体パターン４８，５８の最表面の位置と略同一面上の位置になる。ビア導体６０と導体パターン４８，５８上に層間樹脂絶縁層１５０を積層したときに、平坦な積層が可能になると思われる。
【００２３】
図１０（Ａ）、（Ｂ）では、ビア導体６０の最表面の位置は、金属層５３の表面より導体３４の方向に凹み、且つ、金属箔４８、５８の表面より導体３４から金属箔４８の方向に突出する位置にある。金属層５３を選択エッチング液で除去した後、ビア導体６０の最表面は、導体パターン４８，５８の最表面よりも、導体３４から金属箔４８の方向に突出する。突出部の厚みは、剥離された金属層の厚み以下である。
ビア導体６０は、導体３４に向かってテーパしており最表面に近いほど径が大きくなるので、ビア導体６０と導体パターン４８，５８の上に層間樹脂絶縁層１５０を積層したときに、アンカー効果により密着性が向上する。さらに、応力が発生したときに、ビア導体６０の最上部外縁部の稜部６０Ｐを起点に亀裂が発生しやすくなるので、ビア導体６０を構成する無電解めっき層５２と金属箔５８との接続部Ｆでの断線の発生を抑制できると思われる（図８参照）。
【００２４】
実施形態のプリント配線板の製造方法では、金属箔４８上に金属層５３、無電解めっき層５２、電解めっき層５６を形成した後、無電解めっき層５２、電解めっき層５６び金属層５３を除去し、均一厚みで厚みの薄い金属箔４８を露出させてからエッチングで導体パターン４８，５８を形成するため、厚みが一定の薄い導体パターン４８、５８とめっき充填ビア導体６０を同時に形成でき、プリント配線板のファインピッチ化が可能と成ると思われる。ビア導体６０は、設計厚みより厚く、かつ、ビア導体６０の最表面が金属層５３表面より高くなるように電解めっき層５６で形成される。その後、選択エッチング液による選択エッチングにより、金属層５３上の無電解めっき層５２および電解めっき層５６と、ビア導体６０の最表面の無電解銅めっき層および電解銅めっき層が除去されるので、最表面部に凹部が生じないビア導体６０が形成される。ビア導体６０の直上にビア導体を形成するとき、ビア導体６０の最表面が平坦であるので、ビア開口が精度よく形成され、接続信頼性の高いビア接続が可能となると考えられる。
【００２５】
露光・現像により形成したエッチングレジスト４７を用いて金属層５３に開口５３ａを設け、該開口５３ａを介してレーザーでビア開口５１を形成するので、ビア開口５１の位置精度が高いと思われる。また、金属箔４８、金属層５３を同時にレーザーで貫通するのと比較し、金属箔４８のみをレーザーで貫通させるので、レーザーを低出力で照射でき、ビア開口５１の寸法精度が高まり、ビア導体６０の信頼性が高まると思われる。レーザーの出力が大きいと、金属箔４８が層間樹脂絶縁層５０から剥離し、剥離した金属箔４８と層間樹脂絶縁層５０の間がめっき充填され、パターン形成後のエッチング処理でもパターン間が導体で接続する不具合が生じると考えられる。
【００２６】
[第１実施形態のプリント配線板の製造方法]
第１実施形態のプリント配線板１０の製造方法が図１〜図４に示される
（１）第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する絶縁基板２０ｚとその両面に積層されている銅箔２２、２２からなる両面銅張積層板２０が準備される（図１（Ａ））。両面銅張積層板として住友ベークライト社製のＥＬＣ４７８５ＴＨ−Ｇを用いることができる。絶縁基板の第１面Ｆ及び第２面Ｓ上に銅箔２２，２２がそれぞれラミネートされている。
【００２７】
（２）両面銅張積層板が加工され、スルーホール導体３６、第１導体層３４Ｆ、第２導体層３４Ｓを備えるコア基板３０が完成する（図１（Ｂ））。コア基板の第１面と絶縁基板の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁基板の第２面は同じ面である。コア基板３０はＵＳ７７８６３９０に開示されている方法で製造される。
【００２８】
（３）コア基板３０の第１面Ｆ上及び第２面Ｓ上に、無機繊維とシリカなどの無機粒子とエポキシ等の熱硬化性樹脂を含むプリプレグと厚み７μｍの銅箔４８が順に積層される。その後、加熱プレスでプリプレグから層間樹脂絶縁層５０Ｆと層間樹脂絶縁層５０Ｓが形成され、銅箔４８が層間樹脂絶縁層に接着される（図１（Ｃ））。ここでは、無機繊維を備える層間樹脂絶縁層が積層されたが、心材を備えない層間樹脂絶縁層を用いることもできる。
【００２９】
（４）次に、銅箔４８上にめっき法により２μｍのニッケル層５３が形成される（図１（Ｄ））。エッチングレジストフィルムをニッケル層５３上に被覆し、図示しないマスクを介して露光され、現像され、ビア開口形成位置に開口４７ａを備えるエッチングレジスト４７が形成される（図１（Ｅ））。
【００３０】
（５）エッチングレジスト４７の開口４７ａを介して、選択エッチング液による選択エッチングによりニッケル層５３に開口５３ａが形成される（図２（Ａ））。エッチングレジスト４７が剥離される（図２（Ｂ））。ニッケル層５３の開口５３ａを介してＣＯ２ガスレーザーが照射され、銅箔４８および層間樹脂絶縁層が貫通され、ビア開口５１Ｆが層間樹脂絶縁層５０Ｆに、ビア開口５１Ｓが層間樹脂絶縁層５０Ｓに形成される（図２（Ｃ））。
【００３１】
（６）無電解銅めっきにより、無電解銅めっき層５２が形成され、更に、無電解銅めっき層５２をシード層として電解銅めっきにより電解銅めっき層５６が形成され、ビア開口５１Ｆ、５１Ｓが電解銅めっき層５６で充填される。同時に、ニッケル層５３上の無電解銅めっき層上にも電解銅めっき層５６が形成される（図２（Ｄ））。
【００３２】
（７）選択エッチングにより、ニッケル層５３上の無電解銅めっき層５２、電解銅めっき層５６が、ビア導体６０の最表面の位置がニッケル層５３の表面と略同一面になるように除去される（図２（Ｅ））。選択エッチングによりニッケル層５３が除去され、銅箔４８が露出される（図３（Ａ））。この時、ビア導体６０の最表面は、導体３４から銅箔４８の方向に向かって、ニッケル層の厚み分である２μｍの厚さが突出する位置にある。所定パターンのエッチングレジスト５４が形成される（図３（Ｂ））。エッチングレジスト５４非形成部の銅箔４８が除去される（図３（Ｃ））。エッチングレジスト５４が除去され、無電解銅めっき層５２、電解銅めっき層５６から成るビア導体６０Ｆ、６０Ｓ、７μｍの銅箔からなる導体パターン４８，５８Ｆ、５８Ｓが完成する（図３（Ｄ））。第１面側と第２面側のビルドアップ層５５Ｆ、５５Ｓが形成される。
【００３３】
（８）第１面側のビルドアップ層上に開口７１Ｆを有する第１面側のソルダーレジスト層７０Ｆが形成され、第１面側のビルドアップ層上に開口７１Ｓを有する第１面側のソルダーレジスト層７０Ｓが形成される（図４（Ａ））。
【００３４】
（９）ソルダーレジスト層７０Ｆ、７０Ｓの開口７１Ｆ、７１Ｓにニッケルめっき層７２が形成され、さらにニッケルめっき層７２上に金めっき層７４が形成される（図４（Ｂ））。ニッケル−金層の代わりにニッケル−パラジウム−金層が形成されてもよい。
【００３５】
（１０）ソルダーレジスト層７０Ｆの開口７１Ｆに半田ボール７６ｆが、ソルダーレジスト層７０Ｓの開口７１Ｓに半田ボール７６ｓが搭載され（図４（Ｃ））、リフローにより、開口７１Ｆに半田バンプ７６Ｆが、開口７１ＳにＢＧＡバンプ７６Ｆが形成される。プリント配線板１０が完成する（図５）。
【産業上の利用可能性】
【００３６】
上述した実施形態では、片面１層の層間樹脂絶縁層から構成されるビルドアップ層が形成されたが、本発明の構成は、片面２層以上の層間樹脂絶縁層から構成されるビルドアップ層に適用可能である。
【符号の説明】
【００３７】
３０  コア基板
４７  エッチングレジスト
４７ａ  開口
４８  銅箔
５０  層間樹脂絶縁層
５１  ビア開口
５２  無電解銅めっき層
５３  ニッケル層
５３ａ  開口
５６  電解銅めっき層
５８  導体パターン
６０  ビア導体
【図１】
2014067946.tif 000003
【図２】
2014067946.tif 000004
【図３】
2014067946.tif 000005
【図４】
2014067946.tif 000006
【図５】
2014067946.tif 000007
【図６】
2014067946.tif 000008
【図７】
2014067946.tif 000009
【図８】
2014067946.tif 000010
【図９】
2014067946.tif 000011
【図１０】
2014067946.tif 000012