(57)【要約】【課題】  電界吸収型光変調器を用いる光送信機において、安定した起動動作を実現することを目的としている。【解決手段】  光送信機において、駆動電流に応じて発光した光を出力する光源と、駆動電圧に応じて前記光源からの光を吸収し、吸収した光に対応したフォトカレントを出力する一方で、吸収しなかった光を光変調信号として送信する電界吸収型光変調器と、前記電界吸収型光変調器に前記駆動電圧を印加する駆動電圧印加回路と、前記光源の温度および前記電界吸収型光変調器の温度を制御する温度制御回路と、前記フォトカレントのモニタ結果に基づいて前記駆動電流を制御する駆動電流制御回路と、前記駆動電圧印加回路、前記温度制御回路および前記駆動電流制御回路の起動動作の順序を制御する起動シーケンス制御回路と、を備えたものである。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動電流に応じて発光した光を出力する光源と、
駆動電圧に応じて前記光源からの光を吸収し、吸収した光に対応したフォトカレントを出力する一方で、吸収しなかった光を光変調信号として送信する電界吸収型光変調器と、
前記電界吸収型光変調器に前記駆動電圧を印加する駆動電圧印加回路と、
前記光源の温度および前記電界吸収型光変調器の温度を制御する温度制御回路と、
前記フォトカレントのモニタ結果に基づいて前記駆動電流を制御する駆動電流制御回路と、
前記駆動電圧印加回路、前記温度制御回路および前記駆動電流制御回路の起動動作の順序を制御する起動シーケンス制御回路と、
を備えたことを特徴とする光送信機。
【請求項２】
前記起動シーケンス制御回路は、前記駆動電圧印加回路、前記温度制御回路および前記駆動電流制御回路の順に、または、前記温度制御回路、前記駆動電圧印加回路および前記駆動電流制御回路の順に起動動作の順序を制御することを特徴とする請求項１に記載の光送信機。
【請求項３】
前記起動シーケンス制御回路は、
前記駆動電圧印加回路を起動し、この起動した前記駆動電圧印加回路に、前記電界吸収型光変調器が最大限に消光した状態になるような前記駆動電圧を印加させ、
前記温度制御回路を起動し、この起動した前記温度制御回路に、目標温度になるように前記光源の温度および前記電界吸収型光変調器の温度をフィードバック制御させ、
前記駆動電流制御回路を起動し、この起動した前記駆動電流制御回路に、最大限に消光した状態になるような前記駆動電圧が印加された前記電界吸収型光変調器のフォトカレントが目標値になるように前記駆動電流をフィードバック制御させた後に、
前記駆動電圧印加回路に、光変調信号に対応した前記駆動電圧を印加させる、
ことを特徴とする請求項２に記載の光送信機。
【請求項４】
請求項１〜請求項３のいずれかに記載の光送信機が送信した前記光変調信号を、伝送路を伝送させ、光受信機で受信させることを特徴とする光通信システム。
【請求項５】
駆動電流に応じて発光した光を出力する光源と、駆動電圧に応じて前記光源からの光を吸収し、吸収した光に対応したフォトカレントを出力する一方で、吸収しなかった光を光変調信号として送信する電界吸収型光変調器と、を備えた光送信機の起動方法であって、
目標温度になるように前記光源の温度および前記電界吸収型光変調器の温度をフィードバック制御する温度制御ステップと、
最大限に消光した状態になるような前記駆動電圧が印加された前記電界吸収型光変調器のフォトカレントが目標値になるように前記駆動電流をフィードバック制御する駆動電流制御ステップと、
を備えたことを特徴とする光送信機の起動方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、光送信機、光通信システムおよび光送信機の起動方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体レーザに集積された電界吸収型光変調器の光電流の検出値に基づいて光出力を一定に制御する光送信機が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開平９−１４６０５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に開示されている従来の光送信機においては、後で詳細に説明するように、電界吸収型光変調器の光電流が温度や駆動電圧に大きく依存するので、電源投入時に電界吸収型光変調器を集積した半導体レーザの温度が定まらない状態で駆動電流をフィードバック制御すると、不安定な動作に陥り易いという問題点があった。
【０００５】
この発明は上記のような課題を解決するためになされたもので、電界吸収型光変調器を用いる光送信機において、安定した起動動作を実現することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
この発明に係る光送信機は、駆動電流に応じて発光した光を出力する光源と、駆動電圧に応じて前記光源からの光を吸収し、吸収した光に対応したフォトカレントを出力する一方で、吸収しなかった光を光変調信号として送信する電界吸収型光変調器と、前記電界吸収型光変調器に前記駆動電圧を印加する駆動電圧印加回路と、前記光源の温度および前記電界吸収型光変調器の温度を制御する温度制御回路と、前記フォトカレントのモニタ結果に基づいて前記駆動電流を制御する駆動電流制御回路と、前記駆動電圧印加回路、前記温度制御回路および前記駆動電流制御回路の起動動作の順序を制御する起動シーケンス制御回路と、を備えたものである。
【発明の効果】
【０００７】
この発明は、電界吸収型光変調器を用いる光送信機において、安定した起動動作を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】この発明の実施の形態１による光送信機を示す構成図
【図２】この発明の実施の形態１による光送信機を説明するための説明図
【図３】この発明の実施の形態１による光送信機を説明するための説明図
【図４】この発明の実施の形態１による光送信機を説明するための説明図
【図５】この発明の実施の形態１による光送信機を説明するための説明図
【図６】この発明の実施の形態２による光送信機を示す構成図
【図７】この発明の実施の形態３による光送信機を示す構成図
【図８】この発明の実施の形態４による光通信システムを示す構成図
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施の形態１．
図１は、この発明の実施の形態１による光送信機を示す構成図である。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。図１において、この光送信機は、光源としての半導体レーザ光源（Ｌａｓｅｒ  Ｄｉｏｄｅ、以下、ＬＤという場合がある）１と、半導体レーザ光源１から出力される光に変調信号を重畳させる電界吸収型光変調器２と、電界吸収型光変調器２の光電流（以下、フォトカレントという）を検出（以下、モニタという）するフォトカレントモニタ回路３、フォトカレントのモニタ値が一定になるように半導体レーザ光源１の駆動電流をフィードバック制御する駆動電流制御回路４と、電界吸収型光変調器２にバイアス電圧を印加する駆動電圧印加回路としてのバイアス電圧印加回路５と、半導体レーザ光源１の温度および電界吸収型光変調器２の温度を検出するサーミスタ抵抗６と、サーミスタ抵抗６で検出した温度が一定になるように半導体レーザ光源１の温度および電界吸収型光変調器２の温度をフィードバック制御する温度制御回路７と、温度制御回路７のフィードバック制御により半導体レーザ光源１および電界吸収型光変調器２の冷却または加熱を行う熱電冷却素子８（Ｔｈｅｒｍｏｅｌｅｃｔｒｉｃ  Ｃｏｏｌｅｒｓ、以下ＴＥＣという場合がある）と、電源電圧・リセット信号検出回路９と、駆動電流制御回路４、バイアス電圧印加回路５および温度制御回路７の起動順序を制御する起動シーケンス制御回路１０と、を備えている。
【００１０】
なお、図１において、半導体レーザ光源１および電界吸収型光変調器２は、例えば半導体基板上に集積化され光学的に接続されており、また、半導体レーザ光源１、電界吸収型光変調器２、フォトカレントモニタ回路３、駆動電流制御回路４、バイアス電圧印加回路５、サーミスタ抵抗６、温度制御回路７、熱電冷却素子８、電源電圧・リセット信号検出回路９、起動シーケンス制御回路１０は、例えば電気配線を介して電気的に接続されている。なお、半導体レーザ光源１および電界吸収型光変調器２は、集積化されたものに限られるものではなく、要するに、それぞれが同様の温度に制御される構成であれば、この発明の実施の形態として適用可能である。
【００１１】
図１において、半導体レーザ光源１は、例えばＩｎＰ系化合物半導体混晶を構成材料とする半導体レーザであり、１．５５μｍ波長帯の連続波としてのレーザ光を発光して出力する。なお、半導体レーザ光源１の構成は、これに限られるものではなく、例えば１．３μｍ波長帯や、固体レーザ等を用いるようにしても良く、要するに所望の光通信を実現するための光を駆動電流に応じて発光するものを、この発明の実施の形態として適用可能である。
【００１２】
図１において、電界吸収型光変調器２は、例えばＩｎＰ系化合物半導体混晶を構成材料とし、逆バイアス電圧の印加によるＩｎＧａＡｓＰ系多重量子井戸吸収層の吸収効率の変化、いわゆる量子閉じ込めシュタルク効果を利用した光変調器である。電界吸収型光変調器２は、吸収した光が電流に変換されたフォトカレントを出力する一方で、吸収しなかった透過光を、変調信号を含む駆動電圧に応じて光変調信号として出力する。すなわち、光変調器の光出力と逆相関関係となる光吸収量に対応するフォトカレントが流れることから、このフォトカレントのモニタ値により光出力の制御が可能である。なお、電界吸収型光変調器の構成は、これに限られるものではなく、要するに吸収した光が電流に変換されたフォトカレントが流れるような光変調器を、この発明の実施の形態として適用可能である。
【００１３】
図１において、光電流検出回路３、駆動電流制御回路４、バイアス電圧印加回路５、サーミスタ抵抗６、温度制御回路７、熱電冷却素子８、電源電圧・リセット信号検出回路９、起動シーケンス制御回路１０は、電気回路として構成されている。なお、起動シーケンス制御回路１０は、ディジタル信号処理回路として構成しても良く、また、マイクロコンピュータ等に実行させるコンピュータプログラムを用いてソフトウエア処理により実現するように構成しても良い。
【００１４】
次に動作について説明する。まず、［発明が解決しようとする課題］欄の記載に関する詳細な説明も含めて、駆動電流制御回路４、バイアス電圧印加回路５および温度制御回路７が各々独立して起動動作するような従来のものについて説明する。
【００１５】
図２〜５は、この発明の実施の形態１による光送信機を説明するための説明図であり、図２（ａ）は、従来の起動シーケンス例を示す図である。上記の通り、３つの回路が独立して起動動作すると、半導体レーザ光源１の温度が定まらない状態で、駆動電流をフィードバック制御することになる。
【００１６】
図３に、電界吸収型光変調器２のフォトカレントと半導体レーザ光源１の駆動電流との関係を示す。電界吸収型光変調器２に印加されたバイアス電圧が一定の条件において、図中、低温、常温、高温で示す半導体レーザ光源１と電界吸収型光変調器２の温度によってフォトカレントと駆動電流との関係が異なることが分かる。この異なる理由は、主に半導体レーザ光源１のスロープ効率と電界吸収型光変調器２の吸収効率が温度に依存して変化するためである。そのため、環境温度が定まらない条件下においては、同じフォトカレントでも、半導体レーザ光源１の光出力パワーも電界吸収型光変調器２の光出力パワーとの関係が一意に決まらない。その結果として、図２（ａ）に示すように、各回路が独立して起動動作すると、電源投入時に目標値に収束することがなく、不安定な動作に陥り易くなる。
【００１７】
また、図４に、電界吸収型光変調器２の光出力とバイアス電圧との関係を示す。温度が一定の条件においても、電界吸収型光変調器２のバイアス電圧の変化は、電界吸収型光変調器２の吸収効率を変化させるため、バイアス電圧を大きくすると吸収効率が高まり、結果として電界吸収型光変調器２の光出力が減少する。そのため、図２（ａ）に示すように、各回路が独立して起動動作すると、バイアス電圧が定まらない条件下において、光出力が変化してしまうため、半導体レーザ光源１の光出力パワーを誤検出してしまい、半導体レーザ光源１の光出力を誤った値に収束させてしまうことがあるのである。
【００１８】
これに対し、この発明の実施の形態１による光送信機では、起動シーケンス制御回路１０を設けることにより、安定した起動動作を実現することができるのである。
【００１９】
次に起動シーケンス制御に関する動作について詳細に説明する。図２（ｂ）は、実施の形態１の起動シーケンス例を示し、図５は、実施の形態１のアルゴリズムを示している。図２（ｂ）、図５において、電源電圧・リセット信号検出回路９が回路の電源電圧をトリガ信号として検出すると、起動シーケンス制御回路１０が制御を開始する。
【００２０】
図２（ｂ）、図５において、まず、起動シーケンス制御回路１０の指示により、バイアス電圧印加回路５が起動し、起動したバイアス電圧印加回路５は、電界吸収型光変調器２が最大消光レベルになるバイアス電圧を電界吸収型光変調器２に印加する（ステップＳＴ１）。なお、電界吸収型光変調器２の光出力を最大限に消光させた状態であれば、電界吸収型光変調器２の光出力を遮断した状態を保ちつつ、半導体レーザ光源１のフィードバック制御に対して、十分な電界吸収型光変調器２のフォトカレントをモニタ可能である。
【００２１】
次に、起動シーケンス制御回路１０の指示により、駆動電流制御回路４が起動せずにＬＤ駆動電流を流さない状態を維持しながら、温度制御回路７が起動し、起動した温度制御回路７は、半導体レーザ光源１の温度および電界吸収型光変調器２の温度をサーミスタ抵抗６で読み取り、この読み取った半導体レーザ光源１の温度および電界吸収型光変調器２の温度が目標温度になるように熱電冷却素子８のＴＥＣ駆動電流をフィードバック制御する、すなわち温度制御を行う（ステップＳＴ２）。
【００２２】
温度制御回路７は、サーミスタ抵抗６で読み取った温度と目標温度との差分が所定値より大きい場合（ステップＳＴ３のＮＯ）、温度制御を繰り返す。
【００２３】
一方、熱電冷却素子８のフィードバック制御が収束し、半導体レーザ光源１と電界吸収型光変調器２の温度が目標値に対して、ある一定の温度範囲内で近づいた後（ステップＳＴ３のＹＥＳ）、起動シーケンス制御回路１０の指示により、駆動電流制御回路４が起動し、駆動電流制御回路４は、半導体レーザ光源１の駆動電流制御を開始する。
【００２４】
この光変調器フォトカレントによる駆動電流制御において、駆動電流制御回路４は、電界吸収型光変調器２のフォトカレントを読み取り、この読み取ったフォトカレントが目標値になるように、半導体レーザ光源１の駆動電流をフィードバック制御する（ステップＳＴ４）。
【００２５】
このとき、電界吸収型光変調器２が最大限に消光された状態であれば、電界吸収型光変調器２の光出力を遮断した状態が保たれつつ、半導体レーザ光源１のフィードバック制御に対して、十分な電界吸収型光変調器２のフォトカレントがモニタ可能である。なお、ステップＳＴ１において、バイアス電圧印加回路５が起動し、最大消光レベルになるバイアス電圧を電界吸収型光変調器２に印加する例を示したが、このステップＳＴ１の起動動作は、ステップＳＴ３とステップＳＴ４の間に実行するようにしても良い。
【００２６】
駆動電流制御回路４は、電界吸収型光変調器２のフォトカレントと目標値との差分が所定値より大きい場合（ステップＳＴ５のＮＯ）、光変調器フォトカレントによる駆動電流制御を繰り返す。
【００２７】
一方、半導体レーザ光源１のフィードバック制御が収束し、電界吸収型光変調器２のフォトカレントの変動量も、ある一定の範囲内に収まったことを確認した後（ステップＳＴ５のＹＥＳ）、起動シーケンス制御回路１０の指示により、バイアス電圧印加回路５は、光送信機に求められる光伝送性能を満足する電界吸収型光変調器２のバイアス電圧になるように、電界吸収型光変調器２にバイアス電圧を設定する、すなわち、最終バイアス電圧を印加する（ステップＳＴ６）。
【００２８】
ここで、図２（ｂ）に示すように、最終的に電界吸収型光変調器２のバイアス電圧を設定するまでの間に、半導体レーザ光源１と電界吸収型光変調器２の温度と半導体レーザ光源１の駆動電流は、目標値に近い安定した状態に維持されるため、安定した半導体レーザ光源１の光出力の起動動作を実現できる。
【００２９】
すなわち、半導体レーザ光源１の温度および電界吸収型光変調器２の温度が目標値に近い値で安定した後、半導体レーザ光源１の駆動電流を流し始めるため、電界吸収型光変調器２のフォトカレントは、半導体レーザ光源１の駆動電流に比例して増えることになり、電界吸収型光変調器２のフォトカレントをモニタしながら、半導体レーザ光源１の駆動電流を安定的にフィードバック制御できる。
【００３０】
図５において、ステップＳＴ６で最終バイアス電圧を印加した後、起動シーケンス制御回路１０は、起動シーケンス制御を終了する。なお、起動シーケンス制御の終了後、光通信動作を開始する際は、後述する実施の形態２または３と同様の構成により、電界吸収型光変調器２に変調信号を重畳するようにすれば良い。
【００３１】
以上のように、この発明の実施の形態１による光送信機においては、起動シーケンス制御回路１０が、図５に示すアルゴリズムによる図２（ｂ）に示す起動シーケンスで、駆動電流制御回路４、バイアス電圧印加回路５および温度制御回路７の起動動作の順序を制御するようにしている。これにより、電界吸収型光変調器２を用いる光送信機において、安定した起動動作を実現することができるという作用効果を奏する。
【００３２】
なお、図２（ａ）に示す従来の起動シーケンス例のように、３つの回路が独立して起動動作し、例えば、環境温度が高温状態において、半導体レーザ光源１と電界吸収型光変調器２の温度が安定する前に起動動作を開始すると、同じＬＤ駆動電流に対して、高温時に半導体レーザ光源１の光出力パワーが小さいことから、フォトカレントを過小モニタすることになり、半導体レーザ光源１のＬＤ駆動電流を余計に流し、温度低下時に過大なＬＤ駆動電流を流すことで半導体レーザ光源１の性能が劣化する可能性があった。
【００３３】
これに対し、この発明の実施の形態１による光送信機においては、図２（ｂ）に示す上述の起動シーケンスを用いることにより、温度が不安定な状態において、特に環境温度と目標温度との差分が大きい場合の起動動作においても、電界吸収型光変調器２のフォトカレントを過小モニタしてしまうことがなく、半導体レーザ光源１に過大なＬＤ駆動電流を流してしまうことを防ぐことができる。
【００３４】
また、この発明の実施の形態１による光送信機においては、十分に温度とＬＤ駆動電流が安定してから、電界吸収型光変調器２から光信号を出力するため、起動時においても光出力波長を安定動作させることができる。特に、波長分割多重光通信システムに適用する光送信機においては、既に稼働中の隣接波長との干渉を回避するうえで有用である。
【００３５】
また、この発明の実施の形態１による光送信機において、さらに安定した起動動作を実現するために、各フィードバック制御回路における制御信号を段階的に変化させるなど、制御回路の利得定数を最適化させることで、より安定した起動動作を実現できる。
【００３６】
また、この発明の実施の形態１による光送信機の電源電圧・リセット信号検出回路９において、起動動作の開始条件としては、回路の電源電圧をトリガ信号に用いるだけでなく、光送信機の外部または内部のリセット信号を用いるようにしても良い。
【００３７】
また、この発明の実施の形態１による光送信機において、各制御動作を開始する際は、一定の待ち時間を設けることで、半導体レーザ光源１や電界吸収型光変調器２固有の遅延動作による電界吸収型光変調器２のフォトカレントやサーミスタ抵抗６による温度の検出誤差を極力抑えることもできる。
【００３８】
実施の形態２．
図６は、この発明の実施の形態２による光送信機を示す構成図である。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。図６において、実施の形態２による光送信機は、実施の形態１による光送信機の構成に加え、電界吸収型光変調器２と起動シーケンス制御回路１０との間に、電界吸収型光変調器２に変調信号を重畳する変調信号駆動回路１１を備えている。変調信号をコンデンサによる容量結合させることにより、電界吸収型光変調器２に変調信号を重畳させる構成である。なお、バイアス電圧印加回路５と変調信号駆動回路１１とで駆動電圧印加回路を構成する。また、それ以外の構成は、図１に示した実施の形態１による光送信機と同様であるため、その動作も含めて説明を省略する。
【００３９】
次に動作について説明する。図６において、実施の形態２による光送信機では、実施の形態１と同様にして、半導体レーザ光源１と電界吸収型光変調器２の温度が目標温度に近い値で安定した後、半導体レーザ光源１の駆動電流を流し始める。
【００４０】
その後は、実施の形態１とは異なり、起動シーケンス制御回路１０の指示により、変調信号駆動回路１１は、バイアス電圧印加回路５が電界吸収型光変調器２のバイアス電圧を最終的に印加する前に、変調信号を電界吸収型光変調器２に重畳させる。これにより、駆動電流制御回路４は、変調信号が重畳された状態で、電界吸収型光変調器２のフォトカレントをモニタしながら、半導体レーザ光源１のＬＤ駆動電流をフィードバック制御する。その後、ＬＤ駆動電流の制御動作が収束した後に、バイアス電圧印加回路５は、電界吸収型光変調器２に最終バイアス電圧を印加する。
【００４１】
以上のように、この発明の実施の形態２による光送信機においては、変調信号を重畳した後に、電界吸収型光変調器２から光信号を出力させるため、伝送路に光信号を出力してから、スムーズな回線接続を実現できるという作用効果を奏する。これは、一般に、伝送路の中継器や受信回路では、光信号の平均レベルだけを読み取って、光信号入力断検出をしている場合が多いため、変調信号を重畳したうえでの光出力動作により、伝送路における光信号断検出動作を精度良く実現できるためである。なお、その他の効果は、実施の形態１と同じである。
【００４２】
実施の形態３．
図７は、この発明の実施の形態３による光送信機を示す構成図である。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。図７において、実施の形態３による送信機は、実施の形態１による光送信機の構成に対し、実施の形態２のようにコンデンサによる容量結合を利用して電界吸収型光変調器２に変調信号を重畳させるのではなく、駆動電圧印加回路としての変調信号駆動回路１１がバイアス電圧の印加も兼ねる構成である。フォトカレントモニタ回路３は、変調信号駆動回路１１と起動シーケンス制御回路１０との間に接続する構成である。なお、それ以外の構成は、図１に示した実施の形態１による信号処理装置と同様であるため、その動作も含めて説明を省略する。
【００４３】
次に動作について説明する。図７において、実施の形態３による送信機の動作は、実施の形態２による送信機の動作と同様である。
【００４４】
以上のように、この発明の実施の形態３による送信機においては、変調信号駆動回路１１がバイアス電圧の印加も兼ねるように構成している。これにより、容量結合時に比べて、小型な回路構成で、実施の形態１、２と同様の作用効果を奏する。
【００４５】
実施の形態４．
図８は、この発明の実施の形態４による光通信システムを示す構成図である。なお、各図において、同一符号は同一または相当部分を示す。図８において、実施の形態４による光通信システムは、実施の形態１〜３のいずれかによる光送信機と同様の光送信機１２、光合波器１３、光増幅器１４、光分波器１５、光受信機１６を備え、それぞれ伝送路１７を介して光学的に接続されている。
【００４６】
なお、図８において、この光通信システムは、光送信機１２および光受信機１６を、それぞれ１以上の任意の数備えている。また、光合波器１３、光増幅器１４および光分波器１５についても、それぞれいくつ備えるようにしても良い。光合波器１３および光分波器１５としては、波長選択スイッチ（Ｗａｖｅｌｅｎｇｔｈ  Ｓｅｌｅｃｔｉｖｅ  Ｓｗｉｔｃｈ：ＷＳＳ）を用いても良い。
【００４７】
次に動作について説明する。光送信機１２の動作は、実施の形態１〜３のいずれかの光送信機の動作と同様である。図８において、各光送信機１２から送信された光変調信号は、光合波器１３により波長分割多重光信号として合波される。そして、光増幅器１４が、この合波され伝送路１７を伝送された波長分割多重光信号を増幅し、光分波器１５は、増幅され伝送路１７を伝送された波長分割多重光信号を分波して、分波された各光変調信号を対応する光受信機１６に出力する。すなわち、光受信機１６は、光送信機１２から送信された光変調信号を光分波器１５経由で受信する。
【００４８】
なお、図示しない別の通信回線経由で、光受信機１６から光送信機１２へＢＥＲ（Ｂｉｔ  Ｅｒｒｏｒ  Ｒａｔｅ）情報が通知されるようにしても良い。これにより、光送信機１２のバイアス電圧印加回路５または変調信号駆動回路１１は、通知されたＢＥＲ情報を利用して光伝送性能を最適化するように、電界吸収型光変調器２に印加する最終バイアス電圧設定の微調整を行うことが可能となる。
【００４９】
以上のように、この発明の実施の形態４による光通信システムにおいては、実施の形態１〜３のいずれかによる光送信機と同様の光送信機１２を備えるように構成している。これにより、光送信機が安定した起動動作を実行し、ひいては、光通信システムとしても、安定した起動動作を実現できるという作用効果を奏するのである。
【符号の説明】
【００５０】
１  半導体レーザ光源、２  電界吸収型光変調器、３  フォトカレントモニタ回路、４  駆動電流制御回路、５  バイアス電圧印加回路、６  サーミスタ抵抗、７  温度制御回路、８  熱電冷却素子、９  電源電圧・リセット信号検出回路、１０  起動シーケンス制御回路、１１  変調信号駆動回路、１２  光送信機、１３  光合波器、１４  光増幅器、１５  光分波器、１６  光受信機、１７  伝送路。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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