(57)【要約】【課題】  負帯電時の帯電能および光感度が優れた電子写真感光体およびその製造方法ならびに該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供する。【解決手段】  電子写真感光体の表面層が、ケイ素原子の原子数と炭素原子の原子数との和に対する炭素原子の原子数の比が光導電層側から電子写真感光体の表面側に向かって漸増している変化領域を有し、変化領域が、第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分と、上部電荷注入阻止部分よりも電子写真感光体の表面側に位置し、第１３族原子を含有しない表面側部分とを有し、表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布が急峻である。【選択図】  図１
2014164042.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
導電性基体と、前記導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層と、前記光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイドで構成された表面層とを有する負帯電用の電子写真感光体において、
前記表面層が、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が前記光導電層側から前記電子写真感光体の表面側に向かって漸増している変化領域を有し、
前記変化領域が、第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分と、前記上部電荷注入阻止部分よりも前記電子写真感光体の表面側に位置し、第１３族原子を含有しない表面側部分とを有し、
前記表面側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布の急峻性を以下の評価方法Ａで評価したとき、下記式（Ａ７）で示される関係を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
［第１３族原子の分布の急峻性の評価方法Ａ］
（Ａ１）前記電子写真感光体の表面からＳＩＭＳ分析によってデプスプロファイルを得る。
（Ａ２）前記デプスプロファイルにおいて、前記電子写真感光体の表面からの距離をＤとし、距離Ｄにおける第１３族原子のイオン強度を距離Ｄの関数ｆ（Ｄ）で表し、ｆ（Ｄ）の最大値をｆ（ＤＭＡＸ）で表し、ｆ（Ｄ）の二階微分をｆ”（Ｄ）で表し、前記光導電層に向かってＤを増加させていき、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤＡとし、その後にｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤＢとする。
（Ａ３）ｆ（（ＤＡ＋ＤＢ）／２）≧ｆ（ＤＭＡＸ）×０．５を満たす距離Ｄのうち、前記上部電荷注入阻止部分を電子写真感光体の表面から見て最初の距離をＤＳとし、距離ＤＳにおける第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を基準イオン強度ｆ（ＤＳ）とする。
（Ａ４）前記基準イオン強度ｆ（ＤＳ）を１００％としたとき、前記電子写真感光体の表面から見て、前記表面側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子のイオン強度が１６％から８４％となる前記境界部の厚さ方向の長さを急峻性ΔＺとする。
（Ａ５）前記上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜Ａ１と前記表面側部分に対応する組成を有する膜Ａ２とをこの順に積層してなる基準積層膜Ａを作製する。
（Ａ６）前記基準積層膜Ａに対して、前記膜Ａ２の表面を前記基準積層膜Ａの表面とし、前記（Ａ１）〜（Ａ４）と同様の方法で、前記基準積層膜Ａの前記膜Ａ２と前記膜Ａ１との境界部における急峻性ΔＺ０を求める。
（Ａ７）１．０≦ΔＺ／ΔＺ０≦３．０  ・・・  （Ａ７）
【請求項２】
前記上部電荷注入阻止部分が、前記変化領域内のケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）の和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．００を超え０．３０以下の部分に設けられている請求項１に記載の電子写真感光体。
【請求項３】
前記上部電荷注入阻止部分が前記表面層内の最も前記光導電層側の部分である場合の前記上部電荷注入阻止部分と前記光導電層との境界部、あるいは、前記変化領域が前記上部電荷注入阻止部分よりも前記光導電層側に位置する光導電層側部分を有する場合の前記上部電荷注入阻止部分と前記光導電層側部分との境界部に関して、該境界部における第１３族原子の分布の急峻性を以下の評価方法Ｂで評価したとき、下記式（Ｂ７）で示される関係を満たす請求項１または２に記載の電子写真感光体。
［第１３族原子の分布の急峻性の評価方法Ｂ］
（Ｂ１）前記電子写真感光体の表面からＳＩＭＳ分析によってデプスプロファイルを得る。
（Ｂ２）前記デプスプロファイルにおいて、前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分の境界部からの距離をＥとし、距離Ｅにおける第１３族原子のイオン強度を距離Ｅの関数ｇ（Ｅ）で表し、ｇ（Ｅ）の二階微分をｇ”（Ｅ）で表し、ｇ（Ｅ）の最大値をｇ（ＥＭＡＸ）で表し、前記電子写真感光体の表面に向かってＥを増加させていき、ｇ”（Ｅ）＝０からｇ”（Ｅ）＜０になる箇所の前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部からの距離をＥＡとし、ｇ”（Ｅ）＜０からｇ”（Ｅ）＝０になる箇所の前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部からの距離をＥＢとする。
（Ｂ３）ｇ（（ＥＡ＋ＥＢ）／２）≧ｇ（ＥＭＡＸ）×０．５を満たす距離Ｅのうち、前記上部電荷注入阻止部分を前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部から見て最初の距離をＥＳとし、距離ＥＳにおける第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）を基準イオン強度ｇ（ＥＳ）とする。
（Ｂ４）前記基準イオン強度ｇ（ＥＳ）を１００％としたとき、前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部から見て、前記光導電層もしくは前記光導電層側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子のイオン強度が１６％から８４％となる前記境界部の厚さ方向の長さを急峻性ΔＹとする。
（Ｂ５）前記光導電層もしくは前記光導電層側部分に対応する組成を有する膜Ｂ１と前記上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜Ｂ２とをこの順に積層してなる基準積層膜Ｂを作製する。
（Ｂ６）前記基準積層膜Ｂに対して、前記膜Ｂ２の表面を前記基準積層膜Ｂの表面とし、前記（Ｂ１）〜（Ｂ４）と同様の方法で、前記基準積層膜Ｂの前記膜Ｂ２と前記膜Ｂ１との境界部における急峻性ΔＹ０を求める。
（Ｂ７）１．０≦ΔＹ／ΔＹ０≦３．０  ・・・  （Ｂ７）
【請求項４】
前記第１３族原子が、ホウ素原子である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項５】
前記電子写真感光体が、前記導電性基体と前記光導電層との間に下部電荷注入阻止層を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真感光体。
【請求項６】
前記下部電荷注入阻止層が、水素化アモルファスシリコンで構成された層である請求項５に記載の電子写真感光体。
【請求項７】
前記下部電荷注入阻止層が、第１５族原子を含有する請求項５または６に記載の電子写真感光体。
【請求項８】
前記第１５族原子が、窒素原子である請求項７に記載の電子写真感光体。
【請求項９】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を製造する方法であって、
減圧可能な反応容器の内部に前記導電性基体を設置し、前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記原料ガスを励起させ、前記導電性基体上に前記光導電層および前記表面層をこの順に形成する電子写真感光体の製造方法であって、
前記表面層内の前記変化領域を形成する工程において、
前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスを前記反応容器の内部に導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記上部電荷注入阻止部分を形成し、
その後、前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスの前記反応容器の内部への導入、および、前記高周波電力の前記反応容器の内部への導入を停止し、
その後、前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスのうち、第１３族原子供給用の原料ガスの前記反応容器の内部への導入は停止したまま、その他の原料ガスを前記停止する前の流量と同じ流量で前記反応容器の内部に導入し、前記高周波電力を前記停止する前の値と同じ値で前記反応容器の内部に導入し、前記表面側部分を形成する
ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項１０】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を製造する方法であって、
減圧可能な反応容器の内部に前記導電性基体を設置し、前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記原料ガスを励起させ、前記導電性基体上に前記光導電層および前記表面層をこの順に形成する電子写真感光体の製造方法であって、
前記表面層内の前記変化領域を形成する工程において、
前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスを前記反応容器の内部に導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記上部電荷注入阻止部分を形成し、
その後、前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスのうち、第１３族原子供給用の原料ガスの前記反応容器の内部への導入を直ちに停止し、その他の原料ガスの前記反応容器の内部への導入、および、前記高周波電力の前記反応容器の内部への導入はそのまま続け、前記表面側部分を形成する
ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項１１】
請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真感光体を製造する方法であって、
減圧可能な反応容器の内部に前記導電性基体を設置し、前記反応容器の内部に原料ガスを導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記原料ガスを励起させ、前記導電性基体上に前記光導電層および前記表面層をこの順に形成する電子写真感光体の製造方法であって、
前記表面層内の前記変化領域を形成する工程において、
前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスを前記反応容器の内部に導入し、前記反応容器の内部に高周波電力を導入し、前記上部電荷注入阻止部分を形成し、
その後、前記上部電荷注入阻止部分を形成するための原料ガスのうち、第１３族原子供給用の原料ガスの前記反応容器の内部への導入を直ちに停止し、その他の原料ガスの前記反応容器の内部への導入、および、前記高周波電力の前記反応容器の内部への導入はそのまま続け、かつ、前記停止する前の第１３族原子供給用の原料ガスの流量と同じ流量の水素を前記反応容器の内部に導入し、前記表面側部分を形成する
ことを特徴とする電子写真感光体の製造方法。
【請求項１２】
請求項１〜８のいずれか１項に記載の電子写真感光体、ならびに、帯電装置、画像露光装置、現像装置および転写装置を有する電子写真装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子写真感光体およびその製造方法ならびに電子写真感光体を有する電子写真装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子写真装置に用いられる電子写真感光体（以下単に「感光体」とも表記する。）の一種として、光導電性材料に水素化アモルファスシリコンを用いた感光体（以下「ａ−Ｓｉ感光体」とも表記する。）が知られている。
【０００３】
ａ−Ｓｉ感光体は、一般的に、プラズマＣＶＤ法などの成膜方法により、導電性基体（以下単に「基体」とも表記する。）上に水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層を形成することによって製造される。
【０００４】
従来から、ａ−Ｓｉ感光体の電気的特性、光学的特性、光導電的特性、使用環境特性、経時的安定性などの様々な特性に関して改善が検討されている。ａ−Ｓｉ感光体の特性を改善する技術の１つとして、水素化アモルファスシリコン（以下「ａ−Ｓｉ」とも表記する。）で構成された光導電層上に水素化アモルファスシリコンカーバイド（以下「ａ−ＳｉＣ」とも表記する。）で構成された表面層を設ける技術が知られている。
【０００５】
特許文献１には、ａ−ＳｉＣで構成された表面層中に、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が光導電層側から感光体の表面側に向かって漸増している領域（本発明では、以下「変化領域」とも表記する。）を設けること、および、この変化領域に周期表第１３族に属する原子（以下「第１３族原子」とも表記する。）を含有させることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００２−２３６３７９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年、電子写真装置のデジタル化、フルカラー化、出力画像の高画質化が進んでいる。
【０００８】
デジタル化およびフルカラー化された電子写真装置では、出力画像の高画質化のため、感光体の帯電には負帯電が採用され、静電潜像の形成にはイメージ露光法（ＩＡＥ）が採用され、カラートナーにはネガトナーが採用されることが多い。
【０００９】
したがって、負帯電用の感光体には、負帯電時の帯電能のため、感光体の表面から光導電層への電荷（電子）の注入をできるだけ阻止する機能が求められる。
【００１０】
従来は、特許文献１に記載されているように、負帯電用のａ−Ｓｉ感光体では、感光体の表面から光導電層への電荷の注入を阻止する部分として第１３族原子を含有する部分を表面層中に設けることで、負帯電時の帯電能の向上を図ることが試みられてきた。
【００１１】
しかしながら、最近、デジタル化された情報を大量に出力する場合が多くなってきており、それに応じて、高速で画像出力する要求が高まっている。高速で画像出力するためには、感光体の帯電能および光感度のさらなる向上が必要になる。
【００１２】
本発明の目的は、負帯電時の帯電能および光感度が優れた電子写真感光体およびその製造方法ならびに該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
感光体を電子写真装置に設置し、電子写真装置内の帯電装置（一次帯電装置）の出力を増加させると、それに応じて、感光体の表面に保持される電荷の量が増加し、感光体の表面電位が高くなってくる。
【００１４】
上述のように、画像出力を高速で実行する場合は、感光体の表面の移動速度（感光体の回転速度）が高まることになり、その結果、感光体の表面が帯電装置に対向する位置を通過する時間が短くなるため、帯電装置から感光体の表面に供給される電荷の量は低下しやすくなる。そのため、所定の感光体の表面電位が得られにくくなる。
【００１５】
また、帯電装置から感光体の表面に供給される電荷の量が比較的少ないときは、帯電装置から感光体の表面に供給される電荷の量と、感光体の表面電位とは、直線関係になる。ところが、帯電装置から感光体の表面に供給される電荷の量が多くなっていくと、この直線関係が崩れ、所定の感光体の表面電位が得られにくくなる。このため、所定の感光体の表面電位を得るためには、帯電装置から感光体の表面に供給する電荷の量をより増加させる必要が生じてくる。
【００１６】
上述の直線関係が崩れる原因に関して、本発明者らが検討を行った結果、表面層内の変化領域における第１３族原子の含有のさせ方に因ることがわかった。
【００１７】
表面層内の変化領域の中で、第１３族原子を含有している部分（以下「上部電荷注入阻止部分」とも表記する。）は、感光体の表面が負帯電された際、感光体の表面から光導電層への負電荷の注入を阻止する機能を有する部分である。上部電荷注入阻止部分は、このような機能を備えるため、変化領域を構成するａ−ＳｉＣをベースの材料としたうえで、さらに、電気伝導性を制御するための原子として、第１３族原子を含有している。これにより、上部電荷注入阻止部分は、Ｐ型電気伝導性を有することになるため、負電荷が感光体の表面から光導電層へ注入するのを阻止することが可能となる。
【００１８】
一方、変化領域内の上部電荷注入阻止部分より感光体の表面側の部分（以下「表面側部分」とも表記する。）に、第１３族原子のような電気伝導性を制御するための原子を含有させなければ、表面側部分は、Ｉ型電気伝導性または若干のＮ型電気伝導性を示すことになる。
【００１９】
変化領域内において、表面側部分と上部電荷注入阻止部分とは接しているので、両部分のフェルミ準位が一致する状態で平衡状態が形成される。その結果、表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部では、表面側部分の伝導帯のエネルギー準位に対して、上部電荷注入阻止部分の伝導帯のエネルギー準位が急激に高くなる。すなわち、表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部に高いエネルギー障壁が生じる。
【００２０】
このような状態で、感光体の表面から光導電層に向かって負電荷が注入されてくると、上記境界部のエネルギー障壁により、変化領域内の表面側部分から上部電荷注入阻止部分への負電荷の注入が抑制される。
【００２１】
例えば、プラズマＣＶＤ法によって表面層内の変化領域を形成する場合、変化領域内の上部電荷注入阻止部分は、ケイ素原子導入用の原料ガスおよび炭素原子導入用の原料ガスとともに、第１３族原子供給用の原料ガスを反応容器内に導入し、形成する。
【００２２】
従来は、表面層内の変化領域の形成工程において、ケイ素原子導入用の原料ガスおよび炭素原子導入用の原料ガスを反応容器内に導入し、ある所定の時間が経過した後、第１３族原子供給用の原料ガスを所定の流量まで徐々に増加させながら反応容器内に追加で導入していた。そして、所定の時間が経過し、第１３族原子を含有している部分（上部電荷注入阻止部分）が形成された後、第１３族原子供給用の原料ガスの反応容器内への導入量を徐々に減少させ、最終的に第１３族原子供給用の原料ガスの反応容器内への導入を終了させていた。このように形成された上部電荷注入阻止部分も、Ｐ型電気伝導性を有しているため、負電荷が感光体の表面から光導電層へ注入するのを阻止する機能は有している。
【００２３】
ところが、従来の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部では、第１３族原子供給用の原料ガスの反応容器内への導入を徐々に減少させているので、第１３族原子の含有量は、上部電荷注入阻止部分側から表面側部分側に向かって徐々に減少している。そのため、従来の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部では、Ｐ型電気伝導性からＩ型電気伝導性または若干のＮ型電気伝導性へ徐々に変化していた。その結果、従来の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部では、表面側部分の伝導帯のエネルギー準位から上部電荷注入阻止部分の伝導帯のエネルギー準位へと徐々に変化していたことになる。すなわち、従来の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部には、十分なエネルギー障壁が生じていなかったと考えられる。
【００２４】
このような状態で、感光体の表面から光導電層に向かって負電荷が注入されてくると、上記境界部のエネルギー障壁が高くないため、変化領域内の表面側部分から上部電荷注入阻止部分への負電荷の注入が抑制されにくくなる。特に、帯電装置から感光体の表面に供給される負電荷の量が多くなると、バンドベンディングにより、変化領域内の表面側部分から上部電荷注入阻止部分への負電荷の注入が顕著になる。
【００２５】
そのために、帯電装置から感光体の表面に供給される電荷（負電荷）の量が多くなっていくと、上述の直線関係が崩れていくものと考えられる。
【００２６】
以上のことから、ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布を制御することは、負帯電時の帯電能に優れたａ−Ｓｉ感光体を得るのに大きな意義があると考えられる。具体的には、該境界部において、表面側部分側から上部電荷注入阻止部分側に向かって第１３族原子が急激に増加するように制御することが、負帯電時の帯電能に優れたａ−Ｓｉ感光体を得るのに大きな意義があると考えられる。
【００２７】
層（堆積膜）中の原子の分布の分析に関しては、各種の方法が存在する。
【００２８】
各種の分析方法の中でも、層（堆積膜）中の深さ方向（層の厚さ方向）の原子の濃度の分析が可能で、ｐｐｍオーダーの分解能を有している点から、二次イオン質量分析法（Ｓｅｃｏｎｄａｒｙ  Ｉｏｎ  Ｍａｓｓ  Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ。以下「ＳＩＭＳ」とも表記する。）が多用されている。
【００２９】
従来から、ＳＩＭＳによる層（堆積膜）と層（堆積膜）との境界部（界面）の原子の分布およびその急峻性の評価に関しては、多くの研究がなされている。
【００３０】
例えば、Ｓ．Ｈｏｆｍａｎｎ，“Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅ  ｄｅｐｔｈ  ｐｒｏｆｉｌｉｎｇ  ｉｎ  ｓｕｒｆａｃｅ  ａｎａｌｙｓｉｓ：Ａｒｅｖｉｅｗ”，ＳＵＲＦＡＣＥ  ＡＮＤ  ＩＮＴＥＲＦＡＣＥ  ＡＮＡＬＹＳＩＳ，Ｖｏｌ．２，Ｎｏ．４，ｐ．１４８（１９８０）には、標準偏差を層の厚さで規格化した値が層の厚さに対して示されている。
【００３１】
また、吉岡芳明、塚本和芳、“ＳＩＭＳによる化合物半導体超格子の界面急峻性の評価”、質量分析、Ｖｏｌ．３４，Ｎｏ．２，ｐｐ．８９〜９７（１９８６）は、層と層との境界部（界面）の原子の分布の急峻性の目安となる標準偏差が、層の厚さや一次イオンエネルギーに対して示されている。
【００３２】
ところが、ＳＩＭＳによる分析（以下「ＳＩＭＳ分析」とも表記する。）によって得られる層と層との境界部（界面）の原子の分布の急峻性（該境界部の深さ方向（厚さ方向）の分解能）は、測定条件によって変化しやすい。その結果、実際には原子の分布が急峻になっている層と層との境界部（界面）が存在していても、ＳＩＭＳ分析によって得られる原子の分布の深さ方向（厚さ方向）のプロファイル（以下「デプスプロファイル」とも表記する。）上は、該境界部（界面）の深さ方向（厚さ方向）に対して、原子の分布が徐々に（非急峻に）変化しているように見えることがある。
【００３３】
そのため、ＳＩＭＳ分析によって層と層との境界部（界面）における原子の分布およびその急峻性を正確に評価するため、分析装置、分析方法、標準試料の作製方法、解析方法など、様々な研究がなされている段階であるが現状である。
【００３４】
上述のように、ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布は、負帯電用のａ−Ｓｉ感光体の帯電能を左右する重要な要素となる。しかしながら、従来は、多種多様な組成のａ−Ｓｉ感光体に対して、上記変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布およびその急峻性を正確に評価することは困難であった。
【００３５】
上述のように、ＳＩＭＳ分析は、測定条件によって結果に変化が生じてしまう。ただし、測定条件を固定した場合は、ＳＩＭＳ分析の結果の再現性は良好である。
【００３６】
そこで、本発明者らは、上記変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布に関して、以下のような分析を行うことによって、該境界部における第１３族原子の分布の急峻性を正確に評価することが可能になると考えた。
【００３７】
すなわち、まず、上記変化領域内の上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜（以下「膜Ａ１」とも表記する。）と、上記変化領域内の表面側部分に対応する組成を有する膜（以下「膜Ａ２」とも表記する。）とをこの順に積層してなる積層膜（以下「基準積層膜Ａ」とも表記する。）を作製する。基準積層膜Ａの作製の際には、理論上、第１３族原子を含有しない膜Ａ２と第１３族原子を含有する膜Ａ１との境界部（界面）において第１３族原子の分布が急峻になるよう、作製方法に留意する。そして、この基準積層膜Ａに対して、膜Ａ２の表面を基準積層膜Ａの表面とし、所定の測定条件のＳＩＭＳ分析によって膜Ａ２と膜Ａ１との境界部（界面）における第１３族原子の分布を測定する。
【００３８】
次に、上記所定の測定条件と同一の測定条件のＳＩＭＳ分析によって、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の表面層の表面を該ａ−Ｓｉ感光体の表面とし、該表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布を測定する。そして、基準積層膜Ａにおける測定結果（膜Ａ２と膜Ａ１との境界部（界面）における第１３族原子の分布の急峻性をΔＺ０とする。）を基準として、評価対象のａ−Ｓｉ感光体における測定結果（表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布の急峻性をΔＺとする。）を相対的に比較する（ΔＺ／ΔＺ０の値を確認する）ことで、該ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布を評価することが可能となる。
【００３９】
このように、本発明者らは、ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布の急峻性をΔＺ／ΔＺ０の値をもって評価し、この値を特定の範囲に制御する（該境界部において、表面側部分側から上部電荷注入阻止部分側に向かって第１３族原子がある程度以上急激に増加するように制御する）ことが負帯電時の帯電能が優れたａ−Ｓｉ感光体を得るのに大きな効果があることを見出し、本発明を完成するに至った。
【００４０】
すなわち、本発明は、導電性基体と、前記導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層と、前記光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイトで構成された表面層とを有する負帯電用の電子写真感光体において、
前記表面層が、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が前記光導電層側から前記電子写真感光体の表面側に向かって漸増している変化領域を有し、
前記変化領域が、第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分と、前記上部電荷注入阻止部分よりも前記電子写真感光体の表面側に位置し、第１３族原子を含有しない表面側部分とを有し、
前記表面側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布の急峻性を以下の評価方法Ａで評価したとき、下記式（Ａ７）で示される関係を満たすことを特徴とする電子写真感光体。
【００４１】
［第１３族原子の分布の急峻性の評価方法Ａ］
（Ａ１）前記電子写真感光体の表面からＳＩＭＳ分析によってデプスプロファイルを得る。
【００４２】
（Ａ２）前記デプスプロファイルにおいて、前記電子写真感光体の表面からの距離をＤとし、距離Ｄにおける第１３族原子のイオン強度を距離Ｄの関数ｆ（Ｄ）で表し、ｆ（Ｄ）の最大値をｆ（ＤＭＡＸ）で表し、ｆ（Ｄ）の二階微分をｆ”（Ｄ）で表し、光導電層に向かってＤを増加させていき、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤＡとし、その後にｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤＢとする。
【００４３】
（Ａ３）ｆ（（ＤＡ＋ＤＢ）／２）≧ｆ（ＤＭＡＸ）×０．５を満たす距離Ｄのうち、前記上部電荷注入阻止部分を電子写真感光体の表面から見て最初の距離をＤＳとし、距離ＤＳにおける第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を基準イオン強度ｆ（ＤＳ）とする。
【００４４】
（Ａ４）前記基準イオン強度ｆ（ＤＳ）を１００％としたとき、前記電子写真感光体の表面から見て、前記表面側部分と前記上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子のイオン強度が１６％から８４％となる前記境界部の厚さ方向の長さを急峻性ΔＺとする。
【００４５】
（Ａ５）前記上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜Ａ１と前記表面側部分に対応する組成を有する膜Ａ２とをこの順に積層してなる基準積層膜Ａを作製する。
【００４６】
（Ａ６）前記基準積層膜Ａに対して、前記膜Ａ２の表面を前記基準積層膜Ａの表面とし、前記（Ａ１）〜（Ａ４）と同様の方法で、前記基準積層膜Ａの前記膜Ａ２と前記膜Ａ１との境界部における急峻性ΔＺ０を求める。
【００４７】
（Ａ７）１．０≦ΔＺ／ΔＺ０≦３．０  ・・・  （Ａ７）
【発明の効果】
【００４８】
本発明によれば、負帯電時の帯電能および光感度が優れた電子写真感光体およびその製造方法ならびに該電子写真感光体を有する電子写真装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明の負帯電用の電子写真感光体の層構成の例を示す図である。
【図２】変化領域における炭素原子の分布の例を示す図である。
【図３】変化領域における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）およびイオン強度ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）の例を示す図である。
【図４】変化領域における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）およびイオン強度ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）の別の例を示す図である。
【図５】変化領域における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。
【図６】基準積層膜Ａにおける、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。
【図７】本発明の負帯電用の電子写真感光体の製造に用いることのできる堆積膜形成装置の例を示す図である。
【図８】本発明の負帯電用の電子写真感光体を有する電子写真装置の例を示す図である。
【図９】変化領域における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｇ（Ｅ）の一階微分ｇ’（Ｅ）およびイオン強度ｇ（Ｅ）の二階微分ｇ”（Ｅ）の例を示す図である。
【図１０】変化領域における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。
【図１１】基準積層膜Ｂにおける、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
本発明の電子写真感光体は、導電性基体と、前記導電性基体上の水素化アモルファスシリコンで構成された光導電層と、前記光導電層上の水素化アモルファスシリコンカーバイトで構成された表面層とを有する負帯電用の電子写真感光体である。
【００５１】
図１は、本発明の負帯電用の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）の層構成の例を示す図である。
【００５２】
図１の（ａ）および（ｂ）に示す電子写真感光体（感光体）１００は、導電性基体（基体）１０２上に下部電荷注入阻止層１０３と、光導電層１０４と、表面層１０５とがこの順に形成されてなるａ−Ｓｉ感光体である。
【００５３】
光導電層１０４は、水素化アモルファスシリコン（ａ−Ｓｉ）で構成された層であり、表面層１０５は、水素化アモルファスシリコンカーバイド（ａ−ＳｉＣ）で構成された層である。
【００５４】
感光体１００の表面層１０５内には、変化領域１０６が設けられている。ａ−ＳｉＣで構成されている表面層１０５内に設けられている変化領域１０６もまた、ａ−ＳｉＣで構成されている。
【００５５】
本発明において、変化領域１０６とは、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、光導電層１０４側から感光体１００の表面側に向かって漸増している領域を指す。図１中の１０７は、表面層１０５内の変化領域１０６よりも感光体の表面側に位置する領域（表面側領域）である。つまり、図１の（ａ）および（ｂ）に示す感光体１００の表面層１０５内には、変化領域１０６と表面側領域１０７とが設けられている。ａ−ＳｉＣで構成されている表面層１０５内に設けられている表面側領域１０７もまた、ａ−ＳｉＣで構成されている。
【００５６】
図１の（ａ）に示す電子写真感光体（感光体）１００は、表面層１０５内の変化領域１０６内に、上部電荷注入阻止部分１０８、上部電荷注入阻止部分１０８よりも感光体１００の表面側に位置する表面側部分１０９、および、上部電荷注入阻止部分１０８よりも光導電層１０４側に位置する光導電層側部分１１０が設けられている。
【００５７】
図１の（ｂ）に示す電子写真感光体（感光体）１００は、表面層１０５内の変化領域１０６内に、上部電荷注入阻止部分１０８、および、上部電荷注入阻止部分１０８よりも感光体１００の表面側に位置する表面側部分１０９が設けられている。
【００５８】
本発明において、上部電荷注入阻止部分１０８は、変化領域１０６を構成するａ−ＳｉＣをベースの材料としたうえで、さらに、電気伝導性を制御するための原子として、第１３族原子を含有している部分である。表面側部分１０９および光導電層側部分１１０は、ａ−ＳｉＣで構成され、第１３族原子を含有しない部分である。
【００５９】
図１の（ａ）に示す感光体１００では、上部電荷注入阻止部分１０８は、表面層１０５内の変化領域１０６内のほぼ中間に設けられている。
【００６０】
図１の（ｂ）に示す感光体１００では、上部電荷注入阻止部分１０８は、表面層１０５内の変化領域１０６内の最も光導電層１０４側に設けられており、上部電荷注入阻止部分１０８と光導電層１０４とが接している。
【００６１】
（基体１０２）
基体１０２は、その上に光導電層１０４や表面層１０５などの各層が形成され、これらを支持するものである。感光体１００の表面を負帯電した場合、光導電層１０４で発生した光キャリアのうちの電子は、基体１０２側に移動し、正孔は、感光体１００の表面に移動する。
【００６２】
本発明に用いられる基体１０２は、導電性のもの（導電性基体）である。
【００６３】
導電性基体の材料としては、例えば、銅、アルミニウム、ニッケル、コバルト、鉄、クロム、モリブデン、チタンの金属や、これらの合金を用いることができる。これらの中でも、加工性や製造コストの観点から、アルミニウム（アルミニウム合金）が好ましい。アルミニウム合金としては、例えば、Ａｌ−Ｍｇ系合金、Ａｌ−Ｍｎ系合金などが挙げられる。
【００６４】
また、ポリエステル、ポリアミドなどの樹脂製の基体の少なくとも層（堆積膜）を形成する側の表面を導電処理してなる基体を用いることもできる。
【００６５】
また、基体１０２の厚さは、取り扱いの容易性、機械的強度などの観点から、１０μｍ以上であることが好ましい。
【００６６】
（下部電荷注入阻止層１０３）
本発明においては、基体１０２と光導電層１０４との間に、感光体１００の表面が負帯電された際の、基体１０２側から光導電層１０４への電荷（正孔）の注入を阻止するため、下部電荷注入阻止層１０３を設けることが好ましい。
【００６７】
下部電荷注入阻止層１０３はａ−Ｓｉで構成されていることが好ましい。また、ベースの材料となっているａ−Ｓｉに炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも１種の原子をさらに含有させることにより、基体１０２から光導電層１０４への電荷（正孔）の注入を阻止する能力を向上させることができ、また、基体１０２と下部電荷注入阻止層１０３との密着性を向上させることができる。
【００６８】
下部電荷注入阻止層１０３に含有される炭素原子（Ｃ）、窒素原子（Ｎ）および酸素原子（Ｏ）のうち少なくとも１種の原子は、下部電荷注入阻止層１０３中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよい。また、層の厚さ方向には均一に含有されてはいるが、不均一に分布する状態で含有している部分があってもよい。いずれの場合においても、電子写真特性の均一化を図る観点から、基体１０４の表面に対して平行な面方向には均一に分布する状態で、炭素原子、窒素原子および酸素原子のうち少なくとも１種の原子が下部電荷注入阻止層１０３に含有されることが好ましい。
【００６９】
また、本発明においては、必要に応じて、下部電荷注入阻止層１０３に電気伝導性を制御するための原子を含有させてもよい。
【００７０】
下部電荷注入阻止層１０３に含有させる電気伝導性を制御するための原子は、下部電荷注入阻止層１０３中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよい。また、下部電荷注入阻止層１０３の厚さ方向に不均一に分布した状態で含有されていてもよい。下部電荷注入阻止層１０３内において、電気伝導性を制御するための原子の分布が不均一な場合、基体１０２側に多く分布するように含有させることが好ましい。いずれの場合においても、電子写真特性の均一化を図る観点から、基体１０２の表面に対して平行な面方向には均一に分布する状態で、電気伝導性を制御するための原子が下部電荷注入阻止層１０３に含有されることが好ましい。
【００７１】
下部電荷注入阻止層１０３に含有させる電気伝導性を制御するための原子としては、周期表第１５族に属する原子（以下「第１５族原子」とも表記する。）を用いることができ、第１５族原子としては、例えば、窒素原子（Ｎ）、リン原子（Ｐ）、ヒ素原子（Ａｓ）、アンチモン原子（Ｓｂ）、ビスマス原子（Ｂｉ）などが挙げられる。
【００７２】
下部電荷注入阻止層１０３の厚さは、電子写真特性、経済性などの観点から、０．１〜１０μｍであることが好ましく、０．３〜５μｍであることがより好ましく、０．５〜３μｍであることがより好ましい。下部電荷注入阻止層１０３の厚さが厚いほど、基体１０２から光導電層１０４への電荷（正孔）の注入を阻止する能力が高まる。また、下部電荷注入阻止層１０３の厚さが薄いほど、下部電荷注入阻止層１０３を形成する時間を短くすることができる。
【００７３】
（光導電層１０４）
ａ−Ｓｉで構成された光導電層１０４は、画像露光光や前露光光が入射した場合、光導電性により、光キャリアが発生する層である。
【００７４】
光導電層１０４を構成するａ−Ｓｉは、その骨格を形成する原子であるケイ素原子の未結合手を補償する原子として水素原子が用いられているアモルファス材料であるが、ケイ素原子の未結合手を補償するための原子としてハロゲン原子を併用してもよい。
【００７５】
光導電層１０４におけるケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と水素原子の原子数（Ｃ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）の和に対する水素原子の原子数（Ｃ）とハロゲン原子の原子数（Ｘ）の比（（Ｈ＋Ｘ）／（Ｓｉ＋Ｈ＋Ｘ））は、０．１０以上であることが好ましく、０．１５以上であることがより好ましい。一方、０．３０以下であることが好ましく、０．２５以下であることがより好ましい。
【００７６】
また、本発明においては、必要に応じて、光導電層１０４に電気伝導性を制御するための原子を含有させてもよい。
【００７７】
光導電層１０４に含有させる電気伝導性を制御するための原子は、光導電層１０４中にまんべんなく均一に分布した状態で含有されていてもよい。また、光導電層１０４の厚さ方向に不均一に分布した状態で含有されていてもよい。いずれの場合においても、電子写真特性の均一化を図る観点から、基体１０２の表面に対して平行な面方向には均一に分布する状態で、電気伝導性を制御するための原子が光導電層１０４に含有されることが好ましい。
【００７８】
光導電層１０４に含有させる電気伝導性を制御するための原子としては、光導電層１０４にＰ型電気伝導性を与える第１３族原子、または、光導電層１０４にＮ型電気伝導性を与える第１５族原子を用いることができる。
【００７９】
第１３族原子としては、例えば、ホウ素原子（Ｂ）、アルミニウム原子（Ａｌ）、ガリウム原子（Ｇａ）、インジウム原子（Ｉｎ）、タリウム原子（Ｔｌ）などが挙げられる。これらの中でも、ホウ素原子、アルミニウム原子、ガリウム原子が好ましい。
【００８０】
第１５族原子としては、具体的には、リン原子（Ｐ）、ヒ素原子（Ａｓ）、アンチモン原子（Ｓｂ）、ビスマス原子（Ｂｉ）などが挙げられる。これらの中でも、リン原子、ヒ素原子が好ましい。
【００８１】
光導電層１０４に含有させる電気伝導性を制御するための原子の含有量は、ケイ素原子に対して１×１０−２原子ｐｐｍ以上であることが好ましく、５×１０−２原子ｐｐｍ以上であることがより好ましく、１×１０−１原子ｐｐｍ以上であることがより好ましい。一方、１×１０４原子ｐｐｍ以下であることが好ましく、５×１０３原子ｐｐｍ以下であることがより好ましく、１×１０３原子ｐｐｍ以下であることがより好ましい。
【００８２】
本発明において、光導電層１０４の厚さは、電子写真特性、経済性などの観点から、１５μｍ以上であることが好ましく、２０μｍ以上であることがより好ましい。一方、６０μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、４０μｍ以下であることがより好ましい。光導電層１０４の厚さが薄いほど、帯電部材への通過電流量が低減し、劣化が抑制される。また、光導電層１０４の厚さを厚くしようとすると、ａ−Ｓｉの異常成長部位が大きくなりやすい（具体的には、水平方向で５０〜１５０μｍ、高さ方向で５〜２０μｍ）。
【００８３】
また、光導電層１０４は、単一の層で構成されてもよいし、複数の層（例えば、電荷発生層と電荷輸送層）で構成されてもよい。
【００８４】
（表面層１０５内の表面側領域１０７）
本発明においては、電気的特性、光学的特性、光導電的特性、使用環境特性、経時的安定性などのために、表面層１０５内には、変化領域１０６よりも感光体１００の表面側に位置する表面側領域１０７をさらに設けることが好ましい。
【００８５】
表面側領域１０７に含有させる炭素原子は、表面側領域１０７中にまんべんなく均一に分布した状態で含有させてもよいし、表面側領域１０７の厚さ方向に不均一に分布した状態で含有させてもよい。表面側領域１０７の厚さ方向に不均一に炭素原子を分布させる場合は、基体１０２側に炭素原子が少なくなるように分布させることが好ましい。炭素原子を表面側領域１０７中にまんべんなく均一に分布させる場合も、表面側領域１０７の厚さ方向に不均一に分布させる場合も、特性の均一化の観点から、基体１０２の表面に対して平行な方向には均一に炭素原子を分布させることが好ましい。
【００８６】
表面側領域１０７において、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）の和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は、ａ−Ｓｉ感光体の電気的特性、光学的特性、光導電的特性、使用環境特性、経時的安定性などの観点から、０．５０を超え０．９８以下の範囲にあることが好ましい。
【００８７】
表面側領域１０７は、上述のとおり、ａ−ＳｉＣで構成されている。ａ−ＳｉＣは、その骨格を形成する原子であるケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償する原子として水素原子が用いられているアモルファス材料であるが、ケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償するための原子としてハロゲン原子を併用してもよい。
【００８８】
表面側領域１０７を構成するａ−ＳｉＣ中の水素原子の含有量は、該ａ−ＳｉＣを構成する原子の総量に対して３０〜７０原子％であることが好ましく、３５〜６５原子％であることがより好ましく、４０〜６０原子％であることがより好ましい。また、ケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償する原子としてハロゲン原子を併用する場合、表面側領域１０７を構成するａ−ＳｉＣ中のハロゲン原子の含有量は、該ａ−ＳｉＣを構成する原子の総量に対して０．０１〜１５原子％であることが好ましく、０．１〜１０原子％であることがより好ましく、０．６〜４原子％であることがより好ましい。
【００８９】
表面層１０５内の表面側領域１０７の厚さは、電子写真特性や経済性などの観点から、０．１〜４μｍであることが好ましく、０．１５〜３μｍであることがより好ましく、０．２〜２μｍであることがより好ましい。表面側領域１０７の厚さが厚いほど、使用中に感光体１００の表面が摩耗しても表面層１０５または表面層１０５内の表面側領域１０７が失われにくくなる。また、表面側領域１０７の厚さが薄いほど、残留電位の増加が生じにくい。
【００９０】
（表面層１０５内の変化領域１０６）
変化領域１０６は、上述のとおり、ａ−ＳｉＣで構成されている。ａ−ＳｉＣは、その骨格を形成する原子であるケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償する原子として水素原子が用いられているアモルファス材料であるが、ケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償するための原子としてハロゲン原子を併用してもよい。ａ−ＳｉＣ中の水素原子の含有量およびハロゲン原子の含有量の好適範囲は、上記表面側領域１０７の場合と同様である。
【００９１】
また、変化領域１０６においては、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）の和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、光導電層１０４側から感光体１００の表面側に向かって漸増している。
【００９２】
変化領域１０６においては、光導電層１０４側で、感光体１００の表面側よりも、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を小さくしている。これは、ａ−Ｓｉで構成されている光導電層１０４の変化領域１０６側の部位の屈折率と、変化領域１０６の光導電層１０４側の部位の屈折率との差をなくす、または、できるだけ小さくするためである。光導電層１０４と表面層１０５内の変化領域１０６とが接している場合、上記２つの屈折率の差をなくす、または、できるだけ小さくすることにより、光導電層１０４と表面層１０５（表面層１０５内の変化領域１０６）との境界部（界面）での反射光の量を小さくすることができる。
【００９３】
ａ−ＳｉＣの屈折率は、その中のケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）の和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））と相関があり、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が大きくなるにつれて、ａ−ＳｉＣの屈折率は小さくなる傾向がある。また、一般的に、ａ−ＳｉＣの屈折率は、ａ−Ｓｉの屈折率よりも小さい。したがって、ａ−ＳｉＣの上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が小さくなるほど、その屈折率は、ａ−Ｓｉの屈折率に近づいていく。よって、変化領域１０６における上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））の最小値は、０．０以上０．１以下の範囲とするのが好ましい。
【００９４】
一方、変化領域１０６においては、感光体１００の表面側で、光導電層１０４側よりも、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を大きくしている。これは、表面側領域１０７の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が大きい場合に、変化領域１０６の表面側領域１０７側の部位の屈折率と、表面側領域１０７の変化領域１０６側の部位の屈折率との差をなくす、または、できるだけ小さくするためである。上記２つの屈折率の差をなくす、または、できるだけ小さくすることにより、表面層１０５内の表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部での反射光の量を小さくすることができる。よって、変化領域１０６における上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））の最大値は、０．２５以上０．５０以下の範囲とするのが好ましく、０．３０以上０．５０以下の範囲とするのがより好ましい。一方、変化領域１０６は、上述のように、ａ−ＳｉＣで構成されているから、変化領域１０６における上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））の最小値は、０．００より大きい。
【００９５】
また、表面層１０５内の変化領域１０６は、上述のように、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が光導電層１０４側から感光体１００の表面側に向かって漸増している領域である。上述のように、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が大きくなるにつれて、ａ−ＳｉＣの屈折率は小さくなる傾向があるが、変化領域１０６においては、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を光導電層１０４側から感光体１００の表面側に向かって漸増させているため、変化領域１０６内における反射光の量は小さくすることができる。
【００９６】
図２は、変化領域１０６における炭素原子の分布の例を示す図である。
【００９７】
図２（ａ）〜（ｄ）には、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））の漸増のさせ方が示されている。図２に示す例は、図１に示す例と同じく、表面層１０５内に変化領域１０６および表面側領域１０７を設けた例であり、表面側領域１０７の表面が感光体１００の表面となっており、変化領域１０６は光導電層１０４に接している。図２中、横軸は、表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部から変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）までの距離を示す。図２中、横軸の左側が、変化領域１０６の表面側領域１０７側であり、右側が、変化領域１０６の光導電層１０４側である。図２中、縦軸は、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））を示す。図２中、縦軸の線が、表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部に相当し、右側の破線が、変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）に相当する。
【００９８】
変化領域１０６における上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は、図２（ａ）に示すように、変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）から表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部まで直線的に漸増させてもよいし、図２（ｂ）および（ｃ）に示すように、変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）から表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部まで曲線的に漸増させてもよい。また、図２（ｄ）に示すように、変化領域１０６における上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））の変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）から表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部までの漸増は、曲線的な漸増と直線的な漸増を混合させた漸増であってもよい。
【００９９】
表面層１０５内の表面側領域１０７の表面が、感光体１００の表面である場合、ａ−ＳｉＣで構成された表面側領域１０７の屈折率と大気の屈折率との間には差があるため、表面側領域１０７の表面では反射光が生じる。
【０１００】
そのような感光体１００を電子写真装置に搭載し、画像出力を繰り返した場合、転写材（紙など）、トナー、接触部材（クリーニングブレードなど）などとの摺擦により、表面層１０５内の表面側領域１０７の表面は次第に削られ、表面側領域１０７の厚さが変化する。
【０１０１】
また、部分的に摺擦状況が異なる場合、表面側領域１０７の厚さが場所によって異なってくる場合がある。
【０１０２】
表面層１０５内の表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部、光導電層１０４と変化領域１０６との境界部（界面）、または、変化領域１０６内において反射光が生じると、表面側領域１０７の表面で生じる反射光と干渉を起こしてしまう。
【０１０３】
このとき、表面側領域１０７の厚さが場所によって異なっていると、上記干渉にムラが生じるため、感光体１００の表面における反射光の量にムラが生じる。その結果、感光体１００の光感度が感光体１００の表面の場所によって異なってくる、すなわち、光感度のムラが生じる場合がある。
【０１０４】
本発明のａ−Ｓｉ感光体（感光体１００）では、表面層１０５内の表面側領域１０７と変化領域１０６の境界部で生じる反射光の量や、表面層１０５内の変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）で生じる反射光の量や、変化領域１０６内における反射光の量を低減させることができる。各反射光の量を低減することにより、上記感光体の光感度のムラを低減することができる。
【０１０５】
変化領域１０６の厚さは、０．３〜２．０μｍであることが好ましく、０．４〜１．５μｍであることがより好ましく、０．５〜１．０μｍであることがより好ましい。変化領域１０６の厚さが厚いほど、変化領域１０６内における反射光、表面層１０５内の表面側領域１０７と変化領域１０６との境界部で生じる反射光、表面層１０５内の変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）で生じる反射光の量を低減させやすい。また、変化領域１０６の厚さが薄いほど、変化領域１０６を形成する時間が短くなり、感光体１００の製造コストを抑えやすい。
【０１０６】
（変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８）
本発明においては、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する部分として、表面層１０５内の変化領域内１０６に上部電荷注入阻止部分１０８が設けられる。ａ−ＳｉＣで構成された変化領域１０６内に設けられる上部電荷注入阻止部分１０８もまた、ａ−ＳｉＣで構成される。
【０１０７】
ａ−ＳｉＣは、その骨格を形成する原子であるケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償する原子として水素原子が用いられているアモルファス材料であるが、ケイ素原子および炭素原子の未結合手を補償するための原子としてハロゲン原子を併用してもよい。ａ−ＳｉＣ中の水素原子の含有量およびハロゲン原子の含有量の好適範囲は、上記表面側領域１０７の場合と同様である。
【０１０８】
上部電荷注入阻止部分１０８には、電気伝導性を制御するための原子として第１３族原子をさらに含有される。上部電荷注入阻止部分１０８における第１３族原子の含有量は、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力の観点から、上部電荷注入阻止部分１０８のａ−ＳｉＣ中のケイ素原子に対して、０．１〜３０００原子ｐｐｍであることが好ましい。第１３族原子の含有量が多いほど、Ｐ型電気伝導性が高まり、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力が高まる。また、第１３族原子の含有量が少ないほど、上部電荷注入阻止部分１０８の厚さ方向の正孔の移動度が小さくなるため、出力画像のボケが生じにくくなる。  
【０１０９】
上部電荷注入阻止部分１０８の厚さは、電子写真特性の観点から、０．０１〜０．３μｍであることが好ましく、０．０３〜０．１５μｍであることがより好ましく、０．０５〜０．１μｍであることがより好ましい。上部電荷注入阻止部分１０８の厚さが厚いほど、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力が高まる。また、上部電荷注入阻止部分１０８の厚さが薄いほど、出力画像のボケが生じにくくなる。
【０１１０】
上部電荷注入阻止部分１０８に含有させる第１３族原子としては、例えば、ホウ素原子（Ｂ）、アルミニウム原子（Ａｌ）、ガリウム原子（Ｇａ）、インジウム原子（Ｉｎ）、タリウム原子（Ｔｌ）などが挙げられる。これらの中でも、ホウ素原子（Ｂ）が好ましい。
【０１１１】
上部電荷注入阻止部分１０８は、変化領域１０６内のどの位置に設けられていてもよい。例えば、変化領域１０６と光導電層１０４との境界部（界面）に接して設けられてもよいし、変化領域１０６の途中に設けられてもよいし、表面層側領域１０７と変化領域１０６との境界部に接して設けられてもよい。その中でも、上部電荷注入阻止部分１０８は、変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．００を超え０．３０以下の部分に設けられていることが好ましい。変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８を設ける部分の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が小さいほど、第１３族原子を含有させる（ドーピングする）効率が向上し、上部電荷注入阻止部分１０８の、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力が高まる。
【０１１２】
さらに、本発明では、上部電荷注入阻止部分１０８の、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を阻止する能力をより高めるため、表面側部分１０９と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布を急峻にする必要がある。
【０１１３】
以下に、第１３族原子を含有しない表面側部分１０９と第１３族原子を含有する上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布について説明する（（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）、（Ａ４）、（Ａ５）および（Ａ６））。
【０１１４】
まず、ＳＩＭＳ分析により、基準イオン強度ｆ（ＤＳ）を求め、それを用いて急峻性ΔＺを求める（（Ａ１）、（Ａ２）、（Ａ３）および（Ａ４））。
【０１１５】
図３は、変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）およびイオン強度ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）の例を示す図である。
【０１１６】
図３の上段、中段および下段の各グラフにおいて、横軸は、感光体１００の表面からの距離Ｄを示し、横軸の左側が感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）であり、横軸の右側が光導電層１０４側である。図３の上段のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を示す。図３の中段のグラフにおいて、縦軸は、ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）を示す。図３の下段のグラフにおいて、縦軸は、ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）を示す。
【０１１７】
図３に示す例においては、Ｄが増加していくと、つまり、感光体１００の表面側から光導電層１０４側に向かうと、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は、次のような分布をとる。
【０１１８】
図３に示す例では、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）が０（検出限界以下を含む）から徐々に増加し（図３の上段のグラフ中の領域（Ｉ））、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は急激に増加する（同領域（ＩＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の増加の程度が緩やかに変化する（同領域（ＩＩＩ）〜（ＩＶ））。そして、ある箇所において第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は最大値ｆ（ＤＭＡＸ）に到達し、その後、緩やかに減少する（同領域（Ｖ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は急激に減少する（同領域（ＶＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の増加の程度が緩やかに変化し、０になる（同領域（ＶＩＩ））。
【０１１９】
第１３族原子の分布の急峻性としては、イオン強度ｆ（Ｄ）が急激に増加し、その後に増加の程度が緩やかになるところが、重要な箇所となる。特に、上部電荷注入阻止部分（第１３族原子を含有する部分）１０４の表面側領域１０７（感光体１００の表面）に近いところが、つまり、図３の上段のグラフにおいては、領域（Ｉ）から領域（ＩＩＩ）までの部分が重要となる。
【０１２０】
一般に、ある関数の二階微分が正なら当該関数は下に凸であり、二階微分が負なら上に凸である。よって、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）を図３の下段のグラフのように描いた場合、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０となる箇所が存在する。（図３の下段のグラフ中のＤ１およびＤ３）
つまり、ｆ”（Ｄ）＜０である近傍（図３の下段のグラフ中の領域（ＩＩＩ）および（Ｖ））に、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）が上に凸になる部分が存在し、第１３族原子の分布の増加の程度が変化する部分が存在する。
【０１２１】
さらに、ｆ”（Ｄ）＜０の後、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）にピークがある場合、または、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）が一定に変化もしくは緩やかに変化する場合、ｆ”（Ｄ）は、少なくとも一度は、ｆ”（Ｄ）＝０を通過する。
【０１２２】
よって、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０となり、その後、ｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０を通過する部分（図３の下段のグラフ中のＤ１からＤ２まで、および、Ｄ３からＤ４まで）のどこかに、第１３族原子の分布の増加率が変化する部分が存在する。
【０１２３】
本発明においては、Ｄ１からＤ２までの中間点（（Ｄ１＋Ｄ２）／２）、Ｄ３からＤ４までの中間点（（Ｄ３＋Ｄ４）／２）を変化点と定義する。
【０１２４】
ただし、図３に示す例のように、変化点が複数存在する場合がある。この場合、表面側領域１０７（感光体１００の表面）に近いほう（（図３中の（Ｄ１＋Ｄ２）／２）が重要となる。
【０１２５】
本発明においては、感光体１００の表面（表面側領域１０７）から見て最初にｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０なる箇所の感光体１００の表面からの距離をＤＡと定義する。そして、その後、ｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０になる箇所の感光体１００の表面からの距離をＤＢと定義する。図３に示す例の場合は、Ｄ１がＤＡとなり、Ｄ２がＤＢとなる。そして、変化点（ＤＡ＋ＤＢ）／２（図３に示す例では（Ｄ１＋Ｄ２）／２）のイオン強度ｆ（（ＤＡ＋ＤＢ）／２）（図３に示す例ではｆ（（Ｄ１＋Ｄ２）／２））を第１３族原子の基準イオン強度ｆ（ＤＳ）と定義する。ＤＳは、第１３族原子の基準イオン強度ｆ（ＤＳ）となる位置の感光体１００の表面からの距離である。
【０１２６】
変化領域１０６のうち、感光体１００の表面からの距離がＤＳである箇所から表面側領域１０７側の部分は、第１３族原子の分布が比較的急激に変化する部分ということである。
【０１２７】
図４は、変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）およびイオン強度ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）の別の例を示す図である。
【０１２８】
図４の上段、中段および下段の各グラフにおいても、横軸は、感光体１００の表面からの距離Ｄを示し、横軸の左側が感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）であり、横軸の右側が光導電層１０４側である。
図４の上段のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を示す。
図４の中段のグラフにおいて、縦軸は、ｆ（Ｄ）の一階微分ｆ’（Ｄ）を示す。
図４の下段のグラフにおいて、縦軸は、ｆ（Ｄ）の二階微分ｆ”（Ｄ）を示す。
【０１２９】
図４に示す例においては、Ｄが増加していくと、つまり、感光体１００の表面側から光導電層１０４の方向に向かうと、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は、次のような分布をとる。
【０１３０】
図４に示す例では、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は、０（検出限界以下を含む）から徐々に増加し（図４の上段のグラフ中の領域（Ｉ））、その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の増加の程度が緩やかに変化する（同領域（ＩＩ））。その後、しばらく第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）が一定となる（同領域（ＩＩＩ））。その後、ある箇所から再度第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）が徐々に増加し（同領域（ＩＶ））、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は急激に増加する（同領域（Ｖ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の増加の程度が緩やかに変化し、そして、ある箇所において第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は最大値ｆ（ＤＭＡＸ）に到達し、その後、緩やかに減少する（同領域（ＶＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）は急激に減少する（同領域（ＶＩＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の増加の程度が緩やかに変化し、０になる（同領域（ＶＩＩＩ））。
【０１３１】
図４の下段のグラフの場合、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０となる箇所はＤ１およびＤ３であり、ｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０となる箇所はＤ２およびＤ４である。
【０１３２】
上述の図３の例における理由と同じ理由から、図４の上段のグラフにおいては、領域（Ｉ）の部分ならびに領域（ＩＶ）から領域（Ｖ）の部分が重要と一応考えられる。
【０１３３】
しかしながら、領域（Ｉ）の部分は、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能に及ぼす影響は小さい。
【０１３４】
この理由は、以下のように考えられる。
【０１３５】
上述のように、上部電荷注入阻止部分１０８には、電荷（負電荷）が感光体の表面から光導電層に注入するのを阻止するために、第１３族原子を含有させ、Ｐ型電気伝導性を有させている。そのため、上部電荷注入阻止部分１０８は、第１３族原子はある程度の量を含有している必要がある。必要となる含有量は、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の最大値であるｆ（ＤＭＡＸ）がおよその基準の値となる。よって、ｆ（ＤＭＡＸ）に比べて第１３族原子の含有量が極めて少ない部分において、イオン強度ｆ（Ｄ）が急激に増加し、その後に増加の程度が緩やかになるところがあっても、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能に及ぼす影響は小さい。
【０１３６】
したがって、基準イオン強度ｆ（ＤＳ）は、上述の条件（図３の例において説明した条件）にのみによって定義されるのではなく、ｆ（ＤＭＡＸ）との関係も定義の必要条件となる。
【０１３７】
本発明者らの検討の結果、ｆ（ＤＭＡＸ）の５０％未満の部分において、イオン強度ｆ（Ｄ）が急激に増加し、その後に増加の程度が緩やかになるところがあっても、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能に及ぼす影響は小さいことがわかった。
【０１３８】
よって、図４に示す例の場合は、Ｄ３がＤＡとなり、Ｄ４がＤＢとなる。そして、変化点（Ｄ３＋Ｄ４）／２のイオン強度ｆ（（Ｄ３＋Ｄ４）／２））が第１３族原子の基準イオン強度ｆ（ＤＳ）となる。
【０１３９】
以上をまとめると、基準イオン強度ｆ（ＤＳ）は、以下のように定義される。
【０１４０】
デプスプロファイル（変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布）において、感光体１００の表面からの距離をＤとし、距離Ｄにおける第１３族原子のイオン強度を距離Ｄの関数ｆ（Ｄ）で表し、ｆ（Ｄ）の最大値をｆ（ＤＭＡＸ）で表し、ｆ（Ｄ）の二階微分をｆ”（Ｄ）で表し、光導電層に向かってＤを増加させていき、ｆ”（Ｄ）＝０からｆ”（Ｄ）＜０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤＡとし、その後にｆ”（Ｄ）＜０からｆ”（Ｄ）＝０になる箇所の該電子写真感光体の表面からの距離をＤＢとする。そして、ｆ（（ＤＡ＋ＤＢ）／２）≧ｆ（ＤＭＡＸ）×０．５を満たす距離Ｄのうち、前記上部電荷注入阻止部分を電子写真感光体の表面から見て最初の距離をＤＳとし、距離ＤＳにおける第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を基準イオン強度ｆ（ＤＳ）とする。したがって、図３に示す例においては、Ｄ１がＤＡとなり、Ｄ２がＤＢとなる。そして、図４に示す例においては、Ｄ３がＤＡとなり、Ｄ４がＤＢとなる。図４に示す例においては、ｆ（（Ｄ１＋Ｄ２）／２）≧ｆ（ＤＭＡＸ）×０．５を満たさないため、Ｄ１はＤＡとならず、Ｄ２はＤＢとならない。
【０１４１】
次に、ＳＩＭＳ分析により、基準イオン強度ｆ（ＤＳ）を用いて、急峻性ΔＺを求める。
【０１４２】
図５は、変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。
【０１４３】
図５のグラフにおいて、横軸は、感光体１００の表面からの距離Ｄを示し、横軸の左側が感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）であり、横軸の右側が光導電層１０４側である。また、図５のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）を示す。図５の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）は、図３の上段の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）と同一である。
【０１４４】
図５中、ｆ（ＤＭＡＸ）は、上述のとおり、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の最大値である。ＤＭＡＸは、第１３族原子のイオン強度ｆ（ＤＭＡＸ）となる位置の感光体１００の表面からの距離である。
【０１４５】
また、図５中、ｆ（Ｄ８４）は、基準イオン強度ｆ（ＤＳ）を１００％としたときの、８４％のイオン強度である。つまり、ｆ（Ｄ８４）＝ｆ（ＤＳ）×０．８４である。Ｄ８４は、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ８４）となる位置の感光体１００の表面からの距離である。また、ｆ（Ｄ１６）は、基準イオン強度ｆ（ＤＳ）を１００％としたときの、１６％のイオン強度である。つまり、ｆ（Ｄ１６）＝ｆ（ＤＳ）×０．１６である。Ｄ１６は、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ１６）となる位置の感光体１００の表面からの距離である。
【０１４６】
ΔＺは、評価対象のａ−Ｓｉ感光体における第１３族原子の分布の急峻性を示す指標であり、第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）がｆ（Ｄ１６）からｆ（Ｄ８４）となる深さ方向（厚さ方向）の距離である。つまり、ΔＺ＝｜Ｄ８４−Ｄ１６｜である。
【０１４７】
一方、ＳＩＭＳ分析により、基準積層膜Ａにおける急峻性ΔＺ０を求める（（Ａ５）および（Ａ６））。
【０１４８】
本発明においては、基準積層膜Ａにおける急峻性ΔＺ０を求める際のＳＩＭＳ分析の測定条件は、上述の感光体１００に対して行うＳＩＭＳ分析の測定条件と同一にすることが必須である。すなわち、急峻性ΔＺを求める際と急峻性ΔＺ０を求める際とで、測定条件を固定する必要がある。
【０１４９】
これは、同一の測定条件でＳＩＭＳ分析を行わないと、例えば、同じ試料に対して複数回のＳＩＭＳ分析を行った場合であっても、得られる結果（第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイル）が変化する場合があるためである。そのため、後述するように、感光体に係る急峻性ΔＺと基準積層膜Ａに係る急峻性ΔＺ０とを比較しても、第１３族原子の分布の急峻性、ひいては、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能を正確に評価できなくなるおそれがあるためである。
【０１５０】
まず、上述のとおり、感光体１００の変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８に対応する組成を有する膜（膜Ａ１）と、変化領域１０６内の表面側部分１０９に対応する組成を有する膜（膜Ａ２）とをこの順に積層してなる基準積層膜Ａを作製する。膜Ａ１は、第１３族原子を均一に含有している。膜Ａ２は、第１３族原子を含有していない。
【０１５１】
基準積層膜Ａの作製の際には、理論上、第１３族原子を含有しない膜Ａ２と第１３族原子を含有する膜Ａ１との境界部（界面）において第１３族原子の分布が急峻になるよう、作製方法に留意する。
【０１５２】
図６は、基準積層膜Ａにおける、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。
【０１５３】
図６のグラフにおいて、横軸は、基準積層膜Ａの表面（膜Ａ２の表面）からの距離ＤＳを示し、横軸の左側が第１３族原子を含有していない膜Ａ２側であり、横軸の右側が第１３族原子を含有している膜Ａ１側である。また、図６のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｆＳ（ＤＳ）を示す。図６に示す例の基準積層膜Ａは、変化領域１０６における第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布が図３で示す分布になっている感光体１００に対応する基準積層膜Ａである。
【０１５４】
変化領域１０６における第１３族原子のイオン強度ｆ（Ｄ）の分布が図３で示す分布になっている感光体１００に対応する基準積層膜Ａの膜Ａ１は、基準イオン強度ｆ（ＤＳ）と同等の基準イオン強度ｆＳ（ＤＳＳ）となるよう、第１３族原子を含有している。つまり、ｆ（ＤＳ）＝ｆＳ（ＤＳＳ）となる。
【０１５５】
その他は、上述の図３と同様であり、図６中、ｆＳ（ＤＳ８４）は、基準イオン強度ｆＳ（ＤＳＳ）を１００％としたときの、８４％となるイオン強度である。つまり、ｆＳ（ＤＳ８４）＝ｆＳ（ＤＳＳ）×０．８４である。ＤＳ８４は、第１３族原子のイオン強度がｆＳ（ＤＳ８４）となる位置の基準積層膜Ａの表面からの距離である。また、ｆＳ（ＤＳ１６）は、基準イオン強度ｆＳ（ＤＳＳ）を１００％としたときの、１６％となるイオン強度である。つまり、ｆＳ（ＤＳ１６）＝ｆＳ（ＤＳＳ）×０．１６である。ＤＳ１６は、第１３族原子のイオン強度がｆＳ（ＤＳ１６）となる位置の基準積層膜Ａの表面からの距離である。
【０１５６】
ΔＺ０は、基準積層膜Ａにおける第１３族原子の分布の急峻性を示す指標であり、第１３族原子のイオン強度ｆＳ（ＤＳ）がｆ（ＤＳ１６）からｆ（ＤＳ８４）となる深さ方向（厚さ方向）の距離である。つまり、ΔＺ０＝｜ＤＳ８４−ＤＳ１６｜である。
【０１５７】
また、評価対象のａ−Ｓｉ感光体におけるｆ（ＤＳ）を１００％としたときの、５０％となるイオン強度をｆ（Ｄ５０）（不図示）とする。そして、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ５０）となる位置の感光体１００の表面からの距離をＤ５０（不図示）とする。
【０１５８】
上述のとおり、基準積層膜Ａの膜Ａ１は、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の変化領域内の上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜である。
【０１５９】
また、上述のとおり、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能を向上させるには、第１３族原子の分布の急峻性を特定の範囲に制御する（できるだけ急峻になるように制御する）ことが重要である。そのためには、感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布を正確に評価することが必要である。そのためには、基準積層膜Ａの膜Ａ１および膜Ａ２の組成は、それぞれ、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の上部電荷注入阻止部分および表面側部分の組成と同等とするべきであると考えられる。
【０１６０】
評価対象のａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の上部電荷注入阻止部分および表面側部分のケイ素原子、炭素原子、水素原子および第１３族原子の含有量は、ＳＩＭＳ分析により、求めることができる。
【０１６１】
しかしながら、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の表面層は、ケイ素原子、炭素原子および水素原子を母材（主たる構成原子）とするａ−ＳｉＣで構成されている。そのため、ケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量を求める定量分析は、マトリックス効果が顕著に表れるので、相対感度係数（ＲＳＦ：Ｒｅｌａｔｉｖｅ  Ｓｅｎｓｉｔｉｖｅ  Ｆａｃｔｏｒ）を計算して求める方法では、正確な含有量を求めることが困難なことが多い。このような場合、ＳＩＭＳ分析においては、一次イオンにＣｓ＋を用い、目的の原子（Ｘとする。）と結合した分子イオンＣｓＸ＋を、二次イオンとして検出することにより、ケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量を正確に求めることが可能である。
【０１６２】
本発明の感光体の上部電荷注入阻止部分１０８のベースの材料となっているａ−ＳｉＣの場合、ＲＢＳ法およびＨＦＳ法で、ケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量（濃度：原子％）を求めたａ−ＳｉＣの標準試料を数種類用いる。そして、それぞれのＳＩＭＳ分析の測定条件で検量線を求め、ケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量を求めることが可能である。
【０１６３】
具体的には、まず、水素原子／ケイ素原子の比率を、Ｃｓ＋のＮｅｇａｔｉｖｅの測定より求める。そして、炭素原子／ケイ素原子の比率を、Ｃｓ＋のＰｏｓｉｔｉｖｅの測定より求める。それにより、最終的に、ケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量を求めることが可能である。
【０１６４】
ＳＩＭＳ分析によって得られる第１３族原子のイオン強度は、感光体１００の表面からの距離によって変わるが、本発明者らがＳＩＭＳ分析の結果を検討した結果、第１３族原子の基準イオン強度ｆ（ＤＳ）が半分になる位置を基準積層膜Ａの膜Ａ１と膜Ａ２との界面と定義すれば、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能との対応が良好となることがわかった。
【０１６５】
以上をまとめると、基準積層膜Ａの膜Ａ１および膜Ａ２は、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の表面からの距離がＤ５０である位置でのケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量と同じ含有量でケイ素原子、炭素原子および水素原子を含有する層である。さらに、基準積層膜Ａの膜Ａ１は、基準イオン強度ｆ（ＤＳ）と同等の基準イオン強度ｆＳ（ＤＳＳ）となるよう、第１３族原子をさらに含有している。
【０１６６】
これにより、基準積層膜Ａは、評価対象のａ−Ｓｉ感光体におけるＳＩＭＳ分析の測定結果を相対的に比較し、該ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部における第１３族原子の分布の正確に急峻性を評価するのに適したものになっている。
【０１６７】
さらに、上述のように、基準積層膜Ａにおいては、理論上、第１３族原子を含有しない膜Ａ２と第１３族原子を含有する膜Ａ１との境界部（界面）における第１３族原子の分布が急峻になっている必要があり、基準積層膜Ａの作製においては、その点を留意する必要がある。
【０１６８】
本発明者らの検討の結果、例えば、以下のように基準積層膜Ａを作製すれば、第１３族原子を含有しない膜Ａ２と第１３族原子を含有する膜Ａ１との境界部（界面）における第１３族原子の分布が十分に急峻になる（膜Ａ２側から膜Ａ１側に向かって第１３族原子が急激に増加する）ことがわかった。
【０１６９】
まず、反応容器内において、膜Ａ１を形成する。
【０１７０】
その後、反応容器内への膜Ａ１形成用の原料ガス（ケイ素原子供給用の原料ガス、炭素原子供給用の原料ガス、第１３族原子供給用の原料ガス（必要に応じて、水素原子供給用の原料ガスなど））の導入および／または該原料ガスを分解するためのエネルギーの導入を停止する。高周波プラズマＣＶＤ法や高周波スパッタリング法によって基準積層膜Ａを作製する場合、反応容器内への高周波電力の導入を停止することで、膜Ａ１の形成が停止する。また、このとき、膜Ａ１形成用の原料ガスを停止させたうえ、反応容器内に第１３族原子供給用の原料ガスが残留しないよう、反応容器内から第１３族原子供給用の原料ガスを排気することが好ましい。
【０１７１】
その後、膜Ａ１上に第１３族原子を含有しない膜Ａ２を形成する。反応容器内に第１３族原子供給用の原料ガスは供給しない。
【０１７２】
このようにすることで、第１３族原子の分布が急峻な基準積層膜Ａを作製することができる。
【０１７３】
このように作製された基準積層膜ＡのΔＺ０および評価対象のａ−Ｓｉ感光体のΔＺを同一の測定条件のＳＩＭＳ分析によって得て、ΔＺ０およびΔＺを比較する（ΔＺ／ΔＺ０の値を確認する）。本発明においては、これを「第１３族原子の分布の急峻性の評価方法Ａ」とも呼ぶ。
【０１７４】
本発明においては、ΔＺ／ΔＺ０が１．０以上３．０以下（１．０≦ΔＺ／ΔＺ０≦３．０）である。理論上、ΔＺ／ΔＺ０の最小値は１．０となる。ΔＺ／ΔＺ０が３．０を超えるということは、ａ−Ｓｉ感光体の表面層内の変化領域内の表面側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部において、第１３族原子が十分に急峻に変化していない（該境界部において、表面側部分側から上部電荷注入阻止部分側に向かって第１３族原子が急激ではなく徐々に増加している）ことを意味する。すると、感光体の表面から光導電層への電荷（電子）の注入を十分に阻止できないことになる。
【０１７５】
また、本発明において、例えば、図１の（ａ）に示すように、変化領域１０６内に光導電層側部分１１０、上部電荷注入阻止部分１０８および表面側部分１０９が存在する場合、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能の観点から、光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布も急峻である（上部電荷注入阻止部分１０８側から光導電層側部分１１０側に向かって第１３族原子が急激に減少する）ことが好ましい。
【０１７６】
また、例えば、図１の（ｂ）に示すように、変化領域１０６内に上部電荷注入阻止部分１０８および表面側部分１０９が存在し、光導電層側部分１１０が存在しない場合、換言すれば、上部電荷注入阻止部分１０８が表面層１０５内の最も光導電層１０４側の部分である場合、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能の観点から、光導電層１０４と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布も急峻である（表面層１０５内の変化領域１０６側から光導電層１０４側に向かって第１３族原子が急激に減少する）ことが好ましい。
【０１７７】
どちらの場合も、具体的には、後述のようにして求められるΔＹおよびΔＹ０に関して、ΔＹ／ΔＹ０が１．０以上３．０以下（１．０≦ΔＹ／ΔＹ０≦３．０）であることが好ましい。理論上、ΔＹ／ΔＹ０の最小値は１．０となる。ΔＹ／ΔＹ０が３．０を超えるということは、ａ−Ｓｉ感光体の光導電層もしくは表面層内の変化領域内の光導電層側部分と表面層内の変化領域内の上部電荷注入阻止部分との境界部において、第１３族原子が十分に急峻に変化していない（該境界部において、上部電荷注入阻止部分側から光導電層側部分側もしくは光導電層側に向かって第１３族原子が急激ではなく徐々に減少している。）ことを意味する。本発明においては、これを「第１３族原子の分布の急峻性の評価方法Ｂ」とも呼ぶ。
【０１７８】
上述の光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布も急峻であることが好ましい理由に関して、本発明者らは、以下のように推測している。
【０１７９】
本発明において、感光体１００の表面層１０５内の変化領域１０６は、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）との和に対する炭素原子の原子数（Ｃ）の比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が光導電層１０４側から感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）に向かって漸増している領域である。光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部は、炭素原子の含有量が比較的少なくなっており、組成がａ−Ｓｉに比較的近くなっている。そのため、該境界部は、ａ−Ｓｉで構成された光導電層１０４のように、画像露光光や前露光光が入射した場合、光導電性により、光キャリアが発生しやすい。感光体１００の表面を負帯電した場合、画像露光光や前露光光の入射により発生した光キャリアのうちの電子は、本来、基体１０２側に移動する。このとき、該境界部に第１３族原子が存在していると、電子の走行性が低下するため、第１３族原子の量が多い場合、該境界部から基体１０２側まで移動しきれず、該境界部（界面）または該境界部（界面）と基体１０２との間に電子が残留しやすくなると考えられる。そのような状況のまま、次の感光体１００の表面が負帯電されると、負帯電により形成される電界により、上記のように残留していた電子が基体１０２側に向かって移動することで、感光体１００の表面電位の低下が引き起こされると考えられる。
【０１８０】
本発明者らの検討によれば、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と表面層１０５との境界部における第１３族原子の分布の急峻性は、上述の急峻性の評価の方法と同様の方法によって、正確に評価することが可能であることがわかった。
【０１８１】
以下に、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布について説明する（（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）、（Ｂ４）、（Ｂ５）および（Ｂ６））。
【０１８２】
まず、ＳＩＭＳ分析により、基準イオン強度ｇ（ＥＳ）を求め、それを用いて急峻性ΔＹを求める（（Ｂ１）、（Ｂ２）、（Ｂ３）および（Ｂ４））。
【０１８３】
図９は、変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の分布（デプスプロファイル）、イオン強度ｇ（Ｅ）の一階微分ｇ’（Ｅ）およびイオン強度ｇ（Ｅ）の二階微分ｇ”（Ｅ）の例を示す図である。図９の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）等は、図３の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）等と同一であるが、説明の便宜上、記号を変えている。
【０１８４】
図９の上段、中段および下段の各グラフにおいて、横軸は、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離Ｅを示し、横軸の左側が感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）であり、横軸の右側が光導電層１０４側である。図９の上段のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）を示す。図９の中段のグラフにおいて、縦軸は、ｇ（Ｅ）の一階微分ｇ’（Ｅ）を示す。図９の下段のグラフにおいて、縦軸は、ｇ（Ｅ）の二階微分ｇ”（Ｅ）を示す。
【０１８５】
図９に示す例においては、Ｅが増加していくと、つまり、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部側から感光体１００の表面側に向かうと、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）は、次のような分布をとる。
【０１８６】
図９に示す例では、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）が０（検出限界以下を含む）から徐々に増加し（図９の上段のグラフ中の領域（ＶＩＩ））、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）は急激に増加する（同領域（ＶＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の増加の程度が緩やかに変化する（同領域（Ｖ））。そして、ある箇所において第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）は最大値ｇ（ＥＭＡＸ）（図３中のｇ（ＤＭＡＸ）と同じ。）に到達し、その後、緩やかに減少する（同領域（ＩＶ）〜（ＩＩＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）は急激に減少する（同領域（ＩＩ））。その後、ある箇所から第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の増加の程度が緩やかに変化し、０になる（同領域（Ｉ））。
【０１８７】
第１３族原子の分布の急峻性としては、イオン強度ｇ（Ｅ）が急激に増加し、その後に増加の程度が緩やかになるところが、重要な箇所となる。特に、上部電荷注入阻止部分（第１３族原子を含有する部分）１０８の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０に近いところが、つまり、図９の上段のグラフにおいては、領域（ＶＩＩ）から領域（Ｖ）の最大値ｇ（ＥＭＡＸ）に到達するまで部分が重要となる。
【０１８８】
上述のように、ある関数の二階微分が正なら当該関数は下に凸であり、二階微分が負なら上に凸である。よって、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の二階微分ｇ”（Ｅ）を図３の下段のグラフのように描いた場合、ｇ”（Ｅ）＝０からｇ”（Ｅ）＜０となる箇所が存在する。（図９の下段のグラフ中のＥ１およびＥ３）
つまり、ｇ”（Ｅ）＜０である近傍（図９の下段のグラフ中の領域（Ｖ）および（ＩＩＩ））に、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）が上に凸になる部分が存在し、第１３族原子の分布の増加の程度が変化する部分が存在する。
【０１８９】
さらに、ｇ”（Ｅ）＜０の後、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）にピークがある場合、または、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）が一定に変化もしくは緩やかに変化する場合、ｇ”（Ｅ）は、少なくとも一度は、ｇ”（Ｅ）＝０を通過する。
【０１９０】
よって、ｇ”（Ｅ）＝０からｇ”（Ｅ）＜０となり、その後、ｇ”（Ｅ）＜０からｇ”（Ｅ）＝０を通過する部分（図９の下段のグラフ中のＥ１からＥ２まで、および、Ｅ３からＥ４まで）のどこかに、第１３族原子の分布の増加率が変化する部分が存在する。
【０１９１】
上記と同様に、Ｅ１からＥ２までの中間点（（Ｅ１＋Ｅ２）／２）、Ｅ３からＥ４までの中間点（（Ｄ３＋Ｄ４）／２）を変化点と定義する。
【０１９２】
ただし、図９に示す例のように、変化点が複数存在する場合がある。この場合、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０に近いほう（（図９中の（Ｅ１＋Ｅ２）／２）が重要となる。
【０１９３】
本発明においては、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部から見て最初にｇ”（Ｅ）＝０からｇ”（Ｅ）＜０なる箇所の該境界部からの距離をＥＡと定義する。そして、その後、ｇ”（Ｅ）＜０からｇ”（Ｅ）＝０になる箇所の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離をＥＢと定義する。図９に示す例の場合は、Ｅ１がＥＡとなり、Ｅ２がＥＢとなる。そして、変化点（ＥＡ＋ＥＢ）／２（図９に示す例では（Ｅ１＋Ｅ２）／２）のイオン強度ｇ（（ＥＡ＋ＥＢ）／２）（図９に示す例ではｇ（（Ｅ１＋Ｅ２）／２））を第１３族原子の基準イオン強度ｇ（ＥＳ）と定義する。ＥＳは、第１３族原子の基準イオン強度ｇ（ＥＳ）となる位置の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離である。
【０１９４】
変化領域１０６のうち、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離がＥＳである箇所から光導電層１０４側もしくは光導電層側部分１１０側の部分は、第１３族原子の分布が比較的急激に変化する部分ということである。
【０１９５】
また、上記基準イオン強度ｆ（ＤＳ）と同様に、基準イオン強度ｇ（ＥＳ）もまた、上述の条件（図９の例において説明した条件）にのみによって定義されるのではなく、ｇ（ＥＭＡＸ）との関係も定義の必要条件となる。
【０１９６】
つまり、基準イオン強度ｇ（ＥＳ）は、以下のように定義される。
【０１９７】
デプスプロファイル（変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の分布）において、光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部（界面）からの距離をＥとし、距離Ｅにおける第１３族原子のイオン強度を距離Ｅの関数ｇ（Ｅ）で表し、ｇ（Ｅ）の最大値をｇ（ＥＭＡＸ）で表し、ｇ（Ｅ）の二階微分をｇ”（Ｅ）で表し、電子写真感光体の表面に向かってＥを増加させていき、ｇ”（Ｅ）＝０からｇ”（Ｅ）＜０になる箇所の光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部からの距離をＥＡとし、その後にｇ”（Ｅ）＜０からｇ”（Ｅ）＝０になる箇所の光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部からの距離をＥＢとする。そして、ｇ（（ＥＡ＋ＥＢ）／２）≧ｇ（ＥＭＡＸ）×０．５を満たす距離Ｅのうち、前記上部電荷注入阻止部分を光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部から見て最初の距離をＥＳとし、距離ＥＳにおける第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）を基準イオン強度ｇ（ＥＳ）とする。
【０１９８】
次に、ＳＩＭＳ分析により、基準イオン強度ｇ（Ｅ）を用いて、急峻性ΔＹを求める。
【０１９９】
図１０は、変化領域１０６における、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。図１０の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）等は、図５の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）等と同一であるが、説明の便宜上、記号を変えている。
【０２００】
図１０のグラフにおいて、横軸は、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部（界面）からの距離Ｅを示し、横軸の左側が感光体１００の表面側（表面側領域１０７側）であり、横軸の右側が光導電層１０４側もしくは光導電層側部分１１０側である。また、図１０のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）を示す。図１０の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）は、図９の上段の第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）と同一である。
【０２０１】
図１０中、ｇ（ＥＭＡＸ）は、上述のとおり、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の最大値である。ＥＭＡＸは、第１３族原子のイオン強度ｇ（ＥＭＡＸ）となる位置の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離である。
【０２０２】
また、図１０中、ｇ（Ｅ８４）は、基準イオン強度ｇ（ＥＳ）を１００％としたときの、８４％のイオン強度である。つまり、ｇ（Ｅ８４）＝ｇ（ＥＳ）×０．８４である。Ｅ８４は、第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ８４）となる位置の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離である。また、ｇ（Ｅ１６）は、基準イオン強度ｇ（ＥＳ）を１００％としたときの、１６％のイオン強度である。つまり、ｇ（Ｅ１６）＝ｇ（ＥＳ）×０．１６である。Ｅ１６は、第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ１６）となる位置の、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部からの距離である。
【０２０３】
ΔＹは、ΔＺと同様に、評価対象のａ−Ｓｉ感光体における第１３族原子の分布の急峻性を示す指標であり、第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）がｇ（Ｅ１６）からｇ（Ｅ８４）となる深さ方向（厚さ方向）の距離である。つまり、ΔＹ＝｜Ｅ８４−Ｅ１６｜である。
【０２０４】
一方、ＳＩＭＳ分析により、基準積層膜Ｂにおける急峻性ΔＹ０を求める（（Ｂ５）および（Ｂ６））。
【０２０５】
基準積層膜Ｂの場合も、基準積層膜Ａの場合と同様に、急峻性ΔＹを求める際と急峻性ΔＹ０を求める際とで、測定条件を固定する必要がある。
【０２０６】
まず、上述のとおり、光導電層１０４もしくは光導電層側部分１１０に対応する組成を有する膜（膜Ｂ１）と、上部電荷注入阻止部分１０８に対応する組成を有する膜（膜Ｂ２）とをこの順に積層してなる基準積層膜Ｂを作製する。膜Ｂ１は、第１３族原子を含有していない。膜Ｂ２は、第１３族原子を均一に含有している。
【０２０７】
基準積層膜Ｂの作製の際には、理論上、第１３族原子を含有しない膜Ｂ１と第１３族原子を含有する膜Ｂ２との境界部（界面）において第１３族原子の分布が急峻になるよう、作製方法に留意する。
【０２０８】
図１１は、基準積層膜Ｂにおける、ＳＩＭＳ分析により得られる、第１３族原子のイオン強度の分布（デプスプロファイル）の例を示す図である。
【０２０９】
図１１のグラフにおいて、横軸は、基準積層膜Ｂの裏面（膜Ｂ１の表面）からの距離ＥＳを示し、横軸の左側が第１３族原子を含有している膜Ｂ２側であり、横軸の右側が第１３族原子を含有していない膜Ｂ１側である。また、図１１のグラフにおいて、縦軸は、第１３族原子のイオン強度ｇＳ（ＥＳ）を示す。図１１に示す例の基準積層膜Ｂは、変化領域１０６における第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の分布が図９で示す分布になっている感光体１００に対応する基準積層膜Ｂである。
【０２１０】
変化領域１０６における第１３族原子のイオン強度ｇ（Ｅ）の分布が図９で示す分布になっている感光体１００に対応する基準積層膜Ｂの膜Ｂ２は、基準イオン強度ｇ（ＥＳ）と同等の基準イオン強度ｇＳ（ＥＳＳ）となるよう、第１３族原子を含有している。つまり、ｇ（ＥＳ）＝ｇＳ（ＥＳＳ）となる。
【０２１１】
その他は、上述の図９と同様であり、図１１中、ｇＳ（ＥＳ８４）は、基準イオン強度ｇＳ（ＥＳＳ）を１００％としたときの、８４％となるイオン強度である。つまり、ｇＳ（ＥＳ８４）＝ｇＳ（ＥＳＳ）×０．８４である。ＥＳ８４は、第１３族原子のイオン強度がｇＳ（ＥＳ８４）となる位置の基準積層膜Ｂの表面からの距離である。また、ｇＳ（ＥＳ１６）は、基準イオン強度ｇＳ（ＥＳＳ）を１００％としたときの、１６％となるイオン強度である。つまり、ｇＳ（ＥＳ１６）＝ｇＳ（ＥＳＳ）×０．１６である。ＥＳ１６は、第１３族原子のイオン強度がｇＳ（ＥＳ１６）となる位置の基準積層膜Ｂの表面からの距離である。
【０２１２】
ΔＹ０は、基準積層膜Ｂにおける第１３族原子の分布の急峻性を示す指標であり、第１３族原子のイオン強度ｇＳ（ＥＳ）がｇ（ＥＳ１６）からｇ（ＥＳ８４）となる深さ方向（厚さ方向）の距離である。つまり、ΔＹ０＝｜ＥＳ８４−ＥＳ１６｜である。
【０２１３】
また、評価対象のａ−Ｓｉ感光体におけるｇ（ＥＳ）を１００％としたときの、５０％となるイオン強度をｇ（Ｅ５０）（不図示）とする。そして、第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ５０）となる位置の感光体１００の表面からの距離をＥ５０（不図示）とする。
【０２１４】
上述のとおり、基準積層膜Ｂの膜Ｂ２は、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の変化領域内の上部電荷注入阻止部分に対応する組成を有する膜である。
【０２１５】
上述のとおり、ａ−Ｓｉ感光体の負帯電時の帯電能を向上させるには、第１３族原子の分布の急峻性を特定の範囲に制御する（できるだけ急峻になるように制御する）ことが重要である。そのためには、感光体の光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部（界面）における第１３族原子の分布を正確に評価することが必要であり、そのためには、基準積層膜Ｂの膜Ｂ１および膜Ｂ２の組成は、それぞれ、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の光導電層もしくは光導電層側部分の組成および上部電荷注入阻止部分の組成と同等とするべきであると考えられるが、基準積層膜Ａの場合と同様に、基準積層膜Ｂの膜Ｂ１および膜Ｂ２の組成は、以下のようにする。
【０２１６】
すなわち、基準積層膜Ｂの膜Ｂ１および膜Ｂ２は、評価対象のａ−Ｓｉ感光体の光導電層もしくは光導電層側部分と表面層との境界部（界面）からの距離がＥ５０である位置でのケイ素原子、炭素原子および水素原子の含有量と同じ含有量でケイ素原子、炭素原子および水素原子を含有する層である。さらに、基準積層膜Ｂの膜Ｂ１は、基準イオン強度ｇ（ＥＳ）と同等の基準イオン強度ｇＳ（ＥＳＳ）となるよう、第１３族原子をさらに含有している。
【０２１７】
これにより、基準積層膜Ｂは、評価対象のａ−Ｓｉ感光体におけるＳＩＭＳ分析の測定結果を相対的に比較し、該ａ−Ｓｉ感光体の光導電層もしくは光導電層側部分と上部電荷注入阻止部分との境界部（界面）における第１３族原子の分布の正確に急峻性を評価するのに適したものになっている。
【０２１８】
さらに、上述のように、基準積層膜Ｂにおいては、理論上、第１３族原子を含有する膜Ａ２と第１３族原子を含有しない膜Ａ１との境界部（界面）における第１３族原子の分布が急峻になっている必要があり、基準積層膜Ｂの作製においても、基準積層膜Ａの作製の際と同様に、その点を留意する必要がある。
【０２１９】
そのような基準積層膜Ｂは、上述の基準積層膜Ａの作製方法と同様にして、作製することができる。
【０２２０】
（表面層１０５の形成方法）
本発明のａ−Ｓｉ感光体の表面層の形成方法は、上記条件を満足する層を形成できる方法であれば、いずれの方法でも採用することができる。
【０２２１】
表面層の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。これらの中でも、原料供給の容易性などの観点から、プラズマＣＶＤ法が好ましい。
【０２２２】
表面層の形成方法としてプラズマＣＶＤ法を選択した場合、表面層の形成方法は、例えば、以下のとおりである。
【０２２３】
ケイ素原子供給用の原料ガスおよび炭素原子供給用の原料ガスを、内部を減圧しうる反応容器内に所望のガス状態で導入し、該反応容器内にグロー放電を生起させる。これによって、該反応容器内に導入した原料ガスを分解し、該反応容器内の所定の位置に設置された基体上（導電性基体上）にａ−ＳｉＣで構成された表面層を形成すればよい。
【０２２４】
ケイ素原子供給用の原料ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などのシラン類が挙げられる。また、炭素原子供給用の原料ガスとしては、例えば、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）などの炭化水素が挙げられる。
【０２２５】
また、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と炭素原子の原子数（Ｃ）と水素原子の原子数（Ｈ）の和に対する水素原子の原子数（Ｈ）の比（Ｈ／（Ｓｉ＋Ｃ＋Ｈ））を調整するために、水素（Ｈ２）を上記の原料ガスとともに使用してもよい。
【０２２６】
第１３族原子供給用の原料ガスとしては、例えば、ジボラン（Ｂ２Ｈ６）、三フッ化ホウ素（ＢＦ３）などが挙げられる。
【０２２７】
（光導電層１０４の形成方法）
本発明のａ−Ｓｉ感光体の光導電層の形成方法としては、例えば、プラズマＣＶＤ法、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法などが挙げられる。これらの中でも、原料供給の容易性などの観点から、プラズマＣＶＤ法が好ましい。
【０２２８】
光導電層の形成方法としてプラズマＣＶＤ法を選択した場合、光導電層の形成方法は、例えば、以下のとおりである。
【０２２９】
ケイ素原子供給用の原料ガスを、内部を減圧しうる反応容器内に所望のガス状態で導入し、該反応容器内にグロー放電を生起させる。これによって、該反応容器内に導入した原料ガスを分解し、該反応容器内の所定の位置に設置された基体上にａ−Ｓｉで構成された光導電層を形成すればよい。
【０２３０】
ケイ素原子供給用の原料ガスとしては、例えば、シラン（ＳｉＨ４）、ジシラン（Ｓｉ２Ｈ６）などのシラン類が挙げられる。
【０２３１】
また、ケイ素原子の原子数（Ｓｉ）と水素原子の原子数（Ｈ）の和に対する水素原子の原子数（Ｈ）の比（Ｈ／（Ｓｉ＋Ｈ））を調整するために、水素（Ｈ２）を上記の原料ガスとともに使用してもよい。
【０２３２】
また、ハロゲン原子、電気伝導性を制御するための原子、炭素原子、酸素原子、窒素原子などを光導電層１０４に含有させる場合には、それぞれの原子を含むガス状または容易にガス化しうる物質を原料として適宜使用すればよい。
【０２３３】
（本発明の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）の製造方法）
図７は、本発明の負帯電用の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）の製造に用いることのできる堆積膜形成装置の例を示す図である。図７に示す堆積膜形成装置は、高周波電源を用いたＲＦプラズマＣＶＤ法によって堆積膜を形成するための装置である。
【０２３４】
図７に示す堆積膜形成装置７０００は、大別すると、減圧可能な反応容器７１１０を有する堆積装置７１００、原料ガス供給装置７２００、および、反応容器７１１０内を減圧するための排気装置（不図示）から構成されている。
【０２３５】
堆積装置７１００中の反応容器７１１０内には、アースに接続された基体７１１２、基体加熱用ヒーター７１１３、および、原料ガス導入管７１１４が設置されている。また、カソード電極７１１１には、高周波マッチングボックス７１１５を介して高周波電源７１２０が接続されている。
【０２３６】
原料ガス供給装置７２００は、ＳｉＨ４，Ｈ２，ＣＨ４，ＮＯ，Ｂ２Ｈ６などの原料ガス用の原料ガスボンベ７２２１〜７２２５が設けられている。
【０２３７】
また、堆積装置７１００は、バルブ７２３１〜７２３５、圧力調整器７２６１〜７２６５、流入バルブ７２４１〜７２４５、流出バルブ７２５１〜７２５５およびマスフローコントローラー７２１１〜７２１５を有している。
【０２３８】
各原料ガスを封入したガスのボンベは、補助バルブ７２６０を介して反応容器７１１０内の原料ガス導入管７１１４に接続されている。
【０２３９】
次に、この堆積膜形成装置７０００を使った堆積膜の形成方法について説明する。
【０２４０】
まず、あらかじめ脱脂洗浄した基体７１１２を反応容器７１１０に受け台７１２３を介して設置する。次に、排気装置（不図示）を運転し、反応容器７１１０内を排気する。真空計７１１９の表示を見ながら、反応容器７１１０内の圧力が所定の圧力（例えば１Ｐａ以下）になったところで、基体加熱用ヒーター７１１３に電力を供給し、基体７１１２を所定の温度（例えば５０〜３５０℃）に加熱する。このとき、ガス供給装置７２００より、Ａｒ、Ｈｅなどの不活性ガスを反応容器７１１０内に供給して、不活性ガス雰囲気中で加熱を行うこともできる。
【０２４１】
次に、ガス供給装置７２００から堆積膜形成に用いる原料ガスを反応容器７１１０内に供給する。すなわち、必要に応じて、バルブ７２３１〜７２３５、流入バルブ７２４１〜７２４５、流出バルブ７２５１〜７２５５を開き、マスフローコントローラー７２１１〜７２１５に流量設定を行う。各マスフローコントローラーの流量が安定したところで、真空計７１１９の表示を見ながらメインバルブ７１１８を操作し、反応容器７１１０内の圧力が所定の圧力になるように調整する。所定の圧力が得られたところで高周波電源７１２０から高周波電力を反応容器７１１０内に導入するとともに、高周波マッチングボックス７１１５を操作し、反応容器７１１０内にプラズマ放電を生起させる。それにより、反応容器７１１０内に供給された原料ガスが励起する。その後、速やかに高周波電力を所定の電力になるように調整し、堆積膜の形成を行う。
【０２４２】
所定の堆積膜の形成が終わったところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を停止し、バルブ７２３１〜７２３５、流入バルブ７２４１〜７２４５、流出バルブ７２５１〜７２５５、および、補助バルブ７２６０を閉じ、反応容器７１１０内への原料ガスの供給を終える。それとともに、メインバルブ７１１８を全開にし、反応容器７１１０内の圧力が所定の圧力（例えば１Ｐａ以下）になるまで、反応容器７１１０内を排気する。
【０２４３】
以上で堆積膜の形成を終えるが、複数の堆積膜を形成する場合、再び上記の手順を繰り返してそれぞれの層を形成すればよい。原料ガスの流量や、反応容器内の圧力などを変化させて、各層間の接合領域の形成を行うこともできる。
【０２４４】
すべての堆積膜形成が終わった後、メインバルブ７１１８を閉じ、反応容器７１１０内に不活性ガスを導入し、反応容器７１１０内の圧力を大気圧にした後、基体７１１２を反応容器７１１０から取り出す。
【０２４５】
（電子写真装置）
次に、本発明の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）を有する電子写真装置について説明する。
【０２４６】
図８は、本発明の負帯電用の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）を有する電子写真装置の例を示す図である。
【０２４７】
図８に示す電子写真装置８００は、円筒状の電子写真感光体（感光体）８０１を有している。感光体８０１の周りには、感光体８０１の表面を負帯電するための帯電装置（一次帯電装置）８０２が配置されている。
【０２４８】
また、帯電された感光体８０１の表面に画像露光光８０３を照射して感光体８０１の表面に静電潜像を形成するための画像露光装置（不図示）が配置されている。
【０２４９】
また、感光体８０１の表面に形成された静電潜像を現像して感光体８０１の表面にトナー像を形成するための現像装置として、ブラックトナーを有する第１現像装置８０４ａと、カラートナーを有する第２現像装置８０４ｂが配置されている。第２現像装置８０４ｂは、イエロートナーを有するイエロー用現像装置とマゼンタトナーを有するマゼンタ用現像装置とシアントナーを有するシアン用現像装置とが内蔵された回転型の現像装置である。
【０２５０】
電子写真装置８００の現像装置は、第１現像装置８０４ａおよび第２現像装置８０４ｂなどからなっている。
【０２５１】
また、電子写真装置８００には、感光体８０１の表面に形成されたトナー像を構成しているトナーの電荷を均一にし、安定した転写が行われるようにするための転写前帯電装置８０５が配置されている。
【０２５２】
また、感光体８０１の表面から中間転写ベルト８０６の表面にトナー像が転写された後、感光体８０１の表面をクリーニングするための感光体用のクリーニングブレード８０７が配置されている。
【０２５３】
また、感光体８０１の表面に前露光光を照射して感光体８０１の表面の除電を行うための前露光装置８０８が配置されている。
【０２５４】
中間転写ベルト８０６は、感光体８０１に当接ニップ部を形成するように配置されており、回転駆動が可能である。
【０２５５】
中間転写ベルト８０６の内側には、感光体８０１の表面のトナー像を中間転写ベルト８０６の表面に転写（一次転写）するための一次転写ローラー８０９が配置されている。
【０２５６】
一次転写ローラー８０９には、感光体８０１の表面のトナー像を中間転写ベルト８０６の表面に転写するための一次転写バイアスを一次転写ローラー８０９に印加するためのバイアス電源（不図示）が接続されている。
【０２５７】
また、中間転写ベルト８０６の周りには、中間転写ベルト８０６の表面のトナー像を転写材（紙など）８１２に転写（二次転写）するための二次転写ローラー８１０が、中間転写ベルト８０６の表面に接触するように配置されている。
【０２５８】
二次転写ローラー８１０には、中間転写ベルト８０６の表面のトナー像を転写材８１２に転写するための二次転写バイアスを二次転写ローラー８１０に印加するためのバイアス電源（不図示）が接続されている。
【０２５９】
また、中間転写ベルト８０６の表面から転写材８１２にトナー像が転写された後、中間転写ベルト８０６の表面をクリーニングするための中間転写ベルト用のクリーニングブレード８１１が配置されている。
【０２６０】
電子写真装置８００の転写装置は、中間転写ベルト８０６、一次転写ローラー８０９および二次転写ローラー８１０などからなっている。
【０２６１】
また、電子写真装置８００は、画像が形成される複数の転写材８１２を保持する給紙カセット８１３と、転写材８１２を給紙カセット８１３から中間転写ベルト８０６と二次転写ローラー８１０との当接ニップ部に搬送する搬送機構とが設けられている。転写材８１２の搬送経路上には、転写材８１２に転写されたトナー像を転写材８１２に定着させるための定着装置８１４が配置されている。
【０２６２】
また、感光体８０１の内部にはヒーター８１５が配置されており、感光体８０１を所定の温度（例えば４０〜４５℃）に加熱する。
【０２６３】
画像露光装置（不図示）としては、例えば、カラー画像の色分解・結像露光光学系や、画像情報の時系列電気デジタル画素信号に対応して変調されたレーザービームを出力するレーザースキャナーによる走査露光光学系などが用いられる。このような光学系により、画像パターンにしたがって、複数行、複数列の画素マトリックスの画素ごとに、光源（例えば、レーザー、ＬＥＤなど）から画像露光光（ビーム）を感光体８０１の表面に照射して、感光体８０１の表面に静電潜像を形成することができる。
【０２６４】
次に、この電子写真装置の動作について説明する。
【０２６５】
まず、感光体８０１が、反時計方向に所定の周速度（プロセススピード）で回転駆動され、中間転写ベルト８０６が、時計方向に、感光体８０１と同じ周速度で回転駆動される。
【０２６６】
感光体８０１の表面は、回転過程において、帯電装置（一次帯電装置）８０２により負帯電される。
【０２６７】
次いで、感光体８０１の表面には画像露光光８０３が照射され、これにより、感光体８０１の表面には、目的のカラー画像の第１の色成分像（例えばマゼンタ成分像）に対応した静電潜像が形成される。
【０２６８】
次いで、第１の色成分像が例えばマゼンタ成分像である場合、第２現像装置８０４ｂが回転し、マゼンタ用現像装置器が所定の位置にセットされ、マゼンタ成分像に対応した静電潜像がマゼンタトナーにより現像され、感光体８０１の表面にマゼンタトナー像が形成される。このとき、第１現像装置８０４ａは、作動オフになっていて、感光体８０１には作用せず、マゼンタトナー像に影響を与えることはない。
【０２６９】
一次転写バイアスがバイアス電源（不図示）から一次転写ローラー８０９に印加され、感光体８０１と中間転写ベルト８０５との間に電界が形成される。この電界の作用により、感光体８０１の表面に形成されたマゼンタトナー像は、感光体８０１と中間転写ベルト８０６との当接ニップ部を通過する過程において、中間転写ベルト８０６の表面（外周面）に転写（一次転写）される。
【０２７０】
中間転写ベルト８０６の表面にマゼンタトナー像を転写し終えた感光体８０１の表面は、感光体用のクリーニングブレード８０７によりクリーニングされる。
【０２７１】
次に、感光体８０１の表面に、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）の形成と同様に、第２色のトナー像（例えばシアントナー像）が形成され、この第２色のトナー像（シアントナー像）が、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）が転写された中間転写ベルト８０６の表面に重畳して転写（一次転写）される。
【０２７２】
中間転写ベルト８０６の表面に第２色のトナー像（シアントナー像）を転写し終えた感光体８０１の表面は、感光体用のクリーニングブレード８０７によりクリーニングされる。
【０２７３】
次に、感光体８０１の表面に、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）の形成と同様に、第３色のトナー像（例えばイエロートナー像）が形成され、この第３色のトナー像（イエロートナー像）が、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）が転写された中間転写ベルト８０６の表面に重畳して転写（一次転写）される。
【０２７４】
中間転写ベルト８０６の表面に第３色のトナー像（イエロートナー像）を転写し終えた感光体８０１の表面は、感光体用のクリーニングブレード８０７によりクリーニングされる。
【０２７５】
次に、感光体８０１の表面に、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）の形成と同様に、第４色のトナー像（例えばブラックトナー像）が形成され、この第４色のトナー像（ブラックトナー像）が、第１色のトナー像（マゼンタトナー像）が転写された中間転写ベルト８０６の表面に重畳して転写（一次転写）される。
【０２７６】
ブラックトナー像の形成の際には、現像装置として、第２現像装置８０４ｂの代わりにブラックトナーを有する第１現像装置８０４ａが作動オンになる。そのとき、第２現像装置８０４ｂは、作動オフになっていて、感光体８０１には作用しない。
【０２７７】
中間転写ベルト８０６の表面に第４色のトナー像（ブラックトナー像）を転写し終えた感光体８０１の表面は、感光体用のクリーニングブレード８０７によりクリーニングされる。
【０２７８】
このようにして、第１色〜第４色のトナー像が中間転写ベルト８０６の表面に順次重畳して転写（一次転写）され、目的のカラー画像に対応した合成カラートナー像が中間転写ベルト８０６の表面に形成される。
【０２７９】
次に、二次転写ローラー８１０が中間転写ベルト８０６に当接されるとともに、給紙カセット８１３から中間転写ベルト８０６と二次転写ローラー８１０との当接ニップ部に所定のタイミングで転写材８１２が給送される。
【０２８０】
二次転写バイアスがバイアス電源（不図示）から二次転写ローラー８１０に印加され、中間転写ベルト８０６の表面に形成された合成カラートナー像が転写材８１２に転写（二次転写）される。
【０２８１】
転写材８１２に合成カラートナー像を転写し終えた中間転写ベルト８０６の表面は、中間転写ベルト用のクリーニングブレード８１１によりクリーニングされる。
【０２８２】
合成カラートナー像が転写された転写材８１２は、定着装置８１４に導かれ、ここでトナー像は転写材８１２に定着される。
【実施例】
【０２８３】
以下、実施例により、本発明をさらに詳細に説明する。なお、いずれの例も、反応容器内に導入するＳｉＨ４、ＣＨ４、Ｂ２Ｈ６、Ｈ２はガス状である。
【０２８４】
〈実施例１〉
図７に示す堆積膜形成装置７０００を用い、表１に示す条件で、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、厚さ３ｍｍのアルミニウム製の円筒状の導電性基体（基体）７１１２上に図１に示す層を形成して、円筒状の負帯電用の電子写真感光体（ａ−Ｓｉ感光体）を製造した。
【０２８５】
変化領域１０６の形成に関しては、以下のように行った。
【０２８６】
表１に示すように、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量を１００［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から１５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、連続して変化させた。
【０２８７】
それとともに、反応容器７１１０内へ導入するＣＨ４の流量を２５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］から３６０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］へと、連続して変化させた。
【０２８８】
そうして、上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が、図２（ａ）に示すように直線状に変化している変化領域１０６を形成した。
【０２８９】
変化領域１０６の光導電層１０４側の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は０．００であり、表面側領域１０７側の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））は０．６０であった。
【０２９０】
変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関しては、以下のように行った。
【０２９１】
変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ２Ｈ６を６０秒間かけて反応容器７１１０内へ導入し、その導入量（流量）はＳｉＨ４に対して０ｐｐｍから２００ｐｐｍに増加させた。その後、Ｂ２Ｈ６の流量をＳｉＨ４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。
【０２９２】
その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。
【０２９３】
その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。
【０２９４】
その後、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＣＨ４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定して、ＳｉＨ４およびＣＨ４の反応容器７１１０内への導入を再開し、ＳｉＨ４およびＣＨ４の流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を再開し、再び変化領域１０６の形成を開始した。
【０２９５】
製造したａ−Ｓｉ感光体を評価用の電子写真装置（キヤノン（株）社製の複写機（商品名：ｉＲＣ６８００）を負帯電方式に改造した改造機）に設置し、「帯電能」、「光感度」および「急峻性」の評価を以下のように行った。なお、評価用の電子写真装置のプロセススピードを２６５ｍｍ／ｓｅｃに設定した。また、前露光光（ＬＥＤからの波長６６０ｎｍの光）の光量を４μＪ／ｃｍ２に設定した。
【０２９６】
「帯電能」
評価用の電子写真装置の帯電装置（一次帯電装置）の電流値を１０００μＡに設定し、ａ−Ｓｉ感光体を帯電した。表面電位計（ＴＲＥＫ社製、商品名：Ｍｏｄｅｌ５５５Ｐ−４）により、帯電後のａ−Ｓｉ感光体の表面の暗部電位を測定した。暗部電位の測定位置はａ−Ｓｉ感光体の軸方向中央位置とし、周方向の平均値をもって暗部電位とした。この暗部電位を帯電能とした。
【０２９７】
「光感度」
ａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置の電位が、表面電位計（ＴＲＥＫ社製、商品名：Ｍｏｄｅｌ５５５Ｐ−４）で測定して−４５０Ｖ（暗部電位）になるように帯電装置（一次帯電装置）の電流値を調整し、ａ−Ｓｉ感光体を帯電した。帯電後、ａ−Ｓｉ感光体の表面の全面に画像露光光（レーザーからの波長６５５ｎｍの光）を照射した。その際、レーザーの光量を調整して、ａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置の電位が、上記表面電位計で測定して−５０Ｖ（明部電位）となるようにした。明部電位の測定位置は円筒状のａ−Ｓｉ感光体の軸方向中央位置とし、周方向の平均値をもって明部電位とした。このときに照射したレーザーの光量を光感度とした。
【０２９８】
「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析は、上部電荷注入阻止部分１０８および上部電荷注入阻止部分１０８を含む変化領域１０６に対して実施した。ＳＩＭＳ分析には、ＣＡＭＥＣＡ製のＩＭＳ−４Ｆ（商品名）を使用し、ＳＩＭＳ分析の測定条件は表２に示す条件とした。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（ＤＳ）およびΔＺを求めた。
【０２９９】
さらに、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝３２．２原子％、炭素原子＝１１．４原子％、ケイ素原子＝５６．３原子％であった。
【０３００】
次に、ａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、図７に示す堆積膜形成装置７０００を用い、表３に示す条件で、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム製の円筒状の導電性基体（基体）７１１２の表面に基準積層膜Ａ（膜Ａ１と膜Ａ２）を作製した。
【０３０１】
具体的には、膜Ａ１を形成した後、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。
【０３０２】
その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。
【０３０３】
その後、表３に示すように、膜Ａ２形成用の原料ガスを反応容器７１１０内に導入し、原料ガスの流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内へ高周波電力を導入し、膜Ａ１上に膜Ａ２を形成した。
【０３０４】
作製した基準積層膜Ａに対して、上述のａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。
【０３０５】
基準積層膜Ａにおける水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、基準積層膜Ａ（膜Ａ１と膜Ａ２）とも、水素原子＝３３．２原子％、炭素原子＝１２．４原子％、ケイ素原子＝５４．３原子％であった。つまり、上記のａ−Ｓｉ感光体において第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成と同等であった。
【０３０６】
そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆＳ（ＤＳＳ）およびΔＺ０を求めた。
【０３０７】
その結果、ΔＺ／ΔＺ０＝１．０であった。
【０３０８】
得られた結果を表４に示す。なお、「帯電能」および「光感度」に関しては、いずれの例も、比較例１の結果を１００としたときの、相対評価で行った。
【０３０９】
〈実施例２〉
表１に示す条件を表５に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。
【０３１０】
ただし、本実施例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。
【０３１１】
変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ２Ｈ６を６０秒間かけて反応容器７１１０内へ導入し、その導入量（流量）はＳｉＨ４に対して０ｐｐｍから２００ｐｐｍに増加させた。その後、Ｂ２Ｈ６の流量をＳｉＨ４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ２Ｈ６の流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を直ちに閉じ、反応容器７１１０内へのＢ２Ｈ６の導入を停止した。
【０３１２】
その後、引き続き、変化領域１０６の形成を行った。
【０３１３】
製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。
【０３１４】
「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（ＤＳ）およびΔＺを求めた。
【０３１５】
さらに、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝３２．２原子％、炭素原子＝１１．９原子％、ケイ素原子＝５５．９原子％であった。
【０３１６】
次に、実施例１の手順に倣い、本実施例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ａ（膜Ａ１と膜Ａ２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。
【０３１７】
そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆＳ（ＤＳ）およびΔＺ０を求めた。
その結果、ΔＺ／ΔＺ０＝３．０であった。
【０３１８】
得られた結果を表４に示す。
【０３１９】
〈実施例３〉
表１に示す条件を表６に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。
【０３２０】
ただし、本実施例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。
【０３２１】
変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ２Ｈ６を６０秒間かけて反応容器７１１０内へ導入し、その導入量（流量）はＳｉＨ４に対して０ｐｐｍから２００ｐｐｍに増加させた。その後、Ｂ２Ｈ６の流量をＳｉＨ４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ２Ｈ６の流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を直ちに閉じ、反応容器７１１０内へのＢ２Ｈ６の導入を停止した。
【０３２２】
反応容器７１１０内へのＢ２Ｈ６の導入の停止とともに、Ｈ２を、Ｂ２Ｈ６の流量と同等の流量で反応容器７１１０内へ導入した。
その後、引き続き、変化領域１０６の形成を行った。
【０３２３】
製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。
【０３２４】
「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（ＤＳ）およびΔＺを求めた。
【０３２５】
さらに、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝３３．２原子％、炭素原子＝１１．４原子％、ケイ素原子＝５６．３原子であった。
【０３２６】
次に、実施例１の手順に倣い、本実施例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ａ（膜Ａ１と膜Ａ２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。
【０３２７】
そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆＳ（ＤＳ）およびΔＺ０を求めた。
その結果、ΔＺ／ΔＺ０＝１．６であった。
【０３２８】
得られた結果を表４に示す。
【０３２９】
〈比較例１〉
表１に示す条件を表７に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。
【０３３０】
ただし、本比較例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。
【０３３１】
変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ２Ｈ６を６０秒間かけて反応容器７１１０内へ導入し、その導入量（流量）はＳｉＨ４に対して０ｐｐｍから２００ｐｐｍに増加させた。そして、Ｂ２Ｈ６の流量をＳｉＨ４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、Ｂ２Ｈ６の流量を１０秒間直線的に減少させて、反応容器７１１０内へのＢ２Ｈ６の導入を停止した。
【０３３２】
その後、引き続き、変化領域１０６の形成を行った。
【０３３３】
製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。
【０３３４】
「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（ＤＳ）およびΔＺを求めた。
【０３３５】
さらに、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝３５．０原子％、炭素原子＝１２．９原子％、ケイ素原子＝５２．３原子であった。
【０３３６】
次に、実施例１の手順に倣い、本比較例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ａ（膜Ａ１と膜Ａ２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。
【０３３７】
そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆＳ（ＤＳ）およびΔＺ０を求めた。
その結果、ΔＺ／ΔＺ０＝５．１であった。
【０３３８】
得られた結果を表４に示す。
【０３３９】
なお、比較例１の帯電能に係る暗部電位は−４２５Ｖであり、光感度に係るレーザーの光量は０．４５μＪ／ｃｍ２であった。
【０３４０】
〈比較例２〉
表１に示す条件を特開２００２−２３６３７９号報に記載の実施例１で採用されている条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。ただし、基体は、特開２００２−２３６３７９号報に記載の実施例１で採用されているものではなく、実施例１と同様のものを用いた。
【０３４１】
製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、本発明の実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。
【０３４２】
「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（ＤＳ）およびΔＺを求めた。
【０３４３】
さらに、第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝４０．７原子％、炭素原子＝１７．６原子％、ケイ素原子＝４１．６原子％であった。
【０３４４】
次に、実施例１の手順に倣い、本比較例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ａ（膜Ａ１と膜Ａ２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。なお、膜Ａ１には、ホウ素原子をケイ素原子に対して３５００ｐｐｍ含有させた。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（ＤＳ）およびΔＺを求めた。
【０３４５】
基準積層膜Ａにおける水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、基準積層膜Ａ（膜Ａ１と膜Ａ２）とも、水素原子＝４１．０原子％、炭素原子＝１５．６原子％、ケイ素原子＝４３．３原子％であった。つまり、上記のａ−Ｓｉ感光体において第１３族原子のイオン強度がｆ（Ｄ５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成と同等であった。
【０３４６】
そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆＳ（ＤＳ）およびΔＺ０を求めた。
その結果、ΔＺ／ΔＺ０＝８．５であった。
【０３４７】
得られた結果を表４に示す。
【０３４８】
【表１】
2014164042.tif 000003
【０３４９】
【表２】
2014164042.tif 000004
【０３５０】
【表３】
2014164042.tif 000005
【０３５１】
【表４】
2014164042.tif 000006
【０３５２】
【表５】
2014164042.tif 000007
【０３５３】
【表６】
2014164042.tif 000008
【０３５４】
【表７】
2014164042.tif 000009
【０３５５】
表４から明らかなように、表面側部分１０９と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布の急峻性に関して、下記式（Ａ７）で示される関係を満たすようにすることで、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能（負帯電時の帯電能）および光感度が向上することがわかった。
【０３５６】
１．０≦ΔＺ／ΔＺ０≦３．０  ・・・  （Ａ７）
ａ−Ｓｉ感光体の光感度が向上する理由は、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能（負帯電時の帯電能）が向上すると、ａ−Ｓｉ感光体の表面電位を所定の値にするのに必要な電荷（負電荷）の量が少なくなる。上述の光感度の評価においては、感光体の表面電位が−４５０Ｖ（暗部電位）になるように帯電装置（一次帯電装置）の電流値を調整している。このときの電流値が少なくなり、感光体の表面に供給する電荷（負電荷）の量が少なくても、感光体の表面電位を所定の値にすることができるようになる。
【０３５７】
そのため、次に、感光体の表面電位を−５０Ｖ（明部電位）とするために必要となる光キャリアの生成量も少なくてすむようになる。つまり、照射するレーザーの光量が少なくてすむようになる、つまり、感光体の光感度が向上すると考えられる。
【０３５８】
実施例２よりも実施例３のほうが、表面側部分１０９と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布の急峻性が向上し、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能および光感度が向上している。
【０３５９】
この理由は、以下のように考えられる。
【０３６０】
実施例２では、Ｂ２Ｈ６の流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を直ちに閉じ、反応容器７１１０内へのＢ２Ｈ６の導入を停止している。その結果、反応容器７１１０内の圧力に変動が生じる場合がある。その影響で、上記第１３族原子の急峻性が低下する場合があると考えられる。
【０３６１】
一方、実施例３では、反応容器７１１０内へのＢ２Ｈ６の導入を停止するとともに、Ｂ２Ｈ６の流量と同等の流量のＨ２を反応容器７１１０内へ導入したため、反応容器７１１０内の圧力の変動が抑制され、その結果、上記第１３族原子の急峻性が向上していると考えられる。
【０３６２】
さらに、実施例２および３よりも実施例１のほうが、表面側部分１０９と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布の急峻性が向上し、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能および光感度が向上している。
【０３６３】
この理由は、以下のように考えられる。
【０３６４】
実施例２および実施例３では、Ｂ２Ｈ６の流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を直ちに閉じ、反応容器７１１０内へのＢ２Ｈ６の導入を停止している。
【０３６５】
しかしながら、流入バルブ７２４５から反応容器７１１０までの配管内および反応容器７１１０から流出バルブ７２５５までの配管内には、流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を閉じてもなお、Ｂ２Ｈ６が残留していると考えられる。その残留しているＢ２Ｈ６は、流入バルブ７２４５および流出バルブ７２５５を閉じた後でも、反応容器７１１０内に流入しうる。その間、高周波電力は供給されているので、堆積膜の形成が継続される。
【０３６６】
一方、実施例１では、まず、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止し、その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止している。その後、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った後、堆積膜の形成を再開している。つまり、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止することで、堆積膜の形成が停止し、その状態で、原料ガスの入れ替えが行っているので、上記第１３族原子の急峻性が向上していると考えられる。
【０３６７】
〈実施例４〉
実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。
【０３６８】
ただし、本実施例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。
【０３６９】
変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８を形成する位置を、変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．００〜０．１０である位置、０．１０〜０．２０である位置、０．２０〜０．３０である位置、０．２５〜０．３５である位置、０．３０〜０．４０である位置と変更して上部電荷注入阻止部分１０８を形成した。
【０３７０】
また、いずれの位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合おいても、上部電荷注入阻止部分１０８の形成の終了（Ｂ２Ｈ６の反応容器７１１０内への導入の終了）は、上部電荷注入阻止部分１０８の形成の終了した時点で、実施例１と同様に、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。その後、すべての原料ガス（Ｂ２Ｈ６を含む）の反応容器７１１０内への導入を停止した。
【０３７１】
反応容器７１１０内へ導入するＢ２Ｈ６の流量は、各条件であらかじめ帯電能が最大となるよう調整し、以下のような流量で実施した。
【０３７２】
変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．００〜０．１０である位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合、ＳｉＨ４に対して１００ｐｐｍ。
【０３７３】
変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．１０〜０．２０である位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合、ＳｉＨ４に対して２００ｐｐｍ。
【０３７４】
変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．２０〜０．３０である位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合、ＳｉＨ４に対して５００ｐｐｍ。
【０３７５】
変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．２５〜３５である位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合、ＳｉＨ４に対して８００ｐｐｍ。
【０３７６】
変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３０〜４０である位置に上部電荷注入阻止部分１０８を形成する場合、ＳｉＨ４に対して１０００ｐｐｍ。
【０３７７】
その後、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。
【０３７８】
その後、ＳｉＨ４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＣＨ４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＳｉＨ４およびＣＨ４の流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を再開し、再び変化領域１０６の形成を開始した。
【０３７９】
製造したａ−Ｓｉ感光体のそれぞれに関して、実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。
「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆ（ＤＳ）およびΔＺを求めた。
【０３８０】
次に、実施例１の手順に倣い、本実施例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ａ（膜Ａ１と膜Ａ２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。
【０３８１】
そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｆＳ（ＤＳ）およびΔＺ０を求めた。
【０３８２】
得られた結果を表８に示す
【０３８３】
【表８】
2014164042.tif 000010
【０３８４】
表８から明らかなように、上部電荷注入阻止部分１０８を設ける位置は、変化領域１０６内の上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．００を超え０．３０以下の部分に設けるほうが、０．３０を超える部分に設けるよりも帯電能（負帯電時の帯電能）が向上することがわかった。
【０３８５】
この理由は、以下のように考えられる。
【０３８６】
上記比（Ｃ／（Ｓｉ＋Ｃ））が０．３０を超えると、第１３族原子を含有させる（ドーピングする）効率が低下する。その結果、上部電荷注入阻止部分１０８に第１３族原子を多く含有させても、上部電荷注入阻止部分１０８が、感光体１００の表面から光導電層１０４への電荷（負電荷）の注入を効果的に阻止することができなくなる場合がある。そのため、表面側領域１０７と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子の分布の急峻性を高めても、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能（負帯電時の帯電能）が顕著に向上しない場合があると考えられる。
【０３８７】
また、表８より、様々な上部電荷注入阻止部分１０８であっても、それぞれに対応する基準積層膜Ａを用い、表面側領域１０７と上部電荷注入阻止部分１０８との境界部における第１３族原子のイオン強度の分布の急峻性を評価し、上記式（Ａ７）で示される関係を満たすようにすることで、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能（負帯電時の帯電能）が向上することがわかった。
【０３８８】
〈実施例５〉
表１に示す条件を表９に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。
【０３８９】
ただし、本実施例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。
【０３９０】
変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。
【０３９１】
その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。
【０３９２】
その後、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量を９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＣＨ４の流量を５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、Ｂ２Ｈ６の流量をＳｉＨ４に対して２００ｐｐｍに設定し、ＳｉＨ４、ＣＨ４およびＢ２Ｈ６の流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を再開し、再び変化領域１０６の形成を開始した。
【０３９３】
その後、Ｂ２Ｈ６の流量をＳｉＨ４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。
【０３９４】
その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。
【０３９５】
その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。
【０３９６】
その後、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＣＨ４の流量を７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＳｉＨ４およびＣＨ４の流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を再開し、再び変化領域１０６の形成を開始した。
【０３９７】
製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例１と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、表面層１０５（内の変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８）と光導電層１０４との境界部（界面）における第１３族原子の分布の急峻性ΔＹを以下のように評価した。
【０３９８】
「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例１と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｇ（ＥＳ）およびΔＹを求めた。
【０３９９】
さらに、第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝１９．４原子％、炭素原子＝８．６原子％、ケイ素原子＝７１．９原子％であった。
【０４００】
次に、実施例１の手順に倣い、本実施例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ｂ（膜Ｂ１と膜Ｂ２）を作製した。
【０４０１】
すなわち、ａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、図７に示す堆積膜形成装置７０００を用い、表１１に示す条件で、直径８４ｍｍ、長さ３８１ｍｍ、肉厚３ｍｍのアルミニウム製の円筒状の導電性基体（基体）７１１２の表面に基準積層膜Ｂ（膜Ｂ１と膜Ｂ２）を作製した。
【０４０２】
具体的には、膜Ｂ１を形成した後、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。
【０４０３】
その後、すべての原料ガス反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。
【０４０４】
その後、表１１に示すように、膜Ｂ２形成用の原料ガスを反応容器７１１０内に導入し、原料ガスの流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内へ高周波電力を導入し、膜Ｂ１上に膜Ｂ２を形成した。
【０４０５】
作製した基準積層膜Ｂに対して、上述のａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。
【０４０６】
基準積層膜Ｂにおける水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、基準積層膜Ｂ（膜Ｂ１と膜Ｂ２）とも、水素原子＝１９．６原子％、炭素原子＝９．０原子％、ケイ素原子＝７１．４原子％であった。つまり、上記のａ−Ｓｉ感光体において第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成と同等であった。
【０４０７】
そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｇＳ（ＥＳＳ）およびΔＹ０を求めた。
【０４０８】
その結果、ΔＹ／ΔＹ０＝１．０であった。
【０４０９】
なお、本実施例に関して、ΔＺ／ΔＺ０を実施例１に倣って求めたところ、ΔＺ／ΔＺ０＝１．０であった。また、実施例１に関して、ΔＹ／ΔＹ０を本実施例に倣って求めたところ、ΔＹ／ΔＹ０＝９．５であった。
【０４１０】
得られた結果を表１２に示す。
【０４１１】
〈実施例６〉
表１に示す条件を表１０に示す条件に変更した以外は、実施例１と同様の手順で、ａ−Ｓｉ感光体を製造した。
【０４１２】
ただし、本実施例では、上部電荷注入阻止部分１０８の形成に関して、以下のように行った。
【０４１３】
変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、マスフローコントローラーを用いて、反応容器７１１０内へ導入するＢ２Ｈ６の流量をＳｉＨ４に対して２００ｐｐｍになるように急激に増加させた。
【０４１４】
その後、Ｂ２Ｈ６の流量をＳｉＨ４に対して２００ｐｐｍを維持して堆積膜を形成した。
【０４１５】
その後、変化領域１０６形成時の条件において、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になり、ＣＨ４の流量が７５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］になった時点で、高周波電源７１２０の電源を直ちにＯＦＦにし、反応容器７１１０内へ導入する高周波電力を停止した。
【０４１６】
その後、すべての原料ガスの反応容器７１１０内への導入を停止し、反応容器７１１０内をＡｒで５回のパージを行った。
【０４１７】
その後、反応容器７１１０内へ導入するＳｉＨ４の流量を９０［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＣＨ４の流量を５５［ｍＬ／ｍｉｎ（ｎｏｒｍａｌ）］に設定し、ＳｉＨ４およびＣＨ４の流量および内圧（反応容器７１１０内の圧力）が安定したところで、反応容器７１１０内への高周波電力の導入を再開し、再び変化領域１０６の形成を開始した。
【０４１８】
製造したａ−Ｓｉ感光体に関して、実施例５と同様に、「帯電能」および「光感度」の評価を行った。また、「急峻性」に関しては、以下のように行った。
【０４１９】
「急峻性」
製造したａ−Ｓｉ感光体の表面の軸方向中央位置に関して、実施例５と同様に、ＳＩＭＳ分析を行った。ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｇ（ＥＳ）およびΔＹを求めた。
【０４２０】
さらに、第１３族原子のイオン強度がｇ（Ｅ５０）となる位置における水素原子、炭素原子およびケイ素原子の組成を求めたところ、水素原子＝１９．４原子％、炭素原子＝８．８原子％、ケイ素原子＝７１．７原子であった。
【０４２１】
次に、実施例５の手順に倣い、本実施例のａ−Ｓｉ感光体の製造時と同様に、基準積層膜Ｂ（膜Ｂ１と膜Ｂ２）を作製し、ａ−Ｓｉ感光体の場合と同様の条件でＳＩＭＳ分析を行った。
【０４２２】
そして、ＳＩＭＳ分析により得られた、第１３族原子のイオン強度のデプスプロファイルから、ｇＳ（ＥＳＳ）およびΔＹ０を求めた。
【０４２３】
その結果、ΔＹ／ΔＹ０＝２．８であった。
【０４２４】
なお、本実施例に関して、ΔＺ／ΔＺ０を実施例１に倣って求めたところ、ΔＺ／ΔＺ０＝１．０であった。
【０４２５】
得られた結果を表１２に示す。
【０４２６】
【表９】
2014164042.tif 000011
【０４２７】
【表１０】
2014164042.tif 000012
【０４２８】
【表１１】
2014164042.tif 000013
【０４２９】
【表１２】
2014164042.tif 000014
【０４３０】
表１２から明らかなように、表面層１０５（内の変化領域１０６内の上部電荷注入阻止部分１０８）と光導電層１０４との境界部（界面）における第１３族原子の分布の急峻性を下記式（Ｂ７）で示される関係を満たすようにすることで、ａ−Ｓｉ感光体の帯電能（負帯電時の帯電能）が向上することがわかった。
１．０≦ΔＹ／ΔＹ０≦３．０  ・・・  （Ｂ７）
【符号の説明】
【０４３１】
１００  電子写真感光体
１０２  基体
１０３  下部電荷注入阻止層
１０４  光導電層
１０５  表面層
１０６  変化領域
１０７  表面側領域
１０８  上部電荷注入阻止部分
１０９  表面側部分
１１０  光導電層側部分
７０００  堆積膜形成装置
７１００  堆積装置
７１１０  反応容器
７１１１  カソード電極
７１１２  基体
７１１３  加熱用ヒーター
７１１４  原料ガス導入管
７１１５  高周波マッチングボックス
７１１８  メインバルブ
７１１９  真空計
７１２０  高周波電源
７１２３  受け台
７２００  原料ガス供給装置
７２６０  補助バルブ
７２１１〜７２１５  マスフローコントローラー
７２２１〜７２２５  原料ガスボンベ
７２３１〜７２３５  バルブ
７２４１〜７２４５  流入バルブ
７２５１〜７２５５  流出バルブ
７２６１〜７２６５  圧力調整器
８００  電子写真装置
８０１  電子写真感光体
８０２  帯電装置（一次帯電装置）
８０３  画像露光光
８０４ａ  第１現像装置
８０４ｂ  第２現像装置
８０５  転写前帯電装置
８０６  中間転写ベルト
８０７  クリーニングブレード
８０８  前露光装置
８０９  一次転写ローラー
８１０  二次転写ローラー
８１１  中間転写ベルト
８１２  転写材
８１３  給紙カセット
８１４  定着装置
８１５  ヒーター
【図１】
2014164042.tif 000015
【図２】
2014164042.tif 000016
【図３】
2014164042.tif 000017
【図４】
2014164042.tif 000018
【図５】
2014164042.tif 000019
【図６】
2014164042.tif 000020
【図７】
2014164042.tif 000021
【図８】
2014164042.tif 000022
【図９】
2014164042.tif 000023
【図１０】
2014164042.tif 000024
【図１１】
2014164042.tif 000025