(57)【要約】【課題】フットプリントの低減、基板のダメージ及びパーティクルの付着の低減が図れるようにする。【解決手段】キャリア搬入出ブロック２と、第１の処理ブロック４ａと第２の処理ブロック４ｂとを積層してなる処理ブロック４と、キャリア搬入出ブロックと処理ブロックとの間に設けられる基板搬入出ブロック３とを備え、キャリアＣを第１の処理ブロックに連通する位置に載置する基板搬入部７ａと、キャリアを第２の処理ブロックに連通する位置に載置する基板搬出部７ｂと、キャリア搬入部に載置されたキャリア内のウエハを第1の処理ブロックに搬送する第１のメインアームＡ１と、第２の処理ブロックで処理されたウエハをキャリア搬出部上のキャリアに搬送する第２のメインアームＡ５と、キャリア搬入出ブロックと基板搬入部及び基板搬出部との間でキャリアを搬送すると共に、基板搬入部上のキャリアを基板搬出部に搬送するキャリア搬送装置８と、を備える。【選択図】図３
2014067940.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の基板を収容可能なキャリアを積載するキャリア搬入出ブロックと、基板に対して枚葉処理を行う少なくとも一つの処理ユニットを有する第１の処理ブロックと、第１の処理ブロックにおいて処理された基板に対して枚葉処理を行う少なくとも一つの処理ユニットを有する第２の処理ブロックとを積層してなる処理ブロックと、
前記キャリア搬入出ブロックと前記処理ブロックとの間に設けられ、前記キャリア搬入出ブロックと前記処理ブロックとの間で基板を搬入出する基板搬入出ブロックとを備えた基板処理システムであって、
キャリアを前記第１の処理ブロックに連通する位置に載置する基板搬入部と、
キャリアを前記第２の処理ブロックに連通する位置に載置する基板搬出部と、
前記第１の処理ブロック内に設けられ、前記キャリア搬入部に載置されたキャリアから基板を取り出し、前記第1の処理ブロック内の処理ユニットに搬送する第１の基板搬送装置と、
前記第２の処理ブロック内に設けられ、第２の処理ブロック内の処理ユニットで処理された基板を前記キャリア搬出部上のキャリアに搬送する第２の基板搬送装置と、
前記キャリア搬入出ブロックと前記基板搬入部及び基板搬出部との間でキャリアを搬送すると共に、前記基板搬入部上のキャリアから前記第１の基板搬送装置によって基板が取り出された後に、当該キャリアを前記基板搬出部に搬送するキャリア搬送装置と、
を備えることを特徴とする基板処理システム。
【請求項２】
前記基板搬入部と前記基板搬出部には、キャリアの蓋体を開閉する蓋体開閉機構を備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理システム。
【請求項３】
前記処理ブロックは、第１の処理ブロックで処理された基板に対して、第２の処理ブロックで処理される前に処理する処理ユニットを有する第３の処理ブロックと、前記第３の処理ブロック内の処理ユニットに対して基板を搬入出する第３の基板搬送装置と、を備えるとこを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理システム。
【請求項４】
前記処理ブロックと露光装置との間にインターフェイスブロックを更に備え、前記インターフェイスブロック内に、前記第１の基板搬送装置によって搬送される基板を載置可能な、かつ、前記第２の基板搬送装置によって搬出可能な複数の載置棚を有するバッファ部と、前記バッファ部と前記露光装置との間で基板を授受するインターフェイスアームと、前記バッファ部の載置棚間で基板を授受する基板受渡しアームと、を備えることを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理システム。
【請求項５】
前記第１の処理ブロックはレジスト塗布処理ユニットを有し、前記第２の処理ブロックは現像処理ユニットを有する、ことを特徴とする請求項４に記載の基板処理システム。
【請求項６】
前記処理ブロックと露光装置との間にインターフェイスブロックを更に備え、前記インターフェイスブロック内に、前記第１の基板搬送装置によって搬送される基板の載置、かつ、前記第２の基板搬送装置による基板の搬出、及び前記第３の基板搬送装置によって搬送される基板を載置すると共に、基板の搬出可能な複数の載置棚を有するバッファ部と、前記バッファ部と前記露光装置との間で基板を授受するインターフェイスアームと、前記バッファ部の載置棚間で基板を授受する基板受渡しアームと、を備えることを特徴とする請求項３に記載の基板処理システム。
【請求項７】
前記第１の処理ブロックは反射防止膜塗布処理ユニットを有し、前記第２の処理ブロックは現像処理ユニットを有し、前記第３の処理ブロックはレジスト塗布処理ユニットを有する、ことを特徴とする請求項６に記載の基板処理システム。
【請求項８】
少なくとも前記第１の基板搬送装置及び前記蓋体開閉機構の駆動を制御する制御部を更に備え、前記制御部からの制御信号に基づいて、前記第１の処理ブロックにおいて、基板がキャリアから第１の処理ブロックへ搬送されるまでの時間が所定時間以上の場合には、前記蓋体開閉機構がキャリアの蓋体を閉じる、ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項９】
少なくとも前記第２の基板搬送装置及び前記蓋体開閉機構の駆動を制御する制御部を更に備え、前記制御部からの制御信号に基づいて、第２の処理ブロックにおいて、基板が第２の処理ブロックからキャリアへ搬送されるまでの時間が所定時間以上の場合には、前記蓋体開閉機構がキャリアの蓋体を閉じる、ことを特徴とする請求項２に記載の基板処理システム。
【請求項１０】
複数の基板を収容可能なキャリアを積載するキャリア搬入出ブロックと、基板に対して枚葉処理を行う少なくとも一つの処理ユニットを有する処理ブロックと、前記キャリア搬入出ブロックと前記処理ブロックとの間に設けられ、キャリアと前記処理ブロックとの間で基板を搬入出する基板搬入出ブロックとを備えた基板処理システムであって、
キャリアを前記処理ブロックに連通する位置に載置可能に構成された基板搬入出部と、
前記処理ブロック内に設けられ、前記基板搬入出部に載置されたキャリアと前記処理ユニットに対して基板を授受する基板搬送装置と、
前記キャリア搬入出ブロックと前記基板搬入出部との間でキャリアを搬送するキャリア搬送装置と、
を備えたことを特徴とする基板処理システム。
【請求項１１】
前記基板搬入出部にキャリアの蓋体を開閉するための蓋体開閉機構を備えることを特徴とする請求項１０に記載の基板処理システム。
【請求項１２】
少なくとも前記基板搬送装置及び前記蓋体開閉機構の駆動を制御する制御部を更に備え、前記制御部からの制御信号に基づいて、前記処理ブロックからキャリアへ基板が搬送されるまでの時間が所定時間以上の場合には、前記蓋体開閉機構が蓋体を閉じる、ことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理システム。
【請求項１３】
前記基板搬入出ブロックに、キャリアを載置可能なキャリア待機部を備える、ことを特徴とする請求項１ないし１３のいずれかに記載の基板処理システム。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板処理システムに関するものである。 
【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体デバイスの製造工程におけるフォトリソグラフィー処理は、例えば塗布現像処理システムを用いて行われている。塗布現像処理システムは、例えばカセット単位でウエハを搬入出するための搬入出ブロックと、レジスト塗布処理、現像処理及び熱処理等の各種処理を行う複数の処理装置が配置された処理ブロックと、隣接する露光装置と処理ブロックとの間でウエハの受け渡しを行うためのインターフェイスブロックを備えている。
【０００３】
そして、上記塗布現像処理システムでは、ウエハが枚葉式に連続的に処理される。例えば搬入出ブロックのカセットに収容されている複数枚のウエハが処理ブロックに順次搬送され、処理ブロックの各処理装置において各ウエハに対してレジスト塗布処理、熱処理などの所定の処理が施される。その後、各ウエハは、インターフェイスブロックを介して露光装置に搬送され、露光処理される。その後、ウエハは、再び処理ブロックに戻され、各処理装置において現像処理などの所定の処理が施される。その後、各ウエハは、処理ブロックから搬入出ブロックに順次戻され、カセットに戻される。
【０００４】
上述の塗布現像処理システムでは、近年のデバイス製品の多様化等により少ロット対応の処理が要求されている。この場合、一つのカセット内に収容されるウエハの枚数が少なくなるので、より多くのカセットをシステム内に待機させる必要がある。複数のカセットのウエハを間隔が空かないように処理ブロックに搬送する必要がある。そこで、例えば処理システムにカセットのストッカを設けることが提案されている。
【０００５】
このような処理においては、一般に基板を収容したキャリア（ＦＯＵＰ）から搬出された基板を処理部に搬送して、所定の処理を施した後、処理済みの基板をキャリア内に収容して処理を終了する基板搬送処理装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。 
【０００６】
このような処理装置において、処理効率を上げるために、複数例えば４，５個のキャリアをキャリアステーションに並列載置しておき、所定のキャリア内から基板を搬出し、空のキャリア内に収容して、連続処理を行っている。 
【０００７】
また、近年のデバイスの多様化による小ロット対応ならびに高スループットの要求に対応するために、多数のキャリアを装置内に格納できるような装置が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【０００８】
また、フォトリソグラフィー処理以外の基板処理、例えば基板に対して枚葉処理を行う薬液を塗布するための液処理ユニットを有する洗浄処理においても、上記と同様にキャリアを用いた基板処理が適用されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００３−２１８０１８号公報
【特許文献２】特開２００９−１０２８７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
このような装置の場合、キャリアの待機部に搬送されたキャリアが、キャリア受渡し部に搬送された後に、キャリアの受渡し部と処理ブロックの間に設けられた基板搬送装置によってウエハが取り出され、処理ブロックへと搬送される。また、処理が終了したウエハが基板搬送装置によって処理ブロックから取り出され、キャリア内に搬送される。したがって、このような装置の場合、少なくともキャリアを搬送するためのキャリア搬送機構、キャリア受渡し部、キャリアからウエハを取り出して処理ブロックへの搬送を行う基板搬送装置を配置するためのスペースが必要となり、これ以上のフットプリントの低減は困難となってきている。
【００１１】
また、キャリアから処理ブロックに搬入するまで、及び処理が終了して処理ブロックからキャリアへ搬送するまで、基板搬送装置がウエハと接触する回数によるウエハに与えるダメージやパーティクルの付着等の懸念がある。
【００１２】
更に、ウエハＷのサイズが例えば３００ｍｍから４５０ｍｍに増大した場合、上述の方法を単純にスケールアップした場合、現状の１．５倍以上の寸法値となってしまうため、これまでの手法とは異なる新規な処理ブロックへの搬入を行うための機構を有する基板処理システムが望まれている。
【００１３】
本発明はかかる点に鑑みてなされたものであり、フットプリントの低減が図れると共に、基板のダメージ及びパーティクルの付着の低減が図れるようにした基板処理システムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記目的を達成するために、請求項１に記載の発明は、複数の基板を収容可能なキャリアを積載するキャリア搬入出ブロックと、基板に対して枚葉処理を行う少なくとも一つの処理ユニットを有する第１の処理ブロックと、第１の処理ブロックにおいて処理された基板に対して枚葉処理を行う少なくとも一つの処理ユニットを有する第２の処理ブロックとを積層してなる処理ブロックと、  前記キャリア搬入出ブロックと前記処理ブロックとの間に設けられ、前記キャリア搬入出ブロックと前記処理ブロックとの間で基板を搬入出する基板搬入出ブロックとを備えた基板処理システムであって、  キャリアを前記第１の処理ブロックに連通する位置に載置する基板搬入部と、  キャリアを前記第２の処理ブロックに連通する位置に載置する基板搬出部と、  前記第１の処理ブロック内に設けられ、前記キャリア搬入部に載置されたキャリアから基板を取り出し、前記第1の処理ブロック内の処理ユニットに搬送する第１の基板搬送装置と、  前記第２の処理ブロック内に設けられ、第２の処理ブロック内の処理ユニットで処理された基板を前記キャリア搬出部上のキャリアに搬送する第２の基板搬送装置と、  前記キャリア搬入出ブロックと前記基板搬入部及び基板搬出部との間でキャリアを搬送すると共に、前記基板搬入部上のキャリアから前記第１の基板搬送装置によって基板が取り出された後に、当該キャリアを前記基板搬出部に搬送するキャリア搬送装置と、を備えることを特徴とする。
【００１５】
請求項１記載の発明において、前記基板搬入部と前記基板搬出部には、キャリアの蓋体を開閉する蓋体開閉機構を備えるのが好ましい（請求項２）。
【００１６】
また、前記処理ブロックは、第１の処理ブロックで処理された基板に対して、第２の処理ブロックで処理される前に処理する処理ユニットを有する第３の処理ブロックと、前記第３の処理ブロック内の処理ユニットに対して基板を搬入出する第３の基板搬送装置と、を備えるようにしてもよい（請求項３）。
【００１７】
また、前記処理ブロックと露光装置との間にインターフェイスブロックを更に備え、前記インターフェイスブロック内に、前記第１の基板搬送装置によって搬送される基板を載置可能な、かつ、前記第２の基板搬送装置によって搬出可能な複数の載置棚を有するバッファ部と、前記バッファ部と前記露光装置との間で基板を授受するインターフェイスアームと、前記バッファ部の載置棚間で基板を授受する基板受渡しアームと、を備えるようにしてもよい（請求項４）。この場合、前記第１の処理ブロックはレジスト塗布処理ユニットを有し、前記第２の処理ブロックは現像処理ユニットを有するのが好ましい（請求項５）。
【００１８】
また、前記処理ブロックと露光装置との間にインターフェイスブロックを更に備え、前記インターフェイスブロック内に、前記第１の基板搬送装置によって搬送される基板の載置、かつ、前記第２の基板搬送装置による基板の搬出、及び前記第３の基板搬送装置によって搬送される基板を載置すると共に、基板の搬出可能な複数の載置棚を有するバッファ部と、前記バッファ部と前記露光装置との間で基板を授受するインターフェイスアームと、前記バッファ部の載置棚間で基板を授受する基板受渡しアームと、を備えるようにしてもよい（請求項６）。この場合、前記第１の処理ブロックは反射防止膜塗布処理ユニットを有し、前記第２の処理ブロックは現像処理ユニットを有し、前記第３の処理ブロックはレジスト塗布処理ユニットを有するのが好ましい（請求項７）。
【００１９】
更に、少なくとも前記第１の基板搬送装置及び前記蓋体開閉機構の駆動を制御する制御部を更に備え、前記制御部からの制御信号に基づいて、前記第１の処理ブロックにおいて、基板がキャリアから第１の処理ブロックへ搬送されるまでの時間が所定時間以上の場合には、前記蓋体開閉機構がキャリアの蓋体を閉じるようにしてもよい（請求項８）。また、少なくとも前記第２の基板搬送装置及び前記蓋体開閉機構の駆動を制御する制御部を更に備え、前記制御部からの制御信号に基づいて、第２の処理ブロックにおいて、基板が第２の処理ブロックからキャリアへ搬送されるまでの時間が所定時間以上の場合には、前記蓋体開閉機構がキャリアの蓋体を閉じるようにしてもよい（請求項９）。
【００２０】
請求項１０に記載の発明は、複数の基板を収容可能なキャリアを積載するキャリア搬入出ブロックと、基板に対して枚葉処理を行う少なくとも一つの処理ユニットを有する処理ブロックと、前記キャリア搬入出ブロックと前記処理ブロックとの間に設けられ、キャリアと前記処理ブロックとの間で基板を搬入出する基板搬入出ブロックとを備えた基板処理システムであって、  キャリアを前記処理ブロックに連通する位置に載置可能に構成された基板搬入出部と、  前記処理ブロック内に設けられ、前記基板搬出入部に載置されたキャリアと前記処理ユニットに対して基板を授受する基板搬送装置と、前記キャリア搬入出ブロックと前記基板搬入出部との間でキャリアを搬送するキャリア搬送装置と、を備えたことを特徴とする。
【００２１】
請求項１０に記載の発明において、前記基板搬入出部にキャリアの蓋体を開閉するための蓋体開閉機構を備えるのが好ましい（請求項１１）。
【００２２】
また、少なくとも前記基板搬送装置及び前記蓋体開閉機構の駆動を制御する制御部を更に備え、前記制御部からの制御信号に基づいて、前記処理ブロックからキャリアへ基板が搬送されるまでの時間が所定時間以上の場合には、前記蓋体開閉機構が蓋体を閉じるようにしてもよい（請求項１２）。
【００２３】
加えて、本発明において、前記基板搬入出ブロックに、キャリアを載置可能なキャリア待機部を備えるようにしてもよい（請求項１３）。
【００２４】
請求項１に記載の発明によれば、キャリア搬送装置によってキャリアを処理ブロックに直接連通させ、処理ブロック内の基板搬送装置によってキャリアにアクセスすることができると共に、キャリアから処理ブロックに搬入するまでに搬送装置がウエハＷと接触する回数と、処理が終了して処理ブロックからウエハＷをキャリアＣ搬送するまでの回数を低減させることができる。したがって、フットプリントの低減が図れると共に、基板のダメージ及びパーティクルの付着の低減が図れる。また、基板のスケールアップに対応した新規の処理ブロックへの基板の搬入出機構を有する基板処理システムにおいても、フットプリントの低減が図れると共に、基板のダメージ及びパーティクルの付着の低減が図れる。
【００２５】
請求項２に記載の発明によれば、基板搬入部と基板搬出部に、キャリアの蓋体を開閉する蓋体開閉機構を設けることで、キャリアが処理ブロックに連通する前にキャリア搬入出ブロック中の雰囲気にキャリア内のウエハが曝されないため、キャリア搬入出ブロック中の雰囲気の清浄度をある程度まで低くすることが可能となり、キャリア搬入出ブロックにおける清浄気体の供給量を低減させることができる。
【００２６】
請求項３に記載の発明によれば、第１の処理ブロックと第２の処理ブロックとの間に第３の処理ブロックを備えると共に、第３の処理ブロックに該第３の処理ブロック内の処理ユニットに対して基板を搬入出する基板搬送装置を備えることので、種々のレイアウトにフレキシブルに対応することが可能となり、基板処理の多様化を図ることができる。
【００２７】
請求項４，５に記載の発明によれば、処理ブロックと露光装置との間に設けたインターフェイスブロック内に、第１の基板搬送装置によって搬送される基板を載置可能な、かつ、第２の基板搬送装置によって搬出可能な複数の載置棚を有するバッファ部と、バッファ部と露光装置との間で基板を授受するインターフェイスアームと、バッファ部の載置棚間で基板を授受する基板受渡しアームと、を備えるので、複数の基板を連続して処理（レジスト塗布、現像処理）することができ、スループットの向上を図ることができる。
【００２８】
請求項６，７に記載の発明によれば、処理ブロックと露光装置との間に設けたインターフェイスブロック内に、第１の基板搬送装置によって搬送される基板の載置、かつ、第２の基板搬送装置による基板の搬出、及び第３の基板搬送装置によって搬送される基板を載置すると共に、基板の搬出可能な複数の載置棚を有するバッファ部と、バッファ部と露光装置との間で基板を授受するインターフェイスアームと、バッファ部の載置棚間で基板を授受する基板受渡しアームと、を備えるので、複数の基板を連続して処理（反射防止膜塗布、レジスト塗布、現像処理）することができ、処理の多様化及びスループットの向上を図ることができる。
【００２９】
請求項８に記載の発明によれば、第１の処理ブロックにキャリアが連通した状態で、基板がキャリアから第１の処理ユニットに搬送される迄の時間が所定時間以上後の場合にキャリアの蓋体を閉めるように構成したため、キャリアの内部及びキャリア内の基板が第１の処理ブロック内の雰囲気に曝される時間を低下させることができる。また、キャリア内からパーティクルが第１の処理ブロックに拡散する個数を低減できる。
【００３０】
請求項９に記載の発明によれば、第２の処理ブロックにキャリアが連通した状態で、基板が第２の処理ブロックからキャリアへ搬送されるまでの時間が所定時間以上の場合には、キャリアの蓋を閉めるように構成したため、キャリアの内部及びキャリア内の基板が第２の処理ブロック内の雰囲気に曝される時間を低下させることができる。また、キャリア内からパーティクルが第１の処理ブロックに拡散する個数を低減できる。
【００３１】
請求項１０に記載の発明によれば、キャリア搬送装置によってキャリアを処理ブロックに直接連通させ、処理ブロック内の基板搬送装置によってキャリアにアクセスすることができると共に、フットプリントが低減すると共に、キャリアから処理ブロックに搬入するまでに基板搬送装置が基板と接触する回数と、処理が終了して処理ブロックから基板をキャリアへ搬送するまでの回数を低減させることができる。したがって、フットプリントの低減が図れると共に、基板のダメージ及びパーティクルの付着の低減が図れる。また、基板のスケールアップに対応した新規の処理ブロックへの基板の搬入出機構を有する基板処理システムにおいても、フットプリントの低減が図れると共に、基板のダメージ及びパーティクルの付着の低減が図れる。
【００３２】
請求項１１に記載の発明によれば、基板搬入出部にキャリアの蓋体を開閉するための蓋体開閉機構を設けることで、キャリアが処理ブロックに連通する前にキャリア搬入出ブロック中の雰囲気にキャリア内のウエハが曝されないため、キャリア搬入出ブロック中の雰囲気の清浄度をある程度まで低くすることが可能となり、キャリア搬入出ブロックにおける清浄気体の供給量を低減させることができる。
【００３３】
請求項１２に記載の発明によれば、処理ブロックからキャリアへ基板が搬送されるまでの時間が所定時間以上の場合には、蓋体を閉じるように構成したため、キャリアの内部及びキャリア内のウエハが処理ブロック内の雰囲気に曝される時間を低下させることができる。また、キャリア内からパーティクルが処理ブロックに拡散するパーティクルの個数を低減することができる。
【００３４】
請求項１３に記載の発明によれば、基板搬入出ブロックに、キャリアを載置するキャリア待機部を備えるようにしたため、キャリアを基板搬入部、基板搬出部又は基板搬入出部に載置できない場合にも一時的にキャリアを載置することができるため、処理システムを効率的に運用することができスループットを向上させることができる。
【発明の効果】
【００３５】
本発明によれば、フットプリントの低減が図れると共に、基板のダメージ及びパーティクルの付着の低減が図れる。また、基板のスケールアップに対応した新規の処理ブロックへの基板の搬入出機構を有する基板処理システムにおいても、フットプリントの低減が図れると共に、基板のダメージ及びパーティクルの付着の低減が図れる。
【図面の簡単な説明】
【００３６】
【図１】本発明に係る基板処理システムの第１実施形態の一例を示す概略斜視図である。
【図２】前記第１実施形態の基板処理システムを示す平面図である。
【図３】前記第１実施形態の基板処理システムを示す側面図である。
【図４】前記第１実施形態の基板処理システムにおける基板搬入部のキャリアの動作を示す概略断面図である。
【図５】前記第１実施形態の基板処理システムにおける基板搬入部のキャリアの移動動作を示す概略断面図である。
【図６】前記第１実施形態の基板処理システムにおける基板搬入部のキャリアの蓋体の開放動作を示す概略断面図である。
【図７】キャリア待機部を備えた本発明に係る基板処理システムを示す平面図である。
【図８】前記キャリア待機部を示す正面図である。
【図９】本発明に係る基板処理システムの第２実施形態の一例を示す平面図である。
【図１０】前記第２実施形態の基板処理システムの一例を示す概略断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３７】
以下に、本発明の基板処理システムの実施形態について、添付図面に基づいて詳細に説明する。
【００３８】
＜第１実施形態＞ 
第１実施形態は本発明に係る基板処理システムを塗布現像処理システムに適用した場合である。塗布現像処理システム１は、図１ないし図３に示すように、基板であるウエハＷが例えば２５枚密閉収納されたキャリアＣを搬入出するためのキャリア搬入出ブロック２と、複数個例えば６個の第１〜第６の単位ブロックＢ１〜Ｂ６を縦に配列して構成された処理ブロック４と、キャリア搬入出ブロック２に搬入されたキャリアＣ内のウエハＷを処理ブロック４に対して搬入出する基板搬入出ブロック３と、インターフェイスブロック５と、露光装置６と、を備えている。 
【００３９】
前記キャリア搬入出ブロック２には、キャリアＣを複数個載置可能なキャリアステージ２０が設けられ、例えば、図示しないＯＨＴ（Over Head Transfer）装置などによりキャリアステージ２０に対してキャリアＣを搬入出する。
【００４０】
処理ブロック４は少なくとも１以上の処理ユニット、この例では、下方側から、下段側の２段がレジスト膜の下層側に形成される反射防止膜の形成処理を行うための第１及び第２の単位ブロック（ＢＣＴ層）Ｂ１,Ｂ２、レジスト液の塗布処理を行うための第３及び第４の単位ブロック（ＣＯＴ層）Ｂ３,Ｂ４、現像処理を行うための第５及び第６の単位ブロック（ＤＥＶ層）Ｂ５，Ｂ６に割り当てられている。 前記第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２が第１の処理ブロック４ａを構成し、第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６が第２の処理ブロック４ｂを構成し、第１の処理ブロック４ａと第２の処理ブロック４ｂの間に位置する第３，第４の単位ブロックＢ３，Ｂ４が第３の処理ブロック４ｃを構成している（図１，図３参照）。
【００４１】
続いて、第１〜第６の単位ブロックＢ（Ｂ１〜Ｂ６）の構成について説明する。これら各単位ブロックＢ１〜Ｂ６は、ウエハＷに対して薬液を塗布するための塗布処理ユニット（図２において符号１２で示す）と、塗布処理ユニット１２（以下に塗布ユニット１２という）にて行なわれる処理の前処理及び後処理を行なうための各種の加熱・冷却系の熱処理ユニット１３と、塗布ユニット１２と加熱・冷却系の熱処理ユニット１３との間でウエハＷの受け渡しを行うための専用の搬送手段ＡであるメインアームＡ１〜Ａ６と、を備えている。 
【００４２】
第１〜第６の各単位ブロックＢ１〜Ｂ６のほぼ中央には、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の長さ方向（図中Ｙ軸方向）に直線状に延在する、基板搬入出ブロック２とインターフェイスブロック５とを接続するための、ウエハＷの搬送領域２１が形成され、この搬送領域２１を挟んだ両側には、レジストの塗布処理を行うための複数個の塗布部を備えた塗布ユニット１２と加熱・冷却系の熱処理ユニット１３が設けられている。 
【００４３】
第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２には、メインアームＡ１，Ａ２の搬送領域２１を挟んだ両側の一方に処理ユニットとしての反射防止膜塗布ユニットであるＢＣＴ塗布装置１２Ａが設けられており、他方には熱処理ユニット１３が設けられている。この第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２では、ＢＣＴ塗布装置１２においてウエハＷに反射防止膜を塗布した後に、熱処理ユニット１３で熱処理を行うようになっている。第３，第４の単位ブロックＢ３，Ｂ４には、メインアームＡ３，Ａ４の搬送領域２１を挟んだ両側の一方に処理ユニットとしてのレジスト塗布装置１２Ｃが設けられており、他方には熱処理ユニット１３が設けられている。この第３，第４の単位ブロックＢ３，Ｂ４では、レジスト塗布装置１２においてレジストを塗布した後に、熱処理ユニット１３において熱処理が行われる。また、更に第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６には、メインアームＡ５，Ａ６の搬送領域２１を挟んだ両側の一方に処理ユニットとしての現像処理装置１２Ｂが設けられており、他方には熱処理ユニット１３が設けられている。この第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６では、レジストを塗布後に露光装置６で露光されたウエハＷに対して現像処理を行った後に、熱処理ユニット１３において熱処理が行われるようになっている。
【００４４】
例えば熱処理ユニット１３は、図２に示すようにウエハＷを載置して加熱する熱板１３ａと、ウエハＷを載置して冷却する冷却板１３ｂを有し、加熱と冷却の両方を行うことができる。なお、レジストの密着性を向上させるアドヒージョン処理を行う装置など、処理に応じて各単位ブロックＢ１〜Ｂ６に種々の装置を配置してよい。
【００４５】
なお、以下、ＢＣＴ塗布装置１２Ａ，レジスト塗布装置１２Ｃ，現像処理装置１２Ｂを塗布ユニット１２と総称して説明し、単に塗布ユニット１２と表記した場合には、各単位ブロックＢ１〜Ｂ６の塗布ユニット全てを意味し、第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２においては塗布ユニット（ＢＣＴ）１２、第３，第４の単位ブロックＢ３，Ｂ４において塗布ユニット（ＣＯＴ）１２、第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６においては塗布ユニット（ＤＥＶ）１２とそれぞれ表記することとし、それぞれ反射防止膜塗布ユニット、レジスト塗布ユニット、現像処理ユニットをそれぞれ意味することとする。
【００４６】
また、このメインアームＡ１〜Ａ６は、塗布ユニット１２及び熱処理ユニット１３に対して進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ軸方向に移動自在に構成されており、各単位ブロックＢの各処理ユニットの他、後述する受け渡しユニットに基板を搬送可能に構成されている。また、特に本実施形態においては、第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２（第１の処理ブロック４ａ）のメインアームＡ１，Ａ２（第１の基板搬送装置）は、後述する基板搬入部７aに載置されたキャリアＣにアクセスが可能になっており、第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６（第２の処理ブロック４ｂ）のメインアームＡ５、Ａ６（第２の基板搬送装置）は基板搬出部７ｂにアクセスが可能となっている。
【００４７】
基板搬入出ブロック２には、第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２の側方で、第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２に連通可能な位置にキャリアＣを載置可能な基板搬入部７ａと、第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６の側方で第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６に連通可能な位置にキャリアＣを載置可能な位置にキャリアＣを載置可能な基板搬出部７ｂと、キャリア搬入出ブロック２と基板搬出部７ａ、基板搬出部７ｂとの間でキャリアＣを搬送するキャリア搬送装置８とを備えている。
【００４８】
キャリア搬送装置８は、例えば、図１に示すように、塗布現像装置１の天井部のＸ方向に延設されるレール８ａに摺動自在に装着される可動体８ｂと、可動体８ｂに垂下される例えばテレスコープ状に伸縮可能な吊持部材８ｃと、吊持部材８ｃの下端部に、水平のＹ方向に伸縮自在かつ水平回転自在なキャリア把持体８ｄと、キャリア把持体８ｄの対向する両側にそれぞれ一端が回動可能に突出し他端が互いに接離方向に移動可能な一対のキャリア把持片８ｅとを具備している。
【００４９】
このように構成されるキャリア搬送装置８によって、キャリア搬入出ブロック２と基板搬入部７ａ及び基板搬出部７ｂとの間でキャリアＣを搬送することができ、また、基板搬入部７ａ上のキャリアＣからメインアームＡ１，Ａ２によってウエハＷが取り出された後に、当該キャリアＣを基板搬出部７ｂに搬送することができる。
【００５０】
なお、上記説明では、キャリア搬送装置８が塗布現像装置１の天井部に吊持される構造について説明したが、塗布現像装置１の床部に敷設されたレール上を摺動する可動台上に昇降機構、水平伸縮機構及び回転機構等を備えた自立式キャリア搬送装置８を構成してもよい。
【００５１】
ここで、図４ないし図６を用いて、基板搬入出ブロック３の構成を基板搬入部７ａの第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２を例として説明する。基板搬入部７ａは基板搬入ステージ１７ａと、基板搬入ステージ１７ａ上に設けられたキャリア載置台１４が設けられ、キャリア載置台１４にキャリアＣが載置された状態で図示しない駆動機構により、第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２側にスライドするように構成されている。また、第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２のウエハ搬送領域２１は、雰囲気制御を行うためのケーシング１５により覆われている。ケーシング１５におけるカセット載置台１４に対応する位置には、ウエハ搬送口１８が形成され、ウエハ搬送口１８は後述するキャリアＣの蓋体Ｃ１を開閉する蓋体開閉機構１６により閉塞される（図４参照）。
【００５２】
なお、第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６に連通可能な位置に設けられる基板搬出部７ｂには、キャリアＣを載置可能な基板搬出ステージ１７ｂと、基板搬出ステージ１７ｂ上に設けられたキャリア載置台１４が設けられ、キャリア載置台１４にキャリアＣが載置された状態で図示しない駆動機構により、第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６側にスライドするように構成されている（図３参照）。また、第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６においても、第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２と同様に、ウエハ搬送領域２１を覆うケーシング（図示せず）におけるカセット載置台１４に対応する位置には、ウエハ搬送口（図示せず）が形成され、ウエハ搬送口は後述するキャリアＣの蓋体Ｃ１を開閉する蓋体開閉機構１６により閉塞される。
【００５３】
蓋体開閉機構１６は、キャリアＣから蓋体Ｃ１を離脱させる図示しないロック解除機構と、蓋体Ｃ１を保持した状態で蓋体Ｃ１をウエハ搬送口１８から下方に移動、又は下方からウエハ搬送口１８側に移動する移動機構（図示せず）とを具備している。
【００５４】
キャリアＣがキャリア載置台１４に載置された状態で、第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２側にスライドすることにより、ウエハ搬送口１８を介してキャリアＣの蓋体Ｃ１と蓋体開閉機構１６が接触した状態となる。その状態で蓋体開閉機構１６に設けられたロック解除機構を駆動させてキャリアからの蓋体Ｃ１を離脱させる（図５参照）。その後、蓋体開閉機構１６が蓋体Ｃ１を保持した状態で移動機構により下方に退避することにより、蓋体Ｃ１を開放すると共に、キャリアＣを第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２と連通させることができる（図６参照）。また、蓋体開閉機構１６は、その退避した蓋体Ｃ１をカセットＣの正面に戻して、カセットＣの蓋体１を閉めることができる。この状態で、第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２のメインアームＡ１，Ａ２がキャリアＣ内からウエハＷを取り出して、第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２内の処理ユニットに搬送する。
【００５５】
なお、基板搬入部７ａは最初に処理する塗布ユニット１２（ＢＣＴ塗布装置１２Ａ）がある第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２に、基板搬出部７ｂは最後に処理する現像ユニット（ＤＥＶ）１２（現像処理装置１２Ｂ）がある第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６に設けるようにすることがスループットの観点からは好ましい。本実施形態の場合、最初に行う処理、すなわち、反射防止膜塗布装置１２Ａのある第１，第２の単位ブロックＢ１，Ｂ２に基板搬入部７ａを設け、最後に行う処理、すなわち、現像処理を行う第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６に設けることが好ましい。このように構成することにより、ウエハＷの搬送回数を少なくすることができ、スループットを向上させることができる。
【００５６】
また、蓋体開閉機構１６は、後述する制御部４０からの制御信号に基づいて駆動（開閉）制御されるようになっており、キャリアから第１の処理ブロック４へウエハＷが搬送されるまでの時間が所定時間（例えば６０秒）以上の場合には、蓋体開閉機構１６がキャリアＣの蓋体Ｃ１を閉じ、次のウエハＷが搬送される所定時間（例えば１５秒前）になったら蓋体Ｃ１を空けるようになっている。このようにすることで、キャリアＣ及びキャリアＣ内のウエハＷが処理ブロック４内の雰囲気に汚染されることを低減することができると共に、キャリアＣ内から第１の処理ブロック４ａ内に拡散するパーティクルの個数を低減させることができる。
【００５７】
また、蓋体開閉機構１６は、第２の処理ブロック４ｂを構成する第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６において、ウエハＷが第５，第６の単位ブロックＢ５，Ｂ６からキャリアＣへ搬送されるまでの時間が所定時間（例えば６０秒）以上の場合には、蓋体開閉機構１６がキャリアＣの蓋体Ｃ１を閉じるようになっている。このようにすることで、キャリアＣ及びキャリアＣ内のウエハＷが処理ブロック４内の雰囲気に汚染されることを低減することができると共に、キャリアＣ内から第２の処理ブロック４ｂ内に拡散するパーティクルの個数を低減させることができる。
【００５８】
また、図７及び図８に示すように、基板搬入出ブロック２にキャリアＣを載置可能に構成されたキャリア待機部３０を設けてもよい。キャリア待機部３０は処理ブロック４の筐体側壁に載置台３１を設け、その載置台３１上にキャリアＣを載置できるようになっている。キャリア待機部３０は例えば、基板搬入部７ａ、基板搬出部７ｂの左右位置に上下に複数個並べる配置をすることができる。キャリア搬入出ブロック２に搬入されてきたキャリアＣが基板搬入部７ａに別のキャリアＣが載置されている場合や、基板搬入部７ａのキャリアＣから第１の処理ブロック４ａにウエハＷを搬入した後に、キャリアＣを基板搬出部７ｂに載置できない場合に一旦載置しておくことができる。そのため、塗布現像装置１を効率的に運用し、スループットを高めることができる。なお、キャリア待機部３０において、図４ないし図６で前述したようなキャリアＣの蓋体Ｃ１の蓋体開閉機構１６を設け、キャリア搬送装置８によって蓋体Ｃ１が開いたキャリアＣを処理ブロック４とキャリア待機部３０の間を搬送することにより、基板搬入部７ａ，基板搬出部７ｂに蓋体開閉機構１６を設けないように構成してもよい。
【００５９】
また、第１〜第６の単位ブロックＢ１〜Ｂ６の搬送領域２１のインターフェイスブロック５と隣接する領域は、ウエハ受け渡し領域となっていて、図２，図７に示すように、メインアームＡ（Ａ１〜Ａ６）がアクセスできる位置に複数枚のウエハＷを保持可能な複数段例えば６段のバッファユニットＢＵ１〜ＢＵ６を有するバッファ部１０が設けられると共に、このバッファ部１０のバッファユニットＢＵ１〜ＢＵ６間でウエハＷの受け渡し（授受）を行う基板受渡しアーム９を備えている。基板受渡しアーム９はＺ方向への昇降及びＸ方向への進退可能に構成することで、各バッファユニットＢＵ１〜ＢＵ６にアクセス可能となっている。
【００６０】
また、インターフェイスブロック５には、インターフェイスアーム１９が配設されている。このインターフェイスアーム１９はバッファユニットＢＵ１〜ＢＵ６に載置されたウエハＷを露光装置５に搬送するためのものであって、Ｚ方向に昇降可能、Ｙ方向に進退可能で、かつ旋回して露光装置５にアクセス可能なように構成されている。
【００６１】
以上において、上述の塗布現像装置１は、各処理ユニットのレシピの管理や、ウエハＷの搬送フロー（搬送経路）のレシピの管理や、各処理ユニットにおける処理や、メインアームＡ１〜Ａ６、キャリア搬送装置８、基板受渡しアーム９、インターフェイスアーム１９及び蓋体開閉機構１９の駆動制御を行うコンピュータからなる制御部４０を備えている。この制御部４０にて、第１〜第６の単位ブロックＢ１〜Ｂ６を使用してウエハＷを搬送させ、処理を行なう。 
【００６２】
前記搬送フローのレシピは単位ブロック内のウエハＷの搬送経路（搬送の順番）を指定したものであり、単位ブロックＢ１〜Ｂ６毎に、形成する塗布膜の種類に応じて作成され、これにより第１〜第６の単位ブロックＢ１〜Ｂ６毎に複数個の搬送フローレシピが制御部４０に格納されている。  
【００６３】
以下に、この塗布現像装置１におけるウエハＷの流れについて、レジスト膜の下層に夫々反射防止膜を形成する場合を例にして説明する。先ず外部からキャリアＣがキャリア搬入出ブロック２に搬入される。次いで、キャリア搬送装置８によって、キャリア搬入出ブロック２に載置されたキャリアＣを第１の処理ブロック４ａである第１の単位ブロックＢ１と連通する位置に設けられた基板搬入部７ａのキャリア載置部１４に搬送する。
【００６４】
次いで、キャリア載置部１４がスライドして蓋体開閉機構１６と接触し、蓋体開閉機構１６がキャリアＣの蓋体Ｃ１を保持する。その後、蓋体開閉機構１６が蓋体Ｃを保持した状態で下方に移動することによりキャリアＣと第１の単位ブロックＢ１とが連通する。この状態で、メインアームＡ１（第１の基板搬送装置）がキャリアＣ内のウエハＷを取り出し、メインアームＡ１によりウエハＷを塗布ユニット（ＢＣＴ）１２（反射防止膜塗布装置１２Ａ）に搬送し、反射防止膜塗布装置１２ＡにおいてウエハＷに反射膜防止液が供給された後、熱処理ユニット１３で熱処理されて反射防止膜が形成される。その後、熱処理ユニット１３からメインアームＡ１がウエハＷを取り出し、バッファユニットＢＵ１へ搬送する。 
【００６５】
その後、基板受渡しアーム９により、バッファユニットＢＵ１からバッファユニットＢＵ３へウエハＷが受け渡され、メインアームＡ３（第３の基板搬送装置）により、第３の処理ブロック４ｃの塗布ユニット（ＣＯＴ）１２（レジスト塗布装置１２Ｃ）に搬送し、レジスト塗布装置１２Ｃにおいて、ウエハＷにレジスト膜液が供給されてレジスト膜が形成され、熱処理ユニット１３で熱処理される。その後、熱処理ユニット１３からメインアームＡ３がウエハＷを取り出し、バッファユニットＢＵ３へ搬送する。 
【００６６】
続いてバッファユニットＢＵ３のウエハＷはインターフェイスアーム１９により露光装置６に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアーム１９に第２の処理ブロック４ｂである第５の単位ブロックＢ５にウエハＷを受け渡すために、バッファユニットＢＵ５に搬送され、メインアームＡ５（第２の基板搬送装置）が受け取り、ウエハＷは先ず熱処理ユニット１３で加熱処理と加熱処理後の冷却処理が行われた後、塗布ユニット（ＤＥＶ）１２（現像処理装置１２Ｂ）に搬送され、現像処理装置１２Ｂで現像処理され、現像後のウエハＷを熱処理ユニット１３で熱処理して、所定の現像処理が行われる。
【００６７】
また、第１の単位ブロックＢ１と連通したキャリアＣ内の処理されるべきウエハＷ、すなわち、第１の単位ブロックＢ１に搬送されるべきウエハＷを全て第１の単位ブロックＢ１に搬送した後に、当該キャリアＣはキャリア搬送装置８によって第５の単位ブロックＢ５の基板搬出部７ｂに搬送され、第５の単位ブロックＢ５において、前記と同様に蓋体開閉機構１６によって連通される。そして、第５の単位ブロックＢ５での処理が終了したウエハＷは、基板搬出部７ｂに載置されたキャリアＣ内にメインアームＡ５によって搬送される。
【００６８】
このような塗布現像装置１では、キャリアＣを単位ブロックＢ１〜Ｂ６に直接連通させて、単位ブロックＢ１〜Ｂ６内のメインアームＡ１〜Ａ６によってキャリアＣにアクセスするようにしたので、フットプリントが低減すると共に、キャリアＣから第１の処理ブロック４ａに搬入するまでに搬送装置がウエハＷと接触する回数と、処理が終了して第２の処理ブロック４ｂからウエハＷをキャリアＣへ搬送するまでの回数を低減させることができるため、基板搬送装置がウエハの裏面を擦ってダメージを与えるリスクの低減及び、裏面のパーティクルの付着のリスクを低減することが可能となる。
【００６９】
＜第２実施形態＞
次に、本発明に係る基板処理システムの第２実施形態について説明する。図９及び図１０は、第２実施形態に係る基板の処理方法が実現される基板処理システムとしての洗浄処理システム１０１の構成を示す平面図と概略断面図である。
【００７０】
洗浄処理システム１０１は図９及び図１０に示すように、例えば外部から洗浄処理システム１０１に対して複数枚のウエハＷをカセット単位で搬入出するための搬入出部としてのキャリア搬入出ブロック１０２と、ウエハＷに対して枚葉式に所定の液処理を施す複数の液処理ユニット１０９を有する処理ブロック１０４と、キャリア搬入出ブロック１０２に搬送されたキャリアＣ内のウエハＷを処理ブロック１０４に対してウエハＷを一枚ずつ搬入出する基板搬入出ブロック１０３と、処理ブロック１０４とを一体に接続した構成を有している。
【００７１】
基板搬入出ブロック１０３には、第１実施形態のキャリア搬送装置８と同様に構成されるキャリア把持片１０８ｅを有するキャリア搬送装置１０８が配設されている。このキャリア搬送装置１０８によって、キャリア搬入出ブロック１０２と、処理ブロック１０４に連通可能な基板搬入出部１０７との間でキャリアＣを搬送することができるようになっている。
【００７２】
処理ブロック１０４は、図１０に示すように、第１の処理ブロック１０４ａと第２の処理ブロック１０４ｂの順に積層されている。第１，第２の処理ブロック１０４ａ，１０４ｂには、ウエハＷに対して薬液を塗布するための複数の処理ユニット１０９と、これらの処理ユニット１０９に対して、ウエハＷを搬送するための搬送領域１２１と搬送手段ＡであるメインアームＡ１１，Ａ１２とを備えている。
【００７３】
第１，第２の処理ブロック１０４ａ，１０４ｂには、メインアームＡ１１，Ａ１２を配設する直線状の搬送領域１２１が設けられており、この搬送領域１２１を挟んだ両側に処理ユニット１０９が設けられている。各処理ユニット１０９では、ＳＰＭ（硫酸と過酸化水素水の混合液）によるレジスト剥離処理、ＳＣ１（アンモニア過水）によるパーティクル除去、ＳＣ２（塩酸と過酸化水素水の混合液）によるメタル除去などの種々の処理を単独で、又は、複数処理を連続で行うことができるように構成されており、また、２以上の処理ユニット１０９を用いて複数の液処理を連続して行うようにしても構わない。
【００７４】
また、このメインアームＡ１１，Ａ１２は、処理ユニット１０９に対して進退自在、昇降自在、鉛直軸回りに回転自在、Ｙ方向に移動自在に構成されており、第１，第２の処理ブロック１０４ａ，１０４ｂ内の各処理ユニット１０９の他、後述するような基板搬入出部１０７に載置されたキャリアＣに対してもアクセスが可能となっている。
【００７５】
次に基板搬入出ブロック１０３の基板搬入出部１０７について、第１の処理ブロック１０４ａに対する基板搬入出部１０７を用いて説明する。第１の処理ブロック１０４ａの側方の第１の処理ブロック１０４ａに連通可能な位置にキャリアを載置可能な基板搬入出部１０７を備えている。基板搬入出部１０７には、第１の処理ブロック１０４ａの側壁に設けられた基板搬入出ステージ１１３と、基板搬入出ステージ１１３上に設けられたキャリア載置台１１４が設けられており、キャリア載置台１１４が図示しないスライド機構により第１の処理ブロック１０４ａ側にスライドするように構成されている。
【００７６】
また、第１の処理ブロック１０４ａのウエハ搬送領域１２１は雰囲気制御をするため、前記第１実施形態と同様にケーシング（図示せず）により覆われており、ケーシングにおけるカセット載置台１１４に対応する位置には、ウエハ搬送口（図示せず）が形成され、ウエハ搬送口はキャリアＣの蓋体Ｃ１を開閉する蓋体開閉機構１１６により閉塞されている。蓋体開閉機構１１６は第１実施形態の蓋体開閉機構１６と同様のものを用いることができ、制御部４０からの制御信号に基づいて駆動制御されるようになっている。
【００７７】
上記のような構成によって、基板搬入出部１０７のキャリア載置台１１４に載置されたキャリアＣは、キャリア載置台１１４がスライドすることにより、蓋体開閉機構１１６と接触し、蓋体開閉機構１１６によりキャリアＣの蓋体Ｃ１が保持される。その状態で、蓋体開閉機構１１６が蓋体Ｃ１を保持し、下方に移動することによって、キャリアＣが第１の処理ブロック１０４に連通する位置に載置されることになる。
【００７８】
ここで、この洗浄処理装置１０１におけるウエハＷの流れについて説明する。先ず外部からキャリアＣがキャリア搬入出ブロック１０２に搬入され、キャリアステージ１２０に載置される。次いで、キャリア搬送装置１０８によって、キャリアステージ１２０に載置されたキャリアＣを第１の処理ブロック１０４ａと連通する位置に設けられた基板搬入出部１０７の基板搬入出ステージ１１３上のキャリア載置台１１４に搬送する。
【００７９】
次いで、キャリア載置台１１４が第１の処理ブロック１０４ａ側に蓋体開閉機構１１６と接触するまでスライドし、この蓋体開閉機構１１６が蓋体Ｃ１を保持した状態で下方に移動することにより、第１の処理ブロック１０４ａの搬送領域１２１と連通する。その後メインアームＡ１１により、第１の処理ブロック１０４ａの内の一つの液処理ユニット１０９に搬送される。液処理ユニット１０９内では所定の薬液の処理、例えば、ＳＰＭによるレジスト剥離処理が実行される。その後、第１の処理ブロック１０４ａの別の液処理ユニット１０９にメインアームＡ１１により搬送される。この液処理ユニット１０９においては、例えば、ＳＣ１によるパーティクル除去処理が行われ、メインアームＡ１１によりキャリア載置台１１４上のキャリアＣに搬送される。なお、この場合、ＳＰＭ処理とＳＣ１処理などの複数の液処理を同一の液処理ユニット１０９で処理するようにしても構わない。
【００８０】
その後、キャリアＣ中の処理対象のウエハＷがなくなるまで上記の処理を繰り返し、処理すべきキャリアＣ中に処理するべきウエハＷがなくなり、処理を行ったウエハＷをキャリアＣ内に全て回収したら、蓋体開閉機構１１６により蓋体Ｃ１を閉じ蓋体Ｃ１の保持を解除した後に、キャリア載置台１１４が第１の処理ブロック１０４ａから離間するようにスライドする。その後、キャリア搬送装置１０８によりキャリア載置台１１４からキャリア搬入出ブロック１０２に搬送されることにより処理が終了する。
【００８１】
このような洗浄処理装置１０１では、キャリアＣを処理ブロック１０４に直接連通させて、処理ブロック１０４のメインアームＡ１１，Ａ１２によってキャリアにアクセスするようにしたのでフットプリントが低減すると共に、キャリアＣから処理ブロック１０４に搬入するまでに搬送装置がウエハＷと接触する回数と、処理が終了して処理ブロック１０４からウエハＷをキャリアＣへ搬送するまでの回数を低減させることができるため、搬送装置がウエハの裏面を擦ってダメージを与えるリスクの低減及び、裏面のパーティクルの付着のリスクを低減することが可能となる。
【００８２】
また、蓋体開閉機構１１６は、処理ブロック１０４からキャリアＣへウエハＷが搬送されるまでの時間が所定時間（例えば６０秒）以上の場合には、蓋体開閉機構１１６がキャリアＣの蓋体Ｃ１を閉じるようになっている。このようにすることで、キャリアＣ及びキャリアＣ内のウエハＷが処理ブロック１０４内の雰囲気に汚染されることを低減することができると共に、キャリアＣ内から処理ブロック１０４内に拡散するパーティクルの個数を低減させることができる。
【００８３】
＜その他の実施形態＞
以上、添付図面を参照しながら本発明の好適な実施の形態について説明したが、本発明はかかる例に限定されない。
【００８４】
（１）例えば、第１実施形態では、第１，第２，第３の処理ブロック４ａ，４ｂ４ｃを積層した場合について説明したが、第１，第２の処理ブロック４ａ，４ｂの２段にして、第１の処理ブロック４ａにレジスト塗布装置１２Ｃを配設すると共に、熱処理ユニット１３を配設してもよい。
【００８５】
このように構成される実施形態においては、キャリア搬送装置８によって、キャリア搬入出ブロック２に載置されたキャリアＣを第１の処理ブロック４ａである第１の単位ブロックＢ１と連通する位置に設けられた基板搬入部７ａのキャリア載置部１４に搬送する。
【００８６】
キャリア載置部１４がスライドして蓋体開閉機構１６と接触し、蓋体開閉機構１６がキャリアＣの蓋体Ｃ１を保持した状態で下方に移動することによりキャリアＣと第１の単位ブロックＢ１とが連通する。この状態で、メインアームＡ１（第１の基板搬送装置）がキャリアＣ内のウエハＷを取り出し、メインアームＡ１によりウエハＷを塗布ユニット（ＣＯＴ）１２（レジスト塗布装置１２Ｃ）に搬送し、レジスト塗布装置１２ＣにおいてウエハＷにレジスト膜液が供給されてレジスト膜が形成され、熱処理ユニット１３で熱処理される。その後、熱処理ユニット１３からメインアームＡ１がウエハＷを取り出し、バッファユニットＢＵ１へ搬送する。 
【００８７】
続いてバッファユニットＢＵ１のウエハＷはインターフェイスアーム１９により露光装置６に搬送され、ここで所定の露光処理が行われる。露光処理後のウエハＷは、インターフェイスアーム１９に第２の処理ブロック４ｂである第５の単位ブロックＢ５にウエハＷを受け渡すために、バッファユニットＢＵ５に搬送され、メインアームＡ５（第２の基板搬送装置）が受け取り、ウエハＷは先ず熱処理ユニット１３で加熱処理と加熱処理後の冷却処理が行われた後、塗布ユニット（ＤＥＶ）１２（現像処理装置１２Ｂ）に搬送され、現像処理装置１２Ｂで現像処理され、現像後のウエハＷを熱処理ユニット１３で熱処理して、所定の現像処理が行われる。
【００８８】
また、第１の単位ブロックＢ１と連通したキャリアＣ内の処理されるべきウエハＷ、すなわち、第１の単位ブロックＢ１に搬送されるべきウエハＷを全て第１の単位ブロックＢ１に搬送した後に、当該キャリアＣはキャリア搬送装置８によって第５の単位ブロックＢ５の基板搬出部７ｂに搬送され、第５の単位ブロックＢ５において、前記と同様に蓋体開閉機構１６によって連通される。そして、第５の単位ブロックＢ５での処理が終了したウエハＷは、基板搬出部７ｂに載置されたキャリアＣ内にメインアームＡ５によって搬送される。
【００８９】
（２）以上の実施の形態で記載したキャリア搬入出ブロック２,１０２、キャリア待機部３０、基板搬入部７ａ、基板搬出部７ｂ、基板搬入出部１０７、塗布ユニット１２、熱処理ユニット１３、単位ブロック等の数や配置は、これに限られるものではなく、処理目的に応じて任意に設定変更可能である。
【００９０】
（３）また、熱処理ユニット１３は、熱処理及び熱処理後の冷却処理を行うものであったが、他の処理、例えばフォトリソグラフィー処理の初めの段階で行われるアドヒージョン処理や現像後のレジストのラフネス度合いを低減させるためのスムージング処理であってもよい。また、キャリア搬送装置８，１０８，メインアームＡ１〜Ａ６、Ａ１１，Ａ１２の構成もこれに限られるものではない。
【符号の説明】
【００９１】
１  塗布現像装置（基板処理システム）
１０１  洗浄処理装置（基板処理システム）
２，１０２  キャリア搬入出ブロック
３，１０３  基板搬入出ブロック
４，１０４  処理ブロック
４ａ，１０４ａ  第１の処理ブロック
４ｂ，１０４ｂ  第２の処理ブロック
４ｃ  第３の処理ブロック
５  インターフェイスブロック
６  露光装置
７ａ  基板搬入部
７ｂ  基板搬出部
１０７  基板搬入出部
８，１０８  キャリア搬送装置
９  基板受渡しアーム
１０  バッファ部
１２  塗布ユニット
１２Ａ  反射防止膜塗布装置
１２Ｂ  現像処理装置
１２Ｃ  レジスト塗布装置
１３  熱処理ユニット
１６，１１６  蓋体開閉機構
１９  インターフェイスアーム
３０  キャリア待機部
Ｗ  ウエハ（基板）
Ｃ  キャリア
Ｃ１  キャリア蓋体
Ｂ１〜Ｂ６  第１〜第６の単位ブロック
ＢＵ１〜ＢＵ６  バッファユニット
【図１】
2014067940.tif 000003
【図２】
2014067940.tif 000004
【図３】
2014067940.tif 000005
【図４】
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【図５】
2014067940.tif 000007
【図６】
2014067940.tif 000008
【図７】
2014067940.tif 000009
【図８】
2014067940.tif 000010
【図９】
2014067940.tif 000011
【図１０】
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