(57)【要約】      （修正有）【課題】リード端子間での沿面放電の発生を抑制して高耐電圧化を容易に図ると共に通信機器の小型化に対応してパルストランスの超小型化を容易に実現する。【解決手段】複数個のトランス素子を内蔵した直方体形状の筐体部１２の両側面１３から多数のリード端子１４が１８０°反対方向に導出されたパルストランス１１を、通信機器内のプリント基板６の配線パターン７，８に電気的に接続することにより、プリント基板６上に面実装したパルストランス装置であって、パルストランス１１の筐体部１２の両側面１３からリード端子導出方向に延びる突壁部１６をリード端子１４の両側方でプリント基板６上に起立配置する。その突壁部１６は、パルストランス１１の筐体部１２の両側面１３の端部に一体的に形成されている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数個のトランス素子を内蔵した直方体形状の筐体部の両側面から多数のリード端子が１８０°反対方向に導出されたパルストランスを、通信機器内のプリント基板の配線パターンに電気的に接続することにより、前記プリント基板上に面実装したパルストランス装置であって、前記パルストランスの筐体部の両側面からリード端子導出方向に延びる突壁部を、前記リード端子の両側方で前記プリント基板上に起立配置したことを特徴とするパルストランス装置。
【請求項２】
前記突壁部は、リード端子の上方に配置した請求項１に記載のパルストランス装置。
【請求項３】
前記突壁部は、前記パルストランスの筐体部の両側面の端部に一体的に形成されている請求項１又は２に記載のパルストランス装置。
【請求項４】
前記突壁部は、前記パルストランスの筐体部に被嵌されたカバーに一体的に形成されている請求項１又は２に記載のパルストランス装置。
【請求項５】
前記突壁部は、前記リード端子の先端位置よりもリード端子導出方向に突出する位置まで延在させた請求項１〜４のいずれか一項に記載のパルストランス装置。
【請求項６】
前記パルストランスは、複数のトランス素子を筐体部内に縦置き状態で並列配置し、各トランス素子間に磁気シールド幕を介在させた請求項１〜５のいずれか一項に記載のパルストランス装置。
【請求項７】
前記パルストランスは、環状の磁性体コアに一次側巻線および二次側巻線を巻回したトランス素子を備え、前記二次側巻線は、雷サージが侵入する高耐電圧用の一次側巻線よりも細径とした請求項１〜６のいずれか一項に記載のパルストランス装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、高速ＬＡＮ回線に設置された各種の通信機器に組み込まれ、複数のトランス素子を内蔵したパルストランスをプリント基板上に面実装するパルストランス装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、通信回線は高速度化が進み、その回線構成はイーサネット（登録商標）方式ＬＡＮにより、情報機器間が相互接続されるようになっている。この種の高速ＬＡＮ回線に設置される各種の機器としては、事務所などに設置される光ネットワークユニットなどの通信機器と、その通信機器にケーブルで接続されるハブ、ルータや、リモートセンシング機器などの情報機器がある。このような高速ＬＡＮ回線で使用される通信機器には、高周波パルス信号を効率よく伝送するためにパルストランスが組み込まれている。
【０００３】
通信機器に組み込まれたパルストランスは、環状の磁性体コアに一次側巻線および二次側巻線を巻回したトランス素子を、樹脂モールド成形された筐体部に内蔵した構造を備えている。このパルストランスは、通信機器に接続される高速ＬＡＮ回線の通信方式に応じて複数個のトランス素子を内蔵させている。
【０００４】
また、この種のパルストランスには、樹脂モールド成形された筐体部の両側面から多数のリード端子を１８０°反対方向に導出した面実装タイプのものがある（例えば、特許文献１参照）。この面実装タイプのパルストランスは、筐体部の両側面から延びる多数のリード端子の先端部をプリント基板の配線パターンに半田付けで電気的に接続することにより、プリント基板に組み付けられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０００−３５３７１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、情報機器が接続されるケーブルが長くなると、誘導雷の影響を受け易く、情報機器に生じた雷サージが通信機器へ逆流し易くなる。このような誘導雷によるサージが通信機器に侵入すると、通信機器内の回路素子を焼損させるに至ることから、その防御対策が必要になっている。前述した高速ＬＡＮ回線で使用される通信機器ではパルストランスが組み込まれているので、そのパルストランスで入出力間を絶縁して、サージの侵入を抑制することはできる。ただ、パルストランス内のトランス素子に使用する巻線として、エナメル線を使用した場合、低い電圧でも絶縁破壊するので、絶縁被覆された電線を使用するのが好ましい。
【０００７】
ところが、そのパルストランスにおける入力側リード端子と出力側リード端子との間隔が長くない場合には沿面放電を引き起こす場合がある。このような沿面放電が発生すると、パルストランスの入力側リード端子と出力側リード端子との間が導通状態となって、それに続く回路素子が破壊されてしまうことになる。このパルストランスが組み込まれる通信機器は小型化されているため、小型のパルストランスを使用した場合、入力側リード端子と出力側リード端子との間の離間距離がより一層短くなることから、沿面放電がより一層発生し易くなる。
【０００８】
雷サージに対する高耐電圧化のためには、パルストランスの高耐電圧化を図ると共にリード端子間での沿面放電の発生を抑制することが必要である。このパルストランスの高耐電圧化を図るためには、トランス素子を構成する磁性体コアに巻回される一次側巻線および二次側巻線として高絶縁被覆電線を使用することになるが、その場合、高絶縁被覆電線の外径が太くなり、トランス素子の超小形化が容易ではなくなる。
【０００９】
そこで、本発明は、前述の問題点に鑑みて提案するもので、その目的とするところは、通信機器の小型化に対応してパルストランスの超小型化を容易に実現し得るパルストランス装置を提供すると共に、リード端子間での沿面放電の発生を抑制して高耐電圧化を容易に図ることにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
前述の目的を達成するための技術的手段として、本発明は、複数個のトランス素子を内蔵した直方体形状の筐体部の両側面から多数のリード端子が１８０°反対方向に導出されたパルストランスを、通信機器内のプリント基板の配線パターンに電気的に接続することにより、プリント基板上に面実装したパルストランス装置であって、パルストランスの筐体部の両側面からリード端子導出方向に延びる突壁部を、リード端子の両側方でプリント基板上に起立配置したことを特徴とする。
【００１１】
本発明では、パルストランスの筐体部の両側面からリード端子導出方向に延びる突壁部を、リード端子の両側方でプリント基板上に起立配置したことから、その突壁部で、１８０°反対方向に導出されたリード端子間の沿面距離を確保することができるので、誘導雷によるサージがパルストランスに侵入しても、リード端子間で筐体部の側方での沿面放電を抑制することができる。この突壁部による沿面放電の抑制でもって、パルストランスの高耐電圧化と併せて、通信機器の小型化および高耐電圧化に対応可能となる。
【００１２】
本発明における突壁部は、リード端子の上方に配置した構造が望ましい。このようにすれば、筐体部の厚みが薄くても、リード端子間で筐体部の上方での沿面放電を抑制することができる。この突壁部による沿面放電の抑制でもって、パルストランスの高耐電圧化と併せて、通信機器の小型化および高耐電圧化に対応可能となる。
【００１３】
本発明における突壁部は、パルストランスの筐体部の両側面の端部に一体的に形成されている構造が望ましい。このようにすれば、パルストランス自体で、リード端子間の沿面距離を確保することができ、新規に製作するパルストランスに適用する場合に有効な手段である。また、柔軟性があり厚みのある絶縁体膜を筐体部および突壁部の底面に貼付した構造が好ましい。このようにすれば、筐体部および突壁部とプリント基板を絶縁体膜で密着させて間隙を完全になくすことができるので、筐体部および突壁部の底面を通過する放電経路が生じないようにすることができる。
【００１４】
本発明における突壁部は、パルストランスの筐体部に被嵌されたカバーに一体的に形成されている構造が望ましい。このようにすれば、パルストランスの筐体部に被嵌されたカバーで、リード端子間の沿面距離を確保することができ、プリント基板上に実装された既存のパルストランスに後付けする場合に有効な手段である。
【００１５】
本発明における突壁部は、リード端子の先端位置よりもリード端子導出方向に突出する位置まで延在させた構造が望ましい。このようにすれば、リード端子間の沿面距離を十分に確保することができ、リード端子間での沿面放電を確実に抑制することができる。
【００１６】
本発明におけるパルストランスは、複数のトランス素子を筐体部内に縦置き状態で並列配置しなければならない場合には、各トランス素子間に磁気シールド幕を介在させた構造が望ましい。このように複数のトランス素子を縦置き状態で並列配置すれば、複数のトランス素子を横置き状態で並列配置する場合よりもプリント基板での実装スペースを縮小化することができ、パルストランス占有面積の縮小化に有効な手段となる。また、縦置き状態のトランス素子間に磁気シールド幕を介在させることで、各トランス素子間の磁気結合を遮蔽することができる。
【００１７】
本発明におけるパルストランスは、環状の磁性体コアに一次側巻線および二次側巻線を巻回したトランス素子を備え、二次側巻線は、雷サージが侵入する高耐電圧用の一次側巻線よりも細径とした構造にすることもできる。このようにすれば、巻線の細径化により磁性体コアの内径小口径化が図れるので、トランス素子の超小型化が容易となる。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、パルストランスの筐体部の両側面からリード端子導出方向に延びる突壁部を、リード端子の両側方でプリント基板上に起立配置したことから、その突壁部で、１８０°反対方向に導出されたリード端子間の沿面距離を確保することができるので、誘導雷によるサージがパルストランスに侵入しても、リード端子間での沿面放電を抑制することができる。この突壁部による沿面放電の抑制で筐体部を大きくすることなく、通信機器の小型化にも対応可能となる。その結果、高耐電圧で超小型のパルストランス装置を容易に提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】パルストランスの筐体部に突壁部を設けた本発明の実施形態で、パルストランスをプリント基板に組み付ける前の状態を示す組立分解斜視図である。
【図２】図１のパルストランスをプリント基板に組み付けた後の状態を示す組立完了斜視図である。
【図３】図２の平面図である。
【図４】図３のＡ−Ａ線に沿う断面図である。
【図５】本発明の他の実施形態で、パルストランスをプリント基板に組み付ける前の状態を示す組立分解斜視図である。
【図６】図５のパルストランスをプリント基板に組み付けた後の状態を示す組立完了斜視図である。
【図７】図６の平面図である。
【図８】図７のＢ−Ｂ線に沿う断面図である。
【図９】カバーに突壁部を設けた本発明の実施形態で、パルストランスおよびカバーをプリント基板に組み付ける前の状態を示す組立分解斜視図である。
【図１０】図９のパルストランスおよびカバーをプリント基板に組み付けた後の状態を示す組立完了斜視図である。
【図１１】図１０の平面図である。
【図１２】図１１のＣ−Ｃ線に沿う断面図である。
【図１３】筐体部内にトランス素子を縦置き状態で配置したパルストランスを示す平断面図である。
【図１４】図１３のＤ−Ｄ線に沿う断面図である。
【図１５】図１３のＥ−Ｅ線に沿う断面図である。
【図１６】一次側巻線および二次側巻線を磁性体コアに巻回したトランス素子を示す斜視図である。
【図１７】パルストランスを組み込んだ光ネットワークユニットを示す構成図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
本発明に係るパルストランス装置の実施形態を以下に詳述する。以下の実施形態では、図１７に示すように、事務所などに引き込まれた光ファイバ１と、離れたところに設置されたハブやルータなどの各種の情報機器２から延びるケーブル３とを接続する通信機器である光ネットワークユニット４に組み込まれたパルストランス１１に適用した場合を例示する。
【００２１】
図１〜図４に示す実施形態のパルストランス１１は、複数個のトランス素子（図示せず）を内蔵した直方体形状の筐体部１２の両側面１３から多数のリード端子１４，１５が１８０°反対方向に導出された構造を具備する。なお、図４では筐体部１２の内部（トランス素子）を図示省略してハッチングで表している。このパルストランス１１の筐体部１２は、例えば樹脂モールド成形により形成された構造や、樹脂製のケースからなる構造を備える。リード端子１４，１５は、筐体部１２の側面１３から幅方向に沿って一直線上に配列した状態で導出され、その先端部を屈曲成形することにより面実装タイプの構造を呈する。
【００２２】
この実施形態のパルストランス１１は、筐体部１２の両側面１３の端部からリード端子導出方向に延びる突壁部１６を筐体部１２と一体的に形成している。この突壁部１６は、リード端子１４，１５の先端位置よりもリード端子導出方向に突出する位置まで延在させている。このような構造は、入力側リード端子１４と出力側リード端子１５との間の沿面距離を確保することで沿面放電の発生を抑制することに寄与する。
【００２３】
この面実装タイプのパルストランス１１は、筐体部１２の両側面１３から延びる多数のリード端子１４，１５の先端部をプリント基板６の配線パターン７，８に半田付けで電気的に接続することにより、光ネットワークユニット４（図１７参照）内のプリント基板６に組み付けられる。このようにパルストランス１１をプリント基板６に組み付けることによりパルストランス装置を構成する。なお、プリント基板６の表面には、配線パターン保護用のレジスト膜９が形成され、リード端子１４，１５の先端部が接続される配線パターン７，８のみでレジスト膜９が開口している。
【００２４】
この時、筐体部１２をプリント基板６に隙間なく密着させた状態で固定するために、プリント基板６と筐体部１２との間に、筐体部１２の取り付け面と合致させた形状を有する絶縁体膜である粘着シート１７を介在させる。この粘着シート１７は弾性材料で構成する。また、粘着シート１７の代わりに筐体部１２および突壁部１６の取り付け面全体に絶縁性の接着剤を塗布してもよい。このような筐体部１２および突壁部１６とプリント基板６との密着構造は、筐体部１２および突壁部１６とプリント基板６との間に隙間を形成しないことで沿面放電の発生を抑制することに寄与する。
【００２５】
ところで、図１７に示すように、高速ＬＡＮ回線で使用される光ネットワークユニット４では、情報機器２を接続するケーブル３が長くなると、誘導雷の影響を受け易く、情報機器２に生じた雷サージが光ネットワークユニット４へ逆流し易くなる。図中破線矢印で示すように、誘導雷によるサージが光ネットワークユニット４に組み込まれたパルストランス１１（図１〜図４参照）に侵入すると、そのパルストランス１１における入力側リード端子１４と出力側リード端子１５との間、つまり、リード端子配列方向で最も外側に位置する入力側リード端子１４と出力側リード端子１５との間で沿面放電が発生することがある。
【００２６】
そこで、この実施形態のパルストランス１１では、筐体部１２の両側面１３からリード端子導出方向に延びる突壁部１６をリード端子１４，１５の両側方でプリント基板６上に起立配置したことから、その突壁部１６により、最も外側に位置する入力側リード端子１４と出力側リード端子１５との間で筐体部１２の側方での沿面距離を確保することができる。その結果、誘導雷によるサージがパルストランス１１に侵入しても、最も外側に位置する入力側リード端子１４と出力側リード端子１５との間で筐体部１２の側方での沿面放電を抑制することができるので、入力側リード端子１４と出力側リード端子１５との間が導通状態となってパルストランス１１以降に接続された電子部品の破壊等を回避できる。この突壁部１６による沿面放電の抑制でもってパルストランス１１を含めたケーブル接続部の高耐電圧化を図ることができる。
【００２７】
なお、このパルストランス１１が組み込まれる光ネットワークユニット４は小型化されているため、超小型のパルストランス１１を使用した場合、入力側リード端子１４と出力側リード端子１５との間の離間距離が筐体部１２の側方で短いことから、前述の突壁部１６により、最も外側に位置する入力側リード端子１４と出力側リード端子１５との間で筐体部１２の側方での沿面距離を確保して沿面放電を抑制する作用効果が顕著に発揮される。
【００２８】
図１〜図４に示す実施形態では筐体部１２の厚みａ（図１参照）が厚い場合について説明したが、図５〜図８に示す実施形態では筐体部２２の厚みｂ（図５参照）が薄い場合を例示する（ａ＞ｂ）。なお、図５〜図８において、図１〜図４と同一または相当部分には同一参照符号を付して重複説明は省略する。
【００２９】
図５〜図８に示す実施形態のパルストランス２１は、筐体部２２の両側面２３の側部からリード端子導出方向に延びる突壁部２６を、リード端子２４，２５の両側方で筐体部２２と一体的に設けてプリント基板６上に起立配置すると共に、筐体部２２の両側面２３の上部からリード端子導出方向に延びる突壁部２８を、リード端子２４，２５の上方で筐体部２２と一体的に設けている。
【００３０】
このパルストランス２１は、筐体部２２の両側面２３から延びる多数のリード端子２４，２５の先端部をプリント基板６の配線パターン７，８に半田付けで電気的に接続することにより、プリント基板６に組み付けられる。この時、プリント基板６と筐体部２２との間に、筐体部２２および突壁部２６の取り付け面と合致させた形状を有する絶縁性の粘着シート２７を介在させる。この粘着シート２７は弾性材料で構成する。また、粘着シート２７の代わりに筐体部２２および突壁部２６の取り付け面全体に絶縁性の接着剤を塗布してもよい。このような筐体部２２および突壁部２６とプリント基板６との密着構造は、筐体部２２および突壁部２６とプリント基板６との間に隙間を形成しないことで沿面放電の発生を抑制することに寄与する。
【００３１】
この実施形態のパルストランス２１では、筐体部２２の両側面２３からリード端子導出方向に延びる突壁部２６をリード端子２４，２５の側方に設けたことにより、リード配列方向で最も外側に位置する入力側リード端子２４と出力側リード端子２５との間で筐体部２２の側方での沿面距離を確保することができる。また、筐体部２２の両側面２３からリード端子導出方向に延びる突壁部２８をリード端子２４，２５の上方にも設けたことにより、リード配列方向で内側に位置する入力側リード端子２４と出力側リード端子２５との間で筐体部２２の上方での沿面距離を確保することができる。その結果、誘導雷によるサージがパルストランス２１に侵入しても、突壁部２６により、最も外側に位置する入力側リード端子２４と出力側リード端子２５との間で筐体部２２の側方での沿面放電を抑制することができると共に、筐体部２２の厚みｂが薄くても、突壁部２８により、内側に位置する入力側リード端子２４と出力側リード端子２５との間で筐体部２２の上方での沿面放電を抑制することができる。この突壁部２６，２８による沿面放電の抑制でもってパルストランス２１を含めたケーブル接続部の高耐電圧化を図ることができる。
【００３２】
図１〜図８に示す実施形態では突壁部１６，２６，２８をパルストランス１１，２１の筐体部１２，２２と一体的に形成した場合について説明したが、図９〜図１２に示す実施形態では、突壁部４６，４８をパルストランス３１の筐体部３２とは別体のカバー４１で形成した場合を例示する。なお、図９〜図１２において、図１〜図８と同一または相当部分には同一参照符号を付して重複説明は省略する。
【００３３】
図９〜図１２に示す実施形態のパルストランス３１は、直方体形状の筐体部３２に絶縁性のカバー４１が被嵌され、そのカバー４１の一部に突壁部４６，４８を一体的に形成している。このカバー４６には、パルストランス３１の筐体部３２の両側面３３に当接することにより筐体部３２に対して位置決めするための位置規制部４３が設けられている。このカバー４１の位置規制部４３よりも外側部分が、筐体部３２の両側面３３の側部からリード端子導出方向に延びてリード端子３４，３５の両側方でプリント基板６上に起立配置される突壁部４６と、筐体部３２の両側面３３の上部からリード端子導出方向に延びてリード端子３４，３５の上方に位置する突壁部４８とを構成している。
【００３４】
このパルストランス３１は、筐体部３２の両側面３３から延びる多数のリード端子３４，３５の先端部をプリント基板６の配線パターン７，８に半田付けで電気的に接続することにより、プリント基板６に組み付けられる。この時、プリント基板６と筐体部３２との間に、筐体部３２の取り付け面と合致させた形状を有する絶縁性の粘着シート３７を介在させる。この粘着シート３７は弾性材料で構成する。また、粘着シート３７の代わりに筐体部３２の取り付け面全体に絶縁性の接着剤を塗布してもよい。なお、カバー４１は、突壁部４６を含む底面全体に塗布された絶縁性の接着剤によりプリント基板６に密着状態で固定される。このような筐体部３２およびカバー４１とプリント基板６との密着構造は、筐体部３２およびカバー４１とプリント基板６との間に隙間を形成しないことで沿面放電の発生を抑制することに寄与する。
【００３５】
この実施形態では、パルストランス３１の筐体部３２に被嵌されたカバー４１の突壁部４６により、リード配列方向で最も外側に位置する入力側リード端子３４と出力側リード端子３５との間で筐体部３２の両側方での沿面距離を確保することができ、突壁部４８により、リード配列方向で内側に位置する入力側リード端子３４と出力側リード端子３５との間で筐体部３２の上方での沿面距離を確保することができる。その結果、誘導雷によるサージがパルストランス３１に侵入しても、突壁部４６により、最も外側に位置する入力側リード端子３４と出力側リード端子３５との間で筐体部３２の両側方での沿面放電を抑制することができ、突壁部４８により、内側に位置する入力側リード端子３４と出力側リード端子３５との間で筐体部３２の上方での沿面放電を抑制することができる。この突壁部４６，４８による沿面放電の抑制でもってパルストランスを含めたケーブル接続部の高耐電圧化を図ることができる。
【００３６】
図１〜図８に示す実施形態のように、パルストランス１１，２１の筐体部１２，２２の両側面１３，２３に突壁部１６，２６，２８を一体的に形成した構造を採用することにより、パルストランス１１，２１自体で、リード端子間の沿面距離を確保することができ、新規に製作するパルストランス１１，２１に適用する場合に有効である。一方、図９〜図１２に示す実施形態のように、パルストランス３１の筐体部３２に被嵌された別体のカバー４１に突壁部４６，４８を形成した構造を採用することにより、そのカバー４１で、リード端子間の沿面距離を確保することができ、プリント基板６上に実装された既存のパルストランス３１に後付けする場合に有効である。
【００３７】
図１〜図４に示す実施形態のように、筐体部１２の厚みａが厚いパルストランス１１は、図１３〜図１５に示すように、複数（図では８個を例示）のトランス素子５１，５２を筐体部１２内に縦置き状態で並列配置し、各トランス素子５１，５２間に磁気シールド幕５３を介在させた構造とすることができる。なお、図１３〜図１５では、樹脂製のケースからなる筐体部１２を例示する。また、８個のトランス素子５１，５２は、超小径でない絶縁用トランス素子５１と超小径のノイズ除去用トランス素子５２で構成されている。このように複数のトランス素子５１，５２を縦置き状態で並列配置することにより、複数のトランス素子５１，５２を横置き状態で並列配置する場合よりもプリント基板６での実装スペースを縮小することができ、パルストランス１１の超小型化を容易に実現することができる。また、縦置き状態のトランス素子５１，５２間に磁気シールド幕５３を介在させることで、各トランス素子５１，５２間の磁気結合を遮蔽することができる。高速ＬＡＮ回線では、４対８芯線のケーブル３（図１７参照）を使用することから、１回線当り４回路のトランス素子５１，５２を、例えば、ｈ：１０ｍｍ、ｗ：１７ｍｍ、ｄ：１２ｍｍの大きさの筐体部１２に収容する必要があり、この点で前述したトランス素子５１，５２の縦置き配置構造が有効となる。
【００３８】
図１〜図１２に示す実施形態で説明したパルストランス１１，２１，３１の場合、大径の絶縁用トランス素子５１は、図１６に示すように、環状の磁性体（フェライト）コア５４に線径が異なる一次側巻線５５および二次側巻線５６を所定のターン数だけ巻回した構造が可能である。このトランス素子５１の一次側巻線５５は、情報機器２のケーブル３（図１７参照）に接続されることから、雷サージ侵入の可能性があるため、耐電圧特性に優れた、例えば耐圧が１０ｋＶ程度の太径（外径：０．２９ｍｍφ程度）の強化絶縁電線を使用する。一方、二次側巻線５６は、高耐電圧を必要としない場合には、耐圧が１ｋＶ程度で一次側巻線５５よりも細径（外径：０．１５ｍｍφ程度）の絶縁電線を使用することもできる。このように、一次側巻線５５に太径の高耐電圧用の強化絶縁電線を使用することにより、雷サージの侵入を確実に抑制すると共に、二次側巻線５６に一次側巻線５５よりも細径で高耐電圧用でない絶縁電線を使用することにより、超小型の磁性体コア５４に一次側巻線５５および二次側巻線５６を所定のターン数だけ巻回することが可能となってトランス素子５１の超小型化が容易となる。
【００３９】
本発明は前述した実施形態に何ら限定されるものではなく、本発明の要旨を逸脱しない範囲内において、さらに種々なる形態で実施し得ることは勿論のことであり、本発明の範囲は、特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲に記載の均等の意味、および範囲内のすべての変更を含む。
【符号の説明】
【００４０】
６  プリント基板
７，８  配線パターン
１１，２１，３１  パルストランス
１２，２２，３２  筐体部
１３，２３，３３  側面
１４，１５，２４，２５，３４，３５  リード端子
１６，２６，２８，４６，４８  突壁部
４１  カバー
５１  トランス素子
５３  磁気シールド幕
５４  磁性体コア
５５  一次側巻線
５６  二次側巻線
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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