【手続補正書】
【提出日】令和3年8月27日(2021.8.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
磁性基板、光学基板、及び半導体基板の少なくとも１つから選択された基板を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッドであって、
（i）ポリマー材料のＣＭＰ研磨層若しくは最上部層であって、
（ａ）最上部面であって、その中に一連の溝を有し、１以上の終了点検出窓の各々のための、使用中に前記研磨層の最上部を下向き垂直方向で見たときの中心点を有する前記研磨層を貫通して全体にわたって拡張する開口部Ａを有する、最上部面と、
（ｂ）実質的に平坦な下側面であって、前記１以上の終了点検出窓の各々のための、各除外ゾーンの横方向寸法と同一延長になるように横方向に拡張された一定の深さを有する窪み部分を含む下側面と、
をその中に有しているＣＭＰ研磨層若しくは最上部層；
（ii）ポリマー材料の下部パッド若しくは下部層であって、
実質的に平坦な最上部面を有し、平坦な下側面を有し、且つ１以上の終了点検出窓の各々のための、前記下部パッドを貫通して全体にわたって拡張され、且つ前記研磨層の各開口部Ａの前記中心点と一致するように調整された中心点を持つ開口部を有する
下部パッド若しくは下部層；及び
（iii）１以上の終了点検出窓であって、
各窓は、前記研磨層の前記下側面の前記窪み部分にぴったりと適合され、且つ前記（i）研磨層の前記窪み部分の深さと等しいか又は接着層を収容するためにそれよりもわずかに薄い厚さを持つ、フランジを有し、検出領域の最上部面が、前記（i）研磨層の前記最上部面と実質的に同一平面上にあるように前記（i）研磨層の開口部にぴったりと適合するところの検出領域を有している；
を含む、上記化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッド。
【請求項２】
前記ＣＭＰ研磨層の前記ポリマー材料は、ポリウレタン発泡層である、請求項１に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッド。
【請求項３】
前記（ii）ポリマー材料の下部パッド又は下部層が、ポリウレタン発泡材料である、請求項１に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッド。
【請求項４】
前記（iii）１以上の終了点検出窓は、透明ポリマー窓である、請求項１に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッド。
【請求項５】
前記（iii）１以上の終了点検出窓の各々は、前記（i）研磨層及び前記（ii）下部パッドの各々に、超音波溶接によって、又は感圧接着剤、ホットメルト接着剤、接触接着剤及びそれらの組み合わせから選択された接着剤を用いて接着される、請求項１に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッド。
【請求項６】
前記（iii）１以上の終了点検出窓の各々は、感圧接着剤で前記（i）研磨層に接着され、かつ感圧接着剤又はホットメルト接着剤で前記（ii）下部パッドに接着されている、請求項４に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッド。
【請求項７】
前記１以上の終了点検出窓は、前記ＣＭＰ研磨パッドが、１以上の（iii）終了点検出窓の各々の前記フランジによって拘束された前記側方領域内に且つ前記下部パッドの前記下側面と前記研磨層の前記最上部面との間に、１５０μｍよりも大きな如何なる寸法の間隙又は開放空間を含まない、請求項１に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッド。
【請求項８】
１〜３つの（iii）終了点検出窓を含む、請求項１に記載の化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッド。
【請求項９】
１以上の終了点検出窓を有する化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッドを作製する方法であって、
中心点、（ａ）一連の溝を有する最上部面、及び（ｂ）１以上の終了点検出窓の各々のフランジを受け入れるように適合された窪み部分を含むか又は含まないかは任意で実質的に平坦な下側面、を有する（i）研磨層を形成すること；
前記１以上の終了点検出窓の各々について、所与の横方向のサイズ又は寸法を有する前記研磨層内に開口部Ａを形成すること；
（i）研磨層が窪み部分を有さない場合には、前記１以上の終了点検出窓の各々について、前記窪み部分を形成するために、１以上の終了点検出窓の各々のフランジ及び使用される場合には接着層を受け入れるように、一定の深さ及び横方向寸法まで前記（ｂ）研磨層の下側面をフライス加工すること； 
前記研磨層の各開口部及び窪み部分のために（iii）フランジ付き終了点検出窓を形成することであって、前記終了点検出窓が、前記研磨層内の対応する開口部と横方向サイズにおいて等しい検出領域を有し、且つ透明なポリマー材料を成形することによって又は材料のディスクを鋳造又は成形し次いで前記ディスクが前記フランジ持つようにフライス加工、ルーティング又は鍛造することによって、前記研磨層の前記対応する窪み部分と同じか又は接着層を収容するためにわずかに低い高さで且つ同じ横方向寸法を有するフランジを有すること；
得られた前記研磨層が溝を考慮せずに至るところで同じ厚さを有するように且つ前記１以上の（iii）終了点検出窓の各々の最上部面が前記研磨層の最上部面と実質的に同一平面上にあるように、前記対応する１以上の終了点検出窓の各々を、前記研磨層の前記窪み部分に接着すること；
中心点と、実質的に平坦な最上部面と平坦な下側面とを有するポリマー材料の（ii）下部パッドを提供すること；
前記研磨層内の各開口部Ａに対応し、前記研磨層の前記対応する開口部と同じ形状を有する、前記下部パッド内の１以上の開口部を形成することであり、前記研磨層と前記下部パッドとの複数の中心点が、前記下部パッドの最上部側に対向して存在するその１以上の窪み部分を有する前記下部パッドの最上部に配置された前記研磨層により調整されるとき、前記研磨層及び下部パッドの各々の複数の開口部が、位置及び形状において調整されるように、該複数の開口部が調整されること；及び、
超音波溶接を介して、又は感圧接着剤、ホットメルト接着剤、接触接着剤、及びこれらの組み合わせから選択された接着剤によって、前記ＣＭＰ研磨パッドを形成するように、前記研磨層の下側面及び前記１以上の終了点検出窓の各々のフランジの底部及び前記下部パッドの最上部面を調整させ且つ付着させること：
を包含する、
上記方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
１．本発明によれば、磁性基板、光学基板、及び半導体基板の少なくとも１つから選択された基板を研磨するための化学機械研磨（ＣＭＰ）用研磨パッドであって、（i）ポリマー材料、好ましくはポリウレタン発泡層、のＣＭＰ研磨層若しくは最上部層であって、その中に（ａ）最上部面であって、一連の溝、好ましくは、連続同心円溝、を有し、１以上、好ましくは、１〜３、の終了点検出窓の各々について、使用中に上記研磨層の最上部への下向き垂直方向で見たときに上記研磨層を貫通して全体にわたって拡張し且つ中心点を有する開口部Ａを有するものと、好ましくは、除外ゾーン（そこでは１以上の終了点検出窓の各々について溝が存在しない）、及び（ｂ）上記１以上の終了点検出窓の各々について各除外ゾーンの横方向寸法と横方向に接して延伸される一定の深さを有する窪み部分を含むところの実質的に平坦な下側面と、を有しているもの；（ii）ポリマー材料、例えば、ポリマー、好ましくはポリウレタン、相互侵入型不織ウェブ、又はポリマー発泡体（例えばポリウレタン）の下部パッド若しくは下部層であって、実質的に平坦な最上部面を有し、平坦な下側面を有し、且つ１以上の終了点検出窓の各々について上記下部パッドを貫通して全体にわたって拡張し、上記研磨層の各開口部Ａの中心点に一致するように調整された上記中心点を持つ開口部を有し、及び好ましくは、開口部Ａとして同じ、又はより好ましくはより小さな横方向寸法を有するもの；及び、（iii）１以上（例えば１〜６、又は好ましくは１〜３）の終了点検出窓（例えば、ポリマー窓、好ましくはポリウレタン）、ここで、各窓は、上記研磨層の上記下側面の上記窪み部分にぴったりと適合され且つ上記（i）研磨層の上記窪み部分の深さと等しいか又は接着層を収容するためにそれよりもわずかに薄い厚さを持つフランジを有し、検出領域の最上部面が上記（i）研磨層の上記最上部面と実質的に同一平面上にあるように上記（i）研磨層の開口部にぴったりと適合するところの検出領域を有している；を含んでいる。