【手続補正書】
【提出日】令和2年11月30日(2020.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントリソグラフィのための装置であって、
流体吐出ポートを有する流体吐出システムと、
ステージと、
論理素子と、を含み、
前記ステージ、前記流体吐出ポート、または前記ステージと前記流体吐出ポートとの組み合わせは、基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させるために適用され、
前記論理素子は、
基板上に成形可能材料を吐出するための液滴パターンを決定する処理と、
インプリント領域についての前記液滴パターンの第１部分を形成するように、第１パス中において前記基板上に前記成形可能材料を吐出するための情報を送信する処理であって、前記基板と前記流体吐出ポートとは並進方向に互いに対して移動する、処理と、
前記並進方向以外の他の方向に前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせるための情報を送信する処理であって、装置は、前記第１パス中において前記成形可能材料を吐出するための指示が行われた後に前記流体吐出ポートをオフセットさせる、処理と、
前記インプリント領域についての前記液滴パターンの第２部分を形成するように、第２パス中において前記基板上に前記成形可能材料を吐出するための情報を送信する処理であって、装置は、前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせるための指示が行われた後に前記第２パス中において前記成形可能材料を吐出する、処理と、
を行うことを特徴とする装置。
【請求項２】
前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせるための前記情報は、前記基板と前記流体吐出ポートとを前記並進方向にオフセットさせるための情報を含まない、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせるための前記情報は、前記基板と前記流体吐出ポートとを前記並進方向に互いに対してオフセットさせるための情報を更に含む、ことを特徴とする請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記流体吐出システムは、前記基板と前記流体吐出ポートとが前記並進方向に沿って事前設定の速度で互いに対して移動しているときに、事前設定の最小ピッチで前記基板上に離間した液滴を達成するように、事前設定の周波数で前記成形可能材料の液滴を吐出するように更に構成され、
前記第１パス中、前記第２パス中、または前記第１パス中および前記第２パス中の各々において前記成形可能材料を吐出するための前記情報は、前記並進方向における液滴ピッチが前記事前設定の最小ピッチまたは前記事前設定の最小ピッチの整数倍になるように、前記成形可能材料を吐出するための特定の情報を含み、
前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせるための前記情報は、前記並進方向において、前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対するオフセットが、前記事前設定の最小ピッチの非整数倍である並進オフセット距離で行われる特定の情報を含む、
ことを特徴とする請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記流体吐出ポートは、前記並進方向と実質的に垂直であるラインに沿った対応ピッチで液滴を吐出するように構成され、
前記基板と前記流体吐出ポートとを前記他の方向に互いに対してオフセットさせるための前記情報は、前記対応ピッチの非整数倍であるオフセット距離で行われる、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項６】
前記第１パス中において前記基板上に前記成形可能材料を吐出するための前記情報は、液滴エッジ除去のＹ１ラインに沿って前記成形可能材料の液滴を吐出するための情報を含み、
前記第２パス中において前記基板上に前記成形可能材料を吐出するための前記情報は、前記液滴エッジ除去のＹ２ラインに沿って前記成形可能材料の液滴を吐出するための情報を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の装置。
【請求項７】
インプリントリソグラフィプロセスのための基板液滴パターンを生成する方法であって、
流体吐出ポートを有する流体吐出システムを提供する工程と、
基板上に成形可能材料を吐出するための仮想液滴パターンを決定する工程と、
第１パス中において、インプリント領域についての前記基板液滴パターンの第１部分を形成するように前記基板上に前記成形可能材料を吐出する工程であって、前記基板液滴パターンは前記仮想液滴パターンに対応し、前記基板と前記流体吐出ポートとは並進方向に互いに対して移動する、工程と、
前記並進方向以外の他の方向に前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせる工程であって、前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対するオフセットは、前記第１パス中において前記成形可能材料を吐出した後に行われる、工程と、
第２パス中において、前記インプリント領域についての前記基板液滴パターンの第２部分を形成するように前記基板上に前記成形可能材料を吐出する工程であって、前記第２パス中における前記成形可能材料の吐出は、前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせた後に行われる、工程と、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項８】
前記流体吐出ポートは、前記並進方向と実質的に垂直な方向であるラインに沿った対応ピッチで液滴を吐出するように構成され、
前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせる工程は、前記対応ピッチの非整数倍であるオフセット距離で、前記他の方向に前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせることを含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項９】
前記流体吐出システムを提供する工程は、前記並進方向に実質的に垂直であるラインに沿った対応ピッチで液滴を吐出するように構成された前記流体吐出ポートを有する前記流体吐出システムであって、前記ラインに実質的に垂直である前記並進方向に沿って前記基板と前記流体吐出ポートとが事前設定の速度で互いに対して移動しているときに、事前設定の最小ピッチで基板上に離間した液滴を達成するための事前設定の周波数で前記成形可能材料の液滴を吐出するように更に構成された前記流体吐出システムを提供することを更に含み、
仮想液滴パターンを決定する工程は、
前記成形可能材料を前記基板上に吐出するために事前に画定された液滴パターンを決定する工程であって、前記事前に画定された液滴パターンは、インプリントリソグラフィテンプレートのパターンに部分的に基づいており、前記事前に画定された液滴パターンは、前記並進方向に沿って前記基板と前記流体吐出ポートとが前記事前設定の速度で互いに対して移動しているときに、前記事前設定の最小ピッチまたはその整数倍で前記基板上に離間した液滴を表す、工程と、
前記事前に画定された液滴パターンに基づいて、調整液滴パターンを決定する工程であって、調整液滴パターンは、前記事前設定の最小ピッチの非整数倍で離間した液滴を表し、前記調整液滴パターンは前記仮想液滴パターンである、工程と、を含み、
前記方法は、第１および第２パス中において形成される前記基板液滴パターンを生成するように、前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対する調整速度を決定する工程であって、前記調整速度は、前記第１パス中、前記第２パス中、または前記第１パス中および前記第２パス中の各々における前記事前設定の速度と異なる、工程と、
前記第１パス中、前記第２パス中、または前記第１パス中および前記第２パス中の各々において、前記並進方向に前記調整速度で前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対して移動させ、前記事前設定の周波数で前記流体吐出ポートを介して前記成形可能材料を吐出する工程と、を更に含む、
ことを特徴とする請求項７に記載の方法。
【請求項１０】
物品の製造方法であって、
流体吐出ポートを有する流体吐出システムを提供する工程と、
基板上に成形可能材料を吐出するための液滴パターンを決定する工程と、
第１パス中において、インプリント領域についての前記液滴パターンの第１部分を形成するように前記基板上に前記成形可能材料を吐出する工程であって、前記基板と前記流体吐出ポートとは並進方向に互いに対して移動する、工程と、
前記並進方向以外の他の方向に前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせる工程であって、前記基板と前記流体吐出ポートとの互いに対するオフセットは、前記第１パス中において前記成形可能材料を吐出した後に行われる、工程と、
第２パス中において、前記インプリント領域についての前記液滴パターンの第２部分を形成するように前記基板上に前記成形可能材料を吐出する工程であって、前記第２パス中における前記成形可能材料の吐出は、前記基板と前記流体吐出ポートとを互いに対してオフセットさせた後に行われる、工程と、
表面を有するテンプレートに前記成形可能材料を接触させる工程と、
前記テンプレートの前記表面に対応する層を形成するように前記成形可能材料を硬化する工程と、
を含むことを特徴とする物品の製造方法。