【手続補正書】
【提出日】令和3年2月22日(2021.2.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光トランジスタと、第１スイッチングトランジスタと、第２スイッチングトランジスタと、容量素子と、を含み、
前記受光トランジスタは、
第１配線に接続されたゲートと、
第２配線に接続されたソースと、
ドレインと、を含み、
前記第１スイッチングトランジスタは、
第３配線に接続されたゲートと、
第４配線に接続されたソースと、
前記受光トランジスタの前記ドレインに接続されたドレインと、を含み、
前記容量素子は、
前記受光トランジスタの前記ドレインに接続された第１端子と、
前記第１スイッチングトランジスタの前記ソースに接続された第２端子と、を含み、
前記第２スイッチングトランジスタは、
ゲート線に接続されたゲートと、
信号線に接続されたソースと、
前記容量素子の前記第１端子に接続されたドレインと、を含み、
前記受光トランジスタ、前記第１スイッチングトランジスタ、および、前記第２スイッチングトランジスタのおのおのは、チャンネル層として酸化物半導体層を含む、光センサー回路。
【請求項２】
請求項１において、
前記受光トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタとをオン状態とし、前記第１スイッチングトランジスタとをオフ状態する第１期間と、
前記第１期間の後、前記受光トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタとをオフ状態とし、前記第１スイッチングトランジスタとをオン状態する第２期間と、
前記第２期間の後、前記受光トランジスタ、前記第１スイッチングトランジスタ、および、前記第２スイッチングトランジスタをオフ状態として、前記容量素子に光照射による電荷を蓄える第３期間と、
前記第３期間の後、前記受光トランジスタと前記第１スイッチングトランジスタとをオフ状態とし、前記ゲート線によって前記第２スイッチングトランジスタをオン状態として、前記容量素子に蓄えられた前記電荷を前記信号線から読み出す第４期間と、を含む、光センサー回路。
【請求項３】
請求項２において、
第３スイッチングトランジスタを含むリセット回路を有し、
前記第３スイッチングトランジスタは、
第５配線に接続されたゲートと、
前記第４配線に接続されたソースと、
前記信号線に接続されたドレインと、を有し、
前記第３スイッチングトランジスタは、チャンネル層として酸化物半導体層を含む、光センサー回路。
【請求項４】
請求項３において、
前記第１期間において、前記第３スイッチングトランジスタがオン状態にされる、光センサー回路。
【請求項５】
請求項１において、
前記受光トランジスタ、前記第１スイッチングトランジスタ、および、前記第２スイッチングトランジスタのおのおのの前記ゲートは、対応するトランジスタの前記酸化物半導体層の下部または上部の一方に設けられ、
前記第１スイッチングトランジスタおよび前記第２スイッチングトランジスタのおのおのは、バックゲートを有し、
前記バックゲートは、対応するスイッチングトランジスタの前記酸化物半導体層の下部または上部の他方に設けられる、光センサー回路。
【請求項６】
請求項５において、
前記バックゲートは、対応するスイッチングトランジスタの前記ソースに接続される、光センサー回路。
【請求項７】
請求項３において、
前記第３スイッチングトランジスタの前記ゲートは、前記第３スイッチングトランジスタの前記酸化物半導体層の下部または上部の一方に設けられ、
前記第３スイッチングトランジスタは、バックゲートを有し、
前記第３スイッチングトランジスタの前記バックゲートは、前記第３スイッチングトランジスタの前記酸化物半導体層の下部または上部の他方に設けられる、光センサー回路。
【請求項８】
複数のゲート線と、
複数の信号線と、
１つの光センサー回路が１つのゲート線と１つの信号線とに接続されるように、前記複数のゲート線と前記複数の信号線とに接続された複数の光センサー回路と、を含み、
前記複数の光センサー回路のおのおのは、
受光トランジスタと、
第１スイッチングトランジスタと、
第２スイッチングトランジスタと、
容量素子と、を含み、
前記受光トランジスタは、
第１配線に接続されたゲートと、
第２配線に接続されたソースと、
ドレインと、を含み、
前記第１スイッチングトランジスタは、
第３配線に接続されたゲートと、
第４配線に接続されたソースと、
前記受光トランジスタの前記ドレインに接続されたドレインと、を含み、
前記容量素子は、
前記受光トランジスタの前記ドレインに接続された第１端子と、
前記第１スイッチングトランジスタの前記ソースに接続された第２端子と、を含み、
前記第２スイッチングトランジスタは、
対応するゲート線に接続されたゲートと、
対応する信号線に接続されたソースと、
前記容量素子の前記第１端子に接続されたドレインと、を含み、
前記受光トランジスタ、前記第１スイッチングトランジスタ、および、前記第２スイッチングトランジスタのおのおのは、チャンネル層として酸化物半導体層を含む、光センサー装置。
【請求項９】
請求項８において、
前記受光トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタとをオン状態とし、前記第１スイッチングトランジスタとをオフ状態する第１期間と、
前記第１期間の後、前記受光トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタとをオフ状態とし、前記第１スイッチングトランジスタとをオン状態する第２期間と、
前記第２期間の後、前記受光トランジスタ、前記第１スイッチングトランジスタ、および、前記第２スイッチングトランジスタをオフ状態として、前記容量素子に光照射による電荷を蓄える第３期間と、
前記第３期間の後、前記受光トランジスタと前記第１スイッチングトランジスタとをオフ状態とし、前記ゲート線によって前記第２スイッチングトランジスタをオン状態として、前記容量素子に蓄えられた前記電荷を前記信号線から読み出す第４期間と、を含む、光センサー装置。
【請求項１０】
請求項９において、
第３スイッチングトランジスタを含むリセット回路を有し、
前記第３スイッチングトランジスタは、
リセット信号が供給される第５配線に接続されたゲートと、
前記第４配線に接続されたソースと、
対応する信号線に接続されたドレインと、を有し、
前記第３スイッチングトランジスタは、チャンネル層として酸化物半導体層を含む、光センサー装置。
【請求項１１】
請求項１０において、
前記第１期間において、前記第３スイッチングトランジスタが前記リセット信号によりオン状態にされる、光センサー装置。
【請求項１２】
請求項１０において、
前記受光トランジスタ、前記第１スイッチングトランジスタ、前記第２スイッチングトランジスタ、および、前記第３スイッチングトランジスタのおのおのの前記ゲートは、対応するトランジスタの前記酸化物半導体層の下部または上部の一方に設けられ、
前記第１スイッチングトランジスタ、前記第２スイッチングトランジスタ、および、前記第３スイッチングトランジスタのおのおのは、バックゲートを有し、
前記バックゲートは、対応するスイッチングトランジスタの前記酸化物半導体層の下部または上部の他方に設けられる、光センサー装置。
【請求項１３】
請求項１２において、
前記バックゲートは、対応するスイッチングトランジスタの前記ソースに接続される、光センサー装置。
【請求項１４】
表示領域を有する表示パネルを有し、
前記表示領域は、表示画素と、光センサー回路と、を含み、
前記光センサー回路は、受光トランジスタと、第１スイッチングトランジスタと、第２スイッチングトランジスタと、容量素子と、を含み、
前記受光トランジスタは、
第１配線に接続されたゲートと、
第２配線に接続されたソースと、
ドレインと、を含み、
前記第１スイッチングトランジスタは、
第３配線に接続されたゲートと、
第４配線に接続されたソースと、
前記受光トランジスタの前記ドレインに接続されたドレインと、を含み、
前記容量素子は、
前記受光トランジスタの前記ドレインに接続された第１端子と、
前記第１スイッチングトランジスタの前記ソースに接続された第２端子と、を含み、
前記第２スイッチングトランジスタは、
ゲート線に接続されたゲートと、
信号線に接続されたソースと、
前記容量素子の前記第１端子に接続されたドレインと、を含み、
前記受光トランジスタ、前記第１スイッチングトランジスタ、および、前記第２スイッチングトランジスタのおのおのは、チャンネル層として酸化物半導体層を含む、表示装置。
【請求項１５】
請求項１４において、
前記受光トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタとをオン状態とし、前記第１スイッチングトランジスタとをオフ状態する第１期間と、
前記第１期間の後、前記受光トランジスタと前記第２スイッチングトランジスタとをオフ状態とし、前記第１スイッチングトランジスタとをオン状態する第２期間と、
前記第２期間の後、前記受光トランジスタ、前記第１スイッチングトランジスタ、および、前記第２スイッチングトランジスタをオフ状態として、前記容量素子に光照射による電荷を蓄える第３期間と、
前記第３期間の後、前記受光トランジスタと前記第１スイッチングトランジスタとをオフ状態とし、前記ゲート線によって前記第２スイッチングトランジスタをオン状態として、前記容量素子に蓄えられた前記電荷を前記信号線から読み出す第４期間と、を含む、表示装置。
【請求項１６】
請求項１４または請求項１５において、
第３スイッチングトランジスタを含むリセット回路を有し、
前記第３スイッチングトランジスタは、
第５配線に接続されたゲートと、
前記第４配線に接続されたソースと、
前記信号線に接続されたドレインと、を含み、
前記第３スイッチングトランジスタは、チャンネル層として酸化物半導体層を含む、表示装置。