(57)【要約】【課題】４層コア基板を出発材料とした製造が容易で信頼性に優れた安価な任意位置層間接続構造の多層配線基板及びその製造方法を提供する。【解決手段】絶縁層を介して４層の導体層ｂ、ｃ、ｄ、ｅをこの順番に配置した４層コア基板と、この４層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層を有する多層配線基板であって、前記４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間を接続し、導体層ｃの他の配線パターンとは接続しないスキップビアを有する多層配線基板。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
絶縁層を介して４層の導体層ｂ、ｃ、ｄ、ｅをこの順番に配置した４層コア基板と、この４層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層を有する多層配線基板であって、
前記４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間を接続し、導体層ｃの他の配線パターンとは接続しないスキップビアを有する多層配線基板。
【請求項２】
請求項１において、
４層コア基板の導体層ｂ−ｄの間の導体層ｃに、導体層ｃの他の配線パターンとは接続しない独立ランドが設けられ、
４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間を接続するスキップビアが、前記導体層ｃの独立ランドに接続される多層配線基板。
【請求項３】
請求項１において、
層コア基板の導体層ｂ−ｄの間の導体層ｃに、ランドを有しない領域が設けられ、
４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間を接続するスキップビアが、前記導体層ｃのランドを有しない領域を介するように配置される多層配線基板。
【請求項４】
請求項１から３の何れかにおいて、４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間に形成されたスキップビアの直上に、スタックビアが配置される多層配線基板。
【請求項５】
請求項１から４の何れかにおいて、４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間に形成されたスキップビアを挟んで、全ての導体層を通じて、ビアが直上に配置されたフルスタック構造を有する多層配線基板。
【請求項６】
請求項１から５の何れかの多層配線板の製造方法であって、
絶縁層を介して４層の導体層ｂ、ｃ、ｄ、ｅをこの順番に配置した４層コア基板を形成する工程（Ａ）と、
前記４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間を接続し、導体層ｃの他の配線パターンとは接続しないスキップビアを形成する工程（Ｂ）と、
前記４層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層を形成する工程（Ｃ）と、
を有する多層配線基板の製造方法。
【請求項７】
請求項６において、
４層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層を形成する工程（Ｃ）では、前記４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間に形成されたスキップビアの直上に、スタックビアを形成する多層配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、４層コア基板を出発材料とした製造が容易で信頼性に優れた安価な任意位置層間接続構造の多層配線基板に関する。
【背景技術】
【０００２】
携帯部品をはじめとする多層配線基板では、電子部品の高機能化に伴い、ますます高密度化や低背化が進んでおり、それに伴って導体層と導体層を接続するビアをどの層にでもどの位置にでも、自由に設けることができる任意位置層間接続構造で、かつ総板厚の薄い配線基板が求められる。この構造の配線基板を製造するには、全層同じ位置にビアが１列に並ぶフルスタック構造の実現と、コア層もビルドアップ材を使用することが必要であり、そのため製品となる多層配線基板自体を構成するコア材を用いず、ダミーのコア材（製造プロセスでのみ使用され、製品となる多層配線基板自体は構成しない支持基板をいう。以下、「ダミーコア」ということがある。）の上に、１層ずつ多層化するコアレス工法でかつビルドアップ工法が従来から用いられてきた。なお、このような、製品となる多層配線基板自体を構成するコア材を有しない多層配線基板を、以下、「コアレスビルドアップ配線基板」といい、その工法を、以下、「コアレスビルドアップ工法」ということがある。
【０００３】
しかしながら、電子部品は高機能化し部品数が増える一方、携帯電話などの最終製品は低価格が求められるため、部品数が増えた分１部品あたりのコストダウン要求は大きく、高密度かつ安価な配線基板が求められるため、高価なコアレスビルドアップ配線基板では市場のコスト要求に合わなくなってきているのが現状である。
【０００４】
このようなコアレスビルドアップ工法を用いず導体層と導体層の接続を可能にする方法としては、放熱性を目的として配線基板の表面から内層の放熱層まで複数の導体層をまたいで電気的な接続を行う、スキップビアを使用する方法が開示されている。（特許文献１）。
【０００５】
また、薄型化を目的として接着材層を失くすためにスキップビアを使用するする方法が開示されている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２０１１−２４３７６７号公報
【特許文献２】特開２００７−１１５９５４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかしながら、特許文献１や２のように、複数の導体層をまたいで層間接続するスキップビアを有した配線基板では、コアレスビルドアップ配線基板に比べて、リードタイムが短く、製造コストが低減できるものの、４層コア基板を出発材料とするため、任意の位置に層間接続のためのビアを設けることが困難になってしまう問題があった。
【０００８】
本発明は、４層コア基板を出発材料とした製造が容易で信頼性に優れた安価な任意位置層間接続構造の配線基板及びその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、以下に関する。
１．  絶縁層を介して４層の導体層ｂ、ｃ、ｄ、ｅをこの順番に配置した４層コア基板と、この４層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層を有する多層配線基板であって、前記４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間を接続し、導体層ｃの他の配線パターンとは接続しないスキップビアを有する多層配線基板。
２．  項１において、４層コア基板の導体層ｂ−ｄの間の導体層ｃに、導体層ｃの他の配線パターンとは接続しない独立ランドが設けられ、４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間を接続するスキップビアが、前記導体層ｃの独立ランドに接続される多層配線基板。
３．  項１において、層コア基板の導体層ｂ−ｄの間の導体層ｃに、ランドを有しない領域が設けられ、４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間を接続するスキップビアが、前記導体層ｃのランドを有しない領域を介するように配置される多層配線基板。
４．  項１から３の何れかにおいて、４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間に形成されたスキップビアの直上に、スタックビアが配置される多層配線基板。
５．  項１から４の何れかにおいて、４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間に形成されたスキップビアを挟んで、全ての導体層を通じて、ビアが直上に配置されたフルスタック構造を有する多層配線基板。
６．  項１から５の何れかの多層配線板の製造方法であって、絶縁層を介して４層の導体層ｂ、ｃ、ｄ、ｅをこの順番に配置した４層コア基板を形成する工程（Ａ）と、前記４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間を接続し、導体層ｃの他の配線パターンとは接続しないスキップビアを形成する工程（Ｂ）と、前記４層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層を形成する工程（Ｃ）と、を有する多層配線基板の製造方法。
７．  項６において、４層コア基板上に絶縁層を介して配置される導体層を形成する工程（Ｃ）では、前記４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間に形成されたスキップビアの直上に、スタックビアを形成する多層配線基板の製造方法。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、４層コア基板を出発材料とした製造が容易で信頼性に優れた安価な任意位置層間接続構造の配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】本発明の実施の形態１及び２に係る多層配線基板の断面図である。
【図２】本発明の実施の形態１に係る多層配線基板の製造工程毎の断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１に係る多層配線基板の製造工程毎の断面図である。
【図４】従来（比較例）のコアレスビルドアップ配線基板の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の実施の形態１及び２に係る多層配線基板及びその製造方法について、以下、図１及び図２、図３を用いて説明する。
【００１３】
図１（１）（２）に示すように、本発明の実施の形態１に係る多層配線基板は、絶縁層５を介して４層の導体層６ｂ、ｃ、ｄ、ｅをこの順番に配置した４層コア基板４と、この４層コア基板４上に絶縁層５を介して配置される導体層６を有する多層配線基板であって、前記４層コア基板４の導体層６ｂ−ｄ間を接続し、導体層６ｃの他の配線パターン（図示しない。）とは接続しないスキップビア３を有する。なお、図１の右側に付した記号ａ〜ｆは、導体層６を区別するためのものである（以下の図面でも、同様。）。
【００１４】
４層コア基板とは、４層構造で内層に導体層のある銅張積層板のことを言い、どの導体層にも層間接続ビア（以下、単に「ビア」ということがある。）がないものをいう。表面銅箔は、後工程にて層間接続ビアを形成するための、エッチングによるコンフォーマルマスク径ばらつきを抑えるため、あまり厚い銅箔は望ましくなく、厚み３μｍ〜１２μｍ程度が望ましい。また、銅ダイレクトレーザ法で銅箔表面から穴を開ける場合は、銅箔厚は３μｍ〜７μｍ程度がよい。また、直接、表面に傷がつくのを防止することなどを考えてキャリア付き銅箔が望ましい。４層コア基板の１層の絶縁層厚みは、層間接続ビアのアスペクト比を考えて６０μｍ以下が望ましいが、層間接続ビアとのアスペクト比を考慮し、なるべく薄い方が良い。絶縁材の回路埋め込み性を考慮すると、約３５μｍ程度が最良である。
【００１５】
スキップビアとは、導体層３層以上の層にまたがって形成される電気的に接続するビアのことをいう。穴あけ加工方法は、ＣＯ２レーザやＹＡＧ（Ｙｔｔｒｉｕｍ  Ａｌｕｍｉｎｕｍ  Ｇａｒｎｅｔの略。）レーザ穴あけ機を使用して加工が主流であり、コンフォーマルマスク法や銅ダイレクトレーザ加工があるが、これに限るものではない。ビア径は、めっき付き性や接続信頼性を考慮するとビア径は大きい方が有利であるが、ビアとランドの位置ずれも考慮すると、直径６０μｍ〜１５０μｍ程度が望ましい。
【００１６】
また、スキップビアの上にスタック構造としてビアを設けるために、スキップビアのビア内は導電物で充填してビア表面はフラットにする必要がある。導電物としては、フィルドビアめっきのような銅めっきを充填するめっきを施しても良いし、導電ペーストを埋めても良いし、あるいは電気銅めっきをしてから穴埋め印刷で非導電インクを埋めても良い。但し、接続信頼性や配線の高密度化を考慮すると、そのまま銅でビアを埋めるフィルドめっきをするのが最良である。
【００１７】
また、スキップビアで接続する導体層数は３層以上で多いほど、製造コストは低減できるが、ビア深さが大きくなるとめっき付きや接続信頼性が悪くなるため、通常３層程度が望ましい。設ける層は６層板の表面の１層面（ａ）から３層面（ｃ）でも良いし、あるいは内層の２層面（ｂ）から４層面（ｄ）、もしくは３層面（ｃ）から５層面（ｅ）など、自由に設計して良い。また、例えば２層面（ｂ）から４層面（ｄ）にスキップビアを設ける際に接続する場合は、３層面（ｃ）にランドを設ければ２層面（ｂ）と３層面（ｃ）と４層面（ｄ）と３層分を全て電気的に接続することができる。その場合は中間層にあたる３層面（ｃ）にはスキップビアを穴あけする前に、あらかじめ穴あけ位置にエッチングにより開口を設けておく必要がある。
【００１８】
また、図１（１）に示すように、４層コア基板４の導体層６ｂ−ｄの間の導体層６ｃに、導体層６ｃの他の配線パターンとは接続しない独立ランド１０が設けられ、４層コア基板４の導体層６ｂ−ｄ間を接続するスキップビア３が、前記導体層６ｃの独立ランド１０に接続されるようにしてもよい。つまり、中間層である導体層６ｃと接続したくない場合は、ランドを設けて配線をつながないだけでも良い。中間層である導体層６ｃにランドを設ける場合のエッチングの開口径は、導体層６ｂと導体層６ｃの位置ずれを考慮し、スキップビア３の径と同じ、もしくはそれより小さい方が良い。
【００１９】
また、図１（２）に示すように、４層コア基板４の導体層６ｂ−ｄの間の導体層６ｃに、ランドを有しない領域が設けられ、４層コア基板４の導体層６ｂ−ｄ間を接続するスキップビア３が、前記導体層６ｃのランドを有しない領域を介するように配置されるようにしてもよい。つまり、中間層である導体層６ｃに、ランドを設けなくて良い。
【００２０】
また、導体層ｃと導体層ｄのみを接続したい場合は、スキップビアを設ける必要はなく、通常の２層を接続する単層ビア（隣接する導体層を接続するビア）を用いればよい。
【００２１】
４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間に形成されたスキップビアの直上に、スタックビアが配置されてもよい。直上に形成されたスタックビアとは、ビア内が導電物で充填されフラットであるビアの上あるいはビア底銅の上にさらにビアが同じ座標位置に設けられた構造をいう。但し、同じ座標位置に設計しても、製造上コンフォーマルマスクの位置ずれやレーザビア加工の位置ずれなどで、全く同じ座標にビアを形成するのは困難であり、通常ビア径の大きさ以下のずれであれば、スタックビアとして機能すると考えてよい。例えば５０μｍのビア径であれば、直上スタック構造であるビア同士の位置ずれは５０μｍ以下（ビア径の範囲内）が望ましいといえる。またスタックビア内の充填物はスキップビア同様に銅がのぞましく、フィルドビアめっきを行うのが最良であり、ビア凹みあるいは凸量は１０μｍ以下がのぞましい。
【００２２】
４層コア基板の導体層ｂ−ｄ間に形成されたスキップビアを挟んで、全ての導体層を通じて、ビアが直上に配置されたフルスタック構造を有してもよい。全層を通じたフルスタック構造とは、６層板であれば、前述したスタック構造が６層全て同じ座標位置にビアが設けられた構造であり、そのうちの一部分がスキップビアとなっているものをいう。スキップビアはフルスタック構造には１つだけあっても良いし、複数あっても良い。また電気的に接続したい層にはランドを設けてそのランドに配線つなげればよいし、接続したくない層は、ランドのみ設けてそのランドに配線をつながなければ良い。
【００２３】
本実施の形態１の多層配線基板の製造方法について、以下、図２及び３を用いて説明する。
【００２４】
図２及び図３に示すように、本実施の形態１の多層配線基板の製造方法は、絶縁層５を介して４層の導体層６ｂ、ｃ、ｄ、ｅをこの順番に配置した４層コア基板４を形成する工程（Ａ）と、前記４層コア基板４の導体層６ｂ−ｄ間を接続し、導体層６ｃの他の配線パターンとは接続しないスキップビア３を形成する工程（Ｂ）と、前記４層コア基板４上に絶縁層５を介して配置される導体層６を形成する工程（Ｃ）と、を有する。
【００２５】
図３に示すように、４層コア基板４上に絶縁層５を介して配置される導体層６を形成する工程（Ｃ）では、前記４層コア基板４の導体層６ｂ−ｄ間に形成されたスキップビア３の直上に、スタックビア２を形成する。
【００２６】
本発明のような、４層コア基板を出発材料としスキップビアを有する配線基板及びその製造方法は、全層ビルドアップ基板に比べ、１回分の層間接続ビア形成とめっき工程を省くことで、製造リードタイムを短縮し、製造コストを低減することが可能となる。また、配線基板の低背化を求められるものは、ビア形成やめっき工程での薄板のハンドリングの難しさや基板詰まりの発生などにより、３０μｍ以下の厚みの２層コア基板を出発材料としたビルドアップ基板の製造は困難であり、製造リードタイム、コスト共に大きくなる片側にビルドアップしていく全層ビルドアップ基板のコアレス工法を用いることが多い。しかし、本発明の配線基板及びその製造方法であれば、４層コア基板が出発材料であるので、２層板状態でのビア形成、めっき作業を行う必要はなく、３０μｍ以下の厚みの２層板（銅張積層板）を回路形成のみすることで、４層コア基板を作製することが容易にできる。
【００２７】
前述の様に、４層コア基板を出発材料としたスキップビアを有し、フィルドビアでスタック構造の配線基板は、６層板で総板厚０．３ｍｍ以下の様な薄板で、設計自由度が高く、より安価な配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【実施例】
【００２８】
以下、本発明の好適な実施例について説明するが、本発明は以下の実施例に限定されない。
【００２９】
図２＜Ａ−１＞に示すような、板厚０．０３ｍｍ、ワークサイズ５１０ｍｍ×４１０ｍｍ、銅箔厚１２μｍの銅張り積層板１３（日立化成工業株式会社製  ＭＣＬ−Ｅ−６７９ＦＧ、「ＭＣＬ」は登録商標。）を用意し、ドライフィルムＳＬ−１３２９（日立化成工業株式会社、商品名）を使用して、基板上全面にラミネートを行い、配線パターン形成用のレジストを形成する。そのレジスト上に直描機（オルボテック社製  パラゴン８８００）により回路を焼付け、現像・塩化鉄によるエッチング・アルカリ性剥離液を用いてレジストの剥離の各処理をおこなうフォト法にて、配線パターン形成を行い、内層材を形成した。スキップビアの中間層となる部分には、パターンニングと同時に開口径６０μｍの窓穴７を形成した。
【００３０】
次に、内層材の銅表面に凹凸をつけるため、ＣＺ処理（メックエッチボンドＣＺ−８１００、メック株式会社製  商品名、「メックエッチボンド」は登録商標。）を行い、表面粗さが３〜５μｍの凹凸を設けた。その処理後の内層材に、厚み２５μｍのプリプレグ（日立化成工業株式会社製  ＧＥＡ−６７９ＦＧ）とその上層に配線用の厚み５μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製  ＭＴ１８Ｓ５ＤＨ）とを積層一体化して図２＜Ａ−２＞に示すような、４層コア基板４を作製した。
【００３１】
作製した４層コア基板表裏面のスキップビアあるいは通常ビアを設ける箇所に、表面銅箔をエッチングにより除去することで開口し、レーザ穴あけ用のコンフォーマルマスクを形成した。開口径はスキップビアは直径９０μｍで通常ビアは直径５０μｍとした。その銅箔を除去し、樹脂が露出しているコンフォーマルマスクの部分へ、炭酸ガスレーザ（日立ビアメカニクス株式会社製  レーザ加工条件１０００Ｈｚ、パルス幅１５μｍ、サイクル数７回あるいは３回）を照射し、樹脂を熱分解して除去することにより、直径９０μｍのスキップビア及び直径５０μｍの通常ビアを同時に加工した。デスミア処理は、膨潤部にスウェリングディップセキュリガントＰ（アドテックジャパン株式会社製  商品名、「セキュリガント」は登録商標。）約５００ｍｌ／ｌと苛性ソーダ（信越化学工業株式会社製）ｐＨ９．５〜１１．８を使用、エッチング部にＮａＭｎＯ４約６０ｇ／ｌを使用、還元部にリダクションセキュリガントＰ（アドテックジャパン株式会社製  商品名）約７０ｍｌ／ｌと９８％Ｈ２ＳＯ４（古河機械金属株式会社製）約５０ｍｌ／ｌを使用したアトテック社製デスミア水平ラインをライン速度１．０ｍ／ｍｉｎ．で、２ｐａｓｓ処理（処理ラインを２回通す処理）を行った。
【００３２】
次に、銅箔上及びブラインドビア用の穴内部に、パラジウムコロイド触媒であるＨＳ２０１Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用して触媒核を付与後、ＣＵＳＴ２０００（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用して厚さ０．５μｍの下地無電解めっき層を穴内及び表面銅箔上に形成した。
【００３３】
次に、電解フィルドめっき（メルテックス株式会社製）により、厚み約３０μｍのめっきを下地無電解めっき層上に行った。その後、化学エッチング液（メック株式会社製  ＨＥ−７０００Ｙ）により、銅部分の厚さが２０μｍのハーフエッチングを行い、銅厚を薄くし、図２＜Ｂ−１＞に示すような、スキップビアを有する４層コア基板を作製した。
【００３４】
次に、フィルドビアめっき表面フラットな４層コア基板にドライフィルムＳＬ−１３２９（日立化成工業株式会社、商品名）を使用して、基板上全面にラミネートを行い、配線パターン形成用のレジストを形成する。そのレジスト上に直描機（オルボテック社製  パラゴン８８００）により回路を焼付け、現像・塩化鉄によるエッチング・アルカリ性剥離液を用いてレジストの剥離の各処理をおこなうフォト法にて、配線パターン形成を行い、図２＜Ｂ−２＞に示すような、４層コア基板４を形成した。２層の内層材と同様スキップビアの中間層となる部分には、パターンニングと同時に開口径６０μｍの窓穴７を形成した。
【００３５】
２層の内層材と同様に４層内層材も銅表面に凹凸をつけるため、ＣＺ処理（メックエッチボンドＣＺ−８１００、メック株式会社製  商品名）を行い、表面粗さが３〜５μｍの凹凸を設けた。その処理後の内層材に、厚み２５μｍのプリプレグ（日立化成工業株式会社製  ＧＥＡ−６７９ＦＧ）とその上層に配線用の厚み５μｍの銅箔（三井金属鉱業株式会社製  ＭＴ１８Ｓ５ＤＨ）とを積層一体化して図３＜Ｃ−１＞に示すような、６層基板を作製した。
【００３６】
作製した６層基板表裏面のスキップビアあるいは通常ビアを設ける箇所に、表面銅箔をエッチングにより除去することで開口し、レーザ穴あけ用のコンフォーマルマスクを形成した。開口径はスキップビアは直径９０μｍで通常ビアは直径５０μｍとした。その銅箔を除去し、樹脂が露出しているコンフォーマルマスクの部分へ、炭酸ガスレーザ（日立ビアメカニクス株式会社製  レーザ加工条件１０００Ｈｚ、パルス幅１５μｍ、サイクル数７回あるいは３回）を照射し、樹脂を熱分解して除去することにより、直径９０μｍのスキップビア及び直径５０μｍの通常ビアを同時に加工した。デスミア処理は、膨潤部にスウェリングディップセキュリガントＰ（アドテックジャパン株式会社製）約５００ｍｌ／ｌと苛性ソーダ（信越化学工業株式会社製）ｐＨ９．５〜１１．８を使用、エッチング部にＮａＭｎＯ４約６０ｇ／ｌを使用、還元部にリダクションセキュリガントＰ（アドテックジャパン製）約７０ｍｌ／ｌと９８％Ｈ２ＳＯ４（古河機械金属株式会社製）約５０ｍｌ／ｌを使用したアトテック社製デスミア水平ラインをライン速度１．０ｍ／ｍｉｎ．で、２ｐａｓｓ処理を行った。
【００３７】
次に、銅箔上及びブラインドビア用の穴内部に、パラジウムコロイド触媒であるＨＳ２０１Ｂ（日立化成工業株式会社製、商品名）を使用して触媒核を付与後、ＣＵＳＴ２０００（日立化成工業株式会社製、商品名、「ＣＵＳＴ」は登録商標。）を使用して厚さ０．５μｍの下地無電解めっき層を穴内及び表面銅箔上に形成した。
【００３８】
次に、電解フィルドめっき（メルテックス株式会社製）により、厚み約３０μｍのめっきを下地無電解めっき層上に行った。その後、化学エッチング液（メック株式会社製  ＨＥ−７０００Ｙ）により、銅部分の厚さが２０μｍのハーフエッチングを行い、銅厚を薄くし、図３＜Ｃ−２＞に示すような、スキップビア３を有する６層基板を作製した。
【００３９】
次に、フィルドビアめっき表面フラットな６層基板に、ドライフィルムＳＬ−１３２９（日立化成工業株式会社、商品名）を使用して、基板上全面にラミネートを行い、配線パターン形成用のレジストを形成する。そのレジスト上に直描機（オルボテック社製  パラゴン８８００）により回路を焼付け、現像・塩化鉄によるエッチング・アルカリ性剥離液を用いてレジストの剥離の各処理をおこなうフォト法にて、配線パターン形成を行い、図３＜Ｃ−３＞に示すような、スキップビア３を有する６層フルスタック構造基板を作製した。
【００４０】
作製した６層スタック基板にＣＺ処理（メックエッチボンドＣＺ−８１００、メック株式会社製  商品名）により、表面粗さが１μｍ〜２μｍの凹凸を設けた。ロールコーターによりソルダレジスト（太陽インキ製造株式会社製  商品名：ＰＳＲ３０００−ＡＵＳ３０８ＲＣ）を塗布し、８０℃３０分仮乾燥を行ったのち、自動露光機を使用して露光量５５０ｍＪ／ｃｍ２で焼付けを行い、現像機により、厚さ約５０μｍのソルダレジスト形成を行った。次に、露出したランド表面に、５μｍ程度のニッケルめっき後、０．１μｍ程度の金めっき処理を行い、外形加工で各製品基板に切り分けた。
【００４１】
下記表１に、本発明の実施例と従来のコアレスビルドアップ工法との各項目の比較を示す。本発明によって、薄板対応可能な安価な任意位置層間接続構造の配線基板を提供することができた。
【００４２】
【表１】
2014067972.tif 000003
（符号の説明）
【００４３】
１…ビルドアップ層
２…スタックビア
３…スキップビア
４…４層コア又は４層コア基板
５…絶縁層
６…導体層
７…エッチング開口又は窓孔
８…銅箔
９…ノーマルビア又はビア
１０…独立ランド
１１…ランドを有しない領域
１２…多層配線基板
１３…銅張り積層板
１５…コア材
【図１】
2014067972.tif 000004
【図２】
2014067972.tif 000005
【図３】
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【図４】
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