(57)【要約】【課題】  本発明の課題は、ＯＰＣ補正時にホットスポットを軽減することを目的とする。【解決手段】  上記課題は、記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する処理をコンピュータに実行させるマスクパターン補正プログラムにより達成される。【選択図】  図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する
処理をコンピュータに実行させるマスクパターン補正プログラム。
【請求項２】
各評価点に対する前記マスクパターンの補正後ごとに、前記補正順を変更して、前記光強度の計算及び前記マスクパターンの補正を繰り返すことを特徴とした請求項１記載のプログラム。
【請求項３】
前記評価点と該評価点に対向する前記マスクパターンのエッジまでの距離を測定し、前記距離を降順にソーティングすることによって、前記補正順を変更することを特徴とした請求項２記載のプログラム。
【請求項４】
前記マスクパターンの補正の繰り返しが第１の回数を超えた場合に、前記補正順の変更を有効とすることを特徴とする請求項２乃至３のいずれか一項記載のプログラム。
【請求項５】
回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを記憶した記憶部と、
前記マスクパターンを補正する補正部とを有し、
前記補正部は、更に、
前記記憶部から前記評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて補正順を変更する補正順変更部と、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算する光強度計算部と、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正するマスクパターン補正部とを有するマスクパターン補正装置。
【請求項６】
コンピュータが、
記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する
マスクパターン補正方法によって補正された前記マスクパターンを用いて前記基板に前記回路パターンが転写されたフォトマスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製造工程におけるマスクパターンの光近接効果補正（ＯＰＣ）に関する。
【背景技術】
【０００２】
微細化が進む近年の半導体集積回路において、ウェーハへの転写精度を高めるために、光近接効果補正（以下、単にＯＰＣ（Optical Proximity Correction）と言う。）や超解像技術（ＲＥＴ）を用いることが一般的となっている。
【０００３】
ＯＰＣ処理は、ウェーハの転写形状をシミュレーションして補正を行う、モデ；8１ルベースＯＰＣを用いる場合が多いが、パターン形状によっては、露光条件のばらつき等により、パターンの断線や細り、又は、隣接するパターンとの接触等、ホットスポットと呼ばれる箇所が出てくる可能性がある。
【０００４】
従って、ＯＰＣにより発生する段差が、所定の段差の基準値以上となる場合に、段差が段差の基準値未満となるように繰り返し補正対象のエッジを再分割して、レイアウトパターンデータを補正する等が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−３４４９８５号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００４／０１０２９４５号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、近年の微細化に伴い、上述したような技術を用いても、ＯＰＣ後のパターンにホットスポット箇所が存在するため、大きく２種類のホットスポット対策が行われている。
【０００７】
１つは、リペアＯＰＣと呼ばれ、ＯＰＣ処理が完了した後に、リソグラフィックＤＲＣ（Design Rule Check）等で検出されたホットスポット箇所を修正するためのＯＰＣ処理を実施する方法である。もう１つの方法は、ＰＷ（Process Window）を考慮したＯＰＣ処理が挙げられる。これは、リソグラフィックＤＲＣの条件をドーズ量、フォーカス等により、複数条件をＯＰＣ処理のパラメータとして入力し、最適なＯＰＣ形状を生成するものである。しかし、この２つの方法は、処理時間の増加等、マスク描画データのＴ／ＯまでのＴＡＴ（Turn Around Time）が増加するという懸念がある。
【０００８】
１つの側面において、本発明の目的は、ＯＰＣ補正時にホットスポットを軽減することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本実施例の一態様によれば、記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する処理をコンピュータに実行させるマスクパターン補正プログラムとする。
【００１０】
また、コンピュータが、記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正するマスクパターン補正方法によって補正された前記マスクパターンを用いて前記基板に前記回路パターンが転写されたフォトマスクとすることができる。
【００１１】
また、上記課題を解決するための手段として、コンピュータによって実行されるマスクパターン補正方法、及び上記プログラムを記録した記録媒体とすることもできる。
【発明の効果】
【００１２】
本実施例の一態様によれば、ホットスポットを軽減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】ＯＰＣ後のパターンに存在するホットスポットの例を示す図である。
【図２】マスクパターン補正装置のハードウェア構成を示す図である。
【図３】マスクパターン補正装置の機能構成例を示す図である。
【図４】作成されるデータ例を示す図である。
【図５】ＯＰＣ処理の概要を説明するための図である。
【図６】実施例１に係る補正順の変更処理を説明するための図である。
【図７】実施例１の変形例を説明するための図である。
【図８】間隔測定の方法を説明するための図である。
【図９】実施例２に係る補正順の変更処理を説明するための図である。
【図１０】実施例３に係る補正順の変更処理を説明するための図である。
【図１１】実施例３の変形例を説明するための図である。
【図１２】線幅測定の方法を説明するための図である。
【図１３】実施例４に係る補正順の変更処理を説明するための図である。
【図１４】実施例４の変形例を説明するための図である。
【図１５】ソーティング例を説明するための図である。
【図１６】実施例５に係るＯＰＣ補正処理を説明するための図である。
【図１７】実施例５のパターンマッチング処理の変形例を説明するための図である。
【図１８】パターンの比較例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。図１は、ＯＰＣ後のパターンに存在するホットスポット（危険箇所）の例を示す図である。ホットスポットにおける欠陥には、パターン同士が接触するブリッジ（BRIDGE）と、パターンが断線するネック（NECK）とが存在する。
【００１５】
図１（Ａ）では、接触なく設計された本来のパターンに対して、ＯＰＣ後のパターンでは、パターン１ａとパターン１ｂとの間隔が狭くなった又は接触したブリッジ（BRIDGE）状のホットスポット１ｈの例を示している。図１（Ｂ）では、本来のパターンに対して、ＯＰＣ後のパターン２ａでは、線幅が細くなったネック（NECK）状のホットスポット２ｈの例を示している。
【００１６】
このようなホットスポット１ｈや２ｈが存在する場合には、欠陥が起こりやすいホットスポット箇所を修正するためのＯＰＣ処理が行われることになる。
【００１７】
本実施の形態では、ＯＰＣ補正後にパターン毎の光強度を計算する順番の違いで、影響するマスクパターンの見方が変わり、補正形状が異なってくることに着目し、適切な計算順序を決定してホットスポットが軽減される補正形状とする。
【００１８】
本実施の形態に係るマスクパターン補正装置は、図２に示すようなハードウェア構成を有する。図２は、マスクパターン補正装置のハードウェア構成を示す図である。図２において、マスクパターン補正装置１００は、コンピュータによって制御される端末であって、ＣＰＵ（Central Processing Unit）１１と、主記憶装置１２と、補助記憶装置１３と、入力装置１４と、表示装置１５と、出力装置１６と、通信Ｉ／Ｆ（インターフェース）１７と、ドライブ１８とを有し、バスＢに接続される。
【００１９】
ＣＰＵ１１は、主記憶装置１２に格納されたプログラムに従ってマスクパターン補正装置１００を制御する。主記憶装置１２には、ＲＡＭ（Random Access Memory）等が用いられ、ＣＰＵ１１にて実行されるプログラム、ＣＰＵ１１での処理に必要なデータ、ＣＰＵ１１での処理にて得られたデータ等を格納する。また、主記憶装置１２の一部の領域が、ＣＰＵ１１での処理に利用されるワークエリアとして割り付けられている。
【００２０】
補助記憶装置１３には、ハードディスクドライブが用いられ、各種処理を実行するためのプログラム等のデータを格納する。補助記憶装置１３に格納されているプログラムの一部が主記憶装置１２にロードされ、ＣＰＵ１１に実行されることによって、各種処理が実現される。記憶部１３０は、主記憶装置１２及び／又は補助記憶装置１３を有する。
【００２１】
入力装置１４は、マウス、キーボード等を有し、ユーザがマスクパターン補正装置１００による処理に必要な各種情報を入力するために用いられる。表示装置１５は、ＣＰＵ１１の制御のもとに必要な各種情報を表示する。出力装置１６は、プリンタ等を有し、ユーザからの指示に応じて各種情報を出力するために用いられる。通信Ｉ／Ｆ１７は、例えばインターネット、ＬＡＮ（Local Area Network）等に接続し、外部装置との間の通信制御をするための装置である。通信Ｉ／Ｆ１７による通信は無線又は有線に限定されるものではない。
【００２２】
マスクパターン補正装置１００によって行われる処理を実現するプログラムは、例えば、ＣＤ−ＲＯＭ（Compact Disc Read-Only Memory）等の記憶媒体１９によってマスクパターン補正装置１００に提供される。即ち、プログラムが保存された記憶媒体１９がドライブ１８にセットされると、ドライブ１８が記憶媒体１９からプログラムを読み出し、その読み出されたプログラムがバスＢを介して補助記憶装置１３にインストールされる。そして、プログラムが起動されると、補助記憶装置１３にインストールされたプログラムに従ってＣＰＵ１１がその処理を開始する。尚、プログラムを格納する媒体としてＣＤ−ＲＯＭに限定するものではなく、コンピュータが読み取り可能な媒体であればよい。コンピュータ読取可能な記憶媒体として、ＣＤ−ＲＯＭの他に、ＤＶＤディスク、ＵＳＢメモリ等の可搬型記録媒体、フラッシュメモリ等の半導体メモリであっても良い。
【００２３】
先ず、マスクパターン補正装置１００の機能構成について説明する。図３は、マスクパターン補正装置の機能構成例を示す図である。図３において、マスクパターン補正装置１００は、プレバイアス補正部５１と、エッジ分割部５２と、評価点設定部５３と、ＯＰＣ処理部５４とを有する。また、記憶部１３０には、設計データ３１と、ルールテーブル３２と、モデル３３と、回路マスクパターン４１と、目的回路パターン４２と、エッジ辺分割パターン４３と、評価点設定パターン４４とが記憶される。
【００２４】
プレバイアス補正部５１は、回路マスクパターン４１に対して、プレバイアス補正を行うことにより、プロセスに起因するずれをあらかじめ補正する処理部である。回路マスクパターン４１に対するプレバイアス補正値は、例えば、パターンの幅ごとの補正値としてルールテーブル３２に記憶されており、ルールテーブル３２を参照して、回路マスクパターン４１に対してプレバイアス補正が行われる。プレバイアス補正された回路マスクパターン４１は、目的回路パターン４２が記憶部１３０に格納される。
【００２５】
エッジ分割部５２は、光近接効果を補正する補正単位にパターンのエッジ辺を分割する処理部である。目的回路パターン４２に対する分割箇所を示すエッジ辺分割パターン４３が記憶部１３０に格納される。エッジ辺分割された一つの部分には、同じ補正値が適用される。
【００２６】
評価点設定部５３は、回路マスクパターン４１の各パターンのエッジ辺に光強度を求めるための評価点を設定する処理部である。目的回路パターン４２がウェーハ上のレジスト層に投影された場合のレジスト層の光強度が計算される位置に対応する。１つ又は複数の第１評価点が、エッジ辺分割された１つの補正単位に対して配置されれば良い。目的回路パターン４２に対する評価点の座標（以下、単に評価点と言う。）を示す評価点設定パターン４４が記憶部１３０に格納される。
【００２７】
ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、モデル３３を参照して、各評価点で光強度を計算し、パターンのエッジ辺の位置を補正するマスクパターン補正処理を行う処理部である。モデル３３では、例えば、露光波長及び露光強度等の条件が定められ、光強度の計算時に参照される。
【００２８】
設計データ３１は、配線レイアウトに係る情報を含むＬＳＩ（Large Scale Integration）の設計情報である。設計データ３１には、配線間隔、線幅等のデータが含まれている。
【００２９】
ルールテーブル３２は、パターンの幅ごとの補正値を示したテーブルであり、プレバイアス補正部５１によって参照される。モデル３３は、ＯＰＣ処理部５４にて実行される光強度計算で入力されるパラメータを含む。
【００３０】
回路マスクパターン４１は、設計データから得られる補正前の本来のマスクパターンである。目的回路パターン４２は、回路マスクパターン４１に対してバイアス補正されたパターンである。
【００３１】
エッジ辺分割パターン４３は、光近接効果を補正する補正単位で目的回路パターン４２のエッジ辺を分割した状態を示したパターンである。評価点設定パターン４４は、エッジ辺分割パターン４３に基づく評価点の設定を示したパターンである。
【００３２】
各処理によって作成されるデータ例を図４で説明する。図４は、作成されるデータ例を示す図である。図４において、回路マスクパターン４１は、設計データ３１に基づく設計時のマスクパターンを示す。
【００３３】
設計データ３１及びルールテーブル３２が入力され、プレバイアス補正部５１によってプレバイアス補正処理が行われると（ステップＳ１）、目的回路パターン４２が記憶部１３０に作成される。目的回路パターン４２は、回路マスクパターン４１に対してプレバイアス補正がなされたことによって、エッジ辺の形状が補正されている。
【００３４】
エッジ分割部５２によってエッジ分割処理が行われると（ステップＳ２）、光近接効果を補正する所定の補正単位で目的回路パターン４２を分割したエッジ辺分割パターン４３が記憶部１３０に出力される。
【００３５】
次に、評価点設定部５３によって評価点設定処理が行われると（ステップＳ３）、エッジ辺分割パターン４３に基づく目的回路パターン４２に対する評価点が設定された評価点設定データが記憶部１３０に出力される。
【００３６】
評価点が設定されることにより、ＯＰＣ処理部５４によるＯＰＣ処理が実行される。関連技術と比較しながら、本実施の形態におけるＯＰＣ処理について説明する。図５は、ＯＰＣ処理の概要を説明するための図である。
【００３７】
図５（Ａ）は、関連技術におけるＯＰＣ処理を説明するためのフローチャート図である。図５（Ａ）に示すＯＰＣ処理では、評価点設定パターン４４から評価点を取得して、評価点から所定範囲に存在する他評価点の既に計算された光強度を考慮して、評価点の光強度を計算する（ステップＳ１１）。
【００３８】
また、算出した光強度と所定光強度とに基づいて補正量を算出して、評価点に対応するエッジを移動する（ステップＳ１２）。そして、補正が完了したか否かを判断する（ステップＳ１３）。補正が完了していない場合（ステップＳ１３のＮｏ）、ステップＳ１１から上記処理を繰り返す。一方、補正が完了している場合（ステップＳ１３のＹｅｓ）、このＯＰＣ処理を終了する。
【００３９】
図５（Ａ）での関連技術によるＯＰＣ処理では、ステップＳ１１において光強度の計算では、評価点での光強度は、その評価点から所定範囲（例えば、４５０ｎｍ）の光強度の影響を考慮して計算される。
【００４０】
関連技術では、設定された評価点に対するＯＰＣ補正の順番が所定順で行われている。例えば、評価点設定パターン４４に対して、評価点ｐ１からｐ１２の順で光強度が計算されＯＰＣ補正されたとする。
【００４１】
この場合、評価点ｐ７のエッジと評価点ｐ１０のエッジとの間隔が細いため、ホットスポットになり易い。このような評価点では、所定範囲の評価点での光強度の計算結果を考慮して、光強度を算出することが望ましい。
【００４２】
しかしながら、例示した補正順では、評価点ｐ８、ｐ９及びｐ１１の計算結果を得る前に、ホットスポットになり易い評価点ｐ７の光強度が計算されＯＰＣ補正されてしまう。
【００４３】
従って、本実施の形態では、所定条件を満たす評価点を優先して、光強度を計算するように計算順を変更する。
【００４４】
図５（Ｂ）は、本実施の形態におけるＯＰＣ処理を説明するためのフローチャート図である。図５（Ｂ）において、本実施の形態に係るＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４から順に評価点を取得して、評価点から所定範囲に存在する他評価点の既に計算された光強度を考慮して、評価点の光強度を計算する（ステップＳ２１）。
【００４５】
また、ＯＰＣ処理部５４は、算出した光強度と所定光強度とに基づいて補正量を算出して、評価点に対応するエッジを移動する（ステップＳ２２）。評価点設定パターン４４で示される該当パターン（配線）の中心から評価点方向において当該評価点の位置するエッジの分割区間でパターン幅が変更される。
【００４６】
そして、ＯＰＣ処理部５４は、補正が完了したか否かを判断する（ステップＳ２３）。補正が完了していない場合（ステップＳ２３のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、補正順（優先順）を変更して（ステップＳ２４）、ステップＳ２１へ戻り、上記同様の処理を繰り返す。
【００４７】
一方、補正が完了している場合（ステップＳ２３のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、このＯＰＣ処理を終了する。
【００４８】
本実施の形態におけるＯＰＣ処理では、関連技術では評価点ｐ１からｐ１２の順であったのが、各評価点でのＯＰＣ処理の終了毎に行われる補正順の変更によって、評価点ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ５、ｐ１、ｐ６、ｐ８、ｐ９、ｐ１１、ｐ７、そしてｐ１０の順でＯＰＣ補正される。
【００４９】
ホットスポットになり易い評価点ｐ７のＯＰＣ補正を後回しにすることによって、周辺の評価点ｐ８、ｐ９及びｐ１１等の光強度の計算結果を事前に得ることができる。従って、本実施の形態では、評価点ｐ７のＯＰＣ補正を適切に行え、ホットスポットを軽減することができる。
【００５０】
本実施の形態における、図５（Ｂ）のステップＳ２４での補正順の変更処理について説明する。図５（Ｂ）に示す本実施の形態におけるＯＰＣ補正処理において、繰り返す毎に、補正後のパターン（配線）の幅及びパターン（配線）の間隔を測定し、規定の寸法以下になった場合に補正順を変更する。
【００５１】
パターンの間隔を測定して補正順を決定する実施例１について説明する。実施例１では、図１（Ａ）に例示されるようなパターン間がブリッジされてしまうホットスポットを軽減することができる。
【００５２】
図６は、実施例１に係る補正順の変更処理を説明するための図である。図６（Ａ）では、実施例１に係る補正順の変更処理のフローチャート図を示し、図６（Ｂ）では、この補正順の変更処理によるデータ例を示す。
【００５３】
図６（Ａ）の補正順の変更処理について説明する。ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、評価点を所定順で１つずつ取得し、評価点位置のパターン及び評価点位置近隣のパターンに係る配線情報から、評価点と評価点が位置するパターンのエッジ辺に対向するパターンまでの間隔を測定する（ステップＳ３１）。
【００５４】
ＯＰＣ処理部５４は、記憶部１３０の測定結果ファイル４５に評価点の座標及び間隔を測定結果として出力して（ステップＳ３２）、評価点全てに対して間隔測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ３３）。評価点全てに対して間隔測定を終了していない場合（ステップＳ３３のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ３１へ戻り、上述同様の処理を行う。
【００５５】
評価点全てに対して間隔測定を終了した場合（ステップＳ３３のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイル４５を間隔の大きい順にソーティングして（ステップＳ３４）、その結果を示す補正順変更リスト４６を記憶部１３０に作成する（ステップＳ３５）。ＯＰＣ処理部５４は、補正順の変更処理を終了する。
【００５６】
図６（Ｂ）に示す評価点設定パターン４４において、評価点の取得順がｐ１〜ｐ１２の順である場合、この順で、評価点の座標と、測定した間隔とが測定結果ファイル４５に出力される。
【００５７】
評価点全てに対して処理を終了すると、測定結果ファイル４５を間隔の大きい順にソーティングされた結果を示す補正順変更リスト４６が作成される。補正順変更リスト４６によって、例えば、評価点ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ５、ｐ１２、ｐ６、ｐ８、ｐ９、ｐ１１、ｐ７、ｐ１０の補正順が示される。
【００５８】
パターンの間隔を測定して補正順を決定する実施例１の変形例を説明する。図７は、実施例１の変形例を説明するための図である。図７（Ａ）では、実施例１の変形例のフローチャート図を示し、図７（Ｂ）では、この補正順の変更処理の変形例によるデータ例を示す。この変形例では、補正後のパターンの間隔が、ユーザが設定した間隔の寸法（以下、所定間隔と言う。）以下の評価点に関してのみソーティングし、間隔の寸法より大きい評価点のＯＰＣ補正の後にＯＰＣ補正が行われるようにする。
【００５９】
図７（Ａ）の補正順の変更処理の変形例について説明する。ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、評価点を所定順で１つずつ取得し、評価点位置のパターン及び評価点位置近隣のパターンに係る配線情報から、評価点と評価点が位置するパターンのエッジ辺に対向するパターンまでの間隔を測定する（ステップＳ４１）。
【００６０】
ＯＰＣ処理部５４は、測定した間隔が予めユーザによって設定された所定間隔より大きいか否かを判断する（ステップＳ４２）。所定間隔より大きい場合（ステップＳ４２のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＡに評価点の座標を出力する（ステップＳ４３）。一方、所定間隔以下の場合（ステップＳ４２のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＢに評価点の座標を出力する（ステップＳ４４）。
【００６１】
そして、ＯＰＣ処理部５４は、全ての評価点に対して間隔測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ４５）。間隔測定を終了していない場合（ステップＳ４５のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ４１へと戻り、上述同様の処理を繰り返す。一方、間隔測定を終了した場合（ステップＳ４５のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＢを間隔の大きい順にソーティングして（ステップＳ４６）、その結果を示す補正順変更リスト４６を記憶部１３０に作成する（ステップＳ４７）。ＯＰＣ処理部５４は、実施例１の変形例における補正順の変更処理を終了する。
【００６２】
図７（Ｂ）に示す評価点設定パターン４４において、評価点の取得順がｐ１〜ｐ１２の順である場合、この順で測定した間隔と所定間隔との比較が行われることによって、測定結果ファイルＡには評価点ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ５、及びｐ１２が記憶される。一方、測定結果ファイルＢには評価点ｐ６、ｐ７、ｐ８、ｐ９、ｐ１０、及びｐ１１が記憶される。少なくとも、測定結果ファイルＢでは、評価点の座標と、測定した間隔とが記憶される。
【００６３】
図６（Ａ）のステップＳ３１の間隔測定及び図７（Ａ）のステップＳ４１の間隔測定について図８で説明する。図８は、間隔測定の方法を説明するための図である。図８では、評価点設定パターン４４に基づく評価点に対する間隔測定で説明する。
【００６４】
先ず、評価点と対向するエッジ上に真向かいになる評価点がある場合、その評価点同士の延長上にある補正後図形のエッジ間隔を測定する。この評価点設定パターン４４の例では、評価点ｐ７と評価点ｐ１０である。
【００６５】
次に、上述以外の評価点に対して、評価点と対向するエッジとの距離を測定する。この評価点設定パターン４４の例では、評価点ｐ１、ｐ２、ｐ３、ｐ４、ｐ５、ｐ６、ｐ８、ｐ９、ｐ１１、及びｐ１２からの距離が測定される。
【００６６】
図５（Ｂ）のフローチャートによるＯＰＣ補正処理では、各評価点のＯＰＣ補正毎に補正順の変更処理を行っているが、最初の繰り返しで補正順の変更処理を行ったとしても、その効果が薄いと共に、ＴＡＴが増加する懸念がある。従って、実施例２では、例えば、繰り返しの回数が２０回である場合、１０回までは従来の方法で１１回目以降は補正順の変更処理を行うようにする。
【００６７】
図９は、実施例２に係る補正順の変更処理を説明するための図である。図９において、ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４から順に評価点を取得して、評価点から所定範囲に存在する他評価点の既に計算された光強度を考慮して、評価点の光強度を計算する（ステップＳ５１）。
【００６８】
また、ＯＰＣ処理部５４は、算出した光強度と所定光強度とに基づいて補正量を算出して、評価点に対応するエッジを移動する（ステップＳ５２）。評価点設定パターン４４で示される該当パターン（配線）の中心から評価点方向において当該評価点の位置するエッジの分割区間でパターン幅が変更される。
【００６９】
そして、ＯＰＣ処理部５４は、補正が完了したか否かを判断する（ステップＳ５３）。補正が完了していない場合（ステップＳ５３のＮｏ）は、ＯＰＣ処理部５４は、繰り返し回数が所定回数（例えば、１０回）を超えたか否かを判断する（ステップＳ５４）。所定回数以下の場合（ステップＳ５４のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ５１へと戻り、上記同様の処理を繰り返す。
【００７０】
一方、所定回数を超えた場合（ステップＳ５４のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、補正順（優先順）を変更して（ステップＳ５５）、ステップＳ５１へ戻り、上記同様の処理を繰り返す。
【００７１】
一方、補正が完了している場合（ステップＳ５３のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、このＯＰＣ処理を終了する。
【００７２】
上述した実施例２に係る補正順の変更処理によって、所定回数、つまり、所定個数の評価点の補正後に補正順を変更することにより、計算対象の評価点から所定範囲内の評価点の光強度の計算結果を十分に考慮することができる。従って、精度良くＯＰＣ補正を行うことができる。
【００７３】
次に、図１（Ｂ）に例示されるようなネック（NECK）状のホットスポットを軽減させるための補正順の変更処理について実施例３で説明する。
【００７４】
図１０は、実施例３に係る補正順の変更処理を説明するための図である。図１０において、ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、評価点を所定順で１つずつ取得し、評価点位置のパターンに係る配線情報から、評価点が位置するパターンにおける線幅を測定する（ステップＳ６１）。
【００７５】
ＯＰＣ処理部５４は、評価点からの線幅を記憶部１３０の測定結果ファイル４５に評価点の座標及び線幅を測定結果として出力して（ステップＳ６２）、評価点全てに対して線幅測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ６３）。評価点全てに対して線幅測定を終了していない場合（ステップＳ６３のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ３１へ戻り、上述同様の処理を行う。
【００７６】
評価点全てに対して線幅測定を終了した場合（ステップＳ６３のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイル４５を線幅の大きい順にソーティングして（ステップＳ６４）、その結果を示す補正順変更リスト４６を記憶部１３０に作成する（ステップＳ６５）。ＯＰＣ処理部５４は、補正順の変更処理を終了する。
【００７７】
パターンの線幅を測定して補正順を決定する実施例３の変形例を説明する。図１１は、実施例３の変形例を説明するための図である。図１１において、ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、評価点を所定順で１つずつ取得し、評価点位置のパターンに係る配線情報から、評価点が位置するパターンにおける線幅を測定する（ステップＳ７１）。
【００７８】
ＯＰＣ処理部５４は、測定した線幅が予めユーザによって設定された所定線幅より大きいか否かを判断する（ステップＳ７２）。所定線幅より大きい場合（ステップＳ７２のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＡに評価点の線幅を出力する（ステップＳ７３）。一方、所定線幅以下の場合（ステップＳ７２のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＢに評価点の線幅を出力する（ステップＳ７３）。
【００７９】
そして、ＯＰＣ処理部５４は、全ての評価点に対して線幅測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ７５）。線幅測定を終了していない場合（ステップＳ７５のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ７１へと戻り、上述同様の処理を繰り返す。
【００８０】
一方、線幅測定を終了した場合（ステップＳ７５のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＢを線幅の大きい順にソーティングして（ステップＳ７６）、その結果を示す補正順変更リスト４６を記憶部１３０に作成する（ステップＳ７７）。ＯＰＣ処理部５４は、実施例３の変形例における補正順の変更処理を終了する。
【００８１】
図１０のステップＳ６１の線幅測定及び図１１のステップＳ７１の線幅測定について図１２で説明する。図１２は、線幅測定の方法を説明するための図である。図１２では、評価点設定パターン４４に基づく評価点に対する線幅測定で説明する。
【００８２】
先ず、評価点とパターン内側の対向エッジ上に真向かいになる評価点がある場合、その評価点同士の延長上にある補正後図形のエッジ間隔を測定する。この評価点設定パターン４４の例では、評価点ｐ３及びｐ７と、評価点ｐ９及びｐ１１とである。
【００８３】
次に、評価点とパターン内側の対向エッジとの距離を測定する。この評価点設定パターン４４の例では、評価点ｐ２、ｐ８、ｐ６、及びｐ４からの距離が測定される。
【００８４】
一方で、評価点ｐ１と対向エッジｐ１'、評価点ｐ１０と評価点ｐ１２、及び評価点ｐ５と対向エッジｐ５'は線幅測定としては対象外とする。例えば、設計ルールで最小線幅の２倍以上の場合は対象外とするとしてもよい。
【００８５】
次に、ブリッジ（BRIDGE）及びネック（NECK）状のホットスポットを同時に考慮した補正順の変更処理を実施例４で説明する。図１３は、実施例４に係る補正順の変更処理を説明するための図である。図１３において、ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、評価点を所定順で１つずつ取得し、評価点位置のパターン及び評価点位置近隣のパターンに係る配線情報から、評価点と評価点が位置するパターンのエッジ辺に対向するパターンまでの間隔を測定する（ステップＳ８１）。
【００８６】
ＯＰＣ処理部５４は、記憶部１３０の測定結果ファイル４５に評価点の座標及び間隔を測定結果として出力して（ステップＳ８２）、評価点全てに対して間隔測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ８３）。評価点全てに対して間隔測定を終了していない場合（ステップＳ８３のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ８１へ戻り、上述同様の処理を行う。
【００８７】
評価点全てに対して間隔測定を終了した場合（ステップＳ８３のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、評価点を所定順で１つずつ取得し、評価点位置のパターンに係る配線情報から、評価点が位置するパターンにおける線幅を測定する（ステップＳ８４）。
【００８８】
ＯＰＣ処理部５４は、評価点からの線幅を記憶部１３０の測定結果ファイル４５に同一座標に対応付けて線幅を測定結果として出力して（ステップＳ８５）、評価点全てに対して線幅測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ８６）。評価点全てに対して線幅測定を終了していない場合（ステップＳ８６のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ８４へ戻り、上述同様の処理を行う。
【００８９】
評価点全てに対して線幅測定を終了した場合（ステップＳ８６のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイル４５を所定ソート方法によってソーティングして（ステップＳ８７）、その結果を示す補正順変更リスト４６を記憶部１３０に作成する（ステップＳ８８）。ＯＰＣ処理部５４は、補正順の変更処理を終了する。
【００９０】
所定ソート方法において、間隔と線幅とに夫々の係数を乗算して合計した値を用いてソートする。狭い間隔、かつ、狭い線幅を示した評価点において、所定範囲内の光強度が考慮されてＯＰＣ補正されるように、間隔が広く、かつ、線幅が広い評価点が先にＯＰＣ補正されるように補正順を変更する。
【００９１】
パターンの間隔及び線幅を測定して補正順を決定する実施例４の変形例を説明する。図１４は、実施例４の変形例を説明するための図である。図１４において、ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、評価点を所定順で１つずつ取得し、評価点位置のパターン及び評価点位置近隣のパターンに係る配線情報から、評価点と評価点が位置するパターンのエッジ辺に対向するパターンまでの間隔を測定する（ステップＳ９１）。
【００９２】
ＯＰＣ処理部５４は、測定した間隔が予めユーザによって設定された所定間隔より大きいか否かを判断する（ステップＳ９２）。所定間隔より大きい場合（ステップＳ９２のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＡに評価点の座標を出力する（ステップＳ９３）。一方、所定間隔以下の場合（ステップＳ９２のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＢに評価点の座標を出力する（ステップＳ９４）。
【００９３】
そして、ＯＰＣ処理部５４は、全ての評価点に対して間隔測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ９５）。間隔測定を終了していない場合（ステップＳ９５のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ９１へと戻り、上述同様の処理を繰り返す。
【００９４】
一方、間隔測定を終了した場合（ステップＳ９５のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、評価点を所定順で１つずつ取得し、評価点位置のパターンに係る配線情報から、評価点が位置するパターンにおける線幅を測定する（ステップＳ９６）。
【００９５】
ＯＰＣ処理部５４は、測定した線幅が予めユーザによって設定された所定線幅より大きいか否かを判断する（ステップＳ９７）。所定線幅より大きい場合（ステップＳ９７のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＡに評価点の線幅を出力する（ステップＳ９８）。一方、所定線幅以下の場合（ステップＳ９７のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＢに評価点の線幅を出力する（ステップＳ９９）。
【００９６】
そして、ＯＰＣ処理部５４は、全ての評価点に対して線幅測定を終了したか否かを判断する（ステップＳ１００）。線幅測定を終了していない場合（ステップＳ１００のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ９６へと戻り、上述同様の処理を繰り返す。
【００９７】
一方、線幅測定を終了した場合（ステップＳ１００のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイル４５を所定ソート方法によってソーティングして（ステップＳ１０１）、その結果を示す補正順変更リスト４６を記憶部１３０に作成する（ステップＳ１０２）。ＯＰＣ処理部５４は、補正順の変更処理を終了する。
【００９８】
実施例４の変形例では、測定結果ファイルＡと測定結果ファイルＢとを、間隔測定用と線幅測定用とで個別に用意する。
【００９９】
ステップＳ１０１の所定ソート方法では、間隔測定用の測定結果ファイルＢで間隔の大きい順に評価点をソートして順序付けを行う。また、線幅測定用の測定結果ファイルＢで線幅の大きい順に評価点をソートして順序付けを行う。間隔の順序付けと線幅の順序付けとに基づいて、線幅及び間隔の大きい評価点が優先的に処理されるように補正順を決定する。順序付けされた順番を合計した値で降順に並べ替えて補正順を決めて、線幅測定用の測定結果ファイルＢを書き換える。この場合、間隔測定用の測定結果ファイルＢと線幅測定用の測定結果ファイルＢとに存在しない評価点のみを、言い換えると、間隔測定用の測定結果ファイルＡと線幅測定用の測定結果ファイルＡの両方に存在する評価点のみを、線幅用の測定結果ファイルＡで示すように線幅用の測定結果ファイルＡを書き換える。
【０１００】
ステップＳ１０２では、書き換えた線幅用の測定結果ファイルＡと線幅測定用の測定結果ファイルＢとをマージすることで、補正順変更リスト４６を作成できる。
【０１０１】
狭い間隔であって狭い線幅を示した評価点に対しては所定範囲内の光強度が考慮されてＯＰＣ補正されるように、間隔が広く、かつ、線幅が広い評価点が先にＯＰＣ補正されるように補正順が変更される。
【０１０２】
ソーティングの例について説明する。図１５は、ソーティング例を説明するための図である。図１５（Ａ）では、間隔ソーティングの例を示す。図１５（Ａ）において、測定結果ファイル４５に格納された間隔（Space）の値に基づいて降順にソーティングする。この例では、測定結果ファイル４５に、間隔（Space）と評価点の座標Ｘ及びＹとが格納されている。
【０１０３】
間隔（Space）が６０、１００、７９、９０、及び８５の評価点が記憶されている場合、これら間隔（Space）を降順にソーティングすると、間隔（Space）が１００、９０、８５、７９、そして６０の順に評価点が並べられる。間隔（Space）が６０の評価点が最後にＯＰＣ補正されることになる。
【０１０４】
図１５（Ｂ）では、線幅ソーティングの例を示す。図１５（Ｂ）において、測定結果ファイル４５に格納された線幅（Width）の値に基づいて降順にソーティングする。この例では、測定結果ファイル４５に、線幅（Width）と評価点の座標Ｘ及びＹとが格納されている。
【０１０５】
線幅（Width）が１２０、８５、７２、１０２、及び９０の評価点が記憶されている場合、これら線幅（Width）を降順にソーティングすると、線幅（Width）が１２０、１０２、９０、８５、そして７２の順に評価点が並べられる。線幅（Width）が７２の評価点が最後にＯＰＣ補正されることになる。
【０１０６】
次に、間隔測定及び線幅測定をすることなく、パターンマッチングにより補正順を決定する実施例５について説明する。図１６は、実施例５に係るＯＰＣ補正処理を説明するための図である。図１６において、パターンライブラリ４７が予め記憶部１３０に用意されている。パターンライブラリ４７は、ユーザによって選択された、過去に得られた、回路マスクパターン４１、目的回路パターン４２、ＯＰＣ後回路マスクパターン３４のいずれかのデータであり、ホットスポットになり易い部分を含むパターン図形と、ホットスポットになり易い部分の評価点の座標とを含む。
【０１０７】
ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、評価点を所定順で取得し、パターンライブラリ４７に格納されたパターン図形と評価点の座標とからパターンマッチングを行って（ステップＳ１１１）、マッチングされたパターンが有ったか否かを判断する（ステップＳ１１２）。
【０１０８】
マッチングされたパターンが無い場合（ステップＳ１１２のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＡに座標を出力して（ステップＳ１１３）、ステップＳ１１５へと進む。一方、マッチングされたパターンが有る場合（ステップＳ１１２のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＢに座標を出力して（ステップＳ１１４）、ステップＳ１１５へと進む。
【０１０９】
ＯＰＣ処理部５４は、マッチングが終了したか否かを判断する（ステップＳ１１５）。マッチングが終了していない場合（ステップＳ１１５のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ１１１へと戻り、上述同様の処理を繰り返す。
【０１１０】
一方、マッチングが終了した場合（ステップＳ１１５のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＡと測定結果ファイルＢとをマージして、補正順変更リスト４６を記憶部１３０に作成する（ステップＳ１１６）。
【０１１１】
そして、ＯＰＣ処理部５４は、図５（Ｂ）のステップＳ２１からＳ２３と同様の処理を行う。実施例５では、光強度を計算する前に、補正順を決めておくため、繰り返し処理は、ステップＳ２３において補正が完了していないと判断した場合にはステップＳ２１へと戻る処理となる。補正が完了したと判断した場合に、ＯＰＣ処理部５４は、ＯＰＣ補正処理を終了する。従って、ＯＰＣ補正前に補正順を決定しておくため、繰り返し毎に補正順の変更処理を行う必要がない。
【０１１２】
上述した図１６のステップＳ１１１からＳ１１６までのパターンマッチング処理の変形例を図１７で説明する。図１７は、実施例５のパターンマッチング処理の変形例を説明するための図である。
【０１１３】
図１７において、ＯＰＣ処理部５４は、評価点設定パターン４４に基づいて、評価点を所定順で１つずつ取得し、パターンライブラリ４７に格納されたパターン図形と評価点の座標とからパターンマッチングを行って（ステップＳ１２１）、マッチングされたパターンが有ったか否かを判断する（ステップＳ１２２）。
【０１１４】
マッチングされたパターンが無い場合（ステップＳ１２２のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＡに座標を出力して（ステップＳ１２３）、ステップＳ１２５へと進む。一方、マッチングされたパターンが有る場合（ステップＳ１２２のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＢに座標を出力して（ステップＳ１２４）、ステップＳ１２５へと進む。
【０１１５】
ＯＰＣ処理部５４は、マッチングが終了したか否かを判断する（ステップＳ１２５）。マッチングが終了していない場合（ステップＳ１２５のＮｏ）、ＯＰＣ処理部５４は、ステップＳ１２１へと戻り、上述同様の処理を繰り返す。
【０１１６】
一方、マッチングが終了した場合（ステップＳ１２５のＹｅｓ）、ＯＰＣ処理部５４は、測定結果ファイルＡと測定結果ファイルＢとをマージして、補正順変更リスト４６を記憶部１３０に作成して（ステップＳ１２６）、パターンマッチング処理の変形例を終了する。
【０１１７】
その後、図１６で説明した処理と同様に、ＯＰＣ処理部５４は、図５（Ｂ）のステップＳ２１からＳ２３と同様の処理を行う。この変形例においても、ＯＰＣ補正前に補正順を決定しておくため、繰り返し毎に補正順の変更処理を行う必要がない。
【０１１８】
次に、関連技術で作成されたパターンと、本実施の形態で作成されたパターンとの比較を図１８で説明する。図１８は、パターンの比較例を示す図である。
【０１１９】
図１８（Ａ）では、本実施の形態が適用されていない関連技術によるＯＰＣ補正により作成された、ガラス基板７ａ上にクロムなどの金属を用いて、電気回路の線を描画したフォトマスク７ｂの例が示されている。このようなフォトマスク７ｂでウェーハ上に転写した配線パターン８ａでは、ホットスポット８ｂにブリッジが形成されている。パターン間の間隔及び線幅が適切に補正されずにフォトマスク７ｂが形成されたことが原因となっている。
【０１２０】
図１８（Ｂ）では、本実施の形態を適用したＯＰＣ補正により作成された、ガラス基板７ａ上にクロムなどの金属を用いて、電気回路の線を描画したフォトマスク７ｃの例が示されている。図１８（Ａ）で例示されるフォトマスク７ｂと比べると、ホットスポット８ｂにおいて、パターン間の距離が広く、また、パターンの線幅が細く調整されている。このようなフォトマスク７ｃでウェーハ上に転写した配線パターン８ｃでは、ホットスポット８ｂにブリッジが形成されておらず欠陥のない状態を示している。パターン間の間隔及び線幅が適切に補正される。
【０１２１】
このように、ホットスポット箇所を最後に補正するように補正順を変更することによって、光強度計算時に取り込むパターンが最適化され、ホットスポットが回避された結果となる。
【０１２２】
上述したように、本実施の形態では、モデルベースＯＰＣにおいて、欠陥が形成され易いホットスポット（危険箇所）を判断し、ＯＰＣ補正における光強度の計算順番を変更させることによって、周辺の計算結果が考慮されるように危険箇所を最後に計算することができ、よって、ホットスポットを回避することができる。
【０１２３】
本発明は、具体的に開示された実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲から逸脱することなく、種々の変形や変更が可能である。
【０１２４】
以上の実施例１〜５を含む実施形態に関し、更に以下の付記を開示する。
（付記１）
記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する
処理をコンピュータに実行させるマスクパターン補正プログラム。
（付記２）
各評価点に対する前記マスクパターンの補正後ごとに、前記補正順を変更して、前記光強度の計算及び前記マスクパターンの補正を繰り返すことを特徴とした付記１記載のマスクパターン補正プログラム。
（付記３）
前記評価点と該評価点に対向する前記マスクパターンのエッジまでの距離を測定し、前記距離を降順にソーティングすることによって、前記補正順を変更することを特徴とした付記２記載のマスクパターン補正プログラム。
（付記４）
前記マスクパターンは複数のパターンを有し、
少なくとも前記評価点からの前記評価点を有する第１のパターンと前記第１のパターンと対向する第２のパターンとの間隔又は、該評価点からの前記第１のパターンの線幅のいずれか一方を、前記距離として測定することを特徴とする付記３記載のマスクパターン補正プログラム。
（付記５）
前記マスクパターンの補正の繰り返しが第１の回数を超えた場合に、前記補正順の変更を有効とすることを特徴とする付記２乃至４のいずれか一項記載のマスクパターン補正プログラム。
（付記６）
前記光近接効果による欠陥が発生し易い評価点ほど、他の評価点より後で補正されるように、前記補正順が変更されることを特徴とする付記１乃至５のいずれか一項記載のマスクパターン補正プログラム。
（付記７）
回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを記憶した記憶部と、
前記マスクパターンを補正する補正部とを有し、
前記補正部は、更に、
前記記憶部から前記評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて補正順を変更する補正順変更部と、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算する光強度計算部と、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正するマスクパターン補正部とを有するマスクパターン補正装置。
（付記８）
コンピュータによって実行されるマスクパターン補正方法であって、
記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する
ことを特徴とするマスクパターン補正方法。
（付記９）
コンピュータが、
記憶部に記憶された、回路パターンを基板に転写するマスクパターンに対して光強度を求める評価点が設定された評価点設定パターンを参照して、光近接効果による欠陥の発生し易さに基づいて該評価点の補正順を変更し、
前記補正順に従って評価点の光強度を計算し、
前記光強度の計算結果に基づいて前記マスクパターンを補正する
マスクパターン補正方法によって補正された前記マスクパターンを用いて前記基板に前記回路パターンが転写されたフォトマスク。
【符号の説明】
【０１２５】
１ａ、１ｂ    パターン
１ｈ          ホットスポット
２ａ          パターン
２ｈ          ホットスポット
７            ガラス基板
１１          ＣＰＵ
１２          主記憶装置
１３          補助記憶装置
１４          入力装置
１５          表示装置
１６          出力装置
１７          通信Ｉ／Ｆ
１８          ドライブ
１９          記憶媒体
３１          設計データ
３２          ルールテーブル
３３          モデル
３４          ＯＰＣ後回路マスクパターン
４１          回路マスクパターン
４２          目的回路パターン
４３          エッジ辺分割パターン
４４          評価点設定パターン
５１          プレバイアス補正部
５２          エッジ分割部
５３          評価点設定部
５４          ＯＰＣ処理部
１００        マルクパターン補正装置
１３０        記憶部
【図１】
2014164089.tif 000003
【図２】
2014164089.tif 000004
【図３】
2014164089.tif 000005
【図４】
2014164089.tif 000006
【図５】
2014164089.tif 000007
【図６】
2014164089.tif 000008
【図７】
2014164089.tif 000009
【図８】
2014164089.tif 000010
【図９】
2014164089.tif 000011
【図１０】
2014164089.tif 000012
【図１１】
2014164089.tif 000013
【図１２】
2014164089.tif 000014
【図１３】
2014164089.tif 000015
【図１４】
2014164089.tif 000016
【図１５】
2014164089.tif 000017
【図１６】
2014164089.tif 000018
【図１７】
2014164089.tif 000019
【図１８】
2014164089.tif 000020