(57)【要約】【課題】被検査物からの前方散乱光、および後方散乱光に対する測定感度を向上させる。【解決手段】表面欠陥検査装置において、前方散乱光を受光する検出レンズ２１ｂ、検出レンズ２１ｂを通過した前方散乱光を反射させる全反射ミラー２２ｂ、前方散乱光を検出する光電変換素子２３ｂを有する前方散乱光検出部２０ｂと、後方散乱光を受光する検出レンズ２１ａ、検出レンズ２１ａを通過した後方散乱光を反射させる全反射ミラー２２ａ、後方散乱光を検出する光電変換素子２３ａを有する後方散乱光検出部２０ａとを有する。光電変換素子２３ｂは、検出レンズ２１ｂが有する光を直接透過させる直接光透過部を通過して全反射ミラー２２ｂによって側方に分離された前方散乱光を検出し、光電変換素子２３ｂは、検出レンズ２１ａの直接光透過部を通過して全反射ミラー２２ａによって側方に分離された後方散乱光を検出する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検査物に検査光を照射する照明部と、
前記被検査物からの前方散乱光を検出する前方散乱光検出部と、
前記被検査物からの後方散乱光を検出する後方散乱光検出部と、
前記前方散乱光検出部、および前記後方散乱光検出部にて検出した結果を処理する処理装置と、
前記被検査物を支持するステージと、
を有し、
前記前方散乱光検出部は、
前記照明部から前記被検査物に照射された検査光による欠陥からの前方散乱光を受光する第１の検出レンズと、
前記第１の検出レンズを通過した前方散乱光を反射させる第１の全反射ミラーと、
前記前方散乱光を検出する第１の光電変換素子と、
を有し、
前記後方散乱光検出部は、
前記照明部から前記被検査物に照射された検査光による欠陥からの後方散乱光を受光する第２の検出レンズと、
前記第２の検出レンズを通過した後方散乱光を反射させる第２の全反射ミラーと、
前記後方散乱光を検出する第２の光電変換素子と、
を有し、
前記第１の検出レンズ、前記第２の検出レンズ、前記第１の全反射ミラー、および前記第２の全反射ミラーは、光を直接透過させる直接光透過部をそれぞれ有し、
前記第１の光電変換素子は、前記第１の検出レンズが有する前記直接光透過部を通過して前記第１の全反射ミラーによって側方に分離された前方散乱光を検出し、
前記第２の光電変換素子は、前記第２の検出レンズが有する前記直接光透過部を通過して前記第２の全反射ミラーによって側方に分離された後方散乱光を検出する、表面欠陥検査装置。
【請求項２】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記第１および前記第２の検出レンズが有する前記直接光透過部は、レンズの中央部に形成された孔であり、
前記第１および前記第２の全反射ミラーが有する前記直接光透過部は、ミラーの中央部に形成された孔である、表面欠陥検査装置。
【請求項３】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記第１および前記第２の検出レンズが有する前記直接光透過部は、レンズの中央部を切除した空間であり、
前記第１および前記第２の全反射ミラーが有する前記直接光透過部は、ミラーの中央部を切除した空間である、表面欠陥検査装置。
【請求項４】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
さらに、正反射光を検出する正反射光検出部を有し、
前記正反射光検出部は、前記第１の検出レンズ、および前記第１の全反射ミラーがそれぞれ有する前記直接光透過部を通過する正反射光を検出する、表面欠陥検査装置。
【請求項５】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記第２の光電変換素子は、前記照明部から照射された前記検査光が前記第２の検出レンズ、および前記第２の全反射ミラーがそれぞれ有する前記直接光透過部を通過して前記被検査物に照射され、前記第２の全反射ミラーが反射する後方散乱光を検出する、表面欠陥検査装置。
【請求項６】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記後方散乱光検出部は、前記照明部と前記前方散乱光検出部による前記前方散乱光の検出の際に、前記被検査物からの側方散乱光を検出し、
前記前方散乱光検出部は、前記照明部と前記後方散乱光検出部による前記後方散乱光の検出の際に、前記被検査物からの側方散乱光を検出する、表面欠陥検査装置。
【請求項７】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記ステージは、前記検査光を前記被検査物へ照射する際に、支持した前記被検査物を回転させながら前記被検査物の半径方向に移動する、表面欠陥検査装置。
【請求項８】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記前方散乱光検出部は、前記前方散乱光を受光する受光角度が可変できる、表面欠陥検査装置。
【請求項９】
請求項４記載の表面欠陥検査装置において、
前記正反射光検出部は、前記検査光の入射角度と前記正反射光検出部の受光角度とが等しくなるように可動する、表面欠陥検査装置。
【請求項１０】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記後方散乱光検出部は、前記後方散乱光を受光する受光角度が可変できる、表面欠陥検査装置。
【請求項１１】
請求項１記載の表面欠陥検査装置において、
前記後方散乱光検出部は、前記検査光の入射角度と前記後方散乱光検出部の受光角度とが等しくなるように可動する、表面欠陥検査装置。
【請求項１２】
照明部から被検査物に照射された検査光による欠陥からの前方散乱光を受光する第１の検出レンズと、前記第１の検出レンズを通過した前方散乱光を反射させる第１の全反射ミラーと、前記被検査物に照射された検査光による欠陥からの後方散乱光を受光する第２の検出レンズと、前記第２の検出レンズを通過した後方散乱光を反射させる第２の全反射ミラーとを有し、前記第１の検出レンズ、前記第２の検出レンズ、前記第１の全反射ミラー、および前記第２の全反射ミラーは、光を直接透過させる直接光透過部をそれぞれ有する表面欠陥検査装置による表面欠陥検査方法であって、
前記第１の全反射ミラーによって側方に分離された前方散乱光を第１の光電変換素子によって検出するステップと、
前記第１の検出レンズ、および前記第１の全反射ミラーがそれぞれ有する前記直接光透過部を通過する正反射光を正反射光検出部によって検出するステップと、
を有する、表面欠陥検査方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の表面欠陥検査方法において、
さらに、前記第２の検出レンズが受光し、前記第２の全反射ミラーによって側方に分離された前記後方散乱光を第２の光電変換素子によって検出するステップを有する、表面欠陥検査方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の表面欠陥検査方法において、
さらに、処理装置によって、前記第１および前記第２の光電変換素子によって検出された光散乱強度と前記被検査物の散乱傾向を分類する分類しきい値とに基づいて、前記被検査物の散乱傾向を分類するステップを有する、表面欠陥検査方法。
【請求項１５】
請求項１４記載の表面欠陥検査方法において、
さらに、前記処理装置において、前記被検査物の散乱傾向の分類結果と前記分類しきい値とを表示する分類しきい値設定グラフを出力するステップを有する、表面欠陥検査方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の表面欠陥検査方法において、
前記分類しきい値設定グラフは、前記前方散乱光の散乱強度、前記後方散乱光の散乱強度、前記前方散乱光を検出する際に検出した側方散乱光の散乱強度、および前記後方散乱光を検出する際に検出した側方散乱光の散乱強度の各項目を軸にとり、原点を１つに纏めたレーダーチャートである、表面欠陥検査方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、表面欠陥検査装置、およびその方法に関し、特に、半導体ウエハなどの被検査物の表面に存在する異物、傷、欠陥、汚れなどを検出する表面検査に有効な技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスの製造工程では、半導体ベアウエハ上に幾つものプロセス工程を経て回路パターンを形成する。この過程での歩留まりを低下させる原因として、半導体ベアウエハの結晶起因の欠陥や装置起因の異物などが考えられる。
【０００３】
よって、半導体ベアウエハの表面を検出する表面欠陥査装置により、これらの欠陥や異物を高感度、かつ高スループットにて検査し、検出したものが欠陥なのか異物などの分類情報を出力して管理する必要がある。
【０００４】
この種の表面欠陥検査装置は、レーザ光などの検査光をウエハ表面に照射し、ウエハの表面で発生した反射光又は散乱光を検出することにより、ウエハの表面に存在する欠陥、および異物を検出するものが広く知られている。
【０００５】
また、検出する欠陥や異物の大きさ、形状、ならびに材質とベアウエハ上に成膜する膜種、およびその膜厚、検査光の波長により、検査光を照射したときに発生する欠陥、および異物の光散乱の強度分布も異なる。
【０００６】
上述した欠陥、および異物を検査する技術としては、例えばウエハ表面に偏光を調整可能な検査光を照射し、該ウエハの表面において発生した散乱光を受光角が調整できる検出器、または複数の検出器を配置するもの（特許文献１、および特許文献２参照)がある。
【０００７】
その他に、欠陥、および異物を検査する技術としては、例えば受光角度を検査光の入射角度と等しい角度で非検査物からの正反射光を測定するものなどがある（特許文献３、および特許文献４参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開平７−１４６２４５号公報
【特許文献２】特開２００６−４７３０８号公報
【特許文献３】特開２００８−１７０３４３号公報
【特許文献４】特開２００１−０１３０８０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
ところで、表面欠検査装置では、レーザ光などの検査光をウエハ表面に照射し、非検査物上にある欠陥、および異物からの散乱光、すなわち、前方散乱、後方散乱、側方散乱の何れかの方向に散乱する光を効率良く受光できる受光器の構成や配置などが重要であり、検出能力に大きく影響を及ぼす。
【００１０】
前方散乱光の測定では、受光角度を検査光の入射角度と等しい角度で正反射方向に配置した場合、正反射光が前方散乱光の受光器に入り込む。この正反射光強度に比べて、散乱強度が低い上記欠陥、および異物からの前方散乱光は、受光器上では区別が難しく、ノイズ成分となって欠陥検出感度を低下することになる。
【００１１】
また、特許文献３のように正反射光においても、被検査物からの散乱光強度情報を含んでいるため、正反射光による被検査物の欠陥検出感度をも低下する要因となっている。
【００１２】
そこで、例えば前方散乱光測定においては、正反射光が入らないように検出器の配置を受光レンズの開口（ＮＡ）を考慮して上下左右方向にずらして配置する、などの工夫で対応している。
【００１３】
また、前方散乱光とは別に正反射光の測定を行う場合には、それぞれ測定時間を分けて順番に測定することによって、互いに影響しないようにしている。後方散乱光測定では、レーザ光などの検査光と全く同じ方向に検出器の配置することは、検出レンズからの戻り光がレーザ本体に入り込みレーザ発振に悪影響を及ぼす原因になり難しく、前方散乱と同じく受光レンズの開口（ＮＡ）を考慮して上下左右方向にずらし配置する、などの工夫で対応している。
【００１４】
しかしながら、検出器の配置を上下左右方向にずらして配置することによって、受光器の受光効率が低下してしまい、被検査物の欠陥検出感度が低くなってしまうと問題がある。
【００１５】
本発明の目的は、被検査物からの前方散乱光、および後方散乱光に対する測定感度を向上させることのできる技術を提供することにある。
【００１６】
本発明の前記ならびにその他の目的と新規な特徴については、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【００１７】
本願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、次のとおりである。
【００１８】
すなわち、代表的なものの概要は、表面欠陥検査装置、および表面欠陥検査方法に適用され、以下のような特徴を有するものである。
【００１９】
表面欠陥検査装置は、照明部と、前方散乱光検出部と、後方散乱光検出部と、処理装置と、ステージとを有する。照明部は、被検査物に検査光を照射する。前方散乱光検出部は、被検査物からの前方散乱光を検出する。
【００２０】
後方散乱光検出部は、被検査物からの後方散乱光を検出する。処理装置は、前方散乱光検出部、および後方散乱光検出部にて検出した結果を処理する。ステージは、被検査物を支持する。
【００２１】
前方散乱光検出部は、第１の検出レンズと、第１の全反射ミラーと、第１の光電変換素子とを有する。第１の検出レンズは、照明部から被検査物に照射された検査光による欠陥からの前方散乱光を受光する。第１の全反射ミラーは、第１の検出レンズを通過した前方散乱光を反射させる。第１の光電変換素子は、前方散乱光を検出する。
【００２２】
後方散乱光検出部は、第２の検出レンズと、第２の全反射ミラーと、第２の光電変換素子とを有する。第２の検出レンズは、照明部から被検査物に照射された検査光による欠陥からの後方散乱光を受光する。第２の全反射ミラーは、第２の検出レンズを通過した後方散乱光を反射させる。
【００２３】
第２の光電変換素子は、後方散乱光を検出する。第１の検出レンズ、第２の検出レンズ、第１の全反射ミラー、および第２の全反射ミラーは、光を直接透過させる直接光透過部をそれぞれ有する。
【００２４】
そして、第１の光電変換素子は、第１の検出レンズが有する直接光透過部を通過して第１の全反射ミラーによって側方に分離された前方散乱光を検出し、第２の光電変換素子は、第２の検出レンズが有する直接光透過部を通過して第２の全反射ミラーによって側方に分離された後方散乱光を検出する。
【００２５】
また、表面欠陥検査方法は、第１の検出レンズと、第１の全反射ミラーと、第２の検出レンズと、第２の全反射ミラーとを有する表面欠陥検査装置による検査方法である。第１の検出レンズは、照明部から被検査物に照射された検査光による欠陥からの前方散乱光を受光する。第１の全反射ミラーは、第１の検出レンズを通過した前方散乱光を反射させる。
【００２６】
第２の検出レンズは、被検査物に照射された検査光による欠陥からの後方散乱光を受光する。第２の全反射ミラーは、第２の検出レンズを通過した後方散乱光を反射させる。また、第１の検出レンズ、第２の検出レンズ、第１の全反射ミラー、および第２の全反射ミラーは、光を直接透過させる直接光透過部をそれぞれ有する。
【００２７】
この表面欠陥検査方法は、以下のステップを有する。
【００２８】
第１の全反射ミラーによって側方に分離された前方散乱光を第１の光電変換素子によって検出するステップである。第１の検出レンズ、および第１の全反射ミラーがそれぞれ有する直接光透過部を通過する正反射光を正反射光検出部によって検出するステップである。
【発明の効果】
【００２９】
本願において開示される発明のうち、代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば以下のとおりである。
【００３０】
（１）被検査物における検出感度を向上することができる。
【００３１】
（２）上記（１）により、欠陥捕捉率の高い、高効率な表面欠陥検査を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の一実施の形態による表面欠陥検査装置の概略構成の一例を示す説明図である。
【図２】欠陥からの前方散乱光の強度分布の一例を示した説明図である。
【図３】図２に示した前方散乱光と正反射光とを同時に測定する光学系の構成の一例を示す説明図である。
【図４】欠陥からの後方散乱光の強度分布の一例を示す説明図である。
【図５】図４に示す後方散乱光を測定する光学系の構成例を示す説明図である。
【図６】孔が設けられた検出レンズの一例を示す説明図である。
【図７】図１の表面欠陥検査装置における検査光の走査の一例を示す説明図である。
【図８】欠陥の有無の判定手法の一例を示す説明図である。
【図９】正反射光の信号強度の一例を示す説明図である。
【図１０】図１の表面欠陥検査装置による検査処理の一例を示すフローチャートである。
【図１１】図１の表面欠陥検査装置による被検査物の欠陥分類出力における処理の一例を示すフローチャートである。
【図１２】図１の検査結果表示装置に表示される操作画面の一例を示す説明図である。
【図１３】図１の検査結果表示装置に表示される入力画面の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下の実施の形態においては便宜上その必要があるときは、複数のセクションまたは実施の形態に分割して説明するが、特に明示した場合を除き、それらはお互いに無関係なものではなく、一方は他方の一部または全部の変形例、詳細、補足説明等の関係にある。
【００３４】
また、以下の実施の形態において、要素の数等（個数、数値、量、範囲等を含む）に言及する場合、特に明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではなく、特定の数以上でも以下でもよい。
【００３５】
さらに、以下の実施の形態において、その構成要素（要素ステップ等も含む）は、特に明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。
【００３６】
同様に、以下の実施の形態において、構成要素等の形状、位置関係等に言及するときは特に明示した場合および原理的に明らかにそうではないと考えられる場合等を除き、実質的にその形状等に近似または類似するもの等を含むものとする。このことは、上記数値および範囲についても同様である。
【００３７】
また、実施の形態を説明するための全図において、同一の部材には原則として同一の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する。なお、図面をわかりやすくするために平面図であってもハッチングを付す場合がある。
【００３８】
〈発明の概要〉
本発明の第１の概要は、表面欠陥検査装置である。この表面欠陥検査装置は、照明部（照明部１０ａ，１０ｂ）、前方散乱光検出部（前方散乱光検出部２０ｂ）、後方散乱光検出部（後方散乱光検出部２０ａ）、処理装置（処理装置５０）、およびステージ（ＸＺθステージ４０）を有する。
【００３９】
照明部は、被検査物（半導体ウエハ１)に検査光を照射する。前方散乱光検出部は、被検査物からの前方散乱光を検出する。後方散乱光検出部は、被検査物からの後方散乱光を検出する。処理装置は、前方散乱光検出部、および後方散乱光検出部にて検出した結果を処理する。ステージは、被検査物を支持する。
【００４０】
また、前方散乱光検出部は、第１の検出レンズ（検出レンズ２１ｂ）、第１の全反射ミラー（全反射ミラー２２ｂ）、および第１の光電変換素子（光電変換素子２３ｂ）を有する。
【００４１】
第１の検出レンズは、照明部から被検査物に照射された検査光による欠陥からの前方散乱光を受光する。第１の全反射ミラーは、第１の検出レンズを通過した前方散乱光を反射させる。第１の光電変換素子は、前方散乱光を検出する。
【００４２】
後方散乱光検出部は、第２の検出レンズ（検出レンズ２１ａ）、第２の全反射ミラー（全反射ミラー２２ａ）、および第２の光電変換素子（光電変換素子２３ａ）を有する。
【００４３】
第２の検出レンズは、照明部から被検査物に照射された検査光による欠陥からの後方散乱光を受光する。第２の全反射ミラーは、第２の検出レンズを通過した後方散乱光を反射させる。第２の光電変換素子は、後方散乱光を検出する。
【００４４】
また、第１の検出レンズ、第２の検出レンズ、第１の全反射ミラー、および第２の全反射ミラーは、光を直接透過させる直接光透過部をそれぞれ有する。
【００４５】
そして、第１の光電変換素子は、第１の検出レンズが有する直接光透過部を通過して第１の全反射ミラーによって側方に分離された前方散乱光を検出する。第２の光電変換素子は、第２の検出レンズが有する直接光透過部を通過して第２の全反射ミラーによって側方に分離された後方散乱光を検出する。
【００４６】
本発明の第２の概要は、表面欠陥検査方法である。この表面欠陥検査方法は、第１の検出レンズ（検出レンズ２１ｂ）、第１の全反射ミラー（全反射ミラー２２ｂ）、第２の検出レンズ（検出レンズ２１ａ）、第２の全反射ミラー（全反射ミラー２２ａ）を有する表面欠陥検査装置による表面欠陥検査方法である。
【００４７】
第１の検出レンズは、照明部から被検査物に照射された検査光による欠陥からの前方散乱光を受光する。第１の全反射ミラーは、第１の検出レンズを通過した前方散乱光を反射させる。第２の検出レンズは、被検査物に照射された検査光による欠陥からの後方散乱光を受光する。第２の全反射ミラーは、第２の検出レンズを通過した後方散乱光を反射させる。また、第１の検出レンズ、第２の検出レンズ、第１の全反射ミラー、および第２の全反射ミラーは、光を直接透過させる直接光透過部をそれぞれ有する。
【００４８】
この表面欠陥検査装置による表面欠陥検査方法は、以下のステップを有する。
【００４９】
第１の全反射ミラーによって側方に分離された前方散乱光を第１の光電変換素子によって検出するステップである。第１の検出レンズ、および第１の全反射ミラーがそれぞれ有する直接光透過部を通過する正反射光を正反射光検出部によって検出するステップである。
【００５０】
以下、上記した概要に基づいて、実施の形態を詳細に説明する。
【００５１】
〈表面欠陥検査装置の構成例〉
図１は、本発明の一実施の形態による表面欠陥検査装置の概略構成の一例を示す説明図である。
【００５２】
表面欠陥検査装置は、図１に示すように、照明部１０ａ，１０ｂ、後方散乱光検出部２０ａ、前方散乱光検出部２０ｂ、正反射光検出部３０、ＸＺΘステージ４０、および処理装置５０を有している。
【００５３】
ここで、図２、および図３を用いて、図１の前方散乱光検出部２０ｂ、正反射光検出部３０、および照明部１０ｂの構成について説明する。
【００５４】
図２は、欠陥からの前方散乱光の強度分布の一例を示した説明図であり、図２（ａ）は側面図、図２（ｂ）は平面図である。
【００５５】
検査対象物である半導体ウエハ１に照射された検査光３ｂによる欠陥２からの散乱光が、例えば検査光３ｂの正反射方向に散乱強度分布４ｂを有する、いわゆる前方散乱の模式図を示している。
【００５６】
上記した前方散乱光を効率良く受光するには、検査光３ｂの正反射方向に検出レンズを配置する必要がある。しかしながら、半導体ウエハ１からの正反射光も検査光３ｂの入射角度と同じ受光角度方向に反射する。
【００５７】
〈前方散乱光検出部の構成例〉
図３は、図２に示した前方散乱光と正反射光７とを同時に測定する光学系の構成の一例を示す説明図である。
【００５８】
前方散乱光検出部２０ｂは、図中の光路Ａ−Ｂ−Ｃにて示す前方散乱光を受光する光学系である。この前方散乱光検出部２０ｂは、検出レンズ２１ｂ、全反射ミラー２２ｂ、および光電変換素子２３ｂを備えている。
【００５９】
検出レンズ２１ｂは、照明部１０ｂから検査対象物である半導体ウエハ１に照射された検査光３ｂによる欠陥２からの散乱光を受光する。全反射ミラー２２ｂは、ほぼ全ての光を反射させるミラーである。光電変換素子２３ｂは、受光した散乱光を光電変換する。ここでは、光電変換素子として、例えばホトマルチプライヤなどが用いられる。
【００６０】
ここで、検出レンズ２１ｂ、および全反射ミラー２２ｂは、中央部、言い換えれば検査光入射平面と直行した方向で切除された隙間が形成される構成となっている。そして、この隙間が直接光を透過させる直接光透過部となる。
【００６１】
このように、検出レンズ２１ｂ、および全反射ミラー２２ｂが有する直接光透過部を正反射光７が通過する構造となっている点に特徴がある。また、前方散乱光検出部２０ｂは、正反射光７の影響を受けることなく受光角度６ｂを可変できる構造を有している。
【００６２】
前述したように、検出レンズ２１ｂ、および全反射ミラー２２ｂにおける直接光透過部を正反射光７が通過する構造とすることによって、前方散乱光のみを効率よく受光させることができ、すなわち検出感度の向上を図ることができる。
【００６３】
続いて、正反射光検出部３０は、図中の光路Ａ−Ｂ−Ｄにて示す正反射光７を受光する光学系である。この正反射光検出部３０は、検出レンズ３１、透過率調整部３２、および光電変換素子３３を有する。検出レンズ３１は、照明部１０ｂより、検査対象物である半導体ウエハ１に照射された検査光３ｂからの正反射光を受光する。
【００６４】
透過率調整部３２は、例えばＮＤ（Neutral Density）フィルタなどからなり、受光する光量を調整する。光電変換素子３３は、受光した散乱光を光電変換する。ここでは、光電変換素子として、光電変換素子２３ｂと同様に、例えばホトマルチプライヤなどが用いられる。さらに、正反射光検出部３０は、検査光３ｂの入射角度５ｂと同じ受光角度６ｂに自動的に調整する構造を具備している。
【００６５】
照明部１０ｂは、照射レンズ１１ｂと、例えば、所定波長のレーザ光などの検査光を発生するレーザ装置１２ｂとによって構成されている。この照明部１０ｂは、検査光３ｂを被検査物である半導体ウエハ１の表面へ照射する。また、例えば波長板を照射光中に挿入可能にし、検査光３ｂの偏光を変える機構を具備するようにしてもよい。
【００６６】
続いて、図４、および図５を用いて、後方散乱光検出部２０ａ、ならびに照明部１０ａの構成について説明する。
【００６７】
図４は、欠陥からの後方散乱光の強度分布の一例を示す説明図であり、図４（ａ）は、側面図であり、図４（ｂ）は、平面図である。
【００６８】
検査対象物である半導体ウエハに照射された検査光３ａによる欠陥２からの散乱光が、例えば検査光３ａの入射方向と同じ方向に散乱強度分布４ａをもつ、いわゆる後方散乱の模式図を示している。この後方散乱光を効率よく受光するには、検査光３ａの照射方向に検出レンズを配置する必要がある。
【００６９】
〈後方散乱光検出部の構成例〉
図５は、図４に示す後方散乱光を測定する光学系の構成を示している。
【００７０】
後方散乱光検出部２０ａは、図中の光路Ａ−Ｅ−Ｆにて示す後方散乱光７ａを受光する光学系である。この後方散乱光検出部２０ａは、検出レンズ２１ａ、全反射ミラー２２ａ、および光電変換素子２３ａを有する構成からなる。受光する検出レンズ２１ａは、照明部１０ａから検査対象物である半導体ウエハに照射された検査光３ａによる欠陥２からの後方散乱光７ａを受光する。
【００７１】
全反射ミラー２２ａは、ほぼ全ての光を反射させるミラーである。光電変換素子２３ａは、受光した後方散乱光７ａを光電変換する。ここでも、光電変換素子２３ａは、例えばホトマルチプライヤが用いられる。
【００７２】
ここで、検出レンズ２１ａ、および全反射ミラー２２ａは、中央部、言い換えれば検査光入射平面と直行した方向で切除されており、この切除された部分が直接光を透過させる直接光透過部となる。そして、この中央部の直接光透過部を検査光３ａが通過する構造となっている点に特徴がある。また、後方散乱光検出部２０ａは、受光角度６ａを可変できる構造を有している。
【００７３】
この場合も、後方散乱光検出において、検出レンズ２１ａ、および全反射ミラー２２ａの中央部の直接光透過部を検査光３ａが通過する構造とすることによって、検出レンズ２１ａの真後ろから検査光を欠陥に照射することが可能になる。これによって、後方散乱光を効率よく受光でき、すなわち検出感度の向上を図ることができる。
【００７４】
なお、ここでは、検出レンズ２１ｂ、全反射ミラー２２ｂ、検出レンズ２１ａ、および全反射ミラー２２ａの中央部の領域を切除した領域である直接光透過部によって検査光が通過させる構成とした。しかし、これら検出レンズ２１ｂ、全反射ミラー２２ｂ、検出レンズ２１ａ、および全反射ミラー２２ａは、検査光が通過する構成であればよい。
【００７５】
検出レンズ２１ｂ、および検出レンズ２１ａを２つに分割した場合、レンズ性能などを維持するには、２つに分割されたそれぞれのレンズの精密な位置合わせなどが必要となってしまい、作業工数が大きくなってしまう。また、レンズの位置合わせ精度が悪い場合には、性能低下などの恐れがある。これは、全反射ミラー２２ｂ、および全反射ミラー２２ａについても同様である。
【００７６】
そこで、例えば、検出レンズ２１ｂ、全反射ミラー２２ｂ、検出レンズ２１ａ、および全反射ミラー２２ａを２つに分割するのではなく、中央部に、楕円形、あるいは長方形状のスリットなどの孔を設けて検査光を通過させるようにしてもよい。
【００７７】
〈検出レンズの例〉
図６は、孔が設けられた検出レンズ２１ａの一例を示す説明図である。
【００７８】
なお、図６では、検出レンズ２１ａの例を示しているが、検出レンズ２１ｂ、全反射ミラー２２ｂ、および全反射ミラー２２ａについても同様の構成とする。
【００７９】
検出レンズ２１ａの中央部には、図６に示すように、長方形状の孔２５が形成されている。この孔２５を設けることによって、検出レンズ２１ａは分割されることなく、該検出レンズ２１ａの周辺部によって固定されてレンズ形状が維持されることになる。
【００８０】
この構成にすることによって、検出レンズ２１ｂ、全反射ミラー２２ｂ、検出レンズ２１ａ、および全反射ミラー２２ａが分割されずに固定されるので、位置合わせなどの作業を不要とすることができる。
【００８１】
〈表面欠陥検査装置による走査例〉
図７は、図１の表面欠陥検査装置における検査光の走査の一例を示す説明図である。
【００８２】
この図７において、ＸＺθステージ４０上で吸着され支持された半導体ウエハ１をθ方向に回転させながら、図７に示した半導体ウエハ１の半径方向であるＸ方向へ直進移動することによって、該半導体ウエハ１の表面全体をスパイラル状９に走査が行われる。
【００８３】
図１に戻り、ＸＺθステージ４０は、例えばＸ方向の座標位置検出にはレーザースケール、θ方向の座標位置検出にはロータリーエンコーダを用い、その座標位置情報を出力する。
【００８４】
処理装置５０は、座標管理装置４１、増幅器５１ａ，５１ｂ，５１ｃ、Ａ／Ｄ変換器５２ａ，５２ｂ，５２ｃ、欠陥判定装置５３、検査結果記憶装置５４、検査結果表示装置５５、入力装置５７、およびしきい値設定回路５８を備えている。
【００８５】
座標管理装置４１は、ＸＺθステージ４０から入力した位置情報、すなわち半導体ウエハ１の位置情報に基づいて、その座標情報を、欠陥判定装置５３に出力する。
【００８６】
増幅器５１ａ，５１ｂ，５１ｃは、後方散乱光検出部２０ａ、前方散乱光検出部２０ｂ、および正反射光検出部３０から入力したアナログ信号を、それぞれ増幅して出力する。Ａ／Ｄ変換器５２ａ，５２ｂ，５２ｃは、増幅器５１ａ，５１ｂ，５１ｃが増幅したアナログ信号をデジタル信号にそれぞれ変換して出力する。また、例えばＡ／Ｄ変換器５２ａ，５２ｂ，５２ｃには、ノイズ除去を目的としたデジタルフィルタリング機能を備えるようにしてもよい。
【００８７】
欠陥判定装置５３は、判定回路５３ａ，５３ｂ，５３ｃを有している。これら判定回路５３ａ，５３ｂ，５３ｃは、後方散乱光検出部２０ａ、前方散乱光検出部２０ｂ、および正反射光検出部３０にて検出した信号を、しきい値設定回路５８から入力されたしきい値とそれぞれ比較し、欠陥の有無を判定する。
【００８８】
検査結果記憶装置５４は、欠陥判定装置５３から入力した検査結果と、座標管理装置４１から出力された半導体ウエハ１上の座標情報とを対応付けして記憶する。欠陥判定装置５３から入力した検査結果は、半導体ウエハ１における欠陥の有無、検出信号強度、および欠陥分類種である。
【００８９】
〈欠陥の検出原理〉
ここで、図８、および図９を用いて欠陥の検出原理について説明する。
【００９０】
図８は、欠陥の有無の判定手法の一例を示す説明図である。この図８においては、後方散乱光検出部２０ａ、または前方散乱光検出部２０ｂから出力される欠陥の信号強度としきい値との関係を示している。
【００９１】
図８（ａ）は、前方散乱光検出部２０ｂにおいて、例えば欠陥からの散乱光と正反射光７が同時に受光した際の検出信号の一例であり、欠陥の信号がノイズ信号に埋もれてしまい検出が不可能な状態を示している。
【００９２】
一方、図１の表面欠陥検査装置による前方散乱光と正反射光７とを分離して検出する方式では、図８（ｂ）のように、ノイズ信号が低減されており、欠陥の信号が顕在化し、しきい値を設定することで欠陥の高精度検出を可能にすることができる。
【００９３】
図９は、正反射光の信号強度の一例を示す説明図である。この図９は、正反射光検出部３０から出力される正反射光７のステージθの１回転分の信号強度を示している。
【００９４】
正反射光７からの光強度は非常に強いため、例えば透過率調整部３２によりホトマルチプライヤで受光する光量を調整する必要がある。ホトマルチプライヤ電圧を低くして感度を落としてもよい。
【００９５】
調整が適切でない場合、図９の上方に示すように、信号は、飽和状態になり、正確な情報が得られない。調整が適切の場合、図９の下方に示すように、波形信号が得られる。
【００９６】
図１に戻り、入力装置５７は、例えば検査条件に関わるしきい値、および半導体ウエハ１周辺部からの非検査エリア範囲、例えばエッジカットなどを入力する入力部である。また、入力装置５７は、後述する図１３における検査条件設定部１０１の入力なども行う。
【００９７】
検査結果表示装置５５は、検査結果記憶装置５４から入力した検査結果情報を表示する。例えば、後述する図１２のレーダーチャート式分類しきい値設定画面９０や図１３の検査結果表示部１０２に示す検査マップ１０３ａ〜１０７ａ、および信号強度ヒストグラム１０３ｂ〜１０７ｂなどを表示する。
【００９８】
〈検査処理例〉
図１０は、図１の表面欠陥検査装置による検査処理の一例を示すフローチャートである。
【００９９】
まず、半導体ウエハ１を検査装置にロードする。そして、第１検出系、および第２検出系に関わる検査ファイルを生成する（ステップＳ１０１）。
【０１００】
ここで、図１０において、検出器Ａは、前方散乱光検出部２０ｂであり、検出器Ｂは、前方散乱光検出部２０ｂである。検出器Ｃは、照明部１０ｂをオフにすることで側方散乱光を検出する後方散乱光検出部２０ａであり、検出器Ｄは、後方散乱光検出部２０ａである。検出器Ｅは、照明部１０ａをオフにすることで、側方散乱光を検出する前方散乱光検出部２０ｂである。また、第１検出系とは、検出器Ａ，Ｂ，Ｃを示し、第２検出系とは、検出器Ｄ，Ｅを示している。
【０１０１】
さらに、検査ファイルの内容は、ウエハ検査光照明角度、レーザパワー、および検出器Ａ〜Ｅに関わる検査情報などである。ここで、検査情報は、検出角度、ホトマルチプライヤ電圧、しきい値、および透過率調整部３２であるＮＤフィルタなどの設定などである。
【０１０２】
この時、後方散乱光検出部２０ａ、および前方散乱光検出部２０ｂと、正反射光検出部３０とのどちらを使用するか選択できてもよい。尚、例えばシミュレーションを活用し、被検査物の材質、膜厚、および欠陥の大きさなどによる散乱強度分布から、最適な検査光３ａ，３ｂの入射角度５ａ，５ｂと受光角度６ａ，６ｂとの組み合わせを求める方法もある。
【０１０３】
また、例えば、後方散乱光検出部２０ａを選択時には、前方散乱光検出部２０ｂに使用していた照明部１０ｂをオフにすることで、後方散乱光検出、および側方散乱光検出を可能とすることができる。よって、この場合、例えば後方散乱光検出部２０ａが検出器Ｃとして機能する。
【０１０４】
また、その逆の選択、すなわち前方散乱光検出部２０ｂを選択時には、後方散乱光検出部２０ａに使用していた照明部１０ａをオフにすることで、前方散乱光検出、および側方散乱光検出が可能となる。よって、例えば前方散乱光検出部２０ｂが検出器Ｅとして機能する。設定は、後述する図１３における検査条件設定部１０１にて行う。
【０１０５】
続いて、検査を開始し（ステップＳ１０２）、検査結果表示を行い（ステップＳ１０３）、検査マップに異常がないかの判定を行う（ステップＳ１０４）。ステップＳ１０４の処理において、異常がある場合は、ステップＳ１０１の処理に戻り、しきい値、レーザパワー、およびホトマルチプライヤ電圧などを変更する。
【０１０６】
そして、ステップＳ１０４の処理において、マップの異常がなくなるまでステップＳ１０１〜Ｓ１０４の処理を繰り返す。マップの異常がなくなったところで、半導体ウエハ１をアンロードし、処理が終了となる。
【０１０７】
〈欠陥分類の処理例〉
図１１は、図１の表面欠陥検査装置による被検査物の欠陥分類出力における処理の一例を示すフローチャートである。
【０１０８】
この図１１を用いて、前述のように後方散乱光、前方散乱光、および側方散乱光の検査条件の完了を前提に被検査物の欠陥分類出力する処理について説明する。
【０１０９】
まず、後述する図１３における検査条件設定部１０１にて各設定を行う。続いて、図１０の第１検出系、すなわち検出器Ａによる前方散乱光、検出器Ｂによる正反射光、および検出器Ｃによる側方散乱光における検査を行い、検出座標、および各散乱光の散乱輝度情報などを検査結果記憶装置５４に記憶する（ステップＳ２０１）。
【０１１０】
そして、図１０の第２検出系、すなわち検出器Ｄによる後方散乱光、検出器Ｅによる側方散乱光での検査を行い（ステップＳ２０２）、検出座標、および各散乱光の散乱輝度情報などを検査結果記憶装置５４に記憶する。
【０１１１】
続いて、検査結果表示装置５５によってステップＳ２０１の処理、およびステップＳ２０２の処理から得られた情報をマージし（ステップＳ２０３）、検出座標、ならびに各散乱光の散乱輝度情報などを検査結果記憶装置５４に記憶する。
【０１１２】
ステップＳ２０３の処理にて得られた検出座標情報に基づいて、ＳＥＭ（Scanning Electron Microscope）レビューを行う（ステップＳ２０４）。ＳＥＭレビューは、各種欠陥のレビューや分類を行う。
【０１１３】
ＳＥＭレビューによって欠陥の形状、種類などを分類し、カテゴリＮｏ．を検出座標情報に付加し、検出座標、および各散乱光の散乱輝度情報とカテゴリＮｏ．の関連付けを行い、後述する図１２のレーダーチャート式分類しきい値設定画面でしきい値を決定し、分類しきい値としてしきい値設定回路５８に記憶する（ステップＳ２０５）。
【０１１４】
そして、分類しきい値を元に分類処理を行い（ステップＳ２０６）、検査マップ上に表示する（ステップＳ２０７）。また、分類処理後のカテゴリＮｏ．は、検出座標データと関連付けられ出力されてもよい。
【０１１５】
〈操作画面の一例〉
図１２は、図１の検査結果表示装置に表示される操作画面の一例を示す説明図である。図１２（ａ）は、レーダーチャート式分類しきい値設定画面の一例を示しており、図１２（ｂ）は、カテゴリ判定テーブルの一例を示している。
【０１１６】
レーダーチャート式分類しきい値設定画面９０は、図１２（ａ）に示すようにＧＵＩ（Graphical User Interface）表示される。このレーダーチャート式分類しきい値設定画面９０は、前述した図１１のステップＳ２０５の処理における分類しきい値を設定する際に使用される。
【０１１７】
前方散乱光の散乱強度を項目９３、後方散乱光の散乱強度を項目９５、前方散乱光と同時に検出した側方散乱光の散乱強度を項目９４、後方散乱光と同時に検出した側方散乱光の散乱強度を項目９６にとり、視覚的に被検査物からの散乱光がどちらに強いのかが判るように配置し、例えば、破線９８に示すように測定した各散乱強度をプロットさせる。
【０１１８】
項目９３は、例えば検出器Ａによる前方散乱光の散乱強度であり、項目９４は、例えば検出器Ｃによる前方散乱光と同時に検出した側方散乱光の散乱強度である。項目９５は、例えば検出器Ｄによる後方散乱光の散乱強度であり、項目９６は、例えば検出器Ｅによる後方散乱光と同時に検出した側方散乱光の散乱強度である。
【０１１９】
この時、「Class」の「読込」ボタン９１からカテゴリNo.を選択することによって、スクラッチの輝度分布、あるいは異物の輝度分布などのカテゴリを変更することができ、図１２（ａ）の実線９７にて示すしきい値を設定できる。
【０１２０】
また、カテゴリ分類テーブルボタン９９を押すと、図１２（ｂ）に示すように、カテゴリ判定テーブル９００が表示される。分類数は、例えば４つの検出器Ａ，Ｃ，Ｄ，Ｅに対して各々しきい値を設定し検出有り／なしを判定するので１６通りになる。
【０１２１】
前述したように、側方散乱光を検出できることから、欠陥の各散乱光強度の傾向からカテゴリ分類機能を備えている。よって、検出が困難、もしくは見逃していた欠陥をも検出し、捕捉率を高めて、また、分類情報を付加し、半導体製造プロセスでの歩留まり向上に貢献することができる。
【０１２２】
図１２（ｂ）に示すように、カテゴリ判定テーブル９００において、表９０１は、上述した１６通りの組み合わせを表示したものであり、分類Ｎｏ．（ＣｌａｓｓＮｏ．）の割り付け状況が表示されている。分類しきい値設定保存９２にファイル名を入力することによってカテゴリ判定テーブル９００は保存される。
【０１２３】
図１２（ａ）において、破線９８に示す各散乱強度の検査結果では、前方散乱光の散乱強度が、実線９７にて示すしきい値を超えていることが視覚的に確認することができる。このように、すべての検査結果を同時に表示することができるので、欠陥捕捉率の高い高効率の表面欠陥検査を可能とすることができる。
【０１２４】
〈入力画面例〉
図１３は、図１の検査結果表示装置に表示される入力画面の一例を示す説明図である。
【０１２５】
操作画面１００は、ＧＵＩ表示される。この操作画面１００は、図示するように、検査条件設定部１０１、検査結果表示部１０２、および欠陥分類条件設定部１０８を有する。検査条件設定部１０１は、前述した検査ファイルを生成する際に必要な各項目を入力して設定する。検査ファイルは、図１０のステップＳ１０１の処理にて設定される情報である。
【０１２６】
検査結果表示部１０２には、検査マップ１０３ａと信号強度ヒストグラム１０３ｂ、検査マップ１０４ａと信号強度ヒストグラム１０４ｂ、検査マップ１０５ａと信号強度ヒストグラム１０５ｂ、検査マップ１０６ａと信号強度ヒストグラム１０６ｂ、および検査マップ１０７ａと信号強度ヒストグラム１０７ｂがそれぞれ表示される。
【０１２７】
検査マップ１０３ａは、前方散乱光検出部２０ｂにて検出した検査マップであり、信号強度ヒストグラム１０３ｂは、検査マップ１０３ａにおける信号強度と頻度との分布を示している。
【０１２８】
検査マップ１０４ａは、正反射光検出部３０にて検出した検査マップであり、信号強度ヒストグラム１０４ｂは、検査マップ１０４ａにおける信号強度と頻度との分布を示している。
【０１２９】
検査マップ１０５ａは、前方散乱光検出部２０ｂにて同時に検出した検査マップであり、信号強度ヒストグラム１０５ｂは、検査マップ１０５ａにおける信号強度と頻度との分布を示している。
【０１３０】
検査マップ１０６ａは、後方散乱光検出部２０ａにて検出した検査マップであり、信号強度ヒストグラム１０６ｂは、検査マップ１０６ａにおける信号強度と頻度との分布を示している。
【０１３１】
検査マップ１０７ａは、後方散乱光検出部２０ａにて同時に検出した検査マップであり、信号強度ヒストグラム１０７ｂは、検査マップ１０７ａにおける信号強度と頻度との分布を示している。
【０１３２】
検査マップ１０３ａ，１０４ａ，１０５ａ，１０６ａ，１０７ａの表示枠内には、拡大ボタン１１０がそれぞれ設けられて降り、信号強度ヒストグラム１０３ｂ，１０４ｂ，１０５ｂ，１０６ｂ，１０７ｂの表示枠内には、結果一覧ボタン１１１がそれぞれ設けられている。
【０１３３】
拡大ボタン１１０は、該拡大ボタン１１０を押すことによってそれぞれの検査マップが拡大表示されるボタンである。結果一覧ボタン１１１は、押すことによって半導体ウエハ上の検出座標（Ｘ，Ｙ）と信号強度情報が表示される。この時、欠陥分類したカテゴリNo.を関連付けて表示し、また、検査マップ表示もカテゴリNo.を色分けして表示してもよい。
【０１３４】
検査結果表示部１０２の下方には、欠陥分類条件設定部１０８が表示されている。この欠陥分類条件設定部１０８には、検査データ読込１０８ａ、ＳＥＭ分類データ読込１０８ｂ、教示ボタン１０８ｃ、分類しきい値設定画面ボタン１０８ｄ、および分類しきい値ファイル選択１０８ｅを有している。
【０１３５】
検査データ読込１０８ａは、図１の検査結果記憶装置５４に記憶されていた検査結果を読み込む。ＳＥＭ分類データ読込１０８ｂは、ＳＥＭで分類しカテゴリNo,を付加したデータを読み込む。
【０１３６】
教示ボタン１０８ｃは、検査データとＳＥＭ分類データとの関連付けを行う。分類しきい値設定画面ボタン１０８ｄは、図１２のレーダーチャート式分類しきい値設定画面を表示する。分類しきい値ファイル選択１０８ｅは、表面欠陥検査時に使用する分類しきい値を設定する。
【０１３７】
以上により、被検査物である半導体ウエハからの前方、および後方散乱光を検出する検出系である検出器Ａ，Ｄと正反射光を検出する検出系である検出器Ｂと、両検出系の選択により側方散乱光も同時に検出できる検出器Ｃ，Ｅとを有することによって、検査結果を同時に表示することができる。
【０１３８】
それにより、本実施の形態によれば、表面欠陥検査装置における検出感度を向上させることができ、高効率の表面欠陥検査を実現することができる。
【０１３９】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１４０】
なお、本発明は上記した実施の形態に限定されるものではなく、様々な変形例が含まれる。例えば、上記した実施の形態は本発明を分かりやすく説明するために詳細に説明したものであり、必ずしも説明した全ての構成を備えるものに限定されるものではない。
【０１４１】
また、ある実施の形態の構成の一部を他の実施の形態の構成に置き換えることが可能であり、また、ある実施の形態の構成に他の実施の形態の構成を加えることも可能である。また、各実施の形態の構成の一部について、他の構成の追加、削除、置換をすることが可能である。
【符号の説明】
【０１４２】
１  半導体ウエハ
２  欠陥
３ａ  検査光
３ｂ  検査光
４ａ  散乱強度分布
４ｂ  散乱強度分布
５ａ  入射角度
５ｂ  入射角度
６ａ  受光角度
６ｂ  受光角度
７  正反射光
７ａ  後方散乱光
９  スパイラル状
１０ａ  照明部
１０ｂ  照明部
１１ｂ  照射レンズ
１２ｂ  レーザ装置
２０ａ  後方散乱光検出部
２０ｂ  前方散乱光検出部
２１ａ  検出レンズ
２１ｂ  検出レンズ
２２ａ  全反射ミラー
２２ｂ  全反射ミラー
２３ａ  光電変換素子
２３ｂ  光電変換素子
３０  正反射光検出部
３１  検出レンズ
３２  透過率調整部
３３  光電変換素子
４０  ＸＺθステージ
４１  座標管理装置
５０  処理装置
５１ａ  増幅器
５１ｂ  増幅器
５１ｃ  増幅器
５２ａ  Ａ／Ｄ変換器
５２ｂ  Ａ／Ｄ変換器
５２ｃ  Ａ／Ｄ変換器
５３  欠陥判定装置
５３ａ  判定回路
５３ｂ  判定回路
５３ｃ  判定回路
５４  検査結果記憶装置
５５  検査結果表示装置
５７  入力装置
５８  しきい値設定回路
９０  レーダーチャート式分類しきい値設定画面
９１  ボタン
９２  分類しきい値設定保存
９３  項目
９４  項目
９５  項目
９６  項目
９７  実線
９８  破線
９９  カテゴリ分類テーブルボタン
１００  操作画面
１０１  検査条件設定部
１０２  検査結果表示部
１０３ａ  検査マップ
１０３ｂ  信号強度ヒストグラム
１０４ａ  検査マップ
１０４ｂ  信号強度ヒストグラム
１０５ａ  検査マップ
１０５ｂ  信号強度ヒストグラム
１０６ａ  検査マップ
１０６ｂ  信号強度ヒストグラム
１０７ａ  検査マップ
１０７ｂ  信号強度ヒストグラム
１０８  欠陥分類条件設定部
１０８ａ  検査データ読込
１０８ｂ  ＳＥＭ分類データ読込
１０８ｃ  教示ボタン
１０８ｄ  分類しきい値設定画面ボタン
１０８ｅ  分類しきい値ファイル選択
１１０  拡大ボタン
１１１  結果一覧ボタン
９００  カテゴリ判定テーブル
９０１  表
【図１】
2014228496.tif 000003
【図２】
2014228496.tif 000004
【図３】
2014228496.tif 000005
【図４】
2014228496.tif 000006
【図５】
2014228496.tif 000007
【図６】
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【図７】
2014228496.tif 000009
【図８】
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【図９】
2014228496.tif 000011
【図１０】
2014228496.tif 000012
【図１１】
2014228496.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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