【手続補正書】
【提出日】令和2年12月14日(2020.12.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、前記基板上に列状に配置された複数の発光サイリスタと、を備え、
前記発光サイリスタは、第１の導電型の第１の半導体層と、前記第１の導電型と異なる第２の導電型の第２の半導体層と、前記第１の導電型の第３の半導体層と、前記第２の導電型の第４の半導体層と、を前記基板側からこの順に有する半導体積層構造を有し、
前記半導体積層構造の少なくとも一部がメサ構造体を構成している発光素子アレイであって、
前記半導体積層構造の上に、前記第４の半導体層と接するコンタクト層を有し、
前記発光サイリスタが電流集中領域を有し、
前記電流集中領域が、前記第４の半導体層が前記コンタクト層に接する領域で規定され、
前記複数の半導体層の積層方向から見て、前記複数の発光サイリスタの配列方向における前記メサ構造体の側面と前記電流集中領域との最短距離ｄが４μｍ以上であり、
前記コンタクト層の幅は、前記第４の半導体層の幅よりも狭いことを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項２】
前記発光サイリスタは、前記コンタクト層を覆う透明電極を有することを特徴とする請求項１に記載の発光素子アレイ。
【請求項３】
前記透明電極上であって、前記コンタクト層が形成されていない前記半導体積層構造の上に、開口を有する駆動電極を有し、
前記複数の半導体層の積層方向から見て、前記コンタクト層が前記開口内に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の発光素子アレイ。
【請求項４】
前記発光サイリスタの発光波長をλとした時、前記透明電極の厚さ方向の光学長がλ／４の奇数倍の０．９倍以上１．１倍以下であることを特徴とする請求項２又は３に記載の発光素子アレイ。
【請求項５】
基板と、前記基板上に列状に配置された複数の発光サイリスタと、を備え、
前記発光サイリスタは、第１の導電型の第１の半導体層と、前記第１の導電型と異なる第２の導電型の第２の半導体層と、前記第１の導電型の第３の半導体層と、前記第２の導電型の第４の半導体層と、を前記基板側からこの順に有する半導体積層構造を有し、
前記半導体積層構造の少なくとも一部がメサ構造体を構成している発光素子アレイであって、
前記発光サイリスタが電流集中領域を有し、
前記半導体積層構造に含まれる少なくとも１層の半導体層が、前記複数の半導体層の積層方向から見た平面内において、第１の領域と、前記第１の領域より電気抵抗値が高い第２の領域と、を有し、
前記電流集中領域が、前記第１の領域で規定され、
前記複数の半導体層の積層方向から見て、前記複数の発光サイリスタの配列方向における前記メサ構造体の側面と前記電流集中領域との最短距離ｄが４μｍ以上であることを特徴とする発光素子アレイ。
【請求項６】
前記第２の領域が、半導体層がイオン注入により高抵抗化された領域である請求項５に記載の発光素子アレイ。
【請求項７】
前記半導体積層構造の上に開口を有する駆動電極を有し、前記複数の半導体層の積層方向から見て、前記第１の領域が前記開口内に配置されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の発光素子アレイ。
【請求項８】
前記最短距離ｄが５μｍ以上であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項９】
前記最短距離ｄが２０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項１０】
前記最短距離ｄが１０μｍ以下であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の発光素子アレイ。
【請求項１１】
前記半導体積層構造の厚さが１０００ｎｍ乃至３０００ｎｍであることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の発光素子アレイ。
【請求項１２】
前記基板がｎ型半導体であることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発光素子アレイ。
【請求項１３】
前記半導体積層構造が、ＧａＡｓ系材料又はＡｌＧａＡｓ系材料を含有することを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の発光素子アレイ。
【請求項１４】
請求項１乃至１３のいずれか一項に記載の発光素子アレイと、
前記発光素子アレイの発光を集光する光学系部材と、
を有することを特徴とする露光ヘッド。
【請求項１５】
像担持体と、
前記像担持体の表面を帯電する帯電手段と、
前記帯電手段によって帯電された前記像担持体の表面を露光し、前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光ヘッドと、
前記露光ヘッドによって形成された前記静電潜像を現像する現像手段と、
前記現像手段によって現像された画像を記録媒体に転写する転写手段と、を有する画像形成装置であって、
前記露光ヘッドが請求項１４に記載の露光ヘッドであることを特徴とする画像形成装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第一は、基板と、前記基板上に列状に配置された複数の発光サイリスタと、を備え、
前記発光サイリスタは、第１の導電型の第１の半導体層と、前記第１の導電型と異なる第２の導電型の第２の半導体層と、前記第１の導電型の第３の半導体層と、前記第２の導電型の第４の半導体層と、を前記基板側からこの順に有する半導体積層構造を有し、
前記半導体積層構造の少なくとも一部がメサ構造体を構成している発光素子アレイであって、
前記半導体積層構造の上に、前記第４の半導体層と接するコンタクト層を有し、
前記発光サイリスタが電流集中領域を有し、
前記電流集中領域が、前記第４の半導体層が前記コンタクト層に接する領域で規定され、
前記複数の半導体層の積層方向から見て、前記複数の発光サイリスタの配列方向における前記メサ構造体の側面と前記電流集中領域との最短距離ｄが４μｍ以上であり、
前記コンタクト層の幅は、前記第４の半導体層の幅よりも狭いことを特徴とする。
本発明の第二は、基板と、前記基板上に列状に配置された複数の発光サイリスタと、を備え、
前記発光サイリスタは、第１の導電型の第１の半導体層と、前記第１の導電型と異なる第２の導電型の第２の半導体層と、前記第１の導電型の第３の半導体層と、前記第２の導電型の第４の半導体層と、を前記基板側からこの順に有する半導体積層構造を有し、
前記半導体積層構造の少なくとも一部がメサ構造体を構成している発光素子アレイであって、
前記発光サイリスタが電流集中領域を有し、
前記半導体積層構造に含まれる少なくとも１層の半導体層が、前記複数の半導体層の積層方向から見た平面内において、第１の領域と、前記第１の領域より電気抵抗値が高い第２の領域と、を有し、
前記電流集中領域が、前記第１の領域で規定され、
前記複数の半導体層の積層方向から見て、前記複数の発光サイリスタの配列方向における前記メサ構造体の側面と前記電流集中領域との最短距離ｄが４μｍ以上であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の第三は、前記本発明の第一又は第二の発光素子アレイと、前記発光素子アレイの発光を集光する光学系部材と、を有することを特徴とする露光ヘッドである。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第四は、像担持体と、
前記像担持体の表面を帯電する帯電手段と、
前記帯電手段によって帯電された前記像担持体の表面を露光し、前記像担持体の表面に静電潜像を形成する露光ヘッドと、
前記露光ヘッドによって形成された前記静電潜像を現像する現像手段と、
前記現像手段によって現像された画像を記録媒体に転写する転写手段と、を有する画像形成装置であって、
前記露光ヘッドが前記本発明の第三の露光ヘッドであることを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
本実施形態の露光ヘッド４６は、発光素子群５１からの光をロッドレンズアレイ５３で集光する。ロッドレンズアレイ５３で集光した光は、感光体ドラム４２に照射される。
図７（ａ）、図７（ｂ）に、感光体ドラム４２及び露光ヘッド４６の配置と、露光ヘッドからの光が感光体ドラム４２の表面に結像されている様子を示す。露光ヘッド４６は、感光体ドラム４２と対向するように配置されている。露光ヘッド４６及び感光体ドラム４２のそれぞれは、不図示の取り付け部材によって画像形成装置に取り付けられて使用される。図中の５５は光束である。