(57)【要約】      （修正有）【課題】金型全体における熱勾配を小さくする手段を提供する。【解決手段】第１上型１１および第２上型１２で構成される上金型１０と、第１下型２１および第２下型２２で構成される下金型２０と、ポット部３０内を進退動自在に配置されたプランジャ３１と、半導体素子を封止樹脂材料でトランスファ成形する製品部３５と、充填される封止樹脂材料の体積を調整するカル部３６と、製品部およびカル部を繋ぐゲート部とを備えた半導体装置封止用金型であって、カル部の近傍で第１上型に配置される第１の熱源３２と、製品部に対して水平方向または鉛直方向に覆うように第１の熱源から離れて第１下型に配置される第２の熱源３２とを備え、第２上型および第２下型は、第１上型および第１下型よりも断熱性が優れた材料からなるので、金型全体を短時間で昇温でき、金型外部への熱の逃げを抑制できる。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１上型および前記第１上型を覆う第２上型で構成される上金型と、
第１下型および前記第１下型を覆う第２下型で構成される下金型と、
前記第２下型に設けられ封止樹脂材料のタブレットを投入するポット部と、
前記ポット部内を進退動自在に配置されたプランジャと、
半導体素子を前記封止樹脂材料でトランスファ成形する製品部と、
前記プランジャの軸上に配置され、充填される前記封止樹脂材料の体積を調整するカル部と、
前記製品部および前記カル部を繋ぐゲート部とを備えた半導体装置封止用金型であって、
前記カル部の近傍で前記第１上型に配置される第１の熱源と、
前記製品部に対して水平方向または鉛直方向に覆うように前記第１の熱源から離れて前記第１下型に配置される第２の熱源とを備え、
前記第２上型および前記第２下型は、前記第１上型および前記第１下型よりも断熱性が優れた材料からなることを特徴とする半導体装置封止用金型。
【請求項２】
第１上型と第２上型との間および第１下型と第２下型との間には、間隙による断熱層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置封止用金型。
【請求項３】
上金型および下金型の少なくとも一方に外部から製品部への突き出し部を設け、
前記突き出し部は、前記製品部側よりも前記外部側の方が断熱性が優れた材料からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置封止用金型。
【請求項４】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置封止用金型を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、トランスファ成形により半導体素子を樹脂封止するための半導体装置封止用金型及びその金型を用いて製造された半導体装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来の半導体装置の樹脂封止方法には、トランスファ成形と呼ばれる手法が採用されている。これは、加熱・加圧により溶融した熱硬化性樹脂（エポキシ樹脂等）をランナ、ノズルを介して金型内に充填し、被封止部材（半導体素子等を実装した基板等）を熱硬化性樹脂により封止する手法である。
【０００３】
トランスファ成形においては、高温化における化学反応により硬化が促進する熱硬化性樹脂が用いられるが、溶融した封止樹脂材料を金型内に充填した後、充分に硬化が進行するまで高温に保持する時間が必要であり、サイクルタイムが長く生産性が低いという問題があった。
【０００４】
熱硬化性樹脂の硬化を促進するためには投入熱量を大きくすればよいが、溶融した封止樹脂材料の粘度は硬化に伴い著しく増加する。このため、金型温度を高く設定すると封止樹脂材料の金型内への充填が完了する前に粘度が急増し、溶融した封止樹脂材料の流動性が失われ、未充填となる恐れがある。金型内に充填する封止樹脂材料の体積を調整する機構をカル部と称し、ランナを介して複数の金型製品部に結合している。このカル部は、樹脂体積の調整機構のためある程度の体積を有しており、カル部における封止樹脂材料の硬化速度が遅い。
【０００５】
また、加熱体積の大きな金型全体を１８０℃程度の高温に昇温し、且つ金型温度を高温に保持する必要があるため、熱源の容量及び数量が多数必要となる。また、熱源の数量が増えると熱源を配置する領域を確保する必要があり、それに伴い金型全体の体積を大きくなる。以上の理由により、トランスファ成形用金型の製造コストが高価になるという課題があった。
【０００６】
特許文献１においては、半導体素子を実装した被封止部材を上下の金型内でトランスファ成形することによって樹脂封止する半導体装置封止用金型において、上型がカル部及び製品部を含む第１上型と、その上部に重ねられる第２上型とを備え、第１上型及び第２上型の間に断熱層が介在されると共に、カル部と断熱層との間であって、金型のうちの下型に形成されたポット部内で進退動自在に配設されたプランジャの進退動の軸上に加熱源が配置されている。
【０００７】
カル部に連結するプランジャの進退動軸上に加熱源を配置することにより、硬化速度の小さいカル部を中心に加熱をおこない、樹脂封止材料の硬化を促進できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００７−２８７９２５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、第１上型のみに熱源及び断熱材を配置するため、金型の加熱が局所的となり上型と下型の間で温度勾配が生じることが予想される。温度勾配により封止樹脂材料の硬化挙動にばらつきが生じると、硬化時間が長くなる、局所的にヒケ、反りが生じる。また、成形と成形の間におこなう金型清掃作業、金型への被封止材料及び封止樹脂材料の配置作業の際に上下型を「開」状態にしておく必要があるが、この間、加熱源を有さない下型から熱が逃げるばかりとなり、下型温度が低下し、上下型間の温度差は更に大きくなることが考えられる。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
この発明に係る半導体装置封止用金型は、第１上型および第１上型を覆う第２上型で構成される上金型と、第１下型および第１下型を覆う第２下型で構成される下金型と、第２下型に設けられ封止樹脂材料のタブレットを投入するポット部と、ポット部内を進退動自在に配置されたプランジャと、半導体素子を封止樹脂材料でトランスファ成形する製品部と、プランジャの軸上に配置され、充填される封止樹脂材料の体積を調整するカル部と、製品部およびカル部を繋ぐゲート部とを備えた半導体装置封止用金型であって、カル部の近傍で第１上型に配置される第１の熱源と、製品部に対して水平方向または鉛直方向に覆うように第１の熱源から離れて第１下型に配置される第２の熱源とを備え、第２上型および第２下型は、第１上型および第１下型よりも断熱性が優れた材料からなるものである。
【００１１】
第１上型と第２上型との間および第１下型と第２下型との間には、間隙による断熱層を設けたことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置封止用金型。
【００１２】
上金型および下金型の少なくとも一方に外部から製品部への突き出し部を設け、
突き出し部は、製品部側よりも外部側の方が断熱性が優れた材料からなることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の半導体装置封止用金型。
【００１３】
請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の半導体装置封止用金型を用いて製造されたことを特徴とする半導体装置。
【発明の効果】
【００１４】
この発明によれば、第１上型および第１上型を覆う第２上型で構成される上金型と、第１下型および第１下型を覆う第２下型で構成される下金型と、第２下型に設けられ封止樹脂材料のタブレットを投入するポット部と、ポット部内を進退動自在に配置されたプランジャと、半導体素子を封止樹脂材料でトランスファ成形する製品部と、プランジャの軸上に配置され、充填される封止樹脂材料の体積を調整するカル部と、製品部およびカル部を繋ぐゲート部とを備えた半導体装置封止用金型であって、カル部の近傍で第１上型に配置される第１の熱源と、製品部に対して水平方向または鉛直方向に覆うように第１の熱源から離れて第１下型に配置される第２の熱源とを備え、第２上型および第２下型は、第１上型および第１下型よりも断熱性が優れた材料からなる半導体装置封止用金型なので、金型全体を短時間で昇温でき、金型外部への熱の逃げを抑制し、金型内において硬化挙動のばらつきを小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の実施の形態１による半導体装置封止用金型の斜視図である。
【図２】本発明の実施の形態１による半導体装置封止用金型の金型中央部断面図である。
【図３】本発明の実施の形態１による半導体装置封止用金型の突き出し装置配置部の断面図である。
【図４】本発明の実施の形態１による半導体装置封止用金型の半導体装置の中央部断面図である。
【図５】本発明の実施の形態１の半導体装置封止用金型における熱の流れを示す図である。
【図６】本発明の実施の形態１による第２金型の構成例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１による半導体装置封止用金型の斜視図である。また、図２、図３、図４は、本発明の実施の形態１による半導体装置封止用金型の断面図である。より具体的には、図２は図１のＡ−Ａ断面図であり、半導体装置封止用金型の金型中央部断面図である。また、図３は図１のＢ−Ｂ断面図であり、半導体装置封止用金型の突き出し装置配置部の断面図である。さらに、図４は図１のＣ−Ｃ断面図であり、半導体装置封止用金型の半導体装置の中央部断面図である。なお、図１は、製品部３５が４個あるバッチタイプの上下の金型１０，２０を示している。
【００１７】
半導体装置封止用金型は、主要な構成物として、上金型１０、下金型２０、ポット部３０、プランジャ３１、熱源３２から構成されている。半導体装置封止時は上金型１０と下金型２０の間に半導体素子が実装された被封止材料が配置され、ポット部３０に封止樹脂材料３４が投入された後、上金型１０と下金型２０が型閉じ状態においてポット部３０と製品部３５を繋ぐカル部３６が形成され、プランジャ３１によりポット部３０内の封止樹脂材料３４が押し出されて製品部３５、すなわち半導体装置に充填されて、製品部３５の内部に配置された被封止材料が封止される。
【００１８】
この半導体装置封止用金型の上金型１０及び下金型２０は、製品部３５及びカル部３６を含む第１上型１１、製品部３５、カル部３６及びポット部３０を含む第１下型２１、第１上型１１及び第１下型２１の底面部にそれぞれ重ねられる第２上型１２、第２下型２２に分割されている。
【００１９】
第１上型１１及び第１下型２１は熱源３２から投入された熱量を効率よく伝えるため、熱伝導性に優れる材料から構成する。熱伝導性に優れる材料を用いることで、熱が伝導する金型断面積を小さくすることができ、その結果として第１金型を構成する第１上型１１及び第１下型２１を薄肉化できる。第１金型の厚みは、成形時の樹脂圧による変形、損傷が起こらない範囲で可能な限り薄くする方が好ましい。金型薄肉化に伴い金型小型化が達成され、金型製造コストの低減にも繋がる。
【００２０】
第１金型を構成する熱伝導性に優れる材料としては、鉄鋼系材料のほか、銅やアルミニウム、これらの合金、カーボン、炭素繊維含浸複合材料、その他の金属材料等やＳｉＣ、ＡｌＮ、ＢＮ等のセラミックス材料の表面に封孔処理を施したものがこれに当たる。
【００２１】
この構成により、金型の加熱体積を局所的に限定できるため、第１金型内に配置した熱源３２から投入された熱量を金型全体に伝導して、金型を迅速に昇温できる。
【００２２】
また、薄肉化した第１金型を一般的な金型材料に用いられる鉄鋼材料に比べて、低弾性率材料から構成することが好ましい。低い弾性率を有する材料で金型を製造することにより、成形時の樹脂圧による第１金型の変形量の割合は大きくなるが、第１金型の厚みを薄くすることでひずみ量を低減できるため、繰り返しひずみによる金型の耐久性を確保できる。
【００２３】
上金型１０及び下金型２０全体を成形温度まで加熱するために、第１金型の中央部であるカル部３６の直上に配置された熱源３２の熱が水平方向に移動するように、第１金型を熱源３２の水平方向を覆うように形成し、また、型閉じした際に上金型１０及び下金型２０の第１金型同士（１１，２１）が接触することで熱が移動できるような平面を形成し、ポット部３０の外周面を上型または下型の第１金型が覆うことで、ポット部３０に投入された封止樹脂材料をカル部３６の直上に配置した熱源３２により加熱することができる。さらに、第１金型のカル部３６の直上の熱源３２を配置しない側の上型または下型で、カル部３６の直上の熱源３２から離れた製品部の水平及び鉛直方向を覆うように加熱する熱源を配置し、金型全体に熱が伝わるように熱源を配置する。
【００２４】
第１上型１１及び第１下型２１に配置された熱源３２は、抵抗発熱によるヒーターのほか、水や油による温調真空配管、コイルによる誘導加熱のいずれでも良く、これらを併用した機構で構成されていても良い。
【００２５】
熱源３２を有して、熱伝導性に優れる材料から構成される第１上型１１及び第１下型２１の底面部にそれぞれ重ねられる第２上型１２及び第２下型２２は、高強度且つ断熱性能に優れる材料から構成されることが好ましい。例えば、ＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の２つ以上から構成される化合物やＺｒＯ2等の多孔質セラミックス材料、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）やＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド樹脂）等のプラスチック材料、ガラス材料等がこれに当たる。この構成により、第１金型に投入された熱量が金型外部に放出されるのを抑制できるため、型開時においても金型温度の変動を抑制し、低消費電力で効率よく成形を繰り返しおこなえる。
【００２６】
図５は、本発明の実施の形態１の半導体装置封止用金型における熱の流れを示す図である。より具体的には、図１のＢ−Ｂ断面図であり、半導体装置封止用金型の突き出し装置配置部の断面図であり、図３に相当する図であるが、熱源３２からの熱の流れを説明するために、部品番号の記載を省略した図である。黒丸で示される熱源３２から矢印で示される方向に熱が伝達されることを模式図で示している。
【００２７】
第２上型１２及び第２下型２２は、ブロック状の断熱材料から第１上型１１及び第１下型２１の体積分を繰り抜いて加工しても良いし、板状の断熱材を複数枚重ね合わせたものをボルト等で固定しても良い。図６は第２金型の構成例を示す図である。２枚の板状断熱材（断熱材Ａ）の間に中央を所定の形状、すなわち、第１上型１１及び第１下型２１より若干大きな形状を繰り抜いた断熱材（断熱材Ｂ）を介在させることで固体断熱材料よりも断熱性能に優れる空気の断熱層を形成し、より断熱効果を高めても良い。２枚の板状断熱材（断熱材Ａ）及び断熱材（断熱材Ｂ）の固定は、ボルトなどで固定することができる。
【００２８】
すなわち、熱伝導性に優れる材料から構成され、第１上型１１及び第１下型２１の外面に接触し、上型または下型と対向する面以外を覆うように形成された断熱性が優れる材料から構成される第２上型１２及び第２下型２２において、2枚の板状断熱材の間に、中央を任意の形状に繰り抜いた板状断熱材を挟み込み、形状の異なる板状の断熱材料を複数枚重ねたものをボルトなどで固定して第２上型１２及び第２下型２２とすることができる。
【００２９】
このようにすることで、第１上型１１と第２上型１２との間および第１下型２１と第２下型２２との間には、間隙による断熱層を設けられる。２枚の板状断熱材の間に固体よりも断熱性に優れる空気の断熱層を形成することにより、第１上型１１及び第１下型２１に投入された熱の金型外部への逃げを抑制することができるため、型開時においても金型温度の変動を抑制でき、低消費電力で効率よく成形を繰り返しおこなえる。
【００３０】
封止樹脂材料３４を製品部３５に充填するゲート部３８の形状としては、断面積が小さく表面積が大きいことが好ましく、断面積が一定の場合台形形状が最も望ましい。断面積の小さなゲート部３８を封止樹脂材料３４が通過する際の流速が大きくなる。封止樹脂材料３４が金型表面に沿って流動するとき、接触面において摩擦によるせん断発熱を生じる。せん断発熱により生じる熱量は封止樹脂材料３４の流速が大きいほど大きくなる。また、表面積が大きいほどゲート部３８を通過する封止樹脂材料３４のうち高温部に接触する樹脂体積が大きくなる。上記の効果により、封止樹脂材料３４が金型表面から受ける熱量が大きくなり硬化反応が促進される。
【００３１】
半導体装置封止時において、プランジャ３１により金型内に押し出された封止樹脂材料３４を効率よく金型全体に充填するために、金型内に残留している空気を真空排気路３９により排気する。真空排気路３９は、金型内において封止樹脂材料３４が最後に充填される製品部３５のゲート部３８と連通するように設けることが好ましい。金型内の残留空気を効率よく排気することで、溶融した封止樹脂材料３４の流動性が向上する。この効果として、封止樹脂材料３４の充填時間を短縮できると共に、未充填、ボイド等の成形不良抑制が期待できる。
【００３２】
金型内の残留空気の排気は真空排気路３９によるほか、製品部３５及びカル部３６に設けられたガスベント４０によってもおこなう。ガスベント４０を効率よく機能させるためには、溶融した封止樹脂材料３４のガスベント４０への流入を抑制しつつ、金型内の残留空気のみをガスベント４０へ流入することが求められる。このため、ガスベント４０の形状としても断面積が小さく表面積が大きい台形形状が好ましい。断面積が小さいガスベント４０は、入り口部における圧力損失が大きいために高粘度流体が侵入しにくくなる。また、万が一封止樹脂材料３４がガスベント４０の内部に流入したとしても、表面積を大きくすることで入り口近傍において流入樹脂を硬化させ、これ以上の樹脂の流入を抑制する。
【００３３】
金型内の残留空気は、封止樹脂材料３４が金型内に充填される際に溶融樹脂の流頭先端で押し出される。しかしながら、カル部３６から製品部３５に流入する場所や、製品部３５の内部において封止樹脂材料３４の流れ方向が変化する場所において、溶融樹脂の流頭を流れていた空気が残留しやすくなる。このため、ガスベント４０の配置場所としては封止樹脂材料３４の流れ方向が変わる箇所に設けることが好ましく、製品部３５及びカル部３６の４隅に設けるのが良い。さらに、製品部３５に配置されたゲート部３８の対辺側にガスベント４０を設けても良い。
【００３４】
本金型は、製品部３５及びカル部３６に充填された後、一定時間保持後に硬化した封止樹脂材料３４を上金型１０及び下金型２０から離型することを目的とする突き出し装置（突き出し部）を有する。突き出し装置としてはピンやスリーブ、プレート、リング等のいずれの方式でも良く、また、これらの突き出し方式の補助として、空圧を利用した突き出し装置であっても良い。本実施の形態ではエジェクタピン４１によるピン突き出し方式を説明する。エジェクタピン４１は、従来用いられる高速度工具鋼等の熱伝導性に優れた材料から構成されることが好ましい。半導体装置を離型する際に金型内部を進行するエジェクタピン４１において、封止樹脂材料３４を硬化保持する際に第２金型に配置されたエジェクタピン４１表面の一部又は全部を熱伝導率の小さな材料で被覆する。
【００３５】
この構成により、エジェクタピン４１を介して金型外部へ逃げる熱量を抑制できるため、常時金型温度を高温で保持することが可能となり、効率よく繰り返し成形をおこなえる。エジェクタピン４１の被覆方法としては、エジェクタピン４１を構成する金属材料の外側に熱伝導率の小さい材料で作製した部品をボルト等で固定しても良いし、溶射やめっき等で薄膜を処理する方法でも良い。また、エジェクタピン４１は、下金型２０および上金型１０の両方ではなく、どちらか一方だけに配置してもよい。エジェクタピン４１の表面に配置される部品及び薄膜材料として断熱性能に優れるＭｇＯ、ＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3の２つ以上から構成される化合物やＺｒO2等の多孔質セラミックス材料、ＰＥＥＫ（ポリエーテルエーテルケトン）やＰＰＳ（ポリフェニレンサルファイド樹脂）等のプラスチック材料、ガラス材料、フッ素樹脂等の樹脂材料が好ましい。なお、エジェクタピン４１の直径は強度上可能限り小さくした方が良い。同様の処理をコアピン３７にも施しても良い。
【００３６】
熱伝導性に優れる材料から構成された第１上型１１及び第１下型２１に形成された製品部３５及びカル部３６に、第１上型１１及び第１下型２１に配置された熱源３２により溶融した封止樹脂材料３４が充填され、第１上型１１及び第１下型２１に形成された製品部３５及びカル部３６に充填した封止樹脂材料３４が硬化した後に、硬化した封止樹脂材料３４からなる半導体装置を金型から取り出すことを目的として、第１上型１１及び第１下型２１の少なくとも、いずれか一方を貫通するように備えられた突き出し装置（エジェクタピン４１）において、熱伝導性に優れる銅やアルミなどの材料から構成され、製品部３５及びカル部３６に充填された溶融した封止樹脂材料３４を硬化保持する際に、第１上型１１及び第１下型２１の外部に位置する突き出し装置（エジェクタピン４１）表面の一部または全部を、セラミックスなどの熱伝導性の小さな材料で覆っている。このように、上金型１０および下金型２０の少なくとも一方に外部から製品部への突き出し部を設け、突き出し部は、製品部側よりも外部側の方が断熱性に優れた材料となっている。
【００３７】
また、第１上型１１及び第１下型２１の少なくとも、いずれか一方に設けられた製品部表面にその先端を位置する突き出し装置を熱伝導性に優れる材料で構成することにより、第１上型１１及び第１下型２１に配置された熱源からの熱を封止樹脂材料３４に効率よく行き渡らせることができると共に、その表面の一部を熱伝導率の小さい材料で覆うことにより、突き出し装置の表面を介して金型外部へ逃げる熱量を抑制できるため、常時金型温度を高温で保持することが可能となり、低消費電力で効率よく繰り返し成形をおこなえる。
【００３８】
さらに、半導体装置仕様の変更や金型の摩耗、損傷に伴い金型を起工する際は、熱伝導性に優れる材料から構成される第１金型のみを製作すればよく、金型製造コストの低減が図れる。
【００３９】
以上のように、半導体素子を実装した基板等の被封止材料を、上下の金型内においてトランスファ成形することによって封止する半導体装置封止用金型において、熱伝導性に優れる銅やアルミなどの材料から構成され、且つ、製品部とカル部を有する第１金型の中央部であるカル部の直上に配置された熱源の熱が水平方向に移動するように、第１金型を熱源の水平方向を覆うように形成し、また、型閉じした際に上型及び下型の第１金型同士が接触することで熱が移動できるような平面を形成し、ポット部外周面を上型または下型の第１金型が覆うことで、ポット部に投入された封止樹脂材料をカル部の直上に配置した熱源により加熱する。また、第１金型のカル部直上の熱源を配置しない側の上型または下型で、カル部直上の熱源から離れた製品部の水平及び鉛直方向を覆うように加熱する熱源を配置し、金型全体に熱が伝わるように熱源を配置する。更に、これらの熱源を有する第１金型を、セラミックスなどの断熱性が優れる材料からなる第２金型で上型または下型と対向する面以外を覆っている。
【００４０】
これによって、加熱体積を限定した金型全体を短時間で昇温できると共に、金型表面から金型外部への熱の逃げを抑制し、金型全体を常時高温保持できるため効率よく繰り返し成形が可能である。また、金型全体に熱を行き渡らせるように熱源を配置することで、金型内において硬化挙動のばらつきを小さくできるため、硬化時間の短縮及び硬化収縮に伴うヒケ、反りの低減に効果が期待できる。更に、金型の薄肉化及び小型化により、金型製造コストを削減できる。
すなわち、第１上型および第１上型を覆う第２上型で構成される上金型と、第１下型および第１下型を覆う第２下型で構成される下金型と、第２下型に設けられ封止樹脂材料のタブレットを投入するポット部と、ポット部内を進退動自在に配置されたプランジャと、半導体素子を封止樹脂材料でトランスファ成形する製品部と、プランジャの軸上に配置され、充填される封止樹脂材料の体積を調整するカル部と、製品部およびカル部を繋ぐゲート部とを備えた半導体装置封止用金型であって、カル部の近傍で第１上型に配置される第１の熱源と、製品部に対して水平方向または鉛直方向に覆うように第１の熱源から離れて第１下型に配置される第２の熱源とを備え、第２上型および第２下型は、第１上型および第１下型よりも断熱性が優れた材料からなる半導体装置封止用金型なので、金型全体を短時間で昇温でき、金型外部への熱の逃げを抑制し、金型内において硬化挙動のばらつきを小さくできる。
【符号の説明】
【００４１】
１０  上金型、１１  第１上型、１２  第２上型、２０  下金型、２１  第１下型、２２  第２下型、３０  ポット部、３１  プランジャ、３２  熱源、３４  封止樹脂材料、３５  製品部、３６  カル部、３７  コアピン、３８  ゲート部、３９  真空排気路、４０  ガスベント、４１  エジェクタピン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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