(57)【要約】【課題】基板の片面を均一に加工することが可能なガスエッチング装置を提供する。【解決手段】ガスエッチング装置１は、基板４１の表面を加工する装置であって、静電吸着により、複数の基板４１を自己保持可能に保持するキャリア４０と、複数の基板４１が保持されたキャリア４０の表面側に配設され、キャリア４０に保持された複数の基板４１の表面を反応性エッチングするエッチングガスを噴射する反応ガス噴射口２６と、キャリア４０の表面側とは反対の裏面側に配設され、キャリア４０の裏面を冷却する冷却部５２とを備え、キャリア４０は、複数の基板４１を静電吸着する複数の吸着部４７と、複数の吸着部４７が配置される基体４８とを有し、吸着部４７は、逆極性の電圧が印加される電極と、基板４１の裏面と電極との間に、基板４１の裏面及び電極に接するように配設された絶縁膜４６とを有する。【選択図】図１Ａ
2014082371.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面を加工する装置であって、
静電吸着により、複数の前記基板を自己保持可能に保持するキャリアと、
前記キャリアにおける複数の前記基板が保持された表面側に配設され、前記キャリアに保持された複数の前記基板の表面をエッチングするエッチングガスを噴射する噴射口と、
前記キャリアにおける表面側とは反対の裏面側に配設され、前記キャリアの裏面を冷却する冷却部とを備え、
前記キャリアは、自己保持可能に複数の前記基板を静電吸着する複数の吸着部と、複数の前記吸着部が配置される基体とを有し、
前記吸着部は、逆極性の電圧が印加される２つの電極と、前記基板の裏面と前記電極との間に、前記基板の裏面及び前記電極に接するように配設された絶縁膜とを有する
ガスエッチング装置。
【請求項２】
前記エッチングガスは、ＣｌＦ３、ＸｅＦ２、ＢｒＦ３及びＢｒＦ５の少なくともいずれかを含むガスである
請求項１に記載のガスエッチング装置。
【請求項３】
前記基体には、複数の前記基板のそれぞれが収納するように配設される複数の凹部が表面に設けられ、
複数の前記凹部内のそれぞれに、前記基板の裏面を静電吸着保持する吸着部が設けられている
請求項１又は２に記載のガスエッチング装置。
【請求項４】
前記絶縁膜は、ポリイミド樹脂から構成され、複数の前記基板が前記キャリアに保持された状態で表面に露出する
請求項１又は２に記載のガスエッチング装置。
【請求項５】
前記キャリアは、裏面にヒートシンク構造を有する
請求項１〜４のいずれか１項に記載のガスエッチング装置。
【請求項６】
前記冷却部は、前記キャリアの裏面を冷却する冷却ガスを噴射する噴射口である
請求項１〜５のいずれか１項に記載のガスエッチング装置。
【請求項７】
前記冷却部は、前記キャリアの裏面に接し、前記キャリアを搬送する搬送部材である
請求項１〜５のいずれか１項に記載のガスエッチング装置。
【請求項８】
基板の表面を加工する方法であって、
静電吸着により、複数の前記基板を自己保持可能にキャリアの表面に保持する保持ステップと、
前記キャリアにおける複数の前記基板が保持された表面側とは反対の裏面側に配設された冷却部により、前記キャリアの裏面を冷却しながら、前記キャリアにおける表面側に配設された噴射口により、前記キャリアに保持された複数の前記基板の表面をエッチングするエッチングガスを噴射する噴射ステップとを含む
ガスエッチング方法。
【請求項９】
基板を保持するキャリアであって、
前記キャリアは、エッチングガスを前記基板の表面に供給することにより前記基板の表面をエッチングするガスエッチング装置に用いられ、複数の前記基板を自己保持可能に保持し、
前記ガスエッチング装置は、前記キャリアにおける複数の前記基板が保持された表面側に配設され、前記キャリアに保持された複数の前記基板の表面をエッチングするエッチングガスを噴射する噴射口と、前記キャリアにおける表面側とは反対の裏面側に配設され、前記キャリアの裏面を冷却する冷却部とを備え、
前記キャリアは、自己保持可能に複数の前記基板の裏面を静電吸着する複数の吸着部と、前記吸着部が交換可能に配置される基体とを有し、
前記吸着部は、逆極性の電圧が印加される２つの電極と、前記基板の裏面と前記電極との間に、前記基板の裏面及び前記電極に接するように配設された絶縁膜とを有する
キャリア。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面を処理するガスエッチング装置及びガスエッチング方法並びにそれに用いるキャリアに関する。
【背景技術】
【０００２】
太陽電池を構成する基板について、基板への光の入射効率を向上させ、太陽電池としての光の利用効率を向上させるために、基板の表面に凹凸を形成する加工つまりテキスチャ加工を行う技術がある。そして、テキスチャ加工を行う方法として、反応性のガスにより基板の表面をエッチングするガスエッチング方法がある（例えば特許文献１参照）。このようなガスエッチング方法を用いたテキスチャ加工では、基板が配設された反応室にエッチングガスを導入し、基板とエッチングガスとを反応させてエッチングが行われる。
【０００３】
基板の表面のテキスチャ加工を行う方法としては、プラズマエッチング方法又はウェットエッチング方法を用いる方法も考えられる。しかし、プラズマエッチング方法を用いたテキスチャ加工では、基板が配設された反応室でプラズマを発生させてエッチングを行うため、加工される基板の表面はダメージを受ける。また、ウェットエッチング方法を用いたテキスチャ加工では、基板をエッチング液に接触させてエッチングを行うため、加工される基板の表面は汚染される。従って、これらの方法では、テキスチャ加工された基板から構成される太陽電池について性能の劣化が生じる可能性が高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３１３１２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、ガスエッチング方法を用いたテキスチャ加工においては、基板の表面におけるエッチングガスと反応した部分で、基板とエッチングガスとの高い反応熱により温度が部分的に上昇する。例えば、基板としてシリコン基板を用い、エッチングガスとしてＣｌＦ３ガスを用いた場合、基板の表面の温度は４００℃〜６００℃以上まで部分的に上昇する。
【０００６】
このような基板の表面の温度上昇は、所望のエッチングを困難にするばかりでなく、図１９に示されるように、基板５１の反りを生じさせる。そして、テキスチャ加工中に基板５１の反りが発生すると、基板５１の表面とは反対側の裏面にもエッチングガスが回り込み易くなる。基板の裏面側に回り込んできたエッチングガスは、基板５１の裏面のエッチングを行うため、結果として、基板５１の両面にテキスチャ加工が施されてしまう。
【０００７】
しかしながら、太陽電池においては、通常、基板の片面側から光が入射するため、基板の両面をテキスチャ加工する必要性は乏しく、基板の片面を均一にテキスチャ加工する構成が好ましい。また、基板の反り等により、基板の両面がテキスチャ加工されると、基板の膜厚が部分的に薄くなる、又はテキスチャ加工にムラが生じるため、テキスチャ加工の品質が低下し、太陽電池の光電変換効率や基板の強度は悪化する。
【０００８】
ここで、上述した基板の反りを抑える方法として、反応室において基板を載置台に固定する方法が考えられる。しかし、基板の固定に爪等のクランプ部材を用いると、基板の表面のクランプ部材と接する部分がエッチングされず、テキスチャ加工されなくなるため、テキスチャ加工の面内均一性が悪化する。また、基板の固定に接着剤を用いると、基板の表面が汚染される。
【０００９】
そこで、本発明は、かかる問題点に鑑み、基板の片面を均一に加工することが可能なガスエッチング装置及びガスエッチング方法並びにそれに用いるキャリアを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係るガスエッチング装置は、基板の表面を加工する装置であって、静電吸着により、複数の前記基板を自己保持可能に保持するキャリアと、前記キャリアにおける複数の前記基板が保持された表面側に配設され、前記キャリアに保持された複数の前記基板の表面をエッチングするエッチングガスを噴射する噴射口と、前記キャリアにおける表面側とは反対の裏面側に配設され、前記キャリアの裏面を冷却する冷却部とを備え、前記キャリアは、自己保持可能に複数の前記基板を静電吸着する複数の吸着部と、複数の前記吸着部が配置される基体とを有し、前記吸着部は、逆極性の電圧が印加される２つの電極と、前記基板の裏面と前記電極との間に、前記基板の裏面及び前記電極に接するように配設された絶縁膜とを有することを特徴とする。
【００１１】
さらに、本発明の一態様に係るガスエッチング装置において、前記エッチングガスは、ＣｌＦ３、ＸｅＦ２、ＢｒＦ３及びＢｒＦ５の少なくともいずれかを含むガスである、とすることができる。
【００１２】
さらに、本発明の一態様に係るガスエッチング装置において、前記基体には、複数の前記基板のそれぞれが収納するように配設される複数の凹部が表面に設けられ、複数の前記凹部内のそれぞれに、前記基板の裏面を静電吸着保持する吸着部が設けられている、とすることができる。
【００１３】
さらに、本発明の一態様に係るガスエッチング装置において、前記絶縁膜は、ポリイミド樹脂から構成され、複数の前記基板が前記キャリアに保持された状態で表面に露出する、とすることができる。
【００１４】
さらに、本発明の一態様に係るガスエッチング装置において、前記キャリアは、裏面にヒートシンク構造を有する、とすることができる。
【００１５】
さらに、本発明の一態様に係るガスエッチング装置において、前記冷却部は、前記キャリアの裏面を冷却する冷却ガスを噴射する噴射口である、とすることができる。
【００１６】
さらに、本発明の一態様に係るガスエッチング装置において、前記冷却部は、前記キャリアの裏面に接し、前記キャリアを搬送する搬送部材である、とすることができる。
【００１７】
また、本発明の一態様に係るガスエッチング方法は、基板の表面を加工する方法であって、静電吸着により、複数の前記基板を自己保持可能にキャリアの表面に保持する保持ステップと、前記キャリアにおける複数の前記基板が保持された表面側とは反対の裏面側に配設された冷却部により、前記キャリアの裏面を冷却しながら、前記キャリアにおける表面側に配設された噴射口により、前記キャリアに保持された複数の前記基板の表面をエッチングするエッチングガスを噴射する噴射ステップとを含むことを特徴とする。
【００１８】
また、本発明の一態様に係るキャリアは、基板を保持するキャリアであって、前記キャリアは、エッチングガスを前記基板の表面に供給することにより前記基板の表面をエッチングするガスエッチング装置に用いられ、複数の前記基板を自己保持可能に保持し、前記ガスエッチング装置は、前記キャリアにおける複数の前記基板が保持された表面側に配設され、前記キャリアに保持された複数の前記基板の表面をエッチングするエッチングガスを噴射する噴射口と、前記キャリアにおける表面側とは反対の裏面側に配設され、前記キャリアの裏面を冷却する冷却部とを備え、前記キャリアは、自己保持可能に複数の前記基板の裏面を静電吸着する複数の吸着部と、前記吸着部が交換可能に配置される基体とを有し、前記吸着部は、逆極性の電圧が印加される２つの電極と、前記基板の裏面と前記電極との間に、前記基板の裏面及び前記電極に接するように配設された絶縁膜とを有することを特徴とする。
【００１９】
なお、本発明の一態様は、このようなガスエッチング装置、ガスエッチング方法及びキャリアとして実現できるだけでなく、ガスエッチング方法に含まれる特徴的なステップをコンピュータに実行させるプログラムとして実現することもできる。そして、そのようなプログラムは、ＣＤ−ＲＯＭ（Ｃｏｍｐａｃｔ  Ｄｉｓｃ  Ｒｅａｄ  Ｏｎｌｙ  Ｍｅｍｏｒｙ）等の記録媒体及びインターネット等の伝送媒体を介して流通させることができるのはいうまでもない。
【発明の効果】
【００２０】
本発明によれば、基板の片面を均一に加工することが可能なガスエッチング装置及びガスエッチング方法並びにそれに用いるキャリアを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１Ａ】本発明の実施の形態のガスエッチング装置の断面図である。
【図１Ｂ】本発明の実施の形態のガスエッチング装置の平面図である。
【図２】本発明の実施の形態のキャリアの外観図である。
【図３】本発明の実施の形態のキャリアの断面図である。
【図４】本発明の実施の形態のガスエッチング方法を説明するためのフローチャートである。
【図５】本発明の実施の形態の変形例１のキャリアの外観図である。
【図６】本発明の実施の形態の変形例１のキャリアの吸着部の構成を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態の変形例１のキャリアの位置決め部の構成を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態の変形例１のキャリアの位置決め部の構成を示す平面図である。
【図９】本発明の実施の形態の変形例１のキャリアにおける基板の端部の反り量の許容値を示す断面図である。
【図１０】本発明の実施の形態の変形例１のキャリアの位置決め部の構成を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施の形態の変形例２のガスエッチング装置の反応室の断面図である。
【図１２】本発明の実施の形態の変形例２のガスエッチング装置の反応室の断面図である。
【図１３】本発明の実施の形態の変形例のガスエッチング装置の反応室の断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態の変形例のガスエッチング装置のロードロック室の断面図である。
【図１５】本発明の実施の形態の変形例の予熱及びエッチングによる基板の温度変化を示す図である。
【図１６】本発明の実施の形態の変形例の冷却ブロックの熱抵抗の条件を示す図である。
【図１７】本発明の実施の形態の変形例のガスエッチング装置のアンロードロック室の断面図である。
【図１８Ａ】本発明の実施の形態のキャリアの基体の変形例を示す断面図である。
【図１８Ｂ】本発明の実施の形態のキャリアの基体の変形例を示す断面図である。
【図１８Ｃ】本発明の実施の形態のキャリアの基体の変形例を示す断面図である。
【図１８Ｄ】本発明の実施の形態のキャリアの基体の変形例を示す断面図である。
【図１９】ガスエッチングによる表面処理での基板の反りを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の実施の形態について、図面を用いて詳細に説明する。なお、以下で説明する実施の形態は、いずれも本発明の好ましい一具体例を示すものである。以下の実施の形態で示される数値、形状、材料、構成要素、構成要素の配置位置及び接続形態、ステップ、ステップの順序などは、一例であり、本発明を限定する主旨ではない。本発明は、特許請求の範囲によって特定される。よって、以下の実施の形態における構成要素のうち、本発明の最上位概念を示す独立請求項に記載されていない構成要素については、本発明の課題を達成するのに必ずしも必要ではないが、より好ましい形態を構成するものとして説明される。また、図面において、実質的に同一の構成、動作、および効果を表す要素については、同一の符号を付す。
【００２３】
（実施の形態）
まず、本発明の実施の形態に係るガスエッチング装置の構成について説明する。図１Ａは、本実施の形態のガスエッチング装置の断面図である。図１Ｂは、本実施の形態のガスエッチング装置の平面図（各室の上部を除いた状態でガスエッチング装置を上方から見た平面図）である。
【００２４】
図１Ａ及び図１Ｂに示されるように、ガスエッチング装置１は、ロードロック室１０と、反応室２０と、アンロードロック室３０と、キャリア（ガスエッチングキャリア）４０とを備え、１つのキャリア４０に自己保持可能にそれぞれ静電吸着保持された複数の基板４１の表面を一括してテキスチャ加工する装置である。例えば、基板４１は矩形のシリコン基板等の太陽電池を構成する半導体基板であり、ガスエッチング装置１は太陽電池を製造するシステムの一部として設けられる。
【００２５】
ロードロック室１０の内部には、キャリア４０を反応室２０に向けて搬送する搬送部５０としての例えば複数の送りローラ１５が設けられている。これら複数の送りローラ１５の間隔は、搬送においてキャリア４０の裏面を少なくとも２つの送りローラ１５が接して支持できるように、キャリア４０の送り方向の幅以下に設定されている。
【００２６】
ロードロック室１０は、バルブ１３を介してポンプ１２と接続されており、その内部が大気圧から減圧可能となっている。ポンプ１２によるロードロック室１０の減圧は、ゲートバルブ１４を開けてキャリア４０を送りローラ１５上に配置した後で行われる。
【００２７】
反応室２０の内部には、キャリア４０をアンロードロック室３０に向けて搬送する搬送部５０としての複数の送りローラ２５が設けられている。これら複数の送りローラ２５の間隔は、搬送においてキャリア４０の裏面を少なくとも２つの送りローラ２５が接して支持できるように、キャリア４０の送り方向の幅以下に設定されている。
【００２８】
なお、ロードロック室１０とアンロードロック室３０とは別体としているが、１つのロードロック室で反応室２０へのキャリア４０を搬出入のための大気圧と大気圧からの減圧（真空）との切替えを行ってもよい。
【００２９】
反応室２０の内部には、さらに、キャリア４０における基板４１が保持された表面側に位置するように、複数の反応ガス噴射口２６が配設されている。これら複数の反応ガス噴射口２６は、エッチングガスを噴射するノズル等であり、例えば送りローラ２５で搬送されているキャリア４０に保持された基板４１の表面にエッチングガスを吹き付ける。エッチングガスは、基板４１と反応して揮発性のガスを生成する反応性のエッチングガスであり、基板４１がシリコン基板である場合、ＣｌＦ３ガス、ＸｅＦ２ガス、ＢｒＦ３ガス又はＢｒＦ５ガスを用いることができる。
【００３０】
反応室２０の内部には、さらに、キャリア４０において複数の基板４１を自己保持可能にそれぞれ吸着保持する複数の吸着部４７（図２、３参照）が配置されている表面側とは反対側の裏面側に位置するように、複数の基板４１を保持したキャリア４０を冷却する冷却部５２としての複数の冷却ガス噴射口２７が配設されている。これら複数の冷却ガス噴射口２７は、冷却ガスを噴射するノズル等であり、例えば送りローラ２５で搬送されているキャリア４０の裏面に冷却ガスを吹き付ける。冷却ガスは、エッチングガスと異なる種類のガスであってキャリア４０と反応しないガスであり、好ましくは基板４１又はエッチングガスと反応しないガスである。冷却ガスとしては、例えば不活性ガス等（例えば窒素ガス又は希ガス類元素（Ｈｅガス又はＡｒガス等））を用いることができる。
【００３１】
反応室２０は、バルブ２３を介してポンプ２２と接続されており、その内部が大気圧から減圧可能となっている。ポンプ２２による反応室２０の減圧は、反応室２０とロードロック室１０との間のゲートバルブを開ける前に行われる。反応室２０では、その内部圧力が例えば絶対圧力で１ＫＰａ〜１００ＫＰａの範囲になるまで減圧され、この減圧（真空）状態で、反応ガス噴射口２６からのエッチングガスの噴射、つまりキャリア４０に静電吸着されている複数の基板４１の表面のテキスチャ加工が行われる。
【００３２】
アンロードロック室３０の内部には、キャリア４０を装置外部に向けて搬送する搬送部５０としての複数の送りローラ３５が設けられている。これら複数の送りローラ３５の間隔は、搬送においてキャリア４０の裏面を少なくとも２つの送りローラ３５が接して支持できるように、キャリア４０の送り方向の幅以下に設定されている。
【００３３】
アンロードロック室３０は、バルブ３３を介してポンプ３２と接続されており、その内部が大気圧から減圧可能となっている。ポンプ３２によるアンロードロック室３０の減圧は、アンロードロック室３０と反応室２０との間のゲートバルブを開ける前に行われる。アンロードロック室３０からは、ゲートバルブ３４を開けることでキャリア４０が取り出される。
【００３４】
図２は、キャリア４０の全体を示す外観図である。図３は、キャリア４０の一部の拡大断面図（基板４１が設けられる凹部を拡大した断面図）である。
【００３５】
図２及び図３に示されるように、キャリア４０は、表面に複数の凹部４４が形成された板状で矩形の基体４８と、この基体４８の複数の凹部４４のそれぞれの内部に個別に設けられた複数の吸着部４７とから構成されている。キャリア４０では、複数の基板４１を保持させる場合、複数の基板４１のそれぞれが凹部４４内に配置され、対応する凹部４４内の吸着部４７と静電吸着される。
【００３６】
基体４８は、エッチングガスに対して耐エッチング性を有し、吸着部４７（絶縁膜４５及び４６）より剛性の高い例えばＳＵＳ等の金属材料等から構成される。基体４８の裏面における凹部４４の下方には、キャリア４０の熱、言い換えるとキャリア４０に保持される基板４１の熱をキャリア４０の裏面側から放熱するために、凹部４４ａが部分的に形成され、この凹部４４ａ内にヒートシンク構造としてのフィン構造が形成されている。このようにキャリア４０の裏面に凹部４４ａを形成することにより、基体４８を部分的に薄膜化してキャリア４０の熱容量及び質量を低減し、キャリア４０の放熱特性及び取り扱い性を向上させることができる。また、キャリア４０の裏面の凹部４４ａ内にヒートシンク構造を形成することで、キャリア４０の放熱特性をさらに向上させることができる。なお、基体４８の裏面の凹部４４ａにより十分な放熱特性が得られる場合には、ヒートシンク構造は形成されなくてもよい。
【００３７】
吸着部４７は、双極型の静電吸着電極で、逆極性の電圧が印加される電極４２及び４３と、電極４２及び４３を厚み方向に挟持するように内蔵する耐熱、耐エッチング性を有するポリイミド、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＴＦＥ（フッ素樹脂）、ＰＰ（ポリプロピレン）、ＰＣ（ポリカーボネート）等の樹脂材料からなる絶縁膜４５及び４６とから構成されている。このような吸着部４７では、電極４２及び４３に例えば２００Ｖ等の数百Ｖ〜数ｋＶの電圧を印加することにより、絶縁膜４６に誘電分極が生じる。この誘電分極により、吸着部４７は、自身と接して設けられる基板４１をキャリア４０に自己保持可能に静電吸着する。
【００３８】
キャリア４０の樹脂材料からなる絶縁膜４５及び４６は、反応室２０内での反応性エッチング中での基板４１の温度の調整（上昇抑制）の仕様により選択されてもよい。絶縁膜４５及び４６の樹脂材料としては、例えば、反応中の基板４１の温度上限が２５０℃以下の場合はポリイミド樹脂、１８０℃以下の場合はＰＥＴの延伸フィルム、ＰＴＦＥ、１００℃以下の場合はＰＰ、ＰＣ等を用いることができる。
【００３９】
吸着部４７の電極４２及び４３は、例えば銅等の金属により構成されている。そして、キャリア４０を平面視で表面側から見て、電極４３は櫛歯形状を有し、電極４２は電極４３の櫛歯で挟み込まれた形状を有する。基板４１の静電吸着を行うときには、双極電極として電極４２に正及び負のいずれか一方の電圧が印加され、電極４３に正及び負のいずれか他方の電圧が印加される。
【００４０】
複数の凹部４４内の電極４２のそれぞれは、配線４９を介して、キャリア４０の側面あるいは裏面上の凹部４４ａに設けられた第１端子４７ａと接続されている。同様に、複数の凹部４４内の電極４３のそれぞれも、配線４９を介して、キャリア４０の側面あるいは裏面上の凹部４４ａに設けられた第２端子４７ｂと接続されている。第１端子４７ａ及び第２端子４７ｂにより、複数の凹部４４内の電極４２及び４３に同時に電圧を印加し、複数の基板４１をそれぞれ静電吸着させることができる。
【００４１】
なお、ガスエッチング装置１は、キャリア４０の吸着部４７により基板４１の静電吸着を行わせるために、第１端子４７ａ及び第２端子４７ｂに電圧を印加する構成つまり直流電源を備えることができ、さらにはこの直流電源のオン及びオフを切り替えるスイッチを備えることもできる。また、第１端子４７ａ及び第２端子４７ｂと電極４２及び４３との接続は、基体４８の表面、側面及び裏面上に連続して形成され、ポリイミド樹脂等の絶縁膜により保護された配線４９により行うことができる。また、キャリア４０の側面あるいは裏面上の凹部４４ａに形成されるとした第１端子４７ａ及び第２端子４７ｂは、その表面がポリイミド樹脂等の絶縁、耐熱、耐エッチング特性に優れた樹脂部材等で保護されることによりキャリア４０の表面に形成することが可能である。
【００４２】
絶縁膜４５の裏面は凹部４４の底面と接着されており、その表面は絶縁膜４６の裏面と接着されている。また、絶縁膜４５の表面の絶縁膜４６と接着されていない部分には、電極４２及び４３が印刷等で形成されている。基体４８に貼り付けられている絶縁膜４５は、電極４２及び４３と基体４８とを絶縁している。絶縁膜４６の表面は、基板を載置して保持する吸着部４７の表面として凹部４４内で表面に露出している。また、本願発明のキャリア４０は、外部接続端子としての第１端子４７ａ、第２端子４７ｂに接続される吸着部４７の配線４９と、基板４１を静電吸着するための吸着部４７の電極４２及び４３と、これらを絶縁保護する可撓性、絶縁、耐熱、耐エッチング性を有するポリイミド樹脂、ＰＥＴ，ＰＴＦＥ、ＰＰ、ＰＣ等の樹脂材料からなる絶縁膜４６とを有して、キャリア４０の基体４８に対して複数の吸着部４７は個別に交換可能に構成されており、キャリア４０の吸着部４７等の交換等に対する高メンテナンス性を容易で安価に実現することができる。なお、基体４８がセラミック等の絶縁体あるいは表面が絶縁処理された基材より構成される場合には、別途絶縁膜４５は設けられなくてもよい。
【００４３】
上記構成を有するガスエッチング装置１では、反応室２０内でキャリア４０の裏面の一部が搬送部５０での隣り合う送りローラ２５間で露出し、この露出するキャリア４０の裏面の部分に冷却部５２としての冷却ガス噴射口２７より冷却ガスが吹き付けられる。従って、キャリア４０の表面に静電吸着保持された複数の基板４１の表面に反応ガス噴射口２６からエッチングガスが吹き付けられると共に、冷却部５２によりキャリア４０を介して基板４１の裏面が冷却されるので、基板４１の温度を例えば約２００℃で維持させてエッチングによる形状制御性を向上させると共にエッチングの反応熱による基板４１の反りの発生を抑えることができる。なお、基板４１の温度を約２００℃で維持させる場合には、少なくとも基板４１に接する吸着部４７と、吸着部４７に接するキャリア４０の基体４８とは約２００℃より融点の高い材料で構成する必要があることは言うまでもない。
【００４４】
なお、本実施の形態では、複数の基板４１が保持された１つのキャリア４０にて処理しているが、これに限定されずキャリア４０を複数処理するものであってもよい。
【００４５】
また、複数のキャリア４０が処理される反応室２０内では、複数のキャリア４０が複数の送りローラ２５上に送り方向に連続して配置され、反応室２０が、反応ガス噴射口２６の配設された一方の空間である上部空間と、冷却部５２の冷却ガス噴射口２７の配設された他方の空間である下部空間とに区分されてもよい。下部空間ではさらに冷却ガス噴射口２７の下方側からポンプ２２により排気されて大気圧から真空に減圧される。従って、キャリア４０の表面に保持された基板４１に向けて上部空間側の反応ガス噴射口２６より噴射するエッチングガスがキャリア４０の裏面の下方空間側の冷却ガス噴射口２７の噴射する冷却ガスにより薄められて、キャリア４０の表面に配置された複数の基板４１の表面のエッチングレートが落ちるのを抑えることができる。
【００４６】
次に、本発明の実施の形態に係るガスエッチング装置１によるガスエッチング方法について説明する。図４は、本実施の形態のエッチング方法を説明するためのフローチャートである。
【００４７】
図４に示されるように、まず、キャリア４０の凹部４４のそれぞれに吸着部４７の絶縁膜４６と接するように基板４１を配置した後、基板４１のキャリア４０への静電吸着のために、例えば電極４２に正の電圧、電極４３に負の電圧を印加して複数の基板４１をキャリア４０の吸着部４７に自己保持可能に静電吸着させる（ステップＳ１）。なお、電極４２及び４３に印加された電圧は、基板４１のテキスチャ加工が終わってガスエッチング装置外部に取り出されるまで印加され続けてもよい。
【００４８】
次に、キャリア４０をロードロック室１０内の搬送部５０の送りローラ１５上に配置した後、ゲートバルブ１４を閉じてロードロック室１０を減圧する。続いて、ロードロック室１０から、キャリア４０を搬送させて反応室２０の処理支持部としての搬送部５０の送りローラ２５上に移動させる（ステップＳ２）。
【００４９】
次に、反応室２０内において、反応ガス噴射口２６からエッチングガスを噴射させ、処理支持部としての送りローラ２５上のキャリア４０の表面に自己保持可能に静電吸着保持された複数の基板４１の表面を反応性エッチングする（ステップＳ３）。このとき、反応室２０内において、キャリア４０の裏面側に配置される冷却部５２としての冷却ガス噴射口２７から冷却ガスがキャリア４０の裏面に噴射されており、複数の基板４１はそれぞれ静電吸着保持され、キャリア４０を介して基板４１が冷却されているため、エッチングの反応熱による基板４１の反りが抑制されると共に、エッチングの均一性やエッチング深さの制御性等が向上する。
【００５０】
次に、反応室２０からキャリア４０を搬送させてキャリア４０を大気圧から真空圧に減圧されたアンロードロック室３０内の搬送部５０としての送りローラ３５上に移動させる（ステップＳ４）。続いて、アンロードロック室３０を大気圧に戻した後、キャリア４０をアンロードロック室３０から取り出す。
【００５１】
最後に、キャリア４０の吸着部４７の電極４２及び４３に印加された電圧が解除され、キャリア４０から基板４１が取り外される（ステップＳ５）。キャリア４０に基板４１を静電吸着させたときと逆の極性の電圧を吸着部４７の電極４２及び４３に印加してキャリア４０の吸着部４７と基板４１との誘電分極による残留吸着力を解放させる。例えば、一方の電極４２に負の電圧、他方の電極４３に正の電圧を印加する。
【００５２】
以上のように本実施の形態のガスエッチング装置１は、基板４１の表面を加工する装置であって、静電吸着により、複数の基板４１を自己保持可能に保持するキャリア４０を備える。そして、ガスエッチング装置１は、さらに、キャリア４０における複数の基板４１が保持された表面側に配設され、キャリア４０に保持された複数の基板４１の表面をエッチングする反応性のエッチングガスを噴射する反応ガス噴射口２６と、キャリア４０における表面側とは反対の裏面側に配設され、キャリア４０の裏面を冷却する冷却部５２としての冷却ガス噴射口２７とを備える。
【００５３】
これにより、複数の基板４１はそれぞれキャリア４０の絶縁樹脂で保護された吸着部４７に自己保持可能に静電吸着固定されるので、クランプ部材等を設けることなくエッチングの反応熱による基板４１の反りの発生を抑えて、基板４１の片面のみを均一にテキスチャ加工することができる。
【００５４】
また、キャリア４０の裏面を冷却し、キャリア４０を介して基板４１を冷却した状態で、基板４１とエッチングガスとを反応させる反応性エッチング処理させることができるので、反応熱による基板４１の反りの発生をさらに抑えることができる。
【００５５】
さらに、キャリア４０が複数の基板４１を保持可能であり、複数の基板４１に対して同時にテキスチャ加工を行うことができるので、高い処理効率を持つ装置を実現できる。
【００５６】
さらにまた、複数のキャリア４０を反応室２０にてエッチング処理する場合であれば、搬送部５０の送りローラ２５により複数のキャリア４０を搬送しながらテキスチャ加工を行うことができるので、さらに高い処理効率を持つ装置を実現できる。
【００５７】
また、本実施の形態のガスエッチング装置１では、反応性のエッチングガスは、ＣｌＦ３、ＸｅＦ２、ＢｒＦ３及びＢｒＦ５の少なくともいずれかを含むガスである。
【００５８】
これにより、シリコン基板の表面をテキスチャ加工することができる。
【００５９】
また、本実施の形態のガスエッチング装置１では、キャリア４０は、自己保持可能に複数の基板４１を静電吸着する複数の吸着部４７と、複数の吸着部４７が交換可能に配置される基体４８とを有する。そして、吸着部４７は、逆極性の電圧が印加される２つの電極４２及び４３と、基板４１の裏面と電極４２及び４３との間に、基板４１の裏面及び電極４２及び４３に接するように配設された絶縁膜４６とを有する。
【００６０】
また、本実施の形態のガスエッチング装置１では、キャリア４０の基体４８には、複数の基板４１のそれぞれが収納するように配設される複数の凹部４４が表面に設けられ、複数の凹部４４内のそれぞれに、基板４１の裏面を静電吸着保持する吸着部４７が設けられている。
【００６１】
これにより、キャリア４０の吸着部４７以外の保持構成（例えば、クランプや保持耐熱テープ等）を別途用いることなく、キャリア４０の吸着部４７自身の構成で基板４１を自己保持可能に静電吸着することができるので、汎用性の高いキャリア４０を実現することができる。
【００６２】
また、本実施の形態のガスエッチング装置１では、絶縁膜４６は、耐熱性、耐エッチング性の高い樹脂や樹脂シートのポリイミド樹脂等から構成され、複数の基板４１がキャリア４０に保持された状態でそれぞれの吸着部４７は基板４１より大きく、複数の基板４１が静電吸着により保持されているキャリア４０の表面に露出している。
【００６３】
なお、絶縁膜４６はポリイミド樹脂から構成されるので、エッチングガスに対する絶縁膜４６の耐エッチング性を向上させることができる。
【００６４】
また、本実施の形態のガスエッチング装置１では、キャリア４０は、裏面にヒートシンク構造を有する。
【００６５】
これにより、基板４１の熱をキャリア４０の裏面から効率良く放熱できるので、基板４１の反りの発生をさらに抑えることができる。
【００６６】
また、本実施の形態のガスエッチング装置１では、冷却部５２としての冷却ガス噴射口２７がキャリア４０の裏面を冷却する冷却ガスを噴射する。
【００６７】
これにより、簡易な構成でキャリア４０に静電吸着保持されている基板４１をキャリア４０を介して冷却し、基板４１の反りの発生を抑えることができる。
【００６８】
また、本実施の形態のガスエッチング方法は、基板４１の表面をエッチングにより加工する方法であって、静電吸着により、複数の基板４１を自己保持可能にキャリア４０の表面に保持するステップＳ１を含む。そして、ガスエッチング方法は、さらに、キャリア４０における複数の基板４１が保持された表面側とは反対の裏面側に配設された冷却部５２としての冷却ガス噴射口２７により、キャリア４０の裏面を冷却しながら、キャリア４０における表面側に配設された反応ガス噴射口２６により、キャリア４０に自己保持可能に静電吸着保持された複数の基板４１の表面をエッチングするエッチングガスを噴射するステップＳ３とを含む。キャリア４０の吸着部４７の絶縁膜４５及び４６は、絶縁、耐熱、耐エッチング性を有して、ポリイミド樹脂等の樹脂材料からなるとしたが、セラミック材でキャリア４０の基板４１に対して一体的あるいは個別に交換可能に構成されてもよい。
【００６９】
これにより、本実施の形態のガスエッチング装置と同様の効果が得られる。
【００７０】
また、本実施の形態のキャリア４０は、基板４１を保持するキャリアであって、キャリア４０は、エッチングガスを基板４１の表面に供給することにより基板４１の表面をエッチングするガスエッチング装置１に用いられ、複数の基板４１を自己保持可能に保持する。そして、キャリア４０は、自己保持可能に複数の基板４１の裏面を静電吸着する複数の吸着部４７と、複数の吸着部４７が交換可能に配置される基体４８とを有し、吸着部４７は、逆極性の電圧が印加される２つの電極４２及び４３と、基板４１の裏面と電極４２及び４３との間に、基板４１の裏面及び電極４２及び４３に接するように配設された絶縁膜４６とを有する。そして、基体４８には、複数の基板４１のそれぞれが収納するように配設される複数の凹部４４が表面に設けられ、複数の凹部４４内のそれぞれに、吸着部４７が設けられている。
【００７１】
これにより、基板４１の反りの発生を抑えることが可能なキャリア４０を実現することができる。
【００７２】
（変形例１）
本実施の形態のガスエッチング装置１において、キャリア４０の吸着部４７は位置決め部としても機能するキャリア４０の表面に設けられた凹部４４内に設けられて基板４１を収納するとしたが、基板４１のキャリア４０に対する位置決め部はこれに限定されない。以下、本実施の形態のガスエッチング装置１と異なる点を中心に詳述する。
【００７３】
図５は、本変形例のキャリア４０の全体を示す外観図である。図６は、本変形例の吸着部４７の構成を示す断面図である。図７は、本変形例の位置決め部５３の構成を示す断面図である。
【００７４】
図５に示されるように、キャリア４０は、板状で矩形の基体４８と、この基体４８の表面にマトリクス状に配置され、接着剤５４を介して基体４８の表面に貼り付けられた複数のフィルム状の吸着部４７と、基体４８の表面の所定の位置に吸着部４７を配置するための位置決め部５３とから構成されてもよい。このキャリア４０では、位置決め部５３によりガイドされて位置決めされた複数の基板４１を保持させる場合、複数の吸着部４７が、静電吸着により、複数の基板４１をそれぞれ自己保持可能に保持する。
【００７５】
図６に示されるように、吸着部４７は、双極型の静電吸着電極で、逆極性の電圧が印加される電極４２及び４３と、電極４２及び４３を厚み方向に挟持する絶縁性、耐熱、耐エッチング性を有するポリイミド樹脂等の絶縁膜４５及び４６とから構成されている。吸着部４７は、基板４１を保持した状態でキャリア４０を上方から平面視したとき、その全外周が基板４１の全外周の外側に位置し、その面積は基板４１の面積より大きい。
【００７６】
図７に示されるように、位置決め部５３は、位置決めピンであり、ＳＵＳ等の金属材料等から構成され、基体４８の表面のネジ孔と螺合するネジ５３ａと、ネジ５３ａの頭部と基体４８の表面との間にクッションとして可撓性、耐熱、耐エッチング性、絶縁性を有する材料としての環状の鍔部５３ｂとから構成される。鍔部５３ｂは、位置決め部５３の接触部であり、セラミックや可撓性を有するポリイミド樹脂等から構成される。鍔部５３ｂの厚みは、基板４１の厚みより厚い。
【００７７】
なお、位置決め部５３は、図７に示される構成に限定されず、例えば鍔部５３ｂがなく、耐熱、耐エッチング性、絶縁性を有する材料としてのセラミックのネジ５３ａのみにより構成されてもよい。さらには、位置決め部５３は、ピンでなく、図８の平面図に示されるように、基体４８の表面に形成されたマークであってもよい。
【００７８】
また、吸着部４７の面積は、基板４１の面積より小さくでもよい。ただし、この場合には、図９の断面図に示されるように、基板４１の端部の反り量が１〜３ｍｍという許容値内にあることが好ましい。
【００７９】
また、位置決め部５３は、図１０の平面図に示されるように、吸着部４７の周縁部の各辺に形成されたに切り欠き部に配置されてもよい。
【００８０】
また、上述の位置決め部５３は、キャリア４０の表面に形成される凹部４４と組み合わせた構成で基板４１の位置決めを行ってもよい。
【００８１】
（変形例２）
本実施の形態のガスエッチング装置１において、複数のキャリア４０にて反応室２０でエッチング処理する場合には、反応室２０内で複数の基板４１が保持された複数のキャリア４０を搬送させながら反応性エッチングされるとしたが、反応室２０内に複数のキャリア４０を積層配置して静止された状態で反応性エッチングすることもできる。つまり、反応室２０をバッチマルチ処理チャンバとして構成しても本実施の形態のガスエッチング装置１と同様の効果が得られ、さらには反応室２０の小型化を実現することができる。従って、本変形例のガスエッチング装置１は、反応室２０をバッチマルチ処理チャンバとして構成する点で本実施の形態のガスエッチング装置１と異なる。以下、本実施の形態のガスエッチング装置１と異なる点を中心に詳述する。
【００８２】
図１１は、本変形例の反応室２０の断面図である。
【００８３】
図１１に示されるように、反応室２０内には複数のキャリア４０が横方向（Ｙ軸方向）に縦状に並んで積層配置され、それら複数のキャリア４０は、別々のプレート７３に保持される。プレート７３は、キャリア４０の下面と接し、保持するキャリア４０の冷却を行う冷却部７１と、冷却部７１と一体化され、横方向に隣り合うキャリア４０に保持された基板４１の表面にエッチングガスを噴射する反応ガス噴射部７２とから構成される。複数のキャリア４０は、保持する基板４１の表面が反応ガス噴射部７２と対向するように縦状に並んで配置される。
【００８４】
冷却部７１は、例えば内部に冷媒が循環するプレートで構成することができる。また、反応ガス噴射部７２は、例えば内部に反応性のエッチングガスが供給され、その供給されたエッチングガスを噴射する複数の噴射口がシャワー状に設けられたプレートで構成することができる。
【００８５】
なお、キャリア４０は反応室２０内でＹ軸方向に縦状に並んで積層配置されるとしたが、図１２の反応室２０の断面図に示されるように、上下方向に積層配置されてもよい。
【００８６】
以上、本発明のガスエッチング装置、ガスエッチング方法及びキャリアについて、実施の形態に基づいて説明したが、本発明は、この実施の形態に限定されるものではない。本発明の要旨を逸脱しない範囲内で当業者が思いつく各種変形を施したものも本発明の範囲内に含まれる。また、発明の趣旨を逸脱しない範囲で、実施の形態における各構成要素を任意に組み合わせてもよい。
【００８７】
例えば、上記実施の形態において、搬送部５０としてローラ式コンベアの送りローラ２５を例示したが、レール式コンベア、ベルト式コンベア又は冷却、通気性に優れたネット型ベルト式コンベア等のコンベアを用いることもできる。
【００８８】
また、上記実施の形態において、キャリア４０の裏面を冷却する冷却部５２は、冷却ガス噴射口２７であり、ガスにより非接触でキャリア４０の冷却を行うとした。しかし、冷却部５２を、キャリア４０の裏面に接し、キャリア４０を搬送する搬送部５０としての送りローラ２５あるいは冷却ブロックとし、冷却部５２とキャリア４０とを接触させて基板４１を保持したキャリア４０の冷却が行われてもよいし、これと非接触の冷却とが併用されてもよい。送りローラ２５でキャリア４０の冷却を行う場合、送りローラ２５自体を冷却する必要があるが、送りローラ２５での冷却は、例えば送りローラ２５の一部を冷媒に浸したり、送りローラ２５内に冷媒を通したり、又は冷却部５２での冷却はキャリア４０の裏面と接触させた冷却ブロックとさらにはキャリア４０の裏面にＨｅガス等の不活性ガスを充填させて冷却したりすることで実現される。冷却ブロックで冷却を行う場合、図１３の反応室２０の断面図に示されるような構成が考えられる。図１３の構成では、搬送部５０が送り方向に延びる２本のレールで構成され、その２本のレールの間に冷却部５２としての冷却ブロックが設けられる。キャリア４０の裏面と接触可能に構成された冷却ブロックは、例えば、空冷型や冷媒循環型のブロックを用いることができる。
【００８９】
また、上記実施の形態において、ロードロック室１０にヒータ等の予熱部が設けられ、ロードロック室１０で反応室２０に搬送される基板４１を、この予熱部により反応性エッチング処理がよく進むように、例えば反応性エッチングが促進される１００℃以上に加熱してもよい。これにより、反応室２０で行われるエッチングの反応を良く進めることができ、エッチング特性及び生産性を向上させることができる。この場合、図１４のロードロック室１０の断面図に示されるような構成が考えられる。図１４の構成では、搬送部５０が送り方向（Ｘ軸方向）に延びる２本のレールで構成され、その２本のレールの間に予熱部６０が設けられる。図１５に示されるように、反応性エッチング処理を行う反応室２０では基板４１を冷却しない場合、反応熱により反応室２０内で基板４１の温度は、例えば４００℃程度になるが、例えば反応室２０の冷却ブロックの温度を２５〜２００℃に調整することにより、基板４１の温度を１００℃〜２００℃程度に冷却することができる。上記実施の形態のキャリア４０の絶縁膜４５及び４６をポリイミド樹脂で構成する場合には、図１５に示すように、例えば反応室２０内の基板４１の温度（基板４１を保持するキャリア４０の温度、より具体的にはキャリア４０の吸着部４７付近の温度）を２００℃に調整する放熱設計で熱収支をバランスさせるために、冷却ブロックの熱抵抗Ｒは、図１６に示される各パラメータを用いて、ΔＴ＝Ｔｉ−Ｔａ、Ｒ≦ΔＴ／Ｑｏｕｔ、Ｑｉｎ＝Ｑｏｕｔを満たすことが好ましい。なお、図１６において、Ｔｉは冷却ブロックのキャリア４０と接する面（表面）での温度を示し、Ｔａは冷却ブロックの裏面での温度を示し、Ｑｉｎは基板４１におけるエッチング反応により生じ冷却ブロックの表面に伝熱される熱量（反応熱による熱量）を示し、Ｑｏｕｔは冷却ブロックの裏面から放熱される熱量を示している。
【００９０】
また、上記実施の形態において、アンロードロック室３０に冷却ブロック等の冷却部が設けられ、アンロードロック室３０で反応室２０から搬送される基板４１を冷却してもよい。この場合、図１７のアンロードロック室３０の断面図に示されるような構成が考えられる。図１７の構成では、搬送部５０が送り方向（Ｘ軸方向）に延びる２本のレールで構成され、その２本のレールの間に冷却部６１が設けられる。
【００９１】
また、上記実施の形態において、冷却ガス噴射口２７は送りローラ２５とは別に設けられるとした。しかし、冷却ガス噴射口２７は送りローラ２５の周方向に沿って送りローラ２５の表面に設けられ、冷却ガス噴射口２７及び送りローラ２５が一体化されてもよい。
【００９２】
また、上記実施の形態において、反応室２０内でキャリア４０を送る、あるいは支持する複数の送りローラ２５は、キャリア４０の搬送を行う搬送アーム等の搬送部５０と、エッチングにおけるキャリア４０の載置台（支持台）としてのエッチングステージとに置き換えられてもよい。
【００９３】
また、上記実施の形態において、キャリア４０の基体４８の形状は図２及び図３で示したもの（基板４１をキャリア４０の表面側の凹部４４に収納して吸着保持し、その保持した裏面側に凹部４４ａを有する構成（図１８Ｄ参照））に限られず、例えば図１８Ａ〜図１８Ｃ、及び図１８Ｄのキャリア４０の断面図に示すものであってもよい。図１８Ａの基体４８は、表面の凹部４４及び裏面に凹部４４ａが設けられないシンプルな形状である。これにより、安価でクリーニング性に優れる構成とすることができる。図１８Ｂの基体４８は、表面の凹部４４が設けられないが、裏面の複数の凹部４４ａが設けられた形状である。これにより、キャリア４０の軽量化やキャリア４０の裏面の冷却ガスによる冷却効率の向上が可能である。図１８Ｃの基体４８は、裏面の凹部４４ａが設けられないが、表面の複数の凹部４４が設けられた形状である。これにより、凹部４４内に基板４１を収納することで安定搬送することができる。図１８Ｄの基体４８は、図２、図３と同様な構成で、表面の複数の凹部４４と、裏面の複数の凹部４４ａとが設けられた形状である。これにより、キャリア４０の軽量化、高剛性化、キャリア自体の熱反りの抑制が可能で、また凹部４４内に基板４１を収納することで安定搬送することができる。
【００９４】
また、上記実施の形態において、吸着部４７は、双極式で静電吸着を行うとした。しかし、キャリア４０において基板４１の表面に一時的に電極を設けることが可能な場合、又は反応室２０でプラズマを発生可能な場合、吸着部４７は、単極式の電極の吸着部としてキャリア４０に対して基板４１の静電吸着を行ってもよい。
【００９５】
また、上記実施の形態において、エッチングは、減圧された空間内で行われるとしたが、反応室２０から反応生成物を排出できれば、大気圧下で行われてもよい。
【００９６】
また、上記実施の形態において、ガスエッチング装置１は、基板４１の表面をテキスチャ加工する装置であるとしたが、ガスエッチング方法を用いて基板４１の表面を所望の形態に加工する装置であれば、テキスチャ加工を行う装置に限られない。
【産業上の利用可能性】
【００９７】
本発明は、ガスエッチング装置、ガスエッチング方法及びキャリアに利用でき、特にシリコン基板のテキスチャ加工を行う装置及び方法並びにそれに用いるキャリア等に利用することができる。
【符号の説明】
【００９８】
１    ガスエッチング装置
１０    ロードロック室
１２、２２、３２    ポンプ
１３、２３、３３    バルブ
１４、３４    ゲートバルブ
１５、２５、３５    送りローラ
２０    反応室
２６    反応ガス噴射口
２７    冷却ガス噴射口
３０    アンロードロック室
４０    キャリア
４１、５１    基板
４２、４３    電極
４４、４４ａ    凹部
４５、４６    絶縁膜
４７    吸着部
４７ａ    第１端子
４７ｂ    第２端子
４８    基体
４９    配線
５０    搬送部
５２、６１、７１    冷却部
５３    位置決め部
５３ａ    ネジ
５３ｂ    鍔部
５４    接着剤
６０    予熱部
７２    反応ガス噴射部
７３    プレート
【図１Ａ】
2014082371.tif 000003
【図１Ｂ】
2014082371.tif 000004
【図２】
2014082371.tif 000005
【図３】
2014082371.tif 000006
【図４】
2014082371.tif 000007
【図５】
2014082371.tif 000008
【図６】
2014082371.tif 000009
【図７】
2014082371.tif 000010
【図８】
2014082371.tif 000011
【図９】
2014082371.tif 000012
【図１０】
2014082371.tif 000013
【図１１】
2014082371.tif 000014
【図１２】
2014082371.tif 000015
【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
2014082371.tif 000019
【図１７】
2014082371.tif 000020
【図１８Ａ】
2014082371.tif 000021
【図１８Ｂ】
2014082371.tif 000022
【図１８Ｃ】
2014082371.tif 000023
【図１８Ｄ】
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【図１９】
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