(57)【要約】【課題】本発明は車両や携帯端末等に用いられる加速度センサにおいて、高感度な加速度センサを提供することを目的とする。【解決手段】外枠部と、外枠部の中心部に配置された錘部と、錘部の中心で互いに直交するＸ軸およびＹ軸を定義し、Ｘ軸を幅方向の中心線に持ち、外枠部と錘部とを接続する一対のＸ軸可撓部と、Ｙ軸を幅方向の中心線に持ち、外枠部と錘部とを接続する一対のＹ軸可撓部と、Ｘ軸可撓部に配され、Ｘ軸方向の加速度成分を検出する第１ないし第４のＸ軸抵抗素子と、を備えた加速度センサであって、第１ないし第４のＸ軸抵抗素子は、それぞれが一対の歪抵抗からなり、第２のＸ軸抵抗素子は、第１のＸ軸抵抗素子の内側に配され、第１のＸ軸抵抗素子と第３のＸ軸抵抗素子とは、Ｙ軸に対して線対称になるよう配され、第２のＸ軸抵抗素子と第４のＸ軸抵抗素子とは、Ｙ軸に対して線対称になるよう配される構成とした。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
外枠部と、
前記外枠部の中心部に配置された錘部と、
前記錘部の中心で互いに直交するＸ軸およびＹ軸を定義し、
前記Ｘ軸を幅方向の中心線に持ち、前記外枠部と前記錘部とを接続する一対のＸ軸可撓部と、
前記Ｙ軸を幅方向の中心線に持ち、前記外枠部と前記錘部とを接続する一対のＹ軸可撓部と、
前記Ｘ軸可撓部に配され、前記Ｘ軸方向の加速度成分を検出する第１ないし第４のＸ軸抵抗素子と、を備えた加速度センサであって、
前記第１ないし第４のＸ軸抵抗素子は、それぞれが一対の歪抵抗からなり、
前記第２のＸ軸抵抗素子は、前記第１のＸ軸抵抗素子の内側に配され、
前記第１のＸ軸抵抗素子と前記第３のＸ軸抵抗素子とは、前記Ｙ軸に対して線対称になるよう配され、
前記第２のＸ軸抵抗素子と前記第４のＸ軸抵抗素子とは、前記Ｙ軸に対して線対称になるよう配される、
加速度センサ素子。
【請求項２】
前記Ｙ軸可撓部において前記Ｙ軸に対して線対称になるよう配され、前記Ｙ軸方向の加速度成分を検出する第１ないし第４のＹ軸抵抗素子を更に備え、
前記第１ないし第４のＹ軸抵抗素子はそれぞれ、一対の歪抵抗からなり、
前記第２のＹ軸抵抗素子は、前記第１のＹ軸抵抗素子の内側に配され、
前記第１のＹ軸抵抗素子と前記第３のＹ軸抵抗素子とは、前記Ｘ軸に対して線対称になるよう配され、
前記第２のＹ軸抵抗素子と前記第４のＹ軸抵抗素子とは、前記Ｘ軸に対して線対称になるよう配される、
請求項１に記載の加速度センサ素子。
【請求項３】
前記第１のＹ軸抵抗素子と前記第２のＹ軸抵抗素子とはそれぞれ、一方の前記Ｙ軸可撓部上の前記錘部側に配される、
請求項１に記載の加速度センサ素子。
【請求項４】
前記Ｘ軸可撓部に設けられ、前記Ｘ軸およびＹ軸にそれぞれ直交するＺ軸方向の加速度成分を検出する第１ないし第４のＺ軸抵抗素子を更に備えた、
請求項２に記載の加速度センサ素子。
【請求項５】
前記第１ないし第４のＺ軸抵抗素子はそれぞれ、一対の歪抵抗からなり、
前記第２のＺ軸抵抗素子は前記第２のＸ軸抵抗素子の内側に配され、
前記第４のＺ軸抵抗素子は前記第４のＸ軸抵抗素子の内側に配される
請求項４に記載の加速度センサ素子。
【請求項６】
前記第２のＹ軸抵抗素子の内側に配される第１のダミー抵抗素子と、
前記第４のＹ軸抵抗素子の内側に配される第２のダミー抵抗素子と、
を更に備えた
請求項４に記載の加速度センサ素子。
【請求項７】
請求項１に記載の加速度センサ素子を備えた加速度センサであって、
前記外枠部に設けた電極パッドと、
前記加速度センサ素子と接続されるパッケージ基板と、
前記加速度センサ素子と前記パッケージ基板とを接続する金属ワイヤと、を更に備え、
前記第１のＸ軸抵抗素子と前記第２のＸ軸抵抗素子とはそれぞれ、一方の前記Ｘ軸可撓部上の前記錘部側に配される、
加速度センサ。
【請求項８】
請求項１に記載の加速度センサ素子を備えた加速度センサであって、
前記外枠部に設けた電極パッドと、
前記加速度センサ素子と接続されるパッケージ基板と、
前記加速度センサ素子と前記パッケージ基板とを接続する金属バンプと、を更に備え、
前記第１のＸ軸抵抗素子と前記第２のＸ軸抵抗素子とはそれぞれ、一方の前記Ｘ軸可撓部上の前記外枠部側に配される、
加速度センサ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、車両や携帯端末等に用いられる加速度センサに関する。
【背景技術】
【０００２】
図１３は従来のＸ、Ｙ、Ｚの３軸方向の加速度を検出する加速度センサ１の構成を模式的に表した上面図である。
【０００３】
従来の３軸加速度を検出する加速度センサ１は、外枠部２の中心部に錘部３を配置し、外枠部２と錘部３とを接続する一対のＸ軸可撓部４ａ、４ｂおよび一対のＹ軸可撓部５ａ、５ｂを設け、Ｙ軸方向の加速度成分を検出するために、一方のＹ軸可撓部５ａにおいては、外枠部２側に第１のＹ軸抵抗素子６ａと、Ｙ軸上の錘部３側に第２のＹ軸抵抗素子６ｂとを配置し、他方のＹ軸可撓部５ｂにおいては、Ｙ軸上の錘部３側に第３のＹ軸抵抗素子６ｃと、Ｙ軸上の外枠部２側に第４のＹ軸抵抗素子６ｄとを配置していた。ここで、Ｘ軸およびＺ軸方向の加速度成分を検出するために、一方のＸ軸可撓部４ａにおいては、外枠部２側に第１のＸ軸抵抗素子７ａおよび第１のＺ軸抵抗素子８ａを、錘部３側に第２のＸ軸抵抗素子７ｂおよび第２のＺ軸抵抗素子８ｂを、他方のＸ軸可撓部４ｂにおいては、錘部３側に第３のＸ軸抵抗素子７ｃおよび第３のＺ軸抵抗素子８ｃを、外枠部２側に第４のＸ軸抵抗素子７ｄおよび第４のＺ軸抵抗素子８ｄを配置していた。そして、これら第１ないし第４のＸ軸抵抗素子と、第１ないし第４のＺ軸抵抗素子とをそれぞれＸ軸に対して線対称になるように配列し、各Ｘ軸抵抗素子、各Ｙ軸抵抗素子、各Ｚ軸抵抗素子によりそれぞれブリッジ回路を構成してＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向の加速度成分を検出していた。
【０００４】
なお、この出願の発明に関連する先行技術文献情報としては、例えば、特許文献１が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２７９５９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、図１３に示したように従来の加速度センサでは、Ｘ軸抵抗素子７ａ〜７ｄがＸ軸可撓部４ａ、４ｂ上の錘部３側と外枠部２側とに分けて配置されている。あるいは、Ｙ軸抵抗素子６ａ〜６ｄがＹ軸可撓部５ａ、５ｂ上の錘部３側と外枠部２側とに分けて配置されている。ここで、加速度を受けた場合に各可撓部に生じる歪みは、各可撓部と錘部３との境界付近、又は各可撓部と外枠部２との境界付近のいずれか一方に集中的に発生する場合があることを発見した。この様な場合において、従来の加速度センサの抵抗配置では次のような課題が生じる。すなわち、錘部３側に配されたＸ軸抵抗素子７ｂ、７ｃあるいは外枠部２に配されたＸ軸抵抗素子７ａ、７ｄのいずれか一方の組が、歪みの発生が少ない箇所に配置されることとなり、結果、加速度の検出感度が低下するという問題が生じる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の加速度センサは、外枠部と、前記外枠部の中心部に配置された錘部と、前記錘部の中心で互いに直交するＸ軸およびＹ軸を定義し、前記Ｘ軸を幅方向の中心線に持ち、前記外枠部と前記錘部とを接続する一対のＸ軸可撓部と、前記Ｙ軸を幅方向の中心線に持ち、前記外枠部と前記錘部とを接続する一対のＹ軸可撓部と、前記Ｘ軸可撓部に配され、前記Ｘ軸方向の加速度成分を検出する第１ないし第４のＸ軸抵抗素子と、を備えた加速度センサであって、前記第１ないし第４のＸ軸抵抗素子は、それぞれが一対の歪抵抗からなり、前記第２のＸ軸抵抗素子は、前記第１のＸ軸抵抗素子の内側に配され、前記第１のＸ軸抵抗素子と前記第３のＸ軸抵抗素子とは、前記Ｙ軸に対して線対称になるよう配され、前記第２のＸ軸抵抗素子と前記第４のＸ軸抵抗素子とは、前記Ｙ軸に対して線対称になるよう配される構成とした。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、第２のＸ軸抵抗素子は、第１のＸ軸抵抗素子の内側に配され、第１のＸ軸抵抗素子と前記第３のＸ軸抵抗素子とは、Ｙ軸に対して線対称になるよう配され、第２のＸ軸抵抗素子と前記第４のＸ軸抵抗素子とは、Ｙ軸に対して線対称になるよう配される構成であるため、加速度に起因する歪みの発生が多い箇所に各抵抗素子を集中して配置することができ、高感度な加速度センサ素子を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】（ａ）本発明の実施の形態１における加速度センサ素子の上面図、（ｂ）同素子のＡ−Ａ’線における断面図
【図２】（ａ）同素子の領域Ｐの上面図、（ｂ）領域ＰのＢ−Ｂ’線における断面図
【図３】同素子の実装構造を示した模式図
【図４】加速度センサ素子の別の構成例を示した上面図
【図５】同素子の別の実装構造を示した模式図
【図６】同素子の別の実装構造を示した模式図
【図７】同素子の動作原理を示した図
【図８】同素子の回路図
【図９】同素子の更に別の構成例を示した上面図
【図１０】同素子の更に別の構成例を示した上面図
【図１１】同素子の更に別の構成例を示した上面図
【図１２】同素子の領域Ｑの上面図
【図１３】従来の３軸加速度センサの構成を模式的に表した上面図
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の加速度センサについて図面を参照しながら説明する。
【００１１】
（実施の形態１）
図１（ａ）は、本発明の実施の形態１における加速度センサ素子を表した上面図、（ｂ）は、同素子のＡ−Ａ’線における断面図である。図２（ａ）は、同素子の領域Ｐの上面図、（ｂ）領域ＰのＢ−Ｂ’線における断面図である。
【００１２】
図１において、加速度センサ素子２２ａは、外枠部２５と、外枠部２５の中心部に配置された錘部２４と、錘部２４の中心で互いに直交するＸ軸およびＹ軸を定義し、Ｘ軸を幅方向の中心線に持ち、外枠部２５と錘部２４とを接続する一対のＸ軸可撓部２６ａ、２６ｂと、Ｙ軸を幅方向の中心線に持ち、外枠部２５と錘部２４とを接続する一対のＹ軸可撓部２７ａ、２７ｂと、Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂに配され、Ｘ軸方向の加速度成分を検出する第１ないし第４のＸ軸抵抗素子と、を備えた加速度センサ素子であって、第１ないし第４のＸ軸抵抗素子は、それぞれが一対の歪抵抗からなり、第２のＸ軸抵抗素子は、第１のＸ軸抵抗素子の内側に配され、第１のＸ軸抵抗素子と前記第３のＸ軸抵抗素子とは、前記Ｙ軸に対して線対称になるよう配され、前記第２のＸ軸抵抗素子と前記第４のＸ軸抵抗素子とは、前記Ｙ軸に対して線対称になるよう配される構成とした。
【００１３】
図１、図２において、２２ａは加速度センサ素子であり、ＸＹ平面に平行に配置されたｎ型シリコン単結晶基板をエッチング処理して基板表裏を貫通する開口２３を形成することにより、錘部２４とそれを囲むように配された外枠部２５と、錘部２４および外枠部２５とを接続するＸ軸に平行なＸ軸可撓部２６ａ、２６ｂと、錘部２４および外枠部２５とを接続するＹ軸に平行なＹ軸可撓部２７ａ、２７ｂとが形成されている。ここで、Ｘ軸は、Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂの幅方向中心を通るものとし、Ｘ軸は、Ｙ軸可撓部２７ａ、２７ｂの幅方向中心を通るものとする。
【００１４】
Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂの表面部にホウ素等のイオン注入を行うことにより、Ｘ軸方向の加速度を検出するためのｐ型の半導体ピエゾ抵抗素子Ｐ１１〜Ｐ１４が形成されている（以下、Ｐ１１〜Ｐ１４と表記する）。同様に、Ｙ軸可撓部２７ａ、２７ｂの表面部にはＹ軸方向の加速度を検出するためのｐ型の半導体ピエゾ抵抗素子Ｐ２１〜Ｐ２４が形成されている（以下、Ｐ２１〜Ｐ２４と表記する）。なお、歪抵抗素子として、ピエゾ抵抗素子を用いると説明したが、これに限定されない。例えば、ＣｒＯ（酸化クロム）等の酸化膜抵抗を用いることも可能である。
【００１５】
Ｐ１１〜Ｐ１４の両端にはホウ素等のイオンを高濃度に注入して構成される拡散導電層３２が形成されている。同様にして、Ｐ２１〜Ｐ２４の両端にはホウ素等のイオンを高濃度に注入して構成される拡散導電層３２が形成されている。
【００１６】
この加速度センサ素子２２ａの表面は、酸化シリコンで被覆され、Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１４は拡散導電層３２と、アルミニウム等からなる金属配線層３１を介してブリッジ回路を構成するように接続される（回路についての詳細は後述する）とともに外枠部２５上に設けた電極パッド２８に接続されている。さらに、各歪抵抗素子、拡散導電層３２、金属配線層３１の上には窒化シリコン３４が形成されている。
【００１７】
同様にして、Ｐ２１、Ｐ２２、Ｐ２３、Ｐ２４の表面は、拡散導電層３２と、アルミニウム等からなる金属配線層３１を介して、ブリッジ回路を構成するように接続されるとともに外枠部２５上に設けた電極パッド２８に接続されている。
【００１８】
ところで、Ｐ１１、Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１４はそれぞれが一対の抵抗で構成される。即ち、Ｐ１１は、Ｐ１１ａとＰ１１ｂとからなる一対の抵抗により構成されている。より詳細には、Ｐ１１ａの一端とＰ１１ｂの一端とは、拡散導電層３２により電気的に接続されることでＰ１１を構成する。
【００１９】
Ｐ１２、Ｐ１３、Ｐ１４も同様に、Ｐ１２はＰ１２ａとＰ１２ｂとで構成され、Ｐ１３はＰ１３ａとＰ１３ｂとで構成され、Ｐ１４はＰ１４ａとＰ１４ｂとで構成される。ここで、一つの対を構成する各抵抗は互いに同じ形状である（すなわち、例えば、Ｐ１２ａとＰ１２ｂとは同じ形状である）。
【００２０】
また、各抵抗対は互いにＸ軸に対して線対称となるように構成されている。より詳細には、Ｐ１２ａとＰ１２ｂとは互いにＸ軸に対して線対称に構成される。また、歪抵抗素子Ｐ１２は、歪抵抗素子Ｐ１１素子の内側に配され、歪抵抗素子Ｐ１４は、歪抵抗素子Ｐ１３素子の内側に配されている。より詳細には、Ｐ１２ａはＰ１１ａよりもＸ軸可撓部２６ａ、２６ｂの幅方向に対して中心近くに配され、Ｐ１２ｂはＰ１１ｂよりもＸ軸可撓部２６ａ、２６ｂの幅方向に対して中心近くに配される。それと同時に、Ｐ１１ａ、Ｐ１１ｂ、Ｐ１２ａ、Ｐ１２ｂはそれぞれ、長手方向についてその端部が一致している。すなわち、Ｐ１１ａ、Ｐ１１ｂ、Ｐ１２ａ、Ｐ１２ｂの端部は、図２中のＬ１とＬ２とに一致するように構成されている。
【００２１】
また、Ｐ１１とＰ１３とは互いにＹ軸に対して線対称になるよう配され、Ｐ１２とＰ１４とは、前記Ｙ軸に対して線対称になるよう配される。より詳細には、Ｐ１１とＰ１３は互いにＹ軸に対して線対称に構成され、Ｐ１２とＰ１４とは互いにＹ軸に対して線対称に構成される。
【００２２】
この構成により、高感度な加速度センサを提供することができる。この点について詳細に説明する。
【００２３】
まず、外部から印加された加速度に起因して、Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂあるいは、Ｙ軸可撓部２７ａ、２７ｂで歪みが大きく生じる位置は、加速度センサ素子の実装構造に依存することを見出した。
【００２４】
このため、図１３に示したような従来の構成では、錘部３側に配されたＸ軸抵抗素子あるいは外枠部に配された抵抗素子のいずれか一方が、歪みの発生が少ない箇所に配置されることとなり、結果、加速度の検出感度が低下してしまう。一方、加速度センサ素子２２ａでは、歪みの発生が多い箇所に各抵抗素子を集中して配置することができるので、高感度な加速度センサを提供することができる。
【００２５】
次に、加速度センサ素子２２ａの実装構造について、図面を参照しながら説明する。
【００２６】
図３は、加速度センサ素子２２ａの実装構造を示した模式図である。
【００２７】
加速度センサ素子２２ａは、接着剤４２を介してパッケージ基板４３に接続されている。ここで、接着剤４２としてはシリコン樹脂等を用いることができる。また、錘部２４に対するストッパーとして機能する蓋体４４を備えている。加速度センサ素子２２ａに設けられた電極パッド４５ａ、４５ｂと、パッケージ基板４３の電極パッド４５ｃ、４５ｄとの間は、金属ワイヤ４６にて電気的及び機械的に接続されている。
【００２８】
このような実装構造を用いた場合では、外部から印加された加速度に起因して、Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂあるいは、Ｙ軸可撓部２７ａ、２７ｂで歪が大きく生じる位置は、錘部２４に近い位置となることを見出した。従って、加速度センサ素子２２ａでは、歪みの発生が多い箇所（すなわち錘部２４側）に各抵抗素子を集中して配置することができるので、高感度な加速度センサを提供することができる。
【００２９】
図４は、加速度センサ素子の別の構成例を示した上面図である。加速度センサ素子２２ｂと加速度センサ素子２２ａとの違いは、加速度センサ素子２２ｂにおいては、Ｐ１１〜Ｐ１４とＰ２１〜Ｐ２４とが外枠部２５側に設けられている点である。この場合では、Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂあるいは、Ｙ軸可撓部２７ａ、２７ｂの外枠部側に歪みが大きく生じる場合において、高感度に加速度を検出することが可能である。そのような実装構造としては、例えば図５の実装構造であることを見出した。図５は、加速度センサ素子２２ａの別の実装構造を模式的に示した図である。この実装構造では、金属ワイヤ４６に代わり、バンプ金属を用いて加速度センサ素子２２ｂを実装している。より詳しくは、回路基板４７に設けられた電極パッド４５ｅ〜４５ｈが、対応する電極パッド４５ａ〜４５ｄと、バンプ金属４８ａ〜４８ｄを介して接続される。ここで、バンプ金属４８ａ〜４８ｄは、はんだあるいは金バンプ等で構成することができる。この場合、Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂあるいは、Ｙ軸可撓部２７ａ、２７ｂの外枠部側に歪みが大きく生じることを見出した。従って、加速度センサ素子２２ｂでは、歪みの発生が多い箇所に各抵抗素子を集中して配置することができるので、高感度な加速度センサを提供することができる。
【００３０】
図６は、加速度センサ素子２２ｂの別の実装構造を示した図である。図５との違いは、加速度センサ素子２２ｂが、蓋体４４ｂを更に備えている点である。蓋体４４ｂも蓋体４４ａと同様に、錘部２４に対するストッパーとして機能する。このように、加速度センサ素子を上下から蓋体４４ａ、４４ｂとで挟持することによって、Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂあるいは、Ｙ軸可撓部２７ａ、２７ｂの外枠部側に生じる歪みが更に大きくなることを見出した。従って、蓋体４４ａ、４４ｂを備えることで更に高感度な加速度センサを提供することができる。
【００３１】
次に、上述の加速度センサ素子２２ａの動作の一例について図７、図８を参照しながら説明する。
【００３２】
図７は、加速度センサ素子２２ａの動作原理を示した図、図８は、加速度センサ素子２２ａに印加される加速度を検出するための回路図である。以下、Ｘ軸方向の加速度を検出する場合について説明する。まず、加速度センサ素子２２ａにＸ軸方向の加速度が印加されたとする。この加速度により、錘部２４が加速度に比例した力を受けて変位する。そして、Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂが錘部２４の変位に伴って変形する。その結果、Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂ上に形成された歪抵抗素子Ｐ１１〜Ｐ１４が歪むことでその抵抗値が変化する。この抵抗変化を検出することで、Ｘ軸方向の加速度を検出するものである。より詳細には、Ｘ軸方向の加速度が加わったとすると、同図中の矢印Ｍの向きに作用する錘部２４への慣性力によって錘部２４が外枠部２５に対して変位し、Ｘ軸可撓部２６ａ、２６ｂが撓んで歪抵抗素子Ｐ１１〜Ｐ１４の抵抗値が変化することになる。この時、歪抵抗素子Ｐ１１、Ｐ１２は引張応力を受け、歪抵抗素子Ｐ１３、Ｐ１４は圧縮応力を受ける。一般的に歪抵抗は引張応力を受けると抵抗値（抵抗率）が増大し、圧縮応力を受けると抵抗値（抵抗率）が減少する特性を有しているので、歪抵抗素子Ｐ１１、Ｐ１２は抵抗値が増大し、歪抵抗素子Ｐ１３、Ｐ１４は抵抗値が減少することになる。したがって、図８（ａ）に示した一対の入力端子Ｖｄｄ、ＧＮＤ間に外部電源から一定の直流電圧を印加しておけば、図８（ａ）に示したブリッジ回路の出力端子Ｖｘ１、Ｖｘ２間の電位差がＸ軸方向の加速度の大きさに応じて変化する。この変化に基づいて加速度を検出することができる。
【００３３】
また、Ｙ軸方向の加速度がかかった場合には図８（ｂ）に示したブリッジ回路の出力端子Ｖｙ１、Ｖｙ２間の電位差がＹ軸方向の加速度の大きさに応じて変化し、Ｚ軸方向の加速度がかかった場合には図８（ｃ）に示したブリッジ回路の出力端子Ｖｚ１、Ｖｚ２間の電位差がＺ軸方向の加速度の大きさに応じて変化する。なお、Ｘ、Ｙ軸は加速度検出原理、結線方法および歪抵抗素子の配置が同じである。
【００３４】
図９は、加速度センサ素子２２ａの更に別の構成例を示した上面図である。加速度センサ素子２２ｃと加速度センサ素子２２ａとの違いは、Ｚ軸検出用の抵抗素子として、半導体歪抵抗素子Ｐ３１〜Ｐ３４（以降、Ｐ３１〜Ｐ３４と記載）を備えている点である。この構成により、３軸方向の加速度を検出することができる。なお、Ｐ３１〜Ｐ３４の製造方法は、Ｐ１１〜Ｐ１４の製造方法と同様である。なお、Ｚ軸方向加速度の検出方法は、図８（ｃ）に示したブリッジ回路の出力端子Ｖｚ１、Ｖｚ２間の電位差に基づいて検出することができる。
【００３５】
図１０は、加速度センサ素子２２ａの更に別の変形例を示した図である。加速度センサ素子２２ｄと加速度センサ素子２２ａとの違いは、ダミー抵抗素子Ｐ４１〜Ｐ４４を備えている点である。
【００３６】
ダミー抵抗素子とは、加速度の検出に用いない歪抵抗であり、歪抵抗素子の配置が、Ｘ軸及びＹ軸に対して対称とすることができる。ダミー抵抗を設けることにより、各可撓部の剛性を等しくできるため、加速度の検出精度が向上する。
【００３７】
図１１は、図９に示した加速度センサ素子２２ｃの別の変形例を示した図である。この例においては、Ｐ３１は一対の歪抵抗素子Ｐ３１ａとＰ３１ｂとから構成される。また、Ｐ３２〜Ｐ３４もそれぞれが一対の歪抵抗素子（Ｐ３２ａとＰ３２ｂ〜Ｐ３４ａとＰ３４ｂ）から構成される。
【００３８】
図１２は加速度センサ素子２２ｅの領域Ｑの上面図である。
【００３９】
各抵抗対は互いにＸ軸に対して反対側の位置となるように構成されている。また、歪抵抗素子Ｐ３２は、歪抵抗素子Ｐ１２素子の内側に配され、歪抵抗素子Ｐ３３は、歪抵抗素子Ｐ１４素子の内側に配されている。より詳細には、Ｐ３３ａはＰ１４ａよりもＸ軸可撓部２６ａ、２６ｂの幅方向に対して中心近くに配され、Ｐ３３ｂはＰ１４ｂよりもＸ軸可撓部２６ａ、２６ｂの幅方向に対して中心近くに配される。それと同時に、Ｐ３２ａ、Ｐ３２ｂ、Ｐ１１ａ、Ｐ１１ｂ、Ｐ１２ａ、Ｐ１２ｂはそれぞれ、長手方向についてその端部が一致している。すなわち、Ｐ３２ａ、Ｐ３２ｂ、Ｐ１１ａ、Ｐ１１ｂ、Ｐ１２ａ、Ｐ１２ｂの端部は、図中のＬ３とＬ４とに一致するように構成されている。これにより、Ｚ軸加速度の検出感度も向上することができる。これは、Ｚ軸検出用の歪抵抗素子Ｐ３１〜３４のそれぞれを一対の歪抵抗素子（Ｐ３２ａとＰ３２ｂ〜Ｐ３４ａとＰ３４ｂ）から構成することで、検出抵抗素子の長さを大きくすることができるので、加速度の印加に伴う抵抗素子の抵抗値の変化を大きくすることができる為である。
【産業上の利用可能性】
【００４０】
本発明の加速度センサは、高感度であるので、車両や携帯端末等に用いられる加速度センサとして有用である。
【符号の説明】
【００４１】
２２ａ〜２２ｅ  加速度センサ素子
２３  開口
２４  錘部
２５  外枠部
２６ａ、２６ｂ  Ｘ軸可撓部
２７ａ、２７ｂ  Ｙ軸可撓部
２８  電極パッド
３１  金属配線層
３２  拡散導電層
３４  窒化シリコン
４２  接着剤
４３  パッケージ基板
４４ａ、４４ｂ  蓋体
４５ａ〜４５ｈ  電極パッド
４６  金属ワイヤ
４７  回路基板
４８ａ〜４８ｄ  バンプ金属
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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