【手続補正書】
【提出日】令和3年2月24日(2021.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
金属製基体（１）と、
ことに電気絶縁性固定材料（１０）中の機能エレメント（５）を収容するための少なくとも１つの貫通開口部（４）と、
前記基体とはんだ結合によって突き合わせて導電性に結合されている少なくとも１つのピン状導体（６）とを含み、
前記はんだ結合は金属製はんだ材料（７）を含み、
前記金属製はんだ材料（７）は前記基体（１）の表面領域を覆い、かつ前記基体の表面上にはんだ領域を形成し、
前記基体（１）は、少なくとも前記はんだ領域内で微細構造（８）を有し、前記微細構造は前記基体の表面内で少なくとも凹陥部を含み、
前記微細構造（８）の前記凹陥部は、相互に並んで配置されていて、かつ／または少なくとも領域的に重複し、
前記微細構造は、平面図において点状パターンまたは網状構造または鱗状構造またはこれらの組み合わせの群から選択される構造を形成する、
フィードスルーエレメント用の基体。
【請求項２】
前記微細構造（８）の前記凹陥部は、前記基体の表面から測定して、ほぼ７０μｍまで、好ましくは０．７μｍ〜７０μｍ、好ましくは０．７μｍ〜２０μｍ、特に好ましくは１μｍ〜１０μｍ、全く特に好ましくは２μｍ〜１０μｍの深さを有する、請求項１に記載の基体（１）。
【請求項３】
前記凹陥部の直径は、その最も狭い箇所で測定して、１０μｍ〜２００μｍ、好ましくは２０μｍ〜１５０μｍ、特に好ましくは８０μｍ〜１５０μｍ、全く特に好ましくは８０μｍ〜１５０μｍである、請求項１または２に記載の基体（１）。
【請求項４】
前記微細構造の前記凹陥部は、前記基体の前記表面内のレーザー構造化された領域、ことにレーザーアブレーションされた領域および／またはレーザー励起された局所的に熱変形された領域および／またはレーザー励起された圧力作用により局所的に変形された領域を含む、請求項１〜３のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項５】
前記微細構造（８）の前記凹陥部は、個々の凹陥部の間にウェブが存在するように形成されていて、前記ウェブは、前記凹陥部の表面上に存在する酸化物層とは異なる酸化物層で覆われていているか、または前記ウェブは酸化物層で覆われていてかつ前記凹陥部はほぼブランクの金属表面を有する、請求項１〜４のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項６】
前記基体は、少なくとも微細構造（８）が存在する領域内で、クロム含有金属を有するかまたはクロム含有金属からなり、ことにクロム含有特殊鋼を含めたクロム含有鋼からなり、かつ少なくとも前記微細構造の前記凹陥部内で前記表面は、ＣｒＯXおよび／またはＮｉＯXを含む均一な層で覆われていて、好ましくは前記層は、ＣｒＯX（ＯＨ）2-X・ｎＨ2Ｏおよび／またはＮｉＯX（ＯＨ）2-X・ｎＨ2Ｏを有するかまたはこれらからなる、請求項１〜５のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項７】
前記微細構造（８）は、前記金属製はんだ材料（７）用のはんだストップである、請求項１〜６のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項８】
前記微細構造（８）は溝の形状を有し、かつ／または前記微細構造は円形および／または楕円形および／または矩形の直径を有する凹陥部を有し、好ましくは前記凹陥部はクレーター状および／またはカップ状である、請求項１〜７のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項９】
前記基体は、前記微細構造（８）の領域内で、平均粗さＲａ≧０．３５μｍおよび／または最大高さＲｚ≧１μｍを有する、請求項１〜８のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項１０】
前記微細構造（８）の領域内の前記基体の平均粗さＲａは、０．３５μｍ〜１５μｍの範囲内にあり、かつ／または最大高さＲｚは、１μｍ〜５０μｍの範囲内にあり、ことにＲｚは、１μｍ〜１５μｍの範囲内にある、請求項１〜９のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項１１】
前記金属製はんだ材料は、硬質はんだであり、好ましくは前記金属製はんだ材料はほぼパラジウム不含である、請求項１〜１０のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項１２】
前記導体を前記基体と導電性に結合している前記金属製はんだ材料は、前記基体の表面への移行部でメニスカスを形成し、前記メニスカスは最大で０．４０ｍｍの半径を有する、請求項１〜１１のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項１３】
前記導体（６）の前記基体に向かう表面と前記基体の微細構造化された表面（８）との間に、金属製はんだ材料で充填されたはんだギャップ（７０）が存在し、前記はんだギャップは、前記微細構造の前記凹陥部の最も深い点から測定して、最大で１００μｍ、好ましくは３ｎｍ〜１００μｍ、特に好ましくは最大で８０μｍ、または最大で７０μｍ、特に好ましくは３ｎｍ〜７０μｍのはんだギャップ幅（ｓ）を有する、請求項１〜１２のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項１４】
前記基体は、フィードスルーエレメントまたは前記フィードスルーエレメントの構成要素であり、少なくとも１つの貫通開口部（４）内で機能エレメントとして導体（５）が電気絶縁性固定材料（１０）中に配置されていて、かつ前記基体と導電性に結合された導体は接地ピン（６）として構成されていて、前記接地ピンは前記はんだ領域（７）内で前記基体（１）と突き合わせてはんだ付けされている、請求項１〜１３のいずれかに記載の基体（１）。
【請求項１５】
前記接地ピン（６）は１ｍｍ±０．０２ｍｍの直径を有し、かつ前記金属製はんだ材料のメニスカスは、前記基体（１）の表面への移行部で形成され、前記メニスカスは、最大で０．４０ｍｍ、好ましくは最大で０．３６ｍｍ、特に好ましくは最大で０．３０ｍｍ、全く特に好ましくは最大で０．２２ｍｍの半径を有する、請求項１４記載の基体（１）。
【請求項１６】
前記金属製はんだ材料の体積は、０．１６ｍｍ3未満、好ましくは０．１３ｍｍ3未満、特に好ましくは０．１０ｍｍ3未満、全く特に好ましくは０．０７ｍｍ3未満である、請求項１４または１５に記載の基体。
【請求項１７】
前記はんだ領域は、１ｍｍ〜２．０ｍｍの直径を有する、請求項１５または１６に記載の基体。
【請求項１８】
５０００個の基体（１）の試験量を含み、前記接地ピンの曲げ試験の際にエラー率が１対２０００未満である、エアバッグ点火器またはベルトテンショナーまたはガス発生器を製造するための請求項１４〜１７のいずれかに記載の多量の基体。
【請求項１９】
１０００個の基体の試験量を含み、前記試験量において、前記はんだ領域の直径の平均値の標準偏差は、前記試験量中の前記はんだ領域の平均直径の０％〜６％の範囲内にある、エアバッグ点火器および／またはベルトテンショナーおよび／またはガス発生器を製造するための請求項１４〜１７のいずれかに記載の多量の基体。
【請求項２０】
次の方法工程
−  所定の厚みおよび所定の外側輪郭を有し、２つのほぼ向かい合う表面（３１，３２）を有する金属製基体（１）を準備すること、
−  前記基体（１）内に少なくとも１つの貫通開口部（４，２０）を作製すること、
−  前記基体（１）の表面内に凹陥部を導入することで、微細構造（８）が生じることにより、前記基体の表面の少なくとも１つの領域を微細構造化し、ここで、前記微細構造は、平面図において点状パターンまたは網状構造または鱗状構造またはこれらの組み合わせの群から選択される構造を形成すること、
−  少なくとも１つの機能エレメント（５，６）を準備すること、
−  電気絶縁性固定材料（１０）を準備すること、
−  少なくとも１つの導体（５，６）を準備すること、
−  前記電気絶縁性固定材料（１０）を前記少なくとも１つの貫通開口部（４）内に配置し、かつ前記電気絶縁性固定材料中に前記少なくとも１つの機能エレメントを固定すること、
−  前記少なくとも１つの導体（５，６）を、前記基体と、前記微細構造（８）が存在する領域内で、はんだ付け過程で融解する金属製はんだ材料（７）を用いてはんだ付けし、ここで、融解したはんだ材料（７）の流れは少なくとも前記微細構造（８）の構成要素によって停止および／または制限され、かつ前記はんだ材料で覆われた、前記基体の表面上の領域がはんだ領域（７）を形成するので、前記少なくとも１つの導体（５，６）は前記はんだ領域内で導電性に前記基体と結合されること、
を含む、フィードスルーエレメント用の基体（１）の製造方法。
【請求項２１】
前記基体は、前記微細構造（８）の領域内で、平均粗さＲａ≧０．３５μｍおよび／または最大高さＲｚ≧１μｍを有する、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記微細構造（８）を、前記基体（１）の表面から材料を除去する方法により、好ましくは前記基体の研磨により、特に好ましくは前記基体内への押し込みにより作製する、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２３】
前記微細構造（８）の作製のためにレーザー構造化、好ましくはレーザーアブレーションおよび／またはレーザー脱着を適用し、レーザービームの作用の際に、前記基体（１）の表面材料、ことに酸化物層および／または有機不純物は除去され、かつ前記基体（１）のほぼブランクの金属表面が露出され、前記金属表面は入射するレーザービームを反射し、好ましくは露出したブランクの金属表面が微細構造の深さを制限する、請求項２０または２１に記載の方法。
【請求項２４】
レーザービームの作用の際に、前記基体（１）の表面材料を、ことに前記基体（１）の材料のことに局所的な融解を伴う局所的加熱によりかつ／またはレーザー励起された圧力作用により変形させ、前記レーザービームは少なくとも前記基体（１）の付近で気体雰囲気を局所的に加熱し、かつことに局所的にプラズマを点火するため、前記基体の表面を変形させる圧力波が形成される、請求項２３に記載の方法。
【請求項２５】
前記基体（１）は、前記微細構造の導入後に、少なくとも前記凹陥部内に有機材料および／または炭素を有しない、好ましくは少なくとも前記凹陥部内に純粋な金属表面または十分に均一でかつ好ましくは薄い酸化物層（４００）が存在し、前記酸化物層の厚みは、好ましくは１０ｎｍ未満、特に１ｎｍ〜６ｎｍである、請求項２１〜２４のいずれかに記載の方法。
【請求項２６】
前記基体（１）は、少なくとも前記微細構造が存在する領域内で、クロム含有金属を含むかまたはクロム含有金属からなり、ことにクロム含有特殊鋼を含めたクロム含有鋼からなり、かつ少なくとも前記微細構造の前記凹陥部内で前記表面は、酸化により、ＣｒＯXおよび／またはＮｉＯXを含む均一な層（４００）で覆われ、好ましくは前記層はＣｒＯX（ＯＨ）2-X・ｎＨ2Ｏおよび／またはＮｉＯX（ＯＨ）2-X・ｎＨ2Ｏを含むかまたはこれからなる、請求項２１〜２５のいずれかに記載の方法。
【請求項２７】
金属製はんだ材料（７）として硬質はんだを使用し、好ましくは前記金属製はんだ材料（７）はほぼパラジウム不含であり、好ましくは前記金属製はんだ材料は、はんだ付けの前に前記導体（６）の周りにリングの形状に置かれるので、はんだ付けの際に前記金属製はんだ材料は前記微細構造（８）内へ流入し、かつ前記導体（６）と、前記微細構造（８）の領域内の前記基体（１）の表面との間にはんだギャップ（７０）を有するはんだ領域（７）を形成し、前記はんだギャップは前記金属製はんだ材料で充填されている、請求項２１〜２６のいずれかに記載の方法。
【請求項２８】
前記微細構造は、前記基体の表面から測定して、７０μｍまで、好ましくは０．７μｍ〜７０μｍ、好ましくは０．７μｍ〜２０μｍ、特に好ましくは１μｍ〜１０μｍ、全く特に好ましくは２μｍ〜１０μｍの深さを有する、請求項２１〜２７のいずれかに記載の方法。
【請求項２９】
前記微細構造は、平均粗さＲａは０．３５μｍ〜１５μｍの範囲内にありかつ／または最大高さＲｚは１μｍ〜５０μｍの範囲内にあり、ことにＲｚは１μｍ〜１５μｍの範囲内にあるように前記基体中に導入される、請求項２１〜２８のいずれかに記載の方法。
【請求項３０】
着火技術的点火装置および／またはエアバッグ点火器および／またはベルトテンショナーおよび／またはガス発生器および／またはセンサーおよび／またはアクチュエーターおよび／または大型フィードスルーおよび／またはトランジスタ−アウトライン−ハウジングおよび／または電気貯蔵装置、ことにバッテリーおよび／または蓄電池および／またはコンデンサーにおける、請求項１〜１７のいずれかに記載の基体（１）の使用。