(57)【要約】【課題】別途のセンサを要することなく温度に応じた有機ＥＬ素子の輝度補正を行う。【解決手段】有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ素子１１１と、輝度調整電圧ＶＳに応じて有機ＥＬ素子１１１の駆動電流ＩＤＳを制御する第１トランジスタ１１２と、温度に応じて輝度調整電圧ＶＳを補正する温度補正回路４０と、を有し、温度補正回路４０は、第１トランジスタ１１１と同一の温度特性を持つ第２トランジスタ４１と、第２トランジスタ４１に接続された抵抗素子４２と、所定の基準電圧Ｖ０と抵抗素子４２の両端間電圧とが一致するように第２トランジスタ４１を制御するオペアンプ４３と、を含み、オペアンプ４３の出力Ｖ１に応じて輝度調整電圧ＶＳを補正する。【選択図】図５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機ＥＬ素子と、
輝度調整電圧に応じて前記有機ＥＬ素子の駆動電流を制御する第１トランジスタと、
温度に応じて前記輝度調整電圧を補正する温度補正回路と、
を有し、
前記温度補正回路は、
前記第１トランジスタと同一の温度特性を持つ第２トランジスタと、
前記第２トランジスタに接続された抵抗素子と、
所定の基準電圧と前記抵抗素子の両端間電圧とが一致するように前記第２トランジスタを制御するオペアンプと、
を含み、前記オペアンプの出力に応じて前記輝度調整電圧を補正する、
ことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２】
複数のピクセル回路をアレイ状に並べて構成されるパネル部と、
前記パネル部にソース電圧を出力するソースドライバと、
を有し、
前記複数のピクセル回路は、それぞれ、前記有機ＥＬ素子と前記第１トランジスタを含み、前記輝度調整電圧として前記ソース電圧の入力を受け付けることを特徴とする請求項１に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項３】
前記パネル部は、前記複数のピクセル回路を取り囲むように、前記複数のピクセル回路と同一のパターンで形成された複数のダミーピクセル回路を含み、
前記複数のダミーピクセル回路のうち少なくとも一つは、前記抵抗素子と前記オペアンプに接続されており、当該ダミーピクセル回路に含まれるトランジスタが前記第２トランジスタとして利用されることを特徴とする請求項２に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項４】
前記オペアンプには、上辺側ダミーピクセル回路と下辺側ダミーピクセル回路の双方が均等に接続されていることを特徴とする請求項３に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項５】
全点灯時のホワイトレベルから全消灯時のブラックレベルまで複数の階調電圧を生成する階調電圧生成回路を有し、
前記ソースドライバは、前記複数の階調電圧のうちいずれか一つを前記ソース電圧として選択することを特徴とする請求項４に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項６】
前記温度補正回路は、前記抵抗素子と前記オペアンプを２セット用いて前記ホワイトレベルと半点灯時のグレーレベルを決定し、さらに、前記ホワイトレベルと前記グレーレベルから前記ブラックレベルを決定することを特徴とする請求項５に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項７】
前記ホワイトレベル決定用のオペアンプに接続されるダミーピクセル回路と前記グレーレベル決定用のオペアンプに接続されるダミーピクセル回路は、交互に配置されていることを特徴とする請求項６に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項８】
前記オペアンプに接続される前記ダミーピクセル回路の個数を切り替えるスイッチ回路を有することを特徴とする請求項１〜請求項７のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項９】
前記温度補正回路は、レジスタ値に応じて前記基準電圧を微調整する基準電圧調整部を含むことを特徴とする請求項１〜請求項８のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置。
【請求項１０】
請求項１〜請求項９のいずれか一項に記載の有機ＥＬ装置を備えた電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、有機ＥＬ［electroluminescence］装置（有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明など）に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイは、主に、パネル部、ソースドライバ、及び、ゲートドライバから構成される。パネル部は、画素数分（カラーＸＧＡ［extended graphics array］では有効画素数：横１０２４×縦７６８×３色）のピクセル回路を含む。ピクセル回路は、トランジスタと有機ＥＬ素子から構成される。トランジスタを制御して有機ＥＬ素子に所望の駆動電流を流すことにより、有機ＥＬ素子を発光させることができる。有機ＥＬ素子に流れる駆動電流と有機ＥＬ素子の輝度は、ほぼ比例関係にある。
【０００３】
なお、上記に関連する従来技術の一例としては、特許文献１や特許文献２を挙げることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−３３０４１９号公報
【特許文献２】特開２００５−１５７００９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ピクセル回路に含まれるトランジスタは、温度特性や製造ばらつきを持っており、有機ＥＬ素子に流れる駆動電流もそれらの影響を受けて変動するので、有機ＥＬ素子の輝度を一定にすることは難しい。
【０００６】
なお、従来では、温度センサで得られた温度情報を基に各種演算等を行い、トランジスタの制御電圧を補正することにより、温度に依らず所望の駆動電流を有機ＥＬ素子に流して、有機ＥＬ素子の輝度を所望値に維持する構成とされていた。
【０００７】
しかしながら、上記の従来構成では、別途の温度センサを要する上、温度センサで得られたアナログ信号をデジタル信号に変換した上で、データテーブル等を用いた複雑なロジック演算処理を行わなければならなかった。
【０００８】
本発明は、本願の発明者らにより見出された上記の問題点に鑑み、別途のセンサを要することなく温度に応じた有機ＥＬ素子の輝度補正を行うことが可能な有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明に係る有機ＥＬ装置は、有機ＥＬ素子と、輝度調整電圧に応じて前記有機ＥＬ素子の駆動電流を制御する第１トランジスタと、温度に応じて前記輝度調整電圧を補正する温度補正回路と、を有し、前記温度補正回路は、前記第１トランジスタと同一の温度特性を持つ第２トランジスタと、前記第２トランジスタに接続された抵抗素子と、所定の基準電圧と前記抵抗素子の両端間電圧とが一致するように前記第２トランジスタを制御するオペアンプと、を含み、前記オペアンプの出力に応じて前記輝度調整電圧を補正する構成（第１の構成）とされている。
【００１０】
なお、上記第１の構成から成る有機ＥＬ装置は、複数のピクセル回路をアレイ状に並べて構成されるパネル部と、前記パネル部にソース電圧を出力するソースドライバと、を有し、前記複数のピクセル回路は、それぞれ、前記有機ＥＬ素子と前記第１トランジスタを含み、前記輝度調整電圧として前記ソース電圧の入力を受け付ける構成（第２の構成）にするとよい。
【００１１】
また、上記第２の構成から成る有機ＥＬ装置において、前記パネル部は、前記複数のピクセル回路を取り囲むように、前記複数のピクセル回路と同一のパターンで形成された複数のダミーピクセル回路を含み、前記複数のダミーピクセル回路のうち少なくとも一つは前記抵抗素子と前記オペアンプに接続されており、当該ダミーピクセル回路に含まれるトランジスタが前記第２トランジスタとして利用される構成（第３の構成）にするとよい。
【００１２】
また、上記第３の構成から成る有機ＥＬ装置において、前記オペアンプには、上辺側ダミーピクセル回路と下辺側ダミーピクセル回路の双方が均等に接続されている構成（第４の構成）にするとよい。
【００１３】
また、上記第４の構成から成る有機ＥＬ装置は、全点灯時のホワイトレベルから全消灯時のブラックレベルまで複数の階調電圧を生成する階調電圧生成回路を有し、前記ソースドライバは、前記複数の階調電圧のうちいずれか一つを前記ソース電圧として選択する構成（第５の構成）にするとよい。
【００１４】
また、上記第５の構成から成る有機ＥＬ装置において、前記温度補正回路は、前記抵抗素子と前記オペアンプを２セット用いて前記ホワイトレベルと半点灯時のグレーレベルを決定し、さらに、前記ホワイトレベルと前記グレーレベルから前記ブラックレベルを決定する構成（第６の構成）にするとよい。
【００１５】
また、上記第６の構成から成る有機ＥＬ装置において、前記ホワイトレベル決定用のオペアンプに接続されるダミーピクセル回路と前記グレーレベル決定用のオペアンプに接続されるダミーピクセル回路は、交互に配置されている構成（第７の構成）にするとよい。
【００１６】
また、上記第１〜第７いずれかの構成から成る有機ＥＬ装置は、前記オペアンプに接続されるダミーピクセル回路の個数を切り替えるスイッチ回路を有する構成（第８の構成）にするとよい。
【００１７】
また、上記第１〜第８いずれかの構成から成る有機ＥＬ装置において、前記温度補正回路は、レジスタ値に応じて前記基準電圧を微調整する基準電圧調整部を含む構成（第９の構成）にするとよい。
【００１８】
また、本発明に係る電子機器は、上記第１〜第９いずれかの構成から成る有機ＥＬ装置を備えた構成（第１０の構成）とされている。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、別途のセンサを要することなく温度に応じた有機ＥＬ素子の輝度補正を行うことが可能な有機ＥＬ装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】有機ＥＬディスプレイの全体構成を示すブロック図
【図２】ピクセル回路の一構成例を示す回路図
【図３】書込電圧ＶＧＳと駆動電流ＩＤＳとの相関図
【図４】ピクセル回路１１の入出力特性図
【図５】温度補正回路４０の第１構成例を示す回路図
【図６】温度補正回路４０の第２構成例を示す回路図
【図７】ピクセル回路１１に要求される入出力特性図
【図８】温度補正回路４０の第３構成例を示す回路図
【図９】ダミーピクセル回路までの配線例を示す模式図
【図１０】電子ビューファインダーの外観図
【図１１】ヘッドマウントディスプレイの外観図
【発明を実施するための形態】
【００２１】
＜有機ＥＬディスプレイ＞
図１は、有機ＥＬディスプレイの全体構成を示すブロック図である。本構成例の有機ＥＬディスプレイ１は、パネル部１０と、ソースドライバ２０と、ゲートドライバ３０を有する。パネル部１０は、画素数分（カラーＸＧＡでは、有効画素数：横１０２４×縦７６８×３色）のピクセル回路１１をアレイ状に並べて構成される。ソースドライバ２０は、パネル部１０にソース電圧ＶＳ（輝度調整電圧／映像信号）を出力する。ゲートドライバ３０は、パネル部１０にゲート電圧ＶＧ（垂直走査電圧／画素選択信号）を出力する。
【００２２】
＜ピクセル回路＞
図２はピクセル回路の一構成例を示す回路図である。本構成例のピクセル回路１１は、有機ＥＬ素子１１１と、Ｐチャネル型ＭＯＳ［metal oxide semiconductor］電界効果トランジスタ１１２〜１１５と、を含む。
【００２３】
有機ＥＬ素子１１１のアノードは、トランジスタ１１２のドレインに接続されている。有機ＥＬ素子１１１のカソードは、コモン電圧ＶＣＯＭの印加端に接続されている。トランジスタ１１２のソースは、トランジスタ１１３のドレインとゲートに接続されている。トランジスタ１１２のバックゲートとトランジスタ１１３のソース及びバックゲートは、いずれも電源電圧ＶＤＤの印加端に接続されている。
【００２４】
トランジスタ１１４のドレインは、トランジスタ１１２のゲートに接続されている。トランジスタ１１４のソースは、ソース電圧ＶＳの印加端に接続されている。トランジスタ１１４のゲートは、ゲート電圧ＶＧの印加端に接続されている。トランジスタ１１４のバクゲートは、電源電圧ＶＤＤの印加端に接続されている。トランジスタ１１４は、画素選択トランジスタとして機能する。
【００２５】
トランジスタ１１５のゲートは、トランジスタ１１２のゲートに接続されている。トランジスタ１１５のソース、ドレイン、及び、バックゲートは、いずれも電源電圧ＶＤＤの印加端に接続されている。トランジスタ１１５は、ゲートキャパシタとして機能する。
【００２６】
上記構成から成るピクセル回路１１において、ゲート電圧ＶＧがローレベルになると、トランジスタ１１４がオンとなり、トランジスタ１１２のゲートにソース電圧ＶＳが印加される。従って、トランジスタ１１２のドレインから有機ＥＬ素子１１１には、書込電圧ＶＧＳ（＝ＶＤＤ−ＶＳ）に応じた駆動電流ＩＤＳが流れる。このとき、有機ＥＬ素子１１１は、駆動電流ＩＤＳの電流値にほぼ比例した輝度で発光する。なお、ソース電圧ＶＳが高いほど書込電圧ＶＧＳが低くなるので、駆動電流ＩＤＳは小さくなり、有機ＥＬ素子１１１の輝度は低くなる。逆に、ソース電圧ＶＳが低いほど書込電圧ＶＧＳが高くなるので、駆動電流ＩＤＳは大きくなり、有機ＥＬ素子１１１の輝度は高くなる。
【００２７】
図３は、書込電圧ＶＧＳと駆動電流ＩＤＳとの相関図である。ピクセル回路１１において、駆動電流ＩＤＳを生成するトランジスタ１１２は、温度特性や製造ばらつきを持っており、有機ＥＬ素子１１１に流れる駆動電流ＩＤＳもそれらの影響を受けて変動する（図中の太矢印を参照）。具体的に述べると、温度が高いほど駆動電流ＩＤＳは大きくなり、温度が低いほど駆動電流ＩＤＳは小さくなる。
【００２８】
図４は、ピクセル回路１１の入出力特性図である。トランジスタ１１２の温度特性や製造ばらつきの影響を受けて駆動電流ＩＤＳが変動すると、ピクセル回路１１の入出力特性もばらつくので、大きな輝度ばらつきが生じてしまう（図中の太矢印を参照）。具体的に述べると、温度が高いほど輝度は高くなり、温度が低いほど輝度は低くなる。
【００２９】
そこで、本構成例の有機ＥＬディスプレイ１には、温度に応じてソース電圧ＶＳ（輝度調整電圧に相当）を補正する温度補正回路４０が具備されている。以下では、温度補正回路４０の構成及び動作について、詳細な説明を行う。
【００３０】
＜温度補正回路＞
図５は、温度補正回路４０の第１構成例（基本概念を示す構成）を示す回路図である。第１構成例の温度補正回路４０は、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ４１と、抵抗素子４２（抵抗値：Ｒ）と、オペアンプ４３と、を含む。トランジスタ４１のソース及びバックゲートは、電源電圧ＶＤＤの印加端に接続されている。トランジスタ４１のドレインは、抵抗素子４２の第１端に接続されている。抵抗素子４２の第２端は、接地端に接続されている。オペアンプ４３の反転入力端（−）は、基準電圧Ｖ０（例えば、温度特性のフラットなバンドギャップ基準電圧）の印加端に接続されている。オペアンプ４３の非反転入力端（＋）は、抵抗素子４２の第１端に接続されている。なお、抵抗素子４２としては、温度特性がフラットに近いポリ抵抗などを用いることが望ましい。オペアンプ４３の出力端は、トランジスタ４１のゲートに接続される一方、温度補正電圧Ｖ１の出力端としてソースドライバ２０にも接続されている。
【００３１】
なお、トランジスタ４１は、ピクセル回路１１に含まれるトランジスタ１１２（ソース電圧ＶＳに応じて有機ＥＬ素子１１１の駆動電流ＩＤＳを制御する第１トランジスタに相当）と同一のプロセスで形成されたものであり、トランジスタ１１２と同一の温度特性や製造ばらつきを持つ第２トランジスタに相当する。
【００３２】
オペアンプ４３は、基準電圧Ｖ０と抵抗素子４２の両端間電圧とが一致するように、トランジスタ４１のゲート制御を行う。従って、抵抗素子４２には、温度に依存しない定電流Ｉ１（＝Ｖ０／Ｒ）が流れる。一方、トランジスタ４１は、トランジスタ１１２と同一の温度特性を持っている。従って、オペアンプ４３からトランジスタ４１のゲートに印加される温度補正電圧Ｖ１は、温度に応じて変動する。具体的に述べると、温度が高いほど温度補正電圧Ｖ１が高くなり、温度が低いほど温度補正電圧Ｖ１が低くなる。
【００３３】
ソースドライバ２０は、温度補正電圧Ｖ１が高いほどソース電圧ＶＳを高くし、温度補正電圧Ｖ１が低いほどソース電圧ＶＳを低くする。すなわち、温度が高いほど有機ＥＬ素子１１１の輝度を下げるように帰還が掛かり、逆に、温度が低いほど有機ＥＬ素子１１１の輝度を上げるように帰還が掛かる。
【００３４】
このように、オペアンプ４３の出力に応じてソース電圧ＶＳを補正する構成であれば、別途のセンサを要することなく、温度に応じた有機ＥＬ素子１１１の輝度補正を行うことができるので、センサ信号のアナログ／デジタル変換や複雑なロジック演算を行う必要がなくなる。
【００３５】
図６は、温度補正回路４０の第２構成例を示す回路図である。第２構成例の温度補正回路４０は、基本的に先の第１構成例（図５）と同様の構成であるが、パネル部１０のダミーピクセル回路を利用する点や、抵抗素子４２とオペアンプ４３を２セット用いてホワイトレベルとグレーレベルを決定する点において、第１構成例よりもさらに具体的な構成を提案するものである。以下では、第２構成例の特徴部分を中心に詳細な説明を行う。
【００３６】
パネル部１０は、ピクセル回路１１の製造ばらつき（パネル部１０の中央部分と外周部分との粗密差）を解消するために、アレイ状に配置された複数のピクセル回路１１を取り囲むように、ピクセル回路１１と同一のパターンで形成されたダミーピクセル回路を含む（後出の図８を参照）。これらのダミーピクセル回路は、有機ＥＬ素子１１１に接続されておらず、表示動作に利用されることはない。
【００３７】
そこで、第２構成例の温度補正回路４０は、複数設けられたダミーピクセル回路のうち少なくとも一つを抵抗素子４２とオペアンプ４３に接続することにより、当該ダミーピクセル回路に含まれるトランジスタを先出のトランジスタ４１として利用する構成とされている。このような構成とすることにより、パネル部１０のダミーピクセル回路を温度補正回路４０の一部として有効に活用することができるので、温度補正回路４０の実装に際してチップ面積の不要な増大を招かずに済む。
【００３８】
また、第２構成例の温度補正回路４０は、抵抗素子４２とオペアンプ４３を２セット用いて、パネル全白点灯時のホワイトレベルＷＬとパネル半点灯時（輝度半減時）のグレーレベルＧＬを決定し、さらに、ホワイトレベルＷＬとグレーレベルＧＬからパネル全消灯時のブラックレベルＢＬを決定する構成とされている。以下、この点について詳述する。
【００３９】
抵抗素子４２Ｗ（抵抗値：Ｒ）には、ｍ個のダミーピクセル回路１１Ｗが接続されており、各々に含まれるトランジスタ４１Ｗのゲートは、いずれもオペアンプ４３Ｗの出力端に接続されている。オペアンプ４３Ｗは、基準電圧Ｖ０と抵抗素子４２Ｗの両端間電圧とが一致するように、トランジスタ４１Ｗのゲート制御を行う。従って、抵抗素子４２Ｗには、温度に依存しない定電流Ｉ１Ｗ（＝Ｖ０／Ｒ）が流れる。
【００４０】
一方、抵抗素子４２Ｇ（抵抗値：２Ｒ）には、ｍ個のダミーピクセル回路１１Ｇが接続されており、各々に含まれるトランジスタ４１Ｇのゲートは、いずれもオペアンプ４３Ｇの出力端に接続されている。オペアンプ４３Ｇは、基準電圧Ｖ０と抵抗素子４２Ｇの両端間電圧とが一致するように、トランジスタ４１Ｇのゲート制御を行う。従って、抵抗素子４２Ｇには、温度に依存しない定電流Ｉ１Ｇ（＝Ｖ０／２Ｒ）が流れる。
【００４１】
このように、抵抗素子４２Ｇに流れる定電流Ｉ１Ｇは、抵抗素子４２Ｗに流れる定電流Ｉ１Ｗの１／２に設計されている。従って、オペアンプ４３Ｗの出力をホワイトレベルＷＬとすれば、オペアンプ４３Ｇの出力はグレーレベルＧＬとなる。なお、ホワイトレベルＷＬ及びグレーレベルＧＬは、温度が高いほど高くなり、温度が低いほど低くなる。
【００４２】
図７は、ピクセル回路１１に要求される入出力特性図である。有機ＥＬディスプレイ１では、温度や製造ばらつきに依ることなく、図７の入出力特性を維持することが求められる。第２構成例の温度補正回路４０によれば、ホワイトレベルＷＬとグレーレベルＧＬを温度に応じて補正することができるので、ブラックレベルＢＬを温度に応じて補正することができれば、図７の入出力特性を維持することが可能となる。
【００４３】
ブラックレベルＢＬは、ＢＬ＝（ＧＬ−ＷＬ）×α＋ＷＬという算出式で近似値を求めることができる。従って、ホワイトレベルＷＬとグレーレベルＧＬを決定することができれば、ブラックレベルＢＬも一義的に決定することが可能となる。
【００４４】
このように、第２構成例の温度補正回路４０によれば、温度や製造ばらつきに依ることなく、図７の入出力特性を維持することができるので、パネル部１０の輝度ばらつきを大きく低減することが可能となる。
【００４５】
図８は、温度補正回路４０の第３構成例を示す回路図である。第３構成例の温度補正回路４０は、基本的に先の第２構成例（図６）と同様の構成であるが、回路内部の構成や回路外部（スイッチ回路５０及び階調電圧生成回路６０）との接続関係など、第２構成例よりもさらに具体的な構成を提案するものである。以下では、第３構成例の特徴部分を中心に詳細な説明を行う。
【００４６】
第３構成例の温度補正回路４０は、先述の抵抗素子４２Ｗ及び４２Ｇと、オペアンプ４３Ｗ及び４３Ｇに加えて、基準電圧調整部４４と、オペアンプ４５〜４７と、抵抗４８ａ及び４８ｂ（抵抗値：Ｒａ及びＲｂ）と、キャパシタ４９ａ及び４９ｂと、を含む。
【００４７】
基準電圧調整部４４は、入力電圧Ｖｒｅｆから基準電圧Ｖ０を生成する際、レジスタ値に応じた基準電圧Ｖ０の微調整を行う。このような構成とすることにより、抵抗４２Ｗ及び４２Ｇの製造ばらつきを解消することが可能となる。なお、微調整の手法としては、レーザトリミングなどを用いることができる。
【００４８】
オペアンプ４５の非反転入力端（＋）は、基準電圧調整部４４の出力端（基準電圧Ｖ０の出力端）に接続されている。オペアンプ４５の反転入力端（−）は、オペアンプ４５の出力端に接続されている。すなわち、オペアンプ４５は、基準電圧Ｖ０を後段に伝達するバッファアンプとして機能する。
【００４９】
オペアンプ４６の非反転入力端（＋）は、オペアンプ４３Ｇの出力端（グレーレベルＧＬの出力端）に接続されている。オペアンプ４６の反転入力端（−）は、抵抗４８ａを介してオペアンプ４３Ｗの出力端（ホワイトレベルＷＬの出力端）に接続される一方、抵抗４８ｂを介してオペアンプ４６の出力端（ブラックレベルＢＬの出力端）にも接続されている。すなわち、オペアンプ４６は、先の算出式（ＢＬ＝（ＧＬ−ＷＬ）×α＋ＷＬ）を用いて、ホワイトレベルＷＬとグレーレベルＧＬからブラックレベルＢＬを生成するブラックレベル生成部として機能する。上記のゲインα（＝（Ｒａ＋Ｒｂ）／Ｒａ）は、抵抗値Ｒｂを調整することにより任意に設定することが可能である。なお、オペアンプ４６の出力端には、パッドを介して出力平滑用のキャパシタ４９ａが接続されている。
【００５０】
オペアンプ４７の非反転入力端（＋）は、オペアンプ４３Ｗの出力端（ホワイトレベルＷＬの出力端）に接続されている。オペアンプ４７の反転入力端（−）は、オペアンプ４７の出力端に接続されている。すなわち、オペアンプ４７は、ホワイトレベルＷＬを後段の階調電圧生成回路６０に伝達するバッファアンプとして機能する。なお、オペアンプ４７の出力端には、パッドを介して出力平滑用のキャパシタ４９ｂが接続されている。
【００５１】
スイッチ回路５０は、オペアンプ４３Ｗ及び４３Ｇに各々接続されるダミーピクセル回路の個数を段階的（例えば６段階）に切り替える。オペアンプ４３Ｗ及び４３Ｇに各々接続されるダミーピクセル回路の個数が増えるほど、一つのダミーピクセル回路に流れる電流が小さくなるので、ホワイトレベルＷＬ及びグレーレベルＧＬが高くなり、延いては、ソース電圧ＶＳが高くなる。すなわち、オペアンプ４３Ｗ及び４３Ｇに各々接続されるダミーピクセル回路の個数が増えるほど、パネル部１０の輝度が引き下げられる。このようなスイッチ回路６０を設けることにより、温度補正回路４０にパネル部１０の輝度調整機能を付与することができる。
【００５２】
階調電圧生成回路６０は、パネル全白点灯時のホワイトレベルＷＬからパネル全消灯時のブラックレベルＢＬまで複数の階調電圧（例えば２５６階調）を生成し、これをソースドライバ２０に供給する。例えば、階調電圧生成回路６０は、ブラックレベルＢＬの印加端とホワイトレベルＷＬとの間に直列接続された抵抗ラダーを含み、その両端間電圧を抵抗分割することにより複数の階調電圧を生成する。ソースドライバ２０は、階調電圧生成回路６０から入力される複数の階調電圧のうちいずれか一つをソース電圧ＶＳとして選択し、パネル部１０のピクセル回路１１に出力する。
【００５３】
図９は、ダミーピクセル回路までの配線例を示す模式図である。図９で示したように、オペアンプ４３Ｗには、スイッチ回路５０Ｗを介して上辺側ダミーピクセル回路と下辺側ダミーピクセル回路の双方が同数ずつ均等に接続されている。また、オペアンプ４３Ｇには、スイッチ回路５０Ｇを介して上辺側ダミーピクセル回路と下辺側ダミーピクセル回路の双方が同数ずつ均等に接続されている。以下、具体例を挙げて詳細に説明する。
【００５４】
ピクセルアレイ（横１０４０×縦７８４×３色）の上辺側には、３１２０個（＝２６０個×１２＝横１０４０×縦１×３色）の上辺側ダミーピクセル回路が配置されている。これらの上辺側ダミーピクセル回路は、半数の１５６０個がスイッチ回路５０Ｗを介してオペアンプ４３Ｗに接続されており、残りの１５６０個がスイッチ回路５０Ｇを介してオペアンプ４３Ｇに接続されている。オペアンプ４３Ｗに接続される１５６０個は、２６０個ずつ６つのグループに分けられており、グループ毎にオペアンプ４３Ｗへの接続／非接続が切り替えられる。同様に、オペアンプ４３Ｇに接続される１５６０個も、２６０個ずつ６つのグループに分けられており、グループ毎にオペアンプ４３Ｇへの接続／非接続が切り替えられる。
【００５５】
一方、ピクセルアレイの下辺側にも、３１２０個（＝２６０個×１２）の下辺側ダミーピクセル回路が配置されている。これらの下辺側ダミーピクセル回路も、半数の１５６０個がスイッチ回路５０Ｗを介してオペアンプ４３Ｗに接続されており、残りの１５６０個がスイッチ回路５０Ｇを介してオペアンプ４３Ｇに接続されている。オペアンプ４３Ｗに接続される１５６０個は、２６０個ずつ６つのグループに分けられており、グループ毎にオペアンプ４３Ｗへの接続／非接続が切り替えられる。同様に、オペアンプ４３Ｇに接続される１５６０個も、２６０個ずつ６つのグループに分けられており、グループ毎にオペアンプ４３Ｇへの接続／非接続が切り替えられる。
【００５６】
例えば、スイッチ回路５０Ｗ及び５０Ｇにより、第１グループだけが選択された場合、オペアンプ４３Ｗ及び４３Ｇには、それぞれ、上辺側ダミーピクセル回路と下辺側ダミーピクセル回路が２６０個ずつ均等に接続される。このような構成とすることにより、上辺側ダミーピクセル回路と下辺側ダミーピクセル回路の製造ばらつきを平均化することが可能となる。
【００５７】
また、上辺側ダミーピクセル回路及び下辺側ダミーピクセル回路の双方について、横方向の配列に着目すると、奇数番目のダミーピクセル回路がオペアンプ４３Ｗに接続されており、偶数番目のダミーピクセル回路がオペアンプ４３Ｇに接続されている。すなわち、オペアンプ４３Ｗに接続されるダミーピクセル回路と、オペアンプ４３Ｇに接続されるダミーピクセル回路は、交互に配置されている。このような構成とすることにより、横方向における製造ばらつきも平均化することが可能となる。
【００５８】
なお、先の図８に示したように、上辺側ダミーピクセル回路及び下辺側ダミーピクセル回路がそれぞれ複数行ずつ設けられている場合には、できるだけパネル中央側のダミーピクセル回路を温度補正回路４０で利用することが望ましい。
【００５９】
＜電子機器への適用＞
上記で説明した有機ＥＬディスプレイ１は、例えば、電子ビューファインダーＸ（図１０）やヘッドマウントディスプレイＹ（図１１）の映像表示手段（有機ＥＬマイクロディスプレイ）として好適に用いることができる。
【００６０】
＜その他の変形例＞
なお、上記実施形態では、有機ＥＬディスプレイを例に挙げて説明を行ったが、本発明の適用対象はこれに限定されるものではなく、例えば、有機ＥＬ照明の輝度を温度に応じて補正する際にも、同様の手法を適用することが可能である。
【００６１】
このように、本明細書中に開示されている種々の技術的特徴は、上記実施形態のほか、その技術的創作の主旨を逸脱しない範囲で種々の変更を加えることが可能である。すなわち、上記実施形態は、全ての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきであり、本発明の技術的範囲は、上記実施形態の説明ではなく、特許請求の範囲によって示されるものであり、特許請求の範囲と均等の意味及び範囲内に属する全ての変更が含まれると理解されるべきである。
【産業上の利用可能性】
【００６２】
本発明は、有機ＥＬディスプレイや有機ＥＬ照明などに利用することができる。
【符号の説明】
【００６３】
１    有機ＥＬディスプレイ
１０    パネル部
１１    ピクセル回路
１１Ｗ、１１Ｇ    ダミーピクセル回路
１１１    有機ＥＬ素子
１１２〜１１５    Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
２０    ソースドライバ
３０    ゲートドライバ
４０    温度補正回路
４１、４１Ｗ、４１Ｇ    Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタ
４２、４２Ｗ、４２Ｇ    抵抗素子
４３、４３Ｗ、４３Ｇ    オペアンプ
４４    基準電圧調整部
４５〜４７    オペアンプ
４８ａ、４８ｂ    抵抗
４９ａ、４９ｂ    キャパシタ
５０    スイッチ回路
６０    階調電圧生成回路
Ｘ    電子ビューファインダー
Ｙ    ヘッドマウントディスプレイ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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