(57)【要約】【課題】信頼性が高くかつ効率の良い腐食促進試験を実施することが可能な腐食促進試験機等を提供する。【解決手段】腐食促進試験機１は、１または複数の試料ホルダ１１を内蔵する試験槽１０Ａと、硫黄８に対して光源１２からの光線Ｌoutを照射して局所的に加熱することにより、硫黄８を気化させる加熱機構（光源１２および電源部１２０）とを備えている。この加熱機構により気化された硫黄（気化硫黄Ｓｇ０）は試料ホルダ１１側へ拡散する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
１または複数の試料ホルダを内蔵する試験槽と、
硫黄に対して光源からの光線を照射して局所的に加熱することにより、前記硫黄を気化させる加熱機構と
を備え、
前記加熱機構により気化された硫黄が前記試料ホルダ側へ拡散する
腐食促進試験機。
【請求項２】
前記試験槽と連通すると共に前記加熱機構を内蔵する加熱室を備えた
請求項１に記載の腐食促進試験機。
【請求項３】
前記加熱室の壁部に対して直接または間接的に昇温制御を行う第１の昇温制御部を備えた
請求項２に記載の腐食促進試験機。
【請求項４】
前記第１の昇温制御部は、前記加熱室の壁部の温度が前記加熱機構による局所加熱の際の温度と略同一となるように、前記昇温制御を行う
請求項３に記載の腐食促進試験機。
【請求項５】
前記試験槽の下方に前記加熱室が配置されている
請求項２ないし請求項４のいずれか１項に記載の腐食促進試験機。
【請求項６】
前記加熱機構が前記試験槽に内蔵されている
請求項１に記載の腐食促進試験機。
【請求項７】
前記試験槽内に前記加熱機構が複数設けられている
請求項６に記載の腐食促進試験機。
【請求項８】
複数の前記加熱機構が、前記試料ホルダの周囲に略等方的に配置されている
請求項７に記載の腐食促進試験機。
【請求項９】
前記試料ホルダの下方に前記加熱機構が配置されている
請求項６ないし請求項８のいずれか１項に記載の腐食促進試験機。
【請求項１０】
前記試料ホルダ上の試料近傍の温度が、前記試験槽の壁部の温度よりも低くなるように構成されている
請求項１ないし請求項９のいずれか１項に記載の腐食促進試験機。
【請求項１１】
前記試験槽の壁部に対して直接または間接的に昇温制御を行う第２の昇温制御部を備えた
請求項１０に記載の腐食促進試験機。
【請求項１２】
前記試料ホルダ上の試料近傍を冷却可能に構成されている
請求項１０または請求項１１に記載の腐食促進試験機。
【請求項１３】
前記試験槽内に冷却部材が設けられると共に、
前記冷却部材が前記試料ホルダ側へ向けて移動可能に構成されている
請求項１２に記載の腐食促進試験機。
【請求項１４】
前記試料ホルダを冷却する冷却機構を備えた
請求項１２に記載の腐食促進試験機。
【請求項１５】
前記試験槽内において前記試料ホルダを基準として前記加熱機構側とは反対側に、冷却部材が設けられている
請求項１ないし請求項１４のいずれか１項に記載の腐食促進試験機。
【請求項１６】
前記加熱機構により気化された硫黄の一部が固化し、硫黄華となって前記冷却部材に付着すると共に、
前記冷却部材に付着した前記硫黄華が、回収可能となっている
請求項１５に記載の腐食促進試験機。
【請求項１７】
前記光線の照射量を制御することによって、前記加熱機構による局所加熱の際の温度を制御する光制御部を備えた
請求項１ないし請求項１６のいずれか１項に記載の腐食促進試験機。
【請求項１８】
前記光制御部は、前記局所加熱の際の温度が略一定に保たれるように、前記光線の照射量を制御する
請求項１７に記載の腐食促進試験機。
【請求項１９】
前記試験槽内へ流入させる加熱気体および加湿気体の混合比を制御することによって、前記試料ホルダ上の試料近傍の温度および湿度を制御する温湿度制御部を備えた
請求項１ないし請求項１８のいずれか１項に記載の腐食促進試験機。
【請求項２０】
前記温湿度制御部は、前記試料近傍の温度および湿度が略一定に保たれるように、前記混合比を制御する
請求項１９に記載の腐食促進試験機。
【請求項２１】
前記光線の照射による前記硫黄の局所加熱が、間欠的に行われる
請求項１ないし請求項２０のいずれか１項に記載の腐食促進試験機。
【請求項２２】
前記光源が、レーザ光源または赤外線ランプである
請求項１ないし請求項２１のいずれか１項に記載の腐食促進試験機。
【請求項２３】
１または複数の試料ホルダを試験槽に内蔵し、
硫黄に対して光源からの光線を照射して局所的に加熱することによって前記硫黄を気化させ、気化された硫黄を前記試料ホルダ側へ拡散させる
腐食促進試験方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、促進的環境条件下（加速試験環境下）で耐腐食性の試験を行う腐食促進試験機および腐食促進試験方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子部品やめっき製品等の耐腐食性の試験を行う試験機として、試験槽内で試料（試験片）を各種の気体に暴露させて促進的環境条件下で試験を行うもの（ガス式の腐食促進試験機）が挙げられる（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１１−２１８９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、腐食促進試験機では一般に、試験の信頼性や効率を向上させることが求められている。したがって、信頼性が高くかつ効率の良い腐食促進試験を実施することを可能とする手法の提案が望まれる。
【０００５】
本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、信頼性が高くかつ効率の良い腐食促進試験を実施することが可能な腐食促進試験機および腐食促進試験方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の腐食促進試験機は、１または複数の試料ホルダを内蔵する試験槽と、硫黄に対して光源からの光線を照射して局所的に加熱することにより硫黄を気化させる加熱機構とを備えると共に、この加熱機構により気化された硫黄が試料ホルダ側へ拡散するようにしたものである。
【０００７】
本発明の腐食促進試験方法は、１または複数の試料ホルダを試験槽に内蔵し、硫黄に対して光源からの光線を照射して局所的に加熱することによって硫黄を気化させ、気化された硫黄を試料ホルダ側へ拡散させるようにしたものである。
【０００８】
本発明の腐食促進試験機および腐食促進試験方法では、硫黄が加熱されることで気化され、この気化された硫黄が試料ホルダ側へ拡散する。これにより、気化された硫黄の少なくとも一部が固化し、硫黄華として試料ホルダ上の試料に付着する。その結果、試料に直接硫黄が付着するときの腐食現象が再現可能となる。また、光源からの光線の照射による局所的な加熱を利用して硫黄の気化がなされるため、腐食の促進性（加速性）が高まり、試験時間の短縮化が実現される。
【０００９】
本発明の腐食促進試験機または腐食促進試験方法では、試験槽と連通すると共に加熱機構を内蔵する加熱室を備えるようにするのが好ましい。換言すると、試験槽と連通する加熱室内において、光線の照射による硫黄の局所加熱を行うようにするのが好ましい。このようにした場合（第１の態様の場合）、後述する第２の態様の場合と比べ、局所加熱による温度上昇が試験槽側で影響を受けにくくなる。したがって、局所加熱による硫黄の気化動作と所定の設定環境下での試験とが、互いに影響を及ぼすことなく並行して実施可能となる。
【００１０】
この第１の態様の場合において、加熱室の壁部に対して直接または間接的に昇温制御を行う第１の昇温制御部を備えるようにするのが好ましい。具体的には、この第１の昇温制御部が、加熱室の壁部の温度が加熱機構による局所加熱の際の温度と略同一となるように昇温制御を行うのが好ましい。このようにした場合、気化された硫黄が試料ホルダ側へ拡散する際に、加熱室内の壁部に付着しにくくなる（望ましくは付着するのが回避される）。よって、気化された硫黄が効率的に試料ホルダ側へ拡散し、硫黄の利用効率が向上する（効率的な試験が実現される）。なお、この第１の態様では、試験槽の下方に加熱室を配置するのが好ましい。このようにした場合、加熱室内で気化された硫黄が効率良く試験槽側（試料ホルダ側）へ拡散するため、効率的な試験が実現される。
【００１１】
また、本発明の腐食促進試験機または腐食促進試験方法では、加熱機構を試験槽に内蔵するようにしてもよい。換言すると、試験槽内において光線の照射による硫黄の局所加熱を行うようにしてもよい。このようにした場合（第２の態様の場合）、上記した第１の態様の場合と比べ、加熱機構と試料ホルダ（試料）との間の距離が相対的に短くなる。よって、気化された硫黄が効率的に試料ホルダ側へ拡散し、硫黄の利用効率が向上する（効率的な試験が実現される）。また、試験槽の内壁面への無駄な硫黄の付着が低減するため、内壁面上に付着した硫黄による試験への悪影響が抑えられ、試験の信頼性の更なる向上も図られる。
【００１２】
この第２の態様の場合において、試験槽内に加熱機構を複数設けると共に、これら複数の加熱機構が試料ホルダの周囲に略等方的（望ましくは等方的）に配置されているようにするのが好ましい。このようにした場合、腐食の促進性が更に高まり、試験時間の更なる短縮化が実現されると共に、試料内での硫黄の付着度合いのばらつきが低減もしくは回避され、試験の信頼性の更なる向上が図られる。なお、この第２の態様では、試料ホルダの下方に加熱機構を配置するのが好ましい。このようにした場合、加熱機構により気化された硫黄が効率良く試料ホルダ側へ拡散するため、更に効率的な試験が実現される。
【００１３】
ここで、上記第１および第２の態様ではそれぞれ、試験槽内において試料ホルダを基準として加熱機構側とは反対側に、冷却部材を設けるようにするのが好ましい。このようにした場合、気化された硫黄の一部が固化し、硫黄華として冷却部材に付着するようになり、試験槽の内壁面への無駄な硫黄の付着が低減もしくは回避される。よって、内壁面上に付着した硫黄による試験への悪影響が抑えられ（望ましくは回避され）、試験の信頼性の更なる向上が図られる。また、この場合において、上記のようにして冷却部材に付着した硫黄華が回収可能となっているようにするのが更に好ましい。このようにした場合、回収された硫黄の再利用（次回以降の試験での再利用）が可能となるため、試験の実施コストが抑えられる。
【００１４】
本発明の腐食促進試験機または腐食促進試験方法では、試料ホルダ上の試料近傍の温度が、試験槽の壁部の温度よりも低くなるように構成するのが好ましい。このようにした場合、試験槽の内壁面への無駄な硫黄の付着が低減もしくは回避される。よって、内壁面上に付着した硫黄による試験への悪影響が抑えられ（望ましくは回避され）、試験の信頼性の更なる向上が図られる。
【００１５】
ここで、試料近傍の温度を試験槽の壁部の温度よりも低くする手法としては、例えば、以下の２つの手法が挙げられる。第１の手法は、試験槽の壁部に対して直接または間接的に昇温制御を行う第２の昇温制御部を設ける、というものである。また、第２の手法は、試料ホルダ上の試料近傍を冷却可能に構成する、というものである。なお、第２の手法では、気化された硫黄が試料側へ寄せ集められるため、硫黄の利用効率も向上する（効率的な試験が実現される）。
【００１６】
この第２の手法の具体的な構成としては、例えば、試験槽内に冷却部材を設けると共に、この冷却部材を試料ホルダ側へ向けて移動可能とした構成が挙げられる。このようにした場合、冷却部材と試料ホルダとの設定距離に応じて試験槽内の温度勾配が任意に制御可能となるため、試験状況に応じてきめ細やかな対応（気化された硫黄の拡散態様の制御）が実現される。あるいは、試料ホルダを冷却する冷却機構を設けるようにした構成でもよい。このようにした場合、試料ホルダ自体を直接的に冷却するため、上記したような冷却部材の移動機構が不要となり、簡易な構成での実現が可能となる。
【００１７】
本発明の腐食促進試験機または腐食促進試験方法では、光線の照射量（例えば、照射強度、および、間欠的な照射動作の際のデューティ比のうちの少なくとも一方）を制御することによって、加熱機構による局所加熱の際の温度を制御する（このような制御を行う光制御部を設ける）ようにするのが好ましい。具体的には、この光制御部が、局所加熱の際の温度が略一定に保たれるように光線の照射量を制御するのが好ましい。このようにした場合、硫黄の気化量（拡散量）の変動が抑えられる（望ましくは一定に保たれる）ため、試験の信頼性の更なる向上が図られる。
【００１８】
本発明の腐食促進試験機または腐食促進試験方法では、試験槽内へ流入させる加熱気体および加湿気体の混合比を制御することによって、試料ホルダ上の試料近傍の温度および湿度を制御する（このような制御を行う温湿度制御部を設ける）ようにするのが好ましい。具体的には、この温湿度制御部が、試料近傍の温度および湿度が略一定に保たれるように上記混合比を制御するのが好ましい。このようにした場合、試料近傍の環境（試験環境）の変動が抑えられる（望ましくは一定に保たれる）ため、試験の信頼性の更なる向上が図られる。
【００１９】
本発明の腐食促進試験機または腐食促進試験方法では、光線の照射による硫黄の局所加熱を間欠的（断続的）に行うようにしてもよい。このようにした場合、試験の状況に応じて柔軟な局所加熱動作（硫黄の気化動作）が可能となるため、利便性が向上すると共に効率的な試験が実現される。
【００２０】
本発明の腐食促進試験機または腐食促進試験方法では、上記光源として、例えばレーザ光源または赤外線ランプを用いることが可能である。
【発明の効果】
【００２１】
本発明の腐食促進試験機および腐食促進試験方法によれば、光線を照射して局所的に加熱することによって硫黄を気化させると共に、気化された硫黄を試料ホルダ側へ拡散させるようにしたので、試料に直接硫黄が付着するときの腐食現象を再現することができると共に、腐食の促進性を向上させて試験時間の短縮化を実現することができる。よって、信頼性が高くかつ効率の良い腐食促進試験を実施することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２２】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る腐食促進試験機の概略構成例を表す模式図である。
【図２Ａ】図１に示した昇温動作部の詳細構成例を表す模式図である。
【図２Ｂ】図１に示した昇温動作部の他の詳細構成例を表す模式図である。
【図３】比較例に係る腐食促進試験機の概略構成例を表す模式図である。
【図４】硫黄の蒸気圧曲線を用いた気化硫黄および硫黄華の発生原理についての説明図である。
【図５】硫黄の間欠加熱動作の一例について説明するためのタイミング図である。
【図６】変形例１に係る腐食促進試験機の概略構成例を表す模式図である。
【図７】変形例２に係る腐食促進試験機の概略構成例を表す模式図である。
【図８】変形例３に係る腐食促進試験機の概略構成例を表す模式図である。
【図９】第２の実施の形態に係る腐食促進試験機の概略構成例を表す模式図である。
【図１０】変形例４に係る腐食促進試験機の概略構成例を表す模式図である。
【図１１】変形例５に係る腐食促進試験機の概略構成例を表す模式図である。
【図１２】変形例６に係る腐食促進試験機の概略構成例を表す模式図である。
【図１３】変形例７に係る腐食促進試験機の概略構成例を表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００２３】
以下、本発明の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．第１の実施の形態（加熱機構（加熱室）が試験槽の外部に設けられている例）
２．第１の実施の形態の変形例
変形例１（試験槽内に試料が複数配置されている例）
変形例２（試料ホルダ自体を冷却する例）
変形例３（加熱機構と試料ホルダとの配置関係を上下逆とした例）
３．第２の実施の形態（試験槽内に加熱機構が設けられている例）
４．第２の実施の形態の変形例
変形例４（試験槽内に試料ホルダ（試料）が複数配置されている例）
変形例５（試料ホルダ自体を冷却する例）
変形例６（試験槽内に複数の加熱機構が設けられている例）
変形例７（加熱機構と試料ホルダとの配置関係を上下逆とした例）
５．その他の変形例
【００２４】
＜１．実施の形態＞
［構成］
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る腐食促進試験機（腐食促進試験機１）の概略構成例を模式的に表したものである。腐食促進試験機１は、試験槽１０Ａ内に配置された各種の材料からなる試料（試験片）９について、促進的環境条件下での腐食性試験（腐食促進試験）を行うものである。なお、この試料９としては、例えば、各種の電子部品やめっき製品等に用いられるものが挙げられる。
【００２５】
この腐食促進試験機１は、後述するように温度および湿度等の調節が可能な試験槽１０Ａ内に、１または複数（この例では１つ）の試料ホルダ１１と、冷却部材１５とを備えている。腐食促進試験機１はまた、連通路１０Ｃを介して試験槽１０Ａと連通する加熱室１０Ｂ内に、光源１２と、硫黄８の収容皿８０とを備えている。なお、この加熱室１０Ｂは、この例では試験槽１０Ａの下方（−Ｚ軸方向）に配置されている。腐食促進試験機１は更に、電源部１２０、昇温動作部１３１，１３２、気体供給部１４０、フィルタ１４１、流量計１４２、加熱気体発生室１４３ａ、加湿気体発生室１４３ｂ、排気処理部１６および制御部１７を備えている。なお、本実施の形態に係る腐食促進試験方法は、本実施の形態の腐食促進試験機１において具現化されるため、以下併せて説明する。
【００２６】
試料ホルダ１１は、試験槽１０Ａ内で上記した各種の試料９を保持（固定）しておくためのものである。この例では、試料ホルダ１１は、試験槽１０Ａ内の中央付近に配置されており、例えば図１中の矢印Ｐ０で示したように、Ｚ軸方向に沿って移動可能に構成されている。これにより、後述する加熱機構と試料ホルダ１１（試料９）との間の距離が任意に調整可能となり、後述する硫黄華Ｓｆ１の付着度合いの制御が可能となっている。なお、このような試料ホルダ１１の移動手法としては、例えば、手動による事前調整が挙げられるが、これには限られず、例えば、後述する制御部１７による動的な制御による調整であってもよい。
【００２７】
収容皿８０は、加熱室１０Ｂ内において、固体状態または液体状態の硫黄８を収容しておくためのものである。
【００２８】
光源１２は、収容皿８０内の硫黄８に対して、所定の照射量Ａoutからなる光線Ｌout（光ビーム）を局所的に照射するための光源である。この光源１２は、例えば、各種のレーザ光源や、ハロゲンランプ等の赤外線ランプなどからなる。このようにして硫黄８に対して局所的に光線Ｌoutが照射されることにより、詳細は後述するが、この硫黄８が局所的に加熱されて気化（蒸発や昇華等）し、気化硫黄Ｓｇ０として試験槽１０Ａ側（試料ホルダ１１側）へ拡散するようになっている。
【００２９】
電源部１２０は、光源１２の動作（光線Ｌoutの照射動作）を制御するものであり、各種の電源を用いて構成されている。
【００３０】
なお、これらの光源１２および電源部１２０が、本発明における「加熱機構」の一具体例に対応している。
【００３１】
（昇温動作部１３１）
昇温動作部１３１は、加熱室１０Ｂの壁部Ｗｂに対して、直接または間接的に昇温動作（壁部Ｗｂの温度を上昇させるための加熱動作）を行うものである。具体的には、この昇温動作部１３１は、後述する制御部１７からの制御（後述する制御信号ＣＴＬ３１）に従って、壁部Ｗｂの温度が、上記した硫黄８の局所加熱の際の温度（例えば硫黄８の気化時の温度）と略同一（望ましくは同一）となるように、昇温動作（加熱動作）を行う。
【００３２】
図２Ａおよび図２Ｂはそれぞれ、この昇温動作部１３１の詳細構成例を模式的に表したものである。
【００３３】
図２Ａに示した例では、昇温動作部１３１の一具体例としてのパネルヒーター１３Ａ（この例では３つのパネルヒーター１３Ａ）が、壁部Ｗｂ内に埋設されている。そして、これらのパネルヒーター１３Ａの動作（加熱動作）が、制御部１７から供給される制御信号ＣＴＬ３１に従って制御することが可能となっている。つまり、この図２Ａの例では、壁部Ｗｂを直接的に加熱する（直接的に昇温する）ことが可能となっている。
【００３４】
一方、図２Ｂに示した例では、壁部Ｗｂが、外槽側の壁部Ｗｂ１と内槽側の壁部Ｗｂ２とのからなる二重槽構造になっていると共に、これら壁部Ｗｂ１，Ｗｂ２の間に、熱伝導部材としての空気１３Ｂが封入されている。そして、上記したパネルヒーター１３Ａ（この例では３つのパネルヒーター１３Ａ）が、外槽側の壁部Ｗｂ１内に埋設されている。つまり、この図２Ｂの例では、内槽側の壁部Ｗｂ２を、空気１３Ｂを介して間接的に加熱する（間接的に昇温する）ことが可能となっている。
【００３５】
（昇温動作部１３２）
昇温動作部１３２は、試験槽１０Ａの壁部Ｗａに対して、直接または間接的に昇温動作（壁部Ｗａの温度を上昇させるための加熱動作）を行うものである。具体的には、この昇温動作部１３２は、後述する制御部１７からの制御（後述する制御信号ＣＴＬ３２）に従って、試料ホルダ１１上の試料９近傍の温度が壁部Ｗａの温度よりも低くなるように、昇温動作（加熱動作）を行う。
【００３６】
このような昇温動作部１３２もまた、上記した昇温動作部１３１と同様に、例えばパネルヒーター１３Ａや空気１３Ｂを用いて構成されている。つまり、試験槽１０Ａの壁部Ｗａもまた、上記した加熱室１０Ｂの壁部Ｗｂと同様に、パネルヒーター１３Ａが壁部Ｗａ内に埋設されている（図２Ａ参照）か、あるいは、例えば図２Ｂに示したような二重槽構造となっている。なお、このように試験槽１０Ａが二重槽構造となっている場合には、試験槽１０Ａの内壁面上において、露の発生（結露）や硫黄華の付着が低減もしくは回避される。
【００３７】
気体供給部１４０は、所定の気体Ｇ１ａ，Ｇ１ｂ（例えば空気）を供給するもの（例えば、ガスボンベやコンプレッサー等）である。なお、気体Ｇ１ａは、後述する加熱気体発生室１４３ａへの供給用の気体に対応し、気体Ｇ１ｂは、後述する加湿気体発生室１４３ａへの供給用の気体に対応している。
【００３８】
フィルタ１４１は、気体供給部１４０から供給された気体Ｇ１ａ，Ｇ１ｂの各々に対して、所定のフィルタ処理（例えば不純物の除去処理等）を行うための部材である。
【００３９】
流量計１４２は、フィルタ１４１から出力される各気体（フィルタ処理後の気体Ｇ１ａ，Ｇ１ｂ）の流量を検出するための計測器である。
【００４０】
加熱気体発生室１４３ａは、所定の抵抗体からなる発熱体Ｒａを内蔵しており、この発熱体Ｒａを用いて流量計１４２から出力される気体Ｇ２ａ（フィルタ処理後の気体Ｇ１ａに相当）を加熱することにより、加熱気体Ｇ３ａを発生させる部分である。なお、このようにして発生した加熱気体Ｇ３ａは、加熱気体発生室１４３ａから配管Ｐａ内へ出力されるようになっている。
【００４１】
加湿気体発生室１４３ｂは、所定量（水位）の水Ｗと、この水Ｗ内に配置された所定の抵抗体からなる発熱体Ｒｂとを内蔵している。この加湿気体発生室１４３ｂでは、発熱体Ｒｂを発熱させて水Ｗを加熱することにより、流量計１４２から出力される気体Ｇ２ｂ（フィルタ処理後の気体Ｇ１ｂに相当）を加湿し、加湿気体Ｇ３ｂを発生させている。なお、このようにして発生した加湿気体Ｇ３ｂは、加湿気体発生室１４３ｂから配管Ｐｂ内へ出力されるようになっている。
【００４２】
ここで、このようにして配管Ｐａ内を流れる加熱気体Ｇ３ａと配管Ｐｂ内を流れる加湿気体Ｇ３ｂとはそれぞれ、配管Ｐin内へ流入して混合することで、気体Ｇin（加熱気体Ｇ３ａと加湿気体Ｇ３ｂとの混合比ｒmixからなる混合気体）となる。そして、この気体Ｇinが配管Ｐin内から試験槽１０Ａへ流入するようになっている。
【００４３】
（冷却部材１５）
冷却部材１５は、試験槽１０Ａ内において、試料ホルダ１１を基準として加熱室１０Ｂ側（光源１２および収容皿８０の配置側）とは反対側（試料ホルダ１１の＋Ｚ方向側）に配置されている。換言すると、光源１２および収容皿８０の位置と冷却部材１５との間に、試料ホルダ１１が配置されている。この冷却部材１５は、各種の冷却機構（例えば、水冷方式や空冷方式、ペルティエ素子等の冷却素子など）を用いて構成されており、その周囲の温度を下げて（冷却して）温度勾配を形成することが可能となっている。
【００４４】
ここで、この例では図１中の矢印Ｐ１で示したように、冷却部材１５が試料ホルダ１１側（−Ｚ方向）へ移動可能に構成されている。換言すると、冷却部材１５と試料ホルダ１１との間の距離が任意に設定可能となるように、冷却部材１５がＺ軸方向に沿って変位可能に構成されている。このようにして冷却部材１５を試料ホルダ１１側へ近づけることが可能であるため、詳細は後述するが、試料ホルダ１１上の試料９の近傍を冷却し（温度を下げ）、試料ホルダ１１上の試料９近傍の温度を試験槽１０Ａの壁部Ｗａの温度よりも低くすることが可能となっている。
【００４５】
また、このような冷却部材１５は、この例では図１中の矢印Ｐ２で示したように、試験槽１０Ａの外部へ適宜取り出すことが可能（外部へ着脱可能）に構成されている。
【００４６】
排気処理部１６は、冷却部材１５の背面側（＋Ｚ方向側）に配置された配管Ｐoutを介して試験槽１０Ａから流出する気体Ｇoutに対して、所定の排気処理を行い、この気体Ｇoutを試験槽１０Ａの外部へ排出するための部材である。
【００４７】
（制御部１７）
制御部１７は、腐食促進試験機１内における各部材（この例では、電源部１２０、昇温動作部１３１，１３２、気体供給部１４０および冷却部材１５等）の動作を制御するものであり、例えばマイクロコンピュータ等を含んで構成されている。
【００４８】
まず、制御部１７は、制御信号ＣＴＬ２を用いて、電源部１２０の動作を制御する。具体的には、光源１２から照射される光線Ｌoutの照射量Ａout（例えば、照射強度、および、間欠的な照射動作の際のデューティ比のうちの少なくとも一方）を制御し、これにより硫黄８を局所加熱する際の温度を制御するようになっている。より具体的には、制御部１７は、硫黄８の局所加熱の際の温度が略一定（望ましくは一定）に保たれるように、光線Ｌoutの照射量Ａoutを制御している。つまり、この制御部１７は、本発明における「光制御部」の一具体例に対応している。
【００４９】
また、制御部１７は、制御信号ＣＴＬ３１，ＣＴＬ３２を用いて、昇温動作部１３１，１３２の動作（例えば、前述したパネルヒーター１３Ａの加熱動作）をそれぞれ制御する。具体的には、制御信号ＣＴＬ３１を用いて、加熱室１０Ｂにおける壁部Ｗｂの温度が、硫黄８の局所加熱の際の温度と略同一（望ましくは同一）となるように、昇温動作（加熱動作）の制御を行う。また、制御信号ＣＴＬ３２を用いて、試料ホルダ１１上の試料９近傍の温度が、試験槽１０Ａの壁部Ｗａの温度よりも低くなるように、昇温動作の制御を行う。つまり、昇温動作部１３１（パネルヒーター１３Ａや空気１３Ｂ）および制御部１７が、本発明における「第１の昇温制御部」の一具体例に対応し、昇温動作部１３２および制御部１７が、本発明における「第２の昇温制御部」の一具体例に対応している。
【００５０】
更に、制御部１７は、制御信号ＣＴＬ４を用いて、気体供給部１４０の動作（前述した気体Ｇ１ａ，Ｇ１ｂの供給動作）を制御する。具体的には、試験槽１０Ａ内へ流入させる加熱気体Ｇ３ａおよび加湿気体Ｇ３ｂの混合比ｒmix（気体Ｇ１ａ，Ｇ１ｂの流量比に対応）を制御することによって、試料ホルダ１１上の試料９近傍の温度および湿度を制御するようになっている。より具体的には、制御部１７は、この試料９近傍の温度および湿度が略一定（望ましくは一定）に保たれるように、そのような混合比ｒmixを制御している。つまり、これらの気体供給部１４０および制御部１７が、本発明における「温湿度制御部」の一具体例に対応している。
【００５１】
加えて、制御部１７は、制御信号ＣＴＬ５を用いて、冷却部材１５の動作を制御する。具体的には、冷却部材１５の冷却動作（降温動作）や、前述したような冷却部材１５の変位（移動）動作等を制御するようになっている。
【００５２】
［作用・効果］
（Ａ．基本動作）
この腐食促進試験機１では、試験槽１０Ａ内において、試料ホルダ１１上の試料９が、以下詳述する手法によって硫黄に曝される。これにより、促進的環境条件（加速試験環境）の下で、硫黄に起因した腐食状況が再現される。そして、このような腐食作用が所定の試験時間（例えば数十時間〜数百時間程度）の間連続して付与されることで、腐食促進試験が行われる。
【００５３】
（Ｂ．特徴的部分の作用）
次に、図１，図２Ａ，図２Ｂに加えて図３〜図５を参照して、本実施の形態の腐食促進試験機１における特徴的部分の作用について、比較例と比較しつつ詳細に説明する。
【００５４】
（比較例）
図３は、比較例に係る腐食促進試験機（腐食促進試験機１０１）の概略構成例を模式的に表したものである。この比較例の腐食促進試験機１０１では、試験槽１００内に試料ホルダ１１が内蔵されていると共に、この試験槽１００内へ、硫黄気体ボンベ１０２から硫黄ガスＳｇ１０１が供給される。そして、試料ホルダ１１上の試料９が硫黄ガスＳｇ１０２に曝されることで、腐食促進試験が行われる。つまり、この腐食促進試験機１０１は、ガス式の腐食促進試験機となっている。
【００５５】
このようなガス式の腐食促進試験機１０１では、腐食現象のより忠実な再現が望まれる。また、暴露させる硫黄の濃度を高め、腐食の促進性（加速性）を向上させることが望まれる。
【００５６】
（本実施の形態）
これに対して本実施の形態の腐食促進試験機１では、図１に示したように、収容皿８０内の硫黄８が加熱されることで気化され、この気化された硫黄（気化硫黄Ｓｇ０）が試料ホルダ１１側へ拡散する。具体的には、この気化硫黄Ｓｇ０は、加熱室１０Ｂおよび試験槽１０Ａの内部での硫黄の濃度勾配や温度勾配等に応じて、これらが平均化されるように自然に拡散する。
【００５７】
そして、このようにして得られた気化硫黄Ｓｇ０の少なくとも一部（図１の例では気化硫黄Ｓｇ１）が固化し、硫黄華Ｓｆ１として試料ホルダ１１上の試料９に付着する。具体的には、例えば図４に模式的に示した硫黄の蒸気圧曲線Ｃｖｐを用いて説明すると、以下の原理にて、気化硫黄Ｓｇ０および硫黄華Ｓｆ１がそれぞれ発生する。つまり、前述した局所加熱が行われることで、硫黄の融点（＝１１５．２１℃）よりも高温（例えば１２０℃程度）となると、この蒸気圧曲線Ｃｖｐよりも下の部分で示したように、気化硫黄Ｓｇ０が発生する。そして、図４中の矢印Ｐ３で示したように、この気化硫黄Ｓｇ０の一部である気化硫黄Ｓｇ１が試料９近傍にて冷却されて温度が下がると、蒸気圧曲線Ｃｖｐよりも上の部分で示したように、そのほとんどが固化して硫黄華Ｓｆ１が発生する。
【００５８】
このような原理にて硫黄華Ｓｆ１が試料９に付着する結果、本実施の形態では上記比較例とは異なり、以下のような腐食現象についても再現可能となる。具体的には、本実施の形態の腐食促進試験機１では、試料９に直接硫黄が付着するときの腐食現象の一例である、いわゆるウィスカー状（ひげ状）やクリープ状の腐食現象についても、再現することができる。
【００５９】
また、この腐食促進試験機１では、図１，図２Ａ，図２Ｂに示したように、光源１２からの光線Ｌoutの照射による局所的な加熱を利用して硫黄８の気化がなされるため、比較例の腐食促進試験機１０１と比べ、高濃度の硫黄（硫黄華Ｓｆ１）が得られる。具体的には、例えば試験槽１０Ａ内の設定温度を特に変化させずとも、試料９に曝される硫黄の濃度を高くすることができる。よって、腐食の促進性（加速性）が高まり、試験時間の短縮化が実現される。
【００６０】
更に、本実施の形態では特に、試験槽１０Ａと連通すると共に加熱機構（光源１２等）を内蔵する加熱室１０Ｂが設けられている。換言すると、試験槽１０Ａと連通する加熱室１０Ｂ内において、光線Ｌoutの照射による硫黄８の局所加熱が行われる。これにより、後述する第２の実施の形態（試験槽１０Ａ内に加熱機構が設けられている場合）と比べ、局所加熱による温度上昇が、試験槽１０Ａ側で影響を受けにくくなる。したがって、局所加熱による硫黄８の気化動作（加熱室１０Ｂ内）と、所定の設定環境下での試験（試験槽１０Ａ内）とが、互いに影響を及ぼすことなく並行して実施可能となる。
【００６１】
加えて、腐食促進試験機１では、加熱室１０Ｂの壁部Ｗｂに対して、直接または間接的に昇温制御が行われる。具体的には、この壁部Ｗｂの温度が硫黄８の局所加熱の際の温度と略同一（望ましくは一定）となるように、昇温制御が行われる。これにより、例えば図２Ａ，図２Ｂ中の「×（バツ）」印で示したように、気化された硫黄（例えば気化硫黄Ｓｇ０）が試料ホルダ１１側へ拡散する際に、加熱室１０Ｂ内の壁部Ｗｂ（内壁面）に付着しにくくなる（望ましくは、付着するのが回避される）。つまり、加熱室１０Ｂ内において、気化された硫黄の拡散態様（流れ）を制御可能となる。よって、気化硫黄Ｓｇ０が効率的に試料ホルダ１１側へ拡散し、硫黄８の利用効率が向上する（効率的な試験が実現される）。
【００６２】
また、この腐食促進試験機１では、試験槽１０Ａの下方に加熱室１０Ｂが配置されているため、加熱室１０Ｂ内で気化された硫黄（気化硫黄Ｓｇ０）が、効率良く上方である試験槽１０Ａ側（試料ホルダ１１側）へ拡散し、この点でも効率的な試験が実現される。
【００６３】
更に、腐食促進試験機１では、試験槽１０Ａ内において試料ホルダ１１を基準として加熱機構（光源１２等）側とは反対側に、冷却部材１５が設けられている。これにより、例えば図１中の気化硫黄Ｓｇ２１，Ｓｇ２２のように、気化硫黄Ｓｇ０の一部が固化し、硫黄華Ｓｆ２として冷却部材１５に付着するようになる。したがって、例えば図１中の気化硫黄Ｓｇ３および「×」印で示したように、試験槽１０Ａの内壁面への無駄な硫黄の付着が、低減もしくは回避される。つまり、試験槽１０Ａ内において、気化された硫黄の拡散態様を制御可能となる。よって、この試験槽１０Ａの内壁面上に付着した硫黄による試験への悪影響が抑えられ（望ましくは回避され）、試験の信頼性の更なる向上が図られる。
【００６４】
また、この冷却部材１５は、前述したように試験槽１０Ａの外部へ適宜取り出すことが可能（図１中の矢印Ｐ２参照）となっているため、上記のようにして冷却部材１５に付着した硫黄華Ｓｆ２が回収可能となっている。これにより、回収された硫黄の再利用（次回以降の試験での再利用）が可能となるため、試験の実施コストが抑えられる。
【００６５】
加えて、腐食促進試験機１では、試料ホルダ１１上の試料９の近傍を冷却可能に構成されている。これにより、気化された硫黄が試料９側へ寄せ集められる（試験槽１０Ａ内において、気化された硫黄の拡散態様を制御可能となる）ため、硫黄８の利用効率が向上する（効率的な試験が実現される）。また、試験槽１０Ａの内壁面への無駄な硫黄の付着が低減もしくは回避されるため、この試験槽１０Ａの内壁面上に付着した硫黄による試験への悪影響が抑えられ（望ましくは回避され）、試験の信頼性の更なる向上も図られる。
【００６６】
ここで、本実施の形態では特に、試験槽１０Ａ内に設けた冷却部材１５を試料ホルダ１１側へ向けて移動可能（図１中の矢印Ｐ１参照）とすることによって、試料９の近傍を冷却可能としている。これにより、この冷却部材１５と試料ホルダ１１との設定距離に応じて試験槽１０Ａ内の温度勾配が任意に制御可能となるため、試験状況に応じてきめ細やかな対応（気化された硫黄の拡散態様の制御）が実現される。
【００６７】
また、腐食促進試験機１では、試験槽１０Ａの壁部Ｗａに対して、直接または間接的に昇温制御が行われる。具体的には、試料ホルダ１１上の試料９近傍の温度がこの壁部Ｗａの温度よりも低くなるように、昇温制御が行われる。これによっても、試験槽１０Ａ内において気化された硫黄の拡散態様が制御可能となり、試験槽１０Ａの内壁面への無駄な硫黄の付着が低減もしくは回避される。よって、この試験槽１０Ａの内壁面上に付着した硫黄による試験への悪影響が抑えられ（望ましくは回避され）、試験の信頼性の更なる向上が図られる。
【００６８】
このように、この腐食促進試験機１では、冷却部材１５による試料９近傍の冷却動作と、試験槽１０Ａの壁部Ｗａの昇温制御とを利用して、試料ホルダ１１上の試料９近傍の温度が壁部Ｗａの温度よりも低くなるようにしている。つまり、例えば、冷却部材１５の温度をＴ１、試料９近傍の温度をＴ２、壁部Ｗａの温度をＴ３とすると、（Ｔ１＜Ｔ２＜Ｔ３）という温度の大小関係が成り立つようにしている。なお、一例として、Ｔ１＝１０〜９０℃程度、Ｔ２＝２０〜１００℃程度、Ｔ３＝５０〜１００℃程度である。このようにして、（試料９近傍の温度Ｔ２＜壁部Ｗａの温度Ｔ３）を満たすことにより、上記したように、試験槽１０Ａの内壁面への無駄な硫黄の付着が低減もしくは回避され、試験の信頼性の更なる向上が図られる。なお、冷却部材１５による試料９近傍の冷却動作と、試験槽１０Ａの壁部Ｗａの昇温制御とのうちの一方のみを利用して、試料ホルダ１１上の試料９近傍の温度が壁部Ｗａの温度よりも低くなるようにしてもよい。
【００６９】
また、この腐食促進試験機１では、光線Ｌoutの照射量Ａoutが制御されることで、硫黄８の局所加熱の際の温度が制御される。具体的には、硫黄８の局所加熱の際の温度が略一定（望ましくは一定）に保たれるように、光線Ｌoutの照射量Ａoutが制御される。これにより、硫黄８の気化量（拡散量）の変動が抑えられる（望ましくは一定に保たれる）ため、試験の信頼性の更なる向上が図られる。
【００７０】
更に、腐食促進試験機１では、試験槽１０Ａ内へ流入する加熱気体Ｇ３ａおよび加湿気体Ｇ３ｂの混合比ｒmixが制御されることで、試料ホルダ１１上の試料９近傍の温度および湿度が制御される。具体的には、試料９近傍の温度および湿度が略一定（望ましくは一定）に保たれるように、上記混合比ｒmixが制御される。これにより、試料９近傍の環境（試験環境；例えば２０℃〜１００℃程度の温度等）の変動が抑えられる（望ましくは一定に保たれる）ため、試験の信頼性の更なる向上が図られる。
【００７１】
なお、この腐食促進試験機１では、例えば図５に示したように、光線Ｌoutの照射による硫黄８の局所加熱を間欠的（断続的）に行うようにしてもよい。具体的には、制御部１７から電源部１２０へ供給される制御信号ＣＴＬ２において、光線照射期間Ｔon（局所加熱の有効期間）と、光線非照射期間Ｔoff（局所加熱の無効期間）とが、時分割で交互に設けられているようにしてもよい。また、このような光線照射期間Ｔonと光線非照射期間Ｔoffとの時間の比率（デューティ比）が、例えば試験状況等に応じて任意に制御可能となっているようにしてもよい。このように構成した場合、試験の状況等に応じて柔軟な局所加熱動作（硫黄８の気化動作）が可能となるため、利便性が向上すると共に効率的な試験が実現される。また、光線非照射期間Ｔoff（局所加熱の無効期間）において、前述した気体Ｇin（加熱気体Ｇ３ａと加湿気体Ｇ３ｂとの混合比ｒmixからなる混合気体）を試験槽１０Ａに流入させるようにした場合には、以下の効果を得ることも可能となる。すなわち、複合サイクル試験を実施することになるため、実環境をより忠実に再現した腐食促進試験を行うことが可能となる。
【００７２】
以上のように本実施の形態では、光線Ｌoutを照射して局所的に加熱することによって硫黄８を気化させると共に、気化された硫黄（気化硫黄Ｓｇ０）を試料ホルダ１１側へ拡散させるようにしたので、試料９に直接硫黄が付着するときの腐食現象を再現することができると共に、腐食の促進性を向上させて試験時間の短縮化を実現することができる。よって、信頼性が高くかつ効率の良い腐食促進試験を実施することが可能となる。
【００７３】
＜２．第１の実施の形態の変形例＞
続いて、上記第１の実施の形態の変形例（変形例１〜３）について説明する。なお、変形例１〜３に係る腐食促進試験方法はそれぞれ、各変形例の腐食促進試験機において具現化されるため、以下併せて説明する。また、第１の実施の形態における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００７４】
［変形例１］
図６は、変形例１に係る腐食促進試験機（腐食促進試験機１Ａ）の概略構成例を模式的に表したものである。本変形例の腐食促進試験機１Ａは、第１の実施の形態の腐食促進試験機１において、試験槽１０Ａ内に試料を複数配置（この例では２つの試料９１，９２を配置）させたものに対応しており、他の構成は基本的に同様となっている。
【００７５】
具体的には、この腐食促進試験機１Ａでは、試験槽１０Ａの中央付近に２つの試料ホルダ１１１，１１２が互いに対向するように配置されている。そして、試料ホルダ１１１上に配置された試料９１と、試料ホルダ１１２上に配置された試料９２とが、互いに向かい合うようになっている。
【００７６】
また、この例では、冷却部材１５が試料ホルダ１１１，１１２の間（試料９１，９２の間）に配置されている。これにより、本変形例においても、試料ホルダ１１１，１１２上の各試料９１，９２の近傍を冷却可能となっている。
【００７７】
このような構成の本変形例においても、基本的には第１の実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。
【００７８】
また、特に本変形例では、試験槽１０Ａ内に複数の試料９１，９２を配置するようにしたので、上記第１の実施の形態と比べ、より効率的な試験を実施することが可能となる。
【００７９】
［変形例２］
図７は、変形例２に係る腐食促進試験機（腐食促進試験機１Ｂ）の概略構成例を模式的に表したものである。本変形例の腐食促進試験機１Ｂは、第１の実施の形態の腐食促進試験機１において、冷却部材１５の変位（移動）を利用する代わりに試料ホルダ１１Ｂ自体を冷却することで試料９の近傍を冷却可能としたものに対応しており、他の構成は基本的に同様となっている。
【００８０】
具体的には、この腐食促進試験機１Ｂでは、試料ホルダ１１Ｂ内（この例では試料９の配置面とは反対側）に、試料ホルダ１１Ｂ自体を冷却するための冷却素子１１０が埋設されている。そして、制御部１７から供給される制御信号ＣＴＬ６に従って、この冷却素子１１０における冷却動作が制御可能となっている。このような冷却素子１１０は、各種の冷却機構（例えば、水冷方式や空冷方式、ペルティエ素子等など）を用いて構成されており、本発明における「冷却機構」の一具体例に対応している。
【００８１】
このような構成の本変形例においても、基本的には第１の実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。
【００８２】
また、特に本変形例では、試料ホルダ１１Ｂ自体を直接冷却することで試料９の近傍を冷却可能としたので、第１の実施の形態で説明したような冷却部材１５の移動機構が不要となる。よって、簡易な構成による試料９近傍の冷却を実現することが可能となる。
【００８３】
［変形例３］
図８は、変形例３に係る腐食促進試験機（腐食促進試験機１Ｃ）の概略構成例を模式的に表したものであり、便宜上主要部分のみを図示し、簡略化して示している。本変形例の腐食促進試験機１Ｃは、第１の実施の形態の腐食促進試験機１において、加熱機構（光源１２等）と試料ホルダ１１との配置関係を上下逆（Ｚ軸方向に沿って逆の配置）としたものに対応しており、他の構成は基本的に同様となっている。
【００８４】
すなわち、この腐食促進試験機１Ｃでは、加熱室１０Ｂが試験槽１０Ａの上方（＋Ｚ軸方向）に配置されている。この場合であっても、例えば図８中に示した気化硫黄Ｓｇ０，Ｓｇ１のように、硫黄８の局所加熱により気化された硫黄（気化硫黄Ｓｇ０）が、試料ホルダ１１側（下方）へ拡散する。具体的には、加熱室１０Ｂおよび試験槽１０Ａの内部での硫黄の濃度勾配や温度勾配等に応じて、これらが平均化されるように自然に拡散する。
【００８５】
したがって、本変形例においても、基本的には第１の実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。
【００８６】
＜３．第２の実施の形態＞
続いて、本発明の第２の実施の形態について説明する。第１の実施の形態では、光源１２等の加熱機構が試験槽１０Ａの外部（加熱室１０Ｂ内）に配置されていたのに対し、本実施の形態では、試験槽１０Ａ内に光源１２等の加熱機構が配置されている。
【００８７】
なお、本実施の形態に係る腐食促進試験方法は、本実施の形態の腐食促進試験機２において具現化されるため、以下併せて説明する。また、第１の実施の形態または変形例１〜３における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００８８】
図９は、第２の実施の形態に係る腐食促進試験機（腐食促進試験機２）の概略構成例を模式的に表したものである。本実施の形態の腐食促進試験機２は、上記したように、第１の実施の形態の腐食促進試験機１において、加熱室１０Ｂ（および連通路１０Ｃ）を設けずに試験槽１０Ａ内に加熱機構（光源１２等）を配置するようにしたものに対応しており、他の構成は基本的に同様となっている。
【００８９】
具体的には、この腐食促進試験機２では、試験槽１０Ａの内部（この例では下方）に、光源１２および硫黄８の収容皿８０がそれぞれ配置されている。つまり、この例では、試料ホルダ１１の下方（−Ｚ軸方向）に、光源１２等の加熱機構が配置されている。
【００９０】
このような場合であっても、例えば図９中に示した気化硫黄Ｓｇ１等のように、硫黄８の局所加熱により気化された硫黄が、試料ホルダ１１側へ拡散する。具体的には、試験槽１０Ａの内部での硫黄の濃度勾配や温度勾配等に応じて、これらが平均化されるように自然に拡散する。
【００９１】
したがって、本実施の形態においても、基本的には第１の実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。すなわち、信頼性が高くかつ効率の良い腐食促進試験を実施することが可能となる。
【００９２】
また、特に本実施の形態では、試験槽１０Ａ内に光源１２等の加熱機構が配置されている、換言すると、試験槽１０Ａ内で光線Ｌoutの照射による硫黄８の局所加熱を行うようにしたので、前述した第１の実施の形態と比べ、この加熱機構と試料ホルダ１１（試料９）との間の距離を相対的に短くすることができる。よって、気化された硫黄が効率的に試料ホルダ１１側へ拡散するようになり、硫黄８の利用効率が向上させる（効率的な試験を実現する）ことが可能となる。また、試験槽１０Ａの内壁面への無駄な硫黄の付着が低減するため、この試験槽１０Ａの内壁面上に付着した硫黄による試験への悪影響が抑えられ、試験の信頼性の更なる向上を図ることも可能となる。
【００９３】
更に、試料ホルダ１１の下方に光源１２等の加熱機構を配置するようにしたので、この加熱機構により気化された硫黄が効率良く試料ホルダ１１側へ拡散し、この点でも更に効率的な試験を実現することが可能となる。
【００９４】
＜４．第２の実施の形態の変形例＞
続いて、上記第２の実施の形態の変形例（変形例４〜７）について説明する。なお、変形例４〜７に係る腐食促進試験方法はそれぞれ、各変形例の腐食促進試験機において具現化されるため、以下併せて説明する。また、第２の実施の形態または変形例１〜３等における構成要素と同一のものには同一の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００９５】
［変形例４］
図１０は、変形例４に係る腐食促進試験機（腐食促進試験機２Ａ）の概略構成例を模式的に表したものである。本変形例の腐食促進試験機２Ａは、第２の実施の形態の腐食促進試験機２において、前述した変形例１の腐食促進試験機１Ａと同様に、試験槽１０Ａ内に試料が複数配置（この例では２つの試料９１，９２が配置）されているようにしたものに対応しており、他の構成は基本的に同様となっている。
【００９６】
このような構成の本変形例においても、基本的には第２の実施の形態または変形例１と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。
【００９７】
［変形例５］
図１１は、変形例５に係る腐食促進試験機（腐食促進試験機２Ｂ）の概略構成例を模式的に表したものである。本変形例の腐食促進試験機２Ｂは、第２の実施の形態の腐食促進試験機２において、前述した変形例２の腐食促進試験機１Ｂと同様に、冷却部材１５の変位（移動）を利用する代わりに試料ホルダ１１Ｂ自体を冷却することで試料９の近傍を冷却可能としたものに対応しており、他の構成は同様となっている。
【００９８】
このような構成の本変形例においても、基本的には第２の実施の形態または変形例２と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。
【００９９】
［変形例６］
図１２は、変形例６に係る腐食促進試験機（腐食促進試験機２Ｃ）の概略構成例を模式的に表したものであり、便宜上主要部分のみを図示し、簡略化して示している。本変形例の腐食促進試験機２Ｃは、第２の実施の形態の腐食促進試験機２において、試験槽１０Ａ内に複数の加熱機構（この例では４つの加熱機構）を設けるようにしたものに対応しており、他の構成は基本的に同様となっている。
【０１００】
具体的には、この腐食促進試験機２Ｃでは、光源１２および硫黄８の収容皿８０の組が、試験槽１０Ａ内に４つずつ設けられていると共に、これらが試料ホルダ１１（試料９）の周囲に略等方的（望ましくは等方的）に配置されている。
【０１０１】
このような場合であっても、例えば図１２中に示した気化硫黄Ｓｇ１のように、各硫黄８の局所加熱により気化された硫黄がそれぞれ、試料ホルダ１１側へ拡散する。具体的には、試験槽１０Ａの内部での硫黄の濃度勾配や温度勾配等に応じて、これらが平均化されるように自然に拡散する。
【０１０２】
したがって、本実施の形態においても、基本的には第２の実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。
【０１０３】
また、特に本変形例では、光源１２等からなる複数の加熱機構が試料ホルダ１１の周囲に略等方的（望ましくは等方的）に配置されているようにしたので、以下の効果も得ることが可能となる。すなわち、腐食の促進性を更に向上させて試験時間の更なる短縮化を実現することが可能となると共に、試料９内での硫黄（硫黄華Ｓｆ１）の付着度合いのばらつき（面内ばらつき）を低減もしくは回避することができ、試験の信頼性の更なる向上を図ることも可能となる。
【０１０４】
［変形例７］
図１３は、変形例７に係る腐食促進試験機（腐食促進試験機２Ｄ）の概略構成例を模式的に表したものであり、便宜上主要部分のみを図示し、簡略化して示している。本変形例の腐食促進試験機２Ｄは、第２の実施の形態の腐食促進試験機２において、加熱機構（光源１２等）と試料ホルダ１１との配置関係を上下逆（Ｚ軸方向に沿って逆の配置）としたものに対応しており、他の構成は基本的に同様となっている。
【０１０５】
すなわち、この腐食促進試験機２Ｄでは、光源１２等の加熱機構が、試料ホルダ１１（試料９）の上方（＋Ｚ軸方向）に配置されている。この場合であっても、例えば図１３中に示した気化硫黄Ｓｇ１のように、硫黄８の局所加熱により気化された硫黄が、試料ホルダ１１側（下方）へ拡散する。具体的には、試験槽１０Ａの内部での硫黄の濃度勾配や温度勾配等に応じて、これらが平均化されるように自然に拡散する。
【０１０６】
したがって、本変形例においても、基本的には第２の実施の形態と同様の作用により同様の効果を得ることが可能である。
【０１０７】
＜５．その他の変形例＞
以上、いくつかの実施の形態および変形例を挙げて本発明を説明したが、本発明はこれらの実施の形態等に限定されず、種々の変形が可能である。
【０１０８】
例えば、腐食促進試験機内の各部材の形状や配置位置、個数等は、上記実施の形態等において説明したものには限られず、他の形状や配置位置、個数等としてもよい。また、各部材は必ずしも設けられていなくてもよく、一部の部材が設けられていないようにしてもよい。
【０１０９】
また、上記実施の形態等では、制御部による各種の制御動作や腐食促進試験方法について具体的に挙げて説明したが、上記実施の形態等で説明した手法には限られず、他の手法を用いて制御動作や腐食促進試験を行うようにしてもよい。具体的には、例えば、硫黄の濃度を検知可能なセンサを用いて、制御部１７において気化硫黄の拡散量（濃度）のフィードバック制御を行うようにしてもよい。
【０１１０】
更に、上記実施の形態等では、光源１２からの光線Ｌoutの照射を利用して硫黄８の局所加熱を行う場合について説明したが、例えば、このような光線Ｌoutの照射に加え、硫黄８の収容皿８０の加熱（例えばヒーター等を用いた加熱）を併用するようにしてもよい。具体的には、この収容皿８０の加熱を、例えば硫黄８の予備加熱（例えば１００℃程度）に利用してもよい。このような予備加熱を、光線Ｌoutの照射による局所加熱（本加熱）の事前に行うようにすれば、硫黄８の気化を迅速に行うことが可能となる。
【０１１１】
加えて、上記実施の形態等で説明した一連の制御は、ハードウェア（回路）で行われるようにしてもよいし、ソフトウェア（プログラム）で行われるようにしてもよい。ソフトウェアで行われるようにした場合、そのソフトウェアは、上記した各機能をコンピュータ（マイクロコンピュータ等）により実行させるためのプログラム群で構成される。各プログラムは、例えば、上記コンピュータに予め組み込まれて用いられてもよいし、ネットワークや記録媒体から上記コンピュータにインストールして用いられてもよい。
【符号の説明】
【０１１２】
１，１Ａ〜１Ｃ，２，２Ａ〜２Ｄ…腐食促進試験機、１０Ａ…試験槽、１０Ｂ…加熱室、１０Ｃ…連通路、１１，１１Ｂ，１１１，１１２…試料ホルダ、１１０…冷却素子、１２…光源、１２０…電源部、１３１，１３２…昇温動作部、１３Ａ…パネルヒーター、１３Ｂ…空気、１４０…気体供給部、１４１…フィルタ、１４２…流量計、１４３ａ…加熱気体発生室、１４３ｂ…加湿気体発生室、１５…冷却部材、１６…排気処理部、１７…制御部、８…硫黄、８０…収容皿、９，９１，９２…試料、Ｌout…光線、Ａout…照射量、Ｗａ，Ｗｂ，Ｗｂ１，Ｗｂ２…壁部、Ｓｇ０，Ｓｇ１，Ｓｇ２１，Ｓｇ２２，Ｓｇ３…気化硫黄、Ｓｆ１，Ｓｆ２…硫黄華、Ｇ１ａ，Ｇ１ｂ，Ｇ２ａ，Ｇ２ｂ，Ｇin，Ｇout…気体、Ｇ３ａ…加熱気体、Ｇ３ｂ…加湿気体、ｒmix…混合比、Ｐａ，Ｐｂ，Ｐin，Ｐout…配管、Ｒａ，Ｒｂ…発熱体（抵抗体）、Ｗ…水、ＣＴＬ２，ＣＴＬ３１，ＣＴＬ３２，ＣＴＬ４，ＣＴＬ５…制御信号、Ｃｖｐ…蒸気圧曲線、Ｔon…光線照射期間、Ｔoff…光線非照射期間。
【図１】
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【図２Ａ】
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【図２Ｂ】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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