(57)【要約】【課題】アブレーション加工で生じるデブリが被加工物に付着するおそれを低減し、従来に比べて加工効率を向上させるレーザ加工方法を提供する。【解決手段】被加工物１に照射するレーザビームＬの波長に対して吸収性を有する微粒子で被加工物１のレーザビーム照射面である裏面１ｂを被覆して該裏面１ｂに微粒子層３０を形成し（微粒子層形成ステップ）、この後、レーザビームＬを微粒子層を介して被加工物１に照射して被加工物１にアブレーション加工を施す（加工ステップ）。微粒子層３０ＡでレーザビームＬを吸収することでエネルギーの拡散および反射を抑制し、被加工物１へのアブレーション加工を可能とする。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
被加工物にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工方法であって、
被加工物に照射するレーザビームの波長に対して吸収性を有する微粒子で被加工物の一面を被覆して被加工物の一面に微粒子層を形成する微粒子層形成ステップと、
該微粒子層形成ステップを実施した後、被加工物に対してレーザビームを前記微粒子層を介して被加工物に照射して、被加工物の一面にアブレーション加工を施す加工ステップと、
を備えることを特徴とするレーザ加工方法。
【請求項２】
前記微粒子層は、前記微粒子と、該微粒子の被加工物の一面に対する付着性を向上させる付着向上液体とからなることを特徴とする請求項１に記載のレーザ加工方法。
【請求項３】
前記微粒子層形成ステップは、
被加工物を回転可能にスピンナテーブルで保持する保持ステップと、
該保持ステップを実施した後、少なくとも水と前記付着向上液体とからなる溶液中に前記微粒子が分散された混合液を被加工物の一面に供給し、被加工物の一面を該混合液で被覆する被覆ステップと、
該被覆ステップを実施した後、被加工物を回転させて被加工物の一面の前記混合液を乾燥させることで被加工物の一面に微粒子層を形成する乾燥ステップと、
を有することを特徴とする請求項１または２に記載のレーザ加工方法。
【請求項４】
前記付着向上液体は、少なくとも界面活性剤を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項５】
前記微粒子は、被加工物に照射される前記レーザビームに対して被加工物の一面よりも高い吸収性を有することを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のレーザ加工方法。
【請求項６】
被加工物の一面に微粒子層を形成する微粒子層形成剤であって、
被加工物に照射するレーザビームの波長に対して吸収性を有する複数の微粒子と、該微粒子の被加工物の一面に対する付着性を向上させる付着向上液体と、水と、から少なくともなることを特徴とする微粒子層形成剤。
【請求項７】
前記付着向上液体は、少なくとも界面活性剤を含むことを特徴とする請求項６に記載の微粒子層形成剤。
【請求項８】
前記微粒子は、被加工物に照射される前記レーザビームに対して被加工物の一面よりも高い吸収性を有することを特徴とする請求項６または７に記載の微粒子層形成剤。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被加工物にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工方法と、該レーザ加工方法で用いる微粒子層形成剤に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば薄板状の半導体ウェーハやサファイア基板等からなる基板を細密なチップ状に分割加工するにあたり、被加工物に対しレーザビームを分割予定ラインに沿って照射してアブレーション加工を行うことで分割する技術が提案されている（特許文献１）。アブレーション加工は、被加工物に対して吸収性を有する波長のレーザビームを照射することで、被加工物で吸収されたレーザビームのエネルギーがバンドギャップエネルギーに達し、被加工物の原子の結合力が破壊されて起こるものである。
【０００３】
ところが、アブレーション加工にあっては、被加工物のレーザビームが入射する上面でレーザビームのエネルギーの拡散およびレーザビームの反射が起こり、照射されたレーザビームのエネルギーが充分にはアブレーション加工に利用されず、エネルギー損失が大きいという問題がある。また、エネルギーの拡散によって被加工物が溶融してデブリが発生し、このデブリが飛散して被加工物の表面を汚染するという問題もある。そこで、被加工物の表面に水溶性材料からなる保護膜剤を塗布して保護膜を形成し、デブリが被加工物の表面に直接付着することを防ぐ技術が知られている（特許文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１０−３０５４２０号公報
【特許文献２】特開２００６−１４０３１１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、被加工物の表面に保護膜を形成することでレーザビームのエネルギーがより一層拡散し、加工効率が低下するという問題が生じる。
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その主な技術的課題は、アブレーション加工で生じるデブリが被加工物に付着するおそれを低減することができるとともに、従来に比べて加工効率を向上させることができるレーザ加工方法および微粒子層形成剤を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のレーザ加工方法は、被加工物にレーザビームを照射してアブレーション加工を施すレーザ加工方法であって、被加工物に照射するレーザビームの波長に対して吸収性を有する微粒子で被加工物の一面を被覆して被加工物の一面に微粒子層を形成する微粒子層形成ステップと、該微粒子層形成ステップを実施した後、被加工物に対してレーザビームを前記微粒子層を介して被加工物に照射して、被加工物の一面にアブレーション加工を施す加工ステップと、を備えることを特徴とする。
【０００８】
本発明のレーザ加工方法の前記微粒子層は、前記微粒子と、該微粒子の被加工物の一面に対する付着性を向上させる付着向上液体とからなることを特徴とする。
【０００９】
また、本発明のレーザ加工方法の前記微粒子層形成ステップは、被加工物を回転可能にスピンナテーブルで保持する保持ステップと、該保持ステップを実施した後、少なくとも水と前記付着向上液体とからなる溶液中に前記微粒子が分散された混合液を被加工物の一面に供給し、被加工物の一面を該混合液で被覆する被覆ステップと、該被覆ステップを実施した後、被加工物を回転させて被加工物の一面の前記混合液を乾燥させることで被加工物の一面に微粒子層を形成する乾燥ステップと、を有することを特徴とする。
【００１０】
また、本発明のレーザ加工方法では、前記付着向上液体は、少なくとも界面活性剤を含むことを特徴とする。また、前記微粒子は、被加工物に照射される前記レーザビームに対して被加工物の一面よりも高い吸収性を有することを特徴とする。
【００１１】
次に、本発明の微粒子層形成剤は、被加工物の一面に微粒子層を形成する微粒子層形成剤であって、被加工物に照射するレーザビームの波長に対して吸収性を有する複数の微粒子と、該微粒子の被加工物の一面に対する付着性を向上させる付着向上液体と、水と、から少なくともなることを特徴とする。
【００１２】
本発明の微粒子層形成剤の前記付着向上液体は、少なくとも界面活性剤を含むことを特徴とする。また、前記微粒子は、被加工物に照射される前記レーザビームに対して被加工物の一面よりも高い吸収性を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明のレーザ加工方法では、被加工物に照射するレーザビームの波長に対して吸収性を有する微粒子からなる微粒子層で被加工物を被覆した状態で、微粒子層側から被加工物にレーザビームを照射する。これにより被加工物に照射されたレーザビームは、微粒子層の微粒子に吸収されてバンドギャップエネルギーに達し、微粒子の原子の結合力が破壊される。すると、レーザビームは連鎖的に被加工物のバンドギャップエネルギーに達し、被加工物の一面にアブレーション加工が施される。レーザビームが微粒子層の微粒子に吸収されるため、レーザビームのエネルギーの拡散および反射が抑制され、その結果、従来に比べて加工効率が向上するものとなる。また、アブレーション加工で発生したデブリは微粒子層上に付着し、被加工物にデブリが付着するおそれを低減することができる。レーザ加工後に被加工物上から微粒子層をデブリとともに除去することで、被加工物へのデブリの付着を防ぐことができる。
【００１４】
従来の保護膜（上記特許文献２等に記載）は、ＰＶＡ（Polyvinyl Alcohol）やＰＥＧ（Polyethylene Glycol）のような合成樹脂製であったのに対し、本発明は、レーザビームの波長に対して吸収性を有する微粒子からなる微粒子層をその保護膜とする。本発明の微粒子層形成剤はそのような微粒子層を形成するために好適なもので、特に被加工物に照射するレーザビームの波長に対して高い吸収性を有する微粒子を選択することで、従来に比べて加工性をより向上させることができる。また、微粒子や付着向上液体を適宜選択することにより、無機物のみで保護膜を形成することが可能となり、その場合には廃水処理が容易となるといった利点が得られる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明によれば、アブレーション加工で生じるデブリが被加工物に付着するおそれを低減することができるとともに、従来に比べて加工効率を向上させることができるレーザ加工方法および微粒子層形成剤が提供されるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明の一実施形態に係る被加工物の斜視図である。
【図２】同被加工物を粘着テープを介して環状のフレームに支持した状態を示す（ａ）斜視図、（ｂ）断面図である。
【図３】一実施形態のレーザ加工方法を実施する際に用いる被覆装置および同レーザ加工方法の保持ステップを示す側断面図である。
【図４】一実施形態のレーザ加工方法の微粒子層形成ステップ内の被覆ステップを示す側断面図である。
【図５】同微粒子層形成ステップ内の乾燥ステップを示す側断面図である。
【図６】一実施形態のレーザ加工方法の加工ステップを示す斜視図である。
【図７】同加工ステップを示す断面図である。
【図８】被覆装置で加工ステップ後の被加工物を洗浄する状態を示す側断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、図面を参照して本発明の一実施形態を説明する。
図１および図２の符号１は本実施形態でレーザ加工が施される被加工物１を示しており、図３〜図５は被加工物１のレーザビーム照射面である裏面１ｂに保護膜として微粒子層を形成する被覆装置１０を示している。
【００１８】
[１]被加工物
図１に示す被加工物１は、厚さが例えば数百μｍ程度の円板状のサファイア基板であり、その表面１ａにはエピタキシャル膜からなる複数の光デバイス２が形成されている。光デバイス２は、被加工物１の表面１ａに設定された格子状の分割予定ライン３で区画された複数の矩形領域に対して形成されている。なお、実施形態では被加工物１をサファイア基板としているが、本発明の被加工物はサファイアに限定されず、例えば半導体ウェーハ、ガラス等からなる板状物等が被加工物として挙げられる。
【００１９】
被加工物１は、図２に示すように表面１ａ側が環状のフレーム８の内側に張られた粘着テープ９に貼着される。粘着テープ９は基材の片面に粘着層が形成されたもので、その外周部にフレーム８が貼着され、フレーム８の内側に被加工物１が同心状に位置付けられて貼着されている。被加工物１は粘着テープ９に裏面（一面）１ｂが露出した状態に貼着され、フレーム８によってハンドリングされて被覆装置１０に搬入される。
【００２０】
[２]被覆装置
図３〜図５に示す被覆装置１０は、装置ケース１１内の円板状のスピンナテーブル１４上に保持した被加工物１の裏面１ｂに供給ノズル１８から液状の微粒子層形成剤３０を滴下してスピンコートにより微粒子層３０Ａを形成するものである。また、被覆装置１０は洗浄水を被加工物１に対して供給する洗浄ノズル１９を有している。
【００２１】
装置ケース１１は、上方に開口し、中心に孔１２ａが形成された円筒状のケース本体１２と、ケース本体１２の孔１２ａを塞ぐカバー１３とからなり、カバー１３には、下方からモータ１６の駆動軸１７が貫通して固定されている。スピンナテーブル１４は、装置ケース１１内に突出する駆動軸１７の上端に同心状に固定され、モータ１６の駆動により水平回転可能に支持されている。スピンナテーブル１４は、被加工物１を負圧作用で吸引保持する負圧チャックである。
【００２２】
モータ１６および駆動軸１７は図示せぬ昇降手段で昇降可能に支持されており、スピンナテーブル１４は、図３に示すケース本体１２の上方開口付近の着脱位置と、図４および図５に示すケース本体１２内の処理位置との間を昇降するようになされている。
【００２３】
被加工物１は、スピンナテーブル１４上に粘着テープ１１を介して同心状に載置され、吸引保持される。スピンナテーブル１４の周縁部には、スピンナテーブル１４の回転によって遠心力が生じるとフレーム８を上方から押さえ付けるように作動する複数の遠心クランプ１５が取り付けられており、フレーム８はこれら遠心クランプ１５によって保持される。
【００２４】
供給ノズル１８と洗浄ノズル１９は同一構造であって、ケース本体１２の底部にそれぞれ旋回可能に支持されており、旋回モータ１８ｂ、１９ｂでそれぞれ駆動されて、先端に下向きに形成された吐出口１８ａ、１９ａが、スピンナテーブル１４の中心の真上に位置付けられるようになっている。
【００２５】
[３]レーザ加工方法
以下、被加工物１に対しアブレーション加工を施す一実施形態に係るレーザ加工方法を説明する。本実施形態のアブレーション加工は、波長が３５５ｎｍのレーザビームを分割予定ライン３に沿って照射し、溝を形成するものである。この波長３５５ｎｍのレーザビームは、被加工物１のサファイアに対して吸収性をほとんど有さない波長である。また、本実施形態では、アブレーション加工に先立ち、被加工物１のレーザビーム照射面である裏面１ｂに微粒子層を形成する。微粒子層は、次の微粒子層形成剤によって形成される。
【００２６】
[３−１]微粒子層形成剤
微粒子層は、生成した微粒子層形成剤を供給ノズル１８から被加工物１の裏面１ｂに供給することで形成される。微粒子層形成剤は、被加工物１に照射するレーザビームの波長に対して吸収性を有する複数の微粒子と、該微粒子の被加工物１の裏面１ｂに対する付着性を向上させる付着向上液体と、水と、から少なくともなる混合液である。
【００２７】
微粒子は、被加工物１に照射されるレーザビームに対して吸収性を有し、さらに、被加工物１のレーザビーム照射面である裏面１ｂよりも高い吸収性を有することものが好ましいとされる。上記のように被加工物１に照射するレーザビームの波長が３５５ｎｍの場合には、例えばシリカ（ＳｉＯ２）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化鉄（II）（ＦｅＯ）、酸化鉄(III)（Ｆｅ２Ｏ３）、酸化スズ（ＳｎＯ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）、カーボン等がそのような微粒子として用いられる。また、これらの材料は、被加工物１や光デバイス２に対して金属汚染を生じるおそれがないものとして好適とされる。とりわけ安価なシリカを採用すると、製造コストを抑えることができ経済的である。
【００２８】
付着向上液体は、例えばＰＶＡ（ポリビニルアルコール）、ＰＥＧ（ポリエチレングリコール）、ＰＥＯ（ポリエチレンオキシド）、ＰＶＰ（ポリビニルピロリドン）や、各種セルロース等が用いられる。付着向上液体は、たれ防止性を有する界面活性剤を含むと好ましく、界面活性剤の他には増粘剤やゲル化剤、安定剤として作用する合成樹脂、高分子化合物等が好ましく用いられる。
【００２９】
微粒子の粒径は、レーザビームの照射スポット径より小さいことが好ましく、例えば５〜３０ｎｍのものが用いられる。被加工物１にレーザ加工を行う際には、レーザビームを照射する分割予定ライン３を検出するアライメントを行うが、このアライメントは光を被加工物１に照射して撮像し、撮像した画像に基づいて行う。そこで、微粒子の粒径が３０ｎｍを超えるとアライメント時に可視光に対して不透明となり分割予定ライン３が検出しにくくなるため、微粒子の粒径は５〜３０が好ましい。ただし、アライメントの際に微粒子を透過する波長の光を用いれば分割予定ライン３の検出は可能となり、その際には３０ｎｍを超える粒径の微粒子を採用することができる。
【００３０】
微粒子、付着向上液体および水の混合比率は、例えば、微粒子：５〜２０vol％、付着向上液体：０．１〜１０vol％、より好ましくは０．１〜７vol％、その他が水、という比率で生成される。このような比率で、例えばパウダー状の微粒子を水と付着向上液体との混合液に分散させて微粒子層形成剤を生成することができ、その場合、微粒子の凝集を防止する分散剤を適宜混合すると好ましい。微粒子層形成剤に無機物を用いると、有害物の処理等を行う必要がないため使用後の廃水処理が容易となるという利点がある。
【００３１】
微粒子層形成剤を生成する方法として、例えばアルコシキド法で生成されたゾル状またはコロイド溶液を微粒子として用い、ゾル状微粒子またはコロイド溶液と、上記付着向上液体と、水とを混合して微粒子層形成剤を生成する方法もある。この場合、微粒子をアルコシキド法で生成することで、均一な粒径、かつ、超微粒の微粒子の形成が可能となるとともに、混合液中に均一に微粒子を分散させることが可能となる。また、場合によってはゾル状またはコロイド溶液状の微粒子だけで微粒子層形成剤とすることが可能であり、その場合はゾルまたはコロイド溶液の液体が付着向上液体として作用する。なお、ゾル状またはコロイド溶液状の微粒子に水を加えることで塗布性を向上させてもよい。
【００３２】
[３−２]微粒子層形成ステップ
生成した液状の上記微粒子層形成剤を、上記被覆装置１０を用いて被加工物１の裏面１ｂに供給して、該裏面１ｂをレーザビームの波長に対して吸収性を有する微粒子で被覆する。
【００３３】
以下、被覆装置１０の作用を説明する。はじめに、図３に示すように、着脱位置に上昇させたスピンナテーブル１４上に粘着テープ１１を介して被加工物１を同心状に載置し、被加工物１の裏面１ｂを上方に露出させる。また、環状フレーム８をスピンナテーブル１４上に載置する。
【００３４】
図４に示すように、スピンナテーブル１４を処理位置まで下降させるとともに、被加工物１をスピンナテーブル１４に吸引保持する（保持ステップ）。次いで供給ノズル１８を旋回させて吐出口１８ａを被加工物１の中心の上方に位置付け、吐出口１８ａから被加工物１の上面すなわち裏面１ｂの中心に微粒子層形成剤（混合液）３０を所定量滴下して供給する。続いて、スピンナテーブル１４を低回転（例えば１０ｒｐｍ）で回転させて被加工物１を自転させる。これにより微粒子層形成剤３０は遠心力の作用で裏面１ｂ全面にスピンコートされ、裏面１ｂに均一に塗布された状態となる（被覆ステップ）。なお、予めスピンナテーブル１４を回転させ、自転する被加工物１に微粒子層形成剤３０を供給してもよい。
【００３５】
次に、図５に示すように、微粒子層形成剤３０の供給を停止した供給ノズル１８を退避させ、スピンナテーブル１４の回転速度を上げ、高速で所定時間スピンナテーブル１４を回転させることにより、微粒子層形成剤３０の水分を飛ばして乾燥させる。この時にはフレーム８は遠心クランプ１５で保持される。例えばスピンナテーブル１４の回転速度は２０００ｒｐｍ、回転時間は６０秒とされ、乾燥によって被加工物１の裏面１ｂには均一厚さの微粒子層３０Ａが形成される（乾燥ステップ）。
【００３６】
微粒子層３０Ａの厚さは必要に応じた厚さでよく、例えば２〜４μｍとされる。なお、所望の厚さの微粒子層が得られるまで、被覆ステップと乾燥ステップを繰り返してもよく、例えば比較的厚い微粒子層を形成する場合には、一度で微粒子層を形成するよりも被覆ステップと乾燥ステップを複数回繰り返した方が均一厚さの微粒子層を得やすい。
【００３７】
[３−３]加工ステップ
被加工物１の裏面１ｂに所望厚さの微粒子層３０Ａが形成されたら、被加工物１を被覆装置１０から搬出し、図６に示すレーザ加工手段２０を有する加工装置に搬入して、レーザビームＬを微粒子層３０Ａを介して分割予定ライン３に沿って被加工物１の裏面１ｂに照射し、該裏面１ｂに溝４を形成するアブレーション加工を施す。
【００３８】
図６に示すレーザ加工手段２０は、レーザビームＬを下方に向けて照射する照射部２１と、照射部２１に固定されたアライメント手段２２を有している。アライメント手段２２は被加工物１の分割予定ライン３を検出するもので、被加工物１を撮像するカメラ２３を備えている。照射部２１からは、上記の通り被加工物１のサファイアに対して吸収性をほとんど有さない波長３５５ｎｍのレーザビームＬが照射される。また、この他のレーザビームＬの条件としては、例えば、平均出力：０．５〜１．５ｋｗ、繰り返し周波数：９０ｋＨｚに設定される。
【００３９】
被加工物１は、レーザ加工手段２０の下方に配設された図示せぬ回転可能な保持手段に裏面１ｂを上方に露出させて水平に保持され、また、フレーム８もその保持手段に保持される。レーザ加工手段２０と保持手段に保持された被加工物１とは、図６に示すＸ方向の加工送り方向と、Ｙ方向の割り出し送り方向に相対的に移動可能に設けられている。
【００４０】
レーザ加工は、まずアライメント手段２２で被加工物１を撮像して分割予定ライン３を検出し、次いでその検出結果に基づき、保持手段を回転させて一方向に延びる分割予定ライン３を加工送り方向と平行にし、さらに、割り出し送りをしてレーザビームＬを照射する分割予定ライン３を選択する。そして、図７に示すように、Ｘ方向に所定速度（例えば１２０ｍｍ／ｓ）で加工送りしながら、被加工物１の裏面１ｂに微粒子層３０Ａを介して分割予定ライン３に沿ってレーザビームＬを照射し、アブレーション加工を施して所定深さの溝４を形成する。１本の分割予定ライン３へのレーザビーム照射を終えたら、分割予定ライン３間の間隔である割り出し送り量に基づく割り出し送りと、加工送りとを交互に繰り返し、Ｘ方向に延びる分割予定ライン３に沿ってレーザビームＬを照射し、裏面１ｂにアブレーション加工を施して溝４を形成する。
【００４１】
Ｘ方向に延びる全ての分割予定ライン３にレーザビームＬを照射したら、保持手段を９０°回転させて未加工の分割予定ライン３をＸ方向と平行に位置付け、同じ要領でそれらの分割予定ライン３にレーザビームＬを照射し、アブレーション加工を施す。
【００４２】
アブレーション加工は上記の通り溝加工であり、全ての分割予定ライン３に沿って裏面１ｂに溝４が形成されたら加工ステップを終え、被加工物１を再び被覆装置１０にセットする。そして、図８に示すように、洗浄ノズル１９を旋回させて吐出口１９ａを被加工物１の中心の上方に位置付け、吐出口１９ａから被加工物１の裏面１ｂに被覆された微粒子層に洗浄水Ｗを供給するとともにスピンナテーブル１４を回転させて微粒子層３０Ａを被加工物１上から除去する。この後、スピンナテーブル１４の回転を続けることで、被加工物１を乾燥させる。例えば洗浄時にはスピンナテーブル１４を８００ｒｐｍで２０秒回転させて洗浄を行い、次いで回転速度を２０００ｒｐｍに上げて６０秒回転させることで乾燥を終えるといった手順で洗浄・乾燥を行う。
【００４３】
洗浄・乾燥を終えたら被加工物１を被覆装置１０から搬出し、この後、被加工物１Ｗは外力が与えられることにより、溝４が形成されることにより強度が低下した分割予定ライン３に沿って割断され、複数の光デバイス２に分割される。
【００４４】
[４]一実施形態の作用効果
上記レーザ加工方法では、被加工物１に照射するレーザビームＬの波長に対して吸収性を有し、かつ、被加工物１の裏面１ｂよりも高い吸収性を有する微粒子からなる微粒子層３０Ａで被加工物１を被覆した状態で、微粒子層３０Ａ側から被加工物１にレーザビームＬを照射する。これにより被加工物１に照射されたレーザビームＬは、微粒子層３０Ａの微粒子に吸収されてバンドギャップエネルギーに達し、微粒子の原子の結合力が破壊される。すると、レーザビームＬは連鎖的に被加工物１のバンドギャップエネルギーに達し、被加工物１のレーザビーム照射面すなわち裏面１ｂに、分割予定ライン３に沿ってアブレーション加工による溝４が形成される。
【００４５】
一般にサファイア基板の裏面１ｂは鏡面加工されているため、レーザビームを照射してもレーザビームが反射されてしまいレーザ加工が難しいとされている。しかし本実施形態のように波長が３５５ｎｍのレーザビームＬに対して吸収性を有する微粒子層３０Ａを形成しておくことで、微粒子層３０Ａを起点にアブレーション加工が施される。アブレーション加工の際にはレーザビームＬが微粒子層３０Ａの微粒子に吸収されるため、レーザビームＬのエネルギーの拡散および反射が抑制され、その結果、加工効率が向上するものとなる。
【００４６】
また、アブレーション加工で発生したデブリは微粒子層３０Ａ上に付着し、被加工物１にデブリが付着するおそれを低減することができる。レーザ加工後に被加工物１上から微粒子層３０Ａを洗浄して除去することでデブリは微粒子層３０Ａとともに除去され、被加工物１へのデブリの付着を防ぐことができる。
【００４７】
上記のように加工効率の向上が図られる本発明のレーザ加工方法を、特に酸化膜やＴＥＧ（Test Element Group）等が形成された半導体ウェーハのように加工に高エネルギーが必要な被加工物に採用すると、高エネルギーでレーザビームを照射する必要がなくなるため有効である。とりわけＴＥＧが形成されているウェーハは高エネルギーでレーザビームを照射するとＴＥＧが形成されていない部分が荒れて加工品質が低下するといった問題があったが、本発明ではそのような問題を防止することができる。
【符号の説明】
【００４８】
１…被加工物
１ａ…被加工物の表面
１ｂ…被加工物の裏面（一面）
１４…スピンナテーブル
３０…微粒子層形成剤
３０Ａ…微粒子層
Ｌ…レーザビーム
【図１】
2014124646.tif 000003
【図２】
2014124646.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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