【手続補正書】
【提出日】令和3年3月31日(2021.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料のＸ線像を生成する方法であって、
薄片成形されたターゲットの第１表面上に第１軸に沿って２０００ｅＶより小さいランディングエネルギーを有する電子ビームを方向づけるステップであって、前記薄片成形されたターゲット上への前記電子ビーム内の電子の衝突は、前記薄片成形されたターゲット内の相互作用体積内からＸ線を生成し、前記Ｘ線の一部は、前記薄片成形されたターゲットの前面表面を介してＸ線検出器に向けて第２軸に沿って放出され、前記前面表面は前記第１表面と異なり、前記第２軸は前記第１軸と異なる、ステップと、
前記薄片成形されたターゲットと前記Ｘ線検出器との間で前記第２軸に沿って試料を配置するステップと、
前記試料によって吸収されていない前記Ｘ線を、前記Ｘ線検出器を用いて収集することによりＸ線像を取得するステップと、
を含み、
前記薄片成形されたターゲットは、前記第１軸に沿った方向において高さを、前記第２軸に沿った方向において長さを、前記第１軸及び前記第２軸と異なる第３軸に沿って幅を有し、
前記高さ及び前記長さは、前記幅の少なくとも２倍であり、
前記相互作用体積は、前記第１表面から前記薄片成形されたターゲットの前記高さよりも小さい距離だけ前記第１軸に沿って広がり、それにより、前記薄片成形されたターゲットの前記高さによらず、前記第１軸に沿った前記相互作用体積の前記広がりによって、前記第１軸に沿った仮想ソースサイズが特定される仮想Ｘ線ソースが生成される、
方法。
【請求項２】
前記電子ビームを方向づけるステップは、前記第１表面において前記薄片成形されたターゲットの前記幅よりも大きい直径を有する電子ビームを前記方向づけるステップを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記相互作用体積は、前記第１表面から前記薄片成形されたターゲットの前記高さの半分よりも少ない距離へと広がる、
請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記高さ及び前記長さは、両方とも少なくとも前記幅の２倍である、
請求項１乃至３いずれか１項記載の方法。
【請求項５】
前記高さ及び前記長さは、両方とも５００ｎｍより大きく、前記幅は２００ｎｍよりも小さい、
請求項１乃至４いずれか１項記載の方法。
【請求項６】
ａ）  前記試料を回転させるステップと、
ｂ）  前記薄片成形されたターゲットの第１表面上に前記電子ビームを方向づけるステップと、
ｃ）  後続のＸ線像を取得するステップと、
ｄ）  複数のＸ線像を取得するためにステップａ）ｂ）及びｃ）を繰り返すステップと、
ｅ）  前記試料の３次元トモグラフィ再構成を形成するために前記複数のＸ線像を処理するステップと、
をさらに有する請求項１乃至５いずれか１項記載の方法。
【請求項７】
前記長さ及び前記高さは２００ｎｍ以上であり、前記幅は２００ｎｍ以下である、
請求項１乃至３いずれか１項記載の方法。
【請求項８】
前記第３軸に沿った前記仮想Ｘ線ソースは、前記薄片成形されたターゲットの前記幅によって特定される、
請求項１乃至７いずれか１項記載の方法。
【請求項９】
前記薄片成形されたターゲットは、ターゲット材料を含み、
前記電子ビームの直径は、前記第１表面において、前記薄片成形されたターゲットの前記長さより小さい、
請求項１乃至８いずれか１項記載の方法。
【請求項１０】
試料のＸ線像を生成する方法であって、
薄片成形されたターゲットの第１表面上に第１軸に沿って電子ビームを方向付けるステップであって、前記薄片成形されたターゲット上への前記電子ビーム中の電子の衝突は、前記薄片成形されたターゲット内の相互作用体積内からＸ線を生成し、前記Ｘ線の一部は、前記薄片成形されたターゲットの前面表面を介してＸ線検出器に向けて放出され、前記前面表面は前記第１表面と異なる、ステップと、
前記薄片成形されたターゲットと前記Ｘ線検出器との間に第２軸に沿って試料を配置するステップと、
前記Ｘ線検出器を用いて前記試料によって吸収されていない前記Ｘ線を収集することによりＸ線像を取得するステップと、
を含み、
前記薄片成形されたターゲットは、前記第１軸に沿った方向において高さを、前記第２軸に沿った方向において長さを、前記第１軸及び前記第２軸と異なる第３軸に沿った方向において幅を有し、
前記高さ及び前記長さは、前記幅の少なくとも２倍であり、
前記相互作用体積は、前記第１表面から前記薄片成形されたターゲットの前記高さよりも小さい距離だけ前記第１軸に沿って広がる、
方法。
【請求項１１】
前記高さ及び前記長さは、前記幅の少なくとも３倍である、
請求項１０記載の方法。
【請求項１２】
さらに、
ａ）  前記試料を回転させるステップと、
ｂ）  前記薄片成形されたターゲットの第１表面上に前記電子ビームを方向づけるステップと、
ｃ）  後続のＸ線像を取得するステップと、
ｄ）  複数のＸ線像を取得するためにステップａ）ｂ）及びｃ）を繰り返すステップと、
前記試料の３次元トモグラフィ再構成を形成するために前記複数のＸ線像を処理するステップと、
をさらに含む、請求項１０又は１１記載の方法。
【請求項１３】
前記薄片成形されたターゲットの前記第１表面上に前記電子ビームを方向づけるステップは、
１５００から２０００ｅＶの範囲のランディングエネルギーを有する前記電子ビームを方向づけるステップを含む、
請求項１０乃至１２いずれか１項記載の方法。
【請求項１４】
前記薄片成形されたターゲットの前記第１表面上に前記電子ビームを方向づけるステップは、
前記電子が前記薄片成形されたターゲットの前記幅の２倍以下の侵入深さを有する電子ビームを方向づけるステップを含む、
請求項１０乃至１３いずれか１項記載の方法。
【請求項１５】
試料からＸ線像を取得するためのシステムであって、
第１軸に沿って電子ビームを生成するための電子カラムと、
前記電子ビームによって衝突されるようにターゲット位置に配置された薄片成形されたターゲットと、
前記ターゲット上への前記電子ビームの衝突によって前記ターゲット内の相互作用体積から放出されるＸ線によって前記試料が衝突される試料位置に、前記試料を配置するための試料ステージと、
前記電子ビームの衝突によって前記ターゲットの前面表面を介して放出され、前記試料を通過するＸ線を収集するためのＸ線検出器であって、前記薄片成形されたターゲットから前記試料位置を通過し前記Ｘ線検出器に至るラインが第２軸を画定し、前記前面表面は前記第１表面と異なり、前記第２軸は前記第１軸と異なる、Ｘ線検出器と、
を備え、
前記薄片成形されたターゲットは、前記第１軸に沿った方向に高さを、前記第２軸に沿った方向に長さを、前記第１軸及び前記第２軸に垂直な方向に幅を有し、前記高さ及び前記長さは少なくとも前記幅の２倍であり、
前記相互作用体積は、前記第１表面から前記薄片成形されたターゲットの前記高さよりも小さい距離だけ前記第１軸に沿って広がる、
試料からＸ線像を取得するためのシステム。
【請求項１６】
前記試料ステージは回転可能な試料ステージである、
請求項１５記載の試料からＸ線像を取得するためのシステム。
【請求項１７】
試料からのＸ線像の取得を制御するためのコントローラと、
前記コントローラによって実行されるための、機械読取可能な命令を保存するように構成されたコンピュータメモリと、
をさらに備える、請求項１５又は１６記載の試料からＸ線像を取得するためのシステム。
【請求項１８】
前記コンピュータメモリは、
反復して前記試料からＸ線像を取得し、前記試料を回転し、前記試料の３次元表現を生成するために、反復して取得された像を組み合わせるための、命令を保存する、請求項１７記載の試料からＸ線像を取得するためのシステム。
【請求項１９】
前記薄片成形されたターゲットは、
タングステン、モリブデン、チタン、スカンジウム、バナジウム、銀又は高融点金属
を含むＸ線生成材料の群から作製されている、
請求項１５乃至１８いずれか１項記載の試料からＸ線像を取得するためのシステム。