【手続補正書】
【提出日】令和3年5月18日(2021.5.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１メモリランク及び第２メモリランクを含み、前記第１メモリランクは第１ランク選択信号によって活性化され、前記第２メモリランクは第２ランク選択信号によって活性化されるマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を動作させる方法であって、
第１オン−ダイターミネーション（ＯＤＴ）動作モードと第２オン−ダイターミネーション（ＯＤＴ）動作モードのうちの１つを活性化するようにモードレジスタ設定（ＭＲＳＥＴ）を設定するステップと、
前記第１ランク選択信号が活性化され、前記第２ランク選択信号が不活性化されている間中、前記第１及び第２メモリランクで共有されるコマンドバスを介して、外部装置から動作クロック信号対に同期して第１ＣＡＳコマンドと書込みコマンドを連続して受信するステップと、
前記第１ＣＡＳコマンドと前記書込みコマンドを受信した後、前記第１及び第２メモリランクで共有されるデータバスを介して、外部装置から書込みデータを受信するステップであって、前記第１ＯＤＴ動作モードが活性化された場合、前記書込みデータの受信中に前記第１メモリランクの第１ＯＤＴ回路及び前記第２メモリランクの第２ＯＤＴ回路がそれぞれ活性化され、前記第２ＯＤＴ動作モードが活性化された場合、前記書込みデータの受信中に前記第１メモリランクの前記第１ＯＤＴ回路が活性化され、前記第２メモリランクの前記第２ＯＤＴ回路が不活性化されるステップと、
前記書込みデータの受信中に、前記動作クロック信号対に同期してトグルするデータストローブ信号対を受信するステップであって、前記データストローブ信号対のトグル周波数は前記動作クロック信号対の周波数よりも高いステップと、
前記第１ランク選択信号が活性化され、前記第２ランク選択信号が不活性化されている間中、前記コマンドバスを介して、第２ＣＡＳコマンドと読出しコマンドを連続して受信するステップと、
前記第２ＣＡＳコマンド及び前記読出しコマンドに応答して、前記データバスを介して読出しデータを出力するステップであって、前記第１ＯＤＴ動作モードが活性化された場合、前記読出しデータを出力している間中、前記第１メモリランクの前記第１ＯＤＴ回路は不活性され、前記第２メモリランクの前記第２ＯＤＴ回路は活性化され、前記第２ＯＤＴ動作モードが活性化された場合、前記読出しデータを出力している間中、前記第１メモリランクの前記第１ＯＤＴ回路及び前記第２メモリランクの前記第２ＯＤＴ回路はそれぞれ不活性化されるステップと、
を含むことを特徴とする、マルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項２】
前記データストローブ信号対の前記トグル周波数は、前記動作クロック信号対の周波数の２倍であることを特徴とする、請求項１に記載のマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項３】
前記データストローブ信号対の前記トグル周波数は、前記動作クロック信号対の周波数の４倍であることを特徴とする、請求項１に記載のマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項４】
前記第１ＣＡＳコマンドは、前記書込みコマンドが直後に続くことを示す第１フィールドを含み、前記第１フィールドの論理レベルはハイ（Ｈｉｇｈ）であることを特徴とする、請求項１に記載のマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項５】
前記第２ＣＡＳコマンドは、前記読出しコマンドが直後に続くことを示す第２フィールドを含み、前記第２フィールドの論理レベルはハイであることを特徴とする、請求項１に記載のマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項６】
前記第１ＯＤＴ回路の第１抵抗値を設定し、前記第２ＯＤＴ回路の第２抵抗値を設定するために第２モードレジスタを設定するステップをさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項７】
前記第１メモリランクはターゲットメモリランクであり、前記第２メモリランクはノン−ターゲットメモリランクであり、前記ターゲットメモリランクのＤＲＡＭは、前記書込みコマンドと前記読出しコマンドに応答して書込み動作と読出し動作を実行することを特徴とする、請求項１に記載のマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項８】
前記ＤＲＡＭのパワーオン時、前記モードレジスタ設定のデフォルト設定は前記第１ＯＤＴ動作モードであることを特徴とする、請求項１に記載のマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項９】
第１ＯＤＴ動作モードから第２ＯＤＴ動作モードへのＯＤＴ動作モード変更は、手順をプログラミングするモードレジスタ設定によって行われることを特徴とする、請求項８に記載のマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項１０】
前記第１ＯＤＴ回路のＯＤＴ抵抗は、前記第１ＯＤＴ動作モード中は第１値を、前記第２ＯＤＴ動作モード中は第２値を有するようにそれぞれ設定され、前記第１値は前記第２値とは異なることを特徴とする、請求項１に記載のマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項１１】
前記第１値及び前記第２値は、第２モードレジスタ設定に格納された複数の異なる抵抗値から選択されることを特徴とする、請求項１０に記載のマルチ−ランクシステムの動的ランダムアクセスメモリを動作させる方法。
【請求項１２】
マルチ−ランクシステムであって、
前記マルチ−ランクシステムは、
第１オン−ダイターミネーション（ＯＤＴ）動作モードと第２オン−ダイターミネーション（ＯＤＴ）動作モードのうちの１つを活性化にするように構成されたモードレジスタ設定（ＭＲＳＥＴ）と、
第１ランク選択信号によって活性化される第１動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を含む第１メモリランクと、
第２ランク選択信号によって活性化される第２動的ランダムアクセスメモリ（ＤＲＡＭ）を含む第２メモリランクと、
前記第１メモリランク及び前記第２メモリランクに動作クロック信号対を提供する動作クロックバスと、
前記第１メモリランク及び前記第２メモリランクで共有され、外部装置に接続されたコマンドバスと、
前記第１メモリランク及び前記第２メモリランクで共有され、前記外部装置に接続されたデータバスと、
前記第１メモリランク及び前記第２メモリランクで共有され、前記外部装置に接続されたデータストローブバスと、を含み、
前記第１ＤＲＡＭは、
前記第１ランク選択信号が活性化され、前記第２ランク選択信号が不活性化されている間中、前記コマンドバスを介して前記動作クロック信号対に同期して第１ＣＡＳコマンドと書込みコマンドを連続して受信し、
前記第１ＣＡＳコマンドと前記書込みコマンドを受信した後、前記データバスを介して書込みデータを受信し、前記第１ＯＤＴ動作モードが活性化された場合、前記書込みデータを受信中に前記第１メモリランクの第１ＯＤＴ回路及び前記第２メモリランクの第２ＯＤＴ回路がそれぞれ活性化され、前記第２ＯＤＴ動作モードが活性化された場合、前記書込みデータの受信中に前記第１メモリランクの前記第１ＯＤＴ回路が活性化され、前記第２メモリランクの前記第２ＯＤＴ回路が不活性化され、
前記書込みデータの受信中に、前記動作クロック信号対に同期してトグルするデータストローブ信号対を受信し、前記データストローブ信号対のトグル周波数は前記動作クロック信号対の周波数よりも高く、
前記第１ランク選択信号が活性化され、前記第２ランク選択信号が不活性化されている間中、前記コマンドバスを介して第２ＣＡＳコマンドと読出しコマンドを連続して受信し、
前記第２ＣＡＳコマンドと前記読出しコマンドに応答して、前記データバスを介して読出しデータを出力し、前記第１ＯＤＴ動作モードが活性化された場合、前記読出しデータを出力している間中、前記第１メモリランクの前記第１ＯＤＴ回路を不活性化し、前記第２メモリランクの前記第２ＯＤＴ回路を活性化し、前記第２ＯＤＴ動作モードが活性化された場合、前記読出しデータを出力している間中、前記第１メモリランクの前記第１ＯＤＴ回路及び前記第２メモリランクの前記第２ＯＤＴ回路をそれぞれ不活性化することを特徴とするマルチ−ランクシステム。
【請求項１３】
前記データストローブ信号対の前記トグル周波数は、前記動作クロック信号対の周波数の２倍であることを特徴とする、請求項１２に記載のマルチ−ランクシステム。
【請求項１４】
前記第１ＣＡＳコマンドは、前記書込みコマンドが直後に続くことを示す第１フィールドを含み、前記第１フィールドの論理レベルはハイ（Ｈｉｇｈ）であることを特徴とする、請求項１２に記載のマルチ−ランクシステム。
【請求項１５】
前記第２ＣＡＳコマンドは、前記読出しコマンドが直後に続くことを示す第２フィールドを含み、前記第２フィールドの論理レベルはハイであることを特徴とする、請求項１２に記載のマルチ−ランクシステム。
【請求項１６】
前記第１ＯＤＴ回路の第１抵抗値を設定し、前記第２ＯＤＴ回路の第２抵抗値を設定するために第２モードレジスタを設定することを特徴とする、請求項１２に記載のマルチ−ランクシステム。
【請求項１７】
前記第１メモリランクはターゲットメモリランクであり、前記第２メモリランクはノン−ターゲットメモリランクであり、前記ターゲットメモリランクのＤＲＡＭは、前記書込みコマンド及び前記読出しコマンドに応答して、書込み及び読出し動作を行うことを特徴とする、請求項１２に記載のマルチ−ランクシステム。
【請求項１８】
前記ＤＲＡＭのパワーオン時、モードレジスタ設定のデフォルト設定は前記第１ＯＤＴ動作モードであることを特徴とする、請求項１２に記載のマルチ−ランクシステム。
【請求項１９】
第１ＯＤＴ動作モードから第２ＯＤＴ動作モードへのＯＤＴ動作モード変更は、手順をプログラミングするモードレジスタ設定によって行われることを特徴とする、請求項１８に記載のマルチ−ランクシステム。
【請求項２０】
前記第１ＯＤＴ回路のＯＤＴ抵抗は、前記第１ＯＤＴ動作モード中は第１値、前記第２ＯＤＴ動作モード中には第２値を有するようにそれぞれ設定され、前記第１値は前記第２値とは異なることを特徴とする、請求項１２に記載のマルチ−ランクシステム。