(57)【要約】【課題】良好な発光特性が得られ駆動も正常な有機ＥＬディスプレイパネルを提供する。【解決手段】基板１００上に、画素領域ａと対向電極コンタクト領域ｂを有し、画素領域は複数の画素ｐを有し、画素は、基板上に画素電極１０１と、画素電極の一部を区画する第一絶縁層と、画素電極上と第一絶縁層上に形成され、かつ第一絶縁層の開口端部で断線したキャリア注入層と、キャリア注入層上と第一絶縁層上と第一絶縁層の開口端部上に、有機発光層を含む少なくとも一層以上の有機層と、有機層上に対向電極１０６と、を有し、対向電極コンタクト領域は、基板上に取り出し電極１０７と、取り出し電極の一部を区画する第二絶縁層と取り出し電極と第二絶縁層上に対向電極と、を有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に画素領域と対向電極コンタクト領域とを有し、
前記画素領域は複数の画素を有し、
前記対向電極コンタクト領域は複数の対向電極コンタクトを有し、
前記複数の画素は、各々、
前記基板上の前記画素領域に形成された画素電極と、
前記画素電極の一部を開口するように形成された第一絶縁層と、
前記画素電極上及び前記第一絶縁層上に形成され、かつ前記第一絶縁層の開口端部で断線するように形成されたキャリア注入層と、
前記キャリア注入層上と前記第一絶縁層上と前記第一絶縁層の開口端部上に、有機発光層を含む少なくとも一層以上の有機層と、
前記有機層上に形成された対向電極と、により形成され、
前記複数の対向電極コンタクトは、各々、
前記基板上の前記対向電極コンタクト領域に形成された取り出し電極と、
前記取り出し電極の一部を開口するように形成された第二絶縁層と、
前記取り出し電極上及び前記第二絶縁層上に形成された前記対向電極と、
により形成されている、
ことを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項２】
請求項１に記載の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、前記第一絶縁層の開口端部の勾配の角度が鈍角であり、前記第二絶縁層の開口端部の勾配の角度が鋭角であることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項３】
請求項１または２に記載の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、前記第一絶縁層は無機絶縁体であり、前記第二絶縁層は有機絶縁体であることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、前記キャリア注入層は無機化合物であることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル。
【請求項５】
請求項１から４のいずれか一項に記載の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、
前記無機化合物は、
二酸化モリブデン、酸化インジウム、酸化チタン、酸化イリジウム、酸化タンタル、酸化ニッケル、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化錫、酸化鉛、酸化ニオブ、酸化アルミ、酸化銅、酸化マンガン、酸化プラセオジム、酸化クロム、酸化ビスマス、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化セシウム、フッ化リチウム、フッ化ナリウム、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、窒化ガリウム、窒化ガリウムインジウム、マグネシウム銀、アルミリチウム、銅リチウム、
からなるいずれかの材料であることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネル
【請求項６】
基板上の画素領域に複数の画素電極を形成し、
前記基板上の対向電極コンタクト領域から基板端部に取り出し電極を形成し、
前記画素電極の一部を開口する第一絶縁層を形成し、
前記対向電極コンタクト領域にある取り出し電極の一部を開口する第二絶縁層を形成し、
前記画素領域全面にキャリア注入層を形成し、
前記キャリア注入層上と前記第一絶縁層上と前記第一絶縁層の開口端部上に、有機発光層を含む少なくとも一層以上の有機層を形成し、
前記画素領域上と前記コンタクト領域上とその間の領域全面に対向電極を形成する、
ことを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法において、前記第一絶縁層がフォトリソグラフィー法によるレジストマスキングとドライエッチング法によりパターン形成されることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項８】
請求項６または７に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法において、前記第二絶縁層がフォトリソグラフィー法によりパターン形成されることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項９】
請求項６から８のいずれか一項に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法において、前記キャリア注入層が真空蒸着法、スパッタ法、によって形成されることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１０】
請求項６から９のいずれか一項に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法において、前記有機層の少なくとも一層がウエットプロセス法によって形成されることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【請求項１１】
請求項１０に記載の有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法において、前記ウエットプロセス法が印刷法、インクジェット法、ノズルプリンティング法のいずれかであることを特徴とする有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光特性が高く生産が容易な有機ＥＬディスプレイパネル及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス（以下、有機ＥＬ）素子は、二つの対向する電極の間に有機発光材料からなる有機発光層が形成され、両電極間に電圧を印加すると陽極から正孔、陰極から電子が注入され、有機発光層に電流が流れ、その正孔と電子が有機発光層で再結合することで発光させるものである。
一般的に、ディスプレイパネル用の基板として、パターニングされた感光性ポリイミドが発光画素を区画するように隔壁状に形成されているものを用いる。その際、隔壁パターンは陽極として成膜されている透明電極のエッジ部を覆うように形成される。
【０００３】
電極の間には、有機発光層以外にもキャリア注入層（キャリア輸送層とも呼ばれる）が形成される。キャリア注入層とは、電極から有機発光層へ電子を注入させる際に、電子の注入量を制御あるいは、もう一方の電極から有機発光層へ正孔が注入される際に、正孔の注入量を制御するのに用いられる層で、電極と有機発光層の間に挿入される層を指す。
電子注入層としては、キノリノール誘導体の金属錯体などの電子輸送性の有機物や、例えばＣａ、Ｂａなどの仕事関数の比較的小さいアルカリ金属などが用いられ、これらの機能を持つ層を複数積層する場合もある。
【０００４】
正孔注入層としては、例えば特許文献１にはＴＰＤ（トリフェニレンアミン系誘導体）が記載され、特許文献２にはＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ（ポリチオフェンとポリスチレンスルホン酸の混合物）が記載され、特許文献３には無機材料の正孔輸送材料が記載されている。いずれにしても電極と発光層の間に挿入することにより、電子と正孔の注入量を制御することによって発光効率を上げる目的で挿入され、高性能な有機ＥＬディスプレイパネルを得るためには必須である。
【０００５】
次に、正孔キャリアを注入するための正孔注入層を成膜する方法として、ドライ成膜法とウェット成膜法の２種類があるが、ウェット成膜法を用いる場合は一般的に水に分散されたポリチオフェンの誘導体が用いられるが、水系インキは下地の影響を受けやすく均一にコーティングすることが非常に困難である。それに対してドライ成膜法は、簡便に均一に全面コーティングが可能である。
有機発光層を形成する方法も同様にドライ成膜法とウェット成膜法の２種類があるが、均一な成膜が容易なドライ成膜法である真空蒸着法を用いる場合、微細パターンのマスクを用いてパターニングする必要があり、大型基板や微細パターニングが非常に困難である。
【０００６】
そこで、最近では、高分子材料を溶剤に溶かして塗工液にし、これをウェット成膜法で薄膜形成する方法が試みられるようになってきている。高分子材料の塗液を用いてウェット成膜法で有機発光層を含む発光媒体層を形成する場合の層構成は、陽極側から正孔注入層、インターレイヤー又は正孔輸送層、有機発光層と積層する３層構成が一般的である。例えば特許文献４，５には、有機発光層をカラーパネル化するために、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）のそれぞれの発光色をもつ有機発光材料を溶剤中に溶解または安定して分散してなる有機発光インキを用いて塗り分ける方法が記載されている。
【０００７】
ウェット成膜を用いることで、微細パターンのマスクは必要なく、大型基板や微細パターンが容易に可能である。
理想的にはＲＧＢのそれぞれの発光層に対して異なるキャリア注入層を用いることで性能を引き出すことが可能であるが、量産プロセスにおいて工程が増えることと、高精細パターニングが困難であることから、キャリア注入層はＲＧＢ共通のベタ状の膜が形成されることが一般的である。
【０００８】
ところが、キャリア注入層をベタ状に連続な膜として形成する場合、通常は基板に対し垂直な断面方向に流れるべきキャリアが基板に対し平行な方向にも流れ、隣接画素へキャリアが漏れ発光してしまう、いわゆるクロストークや、画素端部に集中的に電流が流れエッジの発光が強くなってしまい、画素全体としては電流効率を低下させてしまうなど、問題となることがある。
特に、キャリア注入層を真空蒸着法、スパッタ法などのドライプロセスで形成する場合には、上記現象が生じやすい。
これは、画素を区画している隔壁の形状に大きく依存していることがわかっている。
【０００９】
そこで、キャリア注入層をベタ状に成膜しても、画素単位で膜が断線するように隔壁の形状を工夫する試みがなされている。
例えば特許文献６には、隔壁の形状を逆テーパーにすることで、全面に蒸着形成したとしても隔壁端部で断線する方法が記載されており、上記問題を解消している。
キャリア注入層形成後は、有機層が形成され、隔壁端部は被覆されるため、対向電極を全面に形成する場合にでも断線することなく形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００１−９３６６８号公報
【特許文献２】特開２００１−１５５８５８号公報
【特許文献３】特許第２９１６０９８号公報
【特許文献４】特許第２８５１１８５号公報
【特許文献５】特開平９−６３７７１号公報
【特許文献６】特開２０１１−２１６２６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
ところで、有機ＥＬディスプレイパネルを作製する場合の多くが、配線のレイアウトを簡便にするために立体配線構造を用いている。例えば、特に有機ＥＬ構造の対向電極に着目した場合、有機ＥＬ特性上の制約と、パターニング性、抵抗率、耐対候性などを両立させるため対向電極のみで基板の端子部まで直接取り出すことはせず、途中で対向電極コンタクト部を設け、取り出し電極で端子部まで取り出すことが多い。
【００１２】
ここで、上記対向電極コンタクト部は、上記画素部同様隔壁によって区画され開口部が設けられるが、上記画素部と同様の形状では、対向電極膜が断線する可能性が高い。
しかしながら、従来の方法では、画素部でのキャリア注入層の断線を防ぎ、かつ対向電極コンタクト部で対向電極膜の断線をも防ぐことができないため、発光特性が高く生産が容易な有機ＥＬディスプレイパネルを提供することが困難であるという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明は、上述の課題（の少なくとも一部）を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
上述した課題を解決するために、本発明のある態様による有機ＥＬディスプレイパネルは、基板上に画素領域と対向電極コンタクト領域とを有し、前記画素領域は複数の画素を有し、前記対向電極コンタクト領域は複数の対向電極コンタクトを有し、前記複数の画素は、各々、前記基板上の前記画素領域に形成された画素電極と、前記画素電極の一部を開口するように形成された第一絶縁層と、前記画素電極上及び前記第一絶縁層上に形成され、かつ前記第一絶縁層の開口端部で断線するように形成されたキャリア注入層と、前記キャリア注入層上と前記第一絶縁層上と前記第一絶縁層の開口端部上に、有機発光層を含む少なくとも一層以上の有機層と、前記有機層上に形成された対向電極と、により形成され、前記複数の対向電極コンタクトは、各々、前記基板上の前記対向電極コンタクト領域に形成された取り出し電極と、前記取り出し電極の一部を開口するように形成された第二絶縁層と、前記取り出し電極上及び前記第二絶縁層上に形成された前記対向電極と、により形成されている、ことを特徴とする。
【００１４】
上述した課題を解決するために、本発明の他の態様による有機ＥＬディスプレイパネルは、前記第一絶縁層の開口端部の勾配の角度が鈍角であり、前記第二絶縁層の開口端部の勾配の角度が鋭角であることを特徴とする。
上述した課題を解決するために、本発明の他の態様による有機ＥＬディスプレイパネルは、前記第一絶縁層は無機絶縁体であり、前記第二絶縁層は有機絶縁体であることを特徴とする。
【００１５】
上述した課題を解決するために、本発明の他の態様による有機ＥＬディスプレイパネルは、前記キャリア注入層は無機化合物であることを特徴とする。
上述した課題を解決するために、本発明の他の態様による有機ＥＬディスプレイパネルは、前記無機化合物は、二酸化モリブデン、酸化インジウム、酸化チタン、酸化イリジウム、酸化タンタル、酸化ニッケル、酸化タングステン、酸化バナジウム、酸化錫、酸化鉛、酸化ニオブ、酸化アルミ、酸化銅、酸化マンガン、酸化プラセオジム、酸化クロム、酸化ビスマス、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化セシウム、フッ化リチウム、フッ化ナリウム、セレン化亜鉛、テルル化亜鉛、窒化ガリウム、窒化ガリウムインジウム、マグネシウム銀、アルミリチウム、銅リチウム、からなるいずれかの材料であることを特徴とする。
【００１６】
上述した課題を解決するために、本発明のある態様による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法は、基板上の画素領域に複数の画素電極を形成し、前記基板上の対向電極コンタクト領域から基板端部に取り出し電極を形成し、前記画素電極の一部を開口する第一絶縁層を形成し、前記対向電極コンタクト領域にある取り出し電極の一部を開口する第二絶縁層を形成し、前記画素領域全面にキャリア注入層を形成し、前記キャリア注入層上と前記第一絶縁層上と前記第一絶縁層の開口端部上に、有機発光層を含む少なくとも一層以上の有機層を形成し、前記画素領域上と前記コンタクト領域上とその間の領域全面に対向電極を形成する、ことを特徴とする。
【００１７】
上述した課題を解決するために、本発明の他の態様による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法は、前記第一絶縁層がフォトリソグラフィー法によるレジストマスキングとドライエッチング法によりパターン形成することを特徴とする。
上述した課題を解決するために、本発明の他の態様による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法は、前記第二絶縁層がフォトリソグラフィー法によりパターン形成されることを特徴とする。
【００１８】
上述した課題を解決するために、本発明の他の態様による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法は、前記キャリア注入層が真空蒸着法、スパッタ法、によって形成されることを特徴とする。
上述した課題を解決するために、本発明の他の態様による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法は、前記有機層の少なくとも一層がウエットプロセス法によって形成されることを特徴とする。
上述した課題を解決するために、本発明の他の態様による有機ＥＬディスプレイパネルの製造方法は、前記ウエットプロセス法が印刷法、インクジェット法、ノズルプリンティング法のいずれかであることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、画素部でのキャリア注入層断線と、対向電極コンタクト部で対向電極が断線しないことを両立することで、発光特性や生産性の高い有機ＥＬディスプレイパネルの提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネルを示す平面模式図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネルの画素領域に設けられた画素を示す断面模式図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネルの対向電極コンタクト領域に設けられた対向電極コンタクトを示す断面模式図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネルの対向電極コンタクト領域に設けられた対向電極コンタクトを示す断面模式図である。
【図５】従来の有機ＥＬディスプレイパネルの対向電極コンタクト領域に設けられた対向電極コンタクトを示す断面模式図である。
【図６】本発明の第１の実施形態に係るアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬディスプレイパネルを示す断面模式図である。
【図７】本発明の第１の実施形態に係る有機層を凸版印刷法で形成する方法を示す概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
以下、有機ＥＬディスプレイパネルの実施形態について図面に従って説明する。以下に参照する各図において、他の図と同等部分は同一符号を付して説明する。
（第１の実施形態）
先ず、第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネルの構成について、図１を参照して説明する。図１は、第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネルを示す平面模式図である。特に、図１の有機ＥＬディスプレイパネルは、パッシブマトリックス駆動型である。
【００２２】
図１に示すように、第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネルは、基板１００上に画素領域ａと対向電極コンタクト領域ｂが設けられており、画素領域ａには少なくとも１つ以上画素ｐが設けられ、対向電極コンタクト領域ｂには対向電極コンタクトｃが設けられている。
画素領域ａと対向電極コンタクト領域ｂとでは、隔壁の断面形状が異なる。また、画素領域ａには画素電極１０１が、対向電極コンタクト領域ｂには取り出し電極１０７があり、それぞれ基板１００の端部まで形成されている。画素電極１０１は図示しない外部駆動回路と接続するため端部まで形成されているが、コンタクト部を設けて、例えば抵抗の低い金属などの外部取り出し電極で中継しても良い。
【００２３】
図１は、画素領域ａに画素ｐが１つの場合で画素電極１０１も１つであるが、複数の画素を設ける場合は、回路設計に応じて画素電極が複数設けられることが好ましい。また、対向電極１０６は画素領域ａと対向電極コンタクト領域ｂ上に形成され、更に両方をまたがるように形成される。ここで、基板１００上に形成された、画素電極１０１を陽極、これと対向するように形成された対向電極１０６を陰極としたが、画素電極１０１を陰極、対向電極１０６を陽極としてもよい。
【００２４】
次に、画素領域ａに設けられた画素ｐの断面模式図について図２を参照して説明する。図２は、第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネルの画素領域に設けられた画素を示す断面模式図である。
まず、基板１００上に画素電極１０１が画素サイズに応じて設けられる。第一絶縁層１０２は、画素電極１０１の端部を覆い、少なくとも画素領域ａにおいて各画素ｐの画素電極１０１の端部を覆い、かつ発光パターンに従って区画される。発光パターン以外は、画素領域ａ全面に形成されている。
【００２５】
第一絶縁層１０２の開口端部は、後に述べるキャリア注入層１０４を断線させる条件が必要で、切り立っていることが好ましく、第一絶縁層１０２の勾配と基板とが成す角度は、鈍角であることが好ましい。また、キャリア注入層を断線させるには、第一絶縁層１０２の勾配の角度は９０度以上であれば良く、さらに、開口部が狭くならない程度に画素電極１０１の端部を覆うために、第一絶縁層１０２の勾配の角度は、１２０度未満であることがより好ましい。
【００２６】
第二絶縁層１０３は、画素領域ａにおいての形成有無は任意であるが、形成する場合は第一絶縁層１０２の開口より外側にパターン形成される。特に、後に述べる有機層１０５を画素ｐごとに塗り分ける場合、混色防止に有効である。
キャリア注入層１０４は、画素電極１０１、第一絶縁層１０２、第二絶縁層１０３上に、画素領域ａ全面に形成されるが、このとき第一絶縁層１０２の開口端部で断線し不連続になっている。
【００２７】
第一絶縁層１０２の端部がなだらか（テーパー角が小さい）だと、キャリア注入層１０４は連続的に形成され、画素電極１０１端部で電流リークを引き起こし、発光特性を低下させてしまうが、第一絶縁層１０２の端部を切り立った形状にすることで、キャリア注入層１０４を断線させ、電流リークを抑制することができる。
キャリア注入層１０４は、画素電極１０１が陽極の場合には、正孔を注入する正孔注入層、正孔を輸送する正孔輸送層または電子をブロックする電子ブロック層（インターレイヤー）のいずれかを選択し、画素電極１０１が陰極の場合には、電子を注入する電子注入層、電子を輸送する電子輸送層または正孔をブロックする正孔ブロック層など適宜選択することができる。
【００２８】
有機層１０５は、少なくとも発光に寄与する有機発光層を含み、画素電極１０１上、第一絶縁層１０２上、キャリア注入層１０４上に形成される。このとき、第一絶縁層１０２の端部をなめらかに覆うように有機層１０５を形成している。
有機層１０５には、有機発光層の他、正孔注入層、正孔輸送層、電子ブロック層（インターレイヤー）、電子注入層、電子輸送層、正孔ブロック層などを適宜積層してよい。
【００２９】
複数の画素ｐを配列する事で、有機ＥＬディスプレイパネルとすることができる。即ち、各画素ｐを構成する有機発光層を混色することなく、例えばＲＧＢの３色に塗り分けることで、フルカラーの有機ＥＬディスプレイパネルを作製することができる。
対向電極１０６は、有機層１０５上、第二絶縁層１０３上、または第一絶縁層１０２上に形成する。有機層１０５が端部を滑らかに被覆しているため、対向電極１０６は断線することなく、滑らかに形成することができる。
【００３０】
次に、対向電極コンタクト領域ｂに設けられた対向電極コンタクトｃついて図３、図４、図５を参照して説明する。図３、図４、図５は、第１の実施形態に係る有機ＥＬディスプレイパネルの対向電極コンタクト領域に設けられた対向電極コンタクトを示す断面模式図である。
まず、基板１００上に取り出し電極１０７が設けられる。
図４に示す第一絶縁層１０２は、対向電極コンタクト領域ｂにおいての形成有無は任意であるが、第二絶縁層１０３は必須であり、第一絶縁層１０２を形成する場合、図４のように取り出し電極１０７の端部を覆うように形成される。第二絶縁層１０３は、後に述べる対向電極１０６を断線させること無く連続的に形成するため、第一絶縁層１０２の端部をなだらかに覆うことが好ましく、第二絶縁層１０３の勾配と基板とが成す角度は、鋭角であることが好ましい。また、絶縁性を担保させるために、第二絶縁層１０３の勾配の角度は３度以上あることが好ましく、さらに、対向電極の断線を確実に防ぐために、第二絶縁層１０３の勾配の角度は６０度未満であることがより好ましい。
【００３１】
第一絶縁層１０２を形成しない場合は、図３に示すように第二絶縁層１０３が取り出し電極１０７の端部をなだらかに覆うよう形成される。
対向電極１０６は、取り出し電極１０７上と、第二絶縁層１０３上に形成する。第二絶縁層１０３が端部を滑らかに被覆しているため、断線することなく滑らかに形成することができる。
もし、図５に示すように、画素ｐに用いている第一絶縁層１０２を対向電極コンタクトｃに用いた場合、対向電極１０６は第一絶縁層１０２の端部で断線し、対向電極コンタクトｃから画素ｐへ駆動電源を供給できなくなってしまう。
【００３２】
以上、パッシブマトリックス駆動型の有機ＥＬディスプレイパネルについて述べたが、画素ｐにＴＦＴを採用することでアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬディスプレイパネルを作製することもできる。図６は、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬディスプレイパネルを示す断面模式図である。
【００３３】
＜基板＞
図６に示すように、アクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬディスプレイパネルは、隔壁付きＴＦＴ基板３０８に形成している。本発明のアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬディスプレイパネルに用いるＴＦＴ基板（バックプレーン）３０８は、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）と有機ＥＬディスプレイパネルの下部電極（画素電極）が設けられており、かつ、ＴＦＴと下部電極とが電気接続している。
【００３４】
ＴＦＴや、その上方に構成されるアクティブマトリクス駆動型有機ＥＬディスプレイパネルは、基板で支持される。基板としては、機械的強度、絶縁性を有し寸法安定性に優れた基板であれば如何なる材料も使用することができる。例えば、ガラスや石英、ポリプロピレン、ポリエーテルサルフォン、ポリカーボネート、シクロオレフィンポリマー、ポリアリレート、ポリアミド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート等のプラスチックフィルムやシート、または、これらプラスチックフィルムやシートに酸化珪素、酸化アルミニウム等の金属酸化物や、弗化アルミニウム、弗化マグネシウム等の金属弗化物、窒化珪素、窒化アルミニウムなどの金属窒化物、酸窒化珪素などの金属酸窒化物、アクリル樹脂やエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ポリエステル樹脂などの高分子樹脂膜を単層もしくは積層させた透光性基材や、アルミニウムやステンレスなどの金属箔、シート、板や、前記プラスチックフィルムやシートにアルミニウム、銅、ニッケル、ステンレスなどの金属膜を積層させた非透光性基材などを用いることができる。
【００３５】
光取出しをどちらの面から行うかに応じて基板の透光性を選択すればよい。これらの材料からなる基板は、有機ＥＬディスプレイパネル内への水分の侵入を避けるために、無機膜を形成したり、フッ素樹脂を塗布したりして、防湿処理や疎水性処理を施してあることが好ましい。特に、発光媒体層への水分の侵入を避けるために、基板における含水率およびガス透過係数を小さくすることが好ましい。
【００３６】
基板上に設ける薄膜トランジスタは、公知の薄膜トランジスタを用いることができる。具体的には、主として、ソース／ドレイン領域及びチャネル領域が形成される活性層３１１、ゲート絶縁膜３０９及びゲート電極３１４から構成される薄膜トランジスタが挙げられる。薄膜トランジスタの構造としては、特に限定されるものではなく、例えば、スタガ型、逆スタガ型、トップゲート型、コプレーナ型等が挙げられる。
【００３７】
活性層３１１は、特に限定されるものではなく、例えば、非晶質シリコン、多結晶シリコン、微結晶シリコン、セレン化カドミウム等の無機半導体材料又はチオフエンオリゴマー、ポリ（ｐ−フェリレンビニレン）等の有機半導体材料により形成することができる。これらの活性層３１１は、例えば、アモルファスシリコンをプラズマＣＶＤ法により積層した後に、次の工程を行う。
【００３８】
先ず、イオンドーピングする方法で、ＳｉＨ４ガスを用いてＬＰＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、固相成長法によりアモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得る。
次に、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法で、Ｓｉ２Ｈ６ガスを用いてＬＰＣＶＤ法により、また、ＳｉＨ４ガスを用いてＰＥＣＶＤ法によりアモルファスシリコンを形成し、エキシマレーザー等のレーザーによりアニールし、アモルファスシリコンを結晶化してポリシリコンを得る。
【００３９】
次に、イオンドーピング法によりイオンドーピングする方法（低温プロセス）で、減圧ＣＶＤ法又はＬＰＣＶＤ法によりポリシリコンを積層し、１０００℃以上で熱酸化してゲート絶縁膜３０９を形成し、その上にｎ＋ポリシリコンのゲート電極３１４を形成する。
その後、イオン打ち込み法によりイオンドーピングする方法（高温プロセス）等が挙げられる。
【００４０】
ゲート絶縁膜３０９としては、通常、ゲート絶縁膜３０９として使用されているものを用いることができ、例えば、ＰＥＣＶＤ法、ＬＰＣＶＤ法等により形成されたＳｉＯ２や、ポリシリコン膜を熱酸化して得られるＳｉＯ２等を用いることができる。
ゲート電極３１４としては、通常、ゲート電極３１４として使用されているものを用いることができ、例えば、アルミ、銅等の金属、チタン、タンタル、タングステン等の高融点金属、ポリシリコン、高融点金属のシリサイド、ポリサイド、等が挙げられる。
【００４１】
薄膜トランジスタは、シングルゲート構造、ダブルゲート構造、ゲート電極が３つ以上のマルチゲート構造であってもよい。また、ＬＤＤ構造、オフセット構造を有していてもよい。さらに、１つの画素中に２つ以上の薄膜トランジスタが配置されていてもよい。
図６に示すアクティブマトリクス駆動型の有機ＥＬディスプレイパネルは、薄膜トランジスタが有機ＥＬディスプレイパネルのスイッチング素子として機能するように接続されている必要があり、トランジスタのドレイン電極３１０と有機ＥＬディスプレイパネルの画素電極が電気的に接続されている。
【００４２】
次に、各層に用いられる材料と製造方法について述べる。
＜画素電極＞
画素電極１０１の材料としては、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。
【００４３】
画素電極１０１を陽極とする場合には、ＩＴＯなど仕事関数の大きな材料を選択することが好ましい。画素電極１０１の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。画素電極１０１のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
【００４４】
＜取り出し電極＞
取り出し電極１０７の材料としては、Ｃｒ、Ｃｕ、Ａｌ、Ｍｏなど、導電性とパターニング性が両立できる金属や、ＩＴＯ（インジウムスズ複合酸化物）やインジウム亜鉛複合酸化物、亜鉛アルミニウム複合酸化物などの金属複合酸化物や、金、白金などの金属酸化物や金属材料の微粒子をエポキシ樹脂やアクリル樹脂などに分散した微粒子分散膜を、単層もしくは積層したものをいずれも使用することができる。
【００４５】
取り出し電極１０７の形成方法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などの乾式成膜法や、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などの湿式成膜法などを用いることができる。
画素電極１０１のパターニング方法としては、材料や成膜方法に応じて、マスク蒸着法、フォトリソグラフィー法、ウェットエッチング法、ドライエッチング法などの既存のパターニング法を用いることができる。
【００４６】
＜第一絶縁層＞
第一絶縁層１０２は、画素ｐに対応した画素領域ａを区画するように形成し、画素電極１０１の端部を覆うように形成するのが好ましい。
次に、第一絶縁層１０２の隔壁材料の成分およびその組成について説明する。隔壁用感光性組成物（以下、単に「感光性組成物」という場合がある）は、少なくとも、（Ａ）成分：エチレン性不飽和化合物、（Ｂ）成分：光重合開始剤、および（Ｃ）成分：アルカリ可溶性バインダー、を含有する。通常は、さらに界面活性剤などを含有することが好ましく、溶剤も含有する。
【００４７】
また、第一絶縁層１０２の隔壁材料として、ＳｉＮｘ、ＳｉＯｘ、など無機絶縁材料がより好ましい。
第一絶縁層１０２の形成方法としては、従来と同様、基板１００上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、基板１００上に感光性樹脂を積層し、フォトリソ法により所定のパターンとする方法が挙げられる。
第一絶縁層１０２の好ましい高さは、０．１μｍ〜１０μｍであり、より好ましくは０．５μｍ〜２μｍ程度である。第一絶縁層１０２は、高すぎると透明第二電極の形成及び封止を妨げて透明性が悪くなり、低すぎると画素電極１０１の端部を覆い切れなくなり、発光媒体層形成時に隣接する画素ｐと混色してしまう恐れがある。
【００４８】
＜第二絶縁層＞
第二絶縁層１０３に用いられる材料は、第一絶縁層１０２と同様だが、前述した形状を得るためには感光性組成物であることが好ましい。
第二絶縁層１０３の形成方法としては、従来と同様、基板１００上に無機膜を一様に形成し、レジストでマスキングした後、ドライエッチングを行う方法や、基板１００上に感光性樹脂を積層し、フォトリソ法により所定のパターンとする方法が挙げられるが、前述した形状を得るためにはフォトリソ法が用いられることが好ましい。
【００４９】
＜キャリア注入層（正孔注入層）＞
本実施形態では、画素電極１０１を陽極としたため、キャリア注入層１０４は正孔注入層となる。正孔注入層の材料は任意であるが、画素ｐ間の短絡を妨げるため抵抗率は１０4Ω・ｃｍ以上であることが好ましい。また、隔壁の形状に段差を設けることにより、正孔注入層の膜厚に変化をつけ画素ｐ間の短絡を抑制しても良い。
【００５０】
例えば、Ｃｕ２Ｏ，Ｃｒ２Ｏ３，Ｍｎ２Ｏ３，ＦｅＯｘ，ＮｉＯ，ＣｏＯ，Ｐｒ２Ｏ３，Ａｇ２Ｏ，ＭｏＯ２，Ｂｉ２Ｏ３、ＺｎＯ，ＴｉＯ２，ＳｎＯ２，ＴｈＯ２，Ｖ２Ｏ５，Ｎｂ２Ｏ５，Ｔａ２Ｏ５，ＭｏＯ３，ＷＯ３，ＭｎＯ２等の遷移金属酸化物、およびこれらの窒化物、硫化物を一種以上含んだ無機化合物や、
ポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体、キノンジイミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）誘導体、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ピロール誘導体、芳香族アミン、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体（ＴＰＤ）、（α−ナフチルジフェニルアミン）ダイマー（α−ＮＰＤ）、[（トリフェニルアミン）ダイマー]スピロダイマー（Ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ）等のトリアリールアミン類、
４,４',４''-トリス[３-メチルフェニル（フェニル）アミノ]トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４,４',４''−トリス[１-ナフチル（フェニル）アミノ]トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のスターバーストアミン類および５,５'-α−ビス−｛４−[ビス（４−メチルフェニル）アミノ]フェニル｝−２,２':５',２'−α−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類、
芳香族アミン含有高分子、芳香族ジアミン含有高分子、フルオレン含有芳香族アミン高分子、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系、などの有機材料が挙げられる。
【００５１】
正孔注入層の形成法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などのドライプロセス法などが挙げられるが、や、スピンコート法、ゾルゲル法、インクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法、スリットコート法、バーコート法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができるが本実施形態では、第一絶縁層１０２端部で断線させるため、ドライプロセス法であることが好ましい。
【００５２】
正孔注入層の膜厚は、２０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下であることが好ましい。２０ｎｍより小さくなると、ショート欠陥が生じやすくなり、１００ｎｍ以上になると高抵抗化により低電流化してしまう。
無機材料は、耐熱性および電気化学的安定性に優れている材料が多いため好ましい。これらは単層もしくは複数の層の積層構造、又は混合層として形成することができる。
【００５３】
＜有機層＞
有機層１０５は、少なくとも有機発光層を含む発光媒体層で構成されるがその攻勢は任意である。例として、キャリア注入層１０４上にインターレイヤー、有機発光層、電子注入層の有機層１０５で構成された場合について説明する。
【００５４】
＜インターレイヤー＞
正孔注入層を形成後、インターレイヤーを形成することができる。本実施形態では、全面に形成した正孔注入層上にライン状に正孔輸送層をパターン形成したが、正孔注入層上にインターレイヤーを全面形成してもよい。
インターレイヤー用いられる材料として、ポリアニリン誘導体、オリゴアニリン誘導体、キノンジイミン誘導体、ポリチオフェン誘導体、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）誘導体、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）（ＰＥＤＯＴ）、ピロール誘導体、芳香族アミン、（トリフェニルアミン）ダイマー誘導体（ＴＰＤ）、（α−ナフチルジフェニルアミン）ダイマー（α−ＮＰＤ）、[（トリフェニルアミン）ダイマー]スピロダイマー（Ｓｐｉｒｏ−ＴＡＤ）等のトリアリールアミン類、
４,４',４''-トリス[３-メチルフェニル（フェニル）アミノ]トリフェニルアミン（ｍ−ＭＴＤＡＴＡ）、４,４',４''−トリス[１-ナフチル（フェニル）アミノ]トリフェニルアミン（１−ＴＮＡＴＡ）等のスターバーストアミン類および５,５'-α−ビス−｛４−[ビス（４−メチルフェニル）アミノ]フェニル｝−２,２':５',２'−α−ターチオフェン（ＢＭＡ−３Ｔ）等のオリゴチオフェン類、
芳香族アミン含有高分子、芳香族ジアミン含有高分子、フルオレン含有芳香族アミン高分子、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系、などの有機材料が挙げられる。
【００５５】
インターレイヤーの形成法としては、材料に応じて、抵抗加熱蒸着法、電子ビーム蒸着法、反応性蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法などのドライ成膜法や、スピンコート法、ゾルゲル法、インクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法、スリットコート法、バーコート法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができるが、本実施形態ではこれらに限定されず、一般的な成膜法を用いることができる。
【００５６】
＜有機発光層＞
正孔輸送層を形成後、有機発光層を形成する。有機発光層は、正孔と電子を再結合させることで発光する層であり、有機発光層から放出される表示光が単色の場合、インターレイヤーを被覆するように形成するが、多色の表示光を得るには必要に応じてパターニングを行うことにより好適に用いることができる。
【００５７】
有機発光層を形成する有機発光材料は、例えばクマリン系、ペリレン系、ピラン系、アンスロン系、ポルフィレン系、キナクリドン系、Ｎ，Ｎ’−ジアルキル置換キナクリドン系、ナフタルイミド系、Ｎ，Ｎ’−ジアリール置換ピロロピロール系、イリジウム錯体系などの発光性色素をポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルカルバゾール等の高分子中に分散させたものや、ポリアリーレン系、ポリアリーレンビニレン系やポリフルオレン系の高分子材料が挙げられるが本発明ではこれらに限定されるわけではない。
【００５８】
これらの有機発光材料は、溶媒に溶解または安定に分散させ有機発光インキとなる。有機発光材料を溶解または分散する溶媒としては、トルエン、キシレン、アセトン、アニソール、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、シクロヘキサノンなどの単独またはこれらの混合溶媒が上げられる。中でも、トルエン、キシレン、アニソールといった芳香族有機溶媒が、有機発光材料の溶解性の面から好適である。また、有機発光インキには必要に応じて、界面活性剤、酸化防止剤、粘度調整剤、紫外線吸収剤等が添加されてもよい。
【００５９】
上述した高分子材料に加え、９，１０−ジアリールアントラセン誘導体、ピレン、コロネン、ペリレン、ルブレン、１，１，４，４−テトラフェニルブタジエン、トリス（８−キノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−８−キノラート）アルミニウム錯体、ビス（８−キノラート）亜鉛錯体、トリス（４−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノラート）アルミニウム錯体、トリス（４−メチル−５−シアノ−８−キノラート）アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−トリフルオロメチル−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、ビス（２−メチル−５−シアノ−８−キノリノラート）［４−（４−シアノフェニル）フェノラート］アルミニウム錯体、トリス（８−キノリノラート）スカンジウム錯体、ビス［８−（パラ−トシル）アミノキノリン］亜鉛錯体及びカドミウム錯体、１，２，３，４−テトラフェニルシクロペンタジエン、ポリ−２，５−ジヘプチルオキシ−パラ−フェニレンビニレンなどの低分子系発光材料が使用できる。
【００６０】
有機発光層の形成法としては、材料に応じて、インクジェット印刷法、ノズルプリント印刷法、凸版印刷法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法などのウェット成膜法など既存の成膜法を用いることができる。本実施形態ではこれらに限定されるわけではないが、特に、有機発光材料を溶媒に溶解または安定に分散させた有機発光インキを用いて発光層を各発光色に塗り分ける場合には、隔壁間にインキを転写してパターニングできるインクジェット法、ノズルプリント法、凸版印刷法が好適である。
【００６１】
＜有機層の製造方法＞
次に、有機層を凸版印刷法で形成する方法について図７を参照して説明する。図７は、有機層を凸版印刷法で形成する方法を示す概略図である。
図７に示すように、凸版印刷装置６００は、有機発光材料からなる有機発光インキを、画素電極、正孔注入層、正孔輸送層が形成された被印刷基板６０２上にパターン印刷する。凸版印刷装置６００は、インキタンク６０３とインキチャンバー６０４とアニロックスロール６０５と凸部を有する凸版６０７がマウントされた版銅６０８を有している。インキタンク６０３には、溶剤で希釈された有機発光インキが収容されており、インキチャンバー６０４には、インキタンク６０３より有機発光インキが送り込まれるようになっている。アニロックスロール６０５は、インキチャンバー６０４のインキ供給部に接して回転可能に指示されている。
【００６２】
アニロックスロール６０５の回転に伴い、アニロックスロール６０５の表面に供給された有機発光インキのインキ層６０９は、均一な膜厚に形成される。このインキ層６０９のインキは、アニロックスロール６０５に近接して回転駆動される版胴６０８にマウントされた凸版６０７の凸部に転移する。ステージ６０１には、被印刷基板６０２が設置され、凸版６０７の凸部にあるインキが被印刷基板６０２に対して印刷され、必要に応じて乾燥工程を経て被印刷基板上に有機発光層が形成される。
他の発光媒体層をインキ化して塗工する場合についても、同様に、上記形成法を用いて形成することができる。
【００６３】
＜電子注入層＞
有機発光層を形成した後、電子注入層を形成することができる。電子注入層に用いる材料としては、トリアゾール系、オキサゾール系、オキサジアゾール系、シロール系、ボロン系等の低分子系材料、フッ化リチウムや酸化リチウム、フッ化ナトリウム等のアルカリ金属やアルカリ土類金属の塩や酸化物等を用いて真空蒸着法による成膜が可能である。
【００６４】
＜対向電極＞
次に、対向電極１０６を形成する。対向電極１０６を陽極とする場合の材料、形成方法は、画素電極１０１と同様であるが、対向電極１０６を陰極とする場合には、発光層への電子注入効率の高い、仕事関数の低い物質を併用する。具体的には、Ｍｇ，Ａｌ，Ｙｂ等の金属単体を用いてもよく、発光媒体層と接する界面にＬｉや酸化Ｌｉ，ＬｉＦ等の化合物を１ｎｍ程度挟んで、安定性・導電性の高いＡｌやＣｕを積層して用いてもよい。
【００６５】
または、電子注入効率と安定性を両立させるため、仕事関数が低いＬｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｓｒ，Ｌａ，Ｃｅ，Ｅｒ，Ｅｕ，Ｓｃ，Ｙ，Ｙｂ等の金属１種以上と、安定なＡｇ，Ａｌ，Ｃｕ等の金属元素との合金系を用いてもよい。具体的には、ＭｇＡｇ，ＡｌＬｉ，ＣｕＬｉ等の合金が使用できるが、いずれも透明性を得るためには１０ｎｍ以下の極薄膜である必要がある。
有機ＥＬディスプレイパネルとしては電極間に発光材料を挟み、電流を流すことで発光させることが可能であるが、有機発光材料は大気中の水分や酸素によって容易に劣化してしまうため通常は外部と遮断するための保護層や封止体を設ける。
【００６６】
＜保護層＞
保護層としては、大気中の水分や酸素に対する浸透率が低いなどバリア性が高く、透過率が大きく透明性の高い材料であれば任意であるが、炭素含有窒化シリコン（ＳｉＮｘＣｙ）が望ましい。特に、保護層中の炭素量は、連続的に変化している膜を用いる。炭素量を変化させることにより、炭素含有量の多い膜は柔らかく、カバレッジおよび密着性に優れた膜となり、炭素含有量の少ない膜は密度が高くバリア性の高い膜となる。
【００６７】
炭素の量は、Ｓｉを１としたときに炭素の量の比が１．０未満であることが望ましい。これは炭素量が１．０以上となると膜が着色し、脆くなることがあるためである。好ましくは、この組成が変化する層が複数回繰り返すほうがよい。複数回繰り返すことによって１層のみでは覆うことのできなかった突起をカバーすることができ、また、１層目で発生したクラックを緩和する効果が期待され、よりバリア性の高い膜となる。
【００６８】
本実施形態においては、保護層を構成する炭素含有窒化シリコン（ＳｉＮｘＣｙ）に含まれる窒素及び炭素の量が、１．０≦ｘ≦１．４、０．２≦ｙ≦０．４の範囲である層と、０．４≦ｘ＜１．０、０．４＜ｙ＜１．０の範囲である層とを備えていることが好ましい。
この形態によって、応力緩和性、基板表面への付着性、および良好なガスバリア特性を両立することができるとともに、素子の保護特性を向上させることができる。
この炭素含有窒化シリコン（ＳｉＮｘＣｙ）を製膜する際には、プラズマＣＶＤ法を用いる。プラズマＣＶＤ法においては製膜種が発生する反応はすべて気相中で行われるため、基板表面で反応を起こす必要がなく、低温製膜に最も適している製膜法である。
【００６９】
保護層中の炭素量を連続的に変化させる方法の一例としては、有機シリコン化合物と、アンモニア、窒素のいずれか一方または両方と、水素と、を原料ガスとし、プラズマＣＶＤ法を行う方法が挙げられる。例えば、印加する電力を強くすることにより膜中の炭素量を減らすことができる。
【００７０】
また、シランと、アンモニア、窒素のいずれか一方または両方と、水素と、炭素含有ガスとを原料ガスとし、当該炭素含有ガスの濃度を変化させながらプラズマＣＶＤ法を行う方法が挙げられる。この場合、炭素含有ガスの流量を製膜中に変化させることにより組成を制御することができる。その他、製膜基板温度、ガス圧力などのパラメータにより適宜調整することが望ましい。
【００７１】
上述の有機シリコン化合物としては例えば、トリスジメチルアミノシラン（ＴＤＭＡＳ）、ヘキサメチルジシラザン（ＨＭＤＳ）、ヘキサメチルジシロキサン（ＨＭＤＳＯ）、テトラメチルジシラザン（ＴＭＤＳ）などが挙げられる。また、上述の炭素含有ガスとしては、メタン、エチレン、プロペンなどが挙げられる。
保護層１０８のそれぞれの層の厚さは特に限定するものではないが、１００〜５００ｎｍ程度であることが望ましく、全体では１０００ｎｍ程度に収まるほうがよい。この範囲であれば、膜自身のピンホールなどの欠陥を補填することが可能となり、酸素や水分の浸入に対するバリア性が大きく向上する。さらには、短時間で製膜でき、かつ有機発光層からの光取り出しを妨げなくなる。また、炭素含有量は、陰極側で多く、陰極から離れるに従って少なく変化させるようにすると、より密着性、被覆性の向上が期待される。
【００７２】
＜封止体＞
次に、上述した保護層の上に封止体を貼り合わせる。封止体を貼り合わせることによって、さらにバリア性が向上するだけでなく、上述した保護層のみでは持ち得ない機械的なダメージに対する耐性を持つことができる。また、例えば封止体上に樹脂層を設けることもできる。
【００７３】
封止体としては、水分や酸素の透過性が低い基材である必要がある。また、材料の一例として、アルミナ、窒化ケイ素、窒化ホウ素等のセラミックス、無アルカリガラス、アルカリガラス等のガラス、石英、耐湿性フィルムなどを挙げることができる。耐湿性フィルムの例として、プラスチック基材の両面にＳｉＯｘをＣＶＤ法で形成したフィルムや、透過性の小さいフィルムと吸水性のあるフィルムまたは吸水剤を塗布した重合体フィルムなどがあり、耐湿性フィルムの水蒸気透過率は、１０−６ｇ／ｍ２／ｄａｙ以下であることが好ましい。
【００７４】
封止体を貼り合わせる際には、封止体側に一様に接着剤を塗布してもよいし、周囲を囲むようにして塗布してもよい。またシート状に形成した接着層を熱転写する方法をとってもよい。接着層の材料としては、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、2液硬化型接着性樹脂や、ポリエチレン、ポリプロピレンなどの酸変性物からなる熱可塑性接着性樹脂などを単層もしくは積層して用いることができる。特に、耐湿性、耐水性に優れ、硬化時の収縮が少ないエポキシ系熱硬化型接着性樹脂を用いることが望ましい。
【００７５】
また、接着層の光透過を妨げない程度に接着層内部の含有水分を除去するために、酸化バリウムや酸化カルシウムなどの乾燥剤を混入してもよく、接着層の厚みをコントロールするために数％程度の無機フィラーを混入してもよい。
こうして作製した接着剤付封止体で貼り合わせ、それぞれ硬化の処理を行う。この一連の保護層形成プロセスは、窒素雰囲気下で行うことが望ましいが、保護層が作製された後であれば短時間ならば大気下においても大きな影響はない。
【００７６】
封止体上の樹脂層の材料の一例として、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、シリコーン樹脂などからなる光硬化型接着性樹脂、熱硬化型接着性樹脂、２液硬化型接着性樹脂や、エチレンエチルアクリレート（ＥＥＡ）ポリマー等のアクリル系樹脂、エチレンビニルアセテート（ＥＶＡ）等のビニル系樹脂、ポリアミド、合成ゴム等の熱可塑性樹脂や、ポリエチレンやポリプロピレンの酸変性物などの熱可塑性接着性樹脂を挙げることができる。
【００７７】
樹脂層を封止体の上に形成する方法の一例として、溶剤溶液法、押出ラミ法、溶融・ホットメルト法、カレンダー法、ノズル塗布法、スクリーン印刷法、真空ラミネート法、熱ロールラミネート法などを挙げることができる。必要に応じて吸湿性や吸酸素性を有する材料を含有させることもできる。封止体上に形成する樹脂層の厚みは、封止する有機ＥＬディスプレイパネルの大きさや形状により任意に決定されるが、５〜５００μｍ程度が望ましい。なお、ここでは封止材上に樹脂層として形成したが直接有機ＥＬディスプレイパネル側に形成することもできる。
【実施例１】
【００７８】
以下、本発明により有機ＥＬディスプレイを製造するための具体的な実施例について説明する。
基板１００として、支持体上に設けられたスイッチング素子として機能する薄膜トランジスタと、その上方に形成された画素電極１０１とを備えたアクティブマトリクス基板を用いた。基板１００のサイズは、２００ｍｍ×２００ｍｍでその中に対角５インチ、画素数は３２０×２４０の有機ＥＬディスプレイが中央に配置されている。
この基板１００を、ＩＴＯ(インジウム錫酸化物)が設置されているスパッタリング成膜装置に設置し、厚み５０ｎｍになるよう全面に形成する。
【００７９】
次に、日本応化製ＴＦＲ７９０ＰＬポジ型レジストをスピンコーターにて基板全面に厚み２μｍで形成した後、フォトリソグラフィーによって画素電極を形成した。
次に、プラズマＣＶＤ法により、原料ガスとしてはモノシラン、窒素ガス、水素ガスを用いて窒化シリコン膜を作製した。具体的には、素子を窒素下にて搬送した後プラズマＣＶＤ装置に移し、真空槽を１０−２Ｐａ以下まで減圧した後、原料ガスとしてシラン、窒素、水素を導入し、高周波（１３．５６ＭＨｚ）でプラズマを発生させた。膜厚は３００ｎｍで全面に形成した。
それを、フォトリソグラフィー法とドライエッチング法を用いてパターンニングし第一絶縁層１０２を形成した。
このとき、開口部のテーパー角は９０度であった。
【００８０】
次に、日本ゼオン社製アクリル系透明ポジ型レジストスピンコーターにて基板全面に厚み１μｍで形成した後、フォトリソグラフィーによって第一絶縁層１０２による開口の外側と、取り出し電極１０７端部を区画した第二絶縁層１０３と、を形成した。
このとき、開口部のテーパー角は２０度であった。
この基板１００をモリブデンのターゲットが設置されているスパッタリング成膜装置に設置し、取り出し電極１０７や対向電極コンタクト領域ｂに成膜されないようにマスクをし、画素領域ａ上にキャリア注入層を成膜した。
【００８１】
スパッタ条件は、圧力１Ｐａ、電力１ｋＷで酸素のアルゴンガスに対する流量比が３０％、膜厚を５０ｎｍとした。
このとき、画素ｐの断面を観察すると、第一絶縁層１０２端部で酸化モリブデン膜は断線していた。
その後、インターレイヤー材料であるポリビニルカルバゾール誘導体を濃度０．５％になるようにトルエンに溶解させたインキを用い、この基板１００を凸版印刷装置６００にセッティングし、絶縁層に挟まれた画素電極１０１の真上にそのラインパターンに合わせて、凸版印刷法で印刷を行った。このとき、３００線／インチのアニロックスロール６０５および感光性樹脂版を使用した。印刷が終わり、乾燥後のインターレイヤーの膜厚は、２０ｎｍとなった。
【００８２】
次に、有機発光材料であるポリフェニレンビニレン誘導体を濃度１％になるようにトルエンに溶解させた有機発光インキを用い、この基板１００を凸版印刷装置６００にセッティングし、絶縁層に挟まれた画素電極１０１の真上にそのラインパターンに合わせて有機発光層を凸版印刷法で印刷を行った。このとき、１５０線／インチのアニロックスロール６０５およびピクセルのピッチに対応する感光性樹脂版を使用した。印刷が終わり、乾燥後の有機発光層の膜厚は、８０ｎｍとなった。この工程を計３回繰り返し、Ｒ（赤）、Ｙ（黄）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）、Ｗ（白）の発光色に対応する有機発光層を各画素ｐに形成した。
【００８３】
その後、画素領域ａ部全体を覆うように、電子注入層として真空蒸着法とシャドウマスクを用いて、Ｂａを厚み４ｎｍで成膜した。
その後、対向電極１０６として真空蒸着法を用いて、Ａｌを１００ｎｍ、画素領域ａと、対向電極コンタクト領域ｂを覆うようにパターン成膜した。
このとき、画素ｐ、対向電極コンタクトｃにおいてＡｌは断線することなく、連続的に成膜されていた。
【００８４】
その後、保護層ＳｉＮｘＣｙを形成した。保護層は、プラズマＣＶＤ法により、原料ガスとしてはメタン、モノシラン、窒素ガス、水素ガスを用いて組成傾斜のある炭素含有窒化シリコン膜を作製した。具体的には、素子を窒素下にて搬送した後、プラズマＣＶＤ装置に移し、真空槽を１０^−２ P a以下まで減圧した後、原料ガスとしてシラン、窒素、メタン、水素を導入し、高周波（１３．５６ＭＨｚ）でプラズマを発生させた。堆積時間の変化とともに、メタンガスの流量を減らし組成に傾斜を設け、一度メタンガスの流量をゼロとした後、また初期の量を導入し層構造を形成した。膜厚は、上記の層一層当たり３００ｎｍであり、これを３回繰り返したので、保護層の厚さは９００ｎｍとなった。
【００８５】
その後、上記保護膜の上に封止体としてダイコーターによって熱硬化性樹脂を全面に塗布した封止ガラス基板を、１００℃ の温度をかけながら熱ロールラミネーターを用いて素子基板と貼り合わせた。貼り合わせた後に、さらに１００℃で１時間硬化した。
以上に述べた本実施形態によれば、以下の効果が得られる。
本実施形態では、良好な発光特性が得られ、駆動も正常な有機ＥＬディスプレイパネルを製造できる。
【００８６】
［比較例１］
実施例１では、第二絶縁層１０３は形成せず、対向電極コンタクト領域ｂに第一絶縁層１０２を形成して、他は同様に作製した。このとき、対向電極コンタクト部において第一絶縁層の端部で対向電極は断線していた。こうして得られた有機ＥＬディスプレイパネルは、点灯させることができなかった。
【符号の説明】
【００８７】
１００：基板
１０１：画素電極（陽極）
１０２：第一絶縁層
１０３：第二絶縁層
１０４：キャリア注入層
１０５：有機層
１０６：対向電極（陰極）
１０７：取り出し電極
ａ：画素領域
ｂ：対向電極コンタクト領域
ｃ：対向電極コンタクト
ｐ：画素
３０８：ＴＦＴ基板
３０９：ゲート絶縁膜
３１０：ドレイン電極
３１１：活性層
３１２：ソース電極
３１３：走査線
３１４：ゲート電極
６００：凸版印刷装置
６０１：ステージ
６０２：被印刷基板
６０３：インキタンク
６０４：インキチャンバー
６０５：アニロックスロール
６０６：ドクタ
６０７：凸版
６０８：版胴
６０９：インキ層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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