【手続補正書】
【提出日】令和3年9月28日(2021.9.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を保持する試料台と、
前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、
前記試料に、前記集束イオンビームが照射される方向に対して直交する方向に電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、
前記試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する電子検出器と、
前記試料に対するビームの照射目標位置を示す情報として記憶部に記憶されている照射目標位置情報に基づいて、集束イオンビーム及び電子ビームの照射位置を制御する照射位置制御部と、
前記試料に向けて集束イオンビームを照射して前記試料の断面を露出させる断面露出工程と、前記断面に電子ビームを照射して前記断面の断面像を取得する断面像取得工程とを、前記照射位置制御部が制御する照射位置毎に制御する工程制御部と、
前記照射位置において取得される前記断面像の画質を補正する画質補正部と、
を備える断面加工観察装置。
【請求項２】
前記画質補正部は、
前記断面像の基準画質を示す情報として、前記照射目標位置に関連付けて予め記憶されている基準画質情報に基づき、前記断面像の画質を補正する
請求項１に記載の断面加工観察装置。
【請求項３】
前記画質補正部は、
前記基準画質情報が示す画質の許容範囲を超える場合に、前記断面像の画質を補正する
請求項２に記載の断面加工観察装置。
【請求項４】
前記画質補正部は、
前記電子ビーム鏡筒が照射する電子ビームの強度の時間変化を示す強度情報に基づいて、前記断面像の画質を補正する
請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の断面加工観察装置。
【請求項５】
前記画質補正部が画質を補正した前記断面像を含む断面像群を、前記試料の構造を測定
する測定装置に出力する断面像群出力部
をさらに備える請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の断面加工観察装置。
【請求項６】
試料を保持する試料台と、前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、前記試料に、集束イオンビームが照射される方向に対して直交する方向にして電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、前記試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する電子検出器とを備える断面加工観察装置を用いて、
前記試料に対するビームの照射目標位置を示す情報として記憶部に記憶されている照射目標位置情報に基づいて、集束イオンビーム及び電子ビームの照射位置を制御する照射位置制御工程と、
前記照射位置制御工程において制御される照射位置毎に、前記試料に向けて集束イオンビームを照射して前記試料の断面を露出させる断面露出工程と、
前記照射位置制御工程において制御される照射位置毎に、前記断面に電子ビームを照射して前記断面の断面像を取得する断面像取得工程と、
前記断面像取得工程において取得される前記断面像の画質を補正する画質補正工程と、
を有する断面加工観察方法。
【請求項７】
試料を保持する試料台と、前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、前記試料に、集束イオンビームが照射される方向に対して直交する方向にして電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、前記試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する電子検出器とを備える断面加工観察装置のコンピュータに、
前記試料に対するビームの照射目標位置を示す情報として記憶部に記憶されている照射目標位置情報に基づいて、集束イオンビーム及び電子ビームの照射位置を制御する照射位置制御工程と、
前記照射位置制御工程において制御される照射位置毎に、前記試料に向けて集束イオンビームを照射して前記試料の断面を露出させる断面露出工程と、
前記照射位置制御工程において制御される照射位置毎に、前記断面に電子ビームを照射して前記断面の断面像を取得する断面像取得工程と、
前記断面像取得工程において取得される前記断面像の画質を補正する画質補正工程と、
を実行させるためのプログラム。
【請求項８】
複数の柱状構造物を有する試料を保持する試料台と、前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、前記試料に、集束イオンビームが照射される方向に対して直交する方向から電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、前記試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する電子検出器とを備える断面加工測定装置を用いて、
前記試料の表面と連接する側面に露出した第一の柱状構造物に集束イオンビームを照射して、前記第一の柱状構造物の長さ方向に対して垂直な断面を形成する工程と、前記断面に対して垂直方向から前記電子ビームを照射し、前記第一の柱状構造物の径方向の長さを測定する工程と、を繰り返す第一の断面加工測定工程と、
前記表面と前記側面とが接する辺に沿って前記試料台を移動させる工程と、
第二の柱状構造物に集束イオンビームを照射して、前記第二の柱状構造物の長さ方向に対して垂直な第二の断面を形成する工程と、前記断面に対して垂直方向から前記電子ビームを照射し、前記第二の柱状構造物の径方向の長さを測定する工程と、を繰り返す第二の断面加工測定工程と、
を有する断面加工測定方法。
【請求項９】
前記第一の断面加工測定工程の前に、前記試料の集束イオンビーム及び電子ビームの被照射位置付近に測定対象の構造物が配置されるように、前記試料の余剰部分を予め取り除く前処理工程を有する請求項８に記載の断面加工測定方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】断面加工観察装置、断面加工観察方法、プログラム及び断面加工測定方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、断面加工観察装置、断面加工観察方法、プログラム及び断面加工測定方法に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、試料の形状の測定精度を向上させることが
できる断面加工観察装置、断面加工観察方法、プログラム及び断面加工測定方法を提供することを目的としている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１３】
（７）本発明の一態様は、試料を保持する試料台と、前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、前記試料に、集束イオンビームが照射される方向に対して直交する方向にして電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、前記試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する電子検出器とを備える断面加工観察装置のコンピュータに、前記試料に対するビームの照射目標位置を示す情報として記憶部に記憶されている照射目標位置情報に基づいて、集束イオンビーム及び電子ビームの照射位置を制御する照射位置制御工程と、前記照射位置制御工程において制御される照射位置毎に、前記試料に向けて集束イオンビームを照射して前記試料の断面を露出させる断面露出工程と、前記照射位置制御工程において制御される照射位置毎に、前記断面に電子ビームを照射して前記断面の断面像を取得する断面像取得工程と、前記断面像取得工程において取得される前記断面像の画質を補正する画質補正工程と、を実行させるためのプログラムである。
（８）本発明の一態様は、複数の柱状構造物を有する試料を保持する試料台と、前記試料に集束イオンビームを照射する集束イオンビーム鏡筒と、前記試料に、集束イオンビームが照射される方向に対して直交する方向から電子ビームを照射する電子ビーム鏡筒と、前記試料から発生する二次電子又は反射電子を検出する電子検出器とを備える断面加工測定装置を用いて、前記試料の表面と連接する側面に露出した第一の柱状構造物に集束イオンビームを照射して、前記第一の柱状構造物の長さ方向に対して垂直な断面を形成する工程と、前記断面に対して垂直方向から前記電子ビームを照射し、前記第一の柱状構造物の径方向の長さを測定する工程と、を繰り返す第一の断面加工測定工程と、前記表面と前記側面とが接する辺に沿って前記試料台を移動させる工程と、第二の柱状構造物に集束イオンビームを照射して、前記第二の柱状構造物の長さ方向に対して垂直な第二の断面を形成する工程と、前記断面に対して垂直方向から前記電子ビームを照射し、前記第二の柱状構造物の径方向の長さを測定する工程と、を繰り返す第二の断面加工測定工程と、を有する断面加工測定方法である。
（９）本発明の一態様の断面加工測定方法において、前記第一の断面加工測定工程の前に、前記試料の集束イオンビーム及び電子ビームの被照射位置付近に測定対象の構造物が配置されるように、前記試料の余剰部分を予め取り除く前処理工程を有する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明の断面加工観察装置、断面加工観察方法、プログラム及び断面加工測定方法によれば、試料の形状の測定精度を向上させることができる。