(57)【要約】【課題】小型化を図ることができる発光装置およびプロジェクターを提供する。【解決手段】発光素子１００において、利得領域１８０は、活性層１０８の積層方向から平面視して、直線状に、第１側面１０７側の第１端部１４０から第２側面１０９側の第２端部１４２まで、第１端部１４０の垂線Ｐに対して傾いた所定の方向に向かって設けられ、第２側面１０９側の第２端部１４２は、活性層１０８の積層方向から平面視して、所定の方向に対して直交し、第２側面１０９側の第２端部１４２には、反射部１５０が設けられ、利得領域１８０に生じる光の一部は、第２側面１０９側の第２端部１４２において反射して、第１側面１０７側の第１端部１４０から出射される。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１クラッド層と、
前記第１クラッド層の上方に位置する活性層と、
前記活性層の上方に位置する第２クラッド層と、を含み、
前記活性層は、前記活性層の厚み方向の露出する第１側面と、前記第１側面に平行な第２側面と、を有し、
前記活性層のうちの少なくとも一部は、利得領域を構成し、
前記利得領域は、前記第１側面に構成された第１端部、ならびに、前記活性層及び前記第２クラッド層の積層方向からの平面視において、前記第２側面よりも内側の位置に構成された第２端部、を有し、
前記平面視において、前記第１側面の法線方向に対して傾いた方向に沿って前記第１端部と前記第２端部とを接続して構成され、
前記第２端部には、前記利得領域で生じる光を前記利得領域に対して１８０度反射する反射部が設けられることを特徴とする発光装置。
【請求項２】
請求項１に記載の発光装置であって、
前記反射部は、前記平面視において、前記利得領域の前記第１端部と前記第２端部とを接続する方向に対して４５度傾斜した第１端面と、前記第１端面に対して９０度傾斜した第２端面とを有し、
前記第１端部は、前記利得領域で生じる光を出射する発光装置。
【請求項３】
請求項２に記載の発光装置であって、
前記反射部は、前記第１端面と前記第２端面との交差位置が、前記利得領域の幅方向の中心位置において交差している発光装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光装置であって、
前記第１側面には、反射防止膜が設けられている発光装置。
【請求項５】
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置と、
前記発光装置から出射した光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、
前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、を含む
ことを特徴とするプロジェクター。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、発光装置、および当該発光装置を備えたプロジェクターに関する。
【背景技術】
【０００２】
スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ：Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）は、発光ダイオードと同様に低コヒーレント性を示し、広帯域な発光スペクトルを示しながら、半導体レーザーと同程度の出力を得ることが可能な光半導体素子である。ＳＬＤは、一般的に、半導体レーザーから共振器構造を取り除いて、レーザー発振を抑制した構造を有している。レーザー発振を抑制するためには、素子端面における光反射率を抑制する必要がある。素子端面の光反射率を低減する方法としては、例えば、利得領域を素子端面の垂線に対して傾ける構造が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
さらに効率を上げるために利得領域を長く取る構造として、利得領域の一方の終端に波長と同等の繰り返し構造を持つ分布帰還型反射器（Distributed Bragg Reflector、以下「ＤＢＲ」とも言う」）を設け、反射鏡とする構造がある（特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２７３６９０号公報
【特許文献２】特開２０１１−６６１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の素子構造では、誘導放出による増幅利得を増大させるために、半導体レーザーの共振器長に相当する素子奥行き長を長くして利得領域を長く取る必要があり、発光素子が大きくなってしまうという問題がある。発光素子サイズはコストに比例するため、低コストでの素子製造のためにはサイズの小さな素子形状が必要である。
【０００６】
また、特許文献２に記載の構造では反射構造としてＤＢＲを持つが、ＤＢＲは波長サイズの繰り返し構造を持つ。高効率な反射器として作製するには繰り返し構造の形状を高精度で作成する必要があるが、製造上精度を高めることは困難であり、製造できたとしても生産性が低くなってしまう。そのため、現在の製造技術では効率の低い素子とならざるを得ない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明のいくつかの態様に係る目的のひとつは小サイズの発光装置を提供することにある。
また、本発明のいくつかの態様に係る目的の１つは、小型化を図ることができるプロジェクターを提供することにある。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る発光装置は、第１クラッド層と、前記第１クラッド層の上方に位置する活性層と、前記活性層の上方に位置する第２クラッド層と、を含み、前記活性層は、前記活性層の厚み方向の露出する第１端部と、前記第１側面に平行な第２側面と、を有し、前記活性層のうちの少なくとも一部は、利得領域を構成し、前記利得領域は、前記第１側面に構成された第１端部、ならびに、前記活性層及び前記第２クラッド層の積層方向からの平面視において、前記第２側面よりも内側の位置に構成された第２端部、を有し、前記平面視において、前記第１側面の法線方向に対して傾いた方向に沿って前記第１端部と前記第２端部とを接続して構成され、前記第２端部には、前記利得領域で生じる光を前記利得領域に対して１８０度反射する反射部が設けられることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第２端部に形成した反射部で利得領域を導波してきた光が反射されることにより、再び導波領域へと戻ることができる。したがって、利得領域を光が往復することとなり、利得領域の見かけの長さが２倍である小サイズの発光装置を提供することができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例の発光装置において、前記反射部は、前記平面視において、前記利得領域の前記第１端部と前記第２端部とを接続する方向に対して４５度傾斜した第１端面と、前記第１端面に対して９０度傾斜した第２端面とを有し、前記第１端部は、前記利得領域で生じる光を出射することが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、利得領域の前記第１端部と前記第２端部とを接続する方向に対して４５度傾斜した面は、全反射条件を満たすため、第１端面にて反射した後に、第２端面にて反射するため、再び利得領域に戻ることができる。そのため、適用例１の反射面として好適である。
【００１２】
［適用例３］上記適用例の発光装置において、前記反射部は、前記第１端面と前記第２端面との交差位置が、前記利得領域の幅方向の中心位置において交差していることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、第１端面で反射した光の多くは、第２端面で再び反射することができる。そのため、交差位置が利得領域の中心にない場合と比較して、より多くの光を利得領域に戻すことができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例の発光装置において、前記第１側面には、反射防止膜が設けられていることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、利得領域の第１端部へ到達した光が利得領域と空気との屈折率差で反射する割合を低くすることができる。そのため、反射防止膜がない場合と比較して、外部への光取り出し効率が向上し、高効率素子を作成することができる。
【００１６】
［適用例５］本適用例にかかわるプロジェクターは、上記の発光装置と、前記発光装置から出射した光を画像情報に応じて変調する光変調装置と、前記光変調装置によって形成された画像を投射する投射装置と、を含むことを特徴とする
【００１７】
本適用例によれば、従来の電球を光源としたプロジェクターと比較して小型化されたプロジェクターの提供が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】本実施形態に係るプロジェクターを模式的に示す図。
【図２】本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光素子を模式的に示す斜視図。
【図３】本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光素子を模式的に示す平面図。
【図４】本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光素子を模式的に示す断面図。
【図５】本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光素子を模式的に示す断面図。
【図６】本実施形態に係る発光素子の変形例を模式的に示す平面図。
【図７】本実施形態に係るプロジェクターに用いる発光素子の製造工程を模式的に示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００２０】
（実施形態１）
１．プロジェクター
まず、本実施形態に係るプロジェクター１０００について、図面を参照しながら説明する。図１は、プロジェクター１０００を模式的に示す図である。なお、図１では、便宜上、プロジェクター１０００を構成する筐体は省略している。プロジェクター１０００は、本発明に係る発光素子を有する発光装置を含む。以下では、本発明に係るプロジェクターとして、発光装置９００を用いた例について説明する。
【００２１】
プロジェクター１０００において、赤色光、緑色光、青色光を出射する赤色光源（発光装置）９００Ｒ、緑色光源（発光装置）９００Ｇ、青色光源（発光装置）９００Ｂは、上述した発光装置９００である。
【００２２】
プロジェクター１０００は、光源９００Ｒ，９００Ｇ，９００Ｂから出射された光をそれぞれ画像情報に応じて変調する透過型の液晶ライトバルブ（光変調装置）１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂと、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって形成された像を拡大してスクリーン（表示面）１０１０に投射する投射レンズ（投射装置）１００８と、を備えている。また、プロジェクター１０００は、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂから出射された光を合成して投射レンズ１００８に導くクロスダイクロイックプリズム（色光合成手段）１００６を備えていることができる。
【００２３】
さらに、プロジェクター１０００は、光源９００Ｒ，９００Ｇ，９００Ｂから出射された光の照度分布を均一化させるため、各光源９００Ｒ，９００Ｇ，９００Ｂよりも光路下流側に、均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ，１００２Ｂを設けており、これらによって照度分布が均一化された光によって、液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂを照明している。均一化光学系１００２Ｒ，１００２Ｇ，１００２Ｂは、例えば、ホログラム１００２ａおよびフィールドレンズ１００２ｂによって構成される。
【００２４】
各液晶ライトバルブ１００４Ｒ，１００４Ｇ，１００４Ｂによって変調された３つの色光は、クロスダイクロイックプリズム１００６に入射する。このプリズムは４つの直角プリズムを貼り合わせて形成され、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に配置されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成され、カラー画像を表す光が形成される。そして、合成された光は投射光学系である投射レンズ１００８によりスクリーン１０１０上に投射され、拡大された画像が表示される。
【００２５】
なお、上述の例では、光変調装置として透過型の液晶ライトバルブを用いたが、液晶以外のライトバルブを用いてもよいし、反射型のライトバルブを用いてもよい。このようなライトバルブとしては、例えば、反射型の液晶ライトバルブや、デジタルマイクロミラーデバイス（Digital Micromirror Device）が挙げられる。また、投射光学系の構成は、使用されるライトバルブの種類によって適宜変更される。
【００２６】
また、発光装置９００を、発光装置９００からの光をスクリーン上で走査させることにより、表示面に所望の大きさの画像を表示させる画像形成装置である走査手段を有するような走査型の画像表示装置（プロジェクター）の発光装置（光源装置）にも適用することが可能である。
【００２７】
プロジェクター１０００によれば、光源として、本発明に係る発光装置（発光素子）を用いることができるため、小型化および高出力化を図ることができる。プロジェクター１０００に用いる発光素子および発光装置の構成等については、以下に説明する。
【００２８】
２．発光素子（発光装置）
次に、本実施形態に係るプロジェクター１０００に用いる発光素子（発光装置）１００について、図面を参照しながら説明する。図２は、発光素子１００を模式的に示す斜視図である。図３は、発光素子１００を模式的に示す平面図である。図４は、図３のＩＶ−ＩＶ線断面図であり、図５は、図３のＶ−Ｖ線断面図である。なお、図２では、活性層１０８、反射部１５０、及び反射防止膜１６０以外の部材については、便宜上、その図示を省略している。また、ここでは、発光素子１００がＩｎＧａＡｌＰ系（赤色）の半導体発光素子である場合について説明する。
【００２９】
発光素子１００は、図２〜図５に示すように、積層構造体１１３と、反射部１５０と、第１電極１２０と、第２電極１２２と、を含むことができる。積層構造体１１３は、基板１０２と、バッファー層１０４と、第１クラッド層１０６と、活性層１０８と、第２クラッド層１１０と、コンタクト層１１２と、を含むことができる。
【００３０】
基板１０２としては、例えば、第１導電型（例えばｎ型）のＧａＡｓ基板などを用いることができる。
【００３１】
バッファー層１０４は、例えば図４に示すように、基板１０２上に形成されていることができる。バッファー層１０４は、例えば、その上方に形成される層の結晶性を向上させることができる。バッファー層１０４としては、例えば、基板１０２よりも結晶性の良好な（例えば欠陥密度の低い）第１導電型（ｎ型）のＧａＡｓ層、ＩｎＧａＰ層などを用いることができる。
【００３２】
第１クラッド層１０６は、バッファー層１０４上に形成されている。第１クラッド層１０６は、例えば、第１導電型の半導体からなる。第１クラッド層１０６としては、例えばｎ型ＡｌＧａＰ層などを用いることができる。
【００３３】
活性層１０８は、第１クラッド層１０６上に形成されている。活性層１０８は、図示の例では、第１クラッド層１０６と第２クラッド層１１０とに挟まれている。活性層１０８は、例えば、ＩｎＧａＰウェル層とＩｎＧａＡｌＰバリア層とから構成される量子井戸構造を３つ重ねた多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有する。
【００３４】
活性層１０８の一部は、活性層１０８の電流経路となる利得領域を構成している。利得領域１８０には、光を生じさせることができ、この光は、利得領域１８０内で利得を受けることができる。活性層１０８の形状は、例えば直方体（立方体である場合を含む）などである。活性層１０８は、図２及び図３に示すように、第１側面１０７及び第２側面１０９を有する。第１側面１０７および第２側面１０９は、活性層１０８の面のうち第１クラッド層１０６または第２クラッド層１１０に接していない面であり、積層構造体１１３において露出している面である。第１側面１０７および第２側面１０９は、活性層１０８の側面ともいえる。第１側面１０７および第２側面１０９は、互いに対向しており、図示の例では、平行である。
【００３５】
利得領域１８０は、第１側面１０７側の第１端部１４０と、第２側面１０９側の第２端部１４２と、を有する。第１端部１４０は、第１側面１０７に設けられることができる。第２端部１４２は、図２に示すように、活性層１０８の形成された領域の任意の場所に設けられている。すなわち、利得領域１８０は、図示の例では、第２側面１０９に到達しておらず、第２端部１４２は、第２側面１０９には設けられていない。第２端部１４２は、図３に示すように、活性層１０８の積層方向から平面視して（活性層１０８の厚み方向から平面視して）、後述する第１方向Ａに対して、直交するように設けられている。利得領域１８０に生じる光の波長帯において、第２端部１４２の反射率は、第１端部１４０の反射率よりも高い。第２端部１４２の反射率は、１００％あるいはそれに近いことが望ましい。これに対して、第１端部１４０の反射率は、０％あるいはそれに近いことが望ましい。第１端部１４０には、例えば、反射防止膜１６０が設けられていることにより、低い反射率を得ることができる。反射防止膜１６０は、図示の例のように、第１側面１０７の全部に設けられていてもよいし、第１端部１４０にのみ設けられていてもよい。反射防止膜１６０としては、例えばＡｌ2Ｏ3単層、または、ＳｉＯ2層、ＳｉＮ層、Ｔａ2Ｏ5層や、これらの多層膜などを用いることができる。第２端部１４２は、後述する反射部１５０を設けることにより、高い反射率を得ることができる。
【００３６】
利得領域１８０は、図３に示すように、活性層１０８の積層方向から平面視して（活性層１０８の厚み方向から平面視して）、直線状に、第１端部１４０から第２端部１４２まで、第１側面１０７の垂線Ｐに対して傾いた所定の方向に向かって設けられている。図示の例では、利得領域１８０は、垂線Ｐに対して角度θで傾いた第１方向Ａに向かって設けられている。利得領域１８０が、第１側面１０７の垂線Ｐに対して傾いた方向に向かって設けられていることにより、利得領域１８０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。すなわち、発光素子１００は、スーパールミネッセントダイオード（ＳＬＤ：Super Luminescent Diode、以下「ＳＬＤ」ともいう）であることができる。ＳＬＤは、半導体レーザーと異なり、端面反射による共振器の形成を抑えることにより、レーザー発振を防止することができる。そのため、スペックルノイズを低減することができる。
【００３７】
反射部１５０は、利得領域１８０の第２端部１４２に設けられている。反射部１５０は、基板に対して垂直かつ導波路に対して４５度の角度を持った全反射ミラーであることができる。反射部１５０は、利得領域の第１端部１４０と第２端部１４２とを接続する方向に対して４５度傾斜した第１端面１５１と、第１端面１５１に対して９０度傾斜した第２端面１５２とを有している。図示の例では、導波路に対して４５度の第１端面１５１と平行・直角の面を持つ直角三角形及び、第１端面１５１に対し直角な面を持つ第２端面１５２と平行・直角の面を持つ直角三角形の２つの直角三角形の凹部によって構成されている。したがって、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いて簡易な工程により形成することができる。
【００３８】
第２クラッド層１１０は、活性層１０８上に形成されている。第２クラッド層１１０は、例えば第２導電型（例えばｐ型）の半導体からなる。第２クラッド層１１０としては、例えばｐ型ＡｌＧａＰ層などを用いることができる。
【００３９】
例えば、ｐ型の第２クラッド層１１０、不純物がドーピングされていない活性層１０８、及びｎ型の第１クラッド層１０６により、ｐｉｎダイオードが構成される。第１クラッド層１０６及び第２クラッド層１１０の各々は、活性層１０８よりも禁制帯幅が大きく、屈折率が小さい層である。活性層１０８は、光を増幅する機能を有する。第１クラッド層１０６及び第２クラッド層１１０は、活性層１０８を挟んで、注入キャリア（電子および正孔）並びに光を閉じ込める機能を有する。
【００４０】
発光素子１００では、第１電極１２０と第２電極１２２との間に、ｐｉｎダイオードの順バイアス電圧を印加すると、活性層１０８の利得領域１８０において電子と正孔との再結合が起こる。この再結合により発光が生じる。この生じた光を起点として、連鎖的に誘導放出が起こり、利得領域１８０内で光の強度が増幅される。例えば、図２に示すように、利得領域１８０に生じる光の一部は、第２端部１４２において反射して、第１端部１４０から出射光１３０として出射されるが、その間に光強度が増幅される。なお、利得領域１８０に生じる光には、直接、第１端部１４０から出射光１３０として出射されるものもある。
【００４１】
コンタクト層１１２は、例えば図４に示すように、第２クラッド層１１０上に形成されていることができる。コンタクト層１１２としては、第２電極１２２とオーミックコンタクトする層を用いることができる。コンタクト層１１２は、例えば第２導電型の半導体からなる。コンタクト層１１２としては、例えばｐ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。
【００４２】
第１電極１２０は、例えば図４に示すように、基板１０２の下の全面に形成されている。第１電極１２０は、該第１電極１２０とオーミックコンタクトする層（図示の例では基板１０２）と接していることができる。第１電極１２０は、基板１０２及びバッファー層１０４を介して、第１クラッド層１０６と電気的に接続されている。第１電極１２０は、発光素子１００を駆動するための一方の電極である。第１電極１２０としては、例えば、基板１０２側からＣｒ層、ＡｕＧｅ層、Ｎｉ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。なお、第１クラッド層１０６とバッファー層１０４との間に、第２コンタクト層（図示せず）を設け、ドライエッチングなどにより該第２コンタクト層を露出させ、第１電極１２０を第２コンタクト層上に設けることもできる。これにより、片面電極構造を得ることができる。この形態は、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。絶縁性の基板１０２としては、例えば、半絶縁性ＧａＡｓ基板などが挙げられる。第２コンタクト層としては、例えばｎ型ＧａＡｓ層などを用いることができる。また、図示しないが、例えば、エピタキシャルリフトオフ（ＥＬＯ）法、レーザーリフトオフ法などを用いて、基板１０２とその上に設けられた部材とを切り離すことができる。即ち、発光素子１００は、基板１０２を有しないこともできる。この場合には、例えばバッファー層１０４の下に第１電極１２０を形成することができる。この形態も、基板１０２が絶縁性である場合に特に有効である。
【００４３】
第２電極１２２は、コンタクト層１１２上に形成されている。第２電極１２２は、コンタクト層１１２を介して、第２クラッド層１１０と電気的に接続されている。第２電極１２２は、発光素子１００を駆動するための他方の電極である。第２電極１２２としては、例えば、コンタクト層１１２側からＣｒ層、ＡｕＺｎ層、Ａｕ層の順序で積層したものなどを用いることができる。第２電極１２２の下面は、図３に示すように、利得領域１８０と同様の平面形状を有している。図示の例では、第２電極１２２とコンタクト層１１２との接触面の平面形状によって、電極１２０，１２２間の電流経路が決定され、その結果、利得領域１８０の平面形状が決定されることができる。なお、図示しないが、例えば、第１電極１２０と基板１０２との接触面が、利得領域１８０と同じ平面形状を有していてもよい。
【００４４】
発光素子１００は、例えば、以下の特徴を有する。
【００４５】
発光素子１００では、上述したように、利得領域１８０に生じる光のレーザー発振を抑制または防止することができる。従って、スペックルノイズを低減させることができる。さらに、発光素子１００では、利得領域１８０に生じる光は、利得領域１８０内において利得を受けながら進行して、外部に出射されることができる。従って、従来の一般的なＬＥＤよりも高い出力を得ることができる。以上のように、発光素子１００によれば、スペックルノイズを低減でき、かつ高い光出力を得ることができる。
【００４６】
一般的に、レーザー光でない光を発する発光素子は、レーザー発振を抑制または防止するために、利得領域の出射部となる端面と対向する他方の端面には、吸収部が設けられる。発光素子１００では、上述の通り、吸収部を有することなく、レーザー発振を抑制または防止することができる。したがって、発光素子１００によれば、吸収部を設けることなくレーザー発振を抑制または防止することができるため、第２端部１４２に反射部１５０を設けることができる。
【００４７】
発光素子１００では、図２に示すように、利得領域１８０に生じる光の一部は第１の方向１０ａに進行し、第２端部１４２において反射して第２の方向１０ｂに向かって進行し、再び利得領域１８０内において、利得を受けながら進行することができる。従って、発光素子１００によれば、例えば、第２端部１４２において積極的に反射させないような場合に比べ、光強度の増幅距離が長くなるため、高い光出力を得ることができる。
【００４８】
発光素子１００によれば、第２端部１４２において積極的に反射させないような場合に比べ、少なくとも同程度の光出力を保ちつつ、活性層１０８の第１側面１０７と第２側面１０９との間の距離を小さくすることができる。すなわち、光出力は、光が利得領域内を進行する距離に依存するため、第２端部１４２において積極的に反射させないような場合では、発光素子１００と同じ光出力を得ようとすると、活性層１０８の第１側面１０７と第２側面１０９との間の距離が大きくなってしまう。したがって、本実施形態の発光素子１００によれば、小型化を図ることができ、設計の自由度を向上させることができる。
【００４９】
発光素子１００では、反射部１５０は、垂直にエッチングされた全反射ミラーであることができる。したがって、反射部１５０を簡易な工程で形成することができる。また、発光素子１００によれば、例えば、反射部が発光素子の外部に設けられた場合と比較して、装置を小型化することができ、さらに、利得領域１８０と反射部１５０との間の光の損失を抑制することができる。
【００５０】
反射部１５０の底面の位置は、図５の例では、活性層１０８の下面の位置より下に設けられている。すなわち、反射部１５０は、第２クラッド層１１０および活性層１０８を貫通している。反射部１５０の内部は、空洞であってもよいし、絶縁材料で埋めこまれていてもよい。
【００５１】
（変形例）
次に、実施形態１の発光素子の変形例について説明する。
【００５２】
図６は発光素子の変形例について模式的に示した平面図である。
【００５３】
実施形態１の発光素子１００の例では、図３に示すように反射部１５０は第１側面１０７と第２側面１０９の間にある場合について説明した。これに対し、本変形例では、たとえば、図６に示すように、反射部１５０が第１側面１０７と第２側面１０９の間にある必要はなく、反射部の一部が第２側面と接していてもよい。
【００５４】
（発光素子の製造方法）
次に、発光素子１００の製造方法について、図面を参照しながら説明する。
【００５５】
図７は、発光素子１００の製造工程を模式的に示す断面図であり、図４に示す断面図に対応している。
【００５６】
まず、例えば、図７に示すように、基板１０２上に、バッファー層１０４、第１クラッド層１０６、活性層１０８、第２クラッド層１１０、及びコンタクト層１１２を、この順でエピタキシャル成長させる。エピタキシャル成長させる方法としては、例えば、ＭＯＣＶＤ（Metal-Organic Chemical Vapor Deposition）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy）法などを用いることができる。
【００５７】
次に、図５に示すように、第２端部１４２に反射部１５０を形成する。反射部１５０は、例えば、フォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。
【００５８】
次に、例えば、図２及び図３に示すように、第１端部１４０に反射防止膜１６０を形成することができる。反射防止膜１６０は、例えば、ＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法、スパッタ法、イオンアシスト蒸着（Ion Assisted Deposition）法などにより形成される。
【００５９】
次に、例えば、図４に示すように、コンタクト層１１２上に第２電極１２２を形成する。第２電極１２２は、例えば、真空蒸着法により全面に導電層を形成した後、該導電層をフォトリソグラフィー技術およびエッチング技術を用いてパターニングすることにより形成される。また、第２電極１２２は、例えば、真空蒸着法およびリフトオフ法の組み合わせ等により、所望の形状に形成されることもできる。なお、反射部１５０は、電極材料が入り込まないように、例えば、マスク層（図示しない）で覆われていることができる。
【００６０】
次に、例えば、図４に示すように、基板１０２の下面に第１電極１２０を形成する。第１電極１２０の製法は、例えば、上述した第２電極１２２の製法の例示と同じである。なお、第１電極１２０及び第２電極１２２の形成順序は、特に限定されない。
【００６１】
以上の工程により、発光素子１００が得られる。
【００６２】
本発明は以上説明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の実施の際の具体的な構造および手順は、本発明の目的を達成できる範囲で他の構造などに適宜変更することができる。そして、多くの変形が本発明の技術的思想内で当分野において通常の知識を有するものにより可能である。
【符号の説明】
【００６３】
１００…発光素子（発光装置）、１０２…基板、１０４…バッファー層、１０６…第１クラッド層、１０７…第１側面、１０８…活性層、１０９…第２側面、１１０…第２クラッド層、１１２…コンタクト層、１１３…積層構造体、１２０…第１電極、１２２…第２電極、１３０…出射光、１４０…第１端部、１４２…第２端部、１５０…反射部、１５１…第１端面、１５２…第２端面、１６０…反射防止膜、１８０…利得領域、１０００…プロジェクター、１００２…均一化光学系、１００２ａ…ホログラム、１００２ｂ…フィールドレンズ、１００４…液晶ライトバルブ、１００６…クロスダイクロイックプリズム、１００８…投射レンズ、１０１０…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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