(57)【要約】【課題】ダイシング工程後のピックアップ工程において、薄型の半導体チップをチップ割れすることなく、短時間で効率良くピックアップすることができるダイシングテープを提供する。【解決手段】本発明のダイシングテープ１は、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力が、粘着剤層１を放射線硬化させる前は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であり、粘着剤層１を放射線硬化させた後は０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、粘着剤層１を放射線硬化させた後の、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度における、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であることを特徴とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材樹脂フィルムの少なくとも片側に放射線硬化性の粘着剤層を有し、前記粘着剤層にウエハを貼合して前記ウエハをダイシングするダイシングテープであって、
２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力が、前記粘着剤層を放射線硬化させる前は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であり、前記粘着剤層を放射線硬化させた後は０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、
かつ、前記粘着剤層を放射線硬化させた後の、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度における、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であることを特徴とするダイシングテープ。
【請求項２】
前記粘着剤層は、アクリル重合体及び／又は酢酸ビニル重合体及び／又は炭素―炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー１００質量部に対し、フタル酸エステル類を０．５〜３０質量部含むことを特徴とする請求項１に記載のダイシングテープ。
【請求項３】
前記フタル酸エステル類の水への溶解度が、０．１ｍｇ／Ｌ以下であることを特徴とする請求項２に記載のダイシングテープ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ダイシングテープに関する。特に、本発明は、半導体ウエハ等を素子の小片に切断分離（ダイシング）する際に、当該半導体ウエハ等の被切断体を固定するために用いるダイシングテープに関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、シリコン、ガリウム、砒素等を材料とする半導体ウエハは、大径の状態で製造された後、素子小片に切断分離（ダイシング）され、更にマウント工程に移される。この際、半導体ウエハはダイシングテープに貼付され保持された状態でダイシング工程、洗浄工程、エキスパンド工程、ピックアップ工程、マウント工程の各工程が施される。前記ダイシングテープとしては、プラスチックフィルムからなる基材上にアクリル系粘着剤等の粘着剤層が塗布、形成されたものが用いられている。（たとえば、特許文献１参照。）
【０００３】
前記ピックアップ工程は、図５に示すように、ピックアップする半導体チップ１０の下部のダイシングテープ１を突き上げピン１２により、点状または線状で持ち上げるか、またはこすりつけ、当該半導体チップ１０とダイシングテープ１の剥離を助長した状態で、上部から吸着コレット１３等で真空吸着するにより、半導体チップ１０をピックアップする方式が主流となっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−２２５７５３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、半導体素子の薄型化が進んでおり、特に半導体ウエハの厚みが１００μｍ以下になると、従来のダイシングテープでは、従来通り突き上げピンを素早く突き上げて半導体チップをピックアップすると、突き上げピンの突き上げによる衝撃で、半導体チップが非常に割れやすいという問題があった。そのため、半導体チップへの衝撃を抑えるべく突き上げピンをゆっくりと持ち上げるようにすると、ピックアップ時間が長くなるという問題があった。また、従来のダイシングテープでは、ダイシングテープと半導体チップとの剥離力は、剥離速度が速いほど大きくなる。したがって、たとえ半導体チップへの衝撃を抑えつつ突き上げピンを素早く突き上げることができたとしても、突き上げピンにより、ダイシングテープと半導体チップとの剥離を助長した際に、剥離の進行速度が速いと剥離力も大きくなるため、薄型で剛性の低い半導体チップでは、その端部が変形してチップ割れが起こりやすいという問題があった。そのため、ダイシングテープと半導体チップの剥離が進行するまで待機して十分な剥離面積が確保された後に、吸着コレットの真空吸着により半導体チップをピックアップすることとなり、やはりピックアップ時間が長くなるという問題があった。
【０００６】
そこで、本発明は、ダイシング工程後のピックアップ工程において、薄型の半導体チップをチップ割れすることなく、短時間で効率良くピックアップすることができるダイシングテープを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重ねた結果、基材樹脂フィルムの少なくとも片側に粘着剤層を有してなるダイシングテープであって、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの各種剥離力を特定の値とすることで、半導体ウエハのダイシング時のチップ飛びを抑制しつつ、ピックアップ工程の際に素早くピン等で突上げを行ってもチップにストレスをかけることなくチップ割れ等の不具合なくピックアップできるとともにともに、ピックアップ工程時間の短縮を行えることを見出した。本発明はこの知見に基づきなされたものである。
【０００８】
すなわち、本願発明によるダイシングテープは、基材樹脂フィルムの少なくとも片側に放射線硬化性の粘着剤層を有し、前記粘着剤層にウエハを貼合して前記ウエハをダイシングするダイシングテープであって、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力が、前記粘着剤層を放射線硬化させる前は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であり、前記粘着剤層を放射線硬化させた後は０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、前記粘着剤層を放射線硬化させた後の、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度における、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であることを特徴とする。
【０００９】
上記ダイシングテープは、前記粘着剤層が、前記粘着剤層は、アクリル重合体及び／又は酢酸ビニル重合体及び／又は炭素―炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー１００質量部に対し、フタル酸エステル類を０．５〜３０質量部含むことが好ましい。
【００１０】
また、上記ダイシングテープは、前記フタル酸エステル類の水への溶解度が、０．１ｍｇ／Ｌ以下であることが好ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ダイシング工程後のピックアップ工程において、薄型の半導体チップをチップ割れすることなく、短時間で効率良くピックアップすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の実施形態に係るダイシングテープの構造を模式的に示す断面図である。
【図２】本発明の実施例に係るダイシングテープを用いたダイシング工程を模式的に示す断面図である。
【図３】本発明の実施例に係るダイシングテープを用いたダイシング工程を模式的に示す断面図である。
【図４】本発明の実施例に係るダイシングテープを用いたエキスパンド工程を模式的に示す断面図である。
【図５】本発明の実施例に係るダイシングテープを用いたピックアップ工程を模式的に示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１４】
本発明の実施形態に係るダイシングテープ１は、基材樹脂フィルム２の少なくとも片側に、少なくとも1層の粘着剤層３が形成されている。図１は、本発明の放射線硬化型のダイシングテープ１の好ましい実施態様を示す概略断面図であり、ダイシングテープ１は基材樹脂フィルム２を有しており、基材樹脂フィルム２の上には粘着剤層３が形成されている。また、粘着剤層３の上には、必要に応じて設けられるセパレータ４が形成されている。図１には、基材樹脂フィルム２の一方の面に粘着剤層３が設けられたダイシングテープ１が示されているが、基材樹脂フィルム２のうち、粘着剤層３が設けられた他方の面にも粘着剤層を設けてもよい（図示せず）。
【００１５】
以下、本実施形態のダイシングテープ１の各構成要素について詳細に説明する。
【００１６】
（基材樹脂フィルム２）
基材樹脂フィルム２としては、特に制限されるものでなく、従来の基材樹脂フィルム２の中から適宜選択して用いることができる。粘着剤層３に用いられる粘着剤として放射線硬化性樹脂を用いるため、基材樹脂フィルム２は、ダイシング後に切断されて得られた半導体チップ１０（図３参照）をピックアップできる程度に粘着剤層３の粘着力を低減できるように放射線を透過することが必要である。使用する基材樹脂フィルム２としては、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体、およびポリブテンのようなポリオレフィン、スチレン−水添イソプレン−スチレンブロック共重合体、スチレン−イソプレン−スチレン共重合体、スチレン−水添ブタジエン−スチレン共重合体およびスチレン−水添イソプレン／ブタジエン−スチレン共重合体のような熱可塑性エラストマー、エチレン−酢酸ビニル共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸共重合体、エチレン−（メタ）アクリル酸エステル共重合体、およびエチレン−（メタ）アクリル酸金属塩系アイオノマーのようなエチレン共重合体、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテレフタレート、ポリカーボネート、ポリメタクリル酸メチル等のエンジニアリングプラスチック、軟質ポリ塩化ビニル、半硬質ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリウレタン、ポリアミド、ポリイミド、天然ゴムならびに合成ゴム等の高分子材料が好ましい。また、これらの群から選ばれる２種以上が混合されたものもしくは複層化されたものでもよく、粘着剤層３との接着性によって任意に選択することができる。
【００１７】
基材樹脂フィルム２の厚さは、特に制限するものではないが、好ましくは１０〜５００μｍであり、より好ましくは４０〜４００μｍ、特に好ましくは７０〜２５０μｍである。
【００１８】
基材樹脂フィルム２の粘着剤層３に接する面には、密着性を向上させるために、コロナ処理を施したり、プライマー等の処理を施してもよい。
【００１９】
（粘着剤層３）
粘着剤層３は、放射線硬化型の粘着剤層３であって所定の剥離力を有すれば、粘着剤層３を構成する樹脂組成物は、特に限定されるものではないが、炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーからなる樹脂組成物、または一般的な粘着剤に紫外線硬化性のモノマー成分やオリゴマー成分等の紫外線硬化樹脂を配合した樹脂組成物であることが好ましい。また、上記樹脂組成物が、ウレタンアクリレート、エポキシアクリレート、ポリエステルアクリレート、ポリエーテルアクリレート、（メタ）アクリル酸オリゴマー、イタコン酸オリゴマーおよび酢酸ビニルからなる群より選ばれた少なくとも１種の粘着剤を主成分として有することが好ましい。
【００２０】
炭素−炭素二重結合をポリマー側鎖または主鎖中もしくは主鎖末端に有するポリマーからなる樹脂組成物としては、アクリル重合体（Ａ）及び／又は酢酸ビニル重合体（Ｂ）と、架橋剤（Ｃ）と、必要に応じ、光重合開始剤（Ｄ）を含む粘着剤組成物が用いられる。さらに、本実施の形態においては、フタル酸エステル類（Ｅ）を含んでいる。
【００２１】
（Ａ）アクリル重合体
アクリル重合体（Ａ）としては、（メタ）アクリル酸エステル成分をモノマー主成分（重合体中の質量％が５０％を越える）とし、該（メタ）アクリル酸エステル成分に対して、共重合が可能で分子内に水酸基を有するモノマー（水酸基含有モノマー）成分とを共重合したもの等が挙げられる。本明細書において、（メタ）アクリル酸エステルとは、アクリル酸エステルとメタクリル酸エステルの両者を含む。
【００２２】
アクリル重合体（Ａ）において、モノマー主成分としての（メタ）アクリル酸エステル成分としては、例えば、（メタ）アクリル酸メチル、（メタ）アクリル酸エチル、（メタ）アクリル酸プロピル、（メタ）アクリル酸イソプロピル、（メタ）アクリル酸ブチル、（メタ）アクリル酸イソブチル、（メタ）アクリル酸ｓ−ブチル、（メタ）アクリル酸ｔ−ブチル、（メタ）アクリル酸ペンチル、（メタ）アクリル酸ヘキシル、（メタ）アクリル酸ヘプチル、（メタ）アクリル酸オクチル、（メタ）アクリル酸イソオクチル、（メタ）アクリル酸２−エチルヘキシル、（メタ）アクリル酸ノニル、（メタ）アクリル酸イソノニル、（メタ）アクリル酸デシル、（メタ）アクリル酸イソデシル、（メタ）アクリル酸ウンデシル、（メタ）アクリル酸ドデシル、（メタ）アクリル酸トリデシル、（メタ）アクリル酸テトラデシル、（メタ）アクリル酸ペンタデシル、（メタ）アクリル酸ヘキサデシル、（メタ）アクリル酸ヘプタデシル、（メタ）アクリル酸オクタデシル等の（メタ）アクリル酸アルキルエステル；（メタ）アクリル酸シクロヘキシル等の（メタ）アクリル酸シクロアルキルエステル；（メタ）アクリル酸フェニル等の（メタ）アクリル酸アリールエステル等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルは単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００２３】
アクリル重合体（Ａ）は、架橋剤（Ｃ）のポリイソシアネートとウレタン結合を介して、ポリエーテルポリオールと反応させるとともに、架橋剤で架橋させて質量平均分子量（Ｍｗ）を高めることが好ましい。この場合、アクリル重合体（Ａ）は、主鎖に対して、水酸基が結合されていることが必要である。主鎖に対して水酸基が結合されたアクリル重合体（Ａ）は、前記（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつ水酸基を有するモノマーを共重合することによって得ることができる。（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつ水酸基を有するモノマーとしては、２−ヒドロキシエチル（メタ）アクリルレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリルレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリルレート、６−ヒドロキシヘキシル（メタ）アクリルレート、ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールモノ（メタ）アクリレート、グリセリンモノ（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００２４】
アクリル重合体（Ａ）中には、主鎖に対して水酸基が結合（ペンダントされている）以外に、カルボキシル基、グリシジル基といった官能基がペンダントされていてもよい。水酸基以外の官能基を有するアクリル重合体（Ａ）は、（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつ水酸基以外の官能基を有するモノマーを共重合することによって得ることができる。（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつカルボキシル基を有するモノマーとしては、（メタ）アクリル酸（アクリル酸、メタクリル酸）、イタコン酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イソクロトン酸等が挙げられる。（メタ）アクリル酸エステルに対して共重合が可能であり、かつグリシジル基を有するモノマーとしては、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００２５】
（Ｂ）酢酸ビニル重合体
酢酸ビニル重合体（Ｂ）としては、酢酸ビニル重合体は、酢酸ビニルモノマーのみを重合して得られた単独重合体を使うこともできる。 酢酸ビニル重合体における、酢酸ビニルモノマーに共重合させるモノマー成分としては、上記効果を阻害しないものであれば特に限定するものではない。例えば、上記記載のアクリル酸エステル類やラウリルビニルエーテル、オクタデシルビニルエーテル、パーフルオロプロピルビニルエーテル、２−クロロエチルビニルエーテル、シクロヘキシルビニルエーテル、メチルビニルエーテルなどのビニルエーテル類、バーサチック酸ビニル、ステアリン酸ビニル、アクリルアミド、メタクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、アクリル酸、クロトン酸、マレイン酸、フマール酸、イタコン酸、ビニルスルホン酸、アクリルスルホン酸、ジメチルアミノエチルメタクリレート、ビニルイミダゾール、ビニルピリジン、ビニルサクシイミド、ビニレンカーボネート、アリルアルコール、アリルアセテート等が挙げられる。
【００２６】
上記アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）の合成において、共重合を溶液重合で行う場合の有機溶剤としては、ケトン系、エステル系、アルコール系、芳香族系の有機溶剤が挙げられるが、中でもトルエン、酢酸エチル、イソプロピルアルコール、ベンゼンメチルセロソルブ、エチルセロソルブ、アセトン、メチルエチルケトン等の、一般にアクリル系ポリマーの良溶媒で、沸点６０〜１２０℃の溶剤が好ましく、重合開始剤としては、α，α’−アゾビスイソブチルニトリル等のアゾビス系、ベンゾベルペルオキシド等の有機過酸化物系等のラジカル発生剤を通常用いる。この際、必要に応じて触媒、重合禁止剤を併用することができ、重合温度および重合時間を調節し、その後官能基における付加反応を行うことにより、所望の分子量のアクリル重合体（Ａ）、酢酸ビニル重合体（Ｂ）を得ることができる。また、分子量を調節することに関しては、メルカプタン、四塩化炭素系の溶剤を用いることが好ましい。なお、この共重合は溶液重合に限定されるものではなく、塊状重合、懸濁重合等別の方法でもさしつかえない。
【００２７】
アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）は、半導体ウエハ６等の被加工物の汚染防止等の観点から、低分子量物の含有量が少ないものが好ましい。この観点から、アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）の質量平均分子量（Ｍｗ）としては、１０万以上であることが好ましく、さらには２０万〜２００万であることが好適である。なお、アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）の質量平均分子量（Ｍｗ）が小さすぎると、半導体ウエハ６等の被加工物に対する汚染防止性が低下し、質量平均分子量（Ｍｗ）が大きすぎると放射線硬化性粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物の粘度が極めて高くなり、ダイシングテープ１の製造が困難となる。
【００２８】
アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）は、粘着性発現の観点から、ガラス転移点が−７０℃〜０℃であることが好ましく、更に好ましくは、−６５℃〜−２０℃である。ガラス転移点が小さすぎると、アクリル重合体（Ａ）および酢酸ビニル重合体（Ｂ）の粘度が低くなりすぎ、安定した塗膜形成が困難となり、ガラス転移点が高すぎると、粘着剤が硬くなりすぎ、被着体に対する濡れ性が悪化する。
【００２９】
（Ｃ）架橋剤
架橋剤（Ｃ）として、少なくとも架橋剤としてポリイソシアネートを用いて、放射線硬化前に架橋されていることが好ましい。ポリイソシアネート架橋剤としては、イソシアネート基を有する架橋剤であれば特に制限されない。例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ヘキサメチレンジイソシアネート、イソホロンジイソシアネート等もしくはこれらのビウレット型、イソシアヌレート型、アダクト型、ブロック型等の各種多量体等を挙げることができる。架橋剤として水酸基に対して反応性を有するポリイソシアネートを用いることにより、ポリエーテルポリオールを架橋構造中に取り込むことが可能となり、ポリエーテルポリオールが半導体ウエハ６表面へ移行し、ウエハ６表面を汚染することを防ぐことができる。そのほか、架橋剤として、ポリイソシアネート以外の架橋剤を併用することができる。ただし、アクリル重合体（Ａ）もしくは酢酸ビニル重合体（Ｂ）中に、架橋剤に対して反応性を有する官能基を有している必要がある。そのような架橋剤としては、例えば、エポキシ系架橋剤、アジリジン系架橋剤、メラミン樹脂系架橋剤、尿素樹脂系架橋剤、酸無水化合物系架橋剤、ポリアミン系架橋剤、カルボキシル基含有ポリマー系架橋剤等から適宜選択して用いることができる。
【００３０】
（Ｄ）光重合開始剤
放射線硬化性粘着剤層３中に、放射線を照射した際に、効率よく、分子内に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（や放射線硬化性成分）の重合、硬化を行うために、光重合開始剤を含むことができる。光重合開始剤としては、例えば、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインプロピルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンゾインイソブチルエーテル等のベンゾインアルキルエーテル系開始剤；ベンゾフェノン、ベンゾイル安息香酸、３，３’−ジメチル−４−メトキシベンゾフェノン、ポリビニルベンゾフェノン等のベンゾフェノン系開始剤；α−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、４−（２−ヒドロキシエトキシ）フェニル（２−ヒドロキシ−２−プロピル）ケトン、α−ヒドロキシ−α，α’−ジメチルアセトフェノン、メトキシアセトフェノン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２，２−ジエトキシアセトフェノン、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）−フェニル］−２−モルホリノプロパン−１等の芳香族ケトン系開始剤；ベンジルジメチルケタール等の芳香族ケタール系開始剤；チオキサントン、２−クロロチオキサントン、２−メチルチオキサントン、２−エチルチオキサントン、２−イソプロピルチオキサントン、２−ドデシルチオキサントン、２，４−ジクロロチオキサントン、２，４−ジメチルチオキサントン、２，４−ジエチルチオキサントン、２，４−ジイソプロピルチオキサントン等のチオキサントン系開始剤、ベンジル等のベンジル系開始剤、ベンゾイン等のベンゾイン系開始剤の他、α−ケトール系化合物（２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノン等）、芳香族スルホニルクロリド系化合物（２−ナフタレンスルホニルクロリド等）、光活性オキシム系化合物（１−フェノン−１，１−プロパンジオン−２−（ｏ−エトキシカルボニル）オキシム等）、カンファーキノン、ハロゲン化ケトン、アシルホスフィノキシド、アシルホスフォナート等が挙げられる。光重合開始剤は、単独で又は２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００３１】
光重合開始剤の配合量としては、アクリル重合体（Ａ）もしくは酢酸ビニル重合体（Ｂ）１００質量部に対して０．５〜３０質量部、好ましくは１〜２０質量部の範囲から適宜選択することができる
【００３２】
（Ｅ）フタル酸エステル類
フタル酸エステル類（Ｅ）としては、例えばフタル酸ジメチル、フタル酸ジエチル、フタル酸ジアリル、フタル酸ジブチル、フタル酸ジノルマルヘキシル、フタル酸ジオクチル、フタル酸ジノルマルオクチル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジノニル、フタル酸ジイソデシル、フタル酸ブチルベンジル等が挙げられるが、粘着剤との相溶性が良く、かつ水への溶解性が低いフタル酸ジオクチル、フタル酸ジノルマルオクチル、フタル酸ジイソノニル、フタル酸ジノニルが好ましい。粘着剤との相溶性が悪いとブリードアウトにより表面に析出しやすくなり、汚染の原因となる恐れがあるとともに、安定製造できないためである。また、水への溶解性が高いとダイシングの際の切削水に溶解してしまい、ウエハ６表面の汚染の原因となる恐れがあるためである。水への溶解性の範囲としては、０．１ｍｇ／Ｌ以下であり、好ましくは０．０５ｍｇ／Ｌ以下が好ましい。
【００３３】
本実施の形態においては、粘着剤層３が、フタル酸エステル類（Ｅ）を含んでいるため、柔軟性に優れ、ダイシングの際のチップ飛びを抑制することができ、放射線を照射して粘着剤層３を硬化させた後に、剥離速度によらず、剥離力が一定以下となることから、チップ割れを良好に抑制して容易に半導体チップ１０をピックアップすることができる。その効果は、ウエハ６研磨直後、例えば、研磨終了後１時間以内の自然酸化膜が全面的に形成されていない状態の不安定なウエハ６研削面に、ダイシングテープ１が貼り合わせられた場合に特に顕著に現れる。
【００３４】
フタル酸エステル類の配合量としては、アクリル重合体（Ａ）もしくは酢酸ビニル重合体（Ｂ）１００質量部に対して０．５〜３０質量部、好ましくは１〜２０質量部、更に好ましくは５〜１０質量部の範囲から適宜選択することができる。添加量が少ないと効果を発現できず、多すぎると粘着剤との相溶性の悪化により、ブリードアウトし汚染の原因となる。
【００３５】
（Ｆ）その他の配合剤
粘着剤層３を形成するための粘着剤組成物中には、必要に応じて、例えば、粘着付与剤、老化防止剤、充填剤、着色剤、難燃剤、帯電防止剤、軟化剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤、可塑剤、界面活性剤等の公知の添加剤等が含まれていてもよい。
【００３６】
なお、上記粘着剤組成物において、アクリル重合体（Ａ）及び／又は酢酸ビニル重合体（Ｂ）に替えて、官能基を含有するアクリル系ポリマーを調製した後、官能基を含有するアクリル系ポリマー中の官能基と反応し得る官能基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物を、官能基を含有するアクリル系ポリマーに、炭素−炭素二重結合の放射線硬化性（放射線重合性）を維持した状態で、縮合反応又は付加反応させることにより、分子内に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（Ａ２）を用いてもよい。官能基を含有するアクリル系ポリマーとしては、上記アクリル重合体（Ａ）を用いることができる。また、アクリル重合体（Ａ）及び／又は酢酸ビニル重合体（Ｂ）と分子内に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（Ａ２）を併用することもできる。
【００３７】
官能基を含有するアクリル系ポリマー中の官能基と反応し得る官能基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物としては、反応の対象となる側鎖がカルボキシル基または酸無水物である場合には、グリシジル（メタ）アクリレート等が挙げられ、反応の対象となる側鎖がエポキシ基である場合には、（メタ）アクリル酸等が挙げられ、反応の対象となる側鎖が水酸基である場合には、２一イソシアネートアルキル（メタ）アクリレート等が挙げられる。
【００３８】
また、官能基を含有するアクリル系ポリマーに官能基と炭素−炭素二重結合とを有する化合物を縮合反応又は付加反応させる際には、触媒を用いることにより、前記反応を効果的に進行させることができる。このような触媒としては、特に制限されないが、スズ系触媒（特にジラウリン酸ジブチルスズ）が好適である。触媒の使用量としては、特に制限されず、例えば、官能基を含有するアクリル系ポリマー１００重量部に対して０．０５〜１重量部程度であることが好ましい。
【００３９】
粘着剤層３は、従来の粘着剤層３の形成方法を利用して形成することができる。例えば、上記粘着剤組成物を、基材樹脂フィルム２の所定の面に塗布して形成する方法や、上記粘着剤組成物を、セパレータ（例えば、離型剤が塗布されたプラスチック製フィルム又はシート等）上に塗布して粘着剤層３を形成した後、該粘着剤層３を基材の所定の面に転写する方法により、基材樹脂フィルム２上に粘着剤層３を形成することができる。なお、粘着剤層３は単層の形態を有していてもよく、積層された形態を有していてもよい。
【００４０】
粘着剤層３の厚さとしては、特に制限されないが、３〜２０μｍであることが好ましい。粘着剤層３の厚さが薄すぎると、ダイシングの際に被加工物が容易に剥離してしまうため、切断加工された半導体チップ１０を保持できず、チップ飛びが発生することがある。粘着剤層３が厚すぎると、半導体ウエハ６をダイシングする際に発生する振動の振動幅が大きくなり、チッピングと呼ばれる欠けが発生し、または、チップの側面や表面にダイシング時に巻き上げられた粘着剤屑が付着し、チップを汚染することがある。
【００４１】
（セパレータ４）
セパレータ４は、粘着剤層３を保護する目的のため、ダイシングテープ１を所定の形状に切断するラベル加工を容易に行う目的のため、また粘着剤を平滑にする目的のために、必要に応じて設けられる。セパレータ４の構成材料としては、紙、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリエチレンテレフタレート等の合成樹脂フィルム等が挙げられる。セパレータ４の表面には粘着剤層３からの剥離性を高めるため、必要に応じてシリコーン処理、長鎖アルキル処理、フッ素処理等の剥離処理が施されていても良い。また、必要に応じて、粘着シートが環境紫外線によって反応してしまわないように、紫外線防止処理が施されていてもよい。セパレータ４の厚さは、通常１０〜１００μｍ、好ましくは２５〜５０μｍ程度である。
【００４２】
本発明の実施形態に係るダイシングテープ１は、２３℃、５０％ＲＨの条件下で＃２０００で研磨されたシリコンミラー面を粘着剤層３に貼合した後、２３℃で５０％ＲＨの条件下で１時間経過後の、粘着剤層３を放射線硬化させる前における剥離力（対シリコンミラー面、剥離角度：９０°、剥離速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、２３℃で５０％ＲＨの条件下）が、０．５Ｎ／２５ｍｍ以上である。この範囲内の粘着力を有するダイシングテープ１は、ダイシング時において切断加工された半導体チップ１０を効果的に保持することができ、チップ飛びや半導体チップ１０裏面への切削ダスト浸入を防ぐ効果を奏することができる。
【００４３】
また、上記と同様にして測定した、粘着剤層３を放射線硬化させた後における剥離力（対シリコンミラー面、剥離角度：９０°、剥離速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、２３℃で５０％ＲＨの条件下）が、０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、好ましくは０．１〜０．３Ｎ／２５ｍｍ、さらに好ましくは０．１〜０．２Ｎ／２５ｍｍである。この剥離力が０．４Ｎ／２５ｍｍを超えるとピックアップ時に粘着剤層３と半導体ウエハ６（図２参照）との界面での剥離が困難になり、ピックアップができない、もしくは仮にピックアップできたとしても半導体ウエハ６が割れるおそれがある。また、逆に剥離力が０．０５Ｎ/２５ｍｍ以下と低すぎるとピックアップの際に隣接する半導体チップ１０（図４参照）が飛び散るおそれがある。  
【００４４】
さらに、剥離速度１０００ｍｍ／ｍｉｎとして、上記と同様にして測定した、粘着剤層３を放射線硬化させた後における剥離力（対シリコンミラー面、剥離角度：９０°、２３℃で５０％ＲＨの条件下）が、０．４Ｎ／２５ｍｍ以下である。また、上記粘着剤層３を放射線硬化させた後における剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であり、好ましくは０．９以下であり、さらに好ましくは０．８以下である。この比が１を超えるとピックアップの際の突き上げピン１２（図５参照）の突き上げ速度が遅い場合には、剥離力が低いためピックアップに支障をきたさないが、突き上げ速度が速い場合には、剥離力が高くなってしまうため、特に薄膜の半導体ウエハ６においてはチップ割れ等の不具合が生じるおそれがある。
【００４５】
＜使用方法＞
次に、本発明のダイシングテープ１の使用方法について説明する。
【００４６】
本発明のダイシングテープ１は、被切断物である半導体部品へ貼り付けるマウント工程の後に、常法に従ってダイシング工程に供され、更に放射線照射工程、ピックアップ工程へと移される。半導体部品としてはシリコン半導体、化合物半導体、半導体パッケージ、ガラス、セラミックス等が挙げられる。
【００４７】
マウント工程は、通常、半導体ウエハ６の裏面研削工程や、半導体ウエハ６の裏面研削工程に続いて行われる破砕層除去工程等の後に、連続して（半導体ウエハ６の裏面研削工程や破砕層除去工程の直後に）、または短期間のうちに（半導体ウエハ６の裏面研削工程や破砕層除去工程が終了してから数時間以内に）実施することができる。
【００４８】
マウント工程では、図２に示すように、通常、半導体ウエハ６等の被加工物と、ダイシングテープ１とを、被加工物における研削面と、粘着剤層３とが接触する形態で重ね合わせ、図示しない圧着ロールを用いた押圧手段等の従来の押圧手段により押圧しながら、被加工物とダイシングテープ１との貼り付けを行う。また、各工程においてダイシングテープ１を保持するためのリングフレーム７を粘着剤層３の被加工物（半導体ウエハ６）の貼合位置より外側に貼り付ける。
【００４９】
ダイシング工程は、図３に示すように、吸着ステージ８に被切断体が貼付されたダイシングテープ１を載置し、ブレード９を高速回転させ、被切断体を所定のサイズに切断する。ダイシングは、ダイシングテープ１の一部まで切込みを行なうフルカットと呼ばれる切断方式等を採用できる。ダイシング後には、放射線、特に好ましくは、紫外線の照射により粘着剤層３を硬化させ、粘着性を低下させ、ダイシングテープ１から半導体チップ１０等のダイシングされた切断片を容易に行うことができる。
【００５０】
放射線、特に好ましくは、紫外線照射の後は、ピックアップ工程に供される。ピックアップ工程では、図４に示すように、エキスパンド工程を設けることができる。エキスパンド工程では、円筒状の突き上げ部材１１をダイシングテープ１の下方からリングフレーム７と切断片の間に突き当てるように上昇させることにより、ダイシングテープ１が周方向及び径方向に引き伸ばされる。ピックアップ方法としては、特に限定されず、従来の種々のピックアップ方法を採用することができる。例えば、図５に示すように、個々の切断片（半導体チップ１０）を、ダイシングテープ１の下方から突き上げピン１２によって突き上げ、突き上げられた切断片（半導体チップ１０）を吸着コレット１３等のピックアップ装置によってピックアップする方法等が挙げられる。
【００５１】
次に本発明を実施例に基づき更に詳細に説明する。以下本発明を実施例により説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【００５２】
（実施例１）
アクリル酸エチルおよびアクリル酸ブチル、２−ヒドロキシエチルアクリレートを質量比７：２：１の割合で、酢酸エチル中で常法により共重合させて、主鎖に対して水酸基が結合されたアクリル重合体（Ａ）を含む溶液（アクリル共重合体含有溶液Ａａ）を得た。続いて、当該アクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して、フタル酸ジオクチルを５質量部と、放射線硬化剤として商品名「ＵＶ３０００」（日本合成化学社製）を３０質量部と、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）を２.５質量部と、架橋剤としてポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）を１質量部とを加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｘ１を得た。
【００５３】
基材樹脂フィルムとして、片面にコロナ放電処理が施された低密度ポリエチレン製フィルム（厚み：１００μｍ）を用い、コロナ放電処理面に、前記紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｘ１を塗布し、８０℃で１０分間加熱して、加熱架橋させた。これにより、基材樹脂フィルム上に、放射線硬化型の粘着剤層としての紫外線硬化型粘着剤層（厚さ：１０μｍ）を形成した。次に、この紫外線硬化型粘着剤層の表面にセパレータを貼り合わせて、実施例１に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００５４】
（実施例２）
フタル酸ジオクチルを０．５質量部とした以外は実施例１と同様にして、実施例２に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００５５】
（実施例３）
フタル酸ジオクチルを３０質量部とした以外は実施例１と同様にして、実施例３に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００５６】
（実施例４）
フタル酸ジオクチルの代わりにフタル酸ジイソノニルを５質量部加えた以外は実施例１と同様にして、実施例４に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００５７】
（実施例５）
フタル酸ジオクチルの代わりにフタル酸ジブチルを５質量部加えた以外は実施例１と同様にして、実施例５に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００５８】
（実施例６）
酢酸ビニルを、酢酸エチル中で常法により重合させて、酢酸ビニル重合体（Ｂ）を含む溶液（酢酸ビニル重合体含有溶液Ｂａ）を得た。続いて、当該酢酸ビニル重合体（Ｂ）（ポリ酢酸ビニル）１００質量部に対して、フタル酸ジオクチルを５質量部と、放射線硬化剤として商品名「ＵＶ３０００」（日本合成化学社製）を３０質量部と、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製を２.５質量部と、架橋剤としてポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）を１質量部とを加えて、紫外線硬化型酢酸ビニル系粘着剤溶液Ｘ２を得た。
【００５９】
その後、実施例１と同様にして、基材樹脂フィルムに紫外線硬化型粘着剤層を形成し、紫外線硬化型粘着剤層の表面にセパレータを貼り合わせて、実施例６に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００６０】
（実施例７）
モノマー成分として、アクリル酸２−エチルヘキシルと２−ヒドロキシエチルアクリレートを質量比８：２の割合で、酢酸エチル中で共重合させて、主鎖に対して水酸基が結合されたアクリル重合体（Ａ）を含む溶液（アクリル共重合体含有溶液Ａｂ）を得た。次に、前記アクリル共重合体含有溶液Ａｂに、光重合性炭素−炭素二重結合および官能基を有する化合物として２−メタクリロイルオキシエチルイソシアネート、また、触媒としてジラウリン酸ジブチルスズを加えて、５０℃で２４時間反応させて、側鎖の末端に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（Ａ２）を含む溶液（アクリル共重合体含有溶液Ａ２ｂ）を得た。この側鎖の末端に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（Ａ２）の水酸基価をＪＩＳ  Ｋ  ００７０に記載のピリジン−無水酢酸によるアセチル化法で測定したところ、９．８ｍｇＫＯＨ／ｇであった。続いて、上記側鎖の末端に炭素−炭素二重結合を有するアクリル系ポリマー（Ａ２）１００質量部に対して、フタル酸ジオクチルを５質量部と、光重合開始剤として商品名「イルガキュア６５１」（チバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製）を２.５質量部と、ポリイソシアネート系化合物（商品名「コロネートＬ」、日本ポリウレタン工業社製）を１質量部とを加えて、紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｘ３を得た。
【００６１】
基材樹脂フィルムとして、片面にコロナ放電処理が施された低密度ポリエチレン製フィルム（厚み：１００μｍ）を用い、コロナ放電処理面に、前記紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液Ｘ３を塗布し、８０℃で１０分間加熱して、加熱架橋させた。これにより、基材樹脂フィルム上に、放射線硬化型の粘着剤層としての紫外線硬化型粘着剤層（厚さ：１０μｍ）を形成した。次に、この紫外線硬化型粘着剤層の表面にセパレータを貼り合わせて、実施例７に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００６２】
（比較例１）
フタル酸ジオクチルを添加しない以外は実施例１と同様にして、比較例１に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００６３】
（比較例２）
フタル酸ジオクチルを０．４５質量部とした以外は実施例１と同様にして、比較例２に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００６４】
（比較例３）
フタル酸ジオクチルを３５質量部とした以外は実施例１と同様にして、比較例３に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００６５】
（比較例４）
フタル酸ジオクチルを添加しない以外は実施例６と同様にして、比較例４に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００６６】
（比較例５）
フタル酸ジオクチルを添加しない以外は実施例７と同様にして、比較例５に係る紫外線硬化型のダイシングテープを作製した。
【００６７】
＜相溶性＞
実施例１〜７及び比較例２，３の作成の際に配合した各紫外線硬化型アクリル系粘着剤溶液について、フタル酸エステルの相溶性を目視にて評価した。１０時間経過後にも透明な状態を維持していたものを◎、７時間経過後に不透明であったものを○、３時間経過後に不透明であったものを△、１時間経過後に不透明であったものを×とした。その結果を表１及び表２に示す。
【００６８】
＜剥離力＞
（１）放射線硬化前剥離力
実施例１〜７および比較例１〜５で得られたダイシングテープについて、２３℃、５０％ＲＨの条件下で、＃２０００で研磨されたシリコンウエハのミラー面に貼付した。２３℃、５０％ＲＨの条件下で１時間経過後、粘着剤層を放射線硬化させる前の剥離力（対シリコンミラー面、剥離角度：９０°、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ、２３℃、５０％ＲＨ）を測定した。その結果を表１及び表２に示す。なお、各種剥離力はＪＩＳ  Ｚ  ０２３７に準拠して測定した。
【００６９】
（２）放射線硬化後剥離力
実施例１〜７および比較例１〜５で得られたダイシングテープについて、２３℃、５０％ＲＨの条件下で、＃２０００で研磨されたシリコンウエハのミラー面に貼付した。２３℃、５０％ＲＨの条件下で１時間経過後、ダイシングテープ裏面から紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ２で照射し、粘着剤層を放射線硬化させた後の剥離力（対シリコンミラー面、剥離角度：９０°、引張速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ及び１０００ｍｍ／ｍｉｎでそれぞれ、２３℃、５０％ＲＨ）を測定した。また、上記引張速度１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力（ｉｉ）の引張速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力（ｉ）に対する比（（ｉｉ）／（ｉ））をそれぞれ算出した。これらの結果を表１及び表２に示す。
【００７０】
＜ピックアップ性＞
実施例１〜７及び比較例１〜５で得られたダイシングテープについて、以下の手順に従って試験を行い、ピックアップ性について評価した。
【００７１】
（１）８インチのシリコンウエハの裏面を２軸にて３０μｍ研削後、シリコンウエハの最終厚みが５０ｕｍもしくは３００μｍとなるまで研削した。研磨条件は下記のとおりである。
（研磨条件）
グラインダー：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「ＤＦＧ−８４０」
１軸：＃６００砥石（回転数：４８００ｒｐｍ、ダウンスピード：Ｐ１：３．０μｍ／ｓｅｃ、Ｐ２：２．０μｍ／ｓｅｃ）
２軸：＃２０００砥石（回転数：５５００ｒｐｍ、ダウンスピード：Ｐ１：０．８μｍ／ｓｅｃ、Ｐ２：０．６μｍ／ｓｅｃ）
【００７２】
（２）（１）の研削終了後５分以内に、各例のダイシングテープを、前記（１）で得られた半導体ウエハの研削面に貼着すると共に、リングフレームに固定した。
【００７３】
（３）（２）でリングフレームに固定された半導体ウエハを、ダイシング装置を用いて、下記のダイシング条件で、設定した分割予定ラインに沿ってフルカットした。
（ダイシング条件１：シリコンウエハ３００ｕｍ厚）
ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「ＤＦＤ−３４０」
ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「２７ＨＥＥＥ」
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
ダイシング速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシング深さ：２５μｍ
カットモード：ダウンカット
ダイシングサイズ：５.０×５.０ｍｍ
（ダイシング条件２：シリコンウエハ５０ｕｍ厚）
ダイサー：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「ＤＦＤ−３４０」
ブレード：ＤＩＳＣＯ社製、商品名「２７ＨＥＣＣ」
ブレード回転数：４００００ｒｐｍ
ダイシング速度：１００ｍｍ／ｓｅｃ
ダイシング深さ：２５μｍ
カットモード：ダウンカット
ダイシングサイズ：１５.０×１０.０ｍｍ
【００７４】
（４）ダイシングテープを貼着してから７日間経過した後、ダイシングテープの基材樹脂フィルム側から、紫外線を２００ｍＪ／ｃｍ２で照射して粘着剤層を硬化させた後、個片化された半導体チップを、ダイスピッカー装置を用いて、ピックアップした。任意の半導体チップ５０個を、下記のピックアップ条件でピックアップし、チップ割れやチップ飛びが生じることなくピックアップが成功した半導体チップ数をカウントし、ピックアップ成功率を評価した。その結果を表１及び表２に示す。なお、ピックアップ成功率が９０％以上のものが合格と判定できる。
（ピックアップ条件１：シリコンウエハ３００ｕｍ厚）
ダイボンダー：キャノンマシナリー社製「ＣＡＰ−３００ＩＩ」
ピン数：４本
ピンの間隔：３．８×３．８ｍｍ
ピン先端曲率：０．２５ｍｍ
ピン突き上げ量：０．４０ｍｍ
ピン突き上げ速度：５０ｍｍ／ｍｉｎ
ピン突き上げ保持時間：１０００ｍｓ
（ピックアップ条件２：シリコンウエハ５０ｕｍ厚）
ダイボンダー：キャノンマシナリー社製「ＣＡＰ−３００ＩＩ」
ピン数：４本
ピンの間隔：７．８×７．８ｍｍ
ピン先端曲率：０．２５ｍｍ
ピン突き上げ量：０．４０ｍｍ
ピン突き上げ速度：８００ｍｍ／ｍｉｎ
ピン突き上げ保持時間：１００ｍｓ
【００７５】
＜ウエハ表面汚染性＞
上記ピックアップされたチップのダイシングテープと貼合されていた面をＸＰＳ（X-ray Photoelectron Spectroscopy、Ｘ線光電子分光分析）にて下記測定条件で測定し、ダイシングテープからの汚染物に由来する炭素の増加量を、ダイシングテープと貼合していないウエハと比較し、ｍｏｌ％として算出した。その結果を表１及び表２に示す。炭素の増加量が５ｍｏｌ％未満を優良品として◎、５〜１０ｍｏｌ％未満を良品として○、１０〜３０ｍｏｌ％未満を許容品として△ 、３０ｍｏｌ％以上を不良品として×で示した。 
（測定条件）
Ｘ線源：ＭｇＫα
Ｘ線：Ｔａｋｅ  ｏｆｆ  ａｎｇｌｅ４５°
測定面積：１．１ｍｍΦ
【００７６】
【表１】
2014082414.tif 000003
【００７７】
【表２】
2014082414.tif 000004
【００７８】
表１に示されるように、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力が、前記粘着剤層を放射線硬化させる前は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であり、前記粘着剤層を放射線硬化させた後は０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、前記粘着剤層を放射線硬化させた後の、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度における、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下である実施例１〜７のダイシングテープでは、ピックアップ性がピックアップ条件１，２ともに良好な結果となった。すなわち、薄型の半導体チップをチップ割れやチップ飛びを良好に抑制して、短時間で効率良くピックアップすることができた。
【００７９】
これに対して、表２に示されるように、上記（ｉｉ）／（ｉ）が１を超える比較例１，２，４，５のダイシングテープでは、ピックアップ条件１ではピックアップ性が良好な結果となったが、ヒップアップ条件２ではピックアップ性が悪い結果となった。すなわち、従来の厚さの半導体チップは問題なくピックアップできるものの、薄型の半導体チップは、早い突き上げ速度でピンを突き上げてピックアップを行うと粘着剤層と半導体チップとの間の剥離力が大きくなり、チップ割れが生じる結果となった。また、上記（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であるが、上記剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、粘着剤層を放射線硬化させる前の剥離力が０．５Ｎ／２５ｍｍ未満であり、粘着剤層を放射線硬化させた後の剥離力が０．０５Ｎ／２５ｍｍ未満である比較例３では、ピックアップ条件１，２ともにピックアップの際にチップ割れは生じないものの、ピックアップの際に隣接するチップが飛んでしまうチップ飛びが多く生じたため、ピックアップ性が悪い結果となった。
【００８０】
なお、フタル酸エステル類をアクリル重合体（Ａ）１００質量部に対して３０質量部より多く含む比較例３では、粘着剤との相溶性が悪く、添加量が０．５〜３０質量部である場合と比べて、ウエハ汚染性がやや劣る結果となった。また、フタル酸ジイソノニルを添加した実施例４では、他のフタル酸エステル類を添加した場合と比べて相溶性に劣る結果となったが、実使用上問題はなかった。水への溶解性が０．１ｍｇ／Ｌを超えるフタル酸ジブチルを添加した実施例５では、ダイシングの際の切削水にフタル酸ジブチルが溶解してウエハ表面汚染性が悪化したが、許容範囲であった。
【符号の説明】
【００８１】
１：ダイシングテープ
２：基材樹脂フィルム
３：粘着剤層
４：セパレータ
６：半導体ウエハ
１０：半導体チップ
【図１】
2014082414.tif 000005
【図２】
2014082414.tif 000006
【図３】
2014082414.tif 000007
【図４】
2014082414.tif 000008
【図５】
2014082414.tif 000009
【手続補正書】
【提出日】平成25年3月13日(2013.3.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材樹脂フィルムの少なくとも片側に放射線硬化性の粘着剤層を有し、前記粘着剤層にウエハを貼合して前記ウエハをダイシングするダイシングテープであって、
前記粘着剤層は、アクリル重合体、酢酸ビニル重合体および炭素―炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーからなる群より選ばれる１種または２種以上のポリマー１００質量部に対し、フタル酸エステル類を０．５〜３０質量部含み、
２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力が、前記粘着剤層を放射線硬化させる前は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であり、前記粘着剤層を放射線硬化させた後は０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、
かつ、前記粘着剤層を放射線硬化させた後の、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度における、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であることを特徴とするダイシングテープ。
【請求項２】
前記フタル酸エステル類の水への溶解度が、０．１ｍｇ／Ｌ以下であることを特徴とする請求項１に記載のダイシングテープ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
すなわち、本願発明によるダイシングテープは、基材樹脂フィルムの少なくとも片側に放射線硬化性の粘着剤層を有し、前記粘着剤層にウエハを貼合して前記ウエハをダイシングするダイシングテープであって、前記粘着剤層は、アクリル重合体、酢酸ビニル重合体および炭素―炭素二重結合を有するアクリル系ポリマーからなる群より選ばれる１種または２種以上のポリマー１００質量部に対し、フタル酸エステル類を０．５〜３０質量部含み、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎにおける、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力が、前記粘着剤層を放射線硬化させる前は０．５Ｎ／２５ｍｍ以上であり、前記粘着剤層を放射線硬化させた後は０．０５〜０．４Ｎ／２５ｍｍであり、かつ、前記粘着剤層を放射線硬化させた後の、２３℃、５０％ＲＨの条件下、剥離角度９０度における、＃２０００で研磨されたシリコンミラーウエハとの剥離力について、剥離速度５０ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉ）、１０００ｍｍ／ｍｉｎでの剥離力を（ｉｉ）としたとき、（ｉｉ）／（ｉ）が１以下であることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】