【手続補正書】
【提出日】令和3年2月19日(2021.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電圧制御された発振器であって、
外部生成された周波数制御信号を受信するように構成された周波数制御入力と、
前記外部生成された周波数制御信号を非線形化することにより前記外部生成された周波数制御信号の非線形関数として生成される信号を含む、内部生成された周波数制御信号を生成するように構成されたアナログ電子回路とを備え、
前記関数が、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含み、
前記実質的により大きい勾配領域の水平位置、前記実質的により大きい勾配領域の勾配値、及び前記実質的により大きい勾配領域にわたる関数値変化度合いのいずれか１つ以上が、電気的に調節可能である、電圧制御された発振器。
【請求項２】
前記内部生成された周波数制御信号が、前記外部生成された周波数制御信号を非線形化することにより前記外部生成された周波数制御信号の非線形関数として生成される２つ以上の信号の組み合わせを含み、
前記非線形関数のうちの少なくとも１つが、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含み、
前記実質的により大きい勾配領域の水平位置、前記実質的により大きい勾配領域の勾配値、及び前記実質的により大きい勾配領域にわたる関数値変化度合いのいずれか１つ以上が、電気的に調節可能である、請求項１に記載の電圧制御された発振器。
【請求項３】
前記非線形関数が、シグモイド関数を含む、請求項１または請求項２に記載の電圧制御された発振器。
【請求項４】
前記シグモイド関数が、双曲線正接（Ｔａｎｈ）関数を含む、請求項３に記載の電圧制御された発振器。
【請求項５】
前記シグモイド関数が、逆正接（ａｒｃｔａｎ）関数を含む、請求項３に記載の電圧制御された発振器。
【請求項６】
前記外部生成された周波数制御信号の前記関数のうちの２つ以上が、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含む、請求項２に記載の電圧制御された発振器。
【請求項７】
前記関数のうちの２つ以上が、シグモイド関数を含む、請求項６に記載の電圧制御された発振器。
【請求項８】
電圧制御された発振器を構築するために好適な集積回路であって、
外部生成された周波数制御信号を受信するように構成された周波数制御入力と、
前記外部生成された周波数制御信号を非線形化することにより前記外部生成された周波数制御信号の非線形関数として生成される信号を含む、内部生成された周波数制御信号を生成するように構成されたアナログ電子回路とを備え、
前記関数が、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含み、
前記実質的により大きい勾配領域の水平位置、前記実質的により大きい勾配領域の勾配値、及び前記実質的により大きい勾配領域にわたる関数値変化度合いのいずれか１つ以上が、電気的に調節可能である、集積回路。
【請求項９】
前記内部生成された周波数制御信号が、前記外部生成された周波数制御信号を非線形化することにより前記外部生成された周波数制御信号の非線形関数として生成される２つ以上の信号の組み合わせを含み、
前記非線形関数のうちの少なくとも１つが、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含み、
前記実質的により大きい勾配領域の水平位置、前記実質的により大きい勾配領域の勾配値、及び前記実質的により大きい勾配領域にわたる関数値変化度合いのいずれか１つ以上が、電気的に調節可能である、請求項８に記載の集積回路。
【請求項１０】
前記非線形関数が、シグモイド関数を含む、請求項８または請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
前記シグモイド関数が、双曲線正接（Ｔａｎｈ）関数を含む、請求項１０に記載の集積回路。
【請求項１２】
前記シグモイド関数が、逆正接（ａｒｃｔａｎ）関数を含む、請求項１０に記載の集積回路。
【請求項１３】
前記外部生成された周波数制御信号の前記非線形関数のうちの２つ以上が、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含む、請求項９に記載の集積回路。
【請求項１４】
前記関数のうちの２つ以上が、シグモイド関数を含む、請求項１３に記載の集積回路。
【請求項１５】
電圧制御された発振器を製造する方法であって、
前記発信器の各々は、外部生成された周波数制御信号を受信するように構成された周波数制御入力を備え、
前記発信器の各々は、前記発信器の出力周波数を前記外部生成された周波数制御信号に関連付ける有効伝達関数と、前記発信器で内部生成された周波数制御信号を受信するように構成された電圧制御された発振回路とによって特徴付けられ、
前記電圧制御された発振回路は、前記電圧制御された発振回路の出力周波数を前記内部生成された周波数制御信号に関連付ける伝達関数と、前記外部生成された周波数制御信号の非線形関数として少なくとも１つの信号を含む、前記内部生成された周波数制御信号を生成するように構成されたアナログ電子回路とによって特徴付けられ、
前記方法は、
−各々の発振器について、前記電圧制御された発振回路の伝達関数を特徴付けるステップと、
−各々の発振器および各々の前記少なくとも１つの信号について、前記実質的により大きい勾配領域の水平位置、前記実質的により大きい勾配領域の勾配値、及び前記実質的により大きい勾配領域にわたる関数値変化度合いのうちのいずれか１つ以上を個々に調節して、前記有効伝達関数を修正するステップと、を含む、方法。
【請求項１６】
電圧制御された発振器であって、
外部生成された周波数制御信号を受信するように構成された周波数制御入力と、
前記外部生成された周波数制御信号を非線形化することにより前記外部生成された周波数制御信号の非線形関数として生成される信号を含む、内部生成された周波数制御信号を生成するように構成されたアナログ電子回路とを備え、
前記関数が、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含み、前記実質的により大きい勾配領域の水平位置、前記実質的により大きい勾配領域の勾配値、及び前記実質的により大きい勾配領域にわたる関数値変化度合いが、電気的に調節可能である、電圧制御された発振器。
【請求項１７】
前記内部生成された周波数制御信号が、前記外部生成された周波数制御信号を非線形化することにより前記外部生成された周波数制御信号の非線形関数として生成される２つ以上の信号の組み合わせを含み、
前記非線形関数のうちの少なくとも１つが、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含み、
前記実質的により大きい勾配領域の水平位置、前記実質的により大きい勾配領域の勾配値、及び前記実質的により大きい勾配領域にわたる関数値変化度合いが、電気的に調節可能である、請求項１６に記載の電圧制御された発振器。
【請求項１８】
前記非線形関数が、シグモイド関数を含む、請求項１６または請求項１７に記載の電圧制御された発振器。
【請求項１９】
前記シグモイド関数が、双曲線正接（Ｔａｎｈ）関数を含む、請求項１８に記載の電圧制御された発振器。
【請求項２０】
前記シグモイド関数が、逆正接（ａｒｃｔａｎ）関数を含む、請求項１８に記載の電圧制御された発振器。
【請求項２１】
前記外部生成された周波数制御信号の前記関数のうちの２つ以上が、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含む、請求項１７に記載の電圧制御された発振器。
【請求項２２】
前記関数のうちの２つ以上が、シグモイド関数を含む、請求項２１に記載の電圧制御された発振器。
【請求項２３】
電圧制御された発振器を構築するために好適な集積回路であって、
外部生成された周波数制御信号を受信するように構成された周波数制御入力と、
前記外部生成された周波数制御信号を非線形化することにより前記外部生成された周波数制御信号の非線形関数として生成される信号を含む、内部生成された周波数制御信号を生成するように構成されたアナログ電子回路とを備え、
前記関数が、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含み、
前記実質的により大きい勾配領域の水平位置、前記実質的により大きい勾配領域の勾配値、及び前記実質的により大きい勾配領域にわたる関数値変化度合いが、電気的に調節可能である、集積回路。
【請求項２４】
前記内部生成された周波数制御信号が、前記外部生成された周波数制御信号を非線形化することにより前記外部生成された周波数制御信号の非線形関数として生成される２つ以上の信号の組み合わせを含み、
前記非線形関数のうちの少なくとも１つが、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含み、
前記実質的により大きい勾配領域の水平位置、前記実質的により大きい勾配領域の勾配値、及び前記実質的により大きい勾配領域にわたる関数値変化度合いが、電気的に調節可能である、請求項８に記載の集積回路。
【請求項２５】
前記非線形関数が、シグモイド関数を含む、請求項２３または請求項２４に記載の集積回路。
【請求項２６】
前記シグモイド関数が、双曲線正接（Ｔａｎｈ）関数を含む、請求項２５に記載の集積回路。
【請求項２７】
前記シグモイド関数が、逆正接（ａｒｃｔａｎ）関数を含む、請求項２５に記載の集積回路。
【請求項２８】
前記外部生成された周波数制御信号の前記非線形関数のうちの２つ以上が、プラトー領域、及び連続的にかつ滑らかに接続された実質的により大きい勾配領域を含む、請求項２４に記載の集積回路。
【請求項２９】
前記関数のうちの２つ以上が、シグモイド関数を含む、請求項２８に記載の集積回路。
【請求項３０】
電圧制御された発振器を製造する方法であって、
前記発信器の各々は、外部生成された周波数制御信号を受信するように構成された周波数制御入力を備え、
前記発信器の各々は、前記発信器の出力周波数を前記外部生成された周波数制御信号に関連付ける有効伝達関数と、前記発信器で内部生成された周波数制御信号を受信するように構成された電圧制御された発振回路とによって特徴付けられ、
前記電圧制御された発振回路は、前記電圧制御された発振回路の出力周波数を前記内部生成された周波数制御信号に関連付ける伝達関数と、前記外部生成された周波数制御信号の非線形関数として少なくとも１つの信号を含む、前記内部生成された周波数制御信号を生成するように構成されたアナログ電子回路とによって特徴付けられ、
前記方法は、
−各々の発振器について、前記電圧制御された発振回路の伝達関数を特徴付けるステップと、
−各々の発振器および各々の前記少なくとも１つの信号について、前記実質的により大きい勾配領域の水平位置、前記実質的により大きい勾配領域の勾配値、及び前記実質的により大きい勾配領域にわたる関数値変化度合いのうちのいずれか１つ以上を個々に調節して、前記有効伝達関数の非線形性を低減させるステップと、を含む、方法。
【請求項３１】
請求項１〜７および１６〜２２のいずれか１項に記載の電圧制御された発振器を備える、電子機器。