(57)【要約】【課題】硫酸と過酸化水素水の混合液を用いたフォトマスク用ガラス基板の洗浄方法であって、混合液による洗浄後の残留硫酸を速やかに除去できるフォトマスク用ガラス基板の洗浄方法の提供。【解決手段】フォトマスク用ガラス基板の主面を洗浄する方法であって、濃度が９０質量％以上の硫酸と、濃度が２０質量％以上の過酸化水素水と、を、硫酸に対する過酸化水素水の体積比（過酸化水素水／硫酸）で１以下となるように配合した混合液を洗浄液として、ガラス基板の主面を洗浄する第１工程、濃度が５質量％以上の過酸化水素水を用いて、前記ガラス基板の主面をリンスする第２工程、および、純水または超純水を用いて、前記ガラス基板の主面をリンスする第３工程、をこの順に実施することを特徴とする、洗浄方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
フォトマスク用ガラス基板の主面を洗浄する方法であって、
９０質量％以上の濃度の硫酸と、２０質量％以上の濃度の過酸化水素水と、を、硫酸に対する過酸化水素水の体積比（過酸化水素水／硫酸）で１以下となるように配合した混合液を洗浄液として、ガラス基板の主面を洗浄する第１工程、
５質量％以上の濃度の過酸化水素水を用いて、前記ガラス基板の主面をリンスする第２工程、および、
純水または超純水を用いて、前記ガラス基板の主面をリンスする第３工程、をこの順に実施することを特徴とする、洗浄方法。
【請求項２】
前記第１工程において、温度が８０℃以上の硫酸を用いる、請求項１に記載の洗浄方法。
【請求項３】
前記第１工程を実施する前に、前記ガラス基板の主面に対して紫外線（ＵＶ）照射を行う、請求項１または２に記載の洗浄方法。
【請求項４】
前記第１工程を実施する前に、超音波を印加した純水または超純水を洗浄液として、ガラス基板の主面を洗浄する第４工程を実施する、請求項１〜３のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項５】
前記第２工程と、前記第３工程と、の間に、アンモニアと、過酸化水素水と、混合液を洗浄液として、ガラス基板の主面を洗浄する第５工程を実施する、請求項１〜４のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項６】
研磨パッドと研磨スラリーとを用いて機械研磨した後のガラス基板の主面に対して適用する、請求項１〜５のいずれかに記載の洗浄方法。
【請求項７】
軸中心で回転可能な状態で被洗浄物を支持し、該被洗浄物を軸中心で回転しながら該被洗浄物の被洗浄面に対し、洗浄液を洗浄ノズルから噴射する枚葉式洗浄装置を用いる、請求項１〜６いずれかに記載の洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスク用ガラス基板の洗浄方法に関する。より具体的には、線幅がより微細なパターンの形成に用いられるフォトマスク用ガラス基板の洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体製造工程においては、ウェハ上に微細な回路パターンを転写して集積回路を製造するための露光装置が広く使用されている。近年、半導体集積回路の高集積化、高機能化に伴い、集積回路の微細化が進み、回路パターンをウェハ面上に正確に結像させるために、露光装置のフォトマスクに使用されるガラス基板（フォトマスク用ガラス基板）には高度の平坦性と平滑性が求められている。
このため、フォトマスク用ガラス基板の主面は、その表面が所望の平坦度および表面粗さとなるように、たとえば研磨パッドと研磨スラリーとを用いて機械研磨される。
【０００３】
機械研磨の実施後、フォトマスク用ガラス基板の主面を、高い清浄度となるように洗浄する。フォトマスクの洗浄には、硫酸と過酸化水素水との混合液が広く用いられている（特許文献１参照）。フォトマスク用ガラス基板の洗浄にもこの混合液が用いられている。
【０００４】
特許文献１に記載のフォトマスクの洗浄工程では、ステップ１として、フォトマスク表面に存在するレジスト、溶剤残等の有機物を分解し、また、金属不純物を除去するために高温の硫酸と過酸化水素水の混合液を用いた洗浄をする。次に、ステップ２として、フォトマスク表面に残留する硫酸等の薬液の残留を除去するために高温の純水によるリンス（濯ぎ）を行う。さらに、付着した異物を除去する工程が続く。
フォトマスク用基板の洗浄の場合、ステップ１により、研磨後に基板表面に、微小パーティクルとして存在する有機物や無機物を除去できる。
【０００５】
フォトマスクの洗浄においては、ステップ１の実施後、ステップ２の洗浄が不十分であると、フォトマスク表面に残留した硫酸により、フォトマスクの表面にくもりが発生することが問題となっていた。すなわち、フォトマスク表面にこのようなくもりが発生するとフォトマスク上のパターンのない部分（ウェハに転写する時に光が透過する部分）の透過率が下がり、ウェハ上にパターン形成されたレジストの寸法に変動が生じ、集積回路（ＬＳＩ）内の配線の断線等を引き起こし、ＬＳＩ自体の特性を悪化させる。
そこで、ステップ２として、フォトマスク表面に残留する硫酸等の薬液の残留を除去するために高温の純水によるリンス（濯ぎ）を行うものである。なお、このくもりは、フォトマスク表面に残留した硫酸が、空気中のアンモニアと反応して生じた塩が析出したものである。以下、本明細書において、この塩のことを残留硫酸に起因する塩という。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３９２０４２９号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
しかし、特許文献１記載のフォトマスクの洗浄においては、ステップ１の実施後の硫酸の残留を防ぐために、大量の純水でリンスするか純水を加温した温純水でのリンスを行う必要があり、大量の純水の消費や純水を加温するための電気エネルギーを消費していた。
また、微細なパターンの形成に用いられるフォトマスク用ガラス基板の場合、残留硫酸に起因する塩が基板表面に析出すると、該基板を用いて作製されるフォトマスクに欠点を生じさせるので問題となる。なお、このような欠点は、くもりの発生には到らないような、残留硫酸に起因する塩の比較的軽微な析出でも問題となるため、より重要であるが、純水や温純水でのリンスでは不十分な場合があった。
【０００８】
本発明は、上記した従来技術の問題点を解決するため、硫酸と過酸化水素水の混合液を用いたフォトマスク用ガラス基板の洗浄方法であって、混合液による洗浄後の残留硫酸を速やかに除去できるフォトマスク用ガラス基板の洗浄方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記した目的を達成するため、本発明は、フォトマスク用ガラス基板の主面を洗浄する方法であって、
９０質量％以上の濃度の硫酸と、２０質量以上の濃度の過酸化水素水と、を、硫酸に対する過酸化水素水の体積比（過酸化水素水／硫酸）で１以下となるように配合した混合液を洗浄液として、ガラス基板の主面を洗浄する第１工程、
５質量％以上の濃度の過酸化水素水を用いて、前記ガラス基板の主面をリンスする第２工程、および、
純水または超純水を用いて、前記ガラス基板の主面をリンスする第３工程、をこの順に実施することを特徴とする、洗浄方法を提供する。
【００１０】
本発明の洗浄方法において、前記第１工程では、温度が８０℃以上の硫酸を用いることが好ましい。
【００１１】
本発明の洗浄方法は、前記第１工程を実施する前に、前記ガラス基板の主面に対して紫外線（ＵＶ）照射を行ってもよい。
【００１２】
本発明の洗浄方法において、前記第１工程を実施する前に、超音波を印加した純水または超純水を洗浄液として、ガラス基板の主面を洗浄する第４工程を実施してもよい。
【００１３】
本発明の洗浄方法において、前記第２工程と、前記第３工程と、の間に、アンモニアと、過酸化水素水と、の混合液を洗浄液として、ガラス基板の主面を洗浄する第５工程を実施してもよい。
【００１４】
本発明の洗浄方法は、研磨パッドと研磨スラリーとを用いて機械研磨した後のガラス基板の主面に対して適用することが好ましい。
【００１５】
本発明の洗浄方法は、軸中心で回転可能な状態で被洗浄物を支持し、該被洗浄物を軸中心で回転しながら、該被洗浄物の被洗浄面に対し、洗浄液を洗浄ノズルから噴射する枚葉式洗浄装置を用いることが好ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、硫酸と過酸化水素水の混合液による洗浄後の残留硫酸を速やかに除去できる。この結果、洗浄後のガラス基板の主面に、残留硫酸に起因する塩が析出することがない。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１は、本発明の洗浄方法に用いる洗浄装置として、枚葉式超音波洗浄装置の一構成例を示した模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明の洗浄方法は、パターンの形成に用いられるフォトマスク用ガラス基板を洗浄する方法である。以下、本明細書において、フォトマスク用ガラス基板といった場合、上述したパターン形成に用いられるものを指す。フォトマスクの利用用途に応じて一意に定められるものではないが、波長１９３ｎｍの光を使用したリソグラフィ技術に用いられるフォトマスク用ガラス基板や、Ｘ線領域または真空紫外域の波長帯のＥＵＶ光を使用したリソグラフィ技術（すなわち、ＥＵＶＬ技術）に用いられる反射光学系のフォトマスク用ガラス基板やナノインプリント技術を利用したフォトマスク用ガラス基板により適する。
以下、図面を参照して本発明の洗浄方法を説明する。
【００１９】
本発明の洗浄方法では、被洗浄物であるフォトマスク用ガラス基板の主面を洗浄する。ここで、フォトマスク用ガラス基板の主面とは使用時に基板として機能する面を指し、具体的には端面を除く表裏面である。なお、洗浄方法としては、下記に詳述する枚葉式洗浄装置を用いる洗浄方法に限らず、リンス液への浸漬をともなうバッチ式洗浄装置を用いる洗浄方法なども適用し得る。
【００２０】
本発明におけるフォトマスク用ガラス基板は、その主面が平滑性、平坦度に優れていることが求められる。上述した反射光学系のフォトマスク用ガラス基板、および、ナノインプリント技術を利用したフォトマスク用ガラス基板の場合、その主面が表面粗さ（ｒｍｓ）０．１５ｎｍ以下の平滑性と、５００ｎｍ以下の平坦度を有していることが求められる。上記表面粗さおよび平坦度を達成するため、フォトマスク用ガラス基板の主面には研磨処理、たとえば、研磨パッドと研磨スラリーを用いた機械研磨が施される。
なお、本発明の基板洗浄方法は、表面粗さおよび平坦度が上記を満たすように研磨処理されたフォトマスク用ガラス基板の主面を洗浄する目的で主として用いられる。なお、「主として用いられる」としているのは、研磨処理後、ただちにフォトマスク用ガラス基板の主面を洗浄する場合に加えて、研磨処理後のガラス基板に対して、フォトマスクを作製する際に必要となる各種処理を実施した後、必要に応じてガラス基板を洗浄する際に、本発明の基板洗浄方法を適用することも可能だからである。このような各種処理としては、たとえば、反射光学系フォトマスクの作製時に、ガラス基板に裏面導電膜を成膜する処理が挙げられる。この場合、裏面導電膜を成膜した後、ガラス基板の成膜面（フォトマスクの微細パターンが形成される側の面）を洗浄することになる。
【００２１】
図１は、本発明の基板洗浄方法に用いる洗浄装置として、枚葉式洗浄装置の一構成例を示した模式図である。
図１に示す枚葉式洗浄装置１０は、被洗浄物であるフォトマスク用ガラス基板１００を支持する基板支持機構１１、該基板支持機構１１に支持した被洗浄物（フォトマスク用ガラス基板１００）を軸中心で回転させる自転機構１２、基板支持機構１１に支持した被洗浄物（フォトマスク用ガラス基板１００）の被洗浄面１１０に洗浄液を噴射する洗浄ノズル１３、および、該洗浄ノズル１３を支持するノズル支持機構１４を有している。
図１に示す枚葉式洗浄装置１０では、洗浄ノズル１３として、円錐台形状のノズルが示されている。この形状の洗浄ノズルを、以下、本明細書において、「ジェットノズル」と言う。ジェットノズルは、洗浄液の噴射圧が高いため、洗浄力が大きくなるので好ましい。但し、ジェットノズルは洗浄面積が小さいので、洗浄液を被洗浄面全面に噴射する場合は、被洗浄面上でノズルを走査させる必要がある。ノズル支持機構１４は、洗浄ノズル１３を図中矢印方向に走査するノズル走査機構としても機能する。
【００２２】
本発明の基板洗浄方法に用いる枚葉式洗浄装置は、軸中心で回転可能な状態で被洗浄物を支持し、該被洗浄物を軸中心で回転しながら、該被洗浄物の被洗浄面に対し、洗浄液を洗浄ノズルから噴射する構成であればよく、図示した装置に限定されない。
また、上述したように、本発明の基板洗浄方法に用いる洗浄装置は、枚葉式洗浄装置に限らず、リンス液への浸漬をともなうバッチ式洗浄装置なども適用し得る。
【００２３】
本発明の基板洗浄方法の第１工程では、９０質量％以上の濃度の硫酸と、２０質量％以上の濃度の過酸化水素水と、を、硫酸に対する過酸化水素水の体積比（過酸化水素水／硫酸）で１以下となるように配合した混合液を洗浄液として使用する。すなわち、該混合液を洗浄ノズル１３からフォトマスク用ガラス基板１００の主面１１０に噴射して、該主面１１０を洗浄する。
上述したように、本発明の基板洗浄方法は、表面粗さおよび平坦度が上記した数値を満たすように研磨処理されたフォトマスク用ガラス基板の主面を洗浄する目的で主として用いられる。この場合、ガラス基板の主面には、研磨処理によって生じた有機物や無機物が微小パーティクルとして存在しているが、上述した硫酸と過酸化水素水の混合液を用いて洗浄することで容易に除去できる。これは、下記反応式（１）によって生じるカロ酸（ペルオキソ一硫酸、Ｈ2ＳＯ5）が強力な酸化剤であるため、微小パーティクルとして存在する有機物および無機物が分解されるからである。
Ｈ2ＳＯ4  ＋  Ｈ2Ｏ2  ⇔  Ｈ2ＳＯ5  ＋  Ｈ2Ｏ  （１）
但し、上記の反応が進行させるためには、混合液に用いる硫酸および過酸化水素水は、高濃度であることが求められる。このため、９０質量％以上の濃度の硫酸、および、２０質量％以上の濃度の過酸化水素水を用いる。
混合液に用いる硫酸の濃度は、９５質量％以上がより好ましい。
混合液に用いる過酸化水素水の濃度は、３０質量％以上がより好ましい。
混合液における硫酸に対する過酸化水素水の体積比（過酸化水素水／硫酸）は、１以下が好ましく、０．７以下がより好ましい。
なお、上述した、所定の濃度の硫酸と過酸化水素水とを所定の割合で配合した混合液を用いた洗浄作用は、枚葉式洗浄装置を用いることにより、該混合液を噴射ノズル１３からガラス基板１００の主面１１０に噴射する本発明の基板洗浄方法においてとくに好ましく発揮されるものである。しかし、枚葉式洗浄装置に限らず、該混合液への浸漬をともなうバッチ式洗浄装置においても、上述した混合液を用いることによって、上述した洗浄作用が発揮される。
【００２４】
上記の反応で生成するカロ酸（Ｈ2ＳＯ5）の融点は４５℃と比較的高い。噴射ノズル１３から混合液を供給した後、ガラス基板上でカロ酸が固化すると、洗浄作用を発揮できなくなる。
上記の反応は発熱反応であるため、それによる温度上昇もあるが、混合液の供給温度は、カロ酸の融点より高くすることが好ましい。また、上記した濃度の硫酸は、粘性が非常に高いため、十分な流動性を得るためには、供給温度を高くすることが好ましい。これらの理由から、混合液のうち、硫酸の供給温度は８０℃以上が好ましい。なお、混合液のうち、硫酸の供給温度のみを規定しているのは、混合液の温度は、高温の硫酸を用いること、および、上記の発熱反応により上昇するため、粘性が低く、その流動性が問題とならない過酸化水素水を高温で供給する必要がないからである。
なお、枚葉式洗浄装置に限らず、バッチ式洗浄装置においても、混合液中のカロ酸が固化すると洗浄作用が発揮できなくなるおそれがある。また、混合液の流動性が低いと洗浄作用が発揮できなくなるおそれがある。そのため、バッチ式洗浄装置においても上記理由と同様に、浸漬させるべき混合液の温度が８０℃以上となるように管理されていることが好ましい。したがって、バッチ式洗浄装置の場合は、混合液の温度が８０℃以上となるように、加温する機構が備わっていることが好ましい。例えば、薬液の汚染を低減するためにフィルターを通過させて循環させる過程にラインヒーターを備え、このラインヒーターにより加温する機構が備わっていてもよい。
【００２５】
本発明の基板洗浄方法の第２工程では、５質量％以上の濃度の過酸化水素水を用いて、ガラス基板の主面をリンスする。該過酸化水素水を洗浄ノズル１３からフォトマスク用ガラス基板１００の主面１１０に噴射して、該主面１１０をリンスする。
上述したように、硫酸と過酸化水素水との混合液による洗浄後、フォトマスク用ガラス基板の主面に硫酸が残留していると、残留硫酸が空気中のアンモニアと反応して生じた塩がガラス基板の主面に析出し、該ガラス基板を用いて作製されるフォトマスクに欠点を生じさせる。このため、ガラス基板表面に残留する硫酸を除去する必要がある。
本願出願人は、５質量％以上の濃度の過酸化水素水を用いて、ガラス基板の主面をリンスすることにより、ガラス基板表面に残留する硫酸を容易に除去できることを見出した。この理由について、本願出願人は、以下のように推測する。
上記反応式（１）は平衡反応であるため、硫酸と過酸化水素水との混合液による洗浄後のガラス基板の主面には、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）、カロ酸（Ｈ2ＳＯ5）、および、水（Ｈ2Ｏ）が残留することになる。但し、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）については、下記反応式（２）によって、水（Ｈ2Ｏ）と酸素（Ｏ2）に分解されるため、反応式（１）の平衡は左側に移動する。
２Ｈ2Ｏ2  ⇔  Ｈ2Ｏ  ＋  Ｏ2↑  （２）
反応式（１）の平衡が左側に移動すると、硫酸（Ｈ2ＳＯ4）が増加するため、ガラス基板の主面に残留する液体の粘性が上昇する。これが、ガラス基板の主面に残留する硫酸の除去が困難である理由と推測する。従来の方法のように、純水を用いてリンスした場合、反応式（１）の平衡が左側に移動するため、この問題は解消されない。
これに対し、過酸化水素水を用いて、ガラス基板の主面をリンスすると、反応式（１）の平衡が右側に移動するため、カロ酸（Ｈ2ＳＯ5）が増加する。生成したカロ酸（Ｈ2ＳＯ5）は、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）と錯イオンを形成するため、リンスにより容易に除去できる。但し、リンスに使用する過酸化水素水の濃度が低いと、過酸化水素水に含まれる水（Ｈ2Ｏ）の影響で、反応式（１）の平衡はむしろ左側に移動する。このため、５質量％以上の高濃度の過酸化水素水を用いる必要がある。
なお、上述した過酸化水素水を用いたリンスによる作用は、枚葉式洗浄装置を用いることにより、高濃度の過酸化水素水を噴射ノズル１３からガラス基板１００の主面１１０に噴射する本発明の基板洗浄方法においてとくに好ましく発揮されるものである。しかし、枚葉式洗浄装置に限らず、リンス液への浸漬をともなうバッチ式洗浄装置においても、リンス液として５質量％以上の高濃度の過酸化水素水を用いることによって、ガラス基板表面に残留する硫酸を除去する効果が発揮される。
なお、カロ酸（Ｈ2ＳＯ5）と、過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）と、の錯イオンは、過酸化水素水に対する溶解度が高いため、第２工程のリンスに使用する過酸化水素水（Ｈ2Ｏ2）は常温で供給することができる。
第２工程に用いる過酸化水素水の濃度は、１０質量％以上が好ましく、２０質量％以上がより好ましく、３０質量％以上がさらに好ましい。
【００２６】
本発明の基板洗浄方法の第３工程では、純水または超純水を用いて、ガラス基板の主面をリンスする。該純水または超純水を洗浄ノズル１３からフォトマスク用ガラス基板１００の主面１１０に噴射して、該主面１１０をリンスすることにより、第２工程で使用した過酸化水素水を除去する。
第３工程では除去する対象が、第２工程で使用した過酸化水素水であるため、第３工程のリンスに使用する純水または超純水は常温で供給すればよい。
なお、上述した純水または超純水を用いたリンスによる作用は、枚葉式洗浄装置を用いることにより、純水または超純水を噴射ノズル１３からガラス基板１００の主面１１０に噴射する本発明の基板洗浄方法においてとくに好ましく発揮されるものである。しかし、枚葉式洗浄装置に限らず、リンス液への浸漬をともなうバッチ式洗浄装置においても、リンス液として純水または超純水を用いることによって、第２工程で使用した過酸化水素水を除去する効果が発揮される。
【００２７】
本発明の基板洗浄方法では、上述した第１工程〜第３工程以外に、以下に述べる工程を必要に応じて実施する。
【００２８】
上述したように、本発明の基板洗浄方法は、表面粗さおよび平坦度が上記した数値を満たすように、研磨処理されたフォトマスク用ガラス基板の主面を洗浄する目的で主として用いられる。この研磨処理としては、研磨パッドと研磨スラリーとを用いた機械研磨が適用される。機械研磨実施後のガラス基板の主面には研磨スラリーが残留している場合がある。この研磨スラリーを除去する目的で、本発明の第１工程を実施する前に、超音波を印加した純水を洗浄液として、ガラス基板の主面を洗浄する第４工程を実施してもよい。
本発明の基板洗浄方法において、この第４工程を実施するためには、例えば、図１に示す枚葉式洗浄装置の洗浄ノズル１３内、または、該洗浄ノズル１３に洗浄液を供給する機構に、洗浄液に超音波を印加する超音波発生機構が設けておき、予め超音波を印加した純水または超純水を洗浄ノズル１３から噴射すればよい。バッチ式洗浄装置を使用する場合は、純水または超純水にガラス基板を浸漬させた状態で、該バッチ式洗浄装置に設けられた超音波発生装置から超音波を印加すればよい。
ここで、純水または超純水に印加する超音波の周波数や出力については、必要に応じて適宜選択すればよい。
第４工程で使用する純水または超純水は常温で供給すればよい。
【００２９】
また、ガラス基板の主面に存在する有機物を分解する目的で、本発明の第１工程を実施する前に、ガラス基板の主面に対して紫外線（ＵＶ）照射を行ってもよい。ここで、ＵＶ照射条件は、必要に応じて適宜選択すればよい。
上述した本発明の第４工程を実施する場合、ガラス基板の主面に対してＵＶ照射を実施してから、本発明の第４工程を実施することが好ましい。
【００３０】
また、本発明の基板洗浄方法では、第２工程と、第３工程と、の間に、アンモニアと、過酸化水素水と、の混合液を洗浄液として、ガラス基板の主面を洗浄する第５工程を実施してもよい。この洗浄液はＳＣ−１と呼ばれ、フォトマスクの洗浄に広く用いられており、パーティクルを除去する作用がある。本発明の基板洗浄方法において、第２工程実施後のガラス基板の主面にパーティクルが残留している場合は、第５工程を実施してこのパーティクルを除去する。
【実施例】
【００３１】
以下、実施例により本発明を詳述するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
火炎加水分解法で製造されたＴｉＯ2を７質量％含有する合成石英ガラス（ＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス）のインゴットを、縦１５３ｍｍ×横１５３ｍｍ×厚さ６．７５ｍｍの板状に内周刃スライサーを用いて切断し、６０枚の合成石英ガラス（ＳｉＯ2−ＴｉＯ2ガラス）の板材試料（以下、「試料基板」という）を作製した。さらに、これら試料基板を市販のダイアモンド砥石を用い、縦、横の外形寸法が１５２ｍｍ、面取り幅が０．２〜０．４ｍｍになるよう面取り加工した。
次に、この試料基板を両面ラップ機（スピードファム社製）を使用して厚さが６．５１ｍｍになるまでその主表面を研磨したあと、両面ポリッシュ機（スピードファム社製）を使用して表面粗さ（ｒｍｓ）が約０．８ｎｍになるように予備研磨した。試料基板の外周も研磨して端面を表面粗さ（Ｒａ）０．０５μｍに鏡面加工した。
次いで、予備研磨した試料基板を仕上げ研磨した。使用した研磨スラリーは、平均一次粒子径１０〜２０ｎｍのコロイダルシリカを純水に２０質量％含有させた研磨スラリーに、硝酸を添加しｐＨを２に調整して用いた。また、研磨パッドはスウェード系パッドを使用し、試料基材の仕上げ研磨に先がけて電着ダイヤでドレッシング加工したものを用いた。
上記条件で試料基板を仕上げ研磨したあと、試料基板を乾燥させることなく、図１に示す枚葉式洗浄装置を用いて、以下の手順１〜５で洗浄を実施した。
手順１：超音波を印加した洗浄液（超純水）を用いた洗浄
手順２：硫酸（９６質量％、８０℃）と過酸化水素水（３０質量％）の混合液（過酸化水素水／硫酸＝４）を用いた洗浄
手順３：リンス工程
【表１】
2014224981.tif 000002
手順４：アンモニアと過酸化水素水の混合液を用いた洗浄
手順５：超純水によるリンス工程
洗浄後の試料基板をクリーンルーム内にて２週間放置し、高輝度光源下で試料基板にくもりが発生するかを観察した。結果を下記表に示す。表中、くもりが発生しなかった場合を○とし、くもりが発生した場合を×とした。
【表２】
2014224981.tif 000003
表から明らかなように、比較例では、２週間の放置期間中に、試料基板にくもりが発生したのに対して、実施例では２週間放置後にくもりの発生が観察されなかった。
【符号の説明】
【００３２】
１０：枚葉式洗浄装置
１１：基板支持部
１２：自転機構
１３：洗浄ノズル
１４：ノズル支持機構（ノズル走査機構）
１００：フォトマスク用ガラス基板
１１０：主面（被洗浄面）
【図１】
2014224981.tif 000004