(57)【要約】【課題】表示品質を向上させることが可能な液晶装置、及び電子機器を提供する。【解決手段】素子基板１０は、表示領域Ｅに設けられた画素電極２７と、平面視で、表示領域Ｅとシール材１４との間に設けられた第１周辺電極４１と、を有し、対向基板２０は、表示領域Ｅに設けられ共通電位が印加される対向電極３１と、第１周辺電極４１と対向するように配置され、共通電位が印加される第２周辺電極４２と、を有し、第１周辺電極４１及び第２周辺電極４２の少なくともどちらか一方は、絶縁層からなる凸部の上に設けられており、第１周辺電極４１の表面から第２周辺電極４２の表面までの距離は画素電極２７の表面から対向電極３１の表面までの距離より短く、かつ、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２とは離間して配置されている。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
表示領域に形成された画素電極と、
前記表示領域の外側に設けられ、第１電位が供給される第１電極と、
前記画素電極に対向するように配置された対向電極と、
前記第１電極に対向するように配置され、前記第１電位と異なる第２電位が供給される第２電極と、
前記画素電極と前記共通電極との間、及び前記第１電極と前記第２電極との間に挟持された液晶層と、
前記画素電極及び前記第１電極の前記液晶層と反対側に設けられた第１絶縁膜と、
前記対向電極及び前記第２電極の前記液晶層と反対側に設けられた第２絶縁膜と、
を有し、
前記第１絶縁膜の前記第１電極と重なる領域の少なくとも一部、及び前記第２絶縁膜の前記第２電極と重なる領域の少なくとも一部のいずれか一方に、前記液晶層側に突出する凸部が形成され、
前記第１電極の前記液晶層側の面から前記第２電極の前記液晶層側の面までの距離は前記画素電極の前記液晶層側の面から前記対向電極の前記液晶層側の面までの距離より小さく、かつ、前記第１電極と前記第２電極とは離間して配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項２】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記凸部は、少なくとも前記第２絶縁膜に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項３】
請求項１に記載の液晶装置であって、
前記凸部は、少なくとも前記第１絶縁膜に設けられていることを特徴とする液晶装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記第１電極及び前記第２電極における前記表示領域側の端部は、前記凸部における前記表示領域側の端部より前記シール材側に配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記表示領域の縁に沿って遮光膜が配置されており、
前記凸部における前記表示領域側の端部は、前記遮光膜の内縁より前記シール材側に配置されていることを特徴とする液晶装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記シール材に囲まれた領域に液晶を注入する注入口を封止する封止材を備え、
前記封止材側の前記第１電極及び前記第２電極の幅は、他の領域の前記第１電極及び前記第２電極の幅より太い幅を有することを特徴とする液晶装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項に記載の液晶装置であって、
前記表示領域と前記シール材との間の領域に、ダミー画素領域が配置されており、
前記第１電極は、前記ダミー画素領域に設けられたダミー画素電極であることを特徴とする液晶装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項に記載の液晶装置を備えることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置、及び電子機器等に関する。
【背景技術】
【０００２】
上記液晶装置として、例えば、画素電極をスイッチング制御する素子としてトランジスターを画素ごとに備えたアクティブ駆動方式の液晶装置が知られている。液晶装置は、例えば、直視型ディスプレイやプロジェクターのライトバルブなどにおいて用いられている。
【０００３】
このような液晶装置において、液晶層に含まれている不純物や、液晶層を取り囲んでいるシール材及び封止材から溶出した不純物が、液晶装置の駆動や熱拡散により、表示領域に拡散及び凝集することにより、液晶装置の表示特性が変化する恐れがあることが知られている。
【０００４】
そこで、例えば、特許文献１に記載のように、非表示領域にイオントラップ電極領域を設け、直流電圧を印加することにより、イオン性不純物をイオントラップ電極領域に吸着させる技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−２０１８３０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、より効率的にイオン性不純物を吸着させるためには、強い電界が必要になる。強い電界を得るためには、印加電圧を大きくするための昇圧回路が必要になったり、印加電圧を大きくすると消費電力が増加したりするという課題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の態様は、上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態又は適用例として実現することが可能である。
【０００８】
［適用例１］本適用例に係る液晶装置は、表示領域に形成された画素電極と、前記表示領域の外側に設けられ、第１電位が供給される第１電極と、前記画素電極に対向するように配置された対向電極と、前記第１電極に対向するように配置され、前記第１電位と異なる第２電位が供給される第２電極と、前記画素電極と前記共通電極との間、及び前記第１電極と前記第２電極との間に挟持された液晶層と、前記画素電極及び前記第１電極の前記液晶層と反対側に設けられた第１絶縁膜と、前記対向電極及び前記第２電極の前記液晶層と反対側に設けられた第２絶縁膜と、を有し、前記第１絶縁膜の前記第１電極と重なる領域の少なくとも一部、及び前記第２絶縁膜の前記第２電極と重なる領域の少なくとも一部のいずれか一方に、前記液晶層側に突出する凸部が形成され、前記第１電極の前記液晶層側の面から前記第２電極の前記液晶層側の面までの距離は前記画素電極の前記液晶層側の面から前記対向電極の前記液晶層側の面までの距離より小さく、かつ、前記第１電極と前記第２電極とは離間して配置されていることを特徴とする。
【０００９】
本適用例によれば、第１電極から第２電極までの距離を、画素電極から共通電極までの距離よりも短くなるように配置するので、第１電極と第２電極との間の電界を強くすることが可能となり、イオン性不純物を引き寄せて、この電極間で捕獲することができる。よって、表示領域に影響を与えることを抑えることができる。
【００１０】
［適用例２］上記適用例に係る液晶装置において、前記凸部は、少なくとも前記第２絶縁膜に設けられていることが好ましい。
【００１１】
本適用例によれば、第２絶縁膜に凸部が設けられ、凸部の上に第２電極が設けられているので、第１絶縁膜に凸部を設ける場合と比較して、下層の段差に影響されずに、比較的所望の領域に凸部を形成することができる。
【００１２】
［適用例３］上記適用例に係る液晶装置において、前記凸部は、少なくとも前記第１絶縁膜に設けられていることが好ましい。
【００１３】
本適用例によれば、第１絶縁膜に凸部が設けられ、凸部の上に第１電極が設けられているので、第２絶縁膜が設けられた基板以外に選択肢を増やすことができる。
【００１４】
［適用例４］上記適用例に係る液晶装置において、前記第１電極及び前記第２電極における前記表示領域側の端部は、前記凸部における前記表示領域側の端部より前記シール材側に配置されていることが好ましい。
【００１５】
本適用例によれば、第１電極及び第２電極の端部が凸部の端部より外側（表示領域から離れる側）に配置されることにより、表示領域側に斜めの電界がかからないので、表示領域に配向不良の影響が少なく、表示に影響を与えることを抑えることができる。
【００１６】
［適用例５］上記適用例に係る液晶装置において、前記表示領域の縁に沿って遮光膜が配置されており、前記凸部における前記表示領域側の端部は、前記遮光膜の内縁より前記シール材側に配置されていることが好ましい。
【００１７】
本適用例によれば、平面視で遮光膜が凸部を隠すように配置されているので、下地の遮光膜によって凸部の上面に段差が生じることを抑えることができる。よって、段差の部分で乱反射が生じ表示領域に影響を与えることを抑えることができる。
【００１８】
［適用例６］上記適用例に係る液晶装置において、前記シール材に囲まれた領域に液晶を注入する注入口を封止する封止材を備え、前記封止材側の前記第１電極及び前記第２電極の幅は、他の領域の前記第１電極及び前記第２電極の幅より太い幅を有することが好ましい。
【００１９】
本適用例によれば、封止材側の第１電極及び第２電極の幅を太くするので、液晶注入時に混入したイオン性不純物や封止材から溶出したイオン性不純物を、効率よく引き寄せ、吸着させることができる。
【００２０】
［適用例７］上記適用例に係る液晶装置において、前記表示領域と前記シール材との間の領域に、ダミー画素領域が配置されており、前記第１電極は、前記ダミー画素領域に設けられたダミー画素電極であることが好ましい。
【００２１】
本適用例によれば、従来の構成にあるダミー画素電極を第１電極として適用することができ、新たにプロセス工程を増やすことなく対応できる。
【００２２】
［適用例８］本適用例に係る電子機器は、上記に記載の液晶装置を備えることを特徴とする。
【００２３】
本適用例によれば、上記の液晶装置を備えているので、表示品質の高い電子機器を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】液晶装置の構成を示す模式平面図。
【図２】図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図。
【図３】液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。
【図４】液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図５】液晶装置のうち主に周辺電極の構成を示す模式平面図。
【図６】図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図。
【図７】液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャート。
【図８】液晶装置の製造方法のうち主に対向基板の製造方法を示す模式断面図。
【図９】上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図。
【図１０】変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図１１】変形例の素子側周辺電極の製造方法を示す模式断面図。
【図１２】変形例の素子側周辺電極の製造方法を示す模式断面図。
【図１３】変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図。
【図１４】液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図。
【図１５】図１４（ｃ）に示す素子基板のＢ部を拡大して示す模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００２５】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、使用する図面は、説明する部分が認識可能な状態となるように、適宜拡大または縮小して表示している。
【００２６】
なお、以下の形態において、例えば「基板上に」と記載された場合、基板の上に接するように配置される場合、または基板の上に他の構成物を介して配置される場合、または基板の上に一部が接するように配置され、一部が他の構成物を介して配置される場合を表すものとする。
【００２７】
本実施形態では、液晶装置として、薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）を画素のスイッチング素子として備えたアクティブマトリックス型の液晶装置を例に挙げて説明する。この液晶装置は、例えば、投射型表示装置（液晶プロジェクター）の光変調素子（液晶ライトバルブ）として好適に用いることができるものである。
【００２８】
＜液晶装置の構成＞
図１は、液晶装置の構成を示す模式平面図である。図２は、図１に示す液晶装置のＨ−Ｈ’線に沿う模式断面図である。図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置の構成を、図１〜図３を参照しながら説明する。
【００２９】
図１及び図２に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、対向配置された素子基板１０（第１基板）および対向基板２０（第２基板）と、これら一対の基板１０，２０によって挟持された液晶層１５とを有する。素子基板１０を構成する基板としての第１基材１０ａ、および対向基板２０を構成する第２基材２０ａは、例えば、ガラス基板、石英基板などの透明基板が用いられている。
【００３０】
素子基板１０は対向基板２０よりも大きく、両基板１０，２０は、対向基板２０の外周に沿って配置されたシール材１４を介して接合されている。平面視で環状に設けられたシール材１４の内側で、素子基板１０は対向基板２０の間に正または負の誘電異方性を有する液晶が封入されて液晶層１５を構成している。シール材１４は、例えば熱硬化性又は紫外線硬化性のエポキシ樹脂などの接着剤が採用されている。シール材１４には、一対の基板の間隔を一定に保持するためのスペーサー（図示省略）が混入されている。
【００３１】
シール材１４の内縁より内側には、複数の画素Ｐが配列した表示領域Ｅが設けられている。表示領域Ｅの周囲には、表示に寄与しないダミー画素が配置されている。また、図１及び図２では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいて複数の画素Ｐをそれぞれ平面的に区分する遮光膜（ブラックマトリックス：ＢＭ）が対向基板２０に設けられている。
【００３２】
素子基板１０の１辺部に沿ったシール材１４と該１辺部との間に、データ線駆動回路２２が設けられている。また、該１辺部に対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に、検査回路２５が設けられている。さらに、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿ったシール材１４と表示領域Ｅとの間に走査線駆動回路２４が設けられている。該１辺部と対向する他の１辺部に沿ったシール材１４と検査回路２５との間には、２つの走査線駆動回路２４を繋ぐ複数の配線２９が設けられている。
【００３３】
対向基板２０における環状に配置されたシール材１４と表示領域Ｅとの間には、遮光膜１８（見切り部）が設けられている。遮光膜１８は、例えば、遮光性の金属あるいは金属酸化物などからなり、遮光膜１８の内側が複数の画素Ｐを有する表示領域Ｅとなっている。なお、図１では図示を省略したが、表示領域Ｅにおいても複数の画素Ｐを平面的に区分する遮光膜が設けられている。
【００３４】
これらデータ線駆動回路２２、走査線駆動回路２４に繋がる配線は、該１辺部に沿って配列した複数の外部接続用端子６１に接続されている。以降、該１辺部に沿った方向をＸ方向とし、該１辺部と直交し互いに対向する他の２辺部に沿った方向をＹ方向として説明する。
【００３５】
図２に示すように、第１基材１０ａの液晶層１５側には、画素Ｐごとに設けられた透光性の画素電極２７およびスイッチング素子である薄膜トランジスター（ＴＦＴ：Thin Film Transistor、以降、「ＴＦＴ３０」と呼称する）と、信号配線と、これらを覆う配向膜２８とが形成されている。
【００３６】
また、ＴＦＴ３０における半導体層に光が入射してスイッチング動作が不安定になることを防ぐ遮光構造が採用されている。本発明における素子基板１０は、少なくとも画素電極２７、ＴＦＴ３０、配向膜２８を含むものである。
【００３７】
対向基板２０の液晶層１５側の表面には、遮光膜１８と、これを覆うように成膜された絶縁膜３３と、絶縁膜３３を覆うように設けられた共通電極としての対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２とが設けられている。本発明における対向基板２０は、少なくとも絶縁膜３３、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００３８】
遮光膜１８は、図１に示すように、表示領域Ｅを取り囲むと共に、平面的に走査線駆動回路２４、検査回路２５と重なる位置に設けられている（図示簡略）。これにより対向基板２０側からこれらの駆動回路を含む周辺回路に入射する光を遮蔽して、周辺回路が光によって誤動作することを防止する役目を果たしている。また、不必要な迷光が表示領域Ｅに入射しないように遮蔽して、表示領域Ｅの表示における高いコントラストを確保している。
【００３９】
絶縁膜３３は、例えば酸化シリコンなどの無機材料からなり、光透過性を有して遮光膜１８を覆うように設けられている。このような絶縁膜３３の形成方法としては、例えばプラズマＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法などを用いて成膜する方法が挙げられる。
【００４０】
対向電極３１は、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などの透明導電膜からなり、絶縁膜３３を覆うと共に、図１に示すように対向基板２０の四隅に設けられた上下導通部２６により素子基板１０側の配線に電気的に接続している。
【００４１】
画素電極２７を覆う配向膜２８、および対向電極３１を覆う配向膜３２は、液晶装置１００の光学設計に基づいて選定される。例えば、気相成長法を用いてＳｉＯｘ（酸化シリコン）などの無機材料を成膜して、負の誘電異方性を有する液晶分子に対して略垂直配向させた無機配向膜が挙げられる。
【００４２】
このような液晶装置１００は透過型であって、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも大きいノーマリーホワイトや、電圧が印加されない時の画素Ｐの透過率が電圧印加時の透過率よりも小さいノーマリーブラックモードの光学設計が採用される。光の入射側と射出側とにそれぞれ偏光素子が光学設計に応じて配置されて用いられる。
【００４３】
図３に示すように、液晶装置１００は、少なくとも表示領域Ｅにおいて互いに絶縁されて直交する複数の走査線３ａおよび複数のデータ線６ａと、共通電位配線としての容量線３ｂとを有する。走査線３ａが延在する方向がＸ方向であり、データ線６ａが延在する方向がＹ方向である。
【００４４】
走査線３ａとデータ線６ａならびに容量線３ｂと、これらの信号線類により区分された領域に、画素電極２７と、ＴＦＴ３０と、容量素子１６とが設けられ、これらが画素Ｐの画素回路を構成している。
【００４５】
走査線３ａはＴＦＴ３０のゲートに電気的に接続され、データ線６ａはＴＦＴ３０のデータ線側ソースドレイン領域（ソース領域）に電気的に接続されている。画素電極２７は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域（ドレイン領域）に電気的に接続されている。
【００４６】
データ線６ａは、データ線駆動回路２２（図１参照）に接続されており、データ線駆動回路２２から供給される画像信号Ｄ１，Ｄ２，…，Ｄｎを画素Ｐに供給する。走査線３ａは、走査線駆動回路２４（図１参照）に接続されており、走査線駆動回路２４から供給される走査信号ＳＣ１，ＳＣ２，…，ＳＣｍを各画素Ｐに供給する。
【００４７】
データ線駆動回路２２からデータ線６ａに供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、この順に線順次で供給してもよく、互いに隣り合う複数のデータ線６ａ同士に対してグループごとに供給してもよい。走査線駆動回路２４は、走査線３ａに対して、走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍを所定のタイミングで供給する。
【００４８】
液晶装置１００は、スイッチング素子であるＴＦＴ３０が走査信号ＳＣ１〜ＳＣｍの入力により一定期間だけオン状態とされることで、データ線６ａから供給される画像信号Ｄ１〜Ｄｎが所定のタイミングで画素電極２７に書き込まれる構成となっている。そして、画素電極２７を介して液晶層１５に書き込まれた所定レベルの画像信号Ｄ１〜Ｄｎは、画素電極２７と液晶層１５を介して対向配置された対向電極３１との間で一定期間保持される。
【００４９】
保持された画像信号Ｄ１〜Ｄｎがリークするのを防止するため、画素電極２７と対向電極３１との間に形成される液晶容量と並列に容量素子１６が接続されている。容量素子１６は、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域と容量線３ｂとの間に設けられている。
【００５０】
＜液晶装置の構成＞
図４は、液晶装置のうち主に画素の構造を示す模式断面図である。以下、液晶装置のうち画素の構造を、図４を参照しながら説明する。なお、図４は、各構成要素の断面的な位置関係を示すものであり、明示可能な尺度で表されている。
【００５１】
図４に示すように、液晶装置１００は、素子基板１０と、これに対向配置される対向基板２０とを備えている。素子基板１０を構成する第１基材１０ａは、上記したように、例えば、石英基板等によって構成されている。
【００５２】
図４に示すように、第１基材１０ａ上には、例えば、Ａｌ（アルミニウム）、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）等の材料を含む下側遮光膜３ｃが形成されている。下側遮光膜３ｃは、平面的に格子状にパターニングされており、各画素Ｐの開口領域を規定している。なお、下側遮光膜３ｃは、導電性を有し、走査線３ａの一部として機能するようにしてもよい。第１基材１０ａ及び下側遮光膜３ｃ上には、シリコン酸化膜等からなる下地絶縁層１１ａが形成されている。
【００５３】
下地絶縁層１１ａ上には、ＴＦＴ３０及び走査線３ａ等が形成されている。ＴＦＴ３０は、例えば、ＬＤＤ（Lightly Doped Drain）構造を有しており、ポリシリコン（高純度の多結晶シリコン）等からなる半導体層３０ａと、半導体層３０ａ上に形成されたゲート絶縁層１１ｇと、ゲート絶縁層１１ｇ上に形成されたポリシリコン膜等からなるゲート電極３０ｇとを有する。走査線３ａは、ゲート電極３０ｇとしても機能する。
【００５４】
半導体層３０ａは、例えば、リン（Ｐ）イオン等のＮ型のイオン性不純物が注入されることにより、Ｎ型のＴＦＴ３０として形成されている。具体的には、半導体層３０ａは、チャネル領域３０ｃと、データ線側ＬＤＤ領域３０ｓ１と、データ線側ソースドレイン領域３０ｓと、画素電極側ＬＤＤ領域３０ｄ１と、画素電極側ソースドレイン領域３０ｄとを備えている。
【００５５】
チャネル領域３０ｃには、ボロン（Ｂ）イオン等のＰ型のイオン性不純物がドープされている。その他の領域（３０ｓ１，３０ｓ，３０ｄ１，３０ｄ）には、リン（Ｐ）イオン等のＮ型のイオン性不純物がドープされている。このように、ＴＦＴ３０は、Ｎ型のＴＦＴとして形成されている。
【００５６】
ゲート電極３０ｇ及びゲート絶縁層１１ｇ上には、シリコン酸化膜等からなる第１層間絶縁層１１ｂが形成されている。第１層間絶縁層１１ｂ上には、容量素子１６が設けられている。具体的には、ＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ及び画素電極２７に電気的に接続された画素電位側容量電極としての第１容量電極１６ａと、固定電位側容量電極としての容量線３ｂ（第２容量電極１６ｂ）の一部とが、誘電体膜１６ｃを介して対向配置されることにより、容量素子１６が形成されている。
【００５７】
誘電体膜１６ｃは、例えば、シリコン窒化膜である。第２容量電極１６ｂ（容量線３ｂ）は、例えば、Ｔｉ（チタン）、Ｃｒ（クロム）、Ｗ（タングステン）、Ｔａ（タンタル）、Ｍｏ（モリブデン）等の高融点金属のうち少なくとも一つを含む、金属単体、合金、金属シリサイド、ポリシリサイド、これらを積層したもの等からなる。或いは、Ａｌ（アルミニウム）膜から形成することも可能である。
【００５８】
第１容量電極１６ａは、例えば、導電性のポリシリコン膜からなり容量素子１６の画素電位側容量電極として機能する。ただし、第１容量電極１６ａは、容量線３ｂと同様に、金属又は合金を含む単一層膜又は多層膜から構成してもよい。第１容量電極１６ａは、画素電位側容量電極としての機能のほか、コンタクトホールＣＮＴ１，ＣＮＴ３，ＣＮＴ４を介して、画素電極２７とＴＦＴ３０の画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）とを中継接続する機能を有する。
【００５９】
容量素子１６上には、第２層間絶縁層１１ｃを介してデータ線６ａが形成されている。データ線６ａは、ゲート絶縁層１１ｇ、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、及び第２層間絶縁層１１ｃに開孔されたコンタクトホールＣＮＴ２を介して、半導体層３０ａのデータ線側ソースドレイン領域３０ｓ（ソース領域）に電気的に接続されている。
【００６０】
データ線６ａの上層には、第３層間絶縁層１１ｄを介して画素電極２７が形成されている。第３層間絶縁層１１ｄは、例えば、シリコンの酸化物や窒化物からなり、ＴＦＴ３０が設けられた領域を覆うことによって生じる表面の凸部を平坦化する平坦化処理が施される。平坦化処理の方法としては、例えば化学的機械的研磨処理（Chemical Mechanical Polishing：ＣＭＰ処理）やスピンコート処理などが挙げられる。第３層間絶縁層１１ｄには、コンタクトホールＣＮＴ４が形成されている。
【００６１】
画素電極２７は、コンタクトホールＣＮＴ４，ＣＮＴ３を介して第１容量電極１６ａに接続されることにより、半導体層３０ａの画素電極側ソースドレイン領域３０ｄ（ドレイン領域）に電気的に接続されている。なお、画素電極２７は、例えば、ＩＴＯ膜等の透明導電性膜から形成されている。
【００６２】
画素電極２７及び隣り合う画素電極２７間の第３層間絶縁層１１ｄ上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜２８が設けられている。配向膜２８上には、シール材１４（図１及び図２参照）により囲まれた空間に液晶等が封入された液晶層１５が設けられている。
【００６３】
一方、第２基材２０ａ上（液晶層１５側）には、酸化シリコン（例えば、ＰＳＧ膜（リンをドーピングしたシリコン酸化膜））などからなる絶縁膜３３が設けられている。絶縁膜３３上には、その全面に渡って対向電極３１が設けられている。対向電極３１上には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着した配向膜３２が設けられている。対向電極３１は、上述の画素電極２７と同様に、例えばＩＴＯ膜等の透明導電性膜からなる。
【００６４】
液晶層１５は、画素電極２７と対向電極３１との間で電界が生じていない状態で配向膜２８，３２によって所定の配向状態をとる。シール材１４は、素子基板１０及び対向基板２０を貼り合わせるための、例えば光硬化性樹脂や熱硬化性樹脂からなる接着剤であり、素子基板１０と対向基板２０の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のスペーサーが混入されている。なお、素子基板１０側に形成された第１周辺電極４１及び対向基板２０側に形成された第２周辺電極４２についての説明は後述する。
【００６５】
＜周辺電極の構成＞
図５は、液晶装置のうち主に周辺電極の構成を示す模式平面図である。図６は、図５に示す液晶装置のＡ−Ａ’線に沿う模式断面図である。以下、周辺電極の構成について、図５及び図６を参照しながら説明する。
【００６６】
図５及び図６に示すように、液晶装置１００を構成する素子基板１０に第１周辺電極４１（第１電極）が設けられ、対向基板２０に第２周辺電極４２（第２電極）が設けられている。第２周辺電極４２は、例えば、対向電極３１と同じ電位になるように電気的に接続されている。なお、第２周辺電極４２に対向電極３１と同じ電位が印加されればよく、第２周辺電極４２と対向電極３１とが接続されていなくてもよい。第１周辺電極４１及び第２周辺電極４２は、周辺領域７１に設けられ、平面視で表示領域Ｅを囲むように設けられている。
【００６７】
第１周辺電極４１は、第１基材１０ａ上における、例えば、画素電極２７と同層に設けられており、ＩＴＯ膜で形成されている。素子基板１０の表面（画素電極２７及び第１周辺電極４１の表面など）には、無機材料からなる配向膜２８（図示せず）が設けられている。配向膜２８は、複数の柱状構造物（図示せず）が素子基板１０の法線方向に対して所定の方向に傾斜していると共に、間隔を空けて並んでいる。
【００６８】
一方、対向基板２０は、第２基材２０ａの液晶層１５側に絶縁膜３３が設けられている。なお、第２基材２０ａと絶縁膜３３との間に、遮光膜１８を配置する構成であってもよい。遮光膜１８は、図５に示すように、平面視で表示領域Ｅの外側に配置されている。
【００６９】
絶縁膜３３における第１周辺電極４１と対向する位置には、凸部４２ａが設けられている。そのため、凸部４２ａは、酸化シリコンなどの絶縁膜から形成されている。対向基板２０の液晶層１５側の表面には、絶縁膜３３を覆うように設けられた対向電極３１と、対向電極３１を覆う配向膜３２（図示せず）とが設けられている。
【００７０】
配向膜３２は、配向膜２８と同様に、複数の柱状構造物（図示せず）が対向基板２０の法線方向に対して所定の方向に傾斜していると共に、略所定の間隔を空けて並んでいる。本発明における対向基板２０は、少なくとも凸部４２ａ、対向電極３１、配向膜３２を含むものである。
【００７１】
このように液晶装置１００によれば、画素電極２７の表面から対向電極３１の表面までの距離Ｌ１に比べて、第１周辺電極４１の表面から第２周辺電極４２の表面までの距離Ｌ２を短くすることが可能となり、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２との間の電界を、画素電極２７と対向電極３１との間の電界と比較して大きくすることができる。ただし、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２は接触しないようにする。
【００７２】
また、本実施形態では、第１周辺電極４１の表面の幅Ｗ１と、第２周辺電極４２の表面の幅Ｗ２とは、略同じに形成されている。これにより、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２との間で、方線方向に対し斜めの電界がかかる（液晶の配向に影響を与える）ことを抑えることが可能となり、表示に影響（光抜けなど）を与えることを抑えることができる。
【００７３】
略同じ幅の定義としては、第１周辺電極４１の幅Ｗ１は、第２周辺電極４２の凸部４２ａの幅ではなく、凸部４２ａを覆う対向電極３１の幅Ｗ２と同じであるものとする。
【００７４】
例えば、第１周辺電極４１に第１定電位が印加され、第２周辺電極４２には第１定電位（第１電位）と異なる第２定電位（第２電位）が印加される。これにより、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２との間で電界が生じ、帯電したイオン性不純物４４を引き寄せることができる。すなわち、イオン性不純物４４のうち、正極性に帯電したイオン性不純物４４は、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２のうち、低電位の電極側に引き寄せられ、負極性に帯電したイオン性不純物４４は、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２のうち、高電位の電極側に引き寄せられる。例えば、第１周辺電極４１の表面と第２周辺電極４２の表面との距離が２μｍの場合、電位差が５Ｖとなるように設定されている。
【００７５】
＜液晶装置の製造方法＞
図７は、液晶装置の製造方法を工程順に示すフローチャートである。図８は、液晶装置の製造方法のうち主に対向基板の製造方法を示す模式断面図である。以下、液晶装置の製造方法を、図７及び図８を参照しながら説明する。
【００７６】
最初に、素子基板１０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ１１では、石英基板などからなる第１基材１０ａ上にＴＦＴ３０を形成する。具体的には、まず、第１基材１０ａ上に、アルミニウムなどからなる下側遮光膜３ｃ（走査線）を成膜する。その後、周知の成膜技術を用いて、シリコン酸化膜などからなる下地絶縁層１１ａを成膜する。
【００７７】
次に、下地絶縁層１１ａ上に、ＴＦＴ３０を形成する。具体的には、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、ＴＦＴ３０を形成する。
【００７８】
ステップＳ１２では、画素電極２７、及び第１周辺電極４１を形成する。製造方法としては、上記と同様に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術、及びエッチング技術を用いて、画素電極２７及び第１周辺電極４１を同層に形成する。これにより、表示領域Ｅの周囲に、画素電極２７と同じ厚みの第１周辺電極４１が形成される。
【００７９】
ステップＳ１３では、配向膜２８を形成する。具体的には、画素電極２７、第１周辺電極４１、及び第１基材１０ａ上の全体に、斜方蒸着法を用いて配向膜２８を形成する。
【００８０】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ステップＳ２１では、凸部４２ａを形成する。具体的には、まず、図８（ａ）に示すように、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術を用いて、シリコン酸化膜などからなる絶縁膜３３を成膜する。
【００８１】
次に、絶縁膜３３上における、平面視で、貼り合せたときに第１周辺電極４１と重なる領域にレジストパターン４６を形成する。具体的には、まず、絶縁膜３３上にレジスト膜を成膜する。その後、フォトリソグラフィ技術を用いてレジストパターン４６を形成する。
【００８２】
図８（ｂ）に示す工程では、絶縁膜３３に凸部４２ａを形成する。具体的には、レジストパターン４６をマスクとしてエッチングを行う。なお、レジストパターン４６と絶縁膜３３とを、所定の位置までエッチング（エッチバック）することにより、テーパー状のレジストパターン４６の形状を絶縁膜３３に転写することができる。また、例えば、レジストパターン４６はエッチングにより無くなるため除去する必要がない。
【００８３】
なお、凸部４２ａの側壁をテーパーに形成する方法として、例えば、レジストパターン４６を硬化させるためにベークする。この際、ベークする条件（温度や時間など）を変更することでレジストパターン４６にもテーパーが形成され、これをエッチングすることにより、凸部４１ａの側壁をテーパーにすることができる。
【００８４】
ステップＳ２２では、図８（ｃ）に示すように、絶縁膜３３の上に対向電極３１を形成する。具体的には、例えば、ＣＶＤ法（Chemical Vapor Deposition：化学気相成長法）を用いて成膜する。これにより、絶縁膜３３の凸部４２ａの起伏に倣って、対向電極３１及び第２周辺電極４２が形成される。このときの第２周辺電極４２の幅Ｗ２は、第１周辺電極４１の幅Ｗ１と略同じ幅になる。なお、テーパー形状までを第２周辺電極４２とし、第２周辺電極４２以外を対向電極３１とする。
【００８５】
ステップＳ２３では、対向電極３１上に配向膜３２を成膜する。配向膜３２の製造方法は、例えば、素子基板１０側の配向膜２８と同様に、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着する斜方蒸着法が用いられる。以上により、対向基板２０が完成する。次に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる方法を説明する。
【００８６】
ステップＳ３１では、素子基板１０上にシール材１４を塗布する。シール材１４としては、例えば、紫外線硬化型エポキシ樹脂が挙げられる。なお、紫外線などの光硬化型樹脂に限定されず、熱硬化型樹脂などを用いるようにしてもよい。また、シール材１４には、例えば、素子基板１０と対向基板２０との間隔を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材が含まれている。
【００８７】
ステップＳ３２では、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。具体的には、素子基板１０に、塗布されたシール材１４を介して素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせる。
【００８８】
ステップＳ３３では、液晶注入口から構造体の内部に液晶を注入し、その後、液晶注入口を封止材で封止する。以上により、液晶装置１００が完成する。
【００８９】
＜電子機器の構成＞
次に、本実施形態の電子機器としての投射型表示装置について、図９を参照しながら説明する。図９は、上記した液晶装置を備えた投射型表示装置の構成を示す概略図である。
【００９０】
図９に示すように、本実施形態の投射型表示装置１０００は、システム光軸Ｌに沿って配置された偏光照明装置１１００と、光分離素子としての２つのダイクロイックミラー１１０４，１１０５と、３つの反射ミラー１１０６，１１０７，１１０８と、５つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５と、３つの光変調手段としての透過型の液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０と、光合成素子としてのクロスダイクロイックプリズム１２０６と、投射レンズ１２０７とを備えている。
【００９１】
偏光照明装置１１００は、超高圧水銀灯やハロゲンランプなどの白色光源からなる光源としてのランプユニット１１０１と、インテグレーターレンズ１１０２と、偏光変換素子１１０３とから概略構成されている。
【００９２】
ダイクロイックミラー１１０４は、偏光照明装置１１００から射出された偏光光束のうち、赤色光（Ｒ）を反射させ、緑色光（Ｇ）と青色光（Ｂ）とを透過させる。もう１つのダイクロイックミラー１１０５は、ダイクロイックミラー１１０４を透過した緑色光（Ｇ）を反射させ、青色光（Ｂ）を透過させる。
【００９３】
ダイクロイックミラー１１０４で反射した赤色光（Ｒ）は、反射ミラー１１０６で反射した後にリレーレンズ１２０５を経由して液晶ライトバルブ１２１０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５で反射した緑色光（Ｇ）は、リレーレンズ１２０４を経由して液晶ライトバルブ１２２０に入射する。ダイクロイックミラー１１０５を透過した青色光（Ｂ）は、３つのリレーレンズ１２０１，１２０２，１２０３と２つの反射ミラー１１０７，１１０８とからなる導光系を経由して液晶ライトバルブ１２３０に入射する。
【００９４】
液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０は、クロスダイクロイックプリズム１２０６の色光ごとの入射面に対してそれぞれ対向配置されている。液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０に入射した色光は、映像情報（映像信号）に基づいて変調されクロスダイクロイックプリズム１２０６に向けて射出される。
【００９５】
このプリズムは、４つの直角プリズムが貼り合わされ、その内面に赤色光を反射する誘電体多層膜と青色光を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。これらの誘電体多層膜によって３つの色光が合成されて、カラー画像を表す光が合成される。合成された光は、投射光学系である投射レンズ１２０７によってスクリーン１３００上に投射され、画像が拡大されて表示される。
【００９６】
液晶ライトバルブ１２１０は、上述した液晶装置１００が適用されたものである。液晶装置１００は、色光の入射側と射出側とにおいてクロスニコルに配置された一対の偏光素子の間に隙間を置いて配置されている。他の液晶ライトバルブ１２２０，１２３０も同様である。
【００９７】
このような投射型表示装置１０００によれば、液晶ライトバルブ１２１０，１２２０，１２３０を用いているので、高い信頼性を得ることができる。
【００９８】
なお、液晶装置１００が搭載される電子機器としては、投射型表示装置１０００の他、ヘッドアップディスプレイ、スマートフォン、ＥＶＦ（Electrical View Finder）、モバイルミニプロジェクター、携帯電話、モバイルコンピューター、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、ディスプレイ、車載機器、オーディオ機器、露光装置や照明機器など各種電子機器に用いることができる。
【００９９】
以上詳述したように、本実施形態の液晶装置１００、及び電子機器によれば、以下に示す効果が得られる。
【０１００】
（１）本実施形態の液晶装置１００によれば、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２との距離を、画素電極２７と対向電極３１との距離よりも短くするので、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２との間の電界を強くすることが可能となり、イオン性不純物４４を引き寄せて、この周辺電極４１，４２間で捕獲することができる。
【０１０１】
（２）本実施形態の液晶装置１００によれば、対向基板２０側の第２周辺電極４２を、対向電極３１の表面より突出するように形成するので、ＴＦＴ３０など構成要素の多い素子基板１０側を突出させる場合と比較して、凸部４２ａの上面に段差が形成されにくい。第１周辺電極４１の上面に段差が生じた場合、上面にテーパーが形成され、テーパー状の部分で、対向電極３１と凸部４２ａや対向電極３１の表面で反射した光が斜め光になって乱反射が発生する場合がある。
【０１０２】
（３）本実施形態の液晶装置１００によれば、平面視で遮光膜１８と第１周辺電極４１及び第２周辺電極４２とが重なっているので、遮光膜１８を重ならない位置に配置する場合と比較して、狭額縁にすることができる。また、第１周辺電極４１及び第２周辺電極４２と平面視で重なるように遮光膜１８が設けられているので、遮光膜１８の端部と重なった場合のように、各周辺電極４１，４２の表面に段差が生じることを抑えることができる。よって、段差の部分で乱反射が生じ表示領域Ｅに影響を与えることを抑えることができる。
【０１０３】
（４）本実施形態の電子機器によれば、上記した液晶装置１００を備えているので、表示品質の高い電子機器を提供することができる。
【０１０４】
なお、本発明の態様は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、本発明の態様の技術範囲に含まれるものである。また、以下のような形態で実施することもできる。
【０１０５】
（変形例１）
上記した実施形態のように、対向基板２０側のみ対向電極３１の表面より突出する凸部４２ａを設けることに限定されず、素子基板１０側も画素電極２７の下面より突出する凸部４１ａを設けるようにしてもよい。
【０１０６】
図１０は、変形例の液晶装置３００の構造を示す模式断面図である。図１０に示すように、第１周辺電極４１は、画素電極２７の下面より突出する凸部４１ａを備えている。更に、第２周辺電極４２は、対向電極の表面より突出する凸部４２ａを備えている。なお、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２とが接触しないように、凸部４１ａ及び凸部４２ａを形成する。
【０１０７】
図１１及び図１２は、凸部４１ａを有する第１周辺電極４１の製造方法を示す模式断面図である。図１１（ａ）に示す工程では、凸部４１ａを形成するための、絶縁層を形成する。まず、ゲート絶縁層１１ｇ上に配線８１を形成する。次に、第１層間絶縁層１１ｂ、誘電体膜１６ｃ、第２層間絶縁層１１ｃを貫通するコンタクトホールを形成し、コンタクトホールの中に導電膜を埋めると共に、第２層間絶縁層１１ｃ上に中継電極８２をパターニングする。その後、第３層間絶縁層１１ｄ及び絶縁層１１ｅを成膜する。
【０１０８】
図１１（ｂ）に示す工程では、絶縁層１１ｅ上にレジストパターン８３を形成する。まず、絶縁層１１ｅ上にレジスト膜を成膜する。次に、フォトリソグラフィ法を用いてレジストパターン８３を形成する。
【０１０９】
図１１（ｃ）に示す工程では、絶縁層１１ｅに凸部４１ａを形成する。凸部４１ａの製造方法としては、例えば、レジストパターン８３をマスクとしてエッチングを行う。具体的には、レジストパターン８３と共に絶縁層１１ｅをエッチング（エッチバック）して、レジストパターン８３の形状を転写する。これにより、図１２（ｄ）に示すような、凸部４１ａが完成する。
【０１１０】
なお、凸部４１ａの側壁をテーパーに形成する方法として、例えば、上記したように、レジストパターン８３を硬化させるためにベークする。この際、ベークする条件（温度や時間など）を変更することでレジストパターン８３にもテーパーが形成され、これをエッチングすることにより、凸部４１ａの側壁をテーパーにすることができる。
【０１１１】
図１２（ｅ）に示す工程では、コンタクトホールＣＮＴ８４を形成する。具体的には、絶縁層１１ｅ及び第３層間絶縁層１１ｄを貫通するコンタクトホールＣＮＴ８４を形成する。
【０１１２】
図１２（ｆ）に示す工程では、第１周辺電極４１を完成させる。まず、コンタクトホールＣＮＴ８４の中に導電膜を埋め込むと共に、絶縁層１１ｅ上に導電膜を成膜する。その後、絶縁層１１ｅ上の導電膜をパターニングして電極４１ｂを形成する。以上により、凸部４１ａを有する第１周辺電極４１が形成される。第２周辺電極４２は、上記実施形態と同様にして形成する。
【０１１３】
これによれば、素子基板１０側と対向基板２０側との両方に凸部４１ａ，４２ａを設け、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２との距離が近くなるので、これら周辺電極４１，４２間の電界を強くすることが可能となる。よって、イオン性不純物４４をより捕獲しやすくすることができる。
【０１１４】
また、コンタクトホールＣＮＴ８４を凸部４１ａではない領域に形成するので、コンタクトホールＣＮＴ８４を深くする必要がなく、凸部４１ａ全体でイオントラップをすることが可能となるので、トラップ効率を向上させることができる。
【０１１５】
（変形例２）
上記した実施形態のように、対向基板２０側に対向電極３１の表面より突出する凸部４２ａを設けることに限定されず、例えば、対向基板２０側の第２周辺電極４２（対向電極３１）は対向電極３１の表面と同じ高さにして、素子基板１０側のみ、画素電極２７の下面より突出する第１周辺電極４１を設けるようにしてもよい。これによれば、対向基板２０側は、対向電極３１を第２基材２０ａ上の全面に形成することで対応することができる。よって、製造工程を簡略化することができる。
【０１１６】
（変形例３）
上記したように、第１周辺電極４１を覆うように配向膜２８、及び第２周辺電極４２を覆うように配向膜３２を設けることに限定されず、例えば、図１３に示すようにしてもよい。図１３は、変形例の液晶装置の構造を示す模式断面図である。図１４は、変形例の液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を示す模式断面図である。図１５は、図１４（ｃ）に示す素子基板１０のＢ部を拡大して示す模式断面図である。
【０１１７】
図１３に示すように、変形例の液晶装置２００は、上述の実施形態の液晶装置１００と比べて、第１周辺電極４１及び第２周辺電極４２上に吸着膜２８ｂ，３２ｂ（配向膜）を設けている部分が異なり、その他の構造については概ね同様である。
【０１１８】
変形例の液晶装置２００は、第１周辺電極４１、及び第２周辺電極４２の上に、無機材料からなる吸着膜２８ｂ，３２ｂが設けられている。具体的には、素子基板１０の表面全体に、配向膜２８ａ（２８ａ１）が設けられている。配向膜２８ａは、複数の柱状構造物２８ａ１が素子基板１０の法線方向に対して所定の方向に傾斜していると共に、略所定の間隔を空けて並んでいる。そして、第１周辺電極４１上の配向膜２８ａの上には、更に、配向膜２８ａの配向方向と異なる配向方向の配向膜２８ｂが設けられている。
【０１１９】
つまり、第１周辺電極４１上には、柱状構造物２８ａ１を有する配向膜２８ａと、柱状構造物２８ｂ１を有する配向膜２８ｂとが二重に設けられている。これにより、最表面の配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１の間隔が、他の領域の柱状構造物２８ａ１の間隔と比較して広くなっている。
【０１２０】
また、第２周辺電極４２上にも、同様の吸着膜３２ｂ（配向膜）が設けられている。具体的には、第２周辺電極４２上に、配向膜３２ａと、配向膜３２ａの配向方向と異なる配向方向の配向膜３２ｂとが二重に設けられている。これにより、最表面の配向膜３２ｂの柱状構造物３２ｂ１の間隔が、他の領域の柱状構造物３２ａ１の間隔と比較して広くなっている。
【０１２１】
よって、液晶注入時に液晶に含まれていたり、注入後にシール材１４などから液晶に溶出されたりしたイオン性不純物４４を、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２との間に吸着させることができる。
【０１２２】
なお、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２とに異なる電位を印加することにより、周辺電極４１，４２間に電界を生じさせることが可能となり、帯電したイオン性不純物４４を吸着させることができる。
【０１２３】
＜液晶装置の製造方法＞
次に、変形例の液晶装置の製造方法のうち一部の製造方法を説明する。図１４（ａ）に示す工程では、素子基板１０上の全体に配向膜２８ａを形成する。具体的には、酸化シリコン（ＳｉＯ2）などの無機材料を斜方蒸着法を用いて形成する。雰囲気圧力は、例えば、５×１０-3Ｐａ程度である。
【０１２４】
図１４（ｂ）に示す工程では、配向膜２８ａが成膜された第１基材１０ａを、蒸着源に対して水平方向に１８０°回転する。つまり、配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１の延在方向と、次の工程で蒸着する配向膜２８ｂの蒸着方向とを逆方向にする。その後、少なくとも画素電極２７上を覆い、少なくとも第１周辺電極４１上に開口部を有するマスク４５を配置する。
【０１２５】
図１４（ｃ）に示す工程では、マスク４５を配置した表示領域Ｅを除く周辺領域７１に、配向膜２８ｂを成膜する。つまり、第１周辺電極４１を含む周辺領域７１は、配向膜２８ａ上に配向膜２８ｂが成膜される。
【０１２６】
具体的には、配向膜２８ａを斜方蒸着したときの雰囲気圧力より高い雰囲気圧力を加えて、すなわち配向膜２８ａを斜方蒸着したときより低い真空度で斜方蒸着する。雰囲気圧力としては、例えば、３×１０-2Ｐａ程度である。
【０１２７】
更に、配向膜２８ａの蒸着方向と異なる方向から配向膜２８ｂを蒸着させる。蒸着方向を変えることにより、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の傾斜方向が変わる。柱状構造物２８ａ１と異なる方向に柱状構造物２８ｂ１を傾斜させることにより、図１５に示すように、柱状構造物２８ｂ１の隙間が広くなる。
【０１２８】
このように、成膜条件を異ならせることにより、表示領域Ｅの配向膜２８ａを構成する柱状構造物２８ａ１の間隔と比較して、周辺領域７１の配向膜２８ｂを構成する柱状構造物２８ｂ１の間隔を広くする（疎の状態にする）ことができる。
【０１２９】
柱状構造物２８ａ１の間隔は、例えば、１ｎｍである。柱状構造物２８ｂ１の間隔は、例えば、２〜３ｎｍで、柱状構造物２８ａ１の間隔の２倍から３倍である。柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の幅は、例えば、１４ｎｍである。柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の長さは、例えば、７５ｎｍである。このように、雰囲気圧力を変えることにより、柱状構造物２８ａ１，２８ｂ１の間隔を変えることができる。
【０１３０】
図１５に示すように、第１周辺電極４１や画素電極２７上を含む第１基材１０ａ上の全体に、配向膜２８ａが形成されている。また、少なくとも第１周辺電極４１上に配向膜２８ｂが形成されている。
【０１３１】
具体的には、配向膜２８ａの蒸着方向（傾斜方向）と配向膜２８ｂの蒸着方向（傾斜方向）とが異なっている。また、図１５に示すように、配向膜２８ｂの柱状構造物２８ｂ１の間隔は、配向膜２８ａの柱状構造物２８ａ１の間隔と比較して広くなっている。このようにすることで、画素電極２７の周囲（特に、第１周辺電極４１上）において、帯電したイオン性不純物４４を捕獲することができる。
【０１３２】
更に、第１周辺電極４１への電圧の印加中はもちろん、電圧の印加を停止した場合でも、複数の柱状構造物２８ｂ１の間に存在する隙間によって、帯電したイオン性不純物４４をトラップする（言い換えれば、柱状構造物２８ｂ１の周囲に帯電した不純物を捕獲する）ことが可能となり、表示領域Ｅに再拡散することを抑えることができる。以上により、素子基板１０側が完成する。
【０１３３】
次に、対向基板２０側の製造方法を説明する。まず、ガラス基板等の透光性材料からなる第２基材２０ａ上に、周知の成膜技術、フォトリソグラフィ技術及びエッチング技術を用いて、第２周辺電極４２を有する対向電極３１を形成する。
【０１３４】
次に、対向電極３１上に配向膜３２ａ及び配向膜３２ｂを形成する。配向膜３２ａ及び配向膜３２ｂの製造方法は、例えば、素子基板１０側の配向膜２８ａ及び配向膜２８ｂと同様の方法を用いて形成する。なお、対向基板２０側は、配向膜３２ａのみ形成するようにしてもよい。以上により、対向基板２０側が完成する。その後は、上記実施形態と同様に、素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせて完成させる。
【０１３５】
この液晶装置２００によれば、第１周辺電極４１及び第２周辺電極４２の少なくとも上面に吸着膜２８ｂ，３２ｂを形成するので、第１周辺電極４１上の柱状構造物２８ｂ１の間隔を、画素電極２７上の柱状構造物２８ａ１の間隔と比べて広くすることが可能となる。よって、注入時から液晶に含まれていたり、注入後にシール材１４などから液晶に溶出されたりする帯電したイオン性不純物４４を、周辺電極４１，４２上の吸着膜２８ｂ，３２ｂ（柱状構造物２８ｂ１，３２ｂ１）で捕獲（トラップ）することができる。
【０１３６】
（変形例４）
上記したように、対向基板２０に設けられた遮光膜１８と平面視で重なるように第１周辺電極４１及び第２周辺電極４２を配置することに限定されず、例えば、遮光膜１８より外側（シール材１４側）に第１周辺電極４１及び第２周辺電極４２を配置するようにしてもよい。
【０１３７】
これによれば、遮光膜１８より外側に第１周辺電極４１及び第２周辺電極４２を設けるので、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２との位置が平面視でずれ、電界が斜めにかかった場合などのように、配向不良が表示領域Ｅに現れることを抑えることができる。また、遮光膜１８の厚みに起因して凸部の上面に段差が生じた場合のように、乱反射が生じることを抑えることができる。
【０１３８】
（変形例５）
上記したように、第１周辺電極４１の上面の幅と、第２周辺電極４２との上面の幅とを同じにすることに限定されず、例えば、第２周辺電極４２の方が広くなるようにしてもよい。また、表示領域Ｅに配向不良の影響が現れにくいようであれば、第１周辺電極４１の方が広くなるようにしてもよい。
【０１３９】
（変形例６）
上記したように、素子基板１０側は、新たに第１周辺電極４１を形成することに限定されず、例えば、表示領域Ｅの周囲に配置されたダミー画素電極を用いるようにしてもよい。対向基板２０側は、例えば、上記実施形態と同様に形成する。これによれば、従来の構成にあるダミー画素電極を第１周辺電極４１として適用することができ、新たにプロセス工程を増やすことなく対応できる。
【０１４０】
（変形例７）
上記したように、第１周辺電極４１の幅、及び第２周辺電極４２の幅を、表示領域Ｅの周囲に亘って同じ幅で設けられていることに限定されず、例えば、液晶注入口のある側の端面に沿って、他の領域と比較して幅が広くなるように配置してもよい。これによれば、液晶注入口の封止材側の第１周辺電極４１及び第２周辺電極４２の幅を太くするので、液晶注入時に混入したイオン性不純物４４や封止材から溶出したイオン性不純物４４を、効率よく引き寄せ、吸着させることができる。
【０１４１】
（変形例８）
上記したように、第１周辺電極４１の幅Ｗ１と第２周辺電極４２の幅Ｗ２とを略等しくすることに限定されず、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２との間で斜めの電界がかからないようにすればよく、絶縁膜３３からなる凸部４２ａのみが、平面視で表示領域Ｅ側にずれて配置されていてもよい。
【０１４２】
（変形例９）
上記したように、第１周辺電極４１と第２周辺電極４２とを近づけるために、凸部４１ａ，４２ａを絶縁膜３３や絶縁層１１ｅに形成することに限定されず、第１基材１０ａや第２基材２０ａに凸部を形成し、その凸部に倣って各周辺電極４１，４２を形成するようにしてもよい。
【０１４３】
（変形例１０）
上記したように、透過型の液晶装置１００であることに限定されず、例えば、反射型の液晶装置に本発明を適用するようにしてもよい。
【符号の説明】
【０１４４】
３ａ…走査線、３ｂ…容量線、３ｃ…下側遮光膜（走査線）、６ａ…データ線、１０…第１基板としての素子基板、１０ａ…第１基材、１１ａ…下地絶縁層、１１ｂ…第１層間絶縁層、１１ｃ…第２層間絶縁層、１１ｄ…第３層間絶縁層、１１ｅ…絶縁層、１１ｇ…ゲート絶縁層、１４…シール材、１５…液晶層、１６…容量素子、１６ａ…第１容量電極、１６ｂ…第２容量電極、１６ｃ…誘電体膜、１８…遮光膜、２０…第２基板としての対向基板、２０ａ…第２基材、２２…データ線駆動回路、２４…走査線駆動回路、２５…検査回路、２６…上下導通部、２７…画素電極、２８，２８ａ，３２，３２ａ，３２ｂ…配向膜、２９…配線、３０…ＴＦＴ、３０ａ…半導体層、３０ｃ…チャネル領域、３０ｄ…画素電極側ソースドレイン領域、３０ｄ１…画素電極側ＬＤＤ領域、３０ｇ…ゲート電極、３０ｓ…データ線側ソースドレイン領域、３０ｓ１…データ線側ＬＤＤ領域、３１…共通電極としての対向電極、３３…絶縁膜、４１…第１電極としての第１周辺電極、４２…第２電極としての第２周辺電極、４１ａ，４２ａ…凸部、４１ｂ…電極、４４…イオン性不純物、４５…マスク、４６…レジストパターン、６１…外部接続用端子、７１…周辺領域、８１…配線、８２…中継電極、８３…レジストパターン、ＣＮＴ８４…コンタクトホール、１００，２００，３００…液晶装置、１０００…投射型表示装置、１１００…偏光照明装置、１１０１…ランプユニット、１１０２…インテグレーターレンズ、１１０３…偏光変換素子、１１０４，１１０５…ダイクロイックミラー、１１０６，１１０７，１１０８…反射ミラー、１２０１，１２０２，１２０３，１２０４，１２０５…リレーレンズ、１２０６…クロスダイクロイックプリズム、１２０７…投射レンズ、１２１０，１２２０，１２３０…液晶ライトバルブ、１３００…スクリーン。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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