(57)【要約】      （修正有）【課題】ウエーハの裏面に反射膜や金属膜を被覆されたウエーハであっても、デバイスを構成する機能層を破壊することなくウエーハの内部に改質層を形成する。【解決手段】複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに裏面に膜２４が被覆されているウエーハ２を、個々のデバイスに分割する加工方法であって、基板２０および機能層２１に対して透過性を有するとともに膜２４で反射する波長のレーザー光線を機能層２１側から基板２０の内部に集光点を位置付けて照射し、基板２０の内部に改質層を形成する改質層形成工程と、改質層形成工程が実施されたウエーハ２に外力を付与し、個々のデバイスに分割する分割工程とを含み、レーザー光線ＬＢの集光点Ｐは基板２０の裏面に形成された膜２４を超えた位置Ｐａに位置付けられて照射され、膜２４で反射して基板２０の内部に集光点Ｐが位置付けられ改質層を形成する。【選択図】図６
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面に機能層が積層され格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに裏面に膜が被覆されているウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
基板および機能層に対して透過性を有するとともに膜で反射する波長のレーザー光線を機能層側から基板の内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、を含み、
該改質層形成工程においては、レーザー光線の集光点は基板の裏面に形成された膜を超えた位置に位置付けられて照射され、照射されたレーザー光線は膜で反射して基板の内部に集光点が位置付けられることにより、基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法。
【請求項２】
該基板はサファイアで形成され、該機能層はn型半導体層およびp型半導体層が積層された発光層で構成され、該膜は金属膜からなっている、請求項１記載のウエーハの加工方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面に機能層が積層され格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに裏面に膜が被覆されているウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造工程においては、略円板形状である半導体ウエーハの表面に格子状に配列された分割予定ラインによって複数の領域が区画され、この区画された領域にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスを形成する。そして、半導体ウエーハを分割予定ラインに沿って切断することによりデバイスが形成された領域を分割して個々のデバイスを製造している。また、サファイア基板や炭化珪素基板の表面にn型窒化物半導体層およびp型窒化物半導体層からなる光デバイス層が積層され格子状に形成された複数のストリートによって区画された複数の領域にLED等の光デバイスを形成して光デバイスウエーハを構成する。そして、光デバイスウエーハをストリートに沿って切断することにより光デバイスが形成された領域を分割して個々の光デバイスを製造している。
【０００３】
上述したウエーハを分割予定ラインに沿って分割する方法として、ウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を用い、分割すべき領域の内部に集光点を合わせてパルスレーザー光線を照射するレーザー加工方法が試みられている。このレーザー加工方法を用いた分割方法は、ウエーハの一方の面側から内部に集光点を合わせてウエーハに対して透過性を有する波長のパルスレーザー光線を内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を連続的に形成し、この改質層が形成されることによって強度が低下した分割予定ラインに沿って外力を加えることにより、ウエーハを個々のデバイスに分割するものである。（例えば、特許文献１参照。）
【０００４】
サファイア基板の表面に光デバイス層が形成された光デバイスウエーハとして、光デバイス層から発光された光を反射して光の取り出し輝度を向上させるために、サファイア基板の裏面に金、アルミニウム等からなる反射膜を積層する技術が提案されている。また、パワーデバイスの裏面に電極として金属膜が被覆されたウエーハも実用化されている。
【０００５】
しかるに、ウエーハの裏面に反射膜や電極としての金属膜が被覆されていると、金属膜がレーザー光線の妨げとなりウエーハの裏面側からレーザー光線を照射することができないという問題がある。また、ウエーハの表面側から内部に集光点を合わせてレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射すると、ＩＣ、ＬＳＩ、LED等のデバイスを構成する機能層が破壊されるという問題がある。
【０００６】
上述した問題を解消するために、ウエーハの裏面に反射膜や電極としての金属膜を被覆する前にウエーハの裏面側から内部に集光点を合わせてレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射することにより、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する技術が下記特許文献２に開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特許第３４０８８０５号公報
【特許文献２】特開２０１１−２４３８７５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
而して、上記特許文献２に開示された技術においては、ウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層が形成されていることから、ウエーハの裏面に反射膜や電極としての金属膜を被覆する際に、改質層が形成され強度が低下せしめられた分割予定ラインに沿ってウエーハが破断するという問題がある。
【０００９】
本発明は上記事実に鑑みてなされたものであり、その主たる技術課題は、ウエーハの裏面に反射膜や電極としての金属膜が被覆されたウエーハであっても、ウエーハの表面側から内部に集光点を合わせてレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射することにより、デバイスを構成する機能層を破壊することなくウエーハの内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成することができるウエーハの加工方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記主たる技術課題を解決するため、本発明によれば、基板の表面に機能層が積層され格子状に形成された複数の分割予定ラインによって区画された複数の領域にデバイスが形成されているとともに裏面に膜が被覆されているウエーハを、分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割するウエーハの加工方法であって、
基板および機能層に対して透過性を有するとともに膜で反射する波長のレーザー光線を機能層側から基板の内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程と、
該改質層形成工程が実施されたウエーハに外力を付与し、ウエーハを改質層が形成された分割予定ラインに沿って個々のデバイスに分割する分割工程と、を含み、
該改質層形成工程においては、レーザー光線の集光点は基板の裏面に形成された膜を超えた位置に位置付けられて照射され、照射されたレーザー光線は膜で反射して基板の内部に集光点が位置付けられることにより、基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する、
ことを特徴とするウエーハの加工方法が提供される。
【００１１】
上記基板はサファイアで形成され、機能層はn型半導体層およびp型半導体層が積層された発光層で構成され、膜は金属膜からなっている。
【発明の効果】
【００１２】
本発明においては、基板および機能層に対して透過性を有するとともに膜で反射する波長のレーザー光線を機能層側から基板の内部に集光点を位置付けて分割予定ラインに沿って照射し、基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成する改質層形成工程は、レーザー光線の集光点が基板の裏面に形成された膜を超えた位置に位置付けられて照射され、照射されたレーザー光線は膜で反射して基板の内部に集光点が位置付けられることにより、基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成するので、機能層の表面に照射されるレーザー光線のスポットの面積が一般的な集光点の位置付け方法において照射されるレーザー光線のスポットの面積より大きくなる。従って、本発明においては機能層の表面に照射されるレーザー光線のパワー密度が、一般的な集光点の位置付け方法と比較して１／１０以下となる。このため本発明によれば、基板の裏面に膜が被覆されたウエーハであっても、ウエーハを構成する機能層側から内部に集光点を合わせてレーザー光線を分割予定ラインに沿って照射しても、デバイスを形成する機能層を破壊することなくウエーハを構成する基板の内部に分割予定ラインに沿って改質層を形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明による光デバイスウエーハの加工方法によって加工される光デバイスウエーハを示す斜視図および要部拡大断面図。
【図２】図１に示す光デバイスウエーハを環状のフレームに装着された保護テープに貼着した状態を示す斜視図。
【図３】本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成工程を実施するためのレーザー加工装置の要部斜視図。
【図４】本発明によるウエーハの加工方法における改質層形成工程の説明図。
【図５】一般的な集光点の位置付け方法の説明図。
【図６】本発明による集光点の位置付け方法の説明図。
【図７】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程を実施するための分割装置の斜視図。
【図８】本発明によるウエーハの加工方法における分割工程の説明図。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明による光デバイスウエーハの加工方法の好適な実施形態について、添付図面を参照して詳細に説明する。
【００１５】
図１には、本発明による光デバイスウエーハの加工方法によって加工される光デバイスウエーハの斜視図および要部を拡大して示す断面図が示されている。
図1の(a)および(b)に示す光デバイスウエーハ２は、略円板形状であるサファイア基板２０の表面２０aにn型窒化ガリウム半導体層２１１およびp型窒化ガリウム半導体層２１２からなる機能層としての発光層２１がエピタキシャル成長法によって形成されている。なお、発光層２１は、窒化ガリウム（GaN）に限らず、GaP、GaInP、GaInAs、GaInAsP、InP、InN、InAs、AIN、AIGaAs等によって形成される。また、サファイア基板２０の裏面２０bには、金、アルミニウム等の金属膜からなる反射膜２４が被覆されている。このように構成された光デバイスウエーハ２は、図示の実施形態においては図1の(ｂ)に示すようにサファイア基板２０の直径が１００mm、サファイア基板２０の厚みが１００μm、発光層２１の厚みが５μm、反射膜２４の厚みが１μmに形成されている。なお、発光層２１は、図1の(a)に示すように格子状に形成された複数の分割予定ライン２２によって区画された複数の領域にLED等の光デバイス２３が形成されている。以下、この光デバイスウエーハ２を分割予定ライン２２に沿って個々の光デバイス２３に分割する加工方法について説明する。
【００１６】
上述したように形成された光デバイスウエーハ２は、図２に示すように環状のフレーム３に装着されたポリオレフィン等の合成樹脂シートからなる保護テープ４にサファイア基板２０の裏面２０bに被覆された反射膜２４側を貼着する（ウエーハ支持工程）。従って、環状のフレーム３に装着された保護テープ４に貼着された光デバイスウエーハ２は、サファイア基板２０の表面２０aに積層され光デバイス２３が形成されている発光層２１が上側となる。
【００１７】
上記ウエーハ支持工程を実施したならば、サファイア基板２０および機能層としての発光層２１に対して透過性を有するとともに反射膜２４で反射する波長のレーザー光線を発光層２１側からサファイア基板２０の内部に集光点を位置付けて分割予定ライン２２に沿って照射し、サファイア基板２０の内部に分割予定ライン２２に沿って改質層を形成する改質層形成工程を実施する。この改質層形成工程は、図３に示すレーザー加工装置５を用いて実施する。図３に示すレーザー加工装置５は、被加工物を保持するチャックテーブル５１と、該チャックテーブル５１上に保持された被加工物にパルスレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２と、チャックテーブル５１上に保持された被加工物を撮像する撮像手段５３を具備している。
【００１８】
上記チャックテーブル５１は、上面である保持面に被加工物を吸引保持するように構成されており、図示しない加工送り手段によって図３において矢印Ｘで示す方向に加工送りされるとともに、図示しない割り出し送り手段によって図３において矢印Ｙで示す方向に割り出し送りされるようになっている。
【００１９】
上記レーザー光線照射手段５２は、実質上水平に配置された円筒形状のケーシング５２１を含んでいる。ケーシング５２１内には図示しないパルスレーザー光線発振器や繰り返し周波数設定手段を備えたパルスレーザー光線発振手段が配設されている。上記ケーシング５２１の先端部には、パルスレーザー光線発振手段から発振されたパルスレーザー光線を集光するための集光レンズ５２２aを備えた集光器５２２が装着されている。なお、集光レンズ５２２aは、図示の実施形態においては開口数(NA)が０．８に設定されている。
【００２０】
また、上記レーザー光線照射手段５２を構成するケーシング５２１の先端部に装着された撮像手段５３は、顕微鏡やＣＣＤカメラ等の光学手段によって構成されており、撮像した画像信号を図示しない制御手段に送る。
【００２１】
上述したレーザー加工装置５を用いて実施する上記改質層形成工程について、図３および図４を参照して説明する。
改質層形成工程は、先ず上述した図３に示すレーザー加工装置５のチャックテーブル５１上に光デバイスウエーハ２が貼着された環状のフレーム３側を載置する。そして、図示しない吸引手段を作動することにより、チャックテーブル５１上に保護テープ４を介して光デバイスウエーハ２を吸引保持する（ウエーハ保持工程）。従って、チャックテーブル５１に保持された光デバイスウエーハ２は、発光層２１が上側となる。なお、図３においては、保護テープ４が装着された環状のフレーム３を省いて示しているが、環状のフレーム３はチャックテーブル５１に配設された適宜のフレーム保持手段に保持されている。
【００２２】
上述したようにチャックテーブル５１上に光デバイスウエーハ２を吸引保持したならば、図示しない加工送り手段を作動して光デバイスウエーハ２を吸引保持したチャックテーブル５１を撮像手段５３の直下に移動する。チャックテーブル５１が撮像手段５３の直下に位置付けられると、撮像手段５３および図示しない制御手段によって光デバイスウエーハ２のレーザー加工すべき加工領域を検出するアライメント作業を実行する。即ち、撮像手段５３および図示しない制御手段は、光デバイスウエーハ２の発光層２１に所定方向に形成されている分割予定ライン２２と、分割予定ライン２２に沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射手段５２の集光器５２２との位置合わせを行うためのパターンマッチング等の画像処理を実行し、レーザー光線照射位置のアライメントを遂行する（アライメント工程）。また、発光層２１に形成されている上記所定方向と直交する方向に形成された分割予定ライン２２に対しても、同様にレーザー光線照射位置のアライメントが遂行される。
【００２３】
以上のようにしてチャックテーブル５１上に保持された光デバイスウエーハ２を構成する発光層２１に形成された分割予定ライン２２を検出し、レーザー光線照射位置のアライメントが行われたならば、図４の（ａ）で示すようにチャックテーブル５１をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２が位置するレーザー光線照射領域に移動し、所定の分割予定ライン２２の一端（図４の（ａ）において左端）をレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の直下に位置付ける。そして、集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の表面に積層された発光層２１の表面（上面）から例えば５０μmの位置に合わせる。この集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐの位置付け方法については、後で詳細に説明する。
【００２４】
次に、集光器５２２からサファイア基板２０および発光層２１に対して透過性を有するとともに反射膜２４で反射する波長のパルスレーザー光線を照射しつつチャックテーブル５１を図４の（ａ）において矢印Ｘ１で示す方向に所定の加工送り速度で移動せしめる。そして、図４の（ｂ）で示すようにレーザー光線照射手段５２の集光器５２２の照射位置に分割予定ライン２２の他端（図４の（b）において右端）が達したら、パルスレーザー光線の照射を停止するとともにチャックテーブル５１の移動を停止する。この結果、光デバイスウエーハ２のサファイア基板２０には、発光層２１の表面（上面）から５０μmの位置に分割予定ライン２２に沿って改質層２００が形成される。
【００２５】
上記改質層形成工程における加工条件は、例えば次のように設定されている。
光源                    ：ＬＤ励起ＱスイッチＮｄ：ＹＶＯ４レーザー
波長                    ：１０６４ｎｍのパルスレーザー
繰り返し周波数          ：１００ｋＨｚ
平均出力                ：０．３W
集光レンズの開口数(NA)  ：０．８
集光スポット径          ：φ１μｍ
加工送り速度            ：１００ｍｍ／秒
【００２６】
上述したように、光デバイスウエーハ２を構成する発光層２１の所定方向に形成された全ての分割予定ライン２２に沿って上記改質層形成工程を実施したならば、光デバイスウエーハ２を保持したチャックテーブル５１を９０度回動した位置に位置付ける。そして、光デバイスウエーハ２を構成する発光層２１の上記所定方向と直交する方向に形成された全ての分割予定ライン２２に沿って上記改質層形成工程を実施する。
【００２７】
ここで、集光器５２２から照射されるパルスレーザー光線の集光点Ｐを光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の表面に積層された発光層２１の表面（上面）から５０μmの位置に合わせる方法について、図５および図６を参照して説明する。
図５は、一般的な集光点の位置付け方法であって、集光器５２２を構成する集光レンズ５２２aによるパルスレーザー光線LBの集光点Paを光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の表面に積層された発光層２１の表面（上面）から５０μmの位置に合わせる。このように集光点Paを位置付けて照射されたパルスレーザー光線LBは、集光レンズ５２２aの開口数(NA)が０．８の場合には、発光層２１の表面（上面）において直径がφ１３３μmとなる。
【００２８】
図６は、本発明による集光点の位置付け方法であって、集光器５２２を構成する集光レンズ５２２aによるパルスレーザー光線LBの集光点Paを光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０（厚さ１００μm）の表面に積層された発光層２１（厚さ５μm）の表面（上面）から反射膜２４を超えた１６０μmの位置に合わせる。このように集光点Paを位置付けて照射されたパルスレーザー光線LBは、深さ１０５μmの反射膜２４で反射して反射膜２４から５５μmの位置で反射光によって集光するので、光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の裏面に被覆された反射膜２４で反射してサファイア基板２０の表面に積層された発光層２１の表面（上面）から５０μmの位置に集光(P)される。このようにして照射されたレーザー光線LBは、集光レンズ５２２aの開口数(NA)が０．８の場合には、発光層２１の表面（上面）において直径がφ４２７μmとなる。
【００２９】
以上のように、図５に示す一般的な集光点の位置付け方法においては集光レンズ５２２aの開口数(NA)が０．８の場合に発光層２１の表面（上面）には直径がφ１３３μmの面積でパルスレーザー光線LBが照射されるのに対し、図６に示す本発明による集光点の位置付け方法おいては集光レンズ５２２aの開口数(NA)が０．８の場合に発光層２１の表面（上面）には直径がφ４２７μmの面積でパルスレーザー光線LBが照射されることになる。従って、図５に示す一般的な集光点の位置付け方法において発光層２１の表面（上面）に照射されるパルスレーザー光線LBのパワー密度は上記加工条件で０．０２１６J／cm２であるのに対し、図６に示す本発明による集光点の位置付け方法おいて発光層２１の表面（上面）に照射されるパルスレーザー光線LBのパワー密度は上記加工条件で０．００２１J／cm２となる。このように、本発明による集光点の位置付け方法においては発光層２１の表面（上面）に照射されるパルスレーザー光線LBのパワー密度が、一般的な集光点の位置付け方法と比較して１／１０以下となる。従って、本発明による上記改質層形成工程においては、サファイア基板２０の裏面に反射膜２４が被覆された光デバイスウエーハ２であっても、光デバイスウエーハ２を構成する発光層２１側から内部に集光点を合わせてレーザー光線を分割予定ライン２２に沿って照射しても、光デバイス２３を形成する発光層２１を破壊することなく光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の内部に分割予定ライン２２に沿って改質層２００を形成することができる。
【００３０】
以上のようにして改質層形成工程を実施したならば、改質層２００が形成された光デバイスウエーハ２に外力を付与し、光デバイスウエーハ２を分割予定ライン２２に沿って分割する分割工程を実施する。この分割工程は、図示の実施形態においては図７に示す分割装置６を用いて実施する。図７に示す分割装置６は、上記環状のフレーム３を保持するフレーム保持手段６１と、該フレーム保持手段６１に保持された環状のフレーム３に装着された保護テープ４を拡張するテープ拡張手段６２を具備している。フレーム保持手段６１は、環状のフレーム保持部材６１１と、該フレーム保持部材６１１の外周に配設された固定手段としての複数のクランプ６１２とからなっている。フレーム保持部材６１１の上面は環状のフレーム３を載置する載置面６１１ａを形成しており、この載置面６１１ａ上に環状のフレーム３が載置される。そして、載置面６１１ａ上に載置された環状のフレーム３は、クランプ６１２によってフレーム保持部材６１１に固定される。このように構成されたフレーム保持手段６１は、テープ拡張手段６２によって上下方向に進退可能に支持されている。
【００３１】
テープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１の内側に配設される拡張ドラム６２１を具備している。この拡張ドラム６２１は、環状のフレーム３の内径より小さく該環状のフレーム３に装着された保護テープ４に貼着される光デバイスウエーハ２の外径より大きい内径および外径を有している。また、拡張ドラム６２１は、下端に支持フランジ６２２を備えている。図示の実施形態におけるテープ拡張手段６２は、上記環状のフレーム保持部材６１１を上下方向に進退可能な支持手段６３を具備している。この支持手段６３は、上記支持フランジ６２２上に配設された複数のエアシリンダ６３１からなっており、そのピストンロッド６３２が上記環状のフレーム保持部材６１１の下面に連結される。このように複数のエアシリンダ６３１からなる支持手段６３は、環状のフレーム保持部材６１１を載置面６１１ａが拡張ドラム６２１の上端と略同一高さとなる基準位置と、拡張ドラム６２１の上端より所定量下方の拡張位置の間を上下方向に移動せしめる。従って、複数のエアシリンダ６３１からなる支持手段６３は、拡張ドラム６２１とフレーム保持部材６１１とを上下方向に相対移動する拡張移動手段として機能する。
【００３２】
以上のように構成された分割装置６を用いて実施する分割工程について図８を参照して説明する。即ち、光デバイスウエーハ２（光デバイスウエーハ２を構成するサファイア基板２０の内部に分割予定ライン２２に沿って改質層２００が形成されている）を保護テープ４を介して支持した環状のフレーム３を、図８の（ａ）に示すようにフレーム保持手段６１を構成するフレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に載置し、クランプ機構６１２によってフレーム保持部材６１１に固定する。このとき、フレーム保持部材６１１は図８の（ａ）に示す基準位置に位置付けられている。次に、テープ拡張手段６２を構成する支持手段６３としての複数のエアシリンダ６３１を作動して、環状のフレーム保持部材６１１を図８の（ｂ）に示す拡張位置に下降せしめる。従って、フレーム保持部材６１１の載置面６１１ａ上に固定されている環状のフレーム３も下降するため、図８の（ｂ）に示すように環状のフレーム３に装着された保護テープ４は拡張ドラム６２１の上端縁に当接して拡張せしめられる（テープ拡張工程）。この結果保護テープ４に貼着されている光デバイスウエーハ２は放射状に引張力が作用する。このように光デバイスウエーハ２に放射状に引張力が作用すると、分割予定ライン２２に沿って形成された改質層２００は強度が低下せしめられているので、この改質層２００が破断起点となって光デバイスウエーハ２は改質層２００が形成された分割予定ライン２２に沿って破断され個々の光デバイス２３に分割される。
【００３３】
以上、本発明を図示の実施形態に基づいて説明したが、本発明は実施形態のみに限定されるものではなく、本発明の趣旨の範囲で種々の変形は可能である。上述した実施形態においては、本発明をサファイア基板の表面に発光層が積層され裏面に反射膜が被覆されている光デバイスウエーハに適用した例を示したが、本発明によるウエーハの加工方法はシリコン基板の表面にＩＣ、ＬＳＩ等のデバイスが形成され裏面に金属膜が形成された半導体ウエーハ等に適用しても同様の作用効果が得られる。
【符号の説明】
【００３４】
２：光デバイスウエーハ
２０：サファイア基板
２１：発光層
３：環状のフレーム
４：保護テープ
５：レーザー加工装置
５１：チャックテーブル
５２：レーザー光線照射手段
５２２：集光器
５３：撮像手段
６：分割装置
６１：フレーム保持手段
６２：テープ拡張手段
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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