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【手続補正書】
【提出日】令和3年9月29日(2021.9.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１ランドを有する電子部品と、
第２ランドを有するプリント配線板と、
前記第１ランドと前記第２ランドとを接続する接続部と、を備え、
前記第２ランドは、前記電子部品の側から平面視すると前記第１ランドの内側に配置される本体部と、前記電子部品の側から平面視すると前記第１ランドよりも外側に突出する部分を有する突出部と、を有し、
前記接続部は、前記電子部品に接する面積より、前記プリント配線板に接する面積の方が大きい、ことを特徴とするプリント回路板。
【請求項２】
前記プリント配線板は前記第１ランドよりも大きい開口が形成されたレジスト部を有し、前記突出部の先端は、前記レジスト部に覆われていることを特徴とする請求項１に記載のプリント回路板。
【請求項３】
前記突出部の突出方向と直交する方向の最大幅が１０［μｍ］以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載のプリント回路板。
【請求項４】
前記第１ランドが、前記電子部品の側から平面視すると円形状であることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項５】
前記第２ランドが、前記突出部を２つ以上有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項６】
前記接続部は、前記本体部上、前記２つ以上の突出部上及び前記２つ以上の突出部のうち隣接する２つの突出部の間の部分上に形成されていることを特徴とする請求項５に記載のプリント回路板。
【請求項７】
前記第２ランドが、前記突出部を３つ以上有し、前記３つ以上の突出部の各々が前記本体部の周方向に等間隔に配置されていることを特徴とする請求項５または６に記載のプリント回路板。
【請求項８】
前記接続部は、はんだを含むことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項９】
前記本体部が、前記電子部品の側から平面視すると円形状もしくは四角形状であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項１０】
前記突出部は配線と接続されていないことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項１１】
前記電子部品の側から平面視すると前記接続部を囲んでいる樹脂部を更に有し、
前記樹脂部は、前記電子部品と前記プリント配線板とを接続していることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項１２】
前記電子部品は、半導体素子と、前記半導体素子が実装される、前記第１ランドを含むパッケージ基板と、を有するパッケージであることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項１３】
前記電子部品は、イメージセンサであることを特徴とする請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項１４】
前記電子部品は、ＬＧＡのパッケージであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のプリント回路板。
【請求項１５】
筐体と、
前記筐体の内部に配置された、請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のプリント回路板と、を備える電子機器。
【請求項１６】
前記電子機器がモバイル機器である請求項１５に記載の電子機器。
【請求項１７】
前記電子機器がスマートフォンである請求項１５に記載の電子機器。
【請求項１８】
前記電子機器が撮像装置である請求項１５に記載の電子機器。
【請求項１９】
前記撮像装置がカメラである請求項１８に記載の電子機器。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のプリント回路板は、第１ランドを有する電子部品と、第２ランドを有するプリント配線板と、前記第１ランドと前記第２ランドとを接続する接続部と、を備え、前記第２ランドは、前記電子部品の側から平面視すると前記第１ランドの内側に配置される本体部と、前記電子部品の側から平面視すると前記第１ランドよりも外側に突出する部分を有する突出部と、を有し、前記接続部は、前記電子部品に接する面積より、前記プリント配線板に接する面積の方が大きいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月15日(2021.2.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面を有する絶縁基体と、
前記絶縁基体の上面に位置した第１線路導体と、
前記絶縁基体の上面に位置するとともに、平面視において前記第１線路導体と間を空けて位置する第２線路導体と、
前記絶縁基体の上面に位置するとともに、平面視において前記第１線路導体と前記第２線路導体と間を空けて位置した接地導体層と、を備えており、
前記第１線路導体は、第１分離部を介して互いに離間して位置する一対の第１電極パッドと、該一対の第１電極パッドに接続されて前記第１分離部から遠ざかるようにそれぞれ延びる一対の第１線路と、を有しているとともに、
前記第２線路導体は、第２分離部を介して互いに離間して位置する一対の第２電極パッドと、該一対の第２電極パッドに接続されて前記第２分離部から遠ざかるようにそれぞれ延びる一対の第２線路と、を有しており、
前記一対の第１電極パッドが対向する方向を第１方向とし、該第１方向に直交する方向を第２方向としたとき、
平面視において、前記接地導体層は、前記第１線路導体と前記第２線路導体との間に位置する第１領域と、前記第２方向において前記第１線路導体を挟んで前記第１領域と対向して位置する第２領域と、前記第２方向において前記第２線路導体に対して前記第１領域と対向して位置する第３領域と、を有している、高周波基体。
【請求項２】
平面視において、前記第２方向における前記第１線路から前記第２領域までの第１距離は、前記第２方向における前記一対の第１電極パッドのうちの一方の第１電極パッドから前記第２領域までの第２距離よりも小さい、請求項１に記載の高周波基体。
【請求項３】
平面視において、前記第２方向における前記第２線路から前記第３領域までの第３距離は、前記第２方向における前記一対の第２電極パッドのうちの一方の第２電極パッドから前記第３領域までの第４距離よりも小さい、請求項２に記載の高周波基体。
【請求項４】
前記第１距離は前記第３距離と等しく、前記第２距離は前記第４距離と等しい、請求項３に記載の高周波基体。
【請求項５】
平面視において、前記第２方向における前記第１領域から前記第１線路までの距離は、前記第２方向における前記第１領域から前記第２線路までの距離と等しい、請求項１乃至
４のいずれかに記載の高周波基体。
【請求項６】
前記絶縁基体の上面に位置する凹部を更に有しており、
前記凹部の誘電率は前記絶縁基体の誘電率よりも低く、
平面視において、前記凹部は、前記第２方向において、前記第１分離部から前記第２分離部に亘って位置している、請求項１乃至５のいずれかに記載の高周波基体。
【請求項７】
平面視において、前記凹部は、前記第２方向において、前記一対の第１電極パッドよりも外方に延びているとともに、前記一対の第２電極パッドよりも外方に延びている、請求項６に記載の高周波基体。
【請求項８】
平面視において、前記第２方向における前記凹部から前記第２領域までの第５距離は、前記第２方向における前記一対の第１電極パッドから前記第２領域までの第６距離よりも小さい、請求項６または７に記載の高周波基体。
【請求項９】
平面視において、前記第２方向における前記凹部から前記第３領域までの第７距離は、前記第２方向における前記一対の第２電極パッドから前記第３領域までの第８距離よりも小さい、請求項８に記載の高周波基体。
【請求項１０】
前記第５距離は前記第７距離と等しく、前記第６距離は前記第８距離と等しい、請求項９に記載の高周波基体。
【請求項１１】
平面視において、前記凹部は、前記第１方向において、前記第１配線導体と前記第２配線導体の間であって、前記一対の第１電極パッドのうち一方の第１電極パッドから、前記第１分離部を通り、前記一対の第１電極パッドのうち他方の第１電極パッドにまで亘って延びている、請求項６乃至１０のいずれかに記載の高周波基体。
【請求項１２】
基板と、
前記基板に位置する枠体と、
前記枠体に固定された請求項１乃至１１のいずれかに記載の高周波基体と、を備えていることを特徴とする高周波パッケージ。
【請求項１３】
請求項１２に記載の高周波パッケージと、
前記基板に実装された、前記高周波パッケージの前記高周波基体と電気的に接続された半導体素子と、
前記枠体の上端に接合された、前記半導体素子を覆うとともに前記高周波パッケージの内部を覆った蓋体と、を備えていることを特徴とする高周波モジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の一実施形態にかかる高周波基体は、絶縁基体と、第１線路導体と、第２線路導体と、接地導体層とを備えている。絶縁基体は上面を有し、第１線路導体および第２線路導体および接地導体層とは前記絶縁基体の上面に位置しており、第２線路導体は、平面視において前記第１線路導体と間を空けて位置し、接地導体層は、平面視において前記第１線路導体と前記第２線路導体と間を空けて位置する。第１線路導体は、第１分離部を介して互いに離間して位置する一対の第１電極パッドと、該一対の第１電極パッドに接続され
て前記第１分離部から遠ざかるようにそれぞれ延びる一対の第１線路と、を有しているとともに、第２線路導体は、第２分離部を介して互いに離間して位置する一対の第２電極パッドと、該一対の第２電極パッドに接続されて前記第２分離部から遠ざかるようにそれぞれ延びる一対の第２線路と、を有している。一対の第１電極パッドが対向する方向を第１方向とし、該第１方向に直交する方向を第２方向とする。このとき、平面視において、接地導体層は、第１線路導体と第２線路導体との間に位置する第１領域と、第２方向において第１線路導体よりも外方に位置する第２領域と、第２方向において第２線路導体よりも外方に位置する第３領域と、を有している。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月28日(2020.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数本の同一径を有するアルミニウムまたはアルミニウム合金よりなる素線が撚り合わせられた電線導体において、
前記電線導体は、全ての前記素線が一括して同芯撚にて撚り合わせられたものであり、
前記電線導体の軸線方向に交差する断面における前記素線の配置は、正六角形に近似される外接図形の中に前記素線と同じ径を有する仮想素線を最大本数充填した仮想断面の外周部から、１本または複数本の前記仮想素線を除去したものであり、
前記電線導体を構成する前記素線の本数は、３ｎ（ｎ＋１）＋１（ただしｎは１以上の自然数）を除く４以上の自然数であることを特徴とする電線導体。
【請求項２】
前記電線導体の導体断面積を前記電線導体の外径の最大値を直径とする円の面積で除した値として算出される最大径断面積率が、０．６２以上であることを特徴とする請求項１に記載の電線導体。
【請求項３】
前記電線導体の導体断面積を前記電線導体の外径の最大値を直径とする円の面積で除した値として算出される最大径断面積率は、０．６６以上であることを特徴とする請求項１または２に記載の電線導体。
【請求項４】
前記電線導体の導体断面積を前記電線導体の外径の平均値を直径とする円の面積で除した値として算出される平均径断面積率が、０．７３以上であることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の電線導体。
【請求項５】
前記電線導体の導体断面積を前記電線導体の外径の平均値を直径とする円の面積で除した値として算出される平均径断面積率は、０．７６以上であることを特徴とする請求項１から４のいずれか１項に記載の電線導体。
【請求項６】
前記素線の外径が０．３２ｍｍ、前記電線導体の呼び寸法が５ｓｑであり、前記電線導体の外径の最大値が３．１０ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１から５のいずれか１項に記載の電線導体。
【請求項７】
前記素線の外径が０．３２ｍｍ、前記電線導体の呼び寸法が５ｓｑであり、前記電線導体の外径の平均値が２．８５ｍｍ未満であることを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の電線導体。
【請求項８】
前記外接図形の頂点に対応する位置の前記仮想素線は除去されないことを特徴とする請求項１から７のいずれか１項に記載の電線導体。
【請求項９】
前記仮想断面の外周部から複数の前記仮想素線が除去され、それら除去される複数の前記仮想素線どうしが、隣接していないことを特徴とする請求項１から８のいずれか１項に記載の電線導体。
【請求項１０】
請求項１から９のいずれか１項に記載の電線導体と、前記電線導体の外周を被覆する絶縁被覆と、を有することを特徴とする絶縁電線。
【請求項１１】
請求項１０に記載の絶縁電線を含むことを特徴とするワイヤーハーネス。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】電線導体、絶縁電線、ワイヤーハーネス
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月3日(2021.3.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
装置であって、
メモリブロックと通信する１つ以上の制御回路を備え、
前記メモリブロックは、第１のＮＡＮＤストリング及び第２のＮＡＮＤストリングを含み、前記第１のＮＡＮＤストリングが、第１のドレイン側選択ゲートトランジスタ及び第１のソース側選択ゲートトランジスタを含み、前記第２のＮＡＮＤストリングが、第２のドレイン側選択ゲートトランジスタ及び第２のソース側選択ゲートトランジスタを含み、前記メモリブロックが、複数のサブブロックを備え、前記第１のＮＡＮＤストリングが、前記複数のサブブロックの第１のサブブロック及び第２のサブブロックを通って延在し、前記第２のＮＡＮＤストリングが、前記複数のサブブロックの第３のサブブロック及び第４のサブブロックを通って延在しており、
前記メモリブロックは、第１の埋込みソース線と、前記第１の埋込みソース線から電気的に絶縁されている第２の埋込みソース線と、を含み、
前記メモリブロックは、前記第１のＮＡＮＤストリングの前記第１のソース側選択ゲートトランジスタを制御し、前記第２のＮＡＮＤストリングの前記第２のソース側選択ゲートトランジスタを制御するように構成されたソース側選択線であって、前記第１のソース側選択ゲートトランジスタが前記第１の埋込みソース線に接続し、前記第２のソース側選択ゲートトランジスタが前記第１の埋込みソース線から電気的に絶縁された前記第２の埋込みソース線に接続している、前記ソース側選択線を含み、
前記メモリブロックは、前記第１のＮＡＮＤストリングの前記第１のドレイン側選択ゲートトランジスタの接合部と、前記第２のＮＡＮＤストリングの前記第２のドレイン側選択ゲートトランジスタの接合部と、に接続されている、ビット線を含み、
前記制御回路は、消去動作中に、前記第１のドレイン側選択ゲートトランジスタ及び前記第２のドレイン側選択ゲートトランジスタを非導電状態に設定するように構成されており、前記消去動作中に、前記ソース側選択線を第１の電圧に設定し、前記消去動作中に、前記第１のサブブロックのメモリセルトランジスタに接続された第１の複数のワード線を前記第１の電圧よりも小さい第２の電圧に設定するように構成されており、前記消去動作中に、前記第２の埋込みソース線を前記第２の電圧に設定し、前記第１の埋込みソース線を前記第１の電圧よりも大きい消去電圧に設定するように構成されている、装置。
【請求項２】
前記第２の埋込みソース線は、二酸化ケイ素の層によって、前記第１の埋込みソース線から電気的に絶縁されている、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記１つ以上の制御回路は、前記消去動作中に、前記第２のサブブロックのメモリセルトランジスタに接続された第２の複数のワード線をフロートさせるように構成されている、請求項１又は２に記載の装置。
【請求項４】
前記１つ以上の制御回路は、前記消去動作中に、前記第２のサブブロックのメモリセルトランジスタに接続された第２の複数のワード線を、前記第２の電圧に設定するように構成されている、請求項１〜３のいずれか一項に記載の装置。
【請求項５】
前記第１のＮＡＮＤストリングは、階層選択ゲートトランジスタを含み、
前記１つ以上の制御回路は、前記消去動作中に、前記階層選択ゲートトランジスタを非導電状態に設定するように構成されている、請求項１〜４のいずれか一項に記載の装置。
【請求項６】
前記階層選択ゲートトランジスタは、非プログラマブルトランジスタを備える、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記第１のＮＡＮＤストリングは、前記第１のサブブロックの前記メモリセルトランジスタと前記第２のサブブロックのメモリセルトランジスタとの間に配置された１つ以上のダミートランジスタを含み、
前記１つ以上の制御回路は、前記消去動作中に、前記１つ以上のダミートランジスタを、非導電状態に設定するように構成されている、請求項１〜６のいずれか一項に記載の装置。
【請求項８】
前記１つ以上の制御回路は、前記消去動作中に、前記ビット線を前記第２の電圧に設定するように構成されている、請求項１〜７のいずれか一項に記載の装置。
【請求項９】
前記１つ以上の制御回路は、前記消去動作中に、前記第１のＮＡＮＤストリングの前記第１のドレイン側選択ゲートトランジスタ及び前記第２のＮＡＮＤストリングの前記第２のドレイン側選択ゲートトランジスタを、非導電状態に設定するように構成されている、請求項１〜８のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１０】
前記第１のＮＡＮＤストリングは、半導体基板に対して直交に配置されている垂直ＮＡＮＤストリングを備える、請求項１〜９のいずれか一項に記載の装置。
【請求項１１】
方法であって、
物理メモリブロック内の第１のサブブロックを識別する工程であって、前記物理メモリブロックが、第１のＮＡＮＤストリング及び第２のＮＡＮＤストリングを含み、前記第１のＮＡＮＤストリングが、前記物理メモリブロックの第１のサブブロック及び第２のサブブロックを通って延在し、前記第２のＮＡＮＤストリングが、前記物理メモリブロックの第３のサブブロック及び第４のサブブロックを通って延在し、ソース側選択線が、前記第１のＮＡＮＤストリングの第１のソース側選択ゲートトランジスタに接続し、前記第２のＮＡＮＤストリングの第２のソース側選択ゲートトランジスタに接続し、ビット線が、前記第１のＮＡＮＤストリングの第１のドレイン側選択ゲートトランジスタ及び前記第２のＮＡＮＤストリングの第２のドレイン側選択ゲートトランジスタに接続し、前記第１のソース側選択ゲートトランジスタが、第１の埋込みソース線に接続し、前記第２のソース側選択ゲートトランジスタが、前記第１の埋込みソース線から電気的に絶縁された第２の埋込みソース線に接続している、識別する工程と、
消去動作中に、前記第１のドレイン側選択ゲートトランジスタ及び前記第２のドレイン側選択ゲートトランジスタを、非導電状態に設定する工程と、
前記消去動作中に、前記ソース側選択線を第１の電圧に設定する工程と、
前記消去動作中に、前記第２のサブブロックのメモリセルトランジスタに接続された第２の複数のワード線をフローティングさせる工程と、
前記消去動作中に、前記第１のサブブロックのメモリセルトランジスタに接続された第１の複数のワード線を、前記第１の電圧よりも小さい第２の電圧に設定する工程と、
前記第２の埋込みソース線を、前記第２の電圧に設定する工程と、
前記消去動作中に、前記第１の埋込みソース線を、前記第１の電圧よりも大きい消去電圧に設定する工程と、を備える、方法。
【請求項１２】
前記第２の埋込みソース線は、二酸化ケイ素の層によって、前記第１の埋込みソース線から電気的に絶縁されている、請求項１１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月26日(2021.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加湿システム用のカプラであって、使用時に、呼吸チューブに関連する回路コネクタおよびベースユニットに接続されるように構成されているものにおいて、
前記カプラは複数の電気接点端子を備え、前記電気接点端子は、延長部分の下面に配置されており、前記カプラは、前記ベースユニットに接続されているときに、前記延長部分が前記ベースユニットから外側に延びるように構成されており、前記電気接点端子は、前記呼吸チューブに関連する回路コネクタの電気接点と相補的である、カプラ。
【請求項２】
前記延長部分は、前記ベースユニットから前方水平方向に延びるフード部分またはシュラウド部分を有し、前記複数の電気接点端子は、前記フード部分または前記シュラウド部分の下面に配置されている、請求項１に記載のカプラ。
【請求項３】
前記複数の電気接点端子が、ばね付きの端子であるか、および／または、後方に曲げられているという特徴、および／または、
前記複数の電気接点端子が、接触面を越えて下方に突出しているという特徴、および／または、
前記接触面は、前記回路コネクタの上部接触面に接触するように構成されているという特徴、および／または、
前記接触面は実質的に平面であるという特徴、
を具備している、請求項１または２に記載のカプラ。  
【請求項４】
前記複数の電気接点端子および前記接触面はインサートブロックに設けられており、前記インサートブロックは前記ベースユニットの一部に配置されているかあるいは前記ベースユニットの一部に接続されている、請求項３に記載のカプラ。
【請求項５】
前記インサートブロックが前記延長部分に受け入れられるか、および／または、保持されるように構成されており、前記インサートブロックが前記フード部分または前記シュラウド部分内に位置するときに、前記延長部分が実質的に前記インサートブロックを覆う、という特徴、および／または、
前記インサートブロックが前記延長部分に近位方向にスライド可能に挿入されるように構成されており、前記近位方向が前記ベースユニットを基準とした方向であること、という特徴、
を具備している、請求項４に記載のカプラ。
【請求項６】
フランジをさらに備え、前記インサートブロックは、前記インサートブロックが前記延長部分に受け入れられるか、および／または、保持されているときに、前記フランジの少なくとも一部を受け入れるように構成された凹部を備えている、請求項４または５に記載のカプラ。
【請求項７】
前記延長部分は１つ以上の整列構造を備えており、前記整列構造は、前記回路コネクタが前記ベースユニットと係合するように前記インサートブロックの挿入および／または前記回路コネクタの挿入を案内するように構成されている、請求項４から６のうちのいずれか一項に記載のカプラ。
【請求項８】
前記１つ以上の整列構造は、前記延長部分の第１の側面に設けられた第１のレールと、前記延長部分の第２の側面に設けられた第２のレールとを備えている、請求項７に記載のカプラ。
【請求項９】
前記インサートブロックは、前記１つ以上のまたは整列構造を受け入れるように構成された１つまたは以上のチャネルを備えている、請求項７または８に記載のカプラ。
【請求項１０】
前記１つ以上のチャネルの長さは、前記１つ以上の整列構造の長さよりも短い、請求項９に記載のカプラ。
【請求項１１】
前記インサートブロックは、各々が捕捉要素を有する１つ以上の偏向可能なタブをさらに備えている、請求項４から１０のうちのいずれか一項に記載のカプラ。
【請求項１２】
前記１つ以上の偏向可能なタブおよび／または捕捉要素が、前記インサートブロックの前記フード部分内への挿入の間に内側に偏向し、かつ、前記インサートブロックを前記フード部分に固定するために外側に偏向し、それによってインサートブロックとベースユニットとの間に取り外し可能かつ係止可能な接続を形成するように構成されている、請求項１１に記載のカプラ。
【請求項１３】
加湿システムのためのベースユニットであって、
ヒータープレートと、
請求項１から１２のうちのいずれか一項に記載のカプラであって、前記回路コネクタを前記ベースユニットに接続するように構成された前記カプラと、
を備えた、ベースユニット。
【請求項１４】
前記ベースユニットが使用時に加湿チャンバに動作可能に接続されるように構成されているという特徴、および／または、前記ベースユニットが加湿チャンバを備えているという特徴、
を具備している、請求項１３に記載のベースユニット。
【請求項１５】
前記カプラが前記ベースユニットに取り外し可能に取り付けられているという特徴、および／または
前記カプラが前記ベースユニットおよび／または前記回路コネクタと電気的および／または構造的に結合するという特徴、
を具備している、請求項１３または１４に記載のベースユニット。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月11日(2021.10.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
タッチパネルの表面材として用いられ、基材フィルムとハードコート層とを有するタッチパネル用ハードコートフィルムであって、
下記（条件１）、（条件２）及び（条件３）を充足し、
前記ハードコート層は、前記基材フィルム側に設けられ前記（条件２）を充足させるための第一ハードコート層と、前記第一ハードコート層の前記基材フィルム側と反対側面上に設けられ前記（条件１）及び前記（条件３）を充足させるための第二ハードコート層とを有し、
前記第二ハードコート層は、樹脂成分として多官能（メタ）アクリレートの硬化物を含有し、前記第一ハードコート層は、樹脂成分として多官能（メタ）アクリレートの硬化物を含有するとともに、前記樹脂成分中に分散されたシリカ微粒子とを含有する
ことを特徴とするタッチパネル用ハードコートフィルム。
（条件１）３ｍｍの間隔で前記タッチパネル用ハードコートフィルムの全面を１８０°折り畳む試験を、前記タッチパネル用ハードコートフィルムの両面でそれぞれ１０万回繰り返し行った場合に割れ又は破断が生じない
（条件２）前記ハードコート層のＪＩＳ  Ｋ５６００−５−４（１９９９）に規定する鉛筆硬度試験（７５０ｇ荷重）の硬度が、４Ｈ以上である
（条件３）＃００００番のスチールウールで１ｋｇ／ｃｍ２の荷重をかけながら、前記ハードコート層の表面を３５００回往復摩擦させる耐スチールウール試験において傷が生じない
【請求項２】
第一ハードコート層の断面中央におけるマルテンス硬さが５００ＭＰａ以上１０００ＭＰａ未満であり、第二ハードコート層の断面中央におけるマルテンス硬さが３５０ＭＰａ以上６００ＭＰａ以下である請求項１記載のタッチパネル用ハードコートフィルム。
【請求項３】
シリカ微粒子は、反応性シリカ微粒子である請求項１又は２記載のタッチパネル用ハードコートフィルム。
【請求項４】
基材フィルムは、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリイミドフィルム、トリアセチルセルロースフィルム、ポリエチレンテレナフタレートフィルム、ポリアミドイミドフィルム、ポリエーテルイミドフィルム、ポリエーテルケトンフィルム、ポリアミドフィルム、又は、アラミドフィルムである請求項１、２又は３記載のタッチパネル用ハードコートフィルム。
【請求項５】
基材フィルムの厚みが１０〜５５μｍである請求項１、２、３又は４記載のタッチパネル用ハードコートフィルム。
【請求項６】
防汚性能を更に有する請求項１、２、３、４又は５記載のタッチパネル用ハードコートフィルム。
【請求項７】
導電性層を更に有する請求項１、２、３、４、５又は６記載のタッチパネル用ハードコートフィルム。
【請求項８】
請求項１、２、３、４、５、６又は７記載のタッチパネル用ハードコートフィルムを用いてなることを特徴とする折り畳み式画像表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月16日(2021.3.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１磁界アンテナを有するRFIDタグと、
前記RFIDタグをランダムな方向で収容する、円筒形状の物品と、
前記物品を搬送する搬送路と、
前記第１磁界アンテナと磁界結合による通信を行い、前記搬送路に沿って配置された第２磁界アンテナを有するリーダライタと、
複数の前記リーダライタを制御するアンテナ制御部を備え、
前記第２磁界アンテナの開口面と前記RFIDタグとが対向するように前記搬送路が前記RFIDタグを搬送している間に、前記第２磁界アンテナは磁束を放射し、
前記第２磁界アンテナの法線方向における前記RFIDタグと前記第２磁界アンテナとの距離は、前記第２磁界アンテナの開口直径よりも小さく、
複数の前記リーダライタが搬送方向に沿って配置され、
前記アンテナ制御部は、搬送方向に互いに隣り合う前記複数のリーダライタから時間差を有して磁束を放射するように制御する、
RFIDシステム。
【請求項２】
前記RFIDタグの前記第１磁界アンテナの開口面と、前記リーダライタの前記第２磁界アンテナの開口面とが直交する、
請求項１に記載のRFIDシステム。
【請求項３】
前記物品は、曲面を有し、
前記物品の曲面は、前記搬送路に向けて膨出している、
請求項１または２に記載のRFIDシステム。
【請求項４】
前記物品は予め定められた間隔を空けて搬送される、
請求項１から３のいずれか１つに記載のRFIDシステム。
【請求項５】
前記RFIDタグは、非固定状態で前記物品に収容されている、
請求項１から４のいずれか１つに記載のRFIDシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月15日(2020.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
動画像から人物を検出する検出手段と、
前記検出手段によって検出される人物のうち、前記動画像に設定される第１のエリアにいる人物について、単独の人物であるかを特定する特定手段と、
前記特定手段により前記単独の人物と特定された状態で、前記人物が前記第１のエリアにいる時間が所定時間を超えると、前記単独の人物の存在をユーザが認識可能な情報の通知処理を、通知装置に実行させる制御を行う通知制御手段と、
を有し、
前記特定手段は、前記第１のエリアにいる人物であって、他の人物と顔の向き、又は目線が交差しない人物、及び、前記第１のエリアに１人でいる人物、の内の少なくとも何れかの人物がいる場合に、前記人物を単独の人物と特定する
ことを特徴とする制御装置。
【請求項２】
前記通知装置は、表示装置であり、
前記通知制御手段は、前記表示装置に表示処理を実行させることで前記通知処理を実行させることを特徴とする請求項１に記載の制御装置。
【請求項３】
前記表示処理は、前記単独の人物であることを示すオブジェクトを重畳表示させる処理であることを特徴とする請求項２に記載の制御装置。
【請求項４】
撮像装置より動画像を取得する取得手段を更に有し、
前記検出手段は、前記取得手段により取得された前記動画像から人物を検出することを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の制御装置。
【請求項５】
前記検出手段は、人物の特徴量に基づき前記動画像から人物を検出することを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の制御装置。
【請求項６】
前記検出手段は、更に、人物が身につけている物の特徴量に基づき前記動画像から人物を検出することを特徴とする請求項５に記載の制御装置。
【請求項７】
前記人物が身につけている物は、制服、ビブス、及び帽子の内の少なくとも何れかであることを特徴とする請求項６に記載の制御装置。
【請求項８】
動画像から複数の人物を検出する検出手段と、
前記動画像の第１のエリアにいる前記検出手段により検出された人物について、他の人物との距離の値が所定の閾値を超えるかを少なくとも条件として、単独の人物か否かを特定する特定手段と、
前記特定手段により前記単独の人物であると特定された人物と、前記特定手段により前記単独の人物でないと特定された人物とを、ユーザが識別可能な情報の通知処理を通知手段に実行させる制御を行う通知制御手段と、
前記第１のエリアが室内であるか、前記特定手段による特定対象となっている人物が移動中であるか、前記特定手段による特定対象人物となっている人物と他の人物とが前記動画像におけるｘ軸方向に並んでいるか、前記特定手段による特定対象人物となっている人物と他の人物とが前記動画像におけるｙ軸方向に並んでいるかの、少なくともいずれか１つの条件に基づいて前記所定の閾値を決定する決定手段と
を有することを特徴とする制御装置。
【請求項９】
前記特定手段による特定対象となっている人物が移動中であるかを前記条件とする場合、前記決定手段は、前記特定手段による特定対象となっている人物が移動中である場合の前記所定の閾値を、前記前記特定手段による特定対象となっている人物が移動中でない場合の前記所定の閾値よりも大きくなるように前記所定の閾値を決定することを特徴とする請求項８に記載の制御装置。
【請求項１０】
前記特定手段による特定対象人物となっている人物と他の人物とが前記動画像におけるｘ軸方向に並んでいるかを前記条件とする場合、前記決定手段は、前記動画像におけるｘ軸方向に並んでいる場合の前記動画像におけるｙ軸方向の前記所定の閾値を、前記動画像におけるｘ軸方向に並んでいない場合の前記動画像におけるｙ軸方向の前記所定の閾値よりも小さくなるように前記所定の閾値を決定することを特徴とする請求項８に記載の制御装置。
【請求項１１】
前記特定手段による特定対象人物となっている人物と他の人物とが前記動画像におけるｙ軸方向に並んでいるかを前記条件とする場合、前記決定手段は、前記動画像におけるｙ軸方向に並んでいる場合の前記動画像におけるｘ軸方向の前記所定の閾値を、前記動画像におけるｙ軸方向に並んでいない場合の前記動画像におけるｘ軸方向の前記所定の閾値よりも小さくなるように前記所定の閾値を決定することを特徴とする請求項８に記載の制御装置。
【請求項１２】
制御装置が実行する制御方法であって、
動画像から人物を検出する検出工程と、
前記検出工程で検出される人物のうち、前記動画像に設定される第１のエリアにいる人物について、単独の人物であるかを特定する特定工程と、
前記特定工程で前記単独の人物と特定された状態で、前記人物が前記第１のエリアにいる時間が所定時間を超えると、前記単独の人物の存在をユーザが認識可能な情報の通知処理を、通知装置に実行させる制御を行う通知制御工程と、
を含み、
前記特定工程では、前記第１のエリアにいる人物であって、他の人物と顔の向き、又は目線が交差しない人物、及び、前記第１のエリアに1人でいる人物、の内の少なくとも何れかの人物がいる場合に、前記人物を単独の人物と特定することを特徴とする制御方法。
【請求項１３】
制御装置が実行する制御方法であって、
動画像から複数の人物を検出する検出工程と、
前記動画像の第１のエリアにいる前記検出工程において検出された人物について、他の人物との距離の値が所定の閾値を超えるかを少なくとも条件として、単独の人物か否かを特定する特定工程と、
前記特定工程において前記単独の人物であると特定された人物と、前記特定工程において前記単独の人物でないと特定された人物とを、ユーザが識別可能な情報の通知処理を通知手段に実行させる制御を行う通知制御工程と、
前記第１のエリアが室内であるか、前記特定工程において特定対象となっている人物が移動中であるか、前記特定工程において特定対象人物となっている人物と他の人物とが前記動画像におけるｘ軸方向に並んでいるか、前記特定工程において特定対象人物となっている人物と他の人物とが前記動画像におけるｙ軸方向に並んでいるかの、少なくともいずれか１つの条件に基づいて前記所定の閾値を決定する決定工程と
を含むことを特徴とする制御方法。
【請求項１４】
コンピュータを、請求項１乃至１１の何れか１項に記載の制御装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月28日(2021.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体デバイスであって、該半導体デバイスは、
複数の物理セクタを含むメモリバンクを備えるメモリアレイを備え、
各物理セクタは複数の消去セクタを備え、
追加の消去セクタの複数の部分は、前記複数の物理セクタの間にそれぞれ分散され、
前記追加の消去セクタの前記複数の部分は、前記メモリバンクのための行冗長性セクタとして構成される、半導体デバイス。
【請求項２】
前記メモリバンクは欠陥消去セクタを含み、
前記追加の消去セクタの前記複数の部分は、前記メモリバンク内の前記欠陥消去セクタを置き換えるように構成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記メモリアレイは、前記メモリバンク上のメモリ動作中に、前記欠陥消去セクタの代わりに、前記追加の消去セクタの前記複数の部分にアクセスするように構成される、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記メモリ動作は、読み出し動作またはプログラム動作である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記メモリ動作は、前記追加の消去セクタの前記複数の部分のそれぞれを消去するために、前記複数の物理セクタに対して直列に実行される消去動作である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記メモリ動作は、前記追加の消去セクタの前記複数の部分のそれぞれを消去するために、前記複数の物理セクタに対して並列に実行される消去動作である、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記欠陥消去セクタは、前記埋め込みフラッシュメモリ上のソートフロー動作中に決定される、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体装置は、
前記複数の物理セクタ内の第１のメモリセルに結合される第１のワード線（WL）と、
前記第１のWLに加えて、前記複数の物理セクタ間に分散される第２のWLと、を備え、
前記第２のWLは、前記追加の消去セクタの前記複数の部分内の第２のメモリセルに結合される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記複数の物理セクタに加えて、前記メモリバンクは、前記追加の消去セクタの一部を含まない１つまたは複数の物理セクタを備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項１０】
システムであって、該システムは、
マイクロコントローラユニットと、
前記マイクロコントローラユニットと通信結合したメモリデバイスと、を備え、
前記メモリデバイスは複数の物理セクタを含むメモリバンクを備え、
各物理セクタは複数の消去セクタを備え、
追加の消去セクタの複数の部分は、前記複数の物理セクタの間にそれぞれ分散され、
前記追加の消去セクタの前記複数の部分は、前記メモリバンクのための行冗長性セクタとして構成される、システム。
【請求項１１】
前記メモリバンクは欠陥消去セクタを含み、
前記追加の消去セクタの前記複数の部分は、前記メモリバンク内の前記欠陥消去セクタを置き換えるように構成される、請求項１０に記載のシステム。
【請求項１２】
前記メモリデバイスは、前記メモリバンク上のメモリ動作中に、前記欠陥消去セクタの代わりに、前記追加の消去セクタの前記複数の部分にアクセスするように構成される、請求項１１に記載のシステム。
【請求項１３】
前記メモリ動作は、読み出し動作またはプログラム動作である、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１４】
前記メモリ動作は、前記追加の消去セクタの前記複数の部分のそれぞれを消去するために、前記複数の物理セクタに対して直列に実行される消去動作である、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１５】
前記メモリ動作は、前記追加の消去セクタの前記複数の部分のそれぞれを消去するために、前記複数の物理セクタに対して並列に実行される消去動作である、請求項１２に記載のシステム。
【請求項１６】
行冗長性を有するメモリデバイスを構成する方法であって、該方法は、
前記メモリデバイス内のメモリバンクの複数の物理セクタ内に配置された第１のワード線（WL）を提供するステップであって、各物理セクタは複数の消去セクタを備える、ステップと、
前記第１のWLに加えて、前記複数の物理セクタ内に配置された第２のWLを提供するステップであって、前記第２のWLは追加の消去セクタの複数の部分に結合され、前記第２のWLは前記複数の物理セクタ間にそれぞれ分散され、前記追加の消去セクタは前記メモリバンクの行冗長性セクタとして構成される、ステップと、を有する方法。
【請求項１７】
前記メモリバンクが欠陥消去セクタを含むことを決定するステップと、
前記欠陥消去セクタを前記メモリバンク内の前記追加の消去セクタの前記複数の部分で置き換えるように、前記メモリデバイスを構成するステップと、をさらに有する、請求項１６記載の方法。
【請求項１８】
前記欠陥消去セクタの代わりに、前記追加の消去セクタの前記複数の部分にアクセスするメモリ動作のために、前記メモリデバイスを構成するステップをさらに有する、請求項１７記載の方法。
【請求項１９】
前記メモリ動作は、読み出し動作またはプログラム動作である、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記追加の消去セクタの前記複数の部分のそれぞれを消去するために、前記複数の物理セクタ上で直列に実行されることになる消去動作のために、前記メモリデバイスを構成するステップをさらに有する、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月14日(2021.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像データに含まれる対象物体を検出する物体検出モデルであって、ニューラルネットワークを用いて構成された物体検出モデルにおける複数の層それぞれを対象の層として、対象の層の出力結果から得られる前記画像データにおける画素毎の活性度を表すヒートマップと、前記対象物体が検出された検出領域とに基づき、前記ヒートマップが表す前記活性度の前記検出領域の内側と外側との比率から前記対象の層の評価値を計算する評価値計算部と、
前記評価値計算部によって計算された前記評価値に基づき、前記複数の層から少なくとも一部の層を選択する層選択部と
を備える検出結果分析装置。
【請求項２】
前記評価値計算部は、前記検出領域の外側における前記活性度の合計値に対する、前記検出領域の内側における前記活性度の合計値の割合から前記評価値を計算する
請求項１に記載の検出結果分析装置。
【請求項３】
前記評価値計算部は、前記活性度が活性閾値よりも高い場合には前記活性度を前記活性閾値に対応する変換活性度に変換し、前記活性度が活性閾値以下の場合には前記活性閾値より１つ下の活性閾値に対応する変換活性度に前記活性度を変換した上で、前記評価値を計算する
請求項２に記載の検出結果分析装置。
【請求項４】
前記層選択部は、前記評価値が評価閾値よりも高い層のうち、基準個の層を選択する
請求項１から３までのいずれか１項に記載の検出結果分析装置。
【請求項５】
前記検出結果分析装置は、さらに、
前記層選択部によって選択された層についての前記ヒートマップを合成して合成マップを生成する合成部
を備える請求項１から４までのいずれか１項に記載の検出結果分析装置。
【請求項６】
前記合成部は、前記画像データの各画素を対象の画素として、選択された前記一部の層それぞれについての前記ヒートマップが表す前記対象の画素の活性度のうち、最も高い活性度を、前記合成マップにおける前記対象の画素の活性度に設定することにより、前記合成マップを生成する
請求項５に記載の検出結果分析装置。
【請求項７】
評価値計算部が、画像データに含まれる対象物体を検出する物体検出モデルであって、ニューラルネットワークを用いて構成された物体検出モデルにおける複数の層それぞれを対象の層として、対象の層の出力結果から得られる前記画像データにおける画素毎の活性度を表すヒートマップと、前記対象物体が検出された検出領域とに基づき、前記ヒートマップが表す前記活性度の前記検出領域の内側と外側との比率から前記対象の層の評価値を計算し、
層選択部が、前記評価値に基づき、前記複数の層から少なくとも一部の層を選択する検出結果分析方法。
【請求項８】
画像データに含まれる対象物体を検出する物体検出モデルであって、ニューラルネットワークを用いて構成された物体検出モデルにおける複数の層それぞれを対象の層として、対象の層の出力結果から得られる前記画像データにおける画素毎の活性度を表すヒートマ
ップと、前記対象物体が検出された検出領域とに基づき、前記ヒートマップが表す前記活性度の前記検出領域の内側と外側との比率から前記対象の層の評価値を計算する評価値計算処理と、
前記評価値計算処理によって計算された前記評価値に基づき、前記複数の層から少なくとも一部の層を選択する層選択処理と
を行う検出結果分析装置としてコンピュータを機能させる検出結果分析プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月28日(2021.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクションのトリガに関するトリガ情報と、前記アクションの実行主体に関する実行主体情報と、及び前記アクションの内容に関するアクション内容情報とを含むアクション情報を記憶することと、
前記移動体の移動及び状態の少なくとも一つに関する移動体情報を取得することと、
前記移動体情報に基づいて、前記トリガ情報に対応するトリガが成立しているかどうかを判断することと、
前記成立していると判断されたトリガの前記トリガ情報に対応する実行主体情報に基づいて実行主体を特定することと、
前記成立していると判断されたトリガの前記トリガ情報に対応するアクション内容情報に基づいて、実行させるアクション内容を特定することと、及び、
前記特定された実行主体に対して、前記特定されたアクション内容の実行リクエストを送信することと、
を含む、データ処理方法。
【請求項２】
前記トリガ情報を記憶することと、前記取得することと、及び、前記判断することは、第一の装置において行われ、
前記実行主体情報及び前記アクション内容情報を記憶することと、前記実行主体を特定することと、前記アクション内容を特定することと、及び、前記送信することは、前記第一の装置とは異なる第二の装置にて行われる、
請求項１に記載のデータ処理方法。
【請求項３】
前記移動体の外部状況情報を前記第二の装置において取得することを更に含み、
前記実行主体の特定は、前記実行主体情報と、前記取得した前記移動体の外部状況情報に基づいて行われる、
請求項２に記載のデータ処理方法。
【請求項４】
前記移動体の外部状況情報を前記第二の装置において取得することを更に含み、
前記実行主体の特定は、前記実行主体情報と、前記特定されたアクション内容に基づいて行われる、
請求項２に記載のデータ処理方法。
【請求項５】
前記移動体の外部の情報を前記第二の装置にて取得することを更に含み、
前記アクション内容の特定は、前記アクション内容情報と、前記取得した前記移動体の外部の情報に基づいて行われる、
請求項２に記載のデータ処理方法。
【請求項６】
前記移動体の外部の情報を前記第二の装置にて取得することを更に含み、
前記アクション内容の特定は、前記アクション内容情報と、前記特定された実行主体に基づいて行われる、
請求項２に記載のデータ処理方法。
【請求項７】
前記判断は、前記移動体情報の取得に対応して行われる、
請求項１乃至請求項６の何れかに記載のデータ処理方法。
【請求項８】
前記トリガ情報に対応する移動体情報の少なくとも一部から、トリガ成立判断に用いる加工情報を生成することをさらに含み、
前記判断は、前記移動体情報及び前記生成された加工情報に基づいて行われる、
請求項１乃至請求項７の何れかに記載のデータ処理方法。
【請求項９】
前記加工情報の生成は、複数のアクション情報に基づいて行われる。
請求項８に記載のデータ処理方法。
【請求項１０】
移動体と通信可能に接続されるサーバであって、
アクションのトリガに関するトリガ情報と、前記アクションの実行主体に関する実行主体情報と、及び前記アクションの内容に関するアクション内容情報とを含むアクション情報を記憶する記憶部と、
前記移動体の移動及び状態の少なくとも一つに関する移動体情報を取得する取得部と、
前記移動体情報に基づいて、前記トリガ情報に対応するトリガが成立しているかどうかを判断するトリガ成立判断部と、
前記成立していると判断されたトリガの前記トリガ情報に対応する実行主体情報に基づいて実行主体を特定する実行主体特定部と、
前記成立していると判断されたトリガの前記トリガ情報に対応するアクション内容情報に基づいて、実行させるアクション内容を特定するアクション内容特定部と、及び、
前記特定された実行主体に対して、前記特定されたアクション内容の実行リクエストを送信する送信部と、
を備える。
【請求項１１】
コンピュータに、
アクションのトリガに関するトリガ情報と、前記アクションの実行主体に関する実行主体情報と、及び前記アクションの内容に関するアクション内容情報とを含むアクション情報を記憶することと、
前記移動体の移動及び状態の少なくとも一つに関する移動体情報を取得することと、
前記移動体情報に基づいて、前記トリガ情報に対応するトリガが成立しているかどうかを判断することと、
前記成立していると判断されたトリガの前記トリガ情報に対応する実行主体情報に基づいて実行主体を特定することと、
前記成立していると判断されたトリガの前記トリガ情報に対応するアクション内容情報に基づいて、実行させるアクション内容を特定することと、及び、
前記特定された実行主体に対して、前記特定されたアクション内容の実行リクエストを送信することと、
を実行させる、プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月16日(2021.6.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】弾性表面波デバイス、無線周波数モジュール及び無線通信デバイス
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
弾性表面波デバイスであって、
負の周波数温度係数を有する圧電層と、
前記圧電層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、
前記インターデジタルトランスデューサ電極を覆って前記インターデジタルトランスデューサ電極に物理的に接触する温度補償層であって、正の周波数温度係数を有する温度補償層と、
前記弾性表面波デバイスの熱を散逸させるべく構成された熱伝導層と
を含み、
前記熱伝導層は、少なくとも６．３マイクロメートルの厚さを有して前記圧電層よりも薄く、
前記熱伝導層と前記インターデジタルトランスデューサ電極とは前記圧電層の反対側に存在し、
前記弾性表面波デバイスは弾性表面波を生成するように構成される、弾性表面波デバイス。
【請求項２】
前記熱伝導層は前記圧電層に物理的に接触する、請求項１の弾性表面波デバイス。
【請求項３】
前記熱伝導層は窒化アルミニウム層であり、
前記温度補償層は二酸化シリコン層である、請求項２の弾性表面波デバイス。
【請求項４】
前記圧電層の厚さは３００マイクロメートル未満である、請求項３の弾性表面波デバイス。
【請求項５】
前記熱伝導層は電気絶縁層である、請求項１の弾性表面波デバイス。
【請求項６】
前記熱伝導層の熱伝導率は、前記圧電層の熱伝導率の少なくとも５倍である、請求項１の弾性表面波デバイス。
【請求項７】
前記熱伝導層の熱伝導率は２３Ｗ／ｍＫから３００Ｗ／ｍＫの範囲にある、請求項１の弾性表面波デバイス。
【請求項８】
前記熱伝導層の厚さは、前記圧電層の厚さの半分未満である、請求項１の弾性表面波デバイス。
【請求項９】
前記熱伝導層は窒化物を含む、請求項１の弾性表面波デバイス。
【請求項１０】
前記熱伝導層は窒化アルミニウムを含む、請求項９の弾性表面波デバイス。
【請求項１１】
前記圧電層はニオブ酸リチウムを含む、請求項１の弾性表面波デバイス。
【請求項１２】
前記圧電層の厚さは３００マイクロメートル未満である、請求項１の弾性表面波デバイス。
【請求項１３】
前記温度補償層は二酸化シリコン層である、請求項１の弾性表面波デバイス。
【請求項１４】
無線周波数モジュールであって、
無線周波数信号を与えるべく構成された電力増幅器と、
前記無線周波数信号をフィルタリングするべく構成された弾性表面波フィルタと
を含み、
前記弾性表面波フィルタは、
負の周波数温度係数を有する圧電層と、
前記圧電層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、
前記インターデジタルトランスデューサ電極を覆って正の周波数温度係数を有する温度補償層と、
前記弾性表面波フィルタの熱を散逸させるべく構成された熱伝導層と
を含み、
前記熱伝導層と前記インターデジタルトランスデューサ電極とは前記圧電層の反対側に存在し、
前記熱伝導層は、少なくとも６．３マイクロメートルの厚さを有して前記圧電層よりも薄い、無線周波数モジュール。
【請求項１５】
前記弾性表面波フィルタと第２弾性表面波フィルタとが単一ダイ上に実装され、
前記熱伝導層は、前記弾性表面波フィルタからの熱を前記第２弾性表面波フィルタの一領域にわたって散逸させるように構成される、請求項１４の無線周波数モジュール。
【請求項１６】
前記電力増幅器と前記弾性表面波フィルタとの間の信号経路に無線周波数スイッチをさらに含む、請求項１４の無線周波数モジュール。
【請求項１７】
前記熱伝導層の熱伝導率は、前記圧電層の熱伝導率の少なくとも２５倍である、請求項１４の無線周波数モジュール。
【請求項１８】
前記熱伝導層の熱伝導率は１４０Ｗ／ｍＫから３００Ｗ／ｍＫの範囲にある、請求項１４の無線周波数モジュール。
【請求項１９】
前記圧電層の厚さは、３００マイクロメートル未満である、請求項１４の無線周波数モジュール。
【請求項２０】
無線通信デバイスであって、
フィルタリングされた無線周波数信号を与えるべく構成された弾性表面波フィルタと、
前記フィルタリングされた無線周波数信号を送信するべく構成されたアンテナと
を含み、
前記弾性表面波フィルタは、
負の周波数温度係数を有する圧電層と、
前記圧電層上のインターデジタルトランスデューサ電極と、
前記インターデジタルトランスデューサ電極を覆う温度補償層と、
熱を散逸させるべく構成された熱伝導層と
を含み、
前記熱伝導層は６．３マイクロメートルよりも大きな厚さを有し、
前記熱伝導層は前記圧電層よりも薄く、
前記熱伝導層と前記インターデジタルトランスデューサ電極とは前記圧電層の反対側に存在する、無線通信デバイス。
【請求項２１】
前記弾性表面波フィルタを含む無線周波数フロントエンドと通信する送受信器をさらに含む、請求項２０の無線通信デバイス。