Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月6日(2021.10.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上の異物を検出する異物検査装置であって、
基板の表面に光を投光する投光器および前記表面からの散乱光を受光する受光器を含む検出部と、
前記検出部の感度を第１の感度にして前記基板上の検査領域を対象に異物検出を行い、当該異物検出の結果に基づき、前記検出部の感度を前記第１の感度よりも低い第２の感度に切り替えて前記検査領域を対象に異物検出を行うか否かを判断する制御部と、
を備えることを特徴とする異物検査装置。
【請求項２】
前記投光器によって光が投光される前記基板の表面の位置を走査する走査機構を備えることを特徴とする請求項１に記載の異物検査装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記基板の表面に光が投光されるように前記走査機構による走査に応じて前記投光器による投光を制御することを特徴とする請求項２に記載の異物検査装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記検出部の感度を前記第１の感度にして異物検出を行った結果、前記検出部の計測値が閾値を超えた領域が基板上にある場合、該領域に対して前記検出部の感度を前記第２の感度にして異物検出を行うことを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の異物検査装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記検出部の感度を前記第２の感度にして異物検出を行い、前記第２の感度による異物検出の結果に基づき、基板の上の異物の位置と大きさを求めることを特徴とする請求項４に記載の異物検査装置。
【請求項６】
前記検出部の前記第１の感度による検出処理は、前記異物検査装置が検出可能な最小の粒径の異物が計測できる感度であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか１項に記載の異物検査装置。
【請求項７】
前記受光器によって受光される散乱光の光量を調整する調整機構をさらに備え、
前記受光器によって受光される散乱光の光量を前記調整機構により調整することで、前記検出部の感度が調整されることを特徴とする請求項１乃至６の何れか１項に記載の異物検査装置。
【請求項８】
前記調整機構は、前記投光器から投光される光の光量を調整することによって、前記受光器によって受光される散乱光の前記光量を調整することを特徴とする請求項７に記載の異物検査装置。
【請求項９】
前記調整機構は、前記投光器から前記受光器までの光路の配置されたＮＤフィルタによって、前記受光器によって受光される散乱光の前記光量を調整することを特徴とする請求項７に記載の異物検査装置。
【請求項１０】
基板を処理する処理装置であって、
前記基板の上の異物を検出するように構成された請求項１乃至９の何れか１項に記載の異物検査装置と、
前記異物検査装置の異物検出の結果を用いて前記基板の上の組成物を成形する成形処理を行う成形装置と、
を備えることを特徴とする処理装置。
【請求項１１】
前記異物検査装置に対して複数の前記成形装置を備えることを特徴とする請求項１０に記載の処理装置。
【請求項１２】
前記異物検査装置で異物検出が行われた前記基板の上の異物の位置に応じて、前記成形装置で前記基板の上の組成物を成形することを特徴とする請求項１０または１１に記載の処理装置。
【請求項１３】
請求項１０乃至１２の何れか１項に記載の処理装置によって前記基板の上の異物検出を行い、前記基板の上の前記組成物を成形する成形工程と、
前記成形工程を経た前記基板を加工する加工工程と、
を含むことを特徴とする物品製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の異物検査装置は、基板の上の異物を検出する異物検査装置であって、基板の表面に光を投光する投光器および前記表面からの散乱光を受光する受光器を含む検出部と、前記検出部の感度を第１の感度にして前記基板上の検査領域を対象に異物検出を行い、当該異物検出の結果に基づき前記検出部の感度を前記第１の感度よりも低い第２の感度に切り替えて前記検査領域を対象に異物検出を行う制御部と、を備えることを特徴とする。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年4月26日(2021.4.26)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】請求項４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【請求項４】
化学式（３）：
【化３】
2020076081.tif 000001
（式中、
Ｋ、Ｌ及びＭは、それぞれ独立して、それぞれカルボン酸基で任意選択的に置換されている線状若しくは分岐Ｃ１〜Ｃ１０炭化水素基、Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシカルボニル基、Ｃ１〜Ｃ１０アルカノイルオキシ基であるか、又はＣ１〜Ｃ５アルコキシカルボニル基若しくはＣ１〜Ｃ５置換アルコキシ基で任意選択的に置換された線状若しくは分岐Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロキシアルキル基であり、
ここで、前記Ｃ１〜Ｃ１０炭化水素基、前記Ｃ１〜Ｃ１０アルコキシカルボニル基、前記Ｃ１〜Ｃ１０アルカノイルオキシ基及び前記Ｃ１〜Ｃ１０ヒドロキシアルキル基のそれぞれは、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、Ｃ１〜Ｃ５アルキル、Ｃ３〜Ｃ８シクロアルキル、Ｃ２〜Ｃ５アルケニル、Ｃ１〜Ｃ５アルコキシ、Ｃ２〜Ｃ５アルケノキシ、Ｃ６〜Ｃ１０アリール、Ｃ６〜Ｃ１０アリールオキシ、Ｃ７〜Ｃ１０アルキルアリール及びＣ７〜Ｃ１０アルキルアリールオキシからなる群から選択される少なくとも１つで任意選択的に置換されている）
によって表されるモノマーに由来する繰り返し単位を更に含む、請求項２又は３に記載のポリマー。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月8日(2021.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の行および複数の列を構成するように配置された複数の画素と、前記複数の行における行を選択する行選択回路と、前記複数の画素のうち前記行選択回路によって選択された行の画素に信号を供給する信号供給回路と、を備える表示装置であって、前記信号供給回路は、
複数の第１データ保持部を有する第１保持部と、
前記複数の第１データ保持部を順に選択し、選択された第１データ保持部にデータを取り込ませる走査回路と、
各ブロックが複数の第２データ保持部を有する複数のブロックを有し、前記第１保持部によって保持された複数のデータを時分割で取り込んで保持する第２保持部と、
前記第２保持部によって保持された複数のデータに応じた複数のアナログ信号を前記複数の画素のうち前記行選択回路によって選択された行の画素に供給するＤＡ変換部と、を含む、
ことを特徴とする表示装置。
【請求項２】
前記複数のブロックの各々は、前記第１保持部によって保持された複数のデータのうち対応するデータを時分割で取り込んで保持する、
ことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
【請求項３】
前記複数のブロックのうち１つのブロックが前記第１保持部によって保持された複数のデータのうち対応するデータを取り込むことに並行して、前記複数のブロックのうち他のブロックが前記第１保持部によって保持された複数のデータのうち対応するデータを取り込む、
ことを特徴とする請求項２に記載の表示装置。
【請求項４】
前記複数のブロックのそれぞれに含まれる前記第２データ保持部の個数が前記複数のブロックにおいて同一である、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項５】
前記複数のブロックにそれぞれデータを取り込ませるための複数のパルスを発生するパルス発生回路を更に備え、
前記パルス発生回路は、前記複数のパルスのそれぞれのアクティブ期間が互いに重複しないように前記複数のパルスを発生する、
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項６】
前記複数のパルスのそれぞれの前記アクティブ期間の長さが互いに等しい、
ことを特徴とする請求項５に記載の表示装置。
【請求項７】
前記複数のブロックにそれぞれデータを取り込ませるための複数のパルスを発生するパルス発生回路を更に備え、
前記パルス発生回路は、前記複数のパルスにおける互いに連続するパルス同士が互いに部分的に重複するアクティブ期間を有するように前記複数のパルスを発生する、
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項８】
前記複数のパルスのそれぞれの前記アクティブ期間の長さが互いに等しい、
ことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
【請求項９】
各パルスのアクティブ期間が他のパルスのアクティブ期間と重複している期間の長さが、前記複数のパルスにおいて互いに等しい、
ことを特徴とする請求項７又は８に記載の表示装置。
【請求項１０】
前記パルス発生回路が発生する前記複数のパルスの各々のアクティブ期間は、前記走査回路が前記第１保持部にデータを取り込ませるためのパルスのアクティブ期間より長い、
ことを特徴とする請求項５乃至９のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１１】
前記走査回路が前記複数の第１データ保持部の全てにデータを取り込ませる動作を行う期間の終了後に、前記第１保持部によって取り込まれたデータを前記第２保持部が取り込む動作が実行される、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１２】
前記走査回路が前記複数の第１データ保持部の全てにデータを取り込ませる動作を行う期間の終了前に、前記期間において前記第１保持部によって既に取り込まれたデータを前記第２保持部が取り込む動作が開始される、
ことを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１３】
前記第２保持部の前記複数のブロックのうちの１つのブロックに供給するべき一群のデータが前記第１保持部によって取り込まれる度に、前記一群のデータが前記第２保持部によって取り込まれる、
ことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
【請求項１４】
前記第２保持部は、前記第１保持部から供給される前記複数のデータを時分割で受信し、
前記ＤＡ変換部は、前記第２保持部から供給される前記複数のデータを受信する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１５】
前記第２保持部は、前記第１保持部の前記複数の第１データ保持部が１行分の前記複数のデータを保持した後に、前記第１保持部から供給される１行分の前記複数のデータを受信する、
ことを特徴とする請求項１乃至１３のいずれか１項に記載の表示装置。
【請求項１６】
撮像部と、
前記撮像部によって撮像された画像を処理する処理部と、
前記処理部によって処理された画像を表示する表示部として構成された請求項１乃至１５のいずれか１項に記載の表示装置と、
を備えることを特徴とする撮像装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月4日(2021.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
像担持体に形成されたトナー像を記録材に転写する転写手段と、
前記転写手段によって記録材にトナー像を転写した後、前記像担持体に残留したトナーを回収するクリーニング手段と、
前記クリーニング手段によって回収されたトナーを収容する収容容器と、
前記収容容器に収容されたトナー量が所定量に到達したか否かを検知する検知手段と、を有する画像形成装置において、
前記検知手段の検知状態が、前記トナー量が前記所定量に到達したことを検知している第１の状態から、前記トナー量が前記所定量に到達したことを検知していない第２の状態に変化し、再び前記第１の状態に復帰した場合、前記検知手段の検知状態が前記第２の状態に変化してから前記第１の状態に復帰するまでの期間において得られた、前記クリーニング手段によって回収されたトナー量に関するパラメータの値に応じて、前記収容容器が満杯であると判断するタイミングを変更する判断手段を有することを特徴とする画像形成装置。
【請求項２】
前記検知手段の検知状態が前記第２の状態から前記第１の状態に復帰してから、前記判断手段によって前記収容容器が満杯であると判断されるタイミングは、前記パラメータの値が所定の閾値よりも大きい場合に比べて、前記パラメータの値が前記所定の閾値よりも小さい場合の方が早いことを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項３】
前記収容容器において最初に前記検知手段の検知状態が前記第１の状態に変化したことを起点に、前記パラメータのカウントを開始する第１のカウンタと、
前記検知手段の検知状態が前記第１の状態から前記第２の状態に変化したことを起点に、前記パラメータのカウントを開始する第２のカウンタと、を有し、
前記検知手段の検知状態が前記第２の状態に変化してから前記第１の状態に復帰するまでの前記期間に前記第２のカウンタがカウントした前記パラメータの値が前記所定の閾値よりも大きい場合、前記第１のカウンタはそれまでにカウントした前記パラメータの値を初期化することを特徴とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】
前記第１のカウンタは、前記検知手段の検知状態が前記第１の状態であるときのみカウントを行い、前記検知手段の検知状態が前記第２の状態に変化してから前記第１の状態に復帰するまでの前記期間に前記第２のカウンタがカウントした前記パラメータの値が前記所定の閾値よりも小さい場合、前記第１のカウンタは、それまでにカウントした前記パラメータの値に、前記第２のカウンタがカウントした前記パラメータの値を加えることを特徴とする請求項３に記載の画像形成装置。
【請求項５】
前記判断手段は、前記第１のカウンタがカウントした前記パラメータの値が、前記所定の閾値よりも大きい満杯閾値に到達した場合、前記収容容器が満杯であると判断することを特徴とする請求項３または４に記載の画像形成装置。
【請求項６】
前記像担持体に形成されるトナー像に関する画像情報を取得する取得手段を有し、
前記パラメータとは、前記取得手段によって取得された前記画像情報に基づいて求められるピクセルカウントであることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項７】
前記パラメータとは、画像を形成した記録材の枚数であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項８】
前記パラメータとは、記録材に対する画像形成動作を実行している時間であることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項９】
前記検知手段の検知状態が前記第１の状態である場合、前記収容容器の交換を促す情報を画面に表示し、前記検知手段の検知状態が前記第２の状態である場合、前記収容容器の交換を促す情報を画面に表示しない表示手段を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【請求項１０】
前記収容容器は前記画像形成装置の装置本体に対して着脱可能であり、
前記検知手段の検知状態が前記第１の状態である場合に、前記収容容器が前記装置本体から取り出され、再び同じ前記収容容器が前記装置本体に取り付けられると、前記検知手段の検知状態が前記第１の状態から前記第２の状態に変化することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月19日(2021.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
対話信号処理モジュール１０１は、共感特徴量に基づいて傾聴パターンを選択する。共感特徴量に基づいて傾聴パターンを選択するアルゴリズムは予め設定されているものとする。また、対話信号処理モジュール１０１は、対話データに基づいてユーザの発話内容を解析し、解析結果に基づいて対話インタフェースから出力する発話内容を決定する。対話インタフェースから出力する発話内容を決定するアルゴリズムは予め設定されているものとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７３】
「感情特徴量」は、ユーザの感情変化を評価するための指標（外部から把握できないユーザの変化を評価するための指標）である。例えば、生体信号が感情信号として取得される場合、心電図から算出される心拍数、及び脳波から算出されるＰ３００振幅等の事象関連電位等の生体特徴量が感情特徴量として算出される。また、感情信号からユーザの心理状態を示す値を算出し、当該値の変化量に基づいて感情特徴量を算出できる。ユーザの心理状態を示す値の変化量に基づいた生体特徴量は、例えば、現在の心拍数が安静時の心拍数より大きい場合大きい値となり、現在の心拍数が安静時の心拍数より小さい場合小さい値となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７６】
実施例２の対話システムは感情信号を取得する感情信号取得装置１３０１、１３０２を含む。感情信号取得装置１３０１は、脳波及び脳波血流等を示す生体信号を取得する。感情信号取得装置１３０１は、例えば、近赤外分光装置である。感情信号取得装置１３０２は、心拍等を示す生体信号を取得する。感情信号取得装置１３０２は、例えば、心電計である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１７７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１７７】
実施例２の情報群１０３は、感情信号情報１４００及び感情特徴量情報１５００を含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１７】
2020076923.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月8日(2021.1.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
周囲の物体（Ｂ）を検知するように構成された物体検知装置（１）であって、
探査波を外部に向けて送信する送信器（２１）を備えた送信部（２）を駆動する駆動信号を生成するように設けられた駆動信号生成部（３）と、
前記駆動信号生成部から前記送信部への前記駆動信号の出力を制御するように設けられた制御部（４）と、
を備え、
前記駆動信号生成部は、第一探査波に対応する第一駆動信号と、前記第一探査波とは識別可能に符号化状態が異なる第二探査波に対応する第二駆動信号とを生成し、
前記制御部は、前記第一探査波と前記第二探査波とのうちの一方の送信間隔の途中で他方が送信され、且つ、今回の前記第一探査波の送信タイミングからその直後の前記第二探査波の送信タイミングまでの先行時間間隔と、次回の前記第一探査波の送信タイミングからその直後の前記第二探査波の送信タイミングまでの後行時間間隔とが異なるように、前記第一駆動信号と前記第二駆動信号とを互いに異なるタイミングで前記駆動信号生成部から前記送信部に出力させる、
物体検知装置。
【請求項２】
前記駆動信号生成部は、前記第一探査波が所定の変調状態を有し且つ前記第二探査波における変調状態が前記第一探査波と異なるように、前記第一駆動信号および前記第二駆動信号を生成する、
請求項１に記載の物体検知装置。
【請求項３】
前記制御部は、前記第一探査波の送信タイミングからその直後の前記第二探査波の送信タイミングまでの第一時間間隔と、前記第二探査波の送信タイミングからその直後の前記第一探査波の送信タイミングまでの第二時間間隔とが異なるように、前記第一駆動信号と前記第二駆動信号とを前記駆動信号生成部から出力させる、
請求項１または２に記載の物体検知装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記第一時間間隔と前記第二時間間隔との差が前記送信器における残響に起因する前記物体の検知不能時間以上となるように、前記第一駆動信号と前記第二駆動信号とを前記駆動信号生成部から出力させる、
請求項３に記載の物体検知装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記先行時間間隔と前記後行時間間隔との差が前記送信器における残響に起因する前記物体の検知不能時間以上となるように、前記第一駆動信号と前記第二駆動信号とを前記駆動信号生成部から出力させる、
請求項１〜４のいずれか１つに記載の物体検知装置。
【請求項６】
前記駆動信号生成部は、前記第一探査波と前記第二探査波とが異なる周波数変調状態を有するように、前記第一駆動信号および前記第二駆動信号を生成する、
請求項１〜５のいずれか１つに記載の物体検知装置。
【請求項７】
前記駆動信号生成部は、前記第一探査波と前記第二探査波とが異なるチャープ符号化状態を有するように、前記第一駆動信号および前記第二駆動信号を生成する、
請求項６に記載の物体検知装置。
【請求項８】
前記駆動信号生成部は、前記第一探査波と前記第二探査波とが異なる位相変調状態を有するように、前記第一駆動信号および前記第二駆動信号を生成する、
請求項１〜５のいずれか１つに記載の物体検知装置。
【請求項９】
前記駆動信号生成部は、前記第一探査波と前記第二探査波とが異なるオンオフ変調状態を有するように、前記第一駆動信号および前記第二駆動信号を生成する、
請求項１〜５のいずれか１つに記載の物体検知装置。
【請求項１０】
前記送信部は、前記送信器としての送受信器により前記第一探査波および前記第二探査波を送信するとともに、これらの反射波を前記送受信器により受信することで前記物体との距離に応じた受信信号を生成するように構成された、
請求項１〜９のいずれか１つに記載の物体検知装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
請求項１に記載の物体検知装置（１）は、周囲の物体（Ｂ）を検知するように構成されている。
この物体検知装置は、
探査波を外部に向けて送信する送信器（２１）を備えた送信部（２）を駆動する駆動信号を生成するように設けられた駆動信号生成部（３）と、
前記駆動信号生成部から前記送信部への前記駆動信号の出力を制御するように設けられた制御部（４）と、
を備え、
前記駆動信号生成部は、第一探査波に対応する第一駆動信号と、前記第一探査波とは識別可能に符号化状態が異なる第二探査波に対応する第二駆動信号とを生成し、
前記制御部は、前記第一探査波と前記第二探査波とのうちの一方の送信間隔の途中で他方が送信され、且つ、今回の前記第一探査波の送信タイミングからその直後の前記第二探査波の送信タイミングまでの先行時間間隔と、次回の前記第一探査波の送信タイミングからその直後の前記第二探査波の送信タイミングまでの後行時間間隔とが異なるように、前記第一駆動信号と前記第二駆動信号とを互いに異なるタイミングで前記駆動信号生成部から前記送信部に出力させる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記構成においては、前記駆動信号生成部は、前記第一探査波に対応する前記第一駆動信号と、前記第一探査波とは識別可能に符号化状態が異なる前記第二探査波に対応する前記第二駆動信号とを生成する。前記制御部は、前記第一探査波と前記第二探査波とのうちの一方の送信間隔の途中で他方が送信され、且つ、今回の前記第一探査波の送信タイミングからその直後の前記第二探査波の送信タイミングまでの先行時間間隔と、次回の前記第一探査波の送信タイミングからその直後の前記第二探査波の送信タイミングまでの後行時間間隔とが異なるように、前記第一駆動信号と前記第二駆動信号とを互いに異なるタイミングで前記駆動信号生成部から前記送信部に出力させる。前記送信部は、前記第一駆動信号が入力された場合は前記第一探査波を送信し、前記第二駆動信号が入力された場合は前記第二探査波を送信する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
このように、上記構成においては、前記駆動信号生成部は、前記制御部の制御下で、前記第一駆動信号および前記第二駆動信号を互いに異なるタイミングで前記送信部に出力する。これにより、互いに識別可能に符号化状態が異なる前記第一探査波と前記第二探査波とのうちの一方の送信間隔の途中で、他方が送信される。また、今回の前記第一探査波の送信タイミングからその直後の前記第二探査波の送信タイミングまでの先行時間間隔と、次回の前記第一探査波の送信タイミングからその直後の前記第二探査波の送信タイミングまでの後行時間間隔とが異なるように、前記第一探査波および前記第二探査波が送信される。これにより、物体が検知できなくなる不検知帯の重複を良好に回避することが可能となる。したがって、近距離範囲および遠距離範囲の双方について物体検知周期を可及的に短くすることができる物体検知装置を、より簡略な装置構成で提供することが可能となる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月18日(2021.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
光学マウント補正係数Ｃ２及びフィルタ補正係数Ｃ３は、波長原点から設定波長に対応する回転位置まで回折格子２を回転駆動するために必要なパルス数の算出に用いられる。光学マウント補正係数Ｃ２及びフィルタ補正係数Ｃ３は装置個体毎に異なった値である。フィルタ補正係数Ｃ３は、光学フィルタ９２の種類毎に異なった値であり、係数記憶部７４には、円盤９１が有する光学フィルタ９２の種類と同じ数のフィルタ補正係数Ｃ３が記憶されている。図１に示すように、以下の説明では、円盤９１は３種類の光学フィルタ９２（以下、光学フィルタＦ１〜Ｆ３）を有していることとし、各光学フィルタＦ１〜Ｆ３に対応する３個のフィルタ補正係数Ｃ３１〜Ｃ３３が係数記憶部７４に記憶されていることとする。また、本実施例では、光学フィルタ９２が挿入されていない場合のフィルタ補正係数として「１」が係数記憶部７４に記憶されていることとする。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
次に、初期化制御部７２は回転駆動機構５に連続パルスを送信してステッピングモータを駆動し、回折格子２を矢印Ａ方向に回転させる。そして、原点センサ６によって回折格子２の回転位置が機械原点に達したことが検出されると、初期化制御部７２は連続パルスの送信を停止する。続いて、駆動パルス数Ｃ１を回転駆動機構５に送信する。これにより、ステッピングモータが駆動して回折格子２が矢印Ｂ方向に角度θ0だけ回転し、波長原点に位置する。ここまでの動作は、光学フィルタ９２が挿入されていない場合と同じである（図２Ａ及び図２Ｂ参照）。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月28日(2021.10.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
そこで、給液式スクリュー圧縮機における別の観点の性能向上策として、作動室へ注入する液体を広範囲に拡散させる給液機構が提案されている（例えば、特許文献１を参照）。特許文献１に記載の流体機械では、スクリューロータとスクリューロータを収納するケーシングとで形成された作動空間内に外部から液体を供給する液体供給部がスクリューロータの歯溝の幅方向よりも長手方向に液体を拡散するように構成されている。特許文献１に記載の流体機械における液体供給部では、いわゆる噴流衝突型のノズル（特許文献１の図２参照）が採用されている。この噴流衝突型のノズルは、第１の噴射孔及び第２の噴射孔からそれぞれ噴射した潤滑油を衝突させることで微粒化させて拡散させるものである。噴流衝突型のノズルでは、衝突した液体の拡散方向に指向性がある。具体的には、衝突した潤滑油は、第１の噴射孔と第２の噴射孔を結ぶ直線の方向に対して直交する方向に拡散しやすい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
駆動部８０は、例えば図１に示すように、ラジアルギャップ型のモータであり、圧縮機本体１と一体に構成されている。駆動部８０は、ロータ８１及びステータ８２から成るモータ８３と、モータ８３を内部に格納するモータケーシング８５と、モータケーシング８５の開口部を閉塞するモータカバー８６とを備えている。ロータ８１は、雄ロータ２と連結されている。モータカバー８６及びモータケーシング８５には、ロータ８１を回転自在に支持するモータ側軸受部８７及び圧縮機本体１から駆動部８０への液体の漏洩を防止する軸封部材８８が配設されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
具体的には、複数の給液ノズル６０Ｃは、例えば、各給液ノズル６０Ｃの略中心からボア４５の吸込側端面４８までの距離と各給液ノズル６０Ｃの開口面積との関係が下記の数式１を満たすように構成されている。ここで、各給液ノズル６０Ｃの略中心からボア４５の吸込側端面４８までの距離をそれぞれ、ＬＭｅ１、ＬＦｅ１、ＬＭｆ１、ＬＦｆ１、ＬＦｆ２、ＬＭｇ１、ＬＭｇ２、ＬＦｇ１とする。また、各給液ノズル６０Ｃの開口面積をそれぞれ、ＡＭｅ１、ＡＦｅ１、ＡＭｆ１、ＡＦｆ１、ＡＦｆ２、ＡＭｇ１、ＡＭｇ２、ＡＦｇ１とする。また、各給液ノズル６０Ｃのボア４５の吸込側端面４８までの距離のうち、最小の距離をＬｍｉｎ、最大の距離をＬｍａｘとする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８６】
すなわち、一対の噴射孔としての第１の噴射孔６１Ｄ及び第２の噴射孔６２Ｄは、互いの中心軸線（図示せず）が同一の平面Ｐ１Ｄ内に位置して両噴射孔６１Ｄ、６２Ｄのボア１０５側の外部で交差するように形成されている。給液ノズル６０Ｄは、第１の噴射孔６１Ｄが第２の噴射孔６２Ｄよりもスクリューロータ１０２の軸方向吐出側（図１５中、上側）に位置するように配置されている。また、給液ノズル６０Ｄは、平面Ｐ１Ｄに直交する方向がスクリューロータ１０２の歯溝の長手方向に対して略平行となるように配置されている。換言すると、給液ノズル６０Ｄは、両噴射孔６１Ｄ、６２Ｄがスクリューロータ１０２の歯溝の幅方向に対して平行な方向に並ぶように配置されている。また、第１の噴射孔６１Ｄ及び第２の噴射孔６２Ｄは、両噴射孔６１Ｄ、６２Ｄからそれぞれ噴射されて衝突した液体が第１の実施の形態の給液ノズル６０の仮想平面Ｖ１と同様な仮想平面に沿って拡散するように構成されている。換言すると、仮想平面は、平面Ｐ１Ｄに直交すると共に、ボア１０５における給液路５３Ｄの開口位置での法線方向に対して、ボア１０５の径方向外側から径方向内側に向かって作動室Ｃ（スクリューロータ１０２の歯溝）の進行方向側、すなわち、スクリューロータの軸方向吐出側（図１５中、上側）へ傾斜する平面である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
１、１Ｄ…圧縮機本体、  ２…雄ロータ（スクリューロータ）、  ３…雌ロータ（スクリューロータ）、  ４…本体ケーシング（ケーシング）、  ４５…ボア（格納室）、  ４５ａ…雄側ボア（第１格納室）、  ４５ｂ…雌側ボア（第２格納室）、  ５３、５３Ｂ、５３Ｃ、５３Ｄ、５３Ｅ…給液路、  ６０、６０Ａ、６０Ｂ、６０Ｃ、６０Ｄ…給液ノズル、  ６１、６１Ａ、６１Ｂ、６１Ｄ、６１Ｅ…第１の噴射孔（一対の噴射孔）、６１ｚ、６１ｚＡ…中心軸線、  ６２、６２Ｂ、６２Ｄ、６２Ｅ…第２の噴射孔（一対の噴射孔）、  ６２ｚ…中心軸線、  １０２…スクリューロータ、  １０４…ケーシング、  １０５…ボア（格納室）、  Ｃ…作動室、  Ｃｅ…第１作動室（作動室）、  Ｃｆ…第２作動室（作動室）、  Ｃｇ…第３作動室（作動室）、  Ｐ１、Ｐ１Ｂ、Ｐ１Ｄ、Ｐ１Ｅ…同一の平面、  Ｖ１、Ｖ１Ａ、Ｖ１Ｅ…仮想平面、  Ｎ…法線方向、  Ｍｓ、ＭｓＡ…運動量のベクトル和
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３】
2020076376.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月17日(2021.9.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバコンポーネントであって、
本体内に表面と約１：１〜約３００：１のアスペクト比を有する複数の高アスペクト比構成とを含む前記本体と、
前記表面と前記複数の高アスペクト比構成の壁の上にあるコンフォーマルな第１のプラズマ耐性層であって、 多孔率約０％で厚さ約１００ｎｍ〜約１ミクロンを有する前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層と、
前記表面の一領域で前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層を覆うが、前記複数の高アスペクト比構成の前記壁では覆わない第２のプラズマ耐性層であって、多孔率１％未満で厚さ約１〜１０ミクロンを有する前記第２のプラズマ耐性層を備えるチャンバコンポーネント。
【請求項２】
前記チャンバコンポーネントはプラズマエッチングリアクタ用チャンバコンポーネントであり、前記チャンバコンポーネントは金属又は焼結セラミックのうちの少なくとも１つを含む請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項３】
前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層はＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ５Ｏ４Ｆ７及びＹＦ３からなる群から選択される原子層堆積（ＡＬＤ）コーティングである請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項４】
前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層はＮｉを含むメッキコーティングである請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項５】
前記第２のプラズマ耐性層はＹ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ５Ｏ４Ｆ７及びＹＦ３からなる群から選択されるコンフォーマルプラズマ耐性層である請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項６】
前記チャンバコンポーネントは処理チャンバ用シャワーヘッドであり、前記複数の高アスペクト比構成は前記シャワーヘッド内の複数の孔である請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項７】
前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層及び前記第２のプラズマ耐性層を含む前記チャンバコンポーネントの絶縁破壊電圧は、約１０００〜１５００ボルト／ミルである請求項１に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項８】
チャンバコンポーネントであって、
本体内に表面と高アスペクト比構成とを含む前記本体であって、前記高アスペクト比構成は約１：１〜約３００：１のアスペクト比を有し、前記表面の一領域は約２００〜３００マイクロインチの表面粗さを有する本体と、
前記表面と前記複数の高アスペクト比構成の壁の上にあり、多孔率約０％で厚さ約１００ｎｍ〜約１０ミクロンを有するコンフォーマルな第１のプラズマ耐性層であって、前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層の表面は、前記表面の前記領域で前記表面粗さに基づく表面粗さを有する前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層と、
前記表面の前記領域で前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層を覆うが、前記複数の高アスペクト比構成の前記壁では覆わず、多孔率約１〜５％で厚さ約４〜２０ｍｉｌを有する第２のプラズマ耐性層であって、前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層の前記表面粗さは前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層への前記第２のプラズマ耐性層の接着を容易にする前記第２のプラズマ耐性層とを備えるチャンバコンポーネント。
【請求項９】
前記表面の前記領域で前記第２のプラズマ耐性層を覆い、前記複数の高アスペクト比構成の前記壁で前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層を覆う、厚さ約１００ｎｍ〜約１０μｍで多孔率約０％を有するコンフォーマルな第３のプラズマ耐性層を更に備え、前記コンフォーマルな第３のプラズマ耐性層はＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ５Ｏ４Ｆ７及びＹＦ３からなる群から選択される請求項８に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項１０】
前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層はＹ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｙ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ５Ｏ４Ｆ７及びＹＦ３からなる群から選択される原子層堆積（ＡＬＤ）コーティングである請求項８に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項１１】
前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層はＮｉを含むメッキコーティングである請求項８に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項１２】
前記第２のプラズマ耐性層はＹ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ２Ｏ３、Ａｌ２Ｏ３、Ｅｒ３Ａｌ５Ｏ１２、Ｙ５Ｏ４Ｆ７及びＹＦ３からなる群から選択される請求項８に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項１３】
前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層の前記表面は、約２００〜３００マイクロインチの前記表面粗さを有する請求項８に記載のチャンバコンポーネント。
【請求項１４】
方法であって、
メッキ又は原子層堆積（ＡＬＤ）を実施しチャンバコンポーネント上にコンフォーマルな第１のプラズマ耐性層を形成するステップであって、前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層は前記チャンバコンポーネントの表面上と、前記チャンバコンポーネント内の複数の高アスペクト比構成の壁上に形成され、前記複数の高アスペクト比構成は約１：１〜約３００：１のアスペクト比を有し、前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層は多孔率約０％で厚さ約１００ｎｍ〜約１ミクロンを有するステップと、
電子ビームイオンアシスト堆積（ＥＢ−ＩＡＤ）、プラズマ強化化学気相蒸着（ＰＥＣＶＤ）、エアロゾル堆積又はプラズマ溶射のうちの１つを実施し、前記表面の一領域で前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層を覆うが、前記複数の高アスペクト比構成の前記壁では覆わない第２のプラズマ耐性層を形成するステップとを含み、
前記第２のプラズマ耐性層は多孔率約１％未満で厚さ約１〜１０ミクロンを有する、方法。
【請求項１５】
前記メッキ又は前記ＡＬＤを実施する前に、前記チャンバコンポーネントの前記表面の前記領域を約２００〜３００マイクロインチの表面粗さに粗面化するステップを更に含み、前記コンフォーマルな第１のプラズマ耐性層は約２００〜３００マイクロインチの前記表面粗さを有する請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月14日(2021.4.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
転写ユニット基板と、
前記基板上の第１の電極と、
前記第１の電極上の誘電体層と、
前記誘電体層上の第２の電極と
を含む粒子転写ユニットであって、第１の電極および第２の電極は、パターン内の複数の粒子を第１の基板から除去し、パターン内の複数の粒子を粒子転写ユニットに固定し、パターン内の複数の粒子を第２の基板に転写する電界を形成する、粒子転写ユニット。
【請求項２】
前記第１の基板は液体中の前記複数の粒子を支持し、
前記複数の粒子は電荷を有し、
前記粒子転写ユニットは電界を発生させ、前記粒子転写ユニットは、前記複数の粒子を前記液体から除去し、前記複数の粒子を電気力によって固定する、請求項１に記載の粒子転写ユニット。
【請求項３】
前記第１の電極は連続層であり、
前記第２の電極は、第１の電極格子および第２の電極格子を含む格子パターンを含み、
前記第１の電極格子は、前記電界を局所的に変調するために、前記第２の電極格子から独立して給電され、
前記電界は、前記複数の粒子を前記第１の基板から除去し、前記複数の粒子を前記粒子転写ユニットに固定する電気力を生成する、請求項１に記載の粒子転写ユニット。
【請求項４】
前記粒子転写ユニットに光学的に給電するための複数の統合された感光スイッチをさらに含む、請求項１に記載の粒子転写ユニット。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月24日(2021.9.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バックプレーンであって、
バックプレーンの出力面上に配列される出力端子のアレイと、
それぞれが前記出力端子のうちの１つに対応する、ソリッドステートの光スイッチのアレイであって、前記ソリッドステートの光スイッチが制御波長の光に反応し、前記制御波長は前記光スイッチを作動させ、検知波長の光に対して透過性を有し、前記検知波長は画像を形成し、前記制御波長とは異なる、ソリッドステートの光スイッチのアレイと、
を含み、
前記バックプレーンは前記検知波長の光に対して透過性を有する領域を少なくとも有する材料から成る、
バックプレーン。
【請求項２】
前記光スイッチのうちの選択される光スイッチが、前記制御波長の光により作動すると、入力電圧が前記出力端子に連結するように、前記ソリッドステートの光スイッチのアレイに接続する前記入力電圧をさらに含む、請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項３】
前記制御波長および前記検知波長が直交波長の光を含む、請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項４】
前記制御波長がグリーン光を含み、前記検知波長が近赤外線光を含む、請求項３に記載のバックプレーン。
【請求項５】
前記バックプレーン面のうちの少なくとも１枚が、前記検知波長および前記制御波長での制御光反射率の誘電層で被覆される、請求項１に記載のバックプレーン。
【請求項６】
光学システムであって、
オプティカル・カプラのアレイを有するバックプレーンと、
前記オプティカル・カプラが反応する制御波長の光を生成するプロジェクタと、
前記制御光を、並べられる画像状のようにバックプレーン上の前記オプティカル・カプラの前記アレイに誘導し、前記オプティカル・カプラを作動させるための光学系と、
検知波長の光に反応する画像形成システムと、
を含み
前記バックプレーンが、前記検知波長に対して透過性を有する領域を少なくとも有し、前記画像形成システムが、前記検知波長の光から画像を形成する、
光学システム。
【請求項７】
前記制御光と前記検知光を組み合わせる、または分離するために、前記プロジェクタからの前記光の経路内の少なくとも１つのダイクロイックミラーをさらに含む、請求項６に記載の光学システム。
【請求項８】
前記画像形成システムが、ビデオカメラを有する視覚システムを含む、請求項６に記載の光学システム。
【請求項９】
前記ダイクロイックミラーから反射される光を受け取るようビデオカメラが配列される、請求項７に記載の光学システム。
【請求項１０】
前記オプティカル・カプラが、前記検知波長の光に反応しない、請求項６に記載の光学システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月8日(2021.4.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャネル形成領域に酸化物を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１の容量素子、第２の容量素子および配線を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の絶縁体上の前記酸化物と、
前記酸化物上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第１の導電体と、
前記第１の導電体上の第３の絶縁体と、
前記第２の絶縁体、前記第１の導電体、及び前記第３の絶縁体に接する、第４の絶縁体と、
前記第４の絶縁体に接する、第５の絶縁体と、を有し、
前記第２のトランジスタは、
前記第１の絶縁体上の前記酸化物と、
前記酸化物上の第６の絶縁体と、
前記第６の絶縁体上の第２の導電体と、
前記第２の導電体上の第７の絶縁体と、
前記第６の絶縁体、前記第２の導電体、及び前記第７の絶縁体に接する、第８の絶縁体と、
前記第８の絶縁体に接する第９の絶縁体と、を有し、
前記第１の容量素子は、
前記酸化物と、
前記酸化物のチャネル長方向の一方の側面および上面と接する領域を有する第１０の絶縁体と、
前記第１０の絶縁体と接する第３の導電体と、を有し、
前記第２の容量素子は、
前記酸化物と、
前記酸化物のチャネル長方向の他方の側面および上面と接する領域を有する第１１の絶縁体と、
前記第１１の絶縁体と接する第４の導電体と、を有し、
前記酸化物は、
前記第２の絶縁体及び前記第６の絶縁体と重なる第１の領域と、
前記第４の絶縁体及び前記第８の絶縁体と重なる第２の領域と、
前記第２の領域に接する第３の領域と、を有し、
前記配線は、前記第５の絶縁体及び前記第９の絶縁体と接し、且つ前記第３の領域と電気的に接続される半導体装置。
【請求項２】
チャネル形成領域に酸化物を有する半導体装置であって、
前記半導体装置は、
第１のトランジスタ、第２のトランジスタ、第１の容量素子、第２の容量素子および配線を有し、
前記第１のトランジスタは、
第１の導電体と、
前記第１の導電体上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の酸化物と、
前記第１の酸化物上の第２の酸化物と、
前記第２の酸化物上の第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体上の第２の導電体と、
前記第２の導電体上の第３の絶縁体と、
前記第２の絶縁体、前記第２の導電体、及び前記第３の絶縁体に接する、第４の絶縁体と、
前記第４の絶縁体に接する、第５の絶縁体と、を有し、
前記第１の酸化物および前記第１の絶縁体には、前記第１の導電体と重なる領域を有する第１の開口が設けられ、
前記第２の酸化物は、前記第１の開口を介して前記第１の導電体と電気的に接続され、
前記第２のトランジスタは、
第３の導電体と、
前記第３の導電体上の前記第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の前記第１の酸化物と、
前記第１の酸化物上の前記第２の酸化物と、
前記第２の酸化物上の第６の絶縁体と、
前記第６の絶縁体上の第４の導電体と、
前記第４の導電体上の第７の絶縁体と、
前記第６の絶縁体、前記第４の導電体、及び前記第７の絶縁体に接する、第８の絶縁体と、
前記第８の絶縁体に接する第９の絶縁体と、を有し、
前記第１の酸化物および前記第１の絶縁体には、前記第３の導電体と重なる領域を有する第２の開口が設けられ、
前記第２の酸化物は、前記第２の開口を介して前記第３の導電体と電気的に接続され、
前記第１の容量素子は、
前記第２の酸化物と、
前記第２の酸化物のチャネル長方向の一方の側面および前記第２の酸化物の上面と接する領域を有する第１０の絶縁体と、
前記第１０の絶縁体と接する第５の導電体と、を有し、
前記第２の容量素子は、
前記第２の酸化物と、
前記第２の酸化物のチャネル長方向の一方の側面および前記第２の酸化物の上面と接する領域を有する第１１の絶縁体と、
前記第１１の絶縁体と接する第６の導電体と、を有し、
前記第２の酸化物は、
前記第２の絶縁体及び前記第６の絶縁体と重なる第１の領域と、
前記第４の絶縁体及び前記第８の絶縁体と重なる第２の領域と、
前記第２の領域に接する第３の領域と、
前記配線は、前記第５の絶縁体及び前記第９の絶縁体と接し、且つ前記第３の領域と電気的に接続される半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第３の領域は、前記第２の領域より、キャリア密度が大きく、
前記第２の領域は、前記第１の領域より、キャリア密度が大きい半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第４の絶縁体および前記第８の絶縁体は、
それぞれ、金属酸化物を含む半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第５の絶縁体及び前記第９の絶縁体は、
それぞれ、酸化アルミニウム、酸化シリコン、酸化窒化シリコン、窒化酸化シリコン、および窒化シリコンの中から選ばれるいずれか一つまたは複数である半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月12日(2021.4.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理チャンバであって、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置された基板サポートと、
前記基板サポート内に配置された再帰的配電アセンブリであって、
基板サポート内に放射的に配置された第１の実質的円形セグメントと、
基板サポート内に放射的に配置された第２の実質的円形セグメントと、
第１の実質的円形セグメントと第２の実質的円形セグメントを垂直的に結合する結合部材を備える再帰的配電アセンブリと、
前記基板サポート内に配置され、前記再帰的配電アセンブリに結合されたエッジリングアセンブリであって、導電性電極を含むエッジリングアセンブリと、
前記電極の上方にある前記基板サポート上に配置された絶縁サポートと、
前記絶縁サポート上に配置された第１のシリコンリングとを備える処理チャンバ。
【請求項２】
前記基板サポートが１つ以上のチャッキング電極を有する静電チャックを備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項３】
前記エッジリングアセンブリはセラミックキャップとセラミック基部とを備え、前記エッジリングアセンブリの前記電極は前記セラミックキャップと前記セラミック基部との間に配置される、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項４】
前記エッジリングアセンブリ、前記伝導性リング、および前記絶縁サポートの半径方向外側に延在するバッフルリングを更に備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項５】
前記再帰的配電アセンブリは複数の分岐型電気接続部を備え、前記分岐型電気接続部は等しい長さを有する、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項６】
前記基板サポート内に配置されたリフト機構を更に備え、前記リフト機構は、前記シリコンリングおよび前記絶縁サポートを垂直方向に作動させるように構成される、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項７】
前記再帰的配電コネクタは複数の半円形要素を備え、前記複数の半円形要素は軸方向に離間し垂直接続によって接続される、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項８】
前記複数の半円形要素の周りに配置されたポリテトラフルオロエチレンを更に備える、請求項７に記載の処理チャンバ。
【請求項９】
前記電極に結合された回路を更に備え、前記回路は接地調整部、バイアス感知調整部、および電源感知調整部を備える、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項１０】
前記回路は前記電極を前記接地調整部、前記バイアス感知調整部、および前記電源感知調整部に結合するスイッチング素子を含む、請求項１に記載の処理チャンバ。
【請求項１１】
処理チャンバであって、
チャンバ本体と、
前記チャンバ本体内に配置された基板サポートと、
前記基板サポート内に配置された再帰的配電アセンブリであって、
放射的に配置され、基板サポート内でリングを形成する第１の実質的円形セグメントと、
基板サポート内に放射的に配置された第２の実質的円形セグメントと、
第１の実質的円形セグメントと第２の実質的円形セグメントを垂直的に結合する結合部材を備える再帰的配電アセンブリと、
前記基板サポート内に配置され、前記再帰的配電アセンブリに結合されたエッジリングアセンブリであって、結合された配電アセンブリを有する導電性円形電極を含むエッジリングアセンブリと、
前記電極の上方にある前記基板サポート上に配置された絶縁サポートと、
前記絶縁サポート上に配置された第１のシリコンリングとを備える処理チャンバ。
【請求項１２】
前記エッジリングアセンブリは、セラミックキャップとセラミック基部とを備え、前記セラミック基部と前記セラミックキャップは円形であり、前記電極は前記セラミック基部と前記セラミックキャップとの間に配置される、請求項１１に記載の処理チャンバ。
【請求項１３】
前記再帰的配電アセンブリは複数の分岐型電気的接続部を含み、前記再帰的配電アセンブリは複数の半円形要素を含む、請求項１２に記載の処理チャンバ。
【請求項１４】
再帰的配電コネクタであって、
第１の半円形要素と、
前記第１の半円形要素の中心部に結合された同軸構造と、
前記第１の半円形要素の第１の端部に配置され、前記第１の半円形要素の平面部分から直角に延在する第１の垂直継手と、
前記第１の半円形要素の第２の端部に配置され、前記第１の半円形要素の前記平面部分から直角に延在する第２の垂直継手と、
前記第１の垂直継手に接続された第２の半円形要素であり、前記第１の垂直継手が前記第２の半円形要素の中央部分に接続された前記第２の半円形要素と、
前記第２の垂直継手に接続された第３の半円形要素であり、前記第２の垂直継手が前記第３の半円形要素の中央部分に接続された前記第３の半円形要素とを含む再帰的配電コネクタ。
【請求項１５】
前記再帰的配電アセンブリは導電性材料を含む、請求項１４に記載の再帰的配電アセンブリ。