Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月1日(2020.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像表示面に表示された画像を観察するための観察光学系であって、前記観察光学系は、フレネルレンズ、正レンズＬＰを有し、
前記フレネルレンズの中心輪帯の面頂点から該中心輪帯の端部までの光軸方向の長さをｈ０、前記中心輪帯に隣接する第１輪帯の格子壁面の光軸方向の長さをｈ１とするとき、
０．０１＜ｈ１／ｈ０＜０．８０
なる条件式を満足することを特徴とする観察光学系。
【請求項２】
前記中心輪帯の直径をΦ０、前記フレネルレンズの有効径をΦ１とするとき、
０．３＜Φ０／Φ１＜０．７
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１に記載の観察光学系。
【請求項３】
画像表示面に表示された画像を観察するための観察光学系であって、前記観察光学系は、フレネルレンズ、正レンズＬＰを有し、
前記フレネルレンズの中心輪帯の直径をΦ０、前記フレネルレンズの有効径をΦ１とするとき、
０．３＜Φ０／Φ１＜０．７
なる条件式を満足することを特徴とする観察光学系。
【請求項４】
前記フレネルレンズの焦点距離をｆｈ、前記観察光学系の焦点距離をＦとするとき、
１．５＜｜ｆｈ｜／Ｆ＜５．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の観察光学系。
【請求項５】
前記観察光学系が１つ以上の正の屈折力のレンズを有するときは、最も屈折力の大きいレンズを正レンズＬＰとし、前記正レンズＬＰの焦点距離をｆｐ、前記観察光学系の焦点距離をＦとするとき、
１．２＜ｆｐ／Ｆ＜２．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の観察光学系。
【請求項６】
前記正レンズＬＰと前記フレネルレンズの中で、最も観察面側に位置するレンズの観察面側のレンズ面から最も画像表示面側に位置するレンズの画像表示面側のレンズ面までの光軸上の距離をｄ、最も観察面側に位置するレンズの観察面側のレンズ面から、画像表示面までの光軸上の距離をＬとするとき、
０．１＜ｄ／Ｌ＜０．４
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の観察光学系。
【請求項７】
前記フレネルレンズは正の屈折力を有し、前記フレネルレンズの観察面側の面の曲率半径をＲｐ１１、前記フレネルレンズの画像表示面側の面の曲率半径をＲｐ１２とするとき、
−１．６＜（Ｒｐ１２＋Ｒｐ１１）／（Ｒｐ１２−Ｒｐ１１）＜−０．５
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の観察光学系。
【請求項８】
前記フレネルレンズは負の屈折力を有し、前記フレネルレンズの観察面側の面の曲率半径をＲｎ１１、前記フレネルレンズの画像表示面側の面の曲率半径をＲｎ１２とするとき、
０．８＜（Ｒｎ１２＋Ｒｎ１１）／（Ｒｎ１２−Ｒｎ１１）＜１．７
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の観察光学系。
【請求項９】
前記正レンズＬＰの観察面側のレンズ面の曲率半径をＲ２１、前記正レンズＬＰの画像表示面側のレンズ面の曲率半径をＲ２２とするとき、
−１．６＜（Ｒ２２＋Ｒ２１）／（Ｒ２２−Ｒ２１）＜−０．４
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１項に記載の観察光学系。
【請求項１０】
前記フレネルレンズの有効面内における格子壁面の光軸方向の長さの平均値をｈａｖｅ、ｄ線の波長の長さをλとするとき、
５０．０＜ｈａｖｅ／λ＜５００．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の観察光学系。
【請求項１１】
前記フレネルレンズの第１輪帯の格子ピッチをｗ１、前記フレネルレンズの有効面内の最も外側の輪帯の格子ピッチをｗｅとするとき、
１．２＜ｗ１／ｗｅ＜１０．０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の観察光学系。
【請求項１２】
前記中心輪帯は連続した面より構成されていることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の観察光学系。
【請求項１３】
画像情報を表示する画像表示素子と、前記画像表示素子に表示される前記画像情報を観察するための請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の観察光学系を有することを特徴とする観察装置。
【請求項１４】
アイレリーフ１０ｍｍで、半視野角４５度における画像表示面の理想像高をｙ０、アイレリーフ１０ｍｍで、半視野角４５度における画像表示面の実際の像高をｙとするとき、−０．３５＜（ｙ−ｙ０）／ｙ０＜−０．１０
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１３に記載の観察装置。
【請求項１５】
前記光学系の焦点距離をＦ、アイレリーフ１０ｍｍで半視野角４５度における画像表示面の実際の像高をｙとするとき、
０．５＜ｙ／Ｆ＜１．１
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１３または１４に記載の観察装置。
【請求項１６】
フレネル面を備えるフレネルレンズであって、
前記フレネルレンズの中心輪帯の面頂点から該中心輪帯の端部までの光軸方向の長さをｈ０、前記中心輪帯に隣接する第１輪帯の格子壁面の光軸方向の長さをｈ１とするとき、
０．０１＜ｈ１／ｈ０＜０．８０
なる条件式を満足することを特徴とするフレネルレンズ。
【請求項１７】
前記中心輪帯の直径をΦ０、前記フレネルレンズの有効径をΦ１とするとき、
０．３＜Φ０／Φ１＜０．７
なる条件式を満足することを特徴とする請求項１６に記載のフレネルレンズ。
【請求項１８】
フレネル面を備えるフレネルレンズであって、
前記フレネルレンズの中心輪帯の直径をΦ０、前記フレネルレンズの有効径をΦ１とするとき、
０．３＜Φ０／Φ１＜０．７
なる条件式を満足することを特徴とするフレネルレンズ。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月11日(2020.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テンプレートであって、
インプリントリソグラフィのための本体を備え、前記本体は、第１表面と、第２表面とを含み、前記第２表面は、前記第１表面の反対側にあり、前記本体は、ベース面に沿って位置する前記第１表面から延在するリセッションを有し、前記リセッションは、成形可能な材料で少なくとも部分的に充填されるように構成され、テーパーの側壁を有する主要部分を含み、遠位面は、前記リセッション内にあることを特徴とするテンプレート。
【請求項２】
前記リセッションは、
中間側壁を有する中間部分を更に含み、
前記ベース面は、前記主要部分よりも前記遠位面に遠く、
前記主要部分は、前記ベース面と前記遠位面との間に配置され、
前記テーパーの側壁は、前記ベース面に対して平均テーパー角度を有し、
前記中間側壁は、丸い、又は、前記中間側壁の少なくとも一部は、前記平均テーパー角度と比較して、異なる角度で前記ベース面に交差する線に沿って位置することを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項３】
前記ベース面に対して、前記主要部分の前記テーパーの側壁は、平均テーパー角度を有し、前記中間側壁は、前記平均テーパー角度よりも大きい角度で前記ベース面に交差する線に沿って位置することを特徴とする請求項２に記載のテンプレート。
【請求項４】
前記中間部分は、湾曲した側壁を有することを特徴とする請求項２に記載のテンプレート。
【請求項５】
前記主要部分及び前記中間部分のそれぞれは、湾曲した側壁を有し、前記主要部分の曲率半径は、前記中間部分の曲率半径よりも大きいことを特徴とする請求項２に記載のテンプレート。
【請求項６】
前記遠位面は、非平面であることを特徴とする請求項２に記載のテンプレート。
【請求項７】
前記主要部分に沿って、前記テーパーの側壁は、線に沿って位置することを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項８】
前記線は、最大４５°の角度で前記ベース面に交差することを特徴とする請求項７に記載のテンプレート。
【請求項９】
前記テンプレートは、アパーチャを更に備え、前記リセッションは、前記アパーチャを介して、前記テンプレートの外側の領域と流体連通していることを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項１０】
インプリントリソグラフィのための装置であって、
請求項１乃至９のうちいずれか１項に記載のテンプレートを備え、
前記テンプレートを用いて基板上のレジスト層にパターンを形成する、
ことを特徴とする装置。
【請求項１１】
半導体デバイスを製造する方法であって、
デバイス層を含む基板を提供することと、
テーパーの側壁を有するパターンレジスト層を形成することと、
前記パターンレジスト層を使用して前記デバイス層をパターニングすることであって、前記デバイス層は、前記パターンレジスト層の前記テーパーの側壁に対応するテーパーの側壁を有することと、
少なくとも一部のデバイス層の横方向部分を露出するために、前記デバイス層の少なくとも一部の部分をエッチングすることと、
を備えることを特徴とする方法。
【請求項１２】
前記少なくとも一部のデバイス層の部分をエッチングした後、前記少なくとも一部のデバイス層は、実質的に、垂直側壁を有することを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
前記少なくとも一部のデバイス層の部分をエッチングした後、その他のデバイス層は、前記テーパーの側壁を有することを特徴とする請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
その他のデバイス層の横方向部分を露出するために、前記その他のデバイス層の部分をエッチングすることを更に備えることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１５】
前記その他のデバイス層の部分をエッチングした後、前記デバイス層は、実質的に、垂直側壁を有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記少なくとも一部のデバイス層は、導電性デバイス層であり、その他のデバイス層は、絶縁性デバイス層である、又は、
前記少なくとも一部のデバイス層は、絶縁性デバイス層であり、その他のデバイス層は、導電性デバイス層であることを特徴とする請求項１１に記載の方法。
【請求項１７】
前記導電性デバイス層は、トランジスタのゲート電極を含むことを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記導電性デバイス層の横方向部分に加える導電性プラグを形成することを更に備えることを特徴とする請求項１６に記載の方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】テンプレート、インプリントリソグラフィのための装置及び半導体デバイスを製造する方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本開示は、インプリントリソグラフィに関し、より詳細には、テンプレート、インプリントリソグラフィのための装置及び半導体デバイスを製造する方法に関する。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月26日(2020.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置、表示システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素部と、駆動回路と、信号生成回路と、レベルシフタと、を有し、
前記レベルシフタは、前記信号生成回路から入力された信号を増幅して、増幅された信号を前記駆動回路に出力する機能を有し、
前記画素部は、第１のトランジスタを有する画素を有し、
前記駆動回路は、第２のトランジスタを有し、
前記信号生成回路は、第３のトランジスタと、第４のトランジスタと、を有し、
前記レベルシフタは、第５のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタのチャネル領域と、前記第２のトランジスタのチャネル領域と、前記第３のトランジスタのチャネル領域は、同一の半導体基板に形成され、
前記第４のトランジスタのチャネル領域と、前記第５のトランジスタのチャネル領域のそれぞれは、半導体膜に形成され、
前記半導体膜は、金属酸化物を有する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記信号生成回路は、記憶装置を有し、
前記記憶装置は、前記第４のトランジスタを有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１又は２において、
前記第４のトランジスタ及び前記第５のトランジスタは、前記第１のトランジスタ、前記第２のトランジスタ、及び前記第３のトランジスタの上に積層されている半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の半導体装置と、ホストと、を有し、
前記信号生成回路は、前記ホストから入力された画像データに基づいて映像信号を生成する機能を有する表示システム。
【請求項５】
請求項４において、
前記半導体装置は、演算回路を有し、
前記ホストは、ソフトウェアを有し、
前記演算回路により、第１のニューラルネットワークが構成され、
前記ソフトウェアにより、第２のニューラルネットワークが構成され、
前記第１のニューラルネットワークは、前記画素部に表示された映像が視認される際の環境に関する情報に基づいて、画像処理に用いられるパラメータを出力する機能を有し、
前記第２のニューラルネットワークは、教師あり学習を行う機能を有し、
前記教師あり学習によって更新された前記第２のニューラルネットワークの重み係数は、前記第１のニューラルネットワークに出力される表示システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月30日(2020.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
インプリントリソグラフィのためのテンプレートであって、
ベース面と、前記ベース面から延在するリセッションとを含む本体を備え、
前記リセッションは、
その他のステップと比較して前記ベース面から遠い遠位ステップを含むステップであって、各ステップが対応する高さを有するステップと、
前記遠位ステップは、丸い又はテーパーの側壁を含む、
前記リセッションの最深部に沿った表面は、非平面である、又は、
前記遠位ステップに対応する高さは、残りのステップに対応する平均高さと異なる、
ことを含むフィーチャと、
を含む、
ことを特徴とするテンプレート。
【請求項２】
前記遠位ステップは、丸い又はテーパーの側壁を含むことを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項３】
前記ステップの少なくとも一部に関する側壁は、垂直側壁を含むことを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項４】
前記リセッションの最深部に沿った前記表面は、非平面であることを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項５】
前記遠位ステップは、前記残りのステップに対応する前記平均高さより小さい又はより大きい高さを有することを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項６】
アパーチャを更に備え、前記リセッションは、前記アパーチャを介して、前記テンプレートの外側の領域と流体連通していることを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項７】
前記残りのステップの少なくとも一部に対応する高さは、互いに５％以内であることを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項８】
前記遠位ステップ以外の残りのステップは、前記残りのステップに対応する前記平均高さの少なくとも５倍である横方向距離を有する横方向部分を含むことを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項９】
前記残りのステップの少なくとも一部は、互いに５％以内である横方向距離を含むことを特徴とする請求項１に記載のテンプレート。
【請求項１０】
インプリントリソグラフィのための装置であって、
テンプレートのアパーチャに結合されるガスコントローラを備えることを特徴とする装置。
【請求項１１】
前記ガスコントローラは、真空源と圧力源との間で選択する圧力源セレクタを備えることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１２】
前記ガスコントローラは、前記テンプレートの前記アパーチャ内の圧力を調整する圧力制御機構を備えることを特徴とする請求項１０に記載の装置。
【請求項１３】
基板を保持する基板チャックと、
前記基板の上に成形可能な材料をディスペンスする液体吐出システムと、
前記テンプレートを保持するテンプレートチャックと、
を更に備えることを特徴とする請求項１１に記載の装置。
【請求項１４】
物品を製造する方法であって、
基板の上に成形可能な材料を形成することと、
前記成形可能な材料をテンプレートでインプリントすることと、
前記基板の上にパターンレジスト層を形成するために、前記成形可能な材料を硬化することと、
を備え、
前記テンプレートは、
ベース面と、前記ベース面から延在するリセッションとを含む本体を含み、
前記リセッションは、
その他のステップと比較して前記ベース面から遠い遠位ステップを含むステップであって、各ステップが対応する高さを有するステップと、
前記遠位ステップは、丸い又はテーパーの側壁を含む、
前記リセッションの最深部に沿った表面は、非平面である、又は、
前記遠位ステップに対応する高さは、残りのステップに対応する平均高さと異なる、
ことを含むフィーチャと、
を有することを特徴とする方法。
【請求項１５】
デバイス層を含む前記基板を提供することと、
前記パターンレジスト層を使用して前記デバイス層をパターニングすることと、
を更に備え、
パターニングの後、前記デバイス層は、ステップを有することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
前記テンプレートは、第１数のステップを有し、前記デバイス層は、第２数のステップを有し、前記第１数は、前記第２数より大きいことを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記デバイス層は、メモリセルのゲート電極であることを特徴とする請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
インプリントの間、前記リセッション内に真空を発生させることと、
前記パターンレジスト層から前記テンプレートを引き離すときに圧力を増加させることと、又は、
両方
を更に備えることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
トラップされたボイドは、インプリントの間、前記リセッション内に形成されることを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【請求項２０】
硬化の間、前記成形可能な材料は、収縮することを特徴とする請求項１４に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月26日(2020.11.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
熱源と伝導的連通するように構成された冷却ブロックであって、ステム及びベースを備え、前記ベースはさらに前記ベースを通って冷却流体が循環するように構成された冷却マニホールドを含む冷却ブロックと、
前記冷却マニホールドを通って循環するように構成された冷却流体と、
前記熱源と前記冷却流体との間において前記冷却ブロックの前記ベースに形成された電気的障壁と
を備える、温度制御システム。
【請求項２】
前記ステムと前記熱源との間の界面に塗布される熱伝導性グリース
をさらに備える、請求項１に記載の温度制御システム。
【請求項３】
前記熱伝導性グリースが、
エポキシ、
シリコーン、
ウレタン、
アクリレート、
酸化アルミニウム、
窒化ホウ素、
酸化亜鉛、及び
窒化アルミニウム
のうちの少なくとも１つを含む、請求項２に記載の温度制御システム。
【請求項４】
前記電気的障壁が、
シリコン、
ポリマー、
ゴム、
セラミック、及び
プラスチック
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の温度制御システム。
【請求項５】
前記冷却ブロックの前記ベースの前記マニホールドを通って前記冷却流体を循環させるように構成された冷却ポンプをさらに備える、請求項１に記載の温度制御システム。
【請求項６】
前記熱源がチップを備える、請求項１に記載の温度制御システム。
【請求項７】
前記チップは、熱変色印刷システムに関連付けられたディジタルマイクロミラー装置を含む、請求項６に記載の温度制御システム。
【請求項８】
熱変色印刷システムに関連付けられたディジタルマイクロミラー装置と伝導的連通するように構成された冷却マニホールドを含む冷却ブロックであって、ステム及びベースを備える冷却ブロックと、
前記マニホールドを通して前記冷却流体を循環させ、前記冷却ブロックを冷却するように構成された冷却流体と、
前記ディジタルマイクロミラー装置と前記冷却流体との間において前記冷却ブロックの前記ベースに形成された電気的障壁と
を備える、温度制御装置。
【請求項９】
前記ステムと前記ディジタルマイクロミラー装置との間の界面に塗布される熱伝導性グリース
をさらに含む、請求項８に記載の温度制御装置。
【請求項１０】
前記熱伝導性グリースが、
エポキシ、
シリコーン、
ウレタン、
アクリレート、
酸化アルミニウム、
窒化ホウ素、
酸化亜鉛、及び
窒化アルミニウム
のうちの少なくとも１つを含む、請求項９に記載の温度制御装置。
【請求項１１】
前記電気的障壁が、
シリコン、
ポリマー、
ゴム、
セラミック、及び
プラスチック
のうちの少なくとも１つを含む、請求項８に記載の温度制御装置。
【請求項１２】
熱源から、ステム及びベースを備え、さらに冷却マニホールドを備える冷却ブロックへと熱を伝導的に連通させることと、
前記冷却マニホールドを通り、前記冷却ブロックの前記ベースを介して冷却流体を循環させることと、
前記熱源と前記冷却流体との間において前記冷却ブロックの前記ベースに形成された電気的障壁によって前記熱源と前記冷却流体との間の電気的連通を遮断することと
を備える、温度制御方法。
【請求項１３】
前記ステムと前記熱源との間の界面に熱伝導性グリースを塗布すること
をさらに備える、請求項１２に記載の温度制御方法。
【請求項１４】
前記熱伝導性グリースが、
エポキシ、
シリコーン、
ウレタン、
アクリレート、
酸化アルミニウム、
窒化ホウ素、
酸化亜鉛、及び
窒化アルミニウム
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１３に記載の温度制御方法。
【請求項１５】
前記電気的障壁が、
シリコン、
ポリマー、
ゴム、
セラミック、及び
プラスチック
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１２に記載の温度制御方法。
【請求項１６】
前記熱源がチップを備える、請求項１２に記載の温度制御方法。
【請求項１７】
前記チップは、熱変色印刷システムに関連付けられたディジタルマイクロミラー装置を含む、請求項１６に記載の温度制御方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月7日(2020.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電解質組成物の製造方法であって、
（ａ）溶媒にクラウンエーテル及びハロゲン化金属を溶解させるステップ；
（ｂ）前記クラウンエーテル及び前記ハロゲン化金属を反応させてクラウンエーテル‐ハロゲン化金属錯体を形成するステップ；
（ｃ）前記クラウンエーテル‐ハロゲン化金属錯体を単離するステップ；及び
（ｄ）再充電可能なバッテリーの非水電解質溶液に前記クラウンエーテル‐ハロゲン化金属錯体を加え、前記電解質溶液に一以上のハロゲン化物イオンを提供するステップであって、前記電解質溶液が少なくとも一つの有機溶媒を含む、ステップ、
を含む、方法。
【請求項２】
前記ハロゲン化金属が、カリウム、ナトリウム、リチウム、マグネシウム、及びカルシウムのイオンからなる群から選択された金属イオンを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ハロゲン化金属がフッ化金属である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記ハロゲン化金属がフッ化カリウムである、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記クラウンエーテルが、１８−クラウン−６、ジベンゾ−１８−クラウン−６、及び１５−クラウン−５からなる群から選択される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記クラウンエーテルが１８−クラウン−６である、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記クラウンエーテルが１８−クラウン−６であり、前記ハロゲン化金属がフッ化カリウムであり、前記クラウンエーテル‐ハロゲン化金属錯体が１８−クラウン−６フッ化カリウム錯体であり、前記電解質溶液に溶解されたフッ化物イオンの濃度が０．０８〜０．２０Ｍである、請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記有機溶媒が、プロパンニトリル、２，６−ジフルオロピリジン、２−フルオロベンゾニトリル、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルピペリジニウムビス（（トリフルオロメチル）スルホニル）アミド、及びビス（トリフルオロエチル）エーテルからなる群から選択される、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記電解質溶液に溶解されたハロゲン化物イオンの濃度が０．０１Ｍ〜１Ｍである、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月14日(2021.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
車載用の計測装置ユニット（１０）であって、
複数の検出器（３１、３２、３３）と、
前記複数の検出器とそれぞれ接続されている複数の入力部（２０３）と、車両内に配置されている制御装置（４０）と接続されている出力部（２０４）と、前記複数の入力部を介して入力される前記複数の検出器からの検出データを用いて統合データを生成して前記出力部を介して出力する統合データ生成部（２００）と、を備えるデータ処理装置（２１）と、を備え、前記制御装置と前記統合データ生成部とを接続する配線数は、前記統合データ生成部と前記複数の検出器とを接続する配線数よりも少ない、車載用の計測装置ユニット。
【請求項２】
請求項１に記載の車載用の計測装置ユニットにおいて、
前記複数の検出器は、異なる種類の複数の検出器を含む、車載用の計測装置ユニット。
【請求項３】
請求項１または２に記載の車載用の計測装置ユニットはさらに、
前記データ処理装置を内包する本体（２０）を備え、
前記複数の検出器は前記本体の周囲に配置されている、車載用の計測装置ユニット。
【請求項４】
請求項１から３のいずれか一項に記載の車載用の計測装置ユニットにおいて、
前記データ処理装置は、車両の環境情報、車両の走行情報および前記複数の検出器の配置情報の少なくともいずれか一つの情報を用いて、各前記検出器からの検出データに対する優先度を決定し、決定した優先度に応じて前記統合データを生成する、車載用の計測装置ユニット。
【請求項５】
請求項４に記載の車載用の計測装置ユニットにおいて、
前記データ処理装置は、前記統合データに占める、前記優先度の高い検出データの量を他の前記検出データの量よりも大きくする、車載用の計測装置ユニット。
【請求項６】
請求項４に記載の車載用の計測装置ユニットにおいて、
前記データ処理装置は、前記優先度の高い検出データを他の前記検出データよりも高い頻度で前記統合データとして出力する、車載用の計測装置ユニット。
【請求項７】
請求項４から６のいずれか一項に記載の車載用の計測装置ユニットにおいて、
前記統合データ生成部は、前記車両の走行情報および前記複数の検出器の配置情報を用いて前記優先度を決定する、車載用の計測装置ユニット。
【請求項８】
請求項４から６のいずれか一項に記載の車載用の計測装置ユニットにおいて、
前記統合データ生成部は、前記車両の環境情報を用いて前記各検出器からの検出データの種別に応じて前記優先度を決定する、車載用の計測装置ユニット。
【請求項９】
請求項４から６のいずれか一項に記載の車載用の計測装置ユニットにおいて、
前記統合データ生成部は、前記制御装置において動的に要求される前記各検出器からの検出データに応じて前記優先度を決定する、車載用の計測装置ユニット。
【請求項１０】
車載用の計測装置ユニット（１０）における統合データ生成方法であって、
複数の検出器から検出データを受信し、
複数の前記検出データを用いて統合データを生成し、
車両内に配置されている制御装置（４０）に対して送信すること、を備え、前記制御装置と前記計測装置ユニットが備える前記統合データを生成する統合データ生成部とを接続する配線数は、前記統合データ生成部と前記複数の検出器とを接続する配線数よりも少ない、統合データ生成方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
第１の態様は、車載用の計測装置ユニットを提供する。第１の態様に係る車載用の計測装置ユニットは、複数の検出器と、前記複数の検出器とそれぞれ接続されている複数の入力部と、車両内に配置されている制御装置と接続されている出力部と、前記複数の入力部を介して入力される前記複数の検出器からの検出データを用いて統合データを生成して前記出力部を介して出力する統合データ生成部と、を備え、前記制御装置と前記統合データ生成部とを接続する配線数は、前記統合データ生成部と前記複数の検出器とを接続する配線数よりも少ない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
第２の態様は、車載用の計測装置ユニットにおける統合データ生成方法を提供する。第２の態様に係るデータ送信方法は、複数の検出器から検出データを受信し、複数の前記検出データを用いて統合データを生成し、車両内に配置されている制御装置に対して送信すること、を備え、前記制御装置と前記計測装置ユニットが備える前記統合データを生成する統合データ生成部とを接続する配線数は、前記統合データ生成部と前記複数の検出器とを接続する配線数よりも少ない。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月25日(2021.10.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記載置翼上の粉粒体を前記秤台上又は前記滑面上に掻き落とす下側スクレーパを更に備える請求項１記載の粉粒体定量供給装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月20日(2021.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報検索システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
処理部を有し、
前記処理部には、第１のデータと、第１の参照用解析データと、が入力され、
前記第１のデータは、第１の情報を有し、
前記第１の参照用解析データは、複数の第２の情報を有し、
前記処理部は、前記第１の参照用解析データから、前記第１のデータと類似するデータを検索することで、第２のデータを生成する機能を有し、
前記処理部は、前記第２のデータを出力する機能を有し、
前記第２のデータは、前記第１の情報と類似する前記第２の情報と、前記第２の情報の前記第１の情報に対する類似性の高さを示す第３の情報と、を有する、情報検索システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月20日(2021.1.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
支持体と、
前記支持体に設けられた可動部と、
前記可動部を介して、前記支持体に設けられたレーザ発振器と、
前記レーザ発振器と接続されたスイッチを有し、
前記可動部により、前記レーザ発振器からのレーザ光の出力方向とユーザの視線が一致するように調整可能である情報端末への入力手段。
【請求項２】
請求項１において、
前記支持体は、眼鏡、帽子、ヘルメットおよびヘッドギアのいずれか一からなる入力手段。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記スイッチは、呼気スイッチ、押しボタン型スイッチ、ペダル型スイッチ、および瞬きスイッチから選ばれた一つである入力手段。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３において、
前記レーザ発振器は第１のレーザ光と第２のレーザ光を出力し、
前記スイッチは、前記第１のレーザ光と前記第２のレーザ光を切り替えるように構成される入力手段。
【請求項５】
情報端末と、前記情報端末へ入力を行う入力手段と、を有し、
前記入力手段は、レーザ発振器、および前記レーザ発振器と接続されたスイッチを有し、
前記情報端末は、表示部を有し、前記表示部は、センサを有し、
前記レーザ発振器から出力された第１のレーザ光で、前記表示部上の領域を照射し、
前記第１のレーザ光から第２のレーザ光に切り替え、
前記第２のレーザ光で、前記領域を照射し、
前記領域に設けられた、前記センサは、前記第２のレーザ光を検出し、
前記第１のレーザ光から前記第２のレーザ光への切り替えは、前記スイッチにより行われる情報端末への入力方法。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２のレーザ光と前記第１のレーザ光は、強度が異なる入力方法。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第２のレーザ光は、前記第１のレーザ光より、強度が大きい入力方法。
【請求項８】
請求項５において、
前記第１のレーザ光および前記第２のレーザ光はパルスレーザ光である入力方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第２のレーザ光は、前記第１のレーザ光より、パルス周期が短い入力方法。
【請求項１０】
請求項８において、
前記第２のレーザ光と前記第１のレーザ光は、デューティー比が異なる入力方法。
【請求項１１】
情報端末と、前記情報端末へ入力を行う入力手段と、人工知能と、を有し、
前記入力手段は、レーザ発振器、および前記レーザ発振器と接続されたスイッチを有し、
前記情報端末は、表示部を有し、前記表示部は、センサを有し、
前記レーザ発振器から出力された第１のレーザ光で、前記表示部上の領域を照射し、
前記第１のレーザ光を前記センサにて検出し、
前記スイッチにより前記情報端末へ情報が入力されるように構成され、
前記人工知能は前記センサにて検出された前記第１のレーザ光の動きのパターンを抽出し、記憶する情報端末への入力支援システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月3日(2020.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高電流密度Ｎｂ３Ｓｎ超電導ワイヤを生成するための方法であって、
ａ．０．２ｍｍ〜２．０ｍｍの間のワイヤ外径に延伸される、Ｎｂ、Ｓｎ、ＣｕならびにＴｉおよびまたはＴａのドーパントを含有するＣｕクラッド内部すずＮｂ３Ｓｎ前駆体ワイヤを製造するステップであって、前記前駆体ワイヤは、面積で５０〜６５％のＮｂ割合と面積で２０〜２５％のＳｎ割合とを有する組成を有し、Ｃｕ割合は、前記組成の残りを表す、ステップと、
ｂ．熱処理反応を実行することであって、３５０℃〜３８０℃の間のＣｕ拡散プラトーが、１００〜４００時間にわたって実行され、Ｎｂ３Ｓｎ反応プラトーが、６２０℃超かつ７５０℃未満で１００〜４００時間にわたって実行される、ステップと
を含む、方法。
【請求項２】
前記ドーパント要素がＴａである場合、それは、前記Ｎｂ割合の一部であり、Ｎｂ  ７．５重量％Ｔａの合金を伴う、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ドーパント要素がＴｉである場合、それは、面積で１〜２％のＮｂ  ４７重量％Ｔｉロッドの一部である、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記Ｃｕ拡散プラトーの温度は、３５０℃〜３８０℃の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記Ｎｂ３Ｓｎ反応プラトーは、前記ドーパントがＴｉである場合、６２０℃〜６８０℃の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記Ｎｂ３Ｓｎ反応プラトーは、前記ドーパントがＴａである場合、６５０℃〜７００℃の間である、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記Ｎｂ３Ｓｎ反応プラトーの時間は、５０時間〜４００時間の間である、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月20日(2020.11.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に発光物質を含む層と、を有し、
前記発光物質を含む層は、発光層、第１の電子輸送層、および第２の電子輸送層を有し、
前記発光層と前記第１の電子輸送層は、接して形成され、
前記第１の電子輸送層と前記第２の電子輸送層は、接して形成され、
前記第１の電子輸送層および前記第２の電子輸送層は、前記発光層と前記陰極との間に位置し、
前記発光層は金属ハロゲン化物ペロブスカイト類を有し、
前記第１の電子輸送層は第１の電子輸送材料を有し、
前記第２の電子輸送層は第２の電子輸送材料を有する発光素子。
【請求項２】
陽極と、陰極と、前記陽極と前記陰極との間に発光物質を含む層と、を有し、
前記発光物質を含む層は、発光層、第１の電子輸送層、および第２の電子輸送層を有し、
前記発光層と前記第１の電子輸送層は、接して形成され、
前記第１の電子輸送層と前記第２の電子輸送層は、接して形成され、
前記第１の電子輸送層および前記第２の電子輸送層は、前記発光層と前記陰極との間に位置し、
前記発光層は、一般式（ＳＡ）ＭＸ３、一般式（ＬＡ）２（ＳＡ）ｎ−１ＭｎＸ３ｎ＋１、または一般式（ＰＡ）（ＳＡ）ｎ−１ＭｎＸ３ｎ＋１で表される金属ハロゲン化物ペロブスカイト類を有し、
前記第１の電子輸送層は第１の電子輸送材料を有し、
前記第２の電子輸送層は第２の電子輸送材料を有する発光素子。
（但し、上記一般式においてＭは２価の金属イオンを表し、Ｘはハロゲンイオンを表し、ｎは１以上１０以下の整数を表す。また、ＬＡはＲ１−ＮＨ３＋で表されるアンモニウムイオンを表す。なお、上記式中、Ｒ１は炭素数２乃至２０のアルキル基、炭素数６乃至２０のアリール基及び炭素数４乃至２０のヘテロアリール基のいずれか１又は複数であり、複数の場合は同じ種類の基が複数個用いられても良い。また、ＰＡは、ＮＨ３＋−Ｒ２−ＮＨ３＋若しくはＮＨ３＋−Ｒ３−Ｒ４−Ｒ５−ＮＨ３＋、またはアンモニウムカチオンを有するポリマーの一部または全部を表し当該部分の価数は＋２である。また、Ｒ２は単結合または炭素数１乃至１２のアルキレン基を表し、Ｒ３、Ｒ５はそれぞれ独立に、単結合または炭素数１乃至１２のアルキレン基を表し、Ｒ４はシクロヘキシレン基、炭素数６乃至１４のアリーレン基のいずれか１又は２であり、２の場合は同じ種類の基が複数用いられても良い。また、ＳＡは一価の金属イオンまたはＲ６−ＮＨ３＋で表され、Ｒ６が炭素数１乃至６のアルキル基であるアンモニウムイオンを表す。）
【請求項３】
請求項２において、
ＬＡが下記一般式（Ａ−１）乃至（Ａ−１１）及び一般式（Ｂ−１）乃至（Ｂ−６）のいずれかであり、
ＰＡが下記一般式（Ｃ−１）、一般式（Ｃ−２）、一般式（Ｄ）及びアンモニウムカチオンを有する分岐ポリエチレンイミンのいずれかである発光素子。
【化１】
2018120846.tif 000001
【化２】
2018120846.tif 000002
【化３】
2018120846.tif 000003
【化４】
2018120846.tif 000004
【化５】
2018120846.tif 000005
（但し、上記一般式において、Ｒ１１は炭素数２乃至１８のアルキル基を表し、Ｒ１２、Ｒ１３およびＲ１４は水素または炭素数１乃至１８のアルキル基を表し、Ｒ１５は上記構造式および一般式（Ｒ１５−１）乃至（Ｒ１５−１４）を表す。また、Ｒ１６およびＲ１７はそれぞれ独立に水素または炭素数１乃至６のアルキル基を表す。また、Ｘは上記（Ｄ−１）乃至（Ｄ−６）のいずれかの組で表されるモノマーユニットＡおよびＢの組み合わせを有し、Ａがｕ個、Ｂがｖ個含まれている構造を表している。なお、ＡおよびＢの並び順は限定されない。また、ｍおよびｌはそれぞれ独立に０乃至１２の整数であり、ｔは１乃至１８の整数である。また、ｕは０乃至１７の整数、ｖは１乃至１８の整数であり、ｕ＋ｖは１乃至１８の整数である。）
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第２の電子輸送層と前記陰極との間に、電子注入バッファ層が存在する発光素子。
【請求項５】
請求項４において、
前記電子注入バッファ層がアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む発光素子。
【請求項６】
請求項５において、
前記第２の電子輸送材料が、前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属と相互作用して、前記陰極から前記発光物質を含む層への電子の注入を容易にする物質である発光素子。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第１の電子輸送材料が、前記アルカリ金属または前記アルカリ土類金属を前記発光層へ拡散することを抑制する物質である発光素子。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の電子輸送材料は窒素を含む６員環の複素芳香環を有する物質である発光素子。
【請求項９】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の電子輸送材料は２，２’―ビピリジン骨格を含む物質である発光素子。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第２の電子輸送材料はフェナントロリン誘導体である発光素子。
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の電子輸送材料の電子移動度は、前記第２の電子輸送材料の電子移動度よりも大きい発光素子。
【請求項１２】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の電子輸送材料の蛍光量子収率が０．５以上である発光素子。
【請求項１３】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の電子輸送材料は縮合芳香族炭化水素環を有する物質である発光素子。
【請求項１４】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１の電子輸送材料はアントラセン誘導体である発光素子。
【請求項１５】
請求項１乃至請求項１４のいずれか一項において、
前記金属ハロゲン化物ペロブスカイト類は、最も長い部分が１μｍ以下の粒子である発光素子。
【請求項１６】
請求項１乃至請求項１５のいずれか一項において、
前記金属ハロゲン化物ペロブスカイト類が、ペロブスカイト層と有機層とが重なる層状構造を有する発光素子。
【請求項１７】
請求項１乃至請求項１６のいずれか一項において、
外部量子効率が５％以上である発光素子。
【請求項１８】
請求項１乃至請求項１７のいずれか一項に記載の発光素子と、
トランジスタ、または、基板と、を有する発光装置。
【請求項１９】
請求項１８に記載の発光装置と、
センサ、操作ボタン、スピーカ、または、マイクと、を有する電子機器。
【請求項２０】
請求項１７に記載の発光装置と、筐体と、を有する照明装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月21日(2021.1.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】表示装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスプレイコントローラと、表示パネルと、を有する表示装置であって、
前記ディスプレイコントローラは、ハッシュ生成回路、ハッシュ制御回路、フレームメモリ、比較回路、タイミング制御回路、及び画像処理回路を有し、
前記ハッシュ生成回路には、第１の表示データが与えられ、
前記ハッシュ生成回路が、
第１のハッシュ値を生成する機能と、
前記第１の表示データを前記フレームメモリに与える機能と、
前記ハッシュ制御回路が、前記第１のハッシュ値を確定する機能と、
前記比較回路が、前記第１のハッシュ値を保存し、さらに、前記タイミング制御回路を起動する機能と、
前記タイミング制御回路が、
前記画像処理回路を起動し、前記フレームメモリに保存された前記第１の表示データを画像処理させる機能と、
前記画像処理された前記第１の表示データを前記画像処理回路から前記表示パネルに送信し表示を更新する機能と、を有する、
表示装置。
【請求項２】
請求項１において
前記ハッシュ生成回路には、第２の表示データが与えられ、
前記ハッシュ生成回路が、
第２のハッシュ値を生成する機能と、
前記第２の表示データを前記フレームメモリに与える機能と、
前記ハッシュ制御回路は、前記第２のハッシュ値を確定する機能と、
前記比較回路が、
保存された前記第１のハッシュ値と、前記第２のハッシュ値と、を比較する機能と、
前記第２のハッシュ値と前記第１のハッシュ値とが異なるとき、前記第２のハッシュ値を保存し、さらに、前記タイミング制御回路を起動する機能と、
前記タイミング制御回路が、
前記画像処理回路を起動し、前記フレームメモリに保存された前記第２の表示データを画像処理させる機能と、
前記画像処理された前記第２の表示データを前記画像処理回路から前記表示パネルに送信し表示を更新する機能と、
前記比較回路が、前記第２のハッシュ値と前記第１のハッシュ値とが同じとき、前記タイミング制御回路を停止させる機能と、を有する、
表示装置。
【請求項３】
請求項１又は請求項２において、
前記表示パネルは、複数の画素を有し、
前記画素は、さらに、前記表示パネルの表示位置を示す第１の座標情報を有し、
前記ハッシュ生成回路が、
前記第１の表示データに含まれる前記第１の座標情報から規則的にサンプリングする機能と、
前記サンプリングされた前記第１の表示データから前記第１のハッシュ値を生成する機能と、
前記第２の表示データに含まれる前記第１の座標情報から規則的にサンプリングする機能と、
前記サンプリングされた前記第２の表示データから前記第２のハッシュ値を生成する機能と、を有する、
表示装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記ハッシュ生成回路が、
前記第１の表示データに重み係数をかけて前記第１のハッシュ値を生成する機能と、
前記第２の表示データに重み係数をかけて前記第２のハッシュ値を生成する機能と、を有する、
表示装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一において、
前記画素は、さらに、複数のサブ画素を有し、
前記サブ画素は、さらに、前記表示パネルの表示位置を示す第２の座標情報を有し、
前記第１の表示データは、複数の第１のサブ表示データを有し、
前記ハッシュ生成回路が、前記第１のサブ表示データに含まれる前記第２の座標情報から第１のサブハッシュ値を生成する機能と、
前記第２の表示データは、複数の第２のサブ表示データを有し、
前記ハッシュ生成回路が、前記第２のサブ表示データに含まれる前記第２の座標情報から第２のサブハッシュ値を生成する機能と、を有する、
表示装置。
【請求項６】
請求項５において、
前記ハッシュ生成回路が、前記第１のサブ表示データに含まれる前記第２の座標情報から規則的にサンプリングして第１のサブハッシュ値を生成する機能と、
前記ハッシュ生成回路が、前記第２のサブ表示データに含まれる前記第２の座標情報から規則的にサンプリングして第２のサブハッシュ値を生成する機能と、を有する、
表示装置。
【請求項７】
請求項５又は請求項６において、
前記ハッシュ生成回路が、
前記第１のサブ表示データに重み係数をかけて前記第１のサブハッシュ値を生成する機能と、
前記第２のサブ表示データに重み係数をかけて前記第２のサブハッシュ値を生成する機能と、を有する、
表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月24日(2020.12.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１乃至第４の配線と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第１の導電層と、第２の導電層と、を有し、
前記第３の配線及び前記第４の配線は、それぞれ第１の方向に延在し、且つ、前記第１の方向と交差する第２の方向に配列し、
前記第１の配線及び前記第２の配線は、それぞれ前記第２の方向に延在し、且つ、前記第１の方向に配列し、
前記第３の配線及び前記第４の配線は、それぞれ、前記第１の配線及び前記第２の配線と交差し、
前記第１のトランジスタは、ゲートが前記第３の配線と電気的に接続し、且つ、ソースまたはドレインの一方が前記第１の配線と電気的に接続し、且つ、ソースまたはドレインの他方が前記第１の導電層と電気的に接続し、
前記第２のトランジスタは、ゲートが前記第４の配線と電気的に接続し、且つ、ソースまたはドレインの一方が前記第２の配線と電気的に接続し、且つ、ソースまたはドレインの他方が前記第２の導電層と電気的に接続し、
前記第１の導電層及び前記第２の導電層は、それぞれ前記第２の配線の一部と重畳する部分を有し、
前記第１の配線と前記第２の配線は、それぞれ異なる信号が供給され、
前記第３の配線と前記第４の配線は、それぞれ同一の選択信号が供給される、
表示装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記第１の導電層と重畳する、液晶と、第１の着色層と、を有し、
前記第２の導電層と重畳する、前記液晶と、第２の着色層と、を有し、
前記第１の着色層と、前記第２の着色層とは、同じ色の光を透過する、
表示装置。
【請求項３】
請求項２において、
第５の配線、第６の配線、第３のトランジスタ、第４のトランジスタ、第３の導電層及び第４の導電層を有し、
前記第５の配線及び前記第６の配線は、前記第２の方向に延在し、
前記第３のトランジスタは、ゲートが前記第３の配線と電気的に接続し、且つ、ソースまたはドレインの一方が前記第５の配線と電気的に接続し、且つ、ソースまたはドレインの他方が前記第３の導電層と電気的に接続し、
前記第４のトランジスタは、ゲートが前記第４の配線と電気的に接続し、且つ、ソースまたはドレインの一方が前記第６の配線と電気的に接続し、且つ、ソースまたはドレインの他方が前記第４の導電層と電気的に接続し、
前記第３の導電層及び前記第４の導電層は、それぞれ前記第６の配線の一部と重畳する部分を有し、
前記第５の配線と前記第６の配線は、それぞれ異なる信号が供給される、
表示装置。
【請求項４】
請求項３において、
前記第３の導電層と重畳する、前記液晶と、第３の着色層と、を有し、
前記第４の導電層と重畳する、前記液晶と、第４の着色層と、を有し、
前記第３の着色層と、前記第４の着色層とは、同じ色の光を透過し、且つ、前記第１の着色層とは異なる色の光を透過する、
表示装置。
【請求項５】
請求項３または請求項４において、
前記第５の配線は、前記第２の配線と前記第６の配線の間に位置する、
表示装置。
【請求項６】
請求項３または請求項４において、
前記第６の配線は、前記第２の配線と前記第５の配線の間に位置する、
表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一において、
前記第１のトランジスタは、第１の半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、第２の半導体層を有し、
前記第１の半導体層と、前記第２の半導体層とは、それぞれ前記第１の配線と前記第２の配線の間に位置する部分を有する、
表示装置。
【請求項８】
請求項７において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、それぞれ金属酸化物を含む、
表示装置。
【請求項９】
請求項７において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、それぞれ非晶質シリコンを含む、
表示装置。
【請求項１０】
請求項７において、
前記第１の半導体層及び前記第２の半導体層は、それぞれ微結晶シリコン、または多結晶シリコンを含む、
表示装置
【請求項１１】
請求項１乃至請求項１０のいずれか一において、
前記第１のトランジスタと電気的に接続する容量素子を有し、
前記容量素子は、前記第１の配線と前記第２の配線の間に位置し、
前記容量素子は、前記第１の導電層と重畳する部分を有する、
表示装置。
【請求項１２】
請求項１１において、
前記容量素子は、第５の導電層と第６の導電層を有し、
前記第５の導電層と前記第６の導電層とは、それぞれ可視光を透過する機能を有する、
表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月14日(2021.1.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
例えば、第１導電層１０及び第２導電層２０は、Ｘ−Ｙ平面に沿って広がる。第１層３０及び中間層２５は、Ｘ−Ｙ平面に沿って広がる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
実験の試料において、基体５０は、ガラス基板である。第２導電層２０は、厚さが５０ｎｍのＩＴＯ（Indium Tin Oxide）層である。中間層２５は、ポリ（エチレンジオキシチオフェン）及びポリ（スチレンスルホン酸）の混合物（ＰＥＤＯＴ：ＰＳＳ）を含む。中間層２５の厚さは、３０ｎｍである。第１導電層１０は、厚さが３００ｎｍのアルミニウム層である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第２〜第４試料においては、第１層３０において、第２領域３２に加えて、第１領域３１が設けられる。第２領域３２の材料は、第１試料における第２領域３２の材料と同じである。第１領域３１は、ＦＩｒｐｉｃを含む。第２〜第４試料において、第１層３０における金属錯体３１ＭＣ（第１領域３１）の濃度が互いに異なる。すなわち、第２試料において、第１層３０における金属錯体３１ＭＣの濃度は、１２．８ｗｔ％である。第３試料において、第１層３０における金属錯体３１ＭＣの濃度は、６．４ｗｔ％ある。第４試料において、第１層３０における金属錯体３１ＭＣの濃度は、２５．１ｗｔ％である。第１領域３１及び第２領域３２のモル比は、１：１である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
実施形態において、金属錯体３１ＭＣに含まれる第１金属元素３１Ｍは、例えば、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｂ及びＣｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含むことが好ましい。例えば、第１金属元素３１Ｍの原子番号は、２９以上であることが好ましい。第１金属元素３１Ｍは、重元素である。このような第１金属元素３１Ｍを用いることで、放射線が効率的に信号に変換される。金属錯体３１ＭＣは、例えば、イリジウムを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
このようなバンドギャップの関係により、例えば、金属錯体３１ＭＣで生じたエネルギーが、ｐ形領域３２ｐへ、移動し易い。例えば、金属錯体３１ＭＣで生じたエネルギーが、ｎ形領域３２ｎへ、移動し易い。これにより、生じたエネルギーを効率的に取り出すことができる。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５７】
図１１は、第２実施形態に係る光電変換装置を例示する模式的斜視図である。  
図１１に示すように、光電変換装置１２０は、積層体ＳＢを含む。光電変換装置１２０は、例えば、第１導電層１０、第２導電層２０、及び、第１層３０を含む。第１層３０は、第１導電層１０と第２導電層２０との間に設けられる。第１層３０は、第１領域３１及び第２領域３２を含む（図１参照）。第１領域３１は、金属錯体３１ＭＣを含む（図２参照）。金属錯体３１ＭＣは、第１金属元素３１Ｍを含む（図２参照）。第１金属元素３１Ｍは、例えば、Ｉｒ、Ｐｔ、Ｐｂ及びＣｕよりなる群から選択された少なくとも１つを含む。例えば、第１金属元素３１Ｍの原子番号は、２９以上である。第１金属元素３１Ｍは、例えば、重元素である。第２領域３２は、有機半導体材料を含む。有機半導体材料（第２領域３２）は、ｐ形領域３２ｐ及びｎ形領域３２ｎを含む（図８参照）。積層体ＳＢには、第１実施形態に関して説明した構成が適用できる。第２実施形態により、感度の向上が可能な光電変換装置が提供できる。