(57)【要約】【課題】高品位な画像表示を行い、製品寿命の長い液晶装置の製造方法を提供する事。【解決手段】液晶装置１００の製造方法は、第一基板の第一面に光吸収膜を形成する第一工程と、第一基板の第一面に無機斜方蒸着膜を形成する第二工程と、第一基板の第一面をランプアニールする第三工程と、を有する。光吸収膜がランプアニールの光を吸収して無機斜方蒸着膜を加熱するので、成膜直後に低品質であった無機斜方蒸着膜を高品質な膜に改質する事ができる。無機配向膜を高品質化した結果、表示画像の品位が高く製品寿命も長い液晶装置を実現できる。【選択図】図４
2014164016.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第一基板と、前記第一基板に対向する第二基板と、前記第一基板と前記第二基板との間に液晶が挟持された液晶装置の製造方法であって、
前記第一基板の第一面に光吸収膜を形成する第一工程と、
前記第一工程後に、前記第一基板の第一面に無機斜方蒸着膜を形成する第二工程と、
前記第二工程後に、前記第一基板の第一面を光吸収膜が吸収する波長のランプ光を照射してランプアニールする第三工程と、
を有する事を特徴とする液晶装置の製造方法。
【請求項２】
前記第三工程で、前記無機斜方蒸着膜の非結合手どうしの少なくとも一部を結合させる事を特徴とする請求項１に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項３】
前記光吸収膜は金属膜であり、前記無機斜方蒸着膜は酸化珪素膜であり、前記ランプ光の波長は７００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲にある事を特徴とする請求項１又は２に記載の液晶装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の液晶装置の製造方法にて製造された事を特徴とする液晶装置。
【請求項５】
請求項４に記載の液晶装置を備えた事を特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶装置の製造方法、液晶装置、及び電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
プロジェクターは、透過型液晶装置や反射型液晶装置に光を照射し、これらの液晶装置により変調された透過光や反射光をスクリーン上に投射する電子機器である。これは光源から発せられた光を液晶装置に集光して入射させ、電気信号に応じて変調された透過光又は反射光を、投射レンズを通じて、スクリーンに拡大投射する様に構成される物で、大画面を表示するとの長所を有している。この様な電子機器に使用される液晶装置としては液晶装置が知られており、これは液晶の誘電異方性と液晶層における光の旋光性とを利用して画像を形成している。
【０００３】
液晶装置の一例は特許文献１に記載されている。特許文献１に記載の液晶装置では、素子基板に画素電極を覆う様にシリコン酸化物からなる第１の配向膜が形成され、対向基板に共通電極を覆う様にシリコン酸化物からなる第２の配向膜が形成されている。これらの配向膜は蒸着法で形成され、第１の配向膜と第２の配向膜とが互いに向き合う様に、素子基板と対向基板とを互いに対向させた状態で、素子基板と対向基板との間に液晶を封入して、液晶装置とされていた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１１−１５４１５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載されている液晶装置では、配向膜の品質が低いという課題があった。蒸着法で形成された無機配向膜は、その密度が低く、不対手といった欠陥を多く含んでいる。更に、無機配向膜は斜め方向の角度を以て蒸着される為、先に付着した粒子によって、後から到達する粒子がそのすぐ後方には到達し難いとのセルフシャドーイング効果も生じる。これにより、無機配向膜は膜としての緻密性に劣っていた。この様な無機配向膜の低品質に起因して、特許文献１に記載されている液晶装置では、表示画像にフリッカーや焼き付きが発生したり、液晶の劣化が進んだりすると云う課題があった。換言すると、従来の液晶装置では、無機配向膜が低品質であるが故に、表示画像の品位が低く製品寿命も短いという課題があった。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。
【０００７】
（適用例１）  本適用例に係わる液晶装置の製造方法は、第一基板と、第一基板に対向する第二基板と、第一基板と第二基板との間に液晶が挟持された液晶装置の製造方法であって、第一基板の第一面に光吸収膜を形成する第一工程と、第一工程後に、第一基板の第一面に無機斜方蒸着膜を形成する第二工程と、第二工程後に、第一基板の第一面を光吸収膜が吸収する波長のランプ光を照射してランプアニールする第三工程と、を有する事を特徴とする。
この方法によれば、光吸収膜がランプアニールの光（ランプ光）を効率的に吸収して無機斜方蒸着膜を加熱するので、成膜直後に低品質であった無機斜方蒸着膜を高品質な膜に改質する事ができる。ランプアニールは短時間の熱処理であるので、薄膜素子などに悪影響を及ぼすことなく、無機斜方蒸着膜が高品質化される。その結果、無機斜方蒸着膜の不均一性から生じる電位ずれを抑制する事ができ、表示画像にフリッカーや焼き付きが発生する事態を抑制できる。又、成膜直後に無機斜方蒸着膜中に存在した欠陥を終端する事により、液晶分子と無機斜方蒸着膜中に生じていたシラノール基とが反応して、液晶を劣化させる事態を抑制する事ができる。換言すると、無機配向膜を高品質化し、表示画像の品位が高く製品寿命も長い液晶装置を実現する事ができる。
【０００８】
（適用例２）  上記適用例１に係わる液晶装置の製造方法において、第三工程で、無機斜方蒸着膜の非結合手どうしの少なくとも一部を結合させる事が好ましい。
この方法によれば、成膜直後に無機斜方蒸着膜中に存在した欠陥の一部が終端されるので、液晶分子と無機斜方蒸着膜中に生じていたシラノール基とが反応して、液晶を劣化させる事態を抑制する事ができる。又、無機斜方蒸着膜が高品質化されるので、無機斜方蒸着膜の不均一性から生じる電位ずれを抑制する事ができ、表示画像にフリッカーや焼き付きが発生する事態を抑制できる。換言すると、無機配向膜を高品質化し、表示画像の品位が高く製品寿命も長い液晶装置を実現する事ができる。
【０００９】
（適用例３）  上記適用例１又は２に係わる液晶装置の製造方法において、光吸収膜は金属膜であり、無機斜方蒸着膜は酸化珪素膜であり、ランプ光の波長は７００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲にある事が好ましい。
この方法によれば、アルミニウムなどの金属膜がランプ光を効率的に吸収するので、無機斜方蒸着膜を加熱して高品質化する事ができる。
【００１０】
（適用例４）  本適用例に係わる液晶装置は、上記適用例１乃至３に記載の液晶装置の製造方法にて製造された事を特徴とする。
この構成によれば、高い表示品位を有し、製品寿命も長い液晶装置を実現する事ができる。
【００１１】
（適用例５）  本適用例に係わる電子機器は、上記適用例４に記載の液晶装置を備えた事を特徴とする。
この構成によれば、高い表示品位を有し、製品寿命も長い液晶装置を用いた電子機器を実現する事ができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】実施形態１に係わる液晶装置の電気的構成を示すブロック図。
【図２】実施形態１に係る液晶装置の構造を説明する図。
【図３】実施形態１に係る液晶装置の画素の説明する図。
【図４】液晶装置の製造方法を説明した図。
【図５】無機斜方蒸着膜の容量電圧特性（ＣＶ特性）を説明した図。
【図６】電子機器としての三板式プロジェクターの構成を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。
【００１４】
（実施形態１）
「液晶装置の回路構成」
図１は、実施形態１に係わる液晶装置の電気的構成を示すブロック図である。以下、図１を参照して液晶装置１００の電気的な構成を説明する。尚、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。又、素子基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは素子基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板が位置する側）を意味し、下層側とは素子基板の基板本体が位置する側を意味する。又、対向基板に形成される層を説明する際、上層側或いは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（素子基板が位置する側）を意味し、下層側とは対向基板の基板本体が位置する側を意味する。
【００１５】
液晶装置１００は、本実施形態では、ＴＮ（Ｔｗｉｓｔｅｄ  Ｎｅｍａｔｉｃ）モードやＶＡ（Ｖｅｒｔｉｃａｌ  Ａｌｉｇｎｍｅｎｔ）モードを利用している。図１に示す様に、こうした液晶装置１００では、その中央領域に複数の画素１００ａが行列状に配列され、画像表示領域１０ａ（画素配列領域／有効画素領域）を為している。液晶装置１００は素子基板１０（図２参照）を有する。素子基板１０において、画像表示領域１０ａの内側で複数本のデータ線６ａと、これらのデータ線６ａと交差する複数本の走査線３ａが縦横に延びており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。画素１００ａの各々には、素子と、各素子に対応する様に設けられた反射膜とが設けられている。素子には電界効果型トランジスター（スイッチング素子）からなる画素トランジスター３０が用いられ、反射膜は後述する画素電極９ａである。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。尚、電界効果型トランジスターにおけるソースとドレインとは電位に応じて入れ替わり得るが、ここでは説明の便宜を図る為に、画素電極９ａが接続されている側をドレインとし、データ線６ａが接続されている側をソースとしている。この様にして、液晶装置１００では、複数の画素１００ａの各々に対応して複数の画素電極９ａ及び複数の画素トランジスター３０が形成されている。尚、各画素に形成される素子は、電界効果型トランジスターに限らず、バイポーラトランジスターなどのその他のトランジスターや、或いは非線形抵抗素子、更には、これらを組み合わせた回路であっても構わない。
【００１６】
素子基板１０において、画像表示領域１０ａより外周側には走査線駆動回路１０４やデータ線駆動回路１０１が設けられている。データ線駆動回路１０１は各データ線６ａに電気的に接続しており、不図示の画像処理回路から供給される画像信号を各データ線６ａに順次供給する。走査線駆動回路１０４は、各走査線３ａに電気的に接続しており、走査信号を各走査線３ａに順次供給する。
【００１７】
各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、後述する対向基板２０（図２参照）に形成された共通電極２１（図２参照）と液晶５０（図２参照）を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。又、各画素１００ａには、液晶容量５０ａで保持される画像信号の変動を防ぐ為に、液晶容量５０ａと並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態では、保持容量５５を構成する為に、素子基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂは、共通電位Ｖｃｏｍが印加された定電位配線７ｒに導通している。
【００１８】
「液晶装置の構造」
図２は、実施形態１に係る液晶装置の構造を説明する図であり、（ａ）は液晶装置を各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図、（ｂ）は（ａ）のＨ−Ｈ’における断面図である。次に、図２を参照して液晶装置１００の構造を説明する。尚、以下の形態において、「○○上に」或いは「○○の上層側に」と記載された場合、○○の上に接する様に配置される場合或いは○○の上層側に接する様に配置される場合、又は、○○の上に他の構成物を介して配置される場合或いは○○の上層側に他の構成物を介して配置される場合、又は、○○の上に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合或いは○○の上層側に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。
【００１９】
図２に示す様に、液晶装置１００は、第一基板と、第一基板に対向する第二基板と、第一基板と第二基板との間に挟持された液晶、とを備えている。本実施形態では、第一基板を素子基板１０とし、第二基板を対向基板２０とするが、無論、第一基板を対向基板２０とし、第二基板を素子基板１０としても良い。素子基板１０と対向基板２０とは、所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は対向基板２０の外縁に沿う様に枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー或いはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶装置１００において、素子基板１０と対向基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、液晶５０が挟持されている。本実施形態では、シール材１０７には、液晶注入口１０７ｃとして利用される途切れ部分が形成されており、こうした液晶注入口１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって封止されている。
【００２０】
こうした構成の液晶装置１００において、素子基板１０及び対向基板２０はいずれも四角形であり、液晶装置１００の略中央には、図１を参照して説明した画像表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。この画像表示領域１０ａの形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、画像表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。
【００２１】
素子基板１０において、外周領域１０ｃでは、素子基板１０の一辺に沿ってデータ線駆動回路１０１及び複数の端子電極１０２が形成されており、この一辺に隣接する他の辺に沿って走査線駆動回路１０４が形成されている。尚、端子電極１０２には、フレキシブル配線基板（図示せず）が接続され、素子基板１０には、フレキシブル配線基板を介して各種電位や各種信号が入力される。
【００２２】
図３等を参照して詳しくは後述するが、素子基板１０の第一面１０ｓ及び第二面１０ｔのうち、対向基板２０と対向する第一面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａには、図１を参照して説明した画素トランジスター３０、及び画素トランジスター３０に電気的に接続する画素電極９ａが行列状に形成されており、こうした画素電極９ａの上層側には配向膜１６が形成されている。
【００２３】
素子基板１０の第一面１０ｓの側において、画像表示領域１０ａより外側の外周領域１０ｃのうち、画像表示領域１０ａとシール材１０７とに挟まれた四角枠状の周辺領域１０ｂには、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。ダミー画素電極９ｂは、隣り合うダミー画素電極９ｂ同士がダミー画素電極９ｂより細幅の連結部（図示せず）で繋がっている。又、ダミー画素電極９ｂは、共通電位Ｖｃｏｍが印加されており、画像表示領域１０ａの外周側端部での液晶分子の配向の乱れを防止する。又、ダミー画素電極９ｂは、素子基板１０において配向膜１６が形成される面を研磨により平坦化する際、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を小さくし、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。尚、ダミー画素電極９ｂに電位を印加せず、ダミー画素電極９ｂを電位的にフロート状態とする場合もあり、この場合でも、ダミー画素電極９ｂは、画像表示領域１０ａと周辺領域１０ｂとの高さ位置の差を小さくし、配向膜１６が形成される面を平坦面にするのに寄与する。
【００２４】
対向基板２０の第一面２０ｓ及び第二面２０ｔのうち、素子基板１０と対向する第一面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、対向基板２０の略全面或いは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って形成されている。本実施形態では、共通電極２１は、対向基板２０の略全面に形成されている。
【００２５】
対向基板２０の第一面２０ｓの側には、共通電極２１の下層側に遮光膜２９が形成され、共通電極２１の表面には配向膜２６が積層されている。遮光膜２９は、画像表示領域１０ａの外周縁に沿って延在する額縁部分２９ａとして形成されており、遮光膜２９の内周縁によって画像表示領域１０ａが規定されている。又、遮光膜２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリックス部２９ｂとしても形成されている。ここで、額縁部分２９ａはダミー画素電極９ｂと重なる位置に形成されており、額縁部分２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、額縁部分２９ａとシール材１０７とは重なっていない。
【００２６】
液晶装置１００において、シール材１０７より外側には、対向基板２０の第一面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極２５が形成されており、素子基板１０の第一面１０ｓの側には、対向基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極２５）と対向する位置に基板間導通用電極１９が形成されている。基板間導通用電極２５は、共通電極２１の一部からなる。基板間導通用電極１９は、共通電位Ｖｃｏｍが印加された定電位配線７ｒに導通しており、定電位配線７ｒは、端子電極１０２のうち、共通電位印加用の端子電極１０２ａに導通している。基板間導通用電極１９と基板間導通用電極２５との間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、対向基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極１９、基板間導通材１０９及び基板間導通用電極２５を介して、素子基板１０側に電気的に接続されている。こうして、共通電極２１には、素子基板１０から共通電位Ｖｃｏｍが印加される。シール材１０７は、略同一の幅寸法をもって対向基板２０の外周縁に沿って設けられている。即ち、シール材１０７の平面視における配置形状は、略四角形となる。但し、シール材１０７は、対向基板２０の角部分と重なる領域では基板間導通用電極１９、２５を避けて内側を通る様に設けられており、シール材１０７の角部分は略円弧状である。
【００２７】
液晶装置１００は反射型の液晶装置１００であり、共通電極２１は、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｔｉｎ  Ｏｘｉｄｅ）膜やＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ  Ｚｉｎｃ  Ｏｘｉｄｅ）膜等の透光性導電膜により形成され、画素電極９ａは、アルミニウム膜等の反射性導電膜により形成されている。これに関しては後に詳述する。こうした反射型の液晶装置１００（液晶装置１００）では、素子基板１０及び対向基板２０のうち、対向基板２０の側から入射した光が素子基板１０で反射して出射される際に、画像信号に応じて変調されて画像を表示する。
【００２８】
液晶装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、対向基板２０或いは素子基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。又、液晶装置１００は、電子ペーパーとして用いることできる。又、液晶装置１００では、使用する液晶５０の種類や、ノーマリホワイトモード／ノーマリブラックモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィルム、偏光板等が液晶装置１００に対して所定の向きに配置される。さらに、液晶装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各液晶装置１００の各々には、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。
【００２９】
本実施形態では、液晶装置１００が投射型表示装置のＲＧＢ用反射型ライトバルブである場合を中心に説明する。又、液晶装置１００では、液晶５０として、誘電異方性が負のネマチック液晶化合物が用いられ、ＶＡモードの表示を行う場合を中心に説明する。
【００３０】
「画素構成」
図３は、実施形態１に係る液晶装置の画素の説明する図であり、（ａ）は素子基板における画素の平面図、（ｂ）は液晶装置のＦ−Ｆ′断面図である。次に、図３を参照して画素１００ａの構造を説明する。尚、図３（ａ）では、各層を以下の線で示してある。
下層側の下側遮光膜８ａ＝細くて長い破線。
半導体層１ａ＝細くて短い点線。
走査線３ａ＝太い実線。
ドレイン電極４ａ＝細い実線。
データ線６ａ及び中継電極６ｂ＝細い一点鎖線。
容量線５ｂ＝太い一点鎖線。
上層側の上側遮光膜７ａ及び中継電極７ｂ＝細い二点鎖線。
画素電極９ａ＝太い破線。
又、図３（ａ）では、互いの端部が重なり合う層については、層の形状等が分かりやすい様に、端部の位置をずらしてある。
【００３１】
図３（ａ）に示す様に、素子基板１０において対向基板２０と対向する第一面１０ｓには、複数の画素１００ａの各々に画素電極９ａが形成されており、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに沿ってデータ線６ａ及び走査線３ａが形成されている。画素間領域１０ｆは縦横に延在しており、走査線３ａは画素間領域１０ｆのうち、Ｘ方向（第１方向）に延在する第１画素間領域１０ｇに沿って直線的に延在し、データ線６ａは、Ｙ方向（第２方向）に延在する第２画素間領域１０ｈに沿って直線的に延在している。又、データ線６ａと走査線３ａとの交差に対応して画素トランジスター３０が形成されており、画素トランジスター３０は、データ線６ａと走査線３ａとの交差領域及びその付近を利用して形成されている。素子基板１０には容量線５ｂが形成されており、こうした容量線５ｂには共通電位Ｖｃｏｍが印加されている。本実施形態では、容量線５ｂは、走査線３ａ及びデータ線６ａに重なる様に延在して格子状に形成されている。画素トランジスター３０の上層側には上側遮光膜７ａが形成されており、上側遮光膜７ａはデータ線６ａに重なる様に延在している。画素トランジスター３０の下層側には下側遮光膜８ａが形成されており、下側遮光膜８ａは、走査線３ａと重なる様に直線的に延びた主線部分と、データ線６ａと走査線３ａとの交差部分でデータ線６ａに重なる様に延びた副線部分と、を備えている。
【００３２】
図３（ｂ）に示す様に、素子基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗの液晶５０側の基板面（対向基板２０と対向する第一面１０ｓ側）に形成された画素電極９ａ、画素スイッチング用の画素トランジスター３０、及び配向膜１６を主体として構成されている。反射膜である画素電極９ａと素子である画素トランジスター３０との間には、第四層間絶縁膜４５等の絶縁膜が設けられている。本実施形態の様に素子基板１０を第一基板とみなす場合、第一基板の第一面１０ｓに形成される光吸収膜は、画素電極９ａであり、第一基板の第一面１０ｓに形成される無機斜方蒸着膜は配向膜１６である。
【００３３】
対向基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ、その液晶５０側の表面（素子基板１０と対向する第一面２０ｓ）に形成された遮光膜２９、共通電極２１、及び配向膜２６を主体として構成されている。対向基板２０を第一基板とみなす場合、第一基板の第一面２０ｓに形成される光吸収膜は、遮光膜２９であり、第一基板の第一面２０ｓに形成される無機斜方蒸着膜は配向膜２６である。
【００３４】
素子基板１０において、基板本体１０ｗの第一面１０ｓ側には、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の下側遮光膜８ａが形成されている。下側遮光膜８ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなり、液晶装置１００を透過した後の光が他の部材で反射した際、こうした反射光が半導体層１ａに入射して画素トランジスター３０で光電流に起因する誤動作が発生することを防止する。尚、下側遮光膜８ａを走査線として構成する場合もあり、この場合、後述するゲート電極３ｃと下側遮光膜８ａを導通させた構成とする。
【００３５】
基板本体１０ｗの第一面１０ｓ側において、下側遮光膜８ａの上層側には、透光性の下地絶縁膜１２が形成されており、こうした下地絶縁膜１２の表面側に、半導体層１ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。下地絶縁膜１２は、意図的に不純物を導入してない酸化珪素膜（Ｎｏｎ−ｄｏｐｅｄ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＮＳＧ膜と称する）や、或いは、燐を含む酸化珪素膜（Ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＰＳＧ膜と称する）、硼素を含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＳＧ膜と称する）、硼素と燐とを含む酸化珪素膜（Ｂｏｒｏ−ｐｈｏｓｐｈｏ  ｓｉｌｉｃａｔｅ  ｇｌａｓｓ、ＢＰＳＧ膜と称する）等の酸化珪素膜（シリケートガラスも含む。）や、窒化珪素膜からなる。こうした下地絶縁膜１２は、シランガス（ＳｉＨ4）、二塩化シラン（ＳｉＣｌ2Ｈ2）、ＴＥＯＳ（テトラエトキシシラン／テトラ・エチル・オルソ・シリケート／Ｓｉ（ＯＣ2Ｈ5）4）、ＴＥＢ（テトラ・エチル・ボートレート）、ＴＭＯＰ（テトラ・メチル・オキシ・フォスレート）等を用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、或いはプラズマＣＶＤ法等により形成される。
【００３６】
画素トランジスター３０は、データ線６ａの延在方向に長辺方向を向けた半導体層１ａと、半導体層１ａの長さ方向と直交する方向に延在して半導体層１ａの長さ方向の中央部分に重なるゲート電極３ｃとを備えており、ゲート電極３ｃは走査線３ａの一部からなる。画素トランジスター３０は、半導体層１ａとゲート電極３ｃとの間に透光性のゲート絶縁層２を有している。半導体層１ａは、ゲート電極３ｃに対してゲート絶縁層２を介して対向するチャネル形成領域１ｇを備えていると共に、チャネル形成領域１ｇの両側にソース領域１ｂ及びドレイン領域１ｃを備えている。画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。従って、ソース領域１ｂ及びドレイン領域１ｃは各々、チャネル形成領域１ｇの両側に低濃度領域を備え、低濃度領域に対してチャネル形成領域１ｇとは反対側で隣接する領域に高濃度領域を備えている。
【００３７】
半導体層１ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。ゲート絶縁層２は、半導体層１ａを熱酸化した酸化珪素膜からなる第１ゲート絶縁層２ａと、温度が７００〜９００℃の高温条件での減圧ＣＶＤ法により形成された酸化珪素膜からなる第２ゲート絶縁層２ｂとの二層構造からなる。ゲート電極３ｃ及び走査線３ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態では、ゲート電極３ｃは、導電性のポリシリコン膜とタングステンシリサイド膜との二層構造をなしている。
【００３８】
ゲート電極３ｃの上層側には、ＮＳＧ膜、ＰＳＧ膜、ＢＳＧ膜、ＢＰＳＧ膜等の酸化珪素膜等からなる透光性の第一層間絶縁膜４１が形成され、第一層間絶縁膜４１の上層側には、ドレイン電極４ａが延在している。ドレイン電極４ａは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態では、ドレイン電極４ａは窒化チタン膜からなる。ドレイン電極４ａは、半導体層１ａのドレイン領域１ｃ（画素電極側のドレイン領域）と一部が重なる様に形成されており、第一層間絶縁膜４１及びゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４１ａを介してドレイン領域１ｃに導通している。
【００３９】
ドレイン電極４ａの上層側には、酸化珪素膜等からなる透光性のエッチングストッパー層４９、及び透光性の誘電体層４０が形成されており、こうした誘電体層４０の上層側には容量線５ｂが形成されている。誘電体層４０としては、酸化珪素膜や窒化珪素膜等のシリコン化合物を用いることができる他、アルミニウム酸化膜、チタン酸化膜、タンタル酸化膜、ニオブ酸化膜、ハフニウム酸化膜、ランタン酸化膜、ジルコニウム酸化膜等の高誘電率の誘電体層を用いることができる。容量線５ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態では、容量線５ｂは、窒化チタン膜、アルミニウム膜、及び窒化チタン膜との三層構造となっている。容量線５ｂは、誘電体層４０を介してドレイン電極４ａと重なっており、保持容量５５を構成している。
【００４０】
容量線５ｂの上層側には第二層間絶縁膜４２が形成されており、第二層間絶縁膜４２の上層側には、データ線６ａと中継電極６ｂとが同一の導電膜により形成されている。第二層間絶縁膜４２は酸化珪素膜からなる。データ線６ａと中継電極６ｂとは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態では、データ線６ａ及び中継電極６ｂは、アルミニウム合金膜や、窒化チタン膜とアルミニウム膜とが二層から四層に積層された膜からなる。データ線６ａは、第二層間絶縁膜４２、エッチングストッパー層４９、第一層間絶縁膜４１及びゲート絶縁層２を貫通するコンタクトホール４２ａを介してソース領域１ｂ（データ線側ソースドレイン領域）に導通している。中継電極６ｂは、第二層間絶縁膜４２及びエッチングストッパー層４９を貫通するコンタクトホール４２ｂを介してドレイン電極４ａに導通している。
【００４１】
データ線６ａ及び中継電極６ｂの上層側には酸化珪素膜等からなる透光性の第三層間絶縁膜４４が形成されており、こうした第三層間絶縁膜４４の上層側には、上側遮光膜７ａ及び中継電極７ｂが同一の導電膜によって形成されている。第三層間絶縁膜４４は、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法や、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いたプラズマＣＶＤ法等により形成した酸化珪素膜からなり、その表面は平坦化されている。上側遮光膜７ａ及び中継電極７ｂは、導電性のポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜或いは金属化合物膜等の導電膜からなる。本実施形態では、上側遮光膜７ａ及び中継電極７ｂは、アルミニウム合金膜や、窒化チタン膜とアルミニウム膜とが二層から四層に積層された膜からなる。中継電極７ｂは、第三層間絶縁膜４４を貫通するコンタクトホール４４ａを介して中継電極６ｂに導通している。上側遮光膜７ａは、データ線６ａと重なる様に延在しており、遮光膜として機能している。尚、上側遮光膜７ａを容量線５ｂと導通させて、シールド層として利用してもよい。
【００４２】
上側遮光膜７ａ及び中継電極７ｂの上層側には、酸化珪素膜等からなる透光性の第四層間絶縁膜４５が形成されており、この第四層間絶縁膜４５の上層側には、アルミニウム膜やアルミニウム合金膜等を含む反射性金属膜の画素電極９ａ（反射膜）が形成されている。第四層間絶縁膜４５には、第四層間絶縁膜４５を貫通して中継電極７ｂまで到達したコンタクトホール４５ａが形成されており、画素電極９ａは、コンタクトホール４５ａを介して中継電極７ｂに電気的に接続している。その結果、画素電極９ａは、中継電極７ｂ、中継電極６ｂ及びドレイン電極４ａを介してドレイン領域１ｃに電気的に接続している。画素電極９ａの上には、パッシベーション膜１８が設けられている。パッシベーション膜１８は、酸化珪素膜にて構成され、防湿膜ともなっている。
【００４３】
パッシベーション膜１８の上面には、配向膜１６が形成されている。本実施形態では、配向膜１６は、ＳｉＯX（ｘ＜２）やＳｉＯ2等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる。
【００４４】
「対向基板の構成」
対向基板２０では、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗ（透光性基板）の液晶５０側の表面（素子基板１０に対向する第一面２０ｓ）には、遮光膜２９、酸化珪素膜等からなる絶縁膜２８、及びＩＴＯ膜等の透光性導電膜からなる共通電極２１が形成されており、共通電極２１を覆う様に、ＳｉＯX（ｘ＜２）やＳｉＯ2等の斜方蒸着膜（傾斜垂直配向膜／無機配向膜）からなる配向膜２６が形成されている。本実施形態では、共通電極２１はＩＴＯ膜からなる。配向膜１６と配向膜２６とは、液晶５０（誘電異方性が負のネマチック液晶化合物）を傾斜垂直配向させ、液晶装置１００は、ノーマリブラックのＶＡモードとして動作する。本実施形態では、配向膜１６と配向膜２６として、酸化珪素膜（ＳｉＯX）の斜方蒸着膜が用いられているが、これ以外にも、ＴｉＯ2、ＭｇＯ、Ａｌ2Ｏ3、Ｉｎ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3、Ｔａ2Ｏ5等の各種無機配向膜を斜方蒸着して配向膜１６や配向膜２６としても良い。
【００４５】
尚、図１及び図２を参照して説明したデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４には、ｎチャネル型の駆動用トランジスターとｐチャネル型の駆動用トランジスターとを備えた相補型トランジスター回路等が構成されている。ここで、駆動用トランジスターは、画素トランジスター３０の製造工程の一部を利用して形成されたものである。この為、素子基板１０においてデータ線駆動回路１０１及び走査線駆動回路１０４が形成されている領域も、図３（ｂ）に示す断面構成と略同様な断面構成を有している。
【００４６】
「製造方法」
図４は、液晶装置の製造方法を説明した図である。次に、図４を参照して液晶装置１００の製造方法を説明する。
【００４７】
図４に示す様に、素子基板１０においてはステップ１１（Ｓ１１）で、配向膜１６を除く積層構造が形成される。即ち、図３（ｂ）に示すパッシベーション膜１８までが形成される。具体的には、第四層間絶縁膜４５をなす酸化珪素膜が、例えば、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、或いは、シランガスと亜酸化窒素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法や減圧ＣＶＤ法、プラズマＣＶＤ法等、により形成された後に、化学機械的研磨法（Ｃｈｅｍｉｃａｌ  ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ  ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ、ＣＭＰ法）により平坦化されている。本実施形態では、テトラエトキシシランと酸素ガスとを用いた常圧ＣＶＤ法で酸化珪素膜が堆積された後にＣＭＰ法によって平坦化されて、第四層間絶縁膜４５となる。
【００４８】
第四層間絶縁膜４５が形成された後に、第一工程として、第一基板（素子基板１０）の第一面１０ｓに光吸収膜を形成する。光吸収膜は金属膜であり、具体的には、画素電極９ａとなるアルミニウム膜等の金属が、ＤＣマグネトロンスパッター法で形成される。アルミニウム膜の厚みは１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下の範囲にある事が望まれ、本実施形態では１５０ｎｍである。アルミニウム膜の厚みが１００ｎｍ以上あれば、画素電極９ａの表面反射率が高くなり、反射膜とする事ができる。アルミニウム膜の厚みが３００ｎｍ以下であると、金属膜を加工して画素電極９ａとする工程が容易となる。尚、本実施形態のアルミニウム膜には微量の珪素と銅とが添加されている（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜と称する）。Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜には珪素が１ｗｔ％以上３ｗｔ％以下の範囲で含まれ、銅が０．３ｗｔ％以上１％以下の範囲で含まれている。アルミニウムと珪素とは相互拡散により共晶を形成し易い。データ線６ａや中継電極６ｂを純度１００％のアルミニウムにて形成した場合、多結晶シリコン膜中の珪素原子とアルミニウムとが相互拡散しソース領域１ｂやドレイン領域１ｃ、データ線６ａの抵抗が増大する事がある。これを避けるべく、微量の珪素を予めにアルミニウムに混ぜてデータ線６ａや中継電極６ｂを形成する。又、銅を混ぜて、エレクトロマイグレーションやストレスマイグレーションを抑える。本実施形態でアルミニウム膜と称している膜は、Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜である。
【００４９】
画素電極９ａの上層側には、酸化珪素膜を含むパッシベーション膜１８が形成される。パッシベーション膜１８をなす酸化珪素膜の厚さは７５ｎｍ程度である。この酸化珪素膜はシランガスと亜酸化窒素とを原料としプラズマＣＶＤ法で形成される。尚、パッシベーション膜１８は省略する事も可能である。
【００５０】
次いで、素子基板１０においてはステップ１２（Ｓ１２）で、第一工程後に、第二工程として、第一基板（素子基板１０）の第一面１０ｓに無機斜方蒸着膜を形成して配向膜１６とする。無機斜方蒸着膜は７５ｎｍの厚みを有する酸化珪素膜である。
【００５１】
次いで、素子基板１０においてはステップ１３（Ｓ１３）で、第二工程後に、第三工程として、第一基板（素子基板１０）の第一面１０ｓをランプアニールする。ランプアニール処理は、急速熱処理（Ｒａｐｉｄ  Ｔｈｅｒｍａｌ  Ａｎｎｅａｌ、ＲＴＡ）とも称される。本実施形態では、ハロゲンランプを用いて急速熱処理を施した。ランプアニールの際に照射される光（ランプ光と称する）の波長は、光吸収膜が吸収する波長である。要するに、第三工程で用いられるランプ光の波長は、光吸収膜が効率的に吸収する光をランプ光とするのが好ましい。こうすると、光吸収膜が効率的にランプ光を吸収して昇温し、その熱がパッシベーション膜１８を介して無機斜方蒸着膜に伝わることによって無機斜方蒸着膜を加熱して高品質化する事ができる。
【００５２】
光吸収膜として機能しているアルミニウム膜（画素電極９ａ）の反射率は、光の波長が７００ｎｍから１０００ｎｍの範囲で９０％程度で残りが吸収されるので、ランプ光の波長は７００ｎｍ以上１０００ｎｍ以下の範囲にある事が好ましい。ハロゲンランプでは、色温度が３０００Ｋから３８００Ｋのランプ光が、波長が７００ｎｍから１０００ｎｍの範囲で強度が強いので、急速熱処理の光源として適している。本実施形態では、ランプ光の好適例として、色温度が３４００Ｋのハロゲンランプ光が照射された。ランプ光の波長特性としては７００ｎｍから２０００ｎｍの近赤外領域にブロードな波長特性を持っている。基板本体１０ｗに直径８インチの丸基板が用いられた場合、投入電力を８００Ｗから１０００Ｗの範囲とし、処理時間を２０秒から３０秒の範囲とする。本実施形態では、好適例として投入電力が９００Ｗで、処理時間は２５秒であった。こうした条件で、酸化珪素膜を含むパッシベーション膜１８を介して無機斜方蒸着膜は３５０℃以上に加熱され、無機斜方蒸着膜の膜質が改善される。尚、光吸収膜として機能している画素電極９ａにタンタルやチタン等アルミニウム膜以外の金属を用いた場合、これらの金属は、反射率がアルミニウムよりも低いので、アルミニウムが加熱される条件ならば、これらの金属も光吸収膜として機能する。尚、ＲＴＡ処理が施されるアニール室は窒素で満たされ、僅かにその外周雰囲気に対し正圧である。こうする事で、基板表面が熱せられ活性な状態において、塵やゴミ等表示不良に繋がる物質の入り込みが抑制されている。
【００５３】
同様に、対向基板２０においてはステップ２１（Ｓ２１）で、配向膜２６を除いて遮光膜２９や共通電極２１が形成される。具体的に、第一工程として、対向基板２０の第一面２０ｓに光吸収膜として機能する遮光膜２９を形成する。遮光膜２９はタングステンシリサイド（ＷＳｉ）膜であり、共通電極２１はＩＴＯである。
【００５４】
共通電極２１が形成された後に、対向基板２０においてはステップ２２（Ｓ２２）で、第一工程後に、第二工程として、対向基板２０の第一面２０ｓに無機斜方蒸着膜を形成して配向膜２６とする。無機斜方蒸着膜は７５ｎｍの厚みを有する酸化珪素膜である。
【００５５】
次いで、対向基板２０においてはステップ２３（Ｓ２３）で、第二工程後に、第三工程として、対向基板２０の第一面２０ｓをランプアニールする。ランプアニール処理は、素子基板１０におけるステップ１３と同一条件とする。尚、本実施形態では、同じ液晶装置に用いられる素子基板１０と対向基板２０とがセットで準備され、ＲＴＡ装置内へと搬送され、素子基板１０上に形成された無機斜方蒸着膜と対向基板２０上に形成された無機斜方蒸着膜とが同一工程でランプアニール処理された。素子基板１０と対向基板２０とを同一工程で行う事により、素子基板１０に形成された無機斜方蒸着膜と対向基板２０に形成された無機斜方蒸着膜とが同じ品質となる。その結果、表示画像の焼き付きやフリッカーと云った表示不良が生じる可能性が低下し、表示品位に優れた液晶装置１００が実現する事になる。
【００５６】
その後、ステップ３１（Ｓ３１）で素子基板１０と対向基板２０とを貼り合わせ、ステップ３２（Ｓ３２）で液晶を注入して液晶装置１００が製造される。
【００５７】
「原理」
図５は、無機斜方蒸着膜の容量電圧特性（ＣＶ特性）を説明した図で、（ａ）は成膜直後の状態（Ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ状態）で、（ｂ）はランプアニール処理後である。次に、図５を参照して無機斜方蒸着膜の膜品質を説明する。
【００５８】
図５（ａ）に示す様に、無機斜方蒸着膜が成膜された直後の状態（Ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ状態）では、フラットバンド電圧が理想値からずれ、ヒステリシスも生ずるという、品質の不十分な膜である事が発明者の研究により判明した。これは、Ａｓ−ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ状態の無機斜方蒸着膜では、緻密性に劣り、膜内に夥しい数の非結合手が存在する為である。本実施形態では、上述の如く、第三工程で、無機斜方蒸着膜の非結合手どうしの少なくとも一部を結合させる。これによって蒸着膜のＣＶ特性は図５（ｂ）の様に改善される。即ち、ヒステリシス性が改善され、フラットバンド電圧も理想値へ近づいている。これらの事から、無機斜方蒸着膜で、欠陥の終端といった膜質の改善が進んでいる事が判る。
【００５９】
本実施形態によって製造された液晶装置１００では、共通電位ずれ特性は、未使用時に比較して、ずれの平均値が０．０３Ｖに止まり、又、標準偏差も０．０１Ｖと小さかった。一方、急速熱処理を施さない比較例の場合、共通電位ずれ特性は、未使用時に比較して平均値のずれが０．１５Ｖと大きく、標準偏差は０．０４Ｖであった。
【００６０】
この様に、成膜直後に無機斜方蒸着膜中に存在した欠陥の一部が終端されるので、液晶分子と無機斜方蒸着膜中に生じていたシラノール基とが反応して、液晶を劣化させる事態を抑制する事ができる。又、無機斜方蒸着膜が高品質化されるので、無機斜方蒸着膜の不均一性から生じる電位ずれを抑制する事ができ、表示画像にフリッカーや焼き付きが発生する事態を抑制できる。換言すると、無機配向膜を高品質化し、表示画像の品位が高く製品寿命も長い液晶装置を実現する事ができ、更に全体として歩留まりの改善へと繋がっている。
【００６１】
無機斜方蒸着膜の膜質を改善するには、３００℃以上の温度を１時間程度に渡って掛ける事も可能であるが、この場合、耐熱性の低いアルミニウムにはヒロックが発生する恐れがあり、第四層間絶縁膜４５などの層関絶縁膜を突き抜けることで層間ショートを招きかねない。これに対して、ランプを用いるＲＴＡ処理では、その到達温度は容易に３００℃から４００℃程度に、極めて短時間（数秒）にて達する事ができる為、その到達温度も１０秒程度から数分程度と短時間に留めたとしても十分に有効なアニール効果を得る事ができる。その上で、短時間で一連のプロセスが完了する為、素子基板１０の配線要素へのダメージを生じないという特徴を有する。
【００６２】
「電子機器」
図６は、電子機器としての三板式プロジェクターの構成を示す平面図である。次に図６を参照して、本実施形態に係る電子機器の一例として投射型表示装置１０００を説明する。
【００６３】
図６に示す様に、投射型表示装置１０００は、光源光を発生する光源部１０２１と、光源部１０２１から出射された光源光を赤色光Ｒ、緑色光Ｇ、及び青色光Ｂの３色の色光に分離する色分離導光光学系１０２３と、色分離導光光学系１０２３から出射された各色の光源光によって照明される光変調部１０２５とを有している。又、投射型表示装置１０００は、光変調部１０２５から出射された各色の像光を合成するクロスダイクロイックプリズム１０２７（合成光学系）と、クロスダイクロイックプリズム１０２７を経た像光をスクリーン（不図示）に投射する投射光学系１０２９とを備えている。
【００６４】
投射型表示装置１０００において、光源部１０２１は、光源１０２１ａと、一対のフライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅと、偏光変換部材１０２１ｇと、重畳レンズ１０２１ｉとを備えている。本実施形態では、光源部１０２１は、放物面からなるリフレクタ１０２１ｆを備えており、平行光を出射する。フライアイ光学系１０２１ｄ、１０２１ｅは、システム光軸と直交する面内に行列状に配置された複数の要素レンズからなり、これらの要素レンズによって光源光を分割して個別に集光・発散させる。偏光変換部材１０２１ｇは、フライアイ光学系１０２１ｅから出射した光源光を、例えば図面に平行なｐ偏光成分のみに変換して光路下流側光学系に供給する。重畳レンズ１０２１ｉは、偏光変換部材１０２１ｇを経た光源光を全体として適宜収束させる事により、光変調部１０２５に設けた複数の液晶装置１００を各々均一に重畳照明可能とする。
【００６５】
色分離導光光学系１０２３は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａと、ダイクロイックミラー１０２３ｂと、反射ミラー１０２３ｊ、１０２３ｋとを備える。色分離導光光学系１０２３において、光源部１０２１からの略白色の光源光は、クロスダイクロイックミラー１０２３ａに入射する。クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する一方の第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された赤色光Ｒは、反射ミラー１０２３ｊで反射されダイクロイックミラー１０２３ｂを透過して、入射側偏光板１０３７ｒ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、及び光学補償板１０３９ｒを介して、ｐ偏光のまま、液晶装置１００（赤色用液晶装置１００Ｒ）に入射する。
【００６６】
又、第１ダイクロイックミラー１０３１ａで反射された緑色光Ｇは、反射ミラー１０２３ｊで反射され、その後、ダイクロイックミラー１０２３ｂでも反射されて、入射側偏光板１０３７ｇ、ｐ偏光を透過させる一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｇ、及び光学補償板１０３９ｇを介して、ｐ偏光のまま、液晶装置１００（緑色用液晶装置１００Ｇ）に入射する。
【００６７】
これに対して、クロスダイクロイックミラー１０２３ａを構成する他方の第２ダイクロイックミラー１０３１ｂで反射された青色光Ｂは、反射ミラー１０２３ｋで反射されて、入射側偏光板１０３７ｂ、ｐ偏光を透過する一方、ｓ偏光を反射するワイヤーグリッド偏光板１０３２ｂ、及び光学補償板１０３９ｂを介して、ｐ偏光のまま、液晶装置１００（青色用液晶装置１００Ｂ）に入射する。尚、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂは、液晶装置１００への入射光及び出射光の偏光状態を調整する事で、液晶層の特性を光学的に補償している。
【００６８】
この様に構成した投射型表示装置１０００では、光学補償板１０３９ｒ、１０３９ｇ、１０３９ｂを経て入射した３色の光は各々、各液晶装置１００において変調される。その際、液晶装置１００から出射された変調光のうち、ｓ偏光の成分光は、ワイヤーグリッド偏光板１０３２ｒ、１０３２ｇ、１０３２ｂで反射し、出射側偏光板１０３８ｒ、１０３８ｇ、１０３８ｂを介してクロスダイクロイックプリズム１０２７に入射する。クロスダイクロイックプリズム１０２７には、Ｘ字状に交差する第１誘電体多層膜１０２７ａ及び第２誘電体多層膜１０２７ｂが形成されており、一方の第１誘電体多層膜１０２７ａは赤色光Ｒを反射し、他方の第２誘電体多層膜１０２７ｂは青色光Ｂを反射する。従って、３色の光は、クロスダイクロイックプリズム１０２７において合成され、投射光学系１０２９に出射される。そして、投射光学系１０２９は、クロスダイクロイックプリズム１０２７で合成されたカラーの像光を、所望の倍率でスクリーン（図示せず）に投射する。
【００６９】
（他の投射型表示装置）
尚、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、ＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置１００に供給する様に構成しても良い。
【００７０】
（他の電子機器）
本発明を適用した液晶装置１００については、上記の電子機器の他にも、携帯電話機、情報携帯端末（ＰＤＡ：Ｐｅｒｓｏｎａｌ  Ｄｉｇｉｔａｌ  Ａｓｓｉｓｔａｎｔｓ）、デジタルカメラ、液晶テレビ、カーナビゲーション装置、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等の電子機器において直視型表示装置として用いても良い。
【００７１】
（実施形態２）
「フラッシュランプを用いた形態」
本実施形態では、急速熱処理の光源としてフラッシュランプを用いている。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。尚、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００７２】
実施形態１では急速熱処理にハロゲンランプが用いられていた。これに対して、本実施形態では、急速熱処理にキセノンフラッシュランプが用いられる。キセノンフラッシュランプは、ランプ光の波長特性として３００ｎｍから１０００ｎｍの広い範囲の発光波長領域を持つ。キセノンフラッシュランプを用いた急速熱処理では、エネルギー密度を１０Ｊ／ｃｍ2程度とできる。光吸収膜として機能しているアルミニウム膜（画素電極９ａ）の波長平均反射率を９８％と、高めに見積もっても、この場合、２％に相当する２００ｍＪ／ｃｍ2のエネルギー密度でランプ光が吸収されるので、アルミニウム膜（画素電極９ａ）もその周辺の酸化珪素膜（配向膜１６）も十分に加熱され、無機斜方蒸着膜の膜質を改善する。フラッシュランプでの発光時間は１ミリ秒程度であり、素子基板１０の配線要素へのダメージを生じずに、無機斜方蒸着膜の膜質を改善する事ができる。
【００７３】
尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。変形例を以下に述べる。
【００７４】
（変形例１）
「アルミニウム膜の別の形態」
図３を用いて、本変形例に係わる液晶装置１００について説明する。尚、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００７５】
本変形例は実施形態１と比べて、アルミニウム膜が異なっている。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。実施形態１では、画素電極９ａをなすアルミニウム膜はＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ膜であったが、アルミニウム膜はこれに限られず、高純度なアルミニウム膜やアルミニウムにネオジウム等を混ぜた合金であっても良い。
【００７６】
（変形例２）
「珪素基板を用いる形態」
図３を用いて、本変形例に係わる液晶装置１００について説明する。尚、実施形態１と同一の構成部位については、同一の符号を附し、重複する説明は省略する。
【００７７】
本変形例は実施形態１と比べて、素子基板１０が異なっている。それ以外の構成は、実施形態１とほぼ同様である。実施形態１では、素子基板１０の基板本体１０ｗは石英基板やガラス基板等の透光性の基板であり、素子をなす画素トランジスター３０の半導体層１ａは多結晶シリコン膜であった。これに対して、本変形例では、素子基板１０の基板本体１０ｗは単結晶シリコン基板であり、素子をなす画素トランジスター３０の半導体層１ａは単結晶シリコン基板に形成される。この様に、所謂、シリコン基板を用いた液晶装置１００（Ｌｉｑｕｉｄ  ｃｒｙｓｔａｌ  ｏｎ  ｓｉｌｉｃｏｎ、所謂ＬＣＯＳ）に本発明を適応する事もできる。この際にも、実施形態１と同じ効果が得られる。
【符号の説明】
【００７８】
１ａ…半導体層、１ｂ…ソース領域、１ｃ…ドレイン領域、１ｇ…チャネル形成領域、２…ゲート絶縁層、３ａ…走査線、３ｃ…ゲート電極、４ａ…ドレイン電極、５ｂ…容量線、６ａ…データ線、６ｂ…中継電極、７ａ…上側遮光膜、７ｂ…中継電極、７ｒ…定電位配線、８ａ…下側遮光膜、９ａ…画素電極、９ｂ…ダミー画素電極、１０…素子基板、１０ａ…画像表示領域、１０ｂ…周辺領域、１０ｃ…外周領域、１０ｆ…画素間領域、１０ｇ…第１画素間領域、１０ｈ…第２画素間領域、１０ｓ…第一面、１０ｔ…第二面、１０ｗ…基板本体、１２…下地絶縁膜、１６…配向膜、１８…パッシベーション膜、１９…基板間導通用電極、２０…対向基板、２０ｓ…第一面、２０ｔ…第二面、２０ｗ…基板本体、２１…共通電極、２５…基板間導通用電極、２６…配向膜、２８…絶縁膜、２９…遮光膜、２９ａ…額縁部分、２９ｂ…ブラックマトリックス部、３０…画素トランジスター、４０…誘電体層、４１…第一層間絶縁膜、４１ａ…コンタクトホール、４２…第二層間絶縁膜、４２ａ…コンタクトホール、４２ｂ…コンタクトホール、４４…第三層間絶縁膜、４４ａ…コンタクトホール、４５…第四層間絶縁膜、４５ａ…コンタクトホール、４９…エッチングストッパー層、５０…液晶、５０ａ…液晶容量、５５…保持容量、１００…液晶装置、１００Ｂ…青色用液晶装置、１００Ｇ…緑色用液晶装置、１００Ｒ…赤色用液晶装置、１００ａ…画素、１０１…データ線駆動回路、１０２…端子電極、１０２ａ…共通電位印加用の端子電極、１０４…走査線駆動回路、１０７…シール材、１０７ａ…ギャップ材、１０７ｃ…液晶注入口、１０８…封止材、１０９…基板間導通材、１０００…投射型表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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