(57)【要約】      （修正有）【課題】常にクリーン度の要求される基板処理装置内のエアーの循環が効率良くできると共に、自然酸化膜の抑制や筐体内の酸素濃度を短時間で下げることができ、生産性の向上につながるパーティクルの低減が可能な基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板２００を処理する処理室２０２に隣接する基板２００の移載室１２４と、移載室１２４に対し吹出口から気体を吹き出すファンとフィルタから構成される第一のクリーンユニット１３４と、第一のクリーンユニット１３４の吹出口より下流側に配置されるファンとフィルタから構成される第二のクリーンユニット１３４−２と、第一のクリーンユニット１３４と第二のクリーンユニット１３４−２に接続され、移載室１２４内の雰囲気を循環させる循環経路と、を備え、第二のクリーンユニット１３４−２から前記循環経路を通り前記気体が第一のクリーンユニット１３４に戻る。【選択図】図３
2014067797.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を処理する処理室と、
該処理室に隣接する基板移載空間を構成する移載室と、
前記移載室に対し吹出口から気体を吹き出すファンとフィルタから構成される第一のクリーンユニットと、
前記第一のクリーンユニットの吹出口より下流側に配置されるファンとフィルタから構成される第二のクリーンユニットと、
前記第一のクリーンユニットと第二のクリーンユニットに接続され、前記移載室内の雰囲気を循環させる循環経路と、を備え、
前記第二のクリーンユニットから前記循環経路を通り前記気体が前記第一のクリーンユニットに戻るように構成される基板処理装置。
【請求項２】
基板を処理する基板の処理方法であって、
基板処理室に隣接する移載室内に対し、ファンとフィルタから構成される第一のクリーンユニットから気体を吹き出すステップと、
前記気体が下流側に配置されるファンとフィルタから構成される前記第二のクリーンユニットを通過するステップと、
前記第一のクリーンユニットと第二のクリーンユニットに接続された循環経路によって、前記第二のクリーンユニットから吹き出された気体が前記循環経路を通り前記気体が前記第一のクリーンユニットに戻るステップと、
を有する基板処理方法。
【請求項３】
基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
基板処理室に隣接する移載室内に対し、ファンとフィルタから構成される第一のクリーンユニットから気体を吹き出すステップと、
前記気体が下流側に配置されるファンとフィルタから構成される前記第二のクリーンユニットを通過するステップと、
前記第一のクリーンユニットと第二のクリーンユニットに接続された循環経路によって、前記第二のクリーンユニットから吹き出された気体が循環経路を通り前記気体が前記第一のクリーンユニットに戻るステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体基板やガラス基板等の基板を処理する基板処理装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ＩＣの製造方法においてウエハに絶縁膜や金属膜等のＣＶＤ膜を形成したり不純物を拡散したりする熱処理工程には、熱処理装置が広く使用されている。
従来のこの種の基板処理装置としては、自然酸化膜がウエハに大気中の酸素（Ｏ２）によって形成されるのを防止するために、ウエハが露出した状態になる待機室に不活性ガスとしての窒素ガスを循環させるための循環路と、循環路からの窒素ガスを排出するクリーンユニットとを備えているものがある。例えば、特許文献１参照。
【特許文献１】特開２００８−１１７８６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明は、上述した背景からなされたものであり、基板処理装置内の常にクリーン度の要求される基板処理装置内のエアー（不活性ガス）の循環が効率良く行うことができると共に、自然酸化膜の抑制や筐体内のＯ２濃度を短時間で下げることができ、生産性の向上につながる基板処理装置を提供及び、移載室内の澱み個所の解消、高純度不活性ガスの消費抑制、自然酸化膜の抑制、スループット向上、パーティクルの低減が可能な基板処理装置、方法の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
上記目的を達成するために、本発明の一態様に係る基板処理装置は、基板を処理する処理室と、該処理室に隣接する基板移載空間を構成する移載室と、前記移載室に対し吹出口から気体を吹き出すファンとフィルタから構成される第一のクリーンユニットと、前記第一のクリーンユニットの吹出口より下流側に配置されるファンとフィルタから構成される第二のクリーンユニットと、前記第一のクリーンユニットと第二のクリーンユニットに接続され、前記移載室内の雰囲気を循環させる循環経路と、を備え、前記第二のクリーンユニットから前記循環経路を通り前記気体が前記第一のクリーンユニットに戻るように構成される基板処理装置を提供することができる。
【０００５】
さらに、本発明の他の態様に係る基板を処理する基板の処理方法であって、基板を処理する基板の処理方法であって、
基板処理室に隣接する移載室内に対し、ファンとフィルタから構成される第一のクリーンユニットから気体を吹き出すステップと、
前記気体が下流側に配置されるファンとフィルタから構成される前記第二のクリーンユニットを通過するステップと、
前記第一のクリーンユニットと第二のクリーンユニットに接続された循環経路によって、前記第二のクリーンユニットから吹き出された気体が前記循環経路を通り前記気体が前記第一のクリーンユニットに戻るステップと、
を有する基板処理方法を提供することができる。
【０００６】
さらに、本発明の他の態様に係る基板を処理する半導体装置の製造方法であって、基板処理室に隣接する移載室内に対し、ファンとフィルタから構成される第一のクリーンユニットから気体を吹き出すステップと、前記気体が下流側に配置されるファンとフィルタから構成される前記第二のクリーンユニットを通過するステップと、前記第一のクリーンユニットと第二のクリーンユニットに接続された循環経路によって、前記第二のクリーンユニットから吹き出された気体が循環経路を通り前記気体が前記第一のクリーンユニットに戻るステップと、を有する半導体装置の製造方法を提供することができる。
【発明の効果】
【０００７】
本発明に係る基板処理装置によれば、簡単な構成で基板処理装置内のエアーの循環をクリーンに効率よく行うことができる基板処理装置、基板処理方法及び半導体装置の製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の斜視図である。
【図２】本発明の実施形態で好適に用いられる基板処理装置の断面図である。
【図３】本発明の実施形態で好適に用いられる移載室の断面図である。
【図４】本発明の実施形態で好適に用いられるクリーンユニットの断面図である。
【図５】本発明の別の実施形態で好適に用いられるプラントの断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、本発明を実施するための形態を図面に基づいて説明する。
本発明を実施するための最良の形態において、基板処理装置は、一例として、半導体装置（ＩＣ）の製造方法における処理工程を実施する半導体製造装置として構成されている。尚、以下の説明では、基板処理装置として基板に酸化、拡散処理やＣＶＤ処理などを行う縦型の装置（以下、単に処理装置という）を適用した場合について述べる。図１には、本発明に適用される基板処理装置１０が斜透視図を用いて示されている。また、図２には、基板処理装置１０が側面透視図を用いて示されている。
【００１０】
図１及び図２に示されているように、基板処理装置１０は、基板として用いられるシリコン等からなるウエハ２００を処理する。基板処理装置１０では、ウエハ２００を収納したウエハキャリアとして用いられるフープ（基板収容器、ＦＯＵＰまたはポッドともいう。以下ポッドと記載する。）１１０が使用されている。また、基板処理装置１０は、基板処理装置本体１１１を備えている。
【００１１】
基板処理装置本体１１１の正面壁１１１ａの正面前方部にはメンテナンス可能なように設けられた開口部として用いられる正面メンテナンス口１０３が開設され、正面メンテナンス口１０３を開閉する正面メンテナンス扉１０４がそれぞれ建て付けられている。尚、図示しないが、上側の正面メンテナンス扉１０４近傍に副操作部としての副操作装置が設置される。主操作部としての主操作装置１６は、背面側のメンテナンス扉近傍に配置される。
【００１２】
基板処理装置本体１１１の正面壁１１１ａにはポッド搬入搬出口（基板収容器搬入搬出口）１１２が基板処理装置本体１１１の内外を連通するように開設されており、ポッド搬入搬出口１１２はフロントシャッタ（基板収容器搬入搬出口開閉機構）１１３によって開閉されるようになっている。
ポッド搬入搬出口１１２の正面前方側にはロードポート（基板収容器受渡し台）１１４が設置されており、ロードポート１１４はポッド１１０を載置されて位置合わせするように構成されている。ポッド１１０はロードポート１１４上に工程内搬送装置（図示せず）によって搬入され、ロードポート１１４上から搬出されるようになっている。
【００１３】
基板処理装置本体１１１内の前後方向の略中央部における上部には、回転式ポッド棚（基板収容器載置棚）１０５が設置されており、回転式ポッド棚１０５は複数個のポッド１１０を保管するように構成されている。すなわち、回転式ポッド棚１０５は垂直に立設されて水平面内で間欠回転される支柱１１６と、支柱１１６に上中下段の各位置において放射状に支持された複数枚の棚板（基板収容器載置台）１１７とを備えており、複数枚の棚板１１７はポッド１１０を複数個宛それぞれ載置した状態で保持するように構成されている。
【００１４】
基板処理装置本体１１１内におけるロードポート１１４と回転式ポッド棚１０５との間には、ポッド搬送装置（基板収容器搬送装置）１１８が設置されており、ポッド搬送装置１１８は、ポッド１１０を保持したまま昇降可能なポッドエレベータ（基板収容器昇降機構）１１８ａと搬送機構としてのポッド搬送機構（基板収容器搬送機構）１１８ｂとで構成されており、ポッド搬送装置１１８はポッドエレベータ１１８ａとポッド搬送機構１１８ｂとの連続動作により、ロードポート１１４、回転式ポッド棚１０５、ポッドオープナ（基板収容器蓋体開閉機構）１２１との間で、ポッド１１０を搬送するように構成されている。
【００１５】
基板処理装置本体１１１内の前後方向の略中央部における下部には、サブ筐体１１９が後端にわたって構築されている。サブ筐体１１９の正面壁１１９ａにはウエハ２００をサブ筐体１１９内に対して搬入搬出するためのウエハ搬入搬出口（基板搬入搬出口）１２０が一対、垂直方向に上下二段に並べられて開設されており、上下段のウエハ搬入搬出口１２０、１２０には一対のポッドオープナ１２１、１２１がそれぞれ設置されている。ポッドオープナ１２１はポッド１１０を載置する載置台１２２、１２２と、ポッド１１０のキャップ（蓋体）を着脱するキャップ着脱機構（蓋体着脱機構）１２３、１２３とを備えている。ポッドオープナ１２１は載置台１２２に載置されたポッド１１０のキャップをキャップ着脱機構１２３によって着脱することにより、ポッド１１０のウエハ出し入れ口を開閉するように構成されている。
【００１６】
サブ筐体１１９はポッド搬送装置１１８や回転式ポッド棚１０５の設置空間から流体的に隔絶された移載室１２４を構成している。移載室１２４の前側領域にはウエハ移載機構（基板移載機構）１２５が設置されており、ウエハ移載機構１２５は、ウエハ２００を水平方向に回転ないし直動可能なウエハ移載装置（基板移載装置）１２５ａ及びウエハ移載装置１２５ａを昇降させるためのウエハ移載装置エレベータ（基板移載装置昇降機構）１２５ｂとで構成されている。図１に模式的に示されているようにウエハ移載装置エレベータ１２５ｂは耐圧基板処理装置本体１１１右側端部とサブ筐体１１９の移載室１２４前方領域右端部との間に設置されている。これら、ウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ及びウエハ移載装置１２５ａの連続動作により、ウエハ移載装置１２５ａのツイーザ（基板保持体）１２５ｃをウエハ２００の載置部として、ボート（基板保持具）２１７に対してウエハ２００を装填（チャージング）及び脱装（ディスチャージング）するように構成されている。
【００１７】
移載室１２４の後側領域には、ボート２１７を収容して待機させる待機部１２６が構成されている。待機部１２６の上方には、処理炉２０２が設けられている。処理炉２０２の下端部は、炉口シャッタ（炉口開閉機構）１４７により開閉されるように構成されている。
【００１８】
図１に模式的に示されているように、耐圧基板処理装置本体１１１右側端部とサブ筐体１１９の待機部１２６右端部との間にはボート２１７を昇降させるためのボートエレベータ（基板保持具昇降機構）１１５が設置されている。ボートエレベータ１１５の昇降台に連結された連結具としてのアーム１２８には蓋体としてのシールキャップ２１９が水平に据え付けられており、シールキャップ２１９はボート２１７を垂直に支持し、処理炉２０２の下端部を閉塞可能なように構成されている。
ボート２１７は複数本の保持部材を備えており、複数枚（例えば、５０〜１２５枚程度）のウエハ２００をその中心を揃えて垂直方向に整列させた状態で、それぞれ水平に保持するように構成されている。
【００１９】
また、図１に模式的に示されているように移載室１２４のウエハ移載装置エレベータ１２５ｂ側及びボートエレベータ１１５側と反対側である左側端部には、清浄化した雰囲気もしくは不活性ガスであるクリーンエア１３３を供給するよう供給ファン及び防塵フィルタで構成されたクリーンユニット１３４が設置されており、ウエハ移載装置１２５ａとクリーンユニット１３４との間には、図示はしないが、ウエハの円周方向の位置を整合させる基板整合装置としてのノッチ合わせ装置が設置されている。
【００２０】
クリーンユニット１３４から吹き出されたクリーンエア１３３は、ノッチ合わせ装置及びウエハ移載装置１２５ａ、待機部１２６にあるボート２１７に流通された後に、図示しないダクトにより吸い込まれて、基板処理装置本体１１１の外部に排気がなされるか、もしくはクリーンユニット１３４の吸い込み側である一次側（供給側）にまで循環され、再びクリーンユニット１３４によって、移載室１２４内に吹き出されるように構成されている。
なお、上述したクリーンエアの流れの経路を循環経路として説明する。
【００２１】
次に、本発明の基板処理装置１０の動作について説明する。
図１及び図２に示されているように、ポッド１１０がロードポート１１４に供給されると、ポッド搬入搬出口１１２がフロントシャッタ１１３によって開放され、ロードポート１１４の上のポッド１１０はポッド搬送装置１１８によって基板処理装置本体１１１の内部へポッド搬入搬出口１１２から搬入される。
【００２２】
搬入されたポッド１１０は回転式ポッド棚１０５の指定された棚板１１７へポッド搬送装置１１８によって自動的に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて受け渡され、一時的に保管された後、棚板１１７から一方のポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載されるか、もしくは直接ポッドオープナ１２１に搬送されて載置台１２２に移載される。この際、ポッドオープナ１２１のウエハ搬入搬出口１２０はキャップ着脱機構１２３によって閉じられており、移載室１２４にはクリーンエア１３３が流通され、充満されている。例えば、移載室１２４にはクリーンエア１３３として窒素ガスが充満することにより、酸素濃度が２０ｐｐｍ以下と、基板処理装置本体１１１の内部（大気雰囲気）の酸素濃度よりも遥かに低く設定されている。
【００２３】
載置台１２２に載置されたポッド１１０は、その開口側端面がサブ筐体１１９の正面壁１１９ａにおけるウエハ搬入搬出口１２０の開口縁辺部に押し付けられるとともに、そのキャップがキャップ着脱機構１２３によって取り外され、ウエハ出し入れ口を開放される。
ポッド１１０がポッドオープナ１２１によって開放されると、ウエハ２００はポッド１１０からウエハ移載装置１２５ａのツイーザ１２５ｃによってウエハ出し入れ口を通じてピックアップされ、図示しないノッチ合わせ装置にてウエハを整合した後、移載室１２４の後方にある待機部１２６へ搬入され、ボート２１７に装填（チャージング）される。ボート２１７にウエハ２００を受け渡したウエハ移載装置１２５ａはポッド１１０に戻り、次のウエハをボート２１７に装填する。
【００２４】
この一方（上段または下段）のポッドオープナ１２１におけるウエハ移載機構１２５によるウエハのボート２１７への装填作業中に、他方（下段または上段）のポッドオープナ１２１には回転式ポッド棚１０５から別のポッド１１０がポッド搬送装置１１８によって搬送されて移載され、ポッドオープナ１２１によるポッド１１０の開放作業が同時進行される。
【００２５】
予め指定された枚数のウエハ２００がボート２１７に装填されると、炉口シャッタ１４７によって閉じられていた処理炉２０２の下端部が、炉口シャッタ１４７によって、開放される。続いて、ウエハ２００群を保持したボート２１７はシールキャップ２１９がボートエレベータ１１５によって上昇されることにより、処理炉２０２内へ搬入（ローディング）されていく。
【００２６】
ローディング後は、処理炉２０２にてウエハ２００に任意の処理が実施される。
処理後は、図示しないノッチ合わせ装置でのウエハの整合工程を除き、概上述の逆の手順で、ウエハ２００及びポッド１１０は筐体の外部へ払い出される。
【００２７】
次に、図３を参照して、第一の実施形態である基板処理装置１０の移載室１２４における循環エアーの流れについて説明する。
図３に示されるように、クリーンユニット１３４に供給される高純度の不活性ガスは、第一のクリーンユニット１３４に具備されたフィルタを通過してボート２１７方向へ流れる。その後、ボート２１７やボートエレベータ１１５の駆動部やウエハ移載機構（基板移載機構）１２５、図示しない基板搬送装置といったパーティクル等の発生源である発塵源を通過し、移載室１２４に設けられた第一のクリーンユニット１３４が設置されている側壁と対向する側壁に、設けられた小型の第二のクリーンユニット１３４−２、第三のクリーンユニット１３４−３を通過することによって、フィルタにより清浄化された不活性ガスが循環経路を通過して、第一のクリーンユニット１３４に戻ることにより、常にクリーンな不活性ガスが循環することとなる。このように、本発明は、循環経路中のボートやボートエレベータといった発塵源の前後（上下流）にクリーンユニットを設けることを特徴としている。
【００２８】
なお、ここでクリーンユニット１３４、１３４−２、１３４−３といったクリーンユニットの構成は、図４に示すように、ファンとフィルタ部から構成されている。すべてのクリーンユニットにファンが搭載されている必要はないが、ファンがあることによって、圧力損失が少なく、正常なエアーの循環が可能となるため、ファンを有していたほうがより良い。単純にフィルタだけを循環経路に複数増やした場合には、各フィルタで圧力損失が起き、正常なエアーの循環の妨げとなってしまう。従来は、クリーンユニット１３４のみにファンを有しており、エアー循環路中には、他のクリーンユニットを設けていなかったが、本発明においては、循環路中のクリーンユニットにもファンを設けてあることにより、エアーの循環路中のよどみ部に残っている微小パーティクルに流れを作ることができ、フィルタリングが可能となるというメリットが生じる。
【００２９】
以上説明したように、本願発明の第一の実施形態は、基板処理装置の移載室内のエアーの循環路中の発塵源となるボートやボートエレベータの前後にファンとフィルタから構成されるクリーンユニットを設けた点に特徴がある。
【００３０】
次に本発明の第二の実施形態を図５を用いて説明する。この第二の実施形態では、半導体製造装置（基板処理装置）のプラントに応用するものである。図５に示すように、プラント５００は、上部クリーンユニット５０１と基板処理装置１１１と構成される下部クリーンユニット５０２とエアー循環路５０３とから構成されている。なお、上部クリーンユニット５０１及び下部クリーンユニット５０２はそれぞれ上部供給ファンと上部防塵フィルタ、及び下部供給ファンと下部防塵フィルタから構成されているものである。本実施の形態の場合も、発塵源である基板処理装置１１１の前後（上下流）にクリーンユニット５０１、５０２を設けることにより、プラント内のエアーの清浄度を保つことが可能となる。
【００３１】
本発明によれば、高純度不活性ガスの使用量を抑えることができ、環境配慮型の省エネルギー効果が得られる。また、常にクリーン度を要求される半導体製造装置筐体内の不活性ガスの循環が効率良く行うことができると共に、自然酸化膜の抑制や基板処理装置筐体内のＯ２濃度を短時間で下げることができ、生産性の向上につながる効果が得られる。
【００３２】
また、本発明によれば、フィルタとファンを具備したクリーンモジュールを移載室内のエアーの循環経路に２つ以上配置し、クリーンな不活性ガスを溜まり無く効率的に循環させることによって、従来より少ない不活性ガスの供給で、常に循環効率良く、Ｏ２濃度を低減することができる。また、クリーンモジュールの数は上から下への流れや、左右方向など数は限定しない。よどみの発生する箇所にはあらかじめ循環経路へ流れるようにクリーンモジュールを配置することにより、パーティクルの除去に効果がある。
【００３３】
なお、以上は本発明の好ましい実施形態を述べたに過ぎず、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
例えば、本発明は、基板処理装置１０として、例えば、半導体装置（ＩＣ）の製造方法を実施する半導体製造装置として説明したが、半導体製造装置だけでなくＬＣＤ装置のようなガラス基板を処理する装置にも適用することができる。
【００３４】
基板処理装置１０で行われる成膜処理には、例えば、ＣＶＤ、ＰＶＤ、ＡＬＤ、Ｅｐｉ、その他酸化膜、窒化膜を形成する処理、金属を含む膜を形成する処理がある。更に、アニール処理、酸化処理、拡散処理等の処理でも構わない。
また、本実施形態では、基板処理装置が縦型処理装置１０であるとして記載したが、枚葉装置についても同様に適用することができ、さらに、エッチング装置、露光装置、リソグラフィ装置、塗布装置、モールド装置、現像装置、ダイシング装置、ワイヤボンディング装置、検査装置等にも同様に適用することができる。
【００３５】
＜本発明の好ましい態様＞
以下に、本発明の好ましい態様について付記する。
【００３６】
（付記１）
基板を処理する処理室と、
該処理室に隣接する基板移載空間を構成する移載室と、
前記移載室に対し吹出口から気体を吹き出すファンとフィルタから構成される第一のクリーンユニットと、
前記第一のクリーンユニットの吹出口より下流側に配置されるファンとフィルタから構成される第二のクリーンユニットと、
前記第一のクリーンユニットと第二のクリーンユニットに接続され、前記移載室内の雰囲気を循環させる循環経路と、を備え、
前記第二のクリーンユニットから前記循環経路を通り前記気体が前記第一のクリーンユニットに戻るように構成される基板処理装置。
【００３７】
（付記２）
付記１に記載の基板処理装置であって、
前記第二のクリーンユニットの吹出口より下流側に配置され、前記循環経路に接続されるファンとフィンから構成される第三のクリーンユニットを有する基板処理装置。
【００３８】
（付記３）
付記１または２に記載の基板処理装置であって、
前記第１のクリーンユニットと前記第２のクリーンユニットは前記移載室の対向する側壁にそれぞれ設けられている基板処理装置。
【００３９】
（付記４）
付記１から３のいずれか１つに記載の基板処理装置を複数設置した基板処理プラントであって、
前記基板処理プラントは、プラント上部に前記基板処理装置に対し吹出口から気体を吹き出す上部供給ファンと上部防塵フィルタから構成される上部クリーンユニットと、
基板処理装置の下部に設置され、前記上部クリーンユニットより供給された気体を吸気し、方向を変えて供給する下部供給ファンと、下部防塵フィルタで構成される下部クリーンユニットを有する基板処理プラント。
【００４０】
（付記５）
基板を処理する基板の処理方法であって、
基板処理室に隣接する移載室内に対し、ファンとフィルタから構成される第一のクリーンユニットから気体を吹き出すステップと、
前記気体が下流側に配置されるファンとフィルタから構成される前記第二のクリーンユニットを通過するステップと、
前記第二のクリーンユニットから循環経路を通り前記気体が前記第一のクリーンユニットに戻るステップと
を有する基板処理方法。
【００４１】
（付記６）
付記１の基板処理装置を用いて処理する半導体装置の製造方法であって、
前記第一のクリーンユニットから気体を吹き出すステップと、
前記気体が前記発塵源を通過するステップと、
前記発塵源を通過した気体が前記第二のクリーンユニットを通過するステップと、
前記第二のクリーンユニットを通過した前記気体が前記循環経路を通り前記気体が前記第一のクリーンユニットに戻るステップと、
を有する半導体装置の製造方法。
【００４２】
（付記７）
基板を処理する半導体装置の製造方法であって、
基板処理室に隣接する移載室内に対し、ファンとフィルタから構成される第一のクリーンユニットから気体を吹き出すステップと、
前記気体が下流側に配置されるファンとフィルタから構成される前記第二のクリーンユニットを通過するステップと、
前記第二のクリーンユニットから循環経路を通り前記気体が前記第一のクリーンユニットに戻るステップと
を有する半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００４３】
１０    基板処理装置、
１１５  ボートエレベータ、
１２４  移載室、
１３４  第一のクリーンユニット、
１３４−２  第二のクリーンユニット、
１３４−３  第三のクリーンユニット、
２００  ウエハ、
２０２  処理室、
２１７  ボート、
５００  プラント。
【図１】
2014067797.tif 000003
【図２】
2014067797.tif 000004
【図３】
2014067797.tif 000005
【図４】
2014067797.tif 000006
【図５】
2014067797.tif 000007