Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月24日(2021.2.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の撮像装置のそれぞれで撮像された映像のうち少なくとも１つの映像から所定のイベントを検出する検出手段と、
検出されたイベントに応じて、前記撮像装置に対するカメラパラメータを生成する生成手段と、
前記カメラパラメータは、所定の条件を満たす前記撮像装置に対して設定されることを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記複数の撮像装置のそれぞれを、前記所定の条件に基づいて２以上のグループに分類する分類手段を更に有し、
前記生成手段は、グループ毎に異なるように前記カメラパラメータを生成することを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記分類手段は、各撮像装置が設置された位置に基づいて前記複数の撮像装置を分類することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記生成手段は、イベント毎に予め設定されたカメラパラメータに基づいて、前記検出手段により検出されたイベントに対応するカメラパターンを生成することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記撮像装置に対して生成した前記カメラパラメータを送信する送信手段を更に有し、
前記撮像装置は、送信された前記カメラパラメータにより設定が変更されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記検出手段は、前記撮像装置の監視エリア内に監視対象が侵入したことを前記イベントとして検出することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記検出手段は、前記監視対象の画像を用いたテンプレートマッチングによって、前記監視対象を検出することを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記生成手段は、前記検出手段によって検出された監視対象を撮像するための前記カメラパラメータを生成することを特徴とする請求項６または７に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記検出手段は、前記監視対象の属性情報を検出することを特徴とする請求項６乃至８のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記検出手段によって隣接する監視エリアで検出された監視対象を対応付ける対応付け手段と、
前記対応付け手段によって対応付けされた前記監視対象がある場合に、前記監視対象が検出された画像を撮像した撮像装置の位置、撮像時刻、または該撮像装置に設定されたカメラパラメータについての情報を取得する取得手段を更に有し、
前記生成手段は、前記取得手段によって取得された情報に基づいて、前記カメラパラメータを生成することを特徴とする請求項６乃至９のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記検出手段によって前記イベントが検出されたことを通知する通知手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
複数のエリアをそれぞれ撮像する複数の撮像装置と、
前記複数の撮像装置のそれぞれで撮像された映像から、所定のイベントを検出する監視装置と、
前記監視装置によって少なくとも１つの映像から前記所定のイベントが検出された場合に、前記所定のイベントに応じて設定されるカメラパラメータに基づいて前記撮像装置または前記監視装置を制御する管理装置と、を有する情報処理システムであって、
前記撮像装置は、所定の条件を満たす場合に前記カメラパラメータが設定されることを特徴とすることを特徴とする情報処理システム。
【請求項１３】
複数の撮像装置のそれぞれで撮像された映像のうち少なくとも１つの映像から所定のイベントを検出する検出工程と、
検出されたイベントに応じて、前記撮像装置に対するカメラパラメータを生成する工程と、
所定の条件を満たす前記撮像装置に対して前記カメラパラメータを設定する工程と、を含むことを特徴とする情報処理方法。
【請求項１４】
コンピュータを、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の情報処理装置が有する各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】情報処理装置、情報処理システム、情報処理方法、及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の情報処理装置は、複数の撮像装置のそれぞれで撮像された映像のうち少なくとも１つの映像から所定のイベントを検出する検出手段と、検出されたイベントに応じて、前記撮像装置に対するカメラパラメータを生成する生成手段と、前記カメラパラメータは、所定の条件を満たす前記撮像装置に対して設定されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月9日(2021.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
外部端末と外部アクセスポイントを介さず直接無線通信を行うアクセスポイントとして装置を動作させる無線通信機能を有する印刷装置であって、
表示部と、
前記アクセスポイントの動作周波数帯を選択する操作を受け付ける画面を前記表示部に表示する表示制御手段と、
前記選択された動作周波数帯に属する周波数チャネルで動作するアクセスポイントとして前記印刷装置を動作させる通信制御手段と、
を有することを特徴とする印刷装置。
【請求項２】
原稿をスキャンして画像を読み取る読取手段を更に有することを特徴とする請求項１に記載の印刷装置。
【請求項３】
電子写真方式で印刷を行う印刷部を更に有することを特徴とする請求項１又は２に記載の印刷装置。
【請求項４】
無線通信インタフェースと、有線通信インタフェースを更に備え、
前記通信制御手段は、前記無線通信インタフェースを制御し、前記印刷装置を前記選択された動作周波数帯に属する周波数チャネルで動作するアクセスポイントとして機能させることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項５】
前記印刷装置は、外部アクセスポイントが提供するネットワークに接続する無線クライアントとして動作することが可能であり、
前記印刷装置が所定の周波数チャネルを用いる前記無線クライアントとして動作している場合、前記通信制御手段は、前記所定の周波数チャネルで動作するアクセスポイントとして前記印刷装置を動作させることを特徴とする請求項４に記載の印刷装置。
【請求項６】
有線通信インタフェースを介してＬＡＮ（Ｌｏｃａｌ  Ａｒｅａ  Ｎｅｔｗｏｒｋ）に接続しているネットワーク状態の場合、前記印刷装置は、前記無線クライアントとして動作しないことを特徴とする請求項５に記載の印刷装置。
【請求項７】
前記画面は第１のユーザ操作を受け付けた場合に表示される画面であり、前記アクセスポイントとして前記印刷装置が動作していない場合、前記画面には、前記アクセスポイントとしての動作を開始させるための操作オブジェクトが更に表示されることを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項８】
前記画面は、前記アクセスポイントの前記動作周波数帯として、２．４ＧＨｚの周波数帯と、５ＧＨｚの周波数帯のいずれか一方を選択する操作を受け付けることが可能な画面であることを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項９】
前記選択された動作周波数帯が前記５ＧＨｚの周波数帯の場合、前記通信制御手段は、前記５ＧＨｚの周波数帯に属する周波数チャネルで動作するアクセスポイントであって、且つ、ＩＥＥＥ８０２．１１ａｃの通信規格に基づくアクセスポイントとして前記印刷装置を動作させることを特徴とする請求項８に記載の印刷装置。
【請求項１０】
前記アクセスポイントに接続に用いるＳＳＩＤ（Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｓｅｔ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｅｒ）とパスワードを含む第２の画面を前記表示部に表示する第２の表示制御手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項１１】
前記アクセスポイントとして前記印刷装置を動作させている状態で第２のユーザ操作を受け付けた場合、前記通信制御手段は、前記アクセスポイントとしての動作を停止するよう制御することを特徴とする請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項１２】
前記アクセスポイントのＳＳＩＤ（Ｓｅｒｖｉｃｅ  Ｓｅｔ  ＩＤｅｎｔｉｆｉｅｒ）を変更する操作を受け付ける第３の画面を前記表示部に表示する第３の表示制御手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項１３】
前記アクセスポイントのパスワードを変更する操作を受け付ける第３の画面を前記表示部に表示する第３の表示制御手段を更に有することを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の印刷装置。
【請求項１４】
外部端末と外部アクセスポイントを介さず直接無線通信を行うアクセスポイントとして装置を動作させる無線通信機能を有する印刷装置の制御方法であって、
前記アクセスポイントの動作周波数帯を選択する操作を受け付ける画面を前記印刷装置の表示部に表示する表示制御工程と、
前記選択された動作周波数帯に属する周波数チャネルで動作するアクセスポイントとして前記印刷装置を動作させる通信制御工程と、
を有することを特徴とする印刷装置の制御方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の印刷装置の制御方法をコンピュータに実行させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】印刷装置、印刷装置の制御方法及びプログラム
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、印刷装置、印刷装置の制御方法及びプログラムに関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本発明の目的の１つは、アクセスポイントの動作周波数帯を設定する指示を印刷装置の操作部に表示する画面を介して行うことができ、ユーザの手間を省くことができるようにすることである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の１つの側面としての印刷装置は、外部端末と外部アクセスポイントを介さず直接無線通信を行うアクセスポイントとして装置を動作させる無線通信機能を有する印刷装置であって、表示部と、前記アクセスポイントの動作周波数帯を選択する操作を受け付ける画面を前記表示部に表示する表示制御手段と、前記選択された動作周波数帯に属する周波数チャネルで動作するアクセスポイントとして前記印刷装置を動作させる通信制御手段と、を有することを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の１つの側面によれば、アクセスポイントの動作周波数帯を設定する指示を印刷装置の操作部に表示する画面を介して行うことができ、ユーザの手間を省くことができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月1日(2021.3.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
撮像画像から検出すべき被写体の特徴情報を保持する保持手段と、
前記特徴情報に基づいて、撮像画像から前記被写体を検出する検出手段と、
前記検出手段が第１の撮像画像において検出した前記被写体について、過去に検出された複数の前記被写体に関する情報のリストを含む表示情報を生成する生成手段と
前記表示情報を出力する出力手段と
を備え、
前記リストには、少なくとも前記被写体の検出の報知に関わる優先度に関する情報が含まれ、
前記生成手段は、前記被写体の優先度が表示されるように前記表示情報を生成する
ことを特徴とする情報処理装置。
【請求項２】
前記特徴情報には、前記被写体の画像が含まれることを特徴とする請求項１に記載の情報処理装置。
【請求項３】
前記生成手段は、前記第１の撮像画像を撮像した第１の撮像装置に関する情報がさらに関連付けられて表示されるように前記表示情報を生成することを特徴とする請求項２に記載の情報処理装置。
【請求項４】
前記第１の撮像装置に関する情報には、前記被写体を検出しようとする空間において前記第１の撮像装置が配置されている位置を識別可能に表示するための情報が含まれることを特徴とする請求項３に記載の情報処理装置。
【請求項５】
前記生成手段は、前記被写体の画像が、前記第１の撮像装置と関連付けて表示されるように前記表示情報を生成することを特徴とする請求項３または４に記載の情報処理装置。
【請求項６】
前記生成手段は、前記被写体の画像が、前記第１の撮像画像よりも前に撮像され、前記被写体が検出された第２の撮像画像を撮像した第２の撮像装置とさらに関連付けて表示されるように前記表示情報を生成することを特徴とする請求項５に記載の情報処理装置。
【請求項７】
前記生成手段は、前記被写体の画像を複数の撮像装置のそれぞれと関連付けて前記被写体の移動の軌跡が表示されるように前記表示情報を生成することを特徴とする請求項６に記載の情報処理装置。
【請求項８】
前記生成手段は、前記撮像画像に、前記検出された被写体を識別可能に示すための標識が重畳されて表示されるように前記表示情報を生成することを特徴とする請求項１から７のいずれか1項に記載の情報処理装置。
【請求項９】
前記標識は、前記被写体の名称を含むことを特徴とする請求項８に記載の情報処理装置。
【請求項１０】
前記標識は、前記被写体の画像を含むことを特徴とする請求項８または９に記載の情報処理装置。
【請求項１１】
前記生成手段は、前記複数の被写体のうち、前記リストにおいて選択された第１の被写体について、前記第１の被写体が検出された撮像画像と、検出された前記第１の被写体を特定する情報と、前記検出された第１の被写体の前記特徴情報が表示されるように前記表示情報を生成することを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１２】
前記出力手段は、前記第１の被写体よりも前記優先度が高い被写体が検出された場合に、新しい被写体が検出されたことを通知することを特徴とする請求項１１に記載の情報処理装置。
【請求項１３】
前記検出手段は、前記撮像画像に含まれる複数の被写体を検出し、
前記生成手段は、前記優先度に基づいて、前記検出された被写体の前記優先度に応じて区別して表示するための前記表示情報を生成することを特徴とする請求項１から１２のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１４】
前記表示情報は、前記優先度が他の被写体より高い被写体を撮像した撮像装置を強調する表示を含むことを特徴とする請求項１から１３のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１５】
前記リストは、被写体の属性毎に前記優先度を対応づけて生成されており、
前記生成手段は、前記被写体が登録されている前記リストに基づいて、前記被写体の前記優先度を決定することを特徴とする請求項１から１４のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１６】
前記撮像画像は、複数の撮像装置のいずれかで撮像された画像であって、動画像または静止画像であることを特徴とする請求項１から１５のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１７】
前記出力手段は、前記表示情報を表示する前記情報処理装置の表示部と、前記情報処理装置と通信する外部装置とのうち、少なくともいずれかに前記表示情報を出力することを特徴とする請求項１から１６のいずれか１項に記載の情報処理装置。
【請求項１８】
撮像装置と、
前記撮像装置が撮像した撮像画像を処理する請求項１から１７のいずれか１項に記載の情報処理装置と、
前記情報処理装置が出力した表示情報を表示する表示装置と
を備える、被写体検出システム。
【請求項１９】
情報処理装置の制御方法であって、
検出手段が、撮像画像から検出すべき被写体の特徴情報に基づいて、撮像画像から前記被写体を検出する検出工程と、
前記検出手段が第１の撮像画像において検出した前記被写体について、過去に検出された複数の前記被写体に関する情報のリストを含む表示情報を生成する生成工程と
前記表示情報を出力する出力工程と
を含み、
前記リストには、少なくとも前記被写体の検出の報知に関わる優先度に関する情報が含まれ、
前記生成工程では、前記被写体の優先度が表示されるように前記表示情報が生成される
ことを特徴とする情報処理装置の制御方法。
【請求項２０】
コンピュータを請求項１から１８のいずれか１項に記載の情報処理装置の各手段として機能させるためのプログラム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
上記課題を解決するための本発明は情報処理装置であって、
撮像画像から検出すべき被写体の特徴情報を保持する保持手段と、
前記特徴情報に基づいて、撮像画像から前記被写体を検出する検出手段と、
前記検出手段が第１の撮像画像において検出した前記被写体について、過去に検出された複数の前記被写体に関する情報のリストを含む表示情報を生成する生成手段と
前記表示情報を出力する出力手段と
を備え、
前記リストには、少なくとも前記被写体の検出の報知に関わる優先度に関する情報が含まれ、
前記生成手段は、前記被写体の優先度が表示されるように前記表示情報を生成することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月12日(2021.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
１次電子線を発生させるための電子線源と、
前記１次電子線を試料まで導いて集束かつ偏向させる電子光学系と、
前記試料から発生した反射電子のエネルギースペクトルを検出可能なエネルギー分析系を備え、
前記エネルギー分析系は、
前記反射電子を分散させるウィーンフィルタと、
前記ウィーンフィルタによって分散された反射電子のエネルギースペクトルを測定するための検出器と、
前記ウィーンフィルタの４極場の強度を変化させながら、前記４極場の強度の変化と同期して前記検出器の前記反射電子の検出位置を移動させる動作制御部とを備える装置。
【請求項２】
請求項１に記載の装置であって、
前記動作制御部は、反射電子が前記検出位置でフォーカスするように、前記ウィーンフィルタの４極場の強度を変化させながら、前記４極場の強度の変化と同期して前記検出器の前記反射電子の検出位置を移動させる装置。
【請求項３】
請求項１に記載の装置であって、
前記エネルギー分析系は、前記電子線源と前記ウィーンフィルタとの間に配置された非点補正器をさらに備え、前記非点補正器は、前記４極場の強度の変化に同期して、１次電子線の非点収差を打ち消すように動作する装置。
【請求項４】
請求項１に記載の装置であって、
前記エネルギー分析系は、前記ウィーンフィルタの出口側に配置されたシャントをさらに備え、
前記シャントは、前記反射電子の分散する方向に延びるスリットを有する装置。
【請求項５】
１次電子線を発生させるための電子線源と、
前記１次電子線を試料まで導いて集束かつ偏向させる電子光学系と、
前記試料から発生した反射電子のエネルギースペクトルを検出可能なエネルギー分析系を備え、
前記エネルギー分析系は、
前記反射電子を分散させるウィーンフィルタと、
前記ウィーンフィルタによって分散された反射電子のエネルギースペクトルを測定するための検出器を備え、
前記検出器は、前記分散された反射電子のエネルギーごとのフォーカス位置に実質的に一致する検出面を有する装置。
【請求項６】
請求項５に記載の装置であって、
前記検出器の検出面は平面であり、前記検出面の光軸からの角度は、１０°±５°の範囲内にある装置。
【請求項７】
請求項５に記載の装置であって、
前記エネルギー分析系は、前記電子線源と前記ウィーンフィルタとの間に配置された非点補正器をさらに備えた装置。
【請求項８】
請求項５に記載の装置であって、
前記エネルギー分析系は、前記ウィーンフィルタの出口側に配置されたシャントをさらに備え、
前記シャントは、前記反射電子の分散する方向に延びるスリットを有する装置。
【請求項９】
電子線源により発生させた１次電子線を試料まで導き、
前記試料から発生した反射電子をウィーンフィルタによって分散させ、
前記分散された反射電子のエネルギースペクトルを検出器で測定し、
前記エネルギースペクトルの測定中、前記ウィーンフィルタの４極場の強度を変化させながら、前記４極場の強度の変化と同期して前記検出器の前記反射電子の検出位置を移動させる方法。
【請求項１０】
請求項９に記載の方法であって、
前記ウィーンフィルタの４極場の強度を変化させながら、前記４極場の強度の変化と同期して前記検出器の前記反射電子の検出位置を移動させる工程は、前記エネルギースペクトルの測定中、反射電子が前記検出位置でフォーカスするように、前記ウィーンフィルタの４極場の強度を変化させながら、前記４極場の強度の変化と同期して前記検出器の前記反射電子の検出位置を移動させる工程である方法。
【請求項１１】
請求項９に記載の方法であって、
前記４極場の強度の変化に同期して、１次電子線の非点収差を非点補正器で打ち消す工程をさらに含む方法。
【請求項１２】
電子線源により発生させた１次電子線を試料まで導き、
前記試料から発生した反射電子をウィーンフィルタによって分散させ、
前記分散された反射電子のエネルギースペクトルを検出器で測定する工程を含み、
前記検出器は、前記分散された反射電子のエネルギーごとのフォーカス位置に実質的に一致する検出面を有する方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の方法であって、
前記検出器の検出面は平面であり、前記検出面の光軸からの角度は、１０°±５°の範囲内にある方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
一態様では、前記検出器の検出面は平面であり、前記検出面の光軸からの角度は、１０°±５°の範囲内にある。
一態様では、前記エネルギー分析系は、前記電子線源と前記ウィーンフィルタとの間に配置された非点補正器をさらに備える。
一態様では、前記エネルギー分析系は、前記ウィーンフィルタの出口側に配置されたシャントをさらに備え、前記シャントは、前記反射電子の分散する方向に延びるスリットを有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
一態様では、電子線源により発生させた１次電子線を試料まで導き、前記試料から発生した反射電子をウィーンフィルタによって分散させ、前記分散された反射電子のエネルギースペクトルを検出器で測定する工程を含み、前記検出器は、前記分散された反射電子のエネルギーごとのフォーカス位置に実質的に一致する検出面を有する方法が提供される。
一態様では、前記検出器の検出面は平面であり、前記検出面の光軸からの角度は、１０°±５°の範囲内にある。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月19日(2020.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）フレキシブル基板上に、有機ＥＬ素子を形成する工程、
（ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、ＳｉＯＣ膜を含む保護膜を形成する工程、
を有し、
前記有機ＥＬ素子は、有機発光層を含む有機層を有し、
前記ＳｉＯＣ膜は、ＳｉとＣとを有する化合物を原料としたＡＬＤ法を用いて形成され、
前記ＳｉとＣとを有する化合物は、
ＳｉとＳｉとの間の主鎖に、少なくとも１つ以上のＣを有し、
前記主鎖の両端のＳｉには、それぞれアミノ基が結合されている、有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法。
【請求項２】
請求項１記載の有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法において、
前記ＳｉとＣとを有する化合物は、酸化剤との反応により、前記ＳｉＯＣ膜を形成する、有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法。
【請求項３】
請求項２記載の有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法において、
前記酸化剤は、酸素ラジカルである、有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法。
【請求項４】
請求項３記載の有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法において、
前記（ｂ）工程は、
前記有機ＥＬ素子が形成された前記フレキシブル基板をチャンバ内に配置した後、
（ｂ１）前記原料を前記チャンバ内へ導入し、前記有機ＥＬ素子の上方に原料分子を吸着させる工程、
（ｂ２）第１パージガスを前記チャンバ内へ導入し、前記原料のうち吸着されていない原料分子を前記第１パージガスとともに前記チャンバ内から除去する工程、
（ｂ３）前記酸素ラジカルを、前記チャンバ内に導入または前記チャンバ内で生成し、前記原料分子と前記酸素ラジカルとの反応物を生成する工程、
（ｂ４）第２パージガスを前記チャンバ内へ導入し、未反応の物質を前記第２パージガスとともに前記チャンバ内から除去する工程、を有する、有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法。
【請求項５】
請求項４記載の有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法において、
前記（ｂ）工程は、２００℃以下で行われる、有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法。
【請求項６】
請求項５記載の有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法において、
前記ＳｉＯＣ膜は、異物を固着する、有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法。
【請求項７】
請求項５記載の有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法において、
前記保護膜は、前記ＳｉＯＣ膜より硬い無機絶縁膜を有し、
前記（ｂ）工程の前または後に、
（ｃ）前記無機絶縁膜を形成する工程、を有する、有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法。
【請求項８】
請求項１記載の有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法において、
前記ＳｉとＣとを有する化合物は、１，２−ビス［（ジメチルアミノ）ジメチルシリル］エタンである、有機ＥＬ素子用の保護膜の形成方法。
【請求項９】
（ａ）フレキシブル基板上に、有機ＥＬ素子を形成する工程、
（ｂ）前記有機ＥＬ素子を覆うように、ＳｉＯＣ膜を含む保護膜を形成する工程、
を有し、
前記有機ＥＬ素子は、有機発光層を含む有機層を有し、
前記ＳｉＯＣ膜は、ＳｉとＣとを有する化合物を原料としたＡＬＤ法を用いて形成され、
前記ＳｉとＣとを有する化合物は、
ＳｉとＳｉとの間の主鎖に、少なくとも１つ以上のＣを有し、
前記主鎖の両端のＳｉには、それぞれアミノ基が結合されている、表示装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項９記載の表示装置の製造方法において、
前記ＳｉとＣとを有する化合物は、酸化剤との反応により、前記ＳｉＯＣ膜を形成する、表示装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１０記載の表示装置の製造方法において、
前記酸化剤は、酸素ラジカルである、表示装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１１記載の表示装置の製造方法において、
前記（ｂ）工程は、
前記有機ＥＬ素子が形成された前記フレキシブル基板をチャンバ内に配置した後、
（ｂ１）前記原料を前記チャンバ内へ導入し、前記有機ＥＬ素子の上方に原料分子を吸着させる工程、
（ｂ２）第１パージガスを前記チャンバ内へ導入し、前記原料のうち吸着されていない原料分子を前記第１パージガスとともに前記チャンバ内から除去する工程、
（ｂ３）前記酸素ラジカルを、前記チャンバ内に導入または前記チャンバ内で生成し、前記原料分子と前記酸素ラジカルとの反応物を生成する工程、
（ｂ４）第２パージガスを前記チャンバ内へ導入し、前記酸素ラジカルのうち未反応の物質を前記第２パージガスとともに前記チャンバ内から除去する工程、を有する、表示装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２記載の表示装置の製造方法において、
前記（ｂ３）工程は、２００℃以下で行われる、表示装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１３記載の表示装置の製造方法において、
前記ＳｉＯＣ膜は、異物を固着する、表示装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１３記載の表示装置の製造方法において、
前記保護膜は、前記ＳｉＯＣ膜より硬い無機絶縁膜を有し、
前記（ｂ）工程の前または後に、
（ｃ）前記無機絶縁膜を形成する工程、を有する、表示装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１５記載の表示装置の製造方法において、
前記保護膜は、ＳｉＯＣ膜／無機絶縁膜、無機絶縁膜／ＳｉＯＣ膜、ＳｉＯＣ膜／無機絶縁膜／ＳｉＯＣ膜、および、無機絶縁膜／ＳｉＯＣ膜／無機絶縁膜、から選択されるいずれかの積層膜を有する、表示装置の製造方法。
【請求項１７】
請求項１６記載の表示装置の製造方法において、
前記保護膜を構成する各膜は、前記チャンバ内において連続して成膜される、表示装置の製造方法。
【請求項１８】
請求項１６記載の表示装置の製造方法において、
前記（ｃ）工程の後に、
（ｄ）前記チャンバ内に付着した前記保護膜の除去工程、を有する表示装置の製造方法。
【請求項１９】
請求項１６記載の表示装置の製造方法において、
前記無機絶縁膜は、ＳｉＯ2膜、ＳｉＮ膜、Ａｌ2Ｏ3膜、ＴｉＯ2膜、および、ＺｒＯ2膜から選択される膜である、表示装置の製造方法。
【請求項２０】
請求項９記載の表示装置の製造方法において、
前記ＳｉとＣとを有する化合物は、１，２−ビス［（ジメチルアミノ）ジメチルシリル］エタンである、表示装置の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月5日(2021.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
同一の被写体について、第一の照明条件の下で撮影した第一の画像データと、該第一の照明条件よりも光量の小さな第二の照明条件の下で撮影した第二の画像データの明度の差分値を算出する差分値算出手段と、
前記第一の画像データと前記第二の画像データとのうちの少なくとも前記第二の画像データから前記被写体の形状情報を算出する形状情報算出手段と、
前記被写体の形状情報に応じて、前記差分値を用いて、前記第一の画像データの各画素の明度を補正する明度補正手段と、
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記被写体の形状情報は、当該被写体の表面凹凸の法線である
ことを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記明度補正手段は、前記法線が前記第二の照明条件の光の照射方向を向いているかを画素毎に判定し、判定結果が前記光の照射方向を向いていない場合、前記第一の画像データの各画素の明度を減少するように補正することを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記明度補正手段は、前記法線が前記第二の照明条件の光の照射方向を向いているかを画素毎に判定し、判定結果が前記光の照射方向を向いている場合、前記第一の画像データの各画素の明度を増加するように補正することを特徴とする請求項２または３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記明度補正手段は、観察環境に前記被写体が配置される場合の、該観察環境の光源から該被写体へ照射する光の照射方向を取得し、
取得した前記光の照射方向と前記法線のなす角度を算出し、
算出した前記角度にも応じて、前記第一の画像データの各画素の明度を補正する
ことを特徴とする請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記明度補正手段は、前記角度が小さいほど、前記第一の画像データの各画素の明度を減少するように補正することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記明度補正手段は、前記角度が大きいほど、前記第一の画像データの各画素の明度を増加するように補正することを特徴とする請求項５または６に記載の画像処理装置。
【請求項８】
差分値算出手段により、同一の被写体について、第一の照明条件の下で撮影した第一の画像データと、該第一の照明条件よりも光量の小さな第二の照明条件の下で撮影した第二の画像データの明度の差分値を算出する差分値算出ステップと、
形状情報算出手段により、前記第一の画像データと前記第二の画像データとのうちの少なくとも前記第二の画像データから前記被写体の形状情報を算出する形状情報算出ステップと、
明度補正手段により、前記被写体の形状情報に応じて、前記差分値を用いて、前記第一の画像データの各画素の明度を補正する明度補正ステップと、
を含むことを特徴とする画像処理方法。
【請求項９】
コンピュータを、請求項１から７の何れか一項に記載の画像処理装置として機能させることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月25日(2020.12.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
固体電解質と、
金属ニッケル粒子と、
ブラウンミラーライト構造を有するＢａ２Ｉｎ１．７（Ｚｎ０．５，Ｚｒ０．５）０．３Ｏ５、Ｃａ２Ｆｅ２Ｏ５、Ｓｒ２Ｆｅ２Ｏ５、Ｃａ２Ｉｎ２Ｏ５、Ｓｒ２Ｉｎ２Ｏ５、及びＢａ２Ｉｎ２Ｏ５、並びに酸化物ＴｉＯ２、ＣｅＯ２、及びＳｎＯ２からなる群から選択された少なくとも一からなるアノード反応助触媒と
を含む
固体酸化物形燃料電池用アノード。
【請求項２】
前記固体電解質はイットリア安定ジルコニア、セリア並びにＳｍ、Ｙ及びＧｄの少なくとも一の元素を１０〜２０ｍｏｌ％固溶させたセリアからなる群から選択された少なくとも一である、請求項１に記載の固体酸化物形燃料電池用アノード。
【請求項３】
前記アノード反応助触媒を０．１〜１ｗｔ％含む、請求項１または２に記載の固体酸化物形燃料電池用アノード。
【請求項４】
前記アノード反応助触媒はアモルファス化していない、請求項１から３の何れかに記載の固体酸化物形燃料電池用アノード。
【請求項５】
前記固体電解質と前記金属Ｎｉ粒子との粒界領域のうちの前記固体電解質側表面上に前記アノード反応助触媒が存在し、
前記固体電解質側表面上の前記アノード反応助触媒の表面上において活性な酸素の拡散が促進される
請求項１から４の何れかに記載の固体酸化物形燃料電池用アノード。
【請求項６】
焼成体である、請求項１から５の何れかに記載の固体酸化物形燃料電池用アノード。
【請求項７】
請求項１から６の何れかに記載のアノードを使用した固体酸化物形燃料電池。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
本発明の一側面によれば、固体電解質と、金属ニッケル粒子と、ブラウンミラーライト構造を有するＢａ２Ｉｎ１．７（Ｚｎ０．５，Ｚｒ０．５）０．３Ｏ５、Ｃａ２Ｆｅ２Ｏ５、Ｓｒ２Ｆｅ２Ｏ５、Ｃａ２Ｉｎ２Ｏ５、Ｓｒ２Ｉｎ２Ｏ５、及びＢａ２Ｉｎ２Ｏ５、並びに酸化物ＴｉＯ２、ＣｅＯ２、及びＳｎＯ２からなる群から選択された少なくとも一からなるアノード反応助触媒とを含む固体酸化物形燃料電池用アノードが与えられる。
ここで、前記固体電解質はイットリア安定ジルコニア、セリア並びにＳｍ、Ｙ及びＧｄの少なくとも一の元素を１０〜２０ｍｏｌ％固溶させたセリアからなる群から選択された少なくとも一であってよい。
また、前記アノード反応助触媒を０．１〜１ｗｔ％含んでよい。
また、前記アノード反応助触媒はアモルファス化していなくてよい。
また、前記固体電解質と前記金属Ｎｉ粒子との粒界領域のうちの前記固体電解質側表面上に前記アノード反応助触媒が存在し、前記固体電解質側表面上の前記アノード反応助触媒の表面上において活性な酸素の拡散が促進されてよい。
また、この固体酸化物形燃料電池用アノードは焼成体であってよい。
本発明の他の側面によれば、上記何れかのアノードを使用した固体酸化物形燃料電池が与えられる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月25日(2021.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上に島状に配置される第２乃至第６の絶縁体と、
前記第１乃至第６の絶縁体上の酸化物と、
前記酸化物上の第７の絶縁体と、
前記第２の絶縁体と、前記第３の絶縁体の間に位置し、且つ前記第７の絶縁体と接する第１の導電体と、
前記第３の絶縁体と、前記第４の絶縁体の間に位置し、且つ前記第７の絶縁体と接する第２の導電体と、
前記第４の絶縁体と、前記第５の絶縁体の間に位置し、且つ前記第７の絶縁体と接する第３の導電体、
前記第５の絶縁体と、前記第６の絶縁体の間に位置し、且つ前記第７の絶縁体と接する第４の導電体と、
前記第７の絶縁体上、および前記第１乃至第４の導電体上の第８の絶縁体と、
前記第８の絶縁体上の第９の絶縁体と、を有し、
前記第７の絶縁体および前記第８の絶縁体には、前記酸化物に達する第１の開口が設けられ、
前記第７の絶縁体、前記第８の絶縁体、および前記第９の絶縁体には、前記酸化物に達する第２の開口および第３の開口が設けられ、
前記第１の開口は、前記前記第４の絶縁体と重畳し、
前記第２の開口は、前記前記第３の絶縁体と重畳し、
前記第３の開口は、前記前記第５の絶縁体と重畳し、
前記第１の開口には、第５の導電体が設けられ、
前記第２の開口には、第６の導電体が設けられ、
前記第３の開口には、第７の導電体が設けられ、
前記第５の導電体上には、第８の導電体が設けられ、
前記第９の絶縁体、前記第６の導電体、および前記第７の導電体に接して第１０の絶縁体が設けられ、
前記第２の開口と重畳し、且つ前記第１０の絶縁体に接して第９の導電体が設けられ、
前記第３の開口と重畳し、且つ前記第１０の絶縁体に接して第１０の導電体が設けられる、半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物、前記第７の絶縁体および前記第２の導電体は、第１のトランジスタを構成し、
前記酸化物、前記第７の絶縁体および前記第３の導電体は、第２のトランジスタを構成し、
前記酸化物、前記第７の絶縁体および前記第１の導電体は、第３のトランジスタを構成し、
前記酸化物、前記第７の絶縁体および前記第４の導電体は、第４のトランジスタを構成し、
前記第６の導電体、前記第１０の絶縁体および前記第９の導電体は、第１の容量素子を構成し、
前記第７の導電体、前記第１０の絶縁体および前記第１０の導電体は、第２の容量素子を構成し、
前記第１のトランジスタおよび前記第２のトランジスタは、前記第１の容量素子と前記第２の容量素子の間に配置され、
前記第１の容量素子および前記第２の容量素子は、前記第３のトランジスタと前記第４のトランジスタの間に配置され、
前記第１のトランジスタのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第１の容量素子の一方の電極と接続され、
前記第２のトランジスタのソース領域またはドレイン領域の一方は、前記第２の容量素子の一方の電極と接続され、
前記第１のトランジスタのソース領域またはドレイン領域の他方は、前記第２のトランジスタのソース領域またはドレイン領域の他方と共有し、
前記第１のトランジスタのソース領域またはドレイン領域の他方、および前記第２のトランジスタのソース領域またはドレイン領域の他方は、前記第８の導電体と接続され、
前記第１のトランジスタのチャネル長は、前記第２の導電体の短辺に平行な方向の長さよりも長く、
前記第２のトランジスタのチャネル長は、前記第３の導電体の短辺に平行な方向の長さよりも長い、半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記第８の導電体は、前記第８の導電体の長辺方向と、前記第２の導電体の長辺方向および前記第３の導電体の長辺方向と、が概略直交して設けられ、
前記酸化物は、前記酸化物の長辺方向と、前記第８の導電体の長辺方向と、のなす角度が、２０°以上７０°以下で設けられる、半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
前記酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を含む、半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月25日(2021.2.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の酸化物と、
前記第１の酸化物上の第２の酸化物と、
前記第１の酸化物、および前記第２の酸化物を覆う、第３の酸化物と、
前記第３の酸化物を覆う、第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上に配置され、前記第１乃至前記第３の酸化物と重畳する、導電体と、
前記第１の絶縁体の上面、および前記導電体の側面と接する第２の絶縁体と、
前記第２の絶縁体の上面、および前記導電体の側面と接する第３の絶縁体と、
前記導電体の上面、および前記第３の絶縁体の上面と接する第４の絶縁体と、を有し、
前記第２の酸化物は、第１の領域、第２の領域、前記第１の領域と前記第２の領域との間に位置する第３の領域、前記第１の領域と前記第３の領域の間に位置する第４の領域、および前記第２の領域と前記第３の領域の間に位置する第５の領域を有し、
前記第１の領域、および前記第２の領域の抵抗は、前記第３の領域の抵抗より低く、
前記第４の領域、および前記第５の領域の抵抗は、前記第３の領域の抵抗より低く、かつ前記第１の領域、および前記第２の領域の抵抗より高く、
前記導電体は、前記第３の領域、前記第４の領域、および前記第５の領域と重畳するように、前記第３の領域、前記第４の領域、および前記第５の領域の上方に設けられる、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記導電体は、前記第１の領域および前記第２の領域の少なくとも一部と重畳する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
さらに、前記第１の絶縁体と前記第２の絶縁体の間に第５の絶縁体を有し、
前記第５の絶縁体は、前記導電体の側面に接する、ことを特徴とする半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の領域、前記第２の領域、前記第４の領域、および前記第５の領域は、リン、およびホウ素の一方を含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項５】
請求項４において、
前記第１の領域および前記第２の領域は、前記第４の領域および前記第５の領域よりも、リン、またはホウ素を多く含むことを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記第１の領域、前記第２の領域、前記第４の領域、および前記第５の領域は、前記第３の領域よりも、酸素欠損を多く有することを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
請求項１乃至請求項６のいずれか一項において、
前記第１の領域、前記第２の領域、前記第４の領域、および前記第５の領域は、前記第３の領域よりも、水素を多く有することを特徴とする半導体装置。
【請求項８】
第１の酸化物、および前記第１の酸化物上の第２の酸化物を形成し、
前記第１の酸化物、および前記第２の酸化物を覆って第３の酸化物を成膜し、
前記第３の酸化物を覆って第１の絶縁膜を成膜し、
前記第１の絶縁膜の上に、前記第２の酸化物を重畳して第１のダミーゲートを形成し、
前記第１のダミーゲートをマスクとして、前記第２の酸化物に第１のドーパントを添加し、
前記第１のダミーゲートの一部を除去して第２のダミーゲートを形成し、前記第２の酸化物の一部を、前記第２のダミーゲートから露出させ、
前記第２のダミーゲートをマスクとして、前記第２の酸化物に第２のドーパントを添加し、
前記第１の絶縁膜、および前記第２のダミーゲートを覆って、第２の絶縁膜を成膜し、
前記第２の絶縁膜の上に第３の絶縁膜を成膜し、
前記第２の絶縁膜および前記第３の絶縁膜の一部を、前記第２のダミーゲートの上部が露出するまで除去し、
前記第２のダミーゲート、および前記第２の絶縁膜の一部を除去して、開口を形成し、
前記開口の中に埋め込むように、導電膜を成膜し、
前記導電膜の一部を、前記第３の絶縁膜の上部が露出するまで除去する、
ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項９】
請求項８において、
前記第１のドーパント、および前記第２のドーパントとして、リンまたはホウ素を用いる、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１０】
請求項８または請求項９において、
前記第１のドーパントの添加量は、および前記第２のドーパントの添加量より多い、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１１】
請求項８乃至請求項１０のいずれか一項において、
前記第１のドーパントの添加、および前記第２のドーパントの添加は、イオン注入法、またはイオンドーピング法が用いられる、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１２】
請求項８乃至請求項１１のいずれか一項において、
前記第１のダミーゲートは、炭素を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【請求項１３】
請求項８乃至請求項１２のいずれか一項において、
前記第２のダミーゲートの形成は、酸素ラジカルを用いたアッシング処理によって行われる、ことを特徴とする半導体装置の作製方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月1日(2021.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
タンク１に液体ＬＱ１が収容されていない状態で液体加熱装置１００を起動させるとき、制御装置２０は、供給流路７と第１バルブ装置３のノーマルポートとを接続する。これにより、供給源から送出された液体ＬＱ２が供給流路７を介してタンク１に供給される。また、制御装置２０は、供給源から送出された液体ＬＱ２が供給流路７を介してタンク１に供給されているとき、排出流路９と第２バルブ装置４のクローズポートとを接続する。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７２】
図５に示すように、洗浄装置３０に対する液体ＬＱ１の供給が停止されている状態で、加熱装置２による液体ＬＱ１の加熱が継続されると、入口温度Ｔｉｎと出口温度ＰＶとの差が徐々に小さくなる。出口温度ＰＶが目標温度ＳＶに到達したとき、入口温度Ｔｉｎは出口温度ＰＶよりもΔＴ［℃］だけ低い温度で定常状態となる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2019153617.tif 000001
【手続補正４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２】
2019153617.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図４】
2019153617.tif 000003
【手続補正６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図６】
2019153617.tif 000004
【手続補正７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７】
2019153617.tif 000005
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月6日(2021.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項５】
前記制御部は、
前記ＬＥＤの出力が所定の値を超えたか否かに基づいて、前記冷媒の供給の実行と停止の切り替えを行うことにより、前記冷媒による吸熱を制御することを特徴とする請求項２または３に記載の検査装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
半導体製造プロセスでは、所定の回路パターンを持つ多数の電子デバイスが半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という。）上に形成される。形成された電子デバイスは、電気的特性等の検査が行われ、良品と不良品とに選別される。電子デバイスの検査は、例えば、各電子デバイスに分割される前のウェハの状態で、検査装置を用いて行われる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３４】
また、有底部材３２の側部には、冷媒流路３２ａと連通する供給口３２ｂと排出口３２ｃとが形成されている。供給口３２ｂには、冷媒流路３２ａに冷媒を供給する供給管３４が接続されており、排出口３２ｃには、冷媒流路３２ａから冷媒を排出する排出管３５が接続されている。供給管３４には、冷媒流路３２ａに供給する冷媒の流量を制御する流量制御バルブ３６が設けられている。流量制御バルブ３６には、高速に流量を変化させることが可能な、チラーの冷媒流量制御用のバルブ等を用いることができる。また、この流量制御バルブ３６として三方バルブを設置し、冷媒流路３２ａをバイパスするようなバイパス流路を設ける応用も可能である。更に冷媒流路３２ａとバイパス流路のバルブが可変コンダクタンスバルブの場合、冷媒流路３２ａのコンダクタンスをＣｖ、バイパス流路のコンダクタンスをＣｖｂとするとＣｖ＋Ｃｖｂ＝一定となるようにすることで、全体のコンダクタンスを変えず制御が出来る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５８】
以下、本実施形態の効果について説明する。
本実施形態では、載置台３０内の冷媒の流量を流量制御バルブ３６を用いて制御することができる。また、載置台３０におけるウェハＷの載置側と反対側に位置する有底部材３２と対向するように光照射機構４０が配置され、有底部材３２が光透過部材からなり、載置台３０の冷媒流路３２ａを流れる冷媒も光が透過可能である。そのため、各ＬＥＤ４１からのＬＥＤ光を、冷媒等を透過させて載置台３０の蓋部材３１に到達させることができる。さらに、光照射機構４０は各ＬＥＤユニットＵによって蓋部材３１へ局所的にＬＥＤ光を照射することができる。上述のように冷媒の流量を流量制御バルブ３６により制御することが可能な構成であれば、ＬＥＤ光の制御によらずに冷媒の流量の制御のみで電子デバイスＤの温度を制御することも考えられるが、本実施形態では、ＬＥＤ光の制御も行って電子デバイスＤの温度を制御する。具体的には、載置台３０内の冷媒によって蓋部材３１を全体的に冷却しつつ、蓋部材３１へ局所的にＬＥＤ光を照射し、検査中の電子デバイスＤのみを加熱する。すなわち、ウェハＷにおいて、検査中の電子デバイスＤのみの温度を制御しつつ他の電子デバイスＤを冷却する。そのため、検査中の電子デバイスＤからの熱負荷が他の電子デバイスＤへ与えられるのを抑制することができる。その結果、所望の電子デバイスＤへ実装時電圧を印加させることができ、もって、実装時電圧の印加時に発生する不具合をパッケージング前に発見することができ、パッケージの歩留まりの低下を抑制してコスト高を招くのを防止することができる。なお、光照射機構４０は、各ＬＥＤユニットＵによって、蓋部材３１に照射する光の強度を局所的に変更することもできる。したがって、載置台３０内の冷媒によって蓋部材３１を全体的に冷却しつつ、蓋部材３１へのＬＥＤ光の照射状態を局所的に変更することもでき、もって、検査中の電子デバイスＤの加熱状態を他の電子デバイスと異ならせることもできる。すなわち、ウェハＷにおいて、検査対象の電子デバイスＤと、他の電子デバイスＤとの両方を温度制御しながら検査対象の電子デバイスＤの検査をすることができる。
また、Ｄ−ＲＡＭ等で採用されている一括コンタクトプロービングでは光照射機構４０全面を点灯して分布調整する。このモードにおいてはウェハ発熱量が少ないのでＬＥＤ照射量だけで調整できる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月25日(2021.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１基板の上方に形成された半導体薄膜層を前記第１基板から分離して、前記第１基板と異なる第２基板上に接合する半導体素子の製造方法であって、
前記半導体薄膜層の前記第１基板の側と反対側の主面の少なくとも一部と、前記第１基板における前記半導体薄膜層の側の面の少なくとも一部とを結合する薄膜である固定層を形成する工程と、
前記第１基板及び前記第２基板と異なる第３基板を前記固定層及び前記半導体薄膜層の少なくとも一部の結合領域と結合する工程と、
前記第３基板が前記結合領域に結合された状態で前記第３基板を前記第１基板から離れる向きに移動することで、前記半導体薄膜層を前記第１基板から分離する工程と、
前記第１基板から分離した後の前記半導体薄膜層を前記第２基板に接合する工程と、
を有し、
前記固定層を形成する工程において、前記第３基板を移動する力によって、前記第１基板上に形成されている前記固定層と前記半導体薄膜層の側面に形成されている前記固定層との間に亀裂が発生する厚みの前記固定層を形成する、
半導体素子の製造方法。
【請求項２】
前記固定層を形成する工程において、前記第１基板から離れる向きに前記第３基板を移動させる力によって前記固定層が切断する厚みの前記固定層を形成する、
請求項１に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項３】
前記固定層を形成する工程において、前記結合する工程で前記第３基板が前記固定層に向かう力が加わることにより前記固定層に亀裂が発生する厚みの前記固定層を形成する、
請求項１又は２に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項４】
前記固定層を形成する工程において、前記半導体薄膜層の厚みよりも薄い前記固定層を形成する、
請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項５】
前記固定層を形成する工程と前記結合する工程との間に、前記半導体薄膜層又は前記第１基板の一部の領域、又は前記半導体薄膜層と前記第１基板との間の層の一部の領域を除去することにより空隙を形成する工程をさらに有する、
請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項６】
前記半導体薄膜層を前記第２基板に接合する工程の後に、前記第３基板が有しており、かつ前記第２基板と結合している有機材料層を除去することにより、前記半導体薄膜層を前記第３基板から分離する工程をさらに有することを特徴とする、
請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体素子の製造方法。
【請求項７】
第１基板と、
前記第１基板上に形成された半導体薄膜層と、
前記半導体薄膜層の前記第１基板の側と反対側の主面の少なくとも一部と、前記第１基板における前記半導体薄膜層の側の面の少なくとも一部とを結合する薄膜である固定層と、
を有し、
前記固定層は、前記第１基板と異なる第３基板を前記固定層及び前記半導体薄膜層の少なくとも一部の結合領域と結合した状態で前記第３基板を移動する力が加えられることにより亀裂が発生する厚みであることを特徴とする半導体基板。
【請求項８】
前記半導体薄膜層又は前記第１基板の一部の領域に空隙が存在し、前記固定層の少なくとも一部が前記空隙に露出していることを特徴とする、
請求項７に記載の半導体基板。
【請求項９】
前記固定層は、前記半導体薄膜層の厚みよりも薄いことを特徴とする、
請求項７又は８に記載の半導体基板。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体素子の製造方法及び半導体基板
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、半導体素子の製造方法及び半導体基板に関する。