(57)【要約】      （修正有）【課題】薄型化を図ることのできる磁性回路基板、その製造方法および位置検出装置を提供する。【解決手段】磁性回路基板１は、両面導体パターン基板２と、両面導体パターン基板２の一方面に直接積層され、磁性体粒子および樹脂を含有する磁性組成物から形成される磁性フィルム３とを備え、回路基板部に生じる磁束を磁性層内に収束し、指示器とループコイル間の通信を効率的に行うことができる。【選択図】図１
2014164562.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板部と、
前記回路基板部の一方面に直接積層され、磁性体粒子および樹脂を含有する磁性組成物から形成される磁性層と
を備える
ことを特徴とする、磁性回路基板。
【請求項２】
前記回路基板部は、樹脂基板と、前記樹脂基板の両面に積層される導体パターンとを備える両面導体パターン基板であって、
前記磁性層が、一方の前記導体パターンを直接被覆するように、前記両面導電パターン基板の一方面に直接積層されていることを特徴とする、請求項１に記載の磁性回路基板。
【請求項３】
前記導体パターンは、互いに間隔を隔てて複数配置される配線を備え、
前記間隔に前記磁性層の一部が埋設されていることを特徴とする、請求項２に記載の磁性回路基板。
【請求項４】
前記前記回路基板部は、
樹脂基板と、前記樹脂基板の両面に積層される導体パターンとを備える両面導体パターン基板と、
前記両面導体パターンに積層される樹脂層と
を有し、
前記磁性層が、前記樹脂層に直接積層されていることを特徴とする、請求項１に記載の磁性回路基板。
【請求項５】
前記磁性層は、半硬化状態であることを特徴とする、請求項１〜４のいずれか一項に記載の磁性回路基板。
【請求項６】
前記磁性層は、１５０℃における貯蔵引張弾性率Ｅ’が、１．０×１０９Ｐａ以下であることを特徴とする、請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁性回路基板。
【請求項７】
前記磁性層における、前記両面導体パターン基板が積層されている面とは反対側の面に、金属層がさらに積層されていることを特徴とする、請求項１〜６のいずれか一項に記載の磁性回路基板。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の磁性回路基板を備えることを特徴とする、位置検出装置。
【請求項９】
磁性体粒子および樹脂を含有する磁性組成物から形成され、半硬化状態である磁性層を、回路基板部の一方面に貼着する工程を備えることを特徴とする、磁性回路基板の製造方法。
【請求項１０】
前記磁性層の１５０℃における貯蔵引張弾性率Ｅ’が、１．０×１０９Ｐａ以下であることを特徴とする、請求項９に記載の磁性回路基板の製造方法。
【請求項１１】
前記磁性層を前記回路基板部に貼着する工程の後に、半硬化状態である磁性層を完全硬化させる硬化工程をさらに備えることを特徴とする、請求項９または１０に記載の磁性回路基板の製造方法。
【請求項１２】
前記硬化工程において完全硬化した２３℃における前記磁性層の貯蔵引張弾性率Ｅ’が、１．０×１０９Ｐａを超過することを特徴とする、請求項１１に記載の磁性回路基板の製造方法。
【請求項１３】
前記回路基板部が、樹脂基板と、前記樹脂基板の両面に積層される導体パターンとを備え、
前記導体パターンは、互いに間隔を隔てて複数配置される配線を備え、
前記磁性層を前記回路基板部に貼着する工程では、前記間隔に前記磁性層の一部を埋設することを特徴とする、請求項１１または１２に記載の磁性回路基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性回路基板、その製造方法および位置検出装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
ペン型の位置指示器を位置検出平面上で移動させて位置を検出する位置検出装置は、デジタイザと呼ばれ、コンピュータの入力装置として普及している。この位置検出装置は、位置検出平面板と、その下に配置され、ループコイルが基板の表面に形成された回路基板（センサ基板）とを備えている。そして、位置指示器とループコイルとによって発生する電磁誘導を利用することにより、位置指示器の位置を検出する。
【０００３】
位置検出装置には、電磁誘導の際に発生する磁束を制御して通信を効率化するために、センサ基板の位置検出平面とは反対側の面（反対面）に、ケイ素鋼からなるシールド板を接着テープを介して貼着することが提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１５８６０６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかるに、位置検出装置を含む磁性回路基板には、薄型化を図りたいという要望がある。しかしながら、特許文献１で提案される位置検出装置では、センサ基板とシールド板との間に接着テープが設けられているので、上記した要望を満足することができないという不具合がある。
【０００６】
本発明の目的は、薄型化を図ることのできる磁性回路基板、その製造方法および位置検出装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の磁性回路基板は、回路基板部と、前記回路基板部の一方面に直接積層され、磁性体粒子および樹脂を含有する磁性組成物から形成される磁性層とを備えることを特徴としている。
【０００８】
この磁性回路基板では、磁性層により、回路基板部に生じる磁束を磁性層内に収束し、指示器とループコイル間の通信を効率的に行うことができる。同時に、磁性回路基板では、磁性層が回路基板部の一方面に直接積層されているので、薄型化が図られている。
【０００９】
また、本発明の磁性回路基板では、前記回路基板部は、樹脂基板と、前記樹脂基板の両面に積層される導体パターンとを備える両面導体パターン基板であって、前記磁性層が、一方の前記導体パターンを直接被覆するように、前記両面導電パターン基板の一方面に直接積層されていることが好適である。
【００１０】
この磁性回路基板では、導体パターンが、樹脂基板の両面に積層されるので、導体パターンの設計の自由度を向上させることができる。
【００１１】
また、本発明の磁性回路基板では、前記導体パターンは、互いに間隔を隔てて複数配置される配線を備え、前記間隔に前記磁性層の一部が埋設されていることが好適である。
【００１２】
この磁性回路基板では、配線間の間隔に磁性層の一部が埋設されているので、磁性層と回路基板部との密着性を向上させることができる。
【００１３】
この磁性回路基板では、前記前記回路基板部は、樹脂基板と、前記樹脂基板の両面に積層される導体パターンとを備える両面導体パターン基板と、前記両面導体パターンに積層される樹脂層とを有し、前記磁性層が、前記樹脂層に直接積層されていることが好適である。
【００１４】
この磁性回路基板では、樹脂層によって両面導体パターン基板を保護しつつ、薄型化を図ることができる。
【００１５】
この磁性回路基板では、前記磁性層は、半硬化状態であることが好適である。
【００１６】
この磁性回路基板では、半硬化状態である磁性層を被着体に貼着し、その後、磁性層を硬化させれば、磁性層の回路基板部に対する接着力を向上させることができる。
【００１７】
この磁性回路基板では、前記磁性層における、前記両面導体パターン基板が積層されている面とは反対側の面に、金属層がさらに積層されていることが好適である。
【００１８】
この磁性回路基板では、金属層によって、磁性層から僅かに漏れてしまった磁束を消失させることができ、位置検出の精度を高めることができる。
【００１９】
本発明の位置検出装置は、上記した磁性回路基板を備えることを特徴としている。
【００２０】
この位置検出装置は、薄型化を図ることができる。
【００２１】
また、本発明の磁性回路基板の製造方法は、磁性体粒子および樹脂を含有する磁性組成物から形成され、半硬化状態である磁性層を、回路基板部の一方面に貼着する工程を備えることを特徴としている。
【００２２】
この磁性回路基板の製造方法は、磁性体粒子および樹脂を含有する磁性組成物から形成され、半硬化状態である磁性層を、回路基板部の一方面に貼着する工程を備えるので、磁性層と回路基板部との密着性を向上させることができる。
【００２３】
また、本発明の磁性回路基板の製造方法では、前記磁性層の１５０℃における貯蔵引張弾性率Ｅ’が、１．０×１０９Ｐａ以下であることが好適である。
【００２４】
また、本発明の磁性回路基板の製造方法は、前記磁性層を前記回路基板部に貼着する工程の後に、半硬化状態である磁性層を完全硬化させる硬化工程をさらに備えることが好適である。
【００２５】
この磁性回路基板の製造方法は、磁性層を回路基板部に貼着する工程の後に、半硬化状態である磁性層を完全硬化させる硬化工程をさらに備えるので、回路基板部との接着、磁気特性の信頼性を高め、耐熱性を付与することができる。
【００２６】
また、本発明の磁性回路基板の製造方法では、前記硬化工程において完全硬化した２３℃における前記磁性層の貯蔵引張弾性率Ｅ’が、１．０×１０９Ｐａを超過することが好適である。
【００２７】
この製造方法により得られた磁性回路基板では、磁性層の信頼性に優れている。
【００２８】
また、本発明の磁性回路基板の製造方法では、前記回路基板部が、樹脂基板と、前記樹脂基板の両面に積層される導体パターンとを備え、前記導体パターンは、互いに間隔を隔てて複数配置される配線を備え、前記磁性層を前記回路基板部に貼着する工程では、前記間隔に前記磁性層の一部を埋設することが好適である。
【００２９】
この磁性回路基板の製造方法において、磁性層を回路基板部に貼着する工程では、間隔に磁性層の一部を埋設するので、磁性層と回路基板部との密着性を向上させることができる。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の磁性回路基板、および、これを備える本発明の位置検出装置は、薄型化が図られている。
【００３１】
また、本発明の磁性回路基板の製造方法によれば、磁性層と回路基板部との密着性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】図１は、本発明の磁性回路基板の一実施形態の断面図を示す。
【図２】図２は、本発明の磁性回路基板の他の実施形態の断面図を示す。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
図１において、この磁性回路基板１は、回路基板部としての両面導体パターン基板２と、磁性回路基板１の下面（一方面）に直接積層される磁性層としての磁性フィルム３とを備えている。
【００３４】
磁性回路基板１は、樹脂基板としてのベース樹脂基板４と、ベース樹脂基板４の上面および下面のそれぞれの面に積層される導体パターン５とを備えている。また、磁性回路基板１は、上側の導体パターン５を被覆する第１カバー樹脂層７を備えている。
【００３５】
ベース樹脂基板４は、磁性回路基板１の外形をなし、例えば、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルムなどの樹脂フィルムから形成されている。ベース樹脂基板４の厚みは、例えば、６μｍ以上、好ましくは、１２μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３５μｍ以下である。
【００３６】
導体パターン５は、互いに間隔Ｌを隔てて複数配置される配線６を備えるパターンに形成されている。導体パターン５としては、例えば、ループコイル状、網目状などが挙げられる。導体パターン５は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだまたはこれらの合金などの導体材料から形成されている。導体パターン５の厚みは、例えば、６μｍ以上、好ましくは、９μｍ以上であり、また、例えば、５０μｍ以下、好ましくは、３５μｍ以下である。また、配線６間の間隔Ｌは、配線６の隙間（ピッチ間）であって、例えば、５０μｍ以上、好ましくは、８０μｍ以上、例えば、３ｍｍ以下、好ましくは、２ｍｍ以下であり、またである。配線６の幅は、例えば、６μｍ以上、好ましくは、９μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、７５μｍ以下である。
【００３７】
第１カバー樹脂層７は、ベース樹脂基板４の上に、上側の配線６を被覆するように形成されている。第１カバー樹脂層７は、ベース樹脂基板４と同様の樹脂フィルムから形成されている。第１カバー樹脂層７の厚みは、例えば、６μｍ以上、好ましくは、９μｍ以上であり、また、例えば、２５μｍ以下、好ましくは、２０μｍ以下である。
【００３８】
また、第１カバー樹脂層７は、公知の接着剤からなる接着剤層９を介して、配線６およびベース樹脂基板４を被覆している。接着剤層９の厚み、具体的には、ベース樹脂基板４の上面から第２カバー樹脂層８の上面までの距離（接着剤層９の最大厚み）は、例えば、２０μｍ以上、好ましくは、３５μｍ以上であり、また、例えば、７０μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【００３９】
磁性フィルム３は、ベース樹脂基板４の下に、下側の導体パターン５を被覆するように形成されている。詳しくは、磁性フィルム３は、下側の配線６から露出するベース樹脂基板４の下面と、配線６の下面および側面とを被覆するように形成されている。また、ベース樹脂基板４の一部は、各配線６間の間隔Ｌに埋設されている。
【００４０】
磁性フィルム３は、磁性体粒子および樹脂を含有する磁性組成物から形成される。
【００４１】
磁性体粒子を形成する磁性体としては、例えば、強磁性体、反磁性体などが挙げられ、好ましくは、強磁性体が挙げられる。
【００４２】
強磁性体は、磁場によりその方向に強く磁化し、磁場を取り除いても残留磁化を残す磁性体であり、そのような強磁性体として、例えば、軟磁性体、硬磁性体が挙げられる。好ましくは、軟磁性体が挙げられる。
【００４３】
軟磁性体としては、例えば、磁性ステンレス（Ｆｅ−Ｃｒ−Ａｌ−Ｓｉ合金）、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）、パーマロイ（Ｆｅ−Ｎｉ合金）、ケイ素銅（Ｆｅ−Ｃｕ−Ｓｉ合金）、Ｆｅ−Ｓｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ―Ｂ（−Ｃｕ−Ｎｂ）合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ｃｒ合金、Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ−Ｎｉ−Ｃｒ合金、フェライトなどが挙げられる。これらの中でも、磁気特性の点から、好ましくは、センダスト（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金）が挙げられる。
【００４４】
具体的には、Ｓｉ含有割合が９〜１５質量％であるＦｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金が挙げられる。これにより、シート透磁率の実部（μ´）を大きくすることができる。
【００４５】
磁性体粒子の形状としては、例えば、扁平状（板状）が挙げられる。扁平率（扁平度）は、例えば、８以上、好ましくは、１５以上であり、また、例えば、８０以下、好ましくは、６５以下である。なお、扁平率は、５０％粒径（Ｄ５０）の粒径を磁性体粒子の厚さで除したアスペクト比で算出される
磁性体粒子の平均粒子径（平均長さ）は、例えば、３．５μｍ以上、好ましくは、１０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下である。平均厚みは、例えば、０．３μｍ以上、好ましくは、０．５μｍ以上であり、また、例えば、３μｍ以下、好ましくは、２．５μｍ以下である。磁性体粒子の扁平率、平均粒子径、平均厚みなどを調整することにより、磁性体粒子による反磁界の影響を小さくでき、その結果、磁性体粒子の透磁率を増加させることができる。なお、磁性体粒子の大きさを均一にするために、必要に応じて、ふるいなどを使用して分級された磁性体粒子を用いてもよい。
【００４６】
磁性体粒子は、その表面に、例えば、カップリング剤でカップリング処理されていてもよい。カップリング処理された磁性体粒子を用いることにより、磁性体粒子と樹脂成分との界面が補強されるため、磁性フィルム３に磁性体粒子を高い割合で充填することができる。
【００４７】
カップリング剤としては、例えば、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、γ−グリシドキシプロピルメチルジエトキシシランなどのシランカップリング剤などが挙げられる。
【００４８】
なお、このカップリング処理された磁性体粒子を磁性フィルム３に含有させる場合は、予めシランカップリング処理されている磁性体粒子を原料として用いてよく、また、磁性フィルム３を製造する際に、磁性組成物とともにカップリング剤を混合することにより、カップリング処理してもよい。
【００４９】
磁性組成物における磁性体粒子の含有割合は、例えば、８０質量％以上、好ましくは、８５質量％以上であり、また、例えば、９５質量％以下、好ましくは、９２質量％以下である。上記上限以下の範囲とすることにより、磁性フィルム３の成形性に優れる（つまり、磁性組成物を磁性フィルム３に成膜することができる）。一方、上記下限以上の範囲とすることにより、磁性フィルム３は、磁気特性に優れる。
【００５０】
樹脂としては、例えば、ポリオレフィン（例えば、ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン−プロピレン共重合体など）、アクリル樹脂、ポリ酢酸ビニル、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニル、ポリスチレン、ポリアクリロニトリル、ポリアミド（ナイロン（登録商標））、ポリカーボネート、ポリアセタール、ポリエチレンテレフタレート、ポリフェニレンオキシド、ポリフェニレンスルフィド、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリルスルホン、熱可塑性ポリイミド、熱可塑性ウレタン樹脂、ポリアミノビスマレイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルイミド、ビスマレイミドトリアジン樹脂、ポリメチルペンテン、フッ化樹脂、液晶ポリマー、オレフィン−ビニルアルコール共重合体、アイオノマー、ポリアリレート、アクリロニトリル−エチレン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体などの熱可塑性樹脂が挙げられる。また、樹脂として、例えば、エポキシ樹脂、熱硬化性ポリイミド、フェノール樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、ジアリルフタレート樹脂、シリコーン樹脂、熱硬化性ウレタン樹脂などが挙げられる。
【００５１】
樹脂として、好ましくは、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂からなる樹脂成分が挙げられる。
【００５２】
アクリル樹脂としては、例えば、直鎖もしくは分岐のアルキル基を有する（メタ）アクリル酸アルキルエステルの１種または２種以上をモノマー成分とし、そのモノマー成分を重合することにより得られるアクリル系重合体などが挙げられる。なお、「（メタ）アクリル」は、「アクリルおよび／またはメタクリル」を表す。
【００５３】
アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｔ−ブチル基、イソブチル基、アミル基、イソアミル基、ヘキシル基、へプチル基、シクロヘキシル基、２−エチルヘキシル基、オクチル基、イソオクチル基、ノニル基、イソノニル基、デシル基、イソデシル基、ウンデシル基、ラウリル基、トリデシル基、テトラデシル基、ステアリル基、オクタデシル基、ドデシル基などの炭素数１〜２０のアルキル基が挙げられる。好ましくは、炭素数１〜６のアルキル基が挙げられる。
【００５４】
アクリル系重合体は、（メタ）アクリル酸アルキルエステルとその他のモノマーとの共重合体であってもよい。
【００５５】
その他のモノマーとしては、例えば、例えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどのグリシジル基含有モノマー、例えば、アクリル酸、メタクリル酸、カルボキシエチルアクリレート、カルボキシペンチルアクリレート、イタコン酸、マレイン酸、フマール酸、クロトン酸などカルボキシル基含有モノマー、例えば、無水マレイン酸、無水イタコン酸などの酸無水物モノマー、例えば、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシエチル、（メタ）アクリル酸２−ヒドロキシプロピル、（メタ）アクリル酸４−ヒドロキシブチル、（メタ）アクリル酸６−ヒドロキシヘキシル、（メタ）アクリル酸８−ヒドロキシオクチル、（メタ）アクリル酸１０−ヒドロキシデシル、（メタ）アクリル酸１２−ヒドロキシラウリルまたは（４−ヒドロキシメチルシクロヘキシル）−メチルアクリレートなどのヒドロキシル基含有モノマー、例えば、スチレンスルホン酸、アリルスルホン酸、２−（メタ）アクリルアミド−２−メチルプロパンスルホン酸、（メタ）アクリルアミドプロパンスルホン酸、スルホプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルオキシナフタレンスルホン酸などのスルホン酸基含有モノマー、２−ヒドロキシエチルアクリロイルホスフェートなど燐酸基含有モノマー、例えば、スチレンモノマー、アクリロニトリルなどが挙げられる。
【００５６】
これらの中でも、好ましくは、グリシジル基含有モノマー、カルボキシル基含有モノマーまたはヒドロキシル基含有モノマーが挙げられる。アクリル樹脂が（メタ）アクリル酸アルキルエステルとこれらのその他のモノマーとの共重合体である場合、すなわち、アクリル樹脂がグリシジル基、カルボキシル基またはヒドロキシル基を有する場合、熱硬化した磁性フィルム３の耐リフロー性がより一層優れる。
【００５７】
（メタ）アクリル酸アルキルエステルとその他のモノマーとの共重合体である場合、その他のモノマーとの配合割合（質量）は、例えば、４０重量％以下が好ましい。
【００５８】
アクリル樹脂の重量平均分子量は、例えば、１×１０５以上、好ましくは、３×１０５以上であり、また、例えば、１×１０６以下である。この範囲とすることにより、磁性フィルム３の接着性および耐リフロー性に優れる。なお、重量平均分子量は、ゲル浸透クロマトフラフィー（ＧＰＣ）により、標準ポリスチレン換算値により測定される。
【００５９】
アクリル樹脂のガラス転移点（Ｔｇ）は、例えば、−３０℃以上、好ましくは、−２０℃以上であり、また、例えば、３０℃以下、好ましくは、１５℃以下である。上記下限以上であると、磁性フィルム３の接着性に優れる。一方、上記上限以下であると、磁性フィルム３の取扱い性に優れる。なお、ガラス転移点は、動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ、周波数１Ｈｚ、昇温速度１０℃／分）を用いて測定される損失正接（ｔａｎδ）の極大値により得られる。
【００６０】
アクリル樹脂の含有割合は、樹脂成分（すなわち、アクリル樹脂、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂、さらには必要に応じて配合されるそのほかの樹脂（後述）からなる成分）１００質量部に対して、例えば、１０質量部以上、好ましくは、２０質量部以上、より好ましくは、４０質量部以上であり、また、例えば、８０質量部以下、好ましくは、７０質量部以下である。この範囲とすることにより、磁性フィルム３における成膜性および接着性に優れる。
【００６１】
エポキシ樹脂は、例えば、ビスフェノール型エポキシ樹脂（特に、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、水素添加ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡＦ型エポキシ樹脂など）、フェノール型エポキシ樹脂（特に、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂など）、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、フルオンレン型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型エポキシ樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂などの二官能エポキシ樹脂や多官能エポキシ樹脂が挙げられる。また、例えば、ヒダントイン型エポキシ樹脂、トリスグリシジルイソシアヌレート型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂なども挙げられる。これらは単独または２種以上を併用して用いることができる。
【００６２】
これらのエポキシ樹脂のうち、好ましくは、ビスフェノール型エポキシ樹脂、ノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、トリスヒドロキシフェニルメタン型樹脂、テトラフェニロールエタン型エポキシ樹脂が挙げられ、より好ましくは、ビスフェノール型エポキシ樹脂が挙げられる。これらのエポキシ樹脂を含有させることより、フェノール樹脂との反応性が優れ、その結果、磁性フィルム３が良好な耐リフロー性が備える。  
【００６３】
フェノール樹脂は、エポキシ樹脂の硬化剤であり、例えば、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ｔｅｒｔ−ブチルフェノールノボラック樹脂、ノニルフェノールノボラック樹脂などのノボラック型フェノール樹脂、例えば、レゾール型フェノール樹脂、例えば、ポリパラオキシスチレンなどのポリオキシスチレンが挙げられる。これらは単独で使用また２種以上を併用することができる。これらのフェノール樹脂のうち、好ましくは、ノボラック型樹脂、より好ましくは、フェノールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、さらに好ましくは、フェノールアラルキル樹脂が挙げられる。これらのフェノール樹脂を含有することにより、磁性回路基板１の接続信頼性を向上させることができる。
【００６４】
エポキシ樹脂のエポキシ当量１００ｇ／ｅｑに対するフェノール樹脂のフェノール当量が１ｇ／ｅｑ以上１００ｇ／ｅｑ未満である場合、樹脂成分１００質量部に対するエポキシ樹脂の含有割合は、例えば、１５質量部以上、好ましくは、３５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下でもあり、樹脂成分１００質量部に対するフェノール樹脂の含有割合は、例えば、５質量部以上、好ましくは、１５質量部以上であり、また、例えば、３０質量部以下でもある。
【００６５】
エポキシ樹脂のエポキシ当量１００ｇ／ｅｑに対するフェノール樹脂の水酸基当量が１００ｇ／ｅｑ以上２００ｇ／ｅｑ未満である場合、樹脂成分１００質量部に対するエポキシ樹脂の含有割合は、例えば、１０質量部以上、好ましくは、２５質量部以上であり、また、例えば、５０質量部以下でもあり、樹脂成分１００質量部に対するフェノール樹脂の含有割合は、例えば、１０質量部以上、好ましくは、２５質量部以上であり、また、例えば、５０質量部以下でもある。
【００６６】
エポキシ樹脂のエポキシ当量１００ｇ／ｅｑに対するフェノール樹脂のフェノール当量が２００ｇ／ｅｑ以上１０００ｇ／ｅｑ以下である場合、樹脂成分１００質量部に対するエポキシ樹脂の含有割合は、例えば、５質量部以上、好ましくは、１５質量部以上であり、また、例えば、３０質量部以下でもあり、樹脂成分１００質量部に対するフェノール樹脂の含有割合は、例えば、１５質量部以上、好ましくは、３５質量部以上であり、また、例えば、７０質量部以下でもある。
【００６７】
なお、エポキシ樹脂が２種併用される場合のエポキシ当量は、各エポキシ樹脂のエポキシ当量に、エポキシ樹脂の総量に対する各エポキシ樹脂の質量割合を乗じて、それらを合算した全エポキシ樹脂のエポキシ当量である。
【００６８】
また、フェノール樹脂中の水酸基当量は、エポキシ樹脂のエポキシ基１当量当たり、例えば、０．２当量以上、好ましくは、０．５当量以上であり、また、例えば、２．０当量以下、好ましくは、１．２当量以下でもある。水酸基の量が上記範囲内であると、磁性フィルム３の硬化反応が良好となり、また、劣化を抑制することができる。
【００６９】
磁性組成物における樹脂成分の含有割合は、例えば、５質量％以上、好ましくは、１０質量％以上であり、また、例えば、２０質量％以下、好ましくは、１５質量％以下である。上記上限以下の範囲とすることにより、磁性フィルム３への成膜性に優れる。一方、上記下限以上の範囲とすることにより、磁性フィルム３の磁気特性に優れる。
【００７０】
特に、エポキシ樹脂とフェノール樹脂との合計含有割合は、磁性組成物から磁性体粒子を除いた磁性体粒子除外成分１００質量部に対して、２０質量部以上、好ましくは、３０質量部以上、より好ましくは、４０質量部以上であり、また、例えば、９９質量部以下、好ましくは、９０質量部以下、より好ましくは、８０質量部以下、さらに好ましくは、６０質量部以下である。
【００７１】
合計含有割合が上記範囲未満であると、アクリル樹脂が多く、貼り合わせ時の弾性率が高くなってしまうため、両面導体パターン基板２の配線６間への磁性フィルム３の埋め込み性が劣る。一方、合計含有割合が上記範囲を超過すると、アクリル樹脂が少なくなり、粘度が低下するため、磁性体粒子の沈降が早く塗工性の点で不利である。
【００７２】
なお、磁性体粒子除外成分は、より具体的には、樹脂成分、熱硬化触媒および必要に応じて添加される添加剤（後述）からなる成分であって、磁性体粒子および溶媒は含まれない。  
【００７３】
また、樹脂に熱硬化触媒を配合することもできる。
【００７４】
熱硬化触媒は、加熱により、エポキシ樹脂およびフェノール樹脂の硬化を促進する触媒であって、例えば、イミダゾール骨格を有する塩、トリフェニルフォスフィン構造を有する塩、トリフェニルボラン構造を有する塩、アミノ基含有化合物などが挙げられる。
【００７５】
イミダゾール骨格を有する塩としては、例えば、２−フェニルイミダゾール（商品名；２ＰＺ）、２−エチル−４−メチルイミダゾール（商品名；２Ｅ４ＭＺ）、２−メチルイミダゾール  （商品名；２ＭＺ）、２−ウンデシルイミダゾール（商品名；Ｃ１１Ｚ）、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシメチルイミダゾール（商品名；２−ＰＨＺ）、２，４−ジアミノ−６−（２’−メチルイミダゾリル（１）’）エチル−ｓ−トリアジン・イソシアヌール酸付加物（商品名；２ＭＡＯＫ−ＰＷ）などが挙げられる（上記商品名は、いずれも四国化成（株）製）。
【００７６】
トリフェニルフォスフィン構造を有する塩としては、例えば、トリフェニルフォスフィン、トリブチルフォスフィン、トリ（ｐ−メチルフェニル）フォスフィン、トリ（ノニルフェニル）フォスフィン、ジフェニルトリルフォスフィンなどのトリオルガノフォスフィン、テトラフェニルホスホニウムブロマイド（商品名；ＴＰＰ−ＰＢ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）、メチルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＭＣ）、メトキシメチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＯＣ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムクロライド（商品名；ＴＰＰ−ＺＣ）、メチルトリフェニルホスホニウム（商品名；ＴＰＰ−ＭＢ）などが挙げられる（上記商品名は、いずれも北興化学社製）。
【００７７】
トリフェニルボラン構造を有する塩としては、例えば、トリ（ｐメチルフェニル）フォスフィンなどが挙げられる。また、トリフェニルボラン構造を有する塩としては、更にトリフェニルフォスフィン構造を有するものも含まれる。トリフェニルフォスフィン構造及びトリフェニルボラン構造を有する塩としては、テトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−Ｋ）、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート（商品名；ＴＰＰ−ＭＫ）、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（商品名；ＴＰＰ−ＺＫ）、トリフェニルホスフィントリフェニルボラン（商品名；ＴＰＰ−Ｓ）などが挙げられる（上記商品名は、いずれも北興化学社製）。
【００７８】
アミノ基含有化合物としては、例えば、モノエタノールアミントリフルオロボレート（ステラケミファ（株）製）、ジシアンジアミド（ナカライテスク（株）製）などが挙げられる。
【００７９】
熱硬化触媒の形状は、例えば、球状、楕円体状などが挙げられる。
【００８０】
熱硬化触媒は、単独で使用または２種類以上併用することができる。
【００８１】
熱硬化触媒の配合割合は、樹脂成分１００質量部に対して、例えば、０．２質量部以上、好ましくは、０．３質量部以上であり、また、例えば、１質量部以下、好ましくは、０．６質量部以下である。熱硬化触媒の配合割合が上記上限以下であると、磁性フィルム３における室温下での長期保存性を良好にすることができる。一方、熱硬化触媒の配合割合が下限以上であると、磁性フィルム３を低温度かつ短時間で加熱硬化させることができ、また、磁性フィルム３の耐リフロー性を良好にすることができる。
【００８２】
磁性組成物は、必要に応じて添加剤を含有することもできる。添加剤としては、例えば、架橋剤、無機充填材などの市販または公知のものが挙げられる。
【００８３】
架橋剤としては、例えば、トリレンジイソシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、１，５−ナフタレンジイソシアネート、多価アルコールとジイソシアネートの付加物などのポリイソシアネート化合物が挙げられる。
【００８４】
架橋剤の含有割合としては、樹脂成分１００質量部に対し、例えば、０．０５質量部以上７質量部以下である。架橋剤の量を上記上限以下にすると、接着力がより良好となる。一方、上記下限以上にすると、磁性フィルム３の耐リフローがより良好となる。
【００８５】
また、磁性組成物は、その用途に応じて無機充填剤を適宜配合することができる。これにより、磁性フィルム３の熱伝導性や弾性率を向上させることができる。
【００８６】
無機充填剤としては、例えば、シリカ、クレー、石膏、炭酸カルシウム、硫酸バリウム、酸化アルミナ、酸化ベリリウム、炭化珪素、窒化珪素などのセラミック類、例えば、アルミニウム、銅、銀、金、ニッケル、クロム、鉛、錫、亜鉛、パラジウム、半田などの金属、または合金類、その他、カーボンなどが挙げられる。なかでも、好ましくは、シリカ、特に好ましくは、溶融シリカが挙げられる。
【００８７】
無機充填剤の平均粒子径は、例えば、０．１μｍ以上８０μｍ以下である。
【００８８】
無機充填剤を配合する場合、配合割合は、樹脂成分１００質量部に対し、例えば、８０質量部以下、好ましくは、７０質量部以下であり、また、０質量部を上回る。
【００８９】
これら無機充填剤は、単独でまたは２種以上を併用して用いることができる。
【００９０】
磁性フィルム３の厚み（ベース樹脂基板４の下面から磁性フィルム３の下面までの距離、磁性フィルム３の最大厚み）は、例えば、５μｍ以上、好ましくは、５０μｍ以上であり、また、例えば、５００μｍ以下、好ましくは、２５０μｍ以下である。
【００９１】
次に、磁性回路基板１の製造方法について説明する。
【００９２】
この方法では、まず、両面導体パターン基板２を用意する。
【００９３】
両面導体パターン基板２を用意するには、ベース樹脂基板４の両面に、導体パターン５を、例えば、セミアディティブ法またはサブトラクティブ法などによってそれぞれ形成する。
【００９４】
次いで、第１カバー樹脂層７を、ベース樹脂基板４の上に、上側の導体パターン５を被覆するように、接着剤層９を介して積層する。
【００９５】
また、磁性フィルム３を両面導体パターン基板２の下面に直接積層する。
【００９６】
磁性フィルム３を両面導体パターン基板２の下面に直接積層するには、まず、磁性フィルム３を作製する。
【００９７】
磁性フィルム３を作製するには、例えば、まず、上述した磁性組成物を溶媒に溶解または分散させた磁性組成物溶液を調製する。
【００９８】
溶媒としては、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）などケトン類、例えば、酢酸エチルなどのエステル類、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどのアミド類などの有機溶媒などが挙げられる。また、溶媒として、例えば、水、例えば、メタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノールなどのアルコールなどの水系溶媒も挙げられる。
【００９９】
磁性組成物溶液における固形分量は、例えば、１０質量％以上、好ましくは、３０質量％以上であり、また、例えば、９０質量％以下、好ましくは、７０質量％以下である。
【０１００】
次いで、磁性組成物溶液を基材（セパレータ、コア材など）の表面に所定厚みとなるように塗布して塗布膜を形成した後、塗布膜を所定条件下で乾燥させる。これにより、磁性フィルム３が得られる。
【０１０１】
塗布方法としては特に限定されず、例えば、ドクターブレード法、ロール塗工、スクリーン塗工、グラビア塗工などが挙げられる。
【０１０２】
乾燥条件としては、乾燥温度は、例えば、７０℃以上１６０℃以下であり、乾燥時間は、例えば、１分以上５分間以下である。
【０１０３】
得られる磁性フィルム３では、磁性体粒子が、磁性フィルム３  １００体積部に対して、例えば、３０体積部以上、好ましくは、４０体積部以上、例えば、７０体積部以下、好ましくは、６５体積部以下含有されている。これにより、磁気特性に優れる。
【０１０４】
磁性フィルム３は、室温（具体的には、２５℃）において、半硬化状態（Ｂステージ状態）である。
【０１０５】
磁性フィルム３の１５０℃における貯蔵引張弾性率Ｅ’は、例えば、１．０×１０９Ｐａ以下、好ましくは、２．０×１０８Ｐａ以下、より好ましくは、１．０×１０７Ｐａ以下であり、また、１．０×１０３Ｐａ以上である。
【０１０６】
貯蔵引張弾性率Ｅ’の測定条件は、後の実施例にて詳述する。
【０１０７】
磁性フィルム３の１５０℃における貯蔵引張弾性率Ｅ’が上記上限以下であれば、磁性フィルム３の配線６間への埋め込み性を向上させることができる。
【０１０８】
また、磁性フィルム３は、好ましくは、扁平状磁性体粒子が含有され、その扁平状磁性体粒子が、磁性フィルム３の２次元の面内方向に配列されている。すなわち、扁平状磁性体粒子の長手方向（厚み方向と直交する方向）が磁性フィルム３の面方向に沿うように配向している。これにより、磁性フィルム３は、磁性体粒子が高割合で充填され、磁気特性に優れる。
【０１０９】
セパレータとしては、例えば、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム、ポリエチレンフィルム、ポリプロピレンフィルム、紙などが挙げられる。これらは、その表面に、例えば、フッ素系剥離剤、長鎖アルキルアクリレート系剥離剤、シリコーン系剥離剤などにより離型処理されている。
【０１１０】
コア材としては、例えば、プラスチックフィルム（例えば、ポリイミドフィルム、ポリエステルフィルム、ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム、ポリカーボネートフィルムなど）、金属フィルム（例えば、アルミウム箔など）、例えば、ガラス繊維やプラスチック製不織繊維などで強化された樹脂基板、シリコン基板、ガラス基板などが挙げられる。
【０１１１】
セパレータまたはコア材の平均厚みは、例えば、１μｍ以上５００μｍ以下である。
【０１１２】
次いで、作製した磁性フィルム３を両面導体パターン基板２の下に貼り付ける（貼着する工程）。
【０１１３】
具体的には、セパレータ（図示せず）が積層された磁性フィルム３と、ベース樹脂基板４とを間隔を隔てて厚み方向に、対向配置する。
【０１１４】
続いて、磁性フィルム３を配線６に押圧する。これにより、磁性フィルム３を形成する磁性組成物が流動し、配線６が磁性組成物に埋没される。つまり、各配線６の下面および側面が磁性組成物に被覆される。これとともに、導体パターン５から露出するベース樹脂基板４の下面が磁性組成物に被覆される。
【０１１５】
圧力は、例えば、１０ＭＰａ以上、好ましくは、２０ＭＰａ以上であり、また、例えば、１００ＭＰａ以下、好ましくは、５０ＭＰａ以下である。
【０１１６】
これにより、Ｂステージの磁性フィルム３を備える磁性回路基板１を得る。
【０１１７】
この磁性回路基板１の厚みは、例えば、１００μｍ以上、好ましくは、１３０μｍ以上であり、また、例えば、２００μｍ以下、好ましくは、１８０μｍ以下、より好ましくは、１５０μｍ以下である。
【０１１８】
その後、必要により、磁性フィルム３を加熱して、磁性フィルム３を完全硬化させること（硬化工程）により、Ｃステージの磁性フィルム３を備える磁性回路基板１を得ることもできる。
【０１１９】
加熱温度は、例えば、８０℃以上、好ましくは、１００℃以上であり、また、例えば、２００℃以下、好ましくは、１７５℃以下、より好ましくは、１４０℃以下である。
【０１２０】
加熱時間は、例えば、０．１時間以上、好ましくは、０．２時間以上であり、また、例えば、２４時間以下、好ましくは、３時間以下、より好ましくは、２時間以下である。
【０１２１】
Ｃステージの磁性フィルム３の２３℃における貯蔵引張弾性率Ｅ’は、例えば、１．０×１０９Ｐａを超過し、好ましくは、２．０×１０９Ｐａを超過し、より好ましくは、３．０×１０９Ｐａ以上であり、また、例えば、１．０×１０１２Ｐａ以下である。
【０１２２】
磁性フィルム３の２３℃の貯蔵引張弾性率Ｅ’の測定条件は、後の実施例にて詳述する。
【０１２３】
Ｃステージの磁性フィルム３の２３℃における貯蔵引張弾性率Ｅ’が上記下限以上であれば、磁性フィルム３の信頼性を向上させることができる。
【０１２４】
このようにして得られる磁性回路基板１は、特に限定されず、例えば、位置検出装置に用いることもできる。
【０１２５】
位置検出装置は、例えば、上記の磁性回路基板１およびその磁性回路基板１に実装されるセンサ部を備えるセンサ基板と、センサ基板の上に対向配置される位置検出平面板と、を備えている。
【０１２６】
磁性回路基板１にセンサ部を実装する際におけるリフロー工程の方法としては、例えば、熱風リフロー、赤外線リフローなどが挙げられる。また、全体加熱または局部加熱のいずれの方式でもよい。
【０１２７】
リフロー工程における加熱温度は、例えば、２００℃以上、好ましくは、２４０℃以上であり、また、例えば、３００℃以下、好ましくは、２６５℃以下である。加熱時間は、例えば、１秒以上、好ましくは、５秒以上、より好ましくは、３０秒以上であり、また、例えば、２分以下、好ましくは、９０秒以下である。
【０１２８】
上記で得られたセンサ基板に、位置検出平面板を、間隔を隔てて対向配置させることにより、位置検出装置が製造される。
【０１２９】
そして、上記した磁性回路基板１では、磁性フィルム３により、両面導体パターン基板２に生じる磁束を磁性フィルム３内に収束し、指示器とループコイル（具体的には、導体パターン５）間の通信を効率的に行うことができる。同時に、磁性回路基板１では、磁性フィルム３が両面導体パターン基板２の下面に直接積層されているので、薄型化が図られている。
【０１３０】
また、この磁性回路基板１では、導体パターン５が、ベース樹脂基板４の両面に積層されるので、導体パターン５の設計の自由度を向上させることができる。
【０１３１】
また、この磁性回路基板１では、配線６間の間隔Ｌに磁性フィルム３の一部が埋設されているので、磁性フィルム３と両面導体パターン基板２との密着性を向上させることができる。
【０１３２】
また、この磁性回路基板１では、半硬化状態である磁性フィルム３を被着体に貼着し、その後、磁性フィルム３を硬化させれば、磁性フィルム３の両面導体パターン基板２に対する接着力を向上させることができる。
【０１３３】
また、磁性回路基板１を備える位置検出装置は、薄型化を図ることができる。
【０１３４】
また、この磁性回路基板１の製造方法は、磁性体粒子および樹脂を含有する磁性組成物から形成され、半硬化状態である磁性フィルム３を、両面導体パターン基板２の下面に貼着する工程を備えるので、磁性フィルム３と両面導体パターン基板２との密着性を向上させることができる。
【０１３５】
さらに、この磁性回路基板１の製造方法は、磁性フィルム３を両面導体パターン基板２に貼着する工程の後に、半硬化状態である磁性層を完全硬化させる硬化工程をさらに備えるので、両面導体パターン基板２との接着、磁気特性の信頼性を高め、耐熱性を付与することができる。
【０１３６】
また、この磁性回路基板１の製造方法において、磁性フィルム３を両面導体パターン基板２に貼着する工程では、間隔Ｌに磁性フィルム３の一部を埋設するので、磁性フィルム３と両面導体パターン基板２との密着性を向上させることができる。
【０１３７】
なお、上記の方法では、磁性フィルム３を配線６に押圧した後、磁性フィルム３を加熱したが、押圧と同時に加熱することもできる。
【０１３８】
図１の実施態様では、ベース樹脂基板４の両面に導体パターン５が形成されている両面導体パターン基板２を用いているが、例えば、図示しないが、一方面にのみ導体パターン５が形成されている回路基板部を用いることもできる。
【０１３９】
また、図１の仮想線で示すように、金属層１０を、磁性フィルム３の下面に積層することもできる。
【０１４０】
金属層１０は、磁性フィルム３における、両面導体パターン基板２が積層されている面（上面）とは反対側の面（下面）に積層されている。
【０１４１】
金属層１０は、例えば、ステンレス、４２アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。金属層１０の厚みは、例えば、１０μｍ以上、好ましくは、３０μｍ以上であり、また、例えば、１００μｍ以下、好ましくは、５０μｍ以下である。
【０１４２】
このような磁性回路基板１では、金属層１０によって、磁性フィルム３から僅かに漏れてしまった磁束を消失させることができ、位置検出の精度を高めることができる。
【０１４３】
また、図２に示すように、両面導体パターン基板２の下面を、樹脂層としての第２カバー樹脂層８から形成することもできる。
【０１４４】
第２カバー樹脂層８は、両面導体パターン基板２と磁性フィルム３との間に設けられており、ベース樹脂基板４の下に、導体パターン５を被覆するように、接着剤層９を介して形成されている。
【０１４５】
第２カバー樹脂層８は、ベース樹脂基板４と同様の樹脂フィルムから形成されている。第２カバー樹脂層８の厚みは、第１カバー樹脂層７の厚みと同様である。
【０１４６】
また、第２カバー樹脂層８の下面には、磁性フィルム３が直接積層されている。
【０１４７】
そして、図２に示す磁性回路基板１によれば、第２カバー樹脂層８によって両面導体パターン基板２を保護しつつ、薄型化を図ることができる。
【実施例】
【０１４８】
以下に示す実施例の数値は、上記の実施形態において記載される数値（すなわち、上限値または下限値）に代替することができる。
【０１４９】
実施例１
ループコイル状の厚み１５μｍの導体パターン５が厚み１８μｍの基板４の両面に形成された、厚み４８μｍの両面導体パターン基板２（配線６の幅１００μｍ、配線間の間隔（ピッチ間）５００μｍ）を用意した。
【０１５０】
次いで、ポリイミドからなる厚み１２μｍの第１カバー樹脂層７を、エポキシ／フェノールからなる接着剤層９を介して、両面導体パターン基板２の上に貼着した。
【０１５１】
次いで、磁性フィルム３を下記の処方によって作製した。
【０１５２】
すなわち、軟磁性粒子が４５体積％となるように、磁性体粒子（Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金、軟磁性体粒子、扁平状、メイト社製）５００質量部、アクリル酸エチル−メタクリル酸メチルを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー（根上工業社製、商品名「パラクロンＷ−１９７ＣＭ」）７２質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＪＥＲ社製、エピコート１００４）９質量部、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＪＥＲ社製、エピコートＹＬ９８０）５質量部、フェノールアラルキル樹脂（三井化学社製、ミレックスＸＬＣ−４Ｌ）７質量部、および、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート（熱硬化触媒、北興化学工業社製、商品名；ＴＰＰ−ＳＣＮ）０．４５質量部を混合することにより、磁性組成物を得た。
【０１５３】
この磁性組成物をメチルエチルケトンに溶解させることにより、固形分濃度５１質量％の磁性組成物溶液を調製した。
【０１５４】
この磁性組成物溶液を、シリコーン離型処理したポリエチレンテレフタレートフィルムからなるセパレータ（平均厚みが５０μｍ）上に塗布し、その後、１３０℃で２分間乾燥させた。
【０１５５】
これにより、厚み２００μｍの磁性フィルム３を製造した。この磁性フィルム３は、半硬化状態（Ｂステージ状態）であった。
【０１５６】
その後、磁性フィルム３を、両面導体パターン基板２の下に貼着した。
【０１５７】
具体的には、磁性フィルム３と両面導体パターン基板２とを重ね合わせ、その後、１７５℃、３０分加熱することにより、磁性フィルム３を熱硬化（Ｃステージ化）させて、厚み１００μｍの磁性回路基板１を得た。
【０１５８】
実施例２〜５
表１に記載の処方に基づいて、実施例１と同様にして、磁性フィルム３を作製し、続いて、磁性回路基板１を作製した。
（評価）
各実施例について下記項目を評価し、それらの結果を表１に示す。
１．  貯蔵引張弾性率Ｅ’（硬化前後）
Ｂステージの磁性フィルム３、および、Ｃステージの磁性フィルム３のそれぞれの貯蔵引張弾性率Ｅ’を、下記条件に基づく動的粘弾性試験により、算出した。
【０１５９】
動的粘弾性測定装置（ＤＭＡ）：ＲＳＡＩＩＩ  レオメトリックサイエンティフィック社製
周波数：１Ｈｚ
昇温速度：１０℃／分
２．  磁気特性
磁性フィルム３の透磁率を、インピーダンスアナライザーを用いて、１ターン法で測定した。
【０１６０】
周波数１ＭＨｚにおける透磁率μ´が１００以上であった場合を○と評価した。
３．  成膜性
磁性組成物溶液をセパレータに塗布したときの塗布安定性、および、製造した磁性フィルム３の表面を観察した。下記基準に従って各実施例を評価した。
【０１６１】
◎：磁性組成物溶液をセパレータに安定して塗布することができ、製造した磁性フィルム３の表面に荒れが発生していなかった。
【０１６２】
○：磁性組成物溶液を安定して塗布することができたが、磁性フィルム３の表面に荒れが確認できた。
４．  耐リフロー性
磁性回路基板１を２６０℃以上の温度を１０秒保持するように温度設定したＩＲリフロー炉に通過させ、リフロー処理した。
【０１６３】
この処理した磁性回路基板１について、磁性フィルム３と両面導体パターン基板２との界面を観察した。下記基準に従って各実施例を評価した。
【０１６４】
○：剥離および凹凸の発生が認められなかった。
５．  埋め込み性
磁性回路基板１を厚み方向に切断し、ＳＥＭにて５００倍の倍率で観察した。下記基準に従って各実施例を評価した。
【０１６５】
◎：配線６の間の間隔Ｌに磁性組成物が埋め込まれている。
【０１６６】
○：配線６間の間隔Ｌに磁性組成物が殆んど埋め込まれている。
【０１６７】
【表１】
2014164562.tif 000003
【０１６８】
表における各成分中の数値は、特段の記載がない場合には、質量部を示す。
【０１６９】
また、表中、各成分の略称について、以下にその詳細を記載する。
・Ｆｅ−Ｓｉ−Ａｌ合金：軟磁性粒子、商品名「ＳＰ−７」、平均粒子径６５μｍ、扁平状、メイト社製
・パラクロンＷ−１９７ＣＭ：商品名、アクリル酸エチル−メタクリル酸メチルを主成分とするアクリル酸エステル系ポリマー、根上工業社製
・エピコート１００４：商品名、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量８７５〜９７５ｇ／ｅｑ、ＪＥＲ社製、
・エピコートＹＬ９８０：商品名、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、エポキシ当量１８０〜１９０ｇ／ｅｑ、ＪＥＲ社製
・ミレックスＸＬＣ−４Ｌ：商品名、フェノールアラルキル樹脂、水酸基当量１７０ｇ／ｅｑ、三井化学社製
・ＴＰＰ−ＳＣＮ：商品名、テトラフェニルホスホニウムチオシアネート、北興化学工業社製
・ＴＰＰ−ＺＫ：商品名、ベンジルトリフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート、北興化学工業社製
・ＴＰＰ−ＭＫ：商品名、テトラフェニルホスホニウムテトラ−ｐ−トリボレート、北興化学工業社製
・２ＭＡＯＫ−ＰＷ：商品名、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル−（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン・イソシアヌル酸付加物、四国化成社製
【符号の説明】
【０１７０】
１  磁性回路基板
２  両面導体パターン基板
３  磁性フィルム
４  ベース樹脂基板
５  導体パターン
６  配線
８  第２カバー樹脂層
１０  金属層
【図１】
2014164562.tif 000004
【図２】
2014164562.tif 000005