(57)【要約】      （修正有）【課題】レーザ溶接された端子、レーザ溶接性に優れた端子材とその製造方法およびそれを用いる端子の製造方法を提供すること。【解決手段】管体の内部空間に挿入される電線導体を圧着接合するための管体かしめ部３０を有する端子１であって、前記管体かしめ部３０がレーザ溶接によって接合された溶接部５０を有してなり、前記溶接部５０の銀濃度が、厚さ方向の全体にわたって端子１の基材３２である銅合金中の銀濃度より高い、端子。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
管体の内部空間に挿入される電線導体を圧着接合するための管体かしめ部を有する端子であって、前記管体かしめ部がレーザ溶接によって接合された溶接部を有してなり、前記溶接部の銀濃度が、厚さ方向の全体にわたって端子の基材である銅合金中の銀濃度より高いことを特徴とする、端子。
【請求項２】
管体の内部空間に挿入される電線導体を圧着接合するための管体かしめ部を有する端子の展開図形状を有する端子材であって、前記端子材が管体かしめ部を形成する管展開部を有してなり、前記管展開部のそれぞれの端部に、硫化処理に付した厚さ１μｍ以下のＡｇ層を有してなる端子材。
【請求項３】
銅又は銅合金板材から、管体の内部空間に挿入される電線導体を圧着接合するための管体かしめ部を有する端子の展開図形状に端子材をプレス打ち抜きすることで、前記端子材に、管体かしめ部を形成する管展開部を設ける工程、
前記管展開部のそれぞれの端部に厚さ１μｍ以下のＡｇ層を設けた後、このＡｇ層に硫化処理を施す工程
をこの順に有してなる、端子材の製造方法。
【請求項４】
請求項２に記載の端子材の前記管展開部をそれぞれ湾曲させ、管展開部の端部同士を突き合わせて管体形状に成形する工程、
この突き合わせた部分をレーザ溶接によって接合し、前記管体かしめ部を形成する工程
をこの順に有してなる、端子の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、レーザ溶接された端子、レーザ溶接性に優れた端子材とその製造方法およびそれを用いる端子の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車の燃費向上のために各構成部品の軽量化が求められている。そのため、自動車内のワイヤーハーネスなどに使用される電線の芯線を、銅もしくは銅合金より軽量の、アルミニウムもしくはアルミニウム合金に置き換えることが進められている。このアルミニウムもしくはアルミニウム合金電線（以下、単に「アルミニウム電線」と言う）の先端に圧着接続される端子は、通常、金属材料が使用されるので、電線の終端接続部ではこれらの接続を適切に行うことが必要となる。
【０００３】
一般に、機械強度やばね性などの観点から、端子は銅または銅合金製である。端子の圧着部では、電線導体のアルミニウムもしくはアルミニウム合金が露出しているため、アルミニウム電線と端子の接続部分に水分等が付着すると、アルミニウム電線のアルミニウムもしくはアルミニウム合金と端子の銅もしくは銅合金とは、異種金属間で電位差が異なるために腐食（電食）し、腐食が進行すると欠損を生じる恐れがあった。また、腐食の進行によって、電線及び端子の接続部に割れや接触不良が生じ、製品寿命が短くなっていた。
これらの問題を防止するためには、アルミニウムもしくはアルミニウム導体（以下、単に「アルミニウム導体」と言う）を外界から遮断することが望ましい。その例として、端子の圧着部全体を樹脂によりモールドする方式（例えば、特許文献１参照。）があり、腐食を確実に防止することができる。また、金属製キャップを電線導体に被せた後に圧着する手法により、アルミニウム導体を外界から遮断する技術（例えば、特許文献２参照）が開示されている。
【０００４】
これに対して本願出願人は、銅合金板材から打ち抜いて成形した端子基材の両端部をレーザ溶接によって突合せ溶接することにより端子の管体かしめ部を形成し、この管体かしめ部内にアルミニウム電線のアルミニウム導体を挿入した上でかしめることによって、前記導体を端子内に収納して電気的導通を取るとともに、異種金属接合である導体と管体かしめ部の接続部分が外部の水分と接触しない構造とすることを提案している。
しかし、銅や銅合金をレーザ溶接しようとする場合、銅や銅合金は、溶接用レーザ光として広く用いられている近赤外レーザ光の反射率が９０％以上と高い（レーザ光の吸収性が低い）ためにレーザ溶接の効率が悪く、溶接速度を上げることができなかった（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２２２２４３号公報
【特許文献２】特開２００４−２０７１７２号公報
【特許文献３】特開２０１１−１１７０４８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１に記載された技術では、モールド部が肥大するため、コネクタハウジングのサイズを大きくする必要が生じ、結果としてコネクタが肥大してしまう。そのため、このコネクタを用いた組み電線（例えば、自動車用ワイヤハーネスなど）全体を高密小型に成形することができなかった。また、モールド成形は圧着後に個々の圧着部に対して処理することが必要であり、組み電線製造の工程数が大きく増してしまい、かつ、個々の作業が煩雑である。
また、特許文献２に記載された技術では、圧着前に個々の導体へキャップを装着する工程が煩雑である上に、また、圧着時にワイヤバレルによりキャップを破壊してしまい浸水経路が生じてしまう恐れがあった。
【０００７】
そこで、端子の形成する銅合金材に対して、特にその管体かしめ部においてレーザ光の反射率を低くする（レーザ光の吸収性を良くする）処理を行うことで、簡便な溶接方法であるレーザ溶接によって端子の管体構造を効率よく形成する方法が求められていた。
【０００８】
本発明は、レーザ溶接された端子、レーザ溶接性に優れた端子材とその製造方法およびそれを用いる端子の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは前記課題に鑑み鋭意検討した結果、プレス加工によって打ち抜かれた端子材（いわゆるスケルトン）のプレス加工後に、少なくともその端面とさらにはその近傍の端部に、レーザ光吸収性が高い硫化処理に付したＡｇ層を設けて、この端面を含むように前記端部をレーザ溶接して管体かしめ部を形成することで、当該端子材の管体かしめ部におけるレーザ溶接性を著しく向上させることができることを見い出した。本発明は、この知見に基づいて完成するに至ったものである。
【００１０】
すなわち、上記課題は以下の手段により解決される。
（１）管体の内部空間に挿入される電線導体を圧着接合するための管体かしめ部を有する端子であって、前記管体かしめ部がレーザ溶接によって接合された溶接部を有してなり、前記溶接部の銀濃度が、厚さ方向の全体にわたって端子の基材である銅合金中の銀濃度より高いことを特徴とする、端子。
（２）管体の内部空間に挿入される電線導体を圧着接合するための管体かしめ部を有する端子の展開図形状を有する端子材であって、前記端子材が管体かしめ部を形成する管展開部を有してなり、前記管展開部のそれぞれの端部に、硫化処理に付した厚さ１μｍ以下のＡｇ層を有してなる端子材。
（３）銅又は銅合金板材から、管体の内部空間に挿入される電線導体を圧着接合するための管体かしめ部を有する端子の展開図形状に端子材をプレス打ち抜きすることで、前記端子材に、管体かしめ部を形成する管展開部を設ける工程、
前記管展開部のそれぞれの端部に厚さ１μｍ以下のＡｇ層を設けた後、このＡｇ層に硫化処理を施す工程
をこの順に有してなる、端子材の製造方法。
（４）前記（２）項に記載の端子材の前記管展開部をそれぞれ湾曲させ、管展開部の端部同士を突き合わせて管体形状に成形する工程、
この突き合わせた部分をレーザ溶接によって接合し、前記管体かしめ部を形成する工程
をこの順に有してなる、端子の製造方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の端子によれば、前記硫化処理に付したＡｇがレーザ光の吸収性が高い（レーザ光の反射率が低い）ために効率よくレーザ溶接された溶接部を有してなり、レーザ溶接性に優れて生産性が高いことに加えて、高い接合強度を有するので、例えば自動車のワイヤハーネス用端子などとして好適である。
本発明の端子材によれば、前記硫化処理に付したＡｇがレーザ光の吸収性が高い（レーザ光の反射率が低い）ために効率よくレーザ溶接を行うことができるので、端子を簡便な方法で効率よく製造するのに好適である。
本発明の端子材の製造方法は、前記端子材を簡便な方法で効率よく製造することができる方法として好適である。
本発明の端子の製造方法は、前記端子を簡便な方法で効率よく製造することができる方法として好適である。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】本発明の端子の管体かしめ部の幅方向断面を示した断面図である。
【図２】本発明の端子の好ましい一実施形態を示した斜視図である。
【図３】本発明の端子の管体かしめ部の長手方向断面を示した断面図である。
【図４】本発明の端子を用いて形成される電線の終端接続構造体の一例を示した斜視図である。
【図５】本発明の端子の製造中の一状態を模式的に示した斜視図である。
【図６】板材を打抜きプレスして作製したメス端子の成形前の端子材（連鎖型）の展開した状態を示した平面図である。
【図７】端子材を加工して管体かしめ部を成形した状態を示した斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
この発明の好ましい一実施形態を図面に基づいて説明する。なお、以下に示す実施形態は一例であり、本発明の範囲において、種々の実施形態をとり得る。
【００１４】
本発明によれば、図１に断面模式図で示すとおり、端子材の管体かしめ部（後述の図２、３０）を形成する管展開部（１０１）の各々の端部（１００）（すなわち、管展開部が端子材の基材から管展開部での幅方向に張り出した端部）上に硫化処理に付したＡｇ層（１０２）を設けることによって、レーザ光の吸収性が向上し（レーザ光の反射率が低下されて）、レーザ溶接を効率的に行うことができる。
【００１５】
本発明者らは、銅又は銅合金板材からプレス加工によって打ち抜いた端子材において、その管展開部（１０１）の端部（１００）の端面の形状を検討した。その結果、前記端面の形状は、プレス切断した切断開始側から順に、だれ面、せん断面、破断面、バリの４つの領域によって構成されていることがわかった。
このように前記端面は複雑な形状を有しているが、その上に硫化処理に付したＡｇ層（１０２）を例えば銀めっき処理を施した後に硫化処理を施すことで設けることによって、図１に模式的に示したように前記端面の全体を平滑であり、かつ、レーザ光吸収性が高い状態にすることができる。そして、このように前記端面を平滑であり、かつ、レーザ光吸収性が高い状態とすることによって、レーザ光照射時にレーザ光の吸収率を高く（レーザ光の反射率を低く）することによって、効率的にレーザ溶接を行うことができる。
そして、このように管展開部端部を平滑な状態にした場合、レーザ光が効率よく当てられるために溶接性が向上することに加えて、溶接後の接合強度も増大することがわかった。
【００１６】
ここで、銅又は銅合金製の端子材に硫化処理に付したＡｇ層を設けると、硫化処理に付された銀は硫化銀となっていてレーザ光の波長領域に対するレーザ光吸収率が高い（レーザ光反射率が低い）ため、レーザ溶接性が大幅に向上する。この理由は、硫化銀は黒色を呈するために、レーザ光の波長域における吸収率が高い為と考えられる。Ａｇ層は、硫化処理によって全体が硫化して硫化銀になっていても良く、内部の一部に硫化せずに残留した金属銀があっても良い。
その作用としては、次のように考えられる。まず硫化処理に付したＡｇ層の硫化銀がレーザ光のエネルギーによって溶融する。ついで、溶融した硫化銀から熱エネルギーが伝播してその直下の基材の銅（Ｃｕ）が溶融する。レーザ光照射後には前記溶融した金属銅が金属銀とともに凝固し、接合が完了する。
この際、硫化処理に付したＡｇ層の硫化銀は、レーザ光の照射によって溶融して、基材の銅又は銅合金の銅（Ｃｕ）成分とＣｕ−Ａｇ合金を形成して、基材の溶接部に取り込まれていると思われる。このようにレーザ溶接された後の溶接部はＣｕ−Ａｇ合金化するので、溶接部の材料強度が高く、その後の加工に強く良好な加工を行うことができる。なお、溶融部の外側まで硫化銀が付着していても良く、この場合は、銀の一部は基材中に取り込まれずに表面に残留する。
【００１７】
本発明においては、このように溶接しようとする部分であるプレス加工端面を含むように、前記管展開部の端部に硫化処理に付したＡｇ層を設ける。
また、めっきは、少なくともプレス打ち抜き加工した端子材の管展開部（１０１）の端面に付着していれば良いが、端子材の全面がめっきされていても良い。この内の、全面にめっきを施す場合は、プレス打ち抜き加工した端子材全体をめっき浴に浸漬してめっきを行う。一方、端面のみにめっきを施す場合は、めっきが不要な部分にマスクをしてからめっき浴に浸漬してめっきを行っても良い。
さらには、かしめ部（３０）を形成する管展開部（１０１）の端部（１００）を一旦馬蹄形状（∩状）に中間成形し、馬蹄形の両足に相当する両端部のみをめっき浴に浸漬することで、管展開部の端面とその周囲のみに部分めっきを行うことも可能である。この場合は、めっき完了後に、管展開部の端部が管状になるように再度プレス成形することになる。
【００１８】
ここで、Ａｇ層の形成法には特に制限はなく、例えば、Ａｇの電気めっき処理の他、無電解めっき法、イオンプレーティング法、スパッタリング法、化学的気相成長法、あるいは銀ペーストの塗布と乾燥、等の任意の種々の皮膜形成技術を用いることができる。この内、操作性やコストなどの観点から、Ａｇめっき処理を施してＡｇ層を設けることが好ましい。
【００１９】
以下、このＡｇ電気めっき処理を代表例として、前記硫化処理に付したＡｇ層の形成について説明する。
Ａｇめっき浴としては、通常のもの、例えば市販のＡｇめっき浴を用いることができる。Ａｇめっき処理時の条件としては、例えば、電流密度を１〜５Ａ／ｄｍ２にすることが好ましい。また、常法に従って、Ａｇめっき処理の前にＡｇストライプめっき処理を行うことが好ましい。
また、銀電気めっき処理以外の前記他の方法は、それぞれ常法の条件に従って行うことができる。
本発明においては、硫化処理に付したＡｇ層の厚さは１μｍ以下であり、０．１μｍ以下であることが好ましい。硫化処理に付したＡｇ層の厚さの下限には、特に制限はないが、通常０．０５μｍ以上とする。銀の硫化は極薄い範囲でしか進行しないので、硫化処理に付したＡｇ層の厚さが厚すぎる場合、硫化されていない金属Ａｇ自体はレーザ光吸収率が低いので溶接性改善の効果を得にくい。一方、硫化処理に付したＡｇ層の厚さが薄すぎるとレーザ光を吸収して熱に変換する量が少なくなり、溶接速度が低下する。また、Ａｇ層の厚さが薄すぎる場合、Ａｇめっき層は単一の層として形成されず、島状に形成されてしまい、基材表面が露出してしまうことがある。
もし、硫化が不十分であるなどの理由によって、未硫化のＡｇ層が表面に露出してしまうと、レーザ光吸収率が低いためレーザ溶接性を低下させてしまう。よって、本発明においては、最初にＡｇ層を薄く設け、その後の硫化処理にてＡｇ層のほとんど全体を硫化銀に変換することが重要である。
次に、Ａｇ層を形成させた後、硫化処理を行う。硫化処理は、通常の硫化試験の条件に従って、例えば、Ｈ２Ｓ  ３ｐｐｍ、４０℃、８０％ＲＨ、２４時間の条件で行うことができる。
【００２０】
本発明では、プレス加工によって銅もしくは銅合金板材もしくは条材から打ち抜かれた端子材であって、まだ、端子形状への成型加工もその後のレーザ溶接処理もされていない展開形状の端子材の所定の位置に硫化処理に付したＡｇ層を設けることに関する。そして、基材である銅もしくは銅合金材の特定の位置に対して吸収率の高い材料として硫化処理に付したＡｇ層を配設することで、銅もしくは銅合金のレーザ溶接性を改善するものである。
ここで、硫化処理に付したＡｇ層は、図１に示したように、対向する管展開部の端面のみではなく、その周辺部にも設けられていてもよい。あるいは、前記対向する管展開部の端面のみに設けられていてもよい。
本発明においては、その後の硫化処理に付されて硫化銀層となるＡｇ層は、端子材の全体に形成させてもよい。用いられるＡｇ量に応じて製造コストが掛かる点や、端子全体の見栄えを考慮すると、レーザ溶接に供する部分であるプレス打ち抜き端面に前記Ａｇ層を形成させることが好ましい。例えば銀電気めっき処理などのＡｇ層形成の作業効率などの観点からは、プレス打ち抜き端面のみに前記Ａｇ層を設けてもよい。さらにはまた、例えば、Ａｇめっき処理の行い易さの観点から、プレス打ち抜き端面とその近傍を含めて具体的には図１に１０２として模式的に示した領域に前記Ａｇ層を設けてもよい。いずれにしても、管体かしめ部（３０）形成部分に形成される端子材の管展開部（１０１）のそれぞれの端部（１００）の端面を含むように前記Ａｇ層を設ける。本発明においては、この端面に前記Ａｇ層が設けられていればよく、その他の領域、例えば、端子材の管展開部（１０１）の全体や、ボックス部（２０）、トランジション部（４０）などを含めて端子材の全体に前記Ａｇ層が形成されていてもよい。
【００２１】
図２は本発明の製造方法で製造される端子の好ましい一実施形態である端子１を示している。この端子１は、雌型端子のボックス部２０と、アルミニウム電線が挿入された後、圧着によって電線と端子の基材とを接続する管体かしめ部３０を有し、これらのボックス部２０と管体かしめ部３０とを連絡するトランジション部４０を有する。さらに、端子１は管体かしめ部３０にレーザ溶接部５０（図中、斜線で示す部分）を有する。端子１は、導電性と強度を確保するために基本的に金属材料（銅合金等）の基材で作製されている。また、レーザ溶接部５０の形状は特に制限はない。レーザ溶接部５０のように管体かしめ部３０の長手方向に帯形状に形成するのが好ましい。
【００２２】
端子１や端子材（図６、３２ａ）を構成する基材３２の材料は、銅（タフピッチ銅や無酸素銅など）または銅合金であり、好ましくは銅合金である。
【００２３】
端子及び端子材に用いられる銅合金の例としては、例えば、黄銅（例えば、ＣＤＡ（Ｃｏｐｐｅｒ  Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ  Ａｓｓｏｃｉａｔｉｏｎ）のＣ２６００、Ｃ２６８０）、りん青銅（例えば、ＣＤＡのＣ５２１０）、コルソン系銅合金（Ｃｕ−Ｎｉ−Ｓｉ−（Ｓｎ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ｃｒ）系銅合金）等が挙げられ、この内、コルソン系銅合金が好ましい。
コルソン系銅合金の例としては、これらに限定されるものではないが、例えば、古河電気工業株式会社製の銅合金ＦＡＳ−６８０、ＦＡＳ−８２０（いずれも商品名）、三菱伸銅製の銅合金ＭＡＸ−３７５、ＭＡＸ２５１（いずれも商品名）などを用いることができる。また、ＣＤＡのＣ７０２５などを用いることもできる。
前記ＦＡＳ−６８０の合金組成の一例は、スズ（Ｓｎ）を０．１５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を０．５質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２．３質量％、シリコン（Ｓｉ）を０．５５質量％、およびマグネシウム（Ｍｇ）を０．１質量％含有し、残部が銅（Ｃｕ）および不可避不純物である。
また、前記ＦＡＳ−８２０の合金組成の一例は、スズ（Ｓｎ）を０．１５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を０．５質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２．３質量％、シリコン（Ｓｉ）を０．６５質量％、マグネシウム（Ｍｇ）を０．１質量％、およびクロム（Ｃｒ）を０．１５質量％含有し、残部が銅（Ｃｕ）および不可避不純物である。
【００２４】
また、他の銅合金組成の例としては、例えば、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｃｒ系銅合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｚｎ−Ｃｒ系銅合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金、Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ−Ｎｉ系銅合金、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｓｎ−Ｐ系銅合金、Ｃｕ−Ｍｇ−Ｐ系銅合金、Ｃｕ−Ｆｅ−Ｚｎ−Ｐ系銅合金などを挙げることができる。
ここで、以上に記載した必須元素以外に不可避不純物を含んでいても良いことは当然である。
【００２５】
端子の基材及び端子材の厚さは、０．０８〜０．６４ｍｍが好ましい。
【００２６】
レーザ溶接前には、端子１の少なくとも管体かしめ部３０の溶接部となる表面には、予め硫化処理に付したＡｇ層が形成されている。レーザ溶接後は、前述のとおり、該硫化処理に付したＡｇ層を構成する金属Ａｇは、レーザ溶接部５０に溶融されてＣｕ−Ａｇ合金として取り込まれて、見かけ上はレーザ溶接部の表面から該Ａｇ層は消失する。
【００２７】
雌型端子のボックス部２０は、例えば雄型端子等の挿入タブの挿入を許容するボックス部である。本発明において、このボックス部の細部の形状は特に限定されない。すなわち、本発明の端子の他の実施形態ではボックス部を有さなくてもよく、例えば、前記ボックス部に替えて雄型端子の挿入タブであっても良い。また他の形態に係る端子の端部であっても良い。本明細書では、本発明の端子を説明するために便宜的に雌型端子の例を示している。どのような接続端部を有する端子であっても、トランジション部４０を介し管体かしめ部３０を有していれば良い。また、その管体かしめ部３０に形成された溶接部５０が、管体かしめ部を構成する基材よりも軟らかいことが好ましい。
【００２８】
管体かしめ部３０は、端子１と電線（図示せず）とを圧着接合する部位である。その一端はアルミニウム電線等の電線あるいはその導体を挿入することができる電線挿入口（導体挿入口）３１を有し、他端はトランジション部４０に接続されている。管体かしめ部３０は、そのトランジション部４０側で、例えばプレス加工等の潰し加工によって管体かしめ部３０の対向する２つの管壁（通常は上下の管壁）を潰した上で、例えばレーザ溶接などの溶接加工によって封じることによって閉口されて、この閉口部を底部とし前記電線もしくは導体の挿入口（３１）で開口する「缶状」の構造を有している。端子１の基材（銅または銅合金など）とアルミニウム電線との接点に水分が付着すると、両金属の起電力の差からいずれかの金属（合金）が腐食してしまうので、管体かしめ部３０は外部より水分等が侵入しないような管体構造となっている。本発明の端子のかしめ部は、管体であれば腐食に対して一定の効果が得られる為、必ずしも長手方向に対して断面が円筒である必要はなく、場合によっては断面が楕円筒や矩形筒の管体であっても良い。また、断面の径が一定である必要はなく、長手方向で断面の径が変化していても良い。
この端子１を用いれば、管体かしめ部３０が管体であることにより、アルミニウム電線と端子１の基材の接点に外部からの水分の付着がなされにくくなっている。
【００２９】
管体かしめ部３０では、管体かしめ部を構成する基材とアルミニウム（アルミニウム合金）電線とが機械的に圧着接合されることにより、同時に電気的な接合を確保する。かしめ接合は、基材や電線（芯線）の塑性変形によって接合が行われる。したがって、管体かしめ部３０は、かしめ接合をすることができるように肉厚を設計される必要があるが、人力加工や機械加工等で接合を自由に行うことができるので、特に限定されるものではない。
【００３０】
本発明の管体かしめ部３０は、板体の基材が突き合わされて構成されており、その突き合わせ部分を接合するレーザ溶接部５０を有する。すなわち、レーザ溶接部５０は、管体かしめ部３０の突き合わせ部分に沿って長手方向に連続的に設けられている。そして、トランジション部４０から電線挿入口３１にかけて直線状領域として設けられている。
またレーザ溶接部５０には、レーザ溶接前には硫化処理に付したＡｇ層が形成されていたものであり、この硫化処理に付したＡｇによってレーザ溶接の際のレーザ光の吸収を高めることができる。レーザ溶接後には、前記硫化処理に付したＡｇ層のＡｇのうち一部または全部が溶融して基材の銅（Ｃｕ）もしくは銅合金中に取り込まれていることは前述の通りである。
【００３１】
管体かしめ部３０の長手方向の断面図の一部を図３に示す。この図ではレーザ溶接部（焼きなまし部）５０の表記を省略した。管体かしめ部３０は、先述したとおり、好ましくは銅合金からなる基材３２により構成されている。また、管体かしめ部の内壁面３３には、電線との接触圧を保つための、電線係止溝３４ａもしくは３４ｂを有していても良い。電線の芯線であるアルミニウム及びアルミニウム合金は、銅合金と比較すると銅の酸化膜より高い絶縁性を持つ酸化膜を表面にもつため、接続に不安がある。そこで、このような溝を設けることで、溝の山によって接圧を大きくすることが行われる。図３において、電線係止溝３４ａは矩形断面の溝であり、電線係止溝３４ｂは半円形断面の溝である。このような電線係止溝は、管体かしめ部３０を形成する前に、基材そのものに加工を施しておくと設けやすい。後述するファイバレーザや機械による切削加工等で設けることができる。なお、管体かしめ部３０を形成する前に予めこのような電線係止溝を設けておくと、効率よく生産することができる。
【００３２】
なお、管体かしめ部には電線挿入口３１からアルミニウム電線あるいはその導体が挿入されるので、電線係止溝３４ａや３４ｂはアルミニウム芯線と接触する位置に設けられることが好ましい。アルミニウム電線は、通常アルミニウム芯線（導体）とこれを覆う絶縁被覆とからなっている。そして、電線と端子の電気的接合は、先端の絶縁被覆部を除去（皮むき）したアルミニウム芯線が端子の管体かしめ部と圧着接合されることで行われる。したがって接圧を十分に確保することが、電気的性能の維持につながるので、電線係止溝のような溝が必要となる。このような溝はセレーションとも呼ばれる。
そして、少なくとも一本以上の電線係止溝を管体かしめ部３０の内面に設けることによって、端子と電線とが確実に圧着されるので、長期信頼性により優れるものとすることができる。
【００３３】
図４に本発明の端子を用いた電線の終端接続構造体１０を示す。終端接続構造体１０は、本発明に従って製造する端子１と、アルミニウム電線（６０）とが接続された構造を有している。終端接続構造体１０は、端子１の管体かしめ部３０内にアルミニウム電線６０あるいはその導体を挿入し、管体かしめ部３０をかしめることで、アルミニウム電線６０が管体かしめ部３０内に圧着接合されている。圧着の様態は特に限定されないが、図４では、第一の圧着縮径部３５および第二の圧着縮径部３６からなっている。通常、圧着接合すると、管体かしめ部３０は塑性変形を起こして、元の径よりも縮径されることで、電線６０との圧着接合をなす。図４に示した例では、第一の圧着縮径部３５が、縮径率が一番高くなっている部分である。このように圧着接合を２段階の縮径で行ってもよく、３段階以上の縮径で行ってもよい。
【００３４】
なお、電線６０は、絶縁被覆６１と図示しないアルミニウムまたはアルミニウム合金電線の芯線とからなっている。電線６０は裸線であっても良いが、防食の観点から通常は絶縁被覆された電線を用いる。
【００３５】
本発明の電線の終端接続構造体は、アルミニウム系材料からなる電線と銅系材料からなる端子の基材との異種金属間腐食の防止に寄与する。また、レーザ溶接部５０及び熱溶融部は、基材よりも柔らかい焼きなまし部ともすることができるため、電線と端子の圧着箇所のスプリングバックを防ぐことができ、この点からも長期信頼性に優れる。
上記スプリングバックとは、加工部分が元の形状に戻ろうとする現象である。すなわち、電線（図示せず）と圧着接合させた管体かしめ部の変形部分が弾性力等でもとの形状に戻ろうとするため、管体かしめ部３０の内面と電線との間に隙間ができてしまう。このようなスプリングバックが端子の圧着部で起こると、電線６０と端子１との接点不良を招くことは勿論、間隙に水分の侵入を許しやすくなり腐食の原因となる恐れがある。
【００３６】
本発明に従って製造する端子を用いて電線の終端接続構造体１０を製造する場合、管体かしめ部３０のレーザ溶接部５０を積極的に塑性変形させる圧着接合が好ましい。端子１の管体かしめ部３０と電線６０とを圧着する場合は、専用の治具やプレス加工機等で行う。このとき、管体かしめ部３０の全体を縮径させても良いが、管体かしめ部を凹型のように部分的に強加工して圧着する場合もある。このときは、レーザ溶接部５０の塑性変形量が大きくなるように位置を調整すると良い。すなわち、レーザ溶接部５０の直上（外側）にプレス加工時の凸部先端があたるように調整すると、レーザ溶接部５０の変形量が大きくなる。このようにすると、比較的軟らかいレーザ溶接部５０が塑性変形の多くを担うことができるために、スプリングバックの低減に寄与することができる。
【００３７】
次に、端子１の製造方法について説明する。本発明に従って製造する端子１は管体かしめ部３０を有し、この管体かしめ部３０にレーザ溶接部（前記図２など参照。）を有する端子であるので、この構成を達成し得るならば製造方法は限定されるものではない。
【００３８】
端子１は基材（銅合金など）からなる板材を平面展開した端子形状に打ち抜いて本発明の端子材の形状を得て、この管体かしめ部端面に前記硫化処理に付したＡｇ層を設け、その後に、曲げ加工によってボックス部２０およびトランジション部４０を形成し、曲げ加工等によって湾曲させて突き合わせた管体かしめ部を形成する管展開部をレーザ溶接して管体かしめ部３０を形成する。したがって、端子形状に打ち抜かれた端子材は、ボックス部２０、トランジション部４０および管体かしめ部３０を曲げ加工等によって形成できる形状を一体に有している。管体かしめ部３０を曲げ加工等によって形成できる端子材の管展開部の形状としては、代表的には矩形であるが、一端が閉塞した管体を形成できる形状であれば特に限定されず、例えば、略扇形状、矩形またはこれらの組み合わせ形状を有していてもよい。ボックス部２０およびトランジション部４０を形成可能な形状はボックス部２０およびトランジション部４０の形状に応じて適宜に選択される。加えて、端子材は、少なくとも管体かしめ部を形成する管展開部の表面に前記特定の硫化処理に付したＡｇ層が形成されている。このような形状および特定の硫化処理に付したＡｇ層を有する本発明の端子材は、電線と圧着接合する管体かしめ部となる管展開部を湾曲させてその端部同士を互いに突き合わせて管体に成形し、この突き合わせた部分をレーザ溶接によって接合して管体かしめ部を形成する端子の製造方法に好適に供される。
管体かしめ部３０を形成するとき、平面状の管展開部は曲げ加工によって図１にその断面模式図で示すとおりＣ字型断面となっているので、この開放部分の端面を突き合わせて溶接することによって接合し、管体かしめ部３０とする。管体かしめ部３０の好ましい製造方法としては、近赤外線レーザ光を発振するファイバレーザ加工機を用いたレーザ溶接にて行う。
【００３９】
通常、銅合金は発振波長が近赤外線領域のレーザ光の吸収効率が悪いため、溶接幅を細くできなかったり、熱影響部（ＨＡＺ）の幅を狭くできなかったりする場合がある。そこで、レーザ溶接部５０となる基材３２の突合せ部の端面に近赤外レーザ光の吸収が銅合金よりもよい硫化処理に付したＡｇ層を前記端面が平滑になるように形成すること、およびファイバレーザ光のようなエネルギー密度が高いレーザ光を用いることで、上記課題は克服される。また、ファイバレーザ光による溶接によって、管体かしめ部３０の突き合わせ部を溶接しながら、レーザ溶接部５０を焼きなまし部とすることもできる。このように、一工程で管体かしめ部３０の溶接加工と焼きなまし加工を行うことができるので、効率よく端子１を製造することができる。
【００４０】
上記硫化処理に付したＡｇ層は、近赤外線レーザ光の反射が銅合金表面よりも少ないため、近赤外線レーザ光の吸収性が良い。分光光度測定法による近赤外光の反射率測定では、本発明に用いる硫化処理に付したＡｇ（つまり硫化銀）は、１０〜３０％程度の反射率であり、９０％以上の反射率がある純銅または銅合金よりも低くなっている。このように近赤外レーザ光の吸収性が高い硫化処理に付したＡｇ層を形成した領域に近赤外レーザ光が照射されると、硫化処理に付したＡｇが溶融して溶融池を形成し、これによりレーザ光の吸収が高まり、その下地の基材表面が溶融し、さらにその溶融領域がレーザ光を吸収して基材の突き合わせ部分を溶融していくことで当該突合せ部の貫通溶接が進行している。
【００４１】
端子１を構成する基材の材料によって変化するため一概に言うことはできないが、前記突合せ部上に硫化処理に付したＡｇ層が形成された銅合金の基材ならば、近赤外線レーザ光照射によって、表面の硫化処理に付したＡｇ層がレーザ光を吸収し溶融して溶融池を形成する。さらに、その熱およびレーザ光照射によって光エネルギーが変換された熱エネルギーによって、基材の銅合金が溶融し、突き合わされた部分が接合されて、レーザ溶接部５０が形成される。したがって、基材が融点以上に昇温されることでレーザ溶接部５０が設けられる。具体的には管体かしめ部３０の突き合わせ部を硫化処理に付したＡｇ層を含めて基材を融点以上沸点以下の温度に上昇させ、必要により所定時間保持してレーザ溶接を施すことで、レーザ溶接部５０が形成される。通常、レーザ光は掃引されているので、掃引速度を適宜決定することで、レーザ光照射領域の温度が基材の融点以上になるようにすればよい。基材が銅合金の場合、好ましくは、レーザ光照射によって基材の銅合金が溶融貫通するように、レーザ光照射条件を調整する。
【００４２】
上記レーザ溶接では近赤外線レーザ光を用いている。近赤外線レーザ光は、発振波長が７００ｎｍ〜２．５μｍであり、好ましくは１０００ｎｍ〜２０００ｎｍの発振波長のレーザ光を用いる。このようなレーザ光としては、イットリビウム（Ｙｔ）ドープガラスファイバレーザ光（発振波長１０８４ｎｍ）、エルビウム（Ｅｒ）ドープガラスファイバレーザ光（発振波長１５５０ｎｍ）等がある。
【００４３】
上記溶接には、近赤外レーザ光を連続発振するファイバレーザ装置を用いるが、これとは異なるレーザ装置を用いた溶接により管体かしめ部３０を形成しても良い。例えば、連続発振するＹＡＧレーザ光発振装置、ガラスレーザ光発振装置等やパルス発振するレーザ光発振装置等が挙げられるが、拡がり角の狭さ、レーザ光のビーム径の細さ、レーザ連続発振の安定性等からファイバレーザ発振器を用いることが好ましい。
【００４４】
図５は、本発明の端子１の製造中の一状態を模式的に表した図である。
図５に示すように、近赤外線の波長１０８４ｎｍ±５ｎｍのレーザ光を発振するファイバレーザ溶接装置ＦＬから発せられたレーザ光Ｌが突き合わせ部３７を溶接するように照射され、この突合せ部を貫通溶接することによって、管体かしめ部３０が形成される。この溶接時には、レーザ光のエネルギーが熱に変換されることによって、まず突き合わせ部３７の硫化処理に付したＡｇ層が、次いで突合せ部３７の基材自体が溶融し、その後、冷却してレーザ溶接部５０が設けられる。レーザ溶接部５０は被溶接材料の融点以上の加熱処理によって設けることができる。ただし、ファイバレーザ光Ｌのエネルギーがあまりに高いと、またはエネルギー密度が低いと、熱影響部が必要以上に広範囲で形成されてしまい、極端な場合には管体かしめ部３０全体が軟化してしまう。したがって、ファイバレーザ光Ｌは１００〜４００Ｗの出力で溶接するのが好ましい。また、掃引速度を調整することによって、レーザ溶接部５０を適切な範囲に設ける。
【実施例】
【００４５】
以下に、本発明を実施例に基づきさらに詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４６】
以下の銅合金からなる板材（５）を、図６に示すように、その長手方向に連なるよう（連鎖型）に端子を展開した形状にプレス加工によって打ち抜いて、連鎖型の端子材（３２ａ）を形成した。その後、後述のとおり所定の低電流密度でＡｇめっき処理を施した後に硫化処理に付して、前記管展開部（３０ａ）の端面を含む端部に硫化処理に付したＡｇ層を設けた。ここで、Ａｇめっき処理は、Ａｇめっき（市販浴）を用いて行った。その後、形成したＡｇ層に、硫化処理を行った。
その後、図７のように、管体のかしめ部の端面（３０Ｓ）同士を突き合わせて、レーザ溶接によって突き合わせた部分を全長１ｃｍに渡り貫通溶接することで接合し、管体かしめ部（３０）を形成した（図８参照）。また、この溶接により、管体かしめ部中に焼きなまし部も得た。また、各種条件を変化させることで、溶接性と接合強度を評価した。
【００４７】
（実施例１〜４）
端子の基材として、古河電気工業株式会社製の銅合金ＦＡＳ−６８０（商品名、厚さ０．２５ｍｍ、Ｈ材）を用いた。
ＦＡＳ−６８０の合金組成は、スズ（Ｓｎ）を０．１５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を０．５質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２．３質量％、シリコン（Ｓｉ）を０．５５質量％、およびマグネシウム（Ｍｇ）を０．１質量％含有し、残部が銅（Ｃｕ）および不可避不純物である。ＦＡＳ−６８０の融点は１０７８℃（液相）、比熱は３７７Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）、熱伝導率は１７０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、線膨張係数が１７．７×１０−６／Ｋ（２０〜３００℃）、および導電率４０％ＩＡＣＳである。また、引張強さは６００〜７００Ｎ／ｍｍ２、伸び（引張破断伸び、以下同様。）は１５％以上、０．２％耐力は５００〜６００Ｎ／ｍｍ２、およびビッカース硬さは１６０〜２２０Ｈｖである。
【００４８】
前記基材に電解脱脂処理とその後で酸浸漬処理を行った後、Ａｇめっき処理とその後の硫化処理に付すことによって、基材の管展開部の端部上に硫化処理に付したＡｇ層を厚さを変えて形成した。
【００４９】
実験条件は下記の通りである。
＜電解脱脂、酸浸漬＞
（電解脱脂）
処理液：１０％水酸化ナトリウム水溶液
処理温度：６０℃
陰極電流密度：３．５Ａ／ｄｍ２
処理時間：３０秒
（酸浸漬）
処理液：１０％硫酸
処理温度：３０℃
浸漬処理時間：３０秒
【００５０】
＜Ａｇめっき＞
（Ａｇストライクめっき）
処理液
ＫＡｇ（ＣＮ）２：４．４５ｇ／Ｌ
ＫＣＮ：６０ｇ／Ｌ
電流密度：５Ａ／ｄｍ２
処理温度：３０℃
（Ａｇめっき）
処理液
ＡｇＣＮ：５０ｇ／Ｌ
ＫＣＮ：１００ｇ／Ｌ
Ｋ２ＣＯ３：３０ｇ／Ｌ
電流密度：１Ａ／ｄｍ２
処理温度：３０℃
処理時間：３〜１００秒
以上の条件の範囲内で、Ａｇめっきの処理工程においてめっき時間を変化させて、めっき厚は狙いの厚さの±０．０２μｍとなっているサンプルを各厚さ水準で１０個ずつ作成した。
なお、Ａｇ層の厚さは、蛍光X線膜厚計によって、端部上のＡｇ層の平均の厚さを測定した。
【００５１】
＜硫化処理＞
通常の硫化試験の条件に従って、つまりＨ２Ｓ  ３ｐｐｍ、４０℃、８０％ＲＨ、２４時間行った。
【００５２】
（実施例５）
端子の基材として、実施例３において、ＦＡＳ−６８０の代わりに古河電気工業株式会社製の銅合金ＦＡＳ−８２０（商品名）を用いた以外は実施例１と同様に作製した。
ＦＡＳ−８２０の合金組成は、スズ（Ｓｎ）を０．１５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を０．５質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２．３質量％、シリコン（Ｓｉ）を０．６５質量％、マグネシウム（Ｍｇ）を０．１質量％、およびクロム（Ｃｒ）を０．１５質量％含有し、残部が銅（Ｃｕ）および不可避不純物である。ＦＡＳ−８２０の融点は１０７８℃（液相）、比熱は３７７Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）、熱伝導率は１５７Ｗ／（ｍ・Ｋ）、線膨張係数が１７．５×１０−６／Ｋ（２０〜３００℃）、および導電率３８％ＩＡＣＳである。また、引張強さは７３０〜８３０Ｎ／ｍｍ２、伸びは７％以上、０．２％耐力は６７５〜７７５Ｎ／ｍｍ２、およびビッカース硬さは２２０〜２６０Ｈｖである。
【００５３】
（実施例６）
端子の基材として、実施例３において、ＦＡＳ−６８０の代わりに三菱伸銅製の銅合金ＭＡＸ−３７５（商品名）を用いた以外は実施例１と同様に作製した。
ＭＡＸ−３７５の合金組成は、スズ（Ｓｎ）を０．５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を０．５質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２．８５質量％、およびシリコン（Ｓｉ）を０．７質量％含有し、残部が銅（Ｃｕ）および不可避不純物である。ＦＡＳ−８２０の融点は１０８５℃（液相）、比熱は３８２Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）、熱伝導率は１８０Ｗ／（ｍ・Ｋ）、線膨張係数が１７．１×１０−６／Ｋ（２０〜３００℃）、および導電率４０％ＩＡＣＳである。また、引張強さは７５０〜８５０Ｎ／ｍｍ２、伸びは６％以上、０．２％耐力は７１０〜８３０Ｎ／ｍｍ２、およびビッカース硬さは２１０〜２７０Ｈｖである。
【００５４】
（実施例７）
端子の基材として、実施例３において、ＦＡＳ−６８０の代わりに三菱伸銅製の銅合金ＭＡＸ２５１（商品名）を用いた以外は実施例１と同様に作製した。
ＭＡＸ２５１の合金組成は、スズ（Ｓｎ）を０．５質量％、亜鉛（Ｚｎ）を１質量％、ニッケル（Ｎｉ）を２質量％、およびシリコン（Ｓｉ）を０．５質量％含有し、かつ銅（Ｃｕ）を９５質量％以上含有し、および残部が不可避不純物である。ＦＡＳ−８２０の融点は１０８５℃（液相）、比熱は３８２Ｊ／（ｋｇ・Ｋ）、熱伝導率は１９４Ｗ／（ｍ・Ｋ）、線膨張係数が１７．１×１０−６／Ｋ（２０〜３００℃）、および導電率４８％ＩＡＣＳである。また、引張強さは５００〜６００Ｎ／ｍｍ２、伸びは６％以上、０．２％耐力は４４０〜５８０Ｎ／ｍｍ２、およびビッカース硬さは１４０〜２００Ｈｖである。
【００５５】
（比較例１）
端子の基材として、Ａｇ層を設けたのみで硫化処理に付さなかった以外は実施例４と同様に作製した。
（比較例２）
端子の基材として、硫化処理に付したＡｇ層を設けなかった以外は実施例１と同様に作製した。
（比較例３）
端子の基材として、実施例１において、硫化処理に付したＡｇ層の厚さを１．５μｍとした以外は実施例１と同様に作製した。
【００５６】
レーザ溶接条件は下記の通りである。
（１）レーザ溶接装置：古河電気工業株式会社製  シングルモードファイバレーザ  ＡＳＦ１Ｊ２２１（商品名）
レーザ光の光源：Ｙｂドープガラスファイバレーザ発振器
レーザ光発振波長：１０８４±５ｎｍ
レーザ光最大出力：５００Ｗ（連続発振）
【００５７】
（２）レーザ光照射条件
レーザ光出力：４００Ｗ（連続発振）
レーザ光掃引速度：９０〜３００ｍｍ／ｓｅｃで調整
レーザ光掃引距離：１０ｍｍ
全条件ジャストフォーカスでレーザ光照射（スポット径サイズ：２０μｍ）
【００５８】
レーザ溶接後の溶接部の状態を、「溶接性」と「接合強度」を以下の通り測定、評価した。
【００５９】
「溶接性」は、レーザ光による貫通溶接が可能な速度がどの程度の速度であったかをもって評価した。
レーザ光掃引速度とレーザ光掃引時間の関係から、レーザ光掃引速度が速い場合をレーザ光掃引時間が短い、つまりレーザ溶接にかかるエネルギーが少なくて工業的観点から望ましい、と判断できる。具体的には、レーザ光掃引速度が、５００ｍｍ／ｓｅｃ以上で貫通溶接できる場合を「Ａ（良）」と、５００ｍｍ／ｓｅｃ未満３００ｍｍ／ｓｅｃ以上で貫通溶接できる場合を「Ｂ（可）」と、３００ｍｍ／ｓｅｃより遅い速度で貫通溶接できる、あるいは、貫通溶接できない場合を「Ｃ（劣）」と、それぞれ判断した。
【００６０】
また、「接合強度」は、前記溶接後の端子の管体かしめ部（つまり、溶接部。但し、電線導体とのかしめは行っていない状態。）に対して、引張試験を行って評価を行った。前記溶接部で破断した引張破断強度を測定して評価した。具体的には、引張破断強度が、２００ＭＰａ以上の場合を「Ａ（良）」と、２００ＭＰａ未満１００ＭＰａ以上の場合を「Ｂ（可）」と、１００ＭＰａより低い場合を「Ｃ（劣）」と、それぞれ判断した。破断強度が１００ＭＰａより低いと端子形状にする成形加工に耐えられない。
【００６１】
上記各種試験条件とその評価結果を表１に示す。
【００６２】
【表１】
2014164970.tif 000003
【００６３】
表１から明らかなように、各実施例では、いずれも速いレーザ光掃引速度でレーザ溶接が可能であり、溶接性が良好であった。さらに、接合強度が高く、良好な接合状態が得られた。
一方、各比較例では、遅いレーザ光掃引速度でしかレーザ溶接が行うことができず、溶接性に劣った。さらに、比較例１と比較例２では、接合強度が低く、端子形状にする成形加工では割れが生じてしまう。
【符号の説明】
【００６４】
１  端子
１０  終端接続構造体
２０  ボックス部
３０  管体かしめ部
３１  電線挿入口
３２  基材
３３  管体かしめ部の内壁面
３４ａ，３４ｂ  電線係止溝
３５  第一の圧着縮径部
３６  第二の圧着縮径部
３７  突き合わせ部
４０  トランジション部
５０  溶接部
６０  電線
６１  絶縁被覆
ＦＬ  ファイバレーザ溶接装置
Ｌ  ファイバレーザ光
１００  端子材の管展開部の端部
１０１  端子材の管展開部
１０２  硫化処理に付したＡｇ層
【図１】
2014164970.tif 000004
【図２】
2014164970.tif 000005
【図３】
2014164970.tif 000006
【図４】
2014164970.tif 000007
【図５】
2014164970.tif 000008
【図６】
2014164970.tif 000009
【図７】
2014164970.tif 000010