(57)【要約】【課題】  より効率良く製造可能であり、かつ低コストで小型化を図ることが可能な光通信モジュールおよびその製造方法を提供すること。【解決手段】  受光機能または発光機能を果たす光機能領域、上記光機能領域から発光される光または上記光機能領域によって受光される光に対し透過性を有する材質からなる第１絶縁透光層４３１、第１絶縁透光層４３１上に積層され上記光機能領域への導通経路を構成する配線層、を有する光半導体素子４００と、上記光に対し透過性を有する材質からなり、光半導体素子を覆う第２絶縁透光層４４０と、第２絶縁透光層４４０上に積層された第１樹脂体５００と、を備えており、第２絶縁透光層４４０によって構成された底面７３０および第１樹脂体５００の外表面に開口する開口７１０を有した、光ファイバを固定するための固定孔７００が形成されている。【選択図】  図１５
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
受光機能または発光機能を果たす光機能領域、上記光機能領域から発光される光または上記光機能領域によって受光される光に対し透過性を有する材質からなる第１透光層、上記第１透光層上に積層され上記光機能領域への導通経路を構成する配線層、を有する光半導体素子と、
上記光に対し透過性を有する材質からなり、上記光半導体素子を覆う第２透光層と、
上記第２透光層上に積層された第１樹脂体と、を備えており、
上記第２透光層によって構成された底面および上記第１樹脂体の外表面に開口する開口を有した、光ファイバを固定するための固定孔が形成されていることを特徴とする、光通信モジュール。
【請求項２】
上記固定孔の深さ方向視において、上記底面と上記光機能領域とが重なっている、請求項２に記載の光通信モジュール。
【請求項３】
開口に繋がる内側面、この内側面と上記底面との間に介在し上記内側面に不連続に繋がる不連続部を有する、請求項１または２に記載の光通信モジュール。
【請求項４】
上記不連続部は、上記内側面よりも断面寸法が大である、請求項３に記載の光通信モジュール。
【請求項５】
上記不連続部の深さ方向寸法は、上記内側面の深さ方向寸法よりも小である、請求項３または４に記載の光通信モジュール。
【請求項６】
上記内側面は、断面円形である、請求項３ないし５のいずれかに記載の光通信モジュール。
【請求項７】
上記内側面の直径が一定である、請求項６に記載の光通信モジュール。
【請求項８】
上記第１樹脂体は、上記光に対して不透明である、請求項１ないし７のいずれかに記載の光通信モジュール。
【請求項９】
上記配線層は、上記光を通過させるための開口を有する、請求項１ないし８のいずれかに記載の光通信モジュール。
【請求項１０】
上記第２透光層と上記第１樹脂体との間に介在し、上記配線層と導通する再配線層を備える、請求項１ないし９のいずれかに記載の光通信モジュール。
【請求項１１】
上記再配線層は、内部電極を有する、請求項１０に記載の光通信モジュール。
【請求項１２】
上記内部電極上に積層され、上記固定孔の深さ方向に延びる導電体からなる電極用ピラーを有する、請求項１１に記載の光通信モジュール。
【請求項１３】
上記電極用ピラーの断面寸法は、上記内部電極よりも小である、請求項１２に記載の光通信モジュール。
【請求項１４】
上記光半導体素子を支持する副基板を備える、請求項１ないし１３のいずれかに記載の光通信モジュール。
【請求項１５】
上記副基板は、半導体からなる、請求項１４に記載の光通信モジュール。
【請求項１６】
上記第１樹脂体の少なくとも一部を覆うとともに、上記固定孔の開口を露出させる第２樹脂体を有する、請求項１ないし１５のいずれかに記載の光通信モジュール。
【請求項１７】
上記第２樹脂体は、上記光に対して不透明である、請求項１６に記載の光通信モジュール。
【請求項１８】
上記第２樹脂体は、上記第１樹脂体のうち上記固定孔の上記開口が開口する面と面一である面を有する、請求項１６または１７に記載の光通信モジュール。
【請求項１９】
上記第２樹脂体に覆われるとともに、上記光半導体素子に導通する制御ＩＣを備える、請求項１６ないし１８のいずれかに記載の光通信モジュール。
【請求項２０】
上記光半導体素子と上記制御ＩＣとは、上記固定孔の深さ方向を含む平面に沿って配置されている、請求項１９に記載の光通信モジュール。
【請求項２１】
上記光半導体素子と上記制御ＩＣとは、上記固定孔の深さ方向に対して直角である平面に沿って配置されている、請求項１９に記載の光通信モジュール。
【請求項２２】
上記光半導体素子、上記制御ＩＣ、上記第１樹脂体および上記第２樹脂体を支持する主基板を有する、請求項１９ないし２１のいずれかに記載の光通信モジュール。
【請求項２３】
上記光半導体素子と上記制御ＩＣとは、ワイヤを介して導通している、請求項２２に記載の光通信モジュール。
【請求項２４】
上記光半導体素子と上記制御ＩＣとを導通させる追加の再配線層を備える、請求項１９ないし２１のいずれかに記載の光通信モジュール。
【請求項２５】
受光機能または発光機能を果たす光機能領域、上記光機能領域から発光される光または上記光機能領域によって受光される光に対し透過性を有する材質からなる第１透光層、上記第１透光層上に積層され上記光機能領域への導通経路を構成する配線層、を有する光半導体素子を用意する工程と、
上記光を透過させる材質からなるとともに上記半導体素子の上記第１透光層および上記配線層を覆う第２透光層と、この第２透光層上に積層された部分を有し上記配線層と導通するとともに上記光を遮蔽しうるカバー部を有する再配線層と、を形成する工程と、
上記カバー部から起立するカバー用ピラーを形成する工程と、
上記カバー用ピラーを覆う第１樹脂中間体を形成する工程と、
上記第１樹脂中間体および上記カバー用ピラーの一部ずつを一括して除去することにより、上記カバー用ピラーの一部を露出させる第１樹脂体を形成する工程と、
上記カバー用ピラーおよび上記カバー部を除去する工程と、
を備えることを特徴とする、光通信モジュールの製造方法。
【請求項２６】
上記カバー用ピラーを形成する工程においては、めっきによって上記カバー用ピラーを形成する、請求項２５に記載の光通信モジュールの製造方法。
【請求項２７】
上記カバー用ピラーおよび上記カバー部を除去する工程においては、エッチングによって上記カバー用ピラーおよび上記カバー部を除去する、請求項２５または２６に記載の光通信モジュールの製造方法。
【請求項２８】
上記再配線層を形成する工程においては、上記光半導体素子に導通する内部電極を形成し、
上記カバー用ピラーを形成する工程においては、上記内部電極から起立する電極用ピラーを一括して形成する、請求項２５ないし２７のいずれかに記載の光通信モジュールの製造方法。
【請求項２９】
上記カバー用ピラーを形成する工程する工程の後、上記第１樹脂中間体を形成する工程の前に、上記電極用ピラーのみの高さを選択的に縮小させる工程をさらに備える、請求項２８に記載の光通信モジュールの製造方法。
【請求項３０】
上記第１樹脂中間体を形成する工程の後、上記カバー用ピラーおよび上記カバー部を除去する工程の前に、上記第１樹脂中間体および上記電極用ピラーの一部ずつを一括して除去することにより、上記カバー用ピラーの一部を露出させる工程を有する、請求項２９に記載の光通信モジュールの製造方法。
【請求項３１】
上記カバー用ピラーおよび上記カバー部を除去する工程の後に、上記第１樹脂中間体および上記電極用ピラーの一部ずつを一括して除去することにより、上記電極用ピラーの一部を露出させる工程を有する、請求項２９に記載の光通信モジュールの製造方法。
【請求項３２】
上記電極用ピラーの一部を露出させる工程は、研磨により行う、請求項３０または３１に記載の光通信モジュールの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、光通信モジュールおよびその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
光を搬送波として用いることにより信号を伝送する手法が広く採用されている。このような手法に用いられる光通信モジュールは、たとえば特許文献１に開示されている。本文献に開示された光通信モジュールは、発光素子や受光素子などの光半導体素子を備えている。上記発光素子からの光を伝送する、あるいは上記受光素子に向けて光を伝送する手段として、光ファイバが用いられる。上記光通信モジュールにおいては、上記光半導体素子において発光機能あるいは受光機能を果たす光機能領域を露出させた状態で、上記光半導体素子が光ファイバ保持部材に設置されている。そして、上記光ファイバの端面を上記光機能領域に正対させるように、上記光ファイバが上記光通信モジュールに備えられた上記光ファイバ保持部材に取り付けられる。
【０００３】
特許文献１においては、上記光半導体素子と上記光ファイバを正確に位置合わせを行いながら固定する手段として、表裏面に開口する開口が設けられた上記光ファイバ保持部材を用いている。この開口に上記光機能領域を臨ませた姿勢で、上記光半導体素子が上記光ファイバ保持部材の表面に取り付けられている。このような構成により、上記光ファイバ保持部材の裏面側から上記開口を通して上記光機能領域が露出する。上記開口に上記光ファイバを差し込むことによって、上記光機能領域と上記光ファイバの正確な位置合わせを行っている。上記光ファイバを差し込む時に、上記光機能領域から発光される光または上記光機能領域によって受光される光に対し透過性を有する樹脂を開口に流し込む。これにより、上記光ファイバの固定と、上記光機能領域と上記光ファイバ間との空間の樹脂埋めと、を実現している。上記光ファイバおよび上記光半導体素子を含む上記光ファイバ保持部材と共に上記光半導体素子の制御ＩＣなどの部品を基板上に実装することによって上記光通信モジュールが構成されている。
【０００４】
しかし、上記制御ＩＣなどの保護を行うためには、さらに上記制御ＩＣを覆うカバーケースの取り付けあるいは樹脂封止を設ける必要がある。特に低コストかつ小型化を実現するためには樹脂封止が望ましいが、上記光ファイバを除いて樹脂封止を設けることは困難である。さらに効率良く製造するためには、光通信モジュールを構成する部品群を基板上に一括で実装する必要があるが、上記光ファイバのためのスペースを確保するために、高密度の実装を阻害する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４４０６４４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、上記した事情のもとで考え出されたものであって、より効率良く製造可能であり、かつ低コストで小型化を図ることが可能な光通信モジュールおよびその製造方法を提供することをその課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の第１の側面によって提供される光通信モジュールは、受光機能または発光機能を果たす光機能領域、上記光機能領域から発光される光または上記光機能領域によって受光される光に対し透過性を有する材質からなる第１透光層、上記第１透光層上に積層され上記光機能領域への導通経路を構成する配線層、を有する光半導体素子と、上記光に対し透過性を有する材質からなり、上記光半導体素子を覆う第２透光層と、上記第２透光層上に積層された第１樹脂体と、を備えており、上記第２透光層によって構成された底面および上記第１樹脂体の外表面に開口する開口を有した、光ファイバを固定するための固定孔が形成されていることを特徴としている。
【０００８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記固定孔の深さ方向視において、上記底面と上記光機能領域とが重なっている。
【０００９】
本発明の好ましい実施の形態においては、開口に繋がる内側面、この内側面と上記底面との間に介在し上記内側面に不連続に繋がる不連続部を有する。
【００１０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不連続部は、上記内側面よりも断面寸法が大である。
【００１１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記不連続部の深さ方向寸法は、上記内側面の深さ方向寸法よりも小である。
【００１２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記内側面は、断面円形である。
【００１３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記内側面の直径が一定である。
【００１４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１樹脂体は、上記光に対して不透明である。
【００１５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記配線層は、上記光を通過させるための開口を有する。
【００１６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２透光層と上記第１樹脂体との間に介在し、上記配線層と導通する再配線層を備える。
【００１７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記再配線層は、内部電極を有する。
【００１８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記内部電極上に積層され、上記固定孔の深さ方向に延びる導電体からなる電極用ピラーを有する。
【００１９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極用ピラーの断面寸法は、上記内部電極よりも小である。
【００２０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記光半導体素子を支持する副基板を備える。
【００２１】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記副基板は、半導体からなる。
【００２２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１樹脂体の少なくとも一部を覆うとともに、上記固定孔の開口を露出させる第２樹脂体を有する。
【００２３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２樹脂体は、上記光に対して不透明である。
【００２４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２樹脂体は、上記第１樹脂のうち上記固定孔の上記開口が開口する面と面一である面を有する。
【００２５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第２樹脂体に覆われるとともに、上記光半導体素子に導通する制御ＩＣを備える。
【００２６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記光半導体素子と上記制御ＩＣとは、上記固定孔の深さ方向を含む平面に沿って配置されている。
【００２７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記光半導体素子と上記制御ＩＣとは、上記固定孔の深さ方向に対して直角である平面に沿って配置されている。
【００２８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記光半導体素子、上記第１樹脂体および上記第２樹脂体を支持する主基板を有する。
【００２９】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記光半導体素子と上記制御ＩＣとは、ワイヤを介して導通している。
【００３０】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記光半導体素子と上記制御ＩＣとを導通させる追加の再配線層を備える。
【００３１】
本発明の第２の側面によって提供される光通信モジュールの製造方法は、受光機能または発光機能を果たす光機能領域、上記光機能領域から発光される光または上記光機能領域によって受光される光に対し透過性を有する材質からなる第１透光層、上記第１透光層上に積層され上記光機能領域への導通経路を構成する配線層、を有する光半導体素子を用意する工程と、上記光を透過させる材質からなるとともに上記半導体素子の上記第１透光層および上記配線層を覆う第２透光層と、この第２透光層上に積層された部分を有し上記配線層と導通するとともに上記光を遮蔽しうるカバー部を有する再配線層と、を形成する工程と、上記カバー部から起立するカバー用ピラーを形成する工程と、上記カバー用ピラーを覆う第１樹脂中間体を形成する工程と、上記第１樹脂中間体および上記カバー用ピラーの一部ずつを一括して除去することにより、上記カバー用ピラーの一部を露出させる第１樹脂体を形成する工程と、上記カバー用ピラーおよび上記カバー部を除去する工程と、を備えることを特徴としている。
【００３２】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記カバー用ピラーを形成する工程においては、めっきによって上記カバー用ピラーを形成する。
【００３３】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記カバー用ピラーおよび上記カバー部を除去する工程においては、エッチングによって上記カバー用ピラーおよび上記カバー部を除去する。
【００３４】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記再配線層を形成する工程においては、上記光半導体素子に導通する内部電極を形成し、上記カバー用ピラーを形成する工程においては、上記内部電極から起立する電極用ピラーを一括して形成する。
【００３５】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記カバー用ピラーを形成する工程する工程の後、上記第１樹脂中間体を形成する工程の前に、上記電極用ピラーのみの高さを選択的に縮小させる工程をさらに備える。
【００３６】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記第１樹脂中間体を形成する工程の後、上記カバー用ピラーおよび上記カバー部を除去する工程の前に、上記第１樹脂中間体および上記電極用ピラーの一部ずつを一括して除去することにより、上記カバー用ピラーの一部を露出させる工程を有する。
【００３７】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記カバー用ピラーおよび上記カバー部を除去する工程の後に、上記第１樹脂中間体および上記電極用ピラーの一部ずつを一括して除去することにより、上記電極用ピラーの一部を露出させる工程を有する。
【００３８】
本発明の好ましい実施の形態においては、上記電極用ピラーの一部を露出させる工程は、研磨により行う。
【００３９】
本発明のその他の特徴および利点は、添付図面を参照して以下に行う詳細な説明によって、より明らかとなろう。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部平面図である。
【図２】図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う要部断面図である。
【図３】本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部平面図である。
【図４】図３のＩＶ−ＩＶ線に沿う要部断面図である。
【図５】本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図６】本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図７】本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部平面図である。
【図８】図７のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う要部断面図である。
【図９】本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部平面図である。
【図１０】図９のＸ−Ｘ線に沿う要部断面図である。
【図１１】図９のＸＩ−ＸＩ線に沿う要部断面図である。
【図１２】本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す断面図である。
【図１３】本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す断面図である。
【図１４】本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す断面図である。
【図１５】本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールを示す断面図である。
【図１６】本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図１７】本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図１８】本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図１９】本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図２０】本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図２１】本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図２２】本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図２３】本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図２４】本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図２５】本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールを示す断面図である。
【図２６】本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図２７】本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図２８】本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図２９】本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図３０】本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図３１】本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図３２】本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図３３】本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図３４】本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールを示す断面図である。
【図３５】本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールの使用例を示す断面図である。
【図３６】本発明の第４実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す要部断面図である。
【図３７】本発明の第４実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示す断面図である。
【図３８】本発明の第４実施形態に基づく光通信モジュールを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００４１】
以下、本発明の好ましい実施の形態につき、図面を参照して具体的に説明する。
【００４２】
図１〜図１５は、本発明の第１実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示している。まず、図１および図２に示すように、光半導体素子４００を用意する。本実施形態においては、図示された光半導体素子４００が、副基板材料３０１上に複数形成されている。副基板材料３０１は、たとえばＧａＡｓからなる。
【００４３】
光半導体素子４００は、発光機能または受光機能を果たす光機能領域を有している。光機能領域が発光機能を果たす場合の光半導体素子４００の例としては、たとえばＬＥＤあるいはＶＣＳＥＬ（Vertical Cavity Surface Emitting LASER）が挙げられる。光機能領域が受光機能を果たす場合の光半導体素子４００の例としては、たとえばフォトダイオードが挙げられる。以下の説明においては、光半導体素子４００がＶＣＳＥＬとして構成された例について説明する。
【００４４】
光半導体素子４００を構成する要素として、たとえばｎ型コンタクト層４２１、ｎ型ＤＢＲ（Distributed Bragg Reflector）層４２２，活性層４２３、ｐ型ＤＢＲ層４２４、ｐ型コンタクト層４２５、第１絶縁透光層４３１、ｎ型内部電極４２６およびｐ型内部電極４２７を具備した、既知のＶＣＳＥＬの構成とされている。
【００４５】
活性層４２３は、電子と正孔が結合して光を出す層であり、本発明で言う光機能領域そのもの、もしくは光機能領域の中心をなす層である。ｎ型ＤＢＲ層４２２およびｐ型ＤＢＲ層４２４は、活性層４２３を挟んで積層されている。ｎ型ＤＢＲ層４２２およびｐ型ＤＢＲ層４２４は、活性層４２３からの光のうち特定波長の光のみをその積層方向において共振させることにより、上記積層方向にレーザ光として出射させるための層である。ｎ型コンタクト層４２１およびｐ型コンタクト層４２５は、ｎ型ＤＢＲ層４２２およびｐ型ＤＢＲ層４２４を挟んで積層されており、たとえばドーピングされた半導体材料（本実施形態においてはＧａＡｓ）からなる。また、ｎ型コンタクト層４２１は、副基板材料３０１上に積層されている。
【００４６】
副基板材料３０１上に形成された複数の光半導体素子４００においては、隣り合う光半導体素子４００どうしのｎ型ＤＢＲ層４２２、活性層４２３、ｐ型ＤＢＲ層４２４およびｐ型コンタクト層４２５が、絶縁層４３２，４３３，４３４によって区画されている。絶縁層４３２は、ｎ型ＤＢＲ層４２２、活性層４２３、ｐ型ＤＢＲ層４２４およびｐ型コンタクト層４２５を図２における水平方向から囲む層であり、たとえばＳｉＯ2からなる。絶縁層４３３は、ｎ型コンタクト層４２１上に積層されており、たとえばＳｉＯ2からなる。絶縁層４３４は、絶縁層４３３上に積層されており、たとえばポリイミド樹脂からなる。
【００４７】
第１絶縁透光層４３１は、ｐ型コンタクト層４２５および絶縁層４３４上に積層されており、たとえばＳｉＯ2などの活性層４２３からの光に対して透過性を有する材質からなる。第１絶縁透光層４３１は、本発明で言う第１透光層の一例である。ｎ型内部電極４２６およびｐ型内部電極４２７は、本発明で言う配線層に相当する。ｎ型内部電極４２６は、第１絶縁透光層４３１上に積層されており、たとえばＡｕなどの金属からなる。ｎ型内部電極４２６は、第１絶縁透光層４３１および絶縁層４３４，４３３に設けられたコンタクトホールを介して、ｎ型コンタクト層４２１に導通している。
【００４８】
ｐ型内部電極４２７は、第１絶縁透光層４３１上に積層されており、たとえばＡｕなどの金属からなる。ｐ型内部電極４２７は、第１絶縁透光層４３１に設けられたコンタクトホールを介して、ｐ型コンタクト層４２５に導通している。
【００４９】
図１に示すように、ｐ型内部電極４２７の平面形状の一例としては、図中右方の円形部分と図中中央の円形部分とこれらの円形部分を繋ぐ帯状部分とを有している。図中中央の円形部分には、開口４２８が形成されている。開口４２８は、たとえば円形であり、図２に示すように、平面視において活性層４２３と重なる位置に設けられている。活性層４２３からの光は、開口４２８を通過して上方に出射される。ｎ型内部電極４２６の平面形状の一例としては、図中左方の円形部分とｐ型内部電極４２７の中央円形部分を囲む円弧状部分とこれらの部分を繋ぐ帯状部分とを有している。
【００５０】
次いで、図３および図４に示すように、第２絶縁透光層４４０および再配線層４５０を形成する。たとえば、ｎ型内部電極４２６、ｐ型内部電極４２７および第１絶縁透光層４３１を覆う透光層を形成する。この透光層は、活性層４２３からの光に対して透過性を有する材質からなり、本実施形態においてはたとえばポリイミド樹脂からなる。ついで、この透光層に対してパターニングを施すことにより、ｎ型内部電極４２６およびｐ型内部電極４２７に通ずるコンタクトホールを有する第２絶縁透光層４４０を形成する。第２絶縁透光層４４０は、本発明で言う第２透光層の一例である。そして、たとえばめっきによって形成したＡｕ層にパターニングを施すことにより、再配線層４５０を形成する。なお、再配線層４５０の形成に先立ち、ｎ型内部電極４２６およびｐ型内部電極４２７のうち第２絶縁透光層４４０の上記コンタクトホールから露出部分にたとえばＮｉなどからなるバリア層を形成しておく。
【００５１】
再配線層４５０は、ｎ型再内部電極４５１、ｐ型再内部電極４５２およびカバー部４５３を有する。図３に示すように、ｎ型再内部電極４５１は、平面視においてｎ型内部電極４２６の図中左方円形部分と重なっており、半円形部分と方形部分とが結合された形状とされている。ｎ型再内部電極４５１は、上記コンタクトホールを介してｎ型内部電極４２６に導通している。ｐ型再内部電極４５２は、平面視においてｐ型内部電極４２７の図中右方円形部分と重なっており、半円形部分と方形部分とが結合された形状とされている。ｐ型再内部電極４５２は、上記コンタクトホールを介してｐ型内部電極４２７に導通している。
【００５２】
カバー部４５３は、平面視においてｐ型内部電極４２７の開口４２８のすべてを覆う位置に設けられており、たとえば円形状である。このカバー部４５３は、ｎ型内部電極４２６およびｐ型内部電極４２７のいずれにも導通していない。また、カバー部４５３は、開口４２８を通じて活性層４２３から向かってきた光を遮蔽しうる。
【００５３】
次いで、図５に示すように、ｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２およびカバー用ピラー４６３を形成する。たとえば、第２絶縁透光層４４０および再配線層４５０を覆うレジスト層４７１を形成し、このレジスト層４７１に対してフォトリソグラフィの手法を用いたパターニングを施すことにより、再配線層４５０のｎ型再内部電極４５１、ｐ型再内部電極４５２およびカバー部４５３に通じる貫通孔を形成する。本実施形態においては、この貫通孔は、ｎ型再内部電極４５１、ｐ型再内部電極４５２およびカバー部４５３よりも平面視寸法が若干小である。そして、たとえばＣｕめっきを施すことにより、Ｃｕからなるｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２およびカバー用ピラー４６３が得られる。
【００５４】
次いで、図６に示すように、ｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２およびカバー用ピラー４６３を覆うレジスト層４７２を形成する。そして、このレジスト層４７２に対してパターニングを施すことにより、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２を露出させる開口を形成する。次いで、Ｃｕを選択的に溶解するエッチングを行うことにより、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２のみを選択的にエッチングする。これにより、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２の高さが、カバー用ピラー４６３と比べて低くなる。
【００５５】
次いで、レジスト層４７１，４７２を剥離することにより、図７および図８に示す状態となる。これらの図に示すように、ｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２およびカバー用ピラー４６３は、それぞれｎ型再内部電極４５１、ｐ型再内部電極４５２およびカバー部４５３から起立している。ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２は、平面視において半円形部分と方形部分とが結合された形状であり、ｎ型再内部電極４５１およびｐ型再内部電極４５２と比べて平面視寸法が若干小である。また、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２は、平面視においてｎ型再内部電極４５１およびｐ型再内部電極４５２にそれぞれ内包されている。カバー用ピラー４６３は、平面視円形状であり、カバー部４５３よりも若干小である。また、カバー用ピラー４６３は、カバー部４５３に内包されている。
【００５６】
次いで、図９に示すように、第１樹脂中間体５０１を形成する。第１樹脂中間体５０１は、ｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２、カバー用ピラー４６３、再配線層４５０および第２絶縁透光層４４０を覆っており、副基板材料３０１に沿って広がる一体的な樹脂層である。本実施形態においては、第１樹脂中間体５０１は、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなり、活性層４２３からの光に対して不透明である。そして、図中の切断線ＣＬに沿って一括的な切断を行う。これにより、副基板材料３０１および第１樹脂中間体５０１などが平面視矩形状の部分に分割される。これによって、図１０および図１１に示す中間品が得られる。
【００５７】
図１０および図１１に示すように、切断線ＣＬに沿った切断により、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２の方形部分の一部が切り取られる。この結果、図１１から理解される通り、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２が、第１樹脂中間体５０１から露出する。ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２の露出部分には、後述するワイヤボンディングのためにＡｕなどのめっきを施してもよい。この中間品においては、カバー用ピラー４６３は、その全体が第１樹脂中間体５０１によって覆われており、外部には露出していない。
【００５８】
なお、本実施形態における製造方法とは異なり、たとえば図示しない支持基板などを用いて第２絶縁透光層４４０、再配線層４５０、ｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２、カバー用ピラー４６３および第１樹脂中間体５０１を一体的に形成した部材を半導体素子４００側に接合する手法を採用してもよい。
【００５９】
次いで、図１２に示すように、主基板材料２０１と制御ＩＣ８１０とを用意する。主基板材料２０１は、たとえばプリント配線基板であり、複数の上記中間品を配置可能なサイズである。主基板材料２０１の裏面には、複数の電極２４０が形成されている。制御ＩＣ８１０は、光半導体素子４００を制御するためのものである。主基板材料２０１の表面に、複数ずつの上記中間品および制御ＩＣ８１０をたとえば接合層（図示略）を介して搭載する。この際、上記中間品と制御ＩＣ８１０とを隣り合わせる。上記中間品は、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２の露出面が図中上方を向く姿勢とする。また、制御ＩＣ８１０に形成された電極８１１が図中上方を向く姿勢とする。そして、電極８１１とｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２の露出面とにワイヤ８１５をボンディングする。なお、ワイヤ８１５に加えて、主基板材料２０１上に形成された配線パターンと制御ＩＣ８１０および上記中間品とを接続するワイヤをボンディングしてもよい。
【００６０】
次いで、図１３に示すように、第２樹脂中間体６０１を形成する。第２樹脂中間体６０１の形成は、複数の上記中間品および複数の制御ＩＣ８１０を一括して覆うように、たとえば黒色のエポキシ樹脂からなる樹脂層を主基板材料２０１上に形成することによって行う。
【００６１】
次いで、主基板材料２０１および第２樹脂中間体６０１を複数の個片に分割する。各個片には、上記中間品と制御ＩＣを少なくとも１つずつ含ませる。また、この切断においては、図１４に示すように、たとえばダイサーＤｃを用いて第１樹脂中間体５０１およびカバー用ピラー４６３を一括して除去することにより、カバー用ピラー４６３の一部を露出させる。また、本実施形態においては、第１樹脂中間体５０１およびカバー用ピラー４６３とともに、主基板材料２０１および第２樹脂中間体６０１を一括して切断する。この結果、主基板２００、第１樹脂体５００および第２樹脂体６００が得られる。
【００６２】
次いで、カバー用ピラー４６３を除去する。この除去は、たとえば、主基板２００、第１樹脂体５００および第２樹脂体６００を構成する材質を溶解しない一方、カバー用ピラー４６３を選択的に溶解しうる溶解液を用いて行う。なお、カバー用ピラー４６３がＣｕからなる場合、主基板２００の電極２４０は、Ａｕを用いためっき処理を施しておくことが好ましい。この除去工程を経ることによってカバー用ピラー４６３が選択的に除去され、図１５に示す光通信モジュール１０１が得られる。
【００６３】
以上に述べた製造方法から理解される通り、光通信モジュール１０１は、主基板２００、副基板３００、光半導体素子４００、第１樹脂体５００、第２樹脂体６００、固定孔７００、および制御ＩＣ８１０を備える。
【００６４】
固定孔７００は、円柱形のカバー用ピラー４６３と平面視円形状のカバー部４５３とが除去されることによって形成されたものであり、開口７１０、内側面７２０、底面７３０および拡幅部７４０を有している。開口７１０は、第１樹脂体５００の外表面に開口しており、本実施形態においては円形である。第１樹脂体５００のうち開口７１０が開口する面は、主基板２００の端面および第２樹脂体６００の端面と面一である。内側面７２０は、円柱形のカバー用ピラー４６３の外側面に沿った形状となっており、第１樹脂体５００によって構成されている。本実施形態においては、内側面７２０の直径は一定である。底面７３０は、円形状であり、第２絶縁透光層４４０によって構成されている。拡幅部７４０は、カバー部４５３が除去されることによって形成されたものであり、本発明で言う不連続部の一例である。拡幅部７４０は、内側面７２０と底面７３０との間に介在している。すなわち、カバー部４５３がカバー用ピラー４６３よりも若干大であったことにより、拡幅部７４０は、内側面７２０に対して不連続に繋がっている。さらに、拡幅部７４０は、内側面７２０よりも断面寸法が大である。本実施形態においては、内側面７２０の深さは、拡幅部７４０の深さよりも大である。なお、固定孔７００の寸法の一例を挙げると、直径が１００μｍ〜２００μｍ程度、深さが１００μｍ〜２００μｍ程度である。
【００６５】
固定孔７００の深さ方向視において開口７１０および底面７３０と光半導体素子４００とは、互いに重なっている。このため、光半導体素子４００の上記光機能領域から発せられた光、あるいは上記光機能領域へと向かう光が固定孔７００を通過する構成となっている。固定孔７００の深さ方向は、主基板２００の表面と平行であり、副基板３００に対して垂直である。副基板３００は、主基板２００の表面に起立した姿勢で取り付けられている。このように、光通信モジュール１０１は、電極２４０が設けられた実装面に沿って光を出射する、いわゆるサイドビュータイプとして構成されている。
【００６６】
固定孔７００は、光半導体素子４００の上記光機能領域からの光を伝送する、あるいは上記光機能領域に向けて光を伝送する光ファイバが装填される。この光ファイバの端面が底面７３０と正対する姿勢で、光ファイバを固定孔７００に対して固定する。具体的な固定手法は、上記光ファイバを適所にクランプあるいは接着するなど、様々な手法を採用できる。
【００６７】
次に、光通信モジュール１０１およびその製造方法の作用について説明する。
【００６８】
本実施形態によれば、上記光ファイバを固定孔７００を用いて固定することができる。固定孔７００を構成する第１樹脂体５００は、光半導体素子４００上において第２絶縁透光層４４０および再配線層４５０とともに近接して積層されている。このため、光半導体素子４００と離れた箇所に、上記光ファイバを位置合わせし固定するための専用の機構を設ける場合と比べ合理的な構造とすることができる。したがって、光通信モジュール１０１をより効率良く高精度に製造可能であり、かつ光通信モジュール１０１の小型化を図ることができる。
【００６９】
再配線層４５０は、光半導体素子４００の光機能領域の中心をなす活性層４２３に対して比較的正確な位置に形成することができる。めっきを用いて形成されるカバー用ピラー４６３は、再配線層４５０のカバー部４５３に対して正確に重なるように、自ずと形成される。これにより、このカバー用ピラー４６３を除去することにより形成される固定孔７００は、光機能領域の中心をなす活性層４２３に対して正確な位置に形成しやすいという利点があり、上記光ファイバを正確な位置に固定することができる。
【００７０】
本実施形態においては、光通信モジュール１０１を製造するための多くの工程を、副基板材料３０１や主基板材料２０１に搭載された複数の光半導体素子４００に対して一括して行うことができる。これは、一般的な半導体プロセスにおいていわゆるウエハレベルの工程を行う場合と同様の効率を達成することができることを意味する。
【００７１】
カバー用ピラー４６３とともに再配線層４５０のカバー部４５３を除去することにより、正確な位置に固定孔７００を形成するとともに、第２絶縁透光層４４０を固定孔７００の底面７３０を形成しうるように、確実に露出させることができる。これは、活性層４２３からの光が不当に減衰されてしまうことを回避するのに適している。
【００７２】
図５に示すように、ｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２およびカバー用ピラー４６３を再配線層４５０のｎ型再内部電極４５１、ｐ型再内部電極４５２およびカバー部４５３よりも平面視において小とすることにより、再配線層４５０のｎ型再内部電極４５１、ｐ型再内部電極４５２およびカバー部４５３からｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２およびカバー用ピラー４６３が大きくはみ出してしまうことを防止することができる。
【００７３】
図６に示すように、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２の高さをカバー用４６３と比較して選択的に低くしておくことにより、図１４に示す切断工程において、第１樹脂体５００からカバー用ピラー４６３のみを適切に露出させることができる。これにより、図１５に至る除去工程において、カバー用ピラー４６３およびカバー部４５３のみを選択的に除去することができる。
【００７４】
図９に示す切断工程を経ることにより、図１１に示すように、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２を、カバー用ピラー４６３の高さ方向と直角である方向に露出させることができる。これは、サイドビュータイプの光通信モジュール１０１を製造するために、図１２に示す姿勢で中間品を実装することが可能となり、都合が良い。
【００７５】
図１６〜図３８は、本発明の他の実施形態を示している。なお、これらの図において、上記実施形態と同一または類似の要素には、上記実施形態と同一の符号を付している。
【００７６】
図１６〜２５は、本発明の第２実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示している。まず、図１０および図１１に示す中間品を複数個作成する。そして、図１６に示すように、支持基板８５１に複数の上記中間品と複数の制御ＩＣ８１０とを接合する。この接合は、たとえば支持基板８５１上に形成された接着層８５２によってなされる。この接合においては、上記中間品と制御ＩＣ８１０とを隣り合わせる。以降の図においては、互いに隣り合う上記中間品と制御ＩＣ８１０が１つずつ示されている。また、上記接合においては、上記中間品のｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２の上記露出面を接着層８５２に接合する。また、制御ＩＣ８１０の電極８１１を接着層８５２に接合する。
【００７７】
次いで、図１７に示すように、複数の上記中間品および複数の制御ＩＣ８１０を一括して覆う第２樹脂中間体６０１を形成する。次いで、図１８に示すように、支持基板８５１および接着層８５２を剥離する。
【００７８】
次いで、図１９に示すように、絶縁層６４０と再配線層６５０とを形成する。再配線層６５０は、本発明で言う追加の再配線層に相当する。再配線層６５０は、上記中間品のｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２と制御ＩＣ８００の電極８１１と適宜導通している。
【００７９】
次いで、図２０に示すように、外部電極用ピラー６６０を形成する。外部電極用ピラー６６０の形成は、ｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２およびカバー用ピラー４６３の形成と同様の手法による。そして、外部電極用ピラー６６０を覆う第３樹脂体６７０を形成する。第３樹脂体６７０は、たとえばエポキシ樹脂からなる。
【００８０】
次いで、図２１に示すように、たとえばダイサーＤｃを用いて第２樹脂中間体６０１、第１樹脂中間体５０１およびカバー用ピラー４６３の一部ずつを一括して除去する。これにより、溝６２０が形成され、溝６２０にカバー用ピラー４６３が露出する。
【００８１】
次いで、図２２に示すように、カバー用ピラー４６３およびカバー部４５３をエッチングなどによって選択的に除去する。これにより、固定孔７００が得られる。
【００８２】
次いで、図２３に示すように、たとえばポリッシャーＰｌを用いて、第３樹脂体６７０を研磨する。これにより、外部電極用ピラー６６０を第３樹脂体６７０から露出させる。次いで、図２４に示すように、たとえばめっきによって外部電極用ピラー６６０上に外部電極６６１を形成する。
【００８３】
次いで、図２５に示すように、たとえばダイサーＤｃを用いて第２樹脂中間体６０１および第３樹脂体６７０を一括して切断し、複数の個片に分割する。この際、各個片に上記中間品および制御ＩＣ８１０を少なくとも１つずつ含ませる。これにより、光通信モジュール１０２が得られる。
【００８４】
このような実施形態によっても、光通信モジュール１０２をより効率良く製造可能であり、かつ光通信モジュール１０２の小型化を図ることができる。また、再配線層６５０を備えることにより、光半導体素子４００および制御ＩＣ８１０の配置によらず、所望の位置に外部電極６６１を設けることができる。
【００８５】
本実施形態においては、図２１に示すように、第３樹脂体６７０をダイサーＤｃによって全厚を除去するのではなく、厚さ方向における途中までの領域を除去する。このため、カバー用ピラー４６３および第１樹脂中間体５０１の一部ずつを一括して除去するものの、絶縁層６４０や第３樹脂体６７０は切断しない。したがって、図２２のエッチング工程、図２３の研磨工程および図２４のめっき工程を、複数の光半導体素子４００について一括して行うことができる。これは、製造効率を高めるのに好適である。なお、このような厚さ方向における途中までの領域を除去する手法は、光通信モジュール１０１の製造においても適用できる。
【００８６】
図２６〜図３５は、本発明の第３実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示している。まず、図１〜図５に示した工程と同様の工程を経ることにより、図２６に示す光半導体素子４００、第２絶縁透光層４４０、再配線層４５０、レジスト層４７１、ｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２およびカバー用ピラー４６３を副基板材料３０１上に形成する。本実施形態においては、図５に示す構成よりもｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２およびカバー用ピラー４６３の高さを若干低くしてもよい。また、１つの副基板材料３０１上に複数の光半導体素子４００を形成する。以降の説明においては、１つの光半導体素子４００に着目して説明するが、各工程は、すべての光半導体素子４００に対して一括して行うことが好ましい。
【００８７】
次いで、レジスト層４７２を形成し、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２をたとえばエッチングによって選択的かつ部分的に除去する。この際の除去量は、図６を参照して説明した除去における除去量よりも少なくてもよい。次いで、図２８に示すように、レジスト層４７１および４７２を剥離する。
【００８８】
次いで、図２９に示すように、第２絶縁透光層４４０、ｎ型電極用ピラー４６１、ｐ型電極用ピラー４６２およびカバー用ピラー４６３を覆う第１樹脂中間体５０１を形成する。次いで、図３０に示すように、たとえばポリッシャーＰｌによって第１樹脂中間体５０１を研磨する。これにより、第１樹脂中間体５０１からカバー用ピラー４６３を露出させる。一方、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２は、第１樹脂中間体５０１にその全体が覆われたままとしておく。
【００８９】
次いで、図３１に示すように、カバー用ピラー４６３およびカバー部４５３をたとえばエッチングによって選択的に除去することにより、固定孔７００を形成する。次いで、図３２に示すように、第１樹脂中間体５０１をたとえばポリッシャーＰｌによって研磨することにより、第１樹脂中間体５０１からｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２を露出させる。次いで、図３３に示すように、たとえばめっきによってｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２上に外部電極６６１を形成する。
【００９０】
次いで、副基板材料３０１および第１樹脂中間体５０１を、図３４に示すようにたとえばダイサーＤｃによって切断し、複数の個片に分割する。この際、各個片に光半導体素子４００を少なくとも１つずつ含ませる。これにより、光通信モジュール１０３が得られる。
【００９１】
図３５は、光通信モジュール１０３の一使用例を示している。本使用例においては、光通信モジュール１０３は、光配線基板８４０に実装されている。光配線基板８４０は、基材８４１、配線層８４２、光導波路８４３および保護層８４５を備えており、電気および光による情報伝達の伝達経路を構成するものである。
【００９２】
基材８４１は、たとえば不透明な絶縁材料からなる。配線層８４２は、基材８４１上に形成されており、たとえばＣｕなどの金属からなる。光通信モジュール１０３の外部電極６６１は、配線層８４２の適所に接合されている。保護層８４５は、配線層８４２を保護している。
【００９３】
光導波路８４３は、たとえば透明な樹脂またはガラスからなり、光通信モジュール１０３から発せられる光を伝達する経路である。光導波路８４３は、入射面８４４を有している。入射面８４４は、光配線基板８４０に断面くさび状の溝が設けられることによって形成されている。光通信モジュール１０３は、固定孔７００が入射面８４４を向く姿勢で実装されている。また、本使用例においては、光通信モジュール１０３にレンズ７９０が取り付けられている。レンズ７９０を取り付ける箇所としては、固定孔７００の開口７１０付近が選定されている。活性層４２３から発せられた光は、固定孔７００を通ってレンズによって入射面８４４へと集光される。この光が入射面８４４から入射し、光導波路８４３を進行する。このように、光通信モジュール１０３は、外部電極６６１が設けられた実装面側に光を出射する、いわゆるボトムビュータイプとして構成されている。
【００９４】
このような実施形態によっても、光通信モジュール１０３をより効率良く製造可能であり、かつ光通信モジュール１０３の小型化を図ることができる。図３５に示すように、ボトムビュータイプとされた光通信モジュール１０３は、光配線基板８４０などに搭載された場合に、光配線基板８４０の厚さ方向に向けてレーザ光を入射させることが可能である。また、図３５の使用例とは異なり、固定孔７００に光ファイバを固定する構成としてもよい。
【００９５】
本実施形態においては、図２７に示すように、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２を選択的に低くしておくことにより、図３０に示す研磨工程においてカバー用ピラー４６３のみを選択的に露出させることができる。これにより、図３１に示すように、カバー用ピラー４６３およびカバー部４５３のみを選択的に除去することができる。また、この後に図３２に示す研磨工程を行うことにより、ｎ型電極用ピラー４６１およびｐ型電極用ピラー４６２を選択的に露出させ、図３３に示す外部電極６６１を適切に形成することができる。
【００９６】
図３６〜図３８は、本発明の第４実施形態に基づく光通信モジュールの製造方法を示している。まず、図１〜図２に示した工程と同様の工程を経ることにより、図３６に示す光半導体素子４００が副基板３００上に設けられた中間品を形成する。そして、支持基板８５１に上記中間品および制御ＩＣ８１０を接着層８５２により接合する。
【００９７】
次いで、図３７に示すように、上記中間品および制御ＩＣ８１０を覆う第３樹脂体６７０を形成する。そして、支持基板８５１を剥離する。この後は、図３および図４、さらに図２６〜図３４を参照して説明した工程と同様の工程を経ることにより、第２絶縁透光層４４０、再配線層４５０、第１樹脂体５００、ｐ型電極用ピラー４６２、固定孔７００および外部電極６６１を形成する。このような工程を減ることにより、図３８に示す光通信モジュール１０４が得られる。光通信モジュール１０４は、光半導体素子４００とともに制御ＩＣ８１０を備えるボトムビュータイプのモジュールとして構成されている。
【００９８】
このような実施形態によっても、光通信モジュール１０４をより効率良く製造可能であり、かつ光通信モジュール１０４の小型化を図ることができる。
【００９９】
本発明に係る光通信モジュールおよびその製造方法は、上述した実施形態に限定されるものではない。本発明に係る光通信モジュールおよびその製造方法の具体的な構成は、種々に設計変更自在である。
【符号の説明】
【０１００】
１０１〜１０４  光通信モジュール
２００  主基板
２０１  主基板材料
２４０  電極
３００  副基板
３０１  副基板材料
４００  光半導体素子
４１０  光機能領域
４２１  ｎ型コンタクト層
４２２  ｎ型ＤＢＲ層
４２３  活性層
４２４  ｐ型ＤＢＲ層
４２５  ｐ型コンタクト層
４２６  ｎ型内部電極（配線層）
４２７  ｐ型内部電極（配線層）
４２８  開口
４３１  第１透光層
４３２  絶縁層
４３３  絶縁層
４３４  絶縁層
４４０  第２透光層
４５０  再配線層
４５１  ｎ型再内部電極
４５２  ｐ型再内部電極
４５３  カバー部
４６１  ｎ型電極用ピラー
４６２  ｐ型電極用ピラー
４６３  カバー用ピラー
４７１  レジスト層
４７２  レジスト層
５００  第１樹脂体
５０１  第１樹脂中間体
６００  第２樹脂体
６０１  第２樹脂中間体
６１０  開口端面
６２０  溝
６４０  絶縁層
６５０  （追加の）再配線層
６６０  外部電極用ピラー
６６１  外部電極
６７０  第３樹脂体
７００  固定孔
７１０  開口
７２０  内側面
７３０  底面
７４０  拡幅部（不連続部）
７９０  レンズ
８１０  制御ＩＣ
８１１  電極
８１５  ワイヤ
８４０  光配線基板
８４１  基材
８４２  配線層
８４３  光導波路
８４４  入射面
８４５  保護層
８５１  支持基板
８５２  接着層
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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