(57)【要約】【課題】無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に対して、ビア周辺の絶縁層表面に大きな凹凸を生じさせずに、ビア底径とトップ径の差が小さい良好な孔形状のブラインドビアを高い生産性で形成可能とする、多層プリント配線板の製造方法を提供する。【解決手段】回路基板の両面又は片面に形成された、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、該絶縁層表面に密着させたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、トップ径１００μｍ以下のブラインドビアを形成する工程を含むことを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。【選択図】なし【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の両面又は片面に形成された、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、該絶縁層表面に密着させたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、トップ径が１００μｍ以下のブラインドビアを形成する工程を含むことを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層が、無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化したものである、請求項１記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
プラスチックフィルム上に無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を形成した接着フィルムを、該熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の両面又は片面に接するように回路基板に積層し、該熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層を形成後、プラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層が、無機充填材を３５〜７０質量％含有する絶縁層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
無機充填材がシリカである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
プラスチックフィルムがポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
プラスチックフィルムの厚みが２０〜５０μｍであり、絶縁層の厚みが１５〜１００μｍである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
炭酸ガスレーザーのエネルギーが１ｍＪ以上である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
炭酸ガスレーザーのエネルギーが１〜５ｍＪである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
炭酸ガスレーザーのショット数が１又は２である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ビアの開口率（底径／トップ径）が７０％以上である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
プラスチックフィルムを絶縁層から剥離する剥離工程をさらに含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
絶縁層を粗化処理する粗化工程、粗化された絶縁層表面にメッキにより導体層を形成するメッキ工程、及び導体層に回路を形成する回路形成工程をさらに含む、請求項１２記載の方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、多層プリント配線板の製造方法、特に接着フィルムを用いた多層プリント配線板の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、多層プリント配線板の製造技術として、コア基板上に絶縁層と導体層を交互に積み重ねるビルトアップ方式による製造方法が知られている。例えば、絶縁層形成には、プラスチックフィルム上に熱硬化性樹脂層が形成された接着フィルムを使用し、接着フィルムを内層回路基板にラミネート（積層）し、熱硬化性樹脂を熱硬化する方法が知られている。また絶縁層には無機充填材が含有される場合がある。
【０００３】
近年の電子機器や電子部品の小型化、高機能化等のニーズにより、多層プリント配線板においては、薄型化、配線の高密度化が要求される傾向にある。多層プリント配線板の薄型化の要求の中で、同時に機械強度を維持するためには、例えば、層間絶縁層を形成する材料としてシリカ等の無機充填材を多く含有させて、層間絶縁層の弾性率を高くすることが有効と考えられる。
【０００４】
また、配線が高密度化された多層プリント配線板では、銅配線と絶縁層との熱膨張係数の違いによるクラック発生等の問題が生じやすくなるが、シリカ等の無機充填材を絶縁層に多く含有させることは、かかる銅配線と絶縁層との熱膨張係数の違いによるクラック発生の防止対策としても有効である。すなわち、層間絶縁層の形成材料に熱膨張率の低い無機充填材を多く含有させることで、絶縁層の熱膨張率を低く抑えることができ、銅配線と絶縁層との熱膨張係数の差を減少させて、クラックの発生を抑制することができる。
【０００５】
特許文献１、２は、接着フィルムを使用した多層プリント配線板の製造方法が記載され、特許文献１には、離型層を有する支持ベースフィルムと熱硬化性樹脂組成物からなる接着フィルムを使用して、コア基板に該接着フィルムを積層し、支持ベースフィルムの付いた状態で熱硬化後、支持ベースフィルムの付いたままで、或いは、剥離後にレーザー又はドリルにより孔開けする工法が開示されている。また、特許文献２には、金属箔の片面に絶縁層、さらにその絶縁層表面に引き剥がし可能な有機フィルムを積層し、有機フィルム面側からレーザー加工する工法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−１９６７４３号公報
【特許文献２】特許第３８９９５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
絶縁層に無機充填材が多く含有される場合、ブラインドビア（ビアホール）の形成に課題が生じる。ブラインドビアの形成には、例えば、ＵＶ−ＹＡＧレーザーを使用する方法が考えられるが、ＵＶ−ＹＡＧレーザーは無機充填材の加工性は良好であるものの、コストや加工速度の観点から、必ずしも満足のいくものではない。一方、炭酸ガスレーザーは加工速度やコストの面でＵＶ−ＹＡＧレーザーより優れるものの、無機充填材を多く含有する絶縁層に炭酸ガスレーザーを照射してブラインドビアを形成した場合には加工性が低下し、ビア底径がトップ径に比べて小さく、テーパの強い形状となり、ブラインドビアの導通信頼性を低下させる要因となる。ビア底径をトップ径に近い形状とするには、強いエネルギーで加工を行えばよいが、炭酸ガスレーザーのエネルギーを高くした場合、絶縁層表面に加わるダメージが増大し、孔周辺の凹凸の程度が大きくなり、微細配線化に不都合になるなどの問題があることが分かった。かかる問題は、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、ブラインドビアの孔径（トップ径）が１００μｍ以下となるような高密度のプリント配線板を製造する際に顕在化する。一方、上記２つの文献に記載のレーザー加工は、孔径（トップ径）が１００μｍを超えるビアを形成する加工であるため、大きな問題とはならない。
【０００８】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであり、その解決しようとする課題は、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に対して、炭酸ガスレーザーにより、トップ径が１００μｍ以下のブラインドビアを生産性よく形成することができ、かつ、ビア周辺の絶縁層表面に大きな凹凸を生じさせず、トップ径とビア底径との差が小さい良好な孔形状のブラインドビアを形成することができる、多層プリント配線板の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明者らは、上記課題を解決すべく鋭意研究した結果、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に対し、絶縁層表面に密着させたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射すると、加工性を良好とするのに十分な、高いエネルギーの炭酸ガスレーザーを照射した場合でも、絶縁層表面のダメージが抑制され、ビア底径がトップ径に近いブラインドビアを形成できることを見出し、本発明を完成するに到った。すなわち、本発明は以下の内容を含むものである。
【００１０】
［１］回路基板の両面又は片面に形成された、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、該絶縁層表面に密着させたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、トップ径が１００μｍ以下のブラインドビアを形成する工程を含むことを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。
［２］無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層が、無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化したものである、上記［１］記載の多層プリント配線板の製造方法。
［３］プラスチックフィルム上に無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を形成した接着フィルムを、該熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の両面又は片面に接するように回路基板に積層し、該熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層を形成後、プラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射する、上記［２］記載の方法。
［４］無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層が、無機充填材を３５〜７０質量％含有する絶縁層である、上記［１］〜［３］のいずれか一つに記載の方法。
［５］無機充填材がシリカである、上記［１］〜［４］のいずれか一つに記載の方法。
［６］プラスチックフィルムがポリエチレンテレフタレートフィルムである、上記［１］〜［５］のいずれか一つに記載の方法。
［７］プラスチックフィルムの厚みが２０〜５０μｍであり、絶縁層の厚みが１５〜１００μｍである、上記［１］〜［６］のいずれか一つに記載の方法。
［８］炭酸ガスレーザーのエネルギーが１ｍＪ以上である、上記［１］〜［７］のいずれか一つ記載の方法。
［９］炭酸ガスレーザーのエネルギーが１〜５ｍＪである、上記［１］〜［７］のいずれか一つに記載の方法。
［１０］炭酸ガスレーザーのショット数が１又は２である、上記［１］〜［９］のいずれか一つに記載の方法。
［１１］ビアの開口率（底径／トップ径）が７０％以上である、上記［１］〜［１０］のいずれか一つに記載の方法。
［１２］プラスチックフィルムを絶縁層から剥離する剥離工程をさらに含む、上記［１］〜［１１］のいずれか一つに記載の方法。
［１３］絶縁層を粗化処理する粗化工程、粗化された絶縁層表面にメッキにより導体層を形成するメッキ工程、及び導体層に回路を形成する回路形成工程をさらに含む、上記［１２］記載の方法。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の多層プリント配線板の製造方法によれば、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に対して、加工性を良好とするのに十分な高いエネルギーの炭酸ガスレーザーを使用した場合でも、ビア周辺の絶縁層表面に大きなダメージを与えることなく、トップ径が１００μｍ以下のブラインドビアを形成することができ、信頼性の高い高密度の多層配線の形成が可能になる。
また、上記のトップ径が１００μｍ以下のブラインドビアを、ビアの開口率（底径／トップ径）がトップ径とビア底径との差が小さい良好な孔形状に形成できるので、導通信頼性に優れるブラインドビアの形成が可能になる。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明をその好適な実施形態に即して説明する。
本発明の多層プリント配線板の製造方法は、回路基板の両面又は片面に形成された、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、該絶縁層表面に密着させたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、トップ径１００μｍ以下のブラインドビアを形成する工程を含むことが主たる特徴である。
【００１３】
本発明において、「無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層」は、多層プリント配線板の絶縁層として使用される樹脂組成物において、無機充填材を３５質量％以上含有する樹脂組成物により形成された絶縁層である。特に無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物の硬化物で形成されるのが好ましい。シリカ等の無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層は、高弾性率と低熱膨張性を示し、例えば、弾性率が４ＧＰａ以上及び／又は熱膨張係数（室温〜１５０℃）が５０ｐｐｍ／℃以下の絶縁層を達成し得る。よって、かかる絶縁層の使用により、機械強度に優れ、かつ熱膨張係数の差によるクラック発生も抑制された多層プリント配線板を製造することが可能になる。
【００１４】
本発明でいう「無機充填材の含有量」とは、絶縁層を構成する樹脂組成物全体の不揮発成分を１００質量％とした時の無機充填材の占める質量分率である。例えば、熱硬化性樹脂組成物の硬化物により絶縁層が形成される場合、硬化前の樹脂組成物全体の不揮発成分を１００質量％とした時の無機充填材の占める質量分率で算出される値が採用される。なお、「無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層」において、無機充填材の含有量が多すぎると、後工程において絶縁層上に形成される導体層との密着強度を確保することが困難となる傾向となるため、無機充填材の含有量は７０質量％以下が好ましい。すなわち、無機充填材の含有量が３５〜７０質量％が好ましく、より好ましくは３５〜６０質量％である。また、本発明において、「無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層」の厚みは１５〜１００μｍであるのが好ましく、２０〜７０μｍがより好ましい。絶縁層の厚みが１５μｍ未満であると、回路基板に平坦に積層させることが困難となる傾向にあり、１００μｍを超えると、多層プリント配線板の薄型化に不向きである。
【００１５】
本発明において、無機充填材としては、例えば、シリカ、アルミナ、雲母、マイカ、珪酸塩、硫酸バリウム、水酸化マグネシウム、酸化チタン等が挙げられる。中でも、高弾性率、低熱膨張率、低誘電正接の点から、無定形シリカ、溶融シリカ、結晶シリカ、合成シリカ等のシリカが好ましい。またシリカは球状のものが好ましい。無機充填材は、シランカップリング剤等の表面処理剤で表面処理されたものを用いることが好ましい。シランカップリング剤としてははアミノシラン、アリルシラン、アルキルシラン、アルコキシシラン、フェニルシラン、エポキシシランなど公知のものを使用出来る。
【００１６】
また、無機充填材は絶縁層の絶縁信頼性の観点から、平均粒径が３μｍ以下であるのが好ましく、平均粒径が１．５μｍ以下であるのがより好ましい。なお、平均粒径の下限は特に限定はされないが、取り扱い性、コスト等の観点から、０．１μｍ以上が好ましい。
【００１７】
上記の無機充填材の平均粒径はミー（Mie）散乱理論に基づくレーザー回折・散乱法により測定することができる。具体的にはレーザー回折式粒度分布測定装置により、無機充填材の粒度分布を体積基準で作成し、そのメディアン径を平均粒径とすることで測定することができる。測定サンプルは、無機充填材を超音波により水中に分散させたものを好ましく使用することができる。レーザー回折式粒度分布測定装置としては、株式会社堀場製作所製  ＬＡ−５００等を使用することができる。
【００１８】
本発明において、「無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層」を、無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物の硬化物で構成する場合、ベース成分となる熱硬化性樹脂組成物としては、多層プリント配線板の絶縁層に適するものであれば、特に制限なく使用でき、例えば、エポキシ樹脂、シアネートエステル樹脂、フェノール樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル樹脂、ビニルベンジル樹脂等の熱硬化性樹脂にその硬化剤を少なくとも配合した組成物が使用され、好ましくは、熱硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を含有する組成物であり、例えば、エポキシ樹脂、熱可塑性樹脂および硬化剤を含有する組成物は特に好ましいものである。
【００１９】
上記のエポキシ樹脂としては、例えば、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂、リン含有エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、脂環式エポキシ樹脂、脂肪族鎖状エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ビスフェノールＡノボラック型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂、ビスフェノールのジグリシジルエーテル化物、ナフタレンジオールのジグリシジルエーテル化物、フェノール類のグリシジルエーテル化物、及びアルコール類のジグリシジルエーテル化物、並びにこれらのエポキシ樹脂のアルキル置換体、ハロゲン化物及び水素添加物等が挙げられる。これらのエポキシ樹脂はいずれか１種を使用するか２種以上を混合して用いてもよい。
【００２０】
エポキシ樹脂は、これらの中でも、耐熱性、絶縁信頼性、金属膜との密着性の観点から、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ナフトール型エポキシ樹脂、ナフタレン型エポキシ樹脂、ビフェニル型エポキシ樹脂、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂が好ましい。具体的には、例えば、液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）、ナフタレン型２官能エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４０３２」、「ＨＰ４０３２Ｄ］）、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４７００」）、ナフトール型エポキシ樹脂（東都化成（株）製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」）、ブタジエン構造を有するエポキシ樹脂（ダイセル化学工業（株）製「ＰＢ−３６００」）、ビフェニル構造を有するエポキシ樹脂(日本化薬（株）製「ＮＣ３０００Ｈ」、「ＮＣ３０００Ｌ」、ジャパンエポキシレジン（株）製「ＹＸ４０００」）などが挙げられる。
【００２１】
また、上記の熱可塑性樹脂は、硬化後の組成物に適度な可撓性を付与する等の目的で配合されるものであり、例えば、フェノキシ樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン等が挙げられる。これらはいずれか１種を単独で使用しても２種以上を併用してもよい。当該熱可塑性樹脂は熱硬化性樹脂組成物の不揮発成分を１００質量％としたとき、０．５〜６０質量％の割合で配合するのが好ましく、より好ましくは３〜５０質量％である。
【００２２】
フェノキシ樹脂の具体例としては、例えば、ジャパンエポキシレジン（株）製１２５６、４２５０などのビスフェノールＡ骨格を有するもの、ジャパンエポキシレジン製ＹＸ８１００などのビスフェノールＳ骨格を有するもの、ジャパンエポキシレジン製ＹＸ６９５４などのビスフェノールアセトフェノン骨格を有するもの、東都化成（株）製ＦＸ２８０、ＦＸ２９３などのビスフェノールフルオレノン骨格を有するもの、ジャパンエポキシレジン（株）製ＹＬ７５５３などのビスクレゾールフルオレノン骨格を有するもの、ジャパンエポキシレジン（株）製ＹＬ６７９４などのテルペン骨格を有するもの、ジャパンエポキシレジン（株）製ＹＬ７２１３、ＹＬ７２９０などのトリメチルシクロヘキサン骨格を有するもの等が挙げられる。
【００２３】
ポリビニルアセタール樹脂はポリビニルブチラール樹脂が好ましく、ポリビニルアセタール樹脂の具体例としては、電気化学工業(株)製、電化ブチラール４０００−２、５０００−Ａ、６０００−Ｃ、６０００−ＥＰ、積水化学工業（株）製エスレックＢＨシリーズ、ＢＸシリーズ、ＫＳシリーズ、ＢＬシリーズ、ＢＭシリーズ等が挙げられる。
【００２４】
ポリイミドの具体例としては、新日本理化（株）製のポリイミド「リカコートＳＮ２０」および「リカコートＰＮ２０」が挙げられる。また、２官能性ヒドロキシル基末端ポリブタジエン、ジイソシアネート化合物及び四塩基酸無水物を反応させて得られる線状ポリイミド（特開２００６−３７０８３号公報記載のもの）、ポリシロキサン骨格含有ポリイミド（特開２００２−１２６６７号公報、特開２０００−３１９３８６号公報等に記載のもの）等の変性ポリイミドが挙げられる。
【００２５】
ポリアミドイミドの具体例としては、東洋紡績（株）製のポリアミドイミド「バイロマックスＨＲ１１ＮＮ」および「バイロマックスＨＲ１６ＮＮ」が挙げられる。また、日立化成工業（株）製のポリシロキサン骨格含有ポリアミドイミド「ＫＳ９１００」、「ＫＳ９３００」等の変性ポリアミドイミドが挙げられる。
【００２６】
ポリエーテルスルホンの具体例としては、住友化学（株）製のポリエーテルスルホン「ＰＥＳ５００３Ｐ」等が挙げられる。
【００２７】
ポリスルホンの具体例としては、ソルベンアドバンストポリマーズ（株）製のポリスルホン「Ｐ１７００」、「Ｐ３５００」等が挙げられる。
【００２８】
また、上記の硬化剤としては、例えば、アミン系硬化剤、グアニジン系硬化剤、イミダゾール系硬化剤、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、酸無水物系硬化剤又はこれらのエポキシアダクトやマイクロカプセル化したもの、シアネートエステル樹脂等を挙げることができる。中でも、フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤、シアネートエステル樹脂が好ましい。なお、本発明において、硬化剤は１種であっても２種以上を併用してもよい。
【００２９】
フェノール系硬化剤、ナフトール系硬化剤の具体例としては、例えば、ＭＥＨ−７７００、ＭＥＨ−７８１０、ＭＥＨ−７８５１（明和化成（株）製）、ＮＨＮ、ＣＢＮ、ＧＰＨ（日本化薬（株）製）、ＳＮ１７０、ＳＮ１８０、ＳＮ１９０、ＳＮ４７５、ＳＮ４８５、ＳＮ４９５、ＳＮ３７５、ＳＮ３９５（東都化成（株）製）、ＬＡ７０５２、ＬＡ７０５４、ＬＡ３０１８、ＬＡ１３５６（大日本インキ化学工業（株）製）等が挙げられる。
【００３０】
また、シアネートエステル樹脂の具体例としては、例えば、ビスフェノールＡジシアネート、ポリフェノールシアネート（オリゴ（３−メチレン−１，５−フェニレンシアネート）、４，４’−メチレンビス（２，６−ジメチルフェニルシアネート）、４，４’−エチリデンジフェニルジシアネート、ヘキサフルオロビスフェノールＡジシアネート、２，２−ビス（４−シアネート）フェニルプロパン、１，１−ビス（４−シアネートフェニルメタン）、ビス（４−シアネート−３，５−ジメチルフェニル）メタン、１，３−ビス（４−シアネートフェニル−１−（メチルエチリデン））ベンゼン、ビス（４−シアネートフェニル）チオエーテル、ビス（４−シアネートフェニル）エーテル等の２官能シアネート樹脂、フェノールノボラック、クレゾールノボラック等から誘導される多官能シアネート樹脂、これらシアネート樹脂が一部トリアジン化したプレポリマーなどが挙げられる。市販されているシアネートエステル樹脂としては、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」、シアネート当量１２４）やビスフェノールＡジシアネートの一部または全部がトリアジン化され三量体となったプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０」、シアネート当量２３２）等が挙げられる。
【００３１】
熱硬化性樹脂と硬化剤の配合比率は、熱硬化性樹脂、硬化剤の種類等によって適宜選択されるが、例えば、熱硬化性樹脂がエポキシ樹脂である場合、エポキシ樹脂と硬化剤の配合比率は、フェノール系硬化剤またはナフトール系硬化剤の場合、エポキシ樹脂のエポキシ当量１に対してこれら硬化剤のフェノール性水酸基当量が０．４〜２．０の範囲となる比率が好ましく、０．５〜１．０の範囲となる比率がより好ましい。シアネートエステル樹脂の場合は、エポキシ当量１に対してシアネート当量が０．３〜３．３の範囲となる比率が好ましく、０．５〜２の範囲となる比率がより好ましい。
【００３２】
なお、当該熱硬化性樹脂組成物には、硬化剤に加え、硬化促進剤をさらに配合することができ、このような硬化促進剤としては、イミダゾール系化合物、有機ホスフィン系化合物等が挙げられ、具体例としては、例えば、２−メチルイミダゾール、トリフェニルホスフィンなどを挙げることができる。硬化促進剤を用いる場合、エポキシ樹脂に対して０．１〜３．０質量％の範囲で用いるのが好ましい。なお、エポキシ樹脂硬化剤にシアネートエステル樹脂を使用する場合には、硬化時間を短縮する目的で、従来からエポキシ樹脂組成物とシアネート化合物とを併用した系で硬化触媒として用いられている有機金属化合物を添加してもよい。有機金属化合物としては、銅（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機銅化合物、亜鉛（ＩＩ）アセチルアセトナート等の有機亜鉛化合物、コバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート、コバルト（ＩＩＩ）アセチルアセトナート等の有機コバルト化合物などが挙げられる。有機金属化合物の添加量は、シアネートエステル樹脂に対し、金属換算で通常１０〜５００ｐｐｍ、好ましくは２５〜２００ｐｐｍの範囲である。
【００３３】
本発明において、無機充填材含有熱硬化性樹脂組成物には、無機充填材以外に、必要に応じて他の成分を配合することができる。他の成分としては、例えば、有機リン系難燃剤、有機系窒素含有リン化合物、窒素化合物、シリコーン系難燃剤、金属水酸化物等の難燃剤、シリコンパウダー、ナイロンパウダー、フッ素パウダー等の有機充填剤、オルベン、ベントン等の増粘剤、シリコーン系、フッ素系、高分子系の消泡剤又はレベリング剤、イミダゾール系、チアゾール系、トリアゾール系、シラン系カップリング剤等の密着性付与剤、フタロシアニン・ブルー、フタロシアニン・グリーン、アイオジン・グリーン、ジスアゾイエロー、カーボンブラック等の着色剤等を挙げることができる。
【００３４】
本発明では、回路基板の両面又は片面に、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層を形成し、該絶縁層の表面にプラスチックフィルムを密着させ、該プラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、ブラインドビアを形成する。無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層にプラスチックフィルムを密着させる手段としては、例えば、回路基板に、無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を積層し、その際にプラスチックフィルムも同時に積層して、その後、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する方法等が挙げられるが、工業的生産に最も適した方法としては、支持フィルムとしてプラスチックフィルムを使用して、該プラスチックフィルム上に無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を形成した接着フィルムを調製し、該接着フィルムを回路基板に積層し、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化する方法が挙げられる。
【００３５】
上記のプラスチックフィルム上に無機充填材含有熱硬化性樹脂組成物層を形成した接着フィルムは、当業者に公知の方法、例えば、有機溶剤に熱硬化性樹脂組成物を溶解するとともに無機充填材を分散させた樹脂ワニスを調製し、この樹脂ワニスを、ダイコーター等を用いて、支持フィルム上に塗布し、加熱あるいは熱風吹きつけ等により有機溶剤を乾燥させて樹脂組成物層を形成させることにより製造することができる。
【００３６】
本発明でいう、「プラスチックフィルム」としては、ポリエチレンテレフタレート（以下「ＰＥＴ」と略称することがある。）、ポリエチレンナフタレート（以下「ＰＥＮ」と略称することがある。）等のポリエステル、ポリカーボネート（以下「ＰＣ」と略称することがある。）、ポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）等のアクリル系樹脂、環状ポリオレフィン、トリアセチルセルロース（ＴＡＣ）、ポリエーテルサルファイド（ＰＥＳ）、ポリエーテルケトン、ポリイミドなどが挙げられる。中でも、ポリエステル（ポリエチレンテレフタレートフィルム、ポリエチレンナフタレートフィルム等）が好ましく、安価なポリエチレンテレフタレートフィルムが特に好ましい。また、プラスチックフィルムは、ブラックカーボン等のレーザー吸収性成分を含むものを使用してもよい。なお、接着フィルムの支持フィルムに使用するプラスチックフィルムには、熱硬化性樹脂組成物層の加熱硬化後にプラスチックフィルムを剥離可能とするために、その熱硬化性樹脂組成物層の被形成面に離型層を設けた、離型層付きプラスチックフィルムを使用するのが好ましい。離型層に使用する離型剤としては、熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化した後にプラスチックフィルムが剥離可能であれば特に限定されず、例えば、シリコーン系離型剤、アルキッド樹脂系離型剤等が挙げられる。なお、市販されている離型層付きプラスチックフィルムを用いてもよく、好ましいものとしては、例えば、アルキッド樹脂系離型剤を主成分とする離型層を有するＰＥＴフィルムである、リンテック（株）製のＳＫ−１、ＡＬ−５、ＡＬ−７などが挙げられる。また、プラスチックフィルムの熱硬化性樹脂組成物層の被形成面にはマッド処理、コロナ処理を施してあってもよく、離型層を有する場合、当該処理面上に離型層が形成される。
【００３７】
本発明において、プラスチックフィルムの厚み（離型層付きプラスチックフィルムの場合は離型層も含む総厚み）は、２０〜５０μｍの範囲が好ましく、２０〜４５μｍの範囲がより好ましく、２３〜４０μｍの範囲がより好ましい。プラスチックフィルムの厚みが２０μｍ未満では、絶縁層の回路上の平坦性が低下する傾向となり、５０μｍを越えると、コスト高の傾向となり、好ましくない。またプラスチックフィルムの厚みがこの範囲内であれば、ビア周辺の絶縁層表面のダメージ抑制等の本発明の効果がより顕著に発揮される。なお、離型層付きプラスチックフィルムにおける離型層の厚みは通常０．０５〜２μｍ程度である。
【００３８】
本発明で使用する接着フィルムは、回路基板への積層を行うまでは、無機充填材含有熱硬化性樹脂組成物層を保護するための保護フィルムを有しているのが好ましい。保護フィルムは、無機充填材含有熱硬化性樹脂組成物層の表面を物理的ダメージから守り、またゴミ等の異物付着を防止するなどの利点がある。このような保護フィルムとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリ塩化ビニル等のポリオレフィン、ＰＥＴ、ＰＥＮ等のポリエステル、ＰＣ、ポリイミド等のフィルムを挙げることができる。なお、保護フィルムにも、支持フィルムに使用するプラスチックフィルムと同様、マッド処理、コロナ処理の他、離型処理が施してあってもよい。保護フィルムの厚みは５〜３０μｍの範囲であるのが好ましい。
【００３９】
本発明において、接着フィルムを回路基板に積層し、接着フィルムの熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して絶縁層を形成する作業は従来の方法に準じて行うことができる。例えば、回路基板の片面または両面に接着フィルムを重ね、ＳＵＳ鏡板等の金属板を用いて、加熱および加圧し、積層プレスを行う。この際の圧力は、好ましくは５〜４０ｋｇｆ／ｃｍ２（４９×１０４〜３９２×１０４Ｎ／ｍ２）、温度は好ましくは１２０〜１８０℃、プレス時間は好ましくは２０〜１００分で行うことができる。加熱および加圧は、加熱されたＳＵＳ鏡板等の金属板をプラスチックフィルム側からプレスすることにより行うことができるが、金属板を直接プレスするのではなく、回路基板の回路凹凸に接着シートが十分に追随するよう、耐熱ゴム等の弾性材を介してプレスを行うのが好ましい。また、真空ラミネーターを使用して製造することもできる。この場合、接着フィルムを、減圧下で、加熱および加圧し、回路基板に接着フィルムをラミネートする。ラミネートは、温度が好ましくは７０〜１４０℃、圧力が好ましくは１〜１１ｋｇｆ／ｃｍ２（９．８×１０４〜１０７．９×１０４Ｎ／ｍ２）の範囲で行われる。空気圧は好ましくは２０ｍｍＨｇ（２６．７ｈＰａ）以下の減圧下で行われる。ラミネート工程の後に、好ましくは、金属板による熱プレスにより、ラミネートされた接着フィルムの平滑化を行う。該平滑化工程は、常圧下（大気圧下）で、加熱されたＳＵＳ鏡板等の金属板により、接着シートを加熱および加圧することにより行われる。加熱および加圧条件は、上記ラミネート工程と同様の条件を用いることができる。上記ラミネート工程および平滑化工程は、市販されている真空ラミネーターによって連続的に行うことができる。市販されている真空ラミネーターとしては、例えば、（株）名機製作所製 真空加圧式ラミネーター、ニチゴー・モートン（株）製 バキュームアップリケーター等が挙げられる。
【００４０】
ラミネート工程の後、または平滑化工程の後、熱硬化工程を行う。熱硬化工程においては、樹脂組成物を熱硬化し、絶縁層を形成する。熱硬化条件は熱硬化性樹脂組成物の種類等によっても異なるが、一般に硬化温度が１７０〜１９０℃、硬化時間が１５〜６０分である。
【００４１】
本発明においては、絶縁層表面に密着させたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、トップ径１００μｍ以下のブラインドビアを形成する。多層プリント配線板の薄型化、配線の高密度化に対応するため、ブラインドビアのトップ径は１００μｍ以下とし、好ましくは９０μｍ以下とし、より好ましくは８０μｍ以下とする。
【００４２】
照射する炭酸ガスレーザーには、一般に９．３〜１０．６μｍの波長のレーザーが使用される。また、ショット数は、形成すべきブラインドビアの深さ、孔径によっても異なるが、通常１〜５ショットの間で選択される。ブラインドビアの加工速度を速め、多層プリント配線板の生産性を向上させる観点から、ショット数は少ない方が好ましく、ショット数は１又は２が好ましい。ショット数を少なくするためには、炭酸ガスレーザーのエネルギーを一定値以上に高く設定するのが好ましく、特に、絶縁層中に無機充填材を３５質量％以上含有する本発明においては加工性が低下する傾向にあるため、炭酸ガスレーザーのエネルギーは好ましくは１ｍＪ以上に設定され、より好ましくは２ｍＪ以上に設定される。
【００４３】
炭酸ガスレーザーのエネルギーが低すぎると、加工性の低下により、ビア底の径がトップ径に比べて小さい、テーパの強い形状となり、導通信頼性を低下させる要因となる。特にトップ径が小さなブラインドビアでは、ビア底径がトップ径に比べ小さくなりすぎると、導通信頼性の低下が顕著な問題となるため、トップ径とビア底径の差を小さくするのが好ましい。すなわち、トップ径が１００μｍ以下のブラインドビアではその開口率（底径／トップ径）が７０％以上であるのが好ましい。
【００４４】
一方、炭酸ガスレーザーのエネルギーが高すぎるとブラインドビアの下地導体層がダメージを受けやすくなる。従って、ショット数や形成すべきプラインドビアの深さ等にもよるが、炭酸ガスレーザーのエネルギーの上限は５ｍＪ以下が好ましく、４．５ｍＪ以下がより好ましく、４ｍＪ以下がさらに一層好ましく、３．５ｍＪ以下がとりわけ好ましい。
【００４５】
なお、複数のショットで加工する場合、連続的なショットであるバーストモードは孔内に加工熱がこもるため、無機充填材と熱硬化性樹脂組成物の加工性に差が生じやすく、ビアのテーパが大きくなる傾向にあるため、時間的間隔を持たせた複数ショットである、サイクルモードが好ましい。
【００４６】
炭酸ガスレーザーのパルス幅は特に限定されず、２８μｓのミドルレンジから４μｓ程度の短パルスまで広い範囲で選択可能であるが、一般的に高エネルギーの場合、短パルスの方がビア加工形状に優れるとされている。
【００４７】
なお、炭酸ガスレーザーのエネルギーとは、１ショットあたりの絶縁層表面でのレーザーのエネルギー値であり、炭酸ガスレーザー装置における、発振機の出力、コリメーションレンズ（エネルギー調整用レンズ）、マスク径によって調整することができる。マスク径は、実際には、加工するブラインドビアの径に応じて選択される。エネルギー値は、レーザー加工を行う台座上に、測定器（パワーセンサ）を置いて、加工される回路基板の絶縁層表面高さにおけるエネルギーを実測することにより測定することができる。なお、市販されている炭酸ガスレーザー装置には測定装置が装備されており、照射対象表面におけるエネルギーを容易に測定することができる。市販されている炭酸ガスレーザー装置としては、例えば、三菱電機（株）ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ、日立ビアメカニクス（株）LC-Gシリーズ、松下溶接システム（株）基板穴あけレーザ加工機などが挙げられる。
【００４８】
本発明で製造する多層プリント配線板には、必要により、絶縁層が形成された回路基板に貫通孔（スルーホール）を形成してもよい。貫通孔形成は従来公知の方法を用いることができる。多層プリント配線板においては、貫通孔の形成は一般にコア基板において行われ、ビルドアップされた絶縁層は一般にはブラインドビアにより導通が行われる。また貫通孔形成は、一般に機械ドリルが用いられる。レーザーでコア基板に貫通孔を形成する方法も知られているが、その場合銅箔がレーザーを反射するため、通常、銅箔表面を化学的に加工した後、レーザーを照射する方法が用いられる。また、レーザーエネルギーの吸収を向上させる成分を含む穴あけ用補助シートを銅箔表面に設置してレーザー照射する方法も知られている。炭酸ガスレーザーで貫通孔を形成する場合、より大きなエネルギーが必要となり、銅箔やコア基板の厚みにもよるが、例えば１０〜６０ｍＪのエネルギーが採用される。薄型の回路基板においては、例えば本発明におけるブラインドビアの形成のように、絶縁層表面に密着されたプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、貫通孔を形成させる等、ビルトアップされた絶縁層上からレーザーにより貫通孔を形成してもよい。
【００４９】
本発明の多層プリント配線板の製造方法では、ブラインドビアの形成後に絶縁層からプラスチックフィルムを剥離する。プラスチックフィルムの剥離は、手動で剥離してもよく、自動剥離装置により機械的に剥離してもよい。なお、貫通孔を形成する場合は、ブラインドビアと貫通孔の形成後にプラスチックフィルムを剥離する。
【００５０】
本発明の多層プリント配線板の製造方法においては、絶縁層表面を粗化処理する粗化工程、粗化された絶縁層表面にメッキにより導体層を形成するメッキ工程、及び導体層に回路を形成する回路形成工程をさらに含んでもよい。これらの工程は、多層プリント配線板の製造に用いられている従来公知の各種方法に従って行うことができる。
【００５１】
絶縁層表面を粗化処理する粗化工程は、例えば、絶縁層表面をアルカリ性過マンガン酸水溶液等の酸化剤で処理することにより行うことができる。また、該粗化工程は、ブラインドビア、貫通孔等の孔内残渣（スミア）を除去するデスミア工程を兼ねる場合がある。なお、アルカリ性過マンガン酸水溶液で粗化処理をする場合、粗化処理に先立って膨潤液による膨潤処理を行うのが好ましい。膨潤液には、例えば、アトテックジャパン株式会社製のスウェリング・ディップ・セキュリガンスＰ（Swelling Dip SecuriganthP）、スウェリング・ディップ・セキュリガンスＳＢＵ（Swelling Dip SecuriganthSBU）等を挙げることができる。膨潤処理は、通常６０〜８０℃程度に加熱した膨潤液に絶縁層を５〜１０分程度付すことで行われる。アルカリ性過マンガン酸水溶液としては、例えば、水酸化ナトリウムの水溶液に過マンガン酸カリウムや過マンガン酸ナトリウムを溶解した溶液を挙げることができる。アルカリ性過マンガン酸水溶液による粗化処理は、通常６０〜８０℃のアルカリ性過マンガン酸水溶液に１０〜３０分程度絶縁層を付すことで行われる。アルカリ性過マンガン酸水溶液は、市販品としては、アトテックジャパン株式会社製のコンセントレート  コンパクトＣＰ、ドージングソリューション  セキュリガンスＰ、等が挙げられる。
【００５２】
メッキ工程は、例えば、粗化処理により凸凹が形成された絶縁層表面に無電解メッキと電解メッキを組み合わせた方法で導体層を形成するか、無電解メッキのみで導体層を形成する。導体層としては、銅、アルミニウム、ニッケル、銀、金等の金属又はこれら金属の合金等で形成できるが、特に銅が好ましい。銅メッキ層は、無電解銅メッキと電解銅メッキを組み合わせた方法か、導体層とは逆パターンのメッキレジストを形成し、無電解銅メッキのみで導体層を形成する。無電解メッキ層の厚みは、好ましくは０．１〜３μｍ、より好ましくは０．３〜２μｍである。一方、電解メッキ層の厚みは、無電解メッキ層の厚みとの合計厚みが好ましくは３〜３５μｍ、より好ましくは５〜２０μｍとなる厚みである。なお、導体層形成後、１５０〜２００℃で２０〜９０分アニール処理することにより、導体層のピール強度をさらに向上、安定化させることができる。
【００５３】
回路形成工程は、例えば、サブトラクティブ法、セミアディディブ法などを用いることができる。ファインライン形成にはセミアディティブ法が好ましく、無電解メッキ層上にパターンレジストを施し、所望の厚みの電解メッキ層（パターンメッキ層）を形成後、パターンレジストを剥離し、無電解メッキ層をフラッシュエッチで除去することにより、回路を形成することができる。
【００５４】
本発明の多層プリント配線板の製造に用いる回路基板とは、主として、ガラスエポキシ基板、金属基板、ポリエステル基板、ポリイミド基板、ＢＴレジン基板、熱硬化型ポリフェニレンエーテル基板等の基板の片面又は両面にパターン加工された導体層（回路）が形成されたものをいう。また、多層プリント配線板を製造する際に、さらに絶縁層および／または導体層が形成されるべき中間製造物の内層回路基板も本発明でいう回路基板に含まれる。なお、導体層（回路）表面は黒化処理等により予め粗化処理が施されていた方が絶縁層の回路基板への密着性の観点から好ましい。
【００５５】
以下、実施例及び比較例を示して本発明をより具体的に説明する。なお、以下の記載において「部」は「質量部」を意味する。
【００５６】
（熱硬化性樹脂組成物ワニスの製造例１）
液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（エポキシ当量１８０、ジャパンエポキシレジン（株）製「エピコート８２８ＥＬ」）２８部と、ナフタレン型４官能エポキシ樹脂（エポキシ当量１６３、大日本インキ化学工業（株）製「ＨＰ４７００」）２８部とをメチルエチルケトン１５部とシクロヘキサノン１５部の混合溶媒に撹拌しながら加熱溶解させた。そこへ、ナフトール系硬化剤（東都化成（株）製「ＳＮ-４８５」、フェノール性水酸基当量２１５）の固形分５０％のメチルエチルケトン溶液１１０部、硬化触媒（四国化成工業（株）製、「２Ｅ４ＭＺ」）０．１部、球形シリカ（平均粒径０．５μｍ、「ＳＯ−Ｃ２」アドマテックス社製）７０部、ポリビニルブチラール樹脂溶液（積水化学工業（株）製「ＫＳ-１」の固形分１５％のエタノールとトルエンの１：１溶液）３０部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、熱硬化性樹脂組成物ワニスを作製した。当該ワニスの固形分（不揮発成分）全体当たりのシリカ含有量は約３８質量％である。
【実施例１】
【００５７】
上記ワニスを、総厚みが３８μｍの離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製ＡＬ５）の離型面に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが４０μｍとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で６分間乾燥した（樹脂組成物層中の残留溶媒量：約１．５質量％）。次いで、樹脂組成物層の表面に厚さ１５μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせながらロール状に巻き取った。ロール状の接着フィルムを幅５０７ｍｍにスリットし、５０７×３３６ｍｍサイズのシート状の接着フィルムを得た。この後、該接着フィルムを回路形成（回路導体厚１８μｍ）された、５１０×３４０ｍｍサイズ、厚さ０．２ｍｍの銅張積層板の両面へ仮付けし、（株）名機製作所製真空ラミネーターにより、温度１００℃、圧力７ｋｇｆ／ｃｍ２、気圧５ｍｍＨｇ以下の条件で両面にラミネートし、さらに連続的に温度１００℃、圧力５ｋｇｆ／ｃｍ２の条件でＳＵＳ鏡板による熱プレスを行った。次いで、離型層付きＰＥＴフィルムが付いた状態で１８０℃、３０分の条件で熱硬化させ、回路基板両面に絶縁層を形成した。
【００５８】
室温まで冷却後、離型層付きＰＥＴフィルムを剥離せず、その上から三菱電機（株）製炭酸ガスレーザー装置（ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ−Ｐ）により、下記表１の実施例１の欄に記載の条件（パルス幅４μｓ）にて孔あけを行い、ブラインドビア（トップ径７０μｍを想定）を形成した。なお、想定トップ径７０μｍを比較例と同じとするため、本例の離型層付きＰＥＴフィルムが接着した状態での孔あけにおけるマスク径は、後掲比較例（離型層付きＰＥＴフィルム無しでの孔あけ）の場合のマスク径（１．０ｍｍ）よりも若干大きい１．１ｍｍとした。
【００５９】
その後、電子顕微鏡（ＳＥＭ）にてブラインドビアの観察を行い、ビアの開口率（底径／トップ径）を縦、横の平均値で計算し、レーザー加工性の評価を行った。また、デスミア処理を兼ねた絶縁層の表面処理の実施後にも、電子顕微鏡にてブラインドビアの観察を行った。なお、表面処理は、アトテック社の粗化液（スエリングディップ・セキユリガンド Ｐ（膨潤）、コンセントレート コンパクト Ｐ（酸化）、リダクションショリューシ セキュリガント Ｐ（中和）を用いて、膨潤６０℃×５分、酸化８０℃×２０分、中和４０℃×５分の工程を通すことで行った。
【００６０】
なお、上記の「ビアの開口率（底径／トップ径）を縦、横の平均値で計算し、」とは、ビアの底径とトップ径のそれぞれについて、ビアの軸線と交差する互い直交する２つの方向（縦方向、横方向）において孔の直径を測定して、その平均値を計算したことを意味する。
【００６１】
なお、ビアの底径及びトップ径の測定は（株）日立ハイテクノロジーズ製、走査型電子顕微鏡（型式「ＳＵ−１５００」) にて行った。まずビアトップに焦点を合わせ、縦、横の直径を、観察した倍率にて表示されるスケールより算出し、その平均をトップ径とした。次に、ビア底に焦点を合わせ、縦、横の直径を、観察した倍率にて表示されるスケールより算出し、その平均を底径とした。
【実施例２】
【００６２】
孔あけを表１の実施例２の欄に記載の条件で行った以外は、実施例１と同様の操作を行い、実施例１と同様の評価を行った。
【００６３】
＜比較例１、２＞
室温にまで冷却後、離型層付きＰＥＴフィルムを剥離した後、三菱電機（株）製炭酸ガスレーザー（ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ−Ｐ)により、表２の比較例１、２記載の条件にて孔あけを行った（マスク径１．０ｍｍ）。それ以外は実施例１と同様の操作を行い、実施例１と同様の評価を行った。
【００６４】
結果を表１及び表２に示す。
【００６５】
【表１】
2014039068.tif 000002
【００６６】
【表２】
2014039068.tif 000003
【００６７】
（熱硬化性樹脂組成物ワニスの製造例２）
ビスフェノールＡジシアネートのプレポリマー（ロンザジャパン（株）製「ＢＡ２３０Ｓ７５」、シアネート当量約２３２、不揮発分７５質量％のメチルエチルケトン（以下ＭＥＫと略す）溶液）３５質量部、フェノールノボラック型多官能シアネートエステル樹脂（ロンザジャパン（株）製「ＰＴ３０」、シアネート当量約１２４）を１０質量部、ナフトール型エポキシ樹脂（東都化成（株）製「ＥＳＮ−４７５Ｖ」、エポキシ当量約３４０の不揮発分６５質量％のＭＥＫ溶液）４０質量部、さらに液状ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製「８２８ＥＬ」）６質量部、フェノキシ樹脂溶液（東都化成（株）製「ＹＰ−７０」、不揮発分４０質量％のＭＥＫとシクロヘキサノンとの混合溶液）１５質量部、硬化触媒としてのコバルト（ＩＩ）アセチルアセトナート（東京化成（株）製）の１質量％のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）溶液４質量部、および球形シリカ（（株）アドマテックス製「ＳＯ−Ｃ２」をアミノシランで表面処理したもの、平均粒子径０．５μｍ）７５質量部を混合し、高速回転ミキサーで均一に分散して、熱硬化性樹脂組成物ワニスを作製した。当該ワニスの固形分（不揮発成分）全体当たりのシリカ含有量は約５０質量％である。
【実施例３】
【００６８】
上記ワニスを、総厚みが３８μｍの離型層付きＰＥＴフィルム（リンテック（株）製ＡＬ５）の離型面に、乾燥後の樹脂組成物層の厚みが４０μｍとなるようにダイコーターにて均一に塗布し、８０〜１２０℃（平均１００℃）で６分間乾燥した（樹脂組成物層中の残留溶媒量：約１．４質量％）。次いで、樹脂組成物層の表面に厚さ１５μｍのポリプロピレンフィルムを貼り合わせながらロール状に巻き取った。ロール状の接着フィルムを幅５０７ｍｍにスリットし、５０７×３３６ｍｍサイズのシート状の接着フィルムを得た。その後、実施例１と同様の操作を行い、実施例１と同様の評価を行った。ただし、デスミア処理を兼ねた絶縁層の表面処理は、膨潤８０℃×１０分、酸化８０℃×２０分、中和４０℃×５分の工程を通すことで行った。
【実施例４】
【００６９】
孔あけを表３の実施例４の欄に記載の条件で行った以外は、実施例３と同様の操作を行い、実施例３と同様の評価を行った。
【００７０】
＜比較例３、４＞
室温にまで冷却後、離型層付きＰＥＴフィルムを剥離した後、三菱電機（株）製炭酸ガスレーザー（ＭＬ６０５ＧＴＷＩＩ−Ｐ）により、表４の比較例３、４記載の条件にて孔あけを行った（マスク径１．０ｍｍ）。それ以外は実施例３と同様の操作を行い、実施例３と同様の評価を行った。
結果を表３及び表４に示す。
【００７１】
【表３】
2014039068.tif 000004
【００７２】
【表４】
2014039068.tif 000005
【００７３】
表１、表３から分かるように、プラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーにより形成されたブラインドビアは、１ｍＪを超える高エネルギーでも、ビア表面付近の樹脂ダメージが少なく、デスミア後、ビア周辺絶縁層も均一な粗面であった。また、高いエネルギーの炭酸ガスレーザーを使用することで、ショット数も少なく、テーパの小さい（すなわち、開口率が大きい）良好なビア形状の加工が可能となっており、本発明の方法が、ビア形成の高速化に適した方法であることが分かる。
【００７４】
一方、プラスチックフィルムを剥離後、絶縁層に直接炭酸ガスレーザーを照射させてブラインドビアを形成した比較例（表２及び表４）では、炭酸ガスレーザーのエネルギーが低い場合（比較例１、３）、トップ径に対してビア底径がより小さくなっており（すなわち、開口率が小さくなっており）、特にシリカ含有量の多い絶縁層ではテーパの大きい（開口率が小さい）形状が顕著となった（比較例３）。また、１ｍＪを超える高エネルギー加工（比較例２、４）では、ビア周辺絶縁層の樹脂ダメージが大きいため、ファインパターン形成の際に支障をきたす三日月状のダメージがビア周辺に顕著に観察される（白矢印で表示）とともに、デスミア後にビアトップ径の広がりも顕著となっている。
【産業上の利用可能性】
【００７５】
本発明によれば、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、加工性を良好とするのに十分な高いエネルギーの炭酸ガスレーザーを使用した場合でも、ビア周辺の絶縁層表面に大きな凹凸を生じさせずに、トップ径が１００μｍ以下で、ビア底径とトップ径の差が小さい良好な孔形状のブラインドビアを形成することができる。従って、導通信頼性が高く、高密度配線化に適した多層プリント配線板が製造可能であり、特に、無機充填材を多く含有させることにより、絶縁層の機械強度向上や熱膨張率低下等を目的した、多層プリント配線板の製造に好適に用いることができる。
【００７６】
本出願は日本で出願された特願２００７−３０２８３１を基礎としており、その内容は本明細書に全て包含される。
【手続補正書】
【提出日】平成25年12月11日(2013.12.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
回路基板の両面又は片面に形成された、無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層に、該絶縁層表面に密着させた離型層付きプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射して、トップ径が１００μｍ以下のブラインドビアを形成する工程を含むことを特徴とする、多層プリント配線板の製造方法。
【請求項２】
無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層が、無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化したものである、請求項１記載の多層プリント配線板の製造方法。
【請求項３】
離型層付きプラスチックフィルムの該離型層上に無機充填材を３５質量％以上含有する熱硬化性樹脂組成物層を形成した接着フィルムを、該熱硬化性樹脂組成物層が回路基板の両面又は片面に接するように回路基板に積層し、該熱硬化性樹脂組成物層を熱硬化して無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層を形成後、離型層付きプラスチックフィルム上から炭酸ガスレーザーを照射する、請求項２記載の方法。
【請求項４】
無機充填材を３５質量％以上含有する絶縁層が、無機充填材を３５〜７０質量％含有する絶縁層である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
無機充填材がシリカである、請求項１〜４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項６】
離型層付きプラスチックフィルムのプラスチックフィルムがポリエチレンテレフタレートフィルムである、請求項１〜５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項７】
離型層付きプラスチックフィルムの厚みが２０〜５０μｍであり、絶縁層の厚みが１５〜１００μｍである、請求項１〜６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項８】
炭酸ガスレーザーのエネルギーが１ｍＪ以上である、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項９】
炭酸ガスレーザーのエネルギーが１〜５ｍＪである、請求項１〜７のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１０】
炭酸ガスレーザーのショット数が１又は２である、請求項１〜９のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１１】
ビアの開口率（底径／トップ径）が７０％以上である、請求項１〜１０のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１２】
離型層付きプラスチックフィルムを絶縁層から剥離する剥離工程をさらに含む、請求項１〜１１のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１３】
絶縁層を粗化処理する粗化工程をさらに含む、請求項１〜１２のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１４】
粗化された絶縁層表面にメッキにより導体層を形成するメッキ工程、及び導体層に回路を形成する回路形成工程をさらに含む、請求項１３記載の方法。
【請求項１５】
熱硬化性樹脂組成物層がエポキシ樹脂を含有する、請求項２〜１４のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１６】
無機充填材の平均粒径が０．１〜３μｍである、請求項１〜１５のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１７】
ビルドアップ方式による、請求項１〜１６のいずれか１項に記載の方法。
【請求項１８】
真空ラミネーターを使用する、請求項１〜１７のいずれか１項に記載の方法。