(57)【要約】【課題】半導体素子の過熱を抑制、防止する過熱抑制防止部材を半導体装置の製造時に、位置規制部材を必要とせずに半導体素子に非接触で接合することができ、しかも、半導体素子の過熱抑制防止を効果的に行うことができる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置１０は、半導体素子１２と、半導体素子１２の上面電極に対向する貫通孔１６を有し、かつ半導体素子１２に対して半田１３を介して接合されたバスバー１４とを有する。ヒートマス１７は、一部が貫通孔１６を貫通し、かつ上面がバスバー１４の上面より上側に位置する状態でバスバー１４に一部が接触するとともに半導体素子１２に対して離間した状態で半田１３を介して接合されている。【選択図】図１
2014082275.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、
前記半導体素子の上面電極に対向する貫通部を有し、かつ前記半導体素子に対して導電性接合材を介して接合されたバスバーと、
一部が前記貫通部を貫通し、かつ上面が前記バスバーの上面より上側に位置する状態で、前記バスバーに一部が接触するとともに前記半導体素子に対して離間した状態で前記導電性接合材を介して接合された過熱抑制防止部材と
を有する半導体装置。
【請求項２】
前記過熱抑制防止部材は前記貫通部内に位置する凸部を有し、前記凸部は前記半導体素子に非接触で接合されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
車載用である請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体スイッチング素子の両主面にそれぞれ電気的かつ熱的に接続された一対の放熱部材を備えてなり、当該両主面から放熱を行う半導体装置が提案されている（特許文献１）。図７に示すように、この半導体装置は、半導体スイッチング素子５１、一対の放熱部材５２，５３、モールド樹脂部５４、制御信号入力用リード５５が一体化されたものである。放熱部材５２，５３は、半田５６を介して半導体スイッチング素子５１に接続されている。放熱部材５３は、受熱面がモールド樹脂部５４内で半導体スイッチング素子５１のエミッタ電極に接続される第一部材５３ａと、放熱面を有し、モールド樹脂部５４の外にある第二部材５３ｂとの２種類の部材からなる。第一部材５３ａと第二部材５３ｂとは半田５６により接合されている。制御信号入力用リード５５はボンディングワイヤ５７により半導体スイッチング素子５１のゲート電極に接続されている。なお、モールド樹脂部５４の外側に延出する大電流用のリード端子（図示しない）は、第二部材５３ｂ側に形成される。
【０００３】
この半導体装置を製造する場合は、先ず、放熱部材５２上に半導体スイッチング素子５１を半田５６で接合し、その上に放熱部材５３の第一部材５３ａを半田５６で接合し、半導体スイッチング素子５１のゲート電極にボンディングワイヤ５７により制御信号入力用リード５５を接続した積層体を形成する。そして、得られた積層体を金型のキャビティ内にセットして、キャビティ内に樹脂を注入することで、積層体の周辺部にモールド樹脂部５４を形成する。その後、金型から樹脂モールドされた積層体を取り出し、第一部材５３ａのモールド樹脂部５４からの突出部に第二部材５３ｂを半田５６で接合する。そして、最後に大電流用のリード端子（バスバー）を第二部材５３ｂに接合する。
【０００４】
また、電力変換装置に使用される半導体装置において、過負荷によって起こる半導体素子の急激な温度上昇を抑制することのできる半導体装置として、ヒートシンクの他に、半導体素子の熱を一時的に吸収して、その後、放熱するヒートマス（蓄熱体）を有するものがある。この場合、半導体素子で発生した熱は、通常はヒートシンクへ伝導され、過負荷状態において、ヒートシンクの冷却能力が対応できないときに、余分な熱がヒートマスに一時的に蓄えられた後、ヒートシンクへ伝導される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−３１１５３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
特許文献１の半導体装置では、半導体スイッチング素子５１に電気的に接続される上部電極は、半導体スイッチング素子５１の上側に接合された放熱部材５３の上に接続されている。そのため、半導体装置が大型化するとともに大電流が半導体スイッチング素子５１から放熱部材に流れるため、放熱部材５３の分、電気抵抗が大きくなり好ましくない。また、半導体スイッチング素子５１に放熱部材５３を半田で接合する際、放熱部材５３の一部が半導体スイッチング素子５１に接触すると、半導体スイッチング素子５１の上面に傷が付く虞がある。放熱部材５３の一部が半導体スイッチング素子５１に接触しないように半田接合するためには、放熱部材５３の位置を規制する位置規制部材（治具）で半導体スイッチング素子５１を所定の位置に保持した状態で接合する必要があり、接合に手間が掛かるという問題もある。
【０００７】
また、特許文献１の半導体装置において、放熱部材５３に代えてヒートマスを設けると、大電流がヒートマスを流れるため過熱時以外でもヒートマスが加熱される状態となり、好ましくない。
【０００８】
本発明は、前記の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は、半導体素子の過熱を抑制、防止する過熱抑制防止部材を半導体装置の製造時に、位置規制部材を必要とせずに半導体素子に非接触で接合することができ、しかも、半導体素子の過熱抑制防止を効果的に行うことができる半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、半導体素子と、前記半導体素子の上面電極に対向する貫通部を有し、かつ前記半導体素子に対して導電性接合材を介して接合されたバスバーと、一部が前記貫通部を貫通し、かつ上面が前記バスバーの上面より上側に位置する状態で、前記バスバーに一部が接触するとともに前記半導体素子に対して離間した状態で前記導電性接合材を介して接合された過熱抑制防止部材とを有する。ここで、「過熱抑制防止部材」とは、熱を一時的に蓄えた後、放熱する蓄熱体（ヒートマス）又は半導体素子の熱を半導体素子より低温部に伝達（放熱）する放熱体を意味する。
【００１０】
この発明では、過熱抑制防止部材は上面がバスバーの上面より上側に位置し、かつ一部がバスバーを貫通して配置されているため、使用する過熱抑制防止部材及びバスバーの厚さを従来と同様にした場合、半導体装置が小型化される。また、過熱抑制防止部材は一部がバスバーの貫通部を貫通し、かつバスバーに接触して配置されるため、バスバーが過熱抑制防止部材の位置決め機能を果たし、一部を半導体素子に近づけた状態で配置するのが容易になる。したがって、半導体素子の過熱を抑制、防止する過熱抑制防止部材を半導体装置の製造時に、位置規制部材を必要とせずに半導体素子に非接触で接合することができ、しかも、半導体素子の過熱抑制防止を効果的に行うことができる。
【００１１】
請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記過熱抑制防止部材は前記貫通部内に位置する凸部を有し、前記凸部は前記半導体素子に非接触で接合されている。この発明では、過熱抑制防止部材は凸部を有し、その凸部がバスバーに形成された貫通部内に位置するため、凸部を有さない過熱抑制防止部材に比べて、過熱抑制防止部材の一部を半導体素子に近付けて配置することが容易になり、半導体素子で発生した熱が必要に応じて効率良く過熱抑制防止部材に伝導される。そして、過熱抑制防止部材がヒートマスであれば、過負荷時に効率良く半導体素子の熱の一部を蓄熱することができ、過熱抑制防止部材が放熱体であれば半導体素子の熱が効率良く放熱される。
【００１２】
請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記半導体装置は車載用である。車両は乗員や荷物などの収容スペースをなるべく広く確保するため、車両に搭載されて使用される電子機器は小型で収容スペースの自由度が高いものが好ましい。請求項１又は請求項２に記載の発明は、この要求を満たしているため、車載用として好ましい。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、半導体素子の過熱を抑制、防止する過熱抑制防止部材を半導体装置の製造時に、位置規制部材を必要とせずに半導体素子に非接触で接合することができ、しかも、半導体素子の過熱抑制防止を効果的に行うことができる半導体装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】（ａ）は半導体装置の平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線断面図。
【図２】（ａ）はヒートマスの斜視図、（ｂ）はバスバーの斜視図。
【図３】半導体装置を用いて構成されたインバータの部分断面図。
【図４】別の実施形態のインバータの部分断面図。
【図５】（ａ），（ｂ）はそれぞれ別の実施形態のヒートマスとバスバーの形状を示す断面図。
【図６】（ａ），（ｂ）はそれぞれ別の実施形態のヒートマスとバスバーの形状を示す断面図。
【図７】従来技術の半導体装置の断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
（第１の実施形態）
以下、本発明を車両に搭載されて使用される半導体装置（半導体モジュール）に具体化した第１の実施形態を図１〜図３にしたがって説明する。
【００１６】
図１（ａ），（ｂ）に示すように、半導体装置１０は、下部電極を兼ねたヒートスプレッダ１１上に半導体素子１２が導電性接合材としての半田１３を介して接合されている。この実施形態では半導体素子１２としてＩＧＢＴが使用されており、半導体素子１２はコレクタ電極（図示せず）が下面に位置する状態でヒートスプレッダ１１に接合されている。半導体素子１２の上面には半田１３を介して上部電極としてのバスバー１４が接合されている。半導体素子１２は上面に上面電極としてエミッタ電極（図示せず）及びゲート電極１５（図１（ａ）に図示）を有し、図１（ａ）に示すように、バスバー１４はゲート電極１５が露出した状態で、エミッタ電極に接続されて半導体素子１２の上面に接合されている。図２（ｂ）に示すように、バスバー１４は、平面矩形状に形成されるとともに、長手方向の一端寄りに貫通部としての貫通孔１６を複数個（この実施形態では２個）有する。
【００１７】
半導体装置１０は、上部に過熱抑制防止部材としてのヒートマス１７を有する。図２（ａ）に示すように、ヒートマス１７は直方体状の本体１７ａの下面から２個の凸部（脚部）１７ｂが突出した構造である。そして、図１（ｂ）に示すように、２個の凸部１７ｂが貫通孔１６を貫通し、かつその先端（下端）が半導体素子１２に対して非接触の状態で、本体１７ａの下面がバスバー１４の上面に接触した状態で半田１３を介して半導体素子１２に接合されている。
【００１８】
即ち、半導体装置１０は、半導体素子１２と、半導体素子１２の上面電極に対向する貫通孔１６を有し、かつ半導体素子１２に対して半田１３を介して接合されたバスバー１４を有する。また、半導体装置１０は、一部が貫通孔１６を貫通し、かつ上面がバスバー１４の上面より上側に位置する状態でバスバー１４に一部が接触するとともに半導体素子１２に対して離間した状態で半田１３を介して接合されたヒートマス１７を有する。
【００１９】
次に半導体装置１０の製造方法を説明する。
先ず、ヒートスプレッダ１１の一方の面に半導体素子１２をその下面において半田接合する。次に半導体素子１２の上面のエミッタ電極にバスバー１４を半田接合する。そして、半田１３の溶融状態において、ヒートマス１７を２個の凸部１７ｂがバスバー１４の貫通孔１６に挿通される状態にバスバー１４上に配置する。ヒートマス１７は銅製で半田１３より比重が大きいため、図１（ｂ）に示すように、ヒートマス１７は、本体１７ａの下面がバスバー１４の上面に２個の貫通孔１６の間において接触した状態になるまで２個の凸部１７ｂが半田１３内に浸入し、その状態で半田１３が固化する。そして、バスバー１４及びヒートマス１７は半田１３を介して半導体素子１２に接合される。
【００２０】
ヒートマス１７の材質としては、半導体素子１２とヒートマス１７とを接合する半田１３より高融点の金属が好ましい。
ヒートマス１７のサイズとしては、ヒートマス１７を図１（ｂ）の上から見た大きさが、半導体素子１２の発熱箇所と同等〜半導体素子１２全体のサイズにするのがスペースと熱抵抗の両観点から好ましく、厚みを適宜変更して必要な熱容量を確保すればよい。
【００２１】
ヒートマス１７を半導体素子１２に半田接合する際、ヒートマス１７の一部が半導体素子１２と接触した状態で半導体素子１２に接合されるのを規制する規制部材の役割をバスバー１４が果たす。そのため、規制部材の役割を果たす治具を用いずに、ヒートマス１７の一部、この実施形態では凸部１７ｂの先端が半導体素子１２に接触せず、かつ半導体素子１２の上面近くに位置する状態でヒートマス１７を半導体素子１２に接合することができる。
【００２２】
前記のように構成された半導体装置１０は、例えば、車載用のインバータの部品として使用される。インバータは、例えば、６個の半導体装置１０と、半導体素子１２としてダイオードが使用された６個の半導体装置を備える。
【００２３】
図３に示すように、インバータ２０は、冷却媒体が流れる冷媒流路２１ａを備えた冷却器２１上に絶縁層２２を介して形成された配線層２３に対して、半導体装置１０や他の半導体装置がヒートスプレッダ１１において半田接合される。図３には２個の半導体装置１０のみが図示されているが、冷却器２１上には合計６個のＩＧＢＴ用の半導体装置と、６個のダイオード用の半導体装置が同様に接合され、さらに必要な部品の接合や配線が行われてインバータ２０が構成される。
【００２４】
ヒートマス１７の熱容量は、過負荷等によって半導体素子１２から定常発熱状態より大きな熱が発生して、冷却器２１による冷却機能が足りなくなった際、半導体素子１２で発生した熱の一部を一時的に吸収して半導体素子１２が過熱状態になることを抑制するのに必要な値に設定されている。例えば、ハイブリッド車の走行用モータの制御に使用されるインバータの場合、定常運転状態から急な加速あるいは急停止の場合、１秒未満の短時間で半導体素子１２からの発熱で定格の３〜５倍もの損失熱量が発生する。この実施形態においては、その際に、半導体素子１２の温度が動作温度の上限を超えないように設定される。なお、急停止の場合に過大な損失熱量が発生するのは、回生動作が行われるために大きな電流が流れるからである。
【００２５】
次に前記のように構成されたインバータ２０の作用を説明する。インバータ２０は、例えば、車両としてのハイブリッド車に搭載されて走行用モータの駆動制御に使用される。冷却器２１は、車両に装備された冷媒循環路に連結される。
【００２６】
半導体装置１０等に搭載された半導体素子１２が駆動されると、半導体素子１２から熱が発生する。定常運転状態（定常発熱状態）では、半導体素子１２から発生した熱は、半田１３、ヒートスプレッダ１１等を介して冷却器２１に伝導される。冷却器２１に伝導された熱は、冷媒流路２１ａを流れる冷却媒体に伝導されるとともに持ち去られる。即ち、冷却器２１は、冷媒流路２１ａを流れる冷却媒体によって強制冷却されるため、半導体素子１２等から冷却器２１に至る熱の伝導経路における温度勾配が大きくなり、半導体素子１２で発生した熱がヒートスプレッダ１１を介して効率良く除去される。
【００２７】
定常運転状態から急な加速あるいは急な停止が行われると、半導体素子１２からの発熱が急増し、１秒以下の短時間で定格の３〜５倍もの損失熱量が発生する。この非定常時の高発熱に対しては、冷却器２１による強制冷却だけでは対処できない。しかし、半導体素子１２にはヒートマス１７が半田付けされているため、冷却器２１で除去できない熱がヒートマス１７に一時的に吸収される。そして、定常運転状態に戻ると、ヒートマス１７の熱が半導体素子１２及びヒートスプレッダ１１等を介して冷却器２１へ伝導され、ヒートマス１７は元の状態に戻る。
【００２８】
したがって、この実施形態によれば、以下に示す効果を得ることができる。
（１）半導体装置１０は、半導体素子１２と、半導体素子１２の上面電極に対向する貫通孔１６を有し、かつ半導体素子１２に対して半田１３を介して接合されたバスバー１４とを有する。また半導体装置１０は、一部が貫通孔１６を貫通し、かつ上面がバスバー１４の上面より上側に位置する状態で、バスバー１４に一部が接触するとともに半導体素子１２に対して離間した状態で半田１３を介して接合されたヒートマス１７を有する。したがって、半導体素子１２の過熱を抑制、防止するヒートマス１７を半導体装置１０の製造時に、位置規制部材を必要とせずに半導体素子１２に非接触で接合することができ、しかも、半導体素子１２の過熱抑制防止を効果的に行うことができる。
【００２９】
（２）ヒートマス１７は貫通孔１６内に位置する凸部１７ｂを有し、凸部１７ｂは半導体素子１２に非接触で接合されている。したがって、凸部を有さないヒートマス１７に比べて、ヒートマス１７の一部を半導体素子１２に近付けて配置することが容易になり、半導体素子１２で発生した熱が必要に応じて効率良くヒートマス１７に伝導される。
【００３０】
（３）ヒートマス１７は、本体１７ａの下面に形成された複数の凸部１７ｂがバスバー１４に形成された複数の貫通孔１６に、貫通孔１６の間のバスバー１４の上面を跨ぐように挿入された状態で半田１３を介して半導体素子１２に接合され、ヒートマス１７の比重が半田１３の比重より大きい。したがって、半導体装置１０の製造時に、バスバー１４を半田１３で半導体素子１２に接合する際、半田１３の溶融状態のときに、複数の凸部１７ｂを貫通孔１６に挿入する状態で、ヒートマス１７をバスバー１４上に載置（配置）することにより、簡単にヒートマス１７を適切な状態で半導体素子１２に接合することができる。
【００３１】
（４）半導体装置１０は、同様な構成の他の半導体装置と共に冷却器２１上に実装されて車載用のインバータ２０を構成する。そして、定常運転状態から急な加速あるいは急な停止が行われると、冷却器２１のみでは除去できない熱が半導体素子１２から発生するが、その熱がヒートマス１７に一時的に吸収されることにより、過渡的に半導体素子１２の発熱量が多くなっても、半導体素子１２の過熱の抑制防止の対処ができる。
【００３２】
（第２の実施形態）
次に第２の実施形態を図４にしたがって説明する。この実施形態では、インバータ２０は、ヒートスプレッダ１１上に半導体素子１２が半田１３を介して接合された半導体装置１０を形成せずに、冷却器２１上に絶縁基板を介して、トランジスタやダイオードとしての半導体素子１２が直接半田接合されて構成されている点が第１の実施形態と異なる。第１の実施形態と同一部分は同一符号を付して詳しい説明を省略する。
【００３３】
図４に示すように、インバータ２０は、冷却器２１上に接合された絶縁基板２４上に複数の半導体素子１２が実装されている。絶縁基板２４として、ＤＢＡ基板（ダイレクト・ブレージング・アルミニウム基板）を用いており、図４に示すように、セラミック基板２５の一方の面（下面）に形成されたアルミニウム層２６が冷却器２１に接合され、他方の面（上面）に形成されたアルミニウム層が配線層２７を構成している。そして、半導体素子１２は、配線層２７上に半田１３を介して接合されている。
【００３４】
半導体素子１２としては、三相用のインバータ２０を構成する６個のトランジスタ（ＩＧＢＴ）及び６個のダイオードが接合されている。
この実施形態では、第１の実施形態の（１）〜（４）と基本的に同様の効果を有する他に、次の効果を有する。
【００３５】
（５）半導体素子１２は、ヒートスプレッダ１１を介さずに冷却器２１に対して絶縁基板２４を介して接続されている。そのため、製造工数が少なくなる。
実施形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
【００３６】
○  ヒートマス１７の大きさは、過負荷等によって半導体素子１２から定常発熱状態より大きな熱が発生した場合に、その熱を一時的に吸収可能な熱容量を有していれば、どのような大きさでもよい。
【００３７】
○  ヒートマス１７の凸部（脚部）１７ｂの長さは、半導体素子１２に触れない範囲であればよい。また、凸部１７ｂが複数の場合、凸部１７ｂの長さが異なってもよい。しかし、凸部１７ｂの先端が半導体素子１２に近い方が過渡熱を効果的に吸収し易い。
【００３８】
○  バスバー１４が有する貫通孔１６の数は、２個に限らず、３個以上でもあるいは１個でもよい。
○  貫通孔１６が１個の場合、例えば、図５（ａ）に示すように、貫通孔１６の幅をバスバー１４の幅の半分より大きな幅にして、凸部１７ｂの幅もバスバー１４の幅の半分より大きな幅にした方が、同じ熱容量のヒートマス１７として高さを低くすることができ、小型化に寄与する。
【００３９】
○  ヒートマス１７は本体１７ａの下面に凸部１７ｂを有する形状に限らず、図５（ｂ）に示すように、上面側から下面側に向かってその幅が次第に狭くなる形状であってもよい。この場合、ヒートマス１７の側面がバスバー１４の貫通孔１６の上端に線接触した状態で位置決めされて、半導体素子１２に半田１３を介して接合される。
【００４０】
○  ヒートマス１７の形状は、凸部１７ｂを有する形状や上面側から下面側に向かって幅が狭くなる形状に限らず、上面側から下面側まで一定幅、即ち直方体であってもよい。例えば、直方体のヒートマス１７であっても、その幅と貫通孔１６の幅が近ければ、図６（ａ）に示すように、ヒートマス１７は傾いた状態で、一方の側面がバスバー１４の貫通孔１６の上端に線接触し、他方の側面の下端が貫通孔１６に線接触した状態で、半導体素子１２に対して半田１３を介して接合される。
【００４１】
○  図６（ｂ）に示すように、ヒートマス１７の形状は直方体とし、バスバー１４の貫通孔１６の形状は下方に向かって断面積が次第に小さくなる四角錐台状とし、ヒートマス１７は、その下端が貫通孔１６の壁面と線接触する状態で半田１３に接合されるようにしてもよい。
【００４２】
○  バスバー１４が有する貫通孔１６の数と、ヒートマス１７が有する凸部１７ｂの数とは同じでなくてもよい。例えば、１個の貫通孔１６に複数の凸部１７ｂが挿入されてもよいし、凸部１７ｂの挿通されていない貫通孔１６が存在してもよい。
【００４３】
○  ヒートマス１７は１個のバスバー１４に対して１個に限らず、複数あってもよい。
○  貫通孔１６に代えて切り欠きを貫通部としてバスバー１４に形成してもよい。
○  貫通部として貫通孔１６及び切り欠きが混在してもよい。
【００４４】
○  ヒートマス１７はバスバー１４に接していなくてもよい。ヒートマス１７及び半田１３の比重とヒートマス１７の形状によっては、溶融状態の半田１３上にヒートマス１７を載置した場合、ヒートマス１７が半田１３からの浮力によりバスバー１４と接触しない状態で半田１３が固化し、ヒートマス１７は半導体素子１２及びバスバー１４の両者に接触せずに、半導体素子１２に接合される。
【００４５】
○  導電性接合材は半田１３に限らず、溶融（液）状態から固化（硬化）することによりバスバー１４及びヒートマス１７を半導体素子１２に対して接合可能なものであればよい。例えば、エポキシ樹脂に導電性フィラーとして銀が含有されたものでもよい。
【００４６】
○  ヒートマス１７の材料は導電性接合材により接合可能な表面を持ち、必要な熱容量を確保可能なものなら何の材料でもよい。
○  ヒートマス１７は、凸部１７ｂの一部が導電性接合材と接合している状態でも、全部が接合している状態でもよい。
【００４７】
○  ヒートマス１７は、凸部１７ｂ以外に導電性接合材と接触していてもいなくてもよい。
○  ヒートマス１７は、凸部１７ｂが横方向の位置決めを行ってもよいし、凸部１７ｂ以外に位置決め部分を持ってもよい。
【００４８】
○  バスバー１４がヒートマス１７の位置決め部分を持ってもよい。
○  半導体装置１０は、ヒートスプレッダ１１に複数の半導体素子１２が接合され、バスバー１４も１個のバスバー１４が複数の半導体素子１２に対して接合されてもよい。例えば、インバータを構成するスイッチング素子としてのトランジスタ（ＩＧＢＴ）と、そのトランジスタに逆並列に接続されるダイオードとが、半導体素子１２としてヒートスプレッダ１１に接合された構成としてもよい。
【００４９】
○  トランジスタとしての半導体素子１２は、ＩＧＢＴに限らずパワーＭＯＳＦＥＴのようなトランジスタであってもよい。また、トランジスタに限らず、サイリスタであってもよい。
【００５０】
○  冷却器２１を流れる冷却媒体は液体に限らず、例えば、空気などの気体であってもよい。
○  冷却器２１は強制冷却式の冷却器に限らず、放熱板であってもよい。
【００５１】
○  冷却器２１上に各半導体素子１２に対応して絶縁基板２４を接合せず、複数の半導体素子１２に対して１つの絶縁基板２４を接合した構成や、１つの絶縁基板２４上に全ての半導体素子１２を接合した構成としてもよい。
【００５２】
以下の技術的思想（発明）は前記実施形態から把握できる。
（１）請求項２又は請求項３に記載の発明において、前記バスバーは複数の前記貫通部を有し、前記過熱抑制防止部材は本体の下面に複数の前記凸部を有し、複数の前記凸部がそれぞれ異なる前記貫通部に挿通され、前記本体の下面が前記バスバーの上面と面接触している。
【００５３】
（２）請求項１〜請求項３及び前記技術的思想（１）のいずれか一項に記載の発明において、前記過熱抑制防止部材はヒートマスである。
（３）下面電極が冷却器に接合され、上面電極がバスバーに接合された半導体素子を有し、一部が前記バスバーに形成された貫通部を貫通し、かつ上面が前記バスバーの上面より上側に位置するように導電性接合材を介して前記半導体素子に対して接合された過熱抑制防止部材を有する半導体装置の製造方法であって、前記バスバーを前記半導体素子に前記導電性接合材を介して接合する際、前記導電性接合材の溶融状態において、前記過熱抑制防止部材を、その一部が前記貫通部を挿通する状態で前記バスバー上に配置して、前記過熱抑制防止部材を前記半導体素子に接合することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【００５４】
１２…半導体素子、１３…導電性接合材としての半田、１４…バスバー、１６…貫通部としての貫通孔、１７…過熱抑制防止部材としてのヒートマス、１７ｂ…凸部。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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