(57)【要約】      （修正有）【課題】ガラス基板の表面のエッチング処理と、物理強化処理の両立が可能な、反射防止性ガラス基板の製造方法、およびその装置を提供する。【解決手段】反射防止性ガラスの製造方法であって、（ａ）物理強化されたガラス基板を準備するステップと、（ｂ）２５０℃以上４００℃未満の温度で、前記物理強化されたガラス基板の表面に、フッ化水素（ＨＦ）ガスを含む処理ガスを接触させるステップと、を有することを特徴とする製造方法。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
反射防止性ガラスの製造方法であって、
（ａ）物理強化されたガラス基板を準備するステップと、
（ｂ）２５０℃以上４００℃未満の温度で、前記物理強化されたガラス基板の表面に、フッ化水素（ＨＦ）ガスを含む処理ガスを接触させるステップと、
を有することを特徴とする製造方法。
【請求項２】
前記（ｂ）のステップにより、前記ガラス基板の表面に、１ｎｍ〜２００ｎｍのオーダの処理層が形成されることを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記処理ガス中のフッ化水素ガスの濃度は、２ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％の範囲であることを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
前記処理ガスは、さらに、窒素ガスおよび／またはアルゴンガスを含むことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項５】
前記ガラス基板の上部には、インジェクタが配置され、
前記フッ化水素（ＨＦ）ガスは、前記インジェクタから、前記ガラス基板に向かって放出されることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項６】
前記（ｂ）のステップにおいて、前記ガラス基板は、搬送された状態で前記処理ガスに接触することを特徴とする請求項５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記ガラス基板の前記インジェクタの通過時間は、１秒〜１２０秒の間であることを特徴とする請求項６に記載の製造方法。
【請求項８】
前記ガラス基板は、１．５ｍｍ以上の厚さを有することを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一つに記載の製造方法。
【請求項９】
前記（ｂ）のステップ後の前記ガラス基板の圧縮応力の残留率は、６０％以上であることを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一つに記載の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、反射防止性ガラスの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、建材用ガラス、自動車用ガラス、ディスプレイ用ガラス、光学素子、太陽電池用ガラス、ショーウィンドウガラス、光学ガラス、およびメガネレンズなど、各種ガラス製品において、高い光透過性が要求される場合がある。このような場合、高い反射防止性を有するガラス基板が使用される。
【０００３】
そのような高反射防止性ガラス基板は、例えば、蒸着法、スパッタ法、またはシリカ系低屈折層のウェット法によるコーティング等により、ガラス基板の表面に反射防止膜を形成することにより構成することができる。
【０００４】
また、最近では、ガラス基板にフッ素ガス等を接触させて、ガラス基板の表面をエッチング処理し、ガラス基板の表面に微細な凹凸を形成する方法が開示されている（特許文献１）。この方法により形成された凹凸表面は、反射防止特性を発揮するため、そのようなガラス基板を製品に使用することにより、製品の光透過性を高めることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】国際公開第２００８／１５６１７７号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
前述のように、特許文献１には、ガラス基板にフッ素ガス等を接触させて、ガラス基板の表面をエッチング処理し、ガラス基板の表面に微細な凹凸を形成する方法が開示されている。
【０００７】
ところで、ガラス基板の強度を高める必要があるときなど、ガラス基板に対して、しばしば、物理強化処理が実施される場合がある。物理強化処理では、ガラス基板は、軟化点付近の高温から急冷される。このため、ガラス基板に物理強化処理を実施することにより、ガラス基板の表面に、残留圧縮応力層が形成され、これによりガラス基板の強度を高めることができる。
【０００８】
しかしながら、特許文献１に記載のエッチング処理後に、ガラス基板に対して物理強化処理を実施した場合、物理強化処理の際の熱によって、表面の微細な凹凸が不鮮明になったり、あるいは消滅してしまう可能性がある。この場合、処理後のガラス基板が、所望の反射防止性および光透過性を発揮しなくなってしまうおそれがある。
【０００９】
一方、これとは逆に、先にガラス基板に対して物理強化処理を実施してから、エッチング処理を実施することが考えられる。しかしながら、この場合も、例えば、エッチング処理の際の温度が高すぎると、物理強化処理層が薄くなったり、消滅してしまうおそれがある。この場合、物理強化処理の効果が損なわれてしまう。
【００１０】
また、このような問題を回避しようとして、物理強化されたガラス基板に対するエッチング処理の際の温度を低く設定した場合、今度は、ガラス基板のエッチング速度が低下してしまい、実生産に適した時間、ガラス基板のエッチング処理を行うことができなくなってしまう。
【００１１】
このように、特許文献１に記載の方法は、物理強化処理との組み合わせを想定した場合、処理条件の点で問題が残る。
【００１２】
本発明は、このような問題に鑑みなされたものであり、本発明では、ガラス基板の表面のエッチング処理と、物理強化処理の両立が可能な、反射防止性ガラス基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
本発明では、反射防止性ガラスの製造方法であって、
（ａ）物理強化されたガラス基板を準備するステップと、
（ｂ）２５０℃以上４００℃未満の温度で、前記物理強化されたガラス基板の表面に、フッ化水素（ＨＦ）ガスを含む処理ガスを接触させるステップと、
を有することを特徴とする製造方法が提供される。
【００１４】
ここで、本発明の製造方法において、前記（ｂ）のステップにより、前記ガラス基板の表面に、１ｎｍ〜２００ｎｍのオーダの処理層が形成されても良い。
【００１５】
また、本発明の製造方法において、前記処理ガス中のフッ化水素ガスの濃度は、２ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％の範囲であっても良い。
【００１６】
また、本発明の製造方法において、前記処理ガスは、さらに、窒素ガスおよび／またはアルゴンガスを含んでも良い。
【００１７】
また、本発明の製造方法において、前記ガラス基板の上部には、インジェクタが配置され、
前記フッ化水素（ＨＦ）ガスは、前記インジェクタから、前記ガラス基板に向かって放出されても良い。
【００１８】
また、本発明の製造方法では、前記（ｂ）のステップにおいて、前記ガラス基板は、搬送された状態で前記処理ガスに接触しても良い。
【００１９】
また、本発明の製造方法において、前記ガラス基板の前記インジェクタの通過時間は、１秒〜１２０秒の間であっても良い。
【００２０】
また、本発明の製造方法において、前記ガラス基板は、１．５ｍｍ以上の厚さを有しても良い。
【００２１】
また、本発明の製造方法において、前記（ｂ）のステップ後の前記ガラス基板の圧縮応力の残留率は、６０％以上であっても良い。
【発明の効果】
【００２２】
本発明では、ガラス基板の表面のエッチング処理と、物理強化処理の両立が可能な、反射防止性ガラス基板の製造方法を提供することができる。また、爆発性の低いフッ化水素（ＨＦ）ガスを含む処理ガスを使用することによって、安全面でも優位である。
【図面の簡単な説明】
【００２３】
【図１】本発明の一実施例による反射防止性ガラス基板の製造方法のフローを概略的に示した図である。
【図２】ガラス基板を搬送させた状態で、ガラス基板のエッチング処理を実施するための処理装置の一構成例を示した図である。
【図３】実施例３に係るガラスの一部の断面ＳＥＭ写真である。
【発明を実施するための形態】
【００２４】
以下、図面を参照して、本発明について詳しく説明する。
【００２５】
本発明では、
反射防止性ガラスの製造方法であって、
（ａ）物理強化されたガラス基板を準備するステップと、
（ｂ）２５０℃以上４００℃未満の温度で、前記物理強化されたガラス基板の表面に、フッ化水素（ＨＦ）ガスを含む処理ガスを接触させるステップと、
を有することを特徴とする製造方法が提供される。
【００２６】
前述のように、特許文献１には、ガラス基板にフッ素ガス等を接触させて、ガラス基板の表面をエッチング処理し、ガラス基板の表面に微細な凹凸を形成する方法が開示されている。
【００２７】
しかしながら、特許文献１に記載のエッチング処理は、物理強化処理との組み合わせを考慮した場合、問題を有する。
【００２８】
例えば、特許文献１に記載のエッチング処理後に、ガラス基板に対して物理強化処理を実施した場合、物理強化処理の際の熱によって、表面の微細な凹凸が不鮮明になったり、あるいは消滅してしまう可能性がある。この場合、処理後のガラス基板が、所望の反射防止性および光透過性を発揮しなくなってしまうおそれがある。
【００２９】
一方、先にガラス基板に対して物理強化処理を実施してから、エッチング処理を実施することが考えられる。しかしながら、この場合も、例えば、エッチング処理の際の温度が高すぎると、物理強化処理層が薄くなったり、消滅してしまうおそれがある。この場合、物理強化処理の効果が損なわれてしまう。
【００３０】
また、このような問題を回避しようとして、物理強化されたガラス基板に対するエッチング処理の際の温度を低く設定した場合、今度は、ガラス基板のエッチング速度が低下してしまい、現実的な時間で、ガラス基板のエッチング処理を行うことができなくなってしまう。
【００３１】
このように、特許文献１に記載の方法は、物理強化処理との組み合わせを想定した場合、処理条件の点で問題が残る。
【００３２】
これに対して、本発明による製造方法では、ガラス基板の表面のエッチング処理は、ガラス基板の物理強化処理後に実施される。従って、本発明による製造方法では、物理強化処理の際の熱によって、エッチング処理によって形成されたガラス基板の表面の微細な凹凸が不鮮明になったり、あるいは消滅してしまうという問題が有意に抑制される。
【００３３】
また、本発明による製造方法では、ガラス基板のエッチング処理は、２５０℃以上４００℃未満の範囲の、比較的低い温度で実施される。ガラス基板のエッチング処理をこのような温度範囲で実施した場合、物理強化処理後のガラス基板を使用した場合であっても、エッチング処理によって残留圧縮応力層が薄くなったり、消滅してしまうという問題が有意に抑制される。
【００３４】
さらに、本発明による製造方法では、エッチング処理には、フッ化水素（ＨＦ）ガスを含む処理ガスが使用される。本願発明者らの実験では、フッ化水素（ＨＦ）ガスを含む処理ガスを使用した場合、２５０℃以上４００℃未満の比較的低い処理温度であっても、現実的な時間（実生産に適した時間）で、処理後のガラス基板の表面に微細な凹凸が形成され、これにより反射防止性が発現することが確認されている。
【００３５】
従って、本発明による製造方法では、処理温度の低下により、ガラス基板のエッチング速度が低下してしまい、現実的な時間で、ガラス基板のエッチング処理を行うことができなくなるという問題が有意に抑制される。
【００３６】
以上の特徴により、本発明による反射防止性ガラス基板の製造方法では、物理強化処理の効果（表面強化機能）と、エッチング処理の効果（反射防止性機能）の両方の効果を兼ね備えた反射防止性ガラス基板を提供することができる。
【００３７】
なお、本願において、「エッチング処理」とは、実際のエッチング量にかかわらず、フッ化水素ガスを用いて、ガラス基板の表面に反射防止性を発現させる処理を意味する。従って、実際には、エッチング量が極めて少ない処理（例えば、１ｎｍ〜２００ｎｍオーダの凹凸が形成されるレベルの処理）であっても、ガラス基板の表面に反射防止性を発現されれば、そのような処理は、「エッチング処理」に含まれる。この意味で、「エッチング処理」は、フッ化水素ガスによる「反射防止性付与処理」と表現されても良い。
【００３８】
（本発明の一実施例による製造方法について）
次に、図面を参照して、本発明の一実施例による反射防止性ガラスの製造方法について、詳しく説明する。
【００３９】
図１には、本発明の一実施例による反射防止性ガラスの製造方法のフローを概略的に示す。
【００４０】
図１に示すように、本発明の一実施例による反射防止性ガラスの製造方法は、
（ａ）物理強化されたガラス基板を準備するステップ（ステップＳ１１０）と、
（ｂ）２５０℃以上４００℃未満の温度で、前記物理強化されたガラス基板の表面に、フッ化水素（ＨＦ）ガスを含む処理ガスを接触させるステップ（ステップＳ１２０）と、
を有する。
【００４１】
以下、各ステップについて説明する。
【００４２】
（ステップＳ１１０）
まず、ガラス基板が準備される。
【００４３】
ガラス基板の種類は、特に限られない。ガラス基板には、例えば、ソーダライムガラス、ソーダライムシリケートガラス、アルミノシリケートガラス、ボレートガラス、リチウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス、ホウ珪酸ガラス、無アルカリガラス、およびその他の各種ガラスからなる透明ガラス基板を用いることができる。
特に、ガラス基板は、ソーダライムシリケートガラスまたはアルミノシリケートガラスのような、アルカリ元素、アルカリ土類元索、および／またはアルミニウムが含まれることが好ましい。
【００４４】
ガラス基板に、アルカリ元素、アルカリ土類元素、および／またはアルミニウムが含まれる場合、以降のステップＳ１２０でのエッチング処理の際に、ガラス基板の表面にフッ素化合物が残留しやすくなる。
【００４５】
このような残留フッ素化合物は、ガラス基板の光透過率の向上に寄与する。すなわち、残留フッ素化合物の屈折率（ｎ１）は、通常、ガラス基板の屈折率（ｎ２）と、空気の屈折率（ｎ０）の間の屈折率を有する。このため、ガラス基板、フッ素化合物、および空気がこの順に配置されることにより、全体としての反射率が低下し、結果的に、ガラス基板の光透過率が向上する。
【００４６】
ガラス基板は、３５０ｎｍ〜８００ｎｍの波長領城に高い透過率、例えぱ８０％以上の透過率を有することが好ましい。また、ガラス基板は、十分な絶縁性を有し、化学的物理的耐久性が高いことが望ましい。
ガラス基板の製造方法は、特に限られない。ガラス基板は、例えばフロート法で製造しても良い。
【００４７】
ガラス基板の厚さは、１．５ｍｍ以上であることが好ましく、２．０ｍｍ以上であることがより好ましい。ガラス基板の厚さが１．５ｍｍ未満の場合、厚さが薄すぎて、物理強化処理を実施しても、表面に有意な圧縮応力層を形成することができなくなるおそれがある。一方、ガラス基板の厚さの上限は、特に限られないが、上限は、例えば、１２ｍｍであっても良い。
【００４８】
なお、ガラス基板は、必ずしも平面状である必要はなく、ガラス基板は、曲面状であっても、異型状であっても良く、例えば、表面にガラス成形時の成形ローラー表面模様が形成された、「型板」と呼ばれるガラスであっても良い。
次に、ガラス基板に対して、物理強化処理が実施される。
【００４９】
ここで、「物理強化処理（法）」とは、ガラス基板を軟化点付近の「飴」状の状態から急冷することにより、ガラス基板内に残留応力分布を形成する技術を言う。通常の場合、ガラス基板の内部は、表面に比べて急冷の影響を受けにくく、比較的ゆっくりと降温固化される。このため、急冷中は、ガラス基板の内部から表面に向かって、残留圧縮応力が大きくなり、残留圧縮応力の深さ方向プロファイルが得られる。最終的に得られるガラス基板の表面には、比較的深い厚さで圧縮応力層が形成され、これにより物理強化処理前に比べて、ガラス基板の強度が向上する。
【００５０】
ガラス基板に対して実施される物理強化処理の条件は、特に限られない。
【００５１】
物理強化処理は、例えば、ガラス基板を第１の温度Ｔ１に昇温した状態で急冷し、ガラス基板を第２の温度Ｔ２まで下げることにより実施しても良い。第１の温度Ｔ１は、例えば、６５０℃〜７００℃の範囲であっても良い。また、第２の温度Ｔ２は、例えば、室温（２５℃）〜３００℃の範囲であっても良い。
【００５２】
これにより、表面に圧縮応力層が形成されたガラス基板を得ることができる。
【００５３】
（ステップＳ１２０）
次に、前述のステップＳ１１０で準備された物理強化されたガラス基板がフッ化水素（ＨＦ）ガスを含む処理ガスに晒され、ガラス基板のエッチング処理が実施される。
【００５４】
この工程は、ガラス基板に反射防止性を付与するために実施される。
【００５５】
前述のように、エッチング処理は、２５０℃以上４００℃未満の範囲で実施される。このような比較的低い温度での処理により、エッチング処理後にも、物理強化処理により形成されたガラス基板の圧縮応力層を有意に残留させることができる。
【００５６】
この工程後、ガラス基板の表面圧縮応力が、エッチング処理前の表面圧縮応力に対し、６０％以上残留していることが好ましく（圧縮応力の残留率が６０％以上）、７０％以上残留していることがより好ましく、８０％以上残留していることがさらに好ましい。残留応力が６０％以上であれば、物理強化された当初ガラス基板の強度が好適に維持できている。
【００５７】
また、このような温度範囲でのエッチング処理により、ガラス基板の表面に、例えば１ｎｍ〜２００ｎｍのオーダの微細な凹凸を形成することができる。これらの微細な凹凸の存在により、ガラス基板に反射防止性を付与することができる。エッチング処理の温度は、２７５℃以上４００℃未満の範囲であることが好ましく、３００℃〜３５０℃の範囲であることがより好ましい。
【００５８】
ここで、処理ガスは、フッ化水素ガスの他、キャリアガスを含んでも良い。キャリアガスとしては、これに限られるものではないが、例えば、窒素および／またはアルゴン等が使用される。
【００５９】
処理ガス中のフッ化水素ガスの濃度は、ガラス基板の表面が適正にエッチング処理される限り、特に限られない。処理ガス中のフッ化水素ガスの濃度は、例えば、２ｖｏｌ％〜１０ｖｏｌ％の範囲であり、２ｖｏｌ％〜８ｖｏｌ％の範囲であることが好ましく、２ｖｏｌ％〜５ｖｏｌ％の範囲であることがより好ましい。２ｖｏｌ％未満では処理速度が小さすぎる。一方、１０ｖｏｌ％を超えると、処理速度が大きすぎ、表面凹凸の安定的な制御が難しい。
【００６０】
ガラス基板のエッチング処理は、反応容器中で実施しても良いが、ガラス基板が大きい場合など、必要な場合、ガラス基板のエッチング処理は、ガラス基板を搬送させた状態で実施しても良い。この場合、反応容器中での処理に比べて、より迅速な処理が可能となる。
【００６１】
図２には、そのようなガラス基板を搬送させた状態で、ガラス基板のエッチング処理を実施するための処理装置の一構成例を示す。
【００６２】
図２に示すように、この処理装置１００は、インジェクタ１１０と、搬送手段１５０とを備える。
【００６３】
搬送手段１５０は、上部に置載されたガラス基板１８０を、矢印Ｆ２０１に示すように、水平方向（Ｘ方向）に搬送することができる。
【００６４】
インジェクタ１１０は、搬送手段１５０およびガラス基板１８０の上方に配置される。
【００６５】
インジェクタ１１０は、処理ガスの流通路となる複数のスリット１１５、１２０、および１２５を有する。すなわち、インジェクタ１１０は、中央部分に鉛直方向（Ｚ方向）に沿って設けられた第１のスリット１１５と、該第１のスリットを取り囲むように、鉛直方向（Ｚ方向）に沿って設けられた第２のスリット１２０と、該第２のスリット１２０を取り囲むように、鉛直方向（Ｚ方向）に沿って設けられた第３のスリット１２５とを備える。
【００６６】
第１のスリット１１５の一端（上部）は、フッ化水素ガス源（図示されていない）に接続されており、第１のスリット１１５の他端（下部）は、ガラス基板１８０の方に配向される。同様に、第２のスリット１２０の一端（上部）は、キャリアガス源（図示されていない）に接続されており、第２のスリット１２０の他端（下部）は、ガラス基板１８０の方に配向される。第３のスリット１２５の一端（上部）は、排気系（図示されていない）に接続されており、第３のスリット１２５の他端（下部）は、ガラス基板１８０の方に配向される。
【００６７】
このように構成された処理装置１００を使用して、ガラス基板１８０のエッチング処理を実施する場合、まず、フッ化水素ガス源（図示されていない）から、第１のスリット１１５を介して、矢印Ｆ２０５の方向に、フッ化水素ガスが供給される。また、キャリアガス源（図示されていない）から、第２のスリット１２０を介して、矢印Ｆ２１０の方向に、窒素等のキャリアガスが供給される。これらのガスは、排気系により、矢印Ｆ２１５に沿って水平方向（Ｘ方向）に移動した後、第３のスリット１２５を介して、処理装置１００の外部に排出される。
【００６８】
なお、第１のスリット１１５には、フッ化水素ガスに加えて、キャリアガスを同時に供給しても良い。
【００６９】
次に、搬送手段１５０が稼働される。これにより、ガラス基板１８０が矢印Ｆ２０１の方向に移動する。
【００７０】
ガラス基板１８０は、インジェクタ１１０の下側を通過する際に、第１のスリット１１５および第２のスリット１２０から供給された処理ガス（フッ化水素ガス＋キャリアガス）に接触する。これにより、ガラス基板１８０の表面がエッチング処理される。
【００７１】
なお、ガラス基板１８０の表面に供給された処理ガスは、矢印Ｆ２１５のように移動してエッチング処理に使用された後、矢印Ｆ２２０のように移動して、排気系に接続された第３のスリット１２５を介して、処理装置１００の外部に排出される。
【００７２】
このような処理装置１００を使用することにより、ガラス基板を搬送しながら、処理ガスによる表面のエッチング処理を実施することができる。この場合、反応容器を使用して、エッチング処理を実施する方法に比べて、処理効率を向上させることができる。また、このような処理装置１００を使用した場合、大型のガラス基板に対してもエッチング処理を適用することができる。
【００７３】
ここで、ガラス基板１８０への処理ガスの供給速度は、特に限られない。処理ガスの供給速度は、例えば、５ＳＬＭ〜１０００ＳＬＭ（ＳＬＭ：標準状態の気体における毎分当たりの体積（リットル））の範囲であっても良い。また、ガラス基板１８０の搬送速度は、例えば、１ｍ／分〜２０ｍ／分である。
【００７４】
また、ガラス基板１８０のインジェクタ１１０の通過時間は、１秒〜１２０秒の範囲であり、５秒〜６０秒の範囲であることが好ましく、５秒〜３０秒の範囲であることがより好ましい。ガラス基板１８０のインジェクタ１１０の通過時間を１２０秒以下とすることにより、迅速なエッチング処理を実施することができる。
【００７５】
ここで、「インジェクタ１１０の通過時間」とは、ガラス基板１８０のある決められた領域が図２の距離Ｓを通過する時間を意味するものとする。なお、距離Ｓは、ガラス基板１８０の搬送方向に対して、インジェクタ１１０の最上流側のスリット（図２の例ではスリット１２５）の上流端から最下流側のスリット（図２の例ではスリット１２５）の下流端の間の距離で定められる。
【００７６】
このように、処理装置１００を使用することにより、搬送状態のガラス基板に対して、エッチング処理を実施することができる。
【００７７】
前述のように、本発明では、エッチング処理は、２５０℃以上４００℃未満の範囲で実施される。この温度範囲での処理により、エッチング処理後にも、物理強化処理により形成されたガラス基板の圧縮応力層を有意に残留させることが可能となる。
【００７８】
また、本発明では、エッチング処理により、ガラス基板の表面に微細な凹凸が形成され、これにより反射防止性を発現させることができる。
【００７９】
なお、本願では、反射防止性の指標として、透過率上昇値ΔＴ（％）を使用する。
【００８０】
透過率上昇値ΔＴ（％）は、以下のように定められる：
物理強化処理およびエッチング処理がともに実施された被測定対象のガラスの透過率をＴ１とする。同じガラス組成であって、物理強化処理およびエッチング処理の何れも実施していないガラスの透過率をＴ２とする：
波長４００ｎｍ〜７００ｎｍの範囲における両透過率Ｔ１、Ｔ２の差（すなわちＴ１−Ｔ２）を平均化したものを、透過率上昇値ΔＴ（％）とする。
【００８１】
このように求められる透過率上昇値ΔＴ（％）を使用した場合、ガラスの透過率上昇値ΔＴ（％）の値が大きいほど、そのガラスが高い透過率を有することを意味し、従って、そのようなガラスは、反射防止性が高いと言える。
【００８２】
本発明の製造方法により製造されたガラスの透過率上昇値ΔＴ（％）は、例えば、１％以上である。本発明の製造方法では、例えば、透過率上昇値ΔＴ（％）が１．２％以上、あるいは１．５％以上のガラスを製造することができる。
【００８３】
なお、図２に示した処理装置１００は、単なる一例に過ぎず、その他の装置を使用して、フッ化水素ガスを含む処理ガスによるガラス基板のエッチング処理を実施しても良い。例えば、図２の処理装置１００では、静止しているインジェクタ１１０に対して、ガラス基板１８０が相対的に移動する。しかしながら、これとは逆に、静止しているガラス基板に対して、インジェクタを水平方向に移動させても良い。あるいは、ガラス基板とインジェクタの両者を、相互に反対方向に移動させても良い。
【００８４】
また、図２の処理装置１００では、インジェクタ１１０は、合計３つのスリット１１５、１２０、１２５を有する。しかしながら、スリットの数は、特に限られない。例えば、スリットの数は、２つであっても良い。この場合、一つのスリットが処理ガス（キャリアガスとフッ化水素ガスの混合ガス）供給用に利用され、別のスリットが排気用に利用されても良い。
【００８５】
さらに、図２の処理装置１００では、インジェクタ１１０の第２のスリット１２０は、第１のスリット１１５を取り囲むように配置され、第３のスリット１２５は、第１のスリット１１５および第２のスリット１２０を取り囲むように設けられている。しかしながら、この代わりに、第１のスリット、第２のスリット、および第３のスリットを、水平方向（Ｘ方向）に沿って一列に配列しても良い。この場合、処理ガスは、ガラス基板の表面を、一方向に沿って移動し、その後、第３のスリットを介して排気される。
【実施例】
【００８６】
（予備試験）
以降に示す実施例を実施する前に、前述の処理装置１００を用いて、予備試験を行った。予備試験は、エッチング処理の際の適正な処理条件をおおまかに把握するために実施した。
【００８７】
（予備試験１）
未処理の厚さ３ｍｍのソーダライムガラス基板（旭硝子製  ＦＬ３）に対して、前述の処理装置１００を用いて、ＨＦガスによるエッチング処理を実施した。エッチング処理には、前述の図２に示した処理装置１００を使用した。
【００８８】
処理装置１００において、第１のスリット１１５には、フッ化水素ガスと窒素ガスの混合ガスを、３４ｃｍ／秒の流速で供給した。フッ化水素ガスの供給量は、１．５ＳＬＭ（標準状態の気体における毎分当たりの体積（リットル））とし、窒素ガスの供給量は、３０．５ＳＬＭ（標準状態の気体における毎分当たりの体積（リットル））とした。なお、混合ガスは、１５０℃に加熱した状態で供給した。
【００８９】
また、第２のスリット１２０には、３４ｃｍ／秒の流速で窒素ガスを供給した。窒素ガスの温度は、１５０℃とし、窒素ガスの供給量は、１０ＳＬＭとした。
【００９０】
全供給ガスに対するフッ化水素ガスの濃度は、３．６ｖｏｌ％である。
【００９１】
第３のスリット１２５からの排気量は、供給ガスの供給量の２倍とした。
【００９２】
ガラス基板は、３００℃に加熱した状態で搬送した。なお、ガラス基板の温度は、処理ガスを供給する直前に、放射温度計を用いて測定した値である。
【００９３】
エッチング処理時間（図２において、ガラス基板が距離Ｓを通過する時間）は、約１０秒とした。
【００９４】
処理後のガラス基板を用いて、反射防止性を評価した。
【００９５】
反射防止性の評価は、以下のようにして実施した。
【００９６】
まず、分光光度計（ＵＶ−３１００：島津製作所社製）を用いて、処理後のガラス基板の透過率を測定した。透過率の測定は、ガラス基板のエッチング処理面から光を入射させ、積分球透過率として測定した。得られた透過率をＴ１とする。
【００９７】
次に、同様の測定を、エッチング処理を実施する前のガラス基板に対して実施した。得られた透過率をＴ２とする。
【００９８】
両透過率Ｔ１およびＴ２から、前述の手順により、透過率上昇値ΔＴ（％）を求めた。
【００９９】
その結果、ガラス基板の透過率上昇値ΔＴは、２．３％であり、処理前のガラス基板に比べて、有意に高い反射防止性が得られた。
【０１００】
このように、この予備試験１で採用した条件でのエッチング処理により、ガラス基板に低反射性が発現することが確認された。
【０１０１】
（予備試験２）
予備試験１と同様の方法により、ガラス基板に対してエッチング処理を実施した。ただし、この予備試験２では、ガラス基板の加熱温度は３５０℃とした。また、全供給ガスに対するフッ化水素ガスの濃度は、２．４ｖｏｌ％とした。
【０１０２】
処理後に得られたガラス基板に対して、透過率上昇値ΔＴ（％）を求めたところ、透過率上昇値ΔＴ（％）は、２．０％であった。
【０１０３】
このように、この予備試験２で採用した条件でのエッチング処理により、ガラス基板に低反射性が発現することが確認された。
【０１０４】
（予備試験３）
予備試験１と同様の方法により、ガラス基板に対してエッチング処理を実施した。ただし、この予備試験３では、ガラス基板の加熱温度は３５０℃とした。
【０１０５】
処理後に得られたガラス基板に対して、透過率上昇値ΔＴ（％）を求めたところ、透過率上昇値ΔＴ（％）は、３．０％であった。
【０１０６】
このように、この予備試験３で採用した条件でのエッチング処理により、ガラス基板に低反射性が発現することが確認された。
【０１０７】
以上の予備試験により、処理装置１００によるエッチング処理の際の処理条件が大凡把握できた。
【０１０８】
次に、本発明の実施例について説明する。
【０１０９】
（実施例１）
以下の方法により、反射防止性ガラスを製造し、その特性を評価した。
【０１１０】
まず、厚さ３ｍｍのソーダライムガラス基板（旭硝子製  ＦＬ３）に対して、物理強化処理を実施した。
【０１１１】
物理強化処理は、ガラス基板を７００℃まで加熱した後、空気吹きつけにより室温まで急冷することにより実施した。
【０１１２】
処理後に、ガラス基板の表面に、圧縮応力層が形成された。ガラス表面応力計（ＦＳＭ−６０００ＬＥ：折原製作所製）を用いて、ガラス基板の表面圧縮応力を測定したところ、表面圧縮応力は、１２０ＭＰａであった。
【０１１３】
次に、物理強化処理されたガラス基板に対して、ＨＦガスによるエッチング処理を実施した。エッチング処理には、前述の図２に示した処理装置１００を使用した。
【０１１４】
処理装置１００において、第１のスリット１１５には、フッ化水素ガスと窒素ガスの混合ガスを、３４ｃｍ／秒の流速で供給した。フッ化水素ガスの供給量は、１．５ＳＬＭ（標準状態の気体における毎分当たりの体積（リットル））とし、窒素ガスの供給量は、３０．５ＳＬＭ（標準状態の気体における毎分当たりの体積（リットル））とした。なお、混合ガスは、１５０℃に加熱した状態で供給した。
【０１１５】
また、第２のスリット１２０には、３４ｃｍ／秒の流速で窒素ガスを供給した。窒素ガスの温度は、１５０℃とし、窒素ガスの供給量は、１０ＳＬＭとした。
【０１１６】
全供給ガスに対するフッ化水素ガスの濃度は、３．６ｖｏｌ％である。
【０１１７】
第３のスリット１２５からの排気量は、供給ガスの供給量の２倍とした。
【０１１８】
ガラス基板は、２７５℃に加熱した状態で搬送した。なお、ガラス基板の温度は、処理ガスを供給する直前に、放射温度計を用いて測定した値である。
【０１１９】
エッチング処理時間（図２において、ガラス基板が距離Ｓを通過する時間）は、約１０秒とした。
【０１２０】
この処理後に、ガラス基板の処理表面には、多数の３０−６０ｎｍオーダの凹凸で構成された処理層が形成された。以下、得られたガラス基板を「実施例１に係るガラス」と称する。
【０１２１】
（評価）
「実施例１に係るガラス」を用いて、反射防止性の評価を行った。
【０１２２】
反射防止性の評価は、以下のようにして実施した。
【０１２３】
まず、分光光度計（ＵＶ−３１００：島津製作所社製）を用いて、「実施例１に係るガラス」の透過率を測定した。透過率の測定は、「実施例１に係るガラス」のエッチング処理面から光を入射させ、積分球透過率として測定した。得られた透過率をＴ１とする。
【０１２４】
次に、同様の測定を、物理強化処理およびエッチング処理の何れも実施していないガラス基板に対して実施した。得られた透過率をＴ２とする。
【０１２５】
両透過率Ｔ１およびＴ２から、前述の手順により、透過率上昇値ΔＴ（％）を求めた。
【０１２６】
「実施例１に係るガラス」の透過率上昇値ΔＴは、２．１％であり、処理前のガラス基板に比べて、有意に高い反射防止性が得られた。
【０１２７】
次に、「実施例１に係るガラス」を用いて、前述の方法により、表面圧縮応力を測定した。
【０１２８】
表面圧縮応力は、１２０ＭＰａであり、エッチング処理前の値と同様の値が得られた（すなわち、圧縮応力の残留率＝１００％）。
【０１２９】
このように、実施例１に係るガラスでは、有意な低反射性が得られるとともに、物理強化処理層がほとんど変化せず残存していることが確認された。
【０１３０】
（実施例２）
実施例１と同様の方法により、反射防止性ガラスを製造し、その特性を評価した。
【０１３１】
ただし、この実施例２では、エッチング処理の際のガラス基板の温度を３００℃とした。その他の製造は、実施例１と同様である。
【０１３２】
処理後に、ガラス基板の処理表面には、多数の４０−７０ｎｍオーダの凹凸で構成された処理層が形成された。以下、得られたガラス基板を「実施例２に係るガラス」と称する。
【０１３３】
実施例２に係るガラスに対して、実施例１の場合と同様の評価を行った。その結果、「実施例２に係るガラス」の透過率上昇値ΔＴは、２．７％であった。また、圧縮応力の残留率は、１００％であった。
【０１３４】
このように、実施例２に係るガラスでは、有意な低反射性が得られるとともに、物理強化処理層がほとんど変化せず残存していることが確認された。
【０１３５】
（実施例３）
実施例１と同様の方法により、反射防止性ガラスを製造し、その特性を評価した。
【０１３６】
ただし、この実施例３では、エッチング処理の際のガラス基板の温度を３５０℃とした。その他の製造は、実施例１と同様である。
【０１３７】
処理後に、ガラス基板の処理表面には、多数の１００ｎｍオーダの凹凸で構成された処理層が形成された。以下、得られたガラス基板を「実施例３に係るガラス」と称する。
【０１３８】
図３には、実施例３に係るガラスの一部の断面ＳＥＭ写真を示した。
【０１３９】
実施例３に係るガラスに対して、実施例１の場合と同様の評価を行った。その結果、「実施例３に係るガラス」の透過率上昇値ΔＴは、２．９％であった。また、圧縮応力の残留率は、９２％であった。
【０１４０】
このように、実施例３に係るガラスでは、有意な低反射性が得られるとともに、物理強化処理層がほとんど変化せず残存していることが確認された。
【０１４１】
以下の表１には、実施例１〜実施例３に係るガラスの製造条件および評価結果をまとめて示した。
【０１４２】
【表１】
2014080331.tif 000003
（比較例１）
実施例１と同様の方法により、反射防止性ガラスを製造し、その特性を評価した。
【０１４３】
ただし、この比較例１では、エッチング処理の際のガラス基板の温度を４００℃とした。その他の製造は、実施例１と同様である。
【０１４４】
処理後に、「比較例１に係るガラス」が得られた。
【０１４５】
比較例１に係るガラスに対して、実施例１の場合と同様の評価を行った。その結果、「比較例１に係るガラス」の透過率上昇値ΔＴは、２．６％であった。しかしながら、圧縮応力の残留率は、５８％であった。「比較例１に係るガラス」では、エッチング処理温度は、４００℃で比較的高い。このため、エッチング処理の際に、物理強化処理によって形成された圧縮応力層の一部が消滅したものと考えられる。
【０１４６】
このように、比較例１に係るガラスでは、圧縮応力層が変化し、物理強化処理の効果が低減することがわかった。
【０１４７】
（比較例２）
実施例１と同様の方法により、反射防止性ガラスを製造し、その特性を評価した。
【０１４８】
ただし、この比較例２では、エッチング処理の際のガラス基板の温度を４５０℃とした。その他の製造は、実施例１と同様である。
【０１４９】
処理後に、「比較例２に係るガラス」が得られた。
【０１５０】
比較例２に係るガラスに対して、実施例１の場合と同様の評価を行った。その結果、「比較例２に係るガラス」の透過率上昇値ΔＴは、０．８％であり、顕著な透過率の上昇は生じていないことがわかった。
【０１５１】
これは、高温でのエッチング処理では、表面に形成される凹凸構造が大きくなり過ぎ、可視高波長（４００ｎｍ〜７００ｎｍ）での透過率の上昇効果が得られなくなるためであると考えられる。
【０１５２】
なお、比較例２に係るガラスにおける圧縮応力の残留率は、４２％であった。
【０１５３】
このように、比較例２に係るガラスでは、あまり良好な低反射性が得られないことがわかった。また、比較例２に係るガラスでは、圧縮応力層が変化し、物理強化処理の効果が低減することがわかった。
【０１５４】
（比較例３）
実施例１と同様の方法により、反射防止性ガラスを製造し、その特性を評価した。
【０１５５】
ただし、この比較例３では、エッチング処理の際のガラス基板の温度を２００℃とした。その他の製造は、実施例１と同様である。
【０１５６】
処理後に、「比較例３に係るガラス」が得られた。
【０１５７】
比較例３に係るガラスに対して、実施例１の場合と同様の評価を行った。その結果、「比較例３に係るガラス」の透過率上昇値ΔＴは、０．２％であり、透過率の上昇はほとんど生じていないことがわかった。なお、エッチング処理の際のガラス基板の温度が低いため、圧縮応力の残留率は、１００％であった。
【０１５８】
このように、比較例３に係るガラスでは、あまり良好な低反射性が得られないことがわかった。
【０１５９】
前述の表１には、比較例１〜比較例３に係るガラスの製造条件および評価結果をまとめて示した。
【産業上の利用可能性】
【０１６０】
本発明は、例えば、高い光透過性を有するガラス製品、例えば、建材用ガラス、自動車用ガラス、ディスプレイ用ガラス、光学素子、太陽電池用ガラス、ショーウィンドウガラス、光学ガラス、およびメガネレンズ等に利用することができる。
【符号の説明】
【０１６１】
１００      処理装置
１１０      インジェクタ
１１５      第１のスリット
１２０      第２のスリット
１２５      第３のスリット
１５０      搬送手段
１８０      ガラス基板
【図１】
2014080331.tif 000004
【図２】
2014080331.tif 000005
【図３】
2014080331.tif 000006