(57)【要約】      （修正有）【課題】ガラス基板の表面の帯電を効果的に抑制することができるディスプレイ用ガラス基板の製造方法、および、ディスプレイ用ガラス基板の製造装置を提供する。【解決手段】ガラス基板１０の一方の主表面の表面粗さを増加させる表面処理工程は、基板搬送工程と、エッチング液塗布工程とからなる。基板搬送工程では、表面粗さを増加させる一方の主表面である粗面化表面１２ｂを下向きにして、他方の主表面１２ａを上向きに露出した状態で、ガラス基板１０を水平方向に搬送する。エッチング液塗布工程では、ガラス基板１０の下方から、少なくともフッ酸を含むエッチング液をエッチング液塗布ノズル３２から粗面化表面１２ｂに向かって吐出することで、粗面化表面１２ｂを表面処理する。エッチング液塗布工程において、エッチング液は、非ミスト状流体で吐出される。【選択図】図６
2014009124.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ガラス基板を製造する基板製造工程と、
前記基板製造工程で製造された前記ガラス基板の一方の主表面の表面粗さを増加させる表面処理工程と、
を備え、
前記表面処理工程は、
表面粗さを増加させる前記一方の主表面である粗面化表面を下向きにして、かつ、他方の主表面を上向きに露出した状態で、前記ガラス基板を水平方向に搬送する基板搬送工程と、
前記基板搬送工程で搬送された前記ガラス基板の下方から、少なくともフッ酸を含むエッチング液を前記粗面化表面に向かって吐出することで、前記粗面化表面に前記エッチング液を塗布して前記粗面化表面を表面処理するエッチング液塗布工程と、
からなり、
前記エッチング液塗布工程において、前記エッチング液は、非ミスト状流体で吐出される、
ディスプレイ用ガラス基板の製造方法。
【請求項２】
前記エッチング液塗布工程において、前記ガラス基板は、前記ガラス基板が搬送される方向に沿って水平に揺動される、
請求項１に記載のディスプレイ用ガラス基板の製造方法。
【請求項３】
前記エッチング液塗布工程において、前記粗面化表面は、その面粗さ中心面から１ｎｍ以上の高さを有する凸部が分散して形成され、かつ、前記凸部の前記粗面化表面に占める面積割合が１％〜５％となるように表面処理される、
請求項１または２に記載のディスプレイ用ガラス基板の製造方法。
【請求項４】
前記エッチング液塗布工程において、前記ガラス基板の上方から、前記粗面化表面でない前記ガラス基板の主表面に向かって、流体が吹き付けられる、
請求項１から３のいずれか１項に記載のディスプレイ用ガラス基板の製造方法。
【請求項５】
ガラス基板を製造する基板製造ユニットと、
前記基板製造ユニットで製造された前記ガラス基板の一方の主表面の表面粗さを増加させる表面処理ユニットと、
を備え、
前記表面処理ユニットは、
表面粗さを増加させる前記一方の主表面である粗面化表面を下向きにして、かつ、他方の主表面を上向きに露出した状態で、前記ガラス基板を水平方向に搬送する基板搬送ローラと、
前記基板搬送ローラで搬送された前記ガラス基板の下方に配置され、少なくともフッ酸を含むエッチング液を前記粗面化表面に向かって吐出することで、前記粗面化表面に前記エッチング液を塗布して前記粗面化表面を表面処理する複数の塗布ノズルと、
を有し、
前記塗布ノズルは、非ミスト状流体の前記エッチング液を吐出する、
ディスプレイ用ガラス基板の製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法、および、ディスプレイ用ガラス基板の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイおよび有機ＥＬディスプレイ等の映像表示に用いられるフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造工程では、ガラス基板の表面に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびカラーフィルタ等からなる薄膜が形成される。ＦＰＤの製造ラインにおいては、様々な要因によって、ガラス基板の表面は帯電しやすい環境にある。例えば、製造ラインにガラス基板を投入する工程では、合紙を介して積層された複数のガラス基板から、合紙を除去してガラス基板を一枚ずつ取り出す。このとき、ガラス基板の表面から合紙を剥離して除去する際に、ガラス基板の表面が帯電する場合がある。また、ガラス基板の表面にＴＦＴ等の薄膜を形成する工程では、ガラス基板を載置台の上に載せて成膜が行われる。このとき、ガラス基板の周囲の気流、および、ガラス基板を載置台に密着させることにより、ガラス基板の表面が帯電する場合がある。さらに、ガラス基板を載置台から取り除くことにより、ガラス基板の表面が帯電する場合もある。
【０００３】
ガラス基板の帯電は、ＦＰＤの製造工程において様々な問題を引き起こす。例えば、製造ラインの雰囲気中に存在する塵および埃等の異物がガラス基板の表面に付着し、また、ガラス基板の表面に蓄積された電荷が放電することによって、表面に形成されたＴＦＴが破壊される場合がある。また、ガラス基板の表面の帯電によってガラス基板が載置台に張り付くと、ガラス基板を載置台から取り除く際にガラス基板が破壊される場合がある。そのため、ガラス基板を搬送する過程において、ガラス基板を可能な限り帯電させないことが好ましい。さらに、最近、ガラス基板の表面に形成されるＴＦＴデバイスを構成する半導体層や絶縁体層が薄くなっており、ＴＦＴデバイスの静電破壊がＦＰＤの歩留まりに大きな影響を与えている。
【０００４】
また、ダウンドロー法によって製造されるガラス基板は、極めて滑らかな表面を有する。ところが、ガラス基板の非常に滑らかな表面は、ＦＰＤの製造ラインにおいて、上述の帯電の原因となりやすい。そして、ガラス基板の表面をエッチングして、表面粗さを増加させる処理を行うことにより、ガラス基板の帯電を抑制することができることが判明している。例えば、特許文献１（特開２００５−２９８３１４号公報）には、ガラス基板の表面にエッチング液を塗布してガラス基板の表面に微小な凹凸を形成する処理が開示されている。特許文献１では、エッチング液を噴霧ノズルから吐出させて、霧状のエッチング液をガラス基板の表面に吹き付けることにより、ガラス基板の表面にエッチング液が均一に塗布される。また、特許文献２（特開２０１１−２０７７５６号公報）には、エッチング液の噴霧によってガラス基板の表面をエッチングすることにより、ガラス基板の表面の９０％の平均表面粗さを０．５ｎｍ〜１．１ｎｍにする表面処理が開示されている。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１および特許文献２に開示されるように、霧状のエッチング液をガラス基板の表面に吹き付けるガラス基板の表面処理工程では、噴霧ノズルから吐出されるエッチング液の液滴のサイズが小さいため、ガラス基板の周囲の雰囲気中をエッチング液の液滴が浮遊して、エッチング処理の対象でない側の表面にエッチング液が付着する場合がある。そのため、エッチング処理の対象である側のガラス基板の表面の端部にエッチング液が吹き付けられないようにすることで、反対側の表面にエッチング液が付着することを抑制する必要がある。この場合、ガラス基板の表面全体にエッチング液を均一に塗布することが困難である。さらに、ガラス基板の表面に付着するエッチング液の液滴のサイズが小さいため、ガラス基板の表面が十分に粗面化されない場合がある。そのため、ガラス基板の表面の帯電が効果的に抑制されない場合がある。
【０００６】
本発明の目的は、ガラス基板の表面の帯電を効果的に抑制することができるディスプレイ用ガラス基板の製造方法、および、ディスプレイ用ガラス基板の製造装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るディスプレイ用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板を製造する基板製造工程と、基板製造工程で製造されたガラス基板の一方の主表面の表面粗さを増加させる表面処理工程とを備える。表面処理工程は、基板搬送工程と、エッチング液塗布工程とからなる。基板搬送工程では、表面粗さを増加させる一方の主表面である粗面化表面を下向きにして、かつ、他方の主表面を上向きに露出した状態で、ガラス基板を水平方向に搬送する。エッチング液塗布工程では、基板搬送工程で搬送されたガラス基板の下方から、少なくともフッ酸を含むエッチング液を粗面化表面に向かって吐出することで、粗面化表面にエッチング液を塗布して粗面化表面を表面処理する。エッチング液塗布工程において、エッチング液は、非ミスト状流体で吐出される。
【０００８】
このディスプレイ用ガラス基板の製造方法は、ガラス基板の一方の表面をエッチングする表面処理工程を含む。表面処理工程では、ガラス基板の表面に向かってエッチング液を吐出して、ガラス基板の表面にエッチング液を塗布する。エッチング液は、非ミスト状流体で、ガラス基板の表面に吹き付けられる。非ミスト状流体で吐出されたエッチング液の液滴は、霧状とならない大きさを少なくとも有する。そのため、エッチング液の液滴は、ガラス基板の周囲の雰囲気中に容易に浮遊しない程度の大きさおよび質量を有している。従って、ガラス基板の一方の表面全体にエッチング液を吹き付けても、エッチング液の液滴が浮遊してエッチング処理の対象でない側の表面に付着することが抑制される。
【０００９】
また、ガラス基板の表面に付着するエッチング液の液滴の大きさは、霧状のエッチング液の液滴の大きさよりも大きいため、ガラス基板の表面のエッチングが進行しやすい。このディスプレイ用ガラス基板の製造方法におけるガラス基板の表面処理では、エッチング処理の対象であるガラス基板の表面の帯電を抑制する効果がある表面形状が形成される。
【００１０】
また、エッチング液塗布工程において、ガラス基板は、ガラス基板が搬送される方向に沿って水平に揺動されることが好ましい。
【００１１】
また、エッチング液塗布工程において、粗面化表面は、その面粗さ中心面から１ｎｍ以上の高さを有する凸部が分散して形成され、かつ、凸部の粗面化表面に占める面積割合が１％〜５％となるように表面処理されることが好ましい。
【００１２】
また、エッチング液塗布工程において、ガラス基板の上方から、粗面化表面でないガラス基板の主表面に向かって、流体が吹き付けられることが好ましい。エッチング液が塗布される表面の反対側の表面に向かって空気等を吹き付けることによって、エッチング対象でない反対側の表面にエッチング液が付着することが効果的に抑制される。
【００１３】
本発明に係るディスプレイ用ガラス基板の製造装置は、ガラス基板を製造する基板製造ユニットと、基板製造ユニットで製造されたガラス基板の一方の主表面の表面粗さを増加させる表面処理ユニットとを備える。表面処理ユニットは、基板搬送ローラと、複数の塗布ノズルとを有する。基板搬送ローラは、表面粗さを増加させる一方の主表面である粗面化表面を下向きにして、かつ、他方の主表面を上向きに露出した状態で、ガラス基板を水平方向に搬送する。塗布ノズルは、基板搬送ローラで搬送されたガラス基板の下方に配置され、少なくともフッ酸を含むエッチング液を粗面化表面に向かって吐出することで、粗面化表面にエッチング液を塗布して粗面化表面を表面処理する。塗布ノズルは、非ミスト状流体のエッチング液を吐出する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係るディスプレイ用ガラス基板の製造方法、および、ディスプレイ用ガラス基板の製造装置は、ガラス基板の表面の帯電を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施形態に係るガラス基板の製造方法のフローチャートである。
【図２】実施形態に係るエッチング装置の概略図である。
【図３】エッチング装置の搬送ユニットの上面図である。
【図４】エッチング装置の搬送ユニットの側面図である。
【図５】エッチング装置のエッチングユニットの上面図である。
【図６】エッチング装置のエッチングユニットの側面図である。
【図７】エッチング処理されたガラス基板の粗面化表面の断面の模式図である。
【図８】エッチング装置のリンスユニットの側面図である。
【図９】変形例Ａに係る遮蔽版が配置されたエッチングユニットの上面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（１）ガラス基板の製造方法の概略
本発明に係るディスプレイ用ガラス基板の製造方法の実施形態について、図面を参照しながら説明する。本実施形態のガラス基板の製造方法によって製造されるガラス基板１０は、液晶ディスプレイ、プラズマディスプレイおよび有機ＥＬディスプレイ等のフラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の製造に用いられる。ＦＰＤの製造工程では、ガラス基板１０の一方の主表面に、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）およびカラーフィルタ等からなる複数層の薄膜が形成される。以下、ＴＦＴ等の半導体素子が形成されるガラス基板１０の主表面を、素子形成表面１２ａと呼ぶ。一般的に、素子形成表面１２ａは、算術平均粗さＲａが０．２ｎｍ以下である極めて滑らかな面である。
【００１７】
一方、ガラス基板１０の素子形成面１２ａでない方の主表面は、後述するように、ガラス基板１０の製造工程においてエッチング処理されて微小な凹凸が形成される。以下、エッチング処理されるガラス基板１０の主表面を、粗面化表面１２ｂと呼ぶ。本実施形態では、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂは、ウエットエッチングにより表面処理される。
【００１８】
ガラス基板１０のガラスの組成の一例としては、ＳｉＯ2：５７質量％〜６５質量％、Ａｌ2Ｏ3：１５質量％〜１９質量％、Ｂ2Ｏ3：８質量％〜１３質量％、ＭｇＯ：１質量％〜３質量％、ＣａＯ：４質量％〜７質量％、ＳｒＯ：１質量％〜４質量％、ＢａＯ：０質量％〜２質量％、Ｎａ2Ｏ：０質量％〜１質量％、Ｋ2Ｏ：０質量％〜１質量％、Ａｓ2Ｏ3：０質量％〜１質量％、Ｓｂ2Ｏ3：０質量％〜１質量％、ＳｎＯ2：０質量％〜１質量％、Ｆｅ2Ｏ3：０質量％〜１質量％、ＺｒＯ2：０質量％〜１質量％からなる無アルカリガラスおよび微アルカリガラスの組成が挙げられる。上記の組成を有するガラスは、０．１質量％未満の範囲で、その他の微量成分の存在が許容される。また、上記の組成を有するガラスに関して、Ｆｅ2Ｏ3、Ａｓ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3およびＳｎＯ2の各含有率は、複数の価数を有するＦｅ、Ａｓ、ＳｂおよびＳｎの成分を、それぞれＦｅ2Ｏ3、Ａｓ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3およびＳｎＯ2として換算した値である。
【００１９】
ガラス基板１０は、フロート法およびダウンドロー法等により成形される。本実施形態では、オーバーフローダウンドロー法を用いるＦＰＤ用のガラス基板１０の製造工程について説明する。図１は、ガラス基板１０の製造工程を表すフローチャートの一例である。ガラス基板１０の製造工程は、主として、熔解工程（ステップＳ１０）と、清澄工程（ステップＳ２０）と、攪拌工程（ステップＳ３０）と、成形工程（ステップＳ４０）と、徐冷工程（ステップＳ５０）と、採板工程（ステップＳ６０）と、切断工程（ステップＳ７０）と、粗面化工程（ステップＳ８０）と、端面加工工程（ステップＳ９０）とからなる。熔解工程Ｓ１０と、清澄工程Ｓ２０と、攪拌工程Ｓ３０と、成形工程Ｓ４０と、徐冷工程Ｓ５０と、採板工程Ｓ６０と、切断工程Ｓ７０とは、ガラス原料からガラス基板１０が製造される基板製造工程である。粗面化工程Ｓ８０は、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂがウエットエッチングにより粗面化される表面処理工程である。次に、各工程の概略を説明する。
【００２０】
熔解工程Ｓ１０では、熔解槽において、バーナー等の加熱手段によりガラス原料が熔解され、１５００℃〜１６００℃の高温の熔融ガラスが生成される。ガラス原料は、所望の組成のガラスを実質的に得ることができるように調製される。ここで、「実質的に」とは、０．１質量％未満の範囲で、その他の微量成分の存在が許容されることを意味する。熔融ガラスは、熔解槽の底部に設けられた流出口から下流工程に送られる。
【００２１】
清澄工程Ｓ２０では、清澄槽において、熔解工程Ｓ１０で生成された熔融ガラスをさらに昇温させることで、熔融ガラスの清澄が行われる。清澄槽において、熔融ガラスの温度は、１６００℃〜１８００℃、好ましくは１６５０℃〜１７５０℃に上昇させられる。清澄槽では、熔融ガラスに含まれるＯ2、ＣＯ2およびＳＯ2の微小な泡が、ガラス原料に含まれるＡｓ2Ｏ3、Ｓｂ2Ｏ3およびＳｎＯ2等の清澄剤の還元により生じたＯ2を吸収して成長し、熔融ガラスの液面に浮上する。
【００２２】
攪拌工程Ｓ３０では、攪拌槽において、清澄工程Ｓ２０で清澄された熔融ガラスが攪拌され、化学的および熱的に均質化される。攪拌槽では、熔融ガラスは鉛直方向に流れながら、軸回転するスターラーによって攪拌され、攪拌槽の底部に設けられた流出口から下流工程に送られる。また、攪拌工程Ｓ３０では、ジルコニアリッチの熔融ガラス等、熔融ガラスの平均的な比重と異なる比重を有するガラス成分が攪拌槽から除去される。
【００２３】
成形工程Ｓ４０では、オーバーフローダウンドロー法によって、攪拌工程Ｓ３０で攪拌された熔融ガラスからガラスリボンが成形される。具体的には、成形セルの上部から溢れて分流した熔融ガラスが、成形セルの側壁に沿って下方へ流れ、成形セルの下端で合流することでガラスリボンが連続的に成形される。熔融ガラスは、成形工程Ｓ４０に流入する前に、オーバーフローダウンドロー法による成形に適した温度、例えば、１２００℃まで冷却されている。
【００２４】
徐冷工程Ｓ５０では、成形工程Ｓ４０で連続的に生成されたガラスリボンが、歪みおよび反りが発生しないように温度制御されながら、徐冷点以下まで徐冷される。
【００２５】
採板工程Ｓ６０では、徐冷工程Ｓ５０で徐冷されたガラスリボンが、所定の長さごとに切断される。
【００２６】
切断工程Ｓ７０では、採板工程Ｓ６０で所定の長さごとに切断されたガラスリボンが、所定の大きさに切断されて、ガラス基板１０が得られる。
【００２７】
粗面化工程Ｓ８０では、後述するエッチング装置１００を用いて、切断工程Ｓ７０で得られたガラス基板１０の粗面化表面１２ｂにエッチング液を塗布して、粗面化表面１２ｂの表面粗さを増加させる表面処理を行う。粗面化工程Ｓ８０は、主として、ガラス基板１０を搬送する基板搬送工程と、基板搬送工程で搬送されたガラス基板１０の粗面化表面１２ｂにエッチング液を塗布するエッチング液塗布工程とからなる。
【００２８】
端面加工工程Ｓ９０では、粗面化工程Ｓ８０で粗面化表面１２ｂが表面処理されたガラス基板１０の端部を研磨および研削する。
【００２９】
なお、端面加工工程Ｓ９０の後に、ガラス基板１０の洗浄工程および検査工程が行われる。洗浄工程および検査工程の詳細は省略する。最終的に、ガラス基板１０は梱包されて、ＦＰＤの製造業者に出荷される。ＦＰＤ製造業者は、ガラス基板１０の素子形成面１２ａにＴＦＴ等からなる薄膜を形成して、ＦＰＤを製造する。
【００３０】
（２）エッチング装置の構成
粗面化工程ステップＳ８０において、エッチング装置１００を用いてガラス基板１０の粗面化表面１２ｂを粗面化する工程について説明する。図２は、エッチング装置１００の概略構成図である。エッチング装置１００は、主として、搬送ユニット２０と、エッチングユニット３０と、リンスユニット４０とからなる。
【００３１】
（２−１）搬送ユニット
搬送ユニット２０は、切断工程Ｓ７０から送られてきたガラス基板１０を、その粗面化表面１２ｂの法線が鉛直方向下向きになっている状態で、水平方向に搬送する。ガラス基板１０の素子形成表面１２ａは、その法線が鉛直方向上向きであり、かつ、保護膜が形成されない露出した表面である。ガラス基板１０は、搬送ユニット２０によって搬送されている間、エッチングユニット３０およびリンスユニット４０を通過して、その粗面化表面１２ｂがエッチング処理される。図３は、搬送ユニット２０の上面図である。図４は、ガラス基板１０の搬送方向に垂直な方向から見た、搬送ユニット２０の側面図である。図３および図４には、ガラス基板１０、および、ガラス基板１０の搬送方向を表す矢印が示されている。
【００３２】
搬送ユニット２０は、ガラス基板１０の搬送方向に沿って配置されている複数の搬送ローラ２２と、搬送ローラ２２の回転を制御するローラ制御機構（図示せず）とからなる。搬送ローラ２２は、ガラス基板１０の搬送方向に垂直な方向に沿って水平に配置されるローラ軸２４と、ローラ軸２４に等間隔に取り付けられる複数のＯリングコロ２６とを有する。Ｏリングコロ２６は、超高分子量ポリエチレンで成形された環状部材の外周面にゴム製のリングが取り付けられた部品である。
【００３３】
ガラス基板１０は、搬送ローラ２２のＯリングコロ２６の上端に粗面化表面１２ｂが接触している状態で、搬送ローラ２２のローラ軸２４が回転することによって、図３および図４に示される矢印の方向に沿って前後に移動する。ローラ軸２４の回転方向および回転速度は、ローラ制御機構によって制御される。搬送ユニット２０は、ガラス基板１０がエッチングユニット３０およびリンスユニット４０を通過する間に、任意の時間帯に任意の速度でガラス基板１０を前後に移動させることができる。本実施形態では、ガラス基板１０が搬送されている間、各搬送ローラ２２の全てのＯリングコロ２６は、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに接触する。また、Ｏリングコロ２６のピッチおよび搬送ローラ２２のピッチ等は、エッチング処理中にガラス基板１０の撓みや反りが生じないように、適宜に決定される。
【００３４】
（２−２）エッチングユニット
エッチングユニット３０は、搬送ユニット２０によって搬送されてきたガラス基板１０の粗面化表面１２ｂをウエットエッチングにより粗面化する。エッチングユニット３０においてエッチング処理されたガラス基板１０は、搬送ユニット２０によってリンスユニット４０に送られる。エッチングユニット３０は、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂにエッチング液を塗布して、その粗面化表面１２ｂに帯電防止に効果がある表面形状を形成する。本実施形態において、エッチング液は、３０００ｐｐｍ〜９０００ｐｐｍのフッ酸を含む。粗面化表面１２ｂのエッチング処理に使用されたエッチング液は、回収されて再利用される。図５は、エッチングユニット３０の上面図である。図６は、エッチングユニット３０の側面図である。図５および図６には、搬送ユニット２０の搬送ローラ２２、および、ガラス基板１０が示されている。エッチングユニット３０は、主として、複数のエッチング液塗布ノズル３２と、複数の空気噴出ノズル３４と、一対の基板位置合わせユニット３６と、二対のエアナイフ３８と、エッチング液バス３１と、エッチング液タンク３３とからなる。
【００３５】
エッチング液塗布ノズル３２は、搬送ユニット２０の搬送ローラ２２の下方、かつ、搬送ローラ２２と搬送ローラ２２との間に配置されている。エッチング液塗布ノズル３２は、上方に向かって、非ミスト状流体のエッチング液を円錐状に飛散させて吐出する。非ミスト状流体で吐出されたエッチング液の液滴は、霧状とならない大きさを少なくとも有する。図６において、各エッチング液塗布ノズル３２の上端からガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに向かう矢印は、エッチング液の吐出方向を表す。エッチング液塗布ノズル３２は、エッチング液を吐出して、その上方に位置するガラス基板１０の粗面化表面１２ｂにエッチング液を塗布する。
【００３６】
空気噴出ノズル３４は、搬送ユニット２０の搬送ローラ２２の上方に配置されている。空気噴出ノズル３４は、下方に向かって空気を吹き付ける。図６において、各空気噴出ノズル３４の下端からガラス基板１０の素子形成表面１２ａに向かう矢印は、空気の吹き付け方向を表す。空気噴出ノズル３４は、その下方に位置するガラス基板１０の素子形成表面１２ａに空気を吹き付ける。
【００３７】
基板位置合わせユニット３６は、搬送ローラ２２上で停止しているガラス基板１０の幅方向の位置調節を行う。基板位置合わせユニット３６は、ローラ支持部材３６ａと、ローラ支持部材３６ａに取り付けられる複数の位置合わせローラ３６ｂとを有する。一対の基板位置合わせユニット３６は、ガラス基板１０の幅方向に沿って移動させることができる。ガラス基板１０の幅方向の両端面が、一対の基板位置合わせユニット３６の位置合わせローラ３６ｂによって挟み込まれることで、ガラス基板１０の幅方向の位置調節が行われる。
【００３８】
エッチング液バス３１は、エッチング液塗布ノズル３２の下方に設けられ、ガラス基板１０のエッチング処理に使用されたエッチング液を回収する。エッチング液バス３１は、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに付着して粗面化表面１２ｂから落下したエッチング液を受け止める。
【００３９】
エッチング液タンク３３は、エッチング液バス３１によって回収されたエッチング液、および、外部から新たに供給された未使用のエッチング液を貯留する。エッチング液タンク３３は、エッチング液バス３１およびエッチング液塗布ノズル３２とエッチング液配管３５によって接続されている。エッチング液配管３５には、循環ポンプ３５ａが取り付けられている。また、エッチング液タンク３３は、内部に貯留されているエッチング液を攪拌するための攪拌器３３ａと、エッチング液に含まれる微粒子等の異物を除去するためのフィルタ（図示せず）とを備えている。
【００４０】
エッチングユニット３０においてガラス基板１０の粗面化表面１２ｂがエッチング処理される工程について説明する。最初に、搬送ユニット２０によって、エッチングユニット３０の内部にガラス基板１０が搬送される。搬送ユニット２０は、ガラス基板１０の全体がエッチング液塗布ノズル３２の上方に位置している状態になると、ガラス基板１０の搬送を一時的に停止する。次に、基板位置合わせユニット３６によって、ガラス基板１０の幅方向の位置合わせが行われる。次に、搬送ローラ２２によって、ガラス基板１０の搬送方向に沿ってガラス基板１０を前後に揺動させながら、エッチング液塗布ノズル３２からガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに向かってエッチング液を吐出する。エッチング液塗布ノズル３２は、エッチング液タンク３３内のエッチング液を吐出する。
【００４１】
ガラス基板１０の搬送方向に沿ってガラス基板１０を前後に揺動させることにより、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂにおけるエッチング液の循環が促され、粗面化表面１２ｂに所望の形状が形成される。ガラス基板１０の前後方向の揺動により、搬送ローラ２２のＯリングコロ２６に接触している粗面化表面１２ｂの部分は、一時的にＯリングコロ２６に接触していない状態になる。これにより、エッチング液塗布ノズル３２から吐出されたエッチング液は、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂの全体に付着する。本実施形態において、１枚のガラス基板１０のエッチング処理時間は２０秒であり、その間に、ガラス基板１０は５０ｍｍの振幅で３往復、すなわち前後に合計６回揺動することが好ましい。なお、本実施形態では、ガラス基板１０がエッチング処理されている間、全てのエッチング液塗布ノズル３２は、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂの下方に位置している。すなわち、全てのエッチング液塗布ノズル３２から吐出されたエッチング液は、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂのエッチング処理に使用される。なお、本実施形態におけるシャワーエッチングでは、１ｍ2あたり、７５Ｌ／ｍｉｎ〜１００Ｌ／ｍｉｎのフッ酸を含むエッチング液が供給される。
【００４２】
ガラス基板１０に付着して粗面化表面１２ｂを粗面化したエッチング液は、ガラス基板１０から離れて落下する。落下したエッチング液は、エッチング液バス３１によって回収される。ガラス基板１０にたわみや反りが存在しない場合、エッチング液は、粗面化表面１２ｂに付着したポイントから落下する。エッチング液バス３１によって回収されたエッチング液は、循環ポンプ３５ａによってエッチング液配管３５を流れてエッチング液タンク３３に送られる。エッチング液タンク３３では、攪拌器３３ａによってエッチング液が攪拌され、フィルタによって異物が除去される。また、エッチング液タンク３３では、エッチング装置１００の使用時間、エッチング処理されたガラス基板１０の数、エッチング液の状態等に応じて、未使用のエッチング液またはフッ酸溶液が適宜に補充される。例えば、フッ酸濃度計によってエッチング液タンク３３内のエッチング液のフッ酸濃度を監視して、フッ酸濃度が所定の濃度を下回った場合に、フッ酸溶液を補充する。
【００４３】
エッチング液塗布ノズル３２からガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに向かってエッチング液が吐出されている間、空気噴出ノズル３４からガラス基板１０の素子形成表面１２ａに向かって、空気が吹き付けられる。これにより、エッチング液塗布ノズル３２から吐出されたエッチング液の液滴が、ガラス基板１０より上方の空間に侵入して、素子形成表面１２ａに付着することが抑制される。また、エッチングユニット３０内の雰囲気中に浮遊している塵およびガラスの微小な破片等が、素子形成表面１２ａに付着することが抑制される。さらに、ガラス基板１０に上方から風圧を加えることで、板厚が薄く自重が軽いガラス基板１０であっても、搬送中および揺動中において、ガラス基板１０を安定して移動させることができる。これにより、エッチング液の流量が多い場合であっても、ガラス基板１０の揺動を安定的に行うことができ、ガラス基板１０の下面を所望の形状に形成することができる。粗面化表面１２ｂにエッチング液が塗布されたガラス基板１０は、搬送ユニット２０によってリンスユニット４０に搬送される。ガラス基板１０がリンスユニット４０に搬送された後、空気噴出ノズル３４は、搬送ローラ２２に向かって空気を吹き付ける。これにより、搬送ローラ２２のＯリングコロ２６に付着しているエッチング液が除去される。
【００４４】
エッチングユニット３０のガラス基板１０の搬入口および搬出口の近傍には、それぞれ、一対のエアナイフ３８が配置されている。一対のエアナイフ３８は、搬送ユニット２０によって搬送されるガラス基板１０の通過領域を挟んで、互いに対向するように配置されている。一対のエアナイフ３８は、略鉛直方向に沿って、互いに反対方向に高圧の空気を吐出する。図６において、各エアナイフ３８の上端または下端から延びている矢印は、空気の吐出方向を表す。エアナイフ３８によって、エッチング液塗布ノズル３２から吐出されたエッチング液の液滴が、エッチングユニット３０の上流にある切断工程Ｓ７０に侵入することが抑制され、かつ、エッチングユニット３０の下流にあるリンスユニット４０に侵入することが抑制される。また、エアナイフ３８によって、切断工程Ｓ７０においてガラス基板１０の切断時に生じたガラスの微小な破片が、エッチングユニット３０に侵入することが抑制される。
【００４５】
本実施形態において、エッチングユニット３０によってエッチング処理されたガラス基板１０の粗面化表面１２ｂは、その面粗さ中心面ｃｓから１ｎｍ以上の高さを有する凸部が分散して形成され、かつ、凸部の粗面化表面１２ｂに占める面積割合が１％〜５％であることが好ましい。図７に、エッチング処理された粗面化表面１２ｂの断面図の一次元模式図を示す。図７において、縦軸は、粗面化表面１２ｂの面粗さ中心面ｃｓを基準とした粗面化表面１２ｂの高さを表す。粗面化表面１２ｂの高さは、面粗さ中心面ｃｓより高い場合に正の値で表され、面粗さ中心面ｃｓより低い場合に負の値で表される。図７において、ハッチングされた領域は、面粗さ中心面ｃｓからの高さが＋１ｎｍ以上である凸部を表す。面粗さ中心面ｃｓは、粗面化表面１２ｂ上の全てのポイントにおける高さの合計（粗面化表面１２ｂ全体における高さの積分値）がゼロとなる高さに位置する水平面である。
【００４６】
本実施形態において、ガラス表面１０の粗面化表面１２ｂの凹凸形状は、適切な校正がなされた原子間力顕微鏡（ＰａｒｋＳｙｓｔｅｍｓ社製のモデルＸＥ−１００）を用いて、ノンコンタクトモードで計測されたものをいう。算術平均粗さＲａが１ｎｍ未満である面粗さが小さい表面を計測することができるように、原子間力顕微鏡は調整される。原子間力顕微鏡の計測条件は、スキャンエリア：１μｍ角、スキャンレート：０．８Ｈｚ、サーボゲイン：１．５、サンプリング：２５６ポイント×２５６ポイント、セットポイント：自動設定（手動設定でもよい）、である。
【００４７】
本実施形態において、エッチングユニット３０を通過したガラス基板１０の素子形成表面１２ａは、１ｎｍ以下の表面粗さＲｚを有することが好ましい。ここで、粗面化表面１２ｂの場合の「表面粗さＲｚ」は、図７に示されるように、粗面化表面１２ｂの面粗さ中心面ｃｓを基準とする粗面化表面１２ｂの高さの最大値をＲｐとし、粗面化表面１２ｂの高さの最小値をＲｖとした場合に、Ｒｐの大きさとＲｖの大きさとの合計値を表す。
【００４８】
（２−３）リンスユニット
リンスユニット４０は、搬送ユニット２０によって搬送され、エッチングユニット３０によって粗面化表面１２ｂがエッチング処理されたガラス基板１０を洗浄する。リンスユニット４０において洗浄されたガラス基板１０は、搬送ユニット２０によって端面加工工程Ｓ９０に送られる。リンスユニット４０は、ガラス基板１０の素子形成表面１２ａおよび粗面化表面１２ｂに洗浄水を吹き付けて、素子形成表面１２ａおよび粗面化表面１２ｂに付着した余分なエッチング液を除去する。洗浄水は、純水が用いられる。洗浄水は、ガラス基板１０の洗浄に使用した後に回収され、一部が再利用される。図８は、リンスユニット４０の側面図である。図８には、搬送ユニット２０の搬送ローラ２２、および、ガラス基板１０が示されている。
【００４９】
リンスユニット４０は、主として、複数の洗浄水噴出ノズル４２と、二対のエアナイフ４４と、洗浄水バス４１と、循環水タンク４５とからなる。洗浄水噴出ノズル４２は、搬送ユニット２０の上方および下方に配置されている。リンスユニット４０では、ガラス基板１０が搬送ユニット２０によって搬送されている間に、洗浄水噴出ノズル４２がガラス基板１０の両表面に向かって洗浄水を吹き付ける。洗浄水噴出ノズル４２は、第１噴出ノズル４２ａと、第２噴出ノズル４２ｂと、第３噴出ノズル４２ｃとに分類される。最初に、搬送ユニット２０によって搬送されるガラス基板１０は、第１噴出ノズル４２ａによって素子形成表面１２ａが洗浄される。次に、ガラス基板１０は、第２噴出ノズル４２ｂによって粗面化表面１２ｂが洗浄される。図８に示されるように、第２噴出ノズル４２ｂは、ガラス基板１０の搬送方向に沿って洗浄水噴出ノズル４２の大半を占めている。次に、ガラス基板１０は、第３噴出ノズル４２ｃによって素子形成表面１２ａおよび粗面化表面１２ｂの両方が洗浄される。洗浄水噴出ノズル４２から吐出されてガラス基板１０の表面を洗浄した洗浄水は、ガラス基板１０から離れて落下して、洗浄水バス４１に回収される。回収された洗浄水は、循環水タンク４５に貯留される。図８において、各洗浄水噴出ノズル４２の上端または下端から延びている矢印は、洗浄水の吐出方向を表す。
【００５０】
本実施形態において、第１噴出ノズル４２ａおよび第３噴出ノズル４２ｃは、外部から供給される未使用の純水を洗浄水として使用し、第２噴出ノズル４２ｂは、循環水タンク４５に貯留される洗浄水を使用する。循環水タンク４５では、エッチング装置１００の使用時間、エッチング処理されたガラス基板１０の数、洗浄水の状態等に応じて、純水が適宜に補充または交換される。例えば、フッ酸濃度計によって循環水タンク４５内の洗浄水のフッ酸濃度を監視して、フッ酸濃度が所定の濃度を上回った場合に、純水を補充または交換する。
【００５１】
リンスユニット４０のガラス基板１０の搬入口と搬出口の近傍には、それぞれ、一対のエアナイフ４４が配置されている。一対のエアナイフ４４は、搬送ユニット２０によって搬送されるガラス基板１０の通過領域を挟んで、互いに対向するように配置されている。一対のエアナイフ４４は、略鉛直方向に沿って、互いに反対方向に高圧の空気を吐出する。図８において、各エアナイフ４４の上端または下端から延びている矢印は、空気の吐出方向を表す。エアナイフ４４によって、洗浄水噴出ノズル４２から吐出された洗浄水が、リンスユニット４０の上流にあるエッチングユニット３０に浸入することが抑制され、かつ、リンスユニット４０の下流にある端面加工工程Ｓ９０に侵入することが抑制される。
【００５２】
（３）特徴
ガラス基板１０の素子形成表面１２ａは、ＴＦＴ等の半導体素子の薄膜が形成される表面であり、可能な限り滑らかな状態が維持されることが好ましい。しかし、エッチング液塗布ノズル３２から吐出されてガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに吹き付けられるエッチング液が霧状である場合、エッチング液の液滴がエッチングユニット３０内の雰囲気中を浮遊して、ガラス基板１０の素子形成表面１２ａに付着しやすい。ガラス基板１０の素子形成表面１２ａにエッチング液が付着して、素子形成表面１２ａに微小な凹凸が形成されると、素子形成表面１２ａに形成される半導体素子の破壊等の問題が生じるおそれがある。
【００５３】
本実施形態では、エッチング液塗布ノズル３２から非ミスト状流体で吐出されてガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに吹き付けられるエッチング液の液滴は、霧状とならない大きさを少なくとも有している。そのため、粗面化表面１２ｂに吹き付けられるエッチング液の液滴は、霧状の液滴と比べて質量が大きく、エッチングユニット３０内の雰囲気中を浮遊しにくい。そのため、エッチング液の液滴がガラス基板１０の素子形成表面１２ａに付着することが抑制される。これにより、ガラス基板１０の素子形成表面１２ａに耐エッチング性を有するマスクを成膜することなく、素子形成表面１２ａのエッチングを防ぐことができるので、素子形成表面１２ａの清浄度を高く保つことができる。なお、霧状にならない程度の液滴の大きさは、エッチング液の密度および温度等のパラメータに応じて決定される。例えば、エッチング液塗布ノズル３２から吐出されるエッチング液の圧力を０．０３ＭＰａ〜０．０８ＭＰａの範囲で適宜に調整し、かつ、エッチング液の流量を１．０Ｌ／ｍｉｎ〜１．５Ｌ／ｍｉｎの範囲で適宜に調整することで、非ミスト状流体のエッチング液を吐出するとよい。
【００５４】
また、霧状のエッチング液を粗面化表面１２ｂに吹き付ける場合と比べて、霧状でないエッチング液を粗面化表面１２ｂに吹き付ける本実施形態では、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂがより粗面化される。これにより、後述するように、ＦＰＤの製造工程においてガラス基板１０を載置する載置台とガラス基板１０との間の距離が１ｎｍ以上である粗面化表面１２ｂの領域を大きくすることができるので、ＦＰＤの製造工程におけるガラス基板１０の粗面化表面１２ｂの帯電が効果的に抑制される。ガラス基板１０の表面が帯電すると、ＦＰＤの製造ラインの雰囲気中に存在する塵および埃等の異物がガラス基板１０の表面に付着して、素子形成表面１２ａの成膜工程においてガラス基板１０を載置台から取り除く際にガラス基板１０が破壊される等の問題が発生するおそれがある。
【００５５】
また、本実施形態において、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂは、その面粗さ中心面ｃｓから１ｎｍ以上の高さを有する凸部（図７に示されるハッチング領域）が分散して形成され、かつ、凸部の粗面化表面１２ｂに占める面積割合が１％〜５％であることが好ましい。これにより、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂの帯電が効果的に抑制される。そして、ガラス基板１０は、上記の粗面化表面１２ｂの形状を備えることで、剥離帯電における帯電スピードを抑えることができる。これにより、例えば、ゲート絶縁膜の厚さが２０ｎｍ未満のＴＦＴ素子が形成されるＦＰＤの製造工程においても、静電破壊の発生確率が抑えられる。なお、凸部の粗面化表面１２ｂに占める面積割合は、凸部の面積を求めることにより算出される。凸部の面積は、原子間力顕微鏡を用いて計測した１μｍ×１μｍ（２５６ポイント×２５６ポイント）のサイズを有する粗面化表面１２ｂのプロファイル形状の画像を用いて、粗面化表面１２ｂの面粗さ中心面から１ｎｍ以上の高さを有する凸部の画素数をカウントすることで求められる。
【００５６】
以下、帯電が抑制される機構について説明する。ガラス基板１０は、ＦＰＤの製造工程において素子形成表面１２ａにＴＦＴ等の薄膜が形成される際に、粗面化表面１２ｂが載置台の表面に接触した状態で載置される。このとき、ガラス基板１０は、粗面化表面１２ｂの凸部によって載置台に支持されている状態となる。そして、載置台とガラス基板１０との間の電荷の移動は、載置台とガラス基板１０との間の距離が１ｎｍ未満、具体的には、０．２ｎｍ〜０．８ｎｍである場合に発生しやすいといわれている。そのため、１ｎｍ以上の高さを有する粗面化表面１２ｂの凸部によってガラス基板１０が支持されている状態では、載置台とガラス基板１０との間の距離が１ｎｍ以上である粗面化表面１２ｂの領域が広いため、載置台とガラス基板１０との間の電荷の移動が抑制される。
【００５７】
しかし、粗面化表面１２ｂに占める凸部の面積割合が１％未満である場合、ガラス基板１０を載置台に載置した際に、粗面化表面１２ｂの凸部がガラス基板１０を支持することができず、ガラス基板１０と載置台との間の距離を十分に確保することができない。また、粗面化表面１２ｂに占める凸部の面積割合が５％より大きい場合、ガラス基板１０と載置台との接触面積が増加するために、ガラス基板１０の帯電量が増加する。また、粗面化表面１２ｂに占める凸部の面積割合が５％より大きくなるようにエッチング処理する場合、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに形成される凹凸を目標通りに調整することが難しく、粗面化表面１２ｂの品質が十分に確保できないおそれがある。特に、粗面化表面１２ｂに元来形成されている微小なキズがエッチング処理によって増幅されて、キズ欠陥になるおそれがある。従って、ガラス基板１０の帯電を十分に抑制するためには、粗面化表面１２ｂに占める凸部の面積割合は１％〜５％であることが好ましく、１．２％〜４％であることがさらに好ましい。
【００５８】
また、本実施形態では、ガラス基板１０の帯電を十分に抑制するために、非ミスト状流体のエッチング液が、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに吹き付けられる。この場合、エッチング液塗布ノズル３２から吐出されるエッチング液の圧力は、エッチング液塗布ノズル３２から霧状のエッチング液が吐出される場合と比べて低い。そして、エッチング液塗布ノズル３２から吐出されるエッチング液は、円錐形状に広がって粗面化表面１２ｂに吹き付けられる。エッチング液の吐出圧力が高いと、この円錐の中央部と側部との間における吐出圧力の差が大きくなりやすいので、粗面化表面１２ｂ上にエッチングのムラが生じやすい。そのため、エッチング液塗布ノズル３２から吐出されるエッチング液の吐出圧力は、粗面化表面１２ｂに十分なエッチング液が塗布される条件下において低いほど好ましい。本実施形態では、エッチング液の吐出圧力が低いので、粗面化表面１２ｂ上のエッチングのムラが効果的に抑制される。なお、エッチング液の吐出圧力は、エッチングユニット３０によるガラス基板１０のエッチング処理速度、ガラス基板１０の素子形成表面１２ａに付着するエッチング液の量、および、エッチング液塗布ノズル３２とガラス基板１０との間の距離等に影響を与えるため、これらを考慮して適宜に設定されることが好ましい。
【００５９】
（４）変形例
（４−１）変形例Ａ
本実施形態では、図５に示されるように、ガラス基板１０は、搬送ローラ２２の全てのＯリングコロ２６に接触することができる幅方向の大きさを有している。また、ガラス基板１０がエッチング処理されている間、全てのエッチング液塗布ノズル３２は、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂの下方に位置している。そのため、エッチングユニット３０の全てのエッチング液塗布ノズル３２から吐出されるエッチング液は、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに吹き付けられる。
【００６０】
しかし、本実施形態のガラス基板１０よりも小さい幅方向の大きさを有するガラス基板がエッチングユニット３０によってエッチング処理される場合、一部のエッチング液塗布ノズル３２は、ガラス基板１０の粗面化表面１２ｂに向かってエッチング液を吐出することができない。この場合、一部のエッチング液塗布ノズル３２は、ガラス基板１０よりも上方の空間にエッチング液を吐出してしまうので、ガラス基板１０の素子形成表面１２ａに吐出されたエッチング液が付着しやすい。
【００６１】
そこで、エッチングユニット３０は、ガラス基板１０の幅に応じて、ガラス基板１０の幅方向両端部に位置しているエッチング液塗布ノズル３２から吐出されるエッチング液を受ける遮蔽板を備えてもよい。この場合、一部のエッチング液塗布ノズル３２から吐出されるエッチング液は、遮蔽板の下面に付着して落下するので、エッチング液がガラス基板１０の素子形成表面１２ａに付着することが抑制される。図９は、このような遮蔽板１５０が取り付けられたエッチングユニット１３０の上面図である。図９には、搬送ローラ２２によって搬送されるガラス基板１１０が示されている。ガラス基板１１０は、実施形態のガラス基板１０と比べて小さい幅を有する。このエッチングユニット１３０では、ガラス基板１１０の幅方向両端部に位置しているエッチング液塗布ノズル３２から吐出されたエッチング液は、遮蔽板１５０の下面に向かって吹き付けられる。そのため、エッチング液塗布ノズル３２から吐出され、ガラス基板１１０の粗面化表面１２ｂのエッチング処理に使用されないエッチング液は、遮蔽板１５０の下面に付着してエッチング液バス３１に落下する。
【００６２】
なお、本変形例では、ガラス基板１１０の上方に、ガラス基板１１０の素子形成表面１２ａと対向する一対の仕切り板（図示せず）がさらに配置されてもよい。仕切り板は、その法線がガラス基板１１０の幅方向に沿って水平になるように配置される。エッチングユニット３０を上面視した場合に、一対の仕切り板は、ガラス基板１１０の幅方向の両端部において、ガラス基板１１０の搬送方向に沿って配置されている。仕切り板は、素子形成表面１２ａとの間に微小な隙間を形成して配置される。これにより、空気噴出ノズル３４から素子形成表面１２ａに向かって吐出された空気は、ガラス基板１１０と仕切り板との間の隙間を通過して、ガラス基板１１０の幅方向両側にある遮蔽板１５０に流れやすい。そのため、ガラス基板１１０の素子形成表面１２ａにエッチング液が付着することがより効果的に抑制される。
【００６３】
（４−２）変形例Ｂ
本実施形態では、エッチングユニット３０は、１つのエッチング液タンク３３を有しているが、複数のエッチング液タンク３３を有してもよい。例えば、エッチングユニット３０は、２つのエッチング液タンク３３を有し、エッチング装置１００の通常運転時に一方のエッチング液タンク３３のみを使用して、このエッチング液タンク３３内のエッチング液に異常が検知された場合に、他方のエッチング液タンク３３を代わりに使用してもよい。
【００６４】
この場合、エッチングユニット３０が使用していない方のエッチング液タンク３３に貯留されているエッチング液を交換することができ、また、未使用のエッチング液やフッ酸溶液を追加することができる。また、エッチングユニット３０が使用しているエッチング液タンク３３のエッチング液のフッ酸濃度が低下した場合に、エッチング装置１００の運転を停止することなく、他方のエッチング液タンク３３の使用を開始してエッチング処理を継続することができる。従って、エッチングユニット３０が複数のエッチング液タンク３３を有することにより、エッチング装置１００の信頼性を向上させることができる。
【符号の説明】
【００６５】
１０      ガラス基板
２２      搬送ローラ（基板搬送ローラ）
３２      エッチング液塗布ノズル（塗布ノズル）
１００      エッチング装置（表面処理ユニット）
【先行技術文献】
【特許文献】
【００６６】
【特許文献１】特開２００５−２９８３１４号公報
【特許文献２】特開２０１１−２０７７５６号公報
【図１】
2014009124.tif 000003
【図２】
2014009124.tif 000004
【図３】
2014009124.tif 000005
【図４】
2014009124.tif 000006
【図５】
2014009124.tif 000007
【図６】
2014009124.tif 000008
【図７】
2014009124.tif 000009
【図８】
2014009124.tif 000010
【図９】
2014009124.tif 000011