【手続補正書】
【提出日】令和2年12月7日(2020.12.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
方法であって、
基板または基板支持体の支持プレートにおける温度分布パターンを決定する工程と、
前記温度分布パターンに基づいて、前記支持プレートの上面に塗布するマスクの数を２以上の数で決定する工程と、
前記温度分布パターンに基づいて、前記マスクのパターンを決定する工程と、
前記支持プレートの前記上面の上に前記マスクを塗布する工程と、
前記マスクによって保護されていない前記支持プレートの部分を除去して第１メサと、前記第１メサの間の第１凹部領域とを形成するために、第１機械加工処理を実行する工程と、
前記マスクの内の第１マスクを前記支持プレートから除去する工程と、
第２凹部領域と、第２メサおよび第１シールバンド領域の少なくとも一方とを形成するために、第２機械加工処理を実行する工程と、
前記マスクの内の第２マスクを前記支持プレートから除去する工程と
を備える方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記第２機械加工処理を実行した後に、前記第１凹部領域の深さが、前記第２凹部領域の深さと異なる方法。
【請求項３】
請求項２に記載の方法であって、
前記第２機械加工処理は、前記第１凹部領域の深さを増大させることを含み、
前記第２機械加工処理を実行した後に、前記第１凹部領域の前記深さは、前記第２凹部領域の前記深さよりも大きくなる方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、前記第２機械加工処理を実行した後に、前記第１凹部領域の深さが、前記第２凹部領域の深さと等しい方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記第２メサおよび前記第１シールバンド領域は、前記第２機械加工処理中に形成される方法。
【請求項６】
請求項１に記載の方法であって、前記第１メサ、前記第２メサ、および、前記第１シールバンド領域のバンドの高さが、前記支持プレートの底部に対して同じ高さにある方法。
【請求項７】
請求項１に記載の方法であって、さらに、
第３メサおよび第２シールバンド領域の少なくとも一方を形成するために、第３機械加工処理を実行する工程と、
前記マスクの内の第３マスクを前記支持プレートから除去する工程と
を備える方法。
【請求項８】
基板処理システムのための基板支持体であって、
本体と、
前記本体にわたって分散され、前記本体から離れる方向に前記本体から伸び、基板を支持するよう構成された複数のメサと
を備え、
前記複数のメサの各々は、固体の柱形状のメサであり、前記基板と接触して支持する表面領域を有する上面を備え、
前記複数のメサの各々は、前記本体の底面に沿って伸びる平面と前記複数のメサの前記上面との間の距離が、等しい長さであり、前記複数のメサのそれぞれの高さを指すように、前記本体の底部に対して同じ高さを有し、
前記複数のメサの間の領域の深さは、前記基板の処理中に経験される前記基板または前記基板支持体のベースプレートの温度分布パターンに従ってサイズが異なり、
前記複数のメサの間の前記領域の前記深さは、前記本体の直径に沿った第１点から前記本体の前記直径に沿った第２点まで前記本体にわたってサイズが減少し、
前記第１点および前記第２点は、前記本体の外周に沿って、または、前記基板支持体の第１シールバンド領域に沿って配置される、基板支持体。
【請求項９】
請求項８に記載の基板支持体であって、前記複数のメサの間の前記領域の前記深さは、前記ベースプレートの冷却材流路入口の上の領域から前記ベースプレートの冷却材流路出口の上の領域に向かってサイズが減少する基板支持体。
【請求項１０】
請求項８に記載の基板支持体であって、さらに、第１シールバンド領域を規定する複数のバンドを備え、
前記第１シールバンド領域は、前記複数のバンドの内の２つの隣接するバンドの両側の間に配置されて、前記複数のメサの内のいくつかを備え、
前記複数のバンドは、前記本体の一部として一体的に形成され、前記基板の側面とシールを形成するように前記本体から伸び、
前記複数のバンドの高さは、前記複数のメサの前記高さと等しく、
前記第１シールバンド領域は、第１深さを有し、
前記第１シールバンド領域の外側にある前記複数のメサの間の前記領域の深さは、前記第１深さよりもサイズが大きく、
前記第１点および前記第２点は、前記第１シールバンド領域に沿って配置される、基板支持体。
【請求項１１】
請求項１０に記載の基板支持体であって、前記第１シールバンド領域の外側にある前記複数のメサは、前記第１シールバンド領域よりも半径方向で前記本体の中心近くに配置される基板支持体。
【請求項１２】
請求項８に記載の基板支持体であって、前記複数のメサの前記深さのパターンは、前記ベースプレート内の高温スポットを考慮するように構成され、その結果、前記複数のメサの内の前記高温スポット上にある前記メサの深さが、前記複数のメサの内の前記高温スポット上にない他のメサの深さよりも小さくなる基板支持体。
【請求項１３】
請求項８に記載の基板支持体であって、さらに、前記第１シールバンド領域、第２シールバンド領域、および、非シールバンド領域を備え、
前記第１シールバンド領域および前記第２シールバンド領域の各々は、２つのバンドを境界とし、
前記第１シールバンド領域の深さが、前記第２シールバンド領域の深さまたは前記非シールバンド領域の深さと異なる基板支持体。
【請求項１４】
請求項８に記載の基板支持体であって、さらに、
前記ベースプレートと、
前記ベースプレート上に配意された熱ボンド層と、
前記本体および前記複数のメサを含む支持プレートと
を備える基板支持体。
【請求項１５】
基板処理システムであって、
請求項８の基板支持体と、
ＲＦ電力を生成して、前記ＲＦ電力を前記基板支持体に供給するよう構成された高周波電力発生器と、
前記高周波電力発生器の動作を制御するシステムコントローラと
を備える基板処理システム。
【請求項１６】
請求項８に記載の基板支持体であって、
前記第１点および前記第２点は、前記本体の前記外周に沿って配置される、基板支持体。
【請求項１７】
請求項８に記載の基板支持体であって、
前記複数のメサの間の前記領域の前記深さは、前記基板支持体の前記直径に沿った前記第１点から前記第２点までの領域間で連続的にサイズが減少する、基板支持体。
【請求項１８】
請求項８に記載の基板支持体であって、
前記複数のメサは、第１メサおよび第２メサを含み、
前記第１メサと前記第２メサとの間にはメサが存在せず、
前記第１メサと前記第２メサとの間の領域は、単一の段差を備え、前記領域は、
前記第１メサの垂直方向に伸びる側面から前記単一の段差の上面に伸びる第１平面と、
前記単一の段差の前記底面から前記第２メサの垂直方向に伸びる側面に伸びる第２平面と、を備える、基板支持体。
【請求項１９】
請求項１８に記載の基板支持体であって、
前記単一の段差は、垂直面であり、
前記第１平面は、前記第１メサの前記上面および前記第２メサの前記上面よりも低い、基板支持体。
【請求項２０】
請求項１８に記載の基板支持体であって、
前記単一の段差の高さは、前記第１メサの高さと前記第２メサの高さとの差に等しい、基板支持体。
【請求項２１】
請求項１８に記載の基板支持体であって、
前記第１平面の前記第１メサと前記第２メサとの間に第１深さが存在し、
前記第２平面の前記第１メサと前記第２メサとの間に第２深さが存在し、
前記単一の段差の高さは、前記第１深さと前記第２深さとの差に等しい、基板支持体。
【請求項２２】
請求項９に記載の基板支持体であって、
前記冷却材流路入口および前記冷却材流路出口は、前記ベースプレートの外周に沿って配置され、
前記冷却材流路入口は、前記ベースプレートの中心に関して前記冷却材流路出口の反対側にある、基板支持体。
【請求項２３】
請求項９に記載の基板支持体であって、
冷却流体を受け入れるように構成された冷却流路は、前記ベースプレートに配置され、前記冷却材流路入口から前記冷却材流路出口に伸び、
前記複数のメサの間の前記領域は、前記冷却流路の上方に配置され、ガスを受け入れるように構成されている、基板支持体。
【請求項２４】
請求項９に記載の基板支持体であって、さらに、
前記冷却材流路入口および前記冷却材流路出口の上にはない、前記複数のメサの内の２つのメサの間の前記領域の内の１つにガスを供給するように構成されたガス流路を備え、
前記ガス流路は、前記冷却材流路入口と前記冷却材流路出口との間に配置される、基板支持体。
【請求項２５】
請求項２４に記載の基板支持体であって、
前記複数のメサの内の前記２つのメサの間の前記領域の深さは、前記冷却材流路入口の上の前記領域の前記深さよりも小さく、前記冷却材流路出口の上の前記領域の前記深さよりも大きい、基板支持体。
【請求項２６】
請求項２４に記載の基板支持体であって、
前記複数のメサの内の前記２つのメサの間の前記領域は、前記本体の外縁よりも前記本体の中心に近く、
前記冷却材流路入口および前記冷却材流路出口は、前記本体の前記中心よりも前記本体の前記外縁に近い、基板支持体。
【請求項２７】
請求項２６に記載の基板支持体であって、
前記複数のメサの内の前記２つのメサの間の前記領域は、前記本体の前記中心からオフセットされる、基板支持体。
【請求項２８】
請求項９に記載の基板支持体であって、さらに、
前記複数のメサの内の２つのメサの間の前記領域の内の１つにガスを供給するように構成されたガス流路を備え、
前記領域の内の前記１つは、前記第１点と前記第２点との間に配置される、基板支持体。
【請求項２９】
請求項２８に記載の基板支持体であって、
前記領域の内の前記１つは、前記本体の外縁よりも前記本体の中心に近く、
前記冷却材流路入口および前記冷却材流路出口は、前記本体の前記中心よりも前記本体の前記外縁に近い、基板支持体。
【請求項３０】
請求項２９に記載の基板支持体であって、
前記領域の内の前記１つは、前記本体の前記中心からオフセットされる、基板支持体。
【請求項３１】
請求項１０に記載の基板支持体であって、
前記複数のバンドの各々は、リング形状であり、
前記第１シールバンド領域は、シールされている、基板支持体。
【請求項３２】
請求項１０に記載の基板支持体であって、
前記第１点は、前記ベースプレートの冷却材流路入口の上方にあり、
前記第２点は、前記ベースプレートの冷却材流路出口の上方にある、基板支持体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
上述のように、ツールによって実行される１または複数の処理工程に応じて、コントローラは、他のツール回路またはモジュール、他のツール構成要素、クラスタツール、他のツールインターフェース、隣接するツール、近くのツール、工場の至る所に配置されるツール、メインコンピュータ、別のコントローラ、もしくは、半導体製造工場内のツール位置および／またはロードポートに向かってまたはそこからウエハのコンテナを運ぶ材料輸送に用いられるツール、の内の１または複数と通信してもよい。また、これら以外に以下の適用例として実施することも差し支えない。
［適用例１］方法であって、
基板または基板支持体の支持プレートにおける温度分布パターンを決定する工程と、
前記温度分布パターンに基づいて、前記支持プレートの上面に塗布するマスクの数を２以上の数で決定する工程と、
前記温度分布パターンに基づいて、前記マスクのパターンを決定する工程と、
前記支持プレートの前記上面の上に前記マスクを塗布する工程と、
前記マスクによって保護されていない前記支持プレートの部分を除去して第１メサと、前記第１メサの間の第１凹部領域とを形成するために、第１機械加工処理を実行する工程と、
前記マスクの内の第１マスクを前記支持プレートから除去する工程と、
第２凹部領域と、第２メサおよび第１シールバンド領域の少なくとも一方とを形成するために、第２機械加工処理を実行する工程と、
前記マスクの内の第２マスクを前記支持プレートから除去する工程と
を備える方法。
［適用例２］適用例１に記載の方法であって、前記第２機械加工処理を実行した後に、前記第１凹部領域の深さが、前記第２凹部領域の深さと異なる方法。
［適用例３］適用例２に記載の方法であって、
前記第２機械加工処理は、前記第１凹部領域の深さを増大させることを含み、
前記第２機械加工処理を実行した後に、前記第１凹部領域の前記深さは、前記第２凹部領域の前記深さよりも大きくなる方法。
［適用例４］適用例１に記載の方法であって、前記第２機械加工処理を実行した後に、前記第１凹部領域の深さが、前記第２凹部領域の深さと等しい方法。
［適用例５］適用例１に記載の方法であって、前記第２メサおよび前記第１シールバンド領域は、前記第２機械加工処理中に形成される方法。
［適用例６］適用例１に記載の方法であって、前記第１メサ、前記第２メサ、および、前記第１シールバンド領域のバンドの高さが、前記支持プレートの底部に対して同じ高さにある方法。
［適用例７］適用例１に記載の方法であって、さらに、
第３メサおよび第２シールバンド領域の少なくとも一方を形成するために、第３機械加工処理を実行する工程と、
前記マスクの内の第３マスクを前記支持プレートから除去する工程と
を備える方法。
［適用例８］基板処理システムのための基板支持体であって、
本体と、
前記本体にわたって分散され、前記本体から離れる方向に前記本体から伸び、基板を支持するよう構成された複数のメサと
を備え、
前記複数のメサの各々は、前記基板と接触して支持する表面領域を備え、
前記複数のメサの各々は、前記本体の底部に対して同じ高さを有し、
前記複数のメサの間の領域の深さは、前記基板の処理中に経験される前記基板または前記基板支持体のベースプレートの温度分布パターンに従ってサイズが異なる基板支持体。
［適用例９］適用例８に記載の基板支持体であって、前記複数のメサの間の前記領域の前記深さは、前記基板支持体の中心からの半径方向距離が増大するにつれてサイズが減少する基板支持体。
［適用例１０］適用例８に記載の基板支持体であって、前記複数のメサの間の前記領域の前記深さは、前記ベースプレートの冷却材流路入口の上の領域から前記ベースプレートの冷却材流路出口の上の領域に向かってサイズが減少する基板支持体。
［適用例１１］適用例８に記載の基板支持体であって、
前記複数のメサの間の前記領域の前記深さは、前記本体の直径に沿った第１点から前記本体の前記直径に沿った第２点まで前記本体にわたって半径方向に減少し、
前記第２点は、前記本体の中心に関して前記第１点の反対側にある基板支持体。
［適用例１２］適用例８に記載の基板支持体であって、さらに、シールバンド領域を規定する複数のバンドを備え、
前記シールバンド領域は、第１深さを有し、
前記シールバンド領域の外側にある前記複数のメサの深さは、前記第１深さよりもサイズが大きい基板支持体。
［適用例１３］適用例１２に記載の基板支持体であって、前記シールバンド領域の外側にある前記複数のメサは、前記シールバンド領域よりも半径方向で前記本体の中心近くに配置される基板支持体。
［適用例１４］適用例８に記載の基板支持体であって、前記複数のメサの前記深さのパターンは、前記ベースプレート内の高温スポットを考慮するように構成され、その結果、前記複数のメサの内の前記高温スポット上にある前記メサの深さが、前記複数のメサの内の前記高温スポット上にない他のメサの深さよりも小さくなる基板支持体。
［適用例１５］適用例８に記載の基板支持体であって、さらに、第１シールバンド領域、第２シールバンド領域、および、非シールバンド領域を備え、
前記第１シールバンド領域および前記第２シールバンド領域の各々は、２つのバンドを境界とし、
前記第１シールバンド領域の深さが、前記第２シールバンド領域の深さまたは前記非シールバンド領域の深さと異なる基板支持体。
［適用例１６］適用例８に記載の基板支持体であって、さらに、
前記ベースプレートと、
前記ベースプレート上に配意された熱ボンド層と、
前記本体および前記複数のメサを含む支持プレートと
を備える基板支持体。
［適用例１７］基板処理システムであって、
適用例８の基板支持体と、
ＲＦ電力を生成して、前記ＲＦ電力を前記基板支持体に供給するよう構成された高周波電力発生器と、
前記高周波電力発生器の動作を制御するシステムコントローラと
を備える基板処理システム。