Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年3月1日(2021.3.1)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
光干渉断層計（ＯＣＴ：optical coherence tomography）を使用して被検体の眼に関連している外科手技を実行するためのシステムにおいて、
該システムは、プロセッサと、当該プロセッサに接続されたメモリと、を備え、
当該メモリは、コンピュータ可読プログラムコードを含み、当該コンピュータ可読プログラムコードは、前記プロセッサによって実行されたときに、
前記外科手技を実行している外科医が、既知の配向非対称性を有する構造の有無及び位置を検査し前記被検体の適正な配向を確認することによって、前記外科手技のために被検体を配向することができるように、前記構造を含んだ前記被検体の領域の画像を前記構造の光干渉断層計画像を使用して生成する第１のステップと、
光干渉断層計を使用して前記被検体の外科手術領域の少なくとも１つの画像を取得し、当該外科手術領域の初期構造像を構築する第２のステップと、
光干渉断層計画像を使用して、前記外科手技の成果を評価するためのエンドポイントとして関連する少なくとも１つの臨床パラメタを計算する第３のステップと、
前記光干渉断層計画像から導出された構造像に示される前記被検体の眼の組織構造への前記外科手技による変化又は前記光干渉断層計画像から導出される前記計算した少なくとも１つの臨床パラメタへの前記外科手技による変化を用いて、外科手術プロセスを前記外科医が評価して、前記外科手技に関連する臨床成果を前記外科医が監視することができ、前記評価及び／又は監視に基づき、前記外科手技に対する外科手術計画が修正を必要としているか否かを前記外科医が判定することができ、修正が必要であると判定された場合に前記外科手技に対する前記外科手術計画を前記外科医が修正することができるように、前記光干渉断層計画像から導出された構造像又は前記光干渉断層計画像から導出される前記計算した少なくとも１つの臨床パラメタを表示する第４のステップと、
修正が必要でないと前記外科医に判定されたことを示す所定の終了条件を満たすまで、前記第４のステップを繰り返すステップと、
を含む処理を前記プロセッサに実行させ、
前記第１のステップは、
検査中の眼が右眼であるか左眼であるかを示す前記光干渉断層計画像内に見える配向性非対称生理学的構造を前記外科医が識別して前記外科手技のために前記被検体を前記外科医が配向することができるよう、
光干渉断層計を用いて前記被検体の前記眼の一部分の広角視野像を取得し、
前記光干渉断層計画像を使用して前記被検体の前記眼のイメージングされた部分を表すグラフィック要素であって、前記被検体の配向を示すグラフィック要素を表示する、
ことが含まれていることを特徴とするシステム。
【請求項２】
臨床パラメタの計算には、
角膜、水晶体、又は、角膜と水晶体との組み合わせのケラトメトリック値を計算すること、及び
角膜、水晶体、又は、角膜と水晶体との組み合わせの収差測定マップを計算することのうちの１つ又は複数が含まれている、
請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記外科手技を実行する前記外科医が使用するため、前記ケラトメトリック値に基づいて複数のグラフィックの集合を提供し、
当該グラフィックの集合には、前記外科医の視点から見た前記眼の像と一致するように位置合わせされた、前記眼の３次元画像、前記眼のワイヤフレームモデル及び前記眼のen face投影像のうちの少なくとも１つが含まれる、
請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記外科手技に関連する外科手術部位の創傷健全性を前記外科医が評価することができるように、前記所定の終了条件を満たす場合、外科手術創傷の少なくとも１つの光干渉断層計画像を取得する、
請求項１から３までのいずれか１項に記載のシステム。
【請求項５】
前記外科手技に対するレポートを作成するステップをさらに備えており、
前記レポートには、前記光干渉断層計画像から導出した少なくとも１つの計算した臨床パラメタが含まれている、
請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
光干渉断層計を使用した嚢切開を前記外科医が実行することができるように、
前記コンピュータ可読プログラムコードは、前記プロセッサによって実行されたときに、
前記眼の水晶体の光干渉断層計画像を取得することと、
当該取得した光干渉断層計画像から導出した、前記嚢切開の目標サイズ、目標形状、目標位置及び現在の形状をグラフィックディスプレイ上に表示することと、
前記外科手技を実行する外科医にガイダンスを提供するため、前記嚢切開の前記目標形状及び前記現在の形状に基づいて前記グラフィックディスプレイ上にエラー関数の値を表示することと、
を含む処理を前記プロセッサに実行させる、
請求項１から５までのいずれか１項に記載のシステム。
【請求項７】
前記エラー関数の値が予め定めた閾値を上回った場合に警報音を発することがさらに含まれる、
請求項６に記載のシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月17日(2020.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球を貯留可能な上皿領域を有し、遊技領域の下方において前方へ膨出する皿手段を備える遊技機であって、
前記皿手段には、遊技者による操作を受付可能な操作手段が設けられ、
前記操作手段が設けられる前記皿手段の空間は、少なくとも前記上皿領域を構成する部材によって形成され、
前記操作手段は、操作を受付可能な操作受付部と、該操作受付部を遊技者の操作によらずに動作可能とする操作受付部動作手段とを備え、且つ、高さ方向において、該操作手段のうしろに位置する箇所の前記上皿領域よりも上側の位置から該上皿領域よりも下側までに亘る大きさを有し、前記操作受付部動作手段が前記上皿領域を構成する部材の下方に入り込むように設けられ、
前記皿手段の前面を装飾する装飾部の前端は、前記操作受付部の前端位置よりも手前側に位置するように設けられ、
前後方向において、前記操作受付部の前端位置よりも手前側に位置する前記装飾部の前端から該操作受付部の前端位置までの長さは、該操作受付部の前端から後端までの長さよりも短くなるように構成される
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、遊技機として、遊技領域内で遊技が行われることにより変化する遊技状態に応じて、前後に延びた軸周りに回転可能な回転装飾体が、正面視遊技領域の下部から中央側へ上昇した上で回転する可動演出ユニットを、備えたものが提案されている（例えば、特許文献１）。この特許文献１の技術によれば、遊技状態に応じて回転装飾体が遊技領域の中央へ上昇して回転するため、遊技者に対してチャンスの到来を示唆させることができ、遊技に対する期待感を高めさせて興趣の低下を抑制させることができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２０１５−１４６８８１号公報
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の遊技機含め、遊技者参加型演出を行うための操作部については遊技者が操作し易い膨出部に設けられることが多いが、操作部を設けるための膨出部のスペースは限られていることから操作部の大きさ等においてありきたりなものとなっており、遊技に対する興趣の低下を招くおそれがあった。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
そこで、本発明は、上記の実情を鑑み、遊技者の遊技に対する興趣の低下を抑制させることが可能な遊技機の提供を課題とする。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
遊技球を貯留可能な上皿領域を有し、遊技領域の下方において前方へ膨出する皿手段を備える遊技機であって、
前記皿手段には、遊技者による操作を受付可能な操作手段が設けられ、
前記操作手段が設けられる前記皿手段の空間は、少なくとも前記上皿領域を構成する部材によって形成され、
前記操作手段は、操作を受付可能な操作受付部と、該操作受付部を遊技者の操作によらずに動作可能とする操作受付部動作手段とを備え、且つ、高さ方向において、該操作手段のうしろに位置する箇所の前記上皿領域よりも上側の位置から該上皿領域よりも下側までに亘る大きさを有し、前記操作受付部動作手段が前記上皿領域を構成する部材の下方に入り込むように設けられ、
前記皿手段の前面を装飾する装飾部の前端は、前記操作受付部の前端位置よりも手前側に位置するように設けられ、
前後方向において、前記操作受付部の前端位置よりも手前側に位置する前記装飾部の前端から該操作受付部の前端位置までの長さは、該操作受付部の前端から後端までの長さよりも短くなるように構成される
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月28日(2020.12.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技中に使用される遊技盤と、その遊技盤を受け入れ可能な側である一側が開放される内枠と、その内枠の前記一側を閉塞可能な正面枠と、を備え、
前記正面枠は、前記遊技盤と外部との間で連通される経路に配設される配設手段を備え、
前記配設手段は、
前記遊技盤よりも下側において前記経路と交差するように配置される板状部と、
その板状部から下側に向けて延設される第１延設部と、
前記板状部から下側に向けて延設され前記第１延設部に対して対向配置される第２延設部と、を備え、
前記配設手段は、前記遊技盤に接触しないように配置され、
前記内枠は、前記正面枠に閉塞された状態において前記配設手段に対向する対向部を備えることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
基板ボックスを備えることを特徴とする請求項１記載の遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
この目的を達成するために請求項１記載の遊技機は、遊技中に使用される遊技盤と、その遊技盤を受け入れ可能な側である一側が開放される内枠と、その内枠の前記一側を閉塞可能な正面枠と、を備え、前記正面枠は、前記遊技盤と外部との間で連通される経路に配設される配設手段を備え、前記配設手段は、前記遊技盤よりも下側において前記経路と交差するように配置される板状部と、その板状部から下側に向けて延設される第１延設部と、前記板状部から下側に向けて延設され前記第１延設部に対して対向配置される第２延設部と、を備え、前記配設手段は、前記遊技盤に接触しないように配置され、前記内枠は、前記正面枠に閉塞された状態において前記配設手段に対向する対向部を備える。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
請求項２記載の遊技機は、請求項１記載の遊技機において、基板ボックスを備える。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
請求項２記載の遊技機によれば、請求項１記載の遊技機の奏する効果に加え、基板ボックスに基板を収容することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月4日(2021.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７４】
判定工程は、検査装置（５００）を用いて例えば以下のように実施することができる。
まず、検査装置（５００）の制御装置（５７０）は、撮影工程を実施する各種条件に基づき前方被写界深度及び後方被写界深度を計算する。各種条件と被写界深度の関係について予め計算しておき、計算結果を制御装置（５７０）の記憶部に登録しておいてもよい。
次いで、制御装置（５７０）は、円柱状ハニカム構造体（５５０）の側面（５５３）からの反射光をラインセンサカメラ（５３０）で繰り返し撮影する工程を実施中、変位計（５８５）を用いて計測された側面（５５３）のピント面に対する前方への変位及び後方への変位を、当該変位が計測された側面（５５３）の地点と関連付けて、それぞれ記憶する。変位が計測された側面（５５３）の地点は、エンコーダを用いることにより検出可能である。但し、変位が計測された側面（５５３）の地点を特定せず、変位だけ記憶してもよい。
次いで、制御装置（５７０）は、前方被写界深度と側面（５５３）のピント面に対する前方への変位とを対比することにより判定を実施し、前方への変位が前方被写界深度を超えた状態で撮影された前記側面（５５３）の部分を特定する。制御装置（５７０）は同様に、後方被写界深度と側面（５５３）のピント面に対する後方への変位を対比することにより判定を実施し、後方への変位が後方被写界深度を超えた状態で撮影された前記側面（５５３）の部分を特定する。但し、被写界深度を超えた前記側面（５５３）の部分の特定は必ずしも行わなくてよい。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月8日(2021.11.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
光照射器（５９０ａ、５９０ｂ）は、図６に示すように、側面用エリアカメラ（５３０）によって柱状ハニカム構造体（５５０）の側面（５５３）を撮影する際の撮影範囲の中心に対して対称な位置（典型的には左右位置）に一対以上配置することが好ましい。つまり、各対の光照射器（５９０ａ、５９０ｂ）は、照射角度θ1、θ2（撮影範囲の中心に位置する側面地点の法線Ｎに対する照明光の光軸中心の角度）が同じ角度（θ1＝θ2）又は近傍（｜θ1−θ2｜＝０°〜１０°）となるように側面（５５３）の法線Ｎに対称に配置することが好ましい。照射角度θ1、θ2は、限定的ではないが、例えば、５°〜３０°の範囲とすることができる。更に、各対の光照射器（５９０ａ、５９０ｂ）は、照射距離及び光の強度も同程度（例：対を構成する一方の光照射器の照射距離に対する他方の光照射器の照射距離の比が０．９〜１．１であり、対を構成する一方の光照射器の光の強度に対する他方の光照射器の光の強度の比が０．９〜１．１である）であることが好ましい。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月31日(2021.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の電子部品と、
第２の電子部品と、
前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを異方性導電接続する異方性導電層と、を備え、
前記異方性導電層は、重量平均分子量５５０００未満であり、かつガラス転移点が７０℃未満である膜形成樹脂を含み、最低溶融粘度が７０００Ｐａ・Ｓ以下である、異方性導電接続構造体。
【請求項２】
前記異方性導電層の最低溶融粘度は４０００Ｐａ・Ｓ以上である、請求項１記載の異方性導電接続構造体。
【請求項３】
前記膜形成樹脂は、ポリエステル樹脂である、請求項１または２に記載の異方性導電接続構造体。
【請求項４】
前記異方性導電層は、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを異方性導電接続するための導電性粒子を含み、
前記導電性粒子は、金属被覆樹脂粒子である、請求項１〜３の何れか１項に記載の異方性導電接続構造体。
【請求項５】
前記金属被覆樹脂粒子の粒径は、１０μｍ以上である、請求項４記載の異方性導電接続構造体。
【請求項６】
前記第１の電子部品は、プラスチック基板である、請求項１〜５の何れか１項に記載の異方性導電接続構造体。
【請求項７】
前記第１の電子部品は、タッチパネル用の透明配線を有した基板である、請求項６記載の異方性導電接続構造体。
【請求項８】
前記第１の電子部品は、光学樹脂層を介して第３の電子部品上に積層されている、請求項１〜７の何れか１項に記載の異方性導電接続構造体。
【請求項９】
前記第３の電子部品は、画像表示装置用の基板である、請求項８記載の異方性導電接続構造体。
【請求項１０】
請求項１〜９の何れか１項に記載の異方性導電接続構造体を備えた、画像表示装置。
【請求項１１】
請求項１〜９の何れか１項に記載の異方性導電接続構造体の製造方法であって、
異方性導電フィルムを用いて前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを異方性導電接続する工程を含み、
前記異方性導電フィルムは、重量平均分子量５５０００未満であり、かつガラス転移点が７０℃未満である膜形成樹脂を含み、最低溶融粘度が７０００Ｐａ・Ｓ以下である、異方性導電接続構造体の製造方法。
【請求項１２】
前記異方性導電フィルムの最低溶融粘度は４０００Ｐａ・Ｓ以上である、請求項１１記載の異方性導電接続構造体の製造方法。
【請求項１３】
前記異方性導電フィルムは、前記第１の電子部品と前記第２の電子部品とを異方性導電接続するための導電性粒子を含み、
前記異方性導電フィルムの厚さは、前記導電性粒子の粒径の２倍未満である、請求項１１または１２に記載の異方性導電接続構造体の製造方法。
【請求項１４】
前記導電性粒子は、金属被覆樹脂粒子である、請求項１３記載の異方性導電接続構造体の製造方法。
【請求項１５】
前記異方性導電接続時の加圧力が２ＭＰａ未満である、請求項１１〜１４の何れか１項に記載の異方性導電接続構造体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１１〜１５の何れか１項に記載の異方性導電接続構造体の製造方法に使用される異方性導電フィルムであって、
前記異方性導電フィルムは、重量平均分子量５５０００未満であり、かつガラス転移点が７０℃未満である膜形成樹脂を含み、最低溶融粘度が７０００Ｐａ・Ｓ以下である、異方性導電フィルム。
【請求項１７】
前記異方性導電フィルムの最低溶融粘度は４０００Ｐａ・Ｓ以上である、請求項１６記載の異方性導電フィルム。
【請求項１８】
プラスチック基板と電子部品との異方性導電接続に使用される異方性導電フィルムであって、
前記異方性導電フィルムは、重量平均分子量５５０００未満であり、かつガラス転移点が７０℃未満である膜形成樹脂を含み、最低溶融粘度が７０００Ｐａ・Ｓ以下である、異方性導電フィルム。
【請求項１９】
前記異方性導電フィルムの最低溶融粘度は４０００Ｐａ・Ｓ以上である、請求項１８記載の異方性導電フィルム。
【請求項２０】
第１の電子部品と第２の電子部品との異方性導電接続に使用される異方性導電ペーストであって、
前記異方性導電ペーストは、重量平均分子量５５０００未満であり、かつガラス転移点が７０℃未満であるベース樹脂を含み、最低溶融粘度が７０００Ｐａ・Ｓ以下である、異方性導電ペースト。
【請求項２１】
前記異方性導電ペーストの最低溶融粘度は４０００Ｐａ・Ｓ以上である、請求項２０記載の異方性導電ペースト。
【請求項２２】
第１の電子部品と第２の電子部品を異方性導電接続する異方性導電フィルムの製造方法において、
膜形成樹脂と、硬化性樹脂と、導電性粒子とを含む塗布液を調製する工程と、
前記塗布液を基材フィルム上に塗布する工程を有し、
前記膜形成樹脂は、重量平均分子量が５５０００未満であり、かつガラス転移点が７０℃未満であり、
最低溶融粘度が７０００Ｐａ・Ｓ以下であり、
前記第１の電子部品はプラスチック基板であり、
厚さ０．７μｍのＩＴＯパターンガラスと厚さ２５μｍポリイミド製のフレキシブル基板とを異方性性接続させたときに、異方性導電接続時の加圧力が２ＭＰａ未満において、接続抵抗値が１Ω未満となる、
異方性導電フィルムの製造方法。
【請求項２３】
第１の電子部品と第２の電子部品を異方性導電接続する異方性導電フィルムの製造方法において、
膜形成樹脂と、硬化性樹脂と、導電性粒子とを含む塗布液を調製する工程と、
前記塗布液を基材フィルム上に塗布する工程を有し、
前記膜形成樹脂は、重量平均分子量が５５０００未満であり、かつガラス転移点が７０℃未満であり、
最低溶融粘度が７０００Ｐａ・Ｓ以下であり、
前記第１の電子部品は、光学樹脂層を介して第３の電子部品上に積層され、
厚さ０．７μｍのＩＴＯパターンガラスと厚さ２５μｍポリイミド製のフレキシブル基板とを異方性性接続させたときに、異方性導電接続時の加圧力が２ＭＰａ未満において、接続抵抗値が１Ω未満となる、
異方性導電フィルムの製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月27日(2021.1.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の領域と、前記第１の領域を挟むように設けられた第２の領域と第３の領域と、前記第１の領域乃至前記第３の領域を挟むように設けられた第４の領域と第５の領域を有する第１の酸化物と、
前記第１の酸化物上に設けられ、前記第１の領域乃至前記第３の領域と重なる第２の酸化物と、
前記第２の酸化物上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の導電体と、
前記第１の絶縁体および前記第１の導電体の側面に設けられ、且つ前記第２の酸化物上の一部に接する第２の絶縁体と、を有し、
前記第４の領域及び前記第５の領域は、前記第２の酸化物とは重ならず、
前記第４の領域及び前記第５の領域は、前記第１の絶縁体とは重ならず、
前記第４の領域及び前記第５の領域は、前記第１の導電体及び前記第２の絶縁体とは重ならず、
前記第４の領域は、前記第４の領域上の第３の絶縁体を介して第２の導電体と重なることで、容量素子の一方の電極として機能する、ことを特徴とする半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月12日(2021.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理方法であって、
誘電体層面及び金属含有面を含む平坦化した基板を提供するステップと、
前記誘電体層面を金属含有触媒層でコーティングするステップと、
前記平坦化した基板を、ＳｉＯ２層を前記誘電体層面上の前記金属含有触媒層上に選択的に堆積するシラノールガスを含むプロセスガスにある期間中、露出するステップと、
を含み、前記平坦化した基板を、前記シラノールガスを含む前記プロセスガスに露出する前記ステップは、酸化及び加水分解剤なしで、約１５０℃以下の基板温度で実行される、
方法。
【請求項２】
エッチング停止層を前記ＳｉＯ２層上及び前記金属含有面上に堆積するステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
層間絶縁層を前記平坦化した基板上に堆積するステップと、
凹型フィーチャを前記層間絶縁層内でエッチングし、前記金属含有面より上の前記エッチング停止層で停止するステップと、
前記凹型フィーチャを金属で充填するステップと、
をさらに含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記エッチング停止層は、Ａｌ２Ｏ３を含む、
請求項２に記載の方法。
【請求項５】
前記ＳｉＯ２層は、ＳｉＯ２の隆起したフィーチャを前記金属含有面に隣接して形成する、
請求項１に記載の方法。
【請求項６】
前記シラノールガスは、トリス（ｔｅｒｔ−ペントキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）シラノール及びビス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（イソプロポキシ）シラノールからなる群から選択される、
請求項１に記載の方法。
【請求項７】
基板温度は、前記露出するステップの間、約１００℃以下である、
請求項１に記載の方法。
【請求項８】
前記プロセスガスは、シラノールガス及び不活性ガスからなる、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記ＳｉＯ２層は、前記金属含有触媒層上に自己制限プロセスで堆積される、
請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記ＳｉＯ２層の厚さは、約５ｎｍである、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記露出するステップは、
前記平坦化した基板を、より薄い追加のＳｉＯ２層を前記金属含有面上に堆積する前記シラノールガスを含む前記プロセスガスに追加のある期間中、露出するステップと、
エッチングプロセスにて、前記追加のＳｉＯ２層を前記金属含有面から除去するステップと、
をさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項１２】
前記コーティングするステップ、前記露出するステップ及び前記除去するステップを少なくとも一回繰り返し、前記誘電体層面上の前記ＳｉＯ２層の厚さを増加するステップをさらに含む、
請求項１１に記載の方法。
【請求項１３】
基板処理方法であって、
誘電体層面及び金属含有面を含む平坦化した基板を提供するステップと、
前記誘電体層面を金属含有触媒層でコーティングするステップと、
前記平坦化した基板を、シラノールガスを含むプロセスガスに期間中、酸化及び加水分解剤なしで、約１５０℃以下の基板温度で露出するステップであって、前記金属含有面に対して、ＳｉＯ２層を前記誘電体層面上に選択的に堆積するステップと、
エッチング停止層を前記ＳｉＯ２層上及び前記金属含有面上に堆積するステップと、
層間絶縁層を前記平坦化した基板上に堆積するステップと、
凹型フィーチャを前記層間絶縁層内でエッチングし、前記金属含有面より上の前記エッチング停止層上で停止するステップと、
前記凹型フィーチャを金属で充填するステップと、
を含む方法。
【請求項１４】
前記エッチング停止層は、Ａｌ２Ｏ３を含む、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１５】
前記ＳｉＯ２層は、ＳｉＯ２の隆起したフィーチャを前記金属含有面に隣接して形成する、
請求項１３に記載の方法。
【請求項１６】
基板処理方法であって、
誘電体層面及び金属含有面を含む平坦化した基板を提供するステップと、
前記誘電体層面を第１の金属含有触媒層でコーティングするステップと、
前記平坦化した基板を、ＳｉＯ２層を前記誘電体層面上に堆積し、より薄い追加のＳｉＯ２層を前記金属含有面上に堆積するシラノールガスを含むプロセスガスにある期間中、酸化及び加水分解剤なしで、約１５０℃以下の基板温度で露出するステップと、
エッチングプロセスにて、前記追加のＳｉＯ２層を前記金属含有面から除去するステップと、
前記コーティングするステップ、前記露出するステップ及び前記除去するステップを少なくとも一回繰り返し、前記誘電体層面上の前記ＳｉＯ２層の厚さを増加するステップと、
を含む方法。
【請求項１７】
前記エッチング停止層は、Ａｌ２Ｏ３を含む、
請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記ＳｉＯ２層は、ＳｉＯ２の隆起したフィーチャを前記金属含有面に隣接して形成する、
請求項１６に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月15日(2021.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
隣り合う第１の領域と第２の領域と、前記第１の領域および前記第２の領域を挟むように設けられた第３の領域と第４の領域を有する第１の酸化物と、
前記第１の領域上の第２の酸化物と、
前記第２の酸化物上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の導電体と、
前記第２の酸化物上、かつ前記第１の絶縁体および前記第１の導電体の側面に設けられた第２の絶縁体と、
前記第２の領域上および前記第２の絶縁体の側面に設けられた第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体を介して前記第２の領域上に設けられ、かつ前記第３の絶縁体を介して前記第２の絶縁体の側面に設けられた第２の導電体と、
前記第１の酸化物、前記第２の酸化物、前記第１の絶縁体、前記第１の導電体、前記第２の絶縁体、前記第３の絶縁体、および前記第２の導電体を覆い、前記第３の領域および前記第４の領域に接する第４の絶縁体と、を有する半導体装置。
【請求項２】
トランジスタおよび容量素子を有する半導体装置であって、
隣り合う第１の領域と第２の領域と、前記第１の領域および前記第２の領域を挟むように設けられた第３の領域と第４の領域を有する第１の酸化物と、
前記第１の領域上の第２の酸化物と、
前記第２の酸化物上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の導電体と、
前記第２の酸化物上、かつ前記第１の絶縁体および前記第１の導電体の側面に設けられた第２の絶縁体と、
前記第２の領域上および前記第２の絶縁体の側面に設けられた第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体を介して前記第２の領域上に設けられ、かつ前記第３の絶縁体を介して前記第２の絶縁体の側面に設けられた第２の導電体と、
前記第１の酸化物、前記第２の酸化物、前記第１の絶縁体、前記第１の導電体、前記第２の絶縁体、前記第３の絶縁体、および前記第２の導電体を覆い、前記第３の領域および前記第４の領域に接する第４の絶縁体と、を有し、
前記第１の領域の一部は、前記トランジスタのチャネル形成領域として機能し、
前記第１の絶縁体は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能し、
前記第１の導電体は、前記トランジスタのゲート電極として機能し、
前記第２の領域は、前記容量素子の第１の電極として機能し、
前記第３の絶縁体は、前記容量素子の誘電体として機能し、
前記第２の導電体は、前記容量素子の第２の電極として機能する半導体装置。
【請求項３】
請求項２において、
前記第４の領域は、前記第２の領域と隣り合っており、
前記第３の領域は、前記トランジスタのソースおよびドレインの一方として機能し、
前記第２の領域および前記第４の領域は、前記トランジスタのソースおよびドレインの他方として機能する半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記第１の酸化物は、第３の導電体上に設けられ、
前記第４の領域の下面は、前記第３の導電体の上面と接している半導体装置。
【請求項５】
第１の領域と、前記第１の領域を挟むように設けられた第２の領域と第３の領域を有する第１の酸化物と、
前記第１の領域上の第２の酸化物と、
前記第２の酸化物上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の導電体と、
前記第２の酸化物上、かつ前記第１の絶縁体および前記第１の導電体の側面に設けられた第２の絶縁体と、
前記第２の領域上および前記第２の絶縁体の側面に設けられた第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体を介して前記第２の領域上に設けられ、かつ前記第３の絶縁体を介して前記第２の絶縁体の側面に設けられた第２の導電体と、
前記第１の酸化物、前記第２の酸化物、前記第１の絶縁体、前記第１の導電体、前記第２の絶縁体、前記第３の絶縁体、および前記第２の導電体を覆い、前記第３の領域に接する第４の絶縁体と、を有する半導体装置。
【請求項６】
トランジスタおよび容量素子を有する半導体装置であって、
第１の領域と、前記第１の領域を挟むように設けられた第２の領域と第３の領域を有する第１の酸化物と、
前記第１の領域上の第２の酸化物と、
前記第２の酸化物上の第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の第１の導電体と、
前記第２の酸化物上、かつ前記第１の絶縁体および前記第１の導電体の側面に設けられた第２の絶縁体と、
前記第２の領域上および前記第２の絶縁体の側面に設けられた第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体を介して前記第２の領域上に設けられ、かつ前記第３の絶縁体を介して前記第２の絶縁体の側面に設けられた第２の導電体と、
前記第１の酸化物、前記第２の酸化物、前記第１の絶縁体、前記第１の導電体、前記第２の絶縁体、前記第３の絶縁体、および前記第２の導電体を覆い、前記第３の領域に接する第４の絶縁体と、を有し、
前記第１の領域の一部は、前記トランジスタのチャネル形成領域として機能し、
前記第１の絶縁体は、前記トランジスタのゲート絶縁膜として機能し、
前記第１の導電体は、前記トランジスタのゲート電極として機能し、
前記第２の領域は、前記容量素子の第１の電極として機能し、
前記第３の絶縁体は、前記容量素子の誘電体として機能し、
前記第２の導電体は、前記容量素子の第２の電極として機能する半導体装置。
【請求項７】
請求項５または請求項６において、
前記第１の領域は、前記第３の領域よりキャリア密度が低い半導体装置。
【請求項８】
請求項１乃至請求項７のいずれか一項において、
前記第１の酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を含む半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第２の酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を含む半導体装置。
【請求項１０】
請求項１乃至請求項９のいずれか一項において、
前記第２の絶縁体は、アルミニウム及びハフニウムの一方または双方を有する酸化物を含む半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月4日(2021.2.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
演算装置と、
第１のデジタルアナログ変換回路と、
増幅器と、を有し、
前記演算装置は、オフセット調整信号および第１のデータに基づいて、第２のデータを生成する機能を備え、
前記演算装置は、オフセットデータおよび前記第１のデータに基づいて、前記第２のデータを生成する機能を備え、
前記第１のデジタルアナログ変換回路は、前記第２のデータに基づいてアナログ信号を供給する機能を備え、
前記第１のデジタルアナログ変換回路は、前記増幅器と電気的に接続され、
前記増幅器は、前記オフセット調整信号および前記オフセットデータを供給する機能を備える、半導体装置。
【請求項２】
前記増幅器は、演算増幅器、第１の端子、第２の端子、ノード、スイッチおよびオフセット調整回路を備え、
前記演算増幅器は、前記第１の端子、前記第２の端子および前記ノードと電気的に接続され、
前記演算増幅器は、前記第１の端子および前記第２の端子の間の電圧に基づいて、第１の電圧を前記ノードに供給する機能を備え、
前記スイッチは、前記ノードおよび前記第２の端子と電気的に接続され、
前記スイッチは、出力イネーブル信号が第１の状態のとき、前記ノードおよび前記第２の端子の間を非導通状態にする機能を備え、
前記スイッチは、前記出力イネーブル信号が第２の状態のとき、前記ノードおよび前記第２の端子の間を電気的に接続する機能を備え、
前記オフセット調整回路は、前記ノードと電気的に接続され、
前記オフセット調整回路は、前記オフセット調整信号を透過または前記オフセットデータを供給する機能を備える、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記オフセット調整回路は、レベルシフタおよびレジスタを備え、
前記レベルシフタは、前記ノードおよび前記レジスタと電気的に接続され、
前記レベルシフタは、前記出力イネーブル信号が前記第１の状態のとき、前記ノードの電位に基づいて、前記第１の状態のラッチ信号または前記第２の状態のラッチ信号を供給する機能を備え、
前記レベルシフタは、前記出力イネーブル信号が前記第２の状態のとき、前記第１の状態のラッチ信号を供給する機能を備え、
前記レジスタは、前記オフセット調整信号、リセット信号および前記ラッチ信号を供給される機能を備え、
前記レジスタは、前記第２の状態の前記ラッチ信号が供給されたときの前記オフセット調整信号を前記オフセットデータとして保持する機能を備え、
前記レジスタは、透過状態において、前記供給されたオフセット調整信号を透過して供給する機能を備え、
前記レジスタは、非透過状態において、前記オフセットデータを供給する機能を備える、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
第１の選択回路を有し、
前記第１の選択回路は、第１の選択信号を供給する機能を備え、
前記増幅器は、第３の端子を備え、
前記オフセット調整回路は、トライステートバッファを備え、
前記トライステートバッファは、前記レジスタおよび前記第３の端子と電気的に接続され、
前記トライステートバッファは、前記第１の選択信号が前記第１の状態のとき、ハイインピーダンス状態となり、
前記トライステートバッファは、前記第１の選択信号が前記第２の状態のとき、前記オフセット調整信号を透過または前記オフセットデータを供給する、請求項２または請求項３のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項５】
第２の選択回路と、
ラッチ回路と、を有し、
前記第２の選択回路は、第２の選択信号を供給する機能を備え、
前記ラッチ回路は、前記演算装置および前記第１のデジタルアナログ変換回路と電気的に接続され、
前記ラッチ回路は、前記第２の選択信号を供給されたとき、前記第２のデータを保持し、
前記ラッチ回路は、非透過状態において、前記第２のデータを供給する、請求項１乃至請求項４のいずれか一に記載の半導体装置。
【請求項６】
端子領域を有し、
前記端子領域は、行方向に配設される一群の複数の端子を備え、
前記一群の複数の端子は、前記第２の端子と電気的に接続される端子を含む、請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月13日(2020.11.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一組の層を具えた偏光コーティングであって、
前記一組の層は、
層の第１部分集合と、
層の第２部分集合とを含み、
前記層の第１部分集合は、第１屈折率を有する水素化シリコン（Si:H）を含み、
前記層の第２部分集合は、第２屈折率を有する材料を含み、
前記第２屈折率は前記第１屈折率よりも小さく、
前記入射光の前記第１偏光が、前記偏光コーティングに関連し、ｓ平面内にあり、
前記入射光の前記第２偏光がｐ平面内にあり、
前記偏光コーティングが、
約８９０nm〜約９４０nm、または
約９３０nm〜約９６０nm
のうちの少なくとも一方のスペクトル範囲の、前記入射光の前記第２偏光に対して９５％以上の透過率を有し、
前記偏光コーティングが、ｓ平面内の入射光に対して９５％以上の反射率を有し、
前記層の第１部分集合は、第１の厚さを有する第１層を含み、
前記層の第２部分集合は、第２の厚さを有する第２層を含み、
前記第２の厚さは前記第１の厚さと異なる、偏光コーティング。
【請求項２】
前記第１の厚さまたは前記第２の厚さの少なくとも一方が３nm〜３００nmであり、
前記材料が、
二酸化シリコン（SiO2）材料、
酸化アルミニウム（Al2O3）材料、
二酸化チタニウム（TiO2）材料、
五酸化ニオビウム（Nb2O5）材料、
五酸化タンタル（Ta2O5）材料、または
フッ化マグネシウム（MgF2）材料、
のうちの少なくとも１つを含む、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項３】
前記層の第１部分集合は高屈折率層（Ｈ）であり、前記層の第２部分集合は低屈折率層（Ｌ）であり、
前記一組の層は、
(Ｈ−Ｌ)mの順、
(Ｈ−Ｌ)m−Ｈの順、
(Ｌ−Ｈ)mの順、または
Ｌ−(Ｈ−Ｌ)mの順、
のうちの少なくとも１つの形に配置され、ここにｍはＨとＬの層が交互する回数であり、意図した光学特性に基づいて選択される、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項４】
前記一組の層が、約７００ナノメートル(nm)未満のスペクトル範囲を有する光の閾値部分を遮光する、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項５】
前記一組の層が、約１７００ナノメートル(nm)未満のスペクトル範囲を有する光の閾値部分を通過させる、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項６】
前記第１屈折率が、約９００ナノメートル(nm)の波長で約３よりも大きい、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項７】
前記第１屈折率が、約８３０ナノメートル(nm)の波長で約３．６である、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項８】
前記層の第１部分集合が、特定のスペクトル範囲で約０．０００６未満の吸光係数を有する、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項９】
前記第２屈折率が、約８００ナノメートル(nm)〜約１１００nmのスペクトル範囲で３未満である、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項１０】
前記第２屈折率が、約８００ナノメートル(nm)〜約１１００nmのスペクトル範囲で２未満である、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項１１】
前記偏光コーティングが偏光ビームスプリッタである、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項１２】
前記偏光コーティングが、少なくとも１０nmの分離帯域幅を伴って、７００ナノメートル(nm)から１７００nmまでのスペクトル範囲をカバーする、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項１３】
前記偏光コーティングが、第１偏光面において５０％よりも大きい反射率を有し、第２偏光面において５０％よりも大きい透過率を有し、
前記第１偏光面は前記第２偏光面に直交する、
請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項１４】
前記偏光コーティングの表面に対する光の公称入射角が１５度〜７５度である、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項１５】
前記公称入射角に対する光の角度範囲が０度〜４５度である、請求項１に記載の偏光コーティング。
【請求項１６】
基板と、
高屈折率層と低屈折率層とが前記基板上に交互に配置されて入射光を偏光ビーム分割する一組の層とを具えた光学フィルタであって、
約８００ナノメートル(nm)未満のスペクトル範囲を有する入射光の第１偏光が前記光学フィルタによって反射され、
約８００nmよりも大きいスペクトル範囲を有する入射光の第２偏光が前記光学フィルタを通過し、
前記入射光の前記第１偏光がｓ平面内にあり、
前記入射光の前記第２偏光がｐ平面内にあり、
前記光学フィルタが、
約８９０nm〜約９４０nm、または
約９３０nm〜約９６０nm
のうちの少なくとも一方のスペクトル範囲の、前記入射光の前記第２偏光に対して９５％以上の透過率を有し、
前記光学フィルタが、ｓ平面内の入射光に対して９５％以上の反射率を有し、
前記高屈折率層は水素化シリコン（Si:H）であり、
前記低屈折率層は二酸化シリコン（SiO2）であり、
前記光学フィルタが、複数の前記高屈折率層及び複数の前記低屈折率層を有し、
前記高屈折率層及び前記低屈折率層の数量が１０層〜１００層の範囲内である、光学フィルタ。
【請求項１７】
前記光学フィルタが、約８９０nm〜約９４０nmのスペクトル範囲の、前記入射光の前記第２偏光に対して９９％以上の透過率を有し、
前記光学フィルタが、ｓ平面内の入射光に対して９９％以上の反射率を有する、請求項１６に記載の光学フィルタ。
【請求項１８】
近赤外（ＮＩＲ）光を、ジェスチャー認識のために人物に向けて、車両または前記人物に近接した物体を検出するために物体に向けて、あるいはＬＩＤＡＲ技術を用いて前記物体に近接した物体を検出するために前記物体に向けて発光する光送信機と、
入力光信号をフィルタ処理して、フィルタ処理された前記入力光信号を供給する偏光フィルタと、
前記フィルタ処理された入力光信号を受光して出力電気信号を供給する受光器とを具えた光学系であって、
前記入力光信号は、前記光送信機からの前記ＮＩＲ光、及び他の光源からの周辺光を含み、
前記偏光フィルタは一組の誘電体薄膜層を含み、
前記一組の誘電体薄膜層は、
第１屈折率を有する水素化シリコンの層の第１部分集合と、
前記第１屈折率未満の第２屈折率を有する材料の層の第２部分集合とを含み、
前記入射光の前記第１偏光が、前記偏光フィルタに関連し、ｓ平面内にあり、
前記入射光の前記第２偏光がｐ平面内にあり、
前記偏光フィルタが、
約８９０nm〜約９４０nm、または
約９３０nm〜約９６０nm
のうちの少なくとも一方のスペクトル範囲の、前記入射光の前記第２偏光に対して９５％以上の透過率を有し、
前記偏光コーティングが、ｓ平面内の入射光に対して９５％以上の反射率を有し、
前記層の第１部分集合は、第１の厚さを有する第１層を含み、
前記層の第２部分集合は、第２の厚さを有する第２層を含み、
前記第２の厚さは前記第１の厚さと異なる、光学系。
【請求項１９】
前記偏光フィルタが、前記入力光信号を偏光ビーム分割して、前記フィルタ処理された入力光信号を供給する、請求項１８に記載の光学系。
【請求項２０】
前記光学フィルタが、約８９０nm〜約９４０nmのスペクトル範囲の、前記入射光の前記第２偏光に対して９９％以上の透過率を有する、請求項１８に記載の光学系。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月19日(2021.3.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技球が入球可能な主遊技始動口と、
閉状態と開状態とを採り得る可変入賞口と、
操作が可能な操作手段と、
設定値を表示可能な設定値表示部と、
遊技に関するデータを記憶可能な記憶手段と、
主遊技識別情報を表示可能な主遊技識別情報表示部と、
主遊技始動口への入球に基づき、主遊技情報を取得する取得手段と、
変動表示開始条件が充足した場合に、取得手段が取得した主遊技情報に基づいて、可変入賞口開放遊技を行うか否かの判定を行う特別遊技判定手段と、
遊技が行われていない状況で所定時間が経過した場合に遊技待機演出を行う演出制御手段と、
遊技に係る情報を報知する報知手段と、
設定値を設定するための設定値設定状態と、
設定値を確認するための設定表示状態と
を有し、
設定値として１つの設定値のみを有しており、
前記記憶手段は、設定値を示す設定値データを記憶可能な所定の記憶領域を有しており、
前記所定の記憶領域には、前記１つの設定値を示す１つの設定値データが記憶されるよう構成され、
設定値設定状態では、前記１つの設定値が設定値表示部に表示された状態で前記操作手段の操作が行われた場合、前記操作手段の操作に応じて設定値データの加算処理が行われるものの、当該加算処理の実行後には前記１つの設定値データが前記所定の記憶領域に記憶されていることにより、前記１つの設定値が設定値表示部に表示されるように構成され、
設定表示状態では、前記１つの設定値が設定値表示部に表示された状態で前記操作手段の操作が行われた場合、前記加算処理が行われず、前記１つの設定値が設定値表示部に表示されるように構成され、
設定値設定状態及び設定表示状態では、前記主遊技始動口への入球が無効となるよう構成され、
設定値設定状態及び設定表示状態では、前記所定時間が経過した場合においても、前記遊技待機演出を行わないよう構成されている
ことを特徴とするぱちんこ遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
本態様に係るぱちんこ遊技機は、
遊技球が入球可能な主遊技始動口と、
閉状態と開状態とを採り得る可変入賞口と、
操作が可能な操作手段と、
設定値を表示可能な設定値表示部と、
遊技に関するデータを記憶可能な記憶手段と、
主遊技識別情報を表示可能な主遊技識別情報表示部と、
主遊技始動口への入球に基づき、主遊技情報を取得する取得手段と、
変動表示開始条件が充足した場合に、取得手段が取得した主遊技情報に基づいて、可変入賞口開放遊技を行うか否かの判定を行う特別遊技判定手段と、
遊技が行われていない状況で所定時間が経過した場合に遊技待機演出を行う演出制御手段と、
遊技に係る情報を報知する報知手段と、
設定値を設定するための設定値設定状態と、
設定値を確認するための設定表示状態と
を有し、
設定値として１つの設定値のみを有しており、
前記記憶手段は、設定値を示す設定値データを記憶可能な所定の記憶領域を有しており、
前記所定の記憶領域には、前記１つの設定値を示す１つの設定値データが記憶されるよう構成され、
設定値設定状態では、前記１つの設定値が設定値表示部に表示された状態で前記操作手段の操作が行われた場合、前記操作手段の操作に応じて設定値データの加算処理が行われるものの、当該加算処理の実行後には前記１つの設定値データが前記所定の記憶領域に記憶されていることにより、前記１つの設定値が設定値表示部に表示されるように構成され、
設定表示状態では、前記１つの設定値が設定値表示部に表示された状態で前記操作手段の操作が行われた場合、前記加算処理が行われず、前記１つの設定値が設定値表示部に表示されるように構成され、
設定値設定状態及び設定表示状態では、前記主遊技始動口への入球が無効となるよう構成され、
設定値設定状態及び設定表示状態では、前記所定時間が経過した場合においても、前記遊技待機演出を行わないよう構成されている
ことを特徴とするぱちんこ遊技機である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月15日(2021.1.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
呼吸療法装置用の加湿チャンバであって、
ガス入口開口部を有するガス入口およびガス出口開口部を有するガス出口であって、前記ガス入口開口部から前記ガス出口開口部までのガス流路が画定されている、前記ガス入口および前記ガス出口と、
前記ガス流路に沿って配置されたフローコンディショナーと、
を備え、
前記フローコンディショナーは少なくとも１つの内壁を備え、前記少なくとも１つの内壁は、前記ガス流路内に複数のコンパートメントが画定されるように前記ガス入口開口部と前記ガス出口開口部との間の位置においてガス流を第１ガス流と第２ガス流とに分割するように構成されており、前記複数のコンパートメントのうちの少なくとも１つが、１つ以上のセンサを収容するように構成されている、加湿チャンバ。
【請求項２】
前記ガス出口が、前記１つ以上のセンサのうちの少なくとも１つのセンサを受け入れるように構成されている、請求項１に記載の加湿チャンバ。
【請求項３】
前記複数のコンパートメントが、前記複数のコンパートメントのうちの少なくとも１つを通る層流を促進するように構成されている、請求項１または請求項２に記載の加湿チャンバ。
【請求項４】
前記ガス流路が、前記加湿チャンバのエルボ状のポートを含む、請求項１から請求項３のうちのいずれか一項に記載の加湿チャンバ。
【請求項５】
前記少なくとも１つの内壁が、前記エルボ状のポートを通過する流れに対する流れ抵抗を減ずるように適合された湾曲部分を含む、請求項４に記載の加湿チャンバ。
【請求項６】
前記少なくとも１つの内壁が、一対の壁または一対の同心の壁を含む、請求項１から請求項５のうちのいずれか一項に記載の加湿チャンバ。
【請求項７】
前記各コンパートメントが、前記ガス入口開口部から前記ガス出口開口部へと通過する流れを誘導するように適合されている、請求項１から請求項６のうちのいずれか一項に記載の加湿チャンバ。
【請求項８】
前記フローコンディショナーが保持構造を有し、前記保持構造は、前記ガス流路の少なくとも一部を画定する壁に設けられた相補的な構造と接合される、請求項１から請求項７のうちのうちのいずれか一項に記載の加湿チャンバ。
【請求項９】
前記複数のコンパートメントが４つのコンパートメントを含む、請求項１から請求項８のうちのいずれか一項に記載の加湿チャンバ。
【請求項１０】
前記ガス出口が、前記加湿チャンバの本体からの湾曲したガス流路を画定する、請求項１から請求項９のうちのいずれか一項に記載の加湿チャンバ。
【請求項１１】
前記ガス出口を画定する壁の少なくとも一部が曲がっている、請求項１から１０のうちのいずれか一項に記載の加湿チャンバ。
【請求項１２】
前記壁は、前記加湿チャンバの本体から前記ガス出口開口部に向かって延び、前記壁は、前記ガス出口が前記加湿チャンバの本体に隣接するところで最も広くなるように前記ガス出口開口部に向かって内向きにテーパ付けされている、請求項１１に記載の加湿チャンバ。
【請求項１３】
前記ガス出口は、前記１つ以上のセンサのうちの少なくとも１つのセンサを受け入れるように構成された少なくとも１つの開口部を含み、前記少なくとも１つの開口部は、前記ガス出口を画定する前記壁の前記曲がっている部分に配置されている、請求項１１または請求項１２に記載の加湿チャンバ。
【請求項１４】
前記少なくとも１つの内壁が、少なくとも部分的に４つのコンパートメントを画定する４つのバッフルを含む、請求項１から請求項１３のうちのいずれか一項に記載の加湿チャンバ。
【請求項１５】
請求項１から請求項１４のうちのいずれか一項に記載の加湿チャンバと、１つ以上のセンサと、を備えた呼吸療法装置であって、
少なくとも１つの前記センサが、前記複数のコンパートメントのうちの１つを通る流れおよび／または温度を検出するように構成されているか、および／または、前記少なくとも１つの前記センサが、流速の変化に感度を有する、呼吸療法装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月28日(2021.6.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多孔質の隔壁（１２）と、該隔壁によって区画され、排ガスの流路を形成する複数のセル（１３）とを有するハニカム構造の基材部（１０）と、
上記基材部の上記隔壁における細孔壁（１２４）に担持された触媒層（１７）と、
上記セルにおける上記排ガスの流入側端面（１４）又は流出側端面（１５）を互い違いに閉塞する目封じ部（１６）と、を備え、
上記触媒層が担持された上記隔壁は、細孔径５０μｍ以上の細孔を１０％以下含み、細孔径０．１μｍ〜５μｍの細孔を５〜１５％含み、
上記触媒層が担持された上記隔壁の細孔径分布における、累積細孔容積が５０％となる細孔径Ｄ５０は１０μｍ以上であり、上記累積細孔容積が１０％となる細孔径Ｄ１０と上記細孔径Ｄ５０とが、下記式Ｉの関係を満足する、排ガス浄化フィルタ（１）。
（Ｄ５０−Ｄ１０）／Ｄ５０≦０．９  ・・・式Ｉ
【請求項２】
上記基材部は、上記隔壁における細孔径５０μｍ以上の細孔の含有量が３〜１５％である、請求項１に記載の排ガス浄化フィルタ。
【請求項３】
上記基材部における細孔径５０μｍ以上の細孔容積Ｖ1と、上記排ガス浄化フィルタにおける細孔径５０μｍ以上の細孔容積Ｖ2とが、下記式IIの関係を満足する、請求項１又は２に記載の排ガス浄化フィルタ。
Ｖ2／Ｖ1×１００≦７０％  ・・・式II
【請求項４】
上記基材部における細孔径０．１μｍ〜５μｍの細孔容積Ｖ3と、上記排ガス浄化フィルタにおける細孔径０．１μｍ〜５μｍの細孔容積Ｖ4とが、下記式IIIの関係を満足する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の排ガス浄化フィルタ。
Ｖ4／Ｖ3×１００≧２００％  ・・・式III
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様は、多孔質の隔壁（１２）と、該隔壁によって区画され、排ガスの流路を形成する複数のセル（１３）とを有するハニカム構造の基材部（１０）と、
上記基材部の上記隔壁における細孔壁（１２４）に担持された触媒層（１７）と、
上記セルにおける上記排ガスの流入側端面（１４）又は流出側端面（１５）を互い違いに閉塞する目封じ部（１６）と、を備え、
上記触媒層が担持された上記隔壁は、細孔径５０μｍ以上の細孔を１０％以下含み、細孔径０．１μｍ〜５μｍの細孔を５〜１５％含み、
上記触媒層が担持された上記隔壁の細孔径分布における、累積細孔容積が５０％となる細孔径Ｄ５０は１０μｍ以上であり、上記累積細孔容積が１０％となる細孔径Ｄ１０と上記細孔径Ｄ５０とが、下記式Ｉの関係を満足する、排ガス浄化フィルタ（１）にある。
（Ｄ５０−Ｄ１０）／Ｄ５０≦０．９  ・・・式Ｉ