(57)【要約】【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。【解決手段】リードフレームＬＦのリード４の一部に予め貫通孔４ｔｈを設け、貫通孔４ｔｈを栓部材４ｓｐで塞いだ状態で、リード４の一部を樹脂で封止して封止体６を形成する。封止体６を形成した後、貫通孔４ｔｈを塞いでいた栓部材４ｓｐを取り除き、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃを露出させる。この状態で、リードフレームＬＦに対してめっき処理を施すことにより、リード４の内側面４ｉｃに金属膜を形成することができる。この金属膜が形成された内側面４ｉｃは、リード４を切断した後に、リード４に残る。【選択図】図２５
2014082385.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）チップ搭載部と、前記チップ搭載部と離間して第１方向に沿って配列され、かつ、第１上面から前記第１上面とは反対側の第１下面にかけて貫通孔が形成され、前記貫通孔を埋めるように第１部材が挿入された複数のリードと、平面視において前記チップ搭載部と前記複数のリードの周囲とを囲むように設けられた枠部を有するリードフレームを準備する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、複数の電極パッドが形成された表面を有する半導体チップを前記リードフレームの前記チップ搭載部上に搭載する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを、複数の導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記複数のリードのそれぞれの前記第１下面と前記第１上面のうち前記貫通孔が形成された部分とが露出するように、前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記複数のリードのそれぞれの一部を封止樹脂で封止して封止体を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記複数のリードの前記貫通孔に挿入された前記第１部材を除去する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記貫通孔の内面を含む、前記リードフレームの前記封止体から露出した領域に金属膜を形成する工程と、
（ｇ）前記貫通孔を跨ぐ位置において、前記複数のリードのそれぞれを前記第１方向に沿って切断し、前記複数のリードを前記リードフレームの前記枠部から切り離す工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記（ｄ）工程において、前記封止体から露出する露出部と、前記露出部とは異なる部分であって、前記封止体に封止される封止部と、を備え、
さらに、前記露出部は前記第１方向において、前記貫通孔を挟むように配置された第１部分と第２部分とを備え、
平面視において、前記第１方向における前記貫通孔の幅は、前記第１および前記第２部分の幅よりも大きい半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記第１方向において、前記第１および第２部分との間に配置され、かつ、前記第１方向とは直交する第２方向において、前記封止部と前記貫通孔との間に配置された第３部分を備え、
平面視において、前記第１方向における前記第３部分の幅は、前記第１および前記第２部分の幅よりも大きい半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程が終わった後には、平面視において、前記第２方向における前記第１および前記第２部分の長さは、前記第３部分の長さよりも長い半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
平面視において、前記第１および第２方向における前記第１および前記第２部分の幅は等しい半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項４に記載の半導体装置の製造方法において、
平面視において、前記第１方向における前記第３部分の幅と前記貫通孔の幅は等しい半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記（ｄ）工程において、前記封止体から露出する露出部と、前記露出部とは異なる部分であって、前記封止体に封止される封止部と、を備え、
前記（ｄ）工程は、前記複数のリードのぞれぞれの前記第１下面、前記露出部の前記第１上面、および前記第１部材を成形金型で挟んだ状態で前記封止体を形成する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ａ）工程で準備するリードフレームは、前記貫通孔を形成した後、固形の前記第１部材を挿入して前記貫通孔を塞いだリードフレームである半導体装置の製造方法。
【請求項９】
請求項８に記載の半導体装置の製造方法において、
前記第１部材は、前記貫通孔を形成した際に除去された部分である半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のリードのそれぞれの前記第１上面における前記貫通孔の開口形状は、前記第１下面における前記貫通孔の開口形状と等しい半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｅ）工程は、前記第１部材を前記複数のリードのそれぞれの前記第１下面側から押し出して除去する半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記（ｄ）工程において、前記封止体から露出する露出部と、前記露出部とは異なる部分であって、前記封止体に封止される封止部と、を備え、
さらに、前記第１方向において、前記露出部は前記貫通孔を挟むように配置された第１部分、第２部分、および前記第１方向において、前記第１および第２部分との間に配置され、かつ、前記第１方向とは直交する第２方向において、前記封止部と前記貫通孔との間に配置された第３部分を備え、
前記複数のリードのそれぞれは、前記（ｇ）工程の後、前記露出部の前記第１部分の前記第１上面に連なり、前記第２方向に向いた第１側面、前記第２部分の前記第１上面に連なり、前記第２方向に向いた第２側面、および前記第１および第２側面に連なる内側面を有し、
前記（ｇ）工程が終わった後には、前記内側面を覆うように前記金属膜が形成されている半導体装置の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記第１側面に連なり、前記第１方向において、前記内側面よりも外側に位置する第３側面と、前記第２側面に連なり、前記第１方向において、前記内側面よりも外側に位置する第４側面と、を有し、
前記（ｇ）工程が終わった後には、前記第３および第４側面は、前記封止体に覆われている半導体装置の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｇ）工程は、前記複数のリードのそれぞれの第１下面から前記第１上面に向かう方向に切断刃を移動させて前記複数のリードを切断する半導体装置の製造方法。
【請求項１５】
請求項１４に記載の半導体装置の製造方法において、
前記複数のリードのそれぞれの前記第１および第２側面の前記第１下面に近い部分には、前記金属膜が前記第１下面から引き摺られた状態で形成されており、前記第１および第２側面の前記第１上面に近い部分には、前記金属膜が形成されていない半導体装置の製造方法。
【請求項１６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記（ｆ）工程における前記金属膜の形成は、電解めっき法により行われる半導体装置の製造方法。
【請求項１７】
複数の電極パッドが形成された表面を有する半導体チップと、
前記半導体チップが搭載されたチップ搭載部と、
第１上面、前記第１上面とは反対側の第１下面、およびその厚さ方向において前記第１上面と前記第１下面との間に配置された複数の側面を有し、前記チップ搭載部と離間して第１方向に沿って配列された複数のリードと、
前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを電気的に接続する導電性部材と、
前記複数のリードの前記第１下面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記複数のリードのそれぞれの一部を封止する封止体と、を有し、
前記複数のリードのそれぞれは、前記封止体から露出する先端部と、前記先端部とは
異なる部分であって、前記封止体に封止された封止部と、を備え、
前記先端部は、前記第１方向とは直交する第２方向に向いた第１側面を有する第１部分と、
前記第２方向に向いた第２側面を有する第２部分と、
前記第１方向において前記第１および第２部分との間に位置し、前記第１および前記第２側面よりも前記先端部と前記封止部との境界の近くに位置する内側面を有する第３部分と、を有し、
前記内側面上は金属膜が形成され、前記第１部分と前記第２部分との離間距離は、前記第１方向における前記第１および第２部分の幅より大きい半導体装置。
【請求項１８】
請求項１７に記載の半導体装置において、
前記複数のリードのそれぞれの前記第１および第２側面の前記第１下面に近い部分には、前記金属膜が前記第１下面から引き摺った状態で形成されており、前記第１および第２側面の前記第１上面に近い部分には、前記金属膜が形成されていない半導体装置。
【請求項１９】
請求項１７に記載の半導体装置において、
前記複数のリードのそれぞれは、前記第１側面に連なり、前記第１方向において、前記内側面よりも外側に位置する第３側面と、前記第２側面に連なり、前記第１方向において、前記内側面よりも外側に位置する第４側面と、を有し、
前記第３および第４側面は、前記封止体に覆われている半導体装置。
【請求項２０】
複数の電極パッドが形成された表面を有する半導体チップと、
前記半導体チップが搭載されたチップ搭載部と、
第１上面、前記第１上面とは反対側の第１下面、およびその厚さ方向において前記第１上面と前記第１下面との間に配置された複数の側面を有し、前記チップ搭載部と離間して第１方向に沿って配列された複数のリードと、
前記半導体チップの前記複数の電極パッドと前記複数のリードとを電気的に接続する導電性部材と、
前記複数のリードの前記第１下面が露出するように、前記半導体チップ、前記複数の導電性部材、および前記複数のリードのそれぞれの一部を封止する封止体と、を有し、
前記複数のリードのそれぞれは、前記封止体から露出する先端部と、前記先端部とは
異なる部分であって、前記封止体に封止された封止部と、を備え、
前記先端部は、前記第１方向とは直交する第２方向に向いた第１側面を有する第１部分と、
前記第２方向に向いた第２側面を有する第２部分と、
前記第１方向において前記第１および第２部分との間に位置し、前記第１および前記第２側面よりも前記先端部と前記封止体との境界の近くに位置する内側面を有する第３部分と、を有し、
前記内側面は金属膜で被覆され、前記第２方向における前記内側面の長さは、前記先端部と前記封止部との前記境界から前記内側面までの長さよりも長い半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造技術および半導体装置に関し、例えば、半導体装置の外部端子が、半導体パッケージの実装面側において、封止体から露出した半導体装置に適用して有効な技術に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
特開２００４−３３５９４７号公報（特許文献１）には、樹脂パッケージの外側に導出されたリードに予め孔を形成し、孔の内面にメッキを施してから孔を跨ぐようにリードを切断する半導体装置の製造方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００４−３３５９４７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本願発明者は、半導体装置の性能を向上させる技術を検討している。この一環として、半導体装置の外部端子である複数のリードが、半導体パッケージの実装面側において、封止体から露出した半導体装置について検討した。この結果、半導体装置の信頼性向上の点で課題があることを見出した。
【０００５】
その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施の形態による半導体装置の製造方法は、リードに予め貫通孔を設け、上記貫通孔を塞いだ状態で上記リードの一部を樹脂で封止して封止体を形成する。封止体の形成後、上記貫通孔を塞いだ部材を取り除いた後で、リードの露出面に金属膜を形成するものである。
【発明の効果】
【０００７】
上記一実施の形態によれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】実施の形態の半導体装置の上面図である。
【図２】図１に示す半導体装置の下面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図５】図１に示す封止体を透視した状態で半導体装置の内部構造を示す平面図である。
【図６】図１〜図５に示す半導体装置の複数のリード周辺の一部を拡大して示す拡大斜視図である。
【図７】図６に示す半導体装置を実装基板に搭載した状態を示す拡大斜視図である。
【図８】図６のＡ−Ａ面に沿った拡大断面図である。
【図９】図７のＡ−Ａ面に沿った拡大断面図である。
【図１０】図１〜図５に示す半導体装置の複数のリード周辺の一部を拡大して示す拡大透視平面図である。
【図１１】図１０に対する変形例である半導体装置の複数のリード周辺の一部を拡大して示す拡大透視平面図である。
【図１２】図１〜図１０を用いて説明した半導体装置の製造工程の概要を示す説明図である。
【図１３】リードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図である。
【図１４】図１３に示す複数のデバイス領域のうち、一つのデバイス領域周辺の拡大平面図である。
【図１５】図１４のＡ部の拡大平面図である。
【図１６】図１５のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図１７】図１５のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。
【図１８】図１７に示す貫通孔を形成する工程を模式的に示す説明図である。
【図１９】図１４に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。
【図２０】図１９のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図２１】図１９に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す平面図である。
【図２２】図２１のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図２３】図２１に示すデバイス領域に半導体チップを封止する封止体を形成した状態を示す拡大平面図である。
【図２４】図２３のＡ−Ａ線に沿った拡大断面において、成形金型内にリードフレームのデバイス領域が配置された状態を示す拡大断面図である。
【図２５】図２４に示す先端部周辺をさらに拡大して示す拡大断面図である。
【図２６】図２５に対する変形例を示す拡大断面図である。
【図２７】図２３に示す栓部材を取り除いた状態を示す拡大平面図である。
【図２８】図２４に示す栓部材を除去する工程を模式的に示す説明図である。
【図２９】図２８に示すリードの露出面に金属膜が形成された状態を示す拡大平面図である。
【図３０】図２９のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図３１】図２９のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。
【図３２】電気めっき法によるめっき工程の概要を示す説明図である。
【図３３】図１２に示すリードカット工程を行った後のデバイス領域を示す拡大平面図である。
【図３４】図３３の一部の拡大平面において、リード切断治具のレイアウトの例を示す拡大平面図である。
【図３５】図３４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【図３６】図３３に示すデバイス領域を個片化した状態を示す拡大平面図である。
【図３７】図１５に示す貫通孔および栓部材に対する変形例を示す拡大平面図である。
【図３８】図３７に示す貫通孔および栓部材の形状に対応して製造された半導体装置の拡大透視平面図である。
【図３９】図１１に対する変形例を示す拡大透視平面図である。
【図４０】図１０に対する他の変形例を示す拡大透視平面図である。
【図４１】図６に対する検討例である半導体装置の複数のリード周辺の一部を拡大して示す拡大斜視図である。
【図４２】図４１に示す半導体装置を実装基板に搭載した状態を示す拡大斜視図である。
【図４３】図４１のＡ−Ａ面に沿った拡大断面図である。
【図４４】図４２のＡ−Ａ面に沿った拡大断面図である。
【図４５】図２５に対する検討例を示す拡大断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
（本願における記載形式・基本的用語・用法の説明）
本願において、実施の態様の記載は、必要に応じて、便宜上複数のセクション等に分けて記載するが、特にそうでない旨明示した場合を除き、これらは相互に独立別個のものではなく、記載の前後を問わず、単一の例の各部分、一方が他方の一部詳細または一部または全部の変形例等である。また、原則として、同様の部分は繰り返しの説明を省略する。また、実施の態様における各構成要素は、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、必須のものではない。
【００１０】
同様に実施の態様等の記載において、材料、組成等について、「ＡからなるＸ」等といっても、特にそうでない旨明示した場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、Ａ以外の要素を含むものを排除するものではない。たとえば、成分についていえば、「Ａを主要な成分として含むＸ」等の意味である。たとえば、「シリコン部材」等といっても、純粋なシリコンに限定されるものではなく、ＳｉＧｅ（シリコン・ゲルマニウム）合金やその他シリコンを主要な成分とする多元合金、その他の添加物等を含む部材も含むものであることはいうまでもない。また、金めっき、Ｃｕ層、ニッケル・めっき等といっても、そうでない旨、特に明示した場合を除き、純粋なものだけでなく、それぞれ金、Ｃｕ、ニッケル等を主要な成分とする部材を含むものとする。
【００１１】
さらに、特定の数値、数量に言及したときも、特にそうでない旨明示した場合、理論的にその数に限定される場合および文脈から明らかにそうでない場合を除き、その特定の数値を超える数値であってもよいし、その特定の数値未満の数値でもよい。
【００１２】
また、本願では、平面や側面という用語を用いるが、半導体チップの半導体素子形成面を基準面として、その基準面に平行な面を平面として記載する。また、平面に対して交差する面を側面として記載する。また、側面視において、離間して配置される二つの平面間を結ぶ方向を厚さ方向として記載する。
【００１３】
また、本願では、上面、あるいは下面という用語を用いる場合があるが、半導体パッケージの実装態様には、種々の態様が存在するので、半導体パッケージを実装した後、例えば上面が下面よりも下方に配置される場合もある。本願では、半導体チップの素子形成面側の平面を上面、上面とは反対側に位置する面を下面として記載する。
【００１４】
また、実施の形態の各図中において、同一または同様の部分は同一または類似の記号または参照番号で示し、説明は原則として繰り返さない。
【００１５】
また、添付図面においては、却って、煩雑になる場合または空隙との区別が明確である場合には、断面であってもハッチング等を省略する場合がある。これに関連して、説明等から明らかである場合等には、平面的に閉じた孔であっても、背景の輪郭線を省略する場合がある。更に、断面でなくとも、空隙でないことを明示するため、あるいは領域の境界を明示するために、ハッチングやドットパターンを付すことがある。
【００１６】
（実施の形態）
封止体の下面（実装面）において外部端子の一部を封止体から露出させた半導体装置として、例えばＳＯＮ（Small Outline Nonleaded package）型や、ＱＦＮ（Quad Flat Nonleaded package）型がある。本実施の形態では、半導体装置の一例として、平面視において四角形を成す半導体パッケージの四辺のそれぞれに沿って複数のリードが配置される、ＱＦＮ型の半導体装置を例に挙げて説明する。ＱＦＮ型やＳＯＮ型などの半導体装置は、封止体の下面側をリードの接合領域として活用できるので、実装面積を低減することができる。
【００１７】
＜半導体装置＞
まず、本実施の形態の半導体装置の構成の概要について、図１〜図５を用いて説明する。図１は本実施の形態の半導体装置の上面図、図２は、図１に示す半導体装置の下面図、図３は図１のＡ−Ａ線に沿った断面図、図４は図１のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。また、図５は図１に示す封止体を透視した状態で半導体装置の内部構造を示す平面図である。
【００１８】
本実施の形態の半導体装置１は、ダイパッド（チップ搭載部、タブ）２（図３〜図５参照）と、ダイパッド２上にダイボンド材７（図３〜図５参照）を介して搭載された半導体チップ３（図３〜図５参照）と、を備えている。また、半導体装置１は、ダイパッド２と離間して配置される複数のリード（端子、外部端子）４と、半導体チップ３の複数のパッド（電極、ボンディングパッド）ＰＤ（図３〜図５参照）と複数のリード４とを、それぞれ電気的に接続する複数のワイヤ（導電性部材）５（図３〜図５参照）と、を有している。また、半導体装置１は半導体チップ３、複数のワイヤ５、および複数のリード４を封止する封止体（樹脂体）６を備えている。また、ダイパッド２には、複数の吊りリード９が接続されている。
【００１９】
＜外観構造＞
次に、半導体装置１の外観構造について説明する。図１に示す封止体（樹脂体）６は例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂に、シリカなどのフィラ粒子を添加した樹脂から成る。また、封止体６は平面視において、四つの辺（主辺）を備える四辺形（四角形）を成す。封止体６は、Ｘ方向に沿って延びる辺（主辺）６ｃ１、辺６ｃ１と対向する辺（主辺）６ｃ２、辺６ｃ１と辺６ｃ２の間に位置し、Ｘ方向と直交するＹ方向に沿って延びる辺（主辺）６ｃ３、および辺６ｃ３と対向する辺（主辺）６ｃ４を備えている。
【００２０】
また、各辺６ｃ１、６ｃ２、６ｃ３、６ｃ４の間の角部には面取り部が配置されて、これにより封止体６の欠けを抑制している。この面取り部を含めると、厳密には封止体６の平面形状は八角形（面取り部の辺を一辺として考慮すると八辺形）になっている。しかし、面取り部（角部）の各辺は、複数のリード４が並べて配置される主辺の長さと比較して十分に小さいため、実質的には、四辺形（四角形）と見做すことができる。
【００２１】
本願では、面取り部を封止体６の角と見做し、四辺形（四角形）として説明する。また、封止体６は上面（表面）６ａと、この上面６ａとは反対側の下面（裏面、実装面）６ｂ（図２参照）と、この上面６ａと下面６ｂとの間に位置する側面６ｃとを有している。側面６ｃは、図３および図４に示すように傾斜面となっている。
【００２２】
また、図１および図２に示すように、半導体装置１では、封止体６の各辺（各主辺）に沿って、それぞれ複数のリード４が配置されている。複数のリード４は、それぞれ金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）から成る。図１および図２に示す例では、平面視において、封止体６の辺６ｃ１、６ｃ２、６ｃ３、６ｃ４の各辺に沿って、それぞれ複数のリード４が配列される。言い換えれば、封止体６の辺６ｃ１、６ｃ２ではＸ方向に沿って、それぞれ複数のリード４が配列される。また、封止体６の辺６ｃ３、６ｃ４ではＸ方向と直交するＹ方向に沿って、それぞれ複数のリード４が配列される。
【００２３】
また、複数のリード４は、図２に示すように封止体６の下面６ｂにおいて下面４ｂが封止体６からそれぞれ露出している。またリード４の下面４ｂには、金属膜ＳＤが形成され、下面４ｂを覆っている。金属膜ＳＤは、例えばめっき法により形成された半田膜から成り、リード４を、後述する実装基板側の端子と接合する際に接合材として機能する。なお、図１では図示を省略しているが、図２に示す金属膜ＳＤはリード４の露出部の上面側にも形成されている。リード４のその他の特徴は、後述する。
【００２４】
また、図１に示す例では、Ｘ方向、またはＹ方向に沿って隣り合うリード４の間には、ダム内樹脂（樹脂、リード間樹脂、封止体）６Ｄが配置されている。このダム内樹脂６Ｄは、隣り合うリード４間のそれぞれに形成され、ダム内樹脂以外の本体部６Ｒと共に、封止体６の一部を構成する。
【００２５】
次に、図３に示すように、ダイパッド（チップ搭載部、タブ）２の下面２ｂは、封止体６の下面６ｂにおいて、封止体６から露出している。つまり、半導体装置１は、ダイパッド露出型（タブ露出型）の半導体装置である。また、ダイパッド２は、封止体６よりも熱伝導率が高い金属材料からなり、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）から成る。
【００２６】
このように、ダイパッド露出型の半導体装置は、熱伝導率が封止体６よりも高い、例えば、銅（Ｃｕ）などの金属部材（ダイパッド２）を露出させることで、ダイパッド２が露出しない半導体装置と比較して、パッケージの放熱性を向上させることができる。また、半導体装置１を図示しない実装基板に実装する際に、ダイパッド２の下面２ｂを実装基板の端子と、例えば半田材（接合材）を介して接続すれば、半導体装置１で発生した熱をさらに効率的に実装基板側に放熱することができる。図３に示す例では、ダイパッド２の下面２ｂには、実装時に接合材として機能する金属膜ＳＤが形成され、前記基材の下面を覆っている。金属膜ＳＤは上記したように例えばめっき法により形成された半田膜である。
【００２７】
また、図１および図２に示すように、半導体装置１は、封止体６の角部において、吊りリード９の一部が封止体６から露出している。詳しくは、図４および図５に示すように、吊りリード９の一方の端部は、ダイパッド２に接続され（一体に形成され）、他方の端部（露出部）は、封止体６から露出している。吊りリード９は、ダイパッド２と一体に形成されるので、露出部も含め、ダイパッド２と同じ金属材料から成り、本実施の形態では、銅（Ｃｕ）からなる基材の表面に、例えばめっき法により形成された半田膜である金属膜ＳＤが形成されている。
【００２８】
なお、ここでは吊りリード９の裏面の一部が封止体６のから露出している場合について説明したが、これに限定されない。吊りリード９の裏面全面にハーフエッチング加工を施し、封止体６で覆ってもよい。この場合、吊りリード９の厚さは、複数のリード４の厚さよりも薄くなる。また、吊りリード９の裏面は、封止体６の下面６ｂから露出する部分を有さないことになる。さらに、吊りリード９の裏面を封止体６で覆うことにより、実装時に吊りリードに最も近接しているリード４と吊りリード９とが半田ショートを起こすことが無くなるので、リード４を封止体６の角部に寄せて配置することができる。その結果、ピン数（リード４の本数）を増やすことができ、多ピン化が可能となる。
【００２９】
＜内部構造＞
次に半導体装置１の内部構造について説明する。図３〜図５に示すように、封止体６には、半導体チップ３が封止されている。図３に示すように、半導体チップ３は、表面（上面、主面）３ａ、表面３ａとは反対側に位置する裏面（下面、主面）３ｂ、および表面３ａと裏面３ｂの間に位置する側面３ｃを有している。半導体チップ３の表面３ａは、図５に示すように平面視において、四辺形（四角形）を成す。図示は省略するが、半導体チップ３の裏面３ｂ（図３参照）も表面３ａと同様に平面視において四辺形（四角形）を成す。
【００３０】
また、表面３ａには、複数のパッド（電極、チップ電極、ボンディングパッド）ＰＤが配置されている。図５に示す例では、半導体チップ３の表面３ａの外縁を構成する各辺に沿って、それぞれ複数のパッドＰＤが配置されている。また、図示は省略するが、半導体チップ３の主面（詳しくは、半導体チップ３の基材（半導体基板）の上面に設けられた半導体素子形成領域）には、複数の半導体素子（回路素子）が形成されているまた、複数のパッドＰＤは、半導体チップ３の内部（詳しくは、表面３ａと図示しない半導体素子形成領域の間）に配置される配線層に形成された配線（図示は省略）を介して、この半導体素子と電気的に接続されている。
【００３１】
半導体チップ３（詳しくは、半導体チップ３の基材）は、例えばシリコン（Ｓｉ）から成る。また、表面３ａには、半導体チップ３の基材および配線を覆う絶縁膜が形成されており、複数のパッドＰＤの表面は、この絶縁膜に形成された開口部において、絶縁膜から露出している。また、このパッドＰＤは金属からなり、例えばアルミニウム（Ａｌ）からなる。
【００３２】
また、図５に示すように、半導体チップ３の周囲（ダイパッド２の周囲）には、例えば、ダイパッド２と同じ銅（Ｃｕ）から成る複数のリード４が、ダイパッド２と離間して配置されている。複数のリード４は、それぞれ上面（第１主面）４ａ、上面４ａの反対側に位置する下面（第２主面）４ｂを備えている。また、複数のリード４のそれぞれは、上面４ａが封止体６から露出している先端部（露出部、突出部、アウタリード部）４Ｎと、上面４ａが封止体６に封止されている封止部（インナリード部）４Ｓと、を備えている。なお、封止部４Ｓでは、上面４ａが封止体６に封止されるが下面４ｂは封止体６から露出している。
【００３３】
また、半導体チップ３の表面３ａに形成された複数のパッドＰＤは、複数のリード４の封止体６の内部に位置する封止部４Ｓの上面４ａと、複数のワイヤ（導電性部材）５を介してそれぞれ電気的に接続されている。ワイヤ５は、例えば、金（Ａｕ）あるいは銅（Ｃｕ）等から成り、ワイヤ５の一部（一方の端部）がパッドＰＤに接合され、他部（他方の端部）がリード４の上面４ａのボンディング領域（ワイヤボンディング領域）に接合されている。
【００３４】
また、図３〜図５に示すように、半導体チップ３は、ダイパッド２の上面（チップ搭載面）２ａ上に、ダイボンド材（接着材）７を介して接着固定されている。図５に示す例では、半導体チップ３はダイパッド２の中央に搭載されている。半導体チップ３は、裏面３ｂをダイパッド２の上面２ａと対向させた状態で、ダイボンド材７を介してダイパッド２上に搭載されている。このダイボンド材７は、半導体チップ３をダイボンディングする際の接着材であって、本実施の形態では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂などからなる樹脂接着材、または、熱硬化性樹脂に、銀（Ａｇ）などから成る金属粒子を含有させた導電性樹脂接着材、あるいは半田材などの導電性接着材を用いている。図３に示すように、ダイパッド２は、半導体チップ３が搭載された上面２ａ、上面２ａとは反対側に位置する下面２ｂ、上面２ａと下面２ｂの間に位置する複数の側面２ｃを備えている。
【００３５】
また、ダイパッド２の外縁部には、下面２ｂ側の一部が取り除かれており、図２に示す、封止体６から露出するダイパッド２の下面２ｂの外形サイズは、図５に示す上面２ａの外形サイズよりも小さい。言い換えれば、ダイパッド２は、第１の厚さを有する部分（厚板部）と、第１の厚さよりも小さい（薄い）第２の厚さを有する部分（薄板部）と、を有し、薄板部は厚板部の周縁部に配置されている。
【００３６】
このようにダイパッド２の周縁部に薄板部を設けることで、ダイパッド２が封止体６から抜け落ちることを防止することができる。この薄板部は、例えば下面２ｂ側からハーフエッチング加工を施すことで形成することができる。このハーフエッチング加工は、下面２ｂから上面２ａに向かって施され、本実施の形態では、上面２ａと下面２ｂの中間位置まで形成されている。
【００３７】
また、図４および図５に示すように、ダイパッド２には、複数の吊りリード９が接続（連結）されている。複数の吊りリード９は、それぞれ一方の端部がダイパッド２の角部（角）に接続されている。また複数の吊りリード９はそれぞれ他方の端部が封止体６の角部に向かって延び、封止体６から露出している。吊りリード９を封止体６の角部に向かって、延ばすことにより、封止体６の各辺（各主辺）に沿って配置される複数のリード４の配列を阻害することなく配置できるので、リード４の数、すなわち、半導体装置１の端子数を増加させることができる。
【００３８】
また、図４に示すように、吊りリード９は上面９ａおよび上面９ａの反対側に位置する下面９ｂを有し、下面９ｂの一部にハーフエッチング加工が施されている。詳しくは、吊りリード９のうち、ダイパッド２と封止体６からの露出部を接続する部分は、下面９ｂ側の一部分が取り除かれ、上面９ａの反対側に位置し、かつ、下面９ｂと上面９ａの間に位置する下面（部分）９ｄを備えている。そして、吊りリード９の薄板領域は、封止体６により封止されている。これにより、吊りリード９と封止体６をしっかりと固定することができるので、吊りリード９、および吊りリード９と連結されたダイパッド２が封止体６から抜け落ちることを防止ないしは抑制することができる。
【００３９】
＜リードの詳細＞
次に、半導体装置１のリード４の詳細について説明する。図６は、図１〜図５に示す半導体装置の複数のリード周辺の一部を拡大して示す拡大斜視図である。また、図７は図６に示す半導体装置を実装基板に搭載した状態を示す拡大斜視図である。また、図８は、図６のＡ−Ａ面に沿った拡大断面図である。また、図９は、図７のＡ−Ａ面に沿った拡大断面図である。また、図４１は、図６に対する検討例である半導体装置の複数のリード周辺の一部を拡大して示す拡大斜視図である。また、図４２は図４１に示す半導体装置を実装基板に搭載した状態を示す拡大斜視図である。また、図４３は、図４１のＡ−Ａ面に沿った拡大断面図である。また、図４４は図４２のＡ−Ａ面に沿った拡大断面図である。なお、図６、図７、図４１、図４２では、図８および図４３に示す金属膜ＳＤの有無を見易くするため、金属膜で覆われず、リード４の基材が露出した面（側面４ｃ１、４ｃ２、４ｃ）には、ハッチングを付して区別している。
【００４０】
図６〜図９に示す半導体装置１と図４１〜図４３に示す検討例の半導体装置１Ｈ１とは、リード４の封止体６から露出する先端部４Ｎの形状が相違する。具体的には、半導体装置１Ｈ１が備えるリード４の先端部４Ｎは、図４１に示すように、直方体形状を成す。
【００４１】
また、図４３に示すように、半導体装置１Ｈ１が備えるリード４は、封止部４Ｓに、ダイパッド２の側面２ｃと対向する側面４ｄを有する。また、Ｙ方向において、側面４ｄの反対側に位置する側面（先端面）４ｃを有する。側面４ｃは、半導体装置１Ｈ１の製造工程において、金属膜ＳＤを形成した後でリード４を切断することにより形成される、せん断面（切断面）である。また、リード４の側面４ｃは、図４１〜図４４に示すように、リード４の基材を構成する金属（例えば銅）が、金属膜ＳＤから露出している。
【００４２】
なお、図４３に示すように、厳密には、リード４の側面４ｃのうち、下面４ｂに近い部分には、金属膜ＳＤが下面４ｂ側から引き摺られた状態で形成されている。これは、リード４を切断する際に、下面４ｂ側から上面４ａ側に向かって図示しない切断刃を移動させると、この切断刃から印加される力によって、金属膜ＳＤの一部が側面４ｃの一部に引き摺られて付着するものである。ただし、リード４の切断時の力により、側面４ｃに付着する金属膜ＳＤの面積は小さく、側面４ｃの大部分は、リード４の基材を構成する金属が露出している。また、リード４の切断時の力により、側面４ｃに付着した金属膜ＳＤと側面４ｃとの密着力は、例えばめっき法により形成された下面４ｂと金属膜ＳＤとの密着強度よりも低く、剥離し易い。
【００４３】
ここで、図４２および図４４に示すように半導体装置１Ｈ１を実装基板（マザーボード）２０に実装する際には、実装基板２０の上面（基板側実装面）２０ａと半導体装置１Ｈ１の下面（デバイス側実装面；図４４に示す封止体６の下面６ｂ）を対向させた状態でリード４と実装基板２０のランド（実装基板側の端子）２１を電気的に接続する。図４２および図４４に示す例では、リード４とランド２１とを、接合材である半田材２２を介して電気的に接続している。
【００４４】
半導体装置１Ｈ１と実装基板２０の実装信頼性（各端子の電気的接続信頼性）を向上させる観点からは、半田材２２とリード４の接合強度を向上させることが好ましい。半田材２２とリード４の接合強度は、接合面積（半田材２２とリード４の接触面積）に比例して大きくなる。また、接合面積が等しい場合、互いに交差する複数の面（例えば図４４に示す下面４ｂと側面４ｃ）において接合する方が、接合強度が向上する。
【００４５】
しかし、上記したように、半導体装置１Ｈ１の場合には、上記したように側面４ｃの大部分では、リード４の基材を構成する金属が露出している。このため、接合材である半田材２２は、側面４ｃには濡れ上がり難く、リード４と半田材２２の接合強度は、リード４の下面４ｂの面積の大きさにより、ほぼ決定される。また、リード４の下面４ｂの面積は、半導体装置１Ｈ１の実装面積（パッケージ面積）からの制約を受けるので、実装面積を小さくする（小型化）の観点からは、リード４の下面４ｂの面積を大きくすることは限界がある。
【００４６】
そこで、本願発明者は、半導体装置１Ｈ１と実装基板２０の電気的接続信頼性を向上させる技術について検討を行い、図６〜図９に示すリード４の構成を見出した。図６に示すように、半導体装置１が備える複数のリード４のそれぞれは、先端部４Ｎに、以下の３つの部分を有している。
【００４７】
まず、先端部４Ｎは、Ｘ方向とは直交するＹ方向に向いた側面（第１側面、先端面、第１先端面）４ｃ１を有する部分（第１部分）４Ｎ１を有している。また、先端部４Ｎは、Ｙ方向に向いた側面（第２側面、先端面、第２先端面）４ｃ２を有する部分（第２部分）４Ｎ２を有している。部分４Ｎ１と部分４Ｎ２とは、Ｘ方向に沿って対向するように設けられている。さらに、先端部４Ｎは、Ｘ方向において部分４Ｎ１、４Ｎ２の間に位置し、側面４ｃ１、４ｃ２よりも先端部４Ｎと封止部４Ｓ（図８参照）との境界ＢＤの近くに位置する内側面４ｉｃを有する第３部分を有する。そして、図８に示すように内側面４ｉｃは、例えば半田膜など、リード４の基材を構成する金属よりも、図９に示す半田材２２との接合特性（濡れ性）が高い金属膜ＳＤで被覆されている。
【００４８】
図７および図９に示すように半導体装置１を実装基板（マザーボード）２０に実装する際には、実装基板２０の上面（基板側実装面）２０ａと半導体装置１の下面（デバイス側実装面；図８に示す封止体６の下面６ｂ）を対向させた状態でリード４と実装基板２０のランド（実装基板側の端子）２１とを電気的に接続する。図７および図９に示す例では、リード４とランド２１とを、接合材である半田材２２を介して電気的に接続している。
【００４９】
この時、上記したように、半田材２２とリード４の接合強度は、上記したように接合面積（半田材２２とリード４の接触面積）に比例して大きくなる。また、接合面積が等しい場合、互いに交差する複数の面（例えば図９に示す下面４ｂと内側面４ｉｃ）において接合する方が、接合強度が向上する。
【００５０】
本実施の形態によれば、図８に示すように、リード４の先端部４Ｎに、金属膜ＳＤで覆われる（金属膜ＳＤに被覆される）内側面４ｉｃが形成されている。図８に示す例では、金属膜ＳＤは、内側面４ｉｃ全体に形成されている。言い換えれば、リード４の下面４ｂ側に形成された金属膜ＳＤと上面４ａ側に形成された金属膜ＳＤは内側面４ｉｃを覆う金属膜ＳＤにより連結されている。この内側面４ｉｃは、図６に示す側面４ｃ１、４ｃ２とは下記のような相違点が存在する。
【００５１】
まず、側面４ｃ１、４ｃ２は、図８に示すＹ方向において、ダイパッド２の側面２ｃと対向する側面４ｄの反対側に位置する。また、側面４ｃ１、４ｃ２は、半導体装置１の製造工程において、金属膜ＳＤを形成した後でリード４を切断することにより形成される、せん断面である。このため、側面４ｃ１、４ｃ２は、図６および図７に示すように、リード４の基材を構成する金属（例えば銅）が、金属膜ＳＤから露出している。
【００５２】
厳密には、リード４の側面４ｃ１、４ｃ２のうち、下面４ｂに近い部分には、金属膜ＳＤが下面４ｂ側から引き摺られた状態で形成されている。これは、リード４を切断する際に下面４ｂ側から上面４ａ側に向かって切断刃を移動させると、この切断刃から印加される力によって、金属膜ＳＤの一部が側面４ｃ１、４ｃ２の一部に引き摺られて付着するものである。ただし、リード４の切断時の力により、側面４ｃに付着する金属膜ＳＤの面積は小さく、側面４ｃの大部分は、リード４の基材を構成する金属が露出している。言い換えれば、側面４ｃ１、４ｃ２の上面４ａに近い部分には、金属膜ＳＤが形成されていない。
【００５３】
このため、図７に示すように、リード４の側面４ｃ１、４ｃ２には、半田材２２は接合され難くなっており、側面４ｃ１、４ｃ２の大部分は、半田材２２から露出することが多い。
【００５４】
一方、図６および図８に示すリード４の内側面４ｉｃは、半導体装置１の製造工程において、金属膜ＳＤを形成する前にリード４に予め形成された図示しない貫通孔の内面の一部である。また詳細は後述するが、本実施の形態では、封止体６を形成する工程において、この貫通孔の内面に封止体６を形成するための樹脂が流れ込まないように、貫通孔に栓部材を挿入し、貫通孔を塞いだ状態で封止体６を形成する。このため、封止体６からの露出面である内側面４ｉｃの表面（露出表面）に、金属膜ＳＤを確実に形成することができる。
【００５５】
そして金属膜ＳＤは、リード４の基材を構成する金属（例えば銅）よりも、図９に示す半田材２２との接合特性（濡れ性）が高い金属材料（例えば半田材）により構成されるので、図９に示すように、半導体装置１を実装する際に、半田材２２とリード４の内側面４ｉｃを接合させることができる。
【００５６】
例えば、半導体装置１を実装する工程では、ランド２１上に半田材２２（例えば、半田成分とフラックス成分とを含むペースト状の半田）を塗布（配置）しておく、そして、ランド２１とリード４の下面４ｂが対向するように、半導体装置１を実装基板２０上に配置する。この時、半田材２２はリード４の露出面に形成された金属膜ＳＤ（図８参照）と密着する。次にリフロー工程として、半田材２２に含まれる半田成分の融点以上の温度になるまで、実装基板２０と半導体装置１の電気的接続部を加熱すると、半田材２２が溶融する。また、金属膜ＳＤに半田材を用いている場合には、金属膜ＳＤも溶融する。そして、溶融した半田ペースト中のフラックス成分が活性化されると、金属膜ＳＤと半田材２２が一体化して、接合される。この時、金属膜ＳＤ一体化して形成された半田材２２とリード４の内側面４ｉｃの密着界面には、半田成分とリード４の基材を構成する金属との合金層が形成されるので、リード４の内側面４ｉｃと半田材２２はこの合金層を介して強固に接合される。
【００５７】
つまり、本実施の形態によれば、リード４の先端部４Ｎに、金属膜ＳＤで被覆された内側面４ｉｃを設けることで、図７および図９に示すように、接合材である半田材２２を、リード４が有する面のうち、互いに交差する複数の面（例えば図９に示す下面４ｂと内側面４ｉｃ）において接合することができる。この結果、図４１〜図４４を用いて説明した半導体装置１Ｈ１と比較して、半田材２２とリード４の接合強度を向上させることができる。そして、半導体装置１と実装基板２０の実装信頼性（各端子の電気的接続信頼性）を向上させることができる。
【００５８】
また、半田材２２とリード４の接合強度をさらに向上させる観点からは、内側面４ｉｃの面積を大きくすることが好ましい。図１０は、図１〜図５に示す半導体装置の複数のリード周辺の一部を拡大して示す拡大透視平面図である。なお、図１０では、リード４の封止部４Ｓと先端部４Ｎの関係を判り易くするため、封止体６を透過してリード４の全体を示している。また、図１０では、見易さのため、図５に示すワイヤ５は図示を省略している。
【００５９】
図１０に示す例では、リード４の先端部４Ｎに形成された内側面４ｉｃの面積を大きくする観点から、Ｘ方向における部分４Ｎ３の幅Ｗ３を大きくしている。詳しくは、Ｘ方向における部分４Ｎ３の幅Ｗ３は、部分４Ｎ１の幅Ｗ１、および部分４Ｎ２の幅Ｗ２よりも大きい。言い換えれば、部分４Ｎ１と部分４Ｎ２との離間距離は、Ｘ方向における部分４Ｎ１の幅Ｗ１、および部分４Ｎ２の幅Ｗ２よりも大きい。このように、幅Ｗ３を大きくすることで、内側面４ｉｃの面積を大きくできるので、下面４ｂ（図９参照）と交差する面におけるリード４と半田材２２の接触面積を増大させて、接合強度を向上させることができる。
【００６０】
また、部分４Ｎ１と部分４Ｎ２の強度を維持する観点からは、部分４Ｎ１の幅Ｗ１と、部分４Ｎ２の幅Ｗ２とは、等しい大きさに揃えることが好ましい。部分４Ｎ１の幅Ｗ１と部分４Ｎ２の幅Ｗ２とを、等しくすることで、部分４Ｎ１または部分４Ｎ２の一方の強度が極端に低下することを抑制できる。
【００６１】
図１０に示す例において、例えば、Ｘ方向における先端部４Ｎの幅（幅Ｗ１＋幅Ｗ２＋幅Ｗ３）を２５０μｍとした場合には、幅Ｗ３は、１２５μｍとしている。また、部分４Ｎ１の幅Ｗ１と、部分４Ｎ２の幅Ｗ２とは、それぞれ６２．５μｍとなっている。
【００６２】
ところで、リード４の配置ピッチと幅が規定されている場合には、部分４Ｎ３の幅Ｗ３を大きくすると、相対的に部分４Ｎ１の幅Ｗ１と部分４Ｎ２の幅Ｗ２とが小さくなる。このため、部分４Ｎ１および部分４Ｎ２の強度は、幅Ｗ１、Ｗ２が小さくなるに従って低下する。しかし、本実施の形態では、複数のリード４のうち、隣り合うリード４の間にダム内樹脂６Ｄを配置している。そして、図１０に示すように、リード４の先端部４Ｎにおいて、内側面４ｉｃの反対側に位置する側面４ｃ３、４ｃ４はダム内樹脂６Ｄに覆われている。
【００６３】
詳しくは、複数のリード４のそれぞれは、側面４ｃ１に連なり、Ｘ方向において、内側面４ｉｃよりも外側に位置する側面（第３側面）４ｃ３と、側面４ｃ２に連なり、Ｘ方向において、内側面４ｉｃよりも外側に位置する側面（第４側面）４ｃ４と、を有している。そして、側面４ｃ３、４ｃ４は、それぞれ隣り合うリード４の間に配置されたダム内樹脂６Ｄ（封止体６）に覆われている。
【００６４】
ダム内樹脂６Ｄは、封止体６の本体部６Ｒと同じ材料で構成されている。つまり、半導体装置１の内蔵部品を保護するための樹脂材料により構成されているので、硬化した状態においては、ある程度の強度が要求される。したがって、隣り合うリード４の間にダム内樹脂６Ｄが配置され、リード４の側面４ｃ３、４ｃ４が、それぞれ効果したダム内樹脂６Ｄに覆われるように構成すれば、部分４Ｎ１、４Ｎ２の強度を補強する補強部材として機能させることができる。そして、ダム内樹脂６Ｄを補強部材として機能させることにより、部分４Ｎ１、４Ｎ２の幅Ｗ１、Ｗ２が幅Ｗ３より小さい場合でも、部分４Ｎ１、４Ｎ２の強度低下を抑制することができる。
【００６５】
また、図１０に示す例では、内側面４ｉｃは、平面視において、矩形を成す。言い換えれば、内側面４ｉｃには、部分４Ｎ１の側面４ｃ１と連なり、かつ、Ｘ方向において、側面４ｃ３の反対側に位置する内側面４ｉｃ１が含まれる。また、内側面４ｉｃには、部分４Ｎ２の側面４ｃ２と連なり、かつ、Ｘ方向において、側面４ｃ４の反対側に位置する内側面４ｉｃ２が含まれる。また、内側面４ｉｃには、内側面４ｉｃ１および内側面４ｉｃ２に連なり、且つ、Ｘ方向において内側面４ｉｃ１と内側面４ｉｃ２との間に位置する内側面４ｉｃ３が含まれる。このように、内側面４ｉｃの形状を平面視において矩形に形成することにより、内側面４ｉｃの面積を大きくすることができる。
【００６６】
ただし、内側面４ｉｃの形状を平面視において矩形に形成する場合であっても、矩形の角部、すなわち、内側面４ｉｃ１と内側面４ｉｃ３の交線および内側面４ｉｃ２と内側面４ｉｃ３の交線に、円弧やテーパなどの面取り加工部を設けることを排除するものではない。詳細は後述するが、内側面４ｉｃは、リードフレームにせん断加工を施して形成されるので、リードフレームに加わる応力を分散させる観点からは、矩形の角部に円弧やテーパなどの面取り加工部を設けることが好ましい。
【００６７】
また、図１０に示す例では、Ｙ方向における部分４Ｎ１の長さＬ１および部分４Ｎ２の長さＬ２は等しく、例えば２００μｍ程度である。一方、Ｙ方向における部分４Ｎ３の長さＬ３は、長さＬ１および長さＬ２よりも短いが、長さＬ１および長さＬ２の半分以上になっている。図１０に示す例では、長さＬ３は、例えば１００μｍ〜１５０μｍ程度である。言い換えれば、Ｙ方向における内側面４ｉｃ（内側面４ｉｃ１、４ｉｃ２）の長さ（長さＬ１−長さＬ３）は、先端部４Ｎと封止部４Ｓとの境界ＢＤから内側面４ｉｃまでの長さ（長さＬ３）よりも短い。
【００６８】
このように、Ｙ方向における部分４Ｎ３の長さＬ３を、長さＬ１および長さＬ２の半分以上にすることで、後述する半導体装置の製造工程において、部分４Ｎ３の上面を押さえながら部分４Ｎ１、４Ｎ２の側面４ｃ１、４ｃ２を切断することができる。上記したように、部分４Ｎ１、４Ｎ２の幅Ｗ１、Ｗ２を小さくする場合、切断箇所の近傍を押さえながら切断することで、安定的に切断加工を施すことができる。
【００６９】
また、図１０に対する変形例として、図１１に示すように、長さＬ３を小さくすることにより、内側面４ｉｃの面積をさらに大きくすることができる。図１１は図１０に対する変形例である半導体装置の複数のリード周辺の一部を拡大して示す拡大透視平面図である。なお、図１１では、リード４の封止部４Ｓと先端部４Ｎの関係を判り易くするため、封止体６を透過してリード４の全体を示している。また、図１１では、見易さのため、図５に示すワイヤ５は図示を省略している。
【００７０】
図１１に示す半導体装置１Ａ１では、Ｙ方向における部分４Ｎ１の長さＬ１および部分４Ｎ２の長さＬ２は等しく、例えば２００μｍ程度である。一方、Ｙ方向における部分４Ｎ３の長さＬ３は、長さＬ１および長さＬ２よりも短く、長さＬ１および長さＬ２の半分よりも小さい。図１１に示す例では、長さＬ３は、例えば２５μｍ〜９９μｍ程度である。言い換えれば、Ｙ方向における内側面４ｉｃ（内側面４ｉｃ１、４ｉｃ２）の長さ（長さＬ１−長さＬ３）は、先端部４Ｎと封止部４Ｓとの境界ＢＤから内側面４ｉｃまでの長さ（長さＬ３）よりも長い。
【００７１】
図１１に示す半導体装置１Ａ１の場合、Ｙ方向における部分４Ｎ３の長さＬ３を短くすることにより、図１０に示す半導体装置１よりもさらに内側面４ｉｃの面積を大きくすることができる。
【００７２】
また、図９に示す半導体装置１の例では、ダイパッド２の下面２ｂが封止体６の下面６ｂにおいて露出している。これにより、図９に示すように、実装基板２０の上面２０ａにおいて、ダイパッド２の下面２ｂと対向する位置にダイパッド２との接続用の端子２３を配置して、半田材２２を介して接合することができる。このように、ダイパッド２を実装基板２０の端子２３と接続すれば、ダイパッド２が実装基板２０に固定されるので、半導体装置１の実装強度をさらに向上させることができる。また、ダイパッド２を半田材２２などの金属材料を介して実装基板２０の端子２３と接続させることにより、半導体装置１の内部で発生した熱を外部に放出する放熱経路の熱伝導率を向上させることができる。
【００７３】
＜半導体装置の製造方法＞
次に、図１〜図１０を用いて説明した半導体装置１の製造工程について説明する。半導体装置１は、図１２に示すフローに沿って製造される。図１２は、図１〜図１０を用いて説明した半導体装置の製造工程の概要を示す説明図である。各工程の詳細については、図１３〜図３６を用いて、以下に説明する。
【００７４】
＜リードフレーム準備工程＞
まず、図１２に示すリードフレーム準備工程として、図１３に示すようなリードフレームＬＦを準備する。図１３は、リードフレーム準備工程で準備するリードフレームの全体構造を示す平面図、図１４は、図１３に示す複数のデバイス領域のうち、一つのデバイス領域周辺の拡大平面図である。また、図１５は図１４のＡ部の拡大平面図である。また、図１６は図１５のＡ−Ａ線に沿った断面図、図１７は図１５のＢ−Ｂ線に沿った断面図である。また、図１８は、図１７に示す貫通孔を形成する工程を模式的に示す説明図である。
【００７５】
なお、図１４および図１５では、複数のリード４のそれぞれに形成された貫通孔４ｔｈに、栓部材４ｓｐが挿入されていることを明示的に示すため、栓部材４ｓｐにハッチングを付して示している。なお、図１５以降の図面においても、栓部材４ｓｐが貫通孔４ｔｈに挿入されている場合には、平面図であっても、栓部材４ｓｐにハッチングを付して示す。
【００７６】
本工程で準備するリードフレームＬＦは、外枠ＬＦｂの内側に複数のデバイス領域ＬＦａを備えている。図１３に示す例では、リードフレームＬＦは、行方向に８個、列方向に４個のデバイス領域ＬＦａが、マトリクス状に配置され、合計３２個のデバイス領域ＬＦａを備えている。リードフレームＬＦは、金属から成り、本実施の形態では、例えば銅（Ｃｕ）から成る。
【００７７】
また、各デバイス領域ＬＦａの間には、各デバイス領域ＬＦａの周囲をそれぞれ囲む枠部（ダム部）ＬＦｃが配置されている。この枠部ＬＦｃは、後述するモールド工程（図１２参照）において、キャビティ内に圧入した封止用の樹脂を堰き止めるダム部としての機能を備えている。また、図１４に示すように枠部ＬＦｃは、複数のリード４の周囲を囲むように形成され、図１３に示す外枠ＬＦｂと一体に形成されている。
【００７８】
図１４に示すように、各デバイス領域ＬＦａの中央部には、平面視において四角形を成すダイパッド２が形成されている。ダイパッド２の４つの角部には、それぞれ複数の吊りリード９が接続され、デバイス領域ＬＦａの角部に向かって延びるように配置されている。また、ダイパッド２の周囲には、複数の吊りリード９の間に、それぞれ複数のリード４が形成されている。また、複数のリード４は、ダイパッド２に対して、複数のリード４よりも外側に配置される枠部（ダム部）ＬＦｃにそれぞれ接続されている。言い換えれば、リードフレームＬＦは、枠部ＬＦｃ、平面視において枠部ＬＦｃの内側に配置されたダイパッド２、ダイパッド２と枠部ＬＦｃを連結する複数の吊りリード９、およびダイパッド２と枠部ＬＦｃの間に配置され枠部ＬＦｃに接続される複数のリード４、を備えている。
【００７９】
また、図１５に示すように、複数のリード４のそれぞれは、デバイス領域ＬＦａの外縁ＬＦｅを跨ぐように延びる。外縁ＬＦｅは、図１２に示すリードカット工程で、図１５に示す拡大平面では、複数のリード４のそれぞれがＹ方向に沿って延びる。ただし、図１４に示すように複数のリード４にはＸ方向に沿って延びるリード４も含まれる。例えば、本実施の形態のように、ＱＦＮ型の半導体装置を製造する場合には、図１４に示すように平面視において四辺形を成すデバイス領域ＬＦａにおいて、Ｘ方向に延びる辺ＬＦｈ１、ＬＦｈ２に配列されるリード群を構成する複数のリード４のそれぞれは、Ｙ方向に沿って延びる。また、Ｘ方向と直交するＹ方向に沿って延びる辺ＬＦｈ３、ＬＦｈ４に配列されるリード群を構成する複数のリード４のそれぞれは、Ｘ方向に沿って延びる。
【００８０】
また、図１５に示すように、複数のリード４のそれぞれは、図１２に示す封止工程において、封止体６（図１０参照）から上面４ａ露出する予定領域である先端部（露出部）４Ｎと、先端部４Ｎとは異なる部分であって、封止体６に封止される予定領域である封止部４Ｓと、を備えている。
【００８１】
また、図１４および図１５に示すように、複数のリード４のそれぞれには、リード４を厚さ方向に貫通する貫通孔４ｔｈが形成され、貫通孔４ｔｈには、栓部材４ｓｐが挿入されている。
【００８２】
貫通孔４ｔｈは、上記の通り、リード４を厚さ方向に貫通する孔であって、図１６および図１７に示すようにリード４の上面４ａ、下面４ｂのうち、一方の面から他方の面までを貫通するように形成されている。この貫通孔４ｔｈを形成することにより、リード４の側面４ｃ３、４ｃ４（図１７参照）、側面４ｄ（図１６参照）およびリードフレームＬＦの枠部ＬＦｃ（図１６参照）で囲まれた領域に、内側面４ｉｃが形成される。つまり、貫通孔４ｔｈを形成することにより、図１０を用いて説明した部分４Ｎ１、部分４Ｎ２、および部分４Ｎ３が形成される。
【００８３】
一方、栓部材４ｓｐは、固形の部材であって貫通孔４ｔｈに挿入されることで、貫通孔４ｔｈ内に固定されている。また、図１５に示すように、貫通孔４ｔｈと栓部材４ｓｐの外形寸法（輪郭の形状）は、ほぼ等しくなっており、貫通孔４ｔｈに栓部材４ｓｐを挿入することにより、貫通孔４ｔｈは塞がれる。
【００８４】
また、図１５に示す例では、Ｘ方向における貫通孔４ｔｈの開口幅ＫＷ１は、Ｘ方向における部分４Ｎ１、４Ｎ２（図１７参照）の幅Ｗ１、Ｗ２よりも大きい。上記したように、貫通孔４ｔｈは、図１０を用いて説明したリード４の内側面４ｉｃを持つ。また、図１５に示す例では、貫通孔４ｔｈの開口幅ＫＷ１は、図１０に示す部分４Ｎ３の幅Ｗ３と等しい。したがって、Ｘ方向における貫通孔４ｔｈの開口幅ＫＷ１を大きくすることにより、内側面４ｉｃの面積を大きくすることができる。この結果、図９および図１０を用いて説明したように、半導体装置１の実装信頼性を向上させることができる。
【００８５】
また、図１５に示す例では、複数の貫通孔４ｔｈおよび複数の栓部材４ｓｐのそれぞれは、デバイス領域ＬＦａの外縁ＬＦｅを跨ぐように、Ｙ方向に沿って延びる。また、図１５に示す例では、複数の貫通孔４ｔｈは、Ｘ方向における開口幅ＫＷ１が、Ｙ方向における開口幅ＫＷ２よりも短い。言い換えれば、図１５に示す例では、複数の栓部材４ｓｐは、Ｘ方向における幅が、Ｙ方向における幅よりも大きい。
【００８６】
また、図１５に示す例では、複数の貫通孔４ｔｈおよび複数の栓部材４ｓｐのそれぞれは、平面視において長方形（矩形）を成す。ただし、上記したように貫通孔４ｔｈおよび栓部材４ｓｐの形状を、長方形または矩形に形成する場合であっても、長方形（矩形）の角部に、円弧やテーパなどの面取り加工部を設けることを排除するものではない。
【００８７】
図１５〜図１７に示す貫通孔４ｔｈは例えば、図１８に示すように、プレス加工治具３０を用いて形成することができる。プレス加工治具３０は、切断刃（パンチ）３１と、切断刃３１を挿入可能な開口部３２ａが形成された支持部（ダイ）３２と、を備えている。図１８に示す例では、支持部３２によりリード４の上面４ａと下面４ｂを挟んだ状態で、切断刃３１をリード４の下面４ｂ側から上面４ａに向かう方向に（厚さ方向に）移動させて、リード４の一部をせん断変形させる。そして切断刃３１がリード４の上面４ａまで貫通すると、貫通孔４ｔｈが形成される。この時、貫通孔４ｔｈの内面には、せん断面である内側面４ｉｃ（図１６、図１７参照）が形成される。
【００８８】
上記のようにプレス加工により貫通孔４ｔｈを形成する場合、複数の貫通孔４ｔｈを一括して形成することができる点で好ましい。また、プレス加工により貫通孔４ｔｈを形成する場合、最後に貫かれる面（上面４ａ）側には、金属バリ４ｂｒが発生する場合がある。このため、金属バリ４ｂｒが実装面側に形成されることを防止する観点から、図１８に示すように、切断刃３１は、リード４の下面４ｂ側から上面４ａに向かう方向に移動させることが好ましい。
【００８９】
図１８に示すように切断刃３１を、リード４の下面４ｂ側から上面４ａに向かう方向に移動させて貫通孔４ｔｈを形成した場合、リード４の下面４ｂ側における貫通孔４ｔｈの周縁部は、切断刃３１により上方に押し込まれた痕跡が残る。すなわち、図１８に拡大して示すように、リード４の基材を構成する金属（例えば銅）の内側面４ｉｃと下面４ｂが交差する角部には、円弧やテーパなどの面取り加工部が形成される。
【００９０】
また、上記のようにプレス加工により貫通孔４ｔｈを形成する場合、切断刃３１をリード４の厚さ方向に沿って移動させると、リード４の下面４ｂ側の開口面積（開口形状）とリード４の上面４ａ側の開口面積（開口形状）とは等しくなる。
【００９１】
また、図１４〜図１７に示す栓部材４ｓｐは、例えば図１８に示すリード４の上面４ａ側から貫通孔４ｔｈに挿入されることで、固定される。上記したように、貫通孔４ｔｈと栓部材４ｓｐの外形寸法（輪郭の形状）は、ほぼ等しくなっており、これにより貫通孔４ｔｈ内に栓部材４ｓｐを固定することができる。貫通孔４ｔｈと栓部材４ｓｐの外形寸法（輪郭の形状）が等しいことにより、栓部材４ｓｐを貫通孔４ｔｈ内に挿入し難い場合には、図示しない挿入治具により、栓部材４ｓｐを押圧する、あるいは、栓部材４ｓｐを叩くことにより、栓部材４ｓｐと貫通孔４ｔｈを勘合させる。
【００９２】
また、栓部材４ｓｐは、図１２に示す封止工程において、樹脂が流れ込まない程度に貫通孔４ｔｈとの隙間を埋めることができて、かつ、図１２に示す栓部材除去工程において、除去可能なものであれば、種々の材料で形成することができる。
【００９３】
ただし、液状、あるいはペースト状の樹脂材料を貫通孔４ｔｈに流し込んだ後で硬化させると、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃに樹脂材料が接着されてしまう場合が考えられる。この場合、図１２に示す栓部材除去工程で、貫通孔４ｔｈから栓部材４ｓｐを除去することが困難になる。したがって、栓部材４ｓｐとして樹脂材料等を用いる場合であっても、予め硬化させた固形の部材を用いることが好ましい。
【００９４】
また、特に好ましくは、図１８に示すようにプレス加工により貫通孔４ｔｈを形成する際に、リード４から除去された部分である金属片３３を栓部材４ｓｐとして用いるのが良い。金属片３３は、切断刃３１によりせん断変形され、リード４から切り取られた部分なので、貫通孔４ｔｈの形状に一致（フィット）させ易い。つまり、金属片３３を栓部材４ｓｐとして使用することで、貫通孔４ｔｈの隙間を塞ぎ易い。
【００９５】
また、金属片３３は、リード４から一度切り離された部材なので、貫通孔４ｔｈに再び挿入したとしても、金属片３３と貫通孔４ｔｈの接触界面は、接着、あるいは接合されない。また、金属片３３は、リード４と同じ金属部材なので、図１２に示す栓部材除去工程において、栓部材４ｓｐを取り除くための外力が加わっても、破壊し難い。このため、金属片３３を栓部材４ｓｐとして使用することで、図１２に示す栓部材除去工程において、貫通孔４ｔｈから栓部材４ｓｐを容易に除去することができる。
【００９６】
また、金属片３３は貫通孔４ｔｈを形成する際に発生する部材である。したがって、金属片３３を栓部材４ｓｐとして使用することで、複数の栓部材４ｓｐを別途製造する工程を省略することができる。つまり、リードフレームの製造効率を向上させることができる。
【００９７】
なお、図１８に示す例では、図１４に示すリードフレームＬＦのデバイス領域ＬＦａに、複数のリード４を形成した後で、複数のリード４のそれぞれに貫通孔４ｔｈを形成する例を示している。しかし、変形例としては、リードフレームＬＦに、図１５に示すリード４やダイパッド２（図１４参照）を形成する前に、予め貫通孔４ｔｈを形成する方法を適用することができる。貫通孔４ｔｈは、リード４よりも平面積が小さい領域をプレス加工により貫通させるため、貫通孔４ｔｈの周囲に強いストレスが生じる。上記のように、図１５に示すリード４やダイパッド２を形成する前に、予め貫通孔４ｔｈを形成する方法の場合、貫通孔４ｔｈを形成する際に生じるストレスに起因してリード４が損傷することを抑制することができる。
【００９８】
図１４に示す複数のリード４、複数の吊りリード９およびダイパッド２は、それぞれ金型を用いて金属板（リードフレーム）を塑性変形させて成形する、プレス加工方式、あるいは、エッチング材と金属板（リードフレーム）を接触させることにより、化学反応を発生させて金属板の一部を除去するエッチング方式などにより形成することができる。
【００９９】
＜半導体チップ搭載工程＞
次に、図１２に示す半導体チップ搭載工程では、図１９および図２０に示すように、ダイパッド２に半導体チップ３を搭載する。図１９は、図１４に示すダイパッド上に、ボンディング材を介して半導体チップを搭載した状態を示す拡大平面図である。また、図２０は図１９のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【０１００】
本工程では、例えば、図１９に示すように、半導体チップ３はダイパッド２の中央部に、平面視において四辺形を成す表面３ａの各辺が、平面視において四辺形を成すダイパッド２の各辺に沿って配置されるように搭載する。また、図２０に示す例では、半導体チップ３の裏面３ｂ（複数のパッドＰＤが形成された表面３ａの反対側の面）をダイパッド２の上面２ａと対向させた状態で搭載する、所謂フェイスアップ実装方式で搭載する。
【０１０１】
本工程では、例えば、エポキシ系の熱硬化性樹脂であるダイボンド材７を介して半導体チップ３を搭載するが、ダイボンド材７は、硬化（熱硬化）させる前には流動性を有するペースト材である。このようにペースト材をダイボンド材７として用いる場合には、まず、ダイパッド２上に、ダイボンド材７を塗布し、その後、半導体チップ３の裏面３ｂをダイパッド２の上面２ａに接着する。そして、接着後に、ダイボンド材７を硬化させる（例えば熱処理を施す）と、図２０に示すように、半導体チップ３はダイボンド材７を介してダイパッド２上に固定される。
【０１０２】
なお、本実施の形態では、ダイボンド材７に、熱硬化性樹脂からなるペースト材を用いる実施態様について説明したが、種々の変形例を適用することができる。例えば、ペースト材ではなく、両面に接着層を備えるテープ材（フィルム材）である接着材を、予め半導体チップ３の裏面３ｂに貼り付けておき、テープ材を介して半導体チップ３をダイパッド２上に搭載しても良い。
【０１０３】
＜ワイヤボンディング工程＞
次に、図１２に示すワイヤボンディング工程では、図２１および図２２に示すように、半導体チップ３の複数のパッドＰＤと複数のリード４とを、複数のワイヤ（導電性部材）５を介して、それぞれ電気的に接続する。図２１は、図１９に示す半導体チップと複数のリードを、ワイヤを介して電気的に接続した状態を示す平面図である。また、図２２は、図２１のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。
【０１０４】
本工程では、例えば、図２２に示すように、ヒートステージＨＳを準備し、各デバイス領域ＬＦａのダイパッド２上に、半導体チップ３が搭載されたリードフレームＬＦをヒートステージＨＳ上に配置する。そして、半導体チップ３のパッドＰＤとリード４とを、ワイヤ５を介して電気的に接続する。ここで、本実施の形態では、キャピラリＣＰを介してワイヤ５を供給し、超音波と熱圧着を併用してワイヤ５を接合する、所謂、ネイルヘッドボンディング方式によりワイヤ５を接続している。
【０１０５】
リード４の一部（ダイパッド２の側面２ｃと対向する側面４ｄに連なるボンディング領域）には、例えば、銀（Ａｇ）、あるいは金（Ａｕ）から成る、図示しないめっき膜が形成されており、ワイヤ５の一部は、このめっき膜を介してリード４と電気的に接続される。また、ワイヤ５は金属からなり、本実施の形態では、例えば金（Ａｕ）や銅（Ｃｕ）等からなる。そのため、上記したように、半導体チップ３のパッドＰＤの表面に金（Ａｕ）を形成しておくことで、ワイヤ５とパッドＰＤとの密着性を向上できる。
【０１０６】
また、本実施の形態では、半導体チップ３のパッドＰＤにワイヤの一部を接続した後、ワイヤ５の他部をリード４におけるボンディング領域（リード４の上面において、めっき膜が形成された部分）に接続する、所謂、正ボンディング方式によりワイヤを接続している。なお、半導体装置の薄型化する際、ワイヤ高さを抑えるために、リード４におけるボンディング領域にワイヤの一部を接続した後、ワイヤ５の他部を半導体チップ３のパッドＰＤに接続する、所謂、逆ボンディング方式を用いる場合もある。
【０１０７】
＜封止工程＞
次に、図１２に示す封止工程では、図２１に示す半導体チップ３、複数のワイヤ５、および複数のリード４のそれぞれの一部を樹脂（封止樹脂）により封止し、図２３および図２４に示す封止体６を形成する。
【０１０８】
図２３は、図２１に示すデバイス領域に半導体チップを封止する封止体を形成した状態を示す拡大平面図である。また、図２４は、図２３のＡ−Ａ線に沿った拡大断面において、成形金型内にリードフレームのデバイス領域が配置された状態を示す拡大断面図である。また、図２５は、図２４に示す先端部周辺をさらに拡大して示す拡大断面図である。また、図２６は図２５に対する変形例を示す拡大断面図である。また図４５は、図２５に対する検討例を示す拡大断面図である。
【０１０９】
本工程では、複数のデバイス領域ＬＦａ（図１３参照）のそれぞれに封止体６を形成し、図２１に示す半導体チップ３の全体、複数のワイヤ５の全体、および複数のリード４のそれぞれの一部分を樹脂（封止樹脂）により封止する。図２４に示す封止体６は、例えば、シリコンフィラーを含浸させたエポキシ樹脂から成り、上面６ａおよび上面６ａの反対側に位置する下面６ｂを有している。
【０１１０】
また、本工程では、例えば、図２４に示すように上型（第１金型）ＭＴ１と、下型（第２金型）ＭＴ２を備える成形金型ＭＴを用いて、所謂トランスファモールド方式により封止体６を形成する。
【０１１１】
本工程では、例えば、図２４に示すように成形金型ＭＴでリードフレームＬＦを挟んだ状態で、成形金型ＭＴ内に軟化した樹脂を圧入した後、硬化させる、所謂トランスファモールド方式により封止体６を形成する。成形金型ＭＴは、金型面（クランプ面）ＭＴ１ａ、およびこの金型面ＭＴ１ａに形成されたキャビティ（凹部）ＭＴ１ｂを有する上型（金型）ＭＴ１と、上型ＭＴ１の金型面ＭＴ１ａに対向する金型面（クランプ面）ＭＴ２ａを有する下型（金型）ＭＴ２と、を有する。この上型ＭＴ１と下型ＭＴ２を組み合わせると、キャビティＭＴ１ｂ内に中空空間が形成される。そして、リードフレームＬＦは、この中空空間内に半導体チップ３が位置するように位置決めされ、上型ＭＴ１の金型面ＭＴ１ａと下型ＭＴ２の金型面ＭＴ２ａとで挟み込まれる（クランプされる）。このように成形金型ＭＴを用いたトラスファモールド方式により封止体６を形成する場合、リードフレームＬＦの枠部ＬＦｃとキャビティＭＴ１ｂに囲まれた領域に樹脂が充填される。
【０１１２】
図２４に示すように、先端部（露出部）４Ｎの上面４ａに金型面ＭＴ１ａを密着させることにより、先端部４Ｎの上面４ａは封止体６から露出させることができる。一方、封止部４Ｓの上面４ａはキャビティＭＴ１ｂ内に配置されているので、封止体６に覆われる。また、図２３に示すようにリードフレームＬＦの枠部ＬＦｃは、樹脂の漏れ出しを堰き止めるダム部として機能する。このため、隣り合うリード４の先端部４Ｎの間には、ダム内樹脂６Ｄが埋め込まれ、本体部６Ｒと一体に形成されている。
【０１１３】
ここで、金型面ＭＴ１ａ、ＭＴ２ａでリードフレームＬＦをクランプすることでキャビティＭＴ１ｂ内の中空空間の外側に封止用の樹脂（硬化前の樹脂）が漏れ出すことを抑制できる。したがって、本願発明者は、当初、貫通孔４ｔｈの周囲を成形金型ＭＴの金型面ＭＴ１ａ、ＭＴ２ａで挟んだ状態で、封止体６を形成すれば、例えば図２５に示す栓部材４ｓｐを挿入しなくても貫通孔４ｔｈ内に樹脂が流れ込まないと考えた。
【０１１４】
ところが、本願発明者の検討によれば、貫通孔４ｔｈを成形金型ＭＴの金型面ＭＴ１ａ、ＭＴ２ａで挟んだ状態で、封止体６を形成しても、貫通孔４ｔｈ内に樹脂が流れ込んでしまうことが判った。貫通孔４ｔｈ内に樹脂が流れ込んで硬化すると、図１６および図１７に示す内側面４ｉｃに樹脂が接着固定されてしまう。そして内側面４ｉｃに未着した状態で硬化することにより、接着された樹脂は、内側面４ｉｃから剥離させる事が困難であることが判った。この場合、図１２に示すめっき工程では、内側面４ｉｃに金属膜ＳＤ（図８参照）を付着させることが困難になる。
【０１１５】
リードフレームＬＦには、加工精度、あるいは製造工程中の加熱プロセスの影響により撓みが生じ易い。このため、複数のリード４のそれぞれに貫通孔４ｔｈを形成する場合には、全ての貫通孔４ｔｈについて、樹脂が流れ込む事を防止するのは、極めて困難である。
【０１１６】
このため、貫通孔４ｔｈ内への樹脂の侵入を抑制しようとすれば、例えば図４５に示す検討例のように、封止部４Ｓと先端部（露出部）４Ｎの境界ＢＤから、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃまでの距離を大きくする必要がある。しかし、図２５と図４５を比較すれば明らかであるように、図４５の例では、先端部４Ｎの部分４Ｎ３のＹ方向における長さが長くなる。つまり、封止体６の本体部６Ｒよりも外側に延びるリード４の距離が長くなる。この結果、リード４の下面４ｂを露出させるタイプの半導体装置の利点である、実装面積を小さくする効果が小さくなる。
【０１１７】
そこで、本願発明者は、上記課題に基づいて、図２５に示すように貫通孔４ｔｈを栓部材４ｓｐで塞いだ状態で封止体６を形成する技術を見出した。これにより、貫通孔４ｔｈに樹脂が流れ込むことを抑制することができる。また、複数のリード４のそれぞれに貫通孔４ｔｈを形成する場合であっても、全ての貫通孔４ｔｈが栓部材４ｓｐで塞がれていれば、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃに樹脂が付着することを抑制できる。
【０１１８】
また、本実施の形態によれば、栓部材４ｓｐによって、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃを被覆するので、図２５に示すように、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃの位置を封止部４Ｓと先端部（露出部）４Ｎの境界ＢＤに近づけることができる。図２５に示す例では、Ｙ方向において、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃ３の位置は、デバイス領域ＬＦａの外縁ＬＦｅの位置（後述するリードカット工程で、図１０に示す側面４ｃ１、４ｃ２が形成される位置）と、封止部４Ｓと先端部４Ｎの境界ＢＤとの中間に配置されている。言い換えれば、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃ３からデバイス領域ＬＦａの外縁ＬＦｅまでの距離（例えば１００μｍ）は、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃ３から境界ＢＤまでの距離（例えば１００μｍ）は、等しくなっている。
【０１１９】
また、図２６に示す例は、内側面４ｉｃの位置を境界ＢＤ側にさらに近づけた変形例であって、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃ３からデバイス領域ＬＦａの外縁ＬＦｅまでの距離（例えば１５０μｍ）は、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃ３から境界ＢＤまでの距離（例えば５０μｍ）よりも大きい。言い換えれば、図２６に示す例では、Ｙ方向において、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃ３の位置は、デバイス領域ＬＦａの外縁ＬＦｅの位置と、封止部４Ｓと先端部４Ｎの境界ＢＤとの間に配置され、かつ境界ＢＤ側に寄せて配置されている。図２６に示す変形例の場合、図１１を用いて説明した半導体装置１Ａ１のように、長さＬ３（図１１）を小さくすることにより、内側面４ｉｃの面積をさらに大きくすることができる。
【０１２０】
ただし、栓部材４ｓｐにより貫通孔４ｔｈを塞いだ状態で封止体６を形成する場合であっても、貫通孔４ｔｈの周辺に漏れ出てくる樹脂の量が極端に多い場合、あるいは、栓部材４ｓｐと貫通孔４ｔｈの隙間が大きい場合には、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃ（図２５、図２６参照）に樹脂が付着する場合がある。
【０１２１】
したがって、図２５および図２６に示すように、本工程では、複数のリード４のぞれぞれの下面４ｂ、先端部４Ｎの上面４ａ、および栓部材４ｓｐを成形金型ＭＴの金型面ＭＴ１ａおよび金型面ＭＴ２ａで挟んだ状態で封止体６を形成することが好ましい。図２５および図２６に示す例では、上型ＭＴ１の金型面ＭＴ１ａは、複数のリード４のそれぞれの先端部４Ｎの上面４ａ、および栓部材４ｓｐの上面４ｓｐａ、および枠部ＬＦｃの上面に密着するように成形金型ＭＴでリードフレームＬＦを挟んでいる。また、下型ＭＴ２の金型面ＭＴ２ａは、複数のリード４のそれぞれの下面４ｂ、および栓部材４ｓｐの下面４ｓｐｂ、および枠部ＬＦｃの下面に密着するように成形金型ＭＴでリードフレームＬＦを挟んでいる。これにより、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃ（図１６、図１７参照）に樹脂が付着することを、さらに確実に抑制できる。
【０１２２】
また、図示は省略するが、図２５および図２６に対する変形例として、下型ＭＴ２の金型面ＭＴ２ａとリード４の下面４ｂの間に、成形金型ＭＴよりも柔らかい材料（例えば樹脂材料）から成るフィルム材（樹脂フィルム、樹脂シート）を配置した状態で封止体６を形成する、シートモールド技術を適用することができる。この場合、リード４の下面４ｂおよび栓部材４ｓｐの下面４ｓｐｂには、成形金型ＭＴ２よりも柔らかいフィルム材が密着するので、リード４の下面４ｂ側からの樹脂の侵入をさらに確実に抑制できる。ただし、上記シートモールド技術を適用した場合でも、キャビティＭＴ１ｂ（図２４参照）に倣ってフィルム材を配置することは難しい。これは、凹形状に形成されたキャビティＭＴ１Ｂの内面に確実に密着することができるような伸縮性を有するフィルム材が現存しないことが理由である。そのため、リード４の上面４ａ側は、上型ＭＴ１の金型面ＭＴ１ａと密着させるしかなくなる。したがって、上面４ａ側からの樹脂の侵入を抑制する観点から、上記シートモールド技術を適用した場合であっても、貫通孔４ｔｈ内に栓部材４ｓｐを挿入した状態で封止体を形成する必要がある。
【０１２３】
＜栓部材除去工程＞
次に、図１２に示す栓部材除去工程では、図２８に示すように、複数のリード４のそれぞれに挿入された栓部材４ｓｐを取り除き、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃを露出させる。図２７は、図２３に示す栓部材を取り除いた状態を示す拡大平面図である。また、図２８は、図２４に示す栓部材を除去する工程を模式的に示す説明図である。
【０１２４】
図２７に示すように、本工程では、複数の貫通孔４ｔｈのそれぞれに挿入された栓部材４ｓｐ（図２３参照）を全て取り除き、貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃを露出させる。
【０１２５】
また、図２８に示すように、栓部材４ｓｐは、例えば、図２８に示すように、プレス加工治具３５を用いて形成することができる。プレス加工治具３５は、押し出し部（パンチ）３６と、押し出し部３６を挿入可能な開口部３７ａが形成された支持部（ダイ）３７と、を備えている。図２８に示す例では、支持部３７によりリード４の上面４ａ側に配置して、押し出し部３６をリード４の下面４ｂ側から上面４ａに向かう方向に（厚さ方向に）移動させて、栓部材４ｓｐを上面４ａ側に押し出すことにより除去する。
【０１２６】
このように、前記第１部材を前記複数のリードのそれぞれの前記第１下面側から押し出して除去することで、仮に、貫通孔４ｔｈの周辺にバリが形成された場合であっても、バリが実装面側に露出することを防止できる点で好ましい。また、バリが実装面側に露出することを防止することにより、本工程の次に行われる、めっき工程（図１２参照）において、実装面側でバリの表面に金属膜ＳＤ（図８参照）が形成されることを防止できる。
【０１２７】
また、本実施の形態に対する別の実施態様として、貫通孔４ｔｈおよび栓部材４ｓｐを予め形成せず、封止工程の後で、かつ、めっき工程の前に、貫通孔４ｔｈを形成する方法も考えられる。この場合、本実施の形態のように予め貫通孔４ｔｈおよび栓部材４ｓｐを形成するよりも製造工程を簡略化することができる。
【０１２８】
ただし、上記したように、貫通孔４ｔｈをプレス加工により形成するためには、貫通孔４ｔｈの周囲に強いストレスが発生する。また、封止工程の後に貫通孔４ｔｈを形成する場合、封止体６が形成された部分を押さえることができないため、図１８に示すプレス加工治具３０の支持部３２の配置スペースを確保することが難しい。
【０１２９】
一方、本実施の形態によれば、栓部材４ｓｐは、リード４とは分離された部材なので、貫通孔４ｔｈを形成する際に必要な力よりも小さい力で栓部材４ｓｐを押し出すことができる。また、本工程において、栓部材４ｓｐの周辺に配置された部材が受けるストレスを低減することができる。
【０１３０】
＜めっき工程＞
次に、図１２に示すめっき工程では、図２７に示す複数のリード４の露出面に、半田材との濡れ性を向上させるための金属膜をめっき法により形成する。図２９は、図２８に示すリードの露出面に金属膜が形成された状態を示す拡大平面図である。また、図３０は、図２９のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図、図３１は図２９のＢ−Ｂ線に沿った拡大断面図である。また、図３２は、電気めっき法によるめっき工程の概要を示す説明図である。
【０１３１】
本工程では、図２９〜図３１に示すようにリード４の露出面（封止体６から露出する面）に金属膜ＳＤを形成する。金属膜ＳＤの形成方法としては、例えば図３２に示すように、電気めっき法により、金属膜ＳＤ（図２９〜図３１参照）を形成することが好ましい。電気めっき法の場合、金属膜形成時の電流を制御することで金属膜ＳＤの膜質を容易に制御できる点で好ましい。また、電解めっき法は、金属膜ＳＤの形成時間が短くすることができる点で好ましい。以下、電気めっき法により金属膜ＳＤを形成する方法について説明する。
【０１３２】
まず、図３２に示すように、本工程では、被めっき加工物であるリードフレームＬＦを、めっき液ＴＣ１が入っためっき槽ＴＣ２内に配置する。このとき、被加工物をめっき槽ＴＣ２内の陰極ＴＣ３に接続する。図３２に示す例ではリードフレームＬＦの外枠ＬＦｂを陰極ＴＣ３と電気的に接続する。そして、この陰極ＴＣ３と、同じくめっき槽ＴＣ２内に配置された陽極ＴＣ４との間に例えば直流電圧をかけることによって、リードフレームＬＦの外枠ＬＦｂと接続された金属部材の露出面に金属膜ＳＤ（図２９〜図３１参照）を形成する。このように、本実施の形態では所謂、電気めっき法（電解めっき法）により金属膜ＳＤを形成する。
【０１３３】
本実施の形態の金属膜ＳＤは、前記したように、鉛（Ｐｂ）を実質的に含まない、所謂、鉛フリー半田からなり、例えば錫（Ｓｎ）のみ、錫−ビスマス（Ｓｎ−Ｂｉ）、または錫−銅−銀（Ｓｎ−Ｃｕ−Ａｇ）などである。このため、本めっき工程で使用するめっき液ＴＣ１は、例えばＳｎ２＋、あるいはＢｉ３＋などの金属塩が含まれる、電解めっき液である。なお、以下の説明では、鉛フリー半田めっきの例としてＳｎ−Ｂｉの合金化金属めっきについて説明するが、ＢｉをＣｕやＡｇなどの金属に置き換えることができる。
【０１３４】
本実施の形態では、複数のリード４（図２９参照）が枠部ＬＦｃ（図２９参照）を介して陰極ＴＣ３と電気的に接続された状態で、めっき工程を行う。また、図１４に示すようにダイパッド２は、吊りリード９を介して陰極ＴＣ３（図３２参照）と電気的に接続されている。したがって、リードフレームＬＦをめっき液ＴＣ１に浸した状態で、図３２に示す陽極ＴＣ４と陰極ＴＣ３の間に電圧をかけると、両電極間（陽極ＴＣ４と陰極ＴＣ３の間）で通電する。前記したように、リードフレームＬＦの外枠ＬＦｂは陰極ＴＣ３と電気的に接続されているので、めっき液ＴＣ１中のＳｎ２＋、およびＢｉ３＋が所定の割合で図２９に示すリード４の露出面（および図２４に示すダイパッド２の下面２ｂ）に析出し、金属膜ＳＤが形成される。金属膜ＳＤの膜厚は、製品仕様に応じて変更することができるが、例えば、１０μｍ〜２０μｍ程度の膜を成膜する。
【０１３５】
上記のように、電気めっき法によれば、陰極ＴＣ３と電気的に接続された導電性部材の露出面に、金属膜ＳＤを一様に析出させることができる。したがって、図３０に示すように、リード４の下面４ｂ、先端部４Ｎの上面４ａ、および貫通孔４ｔｈの内側面４ｉｃ（部分４Ｎ３の内側面４ｉｃ３）に金属膜ＳＤが形成される。また、電気めっき法の場合には、図２９および図３０に示すようにリードフレームＬＦの枠部ＬＦｃの表面（露出面）にも金属膜ＳＤが形成される。
【０１３６】
また、図３１に示すように、リード４の部分４Ｎ１の内側面４ｉｃ１、および部分４Ｎ２の内側面４ｉｃ２にも金属膜ＳＤが形成される。ただし、図２９〜図３１に示す例では、隣り合うリード４の間にはダム内樹脂６Ｄが配置されている。このため、ダム内樹脂６Ｄで覆われた、リード４の部分４Ｎ１の側面４ｃ３、および部分４Ｎ２の側面４ｃ４には、金属膜ＳＤは形成されていない。
【０１３７】
＜リードカット工程＞
次に、図１２に示すリードカット工程では、図３３に示すように複数のリード４のそれぞれをリード４の配列方向（Ｘ方向またはＹ方向）に沿って切断し、複数のリード４をリードフレームＬＦの枠部ＬＦｃから切り離す。これにより複数のリード４のそれぞれは、電気的に分離される。図３３は、図１２に示すリードカット工程を行った後のデバイス領域を示す拡大平面図である。また、図３４は、図３３の一部の拡大平面において、リード切断治具のレイアウトの例を示す拡大平面図である。また、図３５は図３４のＡ−Ａ線に沿った拡大断面図である。なお、図３４では、平面視におけるリード切断治具４０とリードの位置関係を判り易く示すため、リード４を厚さ方向に挟むように配置される支持部４２を二点鎖線で、複数のリード４の下面側に配置される切断刃４１を点線で示している。
【０１３８】
本工程では、例えば図３４および図３５に示すように、リード切断治具（プレス式切断治具）４０を用いて形成することができる。リード切断治具４０は、切断刃（パンチ）４１と、切断刃４１を挿入可能な開口部４２ａが形成された支持部（ダイ）４２と、を備えている。図３５に示す例では、支持部４２によりリード４の上面４ａと下面４ｂを挟んだ状態で、切断刃４１をリード４の下面４ｂ側から上面４ａに向かう方向に（厚さ方向に）移動させて、リード４の一部（切断部）をせん断変形させる。そして切断刃４１がリード４の上面４ａまで貫通すると、貫通孔４ｔｈが形成される。この時、内側の切断部には、リード４の基材である金属部材（例えば銅）が露出した、側面４ｃ１、４ｃ２が形成される。
【０１３９】
また、本実施の形態では、図３４に示すように、貫通孔４ｔｈを跨ぐ位置に切断刃４１および支持部４２の噛み合わせ部分を配置して切断する。言い換えれば、本実施の形態では、貫通孔４ｔｈを跨ぐ位置において、複数のリード４を切断する。これにより、枠部ＬＦｃから分離された複数のリード４のそれぞれの端面に、例えば図８に示したように、金属膜ＳＤが形成された内側面４ｉｃを残すことができる。つまり、本工程において、切断刃４１により切断されて形成される側面４ｃ１、４ｃ２は、金属膜ＳＤから露出した切断面（せん断面）である。しかし、金属膜ＳＤで覆われた内側面４ｉｃを有する貫通孔４ｔｈを跨ぐように、切断することで、リード４の側面の一部（内側面４ｉｃ）を、金属膜ＳＤで被覆することができる。
【０１４０】
また、上記のようにプレス加工方式により複数のリード４を切断する場合、複数のリード４を一括して切断することができる点で好ましい。また、プレス加工方式によりリード４を形成する場合、最後に貫かれる面（上面４ａ）側には、金属バリが発生する場合がある。このため、金属バリが実装面側に形成されることを防止する観点から、図３５に示すように、切断刃４１は、リード４の下面４ｂ側から上面４ａに向かう方向に移動させることが好ましい。
【０１４１】
また、上記のように、プレス加工方式によりリード４を切断する場合、複数のリード４の切断部周辺には、ストレスが発生する。しかし、図３４に示すように、本実施の形態では、リード４の切断位置の周辺に封止体６（ダム内樹脂６Ｄ）が配置されているので、ストレスをダム内樹脂６Ｄに分散させることで、低減することができる。なお、複数のリード４を一括して切断する場合には、隣り合うリード４の間に配置されたダム内樹脂６Ｄも、複数のリード４と共に切断される。
【０１４２】
また、図３５に示すように切断刃４１を、リード４の下面４ｂ側から上面４ａに向かう方向に移動させてリード４を切断した場合、リード４の下面４ｂ側における側面４ｃ１、４ｃ２の一部（下面４ｂと側面４ｃ１、４ｃ２の交点周辺）には、金属膜ＳＤが下面４ｂ側から引き摺られた状態で形成されている。これは、リード４を切断する際に下面４ｂ側から上面４ａ側に向かって切断刃４１を移動させた時に、この切断刃４１から印加される力によって、金属膜ＳＤの一部が側面４ｃ１、４ｃ２の一部に引き摺られて付着するものである。ただし、リード４の切断時の力により、側面４ｃに付着する金属膜ＳＤの面積は小さく、側面４ｃの大部分は、リード４の基材を構成する金属が露出している。言い換えれば、側面４ｃ１、４ｃ２の上面４ａに近い部分には、金属膜ＳＤが形成されていない。
【０１４３】
＜個片化工程＞
次に、図１２に示す個片化工程では、図３６に示すように、デバイス領域ＬＦａのそれぞれをリードフレームＬＦの枠部ＬＦｃから切り離し、個片に分割する。図３６は、図３３に示すデバイス領域を個片化した状態を示す拡大平面図である。
【０１４４】
本工程では、図３６に示すように、複数の吊りリード９の一部を切断し、各デバイス領域ＬＦａをリードフレームＬＦの枠部ＬＦｃから分離する。本工程での切断方法は特に限定されず、例えば、上記リードカット工程と同様に、リード切断治具を用いてプレス加工方式により切断することができる。
【０１４５】
以上の各工程により、図１〜図１０を用いて説明した半導体装置１が得られる。その後、外観検査や電気的試験など、必要な検査、試験を行い、出荷、あるいは、図７に示した実装基板２０に実装する。
【０１４６】
（変形例）
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。
【０１４７】
＜変形例１＞
例えば上記実施の形態では、平面視において、長方形、あるいは矩形の貫通孔４ｔｈを形成する実施態様について説明した。しかし、平面視における貫通孔４ｔｈの開口形状、および、貫通孔４ｔｈに挿入される栓部材４ｓｐの形状には種々の変形例が適用可能である。図３７は図１５に示す貫通孔および栓部材に対する変形例を示す拡大平面図である。また、図３８は、図３７に示す貫通孔および栓部材の形状に対応して製造された半導体装置の拡大透視平面図である。なお、図３７では、デバイス領域の境界を二点鎖線で示している。また図３８は、図１０に示す半導体装置に対応し、封止体６を透過してリード４の全体を示している。
【０１４８】
例えば、図３７に示す変形例ように、Ｙ方向に沿って長く延びる楕円形の貫通孔４ｔｈおよび栓部材４ｓｐを適用することができる。図３７に示す楕円形の貫通孔４ｔｈおよび栓部材４ｓｐを形成した場合、図３８に示す半導体装置１Ａ２のように、平面視において、半円形、あるいは半楕円形の内側面４ｉｃが得られる。
【０１４９】
図３７および図３８に示す変形例のように、貫通孔４ｔｈ（図３７参照）の内側面４ｉｃ（図３８参照）の一部が平面視において、円弧形状を成すように形成することで、上記実施の形態で説明した矩形の場合と比較して、貫通孔４ｔｈを形成する際に発生するストレスをさらに低減することができる。
【０１５０】
ただし、栓部材４ｓｐは貫通孔４ｔｈの隙間を塞ぐ部材なので、上記実施の形態で説明した例と同様に、栓部材４ｓｐの外形形状は、貫通孔４ｔｈの開口形状と等しくすることが好ましい。つまり、貫通孔４ｔｈの開口形状が平面視において楕円形になっている場合には、栓部材４ｓｐの平面形状の楕円形になっていることが好ましい。
【０１５１】
上記した相違点を除き、半導体装置１Ａ２と半導体装置１は同様なので、重複する説明は省略する。
【０１５２】
＜変形例２＞
また、上記実施の形態では、図１０に示す半導体装置に対する変形例として、図１１に示すように、Ｙ方向における部分４Ｎ３の長さＬ３を短くすることにより、図１０に示す半導体装置１よりもさらに内側面４ｉｃの面積を大きくすることができる半導体装置１Ａ１について説明した。
【０１５３】
この半導体装置１Ａ１に対する更なる変形例として、図３９に示す半導体装置１Ａ３のような実施態様にすることができる。図３９は、図１１に対する変形例を示す拡大透視平面図である。図３９に示す半導体装置１Ａ３では、Ｙ方向における部分４Ｎ１の長さＬ１および部分４Ｎ２の長さＬ２は等しく、例えば２００μｍ程度である。一方、Ｙ方向における部分４Ｎ３の長さＬ３は、長さＬ１および長さＬ２よりも短く、長さＬ１および長さＬ２の半分よりも小さい。図３９に示す例では、長さＬ３は、例えば２５μｍ〜９９μｍ程度である。言い換えれば、Ｙ方向における内側面４ｉｃ（内側面４ｉｃ１、４ｉｃ２）の長さ（長さＬ１−長さＬ３）は、先端部４Ｎと封止部４Ｓとの境界ＢＤから内側面４ｉｃまでの長さ（長さＬ３）よりも長い。
【０１５４】
また、図３９に示す半導体装置１Ａ３では、Ｘ方向における部分４Ｎ１の幅Ｗ１、および部分４Ｎ２の幅Ｗ２は、部分４Ｎ３の幅Ｗ３よりも大きい。言い換えれば、Ｘ方向における部分４Ｎ１の幅Ｗ１、および部分４Ｎ２の幅Ｗ２のそれぞれは、部分４Ｎ１と部分４Ｎ２との離間距離よりも大きい。図３９に示す例において、例えば、Ｘ方向における先端部４Ｎの幅（幅Ｗ１＋幅Ｗ２＋幅Ｗ３）を２５０μｍとした場合には、幅Ｗ３は、８０μｍとしている。また、部分４Ｎ１の幅Ｗ１と、部分４Ｎ２の幅Ｗ２とは、それぞれ８５μｍとなっている。このように、幅Ｗ１、Ｗ２を、それぞれ大きくすることで、部分４Ｎ１、４Ｎ２の強度を向上させることができる。
【０１５５】
つまり、図３９に示す半導体装置１Ａ３によれば、Ｙ方向における部分４Ｎ３の長さＬ３を短くすることにより、内側面４ｉｃの面積を大きくすることができる。そして、部分４Ｎ１、４Ｎ２の幅Ｗ１、Ｗ２を、それぞれを大きくすることで、部分４Ｎ１、４Ｎ２の強度を向上させることができる。
【０１５６】
半導体装置１Ａ３のように、部分４Ｎ１、４Ｎ２の幅Ｗ１、Ｗ２を、それぞれを大きくする構成は、隣り合うリード４の間にダム内樹脂６Ｄ（図１１参照）が配置されず、リード４の側面４ｃ３、４ｃ４が露出した構造の半導体装置に適用すると、特に有効である。
【０１５７】
図１１に示すように隣り合うリード４の間にダム内樹脂６Ｄを配置した場合、ダム内樹脂６Ｄがリード４を補強する機能を果たすので、部分４Ｎ１、４Ｎ２の幅Ｗ１、Ｗ２を、それぞれ小さくすることができる。一方、図３９に示すように側面４ｃ３、４ｃ４が露出した構造の半導体装置１Ａ３の場合、部分４Ｎ１、４Ｎ２を補強する部材が存在しないので、幅Ｗ１、Ｗ２を、それぞれを大きくすることで、部分４Ｎ１、４Ｎ２の強度を向上させることが好ましい。
【０１５８】
上記した相違点を除き、半導体装置１Ａ３と図１１に示す半導体装置１Ａ１は同様なので、重複する説明は省略する。
【０１５９】
＜変形例３＞
また、上記変形例２では、隣り合うリード４の間にダム内樹脂を配置しない実施態様として、Ｘ方向における部分４Ｎ１の幅Ｗ１、および部分４Ｎ２の幅Ｗ２が、部分４Ｎ３の幅Ｗ３よりも大きい半導体装置１Ａ３に適用した実施態様について説明した。
【０１６０】
しかし、隣り合うリード４の間にダム内樹脂の間にダム内樹脂を配置しなくても、必要な強度が確保できる場合には、図４０に示す半導体装置１Ａ４のように、Ｘ方向における部分４Ｎ３の幅Ｗ３が、部分４Ｎ１の幅Ｗ１、および部分４Ｎ２の幅Ｗ２よりも大きい半導体装置１Ａ４に適用することができる。
【０１６１】
図４０は図１０に対する他の変形例を示す拡大透視平面図である。図４０に示す半導体装置１Ａ４は、隣り合うリード４の間にダム内樹脂が配置されていない点で図１０に示す半導体装置１と相違する。
【０１６２】
図３９に示す半導体装置１Ａ３や図４０に示す半導体装置１Ａ４のようにダム内樹脂が配置されていない半導体装置の製造方法では、図１２に示す封止工程の後に、ダム内樹脂を除去する工程が追加される。ダム内樹脂を除去する方法は、図示は省略するが、例えばダム内樹脂に向かってレーザを照射して除去する方法を例示することができる。
【０１６３】
また、ダム内樹脂を除去する工程を、図１２に示すめっき工程の前に追加して、ダム内樹脂を除去する際に、リード４の側面４ｃ３、４ｃ４を露出させることができれば、リード４の側面４ｃ３、４ｃ４を金属膜ＳＤ（図８参照）で被覆することができる。この場合、図９に示す半田材２２との接触面積が、半導体装置１よりもさらに増加するので、実装強度を向上させることができる。
【０１６４】
＜変形例４＞
また、上記実施の形態では、半導体装置が有する複数のリード４の全ての先端部４Ｎに内側面４ｉｃを形成する実施態様について説明したが、複数のリード４のうちの一部に適用することができる。この場合、先端部４Ｎに内側面４ｉｃが形成されたリード４は、先端部４Ｎに内側面４ｉｃが形成されていないリード４と比較して実装信頼性を向上させることができる。
【０１６５】
＜変形例５＞
また、上記実施の形態では、封止体の下面（実装面）において外部端子の一部を封止体から露出させた半導体装置として、ＱＦＮ型の半導体装置に適用した実施態様を例示的に説明した。しかし、上記実施の形態および各変形例で説明した技術は、種々の変形例に適用することができる。例えば、平面視において長方形を成す封止体の四辺のうち、互いに対向する長辺に沿って、それぞれ複数のリードが配置され、かつ、上記複数のリードのそれぞれが封止体の実装面（下面）側において封止体から露出する、所謂ＳＯＮ型の半導体装置に適用することができる。
【０１６６】
＜変形例６＞
さらに、上記実施の形態で説明した技術思想の要旨を逸脱しない範囲内において、変形例同士を組み合わせて適用することができる。
【０１６７】
その他、上記実施の形態に記載された内容の一部を以下に記載する。
【０１６８】
（ａ）チップ搭載部と、前記チップ搭載部と離間して第１方向に沿って配列され、かつ、第１上面から前記第１上面とは反対側の第１下面にかけて貫通孔が形成され、前記貫通孔を埋めるように第１部材が挿入された第１リードと、平面視において前記チップ搭載部と前記第１リードの周囲とを囲むように設けられた枠部を有するリードフレームと、を準備する工程と、
（ｂ）前記（ａ）工程の後、第１電極パッドが形成された表面を有する半導体チップを、前記リードフレームの前記チップ搭載部上に搭載する工程と、
（ｃ）前記（ｂ）工程の後、前記半導体チップの前記第１電極パッドと前記第１リードとを、第１導電性部材を介してそれぞれ電気的に接続する工程と、
（ｄ）前記（ｃ）工程の後、前記第１リードの前記第１下面と前記第１上面のうち前記貫通孔が形成された部分とが露出するように、前記半導体チップ、前記第１導電性部材、および前記第１リードの一部を封止樹脂で封止して封止体を形成する工程と、
（ｅ）前記（ｄ）工程の後、前記第１リードの前記貫通孔に挿入された前記第１部材を除去する工程と、
（ｆ）前記（ｅ）工程の後、前記貫通孔の内面を含む、前記リードフレームの前記封止体から露出した領域に金属膜を形成する工程と、
（ｇ）前記貫通孔を跨ぐ位置において、前記第１リードを前記第１方向に沿って切断し、前記第１リードを前記リードフレームの前記枠部から切り離す工程と、を有する半導体装置の製造方法。
【符号の説明】
【０１６９】
１、１Ａ１、１Ａ２、１Ａ３、１Ａ４、１Ｈ１  半導体装置
２  ダイパッド（チップ搭載部、タブ）
２ａ  上面（チップ搭載面）
２ｂ  下面（実装面）
２ｃ  側面
３  半導体チップ
３ａ  表面（上面、主面）
３ｂ  裏面（下面、主面）
３ｃ  側面
４  リード（端子、外部端子）
４ａ  上面（第１主面）
４ｂ  下面（第２主面）
４ｂｒ  金属バリ
４ｃ  側面（先端面）
４ｃ１  側面（第１側面、先端面、第１先端面）
４ｃ２  側面（第２側面、先端面、第２先端面）
４ｃ３  側面（第３側面）
４ｃ４  側面（第４側面）
４ｉｃ、４ｉｃ１、４ｉｃ２、４ｉｃ３  内側面
４Ｎ  先端部（露出部、突出部、アウタリード部）
４Ｎ１  部分（第１部分）
４Ｎ２  部分（第２部分）
４Ｎ３  部分（第３部分）
４Ｓ  封止部（インナリード部）
４ｓｐ  栓部材
４ｓｐａ  上面
４ｓｐｂ  下面
４ｔｈ  貫通孔
５  ワイヤ（導電性部材）
６  封止体（樹脂体）
６ａ  上面（表面）
６ｂ  下面（裏面、実装面）
６ｃ  側面
６ｃ１、６ｃ２、６ｃ３、６ｃ４  辺（主辺）
６Ｄ  ダム内樹脂（樹脂、リード間樹脂、封止体）
６Ｒ  本体部
７  ダイボンド材（接着材）
９  吊りリード
９ａ  上面
９ｂ  下面
９ｄ  下面（部分）
２０  実装基板（マザーボード）
２０ａ  上面（基板側実装面）
２１  ランド（実装基板側の端子）
２２  半田材
２３  端子
３０  プレス加工治具
３１  切断刃（パンチ）
３２  支持部（ダイ）
３２ａ  開口部
３３  金属片
３５  プレス加工治具
３６  押し出し部（パンチ）
３７  支持部（ダイ）
３７ａ  開口部
４０  リード切断治具（プレス式切断治具）
４１  切断刃（パンチ）
４２  支持部（ダイ）
４２ａ  開口部
ＢＤ  境界
ＣＰ  キャピラリ
ＨＳ  ヒートステージ
ＫＷ１、ＫＷ２  開口幅
Ｌ１、Ｌ２、Ｌ３  長さ
ＬＦ  リードフレーム
ＬＦａ  デバイス領域
ＬＦｂ  外枠
ＬＦｃ  枠部（ダム部）
ＬＦｅ  外縁
ＬＦｈ１、ＬＦｈ２、ＬＦｈ３、ＬＦｈ４  辺
ＭＴ  成形金型
ＭＴ１  上型（第１金型）
ＭＴ１ａ  金型面（クランプ面）
ＭＴ１ｂ  キャビティ（凹部）
ＭＴ２  下型（第２金型）
ＭＴ２ａ  金型面（クランプ面）
ＰＤ  パッド（電極、チップ電極、ボンディングパッド）
ＳＤ  金属膜
ＴＣ１  めっき液
ＴＣ２  めっき槽
ＴＣ３  陰極
ＴＣ４  陽極
Ｗ１、Ｗ２、Ｗ３  幅
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９】
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【図３０】
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【図３１】
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【図３２】
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【図３３】
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【図３４】
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【図３５】
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【図３６】
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【図３７】
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【図３８】
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【図３９】
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【図４０】
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【図４１】
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【図４２】
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【図４３】
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【図４４】
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【図４５】
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