【手続補正書】
【提出日】令和3年5月13日(2021.5.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのマイクロレンズと半導体基板に設けられた光電変換部を備える画素とを有する固体撮像装置であって、
平面視において、１つのマイクロレンズが前記光電変換部と重なっており、
前記光電変換部は、前記１つのマイクロレンズを通過した入射光に応じた電荷を生成し、
前記光電変換部は、
前記半導体基板の第１の深さに設けられ、第１の間隙によって離間された第１導電型の第１電荷蓄積領域および前記第１導電型の第２電荷蓄積領域と、
前記半導体基板の前記第１の深さの下部に位置する第２の深さに設けられ、前記平面視において前記第１電荷蓄積領域、前記第１の間隙、前記第２電荷蓄積領域に渡って各々が延在する、第２導電型の第１半導体領域および前記第２導電型の第２半導体領域と、
を有し、
前記第２の深さにおいて、
前記第１の間隙の下部の領域における前記第２導電型の不純物濃度が、前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域の下部の領域における前記第２導電型の不純物濃度よりも高いことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項２】
少なくとも１つのマイクロレンズと半導体基板に設けられた光電変換部を備える画素とを有する固体撮像装置であって、
平面視において、１つのマイクロレンズが前記光電変換部と重なっており、
前記光電変換部は、前記１つのマイクロレンズを通過した入射光に応じた電荷を生成し、
前記光電変換部は、
前記半導体基板の第１の深さに設けられ、第１の間隙によって離間された第１導電型の第１電荷蓄積領域および前記第１導電型の第２電荷蓄積領域と、
前記半導体基板の前記第１の深さの下部に位置する第２の深さに設けられ、第２の間隙によって離間された第２導電型の第１半導体領域および前記第２導電型の第２半導体領域と、
を有し、
前記第２の深さにおいて、
前記第１半導体領域、前記第２半導体領域、前記第２の間隙のそれぞれが、前記平面視において、前記第１電荷蓄積領域、前記第１の間隙、前記第２電荷蓄積領域に渡って延在しており、
前記第１の間隙において、
前記第２の間隙の上部に位置する部分の、前記第２の間隙が延在する方向に沿った幅が、前記第１半導体領域および前記第２半導体領域の上部に位置する部分の前記方向に沿った幅よりも大きいことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項３】
前記第１電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷に基づく第１の信号と、前記第２電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷に基づく第２の信号とを用いて、位相差方式の焦点検出が行われることを特徴とする請求項１又は２に記載の固体撮像装置。
【請求項４】
前記第１の間隙の下部において、前記第１半導体領域と前記第２半導体領域が、互いに繋がっていることを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項５】
前記第１の間隙の下部において、前記第２の深さよりも浅い位置に、前記第２導電型の不純物領域を有することを特徴とする請求項１から３のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項６】
前記不純物領域が、前記第１の間隙に沿って形成されていることを特徴とする請求項５に記載の固体撮像装置。
【請求項７】
少なくとも１つのマイクロレンズと半導体基板に設けられた光電変換部を備える画素とを有する固体撮像装置であって、
平面視において、１つのマイクロレンズが前記光電変換部と重なっており、
前記光電変換部は、前記１つのマイクロレンズを通過した入射光に応じた電荷を生成し、
前記光電変換部は、
前記半導体基板の第１の深さに設けられ、第１の間隙によって離間された第１導電型の第１電荷蓄積領域および前記第１導電型の第２電荷蓄積領域と、
前記半導体基板の前記第１の深さの下部に位置する第２の深さに設けられ、前記平面視において前記第１電荷蓄積領域、前記第１の間隙、前記第２電荷蓄積領域に渡って延在する、第２導電型の第１半導体領域と、
を有し、
前記第２の深さにおいて、
前記第１の間隙のうちの、前記第１半導体領域と前記平面視において重ならない部分の下部の領域における前記第２導電型の不純物濃度が、前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域の下部の領域における前記第２導電型の不純物濃度よりも高いことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項８】
前記平面視において、前記第１半導体領域は、前記第１の間隙の少なくとも一端において前記第１の間隙と重ならないことを特徴とする請求項７に記載の固体撮像装置。
【請求項９】
少なくとも１つのマイクロレンズと半導体基板に設けられた光電変換部を備える画素とを有する固体撮像装置であって、
平面視において、１つのマイクロレンズが前記光電変換部と重なっており、
前記光電変換部は、前記１つのマイクロレンズを通過した入射光に応じた電荷を生成し、
前記光電変換部は、
前記半導体基板の第１の深さに設けられ、第１の間隙によって離間された第１導電型の第１電荷蓄積領域および前記第１導電型の第２電荷蓄積領域と、
前記半導体基板の前記第１の深さの下部に位置する第２の深さに設けられ、前記平面視において前記第１電荷蓄積領域、前記第１の間隙、前記第２電荷蓄積領域に渡って延在する、第２導電型の第１半導体領域と、
を有し、
前記平面視において、前記第１半導体領域と前記第１の間隙とが重なる部分における前記第１半導体領域の前記第１の間隙が延在する方向に沿った幅は、前記第１半導体領域と前記第１電荷蓄積領域または前記第２電荷蓄積領域とが重なる部分における前記第１半導体領域の前記第１の間隙が延在する方向に沿った幅よりも大きいことを特徴とする固体撮像装置。
【請求項１０】
前記第１半導体領域は、前記平面視において、前記第１の間隙の少なくとも一部において、前記第１の間隙と重ならないことを特徴とする請求項９に記載の固体撮像装置。
【請求項１１】
前記平面視において前記第１電荷蓄積領域または前記第２電荷蓄積領域のうちの前記第１半導体領域と重ならない部分のうちの少なくとも一部が、前記第２導電型の不純物によりカウンタードープされていることを特徴とする請求項９または１０に記載の固体撮像装置。
【請求項１２】
前記第１の深さよりも下部に設けられた、前記第１導電型の第３半導体領域を更に有し、
前記第２の深さにおいて、前記第１半導体領域の端部と、前記第３半導体領域の端部とは、第３の間隙によって離間されていることを特徴とする請求項７から１１のいずれか１項に記載の固体撮像装置。
【請求項１３】
少なくとも１つのマイクロレンズと半導体基板に設けられた光電変換部を備える画素とを有し、平面視において、１つのマイクロレンズが前記光電変換部と重なっており、前記光電変換部は、前記１つのマイクロレンズを通過した入射光に応じた電荷を生成する固体撮像装置の製造方法であって、
前記半導体基板の第１の深さに、第１の間隙によって離間された第１導電型の第１電荷蓄積領域および前記第１導電型の第２電荷蓄積領域を形成する第１ステップと、
前記半導体基板の前記第１の深さの下部に位置する第２の深さに、前記平面視において前記第１電荷蓄積領域、前記第１の間隙、前記第２電荷蓄積領域に渡って各々が延在する、第２導電型の第１半導体領域および前記第２導電型の第２半導体領域を形成する第２ステップと、
前記第１の間隙の下部の領域における前記第２導電型の不純物濃度を、前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域の下部の領域における前記第２導電型の不純物濃度よりも高くするように、前記第１の間隙の下部に前記第２導電型の半導体領域を形成する第３ステップと、
を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
【請求項１４】
前記第２ステップと前記第３ステップが並行して行われることを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１５】
前記第１の間隙の下部において、前記第１半導体領域と前記第２半導体領域が互いに繋がるように形成される
ことを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１６】
前記第１の間隙の下部において、前記第２の深さよりも浅い位置に、前記第２導電型の不純物領域を形成するステップを更に有する
ことを特徴とする請求項１３に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１７】
前記不純物領域が、前記第１の間隙に沿って形成される
ことを特徴とする請求項１６に記載の固体撮像装置の製造方法。
【請求項１８】
移動体であって、
請求項１から１２のいずれか１項に記載の固体撮像装置と、
前記画素の前記第１電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷に基づく第１の信号と、前記第２電荷蓄積領域に蓄積された信号電荷に基づく第２の信号とを処理し、被写体までの距離情報を取得する画像処理部と、
前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する主制御部と、
を備えることを特徴とする移動体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一観点によれば、少なくとも１つのマイクロレンズと半導体基板に設けられた光電変換部を備える画素とを有する固体撮像装置であって、平面視において、１つのマイクロレンズが前記光電変換部と重なっており、前記光電変換部は、前記１つのマイクロレンズを通過した入射光に応じた電荷を生成し、前記光電変換部は、前記半導体基板の第１の深さに設けられ、第１の間隙によって離間された第１導電型の第１電荷蓄積領域および前記第１導電型の第２電荷蓄積領域と、前記半導体基板の前記第１の深さの下部に位置する第２の深さに設けられ、前記平面視において前記第１電荷蓄積領域、前記第１の間隙、前記第２電荷蓄積領域に渡って各々が延在する、第２導電型の第１半導体領域および前記第２導電型の第２半導体領域と、を有し、前記第２の深さにおいて、前記第１の間隙の下部の領域における前記第２導電型の不純物濃度が、前記第１電荷蓄積領域および前記第２電荷蓄積領域の下部の領域における前記第２導電型の不純物濃度よりも高いことを特徴とする固体撮像装置が提供される。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の別観点によれば、少なくとも１つのマイクロレンズと半導体基板に設けられた光電変換部を備える画素とを有する固体撮像装置であって、平面視において、１つのマイクロレンズが前記光電変換部と重なっており、前記光電変換部は、前記１つのマイクロレンズを通過した入射光に応じた電荷を生成し、前記光電変換部は、前記半導体基板の第１の深さに設けられ、第１の間隙によって離間された第１導電型の第１電荷蓄積領域および前記第１導電型の第２電荷蓄積領域と、前記半導体基板の前記第１の深さの下部に位置する第２の深さに設けられ、第２の間隙によって離間された第２導電型の第１半導体領域および前記第２導電型の第２半導体領域と、を有し、前記第２の深さにおいて、前記第１半導体領域、前記第２半導体領域、前記第２の間隙のそれぞれが、前記平面視において、前記第１電荷蓄積領域、前記第１の間隙、前記第２電荷蓄積領域に渡って延在しており、前記第１の間隙において、前記第２の間隙の上部に位置する部分の、前記第２の間隙が延在する方向に沿った幅が、前記第１半導体領域および前記第２半導体領域の上部に位置する部分の前記方向に沿った幅よりも大きいことを特徴とする固体撮像装置が提供される。