(57)【要約】【課題】樹脂中に金属材料を存在させることなく、端子同士間に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続部の形成方法、半導体装置、および、信頼性の高い電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の導電接続シート１は、端子２１が配置されている端子領域２１１と、前記端子２１が配置されていない非端子領域２１２とを有する電子部品の前記端子２１と電気的に接続する接続部８１を形成するのに用いられ、樹脂を含有する第１の樹脂組成物層１１と、低融点の金属材料で構成される金属層１２とを備える積層体により構成される導電接続シート１であって、前記第１の樹脂組成物層１１と、前記金属層１２とは、それぞれ、前記端子領域２１１に対し選択的に設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
端子が配置されている端子領域と前記端子が配置されていない非端子領域とを有する電子部品の第１の端子と、対向電子部品が有する第２の端子とを電気的に接続する接続部を形成するのに用いられ、樹脂を含有する第１の樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートであって、
前記第１の樹脂組成物層と、前記金属層とは、それぞれ、前記端子領域に対し選択的に設けられていることを特徴とする導電接続シート。
【請求項２】
前記積層体は、さらに、前記金属層の前記第１の樹脂組成物層と反対の面側に設けられ、樹脂を含有する第２の樹脂組成物層を備えている請求項１に記載の導電接続シート。
【請求項３】
前記第２の樹脂組成物層は、前記端子領域に対し選択的に設けられている請求項２に記載の導電接続シート。
【請求項４】
前記第２の樹脂組成物層は、前記端子領域と、前記非端子領域の少なくとも一部とに対し設けられている請求項２に記載の導電接続シート。
【請求項５】
前記接続部を形成する際、前記第２の樹脂組成物層を、前記端子側に配置して用いるものである請求項４に記載の導電接続シート。
【請求項６】
前記第２の樹脂組成物層は、フラックス機能を有する化合物を含むものである請求項２ないし５のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項７】
前記第１の樹脂組成物層は、フラックス機能を有する化合物を含むものである請求項１ないし６のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項８】
前記フラックス機能を有する化合物は、フェノール性水酸基およびカルボキシル基のうちの少なくとも一方を有する化合物を含有する請求項６または７に記載の導電接続シート。
【請求項９】
前記金属層は、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である請求項１ないし８のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１０】
打ち抜き加工または切断加工により、前記非端子領域に配置される前記積層体の少なくとも一部を除去して形成されたものである請求項１ないし９のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１１】
前記電子部品は、その縁部に沿って前記端子領域が配置されているものである請求項１ないし１０のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１２】
前記電子部品は、前記非端子領域を囲むように前記端子領域が配置されているものである請求項１ないし１１のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１３】
前記電子部品と、該電子部品に対向配置される対向電子部品とを接着し、かつ、前記電子部品が有する端子と、前記対向電子部品が有する端子とを前記接着部により電気的に接続するものである請求項１ないし１２のいずれかに記載の導電接続シート。
【請求項１４】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品が有する端子と、対向電子部品が有する端子同士の間に配置する配置工程と、前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物層を硬化または固化させる硬化・固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【請求項１５】
請求項１ないし１３のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品上に配置する配置工程と、前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続部の形成方法。
【請求項１６】
前記電子部品が有する第１の端子と、
対向電子部品が有する第２の端子とが、請求項１ないし１３のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【請求項１７】
前記電子部品が有する第１の端子と、
対向電子部品が有する第２の端子とが、請求項１ないし１３のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、導電接続シート、端子間の接続方法、接続部の形成方法、半導体装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化および小型化の要求に伴い、電子材料における接続端子間の狭ピッチ化がますます進む方向にあり、微細な配線回路における端子間接続も高度化している。
【０００３】
端子間接続方法としては、例えば、ＩＣチップ等の電子部品を回路基板に電気的に接続する際に異方性導電接着剤または異方性導電フィルムを用いて多数の端子間を一括で接続するフリップチップ接続技術が知られている。このような異方性導電接着剤または異方性導電フィルムは、熱硬化性樹脂を主成分とする接着剤に導電性粒子を分散させたフィルムまたはペーストであり、これを接続すべき電子部材の間に配置して熱圧着することにより、対向する多数の端子間を一括で接続することができる一方、接着剤中の樹脂によって隣接する端子間の絶縁性を確保することが可能となる。
【０００４】
しかし、異方性導電接着剤または異方性導電フィルムにおいて、導電性粒子の凝集を制御することは困難であり、導電性粒子と端子、または導電性粒子同士が十分に接触せずに対向する端子間の一部が導通しなかったり、対向する端子間（導通性領域）以外の樹脂（絶縁性領域）中に導電性粒子が残存して隣接する端子間の絶縁性が十分に確保されないという問題があった。このため、端子間のさらなる狭ピッチ化に対応することが困難な状況であった。
【０００５】
他方、電子部材に接続端子を製造する場合、従来は金属パッドが設けられた基板上に半田ペーストを印刷し、半田リフロー装置等を用いて半田ペーストを加熱溶融させて行っていた。しかし、この方法では、接続端子が狭ピッチである場合、半田ペーストを印刷する時に使用するマスクのコストが高くなり、また接続端子が小さいと印刷できない場合があった。
【０００６】
また、半田ボールを接続端子に搭載し、半田リフロー装置等を用いて半田ボールを加熱溶融させて行う方法では、接続端子が小さいと、半田ボールの作製コストが高くなり、また、小径の半田ボールを作製することが技術的に困難な場合があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開昭６１−２７６８７３号公報
【特許文献２】特開２００４−２６０１３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
かかる問題点を解決することを目的に、樹脂を含有する樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートが検討されている。
【０００９】
かかる構成の導電接続シートを、対向する端子間に配置した状態で、低融点の金属材料
を融点以上の温度で加熱すると、溶融した金属材料が選択的に、対向する端子同士間に凝集し、さらに、この端子間を除く領域には樹脂が充填されることから、対向する多数の端子同士を一括して選択的に凝集した金属材料で接続することができ、さらに、樹脂組成物中に含まれる樹脂により隣接する端子間の絶縁性が確保することができるようになる。
【００１０】
しかしながら、隣接する端子間におけるピッチの大きさ等によっては、溶融した金属材料を対向する端子同士間に選択的に凝集させることができず、対向する端子同士が位置する領域以外の領域において、樹脂中に金属材料が存在し、これに起因して、隣接する端子間における絶縁性が十分に確保できないという問題が生じる。
【００１１】
そこで、本発明の目的は、樹脂中に金属材料が存在することなく、端子同士間に金属材料を凝集させて、これら端子同士を電気的に接続することができる導電接続シート、かかる導電接続シートを用いた端子間の接続方法、接続部の形成方法、半導体装置および、信頼性の高い電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
このような目的は、下記（１）〜（１７）に記載の本発明により達成される。
【００１３】
（１）  端子が配置されている端子領域と前記端子が配置されていない非端子領域とを有する電子部品の第１の端子と、対向電子部品が有する第２の端子とを電気的に接続する接続部を形成するのに用いられ、樹脂を含有する第１の樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートであって、
前記第１の樹脂組成物層と、前記金属層とは、それぞれ、前記端子領域に対し選択的に設けられていることを特徴とする導電接続シート。
【００１４】
（２）  前記積層体は、さらに、前記金属層の前記第１の樹脂組成物層と反対の面側に設けられ、樹脂を含有する第２の樹脂組成物層を備えている上記（１）に記載の導電接続シート。
【００１５】
（３）  前記第２の樹脂組成物層は、前記端子領域に対し選択的に設けられている上記（２）に記載の導電接続シート。
【００１６】
（４）  前記第２の樹脂組成物層は、前記端子領域と、前記非端子領域の少なくとも一部とに対し設けられている上記（２）に記載の導電接続シート。
【００１７】
（５）  前記接続部を形成する際、前記第２の樹脂組成物層を、前記端子側に配置して用いるものである上記（４）に記載の導電接続シート。
【００１８】
（６）  前記第２の樹脂組成物層は、フラックス機能を有する化合物を含むものである上記（２）ないし（５）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００１９】
（７）  前記第１の樹脂組成物層は、フラックス機能を有する化合物を含むものである上記（１）ないし（６）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２０】
（８）  前記フラックス機能を有する化合物は、フェノール性水酸基およびカルボキシル基のうちの少なくとも一方を有する化合物を含有する上記（６）または（７）に記載の導電接続シート。
【００２１】
（９）  前記金属層は、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）
、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金または錫の単体である上記（１）ないし（８）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２２】
（１０）  打ち抜き加工または切断加工により、前記非端子領域に配置される前記積層体の少なくとも一部を除去して形成されたものである上記（１）ないし（９）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２３】
（１１）  前記電子部品は、その縁部に沿って前記端子領域が配置されているものである上記（１）ないし（１０）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２４】
（１２）  前記電子部品は、前記非端子領域を囲むように前記端子領域が配置されているものである上記（１）ないし（１１）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２５】
（１３）  前記電子部品と、該電子部品に対向配置される対向電子部品とを接着し、かつ、前記電子部品が有する端子と、前記対向電子部品が有する端子とを前記接着部により電気的に接続するものである上記（１）ないし（１２）のいずれかに記載の導電接続シート。
【００２６】
（１４）  上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品が有する端子と、対向電子部品が有する端子同士の間に配置する配置工程と、前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物層を硬化または固化させる硬化・固化工程とを有することを特徴とする端子間の接続方法。
【００２７】
（１５）  上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の導電接続シートを、前記電子部品上に配置する配置工程と、前記金属材料の融点以上であり、かつ、前記樹脂組成物層が変形可能な温度で前記導電接続シートを加熱する加熱工程とを有することを特徴とする接続部の形成方法。
【００２８】
（１６）  前記電子部品が有する第１の端子と、
対向電子部品が有する第２の端子とが、上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。
【００２９】
（１７）  前記電子部品が有する第１の端子と、
対向電子部品が有する第２の端子とが、上記（１）ないし（１３）のいずれかに記載の導電接続シートを用いて形成された接続部を介して電気的に接続されていることを特徴とする電子機器。
【発明の効果】
【００３０】
本発明の導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、端子同士の間に位置する端子領域に金属材料を供給することができる。そのため、加熱溶融した金属材料を、端子領域すなわち端子同士の間に凝集させて接続部を形成することができるのに対し、樹脂により構成される封止層を、端子領域以外の非端子領域に、金属材料が存在することなく形成することができる。その結果、封止層により隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【００３１】
さらに、導電接続シートを用いて、電極上に対応して設けられた接続部の形成に適用す
ると、加熱溶融した金属材料を、電極が位置する端子領域に凝集させて接続部を形成できるのに対し、樹脂により構成される補強層を、端子領域以外の非端子領域に、金属材料が存在することなく形成することができる。その結果、補強層により隣接する接続端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３２】
【図１】本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置の一例を示す模式図（図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。
【図２】本発明の導電接続シートの第１実施形態を示す模式図（図２（ａ）は、平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）中のＢ−Ｂ線断面図）である。
【図３】本発明の端子間の接続方法を用いて、第１実施形態における半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図４】本発明の接続部の形成方法を用いて、第１実施形態における半導体チップが備える端子に対応して接続部を形成する方法を説明するための縦断面図である。
【図５】本発明の導電接続シートの第２実施形態を示す模式図（図５（ａ）は、平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＣ−Ｃ線断面図）である。
【図６】本発明の端子間の接続方法を用いて、第２実施形態における半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。
【図７】本発明の接続部の形成方法を用いて、第２実施形態における半導体チップが備える端子に対応して接続部を形成する方法を説明するための縦断面図である。
【図８】電子部品が有する第１の端子の他の配置例を示す平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００３３】
以下、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続部の形成方法、半導体装置および電子機器を添付図面に示す好適実施形態に基づいて詳細に説明する。
【００３４】
まず、本発明の導電接続シートを説明するのに先立って、本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置について説明する。
＜半導体装置＞
図１は、本発明の導電接続シートを用いて製造された半導体装置の一例を示す模式図（図１（ａ）は、平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）中のＡ−Ａ線断面図）である。なお、以下の説明では、図１中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００３５】
図１に示す半導体装置１０は、半導体チップ（電子部品）２０と、半導体チップ２０を支持するインターポーザー（対抗電子部品）３０と、複数の導電性を有するバンプ（端子）７０とを有している。
【００３６】
半導体チップ２０の平面視形状は、図１（ａ）に示すように、正方形状である。また、半導体チップ２０は、その下面（一方の面）に、複数の第１の端子（端子）２１を有しており、この第１の端子２１は、例えば、銅等の導電性金属材料で構成されている。
【００３７】
また、複数個設けられている第１の端子２１は、図１（ａ）に示すように、平面視において、半導体チップ２０の縁部側に配置されている。より具体的には、半導体チップ２０の縁部に沿って、直線状に、１列で等間隔に配置されている。これにより、複数の端子２１（端子群）は、縁部側にロの字状（正方形の枠状）に配置されることとなる。
【００３８】
なお、本明細書中では、これらの複数の第１の端子２１からなる端子群が設けられている領域を「端子領域２１１」と言い、端子領域２１１以外の第１の端子２１が設けられていない領域を「非端子領域２１２」と言うことする。
【００３９】
したがって、図１に示す半導体装置１０では、前述のように、端子群がロの字状に形成されているため、非端子領域２１２は、端子領域２１１に取り囲まれた正方形状の領域となり、これに対し、端子領域２１１は、非端子領域２１２を取り囲むロの字状（正方形の枠状）の領域となる。
【００４０】
また、インターポーザー３０は、絶縁基板であり、例えばポリイミド・エポキシ・シアネート・ビスマレイミドトリアジン（ＢＴレジン）等の各種樹脂材料で構成されている。このインターポーザー３０の平面視形状は、図１（ａ）に示すように、正方形状である。さらに、インターポーザー３０は、その上面（一方の面）に、例えば、銅等の導電性金属材料で構成されている複数の第２の端子（端子）４１を有している。
【００４１】
第２の端子４１は、半導体装置１０において、半導体チップ２０に設けられている第１の端子２１に対応するように、インターポーザー３０上面に設けられている。そして、それぞれ対応する第１の端子２１と第２の端子４１とは、接続部８１介して電気的に接続されている。
【００４２】
また、本実施形態では、図１に示すように、第２の端子４１は、インターポーザー３０に形成されている面側から突出する構成をなしている。なお、第１の端子２１も、半導体チップ２０から突出する構成をなしている。
【００４３】
また、インターポーザー３０には、その厚さ方向に貫通して、図示しない複数のビア（スルーホール：貫通孔）が形成されている。
【００４４】
各バンプ７０は、それぞれ、各ビアを介して、一端（上端）が第２の端子４１の一部に電気的に接続され、他端（下端）は、インターポーザー３０の下面（他方の面）から突出している。
【００４５】
バンプ７０のインターポーザー３０から突出する部分は、ほぼ球形状（Ｂａｌｌ状）をなしている。
【００４６】
このバンプ７０は、例えば、半田、銀ろう、銅ろう、燐銅ろうのようなろう材を主材料として構成されている。
【００４７】
また、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間の間隙には、各種樹脂材料で構成される封止材が充填され、この封止材の硬化物により、封止層８０が形成されている。この封止層８０は、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との接合強度を向上させる機能や、前記間隙への異物や水分等の浸入を防止する機能を有している。
【００４８】
かかる構成の半導体装置１０において、接続部８１と封止層８０との形成に、本発明の導電接続シートが適用される。
＜導電接続シート＞
以下、本発明の導電接続シートについて説明する。
【００４９】
本発明の導電接続シートは、端子が配置されている端子領域と前記端子が配置されていない非端子領域とを有する電子部品の第１の端子と、対向電子部品が有する第２の端子とを電気的に接続する接続部を形成するのに用いられ、樹脂を含有する第１の樹脂組成物層と、低融点の金属材料で構成される金属層とを備える積層体により構成される導電接続シートであって、前記第１の樹脂組成物層と、前記金属層とは、それぞれ、前記端子領域に対し選択的に設けられていることを特徴とする。
【００５０】
このような導電接続シートを用いて、端子同士間を電気的に接続する接続部の形成に適用すると、対向する端子同士が位置する端子領域には、金属層が存在するため、金属材料を供給することができるのに対し、この端子領域以外の非端子領域には、金属層が存在しないため、金属材料が存在しないこととなる。そのため、端子領域に位置する端子同士の間に、加熱溶融した金属材料を凝集させて接続部を形成することができるのに対し、その周囲である非端子領域に、樹脂により構成される封止層を金属材料が存存することなく形成することができる。その結果、非端子領域に位置する封止層により、隣接する端子間の絶縁性が確保されるので、隣接する端子同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。また、接続部の形成に用いられない金属材料を確実に取り除くことができ、余剰な金属材料による封止層における絶縁性悪化を確実に防止することができる。
【００５１】
さらに、導電接続シートを用いて、端子上に対応して設けられた接続部の形成に適用すると、端子が位置する端子領域には、金属層が存在するため、金属材料を供給することができるのに対し、この端子領域以外の非端子領域には、金属層が存在しないため、金属材料が存在しないこととなる。そのため、端子領域に位置する端子上に、加熱溶融した金属材料を凝集させて接続部を形成できるのに対し、その周囲である非端子領域に、樹脂により構成される補強層を金属材料が存存することなく形成することができる。その結果、非端子領域に位置する補強層により隣接する接続部間の絶縁性が確保されるので、隣接する接続部同士の間でリーク電流が生じるのを確実に防止することができる。また、接続部の形成に用いられない金属材料を確実に取り除くことができ、余剰な金属材料による封止層における絶縁性悪化を確実に防止することができる。
［第１実施形態］
まず、本発明の導電接続シートの第１実施形態について説明する。
【００５２】
図２は、本発明の導電接続シートの第１実施形態を示す模式図（図２（ａ）は、平面図、図２（ｂ）は、図２（ａ）中のＢ−Ｂ線断面図）である。
【００５３】
なお、以下の説明では、図２中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【００５４】
第１実施形態では、導電接続シート１は、図２（ｂ）に示すように、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３とがこの順に互いに接合するように積層された３層構造をなす積層体、すなわち、第１の樹脂組成物層１１と第２の樹脂組成物層１３との間で金属層１２がこれらに互いに接合する構成を有する３層構造をなす積層体で構成されるものである。
【００５５】
また、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３が、樹脂を含有する樹脂組成物で構成され、金属層１２が、低融点の金属材料で構成されている。
【００５６】
以下、導電接続シート１を構成する各層について順次説明するが、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３については、ともに、樹脂を含有する樹脂組成物で構成されるため、第１の樹脂組成物層１１を代表に説明する。
【００５７】
なお、以下では、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を、単に「樹脂組成物層１１」および「樹脂組成物層１３」と言うこともある。さらに、第１の金属層１２を、それぞれ、単に「金属層１２」と言うこともある。
＜＜樹脂組成物層１１＞＞
樹脂組成物層１１は、本実施形態では、樹脂を含有する樹脂組成物で構成されたものである。
【００５８】
なお、本発明では、樹脂組成物としては、室温で液状、固形状のいずれの形態も使用することができる。なお、本明細書中において、「室温で液状」とは室温（２５℃程度）で一定の形態を持たない状態を意味し、ペースト状もこれに含まれる。
【００５９】
樹脂組成物は、樹脂を含有するものであれば、特に限定されず、硬化性樹脂組成物または熱可塑性樹脂組成物を用いることができる。
【００６０】
硬化性樹脂組成物としては、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物、および、化学線を照射することにより硬化する硬化性樹脂組成物等が挙げられ、これらの中でも、加熱により硬化する硬化性樹脂組成物が好ましく用いられる。加熱により硬化する硬化性樹脂組成物は、硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れる。
【００６１】
また、熱可塑性樹脂組成物としては、所定の温度に加熱することにより、成形が可能な程度に柔軟性を有するものであれば、特に限定されるものではない。
（ａ）硬化性樹脂組成物
硬化性樹脂組成物は、硬化性樹脂を含有し、加熱することにより溶融し硬化するものである。
【００６２】
また、硬化性樹脂組成物には、硬化性樹脂の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤、充填材等が含まれていてもよい。
【００６３】
以下、硬化性樹脂組成物に含まれる各種材料について詳述する。
【００６４】
（i）硬化性樹脂
硬化性樹脂は、加熱することにより溶融し硬化するものであれば特に限定されないが、通常、半導体装置製造用の接着剤として使用できるものが用いられる。
【００６５】
このような硬化性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、エポキシ樹脂、フェノキシ樹脂、シリコーン樹脂、オキセタン樹脂、フェノール樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、ポリエステル樹脂（不飽和ポリエステル樹脂）、ジアリルフタレート樹脂、マレイミド樹脂、ポリイミド樹脂（ポリイミド前駆体樹脂）、ビスマレイミド−トリアジン樹脂等が挙げられる。特に、エポキシ樹脂、（メタ）アクリレート樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、シリコーン樹脂、マレイミド樹脂、ビスマレイミド−トリアジン樹脂からなる群より選ばれる少なくとも１種を含む熱硬化性樹脂を用いることが好ましい。特に、これらの中でも、硬化性と保存性、硬化物の耐熱性、耐湿性、耐薬品性に優れるという観点からエポキシ樹脂が好ましい。なお、これらの硬化性樹脂は１種単独で用いても、２種以上を併用してもよい。
【００６６】
前記エポキシ樹脂としては、特に限定されず、室温で液状および室温で固形状のいずれのエポキシ樹脂をも使用することができる。また、室温で液状のエポキシ樹脂と室温で固形状のエポキシ樹脂とを併用することも可能である。硬化性樹脂組成物が液状の場合には、室温で液状のエポキシ樹脂を用いることが好ましく、硬化性樹脂組成物が固形状の場合には、液状および固形状のいずれのエポキシ樹脂も使用することが可能であり、さらに、フィルム形成性樹脂を硬化性樹脂組成物が含有する構成とするのが好ましい。
【００６７】
室温（２５℃）で液状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうちの１種または２種を組み合わせて用いることができる。
【００６８】
室温で液状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３００ｇ／ｅｑであることが好ましく、１６０〜２５０ｇ／ｅｑであることがより好ましく、１７０〜２２０ｇ／ｅｑであることが特に好ましい。前記エポキシ当量が前記下限未満になると、用いるエポキシ樹脂の種類によっては、硬化物の収縮率が大きくなる傾向があり、半導体装置１０やこの半導体装置１０を備える電子機器に反りが生じるおそれがある。また、前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物にフィルム形成性樹脂を併用する構成とした場合に、フィルム形成性樹脂、特にポリイミド樹脂との反応性が低下する傾向をしめすことがある。
【００６９】
さらに、室温（２５℃）で固形状のエポキシ樹脂としては、特に限定されないが、ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂、ビスフェノールＳ型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、グリシジルアミン型エポキシ樹脂、グリシジルエステル型エポキシ樹脂、３官能エポキシ樹脂、４官能エポキシ樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、固形３官能エポキシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂等が好ましく用いられる。
【００７０】
なお、室温で固形状のエポキシ樹脂のエポキシ当量は、１５０〜３０００ｇ／ｅｑが好ましく、１６０〜２５００ｇ／ｅｑがより好ましく、１７０〜２０００ｇ／ｅｑが特に好ましい。
【００７１】
室温で固形状のエポキシ樹脂の軟化点は、４０〜１２０℃程度であることが好ましく、５０〜１１０℃程度であることがより好ましく、６０〜１００℃程度であることが特に好ましい。前記軟化点が前記範囲内にあると、硬化性樹脂組成物のタック性を抑えることができ、容易に取り扱うことが可能となる。
【００７２】
また、硬化性樹脂組成物において、前述した硬化性樹脂の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００７３】
例えば、液状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００７４】
また、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、硬化性樹脂の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【００７５】
硬化性樹脂組成物における硬化性樹脂の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【００７６】
（ii）フィルム形成性樹脂
前述したように、硬化性樹脂組成物として、固形状のものを使用する場合、硬化性樹脂
組成物には、前記硬化性樹脂の他に、さらにフィルム形成性樹脂を含有する構成とするのが好ましい。
【００７７】
このようなフィルム形成性樹脂としては、有機溶媒に可溶であり、単独で成膜性を有するものであれば特に限定されるものではなく、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂のいずれのものも使用することができ、また、これらを組み合わせて用いることもできる。
【００７８】
具体的には、フィルム形成性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、ポリプロピレン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、ポリアミド樹脂、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル、ナイロン等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これら中でも、（メタ）アクリル系樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリアミド樹脂およびポリイミド樹脂が好ましい。
【００７９】
なお、本明細書中において、「（メタ）アクリル系樹脂」とは、（メタ）アクリル酸およびその誘導体の重合体、または（メタ）アクリル酸およびその誘導体と他の単量体との共重合体を意味する。ここで、「（メタ）アクリル酸」等と表記するときは、「アクリル酸またはメタクリル酸」等を意味する。
【００８０】
（メタ）アクリル系樹脂としては、特に限定されず、例えば、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリアクリル酸メチル、ポリアクリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル酸−２−エチルヘキシル等のポリアクリル酸エステル、ポリメタクリル酸メチル、ポリメタクリル酸エチル、ポリメタクリル酸ブチル等のポリメタクリル酸エステル、ポリアクリロニトリル、ポリメタクリロニトリル、ポリアクリルアミド、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、アクリロニトリル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−スチレン共重合体、メタクリル酸メチル−アクリロニトリル共重合体、メタクリル酸メチル−α−メチルスチレン共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−メタクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート−アクリル酸共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−２−ヒドロキシエチルメタクリレート共重合体、アクリル酸ブチル−アクリロニトリル−アクリル酸共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。中でも、アクリル酸ブチル−アクリル酸エチル−アクリロニトリル共重合体、アクリル酸エチル−アクリロニトリル−Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド共重合体が好ましい。
【００８１】
また、フェノキシ樹脂の骨格は、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＡタイプ、ビスフェノールＦタイプおよびビフェニルタイプ等が挙げられる。
【００８２】
また、ポリイミド樹脂としては、繰り返し単位中にイミド結合を持つ樹脂であれば特に限定されず、例えば、ジアミンと酸二無水物を反応させ、得られたポリアミド酸を加熱、脱水閉環することにより得られるものが挙げられる。
【００８３】
ジアミンとしては、特に限定されず、例えば、３，３’−ジメチル−４，４’−ジアミノジフェニル、４，６−ジメチル−ｍ−フェニレンジアミン、２，５−ジメチル−ｐ−フェニレンジアミン等の芳香族ジアミン、１，３−ビス（３−アミノプロピル）−１，１，３，３−テトラメチルジシロキサン等のシロキサンジアミンが挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８４】
また、酸二無水物としては、例えば、３，３’，４，４’−ビフェニルテトラカルボン酸、ピロメリット酸二無水物、４，４’−オキシジフタル酸二無水物等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００８５】
ポリイミド樹脂としては、溶剤に可溶なものでも、不溶なものでもよいが、他の成分（硬化性樹脂）と混合する際のワニス化が容易であり、取扱性に優れている点で溶剤可溶性のものが好ましい。特に、様々な有機溶媒に溶解できる点でシロキサン変性ポリイミド樹脂を用いることが好ましい。
【００８６】
フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、特に限定されないが、８，０００〜１，０００，０００程度であるのが好ましく、８，５００〜９５０，０００程度であるのがより好ましく、９，０００〜９００，０００程度であるのがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の重量平均分子量が前記の範囲であると、成膜性を向上させることが可能で、かつ、硬化前の樹脂組成物層１１の流動性を抑制することができる。
【００８７】
なお、フィルム形成性樹脂の重量平均分子量は、例えば、ＧＰＣ（ゲル浸透クロマトグラフィー）により測定することができる。
【００８８】
また、フィルム形成性樹脂としては、このものの市販品を使用することができ、さらに、本発明の効果を損ねない範囲で、可塑剤、安定剤、無機フィラー、帯電防止剤や顔料等の各種添加剤を配合したものを使用することもできる。
【００８９】
また、硬化性樹脂組成物において、前述したフィルム形成性樹脂の配合量は、使用する硬化性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【００９０】
例えば、固形状の硬化性樹脂組成物の場合には、フィルム形成性樹脂の配合量は、硬化性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましい。また、５０重量％以下であることが好ましく、４５重量％以下であることがより好ましく、４０重量％以下であることがさらに好ましい。フィルム形成性樹脂の配合量が前記範囲内にあると溶融前の硬化性樹脂組成物の流動性を抑制することができ、樹脂組成物層１１を容易に取り扱うことが可能となる。
（iii）フラックス機能を有する化合物
硬化性樹脂組成物として、前記硬化性樹脂の他に、さらにフラックス機能を有する化合物を含有する構成とするのが好ましい。フラックス機能を有する化合物は、金属層１２および端子２１、４１の表面に形成された酸化膜を除去する作用を有するものである。そのため、硬化性樹脂組成物中に、かかる化合物が含まれていると、後述する、接続部および封止層の形成方法で詳述するように、たとえ、金属層１２および端子２１、４１の表面に酸化膜が形成されたとしても、この化合物の作用により酸化膜を確実に除去することができる。その結果、溶融状態の金属層１２がより高い選択性をもって、端子２１、４１間に凝集することとなる。
【００９１】
このようなフラックス機能を有する化合物としては、特に限定されないが、例えば、フェノール性水酸基および／またはカルボキシル基を有する化合物が好ましく用いられる。
【００９２】
フェノール性水酸基を有する化合物としては、例えば、フェノール、ｏ−クレゾール、２，６−キシレノール、ｐ−クレゾール、ｍ−クレゾール、ｏ−エチルフェノール、２，４−キシレノール、２，５−キシレノール、ｍ−エチルフェノール、２，３−キシレノール、メシトール、３，５−キシレノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、カテコール、ｐ−ｔｅｒｔ−アミルフェノール、レゾルシノール、ｐ−オクチルフェノール、ｐ−フェニルフェノール、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビフェノール、ジアリルビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＡ、トリスフェノール、テトラキスフェノール等のフェノール性水酸基を含有するモノマー類、フェノールノボラック樹脂、ｏ−クレゾールノボラック樹脂、ビスフェノールＦノボラック樹脂、ビスフェノールＡノボラック樹脂等のフェノール製水酸基を含有する樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９３】
また、カルボキシル基を有する化合物としては、例えば、脂肪族酸無水物、脂環式酸無水物、芳香族酸無水物、脂肪族カルボン酸、芳香族カルボン酸等が挙げられる。前記脂肪族酸無水物としては、無水コハク酸、ポリアジピン酸無水物、ポリアゼライン酸無水物、ポリセバシン酸無水物等が挙げられる。前記脂環式酸無水物としては、メチルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルヘキサヒドロ無水フタル酸、無水メチルハイミック酸、ヘキサヒドロ無水フタル酸、テトラヒドロ無水フタル酸、トリアルキルテトラヒドロ無水フタル酸、メチルシクロヘキセンジカルボン酸無水物等が挙げられる。前記芳香族酸無水物としては、無水フタル酸、無水トリメリット酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラカルボン酸無水物、エチレングリコールビストリメリテート、グリセロールトリストリメリテート等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【００９４】
脂肪族カルボン酸としては、特に限定されないが、例えば、蟻酸、酢酸、プロピオン酸、酪酸、吉草酸、ピバル酸、カプロン酸、カプリル酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸、アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸、オレイン酸、フマル酸、マレイン酸、シュウ酸、マロン酸、琥珀酸、グルタル酸、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸、ピメリン酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、下記式（１）：
ＨＯＯＣ−（ＣＨ2）n−ＣＯＯＨ      （１）
（式（１）中、ｎは１〜２０の整数である。）
で表される脂肪族カルボン酸が好ましく用いられ、これらのうち、アジピン酸、セバシン酸、ドデカンジオン酸がより好ましく用いられる。
【００９５】
芳香族カルボン酸の構造は、特に限定されないが、下記式（２）または下記式（３）で表される化合物が好ましい。
【００９６】
【化１】
2014082448.tif 000003
【００９７】
［式中、Ｒ1〜Ｒ5は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ1〜Ｒ5の少なくとも一つは水酸基である。］
【００９８】
【化２】
2014082448.tif 000004
【００９９】
［式中、Ｒ6〜Ｒ20は、それぞれ独立して、１価の有機基であり、Ｒ6〜Ｒ20の少なくとも一つは水酸基またはカルボキシル基である。］
このような芳香族カルボン酸としては、例えば、安息香酸、フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、ヘミメリット酸、トリメリット酸、トリメシン酸、メロファン酸、プレーニト酸、ピロメリット酸、メリット酸、キシリル酸、ヘメリト酸、メシチレン酸、プレーニチル酸、トルイル酸、ケイ皮酸、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，５−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１００】
このようなフラックス機能を有する化合物は、金属層１２と端子２１、４１とが電気的に接続し得るように、金属層１２および端子２１、４１表面の酸化膜を除去する作用を示すとともに、硬化性樹脂を硬化する硬化剤としての機能、すなわち、硬化性樹脂と反応可能な官能基を有するものであるのが好ましい。
【０１０１】
このような官能基は、硬化性樹脂の種類に応じて適宜選択され、例えば、硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、カルボキシル基、水酸基、アミノ基のようなエポキシ基と反応可能な官能基が挙げられる。このようなフラックス機能を有する化合物は、硬化性樹脂組成物の溶融時には金属層１２および端子２１、４１表面に形成された酸化膜を除去してこれらの表面の濡れ性を高め、接続部８１を容易に形成し、端子２１、４１間を電気的に接続することが可能となる。さらに、接続部８１により端子２１、４１間に電気的な接続が完了した後においては、この化合物は、硬化剤として作用し、硬化性樹脂に付加して樹脂の弾性率またはＴｇを高める機能を発揮する。したがって、このようなフラックス機能を有する化合物をフラックスとして用いるとフラックス洗浄が不要であり、また、フラックスの残存に起因するイオンマイグレーションの発生等を的確に抑制または防止することが可能となる。
【０１０２】
このような作用を備えるフラックス機能を有する化合物としては、少なくとも１つのカルボキシル基を有する化合物が挙げられる。例えば、硬化性樹脂がエポキシ樹脂の場合、脂肪族ジカルボン酸およびカルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物等が挙げられる。
【０１０３】
前記脂肪族ジカルボン酸としては、特に限定されないが、脂肪族炭化水素基にカルボキシル基が２個結合した化合物が挙げられる。前記脂肪族炭化水素基は、飽和または不飽和の非環式であってもよいし、飽和または不飽和の環式であってもよい。また、脂肪族炭化水素基が非環式の場合には直鎖状でも分岐状でもよい。
【０１０４】
このような脂肪族ジカルボン酸としては、例えば、前記式（１）においてｎが１〜２０の整数である化合物が挙げられる。前記式（１）中のｎが前記範囲内にあると、フラックス活性、接着時のアウトガスおよび硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率およびガラス転移温度のバランスが良好となる。特に、硬化性樹脂組成物の硬化後の弾性率の増加を抑制し、インターポーザー３０等の被接着物との接着性を向上させることができるという観点から、ｎは３以上であることが好ましく、弾性率の低下を抑制し、接続信頼性をさらに向上させることができるという観点から、ｎは１０以下であることが好ましい。
【０１０５】
また、前記式（１）で示される脂肪族ジカルボン酸としては、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン酸、アゼライン酸、セバシン酸、ウンデカン二酸、ドデカン二酸、トリデカン二酸、テトラデカン二酸、ペンタデカン二酸、オクタデカン二酸、ノナデカン二酸、エイコサン二酸等が挙げられる。中でも、アジピン酸、スベリン酸、セバシン酸、ドデンカン二酸が好ましく、セバシン酸がより好ましい。
【０１０６】
さらに、カルボキシル基とフェノール性水酸基とを有する化合物としては、サリチル酸、２，３−ジヒドロキシ安息香酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、ゲンチジン酸（２，５−ジヒドロキシ安息香酸）、２，６−ジヒドロキシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸（３，４，５−トリヒドロキシ安息香酸）等の安息香酸誘導体、１，４−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３，５−ジヒドロキシ−２−ナフトエ酸等のナフトエ酸誘導体、フェノールフタリン、ジフェノール酸等が挙げられる。中でも、フェノールフタリン、ゲンチジン酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，６−ジヒドロキシ安息香酸が好ましく、フェノールフタリン、ゲンチジン酸がより好ましい。
【０１０７】
前述のようなフラックス機能を有する化合物は、１種単独で用いても２種以上を併用して用いるようにしてもよい。
【０１０８】
なお、いずれの化合物も吸湿しやすく、ボイド発生の原因となるため、本発明においては、使用前に予め乾燥させることが好ましい。
【０１０９】
フラックス機能を有する化合物の含有量は、使用する樹脂組成物の形態に応じて適宜設定することができる。
【０１１０】
例えば、樹脂組成物が液状の場合、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下がより好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
【０１１１】
また、固形状の樹脂組成物の場合には、フラックス機能を有する化合物の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上が好ましく、２重量％以上がより好ましく、３重量％以上が特に好ましい。また、５０重量％以下が好ましく、４０重量％以下が
より好ましく、３０重量％以下がさらに好ましく、２５重量％以下が特に好ましい。
【０１１２】
フラックス機能を有する化合物の含有量が前記範囲内であると、金属層１２および端子２１、４１表面の酸化膜を電気的に接合できるように確実に除去することができる。さらに、樹脂組成物が硬化性樹脂組成物の場合、硬化時に、硬化性樹脂に効率よく付加して硬化性樹脂組成物の弾性率またはＴｇを高めることができる。また、未反応のフラックス機能を有する化合物に起因するイオンマイグレーションの発生を抑制することができる。
【０１１３】
（iv）硬化剤
硬化剤としては、特に限定されないが、例えば、フェノール類、アミン類、チオール類等が挙げられる。このような硬化剤は、硬化性樹脂の種類等に応じて適宜選択することができる。例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を使用する場合には、エポキシ樹脂との良好な反応性、硬化時の低寸法変化および硬化後の適切な物性（例えば、耐熱性、耐湿性等）が得られる点で硬化剤としてフェノール類を用いることが好ましく、硬化性樹脂の硬化後の物性が優れている点で２官能以上のフェノール類がより好ましく用いられる。なお、このような硬化剤は、１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いてもよい。
【０１１４】
フェノール類としては、例えば、ビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＡ、ジアリルビスフェノールＡ、ビフェノール、ビスフェノールＦ、ジアリルビスフェノールＦ、トリスフェノール、テトラキスフェノール、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。これらの中でも、溶融粘度、エポキシ樹脂との反応性が良好であり、硬化後の物性が優れている点でフェノールノボラック樹脂およびクレゾールノボラック樹脂が好ましい。
【０１１５】
また、硬化性樹脂組成物において、前述した硬化剤の配合量は、使用する硬化性樹脂や硬化剤の種類、およびフラックス機能を有する化合物が硬化剤として機能する官能基を有する場合、その官能基の種類や使用量によって適宜設定される。
【０１１６】
例えば、硬化性樹脂としてエポキシ樹脂を用いた場合、硬化剤の含有量は硬化性樹脂組成物の全重量に対して、０．１〜５０重量％程度であるのが好ましく、０．２〜４０重量％程度であるのがより好ましく、０．５〜３０重量％程度であるのがさらに好ましい。硬化剤の含有量が前記範囲内にあると端子２１、４１間に形成された接続部８１の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することができる。
【０１１７】
（ｖ）硬化促進剤
また、前述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、硬化促進剤を添加することができる。これにより、硬化性樹脂組成物を、確実かつ容易に硬化させることができる。
【０１１８】
硬化促進剤としては、特に限定されないが、例えば、イミダゾール、２−メチルイミダゾール、２−ウンデシルイミダゾール、２−ヘプタデシルイミダゾール、１，２−ジメチルイミダゾール、２−エチル−４−メチルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、２−フェニル−４−メチルイミダゾール、１−ベンジル−２−フェニルイミダゾール、１−ベンジル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−エチル−４−メチルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾール、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾール、１−シアノエチル−２−ウンデシルイミダゾリウムトリメリテイト、１−シアノエチル−２−フェニルイミダゾリウムトリメリテイト、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−ウンデシルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−エチル−４−メチ
ルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジン、２，４−ジアミノ−６−［２’−メチルイミダゾリル（１’）］−エチル−ｓ−トリアジンのイソシアヌル酸付加物、２−フェニルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−メチルイミダゾールのイソシアヌル酸付加物、２−フェニル−４，５−ジヒドロキシジメチルイミダゾール、２−フェニル−４−メチル−５−ヒドロキシメチルイミダゾール等のイミダゾール化合物が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。
【０１１９】
また、硬化性樹脂組成物において、前述した硬化促進剤の配合量は、使用する硬化促進剤の種類に応じて適宜設定することができる。
【０１２０】
例えば、イミダゾール化合物を使用する場合には、イミダゾール化合物の配合量は、硬化性樹脂組成物中において０．００１重量％以上であることが好ましく、０．００３重量％以上であることがより好ましく、０．００５重量％以上であることがさらに好ましい。また、１．０重量％以下であることが好ましく、０．７重量％以下であることがより好ましく、０．５重量％以下であることがさらに好ましい。イミダゾール化合物の配合量が前記下限未満になると、用いる硬化促進剤の種類によっては、硬化促進剤としての作用が十分に発揮されず、硬化性樹脂組成物を十分に硬化できない傾向を示すことがある。また、イミダゾール化合物の配合量が前記上限を超えると、硬化性樹脂組成物の硬化が完了する前に溶融状態の金属層１２が端子２１、端子４１の表面に十分に移動できず、絶縁性領域に形成される封止層８０中に金属層１２の一部が残存し、封止層８０における絶縁性が十分に確保できなくなるおそれがある。
【０１２１】
（vi）シランカップリング剤
また、前述したように、硬化性樹脂組成物には、さらに、シランカップリング剤を添加することができる。
【０１２２】
シランカップリング剤としては、特に限定されないが、例えば、エポキシシランカップリング剤、芳香族含有アミノシランカップリング剤等が挙げられる。このようなシランカップリング剤を添加することにより、インターポーザー３０等の接合部材（被着体）と硬化性樹脂組成物との密着性を高めることができる。
【０１２３】
なお、このようなシランカップリング剤は１種単独で用いてもよいし、２種以上を併用して用いることもできる。
【０１２４】
また、硬化性樹脂組成物において、前述したシランカップリング剤の配合量は、前記接合部材や硬化性樹脂等の種類に応じて適宜設定される。例えば、硬化性樹脂組成物中において０．０１重量％以上であることが好ましく、０．０５重量％以上であることがより好ましく、０．１重量％以上であることがさらに好ましい。また、２重量％以下であることが好ましく、１．５重量％以下であることがより好ましく、１重量％以下であることがさらに好ましい。
（vii）充填材
また、硬化性樹脂組成物には、さらに、充填材を添加することができる。これにより、樹脂組成物に様々な物性を付加することや、信頼性の向上を図ることができる。充填材としては、ゴム粒子等の有機材料による充填材や、シリカ等の無機充填材を挙げることができるが、信頼性の向上という観点から、無機充填材が好ましい。無機充填材を含むことで、硬化後の樹脂組成物の線膨張係数を低下することができ、それによって信頼性を向上することができる。
【０１２５】
前記無機充填材は、特に限定されないが、例えば、銀、酸化チタン、シリカ、マイカ、アルミナ等を挙げることができ、これらを複数種含めることもできる。このように無機充
填材は複数種から選択することができるが、コスト等の観点からシリカを好ましく用いることができる。また、熱伝導性等の観点からは、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、酸化チタン、窒化珪素、窒化ホウ素、等を用いることもできる。シリカの形状としては、破砕シリカと球状シリカがあるが、球状シリカが好ましい。
【０１２６】
前記無機充填材の平均粒径としては、１０ｎｍ以上であることが好ましく、５０ｎｍ以上であることがより好ましく、１００ｎｍ以上であることが特に好ましい。また５０μｍ以下であることが好ましく、２０μｍ以下であることがより好ましく、１０μｍ以下であることが特に好ましい。無機充填材の平均粒径が前記下限値以上、前記上限値以下であると、硬化性樹脂組成物における無機充填材の分散性に優れ、硬化性樹脂組成物の透明性に優れる。
【０１２７】
前記無機充填材の含有量は、硬化性樹脂組成物の全重量に対して、１重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、８０重量％以下であることが好ましく、７０重量％以下であることがより好ましく、６０重量％以下であることが特に好ましい。無機充填材の含有量が前記下限値以上、前記上限値以下であると、硬化後の樹脂組成物の密着性、耐熱性、耐湿性に優れ、良好な電気的な接続性を確保することができる。
【０１２８】
なお、硬化性樹脂組成物には、前述した各成分の他に、さらに、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよい。
【０１２９】
また、前述したような硬化性樹脂組成物は、前記各成分を混合・分散させることによって調製することができる。各成分の混合方法や分散方法は特に限定されず、従来公知の方法で混合、分散させることができる。
【０１３０】
また、前記各成分を溶媒中でまたは無溶媒下で混合して液状の硬化性樹脂組成物を調製してもよい。このとき用いられる溶媒としては、各成分に対して不活性なものであれば特に限定はないが、例えば、アセトン、メチルエチルケトン（ＭＥＫ）、メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）、ジイソブチルケトン（ＤＩＢＫ）、シクロヘキサノン、ジアセトンアルコール（ＤＡＡ）等のケトン類、ベンゼン、キシレン、トルエン等の芳香族炭化水素類、メチルアルコール、エチルアルコール、イソプロピルアルコール、ｎ−ブチルアルコール等のアルコール類、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート等のセロソルブ類、Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）、ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）、ニ塩基酸エステル（ＤＢＥ）、３−エトキシプロピオン酸エチル（ＥＥＰ）、ジメチルカーボネート（ＤＭＣ）等が挙げられ、これらのうち１種または２種以上を組み合わせて用いることができる。また、溶媒の使用量は、溶媒に混合した成分の固形分濃度が１０〜６０重量％となる量であることが好ましい。
（ｂ）熱可塑性樹脂組成物
熱可塑性樹脂組成物は、熱可塑性樹脂を含有し、所定温度により軟化するものである。
【０１３１】
また、熱可塑性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂の他に、必要に応じて、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【０１３２】
（i）熱可塑性樹脂
熱可塑性樹脂としては、特に限定されないが、例えば、酢酸ビニル系、ポリビニルアルコール樹脂、ポリビニルブチラール樹脂、塩化ビニル樹脂、（メタ）アクリル樹脂、フェノキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、シロキサン変性ポリイミド樹脂、ポリブタジエン樹脂、アクリル樹脂、スチレン樹脂、ポリエチレン樹
脂、ポリプロピレン樹脂、ポリアミド樹脂、セルロース樹脂、イソブチレン樹脂、ビニルエーテル樹脂、液晶ポリマー樹脂、ポリフェニレンスルフィド樹脂、ポリフェニレンエーテル樹脂、ポリエーテルサルフォン樹脂、ポリエーテルイミド樹脂、ポリエーテルエーテルケトン樹脂、ポリウレタン樹脂、スチレン−ブタジエン−スチレン共重合体、スチレン−エチレン−ブチレン−スチレン共重合体、ポリアセタール樹脂、ポリビニルアセタール樹脂、ブチルゴム、クロロプレンゴム、アクリロニトリル−ブタジエン共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−アクリル酸共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン−スチレン共重合体、ポリ酢酸ビニル等が挙げられる。これら熱可塑性樹脂は、単一の重合体でもよく、これら熱可塑性樹脂の少なくとも２種以上の共重合体でもよい。
【０１３３】
熱可塑性樹脂の軟化点は、特に限定されないが、導電接続シート１を構成する金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましく、３０℃以上低いことがさらに好ましい。
【０１３４】
また、熱可塑性樹脂の分解温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点よりも１０℃以上高いことが好ましく、２０℃以上高いことがより好ましく、３０℃以上高いことがさらに好ましい。
【０１３５】
また、熱可塑性樹脂組成物において、前述した熱可塑性樹脂の配合量は、使用する熱可塑性樹脂組成物の形態に応じて適宜設定される。
【０１３６】
例えば、液状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、１０重量％以上であることが好ましく、１５重量％以上であることがより好ましく、２０重量％以上であることがさらに好ましく、２５重量％以上であることがさらにより好ましく、３０重量％以上であることがなお好ましく、３５重量％以上であることが特に好ましい。また、１００重量％以下であることが好ましく、９５重量％以下であることがより好ましく、９０重量％以下がさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１３７】
また、固形状の熱可塑性樹脂組成物の場合には、熱可塑性樹脂の配合量は、熱可塑性樹脂組成物中において、５重量％以上であることが好ましく、１０重量％以上であることがより好ましく、１５重量％以上であることがさらに好ましく、２０重量％以上であることが特に好ましい。また、９０重量％以下であることが好ましく、８５重量％以下であることがより好ましく、８０重量％以下であることがさらに好ましく、７５重量％以下であることがさらにより好ましく、６５重量％以下であることがなお好ましく、５５重量％以下であることが特に好ましい。
【０１３８】
熱可塑性樹脂組成物における熱可塑性樹脂の配合量が前記範囲内にあると、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１３９】
（ii）その他の添加剤
また、熱可塑性樹脂の他、フラックス機能を有する化合物、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤や、可塑剤、安定剤、粘着付与剤、滑剤、酸化防止剤、充填材、帯電防止剤および顔料等が配合されていてもよいが、これらのものは、前述した「（ａ）硬化性樹脂組成物」において説明したものと同じものを用いることができる。さらに、好ましい化合物およびその配合量等についても同様である。
【０１４０】
なお、本発明においては、前述したもののうち、樹脂組成物としては、硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。中でも、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂１０〜
９０重量％、硬化剤０．１〜５０重量％、フィルム形成性樹脂５〜５０重量％及びフラックス機能を有する化合物１〜５０重量％を含むものがより好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂２０〜８０重量％、硬化剤０．２〜４０重量％、フィルム形成性樹脂１０〜４５重量％及びフラックス機能を有する化合物２〜４０重量％を含むものがさらに好ましい。また、樹脂組成物の全重量に対して、エポキシ樹脂３５〜５５重量％、硬化剤０．５〜３０重量％、フィルム形成性樹脂１５〜４０重量％及びフラックス機能を有する化合物３〜２５重量％を含むものが特に好ましい。これにより、端子２１、４１間の電気的接続強度および機械的接着強度を十分に確保することが可能となる。
【０１４１】
また、導電接続シート１における樹脂組成物層１１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましい。また、樹脂組成物層１１の厚みは、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。樹脂組成物層１１の厚みが前記範囲内にあると、隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物を十分に充填して封止層８０を形成することができ、樹脂組成物の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子２１、４１間の電気的接続を十分に確保することができ、接続部８１の形成も可能にすることができる。
【０１４２】
以上のような構成の樹脂組成物層１１、１３が、導電接続シート１において、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続部の形成方法において、それぞれ形成される封止層８０および補強層８６を構成する構成材料となるものである。
＜＜金属層１２＞＞
金属層１２は、低融点の金属材料で構成されたものである。
【０１４３】
かかる金属層（金属箔層）１２は、融点以上に加熱されると溶融し、さらに、樹脂組成物層１１、１３がフラックス機能を有する化合物を含む場合、第１の樹脂組成物層１１、第２の樹脂組成物層１３に含まれるフラックス機能を有する化合物の作用により、金属層１２の表面に形成された酸化膜が除去されるため、溶融状態の金属層１２の濡れ性が向上する。そのため、端子２１、４１との間に金属層１２が凝集し、最終的には、このものの固化物により、接続部８１が形成される。
【０１４４】
ここで、本発明では、低融点の金属材料は、その融点が、３３０℃以下、好ましくは３００℃以下、より好ましくは２８０℃以下、さらに好ましくは２６０℃以下のものが適宜選択される。これにより、半導体装置１０を形成するための端子２１、４１間の接続においては、半導体装置１０の各種部材が熱履歴により損傷してしまうのを的確に抑制または防止することができる。
【０１４５】
さらに、接続部８１形成後、すなわち端子２１、４１間の接続後における半導体装置１０の耐熱性を確保するという観点からは、低融点の金属材料は、その融点が１００℃以上、好ましくは１１０℃以上、より好ましくは１２０℃以上であるものが適宜選択される。
【０１４６】
なお、低融点の金属材料すなわち金属層１２の融点は、示差走査熱量計（ＤＳＣ）により測定することができる。
【０１４７】
このような低融点の金属材料は、前述した融点を有し、さらに、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、金属層１２の表面に形成された酸化膜が除去可能なものであれば、特に限定されず、例えば、錫（Ｓｎ）、鉛（Ｐｂ）、銀（Ａｇ）、ビスマス（Ｂｉ）、インジウム（Ｉｎ）、亜鉛（Ｚｎ）、ニッケル（Ｎｉ）、アンチモン（Ｓｂ）、鉄（Ｆｅ）、アルミニウム（Ａｌ）、金（Ａｕ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される少なくとも２種以上の金属の合金、または錫の単体等が挙
げられる。
【０１４８】
このような合金のうち、低融点の金属材料としては、その溶融温度および機械的物性等を考慮すると、Ｓｎ−Ｐｂの合金、鉛フリー半田であるＳｎ−Ｂｉの合金、Ｓｎ−Ａｇ−Ｃｕの合金、Ｓｎ−Ａｇの合金等のＳｎを含む合金で構成されるのが好ましい。
【０１４９】
なお、低融点の金属材料としてＳｎ−Ｐｂの合金を用いた場合、錫の含有率は、３０重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、３５重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、４０重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。また、鉛フリー半田を用いた場合、錫の含有率は、１５重量％以上１００重量％未満であることが好ましく、２０重量％以上１００重量％未満であることがより好ましく、２５重量％以上１００重量％未満であることがさらに好ましい。
【０１５０】
具体的には、例えば、Ｓｎ−Ｐｂの合金としては、Ｓｎ−３７Ｐｂ（融点１８３℃）、鉛フリー半田としては、Ｓｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕ（融点２１７℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ（融点２２１℃）、Ｓｎ−５８Ｂｉ（融点１３９℃）、Ｓｎ−９．０Ｚｎ（融点１９９℃）、Ｓｎ−３．５Ａｇ−０．５Ｂｉ−３．０Ｉｎ（融点１９３℃）、Ａｕ−２０Ｓｎ（融点２８０℃）等が挙げられ、特に、Ｓｎ−３７ＰｂまたはＳｎ−３．０Ａｇ−０．５Ｃｕが好ましく用いられる。
【０１５１】
また、金属層１２の厚さは、特に限定されないが、対向する端子２１、４１間のギャップ、および隣接する端子２１間、端子４１間の離隔距離等に応じて適宜設定される。
【０１５２】
例えば、本実施形態のように、半導体装置１０における端子２１間、端子４１間の接続においては、金属層１２の厚みは、０．５μｍ以上であることが好ましく、０．８μｍ以上であることがより好ましく、１μｍ以上であることがさらに好ましく、また、１００μｍ以下であることが好ましく、５０μｍ以下であることがより好ましく、２０μｍ以下であることがさらに好ましい。金属層１２の厚みが前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１間、端子４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５３】
なお、金属層１２の作製方法は、特に限定されないが、インゴット等の塊から圧延により作製する方法、樹脂組成物層１１へ直接蒸着、スパッタ、めっき等により形成する方法等が挙げられる。
【０１５４】
また、導電接続シート１において、前述した低融点の金属材料の配合量、すなわち、金属層１２の占有量は、導電接続シート１において、５重量％以上であることが好ましく、２０重量％以上であることがより好ましく、３０重量％以上であることがさらに好ましい。また、１００重量％未満であることが好ましく、８０重量％以下であることがより好ましく、７０重量％以下であることがさらに好ましい。
【０１５５】
導電接続シート１における金属材料の配合量すなわち金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１、４１が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１、４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５６】
あるいは、金属層１２の占有量を導電接続シート１に対する体積比率で定義してもよい。例えば、金属層１２の占有量（配合量）は、導電接続シート１に対して１体積％以上であることが好ましく、２体積％以上であることがより好ましく、３体積％以上であること
がさらに好ましい。また、９０体積％以下であることが好ましく、８０体積％以下であることがより好ましく、７０体積％以下であることがさらに好ましい。金属層１２の占有量が前記下限未満になると金属層１２を構成する金属材料の不足により未接続の端子２１間、端子４１間が生じるおそれがあり、また、前記上限を超えると金属材料の余剰により隣接する端子２１間、端子４１間で接続部８１によるブリッジを起こし、ショートが生じるおそれがある。
【０１５７】
かかる構成の金属層１２が、後述する本発明の端子間の接続方法および本発明の接続部の形成方法において、形成される接続部８１を構成する構成材料となるものである。
【０１５８】
以上のような構成の本実施形態の導電接続シート１は、平面視において、図２（ａ）に示すように、その外周形状が正方形状をなしており、その中央部付近で正方形状に欠損している。すなわち、導電接続シート１はその中央付近で正方形状に欠損している欠損部を有している。換言すると、その全体形状は、正方形の枠状（ロの字状）をなしている。
【０１５９】
欠損部は、その厚さ方向に打ち抜いて導電接続シート１を貫通したような形態を成している。そのため、導電接続シート１を構成する第１の樹脂組成物層１１、第２の樹脂組成物層１３、金属層１２のそれぞれの形状についても、同様に、平面視において、中央部付近が貫通したような欠損部を有する構成をなしている。
【０１６０】
このような導電接続シート１は、半導体チップ２０上に配置した際に、半導体チップが有する複数の端子２１からなる端子領域２１１と重なり合う形状をなしているが、その理由については、半導体装置の製造方法において詳述する。
【０１６１】
なお、導電接続シート１の厚みは、特に限定されないが、１μｍ以上であることが好ましく、３μｍ以上であることがより好ましく、５μｍ以上であることがさらに好ましく、また、２００μｍ以下であることが好ましく、１５０μｍ以下であることがより好ましく、１００μｍ以下であることがさらに好ましい。導電接続シート１の厚みが前記範囲内にあると隣接する端子２１、４１間の間隙に樹脂組成物で構成される封止層８０を十分に充填することができる。また、樹脂の硬化後または固化後の機械的接着強度および対向する端子間の電気的接続を十分に確保することができる。また、目的や用途に応じた接続部の製造も可能にすることができる。
【０１６２】
また、本実施形態では、端子２１、４１および金属層１２に酸化膜が形成されている場合に、この酸化膜を除去することを目的に、第１の樹脂組成物層１１および第２の樹脂組成物層１３を構成する樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物が含まれていてもよいと説明したが、樹脂組成物には、フラックス機能を有する化合物に代えて、酸化防止剤が含まれていてもよい。
＜導電接続シート１の製造方法＞
次に、前述したような本実施形態の導電接続シート１は、例えば、以下のような製造方法により、製造することができる。
【０１６３】
本実施形態の導電接続シートの製造方法は、第１の樹脂組成物層１１と、この第１の樹脂組成物層１１上に形成された金属層１２を形成する第１の工程と、金属層１２上に第２の樹脂組成物層１３を形成して積層体を得る第２の工程と、積層体に欠損部を形成して導電接続シート１を得る第３の工程とを有する。
【０１６４】
以下、各工程について説明する。
【０１６５】
［１］第１の工程
まず、ポリエステル樹脂、フッ素樹脂、シリコーン樹脂等のシートや、表面がフッ素樹脂やシリコーン樹脂で離型処理された基材等の剥離基材上に、第１の樹脂組成物層１１を形成する。
【０１６６】
この剥離基材上への第１の樹脂組成物層１１の形成は、例えば、以下のようにして行われる。
【０１６７】
（i）２５℃で樹脂組成物が液状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１を構成する樹脂組成物が、２５℃で液状をなす場合、剥離基材上に、液状をなす樹脂組成物を供給して液状の樹脂組成物を付着させた後、この樹脂組成物を所定温度で半硬化させることにより第１の樹脂組成物層１１が形成される。
【０１６８】
なお、形成すべき第１の樹脂組成物層１１に厚さの制御が必要な場合には、液状の樹脂組成物が供給された剥離基材を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により、剥離基材に吹き付けることにより、目的とする厚さの第１の樹脂組成物層１１を容易に製造することができる。
【０１６９】
また、巻重状の剥離基材を使用する場合、剥離基材上に、液状の樹脂組成物を直接塗布し、その後、この樹脂組成物を半硬化させつつ巻き取ることにより、第１の樹脂組成物層１１が設けられた巻重状の剥離基材を得ることができる。
【０１７０】
（ii）２５℃で樹脂組成物が固形状をなす場合
第１の樹脂組成物層１１を構成する樹脂組成物が、２５℃で固形状をなす場合、まず、樹脂組成物を有機溶剤に溶解してワニスを得る。そして、このワニスを剥離基材上に供給（塗布）して付着させた後、所定の温度で乾燥させることにより第１の樹脂組成物層１１が形成される。
【０１７１】
なお、形成すべき第１の樹脂組成物層１１に厚さの制御が必要な場合には、ワニスが供給された剥離基材を一定の間隙を有するバーコーターを通過させたり、ワニスをスプレーコーター等により、剥離基材に吹き付けることにより、目的とする厚さの第１の樹脂組成物層１１を容易に製造することができる。
【０１７２】
また、巻重状の剥離基材を使用する場合、剥離基材上に、ワニスを直接塗布し、その後、このワニスを乾燥させつつ巻き取ることにより、第１の樹脂組成物層１１が設けられた巻重状の剥離基材を得ることができる。
【０１７３】
次に、剥離基材上に形成された第１の樹脂組成物層１１の剥離基材と反対側の面のほぼ全面に、蒸着、スパッタ、めっき等の各種成膜法（気相成膜法および液相成膜法）により、金属層１２を形成する。
【０１７４】
［２］第２の工程
次に、金属層１２上に第２の樹脂組成物層１３を形成する。
【０１７５】
この金属層１２上への第２の樹脂組成物層１３の形成は、例えば、金属層１２上に直接第２の樹脂組成物層１３を形成する場合、前記工程［１］において、剥離基材上に第１の樹脂組成物層１１を形成する場合に説明したのと同様の方法を用いて行うことができる。
【０１７６】
また、第２の樹脂組成物層１３を、前記工程［１］において剥離基材上に第１の樹脂組成物層１１を形成したのと同様に、剥離基材上に形成した場合には、金属層１２と第２の樹脂組成物層１３とが対向した状態で、これらを熱ロールでラミネートして金属層１２に
第２の樹脂組成物層１３を圧着することで、金属層１２上に第２の樹脂組成物層１３を形成することができる。
【０１７７】
なお、本工程［２］に先立って、金属層１２には、第２の樹脂組成物層１３との密着性を高めるため、その表面粗さを向上させることを目的に、エンボス加工を施すようにしてもよい。
【０１７８】
以上のような工程を経て、第１の樹脂組成物層１１と、金属層１２と、第２の樹脂組成物層１３とがこの順に互いに接合するように積層された３層構造をなす積層体を得ることができる。
【０１７９】
［３］第３の工程
次に、積層体に欠損部を形成して導電接続シート１を得る。
【０１８０】
この積層体に欠損部を形成する方法は、例えば、打ち抜き加工、切断加工、エッチング等が挙げられるが、その中でも、打ち抜き加工、切断加工が好ましい。これにより、積層体を打ち抜いたり、切断するという比較的簡単な工程で、欠損部を得ることができる。
【０１８１】
このように打ち抜き加工、切断加工を施すことにより、積層体の中央部付近を正方形状に取り除くことができる。これにより、図２（ａ）に示すようなロの字状（正方形の枠状）の導電接続シート１を得ることができる。
【０１８２】
この導電接続シート１が、半導体装置１０が備える接続部８１および封止層８０の形成に用いられる。
【０１８３】
導電接続シート１を用いた接続部８１と封止層８０との形成に、本発明の端子間の接続方法または本発明の接続部の形成方法が適用される。
＜本発明の端子間の接続方法＞
以下では、まず、本発明の端子間の接続方法を適用して、接続部８１と封止層８０とを形成する場合について詳述する。
【０１８４】
図３は、本発明の端子間の接続方法を用いて、半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図３中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０１８５】
以下に説明する接続部８１および封止層８０の形成方法では、導電接続シート１を半導体チップ２０が有する第１の端子２１と、インターポーザー３０に設けられた第２の端子４１との間に配置する配置工程と、金属材料の融点以上であり、かつ、樹脂組成物層１１、１３が変形可能な温度に導電接続シート１を加熱する加熱工程と、前記樹脂組成物を硬化または固化させる硬化（固化）工程とを有している。
【０１８６】
なお、接続部８１および封止層８０を形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第１の端子間の接続方法とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第２の端子間の接続方法としてそれぞれ説明する。
＜＜第１の端子間の接続方法＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第１の端子間の接続方法では、半導体チップ２０が有する第１の端子２１と、インターポーザー３０に設けられた第２の端子４１との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、
金属層１２（金属材料）の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、硬化性樹脂組成物の硬化を完了させる硬化工程とを有している。
【０１８７】
以下、各工程について詳述する。
【０１８８】
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０が有する第１の端子２１と、インターポーザー３０に設けられた第２の端子４１との間に導電接続シート１を配置する。
【０１８９】
［１−１］
まず、半導体チップ２０と、第２の端子４１が設けられたインターポーザー３０とを用意する。
【０１９０】
［１−２］
次いで、図３（ａ）のように、導電接続シート１を、半導体チップ２０の端子２１側の面に配置する。以下に、半導体チップ２０の端子２１側に、導電接続シート１を配置する場合について詳細に説明するが、この場合に限定されず、インターポーザー３０の端子４１側に、導電接続シート１を配置する場合についても同様に行うことができる。
【０１９１】
前述したとおり、半導体チップ２０における端子領域２１１の形状はロの字状をなしている。さらに、導電接続シート１を半導体チップ２０に載置した際に、導電接続シート１は、端子領域２１１と重なり合う形状、すなわちロの字状の形状をなしている。したがって、このロの字状の端子領域２１１に対応するように、ロの字状をなす導電接続シート１が載置されると、端子領域２１１には導電接続シート１が配置されているのに対し、非端子領域２１２には導電接続シート１が配置されていない状態となる。その結果、導電接続シート１は、端子領域２１１に対して選択的に配置されている状態となる。
【０１９２】
これにより、端子領域２１１には、金属層１２が存在しているのに対し、非端子領域２１２には、金属層１２が存在しておらず、その結果、非端子領域２１２には金属材料が存在しない状態となる。
【０１９３】
その後、導電接続シート１を、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着させる。
【０１９４】
ここで、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、半導体チップ２０から突出する端子２１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。
【０１９５】
［１−３］
次いで、図３（ａ）のように、非端子領域２１２に充填材５０を充填する。
【０１９６】
前記工程［１］で説明したように、端子領域２１１には、導電接続シート１が配置されているのに対し、非端子領域２１２には、導電接続シート１が配置されておらず、空間が形成されているような状態となっている。このため、本工程では、この空間に充填材５０を充填する。
【０１９７】
これにより、非端子領域２１２に充填材５０が充填されることとなるため、後述する加熱工程［２］において導電接続シート１を溶融した際に、導電接続シート１の金属層１２に含まれている金属材料が、非端子領域２１２側に入り込むことを防止することができる。その結果、非端子領域２１２に、金属材料が存在することを確実に防止できる。
【０１９８】
なお、充填材５０は、充填材料を含有する液状のものを固化（または硬化）させることで形成されたものでもよいし、充填材料を含有するものを予めフィルム状に成型したものであってもよい。
【０１９９】
また、充填材５０が液状の場合は、液状の充填材５０を半導体チップ２０の非端子領域２１２に入れ、一定の間隙を有するバーコーターを通過させて固化（または硬化）されたものや、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により吹き付けて固化（または硬化）されたものを充填する。
【０２００】
また、充填材５０がフィルム状の場合は、フィルム状に形成した充填材５０を半導体チップ２０の非端子領域２１２に充填し、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、充填材５０を半導体チップ２０に充填する。
【０２０１】
このような充填材料は、樹脂を含有するものであれば、特に限定されず、例えば、硬化性樹脂組成物または可塑性樹脂組成物を用いることができ、中でも、熱硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂組成物は、硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れる。また、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される導電接続シート１と、充填材５０とを、後述する加熱工程にて溶融した際に、双方の相溶性がよく、簡便かつ迅速に封止層８０を形成することができる。
【０２０２】
また、充填材５０に熱硬化性樹脂組成物を用いる場合、「第１の樹脂組成物層１１」にて述べた材料を用いることができ、その材料は、異なる材料で構成されてものであってもよいが、同一または同種の材料で構成されたものが好ましい。これにより、前述した効果をより顕著なものとすることができる。
【０２０３】
また、熱硬化性樹脂組成物には、熱硬化性樹脂の他に、必要に応じて、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤、充填材等が含まれていてもよい。
【０２０４】
［１−４］
そして、この状態で、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを、図３（ａ）に示すように、これらが備える端子２１、４１がそれぞれ対向するように位置あわせする。
【０２０５】
これにより、端子２１、４１がそれぞれ対向した状態で、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、導電接続シート１が配置されることとなる。
【０２０６】
このとき、導電接続シート１が、端子領域２１１に対して選択的に配置されているような構成であるため、端子２１、４１がそれぞれ対向するように位置あわせすると、端子２１、４１が配置されている端子領域２１１に対応するように、導電接続シート１が配置されることとなる。すなわち、端子２１、４１間には、導電接続シート１が配置しているのに対し、端子２１、４１間以外の非端子領域２１２には、導電接続シート１が配置されていない状態となり、導電接続シート１は、端子２１、４１間に対して選択的に配置されている状態となる。そして、端子２１、４１間以外の非端子領域２１２には、充填材５０が充填された状態となる。
【０２０７】
なお、導電接続シート１は、図３（ａ）に示すように、半導体チップ２０の端子２１側に熱圧着される場合に限らず、インターポーザー３０の端子４１側に熱圧着されていてもよいし、これらの双方に熱圧着されていてもよい。
【０２０８】
［２］加熱工程
次に、導電接続シート１を図３（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０２０９】
加熱温度は、金属層１２の融点以上であればよく、例えば、加熱時間を短くするなど、加熱時間を調整することによって、金属材料が硬化性樹脂組成物中を移動できる範囲すなわち「硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない」範囲であれば、その上限は特に制限されない。
【０２１０】
具体的には、加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０２１１】
具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および硬化性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、１００℃以上であることが好ましく、１３０℃以上であることがより好ましく、１４０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。なお、接続すべき半導体チップ２０およびインターポーザー３０等の熱劣化を防止するという観点から、加熱温度は、２６０℃以下であることが好ましく、２５０℃以下であることがより好ましく、２４０℃以下であることがさらに好ましい。
【０２１２】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２１３】
この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、フラックス作用により除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子２１、４１間に凝集し易い状態となる。
【０２１４】
さらに、たとえ端子２１、４１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１、４１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となる。
【０２１５】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１、４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に混在してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が混在することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２１６】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、硬化性樹脂中を移動して端子２１、４１間に選択的に凝集する。
【０２１７】
このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、導電接続シート１が、端子２１、４１が位置する端子領域２１１に選択的に設けられている。すなわち、対向する端子２１、４１が位置する端子領域２１１に対応するように導電接続シート１が配置され、それ以外の端子２１、４１が位置していない非端子領域２１２に対応するように充填材５０が充填されている。
【０２１８】
このことから、対向する端子２１、４１が位置する端子領域２１１では、金属層１２を
構成する金属材料が存在し、それ以外の端子２１、４１が位置していない非端子領域２１２では、金属層１２を構成する金属材料が存在していない状態をなしている。
【０２１９】
換言すれば、端子領域２１１に、金属材料を凝集させてこれらを電気的に接合すべき金属層１２が存在し、それ以外の非端子領域２１２には、樹脂を充填して絶縁性を維持すべく金属材料が存在しない状態となっている。
【０２２０】
そのため、まず、端子領域２１１では、加熱溶融した金属材料が端子２１、４１同士の間に凝集する。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料、すなわち接続部８１を介して端子２１と端子４１とが接続される。これに対して、非端子領域２１２では、充填材５０に由来する樹脂により封止層８０が形成される。したがって、金属材料が存存することなく、封止層８０が形成されることとなる。なお、端子領域２１１側の金属材料が非端子領域２１２側に入り込むことも考えられるが、このように封止層８０が形成されることで、非端子領域２１２に金属材料が入り込むことを確実に防止することができる。
【０２２１】
以上のことから、図３（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子２１、４１間のショートが防止されることとなる。その結果、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２２２】
また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２２３】
なお、本工程［２］では、対向する端子２１、４１間の距離を近づけるように、半導体チップ２０とインターポーザー３０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図３（ｃ）中の半導体チップ２０とインターポーザー３０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、対向する端子２１、４１間の距離を一定に制御することができるため、対向する端子２１、４１間の接続部８１による電気的な接続信頼性を高めることが可能となる。
【０２２４】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０２２５】
［３］硬化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１と封止層８０とを形成した後、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。
【０２２６】
これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２２７】
特に本実施形態では、高溶融粘度時に高絶縁抵抗値を有する硬化性樹脂組成物を使用しているため、封止層（絶縁性領域）８０の絶縁性をより確実に確保することができる。
【０２２８】
硬化性樹脂組成物の硬化は、硬化性樹脂組成物を加熱することによって実施することができる。硬化性樹脂組成物の硬化温度は、硬化性樹脂組成物の組成に応じて適宜設定する
ことができる。具体的には、前記加熱工程［３］での加熱温度より少なくとも５℃低い温度であることが好ましく、少なくとも１０℃低い温度であることがより好ましい。より具体的には、１００℃以上であることが好ましく、１２０℃以上であることがより好ましく、１３０℃以上であることがさらに好ましく、１５０℃以上であることが最も好ましい。また、３００℃以下であることが好ましく、２６０℃以下であることがより好ましく、２５０℃以下であることがさらに好ましく、２４０℃以下であることが最も好ましい。硬化温度が前記範囲内にあると、導電接続シート１が熱分解してしまうのを確実に防止しつつ、硬化性樹脂組成物を十分に硬化させることができる。
【０２２９】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成されることから、半導体チップ２０とインターポーザー３０とが電気的に接続される。
＜＜第２の端子間の接続方法＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第２の端子間の接続方法では、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程と、熱可塑性樹脂組成物を固化させる固化工程とを有している。
【０２３０】
以下、各工程について詳述する。
【０２３１】
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０が有する第１の端子２１と、インターポーザー３０に設けられた第２の端子４１との間に導電接続シート１を配置する。
【０２３２】
［１−１］
まず、半導体チップ２０と、第２の端子４１が設けられたインターポーザー３０とを用意する。
【０２３３】
［１−２］
次いで、図３（ａ）のように、導電接続シート１を、半導体チップ２０の端子２１側の面に配置する。以下に、半導体チップ２０の端子２１側に、導電接続シート１を配置する場合について詳細に説明するが、この場合に限定されず、インターポーザー３０の端子４１側に、導電接続シート１を配置する場合についても同様に行うことができる。
【０２３４】
前述したとおり、半導体チップ２０における端子領域２１１の形状はロの字状をなしている。さらに、導電接続シート１を半導体チップ２０に載置した際に、導電接続シート１は端子領域２１１と重なり合う形状、すなわちロの字状の形状をなしている。したがって、このロの字状の端子領域２１１に対応するように、ロの字状をなす導電接続シート１が載置されると、端子領域２１１には導電接続シート１が配置されているのに対し、非端子領域２１２には導電接続シート１が配置されていない状態となる。その結果、導電接続シート１は、端子領域２１１に対して選択的に配置されている状態となる。
【０２３５】
これにより、端子領域２１１には、金属層１２が存在しているのに対し、非端子領域２１２には、金属層１２が存在しておらず、その結果、非端子領域２１２には金属材料が存在しない状態となる。
【０２３６】
その後、導電接続シート１を、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着させる。
【０２３７】
ここで、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、半導体チップ２０から突出する端子２１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。
【０２３８】
［１−３］
次いで、図３（ａ）のように、非端子領域２１２に充填材５０を充填する。
【０２３９】
前記工程［１］で説明したように、端子領域２１１には、導電接続シート１が配置されているのに対し、端子領域２１２には、導電接続シート１が配置されておらず、空間が形成されているような状態となっている。このため、本工程では、この空間に充填材５０を充填する。
【０２４０】
これにより、非端子領域２１２に充填材５０が充填されることとなるため、後述する加熱工程［２］において導電接続シート１を溶融した際に、導電接続シート１の金属層１２に含まれている金属材料が、非端子領域２１２側に入り込むことを防止することができる。その結果、非端子領域２１２に、金属材料が存在することを確実に防止できる。
【０２４１】
なお、充填材５０は、充填材料を含有する液状のものを固化（または硬化）させることで形成されたものでもよいし、充填材料を含有するものを予めフィルム状に成型したものであってもよい。
【０２４２】
また、充填材５０が液状の場合は、液状の充填材５０を半導体チップ２０の非端子領域２１２に入れ、一定の間隙を有するバーコーターを通過させて固化（または硬化）されたものや、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により吹き付けて固化（または硬化）されたものを充填する。
【０２４３】
また、充填材５０がフィルム状の場合は、フィルム状に形成した充填材５０を半導体チップ２０の非端子領域２１２に充填し、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、充填材５０を半導体チップ２０に充填する。
【０２４４】
このような充填材料は、樹脂を含有するものであれば、特に限定されず、例えば、硬化性樹脂組成物または可塑性樹脂組成物を用いることができ、中でも、熱可塑性樹脂組成物を用いることが好ましい。また、樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される導電接続シート１と、充填材５０とを、後述する加熱工程にて溶融した際に、双方の相溶性がよく、簡便かつ迅速に封止層８０を形成することができる。
【０２４５】
また、充填材５０に熱可塑性樹脂組成物を用いる場合、「第１の樹脂組成物層１１」にて述べた材料を用いることができ、その材料は、異なる材料で構成されてものであってもよいが、同一または同種の材料で構成されたものが好ましい。これにより、前述した効果をより顕著なものとすることができる。
【０２４６】
また、熱可塑性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂の他に、必要に応じて、フィルム形成性樹脂、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【０２４７】
［１−４］
そして、半導体チップ２０と、インターポーザー３０とを、図３（ａ）に示すように、これらが備える端子２１、４１とがそれぞれ対向するように位置あわせする。
【０２４８】
これにより、端子２１、４１がそれぞれ対向した状態で、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、導電接続シート１が配置されることとなる。
【０２４９】
このとき、導電接続シート１が、端子領域２１１に対して選択的に配置されているような構成であるため、端子２１、４１がそれぞれ対向するように位置あわせすると、端子２１、４１が配置されている端子領域２１１に対応するように、導電接続シート１が配置されることとなる。すなわち、端子２１、４１間には、導電接続シート１が配置しているのに対し、端子２１、４１間以外の非端子領域２１２には、導電接続シート１が配置されていない状態となり、導電接続シート１は、端子２１、４１間に対して選択的に配置されている状態となる。そして、端子２１、４１間以外の非端子領域２１２には、充填材５０が充填された状態となる。
【０２５０】
なお、導電接続シート１は、図３（ａ）に示すように、半導体チップ２０の端子２１側に熱圧着される場合に限らず、インターポーザー３０の端子４１側に熱圧着されていてもよいし、これらの双方に熱圧着されていてもよい。
【０２５１】
［２］加熱工程
次に、導電接続シート１を図３（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上の温度でかつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で加熱する。
【０２５２】
加熱温度は、金属層１２の融点より５℃以上高い温度であるのが好ましく、１０℃以上高い温度であるのがより好ましく、２０℃以上高い温度であるのがさらに好ましく、３０℃以上高い温度であるのが特に好ましい。
【０２５３】
具体的には、加熱温度は、使用する金属層１２および熱可塑性樹脂組成物の組成等によって適宜設定されるが、例えば、前述した第１実施形態の加熱工程［２］で説明したのと同様の温度範囲に設定される。
【０２５４】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２５５】
この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、フラックス作用により除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、対向して配置された端子２１、４１間に凝集し易い状態となっている。
【０２５６】
さらに、たとえ端子２１、４１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、除去されているため、その濡れ性が確実に高められている。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、対向して配置された端子２１、４１間に溶融状態の金属材料が凝集し易い状態となっている。
【０２５７】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１、４１の表面に凝集する際に、その一部が端子４１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に混在してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、封止層８０に金属層１２の一部が混在することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０２５８】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、熱可塑性樹脂中を移動して端子２１、４１間に凝集する。
【０２５９】
このとき、本実施形態では、前記工程［１］で説明したように、導電接続シート１は、端子２１、４１が位置する端子領域２１１に選択的に設けられている。すなわち、対向する端子２１、４１が位置する端子領域２１１に対応するように導電接続シート１が配置され、それ以外の端子２１、４１が位置していない非端子領域２１２に対応するように充填材５０が充填されている。
【０２６０】
このことから、対向する端子２１、４１が位置する端子領域２１１では、金属層１２を構成する金属材料が存在し、それ以外の端子２１、４１が位置していない非端子領域２１２では、金属層１２を構成する金属材料が存在していない状態をなしている。
【０２６１】
換言すれば、端子領域２１１に、金属材料を凝集させてこれらを電気的に接合すべき金属層１２が存在し、それ以外の非端子領域２１２には、樹脂を充填して絶縁性を維持すべく金属材料が存在しない状態となっている。
【０２６２】
そのため、まず、端子領域２１１では、加熱溶融した金属材料が端子２１、４１同士の間に凝集する。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料、すなわち接続部８１を介して端子２１と端子４１とが接続される。これに対して、非端子領域２１２では、充填材５０に由来する樹脂により封止層８０が形成される。したがって、金属材料が存存することなく、封止層８０が形成されることとなる。なお、端子領域２１１側の金属材料が非端子領域２１２側に入り込むことも考えられるが、このように封止層８０が形成されることで、非端子領域２１２に金属材料が入り込むことを確実に防止することができる。
【０２６３】
以上のことから、図３（ｃ）に示すように、端子２１、４１の間には金属材料で構成される接続部８１が形成され、端子２１と端子４１とが接続部８１を介して電気的に接続される。このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで熱可塑性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて封止層８０が形成される。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が確保されることから、隣接する端子２１、４１間のショートが防止されることとなる。その結果、端子２１、４１間の接続部８１を介した接続の接続信頼性を高めることができる。
【０２６４】
また、微細な配線回路においても多数の端子２１、４１間の電気的接続を一括で実施することが可能となる。さらに、次工程［３］において、熱可塑性樹脂組成物を硬化させることにより接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
【０２６５】
［３］固化工程
次に、前記加熱工程［２］において、接続部８１と封止層８０とを形成した後、熱可塑性樹脂組成物を固化させることにより、封止層８０を固定する。
【０２６６】
これにより、端子２１、４１間の接続部８１による電気的信頼性、および、封止層８０による機械的信頼性の双方を十分に確保することができる。
【０２６７】
熱可塑性樹脂組成物の固化は、前記加熱工程［２］で加熱した熱可塑性樹脂組成物を冷却することによって実施することができる。
【０２６８】
熱可塑性樹脂組成物の冷却による熱可塑性樹脂組成物の固化すなわち封止層８０の固定は、熱可塑性樹脂組成物の組成に応じて適宜選択される。具体的には、自然冷却による方法でもよく、また、冷気を吹きつける等の方法から適宜選択される。
【０２６９】
熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、特に限定されないが、金属層１２の融点より低いこ
とが好ましい。具体的には、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、金属層１２の融点より１０℃以上低いことが好ましく、２０℃以上低いことがより好ましい。また、熱可塑性樹脂組成物の固化温度は、５０℃以上であることが好ましく、６０℃以上であることがより好ましく、１００℃以上であることがさらに好ましい。熱可塑性樹脂組成物の固化温度が前記範囲内にあると、接続部８１を確実に形成することができるとともに、封止層８０を優れた耐熱性を発揮するものとすることができる。その結果、隣接する端子２１、４１間の絶縁性が的確に確保され、隣接する端子２１、４１間のショートをより確実に防止することができる。
【０２７０】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０と、インターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成される。
【０２７１】
なお、第１の端子間の接続方法および第２の端子間の接続方法では、半導体チップ２０とインターポーザー３０とがそれぞれ備える端子２１と端子４１との間に、接続部８１を形成して電気的に接続する場合について説明したが、かかる場合に限定されず、各種電子機器が有する電子部品が備える端子同士を電気的に接続する場合に適用することができ、電子部品としては、例えば、半導体ウエハ、リジッド基板およびフレキシブル基板等が挙げられる。
＜本発明の接続部の形成方法＞
次に、本発明の接続部の形成方法を用いて、接続部８１と封止層８０とを形成する場合について説明する。
【０２７２】
この場合、まず、本発明の接続部の形成方法を適用して、半導体チップ２０に、端子２１に対応して接続部８１を形成するともに、この接続部８１を取り囲むように補強層８６を形成し、次いで、これら接続部８１と補強層８６が設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に接続（実装）することで、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に接続部８１と封止層８０とが形成される。
【０２７３】
以下では、本発明の接続部の形成方法を適用して、半導体チップ２０の端子２１側の面に接続部８１と補強層８６とを形成する方法について詳述する。
【０２７４】
図４は、本発明の接続部の形成方法を用いて、半導体チップが備える端子に対応して接続部を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図４中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０２７５】
以下に説明する接続部８１および補強層８６の形成方法では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属材料の融点以上であり、かつ、樹脂組成物層１１、１３が変形可能な温度に導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２７６】
なお、接続部８１と補強層８６とを形成するに際し、導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合と、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合とでは、その形成方法が若干異なる。そのため、以下では、樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される場合を第１の接続部の形成方法とし、熱可塑性樹脂組成物で構成される場合を第２の接続部の形成方法としてそれぞれ説明する。
＜＜第１の接続部の形成方法＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が硬化性樹脂組成物で構成される第１の接続部の形成方法では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０２７７】
以下、各工程について詳述する。
【０２７８】
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０が有する第１の端子２１に導電接続シート１を配置する。
【０２７９】
［１−１］
まず、半導体チップ２０を用意する。
【０２８０】
［１−２］
次いで、図４（ａ）のように、導電接続シート１を、半導体チップ２０の端子２１側の面に配置する。以下に、半導体チップ２０の端子２１側に、導電接続シート１を配置する場合について詳細に説明するが、この場合に限定されず、インターポーザー３０の端子４１側に、導電接続シート１を配置する場合についても同様に行うことができる。
【０２８１】
前述したとおり、半導体チップ２０における端子領域２１１の形状はロの字状をなしている。さらに、導電接続シート１を半導体チップ２０に載置した際に、導電接続シート１は端子領域２１１と重なり合う形状、すなわちロの字状の形状をなしている。したがって、このロの字状の端子領域２１１に対応するように、ロの字状をなす導電接続シート１が載置されると、端子領域２１１には導電接続シート１が配置されているのに対し、非端子領域２１２には導電接続シート１が配置されていない状態となる。その結果、導電接続シート１は、端子領域２１１に対して選択的に配置されている状態となる。
【０２８２】
これにより、端子領域２１１には、金属層１２が存在しているのに対し、非端子領域２１２には、金属層１２が存在しておらず、その結果、非端子領域２１２には金属材料が存在しない状態となる。
【０２８３】
その後、導電接続シート１を、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着させる。
【０２８４】
ここで、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、半導体チップ２０から突出する端子２１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。
【０２８５】
［１−３］
次いで、図４（ａ）のように、非端子領域２１２に充填材５０を充填する。
【０２８６】
前記工程［１］で説明したように、端子領域２１１には、導電接続シート１が配置されているのに対し、端子領域２１２には、導電接続シート１が配置されておらず、空間が形成されているような状態となっている。このため、本工程では、この空間に充填材５０を充填する。
【０２８７】
これにより、非端子領域２１２に充填材５０が充填されることとなるため、後述する加熱工程［２］において導電接続シート１を溶融した際に、導電接続シート１の金属層１２に含まれている金属材料が、非端子領域２１２側に入り込むことを防止することができる。その結果、非端子領域２１２に、金属材料が存在することを確実に防止できる。
【０２８８】
なお、充填材５０は、充填材料を含有する液状のものを固化（または硬化）させることで形成されたものでもよいし、充填材料を含有するものを予めフィルム状に成型したものであってもよい。
【０２８９】
また、充填材５０が液状の場合は、液状の充填材５０を半導体チップ２０の非端子領域
２１１に入れ、一定の間隙を有するバーコーターを通過させて固化（または硬化）されたものや、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により吹き付けて固化（または硬化）されたものを充填する。
【０２９０】
また、充填材５０がフィルム状の場合は、フィルム状に形成した充填材５０を半導体チップ２０の非端子領域２１２に充填し、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、充填材５０を半導体チップ２０に充填する。
【０２９１】
このような充填材料は、樹脂を含有するものであれば、特に限定されず、例えば、硬化性樹脂組成物または可塑性樹脂組成物を用いることができ、中でも、熱硬化性樹脂組成物を用いることが好ましい。熱硬化性樹脂組成物は、硬化後の線膨張率や弾性率等の機械特性に優れる。また、樹脂組成物層１１、１３が熱硬化性樹脂組成物で構成される導電接続シート１と、充填材５０とを、後述する加熱工程にて溶融した際に、双方の相溶性がよく、簡便かつ迅速に封止層８０を形成することができる。
【０２９２】
また、充填材５０に熱硬化性樹脂組成物を用いる場合、「第１の樹脂組成物層１１」にて述べた材料を用いることができ、その材料は、異なる材料で構成されてものであってもよいが、同一または同種の材料で構成されたものが好ましい。これにより、前述した効果をより顕著なものとすることができる。
【０２９３】
また、熱硬化性樹脂組成物には、熱硬化性樹脂の他に、必要に応じて、フィルム形成性樹脂、硬化剤、硬化促進剤、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【０２９４】
［２］加熱工程
次に、導電接続シート１を図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する硬化性樹脂組成物の硬化が完了しない温度で加熱する。
【０２９５】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記第１の端子間の接続方法の加熱工程［２］で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０２９６】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０２９７】
この際、硬化性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、フラックス作用により除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、溶融した金属層１２が端子２１の表面に凝集し易い状態となる。
【０２９８】
さらに、たとえ端子２１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、溶融した金属層１２が端子２１の表面に凝集し易い状態となる。
【０２９９】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１の表面に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に混在してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が混在することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０３００】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、樹脂組成物層１１、１３中すなわち硬化性樹脂中を移動して端子２１の表面に凝集する。
【０３０１】
このとき、本実施形態では、導電接続シート１は、端子２１が位置する端子領域２１１に選択的に設けられている。すなわち、端子２１が位置する端子領域２１１に対応するように導電接続シート１が配置され、それ以外の端子２１が位置していない非端子領域２１２に対応するように充填材５０が充填されている。
【０３０２】
このことから、端子２１が位置する端子領域２１１では、金属層１２を構成する金属材料が存在し、それ以外の端子２１が位置していない非端子領域２１２では、金属層１２を構成する金属材料が存在していない状態をなしている。
【０３０３】
換言すれば、端子領域２１１に、金属材料を凝集させてこれらを電気的に接合すべき金属層１２が存在し、それ以外の非端子領域２１２には、樹脂を充填して絶縁性を維持すべく金属材料が存在しない状態となっている。
【０３０４】
そのため、まず、端子領域２１１では、加熱溶融した金属材料が端子２１に凝集する。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料、すなわち接続部８１が接続される。これに対して、非端子領域２１２では、充填材５０に由来する樹脂により補強層８６が形成される。したがって、金属材料が存存することなく、補強層８６が形成されることとなる。なお、端子領域２１１側の金属材料が非端子領域２１２側に入り込むことも考えられるが、このように封止層８０が形成されることで、非端子領域２１２に金属材料が入り込むことを確実に防止することができる。
【０３０５】
以上のことから、図４（ｃ）に示すように、端子２１には金属材料で構成される接続部８１が形成され、このとき、接続部８１の周囲を取り囲んで硬化性樹脂組成物が、金属材料が混在することなく充填されて補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続部８１間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続部８１間のショートが確実に防止されることとなる。
【０３０６】
以上のような接続部８１および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を端子２１に凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に硬化性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続部８１間の絶縁性を確保することができる。
【０３０７】
また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１に対応して複数の接続部８１を一括して形成することが可能となる。
【０３０８】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０３０９】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０３１０】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続部８１および補強層８６が形成
される。すなわち、接続部８１および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続部の形成方法が適用される。
【０３１１】
なお、本実施形態のように、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂として、硬化性樹脂を用いる場合、前記加熱工程［２］では、硬化性樹脂組成物を完全には硬化させない状態としておくのが好ましい。これにより、接続部８１と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に実装する際に、補強層８６を加熱することで、再度、溶融状態とすることができるようになる。
【０３１２】
以上のように、導電接続シート１を用いて半導体チップ２０に形成された端子２１に対応して接続部８１を形成する場合、端子領域２１１に導電接続シート１を配置し、非端子領域２１２に充填材料を配置した後、加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子２１上に凝集し、その結果、接続部８１が形成されることとなる。
【０３１３】
このような接続部８１と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に配置した状態で、接続部８１と補強層８６とを加熱することにより、接続部８１が再び溶融状態となるため、その後、このものを冷却することで、インターポーザー３０と半導体チップ２０との間に、接続部８１と封止層８０とが形成され、その結果、インターポーザー３０と半導体チップ２０とが電気的に接続される。
【０３１４】
そして、本実施形態では、樹脂組成物層１１、１３に含まれる樹脂として、硬化性樹脂が含まれ、このものが未硬化の状態のものも存在するため、硬化性樹脂組成物を硬化させることにより、封止層８０を固定する。これにより、接続部８１および封止層８０の機械的強度を高めることができる。
＜＜第２の接続部の形成方法＞＞
導電接続シート１が備える樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される第２の接続部の形成方法では、半導体チップ２０上に導電接続シート１を配置する配置工程と、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で導電接続シート１を加熱する加熱工程とを有している。
【０３１５】
以下、各工程について詳述する。
【０３１６】
［１］配置工程
まず、半導体チップ２０が有する第１の端子２１に導電接続シート１を配置する。
【０３１７】
［１−１］
まず、半導体チップ２０を用意する。
【０３１８】
［１−２］
次いで、図４（ａ）のように、導電接続シート１を、半導体チップ２０の端子２１側の面に配置する。以下に、半導体チップ２０の端子２１側に、導電接続シート１を配置する場合について詳細に説明するが、この場合に限定されず、インターポーザー３０の端子４１側に、導電接続シート１を配置する場合についても同様に行うことができる。
【０３１９】
前述したとおり、半導体チップ２０における端子領域２１１の形状はロの字状をなしている。さらに、導電接続シート１を半導体チップ２０に載置した際に、導電接続シート１は端子領域２１１と重なり合う形状、すなわちロの字状の形状をなしている。したがって、このロの字状の端子領域２１１に対応するように、ロの字状をなす導電接続シート１が載置されると、端子領域２１１には導電接続シート１が配置されているのに対し、非端子領域２１２には導電接続シート１が配置されていない状態となる。その結果、導電接続シ
ート１は、端子領域２１１に対して選択的に配置されている状態となる。
【０３２０】
これにより、端子領域２１１には、金属層１２が存在しているのに対し、非端子領域２１２には、金属層１２が存在しておらず、その結果、非端子領域２１２には金属材料が存在しない状態となる。
【０３２１】
その後、導電接続シート１を、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、半導体チップ２０の端子２１側の面に熱圧着させる。
【０３２２】
ここで、第１の樹脂組成物層１１が溶融状態となるため、半導体チップ２０から突出する端子２１は、第１の樹脂組成物層１１中に埋入することとなる。
【０３２３】
［１−３］
次いで、図４（ａ）のように、非端子領域２１２に充填材５０を充填する。
【０３２４】
前記工程［１］で説明したように、端子領域２１１には、導電接続シート１が配置されているのに対し、端子領域２１２には、導電接続シート１が配置されておらず、空間が形成されているような状態となっている。このため、本工程では、この空間に充填材５０を充填する。
【０３２５】
これにより、非端子領域２１２に充填材５０が充填されることとなるため、後述する加熱工程［２］において導電接続シート１を溶融した際に、導電接続シート１の金属層１２に含まれている金属材料が、非端子領域２１２側に入り込むことを防止することができる。その結果、非端子領域２１２に、金属材料が存在することを確実に防止できる。
【０３２６】
なお、充填材５０は、充填材料を含有する液状のものを固化（または硬化）させることで形成されたものでもよいし、充填材料を含有するものを予めフィルム状に成型したものであってもよい。
【０３２７】
また、充填材５０が液状の場合は、液状の充填材５０を半導体チップ２０の非端子領域２１２に入れ、一定の間隙を有するバーコーターを通過させて固化（または硬化）されたものや、液状の樹脂組成物をスプレーコーター等により吹き付けて固化（または硬化）されたものを充填する。
【０３２８】
また、充填材５０がフィルム状の場合は、フィルム状に形成した充填材５０を半導体チップ２０の非端子領域２１２に充填し、ロールラミネータまたはプレス等の装置を用いて、充填材５０を半導体チップ２０に充填する。
【０３２９】
このような充填材料は、樹脂を含有するものであれば、特に限定されず、例えば、硬化性樹脂組成物または可塑性樹脂組成物を用いることができ、中でも、熱可塑性樹脂組成物を用いることが好ましい。また、樹脂組成物層１１、１３が熱可塑性樹脂組成物で構成される導電接続シート１と、充填材５０とを、後述する加熱工程にて溶融した際に、双方の相溶性がよく、簡便かつ迅速に封止層８０を形成することができる。
【０３３０】
また、充填材５０に熱可塑性樹脂組成物を用いる場合、「第１の樹脂組成物層１１」にて述べた材料を用いることができ、その材料は、異なる材料で構成されてものであってもよいが、同一または同種の材料で構成されたものが好ましい。これにより、前述した効果をより顕著なものとすることができる。
【０３３１】
また、熱可塑性樹脂組成物には、熱可塑性樹脂の他に、必要に応じて、フィルム形成性
樹脂、シランカップリング剤等が含まれていてもよい。
【０３３２】
［２］加熱工程
次に、導電接続シート１を図４（ｂ）に示すように、金属層１２の融点以上で、かつ、樹脂組成物層１１、１３を構成する熱可塑性樹脂組成物が軟化する温度で加熱する。
【０３３３】
導電接続シート１を加熱する温度は、前記第２の端子間の接続方法の［２］加熱工程で導電接続シート１を加熱した温度と同様の温度に設定される。
【０３３４】
このような温度で導電接続シート１を加熱すると、金属層１２が溶融し、溶融した金属層１２すなわち低融点の金属材料が、樹脂組成物層１１、１３中を移動できるようになる。
【０３３５】
この際、熱可塑性樹脂組成物にフラックス機能を有する化合物が含まれる場合、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、たとえ金属層１２の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜は、フラックス作用により除去されることとなる。そのため、溶融状態の金属材料は、濡れ性が高められた状態であり、金属結合が促されていることから、溶融した金属層１２が端子２１の表面に凝集し易い状態となる。
【０３３６】
さらに、たとえ端子２１の表面に酸化膜が形成されていたとしても、この酸化膜も、フラックス機能を有する化合物のフラックス作用により、除去され、その濡れ性が高められることとなる。その結果、金属材料との金属結合が促され、かかる観点からも、溶融した金属層１２が端子２１の表面に凝集し易い状態となる。
【０３３７】
なお、本発明では、金属層１２が層状（箔状）をなしているため、溶融状態の金属層１２が複数個に分断されて端子２１の表面に凝集する際に、その一部が端子２１に凝集することなく樹脂組成物層１１、１３中に混在してしまうのを的確に抑制または防止することができる。そのため、補強層８６に金属層１２の一部が混在することに起因するリーク電流の発生を確実に防止することができる。
【０３３８】
以上のことから、溶融状態の金属材料は、樹脂組成物層１１、１３中すなわち熱可塑性樹脂中を移動して端子２１の表面に凝集する。
【０３３９】
このとき、本実施形態では、導電接続シート１は、端子２１が位置する端子領域２１１に選択的に設けられている。すなわち、端子２１が位置する端子領域２１１に対応するように導電接続シート１が配置され、それ以外の端子２１が位置していない非端子領域２１２に対応するように充填材５０が充填されている。
【０３４０】
このことから、端子２１が位置する端子領域２１１では、金属層１２を構成する金属材料が存在し、それ以外の端子２１が位置していない非端子領域２１２では、金属層１２を構成する金属材料が存在していない状態をなしている。
【０３４１】
換言すれば、端子領域２１１に、金属材料を凝集させてこれらを電気的に接合すべき金属層１２が存在し、それ以外の非端子領域２１２には、樹脂を充填して絶縁性を維持すべく金属材料が存在しない状態となっている。
【０３４２】
そのため、まず、端子領域２１１では、加熱溶融した金属材料が端子２１に凝集する。そして、凝集した金属材料の量が増大するにしたがって、最終的には、凝集した金属材料、すなわち接続部８１が接続される。これに対して、非端子領域２１２では、充填材５０に由来する樹脂により補強層８６が形成される。したがって、金属材料が存存することな
く、補強層８６が形成されることとなる。なお、端子領域２１１側の金属材料が非端子領域２１２側に入り込むことも考えられるが、このように封止層８０が形成されることで、非端子領域２１２に金属材料が入り込むことを確実に防止することができる。
【０３４３】
以上のことから、図４（ｃ）に示すように、端子２１の表面には金属材料で構成される接続部８１が形成される。この際、熱可塑性樹脂組成物が冷却されることにより、金属材料が混在することなく熱可塑性樹脂組成物が接続部８１の周囲を取り囲んで固化することで、補強層８６が形成される。その結果、隣接する接続部８１間の絶縁性が確保されることから、隣接する接続部８１間のショートが確実に防止されることとなる。
【０３４４】
以上のような接続部８１および補強層８６の形成方法では、加熱溶融した金属材料を端子２１に凝集させて接続部８１を形成し、その周囲に熱可塑性樹脂組成物で構成された補強層８６を形成することができる。その結果、隣接する接続部８１間の絶縁性を確保することができる。
【０３４５】
また、微細なピッチで複数の端子２１を有する半導体チップ２０においても端子２１に対応して複数の接続部８１を一括して形成することが可能となる。
【０３４６】
なお、本工程［２］では、導電接続シート１と端子２１との距離を近づけるように、導電接続シート１と半導体チップ２０とを加圧した状態で加熱してもよい。例えば、図４（ｂ）中の導電接続シート１と半導体チップ２０とが接近する方向に公知の熱圧着装置等の手段を用いて加熱および加圧することにより、導電接続シート１と端子２１との距離を一定に制御することができるため、端子２１の表面における溶融状態の金属材料の凝集能をより高めることが可能となる。
【０３４７】
さらに、加圧または加熱する際に超音波や電場等を加えたり、レーザーや電磁誘導等の特殊加熱を適用してもよい。
【０３４８】
以上のような工程［１］および工程［２］を経て、接続部８１および補強層８６が形成される。すなわち、接続部８１および補強層８６を形成するための、配置工程［１］および加熱工程［２］に、本発明の接続部の形成方法が適用される。
【０３４９】
以上のように、導電接続シート１を用いて半導体チップ２０の端子２１側の面に接続部８１を形成する場合、接続部８１を形成しようとする部分に、端子領域２１１に導電接続シート１を配置し、非端子領域２１２に充填材料を配置した後、加熱することにより、溶融状態の金属層１２が端子２１上に凝集し、その結果、接続部８１が形成されることとなる。
【０３５０】
このような接続部８１と補強層８６とが設けられた半導体チップ２０を、インターポーザー３０に配置した状態で、接続部８１と補強層８６とを加熱することにより、接続部８１が再び溶融状態となるため、その後、このものを冷却することで、インターポーザー３０と半導体チップ２０との間に、接続部８１と封止層８０とが形成され、その結果、インターポーザー３０と半導体チップ２０とが電気的に接続される。
【０３５１】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０の端子２１上に、接続部８１が形成され、この接続部８１を取り囲むように補強層８６が形成される。
【０３５２】
なお、なお、第１の接続部の形成方法および第２の接続部の形成方法では、半導体チップ２０が備える端子２１に対応するように接続部８１を形成する場合に、本発明の接続部の形成方法を適用する場合ついて説明したが、この場合に限定されず、各種電子機器に用
いられる電子部品が備える端子（電極）上に、接続部（バンプ）を形成する場合に適用することができ、各種電子部品としては、例えば、半導体ウエハおよびフレキシブル基板等が挙げられる。
【０３５３】
また、前記本発明の端子間の接続方法または本発明の接続部の形成方法では、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に、図２に示した第１の構成の導電接続シート１を配置して接続部８１および封止層８０を形成する場合について説明したが、導電接続シートの構成は、かかる場合に限定されず、例えば、以下に示すような構成の導電接続シートを用いることができる。
［第２実施形態］
次に、本発明の導電接続シートの第２実施形態について説明する。
【０３５４】
図５は、本発明の導電接続シートの第２実施形態を示す模式図（図５（ａ）は、平面図、図５（ｂ）は、図５（ａ）中のＣ−Ｃ線断面図）である。
【０３５５】
なお、以下の説明では、図５中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０３５６】
以下、本発明の導電接続シートの第２実施形態例である導電接続シート１００について説明するが、前述した導電接続シート１との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０３５７】
本実施形態の導電接続シート１００は、図５に示すように、平面視においてその全体形状は、正方形状をなしており、その中心付近に正方形状の凹部を有するものである。
【０３５８】
すなわち、前記第１実施形態で説明した導電接続シート１は、その厚さ方向に打ち抜いて導電接続シート１を貫通したような形態をなしているのに対し、導電接続シート１００は、上面側で中心付近が欠損している穴が形成されたような形態をなしている。
【０３５９】
換言すれば、本実施形態では、樹脂組成物層１１、金属層１２は、前述した導電接続シート１と同様に、それぞれロの字状（正方形の枠状）をなしているのに対し、樹脂組成物層１３は、非端子領域２１２で欠損していない正方形状のシートとなっている。
【０３６０】
このような構成の導電接続シート１００を用いても、前記第１実施形態で説明したのと同様の効果を得ることができる。さらに、導電接続シート１００は、中央付近が貫通していない形態であるため、前記導電接続シート１のように、その厚さ方向に打ち抜いた貫通孔を形成したような形態をなしているものに比べ、導電接続シート全体の形状安定性が優れたものとなる。
【０３６１】
また、前記のような樹脂組成物層１１および金属層１２は、導電接続シート１００を端子領域２１１に配置した際に、端子領域２１１の形状と重なり合う形状をなしている。したがって、導電接続シート１００を半導体チップ２０に載置すると、端子領域２１１に樹脂組成物層１１、１３および金属層１２が配置されているのに対し、非端子領域２１２に樹脂組成物層１３が単独で配置されている状態となる。
【０３６２】
ところで、本発明では、金属材料が非端子領域２１２に存在せず、端子領域２１１に金属層１２を的確に配置することが求められる。この際、導電接続シート１００は、樹脂組成物層１３が欠損部を有しないシート状となっているため、形状安定性が優れている。したがって、導電接続シート１００を半導体チップ２０に、安定して位置合わせすることができ、より的確に半導体チップ２０の端子領域２１１に、金属層１２を載置することができるようになる。
【０３６３】
さらに、前記のような導電接続シート１００を用いた本発明の端子間の接続方法について説明するが、前述した第１実施形態の第１の端子間の接続方法および第２の端子間の接続方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０３６４】
図６は、本発明の端子間の接続方法を用いて、半導体装置が備える接続部および封止層を製造する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図６中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０３６５】
まず、半導体チップ２０が有する第１の端子２１と、インターポーザー３０に設けられた第２の端子４１との間に導電接続シート１を配置する。この際、図６（ａ）のように、半導体チップ２０が有する端子２１側に、樹脂組成物層１３が位置するように、導電接続シート１００を載置する。
【０３６６】
このように導電接続シート１００を載置することで、樹脂組成物層１３を半導体チップに押し付けながら載置することができ、的確に所望の位置に導電接続シート１００を載置することができる。
【０３６７】
以上のように導電接続シート１００を載置することで、端子領域２１１には樹脂組成物層１１、１３および金属層１２が配置しているのに対し、非端子領域２１２には樹脂組成物層１３のみが配置されることとなる。
【０３６８】
これにより、本実施形態では、非端子領域２１２において、金属層１２が存在せず、樹脂組成物層１３が配置される。そのため、第１実施形態のように非端子領域２１２に充填材料を充填しなくとも、加熱工程［２］の際に金属材料が非端子領域２１２側に入り込むことを防止することができる。したがって、第１実施形態の端子間の接続方法にて説明した充填工程を省略することが可能となる。
【０３６９】
次に、前記第１実施形態の端子間の接続方法と同様、導電接続シート１００を、図６（ｂ）のように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０３７０】
前記のような導電接続シート１００を用いることで、端子領域２１１に金属材料を供給し、かつ、それ以外の部分である非端子領域２１２に金属材料が存在しないため、端子領域２１１すなわち端子２１、４１同士の間に凝集させることができる。そして、凝集した金属材料を介して端子２１と端子４１とが接続される。
【０３７１】
そして、前記第１実施形態の端子間の接続方法と同様、図６（ｃ）のように、硬化性樹脂組成物を硬化（固化）させることにより、封止層８０を固定する。
【０３７２】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０とインターポーザー３０との間に、接続部８１および封止層８０が形成されることから、半導体チップ２０とインターポーザー３０とが電気的に接続される。
【０３７３】
次に、前記のような導電接続シート１００を用いた本発明の接続部の形成方法について説明するが、前述した第１次実施形態の第１の端子間の接続方法および第２の端子間の接続方法との相違点を中心に説明し、同様の事項については、その説明を省略する。
【０３７４】
図７は、本発明の接続部の形成方法を用いて、半導体チップが備える端子に対応して接続部を形成する方法を説明するための縦断面図である。なお、以下の説明では、図７中の上側を「上」、下側を「下」と言う。
【０３７５】
まず、半導体チップ２０が有する第１の端子２１に導電接続シート１を配置する。この際、図７（ａ）のように、半導体チップ２０が有する端子２１側に、樹脂組成物層１３が位置するように、導電接続シート１００を載置する。
【０３７６】
このように導電接続シート１００を載置することで、樹脂組成物層１３を半導体チップに押し付けながら載置することができ、的確に所望の位置に、導電接続シート１００を載置することができる。
【０３７７】
以上のように導電接続シート１００を載置することで、端子領域２１１には樹脂組成物層１１、１３および金属層１２が配置しているのに対し、非端子領域２１２には樹脂組成物層１３にのみが配置されることとなる。
【０３７８】
これにより、本実施形態では、非端子領域２１２において、金属材料が存在せず、樹脂組成物層１３が配置されため、第１実施形態のように非端子領域２１２に充填材料を充填しなくとも、［３］加熱工程の際に金属材料が非端子領域２１２側に入り込むことを防止することができる。したがって、第１実施形態の端子間の接続方法にて説明した充填工程を省略することが可能となる。
【０３７９】
次に、前記第１実施形態の接続部の形成方法と同様、導電接続シート１００を、図６（ｂ）のように、金属層１２の融点以上で加熱する。
【０３８０】
前記のような導電接続シート１００を用いることで、端子領域２１１に金属材料を供給し、かつ、それ以外の部分である非端子領域２１２には金属材料が存在しないため、凝集する金属材料を端子２１に凝集させることができる。
【０３８１】
以上のような工程を経て、半導体チップ２０上に接続部８１および補強層８６が形成される。
【０３８２】
以上の第２実施形態では、本発明の端子間の接続方法および接続部の形成方法における配置工程において、樹脂組成物層１３が、半導体チップ２０の端子２１側に位置するように導電接続シート１００を配置する場合について説明したが、この場合に限定されず、樹脂組成物層１１が、半導体チップ２０の端子２１側に位置するように導電接続シート１００を配置してもよい。
【０３８３】
また、半導体チップ２０の端子２１側に、導電接続シート１を配置する場合について説明したが、この場合に限定されず、インターポーザー３０の端子４１側に、導電接続シート１を配置する場合についても同様に行うことができる。
【０３８４】
また、各実施形態において、導電接続シートは、樹脂組成物層１１と、金属層１２と、樹脂組成物層１３とがこの順に互いに接合するように積層された３層構造をなす積層体から構成されるものについて説明したが、かかる場合に限らず、例えば、樹脂組成物層１３を有さない２層構造をなす積層体から構成されるものであってもよい。
【０３８５】
また、各実施形態では、半導体チップ２０における端子２１（端子領域２１１）は、半導体チップ２０上にロの字状に配置されたものについて説明したが、端子２１は、この場合に限定されず、半導体チップ２０に任意に配置されたものであってもよい。
【０３８６】
例えば、端子２１が半導体チップ２０の外周をなす４辺のうちのいずれか１辺に沿って、配置されたものであってもよい。具体的には、図８のように、端子２１は、半導体チッ
プ２０の外周をなす各辺のいずれかに沿って、直線状に１列で等間隔に配置されている。図８（ａ）では３辺に沿ってコの字状に配置され、図８（ｂ）では対向する２辺に沿って二の字状に配置され、図８（ｃ）では直行する２辺に沿ってＬの字状に配置され、図８（ｄ）では１辺に沿って一の字状に配置されている。
【０３８７】
また、その他、図８（ｅ）に示すように、図１のようなロの字状に端子２１が配置され、かつ、対向する２辺をその途中で繋ぐように端子２１が配置されたものであってもよい。また、端子２１の配置は、等間隔でなくても、直線状でなくてもよく、前記の配置の他に、目的や用途に応じてこれらの形状を組み合わせたり、変形させて用いることができる。
【０３８８】
そして、このように配置された端子２１を有する半導体チップ２０を用いる場合には、導電接続シートを半導体チップ２０に載置した際に、端子領域２１１の形状に重なり合うような形状をなす導電接続シートを用意する。例えば、図８（ａ）に示すようなコの字状に配置された端子２１を有する半導体チップ２０を用いる場合には、前述のようなロの字状の導電接続シートでなく、コの字状の導電接続シートを用意すればよい。
【０３８９】
以上、本発明の導電接続シート、端子間の接続方法、接続部の形成方法、半導体装置および電子機器について説明したが、本発明は、これらに限定されるものではない。
【０３９０】
例えば、本発明の導電接続シートの各部の構成は、同様の機能を発揮し得る任意のものと置換することができ、あるいは、任意の構成のものを付加することもできる。
【０３９１】
また、本発明の端子間の接続方法および接続部の形成方法には、必要に応じて任意の工程が追加されてもよい。
【符号の説明】
【０３９２】
１、１００                  導電接続シート
１０                        半導体装置
１１                        第１の樹脂組成物層
１２                        金属層
１３                        第２の樹脂組成物層
２１１                      端子領域
２１２                      非端子領域
２０                        半導体チップ
２１                        第１の端子
３０                        インターポーザー
４１                        第２の端子
５０                        充填材
７０                        バンプ（端子）
８０                        封止層
８１                        接続部
８６                        補強層
【図２】
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【図５】
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【図１】
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【図３】
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【図４】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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