【手続補正書】
【提出日】令和3年3月15日(2021.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４７】
上述したように、旋回軸移動機構１００が旋回アーム９９を所定角度だけ回転させることにより、支持台９２は、該支持台９２が基板Ｗの上方に位置する測定待機位置に移動させられる。図４（ａ）に示すように、旋回軸移動機構１００は、支持台９２に支持されるレンズ機構９６が上側ロールスポンジ７７の上方に位置するまで、旋回アーム９７を旋回させる。本実施形態では、アーム移動機構９５は、支持アーム９３を上下動させることが可能に構成されており、これにより、支持台９２に支持されたレンズ機構９６を上側ロールスポンジ７７に対して上下動させることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
基板Ｗの洗浄処理が終了すると、制御部３０は、基板の処理枚数Ｎが所定の処理枚数ＮＡに到達したか否かを判断する（図５のステップ２参照）。所定の処理枚数ＮＡは、上側ロールスポンジ７７の表面性状を原子間力顕微鏡９１で測定するか否かを決定するために用いられる値であり、制御部３０は、所定の処理枚数ＮＡを予め記憶している。基板の処理枚数Ｎが所定の処理枚数ＮＡに到達していない場合（図５のステップ２における「Ｎｏ」参照）、制御部３０は、ステップ１に戻り、次の基板Ｗを第１洗浄ユニット１６に搬送し、次の基板Ｗの洗浄処理を実行する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５３】
基板の処理枚数Ｎが所定の処理枚数ＮＡに到達した場合（図５のステップ２における「Ｙｅｓ」参照）、制御部３０は、上述した方法によって表面測定機構９０の原子間力顕微鏡９１を上側ロールスポンジ７７の表面性状を測定可能な測定位置に移動させ、上側ロールスポンジ７７の表面性状を表す表面データを取得する（図５のステップ３参照）。この表面データは、例えば、上側ロールスポンジ７７の平均面粗さ（Ｒａ）、上側ロールスポンジ７７の表面における最大高低差、および上側ロールスポンジ７７の表面の粘弾性である。さらに、制御部３０は、原子間力顕微鏡９１によって取得された表面データを、その取得時点（すなわち、上側ロールスポンジ７７の使用を開始してから、原子間力顕微鏡９１が表面データを取得するまでの使用時間）に関連付けて記憶する。一実施形態では、制御部３０は、原子間力顕微鏡９１によって取得された表面データを、上側ロールスポンジ７７によってスクラブ洗浄された基板の処理枚数（すなわち、上側ロールスポンジ７７の使用を開始してから、原子間力顕微鏡９１が表面データを取得するまでにスクラブ洗浄された基板の数）に関連付けて記憶してもよい。制御部３０は、原子間力顕微鏡９１が表面データを取得するたびに、この動作を繰り返し、上側ロールスポンジ７７の表面データとその取得時点とからなるデータを蓄積する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
次いで、制御部３０は、表面測定機構９０の原子間力顕微鏡９１によって取得された表面データと、予め定められた閾値とを比較する（図５のステップ４参照）。本実施形態では、この閾値は、実験によって予め決定されており、制御部３０に予め記憶されている。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
基板保持部４１は、基板Ｗの周縁部を保持する複数の（図９では４つの）ローラー４５を備えている。これらのローラー４５は、それぞれ同じ方向に同じ速度で回転するように構成されている。ローラー４５が基板Ｗを水平に保持した状態で、ローラー４５が回転することにより、基板Ｗはその中心軸線まわりに矢印で示す方向に回転される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７６】
アーム４４は基板Ｗの上方に配置されている。アーム４４の一端にはペンスポンジ４２が連結され、アーム４４の他端には旋回軸５０が連結されている。ペンスポンジ４２は、アーム４４および旋回軸５０を介して洗浄具移動機構５１に連結されている。より具体的には、旋回軸５０には、アーム４４を旋回させる洗浄具移動機構５１が連結されている。洗浄具移動機構５１は、旋回軸５０を所定の角度だけ回転させることにより、アーム４４を基板Ｗと平行な平面内で旋回させるようになっている。アーム４４の旋回により、これに支持されたペンスポンジ４２が基板Ｗの半径方向に移動する。さらに、洗浄具移動機構５１は、旋回軸５０を上下動させることが可能に構成されており、これによりペンスポンジ４２を所定の圧力で基板Ｗの表面に押し付けることができる。ペンスポンジ４２の下面は、平坦なスクラブ面を構成しており、このスクラブ面が基板Ｗの表面に摺接する。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７９】
図９に示すように、洗浄部材６０は、基板保持部４１に保持された基板Ｗに隣接して配置されている。ペンスポンジ４２が洗浄部材６０の上方位置に到達するまで、アーム４４は洗浄具移動機構５１によって基板Ｗの半径方向外側に移動される。さらに、ペンスポンジ４２は、その軸心まわりに回転しながら、洗浄具移動機構５１によって洗浄部材６０の上面（洗浄面）に押し付けられる。洗浄部材６０に隣接して純水供給ノズル７０が配置されており、洗浄部材６０に接触しているペンスポンジ４２に純水供給ノズル７０から純水が供給される。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９２】
基板Ｗの洗浄処理が終了すると、制御部３０は、基板の処理枚数Ｎ’が所定の処理枚数ＮＢに到達したか否かを判断する（図１２のステップ２参照）。所定の処理枚数ＮＢは、ペンスポンジ４２を洗浄部材６０に押し付けて、該ペンスポンジ４２を洗浄するか否かを決定するために用いられる値であり、制御部３０は、所定の処理枚数ＮＢを予め記憶している。上述したように、ペンスポンジ４２を用いて基板Ｗのスクラブ洗浄を繰り返すと、ペンスポンジ４２の内部に砥粒や研磨屑などのパーティクルが蓄積し、基板Ｗの逆汚染が生じるおそれがある。そのため、ペンスポンジ４２を用いて所定の処理枚数ＮＢをスクラブ洗浄した後で、ペンスポンジ４２を洗浄部材６０に押し付けて、該ペンスポンジ４２を洗浄する。基板の処理枚数Ｎ’が所定の処理枚数ＮＢに到達していない場合（図１２のステップ２における「Ｎｏ」参照）、制御部３０は、ステップ１に戻り、次の基板Ｗを第２洗浄ユニット１８に搬送し、次の基板Ｗの洗浄処理を実行する。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９３】
基板の処理枚数Ｎ’が所定の処理枚数ＮＢに到達した場合（図１２のステップ２における「Ｙｅｓ」参照）、制御部３０は、ペンスポンジ４２を洗浄部材６０に押し付けて、該ペンスポンジ４２を洗浄する（図１２のステップ３参照）。次いで、制御部３０は、ペンスポンジ４２が表面測定機構１２０のレンズ機構１３６の上方に位置するまで、アーム４４を旋回させる。さらに、制御部３０は、上述した方法によって表面測定機構１２０の原子間力顕微鏡１３１をペンスポンジ４２の表面性状を測定可能な測定位置に移動させ、ペンスポンジ４２の表面性状を表す表面データを取得する（図１２のステップ４参照）。この表面データは、例えば、ペンスポンジ４２の平均面粗さ（Ｒａ）、ペンスポンジ４２の表面における最大高低差、およびペンスポンジ４２の表面の粘弾性である。さらに、制御部３０は、原子間力顕微鏡１３１によって取得された表面データを、その取得時点（すなわち、ペンスポンジ４２の使用を開始してから、原子間力顕微鏡１３１が表面データを取得するまでの使用時間）に関連付けて記憶する。一実施形態では、制御部３０は、原子間力顕微鏡１３１によって取得された表面データを、ペンスポンジ４２によってスクラブ洗浄された基板の処理枚数（すなわち、ペンスポンジ４２の使用を開始してから、原子間力顕微鏡１３１が表面データを取得するまでにスクラブ洗浄された基板の数）に関連付けて記憶してもよい。制御部３０は、原子間力顕微鏡１３１が表面データを取得するたびに、この動作を繰り返し、ペンスポンジ４２の表面データとその取得時点（または、処理枚数）とからなるデータを蓄積する。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９４】
次いで、制御部３０は、表面測定機構１２０の原子間力顕微鏡１３１によって取得された表面データと、予め定められた閾値とを比較する（図１２のステップ５参照）。本実施形態では、この閾値は、図６乃至図８を参照して説明された実験によって予め決定されており、制御部３０に予め記憶されている。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９９】
基板の洗浄処理が終了すると、制御部３０は、基板の処理枚数Ｎ’’が所定の処理枚数ＮＡ’に到達したか否かを判断する（図１３のステップ２参照）。所定の処理枚数ＮＡ’は、ペンスポンジ４２の表面性状を原子間力顕微鏡１３１で測定するか否かを決定するために用いられる値であり、制御部３０は、所定の処理枚数ＮＡ’を予め記憶している。基板の処理枚数Ｎ’’が所定の処理枚数ＮＡ’に到達していない場合（図１３のステップ２における「Ｎｏ」参照）、制御部３０は、ステップ１に戻り、次の基板Ｗを第２洗浄ユニット１８に搬送し、次の基板Ｗの洗浄処理を実行する。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
基板の処理枚数Ｎ’’が所定の処理枚数ＮＡ’に到達した場合（図１３のステップ２における「Ｙｅｓ」参照）、制御部３０は、上述した方法によって表面測定機構１２０の原子間力顕微鏡１３１をペンスポンジ４２の表面性状を測定可能な測定位置に移動させ、ペンスポンジ４２の表面性状を表す表面データを取得する（図１３のステップ３参照）。この表面データは、例えば、ペンスポンジ４２の平均面粗さ（Ｒａ）、ペンスポンジ４２の表面における最大高低差、およびペンスポンジ４２の表面の粘弾性である。図１３のフローチャートにおけるステップ４乃至ステップ６は、図１２のフローチャートにおけるステップ５乃至ステップ７と同様であるため、その重複する説明を省略する。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０３】
図１４は、図１に示す制御部３０の一例を示す模式図である。図１４に示す制御部３０は、専用のまたは汎用のコンピュータである。一実施形態では、制御部３０は、ＰＬＣ（Programmable Logic Controller）であってもよく、ＦＰＧＡ（Field-Programmable gate array）であってもよい。図１４に示す制御部３０は、プログラムやデータなどが格納される記憶装置３１０と、記憶装置３１０に格納されているプログラムに従って演算を行うＣＰＵ（中央処理装置）またはＧＰＵ（グラフィックプロセッシングユニット）などの処理装置３２０と、データ、プログラム、および各種情報を記憶装置３１０に入力するための入力装置３３０と、処理結果や処理されたデータを出力するための出力装置３４０と、インターネットなどのネットワークに接続するための通信装置３５０を備えている。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２３】
図１８に示す実施形態では、ホスト制御システム６００のホスト制御部６１０が、上記予測時間および洗浄具４２，７７，７８の交換時期を人工知能（ＡＩ：artificial intelligence）によって決定する。ホスト制御システム６００のホスト記憶装置６１２は、図１５および図１６を参照して説明された学習済モデルを予め記憶している。なお、ホスト制御部６１０は、図１４に示す処理装置３２０に相当する処理装置（図示せず）を有している。ホスト制御部６１０の処理装置は、ホスト記憶装置６１２に記憶された学習済モデルを読み出して、少なくとも原子間力顕微鏡９１，１３１によって取得された洗浄具４２，７７，７８の表面データと、その取得時点の組み合わせを、該学習済モデルに入力し、予測時間と、洗浄具４２，７７，７８の交換時期を出力するための演算を実行する。