【手続補正書】
【提出日】令和3年7月14日(2021.7.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）中空の閉鎖された導体からなる共振空洞（１）であって、
・中心軸Ｚｃを有する外側円筒形部分を含み、且つ外側導体セクション（１ｏ）を形成する内側表面を有する外側壁と、
・前記外側壁内において取り囲まれ、且つ中心軸Ｚｃの内側円筒形部分を含み、及び内側導体セクション（１ｉ）を形成する外側表面を有する内側壁と
を含み、前記中心軸Ｚｃに垂直であるミッドプレーンＰｍに関して対称である、共振空洞（１）と、
（ｂ）前記外側導体セクション上で開口している導入入口から前記ミッドプレーンＰｍに沿って前記中心軸Ｚｃまで、前記共振空洞内に電子のビーム（４０）を半径方向に注入するように適合された電子供給源（２０）と、
（ｃ）前記共振空洞に結合され、且つ前記外側導体セクションから前記内側導体セクションに向かって及び前記内側導体セクションから前記外側導体セクションに向かって延在する、前記ミッドプレーンＰｍ内の半径方向軌跡に沿って前記電子ビームの前記電子の速度を変化させるために前記外側導体セクションと前記内側導体セクションとの間で周波数（ｆＲＦ）において発振する電界Ｅを生成するように適合されたＲＦシステムと、
（ｄ）Ｎ個の磁石ユニット（３０ｉ）であって、ここで、Ｎ＞１であり、且つ
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であり、前記Ｎ個の磁石ユニットのそれぞれの１つは、前記ミッドプレーンＰｍ上でセンタリングされ、且つ空洞出口アパーチャ及び空洞入口アパーチャ（３１ｗ）によって前記共振空洞と流体連通している偏向チャンバ（３１）内で磁界を生成するように適合された偏向磁石の組を含み、前記磁界は、
・追加長（Ｌ＋）を有する第１の偏向軌跡にわたり、前記ミッドプレーンＰｍに沿って前記共振空洞内の第１の半径方向軌跡の端部において前記空洞出口アパーチャを通じて前記偏向チャンバ内に進入する電子ビームを偏向させることであって、前記第１の偏向軌跡は、前記空洞出口アパーチャから前記空洞入口アパーチャまで延在し、前記空洞入口アパーチャは、前記空洞出口アパーチャと同一であるか又は異なり得、前記空洞出口アパーチャ（３１ｗ）を通じて、電子ビームは、前記ミッドプレーンＰｍ内の第２の半径方向軌跡に沿って前記中心軸に向かって前記共振空洞内に再導入され、前記第２の半径方向軌跡は、前記第１の半径方向軌跡と異なる、偏向させること
のために適合され、
・前記追加長（Ｌ＋）は、前記電子ビームが前記共振空洞内に再導入されると、前記ＲＦシステムが、前記第２の半径方向軌跡に沿って前記電子ビームを加速させるための電界を印加するために同期化されるようなものである、Ｎ個の磁石ユニット（３０ｉ）と、
（ｅ）前記共振空洞からターゲット（１００）に向かってエネルギーＷの加速された電子ビームを抽出するための出口（５０）と
を含む電子加速器において、
前記Ｎ個の磁石ユニット（３０ｉ）の少なくとも１つは、前記対応する第１の偏向軌跡を、前記追加長（Ｌ＋）と異なり、且つ好ましくはそれよりも大きい第２の長さ（Ｌ２）の第２の偏向軌跡に変更し、これにより、前記出口（５０）から抽出される前記加速された電子ビームの前記エネルギーＷの変動を許容するように適合されたバリオ磁石ユニット（３０６−５、３０６−７、３０６ｖ）であり、
前記少なくとも１つのバリオ磁石ユニットは、前記中心軸Ｚｃにおいて前記第１及び第２の半径方向軌跡によって形成される角度の二等分線に平行である二等分方向に沿って前後に前記少なくとも１つのバリオ磁石ユニット（３０６−５、３０６−７、３０６ｖ）を半径方向に離散的又は連続的に移動させ、且つ従って前記出口（５０）から抽出される前記加速された電子ビームの前記エネルギーＷを離散的又は連続的に変更するための移動手段を含むことを特徴とする電子加速器。
【請求項２】
請求項１に記載の電子加速器において、前記第２の長さ（Ｌ２）は、前記電子ビームが前記共振空洞内に再導入されると、前記ＲＦシステムが、前記第２の半径方向軌跡に沿って前記電子ビームを減速させるための電界を印加するために同期化されるようなものであることを特徴とする電子加速器。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の電子加速器において、前記少なくとも１つのバリオ磁石ユニットは、
・前記中心軸Ｚｃから第１の半径方向距離に配置され、且つ追加長Ｌ＋の偏向軌跡に沿って前記電子ビームを偏向させるように構成されている、前記ミッドプレーン上でセンタリングされた磁石の第１の組（３０６−７）であって、前記対応する偏向チャンバ内で磁界を生成するように有効化されるか又は生成しないように無効化され得る磁石の第１の組と、
・前記磁石の第１の組と半径方向にアライメントされ、且つ前記第１の半径距離よりも大きい、前記中心軸Ｚｃからの第２の半径方向距離に配置されている、前記ミッドプレーンＰｍ上でセンタリングされた磁石の第２の組（３０６−５）と
を含むことを特徴とする電子加速器。
【請求項４】
請求項３に記載の電子加速器において、前記磁石の第１及び第２の組（３０６−７、３０６−５）は、
・両方の磁石の組に共通する単一の偏向チャンバ（３１）内において、又は
・第１及び第２の偏向チャンバ（３１）であって、前記第１の偏向チャンバは、１つ又は２つのウィンドウによって前記第２の偏向チャンバと流体連通している、それぞれ第１及び第２の偏向チャンバに対して、
磁界を生成するように適合されることを特徴とする電子加速器。
【請求項５】
請求項１又は２に記載の電子加速器において、前記移動手段は、前記対応する二等分方向に沿って前記少なくとも１つのバリオ磁石ユニット（３０６−５、３０６−７、３０６ｖ）を前後に変位させるためのモーターを含むことを特徴とする電子加速器。
【請求項６】
請求項３乃至５の何れか１項に記載の電子加速器において、
・前記磁石ユニットによって環状に偏向される前に、前記第１の半径方向軌跡から前記空洞出口アパーチャに到達する前記電子ビームを、前記中心軸Ｚｃにおいて前記第１及び第２の半径方向軌跡によって形成される前記角度の二等分線に平行である軌跡に方向付けるための、及び
・前記共振空洞内に再導入される際、前記磁石ユニットによって課された前記環状の偏向に後続する、前記二等分線に平行な軌跡から前記空洞入口アパーチャに到達する前記電子ビームを前記第２の半径方向軌跡に方向付けるための
偏向器（３０ｄ）を更に含むことを特徴とする電子加速器。
【請求項７】
請求項２乃至５の何れか１項に記載の電子加速器において、前記第２の長さ（Ｌ２）は、前記追加長（Ｌ＋）と、前記電界Ｅの波長λの１つ又は複数の半分との合計に等しい（Ｌ２＝（Ｌ＋）＋ｎλ／２であり、ここで、
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である）ことを特徴とする電子加速器。
【請求項８】
請求項１乃至７の何れか１項に記載の電子加速器において、
・ロードトロンは、前記出口（５０）の直接上流に位置決めされる単一のバリオ磁石ユニット（３０６−５、３０６−７、３０６ｖ）を含み、
・ｗｉは、磁石ユニット（３０ｉ）への又は磁石ユニット（３０（ｉ−１））からの、前記共振空洞にわたる１つのパスにおいて電子ビームによって得られるか又は失われるエネルギーであり、ここで、
〇ｗｉの値は、ｉ＝１〜Ｎについて一定であり、且つここで、
〇前記エネルギー利得ｗｉの前記値は、前記出口（５０）までの前記共振空洞にわたる前記電子ビームの最後の（（Ｎ＋１）番目の）パスについて、（−ｗｉ）〜（＋ｗｉ）に含まれ、
Ｎは、好ましくは、６に等しく、ｗｉは、好ましくは、ｉ＝１〜６について１ＭｅＶ／パスに等しく、且つ前記最後（７番目）のパスについて−１〜１ＭｅＶ／パスに含まれ、前記抽出された電子ビーム（４０−５〜４０〜７）は、好ましくは、５〜７ＭｅＶに含まれることを特徴とする電子加速器。
【請求項９】
請求項１乃至８の何れか１項に記載の電子加速器において、前記Ｎ個の磁石ユニットのそれぞれは、０．０１Ｔ〜１．３Ｔ、好ましくは０．０２Ｔ〜０．７Ｔに含まれる、前記偏向チャンバ内の磁界を形成することを特徴とする電子加速器。
【請求項１０】
請求項１乃至９の何れか１項に記載の電子加速器において、前記電子ビームは、３０〜７００ｋＷ、好ましくは１５０〜６５０ｋＷに含まれる平均パワーを有することを特徴とする電子加速器。
【請求項１１】
請求項１乃至１０の何れか１項に記載の電子加速器において、前記共振空洞は、
・内径Ｒ及び中心軸Ｚｃの円筒形外側壁を有する第１の半体シェル（１１）と、
・内径Ｒ及び中心軸Ｚｃの円筒形外側壁を有する第２の半体シェル（１２）と、
・前記第１及び第２の半体シェル間で前記ミッドプレーンＰｍのレベルにおいて挟持された内径Ｒの中心リング要素（１３）と
によって形成され、
前記外側導体セクションを形成する前記表面は、前記第１及び第２の半体シェルの前記円筒形外側壁の内側表面により、且つ好ましくは第１及び第２の半体シェルの両方の前記内側表面と同一平面である前記中心リング要素の内側エッジにより形成されることを特徴とする電子加速器。