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【手続補正書】
【提出日】令和3年8月5日(2021.8.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技の動作を制御するための演算処理を行う演算処理手段と、
前記演算処理手段による前記演算処理の実行に必要な情報が記憶される記憶手段と、を備え、
前記記憶手段には、少なくとも２つの作業領域が設けられ、
各作業領域を使用して処理が実施される情報には、使用する作業領域に対応付けられた特定情報が付加されており、
前記演算処理手段は、前記２つの作業領域のうちの一方の作業領域を使用して情報の処理を行う場合には、処理対象となる情報に付加された前記特定情報に基づいて、使用する作業領域を選択可能であり、
前記特定情報は、対応する作業領域のアドレスを構成する上位側のアドレスデータを示すものであり、
前記演算処理手段による作業領域の選択処理では、前記演算処理手段は、前記特定情報に基づいて、使用する作業領域のアドレスを指定可能であり、
自身を示すアドレス情報とは異なる特定のアドレス情報と遊技に関する処理において使用すべきデータとを有するテーブルが設けられ、
遊技者により実施される遊技の進行に直接関与しない処理の作業領域となる領域外作業領域と、遊技者により実施される遊技の進行に関与する領域内作業領域を備え、領域外作業領域による処理割込み禁止区間で行い、
所定条件の成立に基づいて抽選を行う抽選手段と、
可変表示を行い、前記抽選の結果を導出する可変制御手段と、
前記可変制御手段により特定の結果が導出されると、所定の利益が付与されうる特定遊技の実行頻度が高められる特定遊技状態に制御可能な特定遊技状態制御手段と、
前記特定遊技状態において利益付与条件が成立すると利益を付与する利益付与手段と、
所定の演出を実行可能な演出制御手段と、を備え、
前記演出制御手段は、
前記特定遊技状態において、所定の条件を満たす態様で前記所定の利益が付与される都度、演出内容をステップアップさせることが可能に構成される
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、複数の図柄表示装置（表示領域）を備え、複数の図柄表示装置において同時に識別情報を変動表示可能な機能が設けられたパチンコ遊技機が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
ところで、上述した遊技機は、通常、識別情報の判定等の主な遊技動作を制御する回路（主制御回路）が実装された主制御基板と、映像の表示等による演出動作を制御する回路（副制御回路）が実装された副制御基板とを備える。遊技動作は、主制御回路に搭載されたＣＰＵ（Central Processing Unit）により制御される。この際、ＣＰＵの制御により、主制御回路のＲＯＭ（Read Only Memory）に記憶されたプログラム及び各種テーブルデータ等が主制御回路のＲＡＭ（Random Access Memory）に展開され、各種遊技動作に関する処理が実行される。そして、近年、このような遊技機では、主制御回路で行われる処理をより効率よく実行し、主制御回路の処理負荷を軽減できる技術の開発が求められている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１５−１５０３０３号公報
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明は、上述した課題に鑑みてなされたものであり、主制御回路で行われる処理をより効率よく実行し、主制御回路の処理負荷を軽減することが可能な遊技機を提供することを目的とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明に係る遊技機は、遊技の動作を制御するための演算処理を行う演算処理手段と、前記演算処理手段による前記演算処理の実行に必要な情報が記憶される記憶手段と、を備え、前記記憶手段には、少なくとも２つの作業領域が設けられ、各作業領域を使用して処理が実施される情報には、使用する作業領域に対応付けられた特定情報が付加されており、前記演算処理手段は、前記２つの作業領域のうちの一方の作業領域を使用して情報の処理を行う場合には、処理対象となる情報に付加された前記特定情報に基づいて、使用する作業領域を選択可能であり、前記特定情報は、対応する作業領域のアドレスを構成する上位側のアドレスデータを示すものであり、前記演算処理手段による作業領域の選択処理では、前記演算処理手段は、前記特定情報に基づいて、使用する作業領域のアドレスを指定可能であり、自身を示すアドレス情報とは異なる特定のアドレス情報と遊技に関する処理において使用すべきデータとを有するテーブルが設けられ、遊技者により実施される遊技の進行に直接関与しない処理の作業領域となる領域外作業領域と、遊技者により実施される遊技の進行に関与する領域内作業領域を備え、領域外作業領域による処理割込み禁止区間で行い、所定条件の成立に基づいて抽選を行う抽選手段と、可変表示を行い、前記抽選の結果を導出する可変制御手段と、前記可変制御手段により特定の結果が導出されると、所定の利益が付与されうる特定遊技の実行頻度が高められる特定遊技状態に制御可能な特定遊技状態制御手段と、前記特定遊技状態において利益付与条件が成立すると利益を付与する利益付与手段と、所定の演出を実行可能な演出制御手段と、を備え、前記演出制御手段は、前記特定遊技状態において、所定の条件を満たす態様で前記所定の利益が付与される都度、演出内容をステップアップさせることが可能に構成されることを特徴としている。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明によれば、主制御回路で行われる処理をより効率よく実行し、主制御回路の処理負荷を軽減することができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月30日(2021.4.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）磁気粘性流体を提供する段階と、
（ｂ）前記磁気粘性流体に光を照射して１次分散安定性を測定する段階と、
（ｃ）前記磁気粘性流体に外力を加えて再分散させる段階と、
（ｄ）前記磁気粘性流体に光を照射して２次分散安定性を測定する段階と、
（ｅ）前記１次分散安定性測定値と前記２次分散安定性測定値とを比較して、前記磁気粘性流体の再分散性を評価する段階と、
を含む、磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【請求項２】
前記（ｃ）段階で、前記磁気粘性流体の沈降された固形分に励磁機（ｅｘｃｉｔｅｒ）を使用して外力を加える、請求項１に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【請求項３】
前記１次分散安定性測定値及び前記２次分散安定性測定値は、それぞれの不安定性インデックス（ｉｎｓｔａｂｉｌｉｔｙ  ｉｎｄｅｘ）で表示される、請求項１に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【請求項４】
前記磁気粘性流体は、不安定性インデックスの変化率が絶対値が５％未満である、請求項３に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【請求項５】
前記（ａ）段階で、前記磁気粘性流体は、磁性粒子、分散媒体及び添加剤を含み、
前記磁気粘性流体内の全ての固形分を回収した後、粒度分布を測定して、下記のように定義されたスパン値（ｓｐａｎ  ｖａｌｕｅ）を得る時、
スパン値＝（Ｄ９０−Ｄ１０）／Ｄ５０；
（ここで、Ｄ９０、Ｄ１０及びＤ５０は、それぞれ固形分粒度の累積分布で最大値に対して９０％、１０％及び５０％に該当する粒度を言う）
前記スパン値は、１．３以上２．０以下である、請求項１に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【請求項６】
前記（ａ）段階で、前記磁気粘性流体は、磁性粒子、分散媒体及び添加剤を含み、
前記磁気粘性流体内の全ての固形分を回収した後、粒度分布を測定してＤ９０／Ｄ１０を得る時、
（ここで、Ｄ９０、Ｄ１０は、それぞれ固形分粒度の累積分布で最大値に対して９０％、１０％に該当する粒度を言う）
前記Ｄ９０／Ｄ１０は、３．２２６以上８．２３８以下である、請求項１に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【請求項７】
前記磁気粘性流体内の全ての固形分は、前記磁気粘性流体の２０〜５０体積パーセント（ｖｏｌ％）であり、
前記添加剤は、前記磁性粒子に対して、１〜３０体積パーセント（ｖｏｌ％）である、
請求項５または６に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【請求項８】
前記磁性粒子は、鉄、ニッケル、コバルト、鉄−コバルト合金、鉄−アルミニウム合金、鉄−ケイ素合金、鉄−ニッケル合金、鉄−バナジウム合金、鉄−モリブデン合金、鉄−クロム合金、鉄−タングステン合金、鉄−マンガン合金、鉄−銅合金、カルボニル鉄（ｃａｒｂｏｎｙｌ  ｉｒｏｎ）、二酸化クロム、ステンレス鋼、ケイ素鋼、マンガン−亜鉛フェライト、酸化クロム、窒化鉄、酸化鉄、炭化鉄、フェライト−ポリマー、ニッケル−亜鉛フェライト、フェライト（Ｆｅ３Ｏ４）及びこれらの混合物の中から選択された少なくとも１つである、請求項５または６に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【請求項９】
前記分散媒体は、水、エタノール、シリコンオイル、鉱油、真空オイル、キャスターオイル、油圧オイル、潤滑油オイル（ｌｕｂｒｉｃａｎｔ  ｏｉｌ）、飽和炭化水素オイル、不飽和炭化水素オイル、合成炭化水素オイル、シクロパラフィンオイル、エチレングリコール、エチレングリコールエーテル、プロピレングリコール、オクタノール、マシンオイル、ポリアルファオレフィン（ＰＡＯ）、トランスフォーマーオイル（ｔｒａｎｓｆｏｒｍｅｒ  ｏｉｌ）、トランスフォーマーインシュレーティング溶液、ハロカーボンオイル（Ｈａｌｏｃａｒｂｏｎ  ｏｉｌ）、パラフィンオイル（Ｐａｒａｆｆｉｎｅ  ｏｉｌ）、ミネラルオイル（ｍｉｎｅｒａｌ  ｏｉｌ）、オリーブオイル（ｏｌｉｖｅ  ｏｉｌ）、コーンオイル（ｃｏｒｎ  ｏｉｌ）、及びソイビーンオイル（ｓｏｙｂｅａｎ  ｏｉｌ）、植物性オイル及びこれらの混合物の中から選択された少なくとも１つである、請求項５または６に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【請求項１０】
前記添加剤は、磁気粘性流体内で分散安定性、揺変性、耐磨耗性、化学的安定性、酸化防止の目的で使われる化学的添加剤、金属酸化物、有機粘土及び無機粘土の中から選択された少なくとも１つである、請求項５または６に記載の磁気粘性流体の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１００
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１００】
本発明は図面に示された実施例を参照して説明されたが、これは例示的なものに過ぎず、当該技術分野における通常の知識を有する者であれば、これから多様な変形および均等な他の実施例が可能であるという点を理解するはずである。従って、本発明の真の技術的保護範囲は添付された特許請求の範囲の技術的な思想によって決められなければならないはずである。
本発明は以下＜１＞〜＜７＞の態様も含む。
＜１＞
磁気粘性流体を提供する段階；
前記磁気粘性流体の光透過量を測定して１次分散安定性測定値を得る段階；
前記磁気粘性流体を外力を加えて再分散させる段階；
前記磁気粘性流体の光透過量を測定して２次分散安定性測定値を得る段階；及び
前記１次分散安定性測定値と前記２次分散安定性測定値とを比較して、前記磁気粘性流体の再分散性を評価する段階をこの順で含む、磁気粘性流体の再分散性評価方法。
＜２＞
前記１次分散安定性測定値を得る段階は、
前記磁気粘性流体に赤外線を照射する段階を含む、＜１＞に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
＜３＞
前記１次分散安定性測定値を得る段階は、
前記磁気粘性流体を遠心分離しながら前記磁気粘性流体に赤外線を照射する段階を含む、＜１＞に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
＜４＞
前記１次分散安定性測定値を得る段階で、
前記光透過量の測定は、遠心分離機の回転速度が４，０００ｒｐｍである状態で照射される赤外線に対して１５０秒（ｓｅｃｏｎｄ）間隔で９９９個の透過量プロファイルを測定することによって行われる、＜３＞に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
＜５＞
前記２次分散安定性測定値を得る段階は、
前記磁気粘性流体に赤外線を照射する段階を含む、＜１＞から＜４＞のうち何れか一つに記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
＜６＞
前記２次分散安定性測定値を得る段階は、
前記磁気粘性流体を遠心分離しながら前記磁気粘性流体に赤外線を照射する段階を含む、＜１＞から＜４＞のうち何れか一つに記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
＜７＞
前記２次分散安定性測定値を得る段階で、
前記光透過量の測定は、遠心分離機の回転速度が４，０００ｒｐｍである状態で照射される赤外線に対して１５０秒間隔で９９９個の透過量プロファイルを測定することによって行われる、＜６＞に記載の磁気粘性流体の再分散性評価方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月24日(2021.8.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
３つ以上の並列接続されたスイッチング素子（１１〜１４、１３ａ、１１ｐ〜１３ｐ、１１ｎ〜１３ｎ）と、
各スイッチング素子の正極電極に接続された正極端子（２２、２２ａ〜２２ｃ、２２ｅ、２３、２３ｃ）と、
各スイッチング素子の負極電極に接続された負極端子（３２、３２ｂ〜３２ｆ、３３ｂ、３３ｃ）と、
前記スイッチング素子、および前記正極端子の一部と前記負極端子の一部を一体的に封止している封止部（７０、７１）と、を備え、
前記正極端子と前記負極端子の合計が３つ以上であり、
前記スイッチング素子の中心と、前記スイッチング素子に最も近い前記正極端子までの距離である正極側距離（Ｌ１１、Ｌ２１）と、前記スイッチング素子の中心と、前記スイッチング素子に最も近い前記負極端子までの距離である負極側距離（Ｌ１２、Ｌ２２）の合計が、各スイッチング素子において等しいパワーモジュール。
【請求項２】
前記正極端子と前記負極端子は、前記封止部から突出しており、
前記正極側距離は、前記スイッチング素子の中心と、前記スイッチング素子に最も近い前記正極端子における前記封止部との境界までの距離であり、
前記負極側距離は、前記スイッチング素子の中心と、前記スイッチング素子に最も近い前記負極端子における前記封止部との境界までの距離である請求項１に記載のパワーモジュール。
【請求項３】
前記正極側距離は、前記スイッチング素子の中心と、前記スイッチング素子に最も近い前記正極端子における前記封止部との境界面の中心までの距離であり、
前記負極側距離は、前記スイッチング素子の中心と、前記スイッチング素子に最も近い前記負極端子における前記封止部との境界面の中心までの距離である請求項２に記載のパワーモジュール。
【請求項４】
さらに、前記スイッチング素子のゲート電極に接続されたゲート端子を２つ以上備え、
前記スイッチング素子と前記スイッチング素子に最も近い前記ゲート端子までの距離であるゲート距離（Ｌ１３、Ｌ２３、Ｌ３３、Ｌ４３）が、各スイッチング素子において等しい請求項１〜３のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項５】
さらに、前記スイッチング素子に接続された信号端子（４０〜４２）を備え、
前記信号端子は、前記スイッチング素子に対して、前記正極端子および前記負極端子とは反対側に設けられている請求項１〜３のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項６】
前記正極端子と前記負極端子は、一方向に並んで配置されており、
３つ以上の前記スイッチング素子は、前記正極端子と前記負極端子の並び方向に沿って一列に配置されている請求項１〜５のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項７】
３つ以上の前記スイッチング素子における少なくとも一つは、他の前記スイッチング素子と素子サイズが異なる請求項１〜６のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【請求項８】
前記スイッチング素子は、半導体スイッチング素子であり、
３つ以上の前記スイッチング素子における少なくとも一つは、他の前記スイッチング素子と半導体構成が異なる請求項１〜７のいずれか１項に記載のパワーモジュール。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために本開示は、
３つ以上の並列接続されたスイッチング素子（１１〜１４、１３ａ、１１ｐ〜１３ｐ、１１ｎ〜１３ｎ）と、
各スイッチング素子の正極電極に接続された正極端子（２２、２２ａ〜２２ｃ、２２ｅ、２３、２３ｃ）と、
各スイッチング素子の負極電極に接続された負極端子（３２、３２ｂ〜３２ｆ、３３ｂ、３３ｃ）と、を備え、
スイッチング素子、および正極端子の一部と負極端子の一部を一体的に封止している封止部（７０、７１）と、を備え、
正極端子と負極端子の合計が３つ以上であり、
スイッチング素子の中心と、スイッチング素子に最も近い正極端子までの距離である正極側距離（Ｌ１１、Ｌ２１）と、スイッチング素子の中心と、スイッチング素子に最も近い負極端子までの距離である負極側距離（Ｌ１２、Ｌ２２）の合計が、各スイッチング素子において等しいことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月4日(2021.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項１】
ＩＧＢＴ素子として機能するＩＧＢＴ領域（１１）と、ＦＷＤ素子として機能するＦＷＤ領域（１２）とを有する半導体装置であって、
第１導電型のドリフト層（３１）と、前記ドリフト層の表層部に形成された第２導電型のベース層（３２）と、前記ＩＧＢＴ領域において、前記ベース層の表層部に前記ドリフト層から離間して形成され、前記ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型のエミッタ領域（３６）と、前記ＩＧＢＴ領域において、前記ドリフト層のうちの前記ベース層側と反対側に形成された第２導電型のコレクタ層（４３）と、前記ＦＷＤ領域において、前記ドリフト層のうちの前記ベース層側と反対側に形成された第１導電型のカソード層（４４）と、を有する半導体基板（３０）と、
前記エミッタ領域と前記ドリフト層との間に位置する前記ベース層の表面に配置されたゲート絶縁膜（３４）と、
前記ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極（３５）と、
前記ベース層および前記エミッタ領域と電気的に接続される第１電極（４１）と、
前記コレクタ層および前記カソード層と電気的に接続される第２電極（４５）と、を備え、
前記ＩＧＢＴ領域は、第１領域（１１ａ）と、前記第１領域と異なる第２領域（１１ｂ）とを有し、
前記エミッタ領域は、前記第１領域および前記第２領域に形成され、
前記ＦＷＤ領域および前記ＩＧＢＴ領域の第１領域には、前記第１電極と前記第２電極との間に前記ＦＷＤ素子をダイオード動作させる順バイアスが印加された際、前記第２領域よりも、前記第２電極から注入されるキャリアが抜け易くなるキャリア引抜部（３２ａ、３８、３９）が形成されている半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上記目的を達成するための請求項１は、ＩＧＢＴ素子として機能するＩＧＢＴ領域（１１）と、ＦＷＤ素子として機能するＦＷＤ領域（１２）とを有する半導体装置であって、第１導電型のドリフト層（３１）と、ドリフト層の表層部に形成された第２導電型のベース層（３２）と、ＩＧＢＴ領域において、ベース層の表層部にドリフト層から離間して形成され、ドリフト層よりも高不純物濃度とされた第１導電型のエミッタ領域（３６）と、ＩＧＢＴ領域において、ドリフト層のうちのベース層側と反対側に形成された第２導電型のコレクタ層（４３）と、ＦＷＤ領域において、ドリフト層のうちのベース層側と反対側に形成された第１導電型のカソード層（４４）と、を有する半導体基板（３０）と、エミッタ領域とドリフト層との間に位置するベース層の表面に配置されたゲート絶縁膜（３４）と、ゲート絶縁膜上に配置されたゲート電極（３５）と、ベース層およびエミッタ領域と電気的に接続される第１電極（４１）と、コレクタ層およびカソード層と電気的に接続される第２電極（４５）と、を備えている。そして、ＩＧＢＴ領域は、第１領域（１１ａ）と、第１領域と異なる第２領域（１１ｂ）とを有し、エミッタ領域は、第１領域および第２領域に形成され、ＦＷＤ領域およびＩＧＢＴ領域の第１領域には、第１電極と第２電極との間にＦＷＤ素子をダイオード動作させる順バイアスが印加された際、第２領域よりも、第２電極から注入されるキャリアが抜け易くなるキャリア引抜部（３２ａ、３８、３９）が形成されている。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月25日(2021.8.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項２】
前記第１溝は、前記ウェーハの前記裏面に沿った第１方向および前記第１方向と交差する第２方向に延伸するように形成され、
前記第２溝は、前記ウェーハの前記表面に沿って、前記第１方向および前記第２方向に延伸するように形成される請求項１記載の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月12日(2021.2.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画像復号装置であって、
フィルタ処理前復号信号を入力とし、フィルタ処理後復号信号を出力するように構成されているフィルタ部を備え、
前記フィルタ部は、参照画素値と前記フィルタ処理前復号信号の画素値との差分値の絶対値が予め定義した閾値以下となるように、前記参照画素値と前記フィルタ処理前復号信号の画素値との差分値に対するクリッピング処理を施し、前記クリッピング処理が施された後の値とフィルタ係数と前記フィルタ処理前復号信号の画素値との線形加重和によって前記フィルタ処理後復号信号を生成するように構成されており、
内部ビット深度が変化しても、輝度信号用の前記閾値と色差信号用の前記閾値との大小関係が保存されるように定義されていることを特徴とする画像復号装置。
【請求項２】
前記輝度信号用の閾値及び前記色差信号用の閾値は、前記内部ビット深度の変化に応じて、それぞれ同じ倍率を掛けることで算出されるように定義されていることを特徴とする請求項１に記載の画像復号装置。
【請求項３】
前記倍率は、２のべき乗で定義されていることを特徴とする請求項２に記載の画像復号装置。
【請求項４】
それぞれ０〜Ｎ-１のインデックスが割り当てられたＮ種類（Ｎは、１以上の自然数）の前記輝度信号用の閾値及び前記色差信号用の閾値が設けられており、
同一の前記インデックスを有する前記輝度信号用の閾値及び前記色差信号用の閾値は、前記内部ビット深度に応じて同じ倍率を掛けすることによって算出されるように定義されていることを特徴とする請求項２又は３に記載の画像復号装置。
【請求項５】
前記輝度信号用の閾値及び前記色差信号用の閾値は、同じ値となるように定義されていることを特徴とする請求項２〜４のいずれか一項に記載の画像復号装置。
【請求項６】
フィルタ処理前復号信号を入力とし、フィルタ処理後復号信号を出力する工程を有する画像復号方法であって、
前記工程において、参照画素値と前記フィルタ処理前復号信号の画素値との差分値の絶対値が予め定義した閾値以下となるように、前記参照画素値と前記フィルタ処理前復号信号の画素値との差分値に対するクリッピング処理を施し、前記クリッピング処理が施された後の値とフィルタ係数と前記フィルタ処理前復号信号の画素値との線形加重和によって前記フィルタ処理後復号信号を生成し、
内部ビット深度が変化しても、輝度信号用の前記閾値と色差信号用の前記閾値との大小関係が保存されるように定義されていることを特徴とする画像復号方法。
【請求項７】
画像復号装置で用いるプログラムであって、コンピュータに、
フィルタ処理前復号信号を入力とし、フィルタ処理後復号信号を出力する工程を実行させ、
前記工程において、参照画素値と前記フィルタ処理前復号信号の画素値との差分値の絶対値が予め定義した閾値以下となるように、前記参照画素値と前記フィルタ処理前復号信号の画素値との差分値に対するクリッピング処理を施し、前記クリッピング処理が施された後の値とフィルタ係数と前記フィルタ処理前復号信号の画素値との線形加重和によって前記フィルタ処理後復号信号を生成し、
内部ビット深度が変化しても、輝度信号用の前記閾値と色差信号用の前記閾値との大小関係が保存されるように定義されていることを特徴とするプログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月31日(2021.3.31)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
マスタ／スレーブ方式のデータ通信手段を含有する無線通信部を有するＩＰ通信デバイスは、一斉送信の実施側が付加した情報を有する第１無線ビーコンを一斉送信する第１過程と、前記情報を有し他の前記ＩＰ通信デバイスが一斉送信した第２無線ビーコンを受信する第２過程と、ＩＰ通信実施装置とＩＰ通信を行う第３過程と、を含み、４つを超える前記ＩＰ通信デバイスが集合したエリアにおいても全ての前記ＩＰ通信デバイスが前記第１無線ビーコンの一斉送信および前記第２無線ビーコンの受信を行うことを特徴とする無線ビーコン一斉送信方法。
【請求項２】
プロセッサを、
マスタ／スレーブ方式のデータ通信手段を含有する無線通信部を有するＩＰ通信デバイスが、一斉送信の実施側が付加した情報を有する第１無線ビーコンを一斉送信する第１手段と、前記情報を有し他の前記ＩＰ通信デバイスが一斉送信した第２無線ビーコンを受信する第２手段と、ＩＰ通信実施装置とＩＰ通信を行う第３手段と、を備え、４つを超える前記ＩＰ通信デバイスが集合したエリアにおいても全ての前記ＩＰ通信デバイスが前記第１無線ビーコンの一斉送信および前記第２無線ビーコンの受信を行うシステムに用いる前記ＩＰ通信デバイスの前記第１ないし第３手段として機能させるためのプログラム。
【請求項３】
請求項２に記載のシステムに用いる前記ＩＰ通信実施装置は、前記ＩＰ通信デバイスとのＩＰ通信過程を含むことを特徴とする方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題を解決するため本発明の方法において、マスタ／スレーブ方式のデータ通信手段を含有する無線通信部を有するＩＰ通信デバイスは、一斉送信の実施側が付加した情報を有する第１無線ビーコンを一斉送信する第１過程と、前記情報を有し他の前記ＩＰ通信デバイスが一斉送信した第２無線ビーコンを受信する第２過程と、ＩＰ通信実施装置とＩＰ通信を行う第３過程と、を含み、４つを超える前記ＩＰ通信デバイスが集合したエリアにおいても全ての前記ＩＰ通信デバイスが前記第１無線ビーコンの一斉送信および前記第２無線ビーコンの受信を行うことを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月24日(2021.5.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】無線端末、無線局、及びこれらの方法、並びに無線通信システム
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ライセンス周波数で運用されるプライマリセル及びShared spectrumで運用されるセカンダリセルを使用するCarrier aggregation（CA）を行う無線端末により行われる方法であって、
第１のセンシングタイプ及び第２のセンシングタイプのうちの１つを示すセンシングタイプ情報をアップリンク・グラントと共にPhysical Downlink Control Channel（PDCCH）において受信すること、及び
アップリンク送信のためのチャネルがアイドル又はビジーのいずれであるかを判定するために、前記センシングタイプ情報により示される前記第１のセンシングタイプ及び前記第２のセンシングタイプのうちの１つに対応するセンシングを適用して、前記チャネルをセンシングすること、
を備える方法。
【請求項２】
ライセンス周波数で運用されるプライマリセル及びShared spectrumで運用されるセカンダリセルを使用するCarrier aggregation（CA）を行う無線端末であって、
無線トランシーバと、
少なくとも１つのプロセッサと、
を備え、
前記少なくとも１つのプロセッサは、第１のセンシングタイプ及び第２のセンシングタイプのうちの１つを示すセンシングタイプ情報をアップリンク・グラントと共にPhysical Downlink Control Channel（PDCCH）において受信するように前記無線トランシーバを制御し、
前記少なくとも１つのプロセッサは、１又はそれ以上のアップリンク送信のためのチャネルがアイドル又はビジーのいずれであるかを判定するために、前記センシングタイプ情報により示される前記第１のセンシングタイプ及び前記第２のセンシングタイプのうちの１つに対応するセンシングを適用して、前記チャネルをセンシングする、
無線端末。
【請求項３】
ライセンス周波数で運用されるプライマリセル及びShared spectrumで運用されるセカンダリセルを使用するCarrier aggregation（CA）を行う無線局であって、
無線トランシーバと、
第１のセンシングタイプ及び第２のセンシングタイプのうちの１つを示すセンシングタイプ情報をアップリンク・グラントと共にPhysical Downlink Control Channel（PDCCH）において送信するように前記無線トランシーバを制御するよう構成された少なくとも１つのプロセッサと、
を備え、
前記センシングタイプ情報により示される前記第１のセンシングタイプ及び前記第２のセンシングタイプのうちの１つは、１又はそれ以上のアップリンク送信のためのチャネルがアイドル又はビジーのいずれであるかを判定するために前記チャネルをセンシングする際に無線端末により適用される、
無線局。
【請求項４】
ライセンス周波数で運用されるプライマリセル及びShared spectrumで運用されるセカンダリセルを使用するCarrier aggregation（CA）を行う無線局により行われる方法であって、
第１のセンシングタイプ及び第２のセンシングタイプのうちの１つを示すセンシングタイプ情報をアップリンク・グラントと共にPhysical Downlink Control Channel（PDCCH）において送信することを備え、
前記センシングタイプ情報により示される前記第１のセンシングタイプ及び前記第２のセンシングタイプのうちの１つは、１又はそれ以上のアップリンク送信のためのチャネルがアイドル又はビジーのいずれであるかを判定するために前記チャネルをセンシングする際に無線端末により適用される、
方法。
【請求項５】
無線局と、
ライセンス周波数で運用されるプライマリセル及び非ライセンス周波数で運用されるセカンダリセルを使用するShared spectrumで運用されるセカンダリセルを使用するCarrier aggregation（CA）を行うよう構成された無線端末と、
を備え、
第１のセンシングタイプ及び第２のセンシングタイプのうちの１つを示すセンシングタイプ情報をアップリンク・グラントと共にPhysical Downlink Control Channel（PDCCH）において受信し、
前記無線端末は、１又はそれ以上のアップリンク送信のためのチャネルがアイドル又はビジーのいずれであるかを判定するために、前記センシングタイプ情報により示される前記第１のセンシングタイプ及び前記第２のセンシングタイプのうちの１つに対応するセンシングを適用して、前記チャネルをセンシングする、
無線通信システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月22日(2021.4.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下部走行体と、
前記下部走行体に対して旋回自在に搭載された上部旋回体と、
前記上部旋回体に取付けられたアタッチメントと、
前記アタッチメントに含まれるエンドアタッチメントと、
前記エンドアタッチメントの位置を検出するエンドアタッチメント位置検出部と、
ショベルの周囲に存在する検出の対象とされた対象物の位置を検出する対象物検出装置と、
前記対象物検出装置により検出された前記対象物をダンプトラックと特定する制御部と、を有し、
前記制御部は、前記エンドアタッチメントの位置と前記対象物の位置との相対位置関係を算出し、該相対位置関係に基づいて、前記アタッチメント及び前記上部旋回体の少なくとも一方に関する流量制御弁に導入される制御圧を調整することで前記アタッチメント及び前記上部旋回体の少なくとも一方の動作を制御する、
ショベル。
【請求項２】
下部走行体と、
前記下部走行体に対して旋回自在に搭載された上部旋回体と、
前記上部旋回体に取付けられたアタッチメントと、
前記アタッチメントに含まれるエンドアタッチメントと、
前記エンドアタッチメントの位置を検出するエンドアタッチメント位置検出部と、
ショベルの周囲に存在する検出の対象とされた対象物の位置を検出する対象物検出装置と、
前記エンドアタッチメントの位置と前記対象物の位置との相対位置関係を算出し、該相対位置関係に基づいて前記エンドアタッチメントの空中における移動目標を生成する制御部と、を有するショベル。
【請求項３】
前記制御部は、前記エンドアタッチメントに物体を入れた状態で前記移動目標に沿って前記エンドアタッチメントを移動させる、
請求項２に記載のショベル。
【請求項４】
前記制御部は、前記移動目標に基づいて、前記アタッチメント及び前記上部旋回体の少なくとも一方に関する流量制御弁に導入される制御圧を調整することで前記アタッチメント及び前記上部旋回体の少なくとも一方の動作を制御する、
請求項２又は３に記載のショベル。
【請求項５】
前記制御部は、前記エンドアタッチメントに物体を入れた状態で前記エンドアタッチメントを前記対象物の上方へ移動させる前に、前記対象物検出装置により前記対象物の位置を算出する、
請求項１乃至４のいずれかに記載のショベル。
【請求項６】
前記制御部は、前記移動目標により設定される規定高さを前記対象物の高さよりも高く設定する、
請求項２乃至４のいずれかに記載のショベル。
【請求項７】
前記制御部は、前記エンドアタッチメントの高さ位置が閾値に達すると、前記アタッチメント及び前記上部旋回体の少なくとも一方の動作を遅くする、
請求項１乃至６のいずれかに記載のショベル。
【請求項８】
下部走行体と、前記下部走行体に対して旋回自在に搭載された上部旋回体と、前記上部旋回体に取付けられたアタッチメントと、前記アタッチメントに含まれるエンドアタッチメントと、前記エンドアタッチメントの位置を検出するエンドアタッチメント位置検出部と、ショベルの周囲に存在する検出の対象とされた対象物の位置を検出する対象物検出装置と、前記対象物検出装置により検出された前記対象物をダンプトラックと特定する制御部と、を備えるショベル用の制御装置であって、
前記エンドアタッチメントの位置と前記対象物の位置との相対位置関係を算出し、該相対位置関係に基づいて、前記アタッチメント及び前記上部旋回体の少なくとも一方に関する流量制御弁に導入される制御圧を調整することで前記アタッチメント及び前記上部旋回体の少なくとも一方の動作を制御する、ショベル用の制御装置。
【請求項９】
下部走行体と、前記下部走行体に対して旋回自在に搭載された上部旋回体と、前記上部旋回体に取付けられたアタッチメントと、前記アタッチメントに含まれるエンドアタッチメントと、前記エンドアタッチメントの位置を検出するエンドアタッチメント位置検出部と、ショベルの周囲に存在する検出の対象とされた対象物の位置を検出する対象物検出装置とを備えるショベルに用いられるショベル用の制御装置であって、
前記エンドアタッチメントの位置と前記対象物の位置との相対位置関係を算出し、該相対位置関係に基づいて前記エンドアタッチメントの空中における移動目標を生成する、
ショベル用の制御装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】ショベル及びショベル用の制御装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、ショベル及びショベル用の制御装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一実施形態に係るショベルは、下部走行体と、前記下部走行体に対して旋回自在に搭載された上部旋回体と、前記上部旋回体に取付けられたアタッチメントと、前記アタッチメントに含まれるエンドアタッチメントと、前記エンドアタッチメントの位置を検出するエンドアタッチメント位置検出部と、ショベルの周囲に存在する検出の対象とされた対象物の位置を検出する対象物検出装置と、前記対象物検出装置により検出された前記対象物をダンプトラックと特定する制御部と、前記制御部は、前記エンドアタッチメントの位置と前記対象物の位置との相対位置関係を算出し、該相対位置関係に基づいて、前記アタッチメント及び前記上部旋回体の少なくとも一方に関する流量制御弁に導入される制御圧を調整することで前記アタッチメント及び前記上部旋回体の少なくとも一方の動作を制御する制御部と、を有する。
本発明の一実施形態に係るショベルは、下部走行体と、前記下部走行体に対して旋回自在に搭載された上部旋回体と、前記上部旋回体に取付けられたアタッチメントと、前記アタッチメントに含まれるエンドアタッチメントと、前記エンドアタッチメントの位置を検出するエンドアタッチメント位置検出部と、ショベルの周囲に存在する検出の対象とされた対象物の位置を検出する対象物検出装置と、前記エンドアタッチメントの位置と前記対象物の位置との相対位置関係を算出し、該相対位置関係に基づいて前記エンドアタッチメントの空中における移動目標を生成する制御部と、を有する。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
上述の手段により、作業効率を向上できるショベル及びショベル用の制御装置が提供される。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月19日(2021.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の周縁部を支持するための複数の支持部を含む基板保持ユニットと、
前記複数の支持部の上方に設けられ、前記基板を吸着するための静電チャックと、を備え、
前記複数の支持部は、前記基板の第１の辺を支持する第１支持部材及び前記基板の第２の辺を支持する第２支持部材を含み、
前記基板を支持した状態で、前記第１支持部材から前記基板に作用する力と、前記第２支持部材から前記基板に作用する力とが、異なる
ことを特徴とする基板支持装置。
【請求項２】
前記第１支持部材及び前記第２支持部材は、それぞれ、弾性部材を含んで構成され、
前記第１支持部材の弾性部材の弾性係数が、前記第２支持部材の弾性部材の弾性係数と異なる
ことを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
【請求項３】
前記第１支持部材及び前記第２支持部材は、それぞれ、弾性部材を含んで構成され、
前記第１支持部材の弾性部材の長さが、前記第２支持部材の弾性部材の長さと異なる
ことを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
【請求項４】
前記基板保持ユニットまたは前記静電チャックを、前記基板の水平面に垂直な方向に駆動する駆動手段を備える
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板支持装置。
【請求項５】
前記第１支持部材及び前記第２支持部材の基板支持面にはフッ素コーティングがなされている
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板支持装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板支持装置と、
前記基板にマスクを介して成膜を行う成膜源と、を備える
ことを特徴とする成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板支持装置および成膜装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は基板支持装置および成膜装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の第１態様による基板支持装置は、基板の周縁部を支持するための複数の支持部を含む基板保持ユニットと、前記複数の支持部の上方に設けられ、前記基板を吸着するための静電チャックと、を備え、前記複数の支持部は、前記基板の第１の辺を支持する第１支持部材及び前記基板の第２の辺を支持する第２支持部材とを含み、前記基板を支持した状態で、前記第１支持部材から前記基板に作用する力と、前記第２支持部材から前記基板に作用する力とが、異なる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月6日(2021.7.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
間隙を介して第１の方向に並んで配置された、一対の支持部材を有する基板支持構造体において、
前記一対の支持部材の夫々は、複数の第１支持部と、前記第１支持部よりもその高さが高く形成された第２支持部と、を有し、
前記一対の支持部材の夫々は、前記第１の方向に延びる複数の第１部分が前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って並ぶように設けられ、かつ、前記複数の第１部分が前記間隙の反対側の端において第２部分によって互いに連結されるように構成され、
一方の支持部材の第１部分と他方の支持部材の第１部分が前記間隙を間にして向き合うように、前記間隙を介して前記一対の支持部材が前記第１の方向に並び、
前記複数の第１支持部は、前記第２部分に設けられ基板と当接可能であり、
前記第２支持部は、前記第１部分に設けられ基板と当接可能であって前記第１支持部よりも高さが高い位置で基板と当接可能である
ことを特徴とする基板支持構造体。
【請求項２】
前記第１支持部は、前記間隙から離れた位置に配置し、
前記第２支持部は、前記第１支持部及び前記間隙の間に配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板支持構造体。
【請求項３】
前記一対の支持部材のそれぞれには、複数の前記第１支持部が間隔を設けて配置され、
前記一対の支持部材のそれぞれには、複数の前記第２支持部が間隔を設けて配置されていることを特徴とする請求項２に記載の基板支持構造体。
【請求項４】
前記一対の支持部材の夫々は、少なくとも２つの前記第１支持部を有し、
前記少なくとも２つの前記第１支持部と前記第２支持部は、前記一対の支持部材が並ぶ第１方向と交差する第２方向に並んで配置され、
前記少なくとも２つの前記第１支持部の間に前記第２支持部が配置されることを特徴とする請求項１に記載の基板支持構造体。
【請求項５】
前記支持部材のそれぞれには、複数の前記第１支持部が間隔を設けて配置され、
前記支持部材のそれぞれには、複数の前記第２支持部が間隔を設けて配置されていることを特徴とする請求項４に記載の基板支持構造体。
【請求項６】
前記一対の支持部材の夫々は、複数の第１部分と前記複数の第１部分を互いに連結する第２部分を含み、
前記複数の第１部分の夫々は、前記第１方向に沿って延びていて、
前記複数の第１部分は、前記第２方向に沿って並んで配置され、
前記第２部分は、前記第２方向に沿って延びていて、
前記一対の支持部材の夫々において、前記少なくとも２つの前記第１支持部と前記第２支持部が、前記第２部分に配されていることを特徴とする請求項４に記載の基板支持構造体。
【請求項７】
前記複数の第１部分の少なくとも１つには、前記第１支持部と同じ高さの支持部が設けられていることを特徴とする請求項６に記載の基板支持構造体。
【請求項８】
前記第２支持部の高さが前記第１支持部の高さよりも２ｍｍ〜６ｍｍ高く形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の基板支持構造体。
【請求項９】
前記第２支持部の高さが前記第１支持部の高さよりも３．５ｍｍ〜４ｍｍ高く形成されていることを特徴とする請求項８に記載の基板支持構造体。
【請求項１０】
前記基板支持構造体によって支持される基板は、ガラス基板で、縦横のサイズは１５００ｍｍ×９２５ｍｍであり、厚さは４００μｍ〜５００μｍであることを特徴とする請求項８に記載の基板支持構造体。
【請求項１１】
前記第１支持部及び前記第２支持部は、それぞれ、前記支持部材の基部に対する突起部分を含んで構成されることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の基板支持構造体。
【請求項１２】
前記第１支持部及び前記第２支持部は、第１材料で形成され、
前記基部は、前記第１材料とは異なる第２材料で形成され、
前記第１材料の弾性が前記第２材料の弾性よりも大きいことを特徴とする請求項１１に記載の基板支持構造体。
【請求項１３】
前記第１支持部と前記第２支持部は、一体として形成され、かつ、前記第１支持部の上面から前記第２支持部の上面にかけて高さが高くなるように傾斜する面を有するように形成されることを特徴とする請求項１乃至７の何れか一項に記載の基板支持構造体。
【請求項１４】
基板に対する蒸着が行われる蒸着チャンバーと、
請求項１乃至７の何れか一項に記載の基板支持構造体を有するチャンバーと、を含むことを特徴とする蒸着装置。
【請求項１５】
前記蒸着チャンバーは、前記基板に対して第１蒸着工程を行うよう構成された複数の第１蒸着工程チャンバーと、前記第１蒸着工程が行われた基板に対して前記第１蒸着工程に後続する第2蒸着工程を行うよう構成された複数の第２蒸着工程チャンバーを含み、
前記基板支持構造体を有する前記チャンバーは、前記第１蒸着工程チェンバーと前記第２蒸着工程チャンバーとの間に配置され、前記第１蒸着工程チャンバーから搬出された前記第１蒸着工程が行われた前記基板を、前記第２蒸着工程チャンバーに搬入する前に、一時的に保持することを特徴とする請求項１４に記載の蒸着装置。
【請求項１６】
前記基板支持構造体を有する前記チャンバーは、前記第１蒸着工程チェンバーまたは前記第２蒸着工程チャンバーで同時に蒸着が行われることができる前記基板の枚数以上の基板を、前記基板支持構造体によって収納可能であることを特徴とする請求項１５に記載の蒸着装置。
【請求項１７】
請求項１４に記載の蒸着装置を用いた有機発光素子の製造方法であって、
前記基板支持構造体によって基板を保持する保持工程と、
前記基板に対して有機材料を蒸着する蒸着工程と、を含むことを特徴とする有機発光素子の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一態様による基板支持構造体は、間隙を介して第１の方向に並んで配置された、一対の支持部材を有する基板支持構造体において、
前記一対の支持部材の夫々は、複数の第１支持部と、前記第１支持部よりもその高さが高く形成された第２支持部と、を有し、
前記一対の支持部材の夫々は、前記第１の方向に延びる複数の第１部分が前記第１の方向と交差する第２の方向に沿って並ぶように設けられ、かつ、前記複数の第１部分が前記間隙の反対側の端において第２部分によって互いに連結されるように構成され、
一方の支持部材の第１部分と他方の支持部材の第１部分が前記間隙を間にして向き合うように、前記間隙を介して前記一対の支持部材が前記第１の方向に並び、
前記複数の第１支持部は、前記第２部分に設けられ基板と当接可能であり、
前記第２支持部は、前記第１部分に設けられ基板と当接可能であって前記第１支持部よりも高さが高い位置で基板と当接可能である
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月19日(2021.10.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の周縁部を支持するための複数の支持部を含む基板保持ユニットと、
前記複数の支持部の上方に設けられ、前記基板を吸着するための静電チャックと、を備え、
前記複数の支持部は、前記基板の第１の辺を支持する第１支持部材及び第２支持部材を含み、
前記基板を支持した状態で、前記第１支持部材の基板支持面と前記静電チャックとの間の距離が、前記第２支持部材の基板支持面と前記静電チャックとの間の距離と異なる
ことを特徴とする基板支持装置。
【請求項２】
前記第１支持部材及び前記第２支持部材は、それぞれ、弾性部材を含んで構成される
ことを特徴とする請求項１に記載の基板支持装置。
【請求項３】
前記第１支持部材の弾性部材の弾性係数が、前記第２支持部材の弾性部材の弾性係数と異なる
ことを特徴とする請求項２に記載の基板支持装置。
【請求項４】
前記基板保持ユニットを、前記基板の水平面に沿った第１方向、及び第２方向、並びに、前記水平面に垂直な第３方向に駆動する駆動手段を備える
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の基板支持装置。
【請求項５】
前記第１支持部材の基板支持面の高さと、前記第２支持部材の基板支持面の高さとの差は、０．１ｍｍ以上であり、かつ、１．０ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の基板支持装置。
【請求項６】
前記複数の支持部は、前記基板の第１の辺に対向する第２の辺を支持する第３支持部材及び第４支持部材を含む
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の基板支持装置。
【請求項７】
前記静電チャックは、マトリクスと、前記マトリクスの内部に埋め込まれた複数の電極
モジュールと、を含む
ことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の基板支持装置。
【請求項８】
前記基板支持面にはフッ素コーティングがなされている
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の基板支持装置。
【請求項９】
請求項１乃至８のいずれか一項に記載の基板支持装置と、
前記基板にマスクを介して成膜を行う成膜源と、を備える
ことを特徴とする成膜装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】基板支持装置および成膜装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は基板支持装置および成膜装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
本発明の一態様による基板支持装置は、基板の周縁部を支持するための複数の支持部を含む基板保持ユニットと、前記複数の支持部の上方に設けられ、前記基板を吸着するための静電チャックと、を備え、前記複数の支持部は、前記基板の第１の辺を支持する第１支持部材及び第２支持部材を含み、前記基板を支持した状態で、前記第１支持部材の基板支持面と前記静電チャックとの間の距離が、前記第２支持部材の基板支持面と前記静電チャックとの間の距離と異なる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】