(57)【要約】【課題】コモンモードノイズを低減することができる回路装置を提供すること。【解決手段】セラミック基板２の表面には、電源ライン２１とグランドライン２２との間に直列接続されたパワーＭＯＳＦＥＴ３とパワーＭＯＳＦＥＴ４と、電源ライン２１とグランドライン２２との間にパワーＭＯＳＦＥＴ３とパワーＭＯＳＦＥＴ４と並列に設けられパワーＭＯＳＦＥＴ３とパワーＭＯＳＦＥＴ４と共に直列ループを構成する第１コンデンサ６と、電源ライン２１とグランドライン２２との間に直列接続された第２コンデンサ８ａと第３コンデンサ９ａと、が設けられており、セラミック基板２の裏面には、第２コンデンサ８ａと第３コンデンサ９ａとの中間電位である中間電位パターン１４ｃが設けられている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板（２）と、
基板の一面に形成された、電源ライン（２１）と、グランドライン（２２）と、スイッチング素子（３）と、還流素子（４）と、第１ノイズ抑制素子（８ａ〜８ｄ）と、第２ノイズ抑制素子（９ａ〜９ｄ）と、第１コンデンサ（６）とを有し、
前記スイッチング素子と前記還流素子は、前記電源ラインと前記グランドラインとの間に直列に設けられ、
前記第１コンデンサは、前記電源ラインと前記グランドラインとの間において、前記スイッチング素子及び前記還流素子と並列に設けられ、前記スイッチング素子及び前記還流素子と共に直列ループを構成し、
前記第１ノイズ抑制素子は、抵抗素子又はコンデンサからなるものであり、一方の端子は前記電源ラインに接続され、
前記第２ノイズ抑制素子は、抵抗素子又はコンデンサからなるものであり、一方の端子は前記グランドラインに接続され、
前記基板は、前記一面とは異なる部位に、前記第１ノイズ抑制素子の他方の端子と前記第２ノイズ抑制素子の他方の端子とに電気的に接続された該第１ノイズ抑制素子と該第２ノイズ抑制素子との中間電位である中間電位パターン（１４ｃ）が設けられていることを特徴とする回路装置。
【請求項２】
前記中間電位パターンは、一部が前記直列ループで囲まれた領域に対向する位置に含まれることを特徴とする請求項１に記載の回路装置。
【請求項３】
前記中間電位パターンは、前記基板における内層又は前記一面の反対面の全面に設けられていることを特徴とする請求項１又は２に記載の回路装置。
【請求項４】
前記中間電位パターンは、前記基板における内層又は前記一面の反対面に設けられており、
前記基板は、前記中間電位パターンと、前記第１ノイズ抑制素子の他方の端子と前記第２ノイズ抑制素子の他方の端子とを電気的に接続する層間接続部材が設けられていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の回路装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、回路装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、回路装置の一例として、車載用電動モータコントローラがある。この車載用電動モータコントローラは、ＩＧＢＴやパワーＭＯＳＦＥＴなどの半導体素子を特定の周波数でスイッチングすることにより出力電圧を調整する。しかしながら、車載用電動モータコントローラは、負荷電流や電源電流にスイッチング周波数の高調波成分(高調波ノイズ)を含むため、この高調波ノイズが車載ラジオへ混入するという問題がある。
【０００３】
この問題を解決するため、多くの製品で様々なノイズ対策が実施されている。例えば、特許文献１では、ノイズフィルタとスイッチング電源部を共通の金属ベース基板に搭載し、この金属ベース基板を接地してグランドプレーンとしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平５−１６１２６８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１の金属ベース基板は、スイッチングにより発生する高調波ノイズがノイズ源に帰るための低インピーダンス経路を提供しており、ノイズ低減に有効な手段と考えられる。しかしながら、金属ベース基板に対してコモンモードで発生している高調波ノイズは、電源(信号)ラインとグランドラインのノイズ帰還量に不平衡が生じる。よって、特許文献１では、コモンモードノイズを抑制しきれないという問題があった。
【０００６】
本発明は、上記問題点に鑑みなされたものであり、コモンモードノイズを低減することができる回路装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために本発明は、
基板（２）と、
基板の一面に形成された、電源ライン（２１）と、グランドライン（２２）と、スイッチング素子（３）と、還流素子（４）と、第１ノイズ抑制素子（８ａ〜８ｄ）と、第２ノイズ抑制素子（９ａ〜９ｄ）と、第１コンデンサ（６）とを有し、
スイッチング素子と還流素子は、電源ラインとグランドラインとの間に直列に設けられ、
第１コンデンサは、電源ラインとグランドラインとの間において、スイッチング素子及び還流素子と並列に設けられ、前記スイッチング素子及び還流素子と共に直列ループを構成し、
第１ノイズ抑制素子は、抵抗素子又はコンデンサからなるものであり、一方の端子は電源ラインに接続され、
第２ノイズ抑制素子は、抵抗素子又はコンデンサからなるものであり、一方の端子はグランドラインに接続され、
基板は、一面とは異なる部位に、第１ノイズ抑制素子の他方の端子と第２ノイズ抑制素子の他方の端子とに電気的に接続された第１ノイズ抑制素子と第２ノイズ抑制素子との中間電位である中間電位パターン（１４ｃ）が設けられていることを特徴とする。
【０００８】
このような回路構成において、スイッチング素子、還流素子及び第１コンデンサを含む直列ループは、スイッチング素子のスイッチング時に断続的な電流が流れるループであり、高調波ノイズ成分が重畳しているパターンである。よって、直列ループは、ノイズ源と言い換えることができる。
【０００９】
また、この直列ループと中間電位パターンとの間には、寄生容量が形成される。そして、高調波ノイズ成分が重畳している直列ループと中間電位パターンが交流的にカップリングしていることにより、直列ループと中間電位パターンとの間には高調波ノイズ（コモンモードノイズ）が流れることになる。
【００１０】
このコモンモードノイズのうちグランドラインを流れるノイズ電流は、第２ノイズ抑制素子と中間電位パターンを通ってノイズ源に帰還される。一方、コモンモードノイズのうち電源ラインを流れるノイズ電流は、第１ノイズ抑制素子と中間電位パターンを通ってノイズ源に帰還される。このように、回路装置では、コモンモードノイズが回路装置内で帰還され、回路装置の外部に伝搬されるのを抑制することができる。よって、本発明では、コモンモードノイズを効果的に低減することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】実施形態における回路装置の概略構成を示す図面である。
【図２】実施形態における回路装置のノイズ経路を示す図面である。
【図３】比較例における回路装置の概略構成を示す図面である。
【図４】シミュレーションに用いた実施形態の回路装置を示す図面である。
【図５】シミュレーションに用いた実施形態の回路装置を示す平面図であり、（ａ）は基板表面の平面図であり、（ｂ）は基板裏面の平面図である。
【図６】シミュレーションに用いた比較例の回路装置を示す図面である。
【図７】シミュレーションに用いた比較例の回路装置を示す平面図であり、（ａ）は基板表面の平面図であり、（ｂ）は基板裏面の平面図である。
【図８】シミュレーション結果を示すグラフである。
【図９】変形例１の回路装置における基板裏面の平面図である。
【図１０】変形例２の回路装置における基板裏面の平面図である。
【図１１】変形例３における回路装置の概略構成を示す図面である。
【図１２】変形例４における回路装置の概略構成を示す図面である。
【図１３】変形例５における回路装置の概略構成を示す図面である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
以下、本発明の実施形態を図１〜図８を参照しつつ説明する。なお、本実施形態においては、本発明を車載スイッチング電源回路装置（ＤＣ−ＤＣコンバータ）１に適用した例を採用する。つまり、車載スイッチング電源回路装置１は、回路装置に相当するものである。よって、車載スイッチング電源回路装置１を回路装置１とも称する。なお、図１〜図４，図６は、回路装置１の回路図に加えて、基板などの構成要素も一緒に図示している。
【００１３】
図１に示すように、回路装置１は、主に、セラミック基板２、電源ライン２１、グランドライン２２、パワーＭＯＳＦＥＴ３、パワーＭＯＳＦＥＴ４、第１コンデンサ６、第２コンデンサ８ａ、第３コンデンサ９ａ、表層パターン１４ａ、中間電位パターン１４ｃを含んで構成されている。また、回路装置１は、これらの主要構成要素の他にも、制御回路５、第４コンデンサ７、コイル１０，１１、放熱フィン１８などを含むものであってもよい。
【００１４】
セラミック基板２は、特許請求の範囲における基板に相当するものである。本実施形態では、特許請求の範囲における基板として、セラミックスを基材としたセラミック基板２を採用している。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、ガラス繊維製の布（クロス）を重ねたものに、エポキシ樹脂を含浸した、所謂ガラスエポキシ基板などを採用することもできる。このセラミック基板２は、表面側と裏面側に上述の構成要素が形成されている。
【００１５】
なお、セラミック基板２の表面側の概略構成に関しては、図５（ａ）を参照されたい。一方、セラミック基板２の裏面側の概略構成に関しては、図５（ｂ）を参照されたい。この図５は、後ほど説明するシミュレーションに用いた回路装置１の概略構成を説明する平面図である。後ほど説明するが、シミュレーションに用いた回路装置１は、図１に示す回路装置１と構成が若干異なる。しかしながら、上述の主要構成要素の構成に関しては、シミュレーションに用いた回路装置１と図１に示す回路装置１とで同じである。
【００１６】
具体的には、セラミック基板２の表面側には、電源ライン２１、グランドライン２２、パワーＭＯＳＦＥＴ３、パワーＭＯＳＦＥＴ４、制御回路５、第１〜第４コンデンサ６，７，８ａ，９ａ、コイル１０，１１、表面パターン１４ａが形成されている。一方、セラミック基板２の裏面側には、中間電位パターン１４ｃが形成されている。さらに、セラミック基板２は、表面パターン１４ａと中間電位パターン１４ｃとを電気的に接続するためのスルーホール（層間接続部材）１４ｂが形成されている。なお、セラミック基板２の表面とは、特許請求の範囲における一面であり、セラミック基板２の裏面とは、特許請求の範囲における反対面である。
【００１７】
表面パターン１４ａは、セラミック基板２の表面に設けられた導電性部材からなる導体パターンの一部である。一方、中間電位パターン１４ｃは、セラミック基板２の裏面に設けられた導電性部材からなる導体パターンである。本実施形態における中間電位パターン１４ｃは、セラミック基板２の裏面の全面（裏面全体）に設けられている。
【００１８】
なお、ここでの全面とは、セラミック基板２の裏面における縁部（図５（ｂ）のような場合）や端部の一部などのセラミック基板２の裏面の全体に対して十分小さい領域を除く場合も含むものである。つまり、中間電位パターン１４ｃは、セラミック基板２の裏面における縁部を除く部位や、端部の一部を除く部位に設けられていてもよい。
【００１９】
パワーＭＯＳＦＥＴ３は、特許請求の範囲におけるスイッチング素子に相当するものである。パワーＭＯＳＦＥＴ４は、特許請求の範囲における還流素子に相当するものである。図１に示すように、パワーＭＯＳＦＥＴ３とパワーＭＯＳＦＥＴ４は、電源ライン２１とグランドライン２２との間に直列に設けられている（直列接続されている）。また、このパワーＭＯＳＦＥＴ３とパワーＭＯＳＦＥＴ４は、制御回路５によって制御されるものである。なお、還流素子は、パワーＭＯＳＦＥＴ４のかわりにダイオードを採用することもできる。
【００２０】
第１〜第４コンデンサ６，７，８ａ，９ａ、及びコイル１０，１１は、ノイズフィルタ部品である。本実施形態では、第１〜第４コンデンサ６，７，８ａ，９ａとしてセラミックコンデンサを採用している。つまり、第１〜第４コンデンサ６，７，８ａ，９ａは、チップ状のコンデンサである。
【００２１】
第１コンデンサ６は、図１に示すように、電源ライン２１とグランドライン２２との間において、パワーＭＯＳＦＥＴ３及びパワーＭＯＳＦＥＴ４と並列に設けられ、パワーＭＳＦＥＴ３及びパワーＭＯＳＦＥＴ４と共に直列ループ１００を構成している。なお、この直列ループ１００の直下には、中間電位パターン１４ｃが設けられていることになる。言い換えると、セラミック基板２の表面側には、図５（ａ）に示すように、直列ループ１００で囲まれた領域が形成されている。そして、この領域に対向するセラミック基板２の裏面側の部位は、図５（ｂ）に示すように、中間電位パターン１４ｃで覆われている。
【００２２】
第２コンデンサ８ａは、特許請求の範囲における第１ノイズ抑制素子に相当するものである。第２コンデンサ８ａは、一方の端子が電源ライン２１に接続されている。つまり、第２コンデンサ８ａは、一方の端子が電源ライン２１に導電性接続部材などを介して機械的及び電気的に接続されている。
【００２３】
第３コンデンサ９ａは、特許請求の範囲における第２ノイズ抑制素子に相当するものである。第３コンデンサ９ａは、一方の端子がグランドライン２２に接続されている。つまり、第３コンデンサ９ａは、一方の端子がグランドライン２２に導電性接続部材などを介して機械的及び電気的に接続されている。
【００２４】
そして、第２コンデンサ８ａと第３コンデンサ９ａとは、表面パターン１４ａによって電気的に接続されており、電源ライン２１とグランドライン２２との間において直列に接続されている。なお、表面パターン１４ａは、スルーホール１４ｂを介して中間電位パターン１４ｃに電気的に接続されている。つまり、セラミック基板２の裏面に設けられた導体パターンは、スルーホール１４ｂを介して表面パターン１４ａと電気的に接続されることで中間電位パターン１４ｃとなるものである。このように、中間電位パターン１４ｃは、第２コンデンサ８ａの他方の端子（電源ライン２１に機械的に接続されてない端子）と第３コンデンサ９ａの他方の端子（グランドライン２２に機械的に接続されてない端子）とに電気的に接続されている。なお、中間電位パターン１４ｃを構成する導電性部材からなる導体パターンは、第２コンデンサ８ａ及び第３コンデンサ９ａが接続されていない状態では浮遊電位パターンである。
【００２５】
なお、主として、第１コンデンサ６、第２コンデンサ８ａ、第３コンデンサ９ａ及びコイル１１から構成されるＬＣフィルタで、バッテリ１２とつながるラインのリップル平滑およびノイズ除去を行っている。また、第４コンデンサ７及びコイル１０から構成されるＬＣフィルタで、モータ１３とつながるラインのリップル平滑およびノイズ除去を行っている。
【００２６】
セラミック基板２は、放熱性向上のために、裏面側に熱伝導性の高い接着剤を介して放熱フィン１８が取り付けられている。この放熱フィン１８は、アルミニウムや銅などからなるものを採用することができる。このため図１に示すように、回路装置１は、中間電位パターン１４ｃと放熱フィン１８との間に寄生容量１７が存在する。
【００２７】
さらに、放熱フィン１８は、金属製ブラケット２０にてグランドプレーンとしての車両ボデー（シャーシ）１９へ取り付けられている。よって、回路装置１は、車両搭載状態では放熱フィン１８と車両ボデー１９（すなわちバッテリ１２のグランド）は電気的に接続されていることになる。
【００２８】
このように構成された回路装置１は、回路装置１に電源を供給するバッテリ１２と、負荷であるモータ１３とが接続されている。
【００２９】
パワーＭＯＳＦＥＴ３、パワーＭＯＳＦＥＴ４、第１コンデンサ６で構成される直列ループ１００は、パワーＭＯＳＦＥＴ３のスイッチング時に断続的な電流が流れるループであり、高調波ノイズ成分が重畳しているパターンである。よって、直列ループ１００は、ノイズ源と言い換えることができる。回路装置１は、この直列ループ１００と中間電位パターン１４ｃとの間に寄生容量１６が存在する。そして、高調波ノイズ成分が重畳している直列ループ１００と中間電位パターン１４ｃとが交流的にカップリングしていることにより、直列ループ１００と中間電位パターン１４ｃとの間にはコモンモードノイズが流れることになる。
【００３０】
なお、セラミック基板２の表面側に形成された導体パターンと裏面側に形成された導体パターン（つまり、中間電位パターン１４ｃ）との寄生容量は、寄生容量１６以外にも多数存在する。しかしながら、本実施形態では、本発明に関連する寄生容量１６のみを説明している。
【００３１】
ここで、比較例の回路装置１ａを用いて、本実施形態における回路装置１の効果を説明する。図３は、比較例における回路装置１ａの概略構成を示す図面である。なお、回路装置１ａは、回路装置１と共通する箇所もある。回路装置１ａにおいて回路装置１と共通する箇所は、図３で図１と同じ符号を付与して詳しい説明を省略する。回路装置１ａは、セラミック基板２の裏面側にグランド電位パターン１５が設けられている点が回路装置１と異なる。なお、符号２ａは、セラミック基板２の表面側に設けられたグランドパターン（すまり、グランドライン２２）とグランド電位パターン１５とを電気的に接続するためのスルーホールである。このように、回路装置１ａは、セラミック基板２の裏面側にグランド電位パターン１５が設けられている点で回路装置１と異なるものの、コモンモードノイズは流れる。しかしながら、回路装置１と回路装置１ａとでは、コモンモードノイズの流れる経路が異なる。
【００３２】
図３に示すように、回路装置１ａでは、コモンモードノイズのうちグランドライン２２に流れるノイズ電流３００は、スルーホール２ａ、グランド電位パターン１５、寄生容量１６を通ってノイズ源に帰還する。一方、コモンモードノイズのうち電源ライン２１に流れるノイズ電流２００は、バッテリ１２、車両ボデー１９、金属製ブラケット２０、放熱フィン１８、寄生容量１７、寄生容量１６を経由してノイズ源に帰還する。このように、比較例における回路装置１ａは、電源ライン２１を流れるコモンモードノイズを回路装置内で帰還する経路を持っていないため、コモンモードノイズが回路装置１ａの外部へ伝搬されてしまう。
【００３３】
これに対して、回路装置１では、図２に示すようにコモンモードノイズが流れる。具体的には、コモンモードノイズのうちグランドライン２２を流れるノイズ電流３００は、第３コンデンサ９ａと表面パターン１４ａとスルーホール１４ｂと中間電位パターン１４ｃ、寄生容量１６を通ってノイズ源に帰還される。一方、コモンモードノイズのうち電源ラインを流れるノイズ電流２００は、第２コンデンサ８ａと表面パターン１４ａとスルーホール１４ｂと中間電位パターン１４ｃ、寄生容量１６を通ってノイズ源に帰還される。
【００３４】
このように、回路装置１では、コモンモードノイズが回路装置１内で帰還され、回路装置１の外部に伝搬されるのを抑制することができる。よって、本発明では、コモンモードノイズを効果的に低減することが可能となる。さらに、本実施形態のように、回路装置１に放熱フィン１８が設けられている場合や、回路装置１が金属製ブラケット２０を介して車両ボデー１９に取り付けられた場合であっても、コモンモードノイズを効果的に低減することが可能となる。また、これによって、回路装置は、車両に搭載された場合に、高調波ノイズが車載ラジオへ混入することを抑制することができる。
【００３５】
また、本実施形態のように、セラミック基板２の裏面の全面に、中間電位パターン１４ｃを設けることによって、直列ループ１００で囲まれた領域に対向する位置（領域）を中間電位パターン１４ｃで完全に覆うことができる。また、主要ノイズ源は直流ループ１００であるが、高調波ノイズは各パターン経由で伝搬する。そのため、全てのパターンは、多からず高調波ノイズ成分を含み、かつ裏面パターンとの間に寄生容量を持っているため、コモンモードノイズ発生の要因となり得る。そこで、本実施形態のように、セラミック基板２の裏面の全面に中間電位パターン１４ｃを設けることによって、影響度の大小によらず、全てのコモンモードノイズ発生要因を抑制出来る。なお、ここでの直列ループ１００で囲まれた領域に対向する位置とは、セラミック基板２の裏面における位置である。
【００３６】
また、本実施形態における回路装置１の効果の確認を行ったので図４〜図８を用いて説明する。ここでのノイズ低減効果の確認は、製品コネクタ端子での電圧ノイズの大小により確認した。代表端子として、電源端子２３を選択し、グランドプレーン基準の電源端子２３の電圧ノイズ（ノイズレベル）を評価した。測定は、上述の回路装置１と回路装置１ａ、及び回路装置１と回路装置１ａの環境をモデル化し、シミュレーションにより実施した。この結果、図８に示すように、７０ＭＨｚ以上の帯域において、最大１０ｄＢのノイズ低減効果があることが確認できた。
【００３７】
なお、図４、図６に示すように、シミュレーションに用いた回路装置１及び回路装置１ａは、ノイズ対策用のコイル１１の配置が図１に示した回路装置１や図３に示した回路装置１ａと異なる。具体的には、図１に示した回路装置１や図３に示した回路装置１ａでは、電源ライン２１側にコイル１１を設けていた。これに対して、シミュレーションに用いた回路装置１及び回路装置１ａでは、グランドライン２２側にコイル１１を設けている。このように、グランドライン２２にコイル１１を設けた場合であっても、電源ライン２１にコイル１１を設けた場合と同様に、本願発明の効果は期待できる。また、シミュレーションに用いた回路装置１及び回路装置１ａは、コイル１１の配置以外は図１に示した回路装置１及び図３に示した回路装置１ａと同様である。
【００３８】
また、図４において電源ライン２１の太線で示した部位は、図５（ａ）における電源ライン２１のパターンに相当する部位である。図４においてグランドライン２２の太線で示した部位は、図５（ａ）におけるグランドライン２２のパターンに相当する部位である。図６の電源ライン２１及びグランドライン２２と、図７（ａ）の電源ライン２１のパターン及びグランドライン２２のパターンも同様の関係である。
【００３９】
なお、本実施形態においては、放熱フィン１８を備え、金属製ブラケット２０にて車両ボデー１９に取り付けられた回路装置１を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、放熱フィン１８を備えていない回路装置であっても目的を達成することができる。また、本発明は、金属製ブラケット２０にて車両ボデー１９に取り付けられていない回路装置であっても目的を達成することができる。さらに、本発明は、放熱フィン１８を備えておらず、金属製ブラケット２０にて車両ボデー１９に取り付けられていない回路装置であっても目的を達成することができる。
【００４０】
なお、本実施形態では、セラミック基板２の裏面に中間電位パターン１４ｃを設ける例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。中間電位パターン１４ｃは、上述の主要構成要素が形成された基板（特許請求の範囲の基板）における、一面とは異なる部位に設けられていればよい。例えば、特許請求の範囲の基板として多層構造の基板を採用する場合は、内層に中間電位パターン１４ｃを設けるようにしてもよい。つまり、一面とは異なる部位とは、一面とは異なる層又は面を示すものである。これによっても上述と同様の効果を奏することができる。
【００４１】
また、第２コンデンサ８ａの容量値と第３コンデンサ９ａの容量値は、等しい方が好ましい。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。第２コンデンサ８ａの容量値と第３コンデンサ９ａの容量値は、違っていても本発明の目的を達成することができる。
【００４２】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態に何ら制限されることはなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の変形が可能である。
【００４３】
（変形例１）
上述の実施形態では、セラミック基板２の裏面の全面に中間電位パターン１４ｃが設けられた例を採用した。このように中間電位パターン１４ｃは、セラミック基板２の裏面の全面に設けるのが好ましい。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。中間電位パターン１４ｃは、図９に示すように設けてもよい。つまり、図９に示すように、中間電位パターン１４ｃは、スルーホール１４ｂから直列ループ１００で囲まれた領域に対向する位置に達するように、且つ、直列ループ１００で囲まれた領域に対向する位置を覆う程度に設けられていてもよい。このようにすることによっても、ノイズ低減効果を奏することができ、且つ、中間電位パターン１４ｃのパターン自由度を向上することができる。よって、セラミック基板２における中間電位パターン１４ｃが設けられた面（ここでは裏面）に、中間電位パターン１４ｃ以外のパターンを設けたり、回路素子を搭載したりすることができる。
【００４４】
（変形例２）
また、中間電位パターン１４ｃは、図１０に示すように設けてもよい。つまり、図１０に示すように、中間電位パターン１４ｃは、スルーホール１４ｂから直列ループ１００で囲まれた領域に対向する位置に達する線状パターンであってもよい。言い換えると、中間電位パターン１４ｃは、一部が直列ループ１００で囲まれた領域に対向する位置に含まれる線状パターンであってもよい。このようにしても、変形例１と同様の効果を奏することができる。
【００４５】
（変形例３）
上述の実施形態においては、セラミック基板２の表面側に第２コンデンサ８ａと第３コンデンサ９ａが設けられた例を採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、図１１に示すように、第１ノイズ抑制素子としての第２コンデンサ８ｂ、及び第２ノイズ抑制素子としての第３コンデンサ９ｂをセラミック基板２の裏面側に設けるようにしてもよい。この場合、第２コンデンサ８ｂは、一方の端子がスルーホール１４ｂを介して電源ライン２１に接続されている。また、第３コンデンサ９ｂは、一方の端子がスルーホール１４ｂを介してグランドライン２２に接続されている。そして、第２コンデンサ８ｂの他方の端子と第３コンデンサ９ｂの他方の端子とが中間電位パターン１４ｃに接続されている。このようにすることによっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００４６】
（変形例４）
上述の実施形態においては、第２コンデンサ８ａ及び第３コンデンサ９ａとして、チップ状のコンデンサを採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。
【００４７】
図１２に示すように、電源ライン２１から中間電位パターン１４ｃを構成する導電性部材からなる導体パターンの間には、セラミック基板２を介して寄生容量８ｃが存在する。また、グランドライン２２から中間電位パターン１４ｃを構成する導電性部材からなる導体パターンの間には、セラミック基板２を介して寄生容量９ｃが存在する。
【００４８】
よって、本発明は、第１ノイズ抑制素子として寄生容量（第２コンデンサ）８ｃ、第２ノイズ抑制素子として寄生容量（第３コンデンサ）９ｃを採用してもよい。これによって、セラミック基板２の裏面に導電性部材からなる導体パターン（浮遊電位パターン）を設けるだけで、仮想的に中間電位パターン１４ｃを形成することができる。このようにすることによっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。この場合、スルーホール１４ｂなどによる表面パターン１４ａとの接続は必要無い。
【００４９】
（変形例５）
上述の実施形態においては、第１ノイズ抑制素子として第２コンデンサ８ａを採用し、第２ノイズ抑制素子として第３コンデンサ９ａを採用した。しかしながら、本発明はこれに限定されるものではない。本発明は、図１３に示すように、第１ノイズ抑制素子として第１抵抗素子８ｄ、第２ノイズ抑制素子として第２抵抗素子９ｄを採用することができる。このようにすることによっても、上述の実施形態と同様の効果を奏することができる。
【００５０】
また、第１ノイズ抑制素子として第１抵抗素子８ｄ、第２ノイズ抑制素子として第２抵抗素子９ｄを採用することによって、回路内の任意の寄生Ｌと共振点を持たないため、予期せぬノイズ悪化を抑制することが出来る。
【符号の説明】
【００５１】
１  車載スイッチング電源回路装置、２  セラミック基板、３  パワーＭＯＳＦＥＴ、４  パワーＭＯＳＦＥＴ、６  第１コンデンサ、８ａ  第２コンデンサ、９ａ  第３コンデンサ、１４ｃ  中間電位パターン、２１  電源ライン、２２  グランドライン
【図１】
2014082845.tif 000003
【図２】
2014082845.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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