(57)【要約】      （修正有）【課題】ベアチップの側面を挟持し、歩留まりが高く、かつ汎用性の高いベアチップ搬送ユニットおよび半導体実装装置を提供する。【解決手段】半導体実装装置は、ベアチップ３の側面と接触して機械的に挟持する挟持部（チャックピン１１）と、挟持部（チャックピン１１）と連動して回動する回動部材とを具備する。挟持部（チャックピン１１）がベアチップ３の側面に当接することにより、回動部材の回動が阻止され、当該回動部材の回動しようとする力によってベアチップ３が保持されるベアチップ挟持ユニット（コレット１）を具備する。【選択図】図９Ａ
2014067911.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベアチップの側面と接触して機械的に挟持する複数の挟持部と、
前記挟持部と連動して回動する回動部材とを具備し、
前記挟持部が前記ベアチップの側面に当接することにより、前記回動部材の回動が阻止され、当該回動部材の回動しようとする力によって前記ベアチップが保持される機構を有するベアチップ挟持ユニットを具備する半導体実装装置。
【請求項２】
さらに、前記回動部材に動力を伝達する回転伝達機構を具備し、
前記複数の挟持部は、前記回転伝達機構から動力が伝達されている請求項１に記載の半導体実装装置。
【請求項３】
前記挟持部は、開状態のときは、所定の基準位置に配置されるように構成されている請求項１又は２に記載の半導体実装装置。
【請求項４】
前記挟持部は、チャックピンであることを特徴とする請求項１〜３に記載の半導体実装装置。
【請求項５】
前記ベアチップ挟持ユニットは、前記回動部材に回転する動力を伝達する回転伝達機構に着脱自在に接続されている請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体実装装置。
【請求項６】
さらに、前記ベアチップを実装基板に実装する際に加える圧力を調整する圧力調節機構を備える請求項１〜５のいずれか１項に記載の半導体実装装置。
【請求項７】
前記ベアチップと、これを実装する実装基板とが、蝋材により接合され、当該蝋材の酸化膜を除去するように、前記ベアチップ挟持ユニットが、水平方向動作と垂直方向動作にスクライブ動作可能なように構成されている請求項１〜６のいずれか１項に記載の半導体実装装置。
【請求項８】
ベアチップの側面と接触して機械的に挟持する挟持部と、
前記挟持部と連動して回動する回動部材とを具備し、
前記挟持部が前記ベアチップの側面に当接することにより、前記回動部材の回動が阻止され、当該回動しようとする力によって前記ベアチップが保持される機構を備えるベアチップ挟持ユニット。
【請求項９】
前記挟持部は、チャックピンであることを特徴とする請求項８に記載のベアチップ挟持ユニット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体製品の実装工程に用いられる半導体実装装置、およびベアチップ搬送ユニットに関する。
【背景技術】
【０００２】
電子機器の性能の飛躍的進歩に伴い、半導体製品による制御が不可欠となった。半導体製品は、従来、半導体チップをパッケージ化した後に実装していた。しかしながら、近年の電子機器の軽薄短小化に対応して、パッケージ化せずにベアチップを実装基板上に導電性接着材（蝋材）を介して直接実装する技術が盛んに研究・開発されている。これに付随して、このような組立工程を効率的に実現する実装装置が提案されている（特許文献１〜５）。
【０００３】
関連する半導体実装装置の要部の説明図を図１および図２に示す。これらの半導体実装装置においてベアチップ１０３は、真空差圧によりコレット１０１に吸着保持される。そして、蝋材１０４を塗布済みの実装基板１０２をセラミックヒータ１０６上に載置し、実装基板１０２上にベアチップ１０３を下降させて押圧する。図１のコレット１０１は、ベアチップ１０３の側面および上面端部を挟持して、真空にすることによりベアチップ１０３を保持する。図２のコレット１０１ａは、ベアチップ１０３の上面エッジ部を挟持して、真空にすることによりベアチップ１０３を保持する。
【０００４】
特許文献１には、半導体チップを回路基板にダイボンドする際、ダイコレットの中空部に加圧気体を導入し、この圧力により半導体チップを回路基板に押し付け、ダイコレットが半導体チップの上面エッジに接触することなく側面を挟持する装置が開示されている。また、特許文献２においては、ピンセット機構のチップ・コレットを用いてスクライブ・ボンディングを行う方法が開示されている。さらに、特許文献５には、バイメタルを用いてベアチップにダメージを与えないようにワークを微小な力で挟持する挟持装置が提案されている。
【０００５】
図３Ａに、特許文献５に開示された挟持装置の概略図を、図３Ｂに図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ切断部断面図を示す。挟持装置２０１は、エアスライダ２０２、ベアチップ２０３、ベースプレート２１１、受け板２１２、バイメタル２１３、エアシリンダ２１４、軸支部材２１５、セラミックヒータ２１６、断熱ブロック２１７等を有する。ベアチップ２０３の挟持は、セラミックヒータ２１６の加熱によりバイメタル２１３の温度を上昇させ、バイメタル２１３が挟持方向に撓むように変形させることにより行う。より詳細には、平行リンク機構により当接部材２１４を挟持方向に移動させ、当接部材２１４の挟持方向の端面の押圧力により、ベアチップ２０３の側面を挟持することにより行う。ベアチップ２０３の押圧解除は、セラミックヒータ２１６への通電を停止し、バイメタル２１３を元の直線状態に戻すことにより行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開昭５８−６８９４２号公報
【特許文献２】特公昭６３−０６１４１号公報
【特許文献３】特開平１１−２９７７６４号公報
【特許文献４】特開平１１−２５１４０４号公報
【特許文献５】特開２００９−８３０１２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
近年のベアチップ市場を視察すると、ベアチップ表面回路パターンの高集積化が進み、表面接触が可能な部分が極端に少なくなっている。このため、ベアチップ上面に接触しないコレットが求められている。また、近年のベアチップは、軽薄化してきており、それに伴って脆弱化している。このため、コレットによりベアチップを保持する際に割れたり、欠けたりしやすくなってきている。特に、図２のような角錐型コレットは応力が集中しやいので、図４に示すような欠けや割れが生じやすいという問題があった。さらに、昨今の半導体装置の少量多品種化のニーズに対応して、サイズや形状等が異なるベアチップに対して共用化できる半導体実装装置が求められていた。また、ベアチップを図１や図２に示すように真空差圧により吸着させると、図５に示すように、ベアチップが反り返ってベアチップ上面の表面回路の変形・破損・キズ等により不良が発生するおそれがあった。
【０００８】
本発明は上記問題点に鑑みてなされたものであり、ベアチップの側面を挟持し、歩留まりが高く、かつ汎用性の高いベアチップ搬送ユニットおよび半導体実装装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明に係る半導体実装装置は、ベアチップの側面と接触して機械的に挟持する複数の挟持部と、前記挟持部と連動して回動する回動部材とを具備し、前記挟持部が前記ベアチップの側面に当接することにより、前記回動部材の回動が阻止され、当該回動部材の回動しようとする力によって前記ベアチップが保持される機構を有するベアチップ挟持ユニットを具備するものである。
【００１０】
本発明に係るベアチップ挟持ユニットは、ベアチップの側面と接触して機械的に挟持する挟持部と、前記挟持部と連動して回動する回動部材とを具備し、前記挟持部が前記ベアチップの側面に当接することにより、前記回動部材の回動が阻止され、当該回動しようとする力によって前記ベアチップが保持される機構を備えるものである。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、ベアチップの側面を挟持し、歩留まりが高く、かつ汎用性の高いベアチップ搬送ユニットおよび半導体実装装置を提供することができるという優れた効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】関連する半導体実装装置の要部を示す模式的説明図。
【図２】関連する半導体実装装置の要部を示す模式的説明図。
【図３Ａ】特許文献５に記載の挟持装置の要部を示す模式的説明図。
【図３Ｂ】図３ＡのＩＩＩＢ−ＩＩＩＢ切断部断面図。
【図４】図２の部分拡大説明図。
【図５】図２の不具合例を示す模式的説明図。
【図６】第１実施形態に係る半導体実装装置の模式的斜視図。
【図７】第１実施形態に係る半導体実装装置の装置構成の一例を示す説明図。
【図８Ａ】第１実施形態に係る半導体実装装置のコレットの半導体チップを保持していない状態の一例を示す模式的側面図。
【図８Ｂ】図８Ａのコレットの模式的平面図。
【図９Ａ】第１実施形態に係る半導体実装装置のコレットの半導体チップを保持した状態の一例を示す模式的側面図。
【図９Ｂ】図９Ａのコレットの模式的平面図。
【図１０】第２実施形態に係る半導体実装装置のコレットの模式的断面図。
【図１１】第２実施形態に係る半導体実装装置のコレットの下面側の一例を示す模式的平面図。
【図１２】変形例に係るコレットの回転体の一例を示す模式的平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下、本発明を適用した実施形態の一例について説明する。なお、以降の図における各部材のサイズや比率は、説明の便宜上のものであり、実際のものとは必ずしも一致しない。また、以降の実施形態において、同一の要素部材には同一符号を付し、適宜その説明を省略する。
【００１４】
本発明に係るベアチップ搬送ユニットは、機械的な回転開閉式のチャック機構を有する。具体的には、ベアチップの側面と接触して機械的に挟持する挟持部と、挟持部が固設された回動部材とを具備する回転開閉式のチャック機構を有する。挟持部は、回動部材の回転と連動して回動し、ベアチップの側面に前記挟持部が当接することにより、回動部材の回動が阻止され、当該回動しようとする力によって挟持部でベアチップの側面を保持する。
【００１５】
［第１実施形態］
図６に、第１実施形態に係る半導体実装装置の一例を示す説明図を、図７に、第１実施形態に係る半導体実装装置の概略図を示す。半導体実装装置５０は、ベアチップ搬送ユニットであるコレット１、加重制御可能な圧力制御ユニット５、載置台であるセラミックヒータ６、供給ステージ９を有する。また、位置調節機構である上下駆動機構７、位置検出ユニット８（図７参照）、位置調節機構ユニット１０を有する。さらに、圧力検出ユニット１４、コレット１を着脱自在に取り付け可能な回転伝達機構１２等を有する。このような半導体実装装置５０において、実装基板２はセラミックヒータ６上に、ベアチップ３は供給ステージ９上に載置され、ベアチップ３が蝋材４を介して実装基板２上に実装される。
【００１６】
コレット１は、ベアチップ３を保持して実装基板２上にベアチップ３を搬送・実装するためのユニットであり、位置調節機構ユニット１０の下部に設置された回転伝達機構１２に吸着固定されている。コレット１は、回転伝達機構１２に対して着脱自在になっている。コレット１のベアチップ３の保持機構については後述する。これらの位置調節機構により、コレット１は、半導体実装装置５０に対して所望の位置に配置できる。
【００１７】
圧力検出ユニット１４は、上下駆動位置を検出するためのものであり、例えば、接触圧を検出することにより圧力を検出する。圧力検出ユニット１４の検出結果に基づいて圧力制御ユニット５により圧力が制御される。
【００１８】
圧力制御ユニット５は、ベアチップ３を実装基板２に搭載する際に所望の圧力を加えるために加圧するユニットである。圧力制御ユニット５は、圧力検出ユニット１４の値に基づいてベアチップ３を実装基板２に搭載する際に適切な圧力に制御できるようになっている。
【００１９】
セラミックヒータ６は、実装基板２を載置して加熱するためのユニットである。セラミックヒータ６により実装基板２上に塗布された蝋材４を加熱して溶融させ、溶融した蝋材４上にベアチップ３を載置して所望の圧力を加えることにより実装基板２上にベアチップ３を搭載する。
【００２０】
実装基板２は、ベアチップ３を実装する基板であり、実装基板２の形状やサイズは、特に限定されない。いわゆるフレーム等も含むものとする。実装基板２の載置台としてセラミックヒータ６の例を示しているが、これに限定されるものではない。ベアチップ３は、パッケージされていないチップであり、サイズや形状は任意であり特に限定されない。第１実施形態の半導体実装装置５０によれば、軽薄なベアチップ３に対しても有効である。蝋材４は、いわゆる導電性接着材であり、蝋材４を介してベアチップ３と実装基板２を接合する。第１実施形態においては、蝋材４を介してベアチップ３と実装基板２を接合する例を開示するが、接合方法は任意であり種々の変更が可能である。
【００２１】
図８Ａに、ベアチップ搬送ユニットであるコレット１の一例を示す模式的側面図を、図８Ｂにベアチップ３を挟持する面の同平面図を示す。説明の便宜上、ベアチップ３を点線により図示する。図８Ａ，図８Ｂにおいてベアチップ３は、コレット１に保持される前の状態を示している。
【００２２】
コレット１は、ベアチップ３の側面を挟持して保持する挟持部たるチャックピン１１、筐体２０、チャックピン１１が固設され、チャックピン１１と連動して回動する回動部材２１、回転伝達機構１２と連動して回転する第１回転伝達体２２、第２回転伝達体２３等を有する。なお、チャックピン１１の個数等は、説明の便宜上のものであり、少なくとも２個以上であればよく、ベアチップ３のサイズや形状、ニーズに応じて適宜設計し得る。ベアチップ３をより安定して保持する観点から、ベアチップ３の各辺に少なくとも１つのチェックピン１１を設けることが好ましい。
【００２３】
チャックピン１１は、図８Ａの例においてはコレット１の下面側に６個、筐体２０から突出するように配設されている。チャックピン１１の素材は、特に限定されず、金属や樹脂等を用いることができる。回動部材２１は、チャックピン１１と対応して６個設けられており、回動部材２１が回動自在なように筐体２０の下面に開口部が設けられている。チャックピン１１は、開状態のときは所定の基準位置に配置されるようになっている。基準位置は、第１実施形態においては、ベアチップ３の当接位置までのチャックピン１１の移動距離が全て同じになる位置としている。
【００２４】
第１回転伝達体２２は、筐体２０内に２個設けられており、回動部材２１に回転動力を伝達する役割を担う。第２回転伝達体２３は、筐体２０内に１個設けられており、前述したように回転伝達機構と連動して回転し、第１回転伝達体２２に回転動力を伝達する役割を担う。回転体２１、第１回転伝達体２２および第２回転伝達体２３は、歯車機構により動力が伝達されるようになっている。回転伝達機構１２は、チャックピン１１を開閉するために回転運動を与える役割を担う。なお、挟持部の例として図８Ａ、図８Ｂに示すチャックピン１１は、一例であり、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において種々の変形が可能である。
【００２５】
位置決めユニット１０内にはコレット１のチャックピン１１を回転動作させるための回転伝達軸が設置されている。そして、その軸の回転運動をコレット１上部に設置された回転伝達機構１２に伝達し、回転運動をチャックピン１１まで伝達させる。そして、回転伝達機構１２が第１回転伝達体２２、第２回転伝達体２３を介して回動部材２１に伝達し、回動部材２１の回動に伴ってチャックピン１１が回転する。このチャックピン１１を利用してコレット１のチャック開閉動作を行う。
【００２６】
図９Ａにベアチップ３を固定したコレット１の模式的側面図の一例を、図９Ｂに同平面図の一例を示す。説明の便宜上、ベアチップ３を点線により図示する。ベアチップ３の側面が、６個のチャックピン１１によって挟持され保持されている。チャックピン１１は、回動部材２１の回動と連動して回動し、ベアチップ３の側面にチャックピン１１が当接することにより、回動部材２１の回動が阻止され、回動しようとする力によってベアチップ３が保持される。ベアチップ３の上面はコレット１に接触せずに、ベアチップ３の側面を挟持して保持する。
【００２７】
第１実施形態においては、回動部材２１に回転を伝達する手段として、第１回転伝達体２２、第２回転伝達体２３をコレット１内に設けた例を開示したが、回動部材２１を回動可能な機構であれば第１回転伝達体２２、第２回転伝達体２３は必須ではなく、任意の構造とすることができる。また、装置の小型化の観点からは、全ての回動部材２１が連動する構成が好ましいが、其々別々に回転する機構としたり、いくつかのグループに分けて回転させる機構としてもよい。これにより、ベアチップの形状の自由度が高まる。即ち、特殊な形状の矩形形状や、非矩形形状のベアチップに対しても本発明を適用できる。また、装置の小型化や簡便性からコレット１が水平方向・垂直方向に移動自在に位置を制御する機構が好ましいが、供給ステージ９や、ホットプレート６側の位置を制御することにより、ベアチップ３と実装基板２の実装工程を行ってもよい。
【００２８】
上記のように構成された半導体実装装置５０は、以下の工程を経てベアチップ３が実装基板２上に実装される。まず、コレット１のチャック機構を開状態にする。チャックピン１１が外側の所望の位置に配置される。次に、位置検出ユニット８と位置調節機構ユニット１０を利用してコレット１を供給ステージ９のベアチップ３上方に移動する。
【００２９】
次いで、コレット１がベアチップ３を挟持するために、上下駆動機構７を用いてコレット１を所定の位置まで移動させる。この際、コレット１の下降動作状態を上下動作機構７に設置された圧力検出ユニット１４によりモニタリングする。そして、圧力検出ユニット１４は、コレット１のチャックピン１１の先端が供給ステージ９に接触した位置を検知し、下降動作停止操作を行う。なお、位置検出ユニット等により、ベアチップ３と供給ステージ９との高さ位置を検出して、適切な位置で上下駆動機構７の下降動作停止操作を行うようにしてもよい。
【００３０】
次に、チャックピン１１とベアチップ３の供給ステージ９がチャック機構閉動作時に干渉しないよう上下駆動機構７を利用して一定量だけコレット１を上昇させる。この上昇量は、ベアチップ厚み以下とする。ベアチップ３の素材、用途等に応じて、ベアチップ３を保持するために必要な高さを適宜調整する。なお、ベアチップ３の種類に応じて、保持に必要な高さが異なる可能性あるため、必要に応じて製品毎に設定を行う。
【００３１】
その後、上下駆動機構７に設置された回転伝達機構１２の回転軸からコレット１の第２回動伝達体２３、第１回動伝達体２２、回動部材２１に動力を伝達し、コレット１のチャック機構を閉じる。具体的には、回転軸を回転させるアクチュエータ（モータ）の動作電力によりベアチップ３の保持を行う。即ち、アクチュエータに負荷が発生することによりアクチュエータ動作電流が増加すると、この出力を回転伝達機構１２にフィードバックする。これによりベアチップ３の側面とチャックピン１１が接触する力をコントロールする。換言すると、チャックピン１１回転時の負荷状態をモニタリングし、回転制御アクチュエータを制御することにより、ベアチップ３の保持力をコントロールする。
【００３２】
コレット１は、チャックピン１１の回転機構を有しているので、チャック開閉範囲内であればベアチップ３の外形幅や外形形状や厚みが異なっていても、コレット１を交換することなくベアチップ３の保持および搬送が可能である。その結果、チャック開閉範囲内のベアチップ３に対し、コレット１の交換作業が不要となる。従って、汎用性の高い半導体実装装置を提供することができる。
【００３３】
実装基板２においては、ベアチップ３の実装予定位置に蝋材４を予め塗布する。そして、蝋材４を塗布した実装基板２をセラミックヒータ６上に搭載し、セラミックヒータ６を加熱し基板２上の蝋材４を熱で溶融させる。なお、実装基板２をセラミックヒータ６上に載置した後に蝋材４を塗布してもよい。
【００３４】
続いて、位置検出ユニット８にて実装基板２の位置を検出し、そのデータを基に位置決めユニット１０にてベアチップ３を保持したコレット１を実装基板２上の搭載位置上まで移動させる。その後、ベアチップ３の搬送形態と同様に上下駆動機構７にてコレット１を溶融した蝋材４上に圧力検出ユニットにて搭載高さを監視しながら下降動作させる。その際、ベアチップ３の搬送形態と同様にベアチップ３の下面が溶融した蝋材４に接触したときの圧力を圧力検出ユニット５にて検出し、コレット１の上下動作機構７により蝋材４への融着圧力を設定する。
【００３５】
ところで、加熱により液状化した蝋材４上には周辺酸素と結びつくことにより酸化膜が形成されてしまう。これは、ベアチップ３との融着力低下に結びつく。これを防止するために、ベアチップ３を保持したまま位置調節機構ユニット１０にて水平移動を繰り返す動作（以下、スクライブ動作と称す）により蝋材４の酸化膜とベアチップ３の裏面を擦り、酸化膜を除去する。そして、酸化していない蝋材４にて堅固な融着を生み出す工程が有用である。しかしながら、蝋材４が溶融することでベアチップ３との間に表面張力が発生し、溶融した蝋材４に表面張力が発生し、ベアチップ３を固着する力が作用する。ここで、コレット１へのベアチップ３への吸着力より密着した蝋材の表面張力が勝ると、ベアチップ３がコレット１の動きに追従することなく溶融した蝋材４に固着する。その結果、ベアチップ３の位置ずれや、表面パターン破損、ベアチップのエッジ部の欠けや割れが生じる場合があった。
【００３６】
一方、本発明によれば、図８Ａ、図８Ｂに示すようなコレット１を使用することにより、蝋材４の濡れ性向上を目的としたスクライブ動作で水平方向に発生する力を、垂直方向に存在するチャックピン１１にて打ち消すことが可能となる。その結果、ベアチップ３に対して確実な保持力を実現し、ベアチップ３のスライド不良を防止できる。さらに、ベアチップ３の側面を機械的に保持することによりコレット１の保持力を蝋材４の表面張力より勝る保持力とし、水平方向動作のみならず垂直方向動作を加えることが可能となる。その結果、三次元的なスクライブ動作を実現し、より強固なベアチップ実装を行うことができる。
【００３７】
第１実施形態においては、溶融している蝋材４とベアチップ３の接触を圧力制御ユニット５が検出した後、コレット１を水平移動および上下駆動機構７を利用してベアチップ３にスクライブ動作をさせる。この動作により蝋材４とベアチップ３の接合面に、酸化膜や蝋材ムラにより接合不良を発生することなく強固な結合を促すことが可能となる。一定のスクライブ動作終了後、回転伝達機構１２にてコレット１のチャック位置を保持する方向とは逆の方向に回転させベアチップ３をコレット１よりリリースする。その後、上下駆動機構７を利用し、コレット１を始点へ移動しセラミックヒータ６を冷却し溶融していた蝋材４を常温にすることにより凝結させる。これらの工程を経て、ベアチップ３が実装基板２上に実装される。
【００３８】
図１、図２等で示した従来の吸着型コレットではコレットの保持力のコントロールが困難なため、主として水平方向のみのスクライブ動作により蝋材４の被膜を解消していた。一方、第１実施形態のコレット１によれば、ベアチップ３の側面をチャックピン１１の回転運動によりの機械的に保持してコントロールできる。このため、実現が困難であった垂直方向のスクライブ動作も実現可能となる。第１実施形態の半導体実装装置５０によれば、３次元的なスクライブ動作により、溶融した蝋材４を様々な方向からコントロールすることができるため、ムラのない高品質な実装を生み出すことができる。
【００３９】
また、半導体実装装置５０によれば、ベアチップの上面と接触せずに側面のみを機械的に挟持して保持するので、ベアチップの上面の構造が制約されないという優れたメリットがある。また、応力が集中しやすいエッジ部を挟持する方法に比してベアチップの欠けや割れを改善できる。換言すると、第１実施形態においては、線接触ではなくベアチップ側面を面によって接触させているので、応力を分散させることができる。その結果、搬送または加圧搭載時のベアチップ破損・カケを防止できる。
【００４０】
さらに、真空吸着を用いずに挟持可能なので、ベアチップの反りの発生を防止できる。その結果、半導体製品の歩留まりを高めることができる。また、ベアチップ３の搬送・搭載時のベアチップ３の表面回路へのキズ（打痕）やエッジ部破損などの発生の防止するために有効である。即ち、表面を接触せず脆弱なベアチップ製品を安全かつ効率的に搬送し、指定された実装基板に安定した加圧搭載することができる。
【００４１】
また、第１実施形態に係る半導体実装装置によれば、チャックピンにより挟持位置（開閉位置）を調節可能な機構としているので、チャックピンを機械可動させて挟持位置をコントロールできる機構となっているので、調整範囲内であればベアチップのサイズや形状が異なっていても同一のコレットを用いることができる。このため、コレットの付け替え回数を減らし工程の簡便化を図ることができる。
【００４２】
さらに、第１実施形態に係る半導体実装装置によれば、熱せられることにより溶融した蝋材を用いて融着させる工程において、融着不良の要因となる蝋材の表面上の酸化被膜を上下方向、水平移動方向のスクライブ動作により除去、または溶融した蝋材をベアチップ３の接合面にムラ無く行き渡らせることができる。しかも、ベアチップ表面への擦れやエッジ部のスライドによる割れ・欠けをなくすことを防止できる。また、スクライブ動作によりベアチップ前面に均一にムラなく蝋材を行き渡らせることができるので、接着力の品質向上を実現できる。これらの結果、歩留まりの高い半導体実装装置を提供できる。
［第２実施形態］
【００４３】
次に、第１実施形態とは異なる半導体実装装置の一例を説明する。図１０に、第２実施形態２に係るベアチップの模式的断面図を示す。また、図１１に、第２実施形態のコレット１のチャックピン側の模式的平面図を示す。
【００４４】
図１０に示すように、コレット１の筐体２０内に、圧縮エアーの連通路３１が設けられている。そして、図１１に示すように、筐体２０の下面側には、圧縮エアーのブロー溝３２が設けられている。圧縮エアーの連通路３１は、第２回転伝達体２３の中央部の開口部、および第２回転伝達体２３、第１の回転伝達体２２の下方に設けられた空隙によって構成されている。連通路３１は、ブロー溝３２につながっており、ここから圧力制御した空気が噴出される。
【００４５】
第２実施形態に係る半導体実装装置によれば、ベアチップ３を実装基板２に搭載する際に、圧力制御した空気を噴出させているので、溶融した蝋材４がベアチップ３の表面に付着して、ベアチップ３の表面回路に異常が発生することを防止できる。即ち、第２実施形態に係る半導体実装装置によれば、コレット１の筐体２０下面部分にブロー溝３２を設置することにより、圧力制御した空気を噴出させ、ベアチップ３の表面を陽圧化する。これにより、蝋材４がベアチップ３表面に回り込むのを効果的に防止することができる。
【００４６】
なお、陽圧化によりチャックピン１１を開き、この圧力制御した空気の圧力でベアチップ３表面に間接的に加圧することで微加圧による接着加圧を行うこともできる。また、ブロー溝３２から噴出する空気を不活性ガスとし、蝋材４の周辺酸素濃度を低減させるようにしてもよい。このようにすることにより、蝋材４を溶融時の酸化膜生成を抑制することができる。
【００４７】
第２実施形態に係る半導体実装装置によれば、上記第１実施形態と同様の効果を得ることができる。さらに、エアー噴出機構を設けているので、蝋材４がベアチップ３表面に回り込むのを効果的に防止することができる。
【００４８】
なお、本発明の趣旨に合致する限り、他の実施形態も本発明の範疇に含まれることは言うまでもない。また、上記実施形態は、互いに好適に組み合わせられる。また、図６の半導体実装装置は、一例であり種々の変形が可能である。さらに、上記実施形態においては、チャックピン１１が回転体２１に固設されている例を説明したが、図１２に示すように、チャックピン１１の嵌合部１８を設け、チャックピン１１を回転体２１に対して着脱自在に構成してもよい。これにより、より広範なサイズのベアチップにおいて挟持が可能となる。
【符号の説明】
【００４９】
１      コレット
２      基板
３      ベアチップ
４      蝋材
５      圧力制御ユニット
６      セラミックヒータ
７      上下駆動機構
８      位置検出ユニット
９      供給ステージ
１０      位置調節機構ユニット
１１      チャックピン
１２      回転伝達機構
１３      ブロー溝
１４      圧力検出ユニット
１８      嵌合部
２０      筐体
２１      回転体
２２      第１回転伝達体
２３      第２回転伝達体
３１      連通路
３２      ブロー溝
５０      半導体実装装置
【図１】
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【図２】
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【図３Ａ】
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【図３Ｂ】
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【図４】
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【図５】
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【図７】
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【図８Ａ】
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【図８Ｂ】
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【図９Ａ】
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【図９Ｂ】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図６】
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