【手続補正書】
【提出日】令和3年4月2日(2021.4.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１半導体素子（１１）と、
前記第１半導体素子と直列接続された第２半導体素子（１２）と、
第１端子（３１、３１２、３１３）と、
前記第１端子との間で電流が流れる第２端子（４１、４１２、４１３、４１４）と、
前記第１半導体素子と前記第２半導体素子の両方に対向配置され、前記第２端子と電気的に接続された第１金属板（４０、４０２）と、
前記第１金属板との間に前記第１半導体素子が配置された状態で、前記第１金属板と対向配置され、前記第１端子と電気的に接続された第２金属板（３０、３０２）と、
前記第１金属板との間に前記第２半導体素子が配置された状態で、前記第１金属板と対向配置された第３金属板（７０）と、を備え、
前記第２半導体素子は、前記第３金属板側の電極が前記第３金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第１金属板と電気的に接続され、
前記第１半導体素子は、前記第２金属板側の電極が前記第２金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第３金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体（６１、５１３、５１４、２０６ａ、２０８ａ）によって前記第１金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
前記第１半導体素子、前記第２半導体素子、前記第１金属板、前記第２金属板、前記第３金属板を覆う封止樹脂部（２０、２０２、２０６、２０８）を備えており、
前記第１金属板は、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出し、
前記第２金属板は、前記第１半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出し、
前記第３金属板は、前記第２半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出している半導体装置。
【請求項２】
前記第１端子は、前記第２半導体素子よりも前記第１半導体素子側に偏った位置に配置され、
前記第２端子は、前記第１端子と対向配置されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
第１半導体素子（１１）と、
前記第１半導体素子と直列接続された第２半導体素子（１２）と、
第１端子（３１５、３１７）と、
前記第１端子との間で電流が流れる第２端子（４１５、４１７）と、
前記第１半導体素子と前記第２半導体素子の両方に対向配置され、前記第１端子と電気的に接続された第１金属板（３０、３０７）と、
前記第１金属板との間に前記第１半導体素子と前記第２半導体素子が配置された状態で、前記第１半導体素子と前記第２半導体素子の両方に対向配置された第２金属板（７０）と、を備え、
前記第１半導体素子は、前記第２金属板側の電極が前記第２金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第１金属板と電気的に接続されるとともに、前記第１金属板を介して前記第１端子と電気的に接続され、
前記第２半導体素子は、前記第２金属板側の電極が前記第２金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第２端子と電気的に接続され、且つ、絶縁体（５１５、２０７ａ、２０９ａ）によって前記第１金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続された半導体装置。
【請求項４】
前記第１半導体素子、前記第２半導体素子、前記第１金属板、前記第２金属板を覆う封止樹脂部（２０７、２０９）を備えており、
前記第１金属板と前記第２金属板は、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出している請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２端子は、前記第１半導体素子よりも前記第２半導体素子側に偏った位置で前記第１端子と対向配置されている請求項３又は４に記載の半導体装置。
【請求項６】
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板（５０、５０３、５０４、５０５）を備えており、
前記絶縁板の一方の面に形成された前記金属体は、前記第１端子を含んでおり、
前記絶縁板の他方の面に形成された前記金属体は、前記第２端子を含んでいる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板（６０、５０３、５０４、５０５）を備えており、
前記絶縁板は、前記絶縁体を含んでいる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板（５０３、５０４、５０５）を備えており、
前記絶縁板は、前記絶縁体を含んでおり、
前記絶縁板の一方の面に形成された前記金属体は、前記第１端子を含んでおり、
前記絶縁板の他方の面に形成された前記金属体は、前記第２端子を含んでいる請求項１乃至５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
第１半導体素子（１１）と、
前記第１半導体素子と直列接続された第２半導体素子（１２）と、
第１端子（３１、３１２、３１３）と、
前記第１端子との間で電流が流れる第２端子（４１、４１２、４１３、４１４）と、
前記第１半導体素子と前記第２半導体素子の両方に対向配置され、前記第２端子と電気的に接続された第１金属板（４０、４０２）と、
前記第１金属板との間に前記第１半導体素子が配置された状態で、前記第１金属板と対向配置され、前記第１端子と電気的に接続された第２金属板（３０、３０２）と、
前記第１金属板との間に前記第２半導体素子が配置された状態で、前記第１金属板と対向配置された第３金属板（７０）と、を備え、
前記第２半導体素子は、前記第３金属板側の電極が前記第３金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第１金属板と電気的に接続され、
前記第１半導体素子は、前記第２金属板側の電極が前記第２金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第３金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体（６１、５１３、５１４、２０６ａ、２０８ａ）によって前記第１金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板（６０、５０３、５０４、５０５）を備えており、
前記絶縁板は、前記絶縁体を含んでいる半導体装置。
【請求項１０】
第１半導体素子（１１）と、
前記第１半導体素子と直列接続された第２半導体素子（１２）と、
第１端子（３１、３１２、３１３）と、
前記第１端子との間で電流が流れる第２端子（４１、４１２、４１３、４１４）と、
前記第１半導体素子と前記第２半導体素子の両方に対向配置され、前記第２端子と電気的に接続された第１金属板（４０、４０２）と、
前記第１金属板との間に前記第１半導体素子が配置された状態で、前記第１金属板と対向配置され、前記第１端子と電気的に接続された第２金属板（３０、３０２）と、
前記第１金属板との間に前記第２半導体素子が配置された状態で、前記第１金属板と対向配置された第３金属板（７０）と、を備え、
前記第２半導体素子は、前記第３金属板側の電極が前記第３金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第１金属板と電気的に接続され、
前記第１半導体素子は、前記第２金属板側の電極が前記第２金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第３金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体（６１、５１３、５１４、２０６ａ、２０８ａ）によって前記第１金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板（５０３、５０４、５０５）を備えており、
前記絶縁板は、前記絶縁体を含んでおり、
前記絶縁板の一方の面に形成された前記金属体は、前記第１端子を含んでおり、
前記絶縁板の他方の面に形成された前記金属体は、前記第２端子を含んでいる半導体装置。
【請求項１１】
前記絶縁配線基板は、前記絶縁板に貫通穴が形成されており、
前記表裏面の前記金属体は、前記貫通穴を介して電気的に接続されている請求項７乃至１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
信号端子（Ｓ１、Ｓ２）を備えており、
前記金属体は、前記信号端子と電気的に接続された信号用金属体（５２４）を含んでいる請求項７乃至１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
第１半導体素子（１１）と、
前記第１半導体素子と直列接続された第２半導体素子（１２）と、
第１端子（３１、３１２、３１３）と、
前記第１端子との間で電流が流れる第２端子（４１、４１２、４１３、４１４）と、
前記第１半導体素子と前記第２半導体素子の両方に対向配置され、前記第２端子と電気的に接続された第１金属板（４０、４０２）と、
前記第１金属板との間に前記第１半導体素子が配置された状態で、前記第１金属板と対向配置され、前記第１端子と電気的に接続された第２金属板（３０、３０２）と、
前記第１金属板との間に前記第２半導体素子が配置された状態で、前記第１金属板と対向配置された第３金属板（７０）と、を備え、
前記第２半導体素子は、前記第３金属板側の電極が前記第３金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第１金属板と電気的に接続され、
前記第１半導体素子は、前記第２金属板側の電極が前記第２金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第３金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体（６１、５１３、５１４、２０６ａ、２０８ａ）によって前記第１金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板（５０、５０３、５０４、５０５）を備えており、
前記絶縁板の一方の面に形成された前記金属体は、前記第１端子を含んでおり、
前記絶縁板の他方の面に形成された前記金属体は、前記第２端子を含んでいる半導体装置。
【請求項１４】
第１半導体素子（１１）と、
前記第１半導体素子と直列接続された第２半導体素子（１２）と、
第１端子（３１、３１２、３１３）と、
前記第１端子との間で電流が流れる第２端子（４１、４１２、４１３、４１４）と、
前記第１半導体素子と前記第２半導体素子の両方に対向配置され、前記第２端子と電気的に接続された第１金属板（４０、４０２）と、
前記第１金属板との間に前記第１半導体素子が配置された状態で、前記第１金属板と対向配置され、前記第１端子と電気的に接続された第２金属板（３０、３０２）と、
前記第１金属板との間に前記第２半導体素子が配置された状態で、前記第１金属板と対向配置された第３金属板（７０）と、を備え、
前記第２半導体素子は、前記第３金属板側の電極が前記第３金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第１金属板と電気的に接続され、
前記第１半導体素子は、前記第２金属板側の電極が前記第２金属板と電気的に接続され、前記第１金属板側の電極が前記第３金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体（６１、５１３、５１４、２０６ａ、２０８ａ）によって前記第１金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
絶縁板の表裏面に金属体が形成された絶縁配線基板（６０、５０４）を備えており、
前記絶縁板の一方の面に形成された前記金属体は、前記第１半導体素子における前記第１金属板側の電極と前記第３金属板とを電気的に接続する接続部（６２、６２ａ）を含んでおり、
前記接続部は、前記第１金属板側の電極と対向する対向部、及び前記第３金属板と対向する対向部との間が、両対向部よりも窪んだ凹部を含んでいる半導体装置。
【請求項１５】
前記第１半導体素子、前記第２半導体素子、前記第１金属板、前記第２金属板、前記第３金属板を覆う封止樹脂部（２０、２０２、２０６、２０８）を備えており、
前記第１金属板は、前記第１半導体素子及び前記第２半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出し、
前記第２金属板は、前記第１半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出し、
前記第３金属板は、前記第２半導体素子と対向する面の反対面が前記封止樹脂部から露出している請求項１４に記載の半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記目的を達成するために本開示は、
第１半導体素子（１１）と、
第１半導体素子と直列接続された第２半導体素子（１２）と、
第１端子（３１、３１２、３１３）と、
第１端子との間で電流が流れる第２端子（４１、４１２、４１３、４１４）と、
第１半導体素子と第２半導体素子の両方に対向配置され、第２端子と電気的に接続された第１金属板（４０、４０２）と、
第１金属板との間に第１半導体素子が配置された状態で、第１金属板と対向配置され、第１端子と電気的に接続された第２金属板（３０、３０２）と、
第１金属板との間に第２半導体素子が配置された状態で、第１金属板と対向配置された第３金属板（７０）と、を備え、
第２半導体素子は、第３金属板側の電極が第３金属板と電気的に接続され、第１金属板側の電極が第１金属板と電気的に接続され、
第１半導体素子は、第２金属板側の電極が第２金属板と電気的に接続され、第１金属板側の電極が第３金属板と電気的に接続されるとともに、絶縁体（６１、５１３、５１４、２０６ａ、２０８ａ）によって第１金属板と電気的に絶縁された状態で熱的に接続され、
第１半導体素子、第２半導体素子、第１金属板、第２金属板、第３金属板を覆う封止樹脂部（２０、２０２、２０６、２０８）を備えており、
第１金属板は、第１半導体素子及び第２半導体素子と対向する面の反対面が封止樹脂部から露出し、
第２金属板は、第１半導体素子と対向する面の反対面が封止樹脂部から露出し、
第３金属板は、第２半導体素子と対向する面の反対面が封止樹脂部から露出している半導体装置。