(57)【要約】【課題】可撓性基材のパッケージ製造方法の歩留まりを高める。【解決手段】本発明の可撓性基材のパッケージ製造方法１は、ロード工程１１において、可撓性基材２に補強板３を接着することにより、パッケージ製造方法において、可撓性基材２にそり、変形などが発生するのを減少させ、チップ２１３の封止を正確に行うことができる。これにより、パッケージ製造方法の歩留まりを高め、コストを低減させることができる。また、本発明の可撓性基材のパッケージ構造は、リード材Ｇと可撓性搭載板２１２とが上下に接着されてなる可撓性基材２に、外フレーム２０が形成される。外フレーム２０内には、複数の矩形状に配列するチップ基材２１が形成される。可撓性基材２には、補強板３が接着される。チップ基材２１上には、チップ２１３が接着される上、熱硬化性材料２１５が被覆される。【選択図】図４
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前工程、ロード工程、レーザ工程及び封止工程を含む可撓性基材のパッケージ製造方法であって、
前記前工程においては、リード材と可撓性搭載板とが上下に接着されてなる可撓性基材に、フィルムコーティング工程、フォトマスク工程及びエッチング工程により、外フレームを形成し、前記外フレーム内には、複数の矩形状に配列するチップ基材を形成し、前記チップ基材は、溶接パッド及び複数の互いに分断されたリードと、前記可撓性搭載板と、が上下に接着されてなり、前記リード及び前記可撓性搭載板上方には、ソルダマスクを塗布し、
前記ロード工程においては、前記外フレーム上方に補強板を接着し、
前記レーザ工程においては、前記可撓性搭載板上にレーザ穿孔を行うことにより、前記可撓性搭載板上には、前記リードに連通する導孔を設け、前記可撓性搭載板上には、前記溶接パッドに連通する整数個の導孔を設け、前記導孔に連通するリード及び前記溶接パッドの底面には、金属保護層を鍍金し、
前記封止工程においては、前記チップ基材上にチップを接着し、続いて、熱硬化性材料で前記チップが接着された前記チップ基材上に封止を行うことを特徴とする可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２】
前記可撓性搭載板は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項１に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項３】
前記溶接パッド及び前記リードは、第１のリード材と第２のリード材とが上下に接着されてなり、前記第１のリード材は、銅箔であり、前記第２のリード材は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなり、前記金属保護層は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなることを特徴とする請求項１に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項４】
前記熱硬化性材料は、エポキシ樹脂、シリコン又はセラミックであることを特徴とする請求項１に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項５】
前記ロード工程の際、前記外フレームに対応する前記可撓性搭載板下方にも、前記補強板を接着することを特徴とする請求項１に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項６】
前記補強板は、金属材料からなることを特徴とする請求項１に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項７】
前記補強板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリイミドからなることを特徴とする請求項１に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項８】
前工程、ロード工程、レーザ工程及び封止工程を含む可撓性基材のパッケージ製造方法であって、
前記前工程においては、リード材と可撓性搭載板とが上下に接着されてなる可撓性基材に、フィルムコーティング工程、フォトマスク工程及びエッチング工程により、外フレームを形成し、前記外フレーム内には、複数の矩形状に配列するチップ基材を形成し、前記チップ基材は、溶接パッド及び複数の互いに分断されたリードと、前記可撓性搭載板と、が上下に接着されてなり、前記リード及び前記可撓性搭載板上方には、ソルダマスクを塗布し、
前記ロード工程においては、前記外フレームに対応する前記可撓性搭載板下方に補強板を接着し、
前記レーザ工程においては、前記可撓性搭載板上にレーザ穿孔を行うことにより、前記可撓性搭載板上には、前記リードに連通する導孔を設け、前記可撓性搭載板上には、前記溶接パッドに連通する整数個の導孔を設け、前記導孔に連通するリード及び前記溶接パッドの底面には、金属保護層を鍍金し、
前記封止工程においては、前記チップ基材上にチップを接着し、続いて、熱硬化性材料で前記チップが接着された前記チップ基材上に封止を行うことを特徴とする可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項９】
前記可撓性搭載板は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項８に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項１０】
前記溶接パッド及び前記リードは、第１のリード材と第２のリード材とが上下に接着されてなり、前記第１のリード材は、銅箔であり、前記第２のリード材は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなり、前記金属保護層は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなることを特徴とする請求項８に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項１１】
前記熱硬化性材料は、エポキシ樹脂、シリコン又はセラミックであることを特徴とする請求項８に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項１２】
前記ロード工程の際、前記外フレームの上方にも、前記補強板を接着することを特徴とする請求項８に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項１３】
前記補強板は、金属材料からなることを特徴とする請求項８に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項１４】
前記補強板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリイミドからなることを特徴とする請求項８に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項１５】
前工程、ロード工程、封止工程及びレーザ工程を含む可撓性基材のパッケージ製造方法であって、
前記前工程においては、リード材と可撓性搭載板とが上下に接着されてなる可撓性基材に、フィルムコーティング工程、フォトマスク工程及びエッチング工程により、外フレームを形成し、前記外フレーム内には、複数の矩形状に配列するチップ基材を形成し、前記チップ基材は、溶接パッド及び複数の互いに分断されたリードと、前記可撓性搭載板と、が上下に接着されてなり、前記リード及び前記可撓性搭載板上方には、ソルダマスクを塗布し、
前記ロード工程においては、前記外フレーム上方に補強板を接着し、
前記封止工程においては、前記チップ基材上にチップを接着し、続いて、熱硬化性材料で前記チップが接着された前記チップ基材上に封止を行い、
前記レーザ工程においては、前記可撓性搭載板上にレーザ穿孔を行うことにより、前記可撓性搭載板上には、前記リードに連通する導孔を設け、前記可撓性搭載板上には、前記溶接パッドに連通する整数個の導孔を設けることを特徴とする可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項１６】
前記可撓性搭載板は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項１５に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項１７】
前記溶接パッド及び前記リードは、第１のリード材と第２のリード材とが上下に接着されてなり、前記第１のリード材は、銅箔であり、前記第２のリード材は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなることを特徴とする請求項１５に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項１８】
前記熱硬化性材料は、エポキシ樹脂、シリコン又はセラミックであることを特徴とする請求項１５に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項１９】
前記ロード工程の際、前記外フレームに対応する前記可撓性搭載板下方にも、前記補強板を接着することを特徴とする請求項１５に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２０】
前記補強板は、金属材料からなることを特徴とする請求項１５に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２１】
前記補強板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリイミドからなることを特徴とする請求項１５に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２２】
前工程、ロード工程、封止工程及びレーザ工程を含む可撓性基材のパッケージ製造方法であって、
前記前工程においては、リード材と可撓性搭載板とが上下に接着されてなる可撓性基材に、フィルムコーティング工程、フォトマスク工程及びエッチング工程により、外フレームを形成し、前記外フレーム内には、複数の矩形状に配列するチップ基材を形成し、前記チップ基材は、溶接パッド及び複数の互いに分断されたリードと、前記可撓性搭載板と、が上下に接着されてなり、前記リード及び前記可撓性搭載板上方には、ソルダマスクを塗布し、
前記ロード工程においては、前記外フレームに対応する前記可撓性搭載板下方に補強板を接着し、
前記封止工程においては、前記チップ基材上にチップを接着し、続いて、熱硬化性材料で前記チップが接着された前記チップ基材上に封止を行い、
前記レーザ工程においては、前記可撓性搭載板上にレーザ穿孔を行うことにより、前記可撓性搭載板上には、前記リードに連通する導孔を設け、前記可撓性搭載板上には、前記溶接パッドに連通する整数個の導孔を設けることを特徴とする可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２３】
前記可撓性搭載板は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項２２に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２４】
前記溶接パッド及び前記リードは、第１のリード材と第２のリード材とが上下に接着されてなり、前記第１のリード材は、銅箔であり、前記第２のリード材は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなることを特徴とする請求項２２に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２５】
前記熱硬化性材料は、エポキシ樹脂、シリコン又はセラミックであることを特徴とする請求項２２に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２６】
前記ロード工程の際、前記外フレームの上方にも、前記補強板を接着することを特徴とする請求項２２に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２７】
前記補強板は、金属材料からなることを特徴とする請求項２２に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２８】
前記補強板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリイミドからなることを特徴とする請求項２２に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項２９】
前工程、ロード工程、封止工程、アンロード工程及びレーザ工程を含む可撓性基材のパッケージ製造方法であって、
前記前工程においては、リード材と可撓性搭載板とが上下に接着されてなる可撓性基材に、フィルムコーティング工程、フォトマスク工程及びエッチング工程により、外フレームを形成し、前記外フレーム内には、複数の矩形状に配列するチップ基材を形成し、前記チップ基材は、溶接パッド及び複数の互いに分断されたリードと、前記可撓性搭載板と、が上下に接着されてなり、前記リード及び前記可撓性搭載板上方には、ソルダマスクを塗布し、
前記ロード工程においては、前記可撓性搭載板下方に補強板を接着し、
前記封止工程においては、前記チップ基材上にチップを接着し、続いて、熱硬化性材料で前記チップが接着された前記チップ基材上に封止を行い、
前記アンロード工程においては、前記可撓性搭載板下方の補強板を除去し、
前記レーザ工程においては、前記可撓性搭載板上にレーザ穿孔を行うことにより、前記可撓性搭載板上には、前記リードに連通する導孔を設け、前記可撓性搭載板上には、前記溶接パッドに連通する整数個の導孔を設けることを特徴とする可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項３０】
前記可撓性搭載板は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項２９に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項３１】
前記溶接パッド及び前記リードは、第１のリード材と第２のリード材とが上下に接着されてなり、前記第１のリード材は、銅箔であり、前記第２のリード材は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなることを特徴とする請求項２９に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項３２】
前記熱硬化性材料は、エポキシ樹脂、シリコン又はセラミックであることを特徴とする請求項２９に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項３３】
前記ロード工程の際、前記外フレーム上方にも、前記補強板を接着することを特徴とする請求項２９に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項３４】
前記補強板は、金属材料からなることを特徴とする請求項２９に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項３５】
前記補強板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリイミドからなることを特徴とする請求項２９に記載の可撓性基材のパッケージ製造方法。
【請求項３６】
可撓性基材のパッケージ構造であって、
前記可撓性基材は、リード材と可撓性搭載板とが上下に接着されてなり、
前記可撓性基材には、外フレームが形成され、前記外フレーム内には、複数の矩形状に配列するチップ基材が形成され、前記チップ基材は、溶接パッド及び複数の互いに分断されたリードと、前記可撓性搭載板と、が上下に接着されてなり、前記外フレーム上には、補強板が接着され、
前記可撓性搭載板内には、リードに連通する導孔と、溶接パッドに連通する整数個の導孔と、が設けられ、前記溶接パッド上には、チップが接着され、前記チップが接着される前記チップ基材上には、熱硬化性材料が被覆されることを特徴とする可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項３７】
前記可撓性搭載板は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項３６に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項３８】
前記溶接パッド及び前記リードは、第１のリード材と第２のリード材とが上下に接着されてなり、前記第１のリード材は、銅箔であり、前記第２のリード材は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなることを特徴とする請求項３６に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項３９】
前記熱硬化性材料は、エポキシ樹脂、シリコン又はセラミックであることを特徴とする請求項３６に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項４０】
前記補強板は、金属材料からなることを特徴とする請求項３６に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項４１】
前記補強板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリイミドからなることを特徴とする請求項３６に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項４２】
前記導孔に連通するリードと、前記溶接パッド表面と、には、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなる金属保護層が鍍金されることを特徴とする請求項３６に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項４３】
前記チップは、金属線を介し、前記リードに接続導通されることを特徴とする請求項３６に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項４４】
前記チップは、半田ボールを介し、前記リードに接続導通されることを特徴とする請求項３６に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項４５】
可撓性基材のパッケージ構造であって、
前記可撓性基材は、リード材と可撓性搭載板とが上下に接着されてなり、
前記可撓性基材には、外フレームが形成され、前記外フレーム内には、複数の矩形状に配列するチップ基材が形成され、前記チップ基材は、溶接パッド及び複数の互いに分断されたリードと、前記可撓性搭載板と、が上下に接着されてなり、前記外フレームに対応する前記可撓性搭載板下方には、補強板が接着され、
前記可撓性搭載板内には、リードに連通する導孔と、溶接パッドに連通する整数個の導孔と、が設けられ、前記溶接パッド上には、チップが接着され、前記チップが接着される前記チップ基材上には、熱硬化性材料が被覆されることを特徴とする可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項４６】
前記可撓性搭載板は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項４５に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項４７】
前記溶接パッド及び前記リードは、第１のリード材と第２のリード材とが上下に接着されてなり、前記第１のリード材は、銅箔であり、前記第２のリード材は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなることを特徴とする請求項４５に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項４８】
前記熱硬化性材料は、エポキシ樹脂、シリコン又はセラミックであることを特徴とする請求項４５に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項４９】
前記補強板は、金属材料からなることを特徴とする請求項４５に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項５０】
前記補強板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリイミドからなることを特徴とする請求項４５に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項５１】
前記導孔に連通するリードと、前記溶接パッド表面と、には、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなる金属保護層が鍍金されることを特徴とする請求項４５に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項５２】
前記チップは、金属線を介し、前記リードに接続導通されることを特徴とする請求項４５に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項５３】
前記チップは、半田ボールを介し、前記リードに接続導通されることを特徴とする請求項４５に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項５４】
可撓性基材のパッケージ構造であって、
前記可撓性基材は、リード材と可撓性搭載板とが上下に接着されてなり、
前記可撓性基材には、外フレームが形成され、前記外フレーム内には、複数の矩形状に配列するチップ基材が形成され、前記チップ基材は、溶接パッド及び複数の互いに分断されたリードと、前記可撓性搭載板と、が上下に接着されてなり、前記外フレーム上方及び前記外フレームに対応する前記可撓性搭載板下方には、補強板が接着され、
前記可撓性搭載板内には、リードに連通する導孔と、溶接パッドに連通する整数個の導孔と、が設けられ、前記溶接パッド上には、チップが接着され、前記チップが接着される前記チップ基材上には、熱硬化性材料が被覆されることを特徴とする可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項５５】
前記可撓性搭載板は、ポリイミドからなることを特徴とする請求項５４に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項５６】
前記溶接パッド及び前記リードは、第１のリード材と第２のリード材とが上下に接着されてなり、前記第１のリード材は、銅箔であり、前記第２のリード材は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなることを特徴とする請求項５４に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項５７】
前記熱硬化性材料は、エポキシ樹脂、シリコン又はセラミックであることを特徴とする請求項５４に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項５８】
前記補強板は、金属材料からなることを特徴とする請求項５４に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項５９】
前記補強板は、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート又はポリイミドからなることを特徴とする請求項５４に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項６０】
前記導孔に連通するリードと、前記溶接パッド表面と、には、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなる金属保護層が鍍金されることを特徴とする請求項５４に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項６１】
前記チップは、金属線を介し、前記リードに接続導通されることを特徴とする請求項５４に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【請求項６２】
前記チップは、半田ボールを介し、前記リードに接続導通されることを特徴とする請求項５４に記載の可撓性基材のパッケージ構造。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、前工程、ロード工程、封止工程、アンロード工程、レーザ工程などを含む可撓性基材のパッケージ製造方法に関し、特に、ロード工程において、可撓性基材上に補強板を接着することにより、パッケージ製造方法において、可撓性基材にそり、変形などが発生するのを減少させ、チップの封止を正確に行うことができ、これにより、パッケージ製造方法の歩留まりを高め、コストを低減させることができる可撓性基材のパッケージ製造方法及び可撓性基材のパッケージ構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
電子産業の発展及び通信装置の普及に伴い、半導体電子素子の需要は、日々高まっている。また、半導体素子のパッケージ技術は、科学技術が進歩し、市場での需要が高まるにつれ、迅速に進歩している。半導体素子パッケージは、銅箔にパンチング、エッチング、プレスなどの工程を行うことによってリードを有する基材を製作し、基材上にチップを封止することによって製作される。現在、パッケージ技術は、徐々に成熟し始めている。
【０００３】
従来技術において、リード基材上にチップを封止する際に頻繁に使用される技術としては、ＢＧＡ（Ｂａｌｌ  Ｇｒｉｄ  Ａｒｒａｙ）パッケージ技術が挙げられる。従来のＢＧＡパッケージ技術は、使用される基材の材料により、ＰＢＧＡ（Ｐｌａｓｔｉｃ  ＢＧＡ）、ＴＢＧＡ（Ｔａｐｅ  ＢＧＡ）などに分類される。
【０００４】
図１を参照する。図１は、従来のＴＢＧＡパッケージ技術によるパッケージ構造を示す断面図である。図１から分かるように、リード基材４は、鍍金層４０、リード材４１及び可撓性搭載板４２から構成される。リード材４１の上下には、鍍金層４０がそれぞれ形成される。リード材４１上方の鍍金層４０上には、接着層Ｃが形成される。リード材４１下方の鍍金層４０下方には、可撓性搭載板４２が接着される。可撓性搭載板４２には、半田ボールＡが貫設される。リード基材４中間の切欠部分には、絶縁層Ｂが接続される。絶縁層Ｂ上には、チップＥが設置される。チップＥ両側には、絶縁層Ｂがそれぞれ形成される。また、チップＥ上方には、熱硬化性材料Ｆが形成され、被覆される。接着層Ｃ、熱硬化性材料Ｆの上方には、放熱層Ｄが被覆される。
【０００５】
リード基材４のリード材４１は、銅箔である。また、可撓性搭載板４２は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）からなる。このため、リード基材４は、薄型軽量であり、従来よりも間隔を狭くして封止を行うことができる。このため、ＴＢＧＡパッケージ技術は、メモリ、通信ＩＣ、高付加価値のＩＣなどに広く応用されている。
【０００６】
しかし、ＴＢＧＡパッケージ技術には、可撓性を有するフィルム式の基板（例えば、前述の鍍金層４０、リード材４１及び可撓性搭載板４２から構成されるリード基材４）が採用されるため、ＴＢＧＡパッケージ技術を利用してチップを封止する際、可撓性を有するフィルム式の基板にそり、変形などが頻繁に発生し、パッケージ製造方法の歩留まりが低下する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
本発明の主な目的は、前工程、ロード工程、封止工程、アンロード工程、レーザ工程などを含み、特に、ロード工程において、可撓性基材上に補強板を接着することにより、パッケージ製造方法において、可撓性基材にそり、変形などが発生するのを減少させ、チップの封止を正確に行うことができ、これにより、パッケージ製造方法の歩留まりを高め、コストを低減させることができる可撓性基材のパッケージ製造方法及び可撓性基材のパッケージ構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上述の課題を解決するために、本発明は、矩形状の可撓性搭載板のパッケージ製造方法を提供するものである。本発明のパッケージ製造方法は、前工程、ロード工程、レーザ工程、封止工程などを含む。
【０００９】
先ず、リード材と可撓性搭載板とが上下に接着されてなる可撓性基材に、フィルムコーティング工程、フォトマスク工程及びエッチング工程により、外フレームを形成する。外フレーム内には、複数の矩形状に配列するチップ基材を形成する。チップ基材は、溶接パッド及び複数の互いに分断されたリードと、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）からなる可撓性搭載板と、が上下に接着されてなる。リード及び可撓性搭載板上方には、必要に応じ、ソルダマスクを塗布してもよい。
【００１０】
次に、外フレーム上方、外フレームに対応する可撓性搭載板下方、或いは、外フレーム上方及び外フレームに対応する可撓性搭載板下方に補強板を接着することにより、可撓性基材の構造強度を高める。
【００１１】
次に、可撓性搭載板上にレーザ穿孔を行うことにより、可撓性搭載板上にリードに連通する導孔を形成する。可撓性搭載板上には、必要に応じ、溶接パッドに連通する整数個の導孔を設けてもよい。導孔に連通するリード及び溶接パッドの底面には、金属保護層を鍍金する。
【００１２】
最後に、熱硬化性材料を利用し、チップが接着されたチップ基材上に封止を行う。ここで、レーザ工程及び封止工程は、必要に応じ、順序を変更してもよい。レーザ工程が封止工程の後の場合、導孔に連通するリード及び溶接パッドの底面には、金属保護層を形成しない。また、可撓性搭載板下方全体に補強板を接着した場合、レーザ工程の品質を維持するために、レーザ工程を行う前に、アンロード工程を行い、可撓性搭載板下方の補強板を取り除く必要がある。本発明は、補強板によって可撓性基材の構造強度を高めることにより、パッケージ製造方法の歩留まりを高め、コストを低減させることができる。
【００１３】
上述のパッケージ製造方法から分かるように、本発明の可撓性基材のパッケージ構造は、リード材と可撓性搭載板とが上下に接着されてなる可撓性基材を有する。可撓性基材には、外フレームが形成される。外フレーム内には、複数の矩形状に配列するチップ基材が形成される。チップ基材は、溶接パッド及び複数の互いに分断されたリードと、可撓性搭載板と、が上下に接着されて構成される。可撓性搭載板内には、リードに連通する導孔と、溶接パッドに連通する整数個の導孔と、が設けられる。溶接パッド上には、チップが接着される。チップは、半田ボール又は金属線を介し、リードに接続導通される。チップが接着されたチップ基材上には、熱硬化性材料が被覆される。外フレーム上方、外フレームに対応する可撓性搭載板下方、或いは、外フレーム上方及び外フレームに対応する可撓性搭載板下方には、補強板が接着される。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は、ロード工程において、可撓性基材上に補強板を接着することにより、パッケージ製造方法において、可撓性基材にそり、変形などが発生するのを減少させ、チップの封止を正確に行うことができる。これにより、パッケージ製造方法の歩留まりを高め、コストを低減させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】従来のＴＢＧＡパッケージ技術によるパッケージ構造を示す断面図である。
【図２】本発明の第１実施形態による可撓性基材のパッケージ製造方法及び可撓性基材のパッケージ構造を示す平面図及び断面図である。
【図３】本発明の第２実施形態による可撓性基材のパッケージ製造方法及び可撓性基材のパッケージ構造を示す平面図及び断面図である。
【図４】本発明の第３実施形態による可撓性基材のパッケージ製造方法及び可撓性基材のパッケージ構造を示す平面図及び断面図である。
【図５】本発明の第４実施形態による可撓性基材のパッケージ製造方法及び可撓性基材のパッケージ構造を示す平面図及び断面図である。
【図６】本発明の第５実施形態による可撓性基材のパッケージ製造方法及び可撓性基材のパッケージ構造を示す平面図及び断面図である。
【図７】本発明の第６実施形態による可撓性基材のパッケージ製造方法及び可撓性基材のパッケージ構造を示す平面図及び断面図である。
【図８】本発明の第７実施形態による可撓性基材のパッケージ製造方法及び可撓性基材のパッケージ構造を示す平面図及び断面図である。
【図９】本発明の第８実施形態による可撓性基材のパッケージ製造方法及び可撓性基材のパッケージ構造を示す平面図及び断面図である。
【図１０】本発明の第９実施形態による可撓性基材のパッケージ構造のチップ基材を示す断面図である。
【図１１】本発明の第１０実施形態による可撓性基材のパッケージ構造のチップ基材を示す断面図である。
【図１２】本発明の第１１実施形態による可撓性基材のパッケージ構造のチップ基材を示す平面図である。
【図１３】本発明の第１１実施形態による可撓性基材のパッケージ構造のチップ基材を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
（第１実施形態）
図２を参照する。本発明の第１実施形態による可撓性基材のパッケージ製造方法１は、前工程１０、ロード工程１１、レーザ工程１２及び封止工程１３を含む。
【００１７】
前工程１０：リード材Ｇと可撓性搭載板２１２とが上下に接着されてなる可撓性基材２に、フィルムコーティング工程、フォトマスク工程及びエッチング工程により、外フレーム２０を形成する。可撓性基材２の外フレーム２０内には、複数の矩形状に配列するチップ基材２１を形成する。チップ基材２１は、溶接パッド２１０及び複数の互いに分断されたリード２１１と、可撓性搭載板２１２と、が上下に接着されてなる。可撓性搭載板２１２は、ポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）からなる。溶接パッド２１０及びリード２１１は、第１のリード材Ｇ０と第２のリード材Ｇ１とが上下に接着されてなる。第１のリード材Ｇ０は、銅箔であり、第２のリード材Ｇ１は、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなる。
【００１８】
ロード工程１１：ロード工程１１においては、可撓性基材２の外フレーム２０上方に補強板３を接着する。補強板３は、アルミニウム、ステンレスなどの金属材料からなる。或いは、補強板３は、ポリエチレンテレフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＴ）、ポリエチレンナフタレート（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ  Ｎａｐｈｔｈａｌａｔｅ：ＰＥＮ）又はポリイミド（Ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ：ＰＩ）から構成してもよい。補強板３により、可撓性基材２の構造強度が間接的に高められる。
【００１９】
レーザ工程１２：可撓性搭載板２１２上にレーザ穿孔を行うことにより、可撓性搭載板２１２上にリード２１１に連通する導孔２１２０を形成する。可撓性搭載板２１２上には、必要に応じ、溶接パッド２１０に連通する整数個の導孔２１００を設けてもよい（図２においては、２つの導孔２１００を例示する）。導孔２１２０及び導孔２１００に連通するリード２１１及び溶接パッド２１０の底面には、銅、銀、ニッケル、パラジウム又は金、或いは、それらの組み合わせからなる金属保護層２３を鍍金する。
【００２０】
封止工程１３：溶接パッド２１０上にチップ２１３を接着した後、ワイヤボンディングを行うことにより、金属線２１４又は半田ボール（図示せず）を介し、チップ２１３とチップ基材２１のリード２１１とを接続導通する。次に、エポキシ樹脂、シリコン又はセラミックである熱硬化性材料２１５を利用し、可撓性搭載板２１２上方及び溶接パッド２１０とリード２１１との間を封止することにより、チップ２１３を外部から隔絶する。これにより、金属線２１４が破壊されたり、チップ２１３に湿気が進入し、チップ２１３が腐食したりするのが防止される。また、不要な信号干渉を受けるのが防止される。さらに、チップ２１３が運転する際に発生する熱を外部に有効に排出することにより、チップ２１３の放熱効果を高めることができる。
【００２１】
本発明は、ポリイミドからなる可撓性搭載板２１２を可撓性基材２の構成要素の１つとすることにより、可撓性基材２の構造強度を間接的に高めている。これにより、可撓性基材２にレーザ工程１２及び封止工程１３を正確に行うことができるため、パッケージ製造方法の歩留まりを高め、コストを低減させることができる。
【００２２】
前述のパッケージ製造方法から分かるように、本発明の第１実施形態による可撓性基材のパッケージ構造は、リード材Ｇと可撓性搭載板２１２とが上下に接着されてなる可撓性基材２を有する。可撓性基材２には、外フレーム２０が形成される。外フレーム２０内には、複数の矩形状に配列するチップ基材２１が形成される。チップ基材２１は、溶接パッド２１０及び複数の互いに分断されたリード２１１と、ポリイミドからなる可撓性搭載板２１２と、が上下に接着されてなる。可撓性基材２の外フレーム２０上方には、補強板３が接着される。可撓性搭載板２１２内には、リード２１１に連通する導孔２１２０と、溶接パッド２１０に連通する整数個の導孔２１００と、が設けられる。溶接パッド２１０上には、チップ２１３が接着される。チップ２１３は、半田ボール又は金属線２１４を介し、リード２１１に接続導通される。チップ２１３が接着されたチップ基材２１上には、エポキシ樹脂、シリコン又はセラミックである熱硬化性材料２１５が被覆される。
【００２３】
（第２実施形態）
図３を参照する。本発明の第２実施形態は、第１実施形態と略同一である。本発明の第２実施形態においては、必要に応じ、前工程１０及びロード工程１１の後、先ず、封止工程１３を行い、その後、レーザ工程１２を行ってもよい。レーザ工程１２を封止工程１３の後に行う場合、導孔２１２０及び導孔２１００に連通するリード２１１及び溶接パッド２１０の底面には、金属保護層を形成しない。
【００２４】
本発明の第２実施形態においても、外フレーム２０上に補強板３が接着された可撓性基材２上に、チップ２１３を封止する工程を正確に行うことができ、第１実施形態と同様の効果が実現される。
【００２５】
（第３実施形態）
図４を参照する。本発明の第３実施形態は、第１実施形態と略同一である。本発明の第３実施形態においては、前工程１０の後のロード工程１１において使用される補強板３を外フレーム２０に対応する可撓性搭載板２１２下方に接着する。これにより、可撓性基材２の構造強度が間接的に高められ、レーザ工程１２及び封止工程１３を正確に行うことができ、パッケージ製造方法の歩留まりを高めることができる。
【００２６】
第３実施形態によるパッケージ製造方法から分かるように、本発明の第３実施形態による可撓性基材のパッケージ構造は、第１実施形態と異なり、補強板３が外フレーム２０に対応する可撓性搭載板２１２下方に接着される。
【００２７】
（第４実施形態）
図５を参照する。本発明の第４実施形態は、第３実施形態と略同一である。本発明の第４実施形態においては、必要に応じ、前工程１０及びロード工程１１の後、先ず、封止工程１３を行い、その後、レーザ工程１２を行ってもよい。これにより、補強板３が接着された可撓性基材２上にチップ２１３を封止する工程を正確に行うことができ、第３実施形態と同様の効果が実現される。
【００２８】
（第５実施形態）
図６を参照する。本発明の第５実施形態は、第１実施形態及び第３実施形態と略同一である。本発明の第５実施形態においては、前工程１０の後のロード工程１１において、外フレーム２０上方及び外フレーム２０に対応する可撓性搭載板２１２下方に補強板３を接着する。これにより、可撓性基材２の構造強度が大幅に高められ、レーザ工程１２及び封止工程１３を正確に行うことができるため、パッケージ製造方法の歩留まりを高め、コストを低減させることができる。
【００２９】
第５実施形態によるパッケージ製造方法から分かるように、本発明の第５実施形態による可撓性基材のパッケージ構造は、第１実施形態と異なり、外フレーム２０上方及び外フレーム２０に対応する可撓性搭載板２１２下方に補強板３がそれぞれ接着される。
【００３０】
（第６実施形態）
図７を参照する。本発明の第６実施形態は、第５実施形態と略同一である。本発明の第６実施形態においては、必要に応じ、前工程１０及びロード工程１１の後、先ず、封止工程１３を行い、その後、レーザ工程１２を行ってもよい。本発明の第６実施形態においても、補強板３を利用することにより、可撓性基材２の構造強度が大幅に高められ、第５実施形態と同様の効果が実現される。
【００３１】
（第７実施形態）
図８を参照する。本発明の第７実施形態は、第４実施形態と略同一である。本発明の第７実施形態においては、前工程１０の後のロード工程１１の際、可撓性搭載板２１２下方全体に補強板３を接着することにより、パッケージ製造方法において、可撓性基材２にそり、変形などが発生するのを減少させることができる。これにより、封止工程１３を正確に行うことができる。また、チップ基材２１に封止工程１３を行った後、先ず、アンロード工程１４を行う。アンロード工程１４は、可撓性搭載板２１２下方の補強板３を除去することにより、可撓性搭載板２１２にレーザ工程１２を行う際、補強板３の屑が残留しないようにするために行われる。これにより、チップ２１３の正常な運転が保障される上、補強板３の屑により、チップ基材２１と基板（図示せず）との導通が阻害される問題を防ぎ、良好なレーザ品質を有効に維持し、パッケージ製造方法の歩留まりを高めることができる。
【００３２】
（第８実施形態）
図９を参照する。本発明の第８実施形態は、第７実施形態と略同一である。本発明の第８実施形態においては、前工程１０の後のロード工程１１の際、可撓性搭載板２１２下方全体に補強板３を接着する以外に、外フレーム２０上方にも補強板３を接着する。本発明の第８実施形態においても、補強板３により、パッケージ製造方法において、可撓性基材２にそり、変形などが発生するのを減少させ、後続の封止工程を正確に行うことができ、第７実施形態と同様の効果が実現される。
【００３３】
（第９実施形態）
図１０を参照する。また、図２〜図９を合わせて参照する。図１０から分かるように、本発明の第９実施形態に示す可撓性基材のパッケージ構造は、前述の可撓性基材のパッケージ製造方法によって得られる完成品中のチップ基材２１の断面を示す。チップ２１３は、ワイヤボンディングにより、リード２１１と互いに接続導通される。
【００３４】
導孔２１２０を有するチップ基材２１には、半田ボールを形成することができる。これにより、チップ基材２１上のチップ２１３は、半田ボール２２を介し、基板（図示せず）に接続導通される。
【００３５】
（第１０実施形態）
図１１を参照する。図１１から分かるように、本発明の第１０実施形態は、第９実施形態と略同一である。本発明の第１０実施形態においては、チップ基材２１上のリード２１１が溶接パッド２１０周縁において、矩形状に配列する。また、複数の金属線２１４を利用し、チップ２１３を各リード２１１に接続することにより、複数の導通信号を連結することができる。
【００３６】
また、チップ２１３が運転する際に温度が高くなりすぎるのを防止するために、溶接パッド２１０下方に導孔２１００を設け、導孔２１００下方にサーマルボール２４を設けてもよい。サーマルボール２４の熱伝達により、チップ２１３の熱が放熱され、チップ２１３の使用寿命が延長される。
【００３７】
（第１１実施形態）
図１２及び図１３を参照する。図１２から分かるように、本発明の第１１実施形態における可撓性基材のパッケージ構造は、第９実施形態及び第１０実施形態と略同一である。本発明の第１１実施形態においては、チップ基材２１上の複数の導孔２１２０が溶接パッド２１０周縁に矩形状に配列する上、複数のリード２１１の一方の端部が複数の導孔２１２０にそれぞれ連結され、複数のリード２１１の他方の端部がチップ２１３に接続導通される。
【００３８】
図１３から分かるように、チップ２１３は、半田ボール２１６を介し、複数のリード２１１及び溶接パッド２１０に接着される。また、チップ２１３は、半田ボール２１６を介し、複数のリード２１１に導通することにより、複数の信号を連結する。溶接パッド２１０及び複数のリード２１１は、第１のリード材Ｇ０と第２のリード材Ｇ１とが互いに接着されてなる。
【００３９】
また、複数のリード２１１の良好な導電性を維持するために、必要に応じ、チップ２１３の外周のチップ基材２１上表面には、ソルダマスク２５を塗布してもよい。続いて、チップ２１３上において、熱硬化性材料２１５により、封止工程を行う。
【００４０】
また、チップ２１３が運転する際に温度が高くなりすぎるのを防止するために、溶接パッド２１０下方に導孔２１００を設け、導孔２１００下方にサーマルボール２４を設けてもよい。サーマルボール２４の熱伝達により、チップ２１３の熱が放熱され、チップ２１３の使用寿命が延長される。
【００４１】
上述の構造により、本発明の第１１実施例によるチップ基材２１においては、導孔２１２０に半田ボール２２が設けられることにより、半田ボール２２を介し、チップ基材２１上のチップ２１３が基板（図示せず）に接続導通される。
【符号の説明】
【００４２】
１        可撓性基材のパッケージ製造方法
１０      前工程
１１      ロード工程
１２      レーザ工程
１３      封止工程
１４      アンロード工程
２        可撓性基材
２０      外フレーム
２１      チップ基材
２１０    溶接パッド
２１００  導孔
２１１    リード
２１２    可撓性搭載板
２１２０  導孔
２１３    チップ
２１４    金属線
２１５    熱硬化性材料
２１６    半田ボール
２２      半田ボール
２３      金属保護層
２４      サーマルボール
２５      ソルダマスク
３        補強板
４        リード基材
４０      鍍金層
４１      リード材
４２      可撓性搭載板
Ａ        半田ボール
Ｂ        絶縁層
Ｃ        接着層
Ｄ        放熱層
Ｅ        チップ
Ｆ        熱硬化性材料
Ｇ        リード材
Ｇ０      第１のリード材
Ｇ１      第２のリード材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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