【手続補正書】
【提出日】令和3年7月8日(2021.7.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プラズマ処理装置のチャンバ内にクリーニングガスを供給する工程と、
前記チャンバ内の壁面のクリーニングのために、前記チャンバ内で前記クリーニングガスからプラズマを形成する工程と、
を含み、
クリーニングガスを供給する前記工程及びプラズマを形成する前記工程では、フォーカスリングが、前記チャンバの中心軸線の周りで延在するように前記チャンバ内で基板支持台上に搭載されており、
プラズマを形成する前記工程では、電磁石により前記チャンバ内で磁場の分布が形成され、
前記磁場の分布は、前記中心軸線に対して径方向において前記フォーカスリングよりも外側の位置で、最大の水平成分を有し、
前記電磁石は、前記チャンバの上方に設けられたコイルを有し、該コイルは、前記中心軸線の周りで周方向に延在しており、
前記コイルの内径と外径との和の１／２で規定される値は、前記フォーカスリングの外径よりも大きく、
前記コイルの前記内径は、前記フォーカスリングの内径よりも大きく、前記フォーカスリングの前記外径よりも小さい、
クリーニング方法。
【請求項２】
クリーニングガスを供給する前記工程及びプラズマを形成する前記工程は、前記基板支持台上、且つ、前記フォーカスリングによって囲まれた領域内に物体が載置されていない状態で、実行される、請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項３】
クリーニングガスを供給する前記工程及びプラズマを形成する前記工程は、前記基板支持台上、且つ、前記フォーカスリングによって囲まれた領域内にダミー基板が載置されている状態で、実行される、請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項４】
前記最大の水平成分を有する位置は、前記中心軸線から前記コイルの前記内径と前記外径との和の１／４で規定される距離を有する位置である、請求項１〜３の何れか一項に記載のクリーニング方法。
【請求項５】
チャンバと、
前記チャンバ内に設けられた基板支持台と、
前記チャンバ内にクリーニングガスを供給するように構成されたガス供給部と、
前記チャンバ内でガスからプラズマを生成するために高周波電力を発生するように構成された高周波電源と、
前記チャンバ内で磁場の分布を形成するように構成された電磁石と、
前記電磁石に電気的に接続された駆動電源と、
前記ガス供給部、前記高周波電源、及び前記駆動電源を制御するように構成された制御部と、
を備え、
フォーカスリングが、前記チャンバの中心軸線の周りで延在するように前記基板支持台上に搭載され、
前記制御部は、
前記チャンバ内にクリーニングガスを供給するよう、前記ガス供給部を制御し、
前記チャンバ内で前記クリーニングガスからプラズマを形成して前記チャンバ内の壁面をクリーニングするために、前記高周波電力を供給するよう、前記高周波電源を制御し、
前記プラズマの生成中に、前記中心軸線に対して径方向において前記フォーカスリングよりも外側の位置で最大の水平成分を有する磁場の分布を前記電磁石によって前記チャンバ内で形成するよう、前記駆動電源を制御する、
よう構成されており、
前記電磁石は、前記チャンバの上方に設けられたコイルを有し、該コイルは、前記中心軸線の周りで周方向に延在しており、
前記コイルの内径と外径との和の１／２で規定される値は、前記フォーカスリングの外径よりも大きく、
前記コイルの前記内径は、前記フォーカスリングの内径よりも大きく、前記フォーカスリングの前記外径よりも小さい、
プラズマ処理装置。
【請求項６】
前記電磁石は、磁性材料から形成されたヨークを含む、請求項５に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
前記最大の水平成分を有する位置は、前記中心軸から前記コイルの前記内径と前記外径との和の１／４で規定される距離を有する位置である、請求項５又は６に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記基板支持台の上方に設けられた上部電極と、
前記チャンバの上方で前記上部電極を覆うように延びており、その中に前記電磁石が配置される外部空間を提供する接地導体と、
を更に備える、請求項５〜７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記接地導体は、
筒形状を有し、前記チャンバから上方に延びる第１の部分と、
板状をなしており、前記第１の部分から前記中心軸線に交差又は直交する方向に延びる第２の部分と、
筒形状を有し、前記第２の部分から上方に延びる第３の部分と、
を含み、
前記第１の部分の中心軸線及び前記第２の部分の中心軸線は、前記チャンバの中心軸線と一致し、
前記第３の部分は、前記第１の部分よりも前記中心軸線の近くで延在している、
請求項８に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記外部空間は、前記第３の部分の外側且つ前記第２の部分上に提供されており、前記チャンバの前記中心軸線の周りで延びている、請求項９に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記接地導体は、
板状をなしており、前記第２の部分の上方で前記チャンバの前記中心軸線に交差又は直交する前記方向に延びる第４の部分と、
筒形状を有し、前記第４の部分から上方に延びる第５の部分と、
板状をなしており、前記第５の部分から前記チャンバの前記中心軸線に交差又は直交する前記方向に延びる第６の部分と、
を更に含み、
前記第５の部分の中心軸線は、前記チャンバの前記中心軸線と一致する、
請求項９又は１０に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
前記電磁石は、前記中心軸線に対して同軸状に設けられた複数個のコイルを含む、請求項５〜１１の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記複数個のコイルのそれぞれに供給される電流が、前記磁場の分布を形成するように調整される、請求項１２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記プラズマ処理装置は、容量結合型のプラズマ処理装置、誘導結合型のプラズマ処理装置、又は表面波を用いてプラズマを生成するプラズマ処理装置である、請求項５〜７の何れか一項に記載のプラズマ処理装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
第２の高周波電源４４は、主として基板Ｗにイオンを引き込むための第２の高周波電力、即ち、バイアス用の高周波電力を発生するように構成されている。第２の高周波電力の周波数は、第１の高周波電力の周波数よりも低い。一実施形態では、第２の高周波電力の周波数は、１３．５６ＭＨｚよりも高くてもよい。一実施形態では、第２の高周波電力の周波数は、４０ＭＨｚ以上であってもよい。一実施形態では、第２の高周波電力の周波数は、６０ＭＨｚ以上であってもよい。第２の高周波電源４４は、整合器４６を介して、下部電極１８に電気的に接続されている。整合器４６は、第２の高周波電源４４の出力インピーダンスと負荷側（下部電極１８側）のインピーダンスとを整合させるための整合回路を有している。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
外部空間ＥＳの中に配置された電磁石６０と内部空間１０ｓとの間の距離は比較的短い。したがって、接地導体５０に対して外側に配置された電磁石６０によって、磁場の分布が、効率的にチャンバ１０の中に形成され得る。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
方法ＭＴは、工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２を含む。工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２の実行中には、フォーカスリングＦＲは、中心軸線ＡＸの周りで延在するように支持台１４上に搭載される。工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２は、支持台１４上、且つ、フォーカスリングＦＲによって囲まれた領域内に、物体が載置されていない状態で、実行されてもよい。或いは、工程ＳＴ１及び工程ＳＴ２は、支持台１４上、且つ、フォーカスリングＦＲによって囲まれた領域内に、ダミー基板が載置されている状態で実行されてもよい。