Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月28日(2021.7.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
エッジリングを支持するためのキャリアであって、
周縁部を有するプレートであって、周縁部は、
複数の湾曲したエッジと、
複数の平行なエッジとを含んでいる、プレートと、
プレートに配置された複数のインサートであって、
複数のインサートの各インサートは軟質ポリマー材料で形成され、
複数のインサートの各々は支持構造と係合するように構成されている、インサートと、
複数の湾曲したエッジに結合された複数の支持構造であって、
各支持構造はプレートの上面の平面の上方に延在し、
複数の支持構造の各支持構造は、
各支持構造の半径方向外側のエッジに形成され、プレートの上面の平面の上方に配置された段差であって、各支持構造の段差は、
プレートの上面に平行な支持面と、
各支持構造の支持面の半径方向内側に位置決めされ、プレートの上面に垂直に向けられた弧状壁であって、各支持構造の支持面に対して垂直に延在する各支持構造の弧状壁とを含んでいる、段差とを備えている、支持構造と、
弧状壁の半径方向内側に位置決めされ、プレート内に延在する雄型延長部とを備えるキャリア。
【請求項２】
複数の支持構造の各支持構造の弧状壁は、エッジリングの内側半径よりも小さい曲率半径を有している、請求項１に記載のキャリア。
【請求項３】
複数の支持構造の各支持構造の弧状壁は、プレートの中心に対してある半径で配置され、
前記半径はエッジリングの内側半径以下である、請求項２に記載のキャリア。
【請求項４】
プレートは半円形プレートである、請求項１に記載のキャリア。
【請求項５】
複数のインサートの少なくともいくつかは、複数の支持構造の半径方向内側に位置決めされている、請求項１に記載のキャリア。
【請求項６】
複数のインサートの各インサートは、プレートに形成された開口部に配置された本体を備えている、請求項１に記載のキャリア。
【請求項７】
複数のインサートの各インサートの本体は、本体の円筒形部分よりも大きい外径を有するフレア部を備えている、請求項６に記載のキャリア。
【請求項８】
複数のインサートの各インサートの本体は、本体を貫通して形成されたボアをさらに備えている、請求項７に記載のキャリア。
【請求項９】
プレートは、その中に形成された１つ以上の開口部を備えている、請求項１に記載のキャリア。
【請求項１０】
１つ以上の開口部は複数の開口部を含み、
複数のインサートの少なくとも１つは、複数の開口部のうちの２つの間に位置決めされている、請求項９に記載のキャリア。
【請求項１１】
エッジリングを支持するためのキャリアであって、
周縁部を有するプレートであって、周縁部は、
複数の湾曲したエッジと、
複数の平行なエッジとを含んでいる、プレートと、
プレートに配置された複数のインサートであって、
複数のインサートの各インサートは軟質ポリマー材料で形成され、
複数のインサートの各々は支持構造と係合するように構成されている、インサートと、
複数の湾曲したエッジに結合された複数の支持構造であって、複数の支持構造の各支持構造は、
各支持構造の半径方向外側のエッジに形成された段差であって、各支持構造の段差は、
支持面と、
各支持構造の支持面の半径方向内側に位置決めされ、各支持構造の支持面に垂直に延在する弧状壁とを含んでいる、段差とを備えている、支持構造とを備えるキャリア。
【請求項１２】
複数の支持構造の各支持構造の弧状壁は、エッジリングの内側半径よりも小さい曲率半径を有している、請求項１１に記載のキャリア。
【請求項１３】
複数の支持構造の各支持構造の弧状壁は、プレートの中心に対してある半径で配置され、
前記半径はエッジリングの内側半径以下である、請求項１２に記載のキャリア。
【請求項１４】
プレートは半円形プレートである、請求項１１に記載のキャリア。
【請求項１５】
複数のインサートの各インサートは、プレートに形成された開口部に配置された本体を備え、
複数のインサートの各インサートの本体は、本体の円筒形部分よりも大きい外径を有するフレア部を備えている、請求項１１に記載のキャリア。
【請求項１６】
複数のインサートの各インサートの本体は、本体を貫通して形成されたボアをさらに備えている、請求項１５に記載のキャリア。
【請求項１７】
エッジリングを移送する方法であって、
スリットバルブドアを介してチャンバ内にロボットブレードを挿入する工程であって、ロボットブレードは、
その上にキャリアと、
キャリア上に支持されたエッジリングとを有している、工程と、
キャリア及びその上のエッジリングを基板支持体の上に位置決めする工程と、
基板リフトピンを駆動し、エッジリングをキャリアから持ち上げる工程と、
ロボットブレード及びキャリアをチャンバから引き出す工程とを含む方法。
【請求項１８】
エッジリングを下降させ、基板支持体と接触させる工程をさらに含む、請求項１７に記載の方法。
【請求項１９】
エッジリングを下降させ、基板支持体と接触させる工程は、エッジリングを基板支持体の上面に対して非平行な形態に位置決めし、処理中にプラズマシースの位置を調節する工程を含んでいる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
チャンバ内にロボットブレードを挿入する工程及びロボットブレード及びキャリアをチャンバから引き出す工程の間、キャリアの複数のインサートがロボットブレードと係合し、
複数のインサートの各インサートは軟質ポリマー材料で形成されている、請求項１７に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月6日(2021.9.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
デジタル的にモデル化されたオブジェクト（Ｏ１、Ｏ２、Ｏ３）のアセンブリ（Ａ）のサブセットを表示するコンピュータ実施方法であって、
ａ）３次元シーン（３ＤＳＣ）内に前記アセンブリの３次元グラフィック表現を生成して表示するステップと、
ｂ）前記３次元グラフィック表現から、前記アセンブリの１つまたは複数のオブジェクトを選択するためのグラフィックツール（ＰＴ）を用いるステップと、
ｃ）前記選択された１つまたは複数のオブジェクトの中心点（ＣＰ、ＣＰ’）を決定し、前記中心点からの、前記選択された１つまたは複数のオブジェクト以外の前記アセンブリの各オブジェクトの距離を計算するステップと、
ｄ）前記中心点からの距離が閾値（Ｒ）を超える、前記選択された１つまたは複数のオブジェクト以外のオブジェクトを隠すことによって、またはそれらの視認性を減少させることによって、前記アセンブリの前記表示された３次元グラフィック表現を修正するステップと
を含む方法。
【請求項２】
前記ステップｄ）の前に実行される、前記閾値の値を入力するためのグラフィック制御要素（ＳＬ）を用いるステップｄ’）をさらに含む請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記ステップｄ’）は、隠されることになる前記アセンブリのオブジェクトの全体数の一部を選択するための前記グラフィック制御要素を用いるステップと、前記選択された一部に応じて前記閾値の値を決定するステップとを含む請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記ステップｄ’）およびｄ）は動的な方法で反復的に実行される請求項２または３に記載の方法。
【請求項５】
前記グラフィック制御要素はスライダである請求項２乃至４のいずれかに記載の方法。
【請求項６】
ステップｃ）は、前記中心点からの、前記選択された１つまたは複数のオブジェクト以外の前記アセンブリの各オブジェクトの前記距離を、前記中心点と前記オブジェクトのすべての点との間の最大距離として計算するステップを含む請求項１乃至５のいずれかに記載の方法。
【請求項７】
前記距離はユークリッド距離である請求項１乃至６のいずれかに記載の方法。
【請求項８】
ステップｃ）は、前記中心点（ＣＰ’）として、所定の形状を有し、かつ前記選択された１つまたは複数のオブジェクトを完全に含みながら最小限の体積を取り囲む３次元包絡面（Ｅ）の中心を決定するステップを含む請求項１乃至７のいずれかに記載の方法。
【請求項９】
前記所定の形状は球面である請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
ステップｂ）は複数のオブジェクトを選択するステップを含み、ステップｄ）はまた、前記中心点からの距離が前記閾値（Ｒ）を超える選択されたオブジェクトを隠すステップ、またはそれらの視認性を減少させるステップを含む請求項１乃至９のいずれかに記載の方法。
【請求項１１】
ステップｂ）からｄ）は反復的に実行される請求項１乃至１０のいずれかに記載の方法。
【請求項１２】
コンピュータシステムに請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法を実行させるコンピュータ実行可能命令を備えた、不揮発性コンピュータ可読データ記憶媒体（Ｍ１〜Ｍ４）に記憶されたコンピュータプログラム。
【請求項１３】
コンピュータシステムに請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法を実行させるコンピュータ実行可能命令（ＥＸＰ）を含む、非一時的コンピュータ可読データ記憶媒体（Ｍ１〜Ｍ４）。
【請求項１４】
メモリ（Ｍ１〜Ｍ４）およびグラフィカルユーザインターフェース（ＫＢ、ＰＤ、ＤＣ、ＤＹ）に結合されたプロセッサ（Ｐ）を備え、前記メモリはコンピュータシステムに請求項１乃至１１のいずれかに記載の方法を実行させるコンピュータ実行可能命令（ＥＸＰ）を記憶する、コンピュータシステム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月3日(2020.12.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６０】
次に、ステップＳ１１５で、表示パネルを含む積層体（表示パネル積層体）３２０をマザー基板３００から切り出す。ステップＳ１１５で、例えば、切断線に沿ったスクライブ及びブレイクにより、各表示パネル積層体３２０をマザー基板３００から切り出す。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６２】
［剥離膜及び剥離プロセス］
図６は、剥離プロセスの例を模式的に示す。剥離プロセスは、表示パネル積層体３２０を容器４０１に収容されている純水４０３に表示パネル積層体３２０を浸漬する。純水は、酸化モリブデン膜３０２の溶剤である。なお、溶剤としては、様々な液体（例えば、水）を利用することができる。水としては、例えば電解質が含まれている水でも良いし、純水や超純水であってもよい。以下の説明では、溶剤として純水を例示する。酸化モリブデン膜３０２が純水４０３に溶解し、表示パネル３３０がガラス基板３０１から剥離される。表示パネル３３０の底面には、一部の酸化モリブデン膜３０２が残っている。この点については後述する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６３】
表示パネル積層体３２０が四角形状の場合、酸化モリブデン膜３０２の四つの端面（辺）は露出している。酸化モリブデン膜３０２は露出している端面から溶解を開始し、酸化モリブデン膜３０２の面内方向において溶解が進む。ポリイミド膜３０４及びＯＬＥＤ／ＴＦＴ部３０６はバリア膜に密封されており、露出しておらず、純水４０３の影響を受けることはない。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６４】
表示パネル積層体３２０は、所定温度における純水４０３内に、所定時間、浸漬される。例えば、純水（温水）４０３は、室温（２５度）でもよいし、室温以上の温度でも良く、例えば、ヒータによって８０℃に維持されていてもよい。なお、温度上昇に従って剥離速度が上昇する傾向がある。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６５】
剥離プロセスは、容器４０１において、積極的に、純水４０３の流れを形成してもよい。例えば、剥離プロセスは、純水４０３の流れを、酸化モリブデン膜３０２の４端面のいずれか又は全てに当てる。これにより、溶解レート（剥離レート）を上げることができる。容器４０１に設けられた流入口から純粋を流し込み、流出口から排出することで流れを形成してもよい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６６】
図７は、剥離プロセスの他例を模式的に示す。剥離プロセスは、気体中において、表示パネル積層体３２０における酸化モリブデン膜３０２の端面に、ノズル４０５から噴射された純水４０３を当てる。すなわち、この端面は大気中に配置されている。図６に示す流れのない貯水に浸漬する方法と比較して、溶解レートを上げることができる。剥離プロセスは、純粋を、酸化モリブデン膜３０２の端面の全て又は一部に当てる。なお、ノズル４０５から液体だけではなく気体状の純水を当ててもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００６８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００６８】
酸化モリブデン膜３０２はガラス基板３０１との界面を含む最下層において溶解レートが最も高い。酸化モリブデン膜３０２とガラス基板３０１の界面に水が浸入し、表示パネル３３０を剥離する。そのため、図６及び図７に示すように、剥離後の酸化モリブデン膜３０２の上側層の一部が、バリア膜３０３の底面に残る。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７８】
図９Ｂは、比較例の酸化モリブデン膜５２２の断面構造を模式的に示す。矢印は、ガラス基板５２１の面に平行な方向（面内方向）での溶解レートを示す。比較例の酸化モリブデン膜５２２も、同様に、二層構造を有している。酸化モリブデン膜５２２は、上層の結晶構造層５４１と、下層（ガラス基板側）の剥離層５４２とを有する。剥離層５４２の比率は、実施形態の酸化モリブデン膜５１２よりも大きい。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００９７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００９７】
１０  フレキシブル表示装置、１００  ＴＦＴ基板、１１１  絶縁基板、１１４  カソード電極形成領域、１２５  表示領域、１２６  配線領域、１３１  走査ドライバ、１３２  エミッションドライバ、１３３  保護回路、１５１  フレキシブル絶縁基板、１５２  絶縁膜、１５５  半導体層、１５６  ゲート絶縁膜、１５７  ゲート電極、１５８  層間絶縁膜、１５９  ソース電極、１６０  ドレイン電極、１６１  平坦化膜、１６２  アノード電極、１６３  画素定義層、１６５  有機発光層、１６６  カソード電極、１６８  コンタクト部、２００  封止部、３００  マザー基板、３０１  ガラス基板、３０２  酸化モリブデン膜、３０３  バリア膜、３０４  ポリイミド膜、３０５  バリア膜、３０６  ＯＬＥＤ／ＴＦＴ部、３０７  バリア膜、３２０  表示パネル積層体、４０１  容器、４０３  純水、４０５  ノズル、５０１  実施形態の酸化モリブデン膜のＴＥＭ画像、５０２  比較例の酸化モリブデン膜ＴＥＭ画像、５１１  ガラス基板、５１２  酸化モリブデン膜、５２２  酸化モリブデン膜、５３２  剥離層、５３５  非晶質部分、５３６  間隙、５３７  空孔、５４１  結晶構造層、５４２  剥離層、５４６  間隙
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月9日(2021.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板処理方法であって、
開口、側壁及び底を有する凹状フィーチャを含むパターン化された基板を提供するステップであって、前記側壁は、前記凹状フィーチャの頂部から前記凹状フィーチャの前記底まで延在する方向に対して逆行的なプロファイルのエリアを含む、提供ステップと、
前記基板を金属含有触媒層でコーティングするステップであって、前記基板をＡｌＭｅ３ガスに露出するステップを含む、コーティングステップと、
前記凹状フィーチャの前記開口に近い前記金属含有触媒層の一部を、ハロゲン含有ガスへの露出によって非活性化する、非活性化ステップと、
前記ハロゲン含有ガスによって非活性化されなかった、前記凹状フィーチャ内の前記金属含有触媒層上に材料を選択的に堆積する、選択的堆積ステップと、
を含む方法。
【請求項２】
前記コーティングステップ、前記非活性化ステップ及び前記選択的堆積ステップを少なくとも１回繰り返し、追加の量の前記材料をボイドなしで前記凹状フィーチャ内に堆積するステップをさらに含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記繰り返しは、前記材料が前記凹状フィーチャを完全に充填されるまで実行される、
請求項２に記載の方法。
【請求項４】
前記材料は、ＳｉＯ２を含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記ＳｉＯ２は、任意の酸化及び加水分解剤なしで、かつ、プラズマなしで、前記基板を、約１５０℃の以下の基板温度で、シラノールガスを含むプロセスガスに露出することによって堆積される、
請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記プロセスガスは、シラノールガス及び不活性ガスからなる、
請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記シラノールガスは、トリス（ｔｅｒｔ−ペントキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）シラノール及びビス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（イソプロポキシ）シラノールからなる群から選択される、
請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記ハロゲン含有ガスは、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４、ＴｉＣｌ４、ＨＣｌ、ＨＢｒ又はそれらの組み合わせを含む、
請求項１に記載の方法。
【請求項９】
基板処理方法であって、
開口、側壁及び底を有する凹状フィーチャを含むパターン化された基板を提供するステップであって、前記側壁は、前記凹状フィーチャの頂部から前記凹状フィーチャの前記底まで延在する方向に対して逆行的なプロファイルのエリアを含む、提供ステップと、
前記基板をアルミニウム含有触媒層でコーティングする、コーティングステップと、
前記凹状フィーチャの前記開口に近い前記アルミニウム含有触媒層の一部を、Ｃｌ２を含むハロゲン含有ガスへの露出によって非活性化する、非活性化ステップと、
前記ハロゲン含有ガスによって非活性化されなかった、前記凹状フィーチャ内の前記アルミニウム含有触媒層上に、ある量のＳｉＯ２材料を選択的に堆積する、選択的堆積ステップと、
を含む方法。
【請求項１０】
前記コーティングステップ、前記非活性化ステップ及び前記選択的堆積ステップを少なくとも１回繰り返し、追加の量の前記ＳｉＯ２材料をボイドなしで前記凹状フィーチャ内に堆積するステップをさらに含む、
請求項９に記載の方法。
【請求項１１】
前記繰り返しは、前記ＳｉＯ２材料が前記凹状フィーチャを完全に充填するまで実行される、
請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記ＳｉＯ２材料は、任意の酸化及び加水分解剤なしで、かつ、プラズマなしで、前記基板を、約１５０℃以下の基板温度で、シラノールガスを含むプロセスガスに露出することによって堆積される、
請求項９に記載の方法。
【請求項１３】
前記プロセスガスは、シラノールガス及び不活性ガスからなる、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記シラノールガスは、トリス（ｔｅｒｔ−ペントキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）シラノール及びビス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（イソプロポキシ）シラノールからなる群から選択される、
請求項１２に記載の方法。
【請求項１５】
基板処理方法であって、
開口、側壁及び底を有する凹状フィーチャを含むパターン化された基板を提供するステップであって、前記側壁は、前記凹状フィーチャの頂部から前記凹状フィーチャの前記底まで延在する方向に対して逆行的なプロファイルのエリアを含む、提供ステップと、
前記基板をＡｌＭｅ３含有触媒層でコーティングする、コーティングステップと、
前記凹状フィーチャの前記開口に近い前記ＡｌＭｅ３含有触媒層の一部を、ハロゲン含有ガスへの露出によって非活性化する、非活性化ステップと、
前記ハロゲン含有ガスによって非活性化されなかった、前記凹状フィーチャ内の前記ＡｌＭｅ３含有触媒層上に、ある量のＳｉＯ２材料を選択的に堆積する、選択的堆積ステップと、
前記コーティングステップ、前記非活性化ステップ及び前記選択的堆積ステップを少なくとも１回繰り返し、前記ＳｉＯ２材料が前記凹状フィーチャを完全に充填するまで、追加の量の前記ＳｉＯ２材料を堆積する、堆積ステップと、
を含む方法。
【請求項１６】
前記ＳｉＯ２材料は、任意の酸化及び加水分解剤なしで、かつ、プラズマなしで、前記基板を、約１５０℃以下の基板温度で、シラノールガスを含むプロセスガスに露出することによって堆積され、前記シラノールガスは、トリス（ｔｅｒｔ−ペントキシ）シラノール、トリス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）シラノール及びビス（ｔｅｒｔ−ブトキシ）（イソプロポキシ）シラノールからなる群から選択される、
請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記ハロゲン含有ガスは、Ｃｌ２、ＢＣｌ３、ＣＣｌ４、ＴｉＣｌ４、ＨＣｌ、ＨＢｒ又はそれらの組み合わせを含む。
請求項１５に記載の方法。
【請求項１８】
前記コーティングステップは、前記基板をＡｌＭｅ３ガスに露出するステップを含む、
請求項９記載の方法。
【請求項１９】
前記ＳｉＯ２材料は、任意の酸化及び加水分解剤なしで、かつ、プラズマなしで、前記基板を、約１５０℃以下の基板温度で、シラノールガスを含むプロセスガスに露出することによって堆積される、
請求項１５記載の方法。
【請求項２０】
前記ハロゲン含有ガスはＣｌ２を含む、
請求項１５記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月15日(2021.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に縦方向に交互に積層された絶縁膜及び電極を含む積層構造体と、
前記基板と前記積層構造体との間に介在された水平半導体パターンと、
前記積層構造体を貫通して前記水平半導体パターンに連結される垂直半導体パターンと、
前記積層構造体の一側に提供される共通ソースプラグと、を含み、
前記積層構造体、前記水平半導体パターン、及び前記共通ソースプラグは、第１方向に延在され、
前記水平半導体パターンは、前記第１方向に延在される第１側壁を有し、
前記第１側壁は、前記共通ソースプラグに向かって突出された突出部を有する、
３次元半導体メモリ装置。
【請求項２】
前記垂直半導体パターンのうちの第１垂直半導体パターンは、前記突出部のうちの第１突出部と隣接し、
平面的な観点で、前記第１突出部の第１地点と前記第１垂直半導体パターンの中心との間の距離は、第１長さであり、
平面的な観点で、前記第１突出部の第２地点と前記第１垂直半導体パターンの中心との間の距離は、第２長さであり、
前記第１長さと前記第２長さとは、互いに実質的に同一である、
請求項１に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項３】
前記垂直半導体パターンのうちの第２垂直半導体パターンは、前記第１垂直半導体パターンと隣接し、
前記第１垂直半導体パターンの中心と前記第２垂直半導体パターンの中心との間の距離は、第３長さであり、
前記第３長さは、前記第１長さの２倍より小さい、
請求項２に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項４】
平面的な観点で、前記第１垂直半導体パターンの中心と積層構造体の一側壁との間の最短距離は、第４長さであり、
前記第４長さは、前記第１長さより大きい、
請求項３に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項５】
前記垂直半導体パターンは、第１行及び第２行を構成し、
前記第１行及び前記第２行の各々は、前記第１方向に一列に配列された前記垂直半導体パターンを含み、
前記第１行の前記垂直半導体パターンは、前記突出部と各々隣接する、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項６】
前記第１側壁は、前記突出部の間で定義された陥没部を有し、
前記陥没部は、前記第２行の前記垂直半導体パターンに向かって各々延在される、
請求項５に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項７】
前記水平半導体パターンは、前記第１側壁に対向する第２側壁を有し、
前記第２側壁は、突出部を有する、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項８】
前記水平半導体パターンは、前記第１側壁に対向する第２側壁を有し、
平面的な観点で、前記第２側壁は、前記第１方向に延在される直線形態を有する、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項９】
前記電極と前記垂直半導体パターンとの間にデータ格納要素が構成される、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の３次元半導体メモリ装置。
【請求項１０】
前記水平半導体パターン及び前記垂直半導体パターンは、同一である半導体物質を含む、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の３次元半導体メモリ装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月30日(2021.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の種類の光を受光することで第１電気信号を発生し、第２の種類の光を受光することで第２電気信号を発生する撮像部と、
前記第１電気信号に基づいて第１画像を逐次生成し、前記第２電気信号に基づいて第２画像を逐次生成する画像生成部と、
前記第１画像の明るさを所定の値に一致又は近似させる第１制御パラメータ値を算出し、前記第１制御パラメータ値と所定の比とに基づいて、前記第２画像の明るさに関する第２制御パラメータ値を算出する計算部と、
前記第１制御パラメータ値を用いて明るさが調整された前記第１画像と、前記第２制御パラメータ値を用いて明るさが調整された前記第２画像とを合成し、合成画像を生成する合成部と、
を備えた撮像装置。
【請求項２】
前記所定の比は、特定時相における前記第１制御パラメータ値と前記第２制御パラメータ値の比である、請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第１制御パラメータ値は、前記第１の種類の光の強度、前記第１の種類の光の露光時間、前記第１電気信号に適用するゲイン値のうち少なくとも１つを含み、
前記第２制御パラメータ値は、前記第２の種類の光の強度、前記第２の種類の光の露光時間、前記第２電気信号に適用するゲイン値のうち少なくとも１つを含む、請求項１又は２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記所定の比が決定されたときの、前記第１の種類の光と前記第２の種類の光との強度比を取得する取得部をさらに具備し、
前記計算部は、前記所定の比及び前記強度比に基づいて、前記第２制御パラメータ値を算出する、請求項１から請求項３のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第１の種類の光は可視光であり、前記第２の種類の光は蛍光である、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記所定の比を決定する際に、調整後の前記第２画像に関する条件が許容範囲内となるように、前記所定の比を制御する制御回路をさらに具備する請求項１に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記撮像部は、複数の第２の種類の光を受光し、
前記第１の種類の光と前記複数の第２の種類の光のうちの１つとに関する第１の比を用いて、当該第１の種類の光と他の前記複数の第２の種類の光とに関するそれぞれの比が決定される請求項１に記載の撮像装置。
【請求項８】
コンピュータに、
第１の種類の光を受光することで得られる第１電気信号に基づいて第１画像を逐次生成し、第２の種類の光を受光することで得られる第２電気信号に基づいて第２画像を逐次生成する生成機能と、
前記第１画像の明るさを所定の値に一致又は近似させる第１制御パラメータ値を算出し、前記第１制御パラメータ値と所定の比とに基づいて、前記第２画像の明るさに関する第２制御パラメータ値を算出する算出機能と、
前記第１制御パラメータ値を用いて明るさが調整された前記第１画像と、前記第２制御パラメータ値を用いて明るさが調整された前記第２画像とを合成し、合成画像を生成する生成機能と、
を実現させるための撮像プログラム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月7日(2021.6.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記条件のガスクロマトグラフィー分析において、
１，３−ブチレングリコールのピークの面積率が９９．５％以上であり、
１，３−ブチレングリコールのピークの相対保持時間を１．０としたとき、
相対保持時間が１．６〜１．８の範囲に現れるピークの面積率が０ｐｐｍを超え、１０００ｐｐｍ以下であり、
前記の相対保持時間が１．６〜１．８の範囲に現れるピークに該当する成分として、アセトアルデヒドの三量体の水素化物を含む、１，３−ブチレングリコール製品。
（ガスクロマトグラフィー分析の条件）
分析カラム：固定相がジメチルポリシロキサンであるカラム（膜厚１．０μｍ×長さ３０ｍ×内径０．２５ｍｍ）
昇温条件：５℃／分で８０℃から１２０℃まで昇温した後、２℃／分で１６０℃まで昇温し２分保持する。さらに、１０℃／分で２３０℃まで昇温し、２３０℃で１８分保持する。
試料導入温度：２５０℃
キャリアガス：ヘリウム
カラムのガス流量：１ｍＬ／分
検出器及び検出温度：水素炎イオン化検出器（ＦＩＤ）、２８０℃
【請求項２】
さらに、相対保持時間が２．３〜２．４の範囲に現れるピークの面積率が１０００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の１，３−ブチレングリコール製品。
【請求項３】
さらに、相対保持時間が１．３５〜１．４５の範囲に現れるピークの面積率が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の１，３−ブチレングリコール製品。
【請求項４】
さらに、相対保持時間が１．３５〜１．４５の範囲に現れるピークの面積率が１００ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の１，３−ブチレングリコール製品。
【請求項５】
さらに、相対保持時間が１．３５〜１．４５の範囲に現れるピークの面積率が２０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１に記載の１，３−ブチレングリコール製品。
【請求項６】
さらに、相対保持時間が１．３５〜１．４５の範囲に現れるピークの面積率が２０ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項２に記載の１，３−ブチレングリコール製品。
【請求項７】
空気雰囲気下、１８０℃で３時間保持した後のＡＰＨＡが６０以下である請求項１〜６の何れか１項に記載の１，３−ブチレングリコール製品。
【請求項８】
空気雰囲気下、１８０℃で３時間保持した後のＡＰＨＡが４０以下である請求項１〜６の何れか１項に記載の１，３−ブチレングリコール製品。
【請求項９】
９０重量％水溶液を１００℃で１週間保持した後の酸濃度（酢酸換算）が０．００２重量％以下である請求項１〜８の何れか１項に記載の１，３−ブチレングリコール製品。
【請求項１０】
１，３−ブチレングリコール製品における１，３−ブチレングリコールが、アセトアルドール、パラアルドール、及びアルドキサンからなる群より選択される少なくとも１つの化合物の還元体である請求項１〜９の何れか１項に記載の１，３−ブチレングリコール製品。
【請求項１１】
請求項１〜１０の何れか１項に記載の１，３−ブチレングリコール製品を含む保湿剤。
【請求項１２】
請求項１１に記載の保湿剤を含む化粧料。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月31日(2021.8.31)
【手続補正０１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】  以下、本発明の実施形態を図面を参照して説明する。図１は本発明のローラ式マッサージ装置（以下、単にマッサージ装置という）の一実施形態を示す一部を破断した平面図、図２は断面図、図３はマッサージローラの断面図である。
【手続補正０２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】  制御装置６は、各種制御を指示する操作表示部６１を備えると共に、入力情報に対して所定の演算・論理判断処理等の処理を行い、各部の動作を制御する制御回路を備える。制御装置６では、その操作表示部６１の各種スイッチ（６ａ〜６ｃ、６ｅ、６ｆ）からの信号を受信し、処理し、駆動装置５を運転し、運転条件を表示画面（６ｄ、６ｇ）に表示および点灯、消灯する信号を出力する。又、リモートコントローラを備える場合には、リモートコントローラからの信号を受信するリモコン受信部が制御装置に設けられる。［手続補正０２］
【手続補正０３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】  このマッサージ装置を敷寝具Ｍ上に置き、目覚ましスイッチ６ｂを押して運転開始時間を設定する。目覚ましスイッチ６ｂを１回押したままであれば、前回の目覚まし時間がそのまま記憶されており、スイッチを押したときからその開始時間が経過したときに、マッサージ装置が運転を開始する。もし、目覚まし時間を前回運転開始したときと変更するときは、ＵＰスイッチ６ｅまたはＤＯＷＮスイッチ６ｆを押すことで、目覚まし時間の設定を変更する。また、運転時間については、前回設定した運転時間がそのまま残っている。もし、前回設定した運転時間を変更するときは、運転時間設定スイッチ６ｃを押した後、ＵＰスイッチ６ｅまたはＤＯＷＮスイッチ６ｆを押すことで、運転時間の設定を変更する。
【手続補正書】
【提出日】令和3年10月13日(2021.10.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャック端面に設置される切粉・粉塵防止カバーであって、
放射状に配置されたマスタージョーの前記チャック端面の中心側の所定領域を覆う板面部と、
前記板面部から、前記マスタージョーの前記チャック端面の前記中心側とは反対側の外側まで、前記マスタージョーの両側において、前記マスタージョーの側面に沿って配置されるマスタージョー側部側延伸部と、
前記マスタージョーと当該マスタージョーに設置され当該マスタージョーと一体化された部材とを含むマスタージョー等移動部材に対して、当該マスタージョー等移動部材の前記中心側の端部に密接する密接部と、
前記マスタージョーの前記外側の面に係止し、前記マスタージョー等移動部材の前記チャック端面の径方向の所定の移動に対して、前記密接した状態を維持して当該切粉・粉塵防止カバーを追従させる係止部と
を有することを特徴とする切粉・粉塵防止カバー。
【請求項２】
前記マスタージョー側部側延伸部に形成され、前記マスタージョーのセレーション面に気流を噴出するエアー噴出口と、
所定の箇所から供給される気流を前記エアー噴出口に供給する切粉・粉塵防止カバー空気溝と
をさらに有することを特徴とする請求項１に記載の切粉・粉塵防止カバー。
【請求項３】
前記板面部は、前記マスタージョーの前記チャック端面の中心側の、当該マスタージョーの下面の両側に嵌合する２箇所の嵌合部と、２箇所の前記嵌合部の間に配置され、前記チャック端面の前記中心側とは反対側に突出した凸部とを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の切粉・粉塵防止カバー。
【請求項４】
前記板面部が覆う前記所定領域は、前記マスタージョーの径方向内側の端面とチャック中心部のチャックカバーとの間の間隙を含む前記チャック端面に生じた隙間であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の切粉・粉塵防止カバー。
【請求項５】
チャック端面に設置されるチャック端面プレートであって、
請求項１〜４のいずれかに記載の切粉・粉塵防止カバーを、前記チャック端面の径方向に移動自在に装着可能な切粉・粉塵防止カバー設置案内部を有することを特徴とするチャック端面プレート。
【請求項６】
チャック本体に設置されたパイプを介して供給される気流を、前記切粉・粉塵防止カバーの前記切粉・粉塵防止カバー空気溝に供給するトッププレート空気溝をさらに有することを特徴とする請求項５に記載チャック端面プレート。
【請求項７】
所定の数の請求項１〜４のいずれかに記載の切粉・粉塵防止カバー、及び
チャック端面に設置されるチャック端面プレートであって、前記切粉・粉塵防止カバーを、前記チャック端面の径方向に移動自在に装着可能な切粉・粉塵防止カバー設置案内部が前記所定の数形成されたチャック端面プレート、
を有することを特徴とする切粉・粉塵防止カバーセット。
【請求項８】
前記チャック端面プレートは、チャック本体に設置されたパイプを介して供給される気流を、前記切粉・粉塵防止カバーの前記切粉・粉塵防止カバー空気溝に供給するトッププレート空気溝をさらに有することを特徴とする請求項７に記載の切粉・粉塵防止カバーセット。
【請求項９】
請求項１〜４のいずれかに記載の切粉・粉塵防止カバー、又は、請求項５又は６に記載のチャック端面プレートを有するチャック機構。
【請求項１０】
請求項９に記載のチャック機構を有する工作機械。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
トップカバー６６０は、図１３（Ａ）に示すように、略矩形の平面形状を有するマスタージョー先端側被覆部６６１と、マスタージョー先端側被覆部６６１の両側から延在するマスタージョー側部側延伸部６６５とを有する板状部在である。トップカバー６６０は、マスタージョー先端側被覆部６６１側を内径側にしてトッププレート３１０のトップカバー案内凹部３３０に各々嵌入され、トップカバー案内凹部３３０に案内されてチャック本体１１０の端面１１２を径方向に移動する。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月11日(2021.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサを備えるコンピュータにより実行されるゲームプログラムであって、
前記プロセッサに、
異なるオブジェクトに変化させるオブジェクトを選択するための第１の入力を受け付けるステップと、
前記選択されたオブジェクトを変化後オブジェクトに変化させるまでに複数の変化段階が設けられている場合、前記選択されたオブジェクトを一段階変化させる順次変化処理と、前記選択されたオブジェクトを前記変化後オブジェクトに一括で変化させる一括変化処理とのいずれの変化方法で変化させるかを選択するための第２の入力を受け付けるステップと、
前記順次変化処理が選択された場合に、前記順次変化処理に必要な代価である第１の代価を表示部に表示するステップと、
前記一括変化処理が選択された場合に、前記一括変化処理に必要な代価である第２の代価を前記表示部に表示するステップと、を実行させ、
表示される前記第２の代価と、前記順次変化処理を複数回施すことによって前記選択されたオブジェクトを前記変化後オブジェクトに変化させるために必要なすべての表示される前記第１の代価とは異なる、ゲームプログラム。
【請求項２】
前記第２の代価は、前記一括変化処理に用いられる素材アイテムであり、
前記第２の代価を表示するステップにおいて、表示される前記第２の代価である素材アイテムのうち、前記第２の入力を実行したユーザが所持する素材アイテムと、前記ユーザが所持しない素材アイテムと、を異なる表示態様で前記表示部に表示する、
請求項１に記載のゲームプログラム。
【請求項３】
前記第２の代価を表示するステップにおいて、前記第２の入力を実行したユーザが、前記一括変化処理に必要な前記第２の代価である素材アイテムのうち少なくとも一部を所持していない場合に、前記第２の代価を前記表示部に表示する、
請求項２に記載のゲームプログラム。
【請求項４】
前記第１の代価は、前記順次変化処理に用いられる素材アイテムであり、
前記第１の代価を表示するステップにおいて、表示される前記第１の代価である素材アイテムのうち、前記第２の入力を実行したユーザが所持する素材アイテムと、前記ユーザが所持しない素材アイテムと、を異なる表示態様で前記表示部に表示する、
請求項１から請求項３に記載のゲームプログラム。
【請求項５】
前記第１の代価を表示するステップにおいて、前記第２の入力を実行したユーザが、前記順次変化処理に必要な前記第１の代価である素材アイテムのうち少なくとも一部を所持していない場合に、前記第１の代価を前記表示部に表示する、
請求項４に記載のゲームプログラム。
【請求項６】
前記第２の代価及び前記第１の代価は、前記一括変化処理及び前記順次変化処理に用いられる素材アイテムであって、
前記一括変化処理に必要な前記素材アイテムの数は、前記順次変化処理を複数回施すことによって前記選択されたオブジェクトを前記変化後オブジェクトに変化させるために必要なすべての前記素材アイテムの数よりも少ない、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載のゲームプログラム。
【請求項７】
前記順次変化処理を複数回施して前記変化後オブジェクトに変化させるために必要なすべての前記第１の代価が異なる２以上の前記選択されたオブジェクトについて、前記一括変化処理に必要な前記第２の代価は等しい、請求項１から請求項６のいずれか一項に記載のゲームプログラム。
【請求項８】
前記コンピュータは、
前記変化後オブジェクト又は前記選択されたオブジェクトの１又は複数のパラメータが記憶されたパラメータ記憶部と、
前記パラメータ記憶部に記憶された少なくとも１つの前記パラメータに関連付けて前記一括変化処理に必要な前記第２の代価の情報が記憶された代価記憶部と、
に通信可能に接続されており、
前記一括変化処理が選択された場合に、前記プロセッサに、
前記変化後オブジェクト又は前記選択されたオブジェクトの前記少なくとも１つのパラメータを前記パラメータ記憶部から取得するステップと、
前記代価記憶部から、前記取得したパラメータに関連付けられた前記第２の代価の情報を取得するステップと、を実行させる、請求項１から請求項７のいずれか一項に記載のゲームプログラム。
【請求項９】
前記パラメータのうち少なくとも一つは、希少度であり、
前記代価記憶部に記憶された前記第２の代価の情報は、前記希少度が高いほど前記代価が高くなるようになっている、請求項８に記載のゲームプログラム。
【請求項１０】
プロセッサを備える情報処理装置であって、
前記プロセッサは、
異なるオブジェクトに変化させるオブジェクトを選択するための第１の入力を受け付け、
前記選択されたオブジェクトを変化後オブジェクトに変化させるまでに複数の変化段階が設けられている場合、前記選択されたオブジェクトを一段階変化させる順次変化処理と、前記選択されたオブジェクトを前記変化後オブジェクトに一括で変化させる一括変化処理とのいずれの変化方法で変化させるかを選択するための第２の入力を受け付け、
前記順次変化処理が選択された場合に、前記順次変化処理に必要な代価である第１の代価を表示部に表示し、
前記一括変化処理が選択された場合に、前記一括変化処理に必要な代価である第２の代価を前記表示部に表示し、
表示される前記第２の代価と、前記順次変化処理を複数回施すことによって前記選択されたオブジェクトを前記変化後オブジェクトに変化させるために必要なすべての表示される前記第１の代価とは異なる、情報処理装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月27日(2021.9.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明のストレッチャー等におけるボトム機構は、背ボトムと脚ボトムを連結アームで連結することで、仰臥位姿勢から背ボトムの上方回動と連動して脚ボトムが下方回動することで座位姿勢に姿勢変更可能である。この時、脚ボトムを四節リンク構成にしてその一辺が連結アームによって後方回動するように構成することによって、姿勢変更に合わせて脚ボトムが短くなり床と接触すること無く座位姿勢に姿勢変更することができる。つまり、背ボトムの上方回動に連動して脚ボトムが床から離間する方向に短くなるため、座位姿勢時に床から一定以上離したり、介助者が脚ボトムの構成部材を調整したりする必要が無いため、簡単に操作することができる。また、座位姿勢でも仰臥位姿勢と同範囲にボトムを最高位から最低位まで自由に昇降することができるため、最低位までボトムを下げていればどの姿勢でも背の低い利用者が安全に乗り降りすることができる。また、座位姿勢時に脚ボトムをしっかりと引き込むことで利用者の足が床に近くなりしっかりと着地することができるため安全に乗り降りすることができる。また、脚部に偏荷重が加わった場合でもストレッチャー本体が浮き上がったりする心配がなく安全に使用することができる。
そして、背ボトム上と背ボトム下の２分割構成にした背ボトムが、背ボトム下の回動に合わせて背ボトム上が摺動しながら追従することで、利用者の背のズレや不快感を軽減することができる。
そして、背ボトムの一端に軸支したカムローラーを腰ボトムの一端に突設したカムプレートのへ字状のカム溝を転動可能に構成したことにより、背ボトムを上方回動して仰臥位姿勢から座位姿勢に姿勢変更する途中（長座位姿勢）には腰ボトムの脚側先端が上方回動することで利用者の前滑りを防止し、途中（長座位姿勢）から座位姿勢になるにつれて腰ボトムの脚側先端が倒伏することで利用者の腹部の圧迫を軽減することで、仰臥位姿勢から座位姿勢に姿勢変更する過程で利用者が不快感を感じることなく姿勢変更することができる。
また、連結アーム先端を螺子による調整式にしたことにより、各部品製作時に発生する加工誤差（ばらつき）を吸収することができるだけでなく、利用者の身体状況に合わせて脚ボトムの姿勢を任意に調整することができる。特に、脚ボトムを９０度以上引き込むことによって、座位姿勢時に脚側から降りる際に利用者の踵（かかと）が身体に近い位置で床と接地することができるため立位を取りやすくすることができる。
さらに、昇降機構に平行リンクを採用し、円弧運動して昇降可能にしたことによって、最低位では脚ボトムが車体フレームより前方に移動した状態で座位姿勢に姿勢変更するためより最低位を低くすることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月6日(2021.5.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
走行ルートを微小な区間ｎの集合とみなし、これらの微小な区間を単位区間とする。単位区間の移動に必要な電力を、水平方向の移動に必要な電力Ph（n）と垂直方向の移動に必要な電力Pv（n）に分けると、走行に必要な総電力Pnは以下となる。
目的地
Pn = Σ（Ph(n）+ Pv(n)）
出発地
また、水平方向移動の単位区間の平均電費をC(n)、距離をL(n)とするば水平方向の移動に必要な単位区間毎の電力は以下となる。
Ph(n) = L(n)/C(n)
また、垂直方向の移動に必要な電力は以下で求める事が出来る。
P(v) = K(n)*m(n)*g*h(n)
ここで、Kは区間が登坂ならK(n)=+1、下坂ではKは回生係数を表しK(n)は負となる。また、gは重力加速度 9.81m/S2である。以上により、走行に必要な総電力Pnを求める事が出来る。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
適切な配分の仕方として、二次電池のSOC(State Of Charge)が下限値に達したら発電を開始し、上限値に達したら発電機を停止する。基本的には下限値は二次電池の充電に必要な最低値（例として10%）であり、上限値は許容される充電状態の最高値（例として90%）である。基本的な走行計画ではSOC値は二次電池の最小値と最高値を往復するように設定されているが、走行先に急な長い登坂が存在する場合は大きな電力量が必要となるので、下限値になる直前に発動機を駆動して充電を開始する。また、走行先に急な長い下坂があり、大きな回生電力が見込める場合は、充電器の充電可能な上限に達する前に発電機を停止して回生電力を無駄なく回収出来るように制御を行う。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月21日(2021.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
円柱状の金属部材を準備し、前記円柱状の金属部材の一次加工品を形成する一次加工工程と、
前記一次加工品を打ち抜いて二次加工品を形成する二次加工工程と、を有するアイレットの製造方法であって、
前記一次加工工程では、前記一次加工品は、板状部と、前記板状部の一方の面の周辺部を除く領域から突起し、外周面がせん断面である円柱部と、を有する形状に形成され、
前記二次加工工程では、載置面から厚さ方向に孔が形成された下金型を準備し、前記円柱部が前記孔に挿入され前記周辺部が前記載置面に接して支持された状態とし、前記孔より小径の上金型で前記円柱部の全部及び前記板状部の一部を前記板状部側から打ち抜くことを特徴とするアイレットの製造方法。
【請求項２】
前記二次加工工程では、前記円柱部の外周面と、前記孔の内周面との間に隙間が形成された状態で、前記一次加工品が前記下金型に支持されることを特徴とする請求項１に記載のアイレットの製造方法。
【請求項３】
前記二次加工品は、前記円柱部の全部と前記板状部の一部から形成される基体と、前記基体の外周面の一端側から外側に環状に突起する段差部と、を有し、
前記段差部が形成されている領域を除く前記基体の外周面はせん断面であり、前記段差部の外周面は破断面であることを特徴とする請求項１又は２に記載のアイレットの製造方法。
【請求項４】
前記一次加工工程と前記二次加工工程との間に、前記板状部の前記周辺部の外周側を薄化する工程を有し、
前記二次加工工程では、載置面から厚さ方向に孔が形成された下金型を準備し、前記円柱部が前記孔に挿入され前記周辺部の内周側が前記載置面に接して支持され前記周辺部の外周側が前記載置面と離間した状態とし、前記孔より小径の上金型で前記円柱部の全部及び前記板状部の一部を前記板状部側から打ち抜くことを特徴とする請求項１乃至３の何れか一項に記載のアイレットの製造方法。
【請求項５】
前記二次加工工程では、前記周辺部の内周側がシェービングされると共に、前記円柱部の全部及び前記板状部の一部が切り離されることを特徴とする請求項４に記載のアイレットの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本アイレットの製造方法は、円柱状の金属部材を準備し、前記円柱状の金属部材の一次加工品を形成する一次加工工程と、前記一次加工品を打ち抜いて二次加工品を形成する二次加工工程と、を有するアイレットの製造方法であって、前記一次加工工程では、前記一次加工品は、板状部と、前記板状部の一方の面の周辺部を除く領域から突起し、外周面がせん断面である円柱部と、を有する形状に形成され、前記二次加工工程では、載置面から厚さ方向に孔が形成された下金型を準備し、前記円柱部が前記孔に挿入され前記周辺部が前記載置面に接して支持された状態とし、前記孔より小径の上金型で前記円柱部の全部及び前記板状部の一部を前記板状部側から打ち抜くことを要件とする。