【手続補正書】
【提出日】令和3年6月10日(2021.6.10)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の画素を有する表示部を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子と接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、配線と接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを有し、
前記第２のトランジスタのゲートの上方に、絶縁層が設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記絶縁層の上方に設けられる、表示装置。
【請求項２】
複数の画素を有する表示部を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子と接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、配線と接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを有し、
前記第２のトランジスタのゲート上に、酸化珪素を有する第１の絶縁層が接して設けられ、
前記第１の絶縁層の上方に、窒化珪素を有する第２の絶縁層が設けられ、
前記第２の絶縁層の上方に、酸化珪素を有する第３の絶縁層が設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記第３の絶縁層上に接する、表示装置。
【請求項３】
複数の画素を有する表示部を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子と接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、配線と接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域の上方と下方とにゲート電極を有し、
前記第２のトランジスタの上方に、絶縁層が設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記絶縁層の上方に設けられる、表示装置。
【請求項４】
複数の画素を有する表示部を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子と接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、配線と接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域にシリコンを有する半導体層を有し、
前記第２のトランジスタのゲートの上方に、第１の絶縁層が設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記第１の絶縁層の上方に設けられ、
前記発光素子は、第１の導電層、前記第１の導電層上方の有機物を有する層、及び前記有機物を有する層上方の第２の導電層を有し、
前記第１の導電層の上方に、第２の絶縁層が設けられ、
前記有機物を有する層は、前記第２の絶縁層の上方に設けられ、
前記有機物を有する層は、前記酸化物半導体層及び前記シリコンを有する半導体層と重なる、表示装置。
【請求項５】
複数の画素を有する表示部を有し、
前記複数の画素のそれぞれは、発光素子と、第１のトランジスタと、第２のトランジスタと、第３のトランジスタと、容量素子と、を有し、
前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第２のトランジスタのゲートと接続され、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記第３のトランジスタのゲートと接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子と接続され、
前記第３のトランジスタのソース又はドレインの他方は、配線と接続され、
前記容量素子の第１の端子は、前記第１のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、
前記容量素子の第２の端子は、前記第３のトランジスタのソース又はドレインの一方と接続され、
前記第１のトランジスタは、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有し、
前記第２のトランジスタは、チャネル形成領域に単結晶シリコンを有し、
前記第２のトランジスタのゲートの上方に、絶縁層が設けられ、
前記酸化物半導体層は、前記絶縁層の上方に設けられる、表示装置。
【請求項６】
請求項１乃至５のいずれか一において、
前記酸化物半導体層は、インジウム、ガリウム、及び亜鉛を有する、表示装置。
【請求項７】
請求項１乃至６のいずれか一において、
前記表示装置は、ゲート線側駆動回路をさらに有し、
前記ゲート線側駆動回路は、同一の極性の複数のトランジスタにより形成された回路を有し、
前記複数のトランジスタのそれぞれは、チャネル形成領域にシリコンを有する、表示装置。
【請求項８】
請求項１、３、５のいずれか一において、
前記絶縁層は、窒化珪素を有する、表示装置。
【請求項９】
請求項４において、
前記第１の絶縁層は、窒化珪素を有する、表示装置。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか一において、
前記第１のトランジスタのゲートは、前記酸化物半導体層の上方に設けられ、かつ、モリブデンとチタンを有する、表示装置。
【請求項１１】
請求項１乃至１０のいずれか一において、
前記酸化物半導体層の膜厚は、３ｎｍ以上５０ｎｍ以下である、表示装置。
【請求項１２】
請求項１乃至１１のいずれか一において、
前記第２のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記発光素子と電気的に接続される、表示装置。