【手続補正書】
【提出日】令和3年5月28日(2021.5.28)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下式（Ｉ）：
【化１】
2018203733.tif 000001
［式中、
Ｒ１は、Ｃ１−６アルキル基を；
Ｒ２は、水素原子またはハロゲン原子を；
Ｒ３は、水素原子またはハロゲン化されていてもよいＣ１−６アルキル基を；
ＰＧは、保護基を示す。］
で表される化合物またはその塩を不斉還元反応に付すことを特徴とする、下式（ＩＩ）：
【化２】
2018203733.tif 000002
［式中、＊が付された炭素原子は不斉炭素原子を示し、その他の記号は前記と同義を示す。］
で表される化合物の光学活性体またはその塩の製造法であって、
当該不斉還元反応が、遷移金属錯体および還元剤の存在下の還元反応であり、かつ
ＰＧが、下式（ＶＩ）または（ＶＩ−１）：
【化３】
2018203733.tif 000003
［式中、
Ａｒｌは、水素原子、またはＣ１−６アルコキシで置換されていてもよいＣ６−１４アリール基を；
Ａｒ２は、Ｃ１−６アルコキシで置換されていてもよいＣ６−１４アリール基を；
Ｒ７は、Ｃ１−６アルコキシで置換されていてもよいＣ６−１４アリール基、またはＣ１−６アルコキシ基を示す。］
で表される、製造法。
【請求項２】
下式（Ｉ）；
【化４】
2018203733.tif 000004
［式中、
Ｒ１は、Ｃ１−６アルキル基を；
Ｒ２は、水素原子またはハロゲン原子を；
Ｒ３は、水素原子またはハロゲン化されていてもよいＣ１−６アルキル基を；
ＰＧは、下式（ＶＩ）または（ＶＩ−１）：
【化５】
2018203733.tif 000005
［式中、
Ａｒｌは、水素原子、またはＣ１−６アルコキシで置換されていてもよいＣ６−１４アリール基を；
Ａｒ２は、Ｃ１−６アルコキシで置換されていてもよいＣ６−１４アリール基を；
Ｒ７は、Ｃ１−６アルコキシで置換されていてもよいＣ６−１４アリール基、またはＣ１−６アルコキシ基を示す。］
で表される保護基を示す。］
で表される化合物またはその塩を不斉還元反応に付して、下式（ＩＩ）；
【化６】
2018203733.tif 000006
［式中、＊が付された炭素原子は不斉炭素原子を示し、その他の記号は前記と同義を示す。］
で表される化合物の光学活性体またはその塩を得る工程を含む、下式（Ｖ）：
【化７】
2018203733.tif 000007
［式中、Ｒ４およびＲ５は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよい複素環基、アシル基、置換されていてもよいアミノ基、置換されていてもよいカルバモイル基、置換されていてもよいチオカルバモイル基、置換されていてもよいスルファモイル基、ヒドロキシ基、スルファニル（ＳＨ）基、またはシリル基を示し、その他の記号は前記と同義を示す。］
で表される化合物の光学活性体またはその塩の製造法であって、
当該不斉還元反応が、遷移金属錯体および還元剤の存在下の還元反応であり、
当該方法は、式（ＩＩ）で表される化合物の光学活性体を脱保護反応に付す工程、および
得られた下式（ＩＩＩ）；
【化８】
2018203733.tif 000008
［式中の各記号は前記と同義を示す。］
で表される化合物の光学活性体またはその塩を、下式（ＩＶ）；
【化９】
2018203733.tif 000009
［式中、
Ｘは、脱離基を；
Ｒ４およびＲ５は、各々独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよい複素環基、アシル基、置換されていてもよいアミノ基、置換されていてもよいカルバモイル基、置換されていてもよいチオカルバモイル基、置換されていてもよいスルファモイル基、ヒドロキシ基、スルファニル（ＳＨ）基、またはシリル基を示す。］
で表される化合物またはその塩と反応させる工程をさらに含む、製造法。
【請求項３】
式（ＩＩＩ）で表される化合物の光学活性体またはその塩が、式（ＩＩＩ）で表される化合物の光学活性体とマンデル酸との塩である、請求項２に記載の製造法。
【請求項４】
Ｘがヒドロキシ基である、請求項２に記載の製造法。
【請求項５】
遷移金属錯体がイリジウム錯体である、請求項１に記載の製造法。
【請求項６】
ＰＧが、下式（ＶＩ）：
【化１０】
2018203733.tif 000010
［式中、
Ａｒｌは、水素原子、またはＣ１−６アルコキシで置換されていてもよいフェニル基を；
Ａｒ２は、Ｃ１−６アルコキシで置換されていてもよいフェニル基を示す。］
で表される、請求項１に記載の製造法。
【請求項７】
ＡｒｌおよびＡｒ２が、各々無置換のフェニル基である、請求項６に記載の製造法。
【請求項８】
下式（ＶＩＩ）：
【化１１】
2018203733.tif 000011
［式中、Ａｒ３およびＡｒ４は、各々独立して、無置換のＣ６−１４アリール基、またはＣ１−６アルコキシで置換されたＣ６−１４アリール基を示す。］
で表される化合物またはその塩。
【請求項９】
下式（ＶＩＩＩ）：
【化１２】
2018203733.tif 000012
［式中、
Ａｒ５およびＡｒ６は、各々独立して、無置換のＣ６−１４アリール基、またはＣ１−６アルコキシで置換されたＣ６−１４アリール基を示し、
＊が付された炭素原子は不斉炭素原子を示す。］
で表される化合物の光学活性体またはその塩。
【請求項１０】
イリジウム錯体が、［ＩｒＣｌ（Ｌ）］２、［ＩｒＢｒ（Ｌ）］２、［ＩｒＩ（Ｌ）］２、［ＩｒＣｐ＊（Ｌ）］２、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＳｂＦ６、［Ｉｒ（ｃｏｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］Ｂ｛３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３｝４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＯＴｆ、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＦ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＣｌＯ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＰＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＳｂＦ６、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］ＢＰｈ４、［Ｉｒ（ｎｂｄ）（Ｌ）］Ｂ｛３，５−（ＣＦ３）２Ｃ６Ｈ３｝４、または［Ｉｒ（π−ａｌｌｙｌ）（Ｌ）（（Ｃ，Ｏ）−置換−ｂｅｎｚｏａｔｅ）］
［式中、Ｌは、ジホスフィン配位子、ＰＮ配位子または２個のホスフィン配位子を示す。］
である、請求項５に記載の製造法。
【請求項１１】
イリジウム錯体が、
（３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル）ジメチルアミン（ＭｏｎｏＰｈｏｓ）；
（３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル）ベンジル（メチル）アミン；
（３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル）−（１−フェニルエチル）アミン；
（３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル）ビス（１−フェニルエチル）アミン；
（３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル）−２，５−ジフェニルピロリジン；
（３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル）モルホリン（Ｍｏｒｆｐｈｏｓ）；および
（３，５−ジオキサ−４−ホスファシクロヘプタ［２，１−ａ；３，４−ａ’］ジナフタレン−４−イル）ピペリジン（ＰｉｐＰｈｏｓ）
から選ばれる配位子を含む、請求項５に記載の製造法。
【請求項１２】
不斉還元反応が、［Ｉｒ（ｃｏｄ）２］ＢＡＲＦおよび（Ｓ）−Ｍｏｎｏｐｈｏｓの存在下の不斉水素化反応である、請求項１に記載の製造法。
【請求項１３】
Ｒ１がメチルであり、Ｒ２がＣｌであり、かつＲ３が−ＣＦ３である、請求項１に記載の製造法。
【請求項１４】
式（Ｉ）で表される化合物が、式（ＶＩＩ）：
【化１３】
2018203733.tif 000013
［式中、Ａｒ３およびＡｒ４が、各々独立して、Ｃ１−６アルコキシで置換されていてもよいフェニル基を示す。］
で表される化合物であり、かつ式（ＩＩ）で表される化合物が、式（ＶＩＩＩ）：
【化１４】
2018203733.tif 000014
［式中、
Ａｒ５およびＡｒ６が、各々独立して、Ｃ１−６アルコキシで置換されていてもよいフェニル基を示し、
＊が付された炭素原子は不斉炭素原子を示す。］
で表される化合物である、請求項１に記載の製造法。
【請求項１５】
還元剤が水素ガスである、請求項１に記載の製造法。
【請求項１６】
Ｒ４が、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、置換されていてもよい炭化水素基、アシル基、またはヒドロキシ基であり；かつ
Ｒ５が、水素原子、置換されていてもよい炭化水素基、置換されていてもよい複素環基、アシル基、置換されていてもよいアミノ基、置換されていてもよいカルバモイル基、ヒドロキシ基、またはスルファニル（ＳＨ）基である、
請求項２に記載の製造法。
【請求項１７】
Ｒ４がＣｌであり、かつＲ５が−ＮＨ２である、請求項２に記載の製造法。
【請求項１８】
Ａｒ３およびＡｒ４が、各々フェニルである、請求項８に記載の化合物。
【請求項１９】
Ａｒ５およびＡｒ６が、各々フェニルである、請求項９に記載の化合物の光学活性体。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１８９】
「遷移金属錯体」は、反応系に、「配位子」および遷移金属源となる他の錯体を添加することにより調製することもできる。「遷移金属錯体」は、それ自体を反応容器に加えてもよいが、前記「遷移金属源」および「配位子」を容器に添加して調製してもよい。「遷移金属源」および「配位子」を反応容器に添加して「遷移金属錯体」を調製する場合には、「遷移金属錯体」を構成するのに必要な理論量に対して１〜１００倍のモルの「配位子」を添加する。好ましくは１〜５倍、さらに好ましくは１．０１〜２．０２倍用いる。
「遷移金属錯体」の使用量は、反応容器、反応の形式などによっても異なるが、基質である化合物（Ａ−ｃ）またはその塩１モルに対して、例えば、約１．０〜約０．００００１モルである。