(57)【要約】【課題】本発明は、リソグラフィ原版への超音波振動によるダメージを抑制し、パターン側表面を良好に洗浄することが可能なリソグラフィ原版の洗浄方法等を提供することを課題とする。【解決手段】本発明は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、上記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、上記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して上記リソグラフィ原版の上記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および上記超音波振動付与工程と同時に行われ、上記リソグラフィ原版の下方から上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程を備える物理的洗浄工程を有することを特徴とするリソグラフィ原版の洗浄方法を提供することにより、上記課題を解決する。【選択図】図１
2014124603.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板および前記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、前記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、
前記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して前記リソグラフィ原版の前記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および
前記超音波振動付与工程と同時に行われ、前記リソグラフィ原版の下方から前記リソグラフィ原版の前記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程
を備える物理的洗浄工程
を有することを特徴とするリソグラフィ原版の洗浄方法。
【請求項２】
前記洗浄液供給工程では、前記リソグラフィ原版の前記パターン側表面に前記洗浄液を吹き付けることにより、前記洗浄液を供給することを特徴とする請求項１に記載のリソグラフィ原版の洗浄方法。
【請求項３】
基板および前記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、前記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、
前記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して前記リソグラフィ原版の前記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および
前記超音波振動付与工程と同時に行われ、前記リソグラフィ原版の下方から前記リソグラフィ原版の前記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程
を備える物理的洗浄工程
を有するリソグラフィ原版の洗浄方法を行うことにより、リソグラフィ原版を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とするリソグラフィ原版の製造方法。
【請求項４】
基板および前記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を保持する保持部と、
前記保持部の上方に配置され、前記保持部側に超音波振動を付与する超音波振動付与部と、
前記リソグラフィ原版および前記超音波振動付与部の間に伝播液層用液を供給して伝播液層を形成する伝播液層用液供給部と、
前記保持部の下方に配置され、前記保持部側に洗浄液を吹き付けることにより洗浄液を供給する洗浄液供給部と、
を有することを特徴とするリソグラフィ原版用洗浄装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、リソグラフィ原版のパターンへのダメージが少なく、パターン側表面に付着した異物を除去することが可能なリソグラフィ原版の洗浄方法、これを用いたリソグラフィ原版の製造方法、およびこれを実施するためのリソグラフィ原版用洗浄装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置、プリント基板、印刷版、液晶表示装置、プラズマディスプレイ等の微細パターンが形成された構造体の製造工程においては、上記微細パターンを形成するパターン形成方法としてフォトリソグラフィ法や、ナノインプリント法等が広く用いられている。このようなパターン形成方法に用いられるフォトマスク、ナノインプリントテンプレート等のリソグラフィ原版は、そのパターン側表面に有機物、金属、塵、埃等の異物が付着している場合、これを用いて製造される微細パターンの寸法、形状等を精度高く製造することが困難となる場合が多い。そのため、リソグラフィ原版のパターン側表面に付着している異物を除去する洗浄工程は、上述した半導体装置等の製造方法において重要な工程の一つである。
【０００３】
上記リソグラフィ原版の洗浄方法としては、従来から、浸漬式洗浄法、スピン式洗浄法、スクラブ式洗浄法、ブラシ式洗浄法等の種々の洗浄方法が用いられているが、なかでも、スピン式洗浄法が好適に用いられている（特許文献１）。上記スピン式洗浄法は、スクラブ式洗浄法、ブラシ式洗浄法等のようにリソグラフィ原版表面にスクラブ、ブラシ等を直接接触させないことから、リソグラフィ原版表面を傷つけにくいといった利点を有する。また、浸漬法のように洗浄槽に蓄積された異物が再付着しやすいといた問題を生じにくいといった利点を有する。
【０００４】
また、スピン式洗浄法においては、洗浄力を向上させるため、洗浄液をリソグラフィ原版の上方から供給するとともに、上記洗浄液に超音波振動を付与する方法が好適に用いられている（引用文献２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第４７６６８３６号公報
【特許文献２】特開２０１１−７７１４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、超音波振動を付与した洗浄液を供給してリソグラフィ原版の洗浄を行う場合は次のような問題がある。すなわち、超音波振動の出力コントロールが非常に難しく、リソグラフィ原版の表面のパターンが微細化するにつれて、超音波振動を付与した洗浄液による洗浄処理において上記パターンが倒壊するといったパターンへのダメージが増加し、リソグラフィ原版の製造工程での歩留まり低下を引き起こす場合がある。
また、リソグラフィ原版にダメージが生じない程度の超音波振動を付与した洗浄液を用いた場合は、リソグラフィ原版の表面に付着した異物の除去を十分に行うことができない場合がある。
【０００７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、リソグラフィ原版のパターンへの超音波振動によるダメージを抑制し、パターン側表面を良好に洗浄することが可能なリソグラフィ原版の洗浄方法、これを用いたリソグラフィ原版の製造方法、およびこれを実施するためのリソグラフィ原版用洗浄装置を提供することを主目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するために、本発明は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、上記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、上記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して上記リソグラフィ原版の上記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および上記超音波振動付与工程と同時に行われ、上記リソグラフィ原版の下方から上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程を備える物理的洗浄工程を有することを特徴とするリソグラフィ原版の洗浄方法を提供する。
【０００９】
本発明によれば、上記物理的洗浄工程を有することにより、超音波振動によるリソグラフィ原版のパターンの倒壊等のダメージを抑制して、異物を除去することができる。本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法は、特にパターン間に挟まった異物を好適に除去することができる。
【００１０】
本発明においては、上記洗浄液供給工程では、上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に上記洗浄液を吹き付けることにより、上記洗浄液を供給することが好ましい。リソグラフィ原版のパターン側表面に接触する洗浄液の流れを一方向とすることができることから、除去された異物を含む洗浄液が再度リソグラフィ原版と接触することによる異物の再付着等を防止することが可能となる。
【００１１】
本発明は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、上記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、上記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して上記リソグラフィ原版の上記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および上記超音波振動付与工程と同時に行われ、上記リソグラフィ原版の下方から上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程を備える物理的洗浄工程を有するリソグラフィ原版の洗浄方法を行うことにより、リソグラフィ原版を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とするリソグラフィ原版の製造方法を提供する。
【００１２】
本発明によれば、上記洗浄工程を有することにより、超音波振動を用いた洗浄によるパターンへのダメージが少なく、パターン側表面に異物の付着等が少ない良好な状態のリソグラフィ原版を製造することができる。
【００１３】
本発明は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を保持する保持部と、上記保持部の上方に配置され、上記保持部側に超音波振動を付与する超音波振動付与部と、上記リソグラフィ原版および上記超音波振動付与部の間に伝播液層用液を供給して伝播液層を形成する伝播液層用液供給部と、上記保持部の下方に配置され、上記保持部側に洗浄液を吹き付けることにより洗浄液を供給する洗浄液供給部と、を有することを特徴とするリソグラフィ原版用洗浄装置を提供する。
【００１４】
本発明によれば、リソグラフィ原版のパターンへのダメージを抑制して、リソグラフィ原版のパターン側表面に付着した異物を好適に除去することが可能なリソグラフィ原版用洗浄装置とすることができる。
【発明の効果】
【００１５】
本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法は、リソグラフィ原版のパターンへの超音波振動によるダメージを抑制し、パターン側表面を良好に洗浄することができるといった効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１６】
【図１】本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法の一例を示す工程図である。
【図２】本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法の他の例を説明する説明図である。
【図３】本発明のリソグラフィ原版の製造方法の一例を示す工程図である。
【図４】本発明のリソグラフィ原版用洗浄装置の一例を示す概略断面図である。
【図５】実施例で作製されたフォトマスクのＬ＆Ｓパターンについて説明する図である。
【発明を実施するための形態】
【００１７】
以下、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法、これを用いたリソグラフィ原版の製造方法、およびこれを実施することができるリソグラフィ原版用洗浄装置について説明する。
【００１８】
本発明において、リソグラフィ原版とは、半導体装置、プリント基板、印刷版、液晶表示装置、プラズマディスプレイ等の微小パターンが形成された構造体の製造工程において、微小パターン形成用のエッチングに用いるマスクをパターニングするための原版をいう。このようなマスクとしては、例えば樹脂製のマスクが挙げられる。また、マスクのパターニング方法としては、例えば均一に形成した感光性レジスト層に選択的に光を照射して露光し、その後現像するフォトリソグラフィ法と、樹脂層にモールドを押し付けて成型するナノインプリント法とが挙げられる。
フォトリソグラフィ法に用いられるリソグラフィ原版とは、露光光を選択的に透過または反射させるマスクをいい、例えば、露光光として紫外光を用いるフォトマスク、露光光として極端紫外光（ＥＵＶ）を用いるＥＵＶマスクが挙げられる。また、ナノインプリント法に用いられるリソグラフィ原版としては、ナノインプリントテンプレートが挙げられる。
なお、リソグラフィ原版について、詳しくは後述する。
【００１９】
また、以下の説明において異物とは、リソグラフィ原版の製造時、または使用時に生じ、リソグラフィ原版のパターン側表面に付着する物体をいう。具体的には、リソグラフィ原版のパターン材料、大気中の無機物もしくは有機物のパーティクル、レジストの残渣、オイル、シリコン、塵、埃等が挙げられるがこれらに限定されるものではない。
また、異物の大きさについてはリソグラフィ原版に用いられる材料や、リソグラフィ原版を適用する対象物等により変わるものであるが、概ね、５ｎｍ〜１０００μｍレベルの異物が存在する。特に５ｎｍ〜３００ｎｍレベルのものがパターン間への挟まり異物として生じやすい。
【００２０】
Ａ．リソグラフィ原版の洗浄方法
本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、上記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、上記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して上記リソグラフィ原版の上記パターン側とは反対側（以下、バックサイドと称して説明する場合がある。）の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および上記超音波振動付与工程と同時に行われ、上記リソグラフィ原版の下方から上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程を備える物理的洗浄工程を有することを特徴とする方法である。
【００２１】
本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法について図を用いて説明する。
図１は本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法の一例を示す工程図である。また、図１においては、リソグラフィ原版１が、基板１ａが透明基板１１ａであり、パターン１ｂが透明基板１１ａの一方の表面にパターン状に形成された遮光部１１ｂであるフォトマスク１１である例について示している。
本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法は、物理的洗浄工程を有することを特徴とする。本発明の物理的洗浄工程においては、まず図１（ａ）に例示するように、透明基板１１ａおよび透明基板１１ａの一方の表面上にパターン状に形成された遮光部１１ｂを有するフォトマスク１１を、遮光部１１ｂ側表面を下向きにして保持する（保持工程）。
次に図１（ｂ）に例示するように、超音波振動付与手段２０を用いてフォトマスク１１の上方から伝播液層３を介してフォトマスク１１の遮光部１１ｂ側とは反対側の表面に超音波振動２を付与する（超音波振動付与工程）。超音波振動付与手段２０としては、例えば、超音波振動子２１ａと石英等から構成される振動板２１ｂとを有する超音波振動板２１が用いられる。
また、フォトマスク１１の下方からフォトマスク１１の遮光部１１ｂ側表面に洗浄液４を供給する（洗浄液供給工程）。図１（ｂ）においては、ノズル４１等の洗浄液供給手段４０を用いて、洗浄液４を吹き付けることにより洗浄液４を供給する例について説明している。
本発明においては、超音波振動付与工程と洗浄液供給工程とは同時に行われる。
このような物理的洗浄工程を有することにより、遮光部１１ｂ側表面に付着した異物Ａを除去することができ、図１（ｃ）に例示するように、遮光部１１ｂ側表面の状態が良好なフォトマスク１１とすることができる。
なお、図１においてはリソグラフィ原版１としてフォトマスク１１を例に説明したが、これに限定されず、図示はしないが上述したＥＵＶマスク、ナノインプリントテンプレート等においても同様に、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法を適用することができる。
【００２２】
本発明によれば、上記物理的洗浄工程を有することにより、超音波振動によるリソグラフィ原版のパターンの倒壊等のダメージを抑制して、異物を除去することができる。本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法は、特にパターン間に挟まった異物を好適に除去することができる。
【００２３】
ここで、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法が、上記物理的洗浄工程を有することにより、上述した作用効果を奏するメカニズムについては明らかではないが以下のように推量される。
まず、本発明のようにリソグラフィ原版のバックサイド表面に超音波振動を付与する場合は、リソグラフィ原版のパターン側表面に超音波振動を付与する場合に比べて、リソグラフィ原版のパターンが倒壊する等のダメージを生じる超音波振動の出力のしきい値を高くすることが可能となる。そのため、リソグラフィ原版のバックサイド表面に超音波振動を付与する場合は、リソグラフィ原版のパターン層側表面に超音波振動を付与する場合に比べて、超音波振動の出力を大きくすることが可能となる。
また、本発明においては、大きな出力の超音波振動をリソグラフィ原版の基板を介して異物に伝播させることができる。また、超音波振動は伝播液層を介して伝播した場合に比べて、基板を介して伝播した方が異物に伝わりやすくなると推量される。よって、この際に異物に伝播される超音波振動が、リソグラフィ原版のパターン層側表面から伝播液層を介して異物に伝播される超音波振動より大きくなることから、異物を基板から振り落とすことができ、好適に除去することができるものと推量される。
また、本発明においては、リソグラフィ原版のパターン側表面を下向きにして保持することによっても、基板上に付着した異物の好適に除去することが可能となることが推量される。
具体的には、異物の比重が洗浄液の比重よりも大きい場合、異物は洗浄液に沈むこととなるが、この際、リソグラフィ原版のパターン側表面を上向きに保持している場合は、リソグラフィ原版から除去された異物が洗浄液に沈む際に、異物が沈む方向に基板が存在することとなるため、再度、基板上に異物が付着したり、または堆積してしまうことが推量される。
一方、本発明のように、リソグラフィ原版のパターン側表面を下向き保持している場合は、パターンの開口部分が下向きとなることから、異物が沈む方向に基板が存在しないため、基板から除去された異物が基板からより離れ易くなることが推量される。
【００２４】
リソグラフィ原版のバックサイドに超音波振動を付与する場合、上述の超音波振動の出力のしきい値を高くすることができる理由としては、超音波振動の一部が基板に吸収されてパターンに超音波振動が伝播するため、倒壊等のダメージを生じにくいことが推量される。また、リソグラフィ原版のパターンは、伝播液層側に比べて基板側の方が基板表面に固定されている分、超音波振動に対する耐性が高いものと推量される。バックサイド表面から超音波振動を付与した場合は、耐性の高いパターンの基板側から伝播液層側に超音波振動が伝播されるため、倒壊等のダメージが生じにくいものと推量される。このようなことから、超音波振動の出力のしきい値を高くすることができるものと推量される。
また、超音波振動の一部が基板に吸収された場合も、固体物である基板から異物全体に対しては、リソグラフィ原版のパターン側表面に伝播液層を介して超音波振動を付与する場合に比べて、より出力の高い超音波振動を伝播させることができるものと推量される。
【００２５】
以下、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法の詳細を説明する。
【００２６】
１．物理的洗浄工程
本発明における物理的洗浄工程について説明する。
上記物理的洗浄工程は、保持工程、超音波振動付与工程、および洗浄液供給工程を備える工程である。
【００２７】
本発明における物理的洗浄とは、異物に超音波振動を付与することにより、異物を振動させるといった物理的作用によってリソグラフィ原版のパターン側表面から異物を除去することをいう。
以下、上記物理的洗浄工程において行われる各工程について説明する。
【００２８】
（１）保持工程
まず、保持工程について説明する。
本工程は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、上記パターン側表面を下向きにして保持する工程である。
【００２９】
ここで、リソグラフィ原版のパターン側表面を下向きにして保持するとは、リソグラフィ原版のバックサイド表面に超音波振動を付与することができ、かつパターン側表面に洗浄液を供給することができる程度にリソグラフィ原版のパターン側表面を下向きにして保持することができることをいう。より具体的には、リソグラフィ原版のパターン側表面を水平に保持してもよく、ある程度傾けて保持してもよい。
本工程においては、なかでもリソグラフィ原版のパターン側表面を水平に保持することがより好ましい。リソグラフィ原版のバックサイド表面に超音波振動を均一に付与することが容易となるからである。また、リソグラフィ原版のパターン側表面にスピン洗浄法を用いて洗浄液を供給することが可能となることから、洗浄液の量を少ないものとすることが可能となる。
【００３０】
本工程におけるリソグラフィ原版の保持方法としては、保持手段を用いてリソグラフィ原版を保持する方法が挙げられる。
本工程において用いられる保持手段としては、例えば、リソグラフィ原版においてパターンが形成されていない周囲に設置できる固定冶具が挙げられる。上記固定冶具としては、リソグラフィ原版をそのパターン側表面を下向きにして保持することが可能なものであれば特に限定されないが、リソグラフィ原版を水平に保持することが可能なものであることが好ましい。また、上記固定冶具としては、リソグラフィ原版を一定位置に固定できるものであってもよく、リソグラフィ原版を水平方向または垂直方向の少なくとも一方の方向に移動させることができるものであってもよい。また、上記固定冶具としては、リソグラフィ原版の面を反転できる反転機能を有するものであってもよい。
また、上記固定冶具は、台座とともに用いることができるものであることが好ましい。この場合、固定冶具は、台座との間に洗浄液を供給できる程度の間隔を開けて配置される。また、固定冶具と台座とは一体であってもよく、別体であってもよい。
上記台座としては、固定冶具とともにリソグラフィ原版を保持することができるものであれば特に限定されないが、なかでも回転機能を有するスピンテーブルであることが好ましい。後述する洗浄液供給工程において、スピン式洗浄法、すなわち洗浄液供給手段から吹き付けられた洗浄液を、遠心力を用いてリソグラフィ原版のパターン側表面全体に供給する方法を用いることができ、洗浄液の量を少なくすることができるからである。
また、必要に応じて行われる乾燥工程において、スピン式乾燥法を用いることができる。なお、乾燥工程については後述する。
上記固定冶具、台座については一般的なものを用いることができるので、具体的な説明については省略する。
【００３１】
（２）超音波振動付与工程
次に、超音波振動付与工程について説明する。
本工程は、上記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して上記リソグラフィ原版の上記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する工程である。
【００３２】
上記超音波振動に用いられる超音波の周波数としては、リソグラフィ原版のパターン側表面に付着した異物を除去することが可能な程度であれば特に限定されず、リソグラフィ原版の種類、異物の種類等に応じて適宜選択される。具体的な超音波の周波数としては、７５０ｋＨｚ〜４ＭＨＺの範囲内の高周波帯域（メガソニック帯域）が好適に用いられる。
【００３３】
上記超音波振動の付与方法としては、超音波振動付与手段を用いて超音波振動を付与する方法が挙げられる。
上記超音波振動付与手段としては、伝播液層を介してリソグラフィ原版のバックサイド表面に所望の超音波振動を付与することができれば特に限定されない。
例えば、超音波振動子と、石英等の振動板とから構成される超音波振動板を挙げることができる。
超音波振動子、振動板、および超音波振動板については、一般的なものを用いることができるため、ここでの説明は省略する。
【００３４】
また、超音波の出力（Ｗ）としては、リソグラフィ原版のパターン側表面に付着した異物を除去し、パターンにダメージを与えない程度であれば特に限定されず、パターンの寸法、異物の種類等に応じて適宜選択することができる。
具体的な超音波の出力（Ｗ）としては、パターンが後述する高さおよび幅を有する場合、０．５Ｗ〜５０Ｗの範囲内であることが好ましい。上記超音波の出力が小さすぎる場合は、バックサイド表面に付与した超音波振動を基板を介して異物に十分に伝播させることが困難となる可能性があるからであり、上記超音波の出力が大きすぎる場合は、バックサイド表件から超音波振動を付与した場合も、パターンにダメージが生じる可能性があるからである。
【００３５】
超音波の照射時間としては、リソグラフィ原版のパターン側表面に付着した異物を除去することができ、パターンにダメージを与えない程度であれば特に限定されず、パターンの寸法、異物の種類等に応じて適宜選択することができる。
具体的な超音波の照射時間としては、１ｓｅｃ.〜１２００ｓｅｃ．の範囲内であることが好ましい。上記超音波の照射時間が少なすぎる場合は、異物を十分に除去することが困難となる可能性があるからである。一方、上記超音波の照射時間が多すぎる場合は、本工程にかかる時間が多くなり、効率よくリソグラフィ原版の洗浄を行うことが困難となる場合や、超音波振動により基板、パターン等が劣化する可能性があるからである。
【００３６】
本工程において伝播液層に用いられる液体（以下、伝播液層用液と称して説明する場合がある。）としては、超音波振動を伝播することが可能なものであれば特に限定されない。上記伝播液層用液としては後述する洗浄液に用いられる液体と同様の液体を好適に用いることができる。また、この場合、上記伝播液層用液としては洗浄液と同じ種類の液体を用いてもよく、異なる種類の液体を用いてもよい。
【００３７】
また、上記伝播液層用液の温度としては、リソグラフィ原版の種類、および液体の種類等に応じて適宜選択することが可能であるが、２０℃〜９０℃の範囲内であることが好ましい。上記伝播液層用液の温度が上記範囲内であることにより、超音波振動付与手段から伝播液層を介して超音波振動をより良好にリソグラフィ原版のバックサイド表面に伝播させることができる。
【００３８】
上記伝播液層は、上述したリソグラフィ原版のバックサイド表面と超音波振動付与手段との間に形成されるものである。このような伝播液層としては、具体的には、リソグラフィ原版のバックサイド側表面と超音波振動付与手段との間に伝播液層用液の表面張力により形成されたもの（液体膜から構成されるもの）であってもよく、洗浄液にリソグラフィ原版および超音波振動付与手段の表面を浸漬させることにより形成されたもの（浸漬液から構成されるもの）であってもよい。
本工程においては、なかでも、上記伝播液層が液体膜から構成されるものであることが好ましい。伝播液層に用いられる伝播液層用液の量を少ないものとすることができる。
【００３９】
上記伝播液層の厚みとしては、リソグラフィ原版の大きさ、形状、および付与される超音波振動の出力、伝播液の種類等により適宜選択されるものであるが、伝播液の表面張力によりバックサイド表面および超音波振動付与手段の間に盛ることができる範囲内であることが好ましく、具体的には、０．１ｍｍ〜１０ｍｍの範囲内であることが好ましい。上記伝播液層の厚みが上記範囲を超える場合、伝播液層自体を形成することが困難となる可能性があるからである。また、上記伝播液層の厚みが上記範囲に満たない場合は、リソグラフィ原版のバックサイド表面と超音波振動付与手段との間の距離を一定にして配置することが難しいことから、伝播液層の厚みを一定のものとすることが困難となる可能性があるからである。また、この場合、所望の超音波振動をリソグラフィ原版のバックサイド表面に均一に付与することが困難となる可能性がある。
【００４０】
上記伝播液層の形成方法としては、例えば、伝播液層が液体膜から構成されるものである場合は、超音波振動付与手段およびリソグラフィ原版のバックサイド表面の間に、伝播液層用液を供給することにより形成する方法を挙げることができる。また、このような伝播液層の形成方法に用いられる上記伝播液層用液供給手段としては、具体的には、ノズル、シャワー等を挙げることができ、なかでもノズルを用いることが好ましい。スピンテーブルとともに用いることで、遠心力を用いて少量の伝播液層用液を用いて伝播液層を形成することができるからである。
上述した伝播液層用液供給手段については一般的なものを用いることができるため、ここでの説明は省略する。
一方、例えば伝播液層が浸漬液から構成されるものである場合は、リソグラフィ原版および超音波振動付与手段の表面を伝播液層用液に浸漬する方法が挙げられる。このような伝播液層の形成方法においては、例えば洗浄槽等を用いることによりリソグラフィ原版および超音波振動付与手段の表面を伝播液層用液に浸漬することができる。上記洗浄槽については、一般的なものを用いることができるため、ここでの説明は省略する。
【００４１】
（３）洗浄液供給工程
次に、洗浄液供給工程について説明する。
本工程は、上述の超音波振動付与工程と同時に行われ、上記リソグラフィ原版の下方から上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に洗浄液を供給する工程である。
【００４２】
本工程に用いられる洗浄液としては、リソグラフィ原版のパターン側表面から除去された異物を洗い流すことが可能なものであれば特に限定されず、純水、超純水等の水であってもよく、薬液であってもよい。薬液としては、例えば硫酸過水、アンモニア過水、洗剤液、アンモニア添加水素水等が挙げられる。硫酸過水としては、例えば体積比で９６％硫酸１に対して３０％過酸化水素水を０．１〜０．２５程度含むものが挙げられる。また、アンモニア過水としては、例えば、体積比で２８％アンモニア水１に対して３０％過酸化水素水を１、さらに純水を５〜１０程度含むものが挙げられる。
薬液を用いた場合は、後述する化学的洗浄工程を本工程と同時に行うことが可能となる。
【００４３】
また、上記洗浄液の温度としては、リソグラフィ原版の種類、異物の種類、および液体の種類等に応じて適宜選択することが可能であるが、２０℃〜９０℃の範囲内であることが好ましい。
【００４４】
本工程においては、工程の途中で異なる種類の洗浄液を供給してもよい。
【００４５】
本工程における洗浄液の供給方法としては、リソグラフィ原版の下方からリソグラフィ原版のパターン側表面に洗浄液を接触させることできるように供給することが可能な方法であれば特に限定されない。例えば、図１（ｂ）に例示するように、リソグラフィ原版１の下方からリソグラフィ原版１のパターン１ｂ側表面に洗浄液４を吹き付けることにより洗浄液４を供給してもよい。なお、この場合、後述する洗浄液供給手段４０を用いて洗浄液４の供給が行われる。
また例えば、図２に例示するように、リソグラフィ原版１のパターン１ｂ側表面を洗浄液４に浸漬させることにより洗浄液４を供給してもよい。なお、この場合、リソグラフィ原版１の下方に洗浄液４を保持する洗浄槽５０を配置することにより、洗浄液４の供給が行われる。洗浄槽５０については一般的なものを用いることができる。
なお、図２は、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法の他の例を説明する図である。
【００４６】
なかでも、本工程においては上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に上記洗浄液を吹き付けることにより上記洗浄液を供給することが好ましい。
【００４７】
ここで、上述した浸漬により洗浄液を供給する場合は、洗浄槽を用いる必要があることから、リソグラフィ原版から除去された異物が洗浄槽の洗浄液によって再度リソグラフィ原版のパターン側表面等に再付着することが懸念される。
また、異物の比重が洗浄液の比重よりも大きい場合は、洗浄槽の底部分に異物が沈殿するが、上述した超音波振動付与工程により付与された超音波振動はリソグラフィ原版を通過した後、洗浄槽の底面や側面等に反射するため、上記反射された超音波振動により、沈殿していた異物が舞い上がり、リソグラフィ原版のパターン側表面に再付着しやすくなることも懸念される。
【００４８】
一方、上述した吹き付けにより洗浄液を供給する場合は、リソグラフィ原版のパターン側表面に接触する洗浄液の流れを一方向とすることができることから、除去された異物を含む洗浄液が再度リソグラフィ原版と接触することによる異物の再付着等を防止することが可能となる。また、リソグラフィ原版のパターン側表面が下向きに保持されていることから、リソグラフィ原版の下方から洗浄液を吹き付けることにより、パターン側表面に接触した洗浄液が基板上のパターン間等に溜まりにくくなるため、異物を含む洗浄液と上記パターン側表面との接触時間をより少ないものとすることができ、再付着を抑制することができる。また、超音波振動に加えて、洗浄液の吹き付けによる圧力を利用して、好適に異物の除去を行うことが可能となる。
また、洗浄槽を用いないことから超音波振動の反射による影響についても生じないものとすることが可能となる。よって、より好適にリソグラフィ原版の洗浄を行うことが可能となる。
【００４９】
本工程において、洗浄液を吹き付けることにより洗浄液を供給する場合、洗浄液供給手段が用いられる。
上記洗浄液供給手段としては、リソグラフィ原版の下方からリソグラフィ原版のパターン側表面に洗浄液を吹き付けることが可能なものであれば特に限定されず、具体的には、ノズル、シャワー等が挙げられ、なかでもノズルが好ましい。上述したスピンテーブルとともに用いることにより、リソグラフィ原版のパターン側表面にスピン洗浄法を用いて洗浄液を供給することが可能となることから、洗浄液の量を少ないものとすることが可能となる。
【００５０】
２．その他の工程
本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法は、上述した物理的洗浄工程を有する方法であれば特に限定されず、必要に応じて他の工程を追加することができる。
以下、このような工程について説明する。
【００５１】
（１）化学的洗浄工程
本発明における化学的洗浄工程は、リソグラフィ原版のパターン側表面を薬液を用いて洗浄する工程である。
本発明における化学的洗浄とは、異物に薬液を接触させることにより、異物を溶解させるといった化学的作用によってリソグラフィ原版のパターン側表面から異物を除去することをいう。
【００５２】
本工程は、上述した物理的洗浄工程の前に行ってもよく、物理的洗浄工程の後に行ってもよく、物理的洗浄工程と同時に行ってもよい。
【００５３】
本工程に用いられる薬液については、上述した「１．物理的洗浄工程」の項で説明したものと同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
【００５４】
本工程においては、リソグラフィ原版のパターン側表面に薬液を供給することにより洗浄が行われる。この際、リソグラフィ原版の保持の態様としては、リソグラフィ原版のパターン側表面に薬液を供給することができれば特に限定されないが、リソグラフィ原版のパターン側表面を下向きにして保持することが好ましい。本工程を物理的洗浄工程と連続して行いやすいからである。また、この場合、リソグラフィ原版を水平に保持することが好ましい。
本工程に用いられるリソグラフィ原版の保持手段としては一般的なものを用いることができる。なかでも、上述した「１．物理的洗浄工程  （１）保持工程」の項で説明した保持手段を用いることが好ましい。
【００５５】
薬液の供給方法については、上述した「１．物理的洗浄工程」の項で説明した洗浄液の供給方法と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
【００５６】
（２）リンス処理工程
本発明においては、物理的洗浄工程の後、または必要に応じて行われる化学的洗浄工程の後にリソグラフィ原版にリンス処理を行うリンス処理工程を有していることが好ましい。
本工程に用いられるリンス液、および具体的な処理方法については公知のものと同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００５７】
（３）乾燥処理工程
本発明においては、物理的洗浄工程の後、または必要に応じて行われる化学的洗浄工程もしくはリンス処理工程の後に、リソグラフィ原版に乾燥処理を行う乾燥処理工程を有していることが好ましい。
本工程に用いられる乾燥方法としては、公知の方法とすることができ、例えばスピン式乾燥法、エアーナイフ式乾燥法等を挙げることができる。
【００５８】
（４）その他の工程
本発明においては、上述した化学的洗浄工程、リンス処理工程、および乾燥処理工程以外にも、任意の工程を行うことができる。
【００５９】
３．リソグラフィ原版
本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法が適用されるリソグラフィ原版は、基板と、基板の一方に形成されたパターンとを有するものである。
【００６０】
上記リソグラフィ原版におけるパターンの高さとしては、リソグラフィ原版の種類、用途等に応じて適宜選択され、特に限定されないが、具体的には、フォトマスクの場合、パターンの高さとしては、３０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
また、ＥＵＶ、ナノインプリント用のリソグラフィ原版の場合、パターンの高さとしては３０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内であることが好ましい。上記高さが上記範囲内である場合、従来のリソグラフィ原版の洗浄方法を用いた場合には特にパターンにダメージを生じやすくなることから、本発明における作用効果を高く発揮することが可能となる。
なお、パターンの高さとは、基板からパターン表面までの最短距離をいい、図１（ｃ）中、ｐで表わされる距離をいう。
【００６１】
上記リソグラフィ原版におけるパターンの幅としては、リソグラフィ原版の種類、用途等に応じて適宜選択され、特に限定されない。具体的には、フォトマスクの場合、パターンの幅としては、３０ｎｍ〜１０００ｎｍの範囲内、なかでも３０ｎｍ〜４００ｎｍの範囲内、特に３０ｎｍ〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
また、ＥＵＶ、ナノインプリント用のリソグラフィ原版の場合、パターンの幅としては、１０ｎｍ〜５００ｎｍの範囲内、なかでも１０ｎｍ〜３００ｎｍの範囲内、特に１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲内であることが好ましい。
上記幅が上記範囲内である場合、従来のリソグラフィ原版の洗浄方法を用いた場合には特にパターンにダメージを生じやすくなることから、本発明における作用効果を高く発揮することが可能となる。
なお、パターンの幅とは、図１（ｃ）中、ｑで表わされる距離をいう。
【００６２】
幅が２００ｎｍ以下の微細な寸法のパターンを有している原版においては、従来の洗浄方法を用いた場合、パターン欠けが発生しやすいことから、本発明におけるパターンとしては、幅が２００ｎｍ以下であることがより好ましい。
【００６３】
本発明におけるパターンの形状は、特に限定されるものではないが、例えばライン・アンド・スペース（Ｌ＆Ｓ）、ドット、ホール、ピラー、レンズ形状、段差形状等を挙げることができる。
【００６４】
本発明が適用されるリソグラフィ原版としては、具体的には上述したフォトマスク、ＥＵＶマスク、ナノインプリントテンプレートが挙げられる。
【００６５】
また、フォトマスクとしては、例えば、数ｎｍ〜数百ｎｍの厚みのエッチングまたは修正膜の堆積により位相差や透過率等が変化する、位相シフトマスクが挙げられる。位相シフトマスクとしては、例えば、ハーフトーン型位相シフトマスク、レベンソン型位相シフトマスク等のいずれであってもよい。
またフォトマスクとしては、基板として透明基板を有し、パターンとして基板上にパターン状に形成された遮光部、または紫外光の透過率が調整された半透明膜等を有するものであってもよい。
特に、フォトマスクの場合はＳＲＡＦ(Sub-resolution assist feature: 解像補助パターン)を有するフォトマスクにおいては、解像する寸法幅を有するメインパターンと異なり、解像限界以下の寸法であるＳＲＡＦの欠けが従来の洗浄方法においては生じやすい。したがって、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法はＳＲＡＦを有するフォトマスクの洗浄に好適に用いることができる。
【００６６】
リソグラフィ原版がＥＵＶマスクである場合、基板として支持基板、および支持基板の全面に形成された多層反射層の積層体を有し、パターンとして多層反射層上にパターン状に形成された吸収層を有する。
【００６７】
リソグラフィ原版がナノインプリントテンプレートである場合、その構成として平板状の基板部上に凸部および凹部がパターン状に形成され、基板部および凸部が一体的に形成されたものである。また、ナノインプリントテンプレートは、転写の際にテンプレートを直接被転写物と接触させるため異物の発生の問題も多く、さらに等倍の原寸でパターンが転写されるため、より微細なパターンを有しており、従来の洗浄方法を用いた場合は洗浄欠けの危険性も高い。したがって、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法はナノインプリントテンプレートの洗浄に好適に用いることができる。
【００６８】
フォトマスク、ＥＵＶマスク、ナノインプリントテンプレートとしては、一般的なものを適用することができる。
【００６９】
また、本発明のリソグラフィ原版の洗浄方法が適用されるリソグラフィ原版は、リソグラフィ原版用マスクブランクを用いて新たに製造されたリソグラフィ原版であってもよく、半導体装置等の製造時に異物等が付着した使用後のリソグラフィ原版であってもよい。
【００７０】
Ｂ．リソグラフィ原版の製造方法
本発明のリソグラフィ原版の製造方法は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を、上記パターン側表面を下向きにして保持する保持工程、上記リソグラフィ原版の上方から伝播液層を介して上記リソグラフィ原版の上記パターン側とは反対側の表面に超音波振動を付与する超音波振動付与工程、および上記超音波振動付与工程と同時に行われ、上記リソグラフィ原版の下方から上記リソグラフィ原版の上記パターン側表面に洗浄液を供給する洗浄液供給工程を備える物理的洗浄工程を有するリソグラフィ原版の洗浄方法を行うことにより、リソグラフィ原版を洗浄する洗浄工程を有することを特徴とする製造方法である。
【００７１】
本発明のリソグラフィ原版の製造方法について図を用いて説明する。
図３は、本発明のリソグラフィ原版の製造方法の一例を示す工程図である。図３においては、リソグラフィ原版１としてフォトマスク１１を用いる例について示している。
本発明のリソグラフィ原版の製造方法においては、通常、リソグラフィ原版準備工程と、洗浄工程とを有する。
リソグラフィ原版準備工程においては、まず図３（ａ）に例示するように、リソグラフィ原版用ブランクとして、石英基板等の透明基板１１ａ上にＣｒ膜等の遮光膜１１ｂ’が形成されたものを準備する。次に、遮光膜１１’にレジスト膜１３’を形成して、電子線６０描画および現像を行い、図３（ｂ）に示すようにレジストパターン１３を形成する。次いで、レジストパターン１３をマスクとして遮光膜１１ｂ’をエッチングした後、レジストパターン１３を除去し、図３（ｃ）に示すように、パターン状に遮光部１１ｂを形成して、フォトマスク１１を得る。
次に、洗浄工程においては、図３（ｄ）〜（ｆ）に例示するように、上述したリソグラフィ原版の洗浄方法を行うことによりフォトマスク１１を洗浄する。
なお、図３（ｄ）〜（ｆ）の各工程については、図１（ａ）〜（ｃ）において説明した工程と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００７２】
本発明によれば、上記洗浄工程を有することにより、超音波振動を用いた洗浄によるパターンへのダメージが少なく、パターン側表面に異物の付着等が少ない良好な状態のリソグラフィ原版を製造することができる。
【００７３】
以下、本発明のリソグラフィ原版の製造方法について説明する。
【００７４】
１．リソグラフィ原版準備工程
本発明においては、通常、リソグラフィ原版準備工程が行われる。そこで、まず、リソグラフィ原版準備工程について説明する。
本発明におけるリソグラフィ原版準備工程は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を準備する工程である。
【００７５】
このようなリソグラフィ原版としては、リソグラフィ原版用マスクブランクを用いて新たに製造されたリソグラフィ原版であってもよく、半導体装置等の製造時に異物等が付着した使用後のリソグラフィ原版であってもよい。
リソグラフィ原版が新たに製造されたものである場合は、上述したようにパターン側表面に異物の付着等が少ない良好な状態のリソグラフィ原版を得ることが可能となる。
一方、リソグラフィ原版が使用後のものである場合は、パターンへのダメージを抑制してパターン側表面の異物を除去し、上記パターン側表面の状態が良好な再生リソグラフィ原版を製造することが可能となる。
【００７６】
リソグラフィ原版が新たに製造されたものである場合、本工程においては、リソグラフィ原版用ブランクにエッチング処理等を行うことによりパターンを形成してリソグラフィ原版が形成される。
リソグラフィ原版用ブランクは、上述のリソグラフィ原版の種類に応じて適宜選択される。例えば、リソグラフィ原版がナノインプリントテンプレートの場合、リソグラフィ原版用ブランクには、合成石英、ソーダガラス、蛍石、フッ化カルシウム等から構成される透明基板や、透明基板上にＣｒ膜等の導電膜が形成されたもの等を用いることができる。
リソグラフィ原版がフォトマスクの場合、リソグラフィ原版用ブランクには、例えば透明基板上にＣｒ膜等の遮光膜、または半透明膜が形成されたものや、透明基板上に半透明膜および遮光膜が順に積層されたもの等を用いることができる。
リソグラフィ原版がフォトマスクのうちハーフトーン型位相シフトマスクの場合、リソグラフィ原版用ブランクには、例えば透明基板上に位相シフト層が形成されたものや、透明基板上に位相シフト層および遮光層が順に積層されたもの等を用いることができる。
リソグラフィ原版がＥＵＶマスクの場合、リソグラフィ原版用ブランクには、例えば支持基板上に多層反射層および吸収層が順に積層されたものや、支持基板上に多層反射層、バッファー層および吸収層が順に積層されたもの等を用いることができる。
これらのリソグラフィ原版用ブランクとしては、一般的なものを適用することができる。
【００７７】
また、パターンの形成方法については、リソグラフィ原版の種類に応じて適宜選択される。いずれのリソグラフィ原版のパターンの形成方法についても、一般的な方法を用いることができる。
【００７８】
２．洗浄工程
本発明におけるリソグラフィ原版の洗浄工程は、上述したリソグラフィ原版の洗浄方法を行うことにより、リソグラフィ原版を洗浄する工程である。
なお、リソグラフィ原版の洗浄方法については、上述した「Ａ．リソグラフィ原版の洗浄方法」の項で説明したため、ここでの説明は省略する。
【００７９】
３．その他
本発明のリソグラフィ原版の製造方法は、上述した洗浄工程を有するものであれば特に限定されない。
【００８０】
Ｃ．リソグラフィ原版用洗浄装置
本発明のリソグラフィ原版用洗浄装置は、基板および上記基板の一方の表面上に形成されたパターンを有するリソグラフィ原版を保持する保持部と、上記保持部の上方に配置され、上記保持部側に超音波振動を付与する超音波振動付与部と、上記リソグラフィ原版および上記超音波振動付与部の間に伝播液層用液を供給して伝播液層を形成する伝播液層用液供給部と、上記保持部の下方に配置され、上記保持部側に洗浄液を吹き付けることにより洗浄液を供給する洗浄液供給部と、を有することを特徴とするものである。
【００８１】
図４は、本発明のリソグラフィ原版用洗浄装置の一例を示す概略図である。図４においては、リソグラフィ原版１としてフォトマスク１１を用いる例について示している。
図４に例示するように、本発明のリソグラフィ原版用洗浄装置１００は、透明基板１１ａおよび透明基板１１ａの一方の表面上にパターン状に形成された遮光部１１ｂを有するフォトマスク１１を保持する保持部１１０と、保持部１１０の上方に配置され、保持部１１０側に超音波振動２を付与する超音波振動付与部１２０と、リソグラフィ原版１および超音波振動付与部１２０の間に伝播液層用液を供給して伝播液層３を形成する伝播液層用液供給部１３０と、保持部１１０の下方に配置され、保持部１１０側に洗浄液４を吹き付けることにより洗浄液４を供給する洗浄液供給部１４０と、を有することを特徴とする。
図４においては、保持部１１０が、スピンテーブル１１１とスピンテーブル１１１と一体で形成された固定冶具１１２とを有する例について示している。また、超音波振動供給部１２０が、超音波振動子１２１ａと振動板１２１ｂとを有する超音波振動板１２１である例について示している。また、伝播液層用液供給部１３０および洗浄液供給部１４０がノズル１３１、１４１である例について示している。
また、図４において説明していない符号については図１等で説明した符号と同様とすることができるため、ここでの説明は省略する。
【００８２】
本発明によれば、上記リソグラフィ原版用洗浄装置を用いることにより、リソグラフィ原版のパターンへのダメージを抑制して、リソグラフィ原版の異物を好適に除去することが可能となる。
【００８３】
以下、本発明のリソグラフィ原版用洗浄装置の各構成について説明する。
【００８４】
１．保持部
本発明における保持部は、上述したリソグラフィ原版を保持するものである。
上記保持部としては、リソグラフィ原版を保持することが可能なものであれば特に限定されず、一般的なものを用いることが可能である。なかでも、上述した「Ａ．リソグラフィ原版の洗浄方法」の項で説明した保持手段と同様であることが好ましい。
【００８５】
２．その他の構成
本発明における超音波振動付与部、伝播液層用液供給部、および洗浄液供給部については上述した「Ａ．リソグラフィ原版の洗浄方法」の項で説明した超音波振動付与手段、伝播液供給手段、および洗浄液供給手段と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
【００８６】
本発明のリソグラフィ原版用洗浄装置は、上述した保持部、超音波振動付与部、伝播液層用液供給部、および洗浄液供給部にも必要な構成を適宜選択して追加することができる。具体的には、リンス処理部、乾燥部等を挙げることができる。
【００８７】
３．その他
本発明のリソグラフィ原版用洗浄装置を用いたリソグラフィ原版の洗浄方法については、上述した「Ａ．リソグラフィ原版の洗浄方法」の項で説明した方法と同様とすることができるので、ここでの説明は省略する。
【００８８】
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
【実施例】
【００８９】
以下に実施例を示し、本発明をさらに詳細に説明する。
【００９０】
＜超音波振動の付与方向によるパターンへのダメージ＞
６インチ□の合成石英基板上に、ＭｏＳｉを主成分とするハーフトーン位相シフト層を厚さ７０ｎｍで有し、そのハーフトーン位相シフト層上に２層クロム遮光膜（低反射クロム／遮光クロム）が厚み５０ｎｍで設けられたブランクスを用意した。
次に電子線硬化性のレジストを厚み１５０ｎｍで塗布し、描画、現像を行い所望のパターンをレジストに形成した。
次に、レジストパターンをエッチング用マスクとし、ドライエッチング装置にて、２層クロム遮光膜を塩素系ガスでエッチングし、２層クロム遮光膜パターンを形成した。さらに続けて、フッ素系のエッチングガスを用いてハーフトーン位相シフト層をエッチングし、ハーフトーン位相シフト層パターンを形成した。
次に剥膜装置にて残ったレジストパターンをプラズマアッシングにて剥膜し、２層クロム遮光膜パターンを塩素系ガスを用いたエッチングで全面剥離することで、ハーフトーン位相シフトフォトマスク（以下フォトマスク）を得た。
上記の手順により、図５におけるＷ１＝Ｗ２＝Ｗ３＝５５ｎｍ（設計値）のＬ＆Ｓパターンを有するフォトマスクを作製した。なお、図５は、実施例で作製されたフォトマスクのＬ＆Ｓパターンについて説明する図である。
また、同様の手順により、Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３＝６０ｎｍ（設計値）のＬ＆Ｓパターンを有するフォトマスク、およびＷ１＝Ｗ２＝Ｗ３＝６５ｎｍ（設計値）のＬ＆Ｓパターンを有するフォトマスクを作製した。
【００９１】
得られたフォトマスクについて、メガソニックをフォトマスクのバックサイド表面から照射した場合（実施例１）と、パターン側表面から照射した場合（比較例１）とにおけるメガソニックの出力とパターンダメージサイズとの関係について調べた。
メガソニックの照射条件としては、超音波の周波数を１ＭＨｚとし、伝播液層として、厚み１．５ｍｍの水から構成される液体層を用い、超音波振動の付与時間は１２０分とした。また、洗浄液としては、アンモニア添加水素水を用いた。洗浄液の供給はノズルを用いて行った。
また、伝播液層用液および洗浄液の液温については、２５℃とした。
【００９２】
結果を表１に示す。なお、表１においては、パターンダメージを生じたものについては×、パターンダメージを生じていないものについては○とした。
【００９３】
＜超音波振動の出力と異物除去力＞
上述した手順により、Ｗ１＝Ｗ２＝Ｗ３＝５０ｎｍ（設計値）のＬ＆Ｓパターンを有するフォトマスクを作製した。
得られたフォトマスクのパターン側表面全体を以下のようにして汚染処理をした。
異物として、大きさが１ｎｍ〜５ｎｍの範囲内の有機物を用い、これをフォトマスクのパターン側表面全体に散布することにより汚染処理をした。
【００９４】
汚染処理後のフォトマスクを用いて、メガソニックをフォトマスクのバックサイドから照射して洗浄を行った場合（実施例２）と、パターン側表面から照射して洗浄を行った場合（比較例２）とにおけるメガソニックの出力と異物除去力との関係について調べた。
洗浄においては、実施例１と同様の照射条件でメガソニックを照射した。
【００９５】
結果を表１に示す。表１における除去率は、汚染後の異物個数と洗浄後の異物個数の割合を示すものである。
汚染前後の異物個数については、以下のように求めた。
基板を汚染後、光学式異物検査装置に投入し、異物個数を検査した。検査後の基板を洗浄し、再度、光学式異物検査装置に投入し、異物個数を検査した。
なお、実施例２および比較例２においてパターンにダメージを生じたものについては、表１において×を用いて示している。
【００９６】
【表１】
2014124603.tif 000003
【符号の説明】
【００９７】
１  …  リソグラフィ原版
１ａ  …  基板
１ｂ  …  パターン
２  …  超音波振動
３  …  伝播液層
４  …  洗浄液
１００  …  リソグラフィ原版用洗浄装置
１１０  …  保持部
１２０  …  超音波振動付与部
１３０  …  伝播液層用液供給部
１４０  …  洗浄液供給部
Ａ  …  異物
【図１】
2014124603.tif 000004
【図２】
2014124603.tif 000005
【図３】
2014124603.tif 000006
【図４】
2014124603.tif 000007
【図５】
2014124603.tif 000008