(57)【要約】【課題】  本発明は、残渣欠陥および欠損欠陥のいずれについても、その修正を容易に行うことができるナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法を提供することを目的とするものである。【解決手段】  欠陥位置情報が既知の第１のテンプレートを用いて、第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層に、第１のテンプレートの転写パターンを転写してハードマスクパターンを形成し、第１のテンプレートの転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正し、欠陥修正されたハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて第２のテンプレートの転写パターンを形成することにより、上記課題を解決する。【選択図】      図１
2014082415.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の転写パターンを有する第１のテンプレートを用いて製造される前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した第２の転写パターンを有する第２のテンプレートの欠陥を修正するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法であって、
前記第１の転写パターンの欠陥位置情報が既知の前記第１のテンプレートを準備する工程と、
前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程と、
前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、
前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程と、
前記欠陥を修正したハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて前記基板をエッチングして前記第２の転写パターンを形成する工程と、
を順に備えることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法。
【請求項２】
前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程において、
前記樹脂パターンに前記第１の転写パターンの欠損欠陥の凹凸形状が反転した樹脂パターン残渣欠陥を形成し、
前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程において、
前記樹脂パターン残渣欠陥の部分で被覆される前記ハードマスク層の部分にハードマスクパターン残渣欠陥を形成し、
前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程において、
前記第１の転写パターンの欠損欠陥の位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターン残渣欠陥を修正することを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法。
【請求項３】
前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程において、
前記樹脂パターンに前記第１の転写パターンの残渣欠陥の凹凸形状が反転した樹脂パターン欠損欠陥を形成し、
前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程において、
前記樹脂パターン欠損欠陥の部分から露出する前記ハードマスク層の部分にハードマスクパターン欠損欠陥を形成し、
前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程において、
前記第１の転写パターンの残渣欠陥の位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターン欠損欠陥を修正することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法。
【請求項４】
第１の転写パターンを有する第１のテンプレートを用いて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した第２の転写パターンを有する第２のテンプレートを製造するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、
前記第１の転写パターンの欠陥位置情報が既知の前記第１のテンプレートを準備する工程と、
前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程と、
前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、
前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程と、
前記欠陥を修正したハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて前記基板をエッチングして前記第２の転写パターンを形成する工程と、
を順に備えることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項５】
前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程において、
前記樹脂パターンに前記第１の転写パターンの欠損欠陥の凹凸形状が反転した樹脂パターン残渣欠陥を形成し、
前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程において、
前記樹脂パターン残渣欠陥の部分で被覆される前記ハードマスク層の部分にハードマスクパターン残渣欠陥を形成し、
前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程において、
前記第１の転写パターンの欠損欠陥の位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターン残渣欠陥を修正することを特徴とする請求項４に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【請求項６】
前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程において、
前記樹脂パターンに前記第１の転写パターンの残渣欠陥の凹凸形状が反転した樹脂パターン欠損欠陥を形成し、
前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程において、
前記樹脂パターン欠損欠陥の部分から露出する前記ハードマスク層の部分にハードマスクパターン欠損欠陥を形成し、
前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程において、
前記第１の転写パターンの残渣欠陥の位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターン欠損欠陥を修正することを特徴とする請求項４または請求項５に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法、および、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
半導体デバイス製造においては、従来から、フォトマスクを使って縮小（例えば１／４縮小）露光するフォトリソグラフィの技術が用いられており、近年では、より解像度を向上させる技術として、位相シフトマスクを用いたフォトリソグラフィによって、超ＬＳＩ等の微細なパターンを製造している。
しかしながら、さらなる微細化に対応するためには、露光波長の問題や製造コストの問題などから上記のフォトリソグラフィによる方式の限界が指摘されており、次世代のリソグラフィ技術として、テンプレート（モールド、スタンパ、金型とも呼ばれる）を使うナノインプリントリソグラフィ（ＮＩＬ：Ｎａｎｏｉｍｐｒｉｎｔ  Ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ）が提案されている。
【０００３】
このナノインプリントリソグラフィは、表面に微細な凹凸形状の転写パターンを形成したナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを、半導体ウェハなどの被転写基板の上に形成された樹脂に接触させ、この樹脂の表面側の形状をテンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型した後に、テンプレートを離型し、次いで、ドライエッチング等により余分な樹脂部分（残膜部分）を除去することで、被転写基板の上の樹脂にテンプレートの転写パターンの凹凸形状（より詳しくは、凹凸反転形状）を転写する技術である。
【０００４】
このナノインプリントリソグラフィに用いる樹脂成型方法には、熱可塑性樹脂を用いて、まず、前記樹脂をガラス転移温度以上に加熱して変形可能とし、この状態でテンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型し、その後、ガラス転移温度以下に冷却することでテンプレートの転写パターンの凹凸形状を前記樹脂に転写する熱インプリント法や（例えば、特許文献１）、紫外線硬化性樹脂を用いて、硬化前の変形可能な前記樹脂をテンプレートの転写パターンの凹凸形状に成型し、その後、紫外線を照射して前記樹脂を硬化させて、テンプレートの転写パターンの凹凸形状を前記樹脂に転写する光インプリント法などが提案されている（例えば、特許文献２）。
【０００５】
上記のように、光インプリント法は、熱インプリント法のような加熱と冷却の工程が不要であり、室温でパターン転写できる。また、テンプレートや被転写基板が、熱によって寸法変化を生じてしまうリスクを低減できる。
それゆえ、一般的には、熱インプリント法よりも光インプリント法の方が、生産性、解像性、アライメント精度などの点で優れている。
【０００６】
上記の光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィの一例を、図６に示す。
光インプリント法によるナノインプリントリソグラフィの技術を用いて所望の樹脂パターンを形成するには、例えば、図６（ａ）に示すように、まず、凹凸形状の転写パターンを設けたテンプレート１００、および、紫外線硬化性の樹脂層３２１を設けた被転写基板３１０を準備する。
そして、テンプレート１００を被転写基板３１０の上に設けた樹脂層３２１に接触させた後に紫外線３３０を照射して、樹脂層３２１の樹脂が硬化した樹脂パターン３２２を形成し（図６（ｂ））、その後、テンプレート１００を離型する（図６（ｃ））。
次いで、得られた樹脂パターン３２２に、例えば、酸素イオン等の反応性イオン３４０によるドライエッチングを施して（図６（ｄ））、厚さＴ1の余分な残膜部分を除去し、テンプレート１００の転写パターンとは凹凸形状が反転した所望の樹脂パターン３２３を形成する（図６（ｅ））。
【０００７】
一方、テンプレート１００を製造するには、例えば、図７（ａ）に示すように、まず、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）等から構成される基板１００Ａの上に、クロム（Ｃｒ）等から構成されるハードマスク層１２０Ａを有する構造体（ブランクスと呼ぶ）を準備する。
次に、ハードマスク層１２０Ａの上にレジスト等の樹脂層を形成し、例えば、電子線描画等の製版技術を用いて樹脂パターン１３０を形成する（図７（ｂ））。なお、樹脂パターン１３０は、上記の図６に示したようなナノインプリントリソグラフィの技術を用いて形成しても良い。
続いて、樹脂パターン１３０から露出するハードマスク層１２０Ａをエッチングしてハードマスクパターン１２０を形成する（図７（ｃ））。
その後、樹脂パターン１３０を除去し（図７（ｄ））、次いで、ハードマスクパターン１２０から露出する基板１００Ａをエッチングして凹部１００ｓを形成し（図７（ｅ））、最後に、ハードマスクパターン１２０を除去して、所望の凹凸形状の転写パターンを有するテンプレート１００を得る（図７（ｆ））。
なお、図７（ｆ）において、符号１００ｓはテンプレート１００の転写パターンの凹部を示し、符号１００ｔはテンプレート１００の転写パターンの凸部を示す。
【０００８】
ここで、従来のフォトマスクには、不要な余剰パターンである残渣欠陥（黒欠陥とも呼ばれる）や、必要なマスクパターンの一部が失われた欠損欠陥（白欠陥とも呼ばれる）が生じてしまうことがあり、フォトマスクの製造工程は、これらの欠陥を修正する工程を含んでいた（例えば、特許文献３）。そして、残渣欠陥を構成する物質（クロム等）を除去する工程を、残渣欠陥（黒欠陥）の修正工程と呼び、欠損欠陥の部分に修正材を堆積する工程を欠損欠陥（白欠陥）の修正工程と呼んでいた。
上記の残渣欠陥の修正方法としては、例えば、電子線とアシストガスを用いた部分エッチングで残渣欠陥を構成する物質を除去する方法がある。また、欠損欠陥の修正方法としては、例えば、電子線とデポジション用ガスを用いた部分デポジションで欠損欠陥の部分に修正材を堆積する方法がある。
【０００９】
上記のような、不要な余剰パターンである残渣欠陥や、必要な転写パターンの一部が失われた欠損欠陥は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートにおいても生じるものである。それゆえ、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においても、これらの欠陥を修正する必要がある。
一例として、従来の欠陥修正工程を含むナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法のフローチャートを図８に示す。例えば、従来においては、上記の図７に示すような製造方法によって転写パターンを形成（図８の工程Ｓ１０３）した後に、欠陥検査（図８の工程Ｓ１０５）を行い、検出した転写パターンの欠陥を修正（図８の工程Ｓ１０６）していた。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特表２００４−５０４７１８号公報
【特許文献２】特開２００２−９３７４８号公報
【特許文献３】特開２００４−２９４６１３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかしながら、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートは従来のフォトマスクとは構成が異なり、また、上記のように、ナノインプリントリソグラフィにおいては、テンプレートの転写パターンの凹凸形状（三次元形状）が、等倍の大きさで直接樹脂に転写されるため、転写パターンの平面形状（二次元形状）のみならず高さ（深さ）方向の形状も精密に制御する必要がある。
それゆえ、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートにおいては、残渣欠陥および欠損欠陥のいずれについても、その修正には困難性を伴っていた。
【００１２】
まず、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートにおける残渣欠陥修正の困難性について説明する。
従来のフォトマスクにおいては、マスクパターン（遮光パターン）を構成する材料（例えば、クロム）は、基板を構成する材料（例えば、酸化ケイ素）とは異なっていた。それゆえ残渣欠陥も、基板を構成する材料とは異なる物質（すなわち、クロム等）から構成されていた。したがって、例えば、電子線とアシストガスを用いた部分エッチングで残渣欠陥を構成する物質（クロム等）を除去する場合、基板を構成する材料（例えば、酸化ケイ素）がエッチング停止層として作用するため、エッチングの深さを制御することは容易であった。
【００１３】
一方、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートにおいては、通常、転写パターンは基板と同じ材料（例えば、酸化ケイ素）で構成されるため、その残渣欠陥も、基板を構成する材料と同じ物質（すなわち、酸化ケイ素）から構成されることになる。それゆえ、例えば、電子線とアシストガスを用いた部分エッチングで残渣欠陥を構成する物質（酸化ケイ素等）を除去する場合、エッチング停止層として作用するものがないため、エッチングの深さを制御することは困難であった。
したがって、残渣欠陥を修正した部分の深さを、他の転写パターンの凹部と同じ深さになるように正確に合わせることは、困難であった。
【００１４】
次に、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートにおける欠損欠陥修正の困難性について説明する。
従来のフォトマスクにおいて欠損欠陥の部分に堆積させる修正材に求められる性能は、遮光パターンとしての性能であり、主に、所定の遮光性と洗浄耐性を備えていれば良かった。
一方、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートにおいては、樹脂との接触および離型の工程が繰り返し行われるため、欠損欠陥の部分に堆積させる修正材に求められる性能は、従来のフォトマスクよりも高い洗浄耐性のほかに、物理的および化学的強度、耐久性、離型性、さらに、光インプリント法に用いるテンプレートにおいては紫外線透過性が求められることになる。それゆえ、修正材として適した材料を選択することが困難であった。
【００１５】
また、上記のように、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートにおいては、転写パターンの凹凸形状（三次元形状）が等倍の大きさで直接樹脂に転写されるため、転写パターンの平面形状（二次元形状）のみならず凸部の高さも精密に制御する必要がある。しかしながら、堆積させる修正材の高さを、他の転写パターンの凸部と同じ高さになるように正確に合わせることは、通常困難である。
その理由は、例えば、電子線とデポジション用ガスを用いた部分デポジションで欠損欠陥の部分に修正材を堆積する場合、他の転写パターンの凸部と同じ高さになったところで堆積を停止させるような作用は、通常、働かないからである。
【００１６】
上記のように、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートにおいては、転写パターンの残渣欠陥および欠損欠陥のいずれについても、その修正には困難性を伴っている。中でも、修正材として適した材料を選択することが困難な点で、欠損欠陥の修正が課題になっている。
【００１７】
本発明は、上記実情に鑑みてなされたものであり、残渣欠陥および欠損欠陥のいずれについても、その修正を容易に行うことができるナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法を提供すること、および、残渣欠陥および欠損欠陥が無いナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを製造することが可能なナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本発明者は、種々研究した結果、欠陥位置情報が既知の第１のテンプレートを用いて、第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層に、第１のテンプレートの転写パターンを転写してハードマスクパターンを形成し、第１のテンプレートの転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正し、欠陥修正されたハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて第２のテンプレートの転写パターンを形成することにより、上記課題を解決できることを見出して本発明を完成したものである。
【００１９】
すなわち、本発明の請求項１に係る発明は、第１の転写パターンを有する第１のテンプレートを用いて製造される前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した第２の転写パターンを有する第２のテンプレートの欠陥を修正するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法であって、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報が既知の前記第１のテンプレートを準備する工程と、前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程と、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程と、前記欠陥を修正したハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて前記基板をエッチングして前記第２の転写パターンを形成する工程と、を順に備えることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法である。
【００２０】
また、本発明の請求項２に係る発明は、前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程において、前記樹脂パターンに前記第１の転写パターンの欠損欠陥の凹凸形状が反転した樹脂パターン残渣欠陥を形成し、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程において、前記樹脂パターン残渣欠陥の部分で被覆される前記ハードマスク層の部分にハードマスクパターン残渣欠陥を形成し、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程において、前記第１の転写パターンの欠損欠陥の位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターン残渣欠陥を修正することを特徴とする請求項１に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法である。
【００２１】
また、本発明の請求項３に係る発明は、前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程において、前記樹脂パターンに前記第１の転写パターンの残渣欠陥の凹凸形状が反転した樹脂パターン欠損欠陥を形成し、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程において、前記樹脂パターン欠損欠陥の部分から露出する前記ハードマスク層の部分にハードマスクパターン欠損欠陥を形成し、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程において、前記第１の転写パターンの残渣欠陥の位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターン欠損欠陥を修正することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法である。
【００２２】
また、本発明の請求項４に係る発明は、第１の転写パターンを有する第１のテンプレートを用いて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した第２の転写パターンを有する第２のテンプレートを製造するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報が既知の前記第１のテンプレートを準備する工程と、前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程と、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程と、前記欠陥を修正したハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて前記基板をエッチングして前記第２の転写パターンを形成する工程と、を順に備えることを特徴とするナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００２３】
また、本発明の請求項５に係る発明は、前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程において、前記樹脂パターンに前記第１の転写パターンの欠損欠陥の凹凸形状が反転した樹脂パターン残渣欠陥を形成し、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程において、前記樹脂パターン残渣欠陥の部分で被覆される前記ハードマスク層の部分にハードマスクパターン残渣欠陥を形成し、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程において、前記第１の転写パターンの欠損欠陥の位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターン残渣欠陥を修正することを特徴とする請求項４に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【００２４】
また、本発明の請求項６に係る発明は、前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程において、前記樹脂パターンに前記第１の転写パターンの残渣欠陥の凹凸形状が反転した樹脂パターン欠損欠陥を形成し、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程において、前記樹脂パターン欠損欠陥の部分から露出する前記ハードマスク層の部分にハードマスクパターン欠損欠陥を形成し、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程において、前記第１の転写パターンの残渣欠陥の位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターン欠損欠陥を修正することを特徴とする請求項４または請求項５に記載のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの修正方法によれば、残渣欠陥および欠損欠陥のいずれについても、その修正を容易に行うことができる。
また、本発明のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法によれば、残渣欠陥および欠損欠陥が無いナノインプリントリソグラフィ用テンプレートを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法の一例を示すフローチャートである。
【図２】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の例を示す概略工程図である。
【図３】図２に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の例を示す概略工程図である。
【図４】本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の例を示す概略工程図である。
【図５】図４に続く本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の例を示す概略工程図である。
【図６】ナノインプリントリソグラフィの一例を示す概略工程図である。
【図７】従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示す概略工程図である。
【図８】従来の欠陥修正工程を含むナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の一例を示すフローチャートである。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
以下、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法、および、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法について、図面を用いて詳細に説明する。
【００２８】
本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法は、第１の転写パターンを有する第１のテンプレートを用いて製造される前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した第２の転写パターンを有する第２のテンプレートの欠陥を修正するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法であって、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報が既知の前記第１のテンプレートを準備する工程と、前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程と、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程と、前記欠陥を修正したハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて前記基板をエッチングして前記第２の転写パターンを形成する工程と、を順に備えるものである。
【００２９】
また、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法は、第１の転写パターンを有する第１のテンプレートを用いて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した第２の転写パターンを有する第２のテンプレートを製造するナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法であって、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報が既知の前記第１のテンプレートを準備する工程と、前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程と、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程と、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程と、前記欠陥を修正したハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて前記基板をエッチングして前記第２の転写パターンを形成する工程と、を順に備えるものである。
【００３０】
すなわち、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法は、上記のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法が備える各工程の全てを含むものである。
【００３１】
まず、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法の概要について、図１を用いて説明する。ここで、図１は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法の一例を示すフローチャートである。
【００３２】
従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正においては、上述のように、欠陥を有するテンプレートの転写パターンを直接修正していた。
すなわち、残渣欠陥の修正の場合は、転写パターンを構成する材料（酸化ケイ素等）からなる残渣欠陥を、部分エッチング等の方法で除去して、修正された凹部を有する転写パターンを形成し、欠損欠陥の修正の場合は、転写パターンを構成する材料と同様な性能を有する修正材を、部分デポジション等の方法で堆積して、修正された凸部を有する転写パターンを形成していた。
【００３３】
一方、本発明においては、ナノインプリントリソグラフィの技術を用いて、欠陥位置情報が既知の第１のテンプレートから、第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層に、第１のテンプレートの転写パターンを転写してハードマスクパターンを形成し、予め取得しておいた、第１のテンプレートの転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正し、欠陥修正されたハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて第２のテンプレートの転写パターンを形成する。
【００３４】
すなわち、図１に示すように、欠陥位置情報が既知の第１の転写パターンを有する第１のテンプレートを準備し（Ｓ１）、基板の上にハードマスク層を形成した第２のテンプレート用のブランクを準備し（Ｓ２）、前記ハードマスク層の上に形成した樹脂に、第１のテンプレートを接触させて第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成し（Ｓ３）、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いてハードマスク層をエッチングして、ハードマスクパターンを形成し（Ｓ４）、第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正し（Ｓ５）、欠陥を修正したハードマスクパターンをエッチングマスクに用いて基板をエッチングして、第２のテンプレートの転写パターン（第２の転写パターン）を形成する（Ｓ６）。
【００３５】
上記のように、本発明のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの修正方法によれば、第１のテンプレートが有する転写パターン（第１の転写パターン）の欠陥を、第２のテンプレート用のブランクのハードマスクパターン欠陥として転写し、このハードマスクパターン欠陥を修正することで、第１のテンプレートに存在していた残渣欠陥および欠損欠陥のいずれについても、第２のテンプレートには存在しないようにすることを、容易に行うことができる。
【００３６】
そして、本発明のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法は、上記の本発明のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法が備える各工程の全てを含むことから、本発明のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法によれば、残渣欠陥および欠損欠陥が無いナノインプリントリソグラフィ用テンプレート（第２のテンプレート）を製造することができる。
【００３７】
以下、第１のテンプレートの転写パターン（第１の転写パターン）が欠損欠陥を有する場合の欠陥修正方法（第１の実施形態）、および、第１のテンプレートの転写パターン（第１の転写パターン）が残渣欠陥を有する場合の欠陥修正方法（第２の実施形態）について、それぞれ図２〜図３、および、図４〜図５を用いて詳細に説明する。
ここで、図２〜図３は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第１の実施形態の例を示す概略工程図であり、図４〜図５は、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法の第２の実施形態の例を示す概略工程図である。
【００３８】
なお、ここでは説明を容易にするために、第１のテンプレートが欠損欠陥を有する場合（第１の実施形態）と残渣欠陥を有する場合（第２の実施形態）を分けて説明するが、第１のテンプレートが欠損欠陥と残渣欠陥の両方を有する場合には、以下に説明する第１の実施形態の欠陥修正方法と第２の実施形態の欠陥修正方法の両方を施して第２のテンプレートを作製すればよい。
【００３９】
＜第１の実施形態＞
まず、第１のテンプレートの転写パターン（第１の転写パターン）が欠損欠陥を有する場合の欠陥修正方法について説明する。
本実施形態においては、前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程において、前記樹脂パターンに前記第１の転写パターンの欠損欠陥の凹凸形状が反転した樹脂パターン残渣欠陥を形成し、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程において、前記樹脂パターン残渣欠陥の部分で被覆される前記ハードマスク層の部分にハードマスクパターン残渣欠陥を形成し、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程において、前記第１の転写パターンの欠損欠陥の位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターン残渣欠陥を修正する。
【００４０】
本実施形態においては、まず、上記のナノインプリントリソグラフィの技術（図６参照）を用いて、図２（ａ）〜図２（ｅ）に示すように、第１のテンプレート１０から、第１のテンプレート１０の転写パターン（第１の転写パターン）とは凹凸形状が反転した樹脂パターン４３を形成する。
【００４１】
例えば、図２（ａ）に示すように、まず、凹凸形状の転写パターン（第１の転写パターン）を有する第１のテンプレート１０を準備する。ここで、本例における第１のテンプレート１０の転写パターン（第１の転写パターン）には、欠損欠陥１２ｗが存在する。
そして、この第１のテンプレート１０が有する欠損欠陥１２ｗの欠陥位置情報は、例えば、第１のテンプレート１０の欠陥検査を行うことによって、予め取得することができる。
なお、第１のテンプレート１０は他者が製造したものを用いてもよく、また、第１のテンプレート１０の欠陥位置情報も、他者が欠陥検査したものを取得して用いてもよい。
【００４２】
一方、被転写基板としては、基板２０Ａの上にハードマスク層３０Ａが形成された第２のテンプレート２０用のブランクを準備し、ハードマスク層３０Ａの上に紫外線硬化性の樹脂層４１を形成する。
なお、図２（ａ）に示す例においては、ハードマスク層３０Ａの上に紫外線硬化性の樹脂層４１を形成しているが、この例の他に、重合性単量体を含む紫外線硬化性組成物を、インクジェット方式の塗布方法によってハードマスク層３０Ａの上に形成しても良い。この紫外線硬化性組成物は、紫外線照射によって重合し、樹脂パターンを形成するものである。
【００４３】
本実施形態において、基板２０Ａの材料は、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの基板として使用できる材料であれば用いることができるが、中でも、紫外線透過性の材料、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯｘ）を含む材料を好適に用いることができる。
基板２０Ａが、紫外線透過性の材料から構成されていれば、基板２０Ａから形成される第２のテンプレート２０を光インプリント法に用いることができるからである。
【００４４】
また、本発明において、ハードマスク層３０Ａの材料は、基板２０Ａのエッチングマスクとして使用できる材料であれば用いることができるが、中でも、クロム（Ｃｒ）を含む材料を好適に用いることができる。
ハードマスク層３０Ａが、クロム（Ｃｒ）を含む材料から構成されていれば、後述するハードマスクパターン残渣欠陥３０ｂの修正において、実績のある従来のフォトマスクの修正技術を適用できるからである。
【００４５】
次に、図２（ｂ）に示すように、第１のテンプレート１０をハードマスク層３０Ａの上に形成した樹脂層４１に接触させ、紫外線５０を照射して、樹脂層４１の樹脂が硬化した樹脂パターン４２を形成し、その後、第１のテンプレート１０を離型する（図２（ｃ））。
【００４６】
次いで、得られた樹脂パターン４２に、例えば、酸素イオン等の反応性イオン６０によるドライエッチングを施して（図２（ｄ））、厚さＴ1の余分な残膜部分を除去し、第１のテンプレート１０の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターン４３を形成する（図２（ｅ））。
【００４７】
ここで、上記のように、本例における第１のテンプレート１０の転写パターン（第１の転写パターン）には、欠損欠陥１２ｗが存在する。
この場合、図２（ｅ）に示すように、形成される樹脂パターン４３には、欠損欠陥１２ｗに対応した樹脂パターン残渣欠陥４３ｂが含まれることになる。ここで、樹脂パターン残渣欠陥４３ｂは、欠損欠陥１２ｗとは凹凸形状が反転した関係となる。すなわち、第１の転写パターンにおいては欠損欠陥であったが、転写された樹脂パターンにおいては残渣欠陥になる。
【００４８】
そして、図３（ｆ）および図３（ｇ）に示すように、樹脂パターン４３をエッチングマスクに用いてハードマスク層３０Ａをエッチングしてハードマスクパターン３０を形成すると、樹脂パターン残渣欠陥４３ｂの部分で覆われていた部分には、ハードマスクパターン残渣欠陥３０ｂが形成されることになる。
本実施形態においては、このハードマスクパターン残渣欠陥３０ｂを修正することによって、第２のテンプレート２０の修正工程を容易にし、その結果、転写パターン（第２の転写パターン）に残渣欠陥の無い第２のテンプレート２０を得ることができる。
【００４９】
ここで、従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法においても、基板上に形成したハードマスクパターンの欠陥を修正することで、転写パターンに欠陥の無いテンプレートを得るという方法が可能なようにも考えられる。
例えば、上記の図７（ｄ）に示す形態において、ハードマスクパターン１２０の欠陥を修正する方法が可能なようにも考えられる。
【００５０】
しかしながら、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートは、従来のフォトマスクのような４倍マスクではなく、等倍の転写パターンを有するものであり、その転写パターンの寸法は、例えば、１０ｎｍレベルと非常に小さいため、転写パターンをエッチング形成するためのハードマスクパターンも極めて薄膜にする必要がある。例えば、ハードマスクパターンの膜厚は数ｎｍレベルである。
このように、ハードマスクパターンが極めて薄膜であるため、転写パターンをエッチング形成する前の表面平坦な基板上に形成されたハードマスクパターンの欠陥を、欠陥検査装置で検出することは困難である。
【００５１】
それゆえ、従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造においては、例えば、上記の図８に示すように、転写パターンの形成工程（Ｓ１０３）の後に、欠陥検査工程（Ｓ１０５）を行っていた。より具体的には、例えば、上記の図７（ｅ）または図７（ｆ）に示す形態において、欠陥検査を行っていた。
通常、ナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの転写パターンは、凸部の上面（Ｔｏｐ面）と凹部の底面（Ｂｏｔｔｏｍ面）の段差が凹部の幅の３倍程度のアスペクト比を有しているため、転写パターン形成後であれば、既存の欠陥検査装置を用いて欠陥を検出することが容易になるからである。
【００５２】
それゆえ、従来は、凹凸形状の転写パターンを形成した後に欠陥検査を行い、得られた欠陥の位置情報に基づいて、前記転写パターンの欠陥を修正することが行われていた。したがって、転写パターンを形成する前のハードマスクパターンの欠陥を修正することは、行われていなかった。
【００５３】
一方、本実施形態においては、ハードマスクパターン残渣欠陥３０ｂの位置は、欠陥検査を行わなくても、第１のテンプレート１０において予め取得した欠陥位置情報（欠損欠陥１２ｗの位置情報）から、求めることができる。
それゆえ、図３（ｇ）に示す形態のように、転写パターンをエッチング形成する前の表面平坦な基板２０Ａの上に形成されたハードマスクパターン残渣欠陥３０ｂを、直接、既存の欠陥検査装置で検出することは困難であっても、第１のテンプレート１０の欠陥位置情報（欠損欠陥１２ｗの位置情報）に基づいて、修正装置においてハードマスクパターン残渣欠陥３０ｂを見つけ出すことは、容易にできる。
そして、例えば、電子線とアシストガスを用いた部分エッチングの方法を用いてハードマスクパターン残渣欠陥３０ｂを除去することにより、所望の形態を有する修正ハードマスクパターン３０ｅを形成することができる（図３（ｈ））。
【００５４】
ここで、従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの残渣欠陥修正においては、基板と残渣欠陥が共に同じ物質（例えば、酸化ケイ素）から構成されているため、エッチング停止層として作用するものがなく、エッチングの深さを制御することは困難であった。
一方、本実施形態においては、ハードマスクパターン残渣欠陥３０ｂを構成する物質（例えば、クロム）は、基板２０Ａを構成する物質（例えば、酸化ケイ素）とは異なるため、基板２０Ａをエッチング停止層として作用させることができ、エッチングの深さを制御することが容易になる。
【００５５】
さらに、本実施形態においては、ハードマスク層３０Ａを構成する材料を、従来のフォトマスクのマスクパターン（遮光パターン）を構成する材料と同じもの、若しくは、修正に際して同様にエッチング可能なものを用いることで、その修正には、実績のある従来のフォトマスクの修正技術を適用できる。例えば、ハードマスク層３０Ａを構成する材料として、クロム（Ｃｒ）を含む材料を好適に用いることができる。
【００５６】
上記のようにして、ハードマスクパターン残渣欠陥３０ｂを除去した後は、修正ハードマスクパターン３０ｅを含むハードマスクパターン３０をエッチングマスクに用いて基板２０Ａをエッチングして、第２の転写パターンの凹部２０ｓを形成する（図３（ｉ））。
その後、修正ハードマスクパターン３０ｅを含むハードマスクパターン３０を除去して、残渣欠陥の無い第２のテンプレート２０を得ることができる（図３（ｊ））。
なお、図３（ｊ）において、符号２０ｓは第２の転写パターンの凹部を示し、符号２０ｔは第２の転写パターンの凸部を示す。
【００５７】
＜第２の実施形態＞
次に、第１のテンプレートの転写パターン（第１の転写パターン）が残渣欠陥を有する場合の欠陥修正方法について説明する。
本実施形態においては、前記第２のテンプレートを構成する基板の上に形成されたハードマスク層の上に配設された樹脂に、前記第１のテンプレートを接触させて前記第１の転写パターンとは凹凸形状が反転した樹脂パターンを形成する工程において、前記樹脂パターンに前記第１の転写パターンの残渣欠陥の凹凸形状が反転した樹脂パターン欠損欠陥を形成し、前記樹脂パターンをエッチングマスクに用いて前記ハードマスク層をエッチングしてハードマスクパターンを形成する工程において、前記樹脂パターン欠損欠陥の部分から露出する前記ハードマスク層の部分にハードマスクパターン欠損欠陥を形成し、前記第１の転写パターンの欠陥位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターンの欠陥を修正する工程において、前記第１の転写パターンの残渣欠陥の位置情報に基づいて、前記ハードマスクパターン欠損欠陥を修正する。
【００５８】
本実施形態（第２の実施形態）においても、上記の第１の実施形態と同様に、まず、図４（ａ）〜図４（ｅ）に示すように、第１のテンプレート１０から、第１のテンプレート１０の転写パターン（第１の転写パターン）とは凹凸形状が反転した樹脂パターン４３を形成する。
【００５９】
ここで、図４（ａ）に示すように、本例における第１のテンプレート１０の転写パターン（第１の転写パターン）には、残渣欠陥１２ｂが存在する。
そして、この第１のテンプレート１０が有する残渣欠陥１２ｂの欠陥位置情報は、例えば、第１のテンプレート１０の欠陥検査を行うことによって、予め取得することができる。なお、第１のテンプレート１０は他者が製造したものを用いてもよく、また、第１のテンプレート１０の欠陥位置情報も、他者が欠陥検査したものを取得して用いてもよい。
【００６０】
第１のテンプレート１０に残渣欠陥１２ｂが存在する場合、図４（ｅ）に示すように、形成される樹脂パターン４３には、残渣欠陥１２ｂに対応した樹脂パターン欠損欠陥４３ｗが含まれることになる。ここで、樹脂パターン欠損欠陥４３ｗは、残渣欠陥１２ｂとは凹凸形状が反転した関係となる。すなわち、第１の転写パターンにおいては残渣欠陥であったが、転写された樹脂パターンにおいては欠損欠陥になる。
【００６１】
そして、図５（ｆ）および図５（ｇ）に示すように、樹脂パターン４３をエッチングマスクに用いてハードマスク層３０Ａをエッチングしてハードマスクパターン３０を形成すると、樹脂パターン欠損欠陥４３ｗの部分から露出するハードマスク層３０Ａの部分もエッチングされて、ハードマスクパターン欠損欠陥３０ｗが形成されることになる。
本実施形態においては、このハードマスクパターン欠損欠陥３０ｗを修正することによって、第２のテンプレート２０の修正工程を容易にし、その結果、転写パターン（第２の転写パターン）に欠損欠陥の無い第２のテンプレート２０を得ることができる。
【００６２】
本実施形態においても、上記の第１の実施形態と同様に、ハードマスクパターン欠損欠陥３０ｗの位置は、欠陥検査を行わなくても、第１のテンプレート１０において予め取得した欠陥位置情報（残渣欠陥１２ｂの位置情報）から求めることができる。
それゆえ、図５（ｇ）に示す形態のように、転写パターンをエッチング形成する前の表面平坦な基板２０Ａの上に形成されたハードマスクパターン欠損欠陥３０ｗを、直接、既存の欠陥検査装置で検出することは困難であっても、第１のテンプレート１０の欠陥位置情報（残渣欠陥１２ｂの位置情報）に基づいて、修正装置においてハードマスクパターン欠損欠陥３０ｗを見つけ出すことは、容易にできる。
そして、例えば、電子線とデポジション用ガスを用いた部分デポジションの方法を用いてハードマスクパターン欠損欠陥３０ｗの部分に修正材３０ｄを堆積することにより、欠損欠陥の部分が修正された修正ハードマスクパターン３０ｒを形成することができる（図５（ｈ））。
【００６３】
なお、従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法において、基板上に形成したハードマスクパターンの欠陥を修正することで、転写パターンに欠陥の無いテンプレートを得るという方法の困難性については、上記の第１の実施形態において説明済みであるため、ここでの説明は省略する。
【００６４】
ここで、従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠損欠陥修正においては、修正材に求められる性能（強度等）が厳しいことから、修正材として適した材料を選択することが困難であった。
一方、本実施形態においては、ハードマスクパターン欠損欠陥３０ｗの部分に堆積させる修正材３０ｄに求められる性能は、主に、基板２０Ａをエッチングする際のエッチングマスクとしての耐性と、修正工程（図５（ｈ））の後から基板エッチング工程（図５（ｉ））の前までの間の洗浄耐性であり、修正材として適用できる材料の選択幅を、格段に広くすることができる。
【００６５】
また、従来のナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠損欠陥修正においては、転写パターンを修正するために、堆積させる修正材の高さを、他の転写パターンの凸部と同じ高さになるように正確に合わせることが求められていた。
一方、本実施形態においては、欠陥修正する対象は、転写パターンではなく、エッチングマスクとして作用するハードマスクパターンである。それゆえ、ハードマスクパターン欠損欠陥３０ｗの部分に堆積させる修正材３０ｄには、転写パターンとしての性能は要求されず、堆積させる修正材３０ｄの高さについても、基板２０Ａをエッチングする際のエッチングマスクとしての耐性さえ備えていれば、特に、他のハードマスクパターンと同じ高さになるように正確に合わせることを要しない。
したがって、本実施形態においては、従来のように転写パターンの欠損欠陥を修正していた場合に比べて、格段に修正が容易になる。
【００６６】
さらに、本実施形態においては、修正材３０ｄを構成する物質は、ハードマスク層３０Ａを構成する材料（例えば、クロム）と同じ物質を用いることができる。それゆえ、その修正には、実績のある従来のフォトマスクの修正技術を適用できる。
【００６７】
上記のようにして、修正ハードマスクパターン３０ｒを形成した後は、修正ハードマスクパターン３０ｒを含むハードマスクパターン３０をエッチングマスクに用いて基板２０Ａをエッチングして、第２の転写パターンの凹部２０ｓを形成し（図５（ｉ））、その後、修正ハードマスクパターン３０ｒを含むハードマスクパターン３０を除去して、欠損欠陥の無い第２のテンプレート２０を得ることができる（図５（ｊ））。
【００６８】
以上、本発明に係るナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの欠陥修正方法、およびナノインプリントリソグラフィ用テンプレートの製造方法についてそれぞれの実施形態を説明したが、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
【符号の説明】
【００６９】
１０・・・第１のテンプレート
１０ｓ・・・凹部
１０ｔ・・・凸部
１２ｂ・・・残渣欠陥
１２ｗ・・・欠損欠陥
２０・・・第２のテンプレート
２０Ａ・・・基板
２０ｓ・・・凹部
２０ｔ・・・凸部
３０・・・ハードマスクパターン
３０Ａ・・・ハードマスク層
３０ｂ・・・ハードマスクパターン残渣欠陥
３０ｅ・・・修正ハードマスクパターン
３０ｄ・・・修正材
３０ｒ・・・修正ハードマスクパターン
３０ｗ・・・ハードマスクパターン欠損欠陥
４１・・・樹脂層
４２・・・樹脂パターン
４２ｂ・・・樹脂パターン残渣欠陥
４２ｗ・・・樹脂パターン欠損欠陥
４３・・・樹脂パターン
４３ｂ・・・樹脂パターン残渣欠陥
４３ｗ・・・樹脂パターン欠損欠陥
５０・・・紫外線
６０・・・反応性イオン
１００・・・ナノインプリントリソグラフィ用テンプレート
１００Ａ・・・基板
１００ｓ・・・凹部
１００ｔ・・・凸部
１２０・・・ハードマスクパターン
１２０Ａ・・・ハードマスク層
１３０・・・樹脂パターン
３１０・・・被転写基板
３２１・・・樹脂層
３２２・・・樹脂パターン
３２３・・・樹脂パターン
３３０・・・紫外線
３４０・・・反応性イオン
【図１】
2014082415.tif 000003
【図２】
2014082415.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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