【手続補正書】
【提出日】令和3年8月17日(2021.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
成膜対象物およびターゲットが配置されるチャンバを有し、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、
前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内の圧力の情報を取得する複数の圧力センサを有し、
該複数の圧力センサは、前記スパッタリング領域の移動方向に沿って配置されていることを特徴とする成膜装置。
【請求項２】
前記チャンバ内の圧力を調整する圧力調整手段をさらに備え、
前記圧力調整手段は、前記複数の圧力センサの少なくとも１つによって取得された前記圧力の情報に基づいて圧力を調整することを特徴とする請求項１に記載の成膜装置。
【請求項３】
前記圧力調整手段は、排気手段と、ガス導入手段と、を含み、
前記圧力センサによって取得された圧力の情報と目標圧力との差の絶対値が所定値以下である場合には前記排気手段で圧力を調整し、前記絶対値が所定値よりも大きい場合には前記排気手段および前記ガス導入手段で圧力を調整することを特徴とする請求項２に記載の成膜装置。
【請求項４】
前記ガス導入手段は、前記チャンバ内にガスを導入するための複数のガス導入口を有し、
前記複数のガス導入口は、配置される前記ターゲットの長手方向に沿って配置されていることを特徴とする請求項３に記載の成膜装置。
【請求項５】
前記スパッタリング領域の位置情報に基づいて、前記圧力調整手段による圧力の調整に用いる圧力センサを前記複数の圧力センサの中から少なくとも１つ選択する選択手段を有することを特徴とする請求項２から４のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項６】
前記圧力調整手段は、前記選択手段によって選択される圧力センサによって取得される圧力の情報に基づく圧力が目標圧力となるように、前記チャンバ内の圧力を調整すること
を特徴とする請求項５に記載の成膜装置。
【請求項７】
前記選択手段は、前記スパッタリング領域の位置情報および前記スパッタリング領域の移動方向情報の少なくとも１つに基づいて、前記圧力調整手段による圧力の調整に用いる圧力センサを選択することを特徴とする請求項５または６に記載の成膜装置。
【請求項８】
前記選択手段は、前記複数の圧力センサのうち、前記ターゲットの近傍に位置する圧力センサを選択することを特徴とする請求項５から７のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項９】
前記選択手段は、前記複数の圧力センサのうち、前記ターゲットの近傍に位置する圧力センサと、当該圧力センサの前記ターゲットの進行方向前方に位置する圧力センサと、の少なくとも２つの圧力センサを選択することを特徴とする請求項５から８のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項１０】
配置される前記ターゲットの長手方向に交差する方向に、前記ターゲットを移動させることにより、前記スパッタリング領域を移動させることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項１１】
前記ターゲットは円筒形であり、前記ターゲットを回転させる回転手段をさらに有することを特徴とする請求項１から１０のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項１２】
前記ターゲットは平板形である請求項１から１０のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項１３】
前記チャンバ内には複数の前記ターゲットが並んで配置され、
配置される前記複数のターゲットを共に移動させることを特徴とする請求項１から１２のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項１４】
前記ターゲットは、前記スパッタリング領域の移動方向に延在する平板形状であり、
前記ターゲットは前記チャンバに対して固定して設けられ、
磁場発生手段を前記チャンバに対して移動させることで、前記スパッタリング領域を移動させることを特徴とする請求項１から９のいずれか一項に記載の成膜装置。
【請求項１５】
成膜対象物をチャンバ内に配置し、前記成膜対象物と対向して配置されたターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む成膜方法であって、
前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットのスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域を前記チャンバに対して相対移動させつつ成膜を行う工程であり、
前記スパッタ成膜工程において、前記ターゲットのスパッタリング領域の移動方向に沿って前記チャンバ内に配置された複数の圧力センサの少なくとも１つによって前記チャンバ内の圧力の情報を取得して、前記チャンバ内の圧力調整を行うことを特徴とする成膜方法。
【請求項１６】
前記チャンバ内の圧力調整は、前記チャンバ内における前記スパッタリング領域の位置における圧力を目標圧力へ調整することであることを特徴とする請求項１５に記載の成膜方法。
【請求項１７】
前記スパッタリング領域は、前記ターゲットを介して前記成膜対象物と対向する位置に配置される磁場発生手段の磁場によって漏洩磁場が形成された領域であることを特徴とする請求項１５または１６に記載の成膜方法。
【請求項１８】
成膜対象物をチャンバ内に配置し、前記成膜対象物と対向して配置されたターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む電子デバイスの製造方法であって、
前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットのスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域を前記チャンバに対して相対移動させつつ成膜を行う工程であり、
前記スパッタ成膜工程において、前記ターゲットの移動方向に沿って前記チャンバ内に配置された複数の圧力センサの少なくとも１つによって前記チャンバ内の圧力の情報を取得して、前記チャンバ内の圧力調整を行うことを特徴とする電子デバイスの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
本発明の一側面としての成膜装置は、成膜対象物およびターゲットが配置されるチャンバを有し、前記ターゲットからスパッタ粒子を発生させるスパッタリング領域を前記チャンバ内で移動させつつ、前記スパッタ粒子を前記成膜対象物に堆積させて成膜する成膜装置であって、前記チャンバ内に配置され、前記チャンバ内の圧力の情報を取得する複数の圧力センサを有し、該複数の圧力センサは、前記スパッタリング領域の移動方向に沿って配置されていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００９】
また、本発明の別の側面としての成膜方法は、成膜対象物をチャンバ内に配置し、前記成膜対象物と対向して配置されたターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む成膜方法であって、前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットのスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域を前記チャンバに対して相対移動させつつ成膜を行う工程であり、前記スパッタ成膜工程において、前記ターゲットのスパッタリング領域の移動方向に沿って前記チャンバ内に配置された複数の圧力センサの少なくとも１つによって前記チャンバ内の圧力の情報を取得して、前記チャンバ内の圧力調整を行うことを特徴とする。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
さらに、本発明の別の側面としての電子デバイスの製造方法は、成膜対象物をチャンバ内に配置し、前記成膜対象物と対向して配置されたターゲットから飛翔するスパッタ粒子を堆積させて成膜するスパッタ成膜工程を含む電子デバイスの製造方法であって、前記スパッタ成膜工程は、前記ターゲットのスパッタ粒子が発生するスパッタリング領域を前記
チャンバ内で相対移動させつつ成膜を行う工程であり、前記スパッタ成膜工程において、前記ターゲットの移動方向に沿って前記チャンバ内に配置された複数の圧力センサの少なくとも１つによって前記チャンバ内の圧力の情報を取得して、前記チャンバ内の圧力調整を行うことを特徴とする。