(57)【要約】【課題】配線板の製造（特に、絶縁層及び導体層の積層）において、アライメント精度を向上させる。【解決手段】配線板の製造方法が、上面に導体層１００ａ（導体パターンを含む）が形成された基板１００（下層絶縁層）上に形成され、上面に金属箔１０１１を有する絶縁層１０１について、導体層１００ａが形成されていない領域（Ｘ−Ｙ平面）において金属箔１０１１及び絶縁層１０１を貫通して絶縁層１０２に至る基準マーク２００４ａを形成することと、周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として基準マーク２００４ａを認識して、基準マーク２００４ａを基準にしてパターンめっきを行って、絶縁層１０１上に、金属箔１０１１及びめっき（無電解めっき膜１０１３、電解めっき１０１７）から構成される導体層を形成することと、を含む。【選択図】図２０
2014067872.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面に導体パターンが形成された下層絶縁層上に形成され、上面に金属箔を有する絶縁層について、前記導体パターンが形成されていない領域において前記金属箔及び前記絶縁層を貫通して、前記下層絶縁層又は該下層絶縁層よりも深い位置にある絶縁層に至る基準マークを形成することと、
周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として前記基準マークを認識して、該基準マークを基準にしてパターンめっきを行って、前記絶縁層上に、前記金属箔及びめっきから構成される導体層を形成することと、
を含む、
ことを特徴とする配線板の製造方法。
【請求項２】
第１面及びその反対側の第２面を有する絶縁基板と、該絶縁基板の前記第１面上に形成された第１金属箔と、から構成される金属箔付き基板を準備することと、
前記金属箔付き基板を貫通する第１基準マークを形成することと、
前記第１基準マークを基準にしてパターンめっきを行って、前記絶縁基板の前記第１面上に、前記第１金属箔及びめっきから構成される第１導体層を形成することと、
前記絶縁基板の前記第１面上及び前記第１導体層上に、第１絶縁層及び第２金属箔を、この順で積層することと、
前記第１導体層に含まれる導体パターンを基準にして、前記絶縁基板及びその両面の積層物の全てを貫通する第２基準マークを形成することと、
前記第２基準マークを基準にして、前記第２金属箔及び前記第１絶縁層を貫通して前記第１導体層に至る第１ビアホールを形成するとともに、前記第１導体層が形成されていない領域において前記第２金属箔及び前記第１絶縁層を貫通して、前記絶縁基板又は該絶縁基板よりも深い位置にある絶縁層に至る第３基準マークを形成することと、
周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として前記第３基準マークを認識して、該第３基準マークを基準にしてパターンめっきを行って、前記第１ビアホール内に第１ビア導体を形成し、前記第１絶縁層上に、前記第２金属箔及びめっきから構成される第２導体層を形成することと、
を含み、
請求項１における下層絶縁層、導体パターン、金属箔、絶縁層、基準マーク、導体層はそれぞれ、前記絶縁基板、前記第１導体層、前記第２金属箔、前記第１絶縁層、前記第３基準マーク、前記第２導体層に相当する、
ことを特徴とする請求項１に記載の配線板の製造方法。
【請求項３】
前記第２導体層の形成後に、前記第１絶縁層上及び前記第２導体層上に、第２絶縁層及び第３金属箔を、この順で積層することと、
前記第２導体層に含まれる導体パターンを基準にして、前記絶縁基板及びその両面の積層物の全てを貫通する第４基準マークを形成することと、
前記第４基準マークを基準にして、前記第３金属箔及び前記第２絶縁層を貫通して前記第２導体層に至る第２ビアホールを形成するとともに、前記第２導体層が形成されていない領域において前記第３金属箔及び前記第２絶縁層を貫通して、前記第１絶縁層又は該第１絶縁層よりも深い位置にある絶縁層に至る第５基準マークを形成することと、
周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として前記第５基準マークを認識して、該第５基準マークを基準にしてパターンめっきを行って、前記第２ビアホール内に第２ビア導体を形成し、前記第２絶縁層上に、前記第３金属箔及びめっきから構成される第３導体層を形成することと、
を含む、
ことを特徴とする請求項２に記載の配線板の製造方法。
【請求項４】
前記金属箔付き基板は、前記絶縁基板の前記第２面上に形成された第４金属箔を有し、
前記第１基準マークの形成後に、該第１基準マークを基準にしてパターンめっきを行って、前記絶縁基板の前記第２面上に、前記第４金属箔及びめっきから構成される第４導体層を形成することを含む、
ことを特徴とする請求項２又は３に記載の配線板の製造方法。
【請求項５】
前記第２基準マークの形成では、前記第１導体層及び前記第４導体層の各々に含まれる導体パターンを基準にして、前記第２基準マークを形成し、
前記第４導体層の形成後、且つ、前記第２基準マークの形成前に、前記絶縁基板の前記第２面上及び前記第４導体層上に、第３絶縁層及び第５金属箔を、この順で積層することと、
前記第２基準マークの形成後に、該第２基準マークを基準にして、前記第５金属箔及び前記第３絶縁層を貫通して前記第４導体層に至る第３ビアホールを形成するとともに、前記第４導体層が形成されていない領域において前記第５金属箔及び前記第３絶縁層を貫通して、前記絶縁基板又は該絶縁基板よりも深い位置にある絶縁層に至る第６基準マークを形成することと、
周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として前記第６基準マークを認識して、該第６基準マークを基準にしてパターンめっきを行って、前記第３ビアホール内に第３ビア導体を形成し、前記第３絶縁層上に、前記第５金属箔及びめっきから構成される第５導体層を形成することと、
を含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の配線板の製造方法。
【請求項６】
前記第４基準マークの形成では、前記第２導体層及び前記第５導体層の各々に含まれる導体パターンを基準にして、前記第４基準マークを形成し、
前記第５導体層の形成後、且つ、前記第４基準マークの形成前に、前記第３絶縁層上及び前記第５導体層上に、第４絶縁層及び第６金属箔を、この順で積層することと、
前記第４基準マークの形成後に、該第４基準マークを基準にして、前記第６金属箔及び前記第４絶縁層を貫通して前記第５導体層に至る第４ビアホールを形成するとともに、前記第５導体層が形成されていない領域において前記第６金属箔及び前記第４絶縁層を貫通して、前記第３絶縁層又は該第３絶縁層よりも深い位置にある絶縁層に至る第７基準マークを形成することと、
周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として前記第７基準マークを認識して、該第７基準マークを基準にしてパターンめっきを行って、前記第４ビアホール内に第４ビア導体を形成し、前記第４絶縁層上に、前記第６金属箔及びめっきから構成される第６導体層を形成することと、
を含む、
ことを特徴とする請求項５に記載の配線板の製造方法。
【請求項７】
厚み方向に直交する面に投影したときに、前記第３基準マークと前記第５基準マークとは全く重ならず、且つ／又は、前記第３基準マークと前記第６基準マークとは全く重ならず、且つ／又は、前記第５基準マークと前記第７基準マークとは全く重ならず、且つ／又は、前記第６基準マークと前記第７基準マークとは全く重ならない、
ことを特徴とする請求項６に記載の配線板の製造方法。
【請求項８】
前記準備される金属箔付き基板の前記絶縁基板は、繊維基材及び無機フィラーを含む、
ことを特徴とする請求項２乃至７のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項９】
前記第２基準マークの形成では、電磁波を透過させることによって前記第１導体層に含まれる前記導体パターンを認識する、
ことを特徴とする請求項２乃至８のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１０】
前記第１基準マークを基準にして、前記絶縁基板を貫通するスルーホールを形成することと、
前記第１基準マークを基準にした前記パターンめっきにより、前記スルーホール内に、前記絶縁基板の両面に形成された導体層を相互に電気的に接続するスルーホール導体を形成することと、
を含む、
ことを特徴とする請求項２乃至９のいずれか一項に記載の配線板の製造方法。
【請求項１１】
下層絶縁層と、
前記下層絶縁層上に形成された導体パターンと、
前記下層絶縁層上及び前記導体パターン上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された金属箔及びめっきから構成される導体層と、
を有する配線板であって、
前記絶縁層の、前記導体パターンが形成されていない領域には、前記金属箔及び前記絶縁層を貫通して、前記下層絶縁層又は該下層絶縁層よりも深い位置にある絶縁層に至るアライメントマークとしての基準マークが形成されている、
ことを特徴とする配線板。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、絶縁基板（コア基板）に形成されたスルーホールを基準にして、その絶縁基板の両面に層間絶縁層及び導体層を交互に積層する配線板の製造方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００５−５３３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、特許文献１に記載の配線板の製造方法では、１つのアライメントマーク（スルーホール）を使用し続けることになるため、絶縁基板（コア基板）上に積層される層間絶縁層及び導体層の数が多くなると、十分なアライメント精度を得るのが困難になったり、あるいは製造方法が煩雑になったりするなどの不都合が生じ易くなる。特に、ファインピッチ化によりビア導体のランドの径が小さくなると、そのランド上にビアホールを形成する場合に、そのビアホールの形成について高い位置精度が要求されるようになる。このため、アライメント精度が低下すると、ビア導体の接続についての電気的信頼性が低下し易くなる。また、ビア導体の接続についての電気的信頼性が低下することは、配線板の歩留まり低下にもつながり得る。
【０００５】
本発明は、こうした実情に鑑みてなされたものであり、配線板の製造（特に、絶縁層及び導体層の積層）において、アライメント精度を向上させることを目的とする。また、本発明は、ビア導体の接続についての電気的信頼性を向上させることを他の目的とする。また、本発明は、ファインピッチ化（高密度配線）を可能にすることを他の目的とする。また、本発明は、配線板の歩留まり向上を他の目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る配線板の製造方法は、
上面に導体パターンが形成された下層絶縁層上に形成され、上面に金属箔を有する絶縁層について、前記導体パターンが形成されていない領域において前記金属箔及び前記絶縁層を貫通して、前記下層絶縁層又は該下層絶縁層よりも深い位置にある絶縁層に至る基準マークを形成することと、
周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として前記基準マークを認識して、該基準マークを基準にしてパターンめっきを行って、前記絶縁層上に、前記金属箔及びめっきから構成される導体層を形成することと、
を含む。
【０００７】
本発明に係る配線板は、
下層絶縁層と、
前記下層絶縁層上に形成された導体パターンと、
前記下層絶縁層上及び前記導体パターン上に形成された絶縁層と、
前記絶縁層上に形成された金属箔及びめっきから構成される導体層と、
を有する配線板であって、
前記絶縁層の、前記導体パターンが形成されていない領域には、前記金属箔及び前記絶縁層を貫通して、前記下層絶縁層又は該下層絶縁層よりも深い位置にある絶縁層に至るアライメントマークとしての基準マークが形成されている。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、配線板の製造（特に、絶縁層及び導体層の積層）において、アライメント精度を向上させることが可能になる。また、本発明によれば、上記効果に加えて又は上記効果に代えて、ビア導体の接続についての電気的信頼性を向上させることが可能になるという効果が奏される場合がある。また、本発明によれば、上記効果に加えて又は上記効果に代えて、ファインピッチ化（高密度配線）が可能になるという効果が奏される場合がある。また、本発明によれば、上記効果に加えて又は上記効果に代えて、配線板の歩留まりを向上させることが可能になるという効果が奏される場合がある。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施形態に係る配線板の断面図である。
【図２】図１に示される配線板において、下層ビア導体のランド上に形成されたビアホールを示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、コア部及び下層ビルドアップ部の形成方法を示すフローチャートである。
【図４】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、配線板のコア部を構成する金属箔付き基板（絶縁基板、第１金属箔、及び第４金属箔）を準備する工程を説明するための図である。
【図５】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、図４の工程で準備された金属箔付き基板を貫通する第１基準マークを形成する工程を説明するための図である。
【図６】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、第１基準マークを基準にして、絶縁基板を貫通するスルーホールを形成する工程を説明するための図である。
【図７】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、第１基準マークが形成される位置を示す平面図である。
【図８】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、第１基準マークを基準にしたパターンめっきの第１の工程を説明するための図である。
【図９】図８の工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図１０】図９の工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図１１】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、図８〜図１０の工程で形成された第１導体層及び第４導体層の各々に含まれるアライメント用の導体パターンの形態を示す平面図である。
【図１２】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、絶縁基板の第１面上及び第１導体層上に、第１絶縁層及び第２金属箔を、この順で積層し、絶縁基板の第２面上及び第４導体層上に、第３絶縁層及び第５金属箔を、この順で積層する工程を説明するための図である。
【図１３】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、図１１に示される導体パターンを基準にして、絶縁基板及びその両面の積層物の全てを貫通する第２基準マークを形成する工程を説明するための図である。
【図１４】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、図１３の工程において、第１導体層及び第４導体層の各々に含まれる導体パターンから第２基準マークを形成する位置を決定する方法を説明するための図である。
【図１５】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、第２基準マークが形成される位置を示す平面図である。
【図１６】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、図１３の工程で形成された第２基準マークを基準にして、第１ビアホール及び第３ビアホールを形成するとともに、第３基準マーク及び第６基準マークを形成する工程を説明するための図である。
【図１７】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、第３基準マーク及び第６基準マークの形態を示す平面図である。
【図１８】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、第３基準マーク及び第６基準マークが形成される位置を示す平面図である。
【図１９】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、第３基準マーク及び第６基準マークを基準にしたパターンめっきの第１の工程を説明するための図である。
【図２０】図１９の工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図２１】図２０の工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【図２２】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、上層ビルドアップ部の形成方法を示すフローチャートである。
【図２３】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、第１絶縁層上及び第２導体層上に、第２絶縁層及び第３金属箔を、この順で積層し、第３絶縁層上及び第５導体層上に、第４絶縁層及び第６金属箔を、この順で積層する工程を説明するための図である。
【図２４】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、図２３の工程で形成された第２導体層及び第５導体層の各々に含まれる導体パターンを基準にして、絶縁基板及びその両面の積層物の全てを貫通する第４基準マークを形成する工程を説明するための図である。
【図２５】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、図２４の工程で形成された第４基準マークを基準にして、第２ビアホール及び第４ビアホールを形成するとともに、第５基準マーク及び第７基準マークを形成する工程を説明するための図である。
【図２６】本発明の実施形態に係る配線板の製造方法において、第５基準マーク及び第７基準マークを基準にしたパターンめっきの第１の工程を説明するための図である。
【図２７】図２６の工程の後の第２の工程を説明するための図である。
【図２８】図２７の工程の後の第３の工程を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本発明の実施形態について、図面を参照しつつ詳細に説明する。なお、図中、矢印Ｚ１、Ｚ２は、それぞれ配線板の主面（表裏面）の法線方向に相当する配線板の積層方向（又は配線板の厚み方向）を指す。一方、矢印Ｘ１、Ｘ２及びＹ１、Ｙ２は、それぞれ積層方向に直交する方向（又は各層の側方）を指す。配線板の主面は、Ｘ−Ｙ平面となる。また、配線板の側面は、Ｘ−Ｚ平面又はＹ−Ｚ平面となる。積層方向において、コアに近い側を下層、コアから遠い側を上層という。
【００１１】
導体層は、一乃至複数の導体パターンで構成される層である。導体層は、電気回路を構成する導体パターン、例えば配線（グランドも含む）、パッド、又はランド等を含む場合もあれば、電気回路を構成しない面状の導体パターン等を含む場合もある。
【００１２】
開口部には、孔や溝のほか、切欠や切れ目等も含まれる。
【００１３】
電磁波には、可視光が含まれる。また、電磁波には、紫外線又はＸ線等の短い波長の電磁波、及び赤外線等の長い波長の電磁波も含まれる。
【００１４】
本実施形態に係る配線板１０は、例えば図１に示すような多層プリント配線板（両面リジッド配線板）である。配線板１０は、基板１００（絶縁基板）と、絶縁層１０１、１０２、１０３、１０４と、導体層１００ａ、１００ｂ、１１０、１２０、１３０、１４０と、スルーホール導体１００ｄと、ビア導体１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂ、１０４ｂと、ソルダーレジスト層１１、１２と、を有する。本実施形態の配線板１０は、例えば矩形板状のリジッド配線板である。ただしこれに限られず、配線板１０は、矩形板状以外の形状を有していてもよいし、フレキシブル配線板であってもよい。配線板１０は、例えば電子機器の回路を含む。配線板１０の表面又は内部に電子部品が実装されてもよい。基板１００は、配線板１０のコア基板に相当する。以下、基板１００の表裏面（２つの主面）の一方（Ｚ１側）を面Ｆ１１、他方（Ｚ２側）を面Ｆ１２という。
【００１５】
基板１００は、絶縁性を有する。基板１００の面Ｆ１１上には導体層１００ａが形成され、基板１００の面Ｆ１２上には導体層１００ｂが形成される。導体層１００ａ及び１００ｂは、基板１００に形成された孔内の導体（スルーホール導体１００ｄ）によって相互に電気的に接続される。本実施形態の配線板１０では、基板１００と、スルーホール導体１００ｄと、導体層１００ａ及び１００ｂとが、コア部に相当する。
【００１６】
本実施形態に係る配線板１０では、基板１００の面Ｆ１１上及び導体層１００ａ上に、絶縁層１０１、１０３（それぞれ層間絶縁層）と導体層１１０、１３０とが交互に形成される。また、基板１００の面Ｆ１２上及び導体層１００ｂ上に、絶縁層１０２、１０４（それぞれ層間絶縁層）と導体層１２０、１４０とが交互に形成される。各導体層は、層間絶縁層に形成された孔内の導体（例えばビア導体１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂ、１０４ｂ）によって相互に電気的に接続される。
【００１７】
コア部上に積層される導体層、層間絶縁層、及びビア導体は、ビルドアップ部に相当する。以下、最も下層に位置するビルドアップ部を、下層ビルドアップ部といい、下層ビルドアップ部よりも上層のビルドアップ部を、上層ビルドアップ部という。本実施形態では、下層ビルドアップ部が、絶縁層１０１、１０２と、導体層１１０、１２０と、ビア導体１０１ｂ、１０２ｂと、から構成される。また、上層ビルドアップ部が、絶縁層１０３、１０４と、導体層１３０、１４０と、ビア導体１０３ｂ、１０４ｂと、から構成される。
【００１８】
最外の絶縁層１０３上及び導体層１３０上には、ソルダーレジスト層１１が設けられ、最外の絶縁層１０４上及び導体層１４０上には、ソルダーレジスト層１２が設けられる。ソルダーレジスト層１１、１２にはそれぞれ開口部１１ａ、１２ａが形成され、開口部１１ａ、１２ａでそれぞれ露出する導体層１３０、１４０がパッドＰ１、Ｐ２（外部接続端子）となる。配線板１０の片面又は両面に他の配線板又は電子部品等が実装されることで、配線板１０は、例えば携帯機器（携帯電話等）の回路基板として使用することができる。本実施形態の配線板１０は、例えば片面に電子部品（ＩＣチップ等）が実装され、反対側の面にマザーボートに実装するためのバンプが形成されるパッケージ基板（ＰＫＧ基板）である。また、配線板１０に、ＰｏＰ（Package on Package）技術を適用してもよい。
【００１９】
スルーホール導体１００ｄの形状は、例えば砂時計状（鼓状）である。すなわち、スルーホール導体１００ｄは括れ部を有し、スルーホール導体１００ｄの幅は、面Ｆ１１から括れ部に近づくにつれて徐々に小さくなり、面Ｆ１２から括れ部に近づくにつれて徐々に小さくなる。また、配線板１０を構成する各ビア導体の形状は、例えば下層（コア基板）に向かって縮径されるようにテーパしたテーパ円柱（円錐台）である。しかしこれに限定されず、スルーホール導体１００ｄ及び各ビア導体の形状は任意であり、例えば略円柱であってもよい。
【００２０】
配線板１０を構成する各導体（導体層、スルーホール導体、及びビア導体など）は、例えば銅からなる。スルーホール導体１００ｄ及び各ビア導体はそれぞれ、例えばフィルド導体からなる。ただしこれに限られず、スルーホール導体１００ｄ及び各ビア導体は、例えばコンフォーマル導体からなってもよい。配線板１０を構成する各絶縁層（基板１００を含む）は、例えばガラスクロス、アラミド繊維の不織布、又は紙等の繊維基材に、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、又はフェノール系樹脂等を含浸させたものからなる。また、配線板１０を構成する各絶縁層（基板１００を含む）は、例えば３０ｗｔ％（重量比）以上の無機フィラー（シリカフィラー等）を含む。ただし、配線板１０を構成する導体及び絶縁層の材料は任意である。例えば各絶縁層（基板１００を含む）は、繊維基材（ガラスクロス等）なしで樹脂のみから構成されてもよいし、無機フィラーを含んでいなくてもよい。
【００２１】
ソルダーレジスト層１１及び１２の各々は、例えばアクリル−エポキシ系樹脂を用いた感光性樹脂、エポキシ樹脂を主体とした熱硬化性樹脂、又は紫外線硬化型の樹脂等からなる。
【００２２】
図２は、図１に示される配線板１０において、下層ビア導体（ビア導体１０１ｂ）のランドＰ１１上に形成されたビアホール１０３ａを示す図である。図２は、導体が充填される前の状態のビアホール１０３ａを示している。
【００２３】
図２に示すように、本実施形態では、導体層１１０が、ビア導体１０１ｂのランドＰ１１と、ランドＰ１１につながるライン状の配線Ｐ１２と、を含む。ランドＰ１１は、円板状の形態を有する。ビア導体１０３ｂのビアホール１０３ａは、下層ビア導体（ビア導体１０１ｂ）のランドＰ１１上に形成される。ビアホール１０３ａは、下端開口Ｐ１３及び上端開口Ｐ１４を有する。ランドＰ１１の幅Ｄ１１（直径）は、例えば１１０μｍであり、ビアホール１０３ａの下端開口Ｐ１３の幅Ｄ１２（直径）は、例えば７０μｍであり、ビアホール１０３ａの上端開口Ｐ１４の幅Ｄ１３（直径）は、例えば１１０μｍである。
【００２４】
配線板１０において、ビア導体１０１ｂ以外の各ビア導体のランドと、そのランド上に形成されるビアホールとは、それぞれ例えばランドＰ１１、ビアホール１０３ａの上記寸法と略同じ寸法を有する。
【００２５】
以下、図３等を参照して、本実施形態に係る配線板１０の製造方法について説明する。なお、説明の便宜上、図４〜図６、図８〜図１０、図１２、図１３、図１６、図１９〜図２１、及び図２３〜図２８ではそれぞれ、異なる３つの領域の断面を、１つの図に示している。
【００２６】
図３は、本実施形態に係る配線板１０の製造方法において、コア部及び下層ビルドアップ部の形成方法を示すフローチャートである。
【００２７】
図３のステップＳ１１では、図４に示すように、出発材料として両面銅張積層板１０００（金属箔付き基板）を準備する。両面銅張積層板１０００は、基板１００（コア基板）と、基板１００の面Ｆ１１（第１面）上に形成された金属箔１００１（第１金属箔）と、基板１００の面Ｆ１２（第２面）上に形成された金属箔１００２（第４金属箔）と、から構成される。金属箔１００１及び１００２はそれぞれ、例えば厚さ３μｍの銅箔からなる。基板１００は、例えばガラスクロスにエポキシ樹脂を含浸させたもの（以下、ガラエポという）からなり、３０ｗｔ％（重量比）以上の無機フィラー（例えばシリカフィラー）を含む。基板１００の厚さは、例えば１５０μｍである。本実施形態では、この段階において、基板１００の樹脂が、完全に硬化した状態（Ｃステージ）になっている。
【００２８】
図３のステップＳ１２では、例えば図５に示すように、両面銅張積層板１０００（金属箔付き基板）を貫通する基準マーク２００１（第１基準マーク）を形成する。具体的には、例えばドリルにより、両面銅張積層板１０００に基準マーク２００１を形成する。基準マーク２００１（第１基準マーク）は、例えば円柱状の孔である。基準マーク２００１の形成方法は任意であり、例えばレーザにより基準マーク２００１を形成してもよい。
【００２９】
図３のステップＳ１３では、例えば図６に示すように、基準マーク２００１を基準にして、基板１００（絶縁基板）を貫通するスルーホール１００ｃを形成する。具体的には、例えばＣＯ２レーザを用いて、金属箔１００１にレーザを照射することにより孔１００３ａを形成し、金属箔１００２にレーザを照射することにより孔１００３ｂを形成する。孔１００３ａと孔１００３ｂとは、Ｘ−Ｙ平面において略同じ位置に形成され、最終的にはつながって、金属箔１００１、基板１００、及び金属箔１００２を貫通するスルーホール１００３ｃとなる。スルーホール１００３ｃのうち、基板１００を貫通する部分が、スルーホール１００ｃに相当する。
【００３０】
スルーホール１００３ｃ（スルーホール１００ｃ）を形成する位置（レーザ照射位置）は、アライメントマークとして機能する基準マーク２００１（詳しくは、その平面形状である円の中心の位置）を基準にして決められる。スルーホール１００３ｃを形成するためのレーザ加工を行う際には、レーザ光の吸収率を高めるために、前処理として金属箔１００１、１００２の表面に黒化処理を行う。この黒化処理により、金属箔１００１、１００２の表面では、電磁波がほとんど反射しなくなる（黒く見える）と考えられる。一方、基準マーク２００１の位置においては、基準マーク２００１越しにレーザのステージ３０００（例えば白色のステージ）を視認することができる。このため、両面銅張積層板１０００に電磁波（例えば可視光）を照射すると、基準マーク２００１の位置においては、その電磁波が基準マーク２００１を通ってステージ３０００の表面で反射することになる。そのため、基板表面（金属箔１００１、１００２）よりも電磁波の反射量が多い部分として基準マーク２００１を認識することができる。
【００３１】
スルーホール１００ｃの形状は、例えば砂時計状（鼓状）である。孔１００３ａと孔１００３ｂとの境界は括れ部に相当する。孔１００３ａを形成するためのレーザ照射と孔１００３ｂを形成するためのレーザ照射とは、同時に行っても、片面ずつ行ってもよい。また、レーザ光の吸収効率を高めるため、レーザ照射に先立って金属箔１００１、１００２の表面を黒化処理してもよい。なお、スルーホール１００ｃの形成は、ドリル又はエッチングなど、レーザ以外の方法で行ってもよい。ただし、レーザ加工であれば、微細な加工をし易い。
【００３２】
また、スルーホール１００ｃを形成した後、必要に応じて、スルーホール１００ｃについてデスミアを行う。スルーホール内部に残留するスミアを除去するためである。
【００３３】
本実施形態では、図７に示すように、電気回路等が形成される配線形成領域Ｒ２が、例えば製造パネルの全領域に相当するパネル領域Ｒ１の中央に配置される。本実施形態では、スルーホール１００ｃが、配線形成領域Ｒ２に形成され、例えば４つの基準マーク２００１（第１基準マーク）が、配線形成領域Ｒ２の外側（例えばパネル領域Ｒ１の四隅）に形成される。ただしこれに限られず、基準マーク２００１（第１基準マーク）の配置及び数は任意である。
【００３４】
図３のステップＳ１４では、基準マーク２００１（第１基準マーク）を基準にしてパターンめっきを行って、基板１００の面Ｆ１１上に、金属箔１００１（第１金属箔）及びめっき（無電解めっき膜１００３、電解めっき１００７）から構成される導体層１００ａ（第１導体層）を形成し、基板１００の面Ｆ１２上に、金属箔１００２（第４金属箔）及びめっき（無電解めっき膜１００３、電解めっき１００７）から構成される導体層１００ｂ（第４導体層）を形成し、スルーホール１００ｃ内に、基板１００の両面に形成された導体層１００ａ及び１００ｂを相互に電気的に接続するスルーホール導体１００ｄを形成する（図８〜図１０参照）。
【００３５】
具体的には、図８に示すように、例えばパネルめっき法により、金属箔１００１、１００２上、スルーホール１００ｃ内、及び基準マーク２００１内に、例えば銅の無電解めっき膜１００３を形成する。めっき方法は、例えば化学めっき法であり、めっき液としては、例えば還元剤等が添加された硫酸銅溶液を用いることができる。
【００３６】
続けて、基板１００の両面（無電解めっき膜１００３上）に、所定の位置に開口部を有するめっきレジスト１００５、１００６（図９参照）を形成する。めっきレジスト１００５、１００６はそれぞれ、例えばドライフィルムからなる。
【００３７】
めっきレジスト１００５、１００６の形成では、開口部がない状態でめっきレジスト１００５、１００６（ドライフィルム）を基板１００の両面に貼り付けた後、そのめっきレジスト１００５、１００６のパターニング（開口部の形成）を行う。めっきレジスト１００５、１００６のパターニングは、例えばリソグラフィ技術により行う。めっきレジスト１００５、１００６の開口部はそれぞれ、導体層１００ａ、１００ｂ（図１０）に対応して配置される。めっきレジスト１００５、１００６の開口部の位置は、基準マーク２００１（詳しくは、その平面形状である円の中心の位置）を基準にして決められる。具体的には、めっきレジスト１００５、１００６をパターニングするための露光マスクを、基準マーク２００１に基づいて位置合わせする。基準マーク２００１は、周囲よりも電磁波の反射量が少ない（例えば、ほとんど電磁波を反射しない）部位として認識される。
【００３８】
続けて、図９に示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト１００５、１００６の開口部に、例えば銅の電解めっき１００７を形成する。具体的には、無電解めっき膜１００３をシード層として電解めっきを行って、無電解めっき膜１００３の表面に銅を析出させる。これにより、スルーホール１００ｃ内に電解めっき１００７が充填され、スルーホール導体１００ｄが形成される。また、基板１００の両面には、金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっきからなる導体層が形成される。めっき液としては、例えば硫酸銅溶液、ピロリン酸銅溶液、青（シアン）化銅溶液、又はホウフッ化銅溶液などを用いることができる。電解めっきのためのシード層は無電解めっき膜に限られず、無電解めっき膜に代えて、スパッタ膜等をシード層として用いてもよい。
【００３９】
続けて、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト１００５、１００６を除去し、さらに続けて、不要な無電解めっき膜１００３及び金属箔１００１、１００２を除去する。これにより、図１０に示すように、導体層１００ａ及び１００ｂが形成される。その結果、本実施形態に係る配線板１０のコア部が完成する。
【００４０】
導体層１００ａ、１００ｂにはそれぞれ、図１１に示すように、例えば円形リング状の導体パターン２００２ａ、２００２ｂ（アライメント用の導体パターン）が含まれる。導体層１００ａに含まれる導体パターン２００２ａの位置（ＸＹ座標）と導体層１００ｂに含まれる導体パターン２００２ｂの位置（ＸＹ座標）とは、図１１に示されるように、互いにずれることが多い。なお、導体パターン２００２ａ、２００２ｂの形状は、円形リング状に限られず、任意である。
【００４１】
続けて、配線板１０のコア部の両面に、下層ビルドアップ部を形成する。
【００４２】
具体的には、図３のステップＳ１５で、図１２に示すように、基板１００の面Ｆ１１上及び導体層１００ａ上に、半硬化状態（Ｂステージ）の絶縁層１０１及び金属箔１０１１（例えば樹脂付き銅箔）を形成し、基板１００の面Ｆ１２上及び導体層１００ｂ上に、半硬化状態（Ｂステージ）の絶縁層１０２及び金属箔１０１２（例えば樹脂付き銅箔）を形成する。絶縁層１０１及び１０２の各々は、例えば熱硬化性を有するガラエポのプリプレグからなる。
【００４３】
さらに、上記積層体を加熱しながらプレスを行う。具体的には、その積層体の両面（金属箔１０１１、１０１２）にＺ方向の力を加えて、絶縁層１０１及び１０２の各々を基板１００に押し付ける。この際、例えばピンラミネーションにより位置決めをして、離型紙を用いてプレスを行う。
【００４４】
こうしたプレス及び加熱により、プリプレグ（絶縁層１０１、１０２）は硬化し、部材同士は付着する。その結果、積層体は一体化する。なお、プレス及び加熱処理は、複数回に分けて行ってもよい。加熱処理とプレスとは別々に行ってもよいが、同時に行った方が効率は良い。加熱しながらプレスを行った後、別途一体化のための加熱処理を行ってもよい。
【００４５】
これにより、基板１００の面Ｆ１１上及び導体層１００ａ（第１導体層）上に、絶縁層１０１（第１絶縁層）及び金属箔１０１１（第２金属箔）が、この順で積層され、基板１００の面Ｆ１２上及び導体層１００ｂ（第４導体層）上に、絶縁層１０２（第３絶縁層）及び金属箔１０１２（第５金属箔）が、この順で積層される。
【００４６】
続けて、図３のステップＳ１６で、図１３に示すように、導体層１００ａ、１００ｂにそれぞれ含まれる導体パターン２００２ａ、２００２ｂ（アライメント用の導体パターン）を基準にして、基板１００及びその両面の積層物の全てを貫通する基準マーク２００３（第２基準マーク）を形成する。
【００４７】
詳しくは、電磁波（例えばＸ線）を透過させることによって導体パターン２００２ａ、２００２ｂの各々を認識する。そして、図１４に示すように、導体パターン２００２ａのリングの中心（又は重心）の位置Ｐ１０１（Ｘ座標、Ｙ座標の各々）と導体パターン２００２ｂのリングの中心（又は重心）の位置Ｐ１０２（Ｘ座標、Ｙ座標の各々）との平均の位置Ｐ１０３（ＸＹ座標）を算出する。続けて、例えばドリルにより、位置Ｐ１０３に、基準マーク２００３を形成する。基準マーク２００３は、例えば円柱状の孔からなり、基準マーク２００３は、その平面形状（円）の中心（又は重心）が位置Ｐ１０３にくるように形成される。なお、基準マーク２００３の形状及び形成方法は任意である。例えばレーザにより基準マーク２００３を形成してもよい。
【００４８】
本実施形態では、図１５に示すように、例えば４つの基準マーク２００３（第２基準マーク）が、配線形成領域Ｒ２の外側（例えばパネル領域Ｒ１の四隅）に形成される。基準マーク２００３は、例えば基準マーク２００１とは異なる位置（ＸＹ座標）に形成される。ただしこれに限られず、基準マーク２００３（第２基準マーク）の配置及び数は任意である。
【００４９】
続けて、図３のステップＳ１７で、図１６に示すように、基準マーク２００３（第２基準マーク）を基準にして、例えばレーザ（ＣＯ２レーザ等）により、金属箔１０１１（第２金属箔）及び絶縁層１０１（第１絶縁層）を貫通して導体層１００ａ（第１導体層）に至るビアホール１０１ａ（第１ビアホール）と、金属箔１０１２（第５金属箔）及び絶縁層１０２（第３絶縁層）を貫通して導体層１００ｂ（第４導体層）に至るビアホール１０２ａ（第３ビアホール）と、を形成するとともに、導体層１００ａ（第１導体層）が形成されていない領域（Ｘ−Ｙ平面）において金属箔１０１１（第２金属箔）、絶縁層１０１、及び基板１００を貫通して絶縁層１０２に至る基準マーク２００４ａ（第３基準マーク）と、導体層１００ｂ（第４導体層）が形成されていない領域（Ｘ−Ｙ平面）において金属箔１０１２（第５金属箔）、絶縁層１０２、及び基板１００を貫通して絶縁層１０１に至る基準マーク２００４ｂ（第６基準マーク）と、を形成する。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施してもよい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミア又はソフトエッチをする。
【００５０】
基準マーク２００４ａ及び２００４ｂはそれぞれ、有底の開口部（例えば溝）からなる。基準マーク２００４ａの位置（ＸＹ座標）と基準マーク２００４ｂの位置（ＸＹ座標）とは、互いにずらすことが好ましい。本実施形態では、厚み方向に直交する面（Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、基準マーク２００４ａ、２００４ｂが全く重ならないようにする。基準マーク２００４ａ、２００４ｂが重なると、両者がつながって、貫通穴が形成される可能性があるからである。ただしこれに限られず、基準マーク２００４ａ、２００４ｂがつながるおそれがない場合には、基準マーク２００４ａの位置（ＸＹ座標）と基準マーク２００４ｂの位置（ＸＹ座標）とは、互いに同じ位置（ＸＹ座標）であってもよい。
【００５１】
レーザ照射においては、遮光マスクを設けた状態で被照射体の全面にレーザ光を照射してもよいし、遮光マスクを用いずに、非照射部分においてはレーザ照射を止めて、照射すべき部位のみにレーザ光を照射するようにしてもよい。レーザ強度（光量）の調整は、例えばパルス制御で行う。具体的には、例えばレーザ強度を変更する場合には、１ショット（１回の照射）あたりのレーザ強度は変えずに、ショット数（照射回数）を変更するようにする。すなわち、１ショットでは所望のレーザ強度が得られない場合には、同じ照射位置に、再度レーザ光を照射する。ただしこれに限られず、レーザ強度の調整方法は任意である。例えば照射位置ごとに照射条件を決め、照射回数を一定（例えば１つの照射位置につき１ショット）にしてもよい。
【００５２】
本実施形態では、基準マーク２００４ａが、金属箔１０１１、絶縁層１０１、及び基板１００を貫通し、絶縁層１０２の表面に凹部を形成する。すなわち、基準マーク２００４ａの深さは、金属箔１０１１、絶縁層１０１、及び基板１００の総厚さ以上で、且つ、金属箔１０１１、絶縁層１０１、基板１００、及び絶縁層１０２の総厚さ未満となる。また、本実施形態では、基準マーク２００４ｂが、金属箔１０１２、絶縁層１０２、及び基板１００を貫通し、絶縁層１０１の表面に凹部を形成する。すなわち、基準マーク２００４ｂの深さは、金属箔１０１２、絶縁層１０２、及び基板１００の総厚さ以上で、且つ、金属箔１０１２、絶縁層１０２、基板１００、及び絶縁層１０１の総厚さ未満となる。ただしこれに限られず、基準マーク２００４ａ及び２００４ｂは、基板１００に至る開口部（基板１００を貫通しない開口部）からなってもよい。
【００５３】
本実施形態では、基準マーク２００４ａ及び２００４ｂの各々が、図１７に示すように、円形リング状の溝からなる。ただしこれに限られず、基準マーク２００４ａ及び２００４ｂの形状は任意である。基準マーク２００４ａ及び２００４ｂは、例えば円柱状の孔からなってもよい。基準マーク２００４ａの形状と基準マーク２００４ｂの形状とが、互いに異なっていてもよい。
【００５４】
本実施形態では、図１８に示すように、例えば８つの基準マーク２００４ａ（第３基準マーク）が、配線形成領域Ｒ２の外側（例えばパネル領域Ｒ１の四隅、及びＸ方向の中央におけるＹ１側又はＹ２側）に形成される。基準マーク２００４ａは、例えば基準マーク２００１、２００３とは異なる位置（ＸＹ座標）に形成される。基準マーク２００４ｂは、例えば基準マーク２００４ａと同じ数だけ形成される。ただしこれに限られず、基準マーク２００４ａ、２００４ｂの配置及び数は任意である。
【００５５】
続けて、図３のステップＳ１８で、基準マーク２００４ａ（第３基準マーク）を基準にしてパターンめっきを行って、ビアホール１０１ａ（第１ビアホール）内にビア導体１０１ｂ（第１ビア導体）を形成し、絶縁層１０１（第１絶縁層）上に、金属箔１０１１（第２金属箔）及びめっき（無電解めっき膜１０１３、電解めっき１０１７）から構成される導体層１１０（第２導体層）を形成し、基準マーク２００４ｂを基準にしてパターンめっきを行って、ビアホール１０２ａ（第３ビアホール）内にビア導体１０２ｂ（第３ビア導体）を形成し、絶縁層１０２（第３絶縁層）上に、金属箔１０１２（第５金属箔）及びめっき（無電解めっき膜１０１３、電解めっき１０１８）から構成される導体層１２０（第５導体層）を形成する（図１９〜図２１参照）。なお、ここでのめっきの条件は、例えば前述した基準マーク２００１（第１基準マーク）に基づくパターンめっきと同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００５６】
具体的には、図１９に示すように、例えばパネルめっき法により、金属箔１０１１、１０１２上、ビアホール１０１ａ、１０２ａ内、及び基準マーク２００３、２００４ａ、２００４ｂ内に、例えば銅の無電解めっき膜１０１３を形成する。なお、無電解めっき膜１０１３は、基準マーク２００４ａ、２００４ｂ内に、完全には充填されず、基準マーク２００４ａ、２００４ｂの壁面上及び底面上に形成される。
【００５７】
続けて、積層体の両面（無電解めっき膜１０１３上）に、所定の位置に開口部を有するめっきレジスト１０１５、１０１６（図２０参照）を形成する。めっきレジスト１０１５、１０１６はそれぞれ、例えばドライフィルムからなる。めっきレジスト１０１５、１０１６の開口部はそれぞれ、導体層１１０、１２０（図２１）に対応して配置される。
【００５８】
めっきレジスト１０１５、１０１６の形成では、開口部がない状態でめっきレジスト１０１５、１０１６（ドライフィルム）を積層体の両面に貼り付けた後、そのめっきレジスト１０１５、１０１６のパターニング（開口部の形成）を行う。めっきレジスト１０１５、１０１６のパターニング（開口部の形成）は、例えばリソグラフィ技術により行う。めっきレジスト１０１５の開口部の位置は、基準マーク２００４ａ（詳しくは、リングの中心の位置）を基準にして決められ、めっきレジスト１０１６の開口部の位置は、基準マーク２００４ｂ（詳しくは、リングの中心の位置）を基準にして決められる。具体的には、めっきレジスト１０１５、１０１６をパターニングするための露光マスクを、それぞれ基準マーク２００４ａ、２００４ｂに基づいて位置合わせする。
【００５９】
基準マーク２００４ａ、２００４ｂはそれぞれ、周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として認識することができる。例えば基準マーク２００４ａ、２００４ｂの周辺に電磁波（例えば可視光）を照射すると、積層体の表面（絶縁層１０１上にある金属箔１０１１及び無電解めっき膜１０１３、又は絶縁層１０２上にある金属箔１０１２及び無電解めっき膜１０１３）でＺ方向に反射される電磁波の量よりも、基準マーク２００４ａ、２００４ｂ内（基準マーク２００４ａ、２００４ｂの壁面上及び底面上に形成された無電解めっき膜１０１３）でＺ方向に反射される電磁波の量の方が少なくなる。このため、その反射した電磁波（特に、その量）を読み取ることにより、周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として基準マーク２００４ａ、２００４ｂを認識することができる。基準マーク２００４ａ、２００４ｂが深く形成されるほど、基準マーク２００４ａ、２００４ｂ内の無電解めっき膜１０１３で反射される電磁波の量は少なくなると考えられる。
【００６０】
続けて、図２０に示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト１０１５、１０１６の開口部にそれぞれ、例えば銅の電解めっき１０１７、１０１８を形成する。具体的には、無電解めっき膜１０１３をシード層として電解めっきを行って、無電解めっき膜１０１３の表面に銅を析出させる。これにより、ビアホール１０１ａ、１０２ａ内にそれぞれ電解めっき１０１７、１０１８が充填され、ビア導体１０１ｂ、１０２ｂが形成される。また、絶縁層１０１上及び絶縁層１０２上の各々には、金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっきからなる導体層が形成される。
【００６１】
続けて、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト１０１５、１０１６を除去し、さらに続けて、不要な無電解めっき膜１０１３及び金属箔１０１１、１０１２を除去する。これにより、図２１に示すように、絶縁層１０１上に導体層１１０が形成され、絶縁層１０２上に導体層１２０が形成される。その結果、本実施形態に係る配線板１０の下層ビルドアップ部が完成する。
【００６２】
導体層１１０、１２０にはそれぞれ、導体パターン２００５ａ、２００５ｂ（アライメント用の導体パターン）が含まれる。導体パターン２００５ａ、２００５ｂの形状は、例えば導体パターン２００２ａ、２００２ｂ（図１１参照）と同様、円形リング状である。ただしこれに限られず、導体パターン２００５ａ、２００５ｂの形状は、円形リング状に限られず、任意である。
【００６３】
続けて、配線板１０の下層ビルドアップ部上に、上層ビルドアップ部を形成する。図２２は、本実施形態に係る配線板１０の製造方法において、上層ビルドアップ部の形成方法を示すフローチャートである。
【００６４】
図２２のステップＳ２１では、図２３に示すように、プレス及び加熱により、絶縁層１０１（第１絶縁層）上及び導体層１１０（第２導体層）上に、絶縁層１０３（第２絶縁層）及び金属箔１０２１（第３金属箔）を、この順で積層し、絶縁層１０２（第３絶縁層）上及び導体層１２０（第５導体層）上に、絶縁層１０４（第４絶縁層）及び金属箔１０２２（第６金属箔）を、この順で積層する。ここでの各絶縁層及び各導体層の材質、並びにプレス及び加熱の条件は、下層ビルドアップ部（金属箔１０１１、１０１２及び絶縁層１０１、１０２）と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００６５】
続けて、図２２のステップＳ２２で、図２４に示すように、導体層１１０、１２０にそれぞれ含まれる導体パターン２００５ａ、２００５ｂ（アライメント用の導体パターン）を基準にして、基板１００及びその両面の積層物の全てを貫通する基準マーク２００６（第４基準マーク）を形成する。基準マーク２００６は、例えば円柱状の孔からなる。なお、導体パターン２００５ａ、２００５ｂの認識方法、及び基準マーク２００６の穴開け方法等は、例えば基準マーク２００３（第２基準マーク）の形成と同じであってもよいし、異なっていてもよい。基準マーク２００６の形状及び形成方法は任意である。
【００６６】
本実施形態では、例えば４つの基準マーク２００６（第４基準マーク）が、配線形成領域Ｒ２（図１５）の外側（例えばパネル領域Ｒ１の四隅）に形成される。基準マーク２００６は、例えば基準マーク２００３とは異なる位置（ＸＹ座標）に形成される。ただしこれに限られず、基準マーク２００６（第４基準マーク）の配置及び数は任意である。
【００６７】
続けて、図２２のステップＳ２３で、図２５に示すように、基準マーク２００６（第４基準マーク）を基準にして、例えばレーザ（ＣＯ２レーザ等）により、金属箔１０２１（第３金属箔）及び絶縁層１０３（第２絶縁層）を貫通して導体層１１０（第２導体層）に至るビアホール１０３ａ（第２ビアホール）と、金属箔１０２２（第６金属箔）及び絶縁層１０４（第４絶縁層）を貫通して導体層１２０（第５導体層）に至るビアホール１０４ａ（第４ビアホール）と、を形成するとともに、導体層１１０（第２導体層）が形成されていない領域（Ｘ−Ｙ平面）において金属箔１０２１（第３金属箔）、絶縁層１０３、及び絶縁層１０１を貫通して基板１００に至る基準マーク２００７ａ（第５基準マーク）と、導体層１２０（第５導体層）が形成されていない領域（Ｘ−Ｙ平面）において金属箔１０２２（第６金属箔）、絶縁層１０４、及び絶縁層１０２を貫通して基板１００に至る基準マーク２００７ｂ（第７基準マーク）と、を形成する。なお、必要に応じて、穴開け（レーザ照射）の前に黒化処理を施してもよい。また、穴開け後、必要に応じて、デスミア又はソフトエッチをする。なお、ここでのレーザ照射の条件は、例えば前述した基準マーク２００４ａ、２００４ｂ（第３基準マーク、第６基準マーク）の形成と同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００６８】
基準マーク２００７ａ及び２００７ｂはそれぞれ、有底の開口部（例えば溝）からなる。基準マーク２００７ａの位置（ＸＹ座標）と基準マーク２００７ｂの位置（ＸＹ座標）とは、互いにずらすことが好ましい。本実施形態では、厚み方向に直交する面（Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、基準マーク２００７ａ、２００７ｂが全く重ならないようにする。ただしこれに限られず、基準マーク２００７ａ、２００７ｂがつながるおそれがない場合には、基準マーク２００７ａの位置（ＸＹ座標）と基準マーク２００７ｂの位置（ＸＹ座標）とは、互いに同じ位置（ＸＹ座標）であってもよい。例えば、貫通する可能性の高い下層の基準マーク、すなわち基準マーク２００４ａ、２００４ｂは、厚み方向に直交する面（Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、全く重ならないようにする一方、基準マーク２００７ａ、２００７ｂは、互いに同じ位置（ＸＹ座標）に形成することで、基準マークのために必要な領域（Ｘ−Ｙ平面）を減らしてもよい。
【００６９】
本実施形態では、配線板１０の厚み方向に直交する面に投影したときに、基準マーク２００４ａ、２００４ｂ、２００７ａ、２００７ｂのいずれもが、全く重ならないようにする。本実施形態では、厚み方向に直交する面（Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、基準マーク２００４ａ、２００７ａが全く重ならない。いったん絶縁層に開口部が形成されると、その部位は、ガラスクロスが除去されることなどにより弱くなるため、基準マーク２００４ａが形成された位置（ＸＹ座標）に基準マーク２００７ａを形成する場合には、基準マーク２００７ａが過度に深く形成され易くなる。この点、本実施形態では、厚み方向に直交する面（Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、基準マーク２００７ａが基準マーク２００４ａとは異なる位置（ＸＹ座標）に形成されるため、基準マーク２００７ａを所望の深さに形成し易い。また、本実施形態では、厚み方向に直交する面（Ｘ−Ｙ平面）に投影したときに、基準マーク２００４ｂ、２００７ｂが全く重ならないため、基準マーク２００４ｂ、２００７ｂについても、上記基準マーク２００４ａ、２００７ａと同様のことがいえる。ただしこれに限られず、基準マーク２００７ａ、２００７ｂが過度に深く形成されるおそれがない場合には、基準マーク２００４ａの位置（ＸＹ座標）と基準マーク２００７ａの位置（ＸＹ座標）とを互いに同じ位置（ＸＹ座標）にしてもよいし、基準マーク２００４ｂの位置（ＸＹ座標）と基準マーク２００７ｂの位置（ＸＹ座標）とを互いに同じ位置（ＸＹ座標）にしてもよい。
【００７０】
本実施形態では、基準マーク２００７ａが、金属箔１０２１、絶縁層１０３、及び絶縁層１０１を貫通し、基板１００の表面に凹部を形成する。すなわち、基準マーク２００７ａの深さは、金属箔１０２１及び絶縁層１０１、１０３の総厚さ以上で、且つ、金属箔１０２１、絶縁層１０１、１０３、及び基板１００の総厚さ未満となる。また、本実施形態では、基準マーク２００７ｂが、金属箔１０２２、絶縁層１０４、及び絶縁層１０２を貫通し、基板１００の表面に凹部を形成する。すなわち、基準マーク２００７ｂの深さは、金属箔１０２２及び絶縁層１０２、１０４の総厚さ以上で、且つ、金属箔１０２２、絶縁層１０２、１０４、及び基板１００の総厚さ未満となる。ただしこれに限られず、基準マーク２００７ａは、絶縁層１０１に至る開口部（絶縁層１０１を貫通しない開口部）からなってもよいし、基準マーク２００７ｂは、絶縁層１０２に至る開口部（絶縁層１０２を貫通しない開口部）からなってもよい。また、基準マーク２００７ａは、基板１００よりも深い位置にある絶縁層１０２又は１０４に至る開口部からなってもよいし、基準マーク２００７ｂは、基板１００よりも深い位置にある絶縁層１０１又は１０３に至る開口部からなってもよい。
【００７１】
本実施形態では、基準マーク２００７ａ及び２００７ｂが、例えば基準マーク２００４ａ、２００４ｂ（図１７参照）と同様、円形リング状の溝からなる。ただしこれに限られず、基準マーク２００７ａ及び２００７ｂの形状は任意である。基準マーク２００７ａ及び２００７ｂは、例えば円柱状の孔からなってもよい。
【００７２】
本実施形態では、例えば８つの基準マーク２００７ａ（第５基準マーク）が、配線形成領域Ｒ２（図１８）の外側（例えばパネル領域Ｒ１の四隅、及びＸ方向の中央におけるＹ１側又はＹ２側）に形成される。基準マーク２００７ｂ（第７基準マーク）は、例えば基準マーク２００７ａ（第５基準マーク）と同じ数だけ形成される。ただしこれに限られず、基準マーク２００７ａ、２００７ｂの配置及び数は任意である。
【００７３】
続けて、図２２のステップＳ２４で、基準マーク２００７ａ（第５基準マーク）を基準にしてパターンめっきを行って、ビアホール１０３ａ（第２ビアホール）内にビア導体１０３ｂ（第２ビア導体）を形成し、絶縁層１０３（第２絶縁層）上に、金属箔１０２１（第３金属箔）及びめっき（無電解めっき膜１０２３、電解めっき１０２７）から構成される導体層１３０（第３導体層）を形成し、基準マーク２００７ｂを基準にしてパターンめっきを行って、ビアホール１０４ａ（第４ビアホール）内にビア導体１０４ｂ（第４ビア導体）を形成し、絶縁層１０４（第４絶縁層）上に、金属箔１０２２（第６金属箔）及びめっき（無電解めっき膜１０２３、電解めっき１０２８）から構成される導体層１４０（第６導体層）を形成する（図２６〜図２８参照）。なお、ここでのめっきの条件は、例えば前述した基準マーク２００１（第１基準マーク）に基づくパターンめっきと同じであってもよいし、異なっていてもよい。
【００７４】
具体的には、図２６に示すように、例えばパネルめっき法により、金属箔１０２１、１０２２上、ビアホール１０３ａ、１０４ａ内、及び基準マーク２００６、２００７ａ、２００７ｂ内に、例えば銅の無電解めっき膜１０２３を形成する。なお、無電解めっき膜１０２３は、基準マーク２００７ａ、２００７ｂ内に、完全には充填されず、基準マーク２００７ａ、２００７ｂの壁面上及び底面上に形成される。
【００７５】
続けて、積層体の両面（無電解めっき膜１０２３上）に、所定の位置に開口部を有するめっきレジスト１０２５、１０２６（図２７参照）を形成する。基準マーク２００６、２００７ａ、２００７ｂ内には、めっきレジスト１０２５又は１０２６の材料が充填される。めっきレジスト１０２５、１０２６の開口部はそれぞれ、導体層１３０、１４０（図２８）に対応して配置される。
【００７６】
めっきレジスト１０２５、１０２６のパターニング（開口部の形成）は、例えばリソグラフィ技術により行う。めっきレジスト１０２５の開口部の位置は、基準マーク２００７ａ（詳しくは、リングの中心の位置）を基準にして決められ、めっきレジスト１０２６の開口部の位置は、基準マーク２００７ｂ（詳しくは、リングの中心の位置）を基準にして決められる。具体的には、めっきレジスト１０２５、１０２６をパターニングするための露光マスクを、それぞれ基準マーク２００７ａ、２００７ｂに基づいて位置合わせする。
【００７７】
基準マーク２００７ａ、２００７ｂはそれぞれ、周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として認識することができる。例えば基準マーク２００７ａ、２００７ｂの周辺に電磁波（例えば可視光）を照射すると、積層体の表面（絶縁層１０３上にある金属箔１０２１及び無電解めっき膜１０２３、又は絶縁層１０４上にある金属箔１０２２及び無電解めっき膜１０２３）でＺ方向に反射される電磁波の量よりも、基準マーク２００７ａ、２００７ｂ内（基準マーク２００７ａ、２００７ｂの壁面上及び底面上に形成された無電解めっき膜１０２３）でＺ方向に反射される電磁波の量の方が少なくなる。このため、その反射した電磁波（特に、その量）を読み取ることにより、周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として基準マーク２００７ａ、２００７ｂを認識することができる。基準マーク２００７ａ、２００７ｂが深く形成されるほど、基準マーク２００７ａ、２００７ｂ内の無電解めっき膜１０２３で反射される電磁波の量は少なくなると考えられる。
【００７８】
続けて、図２７に示すように、例えばパターンめっき法により、めっきレジスト１０２５、１０２６の開口部にそれぞれ、例えば銅の電解めっき１０２７、１０２８を形成する。具体的には、無電解めっき膜１０２３をシード層として電解めっきを行って、無電解めっき膜１０２３の表面に銅を析出させる。これにより、ビアホール１０３ａ、１０４ａ内にそれぞれ電解めっき１０２７、１０２８が充填され、ビア導体１０３ｂ、１０４ｂが形成される。また、絶縁層１０３上及び絶縁層１０４上の各々には、金属箔、無電解めっき膜、及び電解めっきからなる導体層が形成される。
【００７９】
続けて、例えば所定の剥離液により、めっきレジスト１０２５、１０２６を除去し、さらに続けて、不要な無電解めっき膜１０２３及び金属箔１０２１、１０２２を除去する。これにより、図２８に示すように、絶縁層１０３上に導体層１３０が形成され、絶縁層１０４上に導体層１４０が形成される。その結果、本実施形態に係る配線板１０の上層ビルドアップ部が完成する。
【００８０】
続けて、絶縁層１０３上及び導体層１３０上、絶縁層１０４上及び導体層１４０上にそれぞれ、開口部１１ａを有するソルダーレジスト層１１、開口部１２ａを有するソルダーレジスト層１２を形成する（図１参照）。導体層１３０、１４０はそれぞれ、開口部１１ａ、１２ａに位置する所定の部位（パッドＰ１、Ｐ２等）を除いて、ソルダーレジスト層１１、１２で覆われる。ソルダーレジスト層１１及び１２は、スクリーン印刷、スプレーコーティング、ロールコーティング、又はラミネート等により、形成することができる。
【００８１】
続けて、電解めっき又はスパッタリング等により、導体層１３０、１４０上、詳しくはソルダーレジスト層１１、１２に覆われないパッドＰ１、Ｐ２（図１参照）の表面にそれぞれ、例えばＮｉ／Ａｕ膜からなる耐食層を形成する。また、ＯＳＰ処理を行うことにより、有機保護膜からなる耐食層を形成してもよい。
【００８２】
以上の工程により、本実施形態の配線板１０（図１）が完成する。すなわち、本実施形態の配線板１０では、絶縁層１０１の、導体層１００ａが形成されていない領域（Ｘ−Ｙ平面）には、金属箔１０１１（図２０）、絶縁層１０１、及び基板１００を貫通して絶縁層１０２に至るアライメントマークとしての基準マーク２００４ａが形成されている（図２８参照）。また、絶縁層１０３の、導体層１１０が形成されていない領域（Ｘ−Ｙ平面）には、金属箔１０２１（図２７）、絶縁層１０３、及び絶縁層１０１を貫通して基板１００に至るアライメントマークとしての基準マーク２００７ａが形成されている（図２８参照）。また、基板１００の面Ｆ１２側の構造（基準マーク２００４ｂ、２００７ｂ等）についても、同様のことがいえる。ただし、必要に応じて、製造パネルから、配線形成領域Ｒ２（図７等を参照）のみを切り出して、配線形成領域Ｒ２の外側の部分（基準マーク２００１、２００３、２００４ａ、２００４ｂ、２００６、２００７ａ、２００７ｂを含む）を除去してもよい。
【００８３】
本実施形態に係る配線板の製造方法は、
上面に導体層１００ａ（導体パターンを含む）が形成された基板１００（下層絶縁層）上に形成され、上面に金属箔１０１１を有する絶縁層１０１について、導体層１００ａが形成されていない領域（Ｘ−Ｙ平面）において金属箔１０１１及び絶縁層１０１を貫通して、基板１００よりも深い位置にある絶縁層１０２に至る基準マーク２００４ａを形成すること（図１６参照）と、
周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位として基準マーク２００４ａを認識して、基準マーク２００４ａを基準にしてパターンめっきを行って、絶縁層１０１上に、金属箔１０１１及びめっき（無電解めっき膜１０１３、電解めっき１０１７）から構成される導体層１１０を形成すること（図１９〜図２１参照）と、
を含む。
【００８４】
金属箔を用いて上層の層間絶縁層及び導体層を形成する場合、金属箔で電磁波が反射されるため、電磁波の反射量が多い部位として認識されるアライメントマークは認識しにくくなる。この点、本実施形態に係る配線板の製造方法では、周囲よりも電磁波の反射量が少ない部位としてアライメントマーク（基準マーク２００４ａ）が認識されるため、アライメントマーク（基準マーク２００４ａ）を認識し易い。その結果、アライメント精度を向上させることが可能になる。また、アライメント精度が向上すると、ビア導体の接続についての電気的信頼性の向上、ファインピッチ化（高密度配線）、及び配線板の歩留まり向上などが可能になる。なお、本実施形態に係る配線板の製造方法では、導体層１１０上に形成される上層ビルドアップ部の形成、基板１００の面Ｆ１２側のビルドアップ部の形成においても、同様のことがいえる。
【００８５】
本実施形態に係る配線板の製造方法では、基板１００（コア部）に形成された１つのアライメントマーク（基準マーク２００１）を使用し続けることなく、ビルドアップ部を１層（厳密には、基板１００の面Ｆ１１側、面Ｆ１２側に１層ずつ）積層するごとに新たなアライメントマーク（基準マーク２００３、２００４ａ、２００４ｂ、２００６、２００７ａ、２００７ｂ）を形成するようにしている。これにより、アライメント精度を向上させることが可能になる。また、本実施形態に係る配線板の製造方法によれば、複雑な方法を用いずとも、比較的容易にアライメントマークを形成することが可能になる。
【００８６】
本実施形態に係る配線板の製造方法では、全ての絶縁層（基板１００を含む）が、繊維基材及び無機フィラーを含む。具体的には、全ての絶縁層がガラエポからなる。これにより、ビアホールと一緒にアライメントマーク（基準マーク２００４ａ、２００４ｂ、２００７ａ、２００７ｂ）を形成する場合に、アライメントマーク（開口部）が過剰に深く形成されることを抑制することが可能になる。
【００８７】
本発明は、上記実施形態に限定されない。例えば以下のように変形して実施することもできる。
【００８８】
配線板１０の構成、特に、その構成要素の種類、性能、寸法、材質、形状、層数、又は配置等は、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に変更することができる。
【００８９】
基板１００のみが繊維基材及び無機フィラーを含み、他の絶縁層は、繊維基材を含んでいなくてもよい。また、全ての絶縁層が、繊維基材及び無機フィラーのいずれも含んでいなくてもよい。
【００９０】
プリプレグに代えて、ＡＢＦ（Ajinomoto Build-up Film：味の素ファインテクノ株式会社製）を用いてもよい。ＡＢＦは、絶縁材料を２枚の保護シートで挟んだフィルムである。
【００９１】
例えば上記実施形態において、ビルドアップ部の層数は任意に変更できる。また、基板１００の面Ｆ１１側と基板１００の面Ｆ１２側とで、ビルドアップ部の層数が異なっていてもよい。ただし、応力を緩和するためには、基板１００の面Ｆ１１側と基板１００の面Ｆ１２側とで、ビルドアップ部の層数を同じにして、表裏の対称性を高めることが好ましいと考えられる。また、絶縁基板の片面のみに導体層及び層間絶縁層が積層される片面プリント配線板であってもよい。
【００９２】
配線板の製造方法は、上記実施形態に示した順序や内容に限定されるものではなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において任意に順序や内容を変更することができる。また、用途等に応じて、必要ない工程を割愛してもよい。
【００９３】
上記実施形態及び変形例（各要素について列記した材質等）は、任意に組み合わせることができる。用途等に応じて適切な組み合わせを選ぶことが好ましいと考えられる。
【００９４】
以上、本発明の実施形態について説明したが、設計上の都合やその他の要因によって必要となる様々な修正や組み合わせは、「請求項」に記載されている発明や「発明を実施するための形態」に記載されている具体例に対応する発明の範囲に含まれると理解されるべきである。
【符号の説明】
【００９５】
１０  配線板
１１、１２  ソルダーレジスト層
１１ａ、１２ａ  開口部
１００  基板
１００ａ、１００ｂ  導体層
１００ｃ  スルーホール
１００ｄ  スルーホール導体
１０１、１０２、１０３、１０４  絶縁層
１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０４ａ  ビアホール
１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂ、１０４ｂ  ビア導体
１１０、１２０、１３０、１４０  導体層
１０００  両面銅張積層板
１００１、１００２  金属箔
１００３  無電解めっき膜
１００３ａ、１００３ｂ  孔
１００５、１００６  めっきレジスト
１００７  電解めっき
１０１１、１０１２  金属箔
１０１３  無電解めっき膜
１０１５、１０１６  めっきレジスト
１０１７、１０１８  電解めっき
１０２１、１０２２  金属箔
１０２３  無電解めっき膜
１０２５、１０２６  めっきレジスト
１０２７、１０２８  電解めっき
２００１  基準マーク
２００２ａ、２００２ｂ  導体パターン
２００３  基準マーク
２００４ａ、２００４ｂ  基準マーク
２００５ａ、２００５ｂ  導体パターン
２００６  基準マーク
２００７ａ、２００７ｂ  基準マーク
Ｆ１１、Ｆ１２  面
Ｐ１、Ｐ２  パッド
Ｐ１１  ランド
Ｐ１２  配線
Ｐ１３  下端開口
Ｐ１４  上端開口
Ｐ１０１〜Ｐ１０３  位置
Ｒ１  パネル領域
Ｒ２  配線形成領域
【図１】
2014067872.tif 000003
【図２】
2014067872.tif 000004
【図３】
2014067872.tif 000005
【図４】
2014067872.tif 000006
【図５】
2014067872.tif 000007
【図６】
2014067872.tif 000008
【図７】
2014067872.tif 000009
【図８】
2014067872.tif 000010
【図９】
2014067872.tif 000011
【図１０】
2014067872.tif 000012
【図１１】
2014067872.tif 000013
【図１２】
2014067872.tif 000014
【図１３】
2014067872.tif 000015
【図１４】
2014067872.tif 000016
【図１５】
2014067872.tif 000017
【図１６】
2014067872.tif 000018
【図１７】
2014067872.tif 000019
【図１８】
2014067872.tif 000020
【図１９】
2014067872.tif 000021
【図２０】
2014067872.tif 000022
【図２１】
2014067872.tif 000023
【図２２】
2014067872.tif 000024
【図２３】
2014067872.tif 000025
【図２４】
2014067872.tif 000026
【図２５】
2014067872.tif 000027
【図２６】
2014067872.tif 000028
【図２７】
2014067872.tif 000029
【図２８】
2014067872.tif 000030