(57)【要約】【課題】小径、狭ピッチの貫通ビアや微細配線を形成することができ、かつ、割れ難く取扱いが容易な配線基板を提供する。【解決手段】有機基材により形成され、貫通孔１３が形成された基板１２と、基板１２の一方の面及び貫通孔１３の内壁に形成された無機材料の絶縁膜１４と、内壁に絶縁膜１４が形成された貫通孔１３内に形成された導電体の貫通ビア１６と、基板１２の一方の面に形成された配線層１８と、基板１２の他方の面に形成された配線層２４とを有する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
有機基材により形成され、貫通孔が形成された基板と、
前記基板の一方の面及び前記貫通孔の内壁に形成された無機材料の絶縁膜と、
内壁に前記絶縁膜が形成された前記貫通孔内に形成された導電体の貫通ビアと、
前記基板の前記一方の面に形成された第１の配線層と、
前記基板の他方の面に形成された第２の配線層と
を有することを特徴とする配線基板。
【請求項２】
請求項１記載の配線基板において、
前記基板は、前記有機基材の第１の層と、シリコン基材の第２の層とを有し、
前記第１の層は前記基板の他方の面側に配置され、前記第２の層は前記基板の前記一方の面側に配置されている
ことを特徴とする配線基板。
【請求項３】
請求項１又は２記載の配線基板において、
前記有機基材は樹脂であり、
前記貫通ビアの導電体は銅を含み、
前記絶縁膜はシリコン酸化膜である
ことを特徴とする配線基板。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか１項に記載の配線基板において、
前記第１の配線層よりも、前記第２の配線層の方が厚い
ことを特徴とする配線基板。
【請求項５】
有機基材により形成され、貫通孔が形成された基板と、前記基板の一方の面及び前記貫通孔の内壁に形成された無機材料の絶縁膜と、内壁に前記絶縁膜が形成された前記貫通孔内に形成された導電体の貫通ビアと、前記基板の前記一方の面に形成された第１の配線層と、前記基板の他方の面に形成された第２の配線層とを有する配線基板と、
前記配線基板の前記基板の前記一方の面側に搭載され、前記第１の配線層と電気的に接続された半導体素子と
を有することを特徴とする半導体装置。
【請求項６】
請求項５記載の半導体装置において、
前記第１の配線層よりも、前記第２の配線層の方が厚い
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項７】
第１の基材の基板の一方の面に穴を形成する第１の工程と、
前記基板の前記一方の面及び前記穴の内壁に無機材料の絶縁膜を形成する第２の工程と、
内壁に前記絶縁膜が形成された前記穴内に導電体を埋め込む第３の工程と、
前記基板の他方の面側から前記第１の基材を除去し、前記絶縁膜で覆われた前記導電体を露出する第４の工程と、
前記絶縁膜で覆われた前記導電体を第２の基材により埋め込む第５の工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項８】
請求項７記載の配線基板の製造方法において、
前記第４の工程では、前記基板のうちの前記一方の面側の部分を残存させる
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項９】
請求項７又は８記載の配線基板の製造方法において、
前記第１の基材はシリコン基材であり、
前記第２の基材は有機基材であり、
前記導電体は銅を含み、
前記絶縁膜はシリコン酸化膜である
ことを特徴とする配線基板の製造方法。
【請求項１０】
請求項７乃至９のいずれか１項に記載の配線基板の製造方法において、
前記基板の前記一方の面に第１の配線層を形成する工程と、
前記基板の他方の面に、前記第１の配線層よりも厚い第２の配線層を形成する工程と
を更に有することを特徴とする配線基板の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は配線基板及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体素子等の電子部品が実装されるインターポーザー等のような配線基板には、配線基板の両側に設けられた配線間を電気的に接続する貫通ビアが備えられたものが知られている。貫通ビアは、基材を貫通する貫通孔に設けられている。配線基板の基材は、例えば、シリコンから構成されている。基材には、基材を上下方向に貫通する複数の貫通孔が形成されている（特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００６−５４３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
配線基板の基材としては、シリコン以外の有機基材なども使用できる。シリコン基材を用いた配線基板は、半導体微細加工技術を用いて小径、狭ピッチの貫通ビアや微細配線を形成することができるものの、薄く割れやすいので取扱いが難しい。一方、有機基材を用いた配線基板は、割れ難く取扱い易いものの、薄く形成することができず、微細加工に適しておらず、小径、狭ピッチの貫通ビアや微細配線を形成することが難しい。
【０００５】
本発明の目的は、小径、狭ピッチの貫通ビアや微細配線を形成することができ、かつ、割れ難く取扱いが容易な配線基板及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
実施形態の一観点によれば、有機基材により形成され、貫通孔が形成された基板と、前記基板の一方の面及び前記貫通孔の内壁に形成された無機材料の絶縁膜と、内壁に前記絶縁膜が形成された前記貫通孔内に形成された導電体の貫通ビアと、前記基板の前記一方の面に形成された第１の配線層と、前記基板の他方の面に形成された第２の配線層とを有することを特徴とする配線基板が提供される。
【０００７】
実施形態の一観点によれば、第１の基材の基板の一方の面に穴を形成する第１の工程と、前記基板の前記一方の面及び前記穴の内壁に無機材料の絶縁膜を形成する第２の工程と、内壁に前記絶縁膜が形成された前記穴内に導電体を埋め込む第３の工程と、前記基板の他方の面側から前記第１の基材を除去し、前記絶縁膜で覆われた前記導電体を露出する第４の工程と、前記絶縁膜で覆われた前記導電体を第２の基材により埋め込む第５の工程とを有することを特徴とする配線基板の製造方法が提供される。
【発明の効果】
【０００８】
開示の配線基板及びその製造方法によれば、小径、狭ピッチの貫通ビアや微細配線を形成することができ、かつ、割れ難く取扱いが容易な配線基板及びその製造方法を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１実施形態による配線基板を示す図である。
【図２】図２は、第１実施形態による配線基板に半導体素子が搭載された半導体装置を示す図である。
【図３】図３は、第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その１）である。
【図４】図４は、第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その２）である。
【図５】図５は、第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その３）である。
【図６】図６は、第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その４）である。
【図７】図７は、第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その５）である。
【図８】図８は、第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その６）である。
【図９】図９は、第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その７）である。
【図１０】図１０は、第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その８）である。
【図１１】図１１は、第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その９）である。
【図１２】図１２は、第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図（その１０）である。
【図１３】図１３は、第２実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
［第１実施形態］
（配線基板）
第１実施形態による配線基板について図１を用いて説明する。図１は本実施形態による配線基板を示す断面図である。
【００１１】
本実施形態の配線基板１０は、図１に示すように、有機基材により形成された基板１２を有する。基板１２は、例えば、約１００μｍ厚である。基板１２の厚さとしては、約５０〜３００μｍ厚であることが好ましい。
【００１２】
基板１２を形成する有機基材としては、例えば、熱硬化性エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂、アクリル系樹脂、テフロン（登録商標）系樹脂、シリコーン系樹脂等を使用することができる。
【００１３】
基板１２には複数の貫通孔１３が形成されている。複数の貫通孔１３は、例えば、約１２μｍ径で、例えば、約５０μｍのピッチで形成されている。
【００１４】
貫通孔１３の直径としては、約５〜１００μｍ径であることが好ましい。複数の貫通孔１３のピッチとしては、約５０〜２００μｍであることが好ましい。
【００１５】
基板１２の複数の貫通孔１３の内壁及び基板１２の上面には絶縁膜１４が形成されている。
【００１６】
絶縁膜１４は、例えば、約１μｍ厚であり、例えば、無機材料により形成されている。無機材料としては、例えば、シリコン酸化膜である。
【００１７】
基板１２の複数の貫通孔１３の内壁の絶縁膜１４内には、導電体の貫通ビア１６が形成されている。
【００１８】
貫通ビア１６は、例えば、約１０μｍ径であり、例えば、銅により形成されている。複数の貫通ビア１６のピッチは、複数の貫通孔１３のピッチであり、例えば、約５０μｍのピッチで形成されている。複数の貫通ビア１６のピッチとしては、約５０〜２００μｍであることが好ましい。
【００１９】
貫通ビア１６の、上側の一端には配線層１８が形成されている。配線層１８は、例えば、約１．０〜５．０μｍ厚であり、例えば、銅により形成されている。
【００２０】
基板１２の上面の絶縁膜１４、配線層１８は、ソルダレジスト層２０により被覆されている。ソルダレジスト層２０は、例えば、約１０μｍ厚である。
【００２１】
ソルダレジスト層２０には、配線層１８に達する開口２０ａが形成されている。配線層１８上にはバンプ２２が形成されている。バンプ２２は開口２０ａを介して配線層１８に電気的に接続されている。バンプ２２は、約２５μｍ径であり、例えば、はんだにより形成されている。
【００２２】
貫通ビア１６の、下側の他端には配線層２４が形成されている。配線層２４は、例えば、約２．０〜１０．０μｍ厚であり、例えば、銅により形成されている。
【００２３】
基板１２の下面と配線層２４は、ソルダレジスト層２６により被覆されている。ソルダレジスト層２６は、例えば、約１５μｍ厚である。
【００２４】
ソルダレジスト層２６には、配線層２４に達する開口２６ａが形成されている。配線層２４にはバンプ２８が形成されている。バンプ２８は開口２６ａを介して配線層２４に電気的に接続されている。バンプ２８は、例えば、約１００μｍ径であり、例えば、はんだにより形成されている。
【００２５】
本実施形態の配線基板１０は、基板１２が、例えば、約１００μｍ厚と薄く、複数の貫通ビア１６が、例えば、約１０μｍ径で、例えば、約５０μｍの狭ピッチで形成されている。基板１２が有機基材により形成されているので、基板１２の厚さが約１００μｍ厚と薄くても、割れ難く取扱いが容易である。
【００２６】
本実施形態によれば、小径、狭ピッチの貫通ビアや微細配線を形成することができ、かつ、割れ難く取扱いが容易な配線基板を提供することができる。
【００２７】
（半導体装置）
第１実施形態による半導体装置について図２を用いて説明する。図２は本実施形態による半導体装置を示す断面図である。
【００２８】
本実施形態における配線基板１０は、図１を用いて詳述した配線基板であり、端子のピッチが異なる半導体素子３０とメイン基板である回路基板４０との間で中継する所謂インターポーザーである。
【００２９】
配線基板１０の上側の面、すなわち、絶縁膜１４が形成された配線基板１０の一方の面側に半導体素子３０が搭載されている。半導体素子３０の接続端子３２がバンプ（接続端子）２２に電気的に接続されている。
【００３０】
半導体素子３０が搭載された配線基板１０はメイン基板である回路基板４０に搭載されている。配線基板１０の下側の面のバンプ（接続端子）２８が回路基板４０の接続端子４２に電気的に接続されている。回路基板４０は、例えば、プリント配線が施されたプリント基板である。
【００３１】
図２の実施形態では、配線基板１０にひとつの半導体素子３０を搭載しているが、複数の半導体素子を搭載するようにしてもよい。また、配線基板１０に搭載された半導体素子３０上に更に他の半導体素子を搭載するようにしてもよい。
【００３２】
図２の実施形態では。回路基板４０にひとつの配線基板１０を搭載しているが、複数の配線基板１０を搭載するようにしてもよい。また、回路基板４０に他の半導体素子を搭載するようにしてもよい。
【００３３】
（配線基板の製造方法）
第１実施形態による配線基板の製造方法について図３乃至図１２を用いて説明する。図３乃至図１２は第１実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００３４】
まず、本実施形態の配線基板の製造に使用するシリコン基板５０を用意する（図３（ａ））。シリコン基板５０は、例えば、約７２５μｍ厚である。
【００３５】
次に、シリコン基板５０の一方の面から穴を開け、他方の面までは貫通しない、複数の非貫通孔５２を形成する（図３（ｂ））。
【００３６】
複数の非貫通孔５２は、例えば、直径が約１２μｍであり、深さが約１００μｍであり、約５０μｍのピッチで形成する。シリコン基板５０なので、半導体微細加工技術を用いて、このように小径、狭ピッチの非貫通孔５２を形成することができる。
【００３７】
シリコン基板５０に非貫通孔５２を形成する方法としては、例えば、ＤＥＥＰ−ＲＩＥ（Reactive Ion Etching：反応性イオンエッチング）法を用いることができる。
【００３８】
次に、シリコン基板５０の上面及び下面並びに複数の非貫通孔５２の内壁に、絶縁膜５４を形成する（図３（ｃ））。
【００３９】
絶縁膜５４は、例えば、約１μｍ厚であり、例えば、無機材料により形成されている。無機材料としては、例えば、シリコン酸化膜により形成されている。
【００４０】
絶縁膜５４を形成する方法としては、例えば、ＣＶＤ法、熱酸化法等がある。シリコン酸化膜の絶縁膜５４をＣＶＤ法で形成する場合には、例えば、シラン、Ｎ２Ｏの原料ガスを用い、例えば、約３００℃に加熱して、シリコン酸化膜を化学気相成長する。
【００４１】
シリコン基板５０に非貫通孔５２を形成する方法として、ＤＥＥＰ−ＲＩＥ法の一種であるボッシュ法を用いてもよい。
【００４２】
ボッシュ法は、パシベーション・モードとエッチング・モードを繰り返し，側面を保護しながらアスペクト比の大きい溝を形成する技術である。図４に示すように、ボッシュ法により非貫通孔５２を形成すると、非貫通孔５２の内壁が凹凸となり、凹凸の内壁が絶縁膜５４により覆われる。絶縁膜５４が、非貫通孔５２内壁の凹凸に食い込み、剥離し難くなる。
【００４３】
次に、複数の非貫通孔５２内壁の絶縁膜５４表面、及び、シリコン基板５０上面の絶縁膜５４表面に、銅の無電解めっきを施して銅のシード層５６を形成する（図５（ａ））。シード層５６は、例えば、２μｍ厚である。なお、銅の無電解めっきを施す前に、スパッタ法によりチタン等の密着層を形成してもよい。
【００４４】
次に、シード層５６上にフォトレジスト層５８を形成し、フォトレジスト層５８を、配線層を形成するための所定パターンにパターンニングする（図５（ｂ））。
【００４５】
次に、電解めっき法により、複数の非貫通孔５２内壁の絶縁膜５４内のシード層５６を種とするビア６０と、シリコン基板５０上面の絶縁膜５４上のシード層５６を種とする所定パターンの配線層６１を形成する（図５（ｃ））。
【００４６】
ビア６０は、例えば、約１０μｍ径であり、例えば、約５０μｍのピッチで形成される。
【００４７】
次に、フォトレジスト層５８を除去する（図６（ａ））。
【００４８】
次に、例えば、ウエットエッチングにより、配線層６１から露出している部分のシード層５６を除去する。このとき配線層６１表面の一部がエッチング除去されるが、シード層５６の厚さに対して配線層６１のサイズが十分に大きいため特段の問題は生じない（図６（ｂ））。
【００４９】
上述した例では、ビア６０と配線層６１とを同じ工程で形成したが、ビア６０と配線層６１をそれぞれ別々の工程で形成してもよい。
【００５０】
次に、シリコン基板５０の上面の配線層６１上に、例えば、エポキシ系樹脂や、アクリル系樹脂、等により形成される感光性のソルダレジストフィルム（図示せず）を貼り付けることにより、ソルダレジスト層６２を形成する。次に、ソルダレジスト層６２を所定のパターンで露光し、現像することにより、配線層６１に達する開口６２ａを形成する（図６（ｃ））。
【００５１】
次に、シリコン基板５０の上面のソルダレジスト層６２の開口６２ａから露出している配線層６１に、搭載する半導体素子に接続するためのバンプ（接続端子）６４を形成する（図７（ａ））。バンプ６４の材料としては、例えば、はんだを用いる。
【００５２】
次に、シリコン基板５０のソルダレジスト層６２及びバンプ６４の形成面側に、仮止めテープ６５を用いて支持体６６を貼り付ける（図７（ｂ））。
【００５３】
仮止めテープ６５は、例えば、５０μｍ厚で、例えば、熱可塑性材料である。
【００５４】
支持体６６は、例えば、５００μｍ厚で、例えば、ガラス、シリコンである。
【００５５】
次に、支持体６６によりシリコン基板５０を支持して、シリコン基板５０の裏面側から、例えば、所謂バックサイドグラインド技術を用いて、例えば、砥石等を用いた研磨により、絶縁膜５４及びシリコン基板５０を除去する。シリコン基板５０の除去は、非貫通孔５２及び非貫通孔５２内壁の絶縁膜５４に達する前に停止する（図８（ａ））。
【００５６】
次に、支持体６６によりシリコン基板５０を支持して、シリコン基板５０をエッチング除去して、バンプ６４、配線層６１、ビア６０、絶縁膜５４よりなる構造物を残存させる（図８（ｂ））。
【００５７】
例えば、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドをエッチング液とするウエットエッチング、ＳＦ６をエッチングガスとするドライエッチングによりシリコン基板５０をエッチング除去する。
【００５８】
このようにバックサイドグラインド技術とエッチング技術とを用いることにより、シリコン基板５０を全てエッチングにより除去する場合に比較して処理時間を短縮することができる。
【００５９】
次に、支持体６６により、バンプ６４、配線層６１、ビア６０、絶縁膜５４の構造物を支持し、絶縁膜５４により覆われた複数のビア６０を樹脂６８により埋め込む（図９（ａ））。
【００６０】
絶縁膜５４により覆われた複数のビア６０を樹脂６８で埋め込む方法としては、例えば、モールド法、印刷法、スピンコート法等の方がある。
【００６１】
モールド法の場合には、絶縁膜５４により覆われた複数のビア６０を、エポキシ樹脂等の樹脂により埋め込む。
【００６２】
印刷法の場合には、マスクを用いて、絶縁膜５４により覆われた複数のビア６０を、ポリイミド系、シリコーン系、アクリル系等の樹脂により埋め込む。
【００６３】
スピンコート法の場合には、樹脂材料を滴下しながら、バンプ６４、配線層６１、ビア６０、絶縁膜５４の構造物を高速回転することにより遠心力で薄膜を形成し、絶縁膜５４により覆われた複数のビア６０を、ポリイミド系、シリコーン系等の樹脂により埋め込む。
【００６４】
次に、支持体６６により、バンプ６４、配線層６１、ビア６０、絶縁膜５４、樹脂６８よりなる構造物を支持し、樹脂６８の形成面側から、樹脂６８、ビア６０底部を覆う絶縁膜５４を除去して平坦化する（図９（ｂ））。
【００６５】
例えば、樹脂６８の形成面側を研磨することにより、樹脂６８、ビア６０底部を覆う絶縁膜５４を除去して平坦化する。
【００６６】
また、研磨により樹脂の上層部分を除去した後、ＣＦ４等のエッチングガスを用いたドライエッチング、又は、フッ酸系のエッチャントを用いたウエットエッチングにより絶縁膜５４を除去して平坦化してもよい。
【００６７】
次に、平坦化された樹脂６８、ビア６０、絶縁膜５４上に、銅の無電解めっきを施して銅のシード層７０を形成する（図１０（ａ））。シード層７０は、例えば、０．５μｍ厚である。なお、銅の無電解めっきを施す前に、スパッタ法によりチタン等の密着層を形成してもよい。
【００６８】
次に、シード層７０上にフォトレジスト層７２を形成し、フォトレジスト層７２を、配線層を形成するための所定パターンにパターンニングする（図１０（ａ））。
【００６９】
次に、例えば、銅の電解めっき法により、平坦化された樹脂６８、ビア６０、絶縁膜５４上に、シード層７０を種とする所定パターンの銅の配線層７４を形成する（図１０（ｂ））。
【００７０】
次に、フォトレジスト層７２を除去する。次に、異方性エッチング等のエッチング技術により、フォトレジスト層７２下にあったシード層７０を除去する。このとき配線層７４表面の一部がエッチング除去されるが、シード層７０の厚さに対して配線層７４のサイズが十分に大きいため特段の問題は生じない（図１１（ａ））。
【００７１】
次に、樹脂６８及び配線層７４上に、例えば、エポキシ系樹脂や、アクリル系樹脂、等により形成される感光性のソルダレジストフィルム（図示せず）を貼り付けることにより、ソルダレジスト層７６を形成する。
【００７２】
次に、ソルダレジスト層７６を所定のパターンで露光し、現像することにより、配線層７４に達する開口７６ａを形成する。
【００７３】
次に、樹脂６８及び配線層７４上面のソルダレジスト層７６の開口７６ａから露出している配線層７４に、搭載される回路基板に接続するためのバンプ（接続端子）７８を形成する（図１１（ｂ））。
【００７４】
次に、仮止めテープ６６により張り付けられた支持体６６を、剥離する（図１２（ａ））。例えば、全体を約２５０℃に加熱して仮止めテープ６６の粘着力をなくして支持体６６を剥離する。
【００７５】
次に、図１２（ａ）に示す積層構造物を、切断線Ｌに沿ってダイサーにより切断して個片化して、図１２（ｂ）に示す配線基板１０が完成する。
【００７６】
このように、本実施形態によれば、シリコン基板にビアを形成するので、半導体微細加工技術を用いて、小径、狭ピッチの複数のビアを形成することができる。そして、配線基板として完成したときには基板は有機基材により形成されているので、薄く割れ難く取扱いが容易な配線基板を提供することができる。
【００７７】
また、本実施形態によれば、有機基材の材料を選択することができる。例えば、搭載する半導体素子の熱膨張係数や、回路基板の熱膨張係数に近い熱膨張係数の材料を選択することにより、配線基板に半導体素子を搭載し、配線基板を回路基板に搭載した際の反りの発生を防止することができる。
【００７８】
また、本実施形態によれば、配線基板の一方の面側における配線層は、半導体微細加工技術を用いて形成されるため、配線基板の他方の面側に比べて、配線層の膜厚をより薄く形成することができる。そのため、搭載する半導体素子に応じて配線層の膜厚を変更して、配線基板の平坦性を向上させることができる。
【００７９】
また、本実施形態によれば、配線基板の一方の面側における配線層等は、半導体微細加工技術を用いて形成されるため、配線基板の一方の面側の配線層と、配線基板の他方の面側の配線層との体積を変更することが可能であり、それにより配線基板の反りを防止することができ、配線基板の平坦性を向上させることができる。
【００８０】
仮に、配線基板の一方の面側の配線層と、配線基板の他方の面側の配線層とを同じプロセスにより形成した場合には、配線基板の一方の面側の配線層の体積と、配線基板の他方の面側の配線層の体積を変更することは容易ではない。例えば、配線層に厚さが同じであれば、配線層の面積を変えるしかない。しかし、配線基板の面積は一定であり、配線層の面積を変更するには限界がある。
【００８１】
これに対し、本実施形態によれば、配線基板の一方の面側の配線層と、配線基板の他方の面側の配線層との体積を容易に変更することができ、上述した点を解消することができる。
【００８２】
（半導体装置の製造方法）
第１実施形態による半導体装置の製造方法について図２を用いて説明する。
【００８３】
配線基板１０を、上述した配線基板の製造方法により製造した後、配線基板１０の上側の面、すなわち、絶縁膜１４が形成された配線基板１０の一方の面側に半導体素子３０を搭載する。半導体素子３０の接続端子３２を配線基板１０のバンプ（接続端子）２２に電気的に接続する。
【００８４】
更に、半導体素子３０が搭載された配線基板１０をメイン基板である回路基板４０に搭載する。配線基板１０の基板１０の他面のバンプ（接続端子）２８を回路基板４０の接続端子４２に電気的に接続する。回路基板４０は、例えば、プリント配線が施されたプリント基板である。こうして図２に示す半導体装置が完成する。
【００８５】
このように、本実施形態によれば、半導体素子３０が搭載される配線基板１０の一方の面側における配線層１８及びバンプ２２等は、半導体微細加工技術を用いて形成されるため、同じく半導体微細加工技術を用いて形成される半導体素子３０の接続端子３２の端子ピッチに会わせることが可能である。
【００８６】
また、本実施形態によれば、半導体素子３０が搭載される配線基板１０の一方の面上に無機材料の絶縁膜１４が形成されているので、配線基板１０の半導体素子搭載面の平坦性を向上させることができ、半導体素子３０との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【００８７】
［第２実施形態］
第２実施形態による配線基板の製造方法について図１３を用いて説明する。図１３は本実施形態による配線基板の製造方法を示す工程断面図である。
【００８８】
第１実施形態による配線基板の製造方法においては、図８（ｂ）に示すように、シリコン基板５０を全てエッチング除去して、バンプ６４、配線層６１、ビア６０、絶縁膜５４よりなる構造物を残存させたが、これに限らない。
【００８９】
本実施形態では、シリコン基板５０を全てエッチングすることなく、一部を残存させる。その結果、図１３（ａ）に示すように、バンプ６４、配線層６１、ビア６０、絶縁膜５４、シリコン基板５０の残部よりなる構造物が残存する。
【００９０】
次に、図９（ａ）と同様にして、支持体６６により、バンプ６４、配線層６１、ビア６０、絶縁膜５４、シリコン基板５０の残部よりなる構造物を支持し、絶縁膜５４により覆われた複数のビア６０を樹脂６８により埋め込む（図示せず）。
【００９１】
その後、図９（ｂ）以降の工程を、第１実施形態と同様に実施して、図１３（ｂ）に示す積層構造物を形成する。
【００９２】
次に、図１３（ｂ）に示す積層構造物を、切断線Ｌに沿ってダイサーにより切断して個片化して、図１３（ｃ）に示す配線基板１０が完成する。
【００９３】
このように、本実施形態によれば、半導体素子３０が搭載される配線基板１０の一方の面側にシリコン基板５０の残部を残しておくようにしたので、配線基板１０の半導体素子搭載面の平坦性を向上させることができ、半導体素子３０との電気的な接続信頼性を向上させることができる。
【００９４】
［変形実施形態］
上記実施形態は一例であって、必要に応じて種々の変形が可能である。
【００９５】
例えば、上記実施形態では、シリコン基板の一方の面から穴を開け、他方の面までは貫通しない非貫通孔を形成したが、シリコン基板を貫通する貫通孔を形成してもよい。
【００９６】
また、上記実施形態では、第１の基材の基板としてシリコン基板を用いたが、小径、狭ピッチの複数のビアを形成することができる基材であれば他の基材でもよい。例えば、ＧａＡｓ基板等の化合物半導体基板等であってもよい。
【００９７】
また、上記実施形態では、絶縁膜はシリコン酸化膜であったが、絶縁膜としては、シリコン酸化膜以外の他の無機材料、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）等から形成された無機膜であってもよいし、有機材料からなる有機膜であってもよい。
【００９８】
また、上記実施形態では、配線基板の半導体素子の搭載側と回路基板の搭載側とにおいて、一層の配線層を形成したが、必要に応じて２層以上の配線層を、例えば、ビルドアップ工法により形成してもよい。
【００９９】
また、上記実施形態では、配線基板にバンプ（接続端子）を形成したが、必要に応じて、バンプを形成しなくてもよい。
【０１００】
また、上記実施形態では、支持体を剥離した後に積層構造物を個片化したが、積層構造物に支持体を貼り付けたまま個片化してもよい。その場合、個片化した支持体付きの配線基板を回路基板に実装した後に、支持体を剥離するようにしてもよい。
【０１０１】
また、上記実施形態では、支持体により、バンプ、配線層、ビア、絶縁膜、樹脂よりなる構造物を支持した状態で裏面側の配線層等を形成したが、これに限らない。例えば、支持体を剥離した後に、バンプ、配線層、ビア、絶縁膜、樹脂よりなる構造物に対して裏面側の配線層等を形成してもよい。
【０１０２】
また、上記実施形態では、必要に応じ支持体で構造物を支持しながら様々な処理を実施したが、支持体を用いることなく様々な処理を実施してもよい。
【０１０３】
また、上記実施形態では、所謂インターポーザーに適用したが、インターポーザー以外の配線基板に適用してもよい。
【０１０４】
以上、好適な実施形態について詳述したが、これら特定の実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された要旨の範囲内において、種々の変形や変更が可能である。
【符号の説明】
【０１０５】
１０…配線基板
１２…基板
１３…貫通孔
１４…絶縁膜
１６…貫通ビア
１８…配線層
２０…ソルダレジスト層
２０ａ…開口
２２…バンプ
２４…配線層
２６…ソルダレジスト層
２６ａ…開口
２８…バンプ
３０…半導体素子
３２…接続端子
４０…回路基板
４２…接続端子
５０…シリコン基板
５２…非貫通孔
５４…絶縁膜
５６…シード層
５８…フォトレジスト層
６０…ビア
６１…配線層
６２…ソルダレジスト層
６２ａ…開口
６４…バンプ
６５…仮止めテープ
６６…支持体
６８…樹脂
７０…シード層
７２…フォトレジスト層
７４…配線層
７６…ソルダレジスト層
７６ａ…開口
７８…バンプ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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