(57)【要約】【課題】  磁性体試料表面における磁化分布と組成分布を同一の電子線走査で一度に測定する装置を提供する。【解決手段】  試料から放出された電子をそのエネルギーにより分別する電子偏向器を二個搭載する。ここでは第一の電子偏向器では、試料から放出された電子のうちエネルギーの低い２次電子だけが分別されてスピン検出器に搬送され、磁化解析に利用される。第二の電子偏向器には第一の電子偏向器を透過した高エネルギーの電子が入射し、オージェ分析されることにより組成分析に利用される。これにより、同一の電子線走査で磁化と組成の同時測定が可能となる。【選択図】  図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
試料を設置する試料ステージと、
前記試料に対し、荷電粒子線を走査しながら照射させる走査光学系と、
前記試料から放出された電子のスピン状態を検出するスピン検出器と、
前記試料から放出された電子のエネルギー状態を検出する電子エネルギー検出器と、
前記試料から放出された電子を前記スピン検出器へ偏向する第１偏向器と、
前記試料から放出された電子を前記電子エネルギー検出器へ偏向する第２偏向器とを有することを特徴とする分析装置。
【請求項２】
請求項１に記載の分析装置において、
前記荷電粒子線を前記試料に集束させるセミイン型対物レンズをさらに有し、
前記第１及び第２偏向器は前記セミイン型対物レンズ内に設けられることを特徴とする分析装置。
【請求項３】
請求項１に記載の分析装置において、
前記荷電粒子線を前記試料に集束させるアウトレンズ型対物レンズをさらに有し、
前記第１及び第２偏向器は前記試料から前記アウトレンズ型対物レンズに向かう方向へ第１、第２の順に設けられることを特徴とする分析装置。
【請求項４】
請求項１に記載の分析装置において、
前記分析装置は走査型電子顕微鏡、或いは光電子分光装置であることを特徴とする分析装置。
【請求項５】
請求項１に記載の分析装置において、
前記第１偏向器にて偏向される電子は２次電子であり、
前記第２偏向器にて偏向される電子はオージェ電子であることを特徴とする分析装置。
【請求項６】
請求項５に記載の分析装置において、
前記２次電子と他のエネルギーの電子とを分別するため、２０ｅＶ以下のエネルギーを持つ電子を第１偏向器にて偏向されるよう設定し、
前記オージェ電子と前記偏向されなかった電子とを分別するため、２０ｅＶより大きく２０００ｅＶ以下のエネルギーを持つ電子を第２偏向器にて偏向されるよう設定することを特徴とする分析装置。
【請求項７】
請求項１に記載の分析装置において、
前記第１及び第２の偏向器を、前記照射される１次電子線の光軸上に配置することを特徴とする分析装置。
【請求項８】
請求項７に記載の分析装置において、
前記第１及び第２偏向器の少なくとも一方が、前記照射される１次電子線の光軸上に設けられた孔を有する球面偏向器であることを特徴とする分析装置。
【請求項９】
請求項１に記載の分析装置において、
前記第１及び第２偏向器の少なくとも一方が、ウィーンフィルタタイプであることを特徴とする分析装置。
【請求項１０】
請求項１に記載の分析装置において、
前記第２偏向器に印加する電圧もしくは電流を１回の画面走査中に一定に保つことにより、測定を通して一種類の元素量をモニターする信号処理部を特徴とする分析装置。
【請求項１１】
請求項１に記載の分析装置において、
前記第２偏向器に印加する電圧もしくは電流を、前記走査における一画素測定中に変化させて複数の元素量をモニターする信号処理部と、
前記走査における１回の画面走査で複数の元素量マッピングする画像処理部とを特徴とする分析装置。
【請求項１２】
請求項１に記載の分析装置において、
前記第２偏向器に印加する電圧や電流値を、前記走査における１ライン測定完了毎に切り替えて複数の元素量をモニターする信号処理部と、
前記走査における１回の画面走査で複数の元素量マッピングする画像処理部と、を特徴とする分析装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、試料の磁化を分析し、また、試料の組成を分析する装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
走査電子顕微鏡（ＳＥＭ：  Ｓｃａｎｎｉｎｇ  Ｅｌｅｃｔｒｏｎ  Ｍｉｃｒｏｓｃｏｐｙ）は、バルク試料において高分解能で表面形状を視覚化する手段として知られている。特に近年、単に表面形状だけでなく、磁化や組成の情報を得られる手段としても認知されるようになってきている。例えば磁化を高分解能で可視化する手段としてはスピン偏極走査型電子顕微鏡（スピンＳＥＭ）が知られている。
【０００３】
スピンＳＥＭは、強磁性体試料内部の電子が持つスピンという物理量を検出して画像化するものである。そもそも強磁性体試料における磁化の起源は、試料内部の電子スピンの向きが偏っていることによる。このスピン偏極は、それらの電子が外部からの電子線照射によって試料外部へ放出される際にも保たれることが判っている。従って、放出される２次電子のスピン偏極度をスピン検出器で検出すれば、２次電子放出点の磁化の向きがわかる。
【０００４】
そして１次電子線で試料表面を順次走査することにより、１枚の磁区像を得ることができる。この技術は、ＳＥＭにおいて電子の数を検出する２次電子検出器を、電子のスピン偏極度を測定するスピン検出器に替えたものと考えることができる。従って、光等のプローブを使った装置と比べると分解能が数ｎｍレベルと高い。但し、本手法によって測定されるのは磁化の情報を反映した２次電子のスピン偏極度のみであり、例えば組成分布などは測定できない。
【０００５】
一方、ＳＥＭにおいて、組成分布を高分解能で測定しようとした場合、よく用いられるのはオージェ分析による方法である。この方法は、原子の内殻電子を電子ビームで放出させると、励起状態イオンが生成するが、そのイオンにおいて空になった内殻軌道に外殻から電子が遷移し、その際の余剰エネルギーをもって別の外殻電子が放出される現象を利用している。
【０００６】
ここで、放出された電子（オージェ電子）の運動エネルギーを測定することにより原子の種類を特定するものである。放出されるオージェ電子の運動エネルギーは、内殻電子と２個の外殻電子の束縛エネルギーから算出され、これら束縛エネルギーは原子毎に固有なことから、３電子過程を行い得ない水素、ヘリウム以外の元素を検出分析することができる。
【０００７】
このオージェ分析では、比較的試料表面付近（〜数ｎｍ）の電子を分析するため、試料内部（数百ｎｍ）まで１次電子線が侵入しても、その広がりの影響を受けにくく、例えば同じＳＥＭを用いた組成マッピングとして知られているＥＤＸ（Ｅｎｅｒｇｙ  Ｄｉｓｐｅｒｓｉｖｅ  Ｘ−ｒａｙ  ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）と比べると空間分解能が数ｎｍと高い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００８-２４３４８５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記の二つの技術は、それぞれ別の技術として活用されてきた。この二つを一度に測定できない場合、つまり二回に分けて測定する場合、視野のずれや試料の状態の経時変化等、磁化と組成の対応に曖昧さが残る。
【００１０】
その一方で、永久磁石材料や磁気記録デバイス等、材料の磁性と組成を比較しながら議論することが、材料性能の向上や新規デバイスの開発に必要であるとの認識が近年急速に高まっている。一例を挙げれば、ＮｄＦｅＢ磁石においては、添加元素であるＤｙがその性能に重要な役割を担っていることが知られている。すなわち、数ミクロンの結晶粒の粒界近傍数十ｎｍにＤｙを分布させると、性能向上の効果が多大であることが判ってきた。
【００１１】
従って、Ｄｙの分布と磁区構造を一度に同視野で撮影できれば、ＮｄＦｅＢ磁石の性能向上に重要な知見を得ることができる。この問題は省エネルギー、省資源の観点から極めて重要であり、多くの研究者がこの課題に取り組んでいる。すなわち、高分解能で磁化と組成の関係を可視化することは、極めて重要視されている。
【００１２】
走査電子顕微鏡において磁化と組成が一度に測定できない理由、つまりスピンＳＥＭとオージェ分析が融合できない理由は、スピンＳＥＭにおける検出系の感度の低さにある。スピンＳＥＭにおいて検出物理量である２次電子のスピン偏極度は、モット検出器等、スピン検出器で分析されるが、その検出効率は極めて低い（通常の２次電子強度の検出器の約１万分の１）。
【００１３】
そのため磁区像を取得する際には、試料から放出される２次電子をすべてスピン検出系に搬送するように、試料直上に２次電子搬送用の光学系を配置している。結果として、オージェ電子を分析するような光学系を併用することができず、磁化と組成の情報を一度に得るような測定は不可能であった。
【００１４】
本発明の目的は、磁性体試料表面における磁化分布と組成分布との両方を測定する装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
上記課題を解決するために、本発明における分析装置は、試料を設置する試料ステージと、前記試料に対し、荷電粒子線を走査しながら照射させる走査光学系と、前記試料から放出された電子のスピン状態を検出するスピン検出器と、前記試料から放出された電子のエネルギー状態を検出する電子エネルギー検出器と、前記試料から放出された電子を前記スピン検出器へ偏向する第１偏向器と、前記試料から放出された電子を前記電子エネルギー検出器へ偏向する第２偏向器とを有する。
【発明の効果】
【００１６】
本分析装置により、磁化と組成の情報を合わせた解析が可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】２組の電子偏向器と検出器を持つＳＥＭの実施例を示す図である。
【図２】電子偏向器の一例として、球面偏向器の実施例を示す図である。
【図３】セミインレンズＳＥＭにおける、本発明の実施例を示す図である。
【図４】アウトレンズＳＥＭにおける、本発明の実施例を示す図である。
【図５】画像取得の際に必要なシステム全体の実施例を示す図である。アウトレンズＳＥＭにおける場合を例に挙げている。
【図６】光電子分光における、本発明の実施例を示す図である。また画像取得の際に必要なシステム全体の関係も示している。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
本発明においては、上記の目的を達成するため、試料から放出された様々なエネルギーを持つ電子を２つの電子偏向器に取り込み、エネルギー選別をするシステムを提案する。ここで記述する電子偏向器とは、その内部を通過する電子のエネルギーによって、その軌道を変化させる機能を持つもので、エネルギーフィルタともいう。
【００１９】
例えばウィーンフィルタ型（ＥｘＢ型）や球面偏向型等が知られている。まず最初の電子偏向器で、試料から放出された電子のうち例えば２０ｅＶ以下の低いエネルギーの電子（２次電子）を分離する。それら２次電子は、１次電子線に励起された試料内部の電子が様々な衝突を繰り返した後に試料表面から出てくる電子であり、数は多いが元々試料内部に存在した際のエネルギー準位等の情報は失っている。しかし、電子スピンの向きは試料内部の状態をほぼ保っているので、これらの電子をスピン検出器に導くことにより、試料表面上の電子放出点における磁化の情報を得ることができる。つまりスピンＳＥＭ測定ができる。
【００２０】
第一の電子偏向器でスピンＳＥＭ測定用に分離されなかったエネルギーの高い電子には、反射電子やオージェ電子が含まれる。ここで、反射電子は１次電子線と同じエネルギーを持つ弾性散乱したものが大半を占め、非弾性散乱したものがそれよりも低いエネルギーに広く分布する。オージェ電子は、電子が元々存在した原子の種類や軌道で決まる特定のエネルギーにピークを持つものであり、主なものは２０ｅＶより大きくかつ２０００ｅＶ以下である。従って、これらの電子を第二の電子偏向器に入射させ、電子偏向器の設定を調整することでエネルギー分解させることにより、オージェ分析を行い試料の組成を分析することができる。
【００２１】
これら２種の電子偏向器は、１次電子線に対しては、極力影響を与えないように配置・設計しなくてはいけない。しかし、１次電子線の通過経路にこれらの電子偏向器を配置した場合においても、２次電子やオージェ電子に比較してＳＥＭの１次電子線は１桁以上エネルギーを高く設定でき、その影響を少なくすることは可能である。多少は一次電子線のビーム径が歪み、軌道が偏向されるが、これらの効果はＳＥＭの電子光学系が保有するスティグマやディフレクター等の電子線調整機構で補正できるようにする。
【００２２】
これまで述べてきた効果は、ＳＥＭのみならず、光電子分光装置にも適用可能である。光電子分光装置においては、照射光によって試料から放出された光電子のエネルギーを分析し、それと照射光のエネルギーを比較することにより、試料の組成、あるいは電子状態を評価できる。これまでに光電子のスピンを分解して、各エネルギー準位の電子のスピンを解析するスピン分解光電子分光という手法が知られている。この手法においては、電子偏向器によりエネルギー分解した光電子をスピン検出器に導いているので、各エネルギー準位の電子スピン偏極度が判る。
【００２３】
それに対して、本方式では、試料から放出された電子のうち、例えば２０ｅＶ以下の低エネルギーの２次電子の大半を、第一の電子偏向器に導き、分離してスピン偏極度を検出する。従来のスピン分解光電子分光と比較した本方式の利点は、数が圧倒的に多い２次電子のスピン偏極度を分析するため磁化情報が高いＳ／Ｎで評価できることである。そして、エネルギーの高い光電子は第二の電子偏向器に送られ、エネルギー分析が行われ、組成の情報が得られる。これにより、空間分解能は走査型電子顕微鏡ほど高くはないが、磁化と組成の情報を一度に取得することができる。
【実施例１】
【００２４】
本発明の実施例をＳＥＭに適用した例を図１に示す。ここで、検出系は、組成分析部１０１と磁化検出部１０４に大別される。組成分析部１０１は電子検出器１０２、オージェ電子光学系１０３、第二の電子偏向器１１０から成り、磁化検出部１０４は、スピン検出器１０５、２次電子光学系１０６、第一の電子偏向器１０９より成る。電子源１０８より放出された１次電子線は、試料に照射され、その照射点から２次電子、オージェ電子、反射電子などが放出される。
【００２５】
これらの放出電子のうち、エネルギーの低い、例えば２０ｅＶ以下の２次電子１１５を第一の電子偏向器１０９により偏向させて他の高エネルギー電子と分離し、２次電子光学系１０６を通ってスピン検出器１０５へ搬送する。これら２次電子１１５のスピン偏極度は試料面上電子放出点の磁化を反映している。従って、この磁化検出部１０４では試料面上電子放出点の磁化を評価することができる。第一の電子偏向器１０９の印加電圧は、例えば数１００Ｖ以下として、エネルギーの高い電子はこれにより偏向されないようにする。
【００２６】
また高エネルギーの電子が第二の電子偏向器１１０に入射することを極力阻害しないような配置にする。また第二の電子偏向器１１０は高エネルギーの電子を極力取り込める位置に配置する。そして第二の電子偏向器１１０でエネルギー毎に偏向してオージェ電子光学系１０３を通って電子検出器１０２へ送ることにより、オージェ分析を行う。このとき、反射電子がバックグランドとして検出されることに注意して分析する。この組成分析部１０１によるオージェ分析によって、試料面上電子放出点の組成を評価することができる。本実施例で示したように同一の一次電子線を用いて、磁化と組成の測定を一度に同視野で行うことができる。
【実施例２】
【００２７】
図２に、本発明で用いる電子偏向器の構造の一例を示す。ここでは球面偏向器を示しており、第一の偏向器として利用した場合を想定して説明する。この偏向器は、偏向される電子の軌道が内側２０３と外側２０２の球面電極に挟まれているものである。外側球面電極には、貫通している穴２０６が光軸方向に開いており、この穴を通して１次電子線２０１は、図で上から下の方向に向けて試料に照射される。
【００２８】
一方、試料から放出された電子は、図で下から上の方向に向けてこの球面偏向器に入射し、０−２０ｅＶのエネルギーの低いものは２次電子２０５として右側に偏向され、２次電子光学系２０４によってスピン検出器へ搬送される。このとき、試料から放出された電子のうち、エネルギーの高い電子は再び球面偏向器の穴２０６を通って上方向へと導かれ、第二の偏向器に入射する。つまりこのような偏向器を用いた場合は、図３、４、５で示す実施例のような、偏向器を直列に配置する方式にも適用できる。球面偏向器の電圧は、例えば外側２０２が０Ｖで内側２０３が１００Ｖ程度を想定する。この球面偏向器を第二の電子偏向器として用いた場合も、同様の概念でデザインすることができる。
【００２９】
ここでは、電子偏向器の例として球面偏向器を説明したが、特に偏向器の種類に制限はない。ただ、ＥｘＢフィルタを第一の電子偏向器に用いる場合は、偏向器内の磁場が電子スピンに与える影響を検討する必要がある。つまり、電子スピンは磁場によってラーモア歳差運動を行うが、ＥｘＢフィルタの光軸には磁場があるので、電子スピンは回転する。もしこの磁場がＥｘＢフィルタ内の光軸近辺でほぼ一様であった場合、電子スピンの回転も一様になる。
【００３０】
この場合は、それら電子スピンの平均値であるスピン偏極度も回転するが、その大きさは変化しないので、検出後に角度を較正すれば問題はない。しかし、ＥｘＢフィルタ内で磁場の強度や方向が空間的に変動している場合、２次電子の軌道によってスピンの回転角が変わり、結果として検出されるスピン偏極度の値が小さくなり、測定のＳ／Ｎを劣化させる可能性がある。このようなフィルタ内の磁場の分布を考慮して設計すれば、ＥｘＢフィルタも本発明における電子偏向器として使用することができる。
【実施例３】
【００３１】
本発明をセミインレンズタイプのＳＥＭに適用した実施例を図３に示す。セミインレンズタイプのＳＥＭでは、分析する電子を対物レンズを通して検出することで、分解能の高い測定が期待できる。この例では、２つの偏向器を直列につなぎ、試料から放出された電子を順次偏向していく配置にしている。ここで検出系は、図１に示す例同様、組成分析部３０１と磁化検出部３０４に大別される。
【００３２】
組成分析部３０１は電子検出器３０２、オージェ電子光学系３０３、第二の電子偏向器３１０から成り、磁化検出部３０４は、スピン検出器３０５、２次電子光学系３０６、第一の電子偏向器３０９より成る。電子源３０８より放出された１次電子線は、試料に照射され、その照射点から２次電子、オージェ電子、反射電子などが放出される。これらの電子を試料３１３直上にある対物レンズ３１４をとおして、第一の電子偏向器３０９に導く。
【００３３】
第一の電子偏向器３０９は、例えば０−２０ｅＶの低いエネルギーの電子を偏向させて他の高エネルギー電子と分離し、２次電子光学系３０６を通ってスピン検出器３０５へ搬送する。これらの低いエネルギーの電子は２次電子であり、そのスピン偏極度は試料面上電子放出点の磁化を反映している。従って、この磁化検出部３０４では試料面上電子放出点の磁化を評価することができる。第一の電子偏向器３０９で偏向されなかった高いエネルギーの電子は、その後第二の電子偏向器３１０へと導かれ、そこでエネルギー毎に偏向してオージェ電子光学系３０３を通って電子検出器３０２へ送ることにより、オージェ分析を行う。
【００３４】
このとき、反射電子がバックグランドとして検出されることに注意して分析する。この組成分析部３０１によるオージェ分析によって、試料面上電子放出点の組成を評価することができる。本実施例で示したように同一の一次電子線を用いて、かつ高い空間分解能を保ちながら、磁化と組成の測定を行うことができる。
【実施例４】
【００３５】
図４に本発明をアウトレンズタイプのＳＥＭに適用した場合の実施例を示す。尚、真空チャンバは本図では省略しているので、真空領域と大気領域の境界部分は示していない。ここで検出系は、図１や図３と同様に組成分析部４０１と磁化検出部４０４に大別される。組成分析部は電子検出器４０２、オージェ電子光学系４０３、第二の電子偏向器４１０から成り、磁化検出部４０４は、スピン検出器４０５、２次電子光学系４０６、第一の電子偏向器４０９より成る。電子源４０８より放出された１次電子線４１３は、試料４１２に照射され、その照射点から２次電子、オージェ電子、反射電子などが放出される。これらの電子を、対物レンズ４１４と試料４１２の間に配置した電子光学系に送るが、まず第一の電子偏向器４０９に導く。
【００３６】
第一の電子偏向器４０９は、０−２０ｅＶの低いエネルギーの電子を偏向させて他の高エネルギー電子と分離し、２次電子光学系４０６を通ってスピン検出器４０５へ搬送する。これらの低いエネルギーの電子は２次電子であり、この磁化検出部４０４では試料面上電子放出点の磁化を評価することができる。
【００３７】
第一の電子偏向器４０９で偏向されなかった高いエネルギーの電子は上方へ進み、その後第二の電子偏向器４１０へと導かれ、そこでエネルギー毎に偏向して、オージェ電子光学系４０３を通って電子検出器４０２へ送ることにより、オージェ分析を行う。図１や図３と同様に、同一の１次電子線４１３を用いて、磁化と組成の測定を行うことができる。
【００３８】
この場合、試料４１２と対物レンズ４１４の間に様々なレンズを組む込む必要があり、図３ほどそれらの間隔を短くできないので、分解能はセミインレンズ方式ほど良くはできない。しかし既存のＳＥＭに磁化検出部４０４や組成分析部４０１を後付で増設することにより本発明の機能を生じさせる場合、１次電子線４１３の光学系を変更せざるを得ない図３のセミインレンズタイプよりも簡単に装着することができる。
【実施例５】
【００３９】
図５には、本システム全体の信号処理・データ保存制御系に関しての実施例を、図４に示したアウトレンズタイプのＳＥＭの場合を例にとって示している。オージェ分析をした電子検出器５０２やスピン検出器５０５からの信号は、信号処理部５１７に入って、画像処理部５１８で組成マッピング像や磁区像が作成される。この画像処理部５１８は、一次電子線５１３を制御する電子線コントローラー５１９やオージェ分析において検出元素を選択する第二の電子偏向器５１０にも繋がっており、１次電子線５１３の試料上の位置と信号処理部５１８からの信号を融合させて組成マッピング像と磁区像を作り出している。
【００４０】
組成マッピング像の取得方法として、特定の組成の分布を画像化する場合は、一次電子線５１３が試料５１２の表面を走査して画像を取得する間、第二の電子偏向器５１０の動作条件を一定する方法がある。特定のエネルギーの電子だけを電子検出器５０２に導くことにより、該当元素の組成マッピング像を高速に取得することができる。
【００４１】
また複数の元素の分布を画像化する場合は、一次電子線５１３が試料５１２の表面上の１点を照射している間に、つまり１画素測定中に、該当元素のオージェ電子を順次電子検出器５０２に導くように、第二の電子偏向器５１０の動作条件を何段階か変更し、目的の元素のデータを取得していく方法もある。目的の元素を全て撮り終えた後で、１次電子線５１３を次の地点に動かしデータを取得する。この場合、第二の電子偏向器５１０の動作条件を一定するよりも１ピクセルのデータ取得に時間がかかるが、複数の目的元素の分布を一度に同視野で測定できるメリットがある。
【００４２】
また、複数の元素の同時マッピングにおいて、第二の電子偏向器５１０の切り替え時には電圧や磁場の変動が起こるので、測定のデッドタイムが生じる。このデッドタイムを短くする方法として、電子偏向器の切り替えを１画素測定中ではなく１ライン測定完了毎に行う方法がある。この場合も１画面を走査した後には複数の組成マッピングができており、複数の組成の分布と磁化情報が一度に同視野で測定できることになる。
【実施例６】
【００４３】
図６に、本発明を光電子分光装置に適用した場合の実施例を示す。光源６０１より放出された電磁波６０４は、集光光学系６０２を経た後、超高真空チャンバ６０３内にセットされている試料６０５に照射される。それにより励起された様々な電子は、まず、他の実施例にて説明した第一の電子偏向器６１２へ導かれ、例えば０−２０ｅＶの低いエネルギーの電子を２次電子６１３として偏向させて他の高エネルギー電子と分離し、スピン検出器６１４へ搬送する。第一の電子偏向器６１２で偏向されなかった高いエネルギーの電子は上方へ進み、その後第二の電子偏向器６０７へと導かれ、エネルギー分解をされた後、電子検出器６０８でカウントされる。
【００４４】
本図ではオージェ分析に良く使われる静電半球型のエネルギーフィルタの形状を記している。スピン検出器６１４や電子検出器６０８からの信号は信号処理部６０９やシステム制御用コンピュータ６１０を経て、データ保存部６１２に保存される。またシステム制御用コンピュータ６１０は光源制御部６１１や第二の電子偏向器６０７もコントロールしている。
【符号の説明】
【００４５】
１０１…組成分析部、１０２…電子検出器、１０３…オージェ電子光学系、１０４…磁化検出部、１０５…スピン検出器、１０６…２次電子光学系、１０７…電子銃カラム、１０８…電子源、１０９…第一電子偏向器、１１０…第二電子偏向器、１１１…試料ステージ、１１２…試料、１１３…１次電子線、１１４…対物レンズ、１１５…２次電子、１１６…オージェ電子、２０１…１次電子線、２０２…球面偏向器（外側）、２０３…球面偏向器（内側）、２０４…２次電子光学系、２０５…２次電子、２０６…球面偏向器（貫通穴）、３０１…組成分析部、３０２…電子検出器、３０３…オージェ電子光学系、３０４…磁化検出部、３０５…スピン検出器、３０６…２次電子光学系、３０７…電子銃カラム、３０８…電子源、３０９…第一電子偏向器、３１０…第二電子偏向器、３１１…試料ステージ、３１２…試料チャンバ、３１３…試料、３１４…対物レンズ、４０１…組成分析部、４０２…電子検出器、４０３…オージェ電子光学系、４０４…磁化検出部、４０５…スピン検出器、４０６…２次電子光学系、４０７…電子銃カラム、４０８…電子源、４０９…第一電子偏向器、４１０…第二電子偏向器、４１１…試料ステージ、４１２…試料、４１３…１次電子線、４１４…対物レンズ、４１５…２次電子、４１６…オージェ電子、５０１…組成分析部、５０２…電子検出器、５０３…オージェ電子光学系、５０４…磁化検出部、５０５…スピン検出器、５０６…２次電子光学系、５０７…電子銃カラム、５０８…電子源、５０９…第一電子偏向器、５１０…第二電子偏向器、５１１…試料ステージ、５１２…試料、５１３…１次電子線、５１４…対物レンズ、５１５…２次電子、５１６…オージェ電子、５１７…信号処理部、５１８…画像処理部、５１９…電子線コントローラー、６０１…光源、６０２…集光光学系、６０３…超高真空チャンバ、６０４…電磁波、６０５…試料、６０６…電子レンズ、６０７…エネルギー分析器、６０８…電子スピン検出器、６０９…信号処理部、６１０…システム制御用コンピュータ、６１１…光源制御部、６１２…データ保存部、
【図１】
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【図２】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図３】
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