(57)【要約】      （修正有）【課題】レチクルの外周部吸収層により生じるフレア光の影響を抑制することができるＥＵＶ露光装置を提供する。【解決手段】反射型レチクル２０を保持するレチクルステージ３００と、レチクル２０へ向かうＥＵＶ光の一部を阻止するレチクルブラインド４００と、反射型レチクル２０に対するレチクルブラインド４００の相対位置を検出する位置検出機構４５０と、反射型レチクル２０に対してレチクルブラインド４００を移動させる駆動機構４７０と、位置検出機構４５０が検出した相対位置に基づいて駆動機構４７０を制御する位置制御器４６０とを含む。【選択図】図１
2014082231.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レチクルを保持するレチクルステージと、
前記レチクルへ向かうＥＵＶ光の一部を阻止するレチクルブラインドと、
前記レチクルに対する前記レチクルブラインドの相対位置を検出する位置検出機構と、
前記レチクルに対して前記レチクルブラインドを移動させる駆動機構と、
前記位置検出機構が検出した前記相対位置に基づいて前記駆動機構を制御する位置制御器と、
を含むことを特徴とする露光装置。
【請求項２】
前記駆動機構は、リニア駆動方式により、前記レチクルブラインドを前記レチクルに対して水平方向及び垂直方向にそれぞれ移動させることを特徴とする請求項１に記載の露光装置。
【請求項３】
前記駆動機構は、ピエゾ素子を用いて前記レチクルブラインドを移動させることを特徴とする請求項２に記載の露光装置。
【請求項４】
前記位置検出機構は、前記レチクルの水平方向の位置、及び前記レチクルブラインドの水平方向及び垂直方向の位置、をそれぞれ検出するレーザー干渉計を備えることを特徴とする請求項１，２又は３に記載の露光装置。
【請求項５】
前記ＥＵＶ光を照射する位置へ進退可能に設けられた光強度計をさらに備えることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項６】
前記位置制御器は、前記ＥＵＶ光のリークを最少にするように前記駆動機構を制御することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項７】
前記位置制御器は、ハーフシャドウ領域を最少にするように前記駆動機構を制御することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項８】
前記レチクルブラインドの表面及び裏面に前記ＥＵＶ光を吸収する吸収膜を設けたことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか一項に記載の露光装置。
【請求項９】
レチクルに対するレチクルブラインドの相対位置を検出し、
検出した前記レチクルブラインドの前記レチクルに対する相対位置と前記レチクルに対するＥＵＶ光の入射角とに基づいて、前記ＥＵＶ光のリークを最少にするように前記レチクルブラインドを前記レチクルに対して移動させる
ことを特徴とするレチクルブラインドの制御方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、露光装置及びレチクルブラインドの制御方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＥＵＶ（Extreme Ultra Violet：極端紫外線）光を用いるＥＵＶ露光装置の開発が進められている。
【０００３】
この種の露光装置は、使用するＥＵＶ光の波長λが１３．５ｎｍと極めて短いため、レンズを主体とする屈折光学系を用いることができず、多層反射膜ミラーを用いる反射光学系を採用する。そして、ＥＵＶ光用の反射光学系では、ミラーへの入射光とその反射光との分離を、そのミラーへの入射角を数度（一般的には６°）に設定することにより実現する。
【０００４】
これらのことは、ＥＵＶ露光装置とともに使用されるレチクルにも当てはまる。ＥＵＶ光用のレチクルは、ガラス基板の一面上に形成されたＭｏＳｉ多層反射膜と、その上にパターン形成された吸収膜とを備える。レチクルに入射したＥＵＶ光は、ＭｏＳｉ多層反射膜で反射され又は吸収膜で吸収される。レチクルで反射されたＥＵＶ光は、転写対象物であるレジストに照射され、レチクルのＭｏＳｉ多層反射膜と吸収膜とで形成されるパターンがレジストに転写される。
【０００５】
関連するＥＵＶ露光装置として、特許文献１や２に記載されたものがある。また、関連するＥＵＶ光用レチクルとして特許文献３に記載されたものがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００４−１５２８３３号公報
【特許文献２】特開２０１０−０８７３９２号公報
【特許文献３】特開２０１１−１０８９４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
ＥＵＶ光用のレチクルの外周部には、パターン形成領域を取り囲むように吸収膜が形成されている。この吸収膜のＥＵＶ光吸収率は、１００％であることが望ましいが、実際には、数％の反射がある。
【０００８】
一方、レチクルに形成されたパターンのレジストへの転写は、ステップ＆リピート投影露光方式により行われる。レチクルの外周部に形成された吸収膜にＥＵＶ光が入射すると、その反射光（フレア光）は、レジスト上において隣接する露光ショット領域（転写領域）に、およそ数百μｍに渡り入射する。その結果、隣接する露光ショット領域のパターンの寸法を変化させる。
【０００９】
フレア光による寸法変化量を予め実験的に把握し、レチクルに形成されるパターン寸法を補正することにより、転写されたパターンの寸法を所望の値にする試みもなされている。しかし、この方法は、フレア光による露光量裕度（Exposure latitude）の悪化や焦点深度裕度（Depth of Focus）の悪化を改善するものではない。また、レチクルに形成されるパターンの寸法を、補正によって小さくすることは、パターン転写時の寸法正確さを表すＭＥＦ（Mask Error Factor）を悪化させる一因となる。
【００１０】
特許文献１や２に記載された露光装置は、上述したレチクルの外周部に形成された吸収膜からの反射光による露光の問題を解決するものではない。
【００１１】
また、特許文献３に記載されたレチクルは、上記問題を解決しようとするものであるが、十分な効果は得られない。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
本発明の一実施の形態に係る露光装置は、レチクルステージと、前記レチクルステージへ向かうＥＵＶ光の一部を阻止するレチクルブラインドと、前記レチクルステージに対する前記レチクルブラインドの相対位置を検出する位置検出機構と、前記レチクルステージに対して前記レチクルブラインドを移動させる駆動機構と、前記位置検出機構が検出した前記相対位置に基づいて前記駆動機構を制御する位置制御器を含む。
【発明の効果】
【００１３】
本発明によれば、位置検出機構によりレチクルステージに対するレチクルブラインドの相対位置を検出し、その検出結果に基づいて駆動機構を制御してレチクルブラインドを移動させるようにしたことで、レチクルの外周部に形成された吸収膜からの反射光の隣接ショット領域への影響を効果的に抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る露光装置の概略構成を示すブロック図である。
【図２】（ａ）は、図１の露光装置に使用される反射型レチクルの斜視図、（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。
【図３】図１の露光装置のより詳細な構成及び動作を説明するための図であって、ショット始め状態を示す図である。
【図４】図３の点線Ａで囲まれた領域の拡大図であって、レチクルブラインドが不適切な位置にある状態を示す図である。
【図５】（ａ）は、図３の点線Ａで囲まれた領域の拡大図であって、レチクルブラインドが適切な位置にある状態を示す図であり、（ｂ）は、図３の点線Ｂで囲まれた領域の拡大図である。
【図６】図１の露光装置のより詳細な構成及び動作を説明するための図であって、ショット終わりの状態を示す図である。
【図７】（ａ）は、図６の点線Ａで囲まれた領域の拡大図、（ｂ）は、図６の点線Ｂで囲まれた領域の拡大図である。
【図８】図１の露光装置においてレチクルブラインドの適切な位置を決定する方法を説明するための図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】
まず、図１を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る露光装置の概略構成について説明する。
【００１７】
図示の露光装置は、ＥＵＶ光源１００、照明光学系２００、レチクルステージ３００、レチクルブラインド４００、レチクルブラインド位置検出機構４５０、レチクルブラインド位置制御器４６０、レチクルブラインド駆動機構４７０、光強度計４８０、投影光学系５００及びウェハステージ６００を備えている。
【００１８】
レチクルステージ３００は、パターンが形成された反射型レチクル２０を保持し、ウェハステージ６００は、パターン転写対象であるレジストが形成されたウェハ１０を保持する。
【００１９】
ＥＵＶ光源１００は、レーザー励起型又は放電励起型のプラズマ光源であって、波長λ＝１３．５ｎｍの照明ＥＵＶ光を発生させる。
【００２０】
照明光学系２００は、複数の多層反射ミラーを含み、ＥＵＶ光源１００からの照明ＥＵＶ光を、レチクルステージ３００に保持された反射型レチクル２０に照射する。
【００２１】
レチクルブラインド４００は、反射型レチクル２０へ向かう照明ＥＵＶ光の一部を吸収阻止し、その光線束の断面形状を整形する。また、レチクルブラインド４００は、反射型レチクル２０からの反射光の一部を吸収阻止する。
【００２２】
レチクルブラインド位置検出機構４５０は、反射型レチクル２０に対するレチクルブラインド４００の相対位置を検出する。相対位置には、水平方向と垂直方向の位置が含まれる。位置検出を高精度に行うため、例えば、レーザー干渉計を用いる。なお、ここでの水平方向は、反射型レチクル２０の主面に平行な方向、垂直方向は、それに直交する方向である。
【００２３】
レチクルブラインド位置制御器４６０は、レチクルブライド位置検出機構により検出された相対位置に基づいてレチクルブランインド駆動機構４７０を制御する。その際、レチクルステージの座標、照明ＥＵＶ光の入射角度等が考慮される。また、レチクルブラインド位置制御器４６０は、レチクルステージ３００に対する反射型レチクル２０の相対位置と、ウェハ１０に照射される投影ＥＵＶ光の強度との関係を予め調査するため、レチクルブランインド駆動機構４７０を制御してレチクルブラインド４００を移動させつつ、光強度計４８０からの検出出力を取得する。検出結果は、図示しない記憶装置に格納され、パターン転写時にレチクルブラインド駆動機構４７０を制御するために利用される。光強度計４８０は、ウェハ１０に代わって投影光学系５００からの投影ＥＵＶ光が照射される位置に進退可能に、例えばウェハステージ６００に、設けられている。
【００２４】
レチクルブラインド駆動機構４７０は、レチクルブラインド位置制御器４６０の制御の下、レチクルブラインド４００を移動させて、反射型レチクル２０に対する相対位置を変更する。レチクルブラインド４００の移動を高精度に行うため、水平方向及び垂直方向にそれぞれリニア駆動方式を採用し、駆動手段として例えばピエゾ素子を用いる。レーザ干渉計とピエゾ素子との組み合わせによれば、１ｎｍ単位での位置制御が可能である。
【００２５】
投影光学系５００は、複数の多層反射膜ミラーを含み、反射型レチクル２０からの反射光を縮小し、ウェハステージ６００に保持されたウェハ１０に照射する。
【００２６】
以上の構成において、ＥＵＶ光源１００からの照明ＥＵＶ光は、照明光学系２００を介して反射型レチクル２０に照射される。その際、照明ＥＵＶ光は、レチクルブラインド駆動機構４７０によって最適な位置に定位されたレチクルブライド４００により整形される。反射型レチクル２０で反射された投影ＥＵＶ光は、投影光学系５００で（例えば、１／５に）縮小され、ウェハ１０に照射される。ウェハ１０表面にはレジストが形成されており、投影ＥＵＶ光により感光する。
【００２７】
照射ＥＵＶ光による照射範囲が反射型レチクル２０のサイズよりも小さいため、反射型レチクル２０とウェハ１０をともに走査させることにより、反射型レチクル２０に形成されているパターン全体をウェハ１０に形成されているレジストに転写する。
【００２８】
ここで、反射型レチクル２０について説明する。反射型レチクルは、例えば、図２（ａ）及び（ｂ）に示すように構成されている。即ち、ガラス基板２１の一面上に形成された多層反射膜２２とその表面に形成されたパターン吸収層２３及び外周部吸収層２４とを有している。
【００２９】
多層反射膜２２は、例えば、Ｍｏ膜とＳｉ膜とを交互に積層したＭｏＳｉ多層反射膜である。
【００３０】
パターン吸収層２３と外周部吸収層２４は、多層反射膜２２上に形成された一の吸収膜の一部を、多層反射膜２２を露出させるように除去することにより形成される。パターン吸収層２３は、露光パターンに対応するように、パターン形成領域に形成される。外周部吸収層２４は、パターン形成領域を囲むように反射型レチクル２０の外周部に形成される。
【００３１】
多層反射膜２２は、入射するＥＵＶ光の一部を吸収するがその大部分を反射する。一方、パターン吸収層２３と外周部吸収層２４は、入射するＥＵＶ光の大部分を吸収するが数％の反射がある。
【００３２】
パターン吸収層２３からの反射は、露光ショット領域の全域に略均等に影響する。よって、ＥＵＶ光の光量を適切に設定する等により、その影響を容易に取り除くことができる。これに対して、外周部吸収層２４からの反射は、隣接する露光ショット領域との境界近傍に影響する。そこで、本実施の形態では、上述したように構成された露光装置において、レチクルブラインド４００の位置を適切に制御し、反射型レチクル２０の外周部に形成された外周部吸収層２４からの反射光（フレア光）を低減する。
【００３３】
以下、図３乃至図８を参照して、本実施の形態に係る露光装置について、さらに詳細に説明する。ここでは、反射型レチクル２０一枚分の露光パターンをウェハ１０上のレジストに転写する工程を“ショット”と呼び、反射型レチクル２０一枚分の露光パターンが転写された領域を“露光ショット領域”と呼ぶ。また、レチクルブラインド４００は、レチクル走査方向の前方及び後方の２箇所と、レチクル走査方向に沿うように両側に設けられる２箇所の、合計４箇所に設けられている。なお、レチクル走査方向に沿うように両側に設けられるレチクルブラインドについては、ＥＵＶ光の照射角度による影響はないので、レチクルブラインド位置精度に伴うレチクル外周部吸収層２４からのフレア光のみを考慮すればよい。
【００３４】
図３は、ショット始めの状態を示している。
【００３５】
反射型レチクル２０は、レチクルステージ３００の保持されている。反射型レチクル２０のスキャン方向前方側（図の左側）の外周部に重なるように、前方側のレチクルブラインド４００が配置されている。前方側のレチクルブラインド４００は、前方側用のレチクルブラインド駆動機構４７０により水平方向及び垂直方向に移動可能に支持されている。前方側用のレチクルブラインド駆動機構４７は、レチクルステージ３００に対して位置固定されている。反射型レチクル２０の前方端の位置及びレチクルブラインド４００の位置を検出する前方側用のレチクルブラインド位置検出機構４５０もまた、レチクルステージ３００に対して位置固定されている。
【００３６】
ＥＵＶ光源１００から出射した照明ＥＵＶ光は、照明光学系２００に含まれる複数（ここでは２個）の多層反射膜ミラー２０１で反射され、レチクルブライド４００で整形され、レチクルステージ３００に保持された反射型レチクル２０に照射される。
【００３７】
反射型レチクル２０で反射された反射光（投影ＥＵＶ光等）は、投影光学系５００に含まれる複数（ここでは２個）の多層反射膜ミラー５０１により縮小され、ウェハステージ６００上に保持されるウェハ１０の表面に形成されたレジスト９１に照射される。
【００３８】
反射型レチクル２０及びウェハ１０を所定の方向へ、それぞれ所定量ずつ移動させつつ、反射型レチクル２０への照明ＥＵＶ光の照射を繰り返す。これにより、反射型レチクル２０に形成された露光パターンに対応するパターンをレジスト９１に転写し、露出ショット領域１１を形成する。
【００３９】
次いで、ウェハ１０を隣接する次のショット位置であって、前回のショットの際の移動方向とは逆方向への移動により露光を行える位置に移動させる。そして、ウェハ１０を所定量ずつ逆方向に移動させつつ、反射型レチクル２０を図８に示すショット終わり位置から逆方向に移動させて露光パタンを形成する。このように上記動作を繰り返すことにより、ウェハ１０上のレジスト９１に、隣接する露光ショット領域１３を形成する。
【００４０】
互いに隣り合う露光ショット領域１１，１３は、その端部（露光ショット端部）１２で重なりを有する。
【００４１】
図４は、図３の点線Ａで囲まれた領域の拡大図であって、レチクルブラインド４００の位置が不適切である場合を示している。
【００４２】
図４に示すように、レチクルブラインド４００は、基材４０１の表裏面に吸収層４０２が形成されている。また、図４において、レチクルブラインド４００によって吸収阻止される照明ＥＵＶ光の範囲を矢印Ｉ１及びＩ２で示す。なお、矢印Ｉ１は照明ＥＵＶ光の光線側の外周縁に相当する。
【００４３】
図４に示す状態において、反射型レチクル２０に入射した照明ＥＵＶ光のうち、多層反射膜２２の表面に入射した光は、一部吸収されるが、その大部分は反射され投影ＥＵＶ光Ｒ１となる。
【００４４】
また、外周部吸収層２４に入射した照明ＥＵＶ光のうち数％は反射され、リークＥＵＶ光Ｒ２となる。
【００４５】
さらに、レチクルブラインド４００の縁で回折した照明ＥＵＶ光も外周部吸収層２４により一部反射されハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３となる。
【００４６】
さらにまた、レチクルブラインド４００の表面（図の下側）に入射した照明ＥＵＶ光は、その一部が反射されレチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４となる。レチクルブラインド４００の表面からのレチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４は、外周部吸収層２４からのリークＥＵＶ光Ｒ２に比べて弱くすることができる。これは、レチクルブラインド４００の吸収層４０２の厚みを大きくし、ＥＵＶ光の吸収率を向上させることができるからである。外周部吸収層２４は、斜めに入射する照射ＥＵＶ光との関係でパターン精度に影響を与えるため、膜厚は小さいことが望まれるため、ＥＵＶ光の吸収率を増加させることは難しい。
【００４７】
以上のように、図４に示す状態では、投影ＥＵＶ光Ｒ１の他に、リークＥＵＶ光Ｒ２、ハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３及びレチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４が、ウェハ１０へ向かう。
【００４８】
そこで、本実施の形態では、リークＥＵＶ光Ｒ２及びハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３が最少となるようにレチクルブラインド４００の位置を高精度に制御する。レチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４については、吸収層４０２の膜厚を増加させる等して吸収率を向上させることで対処する。
【００４９】
図５（ａ）、（ｂ）は、レチクルブラインド４００が適切な位置に置かれている場合における、図３の点線Ａ，Ｂで囲まれた領域の拡大図である。
【００５０】
図５（ａ）に示すように、レチクルブラインド４００により阻止されることなく反射型レチクル２０に向かう照明ＥＵＶ光が外周部吸収層２４に入射しないように、レチクルブラインド４００の水平方向（図の表裏及び左右方向）の位置が定められている。これによりリークＥＵＶ光Ｒ２を最少にする（理論上無くす）ことができる。このとき、図５（ｂ）に示すように、レジスト９１には、投影ＥＵＶ光Ｒ１、ハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３及びレチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４が入射する。図では、ハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３とレチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４とが分かれているように見えるが、ハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３は、レチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４と重なっている。
【００５１】
レチクルブラインド４００は、垂直方向（図の上下方向）に関しても適切な位置に配置されている。即ち、ハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３が最少となるように配置されている。レチクルブラインド４００の裏面（反射型レチクルに対する面、図の上面）にも吸収層４０２が設けられているので、外周部吸収層２４との間での多重反射が抑えられ、ハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３の強度が低減される。
【００５２】
レチクルブラインド４００の水平方向及び垂直方向の最適位置は、後述するように光強度計４８０を用いた測定を予め行って決定することができる。
【００５３】
図６は、ショット終わりの状態を示している。
【００５４】
反射型レチクル２０のスキャン方向後方側（図の右側）の外周部に重なるように、後方側のレチクルブラインド４００が配置されている。後方側のレチクルブラインド４００は、後方側用のレチクルブラインド駆動機構４７０により水平方向及び垂直方向に移動可能に支持されている。後方側用のレチクルブラインド駆動機構４７０は、レチクルステージ３００に対して位置固定されている。反射型レチクル２０の後方端の位置及びレチクルブラインド４００の位置を検出するレチクルブラインド位置検出機構４５０もまた、レチクルステージ３００に対して位置固定されている。
【００５５】
図７（ａ），（ｂ）は、図６の点線（ａ），（ｂ）に囲まれた領域の拡大図である。
【００５６】
図７（ａ）から理解されるように、スキャン方向後方側では、外周部吸収層２４に照明ＥＵＶ光が入射しないようにレチクルブラインド４００を配置すると、多層反射膜２２からの反射光（投影ＥＵＶ光）の一部を遮ることになる。したがって、後方側のレチクルブラインド４００は、外周部吸収層２４からの反射光を吸収阻止するように配置される。この配置で、多層反射膜２２で反射された投影ＥＵＶ光Ｒ１と、レチクルブラインド４００の端部で回折したハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３（前方側のＲ３とは発生メカニズムが異なる）と、レチクルブラインド４００で反射されたレチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４とが、ウェハ１０ヘ向かう。
【００５７】
図７（ｂ）に示すように、レジスト９１には、投影ＥＵＶ光Ｒ１以外に、ハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３及びレチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４が入射する。図では、ハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３とレチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４は、互いに分かれているように見えるが、ハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３は、レチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４と重なるように広がっている。
【００５８】
次に、レチクルブラインド４００の適切な位置を求める方法について説明する。
【００５９】
図８は、反射型レチクル２０をレチクルステージ３００に保持させた直後（交換直後）の状態を示している。図８に示す状態で、レチクルステージ３００は、ショット開始時と同じ位置にある。一方、ウェハ１０が位置すべき場所には、光強度計４８０が配置されている。光強度計４８０は、ウェハステージ６００に取り付けられ、ウェハステージの移動により所定位置へ移動するように構成することができる。
【００６０】
まず、レチクルブラインド制御器４６０は、レチクルブラインド位置検出機構４５０を用いて反射型レチクル２０の水平位置を検出する。この反射型レチクル２０の水平位置が、レチクルブラインドの位置制御の基準となる。垂直位置については、反射型レチクル２０の反射面を基準とする。反射型レチクル２０の反射面は、反射型レチクル２０がレチクルステージ３００に保持されたとき、予め設定された位置に来るように設計されている。したがって、反射型レチクル２０の水平位置を検出すれば、基準となる座標位置を決定できる。
【００６１】
次に、レチクルブラインド４００の垂直位置を任意の位置に維持した状態で、レチクルブラインド４００を反射型レチクル２０の外周側から中央側へと移動させつつ、光強度計４８０で光強度を検出する。レチクルブラインド４００が、多層反射膜２２の表面への入射光を遮ると、光強度計４８０の検出強度が大きく減少する。これにより、そのときの垂直位置においてリークＥＵＶ光Ｒ２を最少（理想的には０）にするレチクルブラインド４００の水平位置を求めることができる。
【００６２】
ここで、反射型レチクル２０への照射ＥＵＶ光の入射角は既知（設計値）である。したがって、先に求めた反射型レチクル２０の水平位置とレチクルブラインド４００の水平位置と、レチクルブラインド４００の垂直位置と、照射ＥＵＶ光の入射角とに基づいて、任意の垂直方向位置においてリークＥＵＶ光Ｒ２が最少になるレチクルブラインド４００の水平位置を演算により求めることが可能である。レチクルブラインド制御器４６０は、このリークＥＵＶ光Ｒ２が最少になる垂直方向位置と水平方向位置との関係を演算により求める。
【００６３】
次に、レチクルブラインド制御器４６０は、求めた垂直方向位置と水平方向位置との関係に従ってリークＥＵＶ光Ｒ２が最少になる状態を保ちながら、レチクルブラインド４００を垂直方向に移動させる。そして、光強度計４８０の検出出力が最低となる垂直位置を検出する。レチクルブラインド反射ＥＵＶ光Ｒ４よりもハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３の光強度が強いので、ハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３を最少にする垂直位置が求められる。なお、マスクブラインド４００と反射型レチクル２０又はレチクルステージ３００との衝突を避けるため、これらの間の最小距離が予め設定される。
【００６４】
以上のようにして、リークＥＵＶ光Ｒ２及びハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３を最小にするレチクルスキャン方向前方側のレチクルブラインド４００の水平方向及び垂直方向の位置（反射型レチクル２０に対する相対位置）が求められる。求めた水平方向及び垂直方向の位置を表す位置情報は、図示しない記憶装置等に格納される。
【００６５】
次に、上記と同様の方法により、リークＥＵＶ光Ｒ２及びハーフシャドウＥＵＶ光Ｒ３を最小にするレチクルスキャン方向後方側のレチクルブラインド４００の水平方向及び垂直方向の位置（反射型レチクル２０に対する相対位置）を求める。求めた水平方向及び垂直方向の位置を表す位置情報は、図示しない記憶装置等に格納される。なお、光強度計４８０は、レチクルスキャン方向前方側と後方側にそれぞれ設けてもよいし、一つの光強度計４８０を共用するようにしてもよい。
【００６６】
こうして求められた、レチクルブラインド４００の水平方向及び垂直方向の最適な位置を表す位置情報は、反射型レチクル２０のパターンをウェハ１０上のレジスト９１に転写する際に記憶装置から読み出され、レチクルブラインド４００の位置制御に使用される。
【００６７】
即ち、レチクルブラインド制御器４６０は、記憶装置から読み出した情報と、レチクルブラインド位置検出機構４５０からの検出信号とに基づいて、レチクルブラインド駆動機構４７０を制御し、レチクルブラインド４００を適切な位置に配置する。
【００６８】
これにより、フレア光による隣接露光ショット領域への影響を最小限に抑えることができる。その結果、反射型レチクルに形成される露光パターンを補正することなく、あるいは少しの補正だけで、所望のパターンをレジストに転写することが可能になる。これは、反射型レチクルの製造（パターン設計）が容易になることを意味する。
【００６９】
以上、本発明について実施の形態に即して説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変形、変更が可能である。
【符号の説明】
【００７０】
１０    ウェハ
１１，１３    露光ショット領域
１２    露光ショット端部
２０    反射型レチクル
２１    ガラス基板
２２    多層反射膜
２３    パターン吸収層
２４    外周部吸収層
９１    レジスト
１００    ＥＵＶ光源
２００    照明光学系
２０１    多層反射膜ミラー
３００    レチクルステージ
４００    レチクルブラインド
４０１    基材
４０２    吸収層
４５０    レチクルブラインド位置検出機構
４６０    レチクルブラインド位置制御器
４７０    レチクルブラインド駆動機構
４８０    光強度計
５００    投影光学系
５０１    多層反射膜ミラー
６００    ウェハステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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