(57)【要約】【課題】ＦＥＴ等の１個の電子部品の複数の端子をアークスポット溶接機で電子部品の破壊を防止しつつ簡単かつ確実に低コストで溶接することができる制御装置の端子の溶接方法を提供する。【解決手段】複数の端子１１を有した１個の電子部品１０′の端子１１をアークスポット溶接機１′の一方の電極４からの溶接アーク９により溶融して接合するようにした制御装置に用いる電子部品１０′の端子１１の溶接方法であって、１個の電子部品１０′の複数の端子１１の全ての端子を、他方の電極を兼用したアースクランプ治具６で挟んで全ての端子１１が同電位になる状態とした後で、溶接する端子１１をアースを取りながらアーク溶接する。この際、複数の端子の各端子間の距離が離れるように予め形成しておいた電子部品を用いると良い。【選択図】図２
2014087849.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数の端子を有した１個の電子部品の端子をアークスポット溶接機の一方の電極からの溶接アークにより溶融して接合するようにした制御装置の端子の溶接方法であって、
前記複数の端子の各端子間の距離が離れている１個の電子部品を用い、この１個の電子部品の全ての端子を、他方の電極を兼用したアースクランプ治具で挟んでアースを取りながらアーク溶接することを特徴とする制御装置の端子の溶接方法。
【請求項２】
複数の端子を有した１個の電子部品の端子をアークスポット溶接機の一方の電極からの溶接アークにより溶融して接合するようにした制御装置の端子の溶接方法であって、
前記１個の電子部品の複数の端子のうちで少なくとも前記溶接アークの飛散の影響を受ける端子を、他方の電極を兼用したアースクランプ治具で挟んで当該各端子が同電位になる状態とした後で、前記溶接する端子をアースを取りながらアーク溶接することを特徴とする制御装置の端子の溶接方法。
【請求項３】
複数の端子を有した１個の電子部品の端子をアークスポット溶接機の一方の電極からの溶接アークにより溶融して接合するようにした制御装置の端子の溶接方法であって、
前記複数の端子の各端子間の距離が離れるように予め形成しておいた１個の電子部品を用い、この１個の電子部品の複数の端子のうちで少なくとも前記溶接アークの飛散の影響を受ける端子を、他方の電極を兼用したアースクランプ治具で挟んで当該各端子が同電位になる状態とした後で、前記溶接する端子をアースを取りながらアーク溶接することを特徴とする制御装置の端子の溶接方法。
【請求項４】
請求項３記載の制御装置の端子の溶接方法であって、
前記距離が離れる各端子を各クランパでそれぞれクランプするアースクランプ治具を用い、このアースクランプ治具の各クランパで前記距離が離れた端子のうちで少なくとも前記溶接アークの飛散の影響を受ける端子が同電位になるように当該各端子をそれぞれ挟むことを特徴とする制御装置の端子の溶接方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数の端子を有した電子部品の端子を溶接アークにより溶融して接合する制御装置の端子の溶接方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えば、電子部品としてのＦＥＴ（電界効果トランジスタ）の端子と、ＥＰＳ（電動パワステ）コントロールユニットに用いられる回路導体としてのバスバーは、抵抗溶接等により溶接されている（例えば、特許文献１参照。）。即ち、ＥＰＳコントロールユニットにおいて、ＦＥＴの接続は、ガラエポ基板（ガラスエポキシ基板）に半田付け、または、金属基板に半田付け、または、ＦＥＴの端子にプロジェクションを設け、バスバー等に抵抗溶接するのが一般的であり、溶接時に流れる電流が大きすぎて電子部品を破壊するおそれのあるアーク溶接法は殆ど使用されていなかった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００８−１１０３５７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、前記ＦＥＴは大電流用であるため、ＦＥＴの端子をガラエポ基板に半田付けして実装する場合には、ＥＦＴ専用のヒートシンクや外装に熱逃げ機構を設けたり、外装を放熱板として利用する必要があり、その分、部品点数や管理工数等が増えてコスト高になり、また、ガラエポ基板では最大許容電流が低く、さらに、半田の寿命にも懸念があった。
【０００５】
また、ＦＥＴの端子を金属基板に半田付けして実装する場合には、基板の材料費が高額になると共に、部品点数及び管理工数等が増え、かつ、金属基板実装の専用ラインが必要となって、コスト高になり、また、半田の寿命にも懸念があった。
【０００６】
さらに、ＦＥＴの端子とバスバーを抵抗溶接して実装する場合には、抵抗溶接法が溶接物の抵抗により熱を生じて溶接する工法であるため、回路導体としてのバスバーが低抵抗金属（純銅、ＫＦＣ等）であり、材料の抵抗値が低くて使用することが難しく、また、ＦＥＴの端子とバスバーが銅材同士である場合、そのまま抵抗溶接を行う場合では、点溶接になって溶接部の強度に安定性がなく、また、溶接機への負荷が大きくなり、その対応が難しかった。
【０００７】
また、抵抗値を上げるべく、異種金属のメッキ等を用いると、溶接後の接合部の電気抵抗も増大してしまい、ＦＥＴの使用時に発熱の原因となると共に、放熱対策を考慮する必要が生じる。
【０００８】
さらに、溶接工法としてレーザ溶接があるが、ＦＥＴの端子とバスバーのように純銅の端子はレーザ光の吸収が悪く殆どのエネルギーが反射してしまうため、メッキを塗布することなどで吸収率を上げなければならず、そのためには高精度のメッキ管理が必要となり、コスト高であった。
【０００９】
尚、ＥＰＳ用等の大電流を扱うコントロールユニットの他の部品の実装には、マイクロスポットＴＩＧ溶接機（超小型のＴＩＧ溶接機）が使用されることが多いため、ＦＥＴの端子とバスバーの溶接にも同じ設備であるマイクロスポットＴＩＧ溶接機で行うことができれば、設備の削減等が可能になるが、複数の端子間にアークが飛ぶことによって、耐圧を超える電圧や、過電流によって素子が破壊・破損する可能性があり、従来手法では、特に車載等の小型制御装置には適用が難しかった。
【００１０】
そこで、本発明は、前記した課題を解決すべくなされたものであり、ＦＥＴ等の１個の電子部品の複数の端子をアークスポット溶接機で電子部品の破壊を防止しつつ簡単かつ確実に低コストで溶接することができる制御装置の端子の溶接方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の主要な構成は、複数の端子を有した１個の電子部品の端子をアークスポット溶接機で溶接する方法であって、１個の電子部品の該当の端子をアースクランプするか、１個の電子部品の複数の端子のうちで溶接アークの飛散の影響を受ける端子を、アースクランプ治具で挟んで当該各端子を同電位にし、溶接する端子をアースを取りながらアーク溶接することを特徴とする。
【発明の効果】
【００１２】
以上説明したように、本発明によれば、１個の電子部品の複数の端子をアークスポット溶接機で電子部品の破壊を防止しつつ簡単かつ確実に低コストで溶接することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の第１実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機による溶接を示す説明図である。
【図２】本発明の第２実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機による溶接を示す説明図である。
【図３】上記第２実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機で溶接アークが小さい場合の説明図である。
【図４】上記第２実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いて好適な電子部品を示す斜視図である。
【図５】上記第２実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いて好適な他の電子部品を示す斜視図である。
【図６】（ａ）は本発明の第３実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いられるコントロールユニットの斜視図、（ｂ）は同コントロールユニットの溶接部分の拡大斜視図である。
【図７】（ａ）は上記第３実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いられるアースクランプ治具の斜視図、（ｂ）は同アースクランプ治具のクランパが開いた状態を示す斜視図である。
【図８】上記第３実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いられる電子部品の斜視図である。
【図９】上記第３実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いられる他の電子部品の斜視図である。
【図１０】上記第３実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いられるアースクランプ治具の変形例を示す斜視図である。
【図１１】上記第３実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機による他の素子の溶接を示す説明図である。
【図１２】上記第３実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いられる別の電子部品の斜視図である。
【図１３】上記第３実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いられる更に別の電子部品の斜視図である。
【図１４】本発明の第４実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機による溶接を示す説明図である。
【図１５】（ａ）〜（ｄ）は上記第４実施形態の溶接に用いられる端子の形状をそれぞれ示す説明図である。
【図１６】本発明の第５実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機による溶接を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。
【００１５】
図１は本発明の第１実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機による溶接を示す説明図である。
【００１６】
図１に示すように、マイクロスポットＴＩＧ溶接機（マイクロアークスポット溶接機）１は、小電流でアーク溶接を行う超小型のＴＩＧ溶接機であり、１個の電子部品としてのＦＥＴ（電界効果トランジスタ）１０の端子１１と、ＥＰＳ（電動パワステ）等の電子コントロールユニット２０に用いられる回路導体としてのバスバー２２とを溶接アーク９により溶融して接合するものである。このマイクロスポットＴＩＧ溶接機１は、溶接機本体２と、溶接機本体２の負極に電線３を介して接続される溶接トーチの電極（一方の電極）４と、溶接機本体２の正極に電線３を介して接続されると共に端子１１をクランプして該端子１１との間にアーク放電を発生させる電極（他方の電極）を兼用したアースクランプ治具５とを備えている。この他方の電極を兼ねたアースクランプ治具５は、溶接する１個のＦＥＴ１０の端子１１とバスバー２２を挟んでクランプすると共にアーク溶接時にアースを取るものである。
【００１７】
ＦＥＴ１０の主要部は、図示しないソース、ドレイン、ゲート等から構成されており、その背面側から直列にかつ上方に延びるようにソース用とドレイン用及びゲート用の３本（複数）の端子１１，１１，１１をそれぞれ突設させている。この各端子１１，１１間の距離は、溶接しない他の端子１１への溶接アーク９の漏れが生じない距離まで離れている。
【００１８】
電子コントロールユニット２０は、合成樹脂製のユニット本体２１上に回路パターンを構成する複数のバスバー（回路導体）２２を上方に突出するようにモールド成形してある。
【００１９】
次に、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１を用いた溶接工法により、ＦＥＴ１０の端子１１と電子コントロールユニット２０のバスバー２２との溶接について説明する。
【００２０】
図１に示すように、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１の一方の電極４から発生する溶接アーク９の影響を少なくするために、各端子１１，１１間の距離が溶接しない他の端子１１への溶接アーク９の漏れが生じない距離まで離れている大型のＦＥＴ１０を使用する。
【００２１】
次に、電子コントロールユニット２０のユニット本体２１の下側よりＦＥＴ１０を挿入し、ユニット本体２１上に突出した溶接するバスバー２２に隣接するようにＦＥＴ１０の溶接する端子１１を実装する。
【００２２】
次に、このＦＥＴ１０の溶接する端子１１の基端部と溶接するバスバー２２の基端部のみを、アースクランプ治具５で挟んでアースを取りながら当該端子１１の先端部とバスバー２２の先端部の溶接部を溶融して接合する。このアーク溶接の際に、被溶接物（ワーク）としての端子１１及びバスバー２２に合った溶接条件（例えば、電極４と被溶接物の溶接部の可及的に距離を短くし、溶接電流を絞って溶接アーク９の大きさを小さくしたり、溶接スタート時にアップスロープの時間を設けて溶接電流を急激に上げずに穏やかに上げることで、一気に溶接アーク９が飛ぶことにより、周囲の端子１１等への溶接アーク９の飛散が生じたり、ブローホールの生成等により、接続強度や接合部の電気容量が不十分になったりすることを低減する等）を選定して、ＴＩＧ溶接を実施する。
【００２３】
次に、ＴＩＧ溶接が完了した後で、アースクランプ治具５を取り外すことにより、溶接作業が終了する。これにより、単一金属同士の溶融、拡散接合とすることができ、電気抵抗が小さく、強度の高い接合が行える。
【００２４】
このように、大型のＦＥＴ１０の各端子１１，１１間は、溶接しない他の端子１１への溶接アーク９の漏れが生じない距離まで離れているため、例えば、ゲート用の端子１１を溶接する場合に、溶接する端子１１と該端子１１に隣接するバスバー２２のみをアースクランプ治具５で挟むことによりアースを取り、他のドレイン用とソース用の各端子１１に溶接アーク９が飛ばないようにしたことにより、溶接アーク９の漏れがＦＥＴ１０の内部に届くことがなく、ゲートとドレイン或いはソースに大きな電圧差を生じさせたり、ＦＥＴ１０の内部の絶縁膜を破損させたりすることがない。また、他のドレイン用やソース用の各端子１１を溶接する際も他の端子１１との電圧差によりＦＥＴ１０が破壊されることはない。
【００２５】
さらに、電子コントロールユニット２０の他の部品の実装にマイクロスポットＴＩＧ溶接機１が使用されている場合、ＦＥＴ１０の端子１１とバスバー２２の溶接も同じ設備であるマイクロスポットＴＩＧ溶接機１で行うことができるため、半田レス、設備の削減、治工具の削減、作業・管理工数の削減等により低コスト化を図ることができ、また、量産性を図ることができる。
【００２６】
図２は本発明の第２実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機による溶接を示す説明図、図３は同マイクロスポットＴＩＧ溶接機で溶接アークが小さい場合の説明図である。
【００２７】
この第２実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機（マイクロアークスポット溶接機）１′は、１個のＦＥＴ（電子部品）１０′の３本の端子１１の全部をクランプして同電位とする他方の電極を兼ねたアースクランプ治具６を備えている。尚、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１′の他の構成は、前記第１実施形態と同様であるため、同一構成部分に同一符号を用いて説明する。
【００２８】
次に、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１′を用いた溶接工法により、ＦＥＴ１０′の端子１１と電子コントロールユニット２０のバスバー２２との溶接について説明する。
【００２９】
このマイクロスポットＴＩＧ溶接機１′では、ＦＥＴ１０′の全ての端子１１をクランプして同電位とするアースクランプ治具６と、各端子１１，１１間の距離が小さい小型のＦＥＴ１０′を使用する。
【００３０】
詳述すると、図２に示すように、電子コントロールユニット２０のユニット本体２１の下側よりＦＥＴ１０′を挿入し、ユニット本体２１上に突出した溶接するバスバー２２に隣接するようにＦＥＴ１０′の溶接する端子１１を実装する。
【００３１】
次に、このＦＥＴ１０′の全ての端子１１の基端部と溶接するバスバー２２の基端部を、アースクランプ治具６で挟んでアースを取りながら当該溶接する端子１１の先端部とバスバー２２の先端部の溶接部を溶融して接合する。このアーク溶接の際に、被溶接物としての端子１１及びバスバー２２に合った溶接条件（例えば、電極４と被溶接物の溶接部の距離を可及的に短くし、溶接電流を絞って溶接アーク９の大きさを小さくしたり、溶接スタート時にアップスロープの時間を設けて溶接電流を急激に上げずに穏やかに上げることで、一気に溶接アーク９が飛ぶことにより、周囲の端子１１等への溶接アーク９の飛散が生じたり、ブローホールの生成等により、接続強度や接合部の電気容量が不十分になったりすることを低減する等）を選定して、ＴＩＧ溶接を実施する。
【００３２】
次に、ＴＩＧ溶接が完了した後で、アースクランプ治具６を取り外すことにより、溶接作業が終了する。
【００３３】
図２に示すように、ＦＥＴ１０′の全ての端子１１の各基端部をアースクランプ治具６で挟んでアースを取りながらアーク溶接することにより、溶接アーク９がＦＥＴ１０′の溶接しない隣りの端子１１へ飛んでしまった場合でも、ＦＥＴ１０′の内部に電気が入らず、ＦＥＴ１０′が破壊することはない。
【００３４】
また、図３に示すように、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１′の溶接電流を絞って溶接アーク９の大きさを小さくした場合でも、ＦＥＴ１０′の全ての端子１１の各基端部をアースクランプ治具６で挟んでアースを取りながらアーク溶接する際に、アースクランプ治具６によりＦＥＴ１０′の全ての端子１１が同電位となって、ＦＥＴ１０′の各端子１１間への負荷が低減できるため、各端子１１，１１間の電圧差がなく、ＦＥＴ１０′が破壊されることはない。
【００３５】
但し、図２及び図３に示す第２実施形態の場合は、図１に示す第１実施形態と異なり、各端子１１の距離が比較的小さい小型のＦＥＴ１０′に適用する場合であり、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１′の溶接アーク９がＦＥＴ１０′の溶接しない隣りの端子１１へ誤って飛んでしまうおそれがあり、端子毎の溶接度合いがばらつくなどで、各々の溶接が安定して行われない可能性があるため、図４及び図５に示すように、各端子１１間の距離が離れるように予め形成しておいた小型のＦＥＴ（電子部品）１０Ａ，１０Ｂを使用すると良い。
【００３６】
図４に示すＦＥＴ１０Ａは、両側の端子１１をＦＥＴ１０Ａの上面に対して直角になるように上方に曲げ、中央の端子１１をＦＥＴ１０Ａの下面に対して直角になるように下方に曲げて各端子１１，１１間の溶接部位間のクリアランスを広くしたものであり、図５に示すＦＥＴ１０Ｂは、両側の端子１１をＦＥＴ１０Ｂの下面に対して直角になるように下方に曲げ、中央の端子１１をＦＥＴ１０Ｂの上面に対して直角になるように上方に曲げて各端子１１，１１間の溶接部位間のクリアランスを広くしたものである。
【００３７】
また、各端子１１，１１間のクリアランスを広げた小型のＦＥＴ１０Ａ，１０Ｂを使用することにより、溶接しない他の端子１１に溶接アーク９が飛ぶことを抑制することができる。その結果、溶接しない他の端子１１への溶接アーク９の飛散の影響を抑制でき、かつ、溶接アーク９の漏れを縮小させてＦＥＴ１０Ａ，１０Ｂの内部の破損等を確実に防止することができる。ここで、溶接しない他の端子１１への溶接アーク９の漏れが生じない距離までクリアランスを広げれば、大型のＦＥＴ１０を用いた際と同様、溶接する端子１１のみをアースクランプしても良い。
【００３８】
このように、各ＦＥＴ１０′，１０Ａ，１０Ｂの端子１１とバスバー２２の接合を、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１′で行うことにより、端子１１とバスバー２２の溶接部の強度は溶融・拡散接合のため、強固で安定させることができる。また、部品数の削減が可能となる。さらに、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１′は、電子コントロールユニット２０の他の部品の実装にも使用できるものであるため、他の溶接部位と共用に設定すれば、各ＦＥＴ１０′，１０Ａ，１０Ｂの端子１１とバスバー２２の溶接だけの新たな設備が不要となり、また、半田レス、設備の削減、治工具の削減、作業・管理工数の削減等により低コスト化を図ることができると共に、量産性を図ることができる。
【００３９】
図６（ａ）は本発明の第３実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いられる電子コントロールユニットの斜視図、図６（ｂ）は同電子コントロールユニットの溶接部分の拡大斜視図、図７（ａ）は同マイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いられるアースクランプ治具の斜視図、図７（ｂ）は同アースクランプ治具のクランパが開いた状態を示す斜視図、図８は同マイクロスポットＴＩＧ溶接機に用いられる電子部品の斜視図である。
【００４０】
図６（ａ），（ｂ）に示すように、この第３実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機（マイクロアークスポット溶接機）１″は、１個のＦＥＴ（電子部品）１０Ｃの３本の端子１１の全部をクランプして同電位とする他方の電極を兼ねたアースクランプ治具３０を備えている。このアースクランプ治具３０は、図６（ｂ）及び図８に示すように、１個のＦＥＴ１０Ｃの各端子１１間の距離が離れるように予め形成しておいた小型のものに用いる例で示してあり、具体的には、１個のＦＥＴ１０Ｃの両側の端子１１を上に曲げ、中央の端子１１の腕部１１ｂを両側の端子１１に対し、１個のＦＥＴ１０Ｃから離間する方向に長く延設し、その先端部を上にＬ字状に大きく折り曲げて各端子１１，１１間のクリアランスを広くして、溶接しない他の端子１１への溶接アーク９の漏れが生じない距離までクリアランスを広げたものに用いる。
【００４１】
図６（ａ），（ｂ）及び図７（ａ），（ｂ）に示すように、アースクランプ治具３０は、内部に端子１１の配置に合わせた凸段差状の収納空間３２を有する金属製で枠状の治具本体３１と、この治具本体３１の基端部に形成された３つの丸孔３１ａ，３１ａ，３１ａに摺動自在に支持された金属製で円柱状のピストン棒３３，３３，３３と、この中央のピストン棒３３の先端に固定され、収納空間３２の中央の収納部３２ａに圧縮コイルバネ３６を介して往復摺動する金属製の長クランパ３４と、両側のピストン棒３３，３３の各先端に固定され、収納空間３２の両側の収納部３２ｂ，３２ｂに各圧縮コイルバネ３６を介して往復摺動する金属製の短クランパ３５，３５とで構成されている。
【００４２】
そして、ＦＥＴ１０Ｃの中央の端子１１がアースクランプ治具３０の中央の収納部３２ａの内壁と長クランパ３４の先端部３４ａとの間に隙間なく挟み込まれ、両側の端子１１，１１がアースクランプ治具３０の両側の収納部３２ｂ，３２ｂの各内壁と両側の短クランパ３５，３５の各先端部３５ａとの間に隙間なく挟み込まれるようになっている。この際、各圧縮コイルバネ３６の付勢力に抗して各クランパ３４，３５が後退して開いた状態で、各クランパ３４，３５の先端部３４ａ，３５ａと各収納部３２ａ，３２ｂの内壁間にＦＥＴ１０Ｃの各端子１１を挟んでクランプすることができるようになっている。このアースクランプ治具３０は、ＦＥＴ用に設定したものであり、他の部品に用いる際は対象となる端子の数、配置に応じて適する形態のもを用いる。
【００４３】
また、各端子１１間の距離が離れるように予め形成しておいた小型のものとして、図９に示すＦＥＴ（電子部品）１０Ｄを使用しても良い。このＦＥＴ１０Ｄは、その両側の端子１１の腕部１１ｂを中央の端子１１に対し、ＦＥＴ１０Ｄから離間する方向に長く延設し、その先端部をＦＥＴ１０Ｄの上面に対して直角になるように上方にＬ字状に大きく折り曲げている。また、中央の端子１１をＦＥＴ１０Ｄの上面に対して直角になるようにその背面より上方に曲げて各端子１１，１１間の溶接部位間のクリアランスを広くしたものであり、アースクランプ治具３０をＦＥＴ１０Ｃの各端子１１を挟む場合とは前後逆向きにして使用する。
【００４４】
次に、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１″を用いた溶接工法により、ＦＥＴ１０Ｃの端子１１と電子コントロールユニット２０のバスバー２２との溶接について説明する。
【００４５】
このマイクロスポットＴＩＧ溶接機１″では、ＦＥＴ１０Ｃの全ての端子１１をクランプして同電位とするアースクランプ治具３０を使用するため、各端子１１，１１間の距離が比較的小さい小型のＦＥＴ１０Ｃを使用できる。
【００４６】
詳述すると、図６（ａ），（ｂ）に示すように、電子コントロールユニット２０のユニット本体２１の下側よりＦＥＴ１０Ｃを挿入し、ユニット本体２１上に突出した溶接するバスバー２２に隣接するようにＦＥＴ１０Ｃの溶接する端子１１を実装する。
【００４７】
即ち、この例では、図６（ｂ）に示すように、各バスバー２２，２２，２２の横幅ａは、これに対応する各端子１１，１１，１１の横幅ｂよりも長い横幅にて形成されている。また、バスバー２２の横幅面と端子１１の横幅面とは互いに接触した状態にてクランプされている。さらに、各バスバー２２，２２，２２は、各端子１１，１１，１１のＦＥＴ１０Ｃ本体に臨む面（端子１１に対して内側）に配置されている。これらバスバー２２と端子１１との相対的な形状および配置関係によって以下の効果を有する。
【００４８】
１）アースクランプ治具３０の圧縮コイルバネ３６により付勢された長／短クランパ３４，３５は、幅広なバスバー２２を押圧する。さらに、このバスバー２２が隣接した幅狭の端子１１を、収納部３２ａ，３２ｂの内壁に押圧する。従って、長／短クランパ３４，３５が、幅狭な端子１１を直接押圧するのではなく、幅広なバスバー２２を介して端子１１を押圧するから、長／短クランパ３４，３５にガタつきや、押圧方向、押圧力のずれが生じても、一体に形成されて相対的に強固なアースクランプ治具３０の収納部３２ａ，３２ｂ側に保持されることで、クランプ時に端子１１がずれたり、屈曲することなく、端子１１をバスバー２２の横幅ａの略中央に位置させてクランプさせることができる。
【００４９】
２）バスバー２２の横幅ａは、端子１１の横幅ｂより長い横幅にて形成されているから、バスバー２２の電気的な抵抗値を下げることができ、バスバー２２と端子１１との接続部の発熱を抑えることが可能となる。
【００５０】
他の実施例として、中央のバスバー２２を、端子１１のＦＥＴ１０Ｃ本体に臨む面（端子１１に対して内側）に配置させ、両側のバスバー２２，２２を端子１１のＦＥＴ１０Ｃ本体とは反対側に臨む面（端子１１に対して外側）に配置させることもできる。この場合は、両側のバスバー２２，２２の配線をＦＥＴ１０Ｃ側から配線し、中央のバスバー２２の配線をＦＥＴ１０Ｃとは反対側から配線するようにもできるから、配線上中央のバスバー２２を迂回させる必要がある際に用いると、中央のバスバー２２の配線を単純化でき、配線長を比較的短くすることが可能となる。
【００５１】
次に、このＦＥＴ１０Ｃの全ての端子１１の基端部と溶接するバスバー２２の基端部を、アースクランプ治具３０の治具本体３１の各収納部３２ａ，３２ｂの内壁と各クランパ３４，３５の先端部３４ａ，３５ａとの間で挟んでアースを取りながら溶接する端子１１の先端部とバスバー２２の先端部の溶接部を溶融して接合する。このアーク溶接の際に、被溶接物としての端子１１及びバスバー２２に合った溶接条件（例えば、電極４と被溶接物の溶接部の距離を可及的に短くし、溶接電流を絞って溶接アーク９の大きさを小さくしたり、溶接スタート時にアップスロープの時間を設けて溶接電流を急激に上げずに穏やかに上げることで、一気に溶接アーク９が飛ぶことにより、周囲の端子１１等への溶接アーク９の飛散が生じたり、ブローホールの生成等により、接続強度や接合部の電気容量が不十分になったりすることを低減する等）を選定して、ＴＩＧ溶接を実施する。
【００５２】
次に、ＴＩＧ溶接が完了した後で、アースクランプ治具３０を取り外すことにより、溶接作業が終了する。
【００５３】
図６（ａ），（ｂ）に示すように、ＦＥＴ１０Ｃの全ての端子１１の各基端部をアースクランプ治具３０で挟んでアースを取りながらアーク溶接することにより、溶接アーク９がＦＥＴ１０Ｃの溶接しない隣りの端子１１へ飛んでしまった場合でも、ＦＥＴ１０Ｃの内部に電気が入らず、ＦＥＴ１０Ｃが破壊することはない。また、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１″の溶接電流を絞って溶接アーク９の大きさを小さくした場合でも、ＦＥＴ１０Ｃの全ての端子１１の各基端部をアースクランプ治具３０で挟んでアースを取りながらアーク溶接する際に、アースクランプ治具３０によりＦＥＴ１０Ｃの全ての端子１１が同電位となって、ＦＥＴ１０Ｃの各端子１１間への負荷が低減できるため、各端子１１，１１間の電圧差がなく、ＦＥＴ１０Ｃが破損されることはない。
【００５４】
このように、各端子１１，１１間のクリアランスを広げた小型のＦＥＴ１０Ｃを使用することにより、溶接しない他の端子１１に溶接アーク９が飛ぶことを抑制することができる。その結果、溶接しない他の端子１１への溶接アーク９の飛散の影響を抑制でき、かつ、溶接アーク９の漏れを縮小させてＦＥＴ１０Ｃの内部の破損等を確実に防止することができる。
【００５５】
また、ＦＥＴ１０Ｃの全ての端子１１の基端部と溶接するバスバー２２の基端部を、アースクランプ治具３０の治具本体３１の各収納部３２ａ，３２ｂの内壁と各クランパ３４，３５の先端部３４ａ，３５ａとの間で隙間なく挟むことができ、ＴＩＧ溶接の接合精度を高めることができ、量産性を向上させて低コスト化を図ることができる。
【００５６】
ここで、アースクランプ治具として、図１０に示すように、アースクランプ用突起３７を設けたアースクランプ治具３０′を用いても良い。このアースクランプ治具３０′では、アースクランプ用突起３７を設けてあるため、アース線の接続が容易となる。又は、アース接続用の配線をクランプに設置しても良い。尚、図１０に示すアースクランプ治具３０′は、各端子１１，１１間のクリアランスを広げた図８に示す小型のＦＥＴ１０Ｃに用いるものではないが、図７に示すアースクランプ治具３０と同様に３つのクランパ３５，３５，３５の位置を異ならせれば、上記小型のＦＥＴ１０Ｃの端子１１等の溶接に対応させることができる。
【００５７】
また、本第３実施形態では、電子部品としてＦＥＴを用いたが、図１１に示すように、コンデンサ（他の素子）１０″やＩ／Ｃ等でも同様に適用できる。さらに、素子の全ての端子をクランプする他、耐電圧等で問題が生じるおそれのある端子のみをクランプしても良い。
【００５８】
さらに、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１″は、電子コントロールユニット２０の他の部品の実装にも使用できるものであるため、他の溶接部位と共用に設定すれば、ＦＥＴ１０Ｃの端子１１とバスバー２２の溶接だけの新たな設備が不要となり、また、半田レス、設備の削減、治工具の削減、作業・管理工数の削減等により低コスト化を図ることができると共に、量産性を図ることができる。
【００５９】
さらに、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１″を用いた端子１１とバスバー２２を溶接する場合、図１２及び図１３に示すように、各端子１１間の距離が離れるように予め形成しておいた小型のＦＥＴ（電子部品）１０Ｅ，１０Ｆを使用することもできる。
【００６０】
図１２に示すＦＥＴ１０Ｅは、両側の端子１１をＦＥＴ１０Ｅの上面又は下面に対して直角になるように上方又は下方に曲げ、中央の端子１１を曲げることなくその背面より真っ直ぐに延ばして各端子１１，１１間の溶接部位間のクリアランスを広くしたものであり、図１３に示すＦＥＴ１０Ｆは、両側の端子１１をＦＥＴ１０Ｆの上面して直角になるように上方に曲げることなくその背面より真っ直ぐ延ばし、中央の端子１１をＦＥＴ１０Ｆの上面又は下面に対して直角になるように上方又は下方に曲げて各端子１１，１１間の溶接部位間のクリアランスを広くしたものである。これにより、中央の端子１１と両側の端子１１，１１のクリアランスを広くでき、隣り合った端子１１へ溶接時の溶接アーク９が飛ぶのを抑制できる。
【００６１】
図１４は、本発明の第４実施形態のマイクロスポットＴＩＧ溶接機による溶接を示す説明図である。
【００６２】
この第４実施形態では、マイクロスポットＴＩＧ溶接機（マイクロアークスポット溶接機）１の溶接アーク９を小さくするために、大型の１個のＦＥＴ１０の端子１１の溶接部となる先端部１１ａとバスバー２２の溶接部となる先端部１１ａの形状を先細に形成してある。
【００６３】
このように、大型のＦＥＴ１０の端子１１とバスバー２２の溶接部となる各先端部１１ａ，２２ａの形状を先細に形成したものを使用することにより、溶接アーク９が拡散（飛散）するのを抑制でき、実質的な各先端部１１ａ，２２ａの幅が狭いために溶接アーク９をより精度よく誘導できるので、小さなアーク球でも充分な溶接が可能となり、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１のパワーを抑えられるため、他の部分への熱影響を更に小さくすることができる。このため、小さな溶接アーク９でも十分な溶接が可能となり、図１に示すものより、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１の溶接のパワーを小さくすることで溶接アーク９を小さくすることができる。その結果、溶接しない他の端子１１に溶接アーク９が飛ぶことを抑制することができ、溶接しない他の端子１１への溶接アーク９の飛散の影響を抑制でき、かつ、溶接アーク９の漏れを縮小させて大型のＦＥＴ１０の内部の破壊等を確実に防止することができる。
【００６４】
この端子１１とバスバー２２の溶接部となる各先端部１１ａ，２２ａの形状を先細に形成したものを使用するアーク溶接は、各端子１１，１１間の距離が小さい小型のＦＥＴ１０′，１０Ａ〜１０Ｆの場合に、特に有効となる。即ち、小型のＦＥＴ１０′，１０Ａ〜１０Ｆの端子１１とバスバー２２を溶接する際に、前記第２及び第３実施形態と同様の効果を奏すると共に、小型のＦＥＴ１０′，１０Ａ〜１０Ｆの端子１１とバスバー２２の溶接部となる各先端部１１ａ，２２ａの形状を先細に形成したものを使用することにより、溶接アーク９が拡散（飛散）するのを抑制でき、小さな溶接アーク９でも十分な溶接が可能となるため、図１に示すものより、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１の溶接のパワーを小さくすることで溶接アーク９を小さくすることができる。このため、溶接しない他の端子１１に溶接アーク９が飛ぶことを抑制することができ、溶接しない他の端子１１への溶接アーク９の飛散の影響を抑制でき、かつ、溶接する端子１１の他への溶接アーク９の飛散を縮小させて小型のＦＥＴ１０′，１０Ａ〜１０Ｆの内部の破壊等を確実に防止することができる。
【００６５】
また、端子１１とバスバー２２の各先端部１１ａ，２２ａの形状は、図１４に示す先細の形状に限らず、図１５（ａ）に示すように、全体を先端部に行くに従って先細に形成したり、図１５（ｂ）に示すように、先端部を凸状に形成したり、図１５（ｃ）に示すように、先端部を半円形に形成したり、図１５（ｄ）に示すように、全体を細く形成しても良い。このように、端子１１とバスバー２２の各先端部１１ａ，２２ａの先端をマイクロスポットＴＩＧ溶接機１の電極４に対向する面がより小さくなるようカットした上で、溶接アーク９により端子１１とバスバー２２を接合すれば、実質的な各先端部１１ａ，２２ａの幅が狭いために溶接アーク９をより精度よく誘導できるので、小さなアーク球でも充分な溶接が可能となり、マイクロスポットＴＩＧ溶接機１のパワーを抑えられるため、他の部分への熱影響を更に小さくすることができる。
【００６６】
尚、前記各実施形態によれば、アース機能とクランプ機能を兼ねたアースクランプ治具を用いた場合について説明したが、図１６に示すように、アース治具としてのアース台７とクランプ治具８を別々に備えたマイクロスポットＴＩＧ溶接機１Ａを用いてＦＥＴ１０の端子１１等とバスバー２２をアーク溶接するようにしても良い。このマイクロスポットＴＩＧ溶接機１Ａでは、溶接機本体２に電線３で接続されるアース台７は導電性材で形成されていて、溶接する部品の全ての端子を同電位にしている。さらに、溶接の際には、アース台７上にＦＥＴ１０の全ての端子１１等が接触されるように上から押し付けられるようになっている。また、クランプ治具８と溶接機本体２との接続は不要となり、このクランプ治具８で溶接を行う端子とバスバーをクランプしても良いし、全ての端子又は耐電圧等で問題となる端子をクランプしても良い。
【００６７】
また、前記第２及び第３実施形態によれば、各端子間の距離が離れるように端子の突出位置を可変させて予め形成させておいた電子部品としてのＦＥＴを用いたが、ＦＥＴに他の部品（例えば、ピンや金属基板等）を使用して十分な各端子間のクリアランスを確保するようにしても良い。
【符号の説明】
【００６８】
１，１′，１″，１Ａ  マイクロスポットＴＩＧ溶接機（マイクロアークスポット溶接機）
３  一方の電極
５，６  アースクランプ治具
９  溶接アーク
１０，１０′，１０Ａ〜１０Ｆ  １個のＦＥＴ（１個の電子部品）
１１  端子
２２  バスバー（回路導体）
３０，３０″  アースクランプ治具
３４  長クランパ（クランパ）
３５  短クランパ（クランパ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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