(57)【要約】【課題】時定数をより柔軟に変更することが可能な駆動信号の電圧変化率調整回路を提供する。【解決手段】実施形態の駆動信号の電圧変化率調整回路によれば、駆動対象素子の駆動制御端子に接続されるプリドライバの入力端子に駆動信号を出力する制御回路と、前記入力端子に接続される半導体スイッチ回路とを備える。そして、半導体スイッチ回路は、制御回路によって出力される制御信号に応じてＯＮ，ＯＦＦ状態が切り替えられ、前記入力端子における回路素子の等価的な接続状態を変化させて、駆動制御端子に印加される信号の電圧変化率を変更可能とする。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
駆動対象となる電圧駆動型半導体素子（以下、駆動対象素子と称す）の駆動制御端子に接続されるプリドライバの前段に配置され、
前記プリドライバの入力端子に駆動信号を出力する制御回路と、
前記入力端子に接続され、前記制御回路によって出力される制御信号に応じてＯＮ，ＯＦＦ状態が切り替えられることで、前記入力端子における回路素子の等価的な接続状態を変化させて、前記駆動制御端子に印加される信号の電圧変化率を変更可能とする半導体スイッチ回路とを備えることを特徴とする駆動信号の電圧変化率調整回路。
【請求項２】
前記制御回路が前記駆動対象素子をスイッチングさせる期間内において、前記制御信号に基づき前記半導体スイッチ回路をＯＮ，ＯＦＦさせる比率を変化させることで、当該比率に応じて前記電圧変化率を変更することを特徴とする請求項１記載の駆動信号の電圧変化率調整回路。
【請求項３】
前記制御信号を、前記駆動対象素子をスイッチングさせる時間よりも速いキャリア周期のＰＷＭ信号として出力するための制御信号生成回路を備え、
前記制御回路は、前記制御信号生成回路に、前記制御信号についてのデューティ指令信号を出力することを特徴とする請求項２記載の駆動信号の電圧変化率調整回路。
【請求項４】
前記半導体スイッチ回路は、前記駆動対象素子をターンＯＮさせる期間の電圧変化率の絶対値と、前記駆動対象素子をターンＯＦＦさせる期間の電圧変化率の絶対値とが異なるように設定可能であることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の駆動信号の電圧変化率調整回路。
【請求項５】
前記半導体スイッチ回路は、
前記プリドライバの入力端子とグランドとの間に接続される、カソードが共通に接続される２個のダイオードからなる第１直列回路，及びアノードが共通に接続される２個のダイオードからなる第２直列回路と、
前記第１直列回路の共通接続点と、前記第２直列回路の共通接続点との間に接続されるスイッチ素子とで構成されることを特徴とする請求項１ないし３の何れかに記載の駆動信号の電圧変化率調整回路。
【請求項６】
前記半導体スイッチ回路は、
前記プリドライバの入力端子とグランドとの間に接続される、２個のダイオード及び両者のカソード間に接続される第１抵抗素子からなる第１直列回路，並びに２個のダイオード及び両者のアノード間に接続される第２抵抗素子からなる第２直列回路と、
前記第１直列回路を構成するダイオードのカソードと第１抵抗素子との共通接続点と、前記第２直列回路を構成するダイオードのアノードと第２抵抗素子との共通接続点との間に接続されるスイッチ素子と、
前記第１及び第２直列回路に並列に接続される第３抵抗素子とで構成されることを特徴とする請求項４記載の駆動信号の電圧変化率調整回路。
【請求項７】
前記半導体スイッチ回路は、
前記プリドライバの入力端子とグランドとの間に接続される、２個のダイオード及び両者のカソード間に接続される第１抵抗素子からなる第１直列回路，並びに２個のダイオード及び両者のアノード間に接続される第２抵抗素子からなる第２直列回路と、
前記第１直列回路を構成するダイオードのカソードと第１抵抗素子との第１共通接続点と、前記第２直列回路を構成するダイオードのアノードと第２抵抗素子との第２共通接続点との間に接続されるスイッチ素子と、
前記第１共通接続点と前記プリドライバの入力端子と間に、アノードが前記第１共通接続点側となるように接続されるダイオードと第３抵抗素子との第３直列回路と、
前記第２共通接続点と前記プリドライバの入力端子と間に、カソードが前記第２共通接続点側となるように接続されるダイオードと第４抵抗素子との第４直列回路とで構成されることを特徴とする請求項４記載の駆動信号の電圧変化率調整回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電圧駆動型半導体素子の駆動制御端子に出力される駆動信号について、電圧変化率を調整する回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
例えばＩＧＢＴのような電圧駆動型半導体素子は、素子の製造メーカによりスイッチング特性等が異なる。そして、１つの製品に使用されるＩＧＢＴについても、価格や供給等の状況を考慮することで、異なるメーカの素子に切り替えて使用することがある。この場合、使用するＩＧＢＴの特性に合わせてゲート抵抗の値を調整する等して、当該素子が組み込まれている製品等に応じて最適なスイッチング動作が行われるようにしている。
この場合、ゲート抵抗値を変更した駆動回路用の基板を複数用意する必要があり、在庫管理が煩雑になると共に、スイッチング素子との組み合わせを間違えたり、サービスのための予備品の数が増える等の問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００２−１９８７９２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかしながら、従来の構成では、予めスイッチを切り替える必要がある等、時定数の変更設定について自由度が低く、改善の余地がある。
そこで、時定数をより柔軟に変更することが可能な駆動信号の電圧変化率調整回路を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の駆動信号の電圧変化率調整回路によれば、駆動対象素子の駆動制御端子に接続されるプリドライバの入力端子に駆動信号を出力する制御回路と、前記入力端子に接続される半導体スイッチ回路とを備える。そして、半導体スイッチ回路は、制御回路によって出力される制御信号に応じてＯＮ，ＯＦＦ状態が切り替えられ、前記入力端子における回路素子の等価的な接続状態を変化させて、駆動制御端子に印加される信号の電圧変化率を変更可能とする。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
【図１】第１実施形態であり、ＩＧＢＴの駆動回路の構成を示す図
【図２】第２実施形態であり、切替信号のデューティ比を変更する状態を示す図
【図３】スイッチ切替回路の構成例を示す図
【図４】切替信号のデューティ比を変化させた場合の一例を示す図
【図５】第３実施形態を示す図１相当図
【図６】第４実施形態を示す図１相当図
【発明を実施するための形態】
【０００７】
（第１実施形態）
以下、第１実施形態について図１を参照して説明する。図１は、ゲート駆動回路の構成を示す。ＩＧＢＴ１（電圧駆動型半導体素子，駆動対象素子）は、例えばインバータ回路などの一部を構成するものであり、コレクタ，エミッタ間にはフリーホイールダイオード２が接続されている。ＩＧＢＴ１が下アーム側に配置される場合、図１に示すように、そのエミッタはグランドに接続される。
【０００８】
ＩＧＢＴ１のゲート（駆動制御端子）には、プリドライバ３の出力端子がゲート抵抗Ｒｇを介して接続されている。プリドライバ３は、出力段にＮＰＮトランジスタＱ１及びＰＮＰトランジスタＱ２を備えており、ＮＰＮトランジスタＱ１のエミッタ，ＰＮＰトランジスタＱ２のコレクタがゲート抵抗Ｒｇに接続されている。ＮＰＮトランジスタＱ１のコレクタには正側ゲート電圧Ｖ３が印加され、ＰＮＰトランジスタＱ２のコレクタには負側ゲート電圧Ｖ２が印加されている。ＮＰＮトランジスタＱ１のベースは抵抗素子Ｒ１を介して、ＰＮＰトランジスタＱ２のベースは抵抗素子Ｒ２を介して、抵抗素子Ｒ３の一端に接続されている。
【０００９】
制御回路４は、マイクロコンピュータを備えて構成され、ゲートＯＮ／ＯＦＦ信号（ゲート駆動信号）を、ＯＮ／ＯＦＦ信号電圧出力回路５及び抵抗素子Ｒ４を介して抵抗素子Ｒ３の他端であるプリドライバ３の入力端子６に出力する。入力端子６には、コンデンサＣ１，Ｃ２の一端が接続されており、コンデンサＣ１の他端はグランドに接続され、コンデンサＣ２の他端は半導体スイッチ回路７の入力端子８に接続されている。
【００１０】
半導体スイッチ回路７は、４つのダイオードＤ１〜Ｄ４及びＮＰＮトランジスタＱ３（スイッチ素子）により構成されている。ダイオードＤ１，Ｄ４のカソードはＮＰＮトランジスタＱ３のコレクタに接続されており（第１直列回路）、ダイオードＤ２，Ｄ３のアノードはＮＰＮトランジスタＱ３のエミッタに接続されている（第２直列回路）。そして、ダイオードＤ１のアノード及びダイオードＤ３のカソードは入力端子８に接続され、ダイオードＤ４のアノード及びダイオードＤ２のカソードはグランドに接続されている。
ＮＰＮトランジスタＱ３は、制御回路４が、半導体スイッチ切替回路９を介して出力する切替信号（制御信号）により制御される。以上の構成において、制御回路４，ＯＮ／ＯＦＦ信号電圧出力回路５、半導体スイッチ回路７，半導体スイッチ切替回路９が電圧変化率調整回路１０を構成している。
【００１１】
次に、本実施形態の作用について説明する。制御回路４が出力するゲートＯＮ／ＯＦＦ信号（駆動信号）により、プリドライバ３を介してＩＧＢＴ１をスイッチングする速度，すなわち電圧の立ち上がり期間，立下り期間の傾き（電圧変化率）は、抵抗素子Ｒ１〜Ｒ３の抵抗値，及び入力端子６に接続される回路素子による時定数に応じて決まる。制御回路４が切替信号をローレベルにするとＮＰＮトランジスタＱ３がＯＦＦになり、半導体スイッチ回路７はＯＦＦ状態となる。このとき、入力端子８はオープン状態となるので、入力端子６における時定数は、抵抗素子Ｒ４及びコンデンサＣ１から成る一次遅れ回路の時定数τ１＝Ｒ４・Ｃ１となる。
【００１２】
この状態で、制御回路４がゲートＯＮ／ＯＦＦ信号をハイレベルにすると、入力端子６がハイレベルとなり、抵抗素子Ｒ３及びＲ１，Ｒ２を介してＮＰＮトランジスタＱ１，ＰＮＰトランジスタＱ２のベースがハイレベルとなる。すると、ＮＰＮトランジスタＱ１がＯＮするので、ＩＧＢＴ１のゲートには抵抗素子Ｒｇを介して正側ゲート電圧Ｖ３が印加され、ＩＧＢＴ１がＯＮする。また、制御回路４がゲートＯＮ／ＯＦＦ信号をローレベルにすると、ＯＮ／ＯＦＦ信号電圧出力回路５により、ＰＮＰトランジスタＱ２のエミッタ電位Ｖ２よりも低い負電圧に変換されて入力端子６に出力される。これにより、ＰＮＰトランジスタＱ２がＯＮするので、ＩＧＢＴ１のゲートには抵抗素子Ｒｇを介して負側ゲート電圧Ｖ２が印加され、ＩＧＢＴ１がＯＦＦする。
【００１３】
一方、制御回路４が切替信号をハイレベルにすると、ＮＰＮトランジスタＱ３がＯＮすることで半導体スイッチ回路７がＯＮ状態になる。このとき、ゲートＯＮ／ＯＦＦ信号により入力端子６がハイレベルになると、コンデンサＣ２は、ダイオードＤ１，ＮＰＮトランジスタＱ３，ダイオードＤ２，グランドに至る経路が形成されることで充電される。
また、入力端子６がローレベルになると、コンデンサＣ２は、グランド，ダイオードＤ４，ＮＰＮトランジスタＱ３，ダイオードＤ３の経路により逆極性で充電される。すなわち、コンデンサＣ１及びＣ２が並列に接続された状態となり、この時の時定数τ２は、τ２＝Ｒ４・（Ｃ１＋Ｃ２）となり、コンデンサＣ２の容量分だけ時定数が増加する。これにより、ＩＧＢＴ１をスイッチングさせる速度は、時定数がτ１の場合に比較してより遅くなる。
【００１４】
すなわち、使用するＩＧＢＴのロットや品番，メーカが異なると、ＩＧＢＴのスイッチング特性も変化する。それらに夫々対応させるため、時定数が異なる回路基板を設ける替わりに、本実施形態では、制御回路４が切替信号により半導体スイッチ回路７のＯＮＯＦＦ状態を切り替えることで、ＩＧＢＴ１のゲートに印加される駆動信号のレベルが遷移する際の電圧変化率を変更する。
【００１５】
以上のように本実施形態によれば、電圧変化率調整回路１０を構成する制御回路４は、
ＩＧＢＴ１のゲートに抵抗素子Ｒｇを介して接続されるプリドライバ３の入力端子６にゲートＯＮ／ＯＦＦ信号を出力する。そして、入力端子６にコンデンサＣ２を介して接続される半導体スイッチ回路７は、制御回路４により出力される切替信号に応じてＯＮ，ＯＦＦ状態が切り替えられ、入力端子６における回路素子の等価的な接続状態を変化させて、ＩＧＢＴ１のゲートに印加される信号の電圧変化率を変更可能にする。
【００１６】
すなわち、制御回路４により出力される切替信号で半導体スイッチ回路７を制御し、入力端子６に対してコンデンサＣ２を断続させるので、時定数，すなわちゲート信号の電圧変化率を簡単に変更することができる。そして、比較的大きな電流を流すＩＧＢＴ１を駆動する際には、そのゲート側にノイズの影響が及び易いが、半導体スイッチ回路７をプリドライバ３の入力側に配置してそのＯＮ，ＯＦＦを切り替えるので、ノイズの影響を受けることなく安定した状態で制御することができる。
【００１７】
また、半導体スイッチ回路７を、入力端子６とグランドとの間に接続される、カソードが共通に接続されるダイオードＤ１，Ｄ４と、アノードが共通に接続されるダイオードＤ２，Ｄ３と、前記カソードト前記アノードとの間に接続されるＮＰＮトランジスタＱ３とで構成した。したがって、制御回路４がＮＰＮトランジスタＱ３のＯＮ，ＯＦＦを切り替えることで、ダイオードＤ１〜Ｄ４を介した経路によりコンデンサＣ２の接続状態を切り替えることができる。
【００１８】
（第２実施形態）
図２ないし図４は第２実施形態を示すものであり、第１実施形態と同一部分には同一負符号を付して説明を省略し、以下異なる部分について説明する。第１実施形態では、制御回路４が出力する切替信号により、時定数をτ１，τ２の２種類にスタティックに変更したが、第２実施形態では、時定数をτ１，τ２の中間の値に設定可能とする。
例えば、制御回路４が半導体スイッチ回路７に出力する切替信号については、ゲートＯＮ／ＯＦＦ信号によりＩＧＢＴ１をスイッチングングさせる時間よりも周期が速いキャリアを用いて生成されるＰＷＭ（Pulse Width Modulation）信号として出力する。これにより、当該ＰＷＭ信号のデューティ比に応じて、時定数をτ１，τ２の中間の値に設定する。
【００１９】
例えば図２に示すように、切替信号のデューティ比を（ａ）ｔ１／Ｔ，（ｂ）ｔ２／Ｔ（Ｔはキャリア周期）のように変化させると、（ａ）の場合の時定数τａは、
τａ＝Ｒ４・（Ｃ１＋Ｃ２・ｔ１／Ｔ）
となり、（ｂ）の場合の時定数τｂは、
τｂ＝Ｒ４・（Ｃ１＋Ｃ２・ｔ２／Ｔ）
となる。すなわち、デューティ比に応じて時定数を、τａ，τｂの中間の値に変化させることができる。
【００２０】
図３は、切替信号を上記のようなＰＷＭ信号として出力させるため、第１実施形態の半導体スイッチ切替回路９に替えて用いる半導体スイッチ切替回路１１（制御信号生成回路）の構成例を示すものである。半導体スイッチ切替回路１１は、例えばシリアルＤ／Ａコンバータ１２と比較器１３とで構成される。制御回路４は、第１実施形態におけるハイ，ローの二値レベル信号に替えて、ハイレベルデューティを指定するためのシリアルデータ（例えば８ビット）をシリアルＤ／Ａコンバータ１５に出力する。
【００２１】
すると、シリアルＤ／Ａコンバータ１２は、入力されるシリアルデータをＤ／Ａ変換し、アナログ信号を比較器１３に出力する。比較器１３には、ゲートＯＮ／ＯＦＦ信号によりＩＧＢＴ１をスイッチングさせる時間よりも、例えば１０倍程度速い周期のキャリアが与えられている。例えば、ＩＧＢＴ１のゲートに与えられる駆動信号もＰＷＭ信号として生成される場合は、そのキャリア周期の１０倍程度とすれば良い。そして、比較器１３は、上記アナログ信号のレベルとキャリアの振幅レベルとを比較して切替信号を生成出力する。以上が電圧変化率調整回路１４を構成している。
図４は、ＩＧＢＴ１をスイッチングさせる期間内に出力する切替信号のＰＷＭデューティを変化させた場合の一例（回路シミュレーションの結果）である。（ａ）に対して（ｂ）のようにデューティ比をより大きくすることで、ゲート信号の立ち上がり期間における速度がより遅くなっていることが判る。
【００２２】
以上のように第２実施形態によれば、制御回路４がＩＧＢＴ１をスイッチングさせる期間内において、切替信号に基づき半導体スイッチ回路７をＯＮ，ＯＦＦさせる比率を変化させ、当該比率に応じてゲート信号の電圧変化率を変更する。具体的には、切替信号を、ＩＧＢＴ１をスイッチングさせる時間よりも速いキャリア周期のＰＷＭ信号として出力する半導体スイッチ切替回路１１を備え、制御回路４は、半導体スイッチ切替回路１１にデューティ指令信号を出力するようにした。したがって、デューティ比に応じて時定数をτａ，τｂの中間の値に変化させることで、時定数をより詳細に調整できる。
【００２３】
（第３実施形態）
図５は第３実施形態を示すものである。第３実施形態では、半導体スイッチ回路７に替えて半導体スイッチ回路２１を用いる。半導体スイッチ回路２１は抵抗素子Ｒ４，Ｒ３の間に挿入されており、コンデンサＣ２は削除されている。また、半導体スイッチ回路２１と並列に、抵抗素子Ｒ５（第３抵抗素子）が接続されている。そして、半導体スイッチ回路２１自体は、ＮＰＮトランジスタＱ３のコレクタとダイオードＤ１のカソード間に抵抗素子Ｒoff（第１抵抗素子）が挿入されると共に、ＮＰＮトランジスタＱ３のエミッタとダイオードＤ３のアノード間に抵抗素子Ｒon（第２抵抗素子）が挿入されている。以上が、電圧変化率調整回路２２を構成している。
【００２４】
次に、第３実施例の作用について説明する。ＮＰＮトランジスタＱ３がＯＦＦであれば、ＯＮ／ＯＦＦ信号電圧出力回路５を介して出力されるゲートＯＮ／ＯＦＦ信号がハイレベルの場合、当該信号は、抵抗素子Ｒ４及びＲ５の直列回路を介して入力端子６に印加される。この時の時定数は（Ｒ４＋Ｒ５）・Ｃ１となる。ゲートＯＮ／ＯＦＦ信号がローレベルとなる場合も経路中の回路素子は同じであるから、時定数も同じである。但し、抵抗素子Ｒ１，Ｒ２の抵抗値を替えることで時定数を変化させることができる。
【００２５】
一方、ＮＰＮトランジスタＱ３がＯＮであれば、ゲートＯＮ／ＯＦＦ信号をハイレベルにしてＩＧＢＴ１をターンＯＮさせる場合は、上記の信号伝達経路に加えて、抵抗素子Ｒ４，ダイオードＤ４，ＮＰＮトランジスタＱ３，抵抗素子Ｒon，ダイオードＤ３という経路が並列に加わる。すなわち、抵抗素子Ｒ５に抵抗素子Ｒonが並列に接続されるため、時定数が（Ｒ４＋Ｒ５//Ｒon）・Ｃ１に減少する。また、ゲートＯＮ／ＯＦＦ信号がローレベルにしてＩＧＢＴ１をターンＯＦＦさせる場合は、入力端子６より、ダイオードＤ１，抵抗素子Ｒoff，ＮＰＮトランジスタＱ３，ダイオードＤ２，抵抗素子Ｒ４となる経路でコンデンサＣ１が逆極性で充電される。このとき、時定数は（Ｒ４＋Ｒ５//Ｒoff）・Ｃ１となる。
そして、上記の構成についても第２実施形態の構成を適用することで、ＮＰＮトランジスタＱ３のベースに出力する切替信号のＰＷＭデューティを変化させ、時定数を例えばＯＮ時については（Ｒ４＋Ｒ５）・Ｃ１と（Ｒ４＋Ｒ５//Ｒon）・Ｃ１との中間の値となるように設定しても良い。
【００２６】
以上のように第３実施形態によれば、電圧変化率調整回路２２を、ＩＧＢＴ１をターンＯＮさせる期間の電圧変化率の絶対値と、ターンＯＦＦさせる期間の電圧変化率の絶対値とが異なる設定にできる構成とした。具体的には、半導体スイッチ回路２１を、ダイオードＤ１，Ｄ４及び両者のカソード間に接続される抵抗素子Ｒoffからなる直列回路，並びにダイオードＤ２，Ｄ３及び両者のアノード間に接続される抵抗素子Ｒonからなる直列回路と、ダイオードＤ４のカソードと、ダイオードＤ２のアノードとの間に接続されるＮＰＮトランジスタＱ３と、抵抗素子Ｒ５とで構成した。
したがって、ＮＰＮトランジスタＱ３をＯＮした場合に、コンデンサＣ１を充電する経路中にある抵抗素子Ｒonの抵抗値と、逆極性で充電する経路中にある抵抗素子Ｒoffとの抵抗値とによって、電圧変化率が異なるように設定できる。
【００２７】
（第４実施形態）
図６は第４実施形態であり、第３実施形態と異なる部分について説明する。第４実施形態では、半導体スイッチ回路２１を若干変更した構成の半導体スイッチ回路２３を用いる。この場合、抵抗素子Ｒ５（第３抵抗素子）の一端は、抵抗素子Ｒ４ではなく、ダイオードＤ５のカソード，アノードを介してＮＰＮトランジスタＱ３のコレクタに接続されている。また、入力端子６とＮＰＮトランジスタＱ３のコレクタとの間には、抵抗素子Ｒ６（第４抵抗素子）及びダイオードＤ６から成る直列回路が接続されている。以上が、電圧変化率調整回路２４を構成している。
【００２８】
次に、第４実施形態の作用について説明する。ＮＰＮトランジスタＱ３がＯＦＦであれば、ＯＮ／ＯＦＦ信号電圧出力回路５を介して出力されるゲートＯＮ／ＯＦＦ信号がハイレベルの場合、当該信号は、抵抗素子Ｒ４，ダイオードＤ４及びＤ５，抵抗素子及びＲ５の経路で入力端子６に印加される。この時の時定数は第３実施例と同じく（Ｒ４＋Ｒ５）・Ｃ１となる。また、ゲートＯＮ／ＯＦＦ信号がローレベルの場合は、入力端子６より、抵抗素子Ｒ６，ダイオードＤ６及びＤ２の経路でコンデンサＣ１が逆極性で充電される。このとき、時定数は（Ｒ４＋Ｒ６）・Ｃ１となる。したがって、ＮＰＮトランジスタＱ３がＯＦＦの場合についても、コンデンサＣ１の充電極性が異なる場合の時定数が変化する。
【００２９】
一方、ＮＰＮトランジスタＱ３がＯＮであれば、ゲートＯＮ／ＯＦＦ信号がハイレベルの場合は、上記の信号伝達経路に第３実施形態の場合と同じ経路が並列に加わり、抵抗素子Ｒ５に抵抗素子Ｒonが並列に接続されるため、時定数が（Ｒ４＋Ｒ５//Ｒon）・Ｃ１に減少する。また、ゲートＯＮ／ＯＦＦ信号がローレベルの場合は、上記の信号伝達経路に第３実施形態の場合と同じ経路が並列に加わり、抵抗素子Ｒ６に抵抗素子Ｒoffが並列に接続されるため、時定数は（Ｒ４＋Ｒ６//Ｒoff）・Ｃ１となる。
【００３０】
すなわち、第４実施形態の構成によれば、電圧変化率調整回路２４において、ＮＰＮトランジスタＱ３がＯＦＦの場合についても、ＩＧＢＴ１をターンＯＮさせる場合の時定数とターンＯＦＦさせる場合の時定数とが異なるように設定できる。そして、上記の構成についても第２実施形態の構成を適用して、ＮＰＮトランジスタＱ３のベースに出力する切替信号のＰＷＭデューティを変化させることで、時定数を例えばＯＮ時については（Ｒ４＋Ｒ５）・Ｃ１と（Ｒ４＋Ｒ５//Ｒon）・Ｃ１との中間の値となるように設定しても良い。
【００３１】
以上のように第４実施形態によれば、抵抗素子Ｒoff及びダイオードＤ１の直列回路に並列に、ダイオードＤ５及び抵抗素子Ｒ５の直列回路を接続し、抵抗素子Ｒon及びダイオードＤ３の直列回路に並列に、ダイオードＤ６及び抵抗素子Ｒ６の直列回路を接続して半導体スイッチ回路２３を構成した。ＮＰＮトランジスタＱ３がＯＦＦの場合も、ＩＧＢＴ１をターンＯＮさせる場合の時定数とターンＯＦＦさせる場合の時定数とが異なるように設定できる。
【００３２】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると共に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
ＩＧＢＴ１は、インバータ回路を構成するものに限らず、単独で使用される素子であっても良い。
駆動対象素子は、ＩＧＢＴに限ることなく、パワーＭＯＳＦＥＴなどの電圧駆動型半導体素子であれば良い。
【符号の説明】
【００３３】
図面中、ＩＧＢＴ１は（電圧駆動型半導体素子，駆動対象素子）、３はプリドライバ、４は制御回路、６は入力端子、７は半導体スイッチ回路、１０は電圧変化率調整回路、１１は半導体スイッチ切替回路（制御信号生成回路）、１４は電圧変化率調整回路、２１は半導体スイッチ回路、２２は電圧変化率調整回路、２３は半導体スイッチ回路、２４は電圧変化率調整回路、Ｄ１〜Ｄ４はダイオード、Ｑ３はＮＰＮトランジスタ（スイッチ素子）、Ｒ１〜Ｒ６，Ｒon，Ｒoffは抵抗素子を示す。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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