【手続補正書】
【提出日】令和2年12月15日(2020.12.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
（ａ）電動デバイスをオンにするための電力信号を前記電動デバイスに入力する電源入力源と、
（ｂ）前記電源入力源からの前記電力信号に加えて、１０-8を超える精度の発振信号を前記電動デバイスに注入する高精度信号源と、
（ｃ）アンテナと結合され、且つ、前記発振信号の前記電動デバイスへの注入に応じて前記電動デバイスにより発される高周波数（ＲＦ）帯域の電磁エネルギーの放射を収集するように構成されている受信機と、
（ｄ）前記電動デバイスの状態を決定する手段と、
を備え、
前記状態が前記予め選択された高精度発振信号の入力に応じたＲＦエネルギーの放射物によって定義されるシステム。
【請求項２】
前記電動デバイスは、ディスクリートコンポーネント、集積回路、回路基板、回路基板アセンブリ、サブシステム、システム、電子デバイス及び動作のために電気コンポーネントを使用する電気デバイスの内の少なくとも１つである請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記状態が本物デバイス又は偽造デバイスを定義する請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記電動デバイスは、半導体デバイスと集積回路の少なくとも一方であり、前記高精度信号源は、ゼロ挿入力ソケットに接続され、前記半導体デバイスと前記集積回路の前記少なくとも一方が前記ゼロ挿入力ソケット内に挿入される請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記高精度信号源が小型の原子周波数標準発振器である請求項１に記載のシステム。
【請求項６】
前記電動デバイスの前記状態を決定するための前記手段は、
（ａ）前記電動デバイスから放射されたＲＦエネルギーを収集するための第１の手段と、
（ｂ）収集された前記ＲＦエネルギーを一組の予め決定されたパラメータに照合するための第２の手段と、
（ｃ）予め決定された組の前記パラメータに対する照合が十分であるか否かを決定する第３の手段を備える請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記第１の手段は、前記電動デバイスから前記ＲＦエネルギーを収集するための自動化機構を含み、
前記自動化機構は、前記電動デバイスの上方の所定の距離に位置決めされたアンテナアレイを含み、前記電動デバイスと前記アンテナアレイとは互いに対して移動するように取り付けられ、
前記アンテナアレイが統合低ノイズ増幅器を含む請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
電動デバイスを検査する又は選別するシステムであって、前記システムは、
（ａ）前記電動デバイスをオンにするための電力信号を前記電動デバイスに入力する電源入力源と、
（ｂ）前記電源入力源からの前記電力信号に加えて、１０-8を超える精度の発振信号を前記電動デバイスに入力するための手段と、
（ｃ）アンテナアレイと、
（ｄ）前記アンテナアレイを前記電動デバイスの上方の所定の距離に位置決めする手段と、
（ｅ）前記発振信号に応答して前記電動デバイスによって放射されたＲＦエネルギーを収集するための手段と、
（ｆ）前記放射されたＲＦエネルギーのシグネチャを本物の部品のＲＦエネルギーシグネチャと比較するための手段と、
（ｇ）前記電動デバイスの本物状態か偽造状態かを決定するための手段と、
を備えるシステム。
【請求項９】
前記シグネチャを比較する前記手段は、調波分析、マッチドフィルタ、人口ニューラルネットワーク（ＡＮＮ）、具体的には、バックプロパゲーション（ＢＰ）による多層パーセプトロン（ＭＬＰ）フィードフォワードＡＮＮ、ウェーブレット分解、自己相関、スペクトル的特徴測定又は統計、クラスタリング又は位相トレンド除去アルゴリズムのうち少なくとも１つを含む請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記シグネチャを比較する前記手段は、ディスクリートフーリエ変換、高速フーリエ変換、ディスクリートコサイン変換、ラプラス変換、Ｚ変換、スター変換、短時間フーリエ変換、ケプストラム、無限インパルス応答フィルタ、有限インパルス応答フィルタ、カスケードインテグレータコムフィルタ、楕円フィルタ、チェビシェフフィルタ、バターワースフィルタ、又はベッセルフィルタの少なくとも１つを含む請求項８に記載のシステム。
【請求項１１】
集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの少なくとも一方の偽造品を検査又は選別するためのシステムであって、前記システムは、
（ａ）前記集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの前記少なくとも一方をオンにするための電力信号を前記集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの前記少なくとも一方に入力する電源入力源と、
（ｂ）前記電源入力源からの前記電力信号に加えて、１０-8を超える精度の発振信号を前記集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの前記少なくとも一方に入力するための高精度信号源であって、温度補償水晶発振器（ＴＣＸＯ）、マイクロコンピュータ補償水晶発振器（ＭＸＣＯ）、恒温槽付水晶発振器（ＯＣＸＯ）、小型原子周波数標準器、及びルビジウム発振器（ＲｂＸＯ）で構成されるグループから選択されたものである高精度信号源と、
（ｃ）前記高精度信号源に応答して前記集積回路によって放射されるＲＦエネルギーを収集するための手段と、
（ｄ）収集された前記ＲＦエネルギーを解析し、且つ、前記集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの少なくとも一方の本物状態又は偽造状態の一方を決定するための手段と、
を備えるシステム。
【請求項１２】
偽造の集積回路と前記集積回路を使用する偽造のデバイスの少なくとも一方を検出するための装置であって、前記装置は、
（ａ）集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの少なくとも一方をオンにするための電力信号を前記集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの前記少なくとも一方に入力する電源入力源と、
（ｂ）１０-8を超える精度の発振信号を発生し、前記発振信号を前記電源入力源からの前記電力信号に加えて、前記発振信号を前記集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの前記少なくとも一方に入力するよう構成される高精度信号源であって、前記高精度発振信号が前記集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの前記少なくとも一方の入力要求に一致する周波数を有することと、
（ｃ）前記偽造の集積回路と前記集積回路を使用する偽造のデバイスの少なくとも一方に近接して位置決めされるＲＦ収集手段であって、前記発振信号で駆動される前記集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの前記少なくとも一方によって放射された放射物を受容するように構成されるＲＦ収集手段と、
（ｄ）前記ＲＦ収集手段に結合されるプロセッサであって、前記放射された放射物のシグネチャを処理し、前記放射された放射物のシグネチャを前記集積回路と前記集積回路を使用するデバイスの前記少なくとも一方に対して予め決定された少なくとも１つの放射物のシグネチャに対して比較することによって、前記比較の結果照合が本物の集積回路と該集積回路を使用する本物のデバイスの少なくとも一方を定義するように構成されるプロセッサと、
を備える装置。
【請求項１３】
前記ＲＦ収集手段が−１５２ｄＢｍよりも良好な感度を有する請求項１２に記載の装置。
【請求項１４】
偽造と本物の半導体デバイスを識別するための方法であって、前記方法は、
（ａ）高精度信号源で１０-8を超える精度の発振信号を発生させる工程と、
（ｂ）半導体デバイスをオンにするための電力信号及び前記発振信号を前記半導体デバイスに注入する工程と、
（ｃ）ＲＦ収集手段で、ステップ（ｂ）で注入された前記発振信号に応答して前記半導体デバイスによって出された放射物を収集する工程と、
（ｄ）ステップ（ｃ）で収集されたＲＦ放射物の特性を本物の半導体デバイスのベースラインＲＦ特性に対して比較する工程と、
（ｅ）前記比較に基づいて、偽造のデバイスか本物の半導体デバイスかを決定する工程と、を有する方法。
【請求項１５】
更に、前記半導体デバイスへ注入される前記発振信号に関して異なる周波数振幅設定でステップ（ａ）からステップ（ｃ）を繰り返す工程と、偽造品検査を向上するために少なくとも２つの測定された応答のＲＦデータ収集を比較する工程と、を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１６】
更に、前記半導体デバイスの少なくとも２つの入力へ注入される発振信号に関して異なる周波数設定でステップ（ａ）からステップ（ｃ）を繰り返し、個々に注入された各発振信号に対するＲＦ収集データを期待されたシグネチャ及び全ての入力への注入に対して同時に比較する工程を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１７】
前記本物の半導体デバイスを決定する前記ステップは、放射物コンポーネントの周波数検出、放射物の位相、内部回路によって発生される混変調と相互変調コンポーネント、個別の放射物の形状、個別の放射物の品質ファクタ又は放射物のタイミング特性の少なくとも１つを分析する工程を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１８】
更に、前記本物の半導体デバイスを表す前記ベースラインＲＦ特性を確立する工程を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項１９】
前記ベースラインＲＦ特性を確立する前記ステップは、スペクトル放射物の大きなスケール比較を行う工程と、前記大きなスケール比較を単一のスカラー値に減少する工程と、を含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記ベースラインＲＦ特性を確立する前記ステップは、局所スペクトル電力密度統計を得る工程を含み、
局所スペクトル電力密度統計を得る前記ステップは、複数の半導体デバイスをサンプリングし、サンプリングされた半導体デバイス間で共通する放射物の各々に関して測定された局所化された統計的特徴に基づいて前記複数の半導体デバイスを識別する工程を含む請求項１８に記載の方法。
【請求項２１】
前記統計的特徴は、放射物周波数位置、放射物ピークマグニチュード、放射物位相ノイズ、放射物対称、歪度及び放射物局所ノイズフロアの少なくとも１つを含む請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
前記ＲＦ放射物の前記特性を比較する前記ステップは、相対位相測定を得る工程を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２３】
前記ＲＦ放射物の前記特性同士を比較する前記ステップは、相対位相測定を得ること、および、位相測定を予期された位相測定に対して比較することの少なくとも一方の工程を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２４】
更に、前記半導体デバイスに注入される前記発振信号に関して同一の設定でステップ（ａ）から（ｃ）を繰り返す工程と、偽造品検査を向上するために、少なくとも２つの測定された応答のＲＦデータ収集を平均化又は他の数学的変換によって組み合わせる工程と、を含む請求項１４に記載の方法。
【請求項２５】
偽造品に対して半導体デバイスを検査する又は選別する少なくとも一方の装置であって、
半導体デバイスをオンにするための電力信号を前記半導体デバイスに入力する電源入力源と、
１０-8を超える精度の発振信号を生成して前記電源入力源からの前記電力信号に加えて前記発振信号を前記半導体デバイスに入力する小型原子標準発振器と、
アンテナ、受信機及びプロセッサを含むＲＦ収集装置と、
を備え、
前記ＲＦ収集装置は、前記小型原子標準発振器によって発生され且つ前記半導体デバイスに注入された発振信号に反応して前記半導体デバイスから放射されるＲＦエネルギーを受容し、受容された前記ＲＦエネルギーを解析し、前記半導体デバイスを検査又は選別するように構成される装置。
【請求項２６】
電気又は電子デバイスの偽造品に対して検査又は選別するためのシステムであって、前記システムは、
（ａ）前記電気又は電子デバイスをオンにするための電力信号を前記電気又は電子デバイスに入力する電源入力源と、
（ｂ）前記電源入力源からの前記電力信号に加えて、１０-8を超える精度の発振信号を前記電気又は電子デバイスへ入力するように構成された原子周波数発振器と、
（ｃ）前記発振信号に応答して前記電気又は電子デバイスによって放射されるＲＦエネルギーを収集する手段と、
（ｄ）収集された前記ＲＦエネルギーを解析し、収集された前記ＲＦエネルギーに含まれる情報に基づいて前記電気又は前記電子デバイスの本物又は偽造の状態の一方を決定するための手段と、
を備えるシステム。
【請求項２７】
前記発振信号は、前記電動デバイスの入力要求の周波数と一致する周波数を有する、請求項１から１０のいずれか一項に記載のシステム。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
放射される電磁シグネチャは、あらゆる電子デバイスの基本的性質である。最も基本的なレベルでは、加速電子装置は、電磁シグネチャを作成する電磁エネルギーを放射する。電力の供給及び発振入力により、偽造選別対象のデバイス内の電子が加速され、電磁エネルギーが放射され、この発明によって行われる選別及び検査の向上という基本的な特徴が最近の全ての電子機器に適用される。上記の電力は、外部の商用電源、バッテリ電源、又は内部の発電機構であり得る。発振器入力は、周波数ベースの発振を生成する任意の源とすることができる。発振器入力のなかには、例えば、限定はしないが、水晶振動子又はセラミック共振器等、単調性のものもある。その他、非常に複雑なタイミング制御信号又は通信信号もある。基本的に、最近の電子機器には非常に多くの信号が存在し、それらの信号は、高状態と低状態の間で振動を与え、連携し、制御し、通信し、同期し、参照し、多種多様なアクション及び多種多様な回路を提供する。この発振は、物理的法則により、何らかの方法で、放射手段又は導電手段により、電子機器又は電気デバイスの外部に放射される大きなエネルギー源である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５４】
システム１０は、一般的に参照番号１８で示す、電動デバイス２のかかる状態を決定する手段を含み、この状態は、テスト又は検査下のデバイス２からのＲＦエネルギー４の放射物特性（又はシグネチャ）によって定義される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８４】
基板が存在する製造ラインに先行して回路基板に集積されるコンポーネント／デバイス２の場合、一実施形態では、コンポーネント／デバイス２に単に電源入力４２を提供し、単純にコンポーネント又は基板を電気的にオンにする。他の実施形態としては、好ましくは、テスト下のデバイス２の入力又は出力においてクロックを作動するために単に発振入力４４を提供する。この場合に好適な本発明の実施形態では、電力信号４２は、発振入力４４と組み合わされる。かかる発振入力４４は、好ましくは、単調な発振信号であるが、マルチトーン入力又は変調発振信号又は変調された発振信号として提供されることもできる。マルチトーン入力注入を用いると、偽造品対本物デバイスに関して固有のシグネチャに変わる混変調応答及び相互変調応答の発達が支援される。更に、マルチトーン注入の使用により、偽造品対本物デバイスに関して固有のシグネチャに変わる非線形応答の展開が支援される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８５】
電力信号４２及び発振信号４４によるデバイス２の励起方法は、半導体デバイス、集積回路、表面実装や貫通孔部品等の基板レベルデバイス、サブ基板又はドーターボード、回路基板全体、複数の基板のアセンブリ、更には製品全体に適用される。この場合に好適な本発明の実施形態において重要なのは、ベースラインとしてデバイス２に電力供給するための電力信号４２と、基本的なデバイスの機能を作動させるための単一の単純な単調発振信号４４とを提供することであり、この発振信号４４は、その後アクティブになると、ＲＦ収集手段２０及びアンテナアレイ２２又はデバイス２の近傍に位置決めされた個別のアンテナによって捕捉され、本物の部品において期待される基準特性又はベースライン特性に対して分析される電磁放射物を生じる。