(57)【要約】      （修正有）【課題】基板主面に半導体チップが搭載され、半導体チップと基板裏面側との間で絶縁が確保される絶縁型の半導体装置において、低インダクタンスおよび低熱抵抗を両立する半導体装置を低コストに提供する。【解決手段】基板主面に半導体チップ５が搭載され、半導体チップ５と基板裏面側との間で絶縁が確保される絶縁型の半導体装置に関する。半導体装置１は、基板が多層樹脂基板３であり、多層樹脂基板３には導体のビアポスト３４が貫通し、ビアポスト３４上に、セラミックス基板４を介して半導体チップ５が搭載された構造である。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板主面に半導体チップが搭載され、前記半導体チップと前記基板裏面側との間で絶縁が確保される絶縁型の半導体装置において、
前記基板が主面に回路パターンが形成された多層樹脂基板であり、前記多層樹脂基板には導体のビアポストが貫通し、前記ビアポスト上に、セラミックス基板を介して前記半導体チップが搭載されたことを特徴とする、半導体装置。
【請求項２】
前記ビアポストが一本のビアポストで構成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ビアポストが多数本のビアポストで構成される、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記多層樹脂基板の裏面に導体層が形成され、前記ビアポストは該導体層に接続される、請求項１〜３のいずれかに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記多層樹脂基板の裏面の前記導体層に放熱板が取付けられた、請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記放熱板は金属ベース板である、請求項５に記載の半導体装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、低インダクタンスおよび低熱抵抗を両立する絶縁型半導体装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年ＩＧＢＴ、スーパージャンクション型のＭＯＳＦＥＴなどを搭載する半導体装置では、半導体チップの面積あたりの許容電流が大きくなっている。大電流が流れる経路には、物理的なループを持つとこの部分がインダクタンス成分として機能することがある。そうすると、スイッチング電源に使用される半導体装置では、短い時間で電流が流れたり、流れなかったりすることで、その電流が上記インダクタンス成分に起因して電圧に変化する。このような電圧が発生するとノイズとして周辺に悪影響を及ぼす虞がある。
【０００３】
低インダクタンスを実現する対策には、電流の経路に物理的なループを極力小さくすることが有効である。ループを小さくする方法としては、樹脂の多層基板の使用が好適である。
【０００４】
半導体装置は、基板の表面に現れる導体パターンや搭載される半導体チップを埃や水分から保護するために、モールド樹脂によって基板表面側がパッケージングされた形で製品化される。大電流が流れる仕様の半導体装置では、通電時に半導体チップで発生する熱を効率良く放熱させる必要がある。しかし、多層基板は高熱抵抗（低熱伝導率）の樹脂で形成されているため、それ自体に放熱効果は期待出来ない。
【０００５】
そこで半導体チップの発熱対策のために、樹脂（樹脂にガラスなどの副成分が混合された複合体も含む。）の多層基板の裏面に導体層を形成し、この裏面側導体層を、放熱板を兼ねる熱伝導率の極めて高い金属材料（銅など。）で形成されたベース板に取付けるようにしている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００６】
また、樹脂基板に替えて低熱抵抗（高熱伝導率）のセラミックス基板を使用することも提案されている。例えば、特許文献２では、セラミックス（厳密には、セラミックスとガラスの複合体）の多層基板を使用し、この多層基板をベース板に取付けることが記載されている。これによれば、より効率良く半導体チップから生ずる熱を放熱することが出来る。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２６１４５４号公報
【特許文献２】特開平６−１０４３５０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
絶縁型と呼ばれる半導体装置では、半導体チップと多層基板の裏面側との間の絶縁が完全に確保されていることも重要な要素である。
【０００９】
この点、特許文献１の半導体装置では、ビアポストと呼ばれる、多層基板を上下に貫通する導体の柱の上に半導体チップを搭載し、ビアポストを介して半導体チップとベース板とが導通することになる。このため、半導体チップとベース板との間の絶縁が十分に図れない問題がある。
【００１０】
また、特許文献２のようにセラミックス基板を使用する場合は、高価なセラミックス基板の使用量が多くなり、コストが高くなる問題がある。
【００１１】
この発明は上記課題に鑑みてなされたものであり、基板主面に半導体チップが搭載され、半導体チップと基板裏面側との間で絶縁が確保される絶縁型の半導体装置において、低インダクタンスおよび低熱抵抗を両立する半導体装置を低コストに提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
この発明は、基板主面に半導体チップが搭載され、半導体チップと基板裏面側との間で絶縁が確保される絶縁型の半導体装置に関する。このような半導体装置において、この発明半導体装置は、基板が多層樹脂基板であり、多層樹脂基板には導体のビアポストが貫通し、前記ビアポスト上に、セラミックス基板を介して前記半導体チップが搭載されたことを特徴とする。
【００１３】
配線パターンを有するメイン基板である多層樹脂基板に、セラミックス基板を介して半導体チップが搭載される。セラミックス基板とは、セラミックスベース板の両面に金属薄膜層を有する基板である。例えば、ＤＢＣ（Direct Bonded Copper）（登録商標）基板やＡＭＣ（ActiveMetal Brazed Copper）が挙げられる。
【００１４】
半導体チップは、多層樹脂基板の主面に、セラミックス基板を介して実装される。多層樹脂基板では、インダクタンスの発生要因となる電流の経路のループが層間距離に相当する長さまで短縮される。このため、装置の小型化に加えて低インダクタンスが実現される。
【００１５】
また、半導体チップと多層樹脂基板の裏面側との間は、セラミックス基板のセラミックスベース板により絶縁が十分に図られている。そのため、セラミックス基板の面積は半導体チップよりも一回り大きい程度で十分なので、高価なセラミックス基板の使用量を減らせるため低コストである。
【００１６】
セラミックスは、樹脂に比べて低熱抵抗である。セラミックス基板の直下には、多層樹脂基板を貫通するビアポストがある。このビアポストは導体であるが熱伝導にも優れている。この発明では、ビアポストの熱伝導性を利用する。つまり、半導体チップからの熱は、セラミックス基板からビアポストへと速やかに伝熱され、ビアポストを介して多層樹脂基板の裏面側へ伝熱して効率良く放熱することが出来る。
【００１７】
ビアポストは、一本の極太のビアポストで構成されていても良いし、多数本の細いビアポストの集合体で構成されていても良い。
【００１８】
また、多層樹脂基板の裏面全面に導体層が形成され、ビアポストが導体層に接続される構造であれば、広い面積の多層樹脂基板裏面の導体層に伝熱され、放熱されるので放熱効率が向上する。放熱効率は、この多層樹脂基板の裏面の導体層に放熱板を取付けることにより、さらに向上する。
【発明の効果】
【００１９】
この発明によれば、基板主面に半導体チップが搭載され、半導体チップと基板裏面側との間で絶縁が確保される絶縁型の半導体装置において、低インダクタンスおよび低熱抵抗を両立する半導体装置を低コストに提供することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００２０】
【図１】この発明の一実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【図２】この発明の他実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２１】
この発明の半導体装置は、半導体チップと基板裏面側との間で絶縁が確保される絶縁型と呼ばれるタイプの半導体装置に関する。具体的構成を以下に説明する。
【００２２】
この発明の実施形態に係る半導体装置を図１を参照しながら説明する。本実施形態に係る半導体装置１は、放熱板２、多層樹脂基板３、セラミックス基板４、および半導体チップ５およびモールド樹脂６を備える。
【００２３】
放熱板２は、熱伝導率の高い材料で形成された板状部材であり、その材料は金属が用いられ、特に銅が好適に用いられる。放熱板２は半導体装置１のベース板を兼ねており、半導体装置１に機械的強度を持たせるためにある程度の厚みを有する。放熱板２は、上述する多層樹脂基板３の裏面側の導体層３３に取付けられる。
【００２４】
多層樹脂基板３は、配線パターンが形成されたり、或いは配線パターンを有しないベタの導体層を複数有する樹脂基板である。この発明で定義される多層樹脂基板３の最もシンプルな構造は２層の樹脂基板である。
【００２５】
本実施形態では、図１に示すように、多層樹脂基板３は、主面（同図では上面。）、中間、および裏面（同図では下面。）にそれぞれ導体層３１，３２，３３を有する３層樹脂基板を例示している。さらに本実施形態では、主面の導体層３１および中間の導体層３２は所定の配線パターンが形成されているが、裏面の導体層３３は特別な配線パターンを持たないベタの導体層として形成されている。裏面の導体層３３は電流の経路として利用するのではなく、主にその熱伝導性に着目して放熱の目的に利用するものだからである。裏面の導体層３３には、例えば半田などの導電性接合剤８を用いて上記放熱板２が取付けられている。導電性接合剤８は熱伝導性にも優れる。表面の導体層３１は、後述するセラミックス基板４が取付けられるアイランド３１Ａを有する。
【００２６】
多層樹脂基板３には、導体の柱であるビアポスト３４が貫通している。ビアポスト３４は、主面側で導体層３１のアイランド３１Ａに連結されるともに、裏面側で導体層３３に連結されている。この発明では、ビアポスト３４は電流の経路として利用するのではなく、主にその高い熱伝導性を利用するものである。
【００２７】
ビアポスト３４はセラミックス基板４の直下であって半導体チップ５の真下に位置している。また、ビアポスト３４の基板主面方向の専有面積（断面積）は、半導体チップ５の実装面積に略等しくなるように設定される。いずれも半導体チップ５からの熱を効率良く多層樹脂基板３の裏面側へ伝えるためである。
【００２８】
ビアポスト３４は、図１に示すように、一本の極太のビアポストで構成されていても良いし、図２に示すように多数本の細いビアポストの集合体で構成されていても良い。
【００２９】
セラミックス基板４は、セラミックスベース板４１の両面に金属薄膜層からなる導体層４２，４３を有する基板である。例えば、ＤＢＣ（Direct Bonded Copper）（登録商標）基板やＡＭＣ（ActiveMetal Brazed Copper）が挙げられる。本実施形態では、導体層４２，４３はともに配線パターンを持たないベタの導体層として形成されているが、この限りではない。
【００３０】
半導体チップ５は、導電性接合剤８を用いてセラミックス基板４の表面の導体層４２に実装される。セラミックス基板４は裏面の導体層４３を用いて多層樹脂基板３の主面のアイランド３１Ａに導電性接合剤８を用いて取付けられる。導電性接合剤８は熱伝導性にも優れる。セラミックス基板４はいわば半導体チップ５の台座であり、半導体チップ５とセラミックス基板４の背面側との絶縁をこのセラミックス基板４によって確保している。
【００３１】
半導体チップ５は、多層樹脂基板３の主面の配線パターンとワイヤボンディングを介して接続される。半導体チップ５として例えばバイポーラ型のチップが用いられる場合、図示の如く２本のワイヤ７，９が使用され、一方のワイヤ７の一端は半導体チップ５自体に接続され、他方のワイヤ９の一端は半導体チップ５と同電位であるセラミックス基板４の導体層４２に接続される。本例ではワイヤを用いて半導体チップ５と配線パターン及び導体層４２とを接続する例を示したが、ワイヤに変えて端子を用いても良く、それらを組み合わせて接続することもできる。
【００３２】
多層樹脂基板３の主面側は、半導体チップ５を埃や水分から保護するために、モールド樹脂６が被覆されることにより、半導体装置１はパッケージングされる。
【００３３】
以上説明したように、この発明に係る半導体装置１では、半導体チップ５は、多層樹脂基板３の主面に、セラミックス基板４を介して実装される。多層樹脂基板では、インダクタンスの発生要因となる電流の経路のループが層間距離に相当する長さまで短縮される。このため、装置の小型化に加えて低インダクタンスが実現される。
【００３４】
また、半導体チップ５と多層樹脂基板３の裏面側との間は、セラミックス基板４のセラミックスベース板４１により絶縁が十分に図られている。そのため、セラミックス基板の面積は半導体チップよりも一回り大きい程度で十分なので、高価なセラミックス基板の使用量を減らせるため低コストである。
【００３５】
セラミックスは、樹脂に比べて低熱抵抗である。セラミックス基板４の直下には、多層樹脂基板３を貫通するビアポスト３４がある。このビアポスト３４は導体であるが熱伝導にも優れている。この発明では、ビアポスト３４の熱伝導性を利用する。つまり、半導体チップ５からの熱は、セラミックス基板４からビアポスト３４へと速やかに伝熱され、ビアポスト３４を介して多層樹脂基板３の裏面側へ伝熱して効率良く放熱することが出来る。
【００３６】
したがって、この発明によれば、基板主面に半導体チップが搭載され、半導体チップと基板裏面側との間で絶縁が確保される絶縁型の半導体装置において、低インダクタンスおよび低熱抵抗を両立する半導体装置を低コストに提供することが可能となる。
【００３７】
上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではないと考えられるべきである。この発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、この発明の範囲には、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００３８】
１…半導体装置
２…放熱板
３…多層樹脂基板
４…セラミックス基板
５…半導体チップ
６…モールド樹脂
７，９…ワイヤ
８…導電性接合剤
３１，３２，３３…導体層
３４…ビアポスト
４１…セラミックスベース板
４１…セラミックス基板
４２，４３…導体層
【図１】
2014127489.tif 000003
【図２】
2014127489.tif 000004