【手続補正書】
【提出日】令和3年2月3日(2021.2.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子が焼結金属層を介して支持基板の上に接合されてなる半導体装置であって、
前記焼結金属層には、接合されたときの前記半導体素子の外縁部よりも内側に当たる領域に、空孔率が他の領域よりも低い低空孔率領域が形成されており、
前記焼結金属層の中には、前記低空孔率領域として、前記焼結金属層を上面側から下面側まで貫く柱状の低空孔率領域が形成されており、
前記柱状の低空孔率領域は、前記半導体素子の外縁部よりも内側領域の直下に当たる前記焼結金属層の領域内の全域にわたって所定の間隔で複数個設けられていること
を特徴とする半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記焼結金属層の前記低空孔率領域は、前記焼結金属層の前記他の領域と同じ材料で構成されていること
を特徴とする半導体装置。
【請求項３】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記焼結金属層の中には、前記低空孔率として、前記焼結金属層を上面側から下面側まで貫き、平面形状が細長紐状を呈する壁状の低空孔率領域が形成されており、
前記壁状の低空孔率領域は、前記半導体素子の外縁部に沿って、前記半導体素子の中央部直下の領域を取り囲むように形成され、
前記柱状の低空孔率領域は、複数個、前記壁状の低空孔率領域に囲まれた内側の領域に形成されていること
を特徴とする半導体装置。
【請求項４】
半導体素子と支持基板との間に配置されて、前記半導体素子と前記支持基板とを接合する焼結金属シートであって、
前記半導体素子と前記支持基板とを接合したとき、前記半導体素子の外縁部よりも内側に当たる領域に、空孔率が他の領域よりも低い低空孔率領域が形成されており、
前記焼結金属層の中には、前記低空孔率領域として、前記焼結金属層を上面側から下面側まで貫く柱状の低空孔率領域が形成されており、
前記柱状の低空孔率領域は、前記半導体素子の外縁部よりも内側領域の直下に当たる前記焼結金属層の領域内の全域にわたって所定の間隔で複数個設けられていること
を特徴とする焼結金属シート。
【請求項５】
請求項４に記載の焼結金属シートであって、
前記低空孔率領域を構成する材料は、前記他の領域を構成する材料と同じであること
を特徴とする焼結金属シート。
【請求項６】
金属微粒子を含むペースト材を焼成して焼結金属シートを作製する工程と、
前記焼結金属シート上の所定の位置に、前記焼結金属シートを上面および下面から挟むように電極を配置し、前記電極に挟まれた前記焼結金属シートの領域に通電することにより、空孔率が他の領域よりも低い低空孔率領域を形成する工程と、
を有すること
を特徴とする焼結金属シートの製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の焼結金属シートの製造方法であって、
前記低空孔率領域を形成する工程において、前記焼結金属シート上に前記電極を配置するときには、前記焼結金属シートの外縁部よりも内側の位置に配置すること
を特徴とする焼結金属シートの製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
本発明は、半導体素子が焼結金属層を介して支持基板の上に接合されてなる半導体装置であって、前記焼結金属層には、接合されたときの前記半導体素子の外縁部よりも内側に当たる領域に、空孔率が他の領域よりも低い低空孔率領域が形成されており、前記焼結金属層の中には、前記低空孔率領域として、前記焼結金属層を上面側から下面側まで貫く柱状の低空孔率領域が形成されており、前記柱状の低空孔率領域は、前記半導体素子の外縁部よりも内側領域の直下に当たる前記焼結金属層の領域内の全域にわたって所定の間隔で複数個設けられていることを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
≪第１の実施形態≫
図１Ａは、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００の断面構造の例を示した図、図１Ｂは、本発明の第１の実施形態に係る半導体装置１００の上面図の例を示した図である。図１Ａ、図１Ｂに示すように、半導体装置１００は、半導体素子１が焼結金属層２を介して支持基板１０に接合されて構成される。ここで、図１Ｂの半導体装置１００の上面図は、半導体素子１が取り外されている状態の上面図を表し、また、図１Ａの断面図は、図１Ｂの平面図のＹ−Ｙ部分の半導体素子１を含む断面図を表している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本実施形態では、焼結金属層２の中に他の領域よりも空孔率の低い領域である低空孔率領域３が設けられている。低空孔率領域３は、焼結金属層２と同じ組成のペースト材を焼結した焼結金属接合材からなり、空孔率が他の領域よりも低いことを特徴とする。この低空孔率領域３は、図１Ｂに示すように、接合されたときの半導体素子１の外縁部よりも内側に当たる焼結金属層２の中に、半導体素子１の外縁部に沿ってその外縁部を１周するように形成される。また、低空孔率領域３は、図１Ａに示すように、焼結金属層２の上面部から下面部まで焼結金属層２を貫くように形成される。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
したがって、本実施形態では、低空孔率領域３は、焼結金属層２を平面的に外側の高空孔率領域と内側の高空孔率領域に２分する、平面形状が細長紐状を呈する壁状の構造体ということができる。このような低空孔率領域３は、平面的には、必ずしも直線状に形成される必要はなく、うねりのある曲線状に形成されたものであってもよい。ただし、その平面形状は、応力による変形の偏りを避けるために、対称的なパターンであることが好ましい。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
なお、低空孔率領域３の空孔率は、低空孔率領域３以外の焼結金属層２における領域の空孔率と比べて少なくとも１０％以上低いことが好ましく、さらには、低空孔率領域３の空孔率が１０％未満であることが好ましい。また、低空孔率領域３の上下方向（ｚ軸方向）の構造は、空孔率が一定の１層に限定されるものではなく、例えば、空孔率が連続的に変化するような多数の層から構成されるものであってもよい。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
図２Ａに示すように、第１の実施形態および従来技術のいずれの場合も、半導体素子１のチップサイズを５ｍｍ×５ｍｍとした。また、第１の実施形態では、焼結金属層２内の低空孔率領域３は、半導体素子１の外縁部よりも１ｍｍ内側の直下位置に、０．２ｍｍの幅で設けられているものとした。これに対し、従来技術では、低空孔率領域３は、半導体素子１の外縁部直下の位置、つまり焼結金属層２の外縁部に０．２ｍｍの幅で設けられているものとした。また、焼結金属層２は、いずれの場合も厚さ５０μｍの焼結銅（Ｃｕ）層であるとした。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３３】
以上のように、本実施形態では、従来技術に比べ、熱変動に由来する応力により半導体素子１と焼結金属層２とが剥離したり、半導体素子１が破壊などのダメージを受けたりするリスクが減少する。また、焼結金属層２の端部から発生する亀裂も、低空孔率領域３が設けられた位置で停止させることができる。よって、本実施形態では、熱変動に強い信頼性の高い半導体装置１００が得られる。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
また、本実施形態でも、低空孔率領域３は、焼結金属層２と同じ組成のペースト材を焼結した焼結金属接合材からなり、空孔率が他の領域よりも高いことを特徴とする。この場合、低空孔率領域３の空孔率は、低空孔率領域３以外の焼結金属層２の領域における空孔率と比べて少なくとも１０％以上低いことが好ましく、さらには、低空孔率領域３の空孔率が１０％未満であることが好ましい。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７０】
１      半導体素子
２      焼結金属層
３      低空孔率領域
３ａ    壁状の低空孔率領域
３ｂ    柱状の低空孔率領域
４      導電部材
５      絶縁部材
６      冷却部材
８      亀裂
９      電極
１０    支持基板
１１    プレート
２０    焼結金属シート
２１    ペースト材
１００，１００ａ，１００ｂ，１００ｃ，１００ｄ  半導体装置