(57)【要約】      （修正有）【課題】構造および制御を複雑化させることなく、撮像素子が生成する画像データにノイズが重畳することを抑制する。【解決手段】撮像モジュール１０は、第１の配線層１１ａおよび第２の配線層１１ｂに形成されている配線、ならびに、センサーＬＳＩ１３を含む閉ループ回路と、第１の配線層１１ａおよび第２の配線層１１ｂの間に設けられている第３の配線層１１ｃに形成され、閉ループ回路を第３の配線層１１ｃに投影することによって形成される閉じた領域を少なくとも覆う金属膜とを備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
結像手段に固結され、パルス電流によって駆動されるコイルと、複数の配線層を備える多層基板と、上記多層基板の表面であって上記コイルに対向する位置に配設されている撮像手段と、を備える撮像モジュールであって、
上記多層基板は、
上記多層基板における上記コイル側の表面層である第１の配線層に形成されている配線、上記第１の配線層とは異なる第２の配線層に形成されている配線、および、上記撮像手段を含む閉回路と、
上記第１の配線層および上記第２の配線層の間に設けられている第３の配線層に形成されており、上記閉回路を第３の配線層に投影することによって形成される閉じた領域を少なくとも覆う金属膜と、を備えていることを特徴とする撮像モジュール。
【請求項２】
上記金属膜は、電源配線またはグランド配線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像モジュール。
【請求項３】
上記第３の配線層は、少なくとも２つの内側配線層をさらに備え、
上記金属膜は、上記内側配線層のうちいずれかの内側配線層に形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の撮像モジュール。
【請求項４】
上記第３の配線層は、少なくとも２つの内側配線層をさらに備え、
上記金属膜は、上記内側配線層のうち２つの内側配線層にそれぞれ形成されており、
一方の上記金属膜は電源配線に接続されており、他方の上記金属膜はグランド配線に接続されていることを特徴とする請求項１に記載の撮像モジュール。
【請求項５】
上記金属膜は、上記内側配線層のうち、上記撮像手段に最も近い上記内側配線層に形成されていることを特徴とする請求項３または４に記載の撮像モジュール。
【請求項６】
上記金属膜は、上記第３の配線層の全領域に形成されていることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項に記載の撮像モジュール。
【請求項７】
上記金属膜は、金、銀、銅およびアルミニウムのいずれかからなることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１項に記載の撮像モジュール。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか１項に記載の撮像モジュールを備えていることを特徴とする撮像装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、撮像素子を備える撮像モジュールおよび撮像装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、ディジタルビデオカメラ、ディジタルスチルカメラ、モバイル通信機器などに搭載される撮像モジュールが備える撮像素子として、CMOS(complementary metal oxide semiconductor)イメージセンサーが普及している。とくにモバイル通信機器に搭載される撮像モジュールに対して、さらなる高画素化、小型化および高機能化が望まれている。現在では、小型でありながらオートフォーカス(AF)機能を搭載する撮像モジュールを、モバイル通信機器は一般的に備えている。
【０００３】
AF機能を実現する方法として、ステッピングアクチュエータ方式、ボイスコイルアアクチュエータ（VCM）方式、ピエゾアクチュエータ方式が一般的である。その中でも、小型化および制御の容易さを利点とするVCM方式の採用実績が増えている。VCM方式においては、VCMコイルに駆動電流を流すことによって磁界を発生させる。VCMコイルの外側近傍には永久磁石が配置されている。上記VCMコイルが発生する磁束と、永久磁石とが磁気的に作用することを利用して、VCM方式は、AFレンズの位置を調整および保持する。一般的にVCM方式は、駆動電流の態様に応じて、(i) 定電流（リニア）駆動法、(ii) パルス（PWM）駆動法のいずれかの駆動法を採用する。
【０００４】
リニア駆動法は、AFレンズの位置を保持するために、一定の駆動電流を常に流し続ける。すなわち、駆動電流は直流（DC）電流である。一方、PWM駆動法は、パルス駆動によってAF機能を実現する。すなわち、駆動電流としてパルス波形の電流（パルス電流）を用い、パルス電流におけるONとOFFとの時間の割合を変えることによってAFレンズの位置調整を行う。DC電流を常に供給する必要がないため、PWM駆動法は、リニア駆動法と比較して電力効率が高く、消費電力が低い。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１２−２８８４１号公報（２０１２年２月９日公開）
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上述の特徴を備える一方で、PWM駆動法は、CMOSイメージセンサーが生成する画像データが示す画像の画質を劣化させるという課題を有する。PWM駆動法は、駆動電流を比較的高い周波数によって切り替える（スイッチングを行う）ことによってAF機能を実現する。このスイッチングに起因する電気的なノイズが、CMOSイメージセンサーが生成する画像データに重畳する。言い換えれば、当該ノイズは、CMOSイメージセンサーが生成する画像データが示す画像の画質を劣化させる。
【０００７】
これに対して、特許文献１記載のノイズ発生メカニズムは、コイルから発生する磁束の変化が、CMOSイメージセンサーの画素部からの出力信号線等を貫通し、これにより信号線内で電磁誘導による磁気が発生し、その結果として、画素電荷情報の信号線等にノイズが加わってしまう場合がある。並列型ADC搭載のCMOSイメージセンサーは、水平1ライン分のAD変換を同時に行うため、このノイズが加わると水平1ライン分の全ての信号にノイズの影響が生じてしまう。この時の画像としては、横筋状のノイズとして表れるため、視覚的にもノイズの影響が目立ち、画質の低下が生じる。特許文献１の第一の方法では、画素の出力信号線に信号が通っている間だけ、画素の電荷情報が通る信号線にノイズが発生しないようにする。つまり、画素の電荷情報が通る信号線をと通っている間だけ磁束の影響を受けないように、駆動デバイスであるコイルへの駆動を止め、コイルからはっせいする磁束をなくす。また、特許文献１の第二の方法では、CDS/AD回路部の画像データは、P相出力（リセットレベル）とD相出力（信号レベル）の差分を画像信号として出力される。このためP相出力とD相出力に同じようにノイズが生じるようにAFレンズのPWM駆動周波数を調整(切り替え)することで、CDS/AD回路において、これらのノイズを相殺(キャンセル)し除去する。
【０００８】
特許文献１には、VCMコイルが発生する磁束に起因するノイズが、画像データに重畳することを抑止する技術が記載されている。特許文献１に記載されている［磁気被り現象を回避するための第１の方法］は、撮像素子の画素の電荷情報が信号線を通っている期間において、磁気被りの発生源である駆動デバイスの駆動を止める。［磁気被り現象を回避するための第２の方法］は、撮像素子の画素の電荷情報が信号線を通っている期間において、駆動デバイスの駆動周波数をノイズが少なくなるような駆動周波数に切り替える。これらの技術は、電荷情報読み出し中フラグをドライバに送信し、ドライバは電荷情報読み出し中フラグがハイの場合に駆動デバイスの動作を停止する、または、駆動周波数を切り替えるものである。したがって、撮像モジュールの内外に配設する配線が増加する、駆動デバイスの制御が複雑になる、撮像モジュールの外形サイズが大きくなる、といった課題を有する。
【０００９】
本発明は、上記課題を解決するためになされたものである。その目的は、構造および制御を複雑化させることなく、撮像素子が生成する画像データにノイズが重畳することを抑制する撮像モジュールおよび撮像装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
上記の課題を解決するために、本発明の一態様に係る撮像モジュールは、
結像手段に固結され、パルス電流によって駆動されるコイルと、複数の配線層を備える多層基板と、上記多層基板の表面であって上記コイルに対向する位置に配設されている撮像手段と、を備える撮像モジュールであって、
上記多層基板は、
上記多層基板における上記コイル側の表面層である第１の配線層に形成されている配線、上記第１の配線層とは異なる第２の配線層に形成されている配線、および、上記撮像手段を含む閉回路と、
上記第１の配線層および上記第２の配線層の間に設けられている第３の配線層に形成されており、上記閉回路を第３の配線層に投影することによって形成される閉じた領域を少なくとも覆う金属膜と、を備えていることを特徴とする。
【００１１】
上記の構成によれば、撮像モジュールは、パルス電流によって駆動されるコイルと、複数の配線層を備える多層基板と、上記コイルに対向する位置であって、上記多層基板の表面に配設されている撮像手段とを備えている。多層基板は、第１の配線層に形成されている配線、第２の配線層に形成されている配線、および、撮像手段を含む閉回路を備えている。また、多層基板は、第１の配線層および第２の配線層の間に設けられている第３の配線層に形成されている金属膜を備えている。金属膜は、第３の配線層のうち、閉回路を第３の配線層に投影することによって形成される閉じた領域を少なくとも覆うように形成されている。
【００１２】
パルス電流によって駆動されるコイルが発生する磁束は、パルス電流の波形に応じて時間的に変化する。金属膜を透過する磁束の強度が時間的に変化すると、金属膜の表面には変化する磁束と逆方向の磁束を発生する渦電流が生じる。したがって、時間的に変化する磁束は、金属膜を透過する際に弱められる。言い換えれば、金属膜は、閉回路を貫通する時間的に変化する磁束を抑制し、ひいては当該磁束に起因して閉回路に生じる起電力を抑制する。撮像素子が生成する画像データに重畳するノイズの主な原因は、時間的に変化する磁束が閉回路を貫通することによって生じる起電力であると考えられる。閉回路を貫通する時間的に変化する磁束が抑制されることによって、閉回路に生じる起電力は抑制され、撮像素子が生成する画像データに重畳するノイズは抑制される。
【００１３】
以上のように、金属膜は、第３の配線層のうち、閉回路を第３の配線層に投影することによって形成される閉じた領域に少なくとも形成されており、撮像モジュールの構造を複雑化させるものではない。また、画素の電荷情報が信号線を通っている期間に関する情報を撮像素子から取得するなど制御を複雑化することなく、撮像素子が生成する画像データに重畳するノイズを抑制可能である。したがって、本発明に係る撮像モジュールは、構造および制御を複雑化させることなく、撮像素子が生成する画像データにノイズが重畳することを抑制する効果を奏する。
【発明の効果】
【００１４】
本発明に係る撮像モジュールは、その構造および制御を複雑化させることなく、撮像素子が生成する画像データにノイズが重畳することを抑制する効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】本発明の一実施形態に係るカメラモジュールの構成を示す斜視図である。
【図２】上記カメラモジュールが備える多層基板の構成を示す上面図である。
【図３】金属膜を貫通する磁束が存在する際に生じる渦電流を示す図である。
【図４】従来のカメラモジュールの構成を示す斜視図である。
【図５】従来のカメラモジュールが備える基板の構成を示す上面図である。
【図６】上記カメラモジュールが備えるセンサーＬＳＩの構成を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
カメラモジュール１０（撮像モジュール）について、図１〜３を参照しながら詳細に説明する。図１は、カメラモジュール１０の構成を示す斜視図である。図２は、カメラモジュール１０が備える多層基板１１の構成を示す上面図である。図３は、カメラモジュール１０が備える金属膜５１の効果を説明するための図である。本実施形態において、カメラモジュール１０は、ボイスコイルアアクチュエータ（VCM）方式を採用することによってＡＦ機能を実現するカメラモジュールである。また、カメラモジュール１０は、パルス（PWM）駆動法によってコイルを駆動する。なお、カメラモジュール１０を備えるカメラ（撮像装置）も本発明の技術範疇に含まれる。
【００１７】
（カメラモジュール１０の構成）
図１に示すように、カメラモジュール１０は、多層基板１１、センサーLSI１３（撮像手段）、コイル２１および永久磁石２２を備えている。センサーＬＳＩ１３は、たとえばＣＭＯＳイメージセンサである。
【００１８】
（多層基板１１）
図１に示すように、多層基板１１は、４つの配線層を備える４層基板である。なお、多層基板１１は４層基板に限定されるものではない。たとえば３層基板であってもよいし、６層基板であってもよいし、８層基板であってもよい。多層基板１１は、第１の配線層１１ａ、第２の配線層１１ｂおよび第３の配線層１１ｃを備えている。図１に示すように、第１の配線層１１ａは、多層基板１１のコイル側の表面（最上層）に設けられている配線層である。第２の配線層１１ｂは、多層基板１１の背面（最下層）に設けられている配線層である。第３の配線層１１ｃは、多層基板１１の内側（中間層）に設けられている配線層である。第３の配線層１１ｃは、さらに、内側配線層１１ｄおよび内側配線層１１ｅを備えている。
【００１９】
多層基板１１の最上層であってコイル２１に対向する位置には、センサーＬＳＩ１３が配設されている。センサーＬＳＩ１３は、レンズユニットが結像した光を電気信号に変換し、画像データを生成する。多層基板１１が備えている回路については、図２を参照しながら後述する。
【００２０】
（コイル２１）
コイル２１は、図１に図示しない結像手段（レンズユニット）に固結されており、ＰＷＭ駆動法によって駆動されるコイルである。すなわち、コイル２１は、パルス電流によって駆動される。本実施形態において、電流波形がパルス形状である電流のことをパルス電流と表現する。パルス電流によって駆動されるため、コイル２１が発生する磁束は、時間的に変化する磁束である。コイル２１が発生する磁束と、永久磁石２２とが磁気的に相互作用することによって、レンズユニットの微調整を行い、カメラモジュール１０はＡＦ機能を実現する。
【００２１】
（基準電圧安定用回路）
カメラモジュール１０が備える多層基板１１は、基準電圧を安定化させるためのアナログ回路を備えている。図２は、多層基板１１を、コイル２１の側から見た際の上面図である。
【００２２】
多層基板１１の最上層には、センサーＬＳＩ１３および電極パッド１７ａ〜１７ｄ（第１の配線層に形成されている配線）が配設されている。電極パッド１７ａ〜１７ｄは、第１の配線層１１ａに形成されているとも表現できる。各ワイヤーボンド１５は、電極パッド１７ａおよびセンサーＬＳＩ１３、ならびに、電極１７ｄおよびセンサーＬＳＩ１３をそれぞれ接続している。本実施形態において接続するとは、互いに電気的に接触させ導通可能な状態にすることを意味する。電極パッド１７ｂと電極パッド１７ｃとは、コンデンサ１４を介して接続されている。
多層基板１１の第２の配線層１１ｂには、第１の回路配線１６ａおよび第２の回路配線１６ｂ（第２の配線層に形成されている配線）が形成されている。電極パッド１７ａおよび１７ａと、第１の回路配線１６ａとは、それぞれ貫通ビア１２を介して接続されている。同様に、電極パッド１７ｃおよび１７ｄと、第２の回路配線１６ｂとは、それぞれ貫通ビア１２を介して接続されている。以上のように、センサーＬＳＩ１３の周辺に搭載される基準電圧安定用のアナログ回路は、閉ループ回路（閉回路）を形成している。
【００２３】
（金属膜５１）
金属膜５１は、第１の配線層１１ａおよび第２の配線層１１ｂの間に設けられている第３の配線層１１ｃに形成されている。上記閉ループ回路を第３の配線層１１ｃに投影することによって形成される閉じた領域に少なくとも形成されている。すなわち、金属膜５１は、多層基板１１を上面視した際に、上記閉ループ回路が形成する閉じた領域を少なくとも覆うように形成されている。言い換えれば、金属膜５１は、上記閉ループが形成する閉じた領域よりも少なくとも広い領域に形成されている。金属膜５１は、第２の配線層１１ｂの全領域を覆う膜（ベタ膜）として形成されていてもよい。
【００２４】
図１に示すように、第３の配線層１１ｃは、内側導電層１１ｄおよび１１ｅを備えている。金属膜５１は、内側配線層１１ｄおよび１１ｅのいずれか一方に形成されていてもよいし、その両方に形成されていてもよい。金属膜５１が内側配線層１１ｄおよび１１ｅのいずれか一方に形成されている場合、金属膜５１は、センサーＬＳＩ１３を接地するためのグランド配線に接続されていてもよいし、センサーＬＳＩ１３に電源を供給するための電源配線に接続されていてもよい。金属膜５１が内側配線層１１ｄおよび１１ｅのいずれか一方に形成されている場合、金属膜５１は内側配線層１１ｄに形成されていることがより好ましい。金属膜５１が内側配線層１１ｄに形成されていることによって、多層基板１１の最表面により近い位置において磁束を抑制することが可能であるからである。言い換えれば、多層基板１１の内側に侵入する磁束を、より効果的に抑制することが可能である。
【００２５】
金属膜５１が内側配線層１１ｄおよび１１ｅの両方に形成されている場合、一方の金属膜５１はグランド配線に接続されており、もう一方の金属膜５１は電源配線に接続されていることが好ましい。後述するように、金属膜５１は、時間的に変化する磁束を抑制する効果を有する。内側配線層１１ｄおよび１１ｅに、それぞれ金属膜５１が形成されていることによって、上記閉ループ回路を貫通する磁束をより効果的に抑制可能である。
【００２６】
金属膜５１は、金、銀、銅およびアルミニウムのいずれかの材料からなることが好ましい。金、銀、銅およびアルミニウムは高い誘電率を有する。したがって、金属膜５１は、時間的に変化する磁束に対して、高い電流値の渦電流を形成する。言い換えれば、金属膜５１は、コイル２１が発生する磁束を効果的に抑制することが可能である。また、渦電流の電流値は、金属膜５１の膜厚に比例する。したがって、金属膜５１の膜厚が厚い方が、発生する渦電流の電流値が大きくなる。すなわち、より効果的に電磁力線３１を打ち消すことが可能となる。
【００２７】
（金属膜５１の効果）
図１および３を参照しながら、金属膜５１によって得られる、時間的に変化する磁束を抑制する効果について以下に説明する。図１に示すように、カメラモジュール１０が備えるコイル２１には、パルス波形を有するコイル電流２３が供給される。コイル２１の内部をコイル電流２３が流れることによって、コイル２１は、その周囲に磁束を発生する。コイル２１が発生する磁束は、コイル電流２３のパルス波形に応じて変化する。
【００２８】
図１においては、コイル２１が発生する磁束を、電磁力線３１として表示している。コイル２１が発生する磁束は、本来、コイル２１の周囲において閉曲線を形成する。しかし、本実施形態においては、磁束のうち、コイル２１の内側に発生し、多層基板１１の最表面に対して垂直方向の成分のみを電磁力線３１として図１に示している。
【００２９】
図３は、金属膜５１が、時間的に変化する磁束を抑制する（打ち消す）様子を示す図である。金属膜５１を貫通する電磁力線３１が存在し、電磁力線３１の数または方向が変化すると、金属膜５１には、当該変化を打ち消す電磁力線３２を発生するために渦電流３３が流れる。その結果、金属膜５１を貫通する電磁力線は、電磁力線３１および電磁力線３２を合成したものとなり、電磁力線３１より抑制される。すなわち、金属膜５１は、時間的に変化する電磁力線３１（磁束）を抑制する効果を奏する。なお、渦電流３３は、金属膜５１を貫通する磁束が時間的に変化する場合に、その変化を打ち消す方向に生じ、その大きさは磁束の変化の周波数に比例する。したがって、コイル電流２３の周波数は高い方が好ましい。コイル電流２３はパルス電流であるので、周波数を、単位時間内にONとOFFとが切り替えられる回数と言い換えてもよい。
【００３０】
金属膜５１は、第１の配線層１１ａおよび第２の配線層１１ｂの間に設けられている第３の配線層１１ｃに形成されている。したがって、上記閉ループ回路を貫通する磁束のうち時間変動する磁束は、金属層５１によって抑制される（打ち消される）。後述するように、センサーＬＳＩ１３が備える撮像素子から画像データを読み出す際に、画像データに重畳するノイズの主な原因は、上記閉ループ回路を貫通する磁束のうち時間変動する磁束である。金属膜５１は、閉ループ回路を貫通する磁束のうち時間変動する磁束を抑制可能なため、上記画像データに重畳するノイズを抑制可能である。
【００３１】
（比較例）
図４および５を参照しながら、従来の金属膜５１を備えないカメラモジュール１１０について説明する。図４は、カメラモジュール１１０の構成を示す斜視図である。図４に示すように、カメラモジュール１１０は、カメラモジュール１０と同様に、多層基板１１１、センサーＬＳＩ１１３、コイル１２１および永久磁石１２２を備えている。多層基板１１１は、第１の配線層１１１ａおよび第２の配線層１１１ｂを備えている。第１の配線層１１１ａは、多層基板１１１におけるコイル１２１側の最表面に形成されている配線層である。
【００３２】
図５は、多層基板１１１を、コイル１２１の側から見た際の上面図である。多層基板１１１の表面には、センサーＬＳＩ１１３、第１の回路配線１１６ａおよび第２の回路配線１１６ｂが配設されている。第１の回路配線１１６ａおよびセンサーＬＳＩ１１３、ならびに、第２の回路配線１１６ｂおよびセンサーＬＳＩ１１３は、それぞれワイヤーボンド１１５によって接続されている。また、第１の回路配線１１６ａおよび第２の回路配線１１６ｂは、コンデンサ１１４を介して接続されている。以上のように、多層基板１１１の表面には、センサーＬＳＩ１１３を含む閉ループ回路が形成されている。
【００３３】
上述の通り、カメラモジュール１１０は金属膜５１を備えていない。すなわち、上記閉ループ回路と、コイル１２１との間に金属膜５１は存在せず、コイル１２１が発生する電磁力線１３１は、そのまま上記閉ループ回路を貫通する。ここで、コイル１２１が発生する電磁力線１３１は、時間的に変化する電磁力線である。閉ループ回路を貫通する磁束が変化すると、閉ループ回路には起電力Ｅが発生する。これはファラデーの電磁誘導の法則として知られており、Ｅ＝−ｄΦＢ／ｄｔと表される。ここでΦＢは磁束を表し、単位はＷｂ（ウェーバー）である。起電力Ｅの単位はＶ（ボルト）である。
【００３４】
カメラモジュール１１０においては、この電磁誘導に起因する起電力Ｅが、撮像素子が生成する画像データにノイズが重畳することを防ぐことができない。
【００３５】
（センサーＬＳＩ）
図６を参照しながら、カメラモジュール１０およびカメラモジュール１１０が備えるセンサーＬＳＩの構成について説明する。カメラモジュール１０が備えるセンサーＬＳＩ１３は、本発明に特徴的な構成を有するものではなく、カメラモジュール１１０が備えるセンサーＬＳＩ１１３と同様である。ここでは、センサーＬＳＩ１１３を例にして説明する。
【００３６】
センサーＬＳＩ１１３は、撮像素子１１３１、カラムＣＤＳ／ＡＤＣ部１１３２、信号処理部１１３３、出力部１１３４、ＰＬＬ１１３５、タイミング制御部１１３６および基準電圧部１１３７を備える。センサーＬＳＩ１１３には、電源配線から、上述の各部を動作させるために必要な電源が供給される。電源配線から入力される電源は、図示しない配線によって適宜、上述の各部に供給される。一方、基準電圧部１１３７は、コンデンサ１１４を介してグランド（ＧＮＤ）に接続されている。基準電圧部１１３７は、撮像素子１１３１から電気信号を読み出す際の基準となる電圧を安定化する手段である。また、ＰＬＬ１１３５には画像データを読み出すタイミングを制御するクロックが入力される。タイミング制御部１１３６は、入力されたクロックに基づいて、撮像素子１１３１、カラムＣＤＳ／ＡＤＣ部１１３２、信号処理部１１３３および出力部１１３４を制御する。撮像素子１１３１は、光信号を電気信号に変換して出力する。カラムＣＤＳ／ＡＤＣ部１１３２および信号処理部１１３３は、当該電気信号を適宜処理することによって、画像を表す画像データを生成する。出力部１１３４は、当該画像データを出力する。
【００３７】
（まとめ）
本発明の一態様に係る撮像モジュールは、
結像手段に固結され、パルス電流によって駆動されるコイルと、複数の配線層を備える多層基板と、上記多層基板の表面であって上記コイルに対向する位置に配設されている撮像手段と、を備える撮像モジュールであって、
上記多層基板は、
上記多層基板における上記コイル側の表面層である第１の配線層に形成されている配線、上記第１の配線層とは異なる第２の配線層に形成されている配線、および、上記撮像手段を含む閉回路と、
上記第１の配線層および上記第２の配線層の間に設けられている第３の配線層に形成されており、上記閉回路を第３の配線層に投影することによって形成される閉じた領域を少なくとも覆う金属膜と、を備えていることを特徴とする。
【００３８】
上記の構成によれば、撮像モジュールは、パルス電流によって駆動されるコイルと、複数の配線層を備える多層基板と、上記コイルに対向する位置であって、上記多層基板の表面に配設されている撮像手段とを備えている。多層基板は、第１の配線層に形成されている配線、第２の配線層に形成されている配線、および、撮像手段を含む閉回路を備えている。また、多層基板は、第１の配線層および第２の配線層の間に設けられている第３の配線層に形成されている金属膜を備えている。金属膜は、第３の配線層のうち、閉回路を第３の配線層に投影することによって形成される閉じた領域を少なくとも覆うように形成されている。
【００３９】
パルス電流によって駆動されるコイルが発生する磁束は、パルス電流の波形に応じて時間的に変化する。金属膜を透過する磁束の強度が時間的に変化すると、金属膜の表面には変化する磁束と逆方向の磁束を発生する渦電流が生じる。したがって、時間的に変化する磁束は、金属膜を透過する際に弱められる。言い換えれば、金属膜は、閉回路を貫通する時間的に変化する磁束を抑制し、ひいては当該磁束に起因して閉回路に生じる起電力を抑制する。撮像素子が生成する画像データに重畳するノイズの主な原因は、時間的に変化する磁束が閉回路を貫通することによって生じる起電力であると考えられる。閉回路を貫通する時間的に変化する磁束が抑制されることによって、閉回路に生じる起電力は抑制され、撮像素子が生成する画像データに重畳するノイズは抑制される。
【００４０】
以上のように、金属膜は、第３の配線層のうち、閉回路を第３の配線層に投影することによって形成される閉じた領域に少なくとも形成されており、撮像モジュールの構造を複雑化させるものではない。また、画素の電荷情報が信号線を通っている期間に関する情報を撮像素子から取得するなど制御を複雑化することなく、撮像素子が生成する画像データに重畳するノイズを抑制可能である。したがって、本発明に係る撮像モジュールは、構造および制御を複雑化させることなく、撮像素子が生成する画像データにノイズが重畳することを抑制する効果を奏する。
【００４１】
さらに、本発明の一態様に係る撮像モジュールにおいて、上記金属膜は、電源配線またはグランド配線に接続されていることが好ましい。
【００４２】
上記の構成によれば、金属膜は、電源配線またはグランド配線に接続されている。電源配線にはボルトオーダーの高い電圧が印加されている。したがって、渦電流に起因する起電力が生じても、電源配線に印加されている電圧は大きな影響を受けない。一方、グランド配線はグランドに接地されている配線である。したがって、渦電流に起因する起電力が生じても、グランド配線の電圧はグランドレベルのままである。以上のように、金属膜が電源配線またはグランド配線に接続されていることによって、時間的に変化する磁束を抑制する際に生じる渦電流に起因する起電力の影響を受けにくい。したがって、撮像素子が生成する画像データにノイズが重畳することを、より効果的に抑制可能である。
【００４３】
さらに、本発明の一態様に係る撮像モジュールにおいて、上記第３の配線層は、少なくとも２つの内側配線層をさらに備え、上記金属膜は、上記内側配線層のうちいずれかの内側配線層に形成されていることが好ましい。
【００４４】
上記の構成によれば、多層基板は、少なくとも４つの配線層（第１の配線層、第２の配線層、および、少なくとも２つの内側配線層）を備えている。このように４層以上の多層基板を用いる場合であっても、撮像素子が生成する画像データにノイズが重畳することを効果的に抑制可能である。
【００４５】
さらに、本発明の一態様に係る撮像モジュールにおいて、上記第３の配線層は、少なくとも２つの内側配線層をさらに備え、上記金属膜は、上記内側配線層のうち２つの内側配線層にそれぞれ形成されており、一方の上記金属膜は電源配線に接続されており、他方の上記金属膜はグランド配線に接続されていてもよい。
【００４６】
上記の構成によれば、多層基板は、電源配線に接続されている金属膜と、グランド配線に接続されている金属膜とを備えている。２つの金属膜を備えることによって、時間的に変化する磁束をより効果的に抑制可能である。したがって、撮像素子が生成する画像データにノイズが重畳することをより効果的に抑制する効果を奏する。
【００４７】
さらに、本発明の一態様に係る撮像モジュールにおいて、上記金属膜は、上記内側配線層のうち、上記撮像手段に最も近い上記内側配線層に形成されていてもよい。
【００４８】
上記の構成によれば、金属膜は、内側配線層のうち撮像手段に最も近い内側配線層に形成されているため、時間的に変化する磁束が、多層基板の内部に侵入することを抑制可能である。
【００４９】
さらに、本発明の一態様に係る撮像モジュールにおいて、上記金属膜は、上記第３の配線層の全領域に形成されていてもよい。
【００５０】
上記の構成によれば、金属膜は、上記第３の配線層の全領域に形成されている。したがって、金属膜は、第２の配線層に形成されている全ての配線に対して磁束が及ぼす影響を抑制可能である。
【００５１】
さらに、本発明の一態様に係る撮像モジュールにおいて、上記金属膜は、金、銀、銅、アルミニウムのいずれかからなることが好ましい。
【００５２】
上記の構成によれば、金属膜は、金、銀、銅およびアルミニウムのいずれかからなる。金、銀、銅およびアルミニウムのいずれかからなる金属膜は、貫通する磁束が時間的に変化する際に大きな渦電流を発生する。したがって、より効果的に時間的に変化する磁束を抑制することができる。
【００５３】
本発明の一態様に係る撮像装置は、上記撮影モジュールを備えていることを特徴とする。
【００５４】
上記の構成によれば、撮像装置は、上述の撮像モジュールと同様の効果を奏する。
【００５５】
本発明は上述した各実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能であり、異なる実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を適宜組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。さらに、各実施形態にそれぞれ開示された技術的手段を組み合わせることにより、新しい技術的特徴を形成することができる。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
本発明は、被写体を撮影することによって画像データを生成する撮像モジュールおよび撮像装置に好適に利用可能である。
【符号の説明】
【００５７】
１０    カメラモジュール
１１    多層基板
１１ａ  第１の配線層
１１ｂ  第２の配線層
１１ｃ  第３の配線層
１１ｄ  内側配線層
１１ｅ  内側配線層
１２    貫通ビア
１３    センサーＬＳＩ
１４    コンデンサ
１５    ワイヤーボンド
２１    コイル
２２    永久磁石
２３    コイル電流
３１    電磁力線
３２    電磁力線
５１    金属膜
【図１】
2014082682.tif 000003
【図２】
2014082682.tif 000004
【図３】
2014082682.tif 000005
【図４】
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【図５】
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【図６】
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