Podtech/llm-jp-corpus-v4-ja_patent huggingface dataset:
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月26日(2021.5.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多値画像から圧縮画像ファイルを生成する画像処理装置であって、
前記多値画像から文字のエッジを検出する第１の検出部と、
前記第１の検出部の検出結果を用いて、前記多値画像に含まれる文字のエッジを強調したエッジ強調画像を生成するエッジ強調部と、
前記エッジ強調画像から文字領域を検出する第２の検出部と、
前記圧縮画像ファイルの生成に関する複数のモードの中から、一のモードの選択を受け付ける受付部と、
前記多値画像を文字画像と背景画像とに分離する分離部であって、前記複数のモードのうち第１のモードの選択を受け付けた場合は、前記第１の検出部の検出結果に基づいて前記多値画像を第１の文字画像と第１の背景画像とに分離し、前記複数のモードのうち第２のモードの選択を受け付けた場合は、少なくとも前記第２の検出部の検出結果に基づいて前記多値画像を第２の文字画像と第２の背景画像とに分離する分離部と、
分離された前記第１の文字画像及び背景画像、又は分離された前記第２の文字画像及び背景画像を用いて、前記多値画像に対応する圧縮画像ファイル生成する生成部と、
を備える画像処理装置。
【請求項２】
ネットワークインターフェースを更に有し、
前記多値画像は、前記ネットワークインターフェースを介して入力される
請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記生成部で生成された圧縮画像ファイルを前記ネットワークインターフェースを介して送信する
請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
スキャナをさらに有し、
前記多値画像は、前記スキャナで読み取られた画像である
請求項１乃至３のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記受付部は、前記複数のモードの中から一のモードの選択を受け付ける選択画面を介して、前記一のモードの選択を受け付ける
請求項１乃至４のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記選択画面を表示する表示部をさらに有する
請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記圧縮画像ファイルは、高圧縮ＰＤＦファイルである
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
多値画像から圧縮画像ファイルを生成するコンピュータを、
前記多値画像から文字のエッジを検出する第１の検出部と、
前記第１の検出部の検出結果を用いて、前記多値画像に含まれる文字のエッジを強調したエッジ強調画像を生成するエッジ強調部と、
前記エッジ強調画像から文字領域を検出する第２の検出部と、
前記圧縮画像ファイルの生成に関する複数のモードの中から、一のモードの選択を受け付ける受付部と、
前記多値画像を文字画像と背景画像とに分離する分離部であって、前記複数のモードのうち第１のモードの選択を受け付けた場合は、前記第１の検出部の検出結果に基づいて前記多値画像を第１の文字画像と第１の背景画像とに分離し、前記複数のモードのうち第２のモードの選択を受け付けた場合は、少なくとも前記第２の検出部の検出結果に基づいて前記多値画像を第２の文字画像と第２の背景画像とに分離する分離部と、
分離された前記第１の文字画像及び背景画像、又は分離された前記第２の文字画像及び背景画像を用いて、前記多値画像に対応する圧縮画像ファイル生成する生成部、
として機能させるためのプログラム。
【請求項９】
前記コンピュータは、
ネットワークインターフェースを更に有し、
前記多値画像は、前記ネットワークインターフェースを介して入力される
請求項８に記載のプログラム。
【請求項１０】
前記生成部で生成された圧縮画像ファイルを前記ネットワークインターフェースを介して送信する
請求項９に記載のプログラム。
【請求項１１】
前記コンピュータは、
スキャナをさらに有し、
前記多値画像は、前記スキャナで読み取られた画像である
請求項８乃至１０のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項１２】
前記受付部は、前記複数のモードの中から一のモードの選択を受け付ける選択画面を介して、前記一のモードの選択を受け付ける
請求項８乃至１１のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項１３】
前記コンピュータは、
前記選択画面を表示する表示部をさらに有する
請求項１２に記載のプログラム。
【請求項１４】
前記圧縮画像ファイルは、高圧縮ＰＤＦファイルである
請求項８乃至１３のいずれか一項に記載のプログラム。
【請求項１５】
多値画像から圧縮画像ファイルを生成する画像処理方法であって、
第１の検出部が、前記多値画像から文字のエッジを検出するステップと、
エッジ強調部が、前記第１の検出部の検出結果を用いて、前記多値画像に含まれる文字のエッジを強調したエッジ強調画像を生成するステップと、
第２の検出部が、前記エッジ強調画像から文字領域を検出するステップと、
受付部が、前記圧縮画像ファイルの生成に関する複数のモードの中から、一のモードの選択を受け付けるステップと、
分離部が、前記多値画像を文字画像と背景画像とに分離する分離部であって、前記複数のモードのうち第１のモードの選択を受け付けた場合は、前記第１の検出部の検出結果に基づいて前記多値画像を第１の文字画像と第１の背景画像とに分離し、前記複数のモードのうち第２のモードの選択を受け付けた場合は、少なくとも前記第２の検出部の検出結果に基づいて前記多値画像を第２の文字画像と第２の背景画像とに分離するステップと、
生成部が、分離された前記第１の文字画像及び背景画像、又は分離された前記第２の文字画像及び背景画像を用いて、前記多値画像に対応する圧縮画像ファイル生成するステップと、
を備える画像処理方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
上述した課題を解決するために、本発明は、多値画像から圧縮画像ファイルを生成する画像処理装置であって、前記多値画像から文字のエッジを検出する第１の検出部と、前記第１の検出部の検出結果を用いて、前記多値画像に含まれる文字のエッジを強調したエッジ強調画像を生成するエッジ強調部と、前記エッジ強調画像から文字領域を検出する第２の検出部と、前記圧縮画像ファイルの生成に関する複数のモードの中から、一のモードの選択を受け付ける受付部と、前記多値画像を文字画像と背景画像とに分離する分離部であって、前記複数のモードのうち第１のモードの選択を受け付けた場合は、前記第１の検出部の検出結果に基づいて前記多値画像を第１の文字画像と第１の背景画像とに分離し、前記複数のモードのうち第２のモードの選択を受け付けた場合は、少なくとも前記第２の検出部の検出結果に基づいて前記多値画像を第２の文字画像と第２の背景画像とに分離する分離部と、分離された前記第１の文字画像及び背景画像、又は分離された前記第２の文字画像及び背景画像を用いて、前記多値画像に対応する圧縮画像ファイル生成する生成部と、を備える。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年6月14日(2021.6.14)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９２
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９２】
[0126]いくつかの実施形態では、前腕１３０、マスト、および肘の少なくとも１つに取り付けられた１つまたは複数の非接触センサ（図示せず）が、極基準座標フレームにおける作業空間内の物体および／または表面に対する距離および方位角または方位としての物体測定値を報告する。いくつかの実施形態では、制御システム１０００は、ｘ、ｙ、ｚの直交基準座標フレームにおける作業空間内の物体および／または表面を計算して表示する。これは、オペレータが作業空間をより直感的に３次元で表示できるように行われ、理解および視覚化が容易になる。このように、いくつかの実施形態では、非接触センサデータは、それが使用される前に直交基準座標フレームに変換されることになる。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９３
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９３】
[0127]極基準座標フレームから直交基準座標フレームへの標準的な変換は、
ｘｍ＝ｒｍｃｏｓθｍおよびｙｍ＝ｒｍｓｉｎθｍ，          （１）
であり、ここで、ｒｍとθｍは、それぞれ極基準座標フレームにおけるセンサターゲットの距離と方位であり、ｘｍとｙｍは、それぞれ変換された直交座標フレームにおけるダウンレンジ（downrange）およびクロスレンジ（cross range）の座標である。ただし、測定値、平均および分散の統計値を扱う場合、極座標フレームから直交座標フレームへ直接変換するために上記の式を使用することはできない。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９４
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９４】
[0128]しかし、距離および方位の測定値における分散に関して測定値の不確実性が懸念される場合は、変換に追加の手順を検討する必要がある。変換中の分散の場合、標準変換は完全な楕円の誤差包絡線を生成しない。そうするために、（式１）から差し引かれて、距離および方位の測定値のより良好な値を得ることができるバイアス除去（debiased）補正項が存在してもよい。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９５】
[0129]標準的な変換のバイアスを取り除くことは、一般的に当該技術分野において十分に理解されており、十分に公表され、説明されている。以下の式は、極座標フレームから直交座標フレームへのバイアス除去変換を与える：
【数１】
2017209781.tif 000001
ここで、ｘｄｃとｙｄｃは、センサターゲットの最終的なダウンレンジおよびクロスレンジのバイアス除去変換座標であり、
【数２】
2017209781.tif 000002
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００９６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００９６】
[0130]ダウンレンジおよびクロスレンジの座標についての共分散行列Ｒａは、
【数３】
2017209781.tif 000003
であり、ここで、σｒ２とσθ２は、それぞれセンサの極基準座標フレームにおける距離および方位の分散である。
【誤訳訂正６】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ロボットアームの展開および制御システムであって、
肘によって連結された少なくとも２つのセグメントを含むロボットアームであって、第１のセグメントが垂直マストとして動作可能に構成され、第２のセグメントが作業端部からツールを展開するように動作可能に構成された、ロボットアームと、
カム経路を備えるマスト展開システムであって、前記カム経路が、作業空間への展開中に前記第１のセグメントおよび前記第２のセグメントを垂直に維持させる、マスト展開システムと、
前記作業空間内に含まれる物体に対する距離および方位を極座標で測定するために前記第２のセグメントに取り付けられた非接触センサと、
前記第２のセグメントの前記作業端部に取り付けられ、少なくとも３つの加速度計と３つのレートセンサとを備える動的測定ユニットであって、ローカル直交座標系で動作するように構成された６自由度３軸センサとして動作可能に構成された動的測定ユニットと、
前記作業空間にグローバル直交基準座標フレームを適用し、
前記非接触センサの第１のローカル位置からの前記極座標および前記動的測定ユニットの第２のローカル位置からの直交座標を受信し、
前記極座標を直交座標形式に変換し、前記非接触センサからの前記変換した座標および前記動的測定ユニットからの前記直交座標を前記グローバル直交基準座標フレームに関連付ける
ように動作可能に構成された、コントローラと、
を備える、ロボットアームの展開および制御システム。
【請求項２】
極座標から直交座標形式への前記変換中に、バイアス除去項が変換における誤差を軽減するために使用される、請求項１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【請求項３】
前記コントローラが、前記作業空間の３次元マップを作成するようにさらに動作可能に構成されている、請求項１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【請求項４】
前記第１のセグメントおよび前記第２のセグメントのうちの少なくとも１つが、伸長可能である、請求項１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【請求項５】
前記第２のセグメントが垂直から１８０度上方に曲がる、請求項１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【請求項６】
前記第１のセグメントが３６０度回転する、請求項１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【請求項７】
前記非接触センサが、前記第２のセグメントの前記作業端部に取り付けられている、請求項１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【請求項８】
１つの加速度計および１つのレートセンサが、前記ローカル直交座標系の各軸線に沿った方向に向けられている、請求項１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【請求項９】
前記非接触センサおよび前記動的測定ユニットが、前記ローカル直交座標系の各軸線に沿った方向に向けられている、請求項１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【請求項１０】
前記動的測定ユニットが、前記非接触センサと一緒に配置されている、請求項１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【請求項１１】
前記コントローラが、前記作業空間内の１つまたは複数の表面からオフセットされた第１の仮想障壁を確立するようにさらに構成され、前記第１の仮想障壁が前記ロボットアームの動きを制限する、請求項１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【請求項１２】
前記コントローラが、前記第１の仮想障壁からオフセットされた第２の仮想障壁を確立するようにさらに構成され、前記第２の仮想障壁が、前記ロボットアームが接近したとき、警告および触覚フィードバックのうちの少なくとも１つをオペレータに送信し、前記触覚フィードバックが抵抗の形態であり、前記ロボットアームが前記第１の仮想障壁に近づくにつれて前記抵抗が増加する、請求項１１に記載のロボットアームの展開および制御システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月6日(2021.1.6)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
電力機器によって、第１の電圧レベル及び第１の電流レベルである入力電力を太陽光発電装置から引き込むことと、
前記電力機器の出力において出力電力を提供することと、
前記太陽光発電装置の出力を短絡することなく、前記入力電力の電圧及び電流を、前記出力電力の少なくとも一部を維持しながらアークが消されるレベルにまで低下させることと、
所定期間待機することと、
前記所定期間の経過に応答して、前記入力電力の前記電圧を上昇させることと、を含む、方法。
【請求項２】
前記電力機器は、太陽光発電インバータである、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記電力機器は、直流から直流への電力コンバータである、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記電力機器は、複数の太陽光発電装置から前記入力電力を引き込むシステム電力機器である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
【請求項５】
第１の測定値を取得するために電気システムにおける電気ノイズを測定することと、ここで、前記電気システムは、出力電力を負荷に送るように動作しており、
前記第１の測定値を第１の閾値と比較することと、
前記電気システムの出力を短絡することなく、前記第１の測定値が前記第１の閾値よりも大きいという判定に応答して、前記電気システムの出力電力の少なくとも一部を維持しながら、前記電気システムの電圧及び電流を低下させることと、
前記電圧及び前記電流の前記低下後に、第２の測定値を取得するために前記電気システムにおける電気ノイズを測定することと、
前記第２の測定値に基づいて、警報条件を設定するか否かを判定することと、を含む、方法。
【請求項６】
前記警報条件を設定するか否かの前記判定は、前記第１の測定値と前記第２の測定値との間の差が第２の閾値より大きくないと判定することをさらに含み、前記方法は、前記電気システムの前記電圧を上昇させることをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記警報条件を設定するか否かの前記判定は、前記第１の測定値と前記第２の測定値との間の差が第２の閾値より大きいと判定することをさらに含み、前記方法は、前記警報条件を設定することをさらに含む、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
電力機器であって、
前記電力機器が、
第１の電圧レベル及び第１の電流レベルである入力電力を太陽光発電装置から引き込むことと、
前記電力機器の出力において出力電力を提供することと、
前記太陽光発電装置の出力を短絡することなく、前記入力電力の電圧及び電流を、前記出力電力の少なくとも一部を維持しながらアークが消されるレベルにまで低下させることと、
所定期間待機することと、
前記所定期間の経過に応答して、前記入力電力の前記電圧を上昇させることと、
を引き起こすように構成された１つ以上のコントローラを備える、電力機器。
【請求項９】
前記電力機器は、太陽光発電装置インバータである、請求項８に記載の電力機器。
【請求項１０】
前記電力機器は、直流から直流への電力コンバータである、請求項８に記載の電力機器。
【請求項１１】
前記電力機器は、複数の太陽光発電装置から前記入力電力を引き込むシステム電力機器である、請求項８〜１０のいずれか１項に記載の電力機器。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月17日(2020.11.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
少なくとも１つのプロセッサと、実行されたとき、認証エージェントエンティティを設ける命令を格納するメモリとを含む装置であって、
ネットワークを介して、ネットワーク装置に設けられた前記認証エージェントエンティティによって、ユーザ装置からのホストへの接続要求を受信し、
前記接続要求を受信したことに応答して、前記認証エージェントエンティティによって、前記ユーザ装置の少なくとも一つのユーザ役割を決定し、
前記認証エージェントエンティティによって、一時的認証子を、決定した前記少なくとも一つのユーザ役割に基づいて認証装置から取得し、
前記認証エージェントエンティティによって、前記接続要求に基づいて、取得した前記一時的認証子を使用して前記ホストの認証を実行する、ように構成された装置。
【請求項２】
認証局を設けるように構成された装置から前記一時的認証子を取得するように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記一時的認証子を前記メモリに格納し、前記接続要求の受信に応答して、決定した前記少なくとも一つのユーザ役割に基づいて、前記メモリから前記一時的認証子を取り出すように構成された、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記メモリは、揮発性メモリを含む、請求項３に記載の装置。
【請求項５】
前記一時的認証子は、証明書を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記証明書は、他の一時的認証子の公開鍵部分の少なくとも一部を含む、請求項５に記載の装置。
【請求項７】
前記一時的認証子は、他の制限を有し、前記他の制限は、前記一時的認証子を使用することができる回数の制限及び／又は前記一時的認証子の使用の制限を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
取得した前記一時的認証子を使用して第２認証子を取得するように更に構成され、前記第２認証子は、前記一時的認証子の少なくとも一部に基づいている、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記第２認証子は、一時的なキーペア及び少なくとも１以上の永続的認証子の使用に基づいている、請求項８に記載の装置。
【請求項１０】
前記認証エージェントエンティティは、前記認証装置と異なる、請求項１に記載の装置。
【請求項１１】
取得した前記一時的認証子は、有効期間に関連する、請求項１に記載の装置。
【請求項１２】
ネットワーク装置に設けられた認証エージェントエンティティによってホストに対してユーザ装置を認証する方法であって、
ネットワークを介して、前記認証エージェントエンティティによって前記ユーザ装置からの前記ホストへの接続要求を受信するステップと、
受信した前記接続要求に応答して、前記認証エージェントエンティティによって前記ユーザ装置の少なくとも一つのユーザ役割を決定するステップと、
前記認証エージェントエンティティによって、一時的認証子を、決定した前記少なくとも一つのユーザ役割に基づいて認証装置から取得するステップと、
前記認証エージェントエンティティによって、前記接続要求に基づいて、取得した前記一時的認証子を使用して前記ホストに対して前記ユーザ装置を認証するステップと、を含み、
前記認証エージェントエンティティは、前記認証装置と異なる、方法。
【請求項１３】
前記一時的認証子を取得するステップは、前記一時的認証子を生成することを含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１４】
前記一時的認証子をメモリに格納することを含む、請求項１２に記載の方法であって、前記取得するステップは、前記メモリから前記一時的認証子を取り出すことを含む、方法。
【請求項１５】
前記一時的認証子は、証明書を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１６】
前記証明書は、他の一時的認証子の公開鍵部分の少なくとも一部を含む、請求項１５に記載の方法。
【請求項１７】
前記一時的認証子は、他の制限を有し、前記他の制限は、前記一時的認証子を使用することができる回数の制限及び／又は前記一時的認証子の使用の制限を含む、請求項１２に記載の方法。
【請求項１８】
前記一時的認証子は、一時的なキーペア及び少なくとも１以上の永続的認証子の使用に基づいている、請求項１２に記載の方法。
【請求項１９】
コンピュータ化されたネットワーク内のホストと前記ホストへのアクセスを要求する装置との間の認証エージェントのセキュリティ方法のための命令を、プロセッサに実行させるためのプログラムコードを含む非一時的なコンピュータ可読媒体であって、実行される前記セキュリティ方法は、
前記コンピュータ化されたネットワークを介して、ネットワーク装置に設けられた前記認証エージェントによって、ユーザの装置からのホストへの接続要求を受信するステップと、
受信した前記接続要求に応答して、前記認証エージェントによって、前記ユーザの少なくとも一つのユーザ役割を決定するステップと、
前記認証エージェントによって、一時的認証子を、決定した前記少なくとも一つのユーザ役割に基づいて認証装置から取得するステップと、
前記認証エージェントによって、前記接続要求に基づいて、取得した前記一時的認証子を使用して前記ホストに対して前記ユーザの装置を認証するステップと、を含む、非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項２０】
実行される前記セキュリティ方法は、前記一時的認証子を前記ネットワーク装置のメモリに格納することを含み、前記取得するステップは、前記メモリから前記一時的認証子を取り出すことを含む、請求項１９に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項２１】
前記メモリは、揮発性メモリを含む、請求項２０に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【請求項２２】
前記一時的認証子は、証明書を含む、請求項１９に記載の非一時的なコンピュータ可読媒体。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月26日(2021.3.26)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
始動口への入球に基づいて抽選を行い、該抽選の結果に基づいて利益を付与する遊技機であって、
前記始動口が設けられる遊技領域が形成された遊技盤と、
前記遊技盤とは別部品からなる装飾部材と、
当該遊技機に装着される前記遊技盤と前記装飾部材との対応関係を判定する判定手段と、
所定条件の成立に基づいて、前記遊技盤に設けられる盤発光部と、前記装飾部材に設けられる別発光部とを特別態様で発光させて、前記盤発光部および前記別発光部を用いた特別協働発光を現出させる特別協働発光実行手段と、
を備え、
前記判定手段によって当該遊技機に装着される前記遊技盤と前記装飾部材との対応関係が正常でないと判定された場合には、前記所定条件が成立したとしても前記特別協働発光を現出させないようにした
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００２】
従来、表示手段で図柄を変動表示して表示結果が特定の表示結果となった場合に所定の遊技価値を付与する遊技機がある。この種の遊技機には複数の装飾体が設けられ、表示手段の表示に関連して様々な態様で動作するようになっている。このような遊技機においては、複数の発光体を用いてレインボー態様で発光させる遊技機が提案されている（特許文献１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、例えば、レインボー態様での発光に関与する部材に何らかの不具合がある場合には、その部材がレインボー態様での発光に関与することができず、レインボー態様での発光が不完全な態様で実行され、結果として遊技興趣の低下を招いてしまう虞がある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記した目的を達成するために、請求項１に係る発明においては、
始動口への入球に基づいて抽選を行い、該抽選の結果に基づいて利益を付与する遊技機であって、
前記始動口が設けられる遊技領域が形成された遊技盤と、
前記遊技盤とは別部品からなる装飾部材と、
当該遊技機に装着される前記遊技盤と前記装飾部材との対応関係を判定する判定手段と、
所定条件の成立に基づいて、前記遊技盤に設けられる盤発光部と、前記装飾部材に設けられる別発光部とを特別態様で発光させて、前記盤発光部および前記別発光部を用いた特別協働発光を現出させる特別協働発光実行手段と、
を備え、
前記判定手段によって当該遊技機に装着される前記遊技盤と前記装飾部材との対応関係が正常でないと判定された場合には、前記所定条件が成立したとしても前記特別協働発光を現出させないようにした
ことを特徴とする。
また、本願発明とは別の発明として以下の発明を参考的に開示する。
始動口への入球に基づいて抽選を行い、該抽選の結果に基づいて利益を付与する遊技機であって、
前記始動口が設けられる遊技領域が形成された遊技盤と、
前記遊技盤とは別部品からなる装飾部材と、
当該遊技機に装着される前記遊技盤と前記装飾部材との対応関係を判定する判定手段と、
前記抽選における当り確率を、設定変更操作部に対する操作に応じて予め定められた複数の値のいずれかに設定する確率設定手段と、
所定の実行条件の成立に基づいて、前記確率設定手段によって設定された値の設定状況を示唆する設定示唆演出を実行する設定示唆演出実行手段と、を備え、
前記設定示唆演出実行手段は、少なくとも前記装飾部材を用いて前記設定示唆演出を行うものであって、
前記判定手段によって当該遊技機に装着される前記遊技盤と前記装飾部材との対応関係が正常でないと判定された場合に、前記所定の実行条件が成立したとしても前記設定示唆演出のうちの少なくとも前記装飾部材を用いた演出内容が実行されないようにする設定示唆演出不実行手段をさらに備える
ことを特徴とする。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
上記構成では、遊技機に装着される遊技盤と装飾部材との対応関係が正常でないと判定された場合に、所定条件が成立したとしても特別協働発光を現出させないにすることから、対応関係が正常でない部材が装着されているときに、その対応関係が正常でない部材が特別協働発光に関与することを抑制して未完成な特別協働発光における違和感の発生を回避できる。その結果、遊技興趣の低下を抑制することができる（例えば、段落１９８０〜２０３９、図１９５〜２００等の記載を参照）。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月17日(2021.8.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
サファイアから構成される基板に、上面視において、複数の六角形形状が充填された形状の分割予定線にしたがってレーザ光を走査して照射し、前記分割予定線に沿って前記基板内に第１改質層を形成する第１工程と、
前記基板に、前記分割予定線にしたがって前記第１工程における照射強度よりも強い照射強度のレーザ光を走査して照射し、前記基板内に前記第１改質層と重なる第２改質層を形成する第２工程と、
を含む、
発光素子の製造方法。
【請求項２】
前記分割予定線は、前記六角形形状の６つの辺の延伸方向がそれぞれ前記サファイアからなる基板の劈開面と交差するように規定されている請求項１記載の発光素子の製造方法。
【請求項３】
前記第１工程は、
前記六角形形状の一対の第１対辺に平行な第１方向の分割予定線全体にレーザ光を照射する第１照射工程と、
前記第１照射工程後に、前記六角形形状の前記第１対辺とは異なる一対の第２対辺と平行な第２方向の分割予定線全体にレーザ光を照射する第２照射工程と、
前記第２照射工程後に、前記六角形形状の前記第１対辺及び第２対辺とは異なる一対の第３対辺と平行な第３方向の分割予定線全体にレーザ光を照射する第３照射工程と、
を含む、
請求項１又は２に記載の発光素子の製造方法。
【請求項４】
前記第１照射工程は、
前記第１方向にレーザ光を走査して第１方向の一つの直線上に位置する複数に分断された分割予定線上にレーザ光を照射する第１走査照射工程と、
レーザ光の照射位置を前記第１対辺間の距離だけ平行移動させて第１走査照射工程を繰り返す第１繰り返し工程と、
を含み、
前記第２照射工程は、
前記第２方向にレーザ光を走査して第２方向の一つの直線上に位置する複数に分断された分割予定線上にレーザ光を照射する第２走査照射工程と、
レーザ光の照射位置を前記第２対辺間の距離だけ平行移動させて第２走査照射工程を繰り返す第２繰り返し工程と、
を含み、
前記第３照射工程は、
前記第３方向にレーザ光を走査して第３方向の一つの直線上に位置する複数に分断された分割予定線上にレーザ光を照射する第３走査照射工程と、
レーザ光の照射位置を前記第３対辺間の距離だけ平行移動させて第３走査照射工程を繰り返す第３繰り返し工程と、
を含む、
請求項３に記載の発光素子の製造方法。
【請求項５】
前記レーザ光はパルスレーザ光であり、前記第１工程及び第２工程において、前記レーザ光を所定のピッチで分割予定線上に照射し、
前記第１工程におけるピッチは、前記第２工程におけるピッチよりも小さい、請求項１から４のいずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【請求項６】
前記レーザ光はパルスレーザ光であり、前記第１工程及び第２工程において、前記レーザ光を所定のピッチで分割予定線上に照射し、
前記第１工程において、前記分断された分割予定線の一端と、当該分割予定線における前記レーザ光の照射開始点との間の距離、及び、前記分断された分割予定線の他端と、当該分割予定線における前記レーザ光の照射停止点との間の距離は、前記第１工程におけるピッチよりも長く、
前記第２工程において、前記分断された分割予定線の一端と、当該分割予定線における前記レーザ光の照射開始点との間の距離、及び、前記分断された分割予定線の他端と、前記レーザ光の照射停止点との間の距離は、前記第１工程におけるピッチよりも長い、請求項４に記載の発光素子の製造方法。
【請求項７】
前記第１工程におけるピッチは、１μｍ以上６μｍ以下であり、
前記第２工程におけるピッチは、２μｍ以上１０μｍ以下である、請求項５又は６に記載の発光素子の製造方法。
【請求項８】
前記第１工程における照射強度は、０．６μＪ以上  １０．０μＪ以下であり、
前記第２工程における照射強度は、０．７μＪ以上  ３０．０μＪ以下である、請求項１から７いずれか１項に記載の発光素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月1日(2021.2.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリコン単結晶の接合基板上に窒化物半導体膜が形成された電子デバイス用基板であって、
前記接合基板は、少なくとも、シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合した基板であって、
前記ベースウェーハは、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなり、
前記ボンドウェーハは、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下のＣＺシリコン基板であることを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項２】
シリコン単結晶の接合基板上に窒化物半導体膜が形成された電子デバイス用基板であって、
前記接合基板は、少なくとも、シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合した基板であって、
前記ベースウェーハは、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなり、
前記ボンドウェーハは、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が１０００Ωｃｍ以上、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であるＣＺシリコン基板であることを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項３】
シリコン単結晶の接合基板上に窒化物半導体膜が形成された電子デバイス用基板であって、
前記接合基板は、少なくとも、シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合した基板であって、
前記ベースウェーハは、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなり、
前記ボンドウェーハは、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が１０００Ωｃｍ以上、窒素濃度８×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のＦＺシリコン基板であることを特徴とする電子デバイス用基板。
【請求項４】
前記接合基板は、前記ベースウェーハと前記ボンドウェーハとがＳｉＯ２膜を介して接合されたものであることを特徴とする請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の電子デバイス用基板。
【請求項５】
シリコン単結晶基板上に窒化物半導体膜を形成する電子デバイス用基板の製造方法であって、
シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合して接合基板とする工程と、
前記接合基板の前記ボンドウェーハ上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる工程とを含み、
前記ベースウェーハとして、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなるものを用い、
前記ボンドウェーハとして、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下のＣＺシリコン基板を用いることを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項６】
シリコン単結晶基板上に窒化物半導体膜を形成する電子デバイス用基板の製造方法であって、
シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合して接合基板とする工程と、
前記接合基板の前記ボンドウェーハ上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる工程とを含み、
前記ベースウェーハとして、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなるものを用い、
前記ボンドウェーハとして、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が１０００Ωｃｍ以上、窒素濃度が１×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上であるＣＺシリコン基板を用いることを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項７】
シリコン単結晶基板上に窒化物半導体膜を形成する電子デバイス用基板の製造方法であって、
シリコン単結晶からなるベースウェーハ上にシリコン単結晶からなるボンドウェーハを接合して接合基板とする工程と、
前記接合基板の前記ボンドウェーハ上に窒化物半導体をエピタキシャル成長させる工程とを含み、
前記ベースウェーハとして、抵抗率が０．１Ωｃｍ以下、結晶方位が＜１００＞のＣＺシリコンからなるものを用い、
前記ボンドウェーハとして、結晶方位が＜１１１＞、抵抗率が１０００Ωｃｍ以上、窒素濃度８×１０１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以上のＦＺシリコン基板を用いることを特徴とする電子デバイス用基板の製造方法。
【請求項８】
前記接合基板とする工程において、前記ベースウェーハと前記ボンドウェーハとをＳｉＯ２膜を介して接合することを特徴とする請求項５から請求項７のいずれか一項に記載の電子デバイス用基板の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月13日(2021.8.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
前記静止画像情報は、前記静止画像群の最も古い撮影日時と最も新しい撮影日時を含み、
前記動画像情報は、前記動画像の撮影開始日時と撮影終了日時を含み、
前記紐付け部は、前記第１の静止画像群の最も古い撮影日時が前記第１の動画像の撮影開始日時よりも新しく、前記第１の静止画像群の最も新しい撮影日時が前記第１の動画像の撮影終了日時よりも古い場合に前記第１の動画像と前記第１の静止画像群とを紐付ける請求項５に記載のファイリング装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５】
2021027867.tif 000001
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月24日(2021.3.24)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下りリンク制御情報（ＤＣＩ）フォーマットと、前記ＤＣＩフォーマットによってスケジュールされる物理下りリンク共用チャネル（ＰＤＳＣＨ）と、を受信する受信部と、
Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｕｔｏ  Ｒｅｐｅａｔ  Ｒｅｑｕｅｓｔ  −  Ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｍｅｎｔ  （ＨＡＲＱ−ＡＣＫ）情報を送信する送信部と、
を備え、
ＰＤＳＣＨグループに対する前記ＨＡＲＱ−ＡＣＫ情報は、物理下りリンク制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）監視機会のセットに少なくとも基づいて生成され、
前記ＰＤＳＣＨグループは、前記ＤＣＩフォーマットによってスケジュールされる前記ＰＤＳＣＨを含み、
前記ＰＤＣＣＨ監視機会のセットは、前記ＰＤＳＣＨグループに対する最後のＮＦＩ（Ｎｅｗ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ  Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）トグルが検出された機会によって決定される、
端末装置。
【請求項２】
下りリンク制御情報（ＤＣＩ）フォーマットと、前記ＤＣＩフォーマットによってスケジュールされる物理下りリンク共用チャネル（ＰＤＳＣＨ）と、を送信する送信部と、
Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｕｔｏ  Ｒｅｐｅａｔ  Ｒｅｑｕｅｓｔ  −  Ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｍｅｎｔ  （ＨＡＲＱ−ＡＣＫ）情報を受信する受信部と、
を備え、
ＰＤＳＣＨグループに対する前記ＨＡＲＱ−ＡＣＫ情報は、物理下りリンク制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）監視機会のセットに少なくとも基づいて生成され、
前記ＰＤＳＣＨグループは、前記ＤＣＩフォーマットによってスケジュールされる前記ＰＤＳＣＨを含み、
前記ＰＤＣＣＨ監視機会のセットは、前記ＰＤＳＣＨグループに対する最後のＮＦＩ（Ｎｅｗ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ  Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）トグルが検出された機会によって決定される、
基地局装置。
【請求項３】
端末装置に用いられる通信方法であって、前記端末装置のコンピュータが、
下りリンク制御情報（ＤＣＩ）フォーマットと、前記ＤＣＩフォーマットによってスケジュールされる物理下りリンク共用チャネル（ＰＤＳＣＨ）と、を受信する受信過程と、
Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｕｔｏ  Ｒｅｐｅａｔ  Ｒｅｑｕｅｓｔ  −  Ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｍｅｎｔ  （ＨＡＲＱ−ＡＣＫ）情報を送信する送信過程と、
を有し、
ＰＤＳＣＨグループに対する前記ＨＡＲＱ−ＡＣＫ情報は、物理下りリンク制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）監視機会のセットに少なくとも基づいて生成され、
前記ＰＤＳＣＨグループは、前記ＤＣＩフォーマットによってスケジュールされる前記ＰＤＳＣＨを含み、
前記ＰＤＣＣＨ監視機会のセットは、前記ＰＤＳＣＨグループに対する最後のＮＦＩ（Ｎｅｗ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ  Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）トグルが検出された機会によって決定される、
通信方法。
【請求項４】
基地局装置に用いられる通信方法であって、前記基地局装置のコンピュータが、
下りリンク制御情報（ＤＣＩ）フォーマットと、前記ＤＣＩフォーマットによってスケジュールされる物理下りリンク共用チャネル（ＰＤＳＣＨ）と、を送信する送信過程と、
Ｈｙｂｒｉｄ  Ａｕｔｏ  Ｒｅｐｅａｔ  Ｒｅｑｕｅｓｔ  −  Ａｃｋｎｏｗｌｅｄｇｅｍｅｎｔ  （ＨＡＲＱ−ＡＣＫ）情報を受信する受信過程と、
を有し、
ＰＤＳＣＨグループに対する前記ＨＡＲＱ−ＡＣＫ情報は、物理下りリンク制御チャネル（ＰＤＣＣＨ）監視機会のセットに少なくとも基づいて生成され、
前記ＰＤＳＣＨグループは、前記ＤＣＩフォーマットによってスケジュールされる前記ＰＤＳＣＨを含み、
前記ＰＤＣＣＨ監視機会のセットは、前記ＰＤＳＣＨグループに対する最後のＮＦＩ（Ｎｅｗ  Ｆｅｅｄｂａｃｋ  Ｉｎｄｉｃａｔｏｒ）トグルが検出された機会によって決定される、
通信方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年11月12日(2021.11.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＡｌＧａＮ系の障壁層を含む活性層と、
前記活性層の上側に位置するｐ型コンタクト層と、
前記活性層及び前記ｐ型コンタクト層の間に位置する電子ブロック積層体と、
を備え、
前記電子ブロック積層体は、
前記活性層側に位置し、前記障壁層のＡｌ組成比よりも大きい単層の第１の電子ブロック層と、
前記ｐ型コンタクト層側に位置し、前記障壁層のＡｌ組成比よりも小さい単層の第２の電子ブロック層と、
を備える、
窒化物半導体発光素子。
【請求項２】
前記活性層は、前記障壁層のＡｌ組成比よりも小さいＡｌ組成比を有する井戸層をさらに備え、
前記第２の電子ブロック層のＡｌ組成比は、前記井戸層のＡｌ組成比よりも大きい、
請求項１に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項３】
前記第２の電子ブロック層は、前記第１の電子ブロック層の膜厚よりも大きい膜厚を有する、
請求項１又は２に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項４】
前記第２の電子ブロック層は、前記第１の電子ブロック層の膜厚の５倍以上２０倍以下の膜厚を有する、
請求項３に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項５】
前記活性層は、前記障壁層のＡｌ組成比よりも小さいＡｌ組成比を有する井戸層をさらに備え、前記第２の電子ブロック層及び前記ｐ型コンタクト層の間に、前記第２の電子ブロック層のＡｌ組成比よりも小さく、前記井戸層のＡｌ組成比よりも大きいＡｌ組成比を有するｐ型のＡｌＧａＮにより形成されたｐ型クラッド層をさらに備える、
請求項１から４のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項６】
前記ｐ型クラッド層は、膜厚の方向において傾斜するＡｌ組成比を有し、
前記ｐ型クラッド層の膜厚の方向における最大のＡｌ組成比は、前記第２の電子ブロック層のＡｌ組成比よりも小さく、前記井戸層のＡｌ組成比よりも大きい、
請求項５に記載の窒化物半導体発光素子。
【請求項７】
前記第１の電子ブロック層のＡｌ組成比は、８０％以上であり、
前記第２の電子ブロック層のＡｌ組成比は、４０％以上９０％以下である、
請求項１から６のいずれか１項に記載の窒化物半導体発光素子。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、上記課題を解決することを目的として、ＡｌＧａＮ系の障壁層を含む活性層と、前記活性層の上側に位置するｐ型コンタクト層と、前記活性層及び前記ｐ型コンタクト層の間に位置する電子ブロック積層体と、を備え、前記電子ブロック積層体は、前記活性層側に位置し、前記障壁層のＡｌ組成比よりも大きい単層の第１の電子ブロック層と、前記ｐ型コンタクト層側に位置し、前記障壁層のＡｌ組成比よりも小さい単層の第２の電子ブロック層と、を備える、窒化物半導体発光素子
を提供する。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月21日(2021.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域上の第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域上に位置し、前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第２導電型の第３半導体領域と、
前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高く、平面視において前記第３半導体領域と離れて位置し、前記第２半導体領域と接する前記第２導電型の第４半導体領域と、
前記第２半導体領域上に位置し、平面視において前記第３及び第４半導体領域の間に位置する前記第１導電型の第５半導体領域と、
前記第４及び第５半導体領域に接しておらず、前記第３半導体領域に接する電極と
備える、半導体装置。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置であって、
前記第５半導体領域の深さは、前記第３半導体領域の深さ以上である、半導体装置。
【請求項３】
第１導電型の第１半導体領域と、
前記第１半導体領域上の第２導電型の第２半導体領域と、
前記第２半導体領域上に位置し、前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第２導電型の第３半導体領域と、
前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高く、平面視において前記第３半導体領域と離れて位置し、前記第２半導体領域と接する前記第２導電型の第４半導体領域と、
平面視において前記第３及び第４半導体領域の間に位置し、前記第２半導体領域に形成された凹部と、
前記凹部を充填する絶縁膜と、
前記第４半導体領域に接しておらず、前記第３半導体領域に接する電極と
備える、半導体装置。
【請求項４】
請求項３に記載の半導体装置であって、
前記凹部の深さは、前記第３半導体領域の深さ以上である、半導体装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
【特許文献１】特開２００７−３２４４２８号公報
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
また、本発明に係る半導体装置の一態様は、第１導電型の第１半導体領域と、前記第１半導体領域上の第２導電型の第２半導体領域と、前記第２半導体領域上に位置し、前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第２導電型の第３半導体領域と、前記第２半導体領域よりも不純物濃度が高く、平面視において前記第３半導体領域と離れて位置し、前記第２半導体領域と接する前記第２導電型の第４半導体領域と、平面視において前記第３及び第４半導体領域の間に位置し、前記第２半導体領域に形成された凹部と、前記凹部を充填する絶縁膜と、前記第４半導体領域に接しておらず、前記第３半導体領域に接する電極と備える。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月5日(2021.2.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
平均長さが５ｍｍ以下である銅製の短繊維と、充電時に電解質イオンが吸着する吸着物質粉又は充放電時に化学反応する活物質粉と、を含む蓄電デバイスの電極であって、
前記短繊維の重量比が１重量％以上９．７５重量％未満である、蓄電デバイスの電極。
【請求項２】
平均太さが０．５μｍ以下のカーボン繊維をさらに備える、請求項２に記載の蓄電デバイスの電極。
【請求項３】
集電体箔を除いた当該電極の平均厚さが１２０μｍ以上である、請求項１又は２に記載の蓄電デバイスの電極。
【請求項４】
アルミニウム又は銅の金属繊維を得る繊維作成工程と、
前記長尺の金属繊維の束を押さえ部材を用いて所定の面に押さえつけた状態で、又は、前記長尺の金属繊維の束を管の中に配置した状態で、平均長さが５ｍｍ以下となるように前記長尺の金属繊維を切断する切断工程と、
前記切断工程によって作られたアルミニウム製又は銅製の短繊維と、充電時に電解質イオンが吸着する吸着物質粉又は充放電時に化学反応する活物質粉と、バインダーとを含む液状又はゲル状のスラリーを作成するスラリー作成工程と、
前記スラリーを所定形状に成形する成形工程と、
前記所定形状に成形された前記スラリーを乾燥させることによって前記短繊維を含む電極を形成する乾燥工程と、を有し、
前記スラリー作成工程では、前記乾燥工程による乾燥後の前記電極の全体に対する前記短繊維の重量比が１重量％以上９．７５重量％未満となるように、前記短繊維を前記スラリーに混入する蓄電デバイスの電極の製造方法。
【請求項５】
前記切断工程では、前記長尺の金属繊維の束を、前記押さえ部材又は前記管と共に切断する、請求項４に記載の蓄電デバイスの電極の製造方法。
【請求項６】
前記押さえ部材が、プラスチックフィルムである、請求項４又は５に記載の蓄電デバイスの電極の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
本発明の第１態様の蓄電デバイスの電極の製造方法は、金属繊維を得る繊維作成工程と、前記長尺の金属繊維の束を押さえ部材を用いて所定の面に押さえつけた状態で、又は、前記長尺の金属繊維の束を管の中に配置した状態で、平均長さが５ｍｍ以下となるように前記長尺の金属繊維を切断する切断工程と、前記切断工程によって作られた金属製の短繊維と、充電時に電解質イオンが吸着する吸着物質粉又は充放電時に化学反応する活物質粉と、バインダーとを含む液状又はゲル状のスラリーを作成するスラリー作成工程と、前記スラリーを所定形状に成形する成形工程と、前記所定形状に成形された前記スラリーを乾燥させることによって前記短繊維を含む電極を形成する乾燥工程と、を有する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
本発明の第２態様は、平均長さが５ｍｍ以下である銅製の短繊維と、充電時に電解質イオンが吸着する吸着物質粉又は充放電時に化学反応する活物質粉と、を含む蓄電デバイスの電極であって、前記短繊維の重量比が１重量％以上９．７５重量％未満である。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月30日(2021.9.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ボツリヌス毒素の活性を向上させるおよび／またはボツリヌス毒素の副作用を低減する方法であって、ボツリヌス毒素をタンニン酸で処理することによってタンニン酸化ボツリヌス毒素複合体を生成することを含む、前記方法。
【請求項２】
ボツリヌス毒素がタンニン酸に結合することによってタンニン酸化される、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
タンニン酸化ボツリヌス毒素複合体のタンニン酸が、タンニン酸化ボツリヌス毒素複合体のボツリヌス毒素を注入部位に留まらせる、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
タンニン酸化ボツリヌス毒素複合体のタンニン酸が、タンニン酸化ボツリヌス毒素複合体のボツリヌス毒素が注入部位から血管を介して拡散するのを防ぐ、請求項１に記載の方法。