【手続補正書】
【提出日】令和2年12月1日(2020.12.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
高位合成方法であって、
異なるメモリへの読込記述を複数含む動作記述が入力された場合、
前記メモリへの読込記述を条件分岐前に論理回路クロック上の同じタイミングで読み込まれるように変更した動作記述を出力する、
高位合成方法。
【請求項２】
請求項１の高位合成方法において、
入力された前記動作記述から条件分岐文を条件分岐文抽出部によって抽出する工程と、
抽出した前記条件分岐文における異なるメモリへの複数の読込記述の存否を演算解析部によって判定する工程と、
前記異なるメモリへの複数の読込記述が存在すると判定された場合、前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に論理回路クロック上の同じタイミングで読み込まれるように、変更部によって、前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成する工程と、
を含む高位合成方法。
【請求項３】
前記動作記述を実装する半導体装置に使用可能なリソースの存否を判定する工程と、
前記半導体装置に使用可能なリソースがあると判定された場合、前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に同じタイミングで読み込まれるように前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成する工程と、
前記変更後の動作記述に対して高位合成処理を行う工程と、
を含む請求項２に記載の高位合成方法。
【請求項４】
前記動作記述を実装する半導体装置における使用可能なリソースの存否を判定する工程と、
前記半導体装置に使用可能なリソースがないと判定された場合、前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に同じタイミングで読み込まれるように前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成する工程と、
前記変更後の動作記述を記憶装置に保存する工程と、
前記動作記述と同一の動作記述が入力され、かつ前記半導体装置に使用可能なリソースがあると判定されたときには、前記記憶装置に保存された前記変更後の動作記述を読み出し、前記変更後の動作記述に対して高位合成処理を行う工程と、
を含む請求項２に記載の高位合成方法。
【請求項５】
前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に同じタイミングで読み込まれるように前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成する工程において、
メモリアクセスを行う配列及び変数のポインタが取得され、条件分岐記述前に前記ポインタに同一のポインタ値が代入された前記変更後の動作記述が出力される、
請求項２に記載高位合成方法。
【請求項６】
高位合成プログラムであって、
条件分岐文を含む動作記述が入力された場合、
前記条件分岐文に含まれる異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に論理回路クロック上の同じタイミングで読み込まれるように変更された変更後の動作記述を出力する、
高位合成プログラム。
【請求項７】
請求項６の高位合成プログラムにおいて、
入力された前記動作記述から前記条件分岐文を条件分岐文抽出部によって抽出する工程と、
抽出した前記条件分岐文に異なるメモリへの複数の読込記述の存否を演算解析部によって判定する工程と、
前記異なるメモリへの複数の読込記述があると判定された場合、前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に論理回路クロック上の同じタイミングで読み込まれるように、変更部によって、前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成する工程と、
を実行させる高位合成プログラム。
【請求項８】
前記動作記述を実装する半導体装置に使用可能なリソースの存否を判定する工程と、
前記半導体装置に使用可能なリソースがあると判定された場合、前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に同じタイミングで読み込まれるように前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成する工程と、
前記変更後の動作記述に対して高位合成処理を行う工程と、
を実行させる請求項７に記載の高位合成プログラム。
【請求項９】
前記動作記述を実装する半導体装置に使用可能なリソースの存否を判定する工程と、
前記半導体装置に使用可能なリソースがないと判定された場合、前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に同じタイミングで読み込まれるように前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成する工程と、
前記変更後の動作記述を記憶装置に保存しておく工程と、
前記動作記述と同一の動作記述が入力され、かつ前記半導体装置に使用可能なリソースがあると判定されたときには、前記記憶装置に保存された前記変更後の動作記述を読み出し、前記変更後の動作記述に対して高位合成処理を行う工程と、
を実行させる請求項７に記載の高位合成プログラム。
【請求項１０】
前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に同じタイミングで読み込まれるように前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成する工程において、
メモリアクセスを行う配列及び変数のポインタが取得され、条件分岐記述前に前記ポインタに同一のポインタ値が代入された前記変更後の動作記述が出力される、
請求項７に記載の高位合成プログラム。
【請求項１１】
高位合成装置であって、
条件分岐文を含む動作記述が入力された場合、
前記条件分岐文に含まれる異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に論理回路クロック上の同じタイミングで読み込まれるように変更された変更後の動作記述を出力する、
高位合成装置。
【請求項１２】
前記高位合成装置は、
入力された前記動作記述から前記条件分岐文を抽出する条件分岐文抽出部と、
抽出した前記条件分岐文に異なるメモリへの複数の読込記述の存否を判定する演算解析部と、
前記異なるメモリへの複数の読込記述があると判定された場合、前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に論理回路クロック上の同じタイミングで読み込まれるように、前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成する変更部と、
を有する請求項１１に記載の高位合成装置。
【請求項１３】
前記高位合成装置は、
前記動作記述を実装する半導体装置に使用可能なリソースの存否を判定し、
前記半導体装置に使用可能なリソースがあると判定された場合、前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に同じタイミングで読み込まれるように前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成し、
前記変更後の動作記述に対して高位合成処理を行う、
を請求項１２に記載の高位合成装置。
【請求項１４】
前記高位合成装置は、
前記動作記述を実装する半導体装置に使用可能なリソースの存否を判定し、
前記半導体装置に使用可能なリソースがないと判定された場合、前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に同じタイミングで読み込まれるように前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成し、
前記変更後の動作記述を記憶装置に保存しておき、
前記動作記述と同一の動作記述が入力され、かつ前記半導体装置に使用可能なリソースがあると判定されたときには、前記記憶装置に保存された前記変更後の動作記述を読み出し、前記変更後の動作記述に対して高位合成処理を行う、
を請求項１２に記載の高位合成装置。
【請求項１５】
前記高位合成装置は、
前記異なるメモリへの複数の読込記述が条件分岐前に同じタイミングで読み込まれるように前記動作記述を変更し、変更後の動作記述を生成する工程において、メモリアクセスを行う配列及び変数のポインタが取得し、条件分岐記述前に前記ポインタに同一のポインタ値が代入された前記変更後の動作記述を出力する、
請求項１２に記載の高位合成装置。