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【手続補正書】
【提出日】令和3年9月15日(2021.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
作業者に音声案内するろう付け方法の音声データを再生する再生処理部と、
前記ろう付けが行われる作業現場の熱的情報を取得する環境情報取得部と、を備え、
前記再生処理部は、前記環境情報取得部が取得する前記熱的情報に基づき、再生する前記音声データの再生のタイミングを調整する、
音声案内装置。
【請求項２】
前記再生処理部は、前記作業現場の温度と前記音声データの再生のタイミングとの関係を定義したテーブルの情報と、前記環境情報取得部が取得する前記熱的情報とに基づき、前記再生処理部が再生する前記音声データの再生のタイミングを調整する、
請求項１に記載の音声案内装置。
【請求項３】
前記ろう付けが行われる配管に関する情報を取得する管情報取得部を更に備え、
前記再生処理部は、前記環境情報取得部が取得する前記熱的情報と、前記管情報取得部が取得する前記配管に関する情報とに基づき、前記再生処理部が再生する前記音声データの再生のタイミングを調整する、
請求項１または２に記載の音声案内装置。
【請求項４】
前記再生処理部は、前記管情報取得部が取得する前記配管に関する情報に基づき、前記ろう付けで消費するろう材の長さに関する情報の音声データを再生する、
請求項３に記載の音声案内装置。
【請求項５】
前記ろう付けに用いられるろう材に関する情報を取得するろう材情報取得部を更に備え、
前記再生処理部は、前記ろう材情報取得部が取得するろう材の情報に基づき、再生する前記音声データの再生のタイミングを調整する、
請求項１から４の何れか一項に記載の音声案内装置。
【請求項６】
前記再生処理部は、再生した音声信号を、前記作業者に装着された骨伝導スピーカへ出力する、
請求項１から５の何れか一項に記載の音声案内装置。
【請求項７】
作業者に音声案内するろう付け方法の音声データを再生する再生処理工程と、
前記ろう付けが行われる作業現場の熱的情報を取得する環境情報取得工程と、を有し、
前記再生処理工程では、前記環境情報取得工程で取得する前記熱的情報に基づき、再生する前記音声データの再生のタイミングが調整される、
音声案内方法。
【請求項８】
コンピュータに、
作業者に音声案内するろう付け方法の音声データを再生する再生処理工程と、
前記ろう付けが行われる作業現場の熱的情報を取得する環境情報取得工程と、を実行させるプログラムであって、
前記再生処理工程では、前記環境情報取得工程で取得する前記熱的情報に基づき、再生する前記音声データの再生のタイミングが調整される、
音声案内プログラム。
【請求項９】
作業者に案内するろう付け方法の情報を出力する情報出力部と、
前記ろう付けが行われる作業現場の熱的情報を取得する環境情報取得部と、を備え、
前記情報出力部は、前記環境情報取得部が取得する前記熱的情報に基づき、前記ろう付け方法の情報を出力するタイミングを調整する、
案内装置。
【請求項１０】
作業者に案内するろう付け方法の情報を出力する情報出力工程と、
前記ろう付けが行われる作業現場の熱的情報を取得する環境情報取得工程と、を有し、
前記情報出力工程では、前記環境情報取得工程で取得する前記熱的情報に基づき、前記ろう付け方法の情報を出力するタイミングが調整される、
案内方法。
【請求項１１】
コンピュータに、
作業者に案内するろう付け方法の情報を出力する情報出力工程と、
前記ろう付けが行われる作業現場の熱的情報を取得する環境情報取得工程と、を実行させるプログラムであって、
前記情報出力工程では、前記環境情報取得工程で取得する前記熱的情報に基づき、前記ろう付け方法の情報を出力するタイミングが調整される、
案内プログラム。
【請求項１２】
作業者に案内するろう付け方法の情報を出力する情報出力部と、
前記ろう付けが行われる配管に関する情報を取得する管情報取得部と、を備え、
前記情報出力部は、前記管情報取得部が取得する前記配管に関する情報に基づき、前記ろう付け方法の情報を出力するタイミングを調整する、
案内装置。
【請求項１３】
前記情報出力部は、前記管情報取得部が取得する前記配管に関する情報に基づき、前記ろう付けで消費するろう材の長さに関する情報を更に出力する、
請求項１２に記載の案内装置。
【請求項１４】
前記ろう付けに用いられるろう材に関する情報を取得するろう材情報取得部を更に備え、
前記情報出力部は、前記ろう材情報取得部が取得するろう材の情報に基づき、前記ろう付け方法の情報を出力するタイミングを調整する、
請求項１２または１３に記載の案内装置。
【請求項１５】
作業者に案内するろう付け方法の情報を出力する情報出力工程と、
前記ろう付けが行われる配管に関する情報を取得する管情報取得工程と、を有し、
前記情報出力工程では、前記管情報取得工程で取得する前記配管に関する情報に基づき、前記ろう付け方法の情報を出力するタイミングが調整される、
案内方法。
【請求項１６】
コンピュータに、
作業者に案内するろう付け方法の情報を出力する情報出力工程と、
前記ろう付けが行われる配管に関する情報を取得する管情報取得工程と、を実行させるプログラムであって、
前記情報出力工程では、前記管情報取得工程で取得する前記配管に関する情報に基づき、前記ろう付け方法の情報を出力するタイミングが調整される、
案内プログラム。
【請求項１７】
ろう付けが行われる作業現場の熱的情報を取得する環境情報取得工程と、
前記環境情報取得工程で取得する前記熱的情報に基づき、作業者に音声案内するろう付け方法の音声データの再生のタイミングを調整する再生処理工程と、
前記音声案内に従って前記ろう付けを行うろう付け工程と、を有する、
ろう付け方法。
【請求項１８】
配管同士のろう付けによる接合が行われる作業現場の熱的情報を取得する環境情報取得工程と、
前記環境情報取得工程で取得する前記熱的情報に基づき、作業者に音声案内するろう付け方法の音声データの再生のタイミングを調整する再生処理工程と、
前記音声案内に従って前記ろう付けを行うろう付け工程と、を有する、
ろう付け接合配管の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】音声案内装置、案内装置、方法、プログラム、ろう付け方法及びろう付け接合配管の製造方法
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月25日(2021.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
対象物を把持する把持部と、前記把持部を駆動する駆動部と、前記把持部の位置を検出する位置検出部と、前記把持部が前記対象物から受ける力を検出する力検出部と、を有するエンドエフェクターを制御する制御方法であって、
前記位置検出部の出力および前記力検出部の出力に基づいて、前記把持部の目標位置を更新し、最新の前記目標位置に前記把持部が移動するように前記駆動部の駆動を制御することを特徴とする制御方法。
【請求項２】
前記駆動部は、圧電駆動装置である請求項１に記載の制御方法。
【請求項３】
前記把持部が前記対象物から受ける力が目標値となるように、前記目標位置を更新する請求項１または２に記載の制御方法。
【請求項４】
前記把持部が前記対象物と接触するまでは、前記目標位置を更新しない請求項１ないし３のいずれか１項に記載の制御方法。
【請求項５】
前記把持部は、弾性を有し、前記対象物から受ける力によって弾性変形する請求項１ないし４のいずれか１項に記載の制御方法。
【請求項６】
前記把持部の弾性係数に基づいて、前記把持部の移動距離と前記把持部が前記対象物から受ける力との関係を求め、前記関係に基づいて前記目標位置を更新する請求項５に記載の制御方法。
【請求項７】
対象物を把持する把持部と、前記把持部を駆動する駆動部と、前記把持部の位置を検出する位置検出部と、前記把持部が前記対象物から受ける力を検出する力検出部と、を有するエンドエフェクターを制御する制御装置であって、
前記力検出部の出力に基づいて、前記把持部の目標位置を更新し、最新の前記目標位置に前記把持部が移動するように前記駆動部の駆動を制御することを特徴とする制御装置。
【請求項８】
対象物を把持する把持部と、
前記把持部を駆動する駆動部と、
前記把持部の位置を検出する位置検出部と、
前記把持部が前記対象物から受ける力を検出する力検出部と、
前記位置検出部の出力および前記力検出部の出力に基づいて、前記把持部の目標位置を更新し、最新の前記目標位置に前記把持部が移動するように前記駆動部の駆動を制御する制御装置と、を有することを特徴とするエンドエフェクター。
【請求項９】
対象物を把持する把持部と、
前記把持部を駆動する駆動部と、
前記把持部の位置を検出する位置検出部と、
前記把持部が前記対象物から受ける力を検出する力検出部と、
前記位置検出部の出力および前記力検出部の出力に基づいて、前記把持部の目標位置を更新し、最新の前記目標位置に前記把持部が移動するように前記駆動部の駆動を制御する制御装置と、を有することを特徴とするロボット。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年9月8日(2021.9.8)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】特許請求の範囲
【訂正対象項目名】全文
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ネットワーク接続デバイスでの設定を復元するための方法であって、
認証デバイスをネットワーク上の隣接ノードとして前記ネットワーク接続デバイスに接続することと、
前記ネットワーク接続デバイスで前記設定を復元するためにリクエストを示す開始信号を受信することと、
リンク層プロトコルを介して認証リクエストを送信することによって、前記認証デバイスへの前記設定を復元するために、前記ネットワーク接続デバイスから、完全に又は部分的に暗号化された前記認証リクエストを送信することであって、受信された前記開始信号に応じて前記リクエストが送信される、送信することと、
前記ネットワーク接続デバイスで、
前記認証リクエストに応じて前記認証デバイスから完全に又は部分的に暗号化された復元認証メッセージを受信することと、
受信された前記復元認証メッセージを復号化することと、
前記復元認証メッセージを検証することと、
前記復元認証メッセージが検証された場合に、前記ネットワーク接続デバイスでの前記設定を復元することと
を含む方法。
【請求項２】
前記開始信号が、前記ネットワーク接続デバイスに配置された復元開始機構の作動によって引き起こされる、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記開始信号が、前記認証デバイスに配置された復元開始機構の作動によって引き起こされる、請求項１又は２に記載の方法。
【請求項４】
前記ネットワーク接続デバイスが、専用の認証デバイスだけと通信するように配置される、請求項１から３の何れか一項に記載の方法。
【請求項５】
前記復元認証メッセージが、前記認証デバイスで入力された識別コードを含む、請求項１から４の何れか一項に記載の方法。
【請求項６】
一組の復元プロファイル識別子を前記認証デバイスに配置することを更に含み、これにより幾つかの異なる復元状態への復元及び／又は幾つかの異なるネットワーク接続デバイスの復元が可能になる、請求項１から５の何れか一項に記載の方法。
【請求項７】
前記復元認証メッセージがデジタル署名される、請求項１から６の何れか一項に記載の方法。
【請求項８】
設定を復元することが、前記ネットワーク接続デバイスを、前記ネットワーク接続デバイスに対して予め設定された状態を含む復元プロファイルに復元することを含み、前記予め設定された状態が、工場から出荷された状態に対応する、請求項１から７の何れか一項に記載の方法。
【請求項９】
ネットワーク接続デバイスでの設定を復元するための請求項１に記載の方法で使用される認証デバイスであって、
コントローラと、
ソフトウェア及び証明書用の不揮発性記憶装置と、
前記ネットワーク接続デバイスとのイーサネット通信用のポートと
を備え、
低レベルリンク層パケットを介してネットワーク接続デバイスとの通信のために構成されている認証デバイス。
【請求項１０】
復元プロセスのステータスを表示するためのインジケータを更に備える、請求項９に記載の認証デバイス。
【請求項１１】
復元開始機構を備える、請求項９又は１０に記載の認証デバイス。
【請求項１２】
コード入力デバイスを更に備える、請求項９から１１の何れか一項に記載の認証デバイス。
【請求項１３】
イーサネット通信用の通過ポートを更に備える、請求項９から１２の何れか一項に記載の認証デバイス。
【請求項１４】
請求項１から８の何れか一項に記載の方法を実行するために構成されたネットワーク接続デバイス、及び請求項９から１３の何れか一項に記載の関連する認証デバイスを備える、ネットワーク接続デバイスの設定を復元するためのシステム。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００９
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００９】
本発明の第１の態様によれば、上記目的は、ネットワーク接続デバイスでの設定を復元
するための方法であって、
デバイスで設定を復元するためにリクエストを示す開始信号を受信することと、
リンク層プロトコルを介して認証リクエストを送信することによって、ネットワーク上
の隣接ノードとして配置される認証デバイスへの設定を復元するために、認証リクエスト
を送信することであって、受信された開始信号に応じてリクエストが送信される、送信す
ることと、
認証リクエストに応じて認証デバイスから完全に又は部分的に暗号化された復元認証メ
ッセージを受信することと、
受信された復元認証メッセージを復号化することと、
復元認証メッセージを検証することと、
復元認証メッセージが検証された場合に、ネットワーク接続デバイスでの設定を復元す
ることと
を含む方法によって実現される。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月11日(2021.6.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】半導体装置
【手続補正２】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の開口を有する第１の絶縁体と、
前記第１の絶縁体上の、第２の開口を有する第１の導電体と、
前記第１の導電体上の、第３の開口を有する第２の絶縁体と、
前記第１の開口、前記第２の開口、および前記第３の開口を貫通するように設けられた酸化物と、
前記酸化物に接する第３の絶縁体と、
前記第３の絶縁体に接する第２の導電体と、
を有し、
前記酸化物は、前記第１の開口内において、第１の領域を有し、前記第２の開口内において、第２の領域を有し、前記第３の開口内において、第３の領域を有し、
前記第１の領域、および前記第３の領域は、前記第２の領域より低抵抗であり、
前記第３の絶縁体は、前記酸化物と、前記第２の導電体の間に設けられ、
前記第１の導電体は、第１のゲートとして機能し、
前記第２の導電体は、第２のゲートとして機能する半導体装置。
【請求項２】
請求項１において、
前記酸化物は、Ｉｎと、元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｙ、またはＳｎ）と、Ｚｎと、を有する半導体装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２において、
前記酸化物は、第１の層と、
前記第１の層の内側に接して設けられた第２の層と、
前記第２の層の内側に接して設けられた第３の層と、
を有し、
前記第２の層のエネルギーギャップは、前記第１の層のエネルギーギャップより狭く、
前記第２の層のエネルギーギャップは、前記第３の層のエネルギーギャップより狭い半導体装置。
【請求項４】
請求項１乃至請求項３のいずれか一項において、
前記半導体装置は、さらに、シリコン、および金属元素の少なくとも一方を含む窒化物を有し、
前記窒化物は、前記第１の領域、および前記第３の領域に接するように設けられる半導体装置。
【請求項５】
請求項１乃至請求項４のいずれか一項において、
前記第１の領域、および前記第３の領域は、前記第２の領域より、水素、窒素、および金属元素の少なくとも一を多く含んでいる半導体装置。
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一項において、
前記半導体装置は、さらに、
第４の絶縁体と、
第５の絶縁体と、
第６の絶縁体と、
を有し、
前記第４の絶縁体は、前記第１の導電体と、前記酸化物との間に設けられ、
前記第５の絶縁体は、前記第４の絶縁体と、前記酸化物との間に設けられ、
前記第６の絶縁体は、前記第５の絶縁体と、前記酸化物との間に設けられる半導体装置。
【請求項７】
請求項６において、
前記第４の絶縁体および前記第６の絶縁体の少なくとも一方は、シリコン、アルミニウム、およびハフニウムのいずれか一を含む酸化物である半導体装置。
【請求項８】
請求項６または請求項７において、
前記窒化物は、前記第６の絶縁体と、前記第１の領域の間、および前記第６の絶縁体と、前記第３の領域の間、に設けられる半導体装置。
【請求項９】
請求項１乃至請求項８のいずれか一項において、
前記第１の開口の径、および前記第３の開口の径は、前記第２の開口の径より大きい半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月30日(2021.3.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のＧａＮ（窒化ガリウム）の単結晶上に、ガリウム酸化物結晶の膜および第２のＧａＮが順次積層された、ガリウム窒化物半導体基板。
【請求項２】
前記第１のＧａＮはウルツ鉱構造の単結晶である、請求項１記載のガリウム窒化物半導体基板。
【請求項３】
前記ガリウム酸化物結晶は、前記第１のＧａＮの単結晶の結晶格子と面内格子定数ａが整合したガリウム酸化物結晶を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項１または２記載のガリウム窒化物半導体基板。
【請求項４】
前記ガリウム酸化物結晶は、ａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下の六方晶の酸化ガリウムの結晶およびａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下の立方晶の酸化ガリウムの結晶からなる群より選ばれる少なくとも何れか１を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項１または２記載のガリウム窒化物半導体基板。
【請求項５】
前記ガリウム酸化物結晶は、ε−Ｇａ２Ｏ３を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項１または２記載のガリウム窒化物半導体基板。
【請求項６】
前記ガリウム酸化物結晶は、ε−Ｇａ２Ｏ３を７０体積％以上９０体積％以下、γ−Ｇａ２Ｏ３を１０体積％以上３０体積％以下含む、請求項１または２記載のガリウム窒化物半導体基板。
【請求項７】
前記ガリウム酸化物結晶の結晶面が前記第１のＧａＮの結晶面に揃えて配列されている、請求項１から６の何れか１記載のガリウム窒化物半導体基板。
【請求項８】
前記ガリウム酸化物結晶の膜は、ε−Ｇａ２Ｏ３およびγ−Ｇａ２Ｏ３の群から選ばれる少なくとも何れか１を含む、請求項７記載のガリウム窒化物半導体基板。
【請求項９】
第１のＧａＮの単結晶上にガリウム酸化物結晶の膜および第２のＧａＮが順次積層され、前記第２のＧａＮを半導体層とした、ガリウム窒化物半導体装置。
【請求項１０】
前記第１のＧａＮはウルツ鉱構造の単結晶である、請求項９記載のガリウム窒化物半導体装置。
【請求項１１】
前記ガリウム酸化物結晶は、前記第１のＧａＮの単結晶の結晶格子と面内格子定数ａが整合したガリウム酸化物結晶を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項９または１０記載のガリウム窒化物半導体装置。
【請求項１２】
前記ガリウム酸化物結晶は、ａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下の六方晶の酸化ガリウムの結晶およびａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下の立方晶の酸化ガリウムの結晶からなる群より選ばれる少なくとも何れか１を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項９または１０記載のガリウム窒化物半導体装置。
【請求項１３】
前記ガリウム酸化物結晶は、ε−Ｇａ２Ｏ３を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項９または１０記載のガリウム窒化物半導体装置。
【請求項１４】
前記ガリウム酸化物結晶は、ε−Ｇａ２Ｏ３を７０体積％以上９０体積％以下、γ−Ｇａ２Ｏ３を１０体積％以上３０体積％以下含む、請求項９または１０記載のガリウム窒化物半導体装置。
【請求項１５】
前記ガリウム酸化物結晶の結晶面が前記第１のＧａＮの結晶面に揃えて配列されている、請求項９から１４の何れか１記載のガリウム窒化物半導体装置。
【請求項１６】
前記第２のＧａＮに前記ガリウム酸化物結晶の膜に達する素子分離絶縁層が形成されている、請求項９から１５の何れか１記載のガリウム窒化物半導体装置。
【請求項１７】
第１のＧａＮの単結晶上にガリウム酸化物結晶の膜および第２のＧａＮが順次積層されて前記第２のＧａＮを半導体層とした撮像素子であって、
前記第１のＧａＮに開口が形成され、
前記第２のＧａＮにフォトダイオードが形成された、撮像素子。
【請求項１８】
前記第１のＧａＮはウルツ鉱構造の単結晶である、請求項１７記載の撮像素子。
【請求項１９】
前記ガリウム酸化物結晶は、前記第１のＧａＮの単結晶の結晶格子と面内格子定数ａが整合したガリウム酸化物結晶を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項１７または１８記載の撮像素子。
【請求項２０】
前記ガリウム酸化物結晶は、ａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下の六方晶の酸化ガリウムの結晶およびａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下の立方晶の酸化ガリウムの結晶からなる群より選ばれる少なくとも何れか１を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項１７または１８記載の撮像素子。
【請求項２１】
前記ガリウム酸化物結晶は、ε−Ｇａ２Ｏ３を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項１７または１８記載の撮像素子。
【請求項２２】
前記ガリウム酸化物結晶は、ε−Ｇａ２Ｏ３を７０体積％以上９０体積％以下、γ−Ｇａ２Ｏ３を１０体積％以上３０体積％以下含む、請求項１７または１８記載の撮像素子。
【請求項２３】
前記ガリウム酸化物結晶の結晶面が前記第１のＧａＮの結晶面に揃えて配列されている、請求項１７から２２の何れか１記載の撮像素子。
【請求項２４】
ＧａＮ単結晶基板（ＧａＮ（０００１））上にガリウム酸化物結晶の膜を形成するガリウム酸化物結晶膜形成工程と、
前記ガリウム酸化物結晶の膜上にＧａＮ膜を形成するＧａＮ形成工程からなる、ガリウム窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２５】
前記ガリウム酸化物結晶は、前記第１のＧａＮの単結晶の結晶格子と面内格子定数ａが整合したガリウム酸化物結晶を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項２４記載のガリウム窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２６】
前記ガリウム酸化物結晶は、ａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下の六方晶の酸化ガリウムの結晶およびａ軸の格子定数が０．２８ｎｍ以上０．３４ｎｍ以下の立方晶の酸化ガリウムの結晶からなる群より選ばれる少なくとも何れか１を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項２４記載のガリウム窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２７】
前記ガリウム酸化物結晶は、ε−Ｇａ２Ｏ３を５０体積％以上１００体積％以下含む、請求項２４記載のガリウム窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２８】
前記ガリウム酸化物結晶は、ε−Ｇａ２Ｏ３を７０体積％以上９０体積％以下、γ−Ｇａ２Ｏ３を１０体積％以上３０体積％以下含む、請求項２４記載のガリウム窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項２９】
前記ガリウム酸化物結晶の結晶面が前記ＧａＮ単結晶基板の結晶面に揃えて配列されている、請求項２４から２８の何れか１記載のガリウム窒化物半導体基板の製造方法。
【請求項３０】
請求項１から８の何れか１記載のガリウム窒化物半導体基板、または請求項２４から２９の何れか１記載のガリウム窒化物半導体基板の製造方法によって製造されたガリウム窒化物半導体基板を用いて製造する、ガリウム窒化物半導体装置の製造方法。
【請求項３１】
請求項１から８の何れか１記載のガリウム窒化物半導体基板、または請求項２４から２９の何れか１記載のガリウム窒化物半導体基板の製造方法によって製造されたガリウム窒化物半導体基板を用いて製造する、撮像素子の製造方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月8日(2021.2.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
図２Ｄは、図２Ｃが示す構成から、画素定義層２５３及び凸状構造部２５７ＲＢより上層を除いた部分の断面図である。画素定義層２５３は、溝２５５ＲＢ内に、側面（第１側面）５３１Ｒ及び側面（第２側面）５３１Ｂを有する。側面５３１Ｒ、５３１Ｂは、溝２５５ＲＢの内面である。側面５３１Ｒは、赤の副画素２５１Ｒ側の側面であり、側面５３１Ｂは、青の副画素２５１Ｂ側の側面である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８８】
以下において、行方向又は列方向に隣接する副画素を、軸隣接する副画素と呼ぶ。斜め歩行に隣接する副画素を、斜め隣接する副画素と呼ぶ。軸隣接する副画素からなる各副画素ペアにおいて、副画素間に島状の凸状構造部が配置されている。軸隣接する凸状構造部の間には、ギャップが存在する。例えば、凸状構造部２５７ＧＲ１と凸状構造部２５７ＧＲ２との間にギャップが存在し、凸状構造部２５７ＧＧと凸状構造部２５７ＲＲとの間にギャップが存在する。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０２】
図８Ａは、画素定義層の一部と凸状構造部との間、さらに、凸状構造部の全面に形成された、ＭｇＡｇ層を示す平面図を示す。図８Ｂは、図８ＡにおけるＶＩＩＩＢ−ＶＩＩＩＢ切断線での断面図を示す。なお、ＭｇＡｇ層は、実際には、画素定義層１２５３Ｌ、画素定義層１２５３Ｒの斜面部分の一部まで覆われるが、図面では説明の便宜のため省略している。
【手続補正４】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【請求項６】
請求項１に記載のＯＬＥＤ表示装置であって、
前記複数の副画素の上部電極それぞれは、連続した一つの電極層の一部であり、
前記複数の副画素の中間層はそれぞれ同一層の部分であり、
前記第３側面及び前記第４側面の少なくとも一方において、前記第１副画素と前記第２副画素との間において中間層が切断されている、ＯＬＥＤ表示装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月3日(2021.6.3)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基層及び表面層を有する電子写真用ベルトであって、
該表面層は、結着樹脂、パーフルオロポリエーテル及び櫛形グラフト共重合体を含有し、
該櫛形グラフト共重合体は、フルオロアルキル基を有するアクリレート又はメタクリレートと、ポリメチルメタクリレートを側鎖に有するメタクリレートマクロモノマーとの共重合物であって、
数平均分子量が１１０００以上１５０００以下であり、かつ、
ピークトップ分子量が２４０００以上４００００以下であることを特徴とする電子写真用ベルト。
【請求項２】
前記結着樹脂が、アクリル系樹脂である請求項１に記載の電子写真用ベルト。
【請求項３】
前記表面層中における前記パーフルオロポリエーテルの含有量は、該表面層の全固形分に対して、２０質量％以上４０質量％以下である請求項１又は２に記載の電子写真用ベルト。
【請求項４】
前記パーフルオロポリエーテルの重量平均分子量は、１０００以上９０００以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の電子写真用ベルト。
【請求項５】
前記パーフルオロポリエーテルは、ヒドロキシル基、トリフルオロメチル基及びメチル基から選択される少なくとも１つの基を有する請求項１〜４のいずれか１項に記載の電子写真用ベルト。
【請求項６】
前記表面層中における前記櫛形グラフト共重合体の含有量が、該表面層の全固形分に対して、５質量％以上３０質量％以下である請求項１〜５のいずれか１項に記載の電子写真用ベルト。
【請求項７】
前記表面層が、その厚み方向において、前記結着樹脂を含むマトリックスと、前記パーフルオロポリエーテルを含むドメインとを有するマトリックス−ドメイン構造を有し、該ドメインの平均長径が、１ｎｍ以上、６０ｎｍ以下である請求項１〜６のいずれか１項に記載の電子写真用ベルト。
【請求項８】
基層及び表面層を有する電子写真用ベルトであって、
該表面層は、結着樹脂及びパーフルオロポリエーテルを含有し、
該表面層は、その厚み方向において、マトリックス−ドメイン構造を有し、該ドメインの平均長径が１ｎｍ以上６０ｎｍ以下であることを特徴とする電子写真用ベルト。
【請求項９】
前記表面層中における前記パーフルオロポリエーテルの含有量は、該表面層の全固形分に対して、２０質量％以上４０質量％以下である請求項８に記載の電子写真用ベルト。
【請求項１０】
前記マトリックス−ドメイン構造において、該マトリックスは、前記結着樹脂を含み、該ドメインは、前記パーフルオロポリエーテルを含む請求項８または９に記載の電子写真用ベルト。
【請求項１１】
電子写真用ベルトを具備する電子写真画像形成装置であって、
該電子写真用ベルトが、基層及び表面層を有し、
該表面層は、結着樹脂、パーフルオロポリエーテル及び櫛形グラフト共重合体を含有し、
該櫛形グラフト共重合体は、
フルオロアルキル基を有するアクリレート又はメタクリレートと、ポリメチルメタクリレートを側鎖に有するメタクリレートマクロモノマーとの共重合物であって、
数平均分子量が１１０００以上１５０００以下であり、かつ、
ピークトップ分子量が２４０００以上４００００以下である電子写真用ベルトであることを特徴とする電子写真画像形成装置。
【請求項１２】
前記電子写真用ベルトを中間転写ベルトとして具備している請求項１１に記載の電子写真画像形成装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月9日(2021.4.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
全天球画像を表すための少なくとも１つ以上の入力画像データを取得する取得手段と、
前記入力画像データにおける注目領域が、前記全天球画像が表す全天球の極よりに位置するように、前記入力画像データを出力画像データに変換する変換手段と
を有することを特徴とする画像処理装置。
【請求項２】
前記入力画像データにおける注目領域を決定する決定手段を有し、
前記決定手段が前記注目領域を２つ指定した場合、前記変換手段は、前記２つの注目領域の角度差に応じて、前記入力画像データを前記出力画像データに変換することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項３】
前記変換手段は、前記２つの注目領域の角度差が９０度以上である場合は異なる極に、前記２つの注目領域の角度差が９０度未満である場合は同じ極に近づけるように、前記入力画像データを前記出力画像データに変換することを特徴とする請求項１または請求項２に記載の画像処理装置。
【請求項４】
前記決定手段が３つ以上の前記注目領域を指定した場合、前記変換手段は、前記注目領域の位置に応じて前記３つ以上の注目領域２つのグループに分類することを特徴とする請求項３に記載の画像処理装置。
【請求項５】
前記変換手段は、前記取得手段が取得した入力画像データを球面座標系において回転することにより、前記出力画像データを得ることを特徴とする請求項１乃至４の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項６】
前記変換手段は、
前記注目領域を代表する注目点の座標が前記出力画像データの上部または下部に近づくように、前記球面座標系での前記注目点の回転量を算出する算出手段と、
前記回転量に従って前記入力画像データを回転する回転処理手段と
を有することを特徴とする請求項５に記載の画像処理装置。
【請求項７】
前記注目領域を決定するためのモードを選択する選択手段を有し、
前記決定手段は、前記検出モードに基づいて複数の注目領域を検出することを特徴とする請求項２乃至６の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項８】
前記決定手段は、前記選択手段によって選択された検出モードでは前記注目領域を検出できなかった場合、予め設定された検出モードを利用して注目領域を検出することを特徴とする請求項７に記載の画像処理装置。
【請求項９】
前記決定手段は、ユーザからの指定に応じて前記注目領域を決定することを特徴とする請求項１乃至６の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１０】
前記出力画像データが表す平面画像において、最上部および最下部の付近に位置する画素の分解能の方が、中央横線の付近に位置する画素の分解能よりも高く、
前記変換手段は、前記注目領域が前記最上部および前記最下部の付近に位置するように変換することを特徴とする請求項１乃至９の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１１】
前記入力画像データは、視点の異なる複数の撮像画像であり、
前記変換手段は、前記複数の撮像画像から前記出力画像データを生成することを特徴とする請求項１に記載の画像処理装置。
【請求項１２】
前記複数の撮像画像それぞれを撮影した際の撮像装置の姿勢を示す姿勢情報を取得する姿勢取得手段と、
前記姿勢情報に基づいて、前記複数の撮像装置から全天球画像を合成する合成手段を有し、
前記変換手段は、前記合成手段が合成した全天球画像を、前記出力画像データに変換することを特徴とする請求項１１に記載の画像処理装置。
【請求項１３】
前記モードは、人物を検出し、検出した人物の少なくとも１つを前記注目領域とする人物モードを含むことを特徴とする請求項７または請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１４】
前記選択手段は、前記入力画像データを複数の領域に分割し、各領域で周波数を計算し、高周波成分の多い領域を前記注目領域とすることを特徴とする請求項７または請求項８に記載の画像処理装置。
【請求項１５】
前記入力画像データおよび前記出力画像データは、ある視点から全方位の光線情報を保持する全天球画像であることを特徴とする請求項１乃至５の何れか一項に記載の画像処理装置。
【請求項１６】
コンピュータを請求項１乃至１５の何れか一項に記載された画像処理装置として機能させるためのプログラム。
【請求項１７】
全天球画像を表すための少なくとも１つ以上の入力画像データを取得する取得工程と、
前記入力画像データにおける注目領域が、前記全天球画像が表す全天球の極よりに位置するように、前記入力画像データを出力画像データに変換することを特徴とする画像処理方法。
【手続補正書】
【提出日】令和2年12月22日(2020.12.22)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
モニタを介して仮想空間を提供するためにコンピュータで実行されるプログラムであって、前記プログラムは前記コンピュータに、
仮想空間を定義するステップと、
前記モニタを視認するユーザに対応するアバターオブジェクトを前記仮想空間に配置するステップと、
撮影機能を有するカメラオブジェクトを、当該カメラオブジェクトの撮影範囲に前記アバターオブジェクトの少なくとも一部が含まれるように前記仮想空間に配置するステップと、
前記仮想空間における撮影に適したタイミングと前記カメラオブジェクトの位置とを前記ユーザに通知するステップと、
前記通知後に、前記カメラオブジェクトの撮影範囲に対応する画像を前記タイミングにおいて撮影して生成するステップとを実行させる、プログラム。
【請求項２】
請求項１に記載のプログラムを格納したメモリと、
前記プログラムを実行するためのプロセッサとを備える、情報処理装置。
【請求項３】
モニタを介して仮想空間を提供するためにコンピュータで実行される方法であって、
仮想空間を定義するステップと、
前記モニタを視認するユーザに対応するアバターオブジェクトを前記仮想空間に配置するステップと、
撮影機能を有するカメラオブジェクトを、当該カメラオブジェクトの撮影範囲に前記アバターオブジェクトの少なくとも一部が含まれるように前記仮想空間に配置するステップと、
前記仮想空間における撮影に適したタイミングと前記カメラオブジェクトの位置とを前記ユーザに通知するステップと、
前記通知後に、前記カメラオブジェクトの撮影範囲に対応する画像を前記タイミングにおいて撮影して生成するステップとを備える、方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月19日(2021.2.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の光源と、
前記所定の光源の光が透過可能な第１透光部材と、
前記第１透光部材とは異なる第２透光部材と、を備え、
前記第１透光部材および前記第２透光部材はいずれも板形状であり、
前記第１透光部材には、前記所定の光源からの光を入射可能な第１面と、当該第１透光部材内を透過した光を外部に出射可能な第２面と、があり、
前記第２透光部材には、前記第２面から出射される光を透過可能な透過部があり、
前記第２面は、前記第２透光部材の特定面と対向し、
前記所定の光源が発光している場合には、当該所定の光源からの光が前記透過部で一様に認識されることを特徴とする遊技機。
【請求項２】
請求項１に記載の遊技機であって、
前記第１面とは、前記第１透光部材の１つの端面であり、
前記第２面とは、前記第１面とは異なる前記第１透光部材の１つの端面であることを特徴とする遊技機。
【請求項３】
請求項１又は請求項２に記載の遊技機であって、
所定の光源には、前記第１透光部材の前記第１面に光を入射可能な第１光源と、前記第２透光部材に光を入射可能な第２光源と、があり、
前記所定の光源として前記第１光源が発光している場合には、当該第１光源からの光が前記透過部で一様に認識されることを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の遊技機は、
所定の光源と、
前記所定の光源の光が透過可能な第１透光部材と、
前記第１透光部材とは異なる第２透光部材と、を備え、
前記第１透光部材および前記第２透光部材はいずれも板形状であり、
前記第１透光部材には、前記所定の光源からの光を入射可能な第１面と、当該第１透光部材内を透過した光を外部に出射可能な第２面と、があり、
前記第２透光部材には、前記第２面から出射される光を透過可能な透過部があり、
前記第２面は、前記第２透光部材の特定面と対向し、
前記所定の光源が発光している場合には、当該所定の光源からの光が前記透過部で一様に認識されることを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年4月13日(2021.4.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
遊技者の発射操作により発射された遊技球が流下可能な遊技領域を有した遊技盤と、
外枠と、
前記外枠に対して開閉可能に設けられていると共に、前記遊技盤が取付けられる本体枠と、
を具備し、所定の遊技制御手段により遊技に関する制御が行われる遊技機において、
前記遊技領域に設けられた所定の入賞口への入賞に関する入賞情報と、前記遊技盤から排出される遊技球に関する排出情報とに基づいて、特定情報の表示制御を行う特定情報表示制御手段と、
前記本体枠に設けられ、前記遊技盤から排出される遊技球を検知可能なセンサ部と、
を備え、
前記排出情報は、前記遊技盤から排出された遊技球が前記センサ部を通過することで更新されるものであり、
前記本体枠から遊技球を排出する際には、前記外枠よりも後方に遊技球を放出可能であり、
前記本体枠から遊技球を排出する通路の出口部には、遊技球の落下方向を後方に変化させうる誘導片が形成され、
前記誘導片は、先端部分が前記出口部の開口辺のうち遊技機前方側の開口辺を形成するとともに後方に突出した形状とされる
ことを特徴とする遊技機。
【請求項２】
遊技者の発射操作により発射された遊技球が流下可能な遊技領域を有した遊技盤と、
外枠と、
前記外枠に対して開閉可能に設けられていると共に、前記遊技盤が取付けられる本体枠と、
を具備し、所定の遊技制御手段により遊技に関する制御が行われる遊技機において、
前記遊技領域に設けられた所定の入賞口への入賞に関する入賞情報と、前記遊技盤から排出される遊技球に関する排出情報とに基づいて、特定情報の表示制御を行う特定情報表示制御手段と、
前記本体枠に設けられ、前記遊技盤から排出される遊技球を検知可能なセンサ部と、
を備え、
前記排出情報は、前記遊技盤から排出された遊技球が前記センサ部を通過することで更新されるものであり、
前記本体枠から遊技球を排出する際には、前記外枠よりも後方に遊技球を放出可能であり、
前記本体枠から遊技球を排出する通路の出口部には、前記センサ部を支持する所定の支持部材が設けられ、
前記支持部材は、前記出口部と共に前記外枠よりも後方に位置する
ことを特徴とする遊技機。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００３】
この種の遊技機として、遊技盤を前方から着脱可能に保持していると共に払出装置が取付けられている本体枠において、遊技盤よりも下側の部位に、遊技盤から排出された遊技媒体（アウト球）を受取って遊技機外へ排出するものが知られている（例えば、特許文献１）。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
しかしながら、従来の遊技機は、アウト球等の検知に関し、遊技機の信頼性が不十分で
あった。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００５】
【特許文献１】特開２０１１−２１２１２１号公報
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
そこで、本発明は、上記の実情に鑑み、遊技機の信頼性を高めることを課題とするものである。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
上記した目的を達成するために、本発明においては、
遊技者の発射操作により発射された遊技球が流下可能な遊技領域を有した遊技盤と、
外枠と、
前記外枠に対して開閉可能に設けられていると共に、前記遊技盤が取付けられる本体枠と、
を具備し、所定の遊技制御手段により遊技に関する制御が行われる遊技機において、
前記遊技領域に設けられた所定の入賞口への入賞に関する入賞情報と、前記遊技盤から排出される遊技球に関する排出情報とに基づいて、特定情報の表示制御を行う特定情報表示制御手段と、
前記本体枠に設けられ、前記遊技盤から排出される遊技球を検知可能なセンサ部と、
を備え、
前記排出情報は、前記遊技盤から排出された遊技球が前記センサ部を通過することで更新されるものであり、
前記本体枠から遊技球を排出する際には、前記外枠よりも後方に遊技球を放出可能であり、
前記本体枠から遊技球を排出する通路の出口部には、遊技球の落下方向を後方に変化させうる誘導片が形成され、
前記誘導片は、先端部分が前記出口部の開口辺のうち遊技機前方側の開口辺を形成するとともに後方に突出した形状とされる
ことを特徴とする。
また、遊技者の発射操作により発射された遊技球が流下可能な遊技領域を有した遊技盤と、
外枠と、
前記外枠に対して開閉可能に設けられていると共に、前記遊技盤が取付けられる本体枠と、
を具備し、所定の遊技制御手段により遊技に関する制御が行われる遊技機において、
前記遊技領域に設けられた所定の入賞口への入賞に関する入賞情報と、前記遊技盤から排出される遊技球に関する排出情報とに基づいて、特定情報の表示制御を行う特定情報表示制御手段と、
前記本体枠に設けられ、前記遊技盤から排出される遊技球を検知可能なセンサ部と、
を備え、
前記排出情報は、前記遊技盤から排出された遊技球が前記センサ部を通過することで更新されるものであり、
前記本体枠から遊技球を排出する際には、前記外枠よりも後方に遊技球を放出可能であり、
前記本体枠から遊技球を排出する通路の出口部には、前記センサ部を支持する所定の支持部材が設けられ、
前記支持部材は、前記出口部と共に前記外枠よりも後方に位置する
ことを特徴とする。
また、本発明とは別の発明として、以下の手段を参考的に開示する。
手段１：遊技機において、
「所定の形状で透光性を有する装飾体と、
該装飾体へ向かって光を照射可能な複数の面用発光手段、及び前方へ向かって光を照射可能な複数のスポット用発光手段、が夫々実装されており、前記装飾体から後方へ離隔して設けられている装飾基板と、
該装飾基板における前記スポット用発光手段の前面側から前記装飾体の前面付近まで前後方向へ柱状に延びており、前記スポット用発光手段からの光を誘導して前端から前方へ放射させる複数の導光ピンと
を具備している」ものであることを特徴とする。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００７５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００７５】
本発明によれば、遊技機の信頼性を向上させることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月27日(2021.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
記録ヘッドから水性インクを吐出して、第１面及び第２面を持った記録媒体に画像を記録する記録工程を有するインクジェット記録方法であって、
前記記録工程の後に、さらに、前記第１面及び前記第２面のうち後に記録した面を重力方向の下側にして排紙する排紙工程を有し、
前記水性インクの粘度η１（ｍＰａ・ｓ）が、５．０ｍＰａ・ｓ以上であり、前記水性インクの２０質量％を蒸発させた蒸発インクの粘度η２（ｍＰａ・ｓ）と、前記水性インクの粘度η１（ｍＰａ・ｓ）の差η２−η１が、４．０ｍＰａ・ｓ以上であることを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項２】
前記水性インク中の水の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、６６．０質量％以下である請求項１に記載のインクジェット記録方法。
【請求項３】
前記水性インク中の水の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、３５．０質量％以上６５．０質量％以下である請求項１又は２に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４】
前記水性インクの粘度η１（ｍＰａ・ｓ）が、１５．０ｍＰａ・ｓ以下である請求項１乃至３のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項５】
前記蒸発インクの粘度η２（ｍＰａ・ｓ）が、９．０ｍＰａ・ｓ以上２５．０ｍＰａ・ｓ以下である請求項１乃至４のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項６】
前記蒸発インクの粘度η２（ｍＰａ・ｓ）と、前記水性インクの粘度η１（ｍＰａ・ｓ）の差η２−η１が、１５．０ｍＰａ・ｓ以下である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項７】
前記水性インクが、２５℃で固体である多価アルコール化合物を含有し、
前記水性インク中の前記多価アルコール化合物の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、１０．０質量％以上である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項８】
前記水性インク中の前記多価アルコール化合物の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、３５．０質量％以下である請求項７に記載のインクジェット記録方法。
【請求項９】
前記水性インクが、アルキレンオキサイド基を有するユニットを含む樹脂粒子を含有し、
前記樹脂粒子中の前記アルキレンオキサイド基を有するユニットの占める割合（質量％）が、３．０質量％以上である請求項７又は８に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１０】
前記樹脂粒子中の前記アルキレンオキサイド基を有するユニットの占める割合（質量％）が、１０．０質量％以下である請求項９に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１１】
前記アルキレンオキサイド基を有するユニットが、８個以上のアルキレンオキサイド基を有するモノマーに由来するユニットである請求項９又は１０に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１２】
前記樹脂粒子の表面電荷量（μｍｏｌ／ｇ）が、５００μｍｏｌ／ｇ以下である請求項９乃至１１のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１３】
前記水性インク中の、前記樹脂粒子の含有量（質量％）が、前記多価アルコール化合物の含有量（質量％）に対する質量比率で、０．２５倍以上１．００倍以下である請求項９乃至１２のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１４】
前記記録媒体が、コート層を有しない紙基材の記録媒体である請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１５】
前記記録ヘッドが、ラインヘッドである請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１６】
記録ヘッドから水性インクを吐出して、第１面及び第２面を持った記録媒体に画像を記録するために用いるインクジェット記録装置であって、
前記第１面及び前記第２面のうち後に記録した面を重力方向の下側にして排紙する裏面排紙機構を備え、
前記水性インクの粘度η１（ｍＰａ・ｓ）が、５．０ｍＰａ・ｓ以上であり、前記水性インクの２０質量％を蒸発させた蒸発インクの粘度η２（ｍＰａ・ｓ）と、前記水性インクの粘度η１（ｍＰａ・ｓ）の差η２−η１が、４．０ｍＰａ・ｓ以上であることを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月11日(2021.8.11)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
加熱された水性インクを記録ヘッドから吐出して、記録媒体に画像を記録するインクジェット記録方法であって、
前記水性インクが、体積基準の累積９０％粒径（ｎｍ）が６０ｎｍ以下である銀粒子を含有することを特徴とするインクジェット記録方法。
【請求項２】
前記記録ヘッドの吐出口の直径（μｍ）が、５０μｍ以下である請求項１に記載のインクジェット記録方法。
【請求項３】
前記記録ヘッドの吐出口の直径（μｍ）が、１０μｍ以上３０μｍ以下である請求項１又は２に記載のインクジェット記録方法。
【請求項４】
前記記録ヘッドの吐出口の直径（μｍ）×１０００の値が、前記銀粒子の体積基準の累積９０％粒径（ｎｍ）に対する比率（倍）で、３０倍以上である請求項２又は３に記載のインクジェット記録方法。
【請求項５】
前記記録ヘッドの吐出口の直径（μｍ）×１０００の値が、前記銀粒子の体積基準の累積９０％粒径（ｎｍ）に対する比率（倍）で、１２００倍以下である請求項２乃至４のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項６】
前記記録ヘッドから吐出される前記水性インクの温度が、５０℃以上である請求項１乃至５のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項７】
前記記録ヘッドから吐出される前記水性インクの温度が、７０℃以下である請求項１乃至６のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項８】
前記銀粒子の体積基準の累積９０％粒径（ｎｍ）が、５０ｎｍ以下である請求項１乃至７のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項９】
前記銀粒子の体積基準の累積９０％粒径（ｎｍ）が、１０ｎｍ以上である請求項１乃至８のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１０】
前記銀粒子の体積基準の累積５０％粒径（ｎｍ）が、２５ｎｍ以下である請求項１乃至９のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１１】
前記銀粒子の体積基準の累積５０％粒径（ｎｍ）が、１ｎｍ以上である請求項１乃至１０のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１２】
前記銀粒子の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、６．００質量％以下である請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１３】
前記銀粒子の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、２．００質量％以上である請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１４】
前記水性インクが、前記銀粒子を分散するための樹脂分散剤を含有し、
前記樹脂分散剤の含有量（質量％）が、前記銀粒子の含有量（質量％）に対する質量比率（倍）で、０．８倍以下である請求項１乃至１３のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１５】
前記水性インクが、沸点が１８０℃以上の第１水溶性有機溶剤を含有し、
前記第１水溶性有機溶剤の含有量（質量％）が、前記銀粒子の含有量（質量％）に対する質量比率（倍）で、２．５倍以上である請求項１乃至１４のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１６】
前記第１水溶性有機溶剤の含有量（質量％）が、前記銀粒子の含有量（質量％）に対する質量比率（倍）で、４．５倍以下である請求項１５に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１７】
前記第１水溶性有機溶剤の含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、１５．００質量％以上２５．００質量％以下である請求項１５又は１６に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１８】
前記水性インクが、アルカノールアミンを含有する請求項１乃至１７のいずれか１項に記載のインクジェット記録方法。
【請求項１９】
前記アルカノールアミンの含有量（質量％）が、インク全質量を基準として、０．０１質量％以上１．００質量％以下である請求項１８に記載のインクジェット記録方法。
【請求項２０】
水性インク、前記水性インクを吐出するための記録ヘッド、及び前記記録ヘッド内の前記水性インクを加熱する手段を備えたインクジェット記録装置であって、
前記水性インクが、体積基準の累積９０％粒径（ｎｍ）が６０ｎｍ以下である銀粒子を含有することを特徴とするインクジェット記録装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
吐出口の直径（μｍ）×１０００の値は、銀粒子の体積基準の累積９０％粒径（ｎｍ）に対する比率（倍）で、３０倍以上であることが好ましい。本発明において、銀粒子の体積基準の累積９０％粒径は、６０ｎｍ以下である。累積分布において大きい側の１０％の粒径を有する銀粒子は、絶対量が少ないものの粒径が６０ｎｍよりも大きくてもよい。銀粒子を含有するインクを吐出口から連続して吐出する場合は、粒径の大きい銀粒子が吐出口に供給される絶対量が少ないため、その銀粒子の影響は小さい。しかし、銀粒子を含有するインクを吐出口からさらに連続して吐出すると、粒径の大きい銀粒子が吐出口に供給される絶対量は少ないものの、粒径の大きい銀粒子が吐出口に供給され続けることで、吐出口の近傍に付着する粒径の大きい銀粒子は累積されていく。前記累積９０％粒径に対して吐出口の直径×１０００の値が３０倍未満であると、吐出口の直径が小さすぎるため、粒径の大きい銀粒子が吐出口に付着すると、吐出口が塞がれて、インクの吐出安定性が十分に得られない場合がある。前記比率は５０倍以上であることがさらに好ましく、１２００倍以下であることが好ましい。