(57)【要約】【課題】カラーフィルタ方式のＥＬ表示装置において、個々の画素が微細となる高精細又は小型の表示装置においても混色による画質の劣化を低減すること。【解決手段】前面に画素毎に形成された下部電極４と、下部電極４を隔てる画素分離膜５と、下部電極４及び画素分離膜５の上層に形成された白色発光のＥＬ層６と、を備えたアレイ基板１と、後面にブラックマトリクス１０と、カラーフィルタ１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂと、オーバーコート層１２を備えた封止基板９と、アレイ基板１と封止基板９間に充填された封止層８と、を有し、オーバーコート層１２に、厚さの異なる部分が設けられたＥＬ表示装置。【選択図】図３
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
前面に画素毎に形成された下部電極と、前記下部電極を隔てる画素分離膜と、前記下部電極及び前記画素分離膜の上層に形成された白色発光のＥＬ層と、を備えたアレイ基板と、
後面にブラックマトリクスと、カラーフィルタと、オーバーコート層を備えた封止基板と、
前記アレイ基板と前記封止基板間に充填された封止層と、
を有し、
前記オーバーコート層に、厚さの異なる部分が設けられたＥＬ表示装置。
【請求項２】
前記厚さの異なる部分は、前記オーバーコート層の厚さが薄くなっている薄膜部分又は前記オーバーコート層が除去されている開口部分であり、
前記薄膜部分又は前記開口部分に柱状スペーサが形成されている請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項３】
前記柱状スペーサは、平面視において前記カラーフィルタと重ならない位置に形成されている請求項２記載のＥＬ表示装置。
【請求項４】
前記厚さの異なる部分は、平面視において前記ブラックマトリクスと重なる位置に形成された突起部分である請求項１記載のＥＬ表示装置。
【請求項５】
前記厚さの異なる部分は、前記アレイ基板の前面の凹凸構造と相補的形状となるよう設けられている請求項１記載のＥＬ表示装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＬ表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
現在、種々の形式のエレクトロルミネセンス（以降、「ＥＬ」と表記）表示装置が開発され実用に供されている。特に、フルカラーのＥＬ表示装置を携帯機器等の小型の機器に搭載するなど高精細かつ小型であることが要求される場合には、個々の画素のサイズが小さくなり、発光層であるＥＬ層を画素毎に異なる発色光をもつものに塗り分けることが困難となる。
【０００３】
そこで、カラーフィルタ方式のＥＬ表示装置が提案されている。これは、図１に示すように、トップエミッション形式のＥＬ表示装置４００のアレイ基板１上に形成された発光層であるＥＬ層６を白色発光のものとして全画素に跨る共通の層とし、封止層８を隔てて配置される封止基板９上に色要素であるカラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂを設けたものである。ＥＬ層６より生じた白色光は、図中矢印Ａで示すように、ここでは緑色のカラーフィルタ１１Ｇを透過することにより緑色光として出射し、認識される。
【０００４】
なお、図１に示す従来のカラーフィルタ方式のトップエミッション型ＥＬ表示装置４００の画素部分を示す部分断面図には、アレイ基板１上に形成される回路層２、反射層３、
下部電極４、画素分離膜５、ＥＬ層６及び上部電極７が示され、また、封止基板９上に形成されるブラックマトリクス１０、カラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂ、オーバーコート層１２及び柱状スペーサ１３が示されている。
【０００５】
図１に示したＥＬ表示装置４００では、図中矢印Ｂに示すように、ＥＬ層６から斜め方向に出射する光線が隣接するカラーフィルタ１１Ｂに入射することにより生じる混色が発生する。この混色は、個々の画素が微細となる高精細又は小型の表示装置では、隣接する画素間隔が狭くなるため、より顕著となり、場合によっては実用上の問題となる。混色の程度を低減するにはＥＬ層６からカラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂまでの距離を短くすればよいが、封止層８の厚さを決定する柱状スペーサ１３の高さには製造上の制限があり、一定程度より低くすることができない。柱状スペーサ１３を省略して封止層８を薄くすることも考えられるが、その場合には、アレイ基板１表面の凹凸の影響が強くなり、封止層８を形成する樹脂をアレイ基板１と封止基板９間に均等に充填することが難しい。
【０００６】
上述の混色の問題を解決するため、例えば特許文献１では、各発光画素と他の発光画素の間にスペーサを兼ねる遮光部を設けることが提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】特開２００２−２９９０４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
特許文献１の技術では、遮光部材には黒色樹脂材料が用いられ、エッチング等の手法により所望のパターンに加工される。しかしながら、スペーサを兼ねる程度の厚膜の場合、膜のプロファイルがエッチング時にテーパ形状あるいはアンダーカット形状となりやすく、微細加工が困難である。また、黒色樹脂材料は紫外線透過率が低いため、厚膜の場合、黒色樹脂材料自体を感光性とすることによるフォトリソグラフィ加工も難しい。そのため、同文献記載の技術は個々の画素が微細となる高精細又は小型の表示装置に適用することはできない。
【０００９】
本発明はかかる観点に鑑みてなされたものであって、その目的は、カラーフィルタ方式のＥＬ表示装置において、個々の画素が微細となる高精細又は小型の表示装置においても混色による画質の劣化を低減することである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本出願において開示される発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以下のとおりである。
【００１１】
（１）前面に画素毎に形成された下部電極と、前記下部電極を隔てる画素分離膜と、前記下部電極及び前記画素分離膜の上層に形成された白色発光のＥＬ層と、を備えたアレイ基板と、後面にブラックマトリクスと、カラーフィルタと、オーバーコート層を備えた封止基板と、前記アレイ基板と前記封止基板間に充填された封止層と、を有し、前記オーバーコート層に、厚さの異なる部分が設けられたＥＬ表示装置。
【００１２】
（２）（１）において、前記厚さの異なる部分は、前記オーバーコート層の厚さが薄くなっている薄膜部分又は前記オーバーコート層が除去されている開口部分であり、前記薄膜部分又は前記開口部分に柱状スペーサが形成されているＥＬ表示装置。
【００１３】
（３）（２）において、前記柱状スペーサは、平面視において前記カラーフィルタと重ならない位置に形成されているＥＬ表示装置。
【００１４】
（４）（１）において、前記厚さの異なる部分は、平面視において前記ブラックマトリクスと重なる位置に形成された突起部分であるＥＬ表示装置。
【００１５】
（５）（１）において、前記厚さの異なる部分は、前記アレイ基板の前面の凹凸構造と相補的形状となるよう設けられているＥＬ表示装置。
【発明の効果】
【００１６】
上記（１）によれば、カラーフィルタ方式のＥＬ表示装置において、個々の画素が微細となる高精細又は小型の表示装置においても混色による画質の劣化を低減することができる。
【００１７】
上記（２）によれば、柱状スペーサの高さを実質的に低くすることができる。
【００１８】
上記（３）によれば、柱状スペーサの高さをさらに実質的に低くすることができる。
【００１９】
上記（４）によれば、オーバーコート層の形状により柱状スペーサを代替することができる。
【００２０】
上記（５）によれば、封止層を形成する樹脂のアレイ基板と封止基板間への充填を円滑に行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】従来のカラーフィルタ方式のトップエミッション型ＥＬ表示装置の画素部分を示す部分断面図である。
【図２】本発明の第１の実施形態に係るＥＬ表示装置の概略分解斜視図である。
【図３】本発明の第１の実施形態に係るＥＬ表示装置の画素部分を示す部分断面図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係るＥＬ表示装置の変形例における、柱状スペーサ近辺を示す部分断面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態に係るＥＬ表示装置の画素部分を示す部分断面図である。
【図６】本発明の第３の実施形態に係るＥＬ表示装置の画素部分を示す部分断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の第１の実施形態に係るＥＬ表示装置１００を図面を参照しつつ説明する。
【００２３】
図２は、本発明の第１の実施形態に係るＥＬ表示装置１００の概略分解斜視図である。ＥＬ表示装置１００は、矩形のアレイ基板１の前面上に、画素２０が配置されている領域である矩形の表示領域２１が設けられている。表示領域２１の左右いずれかの辺または両側の辺に隣接して、走査回路２２が配置される。本実施形態では、走査回路２２は表示領域２１の左側のみに設けられている。走査回路２２からは多数の走査信号線２３が表示領域２１に延びる。なお、走査回路２２は、図示のように、回路自体をいわゆるＳＯＧ（Ｓｙｓｔｅｍ  Ｏｎ  Ｇｌａｓｓ）等の手法によりアレイ基板１の表面に直接作成することにより設けてもよいし、半導体チップを実装することにより設けてもよい。また、表示領域２１の手前側の辺に隣接して、駆動回路２４が設けられる。駆動回路２４からは多数の映像信号線２５が表示領域２１に延びており、走査信号線２３と直交する。この走査信号線２３と映像信号線２５に接続して一つの画素２０が配置される。なお、駆動回路２４は、走査回路２２と同様にアレイ基板１の表面に直接作成して設けてもよいが、本実施形態では、半導体チップを実装することにより設けている。駆動回路２４にはＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ  Ｐｒｉｎｔｅｄ  Ｃｉｒｃｕｉｔ）２６が接続されており、外部の機器から画像データが駆動回路２４に供給されるようになっている。
【００２４】
さらに、アレイ基板１の前面側には、封止基板９が配置される。封止基板９の後面には、カラーフィルタ１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂが表示領域２１の各画素２０に対応する位置に形成されている（図中破線で示した）。また、封止基板９はアレイ基板１より寸法が小さく、駆動回路２４及びＦＰＣ２６が封止基板９に覆われることなく露出するようになっている。本実施形態では、封止基板９の図中奥行き方向（長辺）の寸法がアレイ基板１の奥行き方向の寸法より小さいものとなっており、封止基板９の図中幅方向（短辺）の寸法はアレイ基板１の幅方向の寸法と同じである。なお、本明細書では、「前面」を、ＥＬ表示装置１００の観察者に向く側の面を、「後面」をその反対に向く面を指す用語として用いている。
【００２５】
外部の機器から供給された画像データは、駆動回路２４により画素２０毎の輝度を示す電圧信号に変換されて映像信号線２５に出力され、走査回路２２により選択された走査信号線２３に対応する画素２０に供給される。画素２０は、それぞれの画素２０に設けられた画素回路により、供給された電圧信号に応じた輝度で発光する。このようにして、表示領域２１に格子状に設けられた多数の画素２０が所与の画像データに対応した輝度で発光することにより、ＥＬ表示装置１００は表示領域２１に画像を形成する。
【００２６】
図３は、本発明の第１の実施形態に係るＥＬ表示装置１００の画素部分を示す部分断面図である。
【００２７】
ＥＬ表示装置１００は、絶縁性のアレイ基板１上に多数の画素を規則的に配置し、各画素に対応する位置におけるＥＬ層６の発光量を制御することにより画像を形成する。そのため、アレイ基板１上には、各画素に流れる電流の量を制御するためのＴＦＴ（Ｔｈｉｎ  Ｆｉｌｍ  Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等からなる電気回路が規則的に（本実施形態の場合、格子状に）配置される回路層２が形成される。なお、アレイ基板１は本実施形態ではガラス基板であるが、絶縁性の基板であればその材質は特に限定されず、合成樹脂その他の材質であってもよい。また、その透明・不透明も問わない。
【００２８】
回路層２は、適宜の絶縁層と、走査信号線、映像信号線、電源線及び接地線等からなる配線と、ゲート、ソース、ドレインそれぞれの電極と半導体層からなるＴＦＴを含んでいる。回路層２を構成する電気回路及びその断面構造は周知のものであるので、ここではその詳細は省略し、これらを単純化して単に回路層２としてのみ示す。
【００２９】
回路層２上には、画素毎に独立して反射層３が設けられている。反射層３は、そのさらに上層に設けられるＥＬ層６からの発光を反射する機能を有している。反射層３は適宜の金属膜により形成してよく、例えばアルミニウム、クロム、銀又はこれらの合金を用いてよい。なお、反射層３は、次に説明する下部電極４により兼ねるものとして省略してもよい。或いは、反射層３と下部電極４とが任意の絶縁層等により絶縁されている場合には、反射層３は必ずしも画素毎に独立して設けられずともよく、例えば表示領域２１（図２参照）全面を覆うように設けられてもよい。
【００３０】
反射層３のさらに上層には、画素毎に下部電極４が設けられる。下部電極４は、画素分離膜５（バンクとも呼ばれる）により互いに隔てられ、絶縁される。下部電極４は透明導電膜であり、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩｎＺｎＯ（酸化亜鉛錫）等の導電性金属酸化物や、かかる導電性金属酸化物中に銀等の金属を混入したものが好適に用いられる。下部電極４が反射層３を兼ねるものである場合には、これを単なる金属薄膜としてもよい。また、画素分離膜５は絶縁性の材料であればどのようなものであってもよく、ポリイミドやアクリル樹脂等の有機絶縁材料や、シリコンナイトライドにより形成してよい。画素分離膜５は、各画素の境界に沿って配置され、各画素を互いに分離する。
【００３１】
下部電極４及び画素分離膜５の上層には、ＥＬ層６が設けられる。ＥＬ層６は、画素毎に独立しておらず、表示領域２１（図２参照）全面を覆うように設けられる。また、ＥＬ層６の発光色は白色である。かかる白色の発光は、一般的には、複数色、例えば、赤、緑、青の各色や、黄色と青に発光するＥＬ材料を積層することにより合成色として得られるが、本実施形態においてＥＬ層６の具体的構成は特に限定されるものではなく、その単層／積層の別やその層構造については、結果として白色発光が得られるものであればどのようなものであってもよい。また、ＥＬ層６を構成する材料は、有機であっても無機であってもよいが、本実施形態では有機材料を使用している。
【００３２】
さらに、ＥＬ層６の上部には、上部電極７が設けられる。上部電極７もまた、画素毎に独立しておらず、表示領域２１（図２参照）全面を覆うように設けられる。上部電極７も透明導電膜であり、ＩＴＯ（酸化インジウム錫）やＩｎＺｎＯ（酸化亜鉛錫）等の導電性金属酸化物に銀やマグネシウム等の金属を混入したもの、銀やマグネシウム等の金属薄膜と導電性金属酸化物を積層したもの、或いは単なる金属薄膜が好適に用いられる。
【００３３】
かかる構造により、アレイ基板１の前面に位置する上部電極７は凹凸を有する構造となっている。図３では、画素分離膜５に対応する部分が凸となり、それ以外の部分では平坦な凹となるものとして示されているが、これにさらに回路層２に形成されたＴＦＴやスルーホール等の各種の構造による凹凸が反映されたものとなる。なお、上部電極７のさらに上層に任意の材料による保護層を形成してもよいが、その場合には、かかる保護層が上部電極７と同様の凹凸構造を有することとなる。
【００３４】
アレイ基板１の前面側には、封止層８が設けられ、ＥＬ層６をはじめとする各層への酸素や水分の侵入が防止され、保護される。封止層８は、保護性能に優れた有機材料で構成してよく、また、異種材料を複数積層することにより封止層８を構成してもよい。封止層８には透明の材料が選択される。
【００３５】
封止層８を挟んで、アレイ基板１と向かい合うように設けられる封止基板９が配置されており、封止基板９の後面、すなわち、アレイ基板１と向き合う面には、画素の境界となる部分にブラックマトリクス１０が形成され、さらにその上を覆うように、各画素に対応した位置に、各画素の発光色に対応した色のカラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ、１１Ｂが形成されている。封止基板９は、ガラスあるいは合成樹脂製であり、可視光に対して透明である。また、ブラックマトリクス１０は、可視光に対して黒色、すなわち、吸光性を有する材料であればどのようなものであってもよく、例えば、ポリイミドやアクリル系合成樹脂にカーボンを混入したものを用いてよい。また、カラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂは任意の合成樹脂、例えばアクリル系合成樹脂に染料材料を混入することによりそれぞれ赤色、緑色及び青色に着色したものである。
【００３６】
さらに、カラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂを覆うようにオーバーコート層１２が形成され、カラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂの保護と表示領域２１内での封止基板９の後面の平坦化がなされている。オーバーコート層１２のブラックマトリクス１０と平面視において重なる位置には、オーバーコート層１２の厚さの異なる部分として、ここでは部分的にオーバーコート層１２が除去された開口部分１４が設けられており、カラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂがオーバーコート層１２から露出している。さらに、開口部分１４内に、柱状スペーサ１３が形成されている。オーバーコート層１２、柱状スペーサ１３にはアクリル系、ポリイミド系等の適宜の合成樹脂を用いてよい。
【００３７】
このような構造により、ＥＬ表示装置１００の各画素に対応する位置にあるＥＬ層６は、回路層２に配置された電気回路により制御された量の正孔及び電子が下部電極４及び上部電極７により注入されると、その電流量に応じた輝度で発光する。下部電極４及び上部電極７の極性は特に限定されないが、本実施形態では、下部電極４がアノードとして、また、上部電極７がカソードとして機能するようになっている。また、以上の説明及び図１より明らかなように、ＥＬ表示装置１００はいわゆるトップエミッション形式であり、アレイ基板１の前側に発光を取り出す。
【００３８】
ここで、封止層８は、アレイ基板１と封止基板９間に封止樹脂を充填した後硬化させることにより作成されるが、その際にアレイ基板１と封止基板９を互いに押し付け合うよう加圧するので、封止層８の厚さは主として柱状スペーサ１３の高さにより決定される。そして、本実施形態では、柱状スペーサ１３が形成される位置において、オーバーコート層１２に開口部分１４が設けられているため、オーバーコート層１２の厚みの分だけ柱状スペーサ１３の高さが実質的に低くなっている。そのため、アレイ基板１と封止基板９間の距離がオーバーコート層１２の厚みの分だけ短くなり、混色の程度が軽減される。
【００３９】
なお、本実施形態では、柱状スペーサ１３が形成される位置にオーバーコート層１２を除去した開口部分１４を設けたが、これに換え、オーバーコート層１２を完全に除去することなく、その厚さを低減した薄膜部分を設けるようにしてもよい。開口部分１４、薄膜部分はオーバーコート層１２を形成する際に、フォトリソグラフィの手法を用い、エッチングを行ったり、いわゆるハーフ露光を行ったりすることにより形成される。
【００４０】
なお、図３に示した例では柱状スペーサ１３はカラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂの表面に形成したが、図４に示すように、カラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂと重ならない位置であって、ブラックマトリクス１０の表面に直接形成するようにしてもよい。ブラックマトリクス１０の幅が、カラーフィルタ１１Ｒ、１１Ｇ及び１１Ｂとの重ね合わせしろを考慮してもなお、柱状スペーサ１３を形成できる程度に太い場合には、かかる構造をとることにより、さらに柱状スペーサ１３の高さが実質的に低くなる。
【００４１】
なお、図３では柱状スペーサ１３がアレイ基板１の表面（上部電極７）に接触しているように示されているが、必ずしも柱状スペーサ１３はアレイ基板１の表面に突き当たる必要はない。
【００４２】
続いて、本発明の第２の実施形態に係るＥＬ表示装置２００を図面を参照しつつ説明する。なお、ＥＬ表示装置２００の外観は先の第１の実施形態に係るＥＬ表示装置１００のものとして図２に示したものと同一である。また、本実施形態に係るＥＬ表示装置２００を説明するにあたり、第１の実施形態と同一または同等の構成に対しては同符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４３】
図５は、本発明の第２の実施形態に係るＥＬ表示装置２００の画素部分を示す部分断面図である。ＥＬ表示装置２００では、オーバーコート層１２のブラックマトリクス１０と平面視において重なる位置に、オーバーコート層１２の厚さの異なる部分として、ここでは部分的にオーバーコート層１２の厚さの厚い突起部分１５が設けられている。この突起部分１５は、先に説明した背景技術又は第１の実施形態における柱状スペーサの機能を代替するものであり、ＥＬ表示装置２００の製造時に封止層８の厚さを決定する役割を担っている。
【００４４】
突起部分１５はオーバーコート層１２を形成する際に、フォトリソグラフィの手法を用い、エッチングを行ったり、いわゆるハーフ露光を行ったりすることにより形成することができる。すなわち、エッチングによる場合にはオーバーコート層１２全体を突起部分１５と同じ厚さで形成し、その後突起部分１５以外の部分をエッチングにより除去し、その厚みを減じればよい。また、ハーフ露光による場合には、オーバーコート層１２を形成する樹脂を封止基板９上に塗布した後、突起部分１５以外の部分にはハーフトーンマスクによるハーフ露光を行い、その後現像すればよい。オーバーコート層１２の厚さは比較的自由に定めることができるので、このようにしても柱状スペーサの高さを実質的に低くすることができる。
【００４５】
続いて、本発明の第３の実施形態に係るＥＬ表示装置３００を図面を参照しつつ説明する。なお、ＥＬ表示装置３００の外観もまた、先の第１の実施形態に係るＥＬ表示装置１００のものとして図２に示したものと同一である。また、本実施形態に係るＥＬ表示装置３００を説明するにあたり、第１の実施形態と同一または同等の構成に対しては同符号を付し、重複する説明は省略する。
【００４６】
図６は、本発明の第３の実施形態に係るＥＬ表示装置３００の画素部分を示す部分断面図である。本実施形態に係るＥＬ表示装置３００では、オーバーコート層１２の厚さの異なる部分として、オーバーコート層１２の後面にアレイ基板１の前面の凹凸構造と相補的形状となる凹凸形状が設けられている。すなわち、画素分離膜５の直上などアレイ基板１の前面が凸となる部分ではオーバーコート層１２の後面に凹部が、それ以外の平坦で凹となる部分ではオーバーコート層１２の後面に凸部が形成される。これにより、アレイ基板１の前面が凸となる部分におけるアレイ基板１の前面と封止基板９の後面間の距離（これは封止層８の厚さに等しい）ｄ１と、アレイ基板１の前面が凹となる部分におけるアレイ基板１の前面と封止基板９の後面間の距離ｄ２との差が小さくなるか、又は等しくなる。このことは、封止層８の面内の厚さの変化が小さくなるということでもある。
【００４７】
このような構造によれば、封止層８を形成するべく、アレイ基板１と封止基板９間に封止樹脂を充填する際に、アレイ基板１の前面と封止基板９の後面間の距離が不均等であることに起因して、封止樹脂が充填されない領域が発生することが防止される。
【００４８】
なお、本実施形態におけるオーバーコート層１２における凹凸形状もまた、オーバーコート層１２を形成する際に、フォトリソグラフィの手法を用い、エッチングを行ったり、いわゆるハーフ露光を行ったりすることにより形成することができる。
【００４９】
なお、以上説明した実施形態において示した各部材の具体的な形状や配置、数等は一例であり、本発明をこれらに限定するものではない。当業者は本発明を実施するにあたり、その実施の態様に応じてこれら各部材の形状等を任意に設計及び変更してよい。
【符号の説明】
【００５０】
１  アレイ基板、２  回路層、３  反射層、４  下部電極、５  画素分離膜、６  ＥＬ層、７  上部電極、８  封止層、９  封止基板、１０  ブラックマトリクス、１１Ｒ，１１Ｇ，１１Ｂ  カラーフィルタ、１２  オーバーコート層、１３  柱状スペーサ、１４  開口部分、１５  突起部分、２０  画素、２１  表示領域、２２  走査回路、２３  走査信号線、２４  駆動回路、２５  映像信号線、２６  ＦＰＣ、１００，２００，３００，４００  ＥＬ表示装置。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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