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【手続補正書】
【提出日】令和3年9月13日(2021.9.13)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
前記基板上に形成された第１の多層膜反射鏡と、
前記第１の多層膜反射鏡上に形成され、発光層を含む発光構造層と、
前記発光構造層上に形成され、前記第１の多層膜反射鏡との間で共振器を構成する第２の多層膜反射鏡と、を有し、
前記発光構造層は、前記第１の多層膜反射鏡と前記第２の多層膜反射鏡との間において環状に設けられた低抵抗領域と、前記低抵抗領域の内側に形成され、前記低抵抗領域よりも高い電気抵抗を有する高抵抗領域と、を有し、
前記共振器は、前記発光構造層の前記低抵抗領域に対応して前記第１及び第２の多層膜反射鏡間に延びる環状領域と、前記環状領域の内側において前記高抵抗領域に対応して設けられた中央領域と、前記環状領域の外側に設けられた外側領域と、を有し、
前記中央領域及び前記外側領域は、前記環状領域よりも低い等価屈折率を有することを特徴とする垂直共振器型発光素子。
【請求項２】
前記発光層から放出される光の波長λとし、前記波長λに対する前記環状領域の等価屈折率を屈折率ｎλとし、４４５ｎｍの波長に対する前記環状領域の等価屈折率を屈折率ｎ445とした場合、前記電流注入領域の幅Ｗ１は、Ｗ１≧２．８５×（λ／０．４４５）×（ｎλ／ｎ445）［μｍ］の関係を満たすことを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型発光素子。
【請求項３】
前記低抵抗領域の内側の前記高抵抗領域の幅は、前記発光層でのキャリアの拡散長の２倍以上であることを特徴とする請求項１又は２に記載の垂直共振器型発光素子。
【請求項４】
前記発光構造層は、前記第１の多層膜反射鏡上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された前記発光層と、前記発光層上に形成され、前記第１の半導体層とは反対の導電型を有する第２の半導体層と、を有し、
前記第２の半導体層は、前記上面と、前記上面から環状に突出する凸部とを有し、
前記第２の半導体層の前記上面は、絶縁層に覆われることで前記高抵抗領域として機能し、
前記第２の半導体層の前記凸部は、電極に接触することで前記低抵抗領域として機能することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の垂直共振器型発光素子。
【請求項５】
前記発光構造層は、前記第１の多層膜反射鏡上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された前記発光層と、前記発光層上に形成され、前記第１の半導体層とは反対の導電型を有する第２の半導体層と、を有し、
前記第２の半導体層は、環状の領域を残してイオンが注入されたイオン注入領域を有し、
前記第２の半導体層の前記イオンが注入されていない領域は、前記低抵抗領域として機能することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の垂直共振器型発光素子。
【請求項６】
前記発光構造層は、前記第１の多層膜反射鏡上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された前記発光層と、前記発光層上に形成され、前記第１の半導体層とは反対の導電型を有する第２の半導体層と、を有し、
前記第２の半導体層は、環状の領域を残して前記第２の半導体層の不純物が不活性化された不活性化領域を有し、
前記第２の半導体層の前記不純物が不活性化されていない領域は、前記低抵抗領域として機能することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の垂直共振器型発光素子。
【請求項７】
前記発光構造層は、前記第１の多層膜反射鏡上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に形成された前記発光層と、前記発光層上に形成され、前記第１の半導体層とは反対の導電型を有する第２の半導体層と、前記第２の半導体層上に環状に形成され、前記低抵抗領域として機能するトンネル接合層と、を有することを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１つに記載の垂直共振器型発光素子。
【請求項８】
前記第２の半導体層の層厚は、前記発光層でのキャリアの拡散長の２倍以下であることを特徴とする請求項４乃至７のいずれか１つに記載の垂直共振器型発光素子。
【請求項９】
前記環状領域は、前記発光構造層上面に垂直な方向から見たときに楕円環状、矩形環状、十字を囲む環状のいずれか一つの形状を有することを特徴とする請求項１に記載の垂直共振器型発光素子。
【手続補正書】
【提出日】令和3年8月18日(2021.8.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１のランドを備える電子部品と、
前記第１のランドと対向するように配置され、前記第１のランドにはんだ接合される第２のランドを備えるプリント配線板と、を有し、
前記プリント配線板には、前記第１のランド側から順に、絶縁層と、第１の配線パターンが形成されており、
前記絶縁層は、前記第２のランドと所定の間隔を挟み隣接して形成され、前記第１の配線パターンの少なくとも一部を外部に露出させるレジスト開口を備え、前記第２のランドには前記絶縁層が形成されずに外部に露出しており、
前記プリント配線板は、前記レジスト開口の周囲の少なくとも一部に配置されている第２の配線パターンを備え、
前記第１の配線パターンの熱容量は、前記第２の配線パターンの熱容量に比べて小さいことを特徴とする実装基板。
【請求項２】
請求項１に記載の実装基板を有することを特徴とする電子機器。
【請求項３】
第１のランドを備える電子部品と、プリント配線板の前記電子部品側の配線の表面を覆う絶縁層と、前記絶縁層が形成されずに外部に露出し且つ前記第１のランドにはんだ接合される第２のランドと、第１の配線パターンと、前記第２のランドの周辺に形成され、前記絶縁層が形成されずに前記第１の配線パターンの少なくとも一部を外部に露出させるレジスト開口と、前記レジスト開口の周囲の少なくとも一部に配置され、熱容量が前記第１の配線パターンに比べて大きい第２の配線パターンと、を備える前記プリント配線板と、を有する実装基板の製造方法であって、
前記第２のランド上にはんだ粉末および熱硬化性樹脂を含有するはんだペーストを供給する供給ステップと、
前記第１のランドが前記第２のランドに対向するように、前記プリント配線板上に前記電子部品を搭載する搭載ステップと、
前記電子部品を前記はんだペーストにより前記プリント配線板にリフロー実装する実装ステップと、を有し、
前記実装ステップでは、
前記はんだペーストが溶融し、前記はんだ粉末と前記熱硬化性樹脂とに分離し、
前記第１のランドと前記第２のランドとがはんだ接合し、
前記熱硬化性樹脂が前記第２のランドから、前記第２のランドと前記レジスト開口との間に形成された前記絶縁層を乗り越えて前記プリント配線板の外側に流動すると、前記第１の配線パターンに接触することを特徴とする実装基板の製造方法。
【請求項４】
前記電子部品は、長辺および短辺を有する矩形形状であり、
前記レジスト開口は、前記短辺に沿って形成されていることを特徴とする請求項３に記載の実装基板の製造方法。
【請求項５】
前記電子部品は、撮像センサであることを特徴とする請求項３または４に記載の実装基板の製造方法。
【請求項６】
前記熱硬化性樹脂は、金属に接触することで硬化が促進される、嫌気性接着剤であることを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の実装基板の製造方法。
【請求項７】
前記プリント配線板は、前記第２のランドが設けられた面とは反対側の面に設けられ、前記第１の配線パターンにスルーホールを介して接続される第３のランドと、前記第３のランドにはんだ接合される発熱部品と、を備えることを特徴とする請求項３から６のいずれか１項に記載の実装基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１の配線パターンは、その全体ではなく一部を前記レジスト開口で覆われていることを特徴とする請求項３から７のいずれか１項に記載の実装基板の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の一側面としての実装基板は、第１のランドを備える電子部品と、第１のランドと対向するように配置され、第１のランドにはんだ接合される第２のランドを備えるプリント配線板と、を有し、プリント配線板には、第１のランド側から順に、絶縁層と、第１の配線パターンが形成されており、絶縁層は、第２のランドと所定の間隔を挟み隣接して形成され、第１の配線パターンの少なくとも一部を外部に露出させるレジスト開口を備え、第２のランドには絶縁層が形成されずに外部に露出しており、プリント配線板は、レジスト開口の周囲の少なくとも一部に配置されている第２の配線パターンを備え、第１の配線パターンの熱容量は、第２の配線パターンの熱容量に比べて小さいことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の他の側面としての実装基板の製造方法は、第１のランドを備える電子部品と、プリント配線板の電子部品側の配線の表面を覆う絶縁層と、絶縁層が形成されずに外部に露出し且つ第１のランドにはんだ接合される第２のランドと、第１の配線パターンと、第２のランドの周辺に形成され、絶縁層が形成されずに第１の配線パターンの少なくとも一部を外部に露出させるレジスト開口と、レジスト開口の周囲の少なくとも一部に配置され、熱容量が第１の配線パターンに比べて大きい第２の配線パターンと、を備えるプリント配線板と、を有する実装基板の製造方法であって、第２のランド上にはんだ粉末および熱硬化性樹脂を含有するはんだペーストを供給する供給ステップと、第１のランドが第２のランドに対向するように、プリント配線板上に電子部品を搭載する搭載ステップと、電子部品をはんだペーストによりプリント配線板にリフロー実装する実装ステップと、を有し、実装ステップでは、はんだペーストが溶融し、はんだ粉末と熱硬化性樹脂とに分離し、第１のランドと第２のランドとがはんだ接合し、熱硬化性樹脂が第２のランドから、第２のランドとレジスト開口との間に形成された絶縁層を乗り越えてプリント配線板の外側に流動すると、第１の配線パターンに接触することを特徴とする。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月21日(2021.9.21)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
本体部と、前記本体部の上面から立ち上がる立ち上がり部と、前記本体部を厚さ方向に貫通する貫通孔とを有するベース部材と、
前記ベース部材の貫通孔に挿通されて固定材で前記貫通孔に固定され、一方の端部が前記ベース部材の本体部の上面から突出するリードと、
前記ベース部材の立ち上がり部と前記リードの一方の端部との間の空隙に挿入されて前記立ち上がり部に取り付けられ、前記一方の端部に電気的に接続される基板と、
を有し、
前記リードは、前記一方の端部の先端に、前記基板が挿入される前記空隙を拡げる方向に湾曲し、前記本体部の上面から離れるほど前記リードの中心軸からの距離が前記リードの中心軸と前記リードの外周面との距離から小さくなり且つ前記一方の端部の先端において前記リードの中心軸からの距離が最小となる曲面、又は、前記空隙を拡げる方向に傾斜し、前記本体部の上面から離れるほど前記リードの中心軸からの距離が前記リードの中心軸と前記リードの外周面との距離から小さくなり且つ前記一方の端部の先端において前記リードの中心軸からの距離が最小となる傾斜面を有することを特徴とするステム。
【請求項２】
前記リードは、前記一方の端部の先端に、半球状の前記曲面を有することを特徴とする請求項１に記載のステム。
【請求項３】
前記リードは、前記一方の端部の先端に、丸いエッジである前記曲面を有することを特徴とする請求項１に記載のステム。
【請求項４】
前記リードは、前記一方の端部の先端に、円錐状の前記傾斜面を有することを特徴とする請求項１に記載のステム。
【請求項５】
前記リードは、前記一方の端部の先端に、平坦なエッジである前記傾斜面を有することを特徴とする請求項１に記載のステム。
【請求項６】
前記リードは、前記一方の端部とは反対側に位置する他方の端部の先端に、前記曲面又は前記傾斜面と同じ形状の曲面又は傾斜面を有することを特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のステム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月16日(2021.9.16)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ピーク波長を２００ｎｍ〜３６５ｎｍの紫外領域に持つ発光波長帯域を有する半導体発光素子であって、
ＡｌＧａＮ又はＡｌＩｎＧａＮの組成を有するｎ型半導体層と、
前記ｎ型半導体層上に形成され、ＡｌＧａＮ系半導体又はＡｌＩｎＧａＮ系半導体からなる活性層と、
前記活性層上に形成され、ＡｌＮ、ＡｌＧａＮ又はＡｌＩｎＧａＮの組成を有するｐ型半導体層と、
前記ｐ型半導体層上に形成されたｐ電極と、を有し、
前記ｐ型半導体層は、前記ｐ電極との界面に形成され、前記ｐ電極との界面に向かってバンドギャップが小さくなるＡｌＧａＮ層又はＡｌＩｎＧａＮ層からなるコンタクト層を有し、
前記コンタクト層は、前記ｐ電極に接触し、トンネル接合によって前記ｐ電極に接続されたトンネルコンタクト層を有し、
前記活性層は、井戸層及び前記井戸層よりも大きなバンドギャップの障壁層を含む量子井戸構造を有し、
前記コンタクト層のバンドギャップは、前記井戸層のバンドギャップよりも大きいバンドギャップの範囲で変化することを特徴とする半導体発光素子。
【請求項２】
前記ｐ電極は、前記活性層から放出された光に対して反射性を有するＮｉ層及びＡｕ層の積層体、Ｐｔ層若しくはＰｄ層とＡｕ層との積層体、ＩＴＯ上にＡｌを積層した積層体、Ｒｈ層又はＲｕ層のいずれかであることを特徴とする請求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】
前記ｐ型半導体層は、前記井戸層よりも大きなバンドギャップを有することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項４】
前記ｎ型半導体層、前記活性層及び前記ｐ型半導体層は、単結晶のＡｌＮ基板上にエピタキシャル成長された半導体層であることを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体発光素子。
【請求項５】
前記ｐ型半導体層は、前記コンタクト層よりも前記活性層側に形成されたｐ型クラッド層を有し、
前記コンタクト層は、前記ｐ電極との界面近傍において前記ｐ型クラッド層よりも高いドーパント濃度を有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項６】
前記井戸層は、Ａｌｘ１Ｇａ１−ｘ１Ｎで表されるＡｌＧａＮ層からなり、
前記コンタクト層は、前記ｐ電極との界面に向かってＡｌ組成が小さくなるＡｌｙＧａ１−ｙＮ層(ｘ１≦ｙ≦１)からなることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項７】
前記コンタクト層におけるＡｌ組成の減少率は、前記ｐ電極との界面に向かって減少することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項８】
前記コンタクト層におけるＡｌ組成の減少率は、前記ｐ電極との界面に向かって増加することを特徴とする請求項６に記載の半導体発光素子。
【請求項９】
前記コンタクト層は２０ｎｍ〜６０ｎｍの層厚を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【請求項１０】
前記コンタクト層におけるＡｌ組成の減少率が０．０００８ｎｍ−１〜０．０５ｎｍ−１の範囲内であることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１つに記載の半導体発光素子。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月15日(2021.9.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
フィールド機器からフィールドデータを受信し演算を実行して制御対象のフィールド機器へ制御データを送信するコントローラと、
前記フィールド機器とは異なる他のフィールド機器が出力する他のフィールドデータを受信するデータ処理装置と、を備え、
前記データ処理装置は、受信した前記他のフィールドデータに対して所定の処理を行い、前記所定の処理の結果に応じてフィールドデータを出力するデータ処理部と、
前記データ処理部から入力される前記フィールドデータに応じた判定論理に基づいて判定処理を行い、前記判定処理の結果に応じて前記コントローラへ制御データを送信する演算処理部と、を有する
制御システム。
【請求項２】
前記データ処理部は、
前記他のフィールド機器から受信した前記他のフィールドデータに時刻情報を付加する時刻付加部と、
前記他のフィールドデータを前記時刻情報とともに保持するバッファメモリと、
前記バッファメモリから出力されるフィールドデータの値が閾値の範囲内か範囲外かを判定し、前記フィールドデータの値が前記閾値の範囲外であると判定した場合に該当フィールドデータを出力する閾値判定部と、
前記閾値判定部から入力される前記フィールドデータを、前記時刻情報の早い順に並び替えて出力する時刻判定部と、
前記時刻判定部から入力される前記フィールドデータを入力順に前記演算処理部へ出力する先入れ先出しメモリと、を備える
請求項１に記載の制御システム。
【請求項３】
前記データ処理部は、
前記閾値判定部に適用する前記閾値の情報を格納する複数のレジスタと、
前記演算処理部の指示に従い、前記複数のレジスタのそれぞれに対し前記閾値を設定するレジスタ設定部と、を更に有する
請求項２に記載の制御システム。
【請求項４】
前記閾値判定部により前記他のフィールドデータの値のうち１つでも前記閾値の最低値よりも小さいと判定された場合に、前記演算処理部は、前記閾値の最低値より小さいフィールドデータが存在することを示す前記制御データを前記コントローラに送信する
請求項３に記載の制御システム。
【請求項５】
前記閾値判定部により前記他のフィールドデータの値のうち１つでも前記閾値の最高値よりも大きいと判定された場合に、前記演算処理部は、前記閾値の最高値より大きいフィールドデータが存在することを示す前記制御データを前記コントローラに送信する
請求項３に記載の制御システム。
【請求項６】
前記演算処理部は、
前記コントローラが所定時間内に処理を実行する制御周期内に、前記先入れ先出しメモリから当該演算処理部へ送信された前記閾値の範囲外のフィールドデータが存在する場合に、前記制御データを前記コントローラに送信する
請求項４又は５に記載の制御システム。
【請求項７】
前記データ処理部は内部の論理回路の構造を再構成可能な半導体チップで構成され、前記バッファメモリの構成、前記閾値判定部の構成、及び前記レジスタの構成は、前記他のフィールドデータの種類、及び型によって決定される
請求項３に記載の制御システム。
【請求項８】
前記演算処理部は、前記データ処理部の判定結果に応じて、前記データ処理装置に接続されている制御対象の操作機器に制御データを送信する
請求項１に記載の制御システム。
【請求項９】
前記他のフィールド機器が出力する無線フィールドデータを受信して前記データ処理部へ出力する第１の無線受信部と、
前記演算処理部が出力する前記制御データを無線送信する第１の無線送信部と、
前記第１の無線送信部が無線送信した前記制御データを無線受信して前記コントローラへ出力する第２の無線受信部と、を有する
請求項１に記載の制御システム。
【手続補正書】
【提出日】令和2年11月30日(2020.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
下記の通り、各実施例において精製により得られた組成物が、本発明の環状化合物（Ａ‐１〜Ａ‐１１）を含むことをＭＡＬＤＩ−ＴＯＦ  ＭＳ［ＭＡＬＤＩ質量分析装置ＡＸＩＭＡ−Ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅ、（株）島津製作所製による分析により確認した。また必要によりＧＰＣ測定を行った。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２４】
＜比較例１＞
特開２０１６−１７５８９８号公報の実施例１の方法に従って比較用の環状化合物（ＨＡ−１）である、１５−ペンタデカノラクトンのエチレンオキサイド（６モル）付加物を合成した。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２５】
実施例１〜１１で得た環状化合物（Ａ−１）〜（Ａ−１１）を含む組成物を用いて、以下の方法で樹脂組成物（Ｆ）を製造し、破断強度及び破断伸びを測定した。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２７】
＜比較例２：比較用の樹脂組成物（Ｆ１’−１）の製造＞
実施例１２において環状化合物（Ａ−１）を比較用の環状化合物（ＨＡ−１）に変更した以外は同様の操作を行い、ウレタンエラストマー（Ｅ−１）を含有する比較用の樹脂組成物（Ｆ１’−１）を得た。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２８】
＜比較例３：比較用の樹脂組成物（Ｆ１’−２）の製造＞
実施例１２において環状化合物（Ａ−１）を加えない以外は同様の操作を行い、ウレタンエラストマー（Ｅ−１）を含有する比較用の樹脂組成物（Ｆ１’−２）を得た。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２９】
実施例１２〜２２で得た樹脂組成物（Ｆ１−１）〜（Ｆ１−１１）及び比較例２〜３で得た比較用の樹脂組成物（Ｆ１’−１）〜（Ｆ１’−２）を用いて、ＪＩＳ−Ｋ７３１１に記載の方法で引張試験用の測定試料を作成し、島津製オートグラフ「ＡＧＳ−ＩＳ」で引張試験を実施し、引張強さ及び伸びを測定し、それぞれ破断強度及び破断伸びとした。測定結果を表３に示す。測定は引っ張り速度１０ｃｍ/分、湿度５０％、温度２５℃で行った。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１３２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１３２】
実施例１〜１１で得た環状化合物（Ａ）を含有する樹脂組成物（Ｆ１−１）〜（Ｆ１−１１）は、付加モル数の少ない比較用の環状化合物（ＨＡ−１）を含有する樹脂組成物（Ｆ１’−１）及び環状化合物（Ａ）を含有しない比較用の樹脂組成物（Ｆ１’−２）と比較して、破断強度が向上した。
これは、ウレタンエラストマー（Ｅ−１）が、環状化合物（Ａ）を貫通し、複合構造を形成していることが原因と考えられる。
【誤訳訂正書】
【提出日】令和3年9月28日(2021.9.28)
【誤訳訂正１】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００６
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００６】
いくつかの実施の形態はエンドエフェクターを供給するための器具、システム、及び方法であり、そしてこれらを含むものである。前記エンドエフェクターは、様々な大きさの半導体ウエハーに対応することができ、ウエハーサポートと、少なくとも１つのロボット要素と連結することが可能であり、一方の端部で前記ウエハーサポートを少なくとも部分的に支えることができる支持アームと、前記半導体ウエハーの１つと物理的に連結するための、前記ウエハーサポート上の複数のサポートパッドと、少なくとも部分的に前記支持アームによりもたらされた平面に沿って双方向に動く低摩擦移動クランプと、を含み、前記低摩擦移動クランプは、前記半導体ウエハーと前記複数のサポートパッドとの物理的な連結を行うために前記半導体ウエハーの近接端に進退自在に力を加えることを特徴とする。
【誤訳訂正２】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】０００８
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【０００８】
前記双方向駆動部には、少なくとも移動クランプモーターを含めることができる。低摩擦真空シリンダは、前記移動クランプモーターと係合することができる。前記真空シリンダは、グラファイトピストンを有するシールレスガラスチューブで構成することができる。
【誤訳訂正３】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００３５
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００３５】
ローラー部３０６を有する先端サポートパッド２１２ｃ〜ｄを、図６に示した。図６は、傾斜及びローラー部６０２、３０６を有する先端サポートパッド２１２ｃの断面を示し、移動クランプ２１０により先端部周辺６０６にて係合しているとき、シリコンウエハー１０２の先端部周辺６０６が先端サポートパッド２１２ｃのローラー部３０６に突き当たっている。係合している角のある移動クランプ２１０は、非限定的例示において、図４に示した移動クランプ２１０とすることができる。
【誤訳訂正４】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５０
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５０】
図１４はまた、２００ｍｍウエハー１０２ｂのような、小さなウエハーサイズに対する後退の可能性を制限するための後退停止器１２４０を示す。後退停止器１２４０は、ここでの説明に照らして理解できるように、後退停止器というよりむしろ走行停止器として使われる。後退停止器１２４０は、非限定的例示として、負圧作動及び／又はばね駆動とすることができる。さらに、複数の後退停止器又は走行停止器を、各々、走行停止器又は後退停止器と関連付けられた、移動クランプの異なるストローク距離を有する様々なウエハータイプを支えるために含めることができる。
【誤訳訂正５】
【訂正対象書類名】明細書
【訂正対象項目名】００５１
【訂正方法】変更
【訂正の内容】
【００５１】
図１５は、図１４と同様であるが、後退停止器１２４０が伸びている。図示の通り、２００ｍｍウエハー１０２のような大きさの小さいウエハーがフォーク部２０２と物理的に結び付いているときに、後退停止器１２４０を伸ばすことで、支持アームハウジング２１２へクランプを後退させる機能を制限することでクランプサイクルの距離を縮めるとができる。これにより、大きさの小さいウエハーのサイクル時間を節約することができる。上述のように、異なる大きさのウエハーのサイクル時間を節約するために、１以上の停止器１２４０を含めることができることに注目すべきである。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月29日(2021.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リコピンを含まないトマト抽出物を含む、高血圧症を治療するための医薬組成物であって、前記トマト抽出物が、以下の工程、
a)  トマトをホモジナイズする工程、
b)  遠心及び/又は限外濾過によって微粒子を除去する工程、そして
c)  可溶性糖を除去する工程、
を含む方法によって調製されることを特徴とする医薬組成物。
【請求項２】
前記トマト抽出物が、水溶性の、糖を含まないトマト抽出物である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項３】
前記トマト抽出物が、冷ブレイクトマトペーストから作られる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項４】
前記トマト抽出物が、下記の工程、
a) 28〜30°ブリックス及び0.350AU未満の褐変指数の冷ブレイクトマトペーストを水で希釈する工程、
b) 0.2μmより大きい粒状物質を除去して、溶液を得る工程、及び
c)  前記溶液を濃縮して、62〜65°ブリックスのシロップを形成する工程、
を含む方法によって製造される、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項５】
前記方法が、更に、高圧液体クロマトグラフィを用いて非糖成分を分画する工程を含む、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項６】
前記トマト抽出物が、以下の工程、
a)トマトをホモジナイズして、トマトホモジネートを得る工程、
b)前記トマトホモジネートを1000Daの分子量カットオフを有するフィルタで濾過して、濾液を得る工程、
c)前記濾液を集めて、抽出物を得る工程、及び
d)前記抽出物から水溶性糖を除去する工程、
を含む方法によって得られる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項７】
前記ホモジナイズする工程の前に、前記トマトの皮が剥がされる、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項８】
前記トマト抽出物が、濃縮物又は脱水物の形態である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項９】
前記トマト抽出物が、少なくとも2倍濃縮されている濃縮物の形態である、請求項８に記載の医薬組成物。
【請求項１０】
前記トマト抽出物が、乾燥抽出物である、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１１】
前記乾燥抽出物が、固体又は半固体剤形の形態である、請求項１０に記載の医薬組成物。
【請求項１２】
前記トマト抽出物が、カプセルシェル内に含有されている、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１３】
前記トマト抽出物が、1000Da未満の分子量を有する１つ又は複数の実質的に熱安定性の水溶性化合物を含有する、請求項１に記載の医薬組成物。
【請求項１４】
前記トマト抽出物が、1000Daの分子量カットオフを有する限外濾過フィルタを通過することができかつ1000Da未満の分子量を有する１つ又は複数の実質的に熱安定性の無色又は淡黄色の水溶性化合物を含有する前記トマト果実の活性画分の形態である、請求項１に記載の医薬組成物。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月18日(2021.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
癌性腫瘍を有する被験体を治療するために用いられる医薬であって、膜結合型ＧＩＴＲＬをコードする第１の核酸と、ＩＬ−１２及び／又はＩＬ−１５をコードする第２の核酸とを含み、前記治療は、有効用量の前記第１の核酸と前記第２の核酸とを前記癌性腫瘍に注入することと、前記腫瘍に対して電気穿孔療法を施すこととを含み、前記電気穿孔療法が約１００マイクロ秒〜約２０ミリ秒のパルス幅に亘って、約２００Ｖ／ｃｍ〜約１５００Ｖ／ｃｍの少なくとも１回の電圧パルスの施行を含む、医薬。
【請求項２】
前記第２の核酸がＩＬ−１２及びＩＬ−１５をコードする、請求項１に記載の医薬。
【請求項３】
前記第１の核酸と前記第２の核酸とが、同一の発現プラスミド上に存在する、請求項１又は２に記載の医薬。
【請求項４】
前記膜結合型ＧＩＴＲＬが、
異種性膜貫通ドメインと結合した、ＧＩＴＲＬの細胞外ドメイン（ＥＣＤ）一本鎖三量体（ＳＣＴ）を含むか、又は
ＧＣＮ４ｐＩＩ三量体化モチーフ及び異種性膜貫通ドメインと結合した、ＧＩＴＲＬの細胞外ドメイン（ＥＣＤ）を含む、請求項１〜３のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項５】
前記腫瘍に送達される前記少なくとも１回の電圧パルスが約３００Ｖ／ｃｍ〜約１５００Ｖ／ｃｍである、請求項１〜４のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項６】
前記腫瘍が黒色腫である、請求項１〜５のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項７】
癌性腫瘍を有する被験体を治療するために用いられる医薬であって、膜結合型ＧＩＴＲＬをコードする第１の核酸と、ＩＬ−１２及び／又はＩＬ−１５をコードする第２の核酸とを含み、前記治療は、
前記治療が第１の有効用量の前記第１の核酸と前記第２の核酸とを前記癌性腫瘍に注入することと、第１の時間（Ｔ１）に前記腫瘍に対して第１の電気穿孔療法を施すことと；
第２の有効用量の第１の核酸と前記第２の核酸とを前記癌性腫瘍に注入することと、第２の時間（Ｔ２）に前記腫瘍に対して第２の電気穿孔療法を施すこととを含み、
前記時間Ｔ２が前記時間Ｔ１より後であり、かつ
前記第１及び第２の電気穿孔療法がそれぞれ約１００マイクロ秒〜約２０ミリ秒のパルス幅を有する少なくとも１回の電圧パルスの施行を含む；
医薬。
【請求項８】
前記第２の核酸がＩＬ−１２及びＩＬ−１５をコードする、請求項７に記載の医薬。
【請求項９】
前記第１の核酸と前記第２の核酸とが、同一の発現プラスミド上に存在する、請求項７又は８に記載の医薬。
【請求項１０】
前記膜結合型ＧＩＴＲＬが、
異種性膜貫通ドメインと結合した、ＧＩＴＲＬの細胞外ドメイン（ＥＣＤ）一本鎖三量体（ＳＣＴ）を含むか、又は
ＧＣＮ４ｐＩＩ三量体化モチーフ及び異種性膜貫通ドメインと結合した、ＧＩＴＲＬの細胞外ドメイン（ＥＣＤ）を含む、請求項７〜９のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項１１】
前記腫瘍に送達される前記少なくとも１回の電圧パルスが約２００Ｖ／ｃｍ〜約１５００Ｖ／ｃｍである、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項１２】
前記腫瘍が黒色腫である、請求項７〜１１のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項１３】
前記時間Ｔ１が第０日目であり、前記時間Ｔ２が第４日目である、請求項７〜１２のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項１４】
前記治療が、第３の有効用量の前記第１の核酸と前記第２の核酸とを前記癌性腫瘍に注入することと、第３の時間（Ｔ３）に前記腫瘍に対して第３の電気穿孔療法を施すこととを含み、ここで時間Ｔ３が時間Ｔ２の後であり、前記第３の電気穿孔療法が約１００マイクロ秒〜約２０ミリ秒のパルス幅を有する少なくとも１回の電圧パルスの施行を含む、請求項７〜１３のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項１５】
前記時間Ｔ３に施行される少なくとも１回の電圧パルスが約２００Ｖ／ｃｍ〜約１５００Ｖ／ｃｍである、請求項１４に記載の医薬。
【請求項１６】
前記時間Ｔ３が第７日目である、請求項１４又は１５に記載の医薬。
【請求項１７】
前記少なくとも１回の電圧パルスが約１００マイクロ秒〜約２０ミリ秒のパルス幅を有する低電圧パルスを含む、請求項１〜１６のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項１８】
前記少なくとも１回の電圧パルスが３５０Ｖ／ｃｍである、請求項１〜１７のいずれか一項に記載の医薬。
【請求項１９】
前記電気穿孔療法は、１０ミリ秒の８回のパルスを含む、請求項１８に記載の医薬。
【請求項２０】
被験体における遠位腫瘍及び転移を治療するために用いられる医薬であって、
膜結合型ＧＩＴＲＬをコードする第１の核酸と、ＩＬ−１２及び／又はＩＬ−１５をコードする第２の核酸とを含み、
ここで、前記第１の核酸と前記第２の核酸とが、同一の発現プラスミド上に存在してもよく、
前記治療は、有効用量の前記第１の核酸と前記第２の核酸とを前記癌性腫瘍に注入することと、前記腫瘍に対して電気穿孔療法を施すこととを含み、前記電気穿孔療法が約１００マイクロ秒〜約２０ミリ秒のパルス幅に亘って、約２００Ｖ／ｃｍ〜約１５００Ｖ／ｃｍの少なくとも１回の電圧パルスの施行を含む、医薬。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月18日(2021.3.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いにヒンジ式に結合されている複数の第１のスラット（１３）を有する第１の遮蔽体（１１）と、互いにヒンジ式に結合されている複数の第２のスラット（１４）を有する第２の遮蔽体（１２）とを備える遮蔽装置（１０）であって、
当該両遮蔽体（１１，１２）はそれぞれ、休止位置と遮蔽位置との間で変位可能であり、
当該両遮蔽体（１１，１２）のこれらのスラット（１３，１４）の複数の端面（１３ａ，１４ａ）が、前記遮蔽位置で互いに向かい合っていて、
過半数の第１のスラット（１３）が、複数の第２のスラット（１４）に面したこれらの第１のスラット（１３）の複数の端面（１３ａ）側に第１の係合部材（１５）を有し、
過半数の第２のスラット（１４）が、複数の第１のスラット（１３）に面したこれらの第２のスラット（１４）の複数の端面（１４ａ）側に第２の係合部材（１６）を有し、
第１の遮蔽体（１１）が、第２の遮蔽体（１２）に結合されているように、複数の第１の係合部材（１５）が、複数の第２の係合部材（１６）にそれぞれ別々に係合可能である当該遮蔽装置において、
前記休止位置から前記遮蔽位置への変位中に、第１の遮蔽体（１１）の隣り合った複数の第１のスラット（１３）と、第２の遮蔽体（１２）の隣り合った複数の第２のスラット（１４）とが、互いに相対的に旋回（Ａ′，Ｂ′）を実施すること、及び
複数の第１の係合部材（１５）が、当該旋回によって複数の第２の係合部材（１６）に係合することを特徴とする遮蔽装置。
【請求項２】
第１の遮蔽体（１１）の多数の第１のスラット（１３）は、それぞれ１つの第１の係合部材（１５）を有し、
第２の遮蔽体（１２）の多数の第２のスラット（１４）は、それぞれ１つの第２の係合部材（１６）を有する、請求項１記載の遮蔽装置。
【請求項３】
第１のスラット（１３）の第１の係合部材（１５）と、第２のスラット（１４）の第２の係合部材（１６）とは、両遮蔽体（１１，１２）の間に形成されるギャップ（１７）を閉鎖している、請求項１又は２に記載の遮蔽装置。
【請求項４】
第１の係合部材（１５）は、第２の係合部材（１６）に嵌合されている、請求項１から３までのいずれか１項に記載の遮蔽装置。
【請求項５】
１つの第１のスラット（１３）の第１の係合部材（１５）は、隣り合った１つの第１のスラット（１３）の第１の係合部材（１５）に係合されている、請求項１から４までのいずれか１項記載の遮蔽装置。
【請求項６】
１つの第２のスラット（１４）の第２の係合部材（１６）は、隣り合った１つの第２のスラット（１４）の第２の係合部材（１６）に係合されている、請求項１から５までのいずれか１項記載の遮蔽装置。
【請求項７】
１つの第１のスラット（１３）の第１の係合部材（１５）は、互いに隣り合った２つの第２のスラット（１４）の２つの第２の係合部材（１６）に係合される、請求項１から６までのいずれか１項記載の遮蔽装置。
【請求項８】
第１の遮蔽体（１１）の第１のスラット（１３）は、前記休止位置と前記遮蔽位置との間での変位時に、第２の遮蔽体（１２）の隣り合った第２のスラット（１４）に先行した第２のスラット（１４）に対して相対的に旋回を実施し、
当該旋回した第１のスラット（１３）の第１の係合部材（１５）は、先行した第２のスラット（１４）の第２の係合部材（１６）に前記旋回によって係合可能である、請求項１から７までのいずれか１項記載の遮蔽装置。
【請求項９】
第１の遮蔽体（１１）と第２の遮蔽体（１２）とは、それぞれの前記遮蔽位置において互いに相対的に、３０°〜１８０°の範囲内にある角度αを成して配置されている、請求項１から８までのいずれか１項記載の遮蔽装置。
【請求項１０】
前記角度αは、６０°〜１２０°の範囲内にある、請求項９記載の遮蔽装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月12日(2021.3.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
部品（１，２，３）であって、
少なくとも１つの開口（１０）が設けられた壁、
前記開口（１０）に関連する有孔カバー（１２）、
前記有孔カバー（１２）を前記部品（１，２，３）の壁に取り付けるために設けられた支持物（１４）、及び
前記有孔カバー（１２）が前記部品（１，２，３）の壁と平行に移動できるように、前記支持物（１４）と前記有孔カバー（１２）との間に設けられた隙間、
を含み、
前記部品（１，２，３）は、オットー原理またはディーゼル原理にしたがって稼働する燃焼機関のための排気システムの部品であり、
前記隙間は、前記有孔カバー（１２）の端面と、前記端面に対向して離れて配置された前記支持物（１４）の停止面（２０）との間に形成され、
前記支持物（１４）は、
前記壁に取り付けられるマウント部（１６）と、
前記壁と垂直方向の、前記マウント部（１６）に対するオフセットである、前記有孔カバー（１２）のための保持部（１８）と、
を含み、
前記停止面（２０）は、前記マウント部（１６）から前記保持部（１８）への遷移部分にある段（２０）により形成され、
前記有孔カバー（１２）は、折り畳まれた外縁（２８）を有し、前記有孔カバー（１２）は、その前記外縁（２８）の領域で二層に構成され、
前記有孔カバー（１２）は、プレストレス方法により、前記保持部（１８）と前記壁との間で保持され、前記プレストレスは、前記有孔カバー（１２）がまだ前記部品の前記壁と前記支持物（１４）の間に把持されていない初期状態のとき、前記有孔カバー（１２）が前記壁の形状と異なる形状を有する点で得られる、部品（１，２，３）。
【請求項２】
前記支持物（１４）は、前記壁に取り付けられて、前記有孔カバー（１２）の外縁を囲むフレームである、請求項１に記載の部品。
【請求項３】
前記支持物（１４）はプレス加工された板金部品である、請求項１または２に記載の部品。
【請求項４】
前記マウント部（１６）は前記壁に溶接されている、請求項１乃至３のいずれか１項に記載の部品。
【請求項５】
前記支持物（１４）の少なくとも一部は、二層に構成される、請求項１または２に記載の部品。
【請求項６】
前記支持物（１４）の断面はＵ字形であり、
前記有孔カバー（１２）が前記支持物の２つの脚（１４Ａ，１４Ｂ）の間で受け止められて、前記停止面（２０）が前記２つの脚（１４Ａ，１４Ｂ）の間の湾曲部分の内面によって形成される、請求項５に記載の部品。
【請求項７】
前記２つの脚（１４Ａ，１４Ｂ）は、互いに対して且つ前記２つの脚（１４Ａ，１４Ｂ）の間に配置された前記有孔カバー（１２）に対して、弾性的にプレストレスを加えられる、請求項６に記載の部品。
【請求項８】
前記支持物（１４）は湾曲した板金部品である、請求項６または７に記載の部品。
【請求項９】
前記支持物（１４）は、前記２つの脚（１４Ａ，１４Ｂ）の間の湾曲した部分で、前記壁に溶接されている、請求項６乃至８のいずれか１項に記載の部品。
【請求項１０】
前記有孔カバー（１２）は、固定点（２６）で、前記支持物（１４）に固定されている、請求項１乃至９のいずれか１項に記載の部品。
【請求項１１】
前記支持物（１４）の壁厚は１．２ｍｍ未満である、請求項１乃至１０のいずれか１項に記載の部品。
【請求項１２】
前記有孔カバー（１２）の壁厚は１．０ｍｍ未満である、請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の部品。
【請求項１３】
前記壁と前記有孔カバー（１２）は、熱膨張が異なる材料で作られている、請求項１乃至１２のいずれか１項に記載の部品。
【請求項１４】
前記壁はフェライト合金鋼で作られていて、
前記有孔カバー（１２）は、オーステナイト合金鋼又はフェライト合金で作られている、請求項１３に記載の部品。
【請求項１５】
前記支持物（１４）はフェライト合金鋼で作られている、請求項１３または１４に記載の部品。
【請求項１６】
燃焼機関のための排気システムの部品（１，２，３）であって、
少なくとも１つの開口（１０）が設けられた壁、
前記開口（１０）に関連する有孔カバー（１２）、
前記有孔カバー（１２）が部品（１，２，３）の壁に取り付けられるために設けられた支持物（１４）、及び
前記有孔カバー（１２）が前記部品（１，２，３）の壁と平行に移動できるように、前記支持物（１４）と前記カバー（１２）との間に設けられた隙間、
を含み、
前記支持物（１４）の少なくとも一部は、二層に構成される、部品（１，２，３）。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月25日(2021.3.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シリンダライナを備える少なくとも一つのシリンダと、前記シリンダライナ内に可動式に配置された少なくとも一つのピストンと、クランクシャフトハウジング内に回転可能に配置されたクランクシャフトとを有する大型往復ピストン燃焼エンジンであって、
前記ピストンは、何れの場合も、ピストンロッドを介してクロスヘッドに接続され、前記クロスヘッドは、何れの場合も、接続ロッドを介して前記クランクシャフトに接続され、前記クランクシャフトが駆動され、
制御装置が設けられて、当該往復ピストン燃焼エンジンの圧縮比が制御され、前記制御装置は、クロスヘッドまたはクロスヘッドピンに提供されて、前記ピストンロッドを前記クロスヘッドに対して移動させるようになっており、
前記クロスヘッドは、前記ピストンロッドの直線移動を前記接続ロッドの非直線移動に変換することを特徴とする大型往復ピストン燃焼エンジン。
【請求項２】
前記制御装置は、回転可能な偏心クロスヘッドピンを有することを特徴とする請求項１に記載の大型往復ピストン燃焼エンジン。
【請求項３】
前記制御装置は、クロスヘッドピンと嵌め合わされる偏心ブッシュを有し、
前記ブッシュは、回転可能であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の大型往復ピストン燃焼エンジン。
【請求項４】
前記制御装置は、前記クロスヘッドピン、前記ブッシュ、もしくは両方を回転させる回転機構を有し、および／または
前記クロスヘッドピン、前記ブッシュ、もしくは両方をロックするロック機構を有することを特徴とする請求項２または３に記載の大型往復ピストン燃焼エンジン。
【請求項５】
前記制御装置は、第１のネジ部と、該前記第１のネジ部と嵌め合わされる第２のネジ部と、回転機構とを有し、
前記第１のネジ部は、前記ピストンロッドと接続され、
前記回転機構は、前記クロスヘッドに提供され、前記第１または第２のネジ部を回転することを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一つに記載の大型往復ピストン燃焼エンジン。
【請求項６】
前記第１のネジ部は、前記ピストンロッドの端部に接続されることを特徴とする請求項５に記載の大型往復ピストン燃焼エンジン。
【請求項７】
前記制御装置は、少なくとも一つのくさび状部分と、対応部分と、駆動機構とを有し、
前記対応部分は、作動時に、前記くさび状部分および前記ピストンロッドの両方に接続され、
前記駆動機構は、前記くさび状部分、前記対応部分、または両方を動かすことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一つに記載の大型往復ピストン燃焼エンジン。
【請求項８】
前記対応部分は、くさび状であることを特徴とする請求項７に記載の大型往復ピストン燃焼エンジン。
【請求項９】
前記回転機構または前記駆動機構は、油圧式に駆動されることを特徴とする請求項５乃至８のいずれか一つに記載の大型往復ピストン燃焼エンジン。
【請求項１０】
大型往復ピストン燃焼エンジンの圧縮比を制御する制御装置であって、
前記往復ピストン燃焼エンジンは、シリンダライナを備える少なくとも一つのシリンダと、前記シリンダライナ内に可動式に配置された少なくとも一つのピストンと、クランクシャフトハウジング内に回転可能に配置されたクランクシャフトとを有し、
各ピストンは、ピストンロッドを介してそれぞれのクロスヘッドに接続され、
各クロスヘッドは、接続ロッドを介して前記クランクシャフトに接続され、前記クランクシャフトが駆動され、
当該制御装置は、何れの場合も、前記クロスヘッドの一部として構成され、または前記クロスヘッドもしくは前記クロスヘッドピンに一体化され、前記制御装置は、前記ピストンロッドピストンを、前記クロスヘッドに対して移動させるようになっており、
前記クロスヘッドは、前記ピストンロッドの直線移動を前記接続ロッドの非直線移動に変換することを特徴とする制御装置。
【請求項１１】
大型往復ピストン燃焼エンジンの圧縮比を制御する方法であって、
当該方法は、
大型往復ピストン燃焼エンジンを提供するステップを有し、
前記大型往復ピストン燃焼エンジンは、シリンダライナを備える少なくとも一つのシリンダと、前記シリンダライナ内に可動式に配置された少なくとも一つのピストンと、クランクシャフトハウジング内に回転可能に配置されたクランクシャフトと、を有し、
前記ピストンは、何れの場合も、ピストンロッドを介してクロスヘッドに接続され、
前記クロスヘッドは、何れの場合も、接続ロッドを介して、前記クランクシャフトに接続され、前記クランクシャフトが駆動され、
当該方法は、さらに、各クロスヘッドまたはクロスヘッドピンに、前記往復ピストン燃焼エンジンの圧縮比を制御する制御装置を提供するステップと、
異なる点火特性を有する異なる燃料品質が供給された場合、または燃料供給がディーゼル油からガスもしくはガスからディーゼル油に変化した場合、前記圧縮比を変化させるステップとを有し、
前記圧縮比を変化させるステップでは、前記制御装置は、前記ピストンロッドを、前記クロスヘッドに対して移動させ、
前記クロスヘッドは、前記ピストンロッドの直線移動を前記接続ロッドの非直線移動に変換することを特徴とする方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月12日(2021.1.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
アクリル系粘着剤を含有する粘着剤層を有する粘着テープであって、前記アクリル系粘着剤がアクリル系共重合体を含有し、前記アクリル系共重合体が
（Ａ）カルボキシル基含有モノマーを５〜２０質量％、
（Ｂ）水酸基含有モノマーを０．０１〜１質量％、及び
（Ｃ）それ以外のアルキル（メタ）アクリレートモノマー及び脂環式モノマーからなる群より選ばれる１種又は２種以上、
を構成成分として含み、前記（Ｃ）のモノマーが有する飽和炭化水素基の平均炭素原子数が４未満であり、
前記アクリル系共重合体の重量平均分子量が４０万以上１１０万以下であり、
濃度９９質量％のオレイン酸溶液に浸漬した状態で、６０℃及び９０％ＲＨの雰囲気下で３日間放置した後の接着力が３．５Ｎ／５ｍｍ以上である、粘着テープ。
【請求項２】
粘着剤層の厚さが５〜２００μｍである請求項１に記載の粘着テープ。
【請求項３】
初期接着力の値が５Ｎ／５ｍｍ〜２０Ｎ／５ｍｍの範囲である請求項１又は２に記載の粘着テープ。
【請求項４】
前記アクリル系共重合体の重量平均分子量が４０万以上９５万未満である請求項１又は２に記載の粘着テープ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月15日(2021.3.15)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ポリフェニレンエーテル、架橋型硬化剤、及びリンを含有するリン系化合物を含むポリフェニレンエーテル樹脂組成物と、
基材と、を含み、
前記ポリフェニレンエーテルは一般式（１）
【化１】
2021008634.tif 000001
によって表され、且つ数平均分子量が１０００〜４５００であり、
前記一般式（１）において、Ｘはアリール基を示し、(Ｙ)mはポリフェニレンエーテル部分を示し、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3はそれぞれ独立して水素原子、アルキル基、アルケニル基またはアルキニル基を示し、ｍは１〜１００の整数を示し、ｎは１〜６の整数を示し、ｑは１〜４の整数を示すことを特徴とするプリプレグ。
【請求項２】
前記ポリフェニレンエーテル樹脂組成物は、数平均分子量が９０００以上１８０００以下の未修飾のポリフェニレンエーテルを含むことを特徴とする請求項１に記載のプリプレグ。
【請求項３】
前記リン系化合物は、リンエポキシ化合物、ホスファゼン化合物、リンフェノール化合物、及びリンシアネート化合物のうち少なくとも１以上を含むことを特徴とする請求項１又は２に記載のプリプレグ。
【請求項４】
前記ポリフェニレンエーテル樹脂組成物は、シリカを含み、シリカは樹脂組成物１００質量部中、１０〜１００質量部含むことを特徴とする請求項３に記載のプリプレグ。
【手続補正書】
【提出日】令和3年1月25日(2021.1.25)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
［実験例１］
実施例３−１及び実施例３−２（何れも実施形態１のプロセスで製造されたアドバンスド電解銅箔を用いる）と、台湾特許出願第１０７１３３８２７号の電解銅箔（型番：ＲＧ３１１、以下ではＲＧ３１１と略称する）と、Ｃ社が製造した電解銅箔（型番：ＲＴＦ−３、以下ではＲＴＦ−３と略称する）とのそれぞれを、Ｉ社が製造した中程度損失（Ｍｉｄ−ｌｏｓｓ）のプリプレグ材料（型番：ＩＴ１７０ＧＲＡ１）に貼り合わせ硬化させた後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、ＲＧ３１１の表面粗さ（Ｒｚ  ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）は２．３ミクロンよりも小さい。傾斜角３５度、倍率１００００倍の走査型電子顕微鏡（型番：Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｓ−３４００Ｎ）以の観察下で示されるＲＴＦ−３の画像が図８に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Ｉｎｔｅｌ社が提案しているＤｅｌｔａ  Ｌ法を用いて、３  ｍｉｌｓ  Ｃｏｒｅ  （１  ｏｚ）、１０  ｍｉｌｓ  ＰＰ、及び４．５  ｍｉｌｓ  Ｔｒａｃｅ  Ｗｉｄｔｈで信号品位をテストした。結果は下記の表３に表示される。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
【表３】
2021008665.tif 000001
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
［実験例２］
実施例４−１及び実施例４−２（何れも実施形態１のプロセスで製造されたアドバンスド電解銅箔を用いる）と、台湾特許出願第１０７１３３８２７号の電解銅箔（型番：ＲＧ３１１、以下ではＲＧ３１１と略称する）と、Ｃ社が製造した電解銅箔（型番：ＲＴＦ−３、以下ではＲＴＦ−３と略称する）とのそれぞれを、Ｉ社が製造した低程度損失（Ｌｏｗ  Ｌｏｓｓ）のプリプレグ材料（型番：ＩＴ９５８Ｇ）に貼り合わせて硬化した後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、ＲＧ３１１の表面粗さ（Ｒｚ  ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）は２．３ミクロンよりも小さい。傾斜角３５度、倍率３０００倍の走査型電子顕微鏡（型番：Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｓ−３４００Ｎ）以の観察下で示されるＲＴＦ−３の画像が図８に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Ｉｎｔｅｌ社が提案しているＤｅｌｔａ  Ｌ法を用いて、３  ｍｉｌｓ  Ｃｏｒｅ  （１ｏｚ）、１０  ｍｉｌｓ  ＰＰ、及び４．５  ｍｉｌｓ  Ｔｒａｃｅ  Ｗｉｄｔｈで信号品位をテストした。結果は下記の表４に表示される。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
【表４】
2021008665.tif 000002
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
［実験例３］
実施例５−１及び実施例５−２（何れも実施形態１のプロセスで製造されたアドバンスド電解銅箔を用いる）と、台湾特許出願第１０７１３３８２７号の電解銅箔（型番：ＲＧ３１１、以下ではＲＧ３１１と略称する）と、Ｍ社が製造した電解銅箔（型番：ＨＳ１−Ｍ２−ＶＳＰ、以下ではＨＳ１−Ｍ２−ＶＳＰと略称する）とのそれぞれを、Ｉ社が製造した非常に低程度損失（Ｕｌｔｒａ  Ｌｏｗ）のプリプレグ材料（型番：ＩＴ９６８）に貼り合わせ硬化させた後、個々の単層銅張積層板を形成した。なかでも、ＲＧ３１１の表面粗さ（Ｒｚ  ＪＩＳ  Ｂ  ０６０１−１９９４）は２．３ミクロンよりも小さい。傾斜角３５度、倍率１００００倍の走査型電子顕微鏡（型番：Ｈｉｔａｃｈｉ  Ｓ−３４００Ｎ）以の観察下で示されるＲＴＦ−３の画像が図８に示すように、銅箔の表面に銅結晶が明らかに均一に分布している。すべての単層銅張積層板の剥離強度は使用の要件を満たしており、Ｉｎｔｅｌ社が提案しているＤｅｌｔａ  Ｌ法を用いて、３  ｍｉｌｓ  Ｃｏｒｅ  （１  ｏｚ）、１０  ｍｉｌｓ  ＰＰ、及び４．５  ｍｉｌｓ  Ｔｒａｃｅ  Ｗｉｄｔｈで信号品位をテストした。結果は下記の表５に表示される。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４５】
【表５】
2021008665.tif 000003