(57)【要約】【課題】シリコン基板が液体により侵食されるのを抑制して、液体の漏出、液滴の吐出不良、積層された基板の剥離を抑制することができる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。【解決手段】液体を吐出するノズル開口２１が設けられたノズルプレート２０と、前記ノズル開口２１に連通する圧力発生室１２が設けられた流路形成基板１０と、少なくとも具備し、前記ノズルプレート２０がシリコン基板で形成されており、を少なくとも前記流路形成基板１０と前記ノズルプレート２０とは、原子層堆積によって形成された酸化タンタル膜２０１、２０３が接合面を含む全面に設けられた後、接合されている。【選択図】  図３
2014124882.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
液体を吐出するノズル開口が設けられたノズルプレートと、前記ノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板と、を少なくとも具備し、
前記ノズルプレートがシリコン基板で形成されており、
少なくとも前記流路形成基板と前記ノズルプレートとは、原子層堆積によって形成された酸化タンタル膜が接合面を含む全面に設けられた後、接合されていることを特徴とする液体噴射ヘッド。
【請求項２】
前記酸化タンタル膜は、０．３Å以上、５０ｎｍ以下の厚さで形成されていることを特徴とする請求項１記載の液体噴射ヘッド。
【請求項３】
前記流路形成基板と前記ノズルプレートとの間には、前記圧力発生室と前記ノズル開口とを連通するノズル連通路が設けられた連通板を具備することを特徴とする請求項１又は２記載の液体噴射ヘッド。
【請求項４】
前記連通板が、シリコン基板で形成されており、前記酸化タンタル膜が、前記連通板の接合面を含む全面に設けられていることを特徴とする請求項３記載の液体噴射ヘッド。
【請求項５】
請求項１〜４の何れか一項に記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ノズル開口から液体を吐出する液体噴射ヘッド及び液体噴射装置に関し、特に液体としてインクを吐出するインクジェット式記録ヘッド及びインクジェット式記録装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドは、例えば、ノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板の一方面側に圧電素子である圧電アクチュエーターを備え、この圧電アクチュエーターの駆動によって振動板を変形させて圧力発生室に圧力変化を生じさせることで、ノズルからインク滴を噴射させる。
【０００３】
ここで、振動板としては、流路形成基板側に酸化シリコンや酸化ジルコニウム等を設けたものが提案されている（例えば、特許文献１及び２等参照）。
【０００４】
また、流路形成基板や振動板が流路内のインクによって侵食されるのを防ぐために、圧力発生室等の流路の内壁に酸化タンタル等の耐液体性を有する保護膜が設けたものが提案されている（例えば、特許文献３参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−８３１４０号公報
【特許文献２】特開２０１１−８８３６９号公報
【特許文献３】特開２０１２−１４３９８１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、流路の内壁に耐液体性を有する保護膜を設けたとしても、シリコン基板で形成された基板が積層された構成では、積層された基板の接着界面にインクが侵入・侵食し、接着界面の減少により接合強度が低下し、インクの漏出や吐出不良、積層された基板の剥離などの不具合が生じる虞があるという問題がある。
【０００７】
また、流路の内壁に耐液体性を有する保護膜を設けたとしても、保護膜にピンホール等が形成されていると、流路内のインク（液体）がピンホールを介してシリコン基板を侵食してしまう。
【０００８】
さらに、流路の内壁に設けた保護膜にピンホールが形成されていると、振動板が侵食されて、振動板の振動特性に影響を及ぼし、振動板を安定して変形させることができなくなってしまうという問題がある。
【０００９】
特に、ノズル開口の高密度化、インクジェット式記録ヘッドの薄型化を行うために、保護膜は薄くする必要があり、保護膜にピンホール等の不良が発生し易い。
【００１０】
なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドだけではなく、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドにおいても同様に存在する。
【００１１】
本発明はこのような事情に鑑み、シリコン基板が液体により侵食されるのを抑制して、液体の漏出、液滴の吐出不良、積層された基板の剥離を抑制することができる液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決する本発明の態様は、液体を吐出するノズル開口が設けられたノズルプレートと、前記ノズル開口に連通する圧力発生室が設けられた流路形成基板と、を少なくとも具備し、前記ノズルプレートがシリコン基板で形成されており、少なくとも前記流路形成基板と前記ノズルプレートとは、原子層堆積によって形成された酸化タンタル膜が接合面を含む全面に設けられた後、接合されていることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、流路形成基板とノズルプレートとに酸化タンタル膜を設けることで、流路形成基板及びノズルプレートが液体によって侵食されるのを抑制することができる。また、流路形成基板とノズルプレートとの接合面に酸化タンタル膜を設けたため、接着界面から侵入した液体によって基板が侵食されるのを抑制することができる。したがって、接合強度が低下するのを抑制して、液体の漏出、吐出不良及び積層された基板の剥離を抑制することができる。
【００１３】
ここで、前記酸化タンタル膜は、０．３Å以上、５０ｎｍ以下の厚さで形成されていることが好ましい。これによれば、耐液性が十分に確保され、流路形成基板の流路内及びノズル開口内の開口状態に影響を与えることがない。
【００１４】
また、前記流路形成基板と前記ノズルプレートとの間には、前記圧力発生室と前記ノズル開口とを連通するノズル連通路が設けられた連通板を具備することが好ましい。これによれば、流路形成基板と連通板との接着界面及び連通板とノズルプレートとの接着界面の液体の侵食を抑制することができる。
【００１５】
また、前記連通板が、シリコン基板で形成されており、前記酸化タンタル膜が、前記連通板の接合面を含む全面に設けられていることが好ましい。これによれば、酸化タンタル膜によって連通板が侵食されるのを抑制することができると共に、開口面積の狭いノズル連通路内に酸化タンタル膜を均一な膜厚で比較的薄く形成することができる。
【００１６】
さらに、本発明の他の態様は、上記態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる態様では、液体の漏出、吐出不良及び基板の剥離などの破壊を抑制した液体噴射装置を実現できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの断面図である。
【図３】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの要部を拡大した断面図である。
【図４】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図５】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る記録装置の概略斜視図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図２はインクジェット式記録ヘッドの第２の方向の断面図であり、図３は、図２の要部を拡大した断面図である。
【００１９】
図示するように、本実施形態の液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドＩは、ヘッド本体１１、ケース部材４０等の複数の部材を備え、これら複数の部材が接着剤等によって接合されている。本実施形態では、ヘッド本体１１は、流路形成基板１０と、連通板１５と、ノズルプレート２０と、保護基板３０と、コンプライアンス基板４５と、を具備する。
【００２０】
ヘッド本体１１を構成する流路形成基板１０は、本実施形態では、シリコン単結晶基板からなる。この流路形成基板１０には、複数の圧力発生室１２が同じ色のインクを吐出する複数のノズル開口２１が並設される方向に沿って並設されている。以降、この方向を圧力発生室１２の並設方向、又は第１の方向Ｘと称する。また、流路形成基板１０には、圧力発生室１２が第１の方向Ｘに並設された列が複数列、本実施形態では、２列設けられている。この圧力発生室１２が第１の方向Ｘに沿って形成された圧力発生室１２の列が複数列設された列設方向を、以降、第２の方向Ｙと称する。
【００２１】
この流路形成基板１０には、原子層堆積によって形成された酸化タンタル（ＴａＯＸ）を主成分とする酸化タンタル膜である保護膜として、第１保護膜２０１が形成されている。第１保護膜２０１は、圧力発生室１２の内壁表面（内面）及びマニホールド１００の内面を画成する端面等のインクに接触する面と、詳しくは後述する連通板１５との接合面と、に亘って連続して設けられている。本実施形態では、第１保護膜２０１として、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）からなる酸化タンタル膜を用いた。なお、原子層堆積によって形成されているとは、原子層堆積法（ＡＬＤ）によって成膜されていることを言う。
【００２２】
また、流路形成基板１０の一方面側（後述する振動板５０とは反対側）には、連通板１５が接合されている。また、連通板１５には、各圧力発生室１２に連通する複数のノズル開口２１が穿設されたノズルプレート２０が接合されている。連通板１５には、圧力発生室１２とノズル開口２１とを繋ぐノズル連通路１６が設けられている。連通板１５は、流路形成基板１０よりも大きな面積を有し、ノズルプレート２０は流路形成基板１０よりも小さい面積を有する。このようにノズルプレート２０の面積を比較的小さくすることでコストの削減を図ることができる。なお、本実施形態では、ノズルプレート２０のノズル開口２１が開口して、インク滴が吐出される面を液体噴射面２０ａと称する。
【００２３】
また、連通板１５には、マニホールド１００の一部を構成する第１マニホールド部１７と、第２マニホールド部１８とが設けられている。
【００２４】
第１マニホールド部１７は、連通板１５を厚さ方向（連通板１５と流路形成基板１０との積層方向）に貫通して設けられている。
【００２５】
また、第２マニホールド部１８は、連通板１５を厚さ方向に貫通することなく、連通板１５の液体噴射面２０ａ側に開口して設けられている。
【００２６】
さらに、連通板１５には、圧力発生室１２の第２の方向Ｙの一端部に連通するインク供給路１９が、各圧力発生室１２毎に独立して設けられている。このインク供給路１９は、第２マニホールド部１８と圧力発生室１２とを連通する。
【００２７】
このような連通板１５としては、流路形成基板１０と線膨張係数が同等の材料が好ましい。つまり、連通板１５として流路形成基板１０と線膨張係数が大きく異なる材料を用いた場合、加熱や冷却されることで、流路形成基板１０と連通板１５との線膨張係数の違いにより反りが生じてしまう。本実施形態では、連通板１５として流路形成基板１０と同じ材料、すなわち、シリコン単結晶基板を用いることで、熱による反りを抑制することができる。
【００２８】
このような連通板１５には、原子層堆積によって形成された酸化タンタル（ＴａＯＸ）を主成分とする酸化タンタル膜である保護膜として、第２保護膜２０２が形成されている。第２保護膜２０２は、ノズル連通路１６、第１マニホールド部１７、第２マニホールド部１８、インク供給路１９の内壁表面（内面）などのインクに接触する面と、流路形成基板１０との接合面及びノズルプレート２０との接合面と、に亘って連続して設けられている。本実施形態では、第２保護膜２０２として、上述した第１保護膜２０１と同じ材料、すなわち、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を用いた。
【００２９】
また、ノズルプレート２０は、シリコン単結晶基板で形成されている。これにより、ノズルプレート２０と連通板１５との線膨張係数を同等として、加熱や冷却されることによる反りの発生を抑制することができる。
【００３０】
ノズルプレート２０には、ノズル開口２１が第１の方向Ｘに並設された列が、第２の方向Ｙに複数列、本実施形態では、２列形成されている。各ノズル開口２１は、ドライエッチングによって形成され、内径が異なる連続する２つの円筒状の空部から構成されている。即ち、ノズルプレート２０の板厚方向におけるインクが吐出される側に形成された内径の小さい第１円筒部２２と、インクが吐出される側とは反対側（インク流路側）に形成された内径の大きい第２円筒部２３と、からノズル開口２１が構成されている。ノズル開口２１の形状については、例示したものには限られず、例えば、内径が一定な円筒部（ストレート部）と、噴射側からインク流路側に向けて内径が次第に拡大するテーパー部と、からノズル開口２１が構成されていてもよい。上記ノズルプレート２０の両面及びノズル開口２１の内周面には、原子層堆積により形成された酸化タンタル膜（ＴａＯＸ）を主成分とする酸化タンタル膜である保護膜として、第３保護膜２０３が形成されている。本実施形態では、第３保護膜２０３として、上述した第１保護膜２０１と同じ材料、すなわち、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を用いた。
【００３１】
また、ノズルプレート２０のインクが吐出される側の面（以下、吐出側表面）には、撥液性を有する撥液膜２４が設けられている。
【００３２】
撥液膜２４は、インクに対して撥水性を有するものであれば特に限定されず、例えば、フッ素系高分子を含む金属膜や、撥液性を有する金属アルコキシドの分子膜などを用いることができる。
【００３３】
なお、フッ素系高分子を含む金属膜からなる撥液膜は、例えば、ノズルプレート２０の液体噴射面２０ａに直接、共析メッキを施すことにより形成することができる。
【００３４】
また、撥液膜として金属アルコキシドの分子膜を用いる場合には、例えば、ノズルプレート２０側にプラズマ重合膜（ＰＰＳｉ（Plasma  Polymerization  Silicone）膜）からなる下地膜を設けることで、分子膜からなる撥液膜とノズルプレート２０との密着性を向上することができる。プラズマ重合膜からなる下地膜は、例えば、シリコーンをアルゴンプラズマガスにより重合させて形成することができる。また、分子膜からなる撥液膜は、例えば、撥液性を有する金属アルコキシドの分子膜を成膜し、その後、乾燥処理、アニール処理等を行うことで、撥液膜（ＳＣＡ（silane  coupling  agent）膜）とすることができる。ちなみに、撥液膜として、金属アルコキシドの分子膜を用いた場合には、下地層を設けたとしても、共析メッキにより形成したフッ素系高分子を含む金属膜からなる撥液膜よりも薄く形成できると共に、液体噴射面２０ａをクリーニングする際にワイピングによって液体噴射面２０ａが拭かれることによっても撥液性が劣化しない「耐擦性」、及び撥液性を向上できるという利点を有する。勿論、「耐擦性」、「撥液性」は劣るが、フッ素系高分子を含む金属膜からなる撥液膜を用いることもできる。
【００３５】
一方、流路形成基板１０の他方面側（連通板１５とは反対面側）には、振動板５０が形成されている。本実施形態に係る振動板５０は、流路形成基板１０上に形成された弾性膜５１と、弾性膜５１上に形成された絶縁体膜５２とで構成されている。なお、圧力発生室１２は、流路形成基板１０を一方面から異方性エッチングにより形成されており、圧力発生室１２の他方面は、振動板（弾性膜５１）で構成されている。
【００３６】
振動板５０上には、本実施形態の圧力発生手段として、第１電極６０と圧電体層７０と第２電極８０とからなる圧電アクチュエーター３００が設けられている。ここで、圧電アクチュエーター３００は、第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を含む部分をいう。一般的には、圧電アクチュエーター３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極及び圧電体層７０を各圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。そして、ここではパターニングされた何れか一方の電極及び圧電体層７０から構成され、両電極への電圧の印加により圧電歪みが生じる部分を圧電体能動部という。本実施形態では、第１電極６０を圧電アクチュエーター３００の共通電極とし、第２電極８０を圧電アクチュエーター３００の個別電極としているが、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、上述した例では、振動板５０が弾性膜５１及び絶縁体膜５２で構成されたものを例示したが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、振動板５０として弾性膜５１及び絶縁体膜５２の何れか一方を設けたものであってもよく、また、振動板５０として弾性膜５１及び絶縁体膜５２を設けずに、第１電極６０のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電アクチュエーター３００自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。ただし、流路形成基板１０上に直接第１電極６０を設ける場合には、第１電極６０とインクとが導通しないように第１電極６０を絶縁性の保護膜（第１保護膜２０１）で保護する必要がある。
【００３７】
圧電体層７０は、第１電極６０上に形成される分極構造を有する酸化物の圧電材料からなり、例えば、一般式ＡＢＯ３で示されるペロブスカイト型酸化物からなることができ、Ａは、鉛を含み、Ｂは、ジルコニウムおよびチタンのうちの少なくとも一方を含むことができる。前記Ｂは、例えば、さらに、ニオブを含むことができる。具体的には、圧電体層７０としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３：ＰＺＴ）、シリコンを含むニオブ酸チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ，Ｎｂ）Ｏ３：ＰＺＴＮＳ）などを用いることができる。
【００３８】
また、圧電体層７０は、鉛を含まない非鉛系圧電材料、例えば、鉄酸ビスマスや鉄酸マンガン酸ビスマスと、チタン酸バリウムやチタン酸ビスマスカリウムとを含むペロブスカイト構造を有する複合酸化物などとしてもよい。
【００３９】
また、第２電極８０には、リード電極９０の一端がそれぞれ接続されている。リード電極９０の他端には、駆動回路１２０が設けられた配線基板１２１、例えば、ＣＯＦ等が接続されている。
【００４０】
流路形成基板１０の圧電アクチュエーター３００側の面には、流路形成基板１０と略同じ大きさを有する保護基板３０が接合されている。保護基板３０は、圧電アクチュエーター３００を保護するための空間である保持部３１を有する。また、保護基板３０には貫通孔３２が設けられている。リード電極９０の他端側は、この貫通孔３２内に露出するように延設され、リード電極９０と配線基板１２１とが貫通孔３２内で電気的に接続されている。
【００４１】
また、このような構成のヘッド本体１１には、複数の圧力発生室１２に連通するマニホールド１００をヘッド本体１１と共に画成するケース部材４０が固定されている。ケース部材４０は、平面視において上述した連通板１５と略同一形状を有し、保護基板３０に接着剤によって固定されると共に、上述した連通板１５にも接着剤によって固定されている。具体的には、ケース部材４０は、保護基板３０側に流路形成基板１０及び保護基板３０が収容される深さの凹部４１を有する。この凹部４１は、保護基板３０の流路形成基板１０に接合された面よりも広い開口面積を有する。そして、凹部４１に流路形成基板１０等が収容された状態で凹部４１のノズルプレート２０側の開口面が連通板１５によって封止されている。これにより、流路形成基板１０の外周部には、ケース部材４０とヘッド本体１１とによって第３マニホールド部４２が画成されている。そして、連通板１５に設けられた第１マニホールド部１７及び第２マニホールド部１８と、ケース部材４０と流路形成基板１０とによって画成された第３マニホールド部４２とによって本実施形態のマニホールド１００が構成されている。
【００４２】
なお、ケース部材４０の材料としては、例えば、樹脂や金属等を用いることができる。また、保護基板３０の材料は、保護基板３０が接着される流路形成基板１０と線膨張係数が同等の材料が好ましく、本実施形態では、シリコン単結晶基板を用いた。
【００４３】
このような保護基板３０の表面には、原子層堆積によって形成された酸化タンタル（ＴａＯＸ）を主成分とする酸化タンタル膜である保護膜として、第４保護膜２０４が形成されている。具体的には、第４保護膜２０４は、マニホールド１００を画成する端面などのインクに接触する面と、流路形成基板１０に接合される面、及び保持部３１の内面に亘って連続して設けられている。本実施形態では、第４保護膜２０４として、上述した第１保護膜２０１と同じ材料、すなわち、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を用いた。
【００４４】
また、連通板１５の第１マニホールド部１７及び第２マニホールド部１８が開口する液体噴射面２０ａ側の面には、コンプライアンス基板４５が設けられている。このコンプライアンス基板４５が、第１マニホールド部１７と第２マニホールド部１８の液体噴射面２０ａ側の開口を封止している。
【００４５】
このようなコンプライアンス基板４５は、本実施形態では、封止膜４６と、固定基板４７と、を具備する。封止膜４６は、可撓性を有する薄膜（例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）やステンレス鋼（ＳＵＳ）等により形成された厚さが２０μｍ以下の薄膜）からなり、固定基板４７は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属等の硬質の材料で形成される。この固定基板４７のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４８となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４６のみで封止された可撓部であるコンプライアンス部となっている。
【００４６】
なお、ケース部材４０には、マニホールド１００に連通して各マニホールド１００にインクを供給するための導入路４４が設けられている。また、ケース部材４０には、保護基板３０の貫通孔３２に連通して配線基板１２１が挿通される接続口４３が設けられている。
【００４７】
このような構成のインクジェット式記録ヘッドＩでは、インクを噴射する際に、カートリッジ等のインク貯留手段から導入路４４を介してインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで流路内部をインクで満たす。その後、駆動回路１２０からの信号に従い、圧力発生室１２に対応する各圧電アクチュエーター３００に電圧を印加することにより、圧電アクチュエーター３００と共に弾性膜５１及び絶縁体膜５２をたわみ変形させる。これにより、圧力発生室１２内の圧力が高まり所定のノズル開口２１からインク滴が噴射される。
【００４８】
ここで、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩを構成するシリコン基板（シリコン単結晶基板）で形成された基板、すなわち、流路形成基板１０、連通板１５、ノズルプレート２０及び保護基板３０には、上述のように原子層堆積によって形成された酸化タンタル（ＴａＯＸ）を主成分とする酸化タンタル膜である保護膜が設けられている。
【００４９】
具体的には、流路形成基板１０の表面には、原子層堆積によって形成された酸化タンタル（ＴａＯＸ）、本実施形態では、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を主成分とする酸化タンタル膜である第１保護膜２０１が形成されている。
【００５０】
第１保護膜２０１は、圧力発生室１２の内壁表面（内面）、すなわち、圧力発生室１２を画成する隔壁上及び振動板５０上と、マニホールド１００の内面を画成する端面と、連通板１５との接合面とに亘って連続して設けられている。
【００５１】
このように、第１保護膜２０１を酸化タンタル膜で形成することで、耐インク性を有する第１保護膜２０１として、流路形成基板１０や振動板５０がインクにより侵食されるのを抑制することができる。なお、ここで言う耐インク性（耐液体性）とは、アルカリ性や酸性のインク（液体）に対する耐エッチング性のことである。
【００５２】
また、第１保護膜２０１を原子層堆積法によって形成することで、当該第１保護膜２０１を高い膜密度で緻密な状態で形成することができる。そして、このように、第１保護膜２０１を高い膜密度で形成することで、第１保護膜２０１の耐インク性（耐液体性）を向上することができる。すなわち、第１保護膜２０１は、酸化タンタルで形成することで、耐インク性を有するものであるが、原子層堆積法（ＡＬＤ）によって形成することで、第１保護膜２０１の耐インク性をさらに向上することができる。したがって、第１保護膜２０１の耐インク性を向上して、振動板５０（弾性膜５１）や流路形成基板１０等がインク（液体）によって侵食（エッチング）されるのを抑制することができる。また、原子層堆積法によって耐インク性が高い膜密度の高い緻密な第１保護膜２０１を形成することができるため、第１保護膜２０１をＣＶＤ法等によって形成する場合に比べて薄い膜厚で形成しても、十分な耐インク性を確保することができる。したがって、第１保護膜２０１を比較的薄い膜厚で形成して、第１保護膜２０１が振動板５０の変位を阻害するのを抑制して、振動板５０の変位量が低下するのを抑制することができる。また、振動板５０がインクによって侵食されるのを抑制することができるため、振動板５０の変位特性にばらつきが生じるのを抑制して、振動板５０を安定した変位特性で変形させることができる。
【００５３】
また、第１保護膜２０１を原子層堆積法によって形成することによって、圧力発生室１２等の凹凸のある流路形成基板１０の流路の内面、すなわち、振動板５０（弾性膜５１）上や隔壁上等に略均一な膜厚で第１保護膜２０１を形成することができる。すなわち、第１保護膜２０１は、流路形成基板１０の一方面に振動板５０である弾性膜５１や圧電アクチュエーター３００等を形成した後、流路形成基板１０に圧力発生室１２等の流路を形成し、その後、圧力発生室１２等の流路内に原子層堆積法によって形成されるものである。このため、原子層堆積法以外の方法、例えば、スパッタリング法やＣＶＤ法等によって保護膜を形成した場合には、第１保護膜２０１は、方向の異なる面に均一な厚さで形成するのが困難である。本実施形態では、第１保護膜２０１を原子層堆積法によって形成することで、方向の異なる面上に均一な膜厚で形成することができ、振動板の変位特性にばらつきが生じるのを抑制することができると共に、第１保護膜２０１のカバレッジ不良による振動板５０や流路形成基板１０のインクによる侵食を抑制することができる。
【００５４】
なお、このような原子層堆積法によって形成された酸化タンタルを主成分とする酸化タンタル膜である第１保護膜２０１は、０．３Å以上、５０ｎｍ以下の範囲とすればよく、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の範囲が好適である。また、Ｔａ２Ｏ５（ＴａＯＸ）は、アルカリに可溶だが、膜密度が高ければ（７ｇ／ｃｍ２程度）アルカリに溶けにくくなり、耐酸性は、フッ化水素以外の溶液には溶けないという特徴をもつので、強アルカリ液や強酸液に対する保護膜として有効である。すなわち、原子層堆積法によれば、第１保護膜２０１を５０ｎｍ以下という比較的薄い厚さで容易に高精度に形成することができる。また、原子層堆積法によって形成された保護膜２００は、高い膜密度で形成されるため、０．３Å以上の厚さで十分な耐インク性を確保することができる。ちなみに、第１保護膜２０１をこれより厚く形成すると、成膜に時間がかかりコスト高になるため好ましくない。また、第１保護膜２０１をこれより薄く形成すると、全体に均一な膜が形成されない虞があるため好ましくない。
【００５５】
このように第１保護膜２０１の厚さを薄くすることで、第１保護膜２０１が振動板５０の変位を阻害するのを低減して、圧電アクチュエーター３００の変位を向上することができる。また、第１保護膜２０１の厚さを薄くすることができるため、流路形成基板１０の厚さを薄くしても圧力発生室１２の容積を確保することができる。また、圧電アクチュエーター３００の変位を向上することができることから圧電アクチュエーター３００の厚さを薄くすることができる。したがって、インクジェット式記録ヘッドＩの薄型化及びノズル開口２１の高密度化を実現することができる。
【００５６】
また、連通板１５の表面には、原子層堆積（原子層堆積法）によって形成された酸化タンタル（ＴａＯＸ）、本実施形態では、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を主成分とする酸化タンタル膜である第２保護膜２０２が形成されている。第２保護膜２０２は、連通板１５のノズル連通路１６の内面、インク供給路１９、第１マニホールド部１７、第２マニホールド部１８及びインク供給路１９のインクに接触する面と、流路形成基板１０との接合面及びノズルプレート２０との接合面とに亘って連続して設けられている。
【００５７】
このように、第２保護膜２０２は、第１保護膜２０１と同様に、酸化タンタル膜で形成することで、耐インク性を有するものであるが、原子層堆積法によって形成することで、第２保護膜２０２の耐インク性をさらに向上することができる。したがって、第２保護膜２０２の耐インク性を向上して、連通板１５がインク（液体）によって侵食（エッチング）されるのを抑制することができる。また、原子層堆積法によって耐インク性が高い膜密度の高い緻密な第２保護膜２０２を形成することができるため、第２保護膜２０２をＣＶＤ法等によって形成する場合に比べて薄い膜厚で形成しても、十分な耐インク性を確保することができる。
【００５８】
また、第２保護膜２０２を原子層堆積法によって形成することによって、ノズル連通路１６や第１マニホールド部１７等の凹凸のある連通板１５の流路の内面に略均一な膜厚で第２保護膜２０２を形成することができる。特に、ノズル連通路１６やインク供給路１９は、開口面積が小さく、内周面に第２保護膜２０２を形成するのが困難であるが、第２保護膜２０２を原子層堆積法によって形成することで、開口面積が小さなノズル連通路１６やインク供給路１９の内面に略均一な膜厚で第２保護膜２０２を形成することができる。また、ノズル連通路１６やインク供給路１９などの角部にも確実に膜密度の高い第２保護膜２０２を形成することができ、連通板１５の耐インク性が著しく向上する。
【００５９】
このような第２保護膜２０２の厚さは、上述した第１保護膜２０１と同様に、０．３Å以上、５０ｎｍ以下の範囲とすればよく、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の範囲が好適である。
【００６０】
そして、このような流路形成基板１０と連通板１５とは、接着剤２１０を介して接着されている。この流路形成基板１０と連通板１５とを接着する接着剤２１０としては、例えば、エポキシ系接着剤を用いることができる。ここで、本実施形態では、流路形成基板１０と連通板１５との接着面には、それぞれ第１保護膜２０１及び第２保護膜２０２が形成されている。したがって、流路形成基板１０及び連通板１５を接着する接着剤２１０の界面にインクが侵入しても、インクが流路形成基板１０及び連通板１５を侵食（エッチング）して、接着面積が減少し、接着強度の低下によるインクの漏出や吐出不良、接着強度の低下による剥離を抑制することができる。すなわち、流路形成基板１０と連通板１５との流路内のみに保護膜（第１保護膜２０１及び第２保護膜２０２）を設けたとしても、接着剤２１０の界面が保護膜によって保護されていなければ、接着界面がインクに侵食されて接着強度が低下してしまう。本実施形態では、流路形成基板１０及び連通板１５の流路内面だけでなく、接着界面を保護膜（第１保護膜２０１及び第２保護膜２０２）で覆うことで、インクが流路形成基板１０及び連通板１５を侵食（エッチング）して、接着強度が低下するのを抑制することができる。特に、本実施形態では、流路の内面と接着剤２１０に接する界面とに亘って連続して保護膜（第１保護膜２０１及び第２保護膜２０２）を設けるようにしたため、保護膜に継ぎ目が無いことから、継ぎ目等からインクが侵入して侵食するのを抑制して、流路形成基板１０及び連通板１５を確実に保護することができる。
【００６１】
また、ノズルプレート２０の表面には、原子層堆積によって形成された酸化タンタル（ＴａＯＸ）、本実施形態では、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を主成分とする酸化タンタル膜である第３保護膜２０３が形成されている。第３保護膜２０３は、原子層堆積（原子層堆積法）により形成されたものであり、ＣＶＤ法などの他の気相法で形成した膜と比較して薄い膜厚で形成でき、また、小さなノズル開口２１の内周面にも確実に且つ均一な膜厚で形成できるという特徴がある。さらに、原子層堆積法によると、高い膜密度で形成できるという利点がある。つまり、第３保護膜２０３を高い膜密度で形成することで、第３保護膜２０３の耐インク性（耐液体性）を向上して、シリコン基板がインク（液体）によって侵食されるのを抑制することができる。特に、耐インク性で問題が生じ易いノズル開口２１の内周面や、液体噴射面２０ａ側の表面とノズル開口２１との境界の角部にも確実に且つ膜密度の高い第３保護膜２０３が形成されるので、ノズルプレート２０の耐インク性が著しく向上する。
【００６２】
このような第３保護膜２０３の厚さは、上述した第１保護膜２０１と同様に、０．３Å以上、５０ｎｍ以下の範囲とすればよく、１０ｎｍ以上、３０ｎｍ以下の範囲が好適である。
【００６３】
また、連通板１５とノズルプレート２０とは、接着剤２１１を介して接着されている。この連通板１５とノズルプレート２０とを接着する接着剤２１１としては、例えば、エポキシ系接着剤を用いることができる。ここで本実施形態では、連通板１５とノズルプレート２０との接着面には、それぞれ第２保護膜２０２及び第３保護膜２０３が形成されている。したがって、連通板１５及びノズルプレート２０を接着する接着剤２１１の界面にインクが侵入しても、インクが連通板１５及びノズルプレート２０を侵食（エッチング）するのを抑制することができる。したがって、インクの侵食によって接着面積が減少し、接着強度の低下によるインクの漏出や吐出不良、接着強度の低下による剥離を抑制することができる。すなわち、連通板１５とノズルプレート２０との流路内（ノズル開口２１を含む）のみに保護膜（第２保護膜２０２及び第３保護膜２０３）を設けたとしても、接着剤２１１の界面が保護膜によって保護されていなければ、接着界面がインクに侵食されて接着強度が低下してしまう。本実施形態では、連通板１５及びノズルプレート２０の流路内面だけでなく、接着界面を保護膜（第２保護膜２０２及び第３保護膜２０３）で覆うことで、インクが連通板１５及びノズルプレート２０を侵食（エッチング）するのを抑制して、接着強度が低下するのを抑制することができる。特に、本実施形態では、流路の内面と接着剤２１１に接する界面とに亘って連続して保護膜（第２保護膜２０２及び第３保護膜２０３）を設けるようにしたため、保護膜に継ぎ目が無いことから、継ぎ目等からインクが侵入して侵食するのを抑制して、連通板１５及びノズルプレート２０を確実に保護することができる。
【００６４】
さらに、保護基板３０の表面には、原子層堆積（原子層堆積法）によって形成された酸化タンタル（ＴａＯＸ）、本実施形態では、五酸化タンタル（Ｔａ２Ｏ５）を主成分とする酸化タンタル膜である第４保護膜２０４が形成されている。
【００６５】
第４保護膜２０４は、本実施形態では、保護基板３０の保持部３１の内面、保護基板３０の外周面、及び流路形成基板１０との接合面に亘って連続して設けられている。
【００６６】
この第４保護膜２０４は、第１保護膜２０１と同様に、酸化タンタル膜で形成することで、耐インク性を有するものであるが、原子層堆積法（ＡＬＤ）によって形成することで、第４保護膜２０４の耐インク性をさらに向上することができる。したがって、第４保護膜２０４の耐インク性を向上して、保護基板３０がインク（液体）によって侵食（エッチング）されるのを抑制することができる。また、原子層堆積法によって耐インク性が高い膜密度の高い緻密な第４保護膜２０４を形成することができるため、第４保護膜２０４をＣＶＤ法等によって形成する場合に比べて薄い膜厚で形成しても、十分な耐インク性を確保することができる。
【００６７】
また、流路形成基板１０と保護基板３０とは、接着剤２１２を介して接着されている。この流路形成基板１０と保護基板３０とを接着する接着剤２１２としては、例えば、エポキシ系接着剤を用いることができる。ここで本実施形態では、保護基板３０の流路形成基板１０との接着面には、第４保護膜２０４が形成されているため、保護基板３０を流路形成基板１０に接着する接着剤２１２の界面にインクが侵入しても、インクが保護基板３０を侵食（エッチング）するのを抑制することができる。したがって、インクの侵食によって接着面積が減少し、接着強度の低下によるインクの漏出や吐出不良、接着強度の低下による剥離を抑制することができる。すなわち、保護基板３０の保持部３１内のみに保護膜（第４保護膜２０４）を設けたとしても、接着剤２１２の界面が保護膜によって保護されていなければ、接着界面がインクに侵食されて接着強度が低下してしまう。本実施形態では、保護基板３０のマニホールド１００の内面を画成する端面だけでなく、接着界面を保護膜（第４保護膜２０４）で覆うことで、インクが保護基板３０を侵食（エッチング）して、接着強度が低下するのを抑制することができる。特に、本実施形態では、流路の内面と接着剤２１２に接する界面とに亘って連続して保護膜（第４保護膜２０４）を設けるようにしたため、保護膜に継ぎ目が無いことから、継ぎ目等からインクが侵入して侵食するのを抑制して、保護基板３０を確実に保護することができる。なお、本実施形態では、流路形成基板１０の保護基板３０に接着される接着面には、保護膜が形成されていない。しかしながら、流路形成基板１０の保護基板３０と接着される接着面には、振動板５０等が形成されており、流路形成基板１０の接着剤２１２との界面が、インクによって侵食されることはない。
【００６８】
以上説明したように、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩを構成するシリコン基板（シリコン単結晶基板）、本実施形態では、流路形成基板１０、連通板１５、ノズルプレート２０及び保護基板３０の接合面を含む全面には、原子層堆積法（ＡＬＤ）によって形成された酸化タンタル（ＴａＯＸ）を主成分とする酸化タンタル膜である保護膜（第１保護膜２０１〜第４保護膜２０４）が設けられており、各基板（１０、１５、２０、３０）は、保護膜（２０１〜２０４）が設けられた接合面が接着剤２１０〜２１２を介して互いに接着されている。このため、保護膜によって各基板をインク（液体）から確実に保護することができると共に、接着界面に保護膜を設けることで、接着剤２１０〜２１２と基板との間に侵入したインクによって基板が侵食されるのを抑制して、接着力の低下によるインクの漏出、インク吐出不良、積層された基板の剥離等の不具合を抑制することができる。
【００６９】
ここで、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩの製造方法について、図４〜図６を参照して説明する。なお、図４〜図６は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す要部を拡大した断面図である。
【００７０】
図４（ａ）に示すように、シリコンウェハーであり複数の流路形成基板１０となる流路形成基板用ウェハー１１０の一方面に振動板５０を形成する。本実施形態では、流路形成基板用ウェハー１１０を熱酸化することによって形成した二酸化シリコン（弾性膜５１）と、スパッタリング法で成膜後、熱酸化することによって形成した酸化ジルコニウム（絶縁体膜５２）との積層からなる振動板５０を形成した。
【００７１】
もちろん、振動板５０の材料は、二酸化シリコン、酸化ジルコニウムに限定されず、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）、酸化チタン（ＴｉＯ２）、酸化アルミニウム（Ａｌ２Ｏ３）、酸化ハフニウム（ＨｆＯ２）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、アルミン酸ランタン（ＬａＡｌＯ３）等を用いるようにしてもよい。また、弾性膜５１の形成方法は熱酸化に限定されず、スパッタリング法、ＣＶＤ法、蒸着法、スピンコート法等又はこれらの組み合わせによって形成してもよい。
【００７２】
次に、図４（ｂ）に示すように、振動板５０上に、圧電アクチュエーター３００とリード電極９０とを形成する。これら圧電アクチュエーター３００の各層及びリード電極９０は成膜及びリソグラフィー法により圧力発生室１２毎に形成することができる。また、圧電体層７０は、例えば、ゾル−ゲル法、ＭＯＤ法、スパッタリング法又はレーザーアブレーション法等のＰＶＤ法等を用いて形成することができる。
【００７３】
次に、図４（ｃ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の圧電アクチュエーター３００側に、シリコンウェハーであり複数の保護基板３０となる保護基板用ウェハー１３０を接着剤２１２を介して接合する。この流路形成基板用ウェハー１１０に接合する保護基板用ウェハー１３０には、予め保持部３１及び貫通孔３２等を形成した後、保護基板用ウェハー１３０の表面の全面に亘って原子層堆積法によって酸化タンタルからなる第４保護膜２０４を形成しておく。そして、第４保護膜２０４が形成された保護基板用ウェハー１３０と流路形成基板用ウェハー１１０とを接着剤２１２を介して接着する。
【００７４】
このとき、保護基板用ウェハー１３０の接着剤２１２が接する接着界面には、第４保護膜２０４が形成されているため、インクジェット式記録ヘッドＩにインクを充填した際に、インクが接着界面に侵入したとしても、インクによって保護基板３０（保護基板用ウェハー１３０から切り出された）の接着界面が侵食されるのを抑制して、接着強度を向上し、インクの漏出、吐出不良及び剥離を抑制することができる。
【００７５】
なお、保護基板用ウェハー１３０に保持部３１及び貫通孔３２を形成する方法は特に限定されず、例えば、ＫＯＨ等のアルカリ溶液を用いた異方性エッチングによって高精度に形成することができる。
【００７６】
次に、図５（ａ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０を所定の厚みに薄くした後、流路形成基板用ウェハー１１０を保護基板用ウェハー１３０とは反対面側から図示しないマスクを介して異方性エッチングすることにより、圧電アクチュエーター３００に対応する圧力発生室１２を形成する。
【００７７】
次に、図５（ｂ）に示すように、流路形成基板用ウェハー１１０の表面に亘って原子層堆積法によって酸化タンタルからなる第１保護膜２０１を形成する。本実施形態では、流路形成基板用ウェハー１１０の保護基板用ウェハー１３０に覆われていない領域、すなわち、圧力発生室１２の内面、マニホールド１００の内面を画成する端面、及び流路形成基板１０の連通板１５との接合面に亘って連続して形成する。そして、このように流路形成基板用ウェハー１１０と保護基板用ウェハー１３０との不要部分を除去すると共に、流路形成基板用ウェハー１１０と保護基板用ウェハー１３０とを図１に示すような一つのチップサイズの流路形成基板１０及び保護基板３０に分割する。
【００７８】
次に、図５（ｃ）に示すように、分割した流路形成基板１０に連通板１５を接合する。この連通板１５には、予めノズル連通路１６、第１マニホールド部１７、第２マニホールド部１８、インク供給路１９を形成した後、連通板１５の表面の全面に亘って原子層堆積法によって酸化タンタルからなる第２保護膜２０２を形成しておく。このとき、第２保護膜２０２は、原子層堆積法によって形成されるため、複雑な形状で且つ開口の狭いノズル連通路１６やインク供給路１９の内面にも均一な膜厚で形成することができる。
【００７９】
そして、第１保護膜２０１が形成された流路形成基板１０と第２保護膜２０２が形成された連通板１５とを接着剤２１０を介して接着する。このとき、流路形成基板１０及び連通板１５の接着剤２１０が接する接着界面のそれぞれには、第１保護膜２０１及び第２保護膜２０２が形成されているため、インクジェット式記録ヘッドＩにインクを充填した際に、インクが接着界面に侵入したとしても、インクによって流路形成基板１０と連通板１５との接着界面が侵食されるのを抑制して、接着強度を向上し、インクの漏出、吐出不良及び剥離を抑制することができる。
【００８０】
次に、図６に示すように、連通板１５にノズルプレート２０を接着剤２１１を介して接着する。このノズルプレート２０には、予めノズル開口２１を形成した後、ノズルプレート２０の表面の全面に亘って原子層堆積法によって酸化タンタルからなる第３保護膜２０３を形成しておく。また、ノズルプレート２０の液体噴射面２０ａには、撥液膜２４を形成しておく。
【００８１】
そして、第２保護膜２０２が形成された連通板１５と第３保護膜２０３が形成されたノズルプレート２０とを接着剤２１１を介して接着する。このとき、連通板１５及びノズルプレート２０の接着剤２１１が接する接着界面のそれぞれには、第２保護膜２０２及び第３保護膜２０３が形成されているため、インクジェット式記録ヘッドＩにインクを充填した際に、インクが接着界面に侵入したとしても、インクによって連通板１５とノズルプレート２０との接着界面が侵食されるのを抑制して、接着強度を向上し、インクの漏出、吐出不良及び剥離を抑制することができる。
【００８２】
その後は、連通板１５にコンプライアンス基板４５を接合すると共に、ケース部材４０を接合することで、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドＩとすることができる。もちろん、連通板１５のコンプライアンス基板４５が接合される接着界面にも第２保護膜２０２が形成されているため、連通板１５の接着界面がインクによって侵食されるのを抑制することができる。
【００８３】
（他の実施形態）
以上、本発明の基本的な構成について説明したが、本発明の基本的な構成は上述したものに限定されるものではない。
【００８４】
例えば、上述した実施形態１では、流路形成基板１０とノズルプレート２０とを連通板１５を介して接合するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、流路形成基板１０とノズルプレート２０とを直接接合するようにしてもよい。すなわち、ノズルプレート２０と流路形成基板１０とが接合されているとは、上述した実施形態１のように、間に連通板１５を介在させて接合させたものも、また、ノズルプレート２０と流路形成基板１０とを直接接合したものも含むものである。また、ノズルプレート２０と流路形成基板１０との間には連通板１５以外の他の基板を介在させてもよい。
【００８５】
また、上述した実施形態１では、ケース部材４０を樹脂又は金属で形成するようにしたが、ケース部材４０がインクによって侵食される材料で形成されている場合には、ケース部材４０の流路の内面及び接合面に原子層堆積法によって形成された酸化タンタルを主成分とする保護膜を設けるようにすればよい。
【００８６】
また、上述した実施形態１では、ノズル開口２１からインク滴を吐出する圧力発生手段として、薄膜型の圧電アクチュエーター３００を用いて説明したが、特にこれに限定されるものではなく、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型の圧電アクチュエーターや、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電アクチュエーターなどを使用することができる。また、圧力発生手段として、圧力発生室内に発熱素子を配置して、発熱素子の発熱で発生するバブルによってノズル開口から液滴を吐出するものや、振動板と電極との間に静電気を発生させて、静電気力によって振動板を変形させてノズル開口から液滴を吐出させるいわゆる静電式アクチュエーターなどを使用することができる。
【００８７】
また、これら各実施形態のインクジェット式記録ヘッドは、カートリッジ等と連通するインク流路を具備するインクジェット式記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図７は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。
【００８８】
図７に示すインクジェット式記録装置ＩＩにおいて、複数のインクジェット式記録ヘッドＩを有するインクジェット式記録ヘッドユニット１Ａ、１Ｂ（以下、記録ヘッドユニット１Ａ、１Ｂとも言う）は、インク供給手段を構成するカートリッジ２Ａ及び２Ｂが着脱可能に設けられ、このヘッドユニット１Ａ、１Ｂを搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。この記録ヘッドユニット１Ａ及び１Ｂは、例えば、それぞれブラックインク組成物及びカラーインク組成物を吐出するものとしている。
【００８９】
そして、駆動モーター６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッドユニット１Ａ、１Ｂを搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４にはキャリッジ軸５に沿ってプラテン８が設けられており、図示しない給紙ローラーなどにより給紙された紙等の記録媒体である記録シートＳがプラテン８に巻き掛けられて搬送されるようになっている。
【００９０】
なお、上述したインクジェット式記録装置ＩＩでは、インクジェット式記録ヘッドＩ（記録ヘッドユニット１Ａ、１Ｂ）がキャリッジ３に搭載されて主走査方向に移動するものを例示したが、特にこれに限定されず、例えば、インクジェット式記録ヘッドＩが固定されて、紙等の記録シートＳを副走査方向に移動させるだけで印刷を行う、所謂ライン式記録装置にも本発明を適用することができる。
【００９１】
また、上述した例では、インクジェット式記録装置ＩＩは、液体貯留手段であるカートリッジ２Ａ、２Ｂがキャリッジ３に搭載された構成であるが、特にこれに限定されず、例えば、インクタンク等の液体貯留手段を装置本体４に固定して、貯留手段とインクジェット式記録ヘッドＩとをチューブ等の供給管を介して接続してもよい。また、液体貯留手段がインクジェット式記録装置ＩＩに搭載されていなくてもよい。
【００９２】
なお、上記実施の形態においては、液体噴射ヘッドの一例としてインクジェット式記録ヘッドを、また液体噴射装置の一例としてインクジェット式記録装置を挙げて説明したが、本発明は、広く液体噴射ヘッド及び液体噴射装置全般を対象としたものであり、インク以外の液体を噴射する液体噴射ヘッドや液体噴射装置にも勿論適用することができる。その他の液体噴射ヘッドとしては、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等が挙げられ、かかる液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置にも適用できる。
【符号の説明】
【００９３】
Ｉ  インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、  ＩＩ  インクジェット式記録装置（液体噴射装置）、  １Ａ、１Ｂ  ヘッドユニット、  ２Ａ、２Ｂ  カートリッジ、  ３  キャリッジ、  ４  装置本体、  ５  キャリッジ軸、  ６  駆動モーター、  ７  タイミングベルト、  ８  プラテン、  １２  圧力発生室、  ２０  ノズルプレート、  ２０ａ  液体噴射面、  ２１  ノズル開口、  ３０  保護基板、  ４０  ケース部材、  ４５  コンプライアンス基板、  １００  マニホールド、  ２０１  第１保護膜（酸化タンタル膜）、  ２０２  第２保護膜（酸化タンタル膜）、  ２０３  第３保護膜（酸化タンタル膜）、  ２０４  第４保護膜（酸化タンタル膜）、  ２１０−２１２  接着剤、  ３００  圧電アクチュエーター（圧力発生手段）
【図１】
2014124882.tif 000003
【図２】
2014124882.tif 000004
【図３】
2014124882.tif 000005
【図４】
2014124882.tif 000006
【図５】
2014124882.tif 000007
【図６】
2014124882.tif 000008
【図７】
2014124882.tif 000009