【手続補正書】
【提出日】令和2年11月19日(2020.11.19)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
集電基板と、この集電基板の少なくとも一方の面に形成されたアンダーコート層とを有するエネルギー貯蔵デバイス電極用アンダーコート箔であり、
上記アンダーコート層が、カーボンナノチューブおよび分散剤を含み、厚さが１〜１４０ｎｍであり、かつ、上記アンダーコート層についてＰ偏光方式で測定した、当該アンダーコート層に含まれる有機成分のカルボニル基の吸収に由来する赤外吸光度が、０．０１７以下であることを特徴とする、超音波溶接によって当該アンダーコート箔を備える電極構造体を作製するために用いられるエネルギー貯蔵デバイス電極用アンダーコート箔。
【請求項２】
上記赤外吸光度が、０．００５以上０．０１５以下である請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス電極用アンダーコート箔。
【請求項３】
上記アンダーコート層の厚さが３０〜１１０ｎｍである請求項２記載のエネルギー貯蔵デバイス電極用アンダーコート箔。
【請求項４】
上記集電基板がアルミニウム箔または銅箔である、請求項１〜３のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス電極用アンダーコート箔。
【請求項５】
上記分散剤が、トリアリールアミン系高分岐ポリマーまたは側鎖にオキサゾリン基を含むビニル系ポリマーである請求項１〜４のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス電極用アンダーコート箔。
【請求項６】
上記アンダーコート層が、さらにマトリックス高分子を含む請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス電極用アンダーコート箔。
【請求項７】
上記アンダーコート層が、カーボンナノチューブを０．０００１〜５０質量％、分散剤０．００１〜３０質量％、マトリックス高分子０．００１〜９９質量％および溶媒を含むカーボンナノチューブ含有組成物により形成されてなる請求項６記載のエネルギー貯蔵デバイス電極用アンダーコート箔。
【請求項８】
集電基板と、この集電基板の少なくとも一方の面に形成されたアンダーコート層とを有し、前記アンダーコート層が形成され、かつ、活物質層が形成されていない部分において、前記集電基板と金属タブとが超音波溶接によって溶接された電極構造体を作製するために用いられる、請求項１〜７のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス電極用アンダーコート箔。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス電極用アンダーコート箔と、そのアンダーコート層の表面の一部または全部に形成された活物質層とを有するエネルギー貯蔵デバイス電極。
【請求項１０】
上記活物質層が、上記アンダーコート層の周縁を残し、それ以外の部分全体を覆う態様で形成された請求項９記載のエネルギー貯蔵デバイス電極。
【請求項１１】
上記電極構造体が、上記アンダーコート層が形成され、かつ、上記活物質層が形成されていない部分で金属タブと超音波溶接されるものである請求項９または１０記載のエネルギー貯蔵デバイス電極。
【請求項１２】
請求項９〜１１のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス電極を備えるエネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１３】
一枚または複数枚の請求項１０記載の電極と、金属タブとを備えて構成される電極構造体を少なくとも一つ有し、
上記電極の少なくとも一枚が、上記アンダーコート層が形成され、かつ、上記活物質層が形成されていない部分で上記金属タブと超音波溶接されているエネルギー貯蔵デバイス。
【請求項１４】
一枚または複数枚の請求項１０記載の電極を用いたエネルギー貯蔵デバイスの製造方法であって、
上記電極の少なくとも一枚を、上記アンダーコート層が形成され、かつ、上記活物質層が形成されていない部分で金属タブと超音波溶接する工程を有するエネルギー貯蔵デバイスの製造方法。
【請求項１５】
集電基板上にカーボンナノチューブおよび分散剤を含むアンダーコート層形成用組成物を塗布し、これを乾燥してアンダーコート層を形成してアンダーコート箔を作製した後、
Ｐ偏光方式で上記アンダーコート層の赤外吸光度を測定して、当該アンダーコート層に含まれる有機成分のカルボニル基の吸収に由来する赤外吸光度が０．０１７以下であることを確認し、さらに
上記アンダーコート層表面の少なくとも一部に活物質層を形成するエネルギー貯蔵デバイス電極の製造方法。
【請求項１６】
上記アンダーコート層の厚さが１〜１４０ｎｍである請求項１５記載のエネルギー貯蔵デバイス電極の製造方法。
【請求項１７】
上記赤外吸光度が、０．００５以上０．０１５以下である請求項１５または１６記載のエネルギー貯蔵デバイス電極の製造方法。
【請求項１８】
上記アンダーコート層の厚さが３０〜１１０ｎｍである請求項１７記載のエネルギー貯蔵デバイス電極の製造方法。
【請求項１９】
上記集電基板がアルミニウム箔または銅箔である請求項１５〜１８のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス電極の製造方法。
【請求項２０】
上記分散剤が、トリアリールアミン系高分岐ポリマーまたは側鎖にオキサゾリン基を含むビニル系ポリマーである請求項１５〜１９のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス電極の製造方法。
【請求項２１】
上記アンダーコート層が、さらにマトリックス高分子を含む請求項１５〜２０のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス電極の製造方法。
【請求項２２】
上記アンダーコート層が、カーボンナノチューブ０．０００１〜５０質量％、分散剤０．００１〜３０質量％、マトリックス高分子０．００１〜９９質量％および溶媒を含むカーボンナノチューブ含有組成物により形成されてなる請求項２１記載のエネルギー貯蔵デバイス電極の製造方法。
【請求項２３】
集電基板と、この集電基板の少なくとも一方の面に形成されたアンダーコート層とを有するエネルギー貯蔵デバイス電極であり、前記アンダーコート層が形成され、かつ、活物質層が形成されていない部分において、前記集電基板と金属タブとが超音波溶接によって溶接された電極構造体を作製するために用いられる、請求項１５〜２２のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス電極の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０１】
〔赤外吸光度の測定〕
作製したアンダーコート箔のアンダーコート層のカルボニル基由来の吸光度は、下記のようにして測定した。
片面に塗工したアンダーコート箔を８×２０ｃｍに切り出し、塗工面を赤外線吸収式膜厚計ＲＸ−４００のセンサヘッドに設置した。入射面に対して平行なＰ偏光赤外線を、ブリュースター角で入射させ、表面反射光を含まない反射光を測定することで、アンダーコート層の吸光度を測定した。積算回数は１２８回とした。カルボニル基由来の吸収は、１７００〜１８００ｃｍ-1付近とし、ベースラインは、より大きい波数領域の吸収を２点測定することで得た。まず、無垢のアルミニウム箔の吸光度を測定し、次にアンダーコート箔の吸光度を測定した後に、無垢のアルミニウム箔の吸光度を差し引くことで、アンダーコート層の吸光度とした。
このようにして測定したアンダーコート層のカルボニル基由来の吸光度を表１に、上記吸光度と膜厚との関係を図１に示す。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１０５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１０５】
図１に示したように、アンダーコート層のカルボニル基由来の吸光度が０．１程度までは、アンダーコート層の膜厚に対し、吸光度は直線的に減少するのに対し、吸光度０．１以上では、ベースラインを含むアンダーコート層の赤外線吸収が、散乱等の要因によって正確な測定が困難となるため、直線に乗らないことが確認された。これはすなわち、吸光度０．１００未満のアンダーコート箔を製造する場合には、アンダーコート層の膜厚を、吸光度を測定することによって容易に計算できることを示している。
また、アンダーコート箔のカルボニル基由来の吸光度が０．１以上では、アンダーコート層のアルミニウム箔に対する密着性が低下した。すなわち、アンダーコート層の密着性が良好なアンダーコート箔を製造するためには、アンダーコート層のカルボニル基由来の吸光度を０．１００未満とする必要があり、アンダーコート箔製造時に吸光度を測定する必要があることが確認された。
一方、溶接の可否という点から、上記吸光度を０．０２以下とすることが好ましいことが確認された。