【手続補正書】
【提出日】令和2年12月8日(2020.12.8)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ホウ素原子及び窒素原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ１）を有する化合物（Ｂ１）を準備する準備工程と、
ホウ素原子及び窒素原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ２）を有し、２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長が、前記化合物（Ｂ１）の２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長より大きい、及び／又は、２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長が、前記化合物（Ｂ１）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長より小さい、化合物（Ｂ２）を選別する選別工程と、
前記準備工程で準備した化合物（Ｂ１）及び前記選別工程で選別した化合物（Ｂ２）を混合して発光素子用組成物を得る製造工程と、
を備える、発光素子用組成物の製造方法。
【請求項２】
前記選別工程が、前記化合物（Ｂ２）の２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長、及び／又は、前記化合物（Ｂ２）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長を求める工程を含む、請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記選別工程が、前記化合物（Ｂ１）の２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長、及び／又は、前記化合物（Ｂ１）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長を求める工程を含む、請求項１又は２に記載の製造方法。
【請求項４】
ホウ素原子及び窒素原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ２）を有する化合物（Ｂ２）を準備する準備工程と、
ホウ素原子及び窒素原子を環内に含む縮合複素環骨格（ｂ１）を有し、２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長が、前記化合物（Ｂ２）の２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長より小さい、及び／又は、２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長が、前記化合物（Ｂ２）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長より大きい、化合物（Ｂ１）を選別する選別工程と、
前記準備工程で準備した化合物（Ｂ２）及び前記選別工程で選別した化合物（Ｂ１）を混合して発光素子用組成物を得る製造工程と、
を備える、発光素子用組成物の製造方法。
【請求項５】
前記選別工程が、前記化合物（Ｂ１）の２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長、及び／又は、前記化合物（Ｂ１）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長を求める工程を含む、請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記選別工程が、前記化合物（Ｂ２）の２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長、及び／又は、前記化合物（Ｂ２）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長を求める工程を含む、請求項４又は５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記化合物（Ｂ１）及び前記化合物（Ｂ２）のうち少なくとも一方が、式（１−１）で表される化合物、式（１−２）で表される化合物又は式（１−３）で表される化合物である、請求項１〜６のいずれか一項に記載の製造方法。
【化１】
2020167392.tif 000001
［式中、
Ａｒ１、Ａｒ２及びＡｒ３は、それぞれ独立に、芳香族炭化水素基又は複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
Ｙ１は、−Ｎ（Ｒｙ）−で表される基を表す。
Ｙ２及びＹ３は、それぞれ独立に、単結合、酸素原子、硫黄原子、セレン原子、−Ｎ（Ｒｙ）−で表される基、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｒｙは、水素原子、アルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は１価の複素環基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。Ｒｙが複数存在する場合、同一であっても異なっていてもよい。Ｒｙは、直接結合して又は連結基を介して、Ａｒ１、Ａｒ２又はＡｒ３と結合していてもよい。］
【請求項８】
前記化合物（Ｂ１）及び前記化合物（Ｂ２）の両方が、前記式（１−１）で表される化合物、前記式（１−２）で表される化合物又は前記式（１−３）で表される化合物である、請求項７に記載の製造方法。
【請求項９】
前記化合物（Ｂ１）及び前記化合物（Ｂ２）のうち少なくとも一方が、前記式（１−２）で表される化合物である、請求項７に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記化合物（Ｂ１）及び前記化合物（Ｂ２）の両方が、前記式（１−２）で表される化合物である、請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
前記Ｙ２及び前記Ｙ３が、−Ｎ（Ｒｙ）−で表される基である、請求項７〜１０のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１２】
前記化合物（Ｂ１）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長が、前記化合物（Ｂ１）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長より小さい、請求項１〜１１のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１３】
前記化合物（Ｂ１）の２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長（ｎｍ）と前記化合物（Ｂ２）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長（ｎｍ）との差の絶対値、及び、前記化合物（Ｂ２）の２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長（ｎｍ）と前記化合物（Ｂ１）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長（ｎｍ）との差の絶対値のうち、少なくとも一方が、２００ｎｍ以下である、請求項１〜１２のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１４】
前記化合物（Ｂ１）の最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．５０ｅＶ以下であり、且つ、
前記化合物（Ｂ２）の最低三重項励起状態のエネルギー準位と最低一重項励起状態のエネルギー準位との差の絶対値が０．５０ｅＶ以下である、請求項１〜１３のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１５】
前記化合物（Ｂ１）の２５℃における発光スペクトルの最大ピークの半値幅が５０ｎｍ以下であり、
前記化合物（Ｂ１）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピークの半値幅が５０ｎｍ以下であり、
前記化合物（Ｂ２）の２５℃における発光スペクトルの最大ピークの半値幅が５０ｎｍ以下であり、且つ、
前記化合物（Ｂ２）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピークの半値幅が５０ｎｍ以下である、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１６】
前記製造工程において、ホスト材料を更に混合する、請求項１〜１５のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項１７】
前記ホスト材料が、式（Ｈ−１）で表される化合物を含む、請求項１６に記載の製造方法。
【化２】
2020167392.tif 000002
［式中、
ＡｒＨ１及びＡｒＨ２は、それぞれ独立に、アリール基、１価の複素環基又は置換アミノ基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。
ｎＨ１は、０以上の整数を表す。
ＬＨ１は、アリーレン基、２価の複素環基、アルキレン基又はシクロアルキレン基を表し、これらの基は置換基を有していてもよい。該置換基が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよく、互いに結合して、それぞれが結合する原子とともに環を形成していてもよい。ＬＨ１が複数存在する場合、それらは同一でも異なっていてもよい。］
【請求項１８】
前記ホスト材料の２５℃における発光スペクトルの最大ピーク波長ＥＨ（ｎｍ）と、前記化合物（Ｂ１）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長（ｎｍ）及び前記化合物（Ｂ２）の２５℃における吸収スペクトルの最も低エネルギー側のピーク波長（ｎｍ）のうち少なくとも一方と、の差が、２００ｎｍ以下である、請求項１６又は１７に記載の製造方法。
【請求項１９】
前記製造工程において、正孔輸送材料、正孔注入材料、電子輸送材料、電子注入材料、発光材料、酸化防止剤及び溶媒からなる群より選ばれる少なくとも１種を更に混合する、請求項１〜１８のいずれか一項に記載の製造方法。
【請求項２０】
陽極と、陰極と、前記陽極及び前記陰極の間に設けられた有機層と、を有する発光素子の製造方法であって、
請求項１〜１９のいずれか一項に記載の製造方法により発光素子用組成物を製造する工程と、該工程で製造された前記発光素子用組成物を用いて、前記有機層を形成する工程と、を備える、発光素子の製造方法。