(57)【要約】【課題】フォトマスクのアライメントに有利な技術を提供する。【解決手段】電子装置の製造方法は、表面および前記表面から窪んだ溝を有する部材と、前記部材の少なくとも前記表面の上に配置された第１膜とを含む構造体を形成する工程と、前記第１膜を覆うように第２膜を形成する工程と、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって前記第２膜をパターニングする工程と、を含み、前記第２膜を形成する工程では、前記第２膜における前記溝の上に位置する領域に前記溝に応じた凹部を有するアライメントマークが形成され、前記第２膜をパターニングする工程では、前記アライメントマークを用いて前記構造体に対して前記フォトマスクを位置合わせする。【選択図】図２
2014228708.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
表面および前記表面から窪んだ溝を有する部材と、前記部材の少なくとも前記表面の上に配置された第１膜とを含む構造体を形成する工程と、
前記第１膜を覆うように第２膜を形成する工程と、
フォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって前記第２膜をパターニングする工程と、を含み、
前記第２膜を形成する工程では、前記第２膜における前記溝の上に位置する領域に前記溝に応じた凹部を有するアライメントマークが形成され、
前記第２膜をパターニングする工程では、前記アライメントマークを用いて前記構造体に対して前記フォトマスクを位置合わせする、
ことを特徴とする電子装置の製造方法。
【請求項２】
前記構造体を形成する工程は、前記部材を形成する工程と、前記部材の少なくとも前記表面の上に前記第１膜を形成する工程と、を含み、
前記部材を形成する工程は、
絶縁膜の上にパッシベーション膜を形成する工程と、
前記パッシベーション膜および前記絶縁膜に前記溝を形成する工程と、を含み、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項３】
前記構造体を形成する工程は、前記部材を形成する工程と、前記部材の少なくとも前記表面の上に前記第１膜を形成する工程と、を含み、
前記部材を形成する工程は、
絶縁膜に前記溝を形成する工程と、
前記溝が形成された前記絶縁膜の少なくとも表面の上にパッシベーション膜を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項４】
前記構造体を形成する工程は、
絶縁膜の上に金属パターンを形成する工程と、
前記金属パターンをエッチングマスクとして用いて前記絶縁膜をエッチングすることによって前記溝を形成する工程と、
前記溝が形成された前記絶縁膜の少なくとも表面の上に前記第１膜を形成する工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項１に記載の電子装置の製造方法。
【請求項５】
前記構造体を形成する工程は、前記金属パターンを形成する工程と前記溝を形成する工程との間に、
前記絶縁膜および前記金属パターンを覆うようにパッシベーション膜を形成する工程と、
前記アライメントマークを形成すべき領域の前記パッシベーション膜を除去する工程と、を含む、
ことを特徴とする請求項４に記載の電子装置の製造方法。
【請求項６】
前記部材は、光電変換部が形成された半導体基板を含み、
前記第２膜は、青色カラーフィルタを形成するための青色フォトレジスト膜である、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項７】
前記構造体を形成する工程と前記第２膜を形成する工程との間に、前記部材の上に緑色カラーフィルタおよび赤色カラーフィルタを形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項６に記載の電子装置の製造方法。
【請求項８】
前記第２膜は、金属膜を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項９】
前記パッシベーション膜は、層内レンズを含む、
ことを特徴とする請求項３又は５に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１０】
前記部材はパッドを含み、前記構造体を形成する工程は、前記パッドを露出させるとともに前記溝を形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１１】
前記部材は、ビアホールを含み、前記構造体を形成する工程は、前記ビアホールを形成するとともに前記溝を形成する工程を含む、
ことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【請求項１２】
前記構造体は、無機材料からなり、
前記第１膜および前記第２膜は、有機材料からなることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれか１項に記載の電子装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子装置およびその製造方法ならびにカメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
固体撮像装置や表示装置などの電子装置の製造において、青色フィルタや黒色フィルタ等のパターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術が適用される。青色フィルタ又は黒色フィルタ等は、光の多くの波長において透過率が低い材料で構成される。このような青色フィルタ又は黒色フィルタ等のパターンを形成するためのフォトリソグラフィ工程におけるアライメントでは、青色フィルタ又は黒色フィルタ等を形成するための膜（即ちパターニング対象の膜）の下にあるアライメントマークを検出する必要がある。しかしながら、当該膜はアライメント用の光（以下、アライメント光）の透過率が低いので、アライメントマークからの反射光の強度が微弱なものになり、アライメントマークの検出が困難である。
【０００３】
特許文献１には、赤色フィルタを形成した後に青色フィルタを形成することが記載されている。ここで、赤色フィルタの形成時に赤色アライメントマークを形成し、青色フィルタの形成時は、該赤色アライメントマークを用いて赤色アライメント光によってアライメントがなされる。特許文献２には、アライメントマーク上に存在する光の透過率が低い材料を選択的に除去してからアライメントマークの検出を行う方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開平１１−２１１９０８号公報
【特許文献２】特開２００７−００４０８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に記載された方法では、赤色フィルタの形成時に赤色アライメントマークを形成し、青色フィルタの形成時に該赤色アライメントマークを用いてアライメントを行う。したがって、赤色フィルタの下にあるアライメントマークと赤色アライメントマークとの位置ずれが青色フィルタの形成のための位置合わせにおける誤差要因となる。
【０００６】
特許文献２に記載された方法では、アライメントマーク上に存在する光透過率が低い材料をフォトリソグラフィ技術によって除去するので、そのためのフォトレジストマスクパターンの形成等の工程が必要となる。つまり、特許文献２に記載の技術では、工程数が増加しコスト増大につながってしまう。
【０００７】
以上のような問題は、特定波長における光透過率が低い材料の膜を下地側のアライメントマークの上に形成するような場合のほか、金属膜のような遮光性の膜を下地側のアライメントマークの上に形成するような場合にも起こりうる。
【０００８】
本発明は、上記の課題認識を契機としてなされたものであり、フォトマスクのアライメントに有利な技術を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明の１つの側面は、電子装置の製造方法に係り、該製造方法は、表面および前記表面から窪んだ溝を有する部材と、前記部材の少なくとも前記表面の上に配置された第１膜とを含む構造体を形成する工程と、前記第１膜を覆うように第２膜を形成する工程と、フォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって前記第２膜をパターニングする工程と、を含み、前記第２膜を形成する工程では、前記第２膜における前記溝の上に位置する領域に前記溝に応じた凹部を有するアライメントマークが形成され、前記第２膜をパターニングする工程では、前記アライメントマークを用いて前記構造体に対して前記フォトマスクを位置合わせする。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、フォトマスクのアライメントに有利な技術が提供される。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】第１実施形態の電子装置の製造方法を説明するための模式的な断面図。
【図２】第１実施形態の電子装置の製造方法を説明するための模式的な断面図。
【図３】第２実施形態の電子装置の製造方法を説明するための模式的な断面図。
【図４】第２実施形態の電子装置の製造方法を説明するための模式的な断面図。
【図５】第３実施形態の電子装置の製造方法を説明するための模式的な断面図。
【図６】第３実施形態の電子装置の製造方法を説明するための模式的な断面図。
【図７】第４実施形態の電子装置の製造方法を説明するための模式的な断面図。
【図８】第４実施形態の電子装置の製造方法を説明するための模式的な断面図。
【図９】電子装置を例示する模式的な平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明の製造方法にしたがって製造される電子装置は、例えば、ＭＯＳ型撮像装置またはＣＣＤ型撮像装置などの撮像装置、および、液晶表示装置などの表示装置などのように、カラーフィルタを備える電子装置を含みうる。他の観点において、本発明の製造方法にしたがって製造される電子装置は、遮光性パターンあるいは金属パターンを有するあらゆる半導体装置を含みうる。半導体装置は、例えば、撮像装置、メモリ装置、処理装置もしくは演算装置、または、これらの全部または一部を組み合わせた装置を含みうる。
【００１３】
以下、本発明のいくつかの実施形態を通して本発明を例示的に説明する。
【００１４】
図１、図２および図９を参照しながら本発明の第１実施形態の電子装置１００の製造方法を説明する。第１実施形態の電子装置１００は、３板式カメラにおける青色用の撮像装置に適用される撮像装置として構成されうる。ここで、３板式カメラは、入射光を赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の光に分割し、赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）および青色（Ｂ）の光を赤色（Ｒ）用の撮像装置、緑色（Ｇ）用の撮像装置および青色（Ｂ）用の撮像装置で撮像する。
【００１５】
図９に模式的に示されるように、撮像装置として構成された電子装置１００は、画素領域１０１、周辺領域１０２および複数のパッド１０４を含みうる。画素領域１０１は、複数の画素を含む。各画素は、光電変換部（例えば、フォトダイオード）を含む。周辺領域１０２は、画素領域１０１の画素を駆動する回路および画素からの信号を処理する回路を含みうる。周辺領域１０２は、遮光パターンを有しうる。画素領域１０１も、光電変換部以外への光を遮断する遮光パターンを有しうる。
【００１６】
以下、図１、２を参照しながら第１実施形態における電子装置１００の製造方法を説明する。ここで、図１、２には、画素領域１０１の一部および周辺領域１０２の一部の断面が模式的に示されている。
【００１７】
工程Ｓ１０１、Ｓ１０２およびＳ１０３を含む工程は、表面Ｓ１および表面Ｓ１から窪んだ溝Ｔを有する部材Ｍと、部材Ｍの少なくとも表面Ｓ１の上に配置された第１膜２０９とを含む構造体ＳＴを形成する工程の一例である。工程Ｓ１０１では、半導体基板２０１と、絶縁膜２０３、２０４、２０５と、金属パターン２０８、２２１、２２２と、パッシベーション膜２０６とを含む構造体ＳＴを形成する。構造体ＳＴは、無機材料からなる。半導体基板２０１は、複数の光電変換部２０２、不図示のトランジスタの拡散領域（ソース領域およびドレイン領域）、および、不図示の素子分離（例えばＳＴＩ）などを含みうる。半導体基板２０１の上には、ゲート絶縁膜を介して不図示のトランジスタのゲート電極が配置されうる。
【００１８】
絶縁膜２０３は、半導体基板２０１およびゲート電極を覆うように配置されうる。絶縁膜２０３の上には、金属パターン２２１が配置されうる。絶縁膜２０４は、絶縁膜２０３および金属パターン２２１を覆うように配置されうる。絶縁膜２０４の上には、金属パターン２２２が配置されうる。絶縁膜２０５は、絶縁膜２０４および金属パターン２２２を覆うように配置されうる。絶縁膜２０５の上には、金属パターン２０８が配置されうる。金属パターン２０８は、周辺領域１０２における回路（トランジスタなど）を遮光するように配置されうる。絶縁膜２０３、２０４、２０５は、例えば、シリコン酸化膜で構成されうる。金属パターン２２１、２２２、２０８は、例えば、アルミニウムを主成分とする材料で構成されうる。パッシベーション膜２０６は、絶縁膜２０５および金属パターン２０８を覆うように配置されうる。パッシベーション膜２０６は、例えば、シリコン窒化膜で構成されうる。画素領域１０１では、パッシベーション膜２０６によって層内レンズ２０７が形成されてもよい。
【００１９】
工程Ｓ１０２では、周辺領域１０２におけるパッシベーション膜２０６をパターニングし、かつ、絶縁膜２０３、２０４、２０５で構成される層間絶縁膜に溝Ｔを形成する。ここで、溝Ｔは、パッシベーション膜２０６の上に形成された不図示のフォトレジストパターンの開口を通してパッシベーション膜２０６および層間絶縁膜を連続的にエッチングすることによって形成されうる。より具体的な例を挙げると、溝Ｔは、金属パターン２２２と同層に設けられるパッド１０４（図９）を露出させるためのエッチング工程において、パッシベーション膜２０６、絶縁膜２０５、２０４を連続的にエッチングすることによって形成されうる。これによって、溝Ｔによって構成されるアライメントマーク１０７が形成される。これにより、表面Ｓ１および表面Ｓ１から窪んだ溝Ｔを有する部材Ｍが得られる。以下の工程では、有機材料からなる膜を形成する。
【００２０】
工程Ｓ１０３では、パッシベーション膜２０６の少なくとも表面の上に第１膜２０９を形成する。第１膜２０９は、典型的には溝Ｔの中にも形成されるが、溝Ｔを完全に埋めることはない。第１膜２０９は、画素領域１０１におけるパッシベーション膜２０６の上に平坦な面を形成する平坦化膜として機能しうる。また、第１膜２０９は、アライメントマーク１０７が存在する領域においては凹部によって構成されるアライメントマーク１０７’が残るように形成される。溝Ｔの幅および深さと第１膜２０９の厚さは、第１膜２０９の形成後にアライメントマーク１０７が存在する領域にアライメントマーク１０７’が存在し、かつ、後述の第２膜２１０の形成後にアライメントマーク１０７”が存在するように決定される。以上の工程によって、表面Ｓ１および表面Ｓ１から窪んだ溝Ｔを有する部材Ｍと、部材Ｍの少なくとも表面Ｓ１の上に配置された第１膜２０９とを含む構造体ＳＴが得られる。第１膜２０９は、有機材料でありうる。
【００２１】
工程Ｓ１０４では、第１膜２０９を覆うように第２膜２１０を形成する。第２膜２１０は、露光装置に搭載されたアライメント検出系で使用されるアライメント光の透過率が低い材料で形成される。アライメント検出系は、オフアクシス検出系またはＴＴＬ（Through The Lens）検出系でありうる。第２膜２１０は、例えば、アライメント光の波長域における平均分光透過率をＴとした場合、Ｔ≦５％の材料で構成される膜でありうる。アライメント光をＨｅ−Ｎｅレーザーで発生した場合、アライメント光の波長は６３３ｎｍ付近である。Ｈｅ−Ｎｅレーザーを用いた場合、平均透過率Ｔが５％以下である材料は、例えば青色フォトレジストまたは黒色フォトレジストである。第１実施形態では、アライメント光をＨｅ−Ｎｅレーザーで発生し、第２膜２１０は青色フォトレジスト膜とされている。
【００２２】
第２膜２１０の形成後に、アライメントマーク１０７’が存在する領域には、凹部によって構成されるアライメントマーク１０７”が残る。アライメント検出系において、アライメントマーク１０７”に照射されるアライメント光は、アライメントマーク１０７”の凹部ではアライメント検出系の光軸方向に向かっては殆ど反射されない。一方、アライメント検出系において、アライメントマーク１０７”の凹部以外およびアライメントマーク１０７”の周囲に照射されるアライメント光は、アライメント検出系の光軸方向に向かって反射される。よって、アライメントマーク１０７”は、十分に高いコントラストでアライメント検出系の撮像装置によって撮像される。つまり、アライメントマーク１０７”の位置は、その表面形状を利用して十分に高い精度でアライメント検出系によって検出され、これによって、第２膜２１０のパターニング用のフォトマスク（不図示）を構造体ＳＴに対して位置合わせすることができる。
【００２３】
第１実施形態では、第２膜２１０の下にあるアライメントマークが第２膜２１０を透過するアライメント光を使ってアライメントマーク１０７”を検出されるのではなく、アライメントマーク１０７”の表面形状を利用してアライメントマーク１０７”が検出される。したがって、第２膜２１０を透過するアライメント光を用いる必要はないし、第２膜２１０の下に存在するアライメントマークを露出させるために第２膜２１０を部分的に除去する必要もない。また、第２膜２１０を部分的に薄くする必要もない。
【００２４】
工程Ｓ１０５では、第２膜２１０のパターニング用のフォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって第２膜２１０をパターニングして青色カラーフィルタ２１１を形成する。フォトリソグラフィ工程では、まず、露光装置において、アライメントマーク１０７”の位置をアライメント検出系によって検出し、その検出結果に基づいて第２膜２１０のパターニング用のフォトマスクを構造体ＳＴに対して位置合わせする。そして、該フォトマスクを使って第２膜２１０を露光する。その後、露光された第２膜２１０を現像装置によって現像することによって青色カラーフィルタ２１１が形成される。
【００２５】
アライメントマーク１０７、１０７’、１０７”は、電子装置１００を構成するための半導体基板のスクライブラインに配置されてもよいし、チップ領域に配置されてもよい。アライメントマーク１０７、１０７’、１０７”がスクライブラインに配置される場合には、典型的には、最終的な電子装置１００にはアライメントマーク１０７、１０７’、１０７”が残らない。
【００２６】
図１、図３、図４および図９を参照しながら本発明の第２実施形態の電子装置１００の製造方法を説明する。なお、第２実施形態として言及しない事項は、第１実施形態にしたがいうる。第２実施形態の電子装置１００は、単板式カメラに適用される撮像装置として構成されうる。ここで、単板式カメラに適用される撮像装置は、複数の色のカラーフィルタを備えている。
【００２７】
第２実施形態の製造方法は、工程Ｓ１０３（図１）までは第１実施形態と同様である。工程Ｓ１０３に次いで、工程Ｓ２０１では、第１膜２０９を覆うように膜２３０を形成する。膜２３０は、露光装置に搭載されたアライメント検出系で使用されるアライメント光の透過率が高い緑色のフォトレジスト膜である。工程Ｓ２０２では、膜２３０のパターニング用のフォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって膜２３０をパターニングして緑色カラーフィルタ２３１を形成する。フォトリソグラフィ工程では、まず、露光装置において、膜２３０の下のアライメントマーク１０７’の位置をアライメント検出系によって検出し、その検出結果に基づいて膜２３０のパターニング用のフォトマスクを構造体ＳＴに対して位置合わせする。そして、該フォトマスクを使って膜２３０を露光する。その後、露光された膜２３０を現像装置によって現像することによって緑色カラーフィルタ２３１が形成される。ここで、緑色のフォトレジスト膜は、アライメント光の透過率が高いので、膜２３０の下のアライメントマーク１０７’の位置を検出することができる。
【００２８】
第２実施形態において、工程Ｓ２０１および工程Ｓ２０２は、赤色カラーフィルタ（不図示）についても実施される。ここで、緑色カラーフィルタ２３１の形成後に赤色カラーフィルタを形成してもよいし、赤色カラーフィルタの形成後に緑色カラーフィルタ２３１を形成してもよい。
【００２９】
工程Ｓ２０３では、第１膜２０９、緑色カラーフィルタ２３１および赤色カラーフィルタを覆うように、アライメント光の透過率が低い材料である第２膜２４０として青色フォトレジスト膜を形成する。第２膜２４０の形成後に、アライメントマーク１０７’が存在する領域には、凹部によって構成されるアライメントマーク１０７”が残る。第１実施形態と同様に、アライメントマーク１０７”の位置は、その表面形状を利用して十分に高い精度でアライメント検出系によって検出され、これによって、第２膜２４０のパターニング用のフォトマスクを構造体ＳＴに対して位置合わせすることができる。
【００３０】
工程Ｓ２０４では、第２膜２４０のパターニング用のフォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって第２膜２３０をパターニングして青色カラーフィルタ２４１を形成する。フォトリソグラフィ工程では、まず、露光装置において、アライメントマーク１０７”の位置をアライメント検出系によって検出し、その検出結果に基づいて第２膜２４０のパターニング用のフォトマスクを構造体ＳＴに対して位置合わせする。そして、該フォトマスクを使って第２膜２４０を露光する。その後、露光された第２膜２４０を現像装置によって現像することによって青色カラーフィルタ２４１が形成される。
【００３１】
第２実施形態は、原色系カラーフィルタを有する撮像装置のみならず、補色系カラーフィルタを有する撮像装置にも適用されうる。
【００３２】
図５、図６および図９を参照しながら本発明の第３実施形態の電子装置１００の製造方法を説明する。なお、第３実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。第３実施形態の電子装置１００は、３板式カメラにおける青色用の撮像装置に適用される撮像装置として構成されうる。
【００３３】
工程Ｓ３０１、Ｓ３０２およびＳ３０３を含む工程は、表面Ｓ１および表面Ｓ１から窪んだ溝Ｔを有する部材Ｍと、部材Ｍの少なくとも表面Ｓ１の上に配置された第１膜２０９とを含む構造体ＳＴを形成する工程の一例である。工程Ｓ３０１では、半導体基板２０１と、絶縁膜２０３、２０４、２０５と、金属パターン２０８、２２１、２２２とを含む構造体を形成する。溝Ｔによってアライメントマーク２１０が形成される。溝Ｔは、例えば、金属パターン２２２に対するビアホールの形成時に形成されうる。
【００３４】
工程Ｓ３０２では、絶縁膜２０５の少なくとも表面の上にパッシベーション膜２０６を形成する。パッシベーション膜２０６は、典型的には溝Ｔの中にも形成されるが、溝Ｔを完全に埋めることはない。画素領域１０１では、パッシベーション膜２０６によって層内レンズ２０７が形成されてもよい。パッシベーション膜２０６は、アライメントマーク２１０が存在する領域においては凹部によって構成されるアライメントマーク１１０’が残るように形成される。溝Ｔの幅および深さとパッシベーション膜２０６の厚さは、パッシベーション膜２０６の形成後にアライメントマーク１０７’が存在し、かつ、後述の平坦化膜２０９および第２膜２１０の形成後にアライメントマーク１１１が存在するように決定される。このようにパッシベーション膜２０６で溝Ｔを覆うことで、絶縁膜等が露出する溝Ｔの側面を保護することができる。
【００３５】
工程Ｓ３０３では、パッシベーション膜２０６の少なくとも表面の上に第１膜２０９を形成する。第１膜２０９は、典型的にはアライメントマーク１１０’の凹部の中にも形成されるが、該凹部を完全に埋めることはない。第１膜２０９は、画素領域１０１におけるパッシベーション膜２０６の上に平坦な面を形成する平坦化膜として機能しうる。また、第１膜２０９は、アライメントマーク１１０’が存在する領域においては凹部によって構成されるアライメントマーク１１０”が残るように形成される。以上の工程によって、表面Ｓ１および表面Ｓ１から窪んだ溝Ｔを有する部材Ｍと、部材Ｍの少なくとも表面Ｓ１の上に配置された第１膜２０９とを含む構造体ＳＴが得られる。
【００３６】
工程Ｓ３０４では、第１膜２０９を覆うように第２膜２１０を形成する。第２膜２１０は、露光装置に搭載されたアライメント検出系で使用されるアライメント光の透過率が低い材料である青色フォトレジスト膜で形成される。第２膜２１０の形成後に、アライメントマーク１１０”が存在する領域には、凹部によって構成されるアライメントマーク１１１が残る。第１実施形態と同様に、アライメントマーク１１１の位置は、その表面形状を利用して十分に高い精度でアライメント検出系によって検出され、これによって、第２膜２１０のパターニング用のフォトマスクを構造体ＳＴに対して位置合わせすることができる。
【００３７】
工程Ｓ３０５では、第２膜２１０のパターニング用のフォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって第２膜２１０をパターニングして青色カラーフィルタ２１１を形成する。このフォトリソグラフィ工程では、まず、露光装置において、アライメントマーク１１１の位置をアライメント検出系によって検出し、その検出結果に基づいて第２膜２１０のパターニング用のフォトマスクを構造体ＳＴに対して位置合わせする。そして、該フォトマスクを使って第２膜２１０を露光する。その後、露光された第２膜２１０を現像装置によって現像することによって青色カラーフィルタ２１１が形成される。
【００３８】
第３実施形態は、単板式の撮像装置にも応用されうる。この場合、複数の色のカラーフィルタが配置される。
【００３９】
図７、図８および図９を参照しながら本発明の第４実施形態の電子装置１００の製造方法を説明する。なお、第４実施形態として言及しない事項は、第１実施形態に従いうる。第３実施形態の電子装置１００は、３板式カメラにおける青色用の撮像装置に適用される撮像装置として構成されうる。
【００４０】
工程Ｓ４０１、Ｓ４０２およびＳ４０３を含む工程は、表面Ｓ１および表面Ｓ１から窪んだ溝Ｔを有する部材Ｍと、部材Ｍの少なくとも表面Ｓ１の上に配置された第１膜２０９とを含む構造体ＳＴを形成する工程の一例である。工程Ｓ４０１では、半導体基板２０１と、絶縁膜２０３、２０４、２０５と、金属パターン２０８、２２１、２２２と、パッシベーション膜２０６とを含む構造体を形成する。ここで、金属パターン２０８は、アライメントマーク１２０を含む。
【００４１】
工程Ｓ４０２では、アライメントマーク１２０を露出させるようにパッシベーション膜２０６を部分的に除去し、アライメントマーク１２０をエッチングマスクとして用いて絶縁膜２０３、２０４、２０５で構成される層間絶縁膜に溝Ｔを形成する。これによって、溝Ｔによって構成されるアライメントマーク１２０’が形成される。これにより、表面Ｓ１および表面Ｓ１から窪んだ溝Ｔを有する部材Ｍが得られる。
【００４２】
工程Ｓ４０３では、パッシベーション膜２０６および露出した金属パターン２０８の少なくとも表面の上に第１膜２０９を形成する。第１膜２０９は、典型的には溝Ｔの中にも形成されるが、溝Ｔを完全に埋めることはない。第１膜２０９は、画素領域１０１におけるパッシベーション膜２０６の上に平坦な面を形成する平坦化膜として機能しうる。また、第１膜２０９は、アライメントマーク１２０’が存在する領域においては凹部によって構成されるアライメントマーク１２０”が残るように形成される。溝Ｔの幅および深さならびに第１膜２０９の厚さは、第１膜２０９の形成後にアライメントマーク１２０”が存在する領域にアライメントマーク１２０”が存在し、かつ、後述の第２膜２１０の形成後にアライメントマーク１２１が存在するように決定される。以上の工程によって、表面Ｓ１および表面Ｓ１から窪んだ溝Ｔを有する部材Ｍと、部材Ｍの少なくとも表面Ｓ１の上に配置された第１膜２０９とを含む構造体ＳＴが得られる。
【００４３】
工程Ｓ４０４では、第１膜２０９を覆うように第２膜２１０を形成する。第２膜２１０は、露光装置に搭載されたアライメント検出系で使用されるアライメント光の透過率が低い材料である青色フォトレジスト膜で形成される。第２膜２１０の形成後に、アライメントマーク１２０”が存在する領域には、凹部によって構成されるアライメントマーク１２１が残る。第１実施形態と同様に、アライメントマーク１２１の位置は、その表面形状を利用して十分に高い精度でアライメント検出系によって検出され、これによって、第２膜２１０のパターニング用のフォトマスクを構造体ＳＴに対して位置合わせすることができる。
【００４４】
工程Ｓ４０５では、第２膜２１０のパターニング用のフォトマスクを使ったフォトリソグラフィ工程によって第２膜２１０をパターニングして青色カラーフィルタ２１１を形成する。フォトリソグラフィ工程では、まず、露光装置において、アライメントマーク１１１の位置をアライメント検出系によって検出し、その検出結果に基づいて第２膜２１０のパターニング用のフォトマスクを構造体ＳＴに対して位置合わせする。そして、該フォトマスクを使って第２膜２１０を露光する。その後、露光された第２膜２１０を現像装置によって現像することによって青色カラーフィルタ２１１が形成される。
【００４５】
第４実施形態は、単板式の撮像装置にも応用されうる。この場合、複数の色のカラーフィルタが配置される。
【００４６】
第１乃至第４実施形態では、アライメント光の透過率が低い材料として感光性材料であるフォトレジストを例に挙げたが、アライメント光の透過率が低い材料は金属膜でもよい。即ち、表面および該表面から窪んだ溝を有する部材と、該部材の少なくとも該表面の上に配置された第１膜とを含む構造体の上に金属膜を形成し、この際に該金属膜のうち該溝の上に位置する領域に該溝に応じた凹部を有するアライメントマークを形成してもよい。
【００４７】
第１乃至第４実施形態では、パッシベーション膜が形成されているが、パッシベーション膜は形成されなくてもよいし、第１膜としてパッシベーション膜が形成されてもよい。
【００４８】
第１乃至第４実施形態では、光の透過率が低い材料（パターニング対象の層の材料）で構成されたアライメントマークがパターンニング対象の層のパターニングの際に除去されているが、残されてもよい。
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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