【手続補正書】
【提出日】令和3年11月4日(2021.11.4)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１面および第２面を有する半導体基板と、第３面および第４面を有する半導体層と、を備え、前記半導体基板と前記半導体層とが、前記第２面と前記第４面との間に前記第１面と前記第３面が位置するように積層された半導体装置であって、
前記第１面にトランジスタが設けられ、
前記第３面および前記第４面の間に光電変換部が設けられ、
前記第２面を覆うように設けられたシリコン化合物膜と、を備え、
前記シリコン化合物膜は、ＳｉＣｘＮｙＯｚＱｗＨv（ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０，少な
くともｘ＞ｚまたはｙ＞ｚ、Ｑは任意の元素であり少なくともｗ＜ｘまたはｗ＜ｙ）の組成を有し
前記第１面と前記第４面のあいだの距離Ｄ２は、前記第２面と前記シリコン化合物膜とのあいだの距離Ｄ３よりも大きい、
ことを特徴とする半導体装置。
【請求項２】
前記第１面と前記シリコン化合物膜とのあいだの距離Ｄ１は、前記第１面と前記第４面とのあいだの距離Ｄ２よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１面と前記第２面とのあいだの距離Ｔ１は、前記第３面と前記第４面とのあいだの距離Ｔ２よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１面と前記第２面とのあいだの距離Ｔ１は、３００μｍ以上である、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１面と前記第２面とのあいだの距離Ｔ１は、５００μｍ以上である、
ことを特徴とする請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第３面と前記第４面とのあいだの距離Ｔ２は、１０μｍ未満である、
ことを特徴とする請求項３から５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記半導体層と前記半導体基板とのあいだの距離Ｄ４は、前記第２面と前記シリコン化
合物膜とのあいだの距離Ｄ３よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１から６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記半導体層と前記半導体基板とのあいだの距離Ｄ４は、５μｍ以上である、
ことを特徴とする請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体層と前記半導体基板とのあいだの距離Ｄ４は、５０μｍ未満である、
ことを特徴とする請求項７または８に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記半導体層と前記半導体基板のあいだに、第２の半導体層が配置されている、
請求項１から９のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記シリコン化合物膜の水素濃度が、１ａｔｍ％以上２０ａｔｍ％未満である、
ことを特徴とする請求項１から１０のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第４面の上に、第２のシリコン化合物膜をさらに備え、
前記第２のシリコン化合物膜は、ＳｉＣｘ′Ｎｙ′Ｏｚ′Ｑ′ｗ′Ｈv′（ｘ′≧０，
ｙ′≧０，ｚ′≧０，少なくともｘ′＞ｚ′またはｙ′＞ｚ′、Ｑ′は任意の元素であり少なくともｗ′＜ｘ′またはｗ′＜ｙ′）の組成を有し、
前記第２のシリコン化合物膜の水素濃度が前記シリコン化合物膜の水素濃度よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１から１１のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記第２のシリコン化合物膜の水素濃度が、２０ａｔｍ％以上５０ａｔｍ％未満である、
ことを特徴とする請求項１２に記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第２のシリコン化合物膜は、前記光電変換部に光を集光するレンズを構成する、
ことを特徴とする請求項１２または１３に記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記半導体基板の第１面と前記半導体層の第３面のあいだに、第３のシリコン化合物膜をさらに備え、
前記第３のシリコン化合物膜は、ＳｉＣｘ″Ｎｙ″Ｏｚ″Ｑ″ｗ″Ｈv″（ｘ″≧０，
ｙ″≧０，ｚ″≧０，少なくともｘ″＞ｚ″またはｙ″＞ｚ″，Ｑ″は任意の元素であり少なくともｗ″＜ｘ″またはｗ″＜ｙ″）の組成を有し、
前記第３のシリコン化合物膜の水素濃度が前記第２のシリコン化合物膜の水素濃度よりも小さい、
ことを特徴とする請求項１２から１４のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１６】
前記半導体層と前記半導体基板のあいだに配線層が配置されており、
前記半導体層には、前記配線層に設けられた電極パッドを露出するための開口が設けられている、
請求項１から１５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１７】
請求項１から１６のいずれか１項に記載の半導体装置と、
前記半導体装置の前記光電変換部から出力される信号を処理する処理部と、
を備える撮像装置。
【請求項１８】
第１面および第２面を有する半導体基板と、第３面および第４面を有する半導体層と、を備え、前記半導体基板と前記半導体層とが、前記第２面と前記第４面との間に前記第１
面と前記第３面が位置するように積層された半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の前記第２面にシリコン化合物膜を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第１面にトランジスタを形成する工程と、
前記半導体層に光電変換部を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第１面と前記半導体層の前記第３面が向かい合うように接合する工程と、
水素を含む雰囲気中で熱処理を行う工程と、
を含み、
前記シリコン化合物膜は、ＳｉＣｘＮｙＯｚＱｗＨv（ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０，少な
くともｘ＞ｚまたはｙ＞ｚ、Ｑは任意の元素であり少なくともｗ＜ｘまたはｗ＜ｙ）の組成を有し
前記第１面と前記第４面のあいだの距離Ｄ２は、前記第２面と前記シリコン化合物膜とのあいだの距離Ｄ３よりも大きい、
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項１９】
前記半導体層の前記第４面の側を研磨して薄化する工程をさらに含み、
薄化後に、前記第１面と前記第４面のあいだの距離Ｄ２は、前記第２面と前記シリコン化合物膜とのあいだの距離Ｄ３よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１８に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項２０】
前記半導体基板の前記第４面の上に、第２のシリコン化合物膜を形成する工程をさらに含み、
前記第２のシリコン化合物膜は、ＳｉＣｘ′Ｎｙ′Ｏｚ′Ｑ′ｗ′Ｈv′（ｘ′≧０，
ｙ′≧０，ｚ′≧０、少なくともｘ′＞ｚ′またはｙ′＞ｚ′、Ｑは任意の元素であり少なくともｗ′＜ｘ′またはｗ′＜ｙ′）の組成を有し、
前記第２のシリコン化合物膜の水素濃度が前記シリコン化合物膜の水素濃度よりも大きい、
ことを特徴とする請求項１８または１９に記載の半導体装置の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
本発明の第一の態様は、
第１面および第２面を有する半導体基板と、第３面および第４面を有する半導体層と、を備え、前記半導体基板と前記半導体層とが、前記第２面と前記第４面との間に前記第１面と前記第３面が位置するように積層された半導体装置であって、
前記第１面にトランジスタが設けられ、
前記第３面および前記第４面の間に光電変換部が設けられ、
前記第２面を覆うように設けられたシリコン化合物膜と、を備え、
前記シリコン化合物膜は、ＳｉＣｘＮｙＯｚＱｗＨv（ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０，少な
くともｘ＞ｚまたはｙ＞ｚ、Ｑは任意の元素であり少なくともｗ＜ｘまたはｗ＜ｙ）の組成を有し
前記第１面と前記第４面のあいだの距離Ｄ２は、前記第２面と前記シリコン化合物膜とのあいだの距離Ｄ３よりも大きい、
ことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明の第二の態様は、
第１面および第２面を有する半導体基板と、第３面および第４面を有する半導体層と、を備え、前記半導体基板と前記半導体層とが、前記第２面と前記第４面との間に前記第１面と前記第３面が位置するように積層された半導体装置の製造方法であって、
前記半導体基板の前記第２面にシリコン化合物膜を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第１面にトランジスタを形成する工程と、
前記半導体層に光電変換部を形成する工程と、
前記半導体基板の前記第１面と前記半導体層の前記第３面が向かい合うように接合する工程と、
水素を含む雰囲気中で熱処理を行う工程と、
を含み、
前記シリコン化合物膜は、ＳｉＣｘＮｙＯｚＱｗＨv（ｘ≧０，ｙ≧０，ｚ≧０，少な
くともｘ＞ｚまたはｙ＞ｚ、Ｑは任意の元素であり少なくともｗ＜ｘまたはｗ＜ｙ）の組成を有し
前記第１面と前記第４面のあいだの距離Ｄ２は、前記第２面と前記シリコン化合物膜とのあいだの距離Ｄ３よりも大きい、
ことを特徴とする。