(57)【要約】【課題】常に基板の浮上量を正確に算出して制御することが可能である基板浮上装置および基板浮上量測定方法を提供する。【解決手段】浮上させる基板Ｗの裏面に対向する対向面１４を有し、対向面１４より上方に基板Ｗを浮上させる浮上ユニット２と、対向面１４からの基板Ｗの浮上量を算出する解析装置２１と、を備え、基板Ｗを浮上させる基板浮上装置１であり、対向面１４より下方には、浮上ユニット２上で浮上した基板Ｗに向かって光を出射する光反射型の高さ測定器１２がさらに設けられ、浮上ユニット２は、高さ測定器１２から出射した光および基板Ｗで反射して高さ測定器１２へ入射する光を通すための貫通穴１５と、この貫通穴１５を通じて高さ測定器１２から基板Ｗへ出射される光の経路上に設けられて光を一部反射し、一部透過する板体である基準板１３とを有する。【選択図】図１
2014067765.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
浮上させる基板の裏面に対向する対向面を有し、当該対向面より上方に基板を浮上させる浮上ユニットと、
前記対向面からの基板の浮上量を算出する解析装置と、
を備え、基板を浮上させる基板浮上装置であり、
前記対向面より下方には、前記浮上ユニット上で浮上した基板に向かって光を出射する光反射型の高さ測定器がさらに設けられ、
前記浮上ユニットは、前記高さ測定器から出射した光および基板で反射して前記高さ測定器へ入射する光を通すための貫通穴と、この貫通穴を通じて前記高さ測定器から基板へ出射される光の経路上に設けられて光を一部反射し、一部透過する板体である基準板とを有することを特徴とする、基板浮上装置。
【請求項２】
前記基準板の上面または下面は前記対向面と面一であることを特徴とする、請求項１に記載の基板浮上装置。
【請求項３】
前記基準板の素材はガラスであることを特徴とする、請求項１または２のいずれかに記載の基板浮上装置。
【請求項４】
前記基準板は、前記浮上ユニットに吸着保持されることを特徴とする、請求項１乃至３のいずれかに記載の基板浮上装置。
【請求項５】
浮上させる基板の裏面に対向する対向面を有し、当該対向面より上方に基板を浮上させる浮上ユニットと、
前記対向面からの基板の浮上量を算出する解析装置と、
を備え、基板を浮上させる基板浮上装置における基板浮上量測定方法であり、
前記対向面より下方には、前記浮上ユニット上で浮上した基板に向かって光を出射する光反射型の高さ測定器がさらに設けられ、
前記浮上ユニットは、前記高さ測定器から出射した光および基板で反射して前記高さ測定器へ入射する光を通すための貫通穴と、この貫通穴を通じて前記高さ測定器から基板へ出射される光の経路上に設けられて光を一部反射し、一部透過する板体である基準板とを有し、
前記高さ測定器が光を出射し、当該光に対する前記基準板および基板のそれぞれからの反射光を受光する投受光工程と、
前記投受光工程で得られた受光情報から前記解析装置が前記対向面からの基板の浮上量を算出する算出工程と、
を有することを特徴とする、基板浮上量測定方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の浮上量を制御しながら基板を浮上させる基板浮上装置および基板浮上量測定方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
液晶ディスプレイやプラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイには、基板上にレジスト液が塗布されたもの（塗布基板と称す）が使用されている。この塗布基板は、基板上にレジスト液や薬液などの塗布液を均一に塗布する塗布装置により形成されている。
【０００３】
塗布装置の概略図を図５に示す。塗布装置８０は、基板に塗布液を塗布する塗布部８１、基板Ｗを浮上させる基板浮上装置８２、および基板Ｗを一方向に搬送する搬送装置８３と、を有している。塗布部８１は、搬送装置８３が基板Ｗを搬送する方向と垂直な方向に伸びたスリットを有しており、基板浮上装置８２が基板Ｗを浮上させた状態で搬送装置８３が基板Ｗの端部を把持し、所定速度で基板Ｗを搬送しながらこのスリットから塗布液を吐出し、基板Ｗ上に塗布膜を形成する。
【０００４】
このように塗布装置８０が基板Ｗを浮上させて、塗布装置８０と基板Ｗとが非接触の状態で塗布を行うことにより、吸着ステージなどによって基板Ｗを把持しながら塗布を行う場合とくらべて、塗布動作中に基板Ｗに異物が付着することを防ぐことが可能である。
【０００５】
塗布装置８０が基板Ｗへ塗布液の塗布を行う例を図６に示す。
【０００６】
上記の通り、基板浮上装置８２が基板Ｗを浮上させた状態で、塗布部８１のスリットから塗布液を吐出し、基板Ｗを水平方向に搬送することによって基板Ｗ上に塗布膜を形成する。図６では、塗布部８１の先端部である塗布部先端８４にスリットが設けられており、このスリットから吐出された塗布液により、基板Ｗ上に塗布膜Ｍが形成される。
【０００７】
ここで、塗布膜Ｍの膜厚を均一に塗布する場合、塗布部先端８４と基板Ｗとの距離ｈ１を一定に維持することが必要である。そのためには、基板浮上装置８２からの基板Ｗの浮上量ｈ２を一定に維持することが必要であるため、塗布動作中常に浮上量ｈ２を測定し、その測定値をもとに浮上量ｈ２が一定に維持できるように制御する手法がとられる。
【０００８】
基板浮上装置８２における、従来の基板浮上量制御方法について、図７に示す。
【０００９】
基板Ｗの浮上量ｈ２を制御するために、図７（ａ）に示すように基板浮上装置８２の下方にレーザ測長器などの高さ測定器９１が設けられている。そして、まず高さ測定器９１から出射し、基板浮上装置８２の本体に設けられた貫通穴９２を通って基板Ｗで反射した光を高さ測定器９１が受光する。次に、この受光情報をもとに制御装置９３が高さ測定器９１と基板Ｗとの距離ｈ３を算出する。これに対し、制御装置９３はあらかじめ高さ測定器９１から基板浮上装置８２の表面までの距離ｈ４を算出しており、距離ｈ３から距離ｈ４を差し引くことにより、基板Ｗの浮上量ｈ２が求まる。そして、制御装置９３は、この値が一定になるように、基板浮上装置８２が基板Ｗを浮上させる力を調節している。
【００１０】
ここで、距離ｈ４の測定は、塗布動作の開始前などに基板浮上装置８２の浮上動作がオフになっている状態において、図７（ｂ）に示すように、貫通穴９２を塞ぐように金属板、ガラス板などの反射板９４を載置して行っている。こうすることにより、反射板９４の下面が基板浮上装置８２の表面と面一になることから、反射板９４の下面で反射した光を高さ測定器９１が受光した情報をもとに制御装置９３が距離ｈ４を算出している。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、上記の基板浮上量制御方法では、正確に浮上量を制御することができないおそれがあるという問題があった。具体的には、塗布装置８０の使用を続けるにつれて塗布装置８０の各構成機器をとりまく環境の温度が変動して構成機器の膨張もしくは収縮が生じるため、塗布動作時の高さ測定器９１から基板浮上装置８２の表面までの距離が反射板９４を載置して距離ｈ４を測定した時の高さ測定器９１から基板浮上装置８２の表面までの距離と異なっているおそれがあった。そうなった場合、塗布動作時に測定した距離ｈ３から反射板９４を用いてあらかじめ測定していた距離ｈ４を差し引いた値は、実際に求めたい浮上量ｈ２と異なるため、正確に浮上量ｈ２を制御することができなくなっていた。
【００１２】
また、反射板９４を載置した際に異物などが反射板９４と基板浮上装置８２の表面との間にはさまっていた場合でも、そこで測定された距離ｈ４は高さ測定器９１から基板浮上装置８２の表面までの実際の距離と異なるため、正確に浮上量ｈ２を制御することができなくなっていた。
【００１３】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、常に基板の浮上量を正確に算出することが可能である基板浮上装置および基板浮上量測定方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１４】
上記課題を解決するために本発明の基板浮上装置は、浮上させる基板の裏面に対向する対向面を有し、当該対向面より上方に基板を浮上させる浮上ユニットと、前記対向面からの基板の浮上量を算出する解析装置と、を備え、基板を浮上させる基板浮上装置であり、前記対向面より下方には、前記浮上ユニット上で浮上した基板に向かって光を出射する光反射型の高さ測定器がさらに設けられ、前記浮上ユニットは、前記高さ測定器から出射した光および基板で反射して前記高さ測定器へ入射する光を通すための貫通穴と、この貫通穴を通じて前記高さ測定器から基板へ出射される光の経路上に設けられて光を一部反射し、一部透過する板体である基準板とを有することを特徴としている。
【００１５】
上記基板浮上装置によれば、高さ測定器と、高さ測定器から基板への光の経路上に基準板とを有することにより、常に基板の浮上量を正確に算出することが可能である。具体的には、対向面に近い方の基準板の面からの反射光を高さ測定器が検出することにより、基板を浮上させている時であっても常に対向面の位置を把握することができる。そして、この基準板の面からの反射光と基板で反射した光とを高さ測定器が同時に検出して基板の浮上量を算出することにより、もし基板浮上装置が使用されている間に基板浮上装置をとりまく環境の温度が変動して構成機器の膨張もしくは収縮が生じた場合であっても、常にその時の対向面の位置と基板の位置を把握することができるため、基板の浮上量を正確に算出することが可能である。
【００１６】
また、基準板の上面または下面は前記対向面と面一であると良い。
【００１７】
こうすることにより、基準板からの反射光の情報から対向面の位置をより正確に把握することができる。
【００１８】
また、前記基準板の素材はガラスであると良い。
【００１９】
こうすることにより、基準板はほとんど熱膨張しなくなるため、基準板の面と対向面との面一の関係に誤差が生じにくくなり、より正確に基板の浮上量を算出して制御することが可能である。
【００２０】
また、前記基準板は、前記浮上ユニットに吸着保持されると良い。
【００２１】
こうすることにより、基準板が汚れた場合などに交換を行う場合でも、容易に交換可能である。
【００２２】
また、上記課題を解決するために本発明の基板浮上量測定方法は、浮上させる基板の裏面に対向する対向面を有し、当該対向面より上方に基板を浮上させる浮上ユニットと、前記対向面からの基板の浮上量を算出する解析装置と、を備え、基板を浮上させる基板浮上装置における基板浮上量測定方法であり、前記対向面より下方には、前記浮上ユニット上で浮上した基板に向かって光を出射する光反射型の高さ測定器がさらに設けられ、前記浮上ユニットは、前記高さ測定器から出射した光および基板で反射して前記高さ測定器へ入射する光を通すための貫通穴と、この貫通穴を通じて前記高さ測定器から基板へ出射される光の経路上に設けられて光を一部反射し、一部透過する板体である基準板とを有し、前記高さ測定器が光を出射し、当該光に対する前記基準板および基板のそれぞれからの反射光を受光する投受光工程と、前記投受光工程で得られた受光情報から前記解析装置が前記対向面からの基板の浮上量を算出する算出工程と、を有することを特徴としている。
【００２３】
上記基板浮上量測定方法によれば、投受光工程および算出工程を有することにより、常に基板の浮上量を正確に算出することが可能である。
【発明の効果】
【００２４】
本発明の基板浮上装置および基板浮上量測定方法によれば、常に基板の浮上量を正確に算出することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態における基板浮上装置の概略図である。
【図２】高さ測定器が取得する受光情報の一例である。
【図３】他の実施形態における基板浮上装置の概略図である。
【図４】他の実施形態における基板浮上装置の概略図である。
【図５】基板浮上装置を備えた塗布装置の概略図である。
【図６】基板浮上装置により浮上させた基板へ塗布液の塗布を行う例を示す概略図である。
【図７】従来の基板浮上装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
本発明に係る実施の形態を図面を用いて説明する。
【００２７】
図１は、本発明の一実施形態における基板浮上装置の概略図である。基板浮上装置１は、浮上ユニット２および制御装置３を有しており、浮上ユニット２からの基板Ｗの浮上量を制御装置３が制御しながら、浮上ユニット２が基板Ｗを浮上させる。
【００２８】
浮上ユニット２は、ユニット本体１１、高さ測定器１２、および基準板１３を有しており、ユニット本体１１の上方に基板Ｗを浮上させる。また、基板Ｗが浮上している状態において高さ測定器１２が基板Ｗへ光を出射し、基板Ｗおよび高さ測定器１２と基板Ｗとの間に位置する基準板１３からの反射光を高さ測定器１２が受光し、受光情報を制御装置３へ送信する。
【００２９】
ユニット本体１１は、本実施形態ではエア浮上ユニットであり、ユニット本体１１から噴出するエアにより基板Ｗを浮上させる。基板Ｗを浮上させる際に基板Ｗの下面と対向する部分は、平面になっており、この部分の形状にならって浮上する基板Ｗに歪みが生じないようにしている。なお、以降の説明では、この平面を対向面１４と呼ぶ。
【００３０】
対向面１４には、図示しない多数の噴出口が設けられており、この噴出口は図示しない気体供給源と接続されている。この気体供給源から噴出口へ乾燥空気、Ｎ２などの気体を噴出口へ供給し、噴出口からこの気体を上方へ噴出することにより、ユニット本体１１は基板Ｗを上方へ浮上させる。
【００３１】
また、ユニット本体１１は、噴出口のほかに、気体を吸引する吸引口を対向面１４に有していても良い。そして、基板Ｗを浮上させる際に噴出口から気体を噴出すると同時にこの吸引口から基板Ｗを吸引することにより、気体の噴出のみを行って基板Ｗを浮上させた場合と比較して、浮上した基板Ｗのたわみを抑え平面度を維持することができ、また、基板Ｗの浮上量をより精密に制御することができる。
【００３２】
また、このユニット本体１１は基板Ｗを上方に浮上させるのみであり、水平方向の移動は生じさせない。そこで、本実施形態の基板浮上装置１を図５に示したような塗布装置８０に組みこんだ場合、基板Ｗを浮上させてさらに一方向へ搬送するために、浮上している基板Ｗの端部を搬送装置８３が把持し、その状態で搬送装置８３が一方向に移動する。なお、以降の説明では、搬送装置８３が基板Ｗを搬送する方向をＸ軸方向、水平面上でＸ軸方向と直交する方向をＹ軸方向とし、これらと直交する方向、すなわち鉛直方向をＺ軸方向とし、説明を進める。
【００３３】
図１に戻り、ユニット本体１１は、Ｚ軸方向に貫通する貫通穴１５を有しており、ユニット本体１１より下方に設けられた高さ測定器１２が出射した光がこの貫通穴１５の中を通過してユニット本体１１より上方で浮上している基板Ｗへ到達し、また、基板Ｗで反射した光がこの貫通穴１５の中を通過して高さ測定器１２に到達するようにしている。
【００３４】
高さ測定器１２は、本実施形態では、光反射型のレーザ変位センサであり、出射部と受光部を有しており、測定対象物に対して出射部からレーザ光を出射し、測定対象物から反射したレーザ光を受光部が受光する。そして、受光部の中のどの位置で受光したかといった詳細な受光位置情報をもとに、高さ測定器１２と測定対象物との距離が求められる。
【００３５】
この高さ測定器１２は、ユニット本体１１が有する貫通穴１５の下方に位置しており、この高さ測定器１２から上方にレーザ光を出射することにより、上記の通りレーザ光は貫通穴１５を通って基板Ｗで反射し、その反射したレーザ光を高さ測定器１２の受光部が受光する。また、高さ測定器１２と基板Ｗとの間に存在する基準板１３でもレーザ光は反射し、その反射したレーザ光を高さ測定器１２の受光部が受光する。そして、それぞれの反射光の受光部における受光位置情報を後述の制御装置３へ送信し、この受光位置情報をもとに、制御装置３が基板Ｗの浮上量を算出する。
【００３６】
基準板１３は、その表面において光を一部反射し、また、一部を透過する部材であり、貫通穴１５を通じて高さ測定器１２から基板Ｗへ出射される光の経路上に設けられており、高さ測定器１２から基板Ｗに向かって出射された光の一部がこの基準板１３により反射する。
【００３７】
また、ユニット本体１１の対向面１４のうち貫通穴１５の上端にあたる箇所には、この基準板１３を取付けるための窪みが設けられており、この窪みに基準板１３がはめこまれる。そして、本実施形態では、窪みの深さと基準板１３の厚みは等しくなっており、ユニット本体１１に基準板１３が取付けられた際に基準板１３の上面と対向面１４とが面一の関係となる。すなわち、基準板１３の上面の位置を対向面１４の位置と見なすことができる。
【００３８】
したがって、高さ測定器１２から得られる基準板１３の上面の位置情報を対向面１４の位置情報と見なすことができるため、高さ測定器１２から得られる基準板１３の上面および基板Ｗの位置情報をもとに対向面１４と基板Ｗの距離、すなわち基板Ｗの浮上量を求めることができる。
【００３９】
ここで、本実施形態では、基準板１３は透明なガラスから構成される。ガラスは熱膨張率が非常に低いため、周囲温度が変化した場合でも基準板１３の厚みはほとんど変化せず、基準板１３の上面と対向面１４との面一の関係に誤差が生じにくくなるため、対向面１４からの基板Ｗの浮上量を計算する際に誤差が生じにくくなる。
【００４０】
また、基準板１３の厚みおよび窪みの深さは、小さい方が好ましい。こうすることにより、もし周囲温度の変化によってユニット本体１１と基準板１３とが膨張もしくは収縮し、対向面１４の高さと基準板１３の上面の高さとのずれが生じたとしても、そのずれを無視できるほど小さくすることが可能である。
【００４１】
ただし、厚みを薄くし過ぎると、後述する基準板１３の下面の位置の情報と上面の位置の情報とが正確に分離できない（後述するピークＰ１とピークＰ２とが正確に分離できない）おそれがあるため、これらの情報が正確に分離が可能な厚みは確保する必要がある。そこで、本実施形態では、基準板１３の厚みは０．５ｍｍから１ｍｍとなっている。
【００４２】
また、基準板１３を薄くするのではなく、ユニット本体１１（特に窪みを形成している部分）と基準板１３の熱膨張率を略同一にすることによって、周囲温度が変化しても対向面１４の高さと基準板１３の上面の高さとのずれが生じないようにしても良い。
【００４３】
また、ユニット本体１１への基準板１３の取付けは、吸着固定であることが好ましい。接着固定やネジによる固定などに比べて、取付けおよび取り外しが容易であるため、もし基準板１３が汚れた場合などに交換を行う場合でも、容易に交換可能である。また、接着により固定する場合は、接着材層が存在し、基準板１３の交換前後で基準板１３の上面の高さの再現性を良くすることが困難であるが、吸着固定の場合は、ユニット本体と基準板１３との間に異物を挟み込まない限り、基準板１３の交換前後で基準板１３の上面の高さの再現性を良くすることが容易である。
【００４４】
制御装置３は、コンピュータ、シーケンサなどを有し、基板Ｗを浮上させる気体の噴出量などを調節することにより、対向面１４からの基板Ｗの浮上量の制御を行う。
【００４５】
また、制御装置３は、解析装置２１を有し、先述の通り高さ測定器１２から送信された受光位置情報をもとに基板Ｗの浮上量を解析装置２１が算出している。
【００４６】
解析装置２１は、ＣＰＵおよびＲＡＭやＲＯＭを有するコンピュータである。解析装置２１には、高さ測定器１２から送信された受光位置情報をもとに基板Ｗの浮上量を算出する解析部など、基板Ｗの浮上量の制御を実行するためのプログラムが記憶されている。また、解析装置２１は、ハードディスクや、ＲＡＭまたはＲＯＭなどのメモリから構成された記憶装置を有しており、基準板１３および基板Ｗの屈折率など、基板Ｗの浮上量の算出を行うために必要なデータがこの記憶装置に記憶される。
【００４７】
また、制御装置３は、解析装置２１により算出された結果をもとに基板Ｗの浮上量を調節する調節手段を有している。この調節手段は、たとえば、対向面１４が有する噴出口から噴出される気体の噴出量を調節するものであり、具体的には、気体供給源から噴出口への経路の途中に設けられた図示しないバルブの開度を調節するものが挙げられる。
【００４８】
この調節手段を用い、もし解析装置２１が算出した基板Ｗの浮上量が目標の浮上量より小さければ気体の噴出量を増加させ、また、解析装置２１が算出した基板Ｗの浮上量が目標の浮上量より大きければ気体の噴出量を減少させるように調節することによって、基板Ｗの浮上量が所定の浮上量になるように制御することが可能である。
【００４９】
また、このような調節手段による浮上量の調節は行わないようにして、もし浮上量が所定の範囲から外れた場合には、基板浮上装置１のオペレータに警告を発するようにしても良い。
【００５０】
次に、高さ測定器１２が取得する受光情報をもとに基板Ｗの浮上量を算出する過程について示す。
【００５１】
図１で示したような基板浮上装置１において、対向面１４および基準板１３の上面から基板Ｗが浮上している状態で高さ測定器１２から光を出射した場合、基準板１３の上面で反射した光と基板Ｗで反射した光とは、図１に距離ｄで表したように異なった受光位置で高さ測定器１２が受光する。この距離ｄは、基板Ｗの浮上量ｈの大きさに応じて変化するため、距離ｄをもとに浮上量ｈを算出することが可能である。
【００５２】
高さ測定器１２が取得する受光情報の一例を図２に示す。高さ測定器１２が出射した光が基準板１３および基板Ｗで反射する場合、基準板１３および基板Ｗのそれぞれの上面および下面で反射した光を高さ測定器１２の受光部が受光するため、受光情報には、それぞれの位置での反射光による４つのピークが存在する。図２のピークＰ１乃至ピークＰ４はその４つのピークを表しており、各ピークは高さ測定装置１２に近い方から並ぶため、ピークＰ１が基準板１３の下面、ピークＰ２が基準板１３の上面、ピークＰ３が基板Ｗの下面、ピークＰ４が基板Ｗの上面からの反射光を受光したものとなる。
【００５３】
したがって、図１に示した浮上量ｈ、すなわち基準板１３の上面と基板Ｗの下面との距離は、ピークＰ２とピークＰ３の間隔の情報から算出することが可能である。
【００５４】
このようにして浮上量ｈを求める方法により、常に基板Ｗの浮上量を正確に算出して制御することが可能である。具体的には、基準板１３の上面からの反射光と基板Ｗで反射した光とを高さ測定器１２が同時に検出して浮上量の算出を行うことにより、仮に周囲環境の温度が変化して基板浮上装置１の構成部品が膨張もしくは収縮して対向面１４と高さ測定器１２との相対距離が変化したとしても、その都度対向面１４と基板Ｗの高さを把握し、基板Ｗの浮上量を正確に算出することが可能である。
【００５５】
次に、ここまでで説明した基板浮上装置１によって基板Ｗの浮上量を制御する基板浮上量制御方法について説明する。
【００５６】
本実施形態における基板浮上量制御方法は、以下の工程を有する。
【００５７】
まず、高さ測定器１２が光を出射し、この光に対する基準板１３の上面（対向面１４と面一の面）および基板Ｗからの反射光を受光する。この工程を、投受光工程と呼ぶ。
【００５８】
次に、投受光工程で得られた受光情報から制御装置３の解析装置２１が対向面１４からの基板Ｗの浮上量を算出する。たとえば、図２におけるピークＰ２とピークＰ３の位置情報をもとに基準板１３の上面と基板Ｗの下面との距離を算出することにより、基板Ｗの浮上量を算出する。この工程を、算出工程と呼ぶ。
【００５９】
次に、測定工程で得られた結果をもとに制御装置３の調節手段が基板Ｗの浮上量を調節する。具体的には、基板Ｗを浮上させる気体の噴出量を調節することにより、基板Ｗの浮上量を調節する。この工程を、調節工程と呼ぶ。
【００６０】
これら投受光工程、測定工程、および調節工程を経て基板Ｗの浮上量を制御することにより、常に基板の浮上量を正確に算出して制御することが可能である。
【００６１】
また、上記の説明では、基板Ｗの浮上量ｈを基板Ｗの下面と対向面１４との距離と定義して、この距離に対して制御を行っているが、基板Ｗの上面と対向面１４との距離を基板Ｗの浮上量ｈと定義して制御するようにしても構わない。特に、基板Ｗの厚みムラが大きい場合は基板Ｗの上面と対向面１４との距離を制御するようにすることが好ましい。その理由は、たとえば基板浮上装置１が図６で示したような塗布装置８０に適用され、浮上した基板Ｗに塗布部８１から塗布液を塗布する場合には、均一な距離となるように制御する必要があるのは、基板Ｗの上面と塗布部先端８４との距離ｈ１であるからである。
【００６２】
このように基板Ｗの上面と対向面１４との距離を基板Ｗの浮上量ｈとする場合は、図２に示した受光情報においてピークＰ２とピークＰ４の間隔の値をもとに、浮上量ｈの算出を行う。
【００６３】
ここで、ピークＰ３とピークＰ４の間では、光は基板Ｗの内部を通っているため、基板Ｗの屈折率に応じて光は屈折する。そのため、高さ測定器１２の受光情報におけるピークＰ３とピークＰ４との間隔は、屈折率の変化が無い条件で基板Ｗの厚み分の経路差を有して２つの光が受光部に到達した場合のピーク同士の間隔と比べて異なる。
【００６４】
したがって、ピークＰ２とピークＰ４の間隔をもとに浮上量ｈの算出を行う場合には、ピークＰ３とピークＰ４との間隔の値に基板Ｗの屈折率を反映して基板Ｗの厚みを算出する必要があり、このように算出した値をピークＰ２とピークＰ３の間隔の値から得られる浮上量に加えることによって、対向面１４と基板Ｗの上面との距離を算出することができる。
【００６５】
したがって、このように対向面１４と基板Ｗの上面との距離を算出および制御する場合などのために、上述の通り、制御装置３の解析装置２１は基準板１３および基板Ｗのうち必要な屈折率のデータを記憶装置に記憶しておくことが好ましい。また、基準板１３と基板Ｗの間の部分（基板Ｗを浮上させる気体）の屈折率のデータを記憶装置に記憶しても構わない。
【００６６】
次に、他の実施形態における基板浮上装置の概略図を図３（ａ）および図３（ｂ）に示す。
【００６７】
図３（ａ）に示す基板浮上装置１では、図１に示したような基準板１３を設置する窪みがユニット本体１１に設けられておらず、基準板１３の下面が対向面１４に載置されており、基準板１３の下面が対向面１４と面一になっている。したがって、高さ測定器１２による浮上量の測定の際は、この基準板１３の下面の高さを対向面１４の高さと見立てて計算を行う。すなわち、図２におけるピークＰ１とピークＰ３もしくはピークＰ４の位置をもとに、浮上量の算出を行う。ただし、ピークＰ１とピークＰ２との間においては、光が基準板１３の上面および下面で屈折するため、浮上量を算出する際にはこの基準板１３の屈折率を反映させる。
【００６８】
このように基準板１３の下面がユニット本体１１の対向面１４に載置されることにより、もし周囲温度が変化してユニット本体１１や基準板１３が熱膨張したとしても、基準板１３の下面とユニット本体１１の対向面１４とは常に面一の関係が保持される。ただし、図３（ａ）に幅ｔで示したように基準板１３が対向面１４から突出するため、基板Ｗの搬送時は、基板Ｗが基準板１３に衝突することのないように注意する必要がある。
【００６９】
図３（ｂ）は、基準板１３を対向面１４全面に載置したものある。このような場合、図３（ａ）のように基準板１３が対向面１４から突出する構成でなくなるため、基板Ｗが基準板１３に衝突して破損するおそれは少なくなる。ただし、この場合は、対向面１４が有する噴出口からの気体の噴出を妨げないよう、噴出口上方の部分には穴をあけておくなどの配慮を基準板１３に行う必要がある。また、基準板１３と対向面１４とが接触する面積が大きくなるため、基準板１３を載置する際には異物をはさみこむことの無いよう、十分な注意が必要である。
【００７０】
次に、さらに別の実施形態における基板浮上装置の概略図を図４に示す。
【００７１】
この実施形態においては、基準板１３の上面が対向面１４よりも下方に位置している。
【００７２】
たとえば、対向面１４からの基板Ｗの浮上量（図４における浮上量ｈ）が小さい場合には、高さ測定器１２において基準板１３の上面からの反射光の受光位置と基板Ｗの下面からの反射光の受光位置とが接近し、図２におけるピークＰ２とピークＰ３とが接近する。
【００７３】
このような場合には、図１に示したように基準板１３の上面と対向面１４とが面一であると、図２のピークＰ２とピークＰ３とが接近しすぎて、解析装置２１がそれぞれを分離することが不可能になるおそれがある。
【００７４】
これに対して、図４に示すように基準板１３の上面が対向面１４よりも下方に位置し、基準板１３の上面と基板Ｗの下面との距離（図４に示す距離（ｓ＋ｈ））が解析装置２１がピークを分離できる限界値よりも長くなることにより、問題なく図２のピークＰ２とピークＰ３とが分離されて、解析装置２１が基板Ｗの浮上量を算出することができるようになる。
【００７５】
なお、この場合には、基準板１３の上面と対向面１４との距離ｓがあらかじめ解析装置２１に入力され、解析装置２１が対向面１４の位置を算出する際には、基準板１３の上面の高さに距離ｓを加算する必要がある。
【００７６】
以上に説明した基板浮上装置および基板浮上量測定方法によれば、常に基板の浮上量を正確に算出することが可能である。
【００７７】
なお、以上の説明は気体の噴出によって基板を浮上させる方式の基板浮上装置について行っているが、気体浮上方式だけでなく、超音波振動浮上など他の浮上方式による基板浮上装置にも本発明は適用可能である。
【符号の説明】
【００７８】
１  基板浮上装置
２  浮上ユニット
３  制御装置
１１  ユニット本体
１２  高さ測定器
１３  基準板
１４  対向面
１５  貫通穴
２１  解析装置
８０  塗布装置
８１  塗布部
８２  基板浮上装置
８３  搬送装置
８４  塗布部先端
９１  高さ測定器
９２  貫通穴
９３  制御装置
９４  反射板
Ｍ  塗布膜
Ｗ  基板
【図１】
2014067765.tif 000003
【図２】
2014067765.tif 000004
【図３】
2014067765.tif 000005
【図４】
2014067765.tif 000006
【図５】
2014067765.tif 000007
【図６】
2014067765.tif 000008
【図７】
2014067765.tif 000009