【手続補正書】
【提出日】令和2年11月30日(2020.11.30)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基体の上に、バンクを形成する工程と、
前記基体の上の前記バンクで囲まれた領域に、有機ＥＬ素子の材料を含む液を付与する材料付与工程と、
前記材料付与工程より後に、透明電極を形成する透明電極形成工程と、
を有し、
前記液を付与する際の前記バンクで囲まれた前記領域の下地は、前記下地の周辺部よりも前記下地の中央部の方が、前記液に対する接触角が小さい
ことを特徴とするトップエミッション型の有機ＥＬ素子の製造方法。
【請求項２】
前記液を付与する際に、前記周辺部と前記中央部の前記液に対する接触角の差が、３０°以上かつ７０°以下である、
ことを特徴とする請求項１に記載の製造方法。
【請求項３】
前記有機ＥＬ素子の前記材料は金属材料である、
ことを特徴とする請求項１または２に記載の製造方法。
【請求項４】
絶縁層が前記下地の前記周辺部を構成し、金属層が前記下地の前記中央部を構成する、
ことを特徴とする請求項１乃至３のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項５】
前記金属層は、前記絶縁層のスルーホールに配置されている、
ことを特徴とする請求項４に記載の製造方法。
【請求項６】
前記金属層は、Ｗ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｔａまたはこれらの合金を含む、
ことを特徴とする請求項４または５に記載の製造方法。
【請求項７】
前記金属層は、前記基体の上に設けられた駆動用トランジスタに電気的に接続されている、
ことを特徴とする請求項４乃至６のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項８】
前記バンクを形成する前に、前記基体の上に設けられた絶縁層を加工する加工工程を有し、前記バンクは前記絶縁層の上に形成される、
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれか１項に記載の製造方法。
【請求項９】
前記加工工程は、前記絶縁層の中央部を粗面化する工程である、
ことを特徴とする請求項８に記載の製造方法。
【請求項１０】
前記加工工程は、前記絶縁層の中央部をＲａが３０ｎｍ以上で１００ｎｍ以下になるよう加工する工程である、
ことを特徴とする請求項９に記載の製造方法。
【請求項１１】
基体上に、下部電極、発光層、前記発光層を囲むバンク、および上部透明電極が設けられたトップエミッション型の有機ＥＬ素子において、
前記下部電極は、前記有機ＥＬ素子の発光領域と前記基体との間に、中央部および周辺部を有し、
前記下部電極の下地は、前記下部電極の前記中央部の厚みＬ１と、前記下部電極の前記中央部と前記周辺部の間の部分の厚みＬ２と、前記下部電極の前記周辺部の厚みＬ３とが、Ｌ１／Ｌ３≧０．７５およびＬ３＞Ｌ２を満足するように構成された下地である、
ことを特徴とするトップエミッション型の有機ＥＬ素子。
【請求項１２】
前記下地のうち、前記中央部の下の部分は前記周辺部の下の部分よりも平坦性が低い粗面である、
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１３】
前記下地のうち、前記中央部の下の部分が金属層で、前記周辺部の下の部分が絶縁層である、
ことを特徴とする請求項１１に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１４】
前記下部電極は、Ｌ２＞Ｌ１を満足する、
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１５】
前記下部電極は、Ｌ１＞Ｌ２を満足する、
ことを特徴とする請求項１１乃至１３のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１６】
前記下部電極は、Ｌ１／Ｌ３≧１．０を満足する、
ことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１７】
前記下部電極は、Ｌ１／Ｌ３≧１．２を満足する、
ことを特徴とする請求項１１乃至１５のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１８】
前記発光層と前記上部透明電極の間に配された正孔注入層を含む、
ことを特徴とする請求項１１乃至１７のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子。
【請求項１９】
請求項１１乃至１８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子を共通の基体上に複数有し、各素子の前記上部透明電極どうしが電気的に接続されている、
ことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【請求項２０】
請求項１１乃至１８のいずれか１項に記載の有機ＥＬ素子と、前記有機ＥＬ素子とは発光色の異なる有機ＥＬ素子と、を共通の基体上に有する、
ことを特徴とする有機ＥＬ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】トップエミッション型の有機ＥＬ素子およびその製造方法
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００７】
本発明は、基体の上に、バンクを形成する工程と、前記基体の上の前記バンクで囲まれた領域に、有機ＥＬ素子の材料を含む液を付与する材料付与工程と、前記材料付与工程より後に、透明電極を形成する透明電極形成工程と、を有し、前記液を付与する際の前記バンクで囲まれた前記領域の下地は、前記下地の周辺部よりも前記下地の中央部の方が、前記液に対する接触角が小さい、ことを特徴とするトップエミッション型の有機ＥＬ素子の製造方法である。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
また、本発明は、基体上に、下部電極、発光層、前記発光層を囲むバンク、および上部透明電極が設けられたトップエミッション型の有機ＥＬ素子において、前記下部電極は、前記有機ＥＬ素子の発光領域と前記基体との間に、中央部および周辺部を有し、前記下部電極の下地は、前記下部電極の前記中央部の厚みＬ１と、前記下部電極の前記中央部と前記周辺部の間の部分の厚みＬ２と、前記下部電極の前記周辺部の厚みＬ３とが、Ｌ１／Ｌ３≧０．７５およびＬ３＞Ｌ２を満足するように構成された下地である、ことを特徴とするトップエミッション型の有機ＥＬ素子である。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
下部電極４５は、有機ＥＬ素子の片極で、銀や銅のナノ粒子が分散された液をバンクで囲まれた領域に塗布し、その後高温に焼成することで形成されている。下部電極４５は、典型的には電子注入層として機能するとともに、発光層４８で発する光のうち基体４１側に向かう光を反射して光取り出し効率を向上させるためのミラーとして機能する。下部電極４５は、図示外の領域で、駆動回路と接続されている。下部電極４５の詳細については、後述する。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４０】
下部電極４５の厚みは、中央部においてＬ４、中央部とバンク４４の間においてＬ５、バンク４４との境界部においてＬ６とすると、図４（ｂ）に示すようにＬ６＞Ｌ５＞Ｌ４ではあるが、各々の差は小さく、膜厚の均一性が高い。
また、他の好ましい形態としては、Ｌ４＞Ｌ５かつＬ６＞Ｌ５を満足するものがあり、言い換えれば下部電極４５の厚みがバンク４４との境界部から中央部に向けて一旦減少してから増加する形態である。
いずれにせよ、下部電極４５は、バンク４４との境界部の厚みＬ３に対して中央部Ｌ１の厚みが、Ｌ４／Ｌ６が０．７５以上であり、望ましくは１．０以上であり、さらに望ましくは１．２以上である。
本実施形態の典型例では、Ｌ４が１５０ｎｍ、Ｌ５が１７０ｎｍ、Ｌ６が２００ｎｍであり、下部電極の中央部と周辺部で金属材料の充填密度にはほとんど差がない。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４１】
従来の下部電極は、周辺部すなわちバンク近傍に比べ中央部の厚みが小さく、また金属材料の充填密度が低下する傾向があった。これに対して、本実施形態の下部電極４５は、周辺部に対する中央部の厚みが十分に確保され、また中央部の金属材料の充填密度も周辺部と変わらないか、またはそれ以上が確保されている。このため、光反射率の均一性が画素内で向上し、有機ＥＬ素子の光取り出し効率の実効値を大きくすることができる。尚、上述した金属材料の充填密度は、例えば下部電極の断面をＳＥＭ画像やＳＴＭ画像で観察し、金属と空隙の面積比率を計測することにより求めることができる。また、下部電極の光反射率は、第一実施形態と同様に計測して求めることができる。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
本実施形態は、バンクに囲まれた素子の中央部分に下部電極の下地として、塗布するナノ粒子分散インクに対する接触角が絶縁層４２の平坦面よりも小さな粗面領域４３を設ける構造としたものである。そして、このバンクに囲まれた領域にインクジェット法に代表される塗布法で、金属材料のナノ粒子を分散したインクを滴下させ、下部電極を形成するものである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
下部電極の各部の厚さは、Ｌ４が１５０ｎｍ、Ｌ５が１７０ｎｍ、Ｌ６が２００ｎｍであった。また、下部電極の中央部と周辺部の電極材料の充填密度は、共にバルク材料の８０％で、同等であった。
また、発光層の発光波長と同じ光を電極面に垂直に入射させ、反射率を計測したところ、バルク材料の平坦面の反射率を基準としたとき、実施例の中央部と周辺部は共に９０％であった。