(57)【要約】【課題】加工ステージに供給された絶縁基板が一枚であるか否かを確実に検出することのできる基板供給方法およびその装置を提供する。【解決手段】加工ステージＳ２に供給された絶縁基板４を定盤９上に所定の吸着力Ｐ１で吸着させた後、ピックアップユニット１を上昇させるタイミングで、各吸着パッド２を吸着力Ｐ１よりも小さい吸着力Ｐ２で吸引動作させるようにした。これにより、加工ステージＳ２に誤って絶縁基板４が二枚密着した状態で供給された場合、下側の絶縁基板４はＰ１なる大きさの吸着力を受けて定盤９上に残るものの、上側の絶縁基板４はＰ２なる大きさの吸着力を受けて各吸着パッド２に吸着されたまま上昇するため、ピックアップユニット１の上昇後に各吸着パッド２に絶縁基板４が吸着されていたら、加工ステージＳ２に絶縁基板４が二枚密着したまま供給されたものと判定できる。【選択図】図３
2014009040.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
複数枚重ねられた絶縁基板の最上段の一枚目を吸着パッドで吸着して二枚目と分離し、前記吸着パッドに前記絶縁基板を吸着させたまま加工ステージまで搬送した後、前記絶縁基板を前記吸着パッドから取り外して前記加工ステージ上に吸着させるようにした基板供給方法において、
前記加工ステージ上に前記絶縁基板を所定の吸着力Ｐ１で吸着した後、前記吸着パッドを前記加工ステージから離間する方向へ上昇させるとき、該吸着パッドから前記絶縁基板に対して前記吸着力Ｐ１よりも小さい吸着力Ｐ２（Ｐ１＞Ｐ２）を付与するようにしたことを特徴とする基板供給方法。
【請求項２】
絶縁基板を吸着可能な吸着パッドと、この吸着パッドを移送可能な搬送手段と、加工ステージに設けられた吸引手段と、前記吸着パッドの吸着動作を制御可能な吸着制御手段とを備え、複数枚重ねられた絶縁基板の最上段の一枚目を前記吸着パッドで吸着し、該吸着パッドに前記絶縁基板を吸着させたまま前記搬送手段によって前記加工ステージまで搬送した後、前記絶縁基板を前記吸引手段によって前記加工ステージ上に吸着させるようにした基板供給装置において、
前記吸引手段が前記絶縁基板を所定の吸着力Ｐ１で前記加工ステージ上に吸着させた後、前記搬送手段が前記吸着パッドを前記加工ステージから離間する方向へ上昇させるとき、前記吸着制御手段が前記吸着パッドを動作させて、該吸着パッドから前記絶縁基板に対して前記吸着力Ｐ１よりも小さい吸着力Ｐ２（Ｐ１＞Ｐ２）が付与されるようにしたことを特徴とする基板供給装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、複数枚重ねられた絶縁基板を加工ステージに一枚ずつ供給するようにした基板供給方法および基板供給装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
チップ抵抗器やチップコンデンサ等を製造する場合、マガジン内に積み重ねられたアルミナ基板等の絶縁基板を吸着パッドで吸着して一枚ずつ吊り上げ、この吸着パッドによって絶縁基板を加工ステージまで搬送した後、加工ステージ上に供給された絶縁基板に対して抵抗体や電極等を形成するという基板供給装置が広く採用されている。かかる基板供給装置では、絶縁基板が二枚重なった状態で吸着パッドに吸着されてしまうと、その後の工程に支障を来すことになるため、従来より、絶縁基板の二枚吸着を防止するための手段が種々講じられている。
【０００３】
例えば、特許文献１に開示された基板供給装置では、吸着パッドが最上段の一枚目の絶縁基板を僅かに吊り上げたときに、一枚目と二枚目の絶縁基板の境界線を画像検出し、撮像した画像に境界線が残っている場合は異常と判定して、吊り上げ動作を中止して再実行することにより、絶縁基板が二枚密着したまま加工ステージへ搬送されないようにしている。また、特許文献２に開示された基板供給装置では、吸着パッドが最上段の絶縁基板を吊り上げたときに、その絶縁基板の側面に対して噴射ノズルから圧縮空気を噴射することにより、一枚目の絶縁基板と二枚目の絶縁基板の密着を確実に防止するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１０３５４５号公報
【特許文献１】実開昭６１−１２２２４０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで近年、板厚が０．２〜０．０５ｍｍ程度の薄型アルミナ基板を絶縁基板として使用することがあり、このように板厚が薄くて表面平滑度の良好な絶縁基板の場合、特許文献１や特許文献２等に開示された手段を講じたとしても、画像検出に基づく異常判定の正確性が低下したり、圧縮空気の噴射による分離動作が不完全になるため、絶縁基板が二枚密着したまま加工ステージへ搬送されてしまう虞がある。その場合、加工ステージでは供給された絶縁基板が一枚であるか否かを判定できないため、二枚重ねの絶縁基板に対して印刷工程やスクライブ工程等が行われてしまい、印刷マスクが損傷したり不良品が発生する等の問題を招くことになる。
【０００６】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、加工ステージに供給された絶縁基板が一枚であるか否かを確実に検出することのできる基板供給方法およびその装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の目的を達成するために、本発明は、複数枚重ねられた絶縁基板の最上段の一枚目を吸着パッドで吸着して二枚目と分離し、前記吸着パッドに前記絶縁基板を吸着させたまま加工ステージまで搬送した後、前記絶縁基板を前記吸着パッドから取り外して前記加工ステージ上に吸着させるようにした基板供給方法において、前記加工ステージ上に前記絶縁基板を所定の吸着力Ｐ１で吸着した後、前記吸着パッドを前記加工ステージから離間する方向へ上昇させるとき、該吸着パッドから前記絶縁基板に対して前記吸着力Ｐ１よりも小さい吸着力Ｐ２（Ｐ１＞Ｐ２）を付与するようにした。
【０００８】
このように絶縁基板の加工ステージ上への吸着後に吸着パッドを上昇させるタイミングで、加工ステージが絶縁基板を吸着する吸着力Ｐ１よりも小さい吸着力Ｐ２で吸着パッドを吸着動作させると、加工ステージ上に誤って二枚の絶縁基板が供給された場合、下側の絶縁基板はＰ１なる吸着力を受けて加工ステージに残るが、上側の絶縁基板はＰ２なる吸着力を受けて吸着パッドに吸着されて上昇する。したがって、吸着パッドの上昇後に絶縁基板が吸着されていたら、加工ステージに絶縁基板が二枚密着して供給されたものと判定でき、その場合は、加工ステージでの工程を中止すると共に、吸着パッドに吸着された絶縁基板を取り除いた上で再実行すれば良い。
【０００９】
また、上記の目的を達成するために、本発明は、絶縁基板を吸着可能な吸着パッドと、この吸着パッドを移送可能な搬送手段と、加工ステージに設けられた吸引手段と、前記吸着パッドの吸着動作を制御可能な吸着制御手段とを備え、複数枚重ねられた絶縁基板の最上段の一枚目を前記吸着パッドで吸着し、該吸着パッドに前記絶縁基板を吸着させたまま前記搬送手段によって前記加工ステージまで搬送した後、前記絶縁基板を前記吸引手段によって前記加工ステージ上に吸着させるようにした基板供給装置において、前記吸引手段が前記絶縁基板を所定の吸着力Ｐ１で前記加工ステージ上に吸着させた後、前記搬送手段が前記吸着パッドを前記加工ステージから離間する方向へ上昇させるとき、前記吸着制御手段が前記吸着パッドを動作させて、該吸着パッドから前記絶縁基板に対して前記吸着力Ｐ１よりも小さい吸着力Ｐ２（Ｐ１＞Ｐ２）が付与されるようにした。
【００１０】
このように構成された基板供給装置は、吸着パッドの吸着動作を制御可能な吸着制御手段を備えており、絶縁基板の加工ステージ上への吸着後に吸着パッドを上昇させるタイミングで、加工ステージが絶縁基板を吸着する吸着力Ｐ１よりも小さい吸着力Ｐ２で吸着パッドを吸着動作させるようにしたので、加工ステージ上に誤って二枚の絶縁基板が供給された場合、下側の絶縁基板は吸引手段のＰ１なる吸着力を受けて加工ステージに残るが、上側の絶縁基板はＰ２なる吸着力を受けて吸着パッドに吸着されて上昇することになる。したがって、吸着パッドの上昇後に絶縁基板が吸着されていたら、加工ステージに絶縁基板が二枚密着して供給されたものと判定でき、その場合は、加工ステージでの工程を中止すると共に、吸着パッドに吸着された絶縁基板を取り除いた上で再実行すれば良い。
【発明の効果】
【００１１】
本発明の基板供給方法は、絶縁基板の加工ステージ上への吸着後に吸着パッドを上昇させるタイミングで、加工ステージが絶縁基板を吸着する吸着力Ｐ１よりも小さい吸着力Ｐ２で吸着パッドを吸着動作させるようにしたので、加工ステージ上に誤って二枚の絶縁基板が供給された場合、下側の絶縁基板はＰ１なる吸着力を受けて加工ステージに残るが、上側の絶縁基板はＰ２なる吸着力を受けて吸着パッドに吸着されて上昇する。したがって、吸着パッドの上昇後に絶縁基板が吸着されていたら、加工ステージに絶縁基板が二枚密着して供給されたものと判定でき、板厚の薄い絶縁基板であっても加工ステージに供給された絶縁基板が一枚であるか否かを確実に検出することができる。
【００１２】
また、本発明の基板供給装置は、吸着パッドの吸着動作を制御可能な吸着制御手段を備えており、絶縁基板の加工ステージ上への吸着後に吸着パッドを上昇させるタイミングで、加工ステージが絶縁基板を吸着する吸着力Ｐ１よりも小さい吸着力Ｐ２で吸着パッドを吸着動作させるようにしたので、加工ステージ上に誤って二枚の絶縁基板が供給された場合、下側の絶縁基板は吸引手段のＰ１なる吸着力を受けて加工ステージに残るが、上側の絶縁基板はＰ２なる吸着力を受けて吸着パッドに吸着されて上昇することになる。したがって、吸着パッドの上昇後に絶縁基板が吸着されていたら、加工ステージに絶縁基板が二枚密着して供給されたものと判定でき、板厚の薄い絶縁基板であっても加工ステージに供給された絶縁基板が一枚であるか否かを確実に検出することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１３】
【図１】本発明の実施形態例に係る基板供給装置の構成図である。
【図２】該基板供給装置の加工ステージでの基板供給動作を示す説明図である。
【図３】該基板供給装置の加工ステージでの基板分離動作を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１４】
図１に示すように、本発明の実施形態例に係る基板供給装置は、基板供給ステージＳ１と加工ステージＳ２との間を搬送可能なピックアップユニット１を備えており、このピックアップユニット１には１乃至複数本の吸着パッド２が設けられている。各吸着パッド２には真空ポンプ３が接続されており、この真空ポンプ３をオン動作させて各吸着パッド２を吸引することにより、絶縁基板４が吸着パッド２に所定の吸着力Ｐ２で吸着されるようになっている。真空ポンプ３には吸着制御手段５が接続されており、この吸着制御手段５によって真空ポンプ３の吸着動作はオン／オフ制御される。なお、絶縁基板４に対する吸着パッド２の吸着力Ｐ２の大きさを吸着制御手段５によって数段階に変えることも可能であるが、本実施形態例の場合、絶縁基板４に対する吸着パッド２の吸着力Ｐ２は一定としている。
【００１５】
基板供給ステージＳ１には上面を開口したマガジン６が設置されており、このマガジン６内に絶縁基板４が複数枚重ねられて収納されるようになっている。絶縁基板４はチップ抵抗器やチップコンデンサ等の大判基板として用いられるアルミナ基板であり、本実施形態例の場合、縦横寸法が５０×６０ｍｍ、板厚が０．１５ｍｍ程度の薄型アルミナ基板が用いられている。マガジン６の下部にはエアシリンダ等からなる昇降手段（図示せず）が配設されており、この昇降手段によってマガジン６内における絶縁基板４の最上位置が常に一定になるようになっている。マガジン６の上部側方には光電センサ７が配設されており、この光電センサ７によって吸着パッド２への二重吸着を検出できるようになっている。また、マガジン６の上部側方には噴射ノズル８が配設されており、この噴射ノズル８から最上段の絶縁基板４の側面に圧縮空気を噴射できるようになっている。
【００１６】
加工ステージＳ２には定盤９が設置されており、この定盤９の下面側には吸引手段としての真空ポンプ１０が接続されている。この真空ポンプ１０は定盤９に穿設された複数の吸引孔９ａと連通しており、後述するように、真空ポンプ１０をオン動作させて各吸引孔９ａを吸引することにより、加工ステージＳ２に供給された絶縁基板４が定盤９上に所定の吸着力Ｐ１で吸着されるようになっている。ただし、この吸着力Ｐ１と前述した吸着パッド２の吸着力Ｐ２の大きさを比較すると、吸着力Ｐ１が吸着力Ｐ２よりも大きくなる関係（Ｐ１＞Ｐ２）に設定されている。
【００１７】
このように構成された基板供給装置において、基板供給ステージＳ１でピックアップユニット１を下降させてマガジン６に近付けるときに、吸着制御手段５が真空ポンプ３をオン動作させることにより、マガジン６内に収納された最上段の絶縁基板４が各吸着パッド２に所定の吸着力Ｐ２で吸着される。そして、この状態のままピックアップユニット１を上昇させると、最上段の一枚目の絶縁基板４が各吸着パッド２に吸着されたまま吊り上げられ、ピックアップユニット１はそのまま基板供給ステージＳ１から加工ステージＳ２へと搬送される。加工ステージＳ２では、ピックアップユニット１を下降させて定盤９に近付けるときに、各吸着パッド２に吸着された絶縁基板４が定盤９に載置される直前に、吸着制御手段５が真空ポンプ３の吸着動作を停止すると共に、定盤９に設けられた真空ポンプ１０がオン動作される。その結果、絶縁基板４が各吸着パッド２から離れて定盤９上に所定の吸着力Ｐ１で吸着されるため、この絶縁基板４に対して印刷やスクライブ等の加工を行うことができる。なお、こうして絶縁基板４が定盤９上に吸着された後、ピックアップユニット１を上昇させて加工ステージＳ２から基板供給ステージＳ１へ戻して、再び上記と同様の動作が繰り返される。
【００１８】
ここで、ピックアップユニット１の各吸着パッド２がマガジン６内の絶縁基板４を一枚ずつ吊り上げるとき、吊り上げられた一枚目の絶縁基板４の側面に噴射ノズル８から圧縮空気が噴射されるため、一枚目と二枚目の絶縁基板４の密着を防止して分離させやすいようにしている。また、これら一枚目と二枚目の絶縁基板４の境界線を光電センサ７で画像検出し、その撮像画像に境界線が残っている場合は異常と判定して、ピックアップユニット１による吊り上げ動作を中止できるようになっているため、絶縁基板４が二枚密着したまま加工ステージＳ２へ搬送される可能性は低くなっている。ただし、本実施形態例の場合、約０．１５ｍｍ厚の薄型アルミナ基板を絶縁基板４として使用しているので、このような分離手段や画像検出手段を講じたとしても、ピックアップユニット１が絶縁基板４を二枚密着したまま加工ステージＳ２へ搬送してしまう虞がある。
【００１９】
そこで、本実施形態例に係る基板供給装置では、加工ステージＳ２に供給された絶縁基板４が定盤９上に吸着された後、ピックアップユニット１を上昇させるタイミングで吸着制御手段５が真空ポンプ３をオン動作させることにより、その絶縁基板４に対して定盤９と各吸着パッド２の両方から異なる大きさの吸着力Ｐ１，Ｐ２が付与されるようになっている。すなわち、図２に示すように、加工ステージＳ２の定盤９上に誤って二枚の絶縁基板４が供給された場合、これら絶縁基板４はＰ１なる大きさの吸着力を受けて定盤９上に吸着される。そして、かかる吸着後にピックアップユニット１を上昇させるタイミングで、真空ポンプ３をオン動作させて各吸着パッド２を吸引すると、図３に示すように、下側の絶縁基板４はＰ１なる大きさの吸着力を受けて定盤９上に残るが、上側の絶縁基板４はＰ２なる大きさの吸着力を受けて各吸着パッド２に吸着されたまま上昇する。したがって、図示せぬ光学センサや吸着センサ等を用いて絶縁基板４の有無を検出し、ピックアップユニット１の上昇後に各吸着パッド２に絶縁基板４が吸着されていたら、加工ステージＳ２で行われる予定の工程（印刷やスクライブ工程等）を中止すると共に、各吸着パッド２に吸着された絶縁基板４を取り除いた上で再実行すれば良い。
【００２０】
以上説明したように、本実施形態例に係る基板供給装置では、マガジン６内に収納された絶縁基板４をピックアップユニット１の各吸着パッド２に吸着させながら基板供給ステージＳ１から加工ステージＳ２へと搬送し、この加工ステージＳ２でピックアップユニット１を下降して絶縁基板４を定盤９上に吸着させた後、ピックアップユニット１を上昇させるタイミングで各吸着パッド２の吸引をオン動作させることにより、定盤９が絶縁基板４を吸着する吸着力Ｐ１よりも小さい吸着力Ｐ２で各吸着パッド２を吸引動作させるようにしたので、加工ステージＳ２に絶縁基板４が一枚ずつ正常に供給された場合は、定盤９から上昇するピックアップユニット１の各吸着パッド２に絶縁基板４は吸着されず、定盤９上に吸着された絶縁基板４に対し加工ステージＳ２で行われる予定の工程を実行することができる。一方、加工ステージＳ２に誤って絶縁基板４が二枚密着した状態で供給された場合は、下側の絶縁基板４はＰ１なる大きさの吸着力を受けて定盤９上に残るものの、上側の絶縁基板４はＰ２なる大きさの吸着力を受けて各吸着パッド２に吸着されたまま上昇するため、ピックアップユニット１の上昇後に各吸着パッド２に絶縁基板４が吸着されていたら、加工ステージＳ２に絶縁基板４が二枚密着したまま供給されたものと判定できる。したがって、絶縁基板４が薄型アルミナ基板であっても確実に二枚取り（供給）の検出が可能となり、しかも、板厚や大きさの異なる種々の絶縁基板４に対して面倒な調整も不要となる。
【００２１】
なお、上記実施形態例では、ピックアップユニット１の各吸着パッド２から絶縁基板４に対して常に一定の吸着力Ｐ２を作用させるようにしているが、例えば、ピックアップユニット１が基板供給ステージＳ１から加工ステージＳ２へ向かって移動（往路）するときの吸着力Ｐ３と、ピックアップユニット１が加工ステージＳ２から基板供給ステージＳ１へ向かって移動（復路）するときの吸着力Ｐ２とを異ならせても良い。この場合、前述した吸着力Ｐ１＞吸着力Ｐ２の関係が維持されていれば、吸着力Ｐ３の大きさは適宜の値に設定することが可能である。
【００２２】
また、上記実施形態例では、加工ステージＳ２でピックアップユニット１を下降させて定盤９に近付けるときに、各吸着パッド２に吸着された絶縁基板４が定盤９に載置される直前に、吸着制御手段５が真空ポンプ３の吸着動作を停止するようにしているが、吸着力Ｐ１＞吸着力Ｐ２の関係が維持されていれば、必ずしも真空ポンプ３の吸着動作を停止させなくても良く、各吸着パッド２に絶縁基板４を吸着させたまま定盤９に載置することも可能である。
【符号の説明】
【００２３】
１  ピックアップユニット
２  吸着パッド
３  真空ポンプ
４  絶縁基板
５  吸着制御手段
６  マガジン
７  光電センサ
８  噴射ノズル
９  定盤
９ａ  吸引孔
１０  真空ポンプ
Ｓ１  基板供給ステージ
Ｓ２  加工ステージ
【図１】
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【図２】
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【図３】
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