(57)【要約】【課題】超音波を利用して基板表面のパーティクルを効果的に除去できる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供する。【解決手段】洗浄装置１００は、内部を密閉することができる処理容器１と、処理容器１内に設けられた、被処理体であるウエハＷを保持するスピンチャック１０と、処理容器１内へ濃度調節されたガスを導入するガス導入装置２０と、処理容器１内のガス濃度を検出する検出装置としてのガス濃度センサ３０と、超音波を発生させ、スピンチャック１０に保持されたウエハＷの表面に超音波を伝搬させる超音波発生装置４０と、を備えている。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を収容する処理容器と、
前記処理容器内で基板を回転可能に保持する基板保持装置と、
前記処理容器内に、濃度調節されたガスを導入するガス導入装置と、
前記処理容器内のガス濃度を検出する検出装置と、
超音波を発生させ、前記基板保持装置に保持された基板の表面に超音波を伝搬させる超音波発生装置と、
を備え、前記ガス導入装置によって前記処理容器内に濃度調節されたガスを導入し、前記処理容器内のガス濃度を調節しながら、前記超音波発生装置によって発生させた超音波により基板の洗浄を行う基板洗浄装置。
【請求項２】
さらに、前記基板を冷却する冷却装置を備えている請求項１に記載の基板洗浄装置。
【請求項３】
前記ガス導入装置は、液体を気化させる気化装置と、気化したガスを所定流量で前記処理容器内へ供給する流量調節装置と、を有している請求項１又は２に記載の基板洗浄装置。
【請求項４】
前記濃度調節されたガスが、水分を含む空気である請求項１から３のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
【請求項５】
さらに、前記検出装置によって検出されたガス濃度に基づき、前記ガス導入装置により前記処理容器内に導入するガスの濃度及び／又は流量を調節する制御部を備えた請求項１から４のいずれか１項に記載の基板洗浄装置。
【請求項６】
超音波発生装置によって発生させた超音波を利用して基板の洗浄を行う基板洗浄方法であって、
処理容器内に基板を搬入し、基板保持装置により回転可能に保持する工程と、
前記処理容器内に濃度調節されたガスを導入し、処理容器内のガス濃度を調整する工程と、
前記基板保持装置に保持された基板を回転させながら、超音波発生装置によって発生させた超音波を基板の表面に付与し、基板表面において超音波を伝搬させることにより基板の洗浄を行う工程と、
を備えた基板洗浄方法。
【請求項７】
前記基板を洗浄する工程より前に、さらに、基板を冷却する工程を備えている請求項６に記載の基板洗浄方法。
【請求項８】
基板を冷却しながら、前記基板を洗浄する工程を行う請求項７に記載の基板洗浄方法。
【請求項９】
前記濃度調節されたガスが、水分を含む空気である請求項６から８のいずれか１項に記載の基板洗浄方法。
【請求項１０】
前記処理容器内の湿度が、処理容器内雰囲気の温度における飽和水蒸気量未満である請求項９に記載の基板洗浄方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば半導体装置などの製造工程で基板を洗浄するための基板洗浄装置及び基板洗浄方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置などの製造工程においては、半導体ウエハなどの基板の洗浄が行われる。従来は、複数枚の基板を大型の浸漬槽に浸漬して洗浄するディップ式洗浄が行なわれてきたが、基板サイズの大口径化に伴って近年では枚葉式のスピン洗浄が主流になりつつある（例えば、特許文献１）。枚葉式のスピン洗浄は、大口径の基板についても面内を均一に洗浄できることや、洗浄により除去した汚染物質の再付着が少ないこと、洗浄液やリンス用純水の使用量を抑制できること等の利点がある。
【０００３】
スピン洗浄方式の基板洗浄には、超音波が広く利用されている。これは、洗浄チャンバ内で基板を回転させながら、基板表面に超音波ノズルから洗浄液を吐出するとともに、超音波ノズルに内蔵されている超音波振動子を発振させる。そして、洗浄液の液膜を介して基板表面に超音波を伝搬させ、超音波の振動エネルギーと遠心力による液体の衝突などの物理力を利用して基板表面の洗浄を行う。基板表面に吐出された洗浄液は、基板の回転に伴う遠心力により、超音波振動で剥離したパーティクルを伴って基板の径外方向へと移動し、基板の周縁部から洗浄チャンバ内に流出する。
【０００４】
ところで、近年、半導体装置の微細化が進んでおり、微細パターンが形成された基板に対する洗浄が求められている。しかし、微細パターンを有する基板に対してスピン洗浄を行うと、超音波の音圧が強過ぎることにより、基板表面に形成したパターンを破壊する場合がある。また、超音波方式と同じく従来広く利用されている２流体スプレー方式では、スプレーノズルから微小な液滴を発生させて基板に衝突させる事でパーティクルを除去しているが、５０ｎｍ以下の微少なパーティクルを除去する事が難しい。これは基板と水の境界付近では水の流れがほとんど発生せず、パーティクル除去に効果的な力を与える事が出来ないためである。加えて、純水を使用することで基板表面の水溶性材料の溶解によるマテリアルロスが生じること、洗浄後の乾燥工程で大量のイソプロピルアルコールが必要になること、などの問題もあった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００９−７１２７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、超音波を利用して基板表面のパーティクルを効果的に除去できる基板洗浄装置及び基板洗浄方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の基板洗浄装置は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内で基板を回転可能に保持する基板保持装置と、前記処理容器内に、濃度調節されたガスを導入するガス導入装置と、前記処理容器内のガス濃度を検出する検出装置と、超音波を発生させ、前記基板保持装置に保持された基板の表面に超音波を伝搬させる超音波発生装置と、を備えている。そして、本発明の基板洗浄装置は、前記ガス導入装置によって前記処理容器内に濃度調節されたガスを導入し、前記処理容器内のガス濃度を調節しながら、前記超音波発生装置によって発生させた超音波により基板の洗浄を行う。
【０００８】
また、本発明の基板洗浄装置は、さらに、前記基板を冷却する冷却装置を備えていてもよい。
【０００９】
また、本発明の基板洗浄装置において、前記ガス導入装置は、液体を気化させる気化装置と、気化したガスを所定流量で前記処理容器内へ供給する流量調節装置と、を有していてもよい。
【００１０】
また、本発明の基板洗浄装置は、前記濃度調節されたガスが、水分を含む空気であってもよい。
【００１１】
また、本発明の基板洗浄装置は、さらに、前記検出装置によって検出されたガス濃度に基づき、前記ガス導入装置により前記処理容器内に導入するガスの濃度及び／又は流量を調節する制御部を備えていてもよい。
【００１２】
本発明の基板洗浄方法は、超音波発生装置によって発生させた超音波を利用して基板の洗浄を行うものであって、処理容器内に基板を搬入し、基板保持装置により回転可能に保持する工程と、前記処理容器内に濃度調節されたガスを導入し、処理容器内のガス濃度を調整する工程と、前記基板保持装置に保持された基板を回転させながら、超音波発生装置によって発生させた超音波を基板の表面に付与し、基板表面において超音波を伝搬させることにより基板の洗浄を行う工程と、を備えている。
【００１３】
また、本発明の基板洗浄方法は、前記基板を洗浄する工程より前に、さらに、基板を冷却する工程を備えていてもよい。
【００１４】
また、本発明の基板洗浄方法は、基板を冷却しながら、前記基板を洗浄する工程を行ってもよい。
【００１５】
また、本発明の基板洗浄方法は、前記濃度調節されたガスが、水分を含む空気であってもよい。この場合、前記処理容器内の水分濃度は、装置内雰囲気温度における飽和水蒸気量未満であることが望ましい。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、ガス導入装置によって処理容器内に濃度調節されたガスを導入し、処理容器内のガス濃度を調節することによって、基板の表面に数層の厚みでガス分子を付着させた状態で超音波洗浄を行うことができる。これによって、超音波によるパターン崩れやマテリアルロスを発生させることなく、基板表面のパーティクルを効果的に除去できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】本発明の一実施の形態に係る洗浄装置の概略構成図である。
【図２】本発明の一実施の形態の洗浄方法によって生じるウエハ表面の状態変化を説明する模式図であり、洗浄前の状態を示している。
【図３】本発明の一実施の形態の洗浄方法によって生じるウエハ表面の状態変化を説明する模式図であり、ウエハＷの表面に水分子が付着した状態を示している。
【図４】本発明の一実施の形態の洗浄方法によって生じるウエハ表面の状態変化を説明する模式図であり、ウエハＷの表面に超音波を伝搬させている状態を示している。
【図５Ａ】比較例の洗浄方法について説明する模式図である。
【図５Ｂ】比較例の別の洗浄方法について説明する模式図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、図面を参照して本発明の実施の形態について説明する。
【００１９】
［洗浄装置の概要］
まず、本発明の一実施の形態に係る洗浄装置の構成例について説明する。図１は、本実施の形態にかかる洗浄装置１００の概略構成を示す縦断面図である。洗浄装置１００は、内部を密閉することができる処理容器１と、処理容器１内に設けられた、被処理体である半導体ウエハ（以下、単に「ウエハ」という）Ｗを保持する基板保持装置としてのスピンチャック１０とを備えている。また、洗浄装置１００は、処理容器１内へ濃度調節されたガスを導入するガス導入装置２０と、処理容器１内のガス濃度を検出する検出装置としてのガス濃度センサ３０と、を備えている。また、洗浄装置１００は、超音波を発生させ、スピンチャック１０に保持されたウエハＷの表面に超音波を伝搬させる超音波発生装置４０と、ウエハＷを冷却する冷却装置５０と、を備えている。さらに、洗浄装置１００は、洗浄装置１００における各構成部を制御する制御部６０を備えている。
【００２０】
この洗浄装置１００は、ガス導入装置２０によって処理容器１内に濃度調節されたガスを導入し、処理容器１内のガス濃度を調節しながら、超音波発生装置４０によって発生させた超音波によりウエハＷの洗浄を行うものである。
【００２１】
（処理容器）
処理容器１は、天板１ａ、側壁１ｂ及び底壁１ｃを備えている。処理容器１は、例えばアルミニウム、ＳＵＳなどの材質で形成されている。処理容器１の一側面には、図示を省略するが、ウエハＷの搬入出口が形成され、該搬入出口には、開閉シャッタが設けられている。
【００２２】
（スピンチャック）
処理容器１の内部には、図１に示すようにウエハＷを吸着保持する回転保持部材として、スピンチャック１０が設けられている。スピンチャック１０は、水平な上面を有し、当該上面には、例えばウエハＷを吸引する吸引口（図示せず）が設けられている。この吸引口からの吸引により、ウエハＷをスピンチャック１０上に吸着保持できる。
【００２３】
スピンチャック１０は、支柱１０ａと、駆動部１１を有している。駆動部１１は、例えばモータなどの回転駆動部を有しており、支柱１０ａを回転させることにより、スピンチャック１０に保持されたウエハＷを所定の速度で水平方向に回転できる。また、駆動部１１は、例えばシリンダなどの昇降駆動部を有しており、支柱１０ａを含むスピンチャック１０を上下に昇降変位させることができる。
【００２４】
スピンチャック１０の下方側にはガイドリング１２が設けられており、このガイドリング１２の外周縁は下方側に折曲して延びている。また、スピンチャック１０、このスピンチャック１０に保持されたウエハＷ及びガイドリング１２を囲むように、これらの外側にカップ１３が設けられている。カップ１３により、ウエハＷから飛散又は落下するパーティクルを受け止め、回収することができる。
【００２５】
このカップ１３の上部には、スピンチャック１０が昇降できるように、ウエハＷよりも大きい開口部１３ａが形成されている。また、カップ１３の内側周面とガイドリング１２の折曲した外周縁との間には、排出路となる隙間１４が形成されている。カップ１３の下方側は、ガイドリング１２の外周縁部分と共に屈曲路を形成して気液分離部を構成している。カップ１３の底部の内側領域には、カップ１３内の雰囲気を排気する排気口１５が形成されており、この排気口１５には排気管１５ａが接続されている。さらに、前記カップ１３の底部の外側領域には、回収した液体を排出する排液口１６が形成されており、この排液口１６には排液管１６ａが接続されている。
【００２６】
（ガス導入装置）
ガス導入装置２０は、処理容器１内へ濃度調節されたガスを導入する。ガス導入装置２０は、キャリアガス源２１と、該キャリアガス源２１からのキャリアガスを導入しながら液体を気化させる気化装置２２と、キャリアガス源２１と気化装置２２との間を接続する配管２３と、該配管２３に設けられたバルブ２４と、を有している。また、ガス導入装置２０は、気化装置２２で気化したガスを処理容器１内に供給する配管２５と、配管２５に設けられ、供給するガスの流量調節を行う流量調節装置（マスフローコントローラ（ＭＦＣ））２６と、配管２５に設けられたバルブ２７と、を有している。さらに、ガス導入装置２０は、配管２５によって処理容器１の側壁１ｂに設けられたガス導入口２８に接続されている。なお、洗浄装置１００は、ガス導入装置２０以外のガス導入機構として、例えば、処理容器１内をパージするためのパージガス導入装置などを有していてもよい。ガス導入装置２０によって処理容器１内へ導入するガスとしては、例えば、水分を含有する空気、水分を含有する窒素ガス、メタノールなどの有機溶媒を挙げることができる。
【００２７】
ガス導入装置２０によって、処理容器１内へ濃度調節されたガスを導入することによって、処理容器１内のガス濃度を厳密に管理することができる。また、処理容器１内のガス濃度は、処理容器１の側壁１ｂを介して内部雰囲気に露出するように装着されたガス濃度センサ３０によって検出することができる。例えば、ガス導入装置２０によって処理容器１内へ導入されるガスが、水分を含有する空気又は水分を含有する窒素ガスの場合、ガス濃度センサ３０としては湿度計が用いられる。
【００２８】
（超音波発生装置）
超音波発生装置４０は、超音波を発生させ、スピンチャック１０に保持されたウエハＷの表面に超音波を付与し、伝搬させる。超音波発生装置４０は、図示しない振動子を備えた超音波付与ヘッド４１と、超音波付与ヘッド４１を保持するアーム部材４２と、超音波付与ヘッド４１を移動させるヘッド駆動部４３と、超音波付与ヘッド４１に向けてパルス信号を出力する超音波発振器４４と、を有している。ヘッド駆動部４３は、超音波付与ヘッド４１とウエハＷの表面との距離を一定に保ちながら、超音波付与ヘッド４１をウエハＷに対して相対移動させる。超音波発振器４４は、制御部６０からの制御信号に基づきからパルス信号を超音波付与ヘッド４１の振動子（図示せず）に出力する。これにより、振動子が超音波振動し、ウエハＷ表面に超音波振動が付与される。本実施の形態では、気相中で使用するため、超音波付与ヘッド４１として増幅設備（例えばホーン）を有するものや、熱伝搬方式の振動子を有するものなどを用いることが好ましい。
【００２９】
（冷却装置）
冷却装置５０は、ノズル５１Ａ，５１Ｂと、ノズル５１Ａ，５１Ｂへ冷媒を供給する冷媒源５２と、ノズル５１Ａ，５１Ｂと冷媒源５２とを接続する冷媒供給管５３Ａ，５３Ｂと、を備えている。ノズル５１Ａは、ウエハＷの周縁部の裏面に冷媒を供給できるように配置されている。ノズル５１Ｂは、支柱１０ａ内に挿通された冷媒供給管５３Ｂを介してウエハＷの中央部の裏面に向けて冷媒を供給できるように配備されている。冷却装置５０は、冷媒源５２から所定温度に冷却された冷媒を供給し、ノズル５１Ａ，５１ＢからウエハＷの裏面に噴射することによって、ウエハＷを冷却することができる。ここで、冷媒としては、例えばＨｅガス、ＣＯ２ガスなどを用いることができる。なお、ウエハＷの冷却は、例えばチラー機構などによって行ってもよい。
【００３０】
（制御部）
洗浄装置１００を構成する各エンドデバイス（例えば、スピンチャック１０、ガス導入装置２０、ガス濃度センサ３０、超音波発生装置４０、冷却装置５０など）は、制御部６０に接続されて制御される構成となっている。コンピュータ機能を有する制御部６０は、ＣＰＵを備えたコントローラ６１と、このコントローラ６１に接続されたユーザーインターフェース６２および記憶部６３を備えている。ユーザーインターフェース６２は、工程管理者が洗浄装置１００を管理するためにコマンドの入力操作等を行うキーボードやタッチパネル、洗浄装置１００の稼働状況を可視化して表示するディスプレイ等を有している。記憶部６３には、洗浄装置１００で実行される各種処理をコントローラ６１の制御にて実現するための制御プログラム（ソフトウェア）や処理条件データ等が記録されたレシピが保存されている。そして、必要に応じて、ユーザーインターフェース６２からの指示等にて任意の制御プログラムやレシピを記憶部６３から呼び出してコントローラ６１に実行させることで、コントローラ６１の制御下で、洗浄装置１００の処理容器１内で所望の洗浄処理が行われる。
【００３１】
具体的には、コントローラ６１は、上記各エンドデバイスに対し、レシピに定められた条件で作動や停止を指示する。例えば、コントローラ６１は、処理容器１内のガス濃度をレシピに基づく範囲に保持するため、ガス導入装置２０に制御信号を送出し、作動や停止を指示するほか、処理容器１内に導入するガスの流量や濃度を調節する。この場合、コントローラ６１は、ガス濃度センサ３０により検出された処理容器１内のガス濃度の検出値の信号を参照し、ガス供給装置２０に対しフィードバック制御を行うこともできる。また、コントローラ６１は、スピンチャック１０、超音波発生装置４０、冷却装置５０などに対しても、制御信号を送出し、作動や停止を指示するほか、ガス濃度センサ３０により検出された処理容器１内のガス濃度の検出値の信号を参照しながら、これらのエンドデバイスにフィードバック制御を行うことができる。例えば、コントローラ６１は、ガス濃度センサ３０により検出された処理容器１内のガス濃度の検出値に応じて、超音波発生装置４０によって発生させる超音波の発振周波数や振動振幅などを調節することができる。また、コントローラ６１は、ガス濃度センサ３０により検出された処理容器１内のガス濃度の検出値に応じて、駆動部１１に制御信号を送出し、スピンチャック１０の回転速度を調節することもできる。さらに、コントローラ６１は、ガス濃度センサ３０により検出された処理容器１内のガス濃度の検出値に応じて、冷却装置５０によるウエハＷの冷却温度を調節するため、冷媒の温度や噴射量などを調節することもできる。
【００３２】
前記制御プログラムや処理条件データ等のレシピは、コンピュータ読み取り可能な記録媒体６４に格納された状態のものを記憶部６３にインストールすることによって利用できる。コンピュータ読み取り可能な記録媒体６４としては、特に制限はないが、例えばＣＤ−ＲＯＭ、ハードディスク、フレキシブルディスク、フラッシュメモリ、ＤＶＤなどを使用できる。また、前記レシピは、他の装置から、例えば専用回線を介して随時伝送させてオンラインで利用したりすることも可能である。
【００３３】
［洗浄方法］
洗浄装置１００では、ウエハＷに対して超音波発生装置４０によって発生させた超音波を利用した洗浄処理が行われる。洗浄装置１００における洗浄処理は、例えば、処理容器１内にウエハＷを搬入し、スピンチャック１０により回転可能に保持する工程と、処理容器１内にガスを導入し、処理容器１内のガス濃度を調節する工程と、ウエハＷを回転させながら、超音波発生装置４０によって超音波を発生させ、スピンチャック１０に保持されたウエハＷの表面に超音波を伝搬させることによりウエハＷの洗浄を行う工程と、を含むことができる。以下、各工程について説明する。
【００３４】
（ウエハの搬入及び固定）
まず、処理容器１の図示しない搬入出口を開放した状態で、外部の搬送装置によってウエハＷを搬入する。スピンチャック１０は、上記のとおり駆動部１１によって昇降変位が可能に構成されており、上昇位置において搬送装置との間でウエハＷの受け渡しを行う。次に、スピンチャック１０にウエハＷを保持した状態で下降させ、洗浄位置にセットする。
【００３５】
（ガス濃度の調整）
次に、ガス導入装置２０によって処理容器１内へ所定濃度のガスを導入する。すなわち、配管２３のバルブ２４及び配管２５のバルブ２７を開放し、キャリアガス源２１からキャリアガスを気化装置２２に導入する。そして、気化装置２２で気化されたガスをマスフローコントローラ２６で流量調節しながら、ガス導入口２８を介して処理容器１内へ供給する。キャリアガスとしては、例えば、乾燥エア、乾燥窒素ガスなどを用いることができる。また、気化装置２２に貯留され、気化対象となる液体としては、例えば蒸留水、有機溶媒などを挙げることができる。
【００３６】
ガスの導入開始後、例えば１０〜３００秒の間ガスの供給を続けることで、処理容器１内のガス濃度を安定化させる。例えば、ガスとして、水分を含有する空気又は水分を含有する窒素ガスを用いる場合、ウエハＷ表面に適量の水分子を付着させる観点から、処理容器１内の湿度が例えば０．１％〜処理容器１内の雰囲気温度における飽和水蒸気量未満となるように調節することが好ましい。処理容器１内の湿度が０．１％未満では、ウエハＷ表面への水分子の高効率な付着が困難であり、飽和水蒸気量以上であると、ウエハＷ表面に過剰量の水分子が付着し、液膜が形成されてしまう。なお、本実施の形態では、処理容器１内の圧力に関しては特段の制御は必要でなく、大気圧が好ましい。
【００３７】
（超音波洗浄処理）
次に、駆動部１１を駆動させ、スピンチャック１０によって保持したウエハＷを所定速度で回転させながら、超音波発生装置４０によって超音波を発生させ、スピンチャック１０に保持されたウエハＷの表面に超音波を伝搬させることによりウエハＷの洗浄を行う。具体的には、超音波発振器４４から超音波付与ヘッド４１に向けてパルス信号を出力してウエハＷの表面に超音波振動を付与する。この間、ヘッド駆動部４３によってアーム部材４２を動かし、超音波付与ヘッド４１を回転するウエハＷの径方向にスキャンさせる。
【００３８】
超音波洗浄処理において、超音波付与ヘッド４１からウエハＷ表面に付与する超音波の振動周波数は、ウエハＷの表面における音圧を好ましくは１×１０４Ｐａ〜１×１０６Ｐａの範囲内に制御する観点から、例えば２０ｋＨｚ〜１．６ＭＨｚの範囲内とすることが好ましい。
【００３９】
また、ウエハＷの回転速度は、超音波によって剥離されたパーティクルを遠心力によってウエハＷの径外方向に効率良く飛散させる観点から、例えば１００〜１０００ｒｐｍの範囲内とすることが好ましい。
【００４０】
ここで、本実施の形態の洗浄方法において、ガス導入装置２０を用いて処理容器１内のガス濃度を制御しながら超音波洗浄処理を施す意義について図２〜図５Ｂを参照して説明する。図２〜図４は、本実施の形態の洗浄方法によって生じるウエハＷ表面の状態変化を説明する模式図である。ここでは、所定濃度の水分を含む空気を処理容器１内に導入する場合を例に挙げて説明する。図５Ａ，図５Ｂは、比較例の洗浄方法におけるウエハＷの表面状態を説明する模式図である。
【００４１】
図２は、洗浄前の状態を示している。この状態では、処理容器１内の湿度の調整は行っていない。ウエハＷの表面には、複数の微細なパーティクル１０１が付着している。次に、図３は、ウエハＷの表面に水分子１０２が付着した状態を示している。この状態は、ウエハＷの表面に数層、例えば５層以下、好ましくは２〜３分子層程度の水分子１０２が付着している程度であり、液膜が生成した状態（完全に濡れた状態）とは異なる。目視では乾燥状態と区別できない程度の付着量である。このように、ウエハＷの表面に数層の水分子１０２が付着した状態は、ガス導入装置２０によって処理容器１内へ所定濃度の水分を含む空気を導入し、処理容器１内の湿度を上記範囲内に制御することによって作り出すことができる。
【００４２】
次に、図４に示すように、超音波発生装置４０によって超音波Ｕを発生させ、超音波付与ヘッド４１から、スピンチャック１０に保持されたウエハＷの表面に超音波を伝搬させる。本実施の形態では、数層の水分子１０２を介して超音波Ｕを伝搬させることによって、図４に示すように、超音波振動による物理力でウエハＷの表面に存在するパーティクル１０１を効果的に剥離させ、ウエハＷの表面から除去することができる。ウエハＷから回転の遠心力で飛散又は落下したパーティクル１０１は、カップ１３によりを受け止められ、隙間１４を介してカップ１３の底部に落下する。落下したパーティクルは、カップ１３の内部を水などで洗い流すことにより、排液口１６から回収することができる。
【００４３】
超音波洗浄の時間は、特に限定されるものではないが、例えば１〜１０分間の範囲内とすることができる。
【００４４】
（ウエハの搬出）
所定時間の超音波洗浄が終了したら、超音波発生装置４０及びスピンチャック１０の回転を停止し、スピンチャック１０とともにウエハＷを受け渡し位置まで上昇させる。そして、外部の搬送装置を用い、上記と逆の手順でウエハＷを処理容器１内から搬出することにより、１枚のウエハＷに関する洗浄処理が完了する。
【００４５】
（任意工程）
本実施の形態の洗浄方法は、上記以外の任意の工程を含むことができる。例えば、ウエハＷを洗浄する工程より前に、ウエハＷを冷却する工程を設けることが好ましい。ウエハＷの冷却は、冷却装置５０の冷媒源５２から冷媒例えば所定温度に冷却されたＨｅガスなどを供給し、ノズル５１Ａ及び／又はノズル５１ＢからウエハＷの裏面に噴射することによって行うことができる。超音波洗浄時のウエハＷの温度は、例えば０℃〜２００℃の範囲内であればよいが、本工程でウエハＷの冷却を行う場合は、処理容器１内の雰囲気温度から１０℃程度低い温度までの範囲内に冷却することが好ましい。このように、ウエハＷを処理容器１内の雰囲気温度よりも低い温度に冷却しておくことによって、ガス中に含まれる分子（例えば水分子）がウエハＷ表面に付着しやすくなり、数層の厚みのガス分子をウエハＷ表面に効率よく形成することができる。また、超音波発生装置４０によってウエハＷに対して超音波を付与している間、冷却装置５０によるウエハＷの冷却を継続して行うことが好ましい。
【００４６】
［作用］
次に、比較例の洗浄方法との対比において、本発明の作用効果について説明する。図５Ａは、ウエハＷの表面に多量の水２００が存在する状態で超音波洗浄を行う場合であり、例えば、ウエハＷを水中に浸漬するディップ方式、あるいは、スピンチャック１０に固定したウエハＷの表面に水２００を滴下しながら、厚さ数ｍｍ程度の液膜を形成した状態で超音波Ｕを付与するスピン洗浄方式を挙げることができる。図５ＢはウエハＷの表面が完全に乾燥した状態で超音波洗浄を行うドライ洗浄方式を示している。
【００４７】
図５Ａに示したように、水中で超音波振動を伝搬させる方式（以下、「ウェット洗浄方式」と記すことがある）では、超音波発生装置として、ウエハＷの表面での音圧が例えば１×１０５〜５×１０５Ｐａ程度の大きさとなるものを使用できるため、大きな物理力によってパーティクル１０１の除去効率が高い。このような超音波発生装置の例として、本多電子株式会社製石英振動体型洗浄機（型式Ｗ−３５７−１ＭＱＢ−ＣＶ）などを挙げることができる。しかし、上述のように、ウェット洗浄方式はウエハＷ表面に形成されたパターンへのダメージが大きく、水溶性材料の溶出によるマテリアルロスが問題となる。
【００４８】
一方、図５Ｂに示したようなドライ洗浄方式の場合は、超音波発生装置として、振動子の後段に増幅設備（ホーン）を備えたものや、熱伝搬方式の振動子を有するものを使用する。この場合、ウエハＷの表面での音圧は例えば２×１０２Ｐａ程度に留まるため、パーティクル１０１の除去効率が十分に得られないという問題がある。なお、ウェット洗浄方式で使用される大きな音圧を発生できる超音波発生装置(例えば、上記の本多電子株式会社製石英振動体型洗浄機（型式Ｗ−３５７−１ＭＱＢ−ＣＶ））は、空気中では振動子が異常加熱してしまうためドライ洗浄方式では使用できない。
【００４９】
超音波振動によって発生する音圧の大きさは、ウエハＷ表面の分子密度に依存する。図５Ａ及び図５Ｂに示した比較例の洗浄方法に対し、本実施の形態の洗浄方法では、図４に示したように、数層の水分子１０２を介して超音波Ｕを伝搬させることによって、パーティクル１０１に与えられる音圧を例えば最大で１×１０６Ｐａ程度まで増加させることが可能になる。つまり、ウエハＷの表面に数層の水分子１０２を付着させておくことにより、通常ドライ洗浄方式で使用される超音波発生装置を用いて、ドライ洗浄方式の場合より大きな音圧をウエハＷ表面に加えることが可能になる。また、この程度の音圧であれば、湿式法のようなパターンへのダメージの問題は生じず、水分量も少ないため、マテリアルロスも生じない。このような原理によって、本実施の形態の洗浄方法では、ウエハＷの表面に存在するパーティクル１０１を効果的に剥離させ、ウエハＷの表面から効率良く除去することができる。
【００５０】
なお、処理容器１内の湿度の調整によってウエハＷ表面に付着させた水分子層の厚み（層数Ｎ）は、以下の手順で計測することができる。まず、ウエハＷの表面に水分子が付着した状態で全体の重量を測定する。次に、付着した水分を加熱脱離させた状態でウエハＷの重量を測定する。そして、水分子の加熱脱離の前後のウエハＷの重量変化から付着水分の重量を算出する。次に、ウエハＷの表面に１層の水分子が規則的に配列した状態を仮定し、その時の分子量Ｍを計算によって求める。また、上記計測された付着水分の重量から、計算によって分子量Ｍ１を求める。そして、ウエハＷ表面に付着させた水分子層の厚み（層数Ｎ）は、次の式；Ｎ＝Ｍ１／Ｍ、によって算出することができる。
【００５１】
以上のように、本実施の形態の洗浄装置１００及び洗浄方法によれば、ガス導入装置２０によって処理容器１内に濃度調節されたガスを導入し、処理容器１内のガス濃度を調節することによって、ウエハＷの表面に数層の厚みのガス分子を付着させた状態で超音波洗浄を行うことができる。これによって、超音波によるパターン崩れやマテリアルロスを発生させることなく、ウエハＷ表面のパーティクルを効果的に除去できる。
【００５２】
以上、本発明の実施の形態を例示の目的で詳細に説明したが、本発明は上記実施の形態に制約されることはなく、種々の変形が可能である。例えば、本発明は、半導体ウエハを被処理体とする場合に限らず、例えば太陽電池パネル用基板やフラットパネルディスプレイ用基板を被処理体とする場合にも適用できる。
【００５３】
また、ガス導入装置２０は、所定濃度のガスを生成できればよいため、図１に示した構成のバブリング方式の気化装置２２に限らず、例えばノズルから噴射して気化させる方式などでもよい。
【符号の説明】
【００５４】
１…処理容器、１０…スピンチャック、１１…駆動部、１２…ガイドリング、１３…カップ、１５…排気口、１６…排液口、２０…ガス導入装置、２１…キャリアガス源、２２…気化装置、３０…ガス濃度センサ、４０…超音波発生装置、４１…超音波付与ヘッド、４４…超音波発振器、５０…冷却装置、６０…制御部、６１…コントローラ、６２…ユーザーインターフェース、６３…記憶部、６４…記録媒体、１００…洗浄装置、Ｗ…半導体ウエハ（ウエハ）
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５Ａ】
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【図５Ｂ】
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