(57)【要約】【課題】感温ダイオードを備える過熱保護回路において、外来ノイズによる誤動作を、従来よりも低減すること。【解決手段】スイッチング素子（２４）と同一の基板（２６）に形成された感温ダイオード（１２）と、スイッチング素子のオンに対応して、感温ダイオードに第１定電流（Ｉａ）を供給し、スイッチング素子のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオードに第１定電流よりも小さい第２定電流（Ｉｂ）を供給する電流供給部（１４）と、第１定電流（Ｉａ）が供給されるときの検出値が過熱検出用の閾値よりも小さい場合に、異常検出信号を出力し、第２定電流（Ｉｂ）が供給されるときの検出値が感温ダイオードの故障を示す閾値よりも小さい場合に、異常検出信号を出力する電圧検出部（１６）と、第１定電流が供給され、電圧検出部から異常検出信号が出力されている場合に、スイッチング素子をオフさせるオフ手段（１８）と、を備える。【選択図】図１
2014039220.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スイッチング素子（２４）と同一の基板（２６）に形成された感温ダイオード（１２）と、
前記感温ダイオード（１２）と直列に接続され、負荷（２２）を所定の駆動状態とすべく設定される前記スイッチング素子（２４）の駆動制御信号に基づいて、前記感温ダイオード（１２）に定電流を供給するものであり、前記スイッチング素子（２４）のオンに対応して、前記感温ダイオード（１２）に第１定電流（Ｉａ）を供給し、前記スイッチング素子（２４）のオフのうち、少なくとも一部に対応して、前記感温ダイオード（１２）に前記第１定電流（Ｉａ）よりも小さい第２定電流（Ｉｂ）を供給する電流供給部（１４）と、
前記感温ダイオード（１２）の順方向降下電圧を検出して検出値を所定の閾値と比較し、前記検出値が前記閾値よりも小さい場合に、出力信号として、異常を示す異常検出信号を出力するものであり、前記第１定電流（Ｉａ）が供給されるときの前記検出値が過熱検出用の前記閾値よりも小さい場合に、前記異常検出信号を出力し、前記第２定電流（Ｉｂ）が供給されるときの前記検出値が感温ダイオード故障診断用の前記閾値よりも小さい場合に、前記異常検出信号を出力する電圧検出部（１６）と、
前記第１定電流（Ｉａ）が供給され、前記電圧検出部（１６）から前記異常検出信号が出力される場合に、前記スイッチング素子（２４）をオフさせるオフ手段（１８）と、
を備えることを特徴とする過熱保護回路。
【請求項２】
前記駆動制御信号と前記電圧検出部（１６）の出力信号とに基づいて、前記感温ダイオード（１２）の故障有無を判定し、判定結果に応じた判定信号を出力する故障診断部（２０）を備え、
前記故障診断部（２０）は、前記第２定電流（Ｉｂ）が供給されるときの前記検出値が前記感温ダイオード（１２）の故障を示す前記閾値よりも小さい場合に、前記判定信号として、前記感温ダイオード（１２）に故障が生じたことを示す故障信号を出力することを特徴とする請求項１に記載の過熱保護回路。
【請求項３】
前記電流供給部（１４）は、前記スイッチング素子（２４）がデューティ駆動されるオン期間と、オフ期間とのうち、前記オン期間における前記スイッチング素子（２４）のオンに対応して、前記感温ダイオード（１２）に前記第１定電流（Ｉａ）を供給し、前記オン期間における前記スイッチング素子（２４）のオフ及び前記オフ期間に対応して、前記感温ダイオード（１２）に前記第２定電流（Ｉｂ）を供給することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の過熱保護回路。
【請求項４】
前記電流供給部（１４）は、前記スイッチング素子（２４）がデューティ駆動されるオン期間と、オフ期間とのうち、前記オン期間の全てに対応して、前記感温ダイオード（１２）に前記第１定電流（Ｉａ）を供給し、前記オフ期間に対応して、前記感温ダイオード（１２）に前記第２定電流（Ｉｂ）を供給することを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の過熱保護回路。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、感温ダイオードを備える過熱保護回路に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来、特許文献１に記載のように、パワーＭＯＳ（スイッチング素子）と同一の半導体チップに形成されたダイオード（感温ダイオード）を備える半導体リレー（過熱保護回路）が知られている。この過熱保護回路では、感温ダイオードの順方向降下電圧が負の温度特性を有する、すなわち温度が高いほど順方向降下電圧が小さくなることを利用し、順方向降下電圧が所定の閾値よりも小さくなると、スイッチング素子をオフするようになっている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２０００−３０７４０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
ところで、感温ダイオードの順方向降下電圧の温度特性は、−２ｍＶ／℃程度と小さい。このように電位レベルが低いため、外来ノイズの影響を受けやすく、正常であるにもかかわらず、過熱状態にあると検出するなど、誤動作が生じる虞がある。
【０００５】
これに対し、特許文献１では、感温ダイオードにローパスフィルタを接続することで、高周波ノイズを除去し、誤動作を抑制するようにしている。しかしながら、このようなフィルタを設けてもノイズレベルが高い場合には、誤動作が生じてしまう。
【０００６】
そこで、本発明は上記問題点に鑑み、感温ダイオードを備える過熱保護回路において、外来ノイズによる誤動作を、従来よりも低減することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係る過熱保護回路（１０）は、
スイッチング素子（２４）と同一の基板（２６）に形成された感温ダイオード（１２）と、
感温ダイオード（１２）と直列に接続され、負荷（２２）を所定の駆動状態とすべく設定されるスイッチング素子（２４）の駆動制御信号に基づいて、感温ダイオード（１２）に定電流を供給するものであり、スイッチング素子（２４）のオンに対応して、感温ダイオード（１２）に第１定電流（Ｉａ）を供給し、スイッチング素子（２４）のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード（１２）に第１定電流（Ｉａ）よりも小さい第２定電流（Ｉｂ）を供給する電流供給部（１４）と、
感温ダイオード（１２）の順方向降下電圧を検出して検出値を所定の閾値と比較し、検出値が閾値よりも小さい場合に、出力信号として、異常を示す異常検出信号を出力するものであり、第１定電流（Ｉａ）が供給されるときの検出値が過熱検出用の閾値よりも小さい場合に、異常検出信号を出力し、第２定電流（Ｉｂ）が供給されるときの検出値が感温ダイオード故障診断用の閾値よりも小さい場合に、異常検出信号を出力する電圧検出部（１６）と、
第１定電流（Ｉａ）が供給され、電圧検出部から異常検出信号が出力される場合に、スイッチング素子（２４）をオフさせるオフ手段（１８）と、を備えることを特徴とする。
【０００８】
これによれば、スイッチング素子（２４）のオンに対応して、過熱検出をすることができる。また、過熱検出に際し、感温ダイオード（１２）に、第２定電流（Ｉｂ）よりも大きい第１定電流（Ｉａ）を供給するため、これにより順方向降下電圧の電位レベルを高めてノイズマージンを稼ぎ、外来ノイズの影響を受けにくくすることができる。すなわち、外来ノイズによる誤動作を、従来よりも低減することができる。
【０００９】
さらに、スイッチング素子（２４）のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード（１２）に第２定電流（Ｉｂ）を供給するため、そのときの順方向降下電圧に基づき、感温ダイオード（１２）の故障、例えばグランドショートの有無を検出することができる。また、このように感温ダイオード（１２）の故障を検出できる構成としながらも、スイッチング素子（２４）のオフに対応して第１定電流（Ｉａ）を供給する構成に較べて、消費電力を低減することができる。
【００１０】
また、本発明のさらなる特徴は、駆動制御信号と電圧検出部（１６）の出力信号とに基づいて、感温ダイオード（１２）の故障有無を判定し、判定結果に応じた判定信号を出力する故障診断部（２０）を備え、故障診断部（２０）は、第２定電流（Ｉｂ）が供給されるときの検出値が感温ダイオード（１２）の故障を示す閾値よりも小さい場合に、判定信号として、感温ダイオード（１２）に故障が生じたことを示す故障信号を出力することにある。
【００１１】
これによれば、スイッチング素子（２４）のオフに対応して、感温ダイオード（１２）に第２定電流（Ｉｂ）が供給されるのを利用し、感温ダイオード（１２）における故障有無を判定することができる。
【００１２】
また、本発明のさらなる特徴は、電流供給部（１４）は、スイッチング素子（２４）がデューティ駆動されるオン期間と、オフ期間とのうち、オン期間におけるスイッチング素子（２４）のオンに対応して、感温ダイオード（１２）に第１定電流（Ｉａ）を供給し、オン期間におけるスイッチング素子（２４）のオフ及びオフ期間に対応して、感温ダイオード（１２）に第２定電流（Ｉｂ）を供給することにある。
【００１３】
これによれば、スイッチング素子（２４）をデューティ駆動するオン期間において、スイッチング素子（２４）をオフ→オンとする際に、感温ダイオード（１２）の順方向降下電圧が所望の電位レベルに到達するまでの時間を、オフで電流ゼロとする場合に較べて短くすることができる。これにより、過熱を検出し、スイッチング素子（２４）をオフさせるまでの時間を短縮することができる。また、第２定電流（Ｉｂ）を供給するため、オン期間中、第１定電流（Ｉａ）を供給する構成に較べて、消費電力を低減することもできる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】第１実施形態に係る過熱保護回路の概略構成を示す回路図である。
【図２】電流選択部の一例を示す図である。
【図３】電流供給部を構成する第１ＳＷと第２ＳＷの切替タイミングを示す図である。
【図４】第２実施形態に係る過熱保護回路の概略構成を示す回路図である。
【図５】電流供給部を構成する第１ＳＷと第２ＳＷの切替タイミングを示す図である。
【図６】過熱保護回路の第１変形例を示す回路図である。
【図７】過熱保護回路の第２変形例を示す回路図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明の実施の形態を、図面を参照して説明する。なお、以下に示す各実施形態において、共通乃至関連する要素には同一の符号を付与するものとする。
【００１６】
（第１実施形態）
図１に示すように、過熱保護回路１０は、要部として、感温ダイオード１２と、該感温ダイオード１２に定電流を供給する電流供給部１４と、感温ダイオード１２の順方向降下電圧と所定の閾値とを比較し、比較結果を出力する電圧検出部としてのコンパレータ１６と、所定の条件が揃うとスイッチング素子２４をオフさせるオフ手段としてのＡＮＤゲート１８と、を備えている。さらに、本実施形態では、過熱保護回路１０が、故障診断部２０を備えている。
【００１７】
感温ダイオード１２は、モータ等の負荷２２の駆動状態を制御するスイッチング素子２４と、同一の基板２６に形成されている。この基板２６は、感温ダイオード１２とスイッチング素子２４がともに形成された半導体チップである。スイッチング素子２４は、電源とグランドの間で、負荷２２を電源側（高電位側）として、負荷２２に直列接続されている。このスイッチング素子２４としては、絶縁ゲート型のトランジスタであるＭＯＳＦＥＴやＩＧＢＴを採用することができる。本実施形態では、ｎチャネル型のＭＯＳＦＥＴを採用しており、ＭＯＳＦＥＴのソースが接地され、ドレインが負荷２２に接続されている。
【００１８】
また、スイッチング素子２４のゲートには、ゲート信号生成部２８（ゲートドライバ）から、ゲート信号が入力されるようになっている。また、ゲート信号生成部２８には、ＰＷＭ信号生成部３０からＰＷＭ信号が入力され、ＰＷＭ信号生成部３０には、駆動信号生成部３２から駆動信号が入力されるようになっている。
【００１９】
ここで、駆動信号とは指令電圧であり、本実施形態では、図３に示すように、スイッチング素子２４がデューティ駆動されるオン期間はハイレベル「１」、オフ期間はローレベル「０」の信号となっている。ＰＷＭ信号とは、上記駆動信号と三角波などのキャリア信号とにより形成され、図３に示すように所定のデューティ比を有している。ゲート信号とは、ＰＷＭ信号を増幅処理等したものである。スイッチング素子２４は、ＰＷＭ信号がハイレベルでオンとなり、ローレベルでオフとなる。このため、スイッチング素子２４のオン期間、換言すればデューティ駆動期間において、スイッチング素子２４は、オンとオフを取りうる。一方、スイッチング素子２４のオフ期間、換言すればデューティ駆動オフ期間において、スイッチング素子２４はオフとなる。
【００２０】
電流供給部１４は、感温ダイオード１２と直列に接続され、スイッチング素子２４の駆動を制御する駆動制御信号に基づいて、感温ダイオード１２に定電流を供給するものである。ここで言う駆動制御信号とは、上記した駆動信号及びＰＷＭ信号の少なくとも一方である。そして、スイッチング素子２４のオンに対応して、感温ダイオード１２に第１定電流Ｉａを供給し、スイッチング素子２４のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂを供給するように構成されている。第２定電流Ｉｂは、第１定電流Ｉａよりも小さい（Ｉｂ＜Ｉａ）値に設定されている。
【００２１】
本実施形態では、図１に示すように、電流供給部１４が、第１定電流Ｉａを供給する第１定電流源３４と、第２定電流Ｉｂを供給する第２定電流源３６と、を有している。これら定電流源３４，３６は、並列に設けられている。第１定電流源３４には、第１定電流源３４を低電位側として第１ＳＷ３８が直列接続されており、第２定電流源３６には、第２定電流源３６を低電位側として第２ＳＷ４０が直列接続されている。これらＳＷ３８，４０は、ともにｐチャネル型のＭＯＳＦＥＴであり、ドレインがグランド側、ソースが電源側となっている。
【００２２】
そして、ＳＷ３８，４０のゲートは、電流選択部４２を介して、ＰＷＭ信号生成部３０とゲート信号生成部２８とを電気的に接続するラインに接続されている。すなわち、電流選択部４２には、ＰＷＭ信号が入力される。この電流選択部４２は、第１定電流Ｉａ及び第２定電流Ｉｂのいずれか一方を、感温ダイオード１２に供給する電流として選択するものである。本実施形態では、図２に示すように、電流選択部４２が、ＮＯＴゲート４４を有しており、ＳＷ３８，４０のうち、第１ＳＷ３８のゲートには、ＮＯＴゲート４４を介してＰＷＭ信号が入力されるようになっている。例えばＰＷＭ信号がハイレベルの場合、第１ＳＷ３８のゲートに入力される信号は、ＮＯＴゲート４４にて反転されてローレベルとなり、第１ＳＷ３８はオンとなる。一方、第２ＳＷ４０のゲートには、ＰＷＭ信号そのもの、すなわちハイレベルの信号が入力されるため、第２ＳＷ４０はオフとなる。また、ＰＷＭ信号がローレベルの場合、第１ＳＷ３８のゲートに入力される信号は、ＮＯＴゲート４４にて反転されてハイレベルとなり、第１ＳＷ３８はオフとなる。一方、第２ＳＷ４０のゲートには、ローレベルの信号が入力されるため、第２ＳＷ４０はオンとなる。このように、第１ＳＷ３８のオン・オフは、図３に示すＰＷＭ信号のハイ・ローと同様となり、第２ＳＷ４０のオン・オフは、ＰＷＭ信号のハイ・ローに対して逆となる。
【００２３】
コンパレータ１６は、感温ダイオード１２の順方向降下電圧と、閾値設定部４６にて設定された閾値とを比較して、その比較結果を２値の信号で出力するように構成されている。コンパレータ１６の非反転入力端子（＋）と電流供給部１４との接続点には、感温ダイオード１２のカソードが接続されている。すなわち、感温ダイオード１２の順方向降下電圧が非反転入力端子に入力されるようになっている。一方、コンパレータ１６の反転入力端子（−）には、閾値設定部４６が接続されている。
【００２４】
本実施形態では、閾値設定部４６が、ＰＷＭ信号に基づいて閾値を設定するようになっている。詳しくは、ＰＷＭ信号がハイレベルの場合、過熱検出用の閾値を設定する。また、ＰＷＭ信号がローレベルの場合、感温ダイオード１２の故障診断用の閾値を設定する。本実施形態では、故障診断用の閾値として、グランドショート診断用の閾値を設定する。これら閾値は、予め設定されて閾値設定部４６に格納されている。
【００２５】
ところで、感温ダイオード１２の順方向降下電圧は、負の温度特性を有しており、−２ｍＶ／℃程度である。スイッチング素子２４がオンされている、すなわち感温ダイオード１２に第１定電流Ｉａが供給されているときの、順方向降下電圧を示す非反転入力端子の電圧が、過熱検出用の閾値を示す反転入力端子の電圧よりも大きいと、コンパレータ１６の出力信号として、ハイレベルが出力される。一方、非反転入力端子の電圧が、反転入力端子の電圧よりも小さいと、コンパレータ１６の出力信号として、ローレベルが出力される。また、スイッチング素子２４がオフされている、すなわち感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂが供給されているときの、非反転入力端子の電圧が、故障診断用の閾値を示す反転入力端子の電圧よりも大きいと、コンパレータ１６の出力信号として、ハイレベルが出力される。一方、非反転入力端子の電圧が、反転入力端子の電圧よりも小さいと、コンパレータ１６の出力信号として、ローレベルが出力される。コンパレータ１６の出力信号のうち、ハイレベルの信号は正常信号であり、ローレベルの信号は、過熱状態か、感温ダイオード１２の故障を示す異常検出信号である。
【００２６】
ＡＮＤゲート１８は、第１定電流Ｉａが供給されている、すなわちスイッチング素子２４がオンされている場合に、コンパレータ１６から異常検出信号が出力されると、駆動信号によらず、スイッチング素子２４を強制的にオフさせるように構成されている。ＡＮＤゲート１８の入力端子の一方には、コンパレータ１６の出力信号が入力され、入力端子の他方には、駆動信号生成部３２から駆動信号が入力されるようになっている。そして、ＡＮＤゲート１８の出力が、ＰＷＭ信号生成部３０に入力されるようになっている。このように、駆動信号は、直接的にＰＷＭ信号生成部３０に入力されるのではなく、ＡＮＤゲート１８を介して入力されるようになっている。
【００２７】
ＡＮＤゲート１８は、一対の入力端子ともにハイレベルが入力された場合にのみ、ハイレベルを出力する。したがって、コンパレータ１６から異常検出信号（ローレベル）が入力されると、ＡＮＤゲート１８からの出力は、駆動信号がハイレベル及びローレベルのいずれであっても、ローレベル「０」となる。したがって、ＰＷＭ信号もローレベルとなり、スイッチング素子２４をオフとすることができる。
【００２８】
故障診断部２０は、感温ダイオード１２における故障有無を判定し、判定結果に応じた判定信号を出力するものである。本実施形態では、故障診断部２０が負論理のＮＯＲゲートとなっている。故障診断部２０の入力端子の一方には、コンパレータ１６の出力信号が入力され、入力端子の他方には、駆動信号生成部３２から駆動信号が入力されるようになっている。故障診断部２０から出力される判定信号は、一対の入力端子ともにローレベルが入力された場合にのみ、ハイレベル「１」を出力する。すなわち、駆動信号がローレベル、且つ、コンパレータ１６の出力信号が異常検出信号であるがローレベルの場合にのみ、ハイレベル「１」を出力する。それ以外は、ローレベル「０」となる。故障診断部２０の判定信号のうち、ローレベルの信号は正常信号であり、ハイレベルの信号は、感温ダイオード１２に故障が生じていることを示す故障信号である。
【００２９】
なお、過熱保護回路１０を構成する電流供給部１４、コンパレータ１６、ＡＮＤゲート１８、故障診断部２０、ゲート信号生成部２８、ＰＷＭ信号生成部３０、駆動信号生成部３２、及び閾値設定部４６は、同一のＩＣチップ４８に形成されている。
【００３０】
次に、本実施形態に係る過熱保護回路１０の特徴部分の作用効果について説明する。
【００３１】
本実施形態では、スイッチング素子２４のオンに対応して、感温ダイオード１２に第１定電流Ｉａを供給し、コンパレータ１６が、このときの順方向降下電圧を過熱検出用の閾値と比較する。したがって、スイッチング素子２４の異常により、感温ダイオード１２の周囲部分、すなわち基板２６の温度が上昇した場合に、過熱状態にあることを検出することができる。
【００３２】
また、過熱検出に際し、感温ダイオード１２に、第２定電流Ｉｂよりも大きい第１定電流Ｉａを供給するため、これにより順方向降下電圧の電位レベルを高めてノイズマージンを稼ぎ、外来ノイズの影響を受けにくくすることができる。すなわち、外来ノイズによる誤動作を、従来よりも低減することができる。
【００３３】
さらに、スイッチング素子２４のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂを供給するため、そのときの順方向降下電圧に基づき、感温ダイオード１２の故障、例えばグランドショートの有無を検出することができる。特に本実施形態では、故障診断部２０を備えるため、感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂが供給されるのを利用して、感温ダイオード１２における故障有無を判定することもできる。また、このように、感温ダイオード１２の故障を検出できる構成としながらも、スイッチング素子２４のオフに対応して第１定電流Ｉａを供給する構成に較べて、消費電力を低減することができる。
【００３４】
また、電流供給部１４は、スイッチング素子２４がデューティ駆動されるオン期間と、オフ期間とのうち、オン期間におけるスイッチング素子２４のオンに対応して、感温ダイオード１２に第１定電流Ｉａを供給する。そして、オン期間におけるスイッチング素子２４のオフ及びオフ期間に対応して、感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂを供給する。したがって、オン期間において、スイッチング素子２４をオフ→オンとする際に、感温ダイオード１２の順方向降下電圧が所望の電位レベルに到達（回復）するまでの時間を、オフで電流ゼロとする場合に較べて短くすることができる。これにより、過熱時に、スイッチング素子２４をオフさせるまでの時間を短縮することができる。また、第２定電流Ｉｂを供給するため、オン期間中、第１定電流Ｉａを供給する構成に較べて、消費電力を低減することもできる。
【００３５】
（第２実施形態）
本実施形態において、上記実施形態に示した過熱保護回路１０と共通する部分についての説明は割愛する。
【００３６】
本実施形態の特徴は、電流供給部１４が、オン期間とオフ期間とのうち、オン期間の全てに対応して感温ダイオード１２に第１定電流Ｉａを供給し、オフ期間に対応して、感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂを供給することにある。すなわち、デューティ駆動されるオン期間中は感温ダイオード１２に第１定電流Ｉａを供給し、オフ期間中は、感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂを供給することにある。
【００３７】
図４に示すように、ＳＷ３８，４０のゲートは、電流選択部４２を介して、駆動信号生成部３２とＡＮＤゲート１８とを電気的に接続するラインに接続されている。すなわち、電流選択部４２には、ＡＮＤゲート１８に入力される前の駆動信号が入力される。本実施形態でも、第１実施形態同様、電流選択部４２が、ＮＯＴゲート４４を有しており、ＳＷ３８，４０のうち、第１ＳＷ３８のゲートには、ＮＯＴゲート４４を介して駆動信号が入力されるようになっている。例えば駆動信号がハイレベルの場合、第１ＳＷ３８のゲートに入力される信号は、ＮＯＴゲート４４にて反転されてローレベルとなり、第１ＳＷ３８はオンとなる。一方、第２ＳＷ４０のゲートには、駆動信号そのもの、すなわちハイレベルの信号が入力されるため、第２ＳＷ４０はオフとなる。また、駆動信号がローレベルの場合、第１ＳＷ３８のゲートに入力される信号は、ＮＯＴゲート４４にて反転されてハイレベルとなり、第１ＳＷ３８はオフとなる。一方、第２ＳＷ４０のゲートには、ローレベルの信号が入力されるため、第２ＳＷ４０はオンとなる。このように、第１ＳＷ３８のオン・オフは、図５に示す駆動信号のハイ・ローと同様となり、第２ＳＷ４０のオン・オフは、駆動信号のハイ・ローに対して逆となる。すなわち、オン期間中は第１ＳＷ３８がオンして第１定電流Ｉａが供給され、オフ期間中は第２ＳＷ４０がオンして第２定電流Ｉｂが供給されるようになっている。
【００３８】
次に、本実施形態に係る過熱保護回路１０の特徴部分の作用効果について説明する。
【００３９】
上記したように、本実施形態では、オン期間におけるスイッチング素子２４のオフタイミングに第１定電流Ｉａを供給する。したがって、オン期間において、スイッチング素子２４をオフ→オンで感温ダイオード１２に供給する電流が変化しない。このため、オン期間において、スイッチング素子２４をオフ→オンとする際に、感温ダイオード１２の順方向降下電圧が所望の電位レベルに到達（回復）するまでの時間を、さらに短くすることができる。これにより、過熱を検出し、スイッチング素子２４をオフさせるまでの時間を、さらに短縮することができる。
【００４０】
以上、本発明の好ましい実施形態について説明したが、本発明は上述した実施形態になんら制限されることなく、本発明の主旨を逸脱しない範囲において、種々変形して実施することが可能である。
【００４１】
上記実施形態では、駆動信号生成部３２とゲート信号生成部２８の間に、ＰＷＭ信号生成部３０を有し、スイッチング素子２４をデューティ駆動する例を示した。しかしながら、ＰＷＭ信号生成部３０を有さない、すなわちスイッチング素子２４をデューティ駆動しない構成としても良い。
【００４２】
上記実施形態では、過熱保護回路１０が故障診断部２０を有する例を示したが、故障診断部２０を有さず、過熱保護回路１０の外部にコンパレータ１６の出力信号を出力して、判定するようにしても良い。
【００４３】
上記実施形態では、同一のＩＣチップ４８に、過熱保護回路１０を構成する電流供給部１４、コンパレータ１６、ＡＮＤゲート１８、故障診断部２０、ゲート信号生成部２８、ＰＷＭ信号生成部３０，駆動信号生成部３２、及び閾値設定部４６が形成される例を示した。しかしながら、上記例に限定されるものではない。例えば図６に示す第１変形例では、ＩＣチップ５０に、電流供給部１４、コンパレータ１６、ゲート信号生成部２８、及び閾値設定部４６が、形成されている。また、マイコン５２が、ＡＮＤゲート１８、故障診断部２０、ＰＷＭ信号生成部３０、及び駆動信号生成部３２を有している。
【００４４】
上記実施形態では、オフ手段としてＡＮＤゲート１８を備える例を示した。しかしながら、オフ手段は上記例に限定されるものではない。例えば図７に示す第２変形例では、第２実施形態に示したように、オン期間中は第１定電流Ｉａが供給される構成において、駆動信号生成部３２がオフ手段を兼ねており、コンパレータ１６の出力信号が駆動信号生成部３２に入力されるようになっている。駆動信号生成部３２は、駆動信号がハイレベル「１」のときに、コンパレータ１６から異常検出信号が入力されると、駆動信号をローレベル「０」とする。なお、第１実施形態同様、スイッチング素子２４のオンに対応して第１定電流Ｉａが供給される構成の場合、コンパレータ１６の出力信号がＰＷＭ信号生成部３０に入力され、ＰＷＭ信号生成部３０がオフ手段を兼ねるようにしても良い。
【００４５】
上記実施形態では、電流選択部４２がＮＯＴゲート４４を備える例を示した。しかしながら、電流選択部４２は、上記例に限定されるものではない。駆動制御信号に基づいて、第１定電流Ｉａ及び第２定電流Ｉｂのいずれか一方が感温ダイオード１２に供給されるように、定電流源３４，３６を選択できるものであれば良い。
【００４６】
第１実施形態では、オン期間におけるスイッチング素子２４のオン（ＰＷＭ信号のハイレベル）に対応して、感温ダイオード１２に第１定電流Ｉａを供給し、オン期間におけるスイッチング素子２４のオフ及びオフ期間に対応して、感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂを供給する例を示した。また、第２実施形態では、オン期間の全てに対応して、感温ダイオード１２に第１定電流Ｉａを供給し、オフ期間中、感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂを供給する例を示した。しかしながら、電流供給部１４としては、スイッチング素子２４のオンに対応して、感温ダイオード１２に第１定電流Ｉａを供給し、スイッチング素子２４のオフのうち、少なくとも一部に対応して、感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂを供給することのできるものであれば良い。オン期間におけるスイッチング素子２４のオフ及びオフ期間の少なくとも一部で、感温ダイオード１２に供給する電流をゼロとしても良い。すなわち、常に第２定電流Ｉｂを供給するのではなく、たまに第２定電流Ｉｂを供給しても良い。例えばオン期間におけるスイッチング素子２４のオフ（デューティ駆動中のオフ）に対応して、感温ダイオード１２に流れる電流をゼロとし、オフ期間中、感温ダイオード１２に第２定電流Ｉｂを供給するようにしても良い。また、デューティ駆動中のオフにおいて、第２定電流Ｉｂと電流ゼロを交互に設定しても良い。
【符号の説明】
【００４７】
１０・・・過熱保護回路、１２・・・感温ダイオード、１４・・・電流供給部、１６・・・コンパレータ（電圧検出部）、１８・・・ＡＮＤゲート（オフ手段）、２０・・・故障診断部、２２・・・負荷、２４・・・スイッチング素子、２６・・・基板、２８・・・ゲート信号生成部、３０・・・ＰＷＭ信号生成部、３２・・・駆動信号生成部、３４・・・第１定電流源、３６・・・第２定電流源、３８・・・第１ＳＷ、４０・・・第２ＳＷ、４２・・・電流選択部、４４・・・ＮＯＴゲート、４６・・・閾値設定部、４８・・・ＩＣチップ、５０・・・ＩＣチップ、５２・・・マイコン、Ｉａ・・・第１定電流、Ｉｂ・・・第２定電流
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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