【手続補正書】
【提出日】令和3年5月1日(2021.5.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
なお、本実施形態の半導体素子搭載用基板の製造方法において形成するめっき用レジストマスクは、図１(b)の例の構成に限定されるものではない。例えば、図１(c)に示すように、レジスト層Ｒ１において隣り合う開口部１２の形成対象領域の間に複数の凹部１３を形成してもよい。また、例えば、図１(d)に示すように、感光波長の異なる複数のレジスト層Ｒ１、Ｒ２を積層することによって凹部１３を形成してもよい。
また、本実施形態の半導体素子搭載用基板の製造方法において形成されためっき用レジストマスク１１は、開口部１２と凹部１３とに挟まれた部位１４の幅が０．０２ｍｍ以上、凹部１３の底面１３ａ位置におけるレジスト層Ｒ１の厚さｈ３が０．００５ｍｍ以上となるように形成されている。
めっき用レジストマスク１１における開口部１２と凹部１３とに挟まれた部位１４の幅を０．０２ｍｍ以上にすると、形成するめっき層の形状を損なったり、開口部１２と凹部１３とに挟まれた部位１４の下面へのめっきの滲み出しを生じたりすることのないようにするために必要な、開口部１２と凹部１３とに挟まれた部位１４におけるめっき用レジストマスク１１としての強度を保つことができる。
また、凹部１３の底面１３ａ位置におけるレジスト層Ｒ１の厚さｈ３を０．００５ｍｍ以上にすると、めっきの密着性を保持するために、めっき層を形成する前処理として一般的に行われている、基材の露出面に対する脱脂洗浄等の表面処理を行う過程での、底面１３ａ位置におけるレジスト層Ｒ１が膨潤作用を起こさないようにすることができる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
ここで、めっき用レジストマスクの開口部から露出した金属板にめっき層を形成後、めっき用レジストマスクを剥離液により膨潤させて、金属板から剥離、除去するときのめっき用レジストマスクの状態について、図３を用いて説明する。
開口部１２と凹部１３が形成されためっき用レジストマスク１１（図３(a)参照）の開口部から露出した金属板１０にめっき層１５を形成（図３(b)参照）後、めっき用レジストマスク１１を剥離液に浸す。
このとき、凹部１３の側壁１３ｂ及び底面１３ａに位置するめっき用レジストマスク１１は、他の部材（めっき層１５や金属板１０等）と接していないため、凹部１３により形成された空間方向に膨潤し易くなる（図３(c)参照）。そして、開口部１２と凹部１３とに挟まれた部位１４における凹部１３の側壁１４に位置するめっき用レジストマスク１１は、底面１３ａ方向に倒れ込むように膨潤する。すると、めっき層１５と接するめっき用レジストマスク１１の開口部１２の側壁１２ａは、めっき層１５から離れる方向に引っ張られる。これにより、めっき層１５と接するめっき用レジストマスク１１の開口部１２の側壁１２ａとめっき層１５との境界に隙間ができる（図３(d）参照)。そして、この隙間に剥離液が侵入することで、めっき層１５と接する部位近傍のめっき用レジストマスクの膨潤が促進されて、めっき層１５から剥離、除去され易くなる。
また、凹部１３の底面１３ａは、凹部１３の側壁１３ｂを有する部位に比べて、レジスト層が薄いため、剥離液に膨潤して剥離する速度が速い。そして、凹部１３の底面１３ａの直下の金属板１０を露出させ易い。凹部１３の底面１３ａの直下の金属板１０が露出すると、開口部１２と凹部１３とに挟まれた部位１４における膨潤した凹部１３の側壁１３ｂに位置するめっき用レジストマスク１１は、一層、凹部１３の底面１３ａ方向に、倒れ込み易くなり、めっき層１５と接するめっき用レジストマスクの開口部１２の側壁とめっき層１５との間の隙間がより一層大きくなる。そして、この隙間に剥離液が侵入することで、めっき層１５と接する部位近傍のめっき用レジストマスクの膨潤がより一層促進されて、めっき層１５から剥離、除去され易くなる。
その結果、本実施形態の半導体素子搭載用基板の製造方法によれば、めっき層で形成される端子間の間隔や、めっき層で形成される、端子に接続される配線の引き回し形状や、端子部をなすめっき層の形状や、めっき用レジストマスクの厚さや、端子部をなすめっき層の側面の形状の如何にかかわらず、めっき用レジストマスクを金属板から剥離する時間を短い時間に抑えて生産性を確保しながら、めっき用レジストマスクの「レジスト剥離残」の発生を防止することができる。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３５】
実施例３
実施例３では、図１(d)に示した形態に対応した形態で開口部と凹部を有するめっき用レジストマスクを形成し、形成しためっき用レジストマスクを用いてめっき層を形成した。
具体的には、まず、金属板１０として、縦１３０ｍｍ、横３５０ｍｍ、厚さ０．２０ｍｍの銅系材料を準備し（図４(a)参照）、金属板１０の一方の側の面に第１の波長で感光する厚さ２５μｍの第１のレジスト層Ｒ１、第１のレジスト層Ｒ１の上に第１のレジスト層Ｒ１とは感光波長の異なる厚さ２５μｍの第２のレジスト層Ｒ２を積層して形成するとともに、他方の側の面に厚さ２５μｍの第２のレジスト層Ｒ２を形成した（図４(b)参照）。
次に、凹部の形成対象領域の幅を約２００μｍとするパターンが描かれた、透過光量の異なる露光マスクを用いて金属板１０の一方の側に形成された第２のレジスト層Ｒ２を露光し、第２のレジスト層Ｒ２における開口部の形成対象領域は未露光状態、凹部の形成対象領域は半露光状態、開口部及び凹部の形成対象外の領域は、完全露光状態となるようにした（図４(c)参照）。また、金属板１０の他方の側の面に形成された第２のレジスト層Ｒ２の全領域が完全露光状態となるように露光した。
次に、金属板１０の一方の側の面における最上層のレジスト層（第２のレジスト層）Ｒ２及び下層のレジスト層（第１のレジスト層）Ｒ１を現像して、最上層のレジスト層Ｒ２が未露光状態となっている開口部の形成対象領域と、最上層のレジスト層Ｒ２が半露光状態となっている凹部の形成対象領域と、の夫々における、最上層のレジスト層Ｒ２が完全に剥離、除去されるまでの時間及び未露光状態となっている下層のレジスト層Ｒ１の剥離、除去開始時間を異ならせて、開口部１２と凹部１３とを形成した（図４(d)参照）。このとき、開口部１２と凹部１３とに挟まれた部位１４における下層のレジスト層Ｒ１の壁面は、テーパ形状に形成された。また、開口部１２と凹部１３とに挟まれた部位１４の幅は、２０〜５０μｍ、凹部１３の底面１３ａに位置するレジスト層Ｒ１は５〜２０μｍの厚さに形成された。また、開口部１２は縦２００μｍ、横４００μｍに形成された。
次に、下層のレジスト層Ｒ１が感光する波長で下層のレジスト層Ｒ１を露光し、完全露光状態となるようにし、金属板１０の一方の側の面に５行×７列の開口部１２と、開口部１２を囲む凹部１３とを有するめっき用レジストマスク１１、金属板１０の他方の側の面に全面を覆うめっき用レジストマスク１１の形成を完了させた（図４(e)参照）。
次に、電気めっきにより、めっき用レジストマスク１１の開口部１２から露出した金属板１０の面に、Ａｕを０．０１μｍ、Ｐｄを０．０３μｍ、Ｎｉを３０．０μｍ、Ｐｄを０．０３μｍ、Ａｕを０．０１μｍの設定厚さで順次めっき加工を施して約３０μｍの厚さのめっき層１５を形成し（図４(f)参照）、後述するめっき用レジストマスクの「レジスト剥離残」の不具合発生率評価用の試料とした。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３９】
実施例１〜３の試料を用いて、剥離液に１０分間浸して、めっき用レジストマスクの剥離、除去処理を行った場合、凹部の側壁が凹部の底面側に倒れ込むように膨潤して、めっき層と接するめっき用レジストマスクの開口部の側壁との境界に隙間ができて剥離液が進入し易くなり、短い剥離処理時間で容易にめっき用レジストマスクを剥離、除去できた。
詳しくは、実施例１の試料を用いた場合、剥離処理直前の状態（図６(a)参照）から、剥離液に浸して５分経過したとき（図６(b)参照）には、めっき層１５の周囲の開口部と凹部とに挟まれた部位１４のめっき用レジストマスクは残存していたが、凹部１３の底面のめっき用レジストマスクは既に剥離、除去されて、金属板１０の面が露出していた。剥離液に浸して１０分経過したとき（図６(c)参照）には、めっき層１５の周囲の開口部と凹部とに挟まれた部位１４に残存していた全てのめっき用レジストマスクが剥離、除去されていた。
そして、実施例１〜３の試料を用いて、剥離液に１０分間浸して、めっき用レジストマスクの剥離、除去処理を行った結果、実施例１〜３のいずれの場合も、１０００枚あたりの「レジスト剥離残」の発生枚数は０枚であった。