【手続補正書】
【提出日】令和3年9月7日(2021.9.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に平行な第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面と、を有する半導体層であって、
第１導電形の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第２導電形の第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第１導電形の第３の半導体領域と、
前記第３の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第２導電形の第４の半導体領域と、
前記第１の方向に伸び、前記第２の方向に繰り返し配置され、前記第２の面からの距離が、前記第２の面から前記第３の半導体領域までの距離よりも小さい複数の第１のトレンチと、
前記第１の方向に伸び、前記第２の方向に繰り返し配置され、前記第２の面からの距離が、前記第２の面から前記第３の半導体領域までの距離よりも小さい複数の第２のトレンチと、
を有する半導体層と、
前記第１のトレンチの中に設けられた第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と前記第３の半導体領域との間、前記第１のゲート電極と前記第４の半導体領域との間に設けられ、前記第４の半導体領域に接する第１のゲート絶縁膜と、
前記第２のトレンチの中に設けられた第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極と前記第３の半導体領域との間に設けられた第２のゲート絶縁膜と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられ、前記第４の半導体領域に電気的に接続された第１の電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられ、前記第１の半導体領域に電気的に接続された第２の電極と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられ、第１のゲート電圧が印加される第１のゲート電極パッドと、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられ、第２のゲート電圧が印加される第２のゲート電極パッドと、
前記第１のゲート電極パッドと前記第１のゲート電極とを電気的に接続する第１の配線と、
前記第２のゲート電極パッドと前記第２のゲート電極とを電気的に接続する第２の配線と、
を備え、
前記半導体層は、第１の接続トレンチを有し、
複数の前記第１のトレンチの内の隣り合う２つの前記第１のトレンチが、それぞれの端部で前記第１の接続トレンチで接続され、
複数の前記第２のトレンチの内の少なくとも１つの前記第２のトレンチの中の前記第２のゲート電極が、第１の位置で前記第２の配線と電気的に接続される半導体装置。
【請求項２】
前記第１の位置は、前記少なくとも１つの前記第２のトレンチの中の前記第２のゲート電極の、前記第１の方向の端部である請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記少なくとも１つの前記第２のトレンチの中の前記第２のゲート電極が、前記第１の方向の反対方向の端部である第２の位置で、前記第２の配線と電気的に接続される請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１の位置は、前記第２の配線と前記第２のトレンチが交差する位置である請求項１ないし請求項３いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１のゲート電極は、前記第１の方向の端部の第３の位置で、前記第１の配線と電気的に接続される請求項１ないし請求項４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１のゲート電極は、前記第１の方向の反対方向の端部の第４の位置で、前記第１の配線と電気的に接続される請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２の配線と前記第２のゲート電極は、前記第２の配線と異なる材料の導電層を用いて接続される請求項１ないし請求項６いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記導電層の前記第２の方向の幅は、前記第２のゲート電極の前記第２の方向の幅よりも小さい請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体層は、第２の接続トレンチを有し、
前記少なくとも１つの前記第２のトレンチと、前記少なくとも１つの前記第２のトレンチに隣り合う前記第２のトレンチが、それぞれの端部で、前記第２の接続トレンチで接続される請求項１ないし請求項８いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第２の接続トレンチは、前記第２の半導体領域に挟まれる請求項９記載の半導体装置。
【請求項１１】
前記第２のトレンチの個数の前記第１のトレンチの個数に対する割合は、第１の領域、及び、前記第１の領域の前記第２の方向に位置する第２の領域において、前記第１の領域と前記第２の領域に挟まれる第３の領域より大きい請求項１ないし請求項１０いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１２】
前記第２の配線は前記第１のトレンチと交差する請求項１ないし請求項１１いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１３】
前記半導体層は、前記第１の接続トレンチと前記第２の半導体領域との間に、第１導電形の第５の半導体領域を有する請求項１ないし請求項１２いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１４】
前記第５の半導体領域は、前記第１の位置と前記第２の半導体領域との間に設けられる請求項１３記載の半導体装置。
【請求項１５】
前記第１の位置は、隣り合う２つの前記第１のトレンチの間の位置である請求項１ないし請求項１４いずれか一項記載の半導体装置。
【請求項１６】
第１の方向及び前記第１の方向に直交する第２の方向に平行な第１の面と、前記第１の面に対向する第２の面と、を有する半導体層であって、
第１導電形の第１の半導体領域と、
前記第１の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第２導電形の第２の半導体領域と、
前記第２の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第１導電形の第３の半導体領域と、
前記第３の半導体領域と前記第１の面との間に設けられた第２導電形の第４の半導体領域と、
前記第１の方向に伸び、前記第２の方向に繰り返し配置され、前記第２の面からの距離が、前記第２の面から前記第３の半導体領域までの距離よりも小さい複数の第１のトレンチと、
前記第１の方向に伸び、前記第２の方向に繰り返し配置され、前記第２の面からの距離が、前記第２の面から前記第３の半導体領域までの距離よりも小さい複数の第２のトレンチと、
を有する半導体層と、
前記第１のトレンチの中に設けられた第１のゲート電極と、
前記第１のゲート電極と前記第３の半導体領域との間、前記第１のゲート電極と前記第４の半導体領域との間に設けられ、前記第４の半導体領域に接する第１のゲート絶縁膜と、
前記第２のトレンチの中に設けられた第２のゲート電極と、
前記第２のゲート電極と前記第３の半導体領域との間に設けられた第２のゲート絶縁膜と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられ、前記第４の半導体領域に電気的に接続された第１の電極と、
前記半導体層の前記第２の面の側に設けられ、前記第１の半導体領域に電気的に接続された第２の電極と、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられ、第１のゲート電圧が印加される第１のゲート電極パッドと、
前記半導体層の前記第１の面の側に設けられ、第２のゲート電圧が印加される第２のゲート電極パッドと、
前記第１のゲート電極パッドと前記第１のゲート電極とを電気的に接続する第１の配線と、
前記第２のゲート電極パッドと前記第２のゲート電極とを電気的に接続する第２の配線と、
を備え、
前記第２のトレンチの個数の前記第１のトレンチの個数に対する割合は、第１の領域、及び、前記第１の領域の前記第２の方向に位置する第２の領域において、前記第１の領域と前記第２の領域に挟まれる第３の領域より大きい、半導体装置。
【請求項１７】
請求項１ないし請求項１６いずれか一項記載の半導体装置と、
前記半導体装置を駆動し、前記第１のゲート電圧をターンオン電圧からターンオフ電圧に変化させる前に、前記第２のゲート電圧を第１の電圧から第２の電圧に変化させ、前記第２の電圧は、第１導電形がｐ形の場合には負電圧であり、第１導電形がｎ形の場合には正電圧である制御回路と、
を備えた半導体回路。