(57)【要約】【課題】基板の表面に形成されたパターンの倒壊を抑制しつつ、パターンの隙間から汚染物質を除去できる基板処理装置および基板処理方法を提供する。【解決手段】基板９の表面に洗浄材料を蒸着し、その後、基板９の表面から蒸着後の洗浄材料を剥離する。これにより、基板９の表面から、洗浄材料とともに汚染物質９２を除去する。蒸着時には、気相の洗浄材料が基板９の表面に供給される。このため、基板９の表面に形成された微細なパターン９１の隙間にも、洗浄材料を蒸着させることができる。したがって、微細なパターン９１の隙間に付着した汚染物質も除去できる。また、パターン９１に対して横方向の圧力が作用しにくいため、微細なパターン９１の倒壊を抑制できる。【選択図】図７
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の表面から汚染物質を除去する基板処理装置であって、
前記基板の表面に洗浄材料を蒸着する蒸着部と、
前記基板の表面から蒸着後の前記洗浄材料を剥離する剥離部と、
を備えた基板処理装置。
【請求項２】
請求項１に記載の基板処理装置であって、
前記蒸着部は、
前記基板を収容する真空チャンバと、
前記真空チャンバ内に気相の前記洗浄材料を供給する供給部と、
を有する基板処理装置。
【請求項３】
請求項１または請求項２に記載の基板処理装置であって、
前記蒸着部は、前記基板の表面に前記洗浄材料の薄膜を形成する基板処理装置。
【請求項４】
請求項１から請求項３までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記剥離部は、蒸着後の前記洗浄材料の表面に粘着材を接触させ、前記粘着材を前記基板から引き離すことにより、前記基板の表面から前記洗浄材料を剥離する基板処理装置。
【請求項５】
請求項１から請求項４までのいずれかに記載の基板処理装置であって、
前記洗浄材料は、蒸着前は気相のモノマーとして存在し、蒸着時に重合してポリマーとなる材料を含む基板処理装置。
【請求項６】
請求項５に記載の基板処理装置であって、
前記洗浄材料は、パラキシリレンを含む基板処理装置。
【請求項７】
基板の表面から汚染物質を除去する基板処理方法であって、
ａ）前記基板の表面に洗浄材料を蒸着する蒸着工程と、
ｂ）前記工程ａ）の後に、前記基板の表面から蒸着後の前記洗浄材料を剥離する剥離工程と、
を含む基板処理方法。
【請求項８】
請求項７に記載の基板処理方法であって、
前記工程ａ）では、前記基板表面のパターンの高さ以上の厚みに、前記洗浄材料を蒸着する基板処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面から汚染物質を除去する基板処理装置および基板処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体ウエハ、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板、電子ペーパー用基板などの精密電子装置用基板の製造工程では、基板の表面から汚染物質を除去するために、処理液を用いた洗浄処理と、その後の乾燥処理とが行われている。例えば、基板に対して処理液を供給し、その後に、基板を高速で回転させて処理液を振り切る洗浄・乾燥処理が、行われている。
【０００３】
しかしながら、近年では、基板の表面に形成されるパターンの微細化や、高アスペクト比化が進んでいる。このため、基板の表面におけるパターンの倒壊が、生じやすくなっている。上述した洗浄・乾燥処理を行うときには、処理液の表面張力や、処理液を振り切るときの遠心力により、パターンの倒壊が生じる場合がある。このため、パターンの倒壊を防止しつつ、基板の表面から汚染物質を除去できる技術が求められている。
【０００４】
処理液を使用することなく、基板の表面から汚染物質を除去する技術については、例えば、特許文献１，２に記載されている。特許文献１では、半導体ウエハの表面に、粘着テープを貼り付けたのち、その粘着テープを剥離することにより、異物を粘着剤層に吸着させて半導体ウエハから除去している（要約）。また、特許文献２では、半導体ウエハ上に塗布液の薄膜を形成し、当該薄膜を剥離することで、薄膜とともにパーティクルを半導体ウエハから除去している（要約）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開平８−８８２０７号公報
【特許文献２】特開平７−７４１３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１の方法では、基板の表面に形成された微細なパターンの間に、粘着テープの粘着剤が入り込みにくい。また、特許文献２の方法においても、半導体ウエハに滴下される塗布液が、微細なパターンの隙間に存在する空気を押し出して、当該パターンの隙間に完全に入り込むことは難しい。このため、特許文献１，２のいずれの方法においても、微細なパターンの間に付着した異物を除去することは困難である。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みなされたものであり、基板の表面に形成されたパターンの倒壊を抑制しつつ、パターンの隙間から汚染物質を除去できる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記課題を解決するため、本願の第１発明は、基板の表面から汚染物質を除去する基板処理装置であって、前記基板の表面に洗浄材料を蒸着する蒸着部と、前記基板の表面から蒸着後の前記洗浄材料を剥離する剥離部と、を備える。
【０００９】
本願の第２発明は、第１発明の基板処理装置であって、前記蒸着部は、前記基板を収容する真空チャンバと、前記真空チャンバ内に気相の前記洗浄材料を供給する供給部と、を有する。
【００１０】
本願の第３発明は、第１発明または第２発明の基板処理装置であって、前記蒸着部は、前記基板の表面に前記洗浄材料の薄膜を形成する。
【００１１】
本願の第４発明は、第１発明から第３発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記剥離部は、蒸着後の前記洗浄材料の表面に粘着材を接触させ、前記粘着材を前記基板から引き離すことにより、前記基板の表面から前記洗浄材料を剥離する。
【００１２】
本願の第５発明は、第１発明から第４発明までのいずれかの基板処理装置であって、前記洗浄材料は、蒸着前は気相のモノマーとして存在し、蒸着時に重合してポリマーとなる材料を含む。
【００１３】
本願の第６発明は、第５発明の基板処理装置であって、前記洗浄材料は、パラキシリレンを含む。
【００１４】
本願の第７発明は、基板の表面から汚染物質を除去する基板処理方法であって、ａ）前記基板の表面に洗浄材料を蒸着する蒸着工程と、ｂ）前記工程ａ）の後に、前記基板の表面から蒸着後の前記洗浄材料を剥離する剥離工程と、を含む。
【００１５】
本願の第８発明は、第７発明の基板処理方法であって、前記工程ａ）では、前記基板表面のパターンの高さ以上の厚みに、前記洗浄材料を蒸着する。
【発明の効果】
【００１６】
本願の第１発明〜第８発明によれば、基板の表面から、洗浄材料とともに汚染物質を除去できる。また、蒸着時には、気相の洗浄材料が基板の表面に供給される。このため、基板表面の微細なパターンの隙間にも、洗浄材料を蒸着させることができる。したがって、微細なパターンの隙間に付着した汚染物質も除去できる。また、基板表面の微細なパターンに対して横方向の圧力が作用しにくいため、パターンの倒壊を抑制できる。
【００１７】
特に、本願の第３発明によれば、基板の表面に洗浄材料が薄膜状に蒸着される。このため、蒸着後の洗浄材料を容易に剥離できる。
【００１８】
特に、本願の第４発明によれば、基板表面の微細なパターンに対する横方向の圧力をより抑制しつつ、基板の表面から洗浄材料を剥離できる。
【００１９】
特に、本願の第５発明によれば、基板表面の微細なパターンの隙間に、洗浄材料をより容易に蒸着させることができる。
【００２０】
特に、本願の第８発明によれば、基板の表面に形成されたパターンの全体が、蒸着後の洗浄材料に埋没する。このため、工程ｂ）において、パターンの損傷を抑制しつつ、洗浄材料をより容易に剥離できる。また、パターンに付着した汚染物質を、より確実に除去できる。
【図面の簡単な説明】
【００２１】
【図１】基板処理装置の構成を示した図である。
【図２】汚染物質除去処理の流れを示したフローチャートである。
【図３】蒸着前における半導体ウエハの上面付近の部分縦断面図である。
【図４】蒸着時における真空チャンバおよび剥離機構の縦断面図である。
【図５】蒸着後にける半導体ウエハの上面付近の部分縦断面図である。
【図６】ローラの転動時における真空チャンバおよび剥離機構の縦断面図である。
【図７】剥離時における半導体ウエハの上面付近の部分縦断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２２】
以下、本発明の好適な実施形態について、図面を参照しつつ説明する。
【００２３】
＜１．基板処理装置の構成＞
図１は、本発明の一実施形態に係る基板処理装置１の構成を示した図である。この基板処理装置１は、半導体の製造工程において、略円板状の基板である半導体ウエハ９の表面から、パーティクル等の汚染物質を除去する装置である。図１に示すように、本実施形態の基板処理装置１は、真空チャンバ１０、洗浄材料供給部２０、真空吸引部３０、剥離機構４０、および制御部５０を備えている。
【００２４】
真空チャンバ１０は、半導体ウエハ９に対して蒸着を行うための処理空間１１を内部に有する容器である。真空チャンバ１０は、上方へ向けて開いた略カップ状の下チャンバ部材１２と、下チャンバ部材１２の上部を覆う略カップ状の上チャンバ部材１３とを有する。下チャンバ部材１２および上チャンバ部材１３は、気密性および耐圧性の高い材料により、形成されている。また、図１中に概念的に示したように、真空チャンバ１０は、上チャンバ部材１３を上下に移動させる昇降機構１４を有する。昇降機構１４は、例えば、エアシリンダにより実現される。
【００２５】
昇降機構１４により、上チャンバ部材１３を下降させると、下チャンバ部材１２と上チャンバ部材１３とが閉鎖される。これにより、半導体ウエハ９を収容する処理空間１１が形成され、真空チャンバ１０の内部が気密状態となる。一方、昇降機構１４により、上チャンバ部材１３を上昇させると、真空チャンバ１０が大気開放されるとともに、真空チャンバ１０に対する半導体ウエハ９の搬入および搬出が可能となる。
【００２６】
真空チャンバ１０の内部には、半導体ウエハ９を載置する載置台１５が設けられている。載置台１５は、略水平に広がる上面を有する。真空チャンバ１０内に搬入された半導体ウエハ９は、パターンが形成されたデバイス面を上方へ向けた状態で、載置台１５の上面に略水平に保持される。
【００２７】
洗浄材料供給部２０は、真空チャンバ１０の内部に、気相の洗浄材料を供給するための機構である。図１に示すように、洗浄材料供給部２０は、給気配管２１、気化炉２２、分解炉２３、および第１開閉弁２４を有する。給気配管２１の下流側の端部は、真空チャンバ１０の上部に設けられた給気口１６に、接続されている。一方、給気配管２１の上流側の端部は、気化炉２２に接続されている。また、分解炉２３および第１開閉弁２４は、給気配管２１の経路途中に介挿されている。第１開閉弁２４は、給気口１６の開閉を切り替えることができる。
【００２８】
気化炉２２は、固相の洗浄材料の粉末を内部に貯留するとともに、当該粉末を加熱して、洗浄材料を気化させる部位である。本実施形態では、洗浄材料として、パラキシリレンが使用される。パラキシリレンは、固相では、次の構造式（１）で示されるダイマー（二量体）として存在する。気化炉２２は、内部に貯留された固相の洗浄材料を、第１の温度（例えば１２０℃〜１８０℃）まで加熱する。これにより、洗浄材料が、ダイマー構造を維持したまま気化される。
【００２９】
【化１】
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【００３０】
分解炉２３は、気化炉２２において気化された洗浄材料を、さらに加熱する部位である。分解炉２３は、気化炉２２から送られる気相の洗浄材料を、第１の温度より高い第２の温度（例えば、６５０℃〜７００℃）まで加熱する。これにより、洗浄材料が、ダイマーから、次の構造式（２）で示されるモノマー（単量体）に、熱分解される。すなわち、この分解炉２３において、洗浄材料のモノマーガスが得られる。
【００３１】
【化２】
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【００３２】
真空吸引部３０は、真空チャンバ１０内の処理空間１１から、気体を排出するための機構である。図１に示すように、真空吸引部３０は、排気配管３１、真空ポンプ３２、および第２開閉弁３３を有する。排気配管３１の上流側の端部は、真空チャンバ１０の底部に設けられた排気口１７に、接続されている。一方、排気配管３１の下流側の端部は、真空ポンプ３２に接続されている。また、第２開閉弁３３は、排気口１７の開閉を切り替えることができる。
【００３３】
第２開閉弁３３を開放し、真空ポンプ３２を動作させると、真空チャンバ１０内の気体が、排気口１７を通って、排気配管３１へ排出される。これにより、真空チャンバ１０内の処理空間１１が、負圧となる。また、この状態で、第１開閉弁２４を開放し、気化炉２２および分解炉２３を動作させると、気相の洗浄材料が、給気配管２１から給気口１６を通って真空チャンバ１０内の処理空間１１へ、供給される。これにより、載置台１５に載置された半導体ウエハ９の上面に、気相の洗浄材料が吹き付けられる。
【００３４】
気相の洗浄材料が、常温の半導体ウエハ９の上面に接触すると、半導体ウエハ９の上面に洗浄材料が蒸着する。これにより、半導体ウエハ９の上面に、洗浄材料の薄膜が形成される。このとき、洗浄材料から熱が奪われることにより、多数のモノマーが重合してポリマーとなる。すなわち、次の構造式（３）で示されるポリパラキシリレンが生成される。
【００３５】
【化３】
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【００３６】
このように、本実施形態では、真空チャンバ１０、洗浄材料供給部２０、および真空吸引部３０により、半導体ウエハ９の上面に洗浄材料を蒸着する蒸着部が実現されている。ただし、蒸着部を実現するための構成は、本実施形態の構成に限定されるものではなく、公知の種々の蒸着装置の構成を採用することができる。
【００３７】
剥離機構４０は、蒸着後の半導体ウエハ９の上面から、洗浄材料の薄膜を剥離するための機構である。剥離機構４０は、水平に配置された略円柱状のローラ４１と、ローラ４１を転動させるローラ駆動機構４２とを有する。ローラ４１の外周面は、粘着材で覆われている。ローラ駆動機構４２は、例えば、駆動源であるモータと、モータの駆動をローラ４１へ伝達するギヤ等の動力伝達機構とを、組み合わせることにより、実現される。
【００３８】
上チャンバ部材１３を上方へ退避させた状態で、ローラ駆動機構４２を動作させると、ローラ４１は、その中心軸を中心として回転しつつ、載置台１５上に載置された半導体ウエハ９の上面に沿って移動する。このとき、ローラ４１の表面を覆う粘着材が、半導体ウエハ９の上面に接触し、その後、半導体ウエハ９の上面から上方へ引き離される。これにより、半導体ウエハ９の上面を覆う洗浄材料の薄膜が、粘着材に付着して上方へ浮き上がる。その結果、半導体ウエハ９の上面から、洗浄材料の薄膜が剥離される。
【００３９】
制御部５０は、図１中に概念的に示したように、昇降機構１４、気化炉２２、分解炉２３、第１開閉弁２４、真空ポンプ３２、第２開閉弁３３、およびローラ駆動機構４２と、電気的に接続されている。制御部５０は、ＣＰＵ等の演算処理部やメモリを有するコンピュータにより構成されていてもよく、あるいは、電子回路基板により構成されていてもよい。制御部５０は、ユーザの操作、各種の入力信号、または予め設定されたプログラムに従って、昇降機構１４、気化炉２２、分解炉２３、第１開閉弁２４、真空ポンプ３２、第２開閉弁３３、およびローラ駆動機構４２の動作を制御する。
【００４０】
＜２．汚染物質除去処理について＞
続いて、上記の基板処理装置１を用いて、半導体ウエハ９の上面から汚染物質を除去する処理の流れについて、説明する。図２は、基板処理装置１における汚染物質除去処理の流れを示したフローチャートである。この基板処理装置１において汚染物質の除去を行うときには、まず、制御部５０に、汚染物質除去処理を行う旨の指令が、入力される。制御部５０は、当該指令を受信すると、基板処理装置１内の各部を動作制御する。これにより、以下の動作が進行する。
【００４１】
基板処理装置１は、まず、昇降機構１４を動作させて、上チャンバ部材１３を上昇させる。これにより、真空チャンバ１０を開放する。そして、所定の搬送機構により、処理前の半導体ウエハ９を、真空チャンバ１０の内部へ搬入する（ステップＳ１）。真空チャンバ１０の内部に搬入された半導体ウエハ９は、載置台１５の上面に、略水平に載置される。なお、半導体ウエハ９を搬入および搬出するための搬送機構は、基板処理装置１自身が有するものであってもよく、あるいは、基板処理装置１の外部に設けられたものであってもよい。
【００４２】
図３は、蒸着前における半導体ウエハ９の上面付近の部分縦断面図である。図３に示すように、半導体ウエハ９の上面には、微細なパターン９１が形成されている。また、図３の例では、パターン９１の近傍に、複数の汚染物質９２が付着している。一部の汚染物質９２は、隣り合うパターン９１とパターン９１との間に入り込んでいる。
【００４３】
半導体ウエハ９の搬入が完了すると、基板処理装置１は、再び昇降機構１４を動作させて、上チャンバ部材１３を下降させる。これにより、真空チャンバ１０が閉鎖される。そして、真空チャンバ１０内の処理空間１１に、半導体ウエハ９が配置された状態となる。
【００４４】
次に、基板処理装置１は、第２開閉弁３３を開放し、真空ポンプ３２を動作させる。そうすると、真空チャンバ１０内の気体が、排気口１７を通って、排気配管３１へ排出される。これにより、真空チャンバ１０内の処理空間１１が、負圧となる。続いて、基板処理装置１は、第１開閉弁２４を開放し、気化炉２２および分解炉２３を動作させる。そうすると、気相の洗浄材料が、給気配管２１から給気口１６を通って真空チャンバ１０内の処理空間１１へ、供給される。これにより、半導体ウエハ９の上面に対する洗浄材料の蒸着が開始される（ステップＳ２）。
【００４５】
図４は、蒸着時における真空チャンバ１０および剥離機構４０の縦断面図である。図４に示すように、気相の洗浄材料８１は、給気口１６から半導体ウエハ９の上面へ向けて、吹き付けられる。そして、半導体ウエハ９の上面に気相の洗浄材料８１が接触すると、半導体ウエハ９の上面に洗浄材料の薄膜が形成される。気相の洗浄材料８１は、微細なパターン９１の隙間にも入り込む。したがって、微細なパターン９１の隙間にも、洗浄材料が蒸着する。
【００４６】
特に、本実施形態の洗浄材料は、蒸着前には、分子量の小さいモノマーとして存在する。このため、微細なパターン９１の隙間に、気相の洗浄材料８１がより容易に入り込んで蒸着する。
【００４７】
蒸着を開始した後、制御部５０は、予め設定された蒸着時間が経過したかどうかを監視する（ステップＳ３）。蒸着時間が未経過の間は（ステップＳ３においてＮｏ）、蒸着を継続するとともに、蒸着時間の経過を引き続き監視する。やがて、蒸着時間が経過すると（ステップＳ３においてＹｅｓ）、気化炉２２、分解炉２３、および真空ポンプ３２を停止させるとともに、第１開閉弁２４および第２開閉弁３３を閉鎖する。これにより、蒸着を終了する（ステップＳ４）。
【００４８】
図５は、蒸着後における半導体ウエハ９の上面付近の部分縦断面図である。図５に示すように、蒸着後の半導体ウエハ９の上面には、洗浄材料の薄膜８２が形成される。薄膜８２は、多数のモノマーが重合したポリマーにより構成される。半導体ウエハ９上のパターン９１および汚染物質９２は、当該薄膜８２の内部に埋没する。
【００４９】
蒸着が完了すると、基板処理装置１は、昇降機構１４を動作させて、上チャンバ部材１３を上昇させる。これにより、真空チャンバ１０を大気開放する（ステップＳ５）。
【００５０】
その後、基板処理装置１は、ローラ駆動機構４２を動作させて、ローラ４１を転動させる。図６は、ローラ４１の転動時における真空チャンバ１０および剥離機構４０の縦断面図である。図６に示すように、ローラ４１は、載置台１５に載置された半導体ウエハ９の上面に沿って、転動する。このとき、半導体ウエハ９の上面を覆う洗浄材料の薄膜が、ローラ４１の粘着材に付着して上方へ浮き上がる。その結果、半導体ウエハ９の上面から、洗浄材料の薄膜８２が剥離される（ステップＳ６）。
【００５１】
図７は、ステップＳ６における半導体ウエハ９の上面付近の部分縦断面図である。図７のように、ステップＳ６では、洗浄材料の薄膜８２が、汚染物質９２を保持したまま、半導体ウエハ９の上面から剥離される。これにより、半導体ウエハ９の上面から、汚染物質９２が除去される。すなわち、半導体ウエハ９の上面が洗浄される。洗浄材料の薄膜８２は、隣り合うパターン９１の間にも形成されている。このため、隣り合うパターン９１の間に位置する汚染物質も、除去することができる。
【００５２】
また、この汚染物質除去処理では、処理液を使用することなく、汚染物質を除去する。このため、半導体の製造工程における処理液の使用量を低減できる。また、乾燥処理も不要となる。また、半導体ウエハ９の表面に形成された微細なパターンに対して、横方向（半導体ウエハ９の上面に沿う水平方向）の圧力が作用しにくい。したがって、パターンの倒壊を抑制できる。
【００５３】
また、本実施形態のステップＳ２〜Ｓ４では、図５のように、半導体ウエハ９の上面において、パターン９１の高さ以上の厚みに、洗浄材料を蒸着する。洗浄材料の厚みは、ステップＳ３の蒸着時間を適切に設定することにより、実現できる。このようにすれば、半導体ウエハ９の上面に形成されたパターンの全体が、洗浄材料の薄膜８２に埋没する。したがって、ステップＳ６において、パターン９１の損傷を抑制しつつ、薄膜８２をより容易に剥離できる。また、パターン９１の上端部付近に付着した汚染物質９２も、より確実に除去できる。
【００５４】
＜３．変形例＞
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は、上記の実施形態に限定されるものではない。
【００５５】
例えば、上記の実施形態では、洗浄材料としてパラキシリレンが使用されていたが、洗浄材料として、パラキシリレン以外の材料を使用してもよい。例えば、パラキシリレンのベンゼン環を構成する一部の水素を塩素に置換した構造を有する材料を、洗浄材料として使用してもよい。また、洗浄材料は、複数種類の材料により構成されていてもよい。なお、洗浄材料は、不活性で絶縁性を有する材料であることが好ましい。
【００５６】
また、上記の実施形態では、真空チャンバ１０の上部に給気口１６が設けられ、真空チャンバ１０の底部に排気口１７が設けられていたが、給気口１６および排気口１７は、真空チャンバ１９の他の箇所に設けられていてもよい。例えば、真空チャンバ１０の相対向する一対の側面に、給気口１６と排気口１７とが、それぞれ設けられていてもよい。
【００５７】
また、上記の実施形態では、半導体ウエハ９の上面に洗浄材料を蒸着していたが、半導体ウエハ９の下面や端面にも洗浄材料を蒸着し、剥離してもよい。そのようにすれば、半導体ウエハ９の上面だけではなく、半導体ウエハ９の下面や端面に付着した汚染物質も、除去することができる。また、蒸着後の洗浄材料は、必ずしも薄膜状でなくてもよい。ただし、蒸着後の洗浄材料が薄膜状であれば、半導体ウエハ９の上面から、洗浄材料をより容易に剥離できる点で好ましい。
【００５８】
また、上記の実施形態では、表面が粘着剤に覆われたローラ４１を利用して、半導体ウエハ９の上面から洗浄材料の薄膜８２を剥離していた。しかしながら、薄膜８２の剥離は、他の方法で行ってもよい。ただし、ローラ４１を利用すれば、半導体ウエハ９の上面に形成された微細なパターン９１に、横方向の圧力が作用しにくい。したがって、パターンの倒壊をより抑制しつつ、半導体ウエハ９の上面から薄膜８２を剥離できる。
【００５９】
また、基板処理装置１は、このような真空チャンバ１０を複数備え、複数枚の半導体ウエハ９を、複数の真空チャンバ１０において並列に処理できるものであってもよい。また、１つの真空チャンバ１０内において、複数枚の半導体ウエハ９を同時に処理するようにしてもよい。
【００６０】
また、上記の基板処理装置１は、半導体ウエハ９を処理対象としていたが、本発明の基板処理装置および基板処理方法は、液晶表示装置用ガラス基板、ＰＤＰ用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、カラーフィルタ用基板、記録ディスク用基板、太陽電池用基板などの他の精密電子装置用基板を、処理対象とするものであってもよい。
【００６１】
また、基板処理装置の細部の構成については、本願の各図に示された形状と、相違していてもよい。また、上記の実施形態や変形例に登場した各要素を、矛盾が生じない範囲で、適宜に組み合わせてもよい。
【符号の説明】
【００６２】
１  基板処理装置
９  半導体ウエハ
１０  真空チャンバ
１１  処理空間
１２  下チャンバ部材
１３  上チャンバ部材
１４  昇降機構
１５  載置台
１６  給気口
１７  排気口
２０  洗浄材料供給部
２１  給気配管
２２  気化炉
２３  分解炉
２４  開閉弁
３０  真空吸引部
３１  排気配管
３２  真空ポンプ
３３  開閉弁
４０  剥離機構
４１  ローラ
４２  ローラ駆動機構
５０  制御部
８１  気相の洗浄材料
８２  薄膜
９１  パターン
９２  汚染物質
【図１】
2014067874.tif 000006
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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