(57)【要約】【課題】テラヘルツ光を極小径のビーム化することができ、ビーム化したテラヘルツ光を高効率で伝送して、体内に差し込まれる注射針のように極小径の伝送体に適用が可能なテラヘルツ光の照射装置を提供する。【解決手段】  テラヘルツ光を生成するテラヘルツ光源１０と、内面にテラヘルツ光の進行方向に沿って突起が設けられ、この突起により前記テラヘルツ光をガウシアン的な光強度分布を有する入射径より小径のビームに集光するコルゲート導波管１１と、このコルゲート導波管１１から出射されたテラヘルツ光を伝送する伝送体１２とを有する。【選択図】  図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
テラヘルツ光を生成するテラヘルツ光源と、
内面にテラヘルツ光の進行方向に沿って突起が設けられ、この突起により前記テラヘルツ光をガウシアン的な光強度分布を有する入射径より小径のビームに集光するコルゲート導波管と、
このコルゲート導波管から出射されたテラヘルツ光を伝送する伝送体と、
を有することを特徴とするマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項２】
前記伝送体の形状，大きさ及び物性に基づくカットオフ周波数が、伝送しようとするテラヘルツ光の周波数よりも小さくなるように、前記伝送体の形状，大きさ及び物性を決定したことを特徴とする請求項１に記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項３】
前記突起の幅が前記テラヘルツ光の波長の１／３〜１／５の範囲、前記突起の高さが前記幅の１／３〜１／４、前記突起の間隔が前記テラヘルツ光の波長の１／３〜２／３であることを特徴とする請求項１又は２に記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項４】
前記伝送体が、コアとクラッドとから構成される光ファイバであることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項５】
前記クラッドの外周面に、前記コア内を伝送されるテラヘルツ光を全反射するための金コーティング層を形成したことを特徴とする請求項４に記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項６】
前記伝送体が、中空管とこの中空管の軸心に配置された金属線とを有する同軸二芯構造であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項７】
前記テラヘルツ光源から出射されたテラヘルツ光を、反射鏡を介して前記コルゲート導波管に入射させることを特徴とする請求項１〜６のいずれかに記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項８】
前記伝送体の先端部が、テラヘルツ光の照射対象に刺し込まれる針状部として形成されていることを特徴とする請求項１〜７のいずれかに記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項９】
前記伝送体の先端部における局所加温領域の温度を計測する温度センサを設けたことを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項１０】
前記温度センサを前記伝送体の先端部に設けたことを特徴とする請求項９に記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項１１】
前記伝送体を保持し、遠隔操作によりテラヘルツ光の照射対象に対して前記伝送体の先端を所定位置に位置決めし、前記伝送体の先端を前記照射対象に対して所定の深度まで刺し込む操作手段を備えたことを特徴とする請求項１〜１０のいずれかに記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれかに記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置と量子ビームの照射装置とを備えたことを特徴とする治療装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、テラヘルツ光源で生成したテラヘルツ光を、ガウシアン的な光強度分布を有する極小高密度のマイクロビーム化し、μｍオーダーの直径の伝送体で高効率に伝送するテラヘルツ光の照射装置及びこの照射装置を備え、特に難治療性の癌の治療に有効な治療装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
テラヘルツ光は、一般的には、周波数０．３〜３ＴＨｚ程度の範囲（波長では１００μｍ〜１０００μｍの範囲）に属する光とされていて、光としての特性（例えば直進性）と電波としての特性（物質透過性）を併せ持つ。このような特性から、テラヘルツ光はＸ線などに代わる新たな光として高い注目を集めている。
特に医学の分野では、テラヘルツ光は透過性が高く安全であることから、例えば特定された転位癌細胞微細組織に対してテラヘルツ光を照射して加温治療を施すほか、当該組織にテラヘルツ光ならびに量子ビーム（中性子、重粒子等）を同時照射することで難治療性の癌の完治を目指す治療方法の開発が進められている。また、体表面又は体内の患部にテラヘルツ光を照射することで患部を加温治療する試みもなされている。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】松浦祐司  竹田枝里子「テラヘルツ伝送用フレキシブル中空光ファイバ：」（社団法人電子情報通信学会編  信学技報ＩＥＩＣＥ  Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ  Ｒｅｐｏｒｔ  ＯＦＴ２００７−２１（２００７−８））
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、テラヘルツ光を人体に照射すると、人体を構成している水の分子に吸収されて体内の深部まで到達することができず、体表面又はこれに近い部位の患部しか加温治療することができない、という問題がある。そのため、体内の深い部位にある患部に対しても、テラヘルツ光による加温治療を行いたいという要求がある。また、転移癌のように体内の各所に点在する患部や初期癌のような微細な患部に対して、ピンポイントでテラヘルツ光を照射して加温治療したいという要求もある。さらに、骨や重要な他の臓器の局在し、手術等で切除できない患部に対しても、テラヘルツ光照射による加温治療を行いたいという要求もある。
このような課題を解決するには、テラヘルツ光をマイクロビーム化し、直径がμｍオーダーの伝送体により高効率で伝送する技術の確立及びフレキシブルに変形が可能な伝送体を使って高効率でテラヘルツ光を伝送できる技術の確立が必須である。
【０００５】
ここで、非特許文献１には、テラヘルツ光源から照射されたテラヘルツ光をレンズで集光し、内径３ｍｍ程度の中空ファイバでテラヘルツ光を高効率で伝送する技術が提案されている。
しかし、この文献に記載の技術では、テラヘルツ光をμｍオーダーまで高効率・高密度でマイクロビーム化することが困難なうえ、μｍオーダーの伝送体によって高効率でテラヘルツ光を伝送することも困難で、かつ、注射針のように体内に刺し込むには適さず、曲げ変形量も不十分であるという問題がある。
【０００６】
本発明はこのような問題を解決するべくなされたもので、テラヘルツ光を極小径のマイクロビーム化するとともに、マイクロビーム化したテラヘルツ光をμｍオーダーの径を有する伝送体により高効率で伝送することができ、フレキシブルに変形が可能な伝送体に適用できるテラヘルツ光の照射装置及びこの照射装置を備え、特に難治性の癌の治療に有効な治療装置の提供を目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために本発明は、テラヘルツ光を生成するテラヘルツ光源と、内面にテラヘルツ光の進行方向に沿って突起が設けられ、この突起により前記テラヘルツ光をガウシアン的な光強度分布を有するとともに入射径より小径のビームに集光するコルゲート導波管と、このコルゲート導波管から出射されたテラヘルツ光を伝送する構成としてある。
この構成によれば、テラへツル光はコルゲート導波管によりガウシアン的な光強度分布を有する極小高密度のマイクロビーム化される。マイクロビーム化されたテラヘルツ光は、直径がμｍオーダーの伝送体で高効率に伝送され、照射対象に照射される。
【０００８】
前記伝送体のコアの直径は、請求項２に記載するように、前記伝送体の形状，大きさ及び物性に基づくカットオフ周波数が、伝送しようとするテラヘルツ光の周波数よりも小さくなるような形状，大きさ及び物性（「伝送しようとするテラヘルツ光の周波数＞前記伝送体の形状，大きさ及び物性に基づくカットオフ周波数」となる形状，大きさ及び物性）とすることができる。例えば、石英ガラス製の光ファイバを用いた場合において伝送しようとするテラヘルツ光の周波数が１ＴＨｚである場合は、０．９ＴＨｚ程度のカットオフ周波数を有するコア直径０．１ｍｍ程度の断面円形の光ファイバを用いることができる。
【０００９】
本発明においてコルゲート導波管は、入射されたテラヘルツ光をガウシアン的な光強度分布を有する極小高密度のマイクロビーム化することができるものであればよい。このようなコルゲート導波管としては、例えば請求項３に記載するように、前記突起の幅が前記テラヘルツ光の波長の１／３〜１／５程度、前記突起の高さが前記幅の１／３〜１／４程度、前記突起の間隔が前記テラヘルツ光の波長の１／３〜２／３程度のものを挙げることができる。
【００１０】
前記伝送体としては、請求項４に記載するように、コアとクラッドとから構成される光ファイバを用いることができる。請求項５に記載するように、前記クラッドの外周面に、前記コア内を伝送されるテラヘルツ光を全反射するための金コーティング層を形成するとよい。
金製のコーティング層は、テラヘルツ光を全反射して伝送効率を高めることができるほか、人や動物の生体内に刺し入れる際に拒否反応が無く、延性に優れることから光ファイバが破断してもコーティング層で断裂するおそれが小さくて安全性に優れるという利点がある。
また、伝送体の他の例としては、請求項６に記載するように、中空管とこの中空管の軸心に配置された金属線とを有する同軸二芯構造のものを挙げることができる。このような同軸二芯構造は、光ファイバのように波長依存によりカットオフが生じる伝送体に比して、波長依存性が無く伝送効率が高い点で有利である。
【００１１】
前記テラヘルツ光源と前記コルゲート導波管は直接接続してもよいし、請求項７に記載するように、前記テラヘルツ光源から出射されたテラヘルツ光を、反射鏡を介して前記コルゲート導波管に入射させるようにしてもよい。
このようにすることで、テラヘルツ光源とコルゲート導波管及び伝送体とを離間して配置することができ、人体等の照射対象の位置や姿勢等に応じて、これらの位置関係を自在に変更することが可能になる。
前記伝送体の先端部は、請求項８に記載するように、人や動植物等の体内その他の照射対象に刺し込むことができるように、針状に形成してもよい。
【００１２】
また、請求項９に記載するように、前記伝送体の先端部における局所加温領域の温度を計測する温度センサを設けてもよい。この場合、請求項１０に記載するように、温度センサは前記伝送体の先端部に設けるとよい。このようにすることで、温度計測のための温度センサを前記伝送体とともに体内に刺し込むことができるので、患者等の負担を軽減することができる。
さらに、請求項１１に記載するように、前記伝送体を保持し、遠隔操作によりテラヘルツ光の照射対象に対して前記伝送体の先端を所定位置に位置決めし、前記伝送体の先端を前記照射対象に対して所定の深度まで刺し込む操作手段を備えていてもよい。
【００１３】
上記した本発明のテラヘルツ光の照射装置は、中性子や重粒子等の量子ビームの照射装置と組み合わせることが可能である。特に、中性子線等の量子ビームの照射装置と組み合わせることで、これまで治療が困難であった癌の治療に高い効果を期待できる。例えば、量子ビーム照射だけ又はテラヘルツ光の照射だけでは完治できない難治療性の癌の治療に対し、これらを併用することで高い治療効果を期待することができる。すなわち、本発明の治療装置は請求項１２に記載するように、上記のいずれかに記載のマイクロビーム化したテラヘルツ光の照射装置と量子ビームの照射装置とを備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明は上記のように構成されているので、テラヘルツ光源で生成されたテラヘルツ光を極小高密度のマイクロビーム化し、μｍオーダーの伝送体で高効率に伝送することが可能になる。
そのため、伝送体の直径を注射針又はそれ以下にすることができ、例えば患者の体内に刺し込んで深部にある患部に前記伝送体の先端を近づけ、テラヘルツ光を前記患部に照射して加温治療を行うことが可能になる。また、フレキシブルに変形が可能な光ファイバや二軸中空管を用いることで、骨や他の重要な臓器の局在し、手術等で切除できない患部に対してもテラヘルツ光を直近位置から照射することが可能になる。
【００１５】
本発明は、テラヘルツ光の単独照射や中性子線ようなの量子ビームの単独照射では完治できない難治療性癌に有効である。このような難治療性癌には、(i)ひと固まりのような固定癌、(ii)転移性の不定形癌のように体全体に小規模に局在化し再発を誘発するもの、(iii)  外科手術により(i)を切除した後の取り残し等があるが、このような難治療性癌に対して、マイクロビーム化したテラヘルツ光により局所加熱して対応することが可能である。そして、量子ビームとテラヘルツ光の同時照射を行うことで、上記した(i)〜(iii)に対応した高度な治療を行うことができる。
【００１６】
さらに本発明では、テラヘルツ光の伝送体を可能な限り細くして、マイクロビーム化したテラヘルツ光を患者負担の少ない穿刺により体内深部の癌患部を局所加熱することができる。また、伝送体を細く長くすることで量子ビーム照射時の伝送体の放射化を低減することができるとともに、テラヘルツ光の入力及び伝送体を遠隔操作することで加温条件をコントロールすることができるため、中性子線のような放射線の被ばくから施術者を保護することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明のテラヘルツ光の照射装置の好適な実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。
図１は本発明のテラヘルツ光の照射装置の一実施形態にかかり、照射装置の構成を説明する概略図、図２（ａ）はコルゲートホーンの概略図、（ｂ）はコルゲートホーンの内部の部分拡大図、図３は伝送体の実施形態にかかり、その構成を説明する断面概略図、図４は本発明を癌等の治療装置に適用した場合の実施形態を示す概略図、図５は本発明のテラヘルツ照射装置をヒトの癌治療に適用した場合の概念図である。
【００１８】
図１に示すように、テラヘルツ光の照射装置１は、テラヘルツ光を生成するテラヘルツ光源１０と、このテラヘルツ光源１０によって生成されたテラヘルツ光をマイクロビーム化するコルゲートホーン１１と、このコルゲートホーン１１の一端に接続され、マイクロビーム化されたテラヘルツ光を伝送する伝送体１２とから構成される。
【００１９】
［テラヘルツ光源１０］
テラヘルツ光の周波数については明確な定義は無いが、概ね０．３〜３ＴＨｚの範囲（波長では１００μｍ〜１０００μｍの範囲）のものが該当する。このようなテラヘルツ光を生成するテラヘルツ光源１０としては、ジャイロトロン、後進波発振器（ＢＷＯ）、フェムト秒レーザ、遠赤外線レーザ、量子カスケードレーザ等を使用することができる。
【００２０】
［コルゲートホーン］
コルゲート導波管としてのコルゲートホーン１１は、テラヘルツ光源１０で生成されたテラヘルツ光を、後述するμｍオーダーの直径を有する伝送体１２に合わせてマイクロビーム化できるであればよく、その形状、寸法、材質等は問わない。図２は、コルゲートホーン１１の一例を示したもので、貫通孔を有する中空円錐状に形成された本体１１０と、この本体１１０の大径側に形成されて本体１１０をテラヘルツ光源１０に取り付けるフランジ部１１１とから構成される。本体１１０には、大径側にテラヘルツ光の入射口１１０ａが形成され、小径側にテラヘルツ光の出射口１１０ｂが形成されている。
コルゲートホーン１１の入射口１１０ａの口径はテラヘルツ光源１０の出射口の口径に合わせ、出射口１１０ｂの口径は後述する伝送体１２のコア１２０の直径に合わせて０．１〜１．０ｍｍ程度とするのが好ましい。
【００２１】
［コルゲート構造］
コルゲートホーン１１の本体１１０の内面には、図２（ｂ）に示すようにテラヘルツ光の進行方向に沿って多数の突起１１２が形成されている。この突起１１２は、コルゲートホーン１１に入射したテラヘルツ光の光強度分布をガウシアン的なものにし、コルゲートホーン１１内を進行するテラヘルツ光を極小高密度化されたマイクロビームにする。
この突起１１２の例としては、幅Ｗがテラヘルツ光の波長の１／３〜１／５程度、間隔Ｓがテラヘルツ光の波長の１／３〜２／３程度、高さＨが波長の前記幅の１／３〜１／４程度のものを挙げることができる。例えば、周波数１ＴＨｚのテラヘルツ光の場合は、幅Ｗとして７５μｍ程度、間隔Ｓとして１５０μｍ程度、高さＨとして２０μｍ程度のものを挙げることができる。
コルゲートホーン１１の長さ（テラヘルツ光の光路長）Ｌは、テラヘルツ光を最も高効率・高密度でマイクロビーム化できるものを選択するが、入射口１１０ａの口径と出射口１１０ｂの口径に依存する。例えば、入射口１１０ａの口径を２８ｍｍ〜３０ｍｍ程度、出射口１１０ｂの口径を０．１〜１．０ｍｍ程度とした場合は、長さＬは約１５０〜２００ｍｍとすることができる。
【００２２】
［伝送体］
コルゲートホーン１１によりガウシアンビーム化されたテラヘルツ光を伝送するための伝送体１２としては、石英ガラスで形成されたコア部１２０と、このコア部１２０の周囲に形成された石英ガラス製のクラッド部１２１とを有する図３（ａ）に示すような光ファイバや、中空管１２３とこの中空管１２３の軸心に配置された金属線１２４とを有する図３（ｂ）に示すような同軸二芯中空管を用いることができる。
伝送体１２として光ファイバを用いる場合は、クラッド部１２１の外周面にテラヘルツ光を全反射するためのコーティング層１２２を形成するとよい。光ファイバの伝送体１２を体内に刺し込む場合は、コーティング層１２２は金で形成するのがよい。金は生体と反応せず、延性が高いことから光ファイバを断裂しにくくできる点で有利である。
【００２３】
伝送体１２として光ファイバを用いた場合のＣｕｔ−ｏｆｆ周波数及び伝送損失との関係を以下の表に示す。以下の表は、想定出力が４０Ｗ・０．４ＴＨｚのテラヘルツ光源１０を用い、コア部１２０及びクラッド部１２１の誘電率が３．８０６〜３．８１４（０．１〜１ＴＨｚ）で、クラッド部１２１の外周面を金コーティングした場合を示している。
【００２４】
【表１】
2014023598.tif 000003
【００２５】
この表からわかるように、コア部１２０の所定直径に対し、同表における当該直径に対応するＣｕｔ−ｏｆｆ周波数以下のテラヘルツ光は伝送できない。例えば、コア部１２０の直径が０．３ｍｍの場合、Ｃｕｔ−ｏｆｆ周波数は０．３ＴＨｚであるから、０．３ＴＨｚ以下のテラヘルツ光はコア直径０．３ｍｍの光ファイバでは伝送できない。換言すれば、０．４ＴＨｚより周波数が大きければ、コア部１２０の直径を０．３ｍｍ程度まで小径化することができるわけである。この径であれば、伝送体１２の径を注射針と同程度かそれ以下にすることができるので、注射針と併用したり、体内に直接刺し入れたりすることが可能である。
【００２６】
伝送体１２の先端部には温度センサその他のセンサを設けてもよい。伝送体１２の先端に例えば温度センサを設けることで、伝送体１２の先端部における局所加温領域の温度を計測し、計測結果に基づいてテラヘルツ光源の出力やテラヘルツ光の照射位置を制御することで照射部位の温度を適正に保つことができる。そのため、例えば癌治療等の現場において、癌患部を、癌細胞を死滅させるのに最適な温度に保ちつつテラヘルツ光の照射を行うことが可能になる。
【００２７】
上記構成の伝送体１２とコルゲートホーン１１とは、コネクタやアダプタ等の接続部材１３を介して接続することができる。また、テラヘルツ光源１０から出射されたテラヘルツ光を、反射鏡を介してコルゲートホーン１１に入射させることも可能である。このようにすれば、テラヘルツ光源１０とコルゲートホーン１１及び伝送体１２とを離間して配置することができ、人体等の照射対象の位置や姿勢等に応じて、テラヘルツ光源１０とコルゲートホーン１１及び伝送体１２との位置関係を自在に変更することが可能になる。
【００２８】
図４は、本発明を癌等の治療装置に適用した場合の実施形態を示す概略図である。
図示の治療装置は、テラヘルツ光源１０とコルゲートホーン１１及び伝送体１２との間に反射鏡１５を配置し、テラヘルツ光源１０から出射されたテラヘルツ光を、反射鏡１５を介してコルゲートホーン１１に入射させるようにしている。伝送体１２の先端を被照射体に刺し込み、伝送体１２の先端からマイクロビーム化されたテラヘルツ光が患部に照射される。テラヘルツ光の照射による患部の加熱温度は、温度センサ１６によって検出することができる。なお、反射鏡１５は導波管１７の中に配置するのが好ましい。図示はしないが、伝送体１２の先端部をロボットアーム等の操作手段に保持させ、伝送体１２の位置決めと刺し込み、テラヘルツ光の照射及び加温条件の調整を遠隔操作するようにしてもよい。
また、この治療装置には、特に難治療性の癌の治療を目的として、テラヘルツ光照射装置の他に中性子や重粒子等の量子ビームの照射装置を設け、患部に対してマイクロビーム化されたテラヘルツ光の照射と量子ビームとの照射を同時に行うようにしてもよい。
【００２９】
［作用の説明］
上記構成のテラヘルツ光照射装置の作用を説明する。
テラヘルツ光源１０で生成されたテラヘルツ光はコルゲートホーン１１に入射され、コルゲートホーン１１の内部を進行する間に、コルゲート構造の突起１１２により光径が絞られたガウシアンビーム化される。出射口１１０ｂで光径が０．１〜１．０ｍｍ程度まで小径化されたテラヘルツ光は、コネクタ又は反射鏡によって伝送体１２に導かれる。伝送体１２の先端を注射針状に形成しておけば、体内に刺し込んで患部の近くに伝送体１２の先端を位置させることが可能である。もちろん、体表面の患部に対しては、伝送体１２を用いることなく、コルゲートホーン１１の出射口１１０ｂから出射されたテラヘルツ光をそのまま前記患部に照射することも可能である。
【００３０】
図５は、伝送体１２に入射されたテラヘルツ光を患者の体内の癌患部まで伝送する癌治療のモデルを説明する図である。
テラヘルツ光源１０から照射されたテラヘルツ光は、反射鏡１５によって向きを変えられ、患者の身体の近傍に配置されたコルゲートホーン１１に入射される。そして、マイクロビーム化されたテラヘルツ光が、患者の体内に刺し込まれた伝送体１２の先端から癌患部に向けて照射される。テラヘルツ光の照射により、照射部分を中心に一定の領域が加温され、当該領域内の癌細胞を死滅させることができる。
【００３１】
癌患部が大きい場合には、複数箇所に伝送体１２を刺し込んでテラヘルツ光の照射を行う。テラヘルツ光の照射による加熱温度は、伝送体１２と並設又は伝送体１２と一体に設けられた温度センサ１６によって検出され、加温治療に最適な温度に調整される。このようにすることで、テラヘルツ光の照射によって体内の深い部分の癌治療を行うことが可能になる。
【００３２】
なお、テラヘルツ光の照射に中性子線等の量子ビームの照射を併用させてもよい。本発明では伝送体を細く長くすることができるので、このような場合でも量子ビーム照射による伝送体１２の放射化を低減することができるほか、伝送体１２の先端部をロボットアーム等の操作手段に保持させ、伝送体１２の位置決めと刺し込み、テラヘルツ光の照射及び加温条件の調整を遠隔操作することが可能になり、中性子線のような放射線の被ばくから施術者を保護することができる。
【００３３】
本発明の好適な実施形態について説明したが、本発明は上記の説明に限定されるものではない。
例えば、テラヘルツ光は周波数０．３〜３ＴＨｚの範囲のものであることを前提に説明したが、この範囲は明確な定義の無い「テラヘルツ光」の一般的な目安であり、本発明と同等の作用及び効果を奏するものであればこの範囲外のものであっても本発明の「テラヘルツ光」に含まれる。
また、伝送体１２の断面形状は円形に限らず、伝送しようとするテラヘルツ光の周波数を前記伝送体の形状及び物性に基づくカットオフ周波数よりも大きくできるのであれば、楕円形や四角形、多角形など他の形状であってもよい。
【産業上の利用可能性】
【００３４】
本発明の装置は、ヒトや動物における癌等の病気治療などの医学分野に好適であるほか、動的核分極（DNP）法による超高感度固体核磁気共鳴（NMR）、半導体、各種検査や分析、加工等の工学、化学、物理分野にも広範に適用が可能である。また、本発明のテラヘルツ光照射装置と量子ビーム照射装置と組み合わせて、癌治療等の治療装置に適用することが可能である。
さらに、本発明のテラヘルツ照射装置と中性子や重粒子等の量子ビームの照射装置とを組み合わせた装置は、上記した医学分野の他、例えば蛋白質をマイクロビーム化テラヘルツ光で励起し光合成を進めながら中性子ビームにより構造解析を行う反応解析分野や、内部のメカニズムを調べる工学的探査分野等にも適用が可能である。
【図面の簡単な説明】
【００３５】
【図１】本発明のテラヘルツ光の照射装置の一実施形態にかかり、照射装置の構成を説明する概略図である。
【図２】図２（ａ）はコルゲートホーンの概略図、図２（ｂ）はコルゲートホーンの内部の部分拡大図である。
【図３】伝送体の実施形態にかかり、その構成を説明する断面概略図である。
【図４】本発明を癌等の治療装置に適用した場合の実施形態を示す概略図である。
【図５】本発明のテラヘルツ照射装置をヒトの癌治療に適用した場合の概念図である。
【符号の説明】
【００３６】
１        テラヘルツ光の照射装置
１０      テラヘルツ光源
１１      コルゲートホーン（コルゲート導波管）
１２      伝送体
１３      コネクタ
１５      反射鏡
１６      温度センサ
【図１】
2014023598.tif 000004
【図２】
2014023598.tif 000005
【図３】
2014023598.tif 000006
【図４】
2014023598.tif 000007
【図５】
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