【手続補正書】
【提出日】令和3年10月27日(2021.10.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
吸着の対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有し、前記第１主面と前記第２主面との間に設けられた電極を備えたセラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持し、ガス導入路を有するベースプレートと、
前記ベースプレートと、前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と、の間であって、前記ガス導入路と対向する位置に設けられた第１多孔質部と、
前記第１多孔質部と前記ガス導入路との間に設けられた第２多孔質部と、
を備え、
前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう第１方向に垂直な平面に投影したときに、前記電極と前記ガス導入路とは重ならないことを特徴とする静電チャック。
【請求項２】
前記ベースプレートは、前記ベースプレートのうち前記セラミック誘電体基板側に設けられた座ぐり部を有し、前記第２多孔質部は前記座ぐり部に設けられており、
前記第１方向に垂直な平面に投影したときに、前記電極と前記座ぐり部とは重ならないことを特徴とする請求項１に記載の静電チャック。
【請求項３】
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられた接着部をさらに備え、
前記第１多孔質部は、前記第1主面側の第１上面と、前記第２主面側の第１下面と、を有し、
前記第２多孔質部は、前記第1多孔質部側の第２上面と、前記第２上面の反対側の第２下面と、を有し、
前記第１下面と前記第２上面との間に空間が設けられており、
前記第１方向に対して垂直な方向視において、前記空間と前記接着部とは重なり、
前記第1方向に対して垂直な平面に投影したときに、前記電極と前記空間とは重ならないことを特徴とする請求項１または２に記載の静電チャック。
【請求項４】
前記第１多孔質部は、複数の孔を有する複数の疎部分と、前記疎部分の密度よりも高い密度を有する密部分と、を有し、
前記複数の疎部分のそれぞれは、前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう第１方向に延び、
前記密部分は、前記複数の疎部分同士の間に位置し、
前記疎部分は、前記孔と、前記孔との間に設けられた壁部を有し、
前記第１方向に略直交する第２方向において、前記壁部の寸法の最小値は、前記密部分の寸法の最小値よりも小さいことを特徴とする請求項１〜３のいずれか1つに記載の静電チャック。
【請求項５】
前記第２方向において、前記複数の疎部分のそれぞれに設けられた前記複数の孔の寸法は、前記密部分の寸法よりも小さいことを特徴とする請求項４記載の静電チャック。
【請求項６】
前記複数の疎部分のそれぞれに設けられた前記複数の孔の縦横比は、３０以上であることを特徴とする請求項４または５に記載の静電チャック。
【請求項７】
前記第２方向において、前記複数の疎部分のそれぞれに設けられた前記複数の孔の寸法は、１マイクロメートル以上２０マイクロメートル以下であることを特徴とする請求項４〜６のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項８】
前記第１方向に沿って見たときに、前記複数の孔は、前記疎部分の中心部に位置する第１孔を含み、
前記複数の孔のうち前記第１孔と隣接し前記第１孔を囲む孔の数は、６であることを特徴とする請求項４〜７のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項９】
前記第２多孔質部に設けられた前記複数の孔の径の平均値は、前記第１多孔質部に設けられた複数の孔の径の平均値よりも大きいことを特徴とする請求項１〜８のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項１０】
前記第１多孔質部に設けられた前記複数の孔の径のばらつきは、前記第２多孔質部に設けられた複数の孔の径のばらつきよりも小さいことを特徴とする請求項１〜９のいずれか１つに記載の静電チャック。  
【請求項１１】
前記第２多孔質部に設けられた複数の孔は、前記第１多孔質部に設けられた複数の孔よりも３次元的に分散し、
前記第１方向に貫通する孔の割合は、前記第２多孔質部よりも前記第１多孔質部の方が多いことを特徴とする請求項９または１０に記載の静電チャック。
【請求項１２】
前記第１多孔質部および前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウムを主成分として含み、
前記セラミック誘電体基板の前記酸化アルミニウムの純度は、前記第１多孔質部の前記酸化アルミニウムの純度よりも高いことを特徴とする請求項１〜１１のいずれか１つに記載の静電チャック。
【請求項１３】
前記セラミック誘電体基板は、前記第１主面と、前記第１多孔質部との間に位置する第１孔部を有し、
前記セラミック誘電体基板および前記第１多孔質部の少なくともいずれかは、前記第１孔部と、前記第１多孔質部との間に位置する第２孔部を有し、
前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう第１方向と略直交する第２方向において、前記第２孔部の寸法は、前記第１多孔質部の寸法よりも小さく、前記第１孔部の寸法よりも大きいことを特徴とする請求項１〜１２のいずれか１つに記載の静電チャック。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００８】
第１の発明は、吸着の対象物を載置する第１主面と、前記第１主面とは反対側の第２主面と、を有し、前記第１主面と前記第２主面との間に設けられた電極を備えたセラミック誘電体基板と、 前記セラミック誘電体基板を支持し、ガス導入路を有するベースプレートと、 前記ベースプレートと、前記セラミック誘電体基板の前記第１主面と、の間であって、前記ガス導入路と対向する位置に設けられた第１多孔質部と、前記第１多孔質部と前記ガス導入路との間に設けられた第２多孔質部と、を備え、前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう第１方向に垂直な平面に投影したときに、前記電極と前記ガス導入路とは重ならないことを特徴とする静電チャックである。  
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１０】
第２の発明は、第１の発明において、前記ベースプレートは、前記ベースプレートのうち前記セラミック誘電体基板側に設けられた座ぐり部を有し、前記第２多孔質部は前記座ぐり部に設けられており、前記第１方向に垂直な平面に投影したときに、前記電極と前記座ぐり部とは重ならないことを特徴とする静電チャックである。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１１
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１２】
第３の発明は、第１または第２の発明において、前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられた接着部をさらに備え、前記第１多孔質部は、前記第1主面側の第１上面と、前記第２主面側の第１下面と、を有し、前記第２多孔質部は、前記第1多孔質部側の第２上面と、前記第２上面の反対側の第２下面と、を有し、前記第１下面と前記第２上面との間に空間が設けられており、前記第１方向に対して垂直な方向視において、前記空間と前記接着部とは重なり、前記第1方向に対して垂直な平面に投影したときに、前記電極と前記空間とは重ならないことを特徴とする静電チャックである。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１３
【補正方法】削除
【補正の内容】
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１４】
第４の発明は、第１〜第３のいずれか１つの発明において、前記第１多孔質部は、複数の孔を有する複数の疎部分と、前記疎部分の密度よりも高い密度を有する密部分と、を有し、 前記複数の疎部分のそれぞれは、前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう第１方向に延び、 前記密部分は、前記複数の疎部分同士の間に位置し、前記疎部分は、前記孔と、前記孔との間に設けられた壁部を有し、前記第１方向に略直交する第２方向において、前記壁部の寸法の最小値は、前記密部分の寸法の最小値よりも小さいことを特徴とする静電チャックである。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
この静電チャックによれば、第１多孔質部に第１方向に延びる疎部分と密部分とが設けられているので、アーク放電に対する耐性とガス流量とを確保しつつ、第１多孔質部の機械的な強度（剛性）を向上させることができる。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１６】
第５の発明は、第４の発明において、前記第２方向において、前記複数の疎部分のそれぞれに設けられた前記複数の孔の寸法は、前記密部分の寸法よりも小さいことを特徴とする静電チャックである。
【手続補正１１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
この静電チャックによれば、複数の孔の寸法を十分に小さくできるため、アーク放電に対する耐性をさらに向上させることができる。
【手続補正１２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１８】
第６の発明は、第４または第５の発明において、前記複数の疎部分のそれぞれに設けられた前記複数の孔の縦横比は、３０以上であることを特徴とする静電チャックである。
【手続補正１３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１９】
この静電チャックによれば、アーク放電に対する耐性をさらに向上させることができる。
【手続補正１４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２０】
第７の発明は、第４〜第６のいずれか１つの発明において、前記第２方向において、前記複数の疎部分のそれぞれに設けられた前記複数の孔の寸法は、１マイクロメートル以上２０マイクロメートル以下であることを特徴とする静電チャックである。
【手続補正１５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２１】
この静電チャックによれば、孔の寸法が１〜２０マイクロメートルの１方向に延びる孔を配列させることができるので、アーク放電に対する高い耐性を実現することができる。
【手続補正１６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２２】
第８の発明は、第４〜第７のいずれか１つの発明において、前記第１方向に沿って見たときに、前記複数の孔は、前記疎部分の中心部に位置する第１孔を含み、前記複数の孔のうち前記第１孔と隣接し前記第１孔を囲む孔の数は、６であることを特徴とする静電チャックである。
【手続補正１７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２３】
この静電チャックによれば、平面視において、高い等方性かつ高い密度で複数の孔を配置することが可能となる。これにより、アーク放電に対する耐性と流れるガスの流量とを確保しつつ、第１多孔質部の剛性を向上させることができる。
【手続補正１８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２４】
第９の発明は、第１〜第８のいずれか１つの発明において、前記第２多孔質部に設けられた前記複数の孔の径の平均値は、前記第１多孔質部に設けられた複数の孔の径の平均値よりも大きいことを特徴とする静電チャックである。
【手続補正１９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２５】
この静電チャックによれば、孔の径が大きい第２多孔質部が設けられているので、ガスの流れの円滑化を図ることができる。また、孔の径が小さい第１多孔質部が吸着の対象物側に設けられているので、アーク放電の発生をより効果的に抑制することができる。
【手続補正２０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２６】
第１０の発明は、第１〜第９のいずれか１つの発明において、前記第１多孔質部に設けられた前記複数の孔の径のばらつきは、前記第２多孔質部に設けられた複数の孔の径のばらつきよりも小さいことを特徴とする静電チャックである。
【手続補正２１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
この静電チャックによれば、第１多孔質部に設けられた複数の孔の径のばらつきが、第２多孔質部に設けられた複数の孔の径のばらつきよりも小さいため、アーク放電の発生をより効果的に抑制できる。
【手続補正２２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２８】
第１１の発明は、第９または第１０の発明において、前記第２多孔質部に設けられた複数の孔は、前記第１多孔質部に設けられた複数の孔よりも３次元的に分散し、前記第１方向に貫通する孔の割合は、前記第２多孔質部よりも前記第１多孔質部の方が多いことを特徴とする静電チャックである。
なお、孔が３次元的に分散する例については図１０を参照しつつ後述する。
【手続補正２３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３１】
この静電チャックによれば、静電チャックの耐プラズマ性等の性能を確保し、かつ、第１多孔質部の機械的強度を確保することができる。一例としては、第１多孔質部に微量の添加物を含有させることにより、第１多孔質部の焼結が促進され、気孔の制御や機械的強度の確保が可能となる。
第１３の発明は、第１〜第１２のいずれか１つの発明において、前記セラミック誘電体基板は、前記第１主面と、前記第１多孔質部との間に位置する第１孔部を有し、前記セラミック誘電体基板および前記第１多孔質部の少なくともいずれかは、前記第１孔部と、前記第１多孔質部との間に位置する第２孔部を有し、前記ベースプレートから前記セラミック誘電体基板へ向かう第１方向と略直交する第２方向において、前記第２孔部の寸法は、前記第１多孔質部の寸法よりも小さく、前記第１孔部の寸法よりも大きいことを特徴とする静電チャックである。