(57)【要約】【課題】加工形状の精密制御を容易とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供する。【解決手段】実施形態のプラズマ処理装置は，チャンバ，導入部，対向電極，高周波電源，複数の低周波電源を備える。基板電極は，前記チャンバ内に配置され，直接または間接に基板が載置され，かつ複数の電極素子群を有する。導入部は，チャンバ内にプロセスガスを導入する。高周波電源は，プロセスガスをイオン化し，プラズマを発生させるための高周波電圧を出力する。複数の低周波電源は，前記複数の電極素子群それぞれに，前記プラズマからのイオン引き込み用の，位相が互いに異なり，２０ＭＨｚ以下の，複数の低周波電圧を印加する。【選択図】図１
2014082449.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと，
前記チャンバ内にプロセスガスを導入する導入部と，
前記チャンバ内に配置され，直接または間接に基板が載置され，かつ複数の電極素子群を有する，基板電極と，
前記プロセスガスをイオン化し，プラズマを発生させるための高周波電圧を出力する高周波電源と，
前記複数の電極素子群それぞれに，前記プラズマからのイオン引き込み用の，位相が互いに異なり，２０ＭＨｚ以下の，複数の低周波電圧を印加する，複数の低周波電源と，
を具備するプラズマ処理装置。
【請求項２】
前記基板電極が，所定の方向に沿う軸を有する複数の電極素子を備える，
請求項１に記載のプラズマ処理装置。
【請求項３】
前記基板電極が，順に繰り返し並ぶ，複数の第１〜第ｎの電極素子で規定される，第１〜第ｎの電極素子群を有し（ｎ：２以上の整数），
前記複数の低周波電源が，前記第１〜第ｎの電極素子群に，位相が異なる第１〜第ｎの低周波電圧を印加する第１〜第ｎの低周波電源，を有する，
請求項１または２に記載のプラズマ処理装置。
【請求項４】
隣り合う電極素子に印加される低周波電圧間の位相がπ／２異なる，
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項５】
隣り合う電極素子に印加される低周波電圧間の位相が（２π／ｎ）異なる（ｎ：３以上の整数），
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項６】
前記基板電極が，第１〜第４の電極素子群を有し，
前記第１〜第４の電極素子群に印加される第１〜第４の低周波電圧それぞれの位相が，０，±π／２，±π，±３π／２である，
請求項３に記載のプラズマ処理装置。
【請求項７】
隣り合う電極素子の間隔が５ｍｍ以下である，
請求項２乃至６のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項８】
前記所定の方向と異なる方向に沿う軸を有する，複数の電極素子を備える，第２の基板電極と，
前記基板電極と前記第２の基板電極とを切り替えて，前記高周波電圧と前記複数の低周波電圧を印加する，切替部と，
をさらに具備する請求項２記載のプラズマ処理装置。
【請求項９】
前記基板電極に対して，前記基板を相対的に回転させる回転機構
をさらに具備する請求項１乃至８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１０】
前記基板電極が，２方向に列をなして配置される複数の電極素子を備え，
前記複数の電極素子から，１の方向に沿う前記複数の電極素子群を選択する選択部と，
前記１の方向が順次に回転するように前記選択部を制御ずる制御部と，
をさらに具備する，
請求項１乃至８のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１１】
前記複数の電極素子が，互いに異なる第１，第２の方向に列をなして配置され，
前記選択部が，前記第１の方向に沿う複数の第１の電極素子群，前記第２の方向に沿う複数の第２の電極素子群，前記第１，第２の方向の中間の第３の方向に沿う複数の第３の電極素子群，前記第２，第１の方向の中間の第４の方向に沿う複数の第４の電極素子群のいずれかを選択し，
前記制御部が，前記選択部に，前記複数の第１，第３，第２，第４の電極素子群を周期的に選択させる，
請求項１０記載のプラズマ処理装置。
【請求項１２】
プラズマ処理プロセスの進行に伴って，前記複数の低周波電源からの前記複数の低周波電圧の位相を変化させる位相調整器，
をさらに具備する請求項１乃至１１のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１３】
前記基板と前記分割電極の間に配置され，複数の開口を有する吸着電極と，
前記吸着電極に直流電圧を印加し，前記基板を前記吸着電極に吸着させる直流電源と，
をさらに具備する請求項１乃至１２のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１４】
前記複数の開口それぞれの幅が，２ｍｍ以上，５ｍｍ以下である，
請求項１３記載のプラズマ処理装置。
【請求項１５】
前記開口を通じて，前記基板を冷却する冷媒を供給する冷媒供給部
をさらに具備する請求項１３または１４に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１６】
前記高周波電源が，前記基板電極に４０ＭＨｚ以上の前記高周波電圧を印加する，
請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１７】
前記高周波電圧が印加される誘導コイル，
をさらに具備する請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１８】
前記高周波電圧が印加される対向電極，
をさらに具備する請求項１乃至１５のいずれか１項に記載のプラズマ処理装置。
【請求項１９】
チャンバと，前記チャンバ内に配置され，かつ複数の電極素子群を有する，基板電極と，を備えるプラズマ処理装置の，前記基板電極に，基板を直接または間接に配置する工程と，
前記チャンバ内を減圧し，プロセスガスを導入する工程と，
前記チャンバ内のプロセスガスをイオン化させてプラズマを生成する工程と，
前記複数の電極素子群それぞれに，前記プラズマからのイオン引き込み用の，位相が互いに異なり，２０ＭＨｚ以下の，複数の低周波電圧を印加する工程と，
を具備するプラズマ処理方法。
【請求項２０】
前記基板電極が，所定の方向に沿う軸を有する複数の電極素子を備える，
請求項１９に記載のプラズマ処理方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は，プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
プラズマ処理装置は，プラズマを発生し，このプラズマ中のイオンを基板（例えば，半導体ウエハ）に入射させることで，基板を処理する。半導体デバイス製造プロセスにおいて，入射されたイオンが基板をエッチングすることで，トレンチ（溝），ビアホール,突出部等が形成される。
【０００３】
ここで，半導体デバイス製造プロセスでは，半導体デバイスの電気性能確保のために，加工形状の精密制御，特に，トレンチ側壁の垂直加工が重要である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特許３８１６０８１号公報
【特許文献２】特開２０１０−１０４１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら，加工形状の精密制御は必ずしも容易ではなく，例えば，トレンチの側壁が垂直にならず，テーパーを有するのが通例である。
【０００６】
本発明は，加工形状の精密制御を容易とするプラズマ処理装置およびプラズマ処理方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
実施形態のプラズマ処理装置は，チャンバ，導入部，対向電極，高周波電源，複数の低周波電源を備える。基板電極は，前記チャンバ内に配置され，直接または間接に基板が載置され，かつ複数の電極素子群を有する。導入部は，チャンバ内にプロセスガスを導入する。高周波電源は，プロセスガスをイオン化し，プラズマを発生させるための高周波電圧を出力する。複数の低周波電源は，前記複数の電極素子群それぞれに，前記プラズマからのイオン引き込み用の，位相が互いに異なり，２０ＭＨｚ以下の，複数の低周波電圧を印加する。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係るプラズマ処理装置１０の概略構成図である。
【図２】基板電極１５の構成の一例を表す斜視図である。
【図３】電極素子Ｅ１，Ｅ２に印加される電圧波形ＲＦ１，ＲＦ２の一例を表す図である。
【図４】ウエハＷに入射されるイオンＩＩの一例を表す模式図である。
【図５】比較例に係るプラズマ処理装置１０ｘの概略構成図である。
【図６】基板電極１５ｘに印加される電圧波形ＲＦの一例を表す図である。
【図７】処理前のウエハＷの状態を表す模式断面図である。
【図８】プラズマ処理装置１０ｘで処理後のウエハＷの状態の一例を表す模式断面図である。
【図９】プラズマ処理装置１０ｘで処理後のウエハＷの状態の一例を表す模式断面図である。
【図１０】プラズマ処理装置１０で処理後のウエハＷの状態の一例を表す模式断面図である。
【図１１】変形例１に係るプラズマ処理装置１０ａの概略構成図である。
【図１２】変形例２に係るプラズマ処理装置１０ｂの概略構成図である。
【図１３】誘導コイル２７を表す平面図である。
【図１４】第２の実施形態に係るプラズマ処理装置１０ｃの概略構成図である。
【図１５】基板電極１５ａの構成の一例を表す斜視図である。
【図１６】電極素子Ｅ１〜Ｅ４に印加される電圧波形ＲＦ１〜ＲＦ４の一例を表す図である。
【図１７】第３の実施形態に係るプラズマ処理装置１０ｄの概略構成図である。
【図１８】トレンチ側壁をプラズマ処理している状態を表す図である。
【図１９】ビア側壁をプラズマ処理している状態を表す図である。
【図２０】変形例４に係るプラズマ処理装置１０ｅの一部構成図である。
【図２１】変形例５に係るプラズマ処理装置１０ｆの一部構成図である。
【図２２】変形例６に係るプラズマ処理装置１０ｇの一部構成図である。
【図２３】静電チャック４２の一例を表す図である。
【図２４】静電チャック４２の一例を表す図である。
【図２５】第４の実施形態に係るプラズマ処理装置１０ｈの概略構成図である。
【図２６】基板電極１５ｃの構成の一例を表す斜視図である。
【図２７】第５の実施形態に係るプラズマ処理装置１０ｉの概略構成図である。
【図２８】基板電極１５ｄの構成の一例を表す平面図である。
【図２９Ａ】基板電極１５ｄの選択状態の一例を表す平面図である。
【図２９Ｂ】基板電極１５ｄの選択状態の一例を表す平面図である。
【図２９Ｃ】基板電極１５ｄの選択状態の一例を表す平面図である。
【図２９Ｄ】基板電極１５ｄの選択状態の一例を表す平面図である。
【図３０Ａ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３０Ｂ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３０Ｃ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３１Ａ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３１Ｂ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３２】ウエハＷ上の位置Ｐ１〜Ｐ６を表す模式図である。
【図３３Ａ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３３Ｂ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３３Ｃ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３４Ａ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３４Ｂ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３４Ｃ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３４Ｄ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３４Ｅ】ウエハＷに入射するイオンＩＩの入射角度分布の例を表すグラフである。
【図３５】電極素子Ｅと静電チャック４２の位置関係を表す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下，図面を参照して，実施形態を詳細に説明する。
（第１の実施形態）
図１は，第１の実施形態に係るプラズマ処理装置１０の概略構成図である。このプラズマ処理装置１０は，平行平板型のＲＩＥ（Reactive Ion Etching）装置である。
【００１０】
プラズマ処理装置１０は，プラズマＰＬ中のイオンＩＩをウエハ（Wafer）Ｗに入射することで，ウエハＷをエッチングし，トレンチ（溝），ビアホール,突出部等を形成する。ウエハＷは，基板，例えば，半導体（Ｓｉ，ＧａＡｓ等）の基板である。
【００１１】
なお，プラズマ処理装置１０は，ウエハＷにイオンＩＩを入射させる点で，イオンを打ち込むイオンインプランテーション装置と共通するが，次の点で異なる。プラズマ処理では，イオン打ち込みと比べて，入射するイオンのエネルギーが低い（イオン打ち込み：１０ｋ〜５００kｅＶ程度，プラズマ処理：０〜２０００ｅＶ程度）。プラズマ処理では，イオン打ち込みと比べて，特段の加速装置を有せず，プラズマＰＬからのイオンＩＩを基板電極１５に印加したバイアス電位により引き込む。このため，プラズマ処理装置１０は，イオン打ち込みと比べて，プラズマＰＬと基板電極１５が近接している（イオン打ち込み：約１０ｃｍ程度以上，プラズマ処理：数ｃｍ程度以下）。
【００１２】
プラズマ処理装置１０は，チャンバ１１，排気口１２，プロセスガス導入管１３，サセプタ１４，基板電極１５，対向電極１６，容量１７ａ，１７ｂ，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂ，フィルタ２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ，位相調整器２５を有する。
【００１３】
チャンバ１１は，ウエハＷの処理に必要な環境を保持する。
排気口１２は，図示しない圧力調整バルブ，排気ポンプに接続されている。チャンバ１１内の気体は，排気口１２から排気され，チャンバ１１内が高真空に保たれる。また，プロセスガス導入管１３からプロセスガスが導入される場合，プロセスガス導入管１３から流入するガスの流量と排気口１２から流出するガスの流量が釣り合い，チャンバ１１の圧力が一定に保たれる。
【００１４】
プロセスガス導入管１３は，ウエハＷの処理に必要なプロセスガスをチャンバ１１内に導入する。このプロセスガスは，プラズマＰＬの形成に用いられる。放電により，プロセスガスがイオン化してプラズマＰＬとなり，プラズマＰＬ中のイオンＩＩがウエハＷのエッチングに用いられる。
【００１５】
プロセスガスとして，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ，Ｎ２，Ｏ２，ＣＯ，Ｈ２などのガスの他，適宜ＳＦ６やＣＦ４，Ｃ２Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８，Ｃ４Ｆ６，Ｃｌ２，ＨＢｒ，ＳｉＨ４，ＳｉＦ４などを用いることができる。
【００１６】
ここで，プロセスガスをデポジション系，非デポジション（デポジションレス）系に区分できる。非デポジション系ガスは，ウエハＷの処理時に，エッチング作用のみを有するガスである。一方，デポジション系ガスは，ウエハＷの処理時に，エッチング作用に加えて，被膜（保護膜）形成作用を有する。
【００１７】
プロセスガスとして，デポジション系ガスを用いることで，エッチングマスクと，エッチング対象（ウエハＷ等）間のエッチングの選択比を向上できる。即ち，デポジション系ガスの場合，エッチングマスクに被膜を形成しながら，エッチングが進行する。この結果，エッチングマスクのエッチングレートが低減され，選択比を向上できる。
【００１８】
デポジション系，非デポジション系の区分は必ずしも絶対的なものでは無い。希ガス（Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ）は，被膜形成作用が殆ど無く，純粋な非デポジション系と考えられるが，他のガスは，多少なりとも被膜形成作用を有し得る。また，エッチングマスク，エッチング対象の材質・形状，プロセス圧力等の関係で，エッチング作用と被膜形成作用の大小関係が変化し得る。
【００１９】
一般的には，非デポジション系ガスとして，Ａｒ，Ｋｒ，Ｘｅ,Ｈ２などが挙げられる。
また，デポジション系ガスとして，Ｃ２Ｆ６，Ｃ４Ｆ６，Ｃ４Ｆ８，Ｃ５Ｆ８や, ＳＦ６,Ｃｌ２,ＨＢｒが挙げられる。
これらの中間のガスとして，Ｎ２，Ｏ２，ＣＯ,ＣＦ４が挙げられる。
【００２０】
サセプタ１４は，ウエハＷを保持する保持部であり，ウエハＷを保持するためのチャックを有する。チャックとして，力学的にウエハＷを保持するメカニカルチャック，または静電力によりウエハＷを保持する静電チャックを利用できる。なお，静電チャックの詳細は，後の変形例６，７で説明する。
【００２１】
基板電極１５は，サセプタ１４に配置され，ウエハＷの下面と近接または接触する上面を有する略平板状の電極である。即ち，基板電極１５上に間接（近接して）または直接（接触して）にウエハＷ（基板）が載置される。
【００２２】
図２は，基板電極１５の構成の一例を表す斜視図である。図２に示すように，基板電極１５は，複数に分割される分割電極であり，交互に配置される，２つのグループの電極素子Ｅ１，Ｅ２（第１，第２の電極素子群）から構成される。
【００２３】
ここでは，２つのグループの電極素子Ｅ１，Ｅ２は，軸方向Ａに沿う中心軸，および直径Ｒの略円柱形状を有し，間隔Ｄ（中心軸間の距離）で，略平行に配置される。なお，電極素子Ｅ１，Ｅ２の形状は，略円柱形状に限らず，略角柱形状（例えば，略四角柱形状）を有しても良い。
【００２４】
このとき，間隔Ｄを（直径Ｒも）ある程度小さいことが好ましい（例えば，間隔Ｄを５ｍｍ以下とする）。後述の実施例に示すように，イオンＩＩの入射量に位置依存性がある。電極素子Ｅ１，Ｅ２の周期的な配置を反映して，イオンＩＩの入射量は，間隔Ｄに対応する周期で，変動すると考えられる。このため，間隔Ｄを（直径Ｒも）ある程度小さくすることで，プラズマ処理の均一性が向上する（イオンＩＩの入射量の変動の周期が短くなる）。
【００２５】
基板電極１５に，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂからＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂが印加される。
【００２６】
電極素子Ｅ１に，ＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａが重畳された電圧波形ＲＦ１が印加される。
電極素子Ｅ２に，ＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ｂが重畳された電圧波形ＲＦ２が印加される。
【００２７】
ＲＦ高周波電圧Ｖ１は，電極素子Ｅ１，Ｅ２の双方に印加され，プラズマＰＬの発生に用いられる比較的高周波の交流電圧である。ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂは，電極素子Ｅ１，Ｅ２にそれぞれ印加され，プラズマＰＬからのイオンＩＩの引き込みに用いられる比較的低周波の交流電圧である。後述のように，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂに位相差があることで，プラズマＰＬからのウエハＷへのイオンＩＩの斜入射が可能になる。
【００２８】
対向電極１６は，チャンバ１１内に基板電極１５と対向して配置され，その一端がグランド電位（接地電位）とされている。この対向電極１６と基板電極１５は，平行平板電極を構成する。
【００２９】
容量１７ａ，１７ｂは，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂからウエハＷに至るまでの経路上の容量を合成した合成容量を表す。これら合成容量は，例えば，フィルタ２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ，整合器（図示せず），静電チャック（図示せず）それぞれの容量を合成したものに対応する。
【００３０】
ＲＦ高周波電源２１は，基板電極１５へ印加するＲＦ高周波電圧Ｖ１を発生する。ＲＦ高周波電圧Ｖ１の周波数ｆｈは，４０ＭＨｚ以上，１０００ＭＨｚ以下，より好ましくは，４０Ｈｚ以上，５００ＭＨｚ以下（例えば，１００ＭＨｚ）である。
ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂは，基板電極１５へ印加するＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂを発生する。ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂの周波数ｆｌは０．１ＭＨｚ以上，２０ＭＨｚ以下，より好ましくは，０．５ＭＨｚ以上，１４ＭＨｚ以下（例えば，１ＭＨｚ）である。ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂは，略同一周波数であり，位相差α（例えば，π／２，π）を有する。
【００３１】
図示しない整合器によって，ＲＦ高周波電源２１，およびＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂとプラズマＰＬとのインピーダンスが整合される。
【００３２】
ＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂとして，次の式（１）で表されるサイン波形を利用できる。
Ｖ１＝Ｖ０１・ｓｉｎ（２π・ｆｈ・ｔ）
Ｖ２ａ＝Ｖ０２・ｓｉｎ（２π・ｆｌ・ｔ）
Ｖ２ｂ＝Ｖ０２・ｓｉｎ（２π・ｆｌ・ｔ＋α）    ……  式（１）
【００３３】
フィルタ２３ａ，２３ｂ（ＨＰＦ（High Pass Filter）は，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂからのＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂがＲＦ高周波電源２１に入力するのを防止する。
フィルタ２４ａ，２４ｂ（ＬＰＦ（Low Pass Filter）は，ＲＦ高周波電源２１からのＲＦ高周波電圧Ｖ１がＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂに入力するのを防止する。
【００３４】
位相調整器２５は，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂからのＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂの位相差αを調整する。位相差αとして，例えば，π／２，πとすることが考えられる。なお，位相差αを３π／２とすることは，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂの周期性を考えると，π／２とすることと，実質的に同等である。
【００３５】
図３は，電極素子Ｅ１，Ｅ２に印加される電圧波形ＲＦ１，ＲＦ２の一例（位相差π／２）を表す図である。
【００３６】
（プラズマ処理装置１０の動作）
真空引きされ所定の圧力（例えば，０．０１Ｐａ以下）に達したチャンバ１１内に，図示しない搬送機構によりウエハＷが搬送される。次に，チャックにより，サセプタ１４にウエハＷが保持される。このとき，基板電極１５はウエハＷに近接または接触する。
【００３７】
次に，プロセスガス導入管１３からウエハＷの処理に必要なプロセスガスが導入される。このとき，チャンバ１１内に導入されたプロセスガスは，図示しない圧力調整バルブと排気ポンプにより排気口１２から所定の速度で排気される。この結果，チャンバ１１内の圧力は一定（例えば，１．０〜６．０Ｐａ程度）に保たれる。
【００３８】
次に，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂからＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂが基板電極１５へ印加される。電極素子Ｅ１に，ＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａが重畳された電圧波形ＲＦ１が印加される。電極素子Ｅ２に，ＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ｂが重畳された電圧波形ＲＦ２が印加される。
【００３９】
ＲＦ高周波電源２１からのＲＦ高周波電圧Ｖ１により，プラズマＰＬの密度が制御される。ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂからのＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂにより，ウエハＷへ入射するイオンＩＩの入射エネルギーが制御される。この，ウエハＷのエッチング処理のしきい値以上のエネルギーを持ったイオンＩＩにより，ウエハＷがエッチングされる。
【００４０】
図４は，ウエハＷに入射されるイオンＩＩの一例を表す模式図である。
ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂが電極素子Ｅ１，Ｅ２（基板電極１５）に印加される。ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂが，基板電極１５，対向電極１６間に印加されることで，基板基板１５（ウエハＷ）の面に垂直な方向Ａｐ（図２参照）の電界（垂直電界）が生成される。この結果，プラズマＰＬ中のイオンＩＩが基板基板１５（ウエハＷ）に引き込まれる。
【００４１】
ここで，電極素子Ｅ１，Ｅ２に印加されるＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂは，位相差αを有する。このため，垂直電界に加えて，基板基板１５（ウエハＷ）の面に平行で，電極素子Ｅ１，Ｅ２の軸方向Ａに直交する方向Ａｈに平行な方向の，電界Ｆが発生する（図２，図４参照）。この結果，この電界Ｆに対応して，イオンＩＩが垂直方向に対して入射角度θを有するように（斜めに）入射する。イオンＩＩが斜入射することで，ウエハＷの高精度でのエッチングが可能となる。なお，この詳細は後述する。
【００４２】
この電界Ｆは，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂの周期に応じて振動する。この結果，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂの周期に応じて，イオンＩＩの入射角度θが周期的に振動する。
【００４３】
このように，ウエハＷに，軸方向Ａに沿って，入射角度θが正方向，負方向のイオンが交互に入射する。即ち，本実施形態では，次のようなことが可能となる。
【００４４】
（１）ウエハＷに対して，イオンＩＩを入射角度θで斜入射できる。後述のように，斜入射するイオンＩＩを用いて，トレンチ（溝），突起部の形成時にテーパーを低減し，高精度での加工が可能となる。
【００４５】
特に，軸方向Ａに沿うトレンチ（溝），突起部を形成するときに，トレンチ（溝）等の側壁に入射するイオンＩＩの量が増加し，テーパーを低減できる。即ち，トレンチ（溝），突起部の方向（ウエハＷ上の加工ラインの方向）と電極素子Ｅ１，Ｅ２の軸方向Ａとを一致させることが好ましい。
【００４６】
（２）軸方向Ａに沿うトレンチ（溝），突起部の両側からイオンＩＩを斜入射できる。この結果，トレンチ（溝）の両側壁の双方でテーパーを低減できる。
【００４７】
（比較例）
図５は，比較例に係るプラズマ処理装置１０ｘの概略構成図である。プラズマ処理装置１０ｘは，チャンバ１１，排気口１２，プロセスガス導入管１３，サセプタ１４ｘ，基板電極１５ｘ，対向電極１６，容量１７，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ｘを有する。
【００４８】
基板電極１５ｘは，基板電極１５と異なり，電極素子を有しない（分割されていない）平板形状である。図６は，基板電極１５ｘに印加される電圧波形ＲＦの一例を表す図である。ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ｘからのＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２が重畳して，基板電極１５ｘに印加され，プラズマＰＬの発生，イオンＩＩの引き込みが行われる。
【００４９】
プラズマ処理装置１０ｘは，基板電極１５ｘが分割されていないことから，ウエハＷの面に平行な電界Ｆは発生しない。このため，プラズマＰＬからウエハＷの面に垂直な方向にのみイオンＩＩが入射し，斜入射するイオンＩＩは基本的には存在しない。この結果，斜入射のイオンＩＩを用いた精密加工は困難である。
【００５０】
（実施形態と比較例の比較）
以下，実施形態に係るプラズマ処理装置１０と比較例に係るプラズマ処理装置１０ｘでのエッチング結果の相違につき説明する。
図７は，プラズマ処理装置で処理される前のウエハＷの一部を表す拡大断面図である。ウエハＷ上に，層３１，３２，マスク３３が形成されている。層３１，３２の材質は，異なる材質，例えば，ＳｉＯ２，Ｓｉである。マスク３３の材質は，層３２よりエッチングされにくい，例えば，レジストやＳｉＯ２である。
【００５１】
図８，図９は，このようなウエハＷをプラズマ処理装置１０ｘでのエッチングした後の状態を表す拡大断面図である。図８，図９はそれぞれ，非デポジション系ガス，デポジション系ガスをプロセスガスとして用いた場合を示す。
【００５２】
図８に示すように，プロセスガスに非デポジション系ガスを用いると，マスク３３と層３２の選択比が小さいことから，マスク３３のエッチング量が多く，層３２の精密加工が困難となる。
【００５３】
図９に示すように，プロセスガスにデポジション系ガスを用いると，マスク３３と層３２の選択比が大きくなり，マスク３３のエッチング量が少なくなる。しかしながら，層３２が斜めにエッチングされ易くなる（エッチングされた側面がテーパーを有する）。側面はデポジション系ガスにより保護膜が形成される一方，垂直入射するイオンＩＩによるエッチング作用を受けにくいためである。このように，特に，デポジション系ガスを用いた場合，選択比を大きくすることが可能であるが，垂直加工（精密加工）は困難である。
【００５４】
また，エッチングされた側面（トレンチの側壁）に当たるイオンＩＩが少ないことから，残渣や付着物が堆積し易くなり，このことも精密加工を困難とする。
【００５５】
図１０は，ウエハＷをプラズマ処理装置１０でのエッチングした後の状態を表す拡大断面図である。ここでは，デポジション系ガスをプロセスガスとして用いた場合を示す。プロセスガスにデポジション系ガスを用いることで，マスク３３と層３２の選択比が大きくなり，マスク３３のエッチング量が少なくなっている。
【００５６】
また，層３２が垂直にエッチングされる（エッチングされた側面がテーパーを有しない）。エッチングされた側面（トレンチの側壁）の両側にイオンＩＩが斜入射することで，側面のテーパーが低減される。
【００５７】
ここで，トレンチの形成の全てで斜入射のイオンＩＩを用いなくても良い。トレンチの形成の途中までイオンＩＩを垂直入射させ，その後に斜入射させても良い。即ち，プラズマ処理プロセスの進行に伴って，位相調整器２５が位相αを調整しても良い。なお，この詳細は，第３，第４の実施形態で説明する。
【００５８】
前述のように，本実施形態では，ウエハＷに対して，イオンＩＩを入射角度θで斜入射できる。この結果，側壁垂直加工が容易で，側壁に残渣が残り難く，精密なエッチング加工が可能となる。
【００５９】
（変形例１）
図１１は，変形例１に係るプラズマ処理装置１０ａの概略構成図である。このプラズマ処理装置１０ａは，チャンバ１１，排気口１２，プロセスガス導入管１３ａ，サセプタ１４，基板電極１５，対向電極１６ａ，容量１７ａ，１７ｂ，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂ，フィルタ２３，２４ａ，２４ｂ，位相調整器２５を有する。
【００６０】
対向電極１６ａは，いわゆるシャワーヘッドであり，内部空間および複数の開口を有する。プロセスガスは，プロセスガス導入管１３ａから対向電極１６ａの内部を経由して，対向電極１６ａの複数の開口からチャンバ１１内に導入される。即ち，対向電極１６ａは，チャンバ１１内にプロセスガスを導入する導入部として機能する。
【００６１】
変形例１では，第１の実施形態と異なり，ＲＦ高周波電源２１は，基板電極１５ではなく，対向電極１６ａと電気的に接続される。即ち，第１の実施形態では，どちらかと言えば，基板電極１５がプラズマＰＬを発生させる役割を担っていたのに対して，変形例１では，対向電極１６ａがプラズマＰＬを発生させる役割を担っている。
【００６２】
その他の点では，変形例１は第１の実施形態と大きく変わる訳ではないので，他の説明を省略する。
【００６３】
（変形例２）
図１２は，変形例２に係るプラズマ処理装置１０ｂの概略構成図である。このプラズマ処理装置１０ｂは，チャンバ１１ｂ，排気口１２，プロセスガス導入管１３，サセプタ１４，基板電極１５，容量１７ａ，１７ｂ，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂ，フィルタ２３，２４ａ，２４ｂ，位相調整器２５，窓１１１，誘導コイル２７を有する。図１３に誘導コイル２７を図１２の上方から見た状態を示す。
【００６４】
プラズマ処理装置１０ｂは，プラズマ処理装置１０ｂと異なり，対向電極１６を有せず，窓１１１，誘導コイル２７を有する。
窓１１１は，チャンバ１１ｂ内を大気から遮断し，かつ誘導コイル２７からの磁界を通過させる。窓１１１には，例えば，石英等の非磁性体の板が用いられる。
誘導コイル２７は，チャンバ１１ｂの外に配置される。誘導コイル２７にＲＦ高周波電源２１からの高周波電圧が印加されることで，変動する磁界が発生し，チャンバ１１ｂ内のプロセスガスがイオン化し，プラズマＰＬが発生する。
【００６５】
その他の点では，変形例２は第１の実施形態と大きく変わる訳ではないので，他の説明を省略する。
【００６６】
第１の実施形態，変形例１，２いずれにおいても，４０ＭＨｚ以上の，ＲＦ高周波電圧Ｖ１によって，プロセスガスをイオン化し，プラズマを発生させることができる。即ち，変形例１，２に示されるように，基板電極１５にＲＦ高周波電圧Ｖ１を印加せずに，プラズマＰＬを発生させた場合でも，基板電極１５を用いて，イオンＩＩの入射角度θを制御できる。
【００６７】
（第２の実施形態）
図１４は，第２の実施形態に係るプラズマ処理装置１０ｃの概略構成図である。このプラズマ処理装置１０ｃは，チャンバ１１，排気口１２，プロセスガス導入管１３，サセプタ１４ａ，基板電極１５ａ，対向電極１６，容量１７ａ〜１７ｄ，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ〜２２ｄ，フィルタ２３ａ〜２３ｄ，２４ａ〜２４ｄ，位相調整器２５ａを有する。
【００６８】
図１５は，基板電極１５ａの構成の一例を表す斜視図である。
プラズマ処理装置１０では，基板電極１５ａが２つのグループの電極素子Ｅ１，Ｅ２から構成されている。これに対して，プラズマ処理装置１０ｃでは，基板電極１５ａが４つのグループの電極素子Ｅ１〜Ｅ４（第１〜第４の電極素子群）から構成される。基板電極１５ａを構成する電極素子をより細かいグループに分けることで，電界Ｆをよりきめ細かく制御でき，イオンＩＩの入射を制御できる。
【００６９】
ＲＦ低周波電源２２ａ〜２２ｄは，電極素子Ｅ１〜Ｅ４それぞれに，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ〜Ｖ２ｄを印加する。ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ〜Ｖ２ｄは，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａを基準として，位相差α１，α２，α３を有する。
【００７０】
ＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ〜Ｖ２ｄとして，次の式（２）で表されるサイン波形を利用できる。
Ｖ１＝Ｖ０１・ｓｉｎ（２π・ｆｈ・ｔ）
Ｖ２ａ＝Ｖ０２・ｓｉｎ（２π・ｆｌ・ｔ）
Ｖ２ｂ＝Ｖ０２・ｓｉｎ（２π・ｆｌ・ｔ＋α１）
Ｖ２ｃ＝Ｖ０２・ｓｉｎ（２π・ｆｌ・ｔ＋α２）
Ｖ２ｄ＝Ｖ０２・ｓｉｎ（２π・ｆｌ・ｔ＋α３）    ……  式（２）
【００７１】
フィルタ２４ａ〜２４ｄ（ＬＰＦ(Low Pass Filter）)は，ＲＦ高周波電源２１からのＲＦ高周波電圧Ｖ１がＲＦ低周波電源２２ａ〜２２ｄに入力するのを防止する。
フィルタ２３a〜２３ｄ（ＨＰＦ（High Pass Filter））は，ＲＦ低周波電源２２ａ〜２２ｄからのＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ〜Ｖ２dがＲＦ高周波電源２１に入力するのを防止する。
【００７２】
位相調整器２５ａは，ＲＦ低周波電源２２ａ〜２２ｄからのＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ〜Ｖ２ｄの位相差α１，α２，α３を調整する。位相差α１，α２，α３として，例えば，「π／２，π，３π／２」または「−π／２，−π，−３π／２」の組み合わせとすることが考えられる。
【００７３】
図１６は，電極素子Ｅ１〜Ｅ４に印加される電圧波形ＲＦ１〜ＲＦ４の一例を表す図である。電圧波形ＲＦ１〜ＲＦ４はそれぞれ，ＲＦ高周波電圧Ｖ１とＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ〜Ｖ２ｄを重畳させた波形である。
【００７４】
（変形例３）
上記実施形態では，基板電極１５，１５ａを２つのグループおよび４つのグループの電極素子Ｅから構成し，グループ毎に位相差を有するＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ〜Ｖ２ｄを印加している。
【００７５】
これに対して，基板電極１５を３つのグループ，あるいは５つ以上のグループの電極素子Ｅから構成しても良い。このようにしても，各グループの電極素子に位相差を有するＲＦ低周波電圧Ｖ２を印加することで，電界Ｆを形成し，イオンＩＩの斜入射が可能となる。
【００７６】
以上を一般化し，基板電極１５をｎ個のグループの電極素子Ｅ１〜Ｅｎ（第１〜第ｎの電極素子群）から構成されると考えることができる（ｎ：２以上の整数）。このとき，電極素子Ｅ１〜Ｅｎは，例えば，昇順に繰り返し並ぶ。そして，電極素子Ｅ１〜Ｅｎそれぞれに，第１〜第ｎの低周波電源からの，位相が異なる第１〜第ｎの低周波電圧が印加される。
【００７７】
このとき，隣り合う電極素子に印加される低周波電圧間の位相を（２π／ｎ）異ならせると（位相αｉ＝（２π／ｎ）・ｉ），ウエハＷ上での均一なプラズマ処理に寄与する（実施例参照）。
【００７８】
（第３の実施形態）
図１７は，第３の実施形態に係るプラズマ処理装置１０ｄの概略構成図である。このプラズマ処理装置１０ｄは，チャンバ１１，排気口１２，プロセスガス導入管１３，サセプタ１４ｂ，基板電極１５，対向電極１６，容量１７ａ，１７ｂ，ウエハ回転機構１８，終端検出器１９，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂ，フィルタ２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ，位相調整器２５，制御部２６を有する。
【００７９】
なお，第２の実施形態や変形例のように，基板電極１５を３つのグループ，あるいは５つ以上のグループの電極素子から構成し，各グループの電極素子に位相差を有するＲＦ低周波電圧Ｖ２を印加しても良い。
【００８０】
プラズマ処理装置１０ｄは，プラズマ処理装置１０と比較して，ウエハ回転機構１８，終端検出器１９，制御部２６が追加されている。
【００８１】
ウエハ回転機構１８は，ウエハＷを基板電極１５に対して相対的に回転させ，基板電極１５の電極素子Ｅ１，Ｅ２の軸方向Ａに対するウエハＷの向きを変化させる。この回転は一時的，連続的のいずれでも良い。
【００８２】
終端検出器１９は，例えば，プラズマＰＬの発光スペクトルの変化により，エッチングの終了を検出する。層３２，３１の構成材料が異なると，これらの構成材料の相違によりプラズマＰＬの発光スペクトルが変化し，層３２のエッチングが終了した（層３１が露出された）ことを検出できる。
【００８３】
制御部２６は，プロセスの推移（終端検出器１９での検出結果あるいは時間的推移）に応じて，ウエハ回転機構１８，位相調整器２５を制御する。
【００８４】
（１）制御部２６は，ウエハ回転機構１８を次のａ），ｂ）のように制御できる。
ａ）トレンチの方向と，図２に示す電極素子Ｅ１，Ｅ２の軸方向Ａと，が一致する（略平行）ように，ウエハＷを回転させる。その後にプラズマ処理することで，トレンチの加工精度を向上できる。
ｂ）プラズマ処理中に，ウエハＷを連続的に回転させる。このようにすることで，トレンチの方向に依らず，加工精度を向上できる。すなわち，ビアホール側壁の精密加工，垂直加工が実現される。
【００８５】
図１８，図１９はそれぞれ，トレンチ側壁，ビア側壁を加工している状態を表す。ウエハＷ上に，層３２，マスク３３が形成されている。図１８では，マスク３３が軸Ａｙに沿う複数の長方形状の開口３３１を有する。図１９では，マスク３３が複数の円形の開口３３１を有する。
【００８６】
イオンＩＩをウエハＷの上方から入射させることで，図１８ではトレンチＴｒが，図１９ではビアホールＢｈが形成される。基本的には，マスク３３に形成される開口３３１の形状の相違に起因して，図１８ではトレンチＴｒが，図１９ではビアホールＢｈが形成される。
【００８７】
ここで，図１８では，第１，第２の実施形態に対応し，ウエハＷが回転しないとする。一方，図１９では，第３の実施形態に対応し，ウエハＷが回転するとする。さらに，図１８では，軸Ａｙが，図２，図１５に示す電極素子Ｅの軸と一致しているとする。
【００８８】
このとき，図１８では，軸Ａｙを回転軸としてイオンＩＩの入射角度θが変化する。この結果，トレンチＴｒの側壁に，効率的にイオンＩＩが入射する。このように，トレンチＴｒを効率的に形成するためには，トレンチＴｒの開口３３１の軸と電極素子Ｅの軸を一致させ，ウエハＷを回転しないことが，好ましい。
【００８９】
これに対して，図１９では，ウエハＷが回転され，イオンＩＩの入射角度が軸Ａｘと軸Ａｙとで対称となる（全方位からイオンＩＩが斜入射する）。この結果，ウエハＷの垂直軸Ａｚに対して対称なビアホールＢｈを容易に形成できる。このように，良好な形状のビアホールＢｈを形成するためには，ウエハＷを回転することが，好ましい。
【００９０】
なお，後述の第５の実施形態で示すように，ウエハＷと基板電極１５間の相対的な角度を変化させること無く，電界を回転することで，同様の効果を得ることができる。
【００９１】
（２）制御部２６は，位相調整器２５を次のように制御できる。
トレンチの形成の途中まで，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂからのＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂの位相差αを０とし，その後，位相差αを０以外の値（例えば，π／２）とする。即ち，プラズマ処理プロセスの進行に伴って，位相調整器２５が制御され，イオンＩＩの入射方向を垂直入射から斜入射に切り替わる。
【００９２】
このようにすることで，垂直入射時での深さ方向でのエッチングレートの確保，および斜入射時でのテーパーの低減の双方が可能となる。斜入射時のエッチングレートは，垂直入射時と比較して，小さい。斜入射時は，垂直入射時と比較して，イオンが入射するウエハＷ上の面積が大きくなり，単位面積当たりでの入射イオン数が減少するからである。
なお，垂直入射と斜入射の切替には，終端検出器１９による層３２のエッチングの終了の検出，または所定の処理時間の経過を利用できる。
【００９３】
（変形例４〜６）
以下，第２の実施形態の変形例（変形例４〜６）を説明する。変形例４〜６は，ウエハＷと基板電極１５間を相対的に回転させる機構を詳細に説明するためのものである。このため，回転機構以外の部分について省略した一部構成図で表す。
【００９４】
（１）変形例４
図２０は，変形例４に係るプラズマ処理装置１０ｅの一部構成図である。このプラズマ処理装置１０ｅは，プラズマ処理装置１０ｄのサセプタ１４，ウエハ回転機構１８に替えて，サセプタ１４１，基板電極ブロック１４２，モータ４１を有する。
【００９５】
モータ４１は，サセプタ１４１を回転させるものであり，回転軸４１１，回転子４１２，固定子４１３，側板４１４，底板４１５を有する。
【００９６】
回転軸４１１，回転子４１２，固定子４１３は，回転機構を構成する。回転軸４１１は，サセプタ１４１に接続される。回転軸４１１は，筒形状をなし，その内部に基板電極ブロック１４２の軸が配置される。回転子４１２は，回転軸４１１の側面に配置される磁石である。固定子４１３は，側板４１４を隔てて回転子４１２と近接するように，側板４１４の外部に配置される電磁石である。固定子４１３の磁界のＮ極，Ｓ極を周期的に変化させて生じた磁気力により，固定子４１３に対して，回転子４１２が回転する。この結果，チャンバ１１内（真空側）の回転軸４１１，回転子４１２と，チャンバ１１外（大気側）の固定子４１３間が切り離される。
【００９７】
なお，ここでは，回転子４１２，固定子４１３に永久磁石，電磁石を用いているが，その逆，あるいは双方を電磁石とすることも可能である。これは，次の変形例５，６でも同様である。
【００９８】
サセプタ１４１は，その上面にウエハＷを保持した状態で，回転軸４１１ａと接続され，回転機構によって回転される。この結果，ウエハＷが回転機構によって回転される。
サセプタ１４１は，基板電極ブロック１４２を保持する内部空間を有する。
【００９９】
基板電極ブロック１４２は，サセプタ１４１の内部に配置され，底板４１５に固定されて回転しない。
【０１００】
電圧波形ＲＦ１，ＲＦ２（ＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂが重畳された電圧波形）は，チャンバ１１外のＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂからチャンバ１１内の基板電極１５に供給される。
【０１０１】
ウエハＷを回転させることにより，ウエハＷに斜めイオンが全方位から入射される。
【０１０２】
（２）変形例５
図２１は，変形例５に係るプラズマ処理装置１０ｆの一部構成図である。このプラズマ処理装置１０ｆは，プラズマ処理装置１０ｄのサセプタ１４，ウエハ回転機構１８に替えて，サセプタ１４１ａ，基板電極ブロック１４２ａ，モータ４１ａを有する。
【０１０３】
モータ４１ａは，基板電極ブロック１４２ａを回転させるものであり，回転軸４１１ａ，回転子４１２，固定子４１３，側板４１４，底板４１５，リング電極４１６，ブラシ電極４１７を有する。
【０１０４】
回転軸４１１ａ，回転子４１２，固定子４１３は，回転機構を構成する。回転軸４１１ａは，基板電極ブロック１４２ａに接続される。回転子４１２は，回転軸４１１の側面に配置される磁石である。固定子４１３は，側板４１４を隔てて回転子４１２と近接するように，側板４１４の外部に配置される電磁石である。固定子４１３の磁界のＮ極，Ｓ極を周期的に変化させて生じた磁気力により，固定子４１３に対して，回転子４１２が回転する。この結果，チャンバ１１内（真空側）の回転軸４１１ａ，回転子４１２と，チャンバ１１外（大気側）の固定子４１３間が切り離される。
【０１０５】
リング電極４１６，ブラシ電極４１７は，互いに摺動した状態で接触することで，回転軸４１１ａの回転中に，基板電極１５への電気接続を確保するためのものである。リング電極４１６は，回転軸４１１ａの外周に固定して配置されるリング形状の電極である。ブラシ電極４１７は，回転軸４１１ａの回転中に，リング電極４１６と摺動しながら接触するブラシ形状の電極である。
【０１０６】
電圧波形ＲＦ１，ＲＦ２（ＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂが重畳された電圧波形）は，ブラシ電極４１７，リング電極４１６を介して，チャンバ１１外のＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂからチャンバ１１内の基板電極１５に供給される。
【０１０７】
サセプタ１４１ａは，基板電極ブロック１４２を保持する内部空間を有する。サセプタ１４１ａは，チャンバ１１に固定され回転しない。
【０１０８】
基板電極ブロック１４２は，サセプタ１４１の内部に配置される。基板電極ブロック１４２は，回転軸４１１ａと接続され，回転機構によって回転される。この結果，基板電極１５が回転機構によって回転される。
【０１０９】
基板電極１５を回転させることにより，ウエハＷ上に生成する電界分布が回転し，ウエハＷに斜めイオンが全方位から入射される。
【０１１０】
なお，プラズマ処理装置１０ｅは静電チャックを有しても良い。この場合，次の変形例６に示すように，ＤＣ電圧が，ブラシ電極を介して，静電チャックに供給される。
【０１１１】
（３）変形例６
図２２は，変形例６に係るプラズマ処理装置１０ｇの一部構成図である。このプラズマ処理装置１０ｇは，プラズマ処理装置１０ｄのサセプタ１４，ウエハ回転機構１８に替えて，サセプタ１４１ｂ，基板電極ブロック１４２ｂ，モータ４１ｂ，静電チャック４２，ＤＣ電源４３，冷媒供給部４４を有する。
【０１１２】
モータ４１ｂは，基板電極ブロック１４２ｂを回転させるものであり，回転軸４１１，回転子４１２，固定子４１３，側板４１４，底板４１５，リング電極４１６ａ，ブラシ電極４１７ａ，開口４１８を有する。
【０１１３】
回転軸４１１，回転子４１２，固定子４１３は，回転機構を構成する。回転機構の構成，動作等は，変形例４と実質的に同様なので，詳細な説明を省略する。
【０１１４】
リング電極４１６ａ，ブラシ電極４１７ａは，互いに摺動した状態で接触することで，回転軸４１１の回転中に，静電チャック４２の内部電極への電気接続を確保するためのものである。リング電極４１６ａは，回転軸４１１の外周に固定して配置されるリング形状の電極である。ブラシ電極４１７ａは，回転軸４１１の回転中に，リング電極４１６と摺動しながら接触するブラシ形状の電極である。
【０１１５】
静電チャック４２は，ウエハＷを静電的に吸引するものであり，複数の開口４２１を有する。静電チャック４２の内部電極は，一種のメッシュ状電極であり，複数の開口を有する吸着電極として機能する。
【０１１６】
図２３，図２４は，静電チャック４２の内部電極の一例を表す平面図である。図２３では，方形形状の開口（空隙）４２１が縦横２方向に列をなして配置される（一種のメッシュ状電極）。図２４では，長方形形状（ライン形状）の開口（空隙）４２１が並んで配置される（一種のライン状電極）。図２３，図２４では，矩形の開口が２方向，１方向に配置される。
【０１１７】
図２４に示すライン形状の開口４２１は，第１，第２の実施形態に示した，サセプタ１４，基板電極１５等を回転させない場合に適する。この場合，開口４２１の軸は，トレンチＴｒの開口３３１の軸Ａｙと電極素子Ｅの軸と一致させることが好ましい（図２，図５および図１８参照）。
【０１１８】
ここでは，開口４２１の形状を矩形としているが，矩形に替えて，円形，楕円形等の開口を用いても良い。
【０１１９】
図２３，図２４に示すように，開口４２１は，幅Ｇを有する。後述のように，この幅Ｄは，２〜５ｍｍであることが好ましい。
【０１２０】
ＤＣ電源４３は，静電チャック４２の内部電極にＤＣ電圧を供給し，ウエハＷを静電吸着させる。ＤＣ電源４３からのＤＣ電圧は，ブラシ電極４１７ａ，リング電極４１６ａを介して，サセプタ１４１ｂ内の静電チャック４２の内部電極に供給される。
【０１２１】
冷媒供給部４４は，ウエハＷを冷却するための冷媒Ｃを供給する。不活性であること，熱伝導性等の観点から，冷媒Ｃとして，例えば，Ｈｅが好ましい。
【０１２２】
サセプタ１４１ｂは，冷媒Ｃを導入するための開口１４３を有する。底板４１５は，サセプタ１４１ｂ内に冷媒Ｃを導入するための開口４１８を有する。冷媒供給部４４から供給される冷媒Ｃは，開口４１８，サセプタ１４１ｂ内を通過し，開口１４３からウエハＷの裏面に供給され，ウエハＷを冷却する。ウエハＷを冷却した冷媒Ｃは，チャンバ１１内に放出され，排気口１２から外部に排出される。
【０１２３】
（４）変形例７
ウエハＷをサセプタ１４に保持するために，イオン引き込み用の低周波電圧と静電吸着用のＤＣ電圧を重畳して，基板電極１５に印加することも考えられる。例えば，第１〜第３の実施形態において，１のＤＣ電源からのＤＣ電圧を基板電極１５に重畳印加する。この場合，基板電極１５は，静電チャック用の内部電極としても機能することになり，図２２に示す静電チャック４２は不要となる。
【０１２４】
このとき，例えば，図１４に示すＲＦ低周波電源２２ａ〜２２ｄからのＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ〜Ｖ２ｄが，このＤＣ電源を介して，対応しないグループの電極素子Ｅ１〜Ｅ４に流入する可能性がある。この流入を阻止するために，交流成分をカットするフィルタ機構をＤＣ電源に付加することが好ましい。フィルタ機構は，例えば，キャパシタンスやインダクタンスにより構成できる。
【０１２５】
なお，変形例４〜６に示したように，ウエハＷと基板電極１５間を相対的に回転させる場合，基板電極１５を用いて，ウエハＷを吸着することが困難となる。この場合，変形例６に示したように，ウエハＷの近傍に静電吸着用の電極（静電チャック４２の内部電極）を設けることが好ましい。
【０１２６】
（第４の実施形態）
図２５は，第４の実施形態に係るプラズマ処理装置１０ｈの概略構成図である。このプラズマ処理装置１０ｃは，チャンバ１１，排気口１２，プロセスガス導入管１３，サセプタ１４ｃ，基板電極１５ｃ，対向電極１６，終端検出器１９，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂ，フィルタ２３ａ，２３ｂ，２４ａ，２４ｂ，位相調整器２５，制御部２６ｃ，スイッチＳＷ１，ＳＷ２を有する。なお，見易さのために，容量の図示を省略している。
【０１２７】
なお，第２の実施形態や変形例のように，基板電極１５を３つのグループ，あるいは５つ以上のグループの電極素子から構成し，各グループの電極素子に位相差を有するＲＦ低周波電圧Ｖ２を印加しても良い。
【０１２８】
プラズマ処理装置１０ｈは，プラズマ処理装置１０ｂと比較して，ウエハ回転機構１８を有さず，基板電極１５に替えて，基板電極１５ｃが用いられている。
【０１２９】
図２６は，基板電極１５ｃの構成の一例を表す斜視図である。基板電極１５ｃは，上下に配置される，電極素子Ｅ１１，Ｅ１２，電極素子Ｅ２１，Ｅ２２から構成される。ここで，電極素子Ｅ１１，Ｅ１２，電極素子Ｅ２１，Ｅ２２がそれぞれ，第１，第２の基板電極を構成すると考えることができる。即ち，基板電極１５ｃは，これら第１，第２の基板電極を有する。
【０１３０】
電極素子Ｅ１１，Ｅ１２は，第１の実施形態の電極素子Ｅ１，Ｅ２に対応し，軸方向Ａ１に沿って交互に配置される。
【０１３１】
電極素子Ｅ２１，Ｅ２２は，電極素子Ｅ１１，Ｅ１２の下方に，軸方向Ａ２に沿って交互に配置される。これら軸方向Ａ１，Ａ２は互いに異なる（例えば，直交する）。
【０１３２】
スイッチＳＷ１，ＳＷ２は，制御部２６ｃにより，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ，２２ｂからのＲＦ高周波電圧Ｖ１，ＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂを電極素子Ｅ１１，Ｅ１２，電極素子Ｅ２１，Ｅ２２のいずれに入力するかを切り替えられる。即ち，電極素子Ｅ１１，Ｅ１２，電極素子Ｅ２１，Ｅ２２のいずれを実質的な基板電極とするかが切り替えられる。
【０１３３】
このように，スイッチＳＷ１，ＳＷ２は，第１，第２の基板電極（電極素子Ｅ１１，Ｅ１２，電極素子Ｅ２１，Ｅ２２）を切り替えて，ＲＦ高周波電圧Ｖ１と複数のＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂを印加する。これは，スイッチＳＷ１，ＳＷ２が，切替部として機能することを意味する。
【０１３４】
電極素子Ｅ２１，Ｅ２２の軸方向Ａ１は，電極素子Ｅ１１，Ｅ１２の軸方向Ａ２と異なることから，ウエハ回転機構１８を有さずとも，ウエハＷとイオンＩＩの入射方向を相対的に回転可能となる。すなわち，ビアホール側壁の精密加工（垂直加工）にも対応可能となる。
【０１３５】
（第５の実施形態）
図２７は，第５の実施形態に係るプラズマ処理装置１０ｉの概略構成図である。
このプラズマ処理装置１０ｉは，チャンバ１１，排気口１２，プロセスガス導入管１３，サセプタ１４ｄ，基板電極１５ｄ，対向電極１６，シフトレジスタ５１，制御部５２，容量１７ａ〜１７ｄ，ＲＦ高周波電源２１，ＲＦ低周波電源２２ａ〜２２ｄ，フィルタ２３ａ〜２３ｄ，２４ａ〜２４ｄ，位相調整器２５ａを有する。
【０１３６】
図２８は，基板電極１５ｄを上方から見た状態を表す平面図である。基板電極１５ｄは，縦横２方向に列をなす電極素子Ｅｘｙを有する。ここで，電極素子Ｅｘｙを互いに直交する縦横２方向に配置しているが，この方向は必ずしも直交する必要は無い。電極素子Ｅｘｙを互いに異なる第１，第２の方向に列をなして配置すれば足りる。
ここでは，電極素子Ｅｘｙは，上方から見て，矩形（正方形）を有しているが，円形とすることもできる。
【０１３７】
シフトレジスタ５１は，互いに平行な（略同一方向θに並ぶ）４つのグループＧ１〜Ｇ４（ライン状グループ）に区分されるように，電極素子Ｅｘｙを選択する。シフトレジスタ５１は，複数の電極素子から，一の方向に沿う前記複数の電極素子群を選択する選択部として機能する。この４つのグループＧ１〜Ｇ４は，ＲＦ低周波電源２２ａ〜２２ｄに接続される。４つのグループＧ１〜Ｇ４として，方向θに応じた複数のグループＧ１１〜Ｇ１４，Ｇ２１〜Ｇ２４，…，Ｇｎ１〜Ｇｎ４を選択できる。
【０１３８】
図２９Ａ〜図２９Ｄは，方向θがそれぞれ０°，４５°，９０°，１３５°に対応するグループＧ１１〜Ｇ１４，グループＧ２１〜Ｇ２４，グループＧ３１〜Ｇ３４，グループＧ４１〜Ｇ４４に電極素子Ｅｘｙが区分（選択）された場合を表す。
【０１３９】
この場合，シフトレジスタ５１は，第１の方向（０°方向），第２の方向（９０°方向），第１，第２の方向の中間の第３の方向（方向４５°），前記第２，第１の方向の中間の第４の方向（１３５°方向）それぞれに沿う第１〜第４の電極素子群（グループＧ１１〜Ｇ１４，グループＧ２１〜Ｇ２４，グループＧ３１〜Ｇ３４，グループＧ４１〜Ｇ４４）のいずれかを選択している。
【０１４０】
ここで，第３の方向は，第１，第２の方向を２等分する方向としているが，第１，第２の方向の中間の任意の方向を設定しても良い。また，第４の方向も第２，第１の方向の中間の任意の方向を設定できる。さらに，第１，第２の方向の中間に複数の方向を設定しても良い。
【０１４１】
制御部５２は，シフトレジスタ５１を制御して，方向θが順次に回転するように，電極素子Ｅｘｙのグループ分けを変更する。例えば，図２９Ａ〜図２９ＤのグループＧ１１〜Ｇ１４，グループＧ２１〜Ｇ２４，グループＧ３１〜Ｇ３４，Ｇ４１〜Ｇ４４を周期的に繰り返す。これは，電極素子Ｅｘｙがグループ分けされた方向θが回転することを意味する。グループＧ１１〜Ｇ１４は，θ＝０°，１８０°の双方に対応することから，グループＧ４１〜Ｇ４４の後にグループＧ１１〜Ｇ１４に戻ると，基板電極１５ｄからの電界が回転したことになる。
【０１４２】
ライン状グループを回転させることにより，ウエハＷ上に生成する電界分布が回転し，ウエハＷに斜めイオンが全方位から入射される。即ち，ウエハＷが回転したと同様の効果を得ることが可能となる。
【実施例】
【０１４３】
実施例を説明する。図３０Ａ〜図３０Ｃ，図３１Ａ，図３１Ｂは，プラズマ処理装置１０でのウエハＷに入射するイオンＩＩの角度分布のプラズマシミュレーション結果を表すグラフである。上述したシミュレーションは，市販のソフトウェア（VizGlow）を使用して，実施した。ＲＦ低周波電圧の１周期にわたるイオンＩＩの入射量を積算して基板入射イオンの角度分布を算出している。図３２は，ウエハＷ上の位置Ｐ１〜Ｐ６（イオンＩＩの入射位置）を表す模式断面図である。
【０１４４】
図３２に示すように，ここでは，半径ｒ０＝１５０ｍｍのウエハＷを用い，基板電極１５として，直径Ｒ＝４ｍｍの略円柱形状を有する電極素子Ｅを間隔Ｄ（中心軸間の距離）５ｍｍで配置した。ウエハＷの中心Ｃから，ウエハＷ上の位置Ｐ１〜Ｐ６それぞれまでの距離Ｌは，７０，７１，７２，７３，７４，７５ｍｍである。位置Ｐ１，Ｐ６はそれぞれ，２つの電極素子Ｅの軸上に位置し，他のＰ２〜Ｐ５はその間に配置される。距離Ｌが７２．５ｍｍの箇所は，これらの電極素子から等距離であり，位置Ｐ３，Ｐ４の中間に位置する。
【０１４５】
なお，他の電極素子Ｅでのイオンの角度分布は，距離Ｌが７０〜７５ｍｍのものと同様であった。即ち，イオンの角度分布は，電極素子Ｅの配置の周期性を反映して，間隔Ｄに対応する周期で変動すると考えられる。このため，位置Ｐ１〜Ｐ６での解析結果を代表として，入射角度分布のウエハＷ上での均一性を示している。
【０１４６】
図３０Ａ〜図３０Ｃではそれぞれ，電極素子Ｅを交互に配置される２つのグループに区分し，位相差αが０，π／２，πのＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂを印加している。図３１Ａでは，電極素子Ｅを順に配置される３つのグループに区分し，位相差α１，α２が２π／３，４π／３のＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ，Ｖ２ｂ，Ｖ２ｃを印加している。図３１Ｂでは，電極素子Ｅを順に配置される４つのグループに区分し，位相差α１〜α３がπ／２，π，３π／２のＲＦ低周波電圧Ｖ２ａ〜Ｖ２ｄを印加している。
【０１４７】
（１）２グループの電極素子で位相差αが０の場合（図３０Ａ）
２グループの電極素子で位相差αが０の場合，全ての電極素子に同位相のＲＦ低周波電圧Ｖ２を印加される。この場合，位置Ｐ１〜Ｐ６のいずれでもイオンＩＩの入射角度θは，ほぼ０である（イオンＩＩはほぼ垂直に入射する）。この場合，基板電極１５を分割しない場合とほぼ同様の結果である。すなわち，図５に示されるプラズマ処理装置１０ｘ（通常の平板電極ＲＩＥ(Reactive Ion Etching)装置）と同様となる。
なお，イオンＩＩの入射角度θに−２〜２°程度の分布があるのは，熱による揺らぎの影響である（イオンＩＩがランダムな熱速度成分を有する）。
【０１４８】
（２）２グループの電極素子で位相差αがπ／２の場合（図３０Ｂ）
２グループの電極素子で位相差αがπ／２の場合，位置Ｐ２〜Ｐ５では，垂直に入射するイオンＩＩが低減し，イオンＩＩが正負の入射角度θ（−１５〜１５°程度）で交互に入射する。これは電極素子間に位相差を有することで，軸方向Ａと垂直な方向の電界Ｆが生成されたことによると考えられる。
【０１４９】
これに対して，位置Ｐ１，Ｐ６（電極素子の中心軸上）では，図３０Ａと比較して，垂直に入射するイオンＩＩが低減しているとは言い難い。即ち，位置Ｐ１，Ｐ６は，イオンＩＩの斜入射が少ない，一種の特異点である。
【０１５０】
この理由は次のように考えることができる。即ち，この場合，電極素子Ｅそれぞれには，左隣，右隣の電極素子Ｅ間で逆方向の電界Ｆが作用する。この逆方向の電界Ｆが電極素子Ｅの軸の直上で釣り合い，軸方向Ａに垂直な方向Ａｈ（図２参照）の電界Ｆが生成され難くなると考えられる。電界Ｆが生成されなければ，熱揺らぎ成分以外のイオンＩＩの斜入射は事実上生じない（垂直入射のみ）。
【０１５１】
（３）２グループの電極素子で位相差αがπの場合（図３０Ｃ）
２グループの電極素子で位相差αがπの場合，位置Ｐ２〜Ｐ５では，垂直に入射するイオンＩＩが低減し，イオンＩＩが正負の入射角度θ（−３０〜３０°程度）で交互に入射する。この入射角度θは，図３０Ｂの場合の入射角度より大きい。
【０１５２】
これに対して，位置Ｐ１，Ｐ６（電極素子の中心軸上）では，図３０Ｂと同様，垂直に入射するイオンＩＩが低減しているとは言い難い。この理由は，（２）と同様，電極素子Ｅの軸の直上で，逆方向の電界Ｆが釣り合うことによるものと考えられる。
【０１５３】
（４）３グループの電極素子の場合（図３１Ａ）
３グループの電極素子の場合，位置Ｐ１〜Ｐ６のいずれでも，垂直に入射するイオンＩＩが低減する。位置Ｐ１，Ｐ６（電極素子の中心軸上）も，特異点では無い。概ねイオンＩＩが正負の入射角度θ（−８〜８°程度）で交互に入射する。
【０１５４】
（５）４グループの電極素子の場合（図３１Ｂ）
４グループの電極素子の場合，位置Ｐ１〜Ｐ６のいずれでも，垂直に入射するイオンＩＩが低減する。位置Ｐ１，Ｐ６（電極素子の中心軸上）も，特異点では無い。概ねイオンＩＩが正負の入射角度θ（−１０〜１０°程度）で交互に入射する。
【０１５５】
以上のように，電極素子のグループの数（基板電極１５の分割数）を２，３，４と大きくし，位相差を有するＲＦ低周波電圧Ｖ２を印加することで，トレンチの両方向からのイオンＩＩの斜入射が可能となる。
【０１５６】
グループの数が２の場合では，電極素子の中心軸上に，斜入射するイオンＩＩが少ない特異点が生じるが，グループの数が３以上では，この傾向が低減する。すなわち，特異点を無くすためにはグループの数が３以上が特に望ましい。実施例に示すように，直径が３００ｍｍ（半径ｒ０＝１５０ｍｍ）のウエハＷ上で，均一な斜め入射が可能である。
グループの数が４の場合，イオンＩＩの分布の位置Ｐ１〜Ｐ６依存性がさらに小さい。グループの数が多い方が，イオンＩＩの分布の位置依存性がより小さいと考えられる。
【０１５７】
（６）４グループの電極素子の場合で電圧を変化させた場合（図３３Ａ〜図３３Ｃ）
４グループの電極素子の場合でＲＦ低周波電圧の電圧Ｖ０２（式（２）参照）を変化させた場合を説明する。図３３Ａ〜図３３Ｃは，４グループの電極素子で，電圧Ｖ０２を２０００Ｖ，１０００Ｖ，５００Ｖとした場合のプラズマ処理装置１０でのウエハＷに入射するイオンＩＩの角度分布のプラズマシミュレーション結果を表すグラフである。
【０１５８】
図３３Ａ〜図３３Ｃに示されるように，電圧Ｖ０２を大きくするとイオンＩＩの入射角度θが大きくなる傾向がある。５００Ｖから２０００Ｖの電圧Ｖ０２で，入射角θ＝２〜３°から１０°程度まで変化している。即ち，ＲＦ低周波電源２２ａ〜２２ｄの電圧Ｖ０２を制御することで，イオンＩＩの入射角度θを変化させることができる。
【０１５９】
（７）基板電極１５に対してウエハＷを相対的に回転させた場合
基板電極１５に対してウエハＷを相対的に回転させた場合を説明する。既述のように，第３〜第５の実施形態，変形例４〜６では，基板電極１５に対してウエハＷを相対的に回転していると言える。第４，第５の実施形態では，基板電極１５，ウエハＷ自体は回転していないが，ウエハＷに印加される電界の方向が変化することから，実質的には基板電極１５が回転していると同様である。
【０１６０】
図示はしないが，シミュレーションによれば，ウエハＷ等を回転した場合も，ウエハＷを回転しない場合（図３０Ａ〜図３０Ｃ，図３１Ａ，図３１Ｂ，図３３Ａ〜図３３Ｃ）とほぼ同様の結果であった。
【０１６１】
（８）静電チャック４２の内部電極の空隙寸法（開口４２１の幅）Ｇの影響
図３４Ａ〜図３４Ｅは，静電チャック４２の内部電極の空隙寸法（開口４２１の幅）Ｇを変化させたときのプラズマ処理装置１０でのウエハＷに入射するイオンＩＩの角度分布のプラズマシミュレーション結果を表すグラフである。
【０１６２】
図３４Ａ〜図３４Ｅはそれぞれ，静電チャック４２の内部電極が無い場合，空隙寸法Ｇ＝４，２，１，０ｍｍの場合に対応する。図３５は，このときのウエハＷ上の静電チャック４２を表す模式断面図である。ここでは，静電チャック４２の開口４２１の中心に，基板電極１５の電極素子Ｅが配置される。
【０１６３】
図３４Ａ〜図３４Ｅに示すとおり，静電チャック４２の空隙寸法Ｇが２ｍｍ以下になるとイオンＩＩの入射角度θの分布が劣化する。空隙寸法Ｇが２ｍｍまでは，静電チャック（ＤＣ電極）４２が無い場合と大きな差は無い。
【０１６４】
既述のように，電極素子Ｅの間隔Ｄを，例えば，５ｍｍ以下とすることが好ましい。このことを考慮すると，静電チャック４２の空隙寸法（開口４２１の幅）Ｇを２ｍｍから５ｍｍとすることが好ましいことになる。
【０１６５】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが，これらの実施形態は，例として提示したものであり，発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は，その他の様々な形態で実施されることが可能であり，発明の要旨を逸脱しない範囲で，種々の省略，置き換え，変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は，発明の範囲や要旨に含まれるとともに，特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【０１６６】
１０  プラズマ処理装置
１１  チャンバ
１１１  窓
１２  排気口
１３  プロセスガス導入管
１４  サセプタ
１４１  サセプタ
１４２  基板電極ブロック
１４３  開口
１５  基板電極
Ｅ（Ｅ１-Ｅｎ）  電極素子
１６  対向電極
１７（１７ａ-１７ｄ）  容量
１８  ウエハ回転機構
１９  終端検出器
２１  ＲＦ高周波電源
２２（２２ａ‐２２ｄ）  ＲＦ低周波電源
２３（２３a‐２３ｄ），２４（２４ａ‐２４ｄ）  フィルタ
２５  位相調整器
２６  制御部
２７  誘導コイル
Ｗ  ウエハ
３１，３２  層
３３  マスク
３３１  開口
４１  モータ
４１１  回転軸
４１２  回転子
４１３  固定子
４１４  側板
４１５  底板
４１６  リング電極
４１７  ブラシ電極
４１８  開口
４２  静電チャック
４２１  開口
４３  ＤＣ電源
４４  冷媒供給部
５１  シフトレジスタ
５２  制御部
ＳＷ１，ＳＷ２  スイッチ
ＩＩ  イオン
ＰＬ  プラズマ
【図１】
2014082449.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
2014082449.tif 000007
【図６】
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【図７】
2014082449.tif 000009
【図８】
2014082449.tif 000010
【図９】
2014082449.tif 000011
【図１０】
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【図１１】
2014082449.tif 000013
【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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【図２３】
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【図２４】
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【図２５】
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【図２６】
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【図２７】
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【図２８】
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【図２９Ａ】
2014082449.tif 000031
【図２９Ｂ】
2014082449.tif 000032
【図２９Ｃ】
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【図２９Ｄ】
2014082449.tif 000034
【図３０Ａ】
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【図３０Ｂ】
2014082449.tif 000036
【図３０Ｃ】
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【図３１Ａ】
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【図３１Ｂ】
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【図３２】
2014082449.tif 000040
【図３３Ａ】
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【図３３Ｂ】
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【図３３Ｃ】
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【図３４Ａ】
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【図３４Ｂ】
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【図３４Ｃ】
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【図３４Ｄ】
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【図３４Ｅ】
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【図３５】
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