(57)【要約】【課題】本発明の目的は、狭い間隔で対向する１対の放電電極層を備えた放電開始電圧が小さいＥＳＤ保護デバイスと、その製造方法を提供することである。【解決手段】本発明のＥＳＤ保護デバイス１００は、セラミック素体６と、その内部に形成された放電補助電極層３と、放電補助電極層３の一方主面上に形成された第１の放電電極層２と、放電補助電極層３の他方主面上に形成された第２の放電電極層４と、セラミック素体６の表面上に形成され、第１の放電電極層２または第２の放電電極層４と電気的に接続された複数の外部電極１２、１２とを備えており、放電補助電極層３、第１の放電電極層２および第２の放電電極層４の端面３ａ、２ａ、４ａが、セラミック素体６の表面Ｄに露出しており、端面３ａ、２ａ、４ａを覆うように、セラミック素体６の表面Ｄ上に保護膜１１が形成されていることを特徴とする。【選択図】        図１
2014082001.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
セラミック素体と、
前記セラミック素体の内部に形成され、導体粒子および絶縁体材料を含む放電補助電極層と、
前記放電補助電極層の一方主面上に形成された第１の放電電極層と、
前記放電補助電極層の他方主面上に形成された第２の放電電極層と、
前記セラミック素体の表面上に形成され、前記第１の放電電極層または前記第２の放電電極層と電気的に接続された複数の外部電極とを備え、
前記放電補助電極層、前記第１の放電電極層および前記第２の放電電極層の端面が、前記セラミック素体の表面に露出しており、
前記放電補助電極層、前記第１の放電電極層および前記第２の放電電極層の露出した端面を覆うように、前記セラミック素体の表面上に保護膜が形成されていることを特徴とするＥＳＤ保護デバイス。
【請求項２】
前記セラミック素体の表面に凹面を備え、
前記凹面に、前記放電補助電極層、前記第１の放電電極層および前記第２の放電電極層の端面が露出していることを特徴とする請求項１に記載されたＥＳＤ保護デバイス。
【請求項３】
前記第１の放電電極層および前記第２の放電電極層の端面が、前記放電補助電極層の端面よりも前記セラミック素体の外部に向かって突出していることを特徴とする請求項１または２に記載されたＥＳＤ保護デバイス。
【請求項４】
第１のセラミックグリーンシートを形成する工程と、
第２のセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートの一方主面上に、放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第１の放電電極層を形成する工程と、
前記第１の放電電極層上に、導体粒子および絶縁体材料を含む放電補助電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の放電補助電極層を形成する工程と、
前記放電補助電極層上に、放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第２の放電電極層を形成する工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートの前記一方主面上に、前記第２のセラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより、積層体を形成する工程と、
前記第１の放電電極層、前記放電補助電極層および前記第２の放電電極層の断面を含む面を分割面として、前記積層体を分割する工程と、
前記積層体を焼成する工程と、
前記第１の放電電極層、前記放電補助電極層および前記第２の放電電極層の分割面を覆うように、前記積層体の表面上に保護膜を形成する工程と、
分割された前記積層体の表面上に、前記第１の放電電極層または前記第２の放電電極層と電気的に接続された複数の外部電極を形成する工程と、
を備えていることを特徴とするＥＳＤ保護デバイスの製造方法。
【請求項５】
第１のセラミックグリーンシートを形成する工程と、
第２のセラミックグリーンシートを形成する工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートの一方主面上に、放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第１の放電電極層を形成する工程と、
前記第１の放電電極層上に、導体粒子および絶縁体材料を含む放電補助電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の放電補助電極層を形成する工程と、
前記放電補助電極層上に、放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第２の放電電極層を形成する工程と、
前記第１のセラミックグリーンシートの前記一方主面上に、前記第２のセラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより、積層体を形成する工程と、
前記第２のセラミックグリーンシート、前記第１の放電電極層、前記放電補助電極層、前記第２の放電電極層、前記第１のセラミックグリーンシートを順に貫通する空洞を形成する工程と、
前記空洞の断面を含む面を分割面として、前記積層体を分割する工程と、
前記積層体を焼成する工程と、
前記第１の放電電極層、前記放電補助電極層および前記第２の放電電極層の前記空洞に露出した端面を覆うように、前記セラミック素体の表面上に保護膜を形成する工程と、
分割された前記積層体の表面上に、前記第１の放電電極層または前記第２の放電電極層と電気的に接続された複数の外部電極を形成する工程と、
を備えていることを特徴とするＥＳＤ保護デバイスの製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＳＤ保護デバイスとその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、半導体装置や電子回路を静電気から保護するために、例えば特許文献１（ＷＯ２００８／１４６５１４）に示すようなＥＳＤ（Electro-Static Discharge；静電気放電）保護デバイスが用いられている。
【０００３】
図１３に、特許文献１に示されたＥＳＤ保護デバイス４００の断面図を示す。
【０００４】
ＥＳＤ保護デバイス４００は、内部に空洞１０７を有するセラミック素体１０６を備えている。
【０００５】
空洞１０７内には、端面１０２ａ、１０４ａが間隔Ｇを設けて対向する１対の放電電極層１０２、１０４が形成されている。
【０００６】
放電電極層１０２、１０４およびその対向する領域１０９の下には、放電補助電極層１０３が形成されている。放電補助電極層１０３は、導体粒子および絶縁体材料を含んでいる。
【０００７】
セラミック素体１０６の表面上には、放電電極層１０２、１０４のいずれかと電気的に接続された複数の外部電極１１２、１１２が形成されている。
【０００８】
ＥＳＤ保護デバイス４００の放電開始電圧は、放電電極層１０２、１０４の端面１０２ａ、１０４ａの間隔Ｇを小さくすることにより、低下させることができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】ＷＯ２００８／１４６５１４
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
従来のＥＳＤ保護デバイス４００の製造方法においては、端面１０２ａ、１０４ａが間隔Ｇを設けて対向する１対の放電電極層１０２、１０４は、例えばスクリーン印刷により形成されている。
【００１１】
しかしながら、スクリーン印刷は印刷位置精度が高くないため、端面１０２ａ、１０４ａが狭い間隔Ｇで対向するように１対の放電電極層１０２、１０４を形成し、放電開始電圧が小さいＥＳＤ保護デバイスを得ることが困難であった。
【００１２】
本発明の目的は、狭い間隔で対向する１対の放電電極層を備えた放電開始電圧が小さいＥＳＤ保護デバイスと、その製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上記の目的を達成するために、本発明のＥＳＤ保護デバイスは、セラミック素体と、セラミック素体の内部に形成され、導体粒子および絶縁体材料を含む放電補助電極層と、放電補助電極層の一方主面上に形成された第１の放電電極層と、放電補助電極層の他方主面上に形成された第２の放電電極層と、セラミック素体の表面上に形成され、第１の放電電極層または第２の放電電極層と電気的に接続された複数の外部電極とを備え、放電補助電極層、第１の放電電極層および第２の放電電極層の端面が、セラミック素体の表面に露出しており、放電補助電極層、第１の放電電極層および第２の放電電極層の露出した端面を覆うように、セラミック素体の表面上に保護膜が形成されていることを特徴とする。
【００１４】
また、本発明のＥＳＤ保護デバイスの製造方法は、第１のセラミックグリーンシートを形成する工程と、第２のセラミックグリーンシートを形成する工程と、第１のセラミックグリーンシートの一方主面上に、放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第１の放電電極層を形成する工程と、第１の放電電極層上に、導体粒子および絶縁体材料を含む放電補助電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の放電補助電極層を形成する工程と、放電補助電極層上に、放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第２の放電電極層を形成する工程と、第１のセラミックグリーンシートの一方主面上に、第２のセラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより、積層体を形成する工程と、第１の放電電極層、放電補助電極層および第２の放電電極層の断面を含む面を分割面として、積層体を分割する工程と、積層体を焼成する工程と、第１の放電電極層、放電補助電極層および第２の放電電極層の分割面を覆うように、積層体の表面上に保護膜を形成する工程と、分割された積層体の表面上に、第１の放電電極層または第２の放電電極層と電気的に接続された複数の外部電極を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【００１５】
あるいは、本発明のＥＳＤ保護デバイスの製造方法は、第１のセラミックグリーンシートを形成する工程と、第２のセラミックグリーンシートを形成する工程と、第１のセラミックグリーンシートの一方主面上に、放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第１の放電電極層を形成する工程と、第１の放電電極層上に、導体粒子および絶縁体材料を含む放電補助電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の放電補助電極層を形成する工程と、放電補助電極層上に、放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第２の放電電極層を形成する工程と、第１のセラミックグリーンシートの一方主面上に、第２のセラミックグリーンシートを積層し、圧着することにより、積層体を形成する工程と、第２のセラミックグリーンシート、第１の放電電極層、放電補助電極層、第２の放電電極層、第１のセラミックグリーンシートを順に貫通する空洞を形成する工程と、空洞の断面を含む面を分割面として、積層体を分割する工程と、積層体を焼成する工程と、第１の放電電極層、放電補助電極層および第２の放電電極層の空洞に露出した端面を覆うように、セラミック素体の表面上に保護膜を形成する工程と、分割された積層体の表面上に、第１の放電電極層または第２の放電電極層と電気的に接続された複数の外部電極を形成する工程と、を備えていることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１６】
本発明によれば、狭い間隔で対向する１対の放電電極層を備えた放電開始電圧が小さいＥＳＤ保護デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】図１（Ａ）は、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の斜視図である。図１（Ｂ）は、ＥＳＤ保護デバイス１００の要部透視図であり、図１（Ａ）の保護膜１１および外部電極１２、１２は省略している。図１（Ｃ）は、ＥＳＤ保護デバイス１００の断面図であり、図１（Ａ）のＡ−Ａ線におけるものである。
【図２】図２は、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法において適用する工程を示す斜視図である。
【図３】図３は、図２の続きであり、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法において適用する工程を示す斜視図である。
【図４】図４は、図３の続きであり、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法において適用する工程を示す斜視図である。
【図５】図５は、図４の続きであり、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法において適用する工程を示す要部透視図である。
【図６】図６（Ａ）は、図５の続きであり、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法において適用する工程を示す要部透視部である。図６（Ｂ）は、ＥＳＤ保護デバイス１００の側面図であり、図６（Ａ）の積層体１０を分割面Ｄ側から見たものである。
【図７】図７は、図６の続きであり、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法において適用する工程を示す斜視図である。
【図８】図８は、図５における積層体１０を、親基板状態で示す平面図である。なお、第２のセラミックグリーンシート５ａは省略している。
【図９】図９は、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス２００の斜視図である。
【図１０】図１０は、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス２００の製造方法において適用する工程を示す平面図である。なお、第２のセラミックグリーンシート５ａは省略している。
【図１１】図１１は、図１０の続きであり、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス２００の製造方法において適用する工程を示す斜視図である。
【図１２】図１２は、本発明の第３の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス３００の断面図である。
【図１３】図１３は、従来のＥＳＤ保護デバイス４００の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下において、図面とともに、本発明を実施するための形態について説明する。
（第１の実施形態）
図１（Ａ）〜（Ｃ）に、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００を示す。
【００１９】
ＥＳＤ保護デバイス１００は、図１（Ａ）に示すように、第１のセラミックグリーンシート１および第２のセラミックグリーンシート５ａ、５ｂが積層および圧着されて一体となったセラミック素体６を備えている。セラミック素体６の材料には、例えばＢａ、Ａｌ、Ｓｉを中心とした各素材を混合してなるＢＡＳ材が用いられている。
【００２０】
ＥＳＤ保護デバイス１００は、図１（Ｂ）に示すように、放電補助電極層３が、セラミック素体６の内部からセラミック素体６の端面Ｄまで延在するように形成されている。放電補助電極層３は、アルミナ被膜Ｃｕ粒子等の導体粒子および、ＢＡＳ材等からなる絶縁体材料を含んでいる。
【００２１】
放電補助電極層３の一方主面上には、Ｃｕ等からなる第１の放電電極層２が形成されている。
【００２２】
放電補助電極層３の他方主面上には、Ｃｕ等からなる第２の放電電極層４が形成されている。
【００２３】
放電補助電極層３、第１の放電電極層２および第２の放電電極層４それぞれの端面３ａ、２ａ、４ａは、セラミック素体６の表面Ｄに露出している。
【００２４】
放電補助電極層３、第１の放電電極層２および第２の放電電極層４それぞれの端面３ａ、２ａ、４ａを覆うように、セラミック素体６の表面Ｄ上には、図１（Ａ）、（Ｃ）に示すように、保護膜１１が形成されている。保護膜１１の材料には、例えばシリコーン樹脂やエポキシ樹脂が用いられている。
【００２５】
セラミック素体６の表面上には、図１（Ａ）に示すように、第１の放電電極層２または第２の放電電極層４と電気的に接続されるように、複数の外部電極１２、１２が形成されている。
【００２６】
以上に示したＥＳＤ保護デバイス１００では、図１（Ｃ）に示すように、第１の放電電極層２および第２の放電電極層４それぞれの端面２ａ、４ａが、最短距離で放電補助電極層３の厚みに対応した間隔Ｇで対向している。後述するように、本発明のＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法においては、放電補助電極層３の厚みを小さく形成することができるため、間隔Ｇを小さく設定することができる。
【００２７】
ＥＳＤ保護デバイス１００は、第１の放電電極層２および第２の放電電極層４それぞれの端面２ａ、４ａの間の沿面放電や気中放電が生じることにより動作する。狭い間隔Ｇで対向する１対の放電電極層２、４を備えているため、放電開始電圧を小さくすることができる。
【００２８】
表１に、図１３に示した従来のＥＳＤ保護デバイス４００と、間隔Ｇの異なる２種類の本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００（実施例１、２）の放電開始電圧値を示す。実施例１は、第１の放電電極層２と第２の放電電極層４の間隔Ｇが２０μｍであり、実施例２は１０μｍである。また、従来のＥＳＤ保護デバイス４００における間隔Ｇは３０μｍである。
【００２９】
放電開始電圧値は、ＩＥＣ規格（ＩＥＣ６１０００−４−２）に従い接触放電にてＥＳＤを低電圧から印加することにより測定している。ＥＳＤ保護デバイス１００、４００が動作した場合は○印を、動作しなかった場合を×印で表している。
【００３０】
【表１】
2014082001.tif 000003
【００３１】
表１から分かるように、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００は、従来のＥＳＤ保護デバイス４００よりも低電圧で動作している。
【００３２】
以下、図１〜図７を参照しながら、本発明の第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法について説明する。
【００３３】
まず、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｉを中心とした各素材を所定の割合で調合、混合し、８００〜１０００℃で仮焼することにより、ＢＡＳ材を形成する。得られたＢＡＳ材をジルコニアボールミルで１２時間粉砕し、平均粒径約１μｍのＢＡＳ材からなる絶縁体材料を形成する。この絶縁体材料に、トルエンやエキネン等の有機溶媒を加え、混合する。その後、バインダー、可塑剤を加え、混合し、スラリーを形成する。
【００３４】
次に、スラリーをドクターブレード法により成形し、厚み５０μｍの第１のセラミックグリーンシートおよび第２のセラミックグリーンシートを形成する。
【００３５】
次に、平均粒径約２μｍのＣｕ粉とエチルセルロース等からなるバインダー樹脂に溶剤を添加し、３本ロールで撹拌、混合することで放電電極層形成用ペーストを形成する。
【００３６】
次に、図２に示すように、第１のセラミックグリーンシート１の一方主面上に、スクリーン印刷により放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第１の放電電極層２を形成する。第１の放電電極層２の厚みは、例えば１０μｍとする。
【００３７】
次に、導体粒子および絶縁体材料を含む放電補助電極層形成用ペーストを形成する。具体的には、平均粒径約２μｍのアルミナ被膜Ｃｕ粒子と、上述したスラリーを形成する際に用いた平均粒径約１μｍのＢＡＳ材からなる絶縁体材料を所定の割合で調合し、バインダー樹脂と溶剤を添加し、３本ロールで撹拌、混合することで放電補助電極層形成用ペーストを形成する。
【００３８】
次に、図３に示すように、第１の放電電極層２上に、スクリーン印刷により放電補助電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の放電補助電極層３を形成する。放電補助電極層３の厚みは、例えば１０μｍや２０μｍまで小さく設定することができる。
【００３９】
次に、図４に示すように、放電補助電極層３上に、スクリーン印刷により放電電極層形成用ペーストを塗布することにより、未焼成の第２の放電電極層４を形成する。第２の放電電極層４の厚みは、例えば１０μｍとする。
【００４０】
次に、図５に示すように、第１のセラミックグリーンシート１の上面に、複数枚の第２のセラミックグリーンシート５ａ（複数枚の第２のセラミックグリーンシート５ａを一体として図示）を積層し、圧着する。
【００４１】
次に、第１のセラミックグリーンシート１の下面に、複数枚の第２のセラミックグリーンシート５ｂ（複数枚の第２のセラミックグリーンシート５ｂを一体として図示）を積層し、圧着することにより、厚み０．３ｍｍの積層体１０を形成する。
【００４２】
次に、図６（Ａ）に示すように、第１の放電電極層２、放電補助電極層３および第２の放電電極層４の断面を含む面を分割面Ｄとして、マイクロカッタを用いたカットにより、積層体１０を分割する。分割された積層体１０の大きさは、例えば１．０ｍｍ×０．５ｍｍ×０．３ｍｍとする。分割面Ｄには、図６（Ｂ）に示すように、放電補助電極層３を介して間隔Ｇで対向した第１の放電電極層２および第２の放電電極層４それぞれの端面２ａ、４ａが露出する。
【００４３】
次に、分割された積層体１０をＮ2雰囲気中で焼成する。
【００４４】
次に、図７に示すように、積層体１０の表面上に導電ペーストを塗布し、焼き付けることにより、第１の放電電極層２または第２の放電電極層４と電気的に接続された複数の外部電極１２、１２を形成する。
【００４５】
次に、第１の放電電極層２、放電補助電極層３および第２の放電電極層４それぞれの端面３ａ、２ａ、４ａを覆うように、積層体１０の分割面Ｄ上に、シリコーン樹脂を塗布する。
【００４６】
次に、シリコーン樹脂上に、エポキシ樹脂を形成し、完成図である図１に示すようなシリコーン樹脂とエポキシ樹脂の積層構造となった保護膜１１を完成させる。
【００４７】
最後に、外部電極１２、１２上に、電解めっきにより、ＮｉおよびＳｎからなる膜を形成することにより、ＥＳＤ保護デバイス１００を完成させる。
【００４８】
以上で示したＥＳＤ保護デバイス１００の製造方法においては、スクリーン印刷の印刷厚み精度が高いため、例えば１０μｍや２０μｍの狭い間隔Ｇを形成することができる。
【００４９】
なお、上述した製造方法において、親基板状態の積層体１０を形成し、この積層体１０を分割することにより量産性を高めることができる。
【００５０】
具体的には、まず、上述した製造方法と同様に、第１の放電電極層２、放電補助電極層３、第２の放電電極層４のパターンを有する親基板状態の積層体１０を、図８に示すように形成する。
【００５１】
次に、第１の放電電極層２、放電補助電極層３および第２の放電電極層４の断面を含む面が分割面Ｄとなるように、カットラインＣＬに沿ってカットすることにより、積層体１０を分割する。
【００５２】
以上に示すように、本発明によれば、スクリーン印刷およびカットというコストの低い方法により、放電補助電極層３を介して狭い間隔Ｇで対向する第１の放電電極層２および第２の放電電極層４を形成することができる。
（第２の実施形態）
図９に、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス２００を示す。
【００５３】
図１に示した第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００では、セラミック素体６の表面Ｄが平坦であったが、ＥＳＤ保護デバイス２００では、図１１に示すように、セラミック素体６の表面Ｄに凹面８を備えている。凹面８には、放電補助電極層３、第１の放電電極層２および第２の放電電極層４それぞれの端面３ａ、２ａ、４ａが露出している。また、凹面８に囲まれた空間に、保護膜１１が形成されている。ＥＳＤ保護デバイス２００の他の構成は、ＥＳＤ保護デバイス１００と同じにしている。
【００５４】
第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス２００においては、凹面８に囲まれた空間に、保護膜１１が形成されるため、保護膜１１がセラミック素体６の外部に突出しにくくなり、ＥＳＤ保護デバイス２００全体の大きさを小さくすることができる。
【００５５】
以下、図９〜図１１を参照しながら、本発明の第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス２００の製造方法について説明する。
【００５６】
まず、第１の実施形態と同様に、図５、図８に示された積層体１０を形成する。
【００５７】
次に、第１の実施形態とは異なり、図１０に示すように、メカパンチ等により第２のセラミックグリーンシート５ａ、第１の放電電極層２、放電補助電極層３、第２の放電電極層４、第１のセラミックグリーンシート５ｂを順に貫通する空洞７を形成する。
【００５８】
次に、第１の実施形態とは異なり、図１０に示すように、空洞７の断面を含む面が分割面Ｄとなるように、カットラインＣＬに沿って、積層体１０を分割する。その結果、図１１に示すように、分割された積層体１０は、セラミック素体６の分割面Ｄに凹面８を有することになる。
【００５９】
次に、第１の実施形態と同様に、分割された積層体１０をＮ2雰囲気中で焼成する。
【００６０】
次に、図１１に示すように、第１の実施形態と同様に、積層体１０の表面上に複数の外部電極１２、１２を形成する。
【００６１】
次に、第１の実施形態とは異なり、図９に示すように、第１の放電電極層２、放電補助電極層３および第２の放電電極層４の空洞７に露出した端面２ａ、３ａ、４ａを覆うように、積層体１０の表面上に保護膜１１を形成する。
【００６２】
最後に、第１の実施形態と同様に、外部電極１２、１２上に、電解めっきにより、ＮｉおよびＳｎからなる膜を形成することにより、ＥＳＤ保護デバイス２００を完成させる。
（第３の実施形態）
図１２に、本発明の第３の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス３００を示す。
【００６３】
図１、図９に示した第１、第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００、２００においては、放電補助電極層３、第１の放電電極層２および第２の放電電極層４それぞれの端面３ａ、２ａ、４ａがセラミック素体６の同一の表面Ｄに露出していたが、第３の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス３００においては、第１の放電電極層２、第２の放電電極層４それぞれの端面２ａ、４ａが放電補助電極層３の端面３ａよりもセラミック素体６の外部に向かって突出している。ＥＳＤ保護デバイス３００の他の構成は、ＥＳＤ保護デバイス１００と同じにしている。
【００６４】
第３の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス３００においては、第１の放電電極層２、第２の放電電極層４の端面２ａ、４ａのみならず、第１の放電電極層２、第２の放電電極層４の主面２ｂ、４ｂが対向している。そのため、第１の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス１００や第２の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス２００に比べて、ＥＳＤ保護デバイス３００は、第１の放電電極層２および第２の放電電極層４の対向する面積が大きくなるため、放電の繰り返し耐性（連続動作性）を向上できる。
【００６５】
以下、本発明の第３の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイス３００の製造方法について説明する。
【００６６】
本発明の第１、第２の実施形態とは異なり、第３の実施形態においては、焼成後の収縮率が異なる放電補助電極層形成用ペーストおよび放電電極層形成用ペーストを用いる。具体的には、放電補助電極層３の焼成後の収縮率を８５％、第１の放電電極層２および第２の放電電極層４の焼成後の収縮率を８６〜９０％となるように、放電補助電極層形成用ペーストおよび放電電極層形成用ペーストの組成を調整する。
【００６７】
放電補助電極層形成用ペーストは、アルミナ被膜Ｃｕ粒子とＢＡＳ材からなる絶縁体材料を８０ｗｔ％、バインダー樹脂と溶剤を２０ｗｔ％の比率で混合する。
【００６８】
放電電極層形成用ペーストは、第１の実施形態にアルミナ粉を新しく加え、Ｃｕ粒子とアルミナ粉を８０ｗｔ％、バインダー樹脂と溶剤を２０ｗｔ％の比率で混合する。Ｃｕ粒子とアルミナ粉は、９５ｖｏｌ％、５ｖｏｌ％の比率で混合する。
【００６９】
以上のように焼成後の収縮率を設定することによって、積層体１０を焼成する工程において、収縮率の違いにより第１の放電電極層２、第２の放電電極層４が放電補助電極層３に比べてセラミック素体６の外部に向かって突出する。
【００７０】
なお、本発明の実施形態にかかるＥＳＤ保護デバイスおよびその製造方法は、上述した内容に限定されることはなく、発明の趣旨に沿って、種々の変更をなすことができる。
【００７１】
例えば、前記実施形態では、放電電極層形成用ペーストに含まれる導体粒子の材料にＣｕを用いているが、Ａｇ、Ｐｄ、Ｐｔ、Ａｌ、Ｎｉ、Ｗや、これらの組み合わせでも良い。
【００７２】
また、セラミック素体６に用いる材料には、Ｂａ、Ａｌ、Ｓｉを中心とした各素材を混合してなるＢＡＳ材を用いているが、フォレステライトにガラスを加えたものや、ＣｒＺｒＯ3にガラスを加えたもの等を用いても良い。
【００７３】
また、放電補助電極層形成用ペーストに含まれる絶縁体材料にＢＡＳ材を用いているが、アルミナ、シリカ、ジルコニア等のセラミック材料を用いても良い。
【００７４】
また、第３の実施形態におけるＥＳＤ保護デバイス３００の製造方法においては、放電補助電極層形成用ペーストおよび放電電極層形成用ペーストそれぞれの組成物および混合比率は、上述した内容に限られず、放電補助電極層形成用ペーストの焼成後の収縮率が放電電極層形成用ペーストよりも小さく設定されていれば、どのような内容でも良い。
【００７５】
また、積層体１０をＮ2雰囲気中で焼成しているが、ＡｒやＮｅ等の希ガス雰囲気中で焼成しても良い。また、第１の放電電極層２および第２の放電電極層４および放電補助電極層３が酸化しない材料からなる場合には、大気雰囲気中で焼成しても良い。
【００７６】
また、積層体１０をカットした後、Ｎ2雰囲気中で焼成しているが、Ｎ2雰囲気中で焼成した後、積層体１０をカットしても良い。
【符号の説明】
【００７７】
１  第１のセラミックグリーンシート
２  第１の放電電極層
２ａ  第１の放電電極層の端面
２ｂ  第１の放電電極層の主面
３  放電補助電極層
３ａ  放電補助電極層の端面
４  第２の放電電極層
４ａ  第２の放電電極層の端面
４ｂ  第２の放電電極層の主面
５ａ、５ｂ  第２のセラミックグリーンシート
６  セラミック素体
７  空洞
８  凹面
１０  積層体
１１  保護膜
１２  外部電極
１００、２００、３００  ＥＳＤ保護デバイス
Ｇ  間隔
Ｄ  表面、分割面
ＣＬ  カットライン
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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