(57)【要約】【課題】真空容器の内部の雰囲気に含まれる異物を検出する方法において、異物の大きさの検出限界値を小さくする。【解決手段】半導体製造装置ＳＭＳは、真空容器ＣＨＢ、サンプリング部ＳＭＰ、液体添加部ＬＡＤ、及び検査部ＣＨＫを有している。真空容器ＣＨＢは、内部に基板が搬入される。そして真空容器ＣＨＢの内部では、基板が処理される。サンプリング部ＳＭＰは、真空容器ＣＨＢから検査対象ガスをサンプリングする。液体添加部ＬＡＤは、検査対象ガスに気化した液体を混ぜた上で、検査対象ガスと液体の混合ガスを冷却する。検査部ＣＨＫは、冷却後の検査対象ガス中の異物の有無を検査する。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空容器を有する半導体製造装置の前記真空容器に、基板を搬入する搬入工程と、
前記真空容器の中で前記基板を処理する処理工程と、
前記真空容器から前記基板を搬出する搬出工程と、
を備え、
さらに、前記真空容器内の検査対象ガスをサンプリングし、気化した液体を前記検査対象ガスに混ぜ、その後冷却した上で、異物の有無を検査する検査工程を有する半導体装置の製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記検査工程において、前記検査対象ガスに、前記異物と反応する反応性ガスを添加し、その後、前記異物の有無を検査する半導体装置の製造方法。
【請求項３】
請求項２に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体製造装置は、前記真空容器に接続している排気ポンプを備え、
前記異物は前記排気ポンプに使われている潤滑油であり、
前記液体は水であり、
前記反応性ガスは、元素として、酸素、塩素、及びフッ素の少なくとも一つを含む、半導体装置の製造方法。
【請求項４】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記液体は、水又は有機溶媒である半導体装置の製造方法。
【請求項５】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記検査工程において、前記検査対象ガスにレーザを照射し、前記レーザの散乱を検出することにより、前記異物の有無を検査する半導体装置の製造方法。
【請求項６】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記真空容器は、処理室と、前記処理室に接続しているロードロック室とを備え、
前記検査対象ガスは、前記ロードロック室からサンプリングされる半導体装置の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載の半導体装置の製造方法において、
前記ロードロック室と前記処理室との間で基板を移動させている間に、前記処理室に、前記異物と反応する反応性ガスを添加する半導体装置の製造方法。
【請求項８】
請求項１に記載の半導体装置の製造方法において、
前記検査工程において、前記異物の検出結果が基準以上になったときに、警告処理を行う、又は前記処理工程を中断する半導体装置の製造方法。
【請求項９】
基板が処理される真空容器と、
前記真空容器から検査対象ガスをサンプリングするサンプリング部と、
前記検査対象ガスに気化した液体を混ぜた上で、前記検査対象ガスと前記液体の混合ガスを冷却する液体添加部と、
冷却後の前記検査対象ガス中の異物の有無を検査する検査部と、
を備える半導体製造装置。
【請求項１０】
請求項９に記載の半導体製造装置において、
前記検査部は、前記検査対象ガスに、前記異物と反応する反応性ガスを添加し、その後、前記異物の有無を検査する半導体製造装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に関し、例えば真空プロセスを用いる半導体装置の製造方法及び半導体製造装置に適用可能な技術である。
【背景技術】
【０００２】
半導体装置の製造過程においては、多くの真空プロセスが使用される。真空プロセスを行う場合、真空容器の内部を排気ポンプで排気する必要がある。
【０００３】
なお、特許文献１には、排気ガス中の粒子濃度を測定するシステムが開示されている。このシステムは、サンプリングした排気ガスに含まれる粒子数を、レーザ散乱式凝集粒子カウンタ（ＣＰＣ）でカウントすることが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】国際公開第２０１２／０３９３２５号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
真空容器の内部に求められる特性の一つに、異物が少ないことがある。真空容器の内部に異物が存在していた場合、処理している基板に異物が付着し、半導体装置の不良の原因になる。近年は半導体装置の微細化が進んでいるため、半導体装置の不良の原因になる異物の寸法の最小値が小さくなってきている。このため、本発明者は、真空容器の内部の雰囲気に含まれる異物を検出する方法において、異物の大きさの検出限界値を小さくすることを検討した。その他の課題と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面から明らかになるであろう。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
一実施の形態によれば、基板に処理を行う真空容器から、検査対象ガスをサンプリングする。そして、気化した液体を検査対象ガスに混ぜ、その後冷却した上で、異物の有無を検査する。
【発明の効果】
【０００７】
前記一実施の形態によれば、真空容器の内部の雰囲気に含まれる異物を検出する方法において、異物の大きさの検出限界値を小さくできる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
【図１】第１の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳの構成を示す図である。
【図２】アラーム部が警告処理を行うときの基準を説明するための図である。
【図３】第１の実施形態の効果を説明するための図である。
【図４】第２の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳの構成を示す図である。
【図５】図４の変形例を示す図である。
【図６】第３の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳの構成を示す図である。
【図７】図６に示した半導体製造装置ＳＭＳを用いた処理の一例を示すフローチャートである。
【図８】第４の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳの構成を示す図である。
【図９】第５の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳの構成を示す図である。
【図１０】第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法で製造される半導体装置ＳＤの構成を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、実施の形態について、図面を用いて説明する。尚、すべての図面において、同様な構成要素には同様の符号を付し、適宜説明を省略する。
【００１０】
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳの構成を示す図である。半導体製造装置ＳＭＳは、真空容器ＣＨＢ、サンプリング部ＳＭＰ、液体添加部ＬＡＤ、及び検査部ＣＨＫを有している。真空容器ＣＨＢは、内部に基板が搬入される。そして真空容器ＣＨＢの内部では、基板が処理される。サンプリング部ＳＭＰは、真空容器ＣＨＢから検査対象ガスをサンプリングする。液体添加部ＬＡＤは、検査対象ガスに気化した液体を混ぜた上で、検査対象ガスと液体の混合ガスを冷却する。検査部ＣＨＫは、冷却後の検査対象ガス中の異物の有無を検査する。
【００１１】
そして、半導体製造装置ＳＭＳを用いた半導体装置の製造方法は、以下の工程を有している。まず、真空容器ＣＨＢに、基板を搬入する（搬入工程）。次いで、真空容器ＣＨＢの中で基板を処理する（処理工程）。次いで、真空容器ＣＨＢから基板を搬出する（搬出工程）。そして、これらの処理の間、真空容器ＣＨＢ内の雰囲気は、サンプリング部ＳＭＰによって検査対象ガスとしてサンプリングされ、液体添加部ＬＡＤ及び検査部ＣＨＫによって処理される。以下、詳細に説明を行う。
【００１２】
真空容器ＣＨＢが基板に行う処理としては、例えば熱処理、熱酸化処理、又は熱ＣＶＤがある。また、真空容器ＣＨＢがロードロック室と処理室に分かれている場合、真空容器ＣＨＢが基板に行う処理には、例えば、上記した各処理、プラズマＣＶＤ、スパッタリング処理、エッチング処理、又はＡＬＤ（Atomic Layer Deposition）がある。
【００１３】
真空容器ＣＨＢの内部は、排気ポンプＰＭＰ１によって排気されている。排気ポンプＰＭＰ１は、例えばドライポンプである。このドライポンプのタイプとしては、クロー型、スクリュー型、及びターボ型など、様々なものが考えられる。
【００１４】
サンプリング部ＳＭＰは、真空容器ＣＨＢの内部に繋がっている配管を有しており、この配管を介して真空容器ＣＨＢの内部の雰囲気を検査対象ガスとしてサンプリングする。真空容器ＣＨＢの検査対象ガスのサンプリングを効率よく行うために、サンプリング部ＳＭＰに吸引ポンプを配置し、これを介して真空容器ＣＨＢの内部の雰囲気を検査対象ガスとしてサンプリングしてもよい。
【００１５】
液体添加部ＬＡＤは、サンプリング部ＳＭＰがサンプリングした検査対象ガスに気化した液体を混ぜた上で、検査対象ガスと液体の混合ガスを冷却する。ここで用いられる液体は、例えば、水または有機溶媒である。ここで用いられる有機溶媒としては、ブタノールなどのアルコールが例示される。
【００１６】
液体添加部ＬＡＤは、例えばミスト状にした液体を、検査対象ガスの流路（例えば配管）の中に導入する。流路内の気圧は低いため、流路の中に導入された液体は直ぐに気化する。ここで、流路のうち液体が導入されている部分、その直前の部分、及びその直後の部分の少なくとも一つにおいて、流路の内部は加熱されていても良い。このようにすると、流路の中に導入された液体は、さらに気化しやすくなる。この加熱は、例えば流路の近傍にヒータなどの熱源を配置することにより、行われる。
【００１７】
また、液体添加部ＬＡＤは、気化された液体と検査対象ガスの混合ガスを冷却する冷却部を有している。この冷却部は、流路のうち、液体が添加される部分よりも下流側に設けられている。この冷却は、例えば流路のうち冷却部となる部分を冷却水で冷却することにより、行われる。
【００１８】
検査部ＣＨＫは、冷却された後の検査対象ガスに異物が含まれているか否かを検査する。検査部ＣＨＫは、例えば、検査対象ガスにレーザを照射し、このレーザの散乱を検出することにより、異物の有無を検査する。このようにすると、異物が小さい場合でも、容易に異物の有無を検出できる。ただし、検査部ＣＨＫは、他の方式で異物の有無を検査しても良い。
【００１９】
アラーム部ＡＬＭは、図２に示すように、検査部ＣＨＫによって検出された異物の量が基準以上になったときに、警告処理、または、基板の処理工程を中断する処理を行う。このようにすると、異物に起因した不良品が生産されることを、抑制できる。
【００２０】
なお、アラーム部ＡＬＭが行う警告処理としては、例えば、半導体製造装置ＳＭＳが有するディスプレイ又は半導体製造装置ＳＭＳを管理している管理装置のディスプレイに警告表示を行わせる処理、又は、警告音を出力する処理などがある。また、アラーム部ＡＬＭは、基板の処理工程を中断する場合、そのとき行っている処理を中断しても良いし、そのとき行っている処理が終了した後に、次の基板を処理しないようにしても良い。
【００２１】
そして、サンプリング部ＳＭＰ、液体添加部ＬＡＤ、検査部ＣＨＫ、及びアラーム部ＡＬＭは、基板の出し入れが行われている間を除いて、常に動作している。
【００２２】
次に、図３を用いて、本実施形態の効果を説明する。本実施形態によれば、液体添加部ＬＡＤは、サンプリング部ＳＭＰがサンプリングした検査対象ガスに気化した液体を混ぜた上で、検査対象ガスと液体の混合ガスを冷却する。このため、図３（ａ）及び図３（ｂ）に示すように、異物ＦＭを核として気化した液体ＬＩＱが液化するため、異物ＦＭの大きさは見かけ上大きくなる。従って、検査部ＣＨＫは、異物ＦＭが小さい場合でも、異物ＦＭを検出することができる。
【００２３】
なお、ここで検出される異物ＦＭとしては、例えば、排気ポンプＰＭＰ１としてのドライポンプで用いられている潤滑油がある。ドライポンプは機械式であるため、一般的に油による真空容器ＣＨＢの汚染がない、と考えられている。しかし、本発明者が検討した結果、半導体装置の微細化が進むと、ドライポンプで用いられている潤滑油によって真空容器ＣＨＢが汚染され、その結果、半導体装置の歩留まりが低下することが分かった。しかし、この真空容器ＣＨＢに新入してくる潤滑油は、非常に細かく、その直径は例えば５０ｎｍ以下である。
【００２４】
これに対して本実施形態によれば、異物ＦＭとしての潤滑油が細かくても、検査部ＣＨＫにおいて潤滑油の大きさは見かけ上大きくなっている。従って、検査部ＣＨＫは、潤滑油を検出することができる。このため、潤滑油に起因して半導体装置の歩留まりが低下することを抑制できる。
【００２５】
（第２の実施形態）
図４は、第２の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳの構成を示す図である。本実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳは、反応性ガス添加部ＧＡＤ１を有している点を除いて、第１の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳと同様の構成である。
【００２６】
反応性ガス添加部ＧＡＤ１は、サンプリング部ＳＭＰによってサンプリングされた（又はサンプリングされる）検査対象ガスに、反応性ガスを添加する。反応性ガスは、検査対象ガスに含まれると予想される異物ＦＭと反応する。反応が不十分な場合は、反応を促進するために、加熱処理を行う。この加熱処理は、例えばヒータを用いて行われる。液体添加部ＬＡＤ及び検査部ＣＨＫは、反応性ガスが添加された後の検査対象ガスに対して処理を行う。異物は、反応性ガスと反応することにより、少なくとも表面が、液体添加部ＬＡＤによって添加される液体に対する濡れ性が改善する。
【００２７】
例えば異物ＦＭが上記したドライポンプの潤滑油であり、液体添加部ＬＡＤが添加する液体として水を使いたい場合、反応性ガスは、元素として、酸素、塩素、及びフッ素の少なくとも一つを含む。反応性ガスは、例えば酸素ガスである。
【００２８】
なお、本図に示す例において、反応性ガス添加部ＧＡＤ１はサンプリング部ＳＭＰよりも下流側に設けられている。ただし、図５に示すように、反応性ガス添加部ＧＡＤ１は真空容器ＣＨＢに対して設けられていても良い。この場合、反応性ガスは真空容器ＣＨＢの内部に導入される。
【００２９】
本実施形態によっても、第１の実施形態と同様の効果が得られる。また、異物ＦＭの少なくとも表面を、反応性ガス添加部ＧＡＤ１が添加する反応性ガスによって改質することができるため、液体添加部ＬＡＤが用いる液体の選択範囲を広げることができる。このため、液体添加部ＬＡＤが添加する液体として、既存の真空プロセスに対して親和性の高い液体、例えば水を用いることができる。ここで、既存の真空プロセスに対して親和性の高い液体とは、例えば、既存のクリーンルーム内で既に使用されている液体である。
【００３０】
（第３の実施形態）
図６は、第３の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳの構成を示す図である。本実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳは、以下を除いて、第２の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳと同様の構成である。
【００３１】
まず、真空容器ＣＨＢは、処理室ＰＲＣ及びロードロック室ＬＬＣを備えている。ロードロック室ＬＬＣは、処理室ＰＲＣに、シャッターＳＨＴを介して繋がっている。真空容器ＣＨＢは、基板を処理する容器であり、ヒータＨＴを有している。なお、ヒータＨＴは真空容器ＣＨＢの内部に設けられていてもよいし、外部に設けられていても良い。排気ポンプＰＭＰ１はロードロック室ＬＬＣ内を排気しており、サンプリング部ＳＭＰはロードロック室ＬＬＣから検査対象ガスをサンプリングしている。そして処理室ＰＲＣは、排気ポンプＰＭＰ２によって排気されている。排気ポンプＰＭＰ２は、ドライポンプである。
【００３２】
そして、処理室ＰＲＣには処理ガス添加部ＧＡＤ２が設けられている。処理ガス添加部ＧＡＤ２は、基板を処理するためのガスを処理室ＰＲＣ内に導入することができる。ここで処理室ＰＲＣ内に導入されるガスは、処理室ＰＲＣで行われる処理によって変わるが、例えば酸素ガスが含まれる。また処理ガス添加部ＧＡＤ２は、真空容器ＣＨＢに、不活性ガス（例えば窒素ガス）を導入することができる。シャッターＳＨＴが開いている場合、真空容器ＣＨＢに導入されたガスは、ロードロック室ＬＬＣにも流れ込む。例えば、処理ガス添加部ＧＡＤ２から処理室ＰＲＣにガスを導入しつつ、シャッターＳＨＴを開いた状態で排気ポンプＰＭＰ１を動作させた場合、ロードロック室ＬＬＣの内部は、処理ガス添加部ＧＡＤ２から導入されたガスに置換される。
【００３３】
また本実施形態では、処理ガス添加部ＧＡＤ２が、第２の実施形態における反応性ガス添加部ＧＡＤ１の機能も有している。すなわち本実施形態では、反応性ガスは、反応性ガス添加部ＧＡＤ１から、処理室ＰＲＣ及びシャッターＳＨＴを介して、ロードロック室ＬＬＣに導入される。
【００３４】
図７は、図６に示した半導体製造装置ＳＭＳを用いた処理の一例を示すフローチャートである。本図に示す例において、半導体製造装置ＳＭＳはバッチ方式で複数の基板を同時に処理する。なお、本図に示す処理を行っている間、サンプリング部ＳＭＰ、液体添加部ＬＡＤ、検査部ＣＨＫ、及びアラーム部ＡＬＭは動作し続ける。
【００３５】
まず、ロードロック室ＬＬＣに基板を搬入する。このとき、石英ボードなどのキャリアが用いられるため、複数の基板がロードロック室ＬＬＣに搬入される（ステップＳ１０）。次いで、ロードロック室ＬＬＣを排気しつつ、ロードロック室ＬＬＣの内部を窒素で置換する（ステップＳ２０）。このとき、窒素ガスは処理ガス添加部ＧＡＤ２から導入される。ロードロック室ＬＬＣに窒素ガス供給部を有している設備は、この窒素ガスを用いて、ロードロック室ＬＬＣの内部の窒素置換を行う。
【００３６】
次いで、処理室ＰＲＣに、反応性ガス（例えば酸素）を導入しつつ、ロードロック室ＬＬＣから処理室ＰＲＣに基板を搬送する。このとき、シャッターＳＨＴを介して処理室ＰＲＣからロードロック室ＬＬＣに反応性ガスが流れ込む（ステップＳ３０）。
【００３７】
次いで、処理室ＰＲＣに処理ガス（例えば酸素）を導入して、基板を処理する。このとい、ヒータＨＴによって基板は加熱される（ステップＳ４０）。
【００３８】
その後、処理が行われた基板を処理室ＰＲＣからロードロック室ＬＬＣに戻す（ステップＳ５０）。そして、ロードロック室ＬＬＣから基板を取り出す（ステップＳ６０）。
【００３９】
本実施形態によっても、第２の実施形態と同様の効果が得られる。また、サンプリング部ＳＭＰはロードロック室ＬＬＣに接続しているため、液体添加部ＬＡＤ、検査部ＣＨＫ、及びアラーム部ＡＬＭを用いることで、ロードロック室ＬＬＣ内における異物の有無を検出することができる。従って、基板がロードロック室ＬＬＣで待機している間に、基板が異物で汚染されることを抑制できる。
【００４０】
また、反応性ガスは、処理ガス添加部ＧＡＤ２から、処理室ＰＲＣ及びシャッターＳＨＴを介して、ロードロック室ＬＬＣに導入される。従って、ロードロック室ＬＬＣ、サンプリング部ＳＭＰ、及び液体添加部ＬＡＤのいずれかに、反応性ガスを導入するための配管系を新たに設置する必要はない。さらに、処理室ＰＲＣにあるヒータＨＴによる加熱処理によって、反応性ガス（例えば酸素）と検査対象ガスに含まれると予想される異物ＦＭとの反応を促進できる。
【００４１】
（第４の実施形態）
図８は、第４の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳの構成を示す図である。本実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳは、サンプリング部ＳＭＰが処理室ＰＲＣに繋がっている点を除いて、第３の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳと同様の構成である。なお、サンプリング部ＳＭＰ、液体添加部ＬＡＤ、及び検査部ＣＨＫは、処理室ＰＲＣ及びロードロック室ＬＬＣのそれぞれに対して設けられていてもよい。
【００４２】
本実施形態によれば、液体添加部ＬＡＤ、検査部ＣＨＫ、及びアラーム部ＡＬＭを用いることで、処理室ＰＲＣ内における異物の有無を検出することができる。従って、基板が処理室ＰＲＣ内で異物に汚染されることを抑制できる。
【００４３】
（第５の実施形態）
図９は、第５の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳの構成を示す図である。本実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳは、プリベーク室ＰＢＣを有している点を除いて、第３又は第４の実施形態に係る半導体製造装置ＳＭＳと同様である。なお、本図は、第３の実施形態と同様の場合を示している。
【００４４】
プリベーク室ＰＢＣは、ロードロック室ＬＬＣと処理室ＰＲＣの間に位置しており、ヒータＨＴを有している。プリベーク室ＰＢＣは、基板が処理室ＰＲＣに搬送される前に、その基板を加熱する。プリベーク室ＰＢＣの内部は排気ポンプＰＭＰ３によって排気されている。排気ポンプＰＭＰ３は、例えばドライポンプである。
【００４５】
そして、プリベーク室ＰＢＣ内において異物によって基板が汚染されることを抑制したい場合、サンプリング部ＳＭＰは、プリベーク室ＰＢＣから検査対象ガスをサンプリングする。なお、サンプリング部ＳＭＰ、液体添加部ＬＡＤ、及び検査部ＣＨＫは、処理室ＰＲＣ、プリベーク室ＰＢＣ、及びロードロック室ＬＬＣのそれぞれに対して設けられていてもよい。
【００４６】
本実施形態によっても、第３又は第４の実施形態と同様の効果が得られる。また、基板がプリベーク室ＰＢＣ内で異物に汚染されることを抑制できる。
【００４７】
（第６の実施形態）
図１０は、第６の実施形態に係る半導体装置の製造方法で製造される半導体装置ＳＤの構成を示す断面図である。半導体装置ＳＤは、不揮発メモリを有している。この不揮発メモリは、基板ＳＵＢ、例えばシリコン基板を用いて形成されている。
【００４８】
詳細には、不揮発メモリは、基板ＳＵＢのうち素子形成領域を用いて形成されている。この素子形成領域は、素子分離膜ＳＴＩによって他の領域から分離されている。そして素子形成領域に位置する基板ＳＵＢの上には、トンネル絶縁膜ＴＵＮＩ、トラップ絶縁膜ＴＲＰＩ、トップ絶縁膜ＴＯＰＩ、及びゲート電極ＧＥがこの順に積層されている。トンネル絶縁膜ＴＵＮＩ及びトップ絶縁膜ＴＯＰＩは、例えば酸化シリコン膜であり、トラップ絶縁膜ＴＲＰＩは、例えば窒化シリコン膜である。なお、トンネル絶縁膜ＴＵＮＩは、例えば熱酸化法によって形成されている。トンネル絶縁膜ＴＵＮＩ、トップ絶縁膜ＴＯＰＩ、及びゲート電極ＧＥは、ＣＶＤ法などの堆積法を用いて形成されている。そして、素子形成領域に位置する基板ＳＵＢには、ソース及びドレインとなる拡散層ＤＩＦが形成されている。
【００４９】
本実施形態において、不揮発メモリへの情報の書き込み／消去は、トラップ絶縁膜ＴＲＰＩへの電荷の注入／取出しによって行われる。そして、不揮発メモリからの情報の読み出しは、ゲート電極ＧＥに印加される閾値電圧の変化を測定することにより、行われる。
【００５０】
本実施形態において、トンネル絶縁膜ＴＵＮＩは、第１〜第５の実施形態のいずれかに示した半導体製造装置ＳＭＳを用いて製造される。従って、トンネル絶縁膜ＴＵＮＩに、異物に起因して不良が発生することを抑制できる。なお、トラップ絶縁膜ＴＲＰＩ、トップ絶縁膜ＴＯＰＩ、及びゲート電極ＧＥの少なくとも一つも、第１〜第５の実施形態のいずれかに示した半導体製造装置ＳＭＳを用いて製造されてもよい。
【００５１】
以上、本発明者によってなされた発明を実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えばＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を形成する際に、第１〜第５の実施形態のいずれかに示した半導体製造装置ＳＭＳを用いてもよい。
【符号の説明】
【００５２】
ＡＬＭ アラーム部
ＣＨＢ 真空容器
ＣＨＫ 検査部
ＤＩＦ 拡散層
ＦＭ 異物
ＧＡＤ１ 反応性ガス添加部
ＧＡＤ２ 処理ガス添加部
ＧＥ ゲート電極
ＨＴ ヒータ
ＬＡＤ 液体添加部
ＬＬＣ ロードロック室
ＰＢＣ プリベーク室
ＰＭＰ１ 排気ポンプ
ＰＭＰ２ 排気ポンプ
ＰＭＰ３ 排気ポンプ
ＰＲＣ 処理室
ＳＤ 半導体装置
ＳＨＴ シャッター
ＳＭＰ サンプリング部
ＳＭＳ 半導体製造装置
ＳＴＩ 素子分離膜
ＳＵＢ 基板
ＴＯＰＩ トップ絶縁膜
ＴＲＰＩ トラップ絶縁膜
ＴＵＮＩ トンネル絶縁膜
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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