【手続補正書】
【提出日】令和3年6月14日(2021.6.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００２７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００２７】
透明導電膜とカソード電源配線（Ｖｓｓ）１１０とのコンタクト領域１１８Ａ、１１８Ｂ、１１８Ｃが、表示領域１２５の外側、カソード電極形成領域１１４の内側に存在する。透明導電膜は、コンタクト領域１１８Ａ、１１８Ｂ、１１８Ｃにおいて、カソード電源配線１１０に接続されている。透明導電膜とカソード電極形成領域１１４とは、コンタクト領域で、直接に接触しても、相互接続部により接続されてもよい。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３０】
副画素２５２Ｒの領域は、透明領域５２１Ｒとアクティブ領域５２２Ｒ（第２領域）とで構成されている。副画素２５２Ｇの領域は、透明領域５２１Ｇとアクティブ領域５２２Ｇ（第２領域）とで構成されている。副画素２５２Ｂの領域は、透明領域５２１Ｂとアクティブ領域５２２Ｂ（第２領域）とで構成されている。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４２】
相互接続部５５５は、透明領域５２１内のコンタクト領域６５６において、カソード導体膜と接続している。透明な相互接続部５５５により、透明領域５２１を増加させ、より高精細な透明ＯＬＥＤ表示装置を実現できる。相互接続部５５５は、低抵抗ＩＧＺＯ膜であり、ＴＦＴのＩＧＺＯ膜と同時に形成することができ、製造効率を向上することができる。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４３】
図５Ｂは、図５ＡにおけるＶＢ−ＶＢ切断線での断面図である。図５Ｂの構成要素間のサイズ比は、図示容易のため、図５Ａの構成要素間のサイズ比と異なる。図５Ｂは、副画素のＴＦＴ基板１００上の一部構成を示す。絶縁基板１５１上に、アノード電極１６２（下部電極）と、カソード電極１６６（上部電極）と、有機発光膜６５２とを含む。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４８】
ドレイン電極１５９は、層間絶縁膜１６４、１５８を貫通するコンタクトホールに形成されたコンタクト部１６８を介して、ＩＧＺＯ膜１５５の低抵抗ドレイン領域５５２に接続されている。ソース電極１６０は、層間絶縁膜１６４、１５８を貫通するコンタクトホールに形成されたコンタクト部１６９を介して、ＩＧＺＯ膜１５５の低抵抗ソース領域５５３に接続されている。
【手続補正６】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００８９
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００８９】
有機発光素子は、アノード電極１６２、カソード電極１６６、及びそれらに挟まれている発光膜で構成される。発光膜は、本例において、電子供給膜６５３、有機発光膜６５２、及び正孔供給膜６５１で構成されている。また、カソード電極１６６は、コンタクト領域６５６において、電子供給膜６５３、キャリア生成膜６５４、及び正孔供給膜６５１を介して、相互接続部５５５に接続されている。
【手続補正７】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１２】
下部容量電極９５３は、不図示の、上部容量電極と、絶縁膜を介して、透明領域５２１において対向している。具体的には、上部容量電極は、駆動ＴＦＴＴ１のＩＧＺＯ膜１５５のソース領域５５３に連続して、透明領域５２１まで延びている。上部容量電極と下部容量電極９５３とは、透明領域５２１において、絶縁膜９５７を介して対向する。
【手続補正８】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１３
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１３】
絶縁膜９５６及び下部容量電極９５３上に、絶縁膜９５７が形成されている。さらに、絶縁膜９５７上に、駆動ＴＦＴＴ１のＩＧＺＯ膜１５５、及び、カソード電極１６６と補助配線６５８との相互接続部９５４が形成されている。相互接続部９５４は、ＩＧＺＯ膜１５５から分離されている。相互接続部９５４は、低抵抗ＩＧＺＯで形成されており、図５Ａから図６Ｅを参照して説明したように、駆動ＴＦＴＴ１のＩＧＺＯ膜１５５の低抵抗領域と同時に、同一プロセスで形成される。
【手続補正９】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１１７】
図１１に示す駆動ＴＦＴ Ｔ１は、チャネルエッチ型のボトムゲートＴＦＴである。以下において、図１０に示す構成例との相違点を主に説明する。図１１に示す構成例において、図１０に示す構成例における絶縁膜９５９が省略されている。ドレイン電極１５９及びソース電極１６０は、それぞれ、ＩＧＺＯ膜１５５のドレイン領域５５２及びソース領域５５３に（直接）接触している。また、補助配線６５８は、相互接続部９５４に（直接）接触している。
【手続補正１０】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０１２０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０１２０】
１０  ＯＬＥＤ表示装置、１００  ＴＦＴ基板、１０５  データ線、１０６  走査線、１０７  エミッション制御線、１０８  電源線、１０９  基準電圧供給線１１１  カソード電源配線、１１４  カソード電極形成領域、１２５  表示領域、１３１  走査ドライバ、１３２  エミッションドライバ、１３３  保護回路、１５１  透明絶縁基板、１５５  ＩＧＺＯ膜、１５６  ゲート絶縁膜、１５７  ゲート電極、１５８  層間絶縁膜、１５９  ドレイン電極、１６０  ソース電極、１６１  平坦化膜、１６２  アノード電極、１６３  画素定義層、１６４  層間絶縁膜、１６６  透明カソード電極、１６８、１６９  コンタクト部、１１８Ａ、１１８Ｂ、１１８Ｃ  カソードコンタクト領域、２００  封止基板、２５１  主画素、２５２  副画素、２５３  画素定義層、３００  接合部、５２１  透明領域、５２２  アクティブ領域、５５１  チャネル領域、５５２  ドレイン領域、５５３  ソース領域、５５５  相互接続部、５５７  酸化物半導体パターン、６５１  正孔供給膜、６５２  有機発光膜、６５３  電子供給膜、６５４  キャリア生成膜、６５６  コンタクト領域、６５７  コンタクト部、６５８  補助配線、７０１  上部容量電極、７０２  下部容量電極、７１１  コンタクト部、９０１  相互接続部、９１１  コンタクト領域、９１２  コンタクト部、９５２  ボトムゲート電極、９５３  下部容量電極、９５４  相互接続部、９５６、９５７、９５８  絶縁膜、Ｃ１  保持容量、Ｅ１  ＯＬＥＤ素子、１３４  ドライバＩＣ、Ｔ１  駆動ＴＦＴ
【手続補正１１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１】
2019153569.tif 000001
【手続補正１２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図２Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図２Ｂ】
2019153569.tif 000002
【手続補正１３】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図５Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図５Ａ】
2019153569.tif 000003
【手続補正１４】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図７Ａ】
2019153569.tif 000004
【手続補正１５】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図８Ｅ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図８Ｅ】
2019153569.tif 000005
【手続補正１６】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図９Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図９Ａ】
2019153569.tif 000006
【手続補正１７】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３Ａ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３Ａ】
2019153569.tif 000007
【手続補正１８】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３Ｂ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３Ｂ】
2019153569.tif 000008
【手続補正１９】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３Ｃ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３Ｃ】
2019153569.tif 000009
【手続補正２０】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１３Ｄ
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１３Ｄ】
2019153569.tif 000010
【手続補正２１】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図１４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【図１４】
2019153569.tif 000011