【手続補正書】
【提出日】令和3年6月2日(2021.6.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
較正表面の領域を光ビームで照明するステップと、
前記光ビームによって照明される前記較正表面の前記領域上へ荷電粒子ビームを走査するステップと、
前記荷電粒子ビームの入射に応答して前記領域から放出される二次放射を検出するステップと、
前記光ビームによって照明され前記荷電粒子ビームによって衝突される領域と、前記光ビームによって照明されず前記荷電粒子ビームによって衝突される領域との間の前記二次放射の差異から、前記較正表面における前記光ビームの特性を特定するステップと、
を含む、方法。
【請求項２】
前記較正表面がナノ結晶性ダイヤモンドを備える、
請求項１記載の方法。
【請求項３】
前記較正表面における前記光ビームの特性を特定するステップは、
前記較正表面における前記光ビームの位置を特定するステップを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項４】
前記荷電粒子ビームを走査するステップは、
前記荷電粒子ビームを前記較正表面上の点に荷電粒子ビーム参照フレームを用いて位置決めするステップを含み、
前記較正表面における前記光ビームの位置を特定するステップは、
前記荷電粒子ビーム参照フレーム内の前記光ビームの位置を特定するステップを含む、
請求項３記載の方法。
【請求項５】
さらに、
前記光ビームで照明される前記領域の位置を調整するステップ、
を含む、請求項３記載の方法。
【請求項６】
前記較正表面における前記光ビームの特性を特定するステップは、
前記較正表面における前記光ビームの形状を特定するステップを含む、
請求項１記載の方法。
【請求項７】
前記光ビームの経路からイメージング・エイドを取り除き、前記光ビームの前記経路にワークピースを配置するステップであって、前記イメージング・エイドは前記較正表面を含む、ステップと、
前記光ビーム及び前記荷電粒子ビームを用いて前記ワークピースを処理し又はイメージングするステップと、
をさらに含む、請求項１記載の方法。
【請求項８】
荷電粒子ビームシステムの試料チャンバ内で光ビームを観察する方法であって、
前記試料チャンバ内部に較正表面を有するイメージング・エイドを提供するステップであって、前記較正表面は、荷電粒子の第２ビームによる照射を受けている較正表面上の任意のエリアを光の第１ビームで照明することが、前記第２ビームが前記較正表面から放出させる二次放射の強度を変化させるように構成されている、ステップと、
前記較正表面の領域を前記第１ビームで照明するステップであって、その間に前記第２ビームが前記領域を照射して前記領域からの二次放射の放出を誘導し、前記二次放射は光、二次電子、後方散乱電子であることができる、ステップと、
前記二次放射を検出するステップと、
時間の関数として前記二次放射の強度に対応する電気信号を生成するステップと、
前記電気信号を分析することによって前記第１ビームのアライメント特性値を特定するステップと、
を含む、方法。
【請求項９】
前記較正表面にわたるパターンに従って第２ビームを走査することにより前記較正表面の二次放射イメージを取得するステップをさらに含み、
前記第２ビームが前記領域を照射する間に、前記領域を前記第１ビームで照明するステップは、
前記第２ビームが前記領域を走査する間に、前記領域を前記第１ビームで照明するステップを含む、
請求項８記載の方法。
【請求項１０】
前記較正表面の前記二次放射イメージは、前記領域上に重畳された前記第１ビームのビームスポットのイメージを含み、
前記アライメント特性値を特定するステップは、
前記二次放射イメージと前記ビームスポットの前記イメージとを分析するステップを含む、
請求項９記載の方法。
【請求項１１】
前記アライメント特性値は、前記光の第１ビームが前記領域を照明する間の前記光の第１ビームのアライメント特性の第１値であり、
前記光の第１ビームはレーザビームシステムによって生成されるレーザビームであり、
前記方法は、
前記第１ビームの前記アライメント特性値を予め選択された第２値に変化させることができる、前記レーザビームシステムに対する第１調整を計算するために前記アライメント特性の前記第１値を使用するステップと、
前記第１調整を実行するステップと、
前記荷電粒子ビームシステムによる後続の分析及び／又は処理のために選択された試料ロケーションが前記較正表面に隣接するように、前記試料チャンバ内の試料を位置決めするステップと、
をさらに有する、請求項８記載の方法。
【請求項１２】
前記方法は、
前記試料チャンバのユーセントリック高さに前記較正表面を位置決めするステップ、
をさらに含み、
前記アライメント特性の前記第１値は、前記第１ビームが前記領域を照明する間の、前記較正表面上の前記第１ビームのビームスポットの位置を含み、
前記アライメント特性の第２値は、前記ユーセントリック高さに配置された前記試料上の、前記較正表面に隣接する前記ビームスポットの位置を含み、
前記予め選択された値は、前記試料ロケーションの位置を含み、
前記第１調整を実行することで、前記ビームスポットが前記試料ロケーション上のほぼ中央に位置するように、前記第１ビームを移動させる、
請求項１１記載の方法。
【請求項１３】
前記較正表面の前記領域を照明するステップは、
前記第１ビームが集束光学系を通過するステップであって、前記集束光学系は前記第１ビームを前記較正表面上へ方向づけ集束させる、ステップを含み、
前記方法は、
前記電気信号を分析することにより前記領域を照明する間の前記集束光学系の作動距離の値を特定するステップと、
荷電粒子ビームシステムの第２調整を計算するために前記作動距離の値を使用するステップであって、前記第２調整は、ほぼ前記ユーセントリック高さにおいて前記第１ビームを集束させる前記作動距離の調整を含む、ステップと、
前記第２調整を実行するステップと、
をさらに含む、請求項１２記載の方法。
【請求項１４】
イメージング・エイドを提供するステップは、
前記荷電粒子ビームシステムによる分析及び／又は処理のために選択された関心領域に隣接するロケーションにおいて、試料の表面上に配置された薄層として前記イメージング・エイドを提供するステップをさらに含む、
請求項８記載の方法。
【請求項１５】
前記第１ビームはレーザビームを含み、
前記二次放射の放出は、二次電子の放出、後方散乱電子の放出、及び／又は、前記領域のカソードルミネッセンスによる可視光の放出を含む、
請求項８記載の方法。
【請求項１６】
前記較正表面における前記イメージング・エイドの材料のレーザ照射閾値パワーは、
前記第２ビームによって前記領域を走査する間の第２ビームのパワー及び前記第１ビームのパワーより大きく、
前記第１ビームのパワー及び前記第２ビームのパワーの合計より小さい、
請求項８記載の方法。
【請求項１７】
荷電粒子ビームシステムであって、
試料チャンバと、
前記試料チャンバ内に配置され、較正表面を有するイメージング・エイドと、
光ビームを生成し、光ビームで前記較正表面を照明するように構成された第１サブシステムと、
荷電粒子ビームを生成し、荷電粒子ビームで前記較正表面を照射するように構成された第２サブシステムと、
前記較正表面から放射される二次放射の強度を計測し、時間の関数として強度値を伝達する電気信号を出力するように構成された検出器と、
前記電気信号を分析することによって前記第１ビームの１つ以上の特徴を特定するように構成されたコンピュータデバイスと、
を備え、
光の前記第１ビームと荷電粒子ビームとに前記較正表面のエリアを同時に露出させることに基づいて、前記露出されたエリアに、第１強度において前記露出されたエリアから二次放射を放出させ、
前記エリアを前記光ビームに露出しない間に前記エリアを荷電粒子ビームに露出することに基づいて、前記露出されたエリアに、前記第１強度と異なる第２強度において第２放射を放出させる、
システム。
【請求項１８】
前記第２サブシステムは、集束イオンビームカラム、電子顕微鏡又はそれらの組み合わせを備え、
前記第１サブシステムは、レーザビーム装置と集束光学系とを備え、
前記レーザビーム装置は、レーザビームとして前記第１ビームを生成するように構成されており、
前記集束光学系は、前記試料チャンバの内側の位置から前記較正表面上に向けて前記レーザビームを集束し、方向づけるように構成されている、
請求項１７記載のシステム。
【請求項１９】
前記較正表面における前記イメージング・エイドは、ウルトラ・ナノ結晶性ダイヤモンドを備える、
請求項１７記載のシステム。
【請求項２０】
前記イメージング・エイドは、第１材料の層を備え、第２材料を含む基板上に配置され、
前記較正表面は、前記層の表面である、
請求項１７記載のシステム。