(57)【要約】【課題】簡便で材料効率が高く、低コストで製造することが可能な電力半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、半導体電力変換装置の製造方法は、第１導電体の第１接合面上で中心線Ｃの片側の第１領域に第１、第２半導体素子を接合し、反対側の第２領域に第３、第４半導体素子を接合し、第１ないし第４半導体素子の上にスペーサおよびリードフレーム７０を順に接合し、第２接合面を有する第２導電体を、その第２接合面が第１導電体の第１接合面と対向するようにリードフレーム上に接合し、第１および第３半導体素子の電極とリードフレームの信号端子５０とを導線で接続し、第１導電体および第２導電体を絶縁材で覆って絶縁体５２を形成し、絶縁体、第１導電体および第２導電体を、第１導電体の中心線Ｃに沿って切断し、第１および第２半導体素子を含む第１モジュールと、前記第３および第４半導体素子を含む第２モジュールとに分離する製造方法である。【選択図】図２０
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
第１導電体の第１接合面上で、第１導電体の中心線の片側の第１領域に、それぞれ表裏面に異なる電極を有する板状の第１半導体素子および第２半導体素子を、それぞれ一方の電極が前記第１接合面に接触するように接合し、
前記第１導電体の第１接合面上で、前記中心線の反対側の第２領域に、それぞれ表裏面に異なる電極を有する板状の第３半導体素子および第４半導体素子を、それぞれ一方の電極が前記第１接合面に接触するように接合し、
前記第１ないし第４半導体素子の各々の電極上に導電体からなるスペーサをそれぞれ接合し、
２組の電力端子、２組の信号端子、２組の接続部を有するリードフレームの前記接続部を前記第１および第２半導体素子上の前記スペーサ、および前記第３および第４半導体素子上の前記スペーサに、それぞれ接合し、
１組の電力端子の一方を前記第１導電体の第１領域に接合し、
他の組の電力端子の一方を前記第１導電体の第２領域に接合し、
第２接合面を有する第２導電体を、その第２接合面が前記第１導電体の第１接合面と対向するように前記２組のアイランド接続部上に接合し、
前記第１半導体素子の電極と１組の信号端子とを導線で接続し、
前記第３半導体素子の電極と他の組の信号端子とを導線で接続し、
前記２組の電極端子の端部、前記２組の信号端子の端部、並びに前記第１導電体および第２導電体を絶縁材で覆って絶縁体を形成し、
前記絶縁体、前記第１導電体および第２導電体を、前記第１導電体の中心線に沿って切断し、前記第１および第２半導体素子を含む第１モジュールと、前記第３および第４半導体素子を含む第２モジュールとに分離し、
前記リードフレームの前記アイランド接続部、前記電力端子、および前記信号端子を残して、前記リードフレームの他の部分を切除することを特徴する半導体電力変換装置の製造方法。
【請求項２】
前記切断により、前記第１および第２導電体が露出する第１モジュールの底面、並びに、前記第１および第２導電体が露出する第２モジュールの底面を同時に形成することを特徴とする請求項１に記載の半導体電力変換装置の製造方法。
【請求項３】
ブレード、レーザー、ウォータージェットのいずれかにより切断することを特徴とする請求項１又は２に記載の半導体電力変換装置の製造方法。
【請求項４】
前記絶縁体の形成は、前記第１および第２半導体において前記第１半導体の中心線に沿った一部領域を除いて、前記第１および第２半導体を絶縁材で覆い、
前記切断は、前記絶縁材から露出している前記第１および第２導電体の領域を前記中心線に沿って切断することを特徴とする請求項１ないし３のいずれか１項に記載の半導体電力変換装置の製造方法。
【請求項５】
前記リードフレームは、前記２組の電力端子、２組の信号端子、２つの接続部を連結する枠体を有し、前記切断により、前記枠体を切断することを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記載の半導体電力変換装置の製造方法。
【請求項６】
前記リードフレームは、１組の電力端子、１組の信号端子、および接続部を有する第１リードフレームと、１組の電力端子、１組の信号端子、および接続部を有する第２リードフレームと、に分かれて形成され、前記第１リードフレームを前記第１および第２半導体素子上に接合し、前記第２リードフレームを前記第３および第４半導体素子上に接合することを特徴とする請求項１ないし５に記載の半導体電力変換装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明の実施形態は、半導体電力変換装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、自動車の燃費向上を目的とし、内燃機関とモーターを併用したハイブリッド車の普及が急速に進んでいる。また一方で、モーターだけで走行可能な電気自動車の製品化も進んでいる。これら自動車を実現するためには、電池とモーター間に、直流電力から交流電力への変換および交流電力から直流電力への変換を行なう電力変換装置が必要となる。
【０００３】
ハイブリッド車および電気自動車では、半導体電力変換装置の小型化、高信頼性が要求されている。半導体電力変換装置の小型化、高信頼性を図るためには、冷却効率が良い半導体電力変換装置が必要となる。これを実現する方法としては、半導体素子の表裏面に導電体を接続し、導電体から冷却器へ放熱させる両面放熱型の電力変換装置構造が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００３−２５８１６６号公報
【特許文献２】特開２００７−０６８３０２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
両面放熱型のパワー半導体装置においては、冷却器へ放熱させる面において導電体を装置から露出させることが必要となるが、装置の製造過程において導電体を露出させることは難易度が高い。例えば、これらの半導体装置は、一般的に半導体素子と導電体を樹脂でモールドする構造がとられているが、導電体の寸法および平面度、組立て精度をゼロとすることは不可能である。そのため、導電体が樹脂から露出するとは限らず、導電体を露出させるよう研削する工程が必要となる。
【０００６】
研削工程での研削量は、導電体の寸法および平面度、組立て精度が良いほど少なくなるが、高精度な部材および高精度な研削設備が必要となり、製品コストが高くなる。逆に、研削量が多いと、材料効率が悪く、工程時間が長くなる。また、研削設備にワークをセッティングする際には、個々のワークを強固に固定する必要があり、工程が煩雑になる。
【０００７】
この発明は以上の点に鑑みなされたもので、その課題は、簡便で材料効率が高く、低コストで製造することが可能な電力半導体装置の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
実施形態によれば、半導体電力変換装置の製造方法は、第１導電体の第１接合面上で、第１導電体の中心線の片側の第１領域に、それぞれ表裏面に異なる電極を有する板状の第１半導体素子および第２半導体素子を、それぞれ一方の電極が前記第１接合面に接触するように接合し、前記第１導電体の第１接合面上で、前記中心線の反対側の第２領域に、それぞれ表裏面に異なる電極を有する板状の第３半導体素子および第４半導体素子を、それぞれ一方の電極が前記第１接合面に接触するように接合し、前記第１ないし第４半導体素子の各々の電極上に導電体からなるスペーサをそれぞれ接合し、２組の電力端子、２組の信号端子、２組のアイランド接続部を有するリードフレームの前記アイランド接続部を前記第１および第２半導体素子上の前記スペーサ、および前記第３および第４半導体素子上の前記スペーサに、それぞれ接合し、１組の電力端子の一方を前記第１導電体の第１領域に接合し、他の組の電力端子の一方を前記第１導電体の第２領域に接合し、第２接合面を有する第２導電体を、その第２接合面が前記第１導電体の第１接合面と対向するように前記２組のアイランド接続部上に接合し、前記第１半導体素子の電極と１組の信号端子とを導線で接続し、前記第３半導体素子の電極と他の組の信号端子とを導線で接続し、前記２組の電極端子の基端部、前記２組の信号端子の基端部、並びに前記第１導電体および第２導電体を絶縁材で覆って絶縁体を形成し、前記絶縁体、前記第１導電体および第２導電体を、前記第１導電体の中心線に沿って切断し、前記第１および第２半導体素子を含む第１モジュールと、前記第３および第４半導体素子を含む第２モジュールとに分離し、前記リードフレームの前記アイランド接続部、前記電力端子、および前記信号端子を残して、前記リードフレームの他の部分を切除する製造方法である。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】図１は、第１の実施形態に係る半導体電力変換装置を回路基板を取り外して示す斜視図。
【図２】図２は、前記半導体モジュールを異なる方向から見た斜視図。
【図３】図３は、前記半導体モジュールのモールドを透視して内部構造を示す斜視図。
【図４】図４は、前記半導体モジュールの構成部品を示す分解斜視図。
【図５】図５は、前記半導体モジュールを示す正面図。
【図６】図６は、製造工程において、前記第１固定治具に第１導電体を装着した状態を示す斜視図。
【図７】図７は、前記半導体モジュールの製造工程において、前記第１固定治具に第１導電体および分割式治具を装着した状態を示す斜視図。
【図８】図８は、前記半導体モジュールの製造工程において、前記第１導電体上に接続体を載置した状態を示す斜視図。
【図９】図９は、前記半導体モジュールの製造工程において、前記接続体上に第１半導体素子、第２半導体素子、第３半導体素子、第４半導体素子を載置した状態を示す斜視図。
【図１０】図１０は、前記半導体モジュールの製造工程において、前記第１ないし第４半導体素子上に接続体を載置した状態を示す斜視図。
【図１１】図１１は、前記半導体モジュールの製造工程において、前記接続体上に第１ないし第４凸型導電体を載置した状態を示す斜視図。
【図１２】図１２は、前記半導体モジュールの製造工程において、第１固定治具上および凸型導電体上にリードフレームを載置した状態を示す斜視図。
【図１３】図１３は、前記半導体モジュールの製造工程において、前記リードフレーム上に接続体を載置した状態を示す斜視図。
【図１４】図１４は、前記半導体モジュールの製造工程において、前記接続体およびリードフレーム上に第２導電体を載置した状態を示す斜視図。
【図１５】図１５は、前記半導体モジュールの製造工程において、第１固定治具上およびリードフレーム上に第２固定治具を載置した状態を示す斜視図。
【図１６】図１６は、前記半導体モジュールの製造工程において、前記第２導電体および第２固定治具上に重ねておもりを載置した状態を示す斜視図。
【図１７】図１７は、前記半導体モジュールの製造工程において、接続体（半田）により構成部材を接合し、第１、第２固定治具、および分割式治具を取外した状態を示す斜視図。
【図１８】図１８は、前記半導体モジュールの製造工程において、ワイヤボンディング工程を示す斜視図。
【図１９】図１９は、前記半導体モジュールの製造工程において、樹脂のモールドにより絶縁体を形成する工程を示す斜視図。
【図２０】図２０は、前記半導体モジュールの製造工程において、前記絶縁体、第１および第２導電体、リードフレームを切断する工程を示す斜視図。
【図２１】図２１は、前記半導体モジュールの製造工程において、切断され分離された第１および第２モジュールを示す斜視図。
【図２２】図２２は、第２の実施形態に係る製造方法において、第１および第２導電体、リードフレームを切断する工程を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、図面を参照しながら、実施形態に係る半導体電力変換装置およびその製造方法ついて詳細に説明する。なお、各図は実施形態とその理解を促すための模式図であり、その形状や寸法、比などは実際の装置と異なる個所があるが、これらは以下の説明と公知の技術を参酌して適宜、設計変更することができる。
【００１１】
（第１の実施形態）  
図１は、制御回路基板を取り外して示す第１の実施形態に係る半導体電力変換装置の斜視図である。  
図１に示すように、半導体電力変換装置１０は、冷却器１２、冷却器１２上に固定された支持フレーム１４、および、冷却器上に載置され、支持フレームにより支持された複数の半導体モジュール１６を備えている。冷却器１２は、平坦な矩形状の受熱面を有する扁平な直方体形状の冷却ブロック１８を有している。冷却ブロック１８は、例えば、アルミニウムで形成されている。冷却ブロック１８内には、水等の冷却媒体を流す冷媒流路２０が形成されている。
【００１２】
支持フレーム１４は、受熱面に対応する大きさの矩形状の外枠と、外枠間を延びる互いに平行な複数の連結梁とを一体に有し、これら外枠および連結梁により例えば、４列に並んだ、それぞれ矩形状の設置空間部を形成している。また、支持フレーム１４には、後述する半導体モジュール１６に電気的に接続される複数の接続端子２４を有する複数のバスバー、複数の入力端子２８、および２組の３相の出力端子３０が設けられている。バスバーの接続端子２４は、各設置空間部の各側縁に沿って、複数個ずつ間隔を置いて並んで配置されている。そして、支持フレーム１４は、例えば、インサートモールドにより、複数の端子と一体に樹脂により成形されている。また、支持フレーム１４は、例えば、複数のねじにより冷却ブロック１８の受熱面上に固定されている。
【００１３】
図１に示すように、半導体モジュール１６は、例えば、６個ずつ、４列に並んで支持フレーム１４に設置されている。各列において、６個の半導体モジュール１６は、支持フレーム１４の設置空間部内に配置され、各半導体モジュールの底面は、図示しない絶縁シートを介して冷却器１２の受熱面上に設置されている。各半導体モジュール１６の電力端子は、バスバーの接続端子２４に接触し、バスバーに電気的に接続されている。また、各半導体モジュール１６の複数の信号端子５０は、上方へ突出している。
【００１４】
半導体電力変換装置１０は、半導体モジュール１６および装置全体の入出力および動作を制御する図示しない制御回路基板を備えている。制御回路基板は、支持フレーム１４とほぼ等しい大きさの矩形状に形成されている。制御回路基板３２は、半導体モジュール１６上に重ねて設置され、図示しない固定ねじ等により支持フレーム１４に取り付けられている。各半導体モジュール１６の信号端子５０は、制御回路基板３２に電気的に接続されている。
【００１５】
次に、半導体電力変換装置を構成する半導体モジュール１６について詳細に説明する。  
図２は、半導体モジュールを示す斜視図、図３は、半導体モジュールのモールド樹脂体を透視して内部構造を示す斜視図、図４は、半導体モジュールの構成部品を示す分解斜視図である。図５は、半導体モジュールを示す正面図である。
【００１６】
図２ないし図４に示すように、半導体モジュール１６は、いわゆる両面放熱型および垂直実装型の半導体電力変換装置として構成されている。すなわち、半導体モジュール１６は、例えば、銅により形成された角柱形状の第１導電体３４と、同じく、銅により形成された角柱形状の第２導電体３６と、これら第１および第２導電体間に挟まれてこれらの導電体に接合された第１半導体素子３８および第２半導体素子４０と、を備えている。
【００１７】
第１導電体３４は、１つの主面（側面）が矩形状の接合面（第１接合面）３４ａを構成し、更に、この接合面と直交する底面３４ｂが放熱面を構成している。第２導電体３６は、長さが第１導電体３４とほぼ等しく、厚さ（幅）が第１導電体３４よりも小さく、例えば、約３分の１程度に形成され、更に、高さが、第１導電体３４の高さよりも低く形成されている。第２導電体３６は、１つの主面（側面）が矩形状の接合面（第２接合面）３６ａを構成し、更に、この接合面と直交する底面３６ｂが放熱面を構成している。第２導電体３６は、その接合面３６ａが第１導電体３４の接合面３４ａと平行に対向し、かつ、底面３６ｂが第１導電体３４の底面３４ｂと同一平面上に位置するように配置されている。
【００１８】
第１半導体素子３８は、パワー半導体素子、例えば、ＩＧＢＴ(insulated gate bipolar transistor)であり、第２半導体素子４０は、ダイオードを備えている。第１半導体素子３８は、矩形板状に形成され、表面および裏面に異なる電極を構成している。また、第１半導体素子３８の一方の表面に、複数、例えば、４つの接続端子３８ａが形成されている。そして、第１半導体素子３８の表面および裏面は、電極部分および接続端子部分を除いて、絶縁膜、例えば、ポリイミドのフィルムで覆われている。
【００１９】
第２半導体素子４０は、矩形板状に形成され、表面および裏面に異なる電極を構成している。第２半導体素子３８の表面および裏面は、矩形状の電極部分を除いて、絶縁膜、例えば、ポリイミドのフィルムで覆われている。
【００２０】
第１半導体素子３８は、第１導電体３４の接合面３４ａと平行に配置され、一方の電極が第１接続体、例えば、矩形状の半田シート４２ａにより第１導電体３４の接合面３４ａに接合されている。第２半導体素子４０は、第１導電体３４の接合面３４ａと平行に配置され、更に、第１導電体３４の長手方向に隙間を置いて第１半導体素子３８と並んで配置されている。第２半導体素子４０は、一方の電極が第２接続体、例えば、矩形状の半田シート４２ａにより第１導電体３４の接合面３４ａに接合されている。
【００２１】
このように、第１半導体素子３８および第２半導体素子４０は、第１導電体３４の接合面３４ａと平行に、かつ、第１導電体の底面３４ｂに対して垂直に配置されている。  
また、第１導電体３４の接合面３４ａには、第５接続体、例えば、矩形状の半田シート４２ｅが設けられ、第１半導体素子３８の側方に並んで位置している。
【００２２】
第１半導体素子３８の他方の電極上に第３接続体、例えば、矩形状の半田シート４２ｃを介して、位置決め用の第１凸型導電体（スペーサ）４４ａが接合されている。第１凸型導電体４４ａは、例えば、銅により形成され、扁平な直方体形状の本体と、本体の一方の主面から突出し、本体よりも小径で扁平な直方体形状の凸部４５ａと、を一体に有している。そして、第１凸型導電体４４ａは、本体の平坦な主面側が半田シート４２ｃにより第１半導体素子３８の電極に電気的かつ機械的に接合されている。
【００２３】
第２半導体素子４０の他方の電極上に第４接続体、例えば、矩形状の半田シート４２ｄを介して、位置決め用の第２凸型導電体（スペーサ）４４ｂが接合されている。第２凸型導電体４４ｂは、例えば、銅により形成され、扁平な直方体形状の本体と、本体の一方の主面から突出し、本体よりも小径で扁平な直方体形状の凸部４５ｂと、を一体に有している。そして、第２凸型導電体４４ｂは、本体の平坦な主面側が半田シート４２ｄにより第２半導体素子４０の電極に電気的かつ機械的に接合されている。  
なお、第１および第２凸型導電体４４ａ、４４ｂは、別体に限らず、２つの本体を一体に形成し、２つの凸部を共通の本体上に設ける構成としてもよい。
【００２４】
図２ないし図４に示すように、半導体モジュール１６は、後述する導電金属板からなるリードフレームによりそれぞれ構成された第１電力端子４６ａ、第２電力端子４６ｂ、第２電力端子に連続する矩形板状の接続部（アイランド接続部）４８、複数、例えば、５本の信号端子５０を備えている。
【００２５】
第１電力端子４６ａは、独立して形成され、その基端部が半田シート４２ｅにより第１導電体３４の接合面３４ａに接合されている。第１電力端子４６ａは、第１導電体３４の長手方向一端からモジュールの外側に突出し、その接触部４７ａは、第１導電体３４側へ直角に折り曲げられ、モジュールの端面とほぼ平行に対向している。
【００２６】
第２電力端子４６ｂは、その基端部が接続部４８に連結されている。また、第２電力端子４６ｂは、第１導電体３４の長手方向他端側からモジュールの外側に突出し、その接触部４７ｂは、第１導電体３４側へ直角に折り曲げられ、半導体モジュールの他端面とほぼ平行に対向している。
【００２７】
接続部４８は、細長い矩形板状に形成されている。この接続部４８には、それぞれ位置決め用の矩形状の第１開口５１ａおよび第２開口５１ｂが並んで形成されている。第１開口５１ａは、第１凸型導電体４４ａの凸部４５ａが嵌合可能な大きさで、かつ、第１凸型導電体４４ａの本体よりも小さく形成されている。同様に、第２開口５１ｂは、第２凸型導電体４４ｂの凸部４５ｂが嵌合可能な大きさで、かつ、第２凸型導電体４４ｂの本体よりも小さく形成されている。接続部４８の第２導電体３６側の表面には、第１および第２開口５１ａ、５１ｂを含む領域に亘って浅い矩形状の凹所５６が形成されている。更に、接続部４８は、その上縁から上方に突出する３本の支持突起を一体に有している。真ん中の支持突起から一本の信号端子５０が上方へ延びている。
【００２８】
接続部４８および第２電力端子４６ｂは、第１および第２凸型導電体４４ａ、４４ｂの凸部４５ａ、４５ｂが第１開口５１ａ、第２開口５１ｂにそれぞれ係合した状態で、第１および第２凸型導電体４４ａ、４４ｂに接合されている。
【００２９】
更に、接続部４８および第１および第２凸型導電体４４ａ、４４ｂの凸部４５ａ、４５ｂは、接続部４８の凹所５６内に配置された第６接続体、例えば、矩形状の半田シート４２ｄにより、第２導電体３６の接合面３６ａに電気的および機械的に接合されている。すなわち、接続部４８、第１および第２凸型導電体４４ａ、４４ｂ、および第２導電体３４の３部材は、半田シート４２ｄにより相互に接合されている。
【００３０】
以上により、第１半導体素子３８および第２半導体素子４０の電極は、第１凸型導電体４４ａ、４４ｂを介して、第２導電体３６に電気的に接合されている。第１半導体素子３８および第２半導体素子４０は、第１導電体３４と第２導電体３６と間に挟まれ、接合面３４ａ、３６ａと平行に、かつ、第１導電体および第２導電体の底面３４ｂ、３６ｂに対して垂直に配置されている。
【００３１】
信号端子５０は、モジュールから上方に突出し、第１導電体３４の接合面３４ａと平行に延びている。４本の信号端子５０の基端は、ボンディングワイヤ５３により、第１半導体素子３８の接続端子３８ａに接続されている。
【００３２】
図２、図３および図５に示すように、半導体モジュール１６は、上述した構成部材を被覆した絶縁材、例えば、モールド樹脂体（絶縁体）５２を備えている。モールド樹脂体５２は、ほぼ直方体形状に形成されている。モールド樹脂体５２は、第１および第２導電体３４、３６の接合面２３ａ、３６ａと平行に位置する互いに平行な２つの側面５２ａ、５２ｂと、これらの側面５２ａ、５２ｂと直交する平坦な底面５２ｃと、底面５２ｃに対向する上面５２ｄと、長手方向の両端に位置する２つの端面５２ｅと、を有している。底面５２ｃは、平坦に研削され、この底面５２ｃに、第１および第２導電体３４、４６の底面３４ｂ、３６ｂが露出し、底面５２ｃと同一平面に位置している。
【００３３】
モールド樹脂体５２は、成形型を型抜きする際に形成されるパーティングライン５４を有している。このパーティングライン５４は、リードフレームの接続部４８、第１および第２電力端子４６ａ、４６ｂを含む平面内に位置し、モールド樹脂体５２の上面５２ｄおよび両端面５２ｅに沿って残っている。また、パーティングライン５４は、モールド樹脂体５２の厚さ方向Ｗの中心よりも、側面５２ｂ側にずれて位置している。
【００３４】
モールド樹脂体５２の上面５２ｄにおいて、パーティングライン５４と側面５２ａとの間の部分は、パーティングライン５４から側面５２ａに向かって底面５２ｃ側へ僅かに傾斜して延び、パーティングライン５４と側面５２ｂとの間の部分は、パーティングライン５４から側面５２ｂに向かって底面５２ｃ側へ僅かに傾斜して延びている。
【００３５】
モールド樹脂体５２の各端面５２ｅにおいて、パーティングライン５４と側面５２ａとの間の部分は、パーティングライン５４から側面５２ａに向かって他方の端面側へ僅かに傾斜して延び、パーティングライン５４と側面５２ｂとの間の部分は、パーティングライン５４から側面５２ｂに向かって他方の端面側へ僅かに傾斜して延びている。
【００３６】
図２、図３および図５に示すように、第１電力端子４６ａは、パーティングライン５４の位置でモールド樹脂体５２の一方の端面５２ｅからモールド樹脂体の長手方向外方に突出し、更に、第１電力端子の接触部４７ａは、側面５２ａ側へ直角に折り曲げられ、モールド樹脂体５２の端面５２ｅと隙間を置いて対向している。また、接触部４７ａは、折り曲げることにより、モールド樹脂体５２に対して、モールド樹脂体の厚さ方向Ｗの中央に位置している。
【００３７】
第２電力端子４６ｂは、パーティングライン５４の位置でモールド樹脂体５２の一方の端面５２ｅからモールド樹脂体の長手方向外方に突出し、更に、第２電力端子４６ｂの接触部４７ｂは、側面５２ａ側へ直角に折り曲げられ、モールド樹脂体５２の端面５２ｅと隙間を置いて対向している。また、接触部４７ａは、折り曲げることにより、モールド樹脂体５２に対して、モールド樹脂体の厚さ方向Ｗの中央に位置している。
【００３８】
５本の信号端子５０は、細長い棒状に形成され、パーティングライン５４の位置でモールド樹脂体５２の上面５２ｄから上方に突出している。５本の信号端子５０は、互いに平行に延びている。また、５本の信号端子５０は、それぞれ長手方向に離間した２箇所で折曲げられ、信号端子の延出端側の端部５０ａは、モールド樹脂体５２の厚さ方向Ｗの中央に位置している。また、５本の信号端子５０、並びに、第１および第２電力端子４６ａ、４６ｂは、モールド樹脂体５２の長手方向中央に位置する中心線に対して、左右対称に配置されている。信号端子５０の少なくとも端部５０ａの外面に、図示しない導電膜が形成されている。
【００３９】
以上のように構成された半導体モジュール１６は、図１および図５に示すように、支持フレーム１４の設置空間部２２内に配置され、半導体モジュールの底面５２ｃは、絶縁シート５５を介して冷却器１２の受熱面１８ａ上に設置されている。これにより、第１および第２導電体３４、３６は、冷却器１２に熱的に接続され、第１および第２半導体素子３８、４０で発生した熱を第１および第２導電体３４、３６を介して冷却器１２に放熱することができる。半導体モジュール１６の第１および第２電力端子４６ａ、４６ｂの接触部４７ａ、４７ｂは、それぞれバスバー２６の接続端子２４に接触し、バスバー２６に電気的に接続されている。また、半導体モジュール１６の複数の信号端子５０は、上方へ突出している。
【００４０】
一列に並んだ複数の半導体モジュール１６において、隣合う２つの半導体モジュールは、モールド樹脂体５２の側面同志が隣接対向して、あるいは、互いに当接した状態で配置されている。隣合う２つの半導体モジュール１６の内、一方は、他方に対して１８０度反転した向きで配置してもよい。いずれの向きで配置した場合でも、半導体モジュールの第１および第２電力端子４６ａ、４６ｂは、バスバー２６の接続端子２４に確実に係合する。また、この場合でも、いずれの向きで配置した場合でも、半導体モジュール１６の信号端子５０は、モールド樹脂体５２の厚さ方向中央部に位置し、制御回路基板３２に対して所定位置に配置される。
【００４１】
制御回路基板を半導体モジュール１６上に設置することにより、各半導体モジュール１６の信号端子５０の端部は、制御回路基板に形成されたスルーホールに挿通され、図示しない半田等により制御回路基板に電気的に接続される。
【００４２】
次に、上述した半導体電力変換装置を構成する半導体モジュール１６の製造方法について説明する。図６ないし図２１は、半導体モジュールの製造工程をそれぞれ示す斜視図である。本実施形態では、２つの半導体モジュールを一緒に製造した後、切断して２つの半導体モジュールに分離する。その際、切断により、半導体モジュールの底面を同時に形成する。
【００４３】
図６に示すように、例えば、ＳＵＳにより形成された第１固定治具６０を用意し、第１固定治具の位置決め凹所６０ｃに第１導電体３４を装着および位置決めする。この際、第１導電体３４の接合面３４ａが上を向くように、第１導電体３４を第１固定治具６０に装填する。ここで、第１導電体３４は、モジュール２つ分の大きさに形成され、すなわち、２倍の大きさに形成されている。そして、接合面３４ａは、第１導電体３４の中心線Ｃを境として、片側の第１領域３５ａと、反対側の第２領域３５ｂとを有している。
【００４４】
第１固定治具６０は、矩形状の底壁と底壁６０ａの周縁に沿って立設された周壁６０ｂとを有し、矩形箱状に形成されている。底壁６０ａに第１導電体３４に対応する大きさの矩形状の位置決め凹所６０ｃが形成されている。凹所６０ｃの中央には、透孔６０ｇが形成されている。離型する際、イジェクトピンを透孔６０ｇに挿通し、第１導電体３４を突き上げて第１固定治具６０から取外す。また、周壁６０ｂには、２つの凹所６０ｄが形成され、位置決め凹所６０ｃの長手方向両側に位置している。
【００４５】
次いで、図７に示すように、例えば、ＳＵＳで形成された細長い矩形板状の分割式治具６２を第１導電体３４の接合面３４ａ上に載置するとともに、分割式治具６２の両端部を第１固定治具６０の凹所６０ｄ内に配置し位置決めする。
【００４６】
分割式治具６２は、第１導電体３４に対して第１半導体素子を位置決めするための矩形状の第１開口６３ａ、第２半導体素子を位置決めするための矩形状の第２開口６３ｂ、および、第１電力端子４６ａの基端部を位置決めするための矩形状の第３開口６３ｃを有し、これらの開口は、接合面３４ａの第１領域３５ａ上に位置している。また、分割式治具６２は、第１導電体３４に対して第３半導体素子を位置決めするための矩形状の第４開口６３ｄ、第４半導体素子を位置決めするための矩形状の第５開口６３ｅ、および、第１電力端子４６ａの基端部を位置決めするための矩形状の第６開口６３ｆを有し、これらの開口は、接合面３４ａの第１領域３５ｂ上に位置している。分割式治具６２は、第１ないし第３開口を通る中心線に沿って第１分割部６２ａおよび第２分割部６２ｂの２つに分割されている。そして、第１分割部６２ａおよび第２分割部６２ｂは、それぞれ独立して第１固定治具６０に脱着可能となっている。
【００４７】
続いて、図８に示すように、分割式治具６２の第１開口６３ａ内で第１導電体３４の接合面３４ａの第１領域３５ａ上に、第１接続体、例えば、矩形状の半田シート４２ａを載置する。また、分割式治具６２の第２開口６３ｂ内で第１導電体３４の接合面３４ａの第１領域３５ａ上に、第２接続体、例えば、矩形状の半田シート４２ｂを載置する。分割式治具６２の第４開口６３ｄ内で第１導電体３４の接合面３４ａの第２領域３５ｂ上に、第３接続体、例えば、矩形状の半田シート４２ｃを載置する。また、分割式治具６２の第５開口６３ｆ内で第２領域３５ｂ上に、第４接続体、例えば、矩形状の半田シート４２ｄを載置する。なお、半田シート４２ａ、４２ｂ、４２ｃ、４２ｄおよび後述する複数の半田シートは、それぞれ複数、例えば、３つ以上の粒子を含有しているものを用いる。所定径の粒子を含有させることにより、半田溶融、固化後も接合部の高さが粒子径以下にならないようにする。粒子は、半田の溶融温度よりも高い溶融温度を有する材料で形成する。また、粒子は、第２導電体およびおもりによる著しい変形が起きない程度の硬さを必要とし、設計する接合高さと同じ径とすることが良い。
【００４８】
次に、図９に示すように、分割式治具６２の第１開口６３ａ内で半田シート４２ａ上に第１半導体素子３８を載置する。この際、第１半導体素子３８の一方の電極が半田シート４２ａ上に位置するように、第１半導体素子３８を第１導電体３４の接合面３４ａと平行に載置する。同時に、第１半導体素子３８を第１開口６３ａ内に配置し、分割式治具６２により第１半導体素子３８を第１導電体３４に対して位置決めする。分割式治具６２の第２開口６３ｂ内で半田シート４２ｂ上に第２半導体素子４０を載置する。この際、第２半導体素子４０の一方の電極が半田シート４２ｂ上に位置するように、第２半導体素子４０を第１導電体３４の接合面３４ａと平行に載置する。同時に、第２半導体素子４０を第２開口６３ｂ内に配置し、第２半導体素子４０を第１導電体３４に対して位置決めする。
【００４９】
また、分割式治具６２の第４開口６３ｄ内で半田シート４２ｃ上に第３半導体素子３８ｂ（半導体モジュールの第１半導体素子（ＩＧＢＴ）に相当する）を載置する。この際、第３半導体素子３８ｂの一方の電極が半田シート４２ｃ上に位置するように、第３半導体素子３８ｂを第１導電体３４の接合面３４ａと平行に載置する。同時に、第３半導体素子３８ｂを第４開口６３ｄ内に配置し、分割式治具６２により第３半導体素子３８ｂを第１導電体３４に対して位置決めする。分割式治具６２の第５開口６３ｅ内で半田シート４２ｄ上に第４半導体素子４０ｂ（半導体モジュールの第２半導体素子（ダイオード）に相当する）を載置する。この際、第４半導体素子４０ｂの一方の電極が半田シート４２ｄ上に位置するように、第４半導体素子４０ｂを第１導電体３４の接合面３４ａと平行に載置する。同時に、第４半導体素子４０ｂを第５開口６３ｅ内に配置し、第４半導体素子４０ｂを第１導電体３４に対して位置決めする。なお、第３および第４半導体素子３８ｂ、４０ｂは、第１導電体３４の中心線Ｃに対して、第１および第２半導体素子３８、４０と対称となる位置に配置する。
【００５０】
続いて、図１０に示すように、分割式治具６２の第１開口６３ａ内で第１半導体素子３８の電極上に、第５接続体としての矩形状の半田シート４２ｅを載置し、第２開口６３ｂ内で第２半導体素子４０の電極上に、第６接続体として、矩形状の半田シート４２ｆを載置する。更に、分割式治具６２の第３開口６３ｃ内で第１導電体３４の接合面３４ａ上に、第７接続体として、矩形状の半田シート４２ｇを載置する。同様に、分割式治具６２の第４開口６３ｄ内で第３半導体素子３８ｂの電極上に、第８接続体として、矩形状の半田シート４２ｈを載置し、第５開口６３ｅ内で第４半導体素子４０ｂの電極上に、第９接続体として、矩形状の半田シート４２ｉを載置する。更に、分割式治具６２の第６開口６３ｆ内で第１導電体３４の接合面３４ａ上に、第１０接続体として、矩形状の半田シート４２ｊを載置する。なお、半田シート４２ｅ〜４２ｋは、それぞれ複数、例えば、３つ以上の所定径の粒子を含有しているものを用いる。
【００５１】
次に、図１１に示すように、分割式治具６２の第１開口６３ａ内で半田シート４２ｅ上に第１凸型導電体４４ａを載置する。この際、第１凸型導電体４４ａは、本体の平坦な主面側が半田シート４２ｃ上に位置するように載置され、本体の上部および凸部４５ａは、第１開口６３ａから分割式治具６２の表面を越えて上方へ突出している。
【００５２】
分割式治具６２の第２開口６３ｂ内で半田シート４２ｆ上に第２凸型導電体４４ｂを載置する。第２凸型導電体４４ｂは、本体の平坦な主面側が半田シート４２ｄ上に位置するように載置され、本体の上部および凸部４５ｂは、第２開口６３ｂから分割式治具６２の上面を越えて上方へ突出している。
【００５３】
同様に、分割式治具６２の第４開口６３ｄ内で半田シート４２ｈ上に第３凸型導電体４４ｃ（半導体モジュールの第１凸型導電体に相当する）を載置する。第３凸型導電体４４ｃは、本体の平坦な主面側が半田シート４２ｈ上に位置するように載置され、本体の上部および凸部４５ｃは、第４開口６３ｄから分割式治具６２の表面を越えて上方へ突出している。分割式治具６２の第５開口６３ｅ内で半田シート４２ｉ上に第４凸型導電体４４ｄ（半導体モジュールの第２凸型導電体に相当する）を載置する。第４凸型導電体４４ｄは、本体の平坦な主面側が半田シート４２ｇ上に位置するように載置され、本体の上部および凸部４５ｄは、第５開口６３ｅから分割式治具６２の上面を越えて上方へ突出している。なお、第１ないし第４凸型導電体は、金属ブロックをプレス加工することにより形成する。
【００５４】
続いて、導電金属板からなるリードフレーム７０を第１固定治具６０上、並びに、第１ないし第４凸型導電体４４ａないし４４ｄ上に載置する。図１８に示すように、リードフレーム７０は、矩形状の枠体７０ａと、この枠体に連結および支持された２組の電力端子、２組の信号端子、および２つの接続部を一体に有している。すなわち、枠体７０ａの一側部から内側に延出する第１電力端子４６ａと、枠体の他側部から内側に延出する第２電力端子４６ｂと、第２電力端子から第１電力端子に向かって延出する矩形状の接続部４８と、枠体の他の側部から外側および内側に延びる５本の信号端子５０と、を２つずつ有している。枠体７０ａには、位置決めピンを挿通可能な複数のピン孔７１が設けられている。そして、リードフレーム７０は、中心線Ｃに対して、対称に形成されている。
【００５５】
各接続部４８には、それぞれ矩形状の第１開口５１ａおよび第２開口５１ｂが並んで形成されている。接続部４８の第２導電体３６側の表面には、第１および第２開口５１ａ、５１ｂを含む領域に亘って浅い矩形状の凹所５６が形成されている。更に、第１電力端子４６ａの先端部は、プレス等により下方へ一段折曲げられ、第１半導体素子３８および第１凸型導電体４４ａの厚さに対応する高さ分だけ、接続部４８よりも第１導電体３４側にずれて位置している。
【００５６】
図１２に示すように、リードフレーム７０の枠体７０ａを第１固定治具６０の周壁６０ｂの段差部上に配置し、第１固定治具６０に対してリードフレーム７０を所定位置に位置決めする。リードフレーム７０の一方の接続部４８は、第１および第２凸型導電体４４ａ、４４ｂ上に載置される。この際、第１および第２凸型導電体４４ａ、４４ｂの本体の上面が接続部４８の下面に当接し、更に、凸部４５ａ、４５ｂが接続部４８の第１開口５１ａおよび第２開口５１ｂ内に係合する。これにより、第１および第２凸型導電体４４ａ、４４ｂを接続部４８に対して所定位置に位置決めする。また、凸部４５ａ、４５ｂは、接続部４８の表面、特に、凹所５６の底面に露出して位置する。一方、第１電力端子４６ａの先端部は、接合面３４ａ上の半田シート４２ｇ上に載置される。
【００５７】
リードフレーム７０の他方の接続部４８は、第３および第４凸型導電体４４ｃ、４４ｄ上に載置される。この際、第３および第４凸型導電体４４ｃ、４４ｄの本体の上面が接続部４８の下面に当接し、更に、凸部４５ｃ、４５ｄが接続部４８の第１開口５１ａおよび第２開口５１ｂ内に係合する。これにより、第３および第４凸型導電体４４ｃ、４４ｄを接続部４８に対して所定位置に位置決めする。凸部４５ｃ、４５ｄは、接続部４８の表面、特に、凹所５６の底面に露出して位置する。また、他方の第１電力端子４６ａの先端部は、接合面３４ａ上の半田シート４２ｊ上に載置される。  
なお、リードフレーム７０は、中心線Ｃに沿って枠体７０ａを２つに分離し、独立した２つのリードフレーム（第１リードフレーム、第２リードフレーム）を用いてもよい。
【００５８】
続いて、図１３に示すように、各接続部４８の凹所５６に、接続体として、細長い矩形状の半田シート４２ｋを載置する。半田シート４２ｋは、第１および第２凸型導電体４４ａ、４４ｂの凸部４５ａ、４５ｂ上、並びに接続部４８上に載置される。他方の半田シート４２ｋは、第３および第４凸型導電体４４ｃ、４４ｄの凸部４５ｃ、４５ｄ上、並びに接続部４８上に載置される。
【００５９】
図１４および図１５に示すように、第２導電体３６を半田シート４２ｋおよび２つの接続部４８上に載置するとともに、第２導電体３６の周囲およびリードフレーム７０上に第２固定治具８０を載置する。ここで、第２導電体３６は、半導体モジュール２つ分の大きさに形成され、すなわち、ほぼ２倍の大きさに形成されている。そして、接合面３６ａが第１導電体３４と対向するように配置される。第２固定治具８０は、例えば、ＳＵＳにより、第１固定治具６０とほぼ同等の大きさの矩形板状に形成され、また、第２導電体３６を装着可能な矩形状の位置決め開口８０ａを有している。第２固定治具８０は、周縁部を第１固定治具６０の周壁段差部を係合させることにより、第１固定治具６０に対して所定位置に位置決めされた状態でリードフレーム７０上に載置される。これにより、第２固定治具８０は、リードフレーム７０を上から押さえ付け、リードフレーム７０を所定位置に保持する。また、第２導電体３６は、第２固定治具８０の位置決め開口８０ａ内に係合し、リードフレーム７０に対して所定位置に位置決めされる。  
なお、第２固定治具８０を第１固定治具６０に装着した後、第２固定治具８０の位置決め開口８０ａに第３導電体３６を装着するようにしてもよい。
【００６０】
次いで、図１６に示すように、第２固定治具８０および第２導電体３６に重ねて矩形板状のおもり８２を載置する。おもり８２により、前述した複数の部材を積層方向に押付けて、位置固定する。おもり８２は、実質的に接合部高さが半田内の粒子サイズと同等となるおもり重量を選択する。
【００６１】
以上のように積層および位置決めされた構成部材および第１、第２固定治具６０、８０を例えば、リフロー炉で所定時間だけ加熱し、半田シート４２ａないし４２ｋを一括溶融させた後、冷却し、半田を固化させることにより、各構成部材を接合する。半田による接合の際、半田シート４２ｋは、接続部４８の凹所５６内に配置させているため、溶融時に凹所５６の外へ流れることがなく、構成部材の所定位置を接合することができる。また、半田シート４２ｋは、溶融することにより、接続部４８、第１、第２凸型導電体の凸部４５ａ、４５ｂ、および第２導電体３６の３者を相互に接合する。同様に、もう一方の半田シート４２ｋは、溶融することにより、接続部４８、第３、第４凸型導電体の凸部４５ｃ、４５ｄ、および第２導電体３６の３者を相互に接合する。
【００６２】
上記のように半田シートを溶融、固化させた後、図１７に示すように、接合された構成部材およびリードフレーム７０からおもり８２、第１および第２固定治具６０、８０、および分割式治具６２を取外す。続いて、接合された構成部材およびリードフレーム７０の外観検査を行った後、図１８に示すように、ワイヤボンディングにより、各信号端子５０の基端と第１半導体素子３８の対応する接続端子３８ａとをボンディングワイヤ（導線）５３で接続する。また、ワイヤボンディングにより、各信号端子５０の基端と第３半導体素子３８ｂの対応する接続端子３８ａとをボンディングワイヤ（導線）５３で接続する。
【００６３】
ワイヤボンディングの後、外観検査、例えば、ワイヤ未接合が発生していないか、ワイヤループ形状が潰れていないか、等を検査する。  
次に、図１９に示すように、リードフレーム７０の枠体７０ａと、第１および第２電力端子４６ａ、４６ｂの端部と、信号端子５０の延出部とを除く全ての構成部材を絶縁材、例えば、樹脂で覆い、ほぼ直方体形状のモールド樹脂体５２を成形する。このようなモールド樹脂体５２は、前述の接合された積層体を成形型内に配置し、合成樹脂を成形型内に射出することにより成形する。成形型は、リードフレーム７０を堺に離型され、モールド樹脂体５２には、リードフレーム７０と同一平面に位置するパーティングライン５４が形成される。
【００６４】
続いて、図２０および図２１に示すように、モールド樹脂体５２、第１導電体３４、第２導電体３６、およびリードフレーム７０の枠体７０ａを、第１導電体３４の中心線Ｃ（カットライン）に沿って切断し、第１および第２半導体素子３８、４０を含む第１モジュール１６ａと、第３および第４半導体素子３８ｂ、４０ｂを含む第２モジュール１６ｂとに分離する。切断には、例えば、回転ブレード８４を用いる。切断により、第１および第２導電体３４、３６が露出する第１モジュール１６ａの底面、並びに、前記第１および第２導電体が露出する第２モジュール１６ｂの底面を同時に形成する。  
なお、切断には、ブレードに限らず、レーザー、ウォータージェット等を用いても良い。
【００６５】
続いて、第１および第２モジュール１６ａ、１６ｂの各々について、リードフレーム７０を所定の位置でカットし、モールド樹脂体５２から切り離すとともに、５本の信号端子５０および第１、第２電力端子４６ａ、４６ｂを切り出す。
【００６６】
その後、第１および第２電力端子４６ａ、４６ｂの接触部４７ａ、４７ｂを直角に折曲げ、また、各信号端子５０を２箇所で折曲げフォーミングする。最後に、各信号端子５０の表面に導電膜を形成する。  
上記の工程により、電力変換装置の半導体モジュール１６が２つ完成する。
【００６７】
以上のように構成された半導体電力変換装置の製造方法によれば、導電体上に対となるように複数の半導体素子を配置して絶縁体で封止した後、対となる半導体装置を分離するように導電体および絶縁体を切断することにより、導電体をモジュールの底面に露出させる方法としている。この製造方法によれば、切断後には導電体と絶縁体が同一面となり、切断するだけで導電体を露出させることが可能となる。そのため、底面を研削する作業が不要となり、製造工程を簡便とすることができる。また、切断による導電体の露出においては、導電体の寸法および平面度、組立て精度によらないため、低コスト部材および汎用設備を用いた製造が可能となる。
【００６８】
材料ロスとなるのは、切断するブレードの厚さ（幅）分だけとなるため、ブレード厚の薄いものを使用すれば材料効率も向上する。リードフレームに設けたピン孔をガイドとしてワークを加工点に精度良く搬送することが可能であり、ワークを上から加圧、固定するだけで切断が可能となる。これにより、製造工程を簡素化することができる。更に、切断の場合、研削に比較して加工時間を短くでき、製造工程時間を短縮することが可能となる。単一の第１導電体、第２導電体、リードフレームを用いて、２つの半導体モジュールを製造することができ、部品点数および工数の削減を図ることができる。また、電力端子、信号端子、接続部を一体部品（リードフレーム）とすることにより部品数を削減することができる。同時に、電力端子と信号端子を別部品とする場合よりも、電力端子と信号端子の取り付け位置精度に優れ、完成品の寸法ばらつきが低下する。
【００６９】
接続体となる半田に複数の粒子を含有することにより、はんだ溶融・固化後も接合部の高さが粒子以下にならないように制御することができる。これにより、接合部の高さ寸法のばらつきを低減し、組み立て精度の向上を図ることが可能となる。更に、接合時、第２導電体上におもりを搭載することにより、半田の表面張力による第２導電体の浮きを抑え、接合部の高さ寸法のばらつきを低減する。同時に、おもりによって構成部品に荷重を掛けることにより、接合時における部品の位置ずれを防止することができる。  
以上のことから、簡便で材料効率が高く、低コストで半導体装置を製造することが可能な電力半導体装置の製造方法が得られる。
【００７０】
次に他の実施形態に係る電力半導体装置の製造方法について説明する。以下に述べる他の実施形態において、前述した第１の実施形態と同一の部分には、同一の参照符号を付してその詳細な説明を省略し、異なる部分を中心に説明する。
【００７１】
（第２の実施形態）
図２２は、第２の実施形態に係る製造方法による製造工程を示している。本実施形態によれば、第１および第２導電体を含む構成部品をモールド樹脂で覆う際、図２２に示すように、第１導電体の中心線Ｃに沿った所定幅の領域７３を除いて、構成部品をモールド樹脂で覆い、領域７３の両側にモールド樹脂体５２を形成する。領域７３に第１および第２導電体の一部が露出している。
【００７２】
続いて、第１導電体３４、第２導電体３６、およびリードフレーム７０の枠体７０ａを、第１導電体３４の中心線Ｃ（カットライン）に沿って切断し、第１モジュール１６ａと、第２モジュール１６ｂとに分離する。この際、モールド樹脂体５２から領域７３に露出している第１および第２導電体の部分で、これら第１および第２導電体を切断する。切断には、例えば、回転ブレード８４を用いる。切断により、第１および第２導電体３４、３６が露出する第１モジュール１６ａの底面、並びに、前記第１および第２導電体が露出する第２モジュール１６ｂの底面を同時に形成する。  
なお、切断には、ブレードに限らず、レーザー、ウォータージェット等を用いても良い。第２の実施形態に係る製造方法において、他の製造工程は、前述した第１の実施形態と同一である。
【００７３】
上記のような第２の実施形態に係る製造方法によれば、切断領域を除いて絶縁材（モールド樹脂）を充填することにより、絶縁材の充填量を低減し、製造コストの削減を図ることができる。その他、第２の実施形態においても、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。
【００７４】
なお、この発明は上述した実施形態そのままに限定されるものではなく、実施段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化可能である。また、上記実施の形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合わせにより、種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。さらに、異なる実施形態にわたる構成要素を適宜組み合わせてもよい。  
例えば、電力変換装置の構成部材の寸法、形状等は、前述した実施形態に限定されることなく、設計に応じて種々変更可能である。
【符号の説明】
【００７５】
１０…半導体電力変換装置、１２…冷却器、１４…支持フレーム、
１６…半導体モジュール、１８…冷却ブロック、１８ａ…受熱面、２４…接続端子、
３２…制御回路基板、３４…第１導電体、３４ａ…接合面、３４ｂ…底面、
３６…第２導電体、３６ａ…接合面、３６ｂ…底面、３８…第１半導体素子、
４０…第２半導体素子、３８ｂ…第３半導体素子、４０ｂ…第４半導体素子、
４４ａ…第１凸型導電体、４４ｂ…第２凸型導電体、４４ｃ…第３凸型導電体、
４４ｄ…第４凸型導電体、４６ａ…第１電力端子、４６ｂ…第２電力端子、
４８…接続部、５０…信号端子、５２…モールド樹脂体、６０…第１固定治具、
６２…分割式治具、７０…リードフレーム、８０…第２固定治具
【図１】
2014127657.tif 000003
【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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【図１８】
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【図１９】
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【図２０】
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【図２１】
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【図２２】
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