【手続補正書】
【提出日】令和3年2月18日(2021.2.18)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に配された第１の導電型の第１の半導体領域および前記第１の導電型とは反対の第２の導電型の第２の半導体領域を含むフォトダイオードと、
前記フォトダイオードで生成された電荷が転送される前記第２の導電型のフローティングディフュージョン領域と、
前記第２の導電型の第３の半導体領域と、
前記基板の表面に対する正射影において、前記フォトダイオードおよび前記フローティングディフュージョン領域と、前記第３の半導体領域と、の間に配された埋込絶縁膜と、
前記埋込絶縁膜の側面および底面を覆う前記第１の導電型のチャネルストップ領域と、を有する撮像装置であって、
前記チャネルストップ領域は、前記埋込絶縁膜と前記第２の半導体領域との間に配される第４の半導体領域と、前記埋込絶縁膜と前記第３の半導体領域との間に配される第５の半導体領域と、を含み、
前記第４の半導体領域の前記第１の導電型の不純物濃度が、前記第５の半導体領域の前記第１の導電型の不純物濃度よりも高く、
前記第５の半導体領域の前記第１の導電型の不純物濃度が、前記第１の半導体領域の前記第１の導電型の不純物濃度以上であり、
前記第５の半導体領域は、前記第３の半導体領域の底面に沿って延在する部分を備えていないことを特徴とする撮像装置。
【請求項２】
前記第４の半導体領域が、前記埋込絶縁膜のうち底面と前記第２の半導体領域の側に配された側面の全体を覆うことを特徴とする請求項１に記載の撮像装置。
【請求項３】
前記第５の半導体領域が、前記埋込絶縁膜のうち前記第３の半導体領域の側に配された側面の全体を覆うことを特徴とする請求項１または２に記載の撮像装置。
【請求項４】
前記第５の半導体領域が、前記埋込絶縁膜と前記第３の半導体領域とにそれぞれ接していることを特徴とする請求項１乃至３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項５】
前記第３の半導体領域が、前記第２の導電型の不純物濃度が互いに異なる第１の領域と第２の領域とを含むことを特徴とする請求項１乃至４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項６】
前記第１の領域の前記第２の導電型の不純物濃度が、前記第２の領域の前記第２の導電型の不純物濃度よりも低く、
前記第１の領域が、前記第５の半導体領域と前記第２の領域との間に配されることを特徴とする請求項５に記載の撮像装置。
【請求項７】
前記第１の領域の底面が配される深さが、前記第２の半導体領域の底面が配される深さよりも浅いことを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項８】
前記第１の領域が、前記第２の領域の側面および底面を覆うことを特徴とする請求項６に記載の撮像装置。
【請求項９】
前記第２の領域が、導電体と接していることを特徴とする請求項６乃至８の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１０】
前記撮像装置は、前記フォトダイオードを含む複数のフォトダイオードと、前記第３の半導体領域をそれぞれ含む複数の半導体部と、を含み、
前記複数のフォトダイオードは、それぞれ前記第２の半導体領域を含む第１のフォトダイオードおよび第２のフォトダイオードを含み、
前記第１のフォトダイオードの前記第２の半導体領域と前記第２のフォトダイオードの前記第２の半導体領域とは、第１の方向に並んで配され、
前記複数の半導体部は、前記第１のフォトダイオードに対して前記第１の方向と直交する第２の方向に配された第１の半導体部と、前記第２のフォトダイオードに対して前記第２の方向に配された第２の半導体部と、を含み、
前記第１の半導体部および前記第２の半導体部のそれぞれは、前記第３の半導体領域と、前記第３の半導体領域に対して前記第１の方向に配された前記第２の導電型の第６の半導体領域と、を備え、
前記第１の半導体部の前記第６の半導体領域は、前記第２の導電型の不純物濃度が前記第１の領域と同じ濃度の第３の領域が配され、
前記第２の半導体部の前記第６の半導体領域は、前記第２の導電型の不純物濃度が前記第１の領域と同じ濃度の第４の領域と前記第４の領域よりも前記第２の導電型の不純物濃度が高い第５の領域とを含み、
前記第２のフォトダイオードと前記第２の半導体部との間に配される前記チャネルストップ領域の前記第５の半導体領域の前記第１の導電型の不純物濃度が、前記第１のフォトダイオードと前記第１の半導体部との間に配される前記チャネルストップ領域の前記第５の半導体領域の前記第１の導電型の不純物濃度よりも低いことを特徴とする請求項６乃至９の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１１】
前記第１のフォトダイオードで生成された電荷と前記第２のフォトダイオードで生成された電荷とが、同じ前記フローティングディフュージョン領域に転送されることを特徴とする請求項１０に記載の撮像装置。
【請求項１２】
前記撮像装置は、光を集光するための複数のマイクロレンズをさらに含み、
前記複数のマイクロレンズのうち同じマイクロレンズによって集光された光が、前記第１のフォトダイオードと前記第２のフォトダイオードとに入射することを特徴とする請求項１０または１１に記載の撮像装置。
【請求項１３】
前記第２の半導体部が、前記第１のフォトダイオードおよび前記第２のフォトダイオードをリセットするためのリセットトランジスタと、前記第１のフォトダイオードおよび前記第２のフォトダイオードで生成された信号電荷を電圧信号に変換するための電圧変換用トランジスタとの、少なくとも一部を構成し、
前記第１の半導体部が、前記電圧変換用トランジスタと、前記電圧信号を出力するための行選択トランジスタと、の少なくとも一部を構成することを特徴とする請求項１０乃至１２の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１４】
前記第３の半導体領域にコンタクトプラグが接していることを特徴とする請求項１乃至１３の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１５】
前記第３の半導体領域が、トランジスタのソース領域またはドレイン領域を構成していることを特徴とする請求項１乃至１４の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１６】
前記第４の半導体領域の前記第１の導電型の不純物濃度が、前記第５の半導体領域の前記第１の導電型の不純物濃度の５倍以上であることを特徴とする請求項１乃至１５の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１７】
前記撮像装置は、前記第２の半導体領域と前記基板の表面との間に前記第１の導電型の第７の半導体領域をさらに含み、
前記第７の半導体領域の前記第１の導電型の不純物濃度が、前記第４の半導体領域の前記第１の導電型の不純物濃度よりも高いことを特徴とする請求項１乃至１６の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１８】
前記基板の表面に対する正射影において、前記第３の半導体領域と前記第５の半導体領域とが、重ならないことを特徴とする請求項１乃至１７の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項１９】
前記第４の半導体領域と前記第５の半導体領域とが、互いに接していることを特徴とする請求項１乃至１８の何れか１項に記載の撮像装置。
【請求項２０】
請求項１乃至１９の何れか１項に記載の撮像装置と、
前記撮像装置によって得られた信号を処理する信号処理部と、
を備えることを特徴とするカメラ。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００６
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００６】
上記課題に鑑みて、本発明の実施形態に係る撮像装置は、基板に配された第１の導電型の第１の半導体領域および第１の導電型とは反対の第２の導電型の第２の半導体領域を含むフォトダイオードと、フォトダイオードで生成された電荷が転送される第２の導電型のフローティングディフュージョン領域と、第２の導電型の第３の半導体領域と、基板の表面に対する正射影において、フォトダイオードおよびフローティングディフュージョン領域と、第３の半導体領域と、の間に配された埋込絶縁膜と、埋込絶縁膜の側面および底面を覆う第１の導電型のチャネルストップ領域と、を有する撮像装置であって、チャネルストップ領域は、埋込絶縁膜と第２の半導体領域との間に配される第４の半導体領域と、埋込絶縁膜と第３の半導体領域との間に配される第５の半導体領域と、を含み、第４の半導体領域の第１の導電型の不純物濃度が、第５の半導体領域の第１の導電型の不純物濃度よりも高く、第５の半導体領域の第１の導電型の不純物濃度が、第１の半導体領域の第１の導電型の不純物濃度以上であり、第５の半導体領域は、第３の半導体領域の底面に沿って延在する部分を備えていないことを特徴とする。