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【手続補正書】
【提出日】令和3年3月29日(2021.3.29)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
物体表面処理システムであって、
物体をホルダ内に固定するよう構成される前記ホルダと、
内部を有する火炎表面処理デバイスと、
前記火炎表面処理デバイスに動作可能に接続された可燃性物質のソースと、
前記火炎表面処理デバイス及び前記可燃性物質のソースの間で動作可能に接続され、選択的に開閉されるように構成されたバルブと、
化学表面処理デバイスと、
化学表面処理材料の複数のソースと、
フラッシュ流体のソースと、
前記化学表面処理材料の複数のソース、前記フラッシュ流体のソース、及び前記化学表面処理デバイスの間で動作可能に接続された第１の多入力バルブであって、化学表面処理材料の各ソース及び前記フラッシュ流体のソースを独占的に化学表面処理材料の他のソース及び前記フラッシュ流体のソースの前記化学表面処理デバイスに空気圧によって接続するように構成されている第１の多入力バルブと、
ガスプラズマ表面処理装置と、
プラズマガスの複数のソースと、
前記プラズマガスの複数のソース及び前記ガスプラズマ表面処理装置の間で動作可能に接続されている第２の多入力バルブであって、プラズマガスの各ソースを独占的にプラズマガスの他のソースの前記ガスプラズマ表面処理装置に空気圧によって接続するように構成されている第２の多入力バルブと、
前記バルブ、前記火炎表面処理デバイス内の内部、前記第１の多入力バルブ、及び前記第２の多入力バルブに動作可能に接続されているコントローラと、
を備え、前記コントローラは、前記火炎表面処理デバイスを前記可燃性物質のソースに選択的に空気圧により接続し、前記可燃性物質が前記火炎表面処理デバイスの内部に流れるように前記バルブを操作し、また、前記火炎表面処理デバイスにおいて前記可燃性物質を点火することによって火炎を形成し、前記ホルダにおける物体の表面を処理するように前記内部を操作し、そして、前記化学表面処理デバイスを前記化学表面処理材料の複数のソースにおける前記化学表面処理材料のソースにおける一つに独占的かつ独立的に空気圧により接続し、前記ホルダにおける前記物体の前記表面が前記第１の多入力バルブを介して前記化学表面処理デバイスに接続される前記化学表面処理材料のソースの一つにおける前記化学表面処理材料で化学的に処理されるように前記第１の多入力バルブを操作し、さらに、前記フラッシュ流体のソースを前記化学表面処理デバイスに接続し、前記ホルダにおける前記物体の前記表面を化学的に処理するように用いられる前記化学表面処理材料を洗い流すように前記第１の多入力バルブを操作し、かつ、前記プラズマガス表面処理装置を前記プラズマガスの複数のソースにおけるプラズマガスのソースの一つに独占的かつ独立的に空気圧により接続するように前記第２の多入力バルブを操作するように構成されている、
【請求項２】
請求項１に記載の物体表面処理システムであって、さらに、
第１の端部及び第２の端部を有する第１の細長い支持部であって、前記ホルダの一部が前記第１の細長い支持部のあたりで搭載されており、これにより、前記ホルダが前記第１の細長い支持部の前記第１の端部と前記第１の細長い支持部の前記第２の端部との間で移動することができる、第１の細長い支持部と、
前記ホルダに動作可能に接続されている第１のアクチュエータと、
を備え、前記コントローラは、前記第１のアクチュエータに動作可能に接続され、前記コントローラは、さらに、前記第１のアクチュエータを操作して、前記ホルダを第１の細長い支持部に沿って、前記火炎表面処理デバイス、前記化学表面処理デバイス、及び前記ガスプラズマ表面処理装置の反対側の位置に移動させるように構成されている、物体表面処理システム。
【請求項３】
請求項２に記載の物体表面処理システムにおいて、前記コントローラは、前記第１のアクチュエータを操作して、前記第１の細長い支持部あたりで前記ホルダを回転させるように構成されている、物体表面処理システム。
【請求項４】
請求項３に記載の物体表面処理システムであって、さらに、
前記火炎表面処理デバイス、前記化学表面処理デバイス、及び前記ガスプラズマ表面処理装置が搭載され、第１の端部及び第２の端部を有する第２の細長い支持部と、
前記火炎表面処理デバイス、前記化学表面処理デバイス、及び前記ガスプラズマ表面処理装置に動作可能に接続されている第２のアクチュエータと、
を備え、前記コントローラは、前記第２のアクチュエータに動作可能に接続され、前記コントローラは、さらに、前記第２のアクチュエータを操作して、前記火炎表面処理デバイス、前記化学表面処理デバイス、及び前記ガスプラズマ表面処理装置を、前記第２の細長い支持部に沿って、前記第２の細長い支持部の前記第１の端部及び前記第２の端部の間にあり、前記ホルダにおける前記物体の反対側の位置に移動させるように構成されている、物体表面処理システム。
【請求項５】
請求項４に記載の物体表面処理システムであって、さらに、
前記コントローラに動作可能に接続されているデータ入力装置を備え、
前記コントローラは、さらに、
前記データ入力装置からデータを受信し、
前記データ入力装置から受信した前記データを用いて、前記第１のアクチュエータ及び前記第２のアクチュエータを動作させ、前記火炎表面処理デバイス、前記化学表面処理デバイス、及び前記ガスプラズマ表面処理装置を、前記第２の細長い支持部の前記第１の端部及び前記第２の端部の間で移動させ、かつ、前記ホルダを、前記第１の細長い支持部の前記第１の端部及び前記第２の端部の間で移動させ、
前記データ入力装置から受信した前記データを用いて、前記火炎表面処理デバイス、前記化学表面処理デバイス、及び前記ガスプラズマ表面処理装置を操作するように構成されている、物体表面処理システム。
【請求項６】
請求項５に記載の物体表面処理システムであって、さらに、
複数の表面処理装置と１対１で対応して動作可能に接続される複数のアクチュエータを備え、
前記複数のアクチュエータは、前記火炎表面処理デバイス、前記化学表面処理デバイス、及び前記ガスプラズマ表面処理装置のそれぞれを、前記第２の細長い支持部に沿って前記火炎表面処理デバイス、前記化学表面処理デバイス、及び前記ガスプラズマ表面処理装置の動きに直角を成す断面方向に双方向で移動させる、物体表面処理システム。
【手続補正書】
【提出日】令和3年6月1日(2021.6.1)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１５
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１５】
そこで、本出願の発明者は特願２０１８−０９３３９５において、コーン状をした第一の振動板と、湾曲した単一の曲面部を有するシート状の第二の振動板と、これら第一の振動板と第二の振動板とを共に駆動するドライバユニットとを少なくとも備え、ドライバユニットが、第一の振動板の径小側と第二の振動板の一端側とに共に接続されたスピーカユニット及びこのスピーカユニットを用いたスピーカを提案した。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１７
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００１７】
このように特願２０１８−０９３３９５において提案されたスピーカユニット及びスピーカは、より広帯域の音の再生が可能な難聴者に極めて有効なスピーカシステムとすることができる。
ところが、従来のスピーカユニットでは、第二の振動板（湾曲振動板）の一端側をドライバユニットへ接続する際、ボイスコイルの先端やセンターキャップ（ダストキャップ）の中央に切込みを設け、この切り込み内に第二の振動板（湾曲振動板）の一端側を挿入するものとしている。ゆえに、接続作業が些か煩わしく複雑であり、量産化するには効率の良くないものであることから、もっと効率良く簡易にドライバユニットと第二の振動板とを接続するための改良が求められていた。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月27日(2021.7.27)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真核細胞のゲノム上の異なる標的核酸配列に相補的な複数のｃｒＲＮＡ−ｔｒａｃＲＮＡ融合ガイドＲＮＡを、前記真核細胞に含ませること、ここで前記複数のガイドＲＮＡは前記異なる標的核酸配列に特異的に結合する、および
前記複数のガイドＲＮＡと相互作用するＣａｓ９タンパク質を前記真核細胞に含ませること
を含む、真核細胞をインビトロ又はエクスビボで改変する方法。
【請求項２】
前記複数のガイドＲＮＡが１００〜２５０ヌクレオチドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記複数のガイドＲＮＡが１００ヌクレオチドを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記複数のガイドＲＮＡが、前記複数のガイドＲＮＡをコードする第一の核酸を前記真核細胞に導入することにより前記真核細胞に含ませられ、
前記Ｃａｓ９タンパク質が、前記Ｃａｓ９タンパク質をコードする第二の核酸を前記真核細胞に導入することにより前記真核細胞に含ませられ、
前記真核細胞が、前記複数のガイドＲＮＡ及び前記Ｃａｓ９タンパク質を産生する、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
前記第一の核酸が、ウイルス的送達法を用いて前記真核細胞に導入される、請求項４に記載の方法。
【請求項６】
前記第一の核酸が、アデノ随伴ウイルスを用いて前記真核細胞に導入される、請求項５に記載の方法。
【請求項７】
前記第一の核酸および／または前記第二の核酸がトランスフェクションにより前記真核細胞に導入される、請求項４に記載の方法。
【請求項８】
前記Ｃａｓ９タンパク質が、Ｃａｓ９酵素、Ｃａｓ９ニッカーゼ、ヌクレアーゼ欠損Ｃａｓ９、改変Ｃａｓ９、またはＣａｓ９のホモログである、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記Ｃａｓ９タンパク質がＣａｓ９酵素であり、前記異なる標的核酸配列が切断される、請求項１に記載の方法。
【請求項１０】
前記Ｃａｓ９タンパク質が標的核酸配列を切断するＣａｓ９酵素であり、前記真核細胞に含ませられたドナー核酸が標的核酸配列に挿入される、請求項１に記載の方法。
【請求項１１】
前記ドナー核酸が、ガイドＲＮＡにつなぎとめられた（tethered）一本鎖ＤＮＡである、請求項１０に記載の方法。
【請求項１２】
前記Ｃａｓ９タンパク質が、ヌクレアーゼ欠損であり、前記複数のガイドＲＮＡと相互作用して、前記異なる標的核酸と結合し、
前記Ｃａｓ９タンパク質にはＦｏｋＩヌクレアーゼドメインが結合しており、
隣接するガイドＲＮＡ−Ｃａｓ９タンパク質共局在複合体のＦｏｋＩヌクレアーゼドメインの二量体化により前記複数の前記異なる標的核酸配列が切断される、請求項１に記載の方法。
【請求項１３】
前記Ｃａｓ９タンパク質が、ヌクレアーゼ欠損であり、転写活性化ドメインまたは転写抑制ドメインを含み、
標的遺伝子の発現が調節される、請求項１に記載の方法。
【請求項１４】
前記Ｃａｓ９タンパク質が、ヌクレアーゼ欠損であり、蛍光タンパク質を含み、
前記蛍光タンパク質が可視化される、請求項１に記載の方法。
【請求項１５】
前記Ｃａｓ９タンパク質が、ヌクレアーゼ欠損であり、タンパク質結合有機フルオロフォア、核酸結合有機フルオロフォア、量子ドット、分子ビーコン、エコープローブ、または多価リガンド結合タンパク質ドメインを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項１６】
前記Ｃａｓ９タンパク質が、前記異なる標的核酸配列において、前記標的核酸配列を部位特異的に切断するＣａｓ９酵素である、請求項１に記載の方法。
【請求項１７】
一つ又は複数のドナー核酸が前記真核細胞に提供され、切断部位において挿入される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１８】
前記複数のガイドＲＮＡが、座位中の異なる標的核酸配列に相補的であり、
前記複数のガイドＲＮＡが前記異なる標的核酸配列に結合し、Ｃａｓ９タンパク質が、前記異なる標的核酸を切断し、その間に位置する核酸配列が前記座位から欠失される、請求項１６に記載の方法。
【請求項１９】
ドナー核酸が前記真核細胞に提供され、欠失した前記間に位置する核酸配列の代わりにゲノムＤＮＡに組み込まれる、請求項１８に記載の方法。
【請求項２０】
前記一つ又は複数のドナー核酸が、ガイドＲＮＡにつなぎとめられた（tethered）一本鎖ＤＮＡである、請求項１７に記載の方法。
【請求項２１】
前記真核細胞が、酵母細胞、植物細胞、または哺乳動物細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項２２】
前記真核細胞がヒト細胞である、請求項１に記載の方法。
【請求項２３】
前記Ｃａｓ９タンパク質が、ヒトコドン最適化されている、請求項１に記載の方法。
【請求項２４】
前記Ｃａｓ９タンパク質が、配列番号２２を含むヒトコドン最適化核酸配列にコードされる、請求項１に記載の方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月20日(2021.5.20)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被検者由来の尿の匂いに対する線虫の反応を指標として癌を検出することを特徴とする癌の検出方法であって、
被検者由来の尿に対して、癌患者の尿に誘引行動を示さない線虫の遺伝子変異株が負の応答を示したときは、当該応答結果は、被検者は癌である、又は癌のリスクがあると判定することの指標となる、前記方法。
【請求項２】
被検者由来の尿の匂いに対する線虫の反応を指標として癌を検出することを特徴とする癌の検出方法であって、
被検者由来の尿に対して、線虫のN2株が正の応答を示し、かつ癌患者の尿に誘引行動を示さない線虫の遺伝子変異株が負の応答を示したときは、当該応答結果は、被検者は癌である、又は癌のリスクがあると判定することの指標となる、前記方法。
【請求項３】
被検者由来の尿の匂いに対する線虫の反応を指標として癌を検出することを特徴とする癌の検出方法であって、
被検者由来の尿に対して、癌患者の尿に誘引行動を示さない線虫の遺伝子変異株が正の応答を示したときは、当該応答結果は、被検者は癌ではない、又は癌のリスクが小さいと判定することの指標となる、前記方法。
【請求項４】
被検者由来の尿の匂いに対する線虫の反応を指標として癌を検出することを特徴とする癌の検出方法であって、
被検者由来の尿に対して、線虫のN2株が正の応答を示し、かつ癌患者の尿に誘引行動を示さない線虫の遺伝子変異株が正の応答を示したときは、当該応答結果は、被検者は癌ではない、又は癌のリスクが小さいと判定することの指標となる、前記方法。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月5日(2021.3.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
配列番号１５１に示されるアミノ酸配列からなるペプチドまたはその薬学的に許容可能な塩。
【請求項２】
前記ペプチドが、ＭＨＣクラス−Ｉ分子と結合する能力を有し、前記ペプチドが前記ＭＨＣと結合した場合に、ＣＤ８Ｔ細胞によって認識されることができる、請求項１に記載のペプチド。
【請求項３】
請求項１または２に記載のペプチドが非ペプチド結合を含む、ペプチド。
【請求項４】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチドとＨＬＡ−ＤＲ抗原関連不変鎖（Ｉｉ）の８０個のＮ末端アミノ酸を含んでなる融合タンパク質。
【請求項５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチドまたは請求項４に記載の融合タンパク質をエンコードする核酸、または前記核酸が異種プロモーター配列と結合する核酸。
【請求項６】
請求項５に記載の核酸を発現する能力がある、発現ベクター。
【請求項７】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチド、請求項４に記載の融合タンパク質、請求項５に記載の核酸または請求項６に記載の発現ベクターを含んでなる組換え宿主細胞、または前記組換え宿主細胞が樹状細胞もしくは抗原提示細胞である組換え宿主細胞。
【請求項８】
医療において使用するための、請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチド、請求項４に記載の融合タンパク質、請求項５に記載の核酸、請求項６に記載の発現ベクター、または請求項７に記載の宿主細胞。
【請求項９】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチドを提示する、または請求項５に記載の核酸を発現する、または請求項６に記載の発現ベクターを有する、請求項７に記載の宿主細胞を培養するステップと、前記ペプチドを前記宿主細胞またはその培養液から単離するステップとを含んでなる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチドを製造する方法。
【請求項１０】
Ｔ細胞を、適切な抗原提示細胞の表面または抗原提示細胞を模倣する人工コンストラクトの表面に発現される抗原負荷ヒトクラスＩ  ＭＨＣ分子に、前記Ｔ細胞を抗原特異的様式で活性化するのに十分な時間にわたり生体外で接触させるステップを含んでなり、前記抗原が、請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチドである、活性化Ｔリンパ球を製造するインビトロ法。
【請求項１１】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチドを含んでなるポリペプチドを提示する細胞を選択的に認識する、請求項１０に記載の方法によって製造される活性化Ｔリンパ球。
【請求項１２】
請求項１１に記載の活性化Ｔリンパ球を含んでなる、請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチドを含んでなるポリペプチドを提示する標的細胞を死滅させる薬剤。
【請求項１３】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチドを特異的に認識する、可溶性または膜結合抗体、または、請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチドがＭＨＣ分子と結合した場合に、前記抗体が免疫刺激ドメインまたは毒素を含むさらなるエフェクター機能を保有する、抗体。
【請求項１４】
免疫刺激ドメインまたは毒素を含むさらなるエフェクター機能を保有する、請求項１３に記載の抗体。
【請求項１５】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチド、請求項５に記載の核酸、請求項６に記載の発現ベクター、請求項７に記載の細胞、請求項１１に記載の活性化Ｔリンパ球、または請求項１３に記載の抗体を含む、がんを治療するための薬剤。
【請求項１６】
がんが、配列番号１５１に示されるアミノ酸配列からなるペプチドに由来するタンパク質の過剰発現を示す、肺がん、脳がん、胃がん、結腸直腸がん、肝臓がん、膵臓がん、前立腺がん、白血病、乳がん、メラノーマ、卵巣がん、および食道がん、およびその他の腫瘍の群から選択される、請求項１５に記載の薬剤。
【請求項１７】
（ａ）請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチド、請求項５に記載の核酸、請求項６に記載の発現ベクター、請求項７に記載の宿主細胞、請求項１１に記載の活性化Ｔリンパ球、または請求項１３に記載の抗体を含有する医薬組成物を溶液または凍結乾燥形態で含んでなる容器を含み、
（ｂ）凍結乾燥された医薬組成物のための希釈剤または再構成溶液を含有する第２の容器；
（ｃ）配列番号１〜配列番号１５０からなる群から選択される少なくとももう１つのペプチド、および
（ｄ）（ｉ）前記溶液の使用、または（ｉｉ）前記凍結乾燥された医薬組成物の再構成および／または使用のための取扱説明書
の（ｂ）〜（ｄ）の少なくとも１つをさらに含んでなるキット。
【請求項１８】
（ｉｉｉ）緩衝液、（ｉｖ）希釈剤、（Ｖ）フィルター、（ｖｉ）針、または（Ｖｉｉ）シリンジの１つまたは複数をさらに含んでなる、請求項１７に記載のキット。
【請求項１９】
ＨＬＡリガンドと反応性である、Ｔ細胞受容体、または可溶性もしくは膜結合Ｔ細胞受容体であって、前記ＨＬＡリガンドが配列番号１５１に示されるアミノ酸配列からなるペプチドである、もしくは前記ＨＬＡリガンドが前記ペプチドとＭＨＣ複合体の一部である、Ｔ細胞受容体。
【請求項２０】
前記Ｔ細胞受容体が可溶性分子として提供される、および／または、免疫刺激ドメインまたは毒素を含むエフェクター機能を保有する、請求項１９に記載のＴ細胞受容体。
【請求項２１】
請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチド、またはＭＨＣ分子と結合している請求項１〜３のいずれか一項に記載のペプチドを特異的に認識する、アプタマー。
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月2日(2021.9.2)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた絶縁部材と、
前記半導体基板上及び前記絶縁部材上に設けられた電極と、
を備え、
前記絶縁部材は、
複数の第１部分と、
前記第１部分よりも薄い複数の第２部分と、
を有し、
前記半導体基板の上面における前記絶縁部材と接していない領域に平行な第１方向に沿って、前記第１部分と前記第２部分は交互に配列された半導体装置。
【請求項２】
前記第１部分の上面は前記第２部分の上面よりも下方に位置し、
前記第１部分の下面は前記第２部分の下面よりも下方に位置した請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
上下方向において前記絶縁部材の半分以上は前記半導体基板内に配置されており、前記絶縁部材の上面には前記半導体基板に覆われていない領域が存在する請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
上下方向において前記絶縁部材の半分以上は、前記半導体基板の上面における前記絶縁部材と接していない領域よりも上方に位置した請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記電極は、
前記第１方向に延びる基部と、
前記基部から前記第１方向に交差した第２方向に延出した複数の歯部と、
を有し、
上下方向において、前記歯部は前記第１部分と重なり、前記第２部分は前記歯部間に位置する請求項１〜４のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体基板と前記電極との間に設けられ、前記第２部分よりも薄いゲート絶縁膜をさらに備えた請求項１〜５のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項７】
半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられ、第１方向に沿って相互に離隔して配列された複数の絶縁部材と、
前記半導体基板上及び前記複数の絶縁部材上に配置された電極と、
を備え、
前記電極は、
前記第１方向に延びる基部と、
前記基部から前記第１方向と交差した第２方向に延出した複数の歯部と、
を有し、
上下方向において、前記絶縁部材は前記歯部と重なり、前記絶縁部材間の領域は前記歯部間の領域と重なる半導体装置。
【請求項８】
上下方向において前記絶縁部材の半分以上は、前記半導体基板の上面における前記絶縁部材と接していない領域よりも上方に位置した請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記半導体基板上に設けられた第１導電形のソース層と、
前記半導体基板上に設けられた第１導電形のドレイン層と、
をさらに備え、
前記半導体基板の少なくとも上層部分は第２導電形であり、
前記絶縁部材は、前記ドレイン層と前記ソース層との間又はその直上域に配置されている請求項１〜８のいずれか１つに記載の半導体装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月12日(2021.7.12)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
リチウムコバルト系複合酸化物粒子と、無機Ｍｇ含有化合物と、無機Ｔｉ含有化合物と、を乾式で混合処理することにより、リチウムコバルト系複合酸化物粒子、無機Ｍｇ含有化合物及び無機Ｔｉ含有化合物の混合処理物を得、次いで、該混合処理物を、４００〜１０００℃で加熱処理することにより、リチウム二次電池用正極活物質を得ることを特徴とするリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項２】
前記無機Ｍｇ含有化合物が、Ｍｇの酸化物、Ｍｇの水酸化物、Ｍｇの硫酸塩及びＭｇのフッ化物からなる群から選択される少なくとも１種であることを特徴とする請求項１に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項３】
前記無機Ｔｉ含有化合物が、Ｔｉの酸化物であることを特徴とする請求項１又は２に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項４】
前記リチウムコバルト系複合酸化物が、酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）を含有することを特徴とする請求項１〜３の何れか一項に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【請求項５】
前記リチウムコバルト系複合酸化物中の酸化コバルト（Ｃｏ３Ｏ４）の含有量が、線源としてＣｕＫα線を用いて、リチウムコバルト系複合酸化物をＸ線回折分析したときに、ＬｉＣｏＯ２に起因する２θ＝３７．４°付近の回折ピークの強度（Ｂ）に対するＣｏ３Ｏ４に起因する２θ＝３６．８°付近の回折ピークの強度（Ａ）との比（（Ａ／Ｂ）×１００）が、０．６より大きく５．０％以下であることを特徴とする請求項４に記載のリチウム二次電池用正極活物質の製造方法。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】リチウム二次電池用正極活物質の製造方法
【手続補正書】
【提出日】令和3年9月14日(2021.9.14)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板上に位置する第１パッドと、
前記ベース基板上に位置し前記第１パッドの第１方向に隙間を置いて並んで位置する第２パッドと、
前記ベース基板を覆い、前記第１パッド及び前記第２パッドと重なる位置において抜き部を有するソルダレジストと、を備え、
前記ソルダレジストは、前記第１方向と交差する第２方向に突出した第１突出部と、前記第１突出部の反対側において前記第２方向に突出した第２突出部と、を有し、
前記第１突出部及び前記第２突出部は、それぞれ前記隙間、前記第1パッドの前記隙間側の端部、前記第２パッドの前記隙間側の端部に重なる、プリント基板。
【請求項２】
前記第１突出部は、前記第１方向に延出した第１辺、前記第１辺の前記第1方向の一端から前記第1パッドの端部を通り前記第1パッドの外まで延び前記第１方向に対して傾斜した第２辺と、前記第１辺の前記第1方向の他端から前記第２パッドの端部を通り前記第２パッドの外まで延び前記第１方向に対して傾斜した第３辺と、を有し、
前記第２突出部は、前記第１方向に延出し前記第１辺と間隔を置いて対向する第４辺、前記第４辺の前記第1方向の一端から前記第1パッドの端部を通り前記第1パッドの外まで延び前記第１方向に対して傾斜した第５辺と、前記第４辺の前記第1方向の他端から前記第２パッドの端部を通り前記第２パッドの外まで延び前記第１方向に対して傾斜した第６辺を有する、請求項１に記載のプリント基板。
【請求項３】
前記第１パッド上に位置する第１金属層と、
前記第２パッド上に位置する第２金属層と、
前記第１金属層を介して前記第１パッドと電気的に接続された第１電極と、前記第２金属層を介して前記第２パッドと電気的に接続された第２電極と、を備える第１チップ部品と、を備え、
前記第１チップ部品は、前記第２辺及び前記第３辺と交差する第１長辺と、前記第５辺及び前記第６辺と交差する第２長辺と、を有する、請求項２に記載のプリント基板。
【請求項４】
前記第１パッド上に位置する第１金属層と、
前記第２パッド上に位置する第２金属層と、
前記第１金属層を介して前記第１パッドと電気的に接続された第３電極と、前記第２金属層を介して前記第２パッドと電気的に接続された第４電極と、を備える第２チップ部品と、を備え、
前記第２チップ部品は、前記第１辺と重なる第３長辺と、前記第４辺と重なる第４長辺と、を有する、請求項２に記載のプリント基板。
【請求項５】
ベース基板と、
前記ベース基板上に位置する第１パッドと、
前記ベース基板上に位置し前記第１パッドの第１方向に隙間を置いて並んで位置する第２パッドと、
前記ベース基板を覆い、前記第１パッド及び前記第２パッドと重なる位置において抜き部を有するソルダレジストと、を備え、
前記第１パッドは、第１スリットを有し、
前記第２パッドは、第２スリットを有する、プリント基板。
【請求項６】
前記第１スリット及び前記第２スリットは、前記第１方向に延出している、請求項５に記載のプリント基板。
【請求項７】
前記第１パッドは、前記第１方向に延出した前記第１スリットによって、第１部分及び第２部分に分割され、
前記第２パッドは、前記第１方向に延出した前記第２スリットによって、第３部分及び第４部分に分割され、
前記第１部分及び前記第２部分は、前記ソルダレジストで覆われた位置で互いに接続され、
前記第３部分及び前記第４部分は、前記ソルダレジストで覆われた位置で互いに接続される、請求項６に記載のプリント基板。
【請求項８】
前記第１部分は、前記第１方向と交差する第２方向に第１幅を有し、
前記第２部分は、前記第２方向に第２幅を有し、
前記第１幅は、前記第２幅より大きい、請求項７に記載のプリント基板。
【請求項９】
前記第１部分上に位置する第１金属層と、
前記第２部分上に位置する第２金属層と、
前記第３部分上に位置する第３金属層と、
前記第４部分上に位置する第４金属層と、
第１電極及び第２電極を備える第１チップ部品と、を備え、
前記第１電極は、前記第１金属層を介して前記第１部分と電気的に接続され、前記第２金属層を介して前記第２部分と電気的に接続され、
前記第２電極は、前記第３金属層を介して前記第３部分と電気的に接続され、前記第４金属層を介して前記第４部分と電気的に接続される、請求項７又は８に記載のプリント基板。
【請求項１０】
記録層を有するディスク状の記録媒体と、
請求項１から９の何れか１項に記載のプリント基板と、
を備えるディスク装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月9日(2021.2.9)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
(a)70〜120m2/gの範囲のブルナウアー-エメット-テラー(BET)表面積；
(b)180〜310mL/100gの範囲のオイル吸収量(OAN)；
(c)15mJ/m2以下の表面エネルギー；
(d)12〜24nmの一次粒径；並びに
次の(e-1)、(e-2)、及び(e-3)の少なくとも１つの特性：
(e-1)25〜35ÅのLa結晶子サイズ、
(e-2)19〜27ÅのLc結晶子サイズ、
(e-3)ラマン分光法によって決定される37〜45％の％結晶化度、
を有するカーボンブラック粒子。
【請求項２】
10mJ/m2以下の表面エネルギーを有する、請求項1に記載のカーボンブラック粒子。
【請求項３】
1wt%以下の酸素含量を有する、請求項1又は2に記載のカーボンブラック粒子。
【請求項４】
1ミクロン未満の分散性(容積D50)を有する、請求項1〜3のいずれか1項に記載のカーボンブラック粒子。
【請求項５】
0.95より大きい、統計的厚さ比表面積対ブルナウアー-エメット-テラー表面積の比(STSA/BET)を有する、請求項1〜4のいずれか1項に記載のカーボンブラック粒子。
【請求項６】
電極中の導電性添加剤として使用するための、請求項1〜5のいずれか1項に記載のカーボンブラック粒子。
【手続補正書】
【提出日】令和3年2月17日(2021.2.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００３８
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００３８】
これら傾斜部１３ａｂ、１３ｂｂの効果について、以下の通りのシミュレーションを行い確認した。すなわち、水晶片４１のシミュレーションモデルとして、ＡＴカット水晶片を用いたモデルと、Ｍ−ＳＣカット水晶片を用いたモデルの２種のモデルを用意した。そして、これらモデルの励振用電極の主厚部１３ａａ、１３ｂａ各々の膜厚ＹＡを１４０ｎｍ、主振動の周波数を２６ＭＨｚとし、傾斜部１３ａｂ、１３ｂｂの幅ＸＡを種々に変化させた場合での、有限要素法によるシミュレーションを行った。
水晶振動子では、主振動（例えばＣモード）と共に主振動とは異なり設計上意図されない振動である不要振動が生じる。ＡＴカット、Ｍ−ＳＣカット等の水晶材料により形成され厚みすべり振動で振動する水晶振動子では、不要振動として特に屈曲振動によるものの影響が大きい。図１８のグラフの横軸には、この屈曲振動の波長である屈曲波長λで規格化された傾斜幅を示してある。そのため、図１８のグラフに示した傾斜幅は、同一の目盛でも水晶片がＡＴカットかＭ−ＳＣカットかで傾斜部１３ａｂ、１３ｂｂの傾斜幅の寸法が異なる。例えば、２６ＭＨｚの振動周波数による振動を主振動とした場合では、ＡＴカット水晶片での屈曲波長λは約１００μｍとなり、Ｍ−ＳＣカット水晶片での屈曲波長λは約１１０μｍとなる。このとき図１８のグラフにおいて「１」で示される傾斜幅の実際の寸法は１×λであり、ＡＴカット水晶片の場合は傾斜幅が１×λ＝約１００μｍとなり、Ｍ−ＳＣカット水晶片の場合は傾斜幅が１×λ＝約１１０μｍとなる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００４４】
いずれのモデルも水晶材料をＭ−ＳＣカットとし、励振用電極の全てを金（Ａｕ）とし、主振動の周波数を３０ＭＨｚ（屈曲波長λが約９５μｍ）とし、傾斜部を設けたモデルでの傾斜幅ＸＡを１３３μｍ（屈曲波長λの１．４倍）としている。なお、励振用電極の膜厚であるが、図２０のグラフでは、横軸に励振用電極１３ａの厚さＹＡ１と、励振用電極１３ｂの主厚部１３ｂａの厚さＹＡ２を示してある。そして、このシミュレーションの場合は、厚さＹＡ１と厚さＹＡ２との合計が常に２８０ｎｍとしてあり、図２０では厚さＹＡ２がグラフの右側に向かうに従って増加している。また、図２０の縦軸には主振動（例えばＣモード）の振動エネルギーの損失（１／Ｑ）を示してある。そして、図２０では、片面の励振用電極のみに傾斜部を設けたモデルの計算結果を黒丸●で示し、両面の励振用電極に傾斜部を設けたモデルの計算結果を黒菱形◆で示し、励振用電極に傾斜部を設けないモデルの計算結果を白四角□で示してある。
なお、厚さＹＡ１と厚さＹＡ２との合計が常に２８０ｎｍとなる条件でシミュレーションする理由は、水晶振動子において、いわゆるエネルギー閉じ込めを確保するためである。すなわち、エネルギー閉じ込めを確保した前提で、本発明の効果を確認したいためである。ただし、２８０ｎｍという値は、実施形態の水晶片の大きさ、形状、周波数に応じた一つの例である。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５０】
図２１のグラフの横軸は、傾斜幅ＸＡ（μｍ）が示されている。図２１のグラフの縦軸では、主振動の振動エネルギーの損失を示すＱ値の逆数が示されている。また図２１では、主厚部の厚さＹＡが１００ｎｍで基本波を発振した場合の水晶片の損失を白抜きの四角□で示し、厚さＹＡが１４０ｎｍで基本波を発振した場合の水晶片の損失を白抜きの三角△で示し、厚さＹＡが１８０ｎｍで基本波を発振した場合の水晶片の損失を白抜きの丸○で示し、主厚部の厚さＹＡが１００ｎｍで３倍波を発振した場合の水晶片の損失を黒四角■で示し、厚さＹＡが１４０ｎｍで３倍波を発振した場合の水晶片の損失を黒三角▲で示し、厚さＹＡが１８０ｎｍで３倍波を発振した場合の水晶片の損失を黒丸●で示してある。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５１】
図２１から分かるように、３倍波における傾斜幅と振動エネルギーの損失（１／Ｑ）との関係が、主厚部の厚さＹＡの大きさに関わらず似たような傾向を示しており、傾斜幅ＸＡが約３０μｍから約１３０μｍの範囲で振動エネルギーの損失を示す１／Ｑが８．０×１０−６（図２１のグラフでは「×１０−６」を「Ｅ−６」と表記）以下と低くなっている。また、基本波における傾斜幅と振動エネルギーの損失（１／Ｑ）との関係では、傾斜幅ＸＡが約８０μｍ以上の範囲で振動エネルギーの損失を示す１／Ｑが４．０×１０−６以下と低くなっている。これらの結果より、基本波及び３倍波の振動エネルギーの損失（１／Ｑ）が共に低くなる傾斜幅ＸＡが約８０μｍから約１３０μｍである範囲（図２１の範囲Ａ）では、基本波及び３倍波の両方の水晶振動子の振動エネルギーの損失が抑えられるため、基本波及び３倍波を同時発振した場合の水晶振動子の振動エネルギーの損失が抑えられる。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５２
【補正方法】変更
【補正の内容】
【００５２】
さらに、図２１から分かるように、３倍波では、傾斜幅ＸＡが約４０μｍから約１２０μｍの範囲で振動エネルギーの損失を示す１／Ｑが低い状態で安定しているため特に好ましい。基本波については、傾斜幅ＸＡが約１００μｍ以上の範囲で振動エネルギーの損失を示す１／Ｑが３．０×１０−６以下と低くなっているため特に好ましい。これらの結果より、基本波及び３倍波の振動エネルギーの損失（１／Ｑ）が共に低くなる傾斜幅ＸＡが約１００μｍから約１２０μｍの範囲（図２１の範囲Ｂ）では、基本波及び３倍波の圧電振動片における振動エネルギーの損失を特に抑えることができるため、基本波及び３倍波を同時発振した場合の水晶振動子の振動エネルギーの損失を特に抑えることができる。
【手続補正書】
【提出日】令和3年3月17日(2021.3.17)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
被写体から受光した光を光電変換するための複数の受光素子と、
前記複数の受光素子から出力された信号を畳み込み演算する畳み込み処理部と、
前記畳み込み処理部から出力された信号を予め定められた条件に基づいてサンプリングするプーリング処理部と、
を有し、
前記畳み込み処理部の前記畳み込み演算と、前記プーリング処理部の前記サンプリングを繰り返す、素子。
【請求項２】
前記畳み込み処理部の前記畳み込み演算と、前記プーリング処理部の前記サンプリングを繰り返すように制御する制御部をさらに有する、請求項１に記載の素子。
【請求項３】
前記制御部は、前記畳み込み演算を繰り返す際に、予め定められたフィルタ係数がそれぞれ使用されるように前記畳み込み処理部を制御する、請求項２に記載の素子。
【請求項４】
前記制御部は、前記畳み込み演算を繰り返す際に、それぞれ異なるフィルタ係数が使用されるよう前記畳み込み処理部を制御する、請求項２に記載の素子。
【請求項５】
前記畳み込み処理部は、前記受光素子ごと、または前記複数の受光素子を構成するブロックごとに対応して設けられた複数の乗算回路を有し、前記複数の乗算回路を用いて前記畳み込み演算を行う、請求項１から４のいずれか１項に記載の素子。
【請求項６】
前記複数の受光素子が２次元的に配列される受光基板と、
前記受光基板上に積層され、前記畳み込み処理部および前記プーリング処理部の少なくとも一方を有する１または複数の他の基板と、をさらに有する、請求項５に記載の素子。
【請求項７】
前記サンプリングされた信号を前記複数の乗算回路に受け渡す接続配線をさらに有し、
前記畳み込み処理部および前記プーリング処理部は互いに異なる基板にそれぞれ設けられ、
前記接続配線は、前記互いに異なる基板どうしを接続する貫通電極を有する、請求項６に記載の素子。
【請求項８】
前記他の基板として互いに積層された複数の乗算回路基板をさらに有し、
前記複数の乗算回路基板は、前記複数の乗算回路基板のうち、それぞれが互いに異なる乗算回路基板に設けられる、請求項６または７に記載の素子。
【請求項９】
前記複数の乗算回路基板に対して、互いに異なる畳み込み演算用のフィルタ係数が設定される、請求項８に記載の素子。
【請求項１０】
前記畳み込み処理部は、前記複数の受光素子の各々に対応して設けられる前記複数の乗算回路からの出力を加算する加算回路を有し、
前記加算回路は、前記他の基板である加算回路基板に設けられる、請求項６から９のいずれか１項に記載の素子。
【請求項１１】
前記サンプリングされた信号を前記複数の乗算回路に受け渡すための接続配線と、
前記複数の受光素子のうち少なくとも１つの受光素子からの信号を保持するラッチ回路と、
前記少なくとも１つの受光素子からの信号を読み出す読み出し回路と、をさらに有し、
前記読み出し回路は、前記１または複数の他の基板である読み出し基板に設けられ、
前記接続配線は、前記プーリング処理部と前記ラッチ回路とを接続する、請求項１０に記載の素子。
【請求項１２】
前記１または複数の他の基板は、前記畳み込み演算された信号を活性化関数に入力して、その出力信号を前記プーリング処理部に出力する活性化関数演算処理部を有する、請求項６から１１のいずれか１項に記載の素子。
【請求項１３】
前記複数の受光素子から出力される信号を外部へ出力する、請求項６から１２のいずれか１項に記載の素子。
【請求項１４】
前記１または複数の他の基板は、前記複数の受光素子により生成された信号を受信し、前記複数の受光素子から受信した信号を変換するためのＡＤ変換回路基板を有する、請求項６から１３のいずれか１項に記載の素子。
【請求項１５】
被写体から受光した光を光電変換するための複数の受光素子と、
前記複数の受光素子から出力された信号を畳み込み演算する畳み込み処理部と、
前記畳み込み処理部から出力された信号を予め定められた条件に基づいてサンプリングするプーリング処理部と、
前記畳み込み処理部の前記畳み込み演算と、前記プーリング処理部の前記サンプリングを繰り返すように制御する制御部と、を有する素子、
を有するシステム。
【請求項１６】
前記制御部は、前記畳み込み演算を繰り返す際に、予め定められたフィルタ係数がそれぞれ使用されるように前記畳み込み処理部を制御する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１７】
前記制御部は、前記畳み込み演算を繰り返す際に、それぞれ異なるフィルタ係数が使用されるよう前記畳み込み処理部を制御する、請求項１５に記載のシステム。
【請求項１８】
複数の受光素子によって被写体から受光した光を光電変換する段階と、
前記複数の受光素子から出力された信号を畳み込み演算する畳み込み処理段階と、
前記畳み込み処理段階で出力された信号を予め定められた条件に基づいてサンプリングするプーリング処理段階と、
前記畳み込み処理段階の前記畳み込み演算と、前記プーリング処理段階の前記サンプリングを繰り返すように制御する制御段階と、を有する方法。
【請求項１９】
請求項１から請求項１４までのいずれか一項に記載の素子と、
前記プーリング処理部からの出力に基づいて抽出される特徴量により撮像対象を判定する制御部と、
を備える判定装置。
【手続補正書】
【提出日】令和3年7月5日(2021.7.5)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
画素を備える撮像素子であって、
前記画素は、
光が入射されるマイクロレンズと、
前記マイクロレンズを透過した光を光電変換する複数の光電変換部と、
前記複数の光電変換部のうち、第１光電変換部で光電変換された電荷を転送する第１転送トランジスタと、
前記複数の光電変換部のうち、第２光電変換部で光電変換された電荷を転送する第２転送トランジスタと、
第１ゲートを有する第１出力トランジスタと、
第２ゲートを有する第２出力トランジスタと、
前記第１転送トランジスタのドレインと前記第１ゲートとを接続するための第１接続スイッチと、
前記第２転送トランジスタのドレインと前記第２ゲートとを接続するための第２接続スイッチと、
を有する撮像素子。
【請求項２】
請求項１に記載の撮像素子において、
前記画素は、
前記第１転送トランジスタのドレインと前記第２転送トランジスタのドレインとを接続するための第３接続スイッチを有し、
前記第２接続スイッチは、前記第３接続スイッチによって前記第１転送トランジスタのドレインと前記第２転送トランジスタのドレインとを接続しているときに、前記第２転送トランジスタのドレインと前記第２ゲートとが切断状態となるように制御される、撮像素子。
【請求項３】
請求項２に記載の撮像素子において、
前記第１接続スイッチは、前記第３接続スイッチによって前記第１転送トランジスタのドレインと前記第２転送トランジスタのドレインとを接続しているときに、前記第１転送トランジスタのドレインと前記第１ゲートとが接続状態となるように制御される、撮像素子。
【請求項４】
請求項２または３に記載の撮像素子において、
前記第１接続スイッチは、前記第３接続スイッチが切断されているときに、前記第１転送トランジスタのドレインと前記第１ゲートとが接続状態となるように制御され、
前記第２接続スイッチは、前記第３接続スイッチが切断されているときに、前記第２転送トランジスタのドレインと前記第２ゲートとが接続状態となるように制御される、撮像素子。
【請求項５】
請求項２〜４のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記画素は複数配置され、
複数の前記画素は第１画素と第２画素とを有し、
前記第１画素の前記第２接続スイッチは、前記第３接続スイッチによって前記第１転送トランジスタのドレインと前記第２転送トランジスタのドレインとを接続しているときに、前記第２転送トランジスタのドレインと前記第２ゲートとが切断状態となるように制御され、
前記第２画素の前記第１接続スイッチは、前記第３接続スイッチによって前記第１転送トランジスタのドレインと前記第２転送トランジスタのドレインとを接続しているときに、前記第１転送トランジスタのドレインと前記第１ゲートとが切断状態となるように制御される、撮像素子。
【請求項６】
請求項５に記載の撮像素子において、
前記第１画素と前記第２画素は列方向に配置される、撮像素子。
【請求項７】
請求項６に記載の撮像素子において、
前記第１画素と前記第２画素は隣に配置される、撮像素子。
【請求項８】
請求項１〜７のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記画素は、
前記第１出力トランジスタのゲートと接続される第１リセットトランジスタと、
前記第２出力トランジスタのゲートと接続される第２リセットトランジスタと、
を有する撮像素子。
【請求項９】
請求項８に記載の撮像素子において、
前記第１リセットトランジスタは、前記第１接続スイッチを介して前記第１転送トランジスタのドレインと接続され、
前記第２リセットトランジスタは、前記第２接続スイッチを介して前記第２転送トランジスタのドレインと接続される、撮像素子。
【請求項１０】
請求項１〜９のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記画素は、
前記第１出力トランジスタのソースと接続される第１選択トランジスタと、
前記第２出力トランジスタのソースと接続される第２選択トランジスタと、
を有する撮像素子。
【請求項１１】
請求項１〜１０のいずれか一項に記載の撮像素子において、
前記第１出力トランジスタからの信号が出力される第１信号線と、
前記第２出力トランジスタからの信号が出力される第２信号線と、
を備える撮像素子。
【請求項１２】
請求項１〜１１のいずれか一項に記載の撮像素子を備える撮像装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正の内容】
【発明の名称】撮像素子および撮像装置
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００１
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００１】
本発明は、撮像素子および撮像装置に関する。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００４
【補正方法】変更
【補正の内容】
【０００４】
本発明の第１の態様によると、撮像素子は、画素を備える撮像素子であって、前記画素は、光が入射されるマイクロレンズと、前記マイクロレンズを透過した光を光電変換する複数の光電変換部と、前記複数の光電変換部のうち、第１光電変換部で光電変換された電荷を転送する第１転送トランジスタと、前記複数の光電変換部のうち、第２光電変換部で光電変換された電荷を転送する第２転送トランジスタと、第１ゲートを有する第１出力トランジスタと、第２ゲートを有する第２出力トランジスタと、前記第１転送トランジスタのドレインと前記第１ゲートとを接続するための第１接続スイッチと、前記第２転送トランジスタのドレインと前記第２ゲートとを接続するための第２接続スイッチと、を有する、撮像素子。
【手続補正書】
【提出日】令和3年5月7日(2021.5.7)
【手続補正１】
【補正対象書類名】特許請求の範囲
【補正対象項目名】全文
【補正方法】変更
【補正の内容】
【特許請求の範囲】
【請求項１】
プロセッサと、
トランシーバと
を備えたワイヤレス送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）であって、
前記プロセッサおよび前記トランシーバは、複数のセルのそれぞれに関連付けられた電力ヘッドルーム（ＰＨ）を報告する構成情報を受信するように構成され、前記複数のセルの第１のセルは、それぞれが第１の長さを有する第１の時間間隔を使用し、前記複数のセルの第２のセルは、それぞれが第２の長さを有する第２の時間間隔を使用し、前記第１の長さは、前記第２の長さの少なくとも２倍であり、
前記トランシーバは、前記第１の時間間隔の１つにおいて、第１の搬送周波数を使用して第１のアップリンク送信を送信するように構成され、前記第１の搬送周波数は、前記第１のセルに関連付けられ、
前記プロセッサおよび前記トランシーバは、前記第１の時間間隔の１つと完全に重複する、前記第２の時間間隔の時間的に最も早い１つにおいて、前記受信した構成情報に基づいて、前記第１の時間間隔の１つに対応する第１のＰＨと、前記第１の時間間隔の１つと完全に重複する、前記第２の時間間隔の時間的に最も早い１つに対応する第２のＰＨとを示す情報を含む報告を送信するように構成される、
ＷＴＲＵ。
【請求項２】
前記報告は、第２の搬送周波数を使用して第２のアップリンク送信において送信され、前記第２の搬送周波数は、前記第２のセルに関連付けられる、請求項１のＷＴＲＵ。
【請求項３】
前記第１の長さは、１ミリ秒（ｍｓ）であり、前記第２の長さは、０．５ｍｓである、請求項２のＷＴＲＵ。
【請求項４】
前記第１のセルは、第１の無線アクセス技術（ＲＡＴ）を使用する第１の基地局に関連付けられ、前記第２のセルは、第２のＲＡＴを使用する第２の基地局に関連付けられる、請求項１のＷＴＲＵ。
【請求項５】
前記第１の時間間隔の前記１つに対応する第１のＰＨと、前記第２の時間間隔の時間的に最も早い前記１つに対応する前記第２のＰＨとを示す情報を含む前記報告は、前記第１のセルに関連付けられる前記第１のアップリンク送信に含まれる、請求項１のＷＴＲＵ。
【請求項６】
前記第１の時間間隔の前記１つに対応する第１のＰＨと、前記第２の時間間隔の時間的に最も早い前記１つに対応する前記第２のＰＨとを示す情報を含む前記報告は、タイプ１ＰＨ報告である、請求項１のＷＴＲＵ。
【請求項７】
前記第１の時間間隔の前記１つに対応する第１のＰＨ、および前記第２の時間間隔の時間的に最も早い前記１つに対応する前記第２のＰＨは、前記第１のアップリンク送信のための算出された送信電力、および前記第２のアップリンク送信のための算出された送信電力にそれぞれ基づいて決定され、前記第１のアップリンク送信および前記第２のアップリンク送信は、物理アップリンク共有チャネル（ＰＵＳＣＨ）上で送信される、請求項２のＷＴＲＵ。
【請求項８】
ワイヤレス送信／受信ユニット（ＷＴＲＵ）によって実行される方法であって、
複数のセルのそれぞれに関連付けられた電力ヘッドルーム（ＰＨ）を報告する構成情報を受信することであって、前記複数のセルの第１のセルは、それぞれが第１の長さを有する第１の時間間隔を使用し、前記複数のセルの第２のセルは、それぞれが第２の長さを有する第２の時間間隔を使用し、前記第１の長さは、前記第２の長さの少なくとも２倍である、ことと、
前記第１の時間間隔の１つにおいて、第１の搬送周波数を使用して第１のアップリンク送信を送信することであって、前記第１の搬送周波数は、前記第１のセルに関連付けられる、ことと、
前記第１の時間間隔の１つと完全に重複する、前記第２の時間間隔の時間的に最も早い１つにおいて、前記受信した構成情報に基づいて、前記第１の時間間隔の１つに対応する第１のＰＨと、前記第１の時間間隔の１つと完全に重複する、前記第２の時間間隔の時間的に最も早い１つに対応する第２のＰＨとを示す情報を含む報告を送信することと
を備える方法。
【請求項９】
前記報告は、第２の搬送周波数を使用して第２のアップリンク送信において送信され、前記第２の搬送周波数は、前記第２のセルに関連付けられる、請求項８の方法。
【請求項１０】
前記第１の長さは、１ミリ秒（ｍｓ）であり、前記第２の長さは、０．５ｍｓである、請求項９の方法。
【請求項１１】
前記第１のセルは、第１の無線アクセス技術（ＲＡＴ）を使用する第１の基地局に関連付けられ、前記第２のセルは、第２のＲＡＴを使用する第２の基地局に関連付けられる、請求項８の方法。
【請求項１２】
前記第１の時間間隔の前記１つに対応する前記第１のＰＨと、前記第２の時間間隔の時間的に最も早い前記１つに対応する前記第２のＰＨとを示す情報を含む前記報告は、前記第１のセルに関連付けられる前記第１のアップリンク送信に含まれる、請求項８の方法。
【請求項１３】
前記第１の時間間隔の前記１つに対応する前記第１のＰＨと、前記第２の時間間隔の時間的に最も早い前記１つに対応する前記第２のＰＨとを示す情報を含む前記報告は、タイプ１ＰＨ報告である
をさらに備える、請求項８の方法。
【請求項１４】
前記第１の時間間隔の前記１つに対応する前記第１のＰＨ、および前記第２の時間間隔の時間的に最も早い前記１つに対応する前記第２のＰＨは、前記第１のアップリンク送信のための算出された送信電力、および前記第２のアップリンク送信のための算出された送信電力にそれぞれ基づいて決定され、前記第１のアップリンク送信および前記第２のアップリンク送信は、物理アップリンク共有チャネル（ＰＵＳＣＨ）上で送信される、請求項９の方法。