(57)【要約】      （修正有）【課題】導体層部における断線および導体層部における電気抵抗の増大を抑えることができる配線基板を提供する。【解決手段】配線基板１は、絶縁層11ａを有する絶縁基体11と、絶縁層11ａの主面に設けられた配線導体14と、配線導体14に接続された導体層部とを含んでいる。絶縁基体11は、上下方向に延びたキャスタレーション部12を有する絶縁層11ａを含んでおり、キャスタレーション部12が上下方向に延びた溝部を有している。導体層部は、溝部に入り込むようにキャスタレーション部に設けられている。【選択図】図１
2014127678.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上下方向に延びたキャスタレーション部を有する絶縁層を含んでおり、前記キャスタレーション部が上下方向に延びた溝部を有している絶縁基体と、
前記絶縁層の主面に設けられた配線導体と、
前記溝部に入り込むように前記キャスタレーション部に設けられており、前記配線導体に接続された導体層部とを備えていることを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記溝部が複数の前記溝を有しており、前記導体層部が前記複数の溝に設けられた導体層を有していることを特徴とする請求項１記載の配線基板。
【請求項３】
平面視において、前記キャスタレーション部の内面は、前記複数の溝による波形の形状を有していることを特徴とする請求項２記載の配線基板。
【請求項４】
請求項１に記載の配線基板と、
該配線基板に搭載された電子部品とを備えていることを特徴とする電子装置。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板および電子装置に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
例えば電子部品の実装に用いられる配線基板は、絶縁層を含む絶縁基体と、絶縁層の主面（すなわち、絶縁基体の主面または内層）に設けられた配線導体と、絶縁層の側面に設けられた導体層部とを有している。絶縁層は、上下方向に延びたキャスタレーション部を有しており、導体層部は、キャスタレーション部に設けられている。例えば絶縁基体がセラミックスから成る場合、キャスタレーション部の導体層部は、セラミックグリーンシートに導体ペーストを塗布して焼成することによって形成される（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
上述した配線基板は、近年の電子装置の小型化によって、製造の効率化の観点等から、多数個取り配線基板を分割することによって製造される場合がある。多数個取り配線基板とは、複数の配線基板領域が縦横に配列されているものである。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開2010-232687号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
キャスタレーション部における導体層部については、絶縁層の主面における配線導体に比べて、十分な厚みに形成することが困難な場合がある。導体層部が十分な厚みを有していない場合、導体層部における断線、または導体層部における電気抵抗の増大が懸念される。
【０００６】
なお、配線基板が例えば多数個取り配線基板を分割することによって製造され、絶縁基体が例えばセラミックスから成る場合、キャスタレーション部の導体層部は、例えばセラミックグリーンシートに設けられた貫通孔の内面に導体ペーストを塗布して焼成することによって形成されることがあり、この形成方法においては、貫通孔の奥方まで導体層部を十分な厚みで形成することが困難な場合がある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一つの態様によれば、配線基板は、絶縁層を有する絶縁基体と、絶縁層の主面に設けられた配線導体と、配線導体に接続された導体層部とを含んでいる。絶縁基体は、上下方向に延びたキャスタレーション部を有する絶縁層を含んでおり、キャスタレーション部が上下方向に延びた溝部を有している。導体層部は、溝部に入り込むようにキャスタレーション部に設けられている。
【０００８】
本発明の他の態様によれば、電子装置は、上記構成の配線基板と、配線基板に搭載された電子部品とを含んでいる。
【発明の効果】
【０００９】
本発明の一つの態様による配線基板において、キャスタレーション部が上下方向に延びた溝部を有しているとともに、導体層部が溝部に入り込むようにキャスタレーション部に設けられていることによって、導体層部の少なくとも一部においては十分な厚みを確保す
ることができ、導体層部における断線および導体層部における電気抵抗の増大を抑えることができる。
【００１０】
本発明の他の態様による電子装置は、上記構成の配線基板を有していることによって、電気的信頼性および電気的特性に関して向上されている。
【図面の簡単な説明】
【００１１】
【図１】（ａ）は、本発明の第１の実施形態における配線基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図２】（ａ）は、図１（ａ）に示された配線基板のＡ−Ａ線における断面図、（ｂ）は、図１（ａ）に示された配線基板のＢ−Ｂ線における断面図である。
【図３】（ａ）〜（ｄ）は、本発明の第１の実施形態における配線基板の導体層の第１の製造方法を示す断面図である。
【図４】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施形態における配線基板の導体層の第２の製造方法を示す断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の第１の実施形態における配線基板の導体層の第３の製造方法を示す断面図である。
【図６】（ａ）は、本発明の第２の実施形態における配線基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ線における断面図である。
【図７】（ａ）は、本発明の第１の実施形態における配線基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。
【図８】（ａ）は、図１（ｂ）に示された配線基板のＡ部における要部拡大下面図、（ｂ）は、図１（ａ）に示された配線基板のＡ−Ａ線における断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１２】
本発明のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。
【００１３】
（第１の実施形態）
本発明の第１の実施形態における電子装置は、図１および図２に示されているように、配線基板１と、配線基板１の上面に設けられた電子部品２とを含んでいる。電子装置は、例えば電子部品モジュールを構成する回路基板上に実装される。
【００１４】
配線基板１は、上下方向に延びたキャスタレーション部12を有する絶縁基体11と、キャスタレーション部に設けられた導体層部（導体層13）と、導体層13に電気的に接続された絶縁基体11の表面および内部に設けられた配線導体14とを有している。キャスタレーション部12が上下方向に延びた溝部（溝12ａ）を有しており、導体層13は溝12ａ内に入り込んでいる。図１および図２において、電子装置は仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に実装されている。図２〜図５において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。
【００１５】
絶縁基体11は、複数の絶縁層11ａからなり、電子部品２の搭載領域を含む上面を有しており、平面視において矩形の板状の形状を有している。絶縁基体11は、電子部品２を支持するための支持体として機能し、上面中央部の搭載領域上に電子部品２が低融点ろう材または導電性樹脂等の接合剤を介して接着され固定される。
【００１６】
絶縁基体11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。
【００１７】
絶縁基体11が、樹脂材料を用いて作製される場合は、例えば、エポキシ樹脂，ポリイミド樹脂，アクリル樹脂，フェノール樹脂，ポリエステル樹脂、または四フッ化エチレン樹
脂を始めとするフッ素系樹脂等を用いることができる。
【００１８】
絶縁基体11が、例えば酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、酸化アルミニウム，酸化珪素，酸化マグネシウムおよび酸化カルシウム等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿状とし、これをドクターブレード法やカレンダーロール法等によってシート状に成形してセラミックグリーンシートを得て、しかる後、セラミックグリーンシートに適当な打ち抜き加工を施すとともにこれを複数枚積層し、高温（約1600℃）で焼成することによって製作される。
【００１９】
キャスタレーション部12は、絶縁基体11の側面に設けられている。キャスタレーション部12は、絶縁基体11の一方主面から他方主面にかけて設けられていても良いし、図２に示す例のように、絶縁基体11の側面の途中から主面にかけて設けられていても構わない。このようなキャスタレーション部12は、絶縁基体11用のセラミックグリーンシートのいくつかに、レーザー加工や金型による打ち抜き加工等によって、キャスタレーション部12となる貫通孔を形成しておくことにより形成される。
【００２０】
導体層13は、キャスタレーション部12の内面に設けられており、配線導体14は、絶縁基体11の表面および内部に設けられている。配線導体14の一部は、キャスタレーション部12に導出されており、導体層13に電気的に接続されている。導体層13および配線導体14は、配線基板１に搭載された電子部品２と外部の回路基板とを電気的に接続するためのものである。配線導体14は、絶縁基体11の表面または内部に設けられた配線導体と、絶縁基体11を構成する絶縁層を貫通して上下に位置する配線導体同士を電気的に接続する貫通導体とを含んでいる。
【００２１】
導体層13および配線導体14は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），マンガン（Ｍｎ），銀（Ａｇ）または銅（Ｃｕ）等の金属材料を用いることができる。例えば、絶縁基体11が酸化アルミニウム質焼結体から成る場合であれば、Ｗ，ＭｏまたはＭｎ等の高融点金属粉末に適当な有機バインダーおよび溶媒等を添加混合して得た導体ペーストを、絶縁基体11となるセラミックグリーンシートに予めスクリーン印刷法によって所定のパターンに印刷塗布して、絶縁基体11となるセラミックグリーンシートと同時に焼成することによって、絶縁基体11の所定位置に被着形成される。配線導体14が貫通導体である場合は、金型やパンチングによる打ち抜き加工やレーザー加工によってグリーンシートに貫通孔を形成して、この貫通孔に印刷法によって配線導体14用の導体ペーストを充填しておくことによって形成される。導体層13は、キャスタレーション部12となる貫通孔の内面となる領域に、導体層13用の導体ペーストを印刷塗布しておくことによって形成される。
【００２２】
薄膜層15は、絶縁基体11の配線導体14と重なるように設けられている。薄膜層15は、タングステン（Ｗ），モリブデン（Ｍｏ），チタン（Ｔｉ），銅（Ｃｕ）等の金属材料を用いることができる。薄膜層15は、複数層からなり、例えば、ＴｉＷ（チタンタングステン）等のＴｉ合金から成り、その厚みは例えば0.01〜0.5μｍと、Ｃｕ（銅）から成り、そ
の厚みは例えば1.0〜100.0μｍとを有する。
【００２３】
薄膜層15は、例えばイオンプレーティング法、スパッタ法、蒸着法等の従来周知の薄膜形成方法を用いて形成される。例えば、絶縁基板11の表面にイオンプレーティング法、スパッタ法、蒸着法等により金属層を形成する。その後、フォトリソグラフィ法によりレジストパターンを形成し、余分な金属層をウェットエッチング法を用いて除去して形成する。
【００２４】
溝12ａは、キャスタレーション部12に上下方向に延びて設けられており、導体層13は、溝12ａに入り込むように設けられている。溝12ａの領域において、導体層13は、他の領域
と比較して厚く形成されており、少なくとも平面透視において配線導体14と直接接して重なるように配置されている。このように、キャスタレーション部12の内面の導体層13の厚みを部分的に厚くすると、例えば、導体層13の厚みをキャスタレーション部12の内面で全体的に厚く形成する場合と比較して、キャスタレーション部12の形状や導体層13の形状等を良好なものとして形成できるので、配線基板を小型で高精度のものとすることができるとともに、外部の回路基板との接合を良好なものとすることができる。また、平面透視において絶縁基体11の内部からキャスタレーション部12に導出される配線導体14の幅を溝12ａの幅よりも大きくして重なるように形成しておくと、導体層13と配線導体14との接続を良好なものとすることができる。
【００２５】
キャスタレーション部12および溝12ａへの導体層13の形成は、例えば、以下の製造方法により製作できる。
【００２６】
第１の製造方法は、図３（ａ）に示された例のように、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート111に、溝12ａを有するキャスタレーション部12となる貫通孔112を形成する。そして、図３（ｂ）に示された例のように、この貫通孔112の内面となる領域に、導体層13用の導体ペーストをスクリーン印刷法によって溝112に入り込むようにキャスタレーション部12となる貫通孔112の内面に塗布印刷する。そして、配線導体14用の導体ペーストの
印刷や他のセラミックグリーンシートとの積層等を行い、導体層13用の導体ペーストと配線導体14用の導体ペーストとが接続された絶縁基体11となるセラミック生成形体し、このセラミック成形体を焼成することにより、図３（ｃ）に示された例のように、キャスタレーション部12が連結した絶縁基体11を形成する。さらに、図３（ｄ）に示された例のように、キャスタレーション部12となる穴112ｂを分断することにより、溝12ａを有するキャ
スタレーション部12に導体層13が形成された配線基板１を製作することができる。
【００２７】
次に、第２の製造方法は、図４（ａ）に示された例のように、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート111に、溝12ａとなる補助貫通孔112ａを形成する。そして、図４（ｂ）に示された例のように、導体層13用の導体ペーストをスクリーン印刷法によって補助貫通孔112ａの内面に印刷塗布する。そして、図４（ｃ）に示された例のように、第１貫通孔112ａを分断し、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート111に、溝12ａ内に充填された
導体層13用の導体ペーストが露出するとともに、溝12ａを有するキャスタレーション部12となる貫通孔112を形成する。そして、図４（ｄ）に示された例のように、この貫通孔112の内面となる領域に、導体層13用の導体ペーストをスクリーン印刷法によって溝12ａの内面に塗布された導体層13用の導体ペーストを覆うように、キャスタレーション部12となる貫通孔112の内面に塗布印刷する。その後、配線導体14用の導体ペーストの印刷や他のセ
ラミックグリーンシートとの積層等を行い、導体層13用の導体ペーストと配線導体14用の導体ペーストとが接続された絶縁基体11となるセラミック生成形体し、このセラミック成形体を焼成することにより、図４（ｅ）に示された例のように、キャスタレーション部12が連結した絶縁基体11を形成する。さらに、図４（ｆ）に示された例のように、キャスタレーション部12となる穴112ｂを分断することにより、溝12ａを有するキャスタレーショ
ン部12に導体層13が形成された配線基板１を製作することができる。
【００２８】
第３の製造方法は、図５（ａ）に示された例のように、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート111に、溝12ａとなる補助貫通孔112ａを形成する。そして、図５（ｂ）に示された例のように、導体層13用の導体ペーストをスクリーン印刷法によって補助貫通孔112
ａの内面に充填する。そして、図５（ｃ）に示された例のように、第１貫通孔112ａを分
断し、絶縁基体11用のセラミックグリーンシート111に、溝12ａ内に充填された導体層13
用の導体ペーストが露出するとともに、溝12ａを有するキャスタレーション部12となる貫通孔112を形成する。そして、図５（ｄ）に示された例のように、この貫通孔112の内面となる領域に、導体層13用の導体ペーストをスクリーン印刷法によって溝12ａに充填された
導体層13用の導体ペーストを覆うように、キャスタレーション部12となる貫通孔112の内
面に塗布印刷する。その後、配線導体14用の導体ペーストの印刷や他のセラミックグリーンシートとの積層等を行い、導体層13用の導体ペーストと配線導体14用の導体ペーストとが接続された絶縁基体11となるセラミック生成形体し、このセラミック成形体を焼成することにより、図５（ｅ）に示された例のように、キャスタレーション部12が連結した絶縁基体11を形成する。さらに、図５（ｆ）に示された例のように、このセラミック生成形体を焼成した後、キャスタレーション部12となる穴112ｂを分断することにより、溝12ａを
有するキャスタレーション部12に導体層13が形成された配線基板１を製作することができる。
【００２９】
第１の製造方法は、平面視における溝12ａの長さ（キャスタレーション部12から絶縁基体11の中央部側への長さ）が導体層13の厚みよりも小さい場合に好適に使用できる。例えば、溝12ａの長さが5μｍ〜50μｍの場合に用いられる。
【００３０】
なお、第１の製造方法においては、キャスタレーション部12の内面に導体層13を形成する際に、溝12ａ内に入り込むように一体的に形成するので、効率よく形成できるとともに、絶縁基体11と導体層13との接合や導体層13同士の剥がれ等も起こりにくいので、後述するような複数の溝12ａを形成する場合等に好ましい。また、溝12ａを小さくして形成するので小型の配線基板にも好適に用いることができる。
【００３１】
第３の製造方法は、平面視における溝12ａの長さ（キャスタレーション部から絶縁基体11の中央部側への長さ）が導体層13の厚みよりも大きい場合に好適に使用できる。例えば、溝12ａの長さが50μｍ〜200μｍの場合に用いられる。
【００３２】
なお、第３の製造方法は、平面視におけるキャスタレーション部12の大きさが小さい場合やキャスタレーション部12の深さが深く、導体層13の表面に薄膜層15を形成する際の金属層がより形成されにくい場合や、薄膜層15の厚みを厚く形成する場合等に好適に使用される。
【００３３】
導体層13および配線導体14、ならびに薄膜層15の露出する表面には、電解めっき法によってめっき層が被着される。めっき層は、ニッケル，銅，金または銀等の耐食性や接続部材との接続性に優れる金属から成るものであり、例えば、厚さ0.5〜５μｍ程度のニッケ
ルめっき層と0.1〜３μｍ程度の金めっき層とが、あるいは厚さ１〜10μｍ程度のニッケ
ルめっき層と0.1〜１μｍ程度の銀めっき層とが、順次被着される。これによって、導体
層13および配線導体14、ならびに薄膜層15が腐食することを効果的に抑制できるとともに、配線導体14と電子部品２との固着や配線導体14とボンディングワイヤ等の接続部材３との接合や、導体層13、配線導体14、薄膜層15と外部の回路基板の配線との接合を強固にできる。また、電子部品２の搭載となる配線導体14上では、ニッケルめっき層上に、厚さ10〜80μｍ程度の銅めっき層を被着させておくことにより、電子部品２の熱を良好に放熱させやすくしてもよい。
【００３４】
配線基板１の上面には、電子部品２が搭載されることによって電子装置を作製できる。配線基板１に搭載される電子部品２は、ＩＣチップやＬＳＩチップ等の半導体素子，発光素子，水晶振動子や圧電振動子等の圧電素子および各種センサ等である。例えば、電子部品２がフリップチップ型の半導体素子である場合には、半導体素子は、はんだバンプや金バンプまたは導電性樹脂（異方性導電樹脂等）等の接続部材３を介して、半導体素子の電極と配線導体14とが電気的および機械的に接続されることによって配線基板１に搭載される。また、例えば電子部品２がワイヤボンディング型の半導体素子である場合には、半導体素子は、接合部材によって電子部品搭載領域に固定された後、ボンディングワイヤ等の接続部材３を介して半導体素子の電極と配線導体14とが電気的に接続されることによって
配線基板１に搭載される。また、配線基板１には、複数の電子部品２を搭載しても良いし、必要に応じて、抵抗素子や容量素子等の小型の電子部品を搭載しても良い。また、電子部品２は必要に応じて、樹脂やガラス等からなる封止材４、樹脂やガラス、セラミックス、金属等からなる蓋体等により封止される。
【００３５】
本実施形態の配線基板１によれば、上下方向に延びたキャスタレーション部12を有する絶縁層11ａを含んでおり、キャスタレーション部12が上下方向に延びた溝12ａを有している絶縁基体11と、絶縁層11ａの主面に設けられた配線導体14と、溝12ａに入り込むようにキャスタレーション部12に設けられており、配線導体14に接続された導体13とを備えていることから、導体層部の少なくとも一部においては十分な厚みを確保することができ、導体層部における断線および導体層部における電気抵抗の増大を抑えることができる。
【００３６】
本実施形態の配線基板１は、導体層13と配線導体14とにタングステンやモリブデン等の金属材料を用い、薄膜層15にチタンタングステン等の金属材料を用いる配線基板に好適に使用され、高精度および信頼性に優れた配線基板とすることができる。例えば、絶縁基板11上に薄膜層15を形成するための金属層を形成した際に、キャスタレーション部12の奥部における金属層は、絶縁基体11の表面の金属層よりも薄く形成されやすい。このため、余分な金属層をエッチングにより除去を行う際に、キャスタレーション部12の奥部における金属層が絶縁基体11の表面よりも先に除去された後、導体層13をエッチングにより除去してキャスタレーション部12の奥部における導体層13の厚みが薄くなったとしても、溝12ａ内での導体層13と配線導体14との電気的接続が保持されるので、導体層部における断線および導体層部における電気抵抗の増大を抑えることができる。
【００３７】
本実施形態の電子装置によれば、上記構成の配線基板１と、配線基板１に搭載された電子部品２とを有していることから、電気的信頼性および電気的特性に関して向上されている。
【００３８】
（第２の実施形態）
次に、本発明の第２の実施形態による電子装置について、図６を参照しつつ説明する。
【００３９】
本発明の第２の実施形態における電子装置において、上記した第１の実施形態の電子装置と異なる点は、図６に示された例のように、キャスタレーション部12が複数の溝12ａを有する点、薄膜層15が絶縁基体11の電子部品２の搭載面と同じ主面に設けられている点である。このような場合には、配線基板１の上面側で外部の回路基板に接合できるので、配線基板１の下面側の全面に絶縁基体11よりも熱伝導率の高い部材を接合して配線基板１の放熱性を向上できる。絶縁基体11よりも熱伝導率の高い材料としては、例えば、銅（Ｃｕ），銅−タングステン（Ｃｕ−Ｗ）またはアルミニウム（Ａｌ）等の金属材料が挙げられる。また、絶縁基体11が酸化アルミニウム質焼結体からなる場合、窒化アルミニウム質焼結体からなる絶縁材料等が挙げられる。
【００４０】
また、平面透視において絶縁基体11の内部からキャスタレーション部12に導出される配線導体14の幅を複数の溝12ａ全体に重なるように幅広に形成しておくと、導体層13と配線導体14との接続を良好なものとすることができるとともに、溝12ａ間の段差等の発生を抑制して、信頼性に優れた配線基板とすることができる。
【００４１】
なお、絶縁基体11は、図６に示された例のように凹部16を含んでいる上面を有していてもよい。このような凹部16は、セラミックグリーンシートにレーザー加工や金型による打ち抜き加工等によって、凹部16となる貫通孔を複数のセラミックグリーンシートに形成し、これらのセラミックグリーンシートを、貫通孔を形成していないセラミックグリーンシートに積層することで形成できる。また、絶縁基体11の厚みが薄い場合には、凹部16用の
貫通孔は、セラミックグリーンシートを積層した後、レーザー加工や金型による打ち抜き加工等によって形成すると精度よく加工できるので好ましい。
【００４２】
凹部16が発光素子を搭載する為の空間である場合には、図６に示された例のように、凹部16の内側面と凹部16の底面とのなす角度θは鈍角であって、特に110度〜145度が好ましい。角度θをこのような範囲とすると、凹部15となる貫通孔の内側面を打ち抜き加工で安定かつ効率よく形成することが容易であり、この配線基板１を用いた発光装置を小型化しやすい。また、発光素子が発した光を外部に向かって良好に放射できる。このような角度θの内側面を有する凹部16は、パンチの径とダイスの穴の径とのクリアランスを大きく設定した打ち抜き金型を用いてセラミックグリーンシートを打ち抜くことによって形成される。すなわち、打ち抜き金型のパンチの径に対してダイスの穴の径のクリアランスを大きく設定しておくことで、セラミックグリーンシートを主面側から他方主面側に向けて打ち抜く際にグリーンシートがパンチとの接触面の縁からダイスの穴との接触面の縁に向けて剪断されて、貫通孔の径が主面側から他方主面側に広がるように形成される。このとき、セラミックグリーンシートの厚み等に応じてパンチの径とダイスの穴の径とのクリアランスを設定することで、セラミックグリーンシートに形成される貫通孔の内側面の角度を調節できる。このような打ち抜き方法は、打ち抜き加工のみで、凹部16の内側面と凹部16の底面とのなす角度θを所望の角度にできることから、生産性が高い。
【００４３】
また、パンチの径とダイスの穴の径とのクリアランスが小さい打ち抜き金型による加工によって角度θが約90度の貫通孔を形成した後に、貫通孔の内側面に円錐台形状または角錐台形状の型を押し当てることでも、上述のような一方の主面側から他方の主面側に広がる角度θを有する貫通孔を形成してもよい。このような場合には、凹部16の内側面と凹部15の底面とのなす角度θをより精度よく調整できる。
【００４４】
配線基板１が、例えば発光素子の搭載される凹部16を含んだ上面を有する絶縁基体11を有する場合には、凹部15の内壁面に発光素子が発する光を反射させるための反射層が設けてられていてもよい。反射層は、例えば凹部16の内壁面に設けられた金属導体層と金属導体層上に被着されためっき層とを有している。金属導体層は、導体層13および配線導体14と同様の材料および方法によって形成することができる。
【００４５】
例えば、配線基板１に発光素子を搭載する場合には、金属導体層の最表面には銀めっき層を被着させ、導体層13および配線導体14の最表面には金めっき層を被着させることが好ましい。金めっき層は、銀めっき層と比較して、電子部品２や接続部材３、外部の回路基板の配線との接合性に優れており、銀めっき層は、金めっき層と比較して光に対する反射率が高いためである。また、配線導体14と金属導体層の最表面を銀と金との合金めっき層として、例えば、銀と金との全率固溶の合金めっき層としてもよい。
【００４６】
（第３の実施形態）
次に、本発明の第３の実施形態による電子装置について、図７および図８を参照しつつ説明する。
【００４７】
本発明の第３の実施形態における電子装置において、上記した実施形態の電子装置と異なる点は、図７および図８に示された例のように、キャスタレーション部12の内壁面が平面視で波形に形成された複数の溝12ａを有している点、導体層13が配線基板１の外壁から離間している点、絶縁基体11の上面および下面に薄膜層15が設けられている点である。
【００４８】
このような配線基板１では、特に小型の配線基板において、導体層13と配線導体14との接続を良好なものとすることができる。
【００４９】
また、平面透視において絶縁基体11の内部からキャスタレーション部12に導出される配線導体14の幅を複数の溝12ａ全体に重なるように幅広に形成しておくと、導体層13と配線導体14との接続を良好なものとすることができる。
【００５０】
本発明は、上述の実施の形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。また、図７および図８に示された例のように、配線基板１は、電子部品搭載層17や中央端子18等の配線以外の導体を備えていても構わない。例えば、これらの導体は、上述の配線導体14および薄膜層15と同様の材料および方法により製作することができ、露出する表面には、導体層13および配線導体14ならびに薄膜層15と同様のめっき層が被着されている。電子部品搭載層17は、例えば、電子部品２の搭載用に用いられ、中央端子18は、例えば、導体層13と同様に、外部の回路基板との接合に用いられる。
【００５１】
また、配線基板１は、絶縁基体に貫通孔を形成し、この貫通孔に、電子部品２が搭載される絶縁基体11よりも放熱性の優れた金属部材を嵌合させて絶縁基体と接合させた配線基板１や、絶縁基体11の内部に、絶縁基体11よりも放熱性の優れた金属部材を平面視で電子部品２が搭載される領域と重なる領域に埋設させた配線基板１であってもよい。
【００５２】
また、配線基板１は多数個取り配線基板の形態で製作されていてもよい。
【符号の説明】
【００５３】
１・・・・配線基板
11・・・・絶縁基体
11ａ・・・絶縁層
12・・・・キャスタレーション部
12ａ・・・溝
13・・・・導体層
14・・・・配線導体
15・・・・薄膜層
16・・・・凹部
17・・・・電子部品搭載層
18・・・・中央端子層
２・・・・電子部品
３・・・・接続部材
４・・・・封止材
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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