(57)【要約】【課題】被露光物を高い位置精度で露光することができる露光マスクを容易に得ることができる露光マスク製造方法を提供する。【解決手段】露光マスクと同一の区画に露光光を照射することができ、規則的に配列された複数の開口部を有する基準マスクを用いて、基準被露光物に露光光を照射する。次に、基準マスクの開口部に対応して基準被露光物に実際に形成される露光点を、測定点として記録する。また、基準マスクの開口部を通った露光光が被露光面に形成する設計上の露光点を、設計点として算出する。その後、設計点と測定点との間の偏差に基づいて被露光面上で露光パターンを補正して露光パターンを生成する。次に、補正露光パターンで被露光面に露光光を照射するよう設計された露光マスクを作製する。【選択図】図３
2014164036.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
所定の露光パターンで被露光物を露光する露光マスクを製造する方法であって、
規則的に配列された複数の開口部を有し、前記露光マスクと同一の区画に露光光を照射するよう構成された基準マスクを、露光装置のマスクステージに設置する工程と、
基準被露光物の面が前記露光装置の被露光面に一致するよう、前記基準被露光物を前記露光装置の露光ステージに設置する工程と、
前記基準マスクの各開口部を介して前記基準被露光物に露光光を照射する基準露光工程と、
前記基準露光工程において前記基準マスクの前記開口部に対応して前記基準被露光物に実際に形成される露光点を、測定点として記録する、測定点記録工程と、
前記基準マスクの前記開口部を通った露光光が被露光面に形成する設計上の露光点を、設計点として算出する、設計点算出工程と、
前記設計点と前記測定点との間の偏差に基づいて被露光面上で前記露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する補正露光パターン生成工程と、
前記補正露光パターンで被露光面に露光光を照射するよう設計された露光マスクを作製する露光マスク作製工程と、を備える、露光マスク製造方法。
【請求項２】
前記補正露光パターン生成工程は、
前記設計点と前記測定点との間の偏差を表す偏差ベクトルを算出する工程と、
前記設計点と前記測定点との間の偏差を補正する補正ベクトルを、前記偏差ベクトルに基づいて算出する工程と、
前記補正ベクトルに基づいて被露光面上で前記露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する工程と、を有する、請求項１に記載の露光マスク製造方法。
【請求項３】
前記補正ベクトルは、前記偏差ベクトルを反転することにより算出される、請求項２に記載の露光マスク製造方法。
【請求項４】
前記露光マスクおよび前記基準マスクを介した露光光が照射される被露光面上の区画を単位区画とする場合、被露光面にはｋ個の前記単位区画が包含されており、
前記基準露光工程および前記測定点記録工程は、被露光面に平行な面上で被露光面に対して前記基準マスクを相対的に移動させることにより、被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して実施され、
前記設計点算出工程は、被露光面に平行な面上で被露光面に対して前記基準マスクを仮想的に相対的に移動させることにより、被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して実施され、
前記補正露光パターン生成工程は、
被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して、前記設計点と前記測定点との間の偏差を表す偏差ベクトルを算出する工程と、
被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して、前記設計点と前記測定点との間の偏差を補正する補正ベクトルを、前記偏差ベクトルに基づいて算出する工程と、
前記被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して算出された前記補正ベクトルに基づいて被露光面上で前記露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する工程と、を有する、請求項１に記載の露光マスク製造方法。
【請求項５】
前記補正露光パターンは、被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して算出された前記補正ベクトルの平均に基づいて被露光面上で前記露光パターンを補正することにより生成される、請求項４に記載の露光マスク製造方法。
【請求項６】
前記露光マスク作製工程は、
被露光面上の前記補正露光パターンを、マスク面上の補正マスクパターンに変換する工程と、
前記補正マスクパターンが設けられた露光マスクを作製する工程と、を有する、請求項１乃至５のいずれか一項に記載の露光マスク製造方法。
【請求項７】
所定の露光パターンで被露光物を露光する露光マスクを用いた露光方法であって、
規則的に配列された複数の開口部を有し、前記露光マスクと同一の区画に露光光を照射するよう構成された基準マスクを、露光装置のマスクステージに設置する工程と、
基準被露光物の面が前記露光装置の被露光面に一致するよう、前記基準被露光物を前記露光装置の露光ステージに設置する工程と、
前記基準マスクの各開口部を介して前記基準被露光物に露光光を照射する基準露光工程と、
前記基準露光工程において前記基準マスクの前記開口部に対応して前記基準被露光物に実際に形成される露光点を、測定点として記録する、測定点記録工程と、
前記基準マスクの前記開口部を通った露光光が被露光面に形成する設計上の露光点を、設計点として算出する、設計点算出工程と、
前記設計点と前記測定点との間の偏差に基づいて被露光面上で前記露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する補正露光パターン生成工程と、
前記補正露光パターンで被露光面に露光光を照射するよう設計された露光マスクを作製する露光マスク作製工程と、
前記露光マスクを前記マスクステージに設置する工程と、
被露光物の面が前記露光装置の被露光面に一致するよう、被露光物を前記露光ステージに設置する工程と、
前記マスクステージに設置された前記露光マスクを介して、前記露光ステージに設置された前記被露光物に露光光を照射する露光工程と、を備える、露光方法。
【請求項８】
露光マスクに形成されるマスクパターンの位置および形状を補正するために用いられる基準マスクであって、
規則的に配列された複数の開口部を有する、基準マスク。
【請求項９】
前記開口部は十字形状からなる、請求項８に記載の基準マスク。
【請求項１０】
複数の前記開口部が格子状に配列されている、請求項８または９に記載の基準マスク。
【請求項１１】
所定の露光パターンで被露光物を露光する露光マスクであって、
光を変調して前記露光パターンを生成するよう設けられた複数の開口部を備え、
各開口部は、各開口部の形状の歪の程度が開口部の位置に応じて連続的に変化するよう構成されている、露光マスク。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被露光物を高い位置精度で露光する露光マスクを製造する方法に関する。また本発明は、当該露光マスクおよび当該露光マスクを用いた露光方法に関する。さらに本発明は、当該露光マスクを製造するために用いられる基準マスクに関する。
【背景技術】
【０００２】
基板上に積層された感材を所定のパターンでパターニングする方法として、露光方法が用いられている。露光方法において用いられる露光装置の一例が、例えば特許文献１に開示されている。図１１は、特許文献１に開示されているタイプの露光装置１を示す図である。
【０００３】
図１１に示すように、露光装置１は、露光装置本体１０と、露光装置本体１０へ向けて露光光を照射する照射光学系２０と、を備えている。このうち、露光装置本体１０は、基台１１と、基台１１に設置された露光ステージ１２と、を有している。ここで、露光ステージ１２は、感材などの露光対象（被露光物）１７が積層された基板１８を設置するものである。被露光物１７は、その面が露光装置１の被露光面Ｅに一致するよう、露光ステージ１２上に設置されている。なお露光装置１の被露光面Ｅとは、後述するマスクステージ１５に設置された露光マスク３０から照射される露光光の焦点に適合された面のことである。
【０００４】
このような露光装置本体１０において、露光ステージ１２の上方には、露光マスク３０が設置されるマスクステージ１５が設けられている。露光マスク３０は、露光ステージ１２上に設置された基板１８上の被露光物１７へ向けて照射光学系２ ０ から照射された露光光を、所定の露光パターンに変調するものである。
【０００５】
ところで露光方法においては、被露光面Ｅに実際に形成される露光パターンが、被露光面Ｅに形成されるべき理想的な露光パターン（以下、設計露光パターンとも称する）からずれてしまうことがある。そのようなずれが生じる原因としては、照射光学系２０から露光装置本体１０に照射される光の平行度が十分でないことや、露光ステージ１２の平坦性が十分でないこと、露光マスク３０にたわみや歪が生じていることなど、様々なことが考えられる。このようなずれを解決するため、例えば特許文献２においては、露光マスク３０に生じる歪を予想し、予想された歪に基づいて、露光マスク３０に形成するマスクパターンを補正する方法が提案されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００５−１２２０６５号公報
【特許文献２】特開平５−３３５２１７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
図１３（ａ）〜（ｄ）は、被露光面Ｅに形成されるべき設計露光パターン３、および実際に形成される露光パターン４の例を示す図である。このうち図１３（ａ）は、設計露光パターン３と実際に形成される露光パターン４とが一致する例を示す図である。図１３（ｂ）は、実際に形成される露光パターン４の位置が、設計露光パターン３の位置に対してずれている例を示す図である。図１３（ｃ）は、実際に形成される露光パターン４の大きさが、設計露光パターン３の大きさとは異なっている例を示す図である。また図１３（ｄ）は、実際に形成される露光パターン４の形状が、設計露光パターン３の形状に比べて歪んでいる例を示す図である。
【０００８】
図１３（ｂ）（ｃ）に示すようなずれは、露光処理のプロセスを調整することによって解決可能なものである。例えば図１３（ｂ）に示すような位置のずれは、露光ステージ１２の位置やマスクステージ１５の位置を水平方向において調整することにより解決できる。また図１３（ｃ）に示すような大きさのずれは、露光ステージ１２の位置やマスクステージ１５の位置を鉛直方向において調整し、これによって露光マスク３０のマスク面Ｍのマスクパターンを被露光面Ｅ上に投影する際の倍率を変化させることによって解決できる。
【０００９】
一方、図１３（ｄ）に示すように露光パターン４の形状が、設計露光パターン３の形状に比べて歪んでいる場合、露光処理のプロセスを調整することによって解決することは困難である。すなわち、露光ステージ１２の位置やマスクステージ１５の位置を単に調整するだけでは、図１３（ｄ）に示すような歪を解決することは困難である。このような歪は、例えば図１２に示すように、照射光学系２０から照射される光の平行度が十分でない場合に生じる。図１２においては、露光マスク３０の開口部３２を介して被露光物１７に照射される露光光のうち、被露光物１７に対して垂直に照射される露光光が符号Ｌで示されており、一定のデグリネーション角θをもって被露光物１７に照射される露光光が符号Ｌ’で示されている。
【００１０】
図１４は、図１３（ｄ）に示すような歪が生じる場合に、露光方法によって製造される製品に生じる不具合の一例を示す図である。図１４に示す例においては、複数のカラーフィルタ６０が多面付けされた多面付カラーフィルタ７０が露光方法を利用して作製されている。カラーフィルタ６０は、露光光を照射することによってパターニングされたブラックマトリクス（ＢＭ）層６１および着色層６３を基材６５上に備えている。すなわち、ＢＭ層６１および着色層６３が、露光処理における被露光物となっている。
【００１１】
図１４においては、複数のカラーフィルタ６０のうち多面付カラーフィルタ７０の四隅に位置するカラーフィルタ６０の断面図の一部が拡大して示されている。符号６２が付された二点鎖線は、隣接するＢＭ層６１の間の中央線を示しており、符号６４が付された一点鎖線は、隣接するＢＭ層６１の間に設けられた着色層６３の中心線を示している。
【００１２】
ＢＭ層６１および着色層６３に対する露光処理が理想的に実施される場合、中央線６２および中心線６４は一致することになる。一方、実際に形成される露光パターンが設計露光パターンに対してずれている場合、図１４に示すように、中心線６４が中央線６２に対してずれることになる。また、実際に形成される露光パターンの形状が設計露光パターンの形状に比べて歪んでいる場合、図１４に示すように、中央線６２に対する中心線６４のずれが生じる方向が、位置に応じて異なることになる。
【００１３】
図１５は、実際に形成される露光パターン３の形状に対する設計露光パターン４の形状の歪の程度が、さらに顕著になった場合を示す図である。図１５においては、設計露光パターン３、すなわち設計上のカラーフィルタの形状が点線で示されており、露光パターン４、すなわち実際に得られるカラーフィルタの形状が実線で示されている。図１４や図１５に示すように、設計露光パターンに対する実際に形成される露光パターンのずれが歪として生じる場合、露光処理によって得られる製品の均一性を大きく劣化させることになる。このため、このような歪を解決する方法が求められている。
【００１４】
露光パターンの歪を解決する方法として、露光マスクを作製する工程と、作製された露光マスクを用いて被露光物を露光する工程とを繰り返しながら、露光マスクのマスクパターンの調整を繰り返すことが考えられる。しかしながら、この場合、調整を複数回にわたって繰り返すため、最適な露光マスクを製造するために必要な工数が多大になってしまう。また、調整用に用いた露光マスクは破棄されるため、１つの最適な露光マスクを製造するために要するコストが増大してしまう。
【００１５】
本発明は、このような点を考慮してなされたものであり、被露光物を高い位置精度で露光することができる露光マスクを容易に得ることができる露光マスク製造方法を提供することを目的とする。また本発明は、露光マスクを用いた露光方法、露光マスクを製造するために用いられる基準マスク、および露光マスクを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
本発明は、所定の露光パターンで被露光物を露光する露光マスクを製造する方法であって、規則的に配列された複数の開口部を有し、前記露光マスクと同一の区画に露光光を照射するよう構成された基準マスクを、露光装置のマスクステージに設置する工程と、基準被露光物の面が前記露光装置の被露光面に一致するよう、前記基準被露光物を前記露光装置の露光ステージに設置する工程と、前記基準マスクの各開口部を介して前記基準被露光物に露光光を照射する基準露光工程と、前記基準露光工程において前記基準マスクの前記開口部に対応して前記基準被露光物に実際に形成される露光点を、測定点として記録する、測定点記録工程と、前記基準マスクの前記開口部を通った露光光が被露光面に形成する設計上の露光点を、設計点として算出する、設計点算出工程と、前記設計点と前記測定点との間の偏差に基づいて被露光面上で前記露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する補正露光パターン生成工程と、前記補正露光パターンで被露光面に露光光を照射するよう設計された露光マスクを作製する露光マスク作製工程と、を備える、露光マスク製造方法である。
【００１７】
本発明による露光マスクの製造方法において、前記補正露光パターン生成工程は、前記設計点と前記測定点との間の偏差を表す偏差ベクトルを算出する工程と、前記設計点と前記測定点との間の偏差を補正する補正ベクトルを、前記偏差ベクトルに基づいて算出する工程と、前記補正ベクトルに基づいて被露光面上で前記露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する工程と、を有していてもよい。
【００１８】
本発明による露光マスクの製造方法において、前記補正ベクトルは、前記偏差ベクトルを反転することにより算出されてもよい。
【００１９】
本発明による露光マスクの製造方法において、前記露光マスクおよび前記基準マスクを介した露光光が照射される被露光面上の区画を単位区画とする場合、被露光面にはｋ個の前記単位区画が包含されていてもよい。この場合、前記基準露光工程および前記測定点記録工程は、被露光面に平行な面上で被露光面に対して前記基準マスクを相対的に移動させることにより、被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して実施されてもよい。また前記設計点算出工程は、被露光面に平行な面上で被露光面に対して前記基準マスクを仮想的に相対的に移動させることにより、被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して実施されてもよい。また前記補正露光パターン生成工程は、被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して、前記設計点と前記測定点との間の偏差を表す偏差ベクトルを算出する工程と、被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して、前記設計点と前記測定点との間の偏差を補正する補正ベクトルを、前記偏差ベクトルに基づいて算出する工程と、前記被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して算出された前記補正ベクトルに基づいて被露光面上で前記露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する工程と、を有していてもよい。
【００２０】
本発明による露光マスクの製造方法において、前記補正露光パターンは、被露光面のｋ個の前記単位区画の各々に関して算出された前記補正ベクトルの平均に基づいて被露光面上で前記露光パターンを補正することにより生成されてもよい。
【００２１】
本発明による露光マスクの製造方法において、前記露光マスク作製工程は、被露光面上の前記補正露光パターンを、マスク面上の補正マスクパターンに変換する工程と、前記補正マスクパターンが設けられた露光マスクを作製する工程と、を有していてもよい。
【００２２】
本発明は、所定の露光パターンで被露光物を露光する露光マスクを用いた露光方法であって、規則的に配列された複数の開口部を有し、前記露光マスクと同一の区画に露光光を照射するよう構成された基準マスクを、露光装置のマスクステージに設置する工程と、基準被露光物の面が前記露光装置の被露光面に一致するよう、前記基準被露光物を前記露光装置の露光ステージに設置する工程と、前記基準マスクの各開口部を介して前記基準被露光物に露光光を照射する基準露光工程と、前記基準露光工程において前記基準マスクの前記開口部に対応して前記基準被露光物に実際に形成される露光点を、測定点として記録する、測定点記録工程と、前記基準マスクの前記開口部を通った露光光が被露光面に形成する設計上の露光点を、設計点として算出する、設計点算出工程と、前記設計点と前記測定点との間の偏差に基づいて被露光面上で前記露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する補正露光パターン生成工程と、前記補正露光パターンで被露光面に露光光を照射するよう設計された露光マスクを作製する露光マスク作製工程と、前記露光マスクを前記マスクステージに設置する工程と、被露光物の面が前記露光装置の被露光面に一致するよう、被露光物を前記露光ステージに設置する工程と、前記マスクステージに設置された前記露光マスクを介して、前記露光ステージに設置された前記被露光物に露光光を照射する露光工程と、を備える、露光方法である。
【００２３】
本発明は、露光マスクに形成されるマスクパターンの位置および形状を補正するために用いられる基準マスクであって、規則的に配列された複数の開口部を有する、基準マスクである。
【００２４】
本発明による基準マスクにおいて、前記開口部は十字形状からなっていてもよい。
【００２５】
本発明による基準マスクにおいて、複数の前記開口部が格子状に配列されていてもよい。
【００２６】
本発明は、所定の露光パターンで被露光物を露光する露光マスクであって、光を変調して前記露光パターンを生成するよう設けられた複数の開口部を備え、各開口部は、各開口部の形状の歪の程度が開口部の位置に応じて連続的に変化するよう構成されている、露光マスクである。
【発明の効果】
【００２７】
本発明によれば、規則的に配列された複数の開口部を有する基準マスクを用いることによって、設計当初のマスクパターンを補正して補正マスクパターンを生成することができる。このため、無駄になる露光マスクを生じさせることなく、かつ少ない工数で、適切な露光マスクを製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】図１は、本発明の実施の形態における基準マスクを示す平面図。
【図２】図２（ａ）（ｂ）はそれぞれ、図１の基準マスクの開口部の例を示す図。
【図３】図３（ａ）は、偏差ベクトルを算出する工程を説明するための図、図３（ｂ）は、補正ベクトルを算出する工程を説明するための図。
【図４】図４（ａ）〜（ｃ）は、補正ベクトルに基づいて補正露光パターンを生成する工程を説明するための図。
【図５】図５（ａ）〜（ｃ）は、補正露光パターンに基づいて露光マスクを作製する工程を説明するための図。
【図６】図６（ａ）〜（ｃ）は、本発明の実施の形態における露光マスクを用いて多面付カラーフィルタを作製する工程を説明するための図。
【図７】図７は、基準マスクの変形例を示す平面図。
【図８】図８（ａ）は、図７に示す基準マスクを用いて偏差ベクトルを算出する工程を説明するための図、図８（ｂ）は、補正ベクトルを算出する工程を説明するための図。
【図９】図９（ａ）〜（ｃ）は、１つの露光マスクを用いた露光処理が１つの被露光面に対して複数回実施される例を示す図。
【図１０】図１０（ａ）は、被露光面上の第１区画において偏差ベクトルを算出する工程を示す図、図１０（ｂ）は、被露光面上の第２区画において偏差ベクトルを算出する工程を示す図。
【図１１】図１１は、露光装置の一例を示す図。
【図１２】図１２は、照射光学系から照射される光の平行度を説明するための図。
【図１３】図１３（ａ）〜（ｄ）は、被露光面に形成されるべき設計露光パターン、および実際に形成される露光パターンの例を示す図。
【図１４】図１４は、露光の位置精度が低い場合に作製されるカラーフィルタの例を示す図。
【図１５】図１５は、露光の位置精度が低い場合に作製される多面付カラーフィルタの例を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
以下、図１乃至図１１を参照して、本発明の実施の形態について説明する。はじめに図１１を参照して、本実施の形態において用いられる露光装置１について説明する。
【００３０】
（露光装置）
上述のように、露光装置１は、露光装置本体１０と、露光装置本体１０へ向けて露光光を照射する照射光学系２０と、を備えている。このうち、露光装置本体１０は、基台１１と、基台１１に設置された露光ステージ１２と、を有している。露光ステージ１２は、被露光物１７が積層された基板１８を真空チャック方式で保持するチャックステージ１３と、チャックステージ１３を垂直方向及び水平面内で移動させることが可能な駆動ステージ１４とを有している。なお、露光ステージ１２（チャックステージ１３）上に載置される基板１８としてはガラス基板や樹脂基材などが用いられ得る。
【００３１】
一方、照射光学系２０は、超高圧水銀灯（光源）２１と、超高圧水銀灯２１から出射された光を基板１８上の被露光物１７へ向けて導くための光学要素（パラボラミラー２２、コールドミラー２３、インテグレータレンズ２４及び球面鏡２５）とを有している。照射光学系２０は、露光装置本体１０の露光ステージ１２上に設置された基板１８上の被露光物１７へ向けて露光光（平行光）を照射することができるように構成されている。なお図示はしないが、露光マスク３０を介して被露光物１７に照射される露光光の露光パターンの位置や形状を調整するようパラボラミラー２２や球面鏡２５の曲率を部分的に変化させる機構が設けられていてもよい。
【００３２】
このような照射光学系２０において、コールドミラー２３とインテグレータレンズ２４との間にはシャッタ２６が設けられていてもよい。これによって、超高圧水銀灯２１から出射された光を適宜遮蔽及び開放することができる。また、インテグレータレンズ２４とシャッタ２６との間には、特定波長の光をカットするフィルター２７が着脱可能に設けられていてもよい。
【００３３】
露光装置本体１０の露光ステージ１２及び照射光学系２０（超高圧水銀灯２１やシャッタ２６等）には制御装置２９が接続されており、露光ステージ１２に対して、被露光物１７が積層された基板１８を供給及び排出するロボットアーム（図示せず）等の動作に連動して露光装置本体１０の露光ステージ１２及び照射光学系２０を制御することにより、基板１８上の被露光物１７を露光することができるようになっている。被露光物１７としては、上述のように、カラーフィルタ用の基板上に積層されたＢＭ層や着色層が考えられる。
【００３４】
なお図１１に示す例においては、露光装置本体１０のマスクステージ１５に露光マスク３０が設置されているが、これに限られることはない。マスクステージ１５には、露光マスク３０と同一の被露光面Ｅ上の区画に露光光を照射するよう構成された、後述する基準マスクが設置されていることもある。基準マスクは、被露光物１７に対向する面が、露光マスク３０がマスクステージ１５に設置される際の対応する面と同一面上に位置するよう、マスクステージ１５に設置される。以下の説明において、露光マスク３０および基準マスクがマスクステージ１５に設置されている際に被露光物１７に対向する面のことをマスク面Ｍとも称する。
【００３５】
基準マスクがマスクステージ１５に設置される場合、被露光物１７としては、露光マスク３０がマスクステージ１５に設置されている場合と同様に、カラーフィルタ用の基板上に積層されたＢＭ層や着色層が用いられ得る。また、基準マスクを用いる露光方法のために準備された感材などが被露光物１７として用いられてもよい。なお以下の説明において、基準マスクがマスクステージ１５に設置される際に露光ステージ１２に設置される被露光物１７のことを、基準被露光物と称することもある。
【００３６】
（基準マスク）
次に、露光マスク３０を製造する際に用いられる基準マスク４０について、図１および図２を参照して説明する。基準マスク４０は、露光マスク３０に形成する補正マスクパターンを生成するために用いられるものである。補正マスクパターンとは、露光装置１の各構成部品の製造誤差や組立誤差などに起因して露光パターンが歪むことを考慮して、設計当初のマスクパターンに逆方向の歪を付与することによって得られるマスクパターンのことである。
【００３７】
〔基準マスク〕
図１は、基準マスク４０を示す平面図である。基準マスク４０は、上述のように、露光マスク３０と同一の被露光面Ｅ上の区画に露光光を照射することができるよう構成されたものである。ここで「同一の被露光面Ｅ上の区画に露光光を照射する」とは、基準マスク４０を介して被露光面Ｅに照射される露光光の範囲が、露光マスク３０を介して被露光面Ｅに照射される露光光の範囲に一致していることを意味している。なお、後述する補正マスクパターンを得ることができる限りにおいて、被露光物１７に照射される露光光の範囲が露光マスク３０の場合と基準マスク４０の場合とで完全に一致している必要はない。
【００３８】
図１に示すように、基準マスク４０は、規則的に配列された複数の開口部４１を有している。図１に示す例においては、基準マスク４０の四隅近傍にそれぞれ第１開口部４１ａ、第２開口部４１ｂ、第３開口部４１ｃおよび第４開口部４１ｄが設けられている。
【００３９】
開口部４１を介して基準被露光物に照射される露光光によって基準被露光物に形成される露光点の座標を算出することができる限りにおいて、開口部４１の形状が特に限られることはない。例えば図２（ａ）に示すように、開口部４１は、２本の線状開口部を組み合わせることによって構成される十字形状からなっていてもよい。この場合、２本の線状開口部の交点として規定される、開口部４１の中心点Ｃが、基準被露光物に形成される露光点の座標に対応する。また図２（ｂ）に示すように、開口部４１は、円形状からなっていてもよい。
【００４０】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用および効果について説明する。ここでは、はじめに、上述の基準マスク４０を利用して露光マスク３０を製造する方法について説明する。次に、得られた露光マスク３０を用いて被露光物１７を露光する方法について説明する。
【００４１】
（露光マスクの製造方法）
はじめに、基準マスク４０を露光装置１のマスクステージ１５に設置する。また、基準被露光物の面が露光装置１の被露光面Ｅに一致するよう、基準被露光物を露光装置１の露光ステージ１２に設置する。以下の説明において、被露光面Ｅは、基準被露光物の面を意味することもある。
【００４２】
〔基準露光工程〕
その後、基準マスク４０の各開口部４１を介して基準被露光物に露光光を照射する基準露光工程を実施する。これによって、基準被露光物のうち露光光が照射された部分が感光する。その後、基準被露光物に対して現像処理を施す。なお、基準被露光物として光硬化型の感材が用いられる場合、現像処理によって、露光光が照射されていない部分が除去され、露光光が照射された部分が残る。一方、基準被露光物として光溶解化型の感材が用いられる場合、現像処理によって、露光光が照射された部分が除去され、露光光が照射されていない部分が残る。
【００４３】
〔測定点工程〕
次に、上述の基準露光工程において基準マスク４０の各開口部４１に対応して基準被露光物に実際に形成される露光点を、測定点として記録する。例えば、基準被露光物として光硬化型の感材が用いられる場合、基準被露光物のうち残っている部分の座標を測定点として記録する。また、基準被露光物として光溶解型の感材が用いられる場合、基準被露光物のうち除去されている部分の座標を測定点として記録する。なお開口部４１が上述のように十字形状や円形状からなる場合、基準被露光物の残っている部分や除去されている部分の中心点を容易に認識することができる。このため、測定点の記録が容易になる。
【００４４】
〔設計点工程〕
また、基準マスク４０の各開口部４１を通った露光光が被露光面Ｅに形成する設計上の露光点を、設計点として算出する。例えば、基準マスク４０を用いた露光処理が等倍露光である場合、マスク面Ｍ上における基準マスク４０の各開口部４１の座標が、被露光面Ｅ上における設計上の露光点の座標に一致する。また図示はしないが、基準マスク４０を用いた露光処理において縮小投影光学系が用いられる場合、縮小投影光学系の倍率を考慮して、被露光面Ｅ上における設計上の露光点の座標を算出することができる。
【００４５】
〔補正露光パターン生成工程〕
その後、上記設計点と上記測定点との間の偏差に基づいて、被露光面Ｅ上で露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する補正露光パターン生成工程を実施する。ここで「露光パターン」とは、露光マスク３０を用いた露光方法において被露光面Ｅ上に生成されるべき、露光光の理想的な照射パターンのことである。例えばカラーフィルタの着色層をパターニングするために露光処理が実施される場合、「露光パターン」は、設計された着色層のパターンに対応している。
【００４６】
補正露光パターン生成工程においては、はじめに、上記設計点と上記測定点との間の偏差を表す偏差ベクトルを算出する工程を実施する。図３（ａ）は、上記設計点および上記測定点を被露光面Ｅ上に示す図である。図３（ａ）において、符号Ｅ１＿Ａ、Ｅ１＿Ｂ、Ｅ１＿ＣおよびＥ１＿Ｄはそれぞれ、図１に示す基準マスク４０の第１開口部４１ａ、第２開口部４１ｂ、第３開口部４１ｃおよび第４開口部４１ｄを通った露光光によって基準被露光物に形成される露光点に基づいて記録された測定点を示している。また符号Ｅ０＿Ａ、Ｅ０＿Ｂ、Ｅ０＿ＣおよびＥ０＿Ｄはそれぞれ、基準マスク４０の第１開口部４１ａ、第２開口部４１ｂ、第３開口部４１ｃおよび第４開口部４１ｄを通った露光光が被露光面Ｅ上に形成する設計上の露光点に基づいて算出された設計点を示している。図３（ａ）に示すように、本工程においては、設計点Ｅ０＿Ａ、Ｅ０＿Ｂ、Ｅ０＿ＣおよびＥ０＿Ｄから測定点Ｅ１＿Ａ、Ｅ１＿Ｂ、Ｅ１＿ＣおよびＥ１＿Ｄに向かうベクトルとして、偏差ベクトルＶ１＿Ａ、Ｖ１＿Ｂ、Ｖ１＿ＣおよびＶ１＿Ｄを算出する。なお図３（ａ）においては、各設計点を結ぶことにより形成される四角形Ｓ０が点線で示されており、各測定点を結ぶことにより形成される四角形Ｓ１が一点鎖線で示されている。図３（ａ）から明らかなように、四角形Ｓ１は四角形Ｓ０に対して大きく歪んでいる。
【００４７】
次に、上記設計点と上記測定点との間の偏差を補正する補正ベクトルを、上記偏差ベクトルに基づいて算出する工程を実施する。本実施の形態においては、図３（ｂ）に示すように、補正ベクトルＶ２＿Ａ、Ｖ２＿Ｂ、Ｖ２＿ＣおよびＶ２＿Ｄは、偏差ベクトルＶ１＿Ａ、Ｖ１＿Ｂ、Ｖ１＿ＣおよびＶ１＿Ｄを反転することにより算出される。なお図３（ｂ）において、設計点Ｅ０＿Ａ、Ｅ０＿Ｂ、Ｅ０＿ＣおよびＥ０＿Ｄから補正ベクトルＶ２＿Ａ、Ｖ２＿Ｂ、Ｖ２＿ＣおよびＶ２＿Ｄの分だけ進んだ位置にある補正点が符号Ｅ２＿Ａ、Ｅ２＿Ｂ、Ｅ２＿ＣおよびＥ２＿Ｄで示されている。また、各補正点を結ぶことにより形成される四角形Ｓ２が二点鎖線で示されている。図３（ｂ）から明らかなように、四角形Ｓ２は、四角形Ｓ１とは逆方向に歪んだものとなっている。
【００４８】
その後、補正ベクトルに基づいて被露光面Ｅ上で露光パターンを補正して後述する補正露光パターンを生成する工程を実施する。例えば図４（ａ）に示すように、はじめに、被露光面Ｅ上に露光パターン３を仮想的に生成する。露光パターン３は、上述のように、露光マスク３０を用いた露光処理において被露光面Ｅ上に生成されるべき、露光光の理想的な照射パターンのことである。図４（ａ）に示す例において、露光パターン３は、各々が１つのカラーフィルタの着色層のパターンに対応する複数の単位パターン３ａを含んでいる。なお露光パターン３は、被露光面Ｅ上に仮想的に生成される設計上のパターンのことなので、以下の説明において、露光パターン３を設計露光パターン３と称することもある。
次に図４（ｂ）に示すように、上記補正ベクトルに基づいて被露光面Ｅ上で仮想的に設計露光パターン３を補正する。具体的には、図４（ｂ）に示すように、設計露光パターン３を、補正ベクトルの分だけ被露光面Ｅ上で変位させる。例えば、設計露光パターン３のうち設計点Ｅ０＿Ａに位置する部分については、対応する補正ベクトルである第１補正ベクトルＶ２＿Ａの分だけ変位させる。また、設計露光パターン３のうち設計点Ｅ０＿Ｄに位置する部分については、対応する補正ベクトルである第４補正ベクトルＶ２＿Ｄの分だけ変位させる。なお、設計露光パターン３のうち、各設計点Ｅ０＿Ａ、Ｅ０＿Ｂ、Ｅ０＿ＣおよびＥ０＿Ｄから離れて位置する部分については、各設計点Ｅ０＿Ａ、Ｅ０＿Ｂ、Ｅ０＿ＣおよびＥ０＿Ｄからの距離に応じて重みづけされた補正ベクトルＶ２＿Ａ、Ｖ２＿Ｂ、Ｖ２＿ＣおよびＶ２＿Ｄに基づいて算出される補正ベクトルの分だけ変位される。例えば、設計露光パターン３のうち設計点Ｅ０＿Ａおよび設計点Ｅ０＿Ｂの中間に位置する部分は、第１補正ベクトルＶ２＿Ａおよび第２補正ベクトルＶ２＿Ｂを等しく重みづけすることにより算出される補正ベクトルの分だけ変位される。
このように補正ベクトルに基づいて設計露光パターン３を変位させることにより、すなわち設計露光パターン３を歪ませることにより、補正露光パターン５を生成することができる。図５（ｂ）に示すように、補正露光パターン５は、補正ベクトルに基づいて設計露光パターン３の単位パターン３ａを変位させることにより得られる複数の単位補正パターン５ａを有している。
【００４９】
〔露光マスク作製工程〕
その後、上記補正露光パターン５で被露光面Ｅに露光光を照射するよう設計された露光マスク３０を作製する。すなわち、上記補正露光パターン５に対応して予め歪んでいる開口部３２を有する露光マスク３０を作製する。
【００５０】
ここでは、はじめに図４（ｃ）に示すように、被露光面Ｅ上の補正露光パターン５を、マスク面上Ｍの補正マスクパターン７に変換する工程を実施する。例えば、露光マスク３０を用いた露光処理が等倍露光である場合、被露光面Ｅ上における補正露光パターン５の各単位補正パターン５ａの座標データは、マスク面Ｍにおける補正マスクパターン７の各単位補正パターン７ａの座標データに一致する。また、露光マスク３０を用いた露光処理において縮小投影光学系が用いられる場合、縮小投影光学系の倍率を考慮して、被露光面Ｅ上における補正露光パターン５の各単位補正パターン５ａの座標データが、マスク面Ｍにおける補正マスクパターン７の各単位補正パターン７ａの座標データに変換される。なお図４（ｃ）において、被露光面Ｅ上の設計露光パターン３および各単位パターン３ａに対応する、マスク面Ｍ上のマスクパターンおよび各単位パターンが、符号６および６ａで示されている。また、被露光面Ｅ上の補正ベクトルＶ２＿Ａ、Ｖ２＿Ｂ、Ｖ２＿ＣおよびＶ２＿Ｄをマスク面Ｍ上のベクトルに変換することにより得られる補正ベクトルが、符号Ｖ２＿Ａ’、Ｖ２＿Ｂ’、Ｖ２＿Ｃ’およびＶ２＿Ｄ’で示されている。
次に、補正マスクパターン７が設けられた露光マスク３０を作製する工程を実施する。すなわち、生成された補正マスクパターン７に基づいて実際に露光マスク３０を作製する。図５（ａ）は、補正マスクパターン７の各単位補正パターン７ａに対応する複数の単位パターン３１が設けられた露光マスク３０を示す平面図である。図５（ａ）に示すように、露光マスク３０の各単位パターン３１は、設計当初の長方形状から歪められたものとなっている。
【００５１】
図５（ｂ）は、図５（ａ）に示す複数の単位パターン３１の１つ、例えば露光マスク３０の左下の隅の近傍に位置する単位パターン３１を拡大して示す平面図である。図５（ｂ）に示すように、単位パターン３１は、設計当初の長方形状から歪められた複数の開口部３２を含んでいる。なお上述のように、設計露光パターン３のうち各設計点Ｅ０＿Ａ、Ｅ０＿Ｂ、Ｅ０＿ＣおよびＥ０＿Ｄから離れて位置する部分は、各設計点Ｅ０＿Ａ、Ｅ０＿Ｂ、Ｅ０＿ＣおよびＥ０＿Ｄからの距離に応じて重みづけされた補正ベクトルＶ２＿Ａ、Ｖ２＿Ｂ、Ｖ２＿ＣおよびＶ２＿Ｄに基づいて算出される補正ベクトルの分だけ変位されている。このため、各開口部３２における歪の程度も、各設計点Ｅ０＿Ａ、Ｅ０＿Ｂ、Ｅ０＿ＣおよびＥ０＿Ｄからの距離に応じて異なっている。すなわち、各開口部３２は、各開口部３２の形状の歪の程度が開口部３２の位置に応じて連続的に変化するよう構成されている。このように各開口部３２の歪の程度を連続的に変化させることにより、露光マスク３０を介して被露光物１７に照射される露光光のパターンを精密に調整することができる。
【００５２】
開口部３２が光を透過させ、開口部３２以外の部分が光を遮蔽する限りにおいて、露光マスク３０の具体的な構造が特に限られることはない。例えば図５（ｃ）に示すように、露光マスク３０は、石英などからなる基材３５と、基材３５上に積層され、クロムなどの遮光性を有する金属からなる遮光層３６と、を含んでいる。遮光層３６は、図５（ｃ）に示すように部分的に除去されており、遮光層３６が除去されている部分が、露光光を透過させる開口部３２となっている。遮光層３６を部分的に除去して露光マスク３０を製造する方法としては、例えばフォトリソグラフィー法などが用いられる。
【００５３】
（露光方法）
次に、得られた露光マスク３０を用いて被露光物１７を露光する方法について説明する。ここでは、露光マスク３０を用いた露光方法を利用してカラーフィルタ６０を製造する方法について説明する。はじめに図６（ａ）〜（ｃ）を参照して、カラーフィルタ６０について説明する。
【００５４】
図６（ａ）は、複数のカラーフィルタ６０が基材６５上に割り付けられた多面付カラーフィルタ７０を示す平面図である。また図６（ｂ）および図６（ｃ）は、図６（ａ）に示す複数のカラーフィルタ６０の１つを拡大して示す平面図および断面図である。図６（ｂ）および図６（ｃ）に示すように、カラーフィルタ６０は、ＢＭ層６１と、ＢＭ層６１の間に設けられた着色層６３と、を有している。着色層６３は、複数の色の層を含んでいてもよい。例えば着色層６３は、順に配列された赤色着色層６３ａ、緑色着色層６３ｂおよび青色着色層６３ｃを含んでいてもよい。
【００５５】
以下、露光マスク３０を用いた露光方法を利用してカラーフィルタ６０を製造する工程について説明する。
【００５６】
〔ＢＭ層作製工程〕
まず、ＢＭ層６１に対応した補正マスクパターン７が設けられた、ＢＭ層６１用の露光マスク３０を作製する。はじめに、ＢＭ層６１が形成されるべき領域に対応して配置された複数の開口部４１を有する基準マスク４０を用いて、上述の補正ベクトルを生成する。次に、算出された補正ベクトルに基づいて、ＢＭ層６１に対応する上述の補正露光パターン５および補正マスクパターン７を算出する。これによって、露光装置１の各構成部品の製造誤差や組立誤差を考慮して歪められた複数の開口部３２を有する、ＢＭ層６１用の露光マスク３０を得ることができる。
【００５７】
次に、被露光物１７の面が露光装置１の被露光面Ｅに一致するよう、被露光物１７を露光ステージ１２に設置する。この場合、被露光物１７は、基材６５上に積層され、黒色顔料が分散された樹脂などのＢＭ層６１用の材料である。その後、マスクステージ１５に設置されたＢＭ層６１用の露光マスク３０を介して、露光ステージ１２に設置された被露光物１７に露光光を照射する露光工程を実施する。次に、露光された被露光物１７を現像する。これによって、露光装置１に起因するずれが補正されたＢＭ層６１を基材６５上に形成することができる。
【００５８】
〔赤色着色層作製工程〕
次に、赤色着色層６３ａに対応した補正マスクパターン７が設けられた、赤色着色層６３ａ用の露光マスク３０を作製する。ここでは、ＢＭ層６１用の露光マスク３０の場合と同様に、赤色着色層６３ａが形成されるべき領域に対応して配置された複数の開口部４１を有する基準マスク４０を用いて、上述の補正ベクトルを生成する。なお、赤色着色層６３ａが形成されるべき領域と、ＢＭ層６１が形成されるべき領域とがほぼ同一である場合、ＢＭ層６１用の露光マスク３０を作製する際に用いられた基準マスク４０と同一の基準マスク４０を用いてもよい。その後、算出された補正ベクトルに基づいて、赤色着色層６３ａに対応する上述の補正露光パターン５および補正マスクパターン７を算出する。これによって、露光装置１の各構成部品の製造誤差や組立誤差を考慮して歪められた複数の開口部３２を有する、赤色着色層６３ａ用の露光マスク３０を得ることができる。その後、ＢＭ層６１の場合と同様にして、基材６５上に積層され、赤色顔料が分散された樹脂などの赤色着色層６３ａ用の材料からなる被露光物１７を、赤色着色層６３ａ用の露光マスク３０を用いて露光して現像する。これによって、露光装置１に起因するずれが補正された赤色着色層６３ａをＢＭ層６１の間に形成することができる。
【００５９】
〔緑色着色層作製工程および青色着色層作製工程〕
その後、赤色着色層６３ａの場合と同様にして、ＢＭ層６１の間に緑色着色層６３ｂおよび青色着色層６３ｃを形成する。これによって、露光装置１に起因するずれが補正されたＢＭ層６１、赤色着色層６３ａ、緑色着色層６３ｂおよび青色着色層６３ｃを有するカラーフィルタ６０を作製することができる。
【００６０】
上述の本実施の形態によれば、規則的に配列された複数の開口部４１を有する基準マスク４０を用いることによって、設計当初のマスクパターン６を補正して補正マスクパターン７を生成することができる。このため、無駄になる露光マスクを生じさせることなく、かつ少ない工数で、適切な露光マスク３０を製造することができる。このことにより、露光方法を用いてカラーフィルタ６０などを製造することに要するコストを低減することができる。
【００６１】
なお、上述した実施の形態に対して様々な変更を加えることが可能である。以下、図面を参照しながら、変形の一例について説明する。以下の説明および以下の説明で用いる図面では、上述した実施の形態と同様に構成され得る部分について、上述の実施の形態における対応する部分に対して用いた符号と同一の符号を用いることとし、重複する説明を省略する。
【００６２】
（基準マスクの開口部の変形例）
上述の本実施の形態においては、基準マスク４０の四隅近傍にそれぞれ開口部４１が設けられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、基準マスク４０の開口部４１の数や配列ピッチは、露光処理に求められる位置精度に応じて適宜設定され得る。例えば図７に示すように、基準マスク４０は、格子状に二次元配列された多数の開口部４１を有していてもよい。図７に示す例においては、横方向において、開口部４１＿００〜開口部４１＿ｍ０のｍ＋１個（ｍは自然数）の開口部４１が並べられている。また縦方向において、開口部４１＿００〜開口部４１＿０ｎのｎ＋１個（ｎは自然数）の開口部４１が並べられている。隣接する開口部４１の間の間隔は、露光処理に求められる位置精度に応じて適宜設定されるが、例えば５０ｍｍとなっている。
【００６３】
図７に示す基準マスク４０を用いて露光マスク３０を作製する方法について、図８（ａ）（ｂ）を参照して説明する。なお、上述の本実施の形態の場合と同一の工程については、詳細な説明を省略する。
【００６４】
はじめに、図７に示す基準マスク４０を露光装置１のマスクステージ１５に設置し、その後、基準マスク４０の各開口部４１を介して基準被露光物に露光光を照射する基準露光工程を実施する。次に、上述の基準露光工程において基準マスク４０の各開口部４１に対応して基準被露光物に実際に形成される露光点を、測定点として記録する。また、基準マスク４０の各開口部４１を通った露光光が被露光面Ｅに形成する設計上の露光点を、設計点として算出する。
【００６５】
〔補正露光パターン生成工程〕
その後、上記設計点と上記測定点との間の偏差に基づいて、被露光面Ｅ上で露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する補正露光パターン生成工程を実施する。
【００６６】
はじめに、上記設計点と上記測定点との間の偏差を表す偏差ベクトルを算出する工程を実施する。図８（ａ）は、上記設計点および上記測定点を被露光面Ｅ上に示す図である。図８（ａ）において、符号Ｅ１＿００〜Ｅ１＿ｍ０および符号Ｅ１＿００〜Ｅ１＿０ｎはそれぞれ、図７に示す基準マスク４０の開口部４１＿００〜４１＿ｍ０および開口部４１＿００〜４１＿０ｎを通った露光光によって基準被露光物に形成される露光点に基づいて記録された測定点を示している。また符号Ｅ０＿００〜Ｅ０＿ｍ０および符号Ｅ０＿００〜Ｅ０＿０ｎはそれぞれ、基準マスク４０の開口部４１＿００〜４１＿ｍ０および開口部４１＿００〜４１＿０ｎを通った露光光が被露光面Ｅ上に形成する設計上の露光点に基づいて算出された設計点を示している。本工程においては、図８（ａ）に示すように、設計点Ｅ０＿００〜Ｅ０＿ｍ０および設計点Ｅ０＿００〜Ｅ０＿０ｎから測定点Ｅ１＿００〜Ｅ１＿ｍ０および測定点Ｅ１＿００〜Ｅ１＿０ｎに向かうベクトルとして、偏差ベクトルＶ１＿００〜Ｖ１＿ｍ０および偏差ベクトルＶ１＿００〜Ｖ１＿０ｎを算出する。なお図８（ａ）に示すように、各測定点を結ぶことにより形成される輪郭Ｓ１は、図３（ａ）に示す上述の本実施の形態の場合の四角形Ｓ１よりも複雑な形状を表現することができる。
【００６７】
次に、上記設計点と上記測定点との間の偏差を補正する補正ベクトルを、上記偏差ベクトルに基づいて算出する工程を実施する。本実施の形態においても、図８（ｂ）に示すように、補正ベクトルＶ２＿００〜Ｖ２＿ｍ０および補正ベクトルＶ２＿００〜Ｖ２＿０ｎは、偏差ベクトルＶ１＿００〜Ｖ１＿ｍ０および偏差ベクトルＶ１＿００〜Ｖ１＿０ｎを反転することにより算出される。なお図８（ｂ）において、設計点Ｅ０＿００〜Ｅ０＿ｍ０および設計点Ｅ０＿００〜Ｅ０＿０ｎから補正ベクトルＶ２＿００〜Ｖ２＿ｍ０および補正ベクトルＶ２＿００〜Ｖ２＿０ｎの分だけ進んだ位置にある補正点が符号Ｅ２＿００〜Ｅ２＿ｍ０および符号Ｅ２＿００〜Ｅ２＿０ｎで示されている。図８（ｂ）から明らかなように、各補正点を結ぶことにより形成される輪郭Ｓ２は、図３（ｂ）に示す上述の本実施の形態の場合の四角形Ｓ２よりも複雑な形状を表現することができる。
【００６８】
その後、補正ベクトルに基づいて被露光面Ｅ上で設計露光パターン３を補正して補正露光パターン５を生成する工程を実施する。この際、設計露光パターン３のうち設計点とは一致しない位置にある部分については、はじめに、多数の設計点のうち当該部分に近接する複数の、例えば４つの設計点を選択し、次に、４つの設計点における補正ベクトルを当該部分と各設計点との間の距離に応じて重みづけすることによって算出される補正ベクトルの分だけ、当該部分を変位させる。これによって、被露光面Ｅの全域にわたって補正露光パターン５を精度良く算出することができる。
【００６９】
その後、上記補正露光パターン５で被露光面Ｅに露光光を照射するよう設計された露光マスク３０を作製する。
【００７０】
本変形例によれば、基準マスク４０に多数の開口部４１が設けられているため、多数の設計点に関して補正ベクトルを算出することができる。このため、露光装置１の各構成部品の製造誤差や組立誤差などに起因する露光パターンの歪を、被露光面Ｅの全域にわたってより精密に算出することができる。従って、マスク面Ｍの全域にわたってより精密に補正された補正マスクパターン７を有する露光マスク３０を作製することができる。このことにより、被露光面Ｅの全域にわたって高い位置精度で被露光物１７を露光することができる。
【００７１】
（１つの露光マスクを用いて複数の単位区画の露光が実施される例）
上述の本実施の形態においては、露光マスク３０および基準マスク４０を介した露光光が照射される被露光面Ｅ上の区画を単位区画とする場合、被露光面Ｅには１個の単位区画が包含されている例を示した。すなわち、１個の露光マスク３０および基準マスク４０を通った露光光が、被露光面Ｅのほぼ全域にわたって照射される例を示した。この場合、１回の露光工程で、被露光面Ｅのほぼ全域を露光することができる。しかしながら、これに限られることはなく、被露光面Ｅにはｋ個（ｋは２以上の整数）の単位区画が包含されていてもよい。この場合、露光マスク３０および基準マスク４０を用いて被露光面Ｅを露光するためには、被露光面Ｅに平行な面上で被露光面Ｅに対して露光マスク３０および基準マスク４０を相対的に移動させることにより、ｋ回にわたって露光処理を実施する必要がある。以下、このように複数回の露光が実施される露光方法に対して、上述の本実施の形態における技術的思想を適用する例を説明する。
【００７２】
図９（ａ）（ｂ）（ｃ）は、被露光面Ｅに２個の単位区画（第１区画Ｒ１および第２区画Ｒ２）が包含されている場合に実施される露光工程の例を示す図である。すなわち、上記ｋ＝２の場合を示す図である。この場合、はじめに図９（ａ）に示すように、被露光面Ｅの第１区画Ｒ１上に露光マスク３０を配置し、この位置で露光処理を実施する。次に、図９（ｂ）に示すように、被露光面Ｅに平行な面上で被露光面Ｅに対して露光マスク３０を相対的に移動させる。その後、図９（ｃ）に示すように、第１区画Ｒ１に隣接する第２区画Ｒ２上に露光マスク３０を配置し、この位置で露光処理を実施する。このようにして、１個の露光マスク３０を用いて被露光面Ｅの全域に露光光を照射することができる。例えば被露光物１７がカラーフィルタ６０用のＢＭ層である場合、基材６５の全域にわたって、１個の露光マスク３０を用いてＢＭ層を形成することができる。なお、被露光面Ｅに対して露光マスク３０を相対的に移動させる方法が特に限られることはない。例えば、被露光物１７を支持する基板１８が載置されている露光ステージ１２を水平方向に駆動することにより、被露光面Ｅに対して露光マスク３０を相対的に移動させることができる。
【００７３】
次に、本変形例において露光マスク３０を作製する方法について、図１０（ａ）（ｂ）を参照して説明する。なお、上述の本実施の形態の場合と同一の工程については、詳細な説明を省略する。
【００７４】
はじめに、基準マスク４０を露光装置１のマスクステージ１５に設置し、その後、基準マスク４０の各開口部４１を介して、基準被露光物の第１区画Ｒ１に露光光を照射する第１基準露光工程を実施する。次に、上述の第１基準露光工程において基準マスク４０の各開口部４１に対応して基準被露光物の第１区画Ｒ１に実際に形成される露光点を、測定点Ｅ１＿Ａ＿１、Ｅ１＿Ｂ＿１、Ｅ１＿Ｃ＿１およびＥ１＿Ｄ＿１として記録する（図１０（ａ）参照）。また、基準マスク４０の各開口部４１を通った露光光が被露光面Ｅの第１区画Ｒ１に形成する設計上の露光点を、設計点Ｅ０＿Ａ＿１、Ｅ０＿Ｂ＿１、Ｅ０＿Ｃ＿１およびＥ０＿Ｄ＿１として算出する。そして、設計点Ｅ０＿Ａ＿１、Ｅ０＿Ｂ＿１、Ｅ０＿Ｃ＿１およびＥ０＿Ｄ＿１から測定点Ｅ１＿Ａ＿１、Ｅ１＿Ｂ＿１、Ｅ１＿Ｃ＿１およびＥ１＿Ｄ＿１に向かうベクトルとして、偏差ベクトルＶ１＿Ａ＿１、Ｖ１＿Ｂ＿１、Ｖ１＿Ｃ＿１およびＶ１＿Ｄ＿１を算出する。また図示はしないが、偏差ベクトルＶ１＿Ａ＿１、Ｖ１＿Ｂ＿１、Ｖ１＿Ｃ＿１およびＶ１＿Ｄ＿１を反転することにより、補正ベクトルＶ２＿Ａ＿１、Ｖ２＿Ｂ＿１、Ｖ２＿Ｃ＿１およびＶ２＿Ｄ＿１を算出する。
【００７５】
次に、被露光面Ｅに平行な面上で被露光面Ｅに対して基準マスク４０を相対的に移動させることにより、基準マスク４０を被露光面Ｅの第２区画Ｒ２上に配置する。その後、基準マスク４０の各開口部４１を介して、基準被露光物の第２区画Ｒ２に露光光を照射する第２基準露光工程を実施する。次に、上述の第２基準露光工程において基準マスク４０の各開口部４１に対応して基準被露光物の第２区画Ｒ２に実際に形成される露光点を、測定点Ｅ１＿Ａ＿２、Ｅ１＿Ｂ＿２、Ｅ１＿Ｃ＿２およびＥ１＿Ｄ＿２として記録する（図１０（ｂ）参照）。また、基準マスク４０の各開口部４１を通った露光光が被露光面Ｅの第２区画Ｒ２に形成する設計上の露光点を、設計点Ｅ０＿Ａ＿２、Ｅ０＿Ｂ＿２、Ｅ０＿Ｃ＿２およびＥ０＿Ｄ＿２として算出する。そして、設計点Ｅ０＿Ａ＿２、Ｅ０＿Ｂ＿２、Ｅ０＿Ｃ＿２およびＥ０＿Ｄ＿２から測定点Ｅ１＿Ａ＿２、Ｅ１＿Ｂ＿２、Ｅ１＿Ｃ＿２およびＥ１＿Ｄ＿２に向かうベクトルとして、偏差ベクトルＶ１＿Ａ＿２、Ｖ１＿Ｂ＿２、Ｖ１＿Ｃ＿２およびＶ１＿Ｄ＿２を算出する。また図示はしないが、偏差ベクトルＶ１＿Ａ＿２、Ｖ１＿Ｂ＿２、Ｖ１＿Ｃ＿２およびＶ１＿Ｄ＿２を反転することにより、補正ベクトルＶ２＿Ａ＿２、Ｖ２＿Ｂ＿２、Ｖ２＿Ｃ＿２およびＶ２＿Ｄ＿２を算出する。
【００７６】
次に、第１区画Ｒ１における補正ベクトルＶ２＿Ａ＿１、Ｖ２＿Ｂ＿１、Ｖ２＿Ｃ＿１およびＶ２＿Ｄ＿１と、第２区画Ｒ２における補正ベクトルＶ２＿Ａ＿２、Ｖ２＿Ｂ＿２、Ｖ２＿Ｃ＿２およびＶ２＿Ｄ＿２とを平均することにより、平均補正ベクトルＶ２＿Ａ＿ＡＶＥ、Ｖ２＿Ｂ＿ＡＶＥ、Ｖ２＿Ｃ＿ＡＶＥおよびＶ２＿Ｄ＿ＡＶＥを算出する。例えば平均補正ベクトルＶ２＿Ａ＿ＡＶＥは、（補正ベクトルＶ２＿Ａ＿１＋補正ベクトルＶ２＿Ａ＿２）／２として算出される。
【００７７】
その後、平均補正ベクトルに基づいて被露光面Ｅ上で設計露光パターン３を補正して補正露光パターン５を生成する工程を実施する。次に、上記補正露光パターン５で被露光面Ｅに露光光を照射するよう設計された露光マスク３０を作製する。ここで平均補正ベクトルは、上述のように、第１領域Ｒ１における補正ベクトルおよび第２領域Ｒ２における補正ベクトルの両方に基づいて算出されたベクトルである。このため、作製された露光マスク３０によって得られる露光パターンは、被露光面Ｅの第１領域Ｒ１における露光パターンの歪、および、被露光面Ｅの第２領域Ｒ２における露光パターンの歪の両方が適度に解消されたものとなっている。すなわち、被露光面Ｅの全域にわたって平均的に露光の位置精度を改善することができる。
【００７８】
上述のように本変形例においては、基準露光工程および測定点記録工程は、被露光面Ｅに平行な面上で被露光面Ｅに対して基準マスク４０を相対的に移動させることにより、被露光面Ｅの２個の単位区画Ｒ１，Ｒ２の各々に関して実施される。また設計点算出工程は、被露光面Ｅに平行な面上で被露光面Ｅに対して基準マスク４０を仮想的に相対的に移動させることにより、被露光面Ｅの２個の単位区画Ｒ１，Ｒ２の各々に関して実施される。さらに、補正露光パターン生成工程は、被露光面Ｅの２個の単位区画Ｒ１，Ｒ２の各々に関して、設計点と測定点との間の偏差を表す偏差ベクトルを算出する工程と、被露光面Ｅの２個の単位区画Ｒ１，Ｒ２の各々に関して、設計点と測定点との間の偏差を補正する補正ベクトルを、偏差ベクトルに基づいて算出する工程と、被露光面Ｅの２個の単位区画Ｒ１，Ｒ２の各々に関して算出された補正ベクトルに基づいて被露光面Ｅ上で露光パターンを補正して補正露光パターンを生成する工程と、を有している。このため、１つの露光マスク３０を用いて被露光面Ｅの複数の単位区画の露光処理を実施する場合であっても、高い位置精度で被露光物１７を露光することができる。
【００７９】
（その他の変形例）
また上述の本実施の形態および各変形例において、露光方法を用いてカラーフィルタ６０が製造される例を示した。しかしながら、露光方法によって製造されるものが特に限られることはない。例えば上述の本実施の形態および各変形例による露光方法を用いることにより、ＴＦＴ基板やタッチパネルセンサなどを高い位置精度で作製することができる。
【００８０】
なお、上述した実施の形態に対するいくつかの変形例を説明してきたが、当然に、複数の変形例を適宜組み合わせて適用することも可能である。
【符号の説明】
【００８１】
１  露光装置
３  設計露光パターン
４  露光パターン
５  補正露光パターン
６  マスクパターン
７  補正マスクパターン
１０  露光装置本体
１２  露光ステージ
１５  マスクステージ
１７  被露光物
２０  照射光学系
３０  露光マスク
３２  開口部
４０  基準マスク
４１  開口部
６０  カラーフィルタ
７０  多面付カラーフィルタ
Ｅ  被露光面
Ｅ０  設計点
Ｅ１  測定点
Ｅ２  補正点
Ｍ  マスク面
Ｖ１  偏差ベクトル
Ｖ２  補正ベクトル
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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