(57)【要約】【課題】本発明は、圧接型半導体装置内部における隙間の発生を抑制することで部品ずれによる不具合を防止する圧接型半導体装置、及びその圧接型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】上面１０ａと該上面と反対の面である下面１０ｂを有し、該上面と該下面の間で電流を流す半導体基板１０と、該上面と対向しつつ該上面と電気的に接続された本体部１６Ａと、該本体部から該本体部の側面方向に放射状に伸びるように複数形成された突起部１６ａ、１６ｂとを有する第１電極１６と、該下面と対向しつつ該下面と電気的に接続された第２電極４４と、該本体部の上面と該第２電極の下面を外部に露出させつつ、該突起部と該半導体基板を覆う絶縁筒７０と、該絶縁筒の内壁に設けられ、該突起部と接触し、該第１電極が該半導体基板と離れる方向に移動することを抑制する固定用突起部７０ａ、７０ｂと、を備える。【選択図】図１
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
上面と前記上面と反対の面である下面を有し、前記上面と前記下面の間で電流を流す半導体基板と、
前記上面と対向しつつ前記上面と電気的に接続された本体部と、前記本体部から前記本体部の側面方向に放射状に伸びるように複数形成された突起部とを有する第１電極と、
前記下面と対向しつつ前記下面と電気的に接続された第２電極と、
前記本体部の上面と前記第２電極の下面を外部に露出させつつ、前記突起部と前記半導体基板を覆う絶縁筒と、
前記絶縁筒の内壁に設けられ、前記突起部と接触し、前記第１電極が前記半導体基板と離れる方向に移動することを抑制する固定用突起部と、を備えたことを特徴とする圧接型半導体装置。
【請求項２】
前記固定用突起部は、前記絶縁筒と同じ材料で前記絶縁筒と一体的に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の圧接型半導体装置。
【請求項３】
前記絶縁筒の内壁に固定された、前記第１電極を囲む第１リングを備え、
前記固定用突起部は、前記第１リングの一部に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の圧接型半導体装置。
【請求項４】
前記第１リングには、切り欠きが形成されたことを特徴とする請求項３に記載の圧接型半導体装置。
【請求項５】
前記固定用突起部は等間隔で複数形成されたことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の圧接型半導体装置。
【請求項６】
前記固定用突起部と前記突起部は斜面を有するように形成され、
前記固定用突起部と前記突起部は前記斜面同士が接触することで、前記固定用突起部と前記突起部の前記絶縁筒内壁の周方向の移動を抑制することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか１項に記載の圧接型半導体装置。  
【請求項７】
前記絶縁筒の内壁に設けられ、前記第２電極の方向に伸びる追加固定用突起部を備え、
前記第２電極は、前記第２電極の側面方向に伸びる追加突起部を備え、
前記追加固定用突起部は前記追加突起部と接触し、前記第２電極が前記半導体基板の下面と離れる方向に移動することを抑制することを特徴とする請求項１乃至６のいずれか１項に記載の圧接型半導体装置。
【請求項８】
前記絶縁筒の内壁に固定された、前記第２電極を囲む第２リングを備え、
前記追加固定用突起部は、前記第２リングの一部に形成されたことを特徴とする請求項７に記載の圧接型半導体装置。
【請求項９】
内壁に固定用突起部が設けられた絶縁筒に、半導体基板を収容する工程と、
側面に突起部を有する第１電極の下面を前記半導体基板の上面に対向させつつ、前記固定用突起部と前記突起部が接触しないように前記第１電極と前記半導体基板の上面を電気的に接続する工程と、
前記第１電極を前記絶縁筒に対して回転させて、前記固定用突起部を前記突起部の上面に接触させる工程と、
前記絶縁筒の一部に固定された金属薄板を前記第１電極の一部に固定された金属薄板に対して固定する工程と、をこの順に備えたことを特徴とする圧接型半導体装置の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、例えば、製鉄圧延機の駆動に用いられる工業用のインバータ、高電圧かつ大容量のスイッチ、又は整流機などに用いられる圧接型半導体装置、及びその圧接型半導体装置の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、半導体基板の両面に電極を固定した圧接型半導体装置が開示されている。この半導体基板は絶縁筒（絶縁容器）に覆われている。絶縁筒と電極の間のすき間はゴム状弾性材からなる充てん結合物により埋められ、半導体基板が気密封止されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開昭６２−１２８５３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
圧接型半導体装置の製造時には、真空排気により装置内圧が低下したり、熱エージングにより装置内圧が上昇したり、ベーク時に装置内部にガスが発生したりすることにより、電極が膨張することがある。この膨張により電極が半導体基板と離れる方向に移動すると、圧接型半導体装置の内部に隙間が生じ圧接型半導体装置の部品がずれる問題があった。
【０００５】
本発明は、上述のような課題を解決するためになされたもので、圧接型半導体装置内部における隙間の発生を抑制することで部品ずれによる不具合を防止する圧接型半導体装置と圧接型半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本願の発明に係る圧接型半導体装置は、上面と該上面と反対の面である下面を有し、該上面と該下面の間で電流を流す半導体基板と、該上面と対向しつつ該上面と電気的に接続された本体部と、該本体部から該本体部の側面方向に放射状に伸びるように複数形成された突起部とを有する第１電極と、該下面と対向しつつ該下面と電気的に接続された第２電極と、該本体部の上面と該第２電極の下面を外部に露出させつつ、該突起部と該半導体基板を覆う絶縁筒と、該絶縁筒の内壁に設けられ、該突起部と接触し、該第１電極が該半導体基板と離れる方向に移動することを抑制する固定用突起部と、を備えたことを特徴とする。
【０００７】
本願の発明に係る圧接型半導体装置の製造方法は、内壁に固定用突起部が設けられた絶縁筒に、半導体基板を収容する工程と、側面に突起部を有する第１電極の下面を該半導体基板の上面に対向させつつ、該固定用突起部と該突起部が接触しないように該第１電極と該半導体基板の上面を電気的に接続する工程と、該第１電極を該絶縁筒に対して回転させて、該固定用突起部を該突起部の上面に接触させる工程と、該絶縁筒の一部に固定された金属薄板を該第１電極の一部に固定された金属薄板に対して固定する工程と、をこの順に備えたことを特徴とする。
【発明の効果】
【０００８】
本発明によれば、電極に形成した突起部と絶縁筒に設けられた固定用突起部を接触させて電極が半導体基板と離れる方向に移動することを抑制するので、圧接型半導体装置内部における隙間の発生を抑制できる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装置の断面図である。
【図２】絶縁筒の平面図である。
【図３】第１電極の平面図である。
【図４】絶縁筒に半導体基板等を収容したことを示す断面図である。
【図５】第１電極と半導体基板の上面を電気的に接続することを示す断面図である。
【図６】第１電極を半導体基板に近づけるときの突起部と固定用突起部の位置関係を示す平面図である。
【図７】第１電極を挿入板の上にのせたことを示す断面図である。
【図８】比較例の圧接型半導体装置の断面図である。
【図９】固定用突起部の変形例を示す平面図である。
【図１０】突起部の斜面と固定用突起部の斜面が接することを示す斜視図である。
【図１１】本発明の実施の形態２に係る圧接型半導体装置の断面図である。
【図１２】第１リングの平面図である。
【図１３】本発明の実施の形態３に係る圧接型半導体装置の断面図である。
【図１４】本発明の実施の形態４に係る圧接型半導体装置の断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
本発明の実施の形態に係る圧接型半導体装置と圧接型半導体装置の製造方法について図面を参照して説明する。同じ又は対応する構成要素には同じ符号を付し、説明の繰り返しを省略する場合がある。
【００１１】
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装置の断面図である。この圧接型半導体装置は、例えばＳｉで形成された半導体基板１０を備えている。半導体基板１０は、上面１０ａと、上面１０ａと反対の面である下面１０ｂを有している。具体的には、半導体基板１０は、上面１０ａをカソード、下面１０ｂをアノードとするダイオードで形成されている。従って半導体基板１０の上面１０ａと下面１０ｂの間で電流が流れる。半導体基板１０の側面には端面保護樹脂１１が形成されている。
【００１２】
半導体基板１０の上面１０ａには緩衝板１２が固定されている。緩衝板１２は例えばＭｏで形成されている。緩衝板１２の上面には挿入板１４が固定されている。挿入板１４は例えば銀で形成されている。挿入板１４の上面には、第１電極１６が固定されている。第１電極１６は例えば銅で形成されている。なお、緩衝板１２は半導体基板１０と第１電極１６の熱膨張率の差による歪みを防止するための熱緩衝材として形成されている。
【００１３】
第１電極１６は、本体部１６Ａ、第１突起部１６ａ、第２突起部１６ｂを有している。本体部１６Ａは半導体基板１０の上面１０ａと対向しつつこの上面１０ａと電気的に接続されている。第１突起部１６ａと第２突起部１６ｂ（以後、第１突起部１６ａと第２突起部１６ｂをまとめて突起部と称することがある）は、本体部１６Ａから本体部１６Ａの側面方向に放射状に伸びている。
【００１４】
第１電極１６には金属薄板１７が固定されている。金属薄板１７は本体部１６Ａから本体部１６Ａの側面方向に伸びている。本体部１６Ａには半導体基板１０の方向に開口する凹部１６ｃが形成されている。凹部１６ｃにはばね１８が収容されている。ばね１８は一端が凹部１６ｃの底面に当たり、他端がセンターピン２０に当たっている。センターピン２０は、挿入板１４を貫通して緩衝板１２の凹部に突き刺さっている。このセンターピン２０はばね１８の弾性力を受けて挿入板１４を緩衝板１２方向へ押し付けている。なお、センターピン２０は、緩衝板１２の第１電極１６に対する位置決め部材としても機能している。
【００１５】
半導体基板１０の下面１０ｂには緩衝板４０が固定されている。緩衝板４０の下面には挿入板４２が固定されている。挿入板４２の下面には第２電極４４が固定されている。第２電極４４は、下面１０ｂと対向しつつ下面１０ｂと電気的に接続されている。第２電極４４の緩衝板４０に対向する面に形成された凹部と、緩衝板４０の第２電極４４に対向する面に形成された凹部には挿入板４２を貫通するピン５０がはめられている。このピン５０により第２電極４４と緩衝板４０の相対位置が決められている。なお、第１電極１６と同様に、第２電極４４には第２電極４４の側面方向に伸びる金属薄板６０が固定されている。
【００１６】
上記の構成は絶縁筒７０に収容されている。絶縁筒７０は、本体部１６Ａの上面と第２電極４４の下面を外部に露出させつつ、突起部と半導体基板１０などを覆っている。絶縁筒７０は例えばセラミックで形成されている。絶縁筒７０の内壁には、第１固定用突起部７０ａと第２固定用突起部７０ｂが設けられている。第１固定用突起部７０ａと第２固定用突起部７０ｂは、絶縁筒７０と同じ材料で絶縁筒７０と一体的に形成されている。
【００１７】
第１固定用突起部７０ａは第１突起部１６ａと接触している。具体的には、第１固定用突起部７０ａの下面が第１突起部１６ａの上面に接触している。第２固定用突起部７０ｂは第２突起部１６ｂと接触している。具体的には、第２固定用突起部７０ｂの下面が第２突起部１６ｂの上面に接触している。なお、第１固定用突起部７０ａと第２固定用突起部７０ｂをまとめて固定用突起部と称することがある。
【００１８】
図２は、絶縁筒の平面図である。絶縁筒７０は全体としては環状に形成されている。第１固定用突起部７０ａと第２固定用突起部７０ｂが形成された部分の内径はｄ１である。固定用突起部が形成されていない部分７０ｅの内径はｄ２である。
【００１９】
図３は、第１電極の平面図である。第１電極１６は全体として円筒形状となっている。第１突起部１６ａと第２突起部１６ｂが形成された部分の直径はｄ３である。ｄ３は、前述のｄ１より大きくｄ２より小さい値となっている。突起部が形成されていない部分である本体部１６Ａの直径はｄ４である。ｄ４は前述のｄ１よりも小さい値となっている。
【００２０】
ここで、本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装置の製造方法について説明する。まず、内壁に固定用突起部が固定された絶縁筒７０に、半導体基板１０等を収容する。図４は、絶縁筒に半導体基板等を収容したことを示す断面図である。この工程では第１電極１６以外の構成要素を絶縁筒７０内に収容する。次いで、第１電極１６の下面を半導体基板１０の上面に対向させつつ、第１電極１６と半導体基板１０の上面を電気的に接続する。図５は、第１電極と半導体基板の上面を電気的に接続することを示す断面図である。図５に示すように、第１電極１６を半導体基板１０の上方から下降させる。このとき、突起部と固定用突起部が接触しないように注意する。
【００２１】
図６は、第１電極を半導体基板に近づけるときの突起部と固定用突起部の位置関係を示す平面図である。図６に示すように、第１突起部１６ａと第２突起部１６ｂは固定用突起部が形成されていない部分７０ｅに対向するようにし、かつ本体部１６Ａの側面が第１固定用突起部７０ａと第２固定用突起部７０ｂに対向するようにして、第１電極１６を移動させる。こうして、第１電極１６を挿入板１４の上にのせる。
【００２２】
図７は、第１電極を挿入板の上にのせたことを示す断面図である。この状態では、突起部と固定用突起部は接触していない。次いで、第１電極１６を絶縁筒７０に対して回転させて、固定用突起部を突起部の上面に接触させる。第１電極１６は図７の矢印で示す方向に回転させる。
【００２３】
次いで、絶縁筒７０の一部に固定された金属薄板７０ｃを第１電極１６の一部に固定された金属薄板１７に対して固定する。金属薄板７０ｃと金属薄板１７は溶接して固定する。同様に、金属薄板７０ｄと金属薄板６０を溶接して固定する。こうして図１に示す圧接型半導体装置が完成する。
【００２４】
ここで、本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装置の理解を容易にするために、比較例について説明する。図８は、比較例の圧接型半導体装置の断面図である。比較例の圧接型半導体装置は、固定用突起部と突起部を備えていない点で本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装置と相違する。比較例の第１電極１６は、金属薄板１７と金属薄板７０ｃの溶接固定だけによって半導体基板１０側へ押し付けられている。そのため、圧接を繰り返す事で挿入板１４が第１電極１６に付着した場合、センターピン２０が機能しなくなり圧接型半導体装置の内部に隙間が生じることがある。このような状況で第１電極１６が熱膨張すると図８に示すように緩衝板１２がずれることがある。
【００２５】
本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装置によれば、固定用突起部が突起部と接触し、第１電極１６が半導体基板１０と離れる方向に移動することを抑制している。すなわち、第１電極１６が熱膨張したとき、第１突起部１６ａが第１固定用突起部７０ａに当たり第２突起部１６ｂが第１固定用突起部７０ｂに当たることで、第１電極１６が半導体基板１０と離れる方向に移動することを抑制できる。従って、圧接型半導体装置の内部に隙間が生じることを回避できる。
【００２６】
本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装置の製造方法によれば、第１電極１６の本体部１６Ａから本体部１６Ａの側面方向に放射状に伸びるように突起部を形成したので、第１電極１６の直径が短い部分と長い部分とを作ることができる。これにより、第１電極１６の底面を挿入板１４と接触させるときに突起部と固定用突起部を平面視でずらしておくことで突起部と固定用突起部の接触を防止できる。そして、その後に第１電極１６を回転させることで突起部と固定用突起部を接触させることができる。よって、本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装置は非常に簡単なプロセスで製造できる。
【００２７】
半導体基板１０は、ダイオードに限定されず、少なくとも１つのＰＮ接合を有し電極に圧接されて組み立てられるものであればよい。例えば、半導体基板１０をサイリスタで形成してもよい。
【００２８】
本発明の実施の形態１では、固定用突起部と突起部をそれぞれ２つずつ形成したが、固定用突起部と突起部はそれぞれ複数形成されれば特に限定されない。図９は、固定用突起部の変形例を示す平面図である。図９に示すように、第１固定用突起部７０ｆ、第２固定用突起部７０ｇ、及び第３固定用突起部７０ｈを形成してもよい。この場合、突起部も図９の構成に対応させて３箇所形成する。
【００２９】
ところで、固定用突起部は等間隔で複数形成されることが好ましい。つまり、平面視したときに線対称になるように固定用突起部を配置すると、突起部から受ける力を固定用突起部のそれぞれに均等分散でき、より確実に内部隙間を抑制することができる。
【００３０】
本発明の実施の形態１に係る圧接型半導体装置の製造を容易にするために、突起部と固定用突起部に斜面を形成し、斜面同士が接触するようにしてもよい。図１０は、突起部の斜面と固定用突起部の斜面が接することを示す斜視図である。第１固定用突起部７０ａ´と第１突起部１６ａ´にはそれぞれ斜面が形成されている。図１０の矢印は、第１電極の回転方向を示す。第１電極（第１突起部１６ａ´）を回転させると、第１固定用突起部７０ａ´と第１突起部１６ａ´の斜面同士が接触し、第１電極の絶縁筒内壁の周方向の移動が止まる。従って第１固定用突起部７０ａ´と第１突起部１６ａ´が接触した状態で回転をストップさせることができるので、組み立て性を向上させることができる。なお、上記の各変形例は以下の実施の形態に係る圧接型半導体装置にも応用できる。
【００３１】
実施の形態２．
本発明の実施の形態２に係る圧接型半導体装置と圧接型半導体装置の製造方法は、実施の形態１との共通点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。本発明の実施の形態２に係る圧接型半導体装置は、絶縁筒に固定されたリングを備えたことを特徴とする。図１１は、本発明の実施の形態２に係る圧接型半導体装置の断面図である。
【００３２】
絶縁筒７０の内壁に溝部７０ｓが形成されている。この溝部７０ｓに第１リング１００がはめられている。第１リング１００は、第１電極１６を囲むようにして絶縁筒７０に固定されている。第１リング１００の一部には、第１固定用突起部１００ａと第２固定用突起部１００ｂが形成されている。
【００３３】
図１２は、第１リングの平面図である。第１リング１００の一部には切り欠き１００ｄ、１００ｅが形成されている。第１固定用突起部１００ａと第２固定用突起部１００ｂが形成された部分の内径はｄ１である。固定用突起部が形成されていない部分１００ｅの内径はｄ２である。切り欠き１００ｄ、１００ｅが形成された部分の内径はｄ５である。
【００３４】
本発明の実施の形態２に係る圧接型半導体装置の製造方法について説明する。まず第１リング１００を絶縁筒７０の溝部７０ｓにはめる。このとき、切り欠き１００ｃ、１００ｄが形成された部分を変形させることで容易に第１リング１００を溝部７０ｓにはめることができる。
【００３５】
次いで、第１電極１６を挿入板１４の上面にのせて、第１電極１６と半導体基板１０の上面１０ａを電気的に接続する。次いで、第１電極１６を絶縁筒７０に対して回転させて、固定用突起部（第１固定用突起部１００ａと第２固定用突起部１００ｂ）を突起部の上面に接触させる。次いで、金属薄板１７と金属薄板７０ｃ、及び金属薄板６０と金属薄板７０ｄを溶接固定する。
【００３６】
絶縁筒７０はセラミックで形成されるため加工が困難である。従って、実施の形態１のように絶縁筒７０と固定用突起部を一体形成するのは加工が困難となる問題があった。しかしながら、本発明の実施の形態２に係る圧接型半導体装置では、絶縁筒７０の溝部７０ｓに第１リング１００をはめるだけで容易に固定用突起部を形成できる。従って、本発明の実施の形態２に係る圧接型半導体装置によれば製造コストを低減できる。
【００３７】
実施の形態３．
本発明の実施の形態３に係る圧接型半導体装置と圧接型半導体装置の製造方法は、実施の形態１との共通点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。本発明の実施の形態３に係る圧接型半導体装置は、第２電極を絶縁筒の一部で固定することを特徴とする。図１３は、本発明の実施の形態３に係る圧接型半導体装置の断面図である。
【００３８】
絶縁筒７０の内壁に、第２電極４４の方向に伸びる、第１追加固定用突起部７０ｍと第２追加固定用突起部７０ｎが設けられている。第１追加固定用突起部７０ｍと第２追加固定用突起部７０ｎをまとめて追加固定用突起部と称することがある。第２電極４４は、側面方向に伸びる、第１追加突起部４４ａと第２追加突起部４４ｂを備えている。第１追加突起部４４ａと第２追加突起部４４ｂをまとめて追加突起部と称することがある。本発明の実施の形態３では、追加固定用突起部が追加突起部と接触し、第２電極４４が半導体基板１０の下面１０ｂと離れる方向に移動することを抑制する。
【００３９】
金属薄板６０と金属薄板７０ｄの固定強度が弱い場合、第２電極４４が熱膨張して第２電極４４が半導体基板１０の下面１０ｂと反対方向に移動するおそれがある。ところが本発明の実施の形態３に係る圧接型半導体装置では、追加固定用突起部が固定用突起部と接触することで、第２電極４４が半導体基板１０の下面１０ｂと離れる方向に移動することを抑制できる。
【００４０】
実施の形態４．
本発明の実施の形態４に係る圧接型半導体装置と圧接型半導体装置の製造方法は、実施の形態１との共通点が多いので実施の形態１との相違点を中心に説明する。本発明の実施の形態４に係る圧接型半導体装置は、第２電極を絶縁筒に固定されたリングで固定することを特徴とする。図１４は、本発明の実施の形態４に係る圧接型半導体装置の断面図である。
【００４１】
絶縁筒７０の内壁に溝部７０ｔが形成されている。この溝部７０ｔに第２リング１０２がはめられている。第２リング１０２は、第２電極４４を囲むようにして絶縁筒７０に固定されている。第２リング１０２は第１リング１００と同じ形状を有している。つまり、第２リング１０２には第１リングの固定用突起部に対応する追加固定用突起部（第１追加固定用突起部１０２ａと第２追加固定用突起部１０２ｂ）が形成されている。第２電極４４は、第２電極４４の側面方向に伸びる追加突起部（第１追加突起部４４ａと第２追加突起部４４ｂ）を備えている。
【００４２】
第２リング１０２の追加固定用突起部は第２電極４４の追加突起部と接触し、第２電極４４が半導体基板１０の下面１０ｂと離れる方向に移動することを抑制する。本発明の実施の形態４に係る圧接型半導体装置では、第２リング１０２を用いるので実施の形態３の圧接型半導体装置と比較して、製造コストを低減できる。
【００４３】
ところで、固定用突起部と追加固定用突起部のいずれか一方を採用してもよい。つまり、圧接型半導体装置の構造を考慮して、第１電極１６が半導体基板１０の上面１０ａと反対の方向へ移動（膨張）しやすければ固定用突起部と突起部を設ける。第２電極４４が半導体基板１０の下面１０ｂと反対の方向へ移動（膨張）しやすければ追加固定用突起部と追加突起部を設ける。第１電極１６と第２電極４４が両方とも半導体基板１０と離れる方向へ移動（膨張）しやすければ、固定用突起部、追加固定用突起部、突起部、及び追加突起部を設ける。従って、固定用突起部と突起部を設けず、追加固定用突起部と追加突起部を設ける場合もある。
【符号の説明】
【００４４】
１０  半導体基板、  １０ａ  上面、  １０ｂ  下面、  １１  端面保護樹脂、  １２，４０  緩衝板、  １４，４２  挿入板、  １６  第１電極、  １６Ａ  本体部、  １６ａ  第１突起部、  １６ｂ  第２突起部、  １６ｃ  凹部、  １７，７０ｃ，７０ｄ，６０  金属薄板、  １８  ばね、  ２０  センターピン、  ４４  第２電極、  ４４ａ  第１追加突起部、  ４４ｂ  第２追加突起部、  ５０  ピン、  ７０  絶縁筒、  ７０ａ，１００ａ  第１固定用突起部、  ７０ｂ，１００ｂ  第２固定用突起部、  ７０ｍ，１０２ａ  第１追加固定用突起部、  ７０ｎ，１０２ｂ  第２追加固定用突起部、  ７０ｓ，７０ｔ  溝部、  １００  第１リング、  １０２  第２リング
【図１】
2014067977.tif 000003
【図２】
2014067977.tif 000004
【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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