(57)【要約】【課題】小型化に好適で製造工程も簡略化できる多連チップ抵抗器の製造方法を提供する。【解決手段】矩形状の貫通孔１４が多数設けられた集合基板１０を準備し、この集合基板１０に複数対の電極（表面電極３と裏面電極４）や複数の抵抗体６や保護層（アンダーコート７とオーバーコート８）等を形成した後、貫通孔１４を横切るように１次分割することにより、両端部を凹凸形状とした複数の短冊状基板１６を得る。次いで、短冊状基板１６の凹部１６ａと凸部１６ｂが連続する端面全体にスパッタリング法により端面電極１７を形成した後、短冊状基板１６からダミー部分である凸部１６ｂを除去すると、各凹部１６ａに形成された端面電極１７だけがセパレートされた状態で残るため、多連チップ抵抗器１の小型化に伴って個々の抵抗体６間の配列ピッチが狭くなっても、各抵抗体６に接続された端面電極５をセパレートされた状態で精度良く形成することができる。【選択図】図１４
2014082303.tif 000002
【特許請求の範囲】
【請求項１】
互いに直交する第１および第２の方向に沿って複数の矩形状の貫通孔が所定間隔を存して設けられた集合基板を準備し、この集合基板の片面で前記第１の方向に沿って隣接する前記貫通孔の間に複数対の電極を形成する工程と、
前記複数対の電極と接続される複数の抵抗体を形成する工程と、
少なくとも前記複数の抵抗体を覆うように保護層を形成する工程と、
前記第２の方向に沿って配列された前記貫通孔を横切るように前記集合基板を分割して両端部を凹凸形状にした複数の短冊状基板を形成する工程と、
前記短冊状基板の凹部と凸部が連続する端面全体にスパッタリング法により端面電極を形成する工程と、
前記端面電極の形成後に前記短冊状基板から前記凸部を除去する工程と、
を含むことを特徴とする多連チップ抵抗器の製造方法。
【請求項２】
請求項１の記載において、前記保護層が前記第２の方向に沿って隣接する前記貫通孔の間まで延出していることを特徴とする多連チップ抵抗器の製造方法。
【請求項３】
請求項１または２の記載において、前記集合基板に前記第２の方向に沿って平行に延びる第１分割溝と第２分割溝とが設けられていると共に、これら第１分割溝と第２分割溝は前記集合基板の表裏で互いの溝深さが逆の関係になるように設定されており、前記短冊状基板が前記第１分割溝に沿って前記集合基板から分割され、前記凸部が前記第２分割溝に沿って前記短冊状基板から除去されることを特徴とする多連チップ抵抗器の製造方法。
【請求項４】
請求項３の記載において、前記第２分割溝の延出方向に沿う直線と前記貫通孔の前記第１の方向に沿う端面との間に微小間隔が確保されていることを特徴とする多連チップ抵抗器の製造方法。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、絶縁性基台に複数の抵抗素子がセパレートされた状態で一体的に設けられている多連チップ抵抗器の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多連チップ抵抗器は、直方体形状の絶縁性基台と、絶縁性基台の長手方向に沿って所定間隔を存して設けられた複数対の電極部と、各対をなす電極部どうしを橋絡する複数の抵抗体と、各抵抗体を被覆する絶縁性の保護層等によって主に構成されている。絶縁性基台はセラミック等からなり、電極部は下地電極層にめっき処理を施して形成されている。また、下地電極層は表面電極と裏面電極および両電極を橋絡する端面電極とからなり、絶縁性基台の表面側で複数対の表面電極がそれぞれ抵抗体によって橋絡されている。
【０００３】
このような多連チップ抵抗器を製造する際には、セラミックス等からなる大判の集合基板を準備し、この集合基板に対して複数対の電極を格子状の分割ラインに沿って形成した後、集合基板に対をなす電極に跨がる複数の抵抗体や、複数の抵抗体を覆う保護層等を一括して形成する。次に、集合基板を縦横いずれか一方の分割ラインに沿って複数の短冊状基板に分割し、それぞれの短冊状基板の両端面に複数対の電極と接続される端面電極を形成した後、短冊状基板を他方の分割ラインに沿って分割して多連チップ抵抗器を多数個取りする。こうして得られる多連チップ抵抗器はセパレートされた抵抗素子の集合体であるため、端面電極も個々の抵抗素子に対応してセパレートされた状態で形成されていなければならず、かかる端面電極の形成方法として、特許文献１や特許文献２に記載された技術が従来より知られている。
【０００４】
特許文献１に記載された多連チップ抵抗器の製造方法では、複数の短冊状基板を上下方向に重ね合わせ、この状態で個々の抵抗体どうしが導通しないように各短冊状基板の両端面に複数本のマスキングテープを貼った後、各短冊状基板の両端面全体にローラ転写法やスパッタリング法により端面電極を形成し、しかる後、各マスキングテープを剥がしてセパレートされた端面電極を形成するようにしている。また、特許文献２に記載された多連チップ抵抗器の製造方法では、複数の短冊状基板を上下方向に重ね合わせ、この状態で各短冊状基板の両端面全体にローラ転写法やスパッタリング法により端面電極を形成した後、個々の抵抗体間に位置する端面電極をレーザーで帯状に除去することにより、セパレートされた端面電極を形成するようにしている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００３−２０９００７号公報
【特許文献２】特開２００３−２０９００８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、多連チップ抵抗器の小型化が促進されていくと、短冊状基板における各抵抗体の配列ピッチが狭くなるため、特許文献１に記載されたように、セパレートされた端面電極の幅やピッチがマスキングテープによって決定される方法では、短冊状基板の所定位置に幅狭なマスキングテープを正確に貼り付けることが極めて困難となる。一方、特許文献２に記載されたように、短冊状基板の端面全体に形成された端面電極をレーザーで帯状に除去するという方法では、多連チップ抵抗器の小型化に対応することは可能であるが、レーザーの照射によって短冊状基板へのダメージが懸念される。また、特許文献１や特許文献２に記載された技術では、複数の短冊状基板を上下方向に重ね合わせたとき、それぞれの短冊状基板に形成されている個々の抵抗体が上下方向で正確に位置合わせされていなければならないため、上下に重ねた短冊状基板の電極形成位置を揃えて整列させるという面倒な作業が必要となる。
【０００７】
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、小型化に好適で製造工程も簡略化できる多連チップ抵抗器の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記の目的を達成するために、本発明による多連チップ抵抗器の製造方法では、互いに直交する第１および第２の方向に沿って複数の矩形状の貫通孔が所定間隔を存して設けられた集合基板を準備し、この集合基板の片面で前記第１の方向に沿って隣接する前記貫通孔の間に複数対の電極を形成する工程と、前記複数対の電極と接続される複数の抵抗体を形成する工程と、少なくとも前記複数の抵抗体を覆うように保護層を形成する工程と、前記第２の方向に沿って配列された前記貫通孔を横切るように前記集合基板を分割して両端部を凹凸形状にした複数の短冊状基板を形成する工程と、前記短冊状基板の凹部と凸部が連続する端面全体にスパッタリング法により端面電極を形成する工程と、前記端面電極の形成後に前記短冊状基板から前記凸部を除去する工程と、を含むこととした。
【０００９】
このように集合基板に予め多数の貫通孔を設けておき、この集合基板に複数対の電極や複数の抵抗体および保護層を形成した後、貫通孔を横切るように集合基板を分割して複数の短冊状基板を得ると、これら短冊状基板の両端部は凹凸形状となる。そして、かかる短冊状基板の凹部と凸部が連続する端面全体にスパッタリング法により端面電極を形成した後、短冊状基板から凸部を除去すると、凹部に形成された端面電極だけがセパレートされた状態で残る。ここで、短冊状基板の凹凸形状は集合基板に設けられた各貫通孔によって決定され、これら貫通孔は集合基板に対して高精度に設けることができるため、多連チップ抵抗器の小型化に伴って個々の抵抗体間の配列ピッチが狭くなっても、各抵抗体に接続された端面電極をセパレートされた状態で精度良く形成することができる。また、セパレートされた端面電極の位置精度は個々の短冊状基板の凹凸形状に依存するため、複数の短冊状基板を上下方向に重ね合わせて端面電極をスパッタリングするとき、それぞれの短冊状基板を厳密に位置合わせする必要がなくなり、面倒な整列作業が不要になって製造工程を簡略化することができる。
【００１０】
かかる多連チップ抵抗器の製造方法において、保護層は少なくとも複数の抵抗体を覆う位置に形成されていれば良いが、この保護層が第２の方向に沿って隣接する貫通孔の間まで延出するように形成されていると、短冊状基板の凹凸形状の端面全体に端面電極をスパッタリング法によって形成するとき、保護層の延出部分によってスパッタの回り込みが阻止されるため、抵抗体に接続された電極対の短絡を確実に防止することができて好ましい。
【００１１】
また、かかる多連チップ抵抗器の製造方法において、短冊状基板の分割工程と凸部の除去工程はダイシング法やレーザスクライブ法を用いて行うようにしても良いが、予め集合基板に第２の方向に沿って平行に延びる第１分割溝と第２分割溝とが設けられていると共に、これら第１分割溝と第２分割溝は集合基板の表裏で互いの溝深さが逆の関係になるように設定されており、短冊状基板が第１分割溝に沿って集合基板から分割され、凸部が第２分割溝に沿って短冊状基板から除去されるようにすると、集合基板から短冊状基板を分割するときに、凸部が一緒にブレイクされてしまうことを防止できて好ましい。
【００１２】
この場合において、第２分割溝の延出方向に沿う直線と貫通孔の第１の方向に沿う端面との間に微小間隔が確保されていると、第２分割溝に沿ってブレイクして短冊状基板から凸部を除去するとき、そのブレイク力が凹部に達することはないため、凹部に発生するクラックによって端面電極が欠損してしまうという不良を確実に防止できる。
【発明の効果】
【００１３】
本発明による多連チップ抵抗器の製造方法は、多数の貫通孔が設けられた集合基板に複数対の電極や複数の抵抗体および保護層等を形成した後、貫通孔を横切るように分割して複数の短冊状基板を得ると、これら短冊状基板の両端部は凹部と凸部が連続する凹凸形状となる。そして、このような短冊状基板の端面全体にスパッタリング法により端面電極を形成した後、短冊状基板から凸部を除去すると、凹部に形成された端面電極だけがセパレートされた状態で残るため、多連チップ抵抗器の小型化に伴って個々の抵抗体間の配列ピッチが狭くなっても、各抵抗体に接続された端面電極をセパレートされた状態で精度良く形成することができる。また、セパレートされた端面電極の位置精度は個々の短冊状基板の凹凸形状に依存するため、複数の短冊状基板を上下方向に重ね合わせて端面電極をスパッタリングするとき、それぞれの短冊状基板を厳密に位置合わせする必要がなくなり、面倒な整列作業が不要になって製造工程を簡略化することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本発明の実施形態例に係る多連チップ抵抗器の平面図である。
【図２】図１のＩ−Ｉ線に沿う断面図である。
【図３】図１のII−II線に沿う断面図である。
【図４】図１のIII−III線に沿う断面図である。
【図５】図１に示す多連チップ抵抗器の製造過程で用いられる集合基板の平面図である。
【図６】図５のIV−IV線に沿う断面図である。
【図７】集合基板に表面電極を形成した状態を示す平面視の工程図である。
【図８】集合基板に抵抗体を形成した状態を示す平面視の工程図である。
【図９】集合基板にアンダーコートを形成した状態を示す平面視の工程図である。
【図１０】抵抗体にトリミング溝を形成した状態を示す平面視の工程図である。
【図１１】集合基板にオーバーコートを形成した状態を示す平面視の工程図である。
【図１２】集合基板を短冊状基板に１次分割した状態を示す平面視の工程図である。
【図１３】短冊状基板に端面電極を形成した状態を示す平面視の工程図である。
【図１４】短冊状基板からダミー部分を除去した状態を示す平面視の工程図である。
【図１５】短冊状基板を個々の多連チップ抵抗器に２次分割した状態を示す平面視の工程図である。
【図１６】集合基板に形成されたオーバーコートの変形例を示す平面視の工程図である。
【図１７】集合基板に形成されたオーバーコートの変形例を示す平面視の工程図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、発明の実施の形態を図面を参照しながら説明する。まず、図１〜図４に基づいて本発明の実施形態例に係る多連チップ抵抗器１の構成について説明すると、この多連チップ抵抗器１は、直方体形状の絶縁性基台２と、絶縁性基台２の上面における短手方向（図１の左右方向）の両端部に設けられた複数対の表面電極３と、絶縁性基台２の下面における短手方向の両端部に設けられた複数対の裏面電極４と、絶縁性基台２の側面に設けられて両電極３，４を橋絡している複数対の端面電極５と、絶縁性基台２の上面に設けられて対をなす表面電極３どうしを橋絡している複数の抵抗体６と、各抵抗体６を個別に被覆するアンダーコート７と、各アンダーコート７を被覆するオーバーコート８と、各表面電極３と裏面電極４および端面電極５を被覆するめっき層９とによって主に構成されている。図１に示すものは４連タイプの多連チップ抵抗器１であり、絶縁性基台２に４つの抵抗体６を含む４つの抵抗素子がセパレートされた状態で一体的に設けられている。
【００１６】
絶縁性基台２はセラミック等からなり、この絶縁性基台２は図５〜図１１に示す集合基板１０を第１乃至第３分割溝１１，１２，１３に沿って分割することにより個片化されたものである。
【００１７】
表面電極３と端面電極５および裏面電極４はコ字状に連続する下地電極層として絶縁性基台２の短手方向の両端部に所定間隔を存して複数対形成されており、これら下地電極層にめっき層９を被着させて多連チップ抵抗器１の電極部となしている。なお、めっき層９は、下地電極層に密着する最内層のニッケル（Ｎｉ）めっき層と、外表面に露出する最外層の錫（Ｓｎ）めっき層とを含む２層以上の積層構造になっている。
【００１８】
抵抗体６は酸化ルテニウム等からなり、この抵抗体６には抵抗値を調整するためにトリミング溝１５（図１０参照）が形成されている。アンダーコート７はガラス等からなる絶縁層であり、オーバーコート８はエポキシ系樹脂等からなる絶縁層である。これらアンダーコート７とオーバーコート８によって２層構造の保護層が構成されており、そのうち下層のアンダーコート７はトリミング溝１５を形成する前に抵抗体６を覆うように形成されたものである。これに対し、上層のオーバーコート８は抵抗体６にトリミング溝１５を形成した後に形成されたものであり、このオーバーコート８によってアンダーコート７や抵抗体６やトリミング溝１５等が覆われている。
【００１９】
次に、上記の如く構成された多連チップ抵抗器１の製造方法について、図５〜図１５を参照しながら説明する。
【００２０】
まず、図５に示すように、矩形状の貫通孔１４が多数設けられた集合基板１０を用意する。ここで、図５に直交するＸ−Ｙ座標を設定し、そのうちＸ方向（左右方向）を第１の方向、Ｙ方向（上下方向）を第２の方向と呼ぶと、各貫通孔１４は第１の方向と第２の方向に沿って格子状に配列されている。具体的には、貫通孔１４は所定の間隔Ｐ１を保って第１の方向へ連続的に配列されると共に、間隔Ｐ１よりも小さな間隔Ｐ２を保って第２の方向へ連続的に配列されている。なお、図５中には、貫通孔１４を第２の方向に沿って８個設け、これを一つの列として第１の方向に沿って３列、合計で２４個（８×３＝２４個）の貫通孔１４が描かれているが、実際は、それ以上の貫通孔１４が集合基板１０に設けられている。
【００２１】
また、集合基板１０には断面Ｖ字形状の第１乃至第３分割溝１１，１２，１３が形成されており、そのうち第１分割溝１１と第２分割溝１２は第２の方向へ延び、第３分割溝１３は第１の方向へ延びている。第１分割溝１１は第２の方向に沿って配列された各貫通孔１４の真ん中を横切るように延びており、この第１分割溝１１は集合基板１０の表裏両面に互いの溝底が対向するように形成されている。第２分割溝１２は第２の方向に沿って配列された各貫通孔１４の短辺側端面の若干内方（５μｍ〜５０μｍ）を横切るように延びており、第２分割溝１２と貫通孔１４の短辺（第１の方向に沿う端面）との間には微小間隔が確保されている。第２分割溝１２も集合基板１０の表裏両面に互いの溝底が対向するように形成されているが、第１分割溝１１と第２分割溝１２は集合基板１０の表裏で互いの溝深さが逆の関係になるように設定されている。本実施形態例の場合は、厚みが２００μｍの集合基板１０を用いているため、図６に示すように、第１分割溝１１が表側深さ５０μｍかつ裏側深さ３０μｍであるのに対し、第２分割溝１２は表側深さ３０μｍかつ裏側深さ５０μｍとなっている。
【００２２】
第３分割溝１３は第２の方向に沿って配列された各貫通孔１４の中間を第１の方向へ延びており、この第３分割溝１３も集合基板１０の表裏両面に互いの溝底が対向するように形成されている。前述した第１分割溝１１と第２分割溝１２は第１の方向に沿って隣接する全ての列の貫通孔１４に対して形成されているが、第３分割溝１３は第２の方向に沿って連続する複数の貫通孔１４を１単位として１単位ごとに形成されており、本実施形態例に係る４連タイプの多連チップ抵抗器１の場合、一対の第３分割溝１３間に挟まれた領域に４つの貫通孔１４が設けられている。なお、貫通孔１４と第１乃至第３分割溝１１，１２，１３はいずれも焼成前のセラミックグリーンシートの状態で加工されるようになっており、セラミックグリーンシートに多数の貫通孔やＶ字形状の分割溝を金型を用いて形成した後、これを焼成することによって図５に示すような集合基板１０が得られる。
【００２３】
次に、この集合基板１０の上面で第１の方向に沿って隣接する貫通孔１４の間に銀ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、図７に示すように、第１の方向に沿って隣接する貫通孔１４の間に複数対の表面電極３を形成する。図示省略されているが、集合基板１０の裏面にも同様の工程を行うことにより、第１の方向に沿って隣接する貫通孔１４の間に複数対の裏面電極４を形成する。その際、銀ペーストを対応する貫通孔１４から僅かに離して印刷すると、多少の印刷ずれが発生したとしても、銀ペーストが貫通孔１４に流れ込むことを防止できて好ましい。なお、図面を簡素化して分かりやすくするために、図７〜図１０において、第１乃至第３分割溝１１，１２，１３は図示省略されている。
【００２４】
次に、対をなす表面電極３に跨がるように酸化ルテニウム系の抵抗体ペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、図８に示すように、長手方向の両端部を表面電極３に重ね合わせた複数の抵抗体６を一括形成する。
【００２５】
次に、各抵抗体６を個別に覆う領域にガラスペーストをスクリーン印刷して焼成することにより、図９に示すように、各抵抗体６の上にアンダーコート７を形成する。このアンダーコート７は、次工程で照射されるレーザビームの熱で抵抗体６のトリミング溝１５近傍が損傷しないようにするためのものである。
【００２６】
すなわち、次なる工程では、各抵抗体６の抵抗値を調整するために、図１０に示すように、アンダーコート７に覆われている多数の抵抗体６に対して順次レーザビームを照射してトリミング溝１５を形成する。その際、トリミング対象となる抵抗体６の長手方向の両側に存する表面電極３に図示せぬプローブをそれぞれ接触させ、これらプローブを介して抵抗値を測定しながらレーザトリミングを行う。レーザビームの照射が開始されてトリミング溝１５が長くなると、それに伴って抵抗値が増大していくので、トリミング対象の抵抗体６の抵抗値が所望の値に達した時点でレーザビームの照射をオフにする。
【００２７】
次に、それぞれのアンダーコート７と抵抗体６とトリミング溝１５を覆う領域にエポキシ系樹脂ペーストをスクリーン印刷して加熱硬化させることにより、図１１に示すように、第２の方向に沿って帯状に延びるオーバーコート８を形成する。このオーバーコート８は抵抗体６を外部環境から保護するためのものである。
【００２８】
ここまでの工程は集合基板１０に対する一括処理であるが、次なる工程では、集合基板１０を第１分割溝１１に沿って短冊状に１次分割（１次ブレイク加工）することにより、図１２に示すように、集合基板１０から複数の短冊状基板１６を得る。ここで、第１分割溝１１は第２の方向に沿って配列された各貫通孔１４の真ん中を横切るように延びているため、第１分割溝１１に沿ってブレイクして得られる短冊状基板１６の長手方向に沿う両端部は、平坦面とならずに凹部１６ａと凸部１６ｂが交互に連続する凹凸形状となる。なお、かかる１次ブレイク加工は、集合基板１０の表側側が延ばされ方向に曲げ応力を加えることによって行われ、この曲げ応力によって第１分割溝１１は溝深さの大きな表面側の溝開口が開かれるようにブレイクされる。その際、第１分割溝１１の近傍に平行に設けられた第２分割溝１２にも同様の曲げ応力が作用するが、図６に示すように、第１分割溝１１と第２分割溝１２は集合基板１０の表裏で互いの溝深さが逆の関係になるように設定されており、第２分割溝１２については裏面よりも表面側の溝深さが小さいため、第１分割溝１１のブレイク時に第２分割溝１２が誤って一緒にブレイクされてしまうことを防止できる。
【００２９】
次に、複数の短冊状基板１６を上下方向に重ね合わせた後、この状態で各短冊状基板１６の端面全体にＮｉ／Ｃｒをスパッタリングすることにより、図１３に示すように、短冊状基板１６の凹凸形状の端面全体に端面電極１７を形成する。
【００３０】
次に、短冊状基板１６を第２分割溝１２に沿ってブレイクすることにより、図１４に示すように、短冊状基板１６からダミー部分である凸部１６ｂを除去した後、凸部１６ｂの除去された短冊状基板１６を第３分割溝１３に沿って２次分割（２次ブレイク加工）する。これにより、図１５に示すように、多連チップ抵抗器１と同等の大きさの個片１８（チップ単体）を得る。こうして個片化されたチップ単体１８は、絶縁性基台２の短手方向の両端面に凹部１６ａごとにセパレートされた複数対の端面電極５を有し、各端面電極５によって表面電極３と裏面電極４とが橋絡されるため、コ字状に連続する複数対の前記下地電極層が得られる。
【００３１】
最後に、各チップ単体１８の下地電極層（表面電極３と裏面電極４および端面電極５）に対して、ＮｉめっきとＳｎめっきを施して２層構造のめっき層７を複数形成することにより、図１〜図４に示すような多連チップ抵抗器１が完成する。
【００３２】
以上説明したように、本実施形態例に係る多連チップ抵抗器１の製造方法においては、矩形状の貫通孔１４が多数設けられた集合基板１０を準備し、この集合基板１０に複数対の電極（表面電極３と裏面電極４）や複数の抵抗体６や保護層（アンダーコート７とオーバーコート８）等を形成した後、貫通孔１４を横切るように１次分割することにより、両端部を凹凸形状とした複数の短冊状基板１６を得ることができる。そして、このような短冊状基板１６の凹部１６ａと凸部１６ｂが連続する端面全体にスパッタリング法により端面電極１７を形成した後、短冊状基板１６からダミー部分である凸部１６ｂを除去すると、各凹部１６ａに形成された端面電極１７だけがセパレートされた状態で残るため、多連チップ抵抗器１の小型化に伴って個々の抵抗体６間の配列ピッチが狭くなっても、各抵抗体６に接続された端面電極５をセパレートされた状態で精度良く形成することができる。また、端面電極５の位置精度は１次ブレイクされた短冊状基板１６の凹凸形状（凹部１６ａと凸部１６ｂ）に依存し、この凹凸形状は予め集合基板１０に形成された各貫通孔１４の大きさや形成位置に依存するため、複数の短冊状基板１６を上下方向に重ね合わせて端面電極をスパッタリングするとき、それぞれの短冊状基板１６を厳密に位置合わせする必要がなくなり、面倒な整列作業が不要になって製造工程を簡略化することができる。
【００３３】
また、本実施形態例では、予め集合基板１０に断面Ｖ字形状の第１乃至第３分割溝１１，１２，１３が形成されており、第１分割溝１１に沿って１次分割（１次ブレイク加工）を、第２分割溝１２に沿ってダミー部分の除去を、第３分割溝１３に沿って２次分割（１次ブレイク加工）をそれぞれ行うようにしている。そして、近接状態で第２の方向へ延びる第１分割溝１１と第２分割溝１２のうち、第１分割溝１１は第２の方向に沿って配列された各貫通孔１４の真ん中を横切るように延びているが、第１分割溝１１と第２分割溝１２は集合基板１０の表裏で互いの溝深さが逆の関係になるように設定されているため、第１分割溝１１に沿って短冊状基板１６を１次ブレイクする時に、第２分割溝１２が誤って一緒にブレイクされてしまうことを防止できる。
【００３４】
しかも、第２分割溝１２の延出方向に沿う直線と貫通孔１４の短辺（第１の方向に沿う端面）との間に微小間隔が確保されているため、第２分割溝１２に沿ってブレイクして短冊状基板１６から凸部１６ｂ（ダミー部分）を除去するとき、そのブレイク力が貫通孔１４の短辺側の凹部１６ａに達することはなく、凹部１６ａに発生するクラックに起因して端面電極５が欠損してしまうという不良を未然に防止できる。
【００３５】
ただし、１次分割と２次分割およびダミー部分の除去工程をダイシング法やレーザスクライブ法を用いて行うことも可能であり、その場合、第１乃至第３分割溝１１，１２，１３が形成されていない集合基板を準備し、かかる集合基板に対して複数対の電極や抵抗体や保護層等を形成した後、ブレードを回転させて切断するというダイシング法や、レーザを照射してスクライブ線を形成するというレーザスクライブ法により、１次分割やダミー部分の除去や２次分割を行えば良い。あるいは、１次分割とダミー部分の除去工程を分割溝によるブレイク加工で行い、２次分割をダイシング法またはレーザスクライブ法を用いて行うというように、分割溝によるブレイク加工とダイシング法およびレーザスクライブ法を適宜組合せることも可能である。
【００３６】
また、本実施形態例では、抵抗体６のトリミング調整後に帯状に延びるオーバーコート８を形成することにより、それぞれのアンダーコート７と抵抗体６とトリミング溝１５を覆うようにしているが、図１６に示すように、このオーバーコート８を第２の方向に沿って隣接する各貫通孔１４の間まで一体的に突出させることにより、両側部が櫛歯形状となったオーバーコート８を形成するようにしても良い。あるいは、図１７に示すように、抵抗体６のトリミング調整後に帯状に延びるオーバーコート８を形成した後、水溶性エポキシ樹脂からなるペーストをスクリーン印刷（マスキング印刷）して乾燥する（端面電極１７の形成後に水で洗い流す）ことにより、オーバーコート８に第１の方向に沿って延びる複数の延出部８ｂを形成するようにしても良い。このようにオーバーコート８が各貫通孔１４の間に突出する延出部８ａ，８ｂを有していると、その後の工程で短冊状基板１６の凹凸形状の端面全体にスパッタリング法によって端面電極１７を形成するとき、オーバーコート８の延出部８ａ，８ｂによってスパッタの回り込みが阻止されるため、抵抗体６に接続された表面電極３間の短絡を確実に防止することができる。
【符号の説明】
【００３７】
１  多連チップ抵抗器
２  絶縁性基台
３  表面電極
４  裏面電極
５  端面電極
６  抵抗体
７  アンダーコート（保護層）
８  オーバーコート（保護層）
８ａ，８ｂ  延出部
９  めっき層
１０  集合基板
１１  第１分割溝
１２  第２分割溝
１３  第３分割溝
１４  貫通孔
１５  トリミング溝
１６  短冊状基板
１６ａ  凹部
１６ｂ  凸部
１７  端面電極
１８  チップ単体
【図１】
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【図２】
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【図３】
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【図４】
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【図５】
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【図６】
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【図７】
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【図８】
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【図９】
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【図１０】
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【図１１】
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【図１２】
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【図１３】
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【図１４】
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【図１５】
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【図１６】
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【図１７】
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